(57)【要約】      （修正有）【課題】ダイシングに用いるパルスレーザビームを効率的に基板へ照射することを目的としている。【解決手段】半導体回路が形成された半導体基板１のダイシングラインに、第１の出力を有するパルスレーザビームを第１のスポット間隔を空けながら複数回照射して、半導体基板のダイシングラインに第１の加工溝１４を形成する第１工程と、第１工程で形成された第１の加工溝に沿って、第２の出力を有するパルスレーザビームを第２のスポット間隔を空けながら複数回照射して、半導体基板のダイシングラインに第１の加工溝とは隔たりを有する第２の加工溝１５を形成する第２工程と、第１の加工溝と第２の加工溝の間に、第３の出力を有するパルスレーザビームを第３のスポット間隔を空けながら複数回照射して、ダイシングラインに沿って半導体基板を切断する第３工程を備えている半導体デバイスの製造方法。【選択図】図３
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体回路が形成された半導体基板のダイシングラインに、第１の出力を有するパルスレーザビームを第１のスポット間隔を空けながら複数回照射して、前記半導体基板のダイシングラインに第１の加工溝を形成する第１工程と、
前記第１工程で形成された第１の加工溝に沿って、第２の出力を有するパルスレーザビームを第２のスポット間隔を空けながら複数回照射して、前記半導体基板のダイシングラインに前記第１の加工溝とは隔たりを有する第２の加工溝を形成する第２工程と、
前記第１の加工溝と前記第２の加工溝の間に、第３の出力を有するパルスレーザビームを第３のスポット間隔を空けながら複数回照射して、前記ダイシングラインに沿って前記半導体基板を切断する第３工程を備え、
前記第１の出力および前記第２の出力は前記第３の出力よりも低く、前記第１のスポット間隔および前記第２のスポット間隔は前記第３のスポット間隔よりも広いことを特徴とする半導体デバイスの製造方法。
【請求項２】
前記第１の出力と前記第２の出力は等しいことを特徴とする請求項１に記載の半導体デバイスの製造方法。
【請求項３】
前記第１のスポット間隔および前記第２のスポット間隔は等しいことを特徴とする請求項１に記載の半導体デバイスの製造方法。
【請求項４】
前記第１の加工溝と前記第２の加工溝の隔たりは、前記第３の出力を有するパルスレーザビームのビーム幅の０．５倍〜１．５倍の範囲に収まっていることを特徴とする請求項１から３のいずれか１項に記載の半導体デバイスの製造方法。
【請求項５】
前記第１の加工溝と前記第２の加工溝は照射重複ラインを有することを特徴とする請求項４に記載の半導体デバイスの製造方法。
【請求項６】
半導体回路が形成された半導体基板が載置される吸着機構と、
第１の制御信号に基づいて、第１の出力を有する第１のパルスレーザビーム、第２の出力を有する第２のパルスレーザビーム、および、第３の出力を有する第３のパルスレーザビームを発生するレーザ発振器と、
前記第１のパルスレーザビーム、前記第２のパルスレーザビーム、および、前記第３のパルスレーザビームを前記吸着機構にまで導光する光学部品と、
第２の制御信号に基づいて前記吸着機構の位置を調整する移送機構と、
前記レーザ発振器に対し前記第１の制御信号を送信し、かつ、前記移送機構に対し前記第２の制御信号を送信する制御ユニットと、を備え、
前記制御ユニットは前記レーザ発振器と前記移送機構を制御して、
前記吸着機構に載置された半導体基板のダイシングラインに、前記第１のパルスレーザビームを第１のスポット間隔を空けながら複数回照射して、前記半導体基板のダイシングラインに第１の加工溝を形成する第１工程と、
前記第１工程で形成された第１の加工溝に沿って、前記第２のパルスレーザビームを第２のスポット間隔を空けながら複数回照射して、前記半導体基板のダイシングラインに前記第１の加工溝とは隔たりを有する第２の加工溝を形成する第２工程と、
前記第１の加工溝と前記第２の加工溝の間に、前記第３のパルスレーザビームを第３のスポット間隔を空けながら複数回照射して、前記ダイシングラインに沿って前記半導体基板を切断する第３工程を実行し、
前記第１の出力および前記第２の出力は前記第３の出力よりも低く設定され、
前記第１のスポット間隔および前記第２のスポット間隔は前記第３のスポット間隔よりも広く設定されていることを特徴とする半導体デバイスの製造装置。
【請求項７】
前記光学部品は、ガルバノミラーを有することを特徴とする請求項６に記載の半導体デバイスの製造装置。
【請求項８】
前記光学部品は、分岐ミラーを有することを特徴とする請求項６に記載の半導体デバイスの製造装置。
【請求項９】
前記光学部品は、回折格子を有することを特徴とする請求項６に記載の半導体デバイスの製造装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は、半導体デバイスの製造方法および半導体デバイスの製造装置に関わり、特に、半導体基板のダイシングに関わりのある、半導体デバイスの製造方法および半導体デバイスの製造装置に関わるものである。
【背景技術】
【０００２】
半導体デバイスはシリコン単結晶ウエハなどの単結晶半導体基板に形成される。半導体基板を個々のチップ（半導体デバイス）に切り分けるダイシングは、単結晶基板に多数の半導体回路を形成した後、ブレード（回転刃）やレーザを用いて行われている。単結晶半導体基板は、強い物理的な応力が加わると結晶のへき開面に沿ってへき開し易いという特性を有するため、ブレードで切断すると基板の厚み方向に沿って切断部分に強い応力が加わり、切断部分に割れや欠けが生じやすい。また、レーザ光線を照射してシリコンを蒸発させる（アブレーション）ダイシングは、切断面のダメージが大きい。レーザダイサーは高出力のレーザ光源を必要とし、装置が大型化している。
【０００３】
円板形状である半導体基板から半導体デバイスを分割するのに、ダイサーと呼ばれている切削装置（レーザダイサー、ブレードダイサー等）が用いられている。ダイシングによる半導体デバイスの強度低下を抑制するために、切断面へのダメージを抑える様々な技術が提案されている。例えば、先ず、ダイシングラインのエッジを越えてデバイスの形成領域の端部まで細長くレーザ照射を行うことで、単結晶を多結晶化または非結晶化した改質領域を形成する。その後、ブレードで切断することで、切断時の厚み方向へのダメージ（割れ、欠け）が、半導体デバイスにまで進展することを抑制する（特許文献１参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２０１１−２１０９１５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
ダイシングラインのエッジを越えてレーザ照射を行う切断方法では、半導体基板一枚あたりから取れるデバイスの数が減少する。また、レーザとブレードの２種類が必要になるため、装置が長大化し、設備費用も高額になる。この発明は、このような課題を解決するためになされたものであり、ダイシングに用いるパルスレーザビームを効率的に基板へ照射することを目的としている。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
この発明に係る半導体デバイスの製造方法は、半導体回路が形成された半導体基板のダイシングラインに、第１の出力を有するパルスレーザビームを第１のスポット間隔を空けながら複数回照射して、半導体基板のダイシングラインに第１の加工溝を形成する第１工程と、第１工程で形成された第１の加工溝に沿って、第２の出力を有するパルスレーザビームを第２のスポット間隔を空けながら複数回照射して、半導体基板のダイシングラインに第１の加工溝とは隔たりを有する第２の加工溝を形成する第２工程と、第１の加工溝と第２の加工溝の間に、第３の出力を有するパルスレーザビームを第３のスポット間隔を空けながら複数回照射して、ダイシングラインに沿って半導体基板を切断する第３工程を備え、第１の出力および第２の出力は第３の出力よりも低く、第１のスポット間隔および第２のスポット間隔は第３のスポット間隔よりも広いことを特徴とする。
【発明の効果】
【０００７】
本願に関わる半導体デバイスの製造方法によれば、第１パス目と第２パス目のレーザ照射で予め加工溝を形成する。その結果、第３パス目のレーザ照射時に発生する多量のデブリを真上方向以外に飛散できるため、デブリへのレーザエネルギーの吸収を抑え、効率的に基板へエネルギーを照射できる。
【図面の簡単な説明】
【０００８】
【図１】本発明の実施の形態１による半導体デバイスの製造装置を示す装置斜視図である。
【図２】本発明の実施の形態１による半導体デバイスの製造装置に搭載される光学系を示す図である。
【図３】本発明の実施の形態によるウエハ切断方法のフローを示す斜視図である。
【図４】本発明の実施の形態によるウエハ切断方法のフローを示す上面図である。
【図５】本発明の実施の形態によるレーザ照射痕の説明図である。
【図６】加工溝が無い場合のデブリ飛散を示す説明図である。
【図７】加工溝が有る場合のデブリ飛散を示す説明図である。
【図８】切断後のウエハ強度を評価した結果を示す図である。
【図９】本発明の実施の形態２による半導体デバイスの製造装置に搭載される光学系を示す図である。
【図１０】本発明の実施の形態３による半導体デバイスの製造装置に搭載される光学系を示す図である。
【図１１】本発明の実施の形態４による半導体デバイスの製造装置に搭載される光学系を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【０００９】
本発明の実施の形態に係る半導体デバイスの製造装置および半導体デバイスの製造方法について、図を参照しながら以下に説明する。なお、各図において、同一または同様の構成部分については同じ符号を付していて、対応する各構成部のサイズや縮尺はそれぞれ独立している。例えば構成の一部を変更した断面図の間で、変更されていない同一構成部分を図示する際に、同一構成部分のサイズや縮尺が異なっている場合もある。また、半導体デバイスの製造装置の構成は、実際にはさらに複数の部材を備えているが、説明を簡単にするため、説明に必要な部分のみを記載し、他の部分については省略している。
【００１０】
実施の形態１．
実施の形態１について、図を用いて以下説明する。図１は本実施の形態に関わるウエハ（半導体基板）の切断方法を搭載した半導体デバイスの製造装置１００を示す外観図（斜視図）である。この図を用いて、本発明の構成を説明する。ウエハ１をレーザ変位計１２で高さ測定を行い、カメラ１１の焦点位置とレーザ変位計１２で測定した高さを調整するため、アクチュエータ等で構成されたＺ方向移送機構１０を使用している。ウエハ１をカメラ１１で認識し、レーザ加工の位置を計算した後、Ｘ方向移送機構４と、Ｙ方向移送機構５と、Ｚ方向移送機構１０を使用し、対物レンズ９に対するウエハ１の加工位置を調整している。レーザ発振器６から出射したレーザ光線２５は、光路８に沿って進み、ミラー等の光学部品７に反射され、対物レンズ９に入射する。Ｘ方向移送機構４、Ｙ方向移送機構５、Ｚ方向移送機構１０などは土台１３に搭載されている。制御ユニット３３は、Ｘ方向移送機構４、Ｙ方向移送機構５、Ｚ方向移送機構１０、カメラ１１、レーザ変位計１２などを制御している。
【００１１】
図２は、制御ユニットの役割を示す斜視図である。シリコン単結晶ウエハなどのウエハ１には多数の半導体回路が形成されている。移送機構（Ｘ方向移送機構４、Ｙ方向移送機構５およびＺ方向移送機構１０）はアクチュエータ等で構成されていて、制御ユニット３３からの制御信号に基づいてウエハ１を所定の位置に設定する。ウエハ１はリング２に貼り付けられた状態で、吸着機構３へ搭載する。パルスレーザビームを発生するレーザ発振器６からはパルス状のレーザ光線２５が出射している。レーザ光線２５の発振間隔は、制御ユニット３３からの制御信号に基づいて、レーザ発振器６が調整する。対物レンズ９で集光されたレーザ光線２５は、ウエハ１に照射される。制御ユニット３３は、Ｘ方向移送機構４、Ｙ方向移送機構５、レーザ発振器６、Ｚ方向移送機構１０などに制御信号を送信して、ウエハの加工点におけるレーザ光線のスポット間隔を調整および制御することができる。
【００１２】
図３は、本願に関わるウエハの切断原理を示す斜視図である。ウエハ１を個々のチップ（半導体デバイス）に切り分けるのに、本実施の形態では、レーザ照射を第１パス、第２パスおよび第３パスに分けて実施する。第１パス目は、網目状または蜘蛛の巣状の浅く短い亀裂を有する溝を形成するためのレーザ照射である。第２パス目は、第１パス目のレーザ照射痕（加工溝）から第３パス目のレーザ加工溝幅の0.5〜1.5倍程度の間隔を空けて、レーザ照射する。このとき第１パス目と第２パス目の間に照射重複ライン１９が形成されていると望ましい。第３パス目は、第１パス目と第２パス目の間に、半導体基板の底面までをシングルパスで切断するためのレーザ照射である。第１パス目と第２パス目に使用するレーザはパラメータ（出力、パルス間隔など）が異なっていてもよいが、同条件のパラメータを用いる方が簡便で好ましい。
【００１３】
第１パス目は、ダイシングライン１７に沿って、１種類目のパラメータ（出力が小さく、パルス間隔が広い）を有するレーザを用いて複数回にわたってレーザ照射を行う。第１パスの実施によりウエハ１に第１の加工溝１４が形成される。第２パス目は、ダイシングライン１７に沿って、第１パス目のレーザ照射と隔たりを空けて、１種類目のパラメータを用いてレーザ加工を行う。第２パスの実施によりウエハ１に第２の加工溝（レーザ照射痕）１５が形成される。第３パス目は、第１の加工溝１４と第２の加工溝１５の間に、２種類目のパラメータ（出力が大きく、パルス間隔が狭い）を有するレーザを用いてレーザ照射を行い、第３の加工溝１６を形成する。第３パスの実施によりウエハ１はダイシングライン１７に沿って切断される。
【００１４】
第１の加工溝１４と第２の加工溝１５と第３の加工溝１６について、さらに説明を加える。図４は、同様に、本実施の形態に関わるレーザの切断過程を説明する図である。第１パスの実施には、１種類目のレーザを使用する。１種類目のレーザはパルスレーザの発振間隔を広く、出力を小さくしたレーザである。発振間隔を広くすることで、レーザの照射位置が重ならないように加工していくため、ウエハ１の深さ方向に対する影響が低く、ウエハ１の表面を浅く削る程度でウエハ１の底面まで加工することはない。しかし、ウエハ１の強度が低下しない程度の浅く短い亀裂がパルスレーザ痕毎に発生し、次のパルスレーザ痕で発生した浅く短い亀裂と繋がりあうことで、網目状、もしくは蜘蛛の巣状の強度が低下しない程度の亀裂が形成される。したがって、１種類目のレーザの照射はウエハ１の強度低下を抑制できる傾向にある。第２パスの実施により第２の加工溝１５が形成される。
【００１５】
第１パスと第２パスの実施に使用するパルスレーザビームはスポット径と出力が異なっていてもよいが、ここでは同じ条件であるとする。２種類目のレーザは、パルスレーザの発振間隔を狭く、出力を大きくしたレーザである。発振間隔を狭くすることで、レーザの照射位置を重ねるように加工していくため、同じ位置に何度もパルスレーザを照射している加工方法となる。これにより、ウエハ１の深さ方向に対する影響が高く、ウエハ１の底面まで掘ることができる。しかし、ウエハ１切断時の表面や切断面に対するダメージ（割れ、欠けなど）が大きくなることから、ウエハ１の強度が低下する傾向にある。第３パスの実施により第３の加工溝１６が形成され、ウエハ１はダイシングラインに沿って切断さ
れる。ダイシングラインには余剰分１８が残存する。  
【００１６】
図５に基づいて、１種類目のレーザと２種類目のレーザのパルス間隔について説明する。１種類目のレーザはパルスレーザの発振間隔を広く、出力を小さくしている。２種類目のレーザは、パルスレーザの発振間隔を狭く、出力を大きくしている。このため、１種類目のレーザの出力（第１の出力および第２の出力）は２種類目のレーザの出力（第３の出力）よりも低い。また１種類目のレーザのスポット間隔Ａ（第１のスポット間隔および前記第２のスポット間隔）は２種類目のレーザのスポット間隔Ｂ（第３のスポット間隔）よりも広い。この図の例では、１種類目のレーザを８回照射している間に２種類目のレーザを１５回照射している。
【００１７】
次にレーザ切断の原理を説明する。図６は、レーザがウエハに照射されている状態を表している。レーザ光線２１をウエハ１に照射すると、ウエハ１は急速に加熱され、溶融する。レーザ光線２１の照射により蒸発したシリコンは蒸発して空中に飛散するため、レーザ加工屑が発生する。このレーザ加工屑はデブリ３１と称せられている。ウエハ１の深さ方向へとレーザによる切断が進むにつれて、デブリ飛散方向２２がウエハの真上方向のみに制限されてゆく。これにより、レーザ光線２１のエネルギーは飛散したデブリ３１に一部吸収されるため、エネルギーロスが発生する。
【００１８】
つまり、ウエハ１の底面まで切断するためには、デブリによるエネルギーロスも考慮した上で、予めエネルギーの出力をより大きくしておく必要がある。ウエハ１に加わるエネルギーを大きくすると、レーザ加工の際に形成される溝幅が広がるため、ダイシングライン１７を広く取っておく必要がある。その結果、ウエハ１一枚あたりのチップの取れ高は減少する。また、レーザのエネルギー出力が大きいため、ウエハ１に対する衝撃力や、熱影響が大きくなるめ、ウエハ１の表面や切断面側に大きな割れ、欠けが発生しやすくなり、ウエハ１の強度が低下する。
【００１９】
図７は、第１の加工溝１４と第２の加工溝１５にレーザが照射されている状態を表している。第１パス目に形成される第１の加工溝と第２パス目に形成される第２の加工溝は隔たりＣだけ離れている。隔たりＣは、第３パス目に使用するレーザビームのビーム径の０．５倍〜１．５倍の範囲に収まっている。レーザ光線２１を用いてウエハ１を切断する際に発生するデブリ３１は、空中へと飛散する。しかし、第１の加工溝１４と第２の加工溝１５が存在しているため、デブリ飛散方向２３が真上方向以外にも存在し、デブリ３１によるエネルギーロスが減少する。これにより、レーザのエネルギー出力を余分に大きくしておく必要がなくなり、ウエハ１の強度低下を抑制することができる。網目状、もしくは蜘蛛の巣状の浅く短い亀裂は、第１パス目と第２パス目のレーザ加工により、レーザ照射痕に沿って形成されている。この亀裂は出力の大きな、パルス間隔の狭い第３パス目のレーザ加工の際に発生する、大きなクラックがデバイスの方向へと進展していくのを抑制でき、強度低下を防ぐ効果を持つ。また、第１の加工溝１４と第２の加工溝１５をウエハ１が熱膨張した場合の吸収代としても利用することができるため、大きな割れ、欠け発生も抑制できる。
【００２０】
次に、本実施の形態による切断方法の効果をウエハの抗折強度の実測例を示した図８に基づいて説明する。この図において、縦軸は相対抗折強度を表している。条件１では、まず１種類目のレーザを使用してシングルパスで試料を照射し、筋をいれる。この試料を機械的に割り、切断片を作成する。切断片に３点曲げを行い、切断片の抗折強度を測定した。条件２は、２種類目のレーザを使用してシングルパスで切断した場合を表している。条件３から条件６は、複合パスによる切断を行った。条件３は、第１パス目と第２パス目の隔たりＣを第３パス目のレーザビームのビーム幅（または第３の加工溝の幅）の0.5倍に
設定したときの強度結果である。条件４は、第１パス目と第２パス目の隔たりＣを第３パス目のレーザビームのビーム幅（または第３の加工溝の幅）の1.0倍に設定したときの強度結果である。条件５は、第１パス目と第２パス目の隔たりＣを第３パス目のレーザビームのビーム幅（または第３の加工溝の幅）の1.5倍に設定したときの強度結果である。条件６は、第１パス目と第２パス目の隔たりＣを第３パス目のレーザビームのビーム幅（または第３の加工溝の幅）の2.0倍に設定したときの強度結果である。
【００２１】
グラフに示した相対抗折強度はウエハを条件１で加工した場合の強度を100%としている。２種類目のレーザを使ってシングルパスで加工した場合（条件２）は強度が２０％まで下がった。複合パスを使用する場合は４０％〜５０％の強度を得るこができた。１種類目のレーザの第１パス目と第２パス目の隔たりＣを広げすぎる場合、強度低下の抑制効果が低下する傾向にあることも示している。また上記以外の効果として、本切断方法はレーザ発振器一台で、デバイスの強度低下を抑制しながらの切断が可能となることから、装置の小型化と低コスト化に繋がる。また、冷却液等によるデバイスへの水付着も必要なくなる。
【００２２】
第１の加工溝１４と第２の加工溝１５は基板がレーザにより熱膨張した場合の吸収代として利用でき、切断面のダメージ（クラック、欠け等）を抑えることができる。同時に、本加工の第１パス目と第２パス目の照射位置に、網目状、もしくは蜘蛛の巣状の亀裂が形成される。第３パス目を第１パス目と第２パス目の間に照射するため、強度低下の要因となる深く、長い、大きな亀裂を、デバイス側に進展するのを抑え、強度低下を抑制できる。また、レーザ発振器一台で、デバイスの強度低下を抑制しながらの切断が可能となるため、装置の小型化と低コスト化に繋がり、冷却液等によるデバイスへの水付着も回避できる。
【００２３】
実施の形態２．
実施の形態２では、本加工方法をより高速に実施するために、半導体デバイスの製造装置１００は次のような装置構成を備えている。図９に示すように、レーザ光線２５に対し、ガルバノミラー２６とｆ−θレンズ２７を利用したスキャニング光学系を、ウエハ切断方法を搭載したレーザ加工装置に取り込むことで、レーザの加工速度と位置決め精度を上昇させている。このスキャニング光学系は、ＸＹ軸のロータリーエンコーダ（図示無し）とモータ（図示無し）を用いて、ガルバノミラー２６を高速に駆動することにより、レーザ光線２５の位置決めを行う。このスキャニング光学系は、穴あけ、カッティング、トリミングなどに使われている一般的な方式であり、本製造装置にも十分利用可能である。
【００２４】
実施の形態３．
実施の形態３では、本加工方法をより高速に実施するために、半導体デバイスの製造装置１００は次のような装置構成を備えている。加工速度向上の方法として、第１パス目および第２パス目のレーザは、パルス間隔を広げている。第３パス目のレーザよりも切断速度が速いという特徴を持っているとしても、第１パスのみの照射で切断していた場合と比べると、切断速度が遅くなる傾向は否めない。そこで、図１０に示すように、ミラー２８で反射された１本のレーザ光線２５を分岐ミラー２９（ハーフミラー）に通すことで、複数本にレーザを分岐させ、複数本のダイシングラインを一括に同時加工することにより、切断の高速化を行う。第１パス目と第２パス目のレーザと、第３パス目のレーザには時間差を設けておくことで、第１パス目および第２パス目のレーザ加工溝が形成した後に、第３パス目のレーザを照射することができる。本実施の形態によれば、デブリに吸収されるエネルギーロスを抑制しつつ加工することができ、複数本を一括に同時加工することにより、切断の高速化が可能となる。
【００２５】
実施の形態４．
実施の形態４では、本加工方法をより高速に実施するために、半導体デバイスの製造装置１００は次のような装置構成を備えている。図１１に示すように、１本のレーザ光線２５を分光素子である回折格子３２へと通すことで、光同士に一定の行路差（位相差）がつき回折を生じさせることができる。これにより、光強度を減衰させることなく、レーザを分岐することができるため、実施の形態３と同様に、複数本を一括に同時加工することができ、切断の高速化が可能となる。また同様に、第１パス目と第２パス目のレーザと、第３パス目のレーザに時間差を設けることにより、レーザ加工溝を形成した後、第３パス目の照射ができるため、デブリに吸収されるエネルギーロスを抑制できる。
【００２６】
なお、本発明は、その発明の範囲内において、実施の形態を自由に組み合わせたり、各実施の形態を適宜、変形、省略することが可能である。
【符号の説明】
【００２７】
１  ウエハ、２  リング、３  吸着機構、４  Ｘ方向移送機構、５  Ｙ方向移送機構、６  レーザ発振器、７  光学部品、８  光路、９  対物レンズ、１０  Ｚ方向移送機構、１１  カメラ、１２  レーザ変位計、１３  土台、１４  第１の加工溝、１５  第２の加工溝、１６  第３の加工溝、１７  ダイシングライン、１８  余剰分、１９  照射重複ライン、２１  レーザ光線、２２  デブリ飛散方向、２３  デブリ飛散方向、２５  レーザ光線、２６  ガルバノミラー、２７  ｆ−θレンズ、２８  ミラー、２９  分岐ミラー、３０  集光レンズ、３１  デブリ、３２  回折格子、３３  制御ユニット、１００  半導体デバイスの製造装置、Ａ  スポット間隔、Ｂ  スポット間隔、Ｃ  隔たり
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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