(57)【要約】【課題】チャンバー内の清浄度を高めることができる基板処理装置を提供すること。【解決手段】基板処理装置は、基板Ｗを保持するスピンチャック１０と、スピンチャック１０に保持されている基板Ｗの上方に配置される整流板８と、整流板８の下面８ｓに付着している付着物を除去ローラ４２で除去する室内洗浄ユニット４１とを含む。室内洗浄ユニット４１は、整流板８の下面８ｓに接触する除去ローラ４２と、除去ローラ４２の外周面４２ｓを整流板８の下面８ｓに接触させた状態で、除去ローラ４２を整流板８の下面８ｓに沿って移動させる駆動手段とを含む。【選択図】図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板を保持する基板保持手段と、
前記基板保持手段に保持されている基板の上方に配置される対向部材と、
前記対向部材の下面に接触する除去部材と、前記除去部材の外面を前記対向部材の下面に接触させた状態で前記除去部材を前記対向部材の下面に沿って移動させる駆動手段とを含み、前記対向部材の下面に付着している付着物を前記除去部材で除去する対向部材洗浄手段とを含む、基板処理装置。
【請求項２】
前記除去部材は、液体を吸収する弾性変形可能なスポンジを含む、請求項１に記載の基板処理装置。
【請求項３】
前記基板処理装置は、前記対向部材洗浄手段を制御する制御装置をさらに含み、
前記対向部材洗浄手段は、前記除去部材の外面に液体を供給する液体供給手段をさらに含み、
前記制御装置は、
前記除去部材の外面を前記対向部材の下面に接触させた状態で、前記除去部材を前記対向部材の下面に沿って移動させる第１ステップと、
前記液体供給手段から前記除去部材の外面に液体を供給することにより、前記対向部材から前記除去部材に移動した付着物を洗い流す第２ステップとを実行する、請求項２に記載の基板処理装置。
【請求項４】
前記基板処理装置は、前記対向部材洗浄手段を制御する制御装置をさらに含み、
前記対向部材洗浄手段は、前記除去部材の外面に液体を供給する液体供給手段をさらに含み、
前記制御装置は、
前記液体供給手段から前記除去部材の外面に液体を供給する第３ステップと、
前記第３ステップで供給された液体で濡れている前記外面を前記対向部材の下面に接触させた状態で、前記除去部材を前記対向部材の下面に沿って移動させる第４ステップとを実行する、請求項２または３に記載の基板処理装置。
【請求項５】
前記除去部材の少なくとも一部は筒状であり、
前記液体供給手段は、前記除去部材の中で、前記除去部材に向けて液体を吐出する内側液体吐出口を含む、請求項３または４に記載の基板処理装置。
【請求項６】
前記基板処理装置は、前記対向部材洗浄手段を制御する制御装置をさらに含み、
前記対向部材洗浄手段は、前記除去部材から液体を除去する液体除去手段をさらに含み、
前記制御装置は、
前記液体供給手段から前記除去部材の外面に液体を供給する第３ステップと、
前記第３ステップで供給された液体で濡れている前記外面を前記対向部材の下面に接触させた状態で、前記除去部材を前記対向部材の下面に沿って移動させる第４ステップと、
前記第４ステップの後に、前記液体除去手段で前記除去部材から液体を除去する第５ステップと、
前記第５ステップの後に、前記除去部材の外面を前記対向部材の下面に接触させた状態で、前記除去部材を前記対向部材の下面に沿って移動させる第６ステップとを実行する、請求項３〜５のいずれか一項に記載の基板処理装置。
【請求項７】
前記対向部材洗浄手段は、前記除去部材から液体を除去する液体除去手段をさらに含み、
前記液体除去手段は、前記駆動手段によって前記除去部材の外面が押し付けられる排液突起を含む、請求項２〜６のいずれか一項に記載の基板処理装置。
【請求項８】
前記対向部材洗浄手段は、前記除去部材から液体を除去する液体除去手段をさらに含み、
前記液体除去手段は、前記除去部材を捩じって弾性変形させる捩じり手段を含む、請求項２〜７のいずれか一項に記載の基板処理装置。
【請求項９】
前記基板処理装置は、
前記基板保持手段に保持されている基板の上方に配置され、前記基板保持手段に保持されている基板に向けて気体を送る送風ユニットと、
前記送風ユニットによって送られた気体が通過する複数の貫通孔が形成されており、前記基板保持手段に保持されている基板と前記送風ユニットとの間に配置される整流板とをさらに含み、
前記対向部材洗浄手段は、前記対向部材としての前記整流板の下面に前記除去部材の外面を接触させた状態で、前記除去部材を前記整流板の下面に沿って移動させる、請求項１〜８のいずれか一項に記載の基板処理装置。
【請求項１０】
前記基板処理装置は、
前記基板保持手段に保持されている基板の上方に配置される遮断板と、
前記基板保持手段に保持されている基板の上方で前記遮断板を鉛直方向に移動させる遮断板昇降手段とをさらに含み、
前記対向部材洗浄手段は、前記対向部材としての前記遮断板の下面に前記除去部材の外面を接触させた状態で、前記除去部材を前記遮断板の下面に沿って移動させる、請求項１〜８のいずれか一項に記載の基板処理装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、基板を処理する基板処理装置に関する。処理対象となる基板には、たとえば、半導体ウエハ、液晶表示装置用基板、プラズマディスプレイ用基板、ＦＥＤ（Field Emission Display）用基板、光ディスク用基板、磁気ディスク用基板、光磁気ディスク用基板、フォトマスク用基板、セラミック基板、太陽電池用基板などが含まれる。
【背景技術】
【０００２】
半導体装置や液晶表示装置などの製造工程では、半導体ウエハや液晶表示装置用ガラス基板などの基板を処理する基板処理装置が用いられる。
特許文献１に記載の枚葉式の基板処理装置は、レジストパターンで表面が覆われた基板を水平に保持して回転させるスピンチャックと、レジスト除去液の一例であるＳＰＭを基板の表面に向けて吐出するノズルと、基板上のＳＰＭの液膜を加熱する赤外線ヒータと、スピンチャック等を収容するチャンバーとを備えている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２０１３−１８２９５７号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
ノズルから処理液が吐出されたり、処理液が基板からその周囲に飛散したりすると、処理液の液滴やミストが基板の近くで発生する。また、チャックピンやカップに処理液が衝突したときも、処理液の液滴やミストが基板の近くで発生する。
殆どの液滴やミストは、チャンバー内に形成されたダウンフローや排気設備の吸引力によって、カップ内に送り込まれる。しかしながら、一部の液滴やミストが、基板の上方に広がり、基板の上方に配置された部材やチャンバーの内壁面に付着する場合がある。場合によっては、チャンバーの天井面に液滴やミストが付着する可能性がある。
【０００５】
また、特許文献１に記載の基板処理装置では、高温のＳＰＭから蒸気が発生し、この蒸気がチャンバー内を上昇する場合がある。さらに、ＳＰＭとレジストとの反応により基板からヒューム（煙のような気体）が発生し、このヒュームがチャンバー内を上昇する場合がある。したがって、これらの気体が基板の上方に配置された部材やチャンバーの内壁面に付着する場合がある。
【０００６】
処理液の液滴やミストがチャンバー内の部材やチャンバーの内壁面に付着すると、処理液の液滴が基板の上面に向かって落下し、基板を汚染させる場合がある（特に、薬液を含む液滴の場合）。また、処理液の液滴やミストは、基板の汚染原因となるパーティクルを発生させるおそれがある。同様に、ヒュームや処理液の蒸気は、基板の汚染原因となるパーティクルを発生させるおそれがある。したがって、これらの液体や気体が付着した部分を洗浄しないと、パーティクルがチャンバー内を浮遊し、基板が汚染されるおそれがある。
【０００７】
そこで、本発明の目的の一つは、チャンバー内の清浄度を高めることができる基板処理装置を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
前記目的を達成するための請求項１に記載の発明は、基板を保持する基板保持手段と、前記基板保持手段に保持されている基板の上方に配置される対向部材と、前記対向部材の下面に接触する除去部材と、前記除去部材の外面を前記対向部材の下面に接触させた状態で前記除去部材を前記対向部材の下面に沿って移動させる駆動手段とを含み、前記対向部材の下面に付着している付着物を前記除去部材で除去する対向部材洗浄手段とを含む、基板処理装置である。
【０００９】
この構成によれば、除去部材の外面が基板の上方に配置された対向部材の下面に当てられる。そして、この状態で、除去部材が対向部材の下面に沿って動かされる。これにより、対向部材の下面に付着している液体や粒子等の付着物が除去部材によって対向部材の下面から除去される。これにより、チャンバー内の清浄度を高めることができる。さらに、除去部材を対向部材の下面に接触させるので、気体や液体を対向部材の下面に吹き付ける場合よりも大きな力を付着物に与え易い。したがって、対向部材から付着物を効率的に除去できる。
【００１０】
請求項２に記載の発明は、前記除去部材は、液体を吸収する弾性変形可能なスポンジを含む、請求項１に記載の基板処理装置である。
この構成によれば、除去部材が液体を吸収できるので、対向部材の下面に付着している液体を除去部材で吸い取ることができる。さらに、除去部材が弾性変形可能なので、除去部材の外面を対向部材の下面に密着させることができ、除去部材と対向部材との接触面積を増加させることができる。したがって、対向部材の下面に付着している液体を効率的に吸い取ることができる。さらに、除去部材の少なくとも一部がスポンジなので、布などの繊維で除去部材が構成されている場合よりも、除去部材の一部が剥がれ難い。したがって、除去部材から剥がれた剥離片が対向部材の下面に付着することを抑制または防止できる。
【００１１】
請求項３に記載の発明は、前記基板処理装置は、前記対向部材洗浄手段を制御する制御装置をさらに含み、前記対向部材洗浄手段は、前記除去部材の外面に液体を供給する液体供給手段をさらに含み、前記制御装置は、前記除去部材の外面を前記対向部材の下面に接触させた状態で、前記除去部材を前記対向部材の下面に沿って移動させる第１ステップと、前記液体供給手段から前記除去部材の外面に液体を供給することにより、前記対向部材から前記除去部材に移動した付着物を洗い流す第２ステップとを実行する、請求項２に記載の基板処理装置である。
【００１２】
この構成によれば、対向部材の下面に付着している付着物が除去部材によって拭き取られる。その後、除去部材の外面に液体が供給される。これにより、対向部材から除去部材に移動した付着物が洗い流される。そのため、除去部材に移動した付着物が、再び、対向部材の下面に付着することを抑制または防止できる。これにより、チャンバー内の清浄度の低下を抑制または防止できる。
【００１３】
請求項４に記載の発明は、前記基板処理装置は、前記対向部材洗浄手段を制御する制御装置をさらに含み、前記対向部材洗浄手段は、前記除去部材の外面に液体を供給する液体供給手段をさらに含み、前記制御装置は、前記液体供給手段から前記除去部材の外面に液体を供給する第３ステップと、前記第３ステップで供給された液体で濡れている前記外面を前記対向部材の下面に接触させた状態で、前記除去部材を前記対向部材の下面に沿って移動させる第４ステップとを実行する、請求項２または３に記載の基板処理装置である。
【００１４】
この構成によれば、除去部材の濡れた外面が対向部材の下面に当てられる。そして、この状態で、除去部材が対向部材の下面に沿って動かされる。このとき、除去部材に含まれる液体の一部が除去部材から染み出て、対向部材の下面に付着している付着物の一部を溶かす。そのため、対向部材の下面に付着している付着物が除去部材によって効率的に拭き取られる。これにより、チャンバー内の清浄度を高めることができる。
【００１５】
請求項５に記載の発明は、前記除去部材の少なくとも一部は筒状であり、前記液体供給手段は、前記除去部材の中で、前記除去部材に向けて液体を吐出する内側液体吐出口を含む、請求項３または４に記載の基板処理装置である。
この構成によれば、除去部材の中に配置された内側液体吐出口から液体が吐出される。内側液体吐出口から吐出された液体は、スポンジ状の除去部材の内部を通って除去部材の外面から排出される。これにより、除去部材の外面に液体が供給される。また、除去部材の外面から除去部材内に吸い取られた付着物が、除去部材の外面に向かう液体の流れによって除去部材の外に排出される。これにより、除去部材をきれいな状態に保つことができる。
【００１６】
前記液体供給手段は、前記除去部材の周囲で、前記除去部材に向けて液体を吐出する外側吐出口を含んでいてもよい。また、前記液体供給手段は、前記内側液体吐出口と前記外側吐出口とを含んでいてもよい。
請求項６に記載の発明は、前記基板処理装置は、前記対向部材洗浄手段を制御する制御装置をさらに含み、前記対向部材洗浄手段は、前記除去部材から液体を除去する液体除去手段をさらに含み、前記制御装置は、前記液体供給手段から前記除去部材の外面に液体を供給する第３ステップと、前記第３ステップで供給された液体で濡れている前記外面を前記対向部材の下面に接触させた状態で、前記除去部材を前記対向部材の下面に沿って移動させる第４ステップと、前記第４ステップの後に、前記液体除去手段で前記除去部材から液体を除去する第５ステップと、前記第５ステップの後に、前記除去部材の外面を前記対向部材の下面に接触させた状態で、前記除去部材を前記対向部材の下面に沿って移動させる第６ステップとを実行する、請求項３〜５のいずれか一項に記載の基板処理装置である。
【００１７】
この構成によれば、除去部材の濡れた外面が対向部材の下面に当てられ、除去部材が対向部材の下面に沿って動かされる。その後、除去部材から液体が除去される。そして、除去部材の外面が乾いた状態または概ね乾いた状態で、除去部材の外面が対向部材の下面に当てられ、除去部材が対向部材の下面に沿って動かされる。このように、対向部材の下面が除去部材によって複数回拭かれるので、より多くの付着物を対向部材から除去できる。さらに、濡れた除去部材で対向部材の下面を拭いた後に、概ね乾いた除去部材で対向部材の下面を拭くので、対向部材の下面から液滴が落下したり、パーティクルが発生したりすることを抑制または防止できる。
【００１８】
請求項７に記載の発明は、前記対向部材洗浄手段は、前記除去部材から液体を除去する液体除去手段をさらに含み、前記液体除去手段は、前記駆動手段によって前記除去部材の外面が押し付けられる排液突起を含む、請求項２〜６のいずれか一項に記載の基板処理装置である。
この構成によれば、弾性変形可能な除去部材の外面が駆動手段によって排液突起に押し付けられる。そのため、除去部材の外面の一部が排液突起に沿う形状に弾性変形し、排液突起が除去部材に食い込む。これにより、除去部材の外面から除去部材内に吸い取られた付着物が、除去部材の弾性変形によって除去部材の外に押し出される。これにより、除去部材をきれいな状態に保つことができる。
【００１９】
請求項８に記載の発明は、前記対向部材洗浄手段は、前記除去部材から液体を除去する液体除去手段をさらに含み、前記液体除去手段は、前記除去部材を捩じって弾性変形させる捩じり手段を含む、請求項２〜７のいずれか一項に記載の基板処理装置である。
この構成によれば、弾性変形可能な除去部材が捩じられ弾性変形する。これにより、除去部材の外面から除去部材内に吸い取られた付着物が、除去部材の弾性変形によって除去部材の外に押し出される。これにより、除去部材をきれいな状態に保つことができる。
【００２０】
前記液体除去手段は、前記除去部材に向けて気体を吐出する気体供給手段を含んでいてもよい。この場合、前記気体供給手段は、前記除去部材の中で、前記除去部材に向けて気体を吐出する内側気体吐出口と、前記除去部材の周囲で、前記除去部材に向けて気体を吐出する外側気体吐出口との少なくとも一方を含んでいてもよい。また、前記液体除去手段は、前記除去部材に吸引力を作用させる吸引手段を含んでいてもよい。
【００２１】
請求項９に記載の発明は、前記基板処理装置は、前記基板保持手段に保持されている基板の上方に配置され、前記基板保持手段に保持されている基板に向けて気体を送る送風ユニットと、前記送風ユニットによって送られた気体が通過する複数の貫通孔が形成されており、前記基板保持手段に保持されている基板と前記送風ユニットとの間に配置される整流板とをさらに含み、前記対向部材洗浄手段は、前記対向部材としての前記整流板の下面に前記除去部材の外面を接触させた状態で、前記除去部材を前記整流板の下面に沿って移動させる、請求項１〜８のいずれか一項に記載の基板処理装置である。
【００２２】
この構成によれば、送風ユニットから送られた気体を複数の貫通孔によって整流する整流板が基板の上方に配置されている。したがって、基板の処理に伴って生成された液体や気体（処理液のミストなど）が、整流板の下面に付着する場合がある。整流板の下面に付着している付着物は、除去部材によって除去される。したがって、チャンバー内の清浄度の低下を抑制または防止でき、基板の汚染を抑制または防止できる。
【００２３】
請求項１０に記載の発明は、前記基板処理装置は、前記基板保持手段に保持されている基板の上方に配置される遮断板と、前記基板保持手段に保持されている基板の上方で前記遮断板を鉛直方向に移動させる遮断板昇降手段とをさらに含み、前記対向部材洗浄手段は、前記対向部材としての前記遮断板の下面に前記除去部材の外面を接触させた状態で、前記除去部材を前記遮断板の下面に沿って移動させる、請求項１〜８のいずれか一項に記載の基板処理装置である。
【００２４】
この構成によれば、遮断板昇降手段によって鉛直方向に昇降される遮断板が基板の上方に配置されている。したがって、基板の処理に伴って生成された液体や気体（処理液のミストなど）が、遮断板の下面に付着する場合がある。遮断板の下面に付着している付着物は、除去部材によって除去される。したがって、チャンバー内の清浄度の低下を抑制または防止でき、基板の汚染を抑制または防止できる。
【図面の簡単な説明】
【００２５】
【図１】本発明の第１実施形態に係る基板処理装置を上から見た模式図である。
【図２】処理ユニットの内部を水平に見た模式図である。
【図３】処理ユニットの内部を上から見た模式図である。
【図４】処理ユニットによって行われる基板の処理の一例について説明するための工程図である。
【図５】除去ローラの中心線に沿う鉛直面で室内洗浄ユニットを切断したときの模式的な断面図である。
【図６】除去ローラの軸方向に直交する鉛直面で室内洗浄ユニットを切断したときの模式的な断面図である。
【図７】室内洗浄ユニットによって行われる整流板の洗浄の一例（第１洗浄例）について説明するための工程図である。
【図８】室内洗浄ユニットによって行われる整流板の洗浄の他の例（第２洗浄例）について説明するための工程図である。
【図９】本発明の第２実施形態に係る室内洗浄ユニットを示す図であり、除去ローラの中心線に沿う鉛直面で室内洗浄ユニットを切断したときの断面を示している。
【図１０】本発明の第２実施形態に係る室内洗浄ユニットを示す図であり、除去ローラの軸方向に直交する鉛直面で室内洗浄ユニットを切断したときの断面を示している。
【図１１】本発明の第３実施形態に係る室内洗浄ユニットを示す模式的な斜視図である。
【図１２】本発明の第４実施形態に係る処理ユニットの内部を上から見た模式図である。
【図１３】本発明の第４実施形態に係る室内洗浄ユニットを示す図であり、除去ローラの中心線に沿う鉛直面で室内洗浄ユニットを切断したときの断面を示している。
【図１４】本発明の第４実施形態に係る室内洗浄ユニットを示す模式的な斜視図である。
【図１５】本発明の第５実施形態に係る処理ユニットの内部を水平に見た模式図である。
【発明を実施するための形態】
【００２６】
以下では、本発明の実施形態を、添付図面を参照して詳細に説明する。
最初に、基板Ｗの処理について説明し、その後、対向部材としての整流板８の洗浄について説明する。
１．基板Ｗの処理について
１−１．構成について
基板処理装置１は、シリコンウエハなどの円板状の基板Ｗを一枚ずつ処理する枚葉式の装置である。図１に示すように、基板処理装置１は、処理液または処理ガスで基板Ｗを処理する複数の処理ユニット２と、一つのロットを構成する複数枚の基板Ｗを収容するキャリアＣが載置されるロードポートＬＰと、ロードポートＬＰと処理ユニット２との間で基板Ｗを搬送する搬送ロボットＩＲおよび搬送ロボットＣＲと、基板処理装置１を制御する制御装置３とを含む。
【００２７】
図２に示すように、各処理ユニット２は、枚葉式のユニットである。各処理ユニット２は、内部空間を有する箱形のチャンバー４と、チャンバー４内で一枚の基板Ｗを水平な姿勢で保持しながら、基板Ｗの中央部を通る鉛直な回転軸線Ａ１まわりに基板Ｗを回転させるスピンチャック１０と、スピンチャック１０に保持されている基板Ｗに処理液を供給する複数のノズル（第１薬液ノズル１６、第２薬液ノズル２１、およびリンス液ノズル２６）と、基板Ｗ上の液体を加熱する加熱装置３２と、回転軸線Ａ１まわりにスピンチャック１０を取り囲む筒状のカップ３１とを含む。
【００２８】
図２および図３に示すように、チャンバー４は、スピンチャック１０等を収容する箱形の隔壁５と、隔壁５に設けられた搬入搬出口を開閉するシャッター６とを含む。図２に示すように、チャンバー４は、さらに、隔壁５の上部から隔壁５内にクリーンエアー（フィルターによってろ過された空気）を送る送風ユニットとしてのＦＦＵ７（ファン・フィルタ・ユニット７）を含む。ＦＦＵ７は、隔壁５の上方に配置されている。ＦＦＵ７は、隔壁５の天井からチャンバー４内に下向きにクリーンエアーを送る。チャンバー４内に導入されたクリーンエアーがチャンバー４下部（詳細には後述するカップ３１内部）からチャンバー４の外に排出されることにより、チャンバー４内を下方に流れるダウンフロー（下降流）が形成される。基板Ｗは、チャンバー４内にダウンフローが形成されている状態で処理される。
【００２９】
図２に示すように、チャンバー４は、ＦＦＵ７によって隔壁５内に送られたクリーンエアーを整流する整流板８を含む。整流板８は、隔壁５の中に配置されており、具体的には、ＦＦＵ７とスピンチャック１０との間の高さに配置されている。整流板８は、水平な姿勢で保持されている。整流板８は、隔壁５の内部を整流板８の上方の上方空間ＳＰ１と整流板８の下方の下方空間ＳＰ２とに仕切っている。隔壁５の天井面５ａと整流板８との間の上方空間ＳＰ１は、クリーンエアーが拡散する拡散空間であり、隔壁５の床面５ｃと整流板８との間の下方空間ＳＰ２は、基板Ｗの処理が行われる処理空間である。上方空間ＳＰ１の高さは、下方空間ＳＰ２の高さよりも小さい。整流板８の下面８ｓは、平面視で基板Ｗに重なる対向部を含む。
【００３０】
図２に示すように、整流板８は、隔壁５の天井面５ａで開口する送風口５ｂの下方に配置されている。ＦＦＵ７は、送風口５ｂから上方空間ＳＰ１にクリーンエアーを送る。整流板８は、厚み方向に貫通する複数の貫通孔８ａがその全域に形成された多孔プレートである。図３では、整流板８の図示を省略しており、整流板８の全域に配置された複数の貫通孔８ａの一部を二点鎖線で示している。送風口５ｂを通過したクリーンエアーの大部分は、整流板８に衝突し、方向転換する。これにより、ＦＦＵ７によって送られたクリーンエアーが上方空間ＳＰ１を拡散する。上方空間ＳＰ１に充満したクリーンエアーは、整流板８を厚み方向に貫通する複数の貫通孔８ａを通過し、整流板８の全域から下方に流れる。これにより、整流板８の全域から下方向に向かう均一なクリーンエアーの流れが、下方空間ＳＰ２に形成される。
【００３１】
図２に示すように、スピンチャック１０は、水平な姿勢で保持された円板状のスピンベース１１と、スピンベース１１の上面周縁部から上方に突出する複数のチャックピン１２と、複数のチャックピン１２に基板Ｗを把持させるチャック開閉機構１３とを含む。スピンチャック１０は、さらに、スピンベース１１の中央部から回転軸線Ａ１に沿って下方に延びるスピン軸１４と、スピン軸１４を回転させることによりスピンベース１１およびチャックピン１２を回転軸線Ａ１まわりに回転させるスピンモータ１５とを含む。
【００３２】
図３に示すように、複数のチャックピン１２は、間隔を空けて周方向（回転軸線Ａ１まわりの方向）に配列されている。チャックピン１２は、チャック開閉機構１３によって鉛直なピン回動軸線Ａ２まわりに駆動される土台部１２ａと、基板Ｗの下面周縁部を支持する支持部１２ｂと、基板Ｗの周縁部に押し付けられる把持部１２ｃとを含む。土台部１２ａは、スピンベース１１の上方に配置されており、把持部１２ｃおよび支持部１２ｂは、土台部１２ａの上方に配置されている。チャックピン１２は、把持部１２ｃが基板Ｗの周縁部に押し付けられる閉位置と、把持部１２ｃが基板Ｗの周縁部から離れる開位置との間で、ピン回動軸線Ａ２まわりにスピンベース１１に対して回動可能である。
【００３３】
制御装置３は、チャック開閉機構１３を制御することにより、複数のチャックピン１２が基板Ｗを把持する閉状態と、複数のチャックピン１２による基板Ｗの把持が解除される開状態との間で、複数のチャックピン１２の状態を切り替える。基板Ｗがスピンチャック１０に搬送されるとき、制御装置３は、チャックピン１２を開位置に退避させる。制御装置３は、この状態で、基板Ｗが複数のチャックピン１２の上に置かれるように搬送ロボットＣＲを制御する。これにより、支持部１２ｂの上面が基板Ｗの下面周縁部に接触し、基板Ｗが、スピンベース１１の上面から上方に離れた支持位置で水平な姿勢で支持される。
【００３４】
基板Ｗが複数のチャックピン１２に載置された後、制御装置３は、チャックピン１２を開位置から閉位置に移動させる。支持部１２ｂの上面は把持部１２ｃに向かって斜め上に延びているので、チャックピン１２が閉位置に向かって移動する過程で、基板Ｗが複数の支持部１２ｂによって徐々に持ち上げられる。さらに、チャックピン１２が閉位置に向かって移動する過程で、把持部１２ｃが、基板Ｗの周端面に近づく。これにより、把持部１２ｃが基板Ｗの周縁部に押し付けられ、基板Ｗが、支持位置の上方の把持位置で水平な姿勢で把持される。
【００３５】
図２に示すように、処理ユニット２は、第１薬液を下向きに吐出する第１薬液ノズル１６と、第１薬液ノズル１６に接続された第１薬液配管１７と、第１薬液配管１７に介装された第１薬液バルブ１８と、第１薬液ノズル１６が先端部に取り付けられた第１薬液アーム１９と、第１薬液アーム１９を移動させることにより、第１薬液の着液位置を基板Ｗの上面内で移動させる第１ノズル移動機構２０とを含む。第１ノズル移動機構２０は、スピンチャック１０の周囲で上下方向に延びるノズル回動軸線Ａ３まわりに第１薬液アーム１９を回動させることにより、平面視で基板Ｗの中央部を通る円弧状の軌跡に沿って第１薬液ノズル１６を水平に移動させる。第１薬液の一例は、ＳＰＭ（硫酸と過酸化水素水との混合液）である。
【００３６】
図２に示すように、処理ユニット２は、第２薬液を下向きに吐出する第２薬液ノズル２１と、第２薬液ノズル２１に接続された第２薬液配管２２と、第２薬液配管２２に介装された第２薬液バルブ２３と、第２薬液ノズル２１が先端部に取り付けられた第２薬液アーム２４と、第２薬液アーム２４を移動させることにより、第２薬液の着液位置を基板Ｗの上面内で移動させる第２ノズル移動機構（図示せず）とを含む。第２薬液の一例は、ＳＣ１（アンモニア水と過酸化水素水と水との混合液）である。
【００３７】
図２に示すように、処理ユニット２は、リンス液を下向きに吐出するリンス液ノズル２６と、リンス液ノズル２６に接続されたリンス液配管２７と、リンス液配管２７に介装されたリンス液バルブ２８と、リンス液ノズル２６が先端部に取り付けられたリンス液アーム２９と、リンス液アーム２９を移動させることにより、リンス液の着液位置を基板Ｗの上面内で移動させる第３ノズル移動機構（図示せず）とを含む。リンス液の一例は、純水（脱イオン水：Ｄeionzied water）である。
【００３８】
図２に示すように、カップ３１は、スピンチャック１０に保持されている基板Ｗよりも外方（回転軸線Ａ１から離れる方向）に配置されている。カップ３１は、スピンベース１１を取り囲んでいる。スピンチャック１０が基板Ｗを回転させている状態で、処理液が基板Ｗに供給されると、処理液は基板Ｗからその周囲に飛散する。処理液が基板Ｗに供給されるとき、上向きに開いたカップ３１の上端部３１ａは、スピンベース１１よりも上方に配置される。したがって、基板Ｗの周囲に排出された薬液やリンス液などの処理液は、カップ３１によって受け止められる。そして、カップ３１内に集められた処理液は、図示しない回収装置または排液装置に送られる。
【００３９】
図２に示すように、加熱装置３２は、スピンチャック１０に保持されている基板Ｗの上方に配置された赤外線ヒータ３３と、赤外線ヒータ３３が先端部に取り付けられたヒータアーム３６と、ヒータアーム３６を移動させるヒータ移動機構３７とを含む。
図２に示すように、赤外線ヒータ３３は、赤外線を含む光を発する赤外線ランプ３４と、赤外線ランプ３４を収容するランプハウジング３５とを含む。図３に示すように、赤外線ヒータ３３は、平面視で基板Ｗよりも小さい。赤外線ランプ３４およびランプハウジング３５は、ヒータアーム３６に取り付けられている。赤外線ランプ３４およびランプハウジング３５は、ヒータアーム３６と共に移動する。
【００４０】
赤外線ランプ３４は、ハロゲンランプである。赤外線ランプ３４は、フィラメントと、フィラメントを収容する石英管とを含む。赤外線ランプ３４は、カーボンヒータであってもよいし、ハロゲンランプおよびカーボンヒータ以外の発熱体であってもよい。ランプハウジング３５の少なくとも一部は、石英などの光透過性および耐熱性を有する材料で形成されている。赤外線ランプ３４が光を発すると、赤外線ランプ３４からの光が、ランプハウジング３５を透過してランプハウジング３５の外面から放出される。
【００４１】
図２に示すように、ランプハウジング３５は、基板Ｗの上面と平行な底壁を有している。赤外線ランプ３４は、底壁の上方に配置されている。底壁の下面は、基板Ｗの上面と平行でかつ平坦な照射面３５ａを含む。赤外線ヒータ３３が基板Ｗの上方に配置されている状態では、ランプハウジング３５の照射面３５ａが、間隔を空けて基板Ｗの上面に上下方向に対向する。この状態で赤外線ランプ３４が光を発すると、赤外線を含む光が、ランプハウジング３５の照射面３５ａから基板Ｗの上面に向かい、基板Ｗの上面に照射される。照射面３５ａは、たとえば、直径が基板Ｗの半径よりも小さい円形である。照射面３５ａは、円形に限らず、長手方向の長さが基板Ｗの半径以上である矩形状であってもよいし、円形および矩形以外の形状であってもよい。
【００４２】
図２に示すように、ヒータ移動機構３７は、スピンチャック１０の周囲で上下方向に延びるヒータ回動軸線Ａ４まわりにヒータアーム３６を回動させることにより、赤外線ヒータ３３を水平に移動させる。図３に示すように、ヒータ移動機構３７は、平面視で基板Ｗの中央部を通る円弧状の軌跡に沿って赤外線ヒータ３３を水平に移動させる。したがって、赤外線ヒータ３３は、スピンチャック１０の上方を含む水平面内で移動する。また、ヒータ移動機構３７は、赤外線ヒータ３３を鉛直方向に移動させることにより、照射面３５ａと基板Ｗとの距離を変化させる。
【００４３】
赤外線ヒータ３３からの光は、基板Ｗの上面内の照射位置に照射される。制御装置３は、赤外線ヒータ３３が赤外線を発している状態で、スピンチャック１０によって基板Ｗを回転させながら、ヒータ移動機構３７によって赤外線ヒータ３３をヒータ回動軸線Ａ４まわりに回動させる。これにより、基板Ｗの上面が、加熱位置としての照射位置によって走査される。したがって、処理液などの液体が基板Ｗ上に保持されている状態で赤外線ランプ３４が赤外線を発すると、赤外線が基板Ｗ上の液体に吸収され、基板Ｗ上の液体の温度が上昇する。
【００４４】
１−２．基板Ｗの処理について
図４は、処理ユニット２によって行われる基板Ｗの処理の一例について説明するための工程図である。以下では、図２を参照する。図４については適宜参照する。
処理ユニット２によって基板Ｗが処理されるときには、チャンバー４内に基板Ｗを搬入する搬入工程（図４のステップＳ１）が行われる。
【００４５】
具体的には、制御装置３は、全てのノズルがスピンチャック１０の上方から退避している状態で、基板Ｗを保持している搬送ロボットＣＲ（図１参照）のハンドＨをチャンバー４内に進入させる。そして、制御装置３は、ハンドＨ上の基板Ｗが複数のチャックピン１２の上に置かれるように、搬送ロボットＣＲを制御する。その後、制御装置３は、搬送ロボットＣＲのハンドＨをチャンバー４内から退避させる。また、制御装置３は、基板Ｗが複数のチャックピン１２の上に置かれた後、チャックピン１２を開位置から閉位置に移動させて、複数のチャックピン１２に基板Ｗを把持させる。その後、制御装置３は、スピンモータ１５に基板Ｗの回転を開始させる。
【００４６】
次に、第１薬液の一例であるＳＰＭを基板Ｗに供給する第１薬液供給工程（図４のステップＳ２）が行われる。
具体的には、制御装置３は、第１ノズル移動機構２０を制御することにより、第１薬液ノズル１６を退避位置から処理位置に移動させる。これにより、第１薬液ノズル１６が基板Ｗの上方に配置される。その後、制御装置３は、第１薬液バルブ１８を開いて、室温よりも高温（たとえば、１４０℃）のＳＰＭを回転している基板Ｗの上面に向けて第１薬液ノズル１６に吐出させる。制御装置３は、この状態で第１ノズル移動機構２０を制御することにより、基板Ｗの上面に対するＳＰＭの着液位置を中央部と周縁部との間で移動させる。
【００４７】
第１薬液ノズル１６から吐出されたＳＰＭは、基板Ｗの上面に着液した後、遠心力によって基板Ｗの上面に沿って外方に流れる。そのため、ＳＰＭが基板Ｗの上面全域に供給され、基板Ｗの上面全域を覆うＳＰＭの液膜が基板Ｗ上に形成される。これにより、レジスト膜などの異物がＳＰＭによって基板Ｗから除去される。さらに、制御装置３は、基板Ｗが回転している状態で、基板Ｗの上面に対するＳＰＭの着液位置を中央部と周縁部との間で移動させるので、ＳＰＭの着液位置が、基板Ｗの上面全域を通過する。そのため、基板Ｗの上面が均一に処理される。
【００４８】
次に、制御装置３は、スピンモータ１５を制御することにより、基板Ｗの上面全域がＳＰＭの液膜に覆われている状態で、低回転速度（たとえば１〜３０ｒｐｍ）まで基板Ｗの回転速度を低下させる。そのため、基板Ｗ上のＳＰＭに作用する遠心力が弱まり、基板Ｗ上から排出されるＳＰＭの量が減少する。制御装置３は、基板Ｗが低回転速度で回転している状態で、第１薬液バルブ１８を閉じて、第１薬液ノズル１６からのＳＰＭの吐出を停止させる。これにより、基板ＷへのＳＰＭの供給が停止された状態で、基板Ｗの上面全域を覆うＳＰＭの液膜が基板Ｗ上に保持される。制御装置３は、基板ＷへのＳＰＭの供給を停止した後、第１ノズル移動機構２０を制御することにより、第１薬液ノズル１６をスピンチャック１０の上方から退避させる。
【００４９】
次に、基板Ｗ上のＳＰＭを加熱する加熱工程（図４のステップＳ３）が行われる。
具体的には、制御装置３は、ヒータ移動機構３７を制御することにより、赤外線ヒータ３３を退避位置から処理位置に移動させる。さらに、制御装置３は、赤外線ヒータ３３が基板Ｗの上方に到達した後もしくはその前に、赤外線ヒータ３３に発光を開始させる。これにより、赤外線ヒータ３３の温度（加熱温度）が、第１薬液（この処理例では、ＳＰＭ）の沸点よりも高い温度まで上昇し、その温度に維持される。制御装置３は、基板Ｗの上面に対する赤外線の照射位置が中央部および周縁部の一方から他方に移動するように、ヒータ移動機構３７に赤外線ヒータ３３を水平に移動させる。制御装置３は、赤外線ヒータ３３によるＳＰＭの加熱が所定時間にわたって行われた後、赤外線ヒータ３３を基板Ｗの上方から退避させる。その後、制御装置３は、赤外線ヒータ３３の発光を停止させる。
【００５０】
次に、制御装置３は、スピンモータ１５を制御することにより、基板Ｗへの液体の供給が停止されている状態で、前述の低回転速度よりも大きい回転速度で基板Ｗを回転させる。これにより、基板Ｗ上のＳＰＭに加わる遠心力が増加し、基板Ｗ上のＳＰＭが基板Ｗの周囲に振り切られる。そのため、殆ど全てのＳＰＭが基板Ｗ上から排出される。基板Ｗの周囲に飛散したＳＰＭは、カップ３１によって受け止められ、カップ３１を介して回収装置または排液装置に案内される。
【００５１】
このように、制御装置３は、基板Ｗを回転させている状態で、基板Ｗの上面に対する赤外線の照射位置を中央部および周縁部の一方から他方に移動させるので、基板Ｗの上面全域を覆うＳＰＭの液膜が均一に加熱される。赤外線ヒータ３３による基板Ｗの加熱温度は、ＳＰＭのその濃度における沸点以上の温度に設定されている。したがって、基板Ｗ上のＳＰＭが、その濃度における沸点まで加熱される。特に、赤外線ヒータ３３による基板Ｗの加熱温度が、ＳＰＭのその濃度における沸点よりも高温に設定されている場合には、基板ＷとＳＰＭとの界面の温度が、沸点よりも高温に維持され、基板Ｗからの異物の除去が促進される。
【００５２】
次に、リンス液の一例である純水を基板Ｗに供給する第１リンス液供給工程（図４のステップＳ４）が行われる。
具体的には、制御装置３は、第３ノズル移動機構（図示せず）を制御することにより、リンス液ノズル２６を退避位置から処理位置に移動させる。その後、制御装置３は、リンス液バルブ２８を開いて、回転している基板Ｗの上面に向けてリンス液ノズル２６に純水を吐出させる。これにより、基板Ｗに残留しているＳＰＭが純水によって洗い流され、基板Ｗの上面全域を覆う純水の液膜が形成される。そして、リンス液バルブ２８が開かれてから所定時間が経過すると、制御装置３は、リンス液バルブ２８を閉じて純水の吐出を停止させる。その後、制御装置３は、第３ノズル移動機構を制御することにより、リンス液ノズル２６を基板Ｗの上方から退避させる。
【００５３】
次に、第２薬液の一例であるＳＣ１を基板Ｗに供給する第２薬液供給工程（図４のステップＳ５）が行われる。
具体的には、制御装置３は、第２ノズル移動機構（図示せず）を制御することにより、第２薬液ノズル２１を退避位置から処理位置に移動させる。その後、制御装置３は、第２薬液バルブ２３を開いて、回転している基板Ｗの上面に向けてＳＣ１を第２薬液ノズル２１に吐出させる。制御装置３は、この状態で第２ノズル移動機構を制御することにより、基板Ｗの上面に対するＳＣ１の着液位置を中央部と周縁部との間で移動させる。そして、第２薬液バルブ２３が開かれてから所定時間が経過すると、制御装置３は、第２薬液バルブ２３を閉じてＳＣ１の吐出を停止させる。その後、制御装置３は、第２ノズル移動機構を制御することにより、第２薬液ノズル２１を基板Ｗの上方から退避させる。
【００５４】
第２薬液ノズル２１から吐出されたＳＣ１は、基板Ｗの上面に着液した後、遠心力によって基板Ｗの上面に沿って外方に流れる。そのため、基板Ｗ上の純水は、ＳＣ１によって外方に押し流され、基板Ｗの周囲に排出される。これにより、基板Ｗ上の純水の液膜が、基板Ｗの上面全域を覆うＳＣ１の液膜に置換される。さらに、制御装置３は、基板Ｗが回転している状態で、基板Ｗの上面に対するＳＣ１の着液位置を中央部と周縁部との間で移動させるので、ＳＣ１の着液位置が、基板Ｗの上面全域を通過し、基板Ｗの上面全域が走査される。そのため、第２薬液ノズル２１から吐出されたＳＣ１が、基板Ｗの上面全域に直接吹き付けられ、基板Ｗの上面全域が均一に処理される。
【００５５】
次に、リンス液の一例である純水を基板Ｗに供給する第２リンス液供給工程（図４のステップＳ６）が行われる。
具体的には、制御装置３は、第３ノズル移動機構を制御することにより、リンス液ノズル２６を退避位置から処理位置に移動させる。制御装置３は、リンス液ノズル２６が基板Ｗの上方に配置された後、リンス液バルブ２８を開いて、回転している基板Ｗの上面に向けてリンス液ノズル２６に純水を吐出させる。これにより、基板Ｗ上のＳＣ１が、純水によって外方に押し流され、基板Ｗの周囲に排出される。そのため、基板Ｗ上のＳＣ１の液膜が、基板Ｗの上面全域を覆う純水の液膜に置換される。そして、リンス液バルブ２８が開かれてから所定時間が経過すると、制御装置３は、リンス液バルブ２８を閉じて純水の吐出を停止させる。その後、制御装置３は、第３ノズル移動機構を制御することにより、リンス液ノズル２６を基板Ｗの上方から退避させる。
【００５６】
次に、基板Ｗを高速回転させることにより、基板Ｗを乾燥させる乾燥工程（図４のステップＳ７）が行われる。
具体的には、制御装置３は、スピンモータ１５によって基板Ｗの回転を加速させて、第１薬液供給工程から第２リンス液供給工程までの回転速度よりも大きい高回転速度（たとえば数千ｒｐｍ）で基板Ｗを回転させる。これにより、大きな遠心力が基板Ｗ上の液体に加わり、基板Ｗに付着している液体が基板Ｗの周囲に振り切られる。このようにして、基板Ｗから液体が除去され、基板Ｗが乾燥する。そして、基板Ｗの高速回転が開始されてから所定時間が経過すると、制御装置３は、スピンモータ１５を制御することにより、スピンチャック１０による基板Ｗの回転を停止させる。
【００５７】
次に、基板Ｗをチャンバー４内から搬出する搬出工程（図４のステップＳ８）が行われる。
具体的には、制御装置３は、チャックピン１２を閉位置から開位置に移動させて、スピンチャック１０による基板Ｗの把持を解除させる。その後、制御装置３は、全てのノズルがスピンチャック１０の上方から退避している状態で、搬送ロボットＣＲ（図１参照）のハンドＨをチャンバー４内に進入させる。そして、制御装置３は、搬送ロボットＣＲのハンドＨにスピンチャック１０上の基板Ｗを保持させる。その後、制御装置３は、搬送ロボットＣＲのハンドＨをチャンバー４内から退避させる。これにより、処理済みの基板Ｗがチャンバー４から搬出される。
【００５８】
２．整流板８の洗浄について
２−１．構成について
図５に示すように、処理ユニット２は、チャンバー４の内部を洗浄する室内洗浄ユニット４１を含む。室内洗浄ユニット４１は、整流板８の下面８ｓに付着している液体等の付着物を除去する除去ローラ４２と、除去ローラ４２を移動可能に支持する支持機構４３と、除去ローラ４２を整流板８の下面８ｓに沿って回動させる駆動機構５２と、除去ローラ４２を洗浄および乾燥させるローラ洗浄乾燥機構５７（図６参照）を含む。
【００５９】
図６に示すように、除去ローラ４２は、たとえば、断面筒状の外周面４２ｓを有する筒状である。除去ローラ４２は、整流板８の下面８ｓに沿って配置されている。除去ローラ４２の外周面４２ｓは、軸方向における除去ローラ４２の全域にわたって、整流板８の下面８ｓに接触している。図３に示すように、除去ローラ４２の本数および移動範囲は、除去ローラ４２が平面視において基板Ｗの全域を通るように設定されており、好ましくは、除去ローラ４２が平面視においてＦＦＵ７の全域を通るように設定されている。図３は、二本の除去ローラ４２が設けられている例を示している。
【００６０】
除去ローラ４２は、弾性変形可能なスポンジである。除去ローラ４２は、吸水性および保水性を有している。除去ローラ４２は、合成樹脂製の発砲体である。除去ローラ４２は、薬液に対する耐性を有する耐薬材料で形成されていることが好ましい。耐薬材料は、ポリオレフィン、ポリ塩化ビニル（ＰＶＣ：polyvinyl chloride）、およびウレタンを含む。
【００６１】
図５に示すように、支持機構４３は、除去ローラ４２を支持する支持シャフト４４と、支持シャフト４４の中心線Ｌ１まわりに支持シャフト４４を回転可能に支持する筒状の下ハウジング４５と、下ハウジング４５から上方に延びる回動シャフト４９と、鉛直な回動シャフト４９の中心線Ｌ２まわりに回動シャフト４９を回転可能に支持する筒状の上ハウジング５１とを含む。支持機構４３は、下ハウジング４５に対して除去ローラ４２とは反対の位置で支持シャフト４４に取り付けられたカウンターウェイト４８をさらに備えていてもよい。
【００６２】
図５に示すように、駆動機構５２は、たとえばベルト伝動機構である。駆動機構５２は、回動シャフト４９の中心線Ｌ２まわりに回動シャフト４９と共に回転する従動プーリ５３と、従動プーリ５３の周囲に配置された駆動プーリ５５と、従動プーリ５３および駆動プーリ５５に巻き掛けられた無端ベルト５４と、駆動プーリ５５を回転させる駆動モータ５６とを含む。また、室内洗浄ユニット４１は、支持シャフト４４の中心線Ｌ１まわりに支持シャフト４４を回転させる自転モータ４６と、自転モータ４６に電力を供給する配線４７とを含む。
【００６３】
図５に示すように、除去ローラ４２、支持シャフト４４、下ハウジング４５、およびカウンターウェイト４８は、整流板８の下方に配置されている。自転モータ４６は、下ハウジング４５内に収容されている。下ハウジング４５の表面は、ＰＶＣ等の耐薬材料で形成されている。同様に、カウンターウェイト４８の表面は、ＰＶＣ等の耐薬材料で形成されている。支持シャフト４４は、下ハウジング４５内に収容された一つ以上の軸受Ｂ１を介して下ハウジング４５に支持されている。
【００６４】
図５に示すように、上ハウジング５１、従動プーリ５３、駆動プーリ５５、無端ベルト５４、および駆動モータ５６は、整流板８の上方に配置されている。上ハウジング５１は、整流板８の上に配置されている。回動シャフト４９は、整流板８を上下方向に貫通する挿入孔８ｂを通って、整流板８の上方から整流板８の下方に延びている。回動シャフト４９の外周面と挿入孔８ｂの内周面との間の隙間は、環状のパッキン５０によって密閉されている。回動シャフト４９は、上ハウジング５１内に収容された一つ以上の軸受Ｂ２を介して上ハウジング５１に支持されている。図３に示すように、回動シャフト４９の中心線Ｌ２は、平面視において基板ＷおよびＦＦＵ７に重ならない位置に配置されている。
【００６５】
図５に示すように、支持シャフト４４は、除去ローラ４２の中心線に沿って水平に延びている。支持シャフト４４は、除去ローラ４２と共に支持シャフト４４の中心線Ｌ１まわりに回転する。支持シャフト４４の一部は、除去ローラ４２の内部に配置されており、支持シャフト４４の他の部分は、除去ローラ４２の根元部から除去ローラ４２の軸方向に突出している。支持シャフト４４の先端部（図５では、左端部）は、除去ローラ４２の先端部に達している。支持シャフト４４は、水平に延びる中実の軸部と、軸部の表面を覆う筒状の被覆部とを含む。軸部は、被覆部よりも強度の高い材料（たとえば、ステンレス鋼等の金属）で形成されている。被覆部は、ＰＶＣ等の耐薬材料で形成されている。
【００６６】
制御装置３が駆動モータ５６を回転させると、駆動モータ５６の回転が、従動プーリ５３、無端ベルト５４、および駆動プーリ５５を介して回動シャフト４９に伝達され、下ハウジング４５が回動シャフト４９の中心線Ｌ２まわりに回動する。これにより、除去ローラ４２が回動シャフト４９の中心線Ｌ２まわりに回転する。図３に示すように、除去ローラ４２は、整流板８の下面８ｓに接触した状態で、扇状の領域内を水平に移動する。さらに、除去ローラ４２が支持シャフト４４の中心線Ｌ１まわりに回転可能なので、除去ローラ４２は、整流板８の下面８ｓに沿って転がる。つまり、除去ローラ４２が整流板８の下面８ｓに接触した状態で、除去ローラ４２の外周面４２ｓと整流板８の下面８ｓとの接触位置が変化する。
【００６７】
図３に示すように、制御装置３は、出発位置および到着位置としての待機位置（図３において実線で示す位置）と折り返し位置（図３において二点鎖線で示す位置）との間で、除去ローラ４２を回動シャフト４９の中心線Ｌ２まわりに回動させる。待機位置および折り返し位置は、いずれも、除去ローラ４２が平面視で基板ＷおよびＦＦＵ７に重ならない位置である。基板ＷおよびＦＦＵ７は、平面視において、一方の除去ローラ４２が通る扇状の領域と、他方の除去ローラ４２が通る扇状の領域と、の少なくとも一方を含む領域内に配置されている。基板Ｗの処理が行われるとき、制御装置３は、除去ローラ４２を待機位置に位置させる。
【００６８】
図６に示すように、ローラ洗浄乾燥機構５７は、整流板８の下方で除去ローラ４２を収容可能な待機トレー５８と、待機トレー５８内に配置された除去ローラ４２に向けて外側液体吐出口５９ｐから液体を吐出する液体ノズル５９と、液体ノズル５９に供給される液体を案内する液体配管６０と、液体配管６０に介装された液体バルブ６１と、待機トレー５８内に配置された除去ローラ４２に向けて外側気体吐出口６２ｐから気体を吐出する気体ノズル６２と、気体ノズル６２に供給される気体を案内する気体配管６３と、気体配管６３に介装された気体バルブ６４とを含む。ローラ洗浄乾燥機構５７は、さらに、前述の駆動機構５２および自転モータ４６と、待機トレー５８の内面から突出する排液突起６５と、待機トレー５８内の液体を排出する排液配管６６とを含む。
【００６９】
液体ノズル５９および気体ノズル６２は、待機トレー５８内の除去ローラ４２に向けて流体を吐出する。液体ノズル５９から吐出される液体は、たとえば、純水である。気体ノズル６２から吐出される気体は、たとえば、窒素ガスである。液体ノズル５９から吐出された液体は、軸方向の全域にわたって除去ローラ４２の外周面４２ｓに供給される。同様に、気体ノズル６２から吐出された気体は、軸方向の全域にわたって除去ローラ４２の外周面４２ｓに供給される。液体ノズル５９は、除去ローラ４２の軸方向に配列された複数の液体吐出口を含む。同様に、気体ノズル６２は、除去ローラ４２の軸方向に配列された複数の気体吐出口を含む。
【００７０】
図６に示すように、待機トレー５８は、待機位置に位置する除去ローラ４２の下方に配置される底壁部５８ｂと、底壁部５８ｂから除去ローラ４２よりも下方の高さまで上方に延びる前壁部５８ａと、底壁部５８ｂから整流板８まで上方に延びる後壁部５８ｃとを含む。前壁部５８ａと整流板８とは、除去ローラ４２が通過する出入口を形成している。除去ローラ４２が出入口を通って待機トレー５８内に移動すると、除去ローラ４２の全体が底壁部５８ｂの上方に配置される。底壁部５８ｂと、前壁部５８ａと、後壁部５８ｃとは、上向きに開いたＵ字状の断面を有する液貯め凹部５８ｄを形成している。待機トレー５８内の液体は、液貯め凹部５８ｄ内に集まり、液貯め凹部５８ｄから排液配管６６に排出される。
【００７１】
図６に示すように、排液突起６５は、後壁部５８ｃの鉛直な内面から待機トレー５８の出入口側（図６では、左側）に突出している。排液突起６５は、断面曲線状の外面を有している。排液突起６５の外面は、曲線状の鉛直断面に限らず、多角形状の鉛直断面を有していてもよい。排液突起６５は、待機位置に位置する除去ローラ４２の軸方向に延びている。排液突起６５は、除去ローラ４２より短くてもよいが、除去ローラ４２以上の軸方向長さを有していることが好ましい。排液突起６５は、除去ローラ４２よりも硬い材料で形成されている。
【００７２】
制御装置３は、駆動モータ５６を制御することにより、待機位置と排液位置（図６において実線で示す位置）との間で、除去ローラ４２を水平に移動させる。待機位置および排液位置は、いずれも、待機トレー５８内の位置である。待機位置は、除去ローラ４２が排液突起６５から離れた位置であり、排液位置は、除去ローラ４２が排液突起６５に接触する位置である。除去ローラ４２が排液位置に配置されると、除去ローラ４２が排液突起６５に押し付けられる。これにより、除去ローラ４２の一部が弾性変形し、排液突起６５が除去ローラ４２に食い込む。これらの動作に関しては後述する。
【００７３】
２−２．整流板８の洗浄について
以下では、図５および図６を主として参照しながら、除去ローラ４２で整流板８の下面８ｓを洗浄し、その後、汚れた除去ローラ４２を洗浄するときの二つの例（第１洗浄例および第２洗浄例）について説明する。
制御装置３は、一枚の基板Ｗの処理が完了する度に整流板８の洗浄を実施してもよいし、一枚以上の所定枚数の基板Ｗの処理が完了する度に整流板８の洗浄を実施してもよい。また、制御装置３は、所定時間ごとに整流板８の洗浄を実施してもよいし、基板処理装置１のメンテナンスの際に整流板８の洗浄を実施してもよい。
【００７４】
図７は、室内洗浄ユニット４１によって行われる整流板８の洗浄の一例（第１洗浄例）について説明するための工程図である。この第１洗浄例は、主として、多量の液滴が整流板８に付着している場合を想定した洗浄例である。基板Ｗに対する処理において、水蒸気が大量に発生する処理などを行うと、整流板８の表面に純水を主成分とする水滴が形成される。このような場合に濡れた除去ローラによる洗浄を行うと、余分な液体がチャンバー内で滴下する恐れがあり、これを防止するために乾いた除去ローラを用いる。
【００７５】
整流板８の下面８ｓを洗浄する場合、制御装置３は、除去ローラ４２の外周面４２ｓが乾いた状態で、除去ローラ４２を待機位置と折り返し位置との間で一回以上往復させる。整流板８の下面８ｓに付着している液体は、除去ローラ４２が整流板８の下面８ｓに沿って移動することにより、吸水性を有する除去ローラ４２に吸い取られる。これにより、整流板８の下面８ｓに付着している液体等の付着物が、除去ローラ４２に吸収され、除去される（図７のステップＳ１１）。
【００７６】
制御装置３は、除去ローラ４２で整流板８の下面８ｓを拭いた後、除去ローラ４２を排液位置に移動させる（図７のステップＳ１２）。これにより、除去ローラ４２が排液突起６５に押し付けられる。その後、制御装置３は、液体バルブ６１を開いて、待機トレー５８内の除去ローラ４２に向けて液体ノズル５９に純水を吐出させる。さらに、制御装置３は、自転モータ４６によって除去ローラ４２を自転させる（支持シャフト４４の中心線まわりに回転させる。）。
【００７７】
自転している除去ローラ４２に向けて純水が吐出されるので、除去ローラ４２の外周面４２ｓ全域に純水が供給される（図７のステップＳ１３）。これにより、除去ローラ４２の外周面４２ｓに付着している付着物が洗い流される。さらに、除去ローラ４２が排液突起６５に押し付けられた状態で、除去ローラ４２が自転するので、除去ローラ４２の一部が復元および弾性変形を繰り返す。これに伴って、汚れた液体や粒子が除去ローラ４２内から排出される（図７のステップＳ１３）。これにより、除去ローラ４２が洗浄される。
【００７８】
液体バルブ６１が開かれてから所定時間が経過すると、制御装置３は、液体バルブ６１を閉じて、液体ノズル５９からの純水の吐出を停止させる。その後、制御装置３は、除去ローラ４２が自転している状態で、気体バルブ６４を開いて、待機トレー５８内の除去ローラ４２に向けて気体ノズル６２に窒素ガスを吐出させる。このとき、除去ローラ４２は、排液位置および待機位置のいずれに配置されていてもよい。自転している除去ローラ４２に向けて窒素ガスが吐出されるので、除去ローラ４２の外周面４２ｓ全域に窒素ガスが供給される。これにより、除去ローラ４２の外周面４２ｓに付着している液体が蒸発し、除去ローラ４２の外周面４２ｓが乾燥する（図７のステップＳ１４）。
【００７９】
気体バルブ６４が開かれてから所定時間が経過すると、制御装置３は、気体バルブ６４を閉じて、気体ノズル６２からの窒素ガスの吐出を停止させる。さらに、制御装置３は、自転モータ４６を制御することにより、除去ローラ４２の自転を停止させる。また、除去ローラ４２が排液位置に配置されている場合、制御装置３は、除去ローラ４２を待機位置に移動させ、除去ローラ４２を排液突起６５から離す。
【００８０】
図８は、室内洗浄ユニット４１によって行われる整流板８の洗浄の他の例（第２洗浄例）について説明するための工程図である。この第２洗浄例は、主として、比較的少量の液滴であり、特に薬液成分が多い液滴が整流板８に付着している場合を想定した洗浄例である。基板Ｗに対する処理において、薬液からのフューム等が発生する処理などを行うと、整流板８の下面には薬液の微細な液滴が形成される。そのため、除去ローラ４２を純水で濡らしたうえで液滴に接触させることで、純水に薬液ミストを吸着させて除去する。
【００８１】
整流板８の下面８ｓを洗浄する場合、制御装置３は、液体バルブ６１を開いて、待機トレー５８内の除去ローラ４２に向けて液体ノズル５９から純水を吐出させる。さらに、制御装置３は、自転モータ４６によって除去ローラ４２を自転させる。これにより、除去ローラ４２の外周面４２ｓ全域に純水が供給され、除去ローラ４２の外周面４２ｓが濡れる（図８のステップＳ２１）。その後、制御装置３は、除去ローラ４２の外周面４２ｓが濡れた状態で、除去ローラ４２を待機位置と折り返し位置との間で一回以上往復させる。整流板８の下面８ｓに付着している液体等の付着物は、除去ローラ４２によって拭き取られ、整流板８の下面８ｓから除去される（図８のステップＳ２２）。
【００８２】
制御装置３は、除去ローラ４２で整流板８の下面８ｓを拭いた後、除去ローラ４２を排液位置に移動させる（図８のステップＳ２３）。これにより、除去ローラ４２が排液突起６５に押し付けられる。その後、制御装置３は、液体バルブ６１を開いて、待機トレー５８内の除去ローラ４２に向けて液体ノズル５９に純水を吐出させる。さらに、制御装置３は、自転モータ４６によって除去ローラ４２を自転させる。これにより、除去ローラ４２の外周面４２ｓに付着している付着物が洗い流されると共に、除去ローラ４２内の液体が、除去ローラ４２から押し出される（図８のステップＳ２４）。
【００８３】
液体バルブ６１が開かれてから所定時間が経過すると、制御装置３は、液体バルブ６１を閉じて、液体ノズル５９からの純水の吐出を停止させる。その後、制御装置３は、除去ローラ４２が自転している状態で、気体バルブ６４を開いて、待機トレー５８内の除去ローラ４２に向けて気体ノズル６２に窒素ガスを吐出させる。これにより、除去ローラ４２の外周面４２ｓが乾燥する（図８のステップＳ２５）。気体バルブ６４が開かれてから所定時間が経過すると、制御装置３は、気体バルブ６４を閉じて、気体ノズル６２からの窒素ガスの吐出を停止させる。さらに、制御装置３は、除去ローラ４２の自転を停止させる。除去ローラ４２が排液位置に配置されている場合、制御装置３は、除去ローラ４２を待機位置に移動させ、除去ローラ４２を排液突起６５から離す。
【００８４】
制御装置３は、除去ローラ４２の外周面４２ｓを乾燥させた後、整流板８の下面８ｓを除去ローラ４２の乾いた外周面４２ｓで拭いてもよい。つまり、制御装置３は、第２洗浄例の各ステップを実行した後、第１洗浄例の各ステップを実行してもよい。この場合、整流板８の下面８ｓは、除去ローラ４２の濡れた外周面４２ｓで拭かれた後、除去ローラ４２の乾いた外周面４２ｓで拭かれるので、整流板８の下面８ｓにおける液体の残留量が低減される。これにより、整流板８の下面８ｓが濡れた状態で放置されることを抑制または防止できる。
【００８５】
以上のように第１実施形態では、整流板８が基板Ｗの上方に配置されている。基板Ｗの処理に伴って生成された液体や気体（処理液のミストなど）は、整流板８の下面８ｓに付着する場合がある。除去ローラ４２の外周面４２ｓは、整流板８の下面８ｓに当てられる。そして、この状態で、除去ローラ４２が整流板８の下面８ｓに沿って動かされる。これにより、整流板８の下面８ｓに付着している液体や粒子等の付着物が除去ローラ４２によって整流板８の下面８ｓから除去される。これにより、チャンバー４内の清浄度を高めることができる。さらに、除去ローラ４２を整流板８の下面８ｓに接触させるので、気体や液体を整流板８の下面８ｓに吹き付ける場合よりも大きな力を付着物に与え易い。したがって、整流板８から付着物を効率的に除去できる。
【００８６】
また第１実施形態では、除去ローラ４２が液体を吸収できるので、整流板８の下面８ｓに付着している液体を除去ローラ４２で吸い取ることができる。さらに、除去ローラ４２が弾性変形可能なので、除去ローラ４２の外周面４２ｓを整流板８の下面８ｓに密着させることができ、除去ローラ４２と整流板８との接触面積を増加させることができる。したがって、整流板８の下面８ｓに付着している液体を効率的に吸い取ることができる。さらに、除去ローラ４２の少なくとも一部がスポンジなので、布などの繊維で除去ローラ４２が構成されている場合よりも、除去ローラ４２の一部が剥がれ難い。したがって、除去ローラ４２から剥がれた剥離片が整流板８の下面８ｓに付着することを抑制または防止できる。
【００８７】
また第１実施形態では、弾性変形可能な除去ローラ４２の外周面４２ｓが駆動機構５２によって排液突起６５に押し付けられる。そのため、除去ローラ４２の外周面４２ｓの一部が排液突起６５に沿う形状に弾性変形し、排液突起６５が除去ローラ４２に食い込む。これにより、除去ローラ４２の外周面４２ｓから除去ローラ４２内に吸い取られた付着物が、除去ローラ４２の弾性変形によって除去ローラ４２の外に押し出される。これにより、除去ローラ４２をきれいな状態に保つことができる。
【００８８】
また第１実施形態では、整流板８の下面８ｓに付着している付着物が除去ローラ４２によって拭き取られる。その後、除去ローラ４２の外周面４２ｓに液体が供給される。これにより、整流板８から除去ローラ４２に移動した付着物が洗い流される。そのため、除去ローラ４２に移動した付着物が、再び、整流板８の下面８ｓに付着することを抑制または防止できる。これにより、チャンバー４内の清浄度の低下を抑制または防止できる。
【００８９】
また第１実施形態では、除去ローラ４２の濡れた外面が整流板８の下面８ｓに当てられる。そして、この状態で、除去ローラ４２が整流板８の下面８ｓに沿って動かされる。このとき、除去ローラ４２に含まれる液体の一部が除去ローラ４２から染み出て、整流板８の下面８ｓに付着している付着物の一部を溶かす。そのため、整流板８の下面８ｓに付着している付着物が除去ローラ４２によって効率的に拭き取られる。これにより、チャンバー４内の清浄度を高めることができる。
【００９０】
また第１実施形態では、除去ローラ４２の濡れた外面が整流板８の下面８ｓに当てられ、除去ローラ４２が整流板８の下面８ｓに沿って動かされる。その後、除去ローラ４２から液体が除去される。そして、除去ローラ４２の外周面４２ｓが乾いた状態または概ね乾いた状態で、除去ローラ４２の外周面４２ｓが整流板８の下面８ｓに当てられ、除去ローラ４２が整流板８の下面８ｓに沿って動かされる。このように、整流板８の下面８ｓが除去ローラ４２によって複数回拭かれるので、より多くの付着物を整流板８から除去できる。さらに、濡れた除去ローラ４２で整流板８の下面８ｓを拭いた後に、概ね乾いた除去ローラ４２で整流板８の下面８ｓを拭くので、整流板８の下面８ｓから液滴が落下したり、パーティクルが発生したりすることを抑制または防止できる。
【００９１】
＜第２実施形態＞
図９に示すように、第２実施形態では、カウンターウェイト４８と支持シャフト２４４との間に軸受Ｂ３が配置されており、カウンターウェイト４８と支持シャフト２４４とが相対回転可能に連結されている。液体配管６０および気体配管６３は、カウンターウェイト４８に接続されている。さらに、第２実施形態では、吸引バルブ２６８が介装された吸引配管２６７がカウンターウェイト４８に接続されている。
【００９２】
図９に示すように、支持シャフト２４４は、中空シャフトである。支持シャフト２４４の内部は、カウンターウェイト４８の内部を介して、液体配管６０、気体配管６３、および吸引配管２６７に接続されている。図１０に示すように、支持シャフト２４４は、支持シャフト２４４の内周面から支持シャフト２４４の外周面まで延びる複数の内側貫通孔２４４ｐを含む。複数の内側貫通孔２４４ｐは、除去ローラ４２の中に配置されている。複数の内側貫通孔２４４ｐは、支持シャフト２４４の周方向に配列されている。さらに、複数の内側貫通孔２４４ｐは、支持シャフト２４４の軸方向に配列されている。
【００９３】
制御装置３は、除去ローラ４２で整流板８の下面８ｓを洗浄した後、除去ローラ４２が待機トレー５８内に位置している状態で、液体バルブ６１および気体バルブ６４を交互に開閉することにより、純水および窒素ガスを支持シャフト２４４の内部に交互に供給する。これにより、支持シャフト２４４の外周面で開口する内側貫通孔２４４ｐから純水および窒素ガスが交互に吐出される。このとき、制御装置３は、自転モータ４６によって除去ローラ４２を自転させていてもよいし、静止させていてもよい。
【００９４】
内側液体吐出口としての内側貫通孔２４４ｐから吐出された純水の一部は、除去ローラ４２の内部を通って除去ローラ４２の外周面４２ｓから排出される。除去ローラ４２内の汚れた液体や粒子は、除去ローラ４２の外周面４２ｓに向かう純水と共に除去ローラ４２から排出される。これにより、除去ローラ４２が洗浄される。また、気体バルブ６４が開かれているときには、内側気体吐出口としての内側貫通孔２４４ｐから吐出された窒素ガスが、除去ローラ４２の内部を通って除去ローラ４２の外周面４２ｓから排出されるので、汚れた液体や粒子の排出が促進される。
【００９５】
制御装置３は、除去ローラ４２を洗浄した後、気体バルブ６４または吸引バルブ２６８を所定時間開く。気体バルブ６４が開かれると、除去ローラ４２の外周面４２ｓに向かう気流が除去ローラ４２内に形成されるので、除去ローラ４２内の液体が除去ローラ４２の外周面４２ｓから排出される。これにより、除去ローラ４２が乾燥する。また、吸引バルブ２６８が開かれると、除去ローラ４２内の流体や粒子が内側吸引口としての内側貫通孔２４４ｐを通じて支持シャフト２４４内に吸引されるので、除去ローラ４２の内周面に向かう気流が除去ローラ４２内に形成される。これにより、除去ローラ４２内の液体が除去ローラ４２の内周面から支持シャフト２４４内に排出され、除去ローラ４２が乾燥する。
【００９６】
また、制御装置３は、除去ローラ４２で整流板８の下面８ｓを洗浄した後、除去ローラ４２が待機トレー５８内に位置している状態で、液体バルブ６１および吸引バルブ２６８を交互に開閉することにより、除去ローラ４２への純水の供給と除去ローラ４２の吸引とを交互に実施する。このとき、制御装置３は、自転モータ４６によって除去ローラ４２を自転させていてもよいし、静止させていてもよい。
【００９７】
内側液体吐出口としての内側貫通孔２４４ｐから吐出された純水の一部は、除去ローラ４２の内部を通って除去ローラ４２の外周面４２ｓから排出される。除去ローラ４２内の汚れた液体や粒子は、除去ローラ４２の外周面４２ｓに向かう純水と共に除去ローラ４２から排出される。これにより、除去ローラ４２が洗浄される。また、除去ローラ４２が吸引されているときには、除去ローラ４２内の流体や粒子が内側吸引口としての内側貫通孔２４４ｐを通じて支持シャフト２４４内に吸引されるので、汚れた液体や粒子の排出が促進される。
【００９８】
制御装置３は、除去ローラ４２を洗浄した後、気体バルブ６４または吸引バルブ２６８を所定時間開く。気体バルブ６４が開かれると、除去ローラ４２の外周面４２ｓに向かう気流が除去ローラ４２内に形成されるので、除去ローラ４２内の液体が除去ローラ４２の外周面４２ｓから排出される。これにより、除去ローラ４２が乾燥する。また、吸引バルブ２６８が開かれると、除去ローラ４２内の流体や粒子が内側吸引口としての内側貫通孔２４４ｐを通じて支持シャフト２４４内に吸引されるので、除去ローラ４２の内周面に向かう気流が除去ローラ４２内に形成される。これにより、除去ローラ４２内の液体が除去ローラ４２の内周面から支持シャフト２４４内に排出され、除去ローラ４２が乾燥する。
【００９９】
＜第３実施形態＞
図１１に示すように、第３実施形態に係る室内洗浄ユニット４１は、除去ローラ４２の先端部を挟む一対の挟み部材３６９と、一対の挟み部材３６９が除去ローラ４２に押し付けられる挟持位置（図１１に示す位置）と一対の挟み部材３６９が除去ローラ４２から離れる退避位置との間で挟み部材３６９を移動させる挟みアクチュエータ３７０とをさらに含む。支持シャフト４４は、除去ローラ４２の中心線に沿って水平に延びるシャフト本体３４４ａと、シャフト本体３４４ａの外周面から突出するニードル部３４４ｂとを含む。ニードル部３４４ｂの先端部（シャフト本体３４４ａに結合された根元部とは反対側の端部）は、除去ローラ４２の内周面から除去ローラ４２の根元部に差し込まれており、除去ローラ４２内に収容されている。
【０１００】
図１１に示すように、一対の挟み部材３６９は、待機トレー５８の後壁部５８ｃから待機トレー５８内に突出している。図示はしないが、整流板８には上側の挟み部材３６９を避けるための凹みまたは穴が形成されており、上側の挟み部材３６９と整流板８との衝突が回避されている。一対の挟み部材３６９は、平面視で互いに重なるように配置されている。除去ローラ４２は、一対の挟み部材３６９の間に配置される。一対の挟み部材３６９は、除去ローラ４２の軸方向に直交する方向に水平に延びている。挟み部材３６９は、除去ローラ４２に押し付けられる挟み面３６９ａを含む。挟み面３６９ａは、平坦面であってもよいし、除去ローラ４２の径方向外方に凹んだ凹面であってもよい。挟み面３６９ａが凹面である場合、挟み面３６９ａの鉛直断面は、図１１に示すような三角形状であってもよいし、円弧状であってもよい。
【０１０１】
制御装置３は、除去ローラ４２で整流板８の下面８ｓを洗浄した後、一対の挟み部材３６９を退避位置に位置させた状態で、除去ローラ４２を待機トレー５８内に移動させる。その後、制御装置３は、自転モータ４６に除去ローラ４２を回転させると共に、液体ノズル５９に純水を吐出させる。これにより、除去ローラ４２の外周面４２ｓに付着している付着物が洗い流されると共に、純水が除去ローラ４２の内部に染み込む。液体バルブ６１が開かれてから所定時間が経過すると、制御装置３は、純水の供給と除去ローラ４２の自転とを停止させる。
【０１０２】
次に、制御装置３は、挟みアクチュエータ３７０によって一対の挟み部材３６９を退避位置から挟み位置に移動させて、除去ローラ４２の先端部を一対の挟み部材３６９で挟む。そして、制御装置３は、除去ローラ４２の先端部が一対の挟み部材３６９で挟まれた状態で、所定角度（たとえば０を超える１８０度以下の角度）で支持シャフト４４の中心線Ｌ１まわりに支持シャフト４４を往復させる。これにより、支持シャフト４４は、二つの位置を一回以上往復するように、支持シャフト４４の中心線Ｌ１まわりに回動する。
【０１０３】
除去ローラ４２の先端部が一対の挟み部材３６９で挟まれた状態で、支持シャフト４４が回動するので、支持シャフト４４の先端部は回動するが、除去ローラ４２の先端部は回動しない。その一方で、支持シャフト４４のニードル部３４４ｂが除去ローラ４２の根元部に差し込まれているので、除去ローラ４２の根元部は支持シャフト４４と共に回動する。そのため、除去ローラ４２が周方向に捩じられる。これにより、除去ローラ４２内の液体が絞り出される。したがって、除去ローラ４２内の汚れた液体や粒子が排出される。さらに、殆ど全ての液体が除去ローラ４２から排出されるので、除去ローラ４２の外周面４２ｓが乾燥する。
【０１０４】
以上のように第３実施形態では弾性変形可能な除去ローラ４２が捩じられ弾性変形する。これにより、除去ローラ４２の外周面４２ｓから除去ローラ４２内に吸い取られた付着物が、除去ローラ４２の弾性変形によって除去ローラ４２の外に押し出される。これにより、除去ローラ４２をきれいな状態に保つことができる。
＜第４実施形態＞
図１２〜図１４に示すように、第４実施形態に係る室内洗浄ユニット４１は、整流板８の下面８ｓに付着している付着物を除去する除去ローラ４２と、除去ローラ４２を移動可能に支持する支持機構４４３と、除去ローラ４２を整流板８の下面８ｓに沿って平行移動させる駆動機構４５２とを含む。なお、図１２では、整流板８の図示を省略しており、整流板８の全域に配置された複数の貫通孔８ａの一部を二点鎖線で示している。
【０１０５】
図１３に示すように、支持機構４４３は、除去ローラ４２を支持する支持シャフト４４と、支持シャフト４４の中心線Ｌ１まわりに回転可能に支持シャフト４４を支持する一対のブラケット４７１と、一対のブラケット４７１にそれぞれ連結された一対のブロック４７２と、ブロック４７２を直線移動可能に支持するレール４７３とを含む。駆動機構４５２は、一方のブラケット４７１（図１３では、右側のブラケット４７１）に連結されたボールナット４７４と、ボールナット４７４内に挿入されたボールねじ４７５と、ボールねじ４７５を回転させる駆動モータ４７６とを含む。
【０１０６】
図１３に示すように、除去ローラ４２および支持シャフト４４は、整流板８の下方に配置されている。図１４に示すように、ブロック４７２、レール４７３、ボールナット４７４、ボールねじ４７５、および駆動モータ４７６は、整流板８の上方に配置されている。二本のレール４７３は、整流板８の上面の上に配置されている。二つのブロック４７２は、それぞれ、二本のレール４７３の上に配置されている。ブラケット４７１は、レール４７３と平行なスリット４０８ｂを通って、整流板８の上方から整流板８の下方に延びている。ブラケット４７１の表面は、ＰＶＣ等の耐薬材料で形成されている。
【０１０７】
図１３に示すように、支持シャフト４４は、支持シャフト４４の一端部に取り付けられた軸受Ｂ４と、支持シャフト４４の他端部に取り付けられた軸受Ｂ５とを介して、一対のブラケット４７１に支持されている。支持シャフト４４は、閉じられた一端部と開口した他端部とを含む中空シャフトである。支持シャフト４４は、支持シャフト４４の内周面から支持シャフト４４の外周面まで延びる複数の内側貫通孔２４４ｐ（図１０参照）を含む。支持シャフト４４の内部は、一方のブラケット４７１（図１３では、右側のブラケット４７１）の内部に繋がっている。液体配管６０、気体配管６３、および吸引配管２６７は、一方のブラケット４７１の内部に接続されている。
【０１０８】
制御装置３が駆動モータ４７６を回転させると、ボールねじ４７５がその中心線まわりに回転し、ボールナット４７４がボールねじ４７５の軸方向に移動する。これにより、二つのブロック４７２がそれぞれ二つのレール４７３に案内されながら、除去ローラ４２が水平な姿勢で平行移動する。そのため、除去ローラ４２は、整流板８の下面８ｓに接触した状態で、図１２に示す矩形状の領域Ｘ１内を水平に移動する。さらに、除去ローラ４２が支持シャフト４４の中心線Ｌ１まわりに回転可能なので、除去ローラ４２は、整流板８の下面８ｓに沿って転がる。
【０１０９】
図１２に示すように、制御装置３は、出発位置および到着位置としての待機位置（実線で示す位置）と折り返し位置（二点鎖線で示す位置）との間で、除去ローラ４２を平行移動させる。待機位置および折り返し位置は、いずれも、除去ローラ４２が平面視で基板ＷおよびＦＦＵ７に重ならない位置である。基板ＷおよびＦＦＵ７は、平面視において、除去ローラ４２が通る矩形状の領域Ｘ１内に配置されている。基板Ｗの処理が行われるとき、制御装置３は、除去ローラ４２を待機位置に位置させる。
【０１１０】
整流板８の下面８ｓを洗浄する場合、制御装置３は、除去ローラ４２の外周面４２ｓが乾いた状態または濡れた状態で、除去ローラ４２を待機位置と折り返し位置との間で一回以上往復させる。これにより、整流板８の下面８ｓに付着している液体等の付着物が、除去ローラ４２に除去される。その後、制御装置３は、待機トレー５８内の待機位置に除去ローラ４２を移動させる。そして、制御装置３は、液体バルブ６１、気体バルブ６４、および吸引バルブ２６８を第２実施形態と同様に制御することにより、除去ローラ４２の洗浄と除去ローラ４２の乾燥とをこの順番で行う。
【０１１１】
＜第５実施形態＞
図１５に示すように、第５実施形態に係る処理ユニット２は、水平な姿勢でスピンチャック１０の上方に配置された円板状の遮断板５７７と、純水やＩＰＡなどのリンス液を遮断板５７７の下面中央部で開口する下向き吐出口５７７ｐを介して下方に吐出する上面ノズル５８２と、上面ノズル５８２の外周面と遮断板５７７の内周面とによって形成された筒状の上気体流路５８３とを含む。除去ローラ４２は、支持シャフトとしての第１薬液アーム１９に取り付けられている。
【０１１２】
図１５に示すように、遮断板５７７は、回転軸線Ａ１に沿って上下方向に延びる支軸５７８によって水平な姿勢で支持されている。遮断板５７７の中心線は、回転軸線Ａ１上に配置されている。遮断板５７７は、外径が基板Ｗの直径よりも大きい円形の下面（対向面５７７ｓ）と、遮断板５７７の下面中央部で開口する下向き吐出口５７７ｐとを含む。遮断板５７７は、支軸５７８の下方に配置されている。支軸５７８は、遮断板５７７の上方で水平に延びる支持アーム５７９に支持されている。
【０１１３】
図１５に示すように、処理ユニット２は、下位置と上位置との間で遮断板５７７を鉛直方向に昇降させる遮断板昇降機構５８０と、回転軸線Ａ１まわりに遮断板５７７を回転させる遮断板回転機構５８１とを含む。下位置は、第１薬液ノズル１６が基板Ｗと遮断板５７７との間に進入できない高さまで遮断板５７７の下面が基板Ｗの上面に近接する近接位置である。上位置は、第１薬液ノズル１６が遮断板５７７と基板Ｗとの間に進入可能な高さまで遮断板５７７が退避した退避位置である。遮断板昇降機構５８０は、下位置から上位置までの任意の位置（高さ）に遮断板５７７を位置させることができる。
【０１１４】
制御装置３は、前述の搬入工程（図４のステップＳ１）から第２リンス液供給工程（図４のステップＳ６）までの各工程において、遮断板５７７を上位置に位置させる。そして、制御装置３は、前述の乾燥工程（図４のステップＳ７）において、遮断板５７７の下面中央部で開口する下向き吐出口５７７ｐから窒素ガスを吐出させながら、遮断板５７７の下面を基板Ｗの上面に近接させる。これにより、遮断板５７７の下面と基板Ｗの上面との間が窒素ガスで満たされた状態で基板Ｗが乾燥するので、ウォーターマークなどの乾燥不良が抑制または防止される。その後、制御装置３は、遮断板５７７を上位置に位置させた状態で、搬出工程（図４のステップＳ８）を実行する。
【０１１５】
その後、制御装置３は、遮断板昇降機構５８０および第１ノズル移動機構２０（図２参照）を制御することにより、第１薬液アーム１９の周囲に配置された除去ローラ４２を遮断板５７７の下面に接触させる。この状態で、制御装置３は、遮断板回転機構５８１によって遮断板５７７を回転させながら、第１薬液アーム１９をノズル回動軸線Ａ３まわりに一回以上往復させる。このとき、除去ローラ４２は、遮断板５７７の下面に沿って転がりながら、遮断板５７７の下面全域に接触する。これにより、遮断板５７７の下面に付着している液体等の付着物が除去ローラ４２によって拭き取られ、遮断板５７７の下面が洗浄される。
【０１１６】
以上のように第５実施形態では、遮断板昇降機構５８０によって鉛直方向に昇降される遮断板５７７が基板Ｗの上方に配置されている。したがって、基板Ｗの処理に伴って生成された液体や気体（処理液のミストなど）が、遮断板５７７の下面に付着する場合がある。遮断板５７７の下面に付着している付着物は、除去ローラ４２によって除去される。したがって、チャンバー４内の清浄度の低下を抑制または防止でき、基板Ｗの汚染を抑制または防止できる。
【０１１７】
＜他の実施形態＞
本発明の第１〜第５実施形態の説明は以上であるが、本発明は、前述の実施形態の内容に限定されるものではなく、本発明の範囲内において種々の変更が可能である。
たとえば、前述の実施形態では、除去部材としての除去ローラ４２がスポンジである場合について説明したが、除去部材は、弾性変形可能なゴム製または樹脂製のブレードであってもよい。つまり、対向部材の下面にブレードを密着させた状態で、ブレードを対向部材に沿って移動させることにより、対向部材の下面に付着している付着物を掻き取ってもよい。
【０１１８】
また、前述の実施形態では、除去ローラ４２が除去ローラ４２の中心線まわりに回転可能に支持シャフト４４に支持されている場合について説明したが、除去ローラ４２は、除去ローラ４２の周方向に固定されていてもよい。また、除去部材は、円筒状に限らず、円柱状や板状などの他の形状であってもよい。
また、前述の実施形態では、整流板８または遮断板５７７の下面を除去ローラ４２で洗浄した後に、除去ローラ４２に付着している付着物を液体で洗い流す場合について説明したが、除去ローラ４２を洗浄しなくてもよい。この場合、対向部材の洗浄回数や除去ローラ４２の使用時間に応じて、除去ローラ４２を交換してもよい。
【０１１９】
また、前述の実施形態では、一対の挟み部材３６９で除去ローラ４２の先端部を挟む場合について説明したが、下側の挟み部材３６９と整流板８の下面８ｓとで除去ローラ４２の先端部を挟んでもよい。つまり、上側の挟み部材３６９が省略されてもよい。
また、前述の実施形態では、基板Ｗ上の処理液を加熱する熱源が、赤外線ランプ３４を含む赤外線ヒータ３３である場合について説明したが、通電により発熱する電熱線を含む抵抗ヒータや、室温よりも高温の熱風を吹き出す送風機が、熱源として用いられてもよい。また、熱源が処理ユニット２から省かれてもよい。
【０１２０】
また、前述の実施形態では、第１薬液ノズル１６、第２薬液ノズル２１、およびリンス液ノズル２６が、別々のアームに取り付けられている場合について説明したが、第１薬液ノズル１６、第２薬液ノズル２１、およびリンス液ノズル２６のうちの二つ以上が、共通のアームに取り付けられていてもよい。
また、前述の実施形態では、赤外線ヒータ３３がヒータアーム３６に取り付けられている場合について説明したが、赤外線ヒータ３３は、第１薬液ノズル１６、第２薬液ノズル２１、およびリンス液ノズル２６の少なくとも一つを保持するアームに取り付けられていてもよい。
【０１２１】
また、前述の実施形態では、薬液がＳＰＭおよびＳＣ１である場合について説明したが、薬液は、ＳＰＭおよびＳＣ１以外の液体であってもよい。たとえば、薬液は、硫酸、酢酸、硝酸、塩酸、フッ酸、アンモニア水、過酸化水素水、有機酸（たとえばクエン酸、蓚酸など）、有機アルカリ（たとえば、ＴＭＡＨ：テトラメチルアンモニウムハイドロオキサイドなど）、界面活性剤、腐食防止剤のうちの少なくとも一つを含む液であってもよい。
【０１２２】
また、前述の実施形態では、リンス液が純水である場合について説明したが、リンス液は、純水以外の液体であってもよい。たとえば、リンス液は、炭酸水、電解イオン水、水素水、オゾン水、ＩＰＡ（イソプロピルアルコール）または希釈濃度（たとえば、１０〜１００ｐｐｍ程度）の塩酸水、などであってもよい。
また、前述の実施形態では、基板処理装置１が、円板状の基板Ｗを処理する装置である場合について説明したが、基板処理装置１は、多角形の基板Ｗを処理する装置であってもよい。
【０１２３】
また、前述の全ての実施形態のうちの二つ以上が組み合わされてもよい。
【符号の説明】
【０１２４】
１        ：基板処理装置
３        ：制御装置
４        ：チャンバー
７        ：送風ユニット
８        ：整流板（対向部材）
８ａ      ：貫通孔
８ｓ      ：下面
１０      ：スピンチャック（基板保持手段）
４１      ：室内洗浄ユニット（対向部材洗浄手段）
４２      ：除去ローラ（除去部材）
４２ｓ    ：外周面
４６      ：自転モータ（液体除去手段、捩じり手段）
５２      ：駆動機構（駆動手段）
５８      ：待機トレー
５９      ：液体ノズル（液体供給手段）
５９ｐ    ：外側液体吐出口（液体供給手段）
６０      ：液体配管（液体供給手段）
６１      ：液体バルブ（液体供給手段）
６２      ：気体ノズル（液体除去手段）
６２ｐ    ：外側気体吐出口（液体除去手段）
６３      ：気体配管（液体除去手段）
６４      ：気体バルブ（液体除去手段）
６５      ：排液突起（液体除去手段）
２４４ｐ  ：内側貫通孔（液体供給手段、内側液体吐出口、液体除去手段）
２６７    ：吸引配管（液体除去手段）
２６８    ：吸引バルブ（液体除去手段）
３６９    ：挟み部材（液体除去手段、捩じり手段）
３６９ａ  ：挟み面
３７０    ：挟みアクチュエータ（液体除去手段、捩じり手段）
４４３    ：支持機構
４５２    ：駆動機構（駆動手段）
４７６    ：駆動モータ
５７７    ：遮断板（対向部材）
５７７ｓ  ：下面
５８０    ：遮断板昇降機構（遮断板昇降手段）
Ｗ        ：基板
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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