(57)【要約】【課題】伝熱導体による回路の高密度化の阻害を抑えることができかつ、容易に製造可能な回路基板及びその製造方法を提供する。【解決手段】本発明の回路基板１０のスルーホール伝熱導体１７は、コア基板１１を貫通する第２貫通孔１６にめっきを充填してなるので、コア基板１１の表裏の導体回路層１２Ａ，１２Ｂ同士の間を接続するスルーホール導電導体１５と同一のめっき工程で形成することができると共に、従来の回路基板に備えたブロック状の伝熱導体に比べて小さくすることができる。また、第２貫通孔１６は、スルーホール導電導体１５が収まっている第１貫通孔１４，１４同士の間に配置され、それら第１貫通孔１４，１４同士の並び方向に対して交差する方向に延びた形状とすることで、スルーホール導電導体１５，１５同士の間の空きスペースを有効利用してスルーホール伝熱導体１７を大きく形成することができ、効率よい放熱が可能になる。【選択図】図３
2015211204.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁層と、
前記絶縁層の表裏の両面にそれぞれ形成される導体回路層と、
前記絶縁層を貫通する複数の第１貫通孔にめっきを充填してなり、前記絶縁層の表裏の前記導体回路層同士の間を接続する複数のスルーホール導電導体と、
前記絶縁層の表裏の両面にそれぞれ形成され、前記導体回路層と同一面内に配置される導体伝熱層と、
前記絶縁層を貫通する第２貫通孔にめっきを充填してなり、前記絶縁層の表裏の前記導体伝熱層同士の間を接続するスルーホール伝熱導体と、を有する回路基板であって、
前記第２貫通孔は、少なくとも２つの第１貫通孔の間に配置されて、それら第１貫通孔同士の並び方向に対して交差する方向に延びる形状になっている。
【請求項２】
請求項１に記載の回路基板において、
前記第２貫通孔は、前記第１貫通孔と同一形状の複数の貫通孔を横並びに配置しかつ隣り合う貫通孔同士の一部が重複している構造になっている。
【請求項３】
請求項２に記載の回路基板において、
前記第１貫通孔は、前記絶縁層の表裏の両面からそれぞれ穿孔したテーパー孔が重複してなる連結部を有し、該連結部で孔の径が最小になる。
【請求項４】
請求項３に記載の回路基板において、
前記第２貫通孔は、前記第１貫通孔と同一形状の複数の貫通孔を横並びに配置しかつ隣り合う前記貫通孔における軸方向両端の大径部同士の一部を重複させると共に、隣り合う前記貫通孔の前記連結部の間に前記絶縁層が残されている。
【請求項５】
前記請求項１乃至４の何れか１の請求項に記載の回路基板において、
前記絶縁層は、コア基板であり、
前記コア基板の表裏の両方に積層されるビルドアップ層と、
前記ビルドアップ層に含まれるビルドアップ絶縁層を貫通するビアホールにめっきを充填してなり、前記ビルドアップ層に含まれるビルドアップ導体回路層を前記コア基板上の導電回路層に導通するビア導電導体と、
前記ビルドアップ絶縁層を貫通するビアホールにめっきを充填してなり、前記ビルドアップ層に含まれるビルドアップ導体伝熱層を前記コア基板上の導体伝熱層に接続するビア伝熱導体とを有する。
【請求項６】
前記請求項１乃至５の何れか１の請求項に記載の回路基板において、
前記絶縁層に内蔵される電子部品を有し、
前記電子部品の近傍に前記スルーホール伝熱導体が形成されている。
【請求項７】
コア基板と、
前記コア基板の表裏の両方に積層される表裏のビルドアップ絶縁層と、
前記表裏の各ビルドアップ絶縁層を貫通するビアホールにめっきを充填してなり、前記コア基板上の導電回路層に導通される複数のビア導電導体と、
前記表裏のビルドアップ絶縁層上に形成され、前記ビア導電導体に導通される導体回路層と、
前記コア基板とその表裏のビルドアップ絶縁層とを貫通する伝熱用貫通孔にめっきを充填してなるスルーホール伝熱導体と、
前記表裏のビルドアップ絶縁層上に設けられ、前記スルーホール伝熱導体により互いに接続される導体伝熱層と、を有する回路基板であって、
前記伝熱用貫通孔は、少なくとも２つの前記ビア導電導体の間に配置されて、それらビア導電導体同士の並び方向に対して交差する方向に延びる形状になっている。
【請求項８】
絶縁層に複数の第１貫通孔を形成することと、
前記絶縁層に第２貫通孔を形成することと、
前記複数の第１貫通孔にめっきを充填して複数のスルーホール導電導体を形成することと、
前記第２貫通孔にめっきを充填してスルーホール伝熱導体を形成することと、
前記絶縁層の表裏の両面に前記複数のスルーホール導電導体によって導通接続される導体回路層を形成しかつ、前記絶縁層の表裏の両面に前記スルーホール伝熱導体によって導通接続される導体伝熱層を形成することとを行う回路基板の製造方法であって、
前記第２貫通孔を、少なくとも２つの前記第１貫通孔の間で、それら第１貫通孔同士の並び方向に対して交差する方向に延びる形状に形成する。
【請求項９】
請求項８に記載の回路基板の製造方法であって、
前記複数のスルーホール導電導体の形成と前記スルーホール伝熱導体の形成を同一のめっき工程で行う。
【請求項１０】
コア基板の表裏の両方にビルドアップ絶縁層を積層することと、
前記ビルドアップ絶縁層を貫通するビアホールを形成することと、
前記コア基板とその表裏のビルドアップ絶縁層とを貫通する伝熱用貫通孔を形成することと、
前記ビルドアップ絶縁層を貫通する前記ビアホールにめっきを充填して、前記コア基板上の導電回路層に接続される複数のビア導電導体を形成することと、
前記伝熱用貫通孔にめっきを充填してスルーホール伝熱導体を形成することと、
前記表裏のビルドアップ絶縁層上に前記複数の前記ビア導電導体により前記コア基板上の導電回路層に接続されるビルドアップ導体回路層を形成しかつ、前記表裏のビルドアップ絶縁層上に前記スルーホール伝熱導体により互いに接続される導体伝熱層を形成することとを行う回路基板の製造方法であって、
前記伝熱用貫通孔を、少なくとも２つの前記ビア導電導体の間で、それらビア導電導体同士の並び方向に対して交差する方向に延びる形状に形成する。
【請求項１１】
請求項１０に記載の回路基板の製造方法であって、
前記複数のビア導電導体の形成と前記スルーホール伝熱導体の形成を同一のめっき工程で行う。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、放熱用の伝熱導体を内蔵する回路基板及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、この種の回路基板として、予めブロック状に形成された放熱用の伝熱導体を絶縁層に埋設して備えたものが知られている。この回路基板は、伝熱導体が半導体チップの真下に配置されるように使用される（例えば、特許文献１参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】米国公開２０１２／０２５５１６５公報（ＦＩＧ．９、ＦＩＧ．１４）
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、上記した従来の回路基板では、伝熱導体が回路の高密度化を大きく阻害し、例えば、回路基板との接続部が高密度化された半導体チップの真下に伝熱導体を配置することができなかったり、回路基板の小型化の妨げになる等の問題が生じていた。また、回路基板を製造する際に、伝熱導体を絶縁層に埋設する工程が増えることも問題になっていた。
【０００５】
本発明は、上記事情に鑑みてなされたもので、伝熱導体による回路の高密度化の阻害を抑えることができかつ、容易に製造可能な回路基板及びその製造方法の提供を目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
上記目的を達成するためなされた請求項１に係る発明は、絶縁層と、前記絶縁層の表裏の両面にそれぞれ形成される導体回路層と、前記絶縁層を貫通する複数の第１貫通孔にめっきを充填してなり、前記絶縁層の表裏の前記導体回路層同士の間を接続する複数のスルーホール導電導体と、前記絶縁層の表裏の両面にそれぞれ形成され、前記導体回路層と同一面内に配置される導体伝熱層と、前記絶縁層を貫通する第２貫通孔にめっきを充填してなり、前記絶縁層の表裏の前記導体伝熱層同士の間を接続するスルーホール伝熱導体と、を有する回路基板であって、前記第２貫通孔は、少なくとも２つの第１貫通孔の間に配置されて、それら第１貫通孔同士を連絡する方向に対して交差する方向に延びる形状になっている。
【図面の簡単な説明】
【０００７】
【図１】本発明の第１実施形態に係る回路基板の平面図
【図２】回路基板における製品領域の平面図
【図３】図２のＡ−Ａ切断面における回路基板の断面図
【図４】回路基板の導体伝熱層端面における平断面図
【図５】回路基板の製造工程を示す断面図
【図６】回路基板の製造工程を示す断面図
【図７】回路基板の製造工程を示す断面図
【図８】回路基板の製造工程を示す断面図
【図９】回路基板を含むＰｏＰの断面図
【図１０】第２実施形態の回路基板の断面図
【図１１】回路基板の製造工程を示す断面図
【図１２】回路基板の製造工程を示す断面図
【図１３】他の実施形態の回路基板の断面図
【発明を実施するための形態】
【０００８】
［第１実施形態］
以下、本発明の第１実施形態を図１から図９に基づいて説明する。本実施形態の回路基板１０は、図１の平面図に示されているように、例えば、外縁部に沿った枠状の捨て領域Ｒ１を有し、その捨て領域Ｒ１の内側が正方形の複数の製品領域Ｒ２に区画されている。図２には、１つの製品領域Ｒ２が拡大して示され、その製品領域Ｒ２を対角線に沿って切断した回路基板１０の断面構造が図３に拡大して示されている。
【０００９】
図３に示すように、回路基板１０は、コア基板１１の表裏の両面にビルドアップ層２０Ａ，２０Ｂを有する構造になっている。コア基板１１は、本発明に係る「絶縁層」に相当し、絶縁性部材で構成されている。コア基板１１の表側の面であるＦ面１１Ｆには、導体層１１Ｖが形成され、その導体層１１Ｖは、同一面内に配置されて互いに離間している導体回路層１２Ａと導体伝熱層１３Ａとからなる。また、コア基板１１の裏側の面であるＳ面１１Ｓにも、導体層１１Ｗが形成され、その導体層１１Ｗも、同一面内に配置されて互いに離間している導体回路層１２Ｂと導体伝熱層１３Ｂとからなる。さらに、コア基板１１には、複数の第１貫通孔１４と複数の第２貫通孔１６（図３には、１つの第２貫通孔１６のみが示されている）が形成されている。
【００１０】
第１貫通孔１４は、コア基板１１のＦ面１１Ｆ及びＳ面１１Ｓの両面からそれぞれ穿孔しかつ奥側に向かって徐々に縮径したテーパー孔１４Ａ，１４Ｂの小径側端部を互いに連通させた中間括れ形状をなしている。これに対し、第２貫通孔１６は、第１貫通孔１４と同一形状の複数の貫通孔９０を横並びに配置しかつ隣り合う貫通孔９０，９０同士の一部を重複させて相互に連通させた構造になしている。詳細には、中間括れ形状の複数の貫通孔９０を横並びに配置しかつ隣り合う貫通孔９０，９０における軸方向両端の大径部同士を連通させると共に、隣り合う貫通孔９０，９０における軸方向中間の小径部同士の間にコア基板１１を構成する絶縁部材が残されている。また、図２及び図４とに示すように、第２貫通孔１６は、第１貫通孔１４，１４同士の間に配置されて、それら第１貫通孔１４，１４同士を連絡する方向に対して交差する方向に延びている。
【００１１】
図３に示すように、各第１貫通孔１４内にはめっきが充填されて複数のスルーホール導電導体１５がそれぞれ形成され、それらスルーホール導電導体１５によってＦ面１１Ｆの導体回路層１２ＡとＳ面１１Ｓの導体回路層１２Ｂとの間が接続されている。また、各第２貫通孔１６内にもめっきが充填されてスルーホール伝熱導体１７がそれぞれ形成され、それらスルーホール伝熱導体１７によってＦ面１１Ｆの導体伝熱層１３Ａと、Ｓ面１１Ｓの導体伝熱層１３Ｂとが接続されている。なお、図４に示すように、スルーホール伝熱導体１７に接続されている導体伝熱層１３Ａ，１３Ｂ（図４には、一方の導体伝熱層１３Ａのみが示されている）とそのスルーホール伝熱導体１７の両側近傍のスルーホール導電導体１５に接続されている導体回路層１２Ａ，１２Ｂ（図４には、一方の導体回路層１２Ａのみが示されている）との間隔Ｌ１は、１５〜２０［μｍ］になっている。
【００１２】
コア基板１１のＦ面１１Ｆ側のビルドアップ層２０Ａは、導体層１１Ｖ上に積層されるビルドアップ絶縁層２１Ａと、そのビルドアップ絶縁層２１Ａ上に積層されるビルドアップ導体層２２Ａとからなる。また、ビルドアップ導体層２２Ａ，２２Ｂ上には、ソルダーレジスト層２３Ａ，２３Ｂが積層されている。
【００１３】
ビルドアップ導体層２２Ａは、同一面内に配置されて互いに離間しているビルドアップ導体回路層２２Ａ１とビルドアップ導体伝熱層２２Ａ２とからなる。また、ビルドアップ絶縁層２１Ａには、複数の導電用ビアホール２４Ａと複数の伝熱用ビアホール２６Ａが形成されている。各導電用ビアホール２４Ａ及び各伝熱用ビアホール２６Ａは、共にコア基板１１側に向かって徐々に縮径したテーパー状になっている。
【００１４】
各導電用ビアホール２４Ａ内にはめっきが充填されて複数のビア導電導体２５Ａがそれぞれ形成され、それらビア導電導体２５Ａによりビルドアップ導体回路層２２Ａ１と導体回路層１２Ａとの間が接続されている。また、各伝熱用ビアホール２６Ａ内にはめっきが充填されて複数のビア伝熱導体２７Ａがそれぞれ形成され、それらビア伝熱導体２７Ａによりビルドアップ導体伝熱層２２Ａ２と導体伝熱層１３Ａとの間が接続されている。
【００１５】
また、ソルダーレジスト層２３Ａには、複数のパッド用孔が形成され、ビルドアップ導体回路層２２Ａ１の一部がパッド用孔内に位置して導電用パッド２９Ａになり、ビルドアップ導体伝熱層２２Ａ２の一部がパッド用孔内に位置して伝熱用パッド３１Ａになっている。
【００１６】
コア基板１１のＳ面１１Ｓ側のビルドアップ層２０Ｂは、上述したＦ面１１Ｆ側のビルドアップ層２０Ａと同様の層構造をなしている。なお、図３，図５〜図９におけるＳ面１１Ｓ側のビルドアップ層２０Ｂの各部位には、それら各部位に相当するＦ面１１Ｆ側のビルドアップ層２０Ａの各部位の符号中の「Ａ」を「Ｂ」に変更した符号が付されている。
【００１７】
図２に示すように、回路基板１０におけるＦ面１０Ｆ（表側面）の複数のパッドは、製品領域Ｒ２の外縁部に沿って２列に並べられた大パッド群と、それら大パッド群に囲まれた内側の領域に縦横複数列に並べられた小パッド群とからなり、例えば、小パッド群の中央で製品領域Ｒ２の対角線方向に並んだ２つの小パッドと、それら２つの小パッドから離れた位置に配置された３つの小パッドとが伝熱用パッド３１Ａになっていて、それ以外の小パッド及び大パッドは導電用パッド２９Ａになっている。一方、回路基板１０のＳ面１０Ｓ（表側面）の複数のパッドは、均一の大きさの中パッドになっていて、それら中パッドのうち回路基板１０のＦ面１０Ｆ側の伝熱用パッド３１Ａの真下又は真下近傍のパッドが伝熱用パッド３１Ｂをなし、それ以外のパッドは、導電用パッド２９Ｂになっている。
【００１８】
本実施形態の回路基板１０は、以下のようにして製造される。
（１）図５（Ａ）に示すように、コア基板１１としてエポキシ樹脂又はＢＴ（ビスマレイミドトリアジン）樹脂とガラスクロスなどの補強材からなる絶縁性基材１１Ｋの表裏の両面に、銅箔１１Ｃがラミネートされているものが用意される。
【００１９】
（２）図５（Ｂ）に示すように、コア基板１１にＦ面１１Ｆ側から例えばＣＯ２レーザが照射されて第１貫通孔１４（図３参照）を形成するための前述したテーパー孔１４Ａが穿孔されると共に、第２貫通孔１６（図３参照）を形成するために、テーパー孔１４Ａと同一形状のテーパー孔９０Ａが複数横並びに並べて穿孔される。その際、隣り合ったテーパー孔９０Ａ，９０Ａの大径部同士の一部が重ね合わせされて連通するようにテーパー孔９０Ａが配置される。
【００２０】
（３）図５（Ｃ）に示すように、コア基板１１のＳ面１１Ｓのうち前述したＦ面１１Ｆ側のテーパー孔１４Ａの真裏となる位置にＣＯ２レーザが照射されてテーパー孔１４Ｂが穿孔され、テーパー孔１４Ａ，１４Ｂから第１貫通孔１４が形成される。また、コア基板１１におけるＳ面１１Ｓのうち前述したＦ面１１Ｆ側のテーパー孔９０Ａの真裏となる位置にＣＯ２レーザが照射されてテーパー孔１４Ｂと同一形状のテーパー孔９０Ｂが穿孔され、テーパー孔９０Ａ，９０Ｂから複数の貫通孔９０が形成されかつそれら複数の貫通孔９０から第２貫通孔１６が形成される。
【００２１】
（４）無電解めっき処理が行われ、銅箔１１Ｃ上と第１貫通孔１４及び第２貫通孔１６の内面とに無電解めっき膜（図示せず）が形成される。
（５）図５（Ｄ）に示すように、銅箔１１Ｃ上の無電解めっき膜上に、所定パターンのめっきレジスト３３が形成される。
【００２２】
（６）図６（Ａ）に示すように、電解めっき処理が行われ、電解めっきが第１貫通孔１４内に充填されてスルーホール導電導体１５が形成されると共に、電解めっきが第２貫通孔１６内に充填されてスルーホール伝熱導体１７が形成され、さらには、コア基板１１のＦ面１１ＦとＳ面１１Ｓの無電解めっき膜（図示せず）のうちめっきレジスト３３から露出している部分に上に電解めっき膜３４，３４が形成される。
【００２３】
（７）めっきレジスト３３が剥離されると共に、めっきレジスト３３の下方の無電解めっき膜（図示せず）及び銅箔１１Ｃが除去され、図６（Ｂ）に示すように、残された電解めっき膜３４、無電解めっき膜及び銅箔１１Ｃにより、コア基板１１のＦ面１１Ｆ上に導体回路層１２Ａと導体伝熱層１３Ａとが形成されると共に、コア基板１１のＳ面１１Ｓ上に導体回路層１２Ｂと導体伝熱層１３Ｂとが形成される。そして、コア基板１１のＦ面１１Ｆ上の導体回路層１２ＡとＳ面１１Ｓ上の導体回路層１２Ｂとがスルーホール導電導体１５によって接続され、コア基板１１のＦ面１１Ｆ上の導体伝熱層１３ＡとＳ面１１Ｓ上の導体伝熱層１３Ｂとがスルーホール伝熱導体１７によって接続された状態になる。
【００２４】
（８）図６（Ｃ）に示すように、コア基板１１のＦ面１１Ｆ上の導体回路層１２Ａ及び導体伝熱層１３Ａからなる導体層１１Ｖ上にビルドアップ絶縁層２１Ａとしてのプリプレグ（心材を樹脂含浸してなるＢステージの樹脂シート）と銅箔３７が積層されると共に、コア基板１１のＳ面１１Ｓ上の導体回路層１２Ｂ及び導体伝熱層１３Ｂからなる導体層１１Ｗ上にビルドアップ絶縁層２１Ｂとしてのプリプレグと銅箔３７が積層されてから、加熱プレスされる。その際、コア基板１１のＦ面１１Ｆ側の導体回路層１２Ａ，１２Ａ同士及び導体回路層１２Ａと導体伝熱層１３Ａとの間がプリプレグにて埋められ、コア基板１１のＳ面１１Ｓ側でも同様に導体回路層１２Ｂ，１２Ｂ同士及び導体回路層１２Ｂと導体伝熱層１３Ｂとの間がプリプレグにて埋められる。なお、ビルドアップ絶縁層２１Ａ，２１Ｂとしてプリプレグの代わりに心材を含まない樹脂フィルムを用いてもよい。その場合は、銅箔を積層することなく、樹脂フィルムの表面に、直接、セミアディティブ法で導体回路層を形成することができる。
【００２５】
（９）図７（Ａ）に示すように、コア基板１１のＦ面１１Ｆ側の銅箔３７にＣＯ２レーザが照射されて、銅箔３７及びビルドアップ絶縁層２１Ａを貫通するテーパー状の導電用ビアホール２４Ａ及び伝熱用ビアホール２６Ａが形成されると共に、コア基板１１のＳ面１１Ｓ側の銅箔３７にＣＯ２レーザが照射されて、銅箔３７及びビルドアップ絶縁層２１Ｂを貫通するテーパー状の導電用ビアホール２４Ｂ及び伝熱用ビアホール２６Ｂが形成される。そして、過マンガン酸塩等の酸化剤でそれら導電用ビアホール２４Ａ，２４Ｂ内及び伝熱用ビアホール２６Ａ，２６Ｂ内が洗浄される。
【００２６】
（１０）無電解めっき処理が行われ、コア基板１１の表裏の銅箔３７，３７上と導電用ビアホール２４Ａ，２４Ｂ及び伝熱用ビアホール２６Ａ，２６Ｂの内面とに無電解めっき膜（図示せず）が形成される。
【００２７】
（１１）図７（Ｂ）に示すように、銅箔３７上の無電解めっき膜上に、所定パターンのめっきレジスト４０が形成される。
【００２８】
（１２）電解めっき処理が行われ、図７（Ｃ）に示すように、電解めっきが導電用ビアホール２４Ａ，２４Ｂ内に充填されてビア導電導体２５Ａ，２５Ｂが形成されると共に、電解めっきが伝熱用ビアホール２６Ａ，２６Ｂ内に充填されてビア伝熱導体２７Ａ，２７Ｂが形成され、さらには、コア基板１１のＦ面１１ＦとＳ面１１Ｓの無電解めっき膜（図示せず）のうちめっきレジスト４０から露出している部分に電解めっき膜３９，３９が形成される。
【００２９】
（１３）めっきレジスト４０が５％ＮａＯＨで除去されると共に、めっきレジスト４０の下方の無電解めっき膜（図示せず）及び銅箔３７が除去され、図８（Ａ）に示すように、残された電解めっき膜３９、無電解めっき膜及び銅箔３７により、コア基板１１のＦ面１１Ｆ側にビルドアップ導体回路層２２Ａ１とビルドアップ導体伝熱層２２Ａ２とからなるビルドアップ導体層２２Ａが形成されると共に、コア基板１１のＳ面１１Ｓ側にビルドアップ導体回路層２２Ｂ１とビルドアップ導体伝熱層２２Ｂ２とからなるビルドアップ導電層２２Ｂが形成される。そして、ビルドアップ導体回路層２２Ａ１，２２Ｂ１と導体回路層１２Ａ，１２Ｂとが、ビア導電導体２５Ａ，２５Ｂによって接続され、ビルドアップ導体伝熱層２２Ａ２，２２Ｂ２と導体伝熱層１３Ａ，１３Ｂとが、ビア伝熱導体２７Ａ，２７Ｂによって接続された状態になる。
【００３０】
（１４）図８（Ｂ）に示すように、ビルドアップ導体層２２Ａ，２２Ｂ上にソルダーレジスト層２３Ａ，２３Ｂが積層される。
【００３１】
（１５）図８（Ｃ）に示すように、ソルダーレジスト層２３Ａ，２３Ｂの所定箇所にテーパー状のパッド用孔が形成されてビルドアップ導体層２２Ａ，２２Ｂにおけるビルドアップ導体回路層２２Ａ１，２２Ｂ１の一部がソルダーレジスト層２３Ａ，２３Ｂから露出して上記した導電用パッド２９Ａ，２９Ｂになると共に、ビルドアップ導体層２２Ａ，２２Ｂにおけるビルドアップ導体伝熱層２２Ａ２，２２Ｂ２の一部がソルダーレジスト層２３Ａ，２３Ｂから露出して上記した伝熱用パッド３１Ａ，３１Ｂになる。
【００３２】
（１５）図３に示すように、導電用パッド２９Ａ，２９Ｂ上及び伝熱用パッド３１Ａ，３１Ｂ上に、ニッケル層、金層の順に積層されて金属膜４１が形成される。以上で回路基板１０が完成する。
【００３３】
本実施形態の回路基板１０の構造及び製造方法に関する説明は以上である。次に回路基板１０の作用効果を、回路基板１０の使用例と共に説明する。本実施形態の回路基板１０は、例えば、以下のようにして使用される。即ち、図９に示すように、回路基板１０の有する前述の大、中、小のパッド上に、それら各パッドの大きさに合った大、中、小の半田バンプ７９Ａ，７９Ｂ，７９Ｃが形成される。そして、例えば、回路基板１０のＦ面１０Ｆの小パッド群と同様に配置されたパッド群を下面に有するＣＰＵ８０が、各製品領域Ｒ２の小半田バンプ７９Ｃ群上に搭載されて半田付けされて、第１パッケージ基板１０Ｐが形成される。このときＣＰＵ８０が有する例えばグランド用のパッドが回路基板１０における伝熱用パッド３１Ａと半田付けされる。
【００３４】
次いで、メモリ８１を回路基板８２のＦ面８２Ｆに実装してなる第２パッケージ基板８２Ｐが、ＣＰＵ８０の上方から第１パッケージ基板１０Ｐ上に配されて、その第２パッケージ基板８２Ｐにおける回路基板８２のＳ面８２Ｓに備えるパッド（図示しない）に第１パッケージ基板１０Ｐにおける回路基板１０の大半田バンプ７９Ａが半田付けされてＰｏＰ８３（Ｐａｃｋａｇｅ  ｏｎ  Ｐａｃｋａｇｅ８３）が形成される。なお、ＰｏＰ８３における回路基板１０，８２の間には図示しない樹脂が充填される。
【００３５】
次いで、ＰｏＰ８３がマザーボード８４上に配されて、そのマザーボード８４が有するパッド群にＰｏＰ８３における回路基板１０の中半田バンプ７９Ｂが半田付けされる。このとき、マザーボード８４が有する例えばグランド用のパッドが回路基板１０における伝熱用パッド３１Ｂと半田付けされる。なお、ＣＰＵ８０及びマザーボード８４が放熱専用のパッドを有している場合には、それら放熱専用のパッドと回路基板１０の伝熱用パッド３１Ａ，３１Ｂとが半田付けされてもよい。
【００３６】
さて、ＣＰＵ８０が稼働され、発熱すると、その熱は、ＣＰＵ８０が実装されている回路基板１０のビルドアップ導体伝熱層２２Ａ２，２２Ｂ２、ビア伝熱導体２７Ａ，２７Ｂ、コア基板１１上の導体伝熱層１３Ａ，１３Ｂ及びスルーホール伝熱導体１７を通して回路基板１０の反対側のマザーボード８４へと放熱される。
【００３７】
ここで、回路基板１０のスルーホール伝熱導体１７は、コア基板１１を貫通する第２貫通孔１６にめっきを充填してなるので、コア基板１１の表裏の導体回路層１２Ａ，１２Ｂ同士の間を接続するスルーホール導電導体１５と同一のめっき工程で形成することができる。また、スルーホール伝熱導体１７が収まっている第２貫通孔１６は、スルーホール導電導体１５が収まっている第１貫通孔１４，１４同士の間に配置され、それら第１貫通孔１４，１４同士を連絡する方向に対して交差する方向に延びた形状とすることで、スルーホール導電導体１５，１５同士の間の空きスペースを有効利用してスルーホール伝熱導体１７を大きくする形成することができ、効率よい放熱が可能になる。
【００３８】
また、スルーホール伝熱導体１７が収まっている第２貫通孔１６は、スルーホール導電導体１５が収まっている第１貫通孔１４と同一形状の複数の貫通孔９０を横並びに配置しかつ隣り合う貫通孔９０同士の一部を重複させて相互に連通させた構造になっているので、第１貫通孔１４と第２貫通孔１６とを同一工程で形成することができる。しかも、第１貫通孔１４は中間括れ形状をなし、第２貫通孔１６は、中間括れ形状の貫通孔９０を横並びに配置してなるのでめっきの充填が容易である。また、第２貫通孔１６は、中間括れ形状の複数の貫通孔９０を横並びに配置しかつ隣り合う貫通孔９０の大径部同士を連通させて小径部同士の間にはコア基板１１が残されているので、めっきの充填が容易になると共に、第２貫通孔１６内のめっきで構成されたスルーホール伝熱導体１７とコア基板１１との接触面積が広くなり、コア基板１１の熱をスルーホール伝熱導体１７へと効率よく排熱することができる。
【００３９】
［第２実施形態］
本実施形態は、図１０〜図１２に示されている。図１０に示すように、実施形態の回路基板５０は、スルーホール伝熱導体５３等の伝熱部分の構造のみが第１実施形態の回路基板１０と異なる。以下、本実施形態の回路基板５０のうち第１実施形態の回路基板１０と同一構造に関しては、第１実施形態と同じ符号を付して重複した説明を省略し、第１実施形態の回路基板１０と異なる構造に関してのみ説明する。
【００４０】
回路基板５０は、コア基板１１とその表裏のビルドアップ絶縁層２１Ａ，２１Ｂとを併せて貫通する伝熱用貫通孔５１を有している。伝熱用貫通孔５１は、前記第１実施形態の回路基板１０の第２貫通孔１６と同様に中間括れ形状の貫通孔５２を複数横並びに配置して、隣り合った貫通孔５２，５２の大径側端部の一部を互いに連通させた構造をなしている。また、伝熱用貫通孔５１内にめっきが充填されてスルーホール伝熱導体５３が形成されている。そして、コア基板１１の表裏のビルドアップ絶縁層２１Ａ，２１Ｂ上のビルドアップ導体伝熱層２２Ａ２，２２Ｂ２が、スルーホール伝熱導体５３によって接続された構造になっている。さらに、伝熱用貫通孔５１は、スルーホール導電導体１５が収まっている第１貫通孔１４，１４の間に配置されて、それら第１貫通孔１４，１４同士を連絡する方向に対して交差する方向に延びている。
【００４１】
回路基板５０は、以下のようにして製造される。
（１）コア基板１１に前記第１実施形態の第２貫通孔１６（図５（Ｃ）参照）を形成しないこと以外は、前記第１実施形態と同じ工程を経て、図１１（Ａ）に示すように、コア基板１１に第１貫通孔１４、スルーホール導電導体１５、導体回路層１２Ａ，１２Ｂが形成されると共に、導体回路層１２Ａ，１２Ｂの上からコア基板１１のＦ面１１Ｆ上及びＳ面１１Ｓ上に、ビルドアップ絶縁層２１Ａ，２１Ｂとしてのプリプレグと銅箔３７とが積層される。
【００４２】
（２）図１１（Ｂ）に示すように、コア基板１１のＦ面１１Ｆ側の銅箔３７にＣＯ２レーザが照射されて、銅箔３７及びビルドアップ絶縁層２１Ａを貫通するテーパー状の導電用ビアホール２４Ａが形成されると共に、銅箔３７、ビルドアップ絶縁層２１Ａ及びコア基板１１の厚さ方向の中央部に至る深さのテーパー孔５２Ａが形成される。次いで、コア基板１１のＳ面１１Ｓ側の銅箔３７にＣＯ２レーザが照射されて、銅箔３７及びビルドアップ絶縁層２１Ｂを貫通するテーパー状の導電用ビアホール２４Ｂが形成されると共に、銅箔３７、ビルドアップ絶縁層２１Ｂ及びコア基板１１の厚さ方向の中央部に至る深さのテーパー孔５２Ｂが形成される。そして、コア基板１１の両面のテーパー孔５２Ａ，５２Ｂが連通して中間括れ形状の貫通孔５２が形成され、貫通孔５２が複数連通して伝熱用貫通孔５１が形成される。
【００４３】
（３）無電解めっき処理が行われ、コア基板１１の表裏の銅箔３７，３７上と導電用ビアホール２４Ａ，２４Ｂ及び伝熱用貫通孔５１の内面とに無電解めっき膜（図示せず）が形成される。
【００４４】
（４）図１２（Ａ）に示すように、銅箔３７上の無電解めっき膜上に、所定パターンのめっきレジスト４０が形成される。
【００４５】
（５）電解めっき処理が行われ、図１２（Ｂ）に示すように、電解めっきが導電用ビアホール２４Ａ，２４Ｂ内に充填されてビア導電導体２５Ａ，２５Ｂが形成されると共に、電解めっきが伝熱用貫通孔５１内に充填されてスルーホール伝熱導体５３が形成され、さらには、コア基板１１のＦ面１１ＦとＳ面１１Ｓの無電解めっき膜（図示せず）のうちめっきレジスト４０から露出している部分に電解めっき膜３９，３９が形成される。
【００４６】
（６）めっきレジスト４０が除去されると共に、めっきレジスト４０の下方の無電解めっき膜（図示せず）及び銅箔３７が除去され、残された電解めっき膜３９、無電解めっき膜及び銅箔３７により、コア基板１１のＦ面１１Ｆ側にビルドアップ導体回路層２２Ａ１とビルドアップ導体伝熱層２２Ａ２とからなるビルドアップ導体層２２Ａ（図１０参照）が形成される。これと同様に、コア基板１１のＳ面１１Ｓ側にも、ビルドアップ導体回路層２２Ｂ１とビルドアップ導体伝熱層２２Ｂ２とからなるビルドアップ導体層２２Ｂ（図１０参照）が形成される。
【００４７】
（７）図１０に示すように、ビルドアップ導体層２２Ａ，２２Ｂ上にソルダーレジスト層２３Ａ，２３Ｂが積層される。そして、それらソルダーレジスト層２３Ａ，２３Ｂの所定箇所にテーパー状のパッド用孔が形成されてビルドアップ導体層２２Ａ，２２Ｂにおけるビルドアップ導体回路層２２Ａ１，２２Ｂ１の一部がソルダーレジスト層２３Ａ，２３Ｂから露出して上記した導電用パッド２９Ａ，２９Ｂになると共に、ビルドアップ導体層２２Ａ，２２Ｂにおけるビルドアップ導体伝熱層２２Ａ２，２２Ｂ２の一部がソルダーレジスト層２３Ａ，２３Ｂから露出して上記した伝熱用パッド３１Ａ，３１Ｂになる。
【００４８】
（８）導電用パッド２９Ａ，２９Ｂ上及び伝熱用パッド３１Ａ，３１Ｂ上に、ニッケル層、金層の順に積層されて金属膜４１が形成される。以上で回路基板１０が完成する。
【００４９】
本実施形態の回路基板５０では、前記第１実施形態の回路基板１０と同様に、例えば、実装したＣＰＵ８０の熱を、ビルドアップ導体伝熱層２２Ａ２，２２Ｂ２及びスルーホール伝熱導体５３を通して回路基板５０の反対側に放熱することができる。そのスルーホール伝熱導体５３は、コア基板１１及びビルドアップ絶縁層２１Ａ，２１Ｂを貫通する伝熱用貫通孔５１にめっきを充填してなるので、導電用ビアホール２４Ａ，２４Ｂにめっきを充填する工程と同一のめっき工程で形成することができる。また、伝熱用貫通孔５１を、スルーホール導電導体１５が収まっている第１貫通孔１４，１４同士の間に配置して、それら第１貫通孔１４，１４同士を連絡する方向に対して交差する方向に延びる形状にしたことで、スルーホール導電導体１５，１５同士の間の空きスペースを有効利用してスルーホール伝熱導体５３を大きく形成することができ、効率よい放熱が可能になる。
［他の実施形態］
【００５０】
本発明は、前記実施形態に限定されるものではなく、例えば、以下に説明するような実施形態も本発明の技術的範囲に含まれ、さらに、下記以外にも要旨を逸脱しない範囲内で種々変更して実施することができる。
【００５１】
（１）前記第１実施形態の回路基板１０及び第２実施形態の回路基板５０は、回路基板に実装されたＣＰＵ８０の放熱に使用されたが、他の電子部品の放熱に本発明を適用した回路基板を使用してもよい。例えば、図１３に示す回路基板９０のように、コア基板１１の絶縁性基材１１Ｋに電子部品９１を内蔵し、その電子部品９１の近傍にスルーホール伝熱導体１７を配置することができる。この電子部品９１は基板に平行な方向の両端に電極９２，９２を備え、それぞれの電極９２，９２がビア導電導体２５Ａ，２５Ｂによってビルドアップ導体回路層２２Ａ１，２２Ｂ１に接続されている。そして、この電子部品９１が発生する熱をスルーホール伝熱導体１７によって放熱することができる。ここで、スルーホール伝熱導体１７は、電子部品９１から７０〜２００［μｍ］離した位置に形成することが好ましい。そうすれば、電子部品９１との絶縁を確保し、かつ、電子部品９１の発熱に対して十分な放熱効果が期待できる。なお、電子部品９１の種類は、任意である。例えば、コンデンサ、抵抗、コイル等の受動部品のほか、ＩＣ回路等の能動部品など、任意の電子部品を採用することができる。
（２）前記第１実施形態の第２貫通孔１６及び第２実施形態の伝熱用貫通孔５１は、レーザーによって形成されていたが、回転工具によって第２貫通孔１６及び伝熱用貫通孔５１を長孔形状に形成してもよい。
【００５２】
（３）前記第１実施形態の第２貫通孔１６及び第２実施形態の伝熱用貫通孔５１を形成する際に、それら第２貫通孔１６、伝熱用貫通孔５１を構成する中間括れ形状の貫通孔における小径部同士の間にコア基板１１の一部が残されていたが、中間括れ形状の貫通孔の小径部同士も連通させてもよい。
【００５３】
（４）前記第１実施形態の回路基板１０は、コア基板１１にビルドアップ層２０Ａ，２０Ｂが積層されていたが、ビルドアップ層を有しない回路基板に本発明を適用してもよい。
【符号の説明】
【００５４】
１０，５０，９０    回路基板
１１    コア基板
１２Ａ，１２Ｂ    導体回路層
１３Ａ，１３Ｂ    導体伝熱層
１４    第１貫通孔
１５    スルーホール導電導体
１６    第２貫通孔
１７    スルーホール伝熱導体
２０Ａ，２０Ｂ    ビルドアップ層
２１Ａ，２１Ｂ    ビルドアップ絶縁層
２２Ａ，２２Ｂ    ビルドアップ導体層
２２Ａ１，２２Ｂ１    ビルドアップ導体回路層
２２Ａ２，２２Ｂ２    ビルドアップ導体伝熱層
２４Ａ，２４Ｂ    導電用ビアホール
２５Ａ，２５Ｂ    ビア導電導体
２６Ａ，２６Ｂ    伝熱用ビアホール
２７Ａ，２７Ｂ    ビア伝熱導体
５１    伝熱用貫通孔
５３    スルーホール伝熱導体
９１    電子部品
【図１】
2015211204.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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