(57)【要約】【課題】電極のバリを抑え、隣接する電極端子同士の短絡を防止しうるパッケージ基板の分割方法を提供する。【解決手段】第一の幅１１を有する第一切削ブレード１０をパッケージ基板１の厚み方向にパッケージ基板１を完全切断しない第一の高さ１２に位置付け、第一切削ブレード１０で分割予定ラインＳに沿ってパッケージ基板１を切削して第一切削溝１３を形成する第一切削ステップと、第一切削ステップを実施した後、第一の幅１１より狭い第二の幅２１を有する第二切削ブレード２０をパッケージ基板１の厚み方向にパッケージ基板１を完全切断する第二の高さ２２に位置付け、第二切削ブレード２０で第一切削溝１３の形成された分割予定ラインＳに沿ってパッケージ基板１を切削する第二切削ステップとを備え、１度で電極の厚み方向にパッケージ基板を完全切断するのに比べてバリの発生を小さく抑える。【選択図】図３
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
交差する複数の分割予定ラインによって区画された各領域にデバイスが配設されるとともに該分割予定ラインからデバイス側に突出した所定厚みの電極が形成され、該デバイスが封止材で封止されたパッケージ基板を該分割予定ラインに沿って分割して複数のパッケージを形成するパッケージ基板の分割方法であって、
第一の幅を有する第一切削ブレードをパッケージ基板の該電極を厚み方向に完全切断しない第一の高さに位置付け、該第一切削ブレードで該分割予定ラインに沿ってパッケージ基板を切削して切削溝を形成する第一切削ステップと、
該第一切削ステップを実施した後、該第一の幅より狭い第二の幅を有する第二切削ブレードをパッケージ基板を厚み方向に完全切断する第二の高さに位置付け、該第二切削ブレードで該切削溝の形成された該分割予定ラインに沿ってパッケージ基板を切削する第二切削ステップと、を備えたパッケージ基板の分割方法。
【請求項２】
前記第一切削ステップを実施した後、前記第二切削ステップを実施する前に、前記第一の幅より狭く前記第二の幅より広い第三の幅を有する第三切削ブレードを前記電極を厚み方向に完全切断しない前記第一の高さよりも低い第三の高さに位置付け、該第三切削ブレードで前記切削溝の形成された前記分割予定ラインに沿ってパッケージ基板を切削する第三切削ステップを更に備えた、請求項１に記載のパッケージ基板の分割方法。
【請求項３】
前記第一切削ブレードは、前記第二切削ブレードに比べて含有する砥粒の平均砥粒サイズが小さいことを特徴とする、請求項１または２に記載のパッケージ基板の分割方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、パッケージ基板の分割方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
パッケージ基板の一種であるＱＦＮ（Quad Flat Non-Leaded Package）には、分割予定ラインからデバイス側に向かって伸びる所定厚みの電極が形成されており、切削ブレードで分割予定ラインに沿って切削すると、電極の破断面にバリが発生する。このバリが大きく発生すると、隣接する電極同士が短絡するという問題がある。例えば下記の特許文献１では、バリの発生を抑えるべく特殊な切削水供給手段を備えた切削装置が提案されている。
【０００３】
この切削装置は、被加工物を保持するチャックテーブルと、円形の切削ブレードとこれをカバーするブレードカバーとを有する切削手段とを備えており、ブレードカバーには、切削ブレードの切り刃の根元部分に切削水を噴射する切削水噴射孔が切り刃の円周に沿って複数形成されている。このように構成される切削装置では、切削水噴射孔から切削ブレードの切り刃の根元部分に向けて切削水を噴射しながら被加工物を切削できるため、切削水が遠心力によって切り刃の先端に至るとともに、回転する切り刃に連れ回ることによって切削水を被加工物の切削ポイントに十分に供給でき、電極の延性による伸びが抑制されて隣接する電極同士が短絡するのを防止している。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２０１１−０２０２３１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、上記のような切削装置を用いたとしても、被加工物の切削時には、電極を切断するときにバリの発生を低減することは依然として難しく、更なる改善が切望されている。
【０００６】
本発明は、電極の切断するときのバリの発生を抑え、隣接する電極端子同士の短絡を防止しうることに発明の解決すべき課題を有している。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明は、交差する複数の分割予定ラインによって区画された各領域にデバイスが配設されるとともに該分割予定ラインからデバイス側に突出した所定厚みの電極が形成され、該デバイスが封止材で封止されたパッケージ基板を該分割予定ラインに沿って分割して複数のパッケージを形成するパッケージ基板の分割方法であって、第一の幅を有する第一切削ブレードをパッケージ基板の該電極を厚み方向に完全切断しない第一の高さに位置付け、該第一切削ブレードで該分割予定ラインに沿ってパッケージ基板を切削して切削溝を形成する第一切削ステップと、該第一切削ステップを実施した後、該第一の幅より狭い第二の幅を有する第二切削ブレードをパッケージ基板を厚み方向に完全切断する第二の高さに位置付け、該第二切削ブレードで該切削溝の形成された該分割予定ラインに沿ってパッケージ基板を切削する第二切削ステップと、を備える。
【０００８】
また、本発明では、上記第一切削ステップを実施した後、上記第二切削ステップを実施する前に、上記第一の幅より狭く上記第二の幅より広い第三の幅を有する第三切削ブレードを上記電極を厚み方向に完全切断しない上記第一の高さよりも低い第三の高さに位置付け、該第三切削ブレードで上記切削溝の形成された上記分割予定ラインに沿ってパッケージ基板を切削する第三切削ステップを更に備える構成としてもよい。
【０００９】
上記第一切削ブレードは、上記第二切削ブレードに比べて含有する砥粒の平均砥粒サイズが小さいことを特徴としている。
【発明の効果】
【００１０】
本発明にかかる分割方法は、第一切削ステップとして第一の幅を有する第一切削ブレードで電極を厚み方向に完全切断することなく切削して切削溝を形成した後、第二切削ステップとして第一の幅よりも狭い第二の幅を有する第二切削ブレードでパッケージ基板を完全切断するように構成したため、第一切削ステップではパッケージ基板の電極の一部を切削することによりパッケージ基板上面や側面に発生するバリが、１度で電極の厚み方向にパッケージ基板を完全切断するのに比べて小さく抑えることができる。
また、第一切削ステップにおいて切削されずに残った電極の切り残し部分は、第二切削ステップにおいて第二切削ブレードによって完全に切削されるとともに、第二切削ブレードで切削することにより発生したバリは当該切削溝の溝底に発生するため、パッケージ基板の上面にまで至らない。したがって、電極端子同士の短絡を防ぐことができる。
【００１１】
上記第一切削ブレードの第一の幅よりも狭く、かつ上記第二切削ブレードの第二の幅よりも広い第三の幅を有する第三切削ステップを、上記第一切削ステップを実施した後、上記第二切削ステップを実施する前に実施すると、電極を除去する部分を段階的に少なくしつつパッケージ基板を完全に切断できるため、それぞれの切削ステップで発生するバリを更に抑えることができる。
【００１２】
上記第一切削ブレードとして、上記第二切削ブレードと比べて含有する砥粒の平均砥粒サイズが小さいものを使用することにより、パッケージ基板の上面方向においてバリが発生するのをより抑制することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１３】
【図１】パッケージ基板の構成を示す平面図である。
【図２】パッケージ基板の構成を示す断面図である。
【図３】第一切削ステップを示す断面図である。
【図４】第二切削ステップを示す断面図である。
【図５】第三切削ステップを示す断面図である。
【図６】第三切削ステップを実施した後に第二切削ステップを実施する状態を示す断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１４】
１  パッケージ基板の構成
図１及び図２に示すパッケージ基板１は、ＱＦＮ(Quad Flat Non-leaded Package)と称される技術により形成された被加工物の一例であり、延性材である金属からなる矩形板状の金属枠２を備えている。
【００１５】
図１に示すパッケージ基板１の表面１ａには、複数のデバイス形成部３（図示の例では３つ）が形成されており、各デバイス形成部３には、縦横に交差する複数の分割予定ラインＳによって区画されて複数のデバイス領域４が形成され、個々のデバイス領域４から分割予定ラインＳ側に向けて所定の厚みを有する複数の電極５が突出した状態で形成されている。デバイス領域４には、デバイスを配設するための矩形状のダイパッド６が形成されている。分割予定ラインＳ側を縦横に切削することにより、側面に電極５が露出したデバイスを備えるパッケージが形成される。
【００１６】
一方、図２に示すパッケージ基板１の裏面１ｂであって、デバイス形成部３の裏面側にはダイパッド６にデバイスＤが配設されており、デバイスＤに備える電極端子と電極５とがボンディングワイヤ７によって連結されている。また、各デバイス形成部３に対応する位置には、延性材である樹脂からなる封止材によって樹脂封止部８が形成されており、各デバイスＤは樹脂封止部８によって封止されている。以下では、パッケージ基板１を個々のパッケージに分割する方法について添付の図面を参照しながら説明する。
【００１７】
２  分割方法の第一例
（１）第一切削ステップ
図３に示すように、第一の幅１１を有する第一切削ブレード１０を用いてパッケージ基板１に対して切削を行う。第一の幅１１は、分割予定ラインＳの幅の範囲内であればよい。このように構成される第一切削ブレード１０を図示しないモータによって回転させながら、第一切削ブレード１０をパッケージ基板１に接近する方向に下降させ、パッケージ基板１に形成された電極５に切り込ませる。  このときの第一切削ブレード１０の切り込み深さは、第一切削ブレード１０の刃先の位置が、切削ブレード１０によってパッケージ基板１の電極５を厚み方向に完全に切断しない第一の高さ１２となる深さとする。
【００１８】
こうして第一切削ブレード１０によって、分割予定ラインＳに沿ってパッケージ基板１を切削して電極５に溝底１４を有する第一切削溝１３を形成する。このようにして、図１で示した縦横に交差する全ての分割予定ラインＳに沿ってパッケージ基板１を切削し、各電極５の厚み方向に切り残しが残るように第一切削溝１３を形成する。
【００１９】
（２）第二切削ステップ
第一切削ステップを実施した後、図４に示すように、第二の幅２１を有する第二切削ブレード２０を用いてパッケージ基板１に対して切削を行う。第二の幅２１は、図３に示す第一切削ブレード１０の第一の幅１１よりも狭い幅となっている。このように構成される第二切削ブレード２０の下方にパッケージ基板１を移動させたら、第二切削ブレード２０を図示しないモータによって回転させながら、第二切削ブレード２０をパッケージ基板１に接近する方向に下降させ、電極５に切り込ませる。
【００２０】
このとき、第二切削ブレード２０の刃先を、第二切削ブレード２０によって厚み方向に電極５及び樹脂封止部８を完全に切断する第二の高さ２２に位置付ける。こうして第二切削ブレード２０によって、図３に示す第一切削溝１３が形成された分割予定ラインＳに沿ってパッケージ基板１を切削して第一切削溝１３よりも幅が狭い第二切削溝２３を形成し、この第二切削溝２３を起点にしてパッケージ基板１を破断してデバイスＤを備えるパッケージ１００を形成する。そして、第二切削ブレード２０によって、縦横に交差するすべての分割予定ラインＳに沿ってパッケージ基板１を切削し、パッケージ１００を複数形成する。その後、搬送手段等によって個々のパッケージ１００をピックアップする。
【００２１】
このように、パッケージ基板の分割方法では、第一の幅１１を有する第一切削ブレード１０でパッケージ基板１を完全切断しない第一切削溝１３を形成する第一切削ステップを実施するため、第一切削ブレード１０によって除去された電極５の破断面には、バリが発成するものの、第一切削ブレード１０でパッケージ基板１を完全に切断しないため、１度でパッケージ基板１を完全に切断する場合に比べてパッケージ基板１の上面方向に発生するバリを小さくすることが可能となる。
また、第一切削ステップを実施した後は、第一の幅１１よりも狭い第二の幅２１を有する第二切削ブレード２０で電極５の厚み方向にパッケージ基板１を完全切断する第二切削ステップを実施するため、電極５を除去する部分も少なくなり、電極５の破断面に発生するバリを小さくすることができるとともに、除去されずに残った第一切削溝１３の溝底１４においてバリが発生するため、パッケージ基板１の表面１ａにバリが至ることがない。
【００２２】
第一切削ステップで用いられる図３に示す第一切削ブレード１０は、第二切削ステップで用いられる図４に示す第二切削ブレード２０と比べて含有する砥粒の平均砥粒サイズが小さくなっていることが望ましい。このように構成される第一切削ブレード１０で第一切削ステップを実施すれば、パッケージ基板１の上面方向においてバリが発生するのをより抑制することができる。
【００２３】
３  分割方法の第二例
パッケージ基板１を分割する方法としては、上記した例のほか、切削ブレードの厚みを切削ステップ毎に徐々に小さくして切削ステップを３段階以上にしてもよい。以下では、切削ステップを３段階にした場合のパッケージ基板１の分割する方法について説明する。
【００２４】
（１）第一切削ステップ
まず、図３で示した第一切削ステップを実施する。すなわち、図３に示す第一切削ブレード１０を図示しないモータによって回転させながら、第一切削ブレード１０をパッケージ基板１に接近する方向に下降させパッケージ基板１に形成された電極５に切り込ませる。このとき、第一切削ブレード１０の刃先を、パッケージ基板１の電極５の厚み方向にパッケージ基板１を完全切断しない第一の高さ１２に位置付け、第一切削ブレード１０により、分割予定ラインＳに沿ってパッケージ基板１を切削して電極５に第一切削溝１３を形成する。
【００２５】
（２）第三切削ステップ
第一切削ステップを実施した後、後記の第二切削ステップを実施する前に、図５に示す第三の幅３１を有する第三切削ブレード３０を用いてパッケージ基板１に対して切削を行う。第三の幅３１は、図３に示す第一切削ブレード１０の第一の幅１１よりも狭く、後記の第二切削ステップで用いられる図５に示す第二切削ブレード２０ａの第二の幅２４よりも広い幅となっている。このように構成される第三切削ブレード３０を図示しないモータによって回転させながら、第三切削ブレード３０をパッケージ基板１に接近する方向に下降させパッケージ基板１に形成された電極５に切り込ませる。
【００２６】
このとき、第三切削ブレード３０の刃先を、第三切削ブレード３０によって厚み方向にパッケージ基板１の電極５を完全に切断しない第三の高さ３２に位置付ける。こうして第三切削ブレード２０によって、図３に示す第一切削溝１３が形成された分割予定ラインＳに沿ってパッケージ基板１を切削し、第一切削溝１３よりも幅が狭く、第一切削溝１３の溝底１４よりも低い位置に、溝底３４を有する第三切削溝３３を形成する。このようにして、図１で示した縦横に交差する全ての分割予定ラインＳに沿ってパッケージ基板１を切削し、各電極５に形成された第一切削溝１３よりも下層の位置に第三切削溝３３を形成する。
【００２７】
（３）第二切削ステップ
第三切削ステップを実施した後、図６に示すように、第二の幅２４を有する第二切削ブレード２０ａを用いてパッケージ基板１に対して切削を行う。第二の幅２４は、図３に示す第一切削ブレード１０の第一の幅１１及び図５に示す第三切削ブレード３０の第三の幅３１よりも狭い幅となっている。このように構成される第二切削ブレード２０ａの下方にパッケージ基板１を移動させたら、第二切削ブレード２０ａを図示しないモータによって回転させながら、第二切削ブレード２０ａをパッケージ基板１に接近する方向に下降させ電極５に切り込ませる。
【００２８】
このとき、第二切削ブレード２０ａの刃先を、第二切削ブレード２０ａによって厚み方向にパッケージ基板１の電極５及び樹脂封止部８を完全に切断する第二の高さ２５に位置付ける。こうして第二切削ブレード２０ａによって、図５に示す第一切削溝１３と第三切削溝３３とが形成された分割予定ラインＳに沿ってパッケージ基板１を切削し、第三切削溝３３よりも幅が狭い第二切削溝２６を形成する。この第二切削溝２６を起点にしてパッケージ基板１を破断してデバイスＤを備えるパッケージ１００ａを形成する。そして、第二切削ブレード２０ａによって、縦横に交差するすべての分割予定ラインＳに沿ってパッケージ基板１を切削し、パッケージ１００ａを複数形成する。その後、搬送手段等によって個々のパッケージ１００ａをピックアップする。
【００２９】
以上のとおり、それぞれの切削ステップで用いられる切削ブレードの厚みを段階的に薄くして３段階による切削ステップを実施することにより、電極５を除去する部分を段階的に少なくして、各切削ステップで発生するバリをより小さくすることができる。
【符号の説明】
【００３０】
１：パッケージ基板  １ａ：表面  １ｂ：裏面
２：金属枠  ３：デバイス形成部  ４：デバイス領域  ５：電極  ６：ダイパッド
７：ボンディングワイヤ  ８：樹脂封止部
Ｄ：デバイス  Ｓ：分割予定ライン  １００，１００ａ：パッケージ
１０：第一切削ブレード  １１：第一の幅
１２：第一の高さ  １３：第一切削溝  １４：溝底
２０，２０ａ：第二切削ブレード  ２１：第二の幅  ２２：第二の高さ
２３：第二切削溝  ２４：第二の幅  ２５：第二の高さ  ２６：第二切削溝
３０：第三切削ブレード  ３１：第三の幅  ３２：第三の高さ  ３３：第二切削溝
３４：溝底
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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