(57)【要約】【課題】電磁干渉に伴う特性の低下を抑制することのできる電子デバイス、電子機器および移動体を提供すること。【解決手段】電磁デバイス１は、リッド２７と支持基板３が備える導体層３０２とで挟まれた第１領域Ｓ１と、底板２１２が備える導体層２１２２と支持基板３が備える導体層３０２とで挟まれた第２領域Ｓ２と、を有するパッケージ（容器）２と、第１領域Ｓ１内に配置され、ＳＡＷ共振子４を発振させる発振回路５１（第１の電気回路）と、それぞれ第２領域Ｓ２内に配置され、発振回路５１から出力される周波数信号を加工する逓倍回路５２および出力回路５３（いずれも第２の電気回路）と、を有している。【選択図】図９
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
振動子を発振させる第１の電気回路と、
前記第１の電気回路から出力される信号を前記信号とは異なる信号に変換する第２の電気回路と、
前記第１の電気回路が、基準電位になる第１の電極で挟まれて配置されているとともに、平面視で、前記第１の電気回路と前記第１の電極とが重なっている第１領域、および、前記第２の電気回路が、基準電位になる第２の電極で挟まれて配置されているとともに、平面視で、前記第２の電気回路と前記第２の電極とが重なっている第２領域を有する容器と、
を備えたことを特徴とする電子デバイス。
【請求項２】
前記容器は、少なくとも絶縁層と導体層とを有する底板と、前記底板から立設された側壁と、前記側壁で囲まれた領域と、を備えており、該導体層は基準電位になる電極である請求項１に記載の電子デバイス。
【請求項３】
前記容器は、導電性を有するとともに、平面視で、前記側壁および前記側壁で囲まれた領域と重なるように配置されている蓋体を備えており、前記蓋体は基準電位になる電極である請求項２に記載の電子デバイス。
【請求項４】
互いに表裏の関係にある第１面と第２面とを備え、前記第１面が前記第１領域に臨むように前記第１領域と前記第２領域との間に設けられた基板を有し、
前記基板は、少なくとも第１絶縁層と第２絶縁層と前記第１絶縁層と前記第２絶縁層との間にある導体層とを備えており、該導体層は基準電位になる電極である請求項３に記載の電子デバイス。
【請求項５】
前記容器を平面視したとき、前記基板は、前記側壁および前記側壁で囲まれた領域と重なるように配置されており、
前記基板の前記第１面側には、前記第１の電気回路を構成する電子部品が配置され、前記基板の前記第２面側には、前記第２の電気回路を構成する電子部品が配置されている請求項４に記載の電子デバイス。
【請求項６】
前記底板が備える前記導体層、前記蓋体、および、前記基板が備える前記導体層は、互いに電気的に接続されており、
前記底板が備える前記導体層および前記基板が備える前記導体層の組と、前記基板が備える前記導体層および前記蓋体の組と、のうち、一方の組が前記第１の電極であり、他方の組が前記第２の電極であり、
前記容器を平面視したとき、前記底板が備える前記導体層、前記蓋体、および、前記基板が備える前記導体層が、それぞれ、前記第１面側の前記電子部品が配置されている領域と前記第２面側の前記電子部品が配置されている領域とを覆っている請求項５に記載の電子デバイス。
【請求項７】
前記底板と前記基板とで挟まれた領域、および、前記蓋体と前記基板とで挟まれた領域のうち、一方が前記第１領域であり、他方が前記第２領域である請求項４ないし６のいずれか１項に記載の電子デバイス。
【請求項８】
前記基板の前記第１絶縁層および前記第２絶縁層は、セラミックスで構成されている請求項４ないし７のいずれか１項に記載の電子デバイス。
【請求項９】
請求項１ないし８のいずれか１項に記載の電子デバイスを備えていることを特徴とする電子機器。
【請求項１０】
請求項１ないし８のいずれか１項に記載の電子デバイスを備えていることを特徴とする移動体。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電子デバイス、電子機器および移動体に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来から、ＳＡＷ共振子や水晶振動子を用いた発振器が知られており、種々の電子機器の基準周波数源や発振源などとして広く用いられている。
【０００３】
このような発振器は、ＳＡＷ（Surface Acoustic Wave）共振子や水晶振動子を発振させる発振回路の他、発振回路からの出力周波数を逓倍する逓倍回路や、逓倍回路からの出力周波数を所定の出力形式に変換して出力する出力回路を備えている。これらの回路を組み合わせることにより、出力回路から目的とする周波数のクロック信号を出力することができる。
【０００４】
しかしながら、これらの回路は同じ発振器内に搭載されるため、例えば１つの回路から発生した電磁妨害波によって、他の回路が電磁干渉を受けるおそれがある。その結果、出力信号が不安定になったり、回路の動作に異常を来たしたりすることがある。例えば、発振回路における異常発振や、出力信号におけるジッターの増大、出力信号に含まれる位相ノイズの増大等が挙げられる。
【０００５】
このような電磁干渉による不具合を抑制する手段の１つとして、電磁シールドが挙げられる。特許文献１には、金属ベースと、上面に第１のＲＦ半導体デバイスを実装した第１の誘電体基板と、上面に第２のＲＦ半導体デバイスを実装した第２の誘電体基板と、金属カバーと、を備えたＲＦ回路モジュールが開示されている。このＲＦ回路モジュールでは、金属ベース上に第１の誘電体基板が載置され、また、第１の誘電体基板上に第２の誘電体基板が載置されており、さらに第２の誘電体基板を内包するように、第１の誘電体基板上には金属カバーが被せられている。その結果、第２のＲＦ半導体デバイスが金属カバーによって遮蔽されることにより、第２のＲＦ半導体デバイスを電気的にシールドすることができる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開２０００−１７４２０４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
ところが、様々な検討の結果、発振回路、逓倍回路、および出力回路等を同じ発振器内に搭載する場合、各回路の搭載位置の選択が重要になることが見出された。
【０００８】
しかしながら、特許文献１には、そのような各回路の搭載位置の選択について何ら指針が示されておらず、このため、各回路間の電磁干渉の抑制が十分でなく、各回路間の電磁干渉のために発振器の特性が劣化してしまう可能性がある。
【０００９】
本発明は、電磁干渉に伴う特性の低下を抑制することのできる電子デバイス、電子機器および移動体を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本発明は、上述の課題の少なくとも一部を解決するためになされたものであり、以下の形態または適用例として実現することが可能である。
【００１１】
［適用例１］
本適用例の電子デバイスは、振動子を発振させる第１の電気回路と、
前記第１の電気回路から出力される信号を前記信号とは異なる信号に変換する第２の電気回路と、
前記第１の電気回路が、基準電位になる第１の電極で挟まれて配置されているとともに、平面視で、前記第１の電気回路と前記第１の電極とが重なっている第１領域、および、前記第２の電気回路が、基準電位になる第２の電極で挟まれて配置されているとともに、平面視で、前記第２の電気回路と前記第２の電極とが重なっている第２領域を有する容器と、
を備えたことを特徴とする。
【００１２】
これにより、第１の電気回路と第２の電気回路との間の電磁干渉が低減するため、第１の電気回路および第２の電気回路の電磁干渉に基づく特性の低下を抑制することのできる電子デバイスが得られる。
【００１３】
［適用例２］
本適用例の電子デバイスでは、前記容器は、少なくとも絶縁層と導体層とを有する底板と、前記底板から立設された側壁と、前記側壁で囲まれた領域と、を備えており、該導体層は基準電位になる電極であることが好ましい。
【００１４】
これにより、容器が外部からの信号（ノイズ）を遮断または減衰させる電磁シールド層として機能する。さらに、蓋体が容器の強度を向上させるための構造としても機能するため、容器の機械的強度が高くなり、容器の信頼性をより高めることができる。
【００１５】
［適用例３］
本適用例の電子デバイスでは、前記容器は、導電性を有するとともに、平面視で、前記側壁および前記側壁で囲まれた領域と重なるように配置されている蓋体を備えており、前記蓋体は基準電位になる電極であることが好ましい。
これにより、容器が外部からの信号（ノイズ）を遮断または減衰させる電磁シールド層として機能する。
【００１６】
［適用例４］
本適用例の電子デバイスでは、互いに表裏の関係にある第１面と第２面とを備え、前記第１面が前記第１領域に臨むように前記第１領域と前記第２領域との間に設けられた基板を有し、
前記基板は、少なくとも第１絶縁層と第２絶縁層と前記第１絶縁層と前記第２絶縁層との間にある導体層とを備えており、該導体層は基準電位になる電極であることが好ましい。
【００１７】
これにより、導体層が、それを透過しようとする信号（ノイズ）を遮断または減衰させるので、簡単な構造で前記基板に電磁シールド層の機能を付与することができる。その結果、電子デバイスの小型化および薄型化を図ることができる。
【００１８】
［適用例５］
本適用例の電子デバイスでは、前記容器を平面視したとき、前記基板は、前記側壁および前記側壁で囲まれた領域と重なるように配置されており、
前記基板の前記第１面側には、前記第１の電気回路を構成する電子部品が配置され、前記基板の前記第２面側には、前記第２の電気回路を構成する電子部品が配置されていることが好ましい。
【００１９】
これにより、基板の第１面に第１の電気回路を構成する電子部品を、基板の第２面に第２の電気回路を構成する電子部品を配置することができるため、それぞれの電気回路内で電子部品を電気的に接続する配線を短くすることができ、第１の電気回路および第２の電気回路内の配線から放射される電磁妨害波の発生レベルを低減することができるとともに、相手側から放射された電磁妨害波が伝達されてしまう可能性を低減できる。また、基板は、容器を補強するように作用し、容器の信頼性をより高めることにも寄与する。
【００２０】
［適用例６］
本適用例の電子デバイスでは、前記底板が備える前記導体層、前記蓋体、および、前記基板が備える前記導体層は、互いに電気的に接続されており、
前記底板が備える前記導体層および前記基板が備える前記導体層の組と、前記基板が備える前記導体層および前記蓋体の組と、のうち、一方の組が前記第１の電極であり、他方の組が前記第２の電極であり、
前記容器を平面視したとき、前記底板が備える前記導体層、前記蓋体、および、前記基板が備える前記導体層が、それぞれ、前記第１面側の前記電子部品が配置されている領域と前記第２面側の前記電子部品が配置されている領域とを覆っていることが好ましい。
【００２１】
これにより、底板が備える導体層、蓋体、および、基板が備える導体層は、等電位になり、しかも、これらが電子部品が配置されている領域を覆うことになるので、電磁シールド層の機能をさらに強化することができる。
【００２２】
［適用例７］
本適用例の電子デバイスでは、前記底板と前記基板とで挟まれた領域、および、前記蓋体と前記基板とで挟まれた領域のうち、一方が前記第１領域であり、他方が前記第２領域であることが好ましい。
これにより、容器の内部空間を有効に利用しつつ、電磁干渉に伴う特性の低下を抑制することができるので、小型かつ薄型で信頼性の高い電子デバイスが得られる。
【００２３】
［適用例８］
本適用例の電子デバイスでは、前記基板の前記第１絶縁層および前記第２絶縁層は、セラミックスで構成されていることが好ましい。
これにより、強度の高い基板が得られる。
【００２４】
［適用例９］
本適用例の電子機器は、上記適用例の電子デバイスを備えていることを特徴とする。
これにより、信頼性の高い電子機器が得られる。
【００２５】
［適用例１０］
本適用例の移動体は、上記適用例の電子デバイスを備えていることを特徴とする。
これにより、信頼性の高い移動体が得られる。
【図面の簡単な説明】
【００２６】
【図１】本発明の電子デバイスの実施形態を示す斜視図である。
【図２】図１に示す電子デバイスの断面図である。
【図３】図１に示す電子デバイスが有するベース基板の平面図であり、（ａ）が上面図、（ｂ）が上側から見た下面の透過図である。
【図４】図１に示す電子デバイスの断面図である。
【図５】図１に示す電子デバイスのリッド（蓋体）を外した状態を示す斜視図である。
【図６】図１に示す電子デバイスが有する支持基板の平面図である。
【図７】図１に示す電子デバイスが有する回路のブロック図である。
【図８】図１に示す電子デバイスが有するＳＡＷ共振子の断面図および上面の透過図である。
【図９】図４に示す電子デバイスの断面図と同じ図であって、回路をブロック図で示した図である。
【図１０】本発明の電子機器を適用したモバイル型（またはノート型）のパーソナルコンピューターの構成を示す斜視図である。
【図１１】本発明の電子機器を適用した携帯電話機（ＰＨＳも含む）の構成を示す斜視図である。
【図１２】本発明の電子機器を適用したディジタルスチルカメラの構成を示す斜視図である。
【図１３】本発明の移動体を適用した自動車を示す斜視図である。
【発明を実施するための形態】
【００２７】
以下、本発明の電子デバイス、電子機器および移動体を添付図面に示す実施形態に基づいて詳細に説明する。
【００２８】
１．電子デバイス
図１は、本発明の電子デバイスの実施形態を示す斜視図である。図２は、図１に示す電子デバイスの断面図である。図３は、図１に示す電子デバイスが有するベース基板（容器）の平面図であり、（ａ）が上面図、（ｂ）が上側から見た下面の透過図である。図４は、図１に示す電子デバイスの断面図である。図５は、図１に示す電子デバイスのリッド（蓋体）を外した状態を示す斜視図である。図６は、図１に示す電子デバイスが有する支持基板の平面図である。図７は、図１に示す電子デバイスが有する回路のブロック図である。図８は、図１に示す電子デバイスが有するＳＡＷ共振子の図であり、（ａ）が断面図、（ｂ）が上側から見た上面の透過図である。図９は、図４に示す電子デバイスの断面図と同じ図であって、回路をブロック図で示した図である。なお、以下では説明の便宜上、図２中の上側を「上」とし、下側を「下」とする。また、図９では、説明の便宜上、電子部品の図示を省略している。
【００２９】
図１に示す電子デバイス１は、パッケージ２と、パッケージ２内に固定されている支持基板（基板）３と、支持基板３に搭載されているＳＡＷ共振子（振動子）４および回路５と、を有しており、電圧制御型ＳＡＷ発振器（ＶＣＳＯ）を構成する電子デバイスである。以下、これら各構成要素について順次説明する。
【００３０】
≪パッケージ≫
図１および図２に示すように、パッケージ２は、ベース基板（容器）２１と、ベース基板２１に接合されているリッド（蓋体）２７と、を有している。パッケージ２内にはベース基板２１とリッド２７との間に内部空間Ｓが設けられており、この内部空間Ｓに支持基板３、ＳＡＷ共振子４および回路５が収納・配置されている。
【００３１】
図３（ａ）、（ｂ）に示すように、ベース基板２１は、上面に開口している凹部２１１を有する箱状となっている。言い換えると、ベース基板２１は、板状の底板２１２と、底板２１２の上面の縁部から立設している枠状の側壁２１３と、側壁２１３に囲まれている領域２１４と、を有している。このような形状のベース基板２１は、機械的強度が高いものとなるため、パッケージ２の信頼性を高めることができる。また、ベース基板２１は、平面視で略長方形状をなしており、長軸方向に延びる一対の側面２１ａ、２１ｂと、短軸方向に延びる一対の側面２１ｃ、２１ｄと、を有している。
【００３２】
また、側面２１ａには上面から下面まで延びる３つの切り欠き部２３１、２３２、２３３が並んで設けられ、これら切り欠き部２３１、２３２、２３３は、側面２１ａの両端部を避けるようにして中央部に寄って配置されている。これと同様に、側面２１ｂにも上面から下面まで延びる３つの切り欠き部２３４、２３５、２３６が並んで設けられ、これら切り欠き部２３４、２３５、２３６は、側面２１ｂの両端部を避けるようにして中央部に寄って配置されている。後述するように、これら切り欠き部２３１〜２３６にはキャスタレーションが形成されている。
【００３３】
また、側面２１ｃには上面から下面まで延びる切り欠き部２３７が設けられており、この切り欠き部２３７は、側面２１ｃの中央部に設けられている。これと同様に、側面２１ｄにも上面から下面まで延びる切り欠き部２３８が設けられており、この切り欠き部２３８は、側面２１ｄの中央部に設けられている。後述するように、これら各切り欠き部２３７、２３８にはリッド２７の爪部２８１、２８２が配置されている。
【００３４】
また、ベース基板２１の上面には、８つの内部端子２４１、２４２、２４３、２４４、２４５、２４６、２４７、２４８が設けられており、ベース基板２１の下面には６つの外部接続端子（ユーザー端子）２５１、２５２、２５３、２５４、２５５、２５６が設けられている。これら外部接続端子２５１〜２５６には、例えば、電源端子、ＧＮＤ端子、出力端子等が含まれている。また、切り欠き部２３１、２３２、２３３、２３４、２３５、２３６、２３７、２３８には、キャスタレーション２６１、２６２、２６３、２６４、２６５、２６６、２６７、２６８が配置されている。
【００３５】
具体的には、内部端子２４１および外部接続端子２５１は、切り欠き部２３１に並んで配置され、キャスタレーション２６１を介して電気的に接続されている。同様に、内部端子２４２および外部接続端子２５２は、切り欠き部２３２に並んで配置され、キャスタレーション２６２を介して電気的に接続されている。また、内部端子２４３および外部接続端子２５３は、切り欠き部２３３に並んで配置され、キャスタレーション２６３を介して電気的に接続されている。また、内部端子２４４および外部接続端子２５４は、切り欠き部２３４に並んで配置され、キャスタレーション２６４を介して電気的に接続されている。また、内部端子２４５および外部接続端子２５５は、切り欠き部２３５に並んで配置され、キャスタレーション２６５を介して電気的に接続されている。また、内部端子２４６および外部接続端子２５６は、切り欠き部２３６に並んで配置され、キャスタレーション２６６を介して電気的に接続されている。また、内部端子２４７は、切り欠き部２３７に配置され、キャスタレーション２６７と電気的に接続されている。また、内部端子２４８は、切り欠き部２３８に配置され、キャスタレーション２６８と電気的に接続されている。なお、キャスタレーション２６７、２６８は、それぞれ、ベース基板２１の内部に形成されている図示しない配線を介して、外部接続端子２５１〜２５６に含まれているＧＮＤ端子に電気的に接続されている。また、内部端子２４１と外部接続端子２５１、内部端子２４２と外部接続端子２５２、内部端子２４３と外部接続端子２５３、内部端子２４４と外部接続端子２５４、内部端子２４５と外部接続端子２５５、および内部端子２４６と外部接続端子２５６、のそれぞれの電気的な接続は、上記のような状態以外にも、ベース基板２１を貫通して形成されたビア導体を介して接続されていてもよいし、ベース基板２１内に形成されている配線を介して接続されていてもよいし、それらとキャスタレーションとを複数組み合わせた構成により接続されていてもよい。
【００３６】
また、底板２１２は、絶縁層２１２１と、絶縁層２１２１の上面に設けられた導体層２１２２と、を備えている。
【００３７】
このうち、絶縁層２１２１は、例えば、酸化アルミニウム質、窒化アルミニウム質、炭化珪素質、ムライト質、ガラス・セラミック質等のセラミックグリーンシートを焼結処理することで得られる。
【００３８】
一方、導体層２１２２や、前述した内部端子２４１〜２４８、外部接続端子２５１〜２５６およびキャスタレーション２６１〜２６８は、それぞれ、例えば、タングステン（Ｗ）、モリブテン（Ｍｏ）などの下地層に、金（Ａｕ）、銅（Ｃｕ）などのめっき層を被覆することで得られる。このため、導体層２１２２は、それを透過しようとする信号（ノイズ）を遮断または減衰させる電磁シールド層として機能する。
【００３９】
導体層２１２２は、キャスタレーション２６７、２６８および図示しない配線を介してＧＮＤ端子に電気的に接続されている。このため、導体層２１２２の電位は、基準電位（ＧＮＤ）となる。なお、基準電位はＧＮＤ（接地電位）に限定されず、一定の直流電圧であってもよい。
【００４０】
一方、リッド２７は、下面に開口している凹部２７１を有する箱状となっている。また、リッド２７は、平面視で、ベース基板２１に対応した略長方形の外形となっており、長軸方向に延びる一対の側面２７ａ、２７ｂと、短軸方向に延びる一対の側面２７ｃ、２７ｄと、を有している。
【００４１】
また、リッド２７は、図１および図４に示すように、側面２７ｃ、２７ｄから下方へ突出する爪部２８１、２８２を有しており、これら爪部２８１、２８２がベース基板２１の切り欠き部２３７、２３８内に挿入されている。そして、爪部２８１、２８２と切り欠き部２３７、２３８に配置されているキャスタレーション２６７、２６８とが、例えば、半田（金属ろう材）Ｈで接合されることで、リッド２７がベース基板２１に接合されている。なお、爪部２８１、２８２とキャスタレーション２６７、２６８との接合は、上記以外にも、導電性接着剤、銀ろう、または金ろう等の導電性の部材（導電性接合部材）を用いてなされてもよいし、溶接等で爪部２８１、２８２とキャスタレーション２６７、２６８とを溶融させてなされていてもよい。また、図１および図２に示すように、リッド２７の側面２７ａ、２７ｂには下面に開放する凹状の欠損部（切り欠き部）２９１、２９２が形成されており、この欠損部２９１、２９２によって、リッド２７と内部端子２４１〜２４６との接触が防止されている。
【００４２】
このようなリッド２７は、導電性を有する部材、例えば、金属材料で構成されている。これにより、リッド２７が半田Ｈ、キャスタレーション２６７、２６８および図示しない配線を介してＧＮＤ端子に電気的に接続されるため、リッド２７が外部からの信号（ノイズ）を遮断または減衰させる電磁シールド層として機能する。なお、リッド２７の構成する金属材料としては、ベース基板２１と線膨張係数が近似する材料であると良い。例えば、ベース基板２１の構成材料をセラミックスとした場合には、コバール等の合金とするのが好ましい。また、リッド２７は、少なくとも表面が導電性を有していればよく、例えば、セラミック、樹脂、またはガラス等の部材やそれらが混在した部材で構成された絶縁性のリッド表面に、めっき、蒸着、スパッタリング、塗布、または印刷等の方法やそれらが混在した方法で金属を付着させた構成でもよい。
【００４３】
≪支持基板≫
支持基板３は、低温同時焼成セラミック基板（ＬＴＣＣ基板）で構成されている。これにより、強度の高い支持基板３が得られる。また、配線パターンを同時に形成することができ、電子デバイス１の製造工程を少なくすることができるとともに、導体層（配線パターン）の電気伝導率を高めることができる。なお、支持基板３は、単層基板であってもよいし、多層基板であってもよい。また、支持基板３としては、低温同時焼成セラミック基板に限定されず、この他、例えば、低温同時焼成セラミック基板以外のセラミック基板、ガラスエポキシやその他の構成部材からなる樹脂基板（プリント基板）、ガラス基板等を用いてもよい。
【００４４】
このような支持基板３は、板状をなしている。また、支持基板３は、平面視で、ベース基板２１に対応した長方形状をなしており、上面（第１面）と下面（第２面）とを接続する側面は、長軸方向に延びる一対の側面３ａ、３ｂと、短軸方向に延びる一対の側面３ｃ、３ｄと、を有している。
【００４５】
また、側面３ａには上面から下面まで延びる３つの切り欠き部３１１、３１２、３１３が並んで設けられ、これら切り欠き部３１１、３１２、３１３は、側面３ａの両端部を避けるようにして中央部に寄って配置されている。これと同様に、側面３ｂにも上面から下面まで延びる３つの切り欠き部３１４、３１５、３１６が並んで設けられ、これら切り欠き部３１４、３１５、３１６は、側面３ｂの両端部を避けるようにして中央部に寄って配置されている。そして、これら切り欠き部３１１、３１２、３１３、３１４、３１５、３１６にはキャスタレーション３２１、３２２、３２３、３２４、３２５、３２６が形成されている。
【００４６】
また、図６に示すように、平面視で、切り欠き部３１１〜３１６は、ベース基板２１に形成されている切り欠き部２３１〜２３６よりも内側（ベース基板２１の中心側）に位置している。さらには、切り欠き部３１１は、切り欠き部２３１と並びかつ内部端子２４１と重なるように設けられている。これと同様に、切り欠き部３１２は、切り欠き部２３２と並びかつ内部端子２４２と重なるように設けられており、切り欠き部３１３は、切り欠き部２３３と並びかつ内部端子２４３と重なるように設けられており、切り欠き部３１４は、切り欠き部２３４と並びかつ内部端子２４４と重なるように設けられており、切り欠き部３１５は、切り欠き部２３５と並びかつ内部端子２４５と重なるように設けられており、切り欠き部３１６は、切り欠き部２３６と並びかつ内部端子２４６と重なるように設けられている。
【００４７】
一方、側面３ｃには上面から下面まで延びる切り欠き部３１７が設けられ、この切り欠き部３１７は、側面３ｃの中央部に配置されている。これと同様に、側面３ｄにも上面から下面に延びる切り欠き部３１８が設けられ、この切り欠き部３１８は、側面３ｄの中央部に配置されている。そして、これらの切り欠き部３１７、３１８にはキャスタレーション３２７、３２８が形成されている。
【００４８】
また、図６に示すように、平面視で、切り欠き部３１７、３１８は、ベース基板２１に形成されている切り欠き部２３７、２３８よりも内側（ベース基板２１の中心側）に位置している。さらには、切り欠き部３１７は、切り欠き部２３７と並びかつ内部端子２４７と重なるように設けられており、切り欠き部３１８は、切り欠き部２３８と並びかつ内部端子２４８と重なるように設けられている。
【００４９】
以上のような構成の支持基板３は、図５および図６に示すように、８つの半田Ｈ１〜Ｈ８によってベース基板２１に固定されている。ただし、支持基板３をベース基板２１に固定する材料としては、半田に限定されず、例えば、金ろう、銀ろう等の金属ろう材や、導電性接着剤を用いてもよいし、溶接等でキャスタレーション３２１、３２２，３２３、３２４、３２５、３２６、３２７、３２８と内部端子２４１、２４２、２４３、２４４、２４５、２４６、２４７、２４８とを溶融させて接合してもよい。
【００５０】
半田Ｈ１は、内部端子２４１上に位置し、切り欠き部３１１にフィレットを形成しており、これにより、支持基板３をベース基板２１に固定すると共に、内部端子２４１とキャスタレーション３２１とを電気的に接続している。同様に、半田Ｈ２は、内部端子２４２上に位置し、切り欠き部３１２にフィレットを形成しており、これにより、支持基板３をベース基板２１に固定すると共に、内部端子２４２とキャスタレーション３２２とを電気的に接続している。また、半田Ｈ３は、内部端子２４３上に位置し、切り欠き部３１３にフィレットを形成しており、これにより、支持基板３をベース基板２１に固定すると共に、内部端子２４３とキャスタレーション３２３とを電気的に接続している。また、半田Ｈ４は、内部端子２４４上に位置し、切り欠き部３１４にフィレットを形成しており、これにより、支持基板３をベース基板２１に固定すると共に、内部端子２４４とキャスタレーション３２４とを電気的に接続している。また、半田Ｈ５は、内部端子２４５上に位置し、切り欠き部３１５にフィレットを形成しており、これにより、支持基板３をベース基板２１に固定すると共に、内部端子２４５とキャスタレーション３２５とを電気的に接続している。また、半田Ｈ６は、内部端子２４６上に位置し、切り欠き部３１６にフィレットを形成しており、これにより、支持基板３をベース基板２１に固定すると共に、内部端子２４６とキャスタレーション３２６とを電気的に接続している。また、半田Ｈ７は、内部端子２４７上に位置し、切り欠き部３１７にフィレットを形成しており、これにより、支持基板３をベース基板２１に固定すると共に、内部端子２４７とキャスタレーション３２７とを電気的に接続している。また、半田Ｈ８は、内部端子２４８上に位置し、切り欠き部３１８にフィレットを形成しており、これにより、支持基板３をベース基板２１に固定すると共に、内部端子２４８とキャスタレーション３２８とを電気的に接続している。
【００５１】
なお、本実施形態に係る支持基板３は、前述したように低温同時焼成セラミック基板で構成されており、２層の絶縁層３０１、３０１と、その間に設けられた導体層３０２と、を備えている（図９参照）。このため、導体層３０２は、それを透過しようとする信号（ノイズ）を遮断または減衰させる電磁シールド層として機能する。また、導体層３０２の構成材料には、金（Ａｕ）、銀（Ａｇ）や銅（Ｃｕ）およびそれらの合金を用いることができるので、導体層３０２の電気伝導率を高めることができる。これにより、電磁シールド層としての機能をより高めることができる。
【００５２】
また、導体層３０２は、支持基板３の切り欠き部３１７に形成されたキャスタレーション３２７および切り欠き部３１８に形成されたキャスタレーション３２８と電気的に接続されている。このため、導体層３０２は、キャスタレーション３２７、３２８および図示しない配線を介してＧＮＤ端子に電気的に接続され、導体層３０２の電位は、基準電位（ＧＮＤ）となる。
【００５３】
なお、支持基板３における積層数は、特に限定されず、３層以上であってもよい。その場合、絶縁層３０１と導体層３０２とが交互に積層される構造であってもよいし、導体層３０２が１層と絶縁層３０１を３層以上を含む構成でもよい。
【００５４】
≪回路≫
回路５は、図２、図５および図６に示すように、支持基板３の上面、下面、および内部に形成されている図示しない配線パターンと、支持基板３に搭載され、前記配線パターンによって接続されている複数の回路素子（電子部品）５９と、を有している。配線パターンは、キャスタレーション３２１〜３２６に接続され、これにより、配線パターンと外部接続端子２５１〜２５６とが電気的に接続されている。
【００５５】
このような回路５は、図７に示すように、ＳＡＷ共振子４を発振させる発振回路５１と、発振回路５１からの出力周波数ｆ１をｎ倍にする逓倍回路５２と、逓倍回路５２からの出力周波数ｆｎ（＝ｆ１×ｎ）を所定の出力形式（ＣＭＯＳ、ＬＶ−ＰＥＣＬ、ＬＶＤＳ等）に変換して出力する出力回路５３と、を含んでいる。逓倍回路５２は、バンドパスフィルターを含んでおり、発振回路５１からの出力周波数ｆ１に重畳している周波数ｆｎを通過させ、その他の周波数（…ｆ１×（ｎ−１）、ｆ１×（ｎ＋１）…）を減衰させることで、出力周波数ｆｎを出力する。
【００５６】
本実施形態の発振回路５１および逓倍回路５２は、それぞれ、複数のディスクリート部品を並べた回路であり、出力回路５３は、集積回路である。そのため、回路素子５９には、例えば、発振回路５１に含まれているチップコイル（チップインダクタ）５９１、チップコンデンサ５９２、バリキャップ（可変容量ダイオード）５９３および抵抗や、逓倍回路５２に含まれ、バンドパスフィルターを構成するチップコイル（チップインダクタ）５９４、チップコンデンサ５９５および抵抗や、出力回路５３を構成するＩＣチップ５９６等が含まれている。ただし、発振回路５１および逓倍回路５２についても、出力回路５３と同様に集積回路としてもよいし、発振回路５１、逓倍回路５２、および出力回路５３の少なくとも２つの回路が、１つの集積回路内に構成されていてもよい。
【００５７】
発振回路５１および逓倍回路５２を集積回路とせずに、ディスクリート部品を並べた回路とすることで、例えば、次のような効果を発揮することができる。発振回路５１が有するチップコイル５９１やチップコンデンサ５９２をインダクタンスまたは静電容量の異なるものに交換することで発振回路５１からの出力周波数を調整することができ、これにより、出力周波数ｆ１を所望の周波数に合わせ込むことができる。また、逓倍回路５２が有するチップコイル５９４やチップコンデンサ５９５をインダクタンスまたは静電容量の異なるものに交換することでバンドパスフィルターの通過帯域を調整することができ、これにより、出力周波数ｆｎ以外の周波数をより減衰させ、スプリアス（不要信号）を抑制することができる。このように、発振回路５１および逓倍回路５２を集積回路とせずに、ディスクリート部品を並べた回路とすることで、電子デバイス１の各種調整を容易に行うことができる。なお、出力回路５３は、発振回路５１や逓倍回路５２のような調整をする余地が殆どないため、集積回路とすることで回路５の小型化を図ることができる。
【００５８】
なお、回路５は、これら回路５１、５２、５３の他に、例えば、温度補償回路を含んでいてもよい。また、電子デバイス１から出力すべき周波数を発振回路５１から出力することができる場合には、逓倍回路５２を省略してもよい。また、回路５は、第１の周波数信号を出力するためのＳＡＷ共振子４と発振回路５１および逓倍回路５２（第１組）と、第１の周波数信号とは周波数が異なる第２の周波数信号を出力するためのＳＡＷ共振子４と発振回路５１および逓倍回路５２（第２組）と、第１組と第２組とを切り替える切替回路と、出力回路５３と、を含み、切替回路で第１組と第２組を切り替えることで、出力回路５３から第１の周波数信号および第２の周波数信号の一方を選択して出力することができるようになっていてもよい。
【００５９】
≪ＳＡＷ共振子≫
図８（ａ）、（ｂ）に示すように、ＳＡＷ共振子４は、パッケージ４５と、パッケージ４５に収容されているＳＡＷ共振子片４１と、を有している。
【００６０】
パッケージ４５は、上面に開口する凹部４６１を有しているセラミックベース基板４６と、凹部４６１の開口を塞ぐようにセラミックベース基板４６に接合されている板状の金属カバー４７と、を有している。また、凹部４６１の底面には、ＳＡＷ共振子片４１と電気的に接続される内部端子４８１、４８２が設けられており、セラミックベース基板４６の下面には図示しないビア（貫通電極）を介して内部端子４８１、４８２と電気的に接続されている外部接続端子４８３、４８４や、支持基板３との接合を図るための外部接続端子４８５、４８６が設けられている。
【００６１】
ＳＡＷ共振子片４１は、長手形状をなす水晶基板４１１と、水晶基板４１１の上面に設けられているＩＤＴ（櫛歯電極）４１２と、ＩＤＴ４１２の両側に配置された一対の反射器４１３、４１４と、ボンディングパッド４１５、４１６と、ＩＤＴ４１２およびボンディングパッド４１５、４１６を電気的に接続している引出電極４１７、４１８と、を有している。なお、ＳＡＷ共振子片４１の代わりに、基板材料として水晶を用いた水晶振動子片、例えば、ＡＴカットやＳＣカットの水晶振動子片や、ＭＥＭＳ（Micro Electro Mechanical Systems）振動子片や、その他の基板材料を用いた振動子片であってもよい。また、ＳＡＷ共振子片４１や、ＭＥＭＳ振動子片や、振動子片の基板材料としては、水晶の他、タンタル酸リチウム、ニオブ酸リチウム等の圧電単結晶や、ジルコン酸チタン酸鉛等の圧電セラミックス等の圧電材料、またはシリコン半導体材料等を用いてもよい。ＳＡＷ共振子片４１や、ＭＥＭＳ振動子片や、振動子片の励振手段としては、圧電効果によるものを用いてもよいし、クーロン力による静電駆動を用いてもよい。
【００６２】
ＩＤＴ４１２は、水晶基板４１１の長手方向の中央部に設けられている一対の電極４１２ａ、４１２ｂで構成されている。一対の電極４１２ａ、４１２ｂは、電極４１２ａの電極指と、電極４１２ｂの電極指とが噛み合うように配置されている。これら一対の電極４１２ａ、４１２ｂ間に電圧を印加すると、水晶基板４１１の圧電効果によって電極指の間に周期的なひずみが生じ、水晶基板４１１に弾性表面波が励起される。励起した弾性表面波は、電極指の連続方向に沿って伝搬する。
【００６３】
一対の反射器４１３、４１４は、水晶基板４１１の長手方向において、ＩＤＴ４１２を挟んでその両側に配置されている。反射器４１３、４１４は、ＩＤＴ４１２で励起され水晶基板４１１に伝搬する弾性表面波を、ＩＤＴ４１２の方向に向かって反射する機能を有する。
【００６４】
以上のようなＩＤＴ４１２および反射器４１３、４１４は、全体的に、水晶基板４１１の長手方向の一端側にずれて形成されており、水晶基板４１１の他端側の上面に一対のボンディングパッド４１５、４１６が配置されている。また、引出電極４１７を介してボンディングパッド４１５と電極４１２ａとが電気的に接続され、引出電極４１８を介してボンディングパッド４１６と電極４１２ｂとが電気的に接続されている。
【００６５】
このようなＳＡＷ共振子片４１は、接合部材を介してセラミックベース基板４６に配置されている。また、ボンディングパッド４１５、４１６がボンディングワイヤーを介して内部端子４８１、４８２に電気的に接続されている。
【００６６】
このようなＳＡＷ共振子４は、例えば、ＡＴカット水晶振動子と比較して高周波（例えばＧＨｚ帯の周波数）に対応することが容易となる。そのため、ＳＡＷ共振子４を用いることで、高周波出力に適した電子デバイス１となる。具体的に説明すると、ＡＴカット水晶振動子の周波数は、水晶基板の厚みに依存するため、高周波化するほど水晶基板が薄くなり、加工が難しくなる。これに対して、ＳＡＷ共振子の周波数は、水晶基板の厚みではなくＩＤＴの電極指の間隔に依存するため、高周波化するほど電極指の間隔が短くなるが、電極指の間隔を短くすることは、既存のパターニング技術によって容易に行うことができる。このような理由から、ＳＡＷ共振子を用いることで高周波に適した電子デバイス１となる。
【００６７】
このようなＳＡＷ共振子４は、半田、導電性接着剤、銀ろう、または金ろう等の導電性接合部材によって支持基板３に接続されていると共に、導電性接合部材を介して発振回路５１と電気的に接続されている。
以上、電子デバイス１の構成について詳細に説明した。
【００６８】
このような構成の電子デバイス１では、支持基板３を介して内部空間Ｓが分けられている。具体的には、内部空間Ｓには、リッド２７と支持基板３とで挟まれた第１領域Ｓ１と、底板２１２と支持基板３とで挟まれた第２領域Ｓ２と、が形成されている。なお、図９では、第１領域Ｓ１を疎なドットで示し、第２領域Ｓ２を密なドットで示している。
【００６９】
これらの第１領域Ｓ１および第２領域Ｓ２には、前述した回路５が分かれて配置されている。具体的には、第１領域Ｓ１には、図７に示す発振回路５１が配置され、第２領域Ｓ２には、図７に示す逓倍回路５２および出力回路５３が配置されている。なお、図９には、発振回路５１、逓倍回路５２および出力回路５３をそれぞれブロック図として図示している。
【００７０】
ここで、第１領域Ｓ１は、リッド２７と支持基板３とで挟まれた領域であるが、前述したように、リッド２７は導電性を有しており、また、支持基板３は導体層３０２を備えている。このため、第１領域Ｓ１は、その少なくとも一部がこのような互いに対向する一組の電極（第１の電極）で覆われていることになる。
【００７１】
一方、第２領域Ｓ２は、底板２１２と支持基板３とで挟まれた領域であるが、前述したように、底板２１２は導体層２１２２を備えており、また、支持基板３は導体層３０２を備えている。このため、第２領域Ｓ２は、その少なくとも一部がこのような互いに対応する一組の電極（第２の電極）で覆われていることになる。
【００７２】
このような第１領域Ｓ１および第２領域Ｓ２では、外部からの信号（ノイズ）が遮断または減衰させることができるため、互いに電磁的に分離されることになる。なお、第１の電極と第２の電極は、互いに入れ替わってもよい。
【００７３】
本発明者は、ＳＡＷ共振子４を発振させる発振回路５１（第１の電気回路）と、発振回路５１から出力される周波数信号を加工する逓倍回路５２や出力回路５３（いずれも第２の電気回路）とで、電磁妨害波の発生レベルや電磁干渉に対する耐性が互いに異なることを見出した。具体的には、発振回路５１は電磁干渉に対する耐性が比較的小さく、一方、逓倍回路５２や出力回路５３は電磁妨害波の発生レベルが比較的大きいことを見出した。
【００７４】
そこで、本実施形態では、発振回路５１を第１領域Ｓ１に配置し、逓倍回路５２および出力回路５３を第２領域Ｓ２に配置することとした。これにより、例えば逓倍回路５２や出力回路５３から発生した電磁妨害波が、発振回路５１の動作に影響を及ぼすことが抑制または防止される。また、外部からの電磁妨害波によって各回路５が異常を来すことも抑制または防止される。その結果、発振回路５１の異常発振、出力回路５３から出力される信号におけるジッターの増大、出力信号に含まれる位相ノイズの増大といった電子デバイス１の特性低下を抑制することができる。
【００７５】
なお、発振回路５１、逓倍回路５２および出力回路５３の配置は、上記のものに限定されず、例えば、発振回路５１を第２領域Ｓ２に配置し、逓倍回路５２および出力回路５３を第１領域Ｓ１に配置するようにしてもよい。また、回路５が、発振回路５１、逓倍回路５２および出力回路５３以外の回路を含んでいる場合には、その回路が発振回路５１から出力される周波数信号（信号）を加工する機能（例えば発振信号とは異なる信号に変換する機能）を有する回路である場合には、発振回路５１とは異なる領域に配置すればよい。このように配置されることで、パッケージ２の内部空間Ｓを有効に利用しつつ、電磁干渉に伴う回路５の異常を抑制または防止することができるので、小型かつ薄型で信頼性の高い電子デバイス１が得られる。
【００７６】
また、逓倍回路５２と出力回路５３とで電磁妨害波の発生レベルを比較した場合、一概には言えないが、逓倍回路５２の方がより発生レベルが大きい場合が多いので、例えば、発振回路５１と出力回路５３とを第１領域Ｓ１に配置し、逓倍回路５２を第２領域Ｓ２に配置するようにしてもよく、反対に、発振回路５１と出力回路５３とを第２領域Ｓ２に配置し、逓倍回路５２を第１領域Ｓ１に配置するようにしてもよい。
【００７７】
なお、前述したように発振回路５１が有するチップコイル５９１やチップコンデンサ５９２を交換することを考慮した場合、交換作業の容易性の観点から、発振回路５１を第１領域Ｓ１に配置する方が好ましい。同様に、逓倍回路５２が有するチップコイル５９４やチップコンデンサ５９５を交換することを考慮した場合、逓倍回路５２を第２領域Ｓ２に配置する方が好ましい。
【００７８】
また、支持基板３として導体層３０２を備える積層基板を用いることにより、簡単な構造で支持基板３に電磁シールド層の機能を付与することができるので、電子デバイス１の小型化および薄型化を図りつつ、電子デバイス１の特性低下を抑えることができる。
【００７９】
また、パッケージ２を平面視したとき、支持基板３は、ベース基板２１の側壁２１３および側壁２１３に囲まれている領域２１４と重なるように配置されている。これにより、支持基板３は、内部空間Ｓを隔てるだけでなく、パッケージ２を補強するように作用し、パッケージ２の信頼性をより高めることに寄与する。
【００８０】
なお、本実施形態では、第１領域Ｓ１に発振回路５１が配置され、第２領域Ｓ２に逓倍回路５２および出力回路５３が配置されているが、好ましくは第１領域Ｓ１に臨む支持基板３の上面に発振回路５１が配置され、第２領域Ｓ２に臨む支持基板３の下面に逓倍回路５２および出力回路５３が配置される。このように配置することで、発振回路５１内で電子部品を電気的に接続する配線を短くするとともに、逓倍回路および出力回路５３内で電子部品を電気的に接続する配線を短くすることができるため、発振回路５１、逓倍回路５２、および出力回路５３内の配線から放射される電磁妨害波の発生レベルを低減することができる。さらに、それぞれの回路内の配線を短くすることができるため、それぞれの回路から他の回路へ放射された電磁妨害波が伝達されてしまう可能性も低減できる。よって、それぞれの回路からの電磁妨害波の発生レベルを抑えることができ、発振回路５１の異常発振、出力回路５３から出力される信号におけるジッターの増大、出力信号に含まれる位相ノイズの増大といった電子デバイス１の特性低下を抑制することができる。
【００８１】
また、底板２１２が備える導体層２１２２と支持基板３が備える導体層３０２との間は、図９に示すように、キャスタレーション２６７、２６８、内部端子２４７、２４８、半田Ｈ７、Ｈ８、およびキャスタレーション３２７、３２８を介して互いに電気的に接続されている。同様に、リッド２７と支持基板３が備える導体層３０２との間は、図９に示すように、半田Ｈ、Ｈ、キャスタレーション２６７、２６８、内部端子２４７、２４８、半田Ｈ７、Ｈ８、およびキャスタレーション３２７、３２８を介して互いに電気的に接続されている。これにより、導体層２１２２と導体層３０２とを等電位にすることができ、また、リッド２７と導体層３０２とを等電位にすることができる。その結果、第１領域Ｓ１や第２領域Ｓ２を覆う電磁シールド層の機能をより強化することができ、回路５同士の電磁干渉に伴う電子デバイス１の特性低下をさらに抑制することができる。
【００８２】
さらには、図示しない配線によってキャスタレーション２６７、２６８をＧＮＤ端子と電気的に接続することで、これらの等電位にある導体が電気的に接地される。これにより、第１領域Ｓ１や第２領域Ｓ２を覆う電磁シールド層の機能がさらに強化されることとなる。
【００８３】
また、パッケージ２を平面視したとき、底板２１２が備える導体層２１２２、リッド２７、および支持基板３が備える導体層３０２は、それぞれ、発振回路５１が有する回路素子（電子部品）５９が配置された領域と、逓倍回路５２や出力回路５３が有する回路素子（電子部品）５９が配置された領域と、を覆うように構成されているのが好ましい。換言すれば、平面視において、前述したリッド２７と導体層３０２とで構成される第１の電極は、発振回路５１が有する回路素子（電子部品）５９が配置された領域と重なっており、これらの重複領域が第１領域Ｓ１に含まれており、同様に、平面視において、前述した導体層２１２２と導体層３０２とで構成される第２の電極は、逓倍回路５２や出力回路５３が有する回路素子（電子部品）５９が配置された領域と重なっており、これらの重複領域が第２領域Ｓ２に含まれている。これにより、平面視において共通の範囲に広がった導体層によって第１領域Ｓ１および第２領域Ｓ２がそれぞれ挟まれるとともに覆われるため、第１領域Ｓ１および第２領域Ｓ２を覆う電磁シールド層の機能をさらに強化することができる。
【００８４】
なお、この場合、導体層２１２２および導体層３０２は、回路素子５９が配置された領域を隅々まで覆っている必要はなく、例えば部分的に欠損していたり、メッシュ状になっていたりしてもよい。具体的には、回路素子５９が配置された領域のうち、面積率で８０％以上の範囲が覆われていれば、必要かつ十分な電磁シールド層の機能が発揮される。
【００８５】
また、回路素子５９が配置された領域とは、支持基板３の上面または下面に配置された回路素子５９の全てを含むような長方形を仮定したとき、面積が最小になる長方形の領域のことをいう。
【００８６】
また、電子デバイス１では、リッド２７がベース基板２１の側面２１ｃ、２１ｄに固定されている。そのため、電子デバイス１では、ベース基板２１の長軸および短軸方向の撓みを支持基板３が抑制し、かつ、ベース基板２１の長軸方向の撓みをリッド２７が抑制する構造となっている。これにより、ベース基板２１の撓みがより低減され、ベース基板２１の機械的強度をより高めることができる。
【００８７】
また、図３および図６に示すように、平面視にて、切り欠き部３１１〜３１６とベース基板２１の中心Ｏとの最大離間距離Ｌ１が、外部接続端子２５１〜２５６の側面２１ａ、２１ｂ（下面の外縁）と接する部分とベース基板２１の中心Ｏとの最大離間距離Ｌ２よりも短くなっている。また、外部接続端子２５１、２５３、２５４、２５６に外接する矩形状の第１領域に、切り欠き部３１１、３１３、３１４、３１６に外接する矩形状の第２領域が内包されている。これにより、ベース基板２１と支持基板３とを接合する半田Ｈ１〜Ｈ６を、より中心Ｏに近づけて配置することができるので、ベース基板２１と支持基板３との熱膨張差に起因して発生する応力をより低減することができる。そのため、ベース基板２１、支持基板３の破損や半田Ｈ１〜Ｈ６へのクラックの発生等をより効果的に低減することができる。
【００８８】
なお、本実施形態では、支持基板３が切り欠き部３１７、３１８およびキャスタレーション３２７、３２８を備えている場合について説明しているが、これらの切り欠き部３１７、３１８およびキャスタレーション３２７、３２８は省略されていてもよい。この場合、支持基板３が備える導体層３０２を、キャスタレーション３２１〜３２６のうちの１つ（例えばＧＮＤ端子と電気的に接続されているもの）および図示しない配線を介してキャスタレーション２６７、２６８と電気的に接続するようにすれば、上記説明と同様の効果を得ることができる。
【００８９】
２．電子機器
次に、電子デバイス１を備えた電子機器について説明する。
【００９０】
図１０は、本発明の電子機器を適用したモバイル型（またはノート型）のパーソナルコンピューターの構成を示す斜視図である。この図において、パーソナルコンピューター１１００は、キーボード１１０２を備えた本体部１１０４と、表示部１１０８を備えた表示ユニット１１０６とにより構成され、表示ユニット１１０６は、本体部１１０４に対しヒンジ構造部を介して回動可能に支持されている。このようなパーソナルコンピューター１１００にはフィルター、共振器、基準クロック等として機能する電子デバイス１が内蔵されている。
【００９１】
図１１は、本発明の電子機器を適用した携帯電話機（ＰＨＳも含む）の構成を示す斜視図である。この図において、携帯電話機１２００は、複数の操作ボタン１２０２、受話口１２０４および送話口１２０６を備え、操作ボタン１２０２と受話口１２０４との間には、表示部１２０８が配置されている。このような携帯電話機１２００にはフィルター、共振器、基準クロック等として機能する電子デバイス１が内蔵されている。
【００９２】
図１２は、本発明の電子機器を適用したディジタルスチルカメラの構成を示す斜視図である。なお、この図には、外部機器との接続についても簡易的に示されている。ここで、通常のカメラは、被写体の光像により銀塩写真フィルムを感光するのに対し、ディジタルスチルカメラ１３００は、被写体の光像をＣＣＤ（Charge Coupled Device）などの撮像素子により光電変換して撮像信号（画像信号）を生成する。
【００９３】
ディジタルスチルカメラ１３００におけるケース（ボディー）１３０２の背面には、表示部１３１０が設けられ、ＣＣＤによる撮像信号に基づいて表示を行う構成になっており、表示部は、被写体を電子画像として表示するファインダーとして機能する。また、ケース１３０２の正面側（図中裏面側）には、光学レンズ（撮像光学系）やＣＣＤなどを含む受光ユニット１３０４が設けられている。
【００９４】
撮影者が表示部に表示された被写体像を確認し、シャッターボタン１３０６を押下すると、その時点におけるＣＣＤの撮像信号が、メモリー１３０８に転送・格納される。また、このディジタルスチルカメラ１３００においては、ケース１３０２の側面に、ビデオ信号出力端子１３１２と、データ通信用の入出力端子１３１４とが設けられている。そして、図示されるように、ビデオ信号出力端子１３１２にはテレビモニター１４３０が、デ−タ通信用の入出力端子１３１４にはパーソナルコンピューター１４４０が、それぞれ必要に応じて接続される。さらに、所定の操作により、メモリー１３０８に格納された撮像信号が、テレビモニター１４３０や、パーソナルコンピューター１４４０に出力される構成になっている。このようなディジタルスチルカメラ１３００には、フィルター、共振器、基準クロック等として機能する電子デバイス１が内蔵されている。
【００９５】
なお、電子デバイスを備える電子機器は、図１０のパーソナルコンピューター（モバイル型パーソナルコンピューター）、図１１の携帯電話機、図１２のディジタルスチルカメラの他にも、例えば、スマートフォンなどの移動体端末、通信機器、インクジェット式吐出装置（例えばインクジェットプリンター）、ラップトップ型パーソナルコンピューター、タブレット型パーソナルコンピューター、ルーターやスイッチなどのストレージエリアネットワーク機器、ローカルエリアネットワーク機器、移動体端末基地局用機器、テレビ、ビデオカメラ、ビデオレコーダー、カーナビゲーション装置、リアルタイムクロック装置、ページャ、電子手帳（通信機能付も含む）、電子辞書、電卓、電子ゲーム機器、ワードプロセッサー、ワークステーション、テレビ電話、防犯用テレビモニター、電子双眼鏡、ＰＯＳ端末、医療機器（例えば電子体温計、血圧計、血糖計、心電図計測装置、超音波診断装置、電子内視鏡）、魚群探知機、各種測定機器、計器類（例えば、車両、航空機、船舶の計器類）、フライトシミュレーター、ヘッドマウントディスプレイ、モーションとレース、モーショントラッキング、モーションコントローラー、ＰＤＲ（歩行者位置方位計測）等に適用することができる。
【００９６】
３．移動体
次に、電子デバイス１を備えた移動体について説明する。
【００９７】
図１３は、本発明の移動体を適用した自動車を示す斜視図である。自動車１５００には、電子デバイス１が搭載されている。電子デバイス１は、例えば、キーレスエントリー、イモビライザー、カーナビゲーションシステム、カーエアコン、アンチロックブレーキシステム（ＡＢＳ）、エアバック、タイヤ・プレッシャー・モニタリング・システム（ＴＰＭＳ：Tire Pressure Monitoring System）、エンジンコントロール、ブレーキシステム、ハイブリッド自動車や電気自動車の電池モニター、車体姿勢制御システム、等の電子制御ユニット（ＥＣＵ：electronic control unit）に広く適用できる。
【００９８】
以上、本発明の電子デバイス、電子機器および移動体を図示の実施形態に基づいて説明したが、本発明はこれに限定されるものではなく、各部の構成は、同様の機能を有する任意の構成のものに置換することができる。また、本発明に、他の任意の構成物が付加されていてもよい。
【００９９】
また、前述した実施形態では、振動子片としてＳＡＷ共振子片を用いた構成について説明したが、振動子片としては、これに限定されず、例えば、ＡＴカット水晶振動子（厚みすべり振動子）片を用いてもよいし、音叉型振動子（屈曲振動子）片を用いてもよい。また、前述した実施形態では、電子デバイスを電圧制御型ＳＡＷ発振器（ＶＣＳＯ）に適用した構成について説明したが、電子デバイスは、この他にも、ＳＡＷ発振器（ＳＰＳＯ）、水晶発振器（ＳＰＸＯ）、電圧制御水晶発振器（ＶＣＸＯ）、温度補償水晶発振器（ＴＣＸＯ）、恒温槽付水晶発振器（ＯＣＸＯ）、ＭＥＭＳ発振器等の発振器や、加速度センサーおよびジャイロセンサー等の慣性センサー、および傾斜センサー等の力センサーのような物理量センサーに適用することができる。
【符号の説明】
【０１００】
１……電子デバイス
２……パッケージ
２１……ベース基板
２１ａ、２１ｂ、２１ｃ、２１ｄ……側面
２１１……凹部
２１２……底板
２１２１……絶縁層
２１２２……導体層
２１３……側壁
２１４……領域
２３１、２３２、２３３、２３４、２３５、２３６、２３７、２３８……切り欠き部
２４１、２４２、２４３、２４４、２４５、２４６、２４７、２４８……内部端子
２５１、２５２、２５３、２５４、２５５、２５６……外部接続端子
２６１、２６２、２６３、２６４、２６５、２６６、２６７、２６８……キャスタレーション
２７……リッド
２７ａ、２７ｂ、２７ｃ、２７ｄ……側面
２７１……凹部
２８１、２８２……爪部
２９１、２９２……欠損部
３……支持基板
３０１……絶縁層
３０２……導体層
３ａ、３ｂ、３ｃ、３ｄ……側面
３１１、３１２、３１３、３１４、３１５、３１６、３１７、３１８……切り欠き部
３２１、３２２、３２３、３２４、３２５、３２６、３２７、３２８……キャスタレーション
４……ＳＡＷ共振子
４１……ＳＡＷ共振子片
４１１……水晶基板
４１２……ＩＤＴ
４１２ａ、４１２ｂ……電極
４１３、４１４……反射器
４１５、４１６……ボンディングパッド
４１７、４１８……引出電極
４５……パッケージ
４６……セラミックベース基板
４６１……凹部
４７……金属カバー
４８１、４８２……内部端子
４８３、４８４……外部接続端子
４８５、４８６……外部接続端子
５……回路
５１……発振回路
５２……逓倍回路
５３……出力回路
５９……回路素子（電子部品）
５９１……チップコイル
５９２……チップコンデンサ
５９３……バリキャップ
５９４……チップコイル
５９５……チップコンデンサ
５９６……ＩＣチップ
１１００……パーソナルコンピューター
１１０２……キーボード
１１０４……本体部
１１０６……表示ユニット
１１０８……表示部
１２００……携帯電話機
１２０２……操作ボタン
１２０４……受話口
１２０６……送話口
１２０８……表示部
１３００……ディジタルスチルカメラ
１３０２……ケース
１３０４……受光ユニット
１３０６……シャッターボタン
１３０８……メモリー
１３１０……表示部
１３１２……ビデオ信号出力端子
１３１４……入出力端子
１４３０……テレビモニター
１４４０……パーソナルコンピューター
１５００……自動車
Ｈ、Ｈ１、Ｈ２、Ｈ３、Ｈ４、Ｈ５、Ｈ６、Ｈ７、Ｈ８……半田
Ｌ１、Ｌ２……最大離間距離
Ｏ……中心
Ｓ……内部空間
Ｓ１……第１領域
Ｓ２……第２領域
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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