(57)【要約】【課題】ＬＤとＰＤとを一体化した構造としながらも、反射戻り光による劣化を防ぎ、高速・長距離の伝送、線形性の改善を図る。【解決手段】電界吸収型の半導体光変調器とレーザダイオードとが集積された光変調器集積レーザダイオードと、前記レーザダイオードに駆動電流を供給する定電流源と、前記半導体光変調器にバイアス電圧を印加する定電圧源と、前記半導体光変調器への送信信号と、前記半導体光変調器からの受信信号を分離・結合するための分離・結合手段と、前記半導体光変調器に、前記定電圧源からのバイアス電圧と前記分離・結合手段からの送信信号とを供給する給電手段とを備えた。【選択図】図２
2015025867.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
電界吸収型の半導体光変調器とレーザダイオードとが集積された光変調器集積レーザダイオードと、
前記レーザダイオードに駆動電流を供給する定電流源と、
前記半導体光変調器にバイアス電圧を印加する定電圧源と、
前記半導体光変調器への第１の送信信号と、前記半導体光変調器からの受信信号を分離・結合するための分離・結合手段と、
前記半導体光変調器に、前記定電圧源からのバイアス電圧と前記分離・結合手段からの第１の送信信号とを供給する給電手段と
を備えたことを特徴とする光トランシーバ。
【請求項２】
電界吸収型の半導体光変調器とレーザダイオードとが集積された光変調器集積レーザダイオードと、
前記レーザダイオードに駆動電流を供給する定電流源と、
前記半導体光変調器にバイアス電圧を印加する定電圧源と、
前記レーザダイオードへの第１の送信信号と前記定電流源からの駆動電流とを供給する給電手段と、
前記半導体光変調器に、前記定電圧源からのバイアス電圧を供給する給電手段と
を備えたことを特徴とする光トランシーバ。
【請求項３】
電界吸収型の半導体光変調器とレーザダイオードとが集積された光変調器集積レーザダイオードと、
前記レーザダイオードに駆動電流を供給する定電流源と、
前記半導体光変調器にバイアス電圧を印加する定電圧源と、
前記レーザダイオードへの第１の送信信号と前記定電流源からの駆動電流とを供給する給電手段と、
前記半導体光変調器への第２の送信信号と、前記半導体光変調器からの受信信号を分離・結合するための分離・結合手段と、
前記半導体光変調器に、前記定電圧源からのバイアス電圧と前記分離・結合手段からの第２の送信信号とを供給する給電手段と
を備えたことを特徴とする光トランシーバ。
【請求項４】
前記第１の送信信号は、光搬送波方式または光副搬送波方式により伝送される高周波信号であることを特徴とする請求項１、２または３光トランシーバ。
【請求項５】
前記光搬送波方式または前記光副搬送波方式における光搬送波の周波数は、前記レーザダイオードの緩和振動周波数よりも小さいことを特徴とする請求項４に記載の光トランシーバ。
【請求項６】
前記分離・結合手段は、サーキュレータ、ローパスフィルタまたはバンドパスフィルタであることを特徴とする請求項１ないし５のいずれかに記載の光トランシーバ。
【請求項７】
前記給電手段は、バイアスＴであることを特徴とする請求項１ないし６のいずれかに記載の光トランシーバ。
【請求項８】
前記レーザダイオードは、分布帰還型レーザダイオードであることを特徴とする請求項１ないし７のいずれかに記載の光トランシーバ。
【請求項９】
前記第１の送信信号、前記第２の送信信号、前記受信信号の少なくとも１つには、誤り訂正符号が使われていることを特徴とする請求項１ないし８のいずれかに記載の光トランシーバ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、光トランシーバに関し、より詳細には、光ファイバを用いて双方向通信を行う光伝送システムにおいて使用される光トランシーバに関する。
【背景技術】
【０００２】
光ファイバを用いた光伝送システムにおいて、より多くの情報を、より少ない光ファイバ心線数で、経済的に、効率的に伝送するために、さまざまな多重技術が研究開発されてきた。例えば、光ファイバを用いた加入者系アクセスの形態であるＦＴＴＨ（Fiber To The Home）においては、データセンタと加入者宅との間の１本の光ファイバに、上りデータ、下りデータ、下り映像信号が波長分割多重され、同時に伝送されている（例えば、非特許文献１参照）。
【０００３】
加入者宅側において、映像信号を除く、上りデータと下りデータとを同時に送受信する光モジュールは、ＢｉＤｉ（Bi-Directional optical module）と呼ばれ、電気−光変換、光―電気変換を同時に行う。図１に、従来の光モジュールの構造を示す。宅内装置１１０の内部に、筐体１００に納められたＢｉＤｉが実装されている。宅内装置１１０とデータセンタ１３０とが、光ファイバ１２０により接続されている。筐体１００には、送信モジュール（ＴＯＳＡ）１０３と、受信モジュール（ＲＯＳＡ）１０６とが固定され、それぞれが、光ファイバ心線の端面１０１と波長フィルタ１０２を介して光学的に結合されている。
【０００４】
加入者からデータセンタに向けて送られる信号（上り光信号）は、電気信号としてＢｉＤｉのＴＯＳＡ１０３に入力される。送信電気信号は、ＴＯＳＡ１０３のＬＤ１０５によりレーザ光の上り光信号に変換される。ＦＴＴＨにおいて、上り光信号は波長１．３１μｍ帯が広く使用されている。波長フィルタ１０２は、波長１．３１μｍ帯を透過し、波長１．４９μｍ帯を反射するフィルタである。ＬＤ１０５から出射されたレーザ光は、波長フィルタ１０２を透過し、光ファイバ１２０へと入力され、データセンタ側へと伝送される。光ファイバ心線の端面１０１とＬＤ１０５とは、集光用レンズ１０４によって互いに結像されている。
【０００５】
データセンタから加入者に向けて送られる信号（下り光信号）は、波長１．４９μｍ帯である。光ファイバ心線の端面１０１から出射され、波長フィルタ１０２にて９０度だけ反射され、ＲＯＳＡ１０６のＰＤ１０７へと入力される。集光用レンズ１０８は、光ファイバ心線の端面１０１とＰＤ１０７とを互いに結像させる。受信光信号は、ＲＯＳＡ１０６によって受信電気信号へと変換される。
【先行技術文献】
【非特許文献】
【０００６】
【非特許文献１】田中貴之、井上美奈子、「ＧＥ−ＰＯＮ  ＯＬＴ／ＯＮＵ  一芯光トランシーバの開発」、沖テクニカルレビュー、Vol. 71, No. 1, pp. 100-105, (2004)
【非特許文献２】H. Nakajima et al., “Full-duplex operation of an in-line transceiver emitting at 1.3 mm and receiving at 1.55 mm”, Electronics Letters, 1996.2.29, vol. 32, no. 5, pp.473-474
【非特許文献３】T. L. Koch et al., “Semiconductor photonics integrated circuits”, IEEE Journal of Quantum Electronics, vol. 27, 1991, no. 3, pp. 641-653
【非特許文献４】J. Endo et al., “Isolator-free EA-DFB Module with Forward Error Correction”, 2012 17th Opto-Electronics and Communications Conference (OECC 2012) Technical Digest, July 2012, Busan, Korea, 6D4-4, pp. 853-854
【非特許文献５】Nobuo Ohara et al., Compact Symmetric 10.3Gbps Optical Module for 10G-EPON ONU, 15th OptoElectronics and Communications Conference (OECC2010), July 2010, 7E3-3, pp244-245
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
このようなＢｉＤｉなどの光部品においては、ＬＳＩなどの多くの電子部品が機械作業によって組み立てられているのと比較し、人手による組立工程が多く残されている。これは、光ファイバ１２０、波長フィルタ１０２、ＴＯＳＡ１０３、ＲＯＳＡ１０６を、筐体１００に取りつける際に、ミクロン単位の精度で光軸調整が必要となるからである。光軸調整は、現在の機械組立による方法では実現できないため、ＢｉＤｉの組立には、長い時間が必要であり、多くの人件費を必要とした。
【０００８】
一方、上記のＢｉＤｉでは、ＬＤ１０５としてファブリペロー型半導体レーザが用いられており、光信号は１Ｇｂ／ｓ程度である。ファブリペロー型半導体レーザは、反射戻り光に耐性があるので、反射戻り光を防ぐ光アイソレータが必ずしも必要にならない。しかしながら、例えば信号速度を１０Ｇｂ／ｓに上げる、ＬＤの線形性を良くする、より長距離に伝送するなどの要請がある場合には、ファブリペロー型半導体レーザの代わりに、ＤＦＢ（分布帰還型）型半導体レーザが用いられる。ＤＦＢ型半導体レーザは、高速・長距離の伝送が可能であり、線形性が良い等の長所があるが、反面、反射戻り光によって信号波形が大きく劣化する。
【０００９】
従って、上記のＢｉＤｉにＤＦＢ型半導体レーザを適用する場合には、光アイソレータを設置する必要がある。図１の構成においては、ＬＤ１０５への反射戻り光による波形劣化を防ぐため、波長フィルタ１０２と集光用レンズ１０４との間の光路上に、光アイソレータを挿入する。光アイソレータを設置して光モジュールは、例えば、非特許文献５に記載されている。このような光モジュールは、筐体が大型化するとともに、組立工程に長い時間が必要である。
【００１０】
また、非特許文献２，３には、ＬＤとＰＤとを一体化した送受信モジュールが記載されている。筐体を小型化できるとともに、光軸調整の工数を減らすことができる。しかしながら、光アイソレータを設置することができないので、高速・長距離の伝送、線形性の改善等を図ることができない。
【００１１】
本発明の目的は、ＬＤとＰＤとを一体化した構造としながらも、反射戻り光による劣化を防ぎ、高速・長距離の伝送、線形性の改善を図った光トランシーバを提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
本発明は、このような目的を達成するために、第１の実施態様は、電界吸収型の半導体光変調器とレーザダイオードとが集積された光変調器集積レーザダイオードと、前記レーザダイオードに駆動電流を供給する定電流源と、前記半導体光変調器にバイアス電圧を印加する定電圧源と、前記半導体光変調器への第１の送信信号と、前記半導体光変調器からの受信信号を分離・結合するための分離・結合手段と、前記半導体光変調器に、前記定電圧源からのバイアス電圧と前記分離・結合手段からの第１の送信信号とを供給する給電手段とを備えたことを特徴とする。
【００１３】
第２の実施態様は、電界吸収型の半導体光変調器とレーザダイオードとが集積された光変調器集積レーザダイオードと、前記レーザダイオードに駆動電流を供給する定電流源と、前記半導体光変調器にバイアス電圧を印加する定電圧源と、前記レーザダイオードへの第１の送信信号と前記定電流源からの駆動電流とを供給する給電手段と、前記半導体光変調器に、前記定電圧源からのバイアス電圧を供給する給電手段とを備えたことを特徴とする。
【００１４】
第３の実施態様は、電界吸収型の半導体光変調器とレーザダイオードとが集積された光変調器集積レーザダイオードと、前記レーザダイオードに駆動電流を供給する定電流源と、前記半導体光変調器にバイアス電圧を印加する定電圧源と、前記レーザダイオードへの第１の送信信号と前記定電流源からの駆動電流とを供給する給電手段と、前記半導体光変調器への第２の送信信号と、前記半導体光変調器からの受信信号を分離・結合するための分離・結合手段と、前記半導体光変調器に、前記定電圧源からのバイアス電圧と前記分離・結合手段からの第２の送信信号とを供給する給電手段とを備えたことを特徴とする。
【発明の効果】
【００１５】
以上説明したように、本発明によれば、光変調器集積レーザダイオードと光ファイバとの光軸調整が１度で済むことから、より短時間で、より少ない人件費で組み立てることができる。また、送信信号は、光搬送波方式または光副搬送波方式を適用したことにより、光アイソレータを設置しなくても、良好な特性を得ることができる。
【図面の簡単な説明】
【００１６】
【図１】従来の光モジュール（ＢｉＤｉ）の構造を示す図である。
【図２】本発明の実施例１にかかる光モジュール（ＢｉＤｉ）を示すブロック図である。
【図３】本発明の実施例１にかかるＥＭＬモジュールを示すブロック図である。
【図４】光アイソレータを設置しないときの反射戻り光による波形劣化を示す図である。
【図５】本発明の実施例２にかかる光モジュール（ＢｉＤｉ）を示すブロック図である。
【図６】本発明の実施例３にかかる光モジュール（ＢｉＤｉ）を示すブロック図である。
【発明を実施するための形態】
【００１７】
以下、図面を参照しながら本発明の実施形態について詳細に説明する。以下、電界吸収型の半導体光変調器をＥＡＭ（electro-absorption modulator）と、レーザダイオードをＬＤ（laser diode）と、光変調器集積レーザダイオードをＥＭＬ（electro-absorption modulator integrated laser diode）と略する。本実施形態では、ＥＡＭとＬＤとがモノリシック集積された半導体デバイスであるＥＭＬを用いる。
【実施例１】
【００１８】
（光モジュールの構成）
図２に、本発明の実施例１にかかる光モジュール（ＢｉＤｉ）を示す。ＢｉＤｉは、ＥＭＬ２０１と、ＥＭＬ２０１に集積されたＬＤ２０２に接続され、駆動電流を供給する定電流源２０４とを備える。また、ＥＭＬ２０１に集積されたＥＡＭ２０３の出力には、定電圧源２０５に接続されたバイアスＴ２０６（給電手段）を介して、サーキュレータ２０７が接続されている。サーキュレータ２０７に入力された送信電気信号は、バイアスＴ２０６を介してＥＭＬ２０１に供給され、ＥＭＬ２０１からの受信電気信号は、バイアスＴ２０６を介してサーキュレータ２０７（分離・結合手段）から出力される。
【００１９】
ＬＤ２０２は、発振波長１．５５μｍの分布帰還型ＬＤである。定電流源２０４は、ＬＤ２０２のしきい値電流以上で定電力駆動し、ＬＤ２０２をＣＷ発振させる。実施例１では、素子温度２５℃におけるＬＤ２０２のしきい値電流は２０ｍＡであり、素子温度２５℃において７０ｍＡを供給すると、０．８ｍＷの光出力を得る。
【００２０】
ＥＡＭ２０３は、逆バイアス電圧を印加すると、波長１．５５μｍ帯の光を吸収する性質がある。そこで、定電圧源２０５から適切なバイアス電圧として−１．５Ｖを、ＥＡＭ２０３に印加する。送信電気信号は、サーキュレータ２０７に入力されると、バイアスＴ２０６のＲＦポートを通過してＥＡＭ２０３に印加される。送信電気信号は、２．４ＧＨｚの高周波信号にデータ信号が重畳されている。高周波信号の変調度は、１０％とする。ＬＤ２０２からのＣＷ光に対して、ＥＡＭ２０３が外部変調器として働き、ＥＭＬ２０１は、波長１．５５μｍ帯のレーザ光に２．４ＧＨｚ帯の高周波信号がサブキャリア多重されたレーザ光を出力する（ＷｉＦｉ光サブキャリア送信）。
【００２１】
一方、波長１．３μｍ帯の受信光は、信号レート１Ｇｂ／ｓ、ＮＲＺ振幅変調のディジタル信号を搬送している。ＥＡＭ２０３の直流バイアス条件（−１．５Ｖ）において、ＥＡＭ２０３は、１．３μｍ帯のフォトダイオードとして機能することに着目する。受信光は、ＥＡＭ２０３に吸収され、光電流を発生させる。光電変換により得られた受信電気信号は、バイアスＴ２０６のＲＦポートを通過して、サーキュレータ２０７から出力される。このようにして、信号レート１Ｇｂ／ｓ、ＮＲＺ振幅変調のディジタル信号が復調される。
【００２２】
図３に、本発明の実施例１にかかるＥＭＬモジュールを示す。ＥＭＬモジュール３００は、筐体３０１の中にＥＭＬ３０７が搭載されている。筐体３０１には、ＥＭＬ３０７に集積されたＬＤに接続されたＬＤ端子３０２と、ＥＭＬ３０７に集積されたＥＡＭに接続されたＥＡＭ端子３０３と、図示されていないサーミスタ、ぺルチエ冷却子、モニタフォトダイオードなどの高速応答を必要としない部品用の直流端子３０８とが装備されている。ＬＤ端子３０２とＥＡＭ端子３０３とは、ＳＭＡ−Ｊコネクタである。また、筐体３０１には、光ファイバカラ３０４により光ファイバ３０５が固定されており、光ファイバ心線の端面とＥＭＬ３０７とが、レンズ３０６によって光学的に結合されている。
【００２３】
ＬＤ端子３０２に定電流源２０４を接続し、ＥＡＭ端子３０３にバイアスＴ２０６を接続して、図２に示したＢｉＤｉを構成すると、波長１．５５μｍ帯の２．４ＧＨｚ帯ＷｉＦｉ光サブキャリア送信器と、波長１．３μｍ帯の１Ｇｂ／ｓ強度変調受信器として機能する。
【００２４】
図２に示したＢｉＤｉは、全二重の通信を行うことができるが、バイアス電圧を調整するなどして、送信と受信とを別々に半二重通信を行うこともできる。ＥＭＬは高価な半導体部品であるが、ＥＭＬと光ファイバとの光軸調整が１度で済むことから、従来の光トランシーバと比較して、より短時間で、より少ない人件費で組み立てることができる。
【００２５】
（光アイソレータの削減）
実施例１の光トランシーバは、送信光と受信光とを１本の光ファイバでやりとりするため、光学的なアイソレータは有していない。このため、反射戻り光によってＬＤが不安定になる可能性がある。実施例１のＢｉＤｉは、送信器であるＬＤ２０２と受信器であるＥＡＭ２０３とを直列に接続した構成である。例えば、非特許文献２、非特許文献３に記載されているように、信号レート５０Ｍｂ／ｓ〜１５５Ｍｂ／ｓにおいて「１（または０）の符号が連続する強度変調方式」を用いている。このような強度変調方式では、「１の符号が連続するとき」、反射戻り光によってＬＤの送信信号に緩和振動周波数を中心とするノイズが生じる。信号が大きく劣化する。
【００２６】
図４に、光アイソレータを設置しないときの反射戻り光による波形劣化を示す。信号レート２．５Ｇｂ／のとき、３２ビットの固定符号［００００００００１１１１１１１１０１０１０１０１０１０１０１０１］（０連続８ビット＝区間Ａ、１連続８ビット＝区間Ｂ、０１交番１６ビット＝区間Ｃ）を、送信電気信号としてＥＭＬ２０１に供給した。このとき、ＥＭＬ２０１から出力された光信号波形を示している。
【００２７】
図４によれば、０連続（区間Ａ）のあとに１連続（区間Ｂ）が続くと、区間Ｂの最初の数ビットは比較的安定した波形であるが、４ビット目から急激に波形が劣化する。劣化した波形は、その後も劣化を続け、０１交番（区間Ｃ）においても、１のビットに波形劣化の影響が表れている。再び０連続の区間に入って波形劣化が収束する。一方、１連続がない場合、例えば全ビットが０１０１交番の場合には、そもそも波形劣化が生じない。
【００２８】
そこで、実施例１においては、２．４ＧＨｚ帯のＷｉＦｉ光サブキャリア送信（光副搬送波方式）とした。ＬＤから出力される光送信信号は、搬送波２．４ＧＨｚに対し、変調度１０％の強度変調により、１連続が続くことがないようにしている。
【００２９】
緩和振動周波数が５〜８ＧＨｚ以上のＬＤを用いることにより、搬送波２．４ＧＨｚに対し、ＬＤのノイズは５〜８ＧＨｚが中心になる。受信時には、２．４ＧＨｚ〜５ＧＨｚの間で高周波信号をカットするようなローパスフィルタを用いることによりノイズを除去する。光副搬送波方式における光搬送波の周波数が、レーザダイオードの緩和振動周波数よりも小さければ、光アイソレータを設置しなくても、良好な特性を得ることができる。
【００３０】
さらに、送信信号、受信信号に符号誤り訂正（ＦＥＣ）符号を用いることにより、光アイソレータがないことによって生じる最低受光感度の低下を補償することができる（例えば、非特許文献４）。
【実施例２】
【００３１】
図５に、本発明の実施例２にかかる光モジュール（ＢｉＤｉ）を示す。実施例１と同様に、波長１．５５μｍ帯の２．４ＧＨｚ帯ＷｉＦｉ光サブキャリア送信器と、波長１．３μｍ帯の１Ｇｂ／ｓ強度変調受信器を実現する。実施例１との相違点は、ＥＭＬ４０１に集積されたＬＤ４０２と定電流源４０４との間に、バイアスＴ４０８を挿入して、送信電気信号を供給する点である。
【００３２】
ＬＤ４０２は、発振波長１．５５μｍの分布帰還型ＬＤである。定電流源４０４は、ＬＤ４０２のしきい値電流以上で定電力駆動し、ＬＤ４０２をＣＷ発振させる。実施例２では、素子温度２５℃におけるＬＤ２０２のしきい値電流は１５ｍＡであり、素子温度２５℃において７０ｍＡを供給すると、１．０ｍＷの光出力を得る。
【００３３】
実施例２では、ＬＤ４０２の駆動電流に２．４ＧＨｚの高周波信号をバイアスＴ４０８から重畳して、ＬＤ４０２を直接変調する。ＥＭＬ２０１は、波長１．５５μｍ帯のレーザ光に２．４ＧＨｚ帯の高周波信号がサブキャリア多重されたレーザ光を出力する（ＷｉＦｉ光サブキャリア送信）。
【００３４】
一方、波長１．３μｍ帯の受信光は、信号レート１Ｇｂ／ｓ、ＮＲＺ振幅変調のディジタル信号を搬送しており、実施例１と同様に復調される。ＥＡＭ４０３の直流バイアス条件（−１．５Ｖ）において、ＥＡＭ２０３は、１．３μｍ帯のフォトダイオードとして機能する。ＥＡＭ４０３の光電変換により得られた受信電気信号は、バイアスＴ４０６のＲＦポートから直接取り出される。
【００３５】
実施例１と同様に、ＥＭＬと光ファイバとの光軸調整が１度で済むことから、より短時間で、より少ない人件費で組み立てることができる。また、２．４ＧＨｚ帯のＷｉＦｉ光サブキャリア送信を適用したことにより、光アイソレータを設置しなくても、良好な特性を得ることができる。
【実施例３】
【００３６】
図６に、本発明の実施例３にかかる光モジュール（ＢｉＤｉ）を示す。実施例１と同様に、波長１．５５μｍ帯の２．４ＧＨｚ帯ＷｉＦｉ光サブキャリア送信器と、波長１．３μｍ帯の１Ｇｂ／ｓ強度変調受信器を実現するとともに、さらに送信信号にギガビットイーサ（ＧｂＥ）のデータ信号を多重化する。実施例２の構成に加えて、ＧｂＥ信号を多重化するために、バイアスＴ５０６の出力にＬＰＦ／ＢＰＦ５０９（分離・結合手段）を接続した。
【００３７】
ＬＰＦ／ＢＰＦ５０９は、ＬＰＦ（ローパスフィルタ）とＢＰＦ（バンドパスフィルタ）の機能を併せ持つ周波数フィルタである。ＧｂＥ信号である送信信号２を入力するＬＰＦポートは、３ＧＨｚの遮断周波数を有し、受信信号を出力するＢＰＦポートは、１２−１４ＧＨｚの通過帯域幅を有する。なお、ＢＰＦは、例えば遮断周波数１０ＧＨｚ程度のハイパスフィルタでもよい。
【００３８】
ＬＤ５０２は、発振波長１．６μｍの分布帰還型ＬＤであり、定電流源５０４から７０ｍＡの駆動電流が供給される。ＬＤ５０２の駆動電流に２．４ＧＨｚの高周波信号（送信信号１）をバイアスＴ５０８から重畳して、ＬＤ５０２を直接変調する。ＥＭＬ５０１は、波長１．６μｍ帯のレーザ光に２．４ＧＨｚ帯の高周波信号がサブキャリア多重されたレーザ光を出力する（ＷｉＦｉ光サブキャリア送信）。
【００３９】
一方、定電圧源５０５からバイアス電圧として−１．５Ｖを、ＥＡＭ５０３に印加する。バイアスＴ５０８のＲＦポートを経てＬＤ５０２に入力される送信信号１およびＬＰＦ／ＢＰＦ５０９のＬＰＦポートとバイアスＴ５０６のＲＦポートを経てＥＡＭ５０３に入力される送信信号２は、電気的な多重手段を使わずに、単純な光学的処理として、サブキャリア上での多重化される。すなわち、波長１．６μｍ帯レーザ光に２．４ＧＨｚ帯ＷｉＦＩ信号とＧｂＥ信号が多重化された送信光信号が出力される。
【００４０】
受信光は、波長１．４８μｍ帯であり、１３ＧＨｚ帯の衛星放送信号を搬送している。ＥＡＭ５０３は１．４８μｍ帯のフォトダイオードとして機能するので、受信光は、ＥＡＭ５０３に吸収され、光電流を発生させる。受信電気信号は、ＥＡＭ５０３からバイアスＴ５０６のＲＦポート、ＬＰＦ／ＢＰＦ５０９のＢＰＦポートを通過し、受信信号として出力される。
【００４１】
実施例３の光トランシーバは、波長１．６μｍ帯の２．４ＧＨｚ帯ＷｉＦｉ光サブキャリア送信器と、波長１．６μｍ帯のＧｂＥ送信器と、波長１．４８μｍ帯の１３ＧＨｚ衛星放送受信器として同時に機能する。
【００４２】
実施例１と同様に、ＥＭＬと光ファイバとの光軸調整が１度で済むことから、より短時間で、より少ない人件費で組み立てることができる。また、２．４ＧＨｚ帯のＷｉＦｉ光サブキャリア送信を適用したことにより、光アイソレータを設置しなくても、良好な特性を得ることができる。
【符号の説明】
【００４３】
１００，３０１  筐体
１０１  光ファイバ心線の端面
１０２  波長フィルタ
１０３  送信モジュール（ＴＯＳＡ）
１０４，１０８  集光用レンズ
１０５  ＬＤ
１０６  受信モジュール（ＲＯＳＡ）
１１０  宅内装置
１２０，３０５  光ファイバ
１３０  データセンタ
２０１，３０７，４０１，５０１  ＥＭＬ
２０２，４０２，５０２  ＬＤ
２０３，４０３，５０３  ＥＡＭ
２０４，４０４，５０４  定電流源
２０５，４０５，５０５  定電圧源
２０６，４０６，４０８，５０６，５０８  バイアスＴ
２０７  サーキュレータ
３００  ＥＭＬモジュール
３０２  ＬＤ端子
３０３  ＥＡＭ端子
３０４  光ファイバカラ
３０６  レンズ
３０８  直流端子
５０９  ＬＰＦ／ＢＰＦ
【図１】
2015025867.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図５】
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【図６】
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【図４】
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