(57)【要約】【課題】  有機発光ダイオードの発光輝度を向上させ、消費電力を低減し、製品の寿命を延ばす。【解決手段】  本発明はＯＬＥＤ発光装置及びその製造方法に関する。OLED発光装置は、基板と、基板に配置され、互いに間隔をあけた複数の湾曲部を有する平坦化層と、平坦化層に配置される複数の発光ユニットとを備え、各発光ユニットは湾曲部に配置され且つ湾曲部に相応する形状を有し、各発光ユニットは、第１電極と、第１電極に配置される発光構造と、発光構造に配置される第２電極とを有し、湾曲部の一断面が全体として弧状の輪郭を有する。本発明は、発光ユニットと平坦化層との接触している部位に湾曲部を配置し、発光ユニットを平坦な表面から湾曲表面に変更し、有機発光ダイオードの開口率を大幅に向上させ、発光面積を増大する。【選択図】図２
2015207545.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と、
前記基板に配置され、且つ互いに間隔をあけた複数の湾曲部を有する平坦化層と、
前記平坦化層に配置される複数の発光ユニットと、
を備え、
各発光ユニットは、前記湾曲部に配置され且つ前記湾曲部に相応する形状を有し、
各発光ユニットは、第１電極と、前記第１電極に配置される発光構造と、前記発光構造に配置される第２電極と、を含み、
前記湾曲部の一断面が全体として弧状の輪郭を有する、ＯＬＥＤ発光装置。
【請求項２】
隣り合う前記湾曲部同士の間に位置される画素定義層をさらに含む、請求項１に記載のＯＬＥＤ発光装置。
【請求項３】
前記湾曲部と前記平坦化層とが同一の材料を含み、
前記湾曲部と前記平坦化層とが一体に形成される、請求項１に記載のＯＬＥＤ発光装置。
【請求項４】
前記湾曲部が前記平坦化層に形成される窪みである、請求項１に記載のＯＬＥＤ発光装置。
【請求項５】
前記湾曲部が多重の凹凸表面を有する、請求項１に記載のＯＬＥＤ発光装置。
【請求項６】
基板に、平坦化層を形成し、
前記平坦化層に、互いに間隔をあけた複数の湾曲部を形成し、
前記湾曲部に、第１電極を形成し、
前記第１電極に、発光構造及び第２電極を形成する、
ことを備え、
前記湾曲部の一断面が全体として弧状の輪郭を有する、ＯＬＥＤ発光装置の制造方法。
【請求項７】
前記第１電極を形成した後、画素定義層を形成し、前記画素定義層が隣り合う前記湾曲部の間に配置され、且つ前記第１電極の少なくとも表面の一部を露出させる、請求項６に記載の方法。
【請求項８】
前記湾曲部と前記平坦化層とが同一の材料を含み、
前記湾曲部と前記平坦化層とが一体に形成され、
前記湾曲部を形成するには、
グレースケールマスクを用いて、前記平坦化層に対してフォトリソグラフィー・プロセスを行い、
前記平坦化層に対して現像プロセスを行い、且つベーキング・硬化を行って、前記湾曲部を得る、
ことを備える、請求項６に記載の方法。
【請求項９】
前記湾曲部が前記平坦化層に形成された窪みであり、
前記湾曲部を形成するには、
グレースケールマスクを用いて、前記平坦化層に対してフォトリソグラフィー・プロセスを行い、
前記平坦化層に対して現像プロセスを行い、且つベーキング・硬化を行って前記の湾曲部を得る、
ことを備える、請求項６に記載の方法。
【請求項１０】
前記湾曲部が多重の凹凸表面を有し、
前記湾曲部を形成するには、
グレースケールマスクを用いて、前記平坦化層に対してフォトリソグラフィー・プロセスを行い、
前記平坦化層に対して現像プロセスを行い、且つベーキング・硬化を行って前記湾曲部を得る、
ことを備える、請求項６に記載の方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、発光装置に関し、特にＯＬＥＤ発光装置及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
ＯＬＥＤ（Ｏｒｇａｎｉｃ  Ｌｉｇｈｔ  Ｅｍｉｔｔｉｎｇ  Ｄｉｏｄｅ：有機発光ダイオード）  は、有機電界発光装置であり、有機発光材料を透明陽極と金属反射陰極との間に挟み、有機薄膜に電圧を印加することにより発光させ、表示装置として用いてもよく、照明装置として用いてもよい。
【０００３】
ＯＬＥＤ  の発光ユニットは、主に、金属陰極、電子注入層、電子輸送層、発光層、正孔輸送層、正孔注入層、及び透明陽極から構成される。ＯＬＥＤ  発光面は、複数の有効発光ユニット及び画素定義層から構成したので、表面の全体が発光できるわけではないため、開口率の概念がある。開口率とは、有効発光ユニットの表面積と発光面の全面積の割合を意味する。通常、照明ＯＬＥＤ製品の開口率が一般的に８０％以上である。ＯＬＥＤ表示製品については、その表面に画素定義層の他、画像蓄積容量とＴＦＴともあるため、開口率は一般的に約５０％程度である。
【０００４】
図１は、伝統のＯＬＥＤ発光装置の構成を示し、ＯＬＥＤは、主に基板１、平坦化層２、発光ユニット３、及び画素定義層４を備えている。発光ユニット３と画素定義層４は、平坦化層２に配置され、発光ユニット３の表面は、平坦な表面である。
【０００５】
ＯＬＥＤの輝度を向上させるために、通常に用いられる方法は、有機材料の発光効率あるいは開口率を向上させる方法である。有機材料の発光効率を向上させるためには多くの試験を行う必要があって、最高の発光ディバイスの構成を最適化し、発光効率を向上させるためには限界がある。ＯＬＥＤの開口率を向上させるためには、補助電極、ＴＦＴ、電気容量などの発光しない面の面積を低減する必要がある。現在、一般的に、最高の開口率として約６０％程度のみに達するしかないものの、ＯＬＥＤは、常用の照明および表示材料として、その使用量が比較的に多いため、既存のＯＬＥＤの開口率は、使用の需要を満たすことができない。
【０００６】
また、ＯＥＬＤディスプレイパネルの解像度が高ければ高いほど、画素の開口面積がより小さくなり、画素の輝度も低減される。
【０００７】
したがって、解像度を低下せずに、画素の輝度を向上させることができる装置および方法が必要となっている。
【０００８】
前記背景技術の部分で開示された上記の情報は、本発明の背景をよく理解するために用いられたものだけであり、したがって、当業者に知られた従来技術を構成しない情報を含んでもよい。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
発明の開示
上記の問題点に鑑みて、発明者らは、長期にわたって鋭意研究を重ねた結果、湾曲部が含まれる平坦化層を、発光ユニットと基板との間に配置することにより、発光面積を増加させ、発光強度を向上させることを見出した。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本発明の一態様によれば、ＯＬＥＤ発光装置であって、
基板と、
前記基板に配置され、且つ互いに間隔をあけた複数の湾曲部を有する平坦化層と、
前記平坦化層に配置される複数の発光ユニットと、を備え、
各発光ユニットは前記湾曲部に配置され且つ前記湾曲部に相応する形状を有し、
各発光ユニットは、第１電極と、前記第１電極に配置される発光構造と、前記発光構造に配置される第２電極と、を有し、
前記湾曲部の一断面が全体として弧状の輪郭を有する。
【００１１】
本発明のある実施形態によれば、さらに、隣り合う前記湾曲部同士の間に位置する画素定義層を含む。
【００１２】
本発明の他の実施形態によれば、前記湾曲部と前記平坦化層とが同一の材料を含み、前記湾曲部と前記平坦化層とが一体に形成される。
【００１３】
本発明の他の実施形態によれば、前記湾曲部が前記平坦化層に形成される窪みである。
本発明の他の実施形態によれば、前記湾曲部が多重の凹凸表面を有する。
【００１４】
本発明の他の一態様によれば、ＯＬＥＤ発光装置の製造方法であって、
基板に、平坦化層を形成し、
前記平坦化層に、互いに間隔をあけた複数の湾曲部を形成し、
前記湾曲部に、第１電極を形成し、  
前記第１電極に、発光構造及び第２電極を形成する、ことを備え、  
前記湾曲部の一断面が全体として弧状の輪郭を有する。
【００１５】
本発明に係る方法の他の実施形態によれば、さらに、前記第１電極を形成した後、画素定義層を形成し、前記画素定義層が隣り合う前記湾曲部同士の間に位置され、且つ前記第１電極の少なくとも表面の一部を露出させる。
【００１６】
本発明に係る方法の他の実施形態によれば、前記湾曲部と前記平坦化層とが同一の材料であり、
前記湾曲部と前記平坦化層とが一体に形成され、
前記湾曲部を形成するには、
グレースケールマスクを用いて、前記平坦化層に対してフォトリソグラフィー・プロセスを行い、
前記平坦化層に対して現像プロセスを行い、且つベーキング・硬化を行って前記湾曲部を得る、ことを備える。
【００１７】
本発明に係る方法の他の実施形態によれば、前記湾曲部が前記平坦化層に形成された窪みであり、
前記湾曲部を形成するには、
グレースケールマスクを用いて、前記平坦化層に対してフォトリソグラフィー・プロセスを行い、
前記平坦化層に対して現像プロセスを行い、且つベーキング・硬化を行って前記湾曲部を得る、ことを備える。
【００１８】
本発明に係る方法の他の実施形態によれば、前記湾曲部が多重の凹凸表面を有し、
前記湾曲部を形成するには、
グレースケールマスクを用いて、前記平坦化層に対してフォトリソグラフィー・プロセスを行い、
前記平坦化層に対して現像プロセスを行い、且つベーキング・硬化を行って前記湾曲部を得る、ことを備える。
【発明の効果】
【００１９】
本発明は、発光ユニットと平坦化層との接触している部位に湾曲部を配置し、発光ユニットを平坦な表面から湾曲表面に変更し、有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）の開口率を大幅に向上させ、発光面積を増大することにより、有機発光ダイオードの発光輝度を向上させ、消費電力を低減し、そして製品の寿命を引き延ばす。
【図面の簡単な説明】
【００２０】
【図１】伝統のＯＬＥＤ発光装置の構成を示す模式図である。
【図２】本願の一実施形態に係るＯＬＥＤ発光装置の構成を示す模式図である。
【図３】本願の他の一実施形態に係るＯＬＥＤ発光装置の構成を示す模式図である。
【図４】本願の他の一実施形態に係るＯＬＥＤ発光装置の構成を示す模式図である。
【図５】本願に係る方法の一実施形態のプロセスフロー図である。
【発明を実施するための形態】
【００２１】
以下、添付された図面を参照して、さらに実施形態を詳細に説明する。しかしながら、例示的な実施形態は様々な形で実施することができ、且つ本明細書に記載された実施形態のみに限定されると解釈すべきではなく、むしろ、これらの実施形態の提供により、本発明を全体的且つ完全的に開示されることでき、且つ例示的な本実施形態の構想を完全に当業者に伝えるようになっている。図においては、明らかするために、かかる領域及び層の厚さを誇張した。図面において、同一の符号は同一または類似の構造を示しているため、その詳細な説明を省略する。
【００２２】
説明された特徴、構造、または特性は、何れの適宜な方式で１つ又はそれ以上の実施形態に組み合わせることができる。以下の説明において、本発明の実施形態を十分に理解できるように、多くの具体的な詳細が提供される。しかしながら、当業者は、前記の特定の詳細の１つまたは複数がなくて本発明に係る技術案を実施でき、または他の方法、コンポーネント、材料などを使用することもできることが理解できる。他の場合、本発明の各態様を不明瞭にすることを避けるため、周知の構造、材料、または動作に関する詳細な説明または表示を行わない。
【００２３】
ここで、図２を参照して、本発明の一実施形態に係るＯＬＥＤ表示装置について説明する。
【００２４】
図２に示すように、  ＯＬＥＤ表示装置１００は基板１０２を有する。基板１０２は、ガラス、プラスチック、またはセラミックスの透明絶縁材料を含むことができる。
【００２５】
基板１０２に、平坦化層１０４が配置されている。平坦化層１０４は、例えば、スピンコート法により形成されることができる。平坦化層１０４の材料は、例えば、フォトレジスト材料、またはスピンオンガラス（ｓｐｉｎ  ｏｎ  ｇｌａｓｓ：ＳＯＧ  ）であり、且つ、該材料は、いずれも、フォトリソグラフィー・プロセスに用いられることができる。
【００２６】
平坦化層１０４に、複数の互いに間隔をあけた湾曲部１０４ａが配置され、湾曲部１０４ａは平坦化層１０４に形成される凸出部であり、湾曲部１０４ａの一断面が全体として弧状の輪郭を有する。湾曲部１０４ａは、平坦化層１０４に対してフォトリソグラフィー、現像工程、またはエッチング工程を行い、ベーキング・硬化を行った後に形成されたものであってもよく、例えば、グレースケールマスクを用いてフォトリソグラフィーまたはエッチングを行ってもよい。湾曲部１０４ａと平坦化層１０４は、同じ材料を含んでもよく、または一体的に形成されてもよい。湾曲部１０４ａは、フォトレジスト材料を含んでもよい。
【００２７】
平坦化層１０４に複数の発光ユニット１０６が配置され、各発光ユニット１０６は、湾曲部１０４ａに位置され且つ湾曲部１０４ａに対応する形状を有する。発光部１０６は、第１電極１０６ａ、発光構造１０６ｂ、及び第２電極１０６ｃを含む。
【００２８】
第１電極１０６ａは、大体的に平坦化層１０４の湾曲部１０４ａを被覆し、これにより、第１電極１０６ａにも、平坦化層１０４の湾曲部１０４ａに対応する湾曲表面を有する。第１電極は、陽極または陰極であってもよく、それに用いられる導電性材料として、例えば、アルミニウム、銀、マグネシウム、パラジウム、白金などの金属材料、または、酸化インジウムスズ（ＩＴＯ）、酸化インジウム亜鉛（ＩＺＯ）、酸化アルミニウム亜鉛（ＡＺＯ）、または酸化亜鉛（ＺｎＯ）のような金属酸化物などの透光材料が挙げられ、それらは、単独で用いてもよく、または組み合わせて用いてもよい。デバイスがボトムエミッションである場合、第１電極１０６ａは、例えばアルミニウム、銀、マグネシウム、パラジウム、白金のような金属材料を用いた時に、光透過率が５０％を超えるように、５〜２００オングストローム（A）の厚さを有することができる。デバイスがトップエミッションである場合、第１電極は、アルミニウム、銀、マグネシウム、パラジウム、白金などの金属材料、及び酸化インジウムスズ（ＩＴＯ）、酸化インジウム亜鉛（ＩＺＯ）、酸化アルミニウム亜鉛（ＡＺＯ）、または酸化亜鉛（ＺｎＯ）の金属酸化物を組み合わせて用いてもよく、１００〜３０００オングストローム（A）の厚さを有することができる。また、第１電極１０６ａの導電性材料は、スパッタリング法、電子ビーム蒸着法、熱蒸着法、化学気相蒸着法、及び噴霧熱分解法により形成される。
【００２９】
第１電極１０６ａには、発光構造１０６ｂと第２電極１０６ｃが配置され、発光構造１０６ｂと第２電極１０６ｃは、いずれも、平坦化層１０４の湾曲部１０４ａに対応する湾曲表面を有する。
【００３０】
発光構造１０６ｂは、電子注入層、電子輸送層、発光層、正孔輸送層、及び正孔注入層を含んでもよく、その中、電子注入層は、酸化リチウム、酸化ホウ素リチウム、酸化ケイ素カリウム、炭酸セシウム、または、例えばフッ化リチウム、フッ化カリウム、フッ化セシウムのようなアルカリ金属フッ化物から選ばれる１種であってもよい。
【００３１】
電子輸送層は、より高い電子移動度、より高いガラス転移温度、及び熱安定性を有することが求められ、且つ熱蒸発によって均一で微孔のない薄膜を形成することができ、オキサゾール誘導体、金属キレート化合物キノリン誘導体、キノキサリン誘導体、フェナジン誘導体、フェナントロリン誘導体、シリコン含有複素環式化合物のいずれかの１つである。
【００３２】
発光層は、有機材料または無機材料を含んでもよく、例えば、低分子材料、ポリマー材料または有機金属錯体であり、熱真空蒸着、スピンコーティング、インクジェット、レーザー転写、またはスクリーン印刷などの手段により形成される。
【００３３】
正孔輸送層は、より高い電子移動度および高い熱安定性を有し、且つ真空蒸着によってピンホールがない薄膜を形成できることが要求され、選択可能な正孔輸送材料は、例えば、ＴＰＤ、ＴＡＰＣ、ＮＰＢ、β−ＮＰＢ、α−ＮＰＤのような対状カップリングしたジアミン系化合物であり、ＴＤＡＢ、ＴＤＡＰＢ、ＰＴＤＡＴＡ、ｓｐｉｒｏ−ｍＴＴＢのようなトリフェニルアミン化合物であり、または、あるトリアリールアミンポリマー、カルバゾール系化合物における１種である。
【００３４】
正孔注入層は、陽極及び隣り合う正孔輸送層とのエネルギー準位のマッチング度が良好であることが要求され、ＣｕＰｃ、ＴＮＡＴＡ、ＰＥＤＯＴであってもよいが、これらのみに限定されない。１つの例示的な形態では、正孔注入層がＰ型ドープ構造を用い、正孔輸送材料に対して例えばＳｂＣｌ５、ＦｅＣｌ３、ヨウ素、Ｆ４−ＴＣＮＱまたはＴＢＡＨＡのような酸化剤をドープすることである。言うまでもなく、正孔注入を改善可能な構造であれば、量子井戸構造などの他の任意の構造を使用することができる。
【００３５】
第２電極１０６ｃは、陰極または陽極であってもよく、それに用いられる導電性材料として、例えば、アルミニウム、銀、マグネシウム、パラジウム、白金のような金属材料、または、酸化インジウムスズ、酸化インジウム亜鉛、酸化アルミニウム亜鉛、または酸化亜鉛のような金属酸化物などの透光材料が挙げられ、それらは、単独で用いられてもよく、組み合わせて用いられてもよく、スパッタリングまたは蒸着などによって形成されてもよい。
【００３６】
平坦化層１０４にさらに画素定義層１０８が配置され、第１電極１０６ａの曲面部１０４ａに対応する表面を露出させる。画素定義層１０８の材料として、例えば、酸化ケイ素、窒化ケイ素、酸窒化ケイ素、非導電性有機ポリマー、またはそれらの組み合わせが挙げられ、且つ物理的気相成長法、化学的気相成長法、及びスピンコート法により形成されることができる。画素定義層１０８は、平坦化層１０４上の湾曲部の外に位置され、且つ複数の発光ユニット１０６を隔離した。
【００３７】
このように、発光ユニット１０６における第１電極１０６ａ、発光構造１０６ｂ、及び第２電極１０６ｃは、いずれも湾曲部１０４ａに対応する形状を有しており、このような形態に設置することにより、発光ユニット１０６の発光面積を向上させることに寄与して発光輝度を高める。
【００３８】
ここで、図３を参照して、本発明に係る他の実施形態に係るＯＬＥＤ表示装置について説明する。
【００３９】
図３に示すように、  ＯＬＥＤ表示装置２００は基板２０２を有する。基板２０２の材料は、前記の実施形態と同じである。
【００４０】
基板２０２に、平坦化層２０４が配置されている。平坦化層２０４の材料とその形成方法は、前記の実施形態と同じである。
【００４１】
平坦化層２０４に、複数の互いに間隔をあけた湾曲部２０４ａが配置され、湾曲部２０４ａが平坦化層２０４上に形成される窪み部であり、湾曲部２０４ａの一断面が全体として弧状の輪郭を有する。湾曲部２０４ａは、例えば平坦化層２０４にフォトレジストを塗布させ、フォトレジストに対してフォトリソグラフィー、現像工程、またはエッチング工程を行い、そしてベーキング・硬化を行った後に形成されてもよく、例えば、グレースケールマスクを用いてフォトリソグラフィーまたはエッチングを行ってもよい。
【００４２】
平坦化層２０４に複数の発光ユニット２０６が配置され、各発光ユニット２０６は、湾曲部２０４ａに位置され且つ湾曲部２０４ａに対応する形状を有する。発光部２０６は、第１電極２０６ａ、発光構造２０６ｂ、及び第２電極２０６ｃを含む。
【００４３】
第１電極２０６ａは、大体的に平坦化層２０４の湾曲部２０４ａを被覆し、これにより、第１電極２０６ａも、平坦化層２０４の湾曲部２０４ａに対応する湾曲表面を有する。第１電極２０６ａの材料とその形成方法は、前記の実施形態と同じである。
【００４４】
第１電極２０６ａには、発光構造２０６ｂと第２電極２０６ｃが配置され、発光構造２０６ｂと第２電極２０６ｃは、いずれも、平坦化層２０４の湾曲部２０４ａに対応する湾曲表面を有する。発光構造２０６ｂ及び第２電極２０６ｃの材料とその形成方法は、前記の実施形態と同じである。
【００４５】
平坦化層２０４にさらに画素定義層２０８が配置され、第１電極２０６ａの湾曲部２０４ａの形状に対応する表面を露出させる。画素定義層２０８は、平坦化層２０４の湾曲部の外に位置しており、且つ複数の発光ユニット２０６を隔離する。画素定義層２０８の材料とその形成方法は、前記の実施形態と同じである。
【００４６】
このように、発光ユニット２０６における第１電極２０６ａ、発光構造２０６ｂ、及び第２電極２０６ｃは、いずれも湾曲部２０４ａに対応する形状を有しており、このような形態に設置することにより、発光ユニット２０６の発光面積を向上させることに寄与して発光輝度を高める。
【００４７】
ここで、図４を参照して、本発明に係る他の実施形態に係るＯＬＥＤ表示装置について説明する。
【００４８】
図４に示すように、  ＯＬＥＤ表示装置３００は基板３０２を有する。基板３０２の材料とその形成方法は、前記の実施形態と同じである。
【００４９】
基板３０２に、平坦化層３０４が配置されている。平坦化層３０４の材料とその形成方法は、前記の実施形態と同じである。
【００５０】
平坦化層３０４に、複数の互いに間隔をあけた湾曲部３０４ａが配置され、湾曲部３０４ａが多重の凹凸表面を有し、湾曲部３０４ａの一断面が全体として弧状の輪郭を有する。湾曲部３０４ａは、平坦化層３０４に対してフォトリソグラフィー、現像工程、またはエッチング工程を行い、ベーキング・硬化を行った後に形成されたものであってもよく、例えば、グレースケールマスクを用いてフォトリソグラフィーまたはエッチングを行ってもよい。
【００５１】
平坦化層３０４に複数の発光ユニット３０６が配置され、各発光ユニット３０６は、湾曲部３０４ａに位置され且つ湾曲部３０４ａに対応する形状を有する。発光ユニット３０６は、第１電極３０６ａ、発光構造３０６ｂ、及び第２電極３０６ｃを含む。
【００５２】
第１電極３０６ａは、大体的に平坦化層３０４の湾曲部３０４ａを被覆し、これにより、第１電極３０６ａも、平坦化層３０４の湾曲部３０４ａに対応する湾曲表面を有する。第１電極３０６の材料とその形成方法は、前記の実施形態と同じである。
【００５３】
第１電極３０６ａには、発光構造３０６ｂと第２電極３０６ｃが配置され、発光構造３０６ｂと第２電極３０６ｃは、いずれも、平坦化層３０４の湾曲部３０４ａに対応する湾曲表面を有する。発光構造３０６ｂ及び第２電極３０６ｃの材料とその形成方法は、前記の実施形態と同じである。
【００５４】
平坦化層３０４にさらに画素定義層３０８が配置され、第１電極３０６ａの湾曲部３０４ａの形状に対応する表面を露出させる。画素定義層３０８は、平坦化層３０４の湾曲部の外に位置しており、且つ複数の発光ユニット３０６を隔離する。画素定義層３０８の材料とその形成方法は、前記の実施形態と同じである。
【００５５】
このように、発光ユニット３０６における第１電極３０６ａ、発光構造３０６ｂ、及び第２電極３０６ｃは、いずれも湾曲部３０４ａに対応する形状を有しており、このような形態に設置することにより、発光ユニット３０６の発光面積を向上させることに寄与して発光輝度を高める。
【００５６】
ここで、図５を参照して、本発明に係る方法の一実施形態によりＯＬＥＤ発光装置を製造することについて説明する。
【００５７】
図５に示すように、まず、基板に平坦化層を形成する。基板は、ガラス、プラスチック、またはセラミックスの透明絶縁材料を含むことができる。平坦化層は、例えば、スピンコート法により形成されることができる。平坦化層の材料は、例えば、フォトレジスト材料、またはスピンオンガラス（ｓｐｉｎ  ｏｎ  ｇｌａｓｓ：  ＳＯＧ）である。
【００５８】
次に、平坦化層に湾曲部を形成する。湾曲部は、平坦化層に形成された突起部、窪み部であってもよく、または多重の凹凸表面を有してもよく、湾曲部の一断面が全体として弧状の輪郭を有する。湾曲部と平坦化層とは、同じ材料を含んでもよく、または一体的に形成されてもよい。湾曲部を形成する具体的な工程として、平坦化層にフォトレジスト層を形成し、そしてグレースケールマスクを用いてフォトリソグラフィー及び現像プロセスにより、フォトレジスト層に開口を形成し；表面処理プロセスを行い、フォトレジスト層をマスクとして用いて、フォトレジスト層に露出された平坦化層の表面に対して表面処理を行い、且つベーキング・硬化を行うことにより湾曲部を形成し、上記の表面処理プロセスは、例えば、プラズマエッチング・プロセス、または、適宜なマスク（例えば、グレースケール・マスク）を合わせたプラズマエッチング・プロセスなどの製作方法であるが、本発明はこれのみに限定されるものではない。例えば、平坦化層は、フォトレジスト材料を含んでもよく、グレースケールマスクを用い、フォトレジスト材料に対してフォトリソグラフィー・プロセスを行い、そして現像プロセスを行い、且つベーキング・硬化を行うことにより、前記湾曲部を得ることができる。その中、前記ベーキング・硬化は、フォトレジストを平らにすることで平滑な凹凸曲面を形成するように、１５０〜３５０℃のオーブンでベーキングすることが好ましい。
【００５９】
再び、第１電極を湾曲部に形成し、且つ湾曲部に対応する形状を有する。フォトレジスト層を除去した後、平坦化層の表面に１層の導電性材料が形成され、上記導電性材料は自然に平坦化層上に形成され、且つ湾曲部に充填され、次いで、この層の導電性材料をパターニングさせるように、フォトリソグラフィー及びエッチングプロセスを行い、平坦化層の表面の一部に導電性材料を残して発光装置の第１電極とする。第１電極は、大体的に平坦化層の湾曲部を被覆し、これにより、第１電極も、湾曲部に対応する形状を有する。ここで、第一電極の導電性材料として、例えば、アルミニウム、銀、マグネシウム、パラジウム、白金のような金属材料や、酸化インジウムスズ、酸化インジウム亜鉛、酸化アルミニウム亜鉛、または酸化亜鉛のような金属酸化物などの透光材料が挙げられ、これらは単独で又は組み合わせて使用することができる。デバイスがボトムエミッションである場合、第１電極１０６ａは、アルミニウム、銀、マグネシウム、パラジウム、白金のような金属材料を用いた時、光透過率が５０％を超えるように、５〜２００オングストローム（A）の厚さを有することが好ましい。デバイスがトップエミッションである場合、第１電極は、アルミニウム、銀、マグネシウム、パラジウム、白金などの金属材料、及び酸化インジウムスズ（ＩＴＯ）、酸化インジウム亜鉛（ＩＺＯ）、酸化アルミニウム亜鉛（ＡＺＯ）、または酸化亜鉛（ＺｎＯ）のような金属酸化物を組み合わせて用いてもよく、１００〜３０００オングストローム（A）の厚さを有することが好ましい。また、第１電極１０６ａの導電性材料は、スパッタリング法、電子ビーム蒸着法、熱蒸着法、化学気相蒸着法、及び噴霧熱分解法により形成されることができる。
【００６０】
続いて、平坦化層に画素定義層を形成し、画素定義層は、隣り合う湾曲部の間に位置され、且つ第１電極の少なくとも一部の表面を露出させる。画素定義層は、平坦化層の湾曲部の外に位置しており、且つ複数の発光ユニットを隔離する。画素定義層の材料は、例えば、酸化ケイ素、窒化ケイ素、酸窒化ケイ素、非導電性有機ポリマー、またはそれらの組み合わせであってもよく、且つ物理的気相成長法、化学的気相成長法、及びスピンコート法により形成されることができる。その後、フォトリソグラフィー及びエッチング工程により、フォトレジストパーターンを用いて、当該画素定義層をパターニングさせて陽極の湾曲した表面を露出する。
【００６１】
最後に、第１電極に、発光構造及び第２電極を順次に形成する。発光構造は、電子注入層、電子輸送層、発光層、正孔輸送層、及び正孔注入層を含んでおり、フォトリソグラフィー及びエッチング工程により、積層の発光構造及び陰極を形成する。  電子注入層は、酸化リチウム、酸化ホウ素リチウム、酸化ケイ素カリウム、炭酸セシウム、または、アルカリ金属フッ化物、例えばフッ化リチウム、フッ化カリウム、フッ化セシウムから選ばれる１種であってもよい。電子輸送層は、より高い電子移動度、より高いガラス転移温度、及び熱安定性を有することが要求され、且つ熱蒸発によって均一で微孔がない薄膜を形成することができ、オキサゾール誘導体、金属キレート化合物キノリン誘導体、キノキサリン誘導体、フェナジン誘導体、フェナントロリン誘導体、シリコン含有複素環式化合物のいずれかの１つである。発光層は、有機材料または無機材料を含んでもよく、例えば、低分子材料、ポリマー材料または有機金属錯体であり、熱真空蒸着、スピンコーティング、インクジェット、レーザー転写、またはスクリーン印刷などの手段により形成される。正孔輸送層は、より高い電子移動度および高い熱安定性を有し、且つ真空蒸着によってピンホールがない薄膜が形成されることが要求され、選択可能な正孔輸送材料は、例えば、ＴＰＤ、ＴＡＰＣ、ＮＰＢ、β−ＮＰＢ、α−ＮＰＤのような対状カップリングしたジアミン系化合物であり、ＴＤＡＢ、ＴＤＡＰＢ、ＰＴＤＡＴＡ、ｓｐｉｒｏ−ｍＴＴＢのようなトリフェニルアミン化合物であり、または、あるトリアリールアミンポリマー、カルバゾール系化合物における１種である。正孔注入層は、陽極及び隣り合う正孔輸送層とのエネルギー準位のマッチング度が良好であることが要求され、  ＣｕＰｃ、ＴＮＡＴＡ、ＰＥＤＯＴであってもよいが、これらのみに限定されない。１つの例示的な形態では、正孔注入層がＰ型ドープ構造を用い、正孔輸送材料に対して例えばＳｂＣｌ５、ＦｅＣｌ３、ヨウ素、Ｆ４−ＴＣＮＱまたはＴＢＡＨＡのような酸化剤をドープする。言うまでもなく、正孔注入を改善可能な構造であれば、量子井戸構造などの他の任意の構造を使用することができる。第２電極の導電性材料は、例えば、アルミニウム、銀、マグネシウム、パラジウム、白金のような金属材料、または、酸化インジウムスズ、酸化インジウム亜鉛、酸化アルミニウム亜鉛、または酸化亜鉛のような金属酸化物などの透光材料が挙げられ、それらは、単独で用いてもよく、または組み合わせて用いてもよく、スパッタリングまたは蒸着などによって形成されてもよい。
【００６２】
上記を纏めて言えば、本発明は、発光ユニットと平坦化層との接触している部位に湾曲部を配置し、発光ユニットを平坦な表面から湾曲表面に変更し、有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）の開口率を大幅に向上させ、発光面積を増大することにより、有機発光ダイオードの発光輝度を向上させ、消費電力を低減し、そして製品の寿命を延ばした。
【００６３】
当業者は、以下のようなことに留意すべきである。すなわち、本発明に係る実施形態は、単なる例示に過ぎず、本発明の範囲内において、様々な他の置換、変更および改良を行うことができる。したがって、本発明は、上記の実施形態に限定されるものではなく、特許の請求範囲のみによって限定されるものである。
【符号の説明】
【００６４】
１００、２００、３００：    ＯＬＥＤ発光装置
１、１０２、２０２、３０２：    基板
２、１０４、２０４、３０４：    平坦化層
１０４ａ、２０４ａ、３０４ａ：    湾曲部
３、１０６、２０６、３０６：    発光ユニット
１０６ａ、２０６ａ、３０６ａ：    第１電極
１０６ｂ、２０６ｂ、３０６ｂ：    発光構造
１０６ｃ、２０６ｃ、３０６ｃ：    第２電極
４、１０８、２０８、３０８：    画素定義層
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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