(57)【要約】【課題】搬送装置の搬送距離に関わらず、基板と基板支持部とのずれが低減するように基板支持部に基板を搬送可能な基板処理装置および基板処理方法を提供する。【解決手段】アライナＡＬによる基板Ｗの位置の調整のために１または複数のスピンチャック２５に対応する１または複数の補正情報が予め取得され、メモリに記憶される。各補正情報は、搬送機構１２７によりアライナＡＬから各スピンチャック２５へ基板Ｗが搬送される場合に搬送後の基板Ｗの中心ＷＣが当該スピンチャック２５の回転中心２５Ｃと一致するために、アライナＡＬにより調整されるべき位置を表す。基板Ｗの処理時に、アライナＡＬからいずれかのスピンチャック２５へ基板Ｗが搬送される前に、メモリに記憶された当該スピンチャック２５に対応する補正情報に基づいて、アライナＡＬにより基板Ｗの位置が調整される。【選択図】図１０
2015211206.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板に処理を行う基板処理装置であって、
予め設定された基準位置を有し、基板を支持する１または複数の基板支持部と、
搬入された基板の位置を調整可能に構成される位置調整部と、
前記位置調整部と前記１または複数の基板支持部との間で基板を搬送可能に構成される搬送装置と、
前記位置調整部による基板の位置の調整のために前記１または複数の基板支持部に対応して予め取得された１または複数の補正情報を記憶する記憶部と、
基板の処理時に、前記位置調整部から前記１または複数の基板支持部のうち一の基板支持部へ基板が搬送される前に、前記記憶部に記憶された前記１または複数の補正情報のうち前記一の基板支持部に対応する補正情報に基づいて、基板の位置を調整するように前記位置調整部を制御する制御部とを備え、
前記１または複数の補正情報の各々は、前記搬送装置により前記位置調整部から前記１または複数の基板支持部の各々へ基板が搬送される場合に搬送後の基板の中心が当該基板支持部における前記基準位置と一致するために、前記位置調整部により調整されるべき位置を表す、基板処理装置。
【請求項２】
前記１または複数の補正情報の各々は、前記１または複数の基板支持部の各々への基板の搬送前に前記位置調整部において基板の中心が一致すべき位置を補正位置として含み、
前記制御部は、前記一の基板支持部への基板の搬送前に前記一の基板支持部に対応する補正位置に基板の中心が一致するように前記位置調整部を制御する、請求項１記載の基板処理装置。
【請求項３】
前記１または複数の基板支持部の各々は、基板を水平姿勢で保持して回転軸の周りで回転させる第１の回転保持装置を含み、
前記位置調整部は、基準軸を有するとともに、搬入された基板の中心と前記基準軸とのずれ量を検出するように構成され、
前記制御部は、補正情報取得時に、前記位置調整部から各基板支持部へ基板が搬送されるように前記搬送装置を制御し、前記搬送された基板が所定の角度だけ回転されるように前記第１の回転保持装置を制御し、当該基板支持部から前記位置調整部へ基板が搬送されるように前記搬送装置を制御し、前記位置調整部から各基板支持部への搬送前に前記位置調整部により検出されたずれ量を第１のずれ量として検出し、当該基板支持部から前記位置調整部への搬送後に前記位置調整部により検出されたずれ量を第２のずれ量として検出し、前記第１および第２のずれ量に基づいて補正位置を算出し、
前記記憶部は、前記制御部により前記１または複数の基板支持部に対応して算出された１または複数の補正位置を前記１または複数の補正情報として記憶する、請求項２記載の基板処理装置。
【請求項４】
前記所定の角度は１８０度である、請求項３記載の基板処理装置。
【請求項５】
前記１または複数の基板支持部の各々は、基板の処理時に、前記第１の回転保持装置により回転される基板に処理を行うように構成される、請求項３または４記載の基板処理装置。
【請求項６】
前記１または複数の基板支持部の各々は、基板の中心の位置を前記基準位置に導く案内機構を含み、
前記位置調整部は、基準軸を有するとともに、搬入された基板の中心と前記基準軸とのずれ量を検出するように構成され、
補正情報取得時に、前記１または複数の基板支持部の各々において前記案内機構により基板の中心の位置が前記基準位置に導かれ、
前記制御部は、前記補正情報取得時に、前記１または複数の基板支持部の各々から前記位置調整部へ基板が搬送されるように前記搬送装置を制御し、当該基板支持部から前記位置調整部への搬送後に前記位置調整部により検出されたずれ量を取得し、前記取得されたずれ量に基づいて補正位置を算出し、
前記記憶部は、前記制御部により前記１または複数の基板支持部に対応して算出された１または複数の補正位置を前記１または複数の補正情報として記憶する、請求項２記載の基板処理装置。
【請求項７】
前記１または複数の基板支持部の各々は、基板の処理時に、基板に温度処理を行うように構成される、請求項６記載の基板処理装置。
【請求項８】
前記位置調整部は、
基板を保持する基板保持部と、
前記基板保持部を前記基準軸に垂直な二次元方向に移動させる移動装置と、
前記基板保持部により保持される基板の外周部の位置を検出する位置検出器とを含み、
前記制御部は、前記基板の処理時における前記一の基板支持部への基板の搬送前に、前記位置検出器により検出された基板の外周部の位置に基づいて基板の中心の位置を算出し、算出された基板の中心の位置に基づいて前記一の基板支持部に対応する補正位置に前記基板保持部により保持される基板の中心が一致するように前記移動装置を制御する、請求項２〜７のいずれか一項に記載の基板処理装置。
【請求項９】
前記１または複数の基板保持部の各々は、予め設定された基準方向を有し、
前記位置調整部は、搬入された基板の方向を調整可能に構成され、
前記１または複数の補正情報の各々は、前記位置調整部から前記１または複数の基板支持部の各々へ基板が搬送される場合に搬送後の基板の方向が当該基板支持部における前記基準方向と一致するために、前記位置調整部により調整されるべき方向を含む、請求項２〜７のいずれか一項に記載の基板処理装置。
【請求項１０】
前記１または複数の補正情報の各々は、前記１または複数の基板支持部の各々への基板の搬送前に前記位置調整部において基板のノッチの方向が一致すべき方向を補正方向として含み、
前記制御部は、前記一の基板支持部への基板の搬送前に、前記一の基板支持部に対応する補正方向に基板のノッチの方向が一致するように前記位置調整部を制御する、請求項９記載の基板処理装置。
【請求項１１】
前記位置調整部は、
基板を水平姿勢で保持して回転軸の周りで回転させる第２の回転保持装置と、
前記第２の回転保持装置を前記基準軸に垂直な二次元方向に移動させる移動装置と、
前記第２の回転保持装置により回転される基板の外周部の位置を検出する位置検出器とを含み、
前記制御部は、前記基板の処理時における前記一の基板支持部への基板の搬送前に、前記位置検出器により検出された基板の外周部の位置に基づいて基板の中心の位置および基板のノッチの方向を算出し、算出された基板の中心の位置および算出された基板のノッチの方向に基づいて前記一の基板支持部に対応する補正位置に前記第２の回転保持装置により保持される基板の中心が一致するとともに前記一の基板支持部に対応する補正方向に前記第２の回転保持装置により保持される基板のノッチの方向が一致するように前記第２の回転保持装置および前記移動装置を制御する、請求項１０記載の基板処理装置。
【請求項１２】
基板に処理を行う基板処理方法であって、
位置調整部による基板の位置の調整のために１または複数の基板支持部に対応して予め取得された１または複数の補正情報を記憶部に記憶するステップと、
基板の処理時に、前記位置調整部から前記１または複数の基板支持部のうち一の基板支持部へ基板が搬送される前に、前記記憶部に記憶された前記１または複数の補正情報のうち前記一の基板支持部に対応する補正情報に基づいて、前記位置調整部により基板の位置を調整するステップと、
前記位置調整部により位置が調整された基板を搬送装置により前記一の基板支持部に搬送するステップとを含み、
前記１または複数の補正情報の各々は、前記搬送装置により前記位置調整部から前記１または複数の基板支持部の各々へ基板が搬送される場合に搬送後の基板の中心が当該基板支持部における基準位置と一致するために、前記位置調整部により調整されるべき位置を表す、基板処理方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、基板処理装置および基板処理方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体基板、液晶表示装置用基板、プラズマディスプレイ用基板、光ディスク用基板、磁気ディスク用基板、光磁気ディスク用基板またはフォトマスク用基板等の各種基板に種々の処理を行うために、基板処理装置が用いられている。このような基板処理装置においては、複数の基板が搬送装置により処理部の所定の基板支持部に順次搬送される。処理部は、基板支持部に搬送された基板に所定の処理を行う。基板の処理精度を向上させるために、基板の中心が基板支持部の所望の位置に正確に一致した状態で基板が基板支持部に支持されることが望まれる。
【０００３】
特許文献１に記載された基板処理装置においては、搬送装置にティーチングが行われることにより、基板が支持されるべき基板支持部の位置と実際に基板が支持される位置とのずれが解消される。ティーチングにおいては、光センサを備える治具が搬送装置のアームに保持される。ここで、基板支持部には、３本のピンが形成されている。アームに保持された治具は、３本のピンに対して所定の相対的位置関係になるまで近接される。この状態で、アームが所定の複数の方向に移動されることにより、３本のピンのうち２本のピンの位置が治具の光センサにより位置情報として検出される。検出された位置情報に基づいて、アームがアクセスする基板支持部の位置が設定される。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開平１１−１６３０８３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
特許文献１のようなティーチングを搬送装置に行った場合でも、搬送装置の搬送距離が大きい場合には、基板と基板支持部とのずれが大きくなることがある。
【０００６】
本発明の目的は、搬送装置の搬送距離に関わらず、基板と基板支持部とのずれが低減するように基板支持部に基板を搬送可能な基板処理装置および基板処理方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
（１）第１の発明に係る基板処理装置は、基板に処理を行う基板処理装置であって、予め設定された基準位置を有し、基板を支持する１または複数の基板支持部と、搬入された基板の位置を調整可能に構成される位置調整部と、位置調整部と１または複数の基板支持部との間で基板を搬送可能に構成される搬送装置と、位置調整部による基板の位置の調整のために１または複数の基板支持部に対応して予め取得された１または複数の補正情報を記憶する記憶部と、基板の処理時に、位置調整部から１または複数の基板支持部のうち一の基板支持部へ基板が搬送される前に、記憶部に記憶される１または複数の補正情報のうち一の基板支持部に対応する補正情報に基づいて、基板の位置を調整するように位置調整部を制御する制御部とを備え、１または複数の補正情報の各々は、搬送装置により位置調整部から１または複数の基板支持部の各々へ基板が搬送される場合に搬送後の基板の中心が当該基板支持部における基準位置と一致するために、位置調整部により調整されるべき位置を表す。
【０００８】
この基板処理装置においては、位置調整部による基板の位置の調整のために１または複数の基板支持部に対応する１または複数の補正情報が予め取得され、記憶部に記憶される。１または複数の補正情報の各々は、搬送装置により位置調整部から１または複数の基板支持部の各々へ基板が搬送される場合に搬送後の基板の中心が当該基板支持部における基準位置と一致するために、位置調整部により調整されるべき位置を表す。
【０００９】
基板の処理時に、位置調整部から１または複数の基板支持部のうち一の基板支持部へ基板が搬送される前に、記憶部に記憶された１または複数の補正情報のうち一の基板支持部に対応する補正情報に基づいて、位置調整部により基板の位置が調整される。位置調整部により位置が調整された基板が搬送装置により一の基板支持部に搬送される。
【００１０】
この構成によれば、位置調整部による基板の位置の調整のための１または複数の補正情報が予め取得され、記憶部に記憶されている。そのため、基板の中心と各基板支持部の基準位置とを一致させるための位置合わせが基板の搬送前に位置調整部により行われる。それにより、基板の処理時に、搬送装置により一の基板支持部に搬送された基板は、その中心が当該基板支持部における基準位置と一致した状態で当該基板支持部により支持される。この場合、搬送装置に基板の中心と当該基板支持部の基準位置とを一致させるためのティーチングを行う必要がない。そのため、従来作業者がティーチング作業に要していた多大な時間を削減することができ、基板処理装置の稼動効率を向上させることができる。また、搬送装置の搬送距離に関わらず、基板と各基板支持部とのずれが低減するように各基板支持部に基板を搬送することができる。
【００１１】
（２）１または複数の補正情報の各々は、１または複数の基板支持部の各々への基板の搬送前に位置調整部において基板の中心が一致すべき位置を補正位置として含み、制御部は、一の基板支持部への基板の搬送前に一の基板支持部に対応する補正位置に基板の中心が一致するように位置調整部を制御してもよい。
【００１２】
この場合、基板の搬送前に一の基板支持部に対応する補正位置に基板の中心が一致するように基板の位置が調整される。それにより、基板の中心と一の基板支持部の基準位置とが一致するように当該基板支持部に基板を搬送することができる。
【００１３】
（３）１または複数の基板支持部の各々は、基板を水平姿勢で保持して回転軸の周りで回転させる第１の回転保持装置を含み、位置調整部は、基準軸を有するとともに、搬入された基板の中心と基準軸とのずれ量を検出するように構成され、制御部は、補正情報取得時に、位置調整部から各基板支持部へ基板が搬送されるように搬送装置を制御し、搬送された基板が所定の角度だけ回転されるように第１の回転保持装置を制御し、当該基板支持部から位置調整部へ基板が搬送されるように搬送装置を制御し、位置調整部から各基板支持部への搬送前に位置調整部により検出されたずれ量を第１のずれ量として検出し、当該基板支持部から位置調整部への搬送後に位置調整部により検出されたずれ量を第２のずれ量として検出し、第１および第２のずれ量に基づいて補正位置を算出し、記憶部は、制御部により１または複数の基板支持部に対応して算出された１または複数の補正位置を１または複数の補正情報として記憶してもよい。
【００１４】
この場合、第１の回転保持装置により回転される前および後の基板の中心と基準軸とのずれ量を第１および第２のずれ量として容易に検出することができる。また、第１および第２のずれ量に基づいて、幾何学的な演算により補正位置を算出することができる。その結果、基板の処理の前の補正情報取得時に予め１または複数の補正情報を取得し、記憶部に記憶させることができる。
【００１５】
（４）所定の角度は１８０度であってもよい。この場合、第１および第２のずれ量に基づいて補正位置を容易に算出することができる。
【００１６】
（５）１または複数の基板支持部の各々は、基板の処理時に、第１の回転保持装置により回転される基板に処理を行うように構成されてもよい。
【００１７】
この場合、基板の中心と各基板支持部の基準位置とが一致した状態で第１の回転保持装置により回転される基板に処理が行われる。これにより、基板の処理の精度を向上させることができる。
【００１８】
（６）１または複数の基板支持部の各々は、基板の中心の位置を基準位置に導く案内機構を含み、位置調整部は、基準軸を有するとともに、搬入された基板の中心と基準軸とのずれ量を検出するように構成され、補正情報取得時に、１または複数の基板支持部の各々において案内機構により基板の中心の位置が基準位置に導かれ、制御部は、補正情報取得時に、１または複数の基板支持部の各々から位置調整部へ基板が搬送されるように搬送装置を制御し、当該基板支持部から位置調整部への搬送後に位置調整部により検出されたずれ量を取得し、取得されたずれ量に基づいて補正位置を算出し、記憶部は、制御部により１または複数の基板支持部に対応して算出された１または複数の補正位置を１または複数の補正情報として記憶してもよい。
【００１９】
この場合、補正情報取得時に、案内機構により基板の中心の位置が基準位置に導かれた状態で基板が支持される。そのため、当該基板が位置調整部へ搬送されることにより、容易に補正位置を算出することができる。それにより、基板の処理の前の補正情報取得時に予め１または複数の補正情報を取得し、記憶部に記憶させることができる。
【００２０】
（７）１または複数の基板支持部の各々は、基板の処理時に、基板に温度処理を行うように構成されてもよい。
【００２１】
この場合、基板の中心と各基板支持部の基準位置とが一致した状態で基板に温度処理が行われる。これにより、基板の温度処理の精度を向上させることができる。
【００２２】
（８）位置調整部は、基板を保持する基板保持部と、基板保持部を基準軸に垂直な二次元方向に移動させる移動装置と、基板保持部により保持される基板の外周部の位置を検出する位置検出器とを含み、制御部は、基板の処理時における一の基板支持部への基板の搬送前に、位置検出器により検出された基板の外周部の位置に基づいて基板の中心の位置を算出し、算出された基板の中心の位置に基づいて一の基板支持部に対応する補正位置に基板保持部により保持される基板の中心が一致するように移動装置を制御してもよい。
【００２３】
この場合、簡単な構成で基板の中心の位置を算出するとともに、基板の中心の位置を各補正位置に一致させることができる。
【００２４】
（９）１または複数の基板保持部の各々は、予め設定された基準方向を有し、位置調整部は、搬入された基板の方向を調整可能に構成され、１または複数の補正情報の各々は、位置調整部から１または複数の基板支持部の各々へ基板が搬送される場合に搬送後の基板の方向が当該基板支持部における基準方向と一致するために、位置調整部により調整されるべき方向を含んでもよい。
【００２５】
この場合、基板の方向と各基板支持部の基準方向とを一致させるための位置合わせが基板の搬送前に位置調整部により行われる。それにより、搬送装置は、基板の向きと各基板支持部の基準方向とが一致するように各基板支持部に基板を搬送することができる。その結果、複数の基板の処理の精度を均一にすることができる。
【００２６】
（１０）１または複数の補正情報の各々は、１または複数の基板支持部の各々への基板の搬送前に位置調整部において基板のノッチの方向が一致すべき方向を補正方向として含み、制御部は、一の基板支持部への基板の搬送前に、一の基板支持部に対応する補正方向に基板のノッチの方向が一致するように位置調整部を制御してもよい。
【００２７】
この場合、基板の搬送前に一の基板支持部に対応する補正方向に基板のノッチの方向が一致するように基板の位置が調整される。それにより、基板のノッチの方向と一の基板支持部の基準方向とが一致するように当該基板支持部に基板を搬送することができる。
【００２８】
（１１）位置調整部は、基板を水平姿勢で保持して回転軸の周りで回転させる第２の回転保持装置と、第２の回転保持装置を基準軸に垂直な二次元方向に移動させる移動装置と、第２の回転保持装置により回転される基板の外周部の位置を検出する位置検出器とを含み、制御部は、基板の処理時における一の基板支持部への基板の搬送前に、位置検出器により検出された基板の外周部の位置に基づいて基板の中心の位置および基板のノッチの方向を算出し、算出された基板の中心の位置および算出された基板のノッチの方向に基づいて一の基板支持部に対応する補正位置に第２の回転保持装置により保持される基板の中心が一致するとともに一の基板支持部に対応する補正方向に第２の回転保持装置により保持される基板のノッチの方向が一致するように第２の回転保持装置および移動装置を制御してもよい。
【００２９】
この場合、簡単な構成で基板の中心の位置を算出するとともに、基板の中心の位置を各補正位置に一致させ、かつ基板のノッチの方向を各補正方向に一致させることができる。
【００３０】
（１２）第２の発明に係る基板処理方法は、基板に処理を行う基板処理方法であって、位置調整部による基板の位置の調整のために１または複数の基板支持部に対応して予め取得された１または複数の補正情報を記憶部に記憶するステップと、基板の処理時に、位置調整部から１または複数の基板支持部のうち一の基板支持部へ基板が搬送される前に、記憶部に記憶される１または複数の補正情報のうち一の基板支持部に対応する補正情報に基づいて、位置調整部により基板の位置を調整するステップと、位置調整部により位置が調整された基板を搬送装置により一の基板支持部に搬送するステップとを含み、１または複数の補正情報の各々は、搬送装置により位置調整部から１または複数の基板支持部の各々へ基板が搬送される場合に搬送後の基板の中心が当該基板支持部における基準位置と一致するために、位置調整部により調整されるべき位置を表す。
【００３１】
この基板処理方法においては、位置調整部による基板の位置の調整のために１または複数の基板支持部に対応する１または複数の補正情報が予め取得され、記憶部に記憶される。１または複数の補正情報の各々は、搬送装置により位置調整部から１または複数の基板支持部の各々へ基板が搬送される場合に搬送後の基板の中心が当該基板支持部における基準位置と一致するために、位置調整部により調整されるべき位置を表す。
【００３２】
基板の処理時に、位置調整部から１または複数の基板支持部のうち一の基板支持部へ基板が搬送される前に、記憶部に記憶された１または複数の補正情報のうち一の基板支持部に対応する補正情報に基づいて、位置調整部により基板の位置が調整される。位置調整部により位置が調整された基板が搬送装置により一の基板支持部に搬送される。
【００３３】
この構成によれば、位置調整部による基板の位置の調整のための１または複数の補正情報が予め取得され、記憶部に記憶されている。そのため、基板の中心と各基板支持部の基準位置とを一致させるための位置合わせが基板の搬送前に位置調整部により行われる。それにより、基板の処理時に、搬送装置により一の基板支持部に搬送された基板は、その中心が当該基板支持部における基準位置と一致した状態で当該基板支持部により支持される。この場合、搬送装置に基板の中心と当該基板支持部の基準位置とを一致させるためのティーチングを行う必要がない。そのため、従来作業者がティーチング作業に要していた多大な時間を削減することができ、基板処理装置の稼動効率を向上させることができる。また、搬送装置の搬送距離に関わらず、基板と各基板支持部とのずれが低減するように各基板支持部に基板を搬送することができる。
【発明の効果】
【００３４】
本発明によれば、搬送装置の搬送距離に関わらず、基板と基板支持部とのずれが低減するように基板支持部に基板を搬送することができる。
【図面の簡単な説明】
【００３５】
【図１】基板処理装置の構成を示す模式的平面図である。
【図２】主として図１の塗布処理部、現像処理部および洗浄乾燥処理部を示す基板処理装置の模式的側面図である。
【図３】主として図１の熱処理部および洗浄乾燥処理部を示す基板処理装置の模式的側面図である。
【図４】主として図１の搬送部を示す側面図である。
【図５】アライナの構成について説明するための模式的斜視図である。
【図６】基板が保持された状態における図５のアライナの平面図である。
【図７】アライナの制御系の構成を示すブロック図である。
【図８】ラインセンサの出力信号に基づいて取得される位置データの一例を示す図である。
【図９】アライナと複数のスピンチャックとの関係を示すブロック図である。
【図１０】補正情報を取得する手順を説明するための図である。
【図１１】補正情報を取得する手順を説明するための図である。
【図１２】補正情報を取得する手順を説明するための図である。
【図１３】補正情報を取得する手順を説明するための図である。
【図１４】第１の処理ブロックによる基板処理における基板の位置合わせについて説明するための図である。
【図１５】第１の処理ブロックによる基板処理における基板の位置合わせについて説明するための図である。
【図１６】第１の処理ブロックによる基板処理における基板の位置合わせについて説明するための図である。
【図１７】熱処理ユニットの構成を示す図である。
【図１８】第２の実施の形態における補正情報を取得する手順を説明するための図である。
【図１９】第２の実施の形態における補正情報を取得する手順を説明するための図である。
【発明を実施するための形態】
【００３６】
［１］第１の実施の形態
以下、第１の実施の形態に係る基板処理装置について図面を用いて説明する。なお、以下の説明において、基板とは、半導体基板、液晶表示装置用基板、プラズマディスプレイ用基板、光ディスク用基板、磁気ディスク用基板、光磁気ディスク用基板またはフォトマスク用基板等をいう。
【００３７】
また、本実施の形態で用いられる基板は、少なくとも一部が円形の外周部を有する。例えば、位置決め用のノッチを除く外周部が円形を有する。
【００３８】
（１）全体構成
図１は、基板処理装置１００の構成を示す模式的平面図である。図１および図２以降の図には、必要に応じて位置関係を明確にするために互いに直交するＸ方向、Ｙ方向およびＺ方向を示す矢印を付している。Ｘ方向およびＹ方向は水平面内で互いに直交し、Ｚ方向は鉛直方向に相当する。
【００３９】
図１に示すように、基板処理装置１００は、インデクサブロック１１、第１の処理ブロック１２、第２の処理ブロック１３、洗浄乾燥処理ブロック１４Ａおよび搬入搬出ブロック１４Ｂを備える。洗浄乾燥処理ブロック１４Ａおよび搬入搬出ブロック１４Ｂにより、インターフェイスブロック１４が構成される。搬入搬出ブロック１４Ｂに隣接するように露光装置１５が配置される。露光装置１５においては、液浸法により基板Ｗに露光処理が行われる。
【００４０】
インデクサブロック１１は、複数のキャリア載置部１１１および搬送部１１２を含む。各キャリア載置部１１１には、複数の基板Ｗを多段に収納するキャリア１１３が載置される。搬送部１１２には、制御部１１４および搬送機構１１５が設けられる。制御部１１４は、基板処理装置１００の種々の構成要素を制御する。搬送機構１１５は、基板Ｗを保持して搬送する。
【００４１】
搬送部１１２の側面には、メインパネルＰＮが設けられる。メインパネルＰＮは、メインコントローラ１１４に接続されている。ユーザは、基板処理装置１００における基板Ｗの処理状況等をメインパネルＰＮで確認することができる。メインパネルＰＮの近傍には、例えばキーボードからなる図示しない操作部が設けられている。ユーザは、操作部を操作することにより、基板処理装置１００の動作設定等を行うことができる。
【００４２】
第１の処理ブロック１２は、塗布処理部１２１、搬送部１２２および熱処理部１２３を含む。塗布処理部１２１および熱処理部１２３は、搬送部１２２を挟んで対向するように設けられる。後述のように、搬送部１２２と搬送部１１２との間には、基板Ｗが載置される基板載置部ＰＡＳＳ１および後述する基板載置部ＰＡＳＳ２〜ＰＡＳＳ４（図４参照）が設けられる。搬送部１２２には、基板Ｗを搬送する搬送機構１２７および後述する搬送機構１２８（図４参照）が設けられる。
【００４３】
第２の処理ブロック１３は、現像処理部１３１、搬送部１３２および熱処理部１３３を含む。現像処理部１３１および熱処理部１３３は、搬送部１３２を挟んで対向するように設けられる。搬送部１３２と搬送部１２２との間には、基板Ｗが載置される基板載置部ＰＡＳＳ５および後述する基板載置部ＰＡＳＳ６〜ＰＡＳＳ８（図４参照）が設けられる。搬送部１３２には、基板Ｗを搬送する搬送機構１３７および後述する搬送機構１３８（図４参照）が設けられる。
【００４４】
洗浄乾燥処理ブロック１４Ａは、洗浄乾燥処理部１６１，１６２および搬送部１６３を含む。洗浄乾燥処理部１６１，１６２は、搬送部１６３を挟んで対向するように設けられる。搬送部１６３には、搬送機構１４１，１４２が設けられる。搬送部１６３と搬送部１３２との間には、載置兼バッファ部Ｐ−ＢＦ１および後述の載置兼バッファ部Ｐ−ＢＦ２（図４参照）が設けられる。載置兼バッファ部Ｐ−ＢＦ１，Ｐ−ＢＦ２は、複数の基板Ｗを収容可能に構成される。
【００４５】
また、搬送機構１４１，１４２の間において、搬入搬出ブロック１４Ｂに隣接するように、基板載置部ＰＡＳＳ９および後述の載置兼冷却部Ｐ−ＣＰ（図４参照）が設けられる。載置兼冷却部Ｐ−ＣＰは、基板Ｗを冷却する機能を備える。載置兼冷却部Ｐ−ＣＰにおいて、基板Ｗが露光処理に適した温度に冷却される。
【００４６】
搬入搬出ブロック１４Ｂには、搬送機構１４６が設けられる。搬送機構１４６は、露光装置１５に対する基板Ｗの搬入および搬出を行う。露光装置１５には、基板Ｗを搬入するための基板搬入部１５ａおよび基板Ｗを搬出するための基板搬出部１５ｂが設けられる。
【００４７】
（２）塗布処理部および現像処理部の構成
図２は、主として図１の塗布処理部１２１、現像処理部１３１および洗浄乾燥処理部１６１を示す基板処理装置１００の模式的側面図である。
【００４８】
図２に示すように、塗布処理部１２１には、塗布処理室２１，２２，２３，２４が階層的に設けられる。現像処理部１３１には、現像処理室３１，３２，３３，３４が階層的に設けられる。塗布処理室２１〜２４の各々には、塗布処理ユニット１２９が設けられる。現像処理室３１〜３４の各々には、現像処理ユニット１３９が設けられる。
【００４９】
各塗布処理ユニット１２９は、基板Ｗを保持するスピンチャック２５およびスピンチャック２５の周囲を覆うように設けられるカップ２７を備える。本実施の形態では、各塗布処理ユニット１２９に２組のスピンチャック２５およびカップ２７が設けられる。スピンチャック２５は、図示しない駆動装置（例えば、電動モータ）により回転駆動される。また、図１に示すように、各塗布処理ユニット１２９は、処理液を吐出する複数の処理液ノズル２８およびそれらの処理液ノズル２８を移動させるノズル搬送機構２９を備える。
【００５０】
塗布処理ユニット１２９においては、図示しない駆動装置によりスピンチャック２５が回転されるとともに、複数の処理液ノズル２８のうちのいずれかの処理液ノズル２８がノズル搬送機構２９により基板Ｗの上方に移動され、その処理液ノズル２８から処理液が吐出される。これにより、基板Ｗ上に処理液が塗布される。また、図示しないエッジリンスノズルから、基板Ｗの周縁部にリンス液が吐出される。それにより、基板Ｗの周縁部に付着する処理液が除去される。
【００５１】
塗布処理室２２，２４の塗布処理ユニット１２９においては、反射防止膜用の処理液が処理液ノズル２８から基板Ｗに供給される。塗布処理室２１，２３の塗布処理ユニット１２９においては、レジスト膜用の処理液が処理液ノズル２８から基板Ｗに供給される。
【００５２】
現像処理ユニット１３９は、塗布処理ユニット１２９と同様に、スピンチャック３５およびカップ３７を備える。本実施の形態では、各現像処理ユニット１３９に３組のスピンチャック３５およびカップ３７が設けられる。スピンチャック３５は、図示しない駆動装置（例えば、電動モータ）により回転駆動される。また、図１に示すように、現像処理ユニット１３９は、現像液を吐出する２つの現像ノズル３８およびその現像ノズル３８をＸ方向に移動させる移動機構３９を備える。
【００５３】
現像処理ユニット１３９においては、図示しない駆動装置によりスピンチャック３５が回転されるとともに、一方の現像ノズル３８がＸ方向に移動しつつ各基板Ｗに現像液を供給し、その後、他方の現像ノズル３８が移動しつつ各基板Ｗに現像液を供給する。この場合、基板Ｗに現像液が供給されることにより、基板Ｗの現像処理が行われる。また、本実施の形態においては、２つの現像ノズル３８から互いに異なる現像液が吐出される。それにより、各基板Ｗに２種類の現像液を供給することができる。
【００５４】
洗浄乾燥処理部１６１には、複数（本例では４つ）の洗浄乾燥処理ユニットＳＤ１が設けられる。洗浄乾燥処理ユニットＳＤ１においては、露光処理前の基板Ｗの洗浄および乾燥処理が行われる。
【００５５】
図１および図２に示すように、塗布処理部１２１において現像処理部１３１に隣り合うように流体ボックス部５０が設けられる。同様に、現像処理部１３１において洗浄乾燥処理ブロック１４Ａに隣り合うように流体ボックス部６０が設けられる。流体ボックス部５０および流体ボックス部６０内には、塗布処理ユニット１２９および現像処理ユニット１３９への薬液の供給ならびに塗布処理ユニット１２９および現像処理ユニット１３９からの廃液および排気等に関する流体関連機器が収納される。流体関連機器は、導管、継ぎ手、バルブ、流量計、レギュレータ、ポンプおよび温度調節器等を含む。
【００５６】
（３）熱処理部の構成
図３は、主として図１の熱処理部１２３，１３３および洗浄乾燥処理部１６２を示す基板処理装置１００の模式的側面図である。
【００５７】
図３に示すように、熱処理部１２３は、上方に設けられる上段熱処理部３０１および下方に設けられる下段熱処理部３０２を有する。上段熱処理部３０１および下段熱処理部３０２の各々には、１または複数のアライナＡＬ、複数の熱処理ユニットＰＨＰ、複数の密着強化処理ユニットＰＡＨＰおよび複数の冷却ユニットＣＰが設けられる。
【００５８】
アライナＡＬは、基板Ｗの位置合わせ機能を有する。基板Ｗの位置合わせとは、基板Ｗに形成されたノッチの方向を基板Ｗの中心に関して特定の方向に一致させるとともに基板Ｗの中心を特定の位置に一致させることをいう。アライナＡＬの詳細については後述する。
【００５９】
熱処理ユニットＰＨＰにおいては、基板Ｗの加熱処理および冷却処理が行われる。以下、熱処理ユニットＰＨＰにおける加熱処理および冷却処理を単に熱処理と呼ぶ。密着強化処理ユニットＰＡＨＰにおいては、基板Ｗと反射防止膜との密着性を向上させるための密着強化処理が行われる。具体的には、密着強化処理ユニットＰＡＨＰにおいて、基板ＷにＨＭＤＳ（ヘキサメチルジシラサン）等の密着強化剤が塗布されるとともに、基板Ｗに加熱処理が行われる。冷却ユニットＣＰにおいては、基板Ｗの冷却処理が行われる。
【００６０】
熱処理部１３３は、上方に設けられる上段熱処理部３０３および下方に設けられる下段熱処理部３０４を有する。上段熱処理部３０３および下段熱処理部３０４の各々には、１または複数のアライナＡＬ、冷却ユニットＣＰ、エッジ露光部ＥＥＷおよび複数の熱処理ユニットＰＨＰが設けられる。エッジ露光兼検査部ＥＥＷにおいては、基板Ｗの周縁部の露光処理（エッジ露光処理）が行われる。上段熱処理部３０３および下段熱処理部３０４において、洗浄乾燥処理ブロック１４Ａに隣り合うように設けられる熱処理ユニットＰＨＰは、洗浄乾燥処理ブロック１４Ａからの基板Ｗの搬入が可能に構成される。
【００６１】
洗浄乾燥処理部１６２には、複数（本例では５つ）の洗浄乾燥処理ユニットＳＤ２が設けられる。洗浄乾燥処理ユニットＳＤ２においては、露光処理後の基板Ｗの洗浄および乾燥処理が行われる。
【００６２】
（４）搬送部の構成
図４は、主として図１の搬送部１２２，１３２，１６３を示す側面図である。図４に示すように、搬送部１２２は、上段搬送室１２５および下段搬送室１２６を有する。搬送部１３２は、上段搬送室１３５および下段搬送室１３６を有する。上段搬送室１２５には搬送機構１２７が設けられ、下段搬送室１２６には搬送機構１２８が設けられる。また、上段搬送室１３５には搬送機構１３７が設けられ、下段搬送室１３６には搬送機構１３８が設けられる。
【００６３】
搬送部１１２と上段搬送室１２５との間には、基板載置部ＰＡＳＳ１，ＰＡＳＳ２が設けられ、搬送部１１２と下段搬送室１２６との間には、基板載置部ＰＡＳＳ３，ＰＡＳＳ４が設けられる。上段搬送室１２５と上段搬送室１３５との間には、基板載置部ＰＡＳＳ５，ＰＡＳＳ６が設けられ、下段搬送室１２６と下段搬送室１３６との間には、基板載置部ＰＡＳＳ７，ＰＡＳＳ８が設けられる。
【００６４】
上段搬送室１３５と搬送部１６３との間には、載置兼バッファ部Ｐ−ＢＦ１が設けられ、下段搬送室１３６と搬送部１６３との間には載置兼バッファ部Ｐ−ＢＦ２が設けられる。搬送部１６３においてインターフェイスブロック１４と隣接するように、基板載置部ＰＡＳＳ９および複数の載置兼冷却部Ｐ−ＣＰが設けられる。
【００６５】
搬送機構１２７は、基板載置部ＰＡＳＳ１，ＰＡＳＳ２，ＰＡＳＳ５，ＰＡＳＳ６、塗布処理室２１，２２（図２）および上段熱処理部３０１（図３）の間で基板Ｗを搬送可能に構成される。搬送機構１２８は、基板載置部ＰＡＳＳ３，ＰＡＳＳ４，ＰＡＳＳ７，ＰＡＳＳ８、塗布処理室２３，２４（図２）および下段熱処理部３０２（図３）の間で基板Ｗを搬送可能に構成される。
【００６６】
搬送機構１３７は、基板載置部ＰＡＳＳ５，ＰＡＳＳ６、載置兼バッファ部Ｐ−ＢＦ１、現像処理室３１，３２（図２）および上段熱処理部３０３（図３）の間で基板Ｗを搬送可能に構成される。搬送機構１３８は、基板載置部ＰＡＳＳ７，ＰＡＳＳ８、載置兼バッファ部Ｐ−ＢＦ２、現像処理室３３，３４（図２）および下段熱処理部３０４（図３）の間で基板Ｗを搬送可能に構成される。
【００６７】
搬送機構１２７，１２８，１３７，１３８の各々は、基板Ｗの裏面を吸着して保持しつつ基板Ｗを搬送するハンドＨ１，Ｈ２を有する。これにより、基板Ｗの搬送時に、ハンドＨ１，Ｈ２で基板Ｗの位置がずれることおよび基板Ｗの中心に関するノッチの位置が変化することが防止される。
【００６８】
（５）基板処理装置の動作
図１〜図４を参照しながら基板処理装置１００の動作を説明する。インデクサブロック１１のキャリア載置部１１１（図１）には、未処理の基板Ｗが収容されたキャリア１１３が載置される。搬送機構１１５は、キャリア１１３から基板載置部ＰＡＳＳ１，ＰＡＳＳ３（図４）に未処理の基板Ｗを搬送する。また、搬送機構１１５は、基板載置部ＰＡＳＳ２，ＰＡＳＳ４（図４）に載置された処理済みの基板Ｗをキャリア１１３に搬送する。
【００６９】
第１の処理ブロック１２において、搬送機構１２７（図４）は、基板載置部ＰＡＳＳ１に載置された基板Ｗを密着強化処理ユニットＰＡＨＰ（図３）、冷却ユニットＣＰ（図３）およびアライナＡＬ（図３）に順に搬送する。次に、搬送機構１２７は、アライナＡＬにより位置合わせされた基板Ｗを塗布処理室２２（図２）、熱処理ユニットＰＨＰ（図３）、冷却ユニットＣＰ（図３）およびアライナＡＬ（図３）に順に搬送する。続いて、搬送機構１２７は、アライナＡＬにより再び位置合わせされた基板Ｗを塗布処理室２１（図２）、熱処理ユニットＰＨＰ（図３）および基板載置部ＰＡＳＳ５（図４）に順に搬送する。
【００７０】
この場合、密着強化処理ユニットＰＡＨＰにおいて、基板Ｗに密着強化処理が行われた後、冷却ユニットＣＰにおいて、反射防止膜の形成に適した温度に基板Ｗが冷却される。次に、アライナＡＬにおいて、基板Ｗの位置合わせが行われた後、塗布処理室２２において、塗布処理ユニット１２９（図２）により基板Ｗ上に反射防止膜が形成される。続いて、熱処理ユニットＰＨＰにおいて、基板Ｗの熱処理が行われた後、冷却ユニットＣＰにおいて、レジスト膜の形成に適した温度に基板Ｗが冷却される。次に、アライナＡＬにおいて、再び基板Ｗの位置合わせが行われた後、塗布処理室２１において、塗布処理ユニット１２９（図２）により、基板Ｗ上にレジスト膜が形成される。その後、熱処理ユニットＰＨＰにおいて、基板Ｗの熱処理が行われ、その基板Ｗが基板載置部ＰＡＳＳ５に載置される。
【００７１】
また、搬送機構１２７は、基板載置部ＰＡＳＳ６（図４）に載置された現像処理後の基板Ｗを基板載置部ＰＡＳＳ２（図４）に搬送する。
【００７２】
搬送機構１２８（図４）は、基板載置部ＰＡＳＳ３に載置された基板Ｗを密着強化処理ユニットＰＡＨＰ（図３）、冷却ユニットＣＰ（図３）およびアライナＡＬ（図３）に順に搬送する。続いて、搬送機構１２８は、アライナＡＬにより位置合わせされた基板Ｗを塗布処理室２４（図２）、熱処理ユニットＰＨＰ（図３）、冷却ユニットＣＰ（図３）およびアライナＡＬ（図３）に順に搬送する。続いて、搬送機構１２８は、アライナＡＬにより再び位置合わせされた基板Ｗを塗布処理室２３（図２）、熱処理ユニットＰＨＰ（図３）および基板載置部ＰＡＳＳ７（図４）に順に搬送する。
【００７３】
また、搬送機構１２８（図４）は、基板載置部ＰＡＳＳ８（図４）に載置された現像処理後の基板Ｗを基板載置部ＰＡＳＳ４（図４）に搬送する。塗布処理室２３，２４（図２）および下段熱処理部３０２（図３）における基板Ｗの処理内容は、上記の塗布処理室２１，２２（図２）および上段熱処理部３０１（図３）における基板Ｗの処理内容と同様である。
【００７４】
第２の処理ブロック１３において、搬送機構１３７（図４）は、基板載置部ＰＡＳＳ５に載置されたレジスト膜形成後の基板ＷをアライナＡＬ（図３）に搬送する。続いて、搬送機構１３７は、アライナＡＬにより位置合わせされた基板Ｗをエッジ露光兼検査部ＥＥＷ（図３）および載置兼バッファ部Ｐ−ＢＦ１（図４）に順に搬送する。この場合、アライナＡＬにおいて、基板Ｗの位置合わせが行われた後、エッジ露光部ＥＥＷにおいて、基板Ｗにエッジ露光処理が行われる。エッジ露光処理後の基板Ｗが載置兼バッファ部Ｐ−ＢＦ１に載置される。
【００７５】
また、搬送機構１３７（図４）は、洗浄乾燥処理ブロック１４Ａに隣接する熱処理ユニットＰＨＰ（図３）から露光処理後でかつ熱処理後の基板Ｗを取り出す。搬送機構１３７は、その基板Ｗを冷却ユニットＣＰ（図３）、現像処理室３１，３２（図２）のいずれか一方、熱処理ユニットＰＨＰ（図３）および基板載置部ＰＡＳＳ６（図４）に順に搬送する。
【００７６】
この場合、冷却ユニットＣＰにおいて、現像処理に適した温度に基板Ｗが冷却された後、現像処理室３１，３２のいずれか一方において、現像処理ユニット１３９により基板Ｗの現像処理が行われる。その後、熱処理ユニットＰＨＰにおいて、基板Ｗの熱処理が行われ、その基板Ｗが基板載置部ＰＡＳＳ６に載置される。
【００７７】
搬送機構１３８（図４）は、基板載置部ＰＡＳＳ７に載置されたレジスト膜形成後の基板ＷをアライナＡＬ（図３）に搬送する。続いて、搬送機構１３８は、アライナＡＬにより位置合わせされた基板Ｗをエッジ露光兼検査部ＥＥＷ（図３）および載置兼バッファ部Ｐ−ＢＦ２（図４）に順に搬送する。
【００７８】
また、搬送機構１３８（図４）は、裏面洗浄処理ブロック１４に隣接する熱処理ユニットＰＨＰ（図３）から露光処理後でかつ熱処理後の基板Ｗを取り出す。搬送機構１３８は、その基板Ｗを冷却ユニットＣＰ（図３）、現像処理室３３，３４（図２）のいずれか一方、熱処理ユニットＰＨＰ（図３）および基板載置部ＰＡＳＳ８（図４）に順に搬送する。現像処理室３３，３４および下段熱処理部３０４における基板Ｗの処理内容は、上記の現像処理室３１，３２および上段熱処理部３０３における基板Ｗの処理内容と同様である。
【００７９】
洗浄乾燥処理ブロック１４Ａにおいて、搬送機構１４１（図１）は、載置兼バッファ部Ｐ−ＢＦ１，Ｐ−ＢＦ２（図４）に載置された基板Ｗを洗浄乾燥処理部１６１の洗浄乾燥処理ユニットＳＤ１（図２）に搬送する。続いて、搬送機構１４１は、基板Ｗを洗浄乾燥処理ユニットＳＤ１から載置兼冷却部Ｐ−ＣＰ（図４）に搬送する。この場合、洗浄乾燥処理ユニットＳＤ１において、基板Ｗの洗浄および乾燥処理が行われた後、載置兼冷却部Ｐ−ＣＰにおいて、露光装置１５（図１）における露光処理に適した温度に基板Ｗが冷却される。
【００８０】
搬送機構１４２（図１）は、基板載置部ＰＡＳＳ９（図４）に載置された露光処理後の基板Ｗを洗浄乾燥処理部１６２の洗浄乾燥処理ユニットＳＤ２（図３）に搬送する。また、搬送機構１４２は、洗浄および乾燥処理後の基板Ｗを洗浄乾燥処理ユニットＳＤ２から上段熱処理部３０３の熱処理ユニットＰＨＰ（図３）または下段熱処理部３０４の熱処理ユニットＰＨＰ（図３）に搬送する。この熱処理ユニットＰＨＰにおいては、露光後ベーク（ＰＥＢ）処理が行われる。
【００８１】
インターフェイスブロック１４において、搬送機構１４６（図１）は、載置兼冷却部Ｐ−ＣＰ（図４）に載置された露光処理前の基板Ｗを露光装置１５の基板搬入部１５ａ（図１）に搬送する。また、搬送機構１４６（図１）は、露光装置１５の基板搬出部１５ｂ（図１）から露光処理後の基板Ｗを取り出し、その基板Ｗを基板載置部ＰＡＳＳ９（図４）に搬送する。
【００８２】
なお、露光装置１５が基板Ｗの受け入れをできない場合、露光処理前の基板Ｗが載置兼バッファ部Ｐ−ＢＦ１，Ｐ−ＢＦ２に一時的に収容される。また、第２の処理ブロック１３の現像処理ユニット１３９（図２）が露光処理後の基板Ｗの受け入れをできない場合、露光処理後の基板Ｗが載置兼バッファ部Ｐ−ＢＦ１，Ｐ−ＢＦ２に一時的に収容される。
【００８３】
本実施の形態においては、上段に設けられた塗布処理室２１，２２、現像処理室３１，３２および上段熱処理部３０１，３０３における基板Ｗの処理と、下段に設けられた塗布処理室２３，２４、現像処理室３３，３４および下段熱処理部３０２，３０４における基板Ｗの処理とを並行して行うことができる。それにより、フットプリントを増加させることなく、スループットを向上させることができる。
【００８４】
（６）アライナ
図５は、アライナＡＬの構成について説明するための模式的斜視図である。図６は、基板Ｗが保持された状態における図５のアライナＡＬの平面図である。図５および図６に示すように、アライナＡＬは、移動装置５００、回転保持装置５０４およびラインセンサ５０５を備える。移動装置５００は、支持部材５０１、Ｙ方向可動部５０２およびＸ方向可動部５０３を含む。
【００８５】
Ｙ方向可動部５０２は、支持部材５０１に対してＹ方向に移動可能に構成される。Ｘ方向可動部５０３は、Ｙ方向可動部５０２に対してＸ方向に移動可能に構成される。回転保持装置５０４は、Ｘ方向可動部５０３に固定される。回転保持装置５０４は、例えば吸着式スピンチャックからなり、基板Ｗの裏面を吸着して保持する。この回転保持装置５０４は、Ｘ方向可動部５０３に設けられたモータ（図示せず）により鉛直方向の回転軸ＲＡの周りで回転駆動される。それにより、基板Ｗが回転軸ＲＡの周りで回転する。
【００８６】
アライナＡＬには、原点位置Ｏが予め設定されている。ここで、原点位置Ｏの座標を（０，０）とする。初期状態では、回転保持装置５０４の回転軸ＲＡが原点位置Ｏと一致するようにＹ方向可動部５０２およびＸ方向可動部５０３が位置する。
【００８７】
ラインセンサ５０５としては、例えばＣＣＤ（電荷結合素子）ラインセンサが用いられる。ラインセンサ５０５は、Ｘ方向における基板Ｗの外周部の位置を測定するために用いられる。ラインセンサ５０５は、Ｘ方向に延びるように配置される。
【００８８】
図７は、アライナＡＬの制御系の構成を示すブロック図である。図７に示すように、アライナＡＬは、メモリ５０６および制御部５１０をさらに含む。メモリ５０６には、後述する基板Ｗの位置合わせを行うための補正情報が記憶される。制御部５１０は、ＣＰＵ（中央演算処理装置）により構成される。制御部５１０は、図１の制御部１１４により実現されてもよい。
【００８９】
制御部５１０は、ラインセンサ５０５の出力信号に基づいて、移動装置５００のＹ方向可動部５０２、Ｘ方向可動部５０３および回転保持装置５０４を制御する。また、制御部５１０は、メモリ５０６に記憶された補正情報に基づいて、移動装置５００のＹ方向可動部５０２、Ｘ方向可動部５０３および回転保持装置５０４を制御する。
【００９０】
基板Ｗの中心ＷＣとノッチＮＴとを結ぶ直線の方向をノッチＮＴの方向と呼ぶ。本実施の形態では、Ｘ方向を基準方向とする。ノッチＮＴの方向が基準方向（Ｘ方向）に対してなす角度を回転方向オフセット量θｏｆｆと呼ぶ。図６の例では、ノッチＮＴの方向は基準方向に一致している。すなわち、回転方向オフセット量θｏｆｆは０°である。
【００９１】
また、Ｘ方向において回転軸ＲＡからの基板Ｗの中心ＷＣまでのずれ量をＸオフセット量Ｘｏｆｆと呼び、Ｙ方向において回転軸ＲＡから基板Ｗの中心ＷＣまでのずれ量をＹオフセット量Ｙｏｆｆと呼ぶ。図６の例では、基板Ｗの中心ＷＣは回転保持装置５０４の回転軸ＲＡと一致していない。すなわち、基板Ｗの中心ＷＣが回転軸ＲＡに対して偏心している。
【００９２】
回転保持装置５０４が回転軸ＲＡの周りで３６０°回転する。これにより、回転保持装置５０４に保持された基板Ｗが３６０°回転する。基板Ｗの回転中に、図７の制御部５１０は、ラインセンサ５０５の出力信号を位置データとして取得する。位置データは、ラインセンサ５０５により検出される基板Ｗの外周部のＸ方向の位置を表す。
【００９３】
ここで、図８を参照しながら基板Ｗの中心ＷＣおよびノッチＮＴの位置の算出方法について説明する。図８は、ラインセンサ５０５の出力信号に基づいて取得される位置データの一例を示す図である。図８の縦軸は位置データを示し、横軸は基板Ｗの回転角度を示す。
【００９４】
基板Ｗの中心ＷＣが回転軸ＲＡに対して偏心している場合には、図８に示すように、基板Ｗの回転に伴って位置データの値が変化する。制御部５１０は、例えば、基板Ｗの０．１°の回転ごとに位置データを取得する。この場合、合計３６００個の位置データが取得される。制御部５１０は、位置データの変化に基づいてノッチＮＴに対応する位置データＰｎを検出し、位置データＰｎに対応する回転角度に基づいてノッチＮＴの回転方向オフセット量θｏｆｆを算出する。
【００９５】
また、制御部５１０は、位置データの変化に基づいて回転軸ＲＡに対する基板Ｗの中心ＷＣのＸオフセット量ＸｏｆｆおよびＹオフセット量Ｙｏｆｆを算出する。
【００９６】
基板Ｗの回転角度が０°、９０°、１８０°および２７０°である場合の位置データをそれぞれＰＡ０、ＰＡ１、ＰＡ２およびＰＡ３とする。この場合、Ｘオフセット量ＸｏｆｆおよびＹオフセット量Ｙｏｆｆは次式により算出される。
【００９７】
Ｘｏｆｆ＝（ＰＡ０−ＰＡ２）／２      …（１）
Ｙｏｆｆ＝（ＰＡ１−ＰＡ３）／２      …（２）
また、基板Ｗの回転角度が４５°、１３５°、２２５°および３１５°である場合の位置データをそれぞれＰＢ０、ＰＢ１、ＰＢ２およびＰＢ３とする。この場合、Ｘオフセット量ＸｏｆｆおよびＹオフセット量Ｙｏｆｆは次式により算出される。
【００９８】
Ｘｏｆｆ＝（ＰＢ１−ＰＢ３）／２×ｓｉｎ４５°−（ＰＢ０−ＰＢ２）／２×ｃｏｓ４５°      …（３）
Ｙｏｆｆ＝（ＰＢ１−ＰＢ３）／２×ｃｏｓ４５°−（ＰＢ０−ＰＢ２）／２×ｓｉｎ４５°      …（４）
ノッチＮＴが回転角度４５°、１３５°、２２５°および３１５°のいずれかまたはその近傍の位置にある場合には、上式（１），（２）を用いてＸオフセット量ＸｏｆｆおよびＹオフセット量Ｙｏｆｆを算出する。また、ノッチＮＴが回転角度０°、９０°、１８０°および２７０°のいずれかまたはその近傍の位置にある場合には、上式（３），（４）を用いてＸオフセット量ＸｏｆｆおよびＹオフセット量Ｙｏｆｆを算出する。
【００９９】
（７）補正情報の取得
本実施の形態においては、基板処理装置１００の設置時またはメンテナンス時に、図４の搬送機構１２７，１２８，１３７，１３８は、予め定められた搬送経路にしたがって、基板Ｗの搬送を行う。搬送機構１２７，１２８，１３７，１３８には、基板Ｗが支持されるべき位置と実際に基板Ｗが支持される位置とのずれを補正するためのティーチングが行われない。ここで、本実施の形態においては、基板Ｗが支持されるべき位置とは、図２のスピンチャック２５および図３のエッジ露光部ＥＥＷのスピンチャック（図示せず）である。
【０１００】
そのため、搬送機構１２７，１２８により基板Ｗがスピンチャック２５に搬送されたときに、スピンチャック２５の回転中心と基板Ｗの中心ＷＣとがずれた状態で基板Ｗがスピンチャック２５に保持される場合がある。同様に、搬送機構１３７，１３８により基板Ｗがエッジ露光部ＥＥＷに搬送されたときに、エッジ露光部ＥＥＷのスピンチャックの回転中心と基板Ｗの中心ＷＣとがずれた状態で基板Ｗがスピンチャックに保持される場合がある。
【０１０１】
本実施の形態においては、基板Ｗがスピンチャック２５に搬送されたときに、スピンチャック２５の回転中心と基板Ｗの中心ＷＣとが一致するように、アライナＡＬにより基板Ｗの位置合わせが予め行われる。スピンチャック２５の回転中心が基準位置に相当する。同様に、基板Ｗがエッジ露光部ＥＥＷに搬送されたときに、エッジ露光部ＥＥＷのスピンチャックの回転中心と基板Ｗの中心ＷＣとが一致するように、アライナＡＬにより基板Ｗの位置合わせが予め行われる。
【０１０２】
以下、第１の処理ブロック１２の上段熱処理部３０１（図３）に設けられるアライナＡＬについて、位置合わせを行うための補正情報を取得する手順を説明する。図９は、アライナＡＬと複数のスピンチャック２５との関係を示すブロック図である。図９においては、塗布処理室２１の２つのスピンチャック２５をそれぞれスピンチャック２５ａ，２５ｂと呼び、塗布処理室２２の２つのスピンチャック２５をそれぞれスピンチャック２５ｃ，２５ｄと呼ぶ。
【０１０３】
図９に示すように、上段熱処理部３０１に設けられたアライナＡＬのメモリ５０６には、補正情報ＣＩａ，ＣＩｂ，ＣＩｃ，ＣＩｄが記憶される。補正情報ＣＩａ〜ＣＩｄは、それぞれスピンチャック２５ａ〜２５ｄの回転中心と基板Ｗの中心ＷＣとが一致するように、位置合わせを行うための補正情報である。補正情報ＣＩａ〜ＣＩｄは、基板処理装置１００の設置時またはメンテナンス時に取得され、メモリ５０６に記憶される。以下、補正情報ＣＩａを取得するための手順を説明する。
【０１０４】
図１０〜図１３は、補正情報ＣＩａを取得する手順を説明するための図である。図１０〜図１３の説明では、矢印Ｘが向く方向を＋Ｘ方向と呼び、矢印Ｘとは反対の方向を−Ｘ方向と呼ぶ。また、矢印Ｙが向く方向を＋Ｙ方向と呼び、矢印Ｙとは反対の方向を−Ｙ方向と呼ぶ。
【０１０５】
まず、図１０に示すように、回転保持装置５０４の回転軸ＲＡが原点位置Ｏに一致する状態で、アライナＡＬに基板Ｗが搬入され、回転保持装置５０４により保持される。このときの基板Ｗの中心ＷＣの位置をＰ１とする。
【０１０６】
ここで、基板ＷのＸオフセット量ＸｏｆｆおよびＹオフセット量Ｙｏｆｆが算出される。算出されたＸオフセット量ＸｏｆｆおよびＹオフセット量Ｙｏｆｆは、それぞれＸｏｆｆ１およびＹｏｆｆ１である。したがって、位置Ｐ１の座標は（Ｘｏｆｆ１，Ｙｏｆｆ１）となる。
【０１０７】
次に、図１０に一点鎖線の矢印で示すように、基板Ｗが搬送機構１２７により＋Ｘ方向に距離Ｌｘだけ移動されるとともに、＋Ｙ方向に距離Ｌｙだけ移動される。これにより、図１１に示すように、アライナＡＬからスピンチャック２５ａに基板Ｗが搬送される。この時点では、スピンチャック２５ａの回転中心２５Ｃと基板Ｗの中心ＷＣとは一致していない。
【０１０８】
続いて、図１１に一点鎖線の矢印で示すように、基板Ｗがスピンチャック２５ａにより所定の角度だけ回転される。基板Ｗの回転角度は１８０°であることが好ましい。この場合、スピンチャック２５ａの回転中心２５Ｃは、図１１の回転前の基板Ｗの中心ＷＣと図１２の回転後の基板Ｗの中心ＷＣとの中点となる。
【０１０９】
その後、図１２に一点鎖線の矢印で示すように、基板Ｗが搬送機構１２７により−Ｘ方向に距離Ｌｘだけ移動されるとともに、−Ｙ方向に距離Ｌｙだけ移動される。これにより、図１３に示すように、スピンチャック２５ａからアライナＡＬに基板Ｗが搬送される。このときの基板Ｗの中心ＷＣの位置をＰ２とする。
【０１１０】
ここで、基板ＷのＸオフセット量ＸｏｆｆおよびＹオフセット量Ｙｏｆｆが算出される。算出されたＸオフセット量ＸｏｆｆおよびＹオフセット量Ｙｏｆｆは、それぞれＸｏｆｆ２およびＹｏｆｆ２である。したがって、位置Ｐ２の座標は（Ｘｏｆｆ２，Ｙｏｆｆ２）となる。
【０１１１】
次に、算出されたＸオフセット量Ｘｏｆｆ１，Ｘｏｆｆ２およびＹオフセット量Ｙｏｆｆ１，Ｙｏｆｆ２に基づいて、補正位置Ｐ０が算出される。補正位置Ｐ０は、アライナＡＬからスピンチャック２５ａに基板Ｗが搬送される場合に、スピンチャック２５ａにおいて基板Ｗの中心ＷＣがスピンチャック２５の回転中心２５Ｃと一致するために、アライナＡＬにおいて基板Ｗの中心ＷＣが存在すべき位置である。すなわち、アライナＡＬにおいて基板Ｗの中心ＷＣが補正位置Ｐ０に一致する状態で、基板ＷがアライナＡＬからスピンチャック２５ａに搬送されると、基板Ｗの中心ＷＣがスピンチャック２５ａの回転中心２５Ｃに一致する。図１３の例においては、補正位置Ｐ０は、位置Ｐ１，Ｐ２の中点である。補正位置Ｐ０のＸ座標は（Ｘｏｆｆ１＋Ｘｏｆｆ２）／２であり、補正位置Ｐ０のＹ座標は（Ｙｏｆｆ１＋Ｙｏｆｆ２）／２となる。
【０１１２】
上記と同様の手順により、図９のスピンチャック２５ｂ〜２５ｄにそれぞれ対応する補正位置Ｐ０が算出される。スピンチャック２５ａ〜２５ｄに対応する補正位置Ｐ０が、それぞれ補正情報ＣＩａ〜ＣＩｄとして図９のメモリ５０６に記憶される。また、補正情報ＣＩａ〜ＣＩｄは、スピンチャック２５ａ〜２５ｄに対応する回転方向オフセット量θｏｆｆの一定の値を補正方向として含んでもよい。
【０１１３】
（８）基板の位置合わせ
次に、基板Ｗの処理時におけるアライナＡＬによる基板Ｗの位置合わせについて説明する。図１４〜図１６は、第１の処理ブロック１２による基板処理における基板Ｗの位置合わせについて説明するための図である。
【０１１４】
第１の処理ブロック１２において、搬送機構１２７は、図４の基板載置部ＰＡＳＳ１に載置された基板Ｗを密着強化処理ユニットＰＡＨＰ（図３）、冷却ユニットＣＰ（図３）およびアライナＡＬ（図３）に順に搬送する。このとき、回転保持装置５０４の回転軸ＲＡは原点位置Ｏに一致している。この状態で、図１４に示すように、密着強化処理および冷却が行われた基板Ｗが回転保持装置５０４により保持される。ここで、基板ＷのＸオフセット量Ｘｏｆｆ、Ｙオフセット量Ｙｏｆｆおよび回転方向オフセット量θｏｆｆが算出される。これにより、基板Ｗの中心ＷＣおよびノッチＮＴの方向が検出される。
【０１１５】
次に、図９のメモリ５０６に記憶された補正情報に基づいて、図１５に示すようにアライナＡＬにより基板Ｗの位置合わせが行われる。位置合わせにおいては、回転方向オフセット量θｏｆｆが一定の値になるように基板Ｗが回転保持装置５０４により回転される。図１５の例では、回転方向オフセット量θｏｆｆは９０°である。ここで、回転方向オフセット量θｏｆｆの一定の値は、補正方向として補正情報ＣＩｃに含まれる。また、メモリ５０６に記憶された補正情報ＣＩｃに基づいて、補正位置Ｐ０が取得される。回転後の基板Ｗの中心ＷＣが取得された補正位置Ｐ０に一致するように移動装置５００により基板ＷがＸ方向およびＹ方向に移動される。
【０１１６】
続いて、図１５に一点鎖線の矢印で示すように、基板Ｗが搬送機構１２７により＋Ｘ方向に予め定められた一定の距離だけ移動されるとともに、＋Ｙ方向に予め定められた一定の距離だけ移動される。これにより、図１６に示すように、ノッチＮＴの向きが一定で、かつスピンチャック２５ｃの回転中心２５Ｃと基板Ｗの中心ＷＣとが一致する状態で基板Ｗがスピンチャック２５ｃに保持される。この状態で、塗布処理室２２において、塗布処理ユニット１２９（図２）により基板Ｗ上に反射防止膜が形成される。
【０１１７】
その後、搬送機構１２７は、塗布処理室２２において反射防止膜が形成された基板Ｗを熱処理ユニットＰＨＰ（図３）、冷却ユニットＣＰ（図３）およびアライナＡＬに順に搬送する。このとき、回転保持装置５０４の回転軸ＲＡは原点位置Ｏに一致する。この状態で、熱処理および冷却が行われた基板Ｗが、上記と同様に回転保持装置５０４により保持される。ここで、基板Ｗの中心ＷＣおよびノッチＮＴの方向が検出される。
【０１１８】
次に、アライナＡＬにおいて、回転方向オフセット量θｏｆｆが一定の値になるように基板Ｗが回転保持装置５０４により回転される。ここで、回転方向オフセット量θｏｆｆの一定の値は、補正方向として補正情報ＣＩａに含まれる。また、図９のメモリ５０６に記憶された補正情報ＣＩａに基づいて、補正位置Ｐ０が取得される。回転後の基板Ｗの中心ＷＣが取得された補正位置Ｐ０に一致するように移動装置５００により基板ＷがＸ方向およびＹ方向に移動される。
【０１１９】
続いて、基板Ｗが搬送機構１２７により＋Ｘ方向に予め定められた一定の距離だけ移動されるとともに、＋Ｙ方向に予め定められた一定の距離だけ移動される。これにより、ノッチＮＴの向きが一定で、かつ図１０のスピンチャック２５ａの回転中心２５Ｃと基板Ｗの中心ＷＣとが一致する状態で基板Ｗがスピンチャック２５ａに保持される。この状態で、塗布処理室２１（図２）において、塗布処理ユニット１２９（図２）により基板Ｗ上にレジスト膜が形成される。
【０１２０】
その後、搬送機構１２７は、塗布処理室２１においてレジスト膜が形成された基板Ｗを熱処理ユニットＰＨＰ（図３）および基板載置部ＰＡＳＳ５（図４）に順に搬送する。これにより、熱処理が行われた後の基板Ｗが基板載置部ＰＡＳＳ５に載置される。
【０１２１】
上記の基板Ｗの搬送においては、基板Ｗが支持されるべき位置に対応する補正情報に基づいて、基板Ｗの位置合わせがアライナＡＬにより行われる。具体的には、補正情報ＣＩｃに基づいて、スピンチャック２５ｃの回転中心２５Ｃと基板Ｗの中心ＷＣとを一致させるための基板Ｗの位置合わせが行われる。また、補正情報ＣＩａに基づいて、スピンチャック２５ａの回転中心２５Ｃと基板Ｗの中心ＷＣとを一致させるための基板Ｗの位置合わせが行われる。
【０１２２】
したがって、塗布処理室２２においてスピンチャック２５ｃの回転中心２５Ｃと基板Ｗの中心ＷＣとを一致させ、塗布処理室２１においてスピンチャック２５ａの回転中心２５Ｃと基板Ｗの中心ＷＣとを一致させることができる。これにより、基板Ｗの反射防止膜の形成の精度およびレジスト膜の形成の精度を向上させることができる。また、ノッチＮＴの向きが一定の状態で基板Ｗに処理が行われるので、複数の基板Ｗの反射防止膜の形成の精度およびレジスト膜の形成精度を均一にすることができる。
【０１２３】
（９）効果
本実施の形態においては、補正情報取得時に複数のスピンチャック２５ａ〜２５ｄにそれぞれ対応する複数の補正情報ＣＩａ〜ＣＩｄが予め取得され、メモリ５０６に記憶される。基板Ｗの処理時に、アライナＡＬからいずれかのスピンチャック２５ａ〜２５ｄへ基板Ｗが搬送される前に、メモリ５０６に記憶された当該スピンチャック２５に対応する補正情報に基づいて、アライナＡＬにより基板Ｗの位置が調整される。アライナＡＬにより位置が調整された基板Ｗが搬送機構１２７により当該スピンチャック２５に搬送される。
【０１２４】
この構成によれば、アライナＡＬによる基板Ｗの位置の調整のための複数の補正情報ＣＩａ〜ＣＩｄが予め取得され、メモリ５０６に記憶されている。そのため、基板Ｗの中心ＷＣと各スピンチャック２５ａ〜２５ｄの回転中心２５Ｃとを一致させるための位置合わせが基板Ｗの搬送前にアライナＡＬにより行われる。また、基板ＷのノッチＮＴの方向を一定の方向に一致させるための位置合わせが基板Ｗの搬送前にアライナＡＬにより行われる。
【０１２５】
それにより、基板Ｗの処理時に、搬送機構１２７により一のスピンチャック２５ａ〜２５ｄに搬送された基板Ｗは、その中心ＷＣが当該スピンチャック２５における回転中心２５Ｃと一致し、ノッチＮＴが一定の方向を向く。この状態で基板Ｗが当該スピンチャック２５により支持される。
【０１２６】
この場合、搬送機構１２７に基板Ｗの中心ＷＣと各スピンチャック２５ａ〜２５ｄの回転中心２５Ｃとを一致させるためのティーチングを行う必要がない。そのため、従来作業者がティーチング作業に要していた多大な時間を削減することができ、基板処理装置１００の稼動効率を向上させることができる。また、搬送機構１２７の搬送距離に関わらず、基板Ｗと各スピンチャック２５ａ〜２５ｄとのずれが低減するように各スピンチャック２５ａ〜２５ｄに基板Ｗを搬送することができる。
【０１２７】
また、基板Ｗの中心ＷＣと各スピンチャック２５ａ〜２５ｄの回転中心２５Ｃとが一致し、かつノッチＮＴが一定の方向を向いた状態で各スピンチャック２５ａ〜２５ｄにより回転される基板Ｗに処理が行われる。これにより、基板Ｗの処理の精度を向上させるとともに、複数の基板Ｗの処理の精度を均一にすることができる。
【０１２８】
［２］第２の実施の形態
第１の実施の形態において、基板Ｗが支持されるべき位置はスピンチャック等の回転保持装置の中心であるが、これに限定されない。基板Ｗが支持されるべき位置は、回転保持装置を有しない熱処理ユニット等であってもよい。第２の実施の形態においては、アライナにより熱処理ユニットに搬送される基板Ｗの位置合わせが行われる。以下、第２の実施の形態に係る基板処理装置について、第１の実施の形態に係る基板処理装置１００と異なる点を説明する。
【０１２９】
図１７は、熱処理ユニットＰＨＰの構成を示す図である。図１７（ａ）は熱処理ユニットＰＨＰの平面図であり、図１７（ｂ）は図１７（ａ）の熱処理ユニットＰＨＰのＡ−Ａ線断面図である。図１７（ａ）に示すように、熱処理ユニットＰＨＰは、加熱部４０１および複数のガイド部材４０２を含む。加熱部４０１は、円盤状のホットプレートである。複数のガイド部材４０２は、加熱部４０１の縁に沿って略等間隔で設けられる。図１７（ａ）の例では、６個のガイド部材４０２が略６０°間隔で設けられる。
【０１３０】
図１７（ｂ）に示すように、各ガイド部材４０２は円錐台形状を有する。複数のガイド部材４０２により囲まれる領域に基板Ｗが配置される場合、図１７（ｃ）に矢印で示すように、ガイド部材４０２の傾斜した側面に沿って基板Ｗが下方に導かれる。これにより、加熱部４０１の支持中心４０１Ｃと基板Ｗの中心ＷＣとが一致する状態で、基板Ｗが加熱部４０１の上方に支持される。
【０１３１】
本実施の形態においては、図１のインターフェイスブロック１４にアライナＡＬがさらに設けられる。アライナＡＬは、例えば図４の基板載置部ＰＡＳＳ９の上方に配置される。以下、インターフェイスブロック１４のアライナＡＬから図３の第２の処理ブロック１３の上段熱処理部３０３の熱処理ユニットＰＨＰに搬送される基板Ｗの位置合わせを行うための補正情報を取得する手順を説明する。
【０１３２】
図１８および図１９は、他の実施の形態における補正情報を取得する手順を説明するための図である。まず、図１８に示すように、加熱部４０１の支持中心４０１Ｃと基板Ｗの中心ＷＣとが一致する状態で、熱処理ユニットＰＨＰに基板Ｗが支持される。この場合、加熱部４０１の支持中心４０１Ｃが基準位置に相当する。ここで、搬送機構１４２によりアライナＡＬから熱処理ユニットＰＨＰに搬送されることにより熱処理ユニットＰＨＰに基板Ｗが支持されてもよい。あるいは、基板処理装置１００の使用者により熱処理ユニットＰＨＰに基板Ｗが支持されてもよい。
【０１３３】
次に、図１８に一点鎖線の矢印で示すように、基板Ｗが搬送機構１４２により＋Ｘ方向に予め定められた一定の距離だけ移動されるとともに、＋Ｙ方向に予め定められた一定の距離だけ移動される。これにより、図１９に示すように、熱処理ユニットＰＨＰからアライナＡＬに基板Ｗが搬送される。このときの基板Ｗの中心ＷＣの位置が目標位置Ｐ０となる。
【０１３４】
ここで、回転保持装置５０４の回転軸ＲＡは原点位置Ｏに一致している。板ＷのＸオフセット量ＸｏｆｆおよびＹオフセット量Ｙｏｆｆが算出されることにより、補正位置Ｐ０が算出される。この場合、補正位置Ｐ０の座標は、（Ｘｏｆｆ，Ｙｏｆｆ）である。同様の手順により、他の複数の熱処理ユニットＰＨＰにそれぞれ対応する補正位置Ｐ０が算出される。算出された複数の目標位置Ｐ０が、それぞれ複数の補正情報として図９のメモリ５０６に記憶される。補正情報は、熱処理ユニットＰＨＰに対応する回転方向オフセット量θｏｆｆの一定の値を補正方向として含んでもよい。
【０１３５】
次に、基板Ｗの処理時におけるアライナＡＬによる基板Ｗの位置合わせについて説明する。まず、搬送機構１４２（図１）は、基板載置部ＰＡＳＳ９（図４）に載置された露光処理後の基板Ｗを洗浄乾燥処理ユニットＳＤ２およびアライナＡＬに順に搬送する。
【０１３６】
初期状態では、回転保持装置５０４の回転軸ＲＡが原点位置Ｏに一致している。この状態で、洗浄乾燥処理が行われた基板Ｗが回転保持装置５０４により保持される。ここで、基板ＷのＸオフセット量Ｘｏｆｆ、Ｙオフセット量Ｙｏｆｆおよび回転方向オフセット量θｏｆｆが算出される。これにより、基板Ｗの中心ＷＣおよびノッチＮＴの方向が検出される。
【０１３７】
続いて、図９のメモリ５０６に記憶された補正情報に基づいて、アライナＡＬにおいて、回転方向オフセット量θｏｆｆが一定の値になるように基板Ｗが回転保持装置５０４により回転される。ここで、回転方向オフセット量θｏｆｆの一定の値は、補正方向として補正情報に含まれる。また、図９のメモリ５０６に記憶された補正情報に基づいて、補正位置Ｐ０が取得される。回転後の基板Ｗの中心ＷＣが取得された補正位置Ｐ０に一致するように移動装置５００により基板ＷがＸ方向およびＹ方向に移動される。
【０１３８】
その後、基板Ｗが搬送機構１４２により＋Ｘ方向に予め定められた一定の距離だけ移動されるとともに、＋Ｙ方向に予め定められた一定の距離だけ移動される。これにより、ノッチＮＴの向きが一定で、熱処理ユニットＰＨＰの加熱部４０１の支持中心４０１Ｃと基板Ｗの中心ＷＣとが一致する状態で基板Ｗが熱処理ユニットＰＨＰに支持される。この状態で、基板ＷにＰＥＢ処理が行われる。
【０１３９】
上記の基板Ｗの搬送においては、基板Ｗが支持されるべき位置に対応する補正情報に基づいて、基板Ｗの位置合わせがアライナＡＬにより行われる。具体的には、補正情報に基づいて、熱処理ユニットＰＨＰの加熱部４０１の支持中心４０１Ｃと基板Ｗの中心ＷＣとを一致させるための基板Ｗの位置合わせが行われる。
【０１４０】
したがって、熱処理ユニットＰＨＰにおいて加熱部４０１の支持中心４０１Ｃと基板Ｗの中心ＷＣとを一致させることができる。これにより、基板ＷのＰＥＢ処理の精度を向上させることができる。また、ノッチＮＴの向きが一定の状態で基板Ｗに処理が行われるので、複数の基板ＷのＰＥＢ処理の精度を均一にすることができる。さらに、ノッチＮＴの向きが一定の状態で基板Ｗに処理が行われるので、基板ＷのＰＥＢ処理に不具合が生じた場合、原因の解析を行うことが容易になる。
【０１４１】
［３］他の実施の形態
（１）第１および第２の実施の形態において、搬送機構１２７，１２８，１３７，１３８，１４２は、基板ＷをＸ方向、Ｙ方向およびＺ方向に基板Ｗを自在に搬送可能な搬送ロボットであるが、これに限定されない。搬送機構１２７，１２８，１３７，１３８，１４２は、一方向に基板Ｗを搬送可能な単軸ロボット（電動スライダ）であってもよい。あるいは、搬送機構１２７，１２８，１３７，１３８，１４２は、円筒座標ロボットであってもよい。
【０１４２】
搬送機構１２７，１２８，１３７，１３８，１４２がこれらのロボットである場合、搬送機構１２７，１２８，１３７，１３８，１４２にティーチングを行っても、ノッチＮＴの方向を基板Ｗの中心に関して特定の方向に一致させることができない。しかしながら、アライナＡＬにおいて基板Ｗの位置合わせが予め行われることにより、単軸ロボットまたは円筒座標ロボットを用いてノッチＮＴの方向を基板Ｗの中心に関して特定の方向に一致させることができる。
【０１４３】
（２）第１および第２の実施の形態において、ノッチＮＴの方向を基板Ｗの中心ＷＣに関して特定の方向に一致させるとともに基板Ｗの中心ＷＣを特定の位置に一致させるように位置合わせが行われるが、これに限定されない。複数の基板ＷのノッチＮＴの方向を統一する必要がない場合は、ノッチＮＴの方向を基板Ｗの中心ＷＣに関して特定の方向に一致させることなく、基板Ｗの中心ＷＣを特定の位置に一致させるように位置合わせが行われてもよい。
【０１４４】
（３）第１および第２の実施の形態において、複数のスピンチャック２５ａ〜２５ｄにそれぞれ対応する複数の補正情報ＣＩａ〜ＣＩｄがアライナＡＬのメモリ５０６に記憶されるが、これに限定されない。１つのスピンチャック２５に対応する１つの補正情報がアライナＡＬのメモリ５０６に記憶されてもよい。
【０１４５】
（４）第１の実施の形態において、図１１の補正情報取得時に基板Ｗがスピンチャックにより１８０°回転されるが、これに限定されない。図１１の補正情報取得時に基板Ｗがスピンチャックにより任意の角度だけ回転されてもよい。この場合、幾何学的な演算により、基板Ｗの回転前の中心ＷＣの位置と基板Ｗの回転後の中心ＷＣの位置とに基づいて、図１３の目標位置Ｐ０を算出することができる。
【０１４６】
［４］請求項の各構成要素と実施の形態の各要素との対応関係
以下、請求項の各構成要素と実施の形態の各要素との対応の例について説明するが、本発明は下記の例に限定されない。
【０１４７】
上記実施の形態では、基板Ｗが基板の例であり、基板処理装置１００が基板処理装置の例であり回転中心２５Ｃまたは支持中心４０１Ｃが基準位置の例である。塗布処理室２１〜２４、エッジ露光部ＥＥＷまたは熱処理ユニットＰＨＰが基板支持部の例であり、アライナＡＬが位置調整部の例であり、搬送機構１２７，１２８，１３７，１３８，１４２が搬送装置の例である。
【０１４８】
補正情報ＣＩａ〜ＣＩｄが補正情報の例であり、メモリ５０６が記憶部の例であり、制御部５１０が制御部の例であり、補正位置Ｐ０が補正位置の例であり、スピンチャック２５が第１の回転保持装置の例である。ガイド部材４０２が案内機構の例であり、回転保持装置５０４が基板保持部または第２の回転保持装置の例であり、移動装置５００が移動装置の例であり、ラインセンサ５０５が位置検出器の例であり、ノッチＮＴがノッチの例である。
【０１４９】
請求項の各構成要素として、請求項に記載されている構成または機能を有する他の種々の要素を用いることもできる。
【産業上の利用可能性】
【０１５０】
本発明は、種々の基板の処理に有効に利用することができる。
【符号の説明】
【０１５１】
１１  インデクサブロック
１２  第１の処理ブロック
１３  第２の処理ブロック
１４  インターフェイスブロック
１４Ａ  洗浄乾燥処理ブロック
１４Ｂ  搬入搬出ブロック
１５  露光装置
１５ａ  基板搬入部
１５ｂ  基板搬出部
２１〜２４  塗布処理室
２５，３５  スピンチャック
２７，３７  カップ
２８  処理液ノズル
２９  ノズル搬送機構
３１〜３４  現像処理室
３８  現像ノズル
３９  移動機構
５０，６０  流体ボックス部
１００  基板処理装置
１１１  キャリア載置部
１１２，１２２，１３２，１６３  搬送部
１１３  キャリア
１１４，５１０  制御部
１１５，１２７，１２８，１３７，１３８，１４１，１４２，１４６  搬送機構
１２１  塗布処理部
１２３，１３３  熱処理部
１２５，１３５  上段搬送室
１２６，１３６  下段搬送室
１２９  塗布処理ユニット
１３１  現像処理部
１３９  現像処理ユニット
１６１，１６２  洗浄乾燥処理部
３０１，３０３  上段熱処理部
３０２，３０４  下段熱処理部
４０１  加熱部
４０１Ｃ  支持中心
４０２  ガイド部材
５００  移動装置
５０１  支持部材
５０２  Ｙ方向可動部
５０３  Ｘ方向可動部
５０４  回転保持装置
５０５  ラインセンサ
５０６  メモリ
ＡＬ  アライナ
ＣＩａ〜ＣＩｄ  補正情報
ＣＰ  冷却ユニット
ＥＥＷ  エッジ露光部
Ｈ１，Ｈ２  ハンド
ＮＴ  ノッチ
Ｐ０  補正位置
Ｐ１，Ｐ２  位置
ＰＡＨＰ  密着強化処理ユニット
ＰＡＳＳ１〜ＰＡＳＳ９  基板載置部
Ｐ−ＢＦ１，Ｐ−ＢＦ２  載置兼バッファ部
Ｐ−ＣＰ  載置兼冷却部
ＰＨＰ  熱処理ユニット
ＰＮ  メインパネル
ＲＡ  回転軸
ＳＤ１，ＳＤ２  洗浄乾燥処理ユニット
Ｗ  基板
【図１】
2015211206.tif 000003
【図２】
2015211206.tif 000004
【図３】
2015211206.tif 000005
【図４】
2015211206.tif 000006
【図５】
2015211206.tif 000007
【図６】
2015211206.tif 000008
【図７】
2015211206.tif 000009
【図８】
2015211206.tif 000010
【図９】
2015211206.tif 000011
【図１０】
2015211206.tif 000012
【図１１】
2015211206.tif 000013
【図１２】
2015211206.tif 000014
【図１３】
2015211206.tif 000015
【図１４】
2015211206.tif 000016
【図１５】
2015211206.tif 000017
【図１６】
2015211206.tif 000018
【図１７】
2015211206.tif 000019
【図１８】
2015211206.tif 000020
【図１９】
2015211206.tif 000021
【手続補正書】
【提出日】平成27年6月8日(2015.6.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４１】
搬送部１１２の側面には、メインパネルＰＮが設けられる。メインパネルＰＮは、制御部１１４に接続されている。ユーザは、基板処理装置１００における基板Ｗの処理状況等をメインパネルＰＮで確認することができる。メインパネルＰＮの近傍には、例えばキーボードからなる図示しない操作部が設けられている。ユーザは、操作部を操作することにより、基板処理装置１００の動作設定等を行うことができる。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６０】
熱処理部１３３は、上方に設けられる上段熱処理部３０３および下方に設けられる下段熱処理部３０４を有する。上段熱処理部３０３および下段熱処理部３０４の各々には、１または複数のアライナＡＬ、冷却ユニットＣＰ、エッジ露光部ＥＥＷおよび複数の熱処理ユニットＰＨＰが設けられる。エッジ露光部ＥＥＷにおいては、基板Ｗの周縁部の露光処理（エッジ露光処理）が行われる。上段熱処理部３０３および下段熱処理部３０４において、洗浄乾燥処理ブロック１４Ａに隣り合うように設けられる熱処理ユニットＰＨＰは、洗浄乾燥処理ブロック１４Ａからの基板Ｗの搬入が可能に構成される。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００７４】
第２の処理ブロック１３において、搬送機構１３７（図４）は、基板載置部ＰＡＳＳ５に載置されたレジスト膜形成後の基板ＷをアライナＡＬ（図３）に搬送する。続いて、搬送機構１３７は、アライナＡＬにより位置合わせされた基板Ｗをエッジ露光部ＥＥＷ（図３）および載置兼バッファ部Ｐ−ＢＦ１（図４）に順に搬送する。この場合、アライナＡＬにおいて、基板Ｗの位置合わせが行われた後、エッジ露光部ＥＥＷにおいて、基板Ｗにエッジ露光処理が行われる。エッジ露光処理後の基板Ｗが載置兼バッファ部Ｐ−ＢＦ１に載置される。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００７７】
搬送機構１３８（図４）は、基板載置部ＰＡＳＳ７に載置されたレジスト膜形成後の基板ＷをアライナＡＬ（図３）に搬送する。続いて、搬送機構１３８は、アライナＡＬにより位置合わせされた基板Ｗをエッジ露光部ＥＥＷ（図３）および載置兼バッファ部Ｐ−ＢＦ２（図４）に順に搬送する。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００７８】
また、搬送機構１３８（図４）は、インターフェイスブロック１４に隣接する熱処理ユニットＰＨＰ（図３）から露光処理後でかつ熱処理後の基板Ｗを取り出す。搬送機構１３８は、その基板Ｗを冷却ユニットＣＰ（図３）、現像処理室３３，３４（図２）のいずれか一方、熱処理ユニットＰＨＰ（図３）および基板載置部ＰＡＳＳ８（図４）に順に搬送する。現像処理室３３，３４および下段熱処理部３０４における基板Ｗの処理内容は、上記の現像処理室３１，３２および上段熱処理部３０３における基板Ｗの処理内容と同様である。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１３２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１３２】
図１８および図１９は、第２の実施の形態における補正情報を取得する手順を説明するための図である。まず、図１８に示すように、加熱部４０１の支持中心４０１Ｃと基板Ｗの中心ＷＣとが一致する状態で、熱処理ユニットＰＨＰに基板Ｗが支持される。この場合、加熱部４０１の支持中心４０１Ｃが基準位置に相当する。ここで、搬送機構１４２によりアライナＡＬから熱処理ユニットＰＨＰに搬送されることにより熱処理ユニットＰＨＰに基板Ｗが支持されてもよい。あるいは、基板処理装置１００の使用者により熱処理ユニットＰＨＰに基板Ｗが支持されてもよい。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１３３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１３３】
次に、図１８に一点鎖線の矢印で示すように、基板Ｗが搬送機構１４２により＋Ｘ方向に予め定められた一定の距離だけ移動されるとともに、＋Ｙ方向に予め定められた一定の距離だけ移動される。これにより、図１９に示すように、熱処理ユニットＰＨＰからアライナＡＬに基板Ｗが搬送される。このときの基板Ｗの中心ＷＣの位置が補正位置Ｐ０となる。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１３４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１３４】
ここで、回転保持装置５０４の回転軸ＲＡは原点位置Ｏに一致している。基板ＷのＸオフセット量ＸｏｆｆおよびＹオフセット量Ｙｏｆｆが算出されることにより、補正位置Ｐ０が算出される。この場合、補正位置Ｐ０の座標は、（Ｘｏｆｆ，Ｙｏｆｆ）である。同様の手順により、他の複数の熱処理ユニットＰＨＰにそれぞれ対応する補正位置Ｐ０が算出される。算出された複数の補正位置Ｐ０が、それぞれ複数の補正情報として図９のメモリ５０６に記憶される。補正情報は、熱処理ユニットＰＨＰに対応する回転方向オフセット量θｏｆｆの一定の値を補正方向として含んでもよい。
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１４５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１４５】
（４）第１の実施の形態において、図１１の補正情報取得時に基板Ｗがスピンチャックにより１８０°回転されるが、これに限定されない。図１１の補正情報取得時に基板Ｗがスピンチャックにより任意の角度だけ回転されてもよい。この場合、幾何学的な演算により、基板Ｗの回転前の中心ＷＣの位置と基板Ｗの回転後の中心ＷＣの位置とに基づいて、図１３の補正位置Ｐ０を算出することができる。