(57)【要約】  【課題】  半導体回路素子から発生した熱を絶縁基体の下面側の光素子に伝導しにくくすることができる光装置用基板を提供する。  【解決手段】  光装置用基板であって、上面２ａ１側に半導体回路素子３が搭載される搭載領域３ａを有し、平面視において搭載領域３ａに重ならないように下面２ａ２側に設けられた、内部に半導体回路素子３に電気的に接続される光素子５が配置される凹部４を有する絶縁基体２ａを備えている。【選択図】  図１
2015142029.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
上面側に半導体回路素子が搭載される搭載領域を有し、平面視において前記搭載領域に重ならないように下面側に設けられた、内部に前記半導体回路素子に電気的に接続される光素子が配置される凹部を有する絶縁基体を備えていることを特徴とする光装置用基板。
【請求項２】
上面側に光導波路を有する実装基板と、
請求項１に記載の光装置用基板と、
前記搭載領域に搭載された半導体回路素子と、
前記凹部の内部に配置されて、平面視において前記光導波路に重なるように前記実装基板の上面に搭載されるとともに前記光導波路に光学的に結合された光素子とを備えていることを特徴とする光モジュール。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、例えば、スーパーコンピュターまたはサーバー・ルータ等に用いられる光装置用基板およびそれを備えた光モジュール等に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
近年、情報分野における技術発展に伴うＩＰトラフィックまたは情報処理量の増加によって、大容量かつ高速のデータ伝送が行なわれるようになってきた。それに伴って、電子機器間または電子機器内のモジュールにおける配線の集積化が要求されており、ノイズ対策等の課題も顕在化してきた。また、近年、省エネルギー化の流れから、例えば、データセンタに設けられるサーバ等の電子機器における消費電力の低減が求められている。そこで、電子機器内に設けられた複数の素子間の配線部品として従前の電気配線に代えて光配線を有する光モジュールが用いられるようになっている。
【０００３】
光装置用基板を含む光モジュールは、半導体回路素子および光素子が実装される基板を含んでおり、基板には、光素子が光信号を送受信するために、光導波構造が設けられている（例えば、特許文献１を参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２０１０−１１３１０２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、上述の光モジュールは、半導体回路素子と光素子とが近接して設けられており、半導体回路素子は動作時における発熱量が多く、半導体回路素子から発生した熱によって光素子の動作特性が低下しやすいという問題点があった。
【０００６】
本発明は、上記の問題点に鑑みてなされたものであり、その目的は、半導体回路素子から発生した熱を絶縁基体の下面側に位置する光素子に伝導しにくくすることによって、光素子への熱の伝導を抑制することができる光装置用基板およびそれを用いた光モジュールを提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明の一態様に係る光装置用基板は、上面側に半導体回路素子が搭載される搭載領域を有し、平面視において前記搭載領域に重ならないように下面側に設けられた、内部に前記半導体回路素子に電気的に接続される光素子が配置される凹部を有する絶縁基体を備えていることを特徴とするものである。
【０００８】
また、本発明の他の態様に係る光モジュールは、上面側に光導波路を有する実装基板と、本発明に係る光装置用基板と、前記搭載領域に搭載された半導体回路素子と、前記凹部の内部に配置されて、平面視において前記光導波路に重なるように前記実装基板の上面に搭載されるとともに前記光導波路に光学的に結合された光素子とを備えていることを特徴とするものである。
【発明の効果】
【０００９】
本発明の光装置用基板および光モジュールによれば、半導体回路素子から発生した熱を絶縁基体の下面側に位置する光素子に伝導しにくくすることによって、光素子への熱の伝
導を抑制することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１０】
【図１】（ａ）は、本発明の実施形態に係る光モジュールの平面図、（ｂ）は、（ａ）に示す光モジュールのＡ−Ａにおける断面図である。
【図２】（ａ）は、本発明の他の実施形態を示す光モジュールの平面図、（ｂ）は、（ａ）に示す光モジュールのＢ−Ｂにおける断面図である。
【図３】（ａ）は、本発明の他の実施形態を示す光モジュールの平面図、（ｂ）は、（ａ）に示す光モジュールのＣ−Ｃにおける断面図である。
【図４】（ａ）および（ｂ）は、プレキシブルプリント基板の接続を説明するための模式的な説明図である。
【発明を実施するための形態】
【００１１】
以下、本発明の実施形態に係る光装置用基板２および光モジュール１について、図面を参照しながら説明する。なお、以下の説明で用いられる図は模式的なものであり、図面上の寸法比率等は現実のものとは必ずしも一致していない。また、光モジュール１は、説明の便宜上、直交座標系ＸＹＺを定義するとともに、Ｚ方向の正側を上方として、上面（上面側）もしくは下面（下面側）の語を用いるものとする。
【００１２】
また、実施形態等の説明において、既に説明した構成と同一若しくは類似する構成については、同一の符号を付して説明を省略することがある。
【００１３】
＜実施の形態１＞
本発明の第１の実施の形態（実施の形態１という）に係る光装置用基板２および光モジュール１装置について、図１を参照しながら以下に説明する。
【００１４】
図１（ａ）および（ｂ）に示すように、光モジュール１は、上面側に光導波路８を有する実装基板７と、平面視において光導波路８に重なるように実装基板７の上面に搭載されるとともに、光導波路８に光学的に結合された光素子５と、実装基板７の上面側に設けられた、上面に半導体回路素子３が搭載される搭載領域３ａを有するとともに、平面視において下面に搭載領域３ａに重ならないように設けられた、半導回路体素子３に電気的に接続される光素子５が内部に配置される凹部４を有する絶縁基体２ａと、搭載領域３ａに搭載されるとともに、光素子５に電気的に接続された半導体回路素子３と、を備えている。
【００１５】
図１（ｂ）に示すように、電気信号の経路は実線の矢印によって模式的に示されており、また、光信号の矢印は破線によって模式的に示されている。図１では、半導体回路素子３から出力された電気信号に基づいて光素子５から光信号が出力される構成について例示しているが、このような構成に限らない。本実施形態における技術的工夫は、光導波路８から光素子５に光信号が伝送される例においても適用することができる。すなわち、光素子５による受光信号に基づいて半導体回路素子３に電気信号が入力される構成であれば、電気信号および光信号の進行方向は、図１に示している進行方向の矢印の向きとは逆方向となる。なお、絶縁基体２ａは、上面を２ａ１、下面を２ａ２として図示している。また、光素子５は、光導波路８との結合面側から光信号が出力される、または、結合面側に光信号が入力されるものである。
【００１６】
実施の形態１に係る光装置用基板２は、図１に示すような構成であり、絶縁基体２ａは、上面２ａ１側に半導体回路素子３が搭載される搭載領域３ａを有しており、平面視において搭載領域３ａに重ならないように下面２ａ２側に凹部４が設けられている。凹部４の内部には、光素子５が配置され、光素子５は半導体回路素子３に電気的に接続される。また、絶縁基体２ａは、一辺の長さが、例えば、３（ｍｍ）〜１０（ｍｍ）であり、厚みが
、例えば、０．５（ｍｍ）〜１．０（ｍｍ）である。
【００１７】
また、搭載領域３ａは、絶縁基体２ａの上面２ａ１に設けられており、搭載領域３ａの大きさは、半導体回路素子６の大きさに相当しており、半導体回路素子３の大きさに応じて適宜設定される。
【００１８】
また、光装置用基板２は、絶縁基体２ａの上面に第２凹部（図示せず）を設けて、この第２凹部の底面に搭載領域３ａが設けられていてもよい。この場合には、半導体回路素子３は、凹部の底面の搭載領域３ａに搭載されることになる。光装置用基板２は、半導体回路素子３が第２凹の底面の搭載領域３ａに搭載されることになるので、半導体回路素子３に対する保護性を向上させることができる。
【００１９】
また、実装基板７において光導波路８とは反対側の領域に切り欠き部、すなわり、段差部を設けて、絶縁基体２ａのＺ方向の厚みを大きくすることによって、絶縁基体２ａの一部を切り欠き部設けてもよい。なお、絶縁基体２ａの一部とは、図１において凹部４の左側の部分である。このような構成にすることによって、光装置用基板２は、光素子５に対する距離が長くなり、半導体回路素子３から発生する熱を光素子５に伝導しにくくすることができる。
【００２０】
図１において、絶縁基体２ａの凹部４は、６個の光素子５が配置可能な大きさで絶縁基体２ａに設けられている。図１では、光素子４は、凹部４の内部に６個配置されているが、このような構成に限らない。光素子５は、例えば、凹部４の内部に９個、あるいは、１２個配置されていてもよい。すなわち、光素子５は、光モジュールの用途等に応じて配置される個数は適宜設定される。このように、凹部４は、大きさが内部に配置される光素子５の大きさまたは個数等に応じて適宜設定されるが、例えば、Ｘ方向の長さが、３００（μｍ）〜４００（μｍ）、Ｙ方向の長さが、２８００（μｍ）〜３０００（μｍ）である。また、凹部４は、深さが、例えば、５０（μｍ）〜１００（μｍ）である。
【００２１】
また、光装置用基板２は、絶縁基体２ａと、配線導体層６とを含んでいる。配線導体層６は絶縁基体２ａの内部または表面に設けられている。配線導体層６は、ビア導体と配線導体とを含んで構成されており、図１（ｂ）に示すように、ビア導体は絶縁基体２ａに対して垂直方向（Ｚ方向）に形成されており、配線導体は絶縁基体２ａに対して水平方向（ＸＹ面内）に形成されている。また、配線導体層６が絶縁基体２ａの表面（下面２ａ２）には形成されており、この配線導体層６は実装基板７と電気的に接続される。また、配線導体層６が絶縁基体２ａの表面（上面２ａ１）には形成されており、この配線導体層６は半導体回路素子３に電気的に接続される。
【００２２】
また、複数の配線導体層６は、図１に示すように、半導体回路素子３の搭載領域３ａから絶縁基体２ａの下面２ａ２側にかけて、ビア導体と配線導体との組み合わせでもって設けられている。また、複数の配線導体層６は、例えば、絶縁基体２ａがセラミックス材料からなる場合には、絶縁基体２ａとともに焼成されたメタライズ層で形成される。
【００２３】
また、配線導体層６は、絶縁基体２ａの内部に接地電極層（グランド電極層）を設けることで、接地電極層（グランド電極層）に挟まれるストリップ配線構造にすることができる。したがって、このような構造にすることによって、絶縁基体２ａ内に電磁界を閉じ込めることができるので、高速電気信号の伝送損失を抑制することができる。
【００２４】
例えば、絶縁基体２ａの表面に表層配線導体層を設ける構造の場合には、外部からの電磁界の影響を受けやすくなるので、光装置用基板２は、上述したように、接地電極層で遮蔽されたストリップ配線構造にすることが好ましい。また、絶縁基体２ａは、例えば、ア
ルミナまたはアルミナにガラスを混ぜて焼成温度を低温化させた低温同時焼成セラミックス（ＬＴＣＣ）等のセラミックスの絶縁材料からなる。また、光装置用基板２は、多層構造の基板であってもよい。
【００２５】
また、配線導体層６は、絶縁基体２ａの内部および表面部に設けられており、絶縁基体２ａの内部に設けられた配線導体層６は、絶縁基体２ａの表面部（下面２ａ２）に設けられた配線導体層６に印加された電気信号を半導体回路素子６へ伝送するものであり、また、半導体回路素子６から出力された電気信号を絶縁基体２ａの表面部に設けられた配線導体層６へ伝送するものである。さらに、配線導体層６は、電源電圧用の配線導体および接地電圧用の配線導体を含んでいる。なお、電源電圧用の配線導体はおよび接地電圧用の配線導体は、絶縁基体２ａの下面２ａ２の複数の配線導体層６に印加された電源電圧および接地電圧を半導体回路素子６に印加するものである。
【００２６】
実装基板７は、図１に示すように、光導波路８を有しており、光導波路８は、例えば、コア部（図示せず）およびクラッド部（図示せず）を含む構造を有している。コア部およびクラッド部は、例えば、ガラスまたはポリマー樹脂等からなり、互いに異なる光屈折率を有している。また、コア部は、クラッド部によって覆われており、クラッド部よりも大きな光屈折率を有している。
【００２７】
また、光導波路８は、図１（ｂ）に示すように、伝送される光信号の進路方向を変換する光路変換部８ａをさらに有している。光路変換部８ａは、例えば、コア部およびクラッド部の延在方向に対して約４５°の角度を持つ傾斜面となっており、光の進行方向を変えるものである。光路変換部８ａは、傾斜面に、例えば、光を反射し得る金属層が形成されている場合がある。
【００２８】
また、光路変換部８ａは、例えば、ホウケイ酸ガラス等のガラスに鏡面研磨加工を用いて、反射面を４５度に傾斜させたものである。この反射面には、金またはアルミニウム等の金属材料が、あるいは、ＳｉＯ２またはＴａ２Ｏ５等からなる誘電体多層膜がスパッタリング法または蒸着法等を用いて形成されている。
【００２９】
また、実装基板７は、絶縁体と、配線層９と、配線導体（図示せず）とを含んで構成されている。配線層９は絶縁体の表面部に設けられており、光装置用基板２との実装に用いられるものである。また、配線導体は絶縁体の内部に設けられており、配線層９に電気的に接続されるものである。また、配線層９は、図１に示すように、一例として、絶縁体の表面部に設けられており、半導体回路素子３と光素子５とを電気的に接続している。
【００３０】
また、配線層９は、絶縁体の内部または表面部に複数設けられており、半導体回路素子３へ入力される電気信号または半導体回路素子３から出力された電気信号が伝送されるものであり、また、半導体回路素子３に印加される電源電圧および接地電圧が供給されるものである。実装基板１の絶縁体は、例えば、エポキシ樹脂またはポリイミド樹脂等の樹脂材料からなる絶縁材料である。
【００３１】
光素子５が、例えば、後述する外部共振器型垂直面発光レーザである場合には、光路変換部８ａは、光素子５からの出射光軸と４５度をなしており、光路変換部８ａによって光の通路が９０度曲げられる。光素５からの光は、光導波路８に入射され、光路変換部８ａで方向を９０度曲げられ、光導波路８のコア部に入射される。また、光素子５が、後述するフォトダイオードである場合には、光導波路８からの光は、光路変換部８ａで方向を９０度曲げられ、光素子５に入射される。
【００３２】
半導体回路素子３は、送信機能を有する場合は、例えば、ドライバ回路素子であり、ま
た、受信機能を有する場合は、例えば、レシーバ回路素子（ＴＩＡ：Trans Impedance Amplifier）である。半導体回路素子３は、図１に示すように、絶縁基体２ａにおける搭載
領域３ａに実装されており、複数の配線導体層６に電気的に接続されている。また、半導体回路素子３は、絶縁基体２ａの搭載領域３ａにフリップチップ方式を用いて実装されている。
【００３３】
光素子７は、送信機能を有する場合は、例えば、外部共振器型垂直面発光レーザ（ＶＣＳＥＬ：Vertical Cavity Surface Emitting LASER）であり、また、受信機能を有する場合は、例えば、フォトダイオード（ＰＤ）である。光素子５は、平面視において光導波路８に重なるように実装基板７の上面に搭載され、光導波路８に光学的に結合されている。すなわち、光素子５は、図１に示すように、実装基板７の上面に搭載され、例えば、接着性を有する樹脂材料を介して実装基板７の光導波路８に光学的に結合するように実装されている。このように、光素子５は、接着性を有する樹脂材料を介して光導波路８に実装されるので、光導波路８との距離が短くなり、さらに、光路を直線的にすることができる。これによって、光モジュール１は伝送損失を抑制することができる。
【００３４】
光装置用基板２は、実装基板７上の光素子５に対して絶縁基体２ａの凹部４を位置合わせして、凹部４の内部に光素子５が配置されるように実装基板７に実装される。光装置用基板２と実装基板７とは、例えば、絶縁基体２ａの下面２ａ２の配線導体層６に付着された半田ボール（半田バンプ）を介して実装されており、これによって光装置用基板２と実装基板７とが電気的に接続される。
【００３５】
また、光素子５は、配線層９に電気的に接続されるとともに、実装基板７の光導波路８に光学的に結合される。また、光素子５はフリップチップ方式を用いて実装基板７に実装されていてもよい。
【００３６】
光装置用基板２は、平面視において半導体回路素子３と光素子５とが重ならないように配置されるので、絶縁基体２ａの上面側に設けられた半導体回路素子３から発生する熱が、絶縁基体２ａの下面側に設けられた光素子５に対して伝導しにくくなる。これによって、光装置用基板２は、光モジュール１における光素子５の動作特性の低下を抑制することができる。
【００３７】
また、光装置用基板２は、絶縁基体２ａの凹部４の空間が低熱伝導となるので、半導体回路素子３から発生する熱を光素子５に伝導しにくくすることができる。これによって、光装置用基板２は、半導体回路素子３から発生する熱を絶縁基体２ａの下面２ａ２方向から実装基板７を介して効果的に放熱することができる。したがって、実施の形態１に係る光装置用基板２を備えた光モジュール１は、光素子５の動作特性を向上させることができる。
【００３８】
また、光装置用基板２は、絶縁基体２ａを間に挟んで半導体回路素子３と光素子５とが上下方向にそれぞれ搭載されるような構成を有しており、さらに、半導体回路素子３と光素子５とが平面視において近接するとともに、互いに重ならないような構成を有している。したがって、光装置用基板２は、半導体回路素子３と光素子５との間の電気的な配線の配線長が長くなるのを抑制することができる。すなわち、半導体回路素子３と光素子５との間の電気的な配線の配線長を短くすることができるので、光装置用基板２は、光モジュール１の電気特性の低下を抑制することができる。
【００３９】
また、絶縁基体２ａは内部には配線導体層６が設けられており、この配線導体層６は半導体回路素子３と光素子５とを電気的に接続しており、特に、光素子５側に設けられる配線導体層６が半導体回路素子３から発生する熱の放熱経路となり、この配線導体層６を介
して半導体回路素子３から発生する熱を効果的に実装基板７に伝導させることができるので、光装置用基板２は、光素子５の動作特性の低下を抑制することができる。
【００４０】
光素子５は、実装基板７に接着性を有する樹脂材料を介して実装されるので、光素子５と光導波路８との距離を限りなく小さくすることができる。これによって、光素子５は光信号を光導波路に直接入射させることができる。また、光素子５は光導波路８から光信号が直接入射される。したがって、光モジュール１は光学的な損失を抑制することができる。このように、光素子５と光導波路８との距離を限りなく小さくすることによって、光素子５と光導波路８との間に、いわゆる、光スルーホール部が存在しなくなくなり、光モジュール１は、光学的な損失が抑制される。
【００４１】
また、絶縁基体２ａの凹部４は、実装基板７に設けられた光素子５の上面と絶縁基体２ａとの間に空隙部ができるような深さを有していることが好ましい。絶縁基体２ａと光素子５の上面との間に、このような空隙部を有することによって、空隙部が低熱伝導となるので、光素子５は絶縁基体２ａからの伝熱が抑制される。また、耐湿性の樹脂材料を空隙部に充填させることによって、光素子５は信頼性を向上させることができる。
【００４２】
また、絶縁基体２ａの凹部４は、凹部の深さが光素子５の高さ（光素子５の厚み）よりも深くなるように設けることが好ましい。このように、絶縁基体２ａは、凹部４の深さを光素子５の高さよりも深くすることによって、光素子５を凹部４の内部に収めることができる。これによって、光モジュール１は、全体の厚み（Ｚ方向の厚み）が薄くなり、小型化、薄型化することができる。
【００４３】
また、光モジュール１は、半導体回路素子３および光素子５がボンディングワイヤを用いて絶縁基体２ａに実装される構成に比べて、半導体回路素子３および光素子５が接着性を有する樹脂材料を介して実装されており、また、フィリップチップ方式で実装されているため、電気的な不連続が生じにくくなり、電気的特性を向上させることができる。すなわち、光モジュール１は、電気特性を向上させることによって、信号の伝送特性を向上させることができる。
【００４４】
本発明は、上述の実施の形態１に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲において種々の変更、改良等が可能である。以下、他の実施の形態について説明する。なお、他の実施の形態に係る光装置のうち、実施の形態１に係る光装置用基板２と光モジュール１と同様な部分については、同一の符号を付して適宜説明を省略する。
【００４５】
＜実施の形態２＞
以下、本発明の第２の実施の形態（実施の形態２という）に係る光装置用基板２Ａおよび光モジュール１Ａについて、図２および図４を参照しながら以下に説明する。また、図４は、フレキシブルプリント基板１０と電子部品等との接続を説明するための模式的な説明図である。
【００４６】
実施の形態２に係る光装置用基板２Ａおよび光モジュール１Ａは、図２に示すような構成であり、実装基板７は上面側にフレキシブルプリント基板１０を有しており、光導波路８Ａがフレキシブルプリント基板１０に設けられている。フレキシブルプリント基板１０は、図２（ａ）に示すように、Ｙ方向の幅が絶縁基体２ａを実装できるような幅を有しており、実装基板７上に設けられている。また、フレキシブルプリント基板１０は、Ｙ方向の幅が絶縁基体２ａを実装できるような幅を有していればよく、例えば、実装基板７上の全面に設けられていてもよい。
【００４７】
また、光素子５は、平面視において光導波路８Ａに重なるように設けられており、光導
波路８Ａに光学的に結合されている。また、フレキシブルプリント基板１０は、図４に示すように、絶縁基体２ａの外周から外側に位置する部分がＺ方向に持ち上がるように設けられていることが好ましい。
【００４８】
このように、フレキシブルプリント基板１０は、光導波路８Ａに設けられており、フレキシブル性を有しているので、図４（ａ）に示すように、電子部品１１等（例えば、光電変換部品またはコネクタ等の電子部品）に対して接続しやすくなる。すなわち、光導波路８Ａを有するフレキシブルプリント基板１０は、フレキシブル性を有しているので、実装基板７上の電子部品１０に対する接続の制約を低減することができる。
【００４９】
また、例えば、フレキシブルプリント基板１０は、絶縁基体２ａの外周から外側に位置する部分がＺ方向に対してフレキシブル性を有しているので、Ｚ方向に持ち上げることが可能となり、電子部品等が搭載可能な電子部品搭載領域１２を設けることができるので、フレキシブルプリント基板１０の下方の電子部品搭載領域１２に電子部品等を効率よく高密度に配置することができる。したがって、光モジュール１Ａは、実装基板７上に電子部品等を高密度実装することができる。
【００５０】
また、図４（ｂ）に示すように、例えば、実装基板７上に、送信側となる光装置用基板２Ａと受信側となる光装置用基板２Ａと同様な構造を有する光装置用基板２ＡＡとを搭載して、光装置用基板２Ａと光装置用基板２ＡＡとは、光導波路８Ａを有するフレキシブルプリント基板１０で接続することができる。この場合にも、フレキシブルプリント基板１０の下側の電子部品搭載領域１２に電子部品等を効率よく高密度に配置することができる。なお、光装置用基板２Ａには半導体回路素子３が搭載され、光装置用基板２ＡＡには半導体回路素子３Ａが搭載されている。
【００５１】
＜実施の形態３＞
以下、本発明の第３の実施の形態（実施の形態３という）に係る光装置用基板２Ｂおよび光モジュール１Ｂについて、図３を参照しながら以下に説明する。
【００５２】
実施の形態３に係る光装置用基板２Ｂおよび光モジュール１Ｂは、図３に示すような構成であり、実装基板７は上面側にフレキシブルプリント基板１０Ａを有しており、導波路８Ｂがフレキシブルプリント基板１０Ａに設けられている。フレキシブルプリント基板１０Ａは、図３（ａ）に示すように、Ｙ方向の幅が絶縁基体２ａを実装できるような幅を有しており、実装基板７上に設けられている。また、プレキシブルプリント基板１０Ａは、Ｙ方向の幅が少なくとも光導波路８Ｂが含まれるような幅を有していればよい。
【００５３】
また、光素子５は、平面視において光導波路８Ｂに重なるように設けられており、光導波路８Ｂに光学的に結合されている。また、絶縁基体２ａは、側面から下面２ａ２にかけて切り欠きき部２ｂを有しており、フレキシブルプリント基板１０Ａが切り欠き部２ｂに設けられている。すなわち、光モジュール１Ｂは、フレキシブルプリント基板１０Ａが切り欠き部２ｂの下側に配置されるような構成となっている。
【００５４】
したがって、絶縁基体２ａの上面２ａ１と切り欠き部２ｂとの間の絶縁基体２ａの内部に配線導体層６が垂直方向（Ｚ方向）に設けられており、この配線導体層６は、半導体回路素子３と光素子５とを電気的に接続している。したがって、光装置用基板２Ｂは、絶縁基体２ａの切り欠き部２ｂに相当する長さの分だけ配線導体層６の長さを短くすることができる。
【００５５】
このような構成にすることによって、半導体回路素子３と光素子５との間の電気的な配線の配線長を短くすることができるので、光装置用基板２Ｂは、光モジュール１Ｂの電気
特性の低下を抑制することができる。
【００５６】
また、図３において、光モジュール１Ｂは、半導体回路素子３から発生し、切り欠き部２ｂの左側に伝導した熱の実装基板７の上面の光素子５への伝熱経路が長くなり、半導体回路素子３から発生した熱が光素子５に対して伝導しにくくなる。
【００５７】
本発明は、上述した実施の形態１乃至実施の形態３に特に限定されるものではなく、本発明の範囲内で種々の変更および改良が可能である。
【符号の説明】
【００５８】
１  光モジュール
２、２Ａ、２Ｂ  光装置用基板
２ａ  絶縁基体
２ｂ  切りかき部
３  半導体回路素子
３ａ  搭載領域
４  凹部
５  光素子
６  配線導体層
７  実装基板
８、８Ａ、８Ｂ  光導波路
８ａ  光路変換部
９  配線層
１０、１０Ａ  フレキシブルプリント基板
【図１】
2015142029.tif 000003
【図２】
2015142029.tif 000004
【図３】
2015142029.tif 000005
【図４】
2015142029.tif 000006