(57)【要約】【課題】周波数調整時の熱による電子素子の反りを防ぎ、反りによる周波数調整精度の低下や飛散物の付着による電子素子の特性劣化を低減する。【解決手段】周波数調整装置２００は、イオンガン１４と、イオンガン１４と離間し、第１の開口部２１が設けられている第１部材２０と、第２の開口部３１を有し、第１部材２０に対してイオンガン１４と反対側に配置され、平面視で第２の開口部３１に少なくとも一部が重なるように音叉型水晶振動片１００が配置されている第２部材３０と、を備え、第２部材３０は、平面視で第２の開口部３１が第１の開口部２１と重なるとともに、平面視で音叉型水晶振動片１００の配置されている配置領域Ｑが第１部材２０と離間して配置され、イオンガン１４からイオンビーム１７が、第１の開口部２１を含む第１部材２０に向けて放出され、周波数調整を行う。【選択図】図３
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
物質および光の少なくとも一方を放出する放出源と、
前記放出源と離間し、第１の開口部が設けられている第１部材と、
第２の開口部を有し、前記第１部材に対して前記放出源と反対側に配置され、平面視で前記第２の開口部に少なくとも一部が重なるように電子素子が配置される第２部材と、を備え、
前記第２部材は、平面視で前記第２の開口部が前記第１の開口部と重なるとともに、平面視で前記電子素子の配置されている領域が前記第１部材と離間して配置され、
前記放出源から、前記物質および前記光の少なくとも一方が、前記第１の開口部を含む前記第１部材に向けて放出されることを特徴とする電子素子の製造装置。
【請求項２】
前記第２の開口部は、平面視で前記第１の開口部の内側に位置していることを特徴とする請求項１に記載の電子素子の製造装置。
【請求項３】
第３の開口部が設けられている第３部材を備え、
前記第３部材は、前記電子素子と前記第１部材との間に配置されるとともに、平面視で前記第３の開口部が前記第２の開口部と重なるように配置されていることを特徴とする請求項１または請求項２に記載の電子素子の製造装置。
【請求項４】
前記第３の開口部は、平面視で前記第２の開口部の内側に位置していることを特徴とする請求項３に記載の電子素子の製造装置。
【請求項５】
前記電子素子の前記第２部材側と反対側の面に接している第４部材が備えられていることを特徴とする請求項１ないし請求項４のいずれか一項に記載の電子素子の製造装置。
【請求項６】
前記第４部材は、前記第２の開口部よりも大きな第４の開口部を有し、
前記第４の開口部の外縁は、平面視で前記第２の開口部の外縁よりも外側に位置していることを特徴とする請求項５に記載の電子素子の製造装置。
【請求項７】
前記第４部材と前記電子素子とを圧接する圧接部を備えていることを特徴とする請求項５または請求項６に記載の電子素子の製造装置。
【請求項８】
前記物質は、イオンビームおよび金属粒子の少なくとも一方であることを特徴とする請求項１ないし請求項７のいずれか一項に記載の電子素子の製造装置。
【請求項９】
前記光は、レーザーであることを特徴とする請求項１ないし請求項８のいずれか一項に記載の電子素子の製造装置。
【請求項１０】
物質および光の少なくとも一方を放出する放出源と、第１の開口部が設けられている第１部材と、第２の開口部が設けられている第２部材と、を備えている電子素子の製造方法であって、
前記放出源と離間して前記第１部材を配置する第１ステップと、
平面視で前記第２の開口部に前記電子素子の少なくとも一部が重なるとともに、前記第２部材における前記電子素子の配置領域に前記電子素子を配置し、前記第２の開口部が平面視で前記第１の開口部と重なるとともに、平面視で少なくとも前記配置領域が前記第１部材と離間するように前記第２部材を配置する第２ステップと、を含む第１工程と、
前記放出源から前記物質および前記光の少なくとも一方を、前記第１の開口部を含む前記第１部材に向けて放出し、前記電子素子の特性を調整する第２工程と、
を有していることを特徴とする電子素子の製造方法。
【請求項１１】
前記第１工程は、前記電子素子と前記第１部材との間に、第３の開口部を有する第３部材を、平面視で前記第３の開口部の少なくとも一部と前記第１の開口部とが重なるように配置する第３ステップを含んでいることを特徴とする請求項１０に記載の電子素子の製造方法。
【請求項１２】
前記第１工程は、前記電子素子の前記第３部材側と反対側の面に接するように、第４部材を配置する第４ステップを含んでいることを特徴とする請求項１１に記載の電子素子の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電子素子の製造装置、および電子素子の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年の電子回路の高機能化、高精度化に伴い、その電子回路のクロック源として用いられる電子素子の一例としての圧電振動子にも、高精度な周波数特性が要求されている。圧電振動子の一例としての音叉型振動子を構成する音叉型振動素子においても、高い周波数精度を実現するための周波数調整装置、および方法が開示されている（例えば、特許文献１参照）。特許文献１に開示されている周波数調整装置は、搬送トレー上に配置された複数の音叉型振動素子にビームを照射させる照射源（放出源）と、音叉型振動素子の照射領域（周波数調整部）を露出させるマスクの機能を有するシャッター（以下、「シャッター」という）と、シャッターの開閉動作を制御する制御部とを備えている。この周波数調整装置では、搬送トレー上に載置されて搬送された複数の音叉型振動素子（以下、「ウェハー」という）が、音叉型振動素子の照射領域を露出させたシャッター上に配置され、照射源（放出源）からビームが音叉型振動素子の照射領域を含むシャッターに向けて照射されることにより音叉型振動素子の周波数調整が行われる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２０１１−２２８９３１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、上述の周波数調整装置では、ウェハーが搬送トレー上においてシャッターと接触している。したがって、周波数調整用のビームがシャッターに向けて照射されると、音叉型振動素子の照射領域およびシャッターが加熱される。そして、加熱されたシャッターからウェハーに熱が伝わり、ウェハーも加熱されてしまう。その結果、ウェハーに反りが生じ、周波数調整部以外の領域にビームが照射されてしまうことにより、周波数調整精度が低下してしまったり、周波数調整部以外から飛散する飛散物質が音叉型振動素子に付着してしまい特性劣化を生じてしまったりする虞があった。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本発明は、上述の課題の少なくとも一部を解決するためになされたものであり、以下の形態または適用例として実現することが可能である。
【０００６】
［適用例１］本適用例に係る電子素子の製造装置は、物質および光の少なくとも一方を放出する放出源と、前記放出源と離間し、第１の開口部が設けられている第１部材と、第２の開口部を有し、前記第１部材に対して前記放出源と反対側に配置され、平面視で前記第２の開口部に少なくとも一部が重なるように電子素子が配置される第２部材と、を備え、前記第２部材は、平面視で前記第２の開口部が前記第１の開口部と重なるとともに、平面視で前記電子素子の配置されている領域が前記第１部材と離間して配置され、前記放出源から、前記物質および前記光の少なくとも一方が、前記第１の開口部を含む前記第１部材に向けて放出されることを特徴とする。
【０００７】
本適用例によれば、第１部材に対して放出源と反対側に配置されている第２部材に電子素子が配置され、平面視で電子素子の配置されている領域が第１部材と離間している。そして、放出源から放出された物質および光の少なくとも一方は、第１の開口部と第１の開口部と平面視で重なる第２部材の第２の開口部とを通り、電子素子に照射される。このとき、第１の開口部以外の第１部材にも放出源から放出された物質および光の少なくとも一方が照射されるため第１部材が加熱されるが、第２部材には照射されず第２部材は加熱されない。また、第１部材は加熱されるが、平面視で電子素子の配置されている領域が第１部材と離間して配置されているため電子素子に第１部材の熱が伝わり難い。したがって、電子素子の加熱による反りが生じなくなり、電子素子の反りによる周波数調整精度の低下や電子素子の特性劣化を防ぐことが可能となる。
【０００８】
［適用例２］上記適用例に記載の電子素子の製造装置において、前記第２の開口部は、平面視で前記第１の開口部の内側に位置していることが好ましい。
【０００９】
本適用例によれば、第１部材に対して放出源と反対側にある第２部材の第２開口部が、放出源側にある第１部材の第１の開口部より内側に位置している。これにより、放出源から放出された物質および光の少なくとも一方を、第２の開口部の外周部に邪魔されることなく第１の開口部から電子素子に効率よく照射することができる。電子素子が配置されている第２部材の第２の開口部は、電子素子に近接しており電子素子の周波数調整部を形成するマスクの機能も有しており、効率よい周波数調整を行うことができる。
【００１０】
［適用例３］上記適用例に記載の電子素子の製造装置において、第３の開口部が設けられている第３部材を備え、前記第３部材は、前記電子素子と前記第１部材との間に配置されるとともに、平面視で前記第３の開口部が前記第２の開口部と重なるように配置されていることが好ましい。
【００１１】
本適用例によれば、第３の開口部が設けられている第３部材を電子素子と第１部材との間に配置することにより、第３部材を電子素子の形状や周波数調整部の位置の違いに対応する細部調整マスクとすることができる。これにより、種々の形状の電子素子に対して容易に対応することが可能となる。
【００１２】
［適用例４］上記適用例に記載の電子素子の製造装置において、前記第３の開口部は、平面視で前記第２の開口部の内側に位置していることが好ましい。
【００１３】
本適用例によれば、放出源から放出された物質および光の少なくとも一方を、第２の開口部の外周部に邪魔されることなく第３の開口部から電子素子に照射することができ、効率よい周波数調整を行うことができる。
【００１４】
［適用例５］上記適用例に記載の電子素子の製造装置において、前記電子素子の前記第２部材側と反対側の面に接している第４部材が備えられていることが好ましい。
【００１５】
本適用例によれば、電子素子の第２部材側と反対側の面に第４部材が接しているため、電子素子の反対側の面に周波数調整における飛散物やその他の異物などが付着することを防止することが可能となる。
【００１６】
［適用例６］上記適用例に記載の電子素子の製造装置において、前記第４部材は、前記第２の開口部よりも大きな第４の開口部を有し、前記第４の開口部の外縁は、平面視で前記第２の開口部の外縁よりも外側に位置していることが好ましい。
【００１７】
本適用例によれば、第４部材に第２の開口部の外縁よりも外側に位置している第２の開口部よりも大きな第４の開口部を有しているため、周波数調整における飛散物（加熱された物質）を第４の開口部から放散させることができ、電子素子の加熱をさらに低減することができる。
【００１８】
［適用例７］上記適用例に記載の電子素子の製造装置において、前記第４部材と前記電子素子とを圧接する圧接部を備えていることが好ましい。
【００１９】
本適用例によれば、電子素子が第４部材に圧接されることにより、電子素子の反りを生じさせなくすることができる。
【００２０】
［適用例８］上記適用例に記載の電子素子の製造装置において、前記物質は、イオンビームおよび金属粒子の少なくとも一方であることが好ましい。
【００２１】
本適用例によれば、イオンビームおよび金属粒子の少なくとも一方を電子素子の周波数調整部に照射することによって、容易に電子素子の周波数調整を行うことができる。
【００２２】
［適用例９］上記適用例に記載の電子素子の製造装置において、前記光は、レーザーであることが好ましい。
【００２３】
本適用例によれば、レーザーを電子素子の周波数調整部に照射することによって、容易に電子素子の周波数調整を行うことができる。
【００２４】
［適用例１０］本適用例に係る電子素子の製造方法は、物質および光の少なくとも一方を放出する放出源と、第１の開口部が設けられている第１部材と、第２の開口部が設けられている第２部材と、を備えている電子素子の製造方法であって、前記放出源と離間して前記第１部材を配置する第１ステップと、平面視で前記第２の開口部に前記電子素子の少なくとも一部が重なるとともに、前記第２部材における前記電子素子の配置領域に前記電子素子を配置し、前記第２の開口部が平面視で前記第１の開口部と重なるとともに、平面視で少なくとも前記配置領域が前記第１部材と離間するように前記第２部材を配置する第２ステップと、を含む第１工程と、前記放出源から前記物質および前記光の少なくとも一方を、前記第１の開口部を含む前記第１部材に向けて放出し、前記電子素子の特性を調整する第２工程と、を有していることを特徴とする。
【００２５】
本適用例によれば、第１工程において、平面視で第２の開口部に電子素子の少なくとも一部が重なるとともに、電子素子の配置領域に電子素子を配置し、第２の開口部が平面視で、放出源と離間して配置された第１部材の第１の開口部と重なるとともに、平面視で少なくとも配置領域が第１部材と離間するように前記第２部材を配置する。そして、第２工程において、放出源から物質および光の少なくとも一方を、第１の開口部を含む第１部材に向けて放出し、電子素子の特性を調整する。これにより、放出源から放出された物質および光の少なくとも一方は、第２部材には照射されず第２部材は加熱されない。また、平面視で電子素子の配置されている領域が第１部材と離間して配置されているため、放出源から放出された物質および光の少なくとも一方が第１の開口部以外の第１部材に照射されて加熱された第１部材の熱が、電子素子に伝わり難い。したがって、電子素子の加熱による反りを生じさせず、電子素子の反りによる周波数調整精度の低下や電子素子の特性劣化を防ぐ製造方法を提供することができる。
【００２６】
［適用例１１］上記適用例に記載の電子素子の製造方法において、前記第１工程は、前記電子素子と前記第１部材との間に、第３の開口部を有する第３部材を、平面視で前記第３の開口部の少なくとも一部と前記第１の開口部とが重なるように配置する第３ステップを含んでいることが好ましい。
【００２７】
本適用例によれば、第３の開口部が設けられている第３部材を電子素子と第１部材との間に配置することにより、第３部材を電子素子の形状や周波数調整部の位置の違いに対応する細部調整マスクとすることができる。これにより、種々の形状の電子素子に対して容易に対応することが可能となる。
【００２８】
［適用例１２］上記適用例に記載の電子素子の製造方法において、前記第１工程は、前記電子素子の前記第３部材側と反対側の面に接するように、第４部材を配置する第４ステップを含んでいることが好ましい。
【００２９】
本適用例によれば、電子素子の第２部材側と反対側の面に第４部材が接しているため、電子素子の反対側の面に周波数調整における飛散物やその他の異物などが付着することを防止することが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【００３０】
【図１】電子素子としての音叉型水晶振動片の概略構成を示す斜視図。
【図２】音叉型水晶振動片のウェハーの概略を示す平面図。
【図３】音叉型水晶振動片の製造装置の第１実施形態を示し、（ａ）は断面図、（ｂ）は（ａ）の部分拡大図、（ｃ）は（ｂ）のＰ視平面図。
【図４】イオンビーム型周波数調整装置の概略構成図。
【図５】第１実施形態に係る製造方法を示す工程フロー図。
【図６】（ａ）は本発明の第１実施形態に係る製造装置および製造方法を用いた音叉型水晶振動片の特性を示し、（ｂ）は比較例の特性を示すグラフ。
【図７】音叉型水晶振動片の製造装置の第２実施形態を示し、（ａ）は断面図、（ｂ）は（ａ）の部分拡大図、（ｃ）は（ｂ）のＰ視平面図。
【図８】音叉型水晶振動片の製造装置の第３実施形態を示し、（ａ）は断面図、（ｂ）は（ａ）の部分拡大図、（ｃ）は（ｂ）のＰ視平面図。
【図９】第２実施形態に係る製造方法を示す工程フロー図。
【発明を実施するための形態】
【００３１】
以下、本発明の好適な実施形態について、添付図面を参照しつつ説明する。なお、添付図面では、説明の便宜上、形状、縮尺などを実際と異ならせて表現している箇所がある。
【００３２】
＜第１実施形態＞
図１〜図６を用い、本発明の第１実施形に係る電子素子の製造装置および製造方法について説明する。本説明では、電子素子として音叉型水晶振動片、製造装置として周波数調整装置を例示して説明する。図１は、電子素子の一例としての音叉型水晶振動片の概略構成を示す斜視図である。図２は、音叉型水晶振動片が並設されているウェハーの概略を示す平面図である。図３は、音叉型水晶振動片の製造装置の第１実施形態を示し、図３（ａ）は断面図、図３（ｂ）は、図３（ａ）におけるＡ部の部分拡大図、図３（ｃ）は、図３（ｂ）におけるＰ視の平面図である。図４は、音叉型水晶振動片の周波数調整装置の一例としてのイオンビーム型周波数調整装置の概略構成図である。図５は、第１実施形態に係る製造装置を適用した音叉型水晶振動片の製造方法を示す工程フロー図である。図６（ａ）は、第１実施形態に係る製造装置および製造方法を用いた音叉型水晶振動片の特性を示し、図６（ｂ）は比較例に係る製造装置を用いた音叉型水晶振動片の特性を示すグラフである。
【００３３】
（音叉型水晶振動片の構成）
先ず、本発明に係る第１実施形態の製造装置を適用する電子素子としての音叉型水晶振動片の構成について説明する。図１に示すように音叉型水晶振動片１００は、例えば水晶の単結晶から切り出され、フォトリソ技術およびエッチング技術、または機械的な加工などを用いて音叉型形状に加工されている。この音叉型水晶振動片１００は、Ｘ軸が電気軸、Ｙ軸が機械軸、Ｚ軸が光軸となるように水晶の単結晶から切り出された基板から形成される。このように電気軸がＸ軸方向に配置されることにより、高精度が要求される携帯電話装置等の電子機器全般に好適な音叉型水晶振動片１００となる。また、水晶の単結晶から切り出す際、上述のＸ軸、Ｙ軸およびＺ軸からなる直交座標系において、Ｘ軸回りに、Ｘ軸とＹ軸とからなるＸＹ平面を反時計方向に約１度ないし５度傾けた、所謂水晶Ｚ板として、音叉型水晶振動片１００が形成されている。
【００３４】
音叉型水晶振動片１００は、図２に示すように、板状に複数の音叉型水晶振動片１００が並んで配置された状態（以下、「ウェハー１０」という）から形成される。具体的には、ウェハー１０は、枠状に設けられた支持枠１１に複数の音叉型水晶振動片１００が横並びに配置された列が、複数列設けられた構成の基板である。そして、音叉型水晶振動片１００は、ウェハー１０から切り離された単体として用いられる。
【００３５】
この音叉型水晶振動片１００は、基部１３０と、この基部１３０からＹ軸方向に突出するように形成された例えば２本の振動腕である腕部１２０，１２１とを有している。腕部１２０の表面側には、溝部１２０ａが設けられ、振動腕としての腕部１２１の表面側には、溝部１２１ａが設けられている。また、振動腕としての腕部１２０の裏面側にも、溝部１２０ａが設けられ、腕部１２１の裏面側にも、溝部１２１ａが設けられている。なお、本形態では、音叉型水晶振動片１００の腕部１２０，１２１の表裏に、溝部１２０ａ，１２１ａが設けられている構成で説明したが、腕部１２０，１２１に溝部１２０ａ，１２１ａが設けられていない構成であってもよい。
【００３６】
このように形成されている音叉型水晶振動片１００には、図１に斜線で示されている部分に電極１４０，１４１が形成される。すなわち、電極１４０，１４１は、基部１３０から２本の腕部１２０，１２１にかけて配置されると共に、電極１４０，１４１は、腕部１２０，１２１の側面や溝部１２０ａ，１２１ａにも配置されている。このように配置される電極１４０，１４１は、外部から電圧が印加されると電界を発生させ、圧電体である水晶の腕部１２０，１２１を振動させるようになっている。また、２本の腕部１２０，１２１の先端部には、共振周波数を所定の周波数に合わせ込むための周波数調整領域に錘電極１４２，１４３が設けられている。この錘電極１４２，１４３を、後述するイオンビームなどの照射によって僅かずつ除去することによって共振周波数を調整することができる。
【００３７】
（製造装置の構成）
次に、本発明に係る第１実施形態の製造装置の構成について、図３および図４を参照して説明する。本説明では、製造装置の一例として、前述した音叉型水晶振動片１００の周波数調整を行うことができるイオンビーム型の周波数調整装置２００を用いて説明する。図４に示すように、イオンビーム型の周波数調整装置２００は、イオンビーム１７を放出する放出源であるイオンガン１４と、イオンビーム１７を遮蔽するシャッター１６と、周波数調整が行われる音叉型水晶振動片１００が配列されたウェハー１０を保持するウェハー載置部３００とを有している。なお、上述の周波数調整が行われる電子素子として、音叉型水晶振動片１００が複数形成されたウェハー１０を例示しているが、これに限らず、例えば、ウェハー１０の代わりに個片化された１つの音叉型水晶振動片１００を用いてもよい。
【００３８】
放出源としてのイオンガン１４は、ウェハー載置部３００に載置された音叉型水晶振動片１００に放出口を向けて設けられている。イオンガン１４は、物質の一例として、例えばアルゴンイオン（Ａｒ+）を適当なエネルギーに加速して、ウェハー載置部３００（音叉型水晶振動片１００）に向けて放出することができる。
シャッター１６は、イオンガン１４とウェハー載置部３００との間に設けられており、図示しない制御部によって制御されて開閉し、その開閉によってイオンビーム１７の照射位置を決定することができる。
【００３９】
以下、図３も参照しながら、ウェハー載置部３００を詳細に説明する。ウェハー載置部３００は、板状の第１部材２０と、ウェハー１０を載置する板状の第２部材３０と、第１部材２０と第２部材３０との間に隙間となる間隙部２２を形成するスペーサー１５と、を含んでいる。そして、ウェハー１０は、第１部材２０側と反対側の面である第２部材３０の上面に載置されている。
【００４０】
第１部材２０は、イオンビーム１７の放出源であるイオンガン１４と離間し、一面がイオンガン１４の放出方向と対向するように配置されている。第１部材２０には、第１部材２０の表裏面を貫通し、イオンビーム１７の通過孔となる複数の第１の開口部２１が設けられている。第１の開口部２１は、ウェハー１０に配列された音叉型水晶振動片１００の一列ごとの周波数調整領域に対向し、その周波数調整領域が内側に位置するように長孔状に形成されている。換言すれば、第１の開口部２１は、音叉型水晶振動片１００の周波数調整領域よりも大きく、第１の開口部２１の外縁が周波数調整領域の外側になるように設けられている。なお、本形態では、第１の開口部２１が複数設けられている例で説明したが、第１の開口部２１は単数でも良い。また、第１の開口部２１は、音叉型水晶振動片１００の周波数調整領域の一部と重なっている状態でもよい。
【００４１】
第２部材３０は、第１部材２０とスペーサー１５を介して並行して配置されている。そして、第１部材２０側と反対側の面である第２部材３０の上面にウェハー１０が載置されている。第２部材３０は、載置されたウェハー１０の音叉型水晶振動片１００の配置されている配置領域Ｑが、平面視で少なくとも含まれるように設けられた間隙部２２を有して第１部材２０に重ねて配置されている。間隙部２２は、スペーサー１５によって形成される。換言すれば、第２部材３０は、平面視で、少なくともウェハー１０の載置されている配置領域Ｑが、対向する第１部材２０と離間して配置されている。
【００４２】
第２部材３０には、第２部材３０の表裏面を貫通し、イオンビーム１７の通過孔となる少なくとも一つの第２の開口部３１が設けられている。本形態では、それぞれの音叉型水晶振動片１００の錘電極１４２，１４３に対向する複数の第２の開口部３１が設けられている。第２の開口部３１は、平面視で第１の開口部２１と重なるとともに、第１の開口部２１の外縁よりも内側に位置するように配置されている。また、第２の開口部３１は、載置されたウェハー１０に配列された音叉型水晶振動片１００の周波数調整領域（それぞれの音叉型水晶振動片１００の錘電極１４２，１４３）に対向する小窓状に設けられている。したがって、第２部材３０は、音叉型水晶振動片１００の周波数調整を行うイオンビーム１７の照射領域を確定するマスクとして機能させることができる。
【００４３】
上述のように、周波数調整装置２００は、イオンビーム１７の放出源であるイオンガン１４と、音叉型水晶振動片１００が配列されたウェハー１０が載置されたウェハー載置部３００とが配置され、イオンガン１４から第１の開口部２１を含む第１部材２０に向けてイオンビーム１７を放出する。これにより、イオンビーム１７は、第１の開口部２１と第１の開口部２１と平面視で重なる第２部材３０の第２の開口部３１とを通り、音叉型水晶振動片１００の錘電極１４２，１４３に照射される。
【００４４】
このような構成の製造装置では、第１の開口部２１以外の第１部材２０にもイオンビーム１７が照射されるため第１部材２０が加熱される。しかしながら、第２部材３０は、第１部材２０に対してイオンガン１４の配置側と反対側に配置されているため、イオンビーム１７が第１部材２０によってほとんど遮蔽されるため、第２部材３０には第１の開口部２１と重なっている領域外にはほとんど到達せず、第２部材３０は第１部材２０と比較して加熱され難い。また、第１部材２０は加熱されるが、平面視で音叉型水晶振動片１００の配置されている配置領域Ｑが第１部材２０と離間して配置されているため、第１部材２０の熱が直接音叉型水晶振動片１００に伝わり難い。このように、音叉型水晶振動片１００（ウェハー１０）にイオンビームの照射による熱が伝わり難いため、加熱されることによる音叉型水晶振動片１００（ウェハー１０）の反りが生じにくくなり、この反りによる周波数調整精度の低下や特性劣化を低減することが可能となる。
【００４５】
（第１実施形態に係る音叉型水晶振動片の製造方法）
次に、図５に示す工程フロー図を参照しながら、第１実施形態に係る製造装置の構成の一例としてイオンビーム型の周波数調整装置２００を適用した音叉型水晶振動片１００の周波数調整方法について説明する。なお、イオンビーム型の周波数調整装置２００を適用した音叉型水晶振動片１００の周波数調整方法は、電子素子としての音叉型水晶振動片１００の製造方法の一例である。なお、周波数調整装置２００の構成については、同符号を用いて説明する。
【００４６】
先ず、ウェハー準備工程（ステップＳ１０３）において、例えば水晶の単結晶から所定の切断角度で切り出された基板を、フォトリソ技術およびエッチング技術、または機械的な加工などを用いて音叉型形状に加工し、複数の音叉型水晶振動片１００が並んで配置されたウェハー１０を準備する。
【００４７】
次に、第１工程について説明する。第１工程は、第１ステップと第２ステップとを含んでいる。
先ず、第１ステップにおいて、イオンビーム１７の放出源であるイオンガン１４と離間した位置に、第１部材２０を配置する（ステップＳ１０１）。第１部材２０は、その一面をイオンガン１４に対向させて配置する。
【００４８】
次に、第２ステップにおいて、ウェハー１０を載置する側が第１部材２０と反対側となるように、且つ平面視で少なくとも音叉型水晶振動片１００の配置領域Ｑが第１部材２０と離間するように第２部材３０を配置する。また、第２部材３０は、平面視で第１の開口部２１の内側に第２の開口部３１が位置するように配置する。そして、音叉型水晶振動片１００の配置領域Ｑにおける第２部材３０の面上に、ウェハー１０を載置する。ウェハー１０は、平面視で、並んで配置された音叉型水晶振動片１００の周波数調整用の錘電極１４２，１４３が第２の開口部３１に重なるように載置する（ステップＳ１０５）。なお、第２ステップにおいて、第２部材３０とウェハー１０とを第１部材２０に載置する順序は、上記以外に、第２部材３０にウェハー１０を載置したのちに、第１部材２０にウェハー１０が載置された第２部材３０を第１部材２０に載置してもよい。
【００４９】
次に、第２工程について説明する。
第２工程は、電子素子としての音叉型水晶振動片１００の特性調整として、共振周波数の合わせ込みを行う、所謂周波数調整工程（ステップＳ１０７）である。周波数調整工程（ステップＳ１０７）では、イオンガン１４からイオンビーム１７を第１部材２０および第１部材２０の第１の開口部２１、即ち第２の開口部３１を経て第１の開口部２１に露出する音叉型水晶振動片１００の錘電極１４２，１４３の位置する方向に向けて放出する。放出されたイオンビーム１７は、第１の開口部２１、および第２の開口部３１を通り、音叉型水晶振動片１００の錘電極１４２，１４３に達し、錘電極１４２，１４３を僅かずつ除去する。これによって、音叉型水晶振動片１００の共振周波数を所望の周波数に合わせ込むことができる。
【００５０】
このような音叉型水晶振動片１００の周波数調整方法によれば、イオンガン１４から放出されたイオンビーム１７は、第２部材３０には第１の開口部２１と重なっている領域外にはほとんど照射されず、第２部材３０は第１部材２０と比較して加熱され難い。また、第２部材３０は、平面視で音叉型水晶振動片１００の配置されている領域が第１部材２０と離間して配置されているため、イオンガン１４から放出されたイオンビーム１７が第１の開口部２１以外の第１部材２０に照射されて加熱された第１部材２０の熱が、音叉型水晶振動片１００に伝わり難い。したがって、音叉型水晶振動片１００は、加熱されることによる反りの発生が低減するため、音叉型水晶振動片１００の反りによる周波数調整精度の低下や音叉型水晶振動片１００の特性劣化を低減することができる。
【００５１】
ここで、上述したような第１実施形態の製造装置の構成およびこの製造装置を適用した製造方法による効果についての検証結果について、図６を参照して説明する。図６（ａ）のグラフは、第１実施形態に係る製造装置および製造方法を用いた音叉型水晶振動片１００の特性を示しており、横軸にイオンビーム１７の照射時間（秒（ｓｅｃ））を示し、折れ線（右縦軸）は不良発生率を示す指数を示し、プロット（左縦軸）は、周波数シフト量の平均値、最大値、および最小値を示している。また、図６（ｂ）のグラフは、比較例に係る製造装置および製造方法を用いた場合の音叉型水晶振動片１００の特性を示しており、図６（ａ）と同様な表示形態を用いている。なお、比較例とは、第１部材２０を設けず、イオンビーム１７が直接第２部材３０に照射される構成の製造装置である。
【００５２】
図６（ｂ）のグラフに示されているように、比較例の製造装置を用いた音叉型水晶振動片１００では、イオンビーム１７の照射時間がＴ１秒（ｓｅｃ）を越えると相当多くの不良が発生する。また、イオンビーム１７の照射時間がＴ１秒（ｓｅｃ）を越えると、周波数のばらつきも広がり、照射時間がＴ３秒（ｓｅｃ）では、不良発生数が多すぎるため、周波数シフト量をおよび周波数シフト量のばらつきを計算することができなかった。
【００５３】
これに対し、図６（ａ）のグラフに示されている第１実施形態の製造装置を用いた音叉型水晶振動片１００では、イオンビーム１７の照射時間がＴ１秒（ｓｅｃ）までは不良発生が見られず、照射時間がＴ３秒（ｓｅｃ）で僅かな不良発生が始まり、照射時間がＴ３秒（ｓｅｃ）でも、図６（ｂ）に示す比較例の製造装置を用いた場合と比較して、１／１０以下の不良発生率となっている。また、実施形態１の製造装置を用いた音叉型水晶振動片１００の周波数シフト量のばらつきは、図６（ｂ）の比較例の製造装置を用いた場合と比較して、すべてのイオンビーム１７の照射時間において小さくなっている。このように、第１実施形態の製造装置および製造方法を用いることにより、周波数調整精度の低下防止や特性劣化の防止を実現することができる。
【００５４】
＜第２実施形態＞
図７を用い、本発明の第２実施形に係る電子素子の製造装置について説明する。本説明では、第１実施形態と同様に、電子素子として音叉型水晶振動片、製造装置として周波数調整装置を例示して説明する。図７は、音叉型水晶振動片の製造装置の第２実施形態を示し、図７（ａ）は断面図、図７（ｂ）は、図７（ａ）におけるＡ部の部分拡大図、図７（ｃ）は、図７（ｂ）におけるＰ視の平面図である。なお、第２実施形態の説明では、音叉型水晶振動片１００を初めとする第１実施形態と同じ構成は同符号を付し、その説明は省略する。また、第２実施形態に係る製造方法については後述の第３実施形態において説明する。
【００５５】
（製造装置の構成）
本発明の第２実施形態に係る製造装置について、製造装置の一例として、第１実施形態と同様なイオンビーム型の周波数調整装置２００（図４参照）を用いて説明する。なお、第２実施形態の周波数調整装置２００は、音叉型水晶振動片１００のウェハー１０を保持するウェハー載置部３０１の構成が第１実施形態のウェハー載置部３００の構成と異なっている。以下、第１実施形態のウェハー載置部３００と異なるウェハー載置部３０１の構成について説明する。
【００５６】
ウェハー載置部３０１は、板状の第１部材２０と、ウェハー１０を載置する板状の第３部材６０と、第３部材６０を載置する第２部材５０と、第１部材２０と第２部材５０との間に隙間となる間隙部２２を形成するスペーサー１５と、を含んでいる。そして、ウェハー１０は、第１部材２０側と反対側の面である第３部材６０の上面に載置されている。このように、第２実施形態のウェハー載置部３０１は、第１部材２０と、音叉型水晶振動片１００が配列されたウェハー１０との間に、第３部材６０が設けられているところが第１実施形態のウェハー載置部３００と異なる。具体的には、第３部材６０は、第２部材５０とウェハー１０との間に設けられている。
【００５７】
第１部材２０の構成は、第１実施形態と同じであるので説明を省略し、第２部材５０および第３部材６０について説明する。第２部材５０は、第１部材２０とスペーサー１５を介して並行して配置されている。そして、第１部材２０側と反対側の面である第２部材５０の上面に第３部材６０が配置される。第２部材５０には、第２部材５０の表裏面を貫通し、イオンビーム１７の通過孔となる少なくとも一つの第２の開口部５１が設けられている。第２の開口部５１は、平面視で第１の開口部２１と重なるとともに、第１の開口部２１の外縁よりも内側に位置するように配置されている。また、第２部材５０は、後述するように、載置される第３部材６０の反対側の上面に載置されるウェハー１０の音叉型水晶振動片１００の配置されている配置領域Ｑが、平面視で少なくとも含まれるように設けられた間隙部２２を有して第１部材２０と重ねて配置されている。間隙部２２は、スペーサー１５によって形成される。換言すれば、第２部材５０は、平面視でウェハー１０の載置されている配置領域Ｑが、対向する第１部材２０と離間して配置されている。
【００５８】
第３部材６０には、第２部材５０側の面と反対側の面である上面にウェハー１０が載置されている。また、第３部材６０には、第３部材６０の表裏面を貫通し、イオンビーム１７の通過孔となる少なくとも一つの、本形態では、それぞれの音叉型水晶振動片１００の錘電極１４２，１４３に対向する複数の第３の開口部６１が設けられている。第３の開口部６１は、平面視で第２の開口部５１と重なるとともに、第２の開口部５１の外縁よりも内側に位置するように配置されている。また、第３の開口部６１は、載置されたウェハー１０に配列された音叉型水晶振動片１００の周波数調整領域（それぞれの音叉型水晶振動片１００の錘電極１４２，１４３）に対向する小窓状に設けられている。したがって、第３部材６０は、音叉型水晶振動片１００の周波数調整を行うイオンビーム１７の照射領域を確定するマスクとして機能させることができる。
【００５９】
第２実施形態によれば、第３の開口部６１が設けられている第３部材６０を音叉型水晶振動片１００と第１部材２０との間に配置することにより、第１実施形態の効果に加えて、第３部材６０を音叉型水晶振動片１００の形状や周波数調整部（錘電極１４２，１４３）の位置の違いに対応する細部調整マスクとすることができる。これにより、種々の形状の音叉型水晶振動片１００に対して容易に対応することが可能となる。
また、イオンビーム１７を、第２の開口部５１の外周部に邪魔されることなく第３の開口部６１から音叉型水晶振動片１００に照射することができ、効率よい周波数調整を行うことができる。
【００６０】
＜第３実施形態＞
図８および図９を用い、本発明の第３実施形に係る電子素子の製造装置および製造方法について説明する。本説明では、第２実施形態と同様に、電子素子として音叉型水晶振動片、製造装置として周波数調整装置を例示して説明する。図８は、音叉型水晶振動片の製造装置の第３実施形態を示し、図８（ａ）は断面図、図８（ｂ）は、図８（ａ）におけるＡ部の部分拡大図、図８（ｃ）は、図８（ｂ）におけるＰ視の平面図である。図９は、第３実施形態に係る製造装置を適用した音叉型水晶振動片の製造方法を示す工程フロー図である。なお、第３実施形態の説明では、音叉型水晶振動片１００を初めとする第２実施形態と同じ構成は同符号を付し、その説明は省略する。
【００６１】
（製造装置の構成）
本発明の第３実施形態に係る製造装置について、製造装置の一例として、第２実施形態と同様なイオンビーム型の周波数調整装置２００（図４参照）を用いて説明する。なお、第３実施形態の周波数調整装置２００は、音叉型水晶振動片１００のウェハー１０を保持するウェハー載置部３０２の構成が第２実施形態の構成と異なっている。以下、第２実施形態と異なるウェハー載置部３０２の構成について説明する。
【００６２】
ウェハー載置部３０２は、板状の第１部材２０と、ウェハー１０を載置する板状の第３部材６０と、第３部材６０を載置する第２部材５０と、第３部材６０とウェハー１０を介して配置されている第４部材７０と、第１部材２０と第２部材５０との間に隙間となる間隙部２２を形成するスペーサー１５と、を含んでいる。そして、ウェハー１０は、第１部材２０側と反対側の面である第３部材６０の上面に載置されている。このように、第３実施形態のウェハー載置部３０１は、第３部材６０とウェハー１０とを介して配置されている第４部材７０が設けられているところが第２実施形態のウェハー載置部３０１と異なる。
【００６３】
第１部材２０、および第３部材６０の構成は、第２実施形態と同じであるので説明を省略し、異なる構成である第２部材５０、および第４部材７０について説明する。
第２部材５０は、第１部材２０とスペーサー１５を介して並行して配置されている。そして、第１部材２０側と反対側の面である第２部材５０の上面に第３部材６０が配置される。第２部材５０には、第２部材３０の表裏面を貫通し、イオンビーム１７の通過孔となる少なくとも一つの第２の開口部５１が設けられている。第２の開口部５１は、平面視で第１の開口部２１と重なるとともに、第１の開口部２１の外縁よりも内側に位置するように配置されている。また、第２部材５０には、後述する第４部材を吸引する圧接部としての複数の磁石５３が埋設されている。第２部材５０は、後述するように、載置される第３部材６０の反対側の上面に載置されるウェハー１０の音叉型水晶振動片１００の配置されている配置領域Ｑが、平面視で少なくとも含まれるように設けられた間隙部２２を有して第１部材２０と重ねて配置されている。間隙部２２は、スペーサー１５によって形成される。換言すれば、第２部材５０は、平面視でウェハー１０の載置されている配置領域Ｑが、対向する第１部材２０と離間して配置されている。
【００６４】
圧接部としての磁石５３は、第２部材５０の第３部材６０側の面に設けられた凹部に配置されている。磁石５３は、第４部材７０を音叉型水晶振動片１００に押圧しながら接するように第４部材７０を吸引する。このように、第４部材７０を音叉型水晶振動片１００に押圧することによって、音叉型水晶振動片１００（ウェハー１０）の反りを、さらに生じさせ難くすることができる。
なお、圧接部は、磁石５３に替えて、ネジ止め、板バネを用いたクリップ形式などを用いることができる。
【００６５】
第４部材７０は、音叉型水晶振動片１００の第２部材５０側と反対側の面に接して配置されている。第４部材７０は、磁石５３に吸引される材質、例えばメッキ処理を施した鋼材、あるいはステンレス材などで形成される。また、第４部材７０には、第４部材７０の表裏面を貫通し、平面視で第２の開口部５１と重なる位置に第４の開口部７１が設けられている。第４の開口部７１は、平面視で第２の開口部５１と重なるとともに、第２の開口部５１の外縁よりも外側に位置するように配置されている。換言すれば、第２の開口部５１の外縁は、第４の開口部７１の外縁より内側に配置されている。第４の開口部７１は、イオンビーム１７や、イオンビーム１７によって錘電極１４２，１４３が除去された飛散物（加熱された物質）などをイオンガン１４と反対側（イオンビーム１７の放出方向）へ放散させる機能を有している。
【００６６】
第３実施形態によれば、第１実施形態および第２実施形態の効果に加えて、音叉型水晶振動片１００の第３部材６０側と反対側の面に第４部材７０が接しているため、音叉型水晶振動片１００の反対側の面に周波数調整における飛散物やその他の異物などが付着することを低減することが可能となる。
また、第４部材７０に第２の開口部５１の外縁よりも外側に位置し、第２の開口部５１よりも大きな第４の開口部７１を有しているため、周波数調整における飛散物（加熱された物質）やイオンビーム１７などを第４の開口部７１から放散させることができ、音叉型水晶振動片１００の加熱をさらに低減することができる。
【００６７】
（第２、第３実施形態に係る音叉型水晶振動片の製造方法）
次に、図９に示す工程フロー図を参照しながら、第２実施形態、および第３実施形態に係る製造装置の構成の一例として第１実施形態と同じイオンビーム型の周波数調整装置２００（図４参照）を適用した音叉型水晶振動片１００の周波数調整方法について説明する。なお、周波数調整装置２００の構成については、第１実施形態と同符号を用いて説明する。
【００６８】
先ず、ウェハー準備工程（ステップＳ２０４）において、例えば水晶の単結晶から所定の切断角度で切り出された基板を、フォトリソ技術およびエッチング技術などを用いて音叉型形状に加工し、複数の音叉型水晶振動片１００が並んで配置されたウェハー１０を準備する。
【００６９】
次に、第１工程について説明する。第１工程は、第２実施形態と第３実施形態とで異なる。第２実施形態に係る第１工程は、第１ステップ、第２ステップ、および第３ステップを含んでいる。第３実施形態に係る第１工程は、前述の第２実施形態の第１〜第３ステップに加えて第４ステップを含んでいる。
【００７０】
先ず、第２実施形態の第１工程について説明する。
第１ステップにおいて、イオンビーム１７の放出源であるイオンガン１４と離間した位置に、第１部材２０を配置する（ステップＳ２０１）。第１部材２０は、その一面をイオンガン１４に対向させて配置する。
【００７１】
次に、第２ステップにおいて、第２部材５０を、後述する第３部材６０が載置される側の面と反対側の面が第１部材２０に対向し、平面視で中央の領域が第１部材２０との間が離間する間隙部２２となるように配置する（ステップＳ２０３）。このとき、第１部材２０と第２部材５０とは、第１部材２０の第１の開口部２１と第２部材５０の第２の開口部５１とは、平面視で少なくとも一部が重なるように配置する。
【００７２】
次に、第３ステップにおいて、第３部材６０を第２部材５０の第１部材２０側と反対側の面上に載置する（ステップＳ２０５）。その後、音叉型水晶振動片１００の配置領域Ｑにおける第３部材６０の面上に、且つ平面視で、並んで配置された音叉型水晶振動片１００の周波数調整用の錘電極１４２，１４３が第３の開口部６１に重なるようにウェハー１０を載置する。また、第２部材５０は、平面視で第１の開口部２１の内側に第２の開口部５１が位置するように配置する。
ここまでが、第２実施形態における第１工程である。
【００７３】
このように、第３の開口部６１が設けられている第３部材６０を音叉型水晶振動片１００と第１部材２０との間、換言すれば第２部材５０との間に配置することにより、第３部材６０を音叉型水晶振動片１００の形状や周波数調整部の位置の違いに対応する細部調整マスクとすることができる。これにより、種々の形状の音叉型水晶振動片１００に対して容易に対応することが可能となる。
【００７４】
次に、第３実施形態の第１工程について説明する。第３実施形態の第１工程は、前述の第２実施形態の第１工程（第１ステップ〜第３ステップ）に加えて、第４ステップが含まれている。ここでは、第１ステップ〜第３ステップは省略し、第４ステップについて説明する。第４ステップにおいて、第３部材６０の上面に載置された音叉型水晶振動片１００の上面と接するように、第４部材７０を配置する（ステップＳ２０７）。ここで、音叉型水晶振動片１００の上面とは、音叉型水晶振動片１００の第３部材６０側の面と反対側の面である。なお、第４部材７０は、音叉型水晶振動片１００を第３部材６０との間で押圧するように配置される。第４実施形態では、第２部材５０に設けられた圧接部としての磁石５３の磁力により、第４部材７０が音叉型水晶振動片１００を所定の圧力で挟んだ状態で吸引され、固定されている。
【００７５】
このように第４部材７０を配置することにより、音叉型水晶振動片１００の第２部材５０側と反対側の面に第４部材７０が接しているため、音叉型水晶振動片１００の第２部材５０側と反対側の面に周波数調整における飛散物やその他の異物などが付着することを低減することが可能となる。
【００７６】
また、第４部材７０は、第４部材７０に設けられている第４の開口部７１を、平面視で第２部材の第２の開口部５１と重なるとともに、第２の開口部５１の外縁よりも外側に位置するように配置する。
【００７７】
このように第４部材７０を配置することにより、後述する周波数調整工程（ステップＳ２０９）において、イオンビーム１７によって錘電極１４２，１４３が除去された際に生じる飛散物（加熱された物質）やイオンビーム１７などを、第４の開口部７１からイオンガン１４と反対側（イオンビーム１７の放出方向）へ放散させることができる。これにより、加熱された放散物による音叉型水晶振動片１００の加熱を低減することができる。
【００７８】
このように第４部材７０を配置することにより、音叉型水晶振動片１００の第２部材５０側と反対側の面に第４部材７０が接しているため、音叉型水晶振動片１００の第２部材５０側と反対側の面に周波数調整における飛散物やその他の異物などが付着することを防止することが可能となる。
【００７９】
次に、第２実施形態、第３実施形態ともに、第２工程に移行する。
第２工程は、電子素子としての音叉型水晶振動片１００の特性調整として、共振周波数の合わせ込みを行う、所謂周波数調整工程（ステップＳ２０９）である。この周波数調整工程（ステップＳ２０９）は、前述の第１実施形態と同じ、電子素子としての音叉型水晶振動片１００の特性調整として、共振周波数の合わせ込みを行う工程であるので、ここでの説明は省略する。
【００８０】
このような音叉型水晶振動片１００の周波数調整方法によれば、イオンガン１４から放出されたイオンビーム１７は、第２部材３０には第１の開口部２１と重なっている領域外にはほとんど照射されず第２部材３０は第１部材２０と比較して加熱され難い。また、平面視で音叉型水晶振動片１００の配置されている領域が第１部材２０と離間して配置されているため、イオンガン１４から放出されたイオンビーム１７が第１の開口部２１以外の第１部材２０に照射されて加熱された第１部材２０の熱が、音叉型水晶振動片１００に伝わり難い。したがって、音叉型水晶振動片１００は、加熱されることによる反りが発生しにくくなるため、音叉型水晶振動片１００の反りによる周波数調整精度の低下や音叉型水晶振動片１００の特性劣化を低減することができる。なお、上述の説明中で述べた効果についての記載は省略する。また、第１実施形態において図６を用いて説明した検証結果についても、第２実施形態、および第３実施形態においても同様に得ることが可能である。
【００８１】
上述の第１実施形態〜第３実施形態においては、音叉型水晶振動片の製造装置として、イオンビーム型の周波数調整装置を例に説明したが、これに限らない。周波数調整装置としては、キャビティー（光共振器）などから構成されるレーザー発振器を放出源とする光としてのレーザー光を用いたレーザー照射型の周波数調整装置を用いることもできる。レーザー照射型の周波数調整装置では、レーザー光を音叉型水晶振動片１００の錘電極１４２，１４３に照射し、その熱によって錘電極１４２，１４３を溶融して除去し、音叉型水晶振動片１００の共振周波数を調整する。このような、レーザー照射型の周波数調整装置においても、上述の第１実施形態〜第３実施と同様な効果を得ることができる。
【００８２】
また、周波数調整装置としては、スパッタリング装置、蒸着装置などの、金属粒子を音叉型水晶振動片に付着させて周波数調整を行う構成においても上述のウェハー載置部の構成を適用することができる。
【００８３】
また、上述では電子素子としての音叉型水晶振動片１００を例示して説明したが、これに限らない。電子素子としては、例えば、基板材料として水晶を用いた厚みすべり（ＡＴカット）型振動片、ＳＣカットの振動片、ＳＡＷ（Surface Acoustic Wave）共振子片、ＭＥＭＳ（Micro Electro Mechanical Systems）振動子片などのタイミングデバイス用の振動片、所謂ダブルＴ型、Ｈ型などのジャイロ素子などのセンサー用のセンサー素子、あるいは圧力センサーに用いる感圧素子などを挙げることができる。さらに、振動片の基板材料としては、水晶の他、タンタル酸リチウム、ニオブ酸リチウム等の圧電単結晶や、ジルコン酸チタン酸鉛等の圧電セラミックス等の圧電材料、又はシリコン半導体材料等を用いてもよい。さらに、振動片の励振手段としては、圧電効果によるものを用いてもよいし、クーロン力による静電駆動を用いてもよい。
【００８４】
また、電子素子の特性調整としては、上述の周波数調整に限らず、例えば、コンデンサーの容量調整、抵抗素子の抵抗値調整（抵抗トリミング）、感圧素子におけるダイアフラムなどの感圧精度調整、およびセンシング素子のバランス調整などを挙げることができる。また、電子素子の製造装置としては、上記にて例示した特性調整を行う製造装置を挙げることができる。また、電子素子の製造方法としては、上記にて例示した特性調整を行う製造方法を挙げることができる。
【符号の説明】
【００８５】
１０…ウェハー、１１…支持枠、１４…放出源としてのイオンガン、１５…スペーサー、１６…シャッター、１７…イオンビーム、２０…第１部材、２１…第１の開口部、２２…間隙部、３０…第２部材、３１…第２の開口部、５０…第２部材、５１…第２の開口部、５３…圧接部としての磁石、６０…第３部材、６１…第３の開口部、７０…第４部材、７１…第４の開口部、１００…電子素子としての音叉型水晶振動片、１２０，１２１…振動腕、１２０ａ，１２１ａ…溝部、１３０…基部、１４０，１４１…電極、１４２，１４３…錘電極、２００…周波数調整装置、３００，３０１，３０２…ウェハー載置部、Ｑ…音叉型水晶振動片の配置領域。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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