(57)【要約】【課題】本発明は、簡単な構造で坩堝の端部領域の温度低下を抑制でき、膜厚均一性を得ることができる直線状蒸発源とこの蒸発源を搭載した真空蒸着装置を提供することにある。【解決手段】本発明は蒸着材料を収納する蒸着材料部と、前記蒸着材料部の両端部に設けられ、前記蒸着材料部に比して熱容量が大きい熱容量部とを有する坩堝と、前記蒸着材料を加熱する加熱手段と、前記蒸着材料部に設けられ、前記加熱手段によって蒸発または昇華した蒸気を噴出する蒸気噴出口と、を有する。【選択図】図４
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
蒸着材料を収納する蒸着材料部と、前記蒸着材料部の両端部に設けられ、前記蒸着材料部に比して熱容量が大きい熱容量部とを有する坩堝と、
前記蒸着材料を加熱する加熱手段と、
前記蒸着材料部に設けられ、前記加熱手段によって気化した蒸気を噴出する蒸気噴出口と、を有する
ことを特徴とする蒸発源。
【請求項２】
請求項１に記載の蒸発源であって、
前記蒸着材料部は、前記結ぶ方向に延伸する長手方向を有し、
前記蒸気噴出口は、前記長手方向に複数有する、
ことを特徴とする蒸発源。
【請求項３】
請求項２に記載の蒸発源であって、
前記熱容量部は、前記長手方向における単位長さあたりの熱容量が前記蒸着材料部に比して大きい、
ことを特徴とする蒸発源。
【請求項４】
請求項１乃至３のいずれかに記載の蒸発源であって、
前記熱容量部は、同一材料で前記蒸着材料部と一体に形成されている、
ことを特徴とする蒸発源。
【請求項５】
請求項１乃至３のいずれかに記載の蒸発源であって、
前記熱容量部は、前記蒸着材料部と別々に形成されている、
ことを特徴とする蒸発源。
【請求項６】
請求項１乃至４のいずれかに記載の蒸発源であって、
前記加熱手段は、前記熱容量部を加熱する第１の加熱手段と、前記蒸着材料部を加熱する第２の加熱手段とを有し、前記第１の加熱手段の加熱と、前記第１の加熱手段と前記第２の加熱手段の加熱と選択的に行う制御手段を有する、
ことを特徴とする蒸発源。
【請求項７】
請求項６に記載の蒸発源であって、
前記第１の加熱手段及び第２の加熱手段は、前記蒸着材料部に沿って前記長手方向に設けられている、
ことを特徴とする蒸発源。
【請求項８】
請求項６に記載の蒸発源であって、
前記第１の加熱手段は前記長手方向の前記熱容量部の側部に、第２の加熱手段は前記長手方向に前記蒸着材料部に沿って設けられている、
ことを特徴とする蒸発源。
【請求項９】
請求項１乃至８のいずれかに記載の蒸発源であって、
前記蒸着材料と前記蒸着材料部の内壁とで形成される坩堝空間を２つ以上に分割し、前記蒸気を前記蒸気噴出口に導くオリフィスを有する中間板を有する、
ことを特徴とする蒸発源。
【請求項１０】
請求項１乃至９のいずれかに記載の蒸発源を有し、
前記蒸発源はデポジションアップ型であって、
被処理対象である基板と前記蒸発源と相対的に移動させ、前記基板に前記蒸着材料を蒸着する、
ことを特徴とする真空蒸着装置。
【請求項１１】
請求項１乃至９のいずれかに記載の蒸発源を有し、
前記蒸発源はサイドデポジション型であって、
垂直状態にある基板に前記蒸着材料を蒸着する、
ことを特徴とする真空蒸着装置。
【請求項１２】
請求項１１に記載の真空蒸着装置であって、
前記基板を水平状態から垂直状態に移動させて蒸着パターンを規定するマスクに正対させる基板旋回手段を有する、
ことを特徴とする真空蒸着装置。
【請求項１３】
長手方向に蒸着材料を収納する蒸着材料部に比して熱容量の大きい熱容量部を加熱し、その後前記蒸着材料部と前記熱容量部を共に加熱して、前記蒸着材料を被処理部に蒸着することを特徴とする真空蒸着方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は蒸発源並びに真空蒸着装置及び真空蒸着方法に係り、特に、長手方向を有する直線状の蒸発源とこれを用いた真空蒸着装置及び真空蒸着方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
有機エレクトロルミネッセンス素子（有機ＥＬ素子）は自発光素子であり、視認性、応答速度、消費電力の点で優れており、薄型軽量化ができることから携帯用ディスプレイとして実用化されている。そして、テレビや照明の分野へと適用範囲が拡大しようとしている。
【０００３】
有機ＥＬ素子は、一般的に、金属膜や透明導電膜からなる下部電極層と上部電極層の間に発光層を含む有機薄膜層を形成したものであり、この製造方法の一つとして真空蒸着法が用いられている。この方法では、有機ＥＬ素子を構成する材料からなる蒸着材料を加熱容器(坩堝)に入れ、坩堝を加熱することによって蒸発した蒸着材料を基板上に堆積させ、有機薄膜層や上部電極層を形成している。この時、蒸着で形成する有機薄膜層や上部電極層には膜厚の均一性が求められている。昨今の成膜基板の大形化に伴い、蒸発源を基板の幅を有する直線状の直線状蒸発源を用い、基板と相対的に移動させて成膜を行っている。
【０００４】
長手方向を有する直線状蒸発源では、一定の方向に延伸した坩堝を周囲に設けたヒータ線等の加熱手段により加熱している。このような蒸発源では、長手方向の膜厚分布を均一にするためには、気化した蒸着材料を噴出させる蒸気噴出口（ノズル）を配列し、それに対応した温度分布を坩堝で実現する必要がある。
【０００５】
しかし直線状蒸発源では、坩堝からの熱放散が長手方向の端部で大きいために両端近傍の蒸着材料の部分で温度が低くなり、この部分に対応する膜厚が減少する傾向があり、基板端部での膜厚の均一性が課題となった。
【０００６】
これを解決するために、特許文献１では、ノズル(放出孔)を直線状蒸発源の両端部側に密に配置し、噴出される長手方向の単位長さに対する蒸気量を一定にしようとしている。特許文献２では、上記課題の認識はないが、直線状蒸発源の両端部側面に誘導加熱コイルを設け、蒸着材料を加熱し、端部近傍の蒸着材料の部分で温度の低下を防止している。また、特許文献２では、直線状蒸発源の両端部側に、端部側面から離間した位置に断熱板を設けている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００７】
【特許文献１】特開２０１１―０１２３０９号公報
【特許文献２】特開平７―０７０７３９号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
しかしながら、特許文献１の方法では、長手方向の端部における熱拡散を防止できず、即ち熱利用は改善されておらず、また、加熱室内の温度分布の平坦化も改善されていないので、端部近傍の全領域に亘って膜厚分布を均一にすることはできない。
【０００９】
特許文献２の方法では、更に加熱手段が必要であり、部品数の増大とともに複雑になることから装置コストが上昇し、蒸発源の小形化を困難なものとしている。
【００１０】
本発明の目的は、簡単な構造で長手方向を有する坩堝の端部領域の温度低下を抑制でき、膜厚均一性を得ることができる直線状蒸発源とこの蒸発源を搭載した真空蒸着装置及び真空蒸着方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
本発明は、上記目的を達成するため、少なくとも下記の特徴を有する。
本発明は、蒸着材料を収納する蒸着材料部と、前記蒸着材料部の両端部に設けられ、前記蒸着材料部に比して熱容量が大きい熱容量部とを有する坩堝と、前記蒸着材料を加熱する加熱手段と、前記蒸着材料部に設けられ、前記加熱手段によって蒸発または昇華した蒸気を噴出する蒸気噴出口と、を有することを特徴とする。
【００１２】
また、前記坩堝は、前記結ぶ方向に延伸する長手方向を有し、前記蒸気噴出口は、前記長手方向に複数有する、前記蒸気噴出口は、前記長手方向に複数有してもよい。
さらに、前記熱容量部は、前記長手方向における単位長さあたりの熱容量が前記蒸着材料部に比して大きくしてもよい。
【００１３】
また、前記加熱手段は、前記熱容量部を加熱する第１の加熱手段と、前記蒸着材料部を加熱とする第２の加熱手段と、前記第１の加熱手段と前記第２の加熱手段を選択的に行う制御手段を有してもよい。
【００１４】
さらに、前記熱容量部を加熱する第１の加熱手段と、前記蒸着材料部を加熱する第２の加熱手段とを有し、前記第１の加熱手段の加熱と、前記第１の加熱手段と前記第２の加熱手段の加熱とを選択的に行う制御手段を有してもよい。
また、前記第１の加熱手段は前記長手方向の前記熱容量部の側部に、第２の加熱手段は前記長手方向に前記蒸着材料部に沿って設けてもよい。
【００１５】
さらに、前記蒸着材料と前記坩堝の内壁とで形成される坩堝空間を２つ以上に分割し、前記蒸気を前記蒸気噴出口に導くオリフィスを有する中間板を有してもよい。
【００１６】
また、前記蒸発源はデポジションアップ型であって、被処理対象である基板と前記蒸発源と相対的に移動させ、前記基板に前記蒸着材料を蒸着することを特徴とする。
さらに、前記蒸発源はサイドデポジション型であって、垂直状態にある基板に前記蒸着材料を蒸着することを特徴とする。
また、前記基板を水平状態から垂直状態に移動させて蒸着パターンを規定するマスクに正対させる基板旋回手段を有してもよい。
【００１７】
さらに、長手方向に蒸着材料を収納する蒸着材料部に比して熱容量の大きい熱容量部を加熱し、その後前記蒸着材料部と前記熱容量部を共に加熱して、前記蒸着材料を被処理部に蒸着してもよい。
【発明の効果】
【００１８】
本発明により、長手方向を有する坩堝の端部領域の温度低下を抑制できる簡単な構造の直線状蒸発源とこの蒸発源を搭載した真空蒸着装置及び真空蒸着方法を提供できる。従って、成膜する基板が大形化した場合でも、蒸着形成する薄膜層の膜厚均一性に優れた簡単な構造の直線状蒸発源とこの蒸発源を搭載した真空蒸着装置を提供できる。
【図面の簡単な説明】
【００１９】
【図１】本発明における第１の実施の形態である真空蒸着装置の構成の概略を示す模式図である。
【図２】図１のＡ側（蒸発源の上側）から見た蒸発源の概略構成図である。
【図３】図１のＢ側（蒸発源の長手方向の端部側）から見た蒸発源の概略構成図である。
【図４】図２における蒸発源のＸ-Ｙ断面図で、実施形態１における第１の実施例の蒸発源を示す図である。
【図５】第１の実施例における加熱手段の構成とその動作を説明する図である。
【図６】本実施形態１における第２の実施例の蒸発源を示す図で、実施例１の図４に対応する蒸発源のＸ-Ｙ断面図である。
【図７】実施形態１における第３の実施例の蒸発源を示す図で、実施例１の図２に対応する蒸発源のＸ-Ｙ断面図である。
【図８】実施形態１の真空蒸着装置における基板と蒸発源の移動に関する関係を示す図である。
【図９】実施形態１の真空蒸着装置における基板と蒸発源の移動に関する関係を示す図である。
【図１０】本発明における第２の実施の形態である真空蒸着装置の構成の模式図と動作説明図である。
【発明を実施するための形態】
【００２０】
以下、実施の形態に従って図面等により本願発明を説明する。本発明は、蒸着形成する薄膜層の膜厚均一性をはかるために、坩堝１は、蒸着材料が加熱される蒸着材料部１１と、坩堝１の長手方向の両端部に蒸着材料部１１に比して熱容量が大きな部分である熱容量部１０と、を有する。
【００２１】
以下の説明文は本願発明内容の具体例を示すものであり、本願発明がこれらの説明に限定されるものではない。従って、本明細書に開示される技術的思想内において当業者による様々な変更及び修正が可能である。
【００２２】
(実施形態１)
図１は、本発明における第１の実施の形態である真空蒸着装置２０Ａの構成の概略を示す模式図である。真空蒸着装置２０Ａは、デポジションアップ型の蒸発型１００でフェイスダウン成膜ができる構成を有している。真空蒸着装置２０Ａは、真空蒸着室２５内に、成膜される基板Ｐ、蒸着材料を有する蒸発源１００、膜厚モニタ２７がある。また、真空蒸着室２５外には、基板Ｐに成膜される膜厚を制御するための膜厚制御計２８、蒸発源１００の温度を制御するための蒸発源電源９、及び膜厚制御計２８と蒸発源電源２９を連動させて制御し、蒸着データを記録するための制御用パソコン２４ある。
【００２３】
（実施例１）
図１〜図４により本実施形態１における第１の実施例の蒸発源１００Ａの概略を説明する。図２は図１のＡ側（蒸発源の上側）から見た蒸発源１００Ａの概略構成図である。図３は、図１のＢ側（蒸発源の長手方向の端部側）から見た蒸発源１００Ａの概略構成図である。図４は、図２における蒸発源のＸ-Ｙ断面図で、本実施形態１における第１の実施例の蒸発源を示す図である。
【００２４】
図１で示す蒸発源１００Ａは、上部に蒸気噴出口２を有するデポジションアップ型の蒸発源である。図１では、蒸発源１００Ａにおいて、坩堝１の温度分布を改善するための熱拡散板や外部への熱放散を防止するリフレクタ、断熱材、冷却機構、膜厚補正板等は省略している。蒸気噴出口２は、一定方向に延伸した坩堝１の長手方向に配列されており、上方に蒸着材料からなる蒸気２ｊを噴出させる。
【００２５】
図２、図３に示すように、蒸発源１００Ａは、蒸気噴出口２を有する上面を除いて、四四つの側面及び底面に、リフレクタ４Ｓ、４Ｅ、４Ｂ（纏めた場合４）、断熱材５Ｓ、５Ｅ、５Ｂ（纏めた場合５）を設けている。なお、Ｓは長手方向側の側面を、Ｅは端部側の側面を、及びＢは底面を示す。
【００２６】
また、蒸発源１００Ａは、坩堝１の長手方向側の左右側面に蒸着材料９に沿って加熱ヒータ（加熱手段）３を有している。さらに、蒸発源１００Ａは、その上面にリフレクタ４Ｔを有している。なお、リフレクタ４と断熱材５は必要に応じて、必要な場所に設ければよい。
【００２７】
図４において、坩堝１は、蒸着材料が加熱される蒸着材料部１１と坩堝１の長手方向の両端部には、蒸着材料部１１に比して熱容量が大きな部分である熱容量部１０Ａ（１０）を有する。蒸着材料部１１は、仕切り６Ｗで複数の材料室に分けられ、蒸着材料９を充填している。図２に示すように、蒸着材料９は、レフレクタ４Ｓと坩堝１の間に設けられた加熱ヒータ３で加熱され、蒸発または昇華する。蒸発または昇華した蒸着材料の蒸気が内在する第１の坩堝空間７を介して蒸気噴出口２が噴出される。
【００２８】
坩堝１の長手方向の両端部には、本実施例１の特徴である熱容量部１０Ａが蒸着材料部１１と一体になって設けられている。
【００２９】
本実施例１の熱容量部１０Ａは、坩堝１の長手方向の単位長さあたりにおいて、仕切り６Ｗ等の坩堝内部を構成する蒸着材料部１１の熱容量よりも大きい熱容量を有する。熱容量は比熱と質量の積で見積もることができるので、熱容量部１０Ａは、蒸着材料部１１の熱容量より比熱の大きな材料からなる部分を設けるか、質量の大きな部分を設ければよい。本実施例では、熱容量部１０Ａを坩堝１の両端に、第１の坩堝空間７や材料室６のない部分を設けることによって質量の大きな部分を形成している。
【００３０】
熱容量部１０Ａは、坩堝１の長手方向の両端部において熱ブロックとして機能を果たすので、両端部からの外側への熱放散を抑制することができ、蒸着材料部１１端部内部の温度の低下を防止できる。その結果、坩堝１の長手方向の温度分布を小さくできる。このため、蒸発源１００の長手方向に対して良好な膜厚分布を得ることができる。例えば、蒸着幅１メートルの直線状蒸発源の場合、リフレクタ４や断熱材５にもよるが、熱容量部１０Ａの厚みＴを第１の坩堝空間７が存在する坩堝１の壁の厚みｔの２倍以上にすることにより、温度分布幅を２℃以下、膜厚分布２％以下を実現できた。
【００３１】
本実施例の効果は、比熱の大きな材料を用いることによっても得ることができる。しかし、実施例１では、熱容量部１０Ａを蒸着材料部１１と一体形成しているので、坩堝１の材料によって熱容量部１０Ａの大きさが決定されるので、単位体積当たりのエネルギーとして考える必要がある。すなわち、坩堝１を比熱と単位体積当たりの質量の積が大きい材料によって形成することが、熱容量部の小型の観点から望ましい。
【００３２】
因みに、坩堝１の材料としては、セラミック（ＰＢＮ（Pyrolytic Boron Nitride）、アルミナ、カーボン材料、ＢＮ（Boron Nitride）コンポジット材料等）や金属（チタン、チタン合金、タンタル、モリブデン、タングステン、白金等）の材質で構成されている。
【００３３】
坩堝１の両端部に熱容量の大きな熱容量部１０Ａを設けると、蒸着材料部１１の両端部内部では、多くの熱は熱容量部１０Ａに吸収されてしまう。その結果、坩堝１の加熱開始時には蒸着材料部１１の両端部内部における蒸着材料９の温度上昇速度が小さくなる。そのため、加熱開始時には蒸着材料部１１の長手方向の温度分布が大きくなり、蒸着材料部１１の端部の蒸気噴出口２が詰まるという問題が発生する。これを防止するためには、坩堝１の加熱開始時には、その両端部に存在する熱容量部１０Ａのみを加熱し、熱容量部１０Ａを熱拡散防止ブロックのとして機能をもたせる必要がある。その後、熱容量部１０Ａと蒸着材料部１１とを加熱して、坩堝１の長手方向の温度分布を小さく維持しながら、蒸着処理を行う。
【００３４】
図５は、上記を実現する一例を示す加熱ヒータ(加熱手段)３の等価回路とその動作を説明する図である。加熱ヒータ３は、蒸着材料部１１を加熱する長さを有する蒸着材料部ヒータ９ｈと熱容量部１０Ａを加熱する熱容量部ヒータ１０ｈとを有し、１０ｈ、９ｈ、１０ｈの順に直列に接続されている。また、加熱ヒータ３は、蒸着材料部ヒータ９ｈを短絡させる短絡線９ｂと、短絡線上に設けられ短絡を制御するスイッチＳを有する。
【００３５】
かかる構成において、まず、坩堝１の加熱開始時にはスイッチＳを閉じて、坩堝１の長手方向に両端部外部に存在する熱容量部ヒータ１０ｈに電流を流し、熱容量部１０Ａを加熱する。次に、スイッチＳを開にして、加熱ヒータ３全体に電流を流し、蒸着材料部１１及び熱容量部１０Ａを加熱する。このスイッチＳの切り替えタイミング、即ち熱容量部１０Ａの熱ブロック機能を果たせるタイミングを計る。これら一連の動作によって、蒸着材料部１１の長手方向両端部の温度低下を低減し、蒸着材料部１１の中央部と端部の温度差を少なくしながら、即ち坩堝１の長手方向の温度分布を小さく維持しながら、蒸着処理を行う。
【００３６】
以上述べてきた通り、本実施例によれば、長手方向を有する坩堝１の蒸着材料部１１端部領域の温度低下を抑制できる簡単な構造の直線状蒸発源を提供できる。
【００３７】
（実施例２）
図６は、本実施形態１における第２の実施例の蒸発源１００Ｂを示す図で、実施例１の図４に対応する蒸発源１００ＢのＸ-Ｙ断面図である。
【００３８】
実施例２の実施例１と異なる点は、次の２点である。その他の点は、実施例１と同じである。
【００３９】
第１に、実施例２の熱容量部１０Ｂは、実施例１のように蒸着材料部１１と一体になって形成されていなく分離して形成され、且つ引用文献２のように断熱板が端部側面から離間しているのではなく、蒸着材料部１１の両端部側面に接触して設けられている点である。このように熱容量部１０Ｂを蒸着材料部１１と別に形成する場合、熱容量部１０Ｂの材料は、蒸着材料部１１の材料と切り離して考えることができるので、比熱の大きい材料を用いることが望ましい。勿論、熱容量部１０Ｂを蒸着材料部１１の構成材料と同じ材料で構成してもよい。
この結果、熱容量部１０Ｂの構成は熱容量部１０Ａと基本的に同じであるので、熱容量部１０Ｂによる効果は、実施例１と同様に得ることができる。
【００４０】
第２に、中間板８によって第１の坩堝空間７を第２の坩堝空間７１と第３の坩堝空間７２に分割し、中間板８に第２の坩堝空間７１と第３の坩堝空間７２と連通するオリフィス８Ｈによって繋いでいる。
【００４１】
中間板８により、第３の坩堝空間７２で長手方向に対するコンダクタンスが大きくなり、第３の坩堝空間７２において蒸着材料９の蒸気に長手方向の流れが発生する。その結果、第２の坩堝空間７１での蒸着材料９の蒸気の圧力が均一化され、膜厚分布やその再現性を優れたものとすることができる。
【００４２】
上記説明では、第１に坩堝空間を２つに分割したが３つ以上でもよい。例えば、３つに分割した場合、真ん中の坩堝空間でも長手方向に対するコンダクタンスが大きくなり、更なる蒸気の均一化が図れる。
【００４３】
(実施例３)
図７は、本実施形態１における第３の実施例の蒸発源１００Ｃを示す図で、実施例１の図２に対応する蒸発源１００ＢのＸ-Ｙ断面図である。
実施例３の実施例１と異なる点は、加熱手段３である。その他の点は基本的に同じである。実施例１では、蒸着材料部１１と熱容量部１０Ａを加熱する蒸着材料部ヒータ９ｈ、熱容量部ヒータ１０ｈを坩堝１の長手方向側部に設けたのに対し、実施例３では、熱容量部１０Ａを加熱する加熱ヒータ１０ｈを、坩堝１の長手方向であって熱容量部１０Ａの外側に設けた点である。蒸着材料部ヒータ９ｈの加熱長さは、蒸着材料９が存在する場所の長さに相当する長さとする。また、蒸着材料部ヒータ９ｈ、熱容量部ヒータ１０ｈは、実施例１で説明したように、坩堝１の加熱開始時と蒸着時に分けて、それぞれ図示しない別電源から電力が供給される。勿論、実施例１と同様に、スイッチＳを設け、単一電源から電力を供給してもよい。
【００４４】
実施例３においても、蒸着時における坩堝１の長手方向に両端部の温度低下を低減し、蒸発源１００Ｃの長手方向に対して良好な膜厚分布を得ることができる。
【００４５】
以上説明した実施例1乃至３では、坩堝１は長手方向に複数の蒸発噴出口２を有していたが、所定方向に１つしか蒸発噴出口２を有していない場合でも、前記所定方向の両端側部に本実施例でいう熱容量部１０を設けることで、坩堝１内の蒸着材料の蒸気温度が平坦化するので、蒸気温度を制御し易くなる利点がある。
【００４６】
(実施例４)
図８、図９は、実施形態１の真空蒸着装置２０Ａにおける基板Ｐと蒸発源１００との移動に関する関係を示す図である。図８は、実施例１乃至４で示した蒸発源１００を固定し、この蒸発源１００の上方を図示しない駆動手段で移動させながら基板Ｐ上を蒸着する。一方、図９は、逆に基板Ｐを固定し、固定した基板Ｐの下方を実施例１、２で示した蒸発源１００を図示しない移動手段で移動させながら基板Ｐ上に蒸着する。
【００４７】
このような構成により、基板Ｐ全体に亘って膜厚均一性の優れたインライン型の真空蒸着装置２０Ａを提供できる。
【００４８】
(実施形態２)
図１０は、本発明における第２の実施の形態である真空蒸着装置２０Ｂの構成の模式図と動作説明図である。真空蒸着装置２０Ｂは、真空蒸着室２５Ｂと、真空蒸着室に基板Ｐを搬送する真空搬送室５０とを有する。真空搬送室５０は、全体を上下に移動可能(図示せず)で、左右に旋回可能な２リンク構造のアーム５７を有し、その先端には基板搬送用の櫛歯状ハンド５８を有する真空搬送ロボット５０Ｒ有する。
【００４９】
一方、真空蒸着室２５Ｂは、引出図Ｂに示すように、坩堝１の側壁に設けられた蒸気噴出口２から蒸気が噴出するサイドデポジション型の蒸発源２００を有する。蒸発源２００の他に真空蒸着室２５Ｂは、真空搬送ロボット５０Ｒから図示しない隔離弁を介して搬入された基板Ｐを保持する基板保持部９０と、蒸発源２００を上下方向移動させる蒸発源走査手段４３、基板Ｐへの蒸着パターンを規定するマスク８０とを有する。基板保持部９０は、櫛歯状ハンド９１と基板保持部９を旋回させて直立しているマスク８０に正対させる基板旋回手段９３とを有する。また真空蒸着装置２０Ｂは、マスク８０の上部にマスク８０と基板Ｐとにそれぞれ存在するアライメントマーク８５、８４(引出図Ａ参照)を撮像するアライメントカメラ８６と、その撮像結果に基づいてマスク８０移動させるアライメント駆動部(図示せず)とを有する。
【００５０】
このような構成によって、真空搬送ロボット５０Ｒは、搬送してきた基板Ｐを、真空蒸着室２５Ｂの基板保持部９０に搬入する。そして、真空蒸着室２０Ｂでは、搬入された基板Ｐを基板旋回手段９３でマスク８０に正対させ、アライメントし、蒸発源２００を上下に移動させて基板Ｐに蒸着する。蒸着後、基板Ｐを水平状態に戻す。その後、真空搬送ロボット５０Ｒにより基板Ｐを真空蒸着室２５Ｂから搬出し、図示していない他の真空蒸着室等に搬送する。
【００５１】
サイドデポジション型の蒸発源２００は、デポアップ型の蒸発源１００とは、内部構造は異なるが坩堝１の長手方向の両側部側面で温度の低下がすることは同じである。従って、サイドデポジション型の蒸発源２００でも、実施形態１で示した実施例１乃至３の熱容量部１０(１０Ａ、１０Ｂ)を適用できる。また、中間板８についても、中間板８を複数の蒸気噴出口２に平行、蒸気材料９を納めている材料室６の列に対して垂直に設けることで、サイドデポジション型の蒸発源２００でも、実施形態１の実施例２と同様に効果を奏することができる。
【符号の説明】
【００５２】
１００、１００Ａ乃至１００Ｄ、２００：蒸発源
１：坩堝                              ２：蒸気噴出口（ノズル）
２ｊ：蒸着材料からなる蒸気            ３：加熱ヒータ（加熱手段）
４、４Ｓ、４Ｅ、４Ｔ、４Ｂ：リフレクタ
５、５Ｓ、５Ｅ、５Ｂ：断熱材          ６：材料室
６Ｗ：材料室内に設けられた仕切り      ７：第１の坩堝空間
７１：第２の坩堝空間                  ７２：第３の坩堝空間
８：中間板                            ８Ｈ：中間板に設けられたオリフィス
９：蒸着材料                          ９ｈ：蒸着材料部ヒータ
１０、１０Ａ、１０Ｂ：熱容量部        １０ｈ：熱容量部ヒータ
１１：蒸着材料部                      ２０Ａ、２０Ｂ：真空蒸着装置
２４：制御用パソコン                  ２５：真空蒸着室
２７：膜厚モニタ                      ２８：膜厚制御計
２９：蒸発源電源                      ４３：蒸発源走査手段
５０：真空搬送室                      ５７：アーム
５８：真空搬送ロボット櫛歯状ハンド    ５０Ｒ：真空搬送ロボット
８０：マスク                          ９０：基板保持部
９１：基板保持部の櫛歯状ハンド        ９２：基板旋回手段
１００、１００Ａ乃至１００Ｃ：デポジションアップ型の蒸発型
２００：サイドデポジション型の蒸発源  Ｐ：基板。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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