(57)【要約】【課題】赤外線ヒータによって基板に赤外線を照射する際における周辺部品に対する熱影響を回避できる基板処理装置を提供すること。【解決手段】基板処理装置１は、スピンチャック５と、赤外線ヒータ５８とを含む。スピンチャック５は、スピンベース１２と、スピンベースに立設され、スピンベース１２の上面から間隔を隔てた状態で基板Ｗを支持するチャックピン１３とを有する。赤外線ヒータ５８から赤外線を含む光が基板Ｗに照射される。チャックピン１３によって支持される基板Ｗとスピンベース１２の上面との間に、反射プレート７が配置されている。反射プレート７は、基板Ｗを透過した赤外線を、基板Ｗに向けて反射する。【選択図】図２
2015211201.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
赤外線が透過可能な基板を、処理液を用いて処理する基板処理装置であって、
所定の回転軸線を中心に回転可能なベースと、前記ベースに立設され、前記ベースの上面から間隔を隔てた状態で前記基板を支持する基板支持部材とを有する基板保持回転手段と、
前記基板の上面に赤外線を含む光を照射する赤外線ヒータと、
前記基板支持部材によって支持される前記基板と前記ベースの上面との間に、前記ベースの上面と間隔を空けて配置され、前記基板を透過した赤外線から前記ベースの少なくとも一部を遮蔽するプレートとを含む、基板処理装置。
【請求項２】
前記基板は、シリコン基板である、請求項１に記載の基板処理装置。
【請求項３】
前記プレートは、前記基板を透過した赤外線を、当該基板に向けて反射する反射プレートを含む、請求項１または２に記載の基板処理装置。
【請求項４】
前記反射プレートは、赤外線を反射可能な芯材と、前記芯材の周囲を被覆する樹脂製の被覆材とを含む、請求項３に記載の基板処理装置。
【請求項５】
前記芯材の材質は、前記被覆材の材質よりも、前記赤外線に対する反射率が高い、請求項４に記載の基板処理装置。
【請求項６】
前記基板の上面において前記赤外線ヒータからの光が照射される照射領域を移動させる照射領域移動手段をさらに含み、
前記プレートは、前記照射領域移動手段によって走査させられる前記照射領域の走査領域と、平面視で重複するように設けられている、請求項１〜５のいずれか一項に記載の基板処理装置。
【請求項７】
前記プレートは、円形をなしている、請求項１〜６のいずれか一項に記載の基板処理装置。
【請求項８】
前記プレートは、前記回転軸線から前記基板の半径方向に沿って離反するのに従って広がる三角形または扇形をなしている、請求項１〜６のいずれか一項に記載の基板処理装置。
【請求項９】
前記プレートは、基板の下面外周部と対向する位置のみに配置されている、請求項１〜６のいずれか一項に記載の基板処理装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、赤外線が透過可能な基板を、処理液を用いて処理する基板処理装置に関する。処理の対象となる基板には、たとえば、半導体ウエハ、液晶表示装置用基板、プラズマディスプレイ用基板、ＦＥＤ（Field Emission Display）用基板、光ディスク用基板、磁気ディスク用基板、光磁気ディスク用基板、フォトマスク用基板、セラミック基板、太陽電池用基板等が含まれる。
【背景技術】
【０００２】
特許文献１には、ウエハ回転機構によって回転させられているシリコンウエハの上面に対する処理液の供給と並行して、シリコンウエハの上面に対向配置された赤外線ヒータから基板の上面に赤外線を照射する手法が開示されている。シリコンウエハの表面に対する赤外線の照射によりシリコンウエハや処理液が温められ、これにより、処理液による処理効率を向上させることができる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２０１３−１８２９５７号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、シリコンウエハは赤外線を透過させる性質を有しており、基板（シリコンウエハ）を透過した赤外線によって、基板の下方に位置する周辺部材が加熱されるおそれがある。
そこで、本発明の目的は、赤外線ヒータによって基板に赤外線を照射する際における周辺部品に対する熱影響を回避できる基板処理装置を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
前記の目的を達成するための請求項１に記載の発明は、赤外線が透過可能な基板（Ｗ）を、処理液を用いて処理する基板処理装置（１）であって、所定の回転軸線（Ａ１）を中心に回転可能なベース（１２）と、前記ベースに立設され、前記ベースの上面から間隔を隔てた状態で前記基板を支持する基板支持部材（１３）とを有する基板保持回転手段（５）と、前記基板の上面に赤外線を含む光を照射する赤外線ヒータ（５８）と、前記基板支持部材によって支持される前記基板と前記ベースの上面との間に、前記ベースの上面と間隔を空けて配置され、前記基板を透過した赤外線から前記ベースの少なくとも一部を遮蔽するプレート（７，１０７，２０７）とを含む、基板処理装置を提供する。
【０００６】
なお、この項において、括弧内の英数字は、後述の実施形態における対応構成要素の参照符合を表すものであるが、これらの参照符号により特許請求の範囲を実施形態に限定する趣旨ではない。
プレートは、赤外光を反射可能な構成であってもよいし、赤外光を吸収可能な構成であってもよい。
【０００７】
ここで、「赤外線が透過可能」とは、赤外領域の光のうち、少なくとも一部の波長における光が透過可能であることを含む。さらに、「透過可能」とは、照射された光のうち、少なくとも一部が透過することを含む概念である。この構成によれば、赤外線ヒータから基板に放射された赤外線の一部（波長的に見て一部、および光量的に見て一部）は基板を透過する。基板を透過した赤外線は、基板とベースの上面との間に配置されたプレートによって、反射または吸収される。プレートによってベースが赤外線から遮蔽される結果、ベースに届く赤外線の量を低減できる。これにより、基板を透過した赤外線によってベースが過度に温められることを抑制できる。
【０００８】
また、プレートが、ベースの上面と間隔を空けて配置されているので、プレートからの熱が熱伝導によりベースに伝わることはない。したがって、基板を透過した赤外線によってプレートが加熱される場合であっても、プレートからの熱によってベースが温められることを防止できる。
以上により、赤外線ヒータによって赤外線を基板に照射する場合において、ベースが過度に温められることを抑制でき、ベース等の周辺部材に対する熱影響を回避できる。
【０００９】
請求項２に記載のように、前記基板は、シリコン基板であってもよい。
この発明の一実施形態に係る基板処理装置は、請求項３に記載のように、前記プレートは、前記基板を透過した赤外線を、当該基板に向けて反射する反射プレート（７，１０７，２０７）を含む、請求項１または２に記載の基板処理装置である。
この構成によれば、基板を透過してプレートに照射された赤外線は、プレートで反射し、下方から基板に再度入射する。そのため、赤外線ヒータから直接照射される赤外線だけでなく、プレートの上面で反射した赤外線によっても基板が温められる。これにより、赤外線ヒータによる基板の加熱効率を高めることができる。
【００１０】
請求項４に記載の発明は、前記反射プレートは、赤外線を反射可能な（金属製の）芯材（３１）と、前記芯材の周囲を被覆する樹脂製の被覆材（３２）とを含む、請求項３に記載の基板処理装置である。
この構成によれば、プレートが芯材を含むので、プレートが、高い剛性を有する状態に保たれる。そして、少なくとも芯材が赤外線を反射可能に設けられているので、基板を透過した赤外線を、芯材において良好に反射させることができる。
【００１１】
請求項５に記載のように、前記芯材の材質は、前記被覆材の材質よりも、前記赤外線に対する反射率が高くてもよい。
芯材の材質として、アルミニウムや鋼（ステンレス鋼）を採用できる。アルミニウムは、赤外線に対する反射率が極めて高い。また、ステンレス鋼も赤外線に対する反射率が高い。これらを芯材の材質として用いることにより、反射プレートにおいて、赤外線を良好に反射させることができる。
【００１２】
また、樹脂の材質（材料）として、ポリテトラフルオロエチレン（ＰＴＦＥ：Polytetrafluoroethylene）などのフッ素樹脂を採用できる。この場合、樹脂は白色（乳白色）を有していることが望ましく、これにより、被覆材を、耐薬性を有し、かつ赤外線を反射可能な構成とすることができる。
前記基板の上面において前記赤外線ヒータからの光が照射される照射領域を移動させる照射領域移動手段（６０）をさらに含む場合には、請求項６に記載のように、前記プレートは、前記照射領域移動手段によって走査させられる前記照射領域の走査領域（Ｔ）と、平面視で、少なくとも一部が重複するように設けられていることが好ましい。
【００１３】
この構成によれば、照射領域の走査に伴い、照射領域とプレートとが平面視で重複する状況が生じる。このような状況において、プレートによって、基板を透過した赤外線からベースの上面を遮蔽できる。この場合、照射領域の走査領域と平面視で重複する領域にだけ、プレートを配置するようにすれば、プレートを小面積に設けることも可能であり、この場合、基板とベースの上面との間の限られたスペースに、プレートを良好に配置できる。
【００１４】
請求項７に記載のように、前記プレートは、円形をなしていてもよい。
請求項８に記載のように、前記プレートは、前記回転軸線から前記基板の半径方向に沿って離反するのに従って拡がる三角形または扇形をなしていてもよい。
請求項９に記載のように、前記プレートは、基板の下面外周部と対向する位置のみに配置されていてもよい。
【図面の簡単な説明】
【００１５】
【図１】本発明の一実施形態に係る基板処理装置の構成の模式的な平面図である。
【図２】図１に示す基板処理装置に備えられたチャンバの内部を水平に見た模式図である。
【図３】反射プレートおよびその周辺の構成の模式的な縦断面図である。
【図４】スピンベース、反射プレートおよびこれらに関連する構成の模式的な平面図である。
【図５】赤外線ヒータの縦断面図である。
【図６】図２に示す処理ユニットによって行われるレジスト除去処理の処理例を示すフローチャートである。
【図７】ＳＰＭ供給工程が行われているときの基板を水平に見た模式図である。
【図８】ＳＰＭ供給工程が行われているときの基板および反射プレートを拡大して示す模式図である。
【図９】本発明の他の実施形態に係る反射プレートの模式的な平面図である。
【図１０】本発明のさらに他の実施形態に係る反射プレートを水平に見た模式図である。
【発明を実施するための形態】
【００１６】
以下では、この発明の実施の形態を、添付図面を参照して詳細に説明する。
図１は、本発明の一実施形態に係る基板処理装置１の模式的な平面図である。図２は、基板処理装置１に備えられたチャンバ４の内部を水平に見た模式図である。図３は、反射プレート７およびその周辺の構成の模式的な縦断面図である。図４は、スピンベース１２およびこれに関連する構成の模式的な平面図である。図５は、赤外線ヒータ５８の縦断面図である。
【００１７】
図１に示すように、基板処理装置１は、円板状のシリコン基板Ｗ（以下、単に「基板Ｗ」とする。）を一枚ずつ処理する枚葉式の装置である。基板処理装置１は、処理液や処理ガスによって基板Ｗを処理する複数の処理ユニット２と、各処理ユニット２のチャンバ４に対して基板Ｗの搬入および搬出を行う基板搬送ロボットＣＲと、基板処理装置１に備えられた装置の動作やバルブの開閉などを制御する制御装置３とを含む。
【００１８】
図２および図３に示すように、各処理ユニット２は、枚葉式のユニットである。各処理ユニット２は、内部空間を有する箱形のチャンバ４と、チャンバ４内で一枚の基板Ｗを水平な姿勢で保持して、基板Ｗの中心を通る鉛直な回転軸線Ａ１まわりに基板Ｗを回転させるスピンチャック（基板保持回転手段）５と、スピンチャック５に保持されている基板ＷにＳＰＭ（硫酸過酸化水素水混合液（sulfuric acid／hydrogen peroxide mixture）。Ｈ２ＳＯ４（硫酸）およびＨ２Ｏ２（過酸化水素水）を含む混合液）またはＨ２Ｏ２を供給するＳＰＭ供給ユニット６と、スピンチャック５によって支持される基板Ｗとスピンチャック５のスピンベース（ベース）１２との間に配置された反射プレート７（図３を併せて参照）と、基板Ｗを加熱する加熱ユニット１０と、スピンチャック５を取り囲む筒状のカップ１１とを含む。
【００１９】
図２に示すように、スピンチャック５は、鉛直に延びる筒状の回転軸１４と、回転軸１４の上端に水平姿勢に取り付けられた円板状のスピンベース１２と、スピンベース１２に配置された複数個（３個以上。この実施形態では、図４に示すようにたとえば６個）のチャックピン（基板支持部材）１３と、回転軸１４に連結されたスピンモータ１５とを含む。回転軸１４は、中空に形成されている。複数個のチャックピン１３は、スピンベース１２の上面周縁部において基板Ｗの外周形状に対応する円周上で適当な間隔を空けて配置されている。
【００２０】
スピンベース１２は、平面視円形の箱体を有している。スピンベース１２の内部には、チャックピン１３を駆動するための駆動機構など、種々の機構部品が収容されている。スピンベース１２は、金属などの機構部品をＰＴＦＥ等のフッ素樹脂で覆われた構造となっている。ＰＴＦＥは、色や外表面の態様によってはある程度の反射率で赤外線を反射する性質を有するものの、赤外線を比較的高率で透過する性質を有する。
【００２１】
スピンチャック５は、各チャックピン１３を基板Ｗの周端面に一括して当接させることにより、基板Ｗをそれぞれ水平方向に挟むことができ、この状態で、基板Ｗは、スピンベース１２の上面と間隔を隔てた状態で、スピンチャック５に一体回転可能に保持される。したがって、基板Ｗが複数個のチャックピン１３に保持された状態で、スピンモータ１５の回転駆動力が回転軸１４に入力されることにより、回転軸線Ａ１まわりに基板Ｗが回転させられる。
【００２２】
反射プレート７は、後述する赤外線ヒータ５８から放射され基板Ｗを透過した赤外線を、基板Ｗに向けて反射する。反射プレート７は、基板Ｗとほぼ同径または基板Ｗよりもやや小径を有する円板状を有している。反射プレート７は、スピンベース１２の上面と、複数のチャックピン１３に支持された基板Ｗの下面との間に、基板Ｗの下面およびスピンベース１２の上面の双方と所定の間隔を空けて水平姿勢で配置されている。そのため、反射プレート７からの熱がスピンベース１２に熱伝導により伝わることはない。また、反射プレート７は、回転軸１４などの回転部に非接触である。
【００２３】
図３に示すように、反射プレート７は、円板状の金属製の芯材３１と、芯材３１の周囲全域を被覆する樹脂製の被覆材３２とを一体的に含む。芯材３１および被覆材３２は、たとえばモールド成形により形成されている。
芯材３１の材質として、たとえば、赤外線に対する反射率が極めて高い（略１００％）アルミニウムを採用できる。また、また、芯材３１の材質として、赤外線に対して高い（たとえば５０〜６０％）反射率を有するステンレス鋼を採用することもできる。被覆材３２の材料として、たとえば白色（乳白色）のＰＴＦＥを採用できる。白色のＰＴＦＥは、耐薬性を有するだけでなく、赤外線を比較的高い反射率で反射する性質を有する。これらの場合、芯材３１の材質は、被覆材３２の材質より、赤外線に対する反射率が高い。
【００２４】
なお、反射プレート７の上面を構成する被覆材３２の上面に、鏡面加工が施されていてもよい。これにより、反射プレート７の上面において、より高い反射率で赤外線を反射できる。また、反射プレート７を構成する芯材３１の上面が鏡面加工されていてもよい。これにより、反射プレート７の内部において、より高い反射率で赤外線を反射できる。
図２および図３に示すように、反射プレート７の中央部には、反射プレート７の上面に開口するプレート吐出口３３と、プレート吐出口３３と反射プレート７の下面とを接続する貫通穴３４とが形成されている。プレート吐出口３３は、スピンチャック５に保持される基板Ｗの下面中央部に近接して配置されている。反射プレート７の下面中央部は、次に述べる下面ノズル３５の上面３５Ａに固定されており、プレート吐出口３３が、次に述べるノズル吐出口３６Ａと連通している。
【００２５】
図２および図３に示すように、回転軸１４の内部には、基板Ｗの下面中央部に向けて処理液を供給する下面ノズル３５が挿通されている。回転軸１４の内周面は、径方向に間隔を空けて下面ノズル３５の外周面を略全周にわたって取り囲んでいる。下面ノズル３５は、回転軸１４などの回転部に非接触である。
図３に示すように、下面ノズル３５には、処理液（薬液やリンス液）が流通する処理液配管３６が挿通されている。また、処理液配管３６の先端は、下面ノズル３５の上面３５Ａで開口してノズル吐出口３６Ａを形成している。ノズル吐出口３６Ａから吐出される処理液は、貫通穴３４を通してプレート吐出口３３へと導かれ、プレート吐出口３３から基板Ｗの下面中央部に対してほぼ垂直に入射する。
【００２６】
処理液配管３６には、薬液下配管３７と、リンス液下配管３８とが接続されている。薬液下配管３７には、薬液下配管３７の内部を開閉する薬液下バルブ３９が介装されている。リンス液下配管３８には、リンス液下配管３８の内部を開閉するリンス液下バルブ４０が介装されている。リンス液は、たとえば、純水（脱イオン水：Ｄeionzied Ｗater）である。リンス液は、純水に限らず、炭酸水、電解イオン水、水素水、オゾン水および希釈濃度（たとえば、１０〜１００ｐｐｍ程度）の塩酸水のいずれかであってもよい。
【００２７】
リンス液下バルブ４０が閉じられた状態で薬液下バルブ３９が開かれると、薬液供給源からの薬液が薬液下配管３７から下面ノズル３５に供給され、ノズル吐出口３６Ａから薬液が吐出される。また、薬液下バルブ３９が閉じられた状態でリンス液下バルブ４０が開かれると、リンス液供給源からのリンス液がリンス液下配管３８から下面ノズル３５に供給され、ノズル吐出口３６Ａからリンス液が吐出される。  図２に示すように、ＳＰＭ供給ユニット６は、ＳＰＭまたはＨ２Ｏ２を基板Ｗの上面に向けて選択的に吐出するＳＰＭノズル２１と、ＳＰＭノズル２１が先端部に取り付けられた第１のノズルアーム２２と、第１のノズルアーム２２を移動させることにより、ＳＰＭノズル２１を移動させる第１のノズル移動ユニット２３とを含む。
【００２８】
ＳＰＭノズル２１は、たとえば、連続流の状態でＳＰＭおよびＨ２Ｏ２を選択的に吐出するストレートノズルであり、たとえば基板Ｗの上面に垂直な方向に処理液を吐出する垂直姿勢で第１のノズルアーム２２に取り付けられている。第１のノズルアーム２２は水平方向に延びており、図４に示すように、スピンチャック５の周囲で鉛直方向に延びる回動軸線Ａ２まわりに回転可能に設けられている。なお、ＳＰＭノズル２１は、吐出口よりも内方（回転軸線Ａ１側）の位置にＳＰＭまたはＨ２Ｏ２が着液するように基板Ｗの上面に対して傾いた吐出方向にＳＰＭまたはＨ２Ｏ２が吐出される内向き姿勢で第１のノズルアーム２２に保持されていてもよいし、吐出口よりも外方（回転軸線Ａ１とは反対側）の位置にＳＰＭまたはＨ２Ｏ２が着液するように基板Ｗの上面に対して傾いた吐出方向にＳＰＭまたはＨ２Ｏ２を吐出する外向き姿勢で第１のノズルアーム２２に保持されていてもよい。
【００２９】
図４に示すように、第１のノズル移動ユニット２３は、回動軸線Ａ２まわりに第１のノズルアーム２２を回転させることにより、平面視で基板Ｗの上面中央部を通る軌跡に沿ってＳＰＭノズル２１を水平に移動させる。第１のノズル移動ユニット２３は、ＳＰＭノズル２１から吐出されたＳＰＭが基板Ｗの上面に着液する処理位置と、ＳＰＭノズル２１が平面視でスピンチャック５の周囲に設定されたホーム位置との間で、ＳＰＭノズル２１を水平に移動させる。この実施形態では、前記の処理位置は、たとえば、ＳＰＭノズル２１から吐出されたＳＰＭまたはＨ２Ｏ２が基板Ｗの上面中央部に着液する中央位置である。
【００３０】
図２に示すように、ＳＰＭ供給ユニット６は、ＳＰＭノズル２１に接続され、硫酸供給源からＨ２ＳＯ４が供給される硫酸配管２４と、過酸化水素水供給源からＨ２Ｏ２が供給される過酸化水素水配管２５とをさらに含む。
硫酸配管２４の途中部には、硫酸配管２４を開閉するための硫酸バルブ２６、硫酸流量調整バルブ２７およびヒータ２８が、ＳＰＭノズル２１側からこの順に介装されている。ヒータ２８は、Ｈ２ＳＯ４を室温よりも高い温度（７０〜１２０℃の範囲内の一定温度。たとえば９０℃）に維持する。Ｈ２ＳＯ４を加熱するヒータ２８は、図２に示すようなワンパス方式のヒータであってもよいし、ヒータを含む循環経路の内部にＨ２ＳＯ４を循環させることによりＨ２ＳＯ４を加熱する循環方式のヒータであってもよい。図示はしないが、硫酸流量調整バルブ２７は、弁座が内部に設けられたバルブボディと、弁座を開閉する弁体と、開位置と閉位置との間で弁体を移動させるアクチュエータとを含む。他の流量調整バルブについても同様である。
【００３１】
過酸化水素水配管２５の途中部には、過酸化水素水配管２５を開閉するための過酸化水素水バルブ２９と、過酸化水素水流量調整バルブ３０とが、ＳＰＭノズル２１側からこの順に介装されている。ＳＰＭノズル２１には、温度調整されていない常温（約２３℃）程度のＨ２Ｏ２が、過酸化水素水配管２５を通して供給される。
ＳＰＭノズル２１は、たとえば略円筒状のケーシング（図示しない）を有している。硫酸配管２４は、ＳＰＭノズル２１のケーシングの側壁に配置された硫酸導入口に接続されている。
【００３２】
硫酸バルブ２６および過酸化水素水バルブ２９が開かれると、硫酸配管２４からのＨ２ＳＯ４および過酸化水素水配管２５からのＨ２Ｏ２が、ＳＰＭノズル２１のケーシング（図示しない）内へと供給され、ケーシング内において十分に混合（攪拌）される。この混合によって、Ｈ２ＳＯ４とＨ２Ｏ２とが均一に混ざり合い、Ｈ２ＳＯ４とＨ２Ｏ２との反応によってＨ２ＳＯ４およびＨ２Ｏ２の混合液（ＳＰＭ）が生成される。ＳＰＭは、酸化力が強いペルオキソ一硫酸（Peroxymonosulfuric acid；Ｈ２ＳＯ５）を含み、混合前のＨ２ＳＯ４およびＨ２Ｏ２の温度よりも高い温度（１００℃以上。たとえば１６０℃）まで昇温させられる。生成された高温のＳＰＭは、ＳＰＭノズル２１のケーシングの先端（たとえば下端）に開口した吐出口から吐出される。
【００３３】
図２に示すように、加熱ユニット１０は、赤外線を基板Ｗに照射する赤外線ヒータ（加熱手段）５８と、赤外線ヒータ５８が先端部に取り付けられたヒータアーム５９と、ヒータアーム５９を移動させるヒータ移動ユニット（照射領域移動手段）６０とを含む。
図２に示すように、赤外線ヒータ５８は、赤外線を発する赤外線ランプ６１と、赤外線ランプ６１を収容するランプハウジング６２とを含む。赤外線ランプ６１は、ランプハウジング６２内に配置されている。図４に示すように、ランプハウジング６２は、平面視で基板Ｗよりも小さい。そのため、このランプハウジング６２内に配置されている赤外線ヒータ５８は、平面視で基板Ｗよりも小さい。赤外線ランプ６１およびランプハウジング６２は、ヒータアーム５９に取り付けられている。そのため、赤外線ランプ６１およびランプハウジング６２は、ヒータアーム５９と共に移動する。
【００３４】
図５に示すように、赤外線ランプ６１は、制御装置３に接続されている。赤外線ランプ６１は、たとえばハロゲンランプである。赤外線ランプ６１は、ハロゲンランプの代わりに、カーボンヒータ等の他の発熱体であってもよい。赤外線ランプ６１は、フィラメントと、フィラメントを収容する石英管とを含む。ランプハウジング６２は次に述べるように透過部材を含み、そのため、赤外線ランプ６１が発光すると、赤外線ランプ６１からの光が、ランプハウジング６２を透過してランプハウジング６２の外面から外方に放射される。
【００３５】
図５に示すように、ランプハウジング６２の次に述べる底板部６６の下面は、基板Ｗの上面と平行でかつ平坦な基板対向面５８ａを含む。赤外線ヒータ５８が基板Ｗの上方に配置されている状態では、赤外線ヒータ５８の基板対向面５８ａが、間隔を空けて基板Ｗの上面に上下方向に対向する。この状態で赤外線ランプ６１が赤外線を発すると、赤外線を含む光が基板対向面５８ａから基板Ｗの上面に向かい、基板Ｗの上面に照射される。基板対向面５８ａは、たとえば、直径が基板Ｗの半径よりも小さい円形である。基板対向面５８ａは、円形に限らず、長手方向の長さが基板Ｗの半径以上である矩形状であってもよいし、円形および矩形以外の形状であってもよい。
【００３６】
図５に示すように、赤外線ランプ６１は、水平面に沿って配置された有端の円環部６３と、円環部６３の一端部および他端部から上方に延びる一対の鉛直部６４とを含む。ランプハウジング６２は、赤外線を透過させる透過部材を含む。透過部材は、上下方向に延びる筒状の収容部６５と、収容部６５の下端を塞ぐ円盤状の底板部６６とを含む。ランプハウジング６２は、さらに収容部６５の上端を塞ぐ蓋部材６７と、赤外線ランプ６１の一対の鉛直部６４を支持する支持部材６８とを含む。赤外線ランプ６１は、支持部材６８を介して蓋部材に支持されている。赤外線ランプ６１の円環部は、収容部６５と底板部６６と蓋部材６７とによって区画された空間に配置されている。底板部６６は、赤外線ランプ６１の下方に配置されており、間隔を空けて赤外線ランプ６１に上下方向に対向している。
【００３７】
図２に示すように、ヒータ移動ユニット６０は、赤外線ヒータ５８を所定の高さで保持している。図４に示すように、ヒータ移動ユニット６０は、スピンチャック５の周囲で上下方向に延びる回動軸線Ａ４まわりにヒータアーム５９を回動させることにより、赤外線ヒータ５８を水平に移動させる。これにより、赤外線を含む光が照射され加熱される照射領域（基板Ｗの上面内の一部の領域）が基板Ｗの上面内で移動する。図４に示すように、ヒータ移動ユニット６０は、平面視で基板Ｗの中心を通る円弧状の軌跡に沿ってヒータアーム５９の先端部を水平に移動させる。したがって、赤外線ヒータ５８は、スピンチャック５の上方を含む水平面内で移動する。これにより、照射領域（基板Ｗの上面内の一部の領域）が基板Ｗの上面内で移動する。照射領域は、基板Ｗの上面中央部と基板Ｗの上面周縁部とを結ぶ円弧状の照射領域の走査領域Ｔ（図４にハッチングを付した領域）において走査させられる。また、ヒータ移動ユニット６０は、赤外線ヒータ５８を鉛直方向に移動させることにより、基板対向面５８ａと基板Ｗとの距離を変化させる。
【００３８】
図５に示すように、赤外線ヒータ５８からの赤外線は、基板Ｗの上面内の照射領域に照射される。制御装置３は、赤外線ヒータ５８が発光している状態で、スピンチャック５によって基板Ｗを回転させながら、ヒータ移動ユニット６０によって赤外線ヒータ５８を回動軸線Ａ４まわりに回動させる。これにより、基板Ｗの上面が、赤外線ヒータ５８の照射領域によって走査される。そのため、処理液などの液体（たとえばＳＰＭ）が基板Ｗ上に保持されている状態で赤外線ランプ６１が発光すると、基板Ｗの温度が上昇し、それに伴って、基板Ｗ上の液体の温度も上昇する。あるいは基板Ｗ上の液体自体が加熱され昇温する。
【００３９】
この実施形態では、反射プレート７は、基板Ｗとほぼ同径または基板Ｗよりもやや小径を有する円板状を有しているので、照射領域の走査領域Ｔと、平面視で重複するように設けられている。
図２に示すように、カップ１１は、スピンチャック５に保持されている基板Ｗよりも外方（回転軸線Ａ１から離れる方向）に配置されている。カップ１１は、スピンベース１２の周囲を取り囲んでいる。スピンチャック５が基板Ｗを回転させている状態で、処理液が基板Ｗに供給されると、基板Ｗに供給された処理液が基板Ｗの周囲に振り切られる。処理液が基板Ｗに供給されるとき、上向きに開いたカップ１１の上端部１１ａは、スピンベース１２よりも上方に配置される。したがって、基板Ｗの周囲に排出された薬液（ＳＰＭやＳＣ１を含む）やリンス液などは、カップ１１によって受け止められる。そして、カップ１１に受け止められた処理液は、図示しない回収装置または排液装置に送られる。
【００４０】
図２に示すように、処理ユニット２は、スピンチャック５に保持されている基板Ｗに薬液の一例のＳＣ１（ＮＨ４ＯＨとＨ２Ｏ２とを含む混合液）を供給する薬液供給ユニット８と、スピンチャック５に保持されている基板Ｗにリンス液を供給するリンス液供給ユニット９とを含む。
図２に示すように、薬液供給ユニット８は、ＳＣ１を基板Ｗの上面に向けて吐出する薬液ノズル４１と、薬液ノズル４１が先端部に取り付けられた第２のノズルアーム４２と、第２のノズルアーム４２を移動させることにより、薬液ノズル４１を移動させる第２のノズル移動ユニット４３とを含む。図４に示すように、第２のノズル移動ユニット４３は、スピンチャック５の周囲で上下方向に延びる回動軸線Ａ３まわりに第２のノズルアーム４２を回動させることにより、薬液ノズル４１を水平に移動させる。
【００４１】
薬液供給ユニット８は、ＳＣ１を薬液ノズル４１に案内する薬液配管４４と、薬液配管４４の内部を開閉する薬液バルブ４５とを含む。薬液バルブ４５が開かれると、ＳＣ１供給源からのＳＣ１が、薬液配管４４から薬液ノズル４１に供給される。これにより、ＳＣ１が、薬液ノズル４１から吐出される。
図２に示すように、リンス液供給ユニット９は、スピンチャック５に保持されている基板Ｗに向けてリンス液を吐出するリンス液ノズル４６と、リンス液ノズル４６にリンス液を供給するリンス液配管４７と、リンス液配管４７からリンス液ノズル４６へのリンス液の供給および供給停止を切り替えるリンス液バルブ４８とを含む。リンス液ノズル４６は、リンス液ノズル４６の吐出口が静止された状態でリンス液を吐出する固定ノズルである。リンス液供給ユニット８は、リンス液ノズル４６を移動させることにより、基板Ｗの上面に対するリンス液の着液位置を移動させるリンス液ノズル移動装置を備えていてもよい。
【００４２】
リンス液バルブ４８が開かれると、リンス液配管４７からリンス液ノズル４６に供給されたリンス液が、リンス液ノズル４６から基板Ｗの上面中央部に向けて吐出される。
制御装置３は、たとえばマイクロコンピュータなどによって構成されている。制御装置３は、予め定められたプログラムに従って、スピンモータ１５、第１および第２のノズル移動ユニット２３，４３、ヒータ移動ユニット６０、ヒータ２８等の動作を制御する。また、制御装置３は、赤外線ランプ６１に供給される電力を調整する。さらに、制御装置３は、硫酸バルブ２６、過酸化水素水バルブ２９、薬液バルブ４５、リンス液バルブ４８、薬液下バルブ３９、リンス液下バルブ４０等の開閉を制御すると共に、流量調整バルブ２７，３０のアクチュエータを制御して、当該流量調整バルブ２７，３０の開度を制御する。
【００４３】
図６は、処理ユニット２によって行われるレジスト除去処理を示すフローチャートである。図７は、ＳＰＭ供給工程（Ｓ３）が行われているときの基板Ｗを水平に見た模式図である。図８は、ＳＰＭ供給工程（Ｓ３）が行われているときの基板Ｗおよび反射プレート７を拡大して示す模式図である。
以下、図２および図６を参照しつつレジスト除去処理の処理例について説明する。図３、図４、図７および図８については適宜参照する。
【００４４】
処理ユニット２によって基板Ｗにレジスト除去処理が施されるときには、チャンバ４の内部に、高ドーズでのイオン注入処理後の基板Ｗが搬入される（ステップＳ１）。搬入される基板Ｗは、レジストをアッシングするための処理を受けていないものとする。具体的には、制御装置３は、ノズル等が全てスピンチャック５の上方から退避している状態で、基板Ｗを保持している基板搬送ロボットＣＲ（図１参照）のハンドをチャンバ４の内部に進入させることにより、基板Ｗがその表面を上方に向けた状態でスピンチャック５に受け渡される。その後、制御装置３は、スピンモータ１５によって基板Ｗの回転を開始させる（ステップＳ２。基板回転工程）。基板Ｗは予め定める液処理速度（３００〜１５００ｒｐｍの範囲内で、たとえば５００ｒｐｍ）まで上昇させられ、その液処理速度に維持される。
【００４５】
基板Ｗの回転速度が液処理速度に達すると、次いで、制御装置３は、ＳＰＭを基板Ｗに供給するＳＰＭ供給工程（ステップＳ３）を行う。ＳＰＭ供給工程（Ｓ３）では、ＳＰＭノズル２１から吐出されるＳＰＭが基板Ｗの上面中央部に着液する。
具体的には、制御装置３は、第１のノズル移動ユニット２３を制御することにより、ＳＰＭノズル２１をホーム位置から中央位置に移動させる。これにより、ＳＰＭノズル２１が基板Ｗの中央部の上方に配置される。
【００４６】
ＳＰＭノズル２１が基板Ｗの上方に配置された後、制御装置３は、硫酸バルブ２６および過酸化水素水バルブ２９を同時に開く。これにより、硫酸配管２４の内部を流通するＨ２ＳＯ４がＳＰＭノズル２１に供給されると共に、過酸化水素水配管２５を流通する過酸化水素水がＳＰＭノズル２１に供給される。そして、ＳＰＭノズル２１のケーシング内においてＨ２ＳＯ４とＨ２Ｏ２とが混合され、高温（たとえば、１６０℃）のＳＰＭが生成される。そのＳＰＭが、ＳＰＭノズル２１の吐出口から吐出され、基板Ｗの上面の中央部に着液する。ＳＰＭノズル２１からのＳＰＭは、基板Ｗの回転による遠心力を受けて基板Ｗの上面に沿って外方に流れ、図７に示すように、基板Ｗの上面全域を覆うＳＰＭの液膜８０が基板Ｗ上に形成される。ＳＰＭノズル２１からのＳＰＭによって、基板Ｗ上のレジストが基板Ｗから除去される。
【００４７】
また、制御装置３は、第１のノズル移動ユニット２３を制御することにより、この状態で基板Ｗの上面に対するＳＰＭの着液位置を中央部と周縁部との間で移動させる。そのため、ＳＰＭの着液位置が、基板Ｗの上面全域を通過し、基板Ｗの上面全域が走査される。そのため、ＳＰＭノズル２１から吐出されたＳＰＭが、基板Ｗの上面全域に供給され、基板Ｗの上面全域が均一に処理される。
【００４８】
また、ＳＰＭ供給工程（Ｓ３）と並行して、赤外線ヒータ５８によって基板Ｗおよび基板Ｗ上のＳＰＭを基板Ｗに供給される前のＳＰＭの温度よりも高温の加熱温度で加熱する加熱工程が行われる。具体的には、制御装置３は、ヒータ移動ユニット６０を制御することにより、図４に示すように、赤外線ヒータ５８を退避位置から処理位置に移動させる。これにより、赤外線ヒータ５８が基板Ｗの上方に配置される。その後、制御装置３は、赤外線ヒータ５８に発光を開始させる。これにより、赤外線を含む光が基板Ｗに照射され、赤外線ヒータ５８の温度が加熱温度（たとえば２００℃以上）まで上昇し、その加熱温度に維持される。
【００４９】
赤外線ヒータ５８が基板Ｗの上方で発光を開始した後、制御装置３は、図７に示すように、ヒータ移動ユニット６０によって赤外線ヒータ５８を移動させることにより、基板Ｗの上面における赤外線ヒータ５８による赤外線の照射領域を、基板Ｗの上面周縁部と基板Ｗの上面中央部との間で移動させる（加熱領域移動工程）。これにより、照射領域（基板Ｗの上面内の一部の領域）が、円弧状の照射領域の走査領域Ｔ（図３参照）において走査させられる。基板Ｗが前記の液処理速度（たとえば５００ｒｐｍ）で回転している状態で、基板Ｗおよび基板Ｗ上のＳＰＭが加熱される。
【００５０】
シリコン基板である基板Ｗは、赤外線のうち一部が透過する。換言すると、赤外線が透過可能である。そのため、赤外線ヒータ５８の赤外線ランプ６１から基板Ｗに照射された赤外線は、図８に示すように基板Ｗを透過する。基板Ｗを透過した赤外線は、基板Ｗとスピンベース１２との間に配置された反射プレート７に照射される。反射プレート７（とくに、赤外線に対する反射率の高い芯材３１（図３参照））は、基板Ｗを透過して上方から照射された赤外線の大部分を、上方に向けて、すなわち基板Ｗに向けて反射する。そのため、反射プレート７によってスピンベース１２を赤外線から遮蔽でき、これによりス
ピンベース１２に届く赤外線の量を低減できる。また、反射プレート７に照射された赤外線は、反射プレート７で反射され、基板Ｗに下方から再度入射する。そして、赤外線ヒータ５８から直接照射される赤外線だけでなく、反射プレート７の上面で反射した赤外線によっても基板Ｗが温められる。
【００５１】
制御装置３は、赤外線ヒータ５８による基板Ｗの加熱が所定時間にわたって行われた後、赤外線ヒータ５８の発光を停止させる。その後、制御装置３は、ヒータ移動ユニット６０を制御することにより、赤外線ヒータ５８を基板Ｗの上方から退避させる。
このように、制御装置３は、基板Ｗを回転させている状態で、基板Ｗの上面の赤外線の照射領域を基板Ｗの上面内で移動させるので、基板Ｗが均一に加熱される。そのため、基板Ｗの上面全域を覆うＳＰＭの液膜８０も均一に加熱される。これにより、基板ＷとＳＰＭとの界面の温度が、高温に維持され、基板Ｗからのレジストの除去が促進される。
【００５２】
なお、処理位置に配置された状態で、赤外線ヒータ５８の基板対向面が基板Ｗ上のＳＰＭの液膜８０に接触していてもよいし、図７に示すように、赤外線ヒータ５８の基板対向面が基板Ｗ上のＳＰＭの液膜８０から所定距離だけ離隔していてもよい。
また、赤外線ヒータ５８による基板Ｗの加熱時（加熱工程）において、基板Ｗの上方に配置された赤外線ヒータ５８を、静止状態で配置するようにしてもよい、
ＳＰＭの吐出開始から予め定めるＳＰＭ処理時間が経過すると、ＳＰＭ供給工程（Ｓ３）が終了する。ＳＰＭ供給工程（Ｓ３）の終了に引き続いて、Ｈ２Ｏ２を基板Ｗに供給する過酸化水素水供給工程（ステップＳ４）が行われる。
【００５３】
具体的には、制御装置３は、第１のノズル移動ユニット２３を制御することにより、基板Ｗの上面中央部の上方にＳＰＭノズル２１を配置し、その後、制御装置３は、過酸化水素水バルブ２９を開いた状態に維持しつつ硫酸バルブ２６だけを閉じる。これにより、硫酸配管２４の内部をＨ２ＳＯ４が流通せずに、Ｈ２Ｏ２だけが過酸化水素水配管２５の内部を流通してＳＰＭノズル２１に供給される。ＳＰＭノズル２１に供給されたＨ２Ｏ２は、ＳＰＭノズル２１のケーシング内を通ってＳＰＭノズル２１の吐出口から吐出される。そのＨ２Ｏ２が、液処理速度で回転している基板Ｗの上面中央部に着液する。すなわち、ＳＰＭノズル２１から吐出される処理液が、ＳＰＭからＨ２Ｏ２に切り換わる。
【００５４】
基板Ｗの上面中央部に着液したＨ２Ｏ２は、基板Ｗの周縁に向かって基板Ｗ上を外方に流れる。基板Ｗ上のＳＰＭがＨ２Ｏ２に置換され、やがて、基板Ｗの上面全域が、Ｈ２Ｏ２の液膜によって覆われる。
Ｈ２Ｏ２の吐出開始から予め定める処理時間が経過すると、制御装置３は、過酸化水素水バルブ２９を閉じて、ＳＰＭノズル２１からのＨ２Ｏ２の吐出を停止させる。また、制御装置３は、ＳＰＭノズル２１を中央位置からホーム位置に移動させる。これにより、ＳＰＭノズル２１が基板Ｗの上方から退避させられる。
【００５５】
次いで、リンス液を基板Ｗに供給する第１のリンス液供給工程（ステップＳ５）が行われる。具体的には、制御装置３は、リンス液バルブ４８を開いて、基板Ｗの上面中央部に向けてリンス液ノズル４６からリンス液を吐出させる。リンス液ノズル４６から吐出されたリンス液は、Ｈ２Ｏ２によって覆われている基板Ｗの上面中央部に着液する。基板Ｗの上面中央部に着液したリンス液は、基板Ｗの回転による遠心力を受けて基板Ｗの上面上を基板Ｗの周縁部に向けて流れる。これにより、基板Ｗ上のＨ２Ｏ２が、リンス液によって外方に押し流され、基板Ｗの周囲に排出される。そのため、基板Ｗ上のＨ２Ｏ２の液膜が、基板Ｗの上面全域を覆うリンス液の液膜に置換される。これにより、基板Ｗの上面の全域においてＨ２Ｏ２が洗い流される。そして、リンス液バルブ４８が開かれてから所定時間が経過すると、制御装置３は、リンス液バルブ４８を閉じて、リンス液ノズル４６からのリンス液の吐出を停止させる。
【００５６】
次いで、制御装置３は、ＳＣ１を基板Ｗに供給するＳＣ１供給工程（ステップＳ６）を実行する。具体的には、制御装置３は、第２のノズル移動ユニット４３を制御することにより、薬液ノズル４１を退避位置から処理位置に移動させる。制御装置３は、薬液ノズル４１が基板Ｗの上方に配置された後、薬液バルブ４５を開いて、回転状態の基板Ｗの上面に向けてＳＣ１を薬液ノズル４１に吐出させる。
【００５７】
薬液ノズル４１から吐出されたＳＣ１は、基板Ｗの上面に着液した後、基板Ｗの回転による遠心力を受けて基板Ｗの上面に沿って外方に流れる。そのため、基板Ｗ上のリンス液は、ＳＣ１によって外方に押し流され、基板Ｗの周囲に排出される。これにより、基板Ｗ上のリンス液の液膜が、基板Ｗの上面全域を覆うＳＣ１の液膜に置換される。さらに、制御装置３は、基板Ｗが回転している状態で、基板Ｗの上面に対するＳＣ１の着液位置を中央部と周縁部との間で移動させるので、ＳＣ１の着液位置が、基板Ｗの上面全域を通過し、基板Ｗの上面全域が走査される。そのため、薬液ノズル４１から吐出されたＳＣ１が、基板Ｗの上面全域に供給され、基板Ｗの上面全域が均一に処理される。
【００５８】
ＳＣ１の吐出開始から予め定める処理時間が経過すると、制御装置３は、薬液バルブ４５を閉じて、薬液ノズル４１からのＳＣ１の吐出を停止させる。また、制御装置３は、薬液ノズル４１を中央位置からホーム位置に移動させる。これにより、薬液ノズル４１が基板Ｗの上方から退避させられる。
次いで、リンス液を基板Ｗに供給する第２のリンス液供給工程（ステップＳ７）が行われる。具体的には、制御装置３は、リンス液バルブ４８を開いて、基板Ｗの上面中央部に向けてリンス液ノズル４６からリンス液を吐出させる。リンス液ノズル４６から吐出されたリンス液は、ＳＣ１によって覆われている基板Ｗの上面中央部に着液する。基板Ｗの上面中央部に着液したリンス液は、基板Ｗの回転による遠心力を受けて基板Ｗの上面上を基板Ｗの周縁部に向けて流れる。これにより、基板Ｗ上のＳＣ１が、リンス液によって外方に押し流され、基板Ｗの周囲に排出される。そのため、基板Ｗ上のＳＣ１の液膜が、基板Ｗの上面全域を覆うリンス液の液膜に置換される。これにより、基板Ｗの上面の全域においてＳＣ１が洗い流される。そして、リンス液バルブ４８が開かれてから所定時間が経過すると、制御装置３は、リンス液バルブ４８を閉じて、リンス液ノズル４６からのリンス液の吐出を停止させる。
【００５９】
次に、基板Ｗを乾燥させるスピンドライ工程（ステップＳ８）が行われる。具体的には、制御装置３は、スピンモータ１５を制御することにより、ＳＰＭ供給工程（Ｓ３）から第２のリンス液供給工程（Ｓ７）までの回転速度よりも大きい乾燥回転速度（たとえば数千ｒｐｍ）まで基板Ｗを加速させ、乾燥回転速度で基板Ｗを回転させる。これにより、大きな遠心力が基板Ｗ上の液体に加わり、基板Ｗに付着している液体が基板Ｗの周囲に振り切られる。このようにして、基板Ｗから液体が除去され、基板Ｗが乾燥する。そして、基板Ｗの高速回転が開始されてから所定時間が経過すると、制御装置３は、スピンモータ１５を制御することにより、スピンチャック５による基板Ｗの回転を停止させる（ステップＳ９）。
【００６０】
次に、チャンバ４内から基板Ｗが搬出される（ステップＳ１０）。具体的には、制御装置３は、全てのノズル等がスピンチャック５の上方から退避している状態で、基板搬送ロボットＣＲのハンドをチャンバ４の内部に進入させる。そして、制御装置３は、基板搬送ロボットＣＲのハンドにスピンチャック５上の基板Ｗを保持させる。その後、制御装置３は、基板搬送ロボットＣＲのハンドをチャンバ４内から退避させる。これにより、処理済みの基板Ｗがチャンバ４から搬出される。
【００６１】
以上により、この実施形態によれば、赤外線ヒータ５８から基板Ｗに向けて赤外線を含む光が放射され、基板Ｗを赤外線が透過する。仮に、基板Ｗを透過した赤外線がスピンベース１２の上面に照射されると、スピンベース１２の材質が、赤外線を比較的高率で透過する性質を有するＰＴＦＥであるので、スピンベース１２に収容されている機構部品が、赤外線によって加熱されるおそれがある。また、スピンベース１２の上方に配置される下面ノズル３５が、赤外線によって加熱されるおそれもある。
【００６２】
これに対し、この実施形態では、基板Ｗとスピンベース１２との間に反射プレート７が配置されており、基板Ｗを透過した赤外線は、反射プレート７によって反射される。反射プレート７によってスピンベース１２が赤外線から遮蔽されるために、スピンベース１２に届く赤外線の量を低減できる。これにより、基板Ｗを透過した赤外線によってスピンベース１２が過度に温められることを抑制できる。
【００６３】
また、反射プレート７が、スピンベース１２の上面と間隔を空けて配置されているので、反射プレート７からの熱がスピンベース１２に熱伝導により伝わることはない。したがって、基板Ｗを透過した赤外線によって反射プレート７が加熱される場合であっても、反射プレート７からの熱によってスピンベース１２が温められることを防止できる。
また、反射プレート７が、照射領域の走査領域Ｔと、平面視で、少なくとも一部が重複するように設けられている。そのため、照射領域の走査に伴い、照射領域と反射プレート７とが平面視で重複する状況が生じる。このような状況において、反射プレート７によって、基板Ｗを透過した赤外線からスピンベース１２の上面を遮蔽できる。
【００６４】
以上により、赤外線ヒータ５８によって赤外線を基板Ｗに照射する場合において、スピンベース１２が過度に温められることを抑制でき、スピンベース１２に対する熱影響を回避できる。
また、基板Ｗを透過して反射プレート７に照射された赤外線は、反射プレート７で反射され、基板Ｗに下方から再度入射する。そのため、赤外線ヒータ５８から直接照射される赤外線だけでなく、反射プレート７の上面で反射した赤外線によっても基板Ｗが温められる。これにより、赤外線ヒータ５８による基板Ｗの加熱効率を高めることができる。
【００６５】
なお、図６に示す処理例では、ＳＰＭ供給工程（Ｓ３）において、基板Ｗを液処理速度（たとえば約５００ｒｐｍ）で回転させるとして説明したが、このときの基板Ｗの回転速度が、基板Ｗ上からのＳＰＭの排出が抑制されて基板Ｗの上面にＳＰＭの液膜が保持される状態（パドル状態）を維持できるような低回転速度（パドル回転速度）であってもよい。
【００６６】
なお、ＳＰＭ供給工程（Ｓ３）において、ＳＰＭノズル２１をスキャンされる構成について説明したが、ＳＰＭノズル２１を基板Ｗの上面中央部の上方で静止させるようにしてもよい。
また、図６に示す処理例では、ＳＰＭ供給工程（Ｓ３）の後に過酸化水素水供給工程（Ｓ４）を実行するとしたが、この過酸化水素水供給工程（Ｓ４）は省略可能である。
【００６７】
また、ＳＣ１供給工程（Ｓ６）において、基板Ｗの上面だけでなく基板Ｗの下面も、薬液によって洗浄されるようになっていてもよい。このような処理変形例において、制御装置３は、薬液バルブ４５の開成と同期して、薬液下バルブ３９を開く。これにより、下面ノズル３５からのＳＣ１が、貫通穴３４（図３参照）に供給されてプレート吐出口３３から上方に向けて吐出され、基板Ｗの下面中央部に供給される。基板Ｗの下面中央部に着液したＳＣ１は、基板Ｗの回転による遠心力を受けて外方に流れ、これにより、基板Ｗの下面の全域が、ＳＣ１の液膜によって覆われる。これにより、基板Ｗの下面に回り込んだＳＰＭやＨ２Ｏ２を基板Ｗの下面から除去できる。そして、制御装置３は、薬液バルブ４５の閉成と同期して、薬液下バルブ３９を閉じる。
【００６８】
処理変形例のＳＣ１供給工程（Ｓ６）では、基板Ｗの下面に供給されたＳＣ１が、反射プレート７に降り掛かるおそれがある。このような場合であっても、耐薬性を有する被覆材３２によって反射プレート７の外表面が構成されているので、反射プレート７がダメージを受けることはない。
また、このような処理変形例では、第２のリンス液供給工程（Ｓ７）においても、基板Ｗの下面のリンス処理が行われる。具体的には、この場合、制御装置３は、リンス液バルブ４８の開成と同期して、リンス液下バルブ４０を開く。これにより、下面ノズル３５からのＳＣ１が、貫通穴３４（図３参照）に供給されてプレート吐出口３３から上方に向けて吐出され、基板Ｗの下面中央部に供給される。基板Ｗの下面中央部に着液したリンス液は、基板Ｗの回転による遠心力を受けて外方に流れ、これにより、基板Ｗの下面に付着していたＳＣ１が、リンス液によって外方に押し流され、基板Ｗの周囲に排出される。そのため、基板Ｗの下面の全域が、リンス液の液膜によって覆われる。そして、制御装置３は、リンス液バルブ４８の閉成と同期して、リンス液下バルブ４０を閉じる。
【００６９】
また、薬液として、ＳＣ１に代えて他のアルカリの薬液を用いることもできる。また、薬液として、フッ酸（ＨＦ）等の酸の薬液を用いることもできる。この場合に、基板Ｗの下面に薬液を供給すれば、基板Ｗの下面に供給された薬液が、反射プレート７に降り掛かるおそれがあるが、このような場合であっても、耐薬性を有する被覆材３２によって反射プレート７の外表面が構成されているので、反射プレート７がダメージを受けることはない。
【００７０】
また、図６に示す処理例において、第１のリンス液供給工程（Ｓ５）の後にＳＣ１供給工程（Ｓ６）を実行するとしたが、このＳＣ１供給工程（Ｓ６）は省略可能である。
図９は、本発明の他の実施形態に係る反射プレート１０７の模式的な平面図である。
図９の実施形態に係る反射プレート１０７は、扇形をなしている点で、前述の図１〜図８に示す反射プレート７と相違している。反射プレート１０７は、回転軸線Ａ１から基板Ｗの半径方向に沿って離反するのに従って広がっている。
【００７１】
反射プレート１０７の円中心部は、反射プレート７と同様、下面ノズル３５の上面３５Ａ（図３参照）に固定されている。反射プレート１０７の円弧状の外周は、チャックピン１３（図２参照）によって支持されている基板Ｗよりも、半径方向のやや内方に位置している。反射プレート１０７は、スピンベース１２の上面と、複数のチャックピン１３に支持された基板Ｗの下面との間に、基板Ｗの下面およびスピンベース１２の上面の双方と所定の間隔を空けて水平姿勢で配置されている。反射プレート１０７は、反射プレート７の場合と同様、金属製の芯材３１（図３参照）と、芯材３１の周囲全域を被覆する樹脂製の被覆材３２（図３参照）とを一体的に含む。
【００７２】
図９に示すように、反射プレート１０７は、照射領域の走査領域Ｔと、平面視で、大部分が重複するように設けられている。そのため、基板Ｗ上面内の照射領域がいずれの面内位置に位置する場合であっても、反射プレート１０７によって、基板Ｗを透過した赤外線からスピンベース１２を遮蔽できる。
反射プレート１０７は、図１〜図８の実施形態の反射プレート７と比較して小面積に設けられている。これにより、基板Ｗとスピンベース１２の上面との間の限られたスペースに、反射プレート１０７を良好に配置できる。
【００７３】
なお、反射プレート１０７は、扇形でなく、三角形をなしていてもよい。
図１０は、本発明のさらに他の実施形態に係る反射プレート２０７を水平に見た模式図である。
図１０の実施形態に係る反射プレート２０７は、円環状をなしている点で、前述の図１〜図８に示す反射プレート７と相違している。反射プレート２０７は、基板の下面外周部と対向する位置のみに配置されており、基板の下面中央部と対向する位置には配置されていない。
【００７４】
反射プレート２０７は、スピンベース１２の上面と、複数のチャックピン１３に支持された基板Ｗの下面との間に、基板Ｗの下面およびスピンベース１２の上面の双方と所定の間隔を空けて水平姿勢で配置されている。反射プレート２０７は、反射プレート７の場合と同様、金属製の芯材３１（図３参照）と、芯材３１の周囲全域を被覆する樹脂製の被覆材３２（図３参照）とを一体的に含む。反射プレート２０７は、スピンベース１２の上面外周部から上方に延びる支持部材２１８によって固定的に支持されている。そのため、前述の２つの実施形態とは異なり、反射プレート２０７はスピンベース１２と一体とし基板とともに回転する。
【００７５】
基板Ｗにおける赤外線ランプ５８からの照射領域が基板Ｗの外周部にある状態で、基板Ｗの外周部を透過した赤外線は、円環状の反射プレート２０７によって反射される。これにより、基板Ｗを透過した赤外線によってスピンベース１２の外周が過度に温められることを抑制でき、また、反射プレート２０７からの熱によってスピンベース１２の外周部を効率的に温めることができる。また反射プレート２０７が回転されつつ赤外線ランプ５８により温められるため、基板Ｗを下面から均一に加熱する熱源として作用する。
【００７６】
なお、図１０では、反射プレート２０７が円環状である場合を例に挙げて説明したが、反射プレート２０７が、円周方向に分割された分割構造体によって構成されていてもよい。また、円周方向の一部のみ、反射プレート２０７が配置されてもよい。
以上、この発明の３つの実施形態について説明したが、本発明は他の形態で実施することもできる。
【００７７】
また、反射プレート７，１０７，２０７は、単一の材料から構成されていてもよい。この場合、反射プレート７，１０７，２０７の材質として、白色のＰＴＦＥやアルミニウム、ステンレス鋼、セラミック等を例示できる。
また、反射プレート７，１０７，２０７をプレートとして採用する場合を例に挙げて説明したが、赤外光を吸収可能な構成のものをプレートとして採用することもできる。
【００７８】
また、前述の実施形態では、ＳＰＭ供給ユニット６として、Ｈ２ＳＯ４およびＨ２Ｏ２の混合をＳＰＭノズル２１の内部で行うノズル混合タイプのものを例に挙げて説明したが、ＳＰＭノズル２１の上流側に配管を介して接続された混合部を設け、この混合部において、Ｈ２ＳＯ４とＨ２Ｏ２との混合が行われる配管混合タイプのものを採用することもできる。
【００７９】
また、前述の各実施形態では、基板処理装置１が、円板状の基板Ｗを処理する装置である場合について説明したが、基板処理装置１は、液晶表示装置用基板などの多角形の基板Ｗを処理する装置であってもよい。
その他、特許請求の範囲に記載された事項の範囲で種々の設計変更を施すことが可能である。
【符号の説明】
【００８０】
１  基板処理装置
５  スピンチャック（基板保持回転手段）
７  反射プレート
１２  スピンベース（ベース）
１３  チャックピン（基板支持部材）
３１  芯材
３２  被覆材
６０  ヒータ移動ユニット（照射領域移動手段）
１０７  反射プレート
２０７  反射プレート
Ａ１  回転軸線
Ｔ  照射領域の走査領域
Ｗ  基板
【図１】
2015211201.tif 000003
【図２】
2015211201.tif 000004
【図３】
2015211201.tif 000005
【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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