(57)【要約】【課題】半導体基板を歩留まり良く作製することができる半導体基板の製造方法を得ること。【解決手段】表層をシリコンで構成した半導体基板内にリンを拡散する工程とフッ酸を含む溶液でウェットエッチング処理をする工程（Ｓ１０１）、半導体基板をウェット酸化処理により酸化膜を形成する工程（Ｓ１０３）と、フッ酸を含む溶液で酸化膜を除去する工程（Ｓ１０４）と、半導体基板の表面をリンス処理する工程（Ｓ１０５）と、リンス処理する工程後の半導体基板の表面を水切り・乾燥する工程（Ｓ１０６）とを含む。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
表層をシリコンで構成した半導体基板内にリンを拡散する工程と、
前記半導体基板に対し、フッ酸を含む溶液でウェットエッチング処理を行う工程と、
前記半導体基板をウェット酸化により酸化膜を形成する工程と、
フッ酸を含む溶液で前記酸化膜を除去する工程と、
前記半導体基板の表面をリンス処理する工程と、
リンス処理する工程後の前記半導体基板の表面を水切り・乾燥する工程と
を含む半導体基板の製造方法。
【請求項２】
前記リンを拡散する工程後の前記半導体基板は、リン拡散層の最表面濃度が、０.５×１０21ｃｍ-3以上である請求項１に記載の半導体基板の製造方法。
【請求項３】
前記ウェット酸化工程は、酸化膜厚０．５〜３ｎｍの酸化膜を生成する工程である請求項１または２に記載の半導体基板の製造方法。
【請求項４】
前記ウェット酸化工程は、オゾン酸化水または過酸化水素水を用いた酸化工程である請求項３に記載の半導体基板の製造方法。
【請求項５】
前記ウェット酸化工程は、６０℃〜１００℃の純水に浸漬する工程である請求項３に記載の半導体基板の製造方法。
【請求項６】
前記ウェット酸化工程および前記ウェットエッチング処理工程は、それぞれ複数回実施される請求項３に記載の半導体基板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体基板の製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
シリコン基板を用いた半導体デバイス、例えば太陽電池セルの製造工程において、ｐｎ接合を形成するための熱拡散工程がある。例えば、ｐ型シリコン基板にリン拡散を行う場合には以下の方法がとられる。オキシ塩化リン（ＰＯＣｌ3）蒸気の存在下で加熱してｐ型シリコン基板の表面にリンガラスを成膜し、このｐ型シリコン基板を熱酸化炉に投入し、リンガラスからリンをシリコン内へ熱拡散させることでｐ型シリコン基板表面にｎ型シリコン層となるリン拡散層を形成する。その際、リン拡散層の表面にはガラスを主成分とするリンガラスが成膜されており、リンガラスが残留しているとセル変換効率を低下させてしまうため、リンガラスを除去するための洗浄工程が必要となる。
【０００３】
一般的に行われるリンガラスを除去するための洗浄工程は、初めに、フッ酸(ＨＦ)や混酸（ＨＦ/ＨＮＯ3/Ｈ2ＳＯ4)等ＨＦを含む溶液を用いたウェットエッチング処理によるリンガラスの除去、純水によるリンス処理、シリコン基板の水切り・乾燥処理から成る。特に太陽電池セルにおける水切り・乾燥処理は、タクト短縮・コスト削減のためスピン乾燥やＩＰＡ乾燥ではなく、上下左右方向からセルに向けて高温のエアーブロー（５０℃〜２００℃程度）を行う場合がある。
【０００４】
このような水切り・乾燥処理では、水残りが生じ易く、水残りが発生した部分にウォーターマークが発生し易いという問題があった。ウォーターマークが発生すると、シリコン基板表面が白濁し外観不良となり歩留まり低下を招いたり、続いて行なわれる成膜工程で膜剥がれや膜質悪化などを起こす恐れがある。
【０００５】
これらの問題を解決するために、例えば特許文献１では一般的な洗浄工程の後に、再度ＨＦを含む溶液でウェットエッチング処理を実施する技術が開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開平５-２９２９２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
しかしながら、上記従来の洗浄方法では、水切り・乾燥処理を行った際にウォーターマークが発生する場合があった。また、特許文献１の中では、そのウォーターマークは再度２回目のＨＦ処理を実施することで除去が可能であるとされているが、水切り・乾燥処理で発生したウォーターマークは、２回目のＨＦを含む溶液によるウェットエッチングでは必ずしも除去出来ないことが分かった。また、２回目のＨＦを含む溶液でウェットエッチング処理を実施した後に、水切り・乾燥処理が必要であり、その際に新たにウォーターマークが発生する場合があり、歩留まりを低下させていた。
【０００８】
本発明は、上記に鑑みてなされたものであって、半導体デバイスの品質向上、半導体基板を歩留まり良く作製することができる半導体基板の洗浄方法を得ることを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
上述した課題を解決し、目的を達成するために本発明にかかる半導体基板の製造方法は、フッ酸を含む溶液によるウェットエッチング処理によりリンガラスを除去した後、ウェット酸化処理を実施し、フッ酸を含む溶液によるウェットエッチング処理で酸化膜を除去することを特徴とする。
【発明の効果】
【００１０】
本発明によれば、リンガラス除去処理後にウェット酸化処理を実施し、その酸化膜を除去することでウォーターマークの発生を防ぐことができ、半導体デバイスの品質向上、外観不良による歩留まりの低下を防ぐことができるという効果を奏する。
【図面の簡単な説明】
【００１１】
【図１】図１は、実施の形態１にかかる半導体基板の製造方法におけるリンガラス除去工程を説明するためのフローチャートである。
【図２】図２（ａ）〜（ｄ）は、実施の形態１にかかる半導体基板の製造工程を説明するための工程断面図である。
【図３】図３は、実施の形態１にかかる半導体基板の製造工程で得られた半導体基板表面の電子顕微鏡写真である。
【図４】図４は、実施の形態３にかかる半導体基板の製造方法におけるリンガラス除去工程を説明するためのフローチャートである。
【図５】図５は、実施の形態３にかかる半導体基板の製造工程を説明するための工程断面図である。
【図６】図６（ａ）〜（ｂ）は、実施の形態３にかかる半導体基板の製造工程を説明するための工程断面図である。
【図７】図７は、比較例の半導体基板の製造方法におけるリンガラス除去工程を説明するためのフローチャートである。
【図８】図８（ａ）〜（ｄ）は、比較例の半導体基板の製造工程を説明するための工程断面図である。
【図９】図９（ａ）および（ｂ）は、半導体基板の製造工程を説明するための半導体基板表面の電子顕微鏡写真である。
【発明を実施するための形態】
【００１２】
以下に、本発明にかかる半導体基板の製造方法の実施の形態を図面に基づいて詳細に説明する。なお、本発明は以下の記述に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲において適宜変更可能である。また、以下に示す図面においては、理解の容易のため、各部材の縮尺が実際とは異なる場合がある。各図面間においても同様である。
【００１３】
実施の形態１．
本発明の半導体基板の製造方法の一例として、図１に、実施の形態１にかかる半導体基板の製造方法におけるリンガラス除去工程を説明するためのフローチャート、図２（ａ）〜（ｄ）に工程断面図を示す。本実施の形態では半導体基板としてシリコン基板１を用いる。本実施の形態の半導体基板の製造方法は、半導体基板として例えばｐ型単結晶シリコン基板などのシリコン基板１にリン拡散層２を形成するための熱拡散処理後に実施するシリコン基板１の表面に形成されたリンガラス３の除去工程に関するものである。リン拡散層２の形成方法としては、シリコン基板１を熱酸化炉へ投入し、オキシ塩化リン（ＰＯＣｌ3）や水素化リン（ＰＨ3）の存在下で加熱して熱拡散させることで、シリコン基板１の表層にリン拡散層２を形成する熱拡散処理あるいは、ＣＶＤ法によりシリコン基板１の表面にリンガラス３を形成し、熱拡散させることでリン拡散層２を形成する熱拡散処理などがある。これらの方法のいずれにおいても熱拡散処理後の表面にはリンガラス３が形成され、このリンガラス３を除去する工程が必要となり、ウェットエッチング処理が実施される。
【００１４】
本実施の形態の半導体基板の製造方法は、図１に示すように、このウェットエッチング処理（Ｓ１０１）後、水切り・乾燥（Ｓ１０６）に先立ち、ウェット酸化（Ｓ１０３）および、ウェットエッチング処理（Ｓ１０４）を実施するものである。ウェット酸化処理（Ｓ１０３）工程および酸化膜除去のためのウェットエッチング（Ｓ１０４）工程を追加することで、ウェットエッチング処理（Ｓ１０１）により、半導体基板表面に偏析したリンシリサイドを除去し、半導体基板表面の表面荒れに起因するウォーターマークを除去する。また、本実施の形態におけるウェット酸化処理とは、オゾン酸化水、過酸化水素水、または、６０〜１００℃純水に浸漬することで酸化膜を形成することをいうものとする。なお、ウェットエッチング処理（Ｓ１０１）および酸化膜除去のためのウェットエッチング（Ｓ１０４）には、純水を用いたリンス処理（Ｓ１０２），（Ｓ１０５）が実施される。
【００１５】
本実施の形態にかかる半導体基板の製造方法を詳細に説明するに先立ち、比較例として通例の製造方法について説明する。図７は、比較例のリンガラス除去工程のフローチャートである。図８は、各処理を実施した時の基板表面の状態を断面図で示す。まず初めに、リンガラス除去工程スタート時は、図８（ａ）に示すように、シリコン基板１上にはリンガラス３が形成されており、シリコン基板１内の表面部分にはリン拡散層２が形成されている。これに対し、図８（ｂ）に示すようにフッ酸（ＨＦ）や混酸(ＨＦ/ＨＮＯ3/Ｈ2ＳＯ4)等、ＨＦを含む溶液を用いウェットエッチング処理を実施し（Ｓ００１）、図８（ｂ）に示すようにリンガラス３を除去する。次に、純水によるリンス処理を行う（Ｓ００２）。次に、高温エアーをシリコン基板１へブローする（タクト短縮・コスト削減のためスピン乾燥やＩＰＡ乾燥ではなく、高温のエアー（５０℃〜２００℃程度）を上下左右方向からセルに向けてブローを行う）ことにより水切り・乾燥処理を行う（Ｓ００６）。この時、図８（ｃ）に示すようにシリコン基板１上の水残り４が発生した場合、図８（ｄ）に示すように、シリコン基板１上にウォーターマーク５が形成される。
【００１６】
ここで、リン拡散層２の最表面のリン濃度が０．５〜２×１０21ｃｍ-3のシリコン基板１０枚に対して、従来のリンガラス除去工程のフローチャートに従い、リンガラス除去を実施した。図７のステップＳ００１のウェットエッチング処理では、ＨＦ溶液に浸漬しリンガラス除去を行った。リンガラス除去工程後のウォーターマークの発生枚数は５枚(発生率５０％）であった。ここで、図９（ａ）にウォーターマークの発生が無かったシリコン基板１表面、図９（ｂ）にウォーターマークが発生したシリコン基板１表面の電子顕微鏡写真を示す。ウォーターマークの発生がなかったシリコン基板には表面荒れは無く、ウォーターマーク５が発生したシリコン基板１には数ｎｍ程度の表面荒れが観察された。
【００１７】
一般的に、ＨＦ溶液に浸漬した後のシリコン基板表面には撥水性があり水切れが良いが、表面荒れが発生したシリコン基板は、水切り・乾燥処理時に水切れが悪く、シリコン基板上に水が残り易くなりウォーターマークが発生する原因となっていることが分かった。ＨＦ溶液によるウェットエッチング処理でシリコン基板の表面荒れが発生する原因として、リン拡散層２の最表面のリン濃度が１×１０21ｃｍ-3以上の場合、図６（ａ）に示すように、リンガラス３とリン拡散層２の界面付近にＳｉとＰの化合物であるリンシリサイド（ＳｉＰ）６が偏析することが報告されている（ｐｈｙｓ. ｓｔａｔ. ｓｏｌ. （ｂ）, ２２２ （２０００）, ｐｐ. ３２７−３３６）。この事実からも、リンシリサイド６はＨＦに溶解、リン拡散層２はＨＦにほとんど溶解しないため、図６（ｂ） に示すようにウェットエッチング処理後のシリコン基板に表面荒れが発生したと考えられる。リンシリサイド６の厚さは０．５〜３ｎｍ程度とされており、ウェットエッチング処理後のシリコン基板に形成された表面荒れと一致する。また、今回の検討によると、リン拡散層２の最表面のリン濃度が０．５×１０21ｃｍ-3のシリコン基板上でもウェットエッチング処理後のシリコン基板に表面荒れが発生しており、リン拡散層２の最表面のリン濃度が０．５×１０21ｃｍ-3以上の場合、リンガラス３とリン拡散層２の界面付近にリンシリサイド６の偏析が発生していると考えられる。
【００１８】
シリコン基板１の表面荒れを抑制するには、ウェットエッチング処理時に、ＨＦ溶液のＨＦ濃度を薄くする、またはＨＦ溶液への浸漬時間を短縮しリンシリサイド６のエッチング量を低減させることでも可能である。しかしながら、ＨＦ溶液のＨＦ濃度、浸漬時間が足りない場合には、表面荒れが発生していなくてもシリコン基板表面の撥水性が低下し、水切り・乾燥処理時に水切れが悪くなるため、ウォーターマークが発生し易くなる。よって、ウォーターマークの発生を抑制し外観不良による歩留まりの低下を防ぐには、シリコン基板の表面に発生する表面荒れを抑制し、ＨＦを含む溶液によるウェットエッチング処理を一定濃度、一定時間行い、水切り・乾燥処理時の水切れを良くする必要がある。
【００１９】
また、以下に示す本実施の形態１〜３ではリン拡散層の最表面のリン濃度がシリコン基板全面に渡って０．５×１０21ｃｍ-3以上の場合の例を示すが、例えば太陽電池セルにおいてセレクティブエミッタ構造と呼ばれるシリコン基板の一部だけリン拡散層の最表面のリン濃度が０．５×１０21ｃｍ-3以上となるような構造に対しても、本実施の形態に示す処理方法が適用可能である。以下、各実施の形態の半導体装置の製造方法について詳細に説明する。
【００２０】
（実施の形態１）
本実施の形態１にかかる半導体基板の製造方法で、リンガラス除去工程のフローチャートを図１に示す。また、図２（ａ）〜（ｄ）は、本実施の形態にかかるリンガラス除去工程における各処理を実施した時の基板表面の状態を断面図で示す。まず初めに、リンガラス除去工程スタート時は、図２(ａ)に示すように、シリコン基板１上にはリンガラス３が形成されており、シリコン基板１内の表面部分にはリン拡散層２が形成されており、リン拡散層２の最表面のリン濃度が０．５×１０21ｃｍ-3以上の場合、リン拡散層２の最表面にはリンシリサイド６が形成されている。本実施の形態では、フッ酸（ＨＦ）や混酸（ＨＦ／ＨＮＯ3/Ｈ2ＳＯ4）)等ＨＦを含む溶液を用いウェットエッチング処理（Ｓ１０１）を実施し、図２（ｂ）に示すようにリンガラス３のみを除去する。次に、純水によるリンス処理を行う（Ｓ１０２）。
【００２１】
次に、ウェット酸化処理（Ｓ１０３）を実施し、図２（ｃ）に示すようにリン拡散層２の表面を酸化し、表面酸化層７を形成する。本実施の形態においてウェット酸化処理とは、オゾン水や過酸化水素水に浸漬する処理である。
【００２２】
次に、ＨＦを含む溶液を用い酸化膜除去処理を実施する（Ｓ１０４）。本実施の形態における酸化膜除去処理では、ウェット酸化処理によりリン拡散層２の最表面が酸化されて表面酸化層７となっており、図２（ｄ）に示すようにＨＦを含む溶液を用いたウェットエッチング処理を行った際にリンシリサイド６と同時に表面酸化層７も除去できるため、シリコン基板の表面荒れを抑制することができる。また、ウェットエッチング処理で除去する表面酸化層７の厚さはリン拡散層２の表面から０．５〜３ｎｍであるのが好ましい。表面酸化層７の厚さが０．５ｎｍ以下の場合は、リンシリサイド６が偏析する厚さより薄いために、表面荒れの抑制効果が低下する。一方、表面酸化層７の厚さが３ｎｍ以上の場合は、表面荒れは抑制できるが、所望のリン拡散層２の濃度分布が得られなくなってしまう。
【００２３】
次に、純水によるリンス処理（Ｓ１０５）を行った後、水切り・乾燥処理（Ｓ１０６）を行う。この水切り・乾燥処理は高温エアーをシリコン基板１へブローすることにより行う。
【００２４】
ここで、リン拡散層２の最表面のリン濃度が０．５〜２×１０21ｃｍ-3の半導体基板１０枚に対して、本実施の形態で示すリンガラス除去工程のフローチャートに従い、リンガラス除去を実施した。ウェットエッチング処理（Ｓ１０１）ではＨＦ溶液に浸漬し、リンガラスのみを除去する。ＨＦ溶液のＨＦ濃度、浸漬時間はリンガラスのみを除去する条件で、任意に変更することができる。
【００２５】
次に、リンス処理（Ｓ１０２）、ウェット酸化処理（Ｓ１０３）は２５℃の過酸化水素水Ｈ2Ｏ2:Ｈ2Ｏ=１：１０に５分間浸漬、酸化膜除去処理ではＨＦ溶液に浸漬し、酸化膜を除去、シリコン基板表面が撥水性となるまで処理を実施する。ＨＦ溶液のＨＦ濃度、浸漬時間は酸化膜を除去し、シリコン基板表面が撥水性となる条件で、任意に変更することができる。
【００２６】
その後、リンス処理（Ｓ１０５）、水切り・乾燥処理（Ｓ１０６）を行った。その結果、図３に示すようにウォーターマークはみられなかった。これはシリコン基板の表面荒れが抑制され、シリコン基板上の水切れが良くなることでウォーターマークの発生率は０％となったものと考えられる。
【００２７】
以上のように、本実施の形態では、リン拡散層の最表面０．５〜３ｎｍに偏析するリンシリサイド部分以外の、リン拡散層を酸化し、フッ化水素を含む溶液で酸化膜を除去する工程を付加している。これにより、シリコン基板の表面荒れを防止し水切れを良くすることで水切り・乾燥処理時に発生するウォーターマークの発生を抑制することができる。表面酸化層７の厚さが０．５ｎｍ以下の場合は、リンシリサイド６が偏析する厚さより薄いために、表面荒れの抑制効果が低下する。一方、表面酸化層７の厚さが３ｎｍ以上の場合は、表面荒れは抑制できるが、所望のリン拡散層２の濃度分布が得られなくなってしまう。
【００２８】
本実施の形態では過酸化水素水処理によるウェット酸化の例を示したが、オゾン水処理によるウェット酸化でも同様の効果が得られ、またそれらの濃度や時間によらず、０．５ｎｍ〜３ｎｍの酸化膜が形成されていれば同様の効果を得ることができる。
【００２９】
（実施の形態２）
実施の形態２にかかる半導体基板の製造方法について説明する。前記実施の形態１ではウェット酸化処理（Ｓ１０３）の際、過酸化水素水やオゾン水処理の例を示したが、本実施の形態２では、薬液を用いずに高温の純水に浸漬することで図２（ｃ）に示したのと同様にリン拡散層２の表面を酸化し、表面酸化層７を形成することもできる。ここで、純水の温度が低い場合には短時間で酸化が進みにくく浸漬時間が長くなるため、高温の方が好ましく６０℃〜１００℃がより好ましい。例えば、ウェット酸化処理の条件を８０℃の水に１０分間浸漬した。ここでウェット酸化処理の条件以外は、全て実施の形態１と同じ処理を実施した。
【００３０】
本実施の形態の方法によれば、高温の純水に浸漬して酸化を行った後、酸化膜除去処理を実施することでウォーターマークの発生率は０％となった。ウェット酸化処理を純水で行うことで、薬液使用量を減らし、製造コストを低減することができる。
【００３１】
以上説明してきたように、６０℃〜１００℃に昇温された純水に浸漬することで、ウェット酸化工程において薬液使用量を減らし、製造コストを低減することができる。ウェット酸化処理を行うとともにそこで形成された酸化膜を除去することで、シリコン基板１の表面荒れを防止し水切れを良くすることで水切り・乾燥処理時に発生するウォーターマークの発生を抑制することができる。
【００３２】
（実施の形態３）
本実施の形態３にかかる半導体基板の製造方法における、リンガラス除去工程のフローチャートを図４に示す。また、図５（ａ）〜（ｅ）は、本実施の形態にかかる太陽電池の製造工程を示す工程断面図であり、リンガラス除去工程での各処理を実施した時の基板表面状態を示す。まず初めに、リンガラス除去工程スタート時は、図５（ａ）に示すように、シリコン基板１上にはリンガラス３が形成されており、シリコン基板１内の表面部分にはリン拡散層２が形成されており、リン拡散層２の最表面のリン濃度が１×１０21ｃｍ-3以上の場合、リン拡散層２の最表面にはリンシリサイド６が形成されている。本実施の形態３では、フッ酸（ＨＦ）や混酸(ＨＦ／ＨＮＯ3/Ｈ2ＳＯ4)等ＨＦを含む溶液を用いウェットエッチング処理（Ｓ２０１）を実施し、図５（ｂ）に示すようにリンガラス３のみを除去する。次に、純水によるリンス処理を行う（Ｓ２０２）。
【００３３】
次に、ウェット酸化処理（Ｓ２０３）を短時間実施し、図５（ｃ）に示すように薄い表面酸化層７を形成する。次に、ＨＦ溶液を含む溶液による酸化膜除去処理を短時間実施し、図５（ｄ）のように薄い表面酸化層７を除去する。ウェット酸化（Ｓ２０３）とウェットエッチング処理（Ｓ２０４Ｓ１）をウェットエッチング処理で除去する表面酸化層７の厚さが０．５〜３ｎｍになるまで複数回繰り返し、最終的に図５（ｅ）に示すような、凹凸の少ない表面を得ることができる。実施の形態１では、リンシリサイド６が偏析する厚さ０．５〜３ｎｍの範囲まで１回のウェット酸化処理で表面酸化層を形成し、ＨＦを含む溶液で酸化膜除去処理を行い、表面酸化層を除去した。一般的に、ウェット酸化処理では、溶液への浸漬直後に酸化レートが最も早く、時間の経過につれ低下する。ウェット酸化処理（Ｓ２０３）、ウェットエッチング（Ｓ２０４Ｓ１）を短時間で繰り返し実施することで効率的に表面酸化層を形成、除去できるため、全体の処理時間を短くできる。
【００３４】
次に、シリコン基板表面の撥水性を出して、水切れを良くするためにＨＦを含む溶液を用いウェット処理を実施する（Ｓ２０４Ｓ１）。ここで、上記ウェット酸化処理、上記酸化膜除去処理の繰り返しを行う際、繰り返しの最後の酸化膜除去処理の時間を延長しても良い。その後は実施の形態１と同様、純水によるリンス処理（Ｓ２０５）を行い、高温エアーをシリコン基板へブローすることにより水切り・乾燥処理（Ｓ２０６）を行う。
【００３５】
ここで、リン拡散層２の最表面のリン濃度が０．５〜２×１０21ｃｍ-3の半導体基板１０枚に対して、本実施の形態で示すリンガラス除去工程のフローチャートに従い、リンガラス除去を実施した。ウェット酸化処理（Ｓ２０３）として２５℃の過酸化水素水Ｈ2Ｏ2:Ｈ2Ｏ=１:１０に０．５分間浸漬を行い、酸化膜除去処理（Ｓ２０４Ｓ１）としてＨＦ溶液に浸漬し、表面酸化層７を除去する。その後、エッチング量を測定し、あらかじめきめておいた基準値（０．５〜３ｎｍ）と比較し判定を行う（Ｓ２０４Ｓ２）。エッチング量が基準値よりも小さいと再度ウェット酸化処理（Ｓ２０３）に戻る。そしてエッチング量が基準値となったと判断されたとき、次工程である、水切れをよくするためのウェット処理（Ｓ２０４Ｓ３）に入る。ここでは、ウェット酸化処理（Ｓ２０３）、酸化膜除去処理（Ｓ２０４Ｓ１）、エッチング量測定および判定処理（Ｓ２０４Ｓ２）の処理を３回繰り返した。ただし、ウェット処理（Ｓ２０４Ｓ３）のＨＦ濃度を酸化膜除去処理（Ｓ２０４Ｓ１）でのＨＦ濃度より高くする事で、シリコン基板表面が撥水性となるのにかかる時間を短縮することができる。
【００３６】
次に、ウェット処理（Ｓ２０４Ｓ３）としてＨＦ溶液に浸漬し、シリコン基板表面が撥水性となるまで処理を実施する。その後は実施の形態１と同様、純水によるリンス処理（Ｓ２０５）を行った後、高温エアーをシリコン基板１へブローすることにより水切り・乾燥処理（Ｓ２０６）を行った。その結果、ウォーターマークの発生は０％となった。
【００３７】
以上説明してきたように、本実施の形態によれば、ウェット酸化処理、ウェットエッチングを短時間で繰り返し実施することで効率的に表面酸化層を形成、除去ができるため、全体の処理時間を短くできる。ウェット酸化処理では、溶液への浸漬直後に酸化レートが最も早く、時間の経過につれ低下するためであると考えられる。
【００３８】
以上説明してきた実施の形態１から３は、リン拡散後のリンガラス除去工程、特に高濃度のリン拡散層形成を必要とするセレクティブエミッタ構造の形成後に特に有効であるのはいうまでもない。例えば領域毎に別の不純物含有層を形成しておき、各不純物含有層から固相拡散を行ったあと、一括してリンガラスを含む酸化層の除去を行うなど、複数の不純物拡散処理後の洗浄工程にも適用可能である。
【００３９】
なお、本実施の形態では、ｐ型シリコン基板表面にリン拡散によりｎ型拡散層を形成する工程について説明したが、ｎ型シリコン基板の裏面拡散によりｎ型拡散層を形成する工程をはじめ、化合物半導体基板など、シリコン基板以外の半導体基板表面に形成されたシリコン層表面にｎ型拡散層を形成する場合など、シリコン基板以外にも適用可能である。
【００４０】
以上説明してきたように、本発明の半導体基板の製造方法は、太陽電池の製造方法におけるシリコン基板に対しリン拡散によるｎ型拡散層を形成した後、基板表面を洗浄する方法において、ウォーターマークの残留をなくし、信頼性の高い太陽電池を形成することのできる半導体基板を提供するものである。
【符号の説明】
【００４１】
１  シリコン基板、２  リン拡散層、３  リンガラス、４  水残り、５  ウォーターマーク、６  リンシリサイド（ＳｉＰ）、７  表面酸化層。
【図１】
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【図２】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図３】
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【図９】
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