(57)【要約】  【課題】  高周波信号の損失を低減したペア配線を有する配線基板を提供すること。  【解決手段】  互いに積層された複数の絶縁層１ａを含んでおり、主面を有する絶縁基板１と、開口部５を有する接地導体層２ａと、接地貫通導体２ｂとを含む接地導体部２と、ペア貫通導体３ｂと、ペア電極パッド３ｃとを含む信号導体部３を有しており、ペア貫通導体３ｂは、その長さ方向の少なくとも一部において、平面透視における互いの中心間距離が、ペア電極パッド３ｃ同士の中心間距離よりも大きい配線基板９である。ペア貫通導体３ｂ間の距離を大きくすることで、ペア貫通導体３ｂ間の電磁結合の影響を小さくし、高周波信号の損失を低減することができる。【選択図】  図１
2015142028.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
互いに積層された複数の絶縁層を含んでおり、主面を有する絶縁基板と、
前記複数の絶縁層間の層間に設けられており、開口部を有する接地導体層と、前記複数の絶縁層を貫通している複数の接地貫通導体とを含んでおり、該複数の接地貫通導体のうち少なくとも一部の接地貫通導体が前記接地導体層と電気的に接続されている接地導体部と、
前記複数の絶縁層を貫通して前記主面方向に延びるペア貫通導体と、平面透視において前記開口部内に位置するように前記主面に設けられており、前記ペア貫通導体のそれぞれに電気的に接続されたペア電極パッドとを含む信号導体部とを備えており、
前記ペア貫通導体は、その長さ方向の少なくとも一部において、平面透視における互いの中心間距離が、前記ペア電極パッド同士の中心間距離よりも大きいことを特徴とする配線基板。
【請求項２】
前記複数の接地貫通導体は、平面透視において前記接地導体層のうち前記開口部の外周に沿った部位に配置されているとともに、前記接地導体層に直接に接続された周縁接地貫通導体を含んでおり、該周縁接地貫通導体は、その一部が前記開口部内に位置していることを特徴とする請求項１に記載の配線基板。
【請求項３】
前記ペア貫通導体の平面視における互いの前記中心間距離は、
前記開口部を有する前記接地導体層が形成されている前記絶縁層内において、前記ペア電極パッドが形成されている前記絶縁層内よりも大きいことを特徴とする請求項１または請求項２に記載の配線基板。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、高周波信号が伝送されるペア配線を有する配線基板に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来、高速で作動する半導体素子や光半導体素子等の電子部品を搭載するための配線基板において、高速の高周波信号を、正確かつ効率よく伝送するために、差動伝送方式が用いられている。差動伝送方式を用いる配線基板は、正相および逆相の信号を伝送する一対の伝送線路からなるペア配線を含んでいる。
【０００３】
また、上記のようなペア配線を有する配線基板の絶縁基板として、ガラスセラミック焼結体や酸化アルミニウム質焼結体等からなる複数の絶縁層が互いに積層された絶縁基板が用いられる。この絶縁基板に設けられたペア配線は、絶縁層の層間に設けられた一対の信号導体からなるペア導体層と、ペア導体層からそれぞれ絶縁基板の主面方向に設けられた一対の信号貫通導体からなるペア貫通導体と、絶縁基板の下面に設けられているとともにペア貫通導体とそれぞれに電気的に接続された一対の信号接続パッドからなるペア電極パッドとを含んでいる。すなわち、これらの導体が互いに電気的に接続されて、それぞれにペア導体層、ペア貫通導体およびペア電極パッドを含む一対の伝送線路からなるペア配線が形成されている。
【０００４】
なお、ペア配線においては、特性インピーダンスを所望の値に整合させるためにペア配線の周囲に接地導体部が設けられる場合がある。接地導体部は、例えば絶縁層の層間に設けられた接地導体層、および絶縁層を貫通しているとともに接地導体層と電気的に接続された接地貫通導体等を含む。しかし、接地導体部とペア電極パッドの一部等の間で不要な容量成分が生じると、特性インピーダンスが所望の値より小さくなる可能性がある。
【０００５】
このような問題点に対しては、接地導体層のうちペア電極パッド部と絶縁層を挟んで対向する部分に開口部を設けるという手段が考えられる。これにより、接地導体部（特に接地導体層）とペア電極パッドとの間の容量成分が減少し、ペア電極パッド部の特性インピーダンスが所望の値より小さくなることが抑制される。
【０００６】
また、差動伝送方式が用いられる場合、差動インピーダンスとコモンインピーダンスの両方の特性インピーダンスをそれぞれ所望の値に整合させる必要がある場合がある。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００７】
【特許文献１】特開2001−160598号公報
【特許文献２】特開2012−9573号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
しかしながら、上記従来の配線基板においては、開口部の分、ペア貫通導体と接地導体部との間の距離が大きくなるため、ペア接続パッドに接続されるペア貫通導体において、容量成分が減少し、ペア貫通導体の特性インピーダンスが所望の値より大きくなってしまう可能性があった。
【０００９】
また、差動伝送方式が用いられる場合には次のような問題点が生じる可能性がある。すなわち、上記のように、接地導体部が開口部を有し、この開口部内にペア貫通導体が設け
られている場合には、ペア貫通導体（一対の信号貫通導体）間に電磁気的なシールドがないことになるので、ペア貫通導体間の電磁結合は強くなる。そのため、例えば、差動インピーダンスを所望の値に整合させようとすると、コモンインピーダンスが所望の値よりも大きくなってしまう可能性があった。つまり差動インピーダンスおよびコモンモードインピーダンスの両方の特性インピーダンスを整合させることが難しい。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本発明の一つの態様の配線基板は、互いに積層された複数の絶縁層を含んでおり、主面を有する絶縁基板と、前記複数の絶縁層間の層間に設けられており、開口部を有する接地導体層と、前記複数の絶縁層を貫通している複数の接地貫通導体とを含んでおり、該複数の接地貫通導体のうち少なくとも一部の接地貫通導体が前記接地導体層と電気的に接続されている接地導体部と、前記複数の絶縁層を貫通して前記主面に延びるペア貫通導体と、平面透視において前記開口部内に位置するように前記主面に設けられており、前記ペア貫通導体のそれぞれに電気的に接続されたペア電極パッドとを含む信号導体部を備えており、前記ペア貫通導体は、その長さ方向の少なくとも一部において、平面透視における互いの中心間距離が、前記ペア電極パッド同士の中心間距離よりも大きいことを特徴とする。
【発明の効果】
【００１１】
本発明の一つの態様の配線基板によれば、上記構成を有し、ペア貫通導体はその長さ方向の少なくとも一部において、平面透視における互いの中心間距離がペア電極パッド同士の中心間距離よりも大きいことから、この中心間距離に応じて、ペア貫通導体と接地貫通導体との距離を近づけることができる。そのため、ペア貫通導体部における容量成分を増加させ、特性インピーダンスを小さくすることができる。また、ペア電極パッドと接地導体層との間に容量成分が生じることも抑制されている。したがって、信号導体部の特性インピーダンスを所望の値に整合させることができる。
【００１２】
また、ペア貫通導体間の距離を大きくすることができることから、ペア貫通導体間に発生する電磁結合を小さくすることができるので、差動インピーダンスおよびコモンインピーダンスの両方を所望の値に整合させやすくなる。そのため、差動モードおよびコモンモードの両モードにおける高周波信号の反射を抑制し、損失の少ない信号の送受信を行うことが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【００１３】
【図１】本発明の実施形態の配線基板の要部を拡大して示す断面図である。
【図２】（ａ）および（ｂ）は、図１のＡ−Ａ線およびＢ―Ｂ線で示す層間における下面図（透視図）であり、（ｃ）は図１の下面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１４】
本発明の実施形態の配線基板を、添付の図面を参照して説明する。なお、以下の説明における上下の区別は便宜的なものであり、実際に配線基板が使用される際の上下を規定するものではない。
【００１５】
図１は本発明の実施形態の配線基板９の要部を拡大して示す断面図である。また、図２（ａ）および（ｂ）は、図１のＡ−Ａ線およびＢ―Ｂ線で示す層間における下面図（透視図）であり、図２（ｃ）は図１の下面図である。図２（ａ）〜（ｃ）は断面図ではないが、識別しやすくするため一部にハッチングを施している。
【００１６】
互いに積層された複数の絶縁層１ａ（以下、積層体ともいう）を含んでおり、主面を有する絶縁基板１と、接地導体部２と、信号導体部３とによって配線基板９が基本的に形成されている。また、配線基板９には電源導体層および電源貫通導体を含む電源導体部も形
成されるが省略している。以下の説明においては、図１の上側主面を上面、下側主面を下面とする。
【００１７】
絶縁基板１は、例えば平面視で四角形の板状等の形状である。配線基板９が電子部品搭載用の基板として用いられる場合であれば、四角板状等の絶縁基板１の上面（図示せず）に電子部品の搭載部（図示せず）が設けられる。また、この絶縁基板１の下面（図１における最下層の絶縁層１ａの下面であり、上記下側主面）が外部回路基板に対向するようにして、配線基板９が外部回路基板に接続、実装される。
【００１８】
絶縁基板１に含まれている複数の絶縁層１ａは、例えばガラスセラミック焼結体、酸化アルミニウム質焼結体、ムライト質焼結体またはチッ化アルミニウム質焼結体等の絶縁材料によって形成されている。図１においては、互いに積層された複数の絶縁層１ａのみによって絶縁基板９の要部が形成されている。
【００１９】
絶縁基板１は、積層体（互いに積層された複数の絶縁層１ａ）（符号なし）以外に、絶縁層１ａとは比誘電率が異なる絶縁材料からなる誘電体層、または絶縁層１ａの層間もしくは露出表面に設けられた絶縁コート層等の補助的な層（図示せず）を含んでいてもよい。絶縁コート層の材料としては、絶縁層１ａと同様のセラミック材料、ガラス材料および有機樹脂材料等が挙げられる。
【００２０】
絶縁基板１は、例えば複数の絶縁層１ａがそれぞれ同じガラスセラミック質焼結体からなる場合であれば、例えば、次のようにして製作することができる。すなわち、まず、セラミックフィラー粉末を用意する。セラミックフィラー粉末としては、酸化アルミニウム、酸化クロム、酸化銅、酸化ジルコニウム、スピネルおよびクォーツ等が挙げられる。また、ガラス粉末を用意する。ガラス粉末は、例えば、ＳｉＯ２−Ｂ２Ｏ３−Ａｌ２Ｏ３−ＭｇＯ−ＣａＯ−ＢａＯ−ＳｒＯ系等のガラスが挙げられる。これらのセラミックフィラー粉末およびガラス粉末を含む原料粉末に適当な有機バインダおよび有機溶剤を添加混合してスラリーを作製する。次に、このスラリーをドクターブレード法やリップコーター法等のシート成形技術を採用してシート状に成形することによって複数枚のセラミックグリーンシートを作製する。その後、セラミックグリーンシートを切断加工および打ち抜き加工等から選択した加工方法によって適当な形状とするとともにこれを複数枚積層し、最後にこの積層したセラミックグリーンシートを還元雰囲気中において約900〜1000℃の温度
で焼成することによって絶縁基板１を製作することができる。
【００２１】
信号導体部３は、例えば配線基板９に搭載される電子部品と、配線基板が接続される外部回路基板との間で信号（例えば周波数が数十ＧＨｚ以上の高周波信号）が伝送される導電路である。信号導体部３の導体幅、導体間隔、導体厚み、接地導体部２との間に介在する絶縁層１ａの厚みおよび信号導体部３と接地導体部２との間の間隔を適宜設定することにより、その信号導体部３の容量成分やインダクタンス成分を制御し、特性インピーダンスを所望の値に整合させることができる。特性インピーダンスを所望の値に整合させた信号導体部３によって、良好な伝送特性を有する配線基板９とすることが可能となる。
【００２２】
接地導体部２は、例えば上記のように信号導体部の特性インピーダンス整合の機能を有する部位である。接地導体部２は、複数の絶縁層１ａの層間に設けられており、開口部５を有する接地導体層２ａと、複数の絶縁層１ａを貫通している複数の接地貫通導体２ｂとを含んでいる。接地導体層２ａは、例えば接地電位安定のため、絶縁層１ａの層間に極力広い範囲で設けられている。複数の接地貫通導体２ｂのうち少なくとも一部は接地導体層２ａと電気的に接続されている。例えば接地導体層２ａが設けられた層間を挟む上下の絶縁層１ａを連続して貫通している接地貫通導体２ｂが、層間を通る部分において接地導体層２ａと直接に接して電気的に接続されている。
【００２３】
実施形態の配線基板９において、複数の接地貫通導体２ｂが、それぞれ、ペア貫通導体３ｂの一つの貫通導体（３ｂ）に対して配置されている。平面透視において一つの貫通導体（３ｂ）の周りに複数の接地貫通導体２ｂが配置されていることにより、いわゆる疑似同軸構造を形成し、その一つの貫通導体（３ｂ）（つまりはペア貫通導体３ｂ）の特性インピーダンス整合がより容易になっている。
【００２４】
接地導体部２は、例えば接地貫通導体２ｂの一部が電子部品や外部回路基板等が有する接地端子（図示せず）に電気的に接続されている。接地導体部２は、接地導体層２ａおよび接地貫通導体２ｂ以外に、例えば絶縁基板１の主面に設けられた接地用パッド（図示せず）を含んでいてもよい。
【００２５】
信号導体部３は、複数の絶縁層間１ａの層間に設けられたペア導体層３ａと、複数の絶縁層１ａを貫通して絶縁基板１の下面（主面）方向に延びるペア貫通導体３ｂと、平面透視において開口部５内に位置するように絶縁基板１の下面に設けられており、ペア貫通導体３ｂのそれぞれに電気的に接続されたペア電極パッド３ｃとを含んでいる。信号導体部３は、ペア導体層３ａ、ペア貫通導体３ｂおよびペア電極パッド３ｃ以外に、例えば絶縁基板１の上面に設けられた電子部品接続用等の信号用パッド（図示せず）を含んでいてもよい。
【００２６】
例えば上記信号用パッドを介してペア導体層３ａに伝送された信号が、積層体の層間に設けられたペア導体層３ａと、積層体の上面と下面との間を導通しているペア貫通導体３ｂとを通ってペア電極パッド３ｃに伝送される。ペア電極パッド３ｃが、はんだ等の導電性接続材によって外部回路基板に電気的に接続されれば、電子部品と外部回路基板とが電気的に接続される。
【００２７】
ペア導体層３ａは、例えば絶縁層１ａを挟んで対向する接地導体層２ａや、同じ層間に設けられた接地導体層２ａとの間で生じる容量成分等によって特性インピーダンスが所望の値に整合される。この場合、その接地導体層２ａに接続されている接地貫通導体２ｂの影響も考慮される。
【００２８】
また、ペア貫通導体３ｂは、ペア貫通導体３ｂに近接して配置されている接地貫通導体２ｂとの間で生じる容量成分等によって特性インピーダンスが所望の値に整合される。すなわち、接地貫通導体２ｂは、積層体を上下方向に貫通しているペア貫通導体３ｂに沿って、積層体を上下方向に（下面方向に）貫通している。なお、接地貫通導体３ｂは、積層体の上面から下面まで完全に貫通しているものである必要はなく、ペア貫通導体３ｂの特性インピーダンスを所望の値に整合することに必要な範囲で、積層体の一部を厚み方向に貫通しているものであっても構わない。
【００２９】
接地貫通導体２ｂおよびペア貫通導体３ｂは、上記のように積層された複数の絶縁層１ａを上下に導通する導電路であり、例えば絶縁基板１の上面に搭載される電子部品（図示せず）を絶縁基板１の下面に、特性インピーダンスの不整合による高周波信号の反射等の不具合を抑制しながら電気的に導出するために形成されている。
【００３０】
接地貫通導体２ｂおよびペア貫通導体３ｂは、銅や銀，パラジウム，金，タングステン，モリブデン，マンガン等の金属材料により形成されている。また、これらの金属材料は、例えば絶縁基板２と一体的に焼成されてなるメタライズ導体の形態で絶縁層１に形成されている。
【００３１】
接地貫通導体２ｂおよびペア貫通導体３ｂは、例えば銅からなる場合であれば、銅の金
属ペーストを、絶縁基板１となるセラミックグリーンシートの積層体に形成した貫通孔に充填しておき、セラミックグリーンシートと同時焼成することにより形成することができる。セラミックグリーンシートの貫通孔は、金属ピンを用いた機械的な打ち抜き加工や、レーザ加工等の孔あけ加工によって形成することができる。
【００３２】
また、ペア導体層３ａおよび接地導体層２ａは、例えばペア貫通導体３ｂおよび接地貫通導体２ｂと同様の金属材料によって、同様の方法（銅等の金属ペーストの塗布および同時焼成）で形成されている。ペア導体層３ａおよび接地導体層２ａの場合には、金属ペーストは絶縁層１ａとなるセラミックグリーンシートの主面にスクリーン印刷法等の方法で、所定パターンに塗布される。
【００３３】
絶縁基板１の下面には、外部回路基板に対する接続用等のペア電極パッド３ｃが形成されている。ペア電極パッド３ｃは、例えば外部回路基板（図示せず）に電気的に接続される接続パッドである。前述したように、ペア電極パッド３ｃが、はんだ等の導電性接続材を介して外部回路基板の所定部位に電気的および機械的に接続される。ペア電極パッド３ｃが外部回路基板に電気的に接続されれば、ペア電極パッド３ｃを介して、絶縁基板１の上面に搭載された電子部品と外部回路基板とが互いに電気的に接続される。ペア電極パッド３ｃは、例えば平面視において円形状や楕円形状，四角形状等のパターンで形成されている。
【００３４】
ペア電極パッド３ｃは、貫通導体３を形成するのと同様の金属材料（銅等）を用い、同様の金属ペーストを絶縁層１となるセラミックグリーンシートの表面にスクリーン印刷法等の方法で印刷し、同時焼成することによって形成することができる。
【００３５】
また、ペア電極パッド３ｃの絶縁基板１への接続強度を向上させるために、絶縁基板１の主面からペア電極パッド３ｃの外周部にかけて絶縁コート層が設けられていても構わない。この場合、例えば絶縁コート層となる材料を上記の部位に塗布した後、未焼結のセラミック材料およびペア電極パッド３ｃとなる金属ペーストとともに加圧および焼成を行うことで、ペア電極パッド３ｃの外周部を絶縁基板１内に屈曲させるようにしてもよい。絶縁コート層の材料としては、例えば、上記セラミックグリーンシートと同じ材料をペースト状にした絶縁ペーストが挙げられる。この絶縁ペーストをスクリーン印刷法等の方法で上記部位に塗布すればよい。
【００３６】
ペア電極パッド３ｃと接地導体層２ａとの間で不要な容量成分が生じることを抑制するために、接地導体層２ａが開口部５を有している。開口部５は、少なくとも平面透視においてペア電極パッド３ｃと重なるような形状および寸法で設けられている。言い換えれば、ペア電極パッド３ｃは、平面透視において開口部５内に位置している。
【００３７】
実施形態においては、ペア電極パッド３ｃと接地導体層２ａとの間で生じる容量成分を減少させるため、最下層の絶縁層１ａの上側の層間から上方向に数層にわたって、開口部５が設けられている。
【００３８】
なお、開口部５は、絶縁層１ａの層間に広い面積で形成されている接地導体層２ａのうち、平面透視においてペア電極パッド３ｃと重なる部分において非形成とされた領域であるとみなすこともできる。また、開口部５は、複数の絶縁層１ａとなるセラミックグリーンシートの積層ずれ、または接地導体層２ａとなる金属ペーストの印刷位置ずれ等を考慮して、平面透視においてペア電極パッド３ｃよりも若干大きいものとされていてもよい。
【００３９】
また、実施形態の例における開口部５は、平面透視においてその内側にペア電極パッド３ｃの両方を含むものになっている、ペア電極パッド３ｃが並んでいる一方向に長い形状
（角部が円弧状に成形された長方形状）になっている。開口部５は、この形状に限らず、長方形状または楕円形状等でもよい。
【００４０】
このような開口部５が接地導体層３ａに含まれているため、少なくとも開口部５が設けられている層間、およびその層間の上下の絶縁層１ａにおいては、接地導体層２ａおよび接地貫通導体２ｂが平面透視においてペア電極パッド３ｃから離れた部位に位置している。
【００４１】
ペア電極パッド３ｃとそれぞれに電気的に接続されているペア貫通導体３ｂは、その長さ方向の一部において、平面透視における互いの中心間距離が、ペア電極パッド３ｃ同士の中心間距離よりも大きい。この場合、絶縁基板１の内部において、ペア貫通導体３ｂ同士が互いに離れる方向にシフトしているとみなすことができる。言い換えれば、ペア貫通導体３ｂが接地貫通導体２ｂに近づく方向にシフトしている。
【００４２】
なお、ペア貫通導体３ｂの中心間距離とは、例えば平面視におけるペア貫通導体３ｂそれぞれの中心間を最短距離で結ぶ直線（線分）の長さである。ペア貫通導体３ｂがともに平面視で円形状の場合であれば、その二つの円形状のパターンの中心同士の間の距離である。ペア電極パッド３ｃの中心間距離についてもペア貫通導体３ｂの中心間距離と同様である。
【００４３】
ペア貫通導体３ｂおよびペア電極パッド３ｃが上記のように位置しているため、平面透視においてペア電極パッド３ｃが開口部５内に位置していても、ペア貫通導体３ｂをそれぞれ接地貫通導体２ｂを含む接地導体部２に近付けることができる。つまり、ペア電極パッド３ｃが平面透視において接地導体層２ａと重なることが抑制され、かつペア貫通導体３ｂについて、その長さ方向の少なくとも一部が接地貫通導体２ｂに近くなっている。
【００４４】
接地貫通導体２ｂおよびペア貫通導体３ｂが上記のように位置していることにより、ペア貫通導体における容量成分が増加し、特性インピーダンスが小さくなる。すなわち、ペア貫通導体３ｂ同士の中心間距離が大きくなっていることにより、この中心間距離に応じてペア貫通導体２ｂと接地貫通導体３ｂとが互いに近づく。そのため、ペア貫通導体２ｂと接地貫通導体３ｂとの間に生じる容量成分が増加し、ペア貫通導体２ｂの特性インピーダンスが所望の値より大きくなることが抑制される。したがって、信号導体部３について、その特性インピーダンスを容易に、所望の値に整合させることができる。
【００４５】
また、上記構成により、ペア貫通導体３ｂ間の距離がより大きくなることから、ペア貫通導体３ｂ間に発生する電磁結合を小さくすることができる。そのため、ペア貫通導体３ｂについて、互いの電磁的な結合に起因した差動インピーダンスおよびコモンモードインピーダンスの不整合が抑制される。つまり、差動インピーダンスおよびコモンモードインピーダンスの両方について、ペア貫通導体３ｂにおいて良好にそれぞれ所望の値に整合できる。したがって、差動モードおよびコモンモードの両モードにおける高周波信号の反射が抑制され、損失の少ない信号の送受信を行うことが可能な信号導体部３となる。
【００４６】
なお、この実施の形態の例（図１の例）では、ペア貫通導体３ｂは、開口部５が設けられた層間では、平面透視においてペア電極パッド３ｃよりも外側に位置し、絶縁基板１の下面まで直線状には貫通していない。最下層の絶縁層１ａの上の層間にペア導体層３ａが設けられ、このペア導体層３ａによって、いったんペア電極パッド３ｃと平面透視で重なる位置まで引き出され、そのペア導体層３ａの端部から絶縁基板１の下面まで延びた他のペア貫通導体３ｂがペア電極パッド３ｃとそれぞれに接続されている。
【００４７】
このような形態では、ペア貫通導体３ｂ同士の中心間距離をさらに大きくする上で有利
であり、ペア貫通導体３ｂ間の電磁的な結合がさらに低減されて特性インピーダンスの整合に対して有利になる。
【００４８】
また、複数の接地貫通導体２ｂは、平面透視において接地導体層２ａのうち開口部５の外周に沿った部位に配置されているとともに接地導体層２ａに直接に接続された周縁接地貫通導体（２ｂ）を含んでいてもよい。なお、実施の形態の配線基板においては、図示された接地貫通導体２ｂの全部が開口部５の外周に沿って配置された周縁接地貫通導体（２ｂ）になっている。接地貫通導体２ｂは、開口部５の外周に沿った部位以外の部位において接地導体層２ａに直接に接続されたものを含んでいても構わない。
【００４９】
これらの周縁接地貫通導体（２ｂ）は、その一部が開口部５内に位置している。言い換えれば、開口部５の外周において、接地貫通導体２ｂが、接地導体層２ａよりも内側に（ペア貫通導体３ｂの方向に）張り出している。
【００５０】
この場合には、接地貫通導体２ｂとペア貫通導体３ｂとの間の距離をより小さくすることができるため、接地貫通導体２ｂとペア貫通導体３ｂとの間に生じる容量成分をより増加させることができる。そのため、より容易に、ペア貫通導体３ｂの特性インピーダンスが大きくなることを抑制することができる。
【００５１】
また、この場合には、接地導体層２ａの一部が開口部５内に張り出しているような形態ではないため、平面透視において接地導体層２ａとペア電極パッド３ｃとが互いに重なることが抑制される。そのため、ペア電極パッド３ｃと接地導体層２ａとの間で容量成分が増加することが抑制され、ペア電極パッド３ｃの特性インピーダンスが所望の値から小さくなることが抑制される。
【００５２】
したがって、この場合には、信号導体部３としての特性インピーダンス整合がより容易な配線基板９を提供することができる。
【００５３】
なお、それぞれ細長い導体であるペア貫通導体３ｂと接地貫通導体２ｂとの対向面積と、それぞれ平面状の導体である接地導体層２ａとペア電極パッド３ｃとの対向面積とを比べると、接地導体層２ａとペア電極パッド３ｃとの対向面積の方が大きく、生じる容量成分が大きい。つまり、ペア電極パッド３ｃの特性インピーダンスの所望の値からずれる量は、ペア貫通導体３ｂの特性インピーダンスが所望の値からずれる量よりも大きい。そのため、ペア電極パッド３ｃにおいては、対向する接地導体層２ａの開口部５をできるだけ大きく形成することで、容量成分を減少させ、特性インピーダンスを大きくすることを優先しつつ、ペア貫通導体３ｂにおいては、接地貫通導体２ｂとの距離を近づけることで、容量成分を増加させ、特性インピーダンスを小さくすることで、それぞれの部位の特性インピーダンスを所望の値に整合させることが容易となる。
【００５４】
すなわち、周縁接地貫通導体（２ｂ）の一部が開口部５内に位置していれば、より有効にペア貫通導体３ｂの特性インピーダンスが高くなることを抑制するとともに、ペア電極３ｃの特性インピーダンスが小さくなることを抑制することができる。
【００５５】
また、実施形態の配線基板９において、ペア貫通導体３ｂの平面視における互いの中心間距離は、開口部５を有する接地導体層２ａが形成されている絶縁層１ａ内において、ペア電極パッド３ｃが形成されている絶縁層１ａ内よりも大きい。なお、開口部５を有する接地導体層２ａが形成されている絶縁層１ａとは、複数の絶縁層１ａの層間のうち接地導体層２ａが設けられている層間のすぐ上に位置する絶縁層１ａである。また、ペア電極パッド３ｃが形成されている絶縁層１ａとは、ペア電極パッド３ｃが主面に設けられている絶縁層１ａであり、図１の最下層の絶縁層１ａである。
【００５６】
言い換えれば、複数の絶縁層１ａのそれぞれを厚み方向に貫通しているペア貫通導体３ｂは、最下層の絶縁層１ａにおいて互いに近づく方向にシフトしている。また、ペア貫通導体３ｂは、ペア電極パッド３ｃとの接続に必要な部分（絶縁層１ａ内）においてのみペア電極パッド３ｃと平面視で重なるように位置し、それ以外の絶縁層１ａ内においては平面透視においてペア電極パッド３ｃから離れる方向（接地導体層２ａおよび接地貫通導体２ｂに近づく方向）にシフトしているとみなすこともできる。
【００５７】
この場合には、ペア電極パッド３ｃをそれぞれ接地導体層２ａから極力離れた位置に設け、かつペア貫通導体３ｂをそれぞれ接地貫通導体２ｂに極力近い位置に設けることがより容易である。また、ペア貫通導体３ｂに近いペア貫通導体３ｂをそれぞれペア電極パッド３ｃに電気的に接続させることもできる。
【００５８】
これにより、例えばペア電極パッド３ｃと接地導体層２ａとが対向し合うことを抑制するためにより大きな開口部５を設けたとしても、ペア貫通導体３ｂを接地導体部２（接地導体層２ａ等）に近づけることが容易である。そのため、ペア貫通導体３ｂの特性インピーダンスが大きくなることを抑止しつつ、ペア電極パッド３ｃの特性インピーダンスが小さくなることを抑制できるので、より有効な配線基板９を提供することができる。
【００５９】
なお、この場合には、ペア貫通導体３ｂのそれぞれが長さ方向の途中で横方向（ペア電極パッド３ｃに近づく方向）にずれているため、このずれた位置よりも上の部分と下の部分とが、それぞれにペア導体層３ａによって互いに電気的に接続されている。実施形態の配線基板９においては、ペア導体層３ａは、ペア貫通導体３ｂの上端にそれぞれ接続されている上側のペア導体層３ａと、ペア貫通導体３ｂの上記ずれた部分同士を接続している下側のペア導体層３ｂとを含んでいる。
【００６０】
上側のペア導体層３ａは、例えば絶縁層１ａの層間、または内部に設けられた接続用の導体（図示せず）を介して絶縁基板１の上面に搭載される電子部品と電気的に接続される。この場合の絶縁基板１は、前述したように、互いに積層された複数の絶縁層１ａの積層体（積層体）を含むものであり、例えば電子部品の搭載部を含む絶縁基板１の上面については図示していない。
【００６１】
また、実施形態の配線基板９においては、ペア貫通導体３ｂのうち上記ずれた位置よりも下側の部分（最下層の絶縁層１ａに設けられたペア貫通導体３ｂ）は、それぞれペア電極パッド３ｃのうち互いに反対側の外周部に接続されている。これにより、下側のペア貫通導体３ｂ同士の間の距離がより大きくなり、ペア貫通導体３ｂ同士の電磁的な結合がより効果的に低減されている。
【００６２】
なお、本発明の配線基板は上記実施の形態の例に限られるものではなく、本発明の要旨の範囲内であれば種々の変更は可能である。例えば、上記のようにペア電極パッド３ｃの絶縁基板１への接続強度を向上させるために、絶縁基板１の主面（下面）からペア電極パッド３ｃの外周部にかけて絶縁コート層を形成した場合には、以下のような形態であってもよい。すなわち、この場合には、ペア電極パッド３ｃの外周部が絶縁基板１内に屈曲したように形成されるが、さらに、ペア電極パッド３ｃの外周部における厚みが小さくなっていてもよい。またこの場合には、ペア貫通導体３ｂとペア電極パッド３ｃの直接の接続部は、平面透視で、絶縁コート層と重畳しないように配置されていることが好ましい。すなわち、ペア電極パッド３ｃの厚みが小さい部分においては、電気抵抗が大きくなりやすい。これに対して、その電気抵抗が大きくなりやすい部分を避けてペア電極パッド３ａ配置されていることで、電気特性（導通抵抗等）の向上がより容易となる。特に、ペア電極パッド３ｃにガラス等の電気伝導率の小さい材料が混ぜられている場合、厚みが小さい部
分において、電気抵抗が大きくなるため、上記構造（ペア電極パッド３ｃの位置等）が有利となる。
【００６３】
また、接地導体層２ａの開口部５を大きく形成した場合、平面透視における開口部５の上下の絶縁層１ａの接着が不十分になり、いわゆるデラミネーションが発生する可能性がある。このような場合、この開口部５に絶縁コート層を配置することが望ましい。すなわち、絶縁コート層を配置することで、接地導体層２ａと開口部５の間の段差を小さくすることが可能となる。絶縁コート層の材料としては、例えば、上記セラミックグリーンシートと同じ材料をペースト状にした絶縁ペーストが挙げられる。この絶縁ペーストをスクリーン印刷法等の方法で上記部位に塗布すればよい。また、この絶縁ペーストにセラミックグリーンシートよりも比誘電率が低い材料を用いることで、ペア電極パッド３ｃに付加される静電容量を減少させることができるため、特性インピーダンスをより整合させることが容易になる。このようなセラミックグリーンシートよりも比誘電率が低い材料としては、セラミックグリーンシートにガラス成分をより多く含有させたものが挙げられる。
【符号の説明】
【００６４】
１・・・・絶縁基板
１ａ・・・絶縁層
２ａ・・・接地導体層
２ｂ・・・接地貫通導体
２・・・・接地導体部
３ａ・・・ペア導体層
３ｂ・・・ペア貫通導体
３ｃ・・・ペア電極パッド
３・・・・信号導体部
４・・・・電極パッド外周
５・・・・開口部
９・・・・配線基板
【図１】
2015142028.tif 000003
【図２】
2015142028.tif 000004