(57)【要約】【課題】基板の取扱性を向上させた、静電吸着キャリアおよびそれを用いたレジスト露光方法を提供することを提供すること。【解決手段】静電吸着により基板を保持する静電吸着キャリアは、透明な誘電材料で構成される基材と、基材の内部に互いに離して配置された導電材料で構成される１対の電極とを備え、電極には開口として窓部が形成される、又は、電極同士の隙間の領域に、基板の表面に形成される繰り返しの回路パターンにおける１つ当たりの回路パターン領域よりも大きな窓部が形成される。【選択図】図８
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
静電吸着により基板を保持する静電吸着キャリアであって、
透明な誘電材料で構成される基材と、
基材の内部に互いに離して配置された導電材料で構成される１対の電極とを備え、
電極には、開口として窓部が形成される、静電吸着キャリア。
【請求項２】
窓部は、基板の表面に形成される繰り返しの回路パターンにおける１つ当たりの回路パターン領域よりも大きい、請求項１に記載の静電吸着キャリア。
【請求項３】
静電吸着により基板を保持する静電吸着キャリアであって、
透明な誘電材料で構成される基材と、
基材の内部に互いに離して配置された導電材料で構成される１対の電極とを備え、
電極同士の隙間の領域に、基板の表面に形成される繰り返しの回路パターンにおける１つ当たりの回路パターン領域よりも大きな窓部が形成される、静電吸着キャリア。
【請求項４】
透明な誘電材料で構成される基材と、基材の内部に互いに離して配置された導電材料で構成される１対の電極とを備える静電吸着キャリアを準備し、静電吸着キャリア上に、表面に回路パターンが形成され、裏面にレジストが形成された基板を表面側にて接触させながら、静電吸着により保持する工程と、
静電吸着キャリアの窓部を介して、保持された基板の位置を認識し、認識した基板の位置に応じて基板とマスクとの位置合わせを行う工程と、
位置合わせ後に、マスクを通して基板の裏面のレジストに対して露光処理を行う工程とを含む、レジスト露光方法。
【請求項５】
基板とマスクとの位置合わせを行う工程において、電極に開口として形成された窓部を介して、保持された基板の位置を認識する、請求項４に記載のレジスト露光方法。
【請求項６】
基板とマスクとの位置合わせを行う工程において、基板の表面に形成される繰り返しの回路パターンにおける１つ当たりの回路パターン領域よりも大きい窓部を介して、保持された基板の位置を認識する、請求項５に記載のレジスト露光方法。
【請求項７】
基板とマスクとの位置合わせを行う工程において、電極同士の隙間に形成された窓部を介して、保持された基板の位置を認識する、請求項４に記載のレジスト露光方法。
【請求項８】
基板とマスクとの位置合わせを行う工程において、基板の表面に形成される繰り返しの回路パターンにおける１つ当たりの回路パターン領域よりも大きい窓部を介して、保持された基板の位置を認識する、請求項７に記載のレジスト露光方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、静電吸着により基板を保持する静電吸着キャリアおよびそれを用いて保持した基板上のレジストに対して露光処理を行うレジスト露光方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来より、回路パターンが表面に形成された基板の裏面に、前記回路パターンとの位置関係を制御しながらレジストパターンを形成する方法が各種知られている。例えば、特許文献１では、基板（ウェハ）を載置する露光ステージに観察孔を設け、観察孔を介して基板裏面のアライメントマークを認識して、マスクと基板の位置合わせを行い、基板に対する露光処理を行う投影露光方法が開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開平９−１１５８１２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、昨今では、取り扱う基板の厚みが薄くなる傾向にある。基板の厚みが薄くなるほど基板が反りやすく割れやすくなるため、取扱いが困難となる。例えば、特許文献１のように、露光ステージ上に保持した基板上のレジストに対して露光処理を行う際にも、薄い基板であれば取扱いが困難となることで、レジスト露光処理の各工程に様々な制限がかかってしまう場合がある。このように、特に厚みの薄い基板を取扱う際において、基板の取扱性に未だ改善の余地があった。
【０００５】
そこで、本発明は、特に厚みの薄い基板を取扱う際において、基板の取扱性を向上させた、基板のキャリアおよびそれを用いたレジスト露光方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
上述の課題を解決するために、本発明の第１の態様によれば、静電吸着により基板を保持する静電吸着キャリアであって、
透明な誘電材料で構成される基材と、
基材の内部に互いに離して配置された導電材料で構成される１対の電極とを備え、
電極には、開口として窓部が形成される、静電吸着キャリアが提供される。
【０００７】
本発明の第２の態様によれば、窓部は、基板の表面に形成される繰り返しの回路パターンにおける１つ当たりの回路パターン領域よりも大きい、第１態様に記載の静電吸着キャリアが提供される。
【０００８】
本発明の第３の態様によれば、静電吸着により基板を保持する静電吸着キャリアであって、
透明な誘電材料で構成される基材と、
基材の内部に互いに離して配置された導電材料で構成される１対の電極とを備え、
電極同士の隙間の領域に、基板の表面に形成される繰り返しの回路パターンにおける１つ当たりの回路パターン領域よりも大きな窓部が形成される、静電吸着キャリアが提供される。
【０００９】
本発明の第４の態様によれば、透明な誘電材料で構成される基材と、基材の内部に互いに離して配置された導電材料で構成される１対の電極とを備える静電吸着キャリアを準備し、静電吸着キャリア上に、表面に回路パターンが形成され、裏面にレジストが形成された基板を表面側にて接触させながら、静電吸着により保持する工程と、
静電吸着キャリアの窓部を介して、保持された基板の位置を認識し、認識した基板の位置に応じて基板とマスクとの位置合わせを行う工程と、
位置合わせ後に、マスクを通して基板の裏面のレジストに対して露光処理を行う工程とを含む、レジスト露光方法が提供される。
【００１０】
本発明の第５の態様によれば、基板とマスクとの位置合わせを行う工程において、電極に開口として形成された窓部を介して、保持された基板の位置を認識する、第４態様に記載のレジスト露光方法が提供される。
【００１１】
本発明の第６の態様によれば、基板とマスクとの位置合わせを行う工程において、基板の表面に形成される繰り返しの回路パターンにおける１つ当たりの回路パターン領域よりも大きい窓部を介して、保持された基板の位置を認識する、第５態様に記載のレジスト露光方法が提供される。
【００１２】
本発明の第７の態様によれば、基板とマスクとの位置合わせを行う工程において、電極同士の隙間に形成された窓部を介して、保持された基板の位置を認識する、第４態様に記載のレジスト露光方法を提供する。
【００１３】
本発明の第８の態様によれば、基板とマスクとの位置合わせを行う工程において、基板の表面に形成される繰り返しの回路パターンにおける１つ当たりの回路パターン領域よりも大きい窓部を介して、保持された基板の位置を認識する、第７の態様に記載のレジスト露光方法を提供する。
【発明の効果】
【００１４】
本発明によれば、静電吸着により基板を保持する静電吸着キャリアおよびそれを用いて保持した基板上のレジストに対して露光処理を行うレジスト露光方法において、基板の取扱性を向上させることができる。
【図面の簡単な説明】
【００１５】
【図１】本発明の一実施の形態における静電吸着キャリアの断面図
【図２】本実施の形態における静電吸着キャリアの下面図
【図３】静電吸着キャリアが取り扱う基板の断面図
【図４】（ａ）静電吸着キャリアが取り扱う基板の上面図、（ｂ）（ａ）の部分拡大図
【図５】本実施の形態における露光装置の外観図
【図６】本実施の形態における露光ステージの下面図
【図７】本実施の形態における静電吸着キャリアを用いて基板を取扱う方法のフローチャート
【図８】図８のフローチャートに沿った静電吸着キャリアおよび基板の断面図
【図９】静電吸着キャリアを下方から見た図
【図１０】静電吸着キャリアを載置した露光ステージを下方から見た図
【図１１】基板の位置合わせ前におけるカメラの視認画像を示す図
【図１２】基板の位置合わせ後におけるカメラの視認画像を示す図
【図１３】本実施の形態の変形例における静電吸着キャリアの上面図
【図１４】本実施の形態の変形例における静電吸着キャリアの上面図
【図１５】本実施の形態の変形例における静電吸着キャリアの上面図
【発明を実施するための形態】
【００１６】
以下、本発明の実施の形態について、図面を参照しながら説明する。
【００１７】
図１、２はそれぞれ、本発明の一実施の形態に係る静電吸着キャリア１の断面図、下面図である。
【００１８】
図１、２に示す静電吸着キャリア１は、電極２と、電極２を内包する基材３とを備えた基板のキャリアであって、電極２に電圧が印加されることで静電吸着力を発生させて、基材３上に載置した基板を吸着して保持するものである。図１、２に示すように、静電吸着キャリア１を基準として、左右方向をＸ方向、前後方向をＹ方向、上下方向をＺ方向とする。
【００１９】
静電吸着キャリア１の電極２は、一対の電極２ａ、２ｂを備える。電極２ａ、２ｂは、導電材料（例えば銅など）で構成されている。本実施の形態における一対の電極２ａ、２ｂは、外形が半円状であるとともに、それぞれが有する直線部２ｃ、２ｄにて対向するようにＸ方向において互いに間隔を空けて配置される。電極２ａ、２ｂの直径は例えば２００ｍｍで、電極２ａ、２ｂの間隔は例えば２ｍｍである。
【００２０】
図１、２に示すように、電極２ａ、２ｂには、開口としての窓部２ｅ、２ｆがそれぞれ形成されている。窓部２ｅ、２ｆは、電極２ａ、２ｂをＺ方向に貫通した開口である。本実施の形態では、窓部２ｅ、２ｆの断面形状（ＸＹ平面）を略正方形としている。窓部２ｅ、２ｆを用いて行う基板に対するレジスト露光方法については後述する。
【００２１】
静電吸着キャリア１の基材３は、電極２を内包する基材である。本実施の形態における基材３は、内部に電極２を配置可能な空間を有した大略円柱状に形成される。本実施の形態における窓部２ｅ、２ｆには、基材３が配置されている。
【００２２】
基材３には、それぞれの電極２ａ、２ｂに連通した開口であって、電極２に電圧を印加するための電圧印加端子５ａ、５ｂが設けられる。電圧印加端子５ａ、５ｂには、後述する電圧印加ピンが配置される。
【００２３】
また基材３は、透明な誘電材料で構成されるとともに、後述する基板の取扱いに適した剛性を有している。基材３の材料としては例えば、ガラス、プラスチックおよび樹脂がある。基材３の厚み（Ｚ方向）は例えば５００μｍで、直径は例えば２００．５ｍｍである。
【００２４】
次に、図１、２で説明した静電吸着キャリア１が取り扱う基板６の一例を、図３および図４（ａ）、４（ｂ）に示す。図３は、本実施の形態における基板６の断面図であり、図４（ａ）は、図３に示す基板６の上面図であり、図４（ｂ）は、図４（ａ）の部分拡大図である。
【００２５】
図３、４（ａ）、４（ｂ）に示すように、基板６は、本体部７と、回路パターン８とを備える。
【００２６】
基板６の本体部７は、ＳｉやＳｉＣ、ＧａＡｓ等の半導体である。本実施の形態の本体部７は略円板状に形成される。本体部７の直径は例えば、ウェハの一般的な大きさとしての８インチ（２００ｍｍ）である。前述した静電吸着キャリア１の直径は、この本体部７の直径と同等又は大きく設定される（例えば２００．５ｍｍ）。これにより静電吸着キャリア１上にて基板６がＸＹ方向にはみ出さないように載置することができる。
【００２７】
本実施の形態では、基板６として特に、厚みの薄い基板（例えば１００μｍ以下）を対象としている。基板６の厚みは例えば５０μｍとする。
【００２８】
基板６の回路パターン８は、本体部７上に形成された素子や配線からなる回路パターンであり、例えば本体部７上に蒸着させた金属をエッチングしてパターン化することで形成される。図４（ａ）では、回路パターン８の図示は省略しているが、図４（ｂ）の拡大図に回路パターン８の例を示す。
【００２９】
図４（ｂ）に示すように、回路パターン８は、所定の回路パターン８ａ（単位回路パターン８ａ）を定期的に繰り返して配置することで構成される。単位回路パターン８ａは、繰り返しの回路パターンにおける１つ当たりの回路パターンである。１つの単位回路パターン８ａを含む回路パターン領域９（図中で破線にて表示）は、後にダイシングなどにより、基板６を分割して個片化する際の分割単位となる領域である。それぞれの回路パターン領域９には、図４（ｂ）に示すように同一の単位回路パターン８ａが形成されている。なお、図４（ｂ）では、単位回路パターン８ａの形状として模式的なものを示す。
【００３０】
それぞれの回路パターン領域９には、単位回路パターン８ａとは異なる位置にアライメントマーク１０がそれぞれ１つずつ形成されている。アライメントマーク１０は、基板６の位置や方向を認識するために設けられたマークであり、本実施の形態では「＋」の形状を有する。図４（ｂ）に示すように、それぞれの回路パターン領域９における単位回路パターン８ａおよびアライメントマーク１０の相対的な位置は全て同じ位置に設定されている。
【００３１】
回路パターン領域９の大きさは、Ｚ方向から見たときに、例えば、２２ｍｍ×２２ｍｍの正方形状である。ここで、前述した本実施の形態における静電吸着キャリア１の窓部２ｅ、２ｆは、回路パターン領域９の大きさよりも大きく設定されている。すなわち、窓部２ｅ、２ｆの断面形状を例えば、各辺の長さが、回路パターン領域９の各辺の長さより２ｍｍ大きい矩形形状とする。（例えば、回路パターン領域９が２２ｍｍ×２２ｍｍの正方形状である場合には、窓部２ｅ、２ｆを２４ｍｍ×２４ｍｍとする）。このような大きさの関係とする理由については後述する。
【００３２】
上述した基板６における、本体部７と回路パターン８は不透明な材料で構成される場合が多い。本明細書では、基板６における回路パターン８が形成される面を表面６ａ（Ｚ方向上側）とし、回路パターン８が形成されない面を裏面６ｂ（Ｚ方向下側）として説明する。
【００３３】
次に、上述した基板６に対するレジスト露光処理を行うための露光装置１７の一例について、図５を用いて説明する。
【００３４】
図５に示すように、露光装置１７は、マスク１３と、露光ステージ１４と、一対のカメラ１５ａ、１５ｂとを備える。
【００３５】
マスク１３は、露光ステージ１４上に載置された基板６などの対象物に対して露光処理を行うためのマスクであり、露光ステージ１４の上方に設けられている。露光ステージ１４は、露光処理の対象となる対象物を載置するためのステージであり、一対の観察穴１４ａ、１４ｂが形成されている。露光ステージ１４の下方には、観察穴１４ａ、１４ｂに対応するようにカメラ１５ａ、１５ｂが配置されている。カメラ１５ａ、１５ｂは、観察穴１４ａ、１４ｂを介して露光ステージ１４上に載置された対象物の表面の画像データを取得する機能を有する。
【００３６】
露光装置１７はさらに、露光ステージ１４などの各種構成や露光ステージ１４に載置する基板６などの対象物を移動させるための移動機構（図示せず）と、露光装置１７における全体的な動作の制御を行う制御部（図示せず）とを備えている。
【００３７】
次に、図５に示した露光装置１７の露光ステージ１４を図６に示す。図６は、本実施の形態における露光ステージ１４の下面図である。
【００３８】
露光ステージ１４は、基板６を保持した静電吸着キャリア１を載置するための可動式のステージであって、図６に示すように、本実施の形態では略円板状に形成されるとともに、Ｚ方向に貫通した一対の観察穴１４ａ、１４ｂを有する。観察穴１４ａ、１４ｂは、露光ステージ１４上に載置された対象物を部分的に視認可能とするための穴であり、本実施の形態では、断面形状（ＸＹ方向）を略正方形としている。本実施の形態における露光ステージ１４は不透明な材料で構成されるが、透明な材料で構成されても良い。
【００３９】
ここで、Ｚ方向から見た観察穴１４ａ、１４ｂの大きさは、前述した基板６の回路パターン領域９の大きさや静電吸着キャリア１の窓部２ｅ、２ｆの大きさよりも大きく設定される（例えば２６ｍｍ×２６ｍｍの正方形状）。このような大きさの関係とする理由については後述する。
【００４０】
次に、図１、２で説明した静電吸着キャリア１および図５で説明した露光装置１７を用いて、図３、４で説明した基板６を取り扱う方法について、図７および図８（ａ）―８（ｈ）を用いて説明する。ここでは、静電吸着キャリア１により基板６を静電吸着して保持しながら、露光装置１７を用いて、基板６上のレジストに対して露光処理を行い、回路パターン８が表面６ａに形成された基板６の裏面６ｂに、前記回路パターン８との位置関係を制御しながらレジストのパターンを形成する方法について説明する。図７は、当方法のフローチャートの一例であり、図８（ａ）―８（ｈ）は、図７のフローチャートに沿って行う方法の順序を示す静電吸着キャリア１、基板６および露光装置１７の断面図である。
【００４１】
まず最初に、露光処理を行う対象である基板６を準備する（ステップＳ１）。具体的には、図８（ａ）に示すように、図３、４に示した基板と同じ構成を有する基板６を準備する。
【００４２】
次に、基板６の薄膜化を行う（ステップＳ２）。具体的には、エッチングなどの化学的処理又は研磨、研削などの物理的処理により、回路パターン８が形成されていない基板６の裏面６ｂを削る。これにより、図８（ｂ）に示すように所定の厚みに至るまで、基板６を均一に薄膜化する。ステップＳ２後の基板６の所定の厚みは、例えば５０μｍとする。
【００４３】
薄膜化された基板６は非常に薄いため、取扱いが困難となることから、前述した静電吸着キャリア１を用いた取り扱いを行う。
【００４４】
次に、基板６を静電吸着キャリア１上に載置して静電吸着を行う（ステップＳ３）。具体的には、図８（ｃ）に示すように、図１、２で示した構成と同じ構成を有する静電吸着キャリア１の上に薄膜化された基板６を載置する。このとき、回路パターン８が形成された表面６ａ側にて静電吸着キャリア１に接触するように、基板６を載置する。また、静電吸着キャリア１における電圧印加端子５ａ、５ｂが開口する面とは反対側（Ｚ方向上側）の表面に基板６を載置する。本実施の形態では、Ｚ方向から見たときに、静電吸着キャリア１が基板６の全体を囲むように基板６を静電吸着キャリア１上に載置する。
【００４５】
このように基板６が載置された静電吸着キャリア１をＺ方向下方から見た図（矢印Ａ−Ａ）の一例を、図９に示す。図９に示すように、電極２自体は不透明であり基板６を遮っているが、窓部２ｅ、２ｆからは基板６を視認可能となっていることがわかる。前述したように、窓部２ｅ、２ｆの大きさは基板６における回路パターン領域９よりも大きく設定されている。これは、１つの窓部から回路パターン領域９のそれぞれに形成されたアライメントマーク１０を少なくとも１つ視認可能とするためである。図９に示すように、窓部２ｅ、２ｆからは、アライメントマーク１０ａ、１０ｂがそれぞれ視認可能となっている。
【００４６】
このように静電吸着キャリア１上に基板６を載置した後、静電吸着キャリア１の電極２に対して電圧を印加する。具体的には、図８（ｃ）に示すように、静電吸着キャリア１の電圧印加端子５ａ、５ｂ内に電圧印加ピン１１ａ、１１ｂをそれぞれ配置し、先端を電極２ａ、２ｂに接触させる。この状態にて、電圧印加ピン１１ａ、１１ｂにそれぞれ極性の異なる電圧を印加すると、電極２ａ、２ｂの間に電界が生じる。図８（ｃ）では、Ｘ方向左側の電極２ａが＋の電圧となり、Ｘ方向右側の電極２ｂが−の電圧となる例を示す。このように電極２ａ、２ｂの間に電界が生じることにより、静電吸着キャリア１に載置された基板６を吸着する静電吸着力が発生し、基板６を静電吸着キャリア１上に吸着して保持することができる。電圧印加ピン１１ａ、１１ｂによる電圧の印加は一旦行えば、電圧印加ピン１１ａ、１１ｂを退避させても、例えば数十分〜１時間程度の期間は所定の吸着力を維持することができる。よって、図８（ｄ）に示すように、電圧印加ピン１１ａ、１１ｂを退避させて、以降のステップを行う。
【００４７】
次に、基板６の裏面６ｂにレジスト１２を形成する（ステップＳ４）。具体的には、静電吸着キャリア１に保持された基板６の回路パターン８が形成されていない側の裏面６ｂに、例えばスピンコート法によってレジスト１２を形成する。これにより、図８（ｅ）に示すように、基板６の裏面全面にレジスト１２を形成する。
【００４８】
次に、基板６の位置合わせを行う（ステップＳ５）。具体的には、図８（ｆ）に示すように、基板６を吸着保持した静電吸着キャリア１を、図５に示した露光装置１７内において、露光ステージ１４上に載置する。ここでは、Ｚ方向から見たときに、露光ステージ１４の観察穴１４ａ、１４ｂがそれぞれ、静電吸着キャリア１内に設けられた電極２の窓部２ｅ、２ｆの全体を囲むようにして、静電吸着キャリア１を露光ステージ１４上に配置する。この状態にて、以下で説明するように、露光ステージ１４の上方に配置されたマスク１３に対する基板６の位置合わせを行う。
【００４９】
ここで、図８（ｆ）に示す状態の露光ステージ１４をＺ方向下方から見た図（矢印Ｂ−Ｂ）の一例を図１０に示す。図１０に示すように、露光ステージ１４の観察穴１４ａ、１４ｂおよび電極２の窓部２ｅ、２ｆを介して、基板６を視認可能となっていることがわかる。前述したように、観察穴１４ａ、１４ｂの大きさは、窓部２ｅ、２ｆよりも大きく設定されており、窓部２ｅ、２ｆの大きさは、基板６における回路パターン領域９よりも大きく設定されている。これは、１つの観察穴および窓部を介して、回路パターン領域９のそれぞれに設けられたアライメントマーク１０を少なくとも１つ視認可能とするためである。
【００５０】
この状態で露光ステージ１４のＺ方向下方からカメラ１５ａ、１５ｂにより、観察穴１４ａ、１４ｂおよび窓部２ｅ、２ｆを介して、基板６の表面６ａの画像データを取得する。取得した画像データをもとに、基板６に形成されたアライメントマーク１０ａ、１０ｂの位置をそれぞれ認識する。すなわち、基板６における２つのアライメントマーク１０ａ、１０ｂの位置を認識する。これにより、基板６のＸ方向位置、Ｙ方向位置およびＸＹ回転位置（ＸＹ平面での回転位置）を認識することができる。
【００５１】
ここで、本ステップＳ５より前に事前に、静電吸着キャリア１および基板６が配置されない状態にて、カメラ１５ａ、１５ｂにより露光ステージ１４の観察穴１４ａ、１４ｂを介して、露光ステージ１４のＺ方向上方に予め配置されたマスク１３の位置を認識しておく。ここで認識したマスク１３の位置情報をもとに、マスク１３に対する基板６の所望の相対的な位置を記憶する。すなわち、このような所望の相対的な位置となるようにアライメントマーク１０ａ、１０ｂを配置すべき位置（図１０に示すアライメント位置１６ａ、１６ｂ）を記憶しておく。
【００５２】
このアライメント位置１６ａ、１６ｂを用いた基板６の位置合わせ方法について、図１１（ａ）、１１（ｂ）および図１２（ａ）、１２（ｂ）を用いて詳細に説明する。
【００５３】
図１１は、位置合わせ前の状態を示し、図１２は位置合わせ後の状態を示す。図１１（ａ）、１１（ｂ）に示すように、予め記憶されたアライメント位置１６ａ、１６ｂに対して、基板６上のアライメントマーク１０ａ、１０ｂはＸＹ方向にずれた位置に配置されている（図中左下側）。ここで、アライメントマーク１０ａ、１０ｂがともにアライメント位置１６ａ、１６ｂに重なるようにして、静電吸着キャリア１と基板６を載置した露光ステージ１４をＸＹ方向に移動させる。この移動により、図１２（ａ）、１２（ｂ）に示すように、アライメントマーク１０ａ、１０ｂがともにアライメント位置１６ａ、１６ｂに重なって、基板６が位置合わせされる。これにより、マスク１３に対して基板６を所望の相対的な位置に配置することができる。
【００５４】
次に、露光処理を行う（ステップＳ６）。具体的には、図８（ｇ）に示すように、位置合わせされた基板６のレジスト１２に対して、マスク１３を用いて露光処理を行う。これにより、レジスト１２の所望の領域のみを部分的に露光する。
【００５５】
次に、現像処理を行う（ステップＳ７）。具体的には、露光処理された基板６を現像液などに浸すことにより、図８（ｈ）に示すように、前のステップＳ６にて露光されたレジスト１２を部分的に除去する。これにより、基板６の裏面６ｂ上においてレジスト１２の所望のパターンを形成する。
【００５６】
上述したステップＳ１−Ｓ７を実施することにより、静電吸着キャリア１を用いて静電吸着により保持した基板６上のレジスト１２に対して露光処理を行い、レジスト１２の所望のパターンを形成することができる。
【００５７】
このように形成されたレジスト１２のパターンは、後に基板６を個片化する際のダイシングラインを形成するものとして利用することができる。
【００５８】
上述した静電吸着キャリア１によれば、静電吸着により基板６を保持することができるため、厚みの薄い基板６（例えば５０μｍ以下）であっても精度良く取り扱うことができる。また、静電吸着キャリア１の中に不透明な電極２を用いた場合であっても、窓部２ｅ、２ｆを介して基板６の位置を認識することができるため、特にレジスト露光処理を行う際などにおいて、基板６の取扱性を向上させることができる。
【００５９】
また、上述したレジストの露光方法によれば、電極２に形成された窓部２ｅ、２ｆを介して基板６の位置を認識するとともに、認識した位置に応じて基板６をマスク１３に対して位置合わせして、マスク１３を介した基板６に対するレジスト露光処理を行っている。これにより、静電吸着キャリア１の中に不透明な電極２を用いた場合であっても、基板６の位置を精度良く認識して位置合わせを行うことができ、適切なレジスト露光処理を行うことができる。すなわち、レジスト露光処理を行う際に基板６の取扱性を向上させることができる。
【００６０】
特に、電極２に形成した窓部２ｅ、２ｆの大きさを、電極２および基板６が延在する平面に垂直な方向（Ｚ方向）において、基板６の回路パターン８における１つ当たりの回路パターン領域９よりも大きく設定することで、回路パターン領域９ごとに形成されたアライメントマーク１０を確実に認識することができる。これにより、基板６の位置をより精度良く認識することができ、レジスト露光処理における基板６の取扱性をさらに向上させることができる。
【００６１】
以上、上述の実施の形態を挙げて本発明を説明したが、本発明は上述の実施の形態に限
定されない。例えば、本実施の形態では、窓部２ｅ、２ｆを電極２の開口として設ける場合について説明したが、このような場合に限らず例えば、図１３−１５の変形例に示すように、電極内ではなく電極同士の間の隙間の領域に窓部を形成しても良い。
【００６２】
例えば、図１３に示す静電吸着キャリア２１では、窓部２２ｅ、２２ｆは電極２２の開口としてではなく、一対の電極２２ａ、２２ｂの間の隙間の領域として形成される。ここでの窓部２２ｅ、２２ｆは、前述した回路パターン領域９の大きさよりも大きく設定されている。これにより、前述の実施形態におけるレジスト露光方法と同様に、窓部２２ｅ、２２ｆを介して基板６の位置を認識して基板６とマスク１３との位置合わせを行うことができる。図１４、１５に示す静電吸着キャリア３１、４１でも同様に、電極３２ａ、３２ｂおよび電極４２ａ、４２ｂの隙間の領域に窓部３２ｅ、３２ｆおよび窓部４２ｅ、４２ｆがそれぞれ形成されている。このようにして、図１３−１５に示す本変形例においても、本実施の形態と同様に、静電吸着キャリア１の電極２を不透明な材料で形成した場合であっても、特にレジスト露光処理を行う際に、基板６の取扱性を向上させることができる。
【００６３】
また本実施の形態では、基板６とマスク１３との位置合わせを行う方法として、予めマスク１３の位置を認識するとともに、マスク１３に対する基板６の所望の相対的な位置を記憶した上でマスク１３に対する基板６の位置合わせを行う方法について説明したが、このような場合に限らない。基板６とマスク１３との相対的な位置合わせを行うことができる方法であれば、他の方法であっても良い。
【００６４】
また本実施の形態では、アライメントマーク１０の形状が「＋」である場合について説明したが、このような場合に限らず、２つのアライメントマーク１０を認識することで基板６のＸ方向位置、Ｙ方向位置およびＸＹ回転位置を認識できるものであれば、他の形状であっても良い。
【００６５】
また本実施の形態では、回路パターン領域９ごとに１つのアライメントマーク１０を設ける場合について説明したが、このような場合に限らず、回路パターン領域９ごとに複数のアライメントマーク１０を設けても良い。
【００６６】
また本実施の形態では、基板６のアライメントマーク１０を認識することで基板６の位置や方向を把握する場合について説明したが、このような場合に限らず例えば、基板６にアライメントマーク１０を設けずに、基板６上の回路パターン８の位置や方向などを認識することで、基板６の位置や方向を把握するようにしても良い。
【００６７】
また本実施の形態では、窓部２ｅ、２ｆや観察穴１４ａ、１４ｂの断面形状が正方形である場合について説明したが、このような場合に限らず例えば、長方形や円形など他の形状であっても良い。
【００６８】
また本実施の形態では、回路パターン領域９が２２ｍｍ×２２ｍｍの正方形状である場合について説明したが、この大きさは単なる例示であって、これに限定されない。
【００６９】
また本実施の形態では、窓部２ｅ、２ｆが２４ｍｍ×２４ｍｍの正方形状である場合について説明したが、このような場合に限らず例えば、窓部２ｅ、２ｆの寸法は回路パターン領域９の各辺より大きければ良い。本実施の形態では、窓部２ｅ、２ｆの大きさが回路パターン領域９の各辺の長さより２ｍｍ大きい場合について説明したが、２ｍｍという大きさは単なる例示であって、これに限定されない。
【００７０】
また本実施の形態では、観察孔１４ａ、１４ｂが２６ｍｍ×２６ｍｍの正方形状である場合について説明したが、このような場合に限らず例えば、観察孔１４ａ、１４ｂの寸法は窓部２ｅ、２ｆの各辺より大きければ良い。本実施の形態では、観察孔１４ａ、１４ｂの大きさが窓部２ｅ、２ｆの各辺の長さより２ｍｍ大きい場合について説明したが、２ｍｍという大きさは単なる例示であって、これに限定されない。
【００７１】
また本実施の形態では、電極２が一対の電極２ａ、２ｂで構成される場合について説明したが、このような場合に限らず例えば、３つ以上の電極や複数対の電極で構成されていても良い。
【００７２】
また本実施の形態では、一対の電極２ａ、２ｂに窓部２ｅ、２ｆをそれぞれ１つずつ設ける場合について説明したが、このような場合に限らず例えば、電極１つ当たりに複数の窓部を設けても良く、あるいは複数の電極のうち一部の電極のみに窓部を設けても良い。
【００７３】
また本実施の形態では、ステップＳ２として薄膜化を行う場合について説明したが、このような場合に限らず例えば、ステップＳ１において最初から厚みの薄い基板を用いることで、薄膜化処理を省略しても良い。
【００７４】
なお、上記様々な実施の形態のうちの任意の実施形態を適宜組み合わせることにより、それぞれの有する効果を奏するようにすることができる。
【産業上の利用可能性】
【００７５】
本発明は、静電吸着により基板を保持する静電吸着キャリアおよびそれを用いて保持した基板上のレジストに対して露光処理を行うレジスト露光方法であれば適用可能である。
【符号の説明】
【００７６】
１    静電吸着キャリア
２、２ａ、２ｂ    電極
２ｃ、２ｄ    直線部
２ｅ、２ｆ    窓部
３    基材
５、５ａ、５ｂ    電圧印加端子
６    基板
７    本体部
８    回路パターン
８ａ  単位回路パターン
９    回路パターン領域
１０、１０ａ、１０ｂ    アライメントマーク
１１ａ、１１ｂ    電圧印加ピン
１２    レジスト
１３    マスク
１４    露光ステージ
１４ａ、１４ｂ    観察孔
１５ａ、１５ｂ    カメラ
１６ａ、１６ｂ    アライメント位置
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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