(57)【要約】【課題】突起電極の破損を低減させることができる半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】  突起電極が形成されたウエハ面に接着剤層を有する保護テープを貼付する保護テープ貼付工程と、保護テープ貼付面の反対面をグラインド処理するグラインド処理工程と、グラインド処理面に粘着テープを貼付する粘着テープ貼付工程と、粘着テープが貼付されたウエハをダイシング処理し、個片の半導体チップを得るダイシング処理工程と、接着剤層を硬化させる硬化工程とを有し、硬化工程が、ダイシング処理工程前に行われる。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
突起電極が形成されたウエハ面に接着剤層を有する保護テープを貼付する保護テープ貼付工程と、
前記保護テープ貼付面の反対面をグラインド処理するグラインド処理工程と、
前記グラインド処理面に粘着テープを貼付する粘着テープ貼付工程と、
前記粘着テープが貼付されたウエハをダイシング処理し、個片の半導体チップを得るダイシング処理工程と、
前記接着剤層を硬化させる硬化工程とを有し、
前記硬化工程が、前記ダイシング処理工程前に行われる半導体装置の製造方法。
【請求項２】
前記保護テープは、前記接着剤層と、熱可塑性樹脂層と、基材フィルム層とがこの順に積層されており、
前記グラインド処理工程後に、前記熱可塑性樹脂層及び前記基材フィルム層を剥離する剥離工程をさらに有する請求項１記載の半導体装置の製造方法。
【請求項３】
前記接着剤層の最低溶融粘度が、５００Ｐａ・ｓ以上１５０００Ｐａ・ｓ以下である請求項１又は２記載の半導体装置の製造方法。
【請求項４】
前記接着剤層の厚みが、前記突起電極の高さの１０％以上８０％以下である請求項１乃至３のいずれか１項に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項５】
前記保護テープ貼付工程では、真空加圧式ラミネータを用いて保護テープをウエハ面にラミネートする請求項１乃至４のいずれか１項に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項６】
前記剥離工程後に、前記突起電極上の接着剤の残渣を除去する除去工程をさらに有する請求項２記載の半導体装置の製造方法。
【請求項７】
前記除去工程は、前記硬化工程後に行われる請求項６記載の半導体装置の製造方法。
【請求項８】
前記除去工程では、砥粒を用いて研磨し、接着剤の残渣を除去する請求項７記載の半導体装置の製造方法。
【請求項９】
前記砥粒の平均粒径が、３μｍ以下である請求項８記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１０】
突起電極と突起電極形成面に形成された接着剤層とを有する半導体チップと、
前記突起電極に対向する電極を有する回路基板と
を備える半導体装置。
【請求項１１】
請求項１乃至９の半導体装置の製造方法に用いられる保護テープであって、
接着剤層と、熱可塑性樹脂層と、基材フィルム層とがこの順に積層されてなる保護テープ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、前工程後のウエハを個々の半導体チップに切り分ける半導体装置の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、フリップチップ実装用の半導体製造プロセスの後工程は、次のように行われている。先ず、複数の突起電極が形成されたウエハの突起電極形成面に、バックグラインドテープと呼ばれる粘着シート又はテープを貼り合わせ、この状態で突起電極形成面の反対面を所定の厚さにまで研削する。研削終了後、バックグラインドテープを剥離し、ウエハをダイシングして個々の半導体チップとする。次いで、半導体チップを、他の半導体チップ又は基板上にフリップチップ実装する。また、先供給型又は後供給型のアンダーフィルを硬化して半導体チップを補強する。
【０００３】
しかしながら、近年、半導体チップの厚みが５０μｍｔ以下と薄くなっているため、ダイシング、ピックアップ、実装などの後工程において、外圧により、半導体チップの突起電極が破損することがあった。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００５−２８７３４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
本発明は、このような従来の実情に鑑みて提案されたものであり、突起電極の破損を低減させることができる半導体装置の製造方法を提供する。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
前述した課題を解決するために、本発明に係る半導体装置の製造方法は、突起電極が形成されたウエハ面に接着剤層を有する保護テープを貼付する貼付工程と、前記保護テープ貼付面の反対面をグラインド処理するグラインド処理工程と、前記グラインド処理面に粘着テープを貼付する工程と、前記粘着テープが貼付されたウエハをダイシング処理し、個片の半導体チップを得るダイシング処理工程と、前記接着剤層を硬化させる硬化工程とを有し、前記硬化工程が、前記ダイシング処理工程前に行われることを特徴とする。
【０００７】
また、本発明に係る半導体装置は、突起電極と突起電極形成面に形成された接着剤層とを有する半導体チップと、前記突起電極に対向する電極を有する回路基板とを備えることを特徴とする。
【０００８】
また、本発明は、前述の半導体装置の製造方法に用いられる保護テープであって、接着剤層と、熱可塑性樹脂層と、基材フィルム層とがこの順に積層されてなることを特徴とする。
【発明の効果】
【０００９】
本発明によれば、ダイシング処理工程前に突起電極が形成されたウエハ面の接着剤層が硬化して突起電極が補強されるため、ダイシング、ピックアップ、実装などの後工程において、突起電極の破損を低減させることができる。
【図面の簡単な説明】
【００１０】
【図１】図１は、保護テープの概略を示す断面図である。
【図２】図２は、保護テープ貼付工程の概略を示す断面図である。
【図３】図３は、グラインド工程の概略を示す断面図である。
【図４】図４は、粘着テープ貼付工程の概略を示す断面図である。
【図５】図５は、保護テープ剥離工程の概略を示す断面図である。
【図６】図６は、硬化工程の概略を示す断面図である。
【図７】図７は、ダイシング処理工程の概略を示す断面図である。
【図８】図８は、エキスパンド工程の概略を示す断面図である。
【図９】図９は、ピックアップ工程の概略を示す断面図である。
【図１０】図１０は、実装工程の概略を示す断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１１】
以下、本発明の実施の形態について、下記順序にて詳細に説明する。
１．半導体装置の製造方法
２．実施例
【００１２】
＜１．半導体装置の製造方法＞
本実施の形態に係る半導体装置の製造方法は、突起電極が形成されたウエハ面に接着剤層を有する保護テープを貼付する保護テープ貼付工程と、保護テープ貼付面の反対面をグラインド処理するグラインド処理工程と、グラインド処理面に粘着テープを貼付する粘着テープ貼付工程と、粘着テープが貼付されたウエハをダイシング処理し、個片の半導体チップを得るダイシング処理工程と、接着剤層を硬化させる硬化工程とを有し、硬化工程が、ダイシング処理工程前に行われるものである。すなわち、硬化工程は、グラインド処理工程、粘着テープ貼付工程、又はダイシング処理工程のいずれかの工程前に行われる。
【００１３】
保護テープの接着剤層の接着剤は、例えば、熱アニオン硬化型、熱カチオン硬化型、熱ラジカル硬化型などの熱硬化型、光カチオン硬化型、光ラジカル硬化型などの光硬化型、又はこれらを併用して略同一に用いる熱／光硬化型のものを用いることができる。
【００１４】
また、保護テープは、接着剤層と、熱可塑性樹脂層と、基材フィルム層とがこの順に積層されており、グラインド処理工程後に、熱可塑性樹脂層と、基材フィルム層をと剥離する剥離工程をさらに有することが好ましい。すなわち、剥離工程は、グラインド処理工程、粘着テープ貼付工程、又はダイシング処理工程のいずれかの工程後に行われる。これにより、接着剤層を突起電極が形成されたウエハ面に転着させることができ、突起電極形成面を補強することができる。
【００１５】
また、剥離工程後に、突起電極上の接着剤の残渣を除去する除去工程をさらに有することが好ましい。これにより、実装時の接続不良を防止することができる。また、除去工程は、硬化工程後に行われることが好ましい。これにより、接着剤の残渣を簡便に取り除くことができる。
【００１６】
このような半導体装置の製造方法によれば、ダイシング処理工程前に突起電極が形成されたウエハ面の接着剤層が硬化して突起電極が補強されるため、ダイシング、ピックアップ、実装などの後工程において、突起電極の破損を低減させることができる。
【００１７】
以下、具体的な半導体装置の製造方法について説明する。具体例として示す半導体装置の製造方法は、保護テープの接着剤層が、熱硬化型であり、硬化工程が、粘着テープ貼付工程とダイシング処理工程との間に行われるものである。すなわち、具体例として示す半導体装置の製造方法は、接着剤層を有する保護テープを貼付する保護テープ貼付工程（Ａ）と、グラインド工程（Ｂ）と、粘着テープ貼付工程（Ｃ）と、保護テープ剥離工程（Ｄ）と、接着剤層を硬化させる硬化工程（Ｅ）と、ダイシング処理工程（Ｆ）と、エキスパンド工程（Ｇ）と、ピックアップ工程（Ｈ）と、実装工程（Ｉ）とを有する。
【００１８】
［保護テープ］
図１は、保護テープの概略を示す断面図である。保護テープ１０は、バックグラインドテープ（Back Grind Tape）と呼ばれるものであり、グラインド工程において、傷、割れ、汚染などからウエハを保護するものである。図１に示すように、保護テープ１０は、接着剤層１１と、熱可塑性樹脂層１２と、基材フィルム層１３とがこの順に積層されている。
【００１９】
接着剤層１１としては、熱硬化型のものであれば特に限定されず、例えば、カチオン硬化型の接着剤、ラジカル硬化性樹脂などを用いることができる。カチオン硬化型の接着剤は、熱カチオン重合開始剤と、カチオン重合開始剤とを含有し、また、ラジカル硬化型の接着剤は、ラジカル硬化性樹脂と、熱ラジカル重合開始剤とを含有する。
【００２０】
カチオン硬化性樹脂としては、例えば、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂、ノボラック型エポキシ樹脂、オキセタン樹脂、脂環式エポキシ樹脂それらの変性エポキシ樹脂などが挙げられ、これらは、１種単独で使用してもよいし、２種以上を併用してもよい。
【００２１】
熱カチオン重合開始剤としては、例えば、ベンジルスルホニウム塩、チオフェニウム塩、チオラニウム塩、ベンジルアンモニウム塩、ピリジニウム塩、ヒドラジニウム塩、カルボン酸エステル、スルホン酸エステル、アミンイミドなどが挙げられ、これらは、１種単独で使用してもよいし、２種以上を併用してもよい。
【００２２】
ラジカル硬化性樹脂としては、例えば、エポキシ（メタ）アクリレート類、ウレタン（メタ）アクリレート類、（メタ）アクリレートオリゴマーなどが挙げられ、これらは、１種単独で使用してもよいし、２種以上を併用してもよい。
【００２３】
熱ラジカル重合開始剤としては、過酸化物、アゾ化合物などが挙げられる。過酸化物としては、ジアシルパーオキサイド化合物、パーオキシエステル化合物、ハイドロパーオキサイド化合物、パーオキシジカーボネート化合物、パーオキシケタール化合物、ジアルキルパーオキサイド化合物、及びケトンパーオキサイド化合物などが挙げられ、これらは、１種単独で使用してもよいし、２種以上を併用してもよい。
【００２４】
また、接着剤には、その他の成分として、膜形成樹脂、硬化促進剤、シランカップリング剤、無機フィラー、アクリルゴムなどのエラストマー、カーボンブラックなどの顔料を、目的に応じて適宜配合するようにしてもよい。膜形成樹脂としては、例えば、フェノキシ樹脂、ウレタン樹脂、ポリエステル樹脂、スチレンイソプレン樹脂、ニトリルブタジエン樹脂などが挙げられる。
【００２５】
また、接着剤層１１の最低溶融粘度は、５００Ｐａ・ｓ以上１５０００Ｐａ・ｓ以下であることが好ましい。最低溶融粘度が低すぎると、保護テープ貼付工程（Ａ）において、ボイドが発生することがあり、最低溶融粘度が高すぎると、接着剤層を突起電極が貫通せず、接着剤を突起電極間に充填することが困難となる。
【００２６】
また、接着剤層１１の６０℃での弾性率は、１ＧＰａ以上１０ＧＰａ以下、好ましくは１ＧＰａ以上５ＧＰａ以下である。弾性率が小さすぎても大きすぎても突起電極への接着剤層１１の埋め込み性が悪くなる。
【００２７】
また、接着剤層１１の厚みは、ウエハに形成された突起電極の高さの１０％以上８０％以下、好ましくは、３０％以上６０％以下である。接着剤層１１の厚みが小さすぎると突起電極の補強の効果が得られず、厚みが大きすぎると突起電極が貫通しないことがある。
【００２８】
熱可塑性樹脂層１２としては、エチレン酢酸ビニル共重合体（ＥＶＡ：Ethylene Vinyl Acetate）、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリアミド、ポリアセタール、ポリエチレンテレフタレート、ポリブチレンテレフタレート、フッ素樹脂、ポリフェニレンサルファイド、ポリスチレン、ＡＢＳ樹脂、アクリル系樹脂、ポリカーボネート、ポリウレタン、ポリ塩化ビニル、ポリフェニレンオキサイドなどを挙げられ、これらは、１種単独で使用してもよいし、２種以上を併用してもよい。
【００２９】
基材フィルム層１３としては、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリエステルなどのプラスチックフィルムや、紙、布、不織布等からなる多孔質基材を用いることができる。
【００３０】
なお、保護テープは、前述の構成に限られることなく、各層の表面や隣接する層間に他の層を形成してもよい。
【００３１】
［（Ａ）保護テープ貼付工程］
図２は、保護テープ貼付工程の概略を示す断面図である。保護テープ貼付工程では、突起電極２２が形成されたウエハ２１面に保護テープ１０を貼り付ける。
【００３２】
ウエハ２１は、シリコンなどの半導体表面に形成された集積回路と、バンプと呼ばれる接続用の突起電極２２とを有する。ウエハ２１の厚みは、特に限定されないが、好ましくは２００μｍ以上１０００μｍ以下である。
【００３３】
突起電極２２としては、特に限定はされないが、例えば、はんだによる低融点バンプ又は高融点バンプ、錫バンプ、銀−錫バンプ、銀−錫−銅バンプ、金バンプ、銅バンプなどが挙げられる。また、突起電極２２の高さは、特に制限はされないが、好ましくは１０μｍ以上２００μｍ以下である。
【００３４】
保護テープ１０は、突起電極２２の形成面と接着剤層１１とが接する状態で貼り合わされる。保護テープ１０の接着剤層１１の厚みは、突起電極２２の高さの１０％以上８０％以下であるため、突起電極２２は、接着剤層１１を突き抜け、熱可塑性樹脂層１２に埋め込まれる。
【００３５】
保護テープ貼付工程では、真空加圧式ラミネータを用いて保護テープをウエハ面にラミネートすることが好ましい。これにより、ボイドの発生を抑制しながら、接着剤を突起電極間に充填することができる。また、貼付温度は、ボイドの減少、ウエハ密着性の向上およびウエハ研削後の反り防止の観点から、２５℃以上１００℃以下、好ましくは４０℃以上８０℃以下である。
【００３６】
［（Ｂ）グラインド工程］
図３は、グラインド工程の概略を示す断面図である。グラインド工程では、保護テープ１０貼付面の反対面をグラインド処理する。保護テープ１０を貼り付けたウエハ２１の反対面を研削装置に固定して研磨する。研磨は通常、ウエハ２１の厚みが５０μｍ以上６００μｍ以下になるまで行うが、本実施の形態では、接着剤層１１により突起電極２２が補強されるため、５０μｍ以下の厚さにまで研磨してもよい。
【００３７】
［（Ｃ）粘着テープ貼付工程］
図４は、粘着テープ貼付工程の概略を示す断面図である。粘着テープ貼付工程では、グラインド処理面に粘着テープ３０を貼付する。粘着テープ３０は、ダイシングテープ（Dicing Tape）と呼ばれるものであり、ダイシング工程（Ｆ）において、ウエハ２１を保護、固定し、ピックアップ工程（Ｈ）まで保持するためのテープである。
【００３８】
粘着テープ３０としては、特に限定されず、公知のものを使用することができる。一般に、粘着テープ３０は、粘着剤層３１と、基材フィルム層３２とを有する。粘着剤層３１としては、例えば、ポリエチレン系、アクリル系、ゴム系、ウレタン系などの粘着剤が挙げられる。また、基材フィルム層３２としては、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリエステルなどのプラスチックフィルムや、紙、布、不織布等からなる多孔質基材を用いることができる。また、粘着テープの貼付装置及び条件としては、特に限定されず、公知の装置及び条件が用いられる。
【００３９】
［（Ｄ）保護テープ剥離工程］
図５は、保護テープ剥離工程の概略を示す断面図である。保護テープ剥離工程では、保護テープ１０の熱可塑性樹脂層１２及び基材フィルム層１３を剥離する。すなわち、熱可塑性樹脂層１２及び基材フィルム層１３が除去され、ウエハ２１上には接着剤層１１のみが残る。
【００４０】
［（Ｅ）硬化工程］
図６は、硬化工程の概略を示す断面図である。硬化工程では、接着剤層１１を硬化させる。硬化方法及び硬化条件としては、熱硬化型の接着剤を硬化させる公知の方法を用いることができる。
【００４１】
また、硬化工程後に突起電極２２上の接着剤の残渣を除去する除去工程をさらに有することが好ましい。これにより、実装時の接続不良を防止することができる。また、除去工程では、砥粒を用いて研磨することが好ましい。これにより、接着剤の残渣を完全に除去することができる。また、砥粒の平均粒径は、３μｍ以下であることが好ましい。これにより、突起電極２２の削れを抑制することができる。
【００４２】
［（Ｆ）ダイシング処理工程］
図７は、ダイシング処理工程の概略を示す断面図である。ダイシング処理工程では、粘着テープ３０が貼付されたウエハ２１をダイシング処理し、個片の半導体チップを得る。ダイシング方法としては、特に限定されず、例えばダイシングソーでウエハ２１を切削して切り出すなどの公知の方法を用いることができる。
【００４３】
［（Ｇ）エキスパンド工程］
図８は、エキスパンド工程の概略を示す断面図である。エキスパンド工程では、例えば分割された複数個の半導体チップが貼着されている粘着テープ３０を放射方向に伸長させ、個々の半導体チップの間隔を広げる。
【００４４】
［（Ｈ）ピックアップ工程］
図９は、ピックアップ工程の概略を示す断面図である。ピックアップ工程では、粘着テープ３０上に貼着固定された半導体チップを、粘着テープ３０の下面より突き上げて剥離させ、この剥離された半導体チップをコレットで吸着する。ピックアップされた半導体チップは、チップトレイに収納されるか、またはフリップチップボンダーのチップ搭載ノズルへと搬送される。
【００４５】
［（Ｉ）実装工程］
図１０は、実装工程の概略を示す断面図である。実装工程では、例えば半導体チップと回路基板とをＮＣＦ（Non Conductive Film）などの回路接続材料を用いて接続する。回路基板としては、特に限定されないが、ポリイミド基板、ガラスエポキシ基板などのプラスチック基板、セラミック基板などを用いることができる。また、接続方法としては、加熱ボンダー、リフロー炉などを用いる公知の方法を用いることができる。また、この実装工程では、半導体チップの突起電極形成面に接着剤層１１が形成されているため、ボイドを抑制することができる
【００４６】
以上の方法により、優れた接続信頼性を有する半導体装置を歩留り良く得ることができる。また、得られる半導体装置は、突起電極と突起電極形成面に形成された接着剤層とを有する半導体チップと、突起電極に対向する電極を有する回路基板とを備える。半導体チップの突起電極形成面に接着剤層１１が形成されているため、優れた接続信頼性を得ることができる。
【実施例】
【００４７】
＜２．実施例＞
以下、本発明の実施例について説明する。本実施例では、接着剤層と、熱可塑性樹脂層とを積層させた保護テープを作製した。そして、保護テープをバンプが形成されたウエハ面に貼付する貼付方法について、接着剤のバンプ間への充填状態を観察して評価した。また、バンプ上の接着剤の残渣除去方法について、バンプを観察して評価した。なお、本発明はこれらの実施例に限定されるものではない。
【００４８】
＜２．１  保護テープの貼付方法について＞
バンプが形成されたウエハ面に保護テープを貼付する際の接着剤層の最低溶融粘度の影響について検討した。
【００４９】
［貼付方法１］
ＰＥＴ（Polyethylene Terephthalate）からなるカバーフィルム上に、ＥＶＡ（Ethylene Vinyl Acetate）からなる熱可塑性樹脂層と、弾性率が２．５ＧＰａ、及び最低溶融粘度が５００００Ｐａ・ｓである厚み３０μｍの接着剤層とがこの順番に積層された保護テープを作製した。
【００５０】
保護テープの接着剤層面を、はんだバンプ（φ＝２５０μｍ、Ｈ＝１５０μｍ、ピッチ＝２５０μｍ）が形成されたウエハ（サイズ：５ｃｍ×５ｃｍ×５０μｍｔ）に貼り付け、真空加圧式ラミネータでラミネートした。そして、１６０℃のオーブンで１時間キュアした。接着剤のバンプ間への充填状態を観察したところ、はんだバンプが接着剤層を貫通していなかった。
【００５１】
［貼付方法２］
接着剤層の弾性率を２．５ＧＰａ、最低溶融粘度を１５０００Ｐａ・ｓとした以外は、貼付方法１と同様に保護テープを作製した。そして、貼付方法１と同様にウエハにラミネートしてキュアした。接着剤のバンプ間への充填状態を観察したところ、接着剤が良好な状態でバンプ間に充填されていた。しかし、バンプ上に接着剤の残渣が存在していた。
【００５２】
［貼付方法３］
接着剤層の弾性率を２．５ＧＰａ、最低溶融粘度を２０００Ｐａ・ｓとした以外は、貼付方法１と同様に保護テープを作製した。そして、貼付方法１と同様にウエハにラミネートしてキュアした。接着剤のバンプ間への充填状態を観察したところ、接着剤が良好な状態でバンプ間に充填されていた。しかし、バンプ上に接着剤の残渣が存在していた。
【００５３】
［貼付方法４］
接着剤層の弾性率を２．５ＧＰａ、最低溶融粘度を５００Ｐａ・ｓとした以外は、貼付方法１と同様に保護テープを作製した。そして、貼付方法１と同様にウエハにラミネートしてキュアした。接着剤のバンプ間への充填状態を観察したところ、接着剤が良好な状態でバンプ間に充填されていた。しかし、バンプ上に接着剤の残渣が存在していた。
【００５４】
［貼付方法５］
接着剤層の弾性率を２．５ＧＰａ、最低溶融粘度を１００Ｐａ・ｓとした以外は、貼付方法１と同様に保護テープを作製した。そして、貼付方法１と同様にウエハにラミネートしてキュアした。接着剤のバンプ間への充填状態を観察したところ、バンプ根元付近の接着剤にボイドが発生していた。
【００５５】
［貼付方法６］
接着剤層の弾性率を２．５ＧＰａ、最低溶融粘度を５００Ｐａ・ｓとした以外は、貼付方法１と同様に保護テープを作製した。また、加圧式ラミネータでラミネートした以外は、貼付方法１と同様にキュアした。接着剤のバンプ間への充填状態を観察したところ、バンプ根元付近の接着剤にボイドが発生していた。
【００５６】
表１に、貼付方法１〜６の評価結果を一覧にして示す。
【００５７】
【表１】
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【００５８】
貼付方法１のように接着剤層の最低溶融粘度が高すぎた場合、バンプが接着剤層を貫通せず、貼付方法５のように接着剤層の最低溶融粘度が低すぎた場合、バンプ根元付近にボイドが発生した。また、貼付方法６のように加圧式ラミネータで保護テープをラミネートした場合も、バンプ根元付近にボイドが発生した。
【００５９】
一方、貼付方法２〜４のように接着剤層の最低溶融粘度が５００Ｐａ・ｓ以上５００００Ｐａ・ｓ以下であり、真空加圧式ラミネータで保護テープをラミネートした場合、接着剤を良好な状態でバンプ間に充填させることができた。
【００６０】
＜２．１  残渣の除去方法について＞
貼付方法３で保護テープを貼り付けたウエハのバンプ上の接着剤の残渣の除去方法について検討した。
【００６１】
［除去方法１］
プラズマドライ洗浄装置（ｓａｍｃｏ社製、ガス：Ａｒ／Ｈ）を使用し、ダイレクトプラズマモードで、１５分間、ウエハのバンプ形成面を洗浄した。バンプを観察したところ、接着剤の残渣が除去されていなかった。
【００６２】
［除去方法２］
プラズマドライ洗浄装置（ｓａｍｃｏ社製、ガス：Ａｒ／Ｈ）を使用し、ダイレクトプラズマモードで、３０分間、ウエハのバンプ形成面を洗浄した。バンプを観察したところ、接着剤の残渣が除去されていなかった。
【００６３】
［除去方法３］
プラズマドライ洗浄装置（ｓａｍｃｏ社製、ガス：Ａｒ／Ｈ）を使用し、反応性イオンエッチングモードで、１５分間、ウエハのバンプ形成面を洗浄した。バンプを観察したところ、接着剤の残渣が除去されていなかった。
【００６４】
［除去方法４］
プラズマドライ洗浄装置（ｓａｍｃｏ社製、ガス：Ａｒ／Ｈ）を使用し、反応性イオンエッチングモードで、３０分間、ウエハのバンプ形成面を洗浄した。バンプを観察したところ、接着剤の残渣が除去されていなかった。
【００６５】
［除去方法５］
研磨機（ストルアル社製）を使用し、平均粒径（Ｄ５０）が９μｍの砥粒で５分間、ウエハのバンプ形成面を研磨した。バンプを観察したところ、接着剤の残渣は除去されていたが、バンプ削れが見られた。
【００６６】
［除去方法６］
研磨機（ストルアル社製）を使用し、平均粒径（Ｄ５０）が３μｍの砥粒で５分間、ウエハのバンプ形成面を研磨した。バンプを観察したところ、接着剤の残渣はほぼ除去されていたが、一部が除去されていなかった。また、バンプ削れは見られなかった。
【００６７】
［除去方法７］
研磨機（ストルアル社製）を使用し、平均粒径（Ｄ５０）が１μｍの砥粒で５分間、ウエハのバンプ形成面を研磨した。バンプを観察したところ、接着剤の残渣は除去されており、バンプ削れも見られなかった。
【００６８】
［除去方法８］
保護テープを貼付せずに、バンプが形成されたウエハ面を研磨紙で５分間研磨した。バンプを観察したところ、接着剤の残渣は除去されていたが、バンプの根元付近にクラックの発生が見られた。
【００６９】
表２に、除去方法１〜８の評価結果を一覧にして示す。
【００７０】
【表２】
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【００７１】
除去方法１〜５のようにプラズマドライ洗浄装置を用いた場合、バンプ上の接着剤の残渣を除去することができなかった。また、除去方法８のように保護テープを貼り付けずに研磨紙で研磨した場合、バンプの根元付近にクラックが発生した。
【００７２】
一方、除去方法５〜７のように砥粒を用いて研磨した場合、バンプ上の接着剤の残渣を除去することができた。また、平均粒径が３μｍ以下である砥粒を用いることにより、バンプ削れを抑制することができた。
【符号の説明】
【００７３】
１０  保護テープ、１１  接着剤層、１２  熱可塑性樹脂層、１３  基材フィルム層、２１  ウエハ、２２  突起電極、３０  粘着テープ、３１  粘着剤層、３２  基材フィルム層
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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