(57)【要約】【課題】貫通孔にクラックが生じ難い貫通孔形成装置。【解決手段】絶縁基板の第１の表面に向かってレーザ光を照射するレーザ光源と、前記絶縁基板の第１の表面側に配置される針状の第１の電極および前記絶縁基板の第２の表面側に配置される第２の電極と、第１および第２の電極間で放電を発生させる直流高圧電源と、遮蔽板とを有し、前記絶縁基板に既に形成されている貫通孔を既貫通孔と称し、該既貫通孔が形成されている位置を既貫通孔形成位置と称し、前記絶縁基板に次に形成される貫通孔を対象貫通孔と称し、該対象貫通孔が形成される位置を対象貫通孔形成位置と称したとき、前記遮蔽板は、第１の電極の先端と前記対象貫通孔形成位置の間の距離をｄｔとしたとき、第１の電極の先端と前記既貫通孔形成位置の間の距離ｄａが関係式ｄａ≦ｄｔを満たす前記既貫通孔と第１の電極の先端の間に介在するように配置される。【選択図】図３
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１および第２の表面を有する絶縁基板の前記第１の表面に向かってレーザ光を照射するレーザ光源と、
前記絶縁基板の前記第１の表面側に配置される針状の第１の電極および前記絶縁基板の前記第２の表面側に配置される第２の電極と、
前記第１および第２の電極間で放電を発生させる直流高圧電源と、
遮蔽板と、
を有し、
前記絶縁基板に既に形成されている貫通孔を既貫通孔と称し、該既貫通孔が形成されている位置を既貫通孔形成位置と称し、前記絶縁基板に次に形成される貫通孔を対象貫通孔と称し、該対象貫通孔が形成される位置を対象貫通孔形成位置と称したとき、
前記遮蔽板は、前記第１の電極の先端と前記対象貫通孔形成位置の間の距離をｄｔとしたとき、前記第１の電極の先端と前記既貫通孔形成位置の間の距離ｄａが関係式ｄａ≦ｄｔを満たす前記既貫通孔と前記第１の電極の先端の間に介在するように配置されることを特徴とする貫通孔形成装置。
【請求項２】
前記遮蔽板は、前記第１の電極に対して、位置が固定されている、請求項１に記載の貫通孔形成装置。
【請求項３】
前記遮蔽板は、単一の開口孔を有し、該開口孔を介して前記放電が発生する、請求項１または２に記載の貫通孔形成装置。
【請求項４】
前記遮蔽板は、１００μｍ〜２ｍｍの範囲の厚さを有する、請求項１乃至３のいずれか一つに記載の貫通孔形成装置。
【請求項５】
前記遮蔽板は、樹脂、セラミックまたはガラスで構成される、請求項１乃至４のいずれか一つに記載の貫通孔形成装置。
【請求項６】
前記絶縁基板は、ガラス基板である、請求項１乃至５のいずれか一つに記載の貫通孔形成装置。
【請求項７】
前記第２の電極は、略板状である、請求項１乃至６のいずれか一つに記載の貫通孔形成装置。
【請求項８】
前記対象貫通孔形成位置と前記既貫通孔形成位置の中心間距離の最小値は、５０μｍ〜５００μｍの範囲である、請求項１乃至７のいずれか一つに記載の貫通孔形成装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、レーザ光を用いて絶縁基板に貫通孔を形成する装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来より、レーザ光源からのレーザ光を絶縁基板に照射することにより、絶縁基板に貫通孔を形成する技術が知られている。
【０００３】
また、最近では、レーザ溶融式放電除去技術を利用して、絶縁基板に貫通孔を開ける技術が開示されている（例えば特許文献１）。この方法では、レーザ光照射と電極間放電現象とを組み合わせることにより、絶縁基板に貫通孔を形成できる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】国際公開第ＷＯ２０１１／０３８７８８号
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
前述のように、レーザ溶融式放電除去技術では、レーザ光照射で絶縁基板を溶融した後、電極間放電現象によって溶融した絶縁材料を除去し、絶縁基板に貫通孔を形成できる。
【０００６】
ここで、従来のレーザ溶融式放電除去方法では、しばしば、レーザ光照射後の放電の際に、適正な場所で放電が生じないという問題が生じ得る。例えば、貫通孔形成目標位置にレーザ光を照射して、電極間放電により、この貫通孔形成目標位置で放電を生じさせようとした際に、貫通孔形成目標位置では放電が生じず、既に形成された貫通孔（既貫通孔）を介して、放電が生じる場合がある。このような現象が生じた場合、既貫通孔に余分なエネルギーが投入されてしまい、既貫通孔にクラックが生じる危険性が高まるという問題がある。
【０００７】
本発明は、このような背景に鑑みなされたものであり、本発明では、所望の貫通孔形成目標位置で放電を発生させることが可能な貫通孔形成装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明では、
第１および第２の表面を有する絶縁基板の前記第１の表面に向かってレーザ光を照射するレーザ光源と、
前記絶縁基板の前記第１の表面側に配置される針状の第１の電極および前記絶縁基板の前記第２の表面側に配置される第２の電極と、
前記第１および第２の電極間で放電を発生させる直流高圧電源と、
遮蔽板と、
を有し、
前記絶縁基板に既に形成されている貫通孔を既貫通孔と称し、該既貫通孔が形成されている位置を既貫通孔形成位置と称し、前記絶縁基板に次に形成される貫通孔を対象貫通孔と称し、該対象貫通孔が形成される位置を対象貫通孔形成位置と称したとき、
前記遮蔽板は、前記第１の電極の先端と前記対象貫通孔形成位置の間の距離をｄｔとしたとき、前記第１の電極の先端と前記既貫通孔形成位置の間の距離ｄａが関係式ｄａ≦ｄｔを満たす前記既貫通孔と前記第１の電極の先端の間に介在するように配置されることを特徴とする貫通孔形成装置が提供される。
【０００９】
ここで、本発明による貫通孔形成装置において、前記遮蔽板は、前記第１の電極に対して、位置が固定されていてもよい。
【００１０】
また、本発明による貫通孔形成装置において、前記遮蔽板は、単一の開口孔を有し、該開口孔を介して前記放電が発生してもよい。
【００１１】
また、本発明による貫通孔形成装置において、前記遮蔽板は、１００μｍ〜２ｍｍの範囲の厚さを有してもよい。
【００１２】
また、本発明による貫通孔形成装置において、前記遮蔽板は、樹脂、セラミックまたはガラスで構成されてもよい。
【００１３】
また、本発明による貫通孔形成装置において、前記絶縁基板は、ガラス基板であってもよい。
【００１４】
また、本発明による貫通孔形成装置において、前記第２の電極は、略板状であってもよい。
【００１５】
また、本発明による貫通孔形成装置において、前記対象貫通孔形成位置と前記既貫通孔形成位置の中心間距離の最小値は、５０μｍ〜５００μｍの範囲であってもよい。
【発明の効果】
【００１６】
本発明では、所望の貫通孔形成目標位置で放電を発生させることが可能な貫通孔形成装置を提供できる。
【図面の簡単な説明】
【００１７】
【図１】レーザ溶融式放電除去装置の構成の一例を概略的に示した図である。
【図２】レーザ溶融式放電除去装置を用いて放電を行う際の絶縁基板の近傍の様子を模式的に示した断面図である。
【図３】本発明による貫通孔加工装置を用いて放電を行う際の絶縁基板の近傍の様子を模式的に示した断面図である。
【図４】本発明の一実施例による貫通孔加工装置の構成を概略的に示した図である。
【図５】本発明の一実施例による貫通孔加工装置を用いて、第１の貫通孔を形成する際の様子を模式的に示した図である。
【図６】本発明の一実施例による貫通孔加工装置を用いて、第２の貫通孔を形成する際の様子を模式的に示した図である。
【図７】本発明の一実施例による別の貫通孔加工装置の構成を概略的に示した図である。
【発明を実施するための形態】
【００１８】
以下、図面を参照して、本発明について説明する。
【００１９】
（レーザ溶融式放電除去技術について）
本発明についてより良く理解するため、まず、図１を参照して、レーザ溶融式放電除去技術について、簡単に説明する。
【００２０】
図１には、レーザ溶融式放電除去技術に利用される、一般的なレーザ溶融式放電除去装置の構成の一例を概略的に示す。
【００２１】
ここで、本願において、「レーザ溶融式放電除去技術」とは、レーザ光照射で絶縁基板を溶融した後、電極間放電現象によって溶融した絶縁材料を除去し、絶縁基板に貫通孔を形成する技術を意味する。
【００２２】
図１に示すように、このレーザ溶融式放電除去装置１００は、レーザ光源１１０と、直流高圧電源１２５と、第１の電極１４０および第２の電極１４５とを有する。
【００２３】
レーザ光源１１０は、被加工対象となる絶縁基板１９０に向かってレーザ光１１３を照射する役割を有する。
【００２４】
第１の電極１４０および第２の電極１４５は、それぞれ、導体１５０および１５５と電気的に接続されており、これらの導体１５０および１５５は、直流高圧電源１２５と接続されている。
【００２５】
第１の電極１４０は、針状の形状を有し、絶縁基板１９０から離して配置されている。第２の電極１４５は、略平板状の形状を有し、絶縁基板１９０の直下に、絶縁基板１９０と接するように配置されている。第２の電極１４５は、絶縁基板１９０を置載するステージとしての機能を兼ねることができる。
【００２６】
このようなレーザ溶融式放電除去装置１００を用いて、絶縁基板１９０に複数の貫通孔を形成する際には、まず、絶縁基板１９０が両電極１４０、１４５の間に配置される。さらに、ステージ（第２の電極１４５であってもよい）を水平方向に移動させることにより、絶縁基板１９０が所定の位置に配置される。
【００２７】
次に、レーザ光源１１０から絶縁基板１９０に向かって、レーザ光１１３が照射される。レーザ光１１３は、絶縁基板１９０の照射領域１８３に照射される。
【００２８】
これにより、絶縁基板１９０の照射領域１８３の温度が局部的に上昇し、その直下に溶融部が形成される。
【００２９】
次に、直流高圧電源１２５を用いて、両電極１４０、１４５間に直流高電圧が印加される。これにより、電極１４０、１４５間において、放電が生じる。放電は、照射領域１８３、すなわち溶融部を介して生じる傾向にある。放電の発生により、溶融部が貫通孔１８５となる。
【００３０】
次に、ステージを水平方向に移動させ、絶縁基板１９０を所定の場所に配置する。その後、同様の工程により、第２の貫通孔が形成される。
【００３１】
このような工程を繰り返すことにより、絶縁基板１９０に複数の貫通孔を形成できる。
【００３２】
ここで、このようなレーザ溶融式放電除去方法では、しばしば、レーザ光照射後の放電の際に、適正な場所で放電が生じない（以下、「誤放電」とも称する）という問題が生じ得る。
【００３３】
図２を用いて、このような誤放電について詳しく説明する。図２には、レーザ溶融式放電除去方法において、放電処理の際の絶縁基板の断面の様子を模式的に示す。
【００３４】
図２に示すように、絶縁基板２９０は、第１の表面２９２および第２の表面２９４を有する。絶縁基板２９０の第１の表面２９２は、レーザ光（図示されていない）が照射される側（すなわち第１の電極２４０に近い側）の表面であり、絶縁基板２９０の第２の表面２９４は、第２の電極２４５に近い側の表面である。なお、第１の電極２４０は、針状電極であり、第２の電極２４５は、板状電極である。
【００３５】
絶縁基板２９０には、第１の貫通孔形成位置２８３ａに、既に第１の貫通孔２８５ａが形成されている。
【００３６】
ここで、絶縁基板２９０の第２の貫通孔形成位置２８３ｔに第２の貫通孔２８５ｔを形成する場合を考える。
【００３７】
この場合、最初に、絶縁基板２９０の第２の貫通孔形成位置２８３ｔにレーザ光が照射される。次に、第２の貫通孔形成位置２８３ｔで放電を発生させるため、第１の電極２４０と第２の電極２４５の間に直流高電圧が印加される。
【００３８】
しかしながら、この際に、第２の貫通孔形成位置２８３ｔではなく、第１の貫通孔形成位置２８３ａを介して、放電（誤放電）が生じる場合がある。
【００３９】
特に、誤放電は、第１の電極２４０の先端から絶縁基板２９０の第２の貫通孔形成位置２８３ｔまでの距離ｄｔよりも、第１の電極２４０の先端から絶縁基板２９０の第１の貫通孔形成位置２８３ａまでの距離ｄａの方が近くなっている場合に生じ易い。このような状況では、放電電流は、第１の電極２４０から第２の電極２４５に至る際に、絶縁基板２９０の第１の貫通孔形成位置２８３ａを介した方が流れやすいからである。
【００４０】
なお、このような誤放電が生じた場合、第１の貫通孔２８５ａは、少なくとも２回の放電を受けることになる。このため、第１の貫通孔２８５ａにクラックが生じる可能性が高まるという問題がある。
【００４１】
これに対して、本発明では、第１および第２の表面を有する絶縁基板の前記第１の表面に向かってレーザ光を照射するレーザ光源と、
前記絶縁基板の前記第１の表面側に配置される針状の第１の電極および前記絶縁基板の前記第２の表面側に配置される第２の電極と、
前記第１および第２の電極間で放電を発生させる直流高圧電源と、
遮蔽板と、
を有し、
前記絶縁基板に既に形成されている貫通孔を既貫通孔と称し、該既貫通孔が形成されている位置を既貫通孔形成位置と称し、前記絶縁基板に次に形成される貫通孔を対象貫通孔と称し、該対象貫通孔が形成される位置を対象貫通孔形成位置と称したとき、
前記遮蔽板は、前記第１の電極の先端と前記対象貫通孔形成位置の間の距離をｄｔとしたとき、前記第１の電極の先端と前記既貫通孔形成位置の間の距離ｄａが関係式ｄａ≦ｄｔを満たす前記既貫通孔と前記第１の電極の先端の間に介在するように配置されることを特徴とする貫通孔形成装置が提供される。
【００４２】
このような貫通孔形成装置を使用した場合、遮蔽板の存在により、前述のような誤放電を有意に抑制することが可能になる。
【００４３】
図３を用いて、この遮蔽板の効果について、より詳しく説明する。
【００４４】
図３には、本発明の一実施例による貫通孔形成装置を用いて、放電処理を実施する際の絶縁基板の断面を模式的に示す。
【００４５】
なお、以降の記載では、絶縁基板に既に形成されている貫通孔を「既貫通孔」と称し、「既貫通孔」が形成されている位置を「既貫通孔形成位置」と称することにする。また、絶縁基板に次に形成される貫通孔を「対象貫通孔」と称し、該「対象貫通孔」が形成される位置を「対象貫通孔形成位置」と称する。また、第１の電極の先端と既貫通孔形成位置の間の距離をｄａと規定し、第１の電極の先端と対象貫通孔形成位置の間の距離をｄｔと規定する。
【００４６】
図３に示すように、絶縁基板３９０は、第１の表面３９２および第２の表面３９４を有する。絶縁基板３９０の第１の表面３９２は、レーザ光（図示されていない）が照射される側（すなわち第１の電極３４０に近い側）の表面であり、絶縁基板３９０の第２の表面３９４は、第２の電極３４５に近い側の表面である。なお、第１の電極３４０は、針状電極であり、第２の電極３４５は、板状電極である。
【００４７】
絶縁基板３９０には、既貫通孔形成位置３８３ａに、既貫通孔３８５ａが形成されている。なお、図３の例では、既貫通孔形成位置３８３ａおよび既貫通孔３８５ａは、一つしか示されていないが、既貫通孔形成位置３８３ａおよび既貫通孔３８５ａは、複数存在してもよい。
【００４８】
ここで、この図３では、紙面に垂直な方向（すなわち絶縁基板２９０の側面方向、またはＹ方向）から見た場合、第１の電極３４０の先端の高さレベルと絶縁基板３９０の高さレベルの間には、遮蔽板３６０が配置されている。遮蔽板３６０は、関係式ｄａ≦ｄｔを満たす位置に存在する全ての既貫通孔３８５ａと、第１の電極３４０の先端との間に介在するように配置される。
【００４９】
例えば、図３の例では、既貫通孔形成位置３８３ａと対象貫通孔形成位置３８３ｔの間に、関係式ｄａ≦ｄｔが成立するため、第１の電極３４０の先端と既貫通孔形成位置３８３ａとの間には、遮蔽板３６０が配置される。すなわち、関係式ｄａ≦ｄｔを満たす既貫通孔形成位置３８３ａの上部の空間は、遮蔽板３６０によって電気的に遮蔽される。
【００５０】
このような構成では、対象貫通孔形成位置３８３ｔに対象貫通孔３８５ｔを形成するため、第１の電極３４０と第２の電極３４５の間で放電を発生させた際に、目標とする対象貫通孔形成位置３８３ｔで放電を発生させることが可能となる。放電の際に、前記関係式ｄａ≦ｄｔを満たす既貫通孔形成位置３８３ａと第１の電極３４０の先端とを結ぶ線上には、遮蔽板３６０が存在するからである。
【００５１】
従って、このような貫通孔形成装置の構成では、対象貫通孔形成位置３８３ｔの代わりに、既貫通孔形成位置３８３ａにおいて放電（誤放電）が生じてしまうという従来のような問題を有意に回避または抑制することが可能になる。また、これにより、貫通孔にクラックが生じる可能性を有意に抑制することが可能となる。
【００５２】
（本発明の一実施例による貫通孔形成装置について）
次に、図４〜図６を参照して、本発明の一実施例による貫通孔形成装置について説明する。
【００５３】
図４には、本発明の一実施例による貫通孔形成装置（以下、「第１の貫通孔形成装置」という）の構成を概略的に示す。
【００５４】
なお、図４に示した第１の貫通孔形成装置４００は、「放電補助式レーザ孔加工方法」を用いて、絶縁基板に複数の貫通孔を形成できる装置である。
【００５５】
ここで、「放電補助式レーザ孔加工方法（技術）」とは、以下に示すような、絶縁基板に対するレーザ光照射によって絶縁基板の照射領域に貫通孔を形成し、その後電極間放電現象により、前記貫通孔の形状を調整する技術の総称を意味する。なお、孔形状の調整とは、レーザ光照射によって絶縁基板に複数の貫通孔を形成した際に生じるネッキングを低減することを意味する。ここで「ネッキング」とは、レーザ加工後に貫通孔内に形成され得る狭窄部を意味する。
【００５６】
図４に示すように、第１の貫通孔形成装置４００は、レーザ光源４１０と、直流高電圧電源４２５と、第１の電極４４０および第２の電極４４５とを有する。
【００５７】
レーザ光源４１０は、被加工対象となる絶縁基板４９０に向かってレーザ光４１３を照射する。
【００５８】
第１の電極４４０および第２の電極４４５は、それぞれ、導体４５０および４５５と電気的に接続されており、これらの導体４５０および４５５は、直流高電圧電源４２５と接続されている。
【００５９】
なお、図４の例では、第１の電極４４０と第２の電極４４５は、形状および配置形態が異なっている。すなわち、第１の電極４４０は、針状の形状を有し、絶縁基板４９０から離して配置されている。これに対して、第２の電極４４５は、略平板状の形状を有し、絶縁基板４９０の直下に、絶縁基板４９０と接するように配置されている。第２の電極４４５は、絶縁基板４９０を置載するステージとしての機能を兼ねることができる。
【００６０】
ただし、これは、単なる一例であって、例えば、第２の電極４４５は、絶縁基板４９０の底面側に、絶縁基板４９０から離して配置してもよい。また、第２の電極４４５は、第１の電極４４０と同様の針状の形状を有してもよい。この場合、第１の電極４４０と、絶縁基板４９０を挟んで対向する位置にある第２の電極との間で、一組の電極対が構成される。
【００６１】
さらに、第１の貫通孔形成装置４００は、遮蔽板４６０を有する。遮蔽板４６０は、絶縁基板４９０の側面方向から見た場合、第１の電極４４０の先端と絶縁基板４９０の間の高さレベルとなるように配置される。
【００６２】
なお、図４には、示されていないが、装置４００は、さらに、高周波高圧電源を有してもよい。高周波高圧電源の設置の目的は、第１および第２の電極４４０、４４５の間で直流放電が開始されるまでの間に、絶縁基板４９０の貫通孔の部分およびその近傍の温度が低下することを抑制することである。すなわち、高周波高圧電源を用いて、絶縁基板４９０に対して高周波高電圧を印加することにより、レーザ光４１３の照射によって加熱された絶縁基板４９０の貫通孔部分の高温状態を、放電開始まで確実に維持できる。ただし、高周波高圧電源の設置は、任意である。
【００６３】
図５〜図６には、図４に示した第１の貫通孔形成装置４００を用いて、絶縁基板に複数の貫通孔を形成する際の様子を示す。なお、明確化のため、図５および図６において、図４に示した部材と同じ部材には、図４に示した参照符号が付されている。
【００６４】
図５には、第１の貫通孔形成装置４００を用いて、絶縁基板４９０に最初の貫通孔（第１の貫通孔）を形成する際の様子（第１の段階）を示す。
【００６５】
この場合、まず、絶縁基板４９０が両電極４４０、４４５の間に配置される。絶縁基板４９０は、ガラス基板であってもよい。さらに、第２の電極４４５（または別個のステージ）を水平方向に移動させることにより、絶縁基板４９０が所定の位置に配置される。
【００６６】
次に、レーザ光源４１０から絶縁基板４９０に向かって、レーザ光４１３が照射される。これにより、絶縁基板４９０におけるレーザ光４１３の第１の照射領域の温度が局部的に上昇して絶縁材料が昇華し、ここに第１の貫通孔４８５−１が形成される。第１の貫通孔４８５−１が形成された場所を、「第１の貫通孔形成位置４８３−１」と言う。
【００６７】
レーザ光４１３の照射後、直流高電圧電源４２５を用いて、第１の電極４４０と第２の電極４４５の間に直流高電圧が印加される。これにより、電極４４０、４４５間において、放電が生じる。放電は、第１の貫通孔４８５−１を介して生じる傾向にある。これは、この位置では、抵抗が他の部分よりも低くなっているためである。
【００６８】
なお、第１の工程では、放電発生の際の遮蔽板４６０の位置は、特に限られない。第１の工程では、まだ既貫通孔は存在しておらず、誤放電は生じないからである。従って、遮蔽板４６０は、第１の貫通孔形成位置４８３−１での放電を妨害しない限り、いかなる位置に配置されてもよい。
【００６９】
放電の発生により、第１の貫通孔４８５−１の形状が整えられる。
【００７０】
以上の工程により、絶縁基板４９０の第１の貫通孔形成位置４８３−１に、第１の貫通孔４８５−１が形成される。
【００７１】
次に、同様の操作により、第２の貫通孔が形成される。
【００７２】
図６には、第１の貫通孔形成装置４００を用いて、絶縁基板４９０に第２の貫通孔を形成する際の様子（第２の段階）を示す。
【００７３】
この場合、第２の電極４４５（または別個のステージ）を水平方向に移動させ、絶縁基板４９０を所定の場所に配置する。
【００７４】
次に、レーザ光源４１０から絶縁基板４９０の第２の照射領域に向かって、レーザ光４１３が照射される。これにより、絶縁基板４９０の第２の照射領域の温度が局部的に上昇して絶縁材料が昇華し、ここに第２の貫通孔４８５−２が形成される。第２の貫通孔４８５−２が形成された場所を「第２の貫通孔形成位置４８３−２」と言う。
【００７５】
レーザ光１１３の照射後、直流高電圧電源４２５を用いて、第１の電極４４０と第２の電極４４５の間に直流高電圧が印加される。
【００７６】
ここで、放電の前の第１の電極４４０の先端と第１の貫通孔形成位置４８３−１の間の距離をｄ１とし、第１の電極４４０の先端と第２の貫通孔形成位置４８３−２の間の距離をｄ２とする。両者の距離が、ｄ１＞ｄ２の関係を満たす場合、遮蔽板４６０の位置は特に限られない。
【００７７】
しかしながら、図６に示すように、両者の距離が、ｄ１≦ｄ２の関係を満たす場合、遮蔽板４６０は、第１の電極４４０の先端と第１の貫通孔形成位置４８３−１の間に介在するように配置される。例えば、遮蔽板４６０は、第１の電極４４０の先端と第１の貫通孔形成位置４８３−１を結ぶ直線を分断するように配置される。
【００７８】
このように遮蔽板４６０を配置した状態で、電極４４０、４４５間において、放電が生じると、該放電は、ねらい通り、第２の貫通孔４８５−２を介して生じるようになる。従って、誤放電が回避される。
【００７９】
放電の発生により、第２の貫通孔４８５−２の形状が整えられる。
【００８０】
その後は、同様の操作により、第３の貫通孔形成位置４８３−３に第３の貫通孔４８５−３が形成され（第３の段階）、第４の貫通孔形成位置４８３−４に第４の貫通孔４８５−４が形成され（第４の段階）、以下同様である。
【００８１】
なお、第１の段階を除く各段階において、既貫通孔形成位置と対象貫通孔形成位置の中心間の最小距離は、特に限られないが、例えば、５０μｍ〜５００μｍの範囲である。
【００８２】
ここで、各段階での放電の際には、遮蔽板４６０は、前段階までに形成された既貫通孔と第１の電極４４０の先端の間の距離ｄａと、対象貫通孔形成位置と第１の電極４４０の先端の間の距離ｄｔの間に、関係式ｄａ≦ｄｔが成り立つような全ての既貫通孔を対象として、第１の電極４４０の先端とそのような既貫通孔の間に介在するように配置される。
【００８３】
このような方法では、各段階において、対象貫通孔に確実に放電を発生させることができるようになり、誤放電を有意に抑制することが可能になる。また、これにより、各貫通孔形成位置に、クラックの少ない適正な貫通孔が形成された絶縁基板を得ることができる。
【００８４】
（遮蔽板について）
次に、本発明の一実施例による貫通孔加工装置に使用され得る遮蔽板の構成について説明する。なお、明確化のため、以下の説明では、各部材を説明する際に、図４に示した参照符号を使用することにする。
【００８５】
遮蔽板４６０は、絶縁体である限り、いかなる材料で構成されてもよい。遮蔽板４６０は、例えば、樹脂、セラミックまたはガラスであってもよい。
【００８６】
また、遮蔽板４６０の厚さは特に限られない。ただし、遮蔽板４６０は、第１の電極４４０の先端と被加工対象である絶縁基板４９０の間に介在可能な厚さであることが好ましい。遮蔽板４６０は、例えば、１００μｍ〜２ｍｍの範囲の厚さを有してもよい。
【００８７】
また、遮蔽板４６０は、第１の電極４４０に対して、位置が固定されてもよい。この場合、絶縁基板４９０に対して第１の電極４４０を動かした際に、遮蔽板４６０も第１の電極に追随して移動するため、第１の電極４４０、絶縁基板４９０、および遮蔽板４６０の３者の間の位置合わせが容易となる。
【００８８】
（本発明の一実施例による別の貫通孔形成装置について）
次に、図７を参照して、本発明の一実施例による別の貫通孔形成装置（「第２の貫通孔形成装置」という）について説明する。
【００８９】
図７には、第２の貫通孔形成装置を示す。
【００９０】
図７に示すように、第２の貫通孔加工装置７００は、レーザ光源７１０、直流高電圧電源７２５、第１の電極７４０、第２の電極７４５、および遮蔽板７６０を有する。これらの部材の役割は、前述の第１の貫通孔形成装置４００と同様である。
【００９１】
しかしながら、この貫通孔加工装置７００は、遮蔽板７６０が単一の開口孔７６５を有する点で、前述の第１の貫通孔形成装置４００と異なっている。
【００９２】
ここで、遮蔽板７６０の開口孔７６５の形状および寸法は、特に限られない。開口孔７６５の形状は、例えば、円形、楕円形、矩形、または正方形であってもよい。また、開口孔７６５の最大寸法は、貫通孔同士の間隔によっても変化するが、例えば、１００μｍ〜１０００μｍの範囲であってもよい。
【００９３】
このような貫通孔加工装置７００を使用した場合、放電は、遮蔽板７６０の開口孔７６５を介してしか発生し得なくなる。従って、例えば、絶縁基板７９０の対象貫通孔形成位置７８３ｔに対象貫通孔７８５ｔを形成する場合、遮蔽板７６０は、放電の際に、第１の電極７４０の先端と対象貫通孔形成位置７８３ｔを結ぶ直線上に、遮蔽板７６０の開口孔７６５が配置されるように配置すればよい。
【００９４】
これにより、前記関係式ｄａ≦ｄｔを満たす既貫通孔形成位置７８３ａにある既貫通孔７８５ａは、遮蔽板７６０によって、必然的に第１の電極７４０から遮蔽されるようになる。
【００９５】
従って、第２の貫通孔加工装置７００では、誤放電の発生をよりいっそう低減できる。
【００９６】
また、このような遮蔽板７６０を使用した場合、前述のように、遮蔽板７６０は、開口孔７６５が第１の電極７４０の先端と対象貫通孔形成位置７８３ｔを結ぶ直線上に配置されるように配置すればよい。このため、第２の貫通孔加工装置７００では、比較的簡単に、絶縁基板７９０および第１の電極７４０に対する遮蔽板７６０の適正位置を定めることが可能になる。
【００９７】
以上、図４および図７に示した貫通孔形成装置４００、７００を例に、本発明の一実施例による貫通孔形成装置について説明した。しかしながら、これらの記載は、単なる一例に過ぎず、本発明は、これらの構成に限定されるものではないことに留意する必要がある。
【産業上の利用可能性】
【００９８】
本発明は、ガラス基板などの絶縁基板に貫通孔を形成する技術等に利用できる。
【符号の説明】
【００９９】
１００      レーザ溶融式放電除去装置
１１０      レーザ光源
１１３      レーザ光
１２５      直流高電圧電源
１４０      第１の電極
１４５      第２の電極
１５０、１５５  導体
１８３      照射領域
１８５      貫通孔
１９０      絶縁基板
２４０      第１の電極
２４５      第２の電極
２８３ａ    第１の貫通孔形成位置
２８３ｔ    第２の貫通孔形成位置
２８５ａ    第１の貫通孔
２８５ｔ    第２の貫通孔
２９０      絶縁基板
２９２      第１の表面
２９４      第２の表面
３４０      第１の電極
３４５      第２の電極
３６０      遮蔽板
３８３ａ    既貫通孔形成位置
３８３ｔ    対象貫通孔形成位置
３８５ａ    既貫通孔
３８５ｔ    対象貫通孔
３９０      絶縁基板
３９２      第１の表面
３９４      第２の表面
４００      第１の貫通孔形成装置
４１０      レーザ光源
４１３      レーザ光
４２５      直流高電圧電源
４４０      第１の電極
４４５      第２の電極
４５０、４５５  導体
４６０      遮蔽板
４８３−１、４８３−２  貫通孔形成位置
４８５−１、４８５−２  貫通孔
４９０      絶縁基板
７００      第２の貫通孔形成装置
７１０      レーザ光源
７２５      直流高電圧電源
７４０      第１の電極
７４５      第２の電極
７５０、７５５  導体
７６０      遮蔽板
７６５      開口孔
７８３ａ    既貫通孔形成位置
７８３ｔ    対象貫通孔形成位置
７８５ａ    既貫通孔
７８５ｔ    対象貫通孔
７９０      絶縁基板
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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