(57)【要約】【課題】プリント配線板の表面の平坦性向上および反りの抑制。【解決手段】実施形態のプリント配線板１０は、絶縁層と導体層とが交互に積層されてなり、第１面Ｆ１に第１導体層２１を有すると共に、第２面Ｆ２に第２導体層を有するコア積層体２０と、コア積層体２０の第１面Ｆ１上に設けられる第１層間樹脂絶縁層４５および第３導体層４１と、コア積層体２０の第２面Ｆ２上に設けられる第２層間樹脂絶縁層５５および第４導体層５１とを有している。そして、第１導体層２１は、コア積層体２０の第１面Ｆ１の絶縁層３０内に埋め込まれ、かつ絶縁層３０から一面が露出しており、第２導体層２５はコア積層体２０の第２面Ｆ２の絶縁層３０上に形成されており、第１層間樹脂絶縁層４５は、第２層間樹脂絶縁層５５より厚い。【選択図】図１
2015211194.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁層と導体層とが交互に積層されてなり、第１面に第１導体層を有すると共に、前記第１面と反対側の第２面に第２導体層を有するコア積層体と、
前記コア積層体の前記第１面上に設けられ、第１層間樹脂絶縁層および該第１層間樹脂絶縁層上に積層される第３導体層からなる第１ビルドアップ層と、
前記コア積層体の前記第２面上に設けられ、第２層間樹脂絶縁層および該第２層間樹脂絶縁層上に積層される第４導体層からなる第２ビルドアップ層と、
を有するプリント配線板であって、
前記第１導体層は、前記コア積層体の前記第１面の絶縁層内に埋め込まれ、該絶縁層から一面が露出しており、
前記第２導体層は前記コア積層体の前記第２面の絶縁層上に形成されており、
前記第１層間樹脂絶縁層は、前記第２層間樹脂絶縁層より厚い。
【請求項２】
請求項１記載のプリント配線板であって、コア積層体を構成する前記絶縁層は、無機繊維からなる芯材と該芯材に含浸されている樹脂材料とを含むプリプレグからなる。
【請求項３】
請求項１または２記載のプリント配線板であって、前記第１層間樹脂絶縁層は、前記コア積層体を構成する前記絶縁層より厚い。
【請求項４】
請求項１〜３のいずれか１項に記載のプリント配線板であって、前記第１層間樹脂絶縁層および第２層間樹脂絶縁層は、芯材と該芯材に含浸されている樹脂材料とを含むプリプレグからなる。
【請求項５】
請求項１〜３のいずれか１項に記載のプリント配線板であって、前記第１層間絶縁樹脂層および前記第２層間絶縁樹脂層は、３０〜７０重量％の無機フィラーを含有し無機繊維の芯材に含浸されない樹脂材料からなる。
【請求項６】
請求項１〜５のいずれか１項に記載のプリント配線板であって、前記コア積層体の前記第１面が位置する側の表面に半導体素子が実装される。
【請求項７】
請求項１〜６のいずれか１項に記載のプリント配線板であって、前記第１層間樹脂絶縁層、前記第２層間樹脂絶縁層、および前記コア積層体を構成する絶縁層それぞれを貫通するビア導体がそれぞれ形成され、前記第１層間樹脂絶縁層を貫通するビア導体と、前記第２層間樹脂絶縁層を貫通するビア導体および前記コア積層体を構成する絶縁層それぞれを貫通するビア導体とが、相反する方向に向かって断面が拡大するように形成される。
【請求項８】
一方の面に第１半導体素子が実装されているプリント配線板と、
該プリント配線板の前記一方の面上に搭載される基板と、
を有する半導体パッケージであって、
前記プリント配線板は、
絶縁層と導体層とが交互に積層されてなり、第１面に第１導体層を有すると共に、前記第１面と反対側の第２面に第２導体層を有するコア積層体と、
前記コア積層体の前記第１面上に設けられ、第１層間樹脂絶縁層および該第１層間樹脂絶縁層上に積層される第３導体層からなる第１ビルドアップ層と、
前記コア積層体の前記第２面上に設けられ、第２層間樹脂絶縁層および該第２層間樹脂絶縁層上に積層される第４導体層からなる第２ビルドアップ層と、
前記第３導体層上に形成されているソルダーレジスト層と、
を有し、
前記第１導体層は、前記コア積層体の前記第１面の絶縁層内に埋め込まれ、該絶縁層から一面が露出し、
前記第２導体層は前記コア積層体の前記第２面の絶縁層上に形成され、
前記第１層間樹脂絶縁層は、前記第２層間樹脂絶縁層より厚くされており、
前記基板は、前記プリント配線板側の面にバンプを備えており、
前記バンプが、前記ソルダーレジスト層に設けられている開口部に露出する前記第３導体層に接続されている。
【請求項９】
請求項８記載の半導体パッケージであって、前記第１半導体素子が前記プリント配線板と前記基板との間で前記第３導体層に接続されており、前記プリント配線板と前記基板の間にモールド樹脂が充填されている。
【請求項１０】
請求項８または９記載のパッケージオンパッケージ構造の半導体パッケージであって、前記基板に第２半導体素子が実装されている。
【請求項１１】
プリント配線板の製造方法であって、
支持板上に絶縁層と導体層とを交互に積層し、積層されている前記絶縁層と前記導体層を前記支持板から分離することにより第１面と該第１面と反対側の第２面とを有するコア積層体を形成する工程と、
剥離した前記コア積層体の前記第１面に第１層間樹脂絶縁層を積層すると共に、前記第２面上に第２層間樹脂絶縁層を積層する工程と、
を含み、
前記コア積層体が、前記第１面から一面が露出するように前記第１面に埋め込まれている第１導体層を有するように形成され、
前記第１層間絶縁樹脂層と前記第２層間樹脂絶縁層とが異なる厚さに形成される。
【請求項１２】
請求項１１記載のプリント配線板の製造方法であって、
前記コア積層体を形成する工程は、
前記支持板の少なくとも一面側に所定のパターンを有する第１導体層を形成することと、
前記第１導体層上に、絶縁層、および金属箔からなる導体層を積層することと、
前記絶縁層および前記金属箔を貫通する導通用孔を形成することと、
前記導通用孔内および前記金属箔上にシード層を形成することと、
前記シード層上にめっきレジスト膜のパターンを形成することと、
前記導通用孔内および前記めっきレジスト膜のパターンの非形成部に、電気めっきによるビア導体および電気めっき膜を形成することと、
前記めっきレジスト膜を除去することと、
前記めっきレジスト膜が除去されることにより露出する前記シード層および前記金属箔を除去することにより、所定の導体パターンを形成することと、
を含んでいる。
【請求項１３】
請求項１１または１２記載のプリント配線板の製造方法であって、さらに、
前記第１および第２層間樹脂絶縁層上にそれぞれ導体層を積層する工程と、該導体層をパターニングして前記第１層間樹脂絶縁層上に半導体素子が接続される接続パッドを形成する工程とを含んでいる。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、プリント配線板および半導体パッケージ、ならびにプリント配線板の製造方法に関し、特に、反りが小さく、かつ、表面が平坦で、半導体素子などの電子部品を歩留まり良く実装することができるプリント配線板に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、電子機器の回路が複雑化すると共に電子部品の電極数が増加し、その一方で、電子機器の小型化が急速に進められている。このため、配線パターンを高密度で配置することができ、かつ、バンプやランド形式の多数の電極が狭ピッチで配置された半導体素子などを高い歩留まりで実装することができるプリント配線板が求められている。高密度でパターンが形成され得るプリント配線板としては、両面銅張積層板もしくは複数の絶縁層と導体層とが交互に積層された積層板をコア基板として、その両表面に、絶縁層と導体層とからなるビルドアップ層が積層されてなるビルドアップ配線板が用いられている。すなわち、図５に示されるように、ビルドアップ配線板９００は、たとえば、導体層９１１、９１２と２つの絶縁層９１５とからなるコア基板９１０の両側の表面上に、導体層９２１と絶縁層９２５とからなるビルドアップ層９２０が積層されて形成される。また、ビルドアップ層９２０上の所定の部分にソルダーレジスト９３０が形成されている（たとえば特許文献１参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２０００−３４９４３５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
図５に示されるビルドアップ配線板９００では、コア基板９１０の両表面部の導体層９１１は、絶縁層９１５の表面上に所定のパターンにパターニングされて設けられている。このため、ビルドアップ層９２０が積層されるコア基板９１０の表裏両方の表面に、導体層９１１の厚さに応じた凹凸が存在する。このような凹凸があると、ビルドアップ配線板９００の表面にも起伏が生じることがあり、そのような起伏があると、半導体素子（図示せず）などが導体層９２１に接続される場合に、導体層９２１が半導体素子の電極の全てと接触することができずに、半導体素子などの実装歩留りが低下することがある。
【０００５】
本発明の目的は、表面が平坦なプリント配線板、およびそのようなプリント配線板を含む半導体パッケージを提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明のプリント配線板は、絶縁層と導体層とが交互に積層されてなり、第１面に第１導体層を有すると共に、前記第１面と反対側の第２面に第２導体層を有するコア積層体と、前記コア積層体の前記第１面上に設けられ、第１層間樹脂絶縁層および該第１層間樹脂絶縁層上に積層される第３導体層からなる第１ビルドアップ層と、前記コア積層体の前記第２面上に設けられ、第２層間樹脂絶縁層および該第２層間樹脂絶縁層上に積層される第４導体層からなる第２ビルドアップ層と、を有している。そして、前記第１導体層は、前記コア積層体の前記第１面の絶縁層内に埋め込まれ、該絶縁層から一面が露出しており、前記第２導体層は前記コア積層体の前記第２面の絶縁層上に形成されており、前記第１層間樹脂絶縁層は、前記第２層間樹脂絶縁層より厚い。
【０００７】
また、本発明の半導体パッケージは、一方の面に第１半導体素子が実装されているプリント配線板と、該プリント配線板の前記一方の面上に搭載される基板とを有している。そして、前記プリント配線板は、絶縁層と導体層とが交互に積層されてなり、第１面に第１導体層を有すると共に、前記第１面と反対側の第２面に第２導体層を有するコア積層体と、前記コア積層体の前記第１面上に設けられ、第１層間樹脂絶縁層および該第１層間樹脂絶縁層上に積層される第３導体層からなる第１ビルドアップ層と、前記コア積層体の前記第２面上に設けられ、第２層間樹脂絶縁層および該第２層間樹脂絶縁層上に積層される第４導体層からなる第２ビルドアップ層と、前記第３導体層上に形成されているソルダーレジスト層とを有しており、前記第１導体層は、前記コア積層体の前記第１面の絶縁層内に埋め込まれ、該絶縁層から一面が露出し、前記第２導体層は前記コア積層体の前記第２面の絶縁層上に形成され、前記第１層間樹脂絶縁層は、前記第２層間樹脂絶縁層より厚くされている。また、前記基板は、前記プリント配線板側の面にバンプを備えており、前記バンプが、前記ソルダーレジスト層に設けられている開口部に露出する前記第３導体層に接続されている。
【０００８】
また、本発明のプリント配線板の製造方法は、支持板上に絶縁層と導体層とを交互に積層し、積層されている前記絶縁層と前記導体層を前記支持板から分離することにより第１面と該第１面と反対側の第２面とを有するコア積層体を形成する工程と、剥離した前記コア積層体の前記第１面に第１層間樹脂絶縁層を積層すると共に、前記第２面上に第２層間樹脂絶縁層を積層する工程と、を含んでいる。そして、前記コア積層体が、前記第１面から一面が露出するように前記第１面に埋め込まれている第１導体層を有するように形成され、前記第１層間絶縁樹脂層と前記第２層間樹脂絶縁層とが異なる厚さに形成される。
【発明の効果】
【０００９】
本発明によれば、第１導体層がコア積層体の第１面の絶縁層内に埋め込まれているので、コア積層体の第１面が平坦になり得る。そのため、第１面側のプリント配線板の表面が平坦になり得る。その結果、プリント配線板に実装される電子部品とプリント配線板の導体パターンとの接触不良が発生し難くなり、プリント配線板の電子部品の実装歩留まりが向上する。同様に、プリント配線板を用いる半導体パッケージの歩留まりが向上する。
【図面の簡単な説明】
【００１０】
【図１】本発明の一実施形態のプリント配線板の断面図。
【図２】図１に示される配線板の中央部の拡大図。
【図３Ａ】図１に示されるプリント配線板の製造方法の各工程の説明図。
【図３Ｂ】図１に示されるプリント配線板の製造方法の各工程の説明図。
【図３Ｃ】図１に示されるプリント配線板の製造方法の各工程の説明図。
【図３Ｄ】図１に示されるプリント配線板の製造方法の各工程の説明図。
【図３Ｅ】図１に示されるプリント配線板の製造方法の各工程の説明図。
【図３Ｆ】図１に示されるプリント配線板の製造方法の各工程の説明図。
【図３Ｇ】図１に示されるプリント配線板の製造方法の各工程の説明図。
【図３Ｈ】図１に示されるプリント配線板の製造方法の各工程の説明図。
【図３Ｉ】図１に示されるプリント配線板の製造方法の各工程の説明図。
【図３Ｊ】図１に示されるプリント配線板の製造方法の各工程の説明図。
【図４Ａ】本発明の一実施形態の半導体パッケージの一例の断面図。
【図４Ｂ】本発明の一実施形態の半導体パッケージの別の例の断面図。
【図４Ｃ】本発明の一実施形態の半導体パッケージのさらに別の例の断面図。
【図５】従来技術によるプリント配線板の断面図。
【発明を実施するための形態】
【００１１】
つぎに、本発明の一実施形態のプリント配線板が図面を参照しながら説明される。本発明の一実施形態のプリント配線板１０（以下、プリント配線板は単に配線板とも称される）は、図１に示されるように、第１面Ｆ１に第１導体層２１を有すると共に、第１面Ｆ１と反対側の第２面Ｆ２に第２導体層２５を有するコア積層体２０と、コア積層体２０の第１面Ｆ１上に設けられ、第１層間樹脂絶縁層４５および第１層間樹脂絶縁層４５上に積層される第３導体層４１からなる第１ビルドアップ層４０と、コア積層体２０の第２面Ｆ２上に設けられ、第２層間樹脂絶縁層５５および第２層間樹脂絶縁層５５上に積層される第４導体層５１からなる第２ビルドアップ層５０とを有している。そして、本実施形態の配線板１０では、図２に示されるように、第２導体層２５がコア積層体２０の第２面Ｆ２の絶縁層３０ｃ上に形成されるのに対して、第１導体層２１は、第１ビルドアップ層４０側の一面をコア積層体２０の第１面Ｆ１の絶縁層３０ａから露出させながら、絶縁層３０ａ内に埋め込まれていることに特徴がある。このため、図１に示されるように、コア積層体２０の第１面Ｆ１が、略平坦な面になると共に、第１層間樹脂絶縁層４５が第２層間樹脂絶縁層５５より厚くされている。なお、以下の説明では、配線板１０の厚さ方向の相対的な位置関係が示される場合、特に断りがなければ、コア積層体２０の中央部（図２に示される例では絶縁層３０ｂ）から遠い側が「上側」または「外側」と称され、近い側が「下側」または「内側」と称される。またこの定義に則って「上側」に位置する面は「上面」と、「下側」に位置する面は「下面」とそれぞれ称される。
【００１２】
一般に、ビルドアップ配線板のビルドアップ層に積層される層間樹脂絶縁層は、配線板への薄板化の要求に対応しつつ、適度な剛性を保持できるように、２０〜１００μｍ程度の厚さに形成される。一方、第１導体層２１のような導体層は、所定の導電性を備えるように、少なくとも５〜３０μｍ程度の厚さに形成される。このため、第１導体層２１のようなコア積層体（コア基板）の表層部の導体層が表層部の絶縁層の上に形成されていると、導体層の厚さによる段差がビルドアップ層内で吸収されずに、ビルドアップ層の表面に現れることがある。その結果、プリント配線板の表面に凹凸が生じることがある。このような凹凸が生じる傾向は、配線板への薄板化の要求の高まりに伴って、ビルドアップ層に積層される層間樹脂絶縁層の薄層化が進められると、さらに強まると考えられる。そして、配線板の表面に凹凸が存在すると、配線板の表面の接続パッドが、配線板に実装される電子部品などの電極の全てと接触できなくなる可能性がある。この結果、配線板に電子部品を実装するときの歩留まりが低下するおそれがある。このような傾向は、高機能化に伴う半導体素子などのサイズの大型化および多ピン（電極）化に伴って顕著になると考えられる。
【００１３】
しかしながら、本実施形態の配線板１０では、図２に示されるように、コア積層体２０の第１面Ｆ１側の表層部に形成される第１導体層２１が、その一面だけを露出させて絶縁層３０ａ内に埋め込まれているので、コア積層体２０の第１面Ｆ１が、図１に示されるように略平坦な面になり、第１面Ｆ１側の配線板１０の表面の凹凸が抑制され得る。このため、半導体素子９０（図３Ｊ参照）などの電子部品の電極９１（図３Ｊ参照）の全てと、コア積層体２０の第１面Ｆ１側の配線板１０の表面に形成される接続パッド４１ａとが接触できないような事態が起こり難くなる。その結果、配線板１０への電子部品の実装歩留りの低下が防がれる。たとえば、大型で多ピンの半導体素子などが実装されるときは、第１面Ｆ１側の配線板１０の表面上、すなわち本実施形態では第３導体層４１上に実装されるのが好ましい。そうすることにより、接触不良の発生が抑制され、良好な歩留りで半導体素子９０などが実装され得る。
【００１４】
また、このように、大型の半導体素子などの電子部品が配線板の一方の側だけに実装されると、一般的に、半導体素子などの熱膨張率は配線板に使用される絶縁層の熱膨張率よりも小さいため、半導体素子が実装される側が、高温時に凹み、低温時に凸となる反りが配線板に生じ易い。また、この反りの発生は、配線板の一方の側だけに大型の部品が実装されると、この一方の側に形成されるソルダーレジストの面積が、配線板の他方側に比べて小さくなり易く、その結果、この一方の側の温度変化による伸縮量が他方側よりも少なくなることにも助長される。プリント配線板が反ると、プリント配線板に実装された各電子部品の接続部にストレスが生じるため、電子部品の接続信頼性が低下するおそれがある。
【００１５】
しかしながら、本実施形態の配線板１０では、図２に示されるように、コア積層体２０の第１面Ｆ１上に積層される第１層間樹脂絶縁層４５の厚さｔ１が、第２面Ｆ２上に積層される第２層間樹脂絶縁層５５の厚さｔ２よりも厚くされているので、第１層間樹脂絶縁層４５の方が第２層間樹脂絶縁層５５よりも温度変化による膨張および収縮量が大きくなる。すなわち、コア積層体２０の第１面Ｆ１側が高温時に第２面Ｆ２側よりも多く膨張し、低温時にはより多く収縮する。このため、前述の半導体素子と配線板の材料との熱膨張率の違いや、配線板の一方側と他方側とにおけるソルダーレジストの面積の違いによる作用と相反する方向の作用が得られる。この結果、配線板１０の反りが軽減され、配線板１０に実装される電子部品（図示せず）との接続信頼性の低下が防がれ得る。従って、前述のように、大型の半導体素子などがコア積層体２０の第１面Ｆ１側だけに実装される場合で、かつ、第２面Ｆ２側にはそのような半導体素子などが実装されない場合であっても、配線板１０の反りが抑制され、電子部品の接続信頼性の低下が防がれる。
【００１６】
コア積層体２０は、図２に示されるように、本実施形態では、第１導体層２１、絶縁層３０ａ、内層導体層２７ａ、絶縁層３０ｂ、内層導体層２７ｂ、絶縁層３０ｃおよび第２導体層２５が順に積層された構造とされており、配線パターンなどが形成される導体層と、これらの導体層同士の間を絶縁する絶縁層とが交互に積層されて構成されている。コア積層体２０は、配線板１０内に形成される回路配線の規模や配線密度などに応じて、４層以上の絶縁層および５層以上の導体層により構成されていてもよく、或いは、２層以下の絶縁層および３層以下の導体層から構成されていてもよい。
【００１７】
絶縁層３０ａ、３０ｂ、３０ｃ（以下、絶縁層３０ａ、３０ｂ、３０ｃは、個々の特定を要しない場合は、一括して絶縁層３０とも称される）は、図２に示されるように、本実施形態では、芯材３２と樹脂組成物からなる樹脂材料３４とを含んでいる。絶縁層３０は、後述のように、芯材３２に樹脂材料３２が含浸されて半硬化状態にされたプリプレグ材から形成されてよい。芯材３２は特に限定されず、好ましくは、絶縁性や剛性に優れるガラス繊維などの無機繊維が用いられる。樹脂材料３４も、配線板１０に要求される耐圧や絶縁性を備えるものであれば特に限定されず、たとえば、エポキシ樹脂やビスマレイミドトリアジン樹脂（ＢＴ樹脂）などが用いられ、好ましくはエポキシ樹脂が用いられる。また、樹脂材料３４には、シリカやアルミナなどからなる無機フィラーなどが充填されていてもよい。しかしながら、絶縁層３０の構成材料は任意であり、前述の材料と異なる材料が芯材３２および樹脂材料３４に用いられてもよく、また、芯材３２を含まずに樹脂材料３４だけで絶縁層３０が構成されてもよい。
【００１８】
第１導体層２１は、図２に示されるように、第１ビルドアップ層４０側の一面だけを絶縁層３０ａから露出させて、絶縁層３０ａ内に埋め込まれている。このように第１導体層２１が絶縁層３０ａ内に埋め込まれる構造とされることにより、前述のようにコア積層体２０の第１面Ｆ１が略平坦な面になることに加え、第１導体層２１と絶縁層３０ａとの密着性が高まる。このため、第１導体層２１に幅の細い配線パターン（図示せず）が形成されても、配線パターンが絶縁層３０ａから剥離し難くなる。また、隣接する配線パターン同士の間に絶縁層３０ａが介在することになるので、配線パターンが狭ピッチで並列されても、図示しない電子部品を接続するはんだなどを介した配線パターン同士のショートが起こり難くなる。第１導体層２１の形成方法は特に限定されないが、好ましくは、後述のように、短時間で厚く製膜できる電気めっき法が用いられる。第１導体層２１の材料は、特に限定されないが、導電性が高く、安価で、かつ、前述の電気めっき法での析出性も良好な銅が用いられる。
【００１９】
図２に示されるように、第２導体層２５は絶縁層３０ｃ上に形成されている。また、内層導体層２７ａおよび内層導体層２７ｂは、それぞれ、絶縁層３０ａおよび絶縁層３０ｂのコア積層体２０の第２面Ｆ２側の表面上に形成されている。第２導体層２５および内層導体層２７ａ、２７ｂ（以下、内層導体層２７ａ、２７ｂは、個々の特定を要しない場合は、一括して内層導体層２７とも称される）の形成方法は特に限定されない。たとえば、内層導体層２７ａは、後述のように、絶縁層３０ａの表面に、たとえば銅からなる金属箔２７１（図３Ｃ参照）が積層され、この金属箔２７１の表面に無電解めっきによる第１金属膜２７２（図３Ｄ参照）および電気めっきによる第２金属膜２７３（図３Ｅ参照）が析出されることにより形成されてよく、第２導体層２５および内層導体層２７ｂも同様に形成されてよい。この場合、第２導体層２５および内層導体層２７は、金属箔、無電解めっき膜および電気めっき膜の３層で構成される。しかしながら、このような３層構造に限定されず、第２導体層２５および内層導体層２７は、たとえば、電気めっき膜だけで形成されてもよい。第２導体層２５および内層導体層２７の材料も特に限定されず、任意の導電性材料、好ましくは、銅やニッケルなどの金属材料が用いられるが、特に好ましくは、前述の第１導体層２１と同様の理由で、金属箔、無電解めっき膜および電気めっき膜のいずれにおいても銅が用いられる。
【００２０】
図２に示されるように、第１ビルドアップ層４０を構成する第１層間樹脂絶縁層４５は、第１導体層２１上および第１導体層２１が埋め込まれていない部分の絶縁層３０ａ上に積層されている。また、第２ビルドアップ層５０を構成する第２層間樹脂絶縁層５５は、第２導体層２５上および第２導体層２５に覆われていない部分の絶縁層３０ｃ上に積層されている。また、前述のように、第１層間樹脂絶縁層４５の厚さｔ１（第１導体層２１の上面と第３導体層４１の下面との間の長さ）が、第２層間樹脂絶縁層５５の厚さｔ２（第２導体層２５の上面と第４導体層５１の下面との間の長さ）よりも厚くされている。また、第１層間樹脂絶縁層４５の厚さｔ１は、図２に示されるように、コア積層体２０内の絶縁層３０ａ、３０ｂ、３０ｃそれぞれの厚さｔ３（たとえば、絶縁層３０ａについて、内層導体層２７ａの上面と第１導体層２１の下面との間の長さ）よりも厚くされてもよい。こうすることにより、前述の配線板１０の反りの抑制作用がさらに高められることがある。
【００２１】
第１および第２層間樹脂絶縁層４５、５５の材料は、前述の絶縁層３０の材料と同様に特に限定されない。従って、第１および第２層間樹脂絶縁層４５、５５は、図１に示されるように、芯材４６と、樹脂組成物からなる樹脂材料４７とを含んでいてもよい。また、第１および第２層間樹脂絶縁層４５、５５は、芯材４６に樹脂材料４７が含浸されて半硬化状態にされたプリプレグ材から形成されてもよい。芯材４６には、好ましくは絶縁性や剛性に優れるガラス繊維などが用いられ、樹脂材料４７には、好ましくはエポキシ樹脂が用いられる。また、第１および第２層間樹脂絶縁層４５、５５は、芯材４６を含まない構成、すなわち、芯材４６に含浸されていない樹脂材料４７だけで構成されてもよい。第１および第２層間樹脂絶縁層４５、５５が樹脂材料４７だけで構成されると、その表面への無電解めっき膜の密着性が向上することがある。このため、後述の配線板１０の製造方法において説明するような、第１および第２層間樹脂絶縁層４５、５５と共に積層する図示しない金属箔を要しないで、第３および第４導体層４１、５１を形成できることがある。また、芯材４６に含浸されるか否かに関わらず、樹脂材料４７には、シリカやアルミナなどからなる図示しない無機フィラーなどが充填されていてもよい。その場合、無機フィラーの含有量は、第１層間樹脂絶縁層４５または第２層間樹脂絶縁層５５全体に対して３０〜７０重量％とされることが、第１および第２層間樹脂絶縁層の熱膨張率と配線板１０に実装される電子部品（図示せず）の熱膨張率とが近似されながら、第３および第４導体層４１、５１との密着性が維持される点で好ましい。しかしながら、第１および第２層間樹脂絶縁層４５、５５の構成材料は任意であり、前述の材料と異なる材料が用いられてもよい。
【００２２】
図１に示されるように、第３導体層４１は、コア積層体２０の第１面Ｆ１側の配線板１０の表面に形成され、第４導体層５１は、第２面Ｆ２側の配線板１０の表面に形成される。第３導体層４１には、たとえば、半導体素子９０（図３Ｊ参照）の電極９１（図３Ｊ参照）が接続される接続パッド４１ａが形成されてよく、また、図示しないその他の電子部品を接続する接続パッドが形成されてもよい。また、第４導体層５１にも、図示しない電子部品や配線板１０が搭載される外部の配線板と接続するための接続パッド５１ａなどを含む任意の導体パターンが形成されてよい。絶縁層３０内に埋め込まれている第１導体層２１をそのまま半導体素子９０などとの接続層とせず、このように第１ビルドアップ層４０を設け、第１ビルドアップ層に形成される第３導体層を接続層とすることにより、第３導体層４１の厚さぶんのギャップ（スタンドオフ）が配線板１０と半導体素子９０などとの間に確保される。このため、周囲温度の変化などにより配線板１０と半導体素子９０などとの接続部に生じる応力が緩和され、半導体素子９０などの接続信頼性が向上する。
【００２３】
第３および第４導体層４１、５１の形成方法は特に限定されないが、たとえば、前述の第２導体層２５および内層導体層２７と同様の方法で形成される。すなわち、第１および第２層間樹脂絶縁層４５、５５上にたとえば銅からなる金属箔（図示せず）が積層され、この金属箔上に図示しない無電解めっき膜および電気めっき膜が析出されることにより形成されてよい。しかしながら、このような構造に限定されず、第３および第４導体層４１、５１は、たとえば、電気めっき膜だけで形成されてもよい。第３および第４導体層４１、５１の材料も特に限定されず、前述の第２導体層２５および内層導体層２７と同様に、好ましくは、銅やニッケルなどの金属材料が用いられ、特に好ましくは、金属箔、無電解めっき膜および電気めっき膜のいずれにおいても銅が用いられる。
【００２４】
図２に示されるように、配線板１０には、コア積層体２０の絶縁層３０を貫通するビア導体３８ａ、ビア導体３８ｂおよびビア導体３８ｃが形成されている。絶縁層３０ａを貫通するビア導体３８ａは第１導体層２１と内層導体層２７ａとを接続し、絶縁層３０ｂを貫通するビア導体３８ｂは内層導体層２７ａと内層導体層２７ｂとを接続し、絶縁層３０ｃを貫通するビア導体３８ｃは内層導体層２７ｂと第２導体層２５とを接続している。また、配線板１０には、図１に示されるように、第１層間樹脂絶縁層４５を貫通し、第３導体層４１と第１導体層２１とを接続するビア導体４８が形成されており、同様に、第２層間樹脂絶縁層５５を貫通し、第４導体層５１と第２導体層２５とを接続するビア導体５８が形成されている。
【００２５】
ビア導体３８ａ、３８ｂ、３８ｃ（以下、ビア導体３８ａ、３８ｂ、３８ｃは、個々の特定を要しない場合は、一括してビア導体３８とも称される）、および、ビア導体４８、５８の形成方法は、特に限定されない。たとえば、ビア導体３８ａは、後述されるように、たとえばＣＯ2レーザーの照射により絶縁層３０ａを貫通して形成される導通用孔３９（図３Ｄ参照）内に、無電解めっきによる第１金属膜２７２（図３Ｄ参照）、および電気めっきによる第２金属膜２７３（図３Ｅ参照）が埋め込まれることにより形成される。ビア導体３８ｂ、３８ｃ、ならびにビア導体４８およびビア導体５８も、同様の方法で、絶縁層３０ｂ、３０ｃ、ならびに、第１および第２層間樹脂絶縁層４５、５５内に、それぞれ形成されてよい。なお、図３Ｅに示される例では、ビア導体３８ａが形成される導通用孔３９は、第２金属膜２７３によって完全に埋められているが、これに限定されず、導通用孔３９は完全に埋められていなくてもよく、これは、ビア導体３８ｂ、３８ｃ、およびビア導体４８、５８についても同様である。ビア導体３８、４８、５８の材料は特に限定されないが、好ましくは、導電性が高く、安価で、めっきによる析出性も良好な銅が用いられる。
【００２６】
本実施形態では、図１に示されるように、ビア導体４８は、配線板１０の厚さ方向と垂直な平面による断面（以下、このような平面による断面は、単に水平断面と称される）が、第３導体層４１側よりも第１導体層２１側で小さくなる形状にされている。一方、ビア導体５８は、第４導体層５１側よりも第２導体層２５側の水平断面が小さくなる形状にされており、ビア導体３８は、コア積層体２０の第２面Ｆ２側よりも第１面Ｆ１側の水平断面が小さくなる形状にされている。すなわち、ビア導体４８と、ビア導体５８およびビア導体３８とは、相反する方向に向かって水平断面が拡大するように、換言すると、相反する方向に向かって水平断面が縮小するように形成されている。後述されるように、たとえばＣＯ2レーザーなどが、コア積層体２０の第２面Ｆ２側から絶縁層３０に照射されることにより導通用孔３９（図３Ｄ参照）などが形成され、第３および第４導体層４１、５１側から、ＣＯ2レーザーなどが第１および第２層間樹脂絶縁層４５、５５それぞれに照射されることによりビア導体４８、５８の導通用孔（図示せず）がそれぞれ形成される場合、ビア導体３８、４８および５８は、それぞれ、図１に示されるような向きに水平断面が拡大（縮小）する形状になり易い。
【００２７】
本実施形態では、図１に示されるように、第１層間樹脂絶縁層４５上、および、第３導体層４１の半導体素子９０（図３Ｊ参照）が接続される接続パッド４１ａを除いた部分上に、ソルダーレジスト層６０が形成されている。また、第２層間樹脂絶縁層５５上、および、第４導体層５１の接続パッド５１ａを除いた部分上に、ソルダーレジスト層６１が形成されている。ソルダーレジスト層６０、６１が形成される部分は、これに限定されず、配線板１０に実装される電子部品（図示せず）の種類や数に応じて、第３および第４導体層４１、５１上の任意の部分に設けられてよく、また、導体層４１、５１の任意の部分が、ソルダーレジスト層６０、６１に覆われずに露出していてもよい。
【００２８】
ソルダーレジスト層６０、６１の材料は、はんだ耐熱性や絶縁性が良好なものであれば特に限定されないが、たとえば、エポキシ樹脂やアクリル樹脂などにより形成され、好ましくは、エポキシ樹脂に４０〜７０重量％の無機フィラー、たとえばＳｉＯ2などが含有された材料により形成される。
【００２９】
また、第３および第４導体層４１、５１のソルダーレジスト層６０、６１が形成されずに露出している部分、たとえば接続パッド４１ａ、５１ａなどには、たとえば、Ｎｉ／Ａｕ、Ｎｉ／Ｐｄ／Ａｕ、Ｓｎもしくは有機保護膜（ＯＳＰ）などからなる、図示しない耐食層、または、はんだコート層が形成されていてもよい。
【００３０】
つぎに、本実施形態の配線板１０の製造方法が、図３Ａ〜３Ｊを参照して説明される。
【００３１】
本実施形態の配線板１０の製造方法では、まず、コア積層体２０（図１参照）が製造される。まず、図３Ａに示されるように、出発材料として、支持板８０、支持銅箔８０ａおよびベース金属箔８１が用意され、支持板８０の両面にキャリア銅箔８０ａが積層され、加圧および加熱されて接合される。支持板８０には、好ましくは、ガラスクロスなどの芯材にエポキシなどの絶縁性樹脂を含浸させた材料などからなる半硬化状態のプリプレグ材などが用いられるが、これに限定されず、他の材料が用いられてもよい。ベース金属箔８１の材料は、表面上に、後述の第１導体層２１（図３Ｂ参照）が形成され得るものであれば特に限定されないが、好ましくは、２〜６μｍの厚さの銅箔もしくはニッケル箔、より好ましくは５μｍの厚さの銅箔が用いられる。また、キャリア銅箔８０ａは、たとえば、１５〜３０μｍ、好ましくは１８μｍの厚さの銅箔が用いられる。しかしながら、ベース金属箔８１およびキャリア銅箔８０ａの厚さは、これらに限定されず、他の厚さにされてもよい。
【００３２】
キャリア銅箔８０ａとベース金属箔８１との接合方法は、特に限定されないが、たとえば、両者の貼り付け面の略全面において図示されない熱可塑性の接着剤により接着されてよく、或いは、後述の第１導体層２１（図３Ｂ参照）の導体パターンが設けられない外周付近の余白部において、接着剤または超音波接続により接合されてもよい。また、キャリア銅箔８０ａとベース金属箔８１とは、キャリア銅箔８０ａが支持板８０に接合される前に接合されてもよいが、これに限定されず、たとえば、支持板８０に両面銅張積層板が用いられ、両面銅張積層板の両面に既に接合されている銅箔をキャリア銅箔８０ａとして、その上に単体のベース金属箔８１が前述の方法などを用いて接合されてもよい。
【００３３】
なお、図３Ａ〜３Ｆには、支持板８０の両側の面にベース金属箔８１が接合され、それぞれの面においてコア積層体２０が形成される製造方法の例が示されている。このように支持板８０の両側で配線板１０が形成されれば一度に２つのコア積層体２０が製造されるという点で好ましい。しかしながら、支持板８０の一方の面だけにコア積層体２０が形成されてもよく、また、両側で互いに異なる回路パターンのコア積層体が形成されても良い。以下の説明は、両面に同じ回路パターンが形成される例が示される図３Ａ〜３Ｆを参照して説明されるため、一方の面だけについて説明され、他面側に関しての説明、および、各図面における他面側の符号は省略される。
【００３４】
つぎに、図３Ｂに示されるように、ベース金属箔８１上に第１導体層２１が形成される。第１導体層２１の形成方法は特に限定されないが、たとえば、電気めっき法が用いられる。具体的には、まず、ベース金属箔８１上の第１導体層２１が形成される部分以外の所定の領域にめっきレジスト膜（図示せず）が形成される。続いて、めっきレジスト膜が形成されていないベース金属箔８１上に、ベース金属箔８１をシード層として、たとえば、電気めっきによるめっき膜が形成される。その後、めっきレジスト膜が除去される。その結果、図３Ｂに示されるように、ベース金属箔８１上に電気めっき膜からなる第１導体層２１が形成される。第１導体層２１は、好ましくは銅からなる電気めっき膜である。
【００３５】
つぎに、図３Ｃに示されるように、ベース金属箔８１上および第１導体層２１上に、半硬化状態の絶縁層（プリプレグ）３０ａが積層され、さらに絶縁層３０ａ上に金属箔２７１が積層される。その後、金属箔２７１および絶縁層３０ａは、支持板８０側に向かってプレスされ、さらに加熱される。この結果、絶縁層３０ａが完全に硬化され、同時に、ベース金属箔８１および第１導体層２１、ならびに金属箔２７１と接合される。なお、図３Ｃにおいて、絶縁層３０ａは、芯材３２と、樹脂組成物からなる樹脂材料３４とで構成されているように示されているが、絶縁層３０ａは、芯材３２を含まずに樹脂材料３４だけで構成されていてもよい。また、芯材３２は、ガラスクロスなどの無機繊維であってよい。
【００３６】
つぎに、図３Ｄに示されるように、金属箔２７１および絶縁層３０ａを貫通し、第１導体層２１を露出させる導通用孔３９が形成される。具体的には、金属箔２７１の表面側から、金属箔２７１上の所定の位置に、たとえば、ＣＯ2レーザーを用いてレーザー光が照射される。この結果、図３Ｄに示されるように導通用孔３９が形成される。導通用孔３９の形成後、好ましくは、導通用孔３９についてデスミアが行われる。また、レーザー光の吸収効率が高まるように、レーザー光の照射の前に金属箔２７１の表面が黒化処理されてもよい。導通用孔３９は、図３Ｄに示されるように、ＣＯ2レーザーが照射される側、すなわち金属箔２７１側の方が、第１導体層２１側よりも孔の大きさが大きくなるように形成されてよい。導通用孔３９が、このような形状に形成されると、たとえば、次工程の第１金属膜２７２の形成や第２金属膜２７３の形成が湿式めっき法で行われる場合、めっき液が導通用孔３９の奥まで入り込み易くなるという利点がある。
【００３７】
続いて、金属箔２７１上および導通用孔３９内に第１金属膜２７２が形成される。第１金属膜２７２は、後述のように、第２金属膜２７３が電気めっきにより形成される場合にシード層として機能する。第１金属膜２７２は、好ましくは、無電解めっきにより形成される。無電解めっきにより形成される場合、第１金属膜２７２は、好ましくは０．３〜１μｍの厚さに形成される。第１金属膜２７２は、他の好ましい例において、スパッタリング法により形成される。スパッタリング法により形成される場合、第１金属膜２７２は、好ましくは、０．０５〜０．２μｍの厚さに形成される。第１金属膜２７２の材料は特に限定されないが、好ましくは銅が用いられる。しかしながら、第１金属膜２７２の形成方法および材料は、これらに限定されず、他の方法および材料が用いられてもよい。
【００３８】
つぎに、図３Ｅに示されるように、第１金属膜２７２上に第２金属膜２７３が形成される。第２金属膜２７３の形成方法は特に限定されないが、短い時間で厚い膜が形成され得る点で、電気めっき法により形成されるのが好ましい。電気めっき法により形成される場合、まず、第１金属膜２７２に図示しないめっきレジスト膜が形成される。めっきレジスト膜は、導通用孔３９の上部以外で、かつ、第１金属膜２７２の内層導体層２７ａが形成されない部分上に形成される。続いて、導通用孔３９内、および、めっきレジスト膜が形成されていない第１金属膜２７２上に、電気めっきにより第２金属膜２７３が形成される。その結果、導通用孔３９に第２金属膜２７３が充填され、図３Ｅに示されるように、第１および第２金属膜２７２、２７３からなるビア導体３８ａが形成される。
【００３９】
続いて、めっきレジスト膜が剥離され、めっきレジスト膜の剥離により露出する第１金属膜２７２、および、その下方の金属箔２７１が、たとえばエッチングにより除去される。この結果、図３Ｅに示されるように、第１導体層２１が埋め込まれていない側の絶縁層３０ａの表面上に、金属箔２７１、第１金属膜２７２、第２金属膜２７３からなる内層導体層２７ａが形成される。
【００４０】
つぎに、図３Ｆに示されるように、内層導体層２７ａ上および内層導体層２７ａが形成されていない絶縁層３０ａ上に、絶縁層３０ｂ、内層導体層２７ｂ、絶縁層３０ｃおよび第２導体層２５が、順に積層されて形成される。また、内層導体層２７ｂの形成と共に、内層導体層２７ｂと内層導体層２７ａとを接続するビア導体３８ｂが形成され、第２導体層２５の形成と共に、第２導体層２５と内層導体層２７ｂとを接続するビア導体３８ｃがそれぞれ形成される。絶縁層３０ｂ、内層導体層２７ｂおよびビア導体３８ｂ、ならびに、絶縁層３０ｃ、第２導体層２５およびビア導体３８ｃは、図３Ｃ〜３Ｅに示される工程と同様の工程を繰り返すことにより、絶縁層３０ａ、内層導体層２７ａおよびビア導体３８ａと同様に、それぞれ形成され得る。なお、図３Ｃ〜３Ｅに示される工程が繰り返される回数が多く（少なく）されることにより、より多い（少ない）数の絶縁層３０（図１参照）、内層導体層２７（図１参照）およびビア導体３８（図１参照）がそれぞれ形成され得る。ここで、第２導体層２５を形成する工程では、図示しないめっきレジスト膜が形成されていた部分の金属箔２５１および第１金属膜２５２が、めっきレジスト膜の剥離に続けて直ぐに除去されることなく、図３Ｆに示されるように残されていてもよい。残された部分の金属箔２５１および第１金属膜２５２は、後述のように、ベース金属箔８１と共に除去され得るからである。なお、図３Ｆに示される例では、ビア導体３８ｂ、３８ｃは、ビア導体３８ａの水平断面が拡大（縮小）している方向と同じ方向に向かって水平断面が拡大（縮小）するように形成されている。
【００４１】
続いて、支持板８０およびキャリア銅箔８０ａと、ベース金属箔８１とが分離される。具体的には、まず、たとえば、図３Ｆに示される途中工程のコア積層体が加熱され、キャリア銅箔８０ａとベース金属箔８１とを接合している図示しない熱可塑性接着剤が軟化している状態で、支持板８０と共にキャリア銅箔８０ａに、ベース金属箔との界面に沿った方向の力が加えられ、両者が引き離される。或いは、前述のように、両者が外周付近の余白部において接着剤または超音波接続により接合されている場合は、接合箇所よりも内周側で、キャリア銅箔８０ａ、ベース金属箔８１、および支持板８０が、絶縁層３０ａなどと共に切断され、接着剤などによる接合箇所が切除されることによりキャリア銅箔８０ａとベース金属箔８１とが分離されてもよい。その結果、支持板８０の両側の面に形成されている絶縁層３０や内層導体層２７などからなる積層体は、それぞれ、個別のコア積層体の工程途上品２０ａとなる。この状態のコア積層体の工程途上品２０ａが図３Ｇに示されている。なお、図３Ｇには、図３Ｆにおいて支持板８０の上面側に示されている絶縁層３０ａや内層導体層２７ａなどからなるコア積層体の工程途上品２０ａだけが示されている。
【００４２】
続いて、ベース金属箔８１が、たとえばエッチングなどにより除去される。前述のように、図示しないめっきレジスト膜が形成されていた部分の金属箔２５１および第１金属膜２５２が除去されずに残されていても、このベース金属箔８１の除去工程において、ベース金属箔８１と共に除去され得る。このように、金属箔２５１および第１金属膜２５２がベース金属箔８１と同じ工程で除去されるならば、エッチングプロセスなどを少なくとも１回分省略することができるので、配線板の製造工程が短縮されると共に製造コストが低減される。このベース金属箔８１の除去により、第１導体層の一面が露出する。この結果、図３Ｈに示されるように、第１面Ｆ１とその反対側の第２面Ｆ２とを有し、内層導体層２７などと絶縁層３０とが交互に積層されて形成され、一面を露出させて第１面Ｆ１の絶縁層３０に埋め込まれている第１導体層２１と第２面Ｆ２側に形成されている第２導体層２５とを有するコア積層体２０が出来上がる。なお、図３Ｈには、図１に示される配線板１０と整合するように、図３Ｇに示されるコア積層体の工程途上品２０ａが図面に垂直な軸で１８０°回転された向きで、コア積層体２０が示されている。コア積層体２０は、以下の説明において参照する図３Ｉおよび図３Ｊにおいても、図３Ｈと同じ向きで示される。
【００４３】
つぎに、図３Ｉに示されるように、コア積層体２０の第１面Ｆ１に第１層間樹脂絶縁層４５が積層され、さらに、第１層間樹脂絶縁層４５を貫通するビア導体４８が形成されると共に、第１層間樹脂絶縁層４５上に第３導体層４１が形成される。また、コア積層体２０の第２面Ｆ２には、第２層間樹脂絶縁層５５が積層され、さらに、第２層間樹脂絶縁層５５を貫通するビア導体５８が形成されると共に、第２層間樹脂絶縁層５５上に第４導体層５１が形成される。第１層間樹脂絶縁層４５、第３導体層４１およびビア導体４８、ならびに、第２層間樹脂絶縁層５５、第４導体層５１およびビア導体５８は、図３Ｃ〜３Ｅに示される工程と同様の工程を繰り返すことにより、コア積層体２０の絶縁層３０ａ、内層導体層２７ａおよびビア導体３８ａと同様に、それぞれ形成され得る。このため、これらの各工程については、図面を参照した詳細な説明は省略され、概略的に以下に説明される。
【００４４】
まず、コア積層体２０の第１面Ｆ１上および第２面Ｆ２上に、それぞれ半硬化状態の絶縁層（プリプレグ）と金属箔とが積層され、プレスおよび加熱されて接合され、第１面Ｆ１上に第１層間樹脂絶縁層４５、および第２面Ｆ２上に第２層間樹脂絶縁層５５が形成される。つぎに、第１面Ｆ１側の金属箔および第１層間樹脂絶縁層４５を貫通し、第１導体層２１を露出させる導通用孔が形成されると共に、第２面Ｆ２側の金属箔および第２層間樹脂絶縁層５５を貫通し、第２導体層２５を露出させる導通用孔が形成される。この導通用孔は、各金属箔の表面側から、たとえばレーザー光が照射されることにより形成される。続いて、各金属箔上および各導通用孔内に、好ましくは無電解めっき法やスパッタリング法により第１金属膜が形成される。つぎに、第１金属膜上に、好ましくは電気めっき法により第２金属膜が形成される。この場合、まず、導通用孔の上部以外で、第３導体層および第４導体層が形成されない部分の第１金属膜上にめっきレジスト膜が形成され、続いて、導通用孔内、および、めっきレジスト膜が形成されていない第１金属膜上に、電気めっきにより第２金属膜が形成される。この結果、各導通用孔内に第２金属膜が充填され、図３Ｉに示されるように、第１層間樹脂絶縁層４５内にビア導体４８が形成され、第２層間樹脂絶縁層５５内にビア導体５８が形成される。続いて、めっきレジスト膜が剥離され、めっきレジスト膜の剥離により露出する第１金属膜、および、その下方の金属箔がエッチングなどにより除去される。この結果、図３Ｉに示されるように、第１層間樹脂絶縁層４５上に第３導体層４１が形成されると共に、第２層間樹脂絶縁層５５上に第４導体層５１が形成される。なお、第３導体層４１は、前述の第１金属膜上に形成するめっきレジスト膜を適切なパターンで設けることにより、たとえば、接続パッド４１ａ（図３Ｊ参照）などを含む所定の導体パターンにパターニングされて形成されている。同様に、第４導体層５１は、たとえば、接続パッド５１ａ（図３Ｊ参照）などを含む所定の導体パターンにパターニングされて形成されている。
【００４５】
本実施形態の配線板１０の製造方法では、前述の、第１層間樹脂絶縁層４５、ビア導体４８および第３導体層４１を形成する工程と、第２層間樹脂絶縁層５５、ビア導体５８および第４導体層５１を形成する工程とが、コア積層体２０の第１第Ｆ１側および第２面Ｆ２側において同時に進められ得る。このため、コア積層体２０を形成する工程（図３Ｂ〜３Ｆ参照）内において、たとえば、第２導体層２５上などの一方の側だけに、さらに２組の絶縁層と導体層を積層して形成するよりも、配線板１０の投入から完成までの製造リードタイムが短縮され得る。
【００４６】
また、本実施形態の配線板１０の製造方法では、コア積層体の第１面Ｆ１に第１導体層２１が埋め込まれているため、図３Ｉに示されるように、第１面上に積層される第１層間樹脂絶縁層４５が、第２面Ｆ２上に積層される第２層間樹脂絶縁層５５よりも厚くされている。このため、前述のように配線板１０の反りが軽減され、配線板１０に実装される電子部品（図示せず）の接続信頼性の低下が防がれ得る。また、第１導体層２１が第１面Ｆ１に埋め込まれているため、コア積層体２０の第１面Ｆ１が略平坦な面となり、配線板１０の表面の凹凸の発生が抑制されるので、前述のように、配線板１０への電子部品の実装歩留りの低下が防がれ得る。
【００４７】
前述のビア導体４８およびビア導体５８の形成において、ビア導体４８が形成される導通用孔は、第３導体層４１が形成される側から第１層間樹脂絶縁層４５にレーザー光が照射されることにより形成され、ビア導体５８が形成される導通用孔は、第４導体層５１が形成される側から第２層間樹脂絶縁層５５にレーザー光が照射されることにより形成されている。このため、図３Ｉに示される例では、ビア導体４８と、ビア導体５８およびビア導体３８とが、相反する方向に向かって断面が拡大（縮小）するような形状となっている。
【００４８】
なお、図３Ｉにおいて、第１および第２の層間樹脂絶縁層４５、５５は、芯材４６を含むように示されているが、第１および第２の層間樹脂絶縁層４５、５５は、芯材４６を含まずに樹脂組成物からなる樹脂材料４７だけで構成されていてもよい。また、芯材４６は、ガラスクロスなどの無機繊維であってよい。また、樹脂材料４７に、たとえば、シリカなどの無機フィラー（図示せず）が、３０〜７０重量％程度の含有率で含まれていてもよい。
【００４９】
つぎに、図３Ｊに示されるように、接続パッド４１ａを除く第３導体層４１の一部の表面上、および、第３導体層４１が形成されていない第１層間樹脂絶縁層４５の表面上にソルダーレジスト層６０が形成される。また、接続パッド５１ａを除く第４導体層５１の一部の表面上、および、第４導体層５１が形成されていない第２層間樹脂絶縁層５５の表面上にソルダーレジスト層６１が形成されてもよい。
【００５０】
ソルダーレジスト層６０、６１は、たとえば、感光性のエポキシ材などの層が、第１層間樹脂絶縁層４５および第３導体層４１上の全面、ならびに第２層間樹脂絶縁層５５および第４導体層５１上の全面に形成された後、ソルダーレジスト層６０、６１が設けられる所定の部分が露光され、露光されない部分のエポキシ材が現像により除去されて形成される。しかしながら、これに限定されず、ソルダーレジスト層６０、６１は、所定のパターンに開口されたマスクを用いるスクリーン印刷などの他の方法で設けられてもよい。また、ソルダーレジスト層６０、６１は、たとえば、非感光性のエポキシ材などからなる層が、第１層間樹脂絶縁層４５および第３導体層４１上の全面、ならびに、第２層間樹脂絶縁層５５および第４導体層５１上の全面に形成された後、ソルダーレジスト層６０、６１の形成が不要な部分がレーザーで除去されることにより形成されてもよい。
【００５１】
また、ソルダーレジスト６０、６１に覆われないで露出している接続パッド４１ａ、５１ａの表面上に、たとえばＮｉ／Ａｕ、Ｎｉ／Ｐｄ／ＡｕまたはＳｎなどからなる耐食層（図示せず）が形成されてもよい。また、液状の保護材料内への浸漬や保護材料の吹付けなどにより有機保護膜（ＯＳＰ）からなる耐食層が形成されてもよく、或いは、はんだコート層（図示せず）が形成されてもよい。
【００５２】
図３Ａ〜３Ｊに示される工程を経ることにより、図１に示される本実施形態の配線板１０が完成する。完成した配線板１０には、図３Ｊに示されるように、たとえば、接続パッド４１ａに半導体素子９０などの電子部品が接続されてよい。同様に、実装パッド５１ａに、図示しない別の電子部品が接続されてもよい。また、配線板１０が、接続パッド４１ａ、５１ａを介して、別の配線板などの外部回路と接続されてもよい。
【００５３】
本実施形態の配線板１０の製造方法は、図３Ａ〜３Ｊを参照して説明された方法に限定されず、その条件や順序などは任意に変更され得る。また、特定の工程が省略されてもよく、別の工程が追加されてもよい。
【００５４】
つぎに、本発明の一実施形態の半導体パッケージが図面を参照しながら説明される。図４Ａに示されるように、一実施形態の半導体パッケージ１００は、一方の面Ｆ３に第１半導体素子１１５が実装されているプリント配線板１１０と、プリント配線板１１０の一方の面Ｆ３上に搭載される基板１３０とを有している。プリント配線板１１０には、好ましくは、図１に一例が示されるプリント配線板が用いられる。図４Ａには、そのような、図１に一例が示されるプリント配線板をプリント配線板１１０とする例が示されている。従って、図４Ａに示されるプリント配線板１１０の大半の構成要素は、図１に示されるプリント配線板１０と同様であり、そのような要素は同一の符号が付され、詳細な説明は省略される。しかしながら、プリント配線板１１０は、図１に示されるプリント配線板１０に限定されず、前述のプリント配線板１０の説明中に示された、各構成要素についての各種の変更、変形が取り入れられてもよい。
【００５５】
図４Ａに示されるように、プリント配線板１１０は、一方の面Ｆ３に第３導体層１４１が形成され、第３導体層１４１上にソルダーレジスト層１６０が形成されている。ソルダーレジスト層１６０は、所定の部分に開口部１６１を有しており、第３導体層１４１の一部である接続パッド１４１ａ、１４１ｂが、開口部１６１においてソルダーレジスト層１６０から露出している。
【００５６】
基板１３０は、プリント配線板１１０側の面にバンプ１２４を備えており、バンプ１２４がプリント配線板１１０の第３導体層１４１の一部である接続パッド１４１ｂに接続されている。
【００５７】
また、第１半導体素子１１５は、プリント配線板１１０と基板１２０との間であってバンプ１２４の高さに応じた高さで確保される空間内に配置されている。また、第１半導体素子１１５は電極１１６を有しており、電極１１６が、接合材１２２を介して、プリント配線板１１０の第３導体層１４１の一部である接続パッド１４１ａに接続されている。
【００５８】
本実施形態の半導体パッケージ１００は、図１に一実施形態が示される前述のプリント配線板１０と同様のプリント配線板１１０を有しているので、前述のようにプリント配線板１１０の反りが軽減され、第１半導体素子１１５および基板１２０の接続信頼性の低下が防がれ得る。また、プリント配線板１１０の表面の凹凸の発生が抑制されるので、第１半導体素子１１５の実装歩留りの低下が防がれ得る。
【００５９】
基板１３０の構造や材料は特に限定されず、樹脂材料からなる絶縁層と銅箔などからなる導体層とで構成されるプリント配線板や、アルミナまたは窒化アルミなどの無機材料からなる絶縁性基材の表面に導体膜が形成された配線板や、たとえば、国際公開第１１／１２２２４６号の図８〜図１３に開示された製法で製造されたマーザボート基板であってよく、任意の基板が用いられ得る。また、第１半導体素子１１５も、特に限定されず、マイコン、メモリ、ＡＳＩＣなど、任意の半導体素子が用いられ得る。なお、第３導体層１４１およびソルダーレジスト層１６０は、前述のプリント配線板１０の第３導体層４１およびソルダーレジスト層６０と同様の材料および製法を用いて形成され得る。
【００６０】
接合材１２２およびバンプ１２４の材料も特に限定されず、任意の導電性材料が用いられ、好ましくは、はんだ、金、銅などの金属が用いられる。また、接合材１２２を用いずに、第１半導体素子１１５の電極１１６と接続パッド１４１ａとが、加熱、加圧、および／または加振されることにより両者の間に金属間接合部が形成されて接続されてもよい。
【００６１】
図４Ｂには、図４Ａに示される半導体パッケージ１００のプリント配線板１１０と基板１３０との間にモールド樹脂１２６が充填されている例が示されている。このように、モールド樹脂１２６が充填されると、第１半導体素子１１５が機械的なストレスから保護されると共に、周囲の温度変化によるプリント配線板１１０の挙動が制限され、第１半導体素子１１５との接合部に生じる応力が軽減されて接続信頼性が向上するという利点がある。なお、モールド樹脂１２６の材料は特に制限されないが、たとえば、第１半導体素子１１５の熱膨張率と近い熱膨張率を有し、絶縁性の良好な材料が用いられる。好ましくは、モールド樹脂１２６には、適度にシリカなどのフィラーが含有された熱硬化性のエポキシ樹脂が用いられる。モールド樹脂１２６の充填方法は特に限定されず、たとえば、金型（図示せず）内でトランスファーモールドされて充填されてもよく、液状の樹脂が注入された後に加熱されて硬化されてもよい。
【００６２】
図４Ｃには、図４Ｂに示される半導体パッケージ１００の基板１３０上に第２半導体素子１３５が実装されている例が示されている。第２半導体素子１３５の一面に設けられている電極（図示せず）は、図２Ｃに示されるように、ボンディングワイヤ１３７により基板１３０に接続されるか、電極が設けられている面が下に向くように第２半導体素子１３５を反転させて、フリップチップ実装方式により接続されてよい。このように、第２半導体素子１３５が実装されているパッケージオンパッケージ構造の半導体パッケージとすることで、平面視におけるサイズが小さく、かつ、高機能の半導体装置が提供され得る。
【符号の説明】
【００６３】
１０    プリント配線板
２０    コア積層体
２１    第１導体層
２５    第２導体層
２７、２７ａ、２７ｂ  内層導体層
３０、３０ａ、３０ｂ、３０ｃ  絶縁層
３８、３８ａ、３８ｂ、３８ｃ  ビア導体
４０    第１ビルドアップ層
４１    第３導体層
４１ａ  接続パッド
４５    第１層間樹脂絶縁層
４８    ビア導体
５０    第２ビルドアップ層
５１    第４導体層
５１ａ  接続パッド
５５    第２層間樹脂絶縁層
５８    ビア導体
６０、６１  ソルダーレジスト層
８０    支持板
８０ａ  キャリア銅箔
８１    ベース金属箔
９０    半導体素子
１００  半導体パッケージ
１１０  プリント配線板
１１５  第１半導体素子
１２４  バンプ
１２６  モールド樹脂
１３０  基板
１３５  第２半導体素子
１４１  第３導体層
１４１ａ  接続パッド
１４１ｂ  接続パッド
１６０  ソルダーレジスト層
Ｆ１    コア積層体の第１面
Ｆ２    コア積層体の第２面
【図１】
2015211194.tif 000003
【図２】
2015211194.tif 000004
【図３Ａ】
2015211194.tif 000005
【図３Ｂ】
2015211194.tif 000006
【図３Ｃ】
2015211194.tif 000007
【図３Ｄ】
2015211194.tif 000008
【図３Ｅ】
2015211194.tif 000009
【図３Ｆ】
2015211194.tif 000010
【図３Ｇ】
2015211194.tif 000011
【図３Ｈ】
2015211194.tif 000012
【図３Ｉ】
2015211194.tif 000013
【図３Ｊ】
2015211194.tif 000014
【図４Ａ】
2015211194.tif 000015
【図４Ｂ】
2015211194.tif 000016
【図４Ｃ】
2015211194.tif 000017
【図５】
2015211194.tif 000018