(57)【要約】【課題】プラズマを安定性、再現性良く発生できる基板処理装置を提供すること。【解決手段】  処理容器と、複数の基板を保持し、前記処理容器に挿脱される基板保持手段と、前記処理容器内へガスを供給するガス供給手段と、前記処理容器の外周側に突出する一対の側面壁を有し、該側面壁によって形成される空間が前記処理容器に連通する、プラズマ形成部と、前記一対の側面壁の各々の外側に設けられる一対の電極と、前記電極を、前記側面壁との間の空間に配置するように設けられた絶縁保護カバーと、前記一対の電極に接続された高周波電源と、を有し、前記一対の電極の少なくとも一方は、対向する前記側面壁側に凸となる形状を有する、基板処理装置。【選択図】図１
2015142118.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
処理容器と、
複数の基板を保持し、前記処理容器に挿脱される基板保持手段と、
前記処理容器内へガスを供給するガス供給手段と、
前記処理容器の外周側に突出する一対の側面壁を有し、該側面壁によって形成される空間が前記処理容器に連通する、プラズマ形成部と、
前記一対の側面壁の各々の外側に設けられる一対の電極と、
前記電極を、前記側面壁との間の空間に配置するように設けられた絶縁保護カバーと、
前記一対の電極に接続された高周波電源と、
を有し、
前記一対の電極の少なくとも一方は、対向する前記側面壁側に凸となる形状を有する、
基板処理装置。
【請求項２】
前記一対の電極の両方が、対向する前記側面壁側に凸となる形状を有しており、前記の突出方向の所定の位置に、前記一対の電極間の距離が最短となる位置が存在する、
請求項１に記載の基板処理装置。
【請求項３】
前記電極は、前記処理容器の高さ方向から見た断面形状が、Ｌ字形状、Ｖ字形状、Ｃ字形状又はＵ字形状を有する、
請求項１又は２に記載の基板処理装置。
【請求項４】
前記側面壁の少なくとも一方には、前記電極の凸部の少なくとも一部を収容する溝部が形成されている、
請求項１乃至３のいずれか一項に記載の基板処理装置。
【請求項５】
前記側面壁は、前記電極に対向する面に、第１の突出部を有する、
請求項１乃至４のいずれか一項に記載の基板処理装置。
【請求項６】
前記絶縁保護カバーは、前記電極に対向する面に、第２の突出部を有する、
請求項１乃至５のいずれか一項に記載の基板処理装置。
【請求項７】
前記プラズマ形成部は、前記一対の側面壁と該一対の側面壁の一端側を連結する背面壁とにより構成され、前記高さ方向から見た断面形状が、コ字形状を有し、前記一対の側面壁、前記背面壁及び前記絶縁保護カバーにより前記空間が形成される、
請求項１乃至６のいずれか一項に記載の基板処理装置。
【請求項８】
前記処理容器の外周側には、前記基板を加熱するための加熱手段が設けられている、
請求項１乃至７のいずれか一項に記載の基板処理装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、基板処理装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体装置の製造においては、被処理体である半導体ウエハ（以下、ウエハと呼ぶ）に対して、成膜処理、酸化処理、拡散処理、改質処理、自然酸化膜の除去処理等の各種処理が施される。これらの処理は、通常、複数枚のウエハをバッチ式で処理可能な、縦型基板処理装置で実施される。
【０００３】
近年、プロセス処理時における低温化が求められており、プロセス時のウエハ温度が低い場合であっても各種処理を進行させることができる、プラズマ処理装置が提案されている。例えば、特許文献１には、容量結合プラズマ方式を利用して、複数枚のウエハをバッチ式でプラズマ処理可能な、基板処理装置が開示されている。
【０００４】
特許文献１に記載の基板処理装置では、成膜等の反応をプラズマのアシストにより促進させることができるので、ウエハ温度が比較的低くても所望するプラズマ処理を行うことができる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２００６−２７００１６号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
基板処理装置のメンテナンス時等においては、プラズマ生成用の電極を取り外し、また、メンテナンス後には電極を取り付ける作業が必要となる。しかしながら、特許文献１に記載の基板処理装置を使用した場合、電極を取り付ける際の取り付け位置の誤差等に起因して、プラズマを再現性良く発生できないという問題点を有していた。また、発生するプラズマが不安定となり、プラズマ処理の均一性及び再現性が悪化するという問題点を有していた。
【０００７】
上記課題に対して、プラズマを安定性、再現性良く発生できる基板処理装置を提供する。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
一の様態では、
処理容器と、
複数の基板を保持し、前記処理容器に挿脱される基板保持手段と、
前記処理容器内へガスを供給するガス供給手段と、
前記処理容器の外周側に突出する一対の側面壁を有し、該側面壁によって形成される空間が前記処理容器に連通する、プラズマ形成部と、
前記一対の側面壁の各々の外側に設けられる一対の電極と、
前記電極を、前記側面壁との間の空間に配置するように設けられた絶縁保護カバーと、
前記一対の電極に接続された高周波電源と、
を有し、
前記一対の電極の少なくとも一方は、対向する前記側面壁側に凸となる形状を有する、
基板処理装置が提供される。
【発明の効果】
【０００９】
プラズマを安定性、再現性良く発生できる基板処理装置を提供できる。
【図面の簡単な説明】
【００１０】
【図１】本実施形態に係る基板処理装置の一例の概略縦断面構成図である。
【図２】本実施形態に係る基板処理装置の一例の概略横断面構成図である。
【図３】従来の基板処理装置の活性化手段近傍の概略横断面構成図である。
【図４】本実施形態に係る基板処理装置の一例の活性化手段近傍の概略横断面構成図である。
【発明を実施するための形態】
【００１１】
以下、添付図面を参照して本発明の実施形態について説明する。なお、本明細書及び図面において、実質的に同一の構成については、同一の符号を付することにより重複した説明を省略する。
【００１２】
（基板処理装置）
図１に、本実施形態に係る基板処理装置の一例の概略縦断面構成図を示す。また、図２に、本実施形態に係る基板処理装置（加熱手段等の一部の構成要素を省略して示す）の一例の概略横断面構成図を示す。
【００１３】
なお、図１及び図２においては、第１の処理ガス、第２の処理ガス及び第３の処理ガスの３種類の処理ガスと、パージ用ガスとを使用して、基板上に所望の膜（一例として窒化膜）を成膜する場合について説明する。しかしながら、本発明はこの点において限定されず、処理ガスの種類が１、２又は４種類以上であっても良い。
【００１４】
図１及び図２に示すように、本実施形態に係る基板処理装置２は、下端が開口された有天井の円筒体状の処理容器４を有している。この処理容器４の全体は、例えば石英により形成されており、この処理容器４内の天井には、石英製の天井板６が設けられて封止されている。また、この処理容器４の下端開口部には、例えばステンレススチールにより円筒体状に成形されたマニホールド８がＯリング等のシール部材１０を介して連結されている。
【００１５】
上記処理容器４の下端は、上記マニホールド８によって支持されており、このマニホールド８の下方よりウエハボート１２が昇降可能に挿脱自在になされている。
【００１６】
ウエハボート１２は、多数枚の被処理体としての半導体ウエハＷを多段に載置する保持手段であり、例えば石英等から構成される。ウエハボート１２には、例えば５０〜１５０枚程度の直径が３００ｍｍ又は４５０ｍｍのウエハＷを略等ピッチで多段に支持できるようになっている。
【００１７】
ウエハボート１２は、石英製の保温筒１４を介してテーブル１６上に載置されている。このテーブル１６は、マニホールド８の下端開口部を開閉する例えばステンレススチール製の蓋部１８を貫通する回転軸２０上に支持される。そして、この回転軸２０の貫通部には、例えば磁性流体シール２２が介設され、この回転軸２０を気密にシールしつつ回転可能に支持している。また、蓋部１８の周辺部とマニホールド８の下端部には、例えばＯリング等よりなるシール部材２４が介設されており、処理容器４内のシール性を保持している。
【００１８】
上述した回転軸２０は、図示しない昇降機構に支持されたアーム２６の先端に取り付けられており、ウエハボート１２及び蓋部１８等を一体的に処理容器４内へ挿脱できるように構成されている。なお、テーブル１６を、蓋部１８側へ固定して設け、ウエハボート１２を回転させることなくウエハＷを処理容器４内に搬送する構成であっても良い。
【００１９】
マニホールド８には、処理容器４内の方へプラズマ化される窒化ガスとして、例えばアンモニア（ＮＨ３）ガスを供給する第１の処理ガス供給手段２８と、シラン系ガスとして例えばＤＣＳ（ジクロロシラン）ガスを供給する第２の処理ガス供給手段３０と、例えば不純物含有ガスとしてボロン（Ｂ）等が含有された第３の処理ガス供給手段３１と、パージガスとして不活性ガス、例えばＮ２ガスを供給するパージガス供給手段３２とが設けられる。
【００２０】
第１の処理ガス供給手段２８は、上記マニホールド８の側壁を内側へ貫通して上方向へと屈曲されて延びる、例えば石英製の第１のガスノズル３４を有する。この第１のガスノズル３４は、処理容器４の高さ方向に沿って１乃至複数のガス噴射孔３４Ａが所定の間隔を隔てて形成されており、各ガス噴射孔３４Ａから処理容器４方向へと向けて、略均一に処理ガスを噴射できるように構成されている。本実施形態においては、一例として、この第１の処理ガス供給手段２８から供給された第１の処理ガスが、後述する活性化手段５０によって活性化（プラズマ化）される例について説明する。
【００２１】
第２の処理ガス供給手段３０は、第１の処理ガス供給手段２８と同様に、マニホールド８の側壁を内側へ貫通して上方へ屈曲されて延びる、例えば石英製の第２のガスノズル３６を有する。この第２のガスノズル３６は、処理容器４の高さ方向に沿って１乃至複数のガス噴射孔３６Ａが所定の間隔を隔てて形成されており、各ガス噴射孔３６Ａから処理容器４方向へと向けて、略均一に処理ガスを噴射できるように構成されている。
【００２２】
また、同様に、第３の処理ガス供給手段３１も、マニホールド８の側壁を内側へ貫通して上方向へ屈曲されて延びる、例えば石英製の第３のガスノズル３７を有する。この第３のガスノズル３７は、処理容器４の高さ方向に沿って１乃至複数のガス噴射孔３７Ａが所定の間隔を隔てて形成されており、各ガス噴射孔３７Ａ（図２参照）から処理容器４方向へと向けて、略均一に処理ガスを噴射できるように構成されている。
【００２３】
さらに、同様に、パージガス供給手段４６は、マニホールド８の側壁を内側へ貫通するストレート形状であり、例えば石英製の第４のガスノズル３８を有する。
【００２４】
各ノズル３４、３６、３７、３８には、各々のガス通路４２、４４、４５、４６が接続されている。そして、各ガス通路４２、４４、４５、４６には、それぞれ開閉弁４２Ａ、４４Ａ、４５Ａ、４６Ａ及びマスフローコントローラ等の流量制御器４２Ｂ、４４Ｂ、４５Ｂ、４６Ｂが介設されている。これにより、各々のガスを独立して流量制御しつつ供給可能となっている。各ガスの供給、供給停止、ガス流量の制御及び後述する高周波のオン・オフ制御等は例えばマイクロコンピュータ等よりなる制御手段４８により行われる。そして、この制御手段４８は、この基板処理装置２の全体の動作も制御することが可能である。また、この制御手段４８は、上記各種ガスの供給や供給停止の制御、高周波のオン・オフ制御及び装置全体の動作を制御するためのプログラムを記憶する記憶媒体４９を有している。
【００２５】
（活性化手段）
次に、本実施形態に係る基板処理装置２における、プラズマを発生させて、処理ガスを活性化させるための活性化手段５０及びその関連の構成について、詳細に説明する。
【００２６】
上述の処理容器４の一側には、その高さ方向に沿ってプラズマを発生させて、処理ガスを活性化させる活性化手段５０が形成されている。また、この活性化手段５０に対向する処理容器４の例えば反対側には、内部雰囲気を真空排気するための排気口５２が形成されている。排気口５２は、処理容器４の側壁を削り取ることによって形成することができる。
【００２７】
活性化手段５０は、主に、処理容器４の外周側に突出する一対の側面壁を有するプラズマ形成部５６と、このプラズマ形成部５６の両側面壁の外側面に設けられる一対の電極５８ａ、ｂと、この電極５８ａ、ｂに接続されたプラズマ発生用の高周波電源６０とを有する。
【００２８】
プラズマ形成部５６は、例えば石英等から形成することができ、処理容器４の高さ方向（長手方向）に沿って設けられる。プラズマ形成部５６の形成方法としては、先ず、処理容器４の側壁を上下方向に沿って所定の幅で削りとることによって上下に細長い開口５４を形成する。この開口５４は、ウエハボート１２に保持されている全てのウエハＷを高さ方向においてカバーできるように上下方向に十分に長く形成されている。そして、この開口５４をその外側より覆うようにして、上下（高さ方向）に細長いプラズマ形成部５６を処理容器４外壁に気密に溶接接合する。これにより、一側が開口され、内部空間が処理容器４内に連通するプラズマ形成部５６を、処理容器４に対して一体的に形成される。
【００２９】
プラズマ形成部５６は、一対の側面壁が形成されていれば、その形状は特に限定されない。プラズマ形成部５６は、好ましくは、高さ方向から見た場合の断面形状が、コ字形状であり、対向して配置された一対の側面壁５６ａ、５６ｂと、この側面壁５６ａ、５６ｂの一端側であって、処理容器４の径方向外側に位置する端側を連結する背面壁５６ｃと、から形成されている。しかしながら、プラズマ形成部５６の形状は、コ字形状に限定されず、一側で互いに連結された一対の側面壁により構成された、高さ方向から見た断面形状がＵ字形状であっても良い。なお、この側面壁５６ａ、５６ｂの高さ方向の端部は、石英等によって、例えば側面壁５６ａ、５６ｂと一体的に閉じられれている。
【００３０】
プラズマ形成部５６の厚さは、プラズマ形成部５６が大気圧を耐え得る強度を有していれば、特に制限されず、例えば４．５〜６．５ｍｍ程度とすることができる。
【００３１】
プラズマ形成部５６の側面壁５６ａ、５６ｂの各々の外側（外側面側）には、その長さ方向（処理容器４の高さ方向、長手方向）に沿って互いに対向するようにして細長い一対のプラズマ電極５８（実施形態において、１５８、２５８、３５８、４５８、５５８、６５８で参照される）が設けられている。このプラズマ電極５８の配置例の詳細については、後述する。
【００３２】
プラズマ電極５８には、プラズマ発生用の高周波電源６０が給電ライン６２を介して接続されている。プラズマ電極５８には、例えば１３．５６ＭＨｚの高周波電圧を印加することによりプラズマを発生し得るようになっている。なお、この高周波電圧の周波数は、１３．５６ＭＨｚに限定されず、他の周波数、例えば４００ｋＨｚ等を用いても良い。
【００３３】
また、プラズマ形成部５６の外周側には、電極５８を覆うようにして、例えば石英等から構成される絶縁保護カバー６４が取り付けられている。これにより、電極５８を、この絶縁保護カバー６４と側面壁５６ａ、ｂとの間の空間に配置することができる。また、この絶縁保護カバー６４の内側部分には、図示しない冷媒通路が設けられており、冷却された窒素ガス等を流すことにより、プラズマ電極５８を冷却することができるようになっている。
【００３４】
活性化手段５０により、例えば第１の処理ガスにプラズマを印加させる場合、処理容器４内を上方に延びていく第１のガスノズル３４は、途中で処理容器４の半径方向外側へ屈曲される。そして、プラズマ形成部５６の背面壁５６ｃ近傍に位置され、この背面壁５６ｃ近傍で上方に向けて起立されて設けられている。これにより、高周波電源６０がオンされている時に、第１のガスノズル３４のガス噴射孔３４Ａから噴射された第１の処理ガスは、ここで活性化されて処理容器４の中心に向けて拡散しつつ流れるようになっている。
【００３５】
また、プラズマ形成部５６の開口５４の外側近傍、即ち開口５４の外側（処理容器４内）の両側には、例えば第２のガスノズル３６と第３のガスノズル３７とが各々片側ずつに起立させて設けられている。そして、各ノズル３６、３７に設けた各ガス噴射孔３６Ａ、３７Ａより処理容器４の中心方向に向けて第２の処理ガス及び第３の処理ガスを噴射可能に構成されている。
【００３６】
開口５４に対向させて設けた排気口５２には、これを覆うようにして石英等から構成される断面コ字形状に成形された排気口カバー部材６６が溶接により取り付けられている。この排気口カバー部材６６は、処理容器４の側壁に沿って上方に延びており、処理容器４の上方のガス出口６８より図示しない真空ポンプ等を介設した真空排気系により真空引きされる。そして、この処理容器４の外周を囲むようにして、この処理容器４及び処理容器４内部のウエハＷを加熱する筒体状の加熱手段７０が設けられている。
【００３７】
上述の基板処理装置２を使用した、基板処理方法の一例について、説明する。なお、本実施形態においては、基板処理装置２を用いたプラズマＡＬＤ成膜処理により、ウエハＷの表面に所望の膜を形成する場合を例にとって説明する。この場合、例えば、プラズマにより活性化する第２の処理ガスと、第１の処理ガスとを交互に供給すると共に、第２の処理ガスをプラズマにより活性化させることで、ウエハＷの表面に所望の膜を形成する。場合により、第３の処理ガスを添加する構成であっても良い。
【００３８】
しかしながら、本実施形態の基板処理装置２を使用した基板処理方法は、この点において限定されない。成膜する膜種は他の膜種であっても良い。また、プラズマＡＬＤ成膜処理を例にとって説明するが、プラズマＣＶＤ処理、プラズマ改質処理、プラズマ酸化拡散処理、プラズマスパッタ処理、プラズマ窒化処理等のプラズマを用いる他の基板処理に対しても、適用することができる。
【００３９】
先ず、例えば、５０〜１５０枚のウエハＷが載置された状態のウエハボート１２を、予め所定の温度に設定された処理容器４内に、その下方より上昇させてロードする。そして、蓋部１８でマニホールド８の下端開口部を閉じることにより、処理容器４内を密閉する。
【００４０】
次に、処理容器４内を真空引きして所定のプロセス圧力に維持すると共に、加熱手段７０への供給電力を増大させることにより、ウエハ温度を上昇させてプロセス温度を維持する。そして、第１の処理ガスと第２の処理ガスとを、各々、第１の処理ガス供給手段３０及び第２の処理ガス供給手段２８から、交互に間欠的に供給する。この際、第１の処理ガスを供給する際に、全供給時間の少なくとも一部の供給時間において、高周波電源６０をオンにして、活性化手段５０のプラズマ形成部５６内部にプラズマを立てるようにする。これにより、回転しているウエハボート１２に支持されているウエハＷの表面に、所望の膜が形成される。
【００４１】
（活性化手段５０に係る従来の問題点）
図３に、従来の基板処理装置の活性化手段近傍の概略横断面構成図を示す。なお、図３に示す電極１０５８ａ、１０５８ｂの各々は、同様の問題点を有しているため、本明細書では簡単のために片側の電極１０５８ａだけについて説明する。
【００４２】
また、以後、説明のために、図３における、プラズマ形成部５６の（処理容器４からの）突出方向をのＹ軸方向と呼び、この方向は、図２及び図４で示すＹ軸方向に対応している。
【００４３】
図３に示す従来の電極１０５８ａは、処理容器１の高さ方向から見た断面形状が長方形である、板状部材である。この電極１０５８ａは、絶縁保護カバー６４と側面壁５６ａとの間の空間に配置されている。
【００４４】
１対の電極１０５８ａ、１０５８ｂを使用した平行平板型（容量結合型）のプラズマ形成においては、主として、電極１０５８ａと電極１０５８ｂとの距離が最短となる箇所又は領域（及び前記箇所又は前記領域を主とした、その近傍領域）に、プラズマが形成される。
【００４５】
しかしながら、従来の電極１０５８ａ、ｂのような、断面形状が長方形である板状部材を使用した場合、基板処理装置のメンテナンス等に起因する電極の取り外し及び取り付けの作業によって、電極の取り付け位置が、例えば図２のＹ軸方向にずれることがある。
【００４６】
取り付け位置がずれた場合、電極間の距離が最短となる箇所又は領域も同様にずれるため、前回の取り付け位置において発生したプラズマと、今回の取り付け位置において発生するプラズマとの間で、プラズマの再現性が悪化する。また、電極の取り付け位置のずれによって、生成されるプラズマが不安定となる場合もある。結果として、プラズマ処理の均一性及び再現性が悪化するという問題点を有していた。
【００４７】
（本実施形態に係る活性化手段の効果）
上記問題点に対して、本実施形態に係る基板処理装置では、一対の電極の少なくとも一方が、対向する前記側面壁側に凸となる形状を有している。これにより、Ｙ軸方向の所定の位置に、一対の電極間の距離が最短となる位置が存在することとなる。したがって、一対の電極を取り外し、そして、再度取り付けた場合であっても、電極の取り付け位置が、取り外し前後でずれない。そのため、前回の取り付け位置において発生するプラズマと、今回の取り付け位置において発生するプラズマとの間で、プラズマの再現性を良好にすることができる。さらに、生成されるプラズマが安定となるため、プラズマ処理の均一性及び再現性を良好にすることができる。
【００４８】
なお、一対の電極は、少なくとも一方が、対向する前記側面壁側に凸となる形状を有していれば良いが、一対の電極の両方が、対向する前記側面壁側に凸となる形状となっていることが好ましい。しかしながら、本発明はこの点において限定されない。
【００４９】
［第１の実施形態］
処理容器４の高さ方向から見た、一対の電極の具体的な断面形状の一例について、図４を参照して説明する。
【００５０】
図４に、本実施形態に係る基板処理装置の一例の活性化手段５０近傍の概略横断面構成図を示す。なお、図４における、参照符号１５８ａ、２５８ａ、３５８ａ、４５８ａ、５５８ａ、６５８ａが、図１及び図２における本実施形態に係る一対の電極５８に対応する。また、図４においては、一対の電極における一方の電極についてのみ説明する。
【００５１】
［第１の実施形態］
図４（ａ）に示す電極１５８ａは、対向する側面壁５６ａ側に凸となる形状を有しており、より具体的には、処理容器４の高さ方向から見た断面形状が、Ｃ字形状又はＵ字形状を有する。なお、本実施形態において述べられる断面形状は、その対象物を回転させた場合に、その断面形状となるものも含む。
【００５２】
これにより、電極１５８ａが側面壁５６ａに接する、側面壁５６ａにおける箇所が、Ｙ軸方向の所定の位置Ｐ１となる。この位置Ｐ１は、一対の電極間の距離が最短となる、電極１５８ａ側の位置である（電極１５８ｂも同様の構成を有する場合、電極１５８ｂが側面壁５６ｂに接する、側面壁５６ｂにおける箇所が、Ｙ軸方向において、同じＰ１となる）。
【００５３】
第１の実施形態に示すように、電極１５８ａがＣ字形状を有することにより、基板処理装置のメンテナンス等において、電極１５８ａを取り付けた場合に、もし電極１５８ａが処理容器４の高さ方向を軸として回転してズレが生じた場合であっても、電極１５８ａが側面壁５６ａに接する、側面壁５６ａにおける箇所が、Ｙ軸方向の所定の位置Ｐ１となる。
【００５４】
そのため、本実施形態に係る電極１５８ａを有する基板処理装置を使用することにより、メンテナンス後においても、再現性及び安定性良くプラズマを生成することができる。
【００５５】
第１の実施形態に係る活性化手段５０において、側面壁５６ａは、図４（ａ）に示すように、電極１５８ａに対向する面に、第１の突出部１０２を有することが好ましい。また、絶縁保護カバー６４は、電極１５８ａに対向する面に、第２の突出部６４ａを有することが好ましい。
【００５６】
第１の突出部１０２及び／又は第２の突出部６４ａを設けることにより、電極１５８ａの取り付け時における、電極１５８ａが移動可能な領域を減らすことができる。そのため、電極１５８ａの取り付け誤差を更に低減することができる。
【００５７】
なお、本実施形態においては、第１の突出部１０２及び／又は第２の突出部６４ａが、電極１５８ａに接していない構成について説明したが、第１の突出部１０２及び／又は第２の突出部６４ａが電極１５８ａに接触していても良い。接触させる場合には、この第１の突出部１０２及び第２の突出部６４ａは、電極１５８ａの少なくとも一部を、少なくとも前述の位置Ｐ１に接するための固定部としても機能する。
【００５８】
［第１の実施形態の変形例］
図４（ｃ）に示す活性化手段５０は、電極３５８ａが接する側面壁５６ａが、電極３５８ａの凸形状を収容する溝部５６ｄを収容する断面形状を有する点等において、第１の実施形態の活性化手段５０とは異なる。
【００５９】
側面壁５６ａに、電極３５８ａの凸形状を収容する溝部５６ｄを形成することにより、電極３５８ａの取り付け時に、もし、電極３５８ａが処理容器４の高さ方向を軸として回転してズレが生じた場合であっても、電極３５８ａが側面壁５６ａに接する、側面壁５６ａにおける領域が、Ｙ軸方向の所定の位置Ｐ３を含む領域となる。この位置Ｐ３は、一対の電極間の距離が最短となる、電極３５８ａ側の位置である。
【００６０】
そのため、本実施形態に係る電極３５８ａを有する基板処理装置を使用することにより、メンテナンス後においても、再現性及び安定性良くプラズマを生成することができる。
【００６１】
また、本実施形態に係る活性化手段５０においても、絶縁保護カバー６４は、電極３５８ａに対向する面に、第２の突出部６４ａを有することが好ましい。
【００６２】
第２の突出部６４ａを設けることにより、電極３５８ａの取り付け時における、電極３５８ａが移動可能な領域を減らすことができる。そのため、電極３５８ａの取り付け誤差を更に低減することができる。
【００６３】
［第１の実施形態の更なる変形例］
図４（ｅ）に示す活性化手段５０は、側面壁５６ａが、電極５５８ａに対向する面に、第１の突出部１０２を有する点において、図４（ｃ）に示す第１の実施形態の変形例における活性化手段５０とは異なる。
【００６４】
第１の突出部１０２を設けることにより、電極５５８ａの取り付け時における、電極５５８ａが移動可能な領域を減らすことができる。そのため、電極５５８ａの取り付け誤差を更に低減することができる。
【００６５】
なお、図４（ｅ）において、電極５５８ａが側面壁５６ａに接する、側面壁５６ａにおける箇所は、Ｙ軸方向の所定の位置Ｐ５となる。この位置Ｐ５は、一対の電極間の距離が最短となる、電極５５８ａ側の位置である。
【００６６】
［第２の実施形態］
図４（ｂ）、（ｄ）、（ｆ）に各々示す電極２５８ａ、４５８ａ、６５８ａは、対向する側面壁５６ａ側に凸となる形状を有しており、より具体的には、処理容器４の高さ方向から見た断面形状が、Ｌ字形状又はＶ字形状になっている点等において、前述の電極１５８ａ、３５８ａ、５５８ａとは異なる。
【００６７】
本実施形態に係る電極２５８ａ、４５８ａ、６５８ａにおいて、各々、電極が側面壁５６ａに接する、側面壁５６ａにおける箇所は、Ｙ軸方向の所定の位置Ｐ２、Ｐ４、Ｐ６となる。この位置Ｐ２、Ｐ４、Ｐ６は、一対の電極間の距離が最短となる、電極２５８ａ、４５８ａ、６５８ａ側の位置である。
【００６８】
そのため、第２の実施形態の活性化手段５０においても、第１の実施形態と同様に、メンテナンス後においても、再現性及び安定性良くプラズマを生成することができる。
【符号の説明】
【００６９】
１  処理容器
２  基板処理装置
４  処理容器
６  天井板
８  マニホールド
１０  シール部材
１２  ウエハボート
２８  第１の処理ガス供給手段
３０  第２の処理ガス供給手段
３１  第３の処理ガス供給手段
３２  パージガス供給手段
４６  パージガス供給手段
４８  制御手段
４９  記憶媒体
５０  活性化手段
５０  性化手段
５２  排気口
５４  開口
５６  プラズマ形成部
５６ａ、５６ｂ  側面壁
５６ｃ  背面壁
５６ｄ  溝部
５８  プラズマ電極
６０  高周波電源
６２  給電ライン
６４  絶縁保護カバー
１５８ａ  電極
【図１】
2015142118.tif 000003
【図２】
2015142118.tif 000004
【図３】
2015142118.tif 000005
【図４】
2015142118.tif 000006