(57)【要約】【課題】第1電極部および第2電極部間のナノギャップの幅を小さくしても、測定対象を含んだ流体が容易にナノギャップを通過できるナノギャップ電極およびその製造方法を提案する。【解決手段】ナノギャップ電極1では、第1電極部3および第2電極部4間のナノギャップNGの幅W1を小さく選定しても、基板2の面方向に延びる第1ギャップ領域NG1だけでなく、基板2に対して直立に延び、末端が第1ギャップ領域NG1と連通した第2ギャップ領域NG2にも溶液が通過し得、その分、測定対象たる一本鎖ＤＮＡを含んだ溶液が容易にナノギャップNGを通過し得る。【選択図】図１
2015077652.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に形成された第1電極部と、
該第1電極部に絶縁層を介して形成されたギャップ形成層上、または前記第1電極部に形成されたギャップ形成層上のいずれかに形成され、前記第1電極部に対して対向配置された第2電極部とを備え、
前記第1電極部および前記第2電極部間には、
前記基板の面方向に延びる第1ギャップ領域と、前記基板に対して直立に延び、末端が前記第1ギャップ領域と連通した第2ギャップ領域とからなるナノギャップが形成されている
ことを特徴とするナノギャップ電極。
【請求項２】
前記第1電極部は、
薄膜部と、
前記薄膜部よりも膜厚が厚い厚膜部と、
前記薄膜部および前記厚膜部間に形成され、前記厚膜部よりも膜厚の薄い第1電極側ギャップ形成部とを有し、
前記第2電極部は、
前記薄膜部上に前記絶縁層および前記ギャップ形成層を介して設けられるか、または前記薄膜部上に前記ギャップ形成層のみを介して設けられる基体部と、
該基体部から先端が前記厚膜部に向けて延び、前記第1電極側ギャップ形成部との間に前記第1ギャップ領域を形成し、かつ前記厚膜部との間に前記第2ギャップ領域を形成する第2電極側ギャップ形成部とを有する
ことを特徴とする請求項１に記載のナノギャップ電極。
【請求項３】
基板上に形成された第1電極部と、
前記基板上のギャップ形成層に形成され、前記第1電極部に対して対向配置された第2電極部とを備え、
前記第1電極部および前記第2電極部間には、
前記基板の面方向に延びる第1ギャップ領域と、前記基板に対して直立に延び、末端が前記第1ギャップ領域と連通した第2ギャップ領域とからなるナノギャップが形成されている
ことを特徴とするナノギャップ電極。
【請求項４】
前記第2電極部は、
前記基板上に前記ギャップ形成層を介して設けられた基体部と、
前記第1電極部との間に前記第1ギャップ領域および前記第2ギャップ領域を設けて該第1電極部上に乗り上げるように形成された第2電極側ギャップ形成部とを有する
ことを特徴とする請求項３に記載のナノギャップ電極。
【請求項５】
前記第1ギャップ領域の幅と、前記第2ギャップ領域の幅とが、前記ギャップ形成層の膜厚と同じ寸法に形成されている
ことを特徴とする請求項１〜４のうちいずれか１項記載のナノギャップ電極。
【請求項６】
段差を有した第1電極形成部を基板上に形成した後、前記第1電極形成部の段差に沿ってギャップ形成層を形成することで、前記基板の面方向に延び、かつ該基板に対して直立に延びた前記ギャップ形成層を形成する第1工程と、
前記ギャップ形成層上に第2電極形成部を形成した後、前記第1電極形成部の表面、前記基板に対して直立に延びた前記ギャップ形成層の表面、および前記第2電極形成部の表面を外部に露出させる第2工程と、
マスクを用いて前記第2電極形成部、前記ギャップ形成層、および前記第1電極形成部をパターニングすることにより、所定形状の第1電極部および第2電極部を形成し、前記基板の面方向に延び、かつ前記基板に対して直立に延びたギャップ形成層を、前記第1電極部および前記第2電極部間に形成する第3工程と、
前記ギャップ形成層を除去することで、前記基板の面方向に延びる第1ギャップ領域と、該基板に対して直立に延び、末端が前記第1ギャップ領域と連通した第2ギャップ領域とからなるナノギャップを、前記第1電極部および前記第2電極部間に形成する第4工程と
を含むことを特徴とするナノギャップ電極の製造方法。
【請求項７】
前記第1工程は、前記段差を有した第1電極形成部上の膜厚が薄い領域に絶縁層を形成した後、前記第1電極形成部の段差と前記絶縁層に沿って前記ギャップ形成層を形成し、
前記第3工程は、前記マスクを用いて前記絶縁層もパターニングし、前記第１電極部の膜厚が薄い領域に前記絶縁層を設けること
を特徴とする請求項６に記載のナノギャップ電極の製造方法。
【請求項８】
基板上の一部に第1電極形成部を形成した後、前記第1電極形成部上および前記基板上にギャップ形成層を形成することで、前記基板の面方向に延び、かつ該基板に対して直立に延びた前記ギャップ形成層を形成する第1工程と、
前記ギャップ形成層上に第2電極形成部を形成する第2工程と、
マスクを用いて前記第2電極形成部、前記ギャップ形成層、および前記第1電極形成部をパターニングすることにより、所定形状の第1電極部および第2電極部を形成し、前記基板の面方向に延び、かつ前記基板に対して直立に延びたギャップ形成層を、前記第1電極部および前記第2電極部間に形成する第3工程と、
前記ギャップ形成層を除去することで、前記基板の面方向に延びる第1ギャップ領域と、該基板に対して直立に延び、末端が前記第1ギャップ領域と連通した第2ギャップ領域とからなるナノギャップを、前記第1電極部および前記第2電極部間に形成する第4工程と
を含むことを特徴とするナノギャップ電極の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明はナノギャップ電極およびその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、対向した電極部間にナノスケールの間隙が形成された電極構造（以下、ナノギャップ電極と呼ぶ）が注目されており、ナノギャップ電極を用いた電子デバイスや、バイオデバイス等について研究が盛んに行われている。例えば、バイオデバイスの分野では、ナノギャップ電極を利用し、ＤＮＡの塩基配列を解析する分析装置が考えられている（例えば、特許文献１参照）。
【０００３】
実際上、この分析装置では、ナノギャップ電極の電極部間にあるナノスケールでなる中空状の間隙（以下、ナノギャップと呼ぶ）に一本鎖ＤＮＡを通過させ、当該一本鎖ＤＮＡの塩基が電極部間のナノギャップを通過したときに電極部間を流れる電流を計測してゆき、当該電流値を基に一本鎖ＤＮＡを構成する塩基を同定し得るようになされている。
【０００４】
このような分析装置では、ナノギャップ電極の電極部間の距離が大きくなると、検出できる電流値が小さくなってしまい、高感度で試料を分析することが困難になるため、電極部間のナノギャップを小さく形成し得ることが望まれている。そのため、電極部間の距離が小さなナノギャップ電極の開発が進められている(例えば、特許文献２参照)。
【０００５】
特許文献２では、基板上に金属層／ＳＡＭ(Self‐Assembled Monolayer)またはＡｌ２Ｏ３層／金属層の３層構造を作製し、その後、ＳＡＭまたはＡｌ２Ｏ３層を除去することで垂直ナノギャップを製造する方法が開示されている。また、特許文献２では、一方の電極部として基板上に設けた第１の金属層の側面にＳＡＭを形成し、当該ＳＡＭと接触するように他方の電極部となる第２の金属層を基板上に形成した後、当該ＳＡＭを除去することにより第１の金属層と第２の金属層との間にプラナーナノギャップを作製する方法が開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】国際公開第２０１１／１０８５４０号
【特許文献２】特開２００６−２３４７９９号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
しかしながら、かかる構成でなるナノギャップ電極では、電極部間の距離を小さく形成し得るものの、その一方で、電極部間の距離を小さくした分だけ、測定対象となる一本鎖ＤＮＡを含んだ溶液がナノギャップを通過し難くなるという問題が生じる。
【０００８】
そこで、本発明は以上の点を考慮してなされたもので、第1電極部および第2電極部間のナノギャップの幅を小さくしても、測定対象を含んだ流体が容易にナノギャップを通過できるナノギャップ電極およびその製造方法を提案することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
かかる課題を解決するため本発明の請求項１に示すナノギャップ電極は、基板上に形成された第1電極部と、該第1電極部に絶縁層を介して形成されたギャップ形成層上、または前記第1電極部に形成されたギャップ形成層上のいずれかに形成され、前記第1電極部に対して対向配置された第2電極部とを備え、前記第1電極部および前記第2電極部間には、前記基板の面方向に延びる第1ギャップ領域と、前記基板に対して直立に延び、末端が前記第1ギャップ領域と連通した第2ギャップ領域とからなるナノギャップが形成されていることを特徴とする。
【００１０】
また、本発明の請求項３に示すナノギャップ電極は、基板上に形成された第1電極部と、前記基板上のギャップ形成層に形成され、前記第1電極部に対して対向配置された第2電極部とを備え、前記第1電極部および前記第2電極部間には、前記基板の面方向に延びる第1ギャップ領域と、前記基板に対して直立に延び、末端が前記第1ギャップ領域と連通した第2ギャップ領域とからなるナノギャップが形成されていることを特徴とする。
【００１１】
また、本発明の請求項６に示すナノギャップ電極の製造方法は、段差を有した第1電極形成部を基板上に形成した後、前記第1電極形成部の段差に沿ってギャップ形成層を形成することで、前記基板の面方向に延び、かつ該基板に対して直立に延びた前記ギャップ形成層を形成する第1工程と、前記ギャップ形成層上に第2電極形成部を形成した後、前記第1電極形成部の表面、前記基板に対して直立に延びた前記ギャップ形成層の表面、および前記第2電極形成部の表面を外部に露出させる第2工程と、マスクを用いて前記第2電極形成部、前記ギャップ形成層、および前記第1電極形成部をパターニングすることにより、所定形状の第1電極部および第2電極部を形成し、前記基板の面方向に延び、かつ前記基板に対して直立に延びたギャップ形成層を、前記第1電極部および前記第2電極部間に形成する第3工程と、前記ギャップ形成層を除去することで、前記基板の面方向に延びる第1ギャップ領域と、該基板に対して直立に延び、末端が前記第1ギャップ領域と連通した第2ギャップ領域とからなるナノギャップを、前記第1電極部および前記第2電極部間に形成する第4工程とを含むことを特徴とする。
【００１２】
また、本発明の請求項８に示すナノギャップ電極の製造方法は、基板上の一部に第1電極形成部を形成した後、前記第1電極形成部上および前記基板上にギャップ形成層を形成することで、前記基板の面方向に延び、かつ該基板に対して直立に延びた前記ギャップ形成層を形成する第1工程と、前記ギャップ形成層上に第2電極形成部を形成する第2工程と、マスクを用いて前記第2電極形成部、前記ギャップ形成層、および前記第1電極形成部をパターニングすることにより、所定形状の第1電極部および第2電極部を形成し、前記基板の面方向に延び、かつ前記基板に対して直立に延びたギャップ形成層を、前記第1電極部および前記第2電極部間に形成する第3工程と、前記ギャップ形成層を除去することで、前記基板の面方向に延びる第1ギャップ領域と、該基板に対して直立に延び、末端が前記第1ギャップ領域と連通した第2ギャップ領域とからなるナノギャップを、前記第1電極部および前記第2電極部間に形成する第4工程とを含むことを特徴とする。
【発明の効果】
【００１３】
本発明の請求項１、請求項３、請求項６および請求項８によれば、第1電極部および第2電極部間のナノギャップの幅を小さく選定しても、基板の面方向に延びる第1ギャップ領域だけでなく、基板に対して直立に延び、末端が第1ギャップ領域と連通した第2ギャップ領域にも、測定対象を含んだ流体が通過し得るので、その分、当該流体が容易にナノギャップを通過し得るナノギャップ電極を提供し得る。
【図面の簡単な説明】
【００１４】
【図１】第１の実施の形態によるナノギャップ電極の全体構成を示す概略図である。
【図２】第１の実施の形態によるナノギャップ電極の上面構成を示す上面図と、ナノギャップ電極の側断面構成を示す側断面図である。
【図３】第１の実施の形態によるナノギャップ電極の製造方法の説明（１）に供する概略図である。
【図４】第１の実施の形態によるナノギャップ電極の製造方法の説明（２）に供する概略図である。
【図５】第１の実施の形態によるナノギャップ電極の製造方法の説明（３）に供する概略図である。
【図６】第２の実施の形態によるナノギャップ電極の全体構成を示す概略図である。
【図７】第２の実施の形態によるナノギャップ電極の上面構成を示す上面図と、ナノギャップ電極の側断面構成を示す側断面図である。
【図８】第２の実施の形態によるナノギャップ電極の製造方法の説明（１）に供する概略図である。
【図９】第２の実施の形態によるナノギャップ電極の製造方法の説明（２）に供する概略図である。
【図１０】第２の実施の形態によるナノギャップ電極の製造方法の説明（３）に供する概略図である。
【発明を実施するための形態】
【００１５】
以下、図面を参照して本発明の実施形態について詳細に説明する。
【００１６】
（１）第１の実施の形態
（１−１）第１の実施の形態によるナノギャップ電極の構成
図１において、1は第１の実施の形態によるナノギャップ電極を示し、所定形状の第1電極部3が基板2上に設けられているとともに、当該第1電極部3に設けた薄膜部3a上に絶縁層7とギャップ形成層としての絶縁層6を介して第2電極部4が設けられており、これら第1電極部3および第2電極部4によって、幅がナノスケール（例えば1000［nm］以下）でなる中空状のナノギャップNGを形成している。そして、本発明では、基板2の面方向に沿って配置された第1ギャップ領域NG1と、基板2に対して直立するように配置され、末端が第1ギャップ領域NG1と連通した第2ギャップ領域NG2とでなる2方向に延びるナノギャップNGが、第1電極部3および第2電極部4間に形成されている点に特徴を有している。なお、基板2は、例えばシリコン基板8と、当該シリコン基板8上に形成された層状の酸化シリコン層9とから構成されており、例えばチタンナイトライド（ＴｉＮ）等の金属部材からなる第1電極部3が、当該酸化シリコン層9上に形成された構成を有する。
【００１７】
実際上、この実施の形態の場合、第1電極部3は、絶縁層6と絶縁層7とが表面に積層されている薄膜部3aと、当該薄膜部3aに一端が一体形成された帯状の第1電極側ギャップ形成部3bと、当該第1電極側ギャップ形成部3bの他端に一体形成された厚膜部3cとから構成されている。第1電極部3は、薄膜部3aおよび第1電極側ギャップ形成部3bの膜厚が、厚膜部3cの膜厚よりも薄く形成されており、膜厚の薄い薄膜部3aおよび第1電極側ギャップ形成部3bの上方に第2電極部4が配置された構成を有する。これにより第1電極部3は、薄膜部3aと、第1電極側ギャップ形成部3bの一部とに対して第2電極部4が重なるように配置され、一方、膜厚の厚い厚膜部3cには第2電極部4が重なることなく、厚膜部3cの上面が外部に露出し得るように形成されている。
【００１８】
なお、図１に示すこの実施の形態の場合、第1電極部3は、帯状の第1電極側ギャップ形成部3bを中心に薄膜部3aおよび厚膜部3cの外郭形状がほぼ左右対称に形成されている。因みに、ここでは、例えば、薄膜部3aの外郭形状が略⊃形に形成され、厚膜部3cの外郭形状が略⊂形に形成されており、薄膜部3aおよび厚膜部3cの各中央先端部分に、帯状の第1電極側ギャップ形成部3bの端部が一体形成された構成を有する。
【００１９】
また、第1電極部3は、厚膜部3cの膜厚が、薄膜部3aおよび第1電極側ギャップ形成部3bの膜厚よりも厚く形成されていることから、膜厚が厚い厚膜部3cには、第1電極側ギャップ形成部3bとの膜厚差分の高さを有したギャップ形成側面11bが形成されている。なお、この第1電極部3は、薄膜部3aおよび第1電極側ギャップ形成部3bの各膜厚が同一に形成され、第1電極側ギャップ形成部3bと厚膜部3cとの間にのみ段差を有し、これら面一に形成された薄膜部3aおよび第1電極側ギャップ形成部3b上方に第2電極部4が配置された構成を有する。
【００２０】
かかる構成に加えて、第1電極側ギャップ形成部3bは、厚膜部3cのギャップ形成側面11bに対して直角に配置された平面状のギャップ形成上面11aを有しており、当該ギャップ形成上面11aに対し第1ギャップ領域NG1（ナノギャップNG）を介して第2電極部4の第2電極側ギャップ形成部4bが対向配置されている。ここで、第1電極部3の薄膜部3aは、絶縁層6と絶縁層7を介して第2電極部4の基体部4aが設けられた構成を有し、当該絶縁層6と絶縁層7により第2電極部4と電気的に絶縁されている。
【００２１】
なお、この実施の形態の場合、絶縁層6は、絶縁層7と酸化シリコン層9とは異なるエッチング条件を有する、例えばシリコンナイトライド(ＳｉＮ)等の絶縁部材から形成されている。また、この絶縁層6は、絶縁層7上に形成され、第1電極部3の薄膜部3aとほぼ同じ外郭形状を有し、薄膜部3aの中央先端部分付近の所定の領域では、絶縁層7の側面に沿って形成されている。この絶縁層6は、製造過程において行われるナノギャップ形成時のウェットエッチング（後述する）により外周面が削られており、外郭形状が当該薄膜部3aよりも僅かに小さく形成されている。また、この実施の形態の場合、絶縁層7は、絶縁層6と酸化シリコン層9とは異なるエッチング条件を有し、第1電極部3と第2電極部4とを絶縁し得る、例えばアルミナ（Ａｌ２Ｏ３）等の絶縁部材から形成されている。また、この絶縁層7は、第1電極部の薄膜部3aとほぼ同じ外郭形状を有し、上面と側面の一部とに絶縁層6が形成されている。
【００２２】
第2電極部4は、例えばチタンナイトライド（ＴｉＮ）等の金属部材により形成されており、絶縁層6上に積層形成された基体部4aと、当該基体部4aに一端が一体形成された帯状の第2電極側ギャップ形成部4bとを有している。この実施の形態の場合、第2電極部4は、基体部4aが第1電極部3の薄膜部3aと同様の外郭形状を有しており、当該基体部4aの外周が第1電極部3の薄膜部3aの外周と一致するように第1電極部3上に配置されている。そして、第2電極側ギャップ形成部4bの膜厚が、基体部4aの膜厚よりも厚く選定されている。
【００２３】
また、第2電極部4の第2電極側ギャップ形成部4bは、x方向に延びる長手方向の長さが、第1電極部3にてx方向に延びる第1電極側ギャップ形成部3bの長手方向の長さよりも短く選定されている。これにより第2電極部4は、ナノギャップ電極1の上面構成を示す図２Ａのように、第2電極側ギャップ形成部4bの外周が第1電極側ギャップ形成部3bの外周と一致するように配置されているものの、当該第2電極側ギャップ形成部4bの長さが、第1電極側ギャップ形成部3bの長さよりも短く形成されている分、第2電極側ギャップ形成部4bの先端と、厚膜部3cとの間に、外部と連通した幅W1の第2ギャップ領域NG2（ナノギャップNG）を形成し得るようになされている。
【００２４】
また、第2電極側ギャップ形成部4bは、図２ＡのＡ‐Ａ´部分の側断面構成を示す図２Ｂのように、根元が基体部4aにて片持ち支持され、その先端が厚膜部3cに向けて延びており、第1電極側ギャップ形成部3bにおけるギャップ形成上面11aとの間に、絶縁層6の膜厚分の幅W1でなる第1ギャップ領域NG1（ナノギャップNG）を形成している。実際上、第2電極側ギャップ形成部4bは、図２Ｂに示したように、裏側にあるギャップ対向下面12aが、第1電極側ギャップ形成部3bにおけるギャップ形成上面11aと対向配置されており、ギャップ対向下面12aと、第1電極部3のギャップ形成上面11aとの間に、基板2の面方向に延びた第1ギャップ領域NG1を形成し得る。
【００２５】
かかる構成に加えて、第2電極側ギャップ形成部4bは、図１、図２Ａおよび図２Ｂに示すように、第1電極部3の厚膜部3cにおけるギャップ形成側面11bに対して、ギャップ対向先端面12bが対向配置されており、ギャップ対向先端面12bと、第1電極部3のギャップ形成側面11bとの間に、基板2に対して直立（基板2の面方向と直交するz方向）に配置され、末端が第1ギャップ領域NG1と連通した第2ギャップ領域NG2を形成し得る。
【００２６】
このように第1電極部3および第2電極部4間には、ギャップ形成上面11aおよびギャップ対向下面12a間における第1ギャップ領域NG1と、ギャップ形成側面11bおよびギャップ対向先端面12b間における第2ギャップ領域NG2とで構成されたナノギャップNGが形成され得る。なお、第1電極部3および第2電極部4間に形成されるナノギャップNGは、第1電極側ギャップ形成部3bおよび第2電極側ギャップ形成部4bの長手方向たるx方向と基板2上にて直交するy方向に向けて貫通しており、例えば基板2上においてy方向に流れる溶液等がナノギャップNG（第1ギャップ領域NG1および第2ギャップ領域NG2）を通過し得るようになされている。
【００２７】
因みに、この実施の形態の場合では、ギャップ形成上面11aおよびギャップ対向下面12a間の第1ギャップ領域NG1における幅W1と、ギャップ形成側面11bおよびギャップ対向先端面12b間の第2ギャップ領域NG2における幅W1は、絶縁層6の膜厚とほぼ同じ寸法に形成されており、例えば0.5〜30［nm］、さらには使用態様に応じて2［nm］以下或いは1［nm］以下に形成し得るようになされている。
【００２８】
このようなナノギャップ電極1は、例えば図示しない電源によって第1電極部3と第2電極部4との間に一定の電圧が印加され、その状態で一本鎖ＤＮＡを含んだ溶液が第1電極部3および第2電極部4間のナノギャップNGを流れ得る。ナノギャップ電極1は、溶液の流れに乗って運搬されてきた一本鎖ＤＮＡが第1電極部3および第2電極部4間のナノギャップNGを通過したときに、第1電極部3および第2電極部4間に流れる電流値を電流計にて計測させてゆき、その電流値の変化から一本鎖ＤＮＡの塩基配列を特定し得る。
【００２９】
これに加えて、本発明のナノギャップ電極1は、第1電極部3および第2電極部4間のナノギャップNGの幅W1を小さく選定することで、高感度で試料を分析し得るとともに、この際、一本鎖ＤＮＡを含んだ溶液を、基板2と平行した第1ギャップ領域NG1だけでなく、基板2に対して直立に配置された第2ギャップ領域NG2にも通過させることができるので、その分より多くの溶液が容易にナノギャップNGを通過し得る。
【００３０】
（１−２）第１の実施の形態によるナノギャップ電極の製造方法
次に、第１の実施の形態によるナノギャップ電極1の製造方法について説明する。先ず始めに、例えば酸化シリコン層9がシリコン基板8上に形成された基板2を用意し、当該酸化シリコン層9の全面に、例えばＣＶＤ(Chemical Vapor Deposition)法によりチタンナイトライド(ＴｉＮ)でなる層状の電極形成層を形成する。
【００３１】
次に、フォトリソグラフィ技術によって、当該電極形成層をパターニングし、図３Ａと、図３ＡのＢ‐Ｂ´部分の側断面構成を示す図３Ｂのように、当該電極形成層の表面の所定領域をエッチングして段差を設け、膜厚が薄く四辺状に凹んだ薄膜領域13と、当該薄膜領域13よりも膜厚が厚く、薄膜領域13との境に段差分の高さの側面14aを有した四辺状の厚膜領域14とを有する第1電極形成部31を形成する。なお、この際、エッチングにより形成された第1電極形成部31の薄膜領域13には、後の工程において第1電極部3の薄膜部3aおよび第1電極側ギャップ形成部3bが形成され、一方、厚膜領域14には、後の工程において第1電極部3の厚膜部3cが形成され得る。
【００３２】
続いて、第1電極形成部31の全面に例えばＣＶＤ法によりアルミナ(Ａｌ２Ｏ３)でなる層状の絶縁層を形成する。フォトリソグラフィ技術によって当該絶縁層をパターニングし、図３Ｃと、図３ＣのＣ‐Ｃ´部分の側断面構成を示す図３Ｄのように、当該絶縁層の表面の所定の領域をエッチングして、第1電極形成部31の薄膜領域13上に絶縁層7を形成する。
【００３３】
次いで、図３Ｃとの対応部分に同一符号を付して示す図３Ｅと、図３ＥのＤ‐Ｄ´部分の側断面構成を示す図３Ｆのように、絶縁層7と段差を有した第１電極形成部31の全面に、例えばＣＶＤ法によりシリコンナイトライド(ＳｉＮ)でなる層状の絶縁層6を形成し、第1電極形成部31に形成された段差とほぼ同じ形状の段差を有した絶縁層6を第1電極形成部31上に設ける。この場合、第1電極形成部31の薄膜領域13および厚膜領域14の上面には、基板2の面方向に沿った絶縁層6が形成され、第1電極形成部31の側面14aには、基板2に対して直立に延びた絶縁層6が形成され得る。また、絶縁層7の上面には、基板2の面方向に沿った絶縁層6が形成され、絶縁層7の側面には、基板2に対して直立に延びた絶縁層6が形成され得る。なお、一例として図３Ｆに示した絶縁層6は、絶縁層7が形成された第1電極形成部31に沿ってコンフォーマルに形成されており、薄膜領域13上に形成された絶縁層6の膜厚と、側面14aに沿って形成された絶縁層6の膜厚とがほぼ同一に形成されている。
【００３４】
次いで、図３Ｅとの対応部分に同一符号を付して示す図４Ａと、図４ＡのＥ‐Ｅ´部分の側断面構成を示す図４Ｂのように、絶縁層6の全面に、例えばＣＶＤ法によってチタンナイトライド（ＴｉＮ）からなる層状の第2電極形成部32を形成する。これにより、第2電極形成部32には、第1電極形成部31の薄膜領域13の表面13aと対向した対向下面32aと、第1電極形成部31の厚膜領域14における側面14aと対向した対向側面32bとが形成され得る。
【００３５】
次いで、第2電極形成部32や、さらには第1電極形成部31における厚膜領域14上の絶縁層6、第1電極形成部31の厚膜領域14を、例えばＣＭＰ（Chemical and Mechanical Polishing）等の平坦化処理によってオーバ研磨してゆき、図４Ａとの対応部分に同一符号を付して示す図４Ｃと、図４ＣのＦ‐Ｆ´部分の側断面構成を示す図４Ｄのように、第1電極形成部31の薄膜領域13に第2電極形成部32を残存させるとともに、第1電極形成部31の厚膜領域14の表面を外部に露出させて、基板2に対し直立に延びた絶縁層6部分の表面を、第1電極形成部31および第2電極形成部32間から外部に露出させる。
【００３６】
因みに、この実施の形態の場合、平坦化処理は、第1電極形成部31を研磨することなく、第2電極形成部32と、第1電極形成部31の厚膜領域14上の絶縁層6とだけを研磨し、第1電極形成部31の厚膜領域14、絶縁層6、および第2電極形成部32の各表面を全て外部に露出させるようにしてもよい。
【００３７】
次いで、図４Ｃとの対応部分に同一符号を付して示す図４Ｅと、図４ＥのＧ‐Ｇ´部分の側断面構成を示す図４Ｆのように、フォトリソグラフィ技術によってパターニングしたレジストマスク15を、外部に露出している第2電極形成部32上、絶縁層6上、および第1電極形成部31上に形成する。ここで、レジストマスク15は、図１に示す最終的に形成される第1電極部3の外郭形状に合わせて、その外郭形状が形成されている。
【００３８】
実際上、この実施の形態の場合、レジストマスク15は、第1電極部3の薄膜部3aの外郭形状に合わせて略⊃形に形成された基体形成領域15aと、第1電極部3の第1電極側ギャップ形成部3bの外郭形状に合わせて帯状に形成されたギャップ形成領域15bと、第1電極部3の厚膜部3cの外郭形状に合わせて略⊂形に形成された基体形成領域15cとを有する。そして、レジストマスク15は、一方の基体形成領域15aとギャップ形成領域15bとが第2電極形成部32上に配置されるとともに、ギャップ形成領域15bの末端が絶縁層6上に配置され、さらに他方の基体形成領域15cが第1電極形成部31の厚膜領域14上に配置され得る。
【００３９】
次いで、レジストマスク15に覆われておらず、外部に露出した第1電極形成部31と第2電極形成部32とを、例えばドライエッチングにより除去する。具体的には、図４Ｅとの対応部分に同一符号を付して示す図５Ａと、図５ＡのＨ‐Ｈ´部分の側断面構成を示す図５Ｂのように、第2電極形成部32をレジストマスク15でパターニングし、レジストマスク15に覆われた領域に第2電極部4を形成し、また、第1電極形成部31の厚膜領域14をレジストマスク15でパターニングして、レジストマスク15に覆われた領域に厚膜部3cを形成する。
【００４０】
また、この際、第2電極部4の基体部4aは、レジストマスク15の基体形成領域15aにより第2電極形成部32がパターニングされることで形成され得る。さらに、ギャップ対向下面12aおよびギャップ対向先端面12bを有した第2電極側ギャップ形成部4bは、レジストマスク15のギャップ形成領域15bにより第2電極形成部32がパターニングされることで形成され得る。一方、第1電極部3の厚膜部3cには、第2電極部4のギャップ対向先端面12bと対向するギャップ形成側面11bが形成され得る。因みに、レジストマスク15に覆われていない外部に露出した第1電極形成部31を除去した領域には、酸化シリコン層9が露出する。また、レジストマスク15に覆われていない外部に露出した第2電極形成部32を除去した領域では、基板2の面方向に延び、かつ基板2に対して直立に延びた絶縁層6が露出するため、当該絶縁層6に覆われている第1電極形成部31の薄膜領域13は、この段階ではパターニングされない。
【００４１】
次いで、レジストマスク15に覆われていない外部に露出した絶縁層6を、例えばドライエッチングにより除去する。この際、絶縁層6を除去するドライエッチングは、第1電極形成部31および第2電極形成部32を除去するドライエッチングとは別のガスによる。これにより、図５Ａとの対応部分に同一符号を付して示す図５Ｃと、図５ＣのＩ‐Ｉ´部分の側断面構成を示す図５Ｄのように、レジストマスク15に覆われておらず、絶縁層6が除去された領域には、絶縁層7と第1電極形成部31の薄膜領域13が残存して外部に露出する。また、絶縁層6は、第2電極部4の外郭形状（基体部4aおよび第2電極側ギャップ形成部4b）に合わせて残存し、さらに、第2電極側ギャップ形成部4bの先端と、第1電極形成部31の厚膜部3cとの間に基板2に対して直立するように残存する。
【００４２】
因みに本実施の形態では、例えばドライエッチングにより、レジストマスク15に覆われていない部分に露出している第1電極形成部31と第2電極形成部32とを除去した後、第2電極形成部32が除去されたことにより外部に露出した絶縁層6を別のエッチングにより除去しているが、第1電極形成部31と第2電極形成部32と絶縁層6とを同じエッチングにより続けて除去してもよい。
【００４３】
なお、膜厚が例えば2［nm］でなる膜厚の薄い絶縁層6が形成されているときには、第1電極形成部31と第2電極形成部32とを除去する際に、第2電極形成部32の下に形成されている絶縁層6も同時に除去されることがある。この場合は、絶縁層6が除去されたことにより外部に露出した第1電極形成部31の薄膜領域13および絶縁層7の表面もエッチングされ、第1電極形成部31および絶縁層7に段差が形成されることがある。
【００４４】
その後、レジストマスクに覆われていない外部に露出した絶縁層7を、例えばドライエッチングにより除去する。この際、絶縁層7を除去するドライエッチングは、第1電極形成部31および第2電極形成部32を除去するドライエッチングと絶縁層6を除去するドライエッチングとは別のガスによる。これにより、絶縁層7が除去された領域には、第1電極形成部31の薄膜領域13が残存して外部に露出する。
【００４５】
次いで、レジストマスク15に覆われていない外部に露出した第1電極形成部31を、例えばドライエッチングにより除去し、当該第1電極形成部31をパターニングすることにより第1電極部3を形成した後、レジストマスク15をアッシングにより除去し、図５Ｃとの対応部分に同一符号を付して示す図５Ｅと、図５ＥのＪ‐Ｊ´部分の側断面構成を示す図５Ｆのように、レジストマスク15に覆われていた第1電極部3および第2電極部4を外部に露出させる。
【００４６】
これにより、基板2上には、膜厚の薄い薄膜部3aおよび第1電極側ギャップ形成部3bと、膜厚の厚い厚膜部3cとを有した第1電極部3が形成され、第1電極部3の薄膜部3a上に、絶縁層7と絶縁層6を介して第2電極部4の基体部4aが設けられ、第1電極側ギャップ形成部3b上に、絶縁層6を介して第2電極部4の第2電極側ギャップ形成部4bが設けられ得る。また、第1電極部3は、厚膜部3cの表面と、第2電極部4の表面とが面一に形成され、基板2の面方向において厚膜部3cが絶縁層6を介して第2電極側ギャップ形成部4bと並ぶように対向配置され得る。すなわち、第2電極側ギャップ形成部4bは、ギャップ対向下面12aが、第1電極側ギャップ形成部3bのギャップ形成上面11aに絶縁層6を介して対向配置され、かつ、ギャップ対向先端面12bが、厚膜部3cのギャップ形成側面11bに絶縁層6を介して対向配置され得る。
【００４７】
次いで、ギャップ形成上面11aおよびギャップ対向下面12a間の絶縁層6と、ギャップ形成側面11bおよびギャップ対向先端面12b間の絶縁層6とを、例えばウェットエッチングにより除去する。これにより、図１、図２Ａおよび図２Ｂに示すように、ギャップ形成上面11aとギャップ対向下面12aとの間には、基板2の面方向に延びる第1ギャップ領域NG1が形成される。また、ギャップ形成側面11bとギャップ対向先端面12bとの間には、基板2に対し直立に延び、下末端が前記第１ギャップ領域と連通した第2ギャップ領域NG2が形成される。かくして、これら第1ギャップ領域NG1および第2ギャップ領域NG2で構成されたナノギャップNGを有したナノギャップ電極1を製造し得る。
【００４８】
ここで、このような製造方法によって製造されるナノギャップ電極1は、第1電極部3および第2電極部4間に形成する絶縁層6の膜厚が、第1電極部3および第2電極部4間に形成されるナノギャップNGの幅W1となることから、製造過程において絶縁層6の膜厚を単に調整するだけで、所望の幅でなるナノギャップNGを容易に製造し得る。また、絶縁層6の膜厚は、極めて薄く形成し得ることから、その分、第1電極部3および第2電極部4間に形成されるナノギャップNGの幅W1も小さくし得る。
【００４９】
なお、第1電極部3の第1電極側ギャップ形成部3bと、第2電極部4の第2電極側ギャップ形成部4bとの間にある絶縁層6を除去する際、第1電極部3の薄膜部3aと第2電極部4の基体部4aとの間にある絶縁層6も、ウェットエッチングに用いる薬液に触れることから外周面が削られ、その結果、外郭が当該薄膜部3aおよび基体部4aよりも僅かに小さく形成され得る。また、絶縁層7の側面と第2電極部4の第2電極側ギャップ形成部4bとの間に形成されている絶縁層6は、ウェットエッチングに用いる薬液に触れにくいため、エッチングされずに残存し得る。
【００５０】
（１−３）作用及び効果
以上の構成において、本発明のナノギャップ電極1では、薄膜部3aと厚膜部3cとの間に膜厚の薄い第1電極側ギャップ形成部3bを有した第1電極部3を基板2上に設け、当該薄膜部3a上に絶縁層7と絶縁層6を介して第2電極部4を設けるようにした。また、このナノギャップ電極1では、第2電極部4に形成した第2電極側ギャップ形成部4bを、第1電極部3の第1電極側ギャップ形成部3bに対向配置し、これら第1電極側ギャップ形成部3bおよび第2電極側ギャップ形成部4b間に、基板2の面方向に延びる第1ギャップ領域NG1を形成した。さらに、このナノギャップ電極1では、第2電極部4の第2電極側ギャップ形成部4bの先端を、第1電極部3の厚膜部3cに対向配置し、これら第2電極側ギャップ形成部4bおよび厚膜部3c間に、基板2に対して直立に延び、末端が第１ギャップ領域NG1と連通した第2ギャップ領域NG2を形成した。
【００５１】
これにより、ナノギャップ電極1では、第1電極部3および第2電極部4間のナノギャップNGの幅W1を小さく選定することで、高感度で試料を分析し得るとともに、第1電極部3および第2電極部4間のナノギャップNGの幅W1を小さく選定した際、一本鎖ＤＮＡを含んだ溶液を、基板2と平行した第1ギャップ領域NG1だけでなく、基板2に対して直立に配置された第2ギャップ領域NG2にも通過させることができるので、その分より多くの溶液が容易にナノギャップNGを通過できる。
【００５２】
また、このようなナノギャップ電極1の製造方法としては、先ず始めに、基板2上に形成した第1電極形成部31に段差と絶縁層7を形成した後、この段差と絶縁層7に沿って、基板2の面方向に延び、かつ基板2に対して直立にも延びた絶縁層6を形成する。次いで、絶縁層6上に第2電極形成部32を形成した後、第1電極形成部31の表面、基板2に対して直立に延びた絶縁層6の表面、および第2電極形成部32の表面を外部に露出させ、レジストマスク15を用いて、これら第2電極形成部32、絶縁層6、絶縁層7、および第1電極形成部31をパターニングする。
【００５３】
これにより、所定形状の第1電極部3および第2電極部4を形成し得るとともに、基板2の面方向に延び、かつ基板2に対し直立にも延びた絶縁層6を、第1電極部3および第2電極部4間に形成する。最後に、第1電極部3および第2電極部4間の絶縁層6を除去することで、基板2の面方向に延びる第1ギャップ領域NG1と、基板2に対して直立に延び、末端が第１ギャップ領域NG1と連通した第2ギャップ領域NG2とからなるナノギャップNGを、第１電極部3および第2電極部4間に形成する。
【００５４】
かくして以上より、第1電極部3および第2電極部4間のナノギャップNGの幅W1を小さくしても、第1ギャップ領域NG1だけでなく第2ギャップ領域NG2にも溶液が通過し得、その分、測定対象たる一本鎖ＤＮＡを含んだ溶液が容易にナノギャップNGを通過し得るナノギャップ電極1を製造できる。
【００５５】
また、このような製造方法では、絶縁層6の膜厚を調整するだけで第1電極部3および第2電極部4間のナノギャップNGの幅W1を容易に調整し得る。さらに、この製造方法では、絶縁層6の膜厚は極めて薄く形成し得ることから、当該絶縁層6の膜厚に対応した極めて小さい幅W1のナノギャップNG（第1ギャップ領域NG1および第2ギャップ領域NG2）を容易に、かつ確実に形成できる。
【００５６】
（２）第２の実施の形態
（２−１）第２の実施の形態によるナノギャップ電極の構成
図１との対応部分に同一符号を付して示す図６において、21は第２の実施の形態によるナノギャップ電極を示し、第１の実施の形態とはナノギャップNGの側断面形状が略¬形に形成されている点で相違している。そして、第２の実施の形態も、基板2の面方向に沿って配置された第1ギャップ領域NG3と、基板2に対して直立するように配置され、末端が第1ギャップ領域NG3と連通した第2ギャップ領域NG4とでなる2方向に延びるナノギャップNGが、第1電極部23および第2電極部24間に形成されている点に特徴を有している。
【００５７】
実際上、基板2には、第1電極部23が酸化シリコン層9上に設けられているとともに、第1電極部23と対をなす第2電極部24がギャップ形成層としての導電層26を介して酸化シリコン層9上に設けられており、第1電極部23の帯状の第1電極側ギャップ形成部23b上方に、第2電極部24の第2電極側ギャップ形成部24bが乗り上げるように配置され、これら第1電極側ギャップ形成部23bおよび第2電極側ギャップ形成部24b間に、幅がナノスケール（例えば1000［nm］以下）でなる中空状のナノギャップNGが形成され得る。
【００５８】
ここで、第1電極部23は、全体が例えばチタンナイトライド（ＴｉＮ）等の金属部材から形成されており、所定形状に形成された基体部23aと、長手方向の一端が基体部23aに一体成形された第1電極側ギャップ形成部23bとを有している。なお、図６に示す第1電極部23の基体部23aは、図６の上面構成を示す図７Ａのように、外郭形状が略⊃形に形成されており、帯状の第1電極側ギャップ形成部23bの一端が、当該基体部23aの先端中央部に一体形成された構成を有する。図７ＡのＫ‐Ｋ´部分の側断面構成を示す図７Ｂのように、第1電極側ギャップ形成部23bは、基板2の面方向に沿って延びる平面状のギャップ形成上面28aと、このギャップ形成上面28aの末端から基板2に対して直立に延びる平面状のギャップ形成先端面28bとを有し、これらギャップ形成上面28aおよびギャップ形成先端面28bがナノギャップNGを介して第2電極部24と対向配置されている。
【００５９】
第2電極部24は、全体が例えばチタンナイトライド（ＴｉＮ）等の金属部材から形成されており、基板2上に導電層26を介して設けられた基体部24aと、長手方向の根元が基体部24aに一体成形され、かつ第1電極部23の第1電極側ギャップ形成部23bにナノギャップNGを介して乗り上げるように形成された第2電極側ギャップ形成部24bとを有している。なお、この実施の形態の場合、導電層26は、酸化シリコン層9とは異なるエッチング条件を有する、例えばチタン(Ｔｉ)等の導電部材から形成されている。
【００６０】
因みに、この第２の実施の形態の場合においても、図７Ａにて点線で示すように、導電層26は、第2電極部24の基体部24aとほぼ同じ外郭形状を有するものの、製造過程において行われるナノギャップ形成時のウェットエッチング（後述する）により外周面が削られており、外郭形状が当該基体部24aよりも僅かに小さく形成されている。
【００６１】
なお、図６および図７Ａに一例として示す第2電極部24の基体部24aは、外郭形状が、第1電極部23の基体部23aと対称な略⊂形に形成されており、帯状の第2電極側ギャップ形成部24bの根元が、当該基体部24aの先端中央部に一体形成されている。また、第2電極側ギャップ形成部24bは、その外郭が、第1電極側ギャップ形成部23bの外郭と一致するように配置されているとともに、図７Ｂに示したように、ナノギャップNGを介して第1電極側ギャップ形成部23bに対向配置されている。
【００６２】
実際上、この第2電極側ギャップ形成部24bは、第1電極側ギャップ形成部23bのギャップ形成上面28aに対し、ギャップ対向下面29aを対向配置させ、このギャップ対向下面29aと、ギャップ形成上面28aとの間に、基板2の面方向に沿って第1ギャップ領域NG3を形成し得る。また、第2電極部24は、ギャップ対向下面29aから基板2に向けて延びるギャップ対向側面29bを基体部24aに有しており、第1電極側ギャップ形成部23bのギャップ形成先端面28bに対しギャップ対向側面29bを対向配置させ、当該ギャップ対向側面29bと、ギャップ形成先端面28bとの間に、基板2に対して直立（基板2の面方向と直交するz方向）に配置され、末端が第1ギャップ領域NG3と連通した第2ギャップ領域NG4を形成し得る。
【００６３】
このように第1電極部23および第2電極部24間には、ギャップ形成上面28aおよびギャップ対向下面29a間における第1ギャップ領域NG3と、ギャップ形成先端面28bおよびギャップ対向側面29b間における第2ギャップ領域NG4とで構成されたナノギャップNGが形成され得るようになされている。なお、第1電極部23および第2電極部24間に形成されるナノギャップNGは、第1電極側ギャップ形成部23bおよび第2電極側ギャップ形成部24bの長手方向たるx方向と基板2上にて直交するy方向に向けて貫通しており、例えば基板2上においてy方向に流れる溶液等がナノギャップNG（第1ギャップ領域NG3および第2ギャップ領域NG4）を通過し得るようになされている。
【００６４】
なお、本実施の形態の場合、導電層26の側面と第1電極側ギャップ形成部23bのギャップ形成先端面28bとが対向配置されており、その間の領域にもナノギャップが形成されている。導電性を有する導電層26は電極として機能し得るので、この部分もナノギャップ電極として機能し得る。
【００６５】
因みに、この実施の形態の場合では、図７Ｂに示すように、ギャップ形成上面28aおよびギャップ対向下面29a間の第1ギャップ領域NG3における幅W1と、ギャップ形成先端面28bおよびギャップ対向側面29b間の第2ギャップ領域NG4における幅W1は、導電層26の膜厚とほぼ同じ寸法に形成されており、例えば0.5〜30［nm］、さらには使用態様に応じて2［nm］以下或いは1［nm］以下に形成し得るようになされている。
【００６６】
このようなナノギャップ電極21は、例えば図示しない電源によって第1電極部23と第2電極部24との間に一定の電圧が印加され、その状態で一本鎖ＤＮＡを含んだ溶液が、図示しない案内手段によって、第1電極部23および第2電極部24間のナノギャップNGを流れ得るように導かれる。ナノギャップ電極21は、溶液の流れに乗って運搬されてきた一本鎖ＤＮＡが第1電極部23および第2電極部24間のナノギャップNGを通過したときに、第1電極部23および第2電極部24間に流れる電流値を電流計にて計測させてゆき、その電流値の変化から一本鎖ＤＮＡの塩基配列を特定し得る。
【００６７】
これに加えて、本発明のナノギャップ電極21でも、第1電極部23および第2電極部24間のナノギャップNGの幅W1を小さく選定することで、高感度で試料を分析し得るとともに、この際、一本鎖ＤＮＡを含んだ溶液を、基板2と平行した第1ギャップ領域NG3だけでなく、基板2に対して直立に配置された第2ギャップ領域NG4にも通過させることができるので、その分より多くの溶液がナノギャップNGを通過し得る。
【００６８】
（２−２）第２の実施の形態によるナノギャップ電極の製造方法
次に、第２の実施の形態によるナノギャップ電極21の製造方法について説明する。ここで、図８Ａは上面構成を示す上面図であり、図８Ｂは図８ＡのＬ‐Ｌ´部分の側断面構成を示す側断面図である。図８Ａおよび図８Ｂに示すように、先ず始めに、例えば酸化シリコン層9がシリコン基板8上に形成された基板2を用意し、例えばチタンナイトライド(ＴｉＮ)からなり、フォトリソグラフィ技術によって四辺状にパターニングされた第1電極形成部41を酸化シリコン層9の一部領域に形成する。この場合、パターニングされた第1電極形成部41には、上面41aと基板2との境に膜厚分の高さの側面41bが形成され得る。また、このようにして形成された第1電極形成部41は、後の工程においてパターニングされ、第1電極部23の基体部23aおよび第1電極側ギャップ形成部23bとなり得る。
【００６９】
次いで、図８Ａとの対応部分に同一符号を付して示す図８Ｃと、図８ＣのＭ‐Ｍ´部分の側断面構成を示す図８Ｄのように、側面41bを有した第１電極形成部41上および基板2上に、例えばＣＶＤ法によりチタン(Ｔｉ)でなる層状の導電層26を形成する。これにより導電層26には、第1電極形成部41の側面41bにより基板2との境に形成された段差とほぼ同じ形状の段差が表面に形成され得る。
【００７０】
この場合、第1電極形成部41の上面41aおよび基板2上には、基板2の面方向に沿った導電層26が形成され、第1電極形成部41の側面41bには、基板2に対して直立に延びた導電層26が形成され得る。なお、一例として図８Ｄに示した導電層26は、第1電極形成部41および基板2に沿ってコンフォーマルに形成されており、第1電極形成部41の上面41aに形成された導電層26の膜厚と、側面41bに沿って形成された導電層26の膜厚とがほぼ同一に形成されている。
【００７１】
次いで、図８Ｃとの対応部分に同一符号を付して示す図８Ｅと、図８ＥのＮ‐Ｎ´部分の側断面構成を示す図８Ｆのように、導電層26の全面に、例えばＣＶＤ法によってチタンナイトライド（ＴｉＮ）からなる層状の第2電極形成部42を形成する。ここで、第2電極形成部42には、導電層26に形成された段差とほぼ同じ形状の段差が形成され得る。これにより、第2電極形成部42の下面には、第1電極形成部41の上面41aと導電層26を介して対向する対向下面42aが形成されるとともに、第1電極形成部41の側面41bと導電層26を介して対向する対向側面42bが形成される。
【００７２】
次いで、図８Ｅとの対応部分に同一符号を付して示す図９Ａと、図９ＡのＯ‐Ｏ´部分の側断面構成を示す図９Ｂのように、フォトリソグラフィ技術によりパターニングしたレジストマスク44によって、第2電極形成部42と導電層26とをパターニングして、第1電極形成部41の上面41aの一部領域と、第1電極形成部41が形成されていない基板2上の領域とに導電層26と第2電極形成部42とを残存させる。
【００７３】
因みにこの工程では、例えばドライエッチングにより、レジストマスク44に覆われていない部分に露出している第2電極形成部42を除去し、これにより外部に露出した導電層26も同じドライエッチングにより続けて除去しているが、第2電極形成部42と導電層26とを条件の異なる別のドライエッチングにしてもよい。なお、導電層26の膜厚が例えば2［nm］と薄いときには、第2電極形成部42と導電層26とを除去する際に、導電層26の下に形成されている第1電極形成部41の表面もエッチングされることもあり、この場合は、第1電極形成部41の上面41aに段差が形成されることがある。
【００７４】
その後、レジストマスク44をアッシングにより除去して、レジストマスク44に覆われていた第2電極形成部42を外部に露出させる。これにより、図９Ａとの対応部分に同一符号を付して示す図９Ｃと、図９ＣのＰ‐Ｐ´部分の側断面構成を示す図９Ｄのように、第1電極形成部41の上面41aに、導電層26と第2電極形成部42とが乗り上げた領域と、上面41aが外部に露出した領域とを形成する。
【００７５】
次いで、図９Ｃとの対応部分に同一符号を付して示す図９Ｅと、図９ＥのＱ‐Ｑ´部分の側断面構成を示す図９Ｆのように、フォトリソグラフィ技術によりパターニングした新たなレジストマスク45を、外部に露出している第1電極形成部41から第2電極形成部42に亘って設ける。ここで、レジストマスク45は、図６に示す最終的に形成される第1電極部23および第2電極部24を合わせた外郭形状に形成されている。
【００７６】
実際上、この実施の形態の場合、レジストマスク45は、第1電極部23の基体部23aの外郭形状に合わせて略⊃形に形成された基体形成領域45aと、第1電極側ギャップ形成部23bおよび第2電極側ギャップ形成部24bの外郭形状に合わせて帯状に形成されたギャップ形成領域45bと、第2電極部24の基体部24aの外郭形状に合わせて略⊂形に形成された基体形成領域45cとを有する。そして、レジストマスク45は、一方の基体形成領域45aが、第2電極形成部42がない第1電極形成部41の上面41a上に配置されるとともに、他方の基体形成領域45cとギャップ形成領域45bとが第2電極形成部42上に配置され得る。
【００７７】
次いで、レジストマスク45に覆われていない外部に露出した第1電極形成部41と第2電極形成部42とを、例えばドライエッチングにより除去し、図９Ｅとの対応部分に同一符号を付して示す図１０Ａと、図１０ＡのＲ‐Ｒ´部分の側断面構成を示す図１０Ｂのように、第1電極形成部41に基体部23aを形成するとともに、基体部24aおよび第2電極側ギャップ形成部24bでなる第2電極部24を第2電極形成部42から形成する。
【００７８】
なお、この際、第2電極部24の基体部24aは、レジストマスク45の基体形成領域45cにより第2電極形成部42がパターニングされることで形成され、ギャップ対向下面29aおよびギャップ対向側面29bを有した第2電極側ギャップ形成部24bは、レジストマスク45のギャップ形成領域45bにより第2電極形成部42がパターニングされることで形成され得る。また、レジストマスク45に覆われていない外部に露出した第1電極形成部41を除去した領域には、酸化シリコン層9が露出し、レジストマスク45に覆われていない外部に露出した第2電極形成部42を除去した領域には、導電層26が露出する。
【００７９】
次いで、レジストマスク45に覆われていない外部に露出した導電層26を、例えばドライエッチングにより除去する。なお、導電層26を除去するドライエッチングは、第1電極形成部41および第2電極形成部42を除去するドライエッチングとは別のガスによる。これにより、図１０Ａとの対応部分に同一符号を付して示す図１０Ｃと、図１０ＣのＳ‐Ｓ´部分の側断面構成を示す図１０Ｄのように、基板2上の導電層26が除去された領域には、酸化シリコン層9が露出する。また、導電層26が除去された領域には、後に第1電極側ギャップ形成部23bを形成するために残存させていた第1電極形成部41が露出する。
【００８０】
次いで、レジストマスク45に覆われていない露出した第1電極形成部41を、例えばドライエッチングによって除去した後、レジストマスク45をアッシングにより除去する。これにより、図１０Ｃとの対応部分に同一符号を付して示す図１０Ｅと、図１０ＥのＴ‐Ｔ´部分の側断面構成を示す図１０Ｆのように、レジストマスク45のギャップ形成領域45bがあった領域に第1電極形成部41を残存させ、ギャップ形成上面28aおよびギャップ形成先端面28bを有した第1電極側ギャップ形成部23bを形成し、当該第1電極側ギャップ形成部23bを備えた第1電極部23を形成する。
【００８１】
このようにして形成された第1電極側ギャップ形成部23bは、ギャップ形成上面28aが、第2電極側ギャップ形成部24bのギャップ対向下面29aに対し、導電層26を介して対向配置され、また、ギャップ形成先端面28bが、第2電極側ギャップ形成部24bのギャップ対向側面29bに対し、導電層26を介して対向配置され得る。
【００８２】
次いで、ギャップ形成上面28aおよびギャップ対向下面29a間の導電層26と、ギャップ形成先端面28bおよびギャップ対向側面29b間の導電層26を、例えばウェットエッチングにより除去する。これにより、図６、図７Ａおよび図７Ｂに示すように、ギャップ形成上面28aとギャップ対向下面29aとの間には、基板2の面方向に延びる第1ギャップ領域NG3が形成される。また、ギャップ形成先端面28bとギャップ対向側面29bとの間には、基板2に対して直立に延び、上末端が第1ギャップ領域NG3と連通した第2ギャップ領域NG4が形成される。かくして、第1電極部23および第2電極部24間に、これら第1ギャップ領域NG3および第2ギャップ領域NG4で構成された側断面¬形のナノギャップNGを有したナノギャップ電極21を製造し得る。
【００８３】
ここで、このような製造方法によって製造されるナノギャップ電極21は、第1電極部23および第2電極部24間に形成する導電層26の膜厚が、第1電極部23および第2電極部24間に形成されるナノギャップNGの幅W1となることから、製造過程において導電層26の膜厚を単に調整するだけで、所望の幅でなるナノギャップNGを容易に製造し得る。また、導電層26の膜厚は、極めて薄く形成し得ることから、その分、第1電極部23および第2電極部24間に形成されるナノギャップNGの幅W1も小さくし得る。
【００８４】
なお、第1電極側ギャップ形成部23bと、第2電極側ギャップ形成部24bとの間にある導電層26を除去する際、第2電極部24の基体部24aと酸化シリコン層9との間にある導電層26も、ウェットエッチングに用いる薬液に触れることから外周面が削られ、その結果、外郭が当該基体部24aよりも僅かに小さく形成され得る。
【００８５】
（２−３）作用及び効果
以上の構成において、本発明のナノギャップ電極21では、第1電極側ギャップ形成部23bを有した第1電極部23を基板2上に設け、当該基板2上に導電層26を介して第2電極部24を設けるようにした。また、このナノギャップ電極21では、第2電極部24に形成した第2電極側ギャップ形成部24bを、第1電極部23の第1電極側ギャップ形成部23bの上方にて対向配置させ、これら第1電極側ギャップ形成部23bおよび第2電極側ギャップ形成部24b間に、基板2の面方向に延びる第1ギャップ領域NG3を形成した。さらに、このナノギャップ電極21では、第1電極部23の第1電極側ギャップ形成部23bの先端を、第2電極部24の基体部24aに対向配置し、これら第1電極側ギャップ形成部23bおよび基体部24a間に、基板2に対して直立に延び、末端が第１ギャップ領域NG3と連通した第2ギャップ領域NG4を形成した。
【００８６】
これにより、ナノギャップ電極21では、第1電極部23および第2電極部24間のナノギャップNGの幅W1を小さく選定することで、高感度で試料を分析し得るとともに、第1電極部23および第2電極部24間のナノギャップNGの幅W1を小さく選定した際、一本鎖ＤＮＡを含んだ溶液を、基板2と平行した第1ギャップ領域NG3だけでなく、基板2に対して直立に配置された第2ギャップ領域NG4にも通過させることができるので、その分より多くの溶液が容易にナノギャップNGを通過できる。
【００８７】
また、このようなナノギャップ電極21の製造方法としては、先ず始めに、基板2の一部領域に第1電極形成部41を形成して基板2と第1電極形成部41との間に段差を設け、これら基板2上および第1電極形成部41上に導電層26を形成し、基板2の面方向に延び、かつ基板2に対して直立にも延びた導電層26を段差部分に設ける。次いで、導電層26上に第2電極形成部42を形成した後、第1電極形成部41、導電層26、および第2電極形成部42を、レジストマスク44,45を用いてパターニングする。
【００８８】
これにより、所定形状の第1電極部23および第2電極部24を形成する。この場合、第1電極部23の第1電極側ギャップ形成部23bに、導電層26を介して第2電極部24の第2電極側ギャップ形成部24bが乗り上げた段差形状を形成し、これにより基板2の面方向に延び、かつ基板2に対し直立にも延びた導電層26を、第1電極部23および第2電極部24間に形成する。最後に、第1電極部23および第2電極部24間の導電層26を除去することで、基板2の面方向に延びる第1ギャップ領域NG3と、基板2に対して直立に延び、末端が第1ギャップ領域NG3と連通した第2ギャップ領域NG4とからなるナノギャップNGを、第1電極部23および第2電極部24間に形成する。
【００８９】
かくして以上より、第1電極部23および第2電極部24間のナノギャップNGの幅W1を小さくしても、第1ギャップ領域NG3だけでなく第2ギャップ領域NG4にも溶液が通過し得、その分、測定対象たる一本鎖ＤＮＡを含んだ溶液が容易にナノギャップNGを通過し得るナノギャップ電極21を製造できる。
【００９０】
また、このような製造方法では、導電層26の膜厚を調整するだけで第1電極部23および第2電極部24間のナノギャップNGの幅W1を容易に調整し得る。さらに、この製造方法では、導電層26の膜厚は極めて薄く形成し得ることから、当該導電層26の膜厚に対応した極めて小さい幅W1のナノギャップNG（第1ギャップ領域NG3および第2ギャップ領域NG4）をも形成できる。
【００９１】
（３）他の実施の形態
なお、本発明は、本実施形態に限定されるものではなく、本発明の要旨の範囲内で種々の変形実施が可能であり、例えば、電極部3,4（23,24）や、基板2、ギャップ形成層としての絶縁層6（導電層26）、絶縁層7、レジストマスク15（44,45）等の部材については種々の部材を適用してもよく、また、ナノギャップ電極1（21）を製造する際に形成する各層は必要に応じてスパッタリング法等のその他種々の方法を用いて形成するようにしてもよい。
【００９２】
さらに、上述した第１および第２の実施の形態においては、電極部3,4（23,24）間のナノギャップNGに一本鎖ＤＮＡを通過させ、当該一本鎖ＤＮＡの塩基が電極部3,4（23,24）間のナノギャップNGを通過したときに電極部3,4（23,24）間に流れる電流値を電流計にて計測させるナノギャップ電極1（21）について述べたが、本発明はこれに限らず、その他種々の用途にナノギャップ電極を適用してもよい。ここでは、測定対象を含んだ流体として、一本鎖ＤＮＡを含んだ溶液を適用したが、本発明はこれに限らず、流体として、液体や気体等その他種々の流体を適用してもよく、また測定対象として、例えばウイルスや細菌等その他種々の測定対象を適用してもよい。
【００９３】
さらに、上述した第１および第２の実施の形態においては、ギャップ形成層としての絶縁層6（導電層26）をコンフォーマルに形成した場合について述べたが、本発明はこれに限らず、例えば成膜条件（温度や、圧力、使用するガス、流量比等）を変えることで、絶縁層6（導電層26）をコンフォーマルに成膜せずに場所により膜厚を変えて形成してもよい。
【００９４】
このように絶縁層6（導電層26）をコンフォーマルに成膜せずに場所により膜厚を変えた場合、絶縁層6（導電層26）から形成されるナノギャップNGとしては、基板2の面方向に延びる第1ギャップ領域NG1（NG3）の幅と、基板2に対して直立に延び、末端が第1ギャップ領域NG1（NG3）と連通した第2ギャップ領域NG2（NG4）の幅とが異なるものとなる。例えば、第２の実施の形態において、側面41bを有する第1電極形成部41を形成した際に、フォトレジストに含まれるポリマーが側面41bに付着し、そのままの状態で側面41bに導電層26が形成されると、第1電極部23のギャップ形成先端面28bと第2電極部24のギャップ対向側面29bとの間の幅もポリマーの分だけ大きくなり得る。その結果、第2のナノギャップ領域NG4の幅が、第1のナノギャップ領域NG3の幅よりも大きくなり得る。また、第1電極形成部41の側面41bにポリマーが付着していない場合、導電層26を形成する時のＣＶＤ法の条件を変えてカバレッジを低下させれば、上面41a上に形成される導電層26の膜厚よりも側面41bに形成される導電層26の膜厚の方が薄く形成され得る。その結果、第2のナノギャップ領域NG4の幅が、第1のナノギャップ領域NG3の幅よりも小さくなり得る。
【００９５】
この場合であっても、上述した第１および第２の実施の形態と同様に、第1電極部3（23）および第2電極部4（24）間のナノギャップNGの幅W1を小さく選定しても、基板2の面方向に延びる第1ギャップ領域NG1（NG3）だけでなく、基板2に対して直立に延びた第2ギャップ領域NG2（NG4）にも溶液が通過し得、その分、測定対象たる一本鎖ＤＮＡを含んだ溶液が容易にナノギャップNGを通過し得る。
【００９６】
また、上述した第１の実施の形態においては、第1電極部3の薄膜部3a上に絶縁層7と絶縁層6を介して第2電極部4の基体部4aを設けた場合について述べたが、本発明はこれに限らず、例えば絶縁層7を形成せずに絶縁層6の膜厚を厚くして、第1電極部3の薄膜部3a上にギャップ形成層としての絶縁層6のみを介して第2電極部4の基体部4aを設けてもよい。
【００９７】
さらに、上述した第２の実施の形態においては、ギャップ形成層として導電部材からなる導電層26を適用した場合について述べたが、本発明はこれに限らず、ギャップ形成層として、絶縁部材からなる絶縁層を適用してもよい。
【符号の説明】
【００９８】
1、21    ナノギャップ電極
2    基板
3、23  第1電極部
3a  薄膜部
3b、23b  第1電極側ギャップ形成部
3c  厚膜部
4、24  第2電極部
4a、23a、24a  基体部
4b、24b  第2電極側ギャップ形成部
6、7    絶縁層
26    導電層
31、41  第1電極形成部
32、42  第2電極形成部
15、44、45  レジストマスク（マスク）
NG1、NG3  第1ギャップ領域
NG2、NG4  第2ギャップ領域
NG    ナノギャップ
【図１】
2015077652.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
2015077652.tif 000009
【図８】
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【図９】
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【図１０】
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