(57)【要約】【課題】チタン電極を含む電極間を電気的に接続した場合に、接続抵抗を低くすることができる導電性粒子を提供する。【解決手段】本発明に係る導電性粒子１は、チタン電極の電気的な接続に用いられ、導電部３を少なくとも表面に有し、導電部３が表面に複数の突起３ａを有し、導電性粒子１が１０％圧縮されたときの圧縮弾性率が９０００Ｎ／ｍｍ２以上であり、２０％圧縮されたときの圧縮弾性率が８０００Ｎ／ｍｍ２以上であり、３０％圧縮されたときの圧縮弾性率が７０００Ｎ／ｍｍ２以上であり、導電性粒子１の圧縮回復率が６０％以上、９０％以下である。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
チタン電極の電気的な接続に用いられる導電性粒子であって、
導電部を少なくとも表面に有し、
前記導電部が表面に複数の突起を有し、
１０％圧縮されたときの圧縮弾性率が９０００Ｎ／ｍｍ２以上であり、２０％圧縮されたときの圧縮弾性率が８０００Ｎ／ｍｍ２以上であり、３０％圧縮されたときの圧縮弾性率が７０００Ｎ／ｍｍ２以上であり、
圧縮回復率が６０％以上、９０％以下である、導電性粒子。
【請求項２】
基材粒子と、前記基材粒子の表面上に配置された前記導電部とを備える、請求項１に記載の導電性粒子。
【請求項３】
前記突起の高さが、導電性粒子の粒子径の１／１００以上である、請求項１又は２に記載の導電性粒子。
【請求項４】
前記導電部内において、複数の前記突起を形成するように、前記導電部の表面を隆起させている複数の芯物質を有する、請求項１〜３のいずれか１項に記載の導電性粒子。
【請求項５】
前記芯物質の材料のモース硬度が、前記導電部の材料のモース硬度と同等以上である、請求項４に記載の導電性粒子。
【請求項６】
前記芯物質の材料のモース硬度が、前記導電部の材料のモース硬度よりも大きい、請求項５に記載の導電性粒子。
【請求項７】
粒子径が１μｍ以上、４μｍ以下である、請求項１〜６のいずれか１項に記載の導電性粒子。
【請求項８】
請求項１〜７のいずれか１項に記載の導電性粒子と、バインダー樹脂とを含む、導電材料。
【請求項９】
第１の電極を表面に有する第１の接続対象部材と、
第２の電極を表面に有する第２の接続対象部材と、
前記第１の接続対象部材と、前記第２の接続対象部材とを接続している接続部とを備え、
前記接続部が、請求項１〜７のいずれか１項に記載の導電性粒子により形成されているか、又は前記導電性粒子とバインダー樹脂とを含む導電材料により形成されており、
前記第１の電極及び前記第２の電極の内の少なくとも一方が、チタン電極であり、
前記第１の電極と前記第２の電極とが前記導電性粒子により電気的に接続されている、接続構造体。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、基材粒子の表面上に導電部が配置されており、かつ導電部の外表面上に複数の突起を有する導電性粒子に関する。また、本発明は、上記導電性粒子を用いた導電材料及び接続構造体に関する。
【背景技術】
【０００２】
異方性導電ペースト及び異方性導電フィルム等の異方性導電材料が広く知られている。これらの異方性導電材料では、バインダー樹脂中に導電性粒子が分散されている。
【０００３】
上記異方性導電材料は、各種の接続構造体を得るために、例えば、フレキシブルプリント基板とガラス基板との電極間の接続（ＦＯＧ（Ｆｉｌｍ  ｏｎ  Ｇｌａｓｓ））、半導体チップとフレキシブルプリント基板との電極間の接続（ＣＯＦ（Ｃｈｉｐ  ｏｎ  Ｆｉｌｍ））、半導体チップとガラス基板との電極間の接続（ＣＯＧ（Ｃｈｉｐ  ｏｎ  Ｇｌａｓｓ））、並びにフレキシブルプリント基板とガラスエポキシ基板との電極間の接続（ＦＯＢ（Ｆｉｌｍ  ｏｎ  Ｂｏａｒｄ））等に使用されている。
【０００４】
また、有機エレクトロルミネッセンス（以下、有機ＥＬと記載することがある）表示素子は、互いに対応する一対の電極間に、有機発光材料層が挟み込まれた積層体の構造を有する。上記有機発光材料層に一方の電極から電子が注入されるとともに、他方の電極から正孔が注入されることにより、上記有機発光材料層内で電子と正孔とが結合して発光する。上記有機ＥＬ表示素子は、自己発光を行うことから、バックライトを必要とする液晶表示素子等と比較して視認性がよく、薄型化が可能であり、しかも直流低電圧で駆動が可能であるという利点を有する。有機ＥＬ表示素子では、電極（配線）として、チタン電極（チタン配線）が用いられることが多い。
【０００５】
また、電極及び導電性粒子の表面には、酸化膜が形成されていることがある。酸化膜を突き破って電極間の接続抵抗を低くするために、導電性の表面に突起を有する導電性粒子が用いられている。
【０００６】
上記導電性粒子の一例として、下記の特許文献１には、平均粒径１〜２０μｍの球状の基材粒子の表面に、無電解めっき法によりニッケル導電層又はニッケル合金導電層が形成された導電性粒子が開示されている。この導電性粒子は、導電層の最表層に０．０５〜４μｍの微小な突起を有する。該導電層と該突起とは実質的に連続的に連なっている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００７】
【特許文献１】特開２０００−２４３１３２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
特許文献１に記載のような従来の、導電性の表面に突起を有する導電性粒子を用いて、チタン電極を含む電極間を電気的に接続した場合に、導電性粒子が、チタン電極の表面の酸化膜を十分に突き破らずに、電極間の接続抵抗が低くなるという問題がある。従来の導電性粒子では、ＩＴＯ電極などの電極間の接続抵抗を低くすることができたとしても、チタン電極を含む電極間の接続抵抗を十分に低くすることができないという問題がある。
【０００９】
本発明の目的は、チタン電極を含む電極間を電気的に接続した場合に、接続抵抗を低くすることができる導電性粒子を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本発明の広い局面によれば、チタン電極の電気的な接続に用いられる導電性粒子であって、導電部を少なくとも表面に有し、前記導電部が表面に複数の突起を有し、１０％圧縮されたときの圧縮弾性率が９０００Ｎ／ｍｍ２以上であり、２０％圧縮されたときの圧縮弾性率が８０００Ｎ／ｍｍ２以上であり、３０％圧縮されたときの圧縮弾性率が７０００Ｎ／ｍｍ２以上であり、圧縮回復率が６０％以上、９０％以下である、導電性粒子が提供される。
【００１１】
本発明に係る導電性粒子のある特定の局面では、前記導電性粒子は、基材粒子と、前記基材粒子の表面上に配置された前記導電部とを備える。
【００１２】
本発明に係る導電性粒子のある特定の局面では、前記突起の高さが、導電性粒子の粒子径の１／１００以上である。
【００１３】
本発明に係る導電性粒子のある特定の局面では、前記導電部内において、複数の前記突起を形成するように、前記導電部の表面を隆起させている複数の芯物質を有する。
【００１４】
前記芯物質の材料のモース硬度は、好ましくは前記導電部の材料のモース硬度と同等以上であり、より好ましくは前記導電部の材料のモース硬度よりも大きい。
【００１５】
本発明に係る導電性粒子のある特定の局面では、粒子径が１μｍ以上、４μｍ以下である。
【００１６】
本発明に係る導電性粒子のある特定の局面では、上述した導電性粒子と、バインダー樹脂とを含む、導電材料が提供される。
【００１７】
本発明の広い局面によれば、第１の電極を表面に有する第１の接続対象部材と、第２の電極を表面に有する第２の接続対象部材と、前記第１の接続対象部材と、前記第２の接続対象部材とを接続している接続部とを備え、前記接続部が、上述した導電性粒子により形成されているか、又は前記導電性粒子とバインダー樹脂とを含む導電材料により形成されており、前記第１の電極及び前記第２の電極の内の少なくとも一方が、チタン電極であり、前記第１の電極と前記第２の電極とが前記導電性粒子により電気的に接続されている、接続構造体が提供される。
【発明の効果】
【００１８】
本発明に係る導電性粒子は、導電部を少なくとも表面に有し、上記導電部が表面に複数の突起を有し、導電性粒子が１０％圧縮されたときの圧縮弾性率が９０００Ｎ／ｍｍ２以上であり、２０％圧縮されたときの圧縮弾性率が８０００Ｎ／ｍｍ２以上であり、３０％圧縮されたときの圧縮弾性率が７０００Ｎ／ｍｍ２以上であり、上記導電性粒子の圧縮回復率が６０％以上、９０％以下であるので、本発明に係る導電性粒子を用いて、チタン電極を含む電極間を電気的に接続した場合に、電極間の接続抵抗を低くすることができる。
【図面の簡単な説明】
【００１９】
【図１】図１は、本発明の第１の実施形態に係る導電性粒子を示す断面図である。
【図２】図２は、本発明の第２の実施形態に係る導電性粒子を示す断面図である。
【図３】図３は、本発明の第３の実施形態に係る導電性粒子を示す断面図である。
【図４】図４は、本発明の第１の実施形態に係る導電性粒子を用いた接続構造体を模式的に示す断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００２０】
以下、本発明の詳細を説明する。
【００２１】
（導電性粒子）
本発明に係る導電性粒子は、チタン電極の電気的な接続に用いられる。本発明に係る導電性粒子は、導電部を少なくとも表面に有する。本発明に係る導電性粒子では、上記導電部が表面に複数の突起を有する。本発明に係る導電性粒子が１０％圧縮されたときの圧縮弾性率（１０％Ｋ値）は９０００Ｎ／ｍｍ２以上であり、２０％圧縮されたときの圧縮弾性率（２０％Ｋ値）は８０００Ｎ／ｍｍ２以上であり、３０％圧縮されたときの圧縮弾性率（３０％Ｋ値）は７０００Ｎ／ｍｍ２以上である。本発明に係る導電性粒子の圧縮回復率は６０％以上、９０％以下である。
【００２２】
チタン電極の表面には、ＩＴＯ電極の表面等と比べて、厚い酸化膜が存在する。このため、チタン電極を含む電極間の接続抵抗を十分に低くするためには、導電性粒子が、厚い酸化膜を突き破る必要がある。しかしながら、従来の導電性粒子では、チタン電極における厚い酸化膜を十分に突き破ることは困難であり、結果として接続抵抗を十分に低くすることが困難であるという問題がある。
【００２３】
これに対して、本発明に係る導電性粒子における上述した構成の採用により、チタン電極を含む電極間を電気的に接続した場合であっても、厚い酸化膜を突起により十分に突き破ることができ、電極間の接続抵抗を低くすることができる。本発明では、電極間の接続抵抗を低くするために、導電性粒子の１０％Ｋ値、２０％Ｋ値及び３０％Ｋ値がかなり高く設定されている。また、本発明では、圧縮回復率も比較的高いために、電極間の接続抵抗が効果的に低くなる。
【００２４】
接続抵抗を低くし、電極間の接続信頼性を高めるために、上記導電性粒子を１０％圧縮したときの圧縮弾性率（１０％Ｋ値）は９０００Ｎ／ｍｍ２以上である。接続抵抗をより一層低くする観点からは、上記１０％Ｋ値は好ましくは１００００Ｎ／ｍｍ２以上、より好ましくは１３０００Ｎ／ｍｍ２以上である。なお、上記１０％Ｋ値の上限は特に限定されないが、上記１０％Ｋ値は、好ましくは２００００Ｎ／ｍｍ２以下である。
【００２５】
接続抵抗を低くし、電極間の接続信頼性を高めるために、上記導電性粒子を２０％圧縮したときの圧縮弾性率（２０％Ｋ値）は８０００Ｎ／ｍｍ２以上である。接続抵抗をより一層低くする観点からは、上記２０％Ｋ値は好ましくは９０００Ｎ／ｍｍ２以上、より好ましくは１２０００Ｎ／ｍｍ２以上である。なお、上記２０％Ｋ値の上限は特に限定されないが、上記２０％Ｋ値は、好ましくは１９０００Ｎ／ｍｍ２以下である。
【００２６】
接続抵抗を低くし、電極間の接続信頼性を高めるために、上記導電性粒子を３０％圧縮したときの圧縮弾性率（３０％Ｋ値）は７０００Ｎ／ｍｍ２以上である。接続抵抗をより一層低くする観点からは、上記３０％Ｋ値は好ましくは８０００Ｎ／ｍｍ２以上、より好ましくは１１０００Ｎ／ｍｍ２以上である。なお、上記３０％Ｋ値の上限は特に限定されないが、上記３０％Ｋ値は、好ましくは１８０００Ｎ／ｍｍ２以下である。
【００２７】
上記導電性粒子における上記圧縮弾性率（１０％Ｋ値、２０％Ｋ値又は３０％Ｋ値）は、以下のようにして測定できる。
【００２８】
微小圧縮試験機を用いて、円柱（直径１００μｍ、ダイヤモンド製）の平滑圧子端面で、２５℃、圧縮速度０．３ｍＮ／秒、及び最大試験荷重２０ｍＮの条件下で導電性粒子を圧縮する。このときの荷重値（Ｎ）及び圧縮変位（ｍｍ）を測定する。得られた測定値から、上記圧縮弾性率を下記式により求めることができる。上記微小圧縮試験機として、例えば、フィッシャー社製「フィッシャースコープＨ−１００」等が用いられる。
【００２９】
１０％Ｋ値、２０％Ｋ値又は３０％Ｋ値（Ｎ／ｍｍ２）＝（３／２１／２）・Ｆ・Ｓ−３／２・Ｒ−１／２
Ｆ：導電性粒子が１０％、２０％又は３０％圧縮変形したときの荷重値（Ｎ）
Ｓ：導電性粒子が１０％、２０％又は３０％圧縮変形したときの圧縮変位（ｍｍ）
Ｒ：導電性粒子の半径（ｍｍ）
【００３０】
接続抵抗を低くするために、上記導電性粒子の圧縮回復率は６０％以上、９０％以下である。接続抵抗をより一層低くする観点からは、上記導電性粒子の圧縮回復率は好ましくは６５％以上、より好ましくは７０％以上、好ましくは８５％以下、より好ましくは８０％以下である。
【００３１】
上記圧縮回復率は、以下のようにして測定できる。
【００３２】
試料台上に導電性粒子を散布する。散布された導電性粒子１個について、２５℃で、微小圧縮試験機を用いて、導電性粒子の中心方向に、導電性粒子が３０％圧縮変形するまで負荷（反転荷重値）を与える。その後、原点用荷重値（０．４０ｍＮ）まで除荷を行う。この間の荷重−圧縮変位を測定し、下記式から圧縮回復率を求めることができる。なお、負荷速度は０．３３ｍＮ／秒とする。上記微小圧縮試験機として、例えば、フィッシャー社製「フィッシャースコープＨ−１００」等が用いられる。
【００３３】
圧縮回復率（％）＝［（Ｌ１−Ｌ２）／Ｌ１］×１００
Ｌ１：負荷を与えるときの原点用荷重値から反転荷重値に至るまでのまでの圧縮変位
Ｌ２：負荷を解放するときの反転荷重値から原点用荷重値に至るまでの除荷変位
【００３４】
以下、図面を参照しつつ本発明の具体的な実施形態及び実施例を説明することにより、本発明を明らかにする。
【００３５】
図１は、本発明の第１の実施形態に係る導電性粒子を示す断面図である。
【００３６】
図１に示す導電性粒子１は、基材粒子２と、基材粒子２の表面上に配置された導電部３とを有する。導電性粒子１では、導電部３は導電層である。導電部３は、基材粒子２の表面を覆っている。導電性粒子１は、基材粒子２の表面が導電部３により被覆された被覆粒子である。
【００３７】
上記導電性粒子は、少なくとも表面に導電部を有していればよい。導電性粒子１のように、中心部が導電部とは異なる基材粒子であってもよい。導電性粒子の全体が、導電部であってもよい。導電性粒子の全体が、同じ金属種により形成されていてもよい。
【００３８】
導電性粒子１は、導電性の表面に突起１ａを有する。導電部３は表面（導電層の外表面）に突起３ａを有する。
【００３９】
導電性粒子１は、基材粒子２の表面上に複数の芯物質４を有する。導電部３は、基材粒子２と芯物質４とを被覆している。芯物質４を導電部３が被覆していることにより、導電性粒子１は表面に複数の突起１ａを有する。芯物質４により導電部３の表面が隆起されており、複数の突起１ａ，３ａが形成されている。導電性粒子１は、導電部３内において、複数の突起１ａ，３ａの内側に、複数の突起１ａ，３ａを形成するように、導電部３の表面を隆起させている複数の芯物質４を有する。
【００４０】
図２は、本発明の第２の実施形態に係る導電性粒子を示す断面図である。
【００４１】
図２に示す導電性粒子１Ａは、基材粒子２と、基材粒子２の表面上に配置された導電部３Ａとを有する。導電部３Ａは導電層である。導電性粒子１と導電性粒子１Ａとでは、芯物質４の有無のみが相違している。導電性粒子１Ａは、芯物質を有さない。
【００４２】
導電性粒子１Ａは、導電性の表面に突起１Ａａを有する。導電部３Ａは表面（導電層の外表面）に突起３Ａａを有する。
【００４３】
導電部３Ａは、第１の部分と、該第１の部分よりも厚みが厚い第２の部分とを有する。従って、導電部３Ａは表面（導電層の外表面）に突起３Ａａを有する。複数の突起１Ａａ，３Ａａを除く部分が、導電部３Ａの上記第１の部分である。複数の突起１Ａａ，３Ａａは、導電部３Ａの厚みが厚い上記第２の部分である。
【００４４】
導電性粒子１Ａのように、突起１Ａａ，３Ａａを形成するために、必ずしも芯物質を用いなくてもよい。
【００４５】
図３は、本発明の第３の実施形態に係る導電性粒子を示す断面図である。
【００４６】
図３に示す導電性粒子１Ｂは、基材粒子２と、基材粒子２の表面上に配置された導電部３Ｂとを有する。導電部３Ｂは導電層である。導電部３Ｂは、基材粒子２の表面上に配置された第１の導電部３Ｂｘと、第１の導電部３Ｂｘの表面上に配置された第２の導電部３Ｂｙとを有する。
【００４７】
導電性粒子１Ｂは、導電性の表面に突起１Ｂａを有する。導電性粒子１Ｂは表面に突起１Ｂａを有する。導電部３Ｂは表面（導電層の外表面）に突起３Ｂａを有する。導電性粒子１Ｂは、第１の導電部３Ｂｘの表面上に複数の芯物質４を有する。第２の導電部３Ｂｙは、第１の導電部３Ｂｘと芯物質４とを被覆している。基材粒子２と芯物質４とは間隔を隔てて配置されている。基材粒子２と芯物質４との間には、第１の導電部３Ｂｘが存在する。芯物質４を第２の導電部３Ｂｙが被覆していることにより、導電部３Ｂは表面に、複数の突起３Ｂａを有する。芯物質４により導電部３Ｂ及び第２の導電部３Ｂｙの表面が隆起されており、複数の突起３Ｂａが形成されている。
【００４８】
導電性粒子１Ｂのように、導電部３Ｂは、多層構造を有していてもよい。さらに、突起１Ｂａ，３Ｂａを形成するために、芯物質４を内層の第１の導電部３Ｂｘ上に配置して、外層の第２の導電部３Ｂｙにより芯物質４及び第１の導電部３Ｂｘを被覆してもよい。
【００４９】
上記した導電性粒子１，１Ａ，１Ｂの上記圧縮弾性率（１０％Ｋ値、２０％Ｋ値及び３０％Ｋ値）及び上記圧縮回復率が上述した範囲内である。
【００５０】
以下、導電性粒子の他の詳細を説明する。
【００５１】
上記導電性粒子の粒子径は、好ましくは０．５μｍ以上、より好ましくは１μｍ以上、好ましくは５００μｍ以下、より好ましくは１００μｍ以下、更に好ましくは５０μｍ以下、特に好ましくは２０μｍ以下、最も好ましくは４μｍ以下である。導電性粒子の粒子径が上記下限以上及び上記上限以下であると、導電性粒子を用いて電極間を接続した場合に、導電性粒子と電極との接触面積が充分に大きくなり、かつ導電部を形成する際に凝集した導電性粒子が形成されにくくなる。また、導電性粒子を介して接続された電極間の間隔が大きくなりすぎず、かつ導電層が基材粒子の表面から剥離し難くなる。
【００５２】
上記導電性粒子の粒子径は、１μｍ以上、４μｍ以下であることが特に好ましい。上記導電性粒子の粒子径が１μｍ以上、４μｍ以下であると、チタン電極を含む電極間を電気的に接続した場合に、電極間の接続抵抗を効果的に低くすることができる。電極が形成されているライン（Ｌ）と、電極が形成されていないスペース（Ｓ）とが狭いときや、電極間の接続における圧着時の圧力が高い（例えば１００ＭＰａ）である場合に、導電性粒子の粒子径が１μｍ以上、４μｍ以下である本発明に係る導電性粒子を用いることによって、上記導電性粒子の粒子径は、１μｍ未満又は４μｍを超える導電性粒子を用いた場合と比べて、接続抵抗の低減効果がより効果的に得られる。
【００５３】
上記導電性粒子の粒子径は、数平均粒子径を示す。導電性粒子の平均粒子径は、任意の導電性粒子５０個を電子顕微鏡又は光学顕微鏡にて観察し、平均値を算出することにより求められる。
【００５４】
接続抵抗をより一層良好にする観点からは、上記導電性粒子は、基材粒子と、該基材粒子の表面上に配置された上記導電部とを備えることが好ましい。
【００５５】
上記基材粒子としては、樹脂粒子、金属粒子を除く無機粒子、有機無機ハイブリッド粒子及び金属粒子等が挙げられる。上記基材粒子は、金属粒子を除く基材粒子であることが好ましく、樹脂粒子、金属粒子を除く無機粒子又は有機無機ハイブリッド粒子であることがより好ましい。上記基材粒子は、コアと該コアの外表面上に配置されたシェルとを有するコアシェル粒子であってもよい。上記コアが無機コアであり、上記シェルが有機シェルであってもよい。
【００５６】
上記基材粒子は、樹脂により形成された樹脂粒子であることが好ましい。上記導電性粒子を用いて電極間を接続する際には、上記導電性粒子を電極間に配置した後、圧着することにより上記導電性粒子を圧縮させる。上記基材粒子が樹脂粒子であると、上記圧着の際に上記導電性粒子が変形しやすく、導電性粒子と電極との接触面積が大きくなる。このため、電極間の導通信頼性が高くなる。
【００５７】
上記樹脂粒子の材料として、種々の有機物が好適に用いられる。上記樹脂粒子の材料としては、例えば、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリスチレン、ポリ塩化ビニル、ポリ塩化ビニリデン、ポリイソブチレン、ポリブタジエン等のポリオレフィン樹脂；ポリメチルメタクリレート、ポリメチルアクリレート等のアクリル樹脂；ポリアルキレンテレフタレート、ポリスルホン、ポリカーボネート、ポリアミド、フェノールホルムアルデヒド樹脂、メラミンホルムアルデヒド樹脂、ベンゾグアナミンホルムアルデヒド樹脂、尿素ホルムアルデヒド樹脂、フェノール樹脂、メラミン樹脂、ベンゾグアナミン樹脂、尿素樹脂、エポキシ樹脂、不飽和ポリエステル樹脂、飽和ポリエステル樹脂、ポリスルホン、ポリフェニレンオキサイド、ポリアセタール、ポリイミド、ポリアミドイミド、ポリエーテルエーテルケトン、ポリエーテルスルホン、及び、エチレン性不飽和基を有する種々の重合性単量体を１種もしくは２種以上重合させて得られる重合体等が挙げられる。また、エチレン性不飽和基を有する種々の重合性単量体を１種もしくは２種以上重合させることにより、導電材料に適した任意の圧縮時の物性を有する樹脂粒子を設計及び合成可能である。また、基材粒子の硬度を好適な範囲に容易に制御できるので、上記樹脂粒子の材料は、エチレン性不飽和基を複数有する重合性単量体を１種又は２種以上重合させた重合体であることが好ましい。
【００５８】
上記樹脂粒子を、エチレン性不飽和基を有する単量体を重合させて得る場合には、該エチレン性不飽和基を有する単量体としては、非架橋性の単量体と架橋性の単量体とが挙げられる。
【００５９】
上記非架橋性の単量体としては、例えば、スチレン、α−メチルスチレン等のスチレン系単量体；（メタ）アクリル酸、マレイン酸、無水マレイン酸等のカルボキシル基含有単量体；メチル（メタ）アクリレート、エチル（メタ）アクリレート、プロピル（メタ）アクリレート、ブチル（メタ）アクリレート、２−エチルヘキシル（メタ）アクリレート、ラウリル（メタ）アクリレート、セチル（メタ）アクリレート、ステアリル（メタ）アクリレート、シクロヘキシル（メタ）アクリレート、イソボルニル（メタ）アクリレート等のアルキル（メタ）アクリレート類；２−ヒドロキシエチル（メタ）アクリレート、グリセロール（メタ）アクリレート、ポリオキシエチレン（メタ）アクリレート、グリシジル（メタ）アクリレート等の酸素原子含有（メタ）アクリレート類；（メタ）アクリロニトリル等のニトリル含有単量体；メチルビニルエーテル、エチルビニルエーテル、プロピルビニルエーテル等のビニルエーテル類；酢酸ビニル、酪酸ビニル、ラウリン酸ビニル、ステアリン酸ビニル等の酸ビニルエステル類；エチレン、プロピレン、イソプレン、ブタジエン等の不飽和炭化水素；トリフルオロメチル（メタ）アクリレート、ペンタフルオロエチル（メタ）アクリレート、塩化ビニル、フッ化ビニル、クロルスチレン等のハロゲン含有単量体等が挙げられる。
【００６０】
上記架橋性の単量体としては、例えば、テトラメチロールメタンテトラ（メタ）アクリレート、テトラメチロールメタントリ（メタ）アクリレート、テトラメチロールメタンジ（メタ）アクリレート、トリメチロールプロパントリ（メタ）アクリレート、ジペンタエリスリトールヘキサ（メタ）アクリレート、ジペンタエリスリトールペンタ（メタ）アクリレート、グリセロールトリ（メタ）アクリレート、グリセロールジ（メタ）アクリレート、（ポリ）エチレングリコールジ（メタ）アクリレート、（ポリ）プロピレングリコールジ（メタ）アクリレート、（ポリ）テトラメチレングリコールジ（メタ）アクリレート、１，４−ブタンジオールジ（メタ）アクリレート等の多官能（メタ）アクリレート類；トリアリル（イソ）シアヌレート、トリアリルトリメリテート、ジビニルベンゼン、ジアリルフタレート、ジアリルアクリルアミド、ジアリルエーテル、γ−（メタ）アクリロキシプロピルトリメトキシシラン、トリメトキシシリルスチレン、ビニルトリメトキシシラン等のシラン含有単量体等が挙げられる。
【００６１】
上記エチレン性不飽和基を有する重合性単量体を、公知の方法により重合させることで、上記樹脂粒子が得られる。この方法としては、例えば、ラジカル重合開始剤の存在下で懸濁重合する方法、及び非架橋の種粒子を用いてラジカル重合開始剤とともに単量体を膨潤させて重合する方法等が挙げられる。
【００６２】
上記基材粒子が金属粒子を除く無機粒子又は有機無機ハイブリッド粒子である場合には、基材粒子の材料である無機物としては、シリカ及びカーボンブラック等が挙げられる。上記シリカにより形成された粒子としては特に限定されないが、例えば、加水分解性のアルコキシシリル基を２つ以上有するケイ素化合物を加水分解して架橋重合体粒子を形成した後に、必要に応じて焼成を行うことにより得られる粒子が挙げられる。上記有機無機ハイブリッド粒子としては、例えば、架橋したアルコキシシリルポリマーとアクリル樹脂とにより形成された有機無機ハイブリッド粒子等が挙げられる。
【００６３】
上記基材粒子が金属粒子である場合には、該金属粒子の材料である金属としては、銀、銅、ニッケル、ケイ素、金及びチタン等が挙げられる。但し、基材粒子は金属粒子ではないことが好ましい。
【００６４】
導電性粒子の１０％Ｋ値、２０％Ｋ値、３０％Ｋ値及び圧縮回復率を最適な値にすることが容易であるため、上記基材粒子は、有機無機ハイブリッド粒子又はシリカ粒子であることが好ましい。
【００６５】
上記導電部の厚み（複数の導電部がある場合には、複数の導電部全体の厚み）は、好ましくは５ｎｍ以上、より好ましくは１０ｎｍ以上、更に好ましくは２０ｎｍ以上、特に好ましくは５０ｎｍ以上、好ましくは１０００ｎｍ以下、より好ましくは８００ｎｍ以下、更に好ましくは５００ｎｍ以下、特に好ましくは４００ｎｍ以下、最も好ましくは３００ｎｍ以下である。上記導電部の厚みが上記下限以上であると、導電性粒子の導電性がより一層良好になる。上記導電部の厚みが上記上限以下であると、基材粒子と導電部との熱膨張率の差が小さくなり、基材粒子から導電部が剥離し難くなる。上記導電部の厚みは、導電性粒子全体での導電部の厚みの平均である。
【００６６】
上記基材粒子の表面上に上記導電部を形成する方法としては、無電解めっきにより上記導電部を形成する方法、並びに電気めっきにより上記導電部を形成する方法等が挙げられる。
【００６７】
上記導電部は、金属を含むことが好ましい。上記導電部の材料である金属は、特に限定されない。該金属としては、例えば、金、銀、銅、白金、パラジウム、亜鉛、鉛、錫、アルミニウム、コバルト、インジウム、ニッケル、クロム、チタン、アンチモン、ビスマス、タングステン、ゲルマニウム及びカドミウム、並びにこれらの合金等が挙げられる。また、上記金属として、錫ドープ酸化インジウム（ＩＴＯ）を用いてもよい。上記記金属は１種のみが用いられてもよく、２種以上が併用されてもよい。
【００６８】
導電性粒子の１０％Ｋ値、２０％Ｋ値、３０％Ｋ値及び圧縮回復率を最適な値にすることが容易であるため、上記導電部は、ニッケル又はニッケル合金であることが好ましい。
【００６９】
上記導電性粒子は、導電性の表面に複数の突起を有する。上記芯物質が上記導電部中に埋め込まれていることによって、上記導電部の外表面に突起を容易に形成可能である。導電性粒子により接続される電極の表面には、酸化膜が形成されていることが多い。突起を有する導電性粒子を用いた場合には、電極間に導電性粒子を配置して圧着させることにより、突起により上記酸化膜が効果的に排除される。このため、電極と導電性粒子とがより一層確実に接触し、電極間の接続抵抗がより一層低くなる。さらに、突起によって、導電性粒子と電極との間のバインダー樹脂が効果的に排除される。このため、電極間の導通信頼性が高くなる。
【００７０】
上記導電性粒子の表面に突起を形成する方法としては、基材粒子の表面に芯物質を付着させた後、無電解めっきにより導電部を形成する方法、並びに基材粒子の表面に無電解めっきにより導電部を形成した後、芯物質を付着させ、更に無電解めっきにより導電部を形成する方法等が挙げられる。上記突起を形成する他の方法としては、基材粒子の表面上に、第１の導電部を形成した後、該第１の導電部上に芯物質を配置し、次に第２の導電部を形成する方法、並びに基材粒子の表面上に導電部を形成する途中段階で、芯物質を添加する方法等が挙げられる。
【００７１】
上記基材粒子の表面に芯物質を付着させる方法としては、例えば、基材粒子の分散液中に、芯物質を添加し、基材粒子の表面に芯物質を、例えば、ファンデルワールス力により集積させ、付着させる方法、並びに基材粒子を入れた容器に、芯物質を添加し、容器の回転等による機械的な作用により基材粒子の表面に芯物質を付着させる方法等が挙げられる。なかでも、付着させる芯物質の量を制御しやすいため、分散液中の基材粒子の表面に芯物質を集積させ、付着させる方法が好ましい。
【００７２】
上記芯物質の材料としては、導電性物質及び非導電性物質が挙げられる。上記導電性物質としては、例えば、金属、金属の酸化物、黒鉛等の導電性非金属及び導電性ポリマー等が挙げられる。上記導電性ポリマーとしては、ポリアセチレン等が挙げられる。上記非導電性物質としては、シリカ、アルミナ及びジルコニア等が挙げられる。なかでも、導電性を高めることができ、更に接続抵抗を効果的に低くすることができるので、金属が好ましい。上記芯物質は金属粒子であることが好ましい。
【００７３】
上記金属としては、例えば、金、銀、銅、白金、亜鉛、鉄、鉛、錫、アルミニウム、コバルト、インジウム、ニッケル、クロム、チタン、アンチモン、ビスマス、タングステン、ゲルマニウム及びカドミウム等の金属、並びに錫−鉛合金、錫−銅合金、錫−銀合金、錫−鉛−銀合金及び炭化タングステン等の２種類以上の金属で構成される合金等が挙げられる。なかでも、ニッケル、銅、銀又は金が好ましい。上記芯物質の材料である金属は、上記導電部の材料である金属と同じであってもよく、異なっていてもよい。上記芯物質の材料は、ニッケルを含むことが好ましい。また、上記金属の酸化物としては、アルミナ、シリカ及びジルコニア等が挙げられる。
【００７４】
上記芯物質の材料の具体例としては、チタン酸バリウム（モース硬度４．５）、ニッケル（モース硬度５）、シリカ（二酸化珪素、モース硬度６〜７）、酸化チタン（モース硬度７）、ジルコニア（モース硬度８〜９）、アルミナ（モース硬度９）、炭化タングステン（モース硬度９）及びダイヤモンド（モース硬度１０）等が挙げられる。上記無機粒子は、ニッケル、シリカ、酸化チタン、ジルコニア、アルミナ、炭化タングステン又はダイヤモンドであることが好ましく、シリカ、酸化チタン、ジルコニア、アルミナ、炭化タングステン又はダイヤモンドであることがより好ましく、酸化チタン、ジルコニア、アルミナ、炭化タングステン又はダイヤモンドであることが更に好ましく、ジルコニア、アルミナ、炭化タングステン又はダイヤモンドであることが特に好ましい。上記芯物質の材料のモース硬度は好ましくは５以上、より好ましくは６以上、更に好ましくは７以上、特に好ましくは７．５以上である。
【００７５】
電極間の接続抵抗を効果的に低くする観点からは、上記芯物質の材料のモース硬度は、上記導電部の材料のモース硬度と同等以上であることが好ましく、上記導電部の材料のモース硬度よりも大きいことが好ましい。上記芯物質の材料のモース硬度と上記導電部の材料のモース硬度との差の絶対値は、好ましくは０．１以上、より好ましくは０．２以上、更に好ましくは０．５以上、特に好ましくは１以上、最も好ましくは２以上である。また、導電部が複数の層により形成されていている場合には、複数の層を構成する全ての金属よりも、上記芯物質の材料の方が硬いことが、接続抵抗の低減効果がより一層効果的に発揮される。
【００７６】
上記芯物質の材料と上記導電部の材料とは同一であってもよいが、異なることが好ましい。上記芯物質の材料は、上記芯物質を構成する主材料（５０重量％以上）であり、上記芯物質に最も多く含まれている材料である。上記導電部の材料は、上記導電部を構成する主材料（５０重量％以上）であり、上記導電部に最も多く含まれている材料である。
【００７７】
上記芯物質の形状は特に限定されない。芯物質の形状は塊状であることが好ましい。芯物質としては、例えば、粒子状の塊、複数の微小粒子が凝集した凝集塊、及び不定形の塊等が挙げられる。
【００７８】
上記芯物質の径（粒子径）は、好ましくは０．００１μｍ以上、より好ましくは０．０５μｍ以上、好ましくは０．９μｍ以下、より好ましくは０．２μｍ以下である。上記芯物質の径が上記下限以上及び上記上限以下であると、電極間の接続抵抗が効果的に低くなる。
【００７９】
上記芯物質の径（粒子径）は、数平均径（数平均粒子径）を示す。芯物質の径は、任意の芯物質５０個を電子顕微鏡又は光学顕微鏡にて観察し、平均値を算出することにより求められる。
【００８０】
上記導電性粒子における上記突起の高さは、好ましくは０．００１μｍ以上、より好ましくは０．０５μｍ以上、好ましくは０．９μｍ以下、より好ましくは０．２μｍ以下である。上記突起の高さが上記下限以上及び上記上限以下であると、電極間の接続抵抗が効果的に低くなる。上記突起の高さは、導電性粒子１個当たりの複数の突起の高さの平均である。上記突起の高さは、導電性粒子の中心と突起の先端とを結ぶ線（図１に示す破線Ｌ１）上における、突起が無いと想定した場合の導電層の仮想線（図１に示す破線Ｌ２）上（突起が無いと想定した場合の球状の導電性粒子の外表面上）から突起の先端までの距離を示す。すなわち、図１においては、破線Ｌ１と破線Ｌ２との交点から突起の先端までの距離を示す。
【００８１】
接続抵抗を効果的に低くし、電極間の接続信頼性を効果的に高める観点からは、上記突起の高さが、上記導電性粒子の粒子径の１／１００以上であることが好ましく、１／１５以上であることがより好ましい。また、突起の高さが、導電性粒子の粒子径の１／１０以下であることが好ましい。
【００８２】
上記導電性粒子１個当たりの上記の突起は、好ましくは３個以上、より好ましくは５個以上である。上記突起の数の上限は特に限定されない。突起の数の上限は導電性粒子の粒子径等を考慮して適宜選択できる。
【００８３】
本発明に係る導電性粒子は、上記導電部の表面上（導電層の外表面上）に配置された絶縁性物質を備えていてもよい。この場合には、導電性粒子を電極間の接続に用いると、隣接する電極間の短絡をより一層防止できる。具体的には、複数の導電性粒子が接触したときに、複数の電極間に絶縁性物質が存在するので、上下の電極間ではなく横方向に隣り合う電極間の短絡を防止できる。なお、電極間の接続の際に、２つの電極で導電性粒子を加圧することにより、導電性粒子の導電層と電極との間の絶縁性物質を容易に排除できる。導電性粒子が導電層の外表面に複数の突起を有するので、導電性粒子の導電層と電極との間の絶縁性物質を容易に排除できる。
【００８４】
電極間の圧着時に上記絶縁性物質をより一層容易に排除できることから、上記絶縁性物質は、絶縁性粒子であることが好ましい。
【００８５】
（導電材料）
本発明に係る導電材料は、上述した導電性粒子と、バインダー樹脂とを含む。本発明に係る導電性粒子は、バインダー樹脂中に分散され、導電材料として用いられることが好ましい。
【００８６】
上記バインダー樹脂は特に限定されない。上記バインダー樹脂として、公知の絶縁性の樹脂が使用可能である。上記バインダー樹脂としては、例えば、ビニル樹脂、熱可塑性樹脂、硬化性樹脂、熱可塑性ブロック共重合体及びエラストマー等が挙げられる。上記バインダー樹脂は１種のみが用いられてもよく、２種以上が併用されてもよい。
【００８７】
上記ビニル樹脂としては、例えば、酢酸ビニル樹脂、アクリル樹脂及びスチレン樹脂等が挙げられる。上記熱可塑性樹脂としては、例えば、ポリオレフィン樹脂、エチレン−酢酸ビニル共重合体及びポリアミド樹脂等が挙げられる。上記硬化性樹脂としては、例えば、エポキシ樹脂、ウレタン樹脂、ポリイミド樹脂及び不飽和ポリエステル樹脂等が挙げられる。なお、上記硬化性樹脂は、常温硬化型樹脂、熱硬化型樹脂、光硬化型樹脂又は湿気硬化型樹脂であってもよい。上記硬化性樹脂は、硬化剤と併用されてもよい。上記熱可塑性ブロック共重合体としては、例えば、スチレン−ブタジエン−スチレンブロック共重合体、スチレン−イソプレン−スチレンブロック共重合体、スチレン−ブタジエン−スチレンブロック共重合体の水素添加物、及びスチレン−イソプレン−スチレンブロック共重合体の水素添加物等が挙げられる。上記エラストマーとしては、例えば、スチレン−ブタジエン共重合ゴム、及びアクリロニトリル−スチレンブロック共重合ゴム等が挙げられる。
【００８８】
上記異方性導電材料は、上記導電性粒子及び上記バインダー樹脂の
他に、例えば、充填剤、増量剤、軟化剤、可塑剤、重合触媒、硬化触媒、着色剤、酸化防止剤、熱安定剤、光安定剤、紫外線吸収剤、滑剤、帯電防止剤及び難燃剤等の各種添加剤を含んでいてもよい。
【００８９】
上記導電材料は、導電ペースト及び導電フィルム等として使用され得る。本発明に係る導電材料が、導電フィルムである場合には、導電性粒子を含む導電フィルムに、導電性粒子を含まないフィルムが積層されていてもよい。上記導電ペーストは異方性導電ペーストであることが好ましい。上記導電フィルムは異方性導電フィルムであることが好ましい。
【００９０】
上記導電材料１００重量％中、上記バインダー樹脂の含有量は好ましくは１０重量％以上、より好ましくは３０重量％以上、更に好ましくは５０重量％以上、特に好ましくは７０重量％以上、好ましくは９９．９９重量％以下、より好ましくは９９．９重量％以下である。上記バインダー樹脂の含有量が上記下限以上及び上記上限以下であると、電極間に導電性粒子が効率的に配置され、導電材料により接続された接続対象部材の接続信頼性がより一層高くなる。
【００９１】
上記導電材料１００重量％中、上記導電性粒子の含有量は好ましくは０．０１重量％以上、より好ましくは０．１重量％以上、好ましくは４０重量％以下、より好ましくは２０重量％以下、更に好ましくは１０重量％以下である。上記導電性粒子の含有量が上記下限以上及び上記上限以下であると、電極間の導通信頼性がより一層高くなる。
【００９２】
（接続構造体）
本発明の導電性粒子を用いて、又は該導電性粒子とバインダー樹脂とを含む導電材料を用いて、接続対象部材を接続することにより、接続構造体を得ることができる。
【００９３】
上記接続構造体は、第１の電極を表面に有する第１の接続対象部材と、第２の電極を表面に有する第２の接続対象部材と、第１，第２の接続対象部材を接続している接続部とを備え、該接続部が本発明の導電性粒子により形成されているか、又は該導電性粒子とバインダー樹脂とを含む導電材料により形成されており、第１，第２の電極が上記導電性粒子により電気的に接続されている接続構造体であることが好ましい。導電性粒子が用いられた場合には、接続部自体が導電性粒子である。すなわち、第１，第２の接続対象部材が導電性粒子により接続される。
【００９４】
また、上記接続構造体では、上記第１の電極及び上記第２の電極の内の少なくとも一方がチタン電極である。本発明における接続抵抗の低減効果がより一層顕著に得られることから、上記第１の電極及び上記第２の電極の双方がチタン電極であることが好ましい。
【００９５】
なお、チタン電極は、電極の外表面にチタン原子を５０重量％以上含む。チタン電極は、電極の外表面に、少量であれば、アルミニウム原子等が含まれていてもよい。
【００９６】
図４に、本発明の第１の実施形態に係る導電性粒子を用いた接続構造体を模式的に正面断面図で示す。
【００９７】
図４に示す接続構造体５１は、第１の接続対象部材５２と、第２の接続対象部材５３と、第１，第２の接続対象部材５２，５３を接続している接続部５４とを備える。接続部５４は、導電性粒子１を含む導電材料により形成されている。接続部５４は、導電性粒子１とバインダー樹脂５４ａとを含む。なお、図４では、導電性粒子１は、図示の便宜上、略図的に示されている。導電性粒子１にかえて、導電性粒子１Ａ，１Ｂなどの他の導電性粒子を用いてもよい。
【００９８】
第１の接続対象部材５２は表面（上面）に、複数の第１の電極５２ａを有する。第２の接続対象部材５３は表面（下面）に、複数の第２の電極５３ａを有する。第１，第２の電極５２ａ，５３ａの内の少なくとも一方はチタン電極である。第１の電極５２ａと第２の電極５３ａとが、１つ又は複数の導電性粒子１により電気的に接続されている。従って、第１，第２の接続対象部材５２，５３が導電性粒子１により電気的に接続されている。
【００９９】
上記接続構造体の製造方法は特に限定されない。接続構造体の製造方法の一例として、第１の接続対象部材と第２の接続対象部材との間に上記導電材料を配置し、積層体を得た後、該積層体を加熱及び加圧する方法等が挙げられる。上記加圧の圧力は９．８×１０４〜４．９×１０６Ｐａ程度である。上記加熱の温度は、１２０〜２２０℃程度である。フレキシブルプリント基板の電極、樹脂フィルム上に配置された電極及びタッチパネルの電極を接続するための上記加圧の圧力は９．８×１０４〜１．０×１０６Ｐａ程度である。
【０１００】
上記接続対象部材としては、具体的には、半導体チップ、コンデンサ及びダイオード等の電子部品、並びにプリント基板、フレキシブルプリント基板、ガラスエポキシ基板及びガラス基板等の回路基板などの電子部品等が挙げられる。上記導電材料は、回路接続用導電材料であることが好ましい。上記導電材料は、電子部品のチタン電極を電気的に接続するための導電材料であることが好ましい。上記導電ペーストはペースト状の導電材料であり、ペースト状の状態で接続対象部材上に塗工されることが好ましい。
【０１０１】
また、上記接続対象部材は、有機ＥＬ表示素子用部材であることが好ましく、有機ＥＬ表示素子用基板であることが好ましい。上記接続対象部材は、有機ＥＬ表示素子であることが好ましい。上記導電材料は、有機ＥＬ表示素子用部材のチタン電極を電気的に接続するための導電材料であることが好ましい。
【０１０２】
本発明による接続抵抗の低減効果をより一層効果的に得る観点からは、上記電極が形成されているライン（Ｌ）の幅及び上記電極が形成されていないスペース（Ｓ）の幅はそれぞれ、好ましくは１０μｍ以上、好ましくは１００μｍ以下、より好ましくは９０μｍ以下、更に好ましくは７０μｍ以下である。
【０１０３】
上記接続対象部材に設けることが可能なチタン電極以外の電極としては、金電極、ニッケル電極、錫電極、アルミニウム電極、銅電極、モリブデン電極及びタングステン電極等の金属電極が挙げられる。上記接続対象部材がフレキシブルプリント基板である場合には、上記電極は金電極、ニッケル電極、錫電極又は銅電極であることが好ましい。上記接続対象部材がガラス基板である場合には、上記電極はアルミニウム電極、銅電極、モリブデン電極又はタングステン電極であることが好ましい。なお、上記電極がアルミニウム電極である場合には、アルミニウムのみで形成された電極であってもよく、金属酸化物層の表面にアルミニウム層が積層された電極であってもよい。上記金属酸化物層の材料としては、３価の金属元素がドープされた酸化インジウム及び３価の金属元素がドープされた酸化亜鉛等が挙げられる。上記３価の金属元素としては、Ｓｎ、Ａｌ及びＧａ等が挙げられる。
【０１０４】
以下、実施例及び比較例を挙げて、本発明を具体的に説明する。本発明は、以下の実施例のみに限定されない。
【０１０５】
（実施例１）
（１）基材粒子の作製
攪拌機及び温度計が取り付けられた５００ｍＬの反応容器内に、０．１３重量％のアンモニア水溶液３００ｇを入れた。次に、反応容器内のアンモニア水溶液中に、メチルトリメトキシシラン４．１ｇと、ビニルトリメトキシシラン１９．２ｇと、シリコーンアルコキシオリゴマー（信越化学工業社製「Ｘ−４１−１０５３」）０．７ｇとの混合物をゆっくりと添加した。撹拌しながら、加水分解及び縮合反応を進行させた後、２５重量％アンモニア水溶液２．４ｍＬを添加した後、アンモニア水溶液中から粒子を単離して、得られた粒子を酸素分圧１０−１７ａｔｍ、３５０℃で２時間焼成して、粒子径が３μｍの有機無機ハイブリッド基材粒子を得た。
【０１０６】
（２）芯物質付着工程
パラジウムが付着された樹脂粒子をイオン交換水３００ｍＬ中で３分間攪拌し、分散させ、分散液を得た。次に、金属ニッケル粒子スラリー（平均粒子径１５０ｎｍ、ニッケルのモース硬度５）１ｇを３分間かけて上記分散液に添加し、芯物質が付着された基材粒子を得た。
【０１０７】
（３）導電性粒子の作製
パラジウム触媒液５重量％を含むアルカリ溶液１００重量部に、芯物質が付着された基材粒子１０重量部を、超音波分散器を用いて分散させた後、溶液をろ過することにより、芯物質が付着された基材粒子を取り出した。次いで、芯物質が付着された基材粒子をジメチルアミンボラン１重量％溶液１００重量部に添加し、基材粒子の表面を活性化させた。表面が活性化された基材粒子を十分に水洗した後、蒸留水５００重量部に加え、分散させることにより、懸濁液を得た。
【０１０８】
また、硫酸ニッケル０．２３ｍｏｌ／Ｌ、ジメチルアミンボラン０．９２ｍｏｌ／Ｌ、クエン酸ナトリウム０．５ｍｏｌ／Ｌ及びタングステン酸ナトリウム０．０１ｍｏｌ／Ｌを含むニッケルめっき液（ｐＨ８．５）を用意した。
【０１０９】
得られた懸濁液を６０℃にて攪拌しながら、上記ニッケルめっき液を上記懸濁液に徐々に滴下し、無電解ニッケルめっきを行った。その後、懸濁液を濾過することにより、粒子を取り出し、水洗し、乾燥することにより、基材粒子の表面上に、ニッケル−タングステン−ボロン導電層（厚み約０．１μｍ、ニッケルのモース硬度５）が配置された粒子径が３．２μｍの導電性粒子を得た。得られた導電性粒子の突起の高さは、芯物質に由来して１５０ｎｍであった。
【０１１０】
（実施例２）
基材粒子の作製時の焼成温度を３５０℃から４００℃に変更したこと以外は実施例１と同様にして、導電性粒子を得た。
【０１１１】
（実施例３）
芯物質付着工程で、金属ニッケル粒子スラリー（平均粒子径１５０ｎｍ）を、金属ニッケル粒子スラリー（平均粒子径５０ｎｍ）に変更したこと以外は実施例１と同様にして、導電性粒子を得た。
【０１１２】
（実施例４）
芯物質付着工程で、金属ニッケル粒子スラリー（平均粒子径１５０ｎｍ）を、金属ニッケル粒子スラリー（平均粒子径２００ｎｍ）に変更したこと以外は実施例１と同様にして、導電性粒子を得た。
【０１１３】
（実施例５）
芯物質付着工程で、金属ニッケル粒子スラリー（平均粒子径１５０ｎｍ）を、金属ニッケル粒子スラリー（平均粒子径３５０ｎｍ）に変更したこと以外は実施例１と同様にして、導電性粒子を得た。
【０１１４】
（実施例６）
芯物質をジルコニアスラリー（平均粒子径１５０ｎｍ、ジルコニアのモース硬度８〜９）に変更したこと以外は実施例２と同様にして、導電性粒子を得た。
【０１１５】
（実施例７）
芯物質をアルミナスラリー（平均粒子径１５０ｎｍ、アルミナのモース硬度９）に変更したこと以外は実施例２と同様にして、導電性粒子を得た。
【０１１６】
（実施例８）
芯物質を炭化タングステンスラリー（平均粒子径１５０ｎｍ、炭化タングステンのモース硬度９）に変更したこと以外は実施例２と同様にして、導電性粒子を得た。
【０１１７】
（実施例９）
芯物質をダイヤモンドスラリー（平均粒子径１５０ｎｍ、ダイヤモンドのモース硬度１０）に変更したこと以外は実施例２と同様にして、導電性粒子を得た。
【０１１８】
（実施例１０）
芯物質を酸化チタンスラリー（平均粒子径１５０ｎｍ、酸化チタンのモース硬度７）に変更したこと以外は実施例２と同様にして、導電性粒子を得た。
【０１１９】
（実施例１１）
芯物質をチタン酸バリウム（平均粒子径１５０ｎｍ、チタン酸バリウムのモース硬度４．５）に変更したこと以外は実施例２と同様にして、導電性粒子を得た。
【０１２０】
（実施例１２）
有機無機ハイブリッド基材粒子の粒子径を１μｍに変更して、粒子径が１．２μｍの導電性粒子を得たこと以外は実施例２と同様にして、導電性粒子を得た。
【０１２１】
（実施例１３）
有機無機ハイブリッド基材粒子の粒子径を３．８μｍに変更して、粒子径が４．０μｍの導電性粒子を得たこと以外は実施例２と同様にして、導電性粒子を得た。
【０１２２】
（実施例１４）
有機無機ハイブリッド基材粒子の粒子径を５μｍに変更して、粒子径が５．２μｍの導電性粒子を得たこと以外は実施例２と同様にして、導電性粒子を得た。
【０１２３】
（比較例１）
基材粒子の作製時の酸素分圧を、窒素分圧に変更したこと以外は実施例１と同様にして、導電性粒子を得た。
【０１２４】
（比較例２）
基材粒子の作製時の焼成温度を３５０℃から３００℃に変更したこと以外は実施例１と同様にして、導電性粒子を得た。
【０１２５】
（比較例３）
基材粒子の作製時の焼成温度を３５０℃から２５０℃に変更したこと以外は実施例１と同様にして、導電性粒子を得た。
【０１２６】
（評価）
（１）圧縮弾性率（１０％Ｋ値、２０％Ｋ値及び３０％Ｋ値）
得られた導電性粒子の圧縮弾性率（１０％Ｋ値、２０％Ｋ値及び３０％Ｋ値）を、上述した方法により、微小圧縮試験機（フィッシャー社製「フィッシャースコープＨ−１００」）を用いて測定した。
【０１２７】
（２）圧縮回復率
得られた導電性粒子の圧縮回復率を、上述した方法により、微小圧縮試験機（フィッシャー社製「フィッシャースコープＨ−１００」）を用いて測定した。
【０１２８】
（３）接続抵抗
接続構造体Ａの作製：
Ｌ／Ｓが１５μｍ／１５μｍのＴｉ−Ａｌ−Ｔｉの複層電極パターンを上面に有する透明ガラス基板（第１の接続対象部材）を用意した。また、Ｌ／Ｓが１５μｍ／１５μｍのニッケル電極パターンを下面に有する半導体チップ（第２の接続対象部材）を用意した。
【０１２９】
仮圧着機を用いて、上記透明ガラス基板上のチップ搭載部分に、得られた異方性導電フィルムを仮圧着し、貼り付けた。次に、上記半導体チップを電極同士が対向するように積層した後、異方性導電フィルムの温度が１５０℃となるようにヘッドの温度を調整しながら、半導体チップの上面に加圧加熱ヘッドを載せて、３ＭＰａの圧力をかけて１０秒間熱圧着を行い、異方性導電フィルム中のバインダー樹脂を硬化させて、接続構造体Ａを得た。
【０１３０】
接続構造体Ｂの作製：
Ｌ／Ｓが３０μｍ／３０μｍのＴｉ−Ａｌ−Ｔｉの複層電極パターンを上面に有する透明ガラス基板（第１の接続対象部材）を用意した。また、Ｌ／Ｓが３０μｍ／３０μｍのニッケル電極パターンを下面に有する半導体チップ（第２の接続対象部材）を用意した。
【０１３１】
Ｌ／Ｓが異なる上記の第１，第２の接続対象部材を用いたこと、並びに圧着時の圧力を１００ＭＰａに変更したこと以外は接続構造体Ａと同様にして、接続構造体Ｂを得た。
【０１３２】
接続抵抗の測定：
得られた接続構造体Ａ，Ｂの対向する電極間の接続抵抗を４端子法により測定した。
【０１３３】
［接続抵抗の評価基準］
○○：接続抵抗が３．０Ω以下
○：接続抵抗が３．０Ωを超え、４．０Ω以下
△：接続抵抗が４．０Ωを超え、５．０Ω以下
×：接続抵抗が５．０Ωを超える
【０１３４】
結果を下記の表１に示す。
【０１３５】
【表１】
2015057757.tif 000003
【０１３６】
なお、実施例２，６〜１０の接続構造体Ｂの接続抵抗の評価結果はいずれも「○○」であるが、実施例６〜１０の接続構造体Ｂの接続抵抗の値は、実施例２の接続構造体Ｂの接続抵抗の値よりもかなり低かった。
【符号の説明】
【０１３７】
１，１Ａ，１Ｂ…導電性粒子
１ａ，１Ａａ，１Ｂａ…突起
２…基材粒子
３，３Ａ，３Ｂ…導電部
３ａ，３Ａａ，３Ｂａ…突起
３Ｂｘ…第１の導電部
３Ｂｙ…第２の導電部
４…芯物質
５１…接続構造体
５２…第１の接続対象部材
５２ａ…第１の電極
５３…第２の接続対象部材
５３ａ…第２の電極
５４…接続部
５４ａ…バインダー樹脂
【図１】
2015057757.tif 000004
【図２】
2015057757.tif 000005
【図３】
2015057757.tif 000006
【図４】
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