(57)【要約】      （修正有）【課題】ドーム状の蛍光体粒子を含有した波長変換層を有する半導体発光装置を提供する。【解決手段】半導体発光装置１００は、上面に導電パターンを有する基板１と、基板１上に配置された半導体発光素子３と、導電パターン２と半導体発光素子３とを電気的に接続する導電ワイヤ６と、基板１上に形成され半導体発光素子３を覆うドームの蛍光体粒子を含有した波長変換層層８とから構成する。半導体発光素子３の上面に形成された素子電極３ｃの上には、バンプ５を形成し、バンプ５と導電ワイヤ６の一方の端部とをステッチボンドで接続する。また、導電ワイヤ６の他方の端部は、波長変換層８から露出した領域において、導電パターン２と接続する。【選択図】図１
2015142011.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
上面に導電パターンを有する基板と、
前記基板上に配置された半導体発光素子と、
前記導電パターンと前記半導体発光素子とを電気的に接続する導電ワイヤと、
前記基板上に形成され、前記半導体発光素子を覆う、蛍光体粒子を含有したドーム状の波長変換層と、を備え、
前記導電ワイヤは、前記導電パターン側の一部領域が前記波長変換層のドーム状の頂部以外から導出されて露出し、
前記半導体発光素子は、上面に形成された素子電極および該素子電極上に形成されたバンプを有し、
前記導電ワイヤの前記半導体発光素子側の端部は、前記バンプにステッチボンドにより接続され、
前記半導体発光素子上において、前記導電ワイヤと前記半導体発光素子の発光面との距離は、前記蛍光体粒子の平均粒径以上であることを特徴とする半導体発光装置。
【請求項２】
前記半導体発光素子上において、前記導電ワイヤと前記半導体発光素子の発光面との距離は、一定、あるいは、外側に向かって大きくなることを特徴とする請求項１に記載の半導体発光装置。
【請求項３】
(a)上面に導電パターンを有する基板上に半導体発光素子を配置する工程と、
(b)前記半導体発光素子の上面に形成されている素子電極上にバンプを形成する工程と、
(c)前記バンプと前記導電パターンとを導電ワイヤを介して接続する工程と、
(d)前記基板上に前記半導体発光素子を覆う、蛍光体粒子含有したドーム状の波長変換層を形成する工程と、
を有し、
前記工程(b)において、前記バンプは、前記導電ワイヤと前記半導体発光素子の発光面との距離が、前記蛍光体粒子の粒径以上となるような高さで形成され、
前記工程(c)において、前記バンプと前記導電ワイヤの一方の端部とはステッチボンドされ、
前記工程(d)において、前記導電ワイヤの他方の端部は、前記波長変換層から露出している半導体発光装置の製造方法。
【請求項４】
前記工程(d)は、
(d-1)前記半導体発光素子上に前記蛍光体粒子を揮発性溶剤に分散した液を塗布し、
(d-2)前記基板上に前記液を濡れ広げてその表面張力によりドーム状の塗布体を形成する工程と、
(d-3)前記塗布体を乾燥して、前記塗布体より縮径したドーム状の波長変換層を形成する工程と、
を有すること特徴とする請求項３に記載の半導体発光装置の製造方法。
【請求項５】
前記工程(d)の後に、
(e)前記波長変換層を覆うとともに、前記波長変換層における蛍光体粒子間の間隙を埋める封止部を形成することを特徴とする請求項３または請求項４に記載の半導体発光装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体発光装置に関し、特に、蛍光体含有層を備えた半導体発光装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
特許文献１には、半導体発光素子をポッティング法により蛍光体含有樹脂で覆うことによりドーム状の波長変換層を有する半導体発光装置が記載されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】国際公開第ＷＯ２０１２／００１９３８号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
特許文献１のような半導体発光装置においては、小型の発光部とするため、導電ワイヤの基板上の電極配線と接続される側の端部が波長変換層から露出するほどに波長変換層の形成領域は小さいものであった。そして、ドーム状の波長変換層の形状維持のために、蛍光体含有樹脂の塗布量の管理を行っていた。
【０００５】
しかし、半導体発光素子上への蛍光体含有樹脂へのポッティングにおいて、蛍光体含有樹脂が導電ワイヤに接触した際に導電ワイヤ上に濡れ広がることにより形状が維持できない場合があった。ここで、導電ワイヤと素子電極とは、高い接合強度の得られるボールボンド部を介して接続されており、導電ワイヤは接続部（接続部に形成されたボール部）から略垂直に立ち上がった形状で、所定の高さ以上のループを形成していた。
そして、例えば、発光素子の中心上から波長変換層の中心（頂点）が大きくずれた形状として波長変換層が形成されると、発光効率の低下や色ムラの発生など発光装置の信頼性を低下させるという問題が生じていた。
また、例えば、半導体発光素子上において蛍光体含有樹脂の導電ワイヤへの濡れ広がりが大きく形成されると、設計値と異なる厚みの波長変換層として形成され、所望の発光色が得られないという問題が生じていた。
【０００６】
そこで、本発明は、上記課題を解決して、半導体発光装置におけるドーム状の波長変換層の形状安定性を向上して信頼性を向上した半導体発光装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明の半導体発光装置は、上面に導電パターンを有する基板と、基板上に配置された半導体発光素子と、電極パターンと半導体発光素子とを電気的に接続する導電ワイヤと、基板上に形成され半導体発光素子を覆う蛍光体粒子を含有したドーム状の波長変換層を備える。導電ワイヤは、導電パターン側の一部領域が波長変換層のドーム状の頂部以外から導出されて、該一部領域が波長変換層から露出している。導電ワイヤの半導体発光素子側の端部は、半導体発光素子の上面の電極上に形成したバンプ上にステッチボンドで接続され、半導体発光素子上において、導電ワイヤと半導体発光素子の発光面との距離は、蛍光体粒子の平均粒径以上であることを特徴とする。
【０００８】
本発明の半導体発光装置の製造方法は、(a)上面に導電パターンを有する基板上に半導体発光素子を配置する工程と、(b)半導体発光素子の上面に形成されている素子電極上にバンプを形成する工程と、(c)バンプと導電パターンとを導電ワイヤを介して接続する工程と、(d)基板上に半導体発光素子を覆うドーム状の蛍光体粒子を含有した波長変換層を形成する工程と、からなる。工程(ｂ)において、バンプは導電ワイヤと半導体発光素子の発光面との距離が蛍光体粒子の粒径以上となるような高さで形成される。工程(c)において、バンプと導電ワイヤの一方の端部とはステッチボンドする。また、工程(d)において、導電ワイヤの他方の端部は、蛍光体粒子含有層から露出する。
【発明の効果】
【０００９】
本発明の半導体発光装置および本発明の半導体発光装置の製造方法によれば、半導体発光素子上にステッチボンドすることにより、半導体発光素子上における導電ワイヤを比較的低いループ高さ、発光面に対し水平に近いループ形状で形成することができるため、ドーム状の蛍光体粒子含有層の形状安定性を向上することができる。つまり、半導体発光素子上面と導電ワイヤとの距離を比較的小さくすることができ、蛍光体粒子を含有した塗布液の塗布工程において、蛍光体粒子を含有する塗布材料が半導体発光素子上面へ接触するタイミングと導電ワイヤへの接触するタイミングとの時間的間隔を縮めることができる。そのため、導電ワイヤへ濡れ広がりを抑制し、ドーム形状の蛍光体粒子含有層の形状安定性を向上し、半導体発光装置の信頼性を向上することができる。
【００１０】
また、素子電極上に所定の高さに形成したバンプ上へステッチボンドすることにより、導電ワイヤと発光面との間の距離を蛍光体粒子の平均粒径以上に維持することができ、導電ワイヤと発光面との間に蛍光体粒子を確実に存在させることができるため、導電ワイヤ近傍における色ムラを抑制し、半導体発光装置の信頼性を向上することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１１】
【図１】（ａ）本発明の実施例１の発光装置の概略断面図である。（ｂ）本発明の実施例１の発光装置の概略上面図である。（ｃ）図１（ａ）のＬＥＤチップ近傍の拡大図である。
【図２】（ａ）本発明の実施例１の発光装置における導電ワイヤの結線状態を示す説明図である。（ｂ）本発明の発光装置１００における導電ワイヤの結線状態の他のバリエーションを示す説明図である。
【図３】（ａ）本発明の発光装置において波長変換層に導電ワイヤへの濡れ広がり部が形成された場合の模式図である。（ｂ）従来の発光装置において波長変換層に導電ワイヤへの濡れ広がり部が形成された場合の模式図である。
【図４】本発明の実施例１の発光装置の製造工程における塗布体形成工程を示す説明図である。（ａ）ノズル降下・塗布液吐出開始、（ｂ）塗布液の発光面への着地、（ｃ）塗布液の発光素子側面への濡れ広がり、（ｄ）塗布液の導電パターンへの濡れ広がり開始、（ｅ）ノズル上昇、（ｆ）塗布液の濡れ広がり終了・ドーム状塗布体形成、の各状態を模式的に示す説明図である。
【図５】本発明の実施例１の発光装置の製造工程における塗布体の乾燥工程の（ａ）塗布体乾燥前（ｂ）塗布体乾燥後を示す説明図である。
【発明を実施するための形態】
【００１２】
以下、この発明の好適な実施形態を詳細に説明する。尚、以下に述べる実施形態は、本発明の好適な具体例であるから、技術的に好ましい種々の限定が付されているが、本発明の範囲は、以下の説明において特に本発明を限定する記載がない限り、これらの実施形態に限られるものではない。
【実施例１】
【００１３】
以下に、本発明の実施例１に係る発光装置１００について、図１〜図３を参照しつつ説明する。
【００１４】
図１（ａ）は、本発明の実施例１に係る発光装置１００の概略断面図である。図１（ｂ）は、本発明の実施例１に係る発光装置１００のＬＥＤチップ３近傍の概略断面図である。図１（ｃ）は、本発明の実施例１に係る発光装置１０の概略平面図である。図１（ｃ）においては、説明を容易とするため、封止部を省略し、波長変換層を点線にて外形のみ示している。
【００１５】
図２（ａ）は、本発明の実施例１に係る発光装置１００における導電ワイヤの結線状態を示す模式図である。図２（ｂ）は、本発明の発光装置１００における導電ワイヤの結線状態の他のバリエーションを示す図である。
【００１６】
図３（ａ）は、本発明の実施例１に係る発光装置１００における導電ワイヤへ蛍光体粒子を含有した塗布液が濡れ広がった場合に形成される波長変換層の外形形状を示す図である。図３（ｂ）は、従来の発光装置における導電ワイヤへ蛍光体粒子を含有した塗布液が濡れ広がった場合に形成される波長変換層の外形形状を示す図である。
【００１７】
図１に示すように、実施例１に係る発光装置１００は、基板１と、基板１上に搭載された半導体発光素子であるＬＥＤチップ３と、ＬＥＤチップ３の上面に形成された素子電極３ｃ上に形成したバンプ５と、バンプ５と基板１上に形成された導電パターン２とを接続する導電ワイヤ６と、ＬＥＤチップ３を覆うドーム状の波長変換層８と、基板１上に形成されＬＥＤチップ３、波長変換層８、導電ワイヤ６を覆う封止部１１とから構成されている。
【００１８】
本実施例において、基板１は、平板状のガラスエポキシ基板からなる。基板１は、ガラスエポキシ基板に限らず他の樹脂基板（シリコーン樹脂基板など）、セラミック基板、金属基板など適宜な材料から構成することができる。基板１上には、発光素子搭載部２ａと配線部２ｂとを有する導電パターン２が形成されている。
導電パターン２は、金属材料から構成され、本実施例においては基板側からＣｕ箔、Ｃｕめっき層、Ｎｉめっき層、Ａｕめっき層の積層構造として構成されている。
発光素子搭載部２ａは、ＬＥＤチップ３の底面より大きなサイズでＬＥＤチップ３を囲む形状に形成されている。本実施例において、発光素子搭載部２ａは、ＬＥＤチップ３を中心とする略円形状に形成されている。
配線部２ｂは、ＬＥＤチップへ給電する一対の電極パターンを構成している。本実施例において、配線部２ｂは発光素子搭載部２ａと連続して形成されている。
【００１９】
ＬＥＤチップ３は、発光素子搭載部２ａ上に接合材４を介して固定されるとともに、導電ワイヤ６を介して配線部２ｂと接続されており、発光素子搭載部２ａ、配線部２ｂと電気的に接続されている。
本実施例において、ＬＥＤチップ３は、素子基板３ａである透光性のＳｉＣ基板上にＩｎＧａＮ系材料からなるエピタキシャル層３ｂが形成された青色発光ＬＥＤである。ＬＥＤチップ３は、発光面３Ａの大きさが約２００μｍ□、高さ（図２（ａ）におけるｈｃ）が約５０μｍであり、ＳｉＣ基板の側面が逆テーパー状に形成されている。
本実施例において、ＬＥＤチップ３には、上面と下面に対となる素子電極（上部電極、下部電極）が形成されている。上部電極３ｃは、導電ワイヤ６が接続されるボンディングパッド部を備え、該ボンディングパッド部上には、略ボール状のバンプ５が形成されており、該バンプ５は、導電ワイヤ６と接続されている。また、ＬＥＤチップの下部電極は、導電性の接合材４を介して基板上の発光素子搭載部２ａと接合している。導電性の接合材４の層厚みは約５μｍで形成した。
【００２０】
導電ワイヤ６は、Ａｕ、Ａｌなどの金属からなり、その一端がＬＥＤチップ上のバンプ５と接続され、もう一端が配線部２ｂと接続されている。本実施例においては、直径２５μｍのＡｕワイヤからなる。導電ワイヤの一端は、バンプ５上において、ステッチボンドされており、略三日月形状のステッチボンド部６ａを形成している。また、導電ワイヤ６のもう一方の端部は、配線部２ｂ上において、ボールボンドされており、ボールボンド部６ｂを形成している。
【００２１】
導電ワイヤ６は、図２（ａ）において点線の囲みで示すように、ボールボンド部６ｂから基板表面に対して略垂直な立ち上がりを有し（略１００μｍの立ち上がり部を有する）、ステッチボンド部６ａにはそのような立ち上がりのないループ形状を有する。
導電ワイヤ６とＬＥＤチップ３との接続をステッチボンドとすることにより、ＬＥＤチップ上に略垂直な立ち上がりを形成することがないため、導電ワイヤの高さ、特にＬＥＤチップ上の高さを低くすることができる。
導電ワイヤ６の最頂部６ｃ（最も基板表面から離れた位置）と発光素子の発光面との距離ｄ１は、１００μｍ以下、導電ワイヤ６の最頂部６ｃと導電パターン２表面との距離ｈｌは、１５０μｍ以下（発光素子の高さを約５０μｍとした場合）とすることができる。
【００２２】
つまり、導電ワイヤ６は、ＬＥＤチップ３上（具体的には、バンプ上）にステッチボンドされることにより、ボールボンドした場合と比較して、導電ワイヤ６のループ高さを低くすることができ、波長変換層の形状安定性を向上することができる。ドーム状の波長変換層を形成するために塗布する蛍光体粒子の分散された塗布液の導電ワイヤ６に接触するタイミングとＬＥＤチップ３の発光面に接触するタイミングとの時間的間隔を短縮することができるためである。
一方、ＬＥＤチップ３上にボールボンドした場合には、導電ワイヤ６には、ボール部６ｂから垂直な立ち上がりが形成されるため、導電ワイヤ６の高さを抑えることに限界があり、これに対しＬＥＤチップ３上から蛍光体粒子７を含む塗布液を塗布して形成した波長変換層８は、頂部がＬＥＤチップ３の中心上から導電ワイヤ６側へ偏在した形状となりやすい。
【００２３】
導電ワイヤ６は、図２（ａ）のように発光素子の直上において外側に向かって発光面との距離が大きくなり発光面の外側で最頂部を有するループ形状、あるいは、図２（ｂ）のように発光素子の直上において発光面３Ａに対し略水平な形状（つまり発光面３Ａとの距離が一定となる形状）、で形成することが好ましい。このような形状は、ＬＥＤチップ３上（具体的には、バンプ上）にステッチボンドすることにより形成可能とされる。
このような形状とすることにより、導電ワイヤ６への蛍光体粒子を含有する塗布材料の濡れ広がりを抑制することができる。また、図３（ａ）に示すように、濡れ広がりが生じた場合でも、波長変換層に濡れ広がりによる厚みが形成される部分（図３（ａ）において点線で示す部分）を発光への寄与の少ない発光面から離れた位置に配置することができる。そのため、濡れ広がりによる光学特性のずれ、特に発光色のずれを低減することができる。
一方、従来の発光装置のように、導電ワイヤ６をＬＥＤチップ３上にボールボンドした場合には、素子電極３ｃ上にボールボンド部６ｃ、導電パターン上にステッチボンド部６ｄが形成される。そのため、波長変換層８は、塗布材料の濡れ広がりによりボールボンド部上の導電ワイヤの立ち上がり部に沿って厚みが形成され、当該部分（図３（ｂ）の点線で示す部分）は、発光への寄与の大きな発光面上方に位置するため、所望の光学特性を得ることが難しい。
【００２４】
本実施例において、図２（ａ）に示すように、導電ワイヤ６は、直径約２５μｍの金ワイヤを用い、発光素子の直上において外側に向かって発光面との距離が大きくなるループ形状で形成した。ループの最頂部６ｃは、発光素子上の外側（発光素子上に重ならない位置）に配置された。導電ワイヤ６は、ボールボンド部６ｂから基板表面に対して約１００μｍの略垂直な立ち上がり部（図２（ａ）において点線で示す）を有し、ステッチボンド部６ａにはそのような立ち上がりのないループ形状であった。
発光面３Ａ上（図２（ａ）においてｒ３Ａで示す）において、発光面と導電ワイヤとの間の距離ｄ２が、約３０〜４０μｍ（発光素子中心上で約３０μｍ、発光素子端部上で約４０μｍ）となるよう、かつ、導電ワイヤ６のループの最頂部６ｃは、発光素子の外側に位置するように導電ワイヤを結線した。また、導電ワイヤ６のループの最頂部６ｃは、基板から約１３０μｍ高さに配置した。
【００２５】
バンプ５は、導電性材料からなり、導電ワイヤ６とＬＥＤチップ３上面の発光３Ａ面との間に所定の距離を形成して、色むらを抑制する機能を有する。
【００２６】
バンプ５は、ＬＥＤチップ３の上面の発光面３Ａからワイヤ６までの距離ｄ２が後述する蛍光体粒子７の平均粒径（塗布液調整前、レーザ回折・散乱法により求めた粒度分布から算出した体積平均）より大きくなるように形成する。そのため、バンプ５の高さｈｂは、蛍光体粒子７の粒径以上に形成して、確実に上記高さを得ることが好ましい。
特に、バンプ５の高さ高さｈｂは、蛍光体粒子７の平均粒径の１．５倍以上の高さで形成すること、蛍光体粒子７の最大粒径以上の高さで形成することが好ましい。
バンプ５は、発光部の小型化を維持するため、１００μｍ以下の厚み形成することが好ましく、５０μｍ以下の厚みで形成することがより好ましい。
また、バンプ５は、メッキ法、ペースト印刷法、ボール搭載法など適宜な方法で形成することができるが、工程を簡略化できる点で、導電ワイヤと同一材料でボール搭載法を用いることが好ましい。
【００２７】
本実施例では、バンプ５は、Ａｕから構成し、蛍光体粒子７の平均粒径（１５μｍ）の約２倍である高さ約３０μｍで形成した。本実施例では、バンプ５は、予め球状に成形された小型のＡｕボールを素子電極状に直接搭載することにより、略ボール状のものを形成した。
【００２８】
ここで、導電ワイヤ６をＬＥＤチップ３上においてバンプ５を形成せずにステッチボンドすると、ＬＥＤチップ３上における導電ワイヤ６のループ高さが低く、ＬＥＤチップ３上と導電ワイヤ６との間に存在する蛍光体粒子７の量が極めて少ない。そのため、ＬＥＤチップ３上にかかる導電ワイヤ６の近傍領域において、ＬＥＤチップ３からの青色発光から蛍光体粒子により変換された黄色光の割合が極めて小さく、当該領域が部分的に青色みの強い色むらのある発光部を形成してしまう。
つまり、バンプ５の形成により、導電ワイヤ６とＬＥＤチップ３との発光面との間に、蛍光体粒子７を十分に配置する空間を確保することができるため、上記色むらを抑制することができる。
【００２９】
また、バンプ５は、導電ワイヤ６とＬＥＤチップ３上面の発光面との間に所定の距離を形成して、波長変換層８を形成する際の蛍光体粒子を含有する塗布液を、ＬＥＤチップ３上面と導電ワイヤ６との間に到達しやすくする機能をも有する。
また、バンプ５は、導電ワイヤ６とＬＥＤチップ３上面の発光面との間に所定の距離を形成して、効率よく光を取り出す機能をも有すると考えられる。導電ワイヤ６をバンプ５を形成せずにステッチボンドすると、ＬＥＤチップ３からの発光をそのままＬＥＤチップ３側へ戻してしまい光量を損失すると考えられるためである。バンプ５の形成により、導電ワイヤ６とＬＥＤチップ３との発光面との間に、後述する蛍光体粒子７を配置することができるため、導電ワイヤ６の下の発光面から放出される光を蛍光体粒子７により散乱および吸収して、発光装置外部へ放出することができる。
さらに、ボールバンプ５は、導電ワイヤ６を接続する際にＬＥＤチップ３の電極３ｃに加わる衝撃を緩和してＬＥＤチップの電極を保護する役割や、導電ワイヤ６がＬＥＤチップ３表面（特に角部）に接触してショートするのを防止する役割をも果たす。
【００３０】
波長変換層８は、蛍光体粒子７を含有しており、ＬＥＤチップ３の側面と上面の全てを覆うドーム状に形成されている。波長変換層８の形状は、その形成工程において蛍光体粒子７を含有した塗布液８ａを用いることにより、その表面張力を利用したドーム状に形成される。波長変換層８の頂部は、ＬＥＤチップ３の略中心上に位置している。
また、波長変換層８は、導電ワイヤ６のＬＥＤチップ３と接続された側の端部を含む部分領域を覆い、反対側の端部は露出する大きさで形成されている。
【００３１】
波長変換層８において、蛍光体粒子７は、ＬＥＤチップ３の発光面３Ａと導電ワイヤ６との間にも配置されている。波長変換層８において、ＬＥＤチップ３の上面（発光面３Ａ）と導電ワイヤ６との間にも他の領域とほぼ同じ濃度で蛍光体粒子７が配置されている。
【００３２】
本実施例では、波長変換層８は、ＬＥＤチップ３上に蛍光体粒子７がドーム状に堆積した状態として形成されている。揮発性溶剤に蛍光体粒子７を分散した塗布液８ａをドーム状に塗布して後述する塗布体８ｂを形成後、乾燥することにより波長変換層８を形成したためである。そのため、本実施例においては蛍光体粒子７は、導電ワイヤ６直下のボールバンプ５の側面にも接触するように配置されている。
本実施例では、蛍光体粒子７間の間隙９には、封止部１１を構成する材料と同じ材料（本実施例ではシリコーン樹脂）が充填されている。蛍光体粒子７間の間隙９に充填されたシリコーン樹脂は、蛍光体粒子７を固定する機能をも有する。
また、蛍光体粒子７間の間隙９に充填される材料と封止部１１の材料は界面を形成することなく連続して形成されている。界面が形成されないことにより、界面が形成された場合と比較して、効率よく光を取り出すことができる。また、導電ワイヤ６にかかる応力が小さくなるため導電ワイヤ６の断線リスクを減少することができる。
【００３３】
本実施例において、波長変換層８は、その頂部が、バンプの頂面から約５５μｍの高さ（導電パターン２の表面から約１４０μｍの高さ、発光面３Ａから約８５μｍの高さ）に位置する小さなサイズで形成されている。また、波長変換層８は、その頂部が導電ワイヤ６のループのいずれの領域よりも高い位置、すなわち導電ワイヤ６のループの頂部より高い位置に形成されている。そして、導電ワイヤ６は、その一端部が波長変換層８から露出しているが、導電ワイヤ６は波長変換層８のドーム状の頂部以外から導出されている。
つまり、本願発明の発光装置によれば、特許文献１の半導体発光装置における波長変換層より小型の波長変換層を形成することができ、すなわち、より発光部を小型化することができる。特許文献１の半導体発光装置では、少なくとも導電ワイヤの素子電極との接続部からの立ち上げ領域を被覆するために、波長変換層の高さを立ち上げ領域の高さ（一般的には１００μｍ以上）以上に形成することとなり、小型化が妨げられてしまうためである。
【００３４】
また、本実施例において、図３（ａ）に示すように、導電ワイヤ６は、波長変換層８のＬＥＤチップ３の発光面３Ａ上から外れた領域から導出されており、図１（ｃ）に示すようにその頂部６ｃは波長変換層８から露出している。導電ワイヤ６を発光面３Ａ上の領域ｒ３Ａから導出した場合と比較して、導電ワイヤ６に塗布液がつられた形状による色むらの影響を小さくすることができる。
【００３５】
本実施例において、図１（ｂ）に示すように波長変換層８は、その端部が発光素子搭載部２ａの端部から内側に位置している。揮発性溶剤に蛍光体粒子を分散した塗布液８ａを発光素子搭載部２ａの端部における段差を利用して塗布してドーム状の塗布体８ｂを形成後、乾燥することにより塗布体８ｂより外形サイズの小さなドーム状の波長変換層８を形成したためである。
本実施例のように、波長変換層８の形成工程において、揮発性溶剤に蛍光体粒子７を分散した塗布液８ａからなるドーム状の塗布体８ｂから乾燥させて縮径させることは、乾燥時に蛍光体粒子の内向流により導電ワイヤ６下への蛍光体粒子濃度をより均一化させることができると考えられ、好ましい。尚、塗布液８ａの粘度、表面張力、蒸発速度、塗布体８ｂサイズ、基板条件、乾燥条件などを調整することにより、塗布体８ｂの乾燥後の形状を制御することができると考えられる。
【００３６】
封止部１１は、樹脂やガラスなどの透光性材料からなり、基板上の発光素子搭載部２ａ、ＬＥＤチップ３、ボールバンプ５、導電ワイヤ６、波長変換層８を覆う。
【００３７】
本実施例において、封止部１１は、シリコーン樹脂からなり、ＬＥＤチップ３の上方が凸レンズ形状として形成されている。凸レンズ１１ａの光軸がＬＥＤチップ５の中心とそろうように、凸レンズ１１ａが配置され、凸レンズ１１ａの光軸が発光装置１００の光軸となる。
【００３８】
［本発明の実施例１の製造方法］
次に、本発明の実施例１の発光装置１００の製造方法について、図４および図５を用いて説明する。
【００３９】
図４は、本発明の実施例１の発光装置１００の製造方法において、蛍光体粒子を含有した塗布液を発光素子搭載部２ａ上に塗布して塗布体８ｂを形成する工程を説明する図である。
【００４０】
図５は、本発明の実施例１の発光装置１００の製造方法において、塗布体８ｂを乾燥して波長変換層８を形成する工程を説明する図である。
【００４１】
まず、上面に導体パターン２の形成された基板１を準備する。半導体発光装置１００が複数製造できるよう、矩形の多面取り状態で準備するが、以下においては、説明を容易とするため、一つの半導体発光装置１００が製造される工程として、説明する。
【００４２】
基板１はガラスエポキシ基板からなり、両面にパターン形成された銅箔が貼付されたものを用いた。また、基板の１上面と下面とを電気的に接続するためのスルースリットが形成されている。そして、メッキ処理により、銅箔上およびスルースリットの内壁にＣｕ層、Ｎｉ層、Ａｕ層を形成する。銅箔およびめっき層からなる導体パターン２の総厚みは約５０μｍとした。
【００４３】
基板１上面に形成された銅箔およびめっき層からなる導体パターン２の形状は、図１（ｃ）に例示する通りである。導体パターン２は、いずれも、半導体発光素子３が搭載される発光素子搭載部２ａ、および半導体発光素子３と電気的に接続され一対の電極を形成する配線部２ｂとから構成される。図１においては、発光素子搭載部２ａも発光素子３と電気的に接続されており、配線部２ｂと連続して形成されている。本実施例において、発光素子搭載部２ａは、矩形状の基板の中央に位置するよう形成されている。
【００４４】
発光素子搭載部２ａは、後工程で形成する波長変換層８の形状を安定化させるため、その端部が、塗布工程において蛍光体粒子を含有した塗布液８ａを濡れ広がらせたい位置となるように形成することが好ましい。端部により塗布液８ａの広がりを規制するためである。そのため、図１（ｂ）に示すように略円形に形成している。また、塗布液８ａの濡れ広がりを規制するために、導電パターン２の厚みは、４０μｍ以上とすることが好ましい。
【００４５】
ここで、蛍光体粒子７を含有する塗布液８ａとして、蛍光体粒子を分散した樹脂を用いる場合は、発光素子搭載部２ａは、波長変換層８を形成する領域に形成しておく。
一方、蛍光体粒子を含有する塗布液８ａとして、揮発性溶媒に蛍光体粒子を分散した液を用いる場合には、塗布液の乾燥後には、塗布液が凝縮して一回り小さな体積の波長変換層８を形成することができる。そのため、発光素子搭載部２ａは、所望するサイズの波長変換層８より一回り大きいサイズとして設計する。
本実施例では、波長変換層８を直径約５００μｍの円形の底面形状とするため、発光素子搭載部２ａを直径約５６０μｍの円形に形成した。
【００４６】
次に、発光素子搭載部２ａに接合材４を介して半導体発光素子３を搭載する。半導体発光素子３としては、ＬＥＤチップ、ＬＤチップを用いることができる。
本実施例においては、青色ＬＥＤチップ３を用いた。具体的には、ＳｉＣ基板上にＩｎＧａＮ系半導体層が形成され、側面が逆テーパー形状で、側面からも効率よく光が放出されるＬＥＤチップを用いた。青色ＬＥＤチップのサイズは、上面が約２００μｍ□、高さ約５０μｍのものを用いた。ＬＥＤチップ３は、電極対となる上面に設けられた上部電極３ｃと下面に設けられた下部電極が形成されている。
【００４７】
また、接合材４は、発光素子搭載部と半導体発光素子との電気的接続を得る場合には、導電性の接合材を用いる。本実施例では、Ａｇペーストを用いた。
【００４８】
続いて、半導体発光素子３の上面に形成された電極３ｃ（具体的には、ボンディングパッド）上に、半導体発光素子３の上面の発光面からワイヤ６までの距離が後述する蛍光体粒子７の平均粒径（塗布液調整前、レーザ回折・散乱法により求めた粒度分布から算出した体積平均）より大きくなるような高さのバンプを形成する。具体的には、蛍光体粒子７の平均粒径より大きい高さのバンプ５を形成する。
尚、バンプ５の形成するタイミングは、半導体発光素子３が発光素子搭載部に配置される前でも後でもよいが、後工程のワイヤボンディングと一連の工程として工程を簡略化するために、半導体発光素子３の発光素子搭載部への配置後に行うことが好ましい。
バンプ５は、ワイヤボンディング可能な材料を用いて適宜な手法で形成することができる。
本実施例では、導電ワイヤ６と同じ材料であるＡｕを用いて、ワイヤボンディング装置により、３０μｍの高さの略ボール状のバンプ５形成した。キャピラリに通した金線の先端に溶融してボール状となった金ボールを形成し、キャピラリを降下して金ボールを半導体発光素子上に形成された電極（具体的にはボンディングパッド）上に接合し、キャピラリ先端の平坦部を押し付けた後にキャピラリを上昇して金線を切断して形成した。
バンプ５を形成することにより、半導体発光発光素子の上面の発光面からバンプ上面の高さが蛍光体粒子７の平均粒径より確実に大きくなるようにすることができ、導電ワイヤ６の下へ蛍光体粒子７を確実に配置することができる。特に、バンプ５の高さが蛍光体粒子７の平均粒径の１．５倍以上であることが好ましい。例えば、蛍光体粒子７の平均粒径（塗布液調整前、レーザ回折・散乱法により求めた粒度分布から算出した体積平均）が１５μｍである場合には、バンプ５の高さは、２２．５μｍ以上とすることが好ましく、特に２５μｍ〜３５μｍとすることが好ましい。本実施例では、３０μｍで構成した。
また、バンプ５の形成は、ステッチボンドする際に素子や素子電極へかかる応力を緩和（素子や素子電極の保護）、発光素子３の端部への導電ワイヤ６の接触（ショートの防止）にも資する。
【００４９】
続いて半導体発光素子３の上面に形成された電極３ｃと導体パターンの配線部２ｂとを導電ワイヤ６を結線して電気的に接続する。超音波熱圧着方式のワイヤボンディング装置により導電ワイヤ６の接続を行う。導電ワイヤ６の一端は、基板上に形成した導電パターン２の配線部２ｂにボールボンドにより接続され、もう一端は、素子電極３ｃ上に形成したバンプ５上にステッチボンドにより接続される。
本実施例では、直径２５μｍの金線を用いた。
基板１上の配線部２ｂへのボールボンド工程では、装置のキャピラリの先端から繰り出したワイヤ６の先端に金ボールを形成し、超音波を伴って配線部２ｂ上に熱圧着し、ボールボンド部６ｂを形成した。次に、キャピラリを基板の主面に対して垂直に引き上げた後、ワイヤを延ばしながらＬＥＤチップ３上のバンプ５まで水平に移動し、バンプ５上に超音波を伴って熱圧着後、ワイヤを引き上げて切断し、ステッチボンド部６ａを形成した。バンプ５上のステッチボンド部６ａは、略三日月形状に形成された。ワイヤループ高さは、配線部２ｂ上から、約１２０μｍとなり、半導体発光素子の上面の発光面から６５μｍとなった。
【００５０】
次に、波長変換層８を形成するための蛍光体粒子７を含有する塗布液８ａを調整する。蛍光体粒子７を分散する溶媒１０としては、流動性材料を用いることができ、例えば、樹脂、揮発性溶媒などを用いることができる。
導電ワイヤ６の下へ蛍光体粒子７が良好に回り込んで配置されやすい、半導体発光素子のテーパー部近傍へ蛍光体粒子７を配置しやすい、波長変換層８内に蛍光体粒子を高濃度に配置しやすいなどの観点から、蛍光体粒子７を揮発性溶媒１０に分散した塗布液８ａを用いることが好ましく、本実施例においては蛍光体粒子７を揮発性溶媒１０に分散した塗布液８ａを調整した。
塗布液８ａの粘度は、半球状に近いドーム状を維持するために４００ｃｐ以上とすることが好ましく、製造工程中における蛍光体粒子の沈降防止や導電ワイヤ下へ蛍光体粒子を配置させるために５００ｃｐ以上７００ｃｐ以下とすることがより好ましい。
【００５１】
蛍光体粒子７としては、半導体の発光素子からの発光により励起され、励起光と異なる波長の光を放出する適宜な蛍光体粒子を用いることができる。本実施例においては、黄色発光する平均粒径が約１５μｍの（Ｓｒ，Ｂａ，Ｃａ）ＳｉＯ４：Ｅｕ（Ｅｕを付活したオルトシリケート）を用いた。これにより、ＬＥＤチップ３からの青色発光の一部を黄色光へ変換して、残りの青色光との混合光として白色発光を放出する波長変換層８を形成することができる。
【００５２】
蛍光体粒子７を分散する揮発性溶媒１０は、エタノールなどのアルコール系溶剤から構成することができる。塗布工程においてドームの形状が保持可能な粘度を得るために、プロピレングリコール、ブタンジオール等の比較的高粘度のアルコール系溶剤と組み合わせた混合溶剤とすることが好ましい。
【００５３】
また、蛍光体粒子７を分散する揮発性溶媒１０には、蛍光体粒子の沈降を抑制する沈降防止剤、蛍光体粒子を半導体発光素子上に結合させるためのバインダあるいはバインダの前駆体、光散乱剤（二酸化チタンなどの透光性粒子）などを分散することもできる。
沈降防止材としては、層状ケイ酸塩鉱物を用いることができる。層状ケイ酸塩鉱物は、雲母構造、カオリナイト構造、スメクタイト構造等の構造を有する膨潤性粘土鉱物が好ましく、なかでも膨潤性に富むスメクタイト構造が特に好ましい。アルコール系溶剤との組み合わせにおいて、混合液の粘性を増加させる効果があり、蛍光体の沈降防止および塗布液の半球状の形状保持に好ましい。
バインダとしては、ＳｉｍＯｎ（ｍ、ｎはいずれも整数）、バインダ前駆体としては、反応により透明セラミックバインダとなるポリシロキサンやポリシラザンなどを用いることができる。本実施例では、バインダとして、粒径が１００ｎｍ以下のＳｉＯ２からなる超微粒子を用いた。
尚、本実施例においては、後工程に形成する封止部１１により波長変換層８を固定することができるため、バインダやバインダ前駆体は、封止部形成工程前までの仮固定ができる程度に添加されるものでよい。
【００５４】
続いて、蛍光体粒子７を含有する塗布液８ａを半導体発光素子３上に塗布して、波長変換層８を形成する。
本実施例においては、上記の通り調整した揮発性溶剤に蛍光体粒子を分散した塗布液８ａを、ＬＥＤチップ３上へ液体定量吐出装置（ディスペンサ）により塗布し、塗布液１３を濡れ広がらせて表面張力によりドーム状の塗布体８ｂを形成し、該塗布体８ｂを乾燥して波長変換層８を形成した。液体定量吐出装置としては、圧縮空気を用いた流量制御方式、プランジャを用いた容量式などを用いることができる。本実施例では、塗布液８ａは、粘度５００ｃｐ以上７００ｃｐ以下、蛍光体粒子の濃度約５０ｗｔ％に調整し、１つのＬＥＤチップ３に対して約０．０２２μｌを塗布し、１５０℃の乾燥炉にて乾燥を行った。
【００５５】
図４（ａ）に示すように、塗布工程において、液体吐出装置のノズル１２をＬＥＤチップ３の上方に、開口に塗布液８ａの凸メニスカスの形成されたノズルの中心とＬＥＤチップの中心が略一致するように配置し、導電パターンの上面から上方１５０μｍの距離まで降下し、ノズルの開口から塗布液を吐出する。
ノズル底面の外形はＬＥＤチップ３の外形より大きなものを用い、ノズルの降下位置は、導電ワイヤ６の最頂部６ｃより上方に位置している。
【００５６】
図４（ｂ）に示すように、塗布工程において、塗布液８ａは、ノズルから離れた液滴としてＬＥＤチップ上へ滴下されることなく、また、ノズルを基板表面と平行な方向に掃引することなく、発光面３Ａ上に配置される。また、ノズルの降下位置は、ノズルと導電ワイヤ６とは接触しないよう、ノズル底面が導電ワイヤ６の最頂部６ｃより上となるよう位置する。
図４（ｃ）に示すように、塗布工程において、塗布液８ａがノズルに付着した状態で（ノズルから離れない状態で）、少なくともＬＥＤチップ３の側面まで塗布液８ａが濡れ広がるまで吐出を継続する。
塗布工程において、塗布液８ａは、導電ワイヤ６に接触するとほぼ同時にＬＥＤチップ３の上面の電極に接触する。導電ワイヤ６をステッチボンドをしたことにより、導電ワイヤ６のループの頂部と半導体発光素子の上面の発光面、素子電極、バンプとの距離が、導電ワイヤ６をボールボンドをした場合と比較して小さいことによる。つまり、導電ワイヤ６をステッチボンドしたことにより、塗布液が導電ワイヤ６へ接触するタイミングとバンプ５やＬＥＤチップ３に接触するタイミングを、導電ワイヤ６をボールボンドした場合と比較して近づけることができる。そのため、塗布液８ａは、導電ワイヤに偏って濡れ広がることを抑制して、ＬＥＤチップ３側に濡れ広がり、ドーム状の形状安定性を維持することができる。
塗布工程において、少なくともＬＥＤチップ３の側面への塗布液の濡れ広がりが確認された後、吐出を停止し、ノズルを上昇する。本実施例においては、図４（ｄ）に示すように、塗布液８ａが基板上（具体的には、基板上の導電パターン上２）に到達した後に、図４（ｅ）に示すように吐出の停止およびノズルの上昇を行った。
【００５７】
図４（ｆ）に示すように、塗布液８ａは、塗布工程の後、基板上へ（具体的に基板上の導体パターン２上）濡れ広げられて、その表面張力によりドーム形状の塗布体８ｂが形成される。つまり、塗布体８ｂの表面は、上方に凸状の曲面となる。本実施例においては、略円形状に形成した発光素子搭載部の端部で濡れ広がりを規制して、発光素子搭載部を底面としたドーム形状に形成される。
尚、半導体発光素子として、その側面が逆テーパー状のものを用いることにより、順テーパやテーパのないものと比較して、塗布体の形状安定性を高めることができる。塗布液が基板上（導体パターン上上）へ濡れ広がる際に、塗布液が外側へ流動する力を抑制することができるため、表面張力に応じたドーム形状を形成しやすいためである。
【００５８】
乾燥工程では、塗布体８ｂの形成された基板を１５０℃に加熱した加熱炉内へ５分間投入し、ドーム状の塗布体を乾燥し、すなわち揮発性溶剤を蒸発させることにより、ドーム状の波長変換層８を形成した。図５（ａ）に乾燥前の塗布体８ｂの状態、図５（ｂ）に乾燥後に形成された波長変換層８の状態を示す。尚、説明のため、図５においては、塗布体８ｂおよび波長変換層８の接触線を示す破線を記入し、図５（ｂ）においては、波長変換層８の外形を示す点線を記入している。
【００５９】
乾燥後に形成された波長変換層８は、ドーム形状を維持して形成することができた。乾燥により収縮して塗布体８ｂより小さく、縮径したドーム状の波長変換層８を形成することができた。つまり、図５に示すように、波長変換層８の端部は、発光素子搭載部２ａの端部位置より内側に、すなわち、塗布体８ｂの端部位置より内側に位置していた。そのメカニズムは定かではないが、乾燥に伴う体積変化に応じた表面張力が働いて塗布体８ｂの接触線が中心部へ移動したためと考えられる。接触線を内側に移動させてドーム形状を維持するに際して、塗布液８ａの物性（粘度、基板に対する疎液性、濡れ性など）、蒸発速度、塗布量、基板条件（塗布液に対する濡れ性）、乾燥条件などを調整して、波長変換層８の形状を制御することができると考えられる。特に、発光素子搭載部２ａが塗布液８ａに対して疎液性であること、塗布液８ａの蒸発速度が速すぎないこと、塗布液の量が少なすぎないことが形状維持に有効な要点と考えられる。
【００６０】
乾燥工程において、塗布体８ｂの端部に位置する蛍光体粒子７は、塗布体８ｂが凝縮する際に中央部へ（波長変換層８の端部位置まで）移動した。塗布体８ｂ内において中心部へ向かう流れが生じるためと考えられる。
この乾燥工程における凝縮により、塗布液８ａを濡れ広げて塗布体８ｂを形成した際に、塗布体８ｂの端部における蛍光体粒子の濃度が中央部の濃度と比較して低くなるという濃度差が生じた場合にも、蛍光体粒子の移動によりその濃度差が緩和される。
また、この乾燥工程における凝縮により、塗布体８ｂの状態で導電ワイヤ６下への蛍光体粒子の濃度が他の領域と比較して低くなるという濃度差が生じた場合にも、蛍光体粒子の移動によりその濃度差が緩和される。そのため、十分な蛍光体粒子を配置することができ、導電ワイヤ近傍に部分的な色むらが生じるのを抑制することができる。
さらに、この乾燥工程における凝縮により、塗布体８ｂの状態でＬＥＤチップの側面テーパ部の近傍領域の蛍光体粒子の濃度が他の領域と比較して低くなるという濃度差が生じた場合にも、蛍光体粒子の移動によりその濃度差が緩和される。
つまり、塗布体８ｂを形成する塗布液８ａとして、揮発性溶剤１０を用いることにより塗布体８ｂより収縮させた波長変換層８を形成することができ、樹脂を用いた場合よりも、形状安定性の向上と、波長変換層８内の蛍光体粒子濃度の均一性を向上することができる。このとき、塗布液８ａの物性（粘度、表面張力など）、蒸発速度、塗布体８ｂのサイズ、基板条件（本実施例では発光素子搭載部２ａの濡れ性や温度など）、乾燥条件などを調整することにより、乾燥後の波長変換層８の形状を制御することができる。
尚、塗布体８ｂを形成する塗布液８ａを、揮発性溶剤１０に蛍光体粒子を分散して構成することは、樹脂に蛍光体粒子を分散して構成した場合のように樹脂硬化時の粘度低下に伴って波長変換層が扁平な形状に変化するなどの問題がない点でも、安定的にドーム形状を維持して波長変換層８を形成することができる。
【００６１】
乾燥後に形成されたドーム状の波長変換層８は、蛍光体粒子７、および適宜添加された沈降防止剤やバインダが堆積した状態として形成され、蛍光体粒子７間には間隙が形成された。
【００６２】
次に封止部１１を形成する。
本実施例においては、トランスファ成形により封止部１１を形成した。封止部１１には、凸状のレンズ部を形成した。
封止部１１の形成は、成形型内に半導体発光素子および波長変換層８を形成した基板をセットし、シリコーン樹脂を圧入後、加熱硬化しておこなった。
封止部１１の形成において、波長変換層８の蛍光体粒子間７の間隙９（封止部形成前では空隙）には、流動性を有するシリコーン樹脂が充填され、波長変換層の半導体発光素子、発光素子搭載部への固定を強固なものとすることができる。
また、特許文献１に示されるような波長変換層と封止樹脂部との明確な界面を形成することがないため、波長変換層と封止部との間に形成される界面による光取出し効率の低下を抑制することができる。
【００６３】
最後に多面取りの状態のものを、所定の間隔でダイシングして個片化し、半導体発光装置を得た。
【００６４】
本発明の発光装置および製造方法によれば、形状安定性を向上した小型のドーム状の波長変換層、ひいては発光部を形成して、信頼性の高い光学特性を得ることができる。半導体発光素子上に導電ワイヤをステッチボンドすることにより、半導体発光素子上における導電ワイヤのループ高さを比較的低く形成することにより、半導体発光素子上面と導電ワイヤとの距離を小さくすることができるためである。そして、蛍光体粒子を含有した塗布液の塗布工程において、蛍光体粒子を含有する塗布液が半導体発光素子上面へ接触するタイミングと導電ワイヤへの接触するタイミングとの時間的間隔を縮めて導電ワイヤへの濡れ広がりを抑制することができるためである。
また、導電ワイヤの半導体発光素子上での接続をステッチボンドとすることにより、導電ワイヤのループ形状を発光面に対し略水平あるいは、外側に向かって距離の大きくなるように形成することができるため、導電ワイヤ上へ塗布液の濡れ広がりが生じても、発光色のずれを抑制することができる。
そして、形状安定性を向上した小型のドーム状の波長変換層を形成することができるため、レンズを設けた場合にレンズの光学設計を容易とすることができ、信頼性の高い発光装置を提供することができる。
【００６５】
また、素子電極上に所定の高さに形成したバンプ上へステッチボンドすることにより、導電ワイヤと発光面との間の距離を蛍光体粒子の平均粒径以上に維持することができ、蛍光体粒子を確実に存在させることができるため、導電ワイヤ近傍において色むらが発生するのを抑制することができる。
【００６６】
さらに、波長変換層を蛍光体粒子を揮発性溶剤に分散した塗布液により、ドーム状の塗布体を形成後、乾燥により縮径させる方法で波長変換層を形成すれば、波長変換層内の蛍光体粒子の濃度を向上するとともに均一化することができる。導電ワイヤと発光面との間や逆テーパ型の半導体発光素子の側面にも十分な量の蛍光体を配置することができ、色むらなどが発生するのを抑制することができる。
【００６７】
尚、本発明の発光装置は、上記した実施例に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲内において種々変更を加えることは勿論である。
【００６８】
例えば、本発明の発光装置において、半導体発光素子として、ＬＥＤチップに限定されることなく、ＬＤチップを用いることができる。また、半導体発光素子は一対の電極が、半導体素子の上面と下面に形成されているものだけでなく、上面のみに形成されているものを用いることもできる。
例えば、上記実施例において、半導体発光素子は、導電パターン上に接合したが、基板上に接合してもよい。この場合において、導電パターンとの電気的接合は、導電ワイヤで形成することができる。また、塗布液の濡れ広がりの制御は、金属パターンからなる発光素子搭載部の端部を利用する方法以外の他の手法を用いることができる。例えば、塗布体を形成したい領域の外側に塗布液に対して撥水性の領域を形成するなどの手法を用いることもできる。
【００６９】
例えば、上記実施例において、蛍光体としてＥｕを付活したオルトシリケートを用いたが、Ｃｅを付活したＹＡＧなどのガーネット蛍光体、サイアロンやカズンなどの窒化物蛍光体など適宜な蛍光体を使用、併用することができる。
【００７０】
例えば、上記実施例において、導体パターンは、配線部と発光素子搭載部が連続した形状で形成したが、例えば、発光素子搭載部と配線部とを分離した形状として形成するものとしてもよい。発光素子搭載部は、配線部と分離して形成することにより、その端部で塗布液の濡れ広がりをより安定に規制して、塗布体の形状を安定化することができる。
【００７１】
例えば、上記実施例において、蛍光体粒子を分散した揮発性溶媒を塗布液として塗布体を形成したが、蛍光体粒子を含有する樹脂を用いて塗布体を形成することもできる。この場合においては、蛍光体粒子を含有する樹脂からなる塗布液を滴下して塗布体を形成後、加熱により硬化することでドーム状の波長変換層を形成することができる。
【００７２】
例えば、上記実施例において、波長変換層は、一度の塗布液の塗布および乾燥により形成したが、この工程は複数回繰り返してもよい。複数回繰り返すことにより、所望の膜厚および形状を形成し、目的の色度を得ることができる。この場合において、塗布液として蛍光体粒子を分散した揮発性溶剤を用いることが、複数回の繰り返しによっても界面が形成されることがないため、好ましい。
【００７３】
例えば、上記実施例において、塗布体の乾燥は、加熱炉内で行ったが、室温により行ってもよい。
【００７４】
例えば、上記実施例において、封止部１１には凸レンズ部１１ａを形成したが、レンズ部の形成、レンズ部の形状は任意である。
【符号の説明】
【００７５】
１：基板
２：導電パターン
２ａ：発光素子搭載部
２ｂ：配線部
３：半導体発光素子
３ａ：素子基板
３ｂ：エピタキシャル層
３ｃ：上部電極
３Ａ：発光面
４：接合材
５：バンプ
６：導電ワイヤ
７：蛍光体粒子
８：波長変換層
８ａ：蛍光体粒子含有塗布液
８ｂ：塗布体
９：間隙
１０：溶媒
１１：ノズル
１００：発光装置
【図１】
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【図２】
2015142011.tif 000004
【図３】
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【図４】
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【図５】
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