(57)【要約】【課題】高周波帯を扱う回路基板内に設けた導波路内を伝送する高周波信号を複数の回路基板間に亘って伝送するための基板間接続構造において、高い密着性を保持し、着脱可能な基板間接続構造を提供する。【解決手段】アンテナ実装基板１Ａの開口部４とＩＣ実装基板１Ｂの開口部７のそれぞれの少なくとも一部を互いに接続する基板間接続構造において、ＩＣ実装基板１Ｂの開口部７側の面に、膜厚がアンテナ実装基板１Ａの導波路３及びＩＣ実装基板１Ｂの導波路６の幅寸法の６０％以下の絶縁膜８を備える。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の基板と、
前記第１の基板内に設けられた第１の導波路と、
前記第１の基板のいずれかの面にあって、前記第１の導波路の端部に配置され、高周波信号を入出力する第１の開口部と、
第２の基板と、
前記第２の基板内に設けられた第２の導波路と、
前記第２の基板のいずれかの面にあって、前記第２の導波路の端部に配置され、高周波信号を入出力し、前記第１の開口部と少なくとも一部を互いに接続する第２の開口部と、
前記第１の基板と前記第２の基板との間に、膜厚が前記第１の導波路及び前記第２の導波路の伝播モードを決める幅寸法の６０％以下である絶縁膜と、
を備える基板間接続構造。
【請求項２】
請求項１に記載の基板間接続構造であって、
前記第１の導波路の幅寸法が、前記第２の導波路の幅寸法と異なり、かつ、幅寸法の大きい側の導波路内誘電体の比誘電率が、幅寸法の小さい側の導波路内誘電体の比誘電率よりも小さい、
基板間接続構造。
【請求項３】
請求項１又は請求項２に記載の基板間接続構造であって、
前記第１の基板と前記第２の基板との間であり、前記第１の開口部と前記第２の開口部を含む領域内に配置した真空シールと、
前記第１の基板又は前記第２の基板に配置され、前記領域の内側に貫通した貫通孔と、
前記貫通孔に接続された逆止弁と、
をさらに備える基板間接続構造。
【請求項４】
請求項１乃至請求項３のいずれか一項に記載の基板間接続構造であって、
前記絶縁膜は、加圧により変形可能である、
基板間接続構造。
【請求項５】
請求項４に記載の基板間接続構造であって、
前記絶縁膜の材料が、酸化シリコン、窒化シリコン、酸窒化シリコン、フッ素樹脂、ベンゾシクロブテン、ポリベンゾオキサゾールのいずれか、もしくはこれらの組み合わせである、
基板間接続構造。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本開示は、無線通信機器あるいは家電機器用途の高周波応用機器に用いて好適な基板間接続構造に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年の無線通信の高速化、高周波化に伴い、無線通信を支えるデバイスの高周波化が求められている。無線通信機器内又は高周波応用機器内の信号伝送には、周波数帯が、例えば、マイクロ波帯以下では同軸ケーブルを用いることができるが、周波数帯がマイクロ波帯より高くなると、少なくとも誘電体又は導体のいずれか一方において伝送損失が大きくなる。このため、ミリ波帯以上の高周波信号では低損失な伝送が可能である導波管が用いられることが多い。
【０００３】
高周波帯を扱う回路基板内の高周波信号の伝送においても、回路基板内の積層構造を利用して形成した疑似導波管を伝送線路として用いることで、低損失な伝送が可能である。回路基板を別の回路基板と接続するために、回路基板外部に信号を取り出す方法として、例えば特許文献１に記載されているような金属製の導波管コネクタを回路基板に取り付ける方法と、特許文献２に記載されているような導波路の開口部同士を貼り合わせて、密着及び固定する方法が開示されている。
【０００４】
図７は、特許文献２に記載されている基板間接続構造を示す断面図である。同図において、第１誘電体基板１００と第２誘電体基板２００が複数の金属バンプ３００を用いて接続及び固定されている。第１誘電体基板１００には、接地導体に接続される接地導体ビア４００及び誘電体によって疑似導波管１１０が構成され、第２誘電体基板２００にも接地導体に接続される接地導体ビア５００及び誘電体によって疑似導波管２１０が構成されている。第１誘電体基板１００と第２誘電体基板２００を貼り合わせることで、疑似導波管１１０と疑似導波管２１０が接続される。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２００８−１３１５１３号公報
【特許文献２】特開２００９−３０３０７６号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかしながら、特許文献２に記載されている回路基板同士を貼り合わせる従来技術では、一度貼り合わせた回路基板同士の取り外しは困難である。特許文献１に記載されている金属コネクタを互いの回路基板に備えた構成では、接続口が面内に複数存在する場合が多いため、モジュール自体の大きさ又は重さに占めるコネクタの割合が大きく、モジュール規模が増大する。
【０００７】
本開示は、係る事情に鑑みてなされたものであり、回路基板内に設けた導波路内を伝送する高周波信号を複数の回路基板間に亘って伝送するための基板間接続構造において、モジュール規模の増大を抑制し、着脱可能な基板間接続構造を提供する。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本開示の基板間接続構造は、第１の基板と、前記第１の基板内に設けられた第１の導波路と、前記第１の基板のいずれかの面にあって、前記第１の導波路の端部に配置され、高周波信号を入出力する第１の開口部と、第２の基板と、前記第２の基板内に設けられた第２の導波路と、前記第２の基板のいずれかの面にあって、前記第２の導波路の端部に配置され、高周波信号を入出力し、前記第１の開口部と少なくとも一部を互いに接続する第２の開口部と、前記第１の基板と前記第２の基板との間に、膜厚が前記第１の導波路及び前記第２の導波路の伝播モードを決める幅寸法の６０％以下である絶縁膜と、を備える。
【発明の効果】
【０００９】
本開示によれば、回路基板内に設けた導波路内を伝送する高周波信号を複数の回路基板間に亘って伝送するための基板間接続構造において、高い密着性を保持し、着脱可能な基板間接続構造を実現できる。
【図面の簡単な説明】
【００１０】
【図１】実施の形態１に係る基板間接続構造を模式的に表した斜視図
【図２】図１の基板間接続構造の導波路部分を示す断面図
【図３】実施の形態１に係る基板間接続構造において、絶縁膜の膜厚の変化に対する透過率の変化についての電磁界シミュレーション結果を示す図
【図４】実施の形態２に係る基板間接続構造の導波路部分を示す断面図
【図５】実施の形態２に係る基板間接続構造において、導波路幅、比誘電率が互いに異なる場合のミスアライメント量に対する透過率の変化についての電磁界シミュレーション結果を示す図
【図６】実施の形態３に係る基板間接続構造の導波路部分を示す断面図
【図７】特許文献２に記載されている基板間接続構造を示す断面図
【発明を実施するための形態】
【００１１】
以下、本開示の実施の形態について、図面を参照して説明する。
【００１２】
（本開示の一形態を得るに至った経緯）
導波路が設けられた回路基板における一般的な着脱可能な導波路接続では、金属製コネクタを用いており、低損失接続を実現する構造が、特開２００４−０４８４２３号公報（特許文献３）に開示されている。また、中空導波路を有する導波管プレート同士の接続において、接続部分に合わせずれ（ミスアライメント）が発生した場合でも損失増加を抑える構成が、特開２０１２−０６０４３０号公報（特許文献４）に開示されている。また、実開平２−０９２２０１号公報（特許文献５）には、導波管内の信号を誘電体基板上のマイクロストリップ線路に変換するために、導体膜を両面に有し、かつ両面の導体を電気的に接続するスルーホールを有する誘電体基板を導波管によって挟んだ構成が開示されている。
【００１３】
しかしながら、基板同士を貼り合わせる従来技術（例えば、特許文献２）では、一度張り合わせた基板同士の取り外しは困難である。例えば、ミリ波帯の高周波回路チップを実装した高周波基板と数種のアンテナ基板を接続する場合について説明する。従来技術ではアンテナ基板と高周波回路基板との取り外しは困難であるため、送受信信号処理を行う回路チップはアンテナ基板の数及びアンテナの構成に依存せずに共通であっても、高周波回路チップは、アンテナ基板の数又はアンテナの構成に応じて準備する必要があり、コスト増加となる。
【００１４】
また、特許文献４には、回路基板間の空隙（隙間）又は位置ズレに対して耐性のある中空導波管接続の構成が開示されている。しかし、特許文献４には開示されていないが、本開示（詳細は後述する）のような回路基板内に張り巡らされた複数の導波路の内部を中空にすることは加工上困難であること、また、中空導波路では自由空間波長が遮断周波数を決めるため、利用可能な周波数範囲がより制限されることが考えられる。
【００１５】
また、特許文献５に記載されている誘電体基板を導波管によって挟んだ構成では、一般的な誘電基板は厚くて硬いために、導波管との高い密着性を実現するのは困難である。
【００１６】
以下、高周波帯を扱う回路基板内に設けた導波路内を伝送する高周波信号を複数の回路基板間に亘って伝送するための基板間接続構造において、高い密着性を保持し、着脱を可能とする基板間接続構造について説明する。
【００１７】
（実施の形態１）
図１は、実施の形態１に係る基板間接続構造を模式的に表した斜視図である。同図において、本実施の形態に係る基板間接続構造は、アンテナ（図示略）が、例えば、上面に実装されたアンテナ実装基板（第１の基板）１Ａと、アンテナ実装基板１Ａ内に設けられたビア２、ビア２によって構成される導波路（第１の導波路）３と、アンテナ実装基板１Ａの下面にあって、導波路３の端部に配置され、高周波信号をアンテナ実装基板１Ａの外部と入出力する機能を有する開口部（第１の開口部）４と、例えば、信号処理用の半導体チップ（図示略）が下面に実装されたＩＣ実装基板（第２の基板）１Ｂと、ＩＣ実装基板１Ｂ内に設けられたビア２、ビア２によって構成される導波路（第２の導波路）６と、ＩＣ実装基板１Ｂの上面にあって、導波路６の端部に配置され、高周波信号をＩＣ実装基板１Ｂの外部と入出力する機能を有する開口部（第２の開口部）７と、ＩＣ実装基板１Ｂの上面にあって、膜厚がアンテナ実装基板１Ａの導波路３及びＩＣ実装基板１Ｂの導波路６の伝播モードを決める幅寸法（ビア２より内側の寸法、または、矩形導波路では長辺の長さ）の６０％以下である絶縁膜８と、を備える。
【００１８】
本実施の形態に係る基板間接続構造では、それぞれの導波路３、６に対して開口部４、７が設けられる。アンテナ実装基板１ＡとＩＣ実装基板１Ｂは、開口部４，７が重なり合う位置において接続される。なお、開口部４と開口部７が完全に重なり合う必要はなく、それぞれの少なくとも一部が互いに重なり合えばよい。
【００１９】
アンテナ実装基板１Ａでは、アンテナの実装は、開口部４が形成される側の面と反対側の面上（上面）において行われる。ＩＣ実装基板１Ｂでは、信号処理用の半導体チップの実装は、開口部７が形成される側の面と反対側の面上（下面）において行われる。
【００２０】
図２は、図１の基板間接続構造において、それぞれ２つある導波路３，６と開口部４，７の一方を拡大した断面図である。図１では図示していないが、アンテナ実装基板１Ａの下面の開口部４を除く部分に電気的に接地されたグランド５が形成されており、同様にＩＣ実装基板１Ｂの上面の開口部７を除く部分に同様に接地されたグランド９が形成されている。なお、ビア２はそれぞれの基板内においてグランド５またはグランド９と電気的に接続されている。
【００２１】
図２に示すように、膜厚ｔ１が導波路３，６の各幅寸法の６０％以下の絶縁膜８により、アンテナ実装基板１ＡとＩＣ実装基板１Ｂそれぞれの表面の凹凸が吸収されて平坦化し、アンテナ実装基板１ＡとＩＣ実装基板１Ｂ同士の密着性が向上する。また、絶縁膜８により、開口部４，７の周辺の金属即ちグランド５，９が接触するのを防止できるので、アンテナ実装基板１ＡとＩＣ実装基板１Ｂの着脱に伴う開口部４，７のダメージを効果的に抑制できる。
【００２２】
ＩＣ実装基板１Ｂの基板表面にある開口部７から出力された高周波信号Ｓ１は、絶縁膜８を通過してアンテナ実装基板１Ａの開口部４へ入力する。図３は、絶縁膜８の膜厚ｔ１の変化に対する透過率の変化についての電磁界シミュレーション結果を示す図である。同図において、透過率は、電磁波波長が導波路幅の２倍となる周波数を用いて計算した。電磁波の透過率は、絶縁膜８の膜厚が遮断周波数を決める導波路幅の６０％以上に厚くなると低下することが分かる（導波路幅が信号波長の１／２）。したがって、絶縁膜８の膜厚は導波路幅の６０％以下に薄くすることが望ましい。
【００２３】
絶縁膜８は、加圧により変形可能である材料を用いて形成されていることが望ましく、絶縁膜８を用いてアンテナ実装基板１ＡとＩＣ実装基板１Ｂを接触し、接合部分を加圧することで、基板反り又は基板凹凸に対して絶縁膜８が変形するため、基板同士の密着性の向上が図れ、低損失な信号伝送を実現できる。
【００２４】
絶縁膜８に用いる材料としては、フッ素樹脂、酸化シリコン（ＳｉＯｘ）、窒化シリコン（ＳｉＮ）、酸窒化シリコン（ＳｉＯＮ）、ベンゾシクロブテン（ＢＣＢ）、ポリベンゾオキサゾール（ＰＢＯ）のいずれか、もしくはそれらの組み合わせであることが望ましい。
【００２５】
なお、フッ素樹脂は、例えば、パーフルオロアルコキシアルカン（ＰＦＡ）、エチレン−テトラフルオロエチレンコポリマー（ＥＴＦＥ）、ポリテトラフルオロエチレン（ＰＴＦＥ）、パーフルオロエチレン-プロペンコポリマー（ＦＥＰ）、ポリビニリデンフルオライド（ＰＶＤＦ）、エチレン-クロロトリフルオロエチレンコポリマー（ＥＣＴＦＥ）のいずれかを含むが、これに限られない。
【００２６】
このように、本実施の形態に係る基板間接続構造によれば、アンテナ実装基板１Ａの開口部４とＩＣ実装基板１Ｂの開口部７のそれぞれの少なくとも一部を互いに接続する基板間接続構造であって、ＩＣ実装基板１Ｂの開口部７側の面に、膜厚がアンテナ実装基板１Ａの導波路３及びＩＣ実装基板１Ｂの導波路６の幅寸法の６０％以下の絶縁膜８を備えたので、アンテナ実装基板１ＡとＩＣ実装基板１Ｂの接続における開口部４，７同士の高い密着性を保つことができ、アンテナ実装基板１ＡとＩＣ実装基板１Ｂの着脱を容易にできる。
【００２７】
また、アンテナ実装基板１ＡとＩＣ実装基板１Ｂの接続時に開口部４，７同士が接触しないため、アンテナ実装基板１ＡとＩＣ実装基板１Ｂの着脱に伴う開口部４，７の摩耗又は変形を抑制でき、伝送損失の増大を抑制できる。
【００２８】
また、開口部４，７同士の高い密着性を保つことができることから、回路基板自体の歪み又は撓みがあったとしても、接続部に意図しない空隙（隙間）の形成を抑制できるため、絶縁膜８中への高周波信号Ｓ１の漏洩を防止でき、高効率であり低損失な信号伝送を実現できる。
【００２９】
なお、本実施の形態に係る基板間接続構造では、絶縁膜８をＩＣ実装基板１Ｂ側に形成したが、アンテナ実装基板１Ａ側に形成してもよく、またアンテナ実装基板１ＡとＩＣ実装基板１Ｂの双方に形成してもよい。要するに、アンテナ実装基板１Ａ及びＩＣ実装基板１Ｂの少なくとも一方に形成されていればよい。
【００３０】
また、本実施の形態に係る基板間接続構造では、アンテナ実装基板１ＡとＩＣ実装基板１Ｂそれぞれに２つの導波路３，６を形成したが、これらの数に限定はない。また、アンテナ実装基板１ＡとＩＣ実装基板１Ｂそれぞれの開口部４，７の数にも限定はない。
【００３１】
また、本実施の形態に係る基板間接続構造では、図２に示すように、アンテナ実装基板１Ａの導波路３を同基板１Ａの裏面側から表面側に向かって伸張する形状としたが、図２の形状に限定する必要はない。すなわち、アンテナ実装基板１Ａ、ＩＣ実装基板１Ｂの表面に開口部があればよく、そこに接続される導波路３および開口部４の形状は任意に設計できる。なお、ＩＣ実装基板１Ｂにおいても同様である。
【００３２】
また、本実施の形態に係る基板間接続構造では、アンテナ実装基板１Ａ及びＩＣ実装基板１Ｂのうち、接続構造に関わる１層を用いて説明したが、多層（２層以上）構造のであってもよい。また、アンテナ実装基板１Ａ及びＩＣ実装基板１Ｂに多層構造を使用した場合、導波路３及び導波路６を１層以上に形成することは勿論可能である。
【００３３】
また、本実施の形態に係る基板間接続構造では、図２に示すように、矩形型導波路としたが、本実施の形態により得られる効果はこれに限定されるものではなく、断面が円形もしくは任意形状の導波路でも同様の効果が得られる。
【００３４】
（実施の形態２）
図４は、実施の形態２に係る基板間接続構造の導波路部分を示す断面図である。なお、同図において前述した図１及び図２と共通する部分には同一の符号を付けている。本実施の形態に係る基板間接続構造は、アンテナ実装基板１Ａの導波路３’の導波路幅Ｗが、ＩＣ実装基板１Ｂの導波路６の導波路幅Ｗ’より広くなっており、さらにアンテナ実装基板１Ａの比誘電率εrがＩＣ実装基板１Ｂの比誘電率εｒ’より小さくなっている。
【００３５】
図５は、アンテナ実装基板１ＡとＩＣ実装基板１Ｂの導波路幅Ｗ，Ｗ’と比誘電率εr,εｒ’が互いに異なる場合において、ミスアライメント量（導波路幅Ｗ’に対する相対値）に対する透過率の変化についての電磁界シミュレーション結果を示す図である。図５の計算では、導波路幅Ｗは導波路幅Ｗ’より２０％広く、εrは“３．５”、εｒ’は“４．５”とした。導波路幅及び比誘電率が等しい場合（Ｗ＝Ｗ’、εr＝εｒ’）に比べて、本実施の形態に係る基板間接続構造における条件（Ｗ＞Ｗ’、εr＜εｒ’）の方が、ミスアライメント量が大きくても比較的透過率の減衰量が少ないことが分かる。
【００３６】
図５に示すように、導波路の幅と誘電率の両方を本実施の形態に係る基板間接続構造の条件に合わせて互いに異ならせた場合に、最も透過率の減衰量を抑制できる。これは導波路の導波路幅が狭くなっても、誘電率差により波長が縮むので、導波路内において定在波のモードを維持できたためと考えられる。したがって、本実施の形態に係る基板間接続構造では、着脱時にミスアライメントが発生した場合でも伝送損失の増加を抑制できる。
【００３７】
このように、本実施の形態に係る基板間接続構造によれば、アンテナ実装基板１Ａの導波路３’の幅ＷをＩＣ実装基板１Ｂの導波路６の幅Ｗ’より広く、かつアンテナ実装基板１Ａの比誘電率εrをＩＣ実装基板１Ｂの比誘電率εｒ’より小さくしたので、アンテナ実装基板１ＡとＩＣ実装基板１Ｂの接続時において合わせズレが発生した状態において伝送損失の増大を抑制でき、誘電体内の波長と導波路の幅の関係を近づけることが可能となり、不要モードの発生を抑制し、伝送損失の増大を抑制できる。
【００３８】
なお、本実施の形態に係る基板間接続構造の効果は絶縁膜８の有無とは関係がなく、本実施の形態に係る基板間接続構造の効果を求める場合、絶縁膜８は省略できる。
【００３９】
また、図４の断面図に示すように、本実施の形態に係る基板間接続構造においても、アンテナ実装基板１Ａの導波路３’を同基板１Ａの下面側から上面側に向かって伸張する形状としたが、図４の形状に限定する必要はない。すなわち、アンテナ実装基板１Ａ、ＩＣ実装基板１Ｂのいずれかの面に開口部があればよく、そこに接続される導波路３’および開口部の形状は任意に設計できる。なお、ＩＣ実装基板１Ｂにおいても同様である。
【００４０】
また、本実施の形態に係る基板間接続構造では、図４の断面図に示すように、導波路３’は、矩形導波路の伝播モードを決定する導波路幅が現れる長辺側の断面について図示したが、伝播モードに寄与しない導波路の短辺の長さ（図４では奥行き方向）については、長辺の幅が広い導波路３’の短辺の長さを、想定されるミスアライメント量に応じて、他方の矩形の導波路６の短辺の長さより広く設定することが望ましい。これにより、アライメント調整が容易になる。但し、それぞれの矩形導波路において長辺と短辺の大小関係は維持するものとする。
【００４１】
また、図４の断面図に示すように、本実施の形態に係る基板間接続構造においても、矩形型導波路としたが、本実施の形態により得られる効果はこれに限定されるものではなく、断面が円形もしくは任意形状の導波路でも同様の効果が得られる。
【００４２】
（実施の形態３）
図６は、実施の形態３に係る基板間接続構造の導波路部分を示す断面図であって、同図の（ａ）は排気前の状態を示し、同図の（ｂ）は排気後の状態を示している。同図において、本実施の形態に係る基板間接続構造は、前述した実施の形態１に係る基板間接続構造又は実施の形態２に係る基板間接続構造の構成に、真空シール１２と排気口１３をさらに備えた構成となっている。
【００４３】
真空シール１２は、導波路３の開口部４と導波路６の開口部７を取り囲むように配置される。排気口１３は、アンテナ実装基板１Ａ’に形成されており、アンテナ実装基板１Ａ’とＩＣ実装基板１Ｂ間に挟まれ、かつ、真空シール１２によって囲われた領域と外部とを空間的に接続する。
【００４４】
排気口１３には逆止弁（図示略）が設けられている。排気口１３に外部の排気装置（図示略）を接続して、アンテナ実装基板１Ａ’の開口部４とＩＣ実装基板１Ｂの開口部７の周辺の空気を排気し、排気完了後は逆止弁を用いて封止する。これにより、図６の（ｂ）に示すように、大気圧によりアンテナ実装基板１Ａ’とＩＣ実装基板１Ｂを密着できる。
【００４５】
このように、本実施の形態に係る基板間接続構造によれば、アンテナ実装基板１Ａ’とＩＣ実装基板１Ｂの反り量の違いによって発生する接触部の空隙（隙間）を減少させ、大気圧によってアンテナ実装基板１Ａ’とＩＣ実装基板１Ｂ同士の密着性を向上できるため、低損失な信号伝送が可能となる。
【００４６】
以上、図面を参照しながら実施の形態１〜３について説明したが、本開示はかかる例に限定されものではないことは言うまでもない。当業者であれば、特許請求の範囲に記載された範疇内において、各種の変更例又は修正例に想到し得ることは明らかであり、それらについても当然に本開示の技術的範囲に属するものと了解される。
【００４７】
（本開示の一態様の概要）
本開示の第１の基板間接続構造は、第１の基板と、前記第１の基板内に設けられた第１の導波路と、前記第１の基板のいずれかの面にあって、前記第１の導波路の端部に配置され、高周波信号を入出力する第１の開口部と、第２の基板と、前記第２の基板内に設けられた第２の導波路と、前記第２の基板のいずれかの面にあって、前記第２の導波路の端部に配置され、高周波信号を入出力し、前記第１の開口部と少なくとも一部を互いに接続する第２の開口部と、前記第１の基板と前記第２の基板との間に、膜厚が前記第１の導波路及び前記第２の導波路の伝播モードを決める幅寸法の６０％以下である絶縁膜と、を備える。
【００４８】
また、本開示の第２の基板間接続構造は、第１の基板間接続構造であって、前記第１の導波路の幅寸法が、前記第２の導波路の幅寸法と異なり、かつ、幅寸法の大きい側の導波路内誘電体の比誘電率が、幅寸法の小さい側の導波路内誘電体の比誘電率よりも小さい。
【００４９】
また、本開示の第３の基板間接続構造は、第１の基板間接続構造又は第２の基板間接続構造であって、前記第１の基板と前記第２の基板との間であり、前記第１の開口部と前記第２の開口部を含む領域内に配置した真空シールと、前記第１の基板又は前記第２の基板に配置され、前記領域の内側に貫通した貫通孔と、前記貫通孔に接続された逆止弁と、をさらに備える。
【００５０】
また、本開示の第４の基板間接続構造は、第１ないし第３のいずれか１つの基板間接続構造であって、前記絶縁膜は、加圧により変形可能である。
【００５１】
また、本開示の第５の基板間接続構造は、第４の基板間接続構造であって、前記絶縁膜の材料が、酸化シリコン、窒化シリコン、酸窒化シリコン、フッ素樹脂、ベンゾシクロブテン、ポリベンゾオキサゾールのいずれか、もしくはこれらの組み合わせである。
【産業上の利用可能性】
【００５２】
本開示は、無線通信機器あるいは家電機器用途の高周波応用機器に用いて好適な基板間接続構造として有効である。
【符号の説明】
【００５３】
１Ａ，１Ａ’  アンテナ実装基板
１Ｂ  ＩＣ実装基板
２  ビア
３，３’，６  導波路
４，７  開口部
５，９  グランド
８  絶縁膜
１２  真空シール
１３  排気口
【図１】
2015207824.tif 000003
【図２】
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【図３】
2015207824.tif 000005
【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
2015207824.tif 000009