(57)【要約】【課題】導体層及び絶縁層が各々１層以上積層された積層体を有する配線基板において、電子部品等の他の部品との接続信頼性が向上した接続端子を備える配線基板及び配線基板の製造方法を提供すること。【解決手段】本発明に係る配線基板の製造方法は、導体層及び絶縁層が各々１層以上積層された積層体を準備する工程と、電解めっきにより前記積層体の表層に第１の金属層を形成する工程と、Ｃｕ、Ａｇ、Ａｕから選択される金属粒子又はこれら金属の合金粒子を含む導電性ペーストを塗布し、前記第１の金属層上に第２の金属層を形成する工程とを有することを特徴とする。【選択図】図３
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
導体層及び絶縁層が各々１層以上積層された積層体を準備する工程と、
電解めっきにより前記積層体の表層に第１の金属層を形成する工程と、
Ｃｕ、Ａｇ、Ａｕから選択される金属粒子又はこれら金属の合金粒子を含む導電性ペーストを塗布し、前記第１の金属層上に第２の金属層を形成する工程と
を有することを特徴とする配線基板の製造方法。
【請求項２】
前記第１の金属層の高さを計測する工程をさらに有し、
前記第１の金属層が所定の高さ以下である場合、前記導電性ペーストを塗布し、前記第１の金属層上に前記第２の金属層を形成することを特徴とする請求項１に記載の配線基板の製造方法。
【請求項３】
前記導電性ペーストを複数回重ねて塗布して、前記第１の金属層上に前記第２の金属層を形成することを特徴とする請求項１又は請求項２に記載の配線基板の製造方法。
【請求項４】
前記第２の金属層の外径は、
前記第１の金属層の外径よりも小さいことを特徴とする請求項１乃至請求項３のいずれか１項に記載の配線基板の製造方法。
【請求項５】
前記第２の金属層の外径は、
前記第１の金属層の外径よりも大きいことを特徴とする請求項１乃至請求項３のいずれか１項に記載の配線基板の製造方法。
【請求項６】
導体層及び絶縁層が各々１層以上積層された積層体を有する配線基板であって、
前記積層体の表層に形成された第１の金属層と、
前記第１の金属層上に形成された第２の金属層と、
を備え、
前記第２の金属層は、当該第２の金属層の他の部分よりも外径が小さいくびれ部を１以上有することを特徴とする配線基板。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、導体層及び絶縁層が各々１層以上積層された積層体を備える配線基板の製造方法及び配線基板に関する。
【背景技術】
【０００２】
一般に、電子部品（例えば、半導体チップ）を実装する配線基板として、導体層及び絶縁層が各々１層以上積層され、表層に接続端子が形成された積層体を備える配線基板が用いられている。このような配線基板では、接続端子上に半田ペーストを塗布した後、半田ペーストをリフローして半田バンブを形成している。ところで、近年では、電子部品の高密度実装に対応するため、接続端子を狭ピッチ化することが求められている。
【０００３】
しかしながら、接続端子上に形成する半田バンプの大きさ（外径）を狭ピッチ化に合わせて小さくしてしまうと、半田バンプが十分な高さを確保することができず、電子部品との接続に不良が生じる虞がある。また、高さの確保を優先して半田バンプの大きさ（外径）を大きくすると、リフロー時に接続端子同士が半田ペーストにより電気的に短絡されてしまう、いわゆる半田ブリッジが生じる虞がある。
【０００４】
従来の配線基板には、接続端子を最表層のレジスト層から突出するようにして形成し、該接続端子上に半田ペーストを塗布した後、半田ペーストをリフローして半田バンブを形成した配線基板がある（例えば、特許文献１）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２０１２−１５６３２５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかしながら、半田ペーストでは、リフロー時に半田が溶けてしまうため十分な高さの半田バンプを形成することが難しいという問題がある。このため、半田バンプが十分な高さを確保することができず電子部品との接続に不良が生じる虞がある。
【０００７】
また、電解めっきにより接続端子上に柱状の接続端子（柱状端子）を形成することも提案されている。しかし、電解めっきでは、アスペクト比（高さ／幅）が１．５を超える接続端子を形成することが困難であり、十分な高さの接続端子を形成することが困難である。また、電解めっきでは、接続端子の高さにばらつきが生じる。このため、電子部品との接続に不良が生じる虞がある。
【０００８】
本発明は、導体層及び絶縁層が各々１層以上積層され、表層に接続端子が形成された積層体を有する配線基板及び配線基板の製造方法において、電子部品等の他の部品との接続信頼性が向上した接続端子を備える配線基板及び配線基板の製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
上記目的を達成すべく、本発明の配線基板の製造方法は、導体層及び絶縁層が各々１層以上積層された積層体を準備する工程と、電解めっきにより前記積層体の表層に第１の金属層を形成する工程と、Ｃｕ、Ａｇ、Ａｕから選択される金属粒子又はこれら金属の合金粒子を含む導電性ペーストを塗布し、前記第１の金属層上に第２の金属層を形成する工程とを有することを特徴とする。
【００１０】
本発明によれば、電解めっきにより前記積層体の表層に第１の金属層を形成した後、Ｃｕ、Ａｇ、Ａｕから選択される金属粒子又はこれら金属の合金粒子を含む導電性ペーストを塗布して、第１の金属層上に第２の金属層を形成している。このため、十分な高さの接続端子を形成することができる。また、導電性に優れるＣｕ、Ａｇ、Ａｕから選択される金属粒子又はこれら金属の合金粒子を含む導電性ペーストを塗布して第２の金属層を形成しているので、第２の金属層は導電性に優れている。
【００１１】
なお、本発明の一態様では、前記第１の金属層の高さを計測する工程をさらに有し、前記第１の金属層が所定の高さ以下である場合、前記第１の金属層上に前記第２の金属層を積層することを特徴とする。
【００１２】
本発明の一態様によれば、第１の金属層の高さを計測し、所定の高さ以下の第１の金属層に上に第２の金属層を積層しているので、接続端子の高さばらつきを抑制することができる。
【００１３】
また、本発明の他の態様では、前記導電性ペーストを複数回重ねて塗布して、前記第１の金属層上に前記第２の金属層を積層することを特徴とする。
【００１４】
本発明の他の態様によれば、導電性ペーストを複数回重ねて塗布しているので、十分な高さの接続端子を形成することができる。
【００１５】
また、本発明の他の態様では、前記第２の金属層の外径は、前記第１の金属層の外径よりも小さいことを特徴とする。
【００１６】
本発明の他の態様によれば、第２の金属層の外径が第１の金属層の外径よりも小さいため、接続端子の配置をより狭ピッチ化することができる。また、接続端子の外径が小さくなるので、電子部品と配線基板との隙間にモールド樹脂が充填されやすくなる。
【００１７】
また、本発明の他の態様では、前記第２の金属層の外径は、前記第１の金属層の外径よりも大きいことを特徴とする。
【００１８】
本発明の他の態様によれば、第２の金属層の外径が第１の金属層の外径よりも大きいため、接続端子と電子部品との接続が容易となり、接合強度も高くなる。
【００１９】
さらに、本発明の配線基板は、導体層及び絶縁層が各々１層以上積層された積層体を有する配線基板であって、前記積層体の表層に形成された第１の金属層と、前記第１の金属層上に形成された第２の金属層と、を備え、前記第２の金属層は、当該第２の金属層の他の部分よりも外径が小さいくびれ部を１以上有することを特徴とする。
【００２０】
本発明の配線基板によれば、第２の金属層は、当該第２の金属層の他の部分よりも外径が小さいくびれ部を１以上有している。そして、このくびれ部にモールド樹脂が充填されることにより、熱による接続端子の伸縮を抑制することができる。この結果、電子部品との接続信頼性が向上する。
【発明の効果】
【００２１】
以上説明したように、本発明によれば、導体層及び絶縁層が各々１層以上積層された積層体を有する配線基板において、電子部品等の他の部品との接続信頼性が向上した接続端子を備える配線基板及び配線基板の製造方法を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００２２】
【図１】実施形態に係る配線基板の平面図（表面側）。
【図２】実施形態に係る配線基板の平面図（裏面側）。
【図３】実施形態に係る配線基板の一部拡大断面図。
【図４】接続端子の形状の一例を示す図。
【図５】実施形態に係る配線基板の製造工程図。
【図６】実施形態に係る配線基板の製造工程図。
【図７】実施形態に係る配線基板の製造工程図。
【図８】実施形態に係る配線基板の製造工程図。
【図９】実施形態に係る配線基板の製造工程図。
【図１０】実施形態に係る配線基板の製造工程図。
【図１１】実施形態に係る配線基板に半導体チップを実装した断面図。
【図１２】他の実施形態に係る配線基板の一部拡大断面図。
【発明を実施するための形態】
【００２３】
以下、本発明の実施形態について図面を参照しながら詳細に説明する。なお、実施形態に係る配線基板はあくまでも一例であり、導体層と絶縁層とをそれぞれ少なくとも１層有する配線基板であれば特に限定されるものではない。例えば、以下の実施形態では、コア基板を有しない、いわゆるコアレス配線基板を例に本発明を説明している。しかしながら、本発明は、コア基板を有する配線基板についても適用可能である。なお、以下の説明では、半導体チップ等の電子部品が接続される側を表面側とし、マザーボードやソケット等（以下、マザーボード等と称する）が接続される側を裏面側として説明する。
【００２４】
（配線基板）
初めに本実施形態に係る配線基板１００の構成について説明する。図１は、配線基板１００の表面側の平面図である。図２は、配線基板１００の裏面側の平面図である。図３は、図１及び図２に示すＩ−Ｉ線に沿って配線基板１００を切断した一部を拡大した断面図である。
【００２５】
図１乃至図３に示す配線基板１００は、熱硬化性樹脂組成物を熱硬化させて構成された第１の樹脂絶縁層２１及び第２の樹脂絶縁層２２と、銅等の電気的良導体からなり、それぞれ所定のパターンを有する第１の導体層３１及び第２の導体層３２とが交互に積層された構成を有する。第１の樹脂絶縁層２１上には、光硬化性樹脂組成物を光硬化させて構成された第１のレジスト層４１が積層されている。第２の樹脂絶縁層２２上には、光硬化性樹脂組成物を光硬化させて構成された第２のレジスト層４２が積層されている。
【００２６】
なお、第１のレジスト層４１、第１の樹脂絶縁層２１、第１の導体層３１、第２の樹脂絶縁層２２、第２の導体層３２及び第２のレジスト層４２は、積層体を構成する。
【００２７】
第１の樹脂絶縁層２１及び第２の樹脂絶縁層２２は、例えば、エポキシ系の樹脂シートで構成されている。第１の樹脂絶縁層２１及び第２の樹脂絶縁層２２には、厚さ方向に貫通するビアホール２１Ａ及びビアホール２２Ａがそれぞれ形成されている。ビアホール２１Ａ及び２２Ａ内には、ビア導体５１及びビア導体５２がそれぞれ充填されている。ビア導体５２は、第１の導体層３１及び第２の導体層３２を電気的に接続している。
【００２８】
ここで、第１の導体層３１のうち、ビア導体５１と電気的に接触する部分はビアランド３１Ａを構成し、ビア導体５１と接触していない部分は配線３１Ｂを構成する。また、第２の導体層３２のうち、ビア導体５２と電気的に接触する部分はビアランド３２Ａを構成し、ビア導体５２と接触していない部分は配線３２Ｂを構成する。
【００２９】
第１のレジスト層４１には、厚さ方向に貫通する開口部４１が形成されている。開口部４１Ａからは、第１の樹脂絶縁層２１上に形成された接続端子６１が露出している。ビア導体５１は、第１の導体層３１及び接続端子６１を電気的に接続している。
【００３０】
接続端子６１は、配線基板１００をマザーボードに接続するためのランド（ＬＧＡパッド）であり、配線基板１００の裏面にアレイ（格子）状に配列されている。
【００３１】
第２のレジスト層４２には、厚さ方向に貫通するビアホール４２が形成されている。ビアホール４２Ａ内には、ビアホール４２Ａを埋設するようにしてビア導体５３が充填されている。また、第２のレジスト層４２上には、ビア導体５３と連続するようにして第２のレジスト層４２の表面から突出した柱状の接続端子６２が形成されている。ビア導体５３は、第２の導体層３２及び接続端子６２を電気的に接続している。
【００３２】
接続端子６２は、半導体チップ（不図示）をフリップチップ接続するためのパッド（ＦＣパッド）であり半導体素子搭載領域Ｒ内にアレイ状に設けられている。半導体素子搭載領域Ｒは、配線基板１００表面の中心部に設けられた半導体チップの実装領域である。
【００３３】
接続端子６２は、第１の金属層６２Ａと、第１の金属層６２Ａ上に形成された第２の金属層６２Ｂとを備える。第１の金属層６２Ａは、電解銅めっきにより形成される。第２の金属層６２Ｂは、導電性ペーストを塗布した後、熱処理（焼結処理）を行うことで形成される。
【００３４】
なお、接続端子６２の高さＴを幅Ｗ（外径の最大値）で割った値Ｔ／Ｗ（以下、アスペクト比と記載）は、１．５以上であることが好ましい。電解銅めっきだけでは、アスペクト比が１．５以上の接続端子を形成することは困難であるが、この実施形態では電解銅めっきにより第１の金属層６２Ａを形成した後、導電性ペーストを塗布し、第１の金属層６２Ａ上に第２の金属層６２Ｂを形成することでアスペクト比が１．５以上の接続端子６２の形成を実現している。
【００３５】
なお、接続端子６２の高さばらつきを抑制したい場合には、第１の金属層６２Ａが所定の高さ以下である場合に導電性ペーストを塗布して第１の金属層６２Ａ上に第２の金属層６２Ｂを形成するようにしてもよい。高さの足りない第１の金属層６２Ａ上にのみ第２の金属層６２Ｂを形成することで接続端子６２の高さばらつきを抑制することができる。また、接続端子６２が所定の高さとなるまで、導電性ペーストを複数回塗布して、第１の金属層６２Ａ上に第２の金属層６２Ｂを形成してもよい。この場合、十分な高さの接続端子６２を形成することができる。
【００３６】
また、導電性ペーストは、インクジェット方式、インジェクション方式及びマスク印刷方式により塗布することができる。なお、これらの方式のうち位置精度や吐出量の精度の観点からインクジェット方式を好適に用いることができる。なお、塗布後の導電性ペーストは、アニール、プラズマへの暴露、レーザ光の照射等により焼結処理を行うことができる。
【００３７】
ここで、導電性ペーストとしては、導電性の高い金属、例えばＣｕ（銅）、Ａｇ（銀）、Ａｕ（金）から選択される金属粒子又はこれら金属の合金粒子を可溶性バインダー等の有機溶媒に分散させたものが使用できる。なお、分散させる金属粒子は、粒径がナノメートルオーダーの大きさである、いわゆるナノ粒子であることが好ましい。導電性ペーストを塗布した後に行う焼結処理の温度を低くでき配線基板１００への熱ダメージを低減することができる。このため、絶縁材料として有機材料を用いたオーガニック基板に好適である。
【００３８】
以上のように、接続端子６２は、電解銅めっきで形成した第１の金属層６２Ａ上に導電性ペーストを塗布して第２の金属層６２Ｂを形成している。このため、第１の金属層６２Ａと第２の金属層６２Ｂとの間にいわゆるくびれ部Ｃ１が形成される。また、図３に示す接続端子６２は、導電性ペーストを複数回重ねて塗布しているので第２の金属層６２Ｂ自身にも他の部分よりも外径の小さいくびれ部Ｃ２が生じている。そして、半導体チップ（不図示）を実装する際に、上記くびれ部Ｃ１，Ｃ２にモールド樹脂（不図示）が充填される。このため熱による接続端子６２の伸縮を抑制することができる。この結果、半導体チップとの接続信頼性が向上する。
【００３９】
図４は、接続端子６２の形状の他の一例を示す図である。図４（ａ）に示す接続端子６２は、第２の金属層６２Ｂの外径Ｄ２（第２の金属層６２Ｂの外径の最大値）が、第１の金属層６２Ａの外径Ｄ１よりも細くなっている。このため、図４（ａ）に示す形状の接続端子６２では、接続端子６２の配列をより狭ピッチ化することができる。また、第２の金属層６２Ｂの外径Ｄ２が小さいので半導体チップ（不図示）と配線基板１００との隙間にモールド樹脂が充填されやすい。
【００４０】
図４（ｂ）は、接続端子６２の形状の他の一例を示す図である。図４（ｂ）に示す接続端子６２は、第２の金属層６２Ｂの外径Ｄ２（第２の金属層６２Ｂの外径の最大値）が、第１の金属層６２Ａの外径Ｄ１よりも大きくなっている。このため、図４（ｂ）に示す形状の接続端子６２では、第２の金属層６２Ｂの外径Ｄ２が大きいので半導体チップ（不図示）との接続が容易となり、接合強度も高くなる。
【００４１】
（配線基板の製造方法）
次に、図３、図５〜図１０を参照して、本実施形態における配線基板１００の製造方法について説明する。なお、図５〜図１０に示す断面図は、図３に示す配線基板１００の断面図に対応している。
【００４２】
初めに、両面に銅箔１２が貼り付けられた支持基板１１を準備する。支持基板１１は、例えば耐熱性樹脂板（例えばビスマレイミド−トリアジン樹脂板）や、繊維強化樹脂板（例えばガラス繊維強化エポキシ樹脂板）等から構成することができる。次いで、支持基板１１の両面に形成された銅箔１２上に、接着層としてのプリプレグ層１３を介して、例えば真空熱プレスにより剥離シート１４を圧着する（図５参照）。
【００４３】
剥離シート１４は、例えば第１の金属膜１４ａ及び第２の金属膜１４ｂからなり、これらの膜間にはＣｒメッキ等が施されて、外部張力によって互いに剥離可能に構成されている。なお、第１の金属膜１４ａ及び第２の金属膜１４ｂは銅箔で構成することができる。
【００４４】
次に、剥離シート１４上に樹脂フィルムを積層し、真空下において加圧加熱することにより硬化させて第１の樹脂絶縁層２１を形成する（図６参照）。これにより、剥離シート１４の表面が第１の樹脂絶縁層２１で覆われる。
【００４５】
次に、第１の樹脂絶縁層２１に対して、例えばＣＯ２ガスレーザやＹＡＧレーザから所定強度のレーザ光を照射し、ビアホール２１Ａを形成する。その後、ビアホール２１Ａを含む第１の樹脂絶縁層２１に対して粗化処理を実施する。なお、第１の樹脂絶縁層２１がフィラーを含む場合は、粗化処理を実施するとフィラーが遊離して第１の樹脂絶縁層２１上に残存するようになるので適宜水洗を行う。水洗を実施することで、次のデスミア処理における水洗浄の際に、フィラーが第１の樹脂絶縁層２１上に残存することを抑制することができる。
【００４６】
次に、ビアホール２１Ａに対してデスミア処理及びアウトラインエッチングを施し、ビアホール２１Ａ内を洗浄する。
【００４７】
また、上記水洗とデスミア処理との間にエアーブロー処理を行ってもよい。水洗により遊離したフィラーが完全に除去されていない場合でも、エアーブロー処理によりフィラーの残存をより確実に抑制することができる。
【００４８】
次に、第１の樹脂絶縁層２１に対してパターンメッキを行い、第１の導体層３１及びビア導体５１を形成する。なお、第１の導体層３１及びビア導体５１は、セミアディティブ法によって、以下のようにして形成する。最初に、第１の樹脂絶縁層２１上に無電解メッキ膜を形成した後、この無電解メッキ膜上にレジスト材を形成し、このレジスト材の非形成部分に電解銅メッキを行うことによって形成する。第１の導体層３１及びビア導体５１を形成した後、レジスト材はＫＯＨ等の剥離液を用いて剥離除去する。
【００４９】
次に、第１の導体層３１に粗化処理を施した後、第１の導体層３１を覆うようにして、第１の樹脂絶縁層２１上に樹脂フィルムを積層し、真空下において加圧加熱することにより硬化させて第２の樹脂絶縁層２２を形成する（図７参照）。
【００５０】
次に、図７を参照して説明した場合と同様にして、第２の樹脂絶縁層２２に対して、例えばＣＯ２ガスレーザやＹＡＧレーザから所定強度のレーザ光を照射し、ビアホール２２Ａを形成した後、ビアホール２２Ａを含む第２の樹脂絶縁層２２に対して粗化処理を実施する。
【００５１】
次に、ビアホール２２Ａに対してデスミア処理及びアウトラインエッチングを施し、ビアホール２２Ａ内を洗浄する。次に、第２の樹脂絶縁層２２に対してパターンメッキを行い、第１の導体層３１等の場合と同様に、セミアディティブ法等により第２の導体層３２及びビア導体５２を形成する。
【００５２】
次に、第２の樹脂絶縁層２２上に第２のレジスト層４２を形成し、この第２のレジスト層４２に対して所定のマスクを介して露光及び現像処理を施して開口部４２Ａを形成した後、第１の導体層３１等の場合と同様に、セミアディティブ法等により第１の金属層６２Ａ及びビア導体５３を形成する（図８参照）。
【００５３】
次に、インクジェット方式、インジェクション方式及びマスク印刷方式により導電性ペーストを塗布し、第１の金属層６２Ａ上に第２の金属層６２Ｂを形成する。次に、第２の金属層６２Ｂをアニール、プラズマへの暴露、レーザ光の照射等により焼結処理を行い、接続端子６２とする（図９参照）。
【００５４】
次に、剥離シート１４を構成する第１の金属膜１４ａ及び第２の金属膜１４ｂの剥離界面で剥離して支持基板１１を除去する（図１０参照）。
【００５５】
次に、剥離シート１４の第１の金属膜１４ａに対してエッチングを施し、第１の樹脂絶縁層２１上に接続端子６１を形成する。また、第１の樹脂絶縁層２１上に、接続端子６１が露出するような開口部４１Ａを有する第１のレジスト層４１を形成し、本実施形態の配線基板１００を得る（図３参照）。
【００５６】
なお、本実施形態においては、必要に応じて、第１のレジスト層４１の開口部４１Ａから露出する接続端子６１や第１の金属層６２Ａと第２の金属層６２Ｂとからなる接続端子６２を覆うようにして、例えばＮｉ／Ａｕメッキ膜やＮｉ／Ｐｂ／Ａｕメッキ膜からなるバリアメタル層を形成することができる。
【００５７】
図１１は、上記のようにして製造された配線基板１００に半導体チップＤを実装した断面図である。
【００５８】
以上のように本実施形態に係る配線基板１００は、電解めっきにより第１の金属層６２Ａを形成した後、Ｃｕ、Ａｇ、Ａｕから選択される金属粒子又はこれら金属の合金粒子を含む導電性ペーストを塗布して、第１の金属層６２Ａ上に第２の金属層６２Ｂを形成している。このため、十分な高さの接続端子６２を形成することができる。また導電性に優れたＣｕ、Ａｇ、Ａｕから選択される金属粒子又はこれら金属の合金粒子を含む導電性ペーストを塗布して第２の金属層６２Ｂを形成しているので導電性に優れた接続端子６２とすることができる。
【００５９】
また、第１の金属層６２Ａの高さを計測し、第１の金属層６２Ａが所定の高さ以下である場合に、第１の金属層６２Ａ上に第２の金属層６２Ｂを積層してもよい。この場合、接続端子６２の高さばらつきを効果的に抑制することができる。このため、電子部品等の他の部品との接続信頼性が向上する。
【００６０】
さらに、導電性ペーストを複数回重ねて塗布して、第１の金属層６２Ａ上に第２の金属層６２Ｂを積層するようにしてもよい。この場合、十分な高さの接続端子６２を形成することができる。
【００６１】
また、第２の金属層６２Ｂの外径Ｄ２を第１の金属層６２Ａの外径Ｄ１よりも小さくした場合（図４（ａ）参照）、接続端子６１の配置をより狭ピッチ化することができる。さらに、接続端子６２の外径が細くなるので半導体チップＤと配線基板１００との間にモールド樹脂Ｍが充填されやすくなる（図１１参照）。
【００６２】
また、第２の金属層６２Ｂの外径Ｄ２を第１の金属層６２Ａの外径Ｄ１よりも大きくした場合、接続端子６２の外径が大きくなるので半導体チップＤと配線基板１００との接続が容易となり、かつ、接合強度も高くなる。
【００６３】
さらに、第１の金属層６２Ａの外径Ｄ１と第２の金属層６２Ｂの外径Ｄ２が異なるために、第１，第２の金属層６２Ａ，６２Ｂにより形成される接続端子６２にくびれ部Ｃ１が形成される（図３参照）。また、金属ペーストを複数回重ねて塗布して第２の金属層６２Ｂを形成した場合は、第２の金属層６２Ｂ自身にもくびれ部Ｃ２が形成される （図３参照）。そして、このくびれ部にモールド樹脂Ｍが充填されることにより、熱による接続端子６２の伸縮を抑制することができる。この結果、半導体チップＤと配線基板１００の接続信頼性が向上する。
【００６４】
（その他の実施形態）
上記の実施形態では、接続端子６２を半導体チップＤと接続するための接続端子として用いる形態について説明したが、図１２に示すように、接続端子６２を他の配線基板２００と接続するための接続端子として用いるようにしてもよい。さらに、接続端子６２を半導体チップＤ及び他の配線基板２００と接続するための接続端子として用いるようにしてもよい。なお、半導体チップＤや配線基板２００等の他の部品は、半田を介して接続端子６２と接続されてもよい。この場合、接続端子６２は、半田の融点以上で加熱するリフローを行うことにより他の部品と接続される。そのため、接続端子６２を構成する第１の金属層６２Ａと第２の金属層６２Ｂの融点は、半田の融点よりも高いことが好ましい。
【符号の説明】
【００６５】
１１…支持基板
１３…プリプレグ層
１４…剥離シート
２１…第１の樹脂絶縁層
２２…第２の樹脂絶縁層
３１…第１の導体層
３２…第２の導体層
４１…第１のレジスト層
４２…第２のレジスト層
５１，５２，５３…ビア導体
６１…接続端子
６２…接続端子
６２Ａ…第１の金属層
６２Ｂ…第２の金属層
１００…配線基板
２００…他の配線基板
Ｃ１，Ｃ２…くびれ部
Ｄ…半導体チップ
Ｍ…モールド樹脂
【図１】
2015207722.tif 000003
【図２】
2015207722.tif 000004
【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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