(57)【要約】【課題】  本発明は、溶融した半田がカバー層に接触することを抑制して、カバー層の損傷を防止することができ、磁気ヘッドスライダや外部回路との電気的な接合信頼性を確保できるサスペンション用基板、サスペンション、ヘッド付サスペンション、およびハードディスクドライブを提供することを目的とするものである。【解決手段】  サスペンション用基板の配線と端子部との間に、前記端子部の幅よりも小さい線幅を有する接続線を形成し、前記接続線のカバー層から露出する部分の長さは、前記カバー層と前記端子部との間の距離よりも長く、前記接続線が、前記配線の進行方向とは異なる斜め方向に進行して前記端子部に接続するように配設されている構成とすることにより、上記課題を解決する。【選択図】      図５
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
金属支持体と、前記金属支持体の上に形成されたベース絶縁層と、前記ベース絶縁層の上に形成された配線および端子部と、を有するサスペンション用基板であって、
前記配線と前記端子部とは、接続線を介して電気的に接続されており、
前記配線、および、前記接続線の前記配線と接続されている側の一部が、カバー層によって被覆されており、
前記接続線の線幅は、前記端子部の幅よりも小さく、
前記接続線の前記カバー層から露出する部分の長さは、前記カバー層と前記端子部との間の距離よりも長く、
前記接続線が、前記カバー層から露出した後に、前記配線の進行方向とは異なる斜め方向に進行して前記端子部に接続するように配設されていることを特徴とするサスペンション用基板。
【請求項２】
金属支持体と、前記金属支持体の上に形成されたベース絶縁層と、前記ベース絶縁層の上に形成された配線および端子部と、を有するサスペンション用基板であって、
前記配線と前記端子部とは、接続線を介して電気的に接続されており、
前記配線、および、前記接続線の前記配線と接続されている側の一部が、カバー層によって被覆されており、
前記接続線の線幅は、前記端子部の幅よりも小さく、
前記接続線の前記カバー層から露出する部分の長さは、前記カバー層と前記端子部との間の距離よりも長く、
前記接続線の前記カバー層から露出する部分が、前記配線の進行方向に対して垂直な方向に屈曲する部分を含むことを特徴とするサスペンション用基板。
【請求項３】
前記接続線の線幅が、前記配線の線幅と同じ大きさ、またはそれ以上の大きさであることを特徴とする請求項１または請求項２に記載のサスペンション用基板。
【請求項４】
前記端子部の表面、および、前記接続線のカバー層から露出する部分の表面には、めっき膜が形成されていることを特徴とする請求項１乃至請求項３のいずれか一項に記載のサスペンション用基板。
【請求項５】
請求項１乃至請求項４のいずれか一項に記載のサスペンション用基板と、ロードビームとを含むことを特徴とするサスペンション。
【請求項６】
請求項５に記載のサスペンションと、前記サスペンションに実装された磁気ヘッドスライダを有することを特徴とするヘッド付サスペンション。
【請求項７】
請求項６に記載のヘッド付サスペンションを含むことを特徴とするハードディスクドライブ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ハードディスクドライブ（ＨＤＤ）に用いられるサスペンション用基板（フレキシャ）に関し、より詳しくは、端子部近傍のカバー層の損傷を防止し、磁気ヘッドスライダや外部回路の端子部との電気的な接合信頼性を向上させることができるサスペンション用基板に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
一般に、ハードディスクドライブ（ＨＤＤ）は、データが記憶されるディスクに対してデータの書き込み、および読み取りを行う磁気ヘッドスライダが実装されるサスペンション用基板を備えている。
このサスペンション用基板は、バネ性を有する金属支持体と、前記金属支持体の上に形成されたベース絶縁層と、前記ベース絶縁層の上に形成された配線および端子部と、を有している。前記端子部は、磁気ヘッドスライダや外部回路と電気的に接続するためのものである。
【０００３】
ここで、一般に、前記配線は銅（Ｃｕ）を含む材料からなり、外気との接触による腐食を防止するために、ポリイミド等からなるカバー層によって被覆保護されている。一方、前記端子部の大部分は、磁気ヘッドスライダや外部回路と電気的に接続するために、カバー層から露出しており、その表面には、金（Ａｕ）等を含む材料からなるめっき膜が形成されている。
なお、前記配線と前記端子部の境界においては、例えば、図１４および図１５に示すように、一般に、前記配線のみならず、前記端子部の一部もカバー層で覆われている形態になっている。
ここで、図１４は、従来のサスペンション用基板の一例における端子部近傍の構成の説明図であり、（ａ）は平面図、（ｂ）は（ａ）からカバー層およびめっき膜を削除した図であり、図１５は、図１４（ａ）のＧ−Ｇ断面図である。
【０００４】
このサスペンション用基板の端子部と、磁気ヘッドスライダや外部回路の端子部とを電気的に接続する方法としては、例えば、両者の端子部の間を、溶融した半田で接合する方法（ソルダージェット法）が知られている（特許文献１）。
【０００５】
また、球状の半田（半田ボール）を、配線の端子部の上に配置して、その後、レーザ照射で加熱して半田ボールを溶融させて接合する方法（半田ボールボンディング法）もある（特許文献２）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開２００２−５００１８号公報
【特許文献２】特開２００３−１２３２１７号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
近年、ＨＤＤの大容量化に伴って磁気ヘッドの高機能化が進んでおり、磁気ヘッドスライダの端子部の数は増加する傾向にあり、これに伴って、サスペンション用基板の端子部の数も増加する傾向にある。そして、サスペンション用基板の限られた領域に多くの端子部を配置するために、個々の端子部の平面サイズは縮小化される傾向にある。
【０００８】
しかしながら、上述のように、前記端子部の平面サイズが縮小化される場合、端子部の一部もカバー層で覆われている構造の従来のサスペンション用基板においては、磁気ヘッドスライダや外部回路との接続の際に前記端子部の上に形成される半田と、前記端子部の一部を被覆するカバー層とが、従来よりも接近することになり、溶融した半田が前記端子部の上を濡れ広がってカバー層に接触し、場合によっては、半田の熱でカバー層が損傷してしまうという恐れがある。
そして、カバー層が損傷してしまうと、その損傷部近傍の端子部や配線が腐食されてしまい、磁気ヘッドスライダや外部回路との電気的接続の信頼性が低下してしまうという恐れも生じる。
【０００９】
本発明は、上記実情に鑑みてなされたものであり、溶融した半田がカバー層に接触することを抑制し、それゆえ、上述のようなカバー層の損傷を防止することができ、磁気ヘッドスライダや外部回路との電気的な接合信頼性を確保できるサスペンション用基板、サスペンション、ヘッド付サスペンション、およびハードディスクドライブを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本発明者は、種々研究した結果、前記サスペンション用基板の配線と端子部との間に、前記端子部の幅よりも小さい線幅を有する接続線を形成し、前記接続線の前記配線と接続されている側をカバー層で被覆し、前記接続線の前記端子部と接続されている側を前記カバー層から露出させて、前記端子部の上には前記カバー層を形成しないことにより、上記課題を解決できることを見出して本発明を完成したものである。
【００１１】
すなわち、本発明の請求項１に係る発明は、金属支持体と、前記金属支持体の上に形成されたベース絶縁層と、前記ベース絶縁層の上に形成された配線および端子部と、を有するサスペンション用基板であって、前記配線と前記端子部とは、接続線を介して電気的に接続されており、前記配線、および、前記接続線の前記配線と接続されている側の一部が、カバー層によって被覆されており、前記接続線の線幅は、前記端子部の幅よりも小さく、前記接続線の前記カバー層から露出する部分の長さは、前記カバー層と前記端子部との間の距離よりも長く、前記接続線が、前記カバー層から露出した後に、前記配線の進行方向とは異なる斜め方向に進行して前記端子部に接続するように配設されていることを特徴とするサスペンション用基板である。
【００１２】
また、本発明の請求項２に係る発明は、金属支持体と、前記金属支持体の上に形成されたベース絶縁層と、前記ベース絶縁層の上に形成された配線および端子部と、を有するサスペンション用基板であって、前記配線と前記端子部とは、接続線を介して電気的に接続されており、前記配線、および、前記接続線の前記配線と接続されている側の一部が、カバー層によって被覆されており、前記接続線の線幅は、前記端子部の幅よりも小さく、前記接続線の前記カバー層から露出する部分の長さは、前記カバー層と前記端子部との間の距離よりも長く、前記接続線の前記カバー層から露出する部分が、前記配線の進行方向に対して垂直な方向に屈曲する部分を含むことを特徴とするサスペンション用基板である。
【００１３】
また、本発明の請求項３に係る発明は、前記接続線の線幅が、前記配線の線幅と同じ大きさ、またはそれ以上の大きさであることを特徴とする請求項１または請求項２に記載のサスペンション用基板である。
【００１４】
また、本発明の請求項４に係る発明は、前記端子部の表面、および、前記接続線のカバー層から露出する部分の表面には、めっき膜が形成されていることを特徴とする請求項１乃至請求項３のいずれか一項に記載のサスペンション用基板である。
【００１５】
また、本発明の請求項５に係る発明は、請求項１乃至請求項４のいずれか一項に記載のサスペンション用基板と、ロードビームとを含むことを特徴とするサスペンションである。
【００１６】
また、本発明の請求項６に係る発明は、請求項５に記載のサスペンションと、前記サスペンションに実装された磁気ヘッドスライダを有することを特徴とするヘッド付サスペンションである。
【００１７】
また、本発明の請求項７に係る発明は、請求項６に記載のヘッド付サスペンションを含むことを特徴とするハードディスクドライブである。
【発明の効果】
【００１８】
本発明によれば、溶融した半田がカバー層に接触することを抑制でき、カバー層の損傷を防止し、磁気ヘッドスライダや外部回路との電気的な接合信頼性を確保できる。
【図面の簡単な説明】
【００１９】
【図１】本発明に係るサスペンション用基板の一例を示す概略平面図である。
【図２】本発明に係るサスペンション用基板の第１の実施形態における端子部近傍の構成の説明図であり、（ａ）は平面図、（ｂ）は（ａ）からカバー層およびめっき膜を削除した図である。
【図３】図２（ａ）のＡ−Ａ断面図である。
【図４】本発明に係るサスペンション用基板の第１の実施形態における端子部近傍の構成と半田の関係を説明する図であり、（ａ）は平面図、（ｂ）は（ａ）のＢ−Ｂ断面図である。
【図５】本発明に係るサスペンション用基板の第２の実施形態における端子部近傍の構成の説明図であり、（ａ）は平面図、（ｂ）は（ａ）からカバー層およびめっき膜を削除した図である。
【図６】図５（ａ）のＣ−Ｃ断面図である。
【図７】本発明に係るサスペンション用基板の第２の実施形態における端子部近傍の構成と半田の関係を説明する図であり、（ａ）は平面図、（ｂ）は（ａ）のＤ−Ｄ断面図である。
【図８】本発明に係るサスペンション用基板の第３の実施形態における端子部近傍の構成の説明図であり、（ａ）は平面図、（ｂ）は（ａ）からカバー層およびめっき膜を削除した図である。
【図９】図８（ａ）のＥ−Ｅ断面図である。
【図１０】本発明に係るサスペンション用基板の第３の実施形態における端子部近傍の構成と半田の関係を説明する図であり、（ａ）は平面図、（ｂ）は（ａ）のＦ−Ｆ断面図である。
【図１１】本発明のサスペンションの一例を示す概略平面図である。
【図１２】本発明のヘッド付サスペンションの一例を示す概略平面図である。
【図１３】本発明のハードディスクドライブの一例を示す概略斜視図である。
【図１４】従来のサスペンション用基板の一例における端子部近傍の構成の説明図であり、（ａ）は平面図、（ｂ）は（ａ）からカバー層およびめっき膜を削除した図である。
【図１５】図１４（ａ）のＧ−Ｇ断面図である。
【図１６】従来のサスペンション用基板の一例における端子部近傍の構成と半田の関係を説明する図であり、（ａ）は平面図、（ｂ）は（ａ）のＨ−Ｈ断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００２０】
以下、本発明のサスペンション用基板、サスペンション、ヘッド付サスペンション、およびハードディスクドライブについて詳細に説明する。
【００２１】
［サスペンション用基板］
まず、本発明に係るサスペンション用基板について説明する。
図１は、本発明に係るサスペンション用基板の全体像を例示する概略平面図である。
図１に示すように、本発明に係るサスペンション用基板１は、先端部分に磁気ヘッドスライダを搭載するタング部２、および、磁気ヘッドスライダのスライダ端子部と電気的に接続される端子部が配設された端子部領域３を有し、テール側端部に外部回路と電気的に接続される端子部が配設された端子部領域４を有し、端子部領域３と端子部領域４との間に、少なくとも、前記磁気ヘッドと前記外部回路とを電気的に接続するための配線群５、６を有している。
【００２２】
ここで、配線群５と配線群６は、相互の電気的な影響を極力避けるため、および、サスペンション用基板の力学的平衡を保つため、各々、サスペンション用基板１の長手方向の両外縁に沿うように配設されている。配線群５、６を構成する配線は、書込配線、読取配線、電源配線、グランド配線等である。
次に、本発明に係るサスペンション用基板の端子部近傍の構成について説明する。
【００２３】
（第１の実施形態）
まず、本発明に係るサスペンション用基板の第１の実施形態における端子部近傍の構成について説明する。
図２は、本発明に係るサスペンション用基板の第１の実施形態における端子部近傍の構成の説明図であり、（ａ）は平面図、（ｂ）は（ａ）からカバー層およびめっき膜を削除した図である。そして、図３は、図２（ａ）のＡ−Ａ断面図である。また、図４は、本発明に係るサスペンション用基板の第１の実施形態における端子部近傍の構成と半田の関係を説明する図であり、（ａ）は平面図、（ｂ）は（ａ）のＢ−Ｂ断面図である。
【００２４】
一方、図１４は、従来のサスペンション用基板の一例における端子部近傍の構成の説明図であり、（ａ）は平面図、（ｂ）は（ａ）からカバー層およびめっき膜を削除した図である。そして、図１５は、図１４（ａ）のＧ−Ｇ断面図である。また、図１６は、従来のサスペンション用基板の一例における端子部近傍の構成と半田の関係を説明する図であり、（ａ）は平面図、（ｂ）は（ａ）のＨ−Ｈ断面図である。
【００２５】
まず、図１４および図１５に示すように、従来のサスペンション用基板１００は、金属支持体１１１と、前記金属支持体１１１の上に形成されたベース絶縁層１１２と、前記ベース絶縁層１１２の上に形成された配線１１３および端子部１１４と、を有するサスペンション用基板であって、配線１１３と端子部１１４とは、直接接続されており、端子部１１４の外縁部（主に、配線１１３と接続されている部位を含む外縁部）は、カバー層１１６に覆われているが、端子部１１４の中央部を含む大部分はカバー層１１６から露出しており、その表面には、めっき膜１１７が形成されている。
【００２６】
このような構成を有する従来のサスペンション用基板の端子部１１４においては、外部回路の端子部等と半田接続する際に、図１６に示すように、溶融した半田１１８が、冷えて固まる前に、端子部１１４のめっき膜１１７上を濡れ拡がってカバー層１１６に接触し、場合によっては、半田１１８の熱によって、カバー層１１６が損傷してしまうという恐れがある。
そして、カバー層１１６が損傷してしまうと、半田接触部１２０近傍の端子部１１４や配線１１３が腐食されてしまい、磁気ヘッドスライダや外部回路との電気的接続の信頼性が低下してしまうという恐れも生じる。
【００２７】
一方、本実施形態における本発明に係るサスペンション用基板１は、図２および図３に示すように、金属支持体１１と、前記金属支持体１１の上に形成されたベース絶縁層１２と、前記ベース絶縁層１２の上に形成された配線１３および端子部１４と、を有するサスペンション用基板であって、前記配線１３と前記端子部１４とは、接続線１５を介して電気的に接続されており、前記配線１３、および、前記接続線１５の前記配線１３と接続されている側の一部が、カバー層１６によって被覆されており、前記接続線１５は、前記配線１３から複数本に分岐して前記端子部１４に接続されており、前記端子部１４に接続される前記複数本に分岐した接続線１５の線幅（Ｗ１、Ｗ２、Ｗ３、Ｗ４）は、前記端子部１４の幅（Ｌ）よりも小さいことを特徴とする。
【００２８】
すなわち、図１１および図１２に示す従来のサスペンション用基板においては、端子部１１４の配線１１３と接する部位を含む外縁部の上はカバー層１１６に覆われていたが、図２および図３に示す本発明に係るサスペンション用基板１においては、端子部１４の上にはカバー層１６が形成されておらず、代わりに接続線１５の配線１３に近い側の一部がカバー層１６に覆われている。
なお、前記端子部１４の表面、および、前記接続線１５のカバー層１６から露出する部分の表面には、めっき膜１７が形成されている。
【００２９】
図２において、接続線１５は１本の配線１３から２本に分岐して端子部１４に接続されており、分岐した接続線１５の線幅（Ｗ１、Ｗ２、Ｗ３、Ｗ４）は、端子部１４の幅（Ｌ）よりも小さくなっている。
なお、図２においては、接続線１５が１本の配線１３から２本に分岐して端子部１４に接続されている例を示しているが、本発明においては、接続線の分岐は２本に限られず、３本以上に分岐していても良い。
また、分岐した接続線の線幅（Ｗ１、Ｗ２、Ｗ３、Ｗ４）は、互いに同じ大きさであっても良く、異なる大きさであっても良い。
【００３０】
上述のような構成を有するため、本発明に係るサスペンション用基板１においては、溶融した半田がカバー層に接触することを抑制でき、それゆえ、カバー層の損傷を防止でき、磁気ヘッドスライダや外部回路との電気的な接合信頼性も確保することができる。
【００３１】
具体的に説明すると、図４に示すように、本発明に係るサスペンション用基板１においては、端子部１４の上にはカバー層１６は形成されておらず、配線１３、および、接続線１５の一部が、カバー層によって被覆されている。すなわち、カバー層１６は、端子部１４とは隔てられた位置に形成されている。
そして、上述のように、接続線１５の線幅は端子部１４の幅に比べて小さいため、溶融した半田１８は、接続線１５の上を流動しにくくなり、それゆえ、半田１８とカバー層１６とが、直接接触することを抑制できる。
【００３２】
また、溶融した半田１８から端子部１４に与えられた熱は、端子部１４に接続する接続線１５のカバー層１６から露出する部分において放熱されるため、カバー層への伝熱を抑制でき、それゆえ、伝熱によるカバー層の損傷も抑制することができる。
【００３３】
さらに、本発明においては、接続線１５は配線１３から複数本に分岐して端子部１４に接続する構成を有するため、カバー層１６に接触する複数本の接続線１５の各線幅をより小さくすることができ、かつ、カバー層１６に接触する複数本の接続線１５を、間隔をあけて配設することができる。それゆえ、接続線１５を伝わってカバー層１６が受ける熱も分散させることができ、カバー層１６の損傷をより抑制することができる。
【００３４】
したがって、本発明によれば、カバー層が損傷することによる配線の腐食を効果的に防止でき、従来のサスペンション用基板に比べて、磁気ヘッドスライダや外部回路との電気的な接合信頼性を確保することができる。
【００３５】
ここで、本発明においては、前記接続線１５の線幅は、前記配線１３の線幅よりも小さいことが好ましい。接続線１５の線幅がより小さくなることで、溶融した半田１８が接続線１５の上を流動することを、より抑制できるからである。
【００３６】
また、前記複数本に分岐した接続線１５の線幅を合計した大きさは、前記配線１３の線幅と同じ大きさ、またはそれ以上の大きさであることが好ましい。
このような構成であれば、配線１３と端子部１４の間に接続線１５を介することによる電気抵抗の増加を防止することができ、良好な信号特性を確保できるからである。
なお、配線１３と接続線１５は、通常、ベース絶縁層１２の上に形成された同一の導体層から、レジスト製版工程やエッチング工程を経て形成されるものであるため、その厚みは同程度の大きさである。
それゆえ、上述のような、前記複数本に分岐した接続線１５の線幅を合計した大きさが、前記配線１３の線幅と同じ大きさ、またはそれ以上の大きさであるということは、前記複数本に分岐した接続線１５の断面積を合計した大きさが、前記配線１３の断面積と同じ大きさ、またはそれ以上の大きさであるということと同義である。
【００３７】
（第２の実施形態）
次に、本発明に係るサスペンション用基板の第２の実施形態における端子部近傍の構成について説明する。
図５は、本発明に係るサスペンション用基板の第２の実施形態における端子部近傍の構成の説明図であり、（ａ）は平面図、（ｂ）は（ａ）からカバー層およびめっき膜を削除した図である。そして、図６は、図５（ａ）のＣ−Ｃ断面図である。また、図７は、本発明に係るサスペンション用基板の第２の実施形態における端子部近傍の構成と半田の関係を説明する図であり、（ａ）は平面図、（ｂ）は（ａ）のＤ−Ｄ断面図である。
【００３８】
図５および図６に示すように、本実施形態における本発明に係るサスペンション用基板１は、金属支持体１１と、前記金属支持体１１の上に形成されたベース絶縁層１２と、前記ベース絶縁層１２の上に形成された配線１３および端子部１４と、を有するサスペンション用基板であって、前記配線１３と前記端子部１４とは、接続線１５を介して電気的に接続されており、前記配線１３、および、前記接続線１５の前記配線１３と接続されている側の一部が、カバー層１６によって被覆されており、前記接続線１５の線幅（Ｗ５、Ｗ６）は、前記端子部１４の幅（Ｌ）よりも小さく、前記接続線１５の前記カバー層１６から露出する部分の長さは、前記カバー層１６と前記端子部１４との間の距離（Ｚ）よりも長いことを特徴とする。
なお、前記端子部１４の表面、および、前記接続線１５のカバー層から露出する部分の表面には、めっき膜１７が形成されている。
【００３９】
本実施形態における本発明に係るサスペンション用基板１においても、上述の第１の実施形態と同様に、カバー層１６は、端子部１４とは隔てられた位置に形成されており、接続線１５の線幅（Ｗ５、Ｗ６）は、端子部１４の幅（Ｌ）に比べて小さいため、図７に示すように、溶融した半田１８が端子部１４の上を濡れ広がる場合でも、半田１８が接続線１５の上を流動することは困難になり、それゆえ、半田１８とカバー層１６とが直接接触することを抑制できる。
【００４０】
また、本実施形態においては、例えば、図５に示すように、配線１３は、端子部１４の左右方向から端子部１４に向かって進行（直進）するように配設されているのに対し、接続線１５は、カバー層１６から露出した後に、配線１３の進行方向とは異なる方向（斜め方向）に進行して端子部１４に接続するように配設されている。
それゆえ、接続線１５のカバー層１６から露出する部分の長さは、カバー層１６と端子部１４との間の距離（Ｚ）よりも長いことになる。
すなわち、本実施形態においては、接続線１５が、配線１３の進行方向と同じ方向（平行）に進行して端子部１４に接続するように配設される場合よりも、接続線１５の経路を長くすることができる。
それゆえ、仮に、溶融した半田が接続線１５の上を流動した場合でも、カバー層に接触する恐れを小さくすることができる。
【００４１】
また、上述のように、本実施形態においては、接続線１５の経路を長くすることができるため、その長さの増加分に相当して、放熱性が向上し、伝熱によるカバー層の損傷も抑制することができる。
【００４２】
したがって、本発明によれば、カバー層が損傷することによる配線の腐食を効果的に防止でき、従来のサスペンション用基板に比べて、磁気ヘッドスライダや外部回路との電気的な接合信頼性を確保することができる。
【００４３】
なお、前記接続線１５の線幅は、前記配線１３の線幅と同じ大きさ、またはそれ以上の大きさであることが好ましい。
このような構成であれば、配線１３と端子部１４の間に接続線１５を介することによる電気抵抗の増加を防止することができ、良好な信号特性を確保できるからである。
なお、配線１３と接続線１５は、通常、ベース絶縁層１２の上に形成された同一の導体層から、レジスト製版工程やエッチング工程を経て形成されるものであるため、その厚みは同程度の大きさである。
それゆえ、上述のような、前記接続線１５の線幅が、前記配線１３の線幅と同じ大きさ、またはそれ以上の大きさであるということは、前記接続線１５の断面積が、前記配線１３の断面積と同じ大きさ、またはそれ以上の大きさであるということと同義である。
【００４４】
（第３の実施形態）
次に、本発明に係るサスペンション用基板の第３の実施形態における端子部近傍の構成について説明する。
図８は、本発明に係るサスペンション用基板の第３の実施形態における端子部近傍の構成の説明図であり、（ａ）は平面図、（ｂ）は（ａ）からカバー層およびめっき膜を削除した図である。そして、図９は、図８（ａ）のＥ−Ｅ断面図である。また、図１０は、本発明に係るサスペンション用基板の第３の実施形態における端子部近傍の構成と半田の関係を説明する図であり、（ａ）は平面図、（ｂ）は（ａ）のＦ−Ｆ断面図である。
【００４５】
図８および図９に示すように、本実施形態における本発明に係るサスペンション用基板１は、金属支持体１１と、前記金属支持体１１の上に形成されたベース絶縁層１２と、前記ベース絶縁層１２の上に形成された配線１３および端子部１４と、を有するサスペンション用基板であって、前記配線１３と前記端子部１４とは、接続線１５を介して電気的に接続されており、前記配線１３、および、前記接続線１５の前記配線１３と接続されている側の一部が、カバー層１６によって被覆されており、前記接続線１５の線幅（Ｗ７、Ｗ８）は、前記端子部１４の幅（Ｌ）よりも小さく、前記接続線１５の前記カバー層１６から露出する部分の長さは、前記カバー層１６と前記端子部１４との間の距離（Ｚ）よりも長いことを特徴とし、さらに、前記接続線１５の前記カバー層１６から露出する部分が、屈曲部を有することを特徴とするものである。
なお、前記端子部１４の表面、および、前記接続線１５のカバー層から露出する部分の表面には、めっき膜１７が形成されている。
【００４６】
本実施形態における本発明に係るサスペンション用基板１においても、上述の第１の実施形態、および第２の実施形態と同様に、カバー層１６は、端子部１４とは隔てられた位置に形成されており、接続線１５の線幅（Ｗ７、Ｗ８）は、端子部１４の幅（Ｌ）に比べて小さいため、図１０に示すように、溶融した半田１８が端子部１４の上を濡れ広がる場合でも、半田１８が接続線１５の上を流動することは困難になり、それゆえ、半田１８とカバー層１６とが直接接触することを抑制できる。
【００４７】
また、本実施形態においては、例えば、図８に示すように、配線１３は、端子部１４の左右方向から端子部１４に向かって進行（直進）するように配設されているのに対し、  接続線１５は、カバー層１６から露出した後に、まず、配線１３の進行方向に進んだ後、配線１３の進行方向に対して垂直な方向に屈曲し、次に、配線１３の進行方向に平行な方向に屈曲し、次いで、配線１３の進行方向に垂直な方向であって先とは逆の方向に屈曲し、その後、再度、配線１３の進行方向に平行な方向に屈曲して、端子部１４に接続されている。
【００４８】
それゆえ、接続線１５のカバー層１６から露出する部分の長さは、カバー層１６と端子部１４との間の距離（Ｚ）よりも長いことになる。
すなわち、本実施形態においても、上述の第２の実施形態と同様に、接続線１５が、配線１３の進行方向と同じ方向（平行）に進行して端子部１４に接続するように配設される場合よりも、接続線１５の経路を長くすることができる。
それゆえ、仮に、溶融した半田が接続線１５の上を流動した場合でも、カバー層に接触する恐れを小さくすることができる。
【００４９】
また、上述のように、本実施形態においては、接続線１５の経路を長くすることができるため、その長さの増加分に相当して、放熱性が向上し、伝熱によるカバー層の損傷も抑制することができる。
【００５０】
したがって、本発明によれば、カバー層が損傷することによる配線の腐食を効果的に防止でき、従来のサスペンション用基板に比べて、磁気ヘッドスライダや外部回路との電気的な接合信頼性を確保することができる。
【００５１】
なお、前記接続線１５の線幅は、前記配線１３の線幅と同じ大きさ、またはそれ以上の大きさであることが好ましい。
このような構成であれば、配線１３と端子部１４の間に接続線１５を介することによる電気抵抗の増加を防止することができ、良好な信号特性を確保できるからである。
なお、配線１３と接続線１５は、通常、ベース絶縁層１２の上に形成された同一の導体層から、レジスト製版工程やエッチング工程を経て形成されるものであるため、その厚みは同程度の大きさである。
それゆえ、上述のような、前記接続線１５の線幅が、前記配線１３の線幅と同じ大きさ、またはそれ以上の大きさであるということは、前記接続線１５の断面積が、前記配線１３の断面積と同じ大きさ、またはそれ以上の大きさであるということと同義である。
【００５２】
続いて、以下、本発明のサスペンション用基板を構成する各要素について説明する。
【００５３】
［金属支持体］
金属支持体１１の材料としては、サスペンション用基板の支持体として機能し、所望のばね性を有するものであれば特に限定されるものではないが、例えばステンレス鋼を挙げることができる。
金属支持体１１の厚さは、例えば１０μｍ〜３０μｍの範囲内、中でも１５μｍ〜２５μｍの範囲内であることが好ましい。
【００５４】
［ベース絶縁層］
次に、本発明におけるベース絶縁層１２について説明する。ベース絶縁層１２は、金属支持体１１の表面上に形成されるものであり、ベース絶縁層１２の上に形成される配線１３、端子部１４、および接続線１５と、金属支持体１１とを電気的に絶縁するものである。
ベース絶縁層１２の材料としては、所望の絶縁性を有するものであれば特に限定されるものではないが、例えばポリイミド等を挙げることができる。また、ベース絶縁層１２の材料は、感光性材料であっても良く、非感光性材料であっても良い。絶縁層１２の厚さは、例えば５μｍ〜３０μｍの範囲内であることが好ましく、５μｍ〜１５μｍの範囲内であることがより好ましい。
【００５５】
［配線、端子部、および接続線］
次に、本発明における配線１３、端子部１４、および接続線１５の材料について説明する。
配線１３、端子部１４、および接続線１５の材料としては、例えば、金属を挙げることができ、具体的には、銅（Ｃｕ）、ニッケル（Ｎｉ）、金（Ａｕ）、銀（Ａｇ）、および、これらの金属の合金等を挙げることができ、中でも銅（Ｃｕ）が好ましい。導電性が高く、安価だからである。
配線１３、端子部１４、および接続線１５の厚さは、例えば、１μｍ〜１８μｍの範囲内であることが好ましく、５μｍ〜１２μｍの範囲内であることがより好ましい。
配線１３、端子部１４、および接続線１５は、通常、同一材料からなり、その厚みも同じである。同一工程で製版やエッチングを行うことができ、製造工程が簡略になるからである。ただし、本発明においては、配線１３、端子部１４、または接続線１５を、それぞれ異なる材料で形成してもよい。
【００５６】
［カバー層］
次に、本発明に用いられるカバー層１６について説明する。腐食等による劣化を防止するため、配線１３はカバー層１６で覆われている。カバー層１６の材料としては、例えば、ポリイミドを挙げることができる。また、カバー層１６の材料は、感光性材料であっても良く、非感光性材料であっても良い。カバー層１６の厚さは、例えば３μｍ〜３０μｍの範囲内であることが好ましい。
【００５７】
［めっき膜］
次に、本発明に用いられるめっき膜１７について説明する。めっき膜１７は、端子部１４の表面、および、接続線１５のカバー層１６から露出する部分の表面に形成され、露出する各導体の腐食からの保護や、半田との接合強度の向上を目的とするものである。
めっき膜１７は、電解めっき法により形成され、その材料としては、サスペンション用基板の端子部に用いることができるものであれば、特に制限されず、例えば、Ａｕ（金）、Ｎｉ（ニッケル）、パラジウム（Ｐｄ）などが用いられる。
めっき膜１７は、多層膜として形成してもよく、例えば、電解Ｎｉめっきと電解Ａｕめっきとを順次実施して、下層にＮｉ、上層にＡｕの多層膜構造とすることができる。この場合、Ｎｉ層の厚さは、例えば、０．１μｍ〜３μｍ程度であり、Ａｕ層の厚さは、例えば、１μｍ〜５μｍ程度である。
【００５８】
［サスペンション］
次に、本発明のサスペンションについて説明する。本発明のサスペンションは、上述したサスペンション用基板と、ロードビームとを含むことを特徴とするものである。
【００５９】
図１１は、本発明のサスペンションの一例を示す概略平面図である。図１１に示されるサスペンション３０は、上述したサスペンション用基板１と、サスペンション用基板１の裏面側（金属支持体１１側）に備え付けられたロードビーム３１、及びベースプレート（図示せず）とを有するものである。ロードビーム、及びベースプレートは、一般的なサスペンションに用いられるロードビーム、ベースプレートと同様のものを用いることができる。
【００６０】
本発明によれば、上述したサスペンション用基板を用いることで、磁気ヘッドスライダや外部回路との電気的な接続信頼性が良好なサスペンションとすることができる。
【００６１】
［ヘッド付サスペンション］
次に、本発明のヘッド付サスペンションについて説明する。本発明のヘッド付サスペンションは、上述したサスペンションと、該サスペンションに実装された磁気ヘッドスライダとを有するものである。
【００６２】
図１２は、本発明のヘッド付サスペンションの一例を示す概略平面図である。図１２に示されるヘッド付サスペンション４０は、上述したサスペンション３０と、サスペンション３０のタング部２に実装された磁気ヘッドスライダ４１とを有するものである。
【００６３】
なお、サスペンション３０については、上述した内容と同様であるので、ここでの記載は省略する。また、磁気ヘッドスライダ４１は、一般的なヘッド付サスペンションに用いられる磁気ヘッドスライダと同様のものを用いることができる。
【００６４】
本発明によれば、上述したサスペンション用基板を用いることで、磁気ヘッドスライダや外部回路との電気的な接続信頼性が良好なヘッド付サスペンションとすることができる。
【００６５】
［ハードディスクドライブ］
次に、本発明のハードディスクドライブについて説明する。本発明のハードディスクドライブは、上述したヘッド付サスペンションを含むことを特徴とするものである。
【００６６】
図１３は、本発明のハードディスクドライブの一例を示す概略斜視図である。
図１３に示されるハードディスクドライブ５０は、ケース５１と、このケース５１に回転自在に取り付けられ、データが記憶されるディスク５２と、このディスク５２を回転させるスピンドルモータ５３と、ディスク５２に所望のフライングハイトを保って近接するように設けられ、ディスク５２に対してデータの書き込みおよび読み込みを行うスライダを含むヘッド付サスペンション４０とを有している。このうちヘッド付サスペンション４０は、ケース５１に対して移動自在に取り付けられ、ケース５１にはヘッド付サスペンション４０のスライダをディスク５２上に沿って移動させるボイスコイルモータ５４が取り付けられている。また、ヘッド付サスペンション４０は、ボイスコイルモータ５４にアーム５５を介して取り付けられている。
【００６７】
なお、ヘッド付サスペンションについては、上述した内容と同様であるので、ここでの記載は省略する。また、その他の部材についても、一般的なハードディスクドライブに用いられる部材と同様のものを用いることができる。
【００６８】
本発明によれば、上述したヘッド付サスペンションを用いることで、より高機能化されたハードディスクドライブとすることができる。
【００６９】
以上、本発明に係るサスペンション用基板、サスペンション、ヘッド付サスペンション、およびハードディスクドライブについて説明してきたが、本発明は、上記実施形態に限定されるものではない。上記実施形態は例示であり、本発明の特許請求の範囲に記載された技術的思想と、実質的に同一の構成を有し、同様な作用効果を奏するものは、いかなる場合であっても本発明の技術的範囲に包含される。
【符号の説明】
【００７０】
１・・・サスペンション用基板
２・・・タング部
３、４・・・端子部領域
５、６・・・配線群
１０・・・端子部領域
１１・・・金属支持体
１２・・・ベース絶縁層
１３・・・配線
１４・・・端子部
１５・・・接続線
１６・・・カバー層
１７・・・めっき膜
１８・・・半田
３０・・・サスペンション
３１・・・ロードビーム
４０・・・ヘッド付サスペンション
４１・・・磁気ヘッドスライダ
５０・・・ハードディスクドライブ
５１・・・ケース
５２・・・ディスク
５３・・・スピンドルモータ
５４・・・ボイスコイルモータ
５５・・・アーム
１００・・・サスペンション用基板
１１０・・・端子部領域
１１１・・・金属支持体
１１２・・・ベース絶縁層
１１３・・・配線
１１４・・・端子部
１１６・・・カバー層
１１７・・・めっき膜
１１８・・・半田
１２０・・・半田接触部
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
2015207338.tif 000015
【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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