(57)【要約】【課題】導体層及び絶縁層が各々１層以上積層された配線基板において、配線が絶縁層から浮いたり剥がれたりする不具合を効果的に抑制できる配線基板を提供すること。【解決手段】本発明に係る配線基板は、絶縁層及び導体層がそれぞれ１層以上積層された配線基板であって、前記導体層は、前記絶縁層上に形成され、前記絶縁層と当接する当接面及び前記絶縁層の表面と対向する面の端部に形成された、前記絶縁層と当接しない離間面を有する第１の配線と、前記絶縁層と前記離間面との間に充填され、前記第１の配線間を電気的に接続する第２の配線とを備えることを特徴とする。【選択図】図５
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁層及び導体層がそれぞれ１層以上積層された配線基板であって、
前記導体層は、
前記絶縁層上に形成され、前記絶縁層と当接する当接面及び前記絶縁層の表面と対向する面の端部に形成された、前記絶縁層と当接しない離間面を有する第１の配線と、
前記絶縁層と前記離間面との間に充填され、前記第１の配線間を電気的に接続する第２の配線と
を備えることを特徴とする配線基板。
【請求項２】
前記第２の配線は、
前記離間面と連続する前記第１の配線の側面を覆っていることを特徴とする請求項１に記載の配線基板。
【請求項３】
前記第２の配線のシート抵抗は、前記第１の配線のシート抵抗よりも高いことを特徴とする請求項１又は請求項２に記載の配線基板。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、導体層及び絶縁層が各々１層以上積層された配線基板に関する。
【背景技術】
【０００２】
導体層及び絶縁層を積層した配線基板が知られている。このような配線基板では、絶縁層上に無電解銅めっきにより金属層を形成した後、該金属層を所望の形状にエッチングすることで導体層を構成する配線等を形成している。
【０００３】
しかしながら、配線をエッチングにより形成する場合、マスクが必要となる。このため試作品や小ロットの製品を製造する場合には、かえって高コストとなることが指摘されている。そこで、従来の配線基板には、導電性ペーストをインクジェットから吐出して形成されるインクジェット膜により、島状に配置された導電膜間を接続することによりマスクを使用することなく所望の配線を形成する手法が提案されている（例えば、特許文献１）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００８−２１８８５０号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、特許文献１に提案される手法では、島状に配置された導電膜間に絶縁膜を形成し、絶縁膜と島状に配置された導電膜の上面とをインクジェット膜が覆っているだけである。そのため、形成したインクジェット膜（配線）が絶縁膜（絶縁層）から浮いたり剥がれたりする不具合が生じる虞があった。
【０００６】
本発明は、導体層及び絶縁層が各々１層以上積層された配線基板において、配線が絶縁層から浮いたり剥がれたりする不具合を効果的に抑制できる配線基板を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上記目的を達成すべく、本発明の配線基板は、絶縁層及び導体層がそれぞれ１層以上積層された配線基板であって、前記導体層は、前記絶縁層上に形成され、前記絶縁層と当接する当接面及び前記絶縁層の表面と対向する面の端部に形成された、前記絶縁層と当接しない離間面を有する第１の配線と、前記絶縁層と前記離間面との間に充填され、前記第１の配線間を電気的に接続する第２の配線とを備えることを特徴とする。
【０００８】
本発明によれば、第２の配線が、絶縁層と第１の配線の離間面との間に充填されているので、第２の配線が絶縁層から浮いたり、剥がれたりすることを抑制することができる。
【０００９】
なお、本発明の一態様では、前記第２の配線は、前記離間面と連続する前記第１の配線の側面まで覆っていることを特徴とする。
【００１０】
本発明の一態様によれば、第２の配線が、離間面と連続する第１の配線の側面まで覆っているので、第２の配線が絶縁層から浮いたり、剥がれたりすることをより効果的に抑制することができる。
【００１１】
本発明の他の態様では、前記第２の配線のシート抵抗は、前記第１の配線のシート抵抗よりも高いことを特徴とする。
【００１２】
本発明の他の態様によれば、前記第２の配線のシート抵抗は、前記第１の配線のシート抵抗よりも高いので第２の配線を高抵抗配線として使用することができる。
【発明の効果】
【００１３】
以上説明したように、本発明によれば、導体層及び絶縁層が各々１層以上積層された配線基板において、配線が絶縁層から浮いたり剥がれたりする不具合を効果的に抑制することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１４】
【図１】実施形態に係る配線基板の平面図（表面側）。
【図２】実施形態に係る配線基板の平面図（裏面側）。
【図３】実施形態に係る配線基板の一部拡大断面図。
【図４】第１，第２の配線の平面図。
【図５】第１，第２の配線の断面図。
【図６】第２の配線の断面図。
【図７】実施形態に係る配線基板の製造工程図。
【図８】実施形態に係る配線基板の製造工程図。
【図９】実施形態に係る配線基板の製造工程図。
【図１０】実施形態に係る配線基板の製造工程図。
【図１１】実施形態に係る配線基板の製造工程図。
【図１２】実施形態に係る配線基板の製造工程図。
【図１３】実施形態に係る配線基板の製造工程図。
【図１４】実施形態に係る配線基板の第１，第２の配線の製造工程図。
【図１５】実施形態に係る配線基板の第１，第２の配線の製造工程図。
【図１６】実施形態に係る配線基板の第１，第２の配線の製造工程図。
【図１７】実施形態に係る配線基板の第１，第２の配線の製造工程図。
【図１８】実施形態に係る配線基板の第１，第２の配線の製造工程図。
【図１９】他の実施形態に係る配線基板の第１，第２の配線の拡大断面図。
【発明を実施するための形態】
【００１５】
以下、本発明の実施形態について図面を参照しながら詳細に説明する。なお、実施形態に係る配線基板はあくまでも一例であり、導体層と絶縁層とをそれぞれ少なくとも１層有する配線基板であれば特に限定されるものではない。例えば、以下の実施形態では、コア基板を有する配線基板を例に本発明を説明している。しかしながら、本発明は、コア基板を有しない、いわゆるコアレス配線基板についても適用可能である。なお、以下の説明では、半導体チップ等の電子部品が接続される側を表面側とし、マザーボードやソケット等（以下、マザーボード等と称する）が接続される側を裏面側として説明する。
【００１６】
（配線基板）
初めに本実施形態に係る配線基板１００の構成について説明する。図１は、配線基板１００の表面側の平面図である。図２は、配線基板１００の裏面側の平面図である。図３は、図１及び２に示すI−I線に沿って配線基板１００を切断した一部を拡大した断面図である。
【００１７】
図１〜図３に示す配線基板１００は、コア基板２と、コア基板２上に交互に積層された絶縁層４１〜４４及び導体層３３〜３６と、導体層３５，３６上にそれぞれ積層されたソルダーレジスト層６１，６２とを備える。
【００１８】
コア基板２は、表面及び裏面にそれぞれ導体層３１及び導体層３２が形成された耐熱性樹脂板（たとえばビスマレイミド−トリアジン樹脂板）や、繊維強化樹脂板（たとえばガラス繊維強化エポキシ樹脂）等で構成された板状の樹脂製基板である。コア基板２には、ドリル等により穿設されたスルーホール２１が形成され、その内壁面には導体層３１及び導体層３２を電気的に接続するスルーホール導体２２が形成されている。さらに、スルーホール導体２２内は、エポキシ樹脂等の樹脂製穴埋め材２３により充填されている。
【００１９】
コア基板２の表面側には、絶縁層４１，４３及び導体層３３，３５が交互に積層されている。また、コア基板２の裏面側には、絶縁層４２，４４及び導体層３４，３６が交互に積層されている。
【００２０】
絶縁層４１〜４４は、例えば、エポキシ系の樹脂フィルムで構成されている。絶縁層４１〜４４には、厚さ方向に貫通するビアホール４１Ａ〜４４Ａがそれぞれ形成されている。ビアホール４１Ａ〜４４Ａ内には、ビアホール４１Ａ〜４４Ａを埋設するようにしてビア導体５１〜５４がそれぞれ充填されている。ビア導体５１は導体層３１及び導体層３３を、ビア導体５２は導体層３２及び導体層３４を、ビア導体５３は導体層３３及び導体層３５を、ビア導体５４は導体層３４及び導体層３６をそれぞれ電気的に接続する。
【００２１】
導体層３１〜３４は、各々ビア導体５１〜５４と電気的に接触するビアランド３１Ａ〜３４Ａと、ビア導体５１〜５４と接触していない第１の配線３１Ｂ〜３４Ｂ及び第２の配線３１Ｃ〜３４Ｃとをそれぞれ備える。導体層３１〜３４のうち、ビアランド３１Ａ〜３４Ａ及び第１の配線３１Ｂ〜３４Ｂは、電気的良導体である銅（Ｃｕ）等で構成される。また、第２の配線３１Ｃ〜３４Ｃは、金属粒子又はこれら金属の合金粒子を含む導電性ペーストを塗布して形成される。第２の配線３１Ｃ〜３４Ｃは、第１の配線３１Ｂ〜３４Ｂ間をそれぞれ接続する高抵抗配線である。
【００２２】
導体層３５、３６は、各々ビア導体５３，５４と電気的に接触するビアランド３５Ａ，３６Ａと、ビア導体５３，５４と接触していない第１の配線３５Ｂ，３６Ｂ及び第２の配線３５Ｃ，３６Ｃと、接続端子３５Ｄ，３６Ｄとをそれぞれ備える。導体層３５，３６のうち、ビアランド３５Ａ，３６Ａ及び第１の配線３５Ｂ，３６Ｂは、電気的良導体である銅（Ｃｕ）等で構成される。また、第２の配線３５Ｃ，３６Ｃは、第１の配線３５Ｂ，３６Ｂ間をそれぞれ接続する高抵抗配線である。第２の配線３５Ｂ，３６Ｂは、金属粒子又はこれら金属の合金粒子を含む導電性ペーストを塗布して形成される。
【００２３】
接続端子３５Ｄは、半導体チップ（不図示）をフリップチップ接続するためのパッド（ＦＣパッド）であり半導体素子搭載領域３５Ｅ内にアレイ（格子）状に設けられている。半導体素子搭載領域３５Ｅは、配線基板１００表面の中心部に設けられた矩形状の領域である。接続端子３６Ｄは、配線基板１００をマザーボードに接続するためのランド（ＬＧＡパッド）であり、配線基板１００の裏面にアレイ状に配列されている。
【００２４】
接続端子３５Ｄ，３６Ｄは、電気的良導体である銅（Ｃｕ）等で構成される。なお、接続端子３５Ｄ，３６Ｄ上に金属めっき層を形成してもよい。金属めっき層は、例えば、Ｎｉ層、Ｓｎ層、Ａｇ層、Ｐｄ層、Ａｕ層等の金属層から選択される単一又は複数の層で構成される。また、金属めっき層の代わりに、半田をコートしてもよい。さらに、金属めっき層の代わりに、防錆用のＯＳＰ（Organic Solderability Preservative）処理を施してもよい。
【００２５】
ソルダーレジスト層６１，６２は、厚み方向に貫通する開口部６１Ａ，６２Ａがそれぞれ形成され、各開口部６１Ａ，６２Ａからは、接続端子３５Ｄ，３６Ｄがそれぞれ露出している。
【００２６】
図４は、絶縁層４１上に形成された第１の配線３３Ｂ及び第２の配線３３Ｃの平面図である。図５は、図４に示すII−II線に沿って切断した絶縁層４１と導体層３３の拡大断面図である。図６は、図４に示すIII−III線に沿って切断した絶縁層４１と導体層３３の拡大断面図である。ここでは、図４〜図６を参照して、導体層３３を構成する第１の配線３３Ｂ及び第２の配線３３Ｃについて詳細に説明する。なお、導体層３１，３２，３４〜３６を構成する第１の配線３１Ｂ，３２Ｂ，３４Ｂ〜３６Ｂ及び第２の配線３１Ｃ，３２Ｃ，３４Ｃ〜３６Ｃの構成は、第１の配線３３Ｂ及び第２の配線３３Ｃとそれぞれ略同一であるため、重複する説明を省略する。
【００２７】
図４に示すように、第２の配線３３Ｃは、第１の配線３３Ｂ間を電気的に接続する。第２の配線３３Ｃは、第１の配線３３Ｂと比べて抵抗の高い高抵抗配線であり、導電性ペーストを塗布した後、熱処理（焼結処理）を行うことで形成される。ここで言う高抵抗とは、第２の配線３３Ｃのシート抵抗が、第１の配線３３Ｂのシート抵抗よりも高いことを意味しており、必ずしも抵抗が所定の値（例えば、数十Ω）以上であることを意味しない。
【００２８】
なお、微細配線では、完成後の配線基板１００から第１の配線３３Ｂと第２の配線３３Ｃのシート抵抗を直接測定することは難しい。しかし、第１の配線３３Ｂに対して第２の配線３３Ｃのシート抵抗が高いか低いかを特定する手法として、第２の配線３３Ｃと第１の配線３３Ｂとを含む配線のシート抵抗を、第２の配線３３Ｃを含まない第１の配線３３Ｂだけのシート抵抗と比較することにより特定することが可能である。
【００２９】
また、第１の配線３３Ｂは主に電解銅めっきで形成されるため、断面を拡大して観察すると金属粒子が緻密な状態で存在する。一方、第２の配線３３Ｃは、導電性ペーストを塗布した後、焼結処理を行うことで形成される。そして、焼結処理の際に導電性ペーストに含まれる有機溶媒が蒸発するため、金属粒子が第１の配線３３Ｂと異なる状態で存在する。このため、断面観察を行うことで、第１の配線３３Ｂと第２の配線３３Ｃとを特定することも可能である。
【００３０】
図５に示すように、第１の配線３３Ｂは、絶縁層４１と当接する当接面３３１及び絶縁層４１の表面と対向する対向面３３２の端部に形成され、絶縁層４１と当接しない、つまり絶縁層４１と離間した離間面３３３を有する。このため、絶縁層４１と第１の配線３３Ｂの対向面３３２の端部との間には、隙間Ｓが存在する。
【００３１】
第２の配線３３Ｃは、絶縁層４１と第１の配線３３Ｂの離間面３３３との間に充填されるようにして第１の配線３３Ｂ間を電気的に接続している。第２の配線３３Ｃは、導電性ペーストの塗布により形成されるため、毛細管現象により、絶縁層４１と第１の配線３３Ｂの離間面３３３との間の隙間Ｓに導電性ペーストが入り込む。
【００３２】
上記のように、第２の配線３３Ｃが、絶縁層４１と第１の配線３３Ｂの離間面３３３との間に充填されているので、第２の配線３３Ｃが絶縁層４１から浮いたり、剥がれたりすることを抑制することができる。また、この実施形態では、第２の配線３３は、離間面３３３と連続する第１の配線３３Ｂの側面３３４まで覆っている。このため、第２の配線３３Ｃが絶縁層４１から浮いたり、剥がれたりすることをより効果的に抑制することができる。
【００３３】
また、第２の配線３３Ｃは、導電性ペーストを塗布して形成されるため、図６に示すように、表面が曲面形状をなし、第２の配線３３Ｃの幅方向における断面形状が上端Ｔから下端Ｂに向かって幅が広がる順テーパ形状となっている。なお、必要に応じて、導電性ペーストを複数回塗り重ねて第２の配線３３Ｃを形成してもよい。
【００３４】
ここで、導電性ペーストとしては、金属粒子又はこれら金属の合金粒子を可溶性バインダー等の有機溶媒に分散させたものが使用できる。なお、第２の配線３３Ｃは、抵抗が高くてもよいため、分散させる金属の種類は特に問わない。また、分散させる金属粒子は、ナノメートルオーダーの大きさである、いわゆるナノ粒子であることが好ましい。ナノ粒子が分散した導電性ペーストを用いる場合は、導電性ペーストを塗布した後に行う焼結処理の温度を低くでき配線基板１００への熱によるダメージを低減することができる。このため絶縁材料として有機材料を用いた、いわゆるオーガニック基板に好適である。
【００３５】
導電性ペーストは、インクジェット方式、インジェクション方式及びマスク印刷方式により塗布することができる。なお、これらの方式のうち位置精度や吐出量の精度の観点からインクジェット方式を好適に用いることができる。なお、塗布後の導電性ペーストは、アニール、プラズマへの暴露、レーザ光の照射等により焼結処理を行うことができる。
【００３６】
（配線基板の製造方法）
次に、図３及び図７〜図１３を参照して、本実施形態における配線基板１００の製造方法について説明する。なお、図７〜図１３に示す断面図は、図３に示す配線基板１００の断面図に対応している。
【００３７】
板状の樹脂製基板の表面及び裏面に銅箔が貼付された銅張積層板を準備する。また、銅張積層板に対してドリルを用いて孔あけ加工を行い、スルーホール２１となる貫通孔を所定位置にあらかじめ形成しておく。なお、スルーホール２１形成工程の後、加工部分のスミアを除去するデスミア処理を行うことが望ましい。
【００３８】
次に、従来公知の手法に従って無電解銅めっき及び電解銅めっきを行うことでスルーホール２１の内壁にスルーホール導体２２を形成し、銅張積層板の両面に銅めっき層を形成する。  その後、スルーホール導体２２内をエポキシ樹脂等の樹脂穴埋め材２３で充填し、さらに、銅張積層板の両面の銅箔上に形成された銅めっき層を所望の形状にエッチングして銅張積層板の表面及び裏面に導体層３１，３２を構成するビアランド３１Ａ，３２Ａ及び第１の配線３１Ｂ，３２Ｂをそれぞれ形成する（図７参照）。
【００３９】
なお、導体層３１，３２を構成するビアランド３１Ａ，３２Ａ及び第１の配線３１Ｂ，３２Ｂの表面は、銅表面粗化剤（例えば、メックエッチンボンドＣＺ：メック社製）により粗化しておくことが好ましい。
【００４０】
次に、必要な箇所に導電性ペーストをインクジェット方式、インジェクション方式又はマスク印刷方式等により塗布した後、焼結処理を行い、導体層３１，３２を構成する第２の配線３１Ｃ，３２Ｃをそれぞれ形成する（図８参照）。
【００４１】
次に、コア基板２の表面側及び裏面側に樹脂フィルムを積層し、真空下において加圧加熱することにより硬化させて絶縁層４１，４２を形成する。これにより、コア基板２の表面及び裏面が絶縁層４１，４２により覆われる。
【００４２】
次に、絶縁層４１，４２に対して、例えばＣＯ２ガスレーザやＹＡＧレーザから所定強度のレーザ光を照射し、ビアホール４１Ａ，４２Ａをそれぞれ形成する。その後、ビアホール４１Ａ，４２Ａを含む絶縁層４１，４２に対して粗化処理を実施する。なお、絶縁層４１，４２がフィラーを含む場合、粗化処理を実施するとフィラーが遊離して絶縁層４１，４２上に残存するため適宜水洗を行う。
【００４３】
次に、ビアホール４１Ａ，４２Ａに対してデスミア処理及びアウトラインエッチングを施し、ビアホール４１Ａ，４２Ａ内を洗浄する。なお、上記水洗とデスミア処理との間にエアーブロー処理を行ってもよい。水洗により遊離したフィラーが完全に除去されていない場合でも、エアーブロー処理によりフィラーの残存をより確実に抑制することができる。
【００４４】
次に、絶縁層４１，４２に対して、電解めっきのためのシード層（第１の導体層）を形成する。なお、シード層は、従来公知の手法、例えば、無電解銅めっき、スパッタ（ＰＶＤ）や真空蒸着等により形成することができる。
【００４５】
その後、絶縁層４１，４２上のシード層上に所望のパターンの開口を有する感光性樹脂からなるレジスト層を形成し、レジスト層の非形成部分に電解銅めっきを行うことにより、第２の導体層を形成する。その結果、ビア導体５１，５２をそれぞれ形成するとともに、導体層３３，３４を構成するビアランド３３Ａ，３４Ａ及び第１の配線３３Ｂ，３４Ｂがそれぞれ形成される。なお、ビア導体５１，５２、ビアランド３３Ａ，３４Ａ及び第１の配線３３Ｂ，３４Ｂをそれぞれ形成した後、レジスト層及びレジスト層の下のシード層を除去する（図９参照）。
【００４６】
なお、導体層３３，３４を構成するビアランド３３Ａ，３４Ａ及び第１の配線３３Ｂ，３４Ｂの表面は、銅表面粗化剤（例えば、メックエッチンボンドＣＺ：メック社製）により粗化しておくことが好ましい。
【００４７】
次に、必要な箇所に導電性ペーストをインクジェット方式、インジェクション方式又はマスク印刷方式等により塗布した後、焼結処理を行い導体層３３，３４を構成する第２の配線３３Ｃ，３４Ｃを形成する（図１０参照）。
【００４８】
次に、導体層３３，３４を覆うようにして、絶縁層４１，４２上に樹脂フィルムを積層し、真空下において加圧加熱することにより硬化させて絶縁層４３，４４をそれぞれ形成する。
【００４９】
次に、図９を参照して説明した場合と同様にして、絶縁層４３，４４に対して、例えばＣＯ２ガスレーザやＹＡＧレーザから所定強度のレーザ光を照射し、ビアホール４３Ａ，４４Ａをそれぞれ形成した後、ビアホール４３Ａ，４４Ａを含む絶縁層４３，４４に対して粗化処理を実施する。
【００５０】
次に、ビアホール４３Ａ，４４Ａに対してデスミア処理及びアウトラインエッチングを施し、ビアホール４３Ａ，４４Ａ内を洗浄する。次に、絶縁層４３，４４に対して、電解めっきのためのシード層（第１の導体層）を形成する。なお、シード層は、従来公知の手法、例えば、無電解銅めっき、スパッタ（ＰＶＤ）や真空蒸着等により形成することができる。
【００５１】
その後、絶縁層４３，４４上のシード層上に所望のパターンの開口を有するレジスト層を形成し、レジスト層の非形成部分に電解銅めっきを行うことにより、第２の導体層を形成する。その結果、ビア導体５３，５４及び導体層３５，３６を構成するビアランド３５Ａ，３６Ａ，第１の配線３５Ｂ，３６Ｂ及び接続端子３５Ｄ，３６Ｄがそれぞれ形成される。なお、ビア導体５３，５４、ビアランド３５Ａ，３６Ａ，第１の配線３５Ｂ，３６Ｂ及び接続端子３５Ｄ，３６Ｄをそれぞれ形成した後、レジスト層及びレジスト層の下のシード層を除去する（図１１参照）。
【００５２】
なお、導体層３５，３６を構成するビアランド３５Ａ，３６Ａ、第１の配線３５Ｂ，３６Ｂの表面は、銅表面粗化剤（例えば、メックエッチンボンドＣＺ：メック社製）により粗化しておくことが好ましい。
【００５３】
次に、必要な箇所に導電性ペーストをインクジェット方式、インジェクション方式又はマスク印刷方式等により塗布した後、焼結処理を行い導体層３５，３６を構成する第２の配線３５Ｃ，３６Ｃを形成する（図１２参照）。
【００５４】
次に、感光性樹脂からなるフィルム状のソルダーレジスト材を、導体層３５，３６を含む絶縁層４３，４４上にそれぞれ積層し、ソルダーレジスト層６１，６２を形成する（図１３参照）。次に、接続端子３５Ｄ，３６Ｄを露出させる開口部６１Ａ，６２Ａをソルダーレジスト層６１，６２に形成し、本実施形態の配線基板１００を得る（図３参照）。
【００５５】
なお、本実施形態においては、必要に応じて、ソルダーレジスト層６１，６２の開口部６１Ａ，６２Ａから露出する接続端子３５Ｄ，３６Ｄを覆うようにして、例えばＮｉ／Ａｕめっき膜からなるバリアメタル層を形成してもよい。
【００５６】
図１４〜図１８は、第１の配線３３Ｂ及び第２の配線３３Ｃの形成方法を説明する図である。ここでは、図５，図１４〜図１８を参照して、導体層３３を構成する第１の配線３３Ｂ及び第２の配線３３Ｃの製造方法について詳細に説明する。なお、導体層３１，３２，３４〜３６を構成する第１の配線３１Ｂ，３２Ｂ，３４Ｂ〜３６Ｂ及び第２の配線３１Ｃ，３２Ｃ，３４Ｃ〜３６Ｃの構成は、第１の配線３３Ｂ及び第２の配線３３Ｃとそれぞれ略同一であるため、重複する説明を省略する。
【００５７】
初めに、絶縁層４１上に、電解めっきのためのシード層Ｍ１（第１の導体層）を形成する（図１４参照）。シード層Ｍ１は、従来公知の手法、例えば、無電解銅めっき、スパッタ（ＰＶＤ）や真空蒸着等により形成することができる。
【００５８】
次に、絶縁層４１のシード層Ｍ１上に感光性樹脂からなるレジスト層Ｒを積層し、所望のパターンに開口Ａを形成する（図１５参照）。次に、電解銅めっきにより、レジスト層Ｒの開口Ａから露出するシード層Ｍ１上に銅めっき層Ｍ２（第２の導体層）を形成する（図１６参照）。
【００５９】
次に、レジスト層ＲをＫＯＨ等の剥離液を用いて剥離する（図１７参照）。次に、レジスト層Ｒの除去により露出したシード層Ｍ１を薬液を用いたエッチング処理により除去し（図１８参照）、シード層Ｍ１及び銅めっき層Ｍ２により構成される第１の配線３３Ｂを形成する。なお、シード層Ｍ１を薬液により除去する際に、エッチング処理の時間を長く設定することにより銅めっき層Ｍ２直下のシード層Ｍ１を局所的にエッチングする。これにより、第１の配線３３Ｂの絶縁層４１の表面と対向する対向面３３２の端部に、絶縁層４１と当接しない、つまり絶縁層４１と離間した離間面３３３が形成される。
【００６０】
次に、インクジェット方式、インジェクション方式及びマスク印刷方式等により、第１の配線３３Ｂ間を接続するようにして導電性ペーストを塗布する。この際、毛細管現象により、絶縁層４１と第１の配線３３Ｂの離間面３３３との間の隙間Ｓに導電性ペーストが入り込む。導電性ペーストを塗布後、アニール、プラズマへの暴露、レーザ光の照射等により焼結処理を行い、第１の配線３３Ｂ間を接続する第２の配線３３Ｃを得る（図５参照）。
【００６１】
以上のように本実施形態に係る配線基板１００は、第２の配線が、第１の配線の離間面と絶縁層との隙間に充填されているので、第２の配線が絶縁層から浮いたり、剥がれたりすることを抑制することができる。
【００６２】
また、第２の配線は、離間面と連続する第１の配線の側面まで覆っているので、第２の配線が絶縁層から浮いたり、剥がれたりすることをより効果的に抑制することができる。
【００６３】
また、第２の配線は、導電性ペーストを塗布した後、焼結処理を行うことにより形成している。このため、電解めっきにより形成される第１の配線のシート抵抗に比べ、第２の配線のシート抵抗は、高くなる。このため、第２の配線を高抵抗配線として使用することができる。
【００６４】
さらに、高抵抗配線となる第２の配線を、導電性ペーストを塗布することにより形成しているので、高抵抗配線を容易に形成することができる。
【００６５】
（その他の実施形態）
上記の実施形態では、図５に示すように、第２の配線が第１の配線３３Ｂの側面の一部分しか覆っていなかったが、図１９に示すように、第１の配線３３Ｂの上端３３５の少なくとも一部を覆うように金属ペーストを塗布して第２の配線３３Ｃを形成してもよい。この場合、第２の配線３３Ｃが絶縁層４１から浮いたり、剥がれたりすることをさらに効果的に抑制することができる。また、上記実施形態では、第２の配線を全ての導体層３１〜３６に形成したが、特定の導体層にのみ形成するようにしてもよい。
【符号の説明】
【００６６】
２…コア基板
２１…スルーホール
２２…スルーホール導体
２３…樹脂製穴埋め材
３１〜３６…導体層
３１Ａ〜３６Ａ…ビアランド
３１Ｂ〜３６Ｂ…第１の配線
３１Ｃ〜３６Ｃ…第２の配線
３５Ｄ，３６Ｄ…接続端子
４１〜４４…絶縁層
４１Ａ〜４４Ａ…ビアホール
５１〜５４…ビア導体
６１，６２…ソルダーレジスト層
６１Ａ，６２Ａ…開口部
１００…配線基板
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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