(57)【要約】【課題】より単純な形状でメンテナンス性が良く、成膜速度を低下させずに、ドロップレットを除去できる成膜装置を実現する。【解決手段】成膜装置１００は、アーク放電によってプラズマを発生させる手段を有するソース部１２０と、前記ソース部で発生させたプラズマを被成膜材料に向けて輸送するフィルタ部１１０と、を備え、前記フィルタ部は、前記プラズマを輸送するダクト１１０ａと、前記ダクトの内部にプラズマを輸送するための磁場Ｇ１を形成する磁場形成手段１１２と、前記磁場形成手段により形成された磁場Ｇ１を湾曲させる磁力を発生する磁場湾曲手段１１４と、を有する。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
アーク放電によってプラズマを発生させる手段を有するソース部と、
前記ソース部で発生させたプラズマを被成膜材料に向けて輸送するフィルタ部と、を備え、
前記フィルタ部は、前記プラズマを輸送するダクトと、前記ダクトの内部にプラズマを輸送するための磁場を形成する磁場形成手段と、前記磁場形成手段により形成された磁場を湾曲させる磁力を発生する磁場湾曲手段と、を有することを特徴とする成膜装置。
【請求項２】
前記磁場湾曲手段は、前記磁場形成手段により形成された磁場に対して垂直方向に交わる磁場を発生することを特徴とする請求項１に記載の成膜装置。
【請求項３】
前記磁場湾曲手段は永久磁石または電磁石からなることを特徴とする請求項１または２に記載の成膜装置。
【請求項４】
前記磁場湾曲手段は、前記ダクトの内部を輸送されるプラズマの経路を螺旋状に形成することを特徴とする請求項１ないし３のいずれか１項に記載の成膜装置。
【請求項５】
前記磁場湾曲手段は、反対の極性が向かい合った磁石を１対として複数の対からなり、前記磁石は１対ずつ、前記磁場形成手段により形成される磁力線を中心軸として同じ方向に９０°ずつ回転させて配置されていることを特徴とする請求項４に記載の成膜装置。
【請求項６】
前記磁場湾曲手段は、前記ダクトの内部を輸送されるプラズマの経路を蛇行状に形成することを特徴とする請求項１ないし３のいずれか１項に記載の成膜装置。
【請求項７】
前記磁場湾曲手段は、少なくとも３対の永久磁石を１対ごとに１８０度回転させて配置されていることを特徴とする請求項６に記載の成膜装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、アーク放電を用いた成膜装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
ハードディスクなどのメディアの保護膜を形成する方法として、Ｃ2Ｈ2やＣ2Ｈ4などの反応性ガスを利用したＣＶＤ法がある。最近では、磁気読取ヘッドとメディアの磁気記録層とのスペーシング距離やヘッド浮上量をより短くしドライブ特性を向上させるため、磁気記録層上に成膜されるカーボンなどの保護膜もより一層薄くすることが求められている。
【０００３】
しかし、ＣＶＤ法で成膜されるカーボン保護膜の厚さは、その特性から２〜３ｎｍが限界と言われている。そこで、ＣＶＤ法に代わる技術として、より薄いカーボン保護膜を形成できるアーク放電を用いた成膜方法（真空アーク成膜法：Ｖａｃｕｕｍ Ａｒｃ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）が注目されている。真空アーク成膜法では、ＣＶＤ法に比べて水素含有量が少なく硬いカーボン保護膜を成膜できるため、膜厚を１ｎｍ程度まで薄くできる可能性がある。
【０００４】
例えば、特許文献１には、ターゲットにアークスポットを形成してアーク放電によりターゲットイオンおよび電子を放出させるストライカ、アークを維持するためのアノード部、ターゲットの間で電子の流れを作るアノードコイル、ターゲットイオンおよび電子をプロセスチャンバまで誘導するフィルタ部を備える成膜装置が記載されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２０１０−２０２８９９号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
アークスポット（アークが発生する場所）には電子やイオンが発生する以外に、液体もしくは固体のターゲット材料も飛び出している。これをドロップレットと呼ぶ。通常、このドロップレットが被成膜材料まで到達し膜中に入ってしまうことを避けなければならず、それを実現するための様々な方法が提案されている。
【０００７】
例えば、プラズマ経路を２回以上曲げてターゲットからのドロップレットが基板に到達しないようにする方法（例えば、特許文献１や米国特許第６０３１２３９号明細書）や、プラズマ経路の一部を狭くすることでドロップレットを除去する方法（例えば、特許第４８８９９５７号公報）などである。
【０００８】
一般的にドロップレットにはミクロンサイズ以上のものとサブミクロンサイズのものが存在していると考えられている。ミクロンサイズ以上のドロップレットとは、大きさが数マイクロメートル以上であり、主にプラズマ経路の壁面に衝突・反射を繰り返しながら被成膜材料まで到達する。ミクロンサイズ以上のドロップレットについては内部シールドの形状を工夫することで概ね解決可能である。
【０００９】
サブミクロンサイズのドロップレットとは、大きさが数ナノメートルから数マイクロメートル以下であり、その一部が帯電することでプラズマに引っ張られるか、もしくは磁力線に絡みついて被成膜材料まで到達する。サブミクロンサイズのドロップレット除去についてはプラズマ経路を２回以上湾曲させて遠心力でプラズマもしくは磁力線から振り落とす方法と、プラズマ経路の壁面にドロップレットを引き寄せる電位を掛けて除去する方法が最も有効な手段であると考えられている。
【００１０】
しかしながら、プラズマ経路を２回以上湾曲させる構造では複雑な形状になる上、メンテナンスも困難になること、電位を印加する方法では成膜速度の低下を伴うため、未だ量産化に至っていないのが現状である。
【００１１】
本発明は、上記課題に鑑みてなされ、その目的は、より単純な形状でメンテナンス性が良く、成膜速度を低下させずに、ドロップレットを除去できる成膜装置を実現することである。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
本願発明者らは、プラズマ経路を２回以上湾曲させることがサブミクロンサイズのドロップレット除去に非常に有効な手段であること、プラズマの輸送原理が磁力線に沿っていることに着目し、新たなドロップレット除去方法を考えた。それは、直線形状の磁場発生手段に永久磁石を螺旋状に配置するか、磁場発生手段の中心軸より偏心させた位置に中心軸のあるコイルを配置することでプラズマ経路の磁場形状を直線ではなく螺旋にし、その螺旋経路を通過する電子、イオン、ドロップレットに必ず遠心力が働くようにすることで重たいドロップレットのみを除去する方法である。
【００１３】
上記課題を解決し、目的を達成するために、本発明の成膜装置は、アーク放電によってプラズマを発生させる手段を有するソース部と、前記ソース部で発生させたプラズマを被成膜材料に向けて輸送するフィルタ部と、を備え、前記フィルタ部は、前記プラズマを輸送するダクトと、前記ダクトの内部にプラズマを輸送するための磁場を形成する磁場形成手段と、前記磁場形成手段により形成された磁場を湾曲させる磁力を発生する磁場湾曲手段と、を有する。
【発明の効果】
【００１４】
本発明によれば、プラズマ経路を通過する帯電したドロップレットを遠心力で振り落とすことでドロップレット除去が可能な上、装置構成も比較的単純な形状になり、メンテナンス性も良好にすることができる。
【図面の簡単な説明】
【００１５】
【図１】本発明に係る実施形態の成膜装置の概略構成を示す断面図。
【図２】図１の成膜装置のフィルタ部の構成を示す断面図。
【図３】図１の成膜装置のソース部の構成を示す２方向から見た側面図（ａ）、（ｂ）およびＩ−Ｉ断面図（ｃ）。
【図４】本実施形態の成膜装置の電力供給系の概略構成を示すブロック図。
【図５】本実施形態の成膜装置の制御系の概略構成を示すブロック図。
【図６】本実施形態のフィルタ部の永久磁石の構成を示す図。
【図７】本実施形態のフィルタ部の簡易的な磁場シミュレーション結果を示す図。
【発明を実施するための形態】
【００１６】
以下、図面を参照して、本発明の好適な実施形態を例示的に詳しく説明する。ただし、この実施の形態に記載されている構成要素はあくまで例示であり、本発明の技術的範囲は、特許請求の範囲によって確定されるのであって、以下の個別の実施形態によって限定されるわけではない。
【００１７】
以下に、本発明の成膜装置を、真空アーク成膜法（Ｖａｃｕｕｍ Ａｒｃ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）を用いて被成膜材料としての基板に保護膜を形成する成膜装置に適用した実施形態について説明する。
【００１８】
＜装置構成＞先ず、図１ないし図３を参照して、本発明に係る実施形態の成膜装置の構成について説明する。
【００１９】
図１において、本実施形態の成膜装置１００は、３ｎｍ以下のターゲット材料（例えば、カーボン）の保護膜が成膜される基板１を配置するプロセスチャンバ１０１と、プロセスチャンバ１０１に内部で連通するように連結されたフィルタ部１１０と、フィルタ部１１０に内部で連通するように連結されたソース部１２０とを有する。また、プロセスチャンバ１０１とフィルタ部１１０、ならびにフィルタ部１１０とソース部１２０の各連結部分には絶縁部材２が配置され、各部が電気的絶縁状態を保持するように構成されている。なお、本実施形態では、ターゲット材料としてカーボンを用いているが、カーボンに限らず、例えば、ＴｉやＴｉＮを用いることも可能である。
【００２０】
フィルタ部１１０は、９０°方向に湾曲した誘導路（ダクト）１１０ａを形成し、誘導路１１０ａの内部を真空状態に保持するための１つ以上の輸送管１１１、輸送管１１１の大気側または真空側に電子およびターゲットイオンを輸送するための磁場を形成するフィルタコイル１１２、永久磁石などの磁場形成手段を備える。誘導路１１０ａは１つ以上の輸送管１１１が連結されて構成され、各輸送管１１１の外側（大気側）には全周にわたってフィルタコイル１１２が設けられており、ソース部１２０で生成された電子およびターゲットイオンを基板１に向けて誘導すると共に、パーティクルとなる粒径の大きいカーボン粒子を除去する。輸送管１１１には、電圧印加端子１１３などの電圧印加手段が設けられており、輸送管１１１が２つ以上のときは各々を電気的に導通状態とするか、各々の連結部分に絶縁部材を配置して電気的絶縁状態とすることが可能であり、いずれかの状態が選択可能である。
【００２１】
本実施形態では、輸送管１１１の大気側の外周に、磁場湾曲手段として、６対（１２個）の永久磁石１１４が設けられている。フィルタ部１１０と各永久磁石１１４の位置関係については後述する。
【００２２】
ソース部１２０は、陽極アノード部１３０と、陰極ターゲット部１４０と、アノードコイル１３１ａとを備え、陽極アノード部１３０と陰極ターゲット部１４０の間での電子電流もしくはイオン電流を維持することによりアーク放電を維持する。
【００２３】
陽極アノード部１３０は、図３に詳細を示すように、陽極アノード１３１、陽極アノード給電部１３２、陽極アノード給電端子１３３、ストライカ１３４、およびアノードハウジング１３５を有している。
【００２４】
ストライカ１３４は、陰極ターゲット部１４０の表面に所定のタイミングで接触することでターゲット表面にアーク放電を発生させる。陰極ターゲット部１４０上のアークスポットから放出された電子およびターゲットイオンは、プラズマ化してプロセスチャンバ１０１へ誘導される。陰極ターゲット部１４０も所定の角度になるように回転駆動される。このように陰極ターゲット部１４０に対してストライカ１３４が接触する位置を相対的に移動させることにより、アークスポットの局在化を防止している。なお、アークスポットとはターゲット上でアークが発生している場所のことである。
【００２５】
ストライカ１３４は、陽極アノード１３１と同電位とされ、アノードハウジング１３５は、陽極アノード給電部１３２と電気的絶縁状態を保持するように絶縁部材２が介装されている。ストライカ１３４は、ストライカ駆動用モータ１３４ａの駆動力が、ストライカ駆動用モータカップリング１３４ｂ、ストライカ駆動用モータシャフト１３４ｃ、ストライカ駆動用モータギヤ１３４ｄ、ストライカ駆動用モータ動力伝達ギヤ１３４ｅ、ストライカ給電・駆動シャフト１３４ｉを介して伝達されることにより駆動可能に構成されている。また、ストライカ給電端子１３４ｇ、ストライカ給電部１３４ｆ、ストライカ給電用ブラシ１３４ｈがストライカ給電・駆動シャフト１３４ｉに接続されており、ストライカ給電用ブラシ１３４ｈがストライカ給電・駆動シャフトに接触するように配置されていることによって、ストライカ１３４に給電可能となっている。さらに、ストライカ給電・駆動シャフト１３４ｉとアノードハウジング１３５との間には、電気的絶縁状態を保持するように絶縁部材２が介装され、かつ絶縁部材２とストライカ給電・駆動シャフト１３４ｉとの間に磁性流体１３４ｊを介装することによってストライカ給電・駆動シャフト１３４ｉとアノードハウジング１３５が導通状態にならずにストライカ１３４の駆動および給電が可能となっている。
【００２６】
また、ストライカ１３４は、アーム部１３４ｋとチップ部１３４ｌからなり、高温・大電流に対する耐久性のある材質が望ましい。例えば、アーム部１３４ｋをモリブデン製、チップ部１３４ｌをグラファイト製とする。また、アーム部とチップ部を一体的に構成しても良い。
【００２７】
陰極ターゲット部１４０は、円筒状または円盤状のカーボングラファイト製の陰極ターゲット１４１、陰極ターゲット給電部１４２、陰極ターゲット給電端子１４３、陰極ターゲットハウジング１４４を有している。陰極ターゲット１４１は、陰極ターゲット回転用モータ１４１ａの駆動力が、陰極ターゲット回転用モータカップリング１４１ｂ、陰極ターゲット回転用モータシャフト１４１ｃ、陰極ターゲット回転用モータギヤ１４１ｄ、陰極ターゲット回転用モータ動力伝達ギヤ１４１ｅ、陰極ターゲット回転用シャフト１４１ｆ、陰極ターゲットブラケット１４１ｈを介して伝達されることにより回転可能に構成されている。また、陰極ターゲット１４１は、陰極ターゲット給電部１４２、陰極ターゲット給電用ブラシ１４２ａ、陰極ターゲット給電端子１４３と接続されていることにより給電可能に構成されている。さらにまた、陰極ターゲット回転用シャフト１４１ｆと陰極ターゲットハウジング１４４との間には、電気的絶縁状態を保持するように絶縁部材２が介装され、かつ絶縁部材２と陰極ターゲット回転用シャフト１４１ｆとの間に磁性流体１４１ｇを介装することによって陰極ターゲット回転用シャフト１４１ｆと陰極ターゲットハウジング１４４が導通状態にならずに陰極ターゲット１４１の回転および給電が可能となっている。
【００２８】
上記構成において、ストライカ１３４と陰極ターゲット１４１が接触するときに陽極アノード１３１と陰極ターゲット１４１が短絡し、アークが発生する。
【００２９】
不図示のアーク電源から陰極ターゲット１４１に負の電圧を印加し、ストライカ１３４及び陽極アノード１３１に正の電圧を印加することで、アノードコイル１３１ａによる磁場に沿って陰極ターゲット１４１と陽極アノード１３１との間で電子の流れを形成する。
【００３０】
アークスポットで発生した電子は、アーク維持電子とイオン輸送電子となる。アーク維持電子は、ターゲット表面で発生した電子の一部をアノードコイル１３１ａの磁場で誘導されて陽極アノード１３１へ流入する電子であり、陰極ターゲット１４１で発生したプラズマアークを維持するために、陰極ターゲット１４１と陽極アノード１３１の間に電流を流してアークスポットを加熱することに利用される。
【００３１】
イオン輸送電子は、ターゲットイオンを基板１に到達させるための電子であり、電子のクーロン力を利用してイオンを引っ張る働きをする。イオン輸送電子はフィルタ部１１０により作られた磁場により基板１の方向へ誘導される。
【００３２】
上記構成によって、プロセスチャンバ１０１内部で基板１の表面にターゲットイオンを付着・堆積させて保護膜が成膜される。
【００３３】
＜電力供給系＞次に、図４も参照して、本実施形態の成膜装置の電力供給系の構成について説明する。
【００３４】
プロセスチャンバ１０１は、アースに接続されている。フィルタ部１１０は、電圧印加端子１１３を介して不図示のフィルタ電源または電流測定部に接続されている。陽極アノード部１３０は、陽極アノード給電端子１３３を介してアーク電源１５０に接続されている。ストライカ１３４は、ストライカ給電端子１３４ｇを介してアーク電源１５０に接続されている。陰極ターゲット部１４０は、陰極ターゲット給電端子１４３を介してアーク電源１５０の負電極側に接続されている。陽極アノード部１３０とストライカ１３４は同電位になるようにアーク電源１５０のプラス側に接続されており、陰極ターゲット部１４０はアーク電源１５０のマイナス側に接続されている。また、アーク電源１５０は電流の通電制御の方が望ましいが、電圧の印加制御であっても良い。本明細書中では、電流と電圧を総称して電力と呼ぶものとする。
【００３５】
なお、陽極アノード部１３０側と陰極ターゲット部１４０の間に電位差を生じさせる回路であれば、陽極アノード部１３０側と陰極ターゲット部１４０の間でアーク放電が生じるため、複数の電源を用いて回路を構成しても良い。例えば、第１の電源の一端をアースに、他端を陽極アノード部１３０側にそれぞれ接続し、第２電源の一端を陰極ターゲット部１４０に、他端をアースに接続する回路であってもよい。
【００３６】
本実施形態のストライカ１３４は、陽極アノード部１３０と並列にアーク電源１５０に接続されているが、ストライカ１３４を陽極アノード部１３０に接続する直列的な配線でも良い。さらに、ストライカ１３４と陽極アノード部１３０に供給される電力が実質的に同じであれば、ストライカ１３４に電力を供給する電源と、陽極アノード部１３０に電力を供給する電源を別個にしても良い。本実施形態において、アークの発生させる際に、陽極アノード部１３０に電力を供給するときはストライカ１３４にも同様に電力が供給されるものとする。
【００３７】
＜制御系＞次に、図５を参照して、本実施形態の成膜装置の制御系の概略構成について説明する。
【００３８】
図５に示すように、本実施形態の成膜装置は、装置全体を統括して制御するメイン制御装置５００と、アークの発生を制御するアーク制御装置５０１とを有する。メイン制御装置５００およびアーク制御装置５０１は、メモリ等の記憶部やＣＰＵ等の演算処理部、通信部を有する。アーク制御装置５０１は、メイン制御装置５００から受けた制御信号に従って電力付与装置５０３としてのアーク電源１５０による電力供給を制御すると共に、ストライカ駆動装置５０４としてのモータ１３４ａ、１４１ａの回転を制御する。なお、電力付与装置５０３は、ストライカ１３４と陰極ターゲット部１４０の間の抵抗値を測定するための抵抗計を含む。また、ストライカ駆動装置５０４は、ストライカ駆動用モータ１３４ａや陰極ターゲット部１４０の陰極ターゲット回転用モータ１４１ａの回転数やトルクを検知するエンコーダ等のセンサを含む。
【００３９】
＜フィルタ部の永久磁石＞次に、図２、図６および図７を参照して、本実施形態の成膜装置におけるフィルタ部の永久磁石の構成および機能について説明する。
【００４０】
図６は本実施形態のフィルタ部の永久磁石の構成を示している。
【００４１】
図２および図６に示すように、本実施形態の輸送管１１１には、フィルタコイル１１２と、フィルタコイル１１２が発生する磁場方向に対して垂直方向に磁場を生成する、２個で１対となるように反対の極性が向かい合った６対の永久磁石対１１４Ａ〜１１４Ｆが配置されている。永久磁石対１１４Ａ〜１１４Ｆは、１対おきにフィルタコイル１１２が発生する磁場方向Ｇ１を中心軸として同じ方向に９０°ずつ回転させて配置されている。本実施形態では永久磁石としてサマリウム系磁石を適用しているが、フェライト系やネオジウム系の磁石を用いても良い。
【００４２】
本実施形態では、フィルタコイル１１２と永久磁石１１４との合成磁場Ｇ２がコイルの中心軸Ｇ１に対してなるべく対称な螺旋状の磁場となるように、６対の永久磁石１１４Ａ〜１１４Ｆのうち、中心部の２対の永久磁石１１４Ｃ、１１４Ｄの体積を残りの４対の永久磁石１１４Ａ、１１４Ｂ、１１４Ｅ、１１４Ｆに対して２倍の体積に設定している。このように同種の永久磁石の体積を２倍にすることで磁力が２倍になる。
【００４３】
磁力を２倍にしている理由は、位相用磁場Ｇ１と永久磁石の２つの磁場を合成した磁場Ｇ２によって形成されるプラズマ経路を螺旋状にするためである。すなわち、１番目と２番目の２対の永久磁石１１４Ａ、１１４Ｂで磁力線を曲げた後、３番目と４番目の２対の永久磁石１１４Ｃ、１１４Ｄで１番目と２番目の対と逆方向に２倍の力で磁力線を曲げることでプラズマ経路を螺旋状にしている。
【００４４】
このようにフィルタコイル１１２に対して永久磁石１１４を配置することで、コイル１１２が発生する磁場Ｇ１と、永久磁石１１４が発生する磁場の合成磁場Ｇ２が形成され、図６の磁場Ｇ２のように磁力線を曲げることができる。コイル１１２及び永久磁石１１４の磁場強度と向きが分かっていれば、合成磁場Ｇ２による磁場の角度は以下の式１から求められる。
θ＝ｔａｎ-1（Ｂｍ／Ｂｃ）・・・（１）
ここで、Ｂｍは永久磁石の磁場強度、Ｂｃは電磁石の磁場強度である。この式１により、コイルの巻数や電流と永久磁石の大きさや配置を求めることができる。
【００４５】
この結果から、永久磁石１１４がコイル１１２の磁力線Ｇ１に対して影響を及ぼし、コイルの磁力線Ｇ１を曲げる効果があることがわかる。さらに、プラズマ中の電子とイオンは磁力線に対してそれぞれのエネルギーや重さによって決まるラーモア半径を保持しながら、磁力線に沿って移動するため、図６のような螺旋状の磁力線が生成された場合、プラズマ経路も磁力線Ｇ２と同様に螺旋状になる。
【００４６】
これを真空アーク成膜法に適用すると、アーク放電部（陰極ターゲット部１４０の表面）で発生したプラズマがフィルタ部１１０の永久磁石１１４Ａ付近に飛来したときに、曲げられた磁力線に沿ってプラズマ経路も曲げられる。このとき、プラズマ中の電子・イオン・ドロップレットには遠心力が働き、各々プラズマから振り落とされ、その割合は遠心力に関する物理法則の公式Ｆ＝ｍｖ２／ｒから、電子＜イオン＜ドロップレットという順であると考えられる。
【００４７】
このようにしてプラズマが永久磁石１１４により螺旋状のプラズマ経路を形成しているフィルタ部１１０を通過することで、プラズマ中のドロップレットが比較的少なくなり、被成膜材料に堆積された膜中のパーティクルを低減することができる。また、本実施形態のように永久磁石１１４を配置したフィルタ部１１０を用いることで、フィルタ部１１０を２回以上湾曲したりする必要がなく、メンテナンス性も格段に向上する。そのうえ、フィルタ部１１０に電圧を印加してドロップレットを捕捉するパーティクル除去方法を用いなくて良いので、フィルタ部１１０へ電力を投入するための手段や電源を使用しない分コストを削減できる。
【００４８】
図７は本実施形態のフィルタ部の簡易的な磁場シミュレーション結果を示している。
【００４９】
本実施形態のフィルタ部１１０は、図７に示した直線状のフィルタ部を、そのまま９０°湾曲させた形状である。
【００５０】
以上説明したように、本実施形態によれば、フィルタ部１１０の螺旋磁場Ｇ２でプラズマ中のドロップレットを除去できる。そのため、ドロップレットの少ないプラズマを被成膜材料に到達させることができ、被成膜材料に堆積した膜中のパーティクルを低減し、なおかつメンテナンス性も良好にできる。
【００５１】
なお、本実施系他のプラズマ経路を湾曲させる磁石を、永久磁石に代えて電磁石で構成したり、永久磁石と電磁石を組み合わせて構成しても良い。電磁石を用いる場合は、陰極ターゲット部１４０のエロージョンの進行に応じて、印加電力を調整することで、より変化の少ないプラズマを得ることができる。
【００５２】
また、本実施形態では６対の永久磁石を用いたが、螺旋磁場を形成できるのであれば磁石の組み合せを変更できる。例えば、フィルタ部の外周に時計回りもしくは反時計回りの方向に９０度回転させて螺旋状に多数の永久磁石を配列しても良い。これにより磁石の数に応じて湾曲する回数を調整することができる。
【００５３】
なお、本実施形態の効果は螺旋磁場に限定されるものではなく、蛇行状磁場を生成した場合でも同様の効果を得ることができる。蛇行させるときの磁石は最小で３対の永久磁石を１対ごとに１８０度回転させて配置すれば良い。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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