(57)【要約】【課題】  エッジトリミング加工を実施してもデバイス不良を引き起こす恐れを低減可能なウェーハの加工方法を提供することである。【解決手段】  表面に複数のデバイスが形成されたデバイス領域と該デバイス領域を囲繞する外周余剰領域とを有し、外周縁部に表面から裏面に至る円弧状の面取り部を有するウェーハの加工方法であって、ウェーハに対して密着性及びタック力を有するシートを該外周余剰領域に配設された接着剤を介してウェーハの表面に貼着するシート貼着ステップと、該シート貼着ステップを実施した後、ウェーハの表面から該面取り部に切削ブレードを所定の深さ切り込ませるとともに外周縁に沿って該ウェーハを切削して該面取り部の一部を除去するとともに、少なくとも該デバイス領域に隣接した一部の該接着剤を残存させる除去ステップと、を備えたことを特徴とする。【選択図】図３
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
表面に複数のデバイスが形成されたデバイス領域と該デバイス領域を囲繞する外周余剰領域とを有し、外周縁部に表面から裏面に至る円弧状の面取り部を有するウェーハの加工方法であって、
ウェーハに対して密着性及びタック力を有するシートを該外周余剰領域に配設された接着剤を介してウェーハの表面に貼着するシート貼着ステップと、
該シート貼着ステップを実施した後、ウェーハの表面から該面取り部に切削ブレードを所定の深さ切り込ませるとともに外周縁に沿って該ウェーハを切削して該面取り部の一部を除去するとともに、少なくとも該デバイス領域に隣接した一部の該接着剤を残存させる除去ステップと、
を備えたことを特徴とするウェーハの加工方法。
【請求項２】
該除去ステップを実施した後、該デバイスの仕上げ厚みへとウェーハの裏面を研削する研削ステップを更に備え、
該除去ステップでは、該切削ブレードをウェーハの表面から該仕上げ厚みに至る深さへと切り込ませる請求項１記載のウェーハの加工方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ウェーハの加工方法に関し、特に、ウェーハの外周に形成された面取り部を部分的に除去するエッジトリミング方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
ＩＣ、ＬＳＩ等の数多くのデバイスが表面に形成され、且つ個々のデバイスが格子状に形成された分割予定ライン（ストリート）によって区画された半導体ウェーハは、研削装置によって裏面が研削されて所定の厚みに加工された後、切削装置（ダイシング装置）によって分割予定ラインに沿って切削して個々のデバイスに分割され、分割されたデバイスは携帯電話、パソコン等の各種電子機器に広く利用されている。
【０００３】
近年の電子機器の小型化に伴い、デバイスが複数形成された半導体ウェーハ（以下、単にウェーハと略称することがある）はより薄く、例えば１００μｍ以下、更に５０μｍ以下に研削仕上げされることが要求されている。また、デバイスによっては裏面研削後に、例えば裏面を金属膜で被覆するステップ、又は裏面を洗浄するステップ等、他のステップを実施する場合がある。
【０００４】
一方、ウェーハは製造工程中における割れや発塵防止のために、その外周にウェーハの表面から裏面に至る円弧状の面取りがなされている。そのため、ウェーハを薄く研削すると、外周の面取り部分がナイフエッジ状に形成される。ウェーハ外周の面取り部分がナイフエッジ状に形成されると、外周から欠けが生じてウェーハが破損してしまうという問題が生じる。
【０００５】
そこで、特開２００７−１５２９０６号公報では、切削ブレードで外周の面取り部を部分的に除去した後、即ちエッジトリミング加工を実施した後、ウェーハの厚みがデバイスの仕上がり厚みに至るまでウェーハの裏面を研削する加工方法が提案されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開２００７−１５２９０６号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
しかし、ウェーハの表面から切削ブレードをウェーハの面取り部に切り込ませてエッジトリミング加工を実施すると、加工によって生じたコンタミがウェーハの表面のデバイスに付着する。デバイス表面にコンタミが付着するとデバイス不良等を引き起こす原因となるため、問題となる。
【０００８】
本発明はこのような点に鑑みてなされたものであり、その目的とするところは、エッジトリミング加工を実施してもデバイス不良を引き起こす恐れを低減可能なウェーハの加工方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明によると、表面に複数のデバイスが形成されたデバイス領域と該デバイス領域を囲繞する外周余剰領域とを有し、外周縁部に表面から裏面に至る円弧状の面取り部を有するウェーハの加工方法であって、ウェーハに対して密着性及びタック力を有するシートを該外周余剰領域に配設された接着剤を介してウェーハの表面に貼着するシート貼着ステップと、該シート貼着ステップを実施した後、ウェーハの表面から該面取り部に切削ブレードを所定の深さ切り込ませるとともに外周縁に沿って該ウェーハを切削して該面取り部の一部を除去するとともに、少なくとも該デバイス領域に隣接した一部の該接着剤を残存させる除去ステップと、を備えたことを特徴とするウェーハの加工方法が提供される。
【００１０】
好ましくは、ウェーハの加工方法は、該除去ステップを実施した後、該デバイスの仕上げ厚みへとウェーハの裏面を研削する研削ステップを更に備え、該除去ステップでは、該切削ブレードをウェーハの表面から該仕上げ厚みに至る深さへと切り込ませる。
【発明の効果】
【００１１】
本発明では、除去ステップ（エッジトリミング加工）を実施する前に、ウェーハに対して密着性及びタック力を有するシートをウェーハの表面に貼着する。よって、除去ステップの切削で生じたコンタミはシート上に付着し、デバイス表面に付着することはない。
【００１２】
更に、シートは外周余剰領域に配設された接着剤によってウェーハ上に貼着されているため、後にシートをウェーハ上から剥離する際にデバイス上に糊や接着剤が残存することが防止される。よって、異物がデバイスに付着することに起因するデバイス不良を引き起こす恐れを低減できる。
【図面の簡単な説明】
【００１３】
【図１】半導体ウェーハの表面側斜視図である。
【図２】シート貼着ステップを示す断面図である。
【図３】除去ステップを示す一部断面側面図である。
【図４】除去ステップ実施後のウェーハの断面図である。
【図５】研削ステップを示す一部断面側面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１４】
以下、本発明の実施形態を図面を参照して詳細に説明する。図１を参照すると、半導体ウェーハ１１の表面側斜視図が示されている。半導体ウェーハ（以下、単にウェーハと称することがある）１１は、例えば厚さが７００μｍのシリコンウェーハからなっており、その表面１１ａに複数の分割予定ライン（ストリート）１３が格子状に形成されているとともに、複数のストリート１３によって区画された各領域にＩＣ、ＬＳＩ等のデバイス１５が形成されている。
【００１５】
このように構成されたウェーハ１１は、デバイス１５が形成されているデバイス領域１７と、デバイス領域１７を囲繞する外周余剰領域１９をその表面の平坦部に備えている。ウェーハ１１の外周部には、円弧状の面取り部１１ｅが形成されている。２１はシリコンウェーハの結晶方位を示すマークとしてのノッチである。
【００１６】
本発明のウェーハの加工方法では、まず図２に示すように、ウェーハ１１の外周余剰領域１９に接着剤２３を配設し、ウェーハに対して密着性及びタック力を有するシート２５を接着剤２３を介してウェーハ１１の表面１１ａに貼着するシート貼着ステップを実施する。
【００１７】
接着剤２３はウェーハ１１の外周余剰領域１９の全周に配設するようにしても良いが、飛び飛びに配設するようにしても良い。ウェーハ１１の裏面１１ｂの研削時にシート２５のみでウェーハの表面側を吸引保持する場合には、ウェーハ１１のデバイス領域１７に研削水が入り込まないように外周余剰領域１９の全周に接着剤２３を配設するのが好ましい。しかし、シート２５を剥離してから保護テープをウェーハ１１の表面１１ａに貼着する場合には、接着剤２３は外周余剰領域１９に飛び飛びに配設するようにしても良い。
【００１８】
シート２５としては、デバイスに当接する面に粘着層はないもののウェーハへの密着性及びデバイスの凹凸に追従できるタック力を有し、且つ、適度な厚みと、取り扱いやすい張りをもつものが好ましい。素材は例えば樹脂やゴム、セラミックス製のものなどが好適であり、例えば商品名サランラップ（登録商標）で知られるポリ塩化ビニリデンフィルムから形成された食品用ラップフィルムが好ましい。食品用ラップフィルムはウェーハ１１に対して密着性及びタック力（吸引性）を有している。しかし、食品用ラップフィルムに替えて、他の樹脂製シートを貼着するようにしても良い。
【００１９】
シート貼着ステップを実施した後、図３に示すように、切削装置のチャックテーブル１０でウェーハ１１の裏面１１ｂ側を吸引保持し、シート２５を露出させる。図３において、切削装置の切削ユニット１２は、回転駆動されるスピンドルと、スピンドル１４の先端部に装着された切削ブレード１６を含んでいる。切削ブレード１６は、全体が切り刃から構成される厚みの厚い所謂ワッシャーブレードが好ましい。
【００２０】
そして、ウェーハ１１の表面１１ａからウェーハ１１の面取り部１１ｅに矢印Ａ方向に高速回転する切削ブレード１６を所定の深さ（ウェーハ１１の表面１１ａから仕上げ厚みに至る深さ）切り込ませ、チャックテーブル１０を矢印Ｂ方向に低速で回転させて、ウェーハ１１の外周縁に沿ってウェーハを切削して面取り部１１ｅの一部を除去するとともに、少なくともデバイス領域１７に隣接した一部の接着剤２３を残存させる除去ステップ（エッジトリミングステップ）を実施する。
【００２１】
図４は除去ステップ実施後のウェーハ１１の断面図を示している。除去ステップを実施すると、ウェーハ１１の面取り部１１ｅの一部が除去されてウェーハ１１の外周に環状の切欠き（環状の溝）２７が形成される。
【００２２】
本実施形態の除去ステップ（エッジトリミングステップ）では、ウェーハ１１の表面１１ａにシート２５が貼着されているため、除去ステップで生じたコンタミはシート２５上に付着し、デバイス１５表面に付着することはない。
【００２３】
除去ステップ実施後、デバイス１５の仕上げ厚みへとウェーハ１１の裏面１１ｂを研削する研削ステップを実施する。この研削ステップでは、図５に示すように、研削装置のチャックテーブル１８でウェーハ１１の表面１１ａに貼着されたシート２５側を吸引保持し、ウェーハ１１の裏面１１ｂを露出させる。
【００２４】
図５において、研削装置の研削ユニット２０は、回転駆動されるスピンドル２２と、スピンドル２２の先端に固定されたホイールマウント２４と、ホイールマウント２４に着脱可能に装着された研削ホイール２６とを含んでいる。研削ホイール２６は、環状のホイール基台２８と、ホイール基台２８の下面外周部に環状に貼着された複数の研削砥石３０とから構成される。
【００２５】
研削ステップでは、チャックテーブル１８を矢印ａ方向に約３００ｒｐｍで回転させるとともに、研削ホイール２６を矢印ｂ方向に約６０００ｒｐｍで回転させながら図示しない研削ユニット送り機構を作動して、研削砥石３０をウェーハ１１の裏面１１ｂに接触させる。
【００２６】
所定の研削送り速度で研削ユニット２０を下方に所定量研削送りしてウェーハ１１の裏面１１ｂを研削して、ウェーハ１１を所定の厚み（デバイス１５の仕上げ厚み）に研削する。この裏面研削により、ウェーハ１１の面取り部１５ｅは全て除去される。
【００２７】
ウェーハ１１の裏面研削に際して、シート２５をウェーハ１１の表面１１ａから剥離して、表面保護テープをウェーハ１１の表面に貼着してから研削ステップを実施する。あるいは、シート２５をウェーハ１１の表面１１ａから剥離せずに、シート２５上に表面保護テープを貼着するようにしても良い。
【００２８】
本発明のシート貼着ステップでは、シート２５はウェーハ１１の外周余剰領域１９に配設された接着剤２３によってウェーハ１１の表面１１ａに貼着されているため、研削ステップ終了後、シート２５をウェーハ１１上から剥離する際にデバイス１５上に糊や接着剤が残存することが防止される。よって、異物がデバイス１５に付着することに起因するデバイス不良を引き起こすことが防止される。
【符号の説明】
【００２９】
１１    半導体ウェーハ
１１ｅ    面取り部
１２    切削ユニット
１５    デバイス
１６    切削ブレード
１７    デバイス領域
１８    円形凹部
１９    外周余剰領域
２０    研削ユニット
２３    接着剤
２５    シート
２６    研削ホイール
３０    研削砥石
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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