(57)【要約】【課題】使用温度条件が変化する環境であっても、大規模化することなく安定した測定性能が保たれる放射線の測定技術を提供することを目的とする。【解決手段】放射線の測定装置１０は、放射線１１が入射して生成した電子／正孔１２を電場Ｅに沿ってそれぞれ逆方向に移動させる半導体検出器１４４と、電場を形成する電極１５（１５ａ，１５ｂ）に移動した電子／正孔１２の応答信号を受信する受信部１６と、半導体検出器１４４の温度依存特性に基づいて作成された制御パラメータを登録するデータベース１７と、この制御パラメータに基づいて応答信号を処理し放射線１１のエネルギー値を導く処理部１８と、を備えている。【選択図】  図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
放射線が入射して生成した電子／正孔を電場に沿ってそれぞれ逆方向に移動させる半導体検出器と、
前記電場を形成する電極に移動した前記電子／正孔の応答信号を受信する受信部と、
前記半導体検出器の温度依存特性に基づいて作成された制御パラメータを登録するデータベースと、
前記制御パラメータに基づいて前記応答信号を処理し前記放射線のエネルギー値を導く処理部と、を備えることを特徴とする放射線の測定装置。
【請求項２】
請求項１に記載の放射線の測定装置において、
前記制御パラメータは、与えられた温度に対し一意に設定される電場を前記電極に形成させるパラメータであり、
前記処理部は、計測された温度信号に対応する前記制御パラメータを取得し前記設定される電場を前記電極に形成することで前記応答信号を処理することを特徴とする放射線の測定装置。
【請求項３】
請求項１に記載の放射線の測定装置において、
前記放射線のエネルギーは、前記応答信号の波高値に基づいて変換されることを特徴とする放射線の測定装置。
【請求項４】
請求項３に記載の放射線の測定装置において、
前記制御パラメータは、与えられた温度に対し一意に設定される感度補正係数であり、
前記処理部は、計測された温度信号に対応する前記感度補正係数を取得して前記応答信号の波高値を補正処理することを特徴とする放射線の測定装置。
【請求項５】
請求項１に記載の放射線の測定装置において、
前記放射線のエネルギーは、前記応答信号の積分値に基づいて変換され、
前記制御パラメータは、与えられた温度に対し一意に設定される積分時間であり、
前記処理部は、計測された温度信号に対応する前記積分時間を取得して前記応答信号を積分処理することを特徴とする放射線の測定装置。
【請求項６】
請求項３に記載の放射線の測定装置において、
前記制御パラメータは、前記応答信号の波形幅に対し一意に定まる感度補正係数であり、
前記処理部は、計測された波形幅に対応する前記感度補正係数を取得して前記応答信号の前記波高値を補正処理することを特徴とする放射線の測定装置。
【請求項７】
請求項１から請求項６のいずれか１項に記載の放射線の測定装置において、
前記エネルギー値に基づいて前記応答信号を複数のグループに分類しそれぞれのグループのカウント値を導出するカウント部を、さらに備えることを特徴とする放射線の測定装置。
【請求項８】
請求項１から請求項６のいずれか１項に記載の放射線の測定装置において、
前記エネルギー値が閾値を超える前記応答信号のカウント値を導出するカウント部を、さらに備えることを特徴とする放射線の測定装置。
【請求項９】
半導体検出器に放射線が入射して生成した電子／正孔を電場に沿ってそれぞれ逆方向に移動させるステップと、
前記電場を形成する電極に移動した前記電子／正孔の応答信号を受信するステップと、
前記半導体検出器の温度依存特性に基づいて作成された制御パラメータをデータベースに登録するステップと、
前記制御パラメータに基づいて前記応答信号を処理し前記放射線のエネルギー値を導くステップと、を含むことを特徴とする放射線の測定方法。
【請求項１０】
コンピュータに、
半導体検出器に放射線が入射して生成した電子／正孔を電場に沿ってそれぞれ逆方向に移動させるステップ、
前記電場を形成する電極に移動した前記電子／正孔の応答信号を受信するステップ、
前記半導体検出器の温度依存特性に基づいて作成された制御パラメータをデータベースに登録するステップ、
前記制御パラメータに基づいて前記応答信号を処理し前記放射線のエネルギー値を導くステップ、を実行させることを特徴とする放射線の測定プログラム。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体検出器を用いた放射線の測定技術に関する。
【背景技術】
【０００２】
放射線検出器の一例として、入射した放射線をシンチレータで光に変換し、光検出器で間接的に計測するシンチレータ式の放射線検出器がある。
これに対し、ゲルマニウム（Ｇｅ）、シリコン（Ｓｉ）、テルル化カドミウム（ＣｄＴｅ）、臭化タリウム（ＴｌＢｒ）を用いた半導体検出器がある。
これらの半導体を用いた放射線検出器は、入射した放射線を直接電気信号に変換して計測するため、シンチレータ式に比べて検出感度に優れる。
【０００３】
半導体検出器による放射線の検出の原理は、半導体に放射線を入射させ、バンドギャップよりも大きなエネルギーを付与し、発生した電子／正孔の対をバイアス電圧により電極に移動させて電気信号を得ることによる。
ＣｄＴｅやＴｌＢｒ等の化合物半導体を用いた放射線検出器は、室温で使用可能であり密度が高いために、γ線を高い効率で検出することができる。
【０００４】
しかし、これらの化合物半導体は、環境温度によって、電子／正孔の移動度や寿命が変化して検出感度が変動するといった課題を有する。
これらの課題を解決するために、放射線検出器の周囲に電子冷却器を備えて、放射線検出器の温度を一定にする技術が開示されている（特許文献１）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２００５−２６５８５９号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
上述したように、放射線検出器の温度を制御することにより、放射線の検出感度を一定にして放射線を測定することができる。
しかし、放射線検出器の温度を制御する冷却装置や回路などを追加する必要があるために、測定装置が大規模化する課題がある。
【０００７】
本発明はこのような事情を考慮してなされたもので、使用温度条件が変化する環境であっても、大規模化することなく安定した測定性能が保たれる放射線の測定技術を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明に係る放射線の測定装置において、放射線が入射して生成した電子／正孔を電場に沿ってそれぞれ逆方向に移動させる半導体検出器と、前記電場を形成する電極に移動した前記電子／正孔の応答信号を受信する受信部と、前記半導体検出器の温度依存特性に基づいて作成された制御パラメータを登録するデータベースと、前記制御パラメータに基づいて前記応答信号を処理し前記放射線のエネルギー値を導く処理部と、を備えることを特徴とする。
【発明の効果】
【０００９】
本発明により、使用温度条件が変化する環境であっても、大規模化することなく安定した測定性能が保たれる放射線の測定技術が提供される。
【図面の簡単な説明】
【００１０】
【図１】本発明に係る放射線の測定装置の第１実施形態を示すブロック図。
【図２】（Ａ）（Ｂ）各実施形態に適用される半導体検出器の概略図。
【図３】半導体検出器の電極に移動した電子／正孔の応答信号を示すグラフ。
【図４】第１実施形態において温度に対する制御パラメータ（印加電圧）の関係を示すグラフ。
【図５】（Ａ）時間に対し離散的に入射する放射線のエネルギーを示すグラフ、（Ｂ）エネルギー値に基づいて複数のグループに分類しそれぞれのグループのカウント値を示すグラフ。
【図６】（Ａ）Ｔ＝Ｔ１における放射線（γ線）のエネルギースペクトル分布を示すグラフ、（Ｂ）Ｔ＝Ｔ２（＞Ｔ１）における放射線（γ線）のエネルギースペクトル分布を示すグラフ。
【図７】第２実施形態又は第３実施形態に係る放射線の測定装置を示すブロック図。
【図８】第２実施形態において温度に対する制御パラメータ（感度補正係数）の関係を示すグラフ。
【図９】第３実施形態において温度に対する制御パラメータ（積分時間）の関係を示すグラフ。
【図１０】第４実施形態に係る放射線の測定装置を示すブロック図。
【発明を実施するための形態】
【００１１】
（第１実施形態）
以下、本発明の実施形態を添付図面に基づいて説明する。
図１に示すように、第１実施形態に係る放射線の測定装置１０（以下、単に「測定装置１０」という）は、放射線１１が入射して生成した電子／正孔１２を電場Ｅに沿ってそれぞれ逆方向に移動させる半導体検出器１４と、電場Ｅを形成する電極１５（１５ａ，１５ｂ）に移動した電子／正孔１２の応答信号（図３）を受信する受信部１６と、半導体検出器１４の温度依存特性に基づいて作成された制御パラメータ（図４）を登録するデータベース１７と、この制御パラメータに基づいて応答信号（図３）を処理し放射線１１のエネルギー値を導く処理部１８と、を備えている。
【００１２】
半導体検出器１４は、室温で使用可能なＴｌＢｒ，Ｓｉ，ＣｄＴｅ，ＧａＡｓなどの半導体１３、電源２２の印加電圧により半導体１３に電場Ｅを形成させる電極１５（１５ａ，１５ｂ）及び基板で構成されている。
半導体１３は、α線、β線、γ線、その他の荷電粒子等の放射線１１が入射すると電子／正孔１２を生成するものが適用される。
【００１３】
入射した放射線１１のエネルギーが、半導体１３のバンドギャップを超える場合、このエネルギーの大きさに応じた数の電子／正孔１２が生成される。
この生成した電子／正孔１２は、電源２２の印加電圧に応じて形成された電場Ｅにより分離して、それぞれ逆方向の電極１５（１５ａ，１５ｂ）に移動する。
【００１４】
この電源２２の印加電圧に比例した大きさの電場Ｅが、電極１５（１５ａ，１５ｂ）に挟まれた半導体１３に形成される。
この印加電圧の最適値は、半導体１３の種類、形状によって決定されるが、生成した電子／正孔１２を電極１５まで移動させるのに十分でかつ、絶縁破壊が発生しない範囲で設定する。
例えば１ｍｍ厚のＴｌＢｒである場合、５０Ｖ〜数１００Ｖ程度である。
【００１５】
図２（Ａ）に示すように、半導体検出器１４は、半導体１３とその両端に配置される電極１５（１５ａ，１５ｂ）との周囲が絶縁体３１により覆われている。
この絶縁体３１は、塗料を半導体１３及び電極１５（１５ａ，１５ｂ）の一体化物の周囲を覆うように塗布し、その後に固化させたものが適用される。
このように、半導体１３及び電極１５（１５ａ，１５ｂ）を絶縁体３１で覆うことにより、リーク電流を抑制して印加電圧を上げることができ、後述する理由により、より広域の環境温度に対応することができる。
そして、電極１５（１５ａ，１５ｂ）から延びる配線は、この絶縁体３１を貫通して、コネクタ３２に連絡する。
【００１６】
また他の例として、図２（Ｂ）に示すように半導体検出器１４は、両端に電極１５（１５ａ，１５ｂ）を配置させた複数の半導体１３をアレイ状に配置し、その周囲を、開口部３４を有する遮蔽体３３で覆う構造も取り得る。
この遮蔽体３３は、放射線を遮蔽することが可能な材質からなり、例えばタングステン、鉛、金、鉄等の金属やこれらを含む材質が適用される。
なお、図２（Ｂ）に示す半導体検出器１４では、遮蔽体３３の内部に温度センサ２１を設置しているが、その外部に設けてもよい。
この温度センサ２１は、熱電対、速温抵抗対、半導体式等の様々な温度計測方式を採用することができ、半導体検出器１４の近傍に配置されてその環境温度を計測するが、半導体検出器１４の実際の温度を正確に反映することが望まれる。
【００１７】
図１に戻って説明を続ける。
半導体１３に形成された電場Ｅによって、電子／正孔１２が移動し、電極１５に誘起される電荷量Ｑは、次式（１）で示される。
Ｑ＝ｎ・ｅ0・ｅｘｐ（−|ｚ−Ｚ|／μτＥ）・・・（１）
【００１８】
ここで、ｅ0は、電気素量であり、ｎは入射した放射線１１によって発生した電子／正孔１２の数であり、この放射線１１のエネルギーが高い程大きな値を示す。|ｚ−Ｚ|は電子／正孔１２の発生位置から電極１５までの距離に相当する。μ及びτは、それぞれ移動度及び寿命を示し、半導体１３の種類や温度により変化する値である。
【００１９】
式（１）から明らかなように、電極１５に移動する電荷量Ｑは、入射した放射線１１のエネルギーはもとより、移動度μ、寿命τ、電場Ｅに依存する。
そして、移動度μ、寿命τが長く、電場Ｅが大きい程、電子／正孔１２の発生位置に依存するばらつきを低減し、入射した放射線１１のエネルギーのみに依存した電荷量Ｑを計測することができる。
【００２０】
しかし、電場Ｅは絶縁破壊を起こさないレベルの上限が設定され、移動度μおよび寿命τは環境温度によって変化する性質を有している。
このため、半導体検出器１４の温度が変化すると、入射した放射線１１のエネルギー当たり電極１５に移動する電荷量Ｑも、変動する。
【００２１】
図３のグラフは、電極１５に移動した電子／正孔１２の応答信号を、増幅器２３で増幅させた後、受信部１６において受信した波形を示している。
この図３に示すように、応答信号の波形は、電源２２の電圧Ｖが一定下において、半導体検出器１４の温度Ｔが低温Ｔ1である場合の時が、高温Ｔ2である場合よりもシャープに観測される。
【００２２】
ここで、図３のグラフにおけるＹ値（応答信号）は、それぞれの時点において受信部１６に入力した電流値に対応している。
このため、応答信号の波形の時間積分値は、電離した電子／正孔１２の電荷量Ｑ、すなわち入射した放射線１１のエネルギーに対応している。
【００２３】
図４のグラフは、温度センサ２１で計測された温度信号Ｔに対する電源２２の制御パラメータ（印加電圧Ｖ）の関係を示している。
データベース１７ａは、半導体検出器１４の温度依存特性に基づいて予め作成された制御パラメータを保持している。
つまり、上式（１）の移動度μ、寿命τの温度に対する相関をデータ化し、μτＥが一定となるような計測温度Ｔと印加電圧Ｖとの関係をシミュレーション又は実験により導いてデータベース１７ａに登録する。
【００２４】
図４のグラフは、半導体１３としてＴｌＢｒを用いた場合を例示しているが、このＴｌＢｒは、温度が３０℃以上になると急激に移動度μが低下することが知られている。
ＴｌＢｒの素子を、１ｍｍ厚、温度範囲０〜５０℃で使用することとし、最も移動度μの低下する温度５０℃で印加可能な最大電圧３００Ｖを基準とする。
制御パラメータは、移動度μの上昇つまり温度Ｔの低下に従い印加電圧Ｖが小さくなる傾向を示すように設定される。
第１実施形態における制御パラメータは、このように、与えられた温度Ｔに対し一意に設定される電場Ｅを電極１５に形成させる電源２２の印加電圧Ｖとなる。
【００２５】
図１に戻って説明を続ける。
電圧処理部１８ａは、温度センサ２１で計測された温度信号Ｔに対応する印加電圧Ｖをデータベース１７ａから取得して電源２２を設定し、電極１５に電場Ｅを形成する。
これにより、図３に示すように、高温Ｔ2で印加電圧Ｖ1において一点鎖線で表されるブロード形状の応答波形は、印加電圧Ｖ2（＞Ｖ1）とすることで、実線で示される波形のようにシャープになる。
【００２６】
従って、印加電圧Ｖを適切に選択することにより、半導体検出器１４の温度に依存することなく、エネルギーの同じ放射線１１に対する応答信号は、波高値Ｈ（最大値）を一定にすることができる。
このため、第１実施形態では、応答信号の波高値Ｈ（最大値）に基づいて、入射した放射線１１のエネルギーを定めることができる。
従って、電圧処理部１８ａは、制御パラメータに基づいて応答信号（図３）を処理し、放射線のエネルギー値に変換させていることになる。
【００２７】
図５（Ａ）のグラフに示すように、入射する放射線１１のエネルギーは、時間に対し離散的に計測される。
図５（Ｂ）に示すように、カウント部１９（図１）では、図５（Ａ）のエネルギー値に基づいて放射線１１の応答信号を複数のグループに分類し、それぞれのグループのカウント値を導出する。
このエネルギー値に対する応答信号のカウントは、ウィルキンソン手法、逐次比較型、フラッシュＡＤＣ型、Time over Threshold Method等の公知の手法を適用することができる。
【００２８】
図５（Ｂ）は、放射線のエネルギースペクトルの説明のための模式的なグラフであるが、実際のγ線のエネルギースペクトル分布は、放射線がカウントされるグループの放射線エネルギーの範囲をさらに狭くして、図６のように表示部２４に示される。
ここで図６（Ａ）のグラフは、温度Ｔ＝Ｔ1、印加電圧Ｖ＝Ｖ1において入射したγ線のエネルギーに対するカウント値を示している。
一方、図６（Ｂ）のグラフは、温度Ｔ＝Ｔ2（＞Ｔ1）、印加電圧Ｖ＝Ｖ1において入射したγ線のエネルギーに対するカウント値を示している。
【００２９】
このように、温度Ｔが上昇すると、γ線のエネルギースペクトルのピークは、低エネルギー側にシフトし、強度が低下して観測される。
これは、図３に基づいて説明したように、温度が高くなると、電子／正孔１２の応答信号の波高値Ｈが低下することに起因する。
したがって、温度Ｔ＝Ｔ2（＞Ｔ1）の環境（図６（Ｂ））では、印加電圧Ｖ＝Ｖ2（＞Ｖ1）に設定することで、図６（Ａ）に示されるγ線のエネルギースペクトル分布が得られる。
【００３０】
第１実施形態では、温度センサ２１で計測した半導体検出器１４の温度Ｔに基づいて、印加電圧Ｖを制御することにより、環境温度の影響を受けることなく放射線のエネルギースペクトル分布計測の再現性を向上させることができる。
また、半導体検出器１４の周囲を絶縁体３１で覆うことにより、絶縁破壊電圧を上げて、印加電圧Ｖの調整範囲の上限を拡張することができる。
【００３１】
上記した説明（図６のスペクトル分布を得るプロセス）は、放射線エネルギーの範囲を細かく刻んで放射線をカウントした実施例である。
他の実施例としてカウント部１９は、放射線をカウントするエネルギーの範囲を広く設定し、閾値を超えるエネルギー値の応答信号のカウント値を導出する。
つまり、表示部２４は、エネルギー値が所定値よりも大きい放射線１１のカウント数を表示するように機能してもよい。
また、このカウント値が導出されるエネルギーの範囲は、下限閾値だけでなく上限閾値も設定してもよい。
【００３２】
（第２実施形態）
図７に示すように第２実施形態に係る放射線の測定装置１０は、処理部１８として、温度センサ２１で計測された温度信号Ｔに対応する感度補正係数（制御パラメータ）をデータベース１７ｂから取得して応答信号の波高値を補正処理する波形処理部１８ｂを備えている。
なお、図７において図１と共通の構成又は機能を有する部分は、同一符号で示し、重複する説明を省略する。
【００３３】
第２実施形態では、図８に示すように、与えられた温度Ｔに対し一意に設定される感度補正係数を制御パラメータとする。
受信部１６が受信する応答信号の波形の波高値Ｈは、半導体検出器１４に入射する放射線１１のエネルギーが一定であっても、前述した通り、温度に依存して変化する。
そこで、第２実施形態において放射線１１のエネルギーは、応答信号の波高値Ｈ（Ｈ１，Ｈ２）に対し感度補正係数を乗算して変換される。
【００３４】
図８のグラフは、半導体１３としてＴｌＢｒを用いた場合を例示しているが、０〜５０℃の範囲においてＴｌＢｒは、印加電圧を一定にした場合でも１０〜２０℃付近で応答信号の波高値が最大となることが知られている。
そこで、感度補正係数は、応答信号の感度が最も低下する５０℃の波高値を基準とし、応答信号の波高値との積が同じエネルギーに対して一定となるように対象となる温度範囲についてデータ化し、データベース１７ｂに登録しておく。
第２実施形態では、温度センサ２１で計測した半導体検出器１４の温度Ｔに基づいて、感度補正係数を、応答信号の波高値に乗算することにより、環境温度の影響を受けることなく放射線のエネルギースペクトル分布計測の再現性を向上させることができる。
【００３５】
（第３実施形態）
図７に示すように第３実施形態に係る放射線の測定装置１０は、処理部１８として、温度センサ２１で計測された温度信号Ｔに対応する積分時間ｔ（ｔ1、ｔ2；図３）（制御パラメータ）をデータベース１７ｃから取得して応答信号を積分処理する波形処理部１８ｃを備えている。
なお、図７において図１と共通の構成又は機能を有する部分は、同一符号で示し、重複する説明を省略する。
【００３６】
第３実施形態では、図９に示すように、与えられた温度Ｔに対し一意に設定される積分時間を制御パラメータとする。
受信部１６が受信する応答信号（図３）の面積（時間積分値）は、半導体検出器１４に入射する放射線１１のエネルギーが一定であれば、前述した理由により、温度に依存せず不変として取り扱う。
そこで、第３実施形態において放射線１１のエネルギーは、応答信号の積分値に基づいて変換される。
【００３７】
波形処理部１８ｃ（図７）は、微分積分回路等から構成されるアナログ回路や、高速ＡＤ変換器やデジタル積算器によって構成されるデジタル回路が適用される。
アナログ回路で波形処理部１８ｃを構成する場合、抵抗値、静電容量を可変することにより、応答信号の積分時間ｔ（図３）を調整することができる。
【００３８】
デジタル回路で波形処理部１８ｃを構成する場合、応答信号の立ち上がりから設定した積分時間ｔ内に少なくとも１０点以上のサンプリング点が得られるようにサンプリングクロックを設定する。
そして、この応答信号の立ち上がりから設定した積分時間ｔ内にサンプリングされたＹ値の加算値を、放射線のエネルギー値に対応させる。
【００３９】
半導体検出器１４から検出される電荷量は、応答信号の波形の積分値としてあらわされる。半導体検出器１４の温度が変化すると、応答信号の波形の幅が変化する。
特に、ＴｌＢｒ検出器等のように寿命τに比べて移動度μが大きく変化する場合、温度上昇に伴って波形幅が広がるため、積分時間を一定にすると、エネルギーが少なく見積もられてしまう。
そこで、温度センサ２１による計測温度Ｔに応じて、積分時間ｔを設定することにより、環境温度に依存することなく放射線のエネルギーを高い再現性で測定することができる。
【００４０】
（第４実施形態）
図１０に示すように第４実施形態に係る放射線の測定装置は、図７における温度センサ２１が省略された形態となっている。
第４実施形態では、応答信号（図３）の波形幅に対し一意に定まる感度補正係数を制御パラメータとする。
その後は第２実施形態と同様で、波形処理部１８ｄは、計測された波形幅に対応する感度補正係数をデータベース１７ｄから取得して応答信号の波高値を補正処理する。
この波形処理部１８ｄにおいて扱う波形幅は、受信部１６で受信した応答信号から導かれる半値幅等である。
【００４１】
第４実施形態では、半導体検出器１４の温度Ｔに代わる情報として応答信号の波形幅の情報を利用し、環境温度の影響を受けることなく放射線のエネルギースペクトル分布計測の再現性を向上させることができる。
【００４２】
以上述べた少なくともひとつの実施形態の放射線の測定装置によれば、半導体検出器の温度依存特性に基づいて作成された制御パラメータにより応答信号を処理し放射線のエネルギー値を導くことにより、使用温度条件が変化する環境であっても、大規模化することなく安定した測定を実施することが可能となる。
【００４３】
本発明のいくつかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これら実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更、組み合わせを行うことができる。これら実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれると同様に、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれるものである。
また、放射線の測定装置の構成要素は、コンピュータのプロセッサで実現することも可能であり、放射線の測定プログラムにより動作させることが可能である。
【符号の説明】
【００４４】
１０…放射線の測定装置、１１…放射線、１２…電子／正孔、１３…半導体、１４…半導体検出器、１５（１５ａ，１５ｂ）…電極、１６…受信部（応答信号）、１７（１７ａ，１７ｂ，１７ｃ，１７ｄ）…データベース、１８（１８ａ）…処理部（電圧処理部）、１８（１８ｂ，１８ｃ，１８ｄ）…処理部（波形処理部）、１９…カウント部、２１…温度センサ、２２…電源、２３…増幅器、２４…表示部、３１…絶縁体、３２…コネクタ、３３…遮蔽体、３４…開口部、Ｅ…電場。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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