(57)【要約】【課題】２値化の精度の低下が抑制された回転センサを提供する。【解決手段】回転体（２００）の回転状態を検出する回転センサであって、磁界発生部（１０）と、回転体の回転によるバイアス磁界の変動を電気信号に変換する磁電変換素子（２０）と、磁電変換素子の出力信号を処理する処理部（３０）と、を有する。回転体には欠け歯が少なくとも１つあり、第１磁電変換素子は第２磁電変換素子よりも回転体の回転方向の上流側に配置されており、処理部は、欠け歯の回転に応じた第１磁電変換素子の検出信号に基づいて、欠け歯の回転に応じた検出信号のピークとボトムの中間値を算出し、その算出した中間値に基づいて、欠け歯の回転に応じた第２磁電変換素子の検出信号を２値化する。【選択図】図３
2015010892.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
回転方向に複数の歯（２１０）が周期的に形成された回転体（２００）の回転状態を検出する回転センサであって、
前記回転体にバイアス磁界を印加する磁界発生部（１０）と、
前記回転体の回転による前記バイアス磁界の変動を電気信号に変換する磁電変換素子（２０）と、
前記磁電変換素子の出力信号を処理する処理部（３０）と、を有し、
前記回転体には欠け歯が少なくとも１つあり、
前記磁電変換素子として、前記回転体に形成された複数の歯の回転に応じて、振幅が変動する検出信号を出力する第１磁電変換素子と第２磁電変換素子を有し、
前記第１磁電変換素子および前記第２磁電変換素子の一方は、前記第１磁電変換素子および前記第２磁電変換素子の他方よりも前記回転体の回転方向の上流側に配置されており、
前記処理部は、前記回転体の欠け歯の回転に応じた前記第１磁電変換素子および前記第２磁電変換素子の一方の検出信号に基づいて、前記回転体の欠け歯の回転に応じた前記第１磁電変換素子および前記第２磁電変換素子の他方の検出信号のピークとボトムの中間値を算出し、その算出した中間値に基づいて、前記回転体の欠け歯の回転に応じた前記第１磁電変換素子および前記第２磁電変換素子の他方の検出信号を２値化することを特徴とする回転センサ。
【請求項２】
前記第１磁電変換素子と前記第２磁電変換素子の隣接間隔は、前記欠け歯を挟んだ２つの歯の隣接間隔よりも広くなっており、
前記処理部は、前記第１磁電変換素子および前記第２磁電変換素子の一方の検出信号に基づいて、前記第１磁電変換素子および前記第２磁電変換素子の他方の検出信号のピークとボトムの中間値を逐次算出し、その逐次算出した中間値に基づいて、前記第１磁電変換素子および前記第２磁電変換素子の他方の検出信号を２値化することを特徴とする請求項１に記載の回転センサ。
【請求項３】
前記処理部は、前記第１磁電変換素子および前記第２磁電変換素子の少なくとも一方の検出信号に基づいて、前記回転体が正転しているのか逆転しているのかを判定し、
前記処理部は、前記回転体の回転方向において上流側に位置する前記第１磁電変換素子および前記第２磁電変換素子の一方の検出信号に基づいて、下流側に位置する前記第１磁電変換素子および前記第２磁電変換素子の他方の検出信号を２値化することを特徴とする請求項１または請求項２に記載の回転センサ。
【請求項４】
前記磁界発生部は環状を成し、
前記回転体は回転軸（ＲＡ）の周方向に回転しており、
前記磁界発生部の内環面によって囲まれて成る空間の中心を通る中心線（ＣＬ）は、前記回転軸に直交し、前記回転軸から放射状に延びる放射方向に沿っていることを特徴とする請求項１〜３いずれか１項に記載の回転センサ。
【請求項５】
前記第１磁電変換素子と前記第２磁電変換素子とは、前記中心線を介して対称配置され、前記第１磁電変換素子と前記磁界発生部との最短隣接距離、および、前記第２磁電変換素子と前記磁界発生部との最短隣接距離それぞれが等しくなっていることを特徴とする請求項４に記載の回転センサ。
【請求項６】
前記第１磁電変換素子と前記磁界発生部との最短隣接距離は、前記第２磁電変換素子と前記磁界発生部との最短隣接距離よりも短くなっており、
前記回転体の回転による前記バイアス磁界の変動を等しく検出するべく、前記第１磁電変換素子は前記第２磁電変換素子よりも前記回転体から遠くに位置づけられることを特徴とする請求項４に記載の回転センサ。
【請求項７】
前記第１磁電変換素子と前記第２磁電変換素子それぞれは、前記磁界発生部の内環面によって囲まれた空間に設けられていることを特徴とする請求項４〜６いずれか１項に記載の回転センサ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、回転体の回転状態を検出する回転センサに関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来、例えば特許文献１に示されるように、磁気検出センサの出力信号を処理するセンサ信号処理装置が提案されている。このセンサ信号処理装置は、磁気検出センサの出力信号のピーク値およびボトム値からしきい値を設定するしきい値設定手段と、磁気検出センサの出力信号としきい値設定手段により設定されたしきい値とを比較して、その大小関係により２値化信号を出力する比較手段と、を備えている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特許第３３２６９３３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
ところで特許文献１に示されるセンサ信号処理装置では、１つの磁気検出センサの出力信号に基づいてしきい値を設定し、その設定したしきい値に基づいて磁気検出センサの出力信号を２値化している。
【０００５】
磁気検出センサが、回転方向に複数の歯が周期的に形成された回転体の回転状態を検出するのに適用される場合、磁気検出センサを介して回転体にバイアス磁界が印加される。回転体が回転すると、回転体に形成された複数の歯の回転にともなって磁気検出センサを透過する磁束が周期的に変動し、磁気検出センサから振幅が周期的に変動する信号が出力される。この磁気検出センサから出力される信号の振幅と周期は、回転体の回転状態が一定の場合、等しくなる。そのため、上記したように１つの磁気検出センサの出力信号に基づいてしきい値を設定し、その設定したしきい値に基づいて磁気検出センサの出力信号を２値化したとしても、その２値化の精度が低下することはない。しかしながら、回転体には一回転したことを認識するために欠け歯が少なくとも１つある。この欠け歯が回転すると、それまで磁気検出センサを透過していた磁束が乱れ、しきい値も変動する。そして、そのしきい値の値は、回転体と磁気センサとの相対位置によっても変動する。したがって、例えば欠け歯を検出する前の磁気検出センサの出力信号に基づいてしきい値を算出し、その算出したしきい値でもって、欠け歯に対応する出力信号を２値化した場合、その２値化の精度が低下する虞がある。
【０００６】
そこで、本発明は上記問題点に鑑み、２値化の精度の低下が抑制された回転センサを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上記した目的を達成するために、本発明は、回転方向に複数の歯（２１０）が周期的に形成された回転体（２００）の回転状態を検出する回転センサであって、回転体にバイアス磁界を印加する磁界発生部（１０）と、回転体の回転によるバイアス磁界の変動を電気信号に変換する磁電変換素子（２０）と、磁電変換素子の出力信号を処理する処理部（３０）と、を有し、回転体には欠け歯が少なくとも１つあり、磁電変換素子として、回転体に形成された複数の歯の回転に応じて、振幅が変動する検出信号を出力する第１磁電変換素子と第２磁電変換素子を有し、第１磁電変換素子および第２磁電変換素子の一方は、第１磁電変換素子および第２磁電変換素子の他方よりも回転体の回転方向の上流側に配置されており、処理部は、回転体の欠け歯の回転に応じた第１磁電変換素子および第２磁電変換素子の一方の検出信号に基づいて、回転体の欠け歯の回転に応じた第１磁電変換素子および第２磁電変換素子の他方の検出信号のピークとボトムの中間値を算出し、その算出した中間値に基づいて、回転体の欠け歯の回転に応じた第１磁電変換素子および第２磁電変換素子の他方の検出信号を２値化することを特徴とする。
【０００８】
このように本発明によれば、回転体（２００）の欠け歯（２１０）の回転に応じた上流側に位置する磁電変換素子（２１，２２）の検出信号に基づいて、回転体（２００）の欠け歯（２１０）の回転に応じた下流側に位置する磁電変換素子（２１，２２）の検出信号のピークとボトムの中間値を算出する。そしてその算出した中間値に基づいて、下流側に位置する磁電変換素子（２１，２２）の検出信号を２値化する。したがって、回転体（２００）の周期的に並んだ複数の歯（２１０）に応じた検出信号のピークとボトムの中間値に基づいて、回転体（２００）の欠け歯（２１０）に応じた検出信号を２値化する構成と比べて、２値化の精度が低下することが抑制される。
【０００９】
第１磁電変換素子と第２磁電変換素子の隣接間隔は、欠け歯を挟んだ２つの歯の隣接間隔よりも広くなっており、処理部は、第１磁電変換素子および第２磁電変換素子の一方の検出信号に基づいて、第１磁電変換素子および第２磁電変換素子の他方の検出信号のピークとボトムの中間値を逐次算出し、その逐次算出した中間値に基づいて、第１磁電変換素子および第２磁電変換素子の他方の検出信号を２値化する。これによれば、最新の中間値に基づいて下流側に位置する磁電変換素子（２１，２２）の検出信号が２値化されるので、２値化の精度の低下が抑制される。
【００１０】
処理部は、第１磁電変換素子および第２磁電変換素子の少なくとも一方の検出信号に基づいて、回転体が正転しているのか逆転しているのかを判定し、処理部は、回転体の回転方向において上流側に位置する第１磁電変換素子および第２磁電変換素子の一方の検出信号に基づいて、下流側に位置する第１磁電変換素子および第２磁電変換素子の他方の検出信号を２値化する。これによれば、回転体（２００）が正転している場合、逆転している場合いずれにおいても、上流側に位置する磁電変換素子（２１，２２）の検出信号に基づいて中間値を算出し、その中間値に基づいて下流側に位置する磁電変換素子（２１，２２）の検出信号を２値化することができる。
【００１１】
なお、特許請求の範囲に記載の請求項、および、課題を解決するための手段それぞれに記載の要素に括弧付きで符号をつけているが、この括弧付きの符号は実施形態に記載の各構成要素との対応関係を簡易的に示すためのものであり、実施形態に記載の要素そのものを必ずしも示しているわけではない。括弧付きの符号の記載は、いたずらに特許請求の範囲を狭めるものではない。
【図面の簡単な説明】
【００１２】
【図１】第１実施形態に係る回転センサの概略構成を示す断面図である。
【図２】回転体に対向配置された回転センサを概略的に示す模式図である。
【図３】磁電変換素子の検出信号と２値化された信号とを示すタイミングチャートである。
【図４】回転センサの変形例を示す模式図である。
【発明を実施するための形態】
【００１３】
以下、本発明の実施の形態を図に基づいて説明する。
（第１実施形態）
以下においては、互いに直交の関係にある３方向を、ｘ方向、ｙ方向、ｚ方向と示す。そして、ｘ方向とｙ方向とによって規定される平面をｘ−ｙ平面、ｙ方向とｚ方向とによって規定される平面をｙ−ｚ平面、ｚ方向とｘ方向とによって規定される平面をｚ−ｘ平面と示す。
【００１４】
図１〜図３に基づいて、本実施形態に係る回転センサを説明する。図１はｘ−ｙ平面において回転センサ１００を分断した断面図を示し、回転体２００も図示している。図２においては、欠け歯（歯２１０の非形成領域）を強調するために欠け歯を挟んだ歯２１０の隣接間隔を長く図示している。また図３においては、検出信号および２値化された信号それぞれの歯２１０との対応関係を示すために、回転体２００を図示している。そして第１磁電変換素子２１から出力される第１検出信号を破線で示し、第２磁電変換素子２２から出力される第２検出信号を実線で示している。なお、図１に示す２つの歯２１０の隣接間隔と図２および図３に示す歯２１０の隣接間隔とが異なっているが、図２および図３に示す２つの歯２１０の隣接間隔のほうが、図１に示す２つの歯２１０の隣接間隔よりも、磁電変換素子２１，２２の隣接間隔との関係において正確である。
【００１５】
回転センサ１００は、回転体２００の回転状態を検出するものである。回転体２００は、例えばエンジンの構成要素のひとつであるクランクシャフトであり、回転センサ１００によってエンジンの回転状態が検出される。エンジンとともに車両に搭載されたＥＣＵは、この回転センサ１００によって検出された回転状態に基づいてエンジンを制御する。
【００１６】
図１に示すように回転センサ１００は、回転体２００にバイアス磁界を印加する磁界発生部１０と、回転体２００の回転によるバイアス磁界の変動を電気信号に変換する磁電変換素子２０と、磁電変換素子２０の出力信号を処理する処理部３０と、を有する。図２に示すように、回転体２００の表面には回転方向に沿って複数の歯２１０が周期的に形成されている。歯２１０の隣接間隔は等しくなっているが、本実施形態では１つの欠け歯がある。そのため、欠け歯をはさむ２つの歯２１０間の隣接距離は、他の隣接する２つの歯２１０の隣接距離の２倍になっている。磁電変換素子２０は、複数の歯２１０の回転に応じて振幅が変動する検出信号を出力する。詳しく言えば、磁電変換素子２０は、複数の歯２１０の隣接距離の間隔に応じて、振幅が変動する検出信号を出力する。したがって、欠け歯を磁電変換素子２０が検出した場合、磁電変換素子２０からは２倍周期の検出信号が出力される。処理部３０は、この磁電変換素子２０から出力される検出信号に基づいて、回転体２００が何回転したかなどの回転状態を検出する。
【００１７】
なお、欠け歯とは歯２１０が無い状態を指しているだけであって、その歯２１０の非形成領域の形状を規定するものではない。すなわち、歯２１０の非形成領域が、図２に示すように歯２１０と同一の高さを有する凸部である構成や、歯２１０間のくぼみと同一の深さを有する凹部である構成などが適宜採用される。欠け歯の役割はゼロ点を示すためのものであり、その非形成領域の形状は周期的に形成された歯２１０と異なればよい。
【００１８】
図１に示すように、磁界発生部１０は環状を成し、磁電変換素子２０は磁界発生部１０の内環面によって囲まれた空間（以下、内空間と示す）に設けられている。磁電変換素子２０と処理部３０それぞれは表面に配線パターンが形成された配線基板１１に搭載され、回路を構成している。そして配線基板１１に形成された回路はワイヤ１２を介してリード１３と電気的に接続され、リード１３とともにモールド樹脂１４によって被覆保護されている。リード１３の一部はモールド樹脂１４から露出されており、処理部３０にて処理された磁電変換素子２０の検出信号は、ワイヤ１２とリード１３を介してＥＣＵなどの外部装置に出力される。
【００１９】
図１および図２に一点鎖線で示すように、磁界発生部１０の内空間の中心を通る中心線ＣＬはｙ方向に沿っており、回転体２００の中心をｚ方向に貫く回転軸ＲＡに直交している。これにより中心軸ＣＬは回転軸ＲＡから放射状に延びる放射方向に沿っている。また磁界発生部１０における回転体２００側の開口面（以下、単に開口面と示す）はｘ−ｚ平面に沿い、回転体２００におけるｚ方向の形状が一定となっている。以上により、中心線ＣＬを通るｙ−ｚ平面にて磁界発生部１０の開口面を２分して成る２つの対向面それぞれと回転体２００との対向間隔が等しくなっている。
【００２０】
また図２に示すように、磁界発生部１０における磁電変換素子２０の周囲を囲む内環面の径は一定であり、その厚さも一定となっている。したがって、中心線ＣＬを通るｙ−ｚ平面にて磁界発生部１０の内空間を２分して成る２つの対向空間それぞれを透過する歯２１０の回転に応じたバイアス磁界の時間変動が互いに等しくなっている。詳しく言えば、回転体２００の回転方向において上流側に位置する対向空間の歯２１０の回転に応じたバイアス磁界の変動は、回転体２００が上流側の対向面を通り過ぎる程度に回転した後における下流側に位置する対向空間の歯２１０の回転に応じたバイアス磁界の変動と等しくなっている。このように、上流側に位置する対向空間のバイアス磁界の変動は、下流側に位置する対向空間のバイアス磁界の変動よりも時間的に先行している。
【００２１】
磁電変換素子２０は、磁気信号を電気信号に変換するものであり、具体的に言えば、磁気抵抗素子やホール素子である。磁電変換素子２０として、本実施形態では第１磁電変換素子２１と第２磁電変換素子２２を有する。第１磁電変換素子２１と第２磁電変換素子２２とは、中心線ＣＬを介して対称配置され、第１磁電変換素子２１と磁界発生部１０との最短隣接距離、および、第２磁電変換素子２２と磁界発生部１０との最短隣接距離それぞれが等しくなっている。以上により、回転体２００の回転方向において上流側に位置する対向空間に設けられた磁電変換素子２１，２２の一方を透過する、歯２１０の回転に応じたバイアス磁界の変動は、回転体２００が上流側の対向面を通り過ぎる程度に回転した後において、下流側に位置する対向空間に設けられた磁電変換素子２１，２２の他方を透過するバイアス磁界の変動と等しくなっている。
【００２２】
図１および図２に実線矢印と破線矢印で示すように、回転体２００は２方向に回転する。すなわち回転体２００は回転軸ＲＡを回転中心としてその周方向に反時計回り（正転）、若しくは、時計回り（逆転）に回転する。磁電変換素子２１，２２は周方向（回転方向）に並んで配置されているので、磁電変換素子２１，２２の一方は、磁電変換素子２１，２２の他方よりも回転体２００の回転方向の上流側に配置されることになる。詳しく言えば、回転体２００が正転している場合、第１磁電変換素子２１は第２磁電変換素子２２よりも上流側に配置されることになる。これとは反対に、回転体２００が逆転している場合、第２磁電変換素子２２は第１磁電変換素子２１よりも上流側に配置されることになる。
【００２３】
図２に示すように、第１磁電変換素子２１と第２磁電変換素子２２の隣接間隔は、回転体２００に形成された複数の歯２１０の隣接間隔よりも広くなっている。詳しく言えば、第１磁電変換素子２１と第２磁電変換素子２２の隣接間隔は、欠け歯を挟んだ２つの歯２１０の隣接間隔よりも広くなっている。したがって、上流側に位置する磁電変換素子２１，２２の一方から、任意の歯２１０若しくは欠け歯に対応する検出信号が出力された際、下流側に位置する磁電変換素子２１，２２の他方からは、磁電変換素子２１，２２の一方から出力された検出信号に対応する歯２１０若しくは欠け歯とは異なる歯２１０若しくは欠け歯に対応する検出信号が出力される。より簡単に言うと、第１磁電変換素子２１と第２磁電変換素子２２の隣接間隔に相当する分だけ回転体２００が回転すると、下流側に位置する磁電変換素子２１，２２の他方から、上流側に位置する磁電変換素子２１，２２の一方から出力された検出信号と同一の検出信号が出力される。このように、上流側に位置する磁電変換素子２１，２２の検出信号と、下流側に位置する磁電変換素子２１，２２の検出信号とは、回転体２００が第１磁電変換素子２１と第２磁電変換素子２２の隣接間隔に相当する分だけ回転する時間分、位相が遅れている。そしてその位相遅れは、回転体２００が欠け歯を挟んだ２つの歯２１０の隣接間隔よりも広い距離だけ回転する時間（以下、位相遅れ時間と示す）に相当する。
【００２４】
処理部３０は、上流側に位置する磁電変換素子２１，２２の一方の検出信号に基づいて、下流側に位置する磁電変換素子２１，２２の他方の検出信号のピークとボトムの中間値を算出する。そしてその算出した中間値に基づいて、下流側に位置する磁電変換素子２１，２２の他方の検出信号を２値化する。詳しく言えば、処理部３０は、上記した中間値を逐次算出し、その逐次算出した中間値に基づいて、下流側に位置する磁電変換素子２１，２２の他方の検出信号を２値化する。
【００２５】
図３に示すように、回転体２００が正転している場合、第１磁電変換素子２１が上流側に位置し、第２磁電変換素子２２が下流側に位置する。したがって処理部３０は、第１磁電変換素子２１の検出信号に基づいて中間値を逐次算出し、その算出した中間値に基づいて第２磁電変換素子２２の検出信号を２値化する。処理部３０は、例えば図３に丸○で示す第１磁電変換素子２１の検出信号のピークとボトムとに基づいて中間値を算出する。そして、この算出した中間値に基づいて、位相遅れ時間後における第２磁電変換素子２２の検出信号を２値化する。この丸○は回転体２００の歯に対応する値であり、図３にひし形◇で示す第１磁電変換素子２１の検出信号のピークとボトムとに基づいて算出される中間値と同一の値を有する。しかしながら、欠け歯が磁電変換素子２１，２２の前を回転する際、磁電変換素子２１，２２それぞれを透過するバイアス磁束が変化し、ピークとボトムそれぞれの値も変動する。そこで上記したように処理部３０は中間値を逐次算出し、その逐次算出した中間値でもって２値化を行う。処理部３０は、図３に三角△で示す第１磁電変換素子２１の検出信号のピークとボトムとに基づいて中間値を算出し、この算出した中間値に基づいて、位相遅れ時間後における第２磁電変換素子２２の検出信号を２値化する。この三角△は回転体２００の欠け歯に対応する値であり、図３に示す他の如何なる第１磁電変換素子２１の検出信号のピークやボトムと異なる。同様にして処理部３０は、図３に四角□で示す第１磁電変換素子２１の検出信号のピークとボトムとに基づいて中間値を算出し、この算出した中間値に基づいて、第２磁電変換素子２２の検出信号を２値化する。この四角□も回転体２００の欠け歯に対応する値であり、図３に示す他の如何なる第１磁電変換素子２１の検出信号のピークやボトムと異なる。以上、示したように、処理部３０は、歯２１０や欠け歯の回転に応じた第１磁電変換素子２１の検出信号のピークとボトムそれぞれに基づいて中間値を算出し、その算出した中間値でもって、位相遅れ時間後における、歯２１０や欠け歯の回転に応じた第２磁電変換素子２２の検出信号を２値化する。
【００２６】
なお、処理部３０は、磁電変換素子２１，２２の少なくとも一方の検出信号に基づいて、回転体２００が正転しているのか逆転しているのかを判定する。そして処理部３０は回転方向において上流側に位置する磁電変換素子２１，２２の一方の検出信号に基づいて、下流側に位置する磁電変換素子２１，２２の他方の検出信号を２値化する。詳しく言えば、図３に示す状態とは異なり、回転体２００が逆転している場合、第２磁電変換素子２２が上流側に位置し、第１磁電変換素子２１が下流側に位置する。したがって処理部３０は、第２磁電変換素子２２の検出信号に基づいて中間値を逐次算出し、その算出した中間値に基づいて第１磁電変換素子２１の検出信号を２値化する。
【００２７】
次に、本実施形態に係る回転センサ１００の作用効果を説明する。上記したように、上流側に位置する磁電変換素子２１，２２の一方の検出信号に基づいて、下流側に位置する磁電変換素子２１，２２の他方の検出信号のピークとボトムの中間値を算出し、その算出した中間値に基づいて、下流側に位置する磁電変換素子２１，２２の他方の検出信号を２値化する。したがって、単に回転体に周期的に並んで形成された複数の歯に応じた検出信号のピークとボトムの中間値に基づいて、回転体の欠け歯に応じた検出信号を２値化する構成と比べて、２値化の精度が低下することが抑制される。
【００２８】
処理部３０は、上流側に位置する磁電変換素子２１，２２の一方の検出信号に基づいて中間値を逐次算出し、その逐次算出した中間値に基づいて、下流側に位置する磁電変換素子２１，２２の他方の検出信号を２値化する。これによれば、最新の中間値に基づいて下流に位置する磁電変換素子２１，２２の他方の検出信号が２値化されるので、２値化の精度の低下が抑制される。
【００２９】
処理部３０は、回転体２００が正転しているのか逆転しているのかを判定し、回転方向において上流側に位置する磁電変換素子２１，２２の一方の検出信号に基づいて、下流側に位置する磁電変換素子２１，２２の他方の検出信号を２値化する。これによれば、回転体２００が正転している場合、逆転している場合いずれにおいても、上流側に位置する磁電変換素子２１，２２の一方の検出信号に基づいて中間値を算出し、その中間値に基づいて下流側に位置する磁電変換素子２１，２２の他方の検出信号を２値化することができる。
【００３０】
磁界発生部１０は環状を成し、内空間の中心を通る中心線ＣＬは回転体２００の回転軸ＲＡに直交しており、中心軸ＣＬは回転軸ＲＡから放射状に延びる放射方向に沿っている。これによれば、磁界発生部１０の開口端にて形成される磁界が、中心線ＣＬを介して対称と成る。したがって、磁電変換素子２１，２２それぞれを透過する磁束を等しくしたい場合、中心線ＣＬを介して２つの磁電変換素子２１，２２を配置すればよくなる。
【００３１】
第１磁電変換素子２１と第２磁電変換素子２２とは、中心線ＣＬを介して対称配置され、第１磁電変換素子２１と磁界発生部１０との最短隣接距離、および、第２磁電変換素子２２と磁界発生部１０との最短隣接距離それぞれが等しくなっている。これによれば、２つの磁電変換素子２１，２２それぞれを透過する磁束が等しくなり、２つの磁電変換素子２１，２２それぞれから出力される検出信号の電圧レベルが等しくなる。したがって、２つの磁電変換素子２１，２２それぞれから出力される検出信号の電圧レベルが異なる構成と比べて、下流側に位置する磁電変換素子２１，２２の他方の検出信号を高精度で２値化することができる。
【００３２】
以上、本発明の好ましい実施形態について説明したが、本発明は上記した実施形態になんら制限されることなく、本発明の主旨を逸脱しない範囲において、種々変形して実施することが可能である。
【００３３】
本実施形態では回転体２００がクランクシャフトである例を示した。しかしながら、回転体２００としては、磁性を有する材料から成り、回転軸ＲＡの周方向に回転するものであれば適宜採用することができる。
【００３４】
本実施形態では回転体２００に１つの欠け歯がある例を示した。しかしながら欠け歯の数としては上記例に限定されず、複数を採用することもできる。
【００３５】
本実施形態では、第１磁電変換素子２１と第２磁電変換素子２２とは、中心線ＣＬを介して対称配置され、第１磁電変換素子２１と磁界発生部１０との最短隣接距離、および、第２磁電変換素子２２と磁界発生部１０との最短隣接距離それぞれが等しくなっている例を示した。しかしながら図４に示すように、第１磁電変換素子２１と磁界発生部１０との最短隣接距離が、第２磁電変換素子２２と磁界発生部１０との最短隣接距離よりも短い構成を採用することもできる。この場合、回転体２００の回転によるバイアス磁界の変動を磁電変換素子２１，２２それぞれで等しく検出するべく、第１磁電変換素子２１は第２磁電変換素子２２よりも回転体２００から遠くに位置づけられる。これによれば、本実施形態と同様にして、２つの磁電変換素子２１，２２それぞれを透過する磁束が等しくなり、２つの磁電変換素子２１，２２それぞれから出力される検出信号の電圧レベルが等しくなる。したがって、２つの磁電変換素子２１，２２それぞれから出力される検出信号の電圧レベルが異なる構成と比べて、下流側に位置する磁電変換素子２１，２２の他方の検出信号を高精度で２値化することができる。
【符号の説明】
【００３６】
１０・・・磁界発生部
２０・・・磁電変換素子
３０・・・処理部
１００・・・回転センサ
２００・・・回転体
２１０・・・歯
【図１】
2015010892.tif 000003
【図２】
2015010892.tif 000004
【図３】
2015010892.tif 000005
【図４】
2015010892.tif 000006