(57)【要約】【課題】自動車用電子制御装置において、バックアップ電源の電圧低下によって揮発性メモリ（ＳＲＡＭ）の記憶内容に誤りが生じたか否かを検出する。【解決手段】電源電圧の低下に基づくシャットダウン処理において揮発性メモリのデータの誤り検出符号を演算して保存し、電源投入に基づく初期化処理において揮発性メモリのデータの誤り検出符号を再度演算する（S2002）。そして、シャットダウン処理で演算した誤り検出符号と初期化処理で演算した誤り検出符号とに不整合があれば、バックアップ電源の電圧低下によって揮発性メモリの記憶内容に誤りが生じたものとして揮発性メモリのデータを初期値に書き換える（S2003→S2006）。【選択図】図３
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
電圧供給により記憶内容を保持する揮発性メモリを備えた自動車用電子制御装置において、
電源電圧の所定の低下状態で前記揮発性メモリのデータの誤り検出符号を演算して保存し、
起動したときに前記揮発性メモリのデータの誤り検出符号を再度演算し電源電圧の所定の低下状態で演算した誤り検出符号と起動したときに演算した誤り検出符号とを比較する、自動車用電子制御装置。
【請求項２】
前記誤り検出符号に不整合があった場合に前記揮発性メモリのデータを所定値に書き換える、請求項１記載の自動車用電子制御装置。
【請求項３】
起動したときに前記誤り検出符号の比較及び前記揮発性メモリのデータについての誤り訂正処理を行う、請求項１又は２記載の自動車用電子制御装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電力供給により記憶内容を保持する揮発性メモリを備えた自動車用電子制御装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
特許文献１には、マイクロコンピュータが定期的に実施される処理毎にメモリ内のチェックサムを分割して実施し、処理負荷に応じてチェックサムの算出時に１度に加算するバイト数を変更する、自動車用電子制御装置が開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００１−２２７４０２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
自動車用電子制御装置においては、電気的負荷の急増や電源回路におけるターミナルの接触不良などによって電子制御装置に供給される電源電圧が一時的に低下する場合があり、特に、バッテリの残容量の低下状態や劣化状態では電圧低下が大きくなる。
そして、自動車用電子制御装置が、電圧供給により記憶内容を保持する揮発性メモリ（例えば、バッテリバックアップＳＲＡＭなど）を備える場合、揮発性メモリが記憶内容を保持できる規定電圧を電源電圧が下回ることで揮発性メモリが格納するデータに誤りが発生し、再起動されたときに揮発性メモリが格納する誤ったデータに基づき制御が行われてしまう可能性があった。
【０００５】
本発明は上記問題点に鑑みなされたものであり、電源電圧の低下によって揮発性メモリの記憶内容に誤りが生じたか否かを検出できる、自動車用電子制御装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
そのため、本願発明は、電圧供給により記憶内容を保持する揮発性メモリを備えた自動車用電子制御装置において、電源電圧の所定の低下状態で前記揮発性メモリのデータの誤り検出符号を演算して保存し、起動したときに前記揮発性メモリのデータの誤り検出符号を再度演算し電源電圧の所定の低下状態で演算した誤り検出符号と起動したときに演算した誤り検出符号とを比較するようにした。
【発明の効果】
【０００７】
上記発明によると、誤り検出符号を比較することで、電源電圧の低下によって揮発性メモリの記憶内容に誤りが生じたか否かを検出でき、誤ったデータに基づき制御が行われることを抑制できる。
【図面の簡単な説明】
【０００８】
【図１】本発明の実施形態における自動車用電子制御装置の構成を示すブロック図である。
【図２】本発明の実施形態における電源電圧低下時のシャットダウン処理を示すフローチャートである。
【図３】本発明の実施形態における電源投入時の初期化処理を示すフローチャートである。
【図４】本発明の実施形態におけるエンジンのクランキング状態での電源電圧の変化を例示するタイムチャートである。
【図５】本発明の実施形態における誤り検出符号の演算例を示す図である。
【図６】本発明の実施形態におけるＳＲＡＭのバックアップ領域の区割りを示す図である。
【発明を実施するための形態】
【０００９】
以下に本発明の実施の形態を説明する。
図１は、本発明に係る自動車用電子制御装置の一例を示す図である。
図１に示す自動車用電子制御装置１００は、自動車２００に搭載されるエンジン３００などの車載機器を制御する機能を有する。
【００１０】
電子制御装置１００はマイクロコンピュータ１１０を備え、マイクロコンピュータ１１０は、各種の制御プログラムを実行する処理装置であるＣＰＵ（Central Processing Unit）１１１、電力供給により記憶内容を保持する揮発性メモリであって制御データ，診断結果の履歴，学習値などのデータを記憶するＲＡＭ（Random Access Memory）１１２、制御プログラムや制御定数などを記憶する不揮発性メモリであるＲＯＭ（Read Only Memory）１１３を含んで構成される。
【００１１】
なお、ＲＡＭ１１２として、ＳＲＡＭ（Static Random Access Memory）やＤＲＡＭ（Dynamic Random Access Memory）などを用いることができるが、以下では、ＲＡＭ１１２としてＳＲＡＭを用いる例を説明する。また、ＲＯＭ１１３として、ＥＥＰＲＯＭ（Electrically Erasable Programmable Read-Only Memory）やマスクＲＯＭなどを用いることができる。
【００１２】
マイクロコンピュータ１１０には、電源であるバッテリ４００からの電力が電源回路５００を介して供給される。
本実施形態の電子制御装置１００は、ＳＲＡＭ１１２に格納される学習値などのデータを保存するために、シャットダウン状態においてもバッテリ４００の電力が電源回路５００を介しバックアップ電源としてＳＲＡＭ１１２に供給される。
【００１３】
電圧検出モジュール６００は、バッテリ４００の所定の電圧低下を検出してマイクロコンピュータ１１０に検出信号（割込信号）を出力することで、マイクロコンピュータ１１０においてシャットダウン処理を実行させる。
電子制御装置１００（マイクロコンピュータ１１０）は、各種センサの信号を入力し、演算処理によってエンジン３００などの車載機器の操作量を出力する。
【００１４】
電子制御装置１００は、前述した車載機器の制御機能と共に、電源電圧（バックアップ電源の電圧）の変動によってＳＲＡＭ１１２の記憶内容に誤りが発生しているか否かを診断する機能を有しており、以下では係る診断機能を詳述する。
バッテリ４００は、電子制御装置１００の電源として用いられる他、各種車載機器の動作電源として用いられ、例えばエンジン３００を始動させるスタータモータ３０１の電源として用いられる。
【００１５】
スタータモータ３０１の消費電力は大きく、エンジン３００を始動させるためにスタータモータ３０１がオンされるとバッテリ４００の電圧が低下する。そして、係るバッテリ４００の電圧低下に伴ってＳＲＡＭ１１２のバックアップ電圧が規定電圧を下回るようになると、ＳＲＡＭ１１２が記憶内容を保持できなくなって記憶内容に誤りが生じる可能性がある。
そして、ＳＲＡＭ１１２の記憶内容に誤りが生じている状態で、ＳＲＡＭ１１２の記憶内容（学習値など）に基づいてエンジン３００が制御されると、エンジン３００の制御性が損なわれることになる。
【００１６】
そこで、電子制御装置１００は、バッテリ４００の電圧低下に伴ってＳＲＡＭ１１２の記憶内容に誤りが発生したか否かを診断し、ＳＲＡＭ１１２の記憶内容に誤りが発生していると診断すると、ＳＲＡＭ１１２の記憶内容を所定値に書き換え、誤った記憶内容に基づく制御の実施を抑制する。
【００１７】
電子制御装置１００は、ＳＲＡＭ１１２の診断を以下のようにして行う。
電子制御装置１００は、電源電圧（バッテリ電圧）が所定の低下を示したときのシャットダウン処理において、ＳＲＡＭ１１２のバックアップ領域のデータについて誤り検出符号を演算して保存する。
その後、電源電圧（バッテリ電圧）が復帰して電子制御装置１００が再起動すると、電子制御装置１００は、起動時の初期化処理においてＳＲＡＭ１１２のバックアップ領域のデータについて誤り検出符号を再度演算する。
【００１８】
そして、電子制御装置１００は、シャットダウン前後の誤り検出符号を比較することで、ＳＲＡＭ１１２のバックアップ領域のデータに電源電圧（バックアップ電圧）の低下に伴う誤りが発生しているか否かを判定し、誤りが発生している場合にはＳＲＡＭ１１２のバックアップ領域のデータを初期値（例えば、ＲＯＭ１０３上のデータ）に書き換えるメモリ初期化処理を行う。
【００１９】
以下に、電子制御装置１００によるＳＲＡＭ１１２の診断処理の一例を、図２及び図３のフローチャートに従って説明する。
図２のフローチャートに示すルーチンは、電圧検出モジュール６００が検出信号を出力することで、マイクロコンピュータ１１０にて割り込み実行されるシャットダウン処理を示す。
【００２０】
つまり、バッテリ４００の電圧ＶＢが所定電圧ＶＴＨにまで低下すると、電圧検出モジュール６００は、電圧低下に伴うシャットダウン処理を行わせるための信号（電圧低下検出信号、割り込み指令信号）をマイクロコンピュータ１１０に出力する。
そして、電圧検出モジュール６００からの信号を受信したマイクロコンピュータ１１０は、図２のフローチャートに示すルーチンのステップＳ１００１にて割り込みによりシャットダウン処理を開始する。
【００２１】
尚、所定電圧ＶＴＨは、バッテリ４００の標準電圧よりも低く、かつ、マイクロコンピュータ１１０が必要とする電源電圧を維持できる（ＳＲＡＭ１１２が記憶内容を保持できる）電圧として設定される。
例えば、バッテリ４００がエンジン３００を始動させるスタータモータ３０１の電源として用いられる場合、スタータモータ３０１がオンされてエンジン３０３のクランキングが行われるときにバッテリ４００の電圧ＶＢが低下する。
このとき、バッテリ４００の電圧ＶＢが所定電圧ＶＴＨにまで低下すると、マイクロコンピュータ１１０は、ステップＳ１００１で割り込みによりシャットダウン処理を開始する。
【００２２】
図４は、エンジン３００のクランキング状態でのマイクロコンピュータ１１０の電源電圧の特性を例示するタイムチャートであり、時刻ｔ１にてクランキングが開始された後、時刻ｔ２にて電源電圧が閾値にまで低下することで、図２のフローチャートに示すルーチン（シャットダウン処理）の割り込み指令が電圧検出モジュール６００から出力される。
クランキング状態での電源電圧の低下はエンジン３００が始動することで解消され、図４に示す例では、時刻ｔ３にて電源電圧が閾値を上回る電圧に復帰する。
【００２３】
マイクロコンピュータ１１０は、ステップＳ１００１でシャットダウン処理を開始すると、次のステップＳ１００２で、ＳＲＡＭ１１２のデータ格納領域に格納されているデータ（記憶内容）について誤り検出符号の演算を行い、演算した誤り検出符号をＳＲＡＭ１１２の誤り検出符号保存領域に格納する。
マイクロコンピュータ１１０は、誤り検出符号として例えばチェックサム及びパリティを演算する。
【００２４】
図５は、誤り検出符号の演算処理の一例を示し、ＳＲＡＭ１１２のデータ格納領域をＮ列×Ｍ行としたときに、マイクロコンピュータ１１０は、各列それぞれについてデータの総計の所定ビット及び各行それぞれについてのデータの総計の所定ビットをチェックサムSUM_RETU[1]〜SUM_RETU[N]、SUM_GYOU [1]〜SUM_GYOU [M]として算出する。
更に、マイクロコンピュータ１１０は、Ｎ列毎に演算したＮ個のチェックサム、及び、Ｍ行毎に演算したＭ個のチェックサムの総計の所定ビットを全体のチェックサムSUM_ALLとして算出する。
【００２５】
また、マイクロコンピュータ１１０は、各列それぞれについて各列に含まれる全データ（２進数）における１の数が偶数であるか否かを示すパリティ（パリティビット）PTY_RETU[1]〜PTY_RETU[N]、及び、各行それぞれについて各行に含まれる全データ（２進数）における１の数が偶数であるか否かを示すパリティ（パリティビット）PTY_GYOU[1]〜PTY_GYOU [M]を演算する。
更に、マイクロコンピュータ１１０は、Ｎ列毎に演算したＮ個のパリティ及びＭ行毎に演算したＭ個のパリティの全体における１の数が偶数であるか否かを示すパリティ（パリティビット）を全体のパリティPTY_ALLとして演算する。
【００２６】
ＳＲＡＭ１１２のバックアップ領域には、図６に示すように、制御データ、診断結果の履歴、学習値などのデータを格納するデータ領域と、チェックサム，パリティなどの誤り検出符号を格納する誤り検出符号格納領域とが設定されている。
そして、マイクロコンピュータ１１０は、シャットダウン処理において演算したチェックサム，パリティをＳＲＡＭ１１２の誤り検出符号格納領域に格納する。
【００２７】
尚、図５に示した一例では、マイクロコンピュータ１１０は、各列及び各行についてチェックサム及びパリティを演算し、更に、各列及び各行について求めたチェックサム及びパリティの全体をデータ列としてチェックサム及びパリティを演算するが、係る構成に限定されるものではない。
例えば、マイクロコンピュータ１１０は、各列及び各行についてチェックサム及びパリティを演算し、全体のチェックサム，パリティの演算を省略することができる。
【００２８】
また、マイクロコンピュータ１１０は、チェックサムとパリティとのいずれか一方を演算することができ、更に、垂直方向と水平方向と（行列）のいずれか一方についてチェックサムとパリティとの少なくとも一方を演算することができる。
また、マイクロコンピュータ１１０は、パリティを、０の数の奇遇を示す値として演算することができる。
更に、マイクロコンピュータ１１０は、チェックサムとして、例えば巡回冗長検査（Cyclic Redundancy Check：CRC）値を算出することができ、誤り検出符号として公知の種々の符号を用いることができる。
【００２９】
上記の誤り検出符号の演算の他、マイクロコンピュータ１１０は、出力リセットやデータ保存などのシャットダウン処理を行った後、ステップＳ１００３にて停止状態（シャットダウン状態）に移行する。
図３のフローチャートに示すルーチンは、電源投入されてマイクロコンピュータ１１０が起動したときの初期化処理を示す。
【００３０】
電源低下に伴うシャットダウンからバッテリ電圧ＶＢが復帰するなどして、ステップＳ２００１にてマイクロコンピュータ１１０に電源が投入されると、起動したマイクロコンピュータ１１０は初期化処理を開始する。
まず、ステップＳ２００２で、マイクロコンピュータ１１０は、シャットダウン処理における誤り検出符号（チェックサム，パリティ）の演算と同様に、起動状態でＳＲＡＭ１１２に格納されているデータについて誤り検出符号（チェックサム，パリティ）を演算する。
【００３１】
つまり、マイクロコンピュータ１１０は、電源電圧の低下に伴うシャットダウン処理でＳＲＡＭ１１２のデータについて誤り検出符号（チェックサム，パリティ）を演算し、更に、電源電圧の復帰によって再起動したときの初期化処理においてもＳＲＡＭ１１２のデータについて誤り検出符号（チェックサム，パリティ）を演算する。
そして、マイクロコンピュータ１１０は、ステップＳ２００３にて、シャットダウン処理で演算しＳＲＡＭ１１２の誤り検出符号格納領域に格納しておいたチェックサム，パリティと、起動状態での初期化処理としてステップＳ２００２にて演算したチェックサム，パリティとを照合する。
【００３２】
つまり、電源電圧の低下に伴ってマイクロコンピュータ１１０がシャットダウンしても、ＳＲＡＭ１１２が記憶内容を保持する電源電圧が確保されていれば、ＳＲＡＭ１１２の記憶内容の変化はなく、シャットダウン前後での誤り検出符号（チェックサム，パリティ）は一致することになる。
一方、マイクロコンピュータ１１０がシャットダウンした後に更に電源電圧が低下し、ＳＲＡＭ１１２が記憶内容（データ及び誤り検出符号）を保持できる電源電圧を維持できなくなると、ＳＲＡＭ１１２の記憶内容（データ及び／又は誤り検出符号）が変化し、これに伴ってシャットダウン前とは異なる誤り検出符号（チェックサム，パリティ）が再起動状態で算出されることになる。
【００３３】
従って、シャットダウン処理で演算されたチェックサム，パリティと、起動状態での初期化処理で演算されたチェックサム、パリティとを照合したときに、一致しないチェックサム，パリティがある場合には、ＳＲＡＭ１１２の記憶内容に誤りが発生している（ＳＲＡＭ１１２の記憶内容が電圧低下に伴って変わっている）ことになる。
そこで、マイクロコンピュータ１１０は、シャットダウン処理で演算したチェックサム，パリティと初期化処理で演算したチェックサム，パリティとの不一致（不整合）を検出すると、ステップＳ２００６にて、ＳＲＡＭ１１２の記憶内容をＲＯＭ１１３などに格納しておいた初期値に書き換えるメモリ初期化処理を実施することで、ＳＲＡＭ１１２上の誤ったデータに基づき制御を行うことを抑制する。
【００３４】
なお、マイクロコンピュータ１１０は、ＳＲＡＭ１１２の記憶内容を、書き換え可能な不揮発性メモリ（ＥＥＰＲＯＭなど）にコピーしておき、ＳＲＡＭ１１２の記憶内容に誤りがあることを検出したときに、この不揮発性メモリの記憶内容に基づきＳＲＡＭ１１２の記憶内容を元の状態に戻す書き換えを行うことができる。
【００３５】
一方、マイクロコンピュータ１１０は、ステップＳ２００３にて、シャットダウン前後のチェックサム，パリティが一致している（整合している）ことを検出すると、ステップＳ２００４にて、ＳＲＡＭ１１２の記憶内容の誤り訂正処理を行う。
マイクロコンピュータ１１０は、誤り訂正処理のためにＳＲＡＭ１１２にデータを書き込むときにデータと共に誤り訂正符号ＥＣＣ（Error Correcting Code）をＳＲＡＭ１１２に書き込む。
そして、ステップＳ２００４でマイクロコンピュータ１１０は、ＳＲＡＭ１１２からデータと共に誤り訂正符号ＥＣＣを読み出して、ＳＲＡＭ１１２から読み出したデータの誤り訂正を行う。
【００３６】
ステップＳ２００５でマイクロコンピュータ１１０は、誤り訂正処理で訂正不能な誤りを検出したか否かを判別する。
そして、マイクロコンピュータ１１０は、誤り訂正処理で訂正不能な誤りがあった場合、ステップＳ２００６にて、ＳＲＡＭ１１２の記憶内容を初期値（又は、不揮発性メモリに保存された元データ）に書き換える処理を行う。
【００３７】
つまり、ＳＲＡＭ１１２の記憶内容に誤り訂正処理で訂正不能な誤りが発生している場合には、マイクロコンピュータ１１０がシャットダウンした後に更に電源電圧が低下し、ＳＲＡＭ１１２が記憶内容を保持できる電源電圧を維持できなくなったために、ＳＲＡＭ１１２の記憶内容（データ）が変化している可能性があるので、データ書き換えを行うことでＳＲＡＭ１１２上の誤ったデータに基づき制御を行うことを抑制する。
【００３８】
一方、マイクロコンピュータ１１０は、シャットダウン前後のチェックサム，パリティが一致していて、かつ、誤り訂正処理で訂正不能な誤りを検出しなかった場合に、電源電圧の低下に伴うデータの誤りは発生していないものとして、ステップＳ２００７にてＳＲＡＭ１１２上のデータをそのまま保持させる設定を行う。
そして、マイクロコンピュータ１１０は、ステップＳ２００６におけるＳＲＡＭ１１２のデータの書き換え処理、又は、ステップＳ２００７におけるＳＲＡＭ１１２上データの保持設定を行った後、ステップＳ２００８にて他の初期化処理を実施する。
【００３９】
上記のＳＲＡＭ１１２の診断処理を実施することで、電源電圧の低下によってＳＲＡＭ１１２の記憶内容に誤りが生じても、マイクロコンピュータ１１０が誤ったデータに基づいて制御を行うことを抑制できる。
例えば、電子制御装置１００（マイクロコンピュータ１１０）がエンジン３００を制御する場合であってＳＲＡＭ１１２に診断履歴の情報や学習値を格納させる場合、電源電圧の低下に伴ってＳＲＡＭ１１２上の診断履歴の情報や学習値に誤りが生じたときに、この誤ったデータを用いて電子制御装置１００（マイクロコンピュータ１１０）がエンジン制御を実行することで、エンジン３００の運転性の悪化を招く可能性がある。
これに対し、ＳＲＡＭ１１２の診断処理を実施すれば、少なくともＳＲＡＭ１１２上の誤ったデータはエンジン３００の制御に用いられないので、エンジン３００の運転性の低下を抑制できる。
【００４０】
上記実施形態で説明した各技術的思想は、矛盾が生じない限りにおいて、適宜組み合わせて使用することができる。
また、好ましい実施形態を参照して本発明の内容を具体的に説明したが、本発明の基本的技術思想及び教示に基づいて、当業者であれば、種々の変形態様を採り得ることは自明である。
【００４１】
マイクロコンピュータ１１０は、誤り検出符号の不一致を検出したときに、誤り検出符号が不一致となったデータ格納領域の行又は列に限定して初期値への書き換えを行うことができ、同様に、誤り訂正処理で訂正できない誤りを検出したデータについてのみ初期値への書き換えを行うことができる。
また、電圧低下によるシャットダウン処理及び起動状態での初期化処理での誤り検出符号の演算は、ＳＲＡＭ１１２上のデータのうちの一部について限定的に行わせることができ、誤り検出符号の演算対象とするデータは、エンジン３００の制御に対する影響度などによる優先順位などによって決定することができる。
【００４２】
また、起動状態での初期化処理における誤り訂正処理を省略することができる。
また、電源回路５００の出力電圧の低下を検出したときに、マイクロコンピュータ１１０に対してシャットダウン処理の割り込み指令を出力する構成とすることができる。
【００４３】
ここで、上記実施形態から把握し得る請求項以外の技術的思想について、以下に効果と共に記載する。
（イ）誤り検出符号として、チェックサムとパリティとの少なくとも一方を演算する、請求項１から３のいずれか１つに記載の自動車用電子制御装置。
上記発明によると、電源電圧の低下前後で、チェックサムとパリティとの少なくとも一方を演算して比較することで、揮発性メモリの記憶内容に誤りが発生したか否かを検出する。
【００４４】
（ロ）前記誤り検出符号に不整合があった場合に前記揮発性メモリのデータを初期値に書き換える、請求項２記載の自動車用電子制御装置。
上記発明によると、電源電圧の低下前後で誤り検出符号に不整合があった場合には揮発性メモリのデータに誤りが発生している可能性があるので、データを初期値に書き換えて誤ったデータが制御に用いられることを抑制する。
【００４５】
（ハ）前記揮発性メモリの記憶内容を不揮発性メモリにコピーしておき、前記誤り検出符号に不整合があった場合に前記揮発性メモリのデータを前記不揮発性メモリ上のコピーデータに書き換える、請求項２記載の自動車用電子制御装置。
上記発明によると、電源電圧の低下前後で誤り検出符号に不整合があった場合には揮発性メモリのデータに誤りが発生している可能性があるので、揮発性メモリのデータを、予め不揮発性メモリにコピーしておいたデータに書き換えることで、誤りが発生する前の状態に復帰させる。これにより、電源電圧が、揮発性メモリが記憶内容を保持できる電圧よりも低くなっても、電圧復帰後に電圧低下前と同様な制御性を維持できる。
【００４６】
（ニ）前記誤り検出符号に不整合があった場合に前記揮発性メモリのデータを所定値に書き換え、かつ、前記誤り訂正処理で誤りの訂正が不能な誤りがあった場合に前記揮発性メモリのデータを所定値に書き換える、請求項３記載の自動車用電子制御装置。
上記発明によると、電源電圧の低下前後での誤り検出符号が整合している場合であっても、誤り訂正処理で誤り訂正が不能な誤りがあると、電源電圧の低下によって揮発性メモリの記憶内容に誤りが生じたものとして、揮発性メモリのデータの書き換えを行い、誤ったデータが制御に用いられることを抑制する。
【００４７】
（ホ）
電圧供給により記憶内容を保持する揮発性メモリを備えた自動車用電子制御装置であって、
電源電圧の低下に基づくシャットダウン処理において前記揮発性メモリのデータの誤り検出符号を演算して保存し、
電源投入に基づく初期化処理において前記揮発性メモリのデータの誤り検出符号を再度演算し前記シャットダウン処理で演算した誤り検出符号と前記初期化処理で演算した誤り検出符号とに不整合があれば前記揮発性メモリのデータを所定値に書き換える、自動車用電子制御装置。
上記発明によると、電源電圧の低下に基づくシャットダウン処理において誤り検出符号を演算しておき、次回電源投入されたときの初期化処理において再度誤り検出符号を演算して両誤り検出符号を比較し、誤り検出符号に不整合があれば、電源電圧の低下によって揮発性メモリの記憶内容に誤りが発生していると見做して、揮発性メモリのデータを所定値に書き換え、誤ったデータが制御に用いられることを抑制する。
【符号の説明】
【００４８】
１００…自動車用電子制御装置、１１０…マイクロコンピュータ、１１１…ＣＰＵ、１１２…ＳＲＡＭ（揮発性メモリ）、１１３…ＲＯＭ（不揮発性メモリ）、２００…自動車、３００…エンジン、３０１…スタータモータ、４００…バッテリ（電源）、５００…電源回路、６００…電圧検出モジュール
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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