(57)【要約】      （修正有）【課題】異常なウェハが生成される原因の特定を支援するＣＭＰ分析装置を提供する。【解決手段】ＣＭＰ分析装置１０は、ＣＭＰ装置２０に接続され、ＣＭＰ装置２０から運転状況に関する複数の変数のデータ、及び、ウェハの研磨プロファイルに関する複数の変数のデータを取得するデータ取得部１１と、研磨プロファイルに関する複数の変数の中から選択された目的変数に対する相関の高さが所定の閾値以上である変数を運転状況に関する変数の中から求め、求めた変数を目的変数の説明変数とする演算制御部１２と、演算制御部１２にて求めた説明変数を出力する出力部１４とを備え、演算制御部１２は、研磨により正常なウェハが生成されたときと異常なウェハが生成されたときのデータに基づいて、説明変数を求める。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
ＣＭＰ装置に接続され、前記ＣＭＰ装置から運転状況に関する複数の変数のデータ、及び、ウェハの研磨プロファイルに関する複数の変数のデータを取得するデータ取得部と、
前記研磨プロファイルに関する複数の変数の中から選択された目的変数に対する相関の高さが所定の閾値以上である変数を前記運転状況に関する変数の中から求め、求めた変数を前記目的変数の説明変数とする演算制御部と、
前記演算制御部にて求めた説明変数を出力する出力部と、
を備え、
前記演算制御部は、研磨により正常なウェハが生成されたときと異常なウェハが生成されたときのデータに基づいて、前記説明変数を求めるＣＭＰ分析装置。
【請求項２】
前記演算制御部は、前記データ取得部にて取得した目的変数のデータに基づき、前記ＣＭＰ装置に異常が発生したか否かを判定し、異常が発生していないときには前記説明変数のデータを記憶手段に記憶し、前記ＣＭＰ装置に異常が発生したときには、異常発生時に取得した説明変数のデータと前記記憶手段に記憶された説明変数のデータとを比較し、所定の閾値より大きい差分が生じている説明変数を求め、
前記出力部は、前記演算制御部にて求めた説明変数を出力する請求項１に記載のＣＭＰ分析装置。
【請求項３】
前記目的変数の所望の値を設定する目的変数設定部を備え、
前記演算制御部は、前記説明変数をパラメータとする前記目的変数の関数を求め、前記関数に基づいて、前記目的変数を前記所望の値にするための説明変数の値を求め、
前記出力部は、前記所望の値に対応する説明変数の値を出力する請求項１又は２に記載のＣＭＰ分析装置。
【請求項４】
前記演算制御部は、運転状況に関するデータの中で、正常なウェハを生成したときと異常なウェハを生成したときの変化量が所定の閾値以上のデータを前記説明変数の候補として絞り込む請求項１乃至３のいずれかに記載のＣＭＰ分析装置。
【請求項５】
前記目的変数は、研磨レート、面内均一性、及び、連続安定性の少なくとも一つである請求項１乃至４のいずれかに記載のＣＭＰ分析装置。
【請求項６】
請求項１乃至５のいずれかに記載のＣＭＰ分析装置を備えたＣＭＰ装置。
【請求項７】
ＣＭＰ装置に接続されたＣＭＰ分析装置によってＣＭＰの運転状況の分析を行う方法であって、
前記ＣＭＰ分析装置が、前記ＣＭＰ装置から運転状況に関する複数の変数のデータ、及び、ウェハの研磨プロファイルに関する複数の変数のデータを取得するステップと、
前記ＣＭＰ分析装置が、前記研磨プロファイルに関する複数の変数の中から選択された目的変数に対する相関の高さが所定の閾値以上である変数を前記運転状況に関する変数の中から求め、求めた変数を前記目的変数の説明変数とするステップであって、研磨により正常なウェハが生成されたときと異常なウェハが生成されたときのデータに基づいて前記説明変数を求めるステップと、
前記ＣＭＰ分析装置が、前記演算制御部にて求めた説明変数を出力するステップと、
を備えるＣＭＰ分析方法。
【請求項８】
ＣＭＰ装置に接続されたＣＭＰ分析装置によってＣＭＰの運転状況の分析を行うためのプログラムであって、前記プログラムは、
前記ＣＭＰ装置から運転状況に関する複数の変数のデータ、及び、ウェハの研磨プロファイルに関する複数の変数のデータを取得するステップと、
前記研磨プロファイルに関する複数の変数の中から選択された目的変数に対する相関の高さが所定の閾値以上である変数を前記運転状況に関する変数の中から求め、求めた変数を前記目的変数の説明変数とするステップであって、研磨により正常なウェハが生成されたときと異常なウェハが生成されたときのデータに基づいて前記説明変数を求めるステップと、
前記演算制御部にて求めた説明変数を出力するステップと、
を実行するプログラム。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ＣＭＰ装置の運転状況及びウェハの研磨状況を分析する装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来から、半導体ウェハを研磨するＣＭＰ（Chemical Mechanical Polishing）装置から運転状況等のデータを取得し、当該データを分析してＣＭＰ装置の運転状況の分析を行うことが知られていた。
【０００３】
ＣＭＰ装置から取得するデータは、研磨工程だけでも数百以上のデータがあり、データの解析には、高いスキルが要求される。また、ＣＭＰ装置においてトラブルが起こったときのトラブルシューティングの手法についても確立された方法は存在していない。したがって、個々人の経験値等によりデータの見方が異なり、チェックするデータ（例えば、ハード起因なのか、消耗品起因なのか等）の優先順位が異なるのが実情であった。
【０００４】
特許文献１は、製品の品質変動と相関の強い装置エンジニアリングデータ（Equipment Engineering System Data：ＥＥＳデータ）の代表値を出力する装置エンジニアリングデータ特徴量抽出方法の発明を開示している。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２０１２−７９７５５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
特許文献１に記載された発明では、品質変動と相関の強い装置エンジニアリングデータを出力することができるが、出力された装置エンジニアリングデータを解析してトラブルシューティングを行うには、やはり一定のスキルが要求される。
【０００７】
そこで、本発明は、上記背景に鑑み、異常なウェハが生成される原因の特定を支援するＣＭＰ分析装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明のＣＭＰ分析装置は、ＣＭＰ装置に接続され、前記ＣＭＰ装置から運転状況に関する複数の変数のデータ、及び、ウェハの研磨プロファイルに関する複数の変数のデータを取得するデータ取得部と、前記研磨プロファイルに関する複数の変数の中から選択された目的変数に対する相関の高さが所定の閾値以上である変数を前記運転状況に関する変数の中から求め、求めた変数を前記目的変数の説明変数とする演算制御部と、前記演算制御部にて求めた説明変数を出力する出力部とを備え、前記演算制御部は、研磨により正常なウェハが生成されたときと異常なウェハが生成されたときのデータに基づいて、前記説明変数を求める。ここで、前記目的変数は、研磨レート、面内均一性、及び、連続安定性の少なくとも一つであってもよい。
【０００９】
本発明によれば、研磨プロファイルに関する複数の変数の中から選択された目的変数に対して高い相関を有する説明変数を、正常なウェハと異常なウェハが生成されたときのデータに基づいて求める。このようにして求めた説明変数は、異常なウェハが生成されたときの原因を示している可能性が高く、この説明変数を把握することで異常なウェハが生成された原因究明を容易にすることができる。なお、運転状況に関するデータには、ＥＥＳデータや、消耗品の使用時間を示すデータ等が含まれる。
【００１０】
本発明のＣＭＰ分析装置において、前記演算制御部は、前記データ取得部にて取得した目的変数のデータに基づき、前記ＣＭＰ装置に異常が発生したか否かを判定し、異常が発生していないときには前記説明変数のデータを記憶手段に記憶し、前記ＣＭＰ装置に異常が発生したときには、異常発生時に取得した説明変数のデータと前記記憶手段に記憶された説明変数のデータとを比較し、所定の閾値より大きい差分が生じている説明変数を求め、前記出力部は、前記演算制御部にて求めた説明変数を出力してもよい。
【００１１】
このように正常時に取得して記憶された説明変数のデータと異常発生時の説明変数のデータとを比較することにより、複数の説明変数の中から異常の原因を示していると考えられる説明変数を絞り込むことができる。
【００１２】
本発明のＣＭＰ分析装置は、前記目的変数の所望の値を設定する目的変数設定部を備え、前記演算制御部は、前記説明変数をパラメータとする前記目的変数の関数を求め、前記関数に基づいて、前記目的変数を前記所望の値にするための説明変数の値を求め、前記出力部は、前記所望の値に対応する説明変数の値を出力してもよい。
【００１３】
このように目的変数の所望の値に対応する説明変数の値を出力することで、所望の研磨プロファイルを得るためのＣＭＰ装置の設定等を提案して、プロセスの開発を支援することができる。
【００１４】
本発明のＣＭＰ分析装置において、前記演算制御部は、運転状況に関するデータの中で、正常なウェハを生成したときと異常なウェハを生成したときの変化量が所定の閾値以上のデータを前記説明変数の候補として絞り込んでもよい。
【００１５】
正常なウェハを生成したときと異常なウェハを生成したときの変化量が小さいデータは、ウェハの品質に関係のないデータであると解釈できる。本発明によれば、変化量の小さいデータを除外することで説明変数の候補を絞り込み、説明変数を求めるための計算負荷を軽減できる。
【００１６】
本発明のＣＭＰ装置は、上記ＣＭＰ分析装置を備えた構成を有する。ＣＭＰ分析装置を備えることにより、異常なウェハが生成されたときの原因究明及び新プロセスの開発を支援するＣＭＰ装置を提供できる。
【００１７】
本発明のＣＭＰ分析方法は、ＣＭＰ装置に接続されたＣＭＰ分析装置によってＣＭＰの運転状況の分析を行う方法であって、前記ＣＭＰ分析装置が、前記ＣＭＰ装置から運転状況に関する変数のデータ、及び、ウェハの研磨プロファイルに関する複数の変数のデータを取得するステップと、前記ＣＭＰ分析装置が、前記研磨プロファイルに関する複数の変数の中から選択された目的変数に対する相関の高さが所定の閾値以上である変数を前記運転状況に関する変数の中から求め、求めた変数を前記目的変数の説明変数とするステップであって、研磨により正常なウェハが生成されたときと異常なウェハが生成されたときのデータに基づいて前記説明変数を求めるステップと、前記ＣＭＰ分析装置が、前記演算制御部にて求めた説明変数を出力するステップとを備える。
【００１８】
本発明のプログラムは、ＣＭＰ装置に接続されたＣＭＰ分析装置によってＣＭＰの運転状況の分析を行うためのプログラムであって、前記プログラムは、前記ＣＭＰ装置から運転状況に関する変数のデータ、及び、ウェハの研磨プロファイルに関する複数の変数のデータを取得するステップと、前記研磨プロファイルに関する複数の変数の中から選択された目的変数に対する相関の高さが所定の閾値以上である変数を前記運転状況に関する変数の中から求め、求めた変数を前記目的変数の説明変数とするステップであって、研磨により正常なウェハが生成されたときと異常なウェハが生成されたときのデータに基づいて前記説明変数を求めるステップと、前記演算制御部にて求めた説明変数を出力するステップとを実行する。
【発明の効果】
【００１９】
本発明のＣＭＰ分析装置は、異常なウェハが生成されたときの原因究明及び新プロセスの開発を支援することができるという効果を有する。
【図面の簡単な説明】
【００２０】
【図１】本実施の形態のＣＭＰ分析装置の構成を示す図である。
【図２】ＣＭＰ装置から取得したデータと目的変数及び説明変数との関係を示す図である。
【図３】ＣＭＰ装置の例を示す図である。
【図４】ＣＭＰ分析装置によって説明変数を求める動作を示す図である。
【図５】ＣＭＰ分析装置によってＣＭＰ装置の異常の原因を提示する動作を示す図である。
【図６】ＣＭＰ分析装置によるプロセス開発支援の動作を示す図である。
【図７】研磨レートの一例を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００２１】
以下、本発明の実施の形態のＣＭＰ分析装置について説明する。
【００２２】
（第１の実施の形態）
図１は、本発明の実施の形態のＣＭＰ分析装置１０の構成を示す図である。ＣＭＰ分析装置１０はＣＭＰ装置２０に接続されており、ＣＭＰ装置２０から運転状況に関する変数のデータ、及び、研磨プロファイルに関する変数のデータを取得する。ここで、ＣＭＰ装置２０から取得するデータには、正常ウェハを生成したときのデータ、及び、異常ウェハを生成したときのデータが含まれている。また、正常ウェハを生成したときのデータか異常ウェハを生成したときのデータかを識別する情報も含まれていてもよい。
【００２３】
ＣＭＰ分析装置１０は、データ取得部１１と、演算制御部１２と、入力部１３と、出力部１４と、記憶部１５とを備えている。データ取得部１１は、ＣＭＰ装置２０から運転状況に関するデータ、及び、研磨プロファイルに関するデータを取得する機能を有する。データ取得部１１は、取得したデータを記憶部１５に記憶する。
【００２４】
研磨プロファイルに関するデータのうちの所定のデータが、ウェハが正常であるかどうかを判断するための目的変数として選ばれている。目的変数は、ユーザが設定してもよいし、ＣＭＰ分析装置１０が自動で設定することとしてもよい。ＣＭＰ分析装置１０が目的変数を設定する場合には、例えば、ウェハが正常か異常かをユーザが設定し、正常なウェハと異常なウェハとで顕著に値が異なる変数をＣＭＰ分析装置１０が目的変数として選択する構成とすることができる。
【００２５】
図２は、ＣＭＰ装置２０から取得したデータと、目的変数及び説明変数との関係を示す図である。図２に示すように、研磨プロファイルに関する変数の中から目的変数が選ばれている。本実施の形態では、研磨レートと、面内均一性と、連続安定性の３つの変数が目的変数として選ばれている。
【００２６】
演算制御部１２は、運転状況に関する変数の中から、目的変数に相関の高い変数を説明変数として求める機能を有している。運転状況に関する変数は数百以上もあるが、演算制御部１２は、この多数の変数の中から、目的変数との相関の高い変数を説明変数として求める。図２に示すように、３つの目的変数のそれぞれについて、相関の高いいくつかの変数が説明変数として求められる。
【００２７】
また、演算制御部１２は、ＣＭＰ装置２０にて異常が発生した場合に、その異常の原因と考えられる説明変数を求める機能を有する。演算制御部１２が行う処理については、ＣＭＰ分析装置１０の動作説明において説明する。
【００２８】
入力部１３は、ユーザからの各種の情報（例えば、上述した目的変数の設定等）の入力を受け付ける機能を有する。出力部１４は、演算制御部１２によって求められた説明変数、及び、異常の原因の情報をユーザに対して出力する機能を有する。
【００２９】
ＣＭＰ分析装置１０のハードウェア構成は、ＣＰＵ、ＲＡＭ、ＲＯＭ、ハードディスク等を備えたコンピュータである。コンピュータに、ＣＭＰ分析のためのプログラムを実行させることにより、図１に示す各機能を有するＣＭＰ分析装置１０を実現させる。このようなプログラムも本発明の範囲に含まれる。
【００３０】
図３は、本実施の形態においてＣＭＰ分析装置１０に接続されるＣＭＰ装置２０の構成を示す図である。なお、図３に示すＣＭＰ装置２０は一例であり、ＣＭＰ分析装置１０は、図３に示すＣＭＰ装置２０以外の装置にも適用可能である。
【００３１】
ＣＭＰ装置２０は、半導体装置に用いられる半導体ウェハを研磨する研磨装置である。ＣＭＰ装置２０は、研磨ヘッド、研磨ヘッド駆動モータ、研磨パッド、ターンテーブル、テーブル駆動モータ、ドレッサ、ドレッサ駆動モータ、スラリー供給装置等を備えている。
【００３２】
ＣＭＰ装置２０は、運転状況に関する変数としては、例えば、テーブル駆動モータを回転させる際のトルク電流Ｄ１、研磨パッドのパッド減耗量Ｄ２、ドレッサ駆動用のトルク電流Ｄ３、スラリー（研磨剤）の流量Ｄ４、研磨ヘッドに供給されるＣＡＰ圧力（Center Airbag Pressure）Ｄ５、研磨ヘッドのトルク電流Ｄ６、ターンテーブルの回転数Ｄ７などがある。図３では一例を示しているが、実際にＣＭＰ装置２０から得られるデータは数百以上もの変数に関するものである。ＣＭＰ装置２０から得られる研磨プロファイルに関する変数のデータとしては、上述した研磨レートＤ８、面内均一性Ｄ９、連続安定性Ｄ１０のデータがある。
【００３３】
図４は、本実施の形態のＣＭＰ分析装置１０の動作を示す図である。まず、ＣＭＰ分析装置１０は、ウェハの正常／異常を定義する（Ｓ１０）。例えば、ウェハ上のある地点の研磨レートが通常時あるいは消耗品の交換直後よりも所定の閾値以上高い場合に、ウェハが異常であると定義する。この定義は、ユーザが行ってもよいし、ＣＭＰ分析装置１０がウェハの正常／異常データに基づいて、自動で行ってもよい。
【００３４】
次に、ＣＭＰ分析装置１０は、目的変数を設定する（Ｓ１１）。本実施の形態では、目的変数として、研磨レート、面内均一性、及び連続安定性の３つを設定する。上述したとおり、目的変数の設定は、ユーザが行ってもよいし、ＣＭＰ分析装置１０が行ってもよい。
【００３５】
ＣＭＰ分析装置１０は、ＣＭＰ装置２０から運転状況に関するデータ、及び、研磨プロファイルのデータを取得し（Ｓ１２）、取得したデータを記憶部１５に記憶する。ＣＭＰ分析装置１０の演算制御部１２は、記憶部１５に記憶されたデータを用いて、目的変数に対して高い相関を有する変数（説明変数）を求める。具体的には、まず、運転状況に関する変数の絞り込みを行う（Ｓ１３）。具体的には、正常なウェハが生成されたときのデータと異常なウェハが生成されたときのデータの変化量が所定の閾値よりも小さい場合には、そのデータを説明変数の候補から除外し、変化量が所定の閾値以上のデータを説明変数の候補とする。
【００３６】
続いて、ＣＭＰ分析装置１０の演算制御部１２は、目的変数と、説明変数の候補との相関分析により、説明変数を求める（Ｓ１４）。相関分析を行う際には、原点の取り方で相関の有無が変わることがないように、変数の平均値を原点として処理を行う。演算制御部１２は、順位相関係数を用いて、目的変数と説明変数の候補との相関係数を算出し、相関係数の高い順に所定個数の変数を説明変数として抽出する。順位相関係数を用いているのは、外れ値の影響を受けないようにするためと、データが正規分布しているとは限らないことによる。
【００３７】
なお、本実施の形態では、演算制御部１２が自動的に、相関係数の高い順に説明変数を求める例について説明しているが、例えば、所定の閾値（例えば０．８）以上の相関係数を、相関係数の高い順にユーザに提示し、ユーザに説明変数を選択させる構成としてもよい。
【００３８】
続いて、ＣＭＰ分析装置１０は、演算制御部１２にて求めた説明変数を記憶部１５に記憶する（Ｓ１５）。なお、ＣＭＰ分析装置１０は、出力部１４より説明変数を出力することにより、目的変数に対する相関の高い説明変数をユーザに知らせてもよい。
【００３９】
図５は、ＣＭＰ分析装置１０が、ＣＭＰ装置２０に異常が発生したときにその原因を提示する動作を示す図である。ＣＭＰ分析装置１０は、ＣＭＰ装置２０の運転中に、ＣＭＰ装置２０から運転状況に関するデータ及び研磨プロファイルに関するデータを取得する（Ｓ２０）。ＣＭＰ分析装置１０は、研磨プロファイルに関するデータを解析して、異常が発生したか否かを判定する（Ｓ２１）。
【００４０】
ＣＭＰ分析装置１０は、異常なしと判定した場合には（Ｓ２１でＮＯ）、ＣＭＰ装置２０から取得したデータを正常時のデータとして、記憶部１５に記憶する（Ｓ２２）。
【００４１】
ＣＭＰ分析装置１０は、ＣＭＰ装置２０に異常が発生したと判定した場合には（Ｓ２１でＹＥＳ）、異常ありと判定された目的変数に対応する説明変数の正常時のデータを記憶部１５から読み出し、読み出した正常時データと、異常発生時の説明変数のデータとを比較する。そして、目的変数に対応する複数の説明変数の中で、正常時のデータと有意差のある説明変数を抽出する。正常時データと異常時データとの有意差の検定には、ｔ検定を用いることができる。すなわち、まず正常時データどうしでｔ検定を行い、「差が見られないような有意水準」を設定しておき、続いて、正常時データと異常時データとを比較して、有意水準を超える有意差がある説明変数を抽出する（Ｓ２３）。
【００４２】
そして、ＣＭＰ分析装置１０は、正常時データとの有意差が見られた説明変数を、異常の原因として出力する（Ｓ２４）。この際、複数の説明変数を提示する場合には、正常時データとの差分の大きかった説明変数から順に並べて提示してもよいし、正常時データとの差分のデータと共に説明変数を提示してもよい。これにより、ユーザは、ＣＭＰ装置２０にて異常が起こったときに、速やかに、その原因を究明することができる。
【００４３】
以上、本実施の形態のＣＭＰ分析装置１０の構成及び動作について説明した。ＣＭＰ分析装置１０は、正常のウェハが生成されたときと異常のウェハが生成されたときのデータを用いて、目的変数との相関の高い説明変数を求めるので、異常なウェハが生成される原因と関連のある説明変数を適切に求めることができる。
【００４４】
また、求めた説明変数の正常時のデータを記憶しておき、ＣＭＰ装置２０に異常が発生したときには、その際に得られた説明変数のデータと正常時データとを比較することにより、異常の原因である可能性の高い説明変数を提示することができ、異常発生時のトラブルシューティングに役立てることができる。
【００４５】
（第２の実施の形態）
次に、第２の実施の形態のＣＭＰ分析装置１０について説明する。第２の実施の形態のＣＭＰ分析装置１０の基本的な構成は、第１の実施の形態のＣＭＰ分析装置１０と同じであり、第１の実施の形態と同様にして、目的変数に対する相関の高い説明変数を求める。第２の実施の形態のＣＭＰ分析装置１０は、説明変数を用いて、新しいプロセスの開発支援を行う。
【００４６】
図６は、第２の実施の形態のＣＭＰ分析装置１０の動作を示す図である。第２の実施の形態のＣＭＰ分析装置１０は、まず、目的変数の所望の値の入力を受け付ける（Ｓ２０）。目的変数の所望の値とは、例えば、新しい研磨プロファイルを開発する際に、目的としている研磨プロファイルに関する値である。
【００４７】
続いて、ＣＭＰ分析装置１０の演算制御部１２は、目的変数の所望の値に対応する説明変数の値を算出する（Ｓ２１）。ここで、目的変数の所望の値に対応する説明変数の値を算出する方法について説明する。
【００４８】
図７は、研磨レートの一例を示す図であり、縦軸が研磨レート、横軸がウェハ上の位置を基板中心からの距離によって示すグラフである。ある地点（Ｘ＝Ｘ０）の研磨レートＲＲ（Ｘ０）は下記の関数Ｆで近似できる。
ＲＲ（Ｘ０）＝Ｆ（Ｘ０，Ｘ１，Ｘ２，Ｘ３，・・・）  ・・・（１）
ここで、変数Ｘとして考えられるのは、例えば、Ｘ０＝Ｘ座標、Ｘ１＝パッド減耗量、Ｘ２＝中央エアバッグ圧力（Center Airbag Pressure：CAP）入力値、Ｘ３＝ターンテーブル回転数、・・・などである。関数Ｆの例としては、例えば、
Ｆ＝ａ×Ｘ０＋ｂ×Ｘ１＋ｃ×Ｘ２＋ｄ×Ｘ３＋・・・  ・・・（２）
等の一次多項式が考えられる。
【００４９】
演算制御部１２は、目的変数と説明変数のデータから、式（２）における係数ａ〜ｄを求める。演算制御部１２は、入力された目的変数の所望の値を達成させるための変数Ｘ０、Ｘ１，・・・を求める。この際、Ｘ０＝Ｘ座標や、Ｘ１＝パッド減耗量はユーザ側で変更できない変数であるため固定とし、Ｘ２＝中央エアバック入力値、Ｘ３＝ターンテーブル回転数など、ユーザ側で変更できる変数に対して最適値を求める。
【００５０】
ＣＭＰ分析装置１０は、演算制御部１２にて求めた説明変数の最適値を出力し（Ｓ２２）、ユーザに対して提示する。これにより、ユーザは、提示された説明変数を参照することにより、新しい研磨プロファイルを開発する際に、ＣＭＰ装置２０のどこの設定をどのように変えればよいかの手がかりを得ることができ、新しいプロセスを効率的に開発することができる。
【００５１】
なお、ＣＭＰ分析装置１０が求めた上述の最適値を用いてＣＭＰ装置２０にて研磨を行った研磨結果と、ＣＭＰ分析装置１０のシミュレーションの結果とを比較し、上述した式（２）のパラメータを更新して、モデルの精度を向上させてもよい。
【００５２】
また、第２の実施の形態のＣＭＰ分析装置１０は、第１の実施の形態と同様に、異常発生時に異常の原因を提示する処理を行うこととしてもよい。
【００５３】
以上、本発明の実施の形態のＣＭＰ分析装置１０の構成および動作について、実施の形態を挙げて説明したが、本発明は上述した実施の形態に限定されるものではない。
【００５４】
上記した実施の形態では、ＣＭＰ装置２０と分離されたＣＭＰ分析装置１０を例として説明したが、ＣＭＰ分析装置１０はＣＭＰ装置２０に含まれてもよい。
【００５５】
上記した実施の形態では言及しなかったが、ＣＭＰ分析を行う際に、計算エリアをユーザが設定できるようにしてもよい。例えば、測定エリアを測定点ごととしてもよいし、複数の測定点をまとめた所定のエリアごととしてもよい。
【産業上の利用可能性】
【００５６】
本発明は、異常なウェハが生成される原因である可能性の高い説明変数を適切に求めることができるという効果を有し、ＣＭＰ装置の運転状況を分析する装置として有用である。
【符号の説明】
【００５７】
１０  ＣＭＰ分析装置
１１  データ取得部
１２  演算制御部
１３  入力部
１４  出力部
１５  記憶部
２０  ＣＭＰ装置
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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