(57)【要約】【課題】金属化フィルムコンデンサの耐電圧性能を向上させるとともに、静電容量の低下を抑制する。【解決手段】金属化フィルムコンデンサ１０は、複数の金属化フィルムが積層されて構成された金属化フィルム積層体２０を含む。複数の金属化フィルムのそれぞれは、誘電体フィルムと、誘電体フィルム上に蒸着された金属膜で構成され、金属膜の無いスリットによって区画された複数のセグメント電極と、誘電体フィルム上に蒸着された金属膜で構成され、スリットの一部を途切れさせ、隣接するセグメント電極同士を導通可能にするヒューズ部と、備えている。金属化フィルム積層体２０の表層側に配置された金属化フィルムのセグメント電極の面積は、表層側以外に配置された金属化フィルムのセグメント電極の面積よりも小さい。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の金属化フィルムを重ねることで構成された金属化フィルム体を含む金属化フィルムコンデンサであって、
前記複数の金属化フィルムのそれぞれは、
誘電体フィルムと、
前記誘電体フィルム上に蒸着された金属膜で構成され、金属膜の無いスリットによって区画された複数のセグメント電極と、
前記誘電体フィルム上に蒸着された金属膜で構成され、前記スリットの一部を途切れさせ、隣接するセグメント電極同士を導通可能にするヒューズ部と、
を備え、
前記金属化フィルム体の表層側に配置されたセグメント電極の面積は、表層側以外の場所に配置されたセグメント電極の面積よりも小さい、
ことを特徴とする金属化フィルムコンデンサ。
【請求項２】
請求項１に記載の金属化フィルムコンデンサにおいて、
前記金属化フィルム体の中央部から表層側にかけて、セグメント電極の面積が徐々に小さくなっている、
ことを特徴とする金属化フィルムコンデンサ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、金属化フィルムコンデンサに関する。
【背景技術】
【０００２】
母材となる誘電体フィルム上に金属膜を蒸着することで金属化フィルムを形成し、正極の金属化フィルムと負極の金属化フィルムとを重ねて１セットとし、それを幾層に重ねることで、コンデンサとして電気を蓄えることができる金属化フィルムコンデンサが形成される。
【０００３】
金属化フィルムコンデンサは、セルフヒーリングと呼ばれる自己回復機能を備えている。この自己回復機能は、絶縁欠陥部で短絡が生じた場合に、短絡のエネルギーで欠陥部周辺の蒸着電極（蒸着された金属膜で形成された電極）が蒸発・飛散して絶縁化し、コンデンサの機能が回復する機能である。
【０００４】
さらに、金属化フィルムコンデンサは、保安機能を備えている場合がある（例えば特許文献１参照）。保安機能とは、ヒューズ機能によって絶縁欠陥部を切り離し、絶縁を回復する機能である。具体的には、パターン設計によって、金属の無い溝状のスリット（金属膜が蒸着されていない領域や、蒸着された金属膜が取り除かれた領域）を蒸着電極に設けることで、蒸着電極を複数のセグメント電極（分割電極）に区画し、区画されたセグメント電極同士を、スリット間に形成されたヒューズによって接続する。自己回復の限界を超えた絶縁破壊が発生した場合、短絡電流によってヒューズが溶断し、絶縁破壊が生じたセグメント電極を、隣接するセグメント電極から切り離すことで、絶縁が回復し、金属化フィルムコンデンサの絶縁破壊が回避される。
【０００５】
上記の自己回復機能と保安機能によって、サージ電圧等の過電圧が金属化フィルムコンデンサに印加されても、絶縁破壊が生じたセグメント電極のみを切り離すことで、他のセグメント電極は、引き続きコンデンサとしての機能を維持することができるというメリットがある。セグメント電極の面積を小さくするほど、欠陥除去によって切り離される電極の面積が小さくなるので、過電圧に対する静電容量の残存率は高くなる。
【０００６】
ところで、図１０（ａ）に示すような半導体電力変換装置が知られている。この半導体電力変換装置は、直流電源１００の電圧を昇圧するＤＣ−ＤＣコンバータ１０２と、電圧を平滑する平滑コンデンサ１０４と、スナバコンデンサ１０６と、昇圧された直流電圧を三相交流に変換して負荷１１２に供給するインバータ回路１０８と、を備えている。インバータ回路１０８は、スイッチング素子１１０とダイオードとを備えており、スイッチング素子１１０のスイッチングにより電力変換が行われる。
【０００７】
一般に、半導体電力変換装置のスイッチングを用いた電力変換では、図１０（ｂ）に示すように、電流経路の寄生インダクタンスによって高電圧のサージ電圧が発生し、電力変換用の半導体素子（スイッチング素子１１０）やコンデンサの特性が劣化する。そのため、サージ電圧を吸収するためのコンデンサ（スナバコンデンサ１０６）を、半導体電力変換装置の回路に別途設置することで、サージ電圧の低下を図っている。
【０００８】
このような半導体電力変換装置においては、保安機能を有する金属化フィルムコンデンサがスナバコンデンサとして用いられる場合がある。この場合、スナバコンデンサは高電圧のサージ電圧にさらされるため、セグメント電極の面積を小さくする等して耐電圧性能を高めている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００９】
【特許文献１】特開２０１２−９９７４７号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１０】
上記のように、保安機能を有する金属化フィルムコンデンサにおいては、蒸着電極を細分化してセグメント電極の面積を小さくするほど（スリットを多くするほど）、耐電圧性能を高めることができるが、蒸着電極中に静電容量の発現に寄与しないスリットの面積が多くなるので、スリットが少ない金属化フィルムコンデンサと比べて、蒸着電極の全体の面積が小さくなり、静電容量が低下する問題がある。蒸着電極の面積を確保しようとすると、より多くの金属化フィルムを使用しなければならないため、金属化フィルムコンデンサの体積やコストが増大する問題がある。
【００１１】
また、電力変換装置においては、スナバコンデンサという、サージ電圧を吸収するためのコンデンサを回路中に別途設ける必要がある。
【００１２】
本発明の目的は、金属化フィルムコンデンサの耐電圧性能を向上させるとともに、静電容量の低下を抑制することである。
【課題を解決するための手段】
【００１３】
請求項１に係る発明は、複数の金属化フィルムを重ねることで構成された金属化フィルム体を含む金属化フィルムコンデンサであって、前記複数の金属化フィルムのそれぞれは、誘電体フィルムと、前記誘電体フィルム上に蒸着された金属膜で構成され、金属膜の無いスリットによって区画された複数のセグメント電極と、前記誘電体フィルム上に蒸着された金属膜で構成され、前記スリットの一部を途切れさせ、隣接するセグメント電極同士を導通可能にするヒューズ部と、を備え、前記金属化フィルム体の表層側に配置されたセグメント電極の面積は、表層側以外の場所に配置されたセグメント電極の面積よりも小さい、ことを特徴とする金属化フィルムコンデンサである。
【００１４】
請求項２に係る発明は、請求項１に記載の金属化フィルムコンデンサにおいて、前記金属化フィルム体の中央部から表層側にかけて、セグメント電極の面積が徐々に小さくなっている、ことを特徴とする。
【発明の効果】
【００１５】
本発明によれば、表層側に配置されたセグメント電極の面積を、表層側以外の場所に配置されたセグメント電極の面積よりも小さくすることで、金属化フィルムコンデンサの表層側の耐電圧性能が向上する。これにより、高い周波数成分を有する電圧（例えばサージ電圧）が金属化フィルムコンデンサに印加された場合、その電圧は表皮効果によって金属化フィルムコンデンサの表層側に集中するため、耐電圧性能が向上された表層側にて、印加された電圧を低下させることが可能となる。また、表層側以外の場所に配置されたセグメント電極の面積は、表層側に配置されたセグメント電極の面積よりも大きいため、静電容量の発現に寄与する電極の面積の減少を抑制し、静電容量の低下を抑制することが可能となる。本発明によると、例えば、平滑コンデンサ及びスナバコンデンサの機能を備えることが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【００１６】
【図１】本発明の実施形態に係る金属化フィルムコンデンサの一例を示す斜視図である。
【図２】中央側コンデンサ部の一例を示す断面図である。
【図３】中央側コンデンサ部を構成する金属化フィルムの一例を示す平面図である。
【図４】表層側コンデンサ部の一例を示す断面図である。
【図５】表層側コンデンサ部を構成する金属化フィルムの一例を示す平面図である。
【図６】セグメント電極及びスリットの拡大図である。
【図７】金属化フィルム積層体の一例を示す断面図である。
【図８】変形例に係る金属化フィルムコンデンサの一例を示す斜視図である。
【図９】変形例に係る金属化フィルムの一例を示す平面図である。
【図１０】半導体電力変換装置の一例を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００１７】
図１に、本実施形態に係る金属化フィルムコンデンサの一例を示す。本実施形態に係る金属化フィルムコンデンサ１０は、金属化フィルム積層体２０の両端面にメタリコン７２，７４が形成された素子である。メタリコン７２，７４は、金属化フィルム積層体２０内の蒸着電極と電気的に接続されており、当該蒸着金属は内部電極として機能し、メタリコン７２，７４は外部電極として機能する。金属化フィルム積層体２０は、複数の金属化フィルムが積層されたものである。金属化フィルム積層体２０は、金属化フィルム積層体２０の中央側に配置された中央側コンデンサ部２２と、金属化フィルム積層体２０の表層側に配置された表層側コンデンサ部２４と、によって構成されている。
【００１８】
図２から図６に、本実施形態に係る金属化フィルムの一例を示す。図２及び図３に、中央側コンデンサ部２２の一例を示し、図４及び図５に、表層側コンデンサ部２４の一例を示す。図３（ａ）に示す金属化フィルム３０ａは、中央側コンデンサ部２２の正極の金属化フィルムであり、図３（ｂ）に示す金属化フィルム３０ｂは、中央側コンデンサ部２２の負極の金属化フィルムである。金属化フィルム３０ａ，３０ｂは、同じ構成を有する。金属化フィルムコンデンサ１０の表層側以外の場所では、図２に示すように、金属化フィルム３０ａと金属化フィルム３０ｂとが互い違いになるように積層されている。正極の金属化フィルム３０ａは、正極のメタリコン７２に電気的に接続されており、負極の金属化フィルム３０ｂは、負極のメタリコン７４に電気的に接続されている。
【００１９】
また、図５（ａ）に示す金属化フィルム５０ａは、表層側コンデンサ部２４の正極の金属化フィルムであり、図５（ｂ）に示す金属化フィルム５０ｂは、表層側コンデンサ部２４の負極の金属化フィルムである。金属化フィルム５０ａ，５０ｂは、同じ構成を有する。金属化フィルムコンデンサ１０の表層側では、図４に示すように、金属化フィルム５０ａと金属化フィルム５０ｂとが互い違いになるように積層されている。正極の金属化フィルム５０ａは、正極のメタリコン７２に電気的に接続されており、負極の金属化フィルム５０ｂは、負極のメタリコン７４に電気的に接続されている。
【００２０】
まず、図２及び図３を参照して、中央側コンデンサ部２２を構成する金属化フィルム３０ａ，３０ｂについて説明する。
【００２１】
金属化フィルム３０ａ，３０ｂは、誘電体フィルム３１上に金属膜が蒸着されることで形成される。誘電体フィルム３１上において、一方の端部には、ヘビーエッジ３９が形成され、他方の端部には、金属膜が蒸着されていない絶縁マージン４０が形成されている。ヘビーエッジ３９と絶縁マージン４０との間には、非パターン蒸着電極３２とパターン蒸着電極３３とが形成されている。非パターン蒸着電極３２は、いわゆるベタの金属膜である。例えば、非パターン蒸着電極３２の一端はヘビーエッジ３９に電気的に接続されており、非パターン蒸着電極３２は、ヘビーエッジ３９から誘電体フィルム３１の中央部にかけて形成されている。非パターン蒸着電極３２とパターン蒸着電極３３とは、直線状のスリット３７によって区分けされている。スリット３７は、金属膜が無い溝であり、例えば、金属膜が蒸着されなかった領域や、蒸着された金属膜が取り除かれた領域である。スリット３７は、金属膜を蒸着させたヒューズ部３８によって一部が途切れており、そのヒューズ部３８を介して、非パターン蒸着電極３２とパターン蒸着電極３３とが電気的に接続されている。そして、パターン蒸着電極３３は、誘電体フィルム３１の中央部から絶縁マージン４０にかけて形成されている。
【００２２】
パターン蒸着電極３３は、金属膜が蒸着されて形成された蒸着電極と、この蒸着電極を複数のセグメント電極３４（分割電極）に区画するスリット３５と、によって形成されている。スリット３５は、金属膜が無い溝であり、例えば、金属膜が蒸着されなかった領域や、蒸着された金属膜が取り除かれた領域である。スリット３５は、金属膜を蒸着させたヒューズ部３６によって一部が途切れている。
【００２３】
ここで、図６を参照して、セグメント電極３４及びスリット３５の形状について説明する。スリット３５は、一例として曲線の波型形状を有しており、複数のスリット３５が、交互に反転しながら形成されている。複数のスリット３５によって区画されたセグメント電極３４は、略円形状又は略楕円形状となる。ヒューズ部３６は、スリット３５の一部を寸断するように形成された第１のヒューズ部３６ａと、２つのスリット３５の隙間（２つのスリット３５の距離が最も狭くなる領域）からなる第２のヒューズ部３６ｂとを含んで構成されている。このように、ヒューズ部３６によって、隣接するセグメント電極３４同士が電気的に接続され、互いに導通可能となっている。そして、絶縁破壊が発生した場合、短絡電流がヒューズ部３６（第１のヒューズ部３６ａ及び第２のヒューズ部３６ｂ）を溶断し、絶縁破壊が生じたセグメント電極３４を、隣接するセグメント電極３４から切り離す。これにより、金属化フィルムコンデンサ１０の保安機能が実現され、金属化フィルムコンデンサ１０の絶縁破壊が回避される。
【００２４】
次に、図４及び図５を参照して、表層側コンデンサ部２４を構成する金属化フィルム５０ａ，５０ｂについて説明する。
【００２５】
金属化フィルム５０ａ，５０ｂも、中央側コンデンサ部２２を構成する金属化フィルム３０ａ，３０ｂと同様に、誘電体フィルム５１上に金属膜が蒸着されることで形成される。誘電体フィルム５１上において、一方の端部には、ヘビーエッジ５９が形成され、他方の端部には、金属膜が蒸着されていない絶縁マージン６０が形成されている。ヘビーエッジ５９と絶縁マージン４０との間には、非パターン蒸着電極５２とパターン蒸着電極５３とが形成されている。非パターン蒸着電極５２は、いわゆるベタの金属膜である。例えば、非パターン蒸着電極５２の一端はヘビーエッジ５９に電気的に接続されており、非パターン蒸着電極５２は、ヘビーエッジ５９から誘電体フィルム５１の中央部にかけて形成されている。非パターン蒸着電極５２とパターン蒸着電極５３とは、直線状のスリット５７によって区分けされている。スリット５７は、金属膜が無い溝であり、例えば、金属膜が蒸着されなかった領域や、蒸着された金属膜が取り除かれた領域である。スリット５７は、金属膜を蒸着させたヒューズ部５８によって一部が途切れており、そのヒューズ部５８を介して、非パターン蒸着電極５２とパターン蒸着電極５３とが電気的に接続されている。そして、パターン蒸着電極５３は、誘電体フィルム５１の中央部から絶縁マージン６０にかけて形成されている。
【００２６】
パターン蒸着電極５３は、金属膜が蒸着されて形成された蒸着電極と、この蒸着電極を複数のセグメント電極５４（分割電極）に区画するスリット５５と、によって形成されている。スリット５５は、金属膜が無い溝であり、例えば、金属膜が蒸着されなかった領域や、蒸着された金属膜が取り除かれた領域である。スリット５５は、金属膜を蒸着されたヒューズ部５６によって一部が途切れている。また、非パターン蒸着電極５２は、直線状のスリット６１によって区分けされてもよい。スリット６１は、金属膜を蒸着させたヒューズ部６２によって一部が途切れており、そのヒューズ部６２を介して、区分けされた非パターン蒸着電極５２同士が電気的に接続されている。セグメント電極５４及びスリット５５の形状は、図６に示すように、金属化フィルム３０ａ，３０ｂのセグメント電極３４及びスリット３５と同じであり、ヒューズ部５６は、スリット５５の一部を寸断するように形成された第１のヒューズ部５６ａと、２つのスリット５５の隙間からなる第２のヒューズ部５６ｂとを含んで構成されている。このように、ヒューズ部５６によって、隣接するセグメント電極５４同士が電気的に接続され、互いに導通可能となっている。これにより、金属化フィルムコンデンサ１０の保安機能が実現される。
【００２７】
図３及び図５に示すように、表層側コンデンサ部２４を構成する金属化フィルム５０ａ，５０ｂのセグメント電極５４の面積は、中央側コンデンサ部２２を構成する金属化フィルム３０ａ，３０ｂのセグメント電極３４の面積よりも小さくなっている。すなわち、金属化フィルム５０ａ，５０ｂにおいては、金属化フィルム３０ａ，３０ｂと比べて、より多くのスリット５５によって蒸着電極が細分化されている。セグメント電極の面積を小さくするほど（スリットを多くするほど）、金属化フィルムコンデンサの耐電圧性能が高くなり、また、絶縁破壊時の欠陥除去によって切り離される蒸着電極の面積が小さくなるので、過電圧に対する静電容量の低下が小さくなる（静電容量の残存率が高くなる）。従って、金属化フィルム５０ａ，５０ｂによって構成される表層側コンデンサ部２４は、金属化フィルム３０ａ，３０ｂによって構成される中央側コンデンサ部２２と比べて、耐電圧性能が高くなり、また、過電圧に対する静電容量の低下が小さくなる。一方、セグメント電極の面積を小さくするほど、静電容量の発現に寄与しないスリットの面積が多くなるので、静電容量が低下する。それとは逆に、セグメントの面積を大きくするほど（スリットを少なくするほど）、静電容量の発現に寄与する蒸着電極の面積が多くなるので、静電容量が増大する。従って、表層側コンデンサ部２４の静電容量は低下するが、中央側コンデンサ部２２の静電容量は、表層側コンデンサ部２４の静電容量よりも大きくなる。
【００２８】
なお、誘電体フィルム３１，５１は、絶縁性の樹脂によって構成され、例えば、ポリエチレンテレフタラートやポリプロピレン等によって構成される。また、金属膜は、例えば、アルミニウム、亜鉛、又は、その合金等によって構成される。誘電体フィルム３１，５１への金属膜の形成は、蒸着やスパッタリング等の公知の蒸着技術が用いられる。一例として、アルミニウムを誘電体フィルム３１，５１上に蒸着することで、蒸着膜抵抗が６〜４０Ω／□のアルミニウム膜を形成する。また、ヘビーエッジ３９，５９は、アルミニウム膜上に亜鉛（蒸着膜抵抗が２〜１０Ω／□）が蒸着されることで形成される。
【００２９】
図７に、金属化フィルム積層体２０の断面図を示す。説明の便宜上、メタリコン７２，７４は図示されていない。中央側コンデンサ部２２は、金属化フィルム３０ａ，３０ｂが積層されることで構成され、表層側コンデンサ部２４は、金属化フィルム５０ａ，５０ｂが積層されることで構成される。積層される金属化フィルム３０ａ，３０ｂ，５０ａ，５０ｂの数は、図示された例に限らず、他の数であってもよい。なお、表層側コンデンサ部２４（金属化フィルム５０ａ，５０ｂ）は、金属化フィルム積層体２０の最表層部のみに配置されていてもよい。
【００３０】
このように、金属化フィルム積層体２０の表層側には、耐電圧性能が向上した金属化フィルム５０ａ，５０ｂが配置され、中央部には、金属化フィルム５０ａ，５０ｂのセグメント電極５４よりも面積が大きいセグメント電極３４を備えた金属化フィルム３０ａ，３０ｂが配置されている。すなわち、金属化フィルム積層体２０の表層側には、相対的に面積が小さいセグメント電極５４が配置され、表層側以外の場所（中央部）には、相対的に面積が大きいセグメント電極３４が配置されている。
【００３１】
以上のように、金属化フィルム積層体２０の表層側に配置された金属化フィルム５０ａ，５０ｂのセグメント電極５４を、表層側以外の場所（中央部）に配置された金属化フィルム３０ａ，３０ｂのセグメント電極３４の面積よりも小さくすることで、金属化フィルムコンデンサ１０の表層側の耐電圧性能を向上させることが可能となる。例えば、金属化フィルムコンデンサ１０のメタリコン７２，７４に、高い周波数成分を有する電圧（例えば、電力変換装置においてスイッチング時に発生したサージ電圧）が印加されると、表皮効果によって金属化フィルムコンデンサ１０の表面に電圧が集中する。金属化フィルムコンデンサ１０の表層側では耐電圧性能が向上しているため、印加された電圧（例えば高電圧のサージ電圧）を低下させることが可能となる。また、表層側のセグメント電極５４の面積は、他の場所のセグメント電極３４の面積よりも小さいので、表層側にて絶縁破壊が発生した場合であっても、欠陥欠如によって切り離される電極の面積は小さい。そのため、静電容量の低下が抑制される。
【００３２】
また、表層側以外の場所（中央部）に配置された金属化フィルム３０ａ，３０ｂのセグメント電極３４の面積は、表層側に配置された金属化フィルム５０ａ，５０ｂのセグメント電極５４の面積よりも大きいため、中央部では、表層側よりも大きい静電容量を確保することができる。すなわち、耐電圧性能を向上させるために表層側に配置された金属化フィルム５０ａ，５０ｂの面積を小さくすると、その分、静電容量が低下するが、中央部では、表層側よりも大きい静電容量を確保することができるので、金属化フィルムコンデンサ１０全体として、静電容量の低下を抑制することができる。従って、蒸着電極の面積、すなわち静電容量、を確保するために、より多くの金属化フィルムを使用しなくて済むため、金属化フィルムコンデンサ１０の体積やコストの増大を抑制することができる。
【００３３】
例えば、図１０に示す半導体電力変換装置の通常動作におけるリップル電流については、印加電圧の周波数が低いため、表皮効果による電流分布の偏りが少ない。そのため、中央側コンデンサ部２２及び表層側コンデンサ部２４に均等に電圧が印加され、金属化フィルムコンデンサ１０の全体でコンデンサ機能を発揮することが可能となる。
【００３４】
以上のように、本実施形態に係る金属化フィルムコンデンサ１０によると、セグメント電極の面積が異なる２種類の金属化フィルムを用いることで、耐電圧性能を向上させるとともに、静電容量の低下を抑制することができるため、スナバコンデンサ及び平滑コンデンサの機能（異なる２つの機能）を発揮することが可能となる。すなわち、表層側のセグメント電極５４の面積を小さくして耐電圧性能を向上させるとともに、中央側のセグメント電極３４の面積を大きくして静電容量を確保することで、スナバコンデンサ及び平滑コンデンサの機能を発揮することが可能となる。従って、本実施形態に係る金属化フィルムコンデンサ１０を、例えば図１０に示す半導体電力変換装置に用いることで、２つの異なるコンデンサ（図１０に示す平滑コンデンサ１０４及びスナバコンデンサ１０６）を用いずに済む。つまり、本実施形態に係る金属化フィルムコンデンサ１０は、平滑コンデンサにスナバコンデンサを取り込んだものであるともいえる。
【００３５】
次に、図８及び図９を参照して、変形例について説明する。変形例に係る金属化フィルムコンデンサ１０ａは、図１に示す金属化フィルム積層体２０の代わりに、金属化フィルム積層体２０ａを備えている。金属化フィルム積層体２０ａにおいては、金属化フィルム積層体２０ａの中央部２６（一点鎖線で示す位置）から表層にかけて、金属化フィルムのセグメント電極の面積が徐々に（段階的に）小さくなっている。例えば図９に示すように、金属化フィルム積層体２０ａの中央部２６では、図３に示す金属化フィルム３０ａ，３０ｂが積層された状態で配置され、最表層では、図５に示す金属化フィルム５０ａ，５０ｂが積層された状態で配置され、中央部２６から最表層にかけて、セグメント電極の面積が徐々に小さくなるように金属化フィルムが配置されている。このように、セグメント面積が段階的に変化する構成であっても、上述した実施形態と同様に、帯電性能を向上させるとともに、静電容量の低下を抑制することができ、スナバコンデンサ及び平滑コンデンサの機能を発揮することが可能となる。
【００３６】
なお、本実施形態及び変形例に係る金属化フィルムコンデンサは、積層型のコンデンサに限らず、捲回型のコンデンサであってもよい。また、蒸着膜抵抗は、金属化フィルムコンデンサ内において変えてよい。また、セグメント電極３４，５４の形状は一例であり、上述した例に限定されるものではない。例えば、蒸着電極を、格子状のセグメント電極に区画してもよいし、千鳥状のセグメント電極に区画してもよい。
【符号の説明】
【００３７】
１０，１０ａ  金属化フィルムコンデンサ、２０，２０ａ  金属化フィルム積層体、２２  中央側コンデンサ部、２４  表層側コンデンサ部、２６  中央部、３０ａ，３０ｂ，５０ａ，５０ｂ  金属化フィルム、３１，５１  誘電体フィルム、３２，５２  非パターン蒸着電極、３３，５３  パターン蒸着電極、３４，５４  セグメント電極、３５，３７，５５，５７  スリット、３６，３８，５６，５８  ヒューズ部、３９，５９  ヘビーエッジ、４０，６０  絶縁マージン、７２，７４  メタリコン。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
2015142099.tif 000009
【図８】
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【図９】
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【図１０】
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