(57)【要約】【課題】体積抵抗率が小さい導電性薄膜乃至パターンを形成することが可能な分散剤の提供。【解決手段】金属粒子の分散に用いられる分散剤であって、下記一般式（Ｉ）で表される化合物由来の構成単位と、イオン性基を有する化合物由来の構成単位とを有する分散剤である。＜一般式（Ｉ）＞2015077590.tif 000011  ただし、前記一般式（Ｉ）中、Ｒ１は、水素原子又はメチル基であり、ｘは、２以上の自然数であり、ｎは、１以上の自然数である。【選択図】なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
金属粒子の分散に用いられる分散剤であって、
下記一般式（Ｉ）で表される化合物由来の構成単位と、イオン性基を有する化合物由来の構成単位とを有することを特徴とする分散剤。
＜一般式（Ｉ）＞
【化１】
2015077590.tif 000009
ただし、前記一般式（Ｉ）中、Ｒ１は、水素原子又はメチル基であり、ｘは、２以上の自然数であり、ｎは、１以上の自然数である。
【請求項２】
前記一般式（Ｉ）において、ｎが１であり、ｘが２〜１２である請求項１に記載の分散剤。
【請求項３】
前記一般式（Ｉ）において、ｎが２以上の自然数であり、ｘが２又は３である請求項１に記載の分散剤。
【請求項４】
前記イオン性基を有する化合物におけるイオン性基が、アミノ基、カルボキシル基、スルホ基、及びホスホ基から選択される少なくともいずれかである請求項１から３のいずれかに記載の分散剤。
【請求項５】
金属粒子の分散に用いられる分散剤を製造する方法であって、
下記一般式（Ｉ）で表される化合物と、イオン性基を有する化合物とを含む組成物を重合する重合工程を含むことを特徴とする分散剤の製造方法。
＜一般式（Ｉ）＞
【化２】
2015077590.tif 000010
ただし、前記一般式（Ｉ）中、Ｒ１は、水素原子又はメチル基であり、ｘは、２以上の自然数であり、ｎは、１以上の自然数である。
【請求項６】
導電性パターンの形成に用いられるインクであって、
請求項１から４のいずれかに記載の分散剤、金属粒子、及び分散媒を含むことを特徴とするインク。
【請求項７】
前記分散媒が、モノアルキルグリコールエーテル、グリコールモノアルキルエーテルエステル及びジアルキルグリコールエーテルから選択される少なくとも１種を含む請求項６に記載のインク。
【請求項８】
請求項６から７のいずれかに記載のインクを基材上に塗布する塗布工程と、
前記基材上に塗布されたインクを焼成する焼成工程と、を含むことを特徴とする導電性パターンの形成方法。
【請求項９】
前記焼成工程において、前記基材上に塗布されたインクを光焼成する請求項８に記載の導電性パターンの形成方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、分散剤及びその製造方法、インク、並びに導電性パターンの形成方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来より、基材上に、配線、アンテナ等の導電性パターンを形成する方法として、フォトリソグラフィー、エッチング等が主に利用されているが、プロセスの工程数、材料の使用効率等の点で問題があり、製造コストも高い。
そこで、インクジェット印刷法等の印刷法を用いて、導電性パターンを形成する方法が知られている（例えば、特許文献１参照）。
前記インクジェット印刷法は、インクジェット法を用いて、基板上にインクを印刷した後、乾燥・焼成する方法である。
インクとしては、一次粒径がｎｍオーダーの金属粒子が分散媒中に分散しているナノメタルインクが知られている。
例えば、導電性フィルムを形成する方法として、基板の表面上に複数の銅ナノ粒子を含有するフィルムを堆積させる段階と、フィルムの少なくとも一部を露光して、露光部分を導電性にする段階とを備えた方法が提案されている（特許文献２参照）。このとき、フィルムが、銅ナノ粒子、溶媒及び分散剤を含有する溶液から堆積される。
しかしながら、前記提案の方法では、露光部分の体積抵抗率が高くなるという問題があり、体積抵抗率が小さい導電性薄膜乃至パターンを形成することが可能な分散剤の提供が望まれている。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
本発明は、従来における前記諸問題を解決し、以下の目的を達成することを課題とする。即ち、本発明は、体積抵抗率が小さい導電性薄膜乃至パターンを形成することが可能な分散剤を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００４】
前記課題を解決するための手段としての本発明の分散剤は、金属粒子の分散に用いられる分散剤であって、
下記一般式（Ｉ）で表される化合物由来の構成単位と、イオン性基を有する化合物由来の構成単位とを有する。
【０００５】
＜一般式（Ｉ）＞
【化１】
2015077590.tif 000002
ただし、前記一般式（Ｉ）中、Ｒ１は、水素原子又はメチル基であり、ｘは、２以上の自然数であり、ｎは、１以上の自然数である。
【発明の効果】
【０００６】
本発明によると、従来における前記諸問題を解決し、前記目的を達成することができ、体積抵抗率が小さい導電性薄膜乃至パターンを形成することが可能な分散剤を提供することができる。
【発明を実施するための形態】
【０００７】
（分散剤）
本発明の分散剤は、金属粒子の分散に用いられ、下記一般式（Ｉ）で表される化合物由来の構成単位と、イオン性基を有する化合物由来の構成単位とを有する。
【０００８】
＜一般式（Ｉ）＞
【化２】
2015077590.tif 000003
ただし、前記一般式（Ｉ）中、Ｒ１は、水素原子又はメチル基である。
ｘは、２以上の自然数であり、２以上１２以下が好ましい。
ｎは、１以上の自然数であり、１以上１２以下が好ましい。
ｎが１の場合には、ｘは２以上１２以下が好ましい。
ｎが２以上の自然数である場合には、ｘは２又は３が好ましい。
【０００９】
＜一般式（Ｉ）で表される化合物由来の構成単位＞
前記一般式（Ｉ）で表される化合物としては、ｎが１であり、ｘが２以上１２以下の場合には、例えば、メタクリル酸ヒドロキシエチル、メタクリル酸ヒドロキシプロピル、メタクリル酸ヒドロキシブチル、メタクリル酸ヒドロキシヘキシル、メタクリル酸ヒドロキシオクチル、メタクリル酸ヒドロキシデシル、メタクリル酸ヒドロキシドデシル等のメタクリレート系モノマー；アクリル酸ヒドロキシエチル、アクリル酸ヒドロキシプロピル、アクリル酸ヒドロキシブチル、アクリル酸ヒドロキシヘキシル等のアクリレート系モノマー、などが挙げられる。これらは、１種単独で使用してもよいし、２種以上を併用してもよい。
【００１０】
また、前記一般式（Ｉ）で表される化合物としては、ｎが２以上の自然数であり、ｘが２又は３の場合には、例えば、メタクリル酸ジエチレングリコール、メタクリル酸トリエチレングリコール、メタクリル酸テトラエチレングリコール、メタクリル酸ポリエチレングリコール、メタクリル酸ポリプロピレングリコール等のメタクリレート系モノマー；アクリル酸ジエチレングリコール、アクリル酸トリエチレングリコール、アクリル酸テトラエチレングリコール、アクリル酸ポリエチレングリコール、アクリル酸ポリプロピレングリコール等のアクリレート系モノマー、などが挙げられる。これらは、１種単独で使用してもよいし、２種以上を併用してもよい。
【００１１】
＜イオン性基を有する化合物由来の構成単位＞
前記イオン性基を有する化合物におけるイオン性基としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、アミノ基又はその塩、カルボキシル基又はその塩、スルホ基又はその塩、ホスホ基又はその塩、などが挙げられる。これらは、１種単独で使用してもよいし、２種以上を併用してもよい。これらの中でも、金属粒子に対する吸着性の点から、アミノ基、カルボキシル基、スルホ基、ホスホ基が好ましい。
【００１２】
前記アミノ基を有する化合物としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、Ｎ−メチルアミノエチル（メタ）アクリレート、Ｎ−エチルアミノエチル（メタ）アクリレート、Ｎ，Ｎ−ジメチルアミノエチル（メタ）アクリレート、Ｎ，Ｎ−ジエチルアミノエチル（メタ）アクリレート、Ｎ，Ｎ−ジブチルアミノエチルアクリレート、Ｎ，Ｎ−ジ−ｔｅｒｔ−ブチルアミノエチルアクリレート、Ｎ−フェニルアミノエチルメタクリレート、Ｎ，Ｎ−ジフェニルアミノエチルメタクリレート、アリルアミン、４−アミノスチレン、４−Ｎ，Ｎ−ジメチルアミノスチレン、Ｎ−メチルアミノエチルスチレン、ジメチルアミノエトキシスチレン、ジフェニルアミノエチルスチレン、Ｎ−フェニルアミノエチルスチレン、２−Ｎ−ピペリジルエチル（メタ）アクリレート、２−ビニルピリジン、４−ビニルピリジン、２−ビニル−６−メチルピリジンなどが挙げられる。
【００１３】
前記カルボキシル基を有する化合物としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、（メタ）アクリル酸、マレイン酸、無水マレイン酸、イタコン酸、無水イタコン酸、フマル酸、桂皮酸、クロトン酸、ビニル安息香酸、２−メタクリロキシエチルコハク酸、２−メタクリロキシエチルマレイン酸、２−メタクリロキシエチルヘキサヒドロフタル酸、２−メタクリロキシエチルトリメリット酸などが挙げられる。
【００１４】
前記スルホ基を有する化合物としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、ビニルスルホン酸、アリルスルホン酸、スチレンスルホン酸、２−アクリルアミド−２−メチルプロパンスルホン酸などが挙げられる。
前記ホスホ基を有する化合物としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、３−（メタ）アクリロキシプロピルホスホン酸などが挙げられる。
【００１５】
前記分散剤は、下記一般式（Ａ）で表される基を側鎖に有するため、焼成時に分解されやすく、体積抵抗率が小さい導電性薄膜乃至パターンを形成できると考えられる。なお、一般式（Ａ）で表される基は、金属粒子を分散させる分散媒に対する溶解性にも寄与すると考えられる。
【００１６】
＜一般式（Ａ）＞
【化３】
2015077590.tif 000004
ただし、ｘは、２以上の自然数であり、ｎは、１以上の自然数である。
【００１７】
前記分散剤は、イオン性基を有する化合物由来の構成単位を有するため、金属粒子に吸着することができる。なお、前記分散剤は、高分子鎖を有するため、立体障害により金属粒子の凝集を抑制することができる。
前記分散剤の数平均分子量は、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、５，０００以上１００，０００以下が好ましい。
前記数平均分子量は、ゲルパーミエイションクロマトグラフィー（ＧＰＣ）により測定することができる。
【００１８】
（分散剤の製造方法）
本発明の分散剤の製造方法は、重合工程を含み、更に必要に応じてその他の工程を含んでなる。
【００１９】
＜重合工程＞
前記重合工程は、前記一般式（Ｉ）で表される化合物と、前記イオン性基を有する化合物とを含む組成物を重合する工程である。
【００２０】
前記組成物は、前記一般式（Ｉ）で表される化合物、及び前記イオン性基を有する化合物以外にも、その他の成分を含有することができる。前記その他の成分としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、重合開始剤、溶媒、などが挙げられる。
【００２１】
前記分散剤を合成する際の前記イオン性基を有する化合物Ｂに対する前記一般式（Ｉ）で表される化合物Ａのモル比Ａ／Ｂは、特に制限はなく、分散剤の金属粒子に対する吸着性及び立体障害のバランスから、適宜決定することができるが、前記モル比Ａ／Ｂは、９以上９９９以下が好ましく、２０以上１００以下がより好ましい。
なお、前記イオン性基を有する化合物におけるイオン性基がアミノ基、カルボキシル基、スルホ基又はホスホ基の塩である場合、前記一般式（Ｉ）で表される化合物と、アミノ基、カルボキシル基、スルホ基又はホスホ基を有する化合物を含む組成物を重合した後、中和することにより、分散剤を合成してもよい。
【００２２】
＜その他の工程＞
前記その他の工程としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、中和工程、精製工程、などが挙げられる。
【００２３】
（インク）
本発明のインクは、導電性パターンの形成に用いられ、本発明の前記分散剤、金属粒子、及び分散媒を含み、更に必要に応じてその他の成分を含有してなる。
【００２４】
＜分散剤＞
本発明の前記分散剤の前記インクにおける含有量は、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができるが、前記分散媒１００質量部に対して、１質量部以上２０質量部以下が好ましい。
【００２５】
＜分散媒＞
前記分散媒としては、金属粒子を分散させることが可能であれば特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、有機溶媒などが挙げられる。前記有機溶媒としては、分散剤の溶解性の点から、極性有機溶媒が好ましく、モノアルキルグリコールエーテル、グリコールモノアルキルエーテルエステル又はジアルキルグリコールエーテルがより好ましい。
【００２６】
前記モノアルキルグリコールエーテルとしては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、エチレングリコールモノメチルエーテル、エチレングリコールモノエチルエーテル、エチレングリコールモノプロピルエーテル、エチレングリコールモノブチルエーテル、エチレングリコールモノヘキシルエーテル、エチレングリコールモノ−２−エチルブチルエーテル、ジエチレングリコールモノメチルエーテル、ジエチレングリコールモノエチルエーテル、ジエチレングリコールモノプロピルエーテル、ジエチレングリコールモノブチルエーテル、ジエチレングリコールモノヘキシルエーテル等のエチレングリコール系エーテル；プロピレングリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコールモノエチルエーテル、プロピレングリコールモノプロピルエーテル、プロピレングリコールモノブチルエーテル、ジプロピレングリコールモノメチルエーテル、ジプロピレングリコールモノエチルエーテル、ジプロピレングリコールモノプロピルエーテル、トリプロピレングリコールモノメチルエーテル、トリプロピレングリコールモノブチルエーテル等のプロピレングリコール系エーテルなどが挙げられる。
【００２７】
前記グリコールモノアルキルエーテルエステルとしては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、ジエチレングリコールモノメチルエーテルアセテート、ジエチレングリコールモノエチルエーテルアセテート、ジエチレングリコールモノブチルエーテルアセテートなどが挙げられる。
前記ジアルキルグリコールエーテルとしては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、エチレングリコールジメチルエーテル、エチレングリコールジエチルエーテル、ジエチレングリコールジメチルエーテル、トリエチレングリコールジメチルエーテル、テトラエチレングリコールジメチルエーテル、ジプロピレングリコールジメチルエーテルなどが挙げられる。
【００２８】
＜金属粒子＞
前記金属粒子としては、導電性パターンを形成することが可能であれば、特に限定されないが、銅粒子、銀粒子、ニッケル粒子などが挙げられる。
前記金属粒子の平均粒径は、２ｎｍ以上１００ｎｍ以下が好ましく、５ｎｍ以上５０ｎｍ以下がより好ましい。
なお、前記金属粒子の平均粒径は、例えば、動的光散乱法を用いて測定することができる。
前記金属粒子の前記インクにおける含有量は、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができるが、前記分散媒１００質量部に対して、１０質量部以上５０質量部以下が好ましい。
前記金属粒子を分散媒中に分散させる際に用いる分散機としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、ホモジナイザー、ボールミル、サンドミル、アトライターなどが挙げられる。
【００２９】
（導電性パターンの形成方法）
本発明の導電性パターンの形成方法は、塗布工程と、焼成工程とを含み、更に必要に応じてその他の工程を含んでなる。
なお、前記導電性パターンには、パターンが形成されていない導電性薄膜も含まれる。
【００３０】
＜塗布工程＞
前記塗布工程は、本発明の前記インクを基材上に塗布する工程である。
前記基材としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、ガラス基材、石英基材、シリコン基材、ＳｉＯ２膜被覆シリコン基材、ポリエチレンテレフタレート基材、ポリカーボネート基材、ポリスチレン基材、ポリメチルメタクリレート基材等のポリマー基材、インク受容層付きフィルム（ＯＨＰシート）、インク受容層付き紙等のインクジェット記録媒体、などが挙げられる。これらは、１種単独で使用してもよいし、２種以上を併用してもよい。
前記基材は、適宜合成したものであってもよいし、市販品を使用してもよい。
前記基材の厚みとしては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、１００μｍ以上が好ましく、５００μｍ以上がより好ましい。
前記インクの塗布方法としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、スピンコート法、インクジェット法、グラビア印刷法、スクリーン印刷法などが挙げられる。これらの中でも、直接パターニングできる点から、インクジェット法が好ましい。
【００３１】
＜焼成工程＞
前記焼成工程は、前記基材上に塗布されたインクを焼成する工程である。
前記基材上に塗布されたインクを焼成すると、金属粒子同士が融合することにより、金属粒子間の界面を消失させることができる。
前記基材上に塗布されたインクを焼成する方法としては、金属粒子同士を融合させることが可能であれば特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、熱焼成、光焼成などが挙げられる。これらの中でも、基材のダメージを抑制できる点から、光焼成が好ましい。
前記基材上に塗布されたインクを光焼成する温度は、２００℃以下が好ましく、１５０℃以下がより好ましい。
前記光焼成する際に用いる光源としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、キセノンランプなどが挙げられる。
なお、前記基材上に塗布されたインクを焼成する前に、加熱乾燥させることが好ましい。
【００３２】
本発明の分散剤を含む本発明のインクを用いた本発明の導電性パターンの形成方法により得られた導電性パターンは、熱焼成及び光焼成のいずれの場合においても、体積抵抗率が低く、優れた導電性を有するものである。
前記導電性パターンの体積抵抗率は、１×１０−４Ω・ｃｍ以下が好ましく、１×１０−５Ω・ｃｍ以下がより好ましい。前記体積抵抗率が、１×１０−４Ω・ｃｍを超えると、回路中の抵抗体とみなさなければならなくなることがある。
前記体積抵抗率は、抵抗率計（例えば、ロレスタ、三菱化学株式会社製）及び表面形状測定装置（例えば、アルファステップ、ＫＬＡ社製）を用いて、導電性パターンの電気抵抗及び厚みを測定し、算出することができる。
【実施例】
【００３３】
以下、本発明の実施例を説明するが、本発明は、これらの実施例に何ら限定されるものではない。
【００３４】
（実施例１）
−分散剤１の合成−
撹拌機、温度計、及び還流冷却器を備えた反応容器に、エタノール３００質量部を入れた後、窒素パージの下、６０℃に加熱した。次に、メタクリル酸ヒドロキシエチル９０質量部、メタクリル酸１０質量部、及び重合開始剤としてのアゾビスジメチルバレロニトリル１質量部からなる混合液を１時間で滴下した後、６０℃で５時間撹拌した。更に、エバポレーターを用いてエタノールを蒸発させて、分散剤１を得た。
【００３５】
（実施例２）
−分散剤２の合成−
実施例１において、メタクリル酸ヒドロキシエチル９０質量部、及びメタクリル酸１０質量部の代わりに、アクリル酸ヒドロキシエチル９９質量部、及びＮ，Ｎ−ジメチルアミノエチルアクリレート１質量部を用いた以外は、実施例１と同様にして、分散剤２を得た。
【００３６】
（実施例３）
−分散剤３の合成−
実施例１において、メタクリル酸ヒドロキシエチル９０質量部、及びメタクリル酸１０質量部の代わりに、メタクリル酸ヒドロキシプロピル９９質量部、及び２−アクリルアミド−２−メチルプロパンスルホン酸１質量部を用いた以外は、実施例１と同様にして、分散剤３を得た。
【００３７】
（実施例４）
−分散剤４の合成−
実施例１において、メタクリル酸ヒドロキシエチル９０質量部、及びメタクリル酸１０質量部の代わりに、アクリル酸ヒドロキシプロピル９５質量部、及び３−メタクリロキシプロピルホスホン酸５質量部を用いた以外は、実施例１と同様にして、分散剤４を得た。
【００３８】
（実施例５）
−分散剤５の合成−
実施例１において、メタクリル酸ヒドロキシエチル９０質量部、及びメタクリル酸１０質量部の代わりに、メタクリル酸ヒドロキシブチル９５質量部、及びメタクリル酸５質量部を用いた以外は、実施例１と同様にして、分散剤５を得た。
【００３９】
（実施例６）
−分散剤６の合成−
実施例１において、メタクリル酸ヒドロキシエチル９０質量部、及びメタクリル酸１０質量部の代わりに、アクリル酸ヒドロキシブチル９９質量部、及びアクリル酸１質量部を用いた以外は、実施例１と同様にして、分散剤６を得た。
【００４０】
（実施例７）
−分散剤７の合成−
実施例１において、メタクリル酸ヒドロキシエチル９０質量部、及びメタクリル酸１０質量部の代わりに、メタクリル酸ヒドロキシヘキシル９５質量部、及びメタクリル酸５質量部を用いた以外は、実施例１と同様にして、分散剤７を得た。
【００４１】
（実施例８）
−分散剤８の合成−
実施例１において、メタクリル酸ヒドロキシエチル９０質量部、及びメタクリル酸１０質量部の代わりに、アクリル酸ヒドロキシヘキシル９９質量部、及びＮ，Ｎ−ジエチルアミノエチルメタクリレート１質量部を用いた以外は、実施例１と同様にして、分散剤８を得た。
【００４２】
（実施例９）
−分散剤９の合成−
実施例１において、メタクリル酸ヒドロキシエチル９０質量部、及びメタクリル酸１０質量部の代わりにメタクリル酸ヒドロキシオクチル９５質量部、及びアクリル酸５質量部を用いた以外は、実施例１と同様にして、分散剤９を得た。
【００４３】
（実施例１０）
−分散剤１０の合成−
実施例１において、メタクリル酸ヒドロキシエチル９０質量部、及びメタクリル酸１０質量部の代わりに、メタクリル酸ヒドロキシデシル９９質量部、及びアリルアミン１質量部を用いた以外は、実施例１と同様にして、分散剤１０を得た。
【００４４】
（実施例１１）
−分散剤１１の合成−
実施例１において、メタクリル酸ヒドロキシエチル９０質量部の代わりに、メタクリル酸ヒドロキシドデシル９０質量部を用いた以外は、実施例１と同様にして、分散剤１１を得た。
【００４５】
（実施例１２）
−分散剤１２の合成−
実施例１において、メタクリル酸ヒドロキシエチル９０質量部、及びメタクリル酸１０質量部の代わりに、メタクリル酸ポリエチレングリコール（前記一般式（Ｉ）中のｎ＝４〜５）９０質量部、メタクリル酸１０質量部を用いた以外は、実施例１と同様にして、分散剤１２を得た。
【００４６】
（実施例１３）
−分散剤１３の合成−
実施例１において、メタクリル酸ヒドロキシエチル９０質量部、及びメタクリル酸１０質量部の代わりに、アクリル酸ジエチレングリコール９９質量部、及びＮ，Ｎ−ジメチルアミノエチルアクリレート１質量部を用いた以外は、実施例１と同様にして、分散剤１３を得た。
【００４７】
（実施例１４）
−分散剤１４の合成−
実施例１において、メタクリル酸ヒドロキシエチル９０質量部、及びメタクリル酸１０質量部の代わりに、メタクリル酸ポリプロピレングリコール（前記一般式（Ｉ）中のｎ＝７〜８）９９質量部、及び２−アクリルアミド−２−メチルプロパンスルホン酸１質量部を用いた以外は、実施例１と同様にして、分散剤１４を得た。
【００４８】
（実施例１５）
−分散剤１５の合成−
実施例１において、メタクリル酸ヒドロキシエチル９０質量部、及びメタクリル酸１０質量部の代わりに、アクリル酸ポリエチレングリコール（前記一般式（Ｉ）中のｎ＝４〜５）９５質量部、及び３−メタクリロキシプロピルホスホン酸５質量部を用いた以外は、実施例１と同様にして、分散剤１５を得た。
【００４９】
次に、実施例１〜１５の分散剤について、まとめて表１に示した。
【００５０】
【表１】
2015077590.tif 000005
【００５１】
以下の実施例及び比較例において、インクの平均粒径を以下のようにして、測定した。
＜インクの平均粒径＞
濃厚系粒径アナライザーＦＰＡＲ−１０００（大塚電子株式会社製）を用いて、インクの平均粒径を測定した。
【００５２】
（実施例１６）
１０質量部の分散剤１、銅粒子ＱＳＩ−Ｎａｎｏ  Ｃｏｐｐｅｒ  Ｐｏｗｄｅｒ（ＱｕａｎｔｕｍＳｐｈｅｒｅ社製）４０質量部、及びエチレングリコールモノエチルエーテル１００質量部を１０分間超音波分散させた後、高速ミキサーのフィルミックス（プライミクス社製）を用いて１０分間分散させた。次に、孔径が１μｍのフィルターを用いて粗大粒子を除去し、平均粒径が６８ｎｍのインクを得た。
【００５３】
（実施例１７）
実施例１６において、１０質量部の分散剤１の代わりに、２質量部の分散剤２を用い、エチレングリコールモノエチルエーテルの代わりに、ジエチレングリコールモノエチルエーテルを用いた以外は、実施例１６と同様にして、平均粒径が６９ｎｍのインクを得た。
【００５４】
（実施例１８）
実施例１６において、１０質量部の分散剤１の代わりに、１０質量部の分散剤３を用い、エチレングリコールモノエチルエーテルの代わりに、トリエチレングリコールジメチルエーテルを用いた以外は、実施例１６と同様にして、平均粒径が８７ｎｍのインクを得た。
【００５５】
（実施例１９）
実施例１６において、１０質量部の分散剤１の代わりに、１０質量部の分散剤４を用い、エチレングリコールモノエチルエーテルの代わりに、ジエチレングリコールモノブチルエーテルアセテートを用いた以外は、実施例１６と同様にして、平均粒径が７９ｎｍのインクを得た。
【００５６】
（実施例２０）
実施例１６において、分散剤１の代わりに、分散剤５を用い、エチレングリコールモノエチルエーテルの代わりに、ジエチレングリコールモノブチルエーテルを用いた以外は、実施例１６と同様にして、平均粒径が６９ｎｍのインクを得た。
【００５７】
（実施例２１）
実施例１６において、１０質量部の分散剤１の代わりに、２質量部の分散剤６を用い、エチレングリコールモノエチルエーテルの代わりに、トリプロピレングリコールモノメチルエーテルを用いた以外は、実施例１６と同様にして、平均粒径が８１ｎｍのインクを得た。
【００５８】
（実施例２２）
実施例１６において、１０質量部の分散剤１の代わりに、１０質量部の分散剤７を用い、エチレングリコールモノエチルエーテルの代わりに、エチレングリコールモノプロピルエーテルを用いた以外は、実施例１６と同様にして、平均粒径が７５ｎｍのインクを得た。
【００５９】
（実施例２３）
実施例１６において、１０質量部の分散剤１の代わりに、１０質量部の分散剤８を用い、エチレングリコールモノエチルエーテルの代わりに、プロピレングリコールモノフェニルエーテルを用いた以外は、実施例１６と同様にして、平均粒径が８３ｎｍのインクを得た。
【００６０】
（実施例２４）
実施例１６において、１０質量部の分散剤１の代わりに、２質量部の分散剤９を用い、エチレングリコールモノエチルエーテルの代わりに、ジエチレングリコールモノエチルエーテルアセテートを用いた以外は、実施例１６と同様にして、平均粒径が７８ｎｍのインクを得た。
【００６１】
（実施例２５）
実施例１６において、１０質量部の分散剤１の代わりに、１０質量部の分散剤１０を用い、エチレングリコールモノエチルエーテルの代わりに、ジエチレングリコールジエチルエーテルを用いた以外は、実施例１６と同様にして、平均粒径が８４ｎｍのインクを得た。
【００６２】
（実施例２６）
実施例１６において、１０質量部の分散剤１の代わりに、１０質量部の分散剤１１を用い、エチレングリコールモノエチルエーテルの代わりに、ジエチレングリコールモノメチルエーテルを用いた以外は、実施例１６と同様にして、平均粒径が６８ｎｍのインクを得た。
【００６３】
（実施例２７）
実施例１６において、１０質量部の分散剤１の代わりに、１０質量部の分散剤１２を用いた以外は、実施例１６と同様にして、平均粒径が７０ｎｍのインクを得た。
【００６４】
（実施例２８）
実施例１６において、１０質量部の分散剤１の代わりに、２質量部の分散剤１３を用い、エチレングリコールモノエチルエーテルの代わりに、ジエチレングリコールモノエチルエーテルを用いた以外は、実施例１６と同様にして、平均粒径が８２ｎｍのインクを得た。
【００６５】
（実施例２９）
実施例１６において、１０質量部の分散剤１の代わりに、１０質量部の分散剤１４を用い、エチレングリコールモノエチルエーテルの代わりに、トリエチレングリコールジメチルエーテルを用いた以外は、実施例１６と同様にして、平均粒径が７３ｎｍのインクを得た。
【００６６】
（実施例３０）
実施例１６において、１０質量部の分散剤１の代わりに、１０質量部の分散剤１５を用い、エチレングリコールモノエチルエーテルの代わりに、ジエチレングリコールモノブチルエーテルアセテートを用いた以外は、実施例１６と同様にして、平均粒径が７８ｎｍのインクを得た。
【００６７】
（比較例１）
実施例１６において、分散剤１の代わりに、ポリビニルピロリドンを用い、エチレングリコールモノエチルエーテルの代わりに、エチレングリコールを用いた以外は、実施例１６と同様にして、平均粒径が９０ｎｍのインクを得た。
【００６８】
（比較例２）
実施例１６において、分散剤１の代わりに、ポリビニルアルコールを用い、エチレングリコールモノエチルエーテルの代わりに、イソプロピルアルコールを用いた以外は、実施例１６と同様にして、平均粒径が１２５ｎｍのインクを得た。
【００６９】
次に、作製した各インクを用いて、以下のようにして、導電性パターン（熱焼成、光焼成）を形成し、体積抵抗率を測定した。結果を表２に示した。
【００７０】
＜導電性パターン（１）（熱焼成）の形成＞
ガラス基板上にインクをスピンコートした後、１２０℃のホットプレートを用いて分散媒を蒸発させた。次に、窒素を流した電気炉を用いて、３００℃で１時間加熱し、導電性パターン（１）（導電性薄膜）を形成した。次いで、抵抗率計（ロレスタ、三菱化学株式会社製）及び表面形状測定装置（アルファステップ、ＫＬＡ社製）を用いて、導電性パターン（１）（熱焼成）の電気抵抗及び厚みを測定し、体積抵抗率を算出した。
【００７１】
＜導電性パターン（２）（光焼成）の形成＞
インクジェット塗布装置（リコープリンティングシステムズ社製）を用いて、インク受容層付きフィルム（ＯＨＰシート）上にインクをパターニングした後、１２０℃のホットプレートを用いて分散媒を蒸発させた。次に、キセノンランプを用いて１分間光を照射し、導電性パターン（２）を形成した。次いで、抵抗率計（ロレスタ、三菱化学株式会社製）及び表面形状測定装置（アルファステップ、ＫＬＡ社製）を用いて、導電性パターン（２）（光焼成）の電気抵抗及び厚みを測定し、体積抵抗率を算出した。
【００７２】
【表２】
2015077590.tif 000006
表２の結果から、実施例１６〜３０のインクは、熱焼成及び光焼成のいずれの場合においても、導電性薄膜乃至パターンの体積抵抗率が低くなることがわかった。
一方、比較例１のインクは、分散剤が分解しにくく、十分に焼成することが困難であるため、熱焼成及び光焼成のいずれの場合においても、導電性薄膜乃至パターンの体積抵抗率が高くなることがわかった。このとき、導電性薄膜乃至パターンの体積抵抗率が高くなるのは、光焼成の場合に顕著である。
また、比較例２のインクは、塗布時に金属粒子が緻密に堆積した膜を形成することが困難であるため、熱焼成及び光焼成のいずれの場合においても、導電性薄膜乃至パターンの体積抵抗率が高くなることがわかった。このとき、導電性薄膜乃至パターンの体積抵抗率が高くなるのは、光焼成の場合に顕著である。
【００７３】
本発明の態様としては、例えば、以下のとおりである。
＜１＞  金属粒子の分散に用いられる分散剤であって、
下記一般式（Ｉ）で表される化合物由来の構成単位と、イオン性基を有する化合物由来の構成単位とを有することを特徴とする分散剤である。
＜一般式（Ｉ）＞
【化４】
2015077590.tif 000007
ただし、前記一般式（Ｉ）中、Ｒ１は、水素原子又はメチル基であり、ｘは、２以上の自然数であり、ｎは、１以上の自然数である。
＜２＞  前記一般式（Ｉ）において、ｎが１であり、ｘが２〜１２である前記＜１＞に記載の分散剤である。
＜３＞  前記一般式（Ｉ）において、ｎが２以上の自然数であり、ｘが２又は３である前記＜１＞に記載の分散剤である。
＜４＞  前記イオン性基を有する化合物におけるイオン性基が、アミノ基、カルボキシル基、スルホ基、及びホスホ基から選択される少なくともいずれかである前記＜１＞から＜３＞のいずれかに記載の分散剤である。
＜５＞  金属粒子の分散に用いられる分散剤を製造する方法であって、
下記一般式（Ｉ）で表される化合物と、イオン性基を有する化合物とを含む組成物を重合する重合工程を含むことを特徴とする分散剤の製造方法である。
＜一般式（Ｉ）＞
【化５】
2015077590.tif 000008
ただし、前記一般式（Ｉ）中、Ｒ１は、水素原子又はメチル基であり、ｘは、２以上の自然数であり、ｎは、１以上の自然数である。
＜６＞  導電性パターンの形成に用いられるインクであって、
前記＜１＞から＜４＞のいずれかに記載の分散剤、金属粒子、及び分散媒を含むことを特徴とするインクである。
＜７＞  前記分散媒が、モノアルキルグリコールエーテル、グリコールモノアルキルエーテルエステル及びジアルキルグリコールエーテルから選択される少なくとも１種を含む前記＜６＞に記載のインクである。
＜８＞  前記＜６＞から＜７＞のいずれかに記載のインクを基材上に塗布する塗布工程と、
前記基材上に塗布されたインクを焼成する焼成工程と、を含むことを特徴とする導電性パターンの形成方法である。
＜９＞  前記焼成工程において、前記基材上に塗布されたインクを光焼成する前記＜８＞に記載の導電性パターンの形成方法である。
【先行技術文献】
【特許文献】
【００７４】
【特許文献１】特開２００８−６０５４４号公報
【特許文献２】特表２０１０−５２８４２８号公報