(57)【要約】【課題】本発明の一つの実施形態は、厚さを低減することができる半導体装置および半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。【解決手段】本発明の一つの実施形態に係る半導体装置は、貫通孔と、金属部とを備える。貫通孔は、基板の表裏を貫通し、一方の開口の寸法が他方の開口の寸法よりも小さい。金属部は、他方の開口が閉塞された貫通孔の内部にコンフォーマルめっきによって形成され、貫通孔における一方の開口を閉塞する。貫通孔は、他方の開口から一方の開口へ向かう中途部まで、基板の厚さ方向と直交する断面の寸法が等しく、中途部から一方の開口へ向かうにつれて、断面の寸法が小さくなる。【選択図】図１
2015142113.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体基板の表裏を貫通し、一方の開口の寸法が他方の開口の寸法よりも小さい貫通孔と、
前記他方の開口が閉塞された前記貫通孔の内部にコンフォーマルめっきによって形成され、前記貫通孔における前記一方の開口が閉塞された空洞を内包する金属部と
を備えることを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
前記貫通孔は、
前記他方の開口から前記一方の開口へ向かう中途部まで、前記基板の厚さ方向と直交する断面の寸法が等しく、前記中途部から前記一方の開口へ向かうにつれて、前記断面の寸法が小さくなる
ことを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
【請求項３】
前記貫通孔は、
前記基板が加工されることによって、前記一方の開口の寸法が前記他方の開口の寸法よりも小さく形成される
ことを特徴とする請求項１または請求項２に記載の半導体装置。
【請求項４】
前記貫通孔は、
前記基板の表裏を貫通する筒状空洞の内周面を被覆する絶縁膜によって、前記一方の開口の寸法が前記他方の開口の寸法よりも小さく形成される
ことを特徴とする請求項１または請求項２に記載の半導体装置。
【請求項５】
半導体基板の表裏を貫通し、一方の開口の寸法が他方の開口の寸法よりも小さい貫通孔を形成する工程と、
前記他方の開口が閉塞された前記貫通孔の内部に、前記貫通孔における前記一方の開口が閉塞された空洞を内包する金属部をコンフォーマルめっきによって形成する工程と
を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明の実施形態は、半導体装置および半導体装置の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、基板に半導体素子や集積回路が形成されたチップを多段に積層することによって、半導体装置の占有面積を低減する技術がある。積層される各チップ同士は、基板を貫通する筒状の貫通孔に金属が埋め込まれた貫通電極によって電気的に接続される。
【０００３】
貫通孔への金属の埋め込みは、一般的に電解めっきによって行われる。かかる電解めっきとして、例えば、貫通孔の閉塞された底面から開口へ向けて金属を徐々に析出させるボトムアップめっきと、貫通孔の内周面全体から金属を析出させるコンフォーマルめっきとがある。
【０００４】
コンフォーマルめっきは、ボトムアップめっきに比べて短時間で貫通孔へ金属の埋め込みを完了することができるという利点がある。コンフォーマルめっきでは、金属の析出が進むにつれて貫通孔内部の空隙が徐々に小さくなり、最終的に空隙の開口端部が金属によって閉塞される。
【０００５】
かかるコンフォーマルめっきでは、空隙の内周面においては金属が空隙の内側へ向けて析出するが、空隙の開口端部においては金属が全方向へ向けて析出するので、空隙の開口端部が閉塞されるまで金属を析出させると、金属が基板から大きくせり出す。したがって、コンフォーマルめっきによって金属が埋め込まれる貫通孔を備えたチップを多段に積層した場合、半導体装置の厚さが嵩むという問題が生じる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開２００７−５４０２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
本発明の一つの実施形態は、厚さを低減することができる半導体装置および半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明の一つの実施形態に係る半導体装置は、貫通孔と、金属部とを備える。貫通孔は、半導体基板の表裏を貫通し、一方の開口の寸法が他方の開口の寸法よりも小さい。金属部は、前記他方の開口が閉塞された前記貫通孔の内部にコンフォーマルめっきによって形成され、前記貫通孔における前記一方の開口が閉塞された空洞を内包する。
【図面の簡単な説明】
【０００９】
【図１】第１の実施形態に係る半導体装置の構成を模式的に示す断面図。
【図２】第１の実施形態に係る半導体装置の製造工程を示す断面図。
【図３】第１の実施形態に係る半導体装置の製造工程を示す断面図。
【図４】第１の実施形態に係る半導体装置の製造工程を示す断面図。
【図５】第２の実施形態に係る半導体装置の構成を模式的に示す断面図。
【図６】第２の実施形態に係る半導体装置の製造工程を示す断面図。
【図７】第２の実施形態に係る半導体装置の製造工程を示す断面図。
【図８】第２の実施形態に係る半導体装置の製造工程を示す断面図。
【発明を実施するための形態】
【００１０】
以下に添付図面を参照して、実施形態に係る半導体装置および半導体装置の製造方法を詳細に説明する。なお、これらの実施形態により本発明が限定されるものではない。
【００１１】
（第１の実施形態）
図１は、第１の実施形態に係る半導体装置１の構成を模式的に示す断面図である。なお、以下では、便宜上、図示する基板２の上面を表面と称し、下面を裏面と称することがある。図１に示すように、半導体装置１は、例えば、Ｓｉ（シリコン）などの半導体によって形成される基板２の表裏を貫通する貫通電極を備える。なお、基板２の表面は、絶縁膜６によって被覆されており、基板２の裏面は、絶縁膜３によって被覆される。
【００１２】
貫通電極は、バンプ１０と、電極パッド４と、シード膜７と、金属部８とを含む。バンプ１０は、例えば、はんだによって形成され、基板２の表面側に設けられる。また、電極パッド４は、例えば、シリサイドによって形成され、基板２を挟んでバンプ１０と対向する位置に設けられる。
【００１３】
シード膜７は、例えば、Ｃｕ（銅）によって形成される。かかるシード膜７は、基板２の表裏を貫通する貫通孔５の内周面を被覆する部分の絶縁膜６の表面、電極パッド４の表面、および基板２の表面における貫通孔５の開口周りを被覆する部分の絶縁膜６の表面に設けられる。
【００１４】
また、金属部８は、例えば、Ｎｉ（ニッケル）によって形成される。かかる金属部８は、シード膜７の表面に、例えば、Ｎｉ（ニッケル）をコンフォーマルめっきすることによって形成される。
【００１５】
ここで、基板２の表裏を貫通する貫通孔５は、図１に示すように、基板２表面側の一方の寸法が、基板２裏面側の電極パッド４によって閉塞された他方の開口の寸法よりも小さい。これにより、貫通孔５の内周面を被覆する部分の絶縁膜６および絶縁膜６を被覆するシード膜７の形状が貫通孔５の形状に倣う形となる。
【００１６】
つまり、シード膜７が形成された段階では、基板２の内部に、シード膜７によって被覆され、基板２裏面側の底部の寸法よりも基板２表面側の開口部の寸法が小さな孔が形成された状態である。
【００１７】
したがって、かかる形状の孔の内周面に、コンフォーマルめっきによってＮｉを析出させて金属部８を形成すると、例えば、孔の形状が基板２の厚さ方向と平行な方向へ延伸する筒状であった場合に比べ、短時間で孔の開口を閉塞することができる。
【００１８】
これにより、半導体装置１は、貫通電極の形成用に予め基板２に形成される貫通孔５が、例えば、基板２を厚さ方向へ貫通する筒状の貫通孔である場合に比べて、基板２の表面よりも上層側に形成される金属部８の厚さが薄くなり、半導体装置１全体の厚さを低減することができる。
【００１９】
しかも、貫通孔５は、基板２裏面側の他方の開口から表面側の一方の開口へ向かう中途部まで基板２の厚さ方向と直交する断面の寸法が等しく、中途部から基板２表面側の一方の開口へ向かうにつれて、断面の寸法が小さくなるように形成される。つまり、貫通孔５は、基板２表面側へ向かうにつれてテーパー状に細くなっており、基板２表面側の開口の角部の断面が９０度よりも鋭角の尖った状態となっている。
【００２０】
そして、コンフォーマルめっきでは、平坦な箇所よりも角部のように尖った部位の方が電界が集中するので、めっきによる金属の析出が速い。したがって、半導体装置１の製造工程では、より短時間のコンフォーマルめっきによって、基板２表面側の一方の開口が金属部８によって閉塞される。
【００２１】
また、半導体装置１は、金属部８の中央に閉塞された空洞９を備える。これにより、半導体装置１は、例えば、バンプ１０の形状を半球状に加工する熱処理を行う場合に、基板２の破損を抑制することができる。
【００２２】
具体的には、熱処理を行う工程では、金属部８が熱膨張を起こす場合がある。かかる場合に、金属部８内部の空洞９は、金属部８が外部へ及ぼす熱膨張力を吸収し、金属部８から基板２へ加わる力を軽減することによって、基板２の破損を抑制することができる。
【００２３】
また、半導体装置１を製造する工程では、貫通孔５における基板２表面側の開口が金属部８によって比較的短時間で閉塞されるので、金属部８内部の空洞９が、基板２の表面よりも基板２内部の深い位置に形成される。つまり、空洞９の上端は、基板２の表面よりも下層側に位置する。
【００２４】
したがって、半導体装置１によれば、空洞９の上端が基板２の表面よりも上層に位置する場合に比べ、基板２の表面よりも上層側に突出する金属部８の部位の厚さを薄くすることができ、この部位の厚さの制御および管理が容易になる。
【００２５】
また、半導体装置１内部の空洞９は、Ｃｕに比べてエレクトロマイグレーションに対する耐性が高いＮｉによって形成される金属部８の内部に形成される。したがって、コンフォーマルめっきを行う工程において、比較的高い電圧が金属部８に掛る場合に、金属部８の内部で空洞９の位置が変位することを抑制することができるので、エレクトロマイグレーションに起因した金属部８や基板２の破損を抑制することができる。
【００２６】
次に、図２〜図４を参照し、第１の実施形態に係る半導体装置１の製造方法について説明する。図２〜図４は、第１の実施形態に係る半導体装置１の製造工程を示す断面図である。ここでは、半導体装置１が備える基板２の表裏を貫通する貫通電極部分を形成する製造工程について説明する。
【００２７】
半導体装置１の貫通電極部分を形成する場合、図２に（ａ）で示すように、まず、基板２の裏面に、例えば、ＣＶＤ（Chemical  Vapor  Deposition）によって酸化Ｓｉ膜などの絶縁膜３を形成する。そして、絶縁膜３の裏面側における所定位置に、例えば、シリサイドをパターニングすることによって、基板２の裏面側に電極パッド４を形成する。
【００２８】
続いて、図２に（ｂ）で示すように、基板２の表面に、例えば、樹脂などのレジスト２１を形成する。そして、レジスト２１をパターニングすることによって、レジスト２１における電極パッド４と対向する位置に開口５０を形成する。このとき、開口５０は、基板２の厚さ方向と直交する断面の寸法が、電極パッド４の対応する断面の寸法よりも小さくなるように形成される。
【００２９】
その後、レジスト２１をマスクとしてＳｉ基板に対してＲＩＥ（Reactive  Ion  Etching）を行う。この工程では、エッチング用ガスと、保護膜形成用ガスとの混合ガスをエッチング用のチャンバ内へ導入してＲＩＥを行う。
【００３０】
エッチング用ガスとしては、例えば、ＣＦ４（テトラフルオロメタン）やＣＨＦ３（トリフルオロメタン）などを用いる。また、保護膜形成用ガスとしては、例えば、Ｃ４Ｆ８（オクタフルオロシクロブタン）などを用いる。なお、これらのガスは、一例である。このとき、基板２を厚さ方向へ貫通する筒状の貫通孔を形成する場合よりも、混合ガス中における保護膜形成用ガスの含有率を低く抑える。
【００３１】
これにより、図２に（ｂ）で示すように、ＲＩＥによる基板２の浸食は、基板２の厚さ方向（縦方向）だけでなく、厚さ方向と垂直な方向（横方向）へも進む。したがって、基板２に形成される開口５０の横方向の寸法は、開口５０の深さが深くなるにつれて、基板２表面における開口５０の横方向の寸法よりも徐々に大きくなる。
【００３２】
その後、混合ガス中における保護膜形成用ガスの含有率を高める。具体的には、ＲＩＥによる基板２の浸食が基板２の厚さ方向（縦方向）に進み、厚さ方向と垂直な方向（横方向）へはできるだけ進まなくなるように、保護膜形成用ガスの含有率を調整する。
【００３３】
つまり、基板２を厚さ方向へ貫通する筒状の貫通孔が形成されるように、保護膜形成用ガスの含有率を調整する。かかる処理条件の下、さらにＲＩＥを継続することによって、電極パッド４の表面を露出させる。
【００３４】
これにより、図２に（ｃ）で示すように、基板２には、表面側に形成される一方の開口の寸法Ｗ１が、裏面側に形成される他方の開口の寸法Ｗ２よりも小さい貫通孔５が形成される。より具体的には、基板２裏面側の他方の開口から表面側の一方の開口へ向かう中途部まで基板２の厚さ方向と直交する断面の寸法が略等しく、中途部から基板２表面側の一方の開口へ向かうにつれて、断面の寸法が小さくなる貫通孔５が形成される。
【００３５】
言い換えると、基板２裏面側の他方の開口から表面側の一方の開口へ向かう中途部まで基板２の厚さ方向と直交する断面の寸法が基板２裏面側から中途部に向かうにつれて断面の寸法が小さくなる度合より、中途部から基板２表面側の一方の開口へ向かうにつれて、断面の寸法が小さくなる度合の方が大きい貫通孔５が形成される。
【００３６】
続いて、図３に（ａ）で示すように、露出した電極パッド４の表面、貫通孔５の内周面、および基板２の表面に、例えば、ＣＶＤによって酸化Ｓｉ膜などの絶縁膜６を形成する。そして、図３に（ｂ）で示すように、電極パッド４の表面に形成された絶縁膜６をエッチングによって選択的に除去することにより、電極パッド４の表面を再度露出させる。
【００３７】
その後、図３に（ｃ）で示すように、露出した電極パッド４の表面、貫通孔５の内周面を被覆した絶縁膜６の表面、および基板２の表面を被覆した絶縁膜６の表面に、例えば、Ｃｕの膜を形成することによって、次に行うめっきのシード膜７を形成する。かかるシード膜７は、例えば、真空蒸着やスパッタリングによって形成する。
【００３８】
続いて、図４に（ａ）で示すように、基板２の表面側を被覆するシード膜７の表面に、例えば、樹脂などのレジスト２２を形成する。そして、レジスト２２をパターニングすることによって、レジスト２２における電極パッド４と対向する位置に開口を形成する。このとき、開口は、基板２の厚さ方向と直交する断面の寸法が、電極パッド４の対応する断面の寸法と略等しくなるように形成される。
【００３９】
続いて、レジスト２２によって被覆されていないシード膜７の表面に対して、例えば、Ｎｉのコンフォーマルめっきを行う。これにより、基板２の裏面側における他方の開口がシード膜７によって閉塞された貫通孔５の内部で、コンフォーマルめっきによって金属部８の形成が開始される。
【００４０】
金属部８の形成当初、金属部８によって被覆された貫通孔５の内部は基板２の表面が開口された状態となっている。かかる基板２表面側の開口は閉塞されなければ、後に行われる熱処理の際に、半導体装置１の破損の原因となる。このため、その後、Ｎｉのコンフォーマルめっきを継続し、図４に（ｂ）で示すように、貫通孔５における基板２表面側の一方の開口を金属部８によって閉塞する。これにより、金属部８の中央には、空洞９が形成される。
【００４１】
その後、図４に（ｃ）で示すように、レジスト２２によって囲まれた金属部８の表面に、例えば、はんだ層を積層することによってバンプ１０を形成する。最後に、レジスト２２とともに、レジスト２２直下のシード膜７を除去し、熱処理を施してバンプ１０を半球状に加工することによって、図１に示す半導体装置１が完成する。
【００４２】
上述したように、第１の実施形態に係る半導体装置１は、基板２の表裏を貫通し、一方の開口の寸法が他方の開口の寸法よりも小さい貫通孔５を備える。さらに、半導体装置１は、他方の開口が閉塞された貫通孔５の内部にコンフォーマルめっきによって形成されて貫通孔５における一方の開口を閉塞する金属部８を備える。
【００４３】
したがって、第１の実施形態に係る半導体装置１によれば、基板２の表面よりも上層側に突出する金属部８の厚さが低減されるので、半導体装置１全体の厚さを低減することができる。
【００４４】
（第２の実施形態）
図５は、第２の実施形態に係る半導体装置１ａの構成を模式的に示す断面図である。以下、図１に示す構成要素と同一の構成要素については、図１に示す符号と同一の符号を付することにより、その説明を一部省略する。
【００４５】
図５に示すように、半導体装置１ａは、基板２の表裏を貫通する孔の形状および孔の内周面を被覆する絶縁膜６ａの形状が図１に示す半導体装置１とは異なり、その他の構成は図１に示す半導体装置１と同様である。
【００４６】
具体的には、図１に示す半導体装置１では、基板２の表裏を貫通する貫通孔５は、基板２が加工されることによって、基板２表面側の一方の開口の寸法が、基板２裏面側の他方の開口の寸法よりも小さく形成される。
【００４７】
これに対し、図５に示す半導体装置１ａでは、基板２の表裏を貫通する貫通孔５ａは、基板２の表裏を貫通する筒状空洞の内周面を被覆する絶縁膜６ａによって、基板２表面側の一方の開口の寸法が、基板２裏面側の他方の開口の寸法よりも小さく形成される。
【００４８】
かかる半導体装置１ａを製造する製造工程においても、シード膜７の形状が貫通孔５ａの形状に倣う形となる。つまり、シード膜７が形成された段階では、基板２の内部に、シード膜７によって被覆され、基板２裏面側の底部の寸法よりも基板２表面側の開口部の寸法が小さな孔が形成された状態となる。
【００４９】
これにより、かかる形状の孔の内周面に、コンフォーマルめっきによってＮｉを析出させて金属部８を形成することにより、第１の実施形態と同様に、金属部８によって短時間で孔の開口を閉塞することができる。したがって、半導体装置１ａによれば、第１の実施形態と同様に、半導体装置１ａ全体の厚さを低減することができる。
【００５０】
また、半導体装置１ａは、基板２の表裏を貫通する孔の形状および孔の内周面を被覆する絶縁膜６ａの形状以外、図１に示す半導体装置１と同様の構成であるので、第１の実施形態から生起されるその他の効果についても同様に奏する。
【００５１】
次に、図６〜図８を参照し、第２の実施形態に係る半導体装置１ａの製造方法について説明する。図６〜図８は、第２の実施形態に係る半導体装置１ａの製造工程を示す断面図である。ここでは、半導体装置１ａが備える基板２の表裏を貫通する貫通電極部分を形成する製造工程について説明する。
【００５２】
半導体装置１ａの貫通電極部分を形成する場合、図６に（ａ）で示すように、まず、基板２の裏面に、例えば、ＣＶＤによって酸化Ｓｉ膜などの絶縁膜３を形成する。そして、絶縁膜３の裏面側における所定位置に、例えば、シリサイドをパターニングすることによって、基板２の裏面側に電極パッド４を形成する。
【００５３】
続いて、図６に（ｂ）で示すように、基板２の表面に、例えば、樹脂などのレジスト２３を形成する。そして、レジスト２３をパターニングすることによって、レジスト２３における電極パッド４と対向する位置に開口を形成する。
【００５４】
その後、レジスト２３をマスクとしてＳｉ基板に対してＲＩＥ（Reactive  Ion  Etching）を行う。この工程では、エッチング用ガスと、保護膜形成用ガスとの混合ガスをエッチング用のチャンバ内へ導入してＲＩＥを行う。
【００５５】
エッチング用ガスとしては、例えば、ＣＦ４（テトラフルオロメタン）やＣＨＦ３（トリフルオロメタン）などを用いる。また、保護膜形成用ガスとしては、例えば、Ｃ４Ｆ８（オクタフルオロシクロブタン）などを用いる。なお、これらのガスは、一例である。
【００５６】
ここでは、ＲＩＥによる基板２の浸食が基板２の厚さ方向（縦方向）に進み、厚さ方向と垂直な方向（横方向）へはできるだけ進まなくなるように、保護膜形成用ガスの含有率を調整する。これにより、基板２を厚さ方向へ貫通する筒状空洞５１が形成される。その後、さらにＲＩＥを継続することによって、電極パッド４の表面を露出させる。
【００５７】
続いて、レジスト２３を除去した後、図６に（ｃ）で示すように、露出した電極パッド４の表面、基板２に形成された筒状空洞５１の内周面、および基板２の表面に、例えば、ＣＶＤによって酸化Ｓｉ膜などの絶縁膜６ａを形成する。
【００５８】
このとき、筒状空洞５１の基板２表面側開口端部となる角部を覆う部分の絶縁膜６ａの膜厚が、筒状空洞５１の内周面を覆う部分の絶縁膜６ａの膜厚よりも厚くなるように、絶縁膜６ａの成膜条件を調整する。
【００５９】
その後、図７に（ａ）で示すように、電極パッド４の表面に形成された絶縁膜６ａをエッチングによって選択的に除去することにより、電極パッド４の表面を再度露出させる。これにより、絶縁膜６ａによって、基板２表面側の一方の開口の寸法Ｗ３が、基板２裏面側の他方の開口の寸法Ｗ４よりも小さな貫通孔５ａが形成される。
【００６０】
続いて、図７に（ｂ）で示すように、露出した電極パッド４の表面、貫通孔５ａの内周面を被覆した絶縁膜６ａの表面、および基板２の表面を被覆した絶縁膜６ａの表面に、例えば、Ｃｕの膜を形成することによって、次に行うめっきのシード膜７を形成する。かかるシード膜７は、例えば、真空蒸着やスパッタリングによって形成する。
【００６１】
続いて、図７に（ｃ）で示すように、基板２の表面側を被覆するシード膜７の表面に、例えば、樹脂などのレジスト２４を形成する。そして、レジスト２４をパターニングすることによって、レジスト２４における電極パッド４と対向する位置に開口を形成する。このとき、開口は、基板２の厚さ方向と直交する断面の寸法が、電極パッド４の対応する断面の寸法と略等しくなるように形成される。
【００６２】
続いて、レジスト２４によって被覆されていないシード膜７の表面に対して、例えば、Ｎｉのコンフォーマルめっきを行う。これにより、基板２の裏面側における他方の開口がシード膜７によって閉塞された貫通孔５ａの内部で、コンフォーマルめっきによって金属部８の形成が開始される。
【００６３】
その後、Ｎｉのコンフォーマルめっきを継続し、図８に（ａ）で示すように、貫通孔５ａにおける基板２表面側の一方の開口を金属部８によって閉塞する。これにより、金属部８の中央には、空洞９が形成される。
【００６４】
その後、図８に（ｂ）で示すように、レジスト２４によって囲まれた金属部８の表面に、例えば、はんだ層を積層することによってバンプ１０を形成する。最後に、レジスト２４とともに、レジスト２４直下のシード膜７を除去し、熱処理を施してバンプ１０を半球状に加工することによって、図５に示す半導体装置１ａが完成する。
【００６５】
上述したように、第２の実施形態では、基板２の表裏を貫通する貫通孔５ａは、基板２の表裏を貫通する筒状空洞の内周面を被覆する絶縁膜６ａによって、基板２表面側の一方の開口の寸法が、基板２裏面側の他方の開口の寸法よりも小さく形成される。
【００６６】
したがって、第２の実施形態に係る半導体装置１ａによれば、基板２の表面よりも上層側に突出する金属部８の厚さが低減されるので、半導体装置１ａ全体の厚さを低減することができる。なお、第１の実施形態および第２の実施形態では、金属部８がＮｉによって形成される場合について説明したが、金属部８の材料は、Ｎｉに限定されるものではない。
【００６７】
例えば、金属部８は、Ａｕ（金）、Ａｇ（銀）、Ｃｏ（コバルト）、Ｐｄ（パラジウム）、Ｗ（タングステン）、Ｔａ（タンタル）、白金（Ｐｔ）、ロジウム（Ｒｈ）、イリジウム（Ｉｒ）、ルテニウム（Ｒｕ）、オスミウム（Ｏｓ）、レニウム（Ｒｅ）、モリブデン（Ｍｏ）、ニオブ（Ｎｂ）、ホウ素（Ｂ）、ハフニウム（Ｈｆ）など、Ｃｕよりもエレクトロマイグレーションに対する耐性が高い他の金属によって形成されてもよい。また、金属部８は、これらの金属を含む合金によって形成されてもよい。
【００６８】
また、金属部８は、コンフォーマルめっきに使用する電圧が比較的低い場合には、Ｃｕによって形成されてもよい。金属部８の材料としてＣｕを用いることによって、例えば、Ａｕ、Ａｇ、Ｃｏ、Ｐｄ、Ｗ、Ｔａ、Ｐｔ、Ｒｈ、Ｉｒ、Ｒｕ、Ｏｓ、Ｒｅ、Ｍｏ、Ｎｂ、Ｂ、Ｈｆなどを用いる場合よりも、低コストで金属部８を形成することができる。
【００６９】
本発明のいくつかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これら新規な実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これら実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれるとともに、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる。
【符号の説明】
【００７０】
１，１ａ  半導体装置、２  基板、３，６，６ａ  絶縁膜、４  電極パッド、５，５ａ  貫通孔、７  シード膜、８  金属部、９  空洞、１０  バンプ
【図１】
2015142113.tif 000003
【図２】
2015142113.tif 000004
【図３】
2015142113.tif 000005
【図４】
2015142113.tif 000006
【図５】
2015142113.tif 000007
【図６】
2015142113.tif 000008
【図７】
2015142113.tif 000009
【図８】
2015142113.tif 000010