(57)【要約】      （修正有）【課題】二重露光のマスク構造及び露光現像の方法の提供。【解決手段】二重露光のマスク構造及び露光現像の方法は基材１０に対して露光現像を行ない、該基材１０は中心領域１１と辺縁領域１２を具え、該マスク構造は複数の、相互に平行で離間し、且つ該中心領域１１に対応する第１マスク２０、複数の、相互に平行で離間し、且つ該中心領域１１に対応する第２マスク３０、及び複数の補助マスク５０を包含する。これら第２マスク３０はそれぞれこれら第１マスク２０と交差し、並びに複数の重畳領域６０を形成し、これら補助マスク５０は相互に不接触で、且つこれら第２マスク３０上に対応して、これら補助マスク５０の傍らに隣接するこれら重畳領域６０が十分な焦点深度を有するように補助して露光現像する。これにより、これら補助マスク５０を利用して該中心領域１１の該辺縁領域１２に隣接する重畳領域６０が良好な露光現像効果を有する。【選択図】図３
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
二重露光のマスク構造において、基材（１０）に対して露光現像を行ない、該基材（１０）は、中心領域（１１）と辺縁領域（１２）を具え、該マスク構造は、
複数の、相互に平行で離間し、且つ該中心領域（１１）に対応する第１マスク（２０）、
複数の、相互に平行で離間し、且つ該中心領域（１１）に対応する第２マスク（３０）であって、それぞれこれら第１マスク（２０）と交差し、並びに複数の重畳領域（６０）を形成する、上記第２マスク（３０）、
これら第１マスク（２０）に平行で、且つこれら第２マスク（３０）の一端点に接続された辺縁連接部（３１）であって、該中心領域（１１）と該辺縁領域（１２）の境界位置に対応し、該辺縁連接部（３１）に隣接する該第１マスク（２０）を辺縁第１マスク（２１）と定義する、上記辺縁連接部（３１）、
複数の、相互に平行で離間し、且つ該辺縁連接部（３１）において該第１マスク（２０）から離れた一側に設置される辺縁補助マスク（４０）であって、これら第１マスク（２０）に平行であり、且つ該辺縁領域（１２）に対応する、上記辺縁補助マスク（４０）、  複数の、該辺縁連接部（３１）と該辺縁第１マスク（２１）の間に設置されると共に、直線に沿って配列された補助マスク（５０、５０ａ）であって、これら補助マスク（５０、５０ａ）は相互に不接触で、且つこれら第２マスク（３０）上に対応し、これら補助マスク（５０、５０ａ）の傍らに隣接するこれら重畳領域（６０）が十分な焦点深度を有するように補助して露光現像させる、上記補助マスク（５０、５０ａ）、
以上を包含することを特徴とする、二重露光のマスク構造。
【請求項２】
請求項１記載の二重露光のマスク構造において、これら補助マスク（５０）の該第１マスク（２０）方向に沿った長さはこれら第２マスク（３０）の幅より大きく、これにより該補助マスク（５０）が該第２マスク（３０）の領域より突出することを特徴とする、二重露光のマスク構造。
【請求項３】
請求項１記載の二重露光のマスク構造において、これら補助マスク（５０ａ）の数量は、これら第２マスク（３０）の半分とされ、これら補助マスク（５０ａ）は一つの直線に沿って、隣り合う第２マスク（３０）上を跨ぎ、且つ各該補助マスク（５０ａ）の間にはギャップが存在することを特徴とする、二重露光のマスク構造。
【請求項４】
二重露光及び現像の方法において、それは基材（１０）に対して露光現像を行ない、該基材（１０）は中心領域（１１）及び辺縁領域（１２）を具え、該二重露光及び現像の方法は、
Ｓ１：複数の、相互に平行で離間した第２マスク（３０）を利用して、該中心領域（１１）に対して露光し、複数の、対応する第２レジストを形成し、且つこれら第２マスク（３０）の一端点に接続された辺縁連接部（３１）を利用し、同時に該辺縁領域（１２）の、該中心領域（１１）に隣り合う位置を露光し、対応する辺縁レジストを形成する
Ｓ２：複数の、相互に平行で離間した第１マスク（２０）、及び複数の、一つの直線に沿って配列され且つこれら第１マスク（２０）に平行である補助マスク（５０、５０ａ）を形成し、これら第１マスク（２０）と補助マスク（５０、５０ａ）は、いずれも該辺縁連接部（３１）に平行であり、且つこれら補助マスク（５０、５０ａ）の間は相互に不接触であるものとする
Ｓ３：これら第１マスク（２０）を利用し該中心領域（１１）に対して露光し、複数の、これら第２レジストに交差する第１レジストを形成し、且つ複数の重畳レジスト領域（６１）を形成し、該辺縁レジストの傍らに隣接する第１レジストを、設定レジストとして定義し、これら補助マスク（５０、５０ａ）は該設定レジストと該辺縁レジストの間に位置し、並びにこれら第２レジストの位置に対応するものとし、これら第１マスク（２０）と組み合わせて露光に供する
Ｓ４：Ｓ３のステップの実行と同時に、複数の、これら第１マスク（２０）に平行な辺縁補助マスク（４０）を、該辺縁領域（１２）の位置に設置して、対応する露光現像を行なう
以上のステップを有することを特徴とする、二重露光及び現像の方法。
【請求項５】
請求項４記載の二重露光及び現像の方法において、これら補助マスク（５０）の該第１マスク（２０）方向に沿った長さは、これら第２マスク（３０）の幅より大きいことを特徴とする、二重露光及び現像の方法。
【請求項６】
請求項４記載の二重露光及び現像の方法において、これら補助マスク（５０ａ）の数量は、これら第２マスク（３０）の半分とされ、これら補助マスク（５０ａ）は一つの直線に沿って、隣り合う第２マスク（３０）上を跨ぎ、且つ各該補助マスク（５０ａ）の間にはギャップが存在することを特徴とする、二重露光及び現像の方法。
【請求項７】
二重露光及び現像の方法において、それは基材（１０）に対して露光現像を行ない、該基材（１０）は中心領域（１１）及び辺縁領域（１２）を具え、該二重露光及び現像の方法は、
Ｐ１：複数の、相互に平行で離間した第１マスク（２０）と、複数の、一つの直線に沿って該第１マスク（２０）の一側に配列されると共にこれら第１マスク（２０）に平行な補助マスク（５０、５０ａ）を形成し、これら補助マスク（５０、５０ａ）の間は相互に不接触とする
Ｐ２：これら第１マスク（２０）で該中心領域（１１）を露光し、複数の第１レジストを形成し、これら第１レジストの最辺縁の第１レジストを設定レジストとして定義し、これら補助マスク（５０、５０ａ）は該設定レジストのこれら第１レジストより離れた一側に位置するものとし、これら第１マスク（２０）と組み合わせて露光に供する
Ｐ３：Ｐ２のステップの実行と同時に、複数の、これら第１マスク（２０）に平行な辺縁補助マスク（４０）を、該辺縁領域（１２）の位置に設置して、対応する露光現像を行なう
Ｐ４：複数の、相互に平行で離間する第２マスク（３０）を利用し、該中心領域（１１）において露光を行ない、複数の、これら第１レジストに交差する第２レジストを形成し、並びに複数の重畳レジスト領域（６１）を形成し、且つこれら第２マスク（３０）の一端点に接続された辺縁連接部（３１）を利用し、同時に該辺縁領域（１２）の該中心領域（１１）に隣接する位置を露光し、対応する辺縁レジストを形成し、該辺縁レジストはこれら第１レジストに平行であり、且つこれら第２マスク（３０）の露光現像の位置はこれら補助マスク（５０、５０ａ）の位置に対応する
以上のステップを有することを特徴とする、二重露光及び現像の方法。
【請求項８】
請求項７記載の二重露光及び現像の方法において、これら補助マスク（５０）の該第１マスク（２０）方向に沿った長さは、これら第２マスク（３０）の幅より大きいことを特徴とする、二重露光及び現像の方法。
【請求項９】
請求項７記載の二重露光及び現像の方法において、これら補助マスク（５０ａ）の数量は、これら第２マスク（３０）の半分とされ、これら補助マスク（５０ａ）は一つの直線に沿って、隣り合う第２マスク（３０）上を跨ぎ、且つ各該補助マスク（５０ａ）の間にはギャップが存在することを特徴とする、二重露光及び現像の方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は一種のマスク構造及び露光現像の方法に係り、特に一種の、二重露光のマスク構造及び露光現像の方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体の微細化は長らくの間、ずっとムーアの法則により発展し、すなわち、シングルチップウエハー上のトランジスタと抵抗素子の数量は、毎年二倍に増加する速度で成長し、この理論は、過去３０年間に相当に適用されてきたが、現在は、１８カ月毎に２倍となる速度に修正されている。しかし、半導体製造工程は主にリソグラフィーエッチングの方式を利用して実行されるが、光線の回折問題は、工程サイズがますます小さくなる状況にあって、次第に厳重な問題を現出している。
【０００３】
同じサイズのウエハーにより多くのトランジスタを詰め込むために、現段階で、すでに極端紫外線（Ｅｘｔｒｅｍｅ  Ｕｌｔｒａｖｉｏｌｅｔ，ＥＵＶ）及び二重露光（ｄｏｕｂｌｅ  ｅｘｐｏｓｕｒｅ）等の技術で、さらに線幅を減らし、トランジスタの縮小を縮小する研究開発が開始されている。ＥＵＶの技術の成熟度は依然として不足しており、これにより、二重露光の技術が現在、半導体サイズを縮小するための最も主要な技術の一つとなっている。二重露光は、第一次露光の後、シフトの方式で露光の位置を調整し、第二次露光を行なうことで、光線回折で露光位置が不正確となる問題を発生するのを防止できる。そのうち、特許文献１の、「Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ  Ｄｅｖｉｃｅ  Ａｎｄ
Ｍｅｔｈｏｄ  Ｆｏｒ  Ｆｏｒｍｉｎｇ  Ａ  Ｐａｔｔｅｒｎ  Ｉｎ  Ｔｈｅ  Ｓａｍｅ  Ｗｉｔｈ  Ｄｏｕｂｌｅ  Ｅｘｐｏｓｕｒｅ  Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ」には、一種の二重露光の技術が記載され、それは、ＤＲＡＭ関係の二重露光技術を記載しており、並びに有効に歩留りをアップしている。
【０００４】
しかし、図１Ａ及び図１Ｂを併せて参照されたい。それは一種の二重露光の構造及びエッチング結果の表示図であるが、この構造は、基材１、該基材１上に形成され且つ第１方向に平行である複数の第１マスク２、該基材１上に形成され且つ該第１方向に垂直である複数の第２マスク３、及び、該第１方向に平行に該基材１上に形成される複数の辺縁補助マスク４を包含する。該第１マスク２と該第２マスク３は交差するように重畳して複数の重畳点５を形成し、これら重畳点５はエッチング工程がポジレジスト或いはネガレジスト工程かにより、これら重畳点５位置に対応する基材１の位置を孔或いは柱体となし得る。図１Ｂにおいて、それは図１Ａ中の点線で囲まれた位置に対応するが、仮に該露光がネガレジスト現像の方式を利用すると、これら重畳点５の位置に孔６が形成され得る。辺縁に位置するこれら重畳点５は、隣り合うマスクを利用して十分な焦点深度（Ｄｅｐｔｈ  Ｏｆ  Ｆｏｃｕｓ，ＤＯＦ）を有して孔６を形成することができず、これにより、これら辺縁補助マスク４を該第１マスク２の辺縁に設置して、該辺縁補助マスク４に隣接し並びにこれら重畳点５位置に対応する基材１に孔６を形成するのを補助しなければならない。
【０００５】
ただし、図２及び図１Ｂを併せて参照されたい。それは、孔位置と孔寸法の対応図であるが、辺縁に位置する孔７が対応するＨ１の限界寸法（ＣｒｉｔｉｃａｌＤｉｍｅｎｓｉｏｎ，ＣＤ）は、依然として明らかに一般の中心に位置する孔６が対応するＨ２〜Ｈ５の限界寸法より小さく、すなわち、これら辺縁補助マスク４の補助があっても、これら辺縁の孔７は依然として後続工程を実行するのに十分な限界寸法を有し得ないことが分かる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】米国特許公開第２００８１５３２９９号明細書
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
本発明の主要な目的は、周知技術の、辺縁に位置する孔の限界寸法が小さすぎ、後続工程を実行できなくなる問題を解決することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
上述の目的を達成するため、本発明は一種の二重露光のマスク構造を提供し、それは、基材に対して露光現像を実行し、該基材は中心領域と辺縁領域を具え、該マスク構造は、  複数の、相互に平行で離間し、且つ該中心領域に対応する第１マスク、
複数の、相互に平行で離間し、且つ該中心領域に対応する第２マスク、
これら第１マスクに平行で、且つこれら第２マスクの一端点に接続された辺縁連接部、  複数の、相互に平行で離間し、且つ該辺縁連接部の該第１マスクから離れた一側に設置される辺縁補助マスク、
及び、
複数の、一つの直線に沿って配列される補助マスク、
以上を包含する。
【０００９】
これら第２マスクは、それぞれこれら第１マスクと交差し、並びに複数の重畳領域を形成し、該辺縁連接部は該中心領域と該辺縁領域の境界位置に対応し、該辺縁連接部に隣接する該第１マスクを辺縁第１マスクと定義する。
【００１０】
これら辺縁補助マスクは、これら第１マスクに平行で、且つ該辺縁領域に対応する。
【００１１】
これら補助マスクは、該辺縁連接部と該辺縁第１マスクの間に設置されると共に、直線に沿って配列され、且つこれら補助マスクは相互に不接触であり、並びにこれら第２マスク上に対応し、これら補助マスクの傍らに隣接するこれら重畳領域が十分な焦点深度を有するように補助して露光現像させる。
【００１２】
このほか、本発明は一種の二重露光及び現像の方法を提供し、それは、
基材に対して露光現像を行ない、該基材は中心領域及び辺縁領域を具え、該二重露光及び現像の方法は、
Ｓ１：複数の、相互に平行で離間した第２マスクを利用して、該中心領域に対して露光し、複数の、対応する第２レジストを形成し、且つこれら第２マスクの一端点に接続された辺縁連接部を利用し、同時に該辺縁領域の、該中心領域に隣り合う位置を露光し、対応する辺縁レジストを形成する
Ｓ２：複数の、相互に平行で離間した第１マスク、及び複数の、一つの直線に沿って配列され且つこれら第１マスクに平行である補助マスクを形成し、これら第１マスクと補助マスクは、いずれも該辺縁連接部に平行であり、且つこれら補助マスクの間は相互に不接触であるものとする
Ｓ３：これら第１マスクを利用し該中心領域に対して露光し、複数の、これら第２レジストに交差する第１レジストを形成し、且つ複数の重畳レジスト領域を形成し、該辺縁レジストの傍らに隣接する第１レジストを、設定レジストとして定義し、これら補助マスクは該設定レジストと該辺縁レジストの間に位置し、並びにこれら第２レジストの位置に対応するものとし、これら第１マスクと組み合わせて露光現像に利用する
Ｓ４：Ｓ３のステップの実行と同時に、複数の、これら第１マスクに平行な辺縁補助マスクを、該辺縁領域の位置に設置して、対応する露光現像を行なう
以上のステップを有する。
【発明の効果】
【００１３】
以上の説明から分かるように、本発明は以下の特徴を有する。
１．これら補助マスクの設計を利用し、該辺縁領域に隣接するこれら重畳領域が十分な焦点深度を有するように補助し、露光現像を行う。
２．半導体工程の線幅が漸次縮小する工程中にあって、これら補助マスクの補助により、露光フォーカスのマージン（ｍａｒｇｉｎ）を増すことができる。
【図面の簡単な説明】
【００１４】
【図１Ａ】周知の技術のマスク構造表示図である。
【図１Ｂ】周知の技術のエッチング孔表示図である。
【図２】周知の技術の孔位置と孔寸法の対応図である。
【図３】本発明の第１実施例のマスク構造表示図である。
【図４】本発明のフローチャートである。
【図５】本発明の別の実施例のフローチャートである。
【図６】本発明の第２実施例のマスク構造表示図である。
【図７】本発明の孔位置と孔寸法の対応図である。
【発明を実施するための形態】
【００１５】
以下に本発明の技術内容、構造特徴、達成する目的及び作用効果について、以下に例を挙げ並びに図面を組み合わせて詳細に説明する。
【００１６】
図３を参照されたい。本発明は、一種の二重露光のマスク構造とされ、それは、基材１０に対して露光現像を行うのに使用され、該基材１０は、中心領域１１及び辺縁領域１２を具えている。
【００１７】
該マスク構造は、
複数の、相互に平行で離間し、且つ該中心領域１１に対応する第１マスク２０、
複数の、相互に平行で離間し、且つ該中心領域１１に対応する第２マスク３０、
これら第１マスク２０に平行で、且つこれら第２マスク３０の一端点に接続された辺縁連接部３１、
複数の、相互に平行で離間し、且つ該辺縁連接部３１の該第１マスク２０から離れた一側に設置される辺縁補助マスク４０、
及び、
複数の、一つの直線に沿って配列される補助マスク５０、
以上を包含する。
【００１８】
これら第２マスク３０は、それぞれこれら第１マスク２０と交差し、並びに複数の重畳領域６０を形成し、該辺縁連接部３１は該中心領域１１と該辺縁領域１２の境界位置に対応し、該辺縁連接部３１に隣接する該第１マスク２０を辺縁第１マスク２１と定義する。
【００１９】
これら辺縁補助マスク４０は、これら第１マスク２０に平行で、且つ該辺縁領域１２に対応する。
【００２０】
これら補助マスク５０は、該辺縁連接部３１と該辺縁第１マスク２１の間に設置されると共に、一つの直線に沿って配列され、且つこれら補助マスク５０間は相互に不接触であり、並びにこれら第２マスク３０上に対応する。
【００２１】
すなわち、これら補助マスク５０の、これら第２マスク３０相互の間の距離に対応し、対応する大きさのギャップを有し、これによりこれら補助マスク５０がこれら第２マスク３０上に重畳する。これにより、これら補助マスクの傍らに隣接するこれら重畳領域が十分な焦点深度を有するように補助して露光現像させる。
【００２２】
そのうち、これら補助マスク５０の、これら第１マスク２０の方向に沿った長さは、これら第２マスク３０の幅より大きく、これにより、該補助マスク５０が該第２マスク３０の領域より突出させられ、補助マスク５０がカバーする範囲が比較的大きいことを利用し、有効に露光現像を実行できる。
【００２３】
このほか、図４も併せて参照されたい。本発明はまた、一種の二重露光及び現像の方法を提供し、それは、以下のステップを包含する。
【００２４】
Ｓ１：第一次マスク露光。相互に平行で離間したこれら第２マスク３０を利用し、該中心領域１１に対して露光を行ない、複数の対応する第２レジスト（図示せず）を形成し、且つこれら第２マスク３０の一端点に接続された該辺縁連接部３１を利用し、同時に該辺縁領域１２の該中心領域１１に隣接する位置の露光を行ない、対応する辺縁レジスト（図示せず）を形成する。
【００２５】
Ｓ２：対応マスク成形。相互に平行で離間したこれら第１マスク２０、及び、一つの直線に沿って配列され且つこれら第１マスク２０に平行な該補助マスク５０を形成し、これら第１マスク２０と該補助マスク５０は、いずれも該辺縁連接部３１に平行で、且つこれら補助マスク５０の間は相互に不接触とする。
【００２６】
Ｓ３：第二次マスク露光。これら第１マスク２０を利用し、該中心領域１１に対して露光を行ない、複数の、これら第２レジストに交差する第１レジスト（図示せず）を形成し、且つ複数の重畳レジスト領域６１を形成し、それは上述の重畳領域６０に対応し、該辺縁レジストの傍らに隣接する第１レジストを、設定レジストとして定義し、これら補助マスク５０は、該設定レジストと該辺縁レジストの間に位置し、並びにこれら第２レジストの位置に対応するものとし、これら第１マスク２０と組み合わされて露光現像に利用する。そのうち、これら補助マスク５０の、これら第１マスク２０の方向に沿った長さは、これら第２マスク３０の幅より大きいものとする。
【００２７】
Ｓ４：補助露光。Ｓ３のステップを実行すると同時に、複数の、これら第１マスク２０に平行な辺縁補助マスク４０を設置した該辺縁領域１２の位置に対して、露光現像を行ない、これら辺縁補助マスク４０はまた、中心領域１１に位置する第１レジスト及び第２レジストの成形を補助するのに用いる。
【００２８】
上述の説明方式は、まず、第２マスク３０で第２レジストの露光現像を実行しているが、実際の実施時には、マスク露光の前後の順序は限定せず、先に第１マスク２０及び補助マスク５０で露光現像し、その後、第２マスク３０で露光現像を行ってもよい。図５も併せて参照されたいが、詳細なステップは以下のように説明される。
【００２９】
Ｐ１：マスク成形。相互に平行で離間したこれら第１マスク２０、及び、該第１マスク２０の一側に一つの直線に沿って配列され且つこれら第１マスク２０に平行なこれら補助マスク５０を形成し、これら補助マスク５０の間は相互に不接触とする。
【００３０】
Ｐ２：第一次マスク露光。これら第１マスク２０を利用し、該中心領域１１に対して露光を行ない、これら第１レジストを形成し、これら第１レジストの、最辺縁の第１レジストを設定レジストとして定義し、これら補助マスク５０は、該設定レジストの、これら第１レジストから離れた一側に位置し、これら第１マスク２０に組み合わせて露光現像を行う。
【００３１】
Ｐ３：補助露光。ステップＰ２を実行するのと同時に、これら第１マスク２０に平行なこれら辺縁補助マスク４０を設置した該辺縁領域１２の位置に、対応する露光現像を行ない、同時にこれら第１マスク２０に対応する露光現像を行うのを補助する。
【００３２】
Ｐ４：第二次マスク露光。相互に平行で離間する第２マスク３０を利用し、該中心領域１１において露光を行ない、これら第１レジストに交差する第２レジストを形成し、並びに複数の重畳レジスト領域６１を形成し、且つこれら第２マスク３０の一端点に接続された辺縁連接部３１を利用し、同時に該辺縁領域１２の該中心領域１１に隣接する位置を露光し、対応する辺縁レジストを形成し、該辺縁レジストはこれら第１レジストに平行であり、且つこれら第２マスク３０の露光現像の位置はこれら補助マスク５０の位置に対応するものとする。
【００３３】
図６を参照されたい。それは、本発明の第２実施例とされ、これら補助マスク５０ａは、それぞれこれら第２マスク３０に対応し、これら第２マスク３０と同じ数量であるほか、これら補助マスク５０ａの数量は、これら第２マスク３０の半分とされて、一つの直線に沿って、隣り合う第２マスク３０上に跨がるように重畳されてもよく、且つ各該補助マスク５０ａの間にはギャップがある。すなわち、これら補助マスク５０ａの長さは、第１実施例中の長さに較べて長く、二つの第２マスク３０が共同で、一つの補助マスク５０ａ上に接続され、且つギャップが空けられている。これによっても、これら重畳レジスト領域６１の露光現像の目的を達成できる。
【００３４】
また、特に説明が必要であることは以下のとおりである。これら補助マスク５０、５０ａの間は、相互に接続されてはならず、もし補助マスク５０、５０ａが接続されて完全な直線を形成するならば、該補助マスク５０、５０ａは、第１マスク２０に類似の機能を有することになり、これにより、該補助マスク５０、５０ａと該第２マスク３０の交差重畳する領域に、エッチング時にこれら重畳レジスト領域６１と同じエッチング或いは保留現象が発生し得て、却って工程中に不必要な部分を形成してしまう。
【００３５】
最後に、図７も参照されたい。孔の位置と孔のサイズの比例曲線表現上、該中心領域１１の、辺縁領域１２に隣接する孔位置Ｈ１の限界寸法は、その他の中心領域１１の孔位置Ｈ２〜Ｈ５の限界寸法より小さくならず、却ってこれら孔位置Ｈ２〜Ｈ５の限界寸法よりやや大きくなる状況が分かり、これにより、有効に辺縁位置の孔の限界寸法が小さくなり過ぎる問題を解決できる。
【００３６】
総合すると、本発明は以下の特徴を有している。
１．これら補助マスクの設計を利用し、該辺縁領域に隣接するこれら重畳領域が十分な焦点深度を有するのを助け、露光現像を行う。
２．半導体工程の線幅が漸次小さくなる工程にあって、これら補助マスクの補助により、露光フォーカスのマージンが高くなる。
３．これら第２マスクを横向きに跨ぎ、並びにこれら第２マスク上に重畳される補助マスクを利用し、有効にフォーカスの能力をアップする。
【符号の説明】
【００３７】
１  基材
２  第１マスク
３  第２マスク
４  辺縁補助マスク
５  重畳点
６  孔
７  孔
１０  基材
１１  中心領域
１２  辺縁領域
２０  第１マスク
３０  第２マスク
３１  辺縁連接部
４０  辺縁補助マスク
５０、５０ａ  補助マスク
２１  辺縁第１マスク
【図１Ａ】
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【図１Ｂ】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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