(57)【要約】【課題】パッケージの機械的強度を高めつつ、熱膨張により生じ得る応力による破損を低減することのできる電子デバイス、電子機器および移動体を提供する。【解決手段】電子デバイス１は、凹部２１１を備えているベース基材２１と、側面３ａ〜３ｄを備えている支持基板３と、を有し、支持基板３は、平面視で凹部２１１と重なって位置しており、側面３ａの両端を除く複数個所および側面３ｂの両端を除く複数個所にて、半田Ｈ１〜Ｈ６を介してベース基材２１の上面に接合されている。【選択図】図６
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
底板と、前記底板の一方の主面から立設している側壁と、前記側壁で囲まれている領域と、を備えているベース基材と、
表裏の関係にある第１主面および第２主面と、前記第１主面および前記第２主面を接続する側面と、を備え、前記側面が、対向して配置されている第１側面および第２側面と、対向して配置され、前記第１側面および第２側面と交差する方向に延在している第３側面および第４側面と、を備えている基板と、を有し、
前記基板は、平面視で、前記側壁で囲まれている領域と重なり、前記第２主面が前記底板側を向いて位置しており、前記第１側面の両端を除く複数個所および前記第２側面の両端を除く複数個所の少なくとも一方にて、接続部材を介して前記側壁の主面に接合されていることを特徴とする電子デバイス。
【請求項２】
前記基板は、セラミックで構成されている請求項１に記載の電子デバイス。
【請求項３】
前記底板の他方の主面には、外部接続端子が設けられており、
平面視で、前記基板の前記ベース基材との接続箇所と前記ベース基材の中心との間の距離の最大値が、前記外部接続端子の前記他方の主面の外縁と接する部分と前記ベース基材の中心との間の距離の最大値よりも短い請求項１または２に記載の電子デバイス。
【請求項４】
前記基板を覆うように前記ベース基材に接合される蓋体を有し、
前記蓋体は、前記側壁の前記第３側面に沿っている部分および前記第４側面に沿っている部分に接合されている請求項１ないし３のいずれか１項に記載の電子デバイス。
【請求項５】
前記第１主面および前記蓋体の間には柱状部材が設けられており、前記柱状部材は前記基板と前記蓋体とに接している請求項４に記載の電子デバイス。
【請求項６】
前記第１主面に設けられ、前記柱状部材を兼ねている第１電子部品を有している請求項５に記載の電子デバイス。
【請求項７】
前記基板には、振動子および前記振動子に接続されている回路が設けられており、
前記第１電子部品は、前記振動子または前記回路に含まれている回路素子である請求項６に記載の電子デバイス。
【請求項８】
前記第２主面に設けられ、前記底板と接している第２電子部品を有している請求項１ないし７のいずれか１項に記載の電子デバイス。
【請求項９】
前記第２主面に設けられ、接続部材を介して前記底板に接続されている第２電子部品を有している請求項１ないし７のいずれか１項に記載の電子デバイス。
【請求項１０】
前記基板には、振動子および前記振動子に接続されている回路が設けられており、
前記第２電子部品は、前記振動子または前記回路に含まれている回路素子である請求項８または９に記載の電子デバイス。
【請求項１１】
請求項１ないし１０のいずれか１項に記載の電子デバイスを備えていることを特徴とする電子機器。
【請求項１２】
請求項１ないし１０のいずれか１項に記載の電子デバイスを備えていることを特徴とする移動体。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電子デバイス、電子機器および移動体に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来から、ＳＡＷ（Surface Acoustic Wave）共振子や水晶振動子を用いた発振器が知られており、種々の電子機器の基準周波数源や発振源などとして広く用いられている。
【０００３】
特許文献１に記載されている電子デバイスは、実装基板および金属ケースからなるパッケージと、パッケージ内に配置され実装基板に固定されているプリント基板と、プリント基板に搭載されている水晶振動子およびＩＣ部品と、を有している。このような構成では、プリント基板がパッケージの機械的強度を補強する補強部材とし、パッケージの機械的強度を高めることができる点で有効であると考えられる。しかしながら、特許文献１の電子デバイスでは、プリント基板の縁部全周が実装基板に固定されているため、実装基板とプリント基板の熱膨張差により発生する応力等により、プリント基板や、実装基板や、これらの接合部に過度な応力が加わってしまい、プリント基板や実装基板が破損するおそれがある。
【０００４】
また、特許文献２に記載されている電子デバイスは、第１の誘電体基板および金属カバーからなるパッケージと、パッケージ内に配置され金属ベースに固定されている第２の誘電体基板と、第２の誘電体基板に搭載れているＲＦ半導体デバイスと、を有している。しかしながら、このような特許文献２の電子デバイスにおいても、第２の誘電体基板の縁部全周が第１の誘電体基板に固定されているため、前述した特許文献１の電子デバイスと同様の問題が生じるおそれがある。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２００５−１６７５０８号公報
【特許文献２】特開２０００−１７４２０４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
本発明は、パッケージの機械的強度を高めつつ、熱膨張により生じ得る応力による破損を低減することのできる電子デバイス、電子機器および移動体を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明は、上述の課題の少なくとも一部を解決するためになされたものであり、以下の形態または適用例として実現することが可能である。
【０００８】
［適用例１］
本発明の電子デバイスは、底板と、前記底板の一方の主面から立設している側壁と、前記側壁で囲まれている領域と、を備えているベース基材と、
表裏の関係にある第１主面および第２主面と、前記第１主面および前記第２主面を接続する側面と、を備え、前記側面が、対向して配置されている第１側面および第２側面と、対向して配置され、前記第１側面および第２側面と交差する方向に延在している第３側面および第４側面と、を備えている基板と、を有し、
前記基板は、平面視で、前記側壁で囲まれている領域と重なり、前記第２主面が前記底板側を向いて位置しており、前記第１側面の両端を除く複数個所および前記第２側面の両端を除く複数個所の少なくとも一方にて、接続部材を介して前記側壁の主面に接合されていることを特徴とする。
【０００９】
これにより、基板がベース基材の補強部材として機能し、パッケージの機械的強度を高めることができる。また、基板が第１側面および第２側面の少なくとも一方でベース基材に接合されるため、熱膨張により基板に生じ得る応力を低減することのできる電子デバイスが得られる。
【００１０】
［適用例２］
本発明の電子デバイスでは、前記基板は、セラミックで構成されていることが好ましい。
【００１１】
これにより、基板の機械的強度が比較的高くなるため、基板がベース基材の補強部材として機能し、パッケージの機械的強度をさらに高めることができる。
【００１２】
［適用例３］
本発明の電子デバイスでは、前記底板の他方の主面には、外部接続端子が設けられており、
平面視で、前記基板の前記ベース基材との接続箇所と前記ベース基材の中心との間の距離の最大値が、前記外部接続端子の前記他方の主面の外縁と接する部分と前記ベース基材の中心との間の距離の最大値よりも短いことが好ましい。
【００１３】
これにより、基板とベース基材とを接続している接続部材へのクラックの発生を低減することができる。
【００１４】
［適用例４］
本発明の電子デバイスでは、前記基板を覆うように前記ベース基材に接合される蓋体を有し、
前記蓋体は、前記側壁の前記第３側面に沿っている部分および前記第４側面に沿っている部分に接合されていることが好ましい。
【００１５】
これにより、蓋体がベース基材の補強部材として機能し、パッケージの機械的強度をさらに高めつつ、熱膨張により基板に生じ得る応力を低減することのできる電子デバイスとなる。
【００１６】
［適用例５］
本発明の電子デバイスでは、前記第１主面および前記蓋体の間には柱状部材が設けられており、前記柱状部材は前記基板と前記蓋体とに接していることが好ましい。
【００１７】
これにより、蓋体の撓みを低減することができ、電子デバイスの機械的強度をさらに高めることができる。
【００１８】
［適用例６］
本発明の電子デバイスでは、前記第１主面に設けられ、前記柱状部材を兼ねている第１電子部品を有していることが好ましい。
【００１９】
これにより、柱状部材として第１電子部品を使用することで、柱状部材だけの機能を有する部材を配置する必要がなくなるため、電子デバイスの小型化を図ることができる。
【００２０】
［適用例７］
本発明の電子デバイスでは、前記基板には、振動子および前記振動子に接続されている回路が設けられており、
前記第１電子部品は、前記振動子または前記回路に含まれている回路素子であることが好ましい。
【００２１】
これにより、柱状部材として、比較的高背な電子部品である前記振動子や回路素子を柱状部材として使用することで、柱状部材だけの機能を有する部材を配置する必要がなくなるため、電子デバイスの小型化を図ることができる。
【００２２】
［適用例８］
本発明の電子デバイスでは、前記第２主面に設けられ、前記底板と接している第２電子部品を有していることが好ましい。
【００２３】
これにより、底板の撓みを低減することができ、電子デバイスの機械的強度をさらに高めることができる。
【００２４】
［適用例９］
本発明の電子デバイスでは、前記第２主面に設けられ、接続部材を介して前記底板に接続されている第２電子部品を有していることが好ましい。
【００２５】
これにより、底板の撓みを低減することができ、電子デバイスの機械的強度をさらに高めることができる。また、場合によっては、第２電子部品とベース基材との電気的な接続を図ることも可能となる。
【００２６】
［適用例１０］
本発明の電子デバイスでは、前記基板には、振動子および前記振動子に接続されている回路が設けられており、
前記第２電子部品は、前記振動子または前記回路に含まれている回路素子であることが好ましい。
【００２７】
これにより、底板の撓みを低減する電子部品として、比較的高背な電子部品である前記振動子や回路素子を有効利用することができる。
【００２８】
［適用例１１］
本発明の電子機器は、上記適用例の電子デバイスを備えていることを特徴とする。
これにより、信頼性の高い電子機器が得られる。
【００２９】
［適用例１２］
本発明の移動体は、上記適用例の電子デバイスを備えていることを特徴とする。
これにより、信頼性の高い移動体が得られる。
【図面の簡単な説明】
【００３０】
【図１】本発明の電子デバイスの第１実施形態を示す斜視図である。
【図２】図１に示す電子デバイスの断面図である。
【図３】図１に示す電子デバイスが有するベース基材の平面図であり、（ａ）が上面図、（ｂ）が上側から見た透過図である。
【図４】図１に示す電子デバイスの断面図である。
【図５】図１に示す電子デバイスのリッドを外した状態を示す斜視図である。
【図６】図１に示す電子デバイスが有する支持基板の平面図である。
【図７】図１に示す電子デバイスが有する回路のブロック図である。
【図８】図１に示す電子デバイスが有するＳＡＷ共振子の断面図および平面図である。
【図９】本発明の電子デバイスの第２実施形態を示す断面図である。
【図１０】本発明の電子デバイスの第３実施形態を示す断面図である。
【図１１】本発明の電子デバイスの第４実施形態を示す平面図である。
【図１２】本発明の電子デバイスの第５実施形態を示す断面図である。
【図１３】本発明の電子デバイスの第６実施形態を示す断面図である。
【図１４】本発明の電子デバイスの第７実施形態を示す断面図である。
【図１５】本発明の電子機器を適用したモバイル型（またはノート型）のパーソナルコンピューターの構成を示す斜視図である。
【図１６】本発明の電子機器を適用した携帯電話機（ＰＨＳも含む）の構成を示す斜視図である。
【図１７】本発明の電子機器を適用したディジタルスチルカメラの構成を示す斜視図である。
【図１８】本発明の移動体を適用した自動車を示す斜視図である。
【発明を実施するための形態】
【００３１】
以下、本発明の電子デバイス、電子機器および移動体を添付図面に示す実施形態に基づいて詳細に説明する。
【００３２】
１．電子デバイス
＜第１実施形態＞
図１は、本発明の電子デバイスの第１実施形態を示す斜視図である。図２は、図１に示す電子デバイスの断面図である。図３は、図１に示す電子デバイスが有するベース基材の平面図であり、（ａ）が上面図、（ｂ）が上側から見た透過図である。図４は、図１に示す電子デバイスの断面図である。図５は、図１に示す電子デバイスのリッドを外した状態を示す斜視図である。図６は、図１に示す電子デバイスが有する支持基板の平面図である。図７は、図１に示す電子デバイスが有する回路のブロック図である。図８は、図１に示す電子デバイスが有するＳＡＷ共振子の断面図および平面図である。なお、以下では説明の便宜上、図２中の上側を「上」とし、下側を「下」とする。
【００３３】
図１に示す電子デバイス１は、パッケージ２と、パッケージ２内に固定されている支持基板（基板）３と、支持基板３に搭載されているＳＡＷ共振子（振動子）４および回路５と、を有しており、電圧制御型ＳＡＷ発振器（ＶＣＳＯ）を構成する電子デバイスである。以下、これら各構成要素について順次説明する。
【００３４】
≪パッケージ≫
図１および図２に示すように、パッケージ２は、ベース基材２１と、ベース基材２１に接合されているリッド（蓋体）２７と、を有している。パッケージ２内にはベース基材２１とリッド２７との間に内部空間Ｓが設けられており、この内部空間Ｓに支持基板３、ＳＡＷ共振子４および回路５が収納・配置されている。
【００３５】
図３（ａ）、（ｂ）に示すように、ベース基材２１は、上面に開口している凹部２１１を有する箱状となっている。言い換えると、ベース基材２１は、板状の底板２１２と、底板２１２の上面の縁部から立設している枠状の側壁２１３と、側壁２１３に囲まれている領域２１４と、を有している。また、ベース基材２１は、平面視で略長方形状をなしており、長軸方向に延びる一対の側面２１ａ、２１ｂと、短軸方向に延びる一対の側面２１ｃ、２１ｄと、を有している。
【００３６】
また、側面２１ａには上面から下面まで延びる３つの切り欠き部２３１、２３２、２３３が並んで設けられ、これら切り欠き部２３１、２３２、２３３は、側面２１ａの両端部を避けるようにして中央部に寄って配置されている。これと同様に、側面２１ｂにも上面から下面まで延びる３つの切り欠き部２３４、２３５、２３６が並んで設けられ、これら切り欠き部２３４、２３５、２３６は、側面２１ｂの両端部を避けるようにして中央部に寄って配置されている。後述するように、これら切り欠き部２３１〜２３６にはキャスタレーションが形成されている。
【００３７】
また、側面２１ｃには上面から下面まで延びる切り欠き部２３７が設けられており、この切り欠き部２３７は、側面２１ｃの中央部に設けられている。これと同様に、側面２１ｄにも上面から下面まで延びる切り欠き部２３８が設けられており、この切り欠き部２３８は、側面２１ｄの中央部に設けられている。後述するように、これら各切り欠き部２３７、２３８にはリッド２７の爪部２８１、２８２が配置されている。
【００３８】
また、ベース基材２１の上面には、６つの内部端子２４１、２４２、２４３、２４４、２４５、２４６が設けられており、ベース基材２１の下面には６つの外部接続端子（ユーザー端子）２５１、２５２、２５３、２５４、２５５、２５６が設けられている。これら外部接続端子２５１〜２５６には、例えば、電源端子、ＧＮＤ端子、出力端子等が含まれている。また、切り欠き部２３１、２３２、２３３、２３４、２３５、２３６、２３７、２３８にはキャスタレーション２６１、２６２、２６３、２６４、２６５、２６６、２６７、２６８が配置されている。
【００３９】
具体的には、内部端子２４１および外部接続端子２５１は、切り欠き部２３１に並んで配置され、キャスタレーション２６１を介して電気的に接続されている。同様に、内部端子２４２および外部接続端子２５２は、切り欠き部２３２に並んで配置され、キャスタレーション２６２を介して電気的に接続されている。また、内部端子２４３および外部接続端子２５３は、切り欠き部２３３に並んで配置され、キャスタレーション２６３を介して電気的に接続されている。また、内部端子２４４および外部接続端子２５４は、切り欠き部２３４に並んで配置され、キャスタレーション２６４を介して電気的に接続されている。また、内部端子２４５および外部接続端子２５５は、切り欠き部２３５に並んで配置され、キャスタレーション２６５を介して電気的に接続されている。また、内部端子２４６および外部接続端子２５６は、切り欠き部２３６に並んで配置され、キャスタレーション２６６を介して電気的に接続されている。また、キャスタレーション２６７、２６８は、それぞれ、ベース基材２１の内部に形成されている図示しない配線を介して、外部接続端子２５１〜２５６に含まれているＧＮＤ端子に電気的に接続されている。なお、内部端子２４１と外部接続端子２５１、内部端子２４２と外部接続端子２５２、内部端子２４３と外部接続端子２５３、内部端子２４４と外部接続端子２５４、内部端子２４５と外部接続端子２５５、および内部端子２４６と外部接続端子２５６、のそれぞれの電気的な接続は、上記のような状態以外にも、ベース基材２１を貫通して形成されたビア導体を介して接続されていてもよいし、ベース基材２１内に形成されている配線を介して接続されていてもよいし、それらとキャスタレーションとを複数組み合わせた構成により接続されていてもよい。
【００４０】
このようなベース基材２１は、例えば、酸化アルミニウム質、窒化アルミニウム質、炭化珪素質、ムライト質、ガラス・セラミック質等のセラミックグリーンシートからなる基板を複数枚積層し、この積層体を焼結処理することで得られる。また、内部端子２４１〜２４６、外部接続端子２５１〜２５６およびキャスタレーション２６１〜２６８は、それぞれ、例えば、タングステン（Ｗ）、モリブテン（Ｍｏ）などの下地層に、金（Ａｕ）、銅（Ｃｕ）などのめっき層を被覆することで得られる。
【００４１】
一方、リッド２７は、下面に開口している凹部２７１を有する箱状となっている。また、リッド２７は、平面視で、ベース基材２１に対応した略長方形の外形となっており、長軸方向に延びる一対の側面２７ａ、２７ｂと、短軸方向に延びる一対の側面２７ｃ、２７ｄと、を有している。
【００４２】
また、リッド２７は、図１および図４に示すように、側面２７ｃ、２７ｄから下方へ突出する爪部２８１、２８２を有しており、これら爪部２８１、２８２がベース基材２１の切り欠き部２３７、２３８内に挿入されている。そして、爪部２８１、２８２と切り欠き部２３７、２３８に配置されているキャスタレーション２６７、２６８とが半田（金属ろう材）Ｈで接合されることで、リッド２７がベース基材２１に接合されている。なお、爪部２８１、２８２とキャスタレーション２６７、２６８との接合は、上記以外にも、導電性接着剤、銀ろう、または金ろう等の導電性の部材（導電性接合部材）を用いてもよいし、溶接等で爪部２８１、２８２とキャスタレーション２６７、２６８とを溶融させて接合してもよい。
【００４３】
また、図１および図２に示すように、リッド２７の側面２７ａ、２７ｂには下面に開放する凹状の欠損部（切り欠き部）２９１、２９２が形成されており、この欠損部２９１、２９２によって、リッド２７と内部端子２４１〜２４６との接触が防止されている。
【００４４】
このようなリッド２７は、金属材料で構成されている。これにより、リッド２７が半田Ｈおよびキャスタレーション２６７、２６８を介してＧＮＤ端子に電気的に接続されるため、リッド２７が外部からの信号（ノイズ）を遮断または減衰するシールド層として機能する。そのため、優れた発振特性を有する信頼性の高い電子デバイス１が得られる。なお、リッド２７を構成する金属材料としては、ベース基材２１と線膨張係数が近似する材料であると良い。例えば、ベース基材２１の構成材料をセラミックスとした場合には、コバール等の合金とするのが好ましい。また、リッド２７は、例えば、セラミック、樹脂、またはガラス等の部材やそれらが混在した部材で構成された絶縁性の部材で構成されていてもよく、さらにリッド表面に、めっき、蒸着、スパッタリング、塗布、または印刷等の方法やそれらが混在した方法で金属を付着させた構成でもよい。
【００４５】
≪支持基板≫
支持基板３は、低温同時焼成セラミック基板（ＬＴＣＣ基板）で構成されている。これにより、強度の高い支持基板３が得られる。また、配線パターンを同時に形成することができ、電子デバイス１の製造工程を少なくすることができる。なお、支持基板３は、単層基板であってもよいし、多層基板であってもよい。また、支持基板３としては、低温同時焼成セラミック基板に限定されず、この他、例えば、低温同時焼成セラミック基板以外のセラミック基板、ガラスエポキシやその他の構成部材からなる樹脂基板（プリント基板）、ガラス基板等を用いてもよい。
【００４６】
このような支持基板３は、板状をなしている。また、支持基板３は、平面視で、ベース基材２１に対応した長方形状をなしており、上面（第１主面）と下面（第２主面）とを接続する側面は、長軸方向に延びる一対の側面（第１、第２側面）３ａ、３ｂと、短軸方向に延びる一対の側面（第３、第４側面）３ｃ、３ｄと、を有している。
【００４７】
また、側面３ａには上面から下面まで延びる３つの切り欠き部３１１、３１２、３１３が並んで設けられ、これら切り欠き部３１１、３１２、３１３は、側面３ａの両端部を避けるようにして中央部に寄って配置されている。これと同様に、側面３ｂにも上面から下面まで延びる３つの切り欠き部３１４、３１５、３１６が並んで設けられ、これら切り欠き部３１４、３１５、３１６は、側面３ｂの両端部を避けるようにして中央部に寄って配置されている。そして、これら切り欠き部３１１、３１２、３１３、３１４、３１５、３１６にはキャスタレーション３２１、３２２、３２３、３２４、３２５、３２６が形成されている。
【００４８】
また、図６に示すように、平面視で、切り欠き部３１１〜３１６は、ベース基材２１に形成されている切り欠き部２３１〜２３６よりも内側（ベース基材２１の中心側）に位置している。さらには、切り欠き部３１１は、切り欠き部２３１と並びかつ内部端子２４１と重なるように設けられている。これと同様に、切り欠き部３１２は、切り欠き部２３２と並びかつ内部端子２４２と重なるように設けられており、切り欠き部３１３は、切り欠き部２３３と並びかつ内部端子２４３と重なるように設けられており、切り欠き部３１４は、切り欠き部２３４と並びかつ内部端子２４４と重なるように設けられており、切り欠き部３１５は、切り欠き部２３５と並びかつ内部端子２４５と重なるように設けられており、切り欠き部３１６は、切り欠き部２３６と並びかつ内部端子２４６と重なるように設けられている。
【００４９】
以上のような構成の支持基板３は、図５および図６に示すように、平面視で凹部２１１（領域２１４）と重なるよう位置し、６つの半田（固定部材）Ｈ１〜Ｈ６によってベース基材２１の上面（側壁２１３の主面）に固定されている。ただし、支持基板３をベース基材２１に固定する固定部材としては、半田に限定されず、例えば、金ろう、銀ろう等の金属ろう材や、導電性接着剤を用いてもよいし、溶接等でキャスタレーション３２１、３２２、３２３、３２４、３２５、３２６と内部端子２４１、２４２、２４３、２４４、２４５、２４６とを溶融させて接合してもよい。
【００５０】
半田Ｈ１は、内部端子２４１上に位置し、切り欠き部３１１にフィレットを形成しており、これにより、支持基板３をベース基材２１に固定すると共に、内部端子２４１とキャスタレーション３２１とを電気的に接続している。同様に、半田Ｈ２は、内部端子２４２上に位置し、切り欠き部３１２にフィレットを形成しており、これにより、支持基板３をベース基材２１に固定すると共に、内部端子２４２とキャスタレーション３２２とを電気的に接続している。また、半田Ｈ３は、内部端子２４３上に位置し、切り欠き部３１３にフィレットを形成しており、これにより、支持基板３をベース基材２１に固定すると共に、内部端子２４３とキャスタレーション３２３とを電気的に接続している。また、半田Ｈ４は、内部端子２４４上に位置し、切り欠き部３１４にフィレットを形成しており、これにより、支持基板３をベース基材２１に固定すると共に、内部端子２４４とキャスタレーション３２４とを電気的に接続している。また、半田Ｈ５は、内部端子２４５上に位置し、切り欠き部３１５にフィレットを形成しており、これにより、支持基板３をベース基材２１に固定すると共に、内部端子２４５とキャスタレーション３２５とを電気的に接続している。また、半田Ｈ６は、内部端子２４６上に位置し、切り欠き部３１６にフィレットを形成しており、これにより、支持基板３をベース基材２１に固定すると共に、内部端子２４６とキャスタレーション３２６とを電気的に接続している。
【００５１】
≪回路≫
回路５は、図２、図５および図６に示すように、支持基板３の上面、下面および内部に形成されている図示しない配線パターンと、支持基板３に搭載され、前記配線パターンによって接続されている複数の回路素子５９と、を有している。配線パターンは、キャスタレーション３２１〜３２６に接続され、これにより、配線パターンと外部接続端子２５１〜２５６とが電気的に接続されている。
【００５２】
このような回路５は、図７に示すように、ＳＡＷ共振子４を発振させる発振回路５１と、発振回路５１からの出力周波数ｆ１をｎ倍にする逓倍回路５２と、逓倍回路５２からの出力周波数ｆｎ（＝ｆ１×ｎ）を所定の出力形式（ＣＭＯＳ、ＬＶ−ＰＥＣＬ、ＬＶＤＳ等）に変換して出力する出力回路５３と、を含んでいる。逓倍回路５２は、バンドパスフィルターを含んでおり、発振回路５１からの出力周波数ｆ１に重畳している周波数ｆｎを通過させ、その他の周波数（…ｆ１×（ｎ−１）、ｆ１×（ｎ＋１）…）を減衰させることで、出力周波数ｆｎを出力する。
【００５３】
本実施形態の発振回路５１および逓倍回路５２は、それぞれ、複数のディスクリート部品を並べた回路であり、出力回路５３は、集積回路である。そのため、回路素子５９には、例えば、発振回路５１に含まれているチップコイル（チップインダクタ）５９１、チップコンデンサ５９２、バリキャップ（可変容量ダイオード）５９３および抵抗や、逓倍回路５２に含まれ、バンドパスフィルターを構成するチップコイル（チップインダクタ）５９４、チップコンデンサ５９５および抵抗や、出力回路５３を構成するＩＣチップ５９６等が含まれている。ただし、発振回路５１および逓倍回路５２についても、出力回路５３と同様に集積回路としてもよいし、発振回路５１、逓倍回路５２、および出力回路５３の少なくとも２つの回路が、１つの集積回路内に構成されていてもよい。
【００５４】
発振回路５１および逓倍回路５２を集積回路とせずに、ディスクリート部品を並べた回路とすることで、例えば、次のような効果を発揮することができる。発振回路５１が有するチップコイル５９１やチップコンデンサ５９２をインダクタンスまたは静電容量の異なるものに交換することで発振回路５１からの出力周波数を調整することができ、これにより、出力周波数ｆ１を所望の周波数に合わせ込むことができる。また、逓倍回路５２が有するチップコイル５９４やチップコンデンサ５９５をインダクタンスまたは静電容量の異なるものに交換することでバンドパスフィルターの通過帯域を調整することができ、これにより、出力周波数ｆｎ以外の周波数をより減衰させ、スプリアス（不要信号）を抑制することができる。このように、発振回路５１および逓倍回路５２を集積回路とせずに、ディスクリート部品を並べた回路とすることで、電子デバイス１の各種調整を容易に行うことができる。なお、出力回路５３は、発振回路５１や逓倍回路５２のような調整をする余地が殆どないため、集積回路とすることで回路５の小型化を図ることができる。
【００５５】
なお、回路５は、これら回路５１、５２、５３の他に、例えば、温度補償回路を含んでいてもよい。また、電子デバイス１から出力すべき周波数を発振回路５１から出力することができる場合には、逓倍回路５２を省略してもよい。また、回路５は、第１の周波数信号を出力するためのＳＡＷ共振子４、発振回路５１および逓倍回路５２（第１組）と、第１の周波数信号とは周波数が異なる第２の周波数信号を出力するためのＳＡＷ共振子４、発振回路５１および逓倍回路５２（第２組）と、第１組と第２組とを切り替える切替回路と、出力回路５３と、を含み、切替回路で第１組と第２組を切り替えることで、出力回路５３から第１の周波数信号および第２の周波数信号の一方を選択して出力することができるようになっていてもよい。
【００５６】
≪ＳＡＷ共振子≫
図８（ａ）、（ｂ）に示すように、ＳＡＷ共振子４は、パッケージ４５と、パッケージ４５に収容されているＳＡＷ共振子片４１と、を有している。
【００５７】
パッケージ４５は、上面に開口する凹部４６１を有しているセラミックベース基材４６と、凹部４６１の開口を塞ぐようにセラミックベース基材４６に接合されている板状の金属カバー４７と、を有している。また、凹部４６１の底面には、ＳＡＷ共振子片４１と電気的に接続される内部端子４８１、４８２が設けられており、セラミックベース基材４６の下面には図示しないビア（貫通電極）を介して内部端子４８１、４８２と電気的に接続されている外部接続端子４８３、４８４や、支持基板３との接合を図るための外部接続端子４８５、４８６が設けられている。
【００５８】
ＳＡＷ共振子片４１は、長手形状をなす水晶基板４１１と、水晶基板４１１の上面に設けられているＩＤＴ（櫛歯電極）４１２と、ＩＤＴ４１２の両側に配置された一対の反射器４１３、４１４と、ボンディングパッド４１５、４１６と、ＩＤＴ４１２およびボンディングパッド４１５、４１６を電気的に接続している引出電極４１７、４１８と、を有している。なお、ＳＡＷ共振子片４１の代わりに、基板材料として水晶を用いた水晶振動子片、例えば、ＡＴカットやＳＣカットの水晶振動子片や、ＭＥＭＳ（Micro Electro Mechanical Systems）振動子片や、その他の基板材料を用いた振動子片であってもよい。また、ＳＡＷ共振子片４１や、ＭＥＭＳ振動子片や、振動片の基板材料としては、水晶の他、タンタル酸リチウム、ニオブ酸リチウム等の圧電単結晶や、ジルコン酸チタン酸鉛等の圧電セラミックス等の圧電材料、又はシリコン半導体材料等を用いてもよい。ＳＡＷ共振子片４１や、ＭＥＭＳ振動子片や、振動片の励振手段としては、圧電効果によるものを用いてもよいし、クーロン力による静電駆動を用いてもよい。
【００５９】
ＩＤＴ４１２は、水晶基板４１１の長手方向の中央部に設けられている一対の電極４１２ａ、４１２ｂで構成されている。一対の電極４１２ａ、４１２ｂは、電極４１２ａの電極指と、電極４１２ｂの電極指とが噛み合うように配置されている。これら一対の電極４１２ａ、４１２ｂ間に電圧を印加すると、水晶基板４１１の圧電効果によって電極指の間に周期的なひずみが生じ、水晶基板４１１に弾性表面波が励起される。励起した弾性表面波は、電極指の連続方向に沿って伝搬する。
【００６０】
一対の反射器４１３、４１４は、水晶基板４１１の長手方向において、ＩＤＴ４１２を挟んでその両側に配置されている。反射器４１３、４１４は、ＩＤＴ４１２で励起され水晶基板４１１に伝搬する弾性表面波を、ＩＤＴ４１２の方向に向かって反射する機能を有する。
【００６１】
以上のようなＩＤＴ４１２および反射器４１３、４１４は、全体的に、水晶基板４１１の長手方向の一端側にずれて形成されており、水晶基板４１１の他端側の上面に一対のボンディングパッド４１５、４１６が配置されている。また、引出電極４１７を介してボンディングパッド４１５と電極４１２ａとが電気的に接続され、引出電極４１８を介してボンディングパッド４１６と電極４１２ｂとが電気的に接続されている。
【００６２】
このようなＳＡＷ共振子片４１は、接合部材を介してセラミックベース基材４６に配置されている。また、ボンディングパッド４１５、４１６がボンディングワイヤーを介して内部端子４８１、４８２に電気的に接続されている。
【００６３】
このようなＳＡＷ共振子４は、例えば、ＡＴカット水晶振動子と比較して高周波（例えばＧＨｚ帯の周波数）に対応することが容易となる。そのため、ＳＡＷ共振子４を用いることで、高周波出力に適した電子デバイス１となる。具体的に説明すると、ＡＴカット水晶振動子の周波数は、水晶基板の厚みに依存するため、高周波化するほど水晶基板が薄くなり、加工が難しくなる。これに対して、ＳＡＷ共振子の周波数は、水晶基板の厚みではなくＩＤＴの電極指の間隔に依存するため、高周波化するほど電極指の間隔が短くなるが、電極指の間隔を短くすることは、既存のパターニング技術によって容易に行うことができる。このような理由から、ＳＡＷ共振子を用いることで高周波に適した電子デバイス１となる。
【００６４】
このようなＳＡＷ共振子４は、半田、導電性接着剤、銀ろう、または金ろう等の導電性接合部材によって支持基板３に接続されていると共に、導電性接合部材を介して発振回路５１と電気的に接続されている。なお、ＳＡＷ共振子４の配置としては、特に限定されないが、図６に示すように、支持基板３の長軸方向の端部側と重なるように配置されていることが好ましい。前記端部側とは、半田Ｈ１、Ｈ４を結ぶ線分よりも側面３ｃ側を言う。このような部分は、ベース基材２１に固定されていない自由端となっているため、熱膨張により発生する応力が他の部分（中央部）に比べて小さい。そのため、このような部分と重なるようにＳＡＷ共振子４を配置することで、ＳＡＷ共振子４に応力が加わり難く、より安定した駆動を行うことができる。
【００６５】
以上、電子デバイス１の構成について詳細に説明した。このような構成の電子デバイス１では、支持基板３がベース基材２１の機械的強度を補強する補強部材として機能するため、電子デバイス１の機械的強度を高めることができる。また、前述したように、支持基板３の側面３ａの両端を除く領域と側面３ｂの両端を除く領域とが、ベース基材２１の側面２１ａに沿った上面および側面２１ｂに沿った上面に、半田Ｈ１〜Ｈ６を介して接合されている。そのため、支持基板３の長軸方向の両端部がベース基材２１に対して自由となり、当該部分の熱膨張を許容することができ、当該部分の熱膨張に起因する応力が発生し難い。その分、ベース基材２１と支持基板３の熱膨張差に起因して生じる応力を低減することができ、前記応力に起因したベース基材２１、支持基板３の破損や半田Ｈ１〜Ｈ６へのクラックの発生等を低減することができる。以上より、信頼性の高い電子デバイス１が得られる。
【００６６】
さらに、電子デバイス１では、リッド２７がベース基材２１の側面２１ｃ、２１ｄに固定されている。そのため、電子デバイス１では、ベース基材２１の長軸方向および短軸方向の撓みを支持基板３が抑制し、かつ、ベース基材２１の長軸方向の撓みをリッド２７が抑制する構造となっている。これにより、ベース基材２１の撓みがより低減され、ベース基材２１の機械的強度をより高めることができる。
【００６７】
また、図３および図６に示すように、平面視にて、切り欠き部３１１〜３１６（支持基板３のベース基材２１との接続箇所）とベース基材２１の中心Ｏとの間の距離の最大値（最大離間距離）Ｌ１が、外部接続端子２５１〜２５６の側面２１ａ、２１ｂ（下面の外縁）と接する部分とベース基材２１の中心Ｏとの間の距離の最大値（最大離間距離）Ｌ２よりも短くなっている。また、外部接続端子２５１、２５３、２５４、２５６に外接する矩形状の第１領域に、切り欠き部３１１、３１３、３１４、３１６に外接する矩形状の第２領域が内包されている。これにより、ベース基材２１と支持基板３とを接合する半田Ｈ１〜Ｈ６を、より中心Ｏに近づけて配置することができるので、ベース基材２１と支持基板３との熱膨張差に起因して発生する応力をより低減することができる。そのため、ベース基材２１、支持基板３の破損や半田Ｈ１〜Ｈ６へのクラックの発生等をより効果的に低減することができる。
【００６８】
＜第２実施形態＞
次に本発明の電子デバイスの第２実施形態について説明する。
図９は、本発明の電子デバイスの第２実施形態を示す断面図である。
【００６９】
以下、本発明の電子デバイスの第２実施形態について説明するが、前述した実施形態との相違点を中心に説明し、同様の事項はその説明を省略する。
【００７０】
第２実施形態の電子デバイスは、ＳＡＷ共振子および回路素子の少なくとも１つがベース基材に接触していること以外は、前述した第１実施形態と同様である。なお、前述した実施形態と同様の構成には、同一符号を付してある。
【００７１】
図９に示すように、本実施形態の電子デバイス１では、支持基板３の下面に設けられている複数の電子部品（第２電子部品）６１のうちの少なくとも１つの電子部品６１’がベース基材２１の底板２１２に接している。そのため、電子部品６１’が補強部材となることで底板２１２の撓みが低減され、より機械的強度の高い電子デバイス１となる。
【００７２】
なお、電子部品６１’は、ＳＡＷ共振子４または回路素子５９である。これにより、ＳＡＷ共振子４や回路素子５９を補強部材として有効利用することができる。これらの中でも、ＳＡＷ共振子４やＩＣチップ５９６が他の回路素子５９に比べて厚みが厚くなる傾向にあるため、これらが支持基板３の下面に設けられている場合にはこれらを電子部品６１’として用いるのが好ましい。すなわち、支持基板３の下面に設けられている電子部品６１のうちで、最も厚みの厚いものを底板２１２の上面に接触させることが好ましい。仮に、そうでない場合には、最も厚みの厚いものとの接触を回避するために、例えば、底板２１２に逃げ部を形成する必要があり、底板２１２の形状が複雑化したり、底板２１２が厚肉化したりするおそれがある。
【００７３】
以上のような第２実施形態によっても、前述した第１実施形態と同様の効果を発揮することができる。
【００７４】
＜第３実施形態＞
次に本発明の電子デバイスの第３実施形態について説明する。
図１０は、本発明の電子デバイスの第３実施形態を示す断面図である。
【００７５】
以下、本発明の電子デバイスの第３実施形態について説明するが、前述した実施形態との相違点を中心に説明し、同様の事項はその説明を省略する。
【００７６】
第３実施形態の電子デバイスは、ＳＡＷ共振子および回路素子の少なくとも１つがベース基材に接続部材を介して接続されていること以外は、前述した第１実施形態と同様である。なお、前述した実施形態と同様の構成には、同一符号を付してある。
【００７７】
図１０に示すように、本実施形態の電子デバイス１では、支持基板３の下面に設けられている複数の電子部品（第２電子部品）６１のうちの少なくとも１つの電子部品６１’が、接続部材７を介してベース基材２１の底板２１２に接続されている。そのため、電子部品６１’が補強部材となることで底板２１２の撓みが低減され、より機械的強度の高い電子デバイス１となる。
【００７８】
接続部材７は、接着性を有していてもよいし、有していなくてもよい。すなわち、電子部品６１’は、接続部材７を介して底板２１２に接合されていてもよいし、接続部材７を介して接触しているだけでもよい。接続部材７が接着性を有する場合は、電子部品６１’と底板２１２とを接合することができるので、ベース基材２１の機械的強度をより高めることができるが、接続部材７を硬化させなければならず、電子デバイス１の製造工程が増える可能性がある。一方、接続部材７が接着性を有していない場合は、接着性を有している場合と比較して、ベース基材２１の機械的強度を高める効果は低くなる可能性はあるが、硬化させる工程が不要な分、電子デバイス１の製造工程が少なくなる。
【００７９】
また、接続部材７は、比較的高い熱伝導性を有することが好ましい。これにより、電子部品６１’の熱を接続部材７を介してベース基材２１に伝達することができ、優れた放熱効果を発揮することができる。放熱性の観点からすると、電子部品６１’としては、ＳＡＷ共振子４および回路素子５９の中でも、発熱量が大きいものが好ましく、具体的にはＳＡＷ共振子４やＩＣチップ５９６が好ましい。これにより、より優れた放熱効果を有する電子デバイス１となる。また、これらは、前述した第２実施形態でも述べたように、他の回路素子５９に比べて厚くなる傾向にある点でも有効である。
【００８０】
このような接続部材７としては、特に限定されず、例えば、シリコーンオイル（シリコーングリス）や、半田、金ろう、銀ろう等の金属ろう材や、樹脂中に熱伝導性フィラー（金属粉末、グラファイト、カーボンブラック、窒化アルミニウム、窒化ホウ素、アルミナ等）を分散させたもの等を用いることができる。
【００８１】
以上のような第３実施形態によっても、前述した第１実施形態と同様の効果を発揮することができる。
【００８２】
＜第４実施形態＞
次に本発明の電子デバイスの第４実施形態について説明する。
図１１は、本発明の電子デバイスの第４実施形態を示す平面図である。
【００８３】
以下、本発明の電子デバイスの第３実施形態について説明するが、前述した実施形態との相違点を中心に説明し、同様の事項はその説明を省略する。
【００８４】
第４実施形態の電子デバイスは、支持基板３の固定箇所が異なること以外は、前述した第１実施形態と同様である。なお、前述した実施形態と同様の構成には、同一符号を付してある。
【００８５】
図１１に示すように、本実施形態の電子デバイス１では、支持基板３の側面３ａに６つの切り欠き部３１１〜３１６が設けられている。これら切り欠き部３１１〜３１６は、側面３ａの両端部を避けるようにして中央部に寄って配置されている。このような構成の支持基板３は、側面３ａにて半田Ｈ１〜Ｈ６を介してベース基材２１に固定されている。
【００８６】
以上のような第４実施形態によっても、前述した第１実施形態と同様の効果を発揮することができる。
【００８７】
＜第５実施形態＞
次に本発明の電子デバイスの第５実施形態について説明する。
図１２は、本発明の電子デバイスの第５実施形態を示す断面図である。
【００８８】
以下、本発明の電子デバイスの第５実施形態について説明するが、前述した実施形態との相違点を中心に説明し、同様の事項はその説明を省略する。
【００８９】
第２実施形態の電子デバイスは、支柱を有していること以外は、前述した第１実施形態と同様である。なお、前述した実施形態と同様の構成には、同一符号を付してある。
【００９０】
図１２に示すように、本実施形態の電子デバイス１は、支持基板３から上方に突出するように支持基板３の上面に設けられている支柱（柱状部材）８を有している。この支柱８は、支持基板３とリッド２７（凹部２７１の底面）との間に位置しており、その上端がリッド２７と接触している。そのため、支柱８が補強部材となることでリッド２７の撓みが低減され、より機械的強度の高い電子デバイス１となる。また、支柱８は、支持基板３の上面に設けられているどの電子部品６よりも高くなっており、これにより、電子部品６とリッド２７との接触を防止することができる。ここで、電子部品６は、ＳＡＷ共振子４や回路素子５９であるが、これらの中には上面（リッド２７と対向する位置）に電極を有しているものもある（例えば、チップコイル、トランジスタ、コンデンサ等）。リッド２７が撓んで、このような電子部品６に接触してしまうと短絡が発生するおそれがあるため、支柱８によってリッド２７の撓みを低減し、電子部品６とリッド２７との接触を防止することで、信頼性の高い電子デバイス１となる。
【００９１】
なお、支柱８は、支持基板３と一体的に形成されていてもよいし、支持基板３と別体として形成され、接合部材等によって支持基板３の上面に接続されていてもよい。また、支柱８は、例えば、接合部材等を介してリッド２７に接合されていてもよい。また、支柱８は、本実施形態とは逆に、リッド２７から下方に突出するように、リッド２７の凹部２７１の底面に設けられており、その下端が支持基板３の上面に接触していてもよい。
【００９２】
以上のような第４実施形態によっても、前述した第１実施形態と同様の効果を発揮することができる。
【００９３】
＜第６実施形態＞
次に本発明の電子デバイスの第６実施形態について説明する。
図１３は、本発明の電子デバイスの第６実施形態を示す断面図である。
【００９４】
以下、本発明の電子デバイスの第６実施形態について説明するが、前述した実施形態との相違点を中心に説明し、同様の事項はその説明を省略する。
【００９５】
第６実施形態の電子デバイスは、電子部品が支柱を兼ねていること以外は、前述した第５実施形態と同様である。なお、前述した実施形態と同様の構成には、同一符号を付してある。
【００９６】
図１３に示すように、本実施形態の電子デバイス１では、支持基板３の上面に設けられている複数の電子部品（第１電子部品）６２のうちの少なくとも１つの電子部品６２’がリッド２７（凹部２７１の底面）に接している。すなわち、電子部品６２’が支柱８を兼ねている。そのため、電子部品６２’が補強部材となることでリッド２７の撓みが低減され、より機械的強度の高い電子デバイス１となる。また、支柱８を別体で設ける必要がないので、その分、電子デバイス１の小型化を図ることができる。なお、電子部品６２’は、ＳＡＷ共振子４または回路素子５９である。これにより、ＳＡＷ共振子４や回路素子５９を補強部材として有効利用することができる。これらの中でも、電子部品６２’としては、リッド２７との接触によっても短絡等の電気的障害が発生し得ないものであるのが好ましい。すなわち、リッド２７と接触し得る部位に電極が面していないものであることが好ましい。
【００９７】
以上のような第６実施形態によっても、前述した第１実施形態と同様の効果を発揮することができる。
【００９８】
＜第７実施形態＞
次に本発明の電子デバイスの第７実施形態について説明する。
図１４は、本発明の電子デバイスの第７実施形態を示す断面図である。
【００９９】
以下、本発明の電子デバイスの第７実施形態について説明するが、前述した実施形態との相違点を中心に説明し、同様の事項はその説明を省略する。
【０１００】
第７実施形態の電子デバイスは、回路素子の配置が異なること以外は、前述した第１実施形態と同様である。なお、前述した実施形態と同様の構成には、同一符号を付してある。
【０１０１】
図１４に示すように、本実施形態の電子デバイス１では、支持基板３の上面に少なくとも発振回路５１が有するチップコイル５９１およびチップコンデンサ５９２と、逓倍回路５２が有するチップコイル５９４およびチップコンデンサ５９５が配置されている。前述した第１実施形態で説明したように、チップコイル５９１やチップコンデンサ５９２をインダクタンスや静電容量の異なるものに交換することで発振回路５１からの出力周波数ｆ１を調整することができ、チップコイル５９４やチップコンデンサ５９５をインダクタンスや静電容量の異なるものに交換することでバンドパスフィルターの通過帯域を調整することができる。このように、回路５の特性を調整のために交換し得る回路素子５９を支持基板３の上面に配置することで、これらの交換を簡単に行うことができる。具体的に説明すれば、回路５の調整は、リッド２７を被せる前に行われ、この状態では、支持基板３の上面が外部に露出している。そのため、支持基板３の上面に配置されている回路素子５９の交換を容易に行うことができる。このように、本実施形態によれば、回路５の特性の調整を容易に行うことのできる電子デバイス１が得られる。
【０１０２】
以上のような第６実施形態によっても、前述した第１実施形態と同様の効果を発揮することができる。
【０１０３】
なお、本実施形態では、チップコイル５９１、チップコンデンサ５９２、チップコイル５９４およびチップコンデンサ５９５が支持基板３の上面に設けられているが、これらのうちの少なくとも１つが支持基板３の上面に設けられていれば、その他は、支持基板３の下面に設けられていてもよい。
【０１０４】
２．電子機器
次に、電子デバイス１を備えた電子機器について説明する。
【０１０５】
図１５は、本発明の電子機器を適用したモバイル型（またはノート型）のパーソナルコンピューターの構成を示す斜視図である。この図において、パーソナルコンピューター１１００は、キーボード１１０２を備えた本体部１１０４と、表示部１１０８を備えた表示ユニット１１０６とにより構成され、表示ユニット１１０６は、本体部１１０４に対しヒンジ構造部を介して回動可能に支持されている。このようなパーソナルコンピューター１１００にはフィルター、共振器、基準クロック等として機能する電子デバイス１が内蔵されている。
【０１０６】
図１６は、本発明の電子機器を適用した携帯電話機（ＰＨＳも含む）の構成を示す斜視図である。この図において、携帯電話機１２００は、複数の操作ボタン１２０２、受話口１２０４および送話口１２０６を備え、操作ボタン１２０２と受話口１２０４との間には、表示部１２０８が配置されている。このような携帯電話機１２００にはフィルター、共振器、基準クロック等として機能する電子デバイス１が内蔵されている。
【０１０７】
図１７は、本発明の電子機器を適用したディジタルスチルカメラの構成を示す斜視図である。なお、この図には、外部機器との接続についても簡易的に示されている。ここで、通常のカメラは、被写体の光像により銀塩写真フィルムを感光するのに対し、ディジタルスチルカメラ１３００は、被写体の光像をＣＣＤ（Charge Coupled Device）などの撮像素子により光電変換して撮像信号（画像信号）を生成する。
【０１０８】
ディジタルスチルカメラ１３００におけるケース（ボディー）１３０２の背面には、表示部１３１０が設けられ、ＣＣＤによる撮像信号に基づいて表示を行う構成になっており、表示部は、被写体を電子画像として表示するファインダーとして機能する。また、ケース１３０２の正面側（図中裏面側）には、光学レンズ（撮像光学系）やＣＣＤなどを含む受光ユニット１３０４が設けられている。
【０１０９】
撮影者が表示部に表示された被写体像を確認し、シャッターボタン１３０６を押下すると、その時点におけるＣＣＤの撮像信号が、メモリー１３０８に転送・格納される。また、このディジタルスチルカメラ１３００においては、ケース１３０２の側面に、ビデオ信号出力端子１３１２と、データ通信用の入出力端子１３１４とが設けられている。そして、図示されるように、ビデオ信号出力端子１３１２にはテレビモニター１４３０が、データ通信用の入出力端子１３１４にはパーソナルコンピューター１４４０が、それぞれ必要に応じて接続される。さらに、所定の操作により、メモリー１３０８に格納された撮像信号が、テレビモニター１４３０や、パーソナルコンピューター１４４０に出力される構成になっている。このようなディジタルスチルカメラ１３００には、フィルター、共振器、基準クロック等として機能する電子デバイス１が内蔵されている。
【０１１０】
なお、電子デバイスを備える電子機器は、図１５のパーソナルコンピューター（モバイル型パーソナルコンピューター）、図１６の携帯電話機、図１７のディジタルスチルカメラの他にも、例えば、スマートフォンなどの移動体端末、通信機器、インクジェット式吐出装置（例えばインクジェットプリンター）、ラップトップ型パーソナルコンピューター、タブレット型パーソナルコンピューター、ルーターやスイッチなどのストレージエリアネットワーク機器、ローカルエリアネットワーク機器、移動体端末基地局用機器、テレビ、ビデオカメラ、ビデオレコーダー、カーナビゲーション装置、リアルタイムクロック装置、ページャ、電子手帳（通信機能付も含む）、電子辞書、電卓、電子ゲーム機器、ワードプロセッサー、ワークステーション、テレビ電話、防犯用テレビモニター、電子双眼鏡、ＰＯＳ端末、医療機器（例えば電子体温計、血圧計、血糖計、心電図計測装置、超音波診断装置、電子内視鏡）、魚群探知機、各種測定機器、計器類（例えば、車両、航空機、船舶の計器類）、フライトシミュレーター、ヘッドマウントディスプレイ、モーショントレース、モーショントラッキング、モーションコントローラー、ＰＤＲ（歩行者位置方位計測）等に適用することができる。
【０１１１】
３．移動体
次に、電子デバイス１を備えた移動体について説明する。
【０１１２】
図１８は、移動体を適用した自動車を示す斜視図である。自動車１５００には、電子デバイス１が搭載されている。電子デバイス１は、例えば、キーレスエントリー、イモビライザー、カーナビゲーションシステム、カーエアコン、アンチロックブレーキシステム（ＡＢＳ）、エアバック、タイヤ・プレッシャー・モニタリング・システム（ＴＰＭＳ：Tire Pressure Monitoring System）、エンジンコントロール、ブレーキシステム、ハイブリッド自動車や電気自動車の電池モニター、車体姿勢制御システム、等の電子制御ユニット（ＥＣＵ：electronic control unit）に広く適用できる。
【０１１３】
以上、本発明の電子デバイス、電子機器および移動体を図示の実施形態に基づいて説明したが、本発明はこれに限定されるものではなく、各部の構成は、同様の機能を有する任意の構成のものに置換することができる。また、本発明に、他の任意の構成物が付加されていてもよい。また、本発明は、前記各実施形態のうちの、任意の２以上の構成を組み合わせたものであってもよい。
【０１１４】
また、前述した実施形態では、振動子片としてＳＡＷ共振子片を用いた構成について説明したが、振動子片としては、これに限定されず、例えば、ＡＴカット水晶振動子（厚みすべり振動子）片を用いてもよいし、音叉型振動子（屈曲振動子）片を用いてもよい。また、前述した実施形態では、電子デバイスを電圧制御型ＳＡＷ発振器（ＶＣＳＯ）に適用した構成について説明したが、電子デバイスは、この他にも、ＳＡＷ発振器（ＳＰＳＯ）、水晶発振器（ＳＰＸＯ）、電圧制御水晶発振器（ＶＣＸＯ）、温度補償水晶発振器（ＴＣＸＯ）、恒温槽付水晶発振器（ＯＣＸＯ）、ＭＥＭＳ発振器等の発振器や、加速度センサーおよびジャイロセンサー等の慣性センサー、および傾斜センサー等の力センサーのような物理量センサーに適用することができる。
【符号の説明】
【０１１５】
１……電子デバイス
２……パッケージ
２１……ベース基材
２１ａ、２１ｂ、２１ｃ、２１ｄ……側面
２１１……凹部
２１２……底板
２１３……側壁
２１４……領域
２３１、２３２、２３３、２３４、２３５、２３６、２３７、２３８……切り欠き部
２４１、２４２、２４３、２４４、２４５、２４６……内部端子
２５１、２５２、２５３、２５４、２５５、２５６……外部接続端子
２６１、２６２、２６３、２６４、２６５、２６６、２６７、２６８……キャスタレーション
２７……リッド
２７ａ、２７ｂ、２７ｃ、２７ｄ……側面
２７１……凹部
２８１、２８２……爪部
２９１、２９２……欠損部
３……支持基板
３ａ、３ｂ、３ｃ、３ｄ……側面
３１１、３１２、３１３、３１４、３１５、３１６……切り欠き部
３２１、３２２、３２３、３２４、３２５、３２６……キャスタレーション
４……ＳＡＷ共振子
４１……ＳＡＷ共振子片
４１１……水晶基板
４１２……ＩＤＴ電極
４１２ａ、４１２ｂ……電極
４１３、４１４……反射器
４１５、４１６……ボンディングパッド
４１７、４１８……引出電極
４５……パッケージ
４６……セラミックベース基材
４６１……凹部
４７……金属カバー
４８１、４８２……内部端子
４８３、４８４、４８５、４８６……外部接続端子
５……回路
５１……発振回路
５２……逓倍回路
５３……出力回路
５９……回路素子
５９１……チップコイル
５９２……チップコンデンサ
５９３……バリキャップ
５９４……チップコイル
５９５……チップコンデンサ
５９６……ＩＣチップ
６……電子部品
６１、６１’、６２、６２’……電子部品
７……接続部材
８……支柱
１１００……パーソナルコンピューター
１１０２……キーボード
１１０４……本体部
１１０６……表示ユニット
１１０８……表示部
１２００……携帯電話機
１２０２……操作ボタン
１２０４……受話口
１２０６……送話口
１２０８……表示部
１３００……ディジタルスチルカメラ
１３０２……ケース
１３０４……受光ユニット
１３０６……シャッターボタン
１３０８……メモリー
１３１０……表示部
１３１２……ビデオ信号出力端子
１３１４……入出力端子
１４３０……テレビモニター
１４４０……パーソナルコンピューター
１５００……自動車
Ｈ、Ｈ１、Ｈ２、Ｈ３、Ｈ４、Ｈ５、Ｈ６……半田
Ｌ１、Ｌ２……最大離間距離
Ｏ……中心
Ｓ……内部空間
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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