(57)【要約】【課題】アライメント精度を向上可能な炭化珪素半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】｛０００１｝面からオフ方向ａ１１にオフした主面１０ａを有する炭化珪素基板１０が準備される。炭化珪素基板１０の主面１０ａに凸状の第１アライメントマーク１が形成される。第１アライメントマーク１上に炭化珪素エピタキシャル層２０を形成することにより第１アライメントマーク１上に第２アライメントマーク２が形成される。第１アライメントマーク１は、第１領域１ａと、第１領域１ａと接触し、かつ第１領域１ａからオフ方向ａ１１側に延在する第２領域１ｂとを含む。アライメントを行う工程におけるスキャン領域ＳＣ２は、第１領域１ａ上に形成された第２アライメントマークの第１部分２ａを含み、かつ第２領域１ｂ上に形成された第２アライメントマークの第２部分２ｂを含まない。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
｛０００１｝面からオフした主面を有する炭化珪素基板を準備する工程と、
前記炭化珪素基板の前記主面に凸状の第１アライメントマークを形成する工程と、
前記第１アライメントマーク上に炭化珪素エピタキシャル層を形成することにより前記第１アライメントマーク上に第２アライメントマークを形成する工程と、
前記第２アライメントマークを用いて前記炭化珪素基板のアライメントを行う工程とを備え、
前記第１アライメントマークは、第１領域と、前記第１領域と接触し、かつ前記第１領域から＜０００１＞方向を前記主面に投影したオフ方向側に延在する第２領域とを含み、
前記オフ方向に沿った前記第１領域の幅は、前記主面内において前記オフ方向と垂直な方向に沿った前記第１領域の幅よりも小さく、
前記アライメントを行う工程におけるスキャン領域は、前記第１領域上に形成された前記第２アライメントマークの第１部分を含み、かつ前記第２領域上に形成された前記第２アライメントマークの第２部分を含まない、炭化珪素半導体装置の製造方法。
【請求項２】
前記第２領域は、前記主面内において前記オフ方向と垂直な方向における前記第１領域の一方の端部と接する、請求項１に記載の炭化珪素半導体装置の製造方法。
【請求項３】
前記オフ方向に沿った前記第２領域の幅をｘとし、前記主面内において前記オフ方向と垂直な方向に沿った前記第１領域の幅をｙとした場合、ｘはｙ／３以上２ｙ以下である、請求項１または請求項２に記載の炭化珪素半導体装置の製造方法。
【請求項４】
前記第２領域は、前記オフ方向から前記第１領域側に傾斜している、請求項１〜請求項３のいずれか１項に記載の炭化珪素半導体装置の製造方法。
【請求項５】
前記第２領域は、前記主面内において前記オフ方向と垂直な方向における前記第１領域の一方の端部と接する一方側第２領域部と、他方の端部と接する他方側第２領域部とを含む、請求項１に記載の炭化珪素半導体装置の製造方法。
【請求項６】
前記オフ方向に沿った前記一方側第２領域部および前記他方側第２領域部の各々の幅をｘとし、前記主面内において前記オフ方向と垂直な方向に沿った前記第１領域の幅をｙとした場合、ｘはｙ／６以上３ｙ以下である、請求項５に記載の炭化珪素半導体装置の製造方法。
【請求項７】
前記主面の法線方向から見た場合、前記第１領域の形状は長方形である、請求項１〜請求項６のいずれか１項に記載の炭化珪素半導体装置の製造方法。
【請求項８】
前記主面の法線方向から見た場合、前記第１領域の形状は十字型である、請求項１〜請求項６のいずれか１項に記載の炭化珪素半導体装置の製造方法。
【請求項９】
前記主面の法線方向に沿った前記第１アライメントマークの高さは、前記主面の法線方向に沿った前記炭化珪素エピタキシャル層の厚みの０．２倍以上である、請求項１〜請求項８のいずれか１項に記載の炭化珪素半導体装置の製造方法。
【請求項１０】
前記第１アライメントマークを形成する工程において、前記第１アライメントマークは、前記主面のダイシングライン上に形成される、請求項１〜請求項９のいずれか１項に記載の炭化珪素半導体装置の製造方法。
【請求項１１】
前記炭化珪素基板を形成する工程の後、前記炭化珪素基板内に第１不純物領域を形成する工程をさらに備えた、請求項１〜請求項１０のいずれか１項に記載の炭化珪素半導体装置の製造方法。
【請求項１２】
前記アライメントを行う工程の後、前記炭化珪素エピタキシャル層に第２不純物領域および電極の少なくともいずれかを形成する工程をさらに備えた、請求項１〜請求項１１のいずれか１項に記載の炭化珪素半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、炭化珪素半導体装置の製造方法に関するものであり、より特定的には、アライメントを行う工程を備えた炭化珪素半導体装置の製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
近年、半導体装置の高耐圧化、低損失化、高温環境下での使用などを可能とするため、半導体装置を構成する材料として炭化珪素の採用が進められつつある。炭化珪素は、従来から半導体装置を構成する材料として広く使用されている珪素に比べてバンドギャップが大きいワイドバンドギャップ半導体である。そのため、半導体装置を構成する材料として炭化珪素を採用することにより、半導体装置の高耐圧化、オン抵抗の低減などを達成することができる。また、炭化珪素を材料として採用した半導体装置は、珪素を材料として採用した半導体装置に比べて、高温環境下で使用された場合の特性の低下が小さいという利点も有している。
【０００３】
たとえば特開２０１１−１００９２８号公報（特許文献１）には、オフ方向が＜１１−２０＞である炭化珪素基板にアライメントマークを形成する方法が記載されている。特開２０１１−１００９２８号公報に記載の方法によれば、開口部の形状がオフ方向に対して対称であり、かつオフ方向の最も下流側に位置する部分に頂点を有する多角形状を有するトレンチがアライメントマークとして使用される。これにより、炭化珪素基板とマスクとの位置合わせを高精度に行うことができるとされている。
【０００４】
また特開２０１３−６５６５０号公報（特許文献２）には、アライメントマークの形状が変形した場合に、変形による影響を補正して本来の位置に光学マスクの位置合わせが行われる工程を有する炭化珪素半導体装置の製造方法が記載されている。これにより、オフ基板を用いた場合にも正確に写真製版の光学マスクの位置合わせができるとされている。
【０００５】
さらに特開２００９−１７０５５８号公報（特許文献３）には、デバイスを形成するための第１のトレンチおよびアライメントマークとして利用するための第２のトレンチを、第１のトレンチの立体角が第２のトレンチの立体角よりも大きくなるように形成することが記載されている。これにより、第１のトレンチの底部の成長レートを第２のトレンチの底部の成長レートよりも大きくすることができるので、基板の主面を平坦化した際に、第２のトレンチが形成されていた部分に凹部が形成され、当該凹部がアライメントマークとして利用できるとされている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開２０１１−１００９２８号公報
【特許文献２】特開２０１３−６５６５０号公報
【特許文献３】特開２００９−１７０５５８号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
しかしながら、特開２０１１−１００９２８号公報、特開２０１３−６５６５０号公報または特開２００９−１７０５５８号公報に記載の方法を用いた場合であっても、オフ角を有する主面を含む炭化珪素基板に対してアライメントマークを形成してアライメントを実施する際に、十分に高いアライメント精度を得ることができない場合があった。
【０００８】
本発明の一態様の目的は、アライメント精度を向上可能な炭化珪素半導体装置の製造方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明の一態様に係る炭化珪素半導体装置の製造方法は、以下の工程を有している。｛０００１｝面からオフした主面を有する炭化珪素基板が準備される。炭化珪素基板の主面に凸状の第１アライメントマークが形成される。第１アライメントマーク上に炭化珪素エピタキシャル層を形成することにより第１アライメントマーク上に第２アライメントマークが形成される。第２アライメントマークを用いて炭化珪素基板のアライメントが行われる。第１アライメントマークは、第１領域と、第１領域と接触し、かつ第１領域から＜０００１＞方向を主面に投影したオフ方向側に延在する第２領域とを含む。オフ方向に沿った第１領域の幅は、主面内においてオフ方向と垂直な方向に沿った第１領域の幅よりも小さい。アライメントを行う工程におけるスキャン領域は、第１領域上に形成された第２アライメントマークの第１部分を含み、かつ第２領域上に形成された第２部分を含まない。
【発明の効果】
【００１０】
本発明の一態様によれば、アライメント精度を向上可能な炭化珪素半導体装置の製造方法を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１１】
【図１】本発明の一実施の形態に係る炭化珪素半導体装置の構造を概略的に示す断面模式図である。
【図２】本発明の一実施の形態に係る炭化珪素半導体装置の炭化珪素層の構造を概略的に示す斜視模式図である。
【図３】図１の領域ＩＩＩ−ＩＩＩにおける平面模式図である。
【図４】本発明の一実施の形態に係る炭化珪素半導体装置の製造方法を概略的に示すフロー図である。
【図５】本発明の一実施の形態に係る炭化珪素半導体装置の製造方法の第１の工程を概略的に示す平面模式図である。
【図６】本発明の一実施の形態に係る炭化珪素半導体装置の製造方法の第１の工程を概略的に示す断面模式図である。
【図７】ダイシングラインの構造を概略的に示す平面模式図である。
【図８】ダイシングライン上に形成された第１アライメントマークの構造を概略的に示す平面模式図である。
【図９】第１アライメントマークの一例の構造を概略的に示す平面模式図である。
【図１０】図９の領域Ｘ−Ｘにおける断面模式図である。
【図１１】図９の領域ＸＩ−ＸＩにおける断面模式図である。
【図１２】本発明の一実施の形態に係る炭化珪素半導体装置の製造方法の第２の工程を概略的に示す断面模式図である。
【図１３】第２アライメントマークの一例の構造を概略的に示す平面模式図である。
【図１４】図１３の領域ＸＩＶ−ＸＩＶにおける断面模式図である。
【図１５】図１３の領域ＸＶ−ＸＶにおける断面模式図である。
【図１６】本発明の一実施の形態に係る炭化珪素半導体装置の製造方法の第３の工程を概略的に示す断面模式図である。
【図１７】本発明の一実施の形態に係る炭化珪素半導体装置の製造方法の第４の工程を概略的に示す断面模式図である。
【図１８】本発明の一実施の形態に係る炭化珪素半導体装置の製造方法の第５の工程を概略的に示す断面模式図である。
【図１９】本発明の一実施の形態に係る炭化珪素半導体装置の製造方法の第６の工程を概略的に示す断面模式図である。
【図２０】本発明の一実施の形態に係る炭化珪素半導体装置の製造方法の第７の工程を概略的に示す断面模式図である。
【図２１】本発明の一実施の形態に係る炭化珪素半導体装置の製造方法の第８の工程を概略的に示す断面模式図である。
【図２２】本発明の一実施の形態に係る炭化珪素半導体装置の製造方法の第９の工程を概略的に示す断面模式図である。
【図２３】本発明の一実施の形態に係る炭化珪素半導体装置の製造方法の第１０の工程を概略的に示す断面模式図である。
【図２４】本発明の一実施の形態に係る炭化珪素半導体装置の製造方法の第１１の工程を概略的に示す断面模式図である。
【図２５】第１アライメントマークの第１の変形例の構造を概略的に示す平面模式図である。
【図２６】第１アライメントマークの第２の変形例の構造を概略的に示す平面模式図である。
【図２７】第１アライメントマークの第３の変形例の構造を概略的に示す平面模式図である。
【図２８】第１アライメントマークの第４の変形例の構造を概略的に示す平面模式図である。
【図２９】第１アライメントマークの第５の変形例の構造を概略的に示す平面模式図である。
【図３０】第１アライメントマークの第６の変形例の構造を概略的に示す平面模式図である。
【図３１】第１アライメントマークの第７の変形例の構造を概略的に示す平面模式図である。
【図３２】第１アライメントマークの第８の変形例の構造を概略的に示す平面模式図である。
【図３３】第１アライメントマークの第９の変形例の構造を概略的に示す平面模式図である。
【図３４】第１アライメントマークの第１０の変形例の構造を概略的に示す平面模式図である。
【図３５】第１アライメントマークの第１１の変形例の構造を概略的に示す平面模式図である。
【図３６】第１アライメントマークの第１２の変形例の構造を概略的に示す平面模式図である。
【図３７】第１アライメントマークの第１３の変形例の構造を概略的に示す平面模式図である。
【図３８】第１アライメントマークの第１４の変形例の構造を概略的に示す平面模式図である。
【図３９】第１アライメントマークの第１５の変形例の構造を概略的に示す平面模式図である。
【図４０】第１アライメントマークの第２領域の端部に炭化珪素が集まる様子を模式的に示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００１２】
［本発明の実施形態の説明］
最初に本発明の実施態様を列記して説明する。
【００１３】
一般に、異なる複数の工程間における相対的な位置ずれを小さくするためにアライメントが行われる。たとえば珪素基板を用いる場合は、珪素基板上に二酸化珪素からなる保護膜を形成した後、当該二酸化珪素膜を加工してアライメントマークを形成することができる。しかしながら、炭化珪素基板を用いる場合は、半導体形成プロセスにおいて、たとえば１７００℃以上の高温処理を行う必要がある。そのため、二酸化珪素を加工してアライメントマークとすることはできず、炭化珪素を直接加工してアライメントマークとすることが必要である。アライメントマークの認識方式としては、ＬＳＡ（Ｌａｓｅｒ  Ｓｔｅｐ  Ａｌｉｇｎｍｅｎｔ）方式とＦＩＡ（Ｆｉｅｌｄ  Ｉｍａｇｅ  Ａｌｉｇｎｍｅｎｔ）方式との２つの方式がある。ＬＳＡ方式は、レーザーをアライメントマークにあて、レーザーの反射光を分析して位置合わせを行う光学式アライメント方式である。ＦＩＡ方式は、画像認識方式であり、カメラで認識した画像のエッジを認識してアライメントを行う方式である。
【００１４】
高品質なエピタキシャル成長を行うために、｛０００１｝面からオフした主面を有する炭化珪素基板が用いられる場合がある。｛０００１｝面からオフした炭化珪素基板の主面に炭化珪素エピタキシャル層を形成すると、ステップフロー成長の結果、炭化珪素エピタキシャル層は主面の法線に対して非対称に成長する。そのため、たとえば炭化珪素基板の主面に、主面の法線に対して対称な形状を有する凸型の第１アライメントマークを形成した後に、当該第１アライメントマーク上に炭化珪素エピタキシャル層をエピタキシャル成長により形成すると、第１アライメントマーク上に形成される第２アライメントマークは、主面の法線に非対称な形状になる。結果として、通常の方法により第２アライメントマークを用いてアライメントを行うと、高いアライメント精度を得ることが困難である。
【００１５】
発明者は、炭化珪素半導体装置の製造方法におけるアライメントマークの形成方法について鋭意研究の結果、以下の知見を得て本発明を見出した。
【００１６】
まず、炭化珪素基板１０の主面に第１アライメントマーク１を形成する。図９を参照して、第１アライメントマーク１は、主面のオフ方向ａ１１にほぼ垂直な方向ａ２１に延在する第１領域１ａと、第１領域１ａから主面のオフ方向ａ１１側に延在する第２領域１ｂとを含む。図４０を参照して、このような形状を有する第１アライメントマーク１上に炭化珪素エピタキシャル層をエピタキシャル成長により形成すると、炭化珪素がオフ方向ａ１１側の第２領域１ｂの端部１ｂ１に集まるように成長する。図４０の矢印に示すように、オフ方向ａ１１側の第２領域１ｂの端部１ｂ１に対向する方向からだけではなく、オフ方向ａ１１側の第１領域１ａの端部１ａ１に対向する方向からも、炭化珪素が第２領域１ｂの端部１ｂ１に集まるように成長する。そのため、図１５に示すように、第２領域１ｂの端部１ｂ１上に形成される炭化珪素エピタキシャル層は、炭化珪素基板１０の主面１０ａに対して傾斜するように形成される。一方、図１４に示すように、オフ方向ａ１１型の第１領域１ａの端部１ａ１上に形成される炭化珪素エピタキシャル層は、炭化珪素基板１０の主面１０ａに対してほぼ垂直に形成される。オフ方向ａ１１と反対側の第１領域１ａの端部１ａ３上に形成される炭化珪素エピタキシャル層も、炭化珪素基板１０の主面１０ａに対してほぼ垂直に形成される。つまり、第１アライメントマーク１の第２領域１ｂ上に形成される第２アライメントマーク２の第２部分２ｂのオフ方向ａ１１側の端部２ｂ１は、明確に識別することが困難である（図１５参照）一方、第１アライメントマーク１の第１領域１ａ上に形成される第２アライメントマーク２の第１部分２ａのオフ方向ａ１１側の端部２ａ１は、明確に識別可能である（図１４参照）。そのため、第２アライメントマーク２を用いてアライメントを行う工程におけるスキャン領域ＳＣ２を、第１領域１ａを含み、かつ第２領域１ｂを含まないようにすることで、｛０００１｝面からオフした主面を有する炭化珪素基板１０を、精度良くアライメントすることができる（図１３参照）。
【００１７】
（１）本発明の一態様に係る炭化珪素半導体装置の製造方法は以下の工程を有している。｛０００１｝面からオフした主面１０ａを有する炭化珪素基板１０が準備される。炭化珪素基板１０の主面１０ａに凸状の第１アライメントマーク１が形成される。第１アライメントマーク１上に炭化珪素エピタキシャル層２０を形成することにより第１アライメントマーク１上に第２アライメントマーク２が形成される。第２アライメントマーク２を用いて炭化珪素基板１０のアライメントが行われる。第１アライメントマーク１は、第１領域１ａと、第１領域１ａと接触し、かつ第１領域１ａから＜０００１＞方向を主面１０ａに投影したオフ方向ａ１１側に延在する第２領域１ｂとを含む。オフ方向ａ１１に沿った第１領域１ａの幅は、主面１０ａ内においてオフ方向ａ１１と垂直な方向ａ２１に沿った第１領域１ａの幅よりも小さい。アライメントを行う工程におけるスキャン領域ＳＣ２は、第１領域１ａ上に形成された第２アライメントマークの第１部分２ａを含み、かつ第２領域１ｂ上に形成された第２アライメントマークの第２部分２ｂを含まない。これにより、炭化珪素基板１０のアライメント精度を向上することができる。
【００１８】
（２）上記（１）に係る炭化珪素半導体装置の製造方法において好ましくは、第２領域１ｂは、主面１０ｂ内においてオフ方向ａ１１と垂直な方向ａ２１における第１領域１ａの一方の端部と接する。これにより、アライメントを行う際のスキャン領域を広くすることができるので、アライメント精度をより向上することができる。
【００１９】
（３）上記（１）または（２）に係る炭化珪素半導体装置の製造方法において好ましくは、オフ方向ａ１１に沿った第２領域１ｂの幅をｘとし、主面１０ａ内においてオフ方向ａと垂直な方向ａ２１に沿った第１領域１ａの幅をｙとした場合、ｘはｙ／３以上２ｙ以下である。これにより、効率的に第２領域１ｂの端部に炭化珪素を成長させることができるので、アライメント精度をより向上することができる。
【００２０】
（４）上記（１）〜（３）のいずれかに係る炭化珪素半導体装置の製造方法において好ましくは、第２領域１ｂは、オフ方向ａ１１から第１領域１ａ側に傾斜している。これにより、第２領域１ｂによって、オフ方向ａ１１の第１領域１ａの端部を保護することができる。結果として、第２アライメントマーク２のオフ方向ａ１１の第１部分２ａのエッジがより急峻になるため、アライメント精度を向上することができる。
【００２１】
（５）上記（４）に係る炭化珪素半導体装置の製造方法において好ましくは、第２領域１ｂは、主面１０ａ内においてオフ方向ａ１１と垂直な方向ａ２１における第１領域１ａの一方の端部と接する一方側第２領域部１ｂ４と、他方の端部と接する他方側第２領域部１ｂ５とを含む。これにより、一方側第２領域部１ｂ４および他方側第２領域部１ｂ５の双方の端部に炭化珪素を成長させることができるので、アライメント精度をより向上することができる。
【００２２】
（６）上記（５）に係る炭化珪素半導体装置の製造方法において好ましくは、オフ方向ａ１１に沿った一方側第２領域部１ｂ４および他方側第２領域部１ｂ５の各々の幅をｘとし、主面内においてオフ方向と垂直な方向に沿った第１領域１ａの幅をｙとした場合、ｘはｙ／６以上３ｙ以下である。これにより、効率的に一方側第２領域部１ｂ４および他方側第２領域部１ｂ５の双方の端部に炭化珪素を成長させることができるので、アライメント精度をより向上することができる。
【００２３】
（７）上記（１）〜（６）のいずれかに係る炭化珪素半導体装置の製造方法において好ましくは、主面１０ａの法線方向から見た場合、第１領域１ａの形状は長方形である。これにより、長方形のアライメントマークを用いてアライメントを行う方式に対して好適に用いることができる。
【００２４】
（８）上記（１）〜（６）のいずれかに係る炭化珪素半導体装置の製造方法において好ましくは、主面１０ａの法線方向から見た場合、第１領域１ａの形状は十字型である。これにより、十字型のアライメントマークを用いてアライメントを行う方式に対して好適に用いることができる。
【００２５】
（９）上記（１）〜（８）のいずれかに係る炭化珪素半導体装置の製造方法において好ましくは、主面１０ａの法線方向に沿った第１アライメントマーク１の高さＨ１は、主面１０ａの法線方向に沿った炭化珪素エピタキシャル層の厚みＨ２の０．２倍以上である。これにより、十分な段差を有する第２アライメントマークを形成することができるので、アライメント精度を効果的に向上することができる。
【００２６】
（１０）上記（１）〜（９）のいずれかに係る炭化珪素半導体装置の製造方法において好ましくは、第１アライメントマーク１を形成する工程において、第１アライメントマーク１は、主面１０ａのダイシングライン３上に形成される。第１アライメントマーク１をダイシングライン３上に形成することにより、半導体素子が形成される面積を減少させることなく、アライメント精度を向上させることができる。
【００２７】
（１１）上記（１）〜（１０）のいずれかに係る炭化珪素半導体装置の製造方法において好ましくは、炭化珪素基板１０を形成する工程の後、炭化珪素基板１０内に第１不純物領域７１を形成する工程をさらに備えている。これにより、第１不純物領域７１を有する炭化珪素半導体装置を得ることができる。
【００２８】
（１２）上記（１）〜（１１）のいずれかに係る炭化珪素半導体装置の製造方法において好ましくは、アライメントを行う工程の後、炭化珪素エピタキシャル層２０に第２不純物領域８４および電極９４の少なくともいずれかを形成する工程をさらに備えている。これにより、第２不純物領域８４および電極９４の少なくともいずれかを形成する工程におけるアライメント精度を向上させることができる。
［本発明の実施形態の詳細］
以下、本発明の実施の形態について図に基づいて説明する。なお、以下の図面において、同一または相当する部分には同一の参照番号を付し、その説明は繰り返さない。また、本明細書中の結晶学的記載においては、個別方位を［］、集合方位を＜＞、個別面を（）、集合面を｛｝でそれぞれ示している。また結晶学上の指数が負であることは、通常、”−”（バー）を数字の上に付すことによって表現されるが、本明細書中では数字の前に負の符号を付している。
【００２９】
まず、本発明の一実施の形態に係る炭化珪素半導体装置としてのＭＯＳＦＥＴ１００の構成について説明する。
【００３０】
本実施の形態に係るＭＯＳＦＥＴ１００は、炭化珪素層１０１と、ゲート酸化膜９１と、ゲート電極９２と、層間絶縁膜９３と、ソース電極９４と、ソース配線層９５と、ドレイン電極９８とを主に有する。炭化珪素層１０１は、炭化珪素基板１０と、炭化珪素エピタキシャル層２０とを主に含む。炭化珪素層１０１は、炭化珪素基板１０と、炭化珪素エピタキシャル層２０とを含む。炭化珪素基板１０は、炭化珪素単結晶基板８０と、第１ドリフト領域８１ａと、緩和領域７１とを含む。炭化珪素単結晶基板８０は、たとえばポリタイプ４Ｈの六方晶の結晶構造を有する。炭化珪素エピタキシャル層２０は、第２ドリフト領域８１ｂと、ベース領域８２と、ソース領域８３と、コンタクト領域８４とを含む。
【００３１】
第１ドリフト領域８１ａおよび第２ドリフト領域８１ｂの各々は、たとえば窒素などのｎ型不純物（ドナー）を含み、ｎ型（第１導電型）を有する。第１ドリフト領域８１ａおよび第２ドリフト領域８１ｂの各々の不純物濃度は、炭化珪素単結晶基板８０の不純物濃度よりも低いことが好ましい。第１ドリフト領域８１ａおよび第２ドリフト領域８１ｂの各々のドナー濃度は、好ましくは１×１０15ｃｍ-3以上５×１０16ｃｍ-3以下であり、たとえば８×１０15ｃｍ-3である。第１ドリフト領域８１ａおよび第２ドリフト領域８１ｂはドリフト領域を形成する。
【００３２】
ベース領域８２は、たとえばアルミニウムなどのｐ型不純物（アクセプタ）を含み、ｐ型（第２導電型）を有する。ベース領域８２は第２ドリフト領域８１ｂ上に設けられている。ベース領域８２のアクセプタ濃度は、たとえば１×１０18ｃｍ-3である。ソース領域８３は、たとえばリンなどのｎ型不純物を含み、ｎ型を有する。ソース領域８３は、ベース領域８２によって第２ドリフト領域８１ｂから隔てられるようにベース領域８２上に設けられている。ソース領域８３はコンタクト領域８４と共に炭化珪素層１０１の上面Ｐ２をなしている。コンタクト領域８４は、たとえばアルミニウムなどのｐ型不純物を含み、ｐ型を有する。コンタクト領域８４は、ソース領域８３を貫通するように上面Ｐ２とベース領域８２とを繋ぐように設けられている。
【００３３】
炭化珪素層１０１の上面Ｐ２にはトレンチＴＲが設けられている。トレンチＴＲは側壁部ＳＷおよび底部ＢＴを有する。側壁部ＳＷはソース領域８３およびベース領域８２を貫通して第２ドリフト領域８１ｂに至っている。側壁部ＳＷはベース領域８２上において、ＭＯＳＦＥＴ１００のチャネル面を含む。側壁部ＳＷは炭化珪素層１０１の上面Ｐ２に対して傾斜しており、これによりトレンチＴＲは開口に向かってテーパ状に拡がっている。側壁部ＳＷの面方位は、｛０００１｝面に対して５０°以上７０°以下傾斜していることが好ましく、（０００−１）面に対して５０°以上７０°以下傾斜していることがより好ましい。
【００３４】
トレンチＴＲの底部ＢＴは第２ドリフト領域８１ｂ上に位置している。本実施の形態において、底部ＢＴは上面Ｐ２とほぼ平行な平坦な形状を有する。底部ＢＴと側壁部ＳＷとがつながる部分はトレンチＴＲの角部を構成している。図２および図３を参照して、トレンチＴＲは、平面視（第１の主面１０ａに対して垂直な方向に沿った見た視野）において、ハニカム構造を有する網目を構成するように延びている。これにより炭化珪素層１０１は、トレンチＴＲによって囲まれた、六角形状を有する上面Ｐ２を有する。平面視において、コンタクト領域８４、ソース領域８３およびベース領域８２の各々は、たとえば六角形の外縁を有する。
【００３５】
緩和領域７１は、たとえばアルミニウムなどのｐ型不純物を含み、ｐ型を有する。緩和領域７１は、第１ドリフト領域８１ａと第２ドリフト領域８１ｂとに挟まれて設けられている。緩和領域７１は、第２ドリフト領域８１ｂによってベース領域８２から隔てられている。また緩和領域７１はトレンチＴＲの側壁部ＳＷおよび底部ＢＴの各々から離れている。緩和領域７１のドース量は、好ましくは１×１０12ｃｍ-2以上１×１０15ｃｍ-2以下であり、たとえば１×１０13ｃｍ-2である。緩和領域７１は、たとえばトレンチＴＲの底部ＢＴの位置よりも深い位置に設けられている。図１および図３を参照して、緩和領域７１は、たとえばベース領域８２に対向して設けられている。平面視において、緩和領域７１は、たとえば第１ドリフト領域８１ａを取り囲むように環状の形状を有している。平面視において、緩和領域７１は、たとえば六角形の外縁を有する。緩和領域７１は、トレンチＴＲの側壁部ＳＷに対向する位置に設けられていてもよいし、トレンチＴＲの底部ＢＴに対向する位置に設けられていてもよい。緩和領域７１によりトレンチＴＲの角部における電界集中が緩和される。
【００３６】
ゲート酸化膜９１は、トレンチＴＲの側壁部ＳＷおよび底部ＢＴの各々を覆っている。ゲート電極９２はゲート酸化膜９１上に設けられている。ソース電極９４は、ソース領域８３およびコンタクト領域８４の各々に接している。ソース配線層９５はソース電極９４に接している。ソース配線層９５は、たとえばアルミニウムを含む層である。層間絶縁膜９３はゲート電極９２とソース配線層９５との間を絶縁している。ドレイン電極９８は、炭化珪素基板１０の第２の主面１０ｂに接して設けられている。
【００３７】
次に、図４〜図４０を参照して、本実施の形態に係る炭化珪素半導体装置としてのＭＯＳＦＥＴ１００の製造方法について説明する。
【００３８】
まず、炭化珪素基板形成工程（Ｓ１０：図４）が実施される。具体的には、たとえばポリタイプ４Ｈを有する六方晶炭化珪素からなるインゴットをスライスすることにより炭化珪素単結晶基板８０が準備される。次に、炭化珪素単結晶基板８０上におけるエピタキシャル成長によって、炭化珪素からなる第１ドリフト領域８１ａが形成される。このエピタキシャル成長は、たとえば原料ガスとしてシラン（ＳｉＨ4）とプロパン（Ｃ3Ｈ8）との混合ガスを用い、キャリアガスとしてたとえば水素ガス（Ｈ2）を用いたＣＶＤ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｖａｐｏｒ  Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法により行うことができる。この際、不純物として、たとえば窒素が導入される。炭化珪素基板１０は、ｎ型（第１の導電型）を有する。
【００３９】
図５および図６を参照して、炭化珪素基板１０は、第１の主面１０ａと、第１の主面１０ａと反対側の第２の主面１０ｂとを有する。炭化珪素基板１０は、たとえば、第２の主面１０ｂを構成する炭化珪素単結晶基板８０と、炭化珪素単結晶基板８０上に形成され、第１の主面１０ａを構成する炭化珪素エピタキシャル層２０からなる第１ドリフト領域８１ａとを有する。炭化珪素基板１０にオリエンテーションフラット部４が形成されていてもよい。
【００４０】
図６を参照して、炭化珪素基板１０の第１の主面１０ａは、たとえば｛０００１｝面（破線で示す面）からオフ角θだけオフした面である。オフ角θは、好ましくは８°以下の角度である。具体的には、第１の主面１０ａの法線ベクトルｚが＜１１−２０＞および＜１−１００＞の少なくとも一方の成分を有するように、第１の主面は｛０００１｝面からオフした面である。好ましくは、第１の主面１０ａの法線ベクトルｚが＜１１−２０＞の成分を有するように、第１の主面１０ａは｛０００１｝面からオフした面である。図６において、方向ｃは＜０００１＞方向（つまり六方晶炭化珪素のｃ軸）であり、方向ａ１はたとえば＜１１−２０＞方向である。オフ方向ａ１１とは、＜０００１＞方向を第１の主面１０ａに投影した方向である。図６の場合において、ａ１方向が、たとえば＜１１−２０＞方向であるとすると、オフ方向ａ１１は＜１１−２０＞方向の成分を含む。以上のように、｛０００１｝面からオフした第１の主面１０ａを有する炭化珪素基板１０が準備される。
【００４１】
図７を参照して、炭化珪素基板１０の第１の主面１０ａには、ダイシングライン３が形成されていてもよい。ダイシングライン３とは、半導体素子が形成された炭化珪素基板１０を切断して複数の半導体チップに分割する際の切断位置に対応する。言い換えれば、ダイシングライン３は、ダイシング工程において切断が予定されている位置である。ダイシングライン３は溝であってもよい。ダイシングライン３は、たとえば、オリエンテーションフラット部４が延在する方向に平行なオフ方向ａ１１に沿って延在する第１ダイシングと、炭化珪素基板１０の第１の主面１０ａにおいてオフ方向ａ１１と垂直な方向ａ２１と平行な方向に沿って延在する第２ダイシングライン３ｂとを有している。オフ方向ａ１１は、たとえば＜１１−２０＞方向の成分を含む方向である。オフ方向ａ１１と垂直な方向ａ２１は、たとえば＜１−１００＞方向の成分を含む方向である。
【００４２】
次に、第１アライメントマーク形成工程（Ｓ２０：図４）が実施される。具体的には、図８を参照して、たとえば炭化珪素基板１０の主面１０ａ上に凸状の第１アライメントマーク１が形成される。好ましくは、第１アライメントマーク１は、炭化珪素基板１０の主面１０ａにおける第１ダイシングライン３ａ上に形成される。第１アライメントマーク１は、第１領域１ａと、第１領域１ａと接触し、かつ第１領域１ａから＜０００１＞方向を主面１０ａに投影した方向であるオフ方向ａ１１側に延在する第２領域１ｂとを含む。つまり、平面視において、第１アライメントマーク１は、Ｌ型の形状を有している。第１アライメントマーク１は、第１ダイシングライン３ａが延在する方向に沿って複数形成されていてもよい。第２ダイシングライン３ｂ上に第３アライメントマーク１ｃが形成されていてもよい。第３アライメントマーク１ｃは、平面視において、たとえば長方形の形状を有していてもよい。長方形の長手方向は、第１ダイシングライン３ａが延在する方向と平行であってもよい。第３アライメントマーク１ｃは、第２ダイシングライン３ｂが延在する方向に沿って複数形成されていてもよい。
【００４３】
次に、第１アライメントマーク１の構造の詳細について説明する。図９を参照して、オフ方向ａ１１に沿った第１領域１ａの幅ｘ１は、第１の主面１０ａ内においてオフ方向ａ１１と垂直な方向ａ２１に沿った第１領域１ａの幅ｙ１よりも小さい。好ましくは、第１の主面１０ａの法線方向から見た場合、第１領域１ａおよび第２領域１ｂの各々は、長方形の形状を有する。第１領域１ａは、オフ方向ａ１１に平行な方向に沿った短辺と、オフ方向ａ１１に垂直な方向ａ２１方向に沿った長辺とを有する。第２領域１ｂは、オフ方向ａ１１に平行な方向に沿った長辺と、オフ方向ａ１１に垂直な方向ａ２１方向に沿った短辺とを有する。好ましくは、第２領域１ｂは、第１の主面１０ａ内においてオフ方向ａ１１と垂直な方向ａ２１における第１領域１ａの一方の端部と接する。
【００４４】
好ましくは、オフ方向ａ１１に沿った第２領域１ｂの幅をｘ２とし、第１の主面１０ａ内においてオフ方向ａと垂直な方向ａ２１に沿った第１領域１ａの幅をｙ１とした場合、ｘ２はｙ１／３以上２×ｙ１以下である。たとえば、オフ方向ａと垂直な方向ａ２１に沿った第１領域１ａの幅ｙ１が６０μｍの場合、オフ方向ａ１１に沿った第２領域１ｂの幅ｘ２は、２０μｍ以上１２０μｍ以下である。オフ方向ａ１１に沿った第１領域１ａの幅ｘ１は、オフ方向ａと垂直な方向ａ２１に沿った第１領域１ａの幅ｙ１の１／１０程度である。
【００４５】
図１０を参照して、断面視（第１の主面１０ａと平行な方向から見た視野）において、第１アライメントマーク１の第１領域１ａは、第１の主面１０ａから突出するように形成されている。第１アライメントマーク１は、第１ダイシングライン３ａの底部から突出するように形成されていてもよい。第１の主面１０ａの法線方向に沿った第１領域１ａの高さＨ１は、たとえば０．６μｍ以上である。オフ方向ａ１１側の第１領域１ａの端部１ａ１およびオフ方向ａ１１と反対側の第１領域１ａの端部１ａ３の各々は、第１の主面１０ａに対してほぼ垂直に形成されている。第１領域１ａの上面１ａ２は、第１の主面１０ａとほぼ平行である。
【００４６】
図１１を参照して、断面視において、第１アライメントマーク１の第２領域１ｂは、第１の主面１０ａから突出するように形成されている。第１の主面１０ａの法線方向に沿った第２領域１ｂの高さＨ１は、たとえば０．６μｍ以上である。オフ方向ａ１１側の第２領域１ｂの端部１ｂ１およびオフ方向ａ１１と反対側の第２領域１ｂの端部１ｂ３の各々は、第１の主面１０ａに対してほぼ垂直に形成されている。第２領域１ｂの上面１ｂ２は、第１の主面１０ａとほぼ平行である。
【００４７】
図１２を参照して、第１ドリフト領域８１ａの第１の主面１０ａの一部に接し、かつｐ型（第２導電型）を有する緩和領域７１（第１の不純物領域）が形成される。具体的には、第１ドリフト領域８１ａの第１の主面１０ａに対して、注入マスク（図示せず）が形成される。次に、第１アライメントマーク１を用いて、緩和領域７１が形成される領域上に開口が形成されるように、炭化珪素基板１０のアライメントが行われる。次に、注入マスクに対して露光、現像が行われることにより、緩和領域７１が形成される領域上に開口を有する注入マスクが形成される。次に、注入マスクを用いて、たとえばアルミニウムなどのｐ型を付与するための不純物の注入が行われる。つまり、緩和領域７１の形成は、第１アライメントマークを用いて炭化珪素基板１０のアライメントを行って注入マスクを形成した後に行われる。緩和領域７１が形成された後、注入マスクは除去される。図９を参照して、第１アライメントマーク１を用いてアライメントを行う工程におけるスキャン領域ＳＣ１は、第１アライメントマーク１の第１領域１ａを含み、かつ第２領域１ｂを含まない。つまり、オフ方向ａ１１に沿ったスキャン領域ＳＣ１の幅ｘ３は、第１領域１ａの幅ｘ１よりも大きく、オフ方向ａ１１に垂直な方向ａ２１に沿ったスキャン領域ＳＣ１の幅ｙ３は、第１領域１ａの幅ｙ１よりも小さい。
【００４８】
次に、炭化珪素エピタキシャル層２０を形成する工程が実施される。第１ドリフト領域８１ａに緩和領域７１が形成された後、炭化珪素基板１０の第１の主面１０ａ上に、ｎ型の導電型を有する炭化珪素エピタキシャル層２０がエピタキシャル成長により形成される。炭化珪素エピタキシャル層２０は第１ドリフト領域８１ａの形成方法と同様の方法によって形成され得る。第１アライメントマーク１上に炭化珪素エピタキシャル層２０が形成されることにより、炭化珪素エピタキシャル層２０の表面に第２アライメントマーク２が形成される。
【００４９】
次に、第２アライメントマーク２の構造について説明する。図１３および図１４を参照して、第１アライメントマーク１の第１領域１ａ上に第２アライメントマーク２の第１部分２ａが形成される。オフ方向ａ１１側の第２アライメントマーク２の第１部分２ａの端部２ａ１およびオフ方向ａ１１と反対側の第２アライメントマーク２の第１部分２ａの端部２ａ３の各々は、炭化珪素エピタキシャル層２０の表面２０ａに対してほぼ垂直に形成される。言い換えれば、オフ方向ａ１１側の第２アライメントマーク２の第１部分２ａの端部２ａ１は、オフ方向ａ１１側の第１アライメントマーク１の第１領域１ａの端部１ａ１にほぼ沿った面上に形成される。オフ方向ａ１１と反対側の第２アライメントマーク２の第１部分２ａの端部２ａ３は、オフ方向ａ１１側と反対側の第１アライメントマーク１の第１領域１ａの端部１ａ３にほぼ沿った面上に形成される。炭化珪素エピタキシャル層２０の厚みＨ２は、たとえば３μｍ程度である。好ましくは、第１の主面１０ａの法線方向に沿った第１アライメントマーク１の高さＨ１は、主面１０ａの法線方向に沿った炭化珪素エピタキシャル層の厚みＨ２の０．２倍以上である。
【００５０】
図１３および図１５を参照して、第１アライメントマーク１の第２領域１ｂ上に第２アライメントマーク２の第２部分２ｂが形成される。図４０に示すように、第１アライメントマーク１は、オフ方向ａ１１に沿って突出する部分を有しているため、炭化珪素エピタキシャル層２０を形成する際に、矢印で記載しているように炭化珪素が、オフ方向ａ１１側の第２領域１ｂの端部１ｂ１に集まって成長する。炭化珪素は、オフ方向ａ１１側の第２領域１ｂの端部１ｂ１に対向する方向からのみならず、オフ方向ａ１１側の第１領域１ａの端部１ａ１に対向する方向からも、オフ方向ａ１１側の第２領域１ｂの端部１ｂ１に集まってくる。そのため、オフ方向ａ１１側の第１アライメントマーク１の第２領域１ｂの端部１ｂ１上における第２アライメントマーク２の第２部分２ｂにはエッジが形成されず滑らかな面となる。第２アライメントマーク２の第２部分２ｂの上面２ｂ２は、炭化珪素基板１０の第１の主面１０ａに対して傾斜し、かつ＜０００１＞方向にほぼ平行な法線を有する面を構成する。オフ方向ａ１１側と反対側の第２アライメントマーク２の第２部分２ｂの端部２ｂ３は、ほぼ＜０００１＞方向と平行な面となる。オフ方向ａ１１側と反対側の第２アライメントマーク２の第２部分２ｂの端部２ｂ３と、上面２ｂ２との交点は、第１アライメントマーク１の第２領域１ｂのオフ方向ａ１１とは反対側の端部１ｂ３に沿った面上に位置する。以上のように、第１アライメントマーク１上に炭化珪素エピタキシャル層２０を形成することにより第１アライメントマーク１上に第２アライメントマーク２が形成される。
【００５１】
図１６を参照して、炭化珪素エピタキシャル層２０は、緩和領域７１と、第１ドリフト領域８１ａの各々に接して形成される。炭化珪素基板１０の第１の主面１０ａに接して炭化珪素エピタキシャル層２０が形成されることにより、緩和領域７１は、第１ドリフト領域８１ａと炭化珪素エピタキシャル層２０とに挟まれる。
【００５２】
図１７を参照して、炭化珪素エピタキシャル層２０内にベース領域８２およびソース領域８３が形成される。たとえば、炭化珪素エピタキシャル層２０の表面２０ａに対して、たとえばアルミニウムなどのｐ型を付与するためのｐ型不純物がイオン注入されることにより、ｐ型のベース領域８２が形成される。次に、ベース領域８２に対して、たとえばリンなどの、ｎ型を付与するためのｎ型不純物がイオン注入されることにより、ベース領域８２上にソース領域８３が形成される。なお上記イオン注入の代わり、不純物の添加をともなうにエピタキシャル成長が用いられることにより、ベース領域８２およびソース領域８３の各々が形成されてもよい。
【００５３】
次に、ベース領域８２上にコンタクト領域８４が形成される。まず、コンタクト領域８４が形成される領域上に開口を有する注入マスク（図示せず）が形成される。注入マスクの開口の位置決めは、第２アライメントマーク２を用いて行うことができる。言い換えれば、第２アライメントマーク２を用いて炭化珪素基板１０のアライメントが行われる。
【００５４】
具体的には、第２アライメントマーク２の第１部分２ａの画像が取得される。第１部分２ａの画像はたとえば光電変換素子を有するカメラにより取得され、第１部分２ａのエッジが認識されてもよい。第１部分２ａのエッジとは、たとえばオフ方向ａ１１側の第１部分２ａの端部２ａ１と、オフ方向ａ１１とは反対側の第１部分２ａの端部２ａ３とのことである（図１４参照）。次に、第２アライメントマーク２の第１部分２ａの画像に基づいてアライメントが行われる。再び図１３を参照して、アライメントを行う工程におけるスキャン領域ＳＣ２は、第１領域１ａ上に形成された第２アライメントマークの第１部分２ａを含み、かつ第２領域１ｂ上に形成された第２アライメントマークの第２部分２ｂを含まない。つまり、オフ方向ａ１１に沿ったスキャン領域ＳＣ２の幅ｘ６は、第１部分２ａの幅ｘ４よりも大きく、オフ方向ａ１１に垂直な方向ａ２１に沿ったスキャン領域ＳＣ２の幅ｙ６は、第１部分２ａの幅ｙ４よりも小さい。オフ方向ａ１１に沿ったスキャン領域ＳＣ２の幅ｘ６は、第２部分２ｂの幅ｘ５よりも小さくてもよい。
【００５５】
炭化珪素基板１０のアライメントが行われた後、マスク層に対して露光および現像が行われることで、コンタクト領域８４が形成される領域上のマスク層の一部が除去される。これにより、コンタクト領域８４が形成される領域上に開口が形成された注入マスク（図示せず）が形成される。次に、注入マスクを用いて炭化珪素エピタキシャル層２０の表面に対して、たとえばアルミニウムイオンが注入されることにより、炭化珪素エピタキシャル層２０にコンタクト領域８４（第２不純物領域）が形成される。次に、注入マスクがエッチングなど任意の方法により除去される（図１８参照）。
【００５６】
次に、不純物を活性化するための熱処理が行われる。この熱処理の温度は、好ましくは１５００℃以上１９００℃以下であり、たとえば１７００℃程度である。熱処理の時間は、たとえば３０分程度である。熱処理の雰囲気は、好ましくは不活性ガス雰囲気であり、たとえばＡｒ雰囲気である。
【００５７】
図１９に示すように、ソース領域８３およびコンタクト領域８４からなる炭化珪素エピタキシャル層２０の表面２０ａ上に、開口部を有するマスク層４０が形成される。マスク層４０として、たとえばシリコン酸化膜などを用いることができる。開口部はトレンチＴＲ（図２１参照）の位置に対応して形成される。当該マスク層４０は、炭化珪素エピタキシャル層２０に形成された第２アライメントマーク２の第１部分２ａに基づいて、上記開口部に対応する位置が露光されるように炭化珪素基板１０がアライメントされて形成されてもよい。
【００５８】
図２０に示すように、マスク層４０の開口部において、ソース領域８３と、ベース領域８２と、第２ドリフト領域８１ｂの一部とがエッチングにより除去される。エッチングの方法としては、たとえば反応性イオンエッチング（ＲＩＥ）、特に誘導結合プラズマ（ＩＣＰ）ＲＩＥを用いることができる。具体的には、たとえば反応ガスとしてＳＦ6またはＳＦ6とＯ2との混合ガスを用いたＩＣＰ−ＲＩＥを用いることができる。このようなエッチングにより、トレンチＴＲ（図２１参照）が形成されるべき領域に、炭化珪素エピタキシャル層２０の表面２０ａに対してほぼ垂直な側壁を有する凹部ＴＱが形成される。
【００５９】
次に、凹部ＴＱにおいて熱エッチングが行われる。熱エッチングは、たとえば、少なくとも１種類以上のハロゲン原子を有する反応性ガスを含む雰囲気中での加熱によって行い得る。少なくとも１種類以上のハロゲン原子は、塩素（Ｃｌ）原子およびフッ素（Ｆ）原子の少なくともいずれかを含む。この雰囲気は、たとえば、Ｃｌ2、ＢＣＬ3、ＳＦ6、またはＣＦ4である。たとえば、塩素ガスと酸素ガスとの混合ガスを反応ガスとして用い、熱処理温度を、たとえば７００℃以上１０００℃以下として、熱エッチングが行われる。
【００６０】
なお、反応ガスは、上述した塩素ガスと酸素ガスとに加えて、キャリアガスを含んでいてもよい。キャリアガスとしては、たとえば窒素（Ｎ2）ガス、アルゴンガス、ヘリウムガスなどを用いることができる。そして、上述のように熱処理温度を７００℃以上１０００℃以下とした場合、炭化珪素のエッチング速度はたとえば約７０μｍ／時になる。また、この場合に、酸化珪素から作られたマスク層４０は、炭化珪素に対する選択比が極めて大きいので、炭化珪素のエッチング中に実質的にエッチングされない。
【００６１】
図２１に示すように、上記の熱エッチングにより、炭化珪素層１０１の上面Ｐ２上にトレンチＴＲが形成される。トレンチＴＲは、ソース領域８３およびベース領域８２を貫通して第２ドリフト領域８１ｂに至る側壁部ＳＷと、第２ドリフト領域８１ｂ上に位置する底部ＢＴとを有する。側壁部ＳＷおよび底部ＢＴの各々は緩和領域７１から離れている。次に、マスク層４０がエッチングなど任意の方法により除去される。
【００６２】
次に、トレンチＴＲの側壁部ＳＷおよび底部ＢＴの各々を覆うゲート酸化膜９１が形成される（図２２参照）。ゲート酸化膜９１は、たとえば熱酸化により形成され得る。次に、雰囲気ガスとして一酸化窒素（ＮＯ）ガスを用いるＮＯアニールが行われてもよい。温度プロファイルは、たとえば、温度１１００℃以上１３００℃以下、保持時間１時間程度の条件を有する。これにより、ゲート酸化膜９１とベース領域８２との界面領域に窒素原子が導入される。その結果、界面領域における界面準位の形成が抑制されることで、チャネル移動度を向上させることができる。なお、このような窒素原子の導入が可能であれば、ＮＯガス以外のガスが雰囲気ガスとして用いられてもよい。このＮＯアニールの後にさらに、雰囲気ガスとしてアルゴン（Ａｒ）を用いるＡｒアニールが行われてもよい。
【００６３】
次に、ゲート酸化膜９１上にゲート電極９２が形成される。図２３を参照して、具体的には、トレンチＴＲの内部の領域をゲート酸化膜９１を介して埋めるように、ゲート酸化膜９１上にゲート電極９２が形成される。ゲート電極９２は、たとえば、導体または不純物がドープされたポリシリコンの成膜により形成される。
【００６４】
次に、ゲート電極９２の露出面を覆うように、ゲート電極９２およびゲート酸化膜９１上に層間絶縁膜９３が形成される。層間絶縁膜９３およびゲート酸化膜９１に開口部が形成されるようにエッチングが行われる。この開口部により上面Ｐ２上においてソース領域８３およびコンタクト領域８４の各々が露出される。開口部の形成は、炭化珪素エピタキシャル層２０に形成された第２アライメントマーク２の第１部分２ａに基づいてアライメントが行われた後に、露光および現像工程を経て行われてもよい。次に、炭化珪素層１０１の上面Ｐ２上においてソース領域８３およびコンタクト領域８４の各々に接するソース電極９４が形成される（図２４参照）。次に、ソース電極９４と接してソース配線層９５が形成される。以上のように、アライメントを行う工程の後、炭化珪素エピタキシャル層２０にコンタクト領域８４およびソース電極９４の少なくともいずれかが形成される。次に、第１ドリフト領域８１ａからなる下面Ｐ１上に、炭化珪素単結晶基板８０を介して、ドレイン電極９８が形成される。以上により、図１に示すＭＯＳＦＥＴが製造される。
【００６５】
次に、第１アライメントマーク１の第１の変形例の構成について説明する。
図２５を参照して、第２領域１ｂは、方向ａ２１とは反対側の第１領域１ａの端部に接して設けられていてもよい。たとえば方向ａ２１が［１−１００］方向である場合、方向ａ２１と反対方向は、［−１１００］方向となる。つまり、第２領域１ｂは、［−１１００］方向側の第１領域１ａの端部に接して設けられていてもよい。
【００６６】
次に、第１アライメントマーク１の第２の変形例の構成について説明する。
図２６を参照して、第２領域１ｂは、一方側第２領域部１ｂ４と、他方側第２領域部１ｂ５とを含んでいてもよい。一方側第２領域部１ｂ４は、第１の主面１０ａ内においてオフ方向ａ１１と垂直な方向ａ２１における第１領域１ａの一方の端部と接する。他方側第２領域部１ｂ５は、第１の主面１０ａ内においてオフ方向ａ１１と垂直な方向ａ２１における第１領域１ａの他方の端部と接する。たとえば、オフ方向ａ１１が、［１１−２０］方向である場合、第１の主面１０ａ内においてオフ方向ａ１１と垂直な方向ａ２１の一方側とは、［１−１００］方向であり、他方側とは、［−１１００］方向である。
【００６７】
好ましくは、オフ方向ａ１１に沿った一方側第２領域部１ｂ４および他方側第２領域部１ｂ５の各々の幅をｘとし、第１の主面１０ａ内においてオフ方向と垂直な方向ａ２１に沿った第１領域１ａの幅をｙとした場合、ｘはｙ／６以上３ｙ以下である。たとえば、オフ方向ａと垂直な方向ａ２１に沿った第１領域１ａの幅ｙ１が６０μｍの場合、オフ方向ａ１１に沿った一方側第２領域部１ｂ４および他方側第２領域部１ｂ５の各々の幅ｘ２は、２０μｍ以上１２０μｍ以下である。一方側第２領域部１ｂ４および他方側第２領域部１ｂ５の幅ｘは同じであってもよいし、異なっていてもよい。
【００６８】
第１アライメントマーク１を用いて炭化珪素基板１０のアライメントを行う場合におけるスキャン領域ＳＣ１は、第１アライメントマーク１の第１領域１ａを含み、かつ一方側第２領域部１ｂ４および他方側第２領域部１ｂ５の双方を含まない。つまり、オフ方向ａ１１に沿ったスキャン領域ＳＣ１の幅ｘ３は、第１領域１ａの幅ｘ１よりも大きく、オフ方向ａ１１に垂直な方向ａ２１に沿ったスキャン領域ＳＣ１の幅ｙ３は、第１領域１ａの幅ｙ１よりも小さい。スキャン領域ＳＣ１は、一方側第２領域部１ｂ４と、他方側第２領域部１ｂ５とに挟まれた領域を含む。第２アライメントマーク２を用いたアライメント工程におけるスキャン領域ＳＣ２についても同様である。
【００６９】
次に、第１アライメントマーク１の第３の変形例の構成について説明する。
図２７を参照して、第２領域１ｂは、第１領域１ａの一方側端部に接して設けられており、第１領域１ａからオフ方向ａ１１に突出する部分と、第１領域１ａからオフ方向ａ１１と反対方向に突出する部分とを有していてもよい。たとえば、オフ方向ａ１１が、［１１−２０］方向である場合、オフ方向ａ１１と反対方向とは、［−１−１２０］方向である。オフ方向ａ１１に突出する第２領域１ｂの部分の幅ｘ２１は、オフ方向ａ１１と反対側に突出する第２領域１ｂの部分の幅ｘ２３よりも大きくてもよい。第１領域１ａに接する第２領域１ｂの部分の幅ｘ２２は、第１領域１ａの幅ｘ１と同じであってもよい。
【００７０】
次に、第１アライメントマーク１の第４の変形例の構成について説明する。
図２８を参照して、第２領域１ｂは、第１領域１ａの他方側端部に接して設けられており、第１領域１ａからオフ方向ａ１１に突出する部分と、第１領域１ａからオフ方向ａ１１と反対方向に突出する部分とを有していてもよい。たとえば、オフ方向ａ１１が、［１１−２０］方向である場合、オフ方向ａ１１と反対方向とは、［−１−１２０］方向である。オフ方向ａ１１に突出する第２領域１ｂの部分の幅ｘ２１は、オフ方向ａ１１と反対側に突出する第２領域１ｂの部分の幅ｘ２３よりも大きくてもよい。第１領域１ａに接する第２領域１ｂの部分の幅ｘ２２は、第１領域１ａの幅ｘ１と同じであってもよい。
【００７１】
次に、第１アライメントマーク１の第５の変形例の構成について説明する。
図２９を参照して、一方側第２領域部１ｂ４は、第１領域１ａの一方側端部に接して設けられており、第１領域１ａからオフ方向ａ１１に突出する部分と、第１領域１ａからオフ方向ａ１１と反対方向に突出する部分とを有していてもよい。たとえば、オフ方向ａ１１が、［１１−２０］方向である場合、オフ方向ａ１１と反対方向とは、［−１−１２０］方向である。オフ方向ａ１１に突出する一方側第２領域部１ｂ４の部分の幅ｘ２１は、オフ方向ａ１１と反対側に突出する一方側第２領域部１ｂ４の部分の幅ｘ２３よりも大きくてもよい。第１領域１ａに接する一方側第２領域部１ｂ４の部分の幅ｘ２２は、第１領域１ａの幅ｘ１と同じであってもよい。同様に、他方側第２領域部１ｂ５は、第１領域１ａの他方側端部に接して設けられており、第１領域１ａからオフ方向ａ１１に突出する部分と、第１領域１ａからオフ方向ａ１１と反対方向に突出する部分とを有していてもよい。たとえば、オフ方向ａ１１が、［１１−２０］方向である場合、オフ方向ａ１１と反対方向とは、［−１−１２０］方向である。オフ方向ａ１１に突出する他方側第２領域部１ｂ５の部分の幅ｘ２１は、オフ方向ａ１１と反対側に突出する他方側第２領域部１ｂ５の部分の幅ｘ２３よりも大きくてもよい。第１領域１ａに接する他方側第２領域部１ｂ５の部分の幅ｘ２２は、第１領域１ａの幅ｘ１と同じであってもよい。スキャン領域ＳＣ１は、一方側第２領域部１ｂ４と、他方側第２領域部１ｂ５とに挟まれた領域を含む。
【００７２】
次に、第１アライメントマーク１の第６の変形例の構成について説明する。
図３０を参照して、第２領域１ｂは、第１領域１ａの一方側端部に接して設けられ、かつオフ方向ａ１１から第１領域１ａ側に傾斜していてもよい。たとえば、オフ方向ａ１１が、［１１−２０］方向であり、かつオフ方向に垂直な方向ａ２１が［１−１００］方向であり、オフ方向に垂直な方向ａ２１と反対方向が［−１１００］方向の場合、第２領域１ｂは、［１１−２０］方向から［−１１００］方向に対して傾斜している。第１領域１ａと第２領域１ｂとにより構成される傾斜角度θ１は、たとえば６０°以下である。第２領域１ｂがスキャン領域ＳＣ１に入らないようにする必要があるため、傾斜角度θ１が６０°より大きい場合は、第２領域１ｂのオフ方向ａ１１の長さが短くなりすぎてしまう。
【００７３】
次に、第１アライメントマーク１の第７の変形例の構成について説明する。
図３１を参照して、第２領域１ｂは、第１領域１ａの他方側端部に接して設けられ、かつオフ方向ａ１１から第１領域１ａ側に傾斜していてもよい。たとえば、オフ方向ａ１１が、［１１−２０］方向であり、かつオフ方向に垂直な方向ａ２１が［１−１００］方向であり、オフ方向に垂直な方向ａ２１と反対方向が［−１１００］方向の場合、第２領域１ｂは、［１１−２０］方向から［１−１００］方向に対して傾斜している。第１領域１ａと第２領域１ｂとにより構成される傾斜角度θ２は、たとえば６０°以下である。第２領域１ｂがスキャン領域ＳＣ１に入らないようにする必要があるため、傾斜角度θ２が６０°より大きい場合は、第２領域１ｂのオフ方向ａ１１の長さが短くなりすぎてしまう。
【００７４】
次に、第１アライメントマーク１の第８の変形例の構成について説明する。
図３２を参照して、一方側第２領域部１ｂ４は、第１領域１ａの一方側端部に接して設けられ、かつオフ方向ａ１１から第１領域１ａ側に傾斜していてもよい。たとえば、オフ方向ａ１１が、［１１−２０］方向であり、かつオフ方向に垂直な方向ａ２１が［１−１００］方向であり、オフ方向に垂直な方向ａ２１と反対方向が［−１１００］方向の場合、一方側第２領域部１ｂ４は、［１１−２０］方向から［−１１００］方向に対して傾斜している。他方側第２領域部１ｂ５は、第１領域１ａの他方側端部に接して設けられ、かつオフ方向ａ１１から第１領域１ａ側に傾斜していてもよい。たとえば、オフ方向ａ１１が、［１１−２０］方向であり、かつオフ方向に垂直な方向ａ２１が［１−１００］方向であり、オフ方向に垂直な方向ａ２１と反対方向が［−１１００］方向の場合、他方側第２領域部１ｂ５は、［１１−２０］方向から［１−１００］方向に対して傾斜している。傾斜角度θ１は、第６の変形例と同様であってもよく、傾斜角度θ２は、第７の変形例と同様であってもよい。
【００７５】
次に、第１アライメントマーク１の第９の変形例の構成について説明する。
図３３を参照して、第２領域１ｂは、第１領域１ａの一方側端部に接して設けられており、かつオフ方向ａ１１から第１領域１ａ側に傾斜角度θ１だけ傾斜している。第２領域１ｂは、第１領域１ａから傾斜している方向に突出する部分と、第１領域１ａから傾斜している方向と反対方向に突出する部分とを有していてもよい。傾斜している方向に突出する第２領域１ｂの部分の幅ｘ２１は、傾斜している方向と反対側に突出する第２領域１ｂの部分の幅ｘ２３よりも大きくてもよい。傾斜方向は、第６の変形例と同様である。
【００７６】
次に、第１アライメントマーク１の第１０の変形例の構成について説明する。
図３４を参照して、第２領域１ｂは、第１領域１ａの他方側端部に接して設けられており、かつオフ方向ａ１１から第１領域１ａ側に傾斜角度θ２だけ傾斜している。第２領域１ｂは、第１領域１ａから傾斜している方向に突出する部分と、第１領域１ａから傾斜している方向と反対方向に突出する部分とを有していてもよい。傾斜している方向に突出する第２領域１ｂの部分の幅ｘ２１は、傾斜している方向と反対側に突出する第２領域１ｂの部分の幅ｘ２３よりも大きくてもよい。傾斜方向は、第７の変形例と同様である。
【００７７】
次に、第１アライメントマーク１の第１１の変形例の構成について説明する。
図３５を参照して、一方側第２領域部１ｂ４は、第１領域１ａの一方側端部に接して設けられており、かつオフ方向ａ１１から第１領域１ａ側に傾斜角度θ１だけ傾斜している。一方側第２領域部１ｂ４は、第１領域１ａから傾斜している方向に突出する部分と、第１領域１ａから傾斜している方向と反対方向に突出する部分とを有していてもよい。傾斜している方向に突出する一方側第２領域部１ｂ４の部分の幅ｘ２１は、傾斜している方向と反対側に突出する一方側第２領域部１ｂ４の部分の幅ｘ２３よりも大きくてもよい。傾斜方向は、第６の変形例と同様である。同様に、他方側第２領域部１ｂ５は、第１領域１ａの他方側端部に接して設けられており、かつオフ方向ａ１１から第１領域１ａ側に傾斜角度θ２だけ傾斜している。他方側第２領域部１ｂ５は、第１領域１ａから傾斜している方向に突出する部分と、第１領域１ａから傾斜している方向と反対方向に突出する部分とを有していてもよい。傾斜している方向に突出する他方側第２領域部１ｂ５の部分の幅ｘ２１は、傾斜している方向と反対側に突出する他方側第２領域部１ｂ５の部分の幅ｘ２３よりも大きくてもよい。傾斜方向は、第７の変形例と同様である。
【００７８】
次に、第１アライメントマーク１の第１２の変形例の構成について説明する。
図３６を参照して、第１の主面１０ａの法線方向から見た場合、第１領域１ａの形状は十字型である。つまり、第１領域１ａは、オフ方向ａ１１に沿って延在する水平第１領域部１ａ５と、オフ方向ａ１１と垂直な方向ａ２１に沿って延在する垂直第１領域部１ａ２とを含む。垂直第１領域部１ａ２は、水平第１領域部１ａ５に対して垂直に交差するように設けられている。第２領域１ｂは、一方側第２領域部１ｂ４と、他方側第２領域部１ｂ５とを含んでいてもよい。一方側第２領域部１ｂ４は、第１の主面１０ａ内においてオフ方向ａ１１と垂直な方向ａ２１における垂直第１領域部１ａ２の一方の端部と接する。他方側第２領域部１ｂ５は、第１の主面１０ａ内においてオフ方向ａ１１と垂直な方向ａ２１における垂直第１領域部１ａ２の他方の端部と接する。たとえば、オフ方向ａ１１が、［１１−２０］方向である場合、第１の主面１０ａ内においてオフ方向ａ１１と垂直な方向ａ２１の一方側とは、［１−１００］方向であり、他方側とは、［−１１００］方向である。
【００７９】
第１アライメントマーク１を用いて炭化珪素基板１０のアライメントを行う場合におけるスキャン領域ＳＣ１は、垂直第１領域部１ａ２および水平第１領域部１ａ５の双方を含み、かつ一方側第２領域部１ｂ４および他方側第２領域部１ｂ５の双方を含まない。つまり、スキャン領域ＳＣ１は、垂直第１領域部１ａ２および水平第１領域部１ａ５が交差する部分を含む。第２アライメントマーク２を用いたアライメント工程におけるスキャン領域ＳＣ２についても同様である。
【００８０】
次に、第１アライメントマーク１の第１３の変形例の構成について説明する。
図３７を参照して、第１２の変形例に係る第１アライメントマークにおいて、一方側第２領域部１ｂ４は、垂直第１領域部１ａ２の一方側端部に接して設けられており、垂直第１領域部１ａ２からオフ方向ａ１１に突出する部分と、垂直第１領域部１ａ２からオフ方向ａ１１と反対方向に突出する部分とを有していてもよい。たとえば、オフ方向ａ１１が、［１１−２０］方向である場合、オフ方向ａ１１と反対方向とは、［−１−１２０］方向である。オフ方向ａ１１に突出する一方側第２領域部１ｂ４の部分の幅ｘ２１は、オフ方向ａ１１と反対側に突出する一方側第２領域部１ｂ４の部分の幅ｘ２３よりと同じ程度であってもよい。第１領域１ａに接する一方側第２領域部１ｂ４の部分の幅ｘ２２は、第１領域１ａの幅ｘ１と同じであってもよい。同様に、他方側第２領域部１ｂ５は、垂直第１領域部１ａ２の他方側端部に接して設けられており、垂直第１領域部１ａ２からオフ方向ａ１１に突出する部分と、垂直第１領域部１ａ２からオフ方向ａ１１と反対方向に突出する部分とを有していてもよい。たとえば、オフ方向ａ１１が、［１１−２０］方向である場合、オフ方向ａ１１と反対方向とは、［−１−１２０］方向である。オフ方向ａ１１に突出する他方側第２領域部１ｂ５の部分の幅ｘ２１は、オフ方向ａ１１と反対側に突出する他方側第２領域部１ｂ５の部分の幅ｘ２３と同じ程度であってもよい。第１領域１ａに接する他方側第２領域部１ｂ５の部分の幅ｘ２２は、第１領域１ａの幅ｘ１と同じであってもよい。スキャン領域ＳＣ１は、一方側第２領域部１ｂ４と、他方側第２領域部１ｂ５とに挟まれた領域を含む。
【００８１】
次に、第１アライメントマーク１の第１４の変形例の構成について説明する。
図３８を参照して、第１２の変形例に係る第１アライメントマークにおいて、一方側第２領域部１ｂ４は、垂直第１領域部１ａ２の一方側端部に接して設けられ、かつオフ方向ａ１１から垂直第１領域部１ａ２側に傾斜していてもよい。たとえば、オフ方向ａ１１が、［１１−２０］方向であり、かつオフ方向に垂直な方向ａ２１が［１−１００］方向であり、オフ方向に垂直な方向ａ２１と反対方向が［−１１００］方向の場合、一方側第２領域部１ｂ４は、［１１−２０］方向から［−１１００］方向に対して傾斜している。他方側第２領域部１ｂ５は、垂直第１領域部１ａ２の他方側端部に接して設けられ、かつオフ方向ａ１１から垂直第１領域部１ａ２側に傾斜していてもよい。たとえば、オフ方向ａ１１が、［１１−２０］方向であり、かつオフ方向に垂直な方向ａ２１が［１−１００］方向であり、オフ方向に垂直な方向ａ２１と反対方向が［−１１００］方向の場合、他方側第２領域部１ｂ５は、［１１−２０］方向から［１−１００］方向に対して傾斜している。傾斜角度θ１は、第６の変形例と同様であってもよく、傾斜角度θ２は、第７の変形例と同様であってもよい。
【００８２】
次に、第１アライメントマーク１の第１５の変形例の構成について説明する。
図３９を参照して、第１４の変形例に係る第１アライメントマークにおいて、一方側第２領域部１ｂ４は、垂直第１領域部１ａ２の一方側端部に接して設けられており、かつオフ方向ａ１１から垂直第１領域部１ａ２側に傾斜角度θ１だけ傾斜している。一方側第２領域部１ｂ４は、垂直第１領域部１ａ２から傾斜している方向に突出する部分と、垂直第１領域部１ａ２から傾斜している方向と反対方向に突出する部分とを有していてもよい。傾斜している方向に突出する一方側第２領域部１ｂ４の部分の幅ｘ２１は、傾斜している方向と反対側に突出する一方側第２領域部１ｂ４の部分の幅ｘ２３よりも小さくてもよい。傾斜方向は、第６の変形例と同様である。同様に、他方側第２領域部１ｂ５は、垂直第１領域部１ａ２の他方側端部に接して設けられており、かつオフ方向ａ１１から垂直第１領域部１ａ２側に傾斜角度θ２だけ傾斜している。他方側第２領域部１ｂ５は、垂直第１領域部１ａ２から傾斜している方向に突出する部分と、垂直第１領域部１ａ２から傾斜している方向と反対方向に突出する部分とを有していてもよい。傾斜している方向に突出する他方側第２領域部１ｂ５の部分の幅ｘ２１は、傾斜している方向と反対側に突出する他方側第２領域部１ｂ５の部分の幅ｘ２３よりも大きくてもよい。傾斜方向は、第７の変形例と同様である。
【００８３】
なお、上記実施の形態において、炭化珪素半導体装置１００がＭＯＳＦＥＴである場合について説明したが、炭化珪素半導体装置１００はＭＯＳＦＥＴに限定されない。炭化珪素半導体装置１００は、たとえばショットキーバリアダイオードまたはＩＧＢＴ（Ｉｎｓｕｌａｔｅｄ  Ｇａｔｅ  Ｂｉｐｏｌａｒ  Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）などであってもよい。上記実施の形態において、第１導電型はｎ型であり、かつ第２導電型はｐ型であるとして説明したが、第１導電型はｐ型であり、かつ第２導電型はｎ型であってもよい。上記実施の形態では、アライメントを行う工程を、コンタクト領域を形成する際に用いる場合について説明したが、アライメントを行う工程はコンタクト領域の形成に限定されない。アライメントを行う工程は、たとえば炭化珪素ドライエッチング工程、ゲート電極形成工程または層間絶縁膜のコンタクトホール形成工程などの工程に用いられてもよい。また、上記実施の形態において、第２アライメントマーク２は、露光工程におけるアライメントに用いられる場合について説明したが、露光工程におけるアライメントマークに限定されない。第２アライメントマーク２は、たとえば、欠陥検査工程、レーザーアニール工程などに用いられるアライメントマークであってもよい。
【００８４】
次に、本実施の形態に係るＭＯＳＦＥＴ１００の製造方法の作用効果について説明する。
【００８５】
本実施の形態に係るＭＯＳＦＥＴ１００の製造方法によれば、第１アライメントマーク１は、第１領域１ａと、第１領域１ａと接触し、かつ第１領域１ａからオフ方向ａ１１側に延在する第２領域１ｂとを含む。アライメントを行う工程におけるスキャン領域ＳＣ２は、第１領域１ａ上に形成された第２アライメントマークの第１部分２ａを含み、かつ第２領域１ｂ上に形成された第２部分２ｂを含まない。これにより、炭化珪素基板１０のアライメント精度を向上することができる。
【００８６】
また本実施の形態に係るＭＯＳＦＥＴ１００の製造方法によれば、第２領域１ｂは、主面１０ｂ内においてオフ方向ａ１１と垂直な方向ａ２１における第１領域１ａの一方の端部と接する。これにより、アライメントを行う際のスキャン領域を広くすることができるので、アライメント精度をより向上することができる。
【００８７】
さらに本実施の形態に係るＭＯＳＦＥＴ１００の製造方法によれば、オフ方向ａ１１に沿った第２領域１ｂの幅をｘとし、主面１０ａ内においてオフ方向ａと垂直な方向ａ２１に沿った第１領域１ａの幅をｙとした場合、ｘはｙ／３以上２ｙ以下である。これにより、効率的に第２領域１ｂの端部に炭化珪素を成長させることができるので、アライメント精度をより向上することができる。
【００８８】
さらに本実施の形態に係るＭＯＳＦＥＴ１００の製造方法によれば、第２領域１ｂは、オフ方向ａ１１から第１領域１ａ側に傾斜している。これにより、第２領域１ｂによって、オフ方向ａ１１の第１領域１ａの端部を保護することができる。結果として、第２アライメントマーク２のオフ方向ａ１１の第１部分２ａのエッジがより急峻になるため、アライメント精度を向上することができる。
【００８９】
さらに本実施の形態に係るＭＯＳＦＥＴ１００の製造方法によれば、第２領域１ｂは、主面１０ａ内においてオフ方向ａ１１と垂直な方向ａ２１における第１領域１ａの一方の端部と接する一方側第２領域部１ｂ４と、他方の端部と接する他方側第２領域部１ｂ５とを含む。これにより、一方側第２領域部１ｂ４および他方側第２領域部１ｂ５の双方の端部に炭化珪素を成長させることができるので、アライメント精度をより向上することができる。
【００９０】
さらに本実施の形態に係るＭＯＳＦＥＴ１００の製造方法によれば、オフ方向ａ１１に沿った一方側第２領域部１ｂ４および他方側第２領域部１ｂ５の各々の幅をｘとし、主面内においてオフ方向と垂直な方向に沿った第１領域１ａの幅をｙとした場合、ｘはｙ／６以上３ｙ以下である。これにより、効率的に一方側第２領域部１ｂ４および他方側第２領域部１ｂ５の双方の端部に炭化珪素を成長させることができるので、アライメント精度をより向上することができる。
【００９１】
さらに本実施の形態に係るＭＯＳＦＥＴ１００の製造方法によれば、主面１０ａの法線方向から見た場合、第１領域１ａの形状は長方形である。これにより、長方形のアライメントマークを用いてアライメントを行う方式に対して好適に用いることができる。
【００９２】
さらに本実施の形態に係るＭＯＳＦＥＴ１００の製造方法によれば、主面１０ａの法線方向から見た場合、第１領域１ａの形状は十字型である。これにより、十字型のアライメントマークを用いてアライメントを行う方式に対して好適に用いることができる。
【００９３】
さらに本実施の形態に係るＭＯＳＦＥＴ１００の製造方法によれば、主面１０ａの法線方向に沿った第１アライメントマーク１の高さＨ１は、主面１０ａの法線方向に沿った炭化珪素エピタキシャル層の厚みＨ２の０．２倍以上である。これにより、十分な段差を有する第２アライメントマークを形成することができるので、アライメント精度を効果的に向上することができる。
【００９４】
さらに本実施の形態に係るＭＯＳＦＥＴ１００の製造方法によれば、第１アライメントマーク１を形成する工程において、第１アライメントマーク１は、主面１０ａのダイシングライン３上に形成される。第１アライメントマーク１をダイシングライン３上に形成することにより、半導体素子が形成される面積を減少させることなく、アライメント精度を向上させることができる。
【００９５】
さらに本実施の形態に係るＭＯＳＦＥＴ１００の製造方法によれば、炭化珪素基板１０を形成する工程の後、炭化珪素基板１０内に緩和領域７１を形成する工程をさらに備えている。これにより、緩和領域７１を有する炭化珪素半導体装置を得ることができる。
【００９６】
さらに本実施の形態に係るＭＯＳＦＥＴ１００の製造方法によれば、アライメントを行う工程の後、炭化珪素エピタキシャル層２０にコンタクト領域８４およびソース電極９４の少なくともいずれかを形成する工程をさらに備えている。これにより、コンタクト領域８４およびソース電極９４の少なくともいずれかを形成する工程におけるアライメント精度を向上させることができる。
【００９７】
今回開示された実施の形態はすべての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。本発明の範囲は上記した説明ではなくて特許請求の範囲によって示され、特許請求の範囲と均等の意味および範囲内でのすべての変更が含まれることが意図される。
【符号の説明】
【００９８】
１  第１アライメントマーク
１ａ２，１ｂ２，２ｂ２，Ｐ２  上面
１ａ  第１領域
１ａ１，１ａ３，１ｂ１，１ｂ３，２ａ１，２ａ３，２ｂ１，２ｂ３  端部
１ａ５，１ａ２  第１領域部
１ｂ  第２領域
１ｂ４  一方側第２領域部
１ｂ５  他方側第２領域部
１ｃ  第３アライメントマーク
２  第２アライメントマーク
２ａ  第１部分
２ｂ  第２部分
３  ダイシングライン
３ａ  第１ダイシングライン
３ｂ  第２ダイシングライン
４  オリエンテーションフラット部
１０  炭化珪素基板
１０ａ  第１の主面（主面）
１０ｂ  第２の主面
２０  炭化珪素エピタキシャル層
２０ａ  表面
４０  マスク層
７１  第１不純物領域（緩和領域）
８０  炭化珪素単結晶基板
８１ａ  第１ドリフト領域
８１ｂ  第２ドリフト領域
８２  ベース領域
８３  ソース領域
８４  第２不純物領域（コンタクト領域）
９１  ゲート酸化膜
９２  ゲート電極
９３  層間絶縁膜
９４  ソース電極（電極）
９５  ソース配線層
９８  ドレイン電極
１００  ＭＯＳＦＥＴ（炭化珪素半導体装置）
１０１  炭化珪素層
ＢＴ  底部
Ｐ１  下面
ＳＣ１，ＳＣ２  スキャン領域
ＳＷ  側壁部
ＴＱ  凹部
ＴＲ  トレンチ
ａ１１  オフ方向
ｚ  法線ベクトル
【図１】
2015207596.tif 000003
【図２】
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【図３】
2015207596.tif 000005
【図４】
2015207596.tif 000006
【図５】
2015207596.tif 000007
【図６】
2015207596.tif 000008
【図７】
2015207596.tif 000009
【図８】
2015207596.tif 000010
【図９】
2015207596.tif 000011
【図１０】
2015207596.tif 000012
【図１１】
2015207596.tif 000013
【図１２】
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【図１３】
2015207596.tif 000015
【図１４】
2015207596.tif 000016
【図１５】
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【図１６】
2015207596.tif 000018
【図１７】
2015207596.tif 000019
【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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【図２５】
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【図２６】
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【図２７】
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【図２８】
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【図２９】
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【図３０】
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【図３１】
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【図３２】
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【図３３】
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【図３４】
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【図３５】
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【図３６】
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【図３７】
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【図３８】
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【図３９】
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【図４０】
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