(57)【要約】【課題】下地基板の表面に沿った複数本の第１バンクと、第１バンクによって区画された各溝空間内に形成された複数の第２バンクとを有するバンク付基板に対して、各溝空間にウェット方式で機能層を形成するときに、第２バンクを挟んで隣接する画素領域間における機能層の膜厚にばらつきが生じるのを抑える。【解決手段】ホール輸送層又はホール注入兼輸送層１１６を形成する工程において、１回目の塗布時には、溝空間１２５の中で、第２バンク１１４の上に選択的にインクを塗布し、塗布されたインク層１１６ａを乾燥することによって、第２バンク１１４の上に下層１１６Ａを形成する。２回目の塗布時には、溝空間１２５全体に均一的にインクを塗布する。溝空間１２５に、インク層１１６ａを覆うようにインク層を形成し、乾燥することによって、下層１１６Ａを覆うように上層を形成する。【選択図】図７
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
下地基板と、当該下地基板の表面に沿った一方向に伸長する複数本の第１バンクと、前記複数本の第１バンクによって区画された各溝空間内に前記一方向に間隔をあけて形成された複数の第２バンクとを有するバンク付基板を準備し、前記各溝空間に有機発光デバイスの機能層を形成する形成方法であって、
前記バンク付基板の各溝空間の中、選択的に複数の第２バンクの上に前記機能層の材料を含む第１インクを塗布して乾燥することによって、前記機能層の一部を形成し、
各溝空間に、前記機能層の材料を含む第２インクを、前記機能層の一部を覆うように塗布して乾燥することによって、前記機能層の残り部分を形成する、
機能層の形成方法。
【請求項２】
前記バンク付基板の各溝空間に前記第１インクを塗布するときに
互いに隣接する前記第２バンク上に塗布された前記第１インク同士が接触しないように塗布する、
請求項１に記載の機能層の形成方法。
【請求項３】
前記バンク付基板の各溝空間に前記第２インクを塗布するときに、
塗布された前記第２インクが前記一方向に連続するよう塗布する、
請求項１又は２に記載の機能層の形成方法。
【請求項４】
前記第１インク及び前記第２インクは、組成が同じである、
請求項１〜３のいずれかに記載の機能層の形成方法。
【請求項５】
前記第２バンクは、前記第１バンクよりも前記下地基板の表面からの高さが低い、
請求項１〜４のいずれかに記載の機能層の形成方法。
【請求項６】
前記第２バンクは、前記第１バンクよりも、前記第１インクに対する撥液性が小さい、
請求項１〜５のいずれかに記載の機能層の形成方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、有機発光デバイスにおける機能層を形成する形成方法に関し、特に、バンクで区画された領域にインクを塗布することによって機能層を形成する方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、発光型の表示装置として、基板上に複数の有機ＥＬ素子がマトリックス状に配置された有機ＥＬ装置が実用化されている。この有機ＥＬ装置は、各有機ＥＬ素子が自己発光するので視認性が高く、完全固体素子であるため耐衝撃性に優れる。
有機ＥＬ装置において、各有機ＥＬ素子は、陽極と陰極の一対の電極対の間に有機発光材料を含む発光層が配設された基本構造を有し、駆動時には、一対の電極対間に電圧を印加し、陽極から発光層に注入されるホールと、陰極から発光層に注入される電子との再結合に伴って発光する。フルカラー表示の有機ＥＬ装置においては、このような有機ＥＬ素子が、ＲＧＢ各色のサブピクセルを形成し、隣り合うＲＧＢのサブピクセルが合わさって一画素が形成されている。
【０００３】
有機ＥＬ装置において、一般に各有機ＥＬ素子の発光層と、隣接する有機ＥＬ素子の発光層とは、絶縁材料からなるバンクで仕切られている。また、陽極と発光層との間には、ホール注入層、ホール輸送層又はホール注入兼輸送層といった有機層が必要に応じて介挿され、陰極と発光層との間にも、必要に応じて電子注入層、電子輸送層または電子注入兼輸送層が介挿されている。これらの有機層、ホール注入層、ホール輸送層、ホール注入兼輸送層、電子注入層、電子輸送層、電子注入兼輸送層などは、総称して機能層といわれている。
【０００４】
このような有機ＥＬ装置を製造する際には、基板上に一方向に伸長するストライプ状のバンク（いわゆる「ラインバンク」）を形成して、ラインバンクで区画された溝空間に機能層を形成する工程がある。機能層の形成には、高分子材料や薄膜形成性の良い低分子を含む発光層形成用のインクを、インクジェット法等で凹空間に塗布するウェット方式が多く用いられている。このウェット方式によれば、大型のパネルにおいても有機層や発光層を比較的容易に形成することができる。
【０００５】
特許文献１に開示されている画像表示装置のように、基板上に、ラインバンク（第１バンク）に加えて、第１バンクと直交する方向に第１バンクよりも高さの低い第２バンクを形成して隣接する画素領域を区画しているものもある。
このように、基板上に、第１バンク及び第２バンクを形成したものに対して、機能層形成用のインクを、第１バンク間の溝空間全体に連続的に塗布することによって、溝空間が伸長する方向において比較的厚みむらの少ない機能層を形成することができる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開２００７−２３４２３２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
しかしながら、上記のように第１バンクで区画された溝空間全体に連続的にインクを塗布して機能層を形成しても、第２バンクを挟んで互いに隣接する画素間において、機能層の膜厚にバラツキが生じることがある。このように隣接する画素領域の間で機能層の膜厚が異なると、画素間における発光特性が異なって、画質低下の原因となる。
本発明は、上記課題に鑑みてなされたものであって、下地基板と、当該下地基板の表面に沿った一方向に伸長する複数本の第１バンクと、複数本の第１バンクによって区画された各溝空間内に一方向に間隔をあけて形成された複数の第２バンクとを有するバンク付基板に対して、各溝空間にウェット方式で機能層を形成するときに、第２バンクを挟んで互いに隣接する画素領域間における機能層の膜厚にばらつきが生じるのを抑えることを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明の一態様に係る機能層の形成方法は、下地基板と、当該下地基板の表面に沿った一方向に伸長する複数本の第１バンクと、複数本の第１バンクによって区画された各溝空間内に一方向に間隔をあけて形成された複数の第２バンクとを有するバンク付基板を準備し、各溝空間に有機発光デバイスの機能層を形成する形成方法であって、バンク付基板の各溝空間の中、選択的に複数の第２バンク上に機能層の材料を含む第１インクを塗布して乾燥することによって機能層の一部を形成し、各溝空間に、機能層の材料を含む第２インクを、機能層の一部を覆うように塗布して乾燥することによって、機能層の残り部分を形成することとした。
【０００９】
ここでいうインクの乾燥は、塗布されたインク層に流動性がなくなる程度まで乾燥することを意味する。従って、完全に乾燥させる場合に限らず、半乾燥の場合も含む。
【発明の効果】
【００１０】
上記態様に係る機能層の形成方法によれば、第１インクの塗布及び乾燥によって、第２バンク上に機能層の一部である下層が形成される。この下層は、第２インクに対する親和性を有しているので、塗布された第２インクが乾燥するときに、下層上にインク層が付着した状態が維持され、下層の上に機能層の上層が形成される。それによって、第２バンクを挟んで互いに隣接する画素領域間で機能層の膜厚がばらつくのが抑えられ、膜厚の均一性が良好なものとなる。
【００１１】
また、溝空間にインクが塗布されるときに未濡れ領域が発生するとその付近で機能層の膜厚が薄くなる部分が生じて、画素内で輝度ムラが発生する原因ともなるが、上記態様の機能層の形成方法によれば、未濡れ領域も発生しにくいので、画素内での輝度ムラが生じにくい。
【図面の簡単な説明】
【００１２】
【図１】本発明の実施の形態に係る有機ＥＬ表示装置１の概略構成を示す模式ブロック図である。
【図２】表示パネル１０におけるサブピクセル１１ａ，１１ｂ，１１ｃの配置形態を示す模式平面図である。
【図３】図２のＡ−Ａ断面での構成を示す模式断面図である。
【図４】表示パネル１０の製造工程を示す工程図である。
【図５】バンク付基板１５０の概略斜視図である。
【図６】（ａ），（ｂ）は、１回目及び２回目のインク塗布の様子を示す平面図である。
【図７】（ａ）〜（ｃ）は、１回目のインク塗布の様子を示す断面模式図である。
【図８】（ａ）〜（ｃ）は２回目のインク塗布の様子を示す断面模式図である。
【図９】（ａ）〜（ｄ）は比較例にかかるホール輸送層又はホール注入兼輸送層１１６の形成方法において、膜厚ばらつきなどが発生するメカニズムを説明する図である。
【図１０】（ａ）〜（ｄ）は、実施の形態にかかるホール輸送層又はホール注入兼輸送層１１６の形成方法において、膜厚ばらつきなどの発生が抑えられるメカニズムを説明する図である。
【発明を実施するための形態】
【００１３】
［発明に到る経緯］
本発明者は、上記のように、下地基板と、当該下地基板の表面に沿った一方向に伸長する複数本の第１バンクと、複数本の第１バンクによって区画された各溝空間内に形成された複数の第２バンクとを有するバンク付基板に対して、各溝空間にインクの塗布を行うことによって有機発光デバイスの機能層を形成するときに、形成した機能層の膜厚が画素間でばらつく原因について、以下のように考察した。
【００１４】
第１バンク同士の間の溝空間全体にインクを塗布すると、塗布されたインク層は第２バンク上も覆うが、インク層を乾燥する過程においてインクの体積が減少するので、乾燥がある程度進んだ段階で、第２バンクの上のインク層は、当該第２バンクを挟んだ両隣の画素領域内のインク層に引き込まれる形で分配される。
このとき両隣の画素領域にうまく半分ずつ分配されればよいが、不均一に分配されることもある。その場合、両隣の画素領域におけるインク量が不均一となり、形成される機能層の膜厚が異なることになる。
【００１５】
特に、ホール輸送層の材料を含むインクは、第２バンク上で弾かれやすく、第２バンク上にインクが残らないケースが発生しやすい。
そこで、溝空間内にインクを塗布して形成したインク層が、乾燥中にも第２バンク上で弾かれることなく、第２バンク上にとどまるようにすればよいと考えた。そして、インク層の乾燥時に第２バンク上にインク層をとどめるための方法を検討して、本発明に至った。
【００１６】
［発明の態様］
本発明の一態様に係る機能層の形成方法は、下地基板と、当該下地基板の表面に沿った一方向に伸長する複数本の第１バンクと、複数本の第１バンクによって区画された各溝空間内に一方向に間隔をあけて形成された複数の第２バンクとを有するバンク付基板を準備し、各溝空間に有機発光デバイスの機能層を形成する形成方法であって、バンク付基板の各溝空間の中、選択的に複数の第２バンク上に機能層の材料を含む第１インクを塗布して乾燥することによって機能層の一部を形成し、各溝空間に、機能層の材料を含む第２インクを、機能層の一部を覆うように塗布して乾燥することによって、機能層の残り部分を形成することとした。
【００１７】
上記態様の機能層の形成方法によれば、まず、第２バンクの上に、選択的に第１インクを塗布し、乾燥することによって、第２バンクの上に機能層の一部が形成される。このとき、第２バンクの両側にはインク層が存在しないので、第１インクのインク層は、乾燥に伴って第２バンクを挟んだ両側に引っ張られることがない。従って、第２バンクの上でインク層が乾燥して、機能層の一部となる下層が形成される。
【００１８】
この下層は、第２インクに対する親和性を有しているので、塗布された第２インクが乾燥するときに、下層上にインク層が付着した状態が維持され、下層の上に機能層の上層が形成される。それによって、第２バンクを挟んで互いに隣接する画素領域間で機能層の膜厚がばらつくのが抑えられ、膜厚の均一性が良好なものとなる。
また、溝空間にインクが塗布されるときに未濡れ領域が発生するとその付近で機能層の膜厚が薄くなる部分が生じて、画素内で輝度ムラが発生する原因ともなるが、上記態様の機能層の形成方法によれば、未濡れ領域も発生しにくいので、画素内での輝度ムラが生じにくい。
【００１９】
上記態様の機能層の形成方法において、以下のようにしてもよい。
バンク付基板の各溝空間に第１インクを塗布するときに、互いに隣接する第２バンク上に塗布された第１インク同士が接触しないように塗布する。
バンク付基板の各溝空間に第２インクを塗布するときに、塗布された第２インクが一方向に連続するよう塗布する。
【００２０】
第１インク及び第２インクを、同じ組成とする。ここで「同じ組成」は、インクに含まれる成分の種類が同じであることを意味する。これによって、第１インクと第２インクとして、共通のインクを使うことができるので、インク塗布時の作業性向上に寄与する。
第２バンクは、第１バンクよりも下地基板の表面からの高さを低くする。
第２バンクは、第１バンクよりも、第１インクに対する撥液性を小さくする。これによって、第２バンクに対する第１インクの塗れ性を高め、第２バンク上への第１インクの付着性を高めることができる。
【００２１】
［実施の形態］
以下、実施の形態に係る有機ＥＬ装置の全体的な構成及び製法について説明し、その有機ＥＬ装置の機能層を製造する方法について詳しく説明する。
１．概略構成
図１および図２を参照しながら、実施の形態に係る有機ＥＬ表示装置１の概略構成について説明する。
【００２２】
図１に示すように、有機ＥＬ表示装置１は表示パネル１０と、これに接続された駆動・制御回路部２０とを備えている。表示パネル１０は、有機発光デバイスの一種であって、有機材料の電界発光現象を利用した有機ＥＬパネルである。
図２に示すように、表示パネル１０においては、複数のサブピクセル１１ａ，１１ｂ，１１ｃがＸ方向およびＹ方向に二次元配置されている。この表示パネル１０では、一例として、サブピクセル１１ａは赤色光（Ｒ）を出射し、サブピクセル１１ｂは緑色光（Ｇ）を出射し、サブピクセル１１ｃは青色光（Ｂ）を出射する。そして、Ｘ方向に隣接する３つのサブピクセル１１ａ，１１ｂ，１１で１つのピクセル（画素）が構成されている。
【００２３】
図１に示すように、有機ＥＬ表示装置１における駆動・制御回路部２０は、４つの駆動回路２１〜２４と１つの制御回路２５とから構成されている。
なお、図２では３つのサブピクセル１１ａ，１１ｂ，１１ｃの組み合わせで１ピクセルを構成する例を示したが、ピクセル（画素部）の構成はこれに限定されず、４つ以上のサブピクセルの組み合わせで１つのピクセルを構成してもよい。
２．表示パネル１０の構成
表示パネル１０においては、図２に示すように、複数のサブピクセル１１ａ〜１１ｃが基板（不図示）上に２次元配置される。各サブピクセル１１ａ〜１１ｃは、図３に示すように、Ｙ方向に延伸する複数の第１バンク１１５と、第１バンク１１５同士の間に、Ｙ方向に間隔をあけて形成された複数の第２バンク１１４とによって区画された領域（サブピクセル領域）に存在する。なお、図５において符号１２ａ，１２ｂ，１２ｃは、サブピクセル１１ａ，１１ｂ，１１ｃに対応するサブピクセル領域を示している。
【００２４】
図３は、図２のＡ−Ａ断面を示す模式断面図である。
表示パネル１０は、基板１００上にＴＦＴ層１０１が形成されてなるＴＦＴ基板１１０をベースとしている。ＴＦＴ層１０１は、詳細な図示は省略しているが、ゲート、ソース、ドレインの３電極と、半導体層、パッシベーション膜などで構成されている。
ＴＦＴ基板１１０の上には層間絶縁層１０２が積層されている。
【００２５】
この層間絶縁層１０２は、上面が略平坦に形成され、その上にサブピクセル１１ａ〜１１ｃが形成されている。
サブピクセル１１ａ〜１１ｃは、基本構成が同じであるので、代表的にサブピクセル１１ａについて説明する。
サブピクセル１１ａは、層間絶縁層１０２の上に順に積層形成されたアノード１０３及びホール注入層１０４を有している。
【００２６】
アノード１０３は、層間絶縁層１０２に設けられたコンタクトホール（不図示）を介して、ＴＦＴ層１０１の上部電極（ソースまたはドレインに接続された電極）に接続されている。
また、層間絶縁層１０２の上には、ホール注入層１０４のＸ方向両縁を覆うように、第１バンク１１５が形成されている。また図３には表れないが、層間絶縁層１０２上において、ホール注入層１０４のＹ方向両縁上を覆うように第２バンク１１４が形成されている（図７（ａ），（ｃ）参照）。
【００２７】
図３に示すように、第１バンク１１５同士の間には、ホール輸送層又はホール注入兼輸送層１１６、有機発光層１１７、電子輸送層１１８が積層形成されている。なお、これらホール輸送層又はホール注入兼輸送層１１６、有機発光層１１７、電子輸送層１１８は、Ｙ方向に連続して形成され、サブピクセルの領域内だけでなく、第２バンク１１４の上にも形成されている。
【００２８】
そして、電子輸送層１１８の上及び第１バンク１１５の側面及び頂面の上を全体的に覆うように、カソード１１９および封止層１２０が順に形成されている。
封止層１２０は、有機発光層１１７などの有機層が水分に晒されたり、空気に晒されたりすることを抑制する機能を持つ。
封止層１２０の上には、樹脂層１２１を介して、ブラックマトリクス層１２２及びカラーフィルタ層１２３を有する基板１２４が貼り合せられている。
【００２９】
以上の構成を有する表示パネル１０は、トップエミッション型であって、図３で矢印に示すようにＺ方向に光を出射する。
３．表示パネル１０の構成材料
基板１００：
基板１００は、例えば、ガラス基板、石英基板、シリコン基板、硫化モリブデン、銅、亜鉛、アルミニウム、ステンレス、マグネシウム、鉄、ニッケル、金、銀などの金属基板、ガリウム砒素基などの半導体基板、プラスチック基板等を用い形成されている。
【００３０】
プラスチック基板としては、熱可塑性樹脂、熱硬化性樹脂いずれの樹脂を用いてもよい。
例えば、ポリエチレン、ポリプロピレン、エチレン−プロピレン共重合体、エチレン−酢酸ビニル共重合体（ＥＶＡ）等のポリオレフィン、環状ポリオレフィン、変性ポリオレフィン、ポリ塩化ビニル、ポリ塩化ビニリデン、ポリスチレン、ポリアミド、ポリイミド（ＰＩ）、ポリアミドイミド、ポリカーボネート、ポリ−（４−メチルベンテン−１）、アイオノマー、アクリル系樹脂、ポリメチルメタクリレート、アクリル−スチレン共重合体（ＡＳ樹脂）、ブタジエン−スチレン共重合体、ポリオ共重合体（ＥＶＯＨ）、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリブチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）、プリシクロヘキサンテレフタレート（ＰＣＴ）等のポリエステル、ポリエーテル、ポリエーテルケトン、ポリエーテルスルホン（ＰＥＳ）、ポリエーテルイミド、ポリアセタール、ポリフェニレンオキシド、変形ポリフェニレンオキシド、ポリアリレート、芳香族ポリエステル（液晶ポリマー）、ポリテトラフルオロエチレン、ポリフッ化ビニリデン、その他フッ素系樹脂、スチレン系、ポリオレフィン系、ポリ塩化ビニル系、ポリウレタン系、フッ素ゴム系、塩素化ポリエチレン系等の各種熱可塑性エラストマー、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、ユリア樹脂、メラミン樹脂、不飽和ポリエステル、シリコーン樹脂、ポリウレタン、あるいは、これらを主とする共重合体、ブレンド体、ポリマーアロイ等が挙げられる。また、これらのうち１種、または２種以上を積層した積層体を用いることもできる。
【００３１】
層間絶縁層１０２：
表示パネル１０の製造工程において、エッチング処理、ベーク処理等が施されることがあるので、層間絶縁層１０２は、それらの処理に対して耐久性を有する材料で形成することが望ましい。層間絶縁層１０２は、例えば、ポリイミド、ポリアミド、アクリル系樹脂などの有機化合物で形成される。
【００３２】
アノード１０３：
表示パネル１０はトップエミッション型なので、アノード１０３の表面は高い反射性を有することが好ましい。アノード１０３は、銀（Ａｇ）またはアルミニウム（Ａｌ）を含む金属材料で構成される。
アノード１０３は、金属材料からなる単層構造だけではなく、金属層と透明導電層との積層体とすることもできる。透明導電層の材料としては、例えば、酸化インジウムスズ（ＩＴＯ）や酸化インジウム亜鉛（ＩＺＯ）が挙げられる。
【００３３】
ホール注入層１０４：
ホール注入層１０４は、例えば、銀（Ａｇ）、モリブデン（Ｍｏ）、クロム（Ｃｒ）、バナジウム（Ｖ）、タングステン（Ｗ）、ニッケル（Ｎｉ）、イリジウム（Ｉｒ）などの酸化物、あるいは、ＰＥＤＯＴ（ポリチオフェンとポリスチレンスルホン酸との混合物）などの導電性ポリマー材料からなる。
【００３４】
第２バンク１１４：
第２バンク１１４は、感光性の有機材料で形成する。有機材料の具体例としては、例えば、アクリル系樹脂、ポリイミド系樹脂、シロキサン系樹脂、フェノール系樹脂などが挙げられる。
ただし、第２バンク１１４の材料は、有機材料に限られず、ＳｉＯ2（酸化シリコン）、ＳｉＮ（窒化シリコン）、ＳｉＯＮ（酸窒化シリコン）などの無機絶縁材料で形成してもよい。
（６）第１バンク１１５
第１バンク１１５の材料は、第２バンク１１４の材料と同じであってもよいし、異なっていてもよい。
【００３５】
第１バンク１１５は、ホール輸送層又はホール注入兼輸送層１１６や有機発光層１１７等をウェット法で形成するインクに対する撥液性を有することが好ましい。従って、第１バンク１１５の材料としては、フッ素系の樹脂を用いることが好ましい。
第１バンク１１５の構造は、一層構造だけでなく、二層以上の多層構造を採用することもでき、多層構造の場合には、層毎に上記材料を組み合わせて用いることができる。
【００３６】
ホール輸送層又はホール注入兼輸送層１１６：
ホール輸送層又はホール注入兼輸送層１１６は、例えば、ポリフルオレンやその誘導体、あるいはポリアリールアミンやその誘導体などの高分子化合物を用いて形成することができる。
有機発光層１１７：
有機発光層１１７の材料としては、リパラフェニレンビニレン（ＰＰＶ）、ポリフルオレン、オキシノイド化合物、ペリレン化合物、クマリン化合物、アザクマリン化合物、オキサゾール化合物、オキサジアゾール化合物、ペリノン化合物、ピロロピロール化合物、ナフタレン化合物、アントラセン化合物、フルオレン化合物、フルオランテン化合物、テトラセン化合物、ピレン化合物、コロネン化合物、キノロン化合物及びアザキノロン化合物、ピラゾリン誘導体及びピラゾロン誘導体、ローダミン化合物、クリセン化合物、フェナントレン化合物、シクロペンタジエン化合物、スチルベン化合物、ジフェニルキノン化合物、スチリル化合物、ブタジエン化合物、ジシアノメチレンピラン化合物、ジシアノメチレンチオピラン化合物、フルオレセイン化合物、ピリリウム化合物、チアピリリウム化合物、セレナピリリウム化合物、テルロピリリウム化合物、芳香族アルダジエン化合物、オリゴフェニレン化合物、チオキサンテン化合物、シアニン化合物、アクリジン化合物、８−ヒドロキシキノリン化合物の金属錯体、２−ビピリジン化合物の金属錯体、シッフ塩とIII族金属との錯体、オキシン金属錯体、希土類錯体等の蛍光物質等が挙げられる。  
【００３７】
電子輸送層１１８：
電子輸送層１１８は、例えば、オキサジアゾール誘導体（ＯＸＤ）、トリアゾール誘導体（ＴＡＺ）、フェナンスロリン誘導体（ＢＣＰ、Ｂｐｈｅｎ）などで形成される。
カソード１１９：
表示パネル１０はトップエミッション型なので、カソード１１９は光透過性の材料で形成する。具体的な材料は、例えば、酸化インジウムスズ（ＩＴＯ）若しくは酸化インジウム亜鉛（ＩＺＯ）などである。
【００３８】
封止層１２０：
封止層１２０も、光透過性の材料で形成される。
封止層１２０の材料は、例えば、窒化シリコン（ＳｉＮ）、酸窒化シリコン（ＳｉＯＮ）などである。また、窒化シリコン（ＳｉＮ）、酸窒化シリコン（ＳｉＯＮ）などの材料を用い形成された層の上に、アクリル樹脂、シリコーン樹脂などの樹脂材料からなる封止樹脂層を設けてもよい。
【００３９】
樹脂層１２１：
樹脂層１２１は、透明樹脂材料、例えば、エポキシ系樹脂材料から形成される。ただし、これ以外にもシリコーン系樹脂などを用いることもできる。
ブラックマトリクス層１２２：
ブラックマトリクス層１２２は、光吸収性および遮光性に優れる黒色顔料を含む紫外線硬化樹脂材料で形成されている。紫外線硬化樹脂としては、アクリル系の紫外線硬化樹脂材料が挙げられる。
【００４０】
カラーフィルタ層１２３
カラーフィルタ層１２３は、赤色（Ｒ）、緑色（Ｇ）、青色（Ｂ）の各色の波長域の可視光を選択的に透過する材料、例えば公知のアクリル樹脂をベースにした材料で形成される。
基板１２４：
基板１２４は、上記基板１００と同様に、例えば、ガラス基板、石英基板、シリコン基板、硫化モリブデン、銅、亜鉛、アルミニウム、ステンレス、マグネシウム、鉄、ニッケル、金、銀などの金属基板、ガリウム砒素基などの半導体基板、プラスチック基板等を用いることができる。
【００４１】
５．表示パネル１０の製造方法
表示パネル１０の製造方法について、図４の工程図に基づいて説明する。
表示パネル１０の製造においては、先ず、ＴＦＴ基板を準備する（ステップＳ１）。このＴＦＴ基板は、基板１００の上面にＴＦＴ層１０１を形成したものであり、公知の技術で作製される。
【００４２】
次に、ＴＦＴ基板上に有機材料を塗布して層間絶縁層１０２を形成する（ステップＳ２）。
このようにＴＦＴ基板上に層間絶縁層１０２が形成したものを下地基板として、その層間絶縁層１０２上に、アノード１０３およびホール注入層１０４を順に積層形成する（ステップＳ３、Ｓ４）。アノード１０３の形成は、例えば、スパッタリング法若しくは真空蒸着法を用いて金属膜を形成した後、フォトリソグラフィ法およびエッチング法でパターニングすることによってなされる。
【００４３】
ホール注入層１０４の形成は、例えば、スパッタリング法を用いて酸化金属（例えば、酸化タングステン）からなる膜を形成した後、フォトグラフィ法およびエッチング法を用いてパターニングすることでなされる。
次に、以下のように第２バンク１１４を形成する（ステップＳ５）。
第２バンク１１４を形成するためのバンク材料（感光性を有するフォトレジスト材料）を、ホール注入層１０４上に一様に塗布する。その後、塗布されたバンク材料に対して、パターニングされたマスクを用いて感光を行う。そして、未硬化の余分なバンク材料を現像液で除去することによって第２バンク１１４バンクパターンを形成する。
【００４４】
次に、第１バンク１１５を以下のように形成する（ステップＳ６）。
第１バンク１１５を形成するためのバンク材料（ネガ型感光性樹脂組成物）を、ホール注入層１０４上の第２バンク１１４の上に一様に塗布する。塗布したバンク材料層上に、形成しようとする第１バンク１１５のパターンに合わせた開口を有するマスクを重ねて、マスクの上から露光する。
【００４５】
その後、余分なバンク材料をアルカリ現像液で洗い出すことによって、バンク材料をパターニングして、第１バンク１１５のバンクパターンを形成する。
形成した第２バンク１１４及び第１バンク１１５に対して、ＵＶ（紫外線）照射処理およびベーク処理を行う（ステップＳ７）。ＵＶ照射処理は、例えば１５０〜２００秒間行う。ベーク処理は、例えば１５０〜２３０℃の温度で１０〜２０分間行う。
【００４６】
図５は、基板１００、層間絶縁層１０２を備える下地基板上に第２バンク１１４，第１バンク１１５が形成されたバンク付基板１５０の概略斜視図である。
このバンク付基板１５０において、上面側には、複数の第１バンク１１５によって区画された溝空間１２５がＹ方向に複数本形成され、さらに各溝空間１２５が第２バンク１１４によって区画されて複数のサブピクセル領域１２（１２ａ，１２ｂ、１２ｃ）が形成されている。
【００４７】
次に、隣り合う第１バンク１１５で規定された溝空間１２５に、ホール輸送層又はホール注入兼輸送層１１６を形成する（ステップＳ８）。ホール輸送層又はホール注入兼輸送層１１６の形成は、印刷法（塗布法）を用い、ホール輸送層又はホール注入兼輸送層１１６の構成用材料を含むインクを隣り合う第１バンク１１５間の溝空間に塗布した後、焼成することでなされる。
【００４８】
この工程については、後で詳述するが、ホール輸送層又はホール注入兼輸送層１１６は、隣り合う２条の第１バンク１１５で規定される溝空間に露出する第２バンク１１４の上にも形成する。
同様に、隣り合う第１バンク１１５で規定された溝空間１２５に、有機発光層１１７および電子輸送層１１８を順に積層形成する（ステップＳ９，Ｓ１０）。有機発光層１１７および電子輸送層１１８の形成についても、上記同様に、各構成材料を含むインクを塗布した後、焼成することでなされる。
【００４９】
次に、電子輸送層１１８および第１バンク１１５の頂面部を被覆するように、カソード１１９および封止層１２０を順に積層形成する（ステップＳ１１，Ｓ１２）。カソード１１９および封止層１２０は、例えば、スパッタリング法を用いて形成することができる。
その後、基板１２４にカラーフィルタ層１２３およびブラックマトリクス層１２２が形成されたカラーフィルタ基板を貼り合わせることによって、表示パネル１０が完成する（ステップＳ１３）。
【００５０】
形成される第１バンク１１５、第２バンク１１４、サブピクセル領域１２の寸法を以下に例示する。
第１バンク１１５の高さ（層間絶縁層１０２上面からの高さ）は１μｍ、幅は３０μｍ。
第２バンク１１４の高さ（層間絶縁層１０２上面からの高さ）は０．５μｍ、幅は１５〜２０μｍ。
【００５１】
サブピクセル１１の長さ（Ｙ方向長さ）は３００μｍ、幅（Ｘ方向幅）は５０μｍ。
（ホール輸送層又はホール注入兼輸送層１１６を形成する工程）
図５に示すバンク付基板１５０における各溝空間１２５に対して、ホール輸送層又はホール注入兼輸送層用のインクを塗布し乾燥する工程を２回行うことによってホール輸送層又はホール注入兼輸送層１１６を形成する。
【００５２】
図６（ａ），（ｂ）は、１回目及び２回目のインク塗布の様子を示す平面図である。
図７（ａ）〜（ｃ）は、１回目のインク塗布の様子を示す断面模式図、図８（ａ）〜（ｃ）は２回目のインク塗布の様子を示す断面模式図である。
インクを着弾させる位置（着弾位置）を、図６（ａ），（ｂ）においては丸印で示し、図７（ａ），図８（ａ）においては矢印で示している。
【００５３】
１回目の塗布及び乾燥：
１回目の塗布においては、図６（ａ）に示すようにノズルヘッド２００をＸ方向に走査しながら、或いはノズルヘッド２００は固定し、バンク付基板１５０を載置している基台（不図示）をＸ方向に走査しながら、溝空間１２５の中で、第２バンク１１４の上に選択的にインクを塗布する。
【００５４】
すなわち、溝空間１２５全体の領域の中で、第２バンク１１４の上にはインクを塗布し、第２バンク１１４以外の領域（サブピクセル領域１２）には、インクを塗布しないか、塗布したとしてもその塗布量は少なくする。
図６（ａ）に示す例では、ノズルヘッド２００が備える複数のノズル２０１の中、バツ（×）を付けたノズル２０１は使用せず、第２バンク１１４上を通過するノズル２０１だけを使用して、第２バンク１１４上にインクを着弾させている。
【００５５】
ここでノズルヘッド２００から吐出するインク（第１インク）は、ホール輸送層又はホール注入兼輸送層１１６の材料を溶剤に溶解した溶液である。
図７（ｂ）は、第１回目のインク塗布結果、第２バンク１１４の上にインク層１１６ａが形成された様子を示している。
塗布されたインク層１１６ａを乾燥することによって、図７（ｃ）に示すように、第２バンク１１４の上に下層１１６Ａが形成される。この下層１１６Ａは、ホール輸送層又はホール注入兼輸送層１１６の一部を構成する層である。
【００５６】
１回目のインクを塗布する形態について、さらに詳しく述べると、溝空間１２５中において各第２バンク１１４上に塗布するインクは１滴以上である。各第２バンク１１４上に複数の液滴を滴下する場合、滴下位置は１列でもよいし、図６（ａ）のように２列でもよい。
インク層１１６ａは、溝空間１２５に露出する第２バンク１１４の表面の一部だけを覆ってもよいし、図７(ｂ)に示す例のように、インク層１１６ａは、溝空間１２５に露出する第２バンク１１４の表面全体を覆ってもよい。
【００５７】
図７(ｂ)に示す例では、インク層１１６ａは、第２バンク１１４の上だけではなく、サブピクセル領域１２の周辺部にまたがって形成されている。このようにインク層１１６ａは、サブピクセル領域１２の周辺部にまたがってもよいが、Ｙ方向に隣接する第２バンクの上に塗布されるインク層１１６ａ同士は、互いに分離されていて、つながらないようにする。
【００５８】
インク層１１６ａの乾燥は、減圧乾燥で行うことが、低温で迅速に乾燥を行える点で好ましい。
２回目の塗布及び乾燥：
図６（ｂ）に示すようにノズルヘッド２００をＸ方向に走査しながら、溝空間１２５内全体にインクを塗布する。２回目の塗布時には、ノズルヘッド２００が備える複数のノズル２０１を全体的に用いて、溝空間１２５全体に均一的にインクを塗布する。
【００５９】
ここで用いるインク（第２インク）も、ホール輸送層又はホール注入兼輸送層１１６の材料を溶剤に溶解した溶液である。第２インクは、１回目の塗布に用いた第１インクと同じ組成（すなわち、溶剤の種類が同じ）であってもよいし、溶剤の種類が異なっていてもよい。
図８（ｂ）は２回目のインク塗布の結果、溝空間１２５に、インク層１１６ａを覆ってＹ方向に連続するインク層１１６ｂが形成された様子を示している。塗布した直後のインク層１１６ｂの高さは例えば２０μｍ程度である。
【００６０】
塗布されたインク層１１６ｂを乾燥することによって、図８（ｃ）に示すように、下層１１６Ａを覆う上層１１６ＢがＹ方向に連続して形成される。
インク層１１６ｂの乾燥も、減圧乾燥で行うことが好ましい。
上層１１６Ｂは、ホール輸送層又はホール注入兼輸送層１１６の残りの部分を構成する層である。すなわち、下層１１６Ａと上層１１６Ｂとが合わさってホール輸送層又はホール注入兼輸送層１１６が形成されることになる。
【００６１】
乾燥後のホール輸送層又はホール注入兼輸送層１１６の厚みは、数十ｎｍ（例えば２０ｎｍ）である。
（上記ホール輸送層又はホール注入兼輸送層１１６の形成方法による効果）
上記ホール輸送層又はホール注入兼輸送層１１６の形成方法によれば、１回目のインク塗布及び乾燥によって、第２バンク１１４上に下層１１６Ａが形成される。この下層１１６Ａは、２回目にインク塗布によって形成されるインク層１１６ｂに対する親和性を有している。その理由は、インク層１１６ｂの溶質と下層１１６Ａとが同じホール輸送層又はホール注入兼輸送層１１６の材料で構成されているからである。
【００６２】
従って、インク層１１６ｂが乾燥するときに、下層１１６Ａ上にインク層１１６ｂが付着した状態が維持され、下層１１６Ａ上にも上層１１６Ｂが形成される。それによって、溝空間１２５に形成されるホール輸送層又はホール注入兼輸送層１１６は膜厚の均一性が良好なものとなる。
また、未濡れの領域が発生するとその付近で膜厚が薄くなる部分が生じて、画素内で輝度ムラが発生する原因ともなるが、上記のホール輸送層又はホール注入兼輸送層１１６の形成方法によれば、ホール輸送層又はホール注入兼輸送層１１６の未濡れ領域が発生しにくいので、画素内で輝度ムラが生じにくい。
【００６３】
この効果について、以下に比較例と対比しながら説明する。
図９は、比較例にかかるホール輸送層又はホール注入兼輸送層１１６の形成方法において、画素間におけるホール輸送層又はホール注入兼輸送層１１６の膜厚ばらつきが発生するメカニズム、並びにホール輸送層又はホール注入兼輸送層１１６の未濡れ領域が発生するメカニズムを説明する図である。また、図１０は、実施の形態にかかるホール輸送層又はホール注入兼輸送層１１６の形成方法において、画素間でホール輸送層又はホール注入兼輸送層１１６の膜厚ばらつき、並びにホール輸送層又はホール注入兼輸送層１１６の未濡れ領域の発生が抑えられるメカニズムを説明する図である。
【００６４】
比較例にかかるホール輸送層又はホール注入兼輸送層１１６の形成方法においては、溝空間１２５全体にホール輸送層又はホール注入兼輸送層１１６形成用のインクが一度に塗布される。
このとき、図９（ａ）に示すように、溝空間１２５内の全体にインク層が形成され、第２バンク１１４の上もインク層で覆われる。
【００６５】
このインク層が乾燥されると、それに伴って、インク層はサブピクセル中央部に向かって収縮しようとするので、インク層におけるサブピクセル周辺部（第２バンク１１４の近傍部分）においては、図９（ｂ）に白抜矢印で示すようにサブピクセル中央部に向う力Ｆ１が働く。
この力Ｆ１によって、図９（ｃ）に示すように、インク層における第２バンク１１４上の部分が、第２バンク１１４から引き離されて、第２バンク１１４の両側（Ｙ方向両側）に位置するサブピクセルのいずれかに移動する。このとき、インク層における第２バンク１１４上の部分が、第２バンク１１４を挟んでその両側に位置するサブピクセルの中、どちらのサブピクセルに移動するかは特に決まっていない。
【００６６】
従って、複数のサブピクセルの中には、第２バンク１１４上のインク層部分が多く流れ込むサブピクセルと、少なく流れ込むサブピクセルとが発生し、その結果、サブピクセル間で、ホール輸送層又はホール注入兼輸送層１１６の膜厚にばらつきが生じる。
このようにホール輸送層又はホール注入兼輸送層１１６の膜厚にばらつきが生じたものを用いて表示パネル１０を作製すると、サブピクセル間において輝度のばらつきが生じる。
【００６７】
また、比較例の方式でインクを塗布した場合、上記の力Ｆ１によって、第２バンク１１４上にインク層が存在しない未濡れ領域が発生し、さらに、サブピクセルの周辺部領域においてホール輸送層又はホール注入兼輸送層１１６の膜厚がかなり薄い部分が発生することもある。
図９（ｄ）において、符号Ｃで示す領域でホール輸送層又はホール注入兼輸送層１１６の膜厚が薄くなっている。
【００６８】
このようにサブピクセルの周辺部においてホール輸送層又はホール注入兼輸送層１１６の膜厚が薄い部分が存在するものを用いて表示パネル１０を作製すると、膜厚が薄い部分において発光が異常となり輝度ムラの原因となる。
これに対して、実施の形態にかかるホール輸送層又はホール注入兼輸送層１１６の形成方法によれば、１回目のインク塗布によって、各第２バンク１１４上にインク層１１６ａが形成される。このとき、図７（ｂ）で示されるように、Ｙ方向に隣接する第２バンクの上に塗布されるインク層１１６ａ同士が繋がっていないので、インク層１１６ａが乾燥して収縮するときにも、インク層１１６ａがサブピクセル領域１２の中央部に引っ張られない。
【００６９】
従って、インク層１１６ａは、第２バンク１１４から剥がれることがなく、下層１１６Ａが第２バンク１１４上に形成される。
次に、２回目のインク塗布によって、図１０（ａ）に示すように第２バンク１１４上に形成された下層１１６Ａを覆って、溝空間１２５全体にインク層１１６ｂが形成される。
このインク層１１６ｂが乾燥されると、それに伴って、インク層１１６ｂはピクセル中央部に向かって収縮しようとするので、インク層１１６ｂにおけるピクセル周辺部（第２バンク１１４の近傍部分）において、図１０（ｂ），（ｃ）に白抜矢印で示すように力Ｆ１が働く点は比較例と同様である。
【００７０】
しかし、上述したように下層１１６Ａとインク層１１６ｂの溶質とは同じ材料からなるので、下層１１６Ａとインク層１１６ｂとは常に親和性を有している。従って、インク層１１６ｂが下層１１６Ａから引き離されることがなく、第２バンク１１４上にとどまる。よって、インク層１１６ｂにおけるピクセル周辺部では、力Ｆ１と反対の方向に白抜矢印で示す力Ｆ２が働く。これによって、第２バンク１１４上のインク層部分がサブピクセルに流れ込む量も少なくなる。
【００７１】
その結果、形成されたホール輸送層又はホール注入兼輸送層１１６は、図１０（ｄ）のように第２バンクの上も存在し、サブピクセル間で、ホール輸送層又はホール注入兼輸送層１１６の膜厚のばらつきも抑えられるので、サブピクセル間における輝度のばらつきも抑えられる。
また、インク層１１６ｂにおけるピクセル周辺部で第２バンク１１４上にインク層が存在しない未濡れ領域が発生することもなく、ピクセルの周辺部領域においてホール輸送層又はホール注入兼輸送層１１６の膜厚が薄くなる現象も抑えられる。
【００７２】
よって、表示パネル１０を作製したときに画素内で輝度ムラが発生するのが抑えられる。
なお、ホール輸送層又はホール注入兼輸送層１１６において、第２バンクの上に存在する部分は発光に寄与しないが、発光特性に悪影響を与えることもない。
［変形例など］
（１）第１バンクと第２バンクに使用するバンク材料を変えることによって、あるいは、第１バンク及び第２バンクに対するＵＶ処理条件を変えることによって、第１バンクと比べて第２バンクの方がインクに対する撥液性が低くなるようにしてもよい。それによって、第２バンクに対するインクの親和性が向上するので、さらにホール輸送層又はホール注入兼輸送層１１６の膜厚ばらつきを抑える効果を高めることができる。
【００７３】
（２）第１インクの粘度を高く、第２インクの粘度を低くしてもよい。
第１インクの粘度を高くすることによって、１回目のインク塗布時に、第２バンク上に塗布したインク層がサブピクセル領域に広がることなく、第２バンク上にとどまるようにすることもできる。
（３）上記実施の形態では、表示パネル１０のホール輸送層又はホール注入兼輸送層１１６をウェット方式形成する場合について説明したが、ホール輸送層又はホール注入兼輸送層以外の機能層をウェット方式で形成する場合、例えば、発光層、ホール注入層、電子輸送層、電子注入層をウェット方式で形成する場合にも、同様に実施することができ、同様の効果を得ることができる。
【００７４】
また、有機ＥＬ表示パネルに限らず、例えば、有機ＥＬ照明における機能層を形成する場合にも適用することができ、同様の効果を得ることができる。
（４）上記実施の形態では、トップエミッション型の表示パネル１０の機能層を形成する場合を例にとって説明したが、ボトムエミッション型の表示パネルの機能層を形成するのに適用することもでき、同様の効果を得ることができる。
【産業上の利用可能性】
【００７５】
本発明に係る機能層の形成方法は、有機ＥＬ表示装置をはじめとする有機発光デバイスを製造するのに有用である。
【符号の説明】
【００７６】
１  有機ＥＬ表示装置
１０  表示パネル
１１ａ〜１１ｃ  サブピクセル
１２ａ〜１２ｃ  サブピクセル領域
１００  基板
１０１  ＴＦＴ層
１０２  層間絶縁層
１０３  アノード
１０４  ホール注入層
１１０  ＴＦＴ基板
１１４  第２バンク
１１５  第１バンク
１１６ｂ  インク層
１１６  ホール輸送層又はホール注入兼輸送層
１１６Ａ  下層
１１６Ｂ  上層
１１６ａ  インク層
１１７  有機発光層
１１８  電子輸送層
１１９  カソード
１２０  封止層
１２１  樹脂層
１２２  ブラックマトリクス層
１２３  カラーフィルタ層
１２４  基板
１２５  溝空間
１５０  バンク付基板
２００  ノズルヘッド
２０１  ノズル
【図１】
2015207526.tif 000003
【図２】
2015207526.tif 000004
【図３】
2015207526.tif 000005
【図４】
2015207526.tif 000006
【図５】
2015207526.tif 000007
【図６】
2015207526.tif 000008
【図７】
2015207526.tif 000009
【図８】
2015207526.tif 000010
【図９】
2015207526.tif 000011
【図１０】
2015207526.tif 000012