(57)【要約】      （修正有）【課題】外部電極を構成する金属の、内部電極への拡散に起因してセラミック素体にクラックが発生することを抑制、防止することが可能で、信頼性の高い積層セラミックコンデンサを提供する。【解決手段】セラミック素体を、第１および第２の側面２１に平行に、内部電極２が露出するように切断した場合の切断端面についてみた場合に、外部電極５と内部電極が接合している割合である接合率を３０〜７０％の範囲とし、セラミック素体の端面に引き出された内部電極の引き出し側の端部が外部電極と接合していない非接合内部電極２ａ１の、上記引き出し側の端部と、接合すべき外部電極との間にガラス１３を存在させ、非接合内部電極と外部電極の間の距離Ｄ（μｍ）を、内部電極間に介在する誘電体層の厚みをｔ１（μｍ）とし、内部電極の厚みをｔ２（μｍ）とした場合に、（ｔ１＋ｔ２）×５＞Ｄ＞（ｔ１＋ｔ２）×０．５の範囲とする。【選択図】図３
2015057834.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
誘電体セラミックからなる誘電体層と、前記誘電体層を介して積層され、前記誘電体層間の複数の界面に位置する複数の内部電極とを備えたセラミック素体であって、第１の主面および前記第１の主面と対向する第２の主面と、前記第１の主面に直交する第１の端面および前記第１の端面と対向する第２の端面と、前記第１の端面に直交する第１の側面および前記第１の側面と対向する第２の側面とを備える直方体形状を有し、前記第１の主面から前記第２の主面に向かう方向が前記誘電体層および前記内部電極の積層方向となり、かつ、前記複数の内部電極が交互に前記第１の端面および第２の端面に引き出されたセラミック素体と、
前記第１の端面および第２の端面に引き出された前記内部電極と導通するように、前記セラミック素体の前記第１の端面および第２の端面を含む所定の領域に配設された焼結金属層を本体とする一対の外部電極と
を備えた積層セラミックコンデンサであって、
前記セラミック素体を、前記第１および第２の側面に平行に、前記内部電極が露出するように切断した場合の切断端面についてみた場合に、切断端面に露出しているすべての内部電極の数に対する、外部電極と接合している内部電極の数の割合である接合率が３０〜７０％の範囲にあり、
前記セラミック素体の、接合すべき前記外部電極が配設されている端面に引き出された前記内部電極の引き出し側の端部が前記外部電極と接合していない非接合内部電極と、前記接合すべき外部電極との間には、ガラスが存在し、かつ、
前記非接合内部電極の前記引き出し側の端部と前記接合すべき外部電極の間の距離Ｄ（μｍ）が、前記内部電極間に介在する前記誘電体層の厚みをｔ１（μｍ）とし、前記内部電極の厚みをｔ２（μｍ）とした場合に、下記の式（１）：
（ｔ１＋ｔ２）×５＞Ｄ＞（ｔ１＋ｔ２）×０．５  ……（１）
で表される要件を満たすこと
を特徴とする積層セラミックコンデンサ。
【請求項２】
前記内部電極はＮｉを主成分とし、前記外部電極の前記本体である前記焼結金属層はＣｕを主成分とすることを特徴する請求項１記載の積層セラミックコンデンサ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、積層セラミックコンデンサに関し、詳しくは、内部電極を備えたセラミック素体に、上記内部電極と導通するように外部電極が配設された構造を有する積層セラミックコンデンサに関する。
【背景技術】
【０００２】
代表的なセラミック電子部品の一つに、例えば、特許文献１に開示されているような積層セラミックコンデンサがある。
【０００３】
この積層セラミックコンデンサは、図４に示すように、誘電体層であるセラミック層１０１を介して複数の内部電極１０２（１０２ａ，１０２ｂ）が積層されたセラミック積層体（セラミック素体）１１０の一対の端面１０３（１０３ａ，１０３ｂ）に、内部電極１０２（１０２ａ，１０２ｂ）と導通するように一対の外部電極１０４（１０４ａ，１０４ｂ）が配設された構造を有している。
【０００４】
そして、外部電極１０４（１０４ａ，１０４ｂ）は、例えば、Ｃｕ粉末を導電成分とする導電ペーストを焼き付けることにより形成された、セラミック素体１１０の端面１０３からその主面や側面に回り込むように形成された焼結金属層１０５（１０５ａ，１０５ｂ）と、その表面を覆うように形成されためっき層１０６（１０６ａ，１０６ｂ）から形成されている。
【０００５】
なお、めっき層１０６（１０６ａ，１０６ｂ）は、焼結金属層１０５（１０５ａ，１０５ｂ）の表面に形成されたＮｉめっき層１０７（１０７ａ，１０７ｂ）と、Ｎｉめっき層１０７（１０７ａ，１０７ｂ）の上に形成されたＳｎめっき層１０８（１０８ａ，１０８ｂ）とを備えている。
【０００６】
ところで、上述のような構成を備えた積層セラミックコンデンサにおいては、内部電極が引き出されたセラミック素体の一対の端面に、導電ペーストを塗布して焼き付けることにより外部電極（焼結金属層）を形成する工程で、焼結金属層を構成する金属が、内部電極に拡散する。
【０００７】
その結果、内部電極が引き出されているセラミック素子の端面近傍で内部電極が膨張し、例えば、図５に模式的に示すように、複数の内部電極１０２が積層されている領域のコーナ部から、セラミック素体１１０のコーナ部に向かうようなクラック１１１が生じ、信頼性が低下するという問題点がある。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００８】
【特許文献１】特開２００６−２１３９４６号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
本発明は、上記課題を解決するものであり、内部電極を有するセラミック素体の表面に外部電極が配設された構造を有する積層セラミックコンデンサにおいて、外部電極を構成する金属の、内部電極への拡散に起因してセラミック素体にクラックが発生することを抑制、防止することが可能で、信頼性の高い積層セラミックコンデンサを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
上記課題を解決するために、本発明の積層セラミックコンデンサは、
誘電体セラミックからなる誘電体層と、前記誘電体層を介して積層され、前記誘電体層間の複数の界面に位置する複数の内部電極とを備えたセラミック素体であって、第１の主面および前記第１の主面と対向する第２の主面と、前記第１の主面に直交する第１の端面および前記第１の端面と対向する第２の端面と、前記第１の端面に直交する第１の側面および前記第１の側面と対向する第２の側面とを備える直方体形状を有し、前記第１の主面から前記第２の主面に向かう方向が前記誘電体層および前記内部電極の積層方向となり、かつ、前記複数の内部電極が交互に前記第１の端面および第２の端面に引き出されたセラミック素体と、
前記第１の端面および第２の端面に引き出された前記内部電極と導通するように、前記セラミック素体の前記第１の端面および第２の端面を含む所定の領域に配設された焼結金属層を本体とする一対の外部電極と
を備えた積層セラミックコンデンサであって、
前記セラミック素体を、前記第１および第２の側面に平行に、前記内部電極が露出するように切断した場合の切断端面についてみた場合に、切断端面に露出しているすべての内部電極の数に対する、外部電極と接合している内部電極の数の割合である接合率が３０〜７０％の範囲にあり、
前記セラミック素体の、接合すべき前記外部電極が配設されている端面に引き出された前記内部電極の引き出し側の端部が前記外部電極と接合していない非接合内部電極と、前記接合すべき外部電極との間には、ガラスが存在し、かつ、
前記非接合内部電極の前記引き出し側の端部と前記接合すべき外部電極の間の距離Ｄ（μｍ）が、前記内部電極間に介在する前記誘電体層の厚みをｔ１（μｍ）とし、前記内部電極の厚みをｔ２（μｍ）とした場合に、下記の式（１）：
（ｔ１＋ｔ２）×５＞Ｄ＞（ｔ１＋ｔ２）×０．５  ……（１）
で表される要件を満たすこと
を特徴としている。
【００１１】
本発明の積層セラミックコンデンサにおいては、前記内部電極はＮｉを主成分とし、前記外部電極の前記本体である前記焼結金属層はＣｕを主成分としている場合に特に好ましく適用することができる。
【００１２】
内部電極がＮｉを主成分とし、外部電極の本体である焼結金属層がＣｕを主成分とするものである場合、上述の本発明の要件を満たすことにより、外部電極（外部電極の本体である焼結金属層）を構成する金属の、内部電極への拡散に起因するセラミック素体へのクラックの発生を、より確実に抑制、防止することが可能になり、本発明をさらに実効あらしめることができる。
【発明の効果】
【００１３】
本発明の積層セラミックコンデンサは、上述のように、セラミック素体を、第１および第２の側面に平行に、内部電極が露出するように切断した場合の切断端面についてみた場合に、切断端面に露出しているすべての内部電極の数に対する、外部電極と接合している内部電極の数の割合である接合率が３０〜７０％の範囲にあるとともに、セラミック素体の、接合すべき外部電極が配設されている端面に引き出された内部電極の引き出し側の端部が外部電極と接合していない非接合内部電極と、接合すべき外部電極との間には、ガラスが存在し、かつ、非接合内部電極の引き出し側の端部と接合すべき外部電極の間の距離Ｄ（μｍ）が、内部電極間に介在する誘電体層の厚みをｔ１（μｍ）とし、内部電極の厚みをｔ２（μｍ）とした場合に、下記の式（１）：
（ｔ１＋ｔ２）×５＞Ｄ＞（ｔ１＋ｔ２）×０．５  ……（１）
で表される要件を満たすようにしているので、内部電極を有するセラミック素体の表面に外部電極が配設された構造を有する積層セラミックコンデンサにおいて、外部電極を構成する金属の、内部電極への拡散を抑制、防止することが可能になる。その結果、外部電極を構成する金属の、内部電極への拡散に起因するセラミック素体へのクラックの発生のない信頼性の高い積層セラミックコンデンサを提供することが可能になる。
【図面の簡単な説明】
【００１４】
【図１】本発明の一実施形態にかかる積層セラミックコンデンサの構成を示す正面断面図である。
【図２】本発明の一実施形態にかかる積層セラミックコンデンサの外観構成を示す斜視図である。
【図３】本発明の一実施形態にかかる積層セラミックコンデンサの構成を説明するため要部を拡大して模式的に示す図である。
【図４】従来の積層セラミックコンデンサの構成を示す正面断面図である。
【図５】従来の積層セラミックコンデンサの問題点を説明するための図である。
【発明を実施するための形態】
【００１５】
以下に本発明の実施形態を示して、本発明の特徴とするところをさらに詳しく説明する。
【００１６】
図１は、本発明の一実施形態（実施形態１）にかかる積層セラミックコンデンサ５０の構成を示す正面断面図、図２は積層セラミックコンデンサ５０の外観構成を示す斜視図である。  
【００１７】
この積層セラミックコンデンサ５０は、図１および２に示すように、誘電体セラミックからなる誘電体層１と、誘電体層１間の複数の界面に配設された複数の内部電極２（２ａ，２ｂ）とを備えたセラミック素体１０と、セラミック素体１０の外表面に、内部電極２（２ａ，２ｂ）と導通するように配設された一対の外部電極５（５ａ，５ｂ）を備えている。
また、内部電極２（２ａ，２ｂ）と、後述するセラミック素体１０の第１の主面１１ａおよび第２の主面１１ｂとの間には、補助電極６（６ａ，６ｂ）が配設されている。補助電極６（６ａ，６ｂ）は、隣り合う内部電極２（２ａ，２ｂ）と同電位の外部電極と導通されている。ただし外部電極と導通していなくてもよい。
また、上記補助電極６（６ａ，６ｂ）を備えていない構成とすることも可能である。
【００１８】
セラミック素体１０を構成する誘電体層１は、ＢａＴｉＯ3系のセラミック誘電体から形成されている。なお、ＢａＴｉＯ3のＴｉ１００モル部に対して、Ｄｙが１．０モル部、Ｍｇが１．３モル部となるように添加し、さらにＭｎを添加している。
なお、誘電体層１は、ＢａＴｉＯ3系のセラミック誘電体に限らず、ＣａＺｒＯ3系などの他のセラミック誘電体から形成されていてもよい。
また、内部電極２は、ＮｉもしくはＣｕなどの卑金属を主成分とする金属層である。
【００１９】
セラミック素体１０は、直方体形状を有しており、第１の主面１１ａおよび第１の主面１１ａと対向する第２の主面１１ｂと、第１の主面１１ａに直交する第１の端面２１ａおよび第１の端面２１ａと対向する第２の端面２１ｂと、第１の端面２１ａに直交する第１の側面３１ａおよび第１の側面３１ａと対向する第２の側面３１ｂとを備えている。
【００２０】
なお、第１の主面１１ａと第２の主面１１ｂを結ぶ方向を高さ方向とした場合に、この高さ方向が誘電体層１および内部電極２（２ａ，２ｂ）の積層方向となる。
【００２１】
第１の端面２１ａと第２の端面２１ｂには、複数の内部電極２（２ａ，２ｂ）が交互に引き出されており、第１の端面２１ａには内部電極２ａが引き出され、第２の端面２１ｂには内部電極２ｂが引き出されている。
【００２２】
また、この実施形態にかかる積層セラミックコンデンサ５０において、外部電極５（５ａ，５ｂ）は、焼結金属層１２（１２ａ，１２ｂ）と、めっき層３２（３２ａ，３２ｂ）とを備えた構造とされている。
【００２３】
焼結金属層１２（１２ａ，１２ｂ）は，Ｃｕ粉末やＮｉ粉末を導電成分とする導電ペーストをセラミック素体１０に塗布して焼き付けることにより形成される焼き付け電極（厚膜電極）である。なお、焼結金属層１２（１２ａ，１２ｂ）の構成材料は、上述のＣｕやＮｉに限られるものではなく、さらに他の金属材料を用いることも可能である。
ただし、本発明においては、内部電極がＮｉを主成分とし、外部電極（焼結金属層がＣｕを主成分とすることが望ましい。
【００２４】
そして、焼結金属層１２（１２ａ，１２ｂ）は、セラミック素体１０の第１の端面２１ａおよび第２の端面２１ｂから、セラミック素体１０の第１および第２の主面１１ａ，１１ｂ、および第１および第２の側面３１ａ，３１ｂに回り込むように形成されている。
なお、焼結金属層１２の厚みは、通常、０．５μｍ〜１０μｍの範囲にあることが望ましい。
ただし、焼結金属層１２の厚みは上述の範囲に限られるものではなく、他の厚みとすることも可能である。
【００２５】
めっき層３２（３２ａ，３２ｂ）は、焼結金属層１２（１２ａ，１２ｂ）の全体を覆うように形成されている。
また、この実施形態では、めっき層３２（３２ａ，３２ｂ）は、焼結金属層１２（１２ａ，１２ｂ）上に形成されたＮｉめっき層３３（３３ａ，３３ｂ）と、Ｎｉめっき層３３（３３ａ，３３ｂ）上に形成されたＳｎめっき層３４（３４ａ，３４ｂ）を備えた２層構造のめっき層とされている。
【００２６】
また、この積層セラミックコンデンサ５０において、上述の補助電極６（６ａ，６ｂ）と、その外側のセラミック層（すなわち、第１の主面１１ａおよび第２の主面１１ｂ側のセラミック層）との境界には、ＭｇとＭｎを含有した境界層が６９％以上に設けられている。また、補助電極６（６ａ，６ｂ）は、その連続性が６０％以上である。さらに、連続性が途切れている領域である欠損部の３９％以上にＳｉを含む偏析物が存在している。補助電極６（６ａ，６ｂ）は、第１の主面１１ａ側のみに設けられていてもよく、第２の主面１１ｂ側のみに設けられていてもよい。補助電極６（６ａ，６ｂ）はそれぞれ複数備えていてもよい。なお、境界層中におけるＭｇ含有量に対するＭｎ含有量のモル比Ｍｎ／Ｍｇは特に限定されるものではないが、Ｍｎ／Ｍｇ＝０．００５〜０．７の範囲にあることが、特に好ましい。
【００２７】
この補助電極６（６ａ，６ｂ）の境界層の存在は以下のようにして確認した。まず、積層セラミックコンデンサを、長さ方向と厚み方向により規定される面が露出するような態様で、研磨機により研磨した。このとき、積層セラミックコンデンサの幅方向の１／２程度の深さまで研磨を行った後、研磨による内部電極のダレを除去した。
【００２８】
それから、上述のようにして研磨した研磨端面において、積層セラミックコンデンサの長さ方向の中央部の位置において、内部電極２とほぼ直交する直線を引く（想定する）。そして、補助電極６（６ａ，６ｂ）の境界部分と上記直線とが直交する領域（境界層）を電子顕微鏡を用いて倍率１万倍で観察した。そして、この実施形態では、観察視野の幅を１０μｍとし、ＦＥ−ＷＤＸにて観察を行うことにより、補助電極６（６ａ，６ｂ）の境界層の存在を確認した。
【００２９】
また、内部電極２（２ａ，２ｂ）の厚みの平均値は以下のようにして求めた。
まず、上記研磨端面を厚み方向に３等分に分割し、上部領域、中間領域、下部領域の３つの領域に分割した。そして、各領域において、最外の内部電極２を除いて、上記の直線と直交する位置の内部電極２の厚みを、それぞれ無作為に５層ずつ測定して、その平均値を求めた。なお、内部電極の厚みは、走査型電子顕微鏡を用いて測定した。ただし、内部電極が欠落しているなどの理由で測定できない部分は測定対象から除いた。
【００３０】
また、誘電体層１の厚みは、上記の上部領域、中間領域、下部領域の３つの領域において、上記の直線と直交する位置の誘電体層１の厚みをそれぞれ無作為に５層ずつ測定して、その平均値を求めた。なお、誘電体層の厚みは、走査型電子顕微鏡を用いて測定した。
【００３１】
ただし、積層方向の最も外側に位置する最外層の内部電極２の外側に位置する最外誘電体層、および、内部電極が欠損していることにより２層以上の誘電体層が繋がって観察されるなどの理由により測定できない部分は測定対象から除いた。
【００３２】
そして、この実施形態の積層セラミックコンデンサにおいては、図１および図３に模式的に示すように、セラミック素体１０を、第１および第２の側面３１ａ，３１ｂ（図２参照）に平行に、内部電極２ａ，２ｂが露出するように切断した場合の切断端面についてみた場合に、切断端面に露出しているすべての内部電極２ａ，２ｂの数に対する、外部電極５ａ，５ｂと接合している内部電極２ａ，２ｂの数の割合である接合率が３０〜７０％の範囲となるように構成されている。
なお、接合率（％）は、切断端面に露出しているすべての内部電極２の数をｎ０、外部電極５と接合している内部電極２の数をｎとした場合に、（ｎ／ｎ０）×１００で求められる値である。
【００３３】
さらに、この実施形態の積層セラミックコンデンサにおいては、図３に示すように、切断端面に露出している内部電極２ａのうち外部電極５と接合していない非接合内部電極２ａ１と、外部電極５ａとの間には、ガラス１３が存在し、かつ、非接合内部電極２ａ１の引き出し側の端部と外部電極５ａの間の距離Ｄ（μｍ）が、内部電極２ａ，２ｂ間に介在する誘電体層１の厚みをｔ１（μｍ）とし、内部電極２ａ，２ｂの厚みをｔ２（μｍ）とした場合に、下記の式（１）：
（ｔ１＋ｔ２）×５＞Ｄ＞（ｔ１＋ｔ２）×０．５  ……（１）
で表される要件を満たすように構成されている。
【００３４】
図３では、第１の端面２１ａに露出した合計６層の内部電極２のうち、２層の内部電極２のみが外部電極５と接合しており、この場合の接合率は、（２／６）×１００＝３３．３％となる。
【００３５】
なお、図３では、上述のように、６層の内部電極２のうち、２層の内部電極２が外部電極５と接合しているに過ぎないが、内部電極２の幅方向（積層セラミックコンデンサの幅（Ｗ）方向に沿う方向）、すなわち、図３の紙面の深さ方向について見ると、他の４層の内部電極層（非接合内部電極）２ａ１も、紙面の深さ方向のいずれかの位置において、外部電極５ａと接合しており、各内部電極層２が有効に機能するように構成されている。
【００３６】
ただし、上述の内部電極の接合率が３０％を下回ると、上述の幅方向にみても、すべての内部電極２ａ（２ｂ）と外部電極５ａ（５ｂ）の電気的な接続性を確保することが困難になる傾向がある。
【００３７】
また、接合率が７０％を超えると、外部電極を構成する金属（ここではＣｕ）の内部電極（Ｎｉ）への拡散量が増大し、セラミック素体へのクラックの発生を招くおそれが生じるため好ましくない。
【００３８】
この実施形態では、積層セラミックコンデンサ５０として、
（ａ）外部電極を含めた寸法が、長さ（Ｌ）：０．６ｍｍ、幅（Ｗ）：０．３ｍｍ、高さ（Ｔ）：０．３ｍｍの積層セラミックコンデンサと、
（ｂ）外部電極を含めた寸法が、長さ（Ｌ）：０．４ｍｍ、幅（Ｗ）：０．２ｍｍ、高さ（Ｔ）：０．２ｍｍの積層セラミックコンデンサと
を作製した。
【００３９】
ただし、本発明は上述のような寸法の積層セラミックコンデンサに限られるものではなく、異なる寸法の積層セラミックコンデンサにも適用することが可能である。
【００４０】
次に、この積層セラミックコンデンサ５０の製造方法について説明する。
まず、ＢａＴｉＯ3もしくはＣａＺｒＯ3を主成分とする誘電体セラミック粉末にバインダーと溶剤を配合して分散させたセラミック原料スラリーを、ＰＥＴフィルムなどの樹脂フィルム上に薄く伸ばしてシート状に成形することにより、セラミックグリーンシートを作製する。
【００４１】
それから、セラミックグリーンシート上に、スクリーン印刷、グラビア印刷などの方法を用いて、導電ペーストを印刷し、内部電極パターンを形成する。
【００４２】
次に、内部電極パターンが形成されたセラミックグリーンシートと、内部電極パターンが形成されていないセラミックグリーンシート（外層用セラミックグリーンシート）を、所定の順序で、所定枚数積み重ねる。
【００４３】
そして、得られた積層ブロックを、プレスして、各セラミックグリーンシートを圧着する。積層ブロックをプレスするにあたっては、例えば、圧着ブロックを樹脂フィルムで挟み、静水圧プレスなどの方法によりプレスを行う。
【００４４】
その後、プレスされた積層圧着体を、押切り、切削などの方法を用いて、直方体形状のチップ（個片）に分割し、バレル研磨を行う。
【００４５】
バレル研磨を行ったチップ（焼成後にセラミック素体１０（図１）となる個片）を、所定の温度に加熱してバインダーを除去した後、例えば、９００〜１０００℃で本焼成を行い、直方体形状のセラミック素体を得る。
【００４６】
それから、このセラミック素体の他方端面側を保持し、Ｃｕ粉末を導電成分とする導電ペーストを定盤上に塗布することにより形成した導電ペースト層に、セラミック素体の一方端面を浸漬することで、セラミック素体の一方端面に、導電ペーストを塗布し、乾燥する。
【００４７】
なお、導電ペースト中のガラスの含有量を調整することにより、セラミック素体の端面に存在するガラスの量を調整することが可能になり、内部電極の接合率や、非接合内部電極と外部電極の間の距離Ｄを制御することができる。
【００４８】
また、セラミック素体の端面に所定量のガラスを付着させた後、導電ペーストを塗布する方法によっても、セラミック素体の端面に存在するガラスの量を調整することが可能である。
【００４９】
次に、セラミック素体の他方端面についても、同様の方法で、導電ペーストを塗布し、乾燥する。
【００５０】
それから、上述のようにして付与したセラミック素体の一方端部および他方端部の導電ペーストを焼き付けることにより、焼結金属層を形成する。
【００５１】
乾式バレル研磨の時間を調整して焼結金属層の表面のＣｕ結晶粒子の大きさを所定の大きさに調整した後、焼結金属層上に、ＮｉめっきおよびＳｎめっきの順でめっきを行い、Ｎｉめっき層およびＳｎめっき層を形成する。
これにより、図１および２に示すような構造を備えた本発明の実施形態にかかる積層セラミックコンデンサ５０が得られる。
【００５２】
なお、内部電極および外部電極が露出するように幅の１／２程度の深さまで研磨し、研磨によるダレを除去し、内部電極および外部電極の接続部を観察した。内部電極が少なくとも１０層以上含まれる範囲で観察する。露出した断面をＷＤＸ分析により画像処理を行うことで、非接合内部電極と外部電極との間にガラス成分があることを確認した。
【００５３】
＜試験＞
本発明の効果を確認するため、以下に説明する方法で積層セラミックコンデンサを作製し、得られた積層セラミックコンデンサを試料として、以下の試験を行った。
【００５４】
まず、焼成後の誘電体層の厚みが０．８μｍ、内部電極の厚みが０．６μｍとなるように、所定の厚みを有するセラミックグリーンシートに導電ペーストを印刷した。それから、このセラミックグリーンシートを４００層積層した。
【００５５】
さらに、内部電極が形成されていない外層用のセラミックグリーンシートを、焼成後に厚みが１８μｍの外層が形成されるように積層して、圧着することにより、外層部を備えた積層圧着体を形成した。
【００５６】
そして、積層圧着体をカットして、焼成後のセラミック素体の寸法が、長さ：１．０ｍｍ、幅：０．５ｍｍ、高さ：０．５ｍｍとなるように分割し、上記実施形態で示した方法と同様の方法で、図１に示すような構造を有する試験用の積層セラミックコンデンサ（表１の試料番号１〜６の試料）を作製した。
【００５７】
なお、各試料を作製するにあたっては、セラミック素体の端面に存在するガラス量を調整した。すなわち、内部電極と外部電極の接合率や、非接合内部電極と外部電極の間の距離Ｄ（図３参照）の値の異なる積層セラミックコンデンサ（試料）が得られるように、導電ペーストとして、ガラス成分の含有量を調整した導電ペーストを用いて外部電極を形成した。
【００５８】
それから、上述のようにして作製した表１の試料番号１〜６の試料について、セラミック素体へのクラックの発生の有無を調べるとともに、内部電極と外部電極との接続信頼性を調べた。
【００５９】
なお、クラックの発生の有無は、端面側から外部電極を除去後、光学顕微鏡にて、端面を観察する方法により調べた。
【００６０】
また、内部電極と外部電極との接続信頼性は、積層セラミックコンデンサを充電後、放電させ静電容量を調査する方法により調べた。
【００６１】
そして、静電容量が変化しなかったものは接続信頼性が良好（○）であると評価し、静電容量が変化したものは、接続信頼性が不良（×）であると評価した。
クラックの発生の有無、および、内部電極と外部電極との接続信頼性の評価結果を、各試料の外部電極と内部電極の接合率、非接合内部電極と外部電極の間の距離Ｄの値とともに、表１に示す。
【００６２】
【表１】
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【００６３】
なお、表１において、試料番号に＊を付した試料（試料番号１，２，６）は、本発明の範囲外の試料である。
【００６４】
表１に示すように、外部電極と内部電極の接合率が３０〜７０％で、非接合内部電極と外部電極の間の距離Ｄが、（ｔ１＋ｔ２）×５＞Ｄ＞（ｔ１＋ｔ２）×０．５の関係を満たす試料番号３〜５の試料の場合、セラミック素体へのクラックの発生は認められず、内部電極と外部電極の接続信頼性も良好であることが確認された。
【００６５】
一方、外部電極と内部電極の接合率が本発明の範囲（３０〜７０％）を上回る試料番号１および２の試料の場合、接続信頼性は確保できたが、セラミック素体へのクラックの発生が認められた。
【００６６】
また、外部電極と内部電極の接合率が本発明の範囲（３０〜７０％）を下回る試料番号６の試料の場合、セラミック素体へのクラックの発生は認められなかったが、接続信頼性が不十分になることが確認された。
【００６７】
上記の結果から、外部電極と内部電極の接合率が３０〜７０％であって、非接合内部電極と外部電極の間の距離Ｄが、（ｔ１＋ｔ２）×５＞Ｄ＞（ｔ１＋ｔ２）×０．５の関係を満たすようにすることで、クラックの発生がなく、内部電極と外部電極の接続信頼性が良好な積層セラミックコンデンサが得られることがわかる。
【００６８】
なお、本発明は上記実施形態に限定されるものではなく、発明の範囲内において、種々の応用、変形を加えることが可能である。
【符号の説明】
【００６９】
１                  誘電体層
２（２ａ，２ｂ）    内部電極
２ａ１              非接合内部電極
５（５ａ，５ｂ）    外部電極
６（６ａ，６ｂ）    補助電極
１０                セラミック素体
１１ａ              セラミック素体の第１の主面
１１ｂ              セラミック素体の第２の主面
１２（１２ａ，１２ｂ）    焼結金属層
１３                ガラス
２１ａ              セラミック素体の第１の端面
２１ｂ              セラミック素体の第２の端面
３１ａ              セラミック素体の第１の側面
３１ｂ              セラミック素体の第２の側面
３２（３２ａ，３２ｂ）    めっき層
３３（３３ａ，３３ｂ）    Ｎｉめっき層
３４（３４ａ，３４ｂ）    Ｓｎめっき層
５０                積層セラミックコンデンサ
Ｌ                  積層セラミックコンデンサの長さ
Ｔ                  積層セラミックコンデンサの高さ
Ｗ                  積層セラミックコンデンサの幅
ｔ１                誘電体層の厚み
ｔ２                内部電極の厚み
Ｄ                  非接合内部電極の引き出し側の端部と外部電極の間の距離
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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