(57)【要約】【課題】１チップで磁気センサの機能を併せ持つＭＥＭＳセンサおよびその製造方法を提供すること。【解決手段】変位可能に支持された可動電極を有するＸ軸センサ１６、Ｙ軸センサ１７およびＺ軸センサ１８からなるセンサ部８を備えるデバイス基板７と、センサ部８を覆う蓋基板９とを含む、加速度センサ３を提供する。蓋基板９は、一対のパッドＰＣＣ間に制御電流（定電流）ＩＣ１を流したときに、蓋基板９の厚さ方向の磁場の変化を、ホール効果によって被検出電流ＩＣ２として検出する。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
変位可能に支持された可動部を備えるベース基板と、
前記可動部を覆い、ホール効果を利用して磁気を検出する磁気センサとして機能する蓋基板とを含む、ＭＥＭＳセンサ。
【請求項２】
前記ベース基板は、一対の第１コンタクト部および一対の第２コンタクト部を、前記蓋基板に対向する上面に有しており、
前記一対の第１コンタクト部および前記一対の第２コンタクト部は、前記蓋基板に電気的に接続されている、請求項１に記載のＭＥＭＳセンサ。
【請求項３】
前記ベース基板は、前記蓋基板の直下の領域の外側に配置された複数の第１外部パッドと、前記一対の第１コンタクト部および前記一対の第２コンタクト部のそれぞれから前記複数の第１外部パッドまで引き出された配線とを有している、請求項２に記載のＭＥＭＳセンサ。
【請求項４】
前記ベース基板は、前記可動部に電気的に接続された第２外部パッドを、前記第１外部パッドと共通のパッド領域に有している、請求項３に記載のＭＥＭＳセンサ。
【請求項５】
前記蓋基板は、四角形板状に形成されており、
前記一対の第１コンタクト部は、それぞれ、前記蓋基板の一方の対角の直下に一つずつ配置され、
前記一対の第２コンタクト部は、それぞれ、前記蓋基板の他方の対角の直下に一つずつ配置されている、請求項２〜４のいずれか一項に記載のＭＥＭＳセンサ。
【請求項６】
前記蓋基板は、一対の第１ワイヤボンディング部および一対の第２ワイヤボンディング部を、前記ベース基板に対向する下面の反対面に有している、請求項１に記載のＭＥＭＳセンサ。
【請求項７】
前記蓋基板は、四角形板状に形成されており、
前記一対の第１ワイヤボンディング部は、それぞれ、前記蓋基板の一方の対角に一つずつ配置され、
前記一対の第２ワイヤボンディング部は、それぞれ、前記蓋基板の他方の対角に一つずつ配置されている、請求項６に記載のＭＥＭＳセンサ。
【請求項８】
前記蓋基板は、低抵抗半導体基板からなる、請求項１〜７のいずれか一項に記載のＭＥＭＳセンサ。
【請求項９】
前記低抵抗半導体基板は、シリコンからなる、請求項８に記載のＭＥＭＳセンサ。
【請求項１０】
前記蓋基板は、シリコンよりも低いバンドギャップを有する導電膜を、その面内に有している、請求項１〜９のいずれか一項に記載のＭＥＭＳセンサ。
【請求項１１】
前記導電膜と前記蓋基板との間に配置された絶縁膜をさらに含む、請求項１０に記載のＭＥＭＳセンサ。
【請求項１２】
前記絶縁膜は、酸化シリコンからなる、請求項１１に記載のＭＥＭＳセンサ。
【請求項１３】
前記導電膜は、前記ベース基板に対向する前記蓋基板の下面に形成されている、請求項１０〜１２のいずれか一項に記載のＭＥＭＳセンサ。
【請求項１４】
前記導電膜は、前記ベース基板に対向する前記蓋基板の下面の反対面に形成されている、請求項１０〜１２のいずれか一項に記載のＭＥＭＳセンサ。
【請求項１５】
前記導電膜は、２０００Å〜１００００Åの厚さを有している、請求項１０〜１４のいずれか一項に記載のＭＥＭＳセンサ。
【請求項１６】
前記導電膜は、半導体膜からなる、請求項１０〜１５のいずれか一項に記載のＭＥＭセンサ。
【請求項１７】
前記半導体膜は、ゲルマニウムからなる、請求項１６に記載のＭＥＭＳセンサ。
【請求項１８】
前記半導体膜は、不純物としてボロンを含む、請求項１７に記載のＭＥＭＳセンサ。
【請求項１９】
前記導電膜は、金属膜からなる、請求項１０〜１５のいずれか一項に記載のＭＥＭセンサ。
【請求項２０】
前記金属膜は、アルミニウムからなる、請求項１９に記載のＭＥＭＳセンサ。
【請求項２１】
前記ベース基板は、櫛歯状の固定電極と、当該固定電極に組み合わされた前記可動部としての櫛歯状の可動電極とを含む、請求項１〜２０のいずれか一項に記載のＭＥＭＳセンサ。
【請求項２２】
請求項１〜２１のいずれか一項に記載のＭＥＭＳセンサと、
前記ＭＥＭＳセンサを封止する樹脂パッケージとを含む、ＭＥＭＳパッケージ。
【請求項２３】
前記ＭＥＭＳセンサに電気的に接続され、前記ＭＥＭＳセンサと共通の樹脂パッケージで封止された回路デバイスを含む、請求項２２に記載のＭＥＭＳパッケージ。
【請求項２４】
変位可能に支持された可動部を備えるベース基板の一方面に、一対の第１コンタクト部および一対の第２コンタクト部を形成する工程と、
前記第１コンタクト部および前記第２コンタクト部に電気的に接続されるように、前記可動部を、ホール効果を利用して磁気を検出する磁気センサとして機能する蓋基板で覆う工程とを含む、ＭＥＭＳセンサの製造方法。
【請求項２５】
前記蓋基板の一方面に、シリコンよりも低いバンドギャップを有する導電膜を形成する工程を含み、
前記可動部を覆う工程は、前記一対の第１コンタクト部および前記一対の第２コンタクト部を、前記導電膜に接合する工程を含む、請求項２４に記載のＭＥＭＳセンサの製造方法。
【請求項２６】
前記導電膜を形成する工程は、前記蓋基板の一方面に半導体膜を形成した後、当該半導体膜にイオン注入する工程を含む、請求項２５に記載のＭＥＭＳセンサの製造方法。
【請求項２７】
変位可能に支持された可動部を備えるベース基板を形成する工程と、
ホール効果を利用して磁気を検出する磁気センサとして機能する蓋基板の一方面に、シリコンよりも低いバンドギャップを有する導電膜を形成する工程と、
前記蓋基板の前記導電膜が形成された面の反対面で前記可動部を覆う工程とを含む、ＭＥＭＳセンサの製造方法。
【請求項２８】
前記導電膜を形成する工程は、前記蓋基板の一方面に半導体膜を形成した後、当該半導体膜にイオン注入する工程を含む、請求項２７に記載のＭＥＭＳセンサの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ＭＥＭＳセンサおよびその製造方法、ならびにそれを備えたＭＥＭＳパッケージに関する。
【背景技術】
【０００２】
特許文献１は、ベース基板と、ベース基板の中央部に設けられたセンサ部と、ベース基板におけるセンサ部の側方に配置された電極パッドと、センサ部を覆う蓋基板とを含む角速度センサを開示している。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２０１２−１２７６９１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
従来、加速度センサや角速度センサ等のＭＥＭＳセンサを磁気センサと併用する場合、これらのセンサをどのように組み合わせるかについて、これといった対策は提案されていなかった。
本発明の目的は、１チップで磁気センサの機能を併せ持つＭＥＭＳセンサおよびその製造方法を提供することである。
【０００５】
本発明の他の目的は、本発明のＭＥＭＳセンサを備えたＭＥＭＳパッケージを提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明のＭＥＭＳセンサは、変位可能に支持された可動部を備えるベース基板と、前記可動部を覆い、ホール効果を利用して磁気を検出する磁気センサとして機能する蓋基板とを含む（請求項１）。
この構成によれば、蓋基板を磁気センサとして使用できるので、たとえば、可動部によって地軸に対する傾斜を検出し、蓋基板によって方位（南北）を検出することができる。この二つの物理量を検出するデバイスを１チップで実現することができる。
【０００７】
前記ベース基板は、一対の第１コンタクト部および一対の第２コンタクト部を、前記蓋基板に対向する上面に有しており、前記一対の第１コンタクト部および前記一対の第２コンタクト部は、前記蓋基板に電気的に接続されていてもよい（請求項２）。
この構成によれば、一対の第１コンタクト部および一対の第２コンタクト部のレイアウトによって蓋基板（磁気センサ）による磁場変化の検出範囲を決定することができる。
【０００８】
前記ベース基板は、前記蓋基板の直下の領域の外側に配置された複数の第１外部パッドと、前記一対の第１コンタクト部および前記一対の第２コンタクト部のそれぞれから前記複数の第１外部パッドまで引き出された配線とを有していてもよい（請求項３）。
この構成によれば、第１外部パッドに対するワイヤボンディングによって、蓋基板（磁気センサ）に簡単に電流を流すことができる。
【０００９】
前記ベース基板は、前記可動部に電気的に接続された第２外部パッドを、前記第１外部パッドと共通のパッド領域に有していてもよい（請求項４）。
この構成によれば、既存の外部パッドのレイアウトを利用することができるので、製造工程の大幅な変更をする必要がなくなる。
前記蓋基板は、四角形板状に形成されており、前記一対の第１コンタクト部は、それぞれ、前記蓋基板の一方の対角の直下に一つずつ配置され、前記一対の第２コンタクト部は、それぞれ、前記蓋基板の他方の対角の直下に一つずつ配置されていてもよい（請求項５）。
【００１０】
この構成によれば、蓋基板（磁気センサ）による磁場変化の検出範囲を広く定義することができる。
前記蓋基板は、一対の第１ワイヤボンディング部および一対の第２ワイヤボンディング部を、前記ベース基板に対向する下面の反対面に有していてもよい（請求項６）。
この構成によれば、一対の第１ワイヤボンディング部および一対の第２ワイヤボンディング部のレイアウトによって蓋基板（磁気センサ）による磁場変化の検出範囲を決定することができる。
【００１１】
前記蓋基板は、四角形板状に形成されており、前記一対の第１ワイヤボンディング部は、それぞれ、前記蓋基板の一方の対角に一つずつ配置され、前記一対の第２ワイヤボンディング部は、それぞれ、前記蓋基板の他方の対角に一つずつ配置されていてもよい（請求項７）。
この構成によれば、蓋基板（磁気センサ）による磁場変化の検出範囲を広く定義することができる。
【００１２】
前記蓋基板は、低抵抗半導体基板からなっていてもよい（請求項８）。
この構成によれば、蓋基板の本体それ自体を磁気センサとして定義することができる。
前記低抵抗半導体基板は、シリコンからなっていてもよい（請求項９）。
前記蓋基板は、シリコンよりも低いバンドギャップを有する導電膜を、その面内に有していてもよい（請求項１０）。
【００１３】
この構成によれば、蓋基板の導電膜を磁気センサとして定義することができる。この導電膜は、低いバンドギャップによってシリコンよりも低い電子移動度を実現できるので、磁気センサとしての蓋基板の性能を向上させることができる。
前記ＭＥＭＳセンサは、前記導電膜と前記蓋基板との間に配置された絶縁膜をさらに含んでいてもよい（請求項１１）。
【００１４】
この構成によれば、蓋基板に入力される電流を、蓋基板の本体よりも、導電膜に優先的に流すことができる。その結果、磁気センサの電流経路における導電膜の占有率を向上させることができる。
前記絶縁膜は、酸化シリコンからなっていてもよい（請求項１２）。
前記導電膜は、前記ベース基板に対向する前記蓋基板の下面に形成されていてもよい（請求項１３）。
【００１５】
前記導電膜は、前記ベース基板に対向する前記蓋基板の下面の反対面に形成されていてもよい（請求項１４）。
前記導電膜は、２０００Å〜１００００Åの厚さを有していてもよい（請求項１５）。
前記導電膜は、半導体膜からなっていてもよい（請求項１６）。
前記半導体膜は、ゲルマニウムからなっていてもよい（請求項１７）。
【００１６】
前記半導体膜は、不純物としてボロンを含んでいてもよい（請求項１８）。
前記導電膜は、金属膜からなっていてもよい（請求項１９）。
前記金属膜は、アルミニウムからなっていてもよい（請求項２０）。
前記ベース基板は、櫛歯状の固定電極と、当該固定電極に組み合わされた前記可動部としての櫛歯状の可動電極とを含んでいてもよい（請求項２１）。
【００１７】
本発明のＭＥＭＳパッケージは、本発明のＭＥＭＳセンサと、前記ＭＥＭＳセンサを封止する樹脂パッケージとを含む（請求項２２）。
この構成によれば、１チップに磁気センサを含む本発明のＭＥＭＳセンサを備えているので、パッケージサイズの小型化を図ることができる。
前記ＭＥＭＳパッケージは、前記ＭＥＭＳセンサに電気的に接続され、前記ＭＥＭＳセンサと共通の樹脂パッケージで封止された回路デバイスを含んでいてもよい（請求項２３）。
【００１８】
本発明の一の局面に係るＭＥＭＳセンサの製造方法は、変位可能に支持された可動部を備えるベース基板の一方面に、一対の第１コンタクト部および一対の第２コンタクト部を形成する工程と、前記第１コンタクト部および前記第２コンタクト部に電気的に接続されるように、前記可動部を、ホール効果を利用して磁気を検出する磁気センサとして機能する蓋基板で覆う工程とを含む（請求項２４）。
【００１９】
この方法によって、本発明のＭＥＭＳセンサを製造することができる。
前記ＭＥＭＳセンサの製造方法は、前記蓋基板の一方面に、シリコンよりも低いバンドギャップを有する導電膜を形成する工程を含み、前記可動部を覆う工程は、前記一対の第１コンタクト部および前記一対の第２コンタクト部を、前記導電膜に接合する工程を含んでいてもよい（請求項２５）。
【００２０】
前記導電膜を形成する工程は、前記蓋基板の一方面に半導体膜を形成した後、当該半導体膜にイオン注入する工程を含んでいてもよい（請求項２６）。
本発明の他の局面に係るＭＥＭＳセンサの製造方法は、変位可能に支持された可動部を備えるベース基板を形成する工程と、ホール効果を利用して磁気を検出する磁気センサとして機能する蓋基板の一方面に、シリコンよりも低いバンドギャップを有する導電膜を形成する工程と、前記蓋基板の前記導電膜が形成された面の反対面で前記可動部を覆う工程とを含む（請求項２７）。
【００２１】
前記導電膜を形成する工程は、前記蓋基板の一方面に半導体膜を形成した後、当該半導体膜にイオン注入する工程を含んでいてもよい（請求項２８）。
【図面の簡単な説明】
【００２２】
【図１】図１は、本発明の第１実施形態に係るＭＥＭＳパッケージの模式的な斜視図である。
【図２】図２は、図１の加速度センサの模式的な断面図である。
【図３】図３は、図２の加速度センサのセンサ部の構造を説明するための拡大平面図である。
【図４】図４は、図２の加速度センサの製造工程の一例を示すフロー図である。
【図５Ａ】図５Ａは、図２の加速度センサの製造工程の一部を示す図である。
【図５Ｂ】図５Ｂは、図５Ａの次の工程を示す図である。
【図５Ｃ】図５Ｃは、図５Ｂの次の工程を示す図である。
【図５Ｄ】図５Ｄは、図５Ｃの次の工程を示す図である。
【図５Ｅ】図５Ｅは、図５Ｄの次の工程を示す図である。
【図５Ｆ】図５Ｆは、図５Ｅの次の工程を示す図である。
【図５Ｇ】図５Ｇは、図５Ｆの次の工程を示す図である。
【図５Ｈ】図５Ｈは、図５Ｇの次の工程を示す図である。
【図５Ｉ】図５Ｉは、図５Ｈの次の工程を示す図である。
【図６】図６は、図２の磁気センサ（蓋基板）の動作原理を説明するための図である。
【図７】図７は、図１の加速度センサの他の実施例を示す模式図である。
【図８】図８は、図７の加速度センサの製造工程の一例を示すフロー図である。
【図９Ａ】図９Ａは、図７の加速度センサの製造工程の一部を示す図である。
【図９Ｂ】図９Ｂは、図９Ａの次の工程を示す図である。
【図９Ｃ】図９Ｃは、図９Ｂの次の工程を示す図である。
【図９Ｄ】図９Ｄは、図９Ｃの次の工程を示す図である。
【図９Ｅ】図９Ｅは、図９Ｄの次の工程を示す図である。
【図９Ｆ】図９Ｆは、図９Ｅの次の工程を示す図である。
【図９Ｇ】図９Ｇは、図９Ｆの次の工程を示す図である。
【図９Ｈ】図９Ｈは、図９Ｇの次の工程を示す図である。
【図９Ｉ】図９Ｉは、図９Ｈの次の工程を示す図である。
【図１０】図１０は、本発明の第２実施形態に係るＭＥＭＳパッケージの模式的な斜視図である。
【図１１】図１１は、図１０の加速度センサの模式的な断面図である。
【図１２】図１２は、図１１の加速度センサの製造工程の一例を示すフロー図である。
【図１３Ａ】図１３Ａは、図７の加速度センサの製造工程の一部を示す図である。
【図１３Ｂ】図１３Ｂは、図１３Ａの次の工程を示す図である。
【図１３Ｃ】図１３Ｃは、図１３Ｂの次の工程を示す図である。
【図１３Ｄ】図１３Ｄは、図１３Ｃの次の工程を示す図である。
【図１３Ｅ】図１３Ｅは、図１３Ｄの次の工程を示す図である。
【図１３Ｆ】図１３Ｆは、図１３Ｅの次の工程を示す図である。
【図１３Ｇ】図１３Ｇは、図１３Ｆの次の工程を示す図である。
【図１３Ｈ】図１３Ｈは、図１３Ｇの次の工程を示す図である。
【図１３Ｉ】図１３Ｉは、図１３Ｈの次の工程を示す図である。
【図１３Ｊ】図１３Ｊは、図１３Ｉの次の工程を示す図である。
【図１３Ｋ】図１３Ｋは、図１３Ｊの次の工程を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００２３】
以下では、本発明の実施の形態を、添付図面を参照して詳細に説明する。
図１は、本発明の第１実施形態に係るＭＥＭＳパッケージ１の模式的な斜視図である。
ＭＥＭＳパッケージ１は、基板２と、本発明のＭＥＭＳセンサの一例としての加速度センサ３と、外部端子４と、本発明の回路デバイスの一例としての集積回路５（ＡＳＩＣ：Application Specific Integrated Circuit）と、樹脂パッケージ６とを含む。
【００２４】
基板２は、表面および裏面を有する四角形板状に形成されている。
加速度センサ３は、基板２の表面側における長手方向一端部に配置されている。加速度センサ３は、シリコン基板からなる本発明のベース基板の一例としてのデバイス基板７と、デバイス基板７の内方領域に設けられたセンサ部８と、センサ部８を覆うようにデバイス基板７に対向する蓋基板９とを含む。
【００２５】
デバイス基板７は、蓋基板９の外側に引き出された引き出し部１０を有しており、この引き出し部１０が、デバイス基板７のパッド領域１１を形成している。パッド領域１１には、複数の電極パッド１２が間隔を空けて配列されている。この実施形態では、デバイス基板７は、四角形板状に形成されている。複数の電極パッド１２は、デバイス基板７の一辺に沿ってライン状に配列されている。複数の電極パッド１２は、加速度（Acceleration）の検出に使用される本発明の第２外部パッドの一例としての複数のパッドＰＡと、磁場変化（Magnetic Variation）の検出に使用される本発明の第１外部パッドの一例としての複数のパッドＰＭＶとを含む。これらのパッドＰＡ，ＰＭＶの配置は、図１に示す位置に限定されず、加速度センサ３の他の構成部品のレイアウトを考慮して適宜決定することができる。
【００２６】
また、パッドＰＡ，ＰＭＶは、共通のパッド領域１１に設けられている必要はない。たとえば、パッド領域１１から見て蓋基板９の反対側にも引き出し部（反対側のパッド領域）を設けることによって、当該反対側のパッド領域に選択的にパッドＰＭＶを設けてもよい。ただし、パッドＰＡ，ＰＭＶが共通のパッド領域１１に配置されていれば、既存の外部パッドのレイアウトをそのまま利用することができるので、製造工程の大幅な変更をする必要がなくなる。また、加速度検出用の回路および磁場変化検出用の回路を、加速度センサ３の一方側に配置された集積回路５に集約することができる。
【００２７】
デバイス基板７には、さらに、蓋基板９に対向する領域（対向領域１３）に、複数の電極パッド１４、および複数の電極パッド１４と複数のパッドＰＭＶとを電気的に接続する磁気センサ側配線１５が形成されている。
複数の電極パッド１４は、蓋基板９に定電流（Constant Current）を流すための本発明の一対の第１コンタクト部の一例としての一対のパッドＰＣＣと、蓋基板９からの出力電圧（Output Voltage）を検出するための本発明の一対の第２コンタクト部の一例としての一対のパッドＰＯＶとを含む。この実施形態では、蓋基板９は、四角形板状に形成されている。一対のパッドＰＣＣは、それぞれ、蓋基板９の一方の対角の直下に一つずつ配置され、一対のパッドＰＯＶは、それぞれ、蓋基板９の他方の対角の直下に一つずつ配置されている。すなわち、パッド領域１１から見て、センサ部８の手前側にパッドＰＣＣおよびパッドＰＯＶが１つずつ配置され、センサ部８の反対側にパッドＰＣＣおよびパッドＰＯＶが１つずつ配置されている。
【００２８】
磁気センサ側配線１５は、各電極パッド１４（パッドＰＣＣ，ＰＯＶ）から対向領域１３とパッド領域１１との境界を横切って延びており、パッド領域１１において各電極パッド１２（パッドＰＭＶ）に接続されている。
センサ部８は、三次元空間において直交する３つの軸まわりの加速度をそれぞれ検出するセンサとして、Ｘ軸センサ１６、Ｙ軸センサ１７およびＺ軸センサ１８を有している。これら３つのセンサ１６〜１８は、蓋基板９によって覆われて密閉されている。
【００２９】
外部端子４は、基板２の長手方向他端部（加速度センサ３とは反対側の端部）において、基板２の幅方向に沿って間隔を空けて複数（図１では、１２個）設けられている。各外部端子４は、基板２を厚さ方向に貫通して形成されており、基板２の表面に内部パッド１９として、基板２の裏面に外部パッド２０として露出している。
集積回路５は、基板２の表面側において、加速度センサ３と外部端子４（内部パッド１９）との間に配置されている。集積回路５は、たとえば、基板２の幅方向に長手な長方形板状のシリコン基板からなる。当該シリコン基板の内部には、各センサ１６〜１８および蓋基板９から出力された電気信号を増幅するチャージアンプ、当該電気信号の特定の周波数成分を取り出すフィルタ回路（ローパスフィルタ：ＬＰＦなど）、フィルタリング後の電気信号を論理演算する論理回路等が形成されている。これらの回路は、たとえば、ＣＭＯＳデバイスにより構成されている。また、集積回路５は、電極パッド２１と、電極パッド２２とを有している。
【００３０】
電極パッド２１は、基板２の長手方向における加速度センサ３に近い側の端部において、基板２の幅方向に沿って間隔を空けて複数（図１では、７個）設けられている。電極パッド２１は、ボンディングワイヤ２３によって、加速度センサ３の電極パッド１２と１対１で接続されている。
電極パッド２２は、基板２の長手方向における外部端子４に近い側の端部において、基板２の幅方向に沿って間隔を空けて複数（図１では、１２個）設けられている。電極パッド２２は、ボンディングワイヤ２４によって、外部端子４の内部パッド１９と１対１で接続されている。
【００３１】
樹脂パッケージ６は、基板２と協働してＭＥＭＳパッケージ１の外形をなし、略直方体状に形成されている。樹脂パッケージ６は、たとえば、エポキシ樹脂など公知のモールド樹脂からなり、加速度センサ３および集積回路５と共にボンディングワイヤ２３，２４および内部パッド１９を覆い、外部パッド２０を露出させるように、加速度センサ３および集積回路５を封止している。
【００３２】
次に、図１〜図３を参照して、加速度センサ３の内部構造を具体的に説明する。
図２は、図１の加速度センサ３の模式的な断面図である。図３は、図２の加速度センサ３のセンサ部８（Ｚ軸センサ１８）の構造を説明するための拡大平面図である。なお、図２は、加速度センサ３の特徴部分の断面構造を断片的に表したものであり、加速度センサ３を特定の切断線で切断したときに表れる断面を表していないことに留意されたい。たとえば、図２の一点鎖線矢印Ａで示した部分は、図３の切断線Ａ−Ａに対応する断面であり、図２の一点鎖線矢印Ｂで示した部分は、図３の切断線Ｂ−Ｂに対応する断面である。
【００３３】
加速度センサ３のデバイス基板７の表面部には、凹所２５およびトレンチ２６が互いに間隔を空けて形成されている。凹所２５は、図１に示すように、３つのセンサ１６〜１８を内部に含むようにデバイス基板７のほぼ中央領域に形成されている。トレンチ２６は、図示しないが、４つの電極パッド１４よりもデバイス基板７の中央側において凹所２５を取り囲む環状に形成されている。二つの空洞部の深さを比較すると、トレンチ２６が凹所２５よりも深く形成されている。また、トレンチ２６は、その下部に幅広部２７を選択的に有している。幅広部２７は、トレンチ２６下部の側面が上部の側面に対して内外両側にセットバックすることによって形成されている。
【００３４】
凹所２５の内部には、センサ部８（Ｘ軸センサ１６、Ｙ軸センサ１７およびＺ軸センサ１８）が凹所２５の底面から浮いた状態で設けられている。
図２および図３を参照して、Ｚ軸センサ１８の構造を具体的に説明する。
Ｚ軸センサ１８は、それぞれデバイス基板７の一部からなる、櫛歯状の固定電極２８と、固定電極２８に組み合わされた本発明の可動部の一例としての櫛歯状の可動電極２９とを含む。固定電極２８は、デバイス基板７の本体部に固定されている一方、可動電極２９は、デバイス基板７の一部を利用して形成されたばね機構等を介してデバイス基板７の本体部に支持されている。Ｚ軸センサ１８が加速度を受けると、可動電極２９に繋がるばね機構が伸縮する。このときのばね機構の移動距離が、固定電極２８と可動電極２９との間の静電容量の変化として検出され、加速度に対応した電気信号として電極パッド１２（パッドＰＡ）から取り出される。
【００３５】
固定電極２８および可動電極２９の各歯の基端部には、埋め込み絶縁膜３０が埋め込まれている。埋め込み絶縁膜３０は、固定電極２８および可動電極２９の各歯の表面から裏面に達し、この実施形態ではさらに凹所２５に突出するように形成されている。固定電極２８および可動電極２９の各歯は、埋め込み絶縁膜３０によって電気的に独立している。
固定電極２８、可動電極２９および埋め込み絶縁膜３０によって構成される上記のセンサ構造は、図示しないが、Ｘ軸センサ１６およびＹ軸センサ１７にも適用されている（説明省略）。
【００３６】
デバイス基板７上には、第１絶縁膜３１が形成されている。第１絶縁膜３１は、たとえば、酸化シリコンからなる。第１絶縁膜３１は、固定電極２８および可動電極２９の一部の領域およびトレンチ２６上の領域において選択的に除去されている。具体的には、当該除去領域は、各電極２８，２９における加速度センサ側配線３３（後述）のコンタクト位置の先端側の領域を含む。
【００３７】
第１絶縁膜３１上には、第１配線膜３２が形成されている。第１配線膜３２は、たとえばアルミニウムからなる。第１配線膜３２は、磁気センサ側配線１５および加速度センサ側配線３３を含む。加速度センサ側配線３３は、磁気センサ側配線１５と同様に、対向領域１３とパッド領域１１との境界を横切って延びている。対向領域１３では、加速度センサ側配線３３は、第１絶縁膜３１に形成されたコンタクトホール３４を介して、固定電極２８および可動電極２９の各歯に接続されている。
【００３８】
第１配線膜３２を覆うように、第１絶縁膜３２上には第２絶縁膜３５が形成されている。第２絶縁膜３５は、たとえば、酸化シリコンからなる。第２絶縁膜３５には、パッド領域１１において、磁気センサ側配線１５および加速度センサ側配線３３のそれぞれの一部を露出させるコンタクトホール３６が形成されている。
第２絶縁膜３５上には、第３絶縁膜３７が形成されている。第３絶縁膜３７は、たとえば、酸化シリコンからなる。第３絶縁膜３７は、第２絶縁膜３５において電極パッド１２，１４の直下の領域に選択的に形成されている。電極パッド１２の直下にあるコンタクトホール３６では、第３絶縁膜３７は、磁気センサ側配線１５および加速度センサ側配線３３を露出させるように、コンタクトホール３６の側面に選択的に形成されている。第３絶縁膜３７によって、ボンディングワイヤ２３や接合材４３（後述）が接合される電極パッド１２，１４の直下の絶縁膜が選択的に厚くされている。
【００３９】
第３絶縁膜３７上には、電極パッド１２および電極パッド１４を含む第２配線膜４４が形成されている。第２配線膜４４は、たとえば、アルミニウム（Ａｌ−Ｃｕ系合金等）からなる。電極パッド１２は、コンタクトホール３６を介して、磁気センサ側配線１５および加速度センサ側配線３３に接続されている。
加速度センサ３の蓋基板９は、たとえば、０．００２Ω・ｃｍ〜０．０２５Ω・ｃｍの抵抗を有する低抵抗シリコン基板からなる。なお、蓋基板９としては、炭化シリコン（ＳｉＣ）基板、窒化ガリウム（ＧａＮ）基板等の他の半導体基板であってもよいが、安価なシリコン基板を用いることが好ましい。
【００４０】
蓋基板９は、その外周に沿う環状の周縁堤３８を有している。この実施形態では、周縁堤３８は、４つの電極パッド１４（パッドＰＣＣ，ＰＯＶ）が配置された箇所を角部とする四角形の辺に沿って四角環状に形成されている。
周縁堤３８の内方領域には複数の凹所３９が選択的に形成されている。凹所３９は、デバイス基板７に対向する蓋基板９の下面４０を選択的に掘り下げることによって形成された部分である。一方、蓋基板９の下面４０の反対面（上面４１）は、平坦な半導体表面（シリコン表面）が露出している。凹所３９の位置や形状は、図２に示したものに限定されず、センサ部８の形状を考慮して適宜決定することができる。周縁堤３８の下面４０には、接合パッド４２が形成されている。接合パッド４２は、周縁堤３８の全周に亘って形成されている。
【００４１】
デバイス基板７と蓋基板９とを接合する接合材４３は、周縁堤３８に沿って環状に形成されている。接合材４３は、たとえば、導電性粒子を含有するガラスフリットからなる。接合材４３は、電極パッド１４の配置箇所では電極パッド１４に密着し、電極パッド１４が配置されておらず絶縁膜（第２絶縁膜３２）が露出した領域に対しては、絶縁膜表面に密着している（図２では、前者の密着態様のみを示している）。接合材４３によってデバイス基板７と蓋基板９との隙間が塞がれるので、センサ部８の密閉が達成される。また、蓋基板９に対して、電極パッド１４の配置箇所４点でデバイス基板７が電気的に接続される。接合材４３は、図２に示すように、その一部がトレンチ２６に垂れていてもよい。
【００４２】
図４は、図２の加速度センサ３の製造工程の一例を示すフロー図である。図５Ａ〜図５Ｉは、図２の加速度センサ３の製造工程の一部を工程順に示す図である。センサ部８に関して、この項ではＺ軸センサ１８の製造工程のみを図示し、Ｘ軸センサ１６およびＹ軸センサ１７の製造工程は省略する。Ｘ軸センサ１６およびＹ軸センサ１７の製造工程は、Ｚ軸センサ１８の製造工程と同様にして、Ｚ軸センサ１８の製造工程と並行して実行される。
【００４３】
加速度センサ３を製造するには、図５Ａに示すように、たとえばスパッタ法によって、蓋基板９の下面４０に金属膜４５を堆積させた後、金属膜４５上に選択的にレジスト膜４６が形成される（Ｓ１−１）。
次に、図５Ｂに示すように、レジスト膜４６を介したエッチングによって、金属膜４５がパターニングされる（Ｓ２−１）。これにより、接合パッド４２が形成される。この後、レジスト膜４６が剥離される。
【００４４】
次に、図５Ｃに示すように、蓋基板９の下面４０に選択的にレジスト膜４７が形成される。レジスト膜４７を介したエッチングによって、蓋基板９に複数の凹所３９が形成されると同時に、周縁堤３８が形成される（Ｓ３−１）。
次に、図５Ｄに示すように、レジスト膜４７が剥離される（Ｓ４−１）。
次に、図５Ｅに示すように、選択的なエッチングによって、蓋基板９の周縁堤３８の一部に切り口４８が形成される（Ｓ５−１）。切り口４８は、後の工程で蓋基板９の周縁部を切り落としてパッド領域１１を露出させるときの指標となるトレンチである。
【００４５】
次に、図５Ｆに示すように、蓋基板９の周縁堤３８上に、接合材４３が印刷される（Ｓ６−１）。これにより、蓋基板９の準備が完了となる。
また、図５Ａ〜図５Ｆに示す工程の前後どちらか、もしくは並行して、デバイス基板７にセンサ部８が形成される。
具体的には、図５Ｇに示すように、まず、裏面に絶縁膜４９が形成されたデバイス基板７が準備され、デバイス基板７を選択的にエッチングしてディープトレンチを形成し、当該ディープトレンチに絶縁材料を埋め込むことによって、埋め込み絶縁膜３０が形成される（Ｓ１−２）。次に、デバイス基板７上に第１絶縁膜３１が形成され、第１絶縁膜３１にコンタクトホール３４が形成される（Ｓ２−２、Ｓ３−２）。次に、第１絶縁膜１上に選択的に第１配線膜３２（磁気センサ側配線１５および加速度センサ側配線３３）が形成される（Ｓ４−２）。次に、第２絶縁膜３５および第３絶縁膜３７が順に形成された後、第２配線膜４４（電極パッド１２および電極パッド１４）が形成される（Ｓ５−２、Ｓ６−２）。次に、デバイス基板７の凹所２５およびトレンチ２６を形成すべき領域上の第１絶縁膜３１、第２絶縁膜３５および第３絶縁膜３７が選択的に除去された後、異方性のディープＲＩＥによって、凹所２５およびトレンチ２６の形成領域内に多数のトレンチが形成される（Ｓ７−２）。このトレンチは、最終的には、櫛歯状の固定電極２８と可動電極２９との隙間部分となる。次に、当該トレンチの内面に、酸化シリコンからなる保護薄膜が形成された後、当該保護薄膜におけるトレンチの底部にある部分が、エッチバックによって選択的に除去される（Ｓ８−２）。次に、異方性のディープＲＩＥによってトレンチをさらに掘り下げた後、等方性のＲＩＥが行われる（Ｓ９−２）。これにより、エッチングが横方向に進行し、固定電極２８および可動電極２９の下方において、互いに隣接する全てのトレンチが一体化する。これにより、デバイス基板７の内部に凹所２５が形成されると共に、凹所２５において、固定電極２８および可動電極２９が浮いた状態となる。埋め込み絶縁膜３０の突出部分およびトレンチ２６の幅広部２７は、この横方向に進行するエッチングによって生じるものである。以上の工程を経て、デバイス基板７の準備が完了となる。
【００４６】
蓋基板９の準備（Ｓ１−１〜Ｓ６−１）およびデバイス基板７の準備（Ｓ１−２〜Ｓ９−２）が終われば、次は、両者を接合工程である。まず、図５Ｇに示すように、デバイス基板７に対して蓋基板９の位置を合わせた後、蓋基板９を押し付ける。これにより、接合材４３の全体がデバイス基板７に密着し、両者が接合される（Ｓ１０）。
次に、図５Ｈに示すように、デバイス基板７を裏面から研削することによって、絶縁膜４９を完全に除去すると共に薄化させる（Ｓ１１）。
【００４７】
次に、図５Ｉに示すように、蓋基板９の不要部分（切り口４８の外側部分）を選択的に切り落とすことによって、デバイス基板７のパッド領域１１を露出させる（Ｓ１２）。
以上の工程を経て、図２の加速度センサ３が得られる。
加速度センサ３によれば、低抵抗シリコン基板からなる蓋基板９に対して、一対のパッドＰＣＣおよび一対のパッドＰＯＶからなる合計４つのパッドＰＣＣ，ＰＯＶが接続されている。これにより、蓋基板９は、図１および図６に示すように、一対のパッドＰＣＣ間に制御電流（定電流）ＩＣ１を流したときに、蓋基板９の厚さ方向の磁場の変化を、ホール効果によって被検出電流ＩＣ２として検出する。つまり、蓋基板９を、ホール素子型磁気センサとして機能させることができる。そのため、Ｘ軸センサ１６、Ｙ軸センサ１７およびＺ軸センサ１８によって加速度センサ３の地軸に対する傾斜を検出すると共に、蓋基板９によって方位（南北）を検出することができる。そして、この二つの物理量を検出するデバイスを１チップで実現することができる。したがって、少なくとも加速度センサおよび磁気センサの機能を併せ持つ高機能な物理量センサを提供することができる。
【００４８】
しかも、一対のパッドＰＣＣが、それぞれ、蓋基板９の一方の対角の直下に一つずつ配置され、一対のパッドＰＯＶが、それぞれ、蓋基板９の他方の対角の直下に一つずつ配置されている。そのため、四角形の蓋基板９の面内スペースを最大限に利用して、蓋基板９（磁気センサ）による磁場変化の検出範囲を広く定義することができる。また、当該検出範囲は、一対のパッドＰＣＣおよび一対のパッドＰＯＶのレイアウトを変更することによって、簡単に調整することができる。
【００４９】
図７は、図１の加速度センサ３の他の実施例（加速度センサ５０）を示す模式図である。図７において、前述の図２との間で互いに対応する要素には同一の参照符号を付して示す。
加速度センサ５０では、接合パッド４２が省略されており、代わりに、半導体膜５１が蓋基板９の下面４０に形成されている。半導体膜５１は、その一方表面および他方表面が周縁堤３８の頂面および凹所３９の内面に沿うように形成されている。半導体膜５１の厚さは、たとえば、２０００Å〜１００００Åである。また、半導体膜５１は、この実施形態ではゲルマニウムからなるが、他の半導体、好ましくは、シリコンよりも低いバンドギャップを有する半導体からなっていてもよい。むろん、シリコンよりも低いバンドギャップを有するものであれば、たとえば、アルミニウム等の金属膜を使用してもよい。
【００５０】
接合材４３は、半導体膜５１上に形成されている。したがって、加速度センサ５０では、半導体膜５１において、蓋基板９に対する電気的接続が達成されている。すなわち、加速度センサ５０では、蓋基板９の半導体膜５１に対して、一対のパッドＰＣＣおよび一対のパッドＰＯＶからなる合計４つのパッドＰＣＣ，ＰＯＶが接続されている。これにより、半導体膜５１を、ホール素子型磁気センサとして機能させることができる。そして、この半導体膜５１は、低いバンドギャップによってシリコンよりも低い電子移動度を実現できるので、磁気センサとしての蓋基板９の性能を向上させることができる。
【００５１】
図８は、図７の加速度センサ５０の製造工程の一例を示すフロー図である。図９Ａ〜図９Ｉは、図７の加速度センサ５０の製造工程の一部を工程順に示す図である。図９Ａ〜図９Ｉにおいて、前述の図５Ａ〜図５Ｉとの間で互いに対応する要素には同一の参照符号を付して示す。
加速度センサ５０を製造するには、図９Ａに示すように、蓋基板９の下面４０に選択的にレジスト膜４７が形成される。レジスト膜４７を介したエッチングによって、蓋基板９に複数の凹所３９が形成されると同時に、周縁堤３８が形成される（Ｓ１−１）。
【００５２】
次に、図９Ｂに示すように、蒸着法によって、蓋基板９の下面４０の全域に半導体膜５１を堆積させる（Ｓ２−１）。
次に、図９Ｃに示すように、半導体膜５１に対して、不純物イオン（この実施形態では、ボロン）が注入される（Ｓ３−１）。
次に、図９Ｄに示すように、ＲＴＡ（Rapid Thermal Anneal）によって、半導体膜５１が熱処理される（Ｓ４−１）。これにより、半導体膜５１内の不純物が活性化する。
【００５３】
次に、図９Ｅに示すように、選択的なエッチングによって、蓋基板９の周縁堤３８の一部に切り口４８が形成される（Ｓ５−１）。
次に、図９Ｆに示すように、蓋基板９の周縁堤３８上に、接合材４３が印刷される（Ｓ６−１）。これにより、蓋基板９の準備が完了となる。
また、図９Ａ〜図９Ｆに示す工程の前後どちらか、もしくは並行して、前述と同様の方法によって、デバイス基板７にセンサ部８が形成される（Ｓ１−２〜Ｓ９−２）。これにより、デバイス基板７の準備が完了となる。
【００５４】
蓋基板９の準備（Ｓ１−１〜Ｓ６−１）およびデバイス基板７の準備（Ｓ１−２〜Ｓ９−２）が終われば、次は、両者を接合工程である。まず、図９Ｇに示すように、デバイス基板７に対して蓋基板９の位置を合わせた後、蓋基板９を押し付ける。これにより、接合材４３の全体がデバイス基板７に密着し、両者が接合される（Ｓ１０）。
次に、図９Ｈに示すように、デバイス基板７を裏面から研削することによって、絶縁膜４９を完全に除去すると共に薄化させる（Ｓ１１）。
【００５５】
次に、図９Ｉに示すように、蓋基板９の不要部分（切り口４８の外側部分）を選択的に切り落とすことによって、デバイス基板７のパッド領域１１を露出させる（Ｓ１２）。
以上の工程を経て、図７の加速度センサ５０が得られる。
図１０は、本発明の第２実施形態に係るＭＥＭＳパッケージ５２の模式的な斜視図である。図１１は、図１０の加速度センサ５３の模式的な断面図である。図１０および図１１において、前述の図１および図２との間で互いに対応する要素には同一の参照符号を付して示す。
【００５６】
ＭＥＭＳパッケージ５２では、加速度センサ５３の蓋基板９は、上面４１に複数のボンディング領域５４を有している。複数のボンディング領域５４は、定電流（Constant Current）を流すための本発明の一対の第１ワイヤボンディング部の一例としての一対の領域ＲＣＣと、蓋基板９からの出力電圧（Output Voltage）を検出するための本発明の一対の第２ワイヤボンディング部の一例としての一対の領域ＲＯＶとを含む。この実施形態では、一対の領域ＲＣＣは、それぞれ、蓋基板９の一方の対角に一つずつ配置され、一対の領域ＲＯＶは、それぞれ、蓋基板９の他方の対角に一つずつ配置されている。各ボンディング領域５４は、ボンディングワイヤ５５によって、集積回路５の電極パッド２１に直接接続されている。
【００５７】
また、加速度センサ５３では、図１１に示すように、半導体膜５６が蓋基板９の上面４１に形成されている。半導体膜５６は、上面４１の全域に形成されている。半導体膜５６の厚さは、たとえば、２０００Å〜１００００Åである。また、半導体膜５６は、この実施形態ではゲルマニウムからなるが、他の半導体、好ましくは、シリコンよりも低いバンドギャップを有する半導体からなっていてもよい。むろん、シリコンよりも低いバンドギャップを有するものであれば、たとえば、アルミニウム等の金属膜を使用してもよい。
【００５８】
さらに、加速度センサ５３では、半導体膜５６と蓋基板９との間に絶縁膜５７を有している。絶縁膜５７は、たとえば、酸化シリコンからなる。
そして、ボンディングワイヤ５５は、半導体膜５６に接合されている。したがって、加速度センサ５３では、半導体膜５６において、蓋基板９に対する電気的接続が達成されている。すなわち、加速度センサ５３では、蓋基板９の半導体膜５６において一対の領域ＲＣＣおよび一対の領域ＲＯＶのそれぞれに対し、ボンディングワイヤ５５が合計４本接続されている。これにより、蓋基板９は、図１０に示すように、一対の領域ＲＣＣ間に制御電流（定電流）ＩＣ１を流したときに、蓋基板９の厚さ方向の磁場の変化を、ホール効果によって被検出電流ＩＣ２として検出する。つまり、半導体膜５６を、ホール素子型磁気センサとして機能させることができる。
【００５９】
そして、この半導体膜５６は、低いバンドギャップによってシリコンよりも低い電子移動度を実現できるので、磁気センサとしての蓋基板９の性能を向上させることができる。さらに、絶縁膜５７が形成されているので、蓋基板９に入力される電流を、蓋基板９の本体（シリコン部分）よりも、半導体膜５６に優先的に流すことができる。その結果、磁気センサの電流経路における半導体膜５６の占有率を向上させることができる。
【００６０】
図１２は、図１１の加速度センサ５３の製造工程の一例を示すフロー図である。図１３Ａ〜図１３Ｋは、図１１の加速度センサ５３の製造工程の一部を工程順に示す図である。図１３Ａ〜図１３Ｋにおいて、前述の図５Ａ〜図５Ｉとの間で互いに対応する要素には同一の参照符号を付して示す。
加速度センサ５３を製造するには、図１３Ａに示すように、熱酸化によって、蓋基板９の上面４１に絶縁膜５７が形成される（Ｓ１−１）。
【００６１】
次に、図１３Ｂに示すように、蒸着法によって、絶縁膜５７上に半導体膜５６を堆積させる（Ｓ２−１）。
次に、図１３Ｃに示すように、半導体膜５６に対して、不純物イオン（この実施形態では、ボロン）が注入される（Ｓ３−１）。
次に、図１３Ｄに示すように、ＲＴＡ（Rapid Thermal Anneal）によって、半導体膜５６が熱処理される（Ｓ４−１）。これにより、半導体膜５６内の不純物が活性化する。
【００６２】
次に、図１３Ｅに示すように、たとえばスパッタ法によって、蓋基板９の下面４０に金属膜を堆積させた後、当該金属膜がパターニングされる（Ｓ５−１）。これにより、接合パッド４２が形成される。
次に、図１３Ｆに示すように、蓋基板９の下面４０に選択的にレジスト膜４７が形成される。レジスト膜４７を介したエッチングによって、蓋基板９に複数の凹所３９が形成されると同時に、周縁堤３８が形成される（Ｓ６−１）。
【００６３】
次に、図１３Ｇに示すように、選択的なエッチングによって、蓋基板９の周縁堤３８の一部に切り口４８が形成される（Ｓ７−１）。切り口４８は、後の工程で蓋基板９の周縁部を切り落としてパッド領域１１を露出させるときの指標となるトレンチである。
次に、図１３Ｈに示すように、蓋基板９の周縁堤３８上に、接合材４３が印刷される（Ｓ８−１）。これにより、蓋基板９の準備が完了となる。
【００６４】
また、図１３Ａ〜図１３Ｈに示す工程の前後どちらか、もしくは並行して、前述と同様の方法によって、デバイス基板７にセンサ部８が形成される（Ｓ１−２〜Ｓ９−２）。これにより、デバイス基板７の準備が完了となる。
蓋基板９の準備（Ｓ１−１〜Ｓ８−１）およびデバイス基板７の準備（Ｓ１−２〜Ｓ９−２）が終われば、次は、両者を接合工程である。まず、図１３Ｉに示すように、デバイス基板７に対して蓋基板９の位置を合わせた後、蓋基板９を押し付ける。これにより、接合材４３の全体がデバイス基板７に密着し、両者が接合される（Ｓ１０）。
【００６５】
次に、図１３Ｊに示すように、デバイス基板７を裏面から研削することによって、絶縁膜４９を完全に除去すると共に薄化させる（Ｓ１１）。
次に、図１３Ｋに示すように、蓋基板９の不要部分（切り口４８の外側部分）を選択的に切り落とすことによって、デバイス基板７のパッド領域１１を露出させる（Ｓ１２）。
以上の工程を経て、図１１の加速度センサ５３が得られる。
【００６６】
以上、本発明の実施形態について説明したが、本発明はさらに他の形態で実施することもできる。
たとえば、ＭＥＭＳパッケージ１は、加速度センサ３に代えて、または加速度センサ３と共に角速度センサを備えていてもよい。
また、加速度センサの各部の構成材料、たとえば、絶縁材料としての酸化シリコンや配線材料としてのアルミニウム等は、本発明の実施形態で使用した一例に過ぎず、適宜変更することができる。たとえば、絶縁材料は窒化シリコンであってもよいし、配線材料は銅であってもよい。
【００６７】
また、センサ部８の構造も、前述の実施形態のものに限定されず、公知のＭＥＭＳ構造を適用することができる。
その他、特許請求の範囲に記載された事項の範囲で種々の設計変更を施すことが可能である。
【符号の説明】
【００６８】
１  ＭＥＭＳパッケージ
３  加速度センサ
５  集積回路
６  樹脂パッケージ
７  デバイス基板
８  センサ部
９  蓋基板
１１  パッド領域
１２  電極パッド
ＰＡ    パッド
ＰＭＶ  パッド
１３    対向領域
１４        電極パッド
ＰＣＣ  パッド
ＰＯＶ  パッド
１５  磁気センサ側    配線
１６  Ｘ軸センサ
１７  Ｙ軸センサ
１８  Ｚ軸センサ
２８  固定電極
２９  可動電極
３２  第１配線膜
３３  加速度センサ側配線
４０  下面
４１  上面
４３  接合材
４４  第２配線膜
５０  加速度センサ
５１  半導体膜
５２  ＭＥＭＳパッケージ
５３  加速度センサ
５４  ボンディング領域
ＲＣＣ  領域
ＲＯＶ  領域
５５  ボンディングワイヤ
５６  半導体膜
５７  絶縁膜
【図１】
2015217473.tif 000003
【図２】
2015217473.tif 000004
【図３】
2015217473.tif 000005
【図４】
2015217473.tif 000006
【図５Ａ】
2015217473.tif 000007
【図５Ｂ】
2015217473.tif 000008
【図５Ｃ】
2015217473.tif 000009
【図５Ｄ】
2015217473.tif 000010
【図５Ｅ】
2015217473.tif 000011
【図５Ｆ】
2015217473.tif 000012
【図５Ｇ】
2015217473.tif 000013
【図５Ｈ】
2015217473.tif 000014
【図５Ｉ】
2015217473.tif 000015
【図６】
2015217473.tif 000016
【図７】
2015217473.tif 000017
【図８】
2015217473.tif 000018
【図９Ａ】
2015217473.tif 000019
【図９Ｂ】
2015217473.tif 000020
【図９Ｃ】
2015217473.tif 000021
【図９Ｄ】
2015217473.tif 000022
【図９Ｅ】
2015217473.tif 000023
【図９Ｆ】
2015217473.tif 000024
【図９Ｇ】
2015217473.tif 000025
【図９Ｈ】
2015217473.tif 000026
【図９Ｉ】
2015217473.tif 000027
【図１０】
2015217473.tif 000028
【図１１】
2015217473.tif 000029
【図１２】
2015217473.tif 000030
【図１３Ａ】
2015217473.tif 000031
【図１３Ｂ】
2015217473.tif 000032
【図１３Ｃ】
2015217473.tif 000033
【図１３Ｄ】
2015217473.tif 000034
【図１３Ｅ】
2015217473.tif 000035
【図１３Ｆ】
2015217473.tif 000036
【図１３Ｇ】
2015217473.tif 000037
【図１３Ｈ】
2015217473.tif 000038
【図１３Ｉ】
2015217473.tif 000039
【図１３Ｊ】
2015217473.tif 000040
【図１３Ｋ】
2015217473.tif 000041