(57)【要約】【課題】固体撮像装置で発生するシェーディングを低減するための技術を提供する。【解決手段】固体撮像装置は、各画素が光電変換素子と転送トランジスタとを有し、アレイ状に配された複数の画素と、複数の画素の転送トランジスタに制御信号を供給するように構成された駆動回路と、複数の画素の転送トランジスタと駆動回路とを接続する複数の駆動線とを備える。複数の画素は、同一の駆動線に接続された第１画素と第２画素とを含む。駆動回路から第１画素までの距離は、駆動回路から第２画素までの距離よりも遠い。第１画素の転送トランジスタの駆動力は、第２画素の転送トランジスタの駆動力よりも低い。【選択図】図３
2015062275.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
各画素が光電変換素子と転送トランジスタとを有し、アレイ状に配された複数の画素と、
前記複数の画素の転送トランジスタに制御信号を供給するように構成された駆動回路と、
前記複数の画素の転送トランジスタと前記駆動回路とを接続する複数の駆動線とを備え、
前記複数の画素は、同一の駆動線に接続された第１画素と第２画素とを含み、
前記駆動回路から前記第１画素までの距離は、前記駆動回路から前記第２画素までの距離よりも遠く、
前記第１画素の転送トランジスタの駆動力は、前記第２画素の転送トランジスタの駆動力よりも低いことを特徴とする固体撮像装置。
【請求項２】
前記第１画素の転送トランジスタのゲート長は、前記第２画素の転送トランジスタのゲート長よりも長いことを特徴とする請求項１に記載の固体撮像装置。
【請求項３】
前記第１画素の転送トランジスタのゲート幅は、前記第２画素の転送トランジスタのゲート幅よりも短いことを特徴とする請求項１又は２に記載の固体撮像装置。
【請求項４】
前記複数の画素は、前記駆動回路から各画素までの距離に基づいて複数のグループに分割されており、
同一のグループに含まれる画素の転送トランジスタの駆動力は互いに等しく、
異なるグループに含まれる画素の転送トランジスタの駆動力は互いに異なり、
前記駆動回路から各画素までの距離が遠いグループに含まれる画素ほど転送トランジスタの駆動力が低いことを特徴とする請求項１乃至３の何れか１項に記載の固体撮像装置。
【請求項５】
同一の駆動線に接続された画素は互いに異なるグループに含まれることを特徴とする請求項４に記載の固体撮像装置。
【請求項６】
前記複数のグループの少なくとも１つは、同一の駆動線に接続された２つ以上の画素を含むことを特徴とする請求項４に記載の固体撮像装置。
【請求項７】
前記固体撮像装置は、前記駆動回路に電力を供給する電源を更に備え、
前記複数の画素は、互いに異なる駆動線に接続され、前記駆動回路から等距離にある第３画素と第４画素とを含み、
前記電源から前記第３画素が接続された駆動線までの距離は、前記電源から前記第４画素が接続された駆動線までの距離よりも遠く、
前記第３画素の転送トランジスタの駆動力は、前記第４画素の転送トランジスタの駆動力よりも低いことを特徴とする請求項１乃至３の何れか１項に記載の固体撮像装置。
【請求項８】
前記複数の画素は、前記駆動回路から各画素までの距離と、前記電源から当該画素が接続された駆動線までの距離とに基づいて複数のグループに分割されており、
同一のグループに含まれる画素の転送トランジスタの駆動力は互いに等しく、
異なるグループに含まれる画素の転送トランジスタの駆動力は互いに異なり、
前記駆動回路から各画素までの距離と、前記電源から当該画素が接続された駆動線までの距離とが遠いグループに含まれる画素ほど転送トランジスタの駆動力が低いことを特徴とする請求項７に記載の固体撮像装置。
【請求項９】
前記複数の画素は、前記駆動回路から等距離にあり、互いに転送トランジスタの駆動力が異なる２つ以上の画素を含むことを特徴とする請求項８に記載の固体撮像装置。
【請求項１０】
前記複数のグループは、第１グループと、前記第１グループに隣接する第２グループとを含み、
前記第１グループと前記第２グループと間の境界は、凹凸を有することを特徴とする請求項４乃至６、８及び９の何れか１項に記載の固体撮像装置。
【請求項１１】
各画素が光電変換素子と転送トランジスタとを有し、アレイ状に配された複数の画素と、
前記複数の画素の転送トランジスタに制御信号を供給するように構成された駆動回路と、
前記複数の画素の転送トランジスタと前記駆動回路とを接続する複数の駆動線とを備え、
前記複数の画素は、同一の駆動線に接続された第１画素と第２画素とを含み、
前記駆動回路から前記第１画素までの距離は、前記駆動回路から前記第２画素までの距離よりも遠く、
前記第１画素の転送トランジスタのゲート長は、前記第２画素の転送トランジスタのゲート長よりも長いことを特徴とする固体撮像装置。
【請求項１２】
各画素が光電変換素子と転送トランジスタとを有し、アレイ状に配された複数の画素と、
前記複数の画素の転送トランジスタに制御信号を供給するように構成された駆動回路と、
前記複数の画素の転送トランジスタと前記駆動回路とを接続する複数の駆動線とを備え、
前記複数の画素は、同一の駆動線に接続された第１画素と第２画素とを含み、
前記駆動回路から前記第１画素までの距離は、前記駆動回路から前記第２画素までの距離よりも遠く、
前記第１画素の転送トランジスタのゲート幅は、前記第２画素の転送トランジスタのゲート幅よりも短いことを特徴とする固体撮像装置。
【請求項１３】
請求項１乃至１２の何れか１項に記載の固体撮像装置と、
前記固体撮像装置によって得られた信号を処理する信号処理部とを備えることを特徴とするカメラ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は固体撮像装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
固体撮像装置の大型化にともなって固体撮像装置の配線が長くなった結果、配線を流れる信号の電圧降下や遅延により、シェーディングと呼ばれる画像の輝度ムラが発生しやすくなっている。特許文献１では、駆動バッファにより画素列毎に電位を供給し、垂直駆動回路で画素行毎に電位を供給することで、配線長の増加によるリセット電位の低下よる誤差を低減し、シェーディングを低減する。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００７−１５０５６０号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
特許文献１に示される固体撮像装置であっても、各画素の転送トランジスタを制御する制御信号は駆動回路から駆動線を通じて供給される。駆動回路からの距離が近い画素と遠い画素とでは、遅延等の影響によって制御信号の波形が異なってしまう。この波形の変化に起因して、固体撮像装置で得られる画像にシェーディングが発生することがあることを本発明者は見出した。そこで、本発明は、固体撮像装置で発生するシェーディングを低減するための技術を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
上記課題に鑑みて、本発明の一部の側面では、各画素が光電変換素子と転送トランジスタとを有し、アレイ状に配された複数の画素と、前記複数の画素の転送トランジスタに制御信号を供給するように構成された駆動回路と、前記複数の画素の転送トランジスタと前記駆動回路とを接続する複数の駆動線とを備え、前記複数の画素は、同一の駆動線に接続された第１画素と第２画素とを含み、前記駆動回路から前記第１画素までの距離は、前記駆動回路から前記第２画素までの距離よりも遠く、前記第１画素の転送トランジスタの駆動力は、前記第２画素の転送トランジスタの駆動力よりも低いことを特徴とする固体撮像装置が提供される。本発明の別の側面では、各画素が光電変換素子と転送トランジスタとを有し、アレイ状に配された複数の画素と、前記複数の画素の転送トランジスタに制御信号を供給するように構成された駆動回路と、前記複数の画素の転送トランジスタと前記駆動回路とを接続する複数の駆動線とを備え、前記複数の画素は、同一の駆動線に接続された第１画素と第２画素とを含み、前記駆動回路から前記第１画素までの距離は、前記駆動回路から前記第２画素までの距離よりも遠く、前記第１画素の転送トランジスタのゲート長は、前記第２画素の転送トランジスタのゲート長よりも長いことを特徴とする固体撮像装置が提供される。本発明のさらに別の側面では、各画素が光電変換素子と転送トランジスタとを有し、アレイ状に配された複数の画素と、前記複数の画素の転送トランジスタに制御信号を供給するように構成された駆動回路と、前記複数の画素の転送トランジスタと前記駆動回路とを接続する複数の駆動線とを備え、前記複数の画素は、同一の駆動線に接続された第１画素と第２画素とを含み、前記駆動回路から前記第１画素までの距離は、前記駆動回路から前記第２画素までの距離よりも遠く、前記第１画素の転送トランジスタのゲート幅は、前記第２画素の転送トランジスタのゲート幅よりも短いことを特徴とする固体撮像装置が提供される。
【発明の効果】
【０００６】
上記手段により、固体撮像装置で発生するシェーディングを低減するための技術が提供される。
【図面の簡単な説明】
【０００７】
【図１】一部の実施形態の固体撮像装置の構成例を説明する図。
【図２】一部の実施形態の制御信号の波形の変化例を説明する図。
【図３】一部の実施形態の転送トランジスタのゲート長を説明する図。
【図４】一部の実施形態の画素のグループ分けを説明する図。
【図５】一部の実施形態の画素のグループ分けを説明する図。
【図６】一部の実施形態の固体撮像装置の製造方法例を説明する図。
【図７】一部の実施形態の転送トランジスタのゲート長を説明する図。
【発明を実施するための形態】
【０００８】
添付の図面を参照しつつ本発明の実施形態について以下に説明する。様々な実施形態を通じて同様の要素には同一の参照符号を付して重複する説明を省略する。以下の説明においては、電荷が電子である場合を説明するが、これに限られるものではなく、各実施形態は適宜変更、組み合わせが可能である。
【０００９】
図１を参照しつつ、一部の実施形態に係る固体撮像装置１００の構成例について説明する。図１（ａ）は、固体撮像装置１００全体の各構成要素のレイアウト図である。固体撮像装置１００は、画素アレイ１１０と、駆動回路１２０と、出力回路１３０と、電源１４０とを有しうる。画素アレイ１１０には複数の画素１１１がアレイ状に配されている。駆動回路１２０は画素１１１の動作を制御するための制御信号を、駆動線１１２を通じて画素１１１に供給する。出力回路１３０は画素１１１で生成された画素信号を、信号線１１３を通じて読み出して外部へ出力する。電源１４０は駆動回路１２０に電力を供給する。
【００１０】
固体撮像装置１００は複数の駆動線１１２を有しており、いずれの駆動線１１２も駆動回路１２０に接続されている。それぞれの駆動線１１２は行方向（図の横方向）に延びており、行方向に並んだ複数の画素１１１に共通に接続されている。また、固体撮像装置１００は複数の信号線１１３を有しており、いずれの信号線１１３も出力回路１３０に接続されている。それぞれの信号線１１３は列方向（図の縦方向）に延びており、列方向に並んだ複数の画素１１１に共通に接続されている。
【００１１】
画素１１１は光電変換素子と転送トランジスタとを有していればどのような構成であっても本発明を適用可能である。図１（ｂ）の等価回路図を参照しつつ、そのような構成の一例を説明する。画素１１１は、光電変換素子の一例であるフォトダイオードＰＤと、転送トランジスタＴＴと、リセットトランジスタＲＴと、増幅トランジスタＡＴとを有しうる。これらのトランジスタは例えばＭＯＳトランジスタである。転送トランジスタＴＴの一方の主電極はフォトダイオードＰＤに接続されており、他方の主電極はフローティングディフュージョン領域ＦＤ（以下、ＦＤ領域ＦＤ）に接続されており、ゲートは駆動線１１２に接続されている。リセットトランジスタＲＴの一方の主電極にはリセット電圧が供給され、他方の主電極はＦＤ領域ＦＤに接続されており、ゲートにはリセット信号ＲＳＴが供給される。増幅トランジスタＡＴの一方の主電極には電源電圧が供給され、他方の主電極は信号線１１３に接続されており、ゲートはＦＤ領域ＦＤに接続されている。フォトダイオードＰＤに入射した光は電荷に変換され、転送トランジスタＴＴがオンになることによって、ＦＤ領域ＦＤに転送される。その後、ＦＤ領域ＦＤの電位が増幅トランジスタＡＴによって増幅されて画素信号として読み出される。ＦＤ領域ＦＤの電位はリセットトランジスタＲＴがオンになることによってリセットされる。なお、画素１１１は、別のフォトダイオードＰＤと別の転送トランジスタＴＴを更に有していてもよい。また、１つの画素のリセットトランジスタＲＴや増幅トランジスタＡＴ等は、別の画素と共有される場合もありうる。
【００１２】
画素アレイ１１０は、画素加算トランジスタを含んでもよい。例えば、画素加算トランジスタは、隣接する２つの画素１１１のＦＤ領域ＦＤを接続するように配される。画素加算トランジスタを動作させるためには、リセットトランジスタＲＴの電位と、画素加算トランジスタの電位との電位差を大きくすることになる。そこで、ＦＤ領域ＦＤにかかる電位を小さくする場合がある。ＦＤ領域ＦＤの電位の低下により、シェーディングが発生しやすい状況が生じる。
【００１３】
続いて、図２を参照しつつ、駆動線１１２を流れる制御信号の波形について説明する。駆動線１１２のうち駆動回路１２０に近い位置２０１を流れる制御信号の波形では、電圧が垂直に立ち下がっている。駆動線１１２のうち中頃の位置２０２を流れる制御信号の波形では、ＩＲドロップの影響により、電圧の立下りがなだらかになる。駆動線１１２のうち駆動回路１２０に遠い位置２０３を流れる制御信号の波形では、電圧の立下りがさらになだらかになる。このように、駆動線１１２を流れる制御信号は、駆動回路１２０からの距離が遠くなるほど、電圧の立下りがなだらかになる。その結果として、転送トランジスタＴＴがオンからオフへ移行した後のＦＤ領域ＦＤに存在する電子の量が画素１１１ごとにばらついてしまう。この電子の量ばらつきに起因して、固体撮像装置１００で得られる画像にシェーディングが発生する。
【００１４】
発明者は、このばらつきが、転送トランジスタＴＴがオンからオフへ移行する際の電圧の立下りに応じてフォトダイオードＰＤとＦＤ領域ＦＤとの間のチャネルに位置する電子のＦＤ領域ＦＤに入る量が変わることに起因することを見出した。また、発明者は、この電子の量は転送トランジスタＴＴの駆動力にも依存することを見出した。転送トランジスタＴＴの駆動力とは、転送トランジスタＴＴが単位時間当たりに流すことが可能な電流量に関する能力のことである。転送トランジスタＴＴの駆動力は、転送トランジスタＴＴのゲートＧＴのうちチャネル領域を覆う部分の大きさに依存する。転送トランジスタＴＴのゲートＧＴのうちチャネル領域を覆う部分のチャネル長方向の長さはゲート長と呼ばれる。ゲート長が短いほど、単位時間当たりに流れる電流量が増加し、転送トランジスタＴＴの駆動力が増加する。また、転送トランジスタＴＴのゲートＧＴのうちチャネル領域を覆う部分のチャネル幅方向の長さはゲート幅と呼ばれる。ゲート幅が長いほど、単位時間当たりに流れる電流量が増加し、転送トランジスタＴＴの駆動力が増加する。なお、チャネル領域は、平面視において、素子分離が設けられておらず、素子分離で囲まれた活性領域とゲート電極が設けられている領域である。
【００１５】
そこで、一部の実施形態では、画素１１１の転送トランジスタＴＴのゲート長を調整することによって、制御信号の波形の変化に起因するシェーディングを低減する。具体的に、駆動回路１２０からの距離が遠い画素１１１の転送トランジスタＴＴほど駆動力が低くなるようにする。駆動回路１２０から画素１１１までの距離は、直線距離によって規定されてもよいし、駆動線１１２のうち駆動回路１２０と画素１１１とを接続する部分の長さによって規定されてもよい。このような構成によって、駆動回路からの距離に応じて生じるシェーディングを低減することが可能となる。
【００１６】
図３を参照しつつ、一部の実施形態について、駆動回路１２０から異なる距離にある２つの画素の転送トランジスタＴＴの構成について説明する。図３では、転送トランジスタＴＴのゲート長を調整することによって、転送トランジスタＴＴの駆動力を調整する。図３の上側の図は、駆動回路１２０からの距離が遠い画素１１１ａ（図２）の一部に着目した模式平面図であり、フォトダイオードＰＤａ、ＦＤ領域ＦＤａ及び転送トランジスタのゲートＧＴａが示されている。図３の下側の図は、駆動回路１２０からの距離が中程度である画素１１１ｂ（図２）の一部に着目した模式平面図であり、フォトダイオードＰＤｂ、ＦＤ領域ＦＤｂ及び転送トランジスタのゲートＧＴｂが示されている。図３に示すように、画素１１１ａの転送トランジスタのゲートＧＴａのゲート長Ｌａは、画素１１１ｂの転送トランジスタのゲートＧＴｂのゲート長Ｌｂよりも長い。図３の例では、ゲートＧＴａ、ＧＴｂのうち、ＦＤ領域ＦＤａ、ＦＤｂ側の縁の位置が同じであり、フォトダイオードＰＤａ、ＰＤｂ側にある縁の位置が異なっている。しかし、ゲート長を調整できれば、チャネルが形成される領域の形状が図３の例とは異なる形状であってもよい。
【００１７】
画素アレイ１１０に含まれる複数の画素１１１は、駆動回路１２０から各画素までの距離に基づいて、それぞれが個別のゲート長を有していてもよい。これに代えて、画素アレイ１１０に含まれる複数の画素１１１は、駆動回路１２０から各画素までの距離に基づいて複数のグループに分割されていてもよく、グループごとに異なるゲート長を有していてもよい。図４（ａ）の例では、駆動回路１２０からの距離に応じて、画素アレイ１１０が４つの矩形の領域４０１〜４０４に分割されており、各領域４０１〜４０４に含まれる画素がグループを構成する。領域４０１が駆動回路１２０の最も近くに位置し、領域４０２、４０３、４０４の順に駆動回路１２０から遠くなる。そのため、領域４０１に含まれる画素１１１の転送トランジスタＴＴのゲート長が最も短く、領域４０２、４０３、４０４の順に画素１１１の転送トランジスタＴＴのゲート長が長くなる。同一の領域に含まれる複数の画素１１１の転送トランジスタＴＴは、何れも同じゲート長を有してもよい。隣接する領域のゲート長の差は０．０２μｍ刻みであってもよい。例えば、領域４０１に含まれる画素のゲート長と領域４０２に含まれる画素のゲート長との差は０．０２μｍであってもよい。
【００１８】
一部の実施形態では、画素のグループの個数が同一の駆動線に接続された画素の個数（すなわち、画素列の本数）よりも少ない。この場合には、同一の駆動線に接続された２つ以上の画素１１１が同じグループに含まれることになり、同じゲート長を有することになる。他の実施形態では、画素列ごとに画素のグループを構成してもよい。この場合には、同一の駆動線１１２に接続される画素は互いに異なるグループに含まれることになり、互いに異なるゲート長を有することになる。
【００１９】
図４（ａ）の例では、画素アレイ１１０を矩形の領域に分割したが、それ以外の形状で分割してもよい。駆動線１１２を流れる制御信号の波形の変化は、駆動回路１２０と画素１１１との距離だけではなく、電源１４０と駆動線１１２との距離にも依存する場合がある。例えば、電源１４０からの距離が遠い駆動線１１２に流れる制御信号ほど、波形の変化（波形の鈍り）が大きくなる。そこで、図４（ｂ）の例では、駆動回路１２０から等距離にある２以上の画素１１１（すなわち、同じ画素列に含まれる画素１１１）であっても、電源１４０から遠くに位置する駆動線１１２に接続された画素１１１ほど転送トランジスタＴＴのゲート長が長い。すなわち、領域４１１に含まれる画素１１１の転送トランジスタＴＴのゲート長が最も短く、領域４１２、４１３、４１４の順に画素１１１の転送トランジスタＴＴのゲート長が長くなる。それぞれの領域のゲート長の差は図４（ａ）の例と同様に０．０２μｍ刻みであってもよい。図４の例では画素アレイ１１０を４つの領域に分けたが、２つ以上の領域であればいくつに分割してもかまわない。
【００２０】
図５を参照しつつ、一部の実施形態における画素のグループの構成について説明する。図５は、互いに隣接する２つの領域５０１、５０２の境界付近における拡大図である。図４（ａ）のように、隣接する領域同士の境界が直線である場合に、固体撮像装置１００から得られた画像において、この境界部分が目立つ場合がある。そこで、図５の例では、領域５０１と領域５０２との境界において画素１１１が櫛状に配され、領域５０１と領域５０２とが相互に入り込んでおり、この境界が凹凸を有する。その結果、駆動回路１２０から等距離にある複数の画素（図５の直線５０３上にある画素）は、１以上の画素ごとに、領域５０１に含まれる画素と領域５０２に含まれる画素とが交互に現れる。これにより、固体撮像装置１００で得られた画像において、領域の境界を目立たなくすることができる。領域５０１と領域５０２との間の境界の形状は図５に示すような直交するものだけでなく、波状となっていてもよいし、他の形状を有していてもよい。また、画素アレイ１１０が領域の境界を複数有する場合に、図５に示す形状を一部の境界のみが有していてもよいし、すべての境界が有していてもよい。
【００２１】
続いて、図６を参照しつつ、固体撮像装置１００の製造方法について説明する。Ｓ６０１で、テスト用の固体撮像装置における転送トランジスタのゲートを作製するためのテスト用のマスクを作製する。例えば、このマスクでは、すべての画素のゲート長を等しくする。その後、Ｓ６０２で、テスト用の固体撮像装置を製造する。テスト用の固体撮像装置の転送トランジスタのゲートは、Ｓ６０１で作製したテスト用のマスクを用いて製造される。テスト用の固体撮像装置は、光電変換素子と転送トランジスタとを有する画素を形成できればどのような方法で製造してもよく、例えば既存の方法で製造してもよいので、その説明を省略する。
【００２２】
その後、Ｓ６０３で、テスト用の固体撮像装置の各画素において発生するシェーディング量を測定する。シェーディング量とは、画素において発生するシェーディングの度合いを表す量であり、例えば均一な光をテスト用の固体撮像装置に照射した場合に得られる各画素の画素信号に基づいて決定される。
【００２３】
その後、Ｓ６０４で、シェーディング量に基づいて製品用の固体撮像装置の各画素の転送トランジスタのゲート長を決定する。ゲート長は、個別の画素について決定されてもよいし、画素のグループごとに決定されてもよい。例えば、シェーディング量とゲート長とを１対１に対応させてもよい。これに代えて、シェーディング量を複数の範囲に分割して、各範囲に含まれる画素に同一のゲート長を設定する。例えば、シェーディング量が１５以上である画素を第１グループとし、第１グループに含まれる画素に同じゲート長を設定する。第１グループの画素は例えば図４（ａ）の領域４０１に位置する画素でありうる。次に、シェーディング量が１０以上１５未満である画素を第２グループとする。第２グループの画素は例えば図４（ａ）の領域４０２に位置する画素でありうる。次に、シェーディング量が５以上１０未満である画素を第３グループとする。第３グループの画素は例えば図４（ａ）の領域４０３に位置する画素でありうる。最後に、シェーディング量が０以上５未満である画素を第４グループとする。第４グループの画素は例えば図４（ａ）の領域４０４に位置する画素でありうる。
【００２４】
その後、Ｓ６０５で、製品用の固体撮像装置における転送トランジスタのゲートを作製するための製品用のマスクを作製する。製品用のマスクは、Ｓ６０４で決定された転送トランジスタのゲート長に従って製造される。その後、Ｓ６０６で、製品用の固体撮像装置を製造する。製品用の固体撮像装置の転送トランジスタのゲートは、Ｓ６０５で作製した製品用のマスクを用いて作製される。製品用の固体撮像装置は、光電変換素子と転送トランジスタとを有する画素を形成できればどのような方法で製造してもよく、例えば既存の方法で製造してもよいので、その説明を省略する。以上の方法によって、上述の固体撮像装置１００のような、シェーディングの発生を抑制可能な固体撮像装置が製造される。
【００２５】
続いて、図７を参照しつつ、図３とは異なる実施形態について、駆動回路１２０から異なる距離にある２つの画素の転送トランジスタＴＴの構成について説明する。図７では、転送トランジスタＴＴのゲート幅を調整することによって、転送トランジスタＴＴの駆動力を調整する。図７においても、図３と同様に、上側の図において駆動回路１２０からの距離が遠い画素１１１ａ（図２）の一部に着目し、下側の図において駆動回路１２０からの距離が中程度である画素１１１ｂ（図２）の一部に着目する。
【００２６】
図７に示すように、画素１１１ａの転送トランジスタＴＴのゲートＧｔａのゲート幅Ｗａは、画素１１１ｂの転送トランジスタＴＴのゲートＧＴｂのゲート幅Ｗｂよりも短い。図７の例では、画素１１１ａにおいて、ゲート幅ＷａとＦＤ領域ＦＤａの幅Ｙａとが互いに等しく、画素１１１ｂにおいて、ゲート幅ＷｂとＦＤ領域ＦＤｂの幅Ｙｂとが互いに等しい。そのため、ＦＤ領域ＦＤａの面積とＦＤ領域ＦＤｂの面積とが互いに等しくなるように、ＦＤ領域ＦＤａの長さＸａがＦＤ領域ＦＤｂの長さＸｂよりも長くなるように画素が形成される。これによって、ＦＤ領域の静電容量が同程度となる。転送トランジスタＴＴのゲート幅とＦＤ領域の幅とが互いに異なるように形成される場合には、画素１１１ａと画素１１１ｂとにおいて、ＦＤ領域の長さが互いに等しくてもよい。
【００２７】
図３の構成について図４〜図６を参照して説明した変形例や製造方法は、図７の構成についても、ゲート長をゲート幅に置き換えることによって、同様に適用できる。例えば、図４の例では、隣り合うグループに含まれる転送トランジスタＴＴのゲート長を０．０２μｍ単位に切り替えたが、この代わりに、ゲート幅を０．０５μｍ単位に切り替えてもよい。
【００２８】
上記の各実施形態の固体撮像装置の駆動力の変更方法として、ゲート長および／またはゲート幅を変更する方法を説明したが、その他の手法を適用してもよい。
【００２９】
以下、上記の各実施形態に係る固体撮像装置の応用例として、この固体撮像装置が組み込まれたカメラについて例示的に説明する。カメラの概念には、撮影を主目的とする装置のみならず、撮影機能を補助的に有する装置（例えば、パーソナルコンピュータ、携帯端末等）も含まれる。カメラは、上記の実施形態として例示された本発明に係る固体撮像装置と、この固体撮像装置から出力される信号を処理する信号処理部とを含む。この信号処理部は、例えば、Ａ／Ｄ変換器と、このＡ／Ｄ変換器から出力されるデジタルデータを処理するプロセッサとを含みうる。
【符号の説明】
【００３０】
１００  固体撮像装置、１１０  画素アレイ、１１１  画素、１１２  駆動線、１１３  信号線、１２０  駆動回路、１３０  出力回路、１４０  電源
【図１】
2015062275.tif 000003
【図２】
2015062275.tif 000004
【図３】
2015062275.tif 000005
【図４】
2015062275.tif 000006
【図５】
2015062275.tif 000007
【図６】
2015062275.tif 000008
【図７】
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