(57)【要約】      （修正有）【課題】材料の自動切削の際に均一な厚さの物体の生成及び走査領域の物体表面における回転が容易に行える方法を提供する。【解決手段】物体１６上の、複数の走査線ＲＺ１〜ＲＺ４を有する走査領域ＲＢ１を決定するステップと、粒子ビームを複数の走査線ＲＺ１〜ＲＺ４の内の一つに沿って第１走査方向Ａに移動させるステップと、第１走査方向Ａから第２走査方向Ａ’へと方向変換させるステップとを含み、粒子ビームが方向変換時に位置する走査領域ＲＢ１の走査線ＲＺ４に回転点Ｐ１を設定するステップを含み、回転軸Ａ１は回転点Ｐ１を通って延在し、走査領域ＲＢ１を回転軸Ａ１の周りに回転させることによって第１走査方向Ａを第２走査方向Ａ’に変更する。【選択図】図５
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくとも一つの粒子ビームによって物体（１６）を処理及び／又は観察する方法であって、前記粒子ビームは前記物体（１６）を走査し、該方法は、
・前記物体（１６）上に複数の走査線（ＲＺ１〜ＲＺ４）を有する走査領域（ＲＢ１）を決定するステップと、
・前記粒子ビームを、前記複数の走査線（ＲＺ１〜ＲＺ４）の内の一つに沿って、第１走査方向（Ａ）に移動させるステップと、
・方向変換時に、第１走査方向（Ａ）を第２走査方向（Ａ’）に変化させるステップとを含み、
・第１走査方向（Ａ）を第２走査方向（Ａ’）に変化させるステップは、前記粒子ビームが方向変換時に位置する、前記走査領域（ＲＢ１）の前記走査線（ＲＺ４）に回転点（Ｐ１）を設定するステップを含み、回転軸（Ａ１）は前記回転点（Ｐ１）を通って延在し、
・前記第１走査方向（Ａ）を、前記走査領域（ＲＢ１）を前記回転軸（Ａ１）の周りに回転させることによって前記第２走査方向（Ａ’）に変更し、前記回転点（Ｐ１）を回転方向に依存して選択する方法。
【請求項２】
請求項１に記載の方法において、前記回転点（Ｐ１）を、前記回転軸（Ａ１）が前記物体（１６）の表面に垂直に配向されるように設定する方法。
【請求項３】
請求項１又は２に記載の方法において、前記複数の走査線（ＲＺ１〜ＲＺ４）の各走査線（ＲＺ１〜ＲＺ４）がそれぞれ第１走査線端（Ｐ１）及び第２走査線端を含み、前記粒子ビームが方向変換時に位置する前記走査線（ＲＺ１〜ＲＺ４）の前記第１走査線端又は前記第２走査線端を前記回転点（Ｐ１）として設定する方法。
【請求項４】
請求項３に記載の方法において、
・時計回りの場合、前記第１走査線端を前記回転点（Ｐ１）として設定し、
・反時計回りの場合、前記第２走査線端を前記回転点として設定する方法。
【請求項５】
請求項１〜４の何れか一項に記載の方法において、前記粒子ビームを、前記走査領域（ＲＢ１）の前記第１走査方向（Ａ）から前記第２走査方向（Ａ’）への回転後、前記粒子ビームが前記方向変換時に位置する走査線（ＲＺ４）を横切らないように移動させる方法。
【請求項６】
請求項１〜５の何れか一項に記載の方法において、以下のステップ、すなわち、
・前記粒子ビームが前記走査領域（ＲＢ１）上を移動する速度を設定するステップを更に含む方法。
【請求項７】
請求項１〜６の何れか一項に記載の方法において、以下のステップ、すなわち、
・前記粒子ビームを前記走査線（ＲＺ１〜ＲＺ４）の内の一つに沿って移動させる回数を設定するステップを更に含む方法。
【請求項８】
請求項１〜７の何れか一項に記載の方法において、
・前記粒子ビームを第１粒子ビームとして具現化し、これによって前記走査領域（ＲＢ１）を処理し、
・前記物体（１６）を第２粒子ビームによって観察する方法。
【請求項９】
請求項８に記載の方法において、イオンビームを前記第１粒子ビームとして使用し、電子ビームを前記第２粒子ビームとして使用する方法。
【請求項１０】
請求項８に記載の方法において、イオンビームを前記第１粒子ビームとして使用し、イオンビームを前記第２粒子ビームとして使用する方法。
【請求項１１】
プログラムコードを有するコンピュータプログラム製品であって、該プログラム製品はプロセッサ（４８）にロードされ得、実行される際、粒子ビーム装置を制御して該装置が請求項１〜１０に記載する少なくとも一つの方法を実行するようにするプログラム製品。
【請求項１２】
粒子ビーム装置（１）であって、
・粒子ビームを生成する少なくとも一つのビーム発生器（２７）と、
・前記粒子ビームを物体（１６）に集光させる少なくとも一つの対物レンズ（３１）と、
・請求項１１に記載のコンピュータプログラム製品がロードされた少なくとも一つのプロセッサ（４８）を備える、少なくとも一つの制御部（４７）とを含む粒子ビーム装置（１）。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本方法は、物体を処理及び／又は観察する方法、及び当該方法を実行することのできる粒子ビーム装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
粒子ビーム装置は、一定条件下における物体（以下において試料とも称する）の特性及び挙動に関する知識を取得するため、長年に亘ってすでに使用されてきた。電子ビーム装置、特に走査型電子顕微鏡（以下においてＳＥＭとも称する）又は透過型電子顕微鏡（以下においてＴＥＭとも称する）は、これらの粒子ビーム装置の一つである。
【０００３】
ＳＥＭの場合、電子ビーム（以下において一次電子ビームとも称する）はビーム発生器によって生成され、ビーム誘導システム、特に対物レンズによって、被検査試料に集光される。偏向装置により、一次電子ビームはラスター方式で被検査試料の表面に誘導される。ここで、一次電子ビーム電子は被検査試料の材料と相互作用する。特に相互作用粒子が相互作用の結果として生成される。例えば、電子（いわゆる二次電子）は被検査試料の表面から放出され、一次電子ビーム電子（いわゆる後方散乱電子）は後方に散乱される。二次電子及び後方散乱電子は検出され、像を生成するために使用される。このようにして、被検査試料の表面の像が得られる。
【０００４】
更に、従来技術によれば、試料の検査及び／又は処理のための組み合わせ装置を使用して、電子とイオンの両方を被検査試料及び／又は被処理試料に誘導する手法が開示されている。例えば、イオンビームカラムを有するＳＥＭを更に備える手法が知られている。結像のため、試料などの処理（例えば、試料の表面の切削又は材料の試料への塗布）に使用されるイオンは、イオンビームカラムに配置されたイオンビーム発生器によって生成される。この場合、ＳＥＭは特に処理（すなわち、試料の調製）の観察を行うが、未調整及び／又は調製済み試料の更なる検査も行う。
【０００５】
例えば、上述の組み合わせ装置により、ＴＥＭ薄膜形態の被検査試料（すなわち、被分析資料）を生成することが可能である。ＴＥＭ薄膜は、ＴＥＭによってより詳細に検査されることのできる領域を含む。例えば、この領域はターゲット領域と称される。例えば、ＴＥＭ薄膜を生成するために、イオンビームは、ターゲット領域を含むＴＥＭ薄膜が露光されるように、ターゲット領域の周りに配置された領域を切削するために使用される。
【０００６】
ＴＥＭにおいて、ＴＥＭの光学軸に沿って延びる一次電子ビームは、ＴＥＭ薄膜のターゲット領域を通過する。例えば、ＴＥＭ薄膜のターゲット領域を透過（すなわち通過）する一次電子ビームの電子は、検出器によって検出される。検出器は検出信号を提供し、これは評価され、ターゲット領域の分析に使用される。
【０００７】
一次電子ビーム電子のターゲット領域への良好な透過を得るには、ＴＥＭ薄膜が、少なくともターゲット領域において、ほぼ同じ範囲（extent）、正確には、一次電子ビームのビーム方向及び／又はＴＥＭの光学軸の方向において見られるような範囲を有することが望ましい。これにより、一次電子ビーム電子のターゲット領域を通る十分に良好な透過が促進される。別の言い方をすれば、ＴＥＭ薄膜は、少なくともターゲット領域において、一次電子ビームのビーム方向及び／又はＴＥＭの光軸方向において具現化された均一な厚さを有する。
【０００８】
先ず、一次電子ビームのビーム方向（又はＴＥＭの光軸の方向）においてＴＥＭ薄膜の均一な厚さを得るため、そして次にＴＥＭ薄膜がターゲット領域を十分に取り囲むようにＴＥＭ薄膜を具現化するために、ＴＥＭ薄膜が上述の組み合わせ装置によって生成できる方法を従来技術では開示している。図１を参照してこれを以下に詳述する。先ず、被検査試料Ｏの表面においてターゲット領域ＺＢを識別するために、ＳＥＭを使用する。ここで、試料Ｏの表面における走査領域ＲＢを、ターゲット領域ＺＢからの選択可能な距離、例えば数マイクロメータの距離において選択する。走査領域ＲＢは、例えば相互に平行に配置される複数の走査線から成る。各走査線は複数の走査点Ｐを含む。図１は走査領域ＲＢの３つの走査線、すなわち第１走査線ＲＺ１、第２走査線ＲＺ２及び第３走査線ＲＺ３を例示的に示す。
【０００９】
ここで走査領域ＲＢをイオンビームによって処理する。これをＳＥＭによって観察する。図１に示す例示的な実施形態において、走査領域ＲＢをイオンビームによって露光する。換言すれば、走査領域ＲＢによって取り囲まれる試料Ｏの材料を切削する。材料の切削は専門用語の「ミリング（milling）」でも知られる。材料は、イオンビームを先ず矢印方向ＰＡに各走査線ＲＺ１〜ＲＺ３まで誘導し、次に矢印方向ＰＢに、各走査線ＲＺ１〜ＲＺ３に沿って各走査点Ｐまで連続して誘導して切削する。走査領域ＲＢは、イオンビームの矢印方向ＰＡへの連続的な動き及び上述における材料切削の結果、ターゲット領域ＺＢに接近する。従って、試料Ｏの材料から作られたＴＥＭ薄膜を、ターゲット領域ＺＢの周囲の材料を切削することによって露光し、例えば、試料ＯからＴＥＭ薄膜を離し、例えばそれをＴＥＭでより詳しく検査することが可能である。  
【００１０】
図１の観察から、矢印方向ＰＡへの連続動作の場合、走査領域ＲＢがターゲット領域ＺＢに平行に配列されていないことが明らかになる。しかしながら、この平行な配列は、少なくともターゲット領域ＺＢにおいて、できる限り均一なＴＥＭ薄膜の範囲を得るために望ましい。走査領域ＲＢをターゲット領域ＺＢに平行に配列させるために、走査領域ＲＢを軸１００の周りを回転させる手法が開示されている。軸１００は予め固定され（fixedly predetermined）、試料Ｏの表面の点を通過する。軸１００は組み合わせ装置におけるイオンビームカラムの光軸に対応する。走査領域ＲＢはその後、いわゆるイオンビームの走査回転により、軸１００の周りを回転する。ここで、走査方向はイオンビームカラムの２つの偏向素子によって回転され、これらの偏向素子は、対象を絞って（in a targeted manner）作用するイオンビームを偏向するために提供される。従って、イオンビームをＸ方向に偏向させる第１偏向要素が、Ｘ方向の制御電圧に加え、Ｙ方向の制御電圧の成分によって駆動されるようになっている。更に、イオンビームをＹ方向に偏向させる第２偏向素子は、Ｙ方向の制御電圧に加え、Ｘ方向の制御電圧の成分によって駆動される。ここで、個々の偏差システムにかかる制御電圧の成分は、大抵、正弦／余弦方法による回転角度αを考慮して決定される。ここで、第１偏向システムＶ１の制御電圧は、Ｘ方向の制御電圧Ｖｘ及びＹ方向の制御電圧Ｖｙにより、Ｖ１＝Ｖｘ ｃｏｓα−Ｖｙ ｓｉｎαより計算される。第２偏向システムＶ２の制御電圧は、Ｙ方向の制御電圧Ｖｙ及びＸ方向の制御電圧Ｖｘにより、Ｖ２＝Ｖｘ ｓｉｎα＋Ｖｙ ｃｏｓαより計算される。走査領域ＲＢが軸１００（図１参照）からの距離にある場合、イオンビームの走査領域ＲＢは、走査回転を実行する場合、その原位置から離れ、ＳＥＭの観察領域から出てしまう可能性がある。従って、イオンビームは先ず走査領域ＲＢに再度戻される。これはいわゆる「ビームシフト」によって得られ、これによってイオンビームは並進運動によって元の走査領域ＲＢに再度戻される。
【００１１】
この既知の方法は２つの調整可能な段階、すなわち、最初の走査回転及び次のビームシフトのために複雑である。従って、特に走査領域ＲＢのターゲット領域ＺＢへの平行接近を容易に行うことができ、特にターゲット領域ＺＢにおいてＴＥＭ薄膜が均一な厚さで具現化できる方法を特定することが望ましい。
【００１２】
更なる従来技術に関しては、材料の自動切削の方法を開示した、米国出願特許公報第８３５０２３７Ｂ２号明細書（特許文献１）を参照されたい。
【先行技術文献】
【特許文献】
【００１３】
【特許文献１】米国出願特許公報第８３５０２３７Ｂ２号明細書
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１４】
従って本発明は物体を処理及び／又は観察する方法を特定するという目的に基づいたものであり、この方法により、均一な厚さの物体の生成及び走査領域の物体表面における回転が容易に行えるようになる。
【課題を解決するための手段】
【００１５】
本発明によれば、この目的は請求項１の特徴を含む方法によって達成される。本発明に係るコンピュータプログラム製品は、請求項１１の特徴によって特定される。このようなコンピュータプログラム製品を有するプロセッサを備える粒子ビーム装置は、請求項１２の特徴によって特定される。本発明の更なる特徴は、更なる記載、添付の請求項の範囲及び／又は添付の図面から明らかとなる。
【００１６】
本発明によれば、荷電粒子を有する少なくとも一つの粒子ビームによって物体を処理及び／又は観察する方法が提供され、この方法において、粒子ビームは物体を走査する。本発明による方法は、物体上の走査領域を決定するステップを含み、走査領域は複数の走査線を有する。例えば、走査線は互いに平行に配置され、例えば各々において、直線として具現化される。しかしながら、本発明は走査線の平行な配置に限定されない。むしろ、本発明においては、走査線の任意の配列が提供される。更に、本発明は複数の走査線の使用に限定されず、走査領域は単一の走査線のみを含むこともできる。一つ又は複数の走査線の形状は任意の適切なやり方によって選択することもできる。例えば、一つ又は複数の走査線はらせん状に具現化させることができる。
【００１７】
本発明による方法において、粒子ビームを複数の走査線の内の一つに沿って第１走査方向に移動させる。方向変換時において、第１走査方向を第２走査方向に変更する。別の表現では、粒子ビームは走査方向をある時、つまり方向変換時に変化させる。第１走査方向を第２走査方向へ変更するステップは、粒子ビームが方向変換時に位置する走査領域の走査線へ回転点を設定するステップを含み、この場合、その回転点を通って回転軸が延在する。走査領域を回転軸の周りに回転させることにより、第１走査方向を第２走査方向に変化させ、回転点の場所（すなわち回転点の位置）を回転方向によって選択する。
【００１８】
原理上、第１走査方向は、第１走査方向に対応する第１方向によって特徴付けられる第１ベクトルである。回転前、第１走査方向は複数の走査線の各走査線に垂直に、又はほぼ垂直に配置される。
【００１９】
原理上、第２走査方向は、第２走査方向に対応する第２方向によって特徴付けられる第２ベクトルである。走査領域の回転後、第２走査方向は複数の走査線の各走査線に垂直に、又はほぼ垂直に配置される。
【００２０】
これにより、既知の従来技術とは対照的に、物体の表面上の回転点及び、従って、回転軸を固定的に予め定めず、むしろこれらは変更時に適切な方法によって選択する。よって、回転点及び回転軸を回転方向によって選択する。例えば、走査領域を回転させる際、回転点の設置する走査線を物体の領域に第１走査方向に変位させないようにする。むしろ、例えば、この走査線を、回転後、第１走査方向と反対の方向に変位させるようにする。これは回転点の適切な選択によって可能となる。別の表現では、回転点及び回転軸を、走査領域における走査線の走査点が、走査領域の回転前に粒子ビームによって走査された走査線の走査点よりも、走査領域の回転後の物体のターゲット領域から更に離れるように選択する。特別な例示的実施形態を以下に更に説明する。
【００２１】
回転点及び回転軸を設定することにより、本発明による方法では、特に、物体の被検査及び／又は被処理ターゲット領域の配置されたＴＥＭ薄膜が、簡単かつ十分に良好な方法で確実に生成されるようにする。特に、簡単な方法で、ＴＥＭ薄膜を生成する材料が切削された走査領域を、ターゲット領域にできるだけ平行に移動させることが可能である。更に、ＴＥＭ薄膜が、分析粒子ビーム、例えばＴＥＭ内の一次電子ビームの方向に、ターゲット領域において、できるだけ均一な範囲を確実に有することができる。
【００２２】
例えば、本発明は、回転点の位置を、回転後、ＴＥＭ薄膜に損傷のないように走査領域が連続して走査されるように常に選択できるようにする。
【００２３】
本発明に係る方法は、ＴＥＭ薄膜の生成に限定されない。むしろ本発明に係る方法は、任意の物体の処理及び／又は観察及び／又は分析に適切である。特に、本発明に係る方法は、物体の断面の調製に適切である。
【００２４】
本発明に係る方法の一実施形態において、追加的又は代替的に、回転点は、回転軸が物体の表面に垂直に配向されるように設定される。更なる実施形態において、回転軸は、物体の表面から０°又は１８０°異なる角度を含む。
【００２５】
本発明に係る方法の更なる実施形態において、追加的又は代替的に、複数の走査線の各走査線はそれぞれ第１走査線端及び第２走査線端を含む。この例示的実施形態において、方向変換時に粒子ビームの位置する走査線の第１走査線端又は第２走査線端を、回転点として設定する。本発明に係る方法の更なる実施形態において、追加的又は代替的に、時計回り回転の場合、第１走査線端を回転点として設定する。時計回り回転（すなわち右回転）の場合、第１走査線端を回転点として、走査線の左手端部に設定する。この代替として、反時計回りの場合、第２走査線端を回転点として設定する。更に、反時計回り回転（すなわち左回転）の場合、第２走査線端を回転点として、走査線の右手端部に設定する。特に、本発明に係る方法の上述の実施形態により、回転点の位置する走査線が、走査領域の回転の場合、第１走査方向に、物体の領域に確実に変位しないようになる。回転の結果、走査線は第１走査方向と反対の方向に変位する。
【００２６】
本発明に係る方法の更なる実施形態は、走査発生器に供給される走査領域の走査点の群又は一部分を表す入力信号の概念に基づき、これにより、粒子ビームは走査線に沿って誘導される。そして粒子ビームは座標によって与えられる走査点の群又は一部分に沿って誘導される。第１群又は第１部分の座標に粒子ビームが一度だけ誘導されると、走査点の更なる座標で第２群又は第２部分を表す更なる入力信号が、走査発生器に利用できるようになる。粒子ビームもこの時第２群の走査点の座量に誘導される。例えば、ＴＥＭ薄膜の生成中に走査領域の方向変換が必要であると決定された場合、回転点及び回転軸は、本発明に係る方法の例示的実施形態において、回転方向のみでなく、走査領域における粒子ビームによる走査の進捗によって選択する。本発明に係る方法の一例示的実施形態において、粒子ビームが第２群の走査点に誘導された後、時計回り方向に走査領域を回転する場合、回転点として第１群の第１走査点を設定する。反時計回り回転がある場合、例えば、第２群の最後の走査点を回転点として設定する。
【００２７】
本発明に係る方法の一実施形態において、追加的又は代替的に、走査領域の第１走査方向から第２走査方向への回転後、粒子ビームが方向変換時に位置する走査線に粒子ビームが交差しない様に粒子ビームが移動できる。別の表現では、走査領域の第１走査方向から第２走査方向への回転後の粒子ビームの移動は、走査領域の回転前に走査領域をすでに通過した回転点の位置する走査線に粒子ビームが再び通過せずに、新しい走査線上を粒子ビームが実質的に移動するように継続させる。例えば、新しい走査線は回転点の位置する走査線から離れている。別の表現では、走査領域の回転後、例えば、回転後の新しい走査線を、回転前の走査線から離して配置する。この代替として、新しい走査線を、回転点の位置する走査線に接触するが横切らないように配置する。
【００２８】
本発明に係る方法の更なる例示的実施形態において、追加的又は代替的に、粒子ビームが走査領域上を移動する速度を設定するステップを更に含む。追加的又は代替的に、粒子ビームを走査線の内の一つに沿って誘導する回数を設定することができる。例えば、粒子ビームを走査線の内の一つに何度も誘導するようにする。
【００２９】
例えば、本発明に係る方法は組み合わせ装置で使用することができ、この組み合わせ装置は、荷電第１粒子を有する第１粒子ビーム及び荷電第２粒子を有する第２粒子ビームを提供する。本発明に係る方法の一例示的実施形態において、追加的又は代替的に、粒子ビームを、走査領域を処理する第１粒子ビームとして具現化する。更に、物体を第２粒子ビームによって観察する。 特に、イオンビームを第１粒子ビームとして使用し、電子ビームを第２粒子ビームとして使用する。この代替として、イオンビームを第２粒子ビームとして使用する。
【００３０】
本発明はまた、プロセッサにロードすることが可能で（又はプロセッサにロードされ）、実行されると、上述の特徴又は下記の特徴の内の少なくとも一つ、又は上述の特徴又は下記によって特定される特徴の内の少なくとも二つを含む方法を実行するように粒子ビーム装置を制御するプログラムコードを含む、コンピュータプログラム製品に関する。
【００３１】
本発明は、荷電粒子を有する粒子ビームを生成する少なくとも一つのビーム発生器と、粒子ビームを物体に集光させる少なくとも一つの対物レンズと、上述のコンピュータプログラム製品がロードされる少なくとも一つのプロセッサとを備える粒子ビーム装置に更に関する。
【００３２】
本発明に係る粒子ビーム装置の更なる実施形態において、ビーム発生器は荷電第１粒子を有する第１粒子ビームを生成する第１ビーム発生器として具現化され、対物レンズは第１対物レンズとして具現化される。更に、本発明に係る粒子ビーム装置の本実施形態は、荷電第２粒子を有する第２粒子ビームを生成する少なくとも一つの第２ビーム発生器と、第２粒子ビームを物体に集光させる第２対物レンズとを備える。例えば、第１粒子ビームはイオンビームとして具現化される。例えば、第２粒子ビームは電子ビーム又はイオンビームとして具現化される。
【００３３】
例示的実施形態に基づき、本発明を、図面を使って以下に詳述する。
【図面の簡単な説明】
【００３４】
【図１】従来技術による走査領域の回転方法を説明する略図である。
【図２】２つの粒子ビームカラムを有する粒子ビーム装置の略図である。
【図３】図２による粒子ビーム装置を更に説明する図である。
【図４】本発明に係る方法の例示的実施形態における方法のステップを示すフローチャートである。
【図５】図４による方法を説明する略図である。
【図６】本発明に係る方法の更なる例示的実施形態を説明する略図である。
【発明を実施するための形態】
【００３５】
図２は本発明に係る粒子ビーム装置１の実施形態を略図で示すものである。粒子ビーム装置１はイオンビームカラムの形態の第１粒子ビームカラム２と、電子ビームカラムの形態の第２粒子ビームカラム３とを備える。第１粒子ビームカラム２及び第２粒子ビームカラム３は、被検査試料１６の配置された試料チャンバ４９に配置される。
【００３６】
本発明はイオンビームカラムとして具現化される第１粒子ビームカラム２及び電子ビームカラムとして具現化される第２粒子ビームカラム３に限定されないということを明示的に参照する。むしろ、本発明では、第１粒子ビームカラム２を電子ビームカラムとして、第２粒子ビームカラム３をイオンビームカラムとして具現化できるようになっている。本発明の更なる実施形態では、第１粒子ビームカラム２及び第２粒子ビームカラム３の両方をそれぞれイオンビームカラムとして具現化できるようになっている。
【００３７】
図３は図２の粒子ビーム装置１をより詳しく説明するものである。明確のため、試料チャンバ４９を図示しない。イオンビームカラムの形態の第１粒子ビームカラム２は第１光軸４を有する。更に、電子ビームカラムの形態の第２粒子ビームカラム３は第２光軸５を有する。第１粒子ビームカラム２は第２粒子ビームカラム３に対してある角度で傾斜して配置される。例えばその角度は５０°〜９０°の範囲としてもよい。しかしながら、本発明は上述の範囲の角度に限定せず、任意の適切な値を選択してもよい。
【００３８】
以下において、先ず、電子ビームカラムの形態の第２粒子ビームカラム３について詳述する。第２粒子ビームカラム３は第２ビーム発生器６、第１電極７、第２電極８及び第３電極９を備える。例えば、第２ビーム発生器６は熱電界エミッタである。第１電極７の機能はサプレッサ電極の機能であり、第２電極８の機能は抽出電極の機能である。第３電極９は陽極として具現化され、同時にビーム誘導管１０の一端を形成する。電子ビームの形態の第２粒子ビームは第２ビーム発生器６によって生成される。第２ビーム発生器６から放出される電子は、第２ビーム発生器６と第３電極９との間の電位差により、例えば１ｋＶ〜３０ｋＶの範囲で陽極電位に加速される。電子ビームの形態の第２粒子ビームはビーム誘導管１０を通過し、被検査試料１６に集光される。以下により詳しく説明する。
【００３９】
ビーム誘導管１０は、第１リングコイル１２及びヨーク１３を備えるコリメータ配置１１を貫通する。第２ビーム発生器６からの試料１６の方向には、ピンホール開口１４及び中央開口１７を有する検出器１５が、コリメータ配置１１に続く第２光軸５に沿ったビーム誘導管１０に配置される。そしてビーム誘導管１０は第２対物レンズ１８のボアを通って延在する。第２対物レンズ１８は、第２粒子ビームを試料１６に集光させる。このため、第２対物レンズ１８は磁気レンズ１９及び静電レンズ２０を有する。磁気レンズ１９には第２リングコイル２１、内部磁極片２２及び外部磁極片２３が設けられる。静電レンズ２０はビーム誘導管１０の片端２４及び終端電極２５を備える。ビーム誘導管１０の端部２４及び終端電極２５は静電減速装置を形成する。ビーム誘導管１０の端部２４は、ビーム誘導管１０と共に陽極電位にあり、終端電極２５及び試料１６は陽極電位よりも低い電位にある。これにより、第２粒子ビームの電子を、試料１６の検査又は結像に必要な所望のエネルギーに減速させることができる。第２粒子ビームカラム３は更に走査装置２６を備え、これにより、第２粒子ビームを偏向して、試料１６を走査することができる。走査装置２６は制御部４７に接続される。制御部４７は、第２粒子ビームが試料１６の表面を特定の方法で走査するように、走査装置２６に制御信号を提供する。
【００４０】
結像のために、第２粒子ビームと試料１６との相互作用によって生成される二次電子及び／又は後方散乱電子は、ビーム誘導管１０に配置された検出器によって検出される。検出器１５によって生成された信号は、結像のために電子機器（図示せず）に送信される。
【００４１】
試料１６は試料ステージ（図示せず）に配置され、これによって試料１６は相互に垂直に配置された３つの軸（すなわちＸ軸、Ｙ軸及びＺ軸）に沿って移動可能に配置される。更に、試料ステージは相互に垂直に配置される２つの回転軸の周りを回転することができる。従って、試料１６を所望の位置に運ぶことができる。
【００４２】
すでに述べたように、参照符号２はイオンビームビームカラムの形態の第１粒子ビームカラムを表す。第１粒子ビームカラム２はイオン源の形態の第１ビーム発生器２７を備える。第１ビーム発生器２７はイオンビームの形態の第１粒子ビームの生成に使用される。更に、第１粒子ビームカラム２には抽出電極２８及びコリメータ２９が設けられる。第１光軸４に沿って、可変絞り（variable stop）３０をコリメータ２９の下流に、試料１６の方向に配置することができる。第１粒子ビームは、焦点レンズ素子の形態の第１対物レンズ３１によって試料１６に集光される。走査電極３２は第１粒子ビームで試料１６を走査するために提供される。走査電極３２は制御部４７に接続される。制御部４７は、第１粒子ビームが試料１６の表面を特定の方法で走査するように、制御信号を走査電極３２に提供する。
【００４３】
第１粒子ビームは、第１粒子ビームが試料１６に入射する際、試料１６の材料と相互作用する。例えば、試料１６の材料は以下に詳述するように切削される。
【００４４】
制御部４７はプロセッサ４８を備える。プロセッサ４８で実行される際に本発明に係る方法のステップを実行するように粒子ビーム装置１を制御するコンピュータプログラム製品は、プロセッサにロードされる。本発明に係る方法の例示的実施形態を図４及び図５によって説明する。
【００４５】
図４は本発明による方法の工程を示す。例えばＴＥＭによって試料１６の特定のターゲット領域ＺＢ（図５参照）を分析したいユーザは、ターゲット領域ＺＢを含むＴＥＭ薄膜を粒子ビーム装置１によって分離させる。ＴＥＭ薄膜の試料１６からの分離後、ＴＥＭ薄膜をＴＥＭにロードし、ターゲット領域ＺＢをＴＥＭによってより詳しく検査する。代替実施形態において、粒子ビーム装置１にＴＥＭ薄膜を残し、ターゲット領域ＺＢを粒子ビーム装置１によって検査する。
【００４６】
ＴＥＭ薄膜を生成するために、走査領域を方法のステップＳ１において決定する。図５において、この走査領域を参照符号ＲＢ１で表す。この走査領域ＲＢ１は試料１６の表面において、ターゲット領域ＺＢから数ミクロメータ（例えば最大５μｍ）の距離に配置する。
【００４７】
例示的実施形態において、図５に示す走査領域ＲＢ１は複数の走査線から成るが、これらは先ずそれぞれ直線として具現化され、次に相互に平行に配置される。しかしながら、本発明はここに示す走査線の平行配置と走査線の形態とに限定されないということを明示的に参照する。この点において、上述の備考を参照されたい。
【００４８】
既に述べたように、走査領域ＲＢ１は複数の走査線を含む。図５において、４つの走査線、すなわち第１走査線ＲＺ１、第２走査線ＲＺ２、第３走査線ＲＺ３及び第４走査線ＲＺ４のみを例示的に示す。上述の走査線ＲＺ１〜ＲＺ４の各々は複数の走査点Ｐを含み、隣接する２つの走査点Ｐは、一般的に相互間の距離が同じである。
【００４９】
方法のステップＳ２において、第１粒子ビームを上述の走査線ＲＺ１〜ＲＺ４に沿って走査する。このために、第１粒子ビームを制御部４７により、先ず第１走査線ＲＺ１内の走査点Ｐに誘導し、第２走査線ＲＺ２内の走査点Ｐに誘導し、第３走査線ＲＺ３内の走査点Ｐに誘導し、そして第４走査線ＲＺ４の走査点Ｐに誘導する。このために、第１粒子ビームを先ず第１走査方向Ａに誘導する。これは走査線ＲＺ１〜ＲＺ４の内の一つから次の走査線ＲＺ１〜ＲＺ４までの第１粒子ビームの誘導である。次に、第１粒子ビームを走査点Ｐから走査点Ｐへ、上述の走査線ＲＺ１〜ＲＺ４の各々内において矢印方向Ｂに沿って誘導する。この工程において、走査領域ＲＢ１内に配置された試料１６の材料を第１粒子ビームによって切削する。この工程を第２粒子ビームによって観察する。この点においては上述の内容を参照されたい。
【００５０】
第１走査方向Ａにおける走査領域ＲＢ１の走査線に沿った第１粒子ビームの連続移動の場合において、走査領域ＲＢ１がターゲット領域ＺＢに平行に配列されていないと決定されると、走査領域ＲＢ１を回転させ、試料１６の材料からの切削を異なる方向において継続させる。従って、方向変換時ｔ１に、第１走査方向Ａは第２走査方向Ａ’へと変更される。このために、回転点を方法のステップＳ３で決定するようにすることができる。回転点は、第１粒子ビームが方向変換時ｔ１に位置する走査線のこれらの一組の走査点Ｐから選択する。図５に示す例示的実施形態において、これは第４走査線ＲＺ４の走査点Ｐ１である。試料１６の表面にほぼ垂直に配列される第１回転軸Ａ１は、走査点Ｐ１を通って延在する。
【００５１】
走査領域ＲＢ１を方法のステップＳ４で回転する。これは走査領域ＲＢ１を第１回転軸Ａ１の周りを回転させることによって行う。ここに示す例示的実施形態において、走査領域ＲＢ１を第１回転軸Ａ１の周りに時計回りに回転させる。回転軸Ａ１の周りの回転は、所望の第２走査方向Ａ’が設定されるような角度で行う。例えば、本発明に係る方法において、設定工程によって回転のための所望の角度が設定できるようになっている。例えば、設定工程は、角度の漸進的増加又は漸進的減少を提供する。例えば、所望の角度まで角度を０．５°又は１°ずつ増加又は減少させ、そして、第１走査方向Ａから第２走査方向Ａ’へと変更させるための第１回転軸Ａ１の周りの所望の回転が得られる。走査方向の変更後、第１粒子ビームの走査領域ＲＢ１は第２走査方向 Ａ’へと続く。走査領域ＲＢ１の続き（continuation）を図５に参照符号ＲＢ２で示す。
【００５２】
回転工程を第２粒子ビームによっても観察する。上述の様に、第２粒子ビームは電子ビームである。しかしながら従来技術とは対照的に、本発明においては、 走査領域ＲＢ１及びＲＢ２は電子ビームの観察領域を離れない。本発明に係る方法において、試料１６の表面の第２粒子ビームによって生成される像は、回転も変位もしない。第２粒子ビームは、第１粒子ビームによって試料１６の表面にもたらされる変化が登録できるように、試料１６の表面の像を生成するために使用する。これらの変化には特に、試料１６の表面からの材料の切削および表面への材料の蒸着がある。更に、走査方向の変化及び従って、走査領域を回転させるための角度の設定を観察することが可能である。上記に列挙したものは全てを網羅したものではない。むしろ、第１粒子ビームによって生成された、又は第１粒子ビームによって生じた、試料１６の表面の任意の変化、例えば、走査領域の回転方向の変化は、第２粒子ビームによって生成された像によって識別することができる。
【００５３】
図５に示す例示的実施形態において、方法のステップＳ２〜Ｓ４をここで反復する。しかしここでは走査領域ＲＢ2の形態の走査領域ＲＢ１の続きを参照する。走査領域ＲＢ２も同様に複数の走査線を含む。図５において、６つの走査線、すなわち第５走査線ＲＺ５、第６走査線ＲＺ６、第７走査線ＲＺ７、第８走査線ＲＺ８、第９走査線ＲＺ９及び第１０走査線ＲＺ１０のみを示す。上述の走査線ＲＺ５〜ＲＺ１０はそれぞれ複数の走査点Ｐを有し、この場合、互いに隣接する２つの走査点Ｐは、通常同一の相互間の距離を有する。
【００５４】
ここで第１粒子ビームを上述の走査線ＲＺ５〜ＲＺ１０に沿って走査させる。このために、第１粒子ビームを、制御部４７により、先ず、第５走査線ＲＺ５の走査点Ｐに誘導し、第６走査線ＲＺ６の走査点Ｐに誘導し、第７走査線ＲＺ７の走査点Ｐに誘導し、第８走査線ＲＺ８の走査点Ｐに誘導し、第９走査線ＲＺ９の走査点Ｐに誘導し、そして第１０走査線ＲＺ１０の走査点Ｐに誘導する。このために、 第１粒子ビームを先ず第２走査方向Ａ’に誘導する。この工程において、第１粒子ビームを走査線ＲＺ５〜ＲＺ１０の内の一つから、走査線ＲＺ５〜ＲＺ１０の内の次のものに誘導する。次に、第１粒子ビームを、上述の走査線ＲＺ５〜ＲＺ１０の各々において、矢印方向Ｂ’に沿って、走査点Ｐから走査点Ｐへと誘導する。工程において、走査領域ＲＢ２に配置された試料１６の材料を、第１粒子ビームによって切削する。この工程を第２粒子ビームによって観察する。この点においては上記の記述を参照されたい。
【００５５】
第１粒子ビームの、走査領域ＲＢ２の走査線に沿った第２走査方向Ａ’への連続移動の場合、走査領域ＲＢ2がターゲット領域ＺＢに平行に配列されていないと再度決定されると、走査領域ＲＢ２を回転させ、試料１６からの材料の切削を異なる方向において継続させる。
【００５６】
従って、第２走査方向Ａ’は、方向変換時ｔ２において、第３走査方向Ａ”へと変更される。このために、更なる回転点を方法のステップＳ３において設定するようになっている。更なる回転点を、第１粒子ビームが方向変換時ｔ２に位置する走査線の一組の走査点Ｐから選択する。図５に示す例示的実施形態においては、これは第１０走査線ＲＺ１０の走査点Ｐ２である。図５に示す実施形態において、走査点Ｐ２は第１０走査線 ＲＺ１０の片端を表す。試料１６の表面にほぼ垂直に配列される第２回転軸Ａ２は、走査点Ｐ２を通って延在する。 走査領域ＲＢ２は方法のステップＳ４で回転させる。これは走査領域ＲＢ２を第２回転軸Ａ２の周りを回転させることによって行う。ここで示す例示的実施形態において、走査領域ＲＢ２は第２回転軸Ａ２の周りを反時計回りに回転するようになっている。
第２回転軸Ａ２の周りの回転は、所望の第３走査方向Ａ”が設定されるような角度で行う。ここでは、設定工程によって回転のための所望の角度が設定できるようになっている。例えば、設定工程は, 角度の漸進的増加又は漸進的な減少を再度提供する。例えば、所望の角度まで角度を０．５°又は１°ずつ増加又は減少させ、そして、第２走査方向Ａ’から第３走査方向Ａ”へと変更させるための第２回転軸Ａ２の周りの所望の回転が得られる。走査方向の変更後、第１粒子ビームの走査領域ＲＢ2は第３走査方向Ａ”へと続く。走査領域ＲＢ２の続きを図５に参照符号ＲＢ３で示す。
【００５７】
走査領域ＲＢ３も同様に複数の走査線を含む。図５には、５つの走査線、すなわち、第１１走査線ＲＺ１１、第１２走査線ＲＺ１２、第１３走査線ＲＺ１３、第１４走査線ＲＺ１４及び第１５走査線ＲＺ１５のみを示す。上述の走査線 ＲＺ１１〜ＲＺ１５は各々複数の走査点Ｐを有し、隣接する２つの走査点Ｐは、一般的に相互間の距離が同じである。
【００５８】
ここで第１粒子ビームを上述の走査線ＲＺ１１〜ＲＺ１５に沿って走査させる。このために、第１粒子ビームを、制御部４７により、先ず第１１走査線ＲＺ１１内の走査点Ｐに誘導し、第１２走査線ＲＺ１２内の走査点Ｐに誘導し、第１３走査線ＲＺ１３内の走査点Ｐに誘導し、第１４走査線ＲＺ１４の走査点Ｐに誘導し、そして第１５走査線ＲＺ１５の走査点Ｐに誘導する。このために、第１粒子ビームを先ず第３走査方向Ａ”に誘導する。この工程において、第１粒子ビームを走査線ＲＺ１１〜ＲＺ１５の内の一つから次の走査線ＲＺ１１〜ＲＺ５まで誘導する。次に、第１粒子ビームを走査点Ｐから走査点Ｐへ、上述の走査線ＲＺ１１〜ＲＺ１５の各々内において矢印方向Ｂ”に沿って誘導する。工程において、走査領域ＲＢ３内に配置された試料１６の材料を、第１粒子ビームによって切削する。この工程を第２粒子ビームによって観察する。この場合においても、上述の内容を参照されたい。
【００５９】
図５に示す様に、走査領域ＲＢ３をここで走査領域ＲＢ３がターゲット領域ＺＢに平行に配列されるように配置する。ターゲット領域ＺＢを走査領域ＲＢ３の続き及び試料１６からの更なる材料の切削によって露光する。
【００６０】
ここで上述の露光を、今やターゲット領域ＺＢを含むＴＥＭ薄膜が露光され、試料１６から分離することができるように、ターゲット領域ＺＢと隣接する全ての側面から実行する。
【００６１】
上述の例示的実施形態において、更に、第１粒子ビームが走査領域ＲＢ１、ＲＢ２及びＲＢ３上を移動する速度を適切な方法で選択できるようにする。例えば、走査領域ＲＢ１、ＲＢ２及びＲＢ３の各々の走査点Ｐにおける第１粒子ビームの滞留時間は、１〜５マイクロ秒である。滞留時間は画素寿命とも称され、第１粒子ビームが走査領域ＲＢ１、ＲＢ２及びＲＢ３上を移動する速度を決定する。しかしながら、本発明は上述の滞留時間の範囲に限定されない。むしろ、任意の適切な範囲が使用可能である。追加的又は代替的に、記載した例示的実施形態においては、第１粒子ビームを各走査線ＲＺ１〜ＲＺ４上で、矢印方向Ｂに何度も誘導し、各走査線ＲＺ５〜ＲＺ１０上で矢印方向Ｂ’に何度も誘導し、及び／又は各走査線ＲＺ１１〜ＲＺ１５上で矢印方向Ｂ”に何度も誘導して、材料を試料１６から特に良好に切削できるようにすることができる。
【００６２】
図６は本発明に係る方法の更なる実施形態を示す。ターゲット領域の位置するＴＥＭ薄膜を露光するために、複数の走査線を有する走査領域を試料１６の表面に設定する（図６に示さず）。明確のため、これらの走査線の内の一つのみ、すなわち、この設定した走査領域の第１走査線ＲＺ’を示す。制御部４７は、第１粒子ビームが設定した走査領域をどのように通過するかについて、第１粒子ビームカラム２の走査電極３２に制御信号を送信する。このために、個々の走査線における走査点の座標は、プロセッサ４８から制御部４７に伝えられる。その後制御部４７は、第１粒子ビームが走査点の座標に誘導されるように、走査電極３２に制御信号を送信する。しかしながら、本実施形態において、プロセッサ４８は制御部４７に、走査点の座標を含む入力信号を群で供給する。別の表現では、プロセッサ４８ はとりわけ、走査点の座標をサブセットで制御部４７に供給する。第１粒子ビームを先ず走査点の群に誘導する前に、一つの個々の群の走査点に誘導する。例えば、図６に示す例示的実施形態において、設定された走査領域の第１走査線ＲＺ１’は走査点Ｐ１〜Ｐ６を含むようになっており、走査点Ｐ１〜Ｐ３は第１群Ｇ１を形成し、走査点Ｐ４〜Ｐ６は第２群を形成する。第１粒子ビームは先ず第１群Ｇ１の走査点Ｐ１〜Ｐ３に誘導され、次に、第２群Ｇ２の走査点Ｐ４〜Ｐ６に誘導される。
【００６３】
１つの群の走査点を通過した後、ここで説明する例示的実施形態において、第１走査方向Ａを変更するための制御コマンドが制御部４７に供給されたかどうかのクエリがある。図６に示す例示的実施形態において、これは第２群Ｇ２の通過後に発生する。制御コマンドの存在を決定した後、第１粒子ビームが制御コマンド時に位置する走査線において、回転点を設定する。これが第１走査線ＲＺ１’である。ここで示す例示的実施形態において、時計回り方向に回転される。更に、回転はターゲット領域ＺＢから離れた方に向かう方向で常に生じる。従って、この場合、第１走査方向Ａの反対方向の回転がある。本例示的実施形態において、第１走査線ＲＺ１’の片端に配置された走査点Ｐ１を回転点として選択する。ここで、第１粒子ビームの走査が第２走査方向Ａ’に続けられるように、その周りを走査領域が回転する第１回転軸は走査点Ｐ１を通って延在する。
【００６４】
図６に示す例示的実施形態において、ここで新たに配列された第２走査線ＲＺ２’は、走査領域の回転後、最初の第１走査線ＲＺ１’を横切らない。別の表現では、２つの走査線ＲＺ１’及びＲＺ２’は相互に接触しない、又は一点のみ接触する。
【００６５】
また、図６の実施形態において、回転の実行により第１走査線ＲＺ１’の走査点に対応する第２走査線ＲＺ２’の走査点、すなわち、第１走査線ＲＺ１’の走査点が回転の実行によって結像される第２走査線ＲＺ２’上のこれらの点は、第１走査線ＲＺ１’ 自身の走査点よりもターゲット領域ＺＢから離れて位置する。
【００６６】
ここで第２走査線ＲＺ２’は走査点Ｐ７〜Ｐ１２を含み、走査点Ｐ７〜Ｐ９は第３群Ｇ３を形成し、走査点Ｐ１０〜Ｐ１２は第４群Ｇ４を形成する。第１粒子ビームを先ず第３群Ｇ３の走査点Ｐ７〜Ｐ９に誘導する。次に第１粒子ビームを第４群Ｇ４の走査点Ｐ１０〜Ｐ１２に誘導する。ここでも、各群が走査点を通過した後、第２走査方向Ａ’を変更させる制御コマンドが制御部４７に供給されたか否かのクエリがある。
【００６７】
図６に示す例示的実施形態において、第４群通過後、方向を変更させる制御コマンドはない。従って、第１粒子ビームによる走査を第２走査方向Ａ’で続ける。第１粒子ビームを、第２走査方向Ａ’に、第２走査線ＲＺ２’に平行に延在し、その走査点が第２走査線ＲＺ２’の走査点Ｐ７〜Ｐ１２に平行にオフセットする更なる走査線（図示せず）に誘導する。一定の時間後、第１粒子ビームは第３走査線ＲＺ３’に到達する。第３走査線ＲＺ３’は走査点Ｐ１３〜Ｐ１８を含み、走査点Ｐ１３〜Ｐ１５は第５群Ｇ５を形成し、走査点Ｐ１６〜Ｐ１８は第６群Ｇ６を形成する。第１粒子ビームを先ず第５群Ｇ５の走査点Ｐ１３〜Ｐ１５に誘導する。次に、第１粒子ビームを第６群Ｇ６の走査点Ｐ１６〜Ｐ１８に誘導する。ここでも、各群の走査点の通過後、第２走査方向Ａ’を変更させる制御コマンドが制御部４７に供給されたか否かに関するクエリがある。
【００６８】
これは第６群Ｇ６の通過後に生じる。ここで再度、第１粒子ビームが制御コマンド時に位置する走査線に回転点を設定する。これは第３走査線ＲＺ３’である。ここで示す例示的実施形態において、そこで反時計回りの回転ができる。更に、回転を常にターゲット領域ＺＢから離れた方向で生じさせることができる。このように、この場合、第２走査方向Ａ’と反対方向の回転がある。本例示的実施形態において、第３走査線ＲＺ３’の片端に配置される走査点Ｐ１８を回転点として選択する。ここで、その周りを走査領域が、第１粒子ビームが第３走査方向Ａ”に続けて走査されるように回転する第２回転軸は、走査点Ｐ１８を通って延在する。
【００６９】
図６に示す例示的実施形態において、新たに配列された第４走査線ＲＺ４’は、走査領域の回転後、最初の第３走査線ＲＺ３’を横切らないようにすることができる。別の表現では、走査線ＲＺ３’及びＲＺ４’は相互に接触しない、又は一ヶ所のみ接触する。
【００７０】
第１粒子ビームによる走査をここで第３走査方向Ａ”で継続する。第１粒子ビームは、図６に第４走査線ＲＺ４’のみを示す、第３走査方向Ａ”に配置された走査線を通過する。第４走査線ＲＺ４’は走査点Ｐ１９〜Ｐ２４を含み、ここで走査点Ｐ１９〜Ｐ２１は第７群Ｇ７を形成し、走査点Ｐ２２〜Ｐ２４は第８群Ｇ８を形成する。第１粒子ビームを先ず第７群Ｇ７の走査点Ｐ１９〜Ｐ２１に導く。次に第１粒子ビームを第８群Ｇ８の走査点Ｐ２２〜Ｐ２４に導く。
【００７１】
第１粒子ビームを走査方向Ａ”に、更なる走査線（図示せず）へと誘導し、この走査線は第４走査線ＲＺ４’に平行に延在し、その走査点は第４走査線ＲＺ４’の走査点Ｐ１９〜Ｐ２４に平行にオフセットしている。そして、この例示的実施形態において、ターゲット領域ＺＢに到達するまで第１粒子ビームを第３走査方向Ａ”に誘導する。
【００７２】
図６の実施形態においても、各走査線は図６に示されない更なる走査点を含み得ると理解されよう。例えば、第２走査線ＲＺ２’の後に接近し、ここでは図示しない走査線は、Ｇ１、Ｇ２、Ｇ３及びＧ４群の走査点の合計に対応する複数の走査点を含み得る。同様に、第４走査線ＲＺ４’の後に接近し、ここでは図示しない走査線は、Ｇ５、Ｇ６、Ｇ７及びＧ８の群の走査点の合計に対応する複数の走査点を含み得る。しかしながら、代替的に、個々の走査線における走査点の数も異なる。
【００７３】
ここで説明する本発明の例示的実施形態は、既に上記に特定した利点を有し、これをここに明示的に参照する。
【００７４】
上述の走査方向における変化は、個々に所望される走査線の方向及び個々に所望される走査方向のどちらも得られるように、走査電極３２に印加される偏向電圧によって達成することができる。デジタル作動の場合、これは、例えば、数式モデルによって最初に計算される、それぞれ所望され、設定された走査線に位置する走査点の座標と、第１粒子ビームがこのようにして計算された走査点に向けられるように、走査発生器によって設定される走査電極の制御電圧とによってもたらされる。しかしながら、このような手順は、走査点の座標と、第１粒子ビームが計算された走査点に向けられるように走査電極に印加される制御電圧との間の機能的関係が既知であると仮定したものである。あるいは、方向変換時に設定される走査点、そしてこの時走査電極に印加される制御電圧から新しい制御電圧を計算することが可能であり、又、走査発生器にこれらの新しい制御電圧に対応する入力信号を供給することが可能であり、これらの入力信号は、走査点間の設定された距離に亘る、又は走査線の間の設定された距離に亘る、走査線の個々に設定された方向における第１粒子ビームの偏向をもたらす。この場合知っておかなければならないことは、対応する偏向電圧の変化又は対応する入力信号の変化をもたらす第１粒子ビームの偏向の変化のみである。
【００７５】
本明細書、図面及び請求項の範囲において開示する本発明の特徴は、個々に及び組み合わせにおいて、本発明をその種々の実施形態で実行するために必須のものである。
【符号の説明】
【００７６】
１            粒子ビーム装置
２            第１粒子ビームカラム（イオンビームカラム）
３            第２粒子ビームカラム（電子ビームカラム）
４            第１光軸
５            第２光軸
６            第２ビーム発生器
７            第１電極
８            第２電極
９            第３電極
１０          ビーム誘導管
１１          コリメータ配置
１２          第１リングコイル
１３          ヨーク
１４          ピンホール開口
１５          検出器
１６          試料
１７          中央開口
１８          第２対物レンズ
１９          磁気レンズ
２０          静電レンズ
２１          第２リングコイル
２２          内部磁極片
２３          外部磁極片
２４          ビーム誘導管の端部
２５          終端電極
２６          走査装置
２７          第１ビーム発生器
２８          抽出電極
２９          コリメータ
３０          可変絞り
３１          第１対物レンズ
３２          走査電極
４７          制御部
４８          プロセッサ
４９          試料チャンバ
１００        回転軸
Ａ            第１走査方向
Ａ’          第２走査方向
Ａ”          第３走査方向
Ｂ            矢印方向
Ｂ’          矢印方向
Ｂ”          矢印方向
Ａ１          第１回転軸
Ａ２          第２回転軸
Ｇ１          第１群
Ｇ２          第２群
Ｇ３          第３群
Ｇ４          第４群
Ｇ５          第５群
Ｇ６          第６群
Ｇ７          第７群
Ｇ８          第８群
Ｏ            試料
Ｐ            走査点
Ｐ１〜Ｐ２４  走査点
ＰＡ          矢印方向
ＰＢ          矢印方向
ＲＢ          走査領域
ＲＢ１        走査領域
ＲＢ２        走査領域
ＲＢ３        走査領域
ＲＺ１        第１走査線
ＲＺ２        第２走査線
ＲＺ３        第３走査線
ＲＺ４        第４走査線
ＲＺ５        第５走査線
ＲＺ６        第６走査線
ＲＺ７        第７走査線
ＲＺ８        第８走査線
ＲＺ９        第９走査線
ＲＺ１０      第１０走査線
ＲＺ１１      第１１走査線
ＲＺ１２      第１２走査線
ＲＺ１３      第１３走査線
ＲＺ１４      第１４走査線
ＲＺ１５      第１５走査線
ＲＺ１’      第１走査線（第２例示的実施形態）
ＲＺ２’      第２走査線（第２例示的実施形態）
ＲＺ３’      第３走査線（第２例示的実施形態）
ＲＺ４’      第４走査線（第２例示的実施形態）
ＺＢ          ターゲット領域
【図１】
2015057773.tif 000003
【図４】
2015057773.tif 000004
【図２】
2015057773.tif 000005
【図３】
2015057773.tif 000006
【図５】
2015057773.tif 000007
【図６】
2015057773.tif 000008
【外国語明細書】
2015057773000001.pdf