(57)【要約】【課題】  半導体チップの高さばらつきを低減する。【解決手段】  一つの実施形態によれば、半導体装置の製造方法では、第１電極端子上に設けられた半導体チップの第１電極上に第１接着部材を介して第１コネクタの一端を載置し、第２電極端子上に第１接着部材を介して第１コネクタの他端を載置する。第１接着部材の第１固相温度よりも高い温度で加熱し、半導体チップと第１コネクタの一端、及び第２電極端子と第１コネクタの他端を接続し、第１接着部材の第１固相温度よりも低い温度に冷却する。第１接着部材の第１固相温度と第１液相温度の間の温度条件で、第１コネクタ、第１接着部材、半導体チップ、第１電極端子、及び第２電極端子を加熱及び加圧する。【選択図】  図３
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１電極端子上に設けられた半導体チップの第１電極上に第１接着部材を介して第１コネクタの一端を載置し、第２電極端子上に前記第１接着部材を介して第１コネクタの他端を載置し、
前記第１接着部材の第１固相温度よりも高い温度で加熱し、前記半導体チップと前記第１コネクタの一端、及び前記第２電極端子と前記第１コネクタの他端を接続し、前記第１接着部材の第１固相温度よりも低い温度に冷却し、
前記第１接着部材の第１固相温度と第１液相温度の間の温度条件で、前記第１コネクタ、前記第１接着部材、前記半導体チップ、前記第１電極端子、及び前記第２電極端子を加熱及び加圧する
を具備することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項２】
前記第１電極端子と前記半導体チップの間に前記第１接着部材が設けられ、前記第１固相温度よりも高い温度で加熱して前記第１電極端子と前記半導体チップを同時に接続する
ことを特徴とする請求項１に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項３】
前記第１接着部材は半田であり、液相温度が２６０℃以上で、且つ固液相温度差が１０℃以上の特性を有する
ことを特徴とする請求項１又は２に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項４】
前記第１接着部材は、Ｓｎ−Ｇｅ系、Ｓｎ−Ｚｎ系、Ｓｂ−Ａｇ−Ｃｕ−Ｓｎ系、Ｐｂ−Ｉｎ−Ａｇ系、或いはＰｂ−Ｓｎ系の半田である
ことを特徴とする請求項３に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項５】
加熱及び加圧後、前記半導体チップの第３電極と第３電極端子をボンディングワイヤで接続する
ことを特徴とする請求項１に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項６】
前記第１接着部材は半田であり、固相温度が２６０℃以上で、且つ固液相温度差が１０℃以上の特性を有する
ことを特徴とする請求項１又は５に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項７】
前記第１接着部材は、Ｓｂ−Ａｇ−Ｃｕ−Ｓｎ系、Ｐｂ−Ｉｎ−Ａｇ系、或いはＰｂ−Ｓｎ系の半田である
ことを特徴とする請求項６に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項８】
前記第１コネクタは、Ｃｕ（銅）、Ｃｕ（銅）合金、Ｍｏ（モリブデン）、或いはＡｌＳｉＣから構成される
ことを特徴とする請求項１乃至７のいずれか１項に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項９】
前記第１電極端子直下の第１プレートと、前記第１コネクタ上の第２プレートを用いて加熱及び加圧が行われる
ことを特徴とする請求項１乃至８のいずれか１項に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１０】
第１接着部材を介して第１電極端子上に設けられた半導体チップと、
前記第１接着部材を介して一端が前記半導体チップの第１電極上に設けられ、前記第１接着部材を介して他端が第２電極端子上に設けられ、一端が前記第１電極に接続され、他端が前記第２電極端子に接続された第１コネクタと、
を具備し、
前記第１接着部材は、液相温度が２６０℃以上で、且つ固液相温度差が１０℃以上の特性を有するＳｎ−Ｇｅ系、Ｓｎ−Ｚｎ系、Ｓｂ−Ａｇ−Ｃｕ−Ｓｎ系、Ｐｂ−Ｉｎ−Ａｇ系、或いはＰｂ−Ｓｎ系の半田であることを特徴とする半導体装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明の実施形態は、半導体装置及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
ＩＧＢＴ（insulated gate bipolar transistor）、パワーＭＯＳＦＥＴ（Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor）、パワーＩＣなどの半導体装置では、半導体チップの電極と電極端子の間を接続するコネクタが多用される。
【０００３】
この種の半導体素子に大電流を流すために電極面積を増大するとコネクタ面積が大きくなり、電極と電極端子をコネクタ接合する場合半導体チップの高さばらつきが増大するという問題点がある。半導体チップの高さばらつきが増大すると、半導体装置の歩留や信頼性の低下が発生する。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００４−３１５１６号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
発明が解決しようとする課題は、半導体チップの高さばらつきを低減する半導体装置及びその製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
一つの実施形態によれば、半導体装置の製造方法では、第１電極端子上に設けられた半導体チップの第１電極上に第１接着部材を介して第１コネクタの一端を載置し、第２電極端子上に第１接着部材を介して第１コネクタの他端を載置する。第１接着部材の第１固相温度よりも高い温度で加熱し、半導体チップと第１コネクタの一端、及び第２電極端子と第１コネクタの他端を接続し、第１接着部材の第１固相温度よりも低い温度に冷却する。第１接着部材の第１固相温度と第１液相温度の間の温度条件で、第１コネクタ、第１接着部材、半導体チップ、第１電極端子、及び第２電極端子を加熱及び加圧する。
【図面の簡単な説明】
【０００７】
【図１】第１実施形態に係る半導体装置を示す平面図である。
【図２】図１の半導体装置において、Ａ−Ａ線に沿う断面図である。
【図３】第１実施形態に係る半導体装置の製造方法での処理シーケンスを示す図、図３（Ａ）は温度シーケンスを示す図、図３（Ｂ）は圧力シーケンス示す図である。
【図４】第１実施形態に係る半導体装置の製造方法において、製造途中の半導体装置を示す断面図である。
【図５】第１実施形態に係る半導体装置の製造方法において、製造途中の半導体装置を示す断面図である。
【図６】第１実施形態に係る半導体装置の製造方法において、製造途中の半導体装置を示す断面図である。
【図７】第１実施形態に係る半導体チップの高さバラツキを示す図であり、図７（Ａ）は本実施形態を示す図、図７（Ｂ）は従来例を示す図である。
【図８】第１実施形態に係る半導体チップの高さバラツキの比較図である。
【図９】第２実施形態に係る半導体装置を示す断面図である。
【図１０】第２実施形態に係半導体装置の製造方法において、製造途中の半導体装置を示す断面図である。
【図１１】第１変形例の半導体装置の製造方法での温度及び圧力シーケンスを示す図である。
【発明を実施するための形態】
【０００８】
以下本発明の実施形態について図面を参照しながら説明する。
【０００９】
（第１実施形態）
まず、第１実施形態に係る半導体装置について、図面を参照して説明する。図１は半導体装置を示す平面図である。図２は図１のＡ−Ａ線に沿う半導体装置の断面図である。本実施形態では、半田の固相温度よりも高い温度で半導体チップとコネクタの一端、及び電極端子とコネクタの他端を半田を介して固着し、冷却後に半田の固相温度と液相温度の間の温度で半導体チップ、コネクタ、及び電極端子を加熱及び加圧処理を行っている。
【００１０】
図１に示すように、半導体装置１００には、電極端子１、半導体チップ２、電極端子３、電極端子４、コネクタ５、コネクタ６、及び封止材７が設けられる。半導体装置１００は、半導体チップ２が封止材７で封止され、電極端子と半導体チップ２の電極がコネクタで接合されたコネクタ接合型半導体装置である。半導体装置１００は、電鉄応用分野、電気自動車、インバータ分野、誘導加熱分野など種々の分野に適用される。
【００１１】
半導体チップ２は、ＩＧＢＴ（insulated gate bipolar transistor）である。電極端子１はコレクタ電極端子である。電極端子３はエミッタ電極端子である。電極端子４はゲート電極端子である。
【００１２】
半導体チップ２は、電極端子１上に載置される。コネクタ５は、構成部５ａ乃至５ｃから構成される。コネクタ５の構成部５ａは、半導体チップ２の図示しないエミッタ電極（第１電極）上に載置される。コネクタ５の構成部５ｃは、電極端子３上に載置される。コネクタ５の構成部５ｂは、コネクタ５の構成部５ａとコネクタ５の構成部５ｃの間を連結する。コネクタ６は、構成部６ａ乃至６ｃから構成される、コネクタ６の構成部６ａは、半導体チップ２の図示しないゲート電極（第２電極）上に載置される。コネクタ６の構成部６ｃは、電極端子４上に載置される。コネクタ６の構成部６ｂは、コネクタ６の構成部６ａとコネクタ６の構成部６ｃの間を連結する。
【００１３】
電極端子１、半導体チップ２、電極端子３、電極端子４、コネクタ５、及びコネクタ６は、封止材７で封止される。電極端子３及び電極端子４の図中右端部は露呈される。
【００１４】
コネクタ５、コネクタ６、電極端子１、電極端子３、及び電極端子４は、例えばＣｕ（銅）から構成される。封止材７は、例えばエポキシ樹脂から構成される。ここでは、コネクタ５及び６はＣｕ（銅）から構成されているが、代わりにＣｕ（銅）合金、Ｍｏ（モリブデン）、或いはＡｌＳｉＣなどを用いてもよい。また、封止材７はエポキシ樹脂から構成されているが、代わりにシリコーン樹脂などを用いてもよい。
【００１５】
ＩＧＢＴである半導体チップ２は、エミッタ電極がゲート電極よりも面積が大きく設計されている。比較的面積の大きなエミッタ電極にコネクタ接合するために、コネクタ５の構成部５ａはコネクタ６の構成部６ａよりも面積が大きく設定される。このため、エミッタ電極に比較的大きな電流を流すことができる。
【００１６】
図２に示すように、電極端子１の主面（表面）上に接着部材８ａを介して半導体チップ２が設けられる。接着部材８ａは、電極端子１と半導体チップ２の裏面に設けられる図示しないコレクタ電極（第３電極）を接合する。電極端子１の主面と相対向する裏面は露呈される。半導体チップ２の主面（表面）上に接着部材８ｂを介してコネクタ５の構成部５ａが設けられる。接着部材８ｂは、半導体チップ２のエミッタ電極（第１電極）とコネクタ５の構成部５ａ（一端）を接合する。接着部材８ｃは、電極端子３とコネクタ５の構成部５ｃ（他端）を接合する。
【００１７】
電極端子３は、接着部材８ｃを介してコネクタ５の構成部５ｃに接続される部分は電極端子１よりも高い位置に設けられているが、封止材７で封止されていない部分（アウターリード部分）は電極端子１と同じ高さの位置に設けられる。
【００１８】
同様に、電極端子４は、図示していないが接着部材を介してコネクタ６の構成部６ｃに接続される部分は電極端子１よりも高い位置に設けられているが、封止材７で封止されていない部分（アウターリード部分）は電極端子１と同じ高さの位置に設けられる。
【００１９】
接着部材８ａ乃至８ｃは、Ｓｎ（錫）−Ｇｅ（ゲルマニウム）系の半田から構成される。なお、Ｓｎ−Ｇｅ系の半田の代わりに、Ｓｎ−Ｚｎ（亜鉛）系、Ｓｂ−Ａｇ（銀）−Ｃｕ−Ｓｎ系、Ｐｂ（鉛）−Ｉｎ(インジウム)−Ａｇ系、或いはＰｂ−Ｓｎ系の半田等を用いてもよい。
【００２０】
Ｓｎ−Ｇｅ系、Ｓｎ−Ｚｎ系、Ｓｂ−Ａｇ−Ｃｕ−Ｓｎ系、Ｐｂ−Ｉｎ−Ａｇ系、Ｐｂ−Ｓｎ系の半田は、液相温度が２６０℃以上で、且つ固液相温度差が１０℃以上の特性を有する。このような特性を有する半田を用いることにより、エミッタ電極面積が比較的大きな半導体チップ２の高さばらつきを大幅に低減することができる（詳細は後述する）。
【００２１】
次に、半導体装置の製造方法について図３乃至６を参照して説明する。図３（Ａ）は半導体装置の製造方法での温度処理シーケンス、図３（Ｂ）は半導体装置の製造方法での圧力処理シーケンスを示す図である。図４乃至６は半導体装置の製造方法において、製造途中の半導体装置を示す断面図である。
【００２２】
まず、図４に示すように、電極端子１上に接着部材８ａを介して半導体チップ２を載置し、半導体チップ２上に接着部材８ｂを載置する。電極端子３上に接着部材８ｃを載置する。このとき、図３（Ａ）及び図３（Ｂ）に示すように、チップ載置工程は室温で、無加圧で行われる。
【００２３】
次に、図５に示すように、内部に複数の熱電対２４が設けられ、内部にヒータ２５が設けられたプレート２１上に、積層形成された電極端子１、接着部材８ａ、半導体チップ２、及び接着部材８ｂを載置する。接着部材８ｂ上にコネクタ５の構成部５ａ（一端）を載置し、接着部材８ｃ上にコネクタ５の構成部５ｃ（他端）を載置する。
【００２４】
図３（Ａ）及び図３（Ｂ）に示すように、プレート２１を室温から加熱し、接着部材８ａ乃至８ｃを第１固相温度以上（例えば、第１液相温度以上）になるように昇温し、その後第１固相温度以下に降温する。この結果、電極端子１と半導体チップ２が接着部材８ａで固着され、半導体チップ２とコネクタ５の構成部５ａが接着部材８ｂで固着され、電極端子３とコネクタ５の構成部５ｃが固着される。このチップ固着工程は、無加圧で行われる。
【００２５】
具体的には、先端部がプレート２１の表面に設けられた複数の熱電対２４で電極端子１の温度をモニターし、温度モニター結果を測温部２３に入力する。制御部２２は、測温部２３から出力される温度モニター結果に基づいて、ヒータ２５を第１固相温度以上（例えば、第１液相温度以上）になるように昇温する。図３（Ａ）に示すように、このチップ固着工程は、時刻ｔ１と時刻ｔ２の間で行われる。時刻ｔ１１と時刻ｔ１４の間は接着部材８ａ乃至８ｃが第１固相温度以上に設定され、時刻ｔ１２と時刻ｔ１３の間は接着部材８ａ乃至８ｃが第１液相温度以上に設定されている。
【００２６】
ここでは、第１液相温度以上に設定しているが必ずしもこれに限定されるものではない。例えば、第１固相温度と第１液相温度の間に設定してもよい。
【００２７】
続いて、図６に示すように、内部に複数の熱電対３４が設けられ、内部にヒータ３５が設けられたプレート３１をコネクタ５上に載置する。
【００２８】
図３（Ａ）及び図３（Ｂ）に示すように、プレート２１及びプレート３１を用いて接着部材８ａ乃至８ｃを第１固相温度以下から、第１固相温度と第１液相温度の間の温度に昇温する。同時にプレート２１及びプレート３１を用いて、電極端子１、半導体チップ２、電極端子３、コネクタ５、及び接着部材８ａ乃至８ｃを加圧する。
【００２９】
具体的には、先端部がプレート２１の表面に設けられた複数の熱電対２４で電極端子１の温度をモニターし、先端部がプレート３１の表面に設けられた複数の熱電対３４でコネクタ５の温度をモニターし、温度モニター結果を測温部２３に入力する。制御部２２は、測温部２３から出力される温度モニター結果に基づいて、ヒータ２５及びヒータ３５を第１固相温度と第１液相温度の間の温度になるように昇温する。同時にプレート３１から電極端子１、半導体チップ２、電極端子３、コネクタ５、及び接着部材８ａ乃至８ｃを上側から加圧し、プレート２１から電極端子１、半導体チップ２、電極端子３、コネクタ５、及び接着部材８ａ乃至８ｃを下側から加圧する。この加熱及び加圧工程で、接着部材８ａで電極端子１に接合され、接着部材８ｂでコネクタ５に接合された半導体チップ２の高さばらつきを大幅に低減することができる。
【００３０】
図３（Ａ）及び図３（Ｂ）に示すように、このチップ高さ均一化工程は、時刻ｔ２と時刻ｔ３の間で行われる。時刻ｔ２１と時刻ｔ２２の間は第１固相温度と第１液相温度の間の温度に設定され、時刻ｔ２から加圧が開始され時刻ｔ３で加圧が終了する。
【００３１】
ここで、接着部材８ａ乃至８ｃは液相温度が２６０℃以上で、且つ固液相温度差が１０℃以上の特性を有する半田を使用している。このため、固液相温度差が大きいので、時刻ｔ２１と時刻ｔ２２の間の期間、接着部材８ａ乃至８ｃの温度を第１固相温度と第１液相温度の間に設定することができ、この温度領域からはずれることがない。また、液相温度が２６０℃以上の高温半田を用いているので、半導体装置１００の歩留及び信頼性を向上することができる。
【００３２】
チップ高さ均一化工程後、電極端子１の表面及び側面、半導体チップ２、電極端子３、電極端子４、コネクタ５、コネクタ６、及び接着部材８ａ乃至８ｃを封止材７で封止する。電極端子３及び電極端子４を所定の長さにカットして半導体装置１００が完成する。
【００３３】
次に、接着部材８ａで電極端子１に接合され、接着部材８ｂでコネクタ５に接合された半導体チップ２の高さばらつきについて、図７（Ａ）、図７（Ｂ）、及び図８を参照して説明する。
【００３４】
図７（Ａ）に示すように、本実施形態では、チップ載置工程、チップ固着工程、及び加熱及び加圧によるチップ高さ均一化工程を行っているので、半導体チップ２の左端部のチップ高さＨ１ａ、中央部のチップ高さＨ１ｂ、及び右端部のチップ高さＨ１ｃを含む半導体チップ２の高さばらつきを大幅に低減することができる。
【００３５】
図７（Ｂ）に示すように、チップ載置工程、加熱による接着工程を行う従来例では、半導体チップ２の左端部のチップ高さＨ１ａａ、中央部のチップ高さＨ１ｂｂ、及び右端部のチップ高さＨ１ｃｃを含む半導体チップ２の高さばらつきが大きくなる。
【００３６】
具体的には、図８に示すように、本実施形態では、従来例と比較して半導体チップ２の高さばらつきを（１／４）に低減することができる。例えば、従来例では高さばらつき（１σ）が１０〜２０μｍであるのに対し、本実施形態では高さばらつき（１σ）を４μｍ以下に低減することができる。
【００３７】
なお、半導体チップ２の高さ測定は、例えば、金属顕微鏡の焦点深度計、レーザ判別変位センサ、低倍率ＳＥＭ（Scanning  Electron  Microscope）等を用いている。
【００３８】
ここでは、図示していないが、加熱及び加圧工程だけで接着部材による接合を実施した場合と比較して、本実施形態では加熱及び加圧によるチップ高さ均一化工程を追加して実施しているので半導体チップ２の高さばらつきを低減することができる。
【００３９】
上述したように、本実施形態の半導体装置の製造方法では、チップ載置工程、チップ固着工程、及び加熱及び加圧によるチップ高さ均一化工程を行っている。
【００４０】
このため、電極面積が大きな半導体チップ２の高さばらつきを大幅に低減することができ、半導体チップ２が封止された半導体装置１００の歩留及び信頼性を向上することができる。
【００４１】
なお、本実施形態では、加熱及び加圧を時刻ｔ２から開始しているが必ずしもこれに限定されるものではない。例えば、図１１に示す第１変形例のように第１固相温度に達した時刻ｔ２１から加圧を開始してもよい。
【００４２】
また、半導体チップ２にＩＧＢＴを用いているが、代わりにパワーＭＯＳＦＥＴ或いはパワーＩＣを用いてもよい。パワーＩＣの場合、電極数が半導体素子よりも多くなる。このため、加熱及び加圧によるチップ高さ均一化工程後、コネクタ接続の他にボンディングワイヤ接続（例えば、半導体チップの電極（第３電極）と電極端子（第３電極端子）をボンディングワイヤで接続）が必要となる。コネクタによる接合後にボンディングワイヤ接続を行うので、接着部材としては固相温度が比較的高温度の半田を用いるのが好ましい。例えば、固相温度が２６０℃以上で、且つ固液相温度差が１０℃以上の特性を有するＳｂ−Ａｇ−Ｃｕ−Ｓｎ系、Ｐｂ−Ｉｎ−Ａｇ系、Ｐｂ−Ｓｎ系の半田を用いるのが好ましい。
【００４３】
（第２実施形態）
次に、第２実施形態に係る半導体装置について、図面を参照して説明する。図９は半導体装置を示す断面図である。本実施形態では、一端と他端で高さが大きく異なり、段差形状を有するコネクタに対応するために、上部のプレート形状を変更している。
【００４４】
以下、第１実施形態と同一構成部分には、同一符号を付してその部分の説明を省略し、異なる部分のみ説明する。
【００４５】
図９に示すように、半導体装置２００には、電極端子１、半導体チップ２、電極端子３、コネクタ５１、接着部材８ａ乃至８ｃ、及び封止材７が設けられる。半導体装置２００は、半導体チップ２が封止材７で封止され、電極端子と半導体チップ２の電極がコネクタで接合されたコネクタ接合型半導体装置である。半導体装置２００は、電鉄応用分野、電気自動車、インバータ分野、誘導加熱分野など種々の分野に適用される。
【００４６】
コネクタ５１の構成部５ａ（一端）は、接着部材８ｂを介して半導体チップ２上に設けられる。コネクタ５１の構成部５ｃ（他端）は、接着部材８ｃを介して電極端子３上に設けられる。本実施形態では、電極端子３が第１実施形態の電極端子よりも高く配置され、コネクタ５１が段差を有する構造となっている。
【００４７】
次に、半導体装置の製造方法について図１０を参照して説明する。図１０は半導体装置の製造方法において、製造途中の半導体装置を示す断面図である。
【００４８】
図１０に示すように、プレート３１ａはコネクタ５１の構成部５ａ、構成部５ｂ、及び構成部５ｃに接するような形状を有している。プレート３１ａの内部に設けられるヒータ３５ａは、コネクタ５１の構成部５ａ、構成部５ｂ、及び構成部５ｃに熱が均一に伝わるように、コネクタ５１の構成部５ａ、構成部５ｂ、及び構成部５ｃと等距離になるように配置された構造にしている。
【００４９】
このため、プレート２１及びプレート３１ａによる加熱及び加圧が均一に行われ、段差を有するコネクタ５１であっても半導体チップ２の平坦化が均一に行われる。ここでは、プレート２１及びプレート３１ａの内部に設けられる複数の熱電対については図示及び説明を省略している。
【００５０】
上述したように、本実施形態の半導体装置の製造方法では、段差を有するコネクタ５１の構成部５ａ、構成部５ｂ、及び構成部５ｃに接するような形状を有しているプレート３１ａとプレート２１を用いて加熱及び加圧を行っている。
【００５１】
このため、段差大きなコネクタ５１の場合でも、半導体チップ２の高さばらつきを大幅に低減することができ、半導体チップ２が封止された半導体装置２００の歩留及び信頼性を向上することができる。
【００５２】
本発明のいくつかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これら新規な実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これら実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれるとともに、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる。
【符号の説明】
【００５３】
１、３、４  電極端子
２  半導体チップ
５、６，５１  コネクタ
５ａ〜５ｃ、６ａ〜６ｃ  構成部
７  封止材
８ａ〜８ｃ  接着部材
２１、３１、３１ａ  プレート
２２  制御部
２３  測温部
２４、３４  熱電対
２５、３５、３５ａ  ヒータ
１００、２００  半導体装置
Ｈ１、Ｈ１ａ〜Ｈ１ｃ、Ｈ１ａａ〜Ｈ１ｃｃ  チップ高さ
ｔ１〜ｔ３、ｔ１１〜ｔ１４、ｔ２１、ｔ２２  時刻
【図１】
2015142045.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
2015142045.tif 000009
【図８】
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【図９】
2015142045.tif 000011
【図１０】
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【図１１】
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