(57)【要約】【課題】  ワークに対して短時間で成膜処理を完了することが可能な成膜装置を提供する。【解決手段】  成膜装置は、予備チャンバー１と、ゲートバルブ５と、成膜チャンバー２と、ゲートバルブ６と、搬出チャンバー３とを備える。予備チャンバー１内には、予備チャンバー１内の酸素の分圧あるいは水分の分圧を測定するための分圧測定器が配設されている。搬送機構２５は、分圧測定器により測定した予備チャンバー１内の酸素の分圧あるいは水分の分圧が設定値以下となったとき、ワークＷを予備チャンバー１から成膜チャンバー２に搬送する。【選択図】        図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
ワークに対して金属薄膜をＰＶＤ成膜する成膜装置であって、
成膜チャンバーと、
前記成膜チャンバーを減圧する成膜チャンバー減圧手段と、
前記成膜チャンバーに対してゲートバルブを介して接続された予備チャンバーと、
前記予備チャンバーを減圧する予備チャンバー減圧手段と、
前記予備チャンバー内の真空度もしくは、酸素あるいは水分の分圧を測定する測定手段と、
前記予備チャンバーから前記成膜チャンバーにワークを搬送するワーク搬送機構と、
前記測定手段による真空度もしくは、酸素あるいは水分の分圧が設定値以下となったときに、前記ワーク搬送機構により前記ワークを前記予備チャンバーから前記成膜チャンバーに搬送させる制御部と、
を備えることを特徴とする成膜装置。
【請求項２】
請求項１に記載の成膜装置において、
前記予備チャンバー内を加熱する加熱手段、及び／又は、前記予備チャンバー内を脱湿する脱湿手段を備える成膜装置。
【請求項３】
請求項１または請求項２に記載の成膜装置において、
前記予備チャンバー減圧手段は、前記成膜チャンバー減圧手段により減圧された前記成膜チャンバーの真空度より高い真空度に前記予備チャンバーを減圧する成膜装置。
【請求項４】
請求項１から請求項３のいずれかに記載の成膜装置において、
前記成膜チャンバーに対してゲートバルブを介して接続された搬出チャンバーと、
前記搬出チャンバーを減圧する搬出チャンバー減圧手段と、
を備える成膜装置。
【請求項５】
請求項１から請求項４のいずれかに記載の成膜装置において、
前記成膜チャンバー内に配設されたターゲット材料を有するスパッタ電極と、
前記成膜チャンバー内に不活性ガスを供給する不活性ガス供給部と、を備え、
樹脂製のワークに対してスパッタリングにより成膜を実行する成膜装置。
【請求項６】
請求項１から請求項５のいずれかに記載の成膜装置において、
前記成膜チャンバー内に配設されたＣＶＤ電極と、
前記成膜チャンバー内に原料ガスを供給する原料ガス供給部と、
前記スパッタ電極と当接することにより前記ターゲット材料を覆う当接位置と、前記スパッタ電極から離隔する退避位置との間を移動可能なシャッターと、
を備え、
スパッタリングにより成膜を実行した後のワークに対して、プラズマＣＶＤによる成膜を実行する成膜装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は、ワークに対して金属薄膜を、スパッタリング成膜等のＰＶＤ（Ｐｈｙｓｉｃａｌ  Ｖａｐｏｒ  Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ：物理気相成長）成膜により成膜する成膜装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
例えば、自動車のヘッドランプのリフレクターや計器類は、射出成型された樹脂製品が使用される。そして、これらの樹脂製品に対しては、鏡面仕上げや金属質感を持たせる目的から、アルミニウム等の金属をターゲットとしたスパッタリングによる成膜がなされる。
【０００３】
また、スパッタリングによる成膜後には、金属膜の機械的保護（キズ防止）や化学的保護（酸化・腐食防止）のため、プラズマＣＶＤによる酸化シリコン保護膜等の成膜が実行される。すなわち、スパッタリングによる成膜後のワークは、別の成膜装置に搬送され、その成膜装置のチャンバー内でＨＭＤＳＯ（ヘキサ−メチル−ジ−シロキサン）等のモノマーガスを利用したプラズマＣＶＤを行うことにより、スパッタリングによる成膜後の表面に保護膜の成膜を行っている。
【０００４】
スパッタリングによる成膜と複合成膜あるいは重合成膜とを同一のチャンバー内で実行する装置も提案されている。特許文献１には、スパッタリング用電極と複合成膜あるいは重合成膜用電極とを所定距離だけ離隔した位置に配置した成膜装置が開示されている。この成膜装置においては、最初に、ワークとスパッタリング電極とを対向配置するとともに、チャンバー内に不活性ガスを導入した後、スパッタリング電極に直流を印加してスパッタリングによる成膜を実行する。次に、ワークを移動させてワークと複合成膜あるいは重合成膜用電極とを対向配置するとともに、チャンバー内にＨＭＤＳＯ等のモノマーガスを導入した後、複合成膜あるいは重合成膜用電極に高周波電圧を印加して、複合成膜あるいは重合成膜を実行している。この特許文献１に記載の成膜装置においては、使用しないターゲット上にシャッターを配置する構成を有している。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２０１１−５８０４８号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
このような樹脂製のワークに対する成膜時には、射出成型機より一定の間隔で送り出されるワークを、射出成型機によるワークの生産サイクルと連動した形で成膜することが好ましい。しかしながら、従来の成膜装置においては、成膜開始前のチャンバー内の圧力を１０−３Ｐａ（パスカル）程度の高真空圧まで減圧を行わないと、スパッタリング後のワークの表面の反射率が低下したり、黄変と呼ばれる現象が発生したりするという問題が発生することが知られている。このため、減圧に長い時間を要するという問題があった。このような問題は、主として、チャンバー内の酸素または水分の影響によるものであることが、この発明の発明者により見出された。
【０００７】
図４は、チャンバー内の圧力を０．９Ｐａ程度の低真空としてスパッタリングによる成膜を実行したときのアルゴン（Ａｒ）の分圧と水分（Ｈ２  Ｏ）を示すグラフであり、図５は、それにより成膜されたアルミニウム薄膜の分光反射率を示すグラフである。また、図６は、チャンバー内の圧力を１０−３Ｐａ程度の高真空としてスパッタリングによる
成膜を実行したときのアルゴン（Ａｒ）の分圧と水分（Ｈ２  Ｏ）を示すグラフであり、図７は、それにより成膜されたアルミニウム薄膜の分光反射率を示すグラフである。ここで、図４および図６の横軸は時間を示し、縦軸はチャンバー内の圧力に比例する分圧（Ｐａ）を示している。また、図５および図７の横軸は波長（ｎｍ）を示し、縦軸は反射率（％）を示している。さらに、図４および図６における符号Ｔは、スパッタリングによる成膜を実際に実行した時間を示している。
【０００８】
図４に示すように、チャンバー内の成膜前バックグラウンド圧力を０．９Ｐａ程度の低真空としてスパッタリングによる成膜を実行した場合と、図６に示すように、チャンバー内の成膜前バックグラウンド圧力を１０−３Ｐａ程度の高真空とした場合では、アルゴンの分圧に大きな差異はないが、水分の分圧は、高真空時においては低真空時の十分の一程度となっている。これは、減圧の程度により水分の分圧が大きく変化することを示している。
【０００９】
ここで、０．９Ｐａ程度の低真空下でスパッタリングによる成膜を行った場合には、図５に示すように、特に、アルミニウム薄膜に対する短波長側での反射率が低くなる。これにより、アルミニウム薄膜の表面が黄色がかって見える黄変という現象が発生する。一方、１０−３Ｐａ程度の高真空下でスパッタリングによる成膜を行った場合には、アルミニウム薄膜に対して高い反射率を維持することが可能となる。このため、スパッタリングによる成膜時に高い反射率を得るためには、チャンバー内の水分の分圧を小さくする必要があることが理解できる。スパッタリングによる成膜時に酸化作用を有する酸素の分圧についても、同様の考え方をとることができる。
【００１０】
従って、この発明はこのような知見のもとでなされたものであり、ワークに対して短時間で成膜処理を完了することが可能な成膜装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
第１の発明では、ワークに対して金属薄膜をＰＶＤ成膜する成膜装置であって、成膜チャンバーと、前記成膜チャンバーを減圧する成膜チャンバー減圧手段と、前記成膜チャンバーに対してゲートバルブを介して接続された予備チャンバーと、前記予備チャンバーを減圧する予備チャンバー減圧手段と、前記予備チャンバー内の真空度もしくは，酸素あるいは水分の分圧を測定する測定手段と、前記予備チャンバーから前記成膜チャンバーにワークを搬送するワーク搬送機構と、前記測定手段による真空度もしくは、酸素あるいは水分の分圧が設定値以下となったときに、前記ワーク搬送機構により前記ワークを前記予備チャンバーから前記成膜チャンバーに搬送させる制御部と、を備えることを特徴とする。
【００１２】
第２の発明では、前記予備チャンバー内を加熱する加熱手段、及び／又は、前記予備チャンバー内を脱湿する脱湿手段を備える。
【００１３】
第３の発明では、前記予備チャンバー減圧手段は、前記成膜チャンバー減圧手段により減圧された前記成膜チャンバーの真空度より高い真空度に前記予備チャンバーを減圧する。
【００１４】
第４の発明では、前記成膜チャンバーに対してゲートバルブを介して接続された搬出チャンバーと、前記搬出チャンバーを減圧する搬出チャンバー減圧手段と、を備える。
【００１５】
第５の発明では、前記成膜チャンバー内に配設されたターゲット材料を有するスパッタ電極と、前記成膜チャンバー内に不活性ガスを供給する不活性ガス供給部と、を備え、樹脂製のワークに対してスパッタリングにより成膜を実行する。
【００１６】
第６の発明では、前記成膜チャンバー内に配設されたＣＶＤ電極と、前記成膜チャンバー内に原料ガスを供給する原料ガス供給部と、前記スパッタ電極と当接することにより前記ターゲット材料を覆う当接位置と、前記スパッタ電極から離隔する退避位置との間を移動可能なシャッターと、を備え、スパッタリングにより成膜を実行した後のワークに対して、プラズマＣＶＤによる成膜を実行する。
【発明の効果】
【００１７】
第１の発明によれば、予備チャンバー内の真空度もしくは，酸素あるいは水分の分圧が設定値以下となってからワークを予備チャンバーから成膜チャンバーに搬送することから、成膜チャンバー内の酸素の分圧あるいは水分の分圧を一定以下に管理することができ、低真空状態においても、金属薄膜の反射率を高い状態に維持したまま、ワークに対して短時間でＰＶＤ成膜処理を実行することが可能となる。
【００１８】
第２の発明によれば、予備チャンバー内を加熱及び／又は脱湿することにより、予備チャンバー内の酸素の分圧あるいは水分の分圧をより短時間に効率的に低下させることが可能となる。
【００１９】
第３の発明によれば、成膜チャンバーの真空度より高い真空度に予備チャンバーを減圧することから、成膜開始時の成膜チャンバーの真空度を高いままに維持することができ、成膜処理を短時間で完了することが可能となる。
【００２０】
第４の発明によれば、減圧された搬出チャンバーを使用することにより、ワークの搬出時においても、成膜チャンバーの真空度が低下することを防止することが可能となる。
【００２１】
第５の発明によれば、スパッタリングにより成膜を行うことから、比較的低真空で高速成膜が可能となり、短いタクトタイムで膜厚分布が小さく高品質・高反射率の金属薄膜を成膜することが可能となる。また単体金属だけでなく、合金膜の形成も容易である。
【００２２】
第６の発明によれば、スパッタリングによる成膜とプラズマＣＶＤによる成膜とを、同一チャンバー内で短時間に連続して実行することが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【００２３】
【図１】この発明に係る成膜装置の概要図である。
【図２】予備チャンバー１の概要図である。
【図３】この発明に係る成膜装置の制御系を示すブロック図である。
【図４】チャンバー内のバックグラウンド圧力を０．９Ｐａ程度の低真空としてスパッタリングによる成膜を実行したときのアルゴン（Ａｒ）の分圧と水分（Ｈ２  Ｏ）を示すグラフである。
【図５】アルミニウム薄膜の分光反射率を示すグラフである。
【図６】チャンバー内のバックグラウンド圧力を１０−３Ｐａ程度の高真空としてスパッタリングによる成膜を実行したときのアルゴン（Ａｒ）の分圧と水分（Ｈ２  Ｏ）を示すグラフである。
【図７】アルミニウム薄膜の分光反射率を示すグラフである。
【発明を実施するための形態】
【００２４】
以下、この発明の実施の形態を図面に基づいて説明する。図１は、この発明に係る成膜装置の概要図である。
【００２５】
この発明に係る成膜装置は、射出成型された樹脂製のワークＷに対してスパッタリングによる成膜とプラズマＣＶＤによる成膜とを実行するものであり、予備チャンバー１と、成膜チャンバー２と、搬出チャンバー３とを備える。予備チャンバー１と成膜チャンバー２とは、ゲートバルブ５およびパッキング３６を介して接続されている。また、成膜チャンバー２と搬出チャンバー３とは、パッキング３７およびゲートバルブ６を介して接続されている。
【００２６】
ワークＷは、予備チャンバー１におけるシャッター４が開放された状態で、図示しない搬送機構により、予備チャンバー１内に搬入される。予備チャンバー１内を十分に排気した後、このワークＷは、搬送機構２５により、予備チャンバー１から成膜チャンバー２に搬送される。また、ワークＷは成膜後に、図示しない移載機構により搬送機構２５から搬送機構２６に移載され、搬送機構２６により成膜チャンバー２から搬出チャンバー３に搬送される。さらに、ワークＷは、搬出チャンバー３のシャッター７が開放された状態で、図示しない搬送機構により、搬出チャンバー３から搬出される。
【００２７】
予備チャンバー１は、開閉弁１５を介して、ターボ分子ポンプ１６と接続されており、このターボ分子ポンプ１６は、ロータリーポンプ等の補助ポンプ１７と接続されている。これらのターボ分子ポンプ１６および補助ポンプ１７は、予備チャンバー１を減圧する予備チャンバー減圧手段として機能する。
【００２８】
図２は、予備チャンバー１の概要図である。
【００２９】
この予備チャンバー１は、ラバー・カーボン・セラミックや赤外線加熱ヒータ等のヒータ１４を備えたステージ１３と、モレキュラーシーブス等の脱湿部材１２と、分圧測定器１１とを備える。この分圧測定器１１は、予備チャンバー１内の酸素の分圧あるいは水分の分圧を測定するものであり、Ｑ−ｍａｓｓ分析器（四重極型質量分析計）や、赤外線吸収検知器等を使用することができる。ワークＷは、シャッター４が開放された状態で予備チャンバー１内に搬入され、予備チャンバー１からゲートバルブ５を介して成膜チャンバー２に搬入される。
【００３０】
再度、図１を参照して、成膜チャンバー２は、電極部２１とターゲット材料２２とからなるスパッタ電極２３を備える。ターゲット材料２２としては、アルミニウムまたはアルミニウム合金が使用される。このスパッタ電極２３は、図示を省略した絶縁部材を介して、成膜チャンバー２に装着されている。また、成膜チャンバー２は、接地部２７によりアースされている。このスパッタ電極２３は、直流電源３３に接続されている。なお、この直流電源３３としては、ターゲット材料２２の表面積に対して、１平方センチ当たり２５ワット以上の投入電力となるように、スパッタ電極２３に直流電圧を印加し得るものが使用される。すなわち、この直流電源３３は、スパッタ電極２３への投入電力として、ターゲット材料２２の表面積に対して、１平方センチ当たり２５ワット以上を投入することになる。
【００３１】
また、この成膜チャンバー２は、ＣＶＤ電極２４を備える。このＣＶＤ電極２４は、スパッタ電極２３と同様、図示を省略した絶縁部材を介して、成膜チャンバー２に装着されている。このＣＶＤ電極２４は、マッチングボックス３５を介して高周波電源３４と接続されている。この高周波電源３４としては、例えば、数十ＭＨｚ（メガヘルツ）程度の高周波を発生させるものを使用することができる。ここで、この明細書で述べる高周波とは、２０ｋＨｚ（キロヘルツ）以上の周波数を意味する。
【００３２】
また、成膜チャンバー２は、開閉弁５１および流量調整弁５２を介して、アルゴン等の不活性ガスの供給部５３と接続されている。また、成膜チャンバー２は、開閉弁５４および流量調整弁５５を介して、ＨＭＤＳＯやＨＭＤＳ（ヘキサ−メチル−ジ−シラザン）等の原料ガスの供給部５６と接続されている。さらに、成膜チャンバー２は、開閉弁４１を介して、ターボ分子ポンプ４２と接続されており、このターボ分子ポンプ４２は、ロータリーポンプ等の補助ポンプ４３と接続されている。
【００３３】
なお、上述した予備チャンバー１におけるターボ分子ポンプ１６および成膜チャンバー２におけるターボ分子ポンプ４２としては、その最大排気速度が、１秒当たり３００リットル以上のものが使用される。ターボ分子ポンプ３７を利用した場合には、大きな排気速度を得ながら、ポンプ自体を小型化することが可能となる。このため、成膜装置そのものを小型化することが可能となる。
【００３４】
さらに、成膜チャンバー２は、図１において仮想線で示すように、スパッタ電極２３と当接することによりターゲット材料２２を覆う当接位置と、図１において実線で示すように、成膜チャンバー２の底部付近において支持部３１により支持される退避位置との間を、エアシリンダ３２の駆動で昇降可能なシャッター２８を備える。このシャッター２８は、金属等の伝導体で、かつ、非磁性体である材料から構成されている。シャッター２８の材質としては、例えば、アルミニュウムを採用することができる。
【００３５】
搬出チャンバー３は、開閉弁４４を介して、成膜チャンバー２におけるターボ分子ポンプ４２と接続されている。ターボ分子ポンプ４２および補助ポンプ４３は、成膜チャンバー２を減圧する成膜チャンバー減圧手段として機能するほか、搬出チャンバー３を減圧する搬出チャンバー減圧手段としても機能する。なお、成膜チャンバー２を減圧するときには、開閉弁４１が開放され、搬出チャンバー３を減圧するときには開閉弁４４が開放される。搬出チャンバー３については、成膜チャンバー２において成膜動作を実行するために開閉弁４１が閉止されているときに、その減圧動作を実行すればよい。
【００３６】
図３は、この発明に係る成膜装置の制御系を示すブロック図である。
【００３７】
この成膜装置は、論理演算を実行するＣＰＵ、装置の制御に必要な動作プログラムが格納されたＲＯＭ、制御時にデータ等が一時的にストアされるＲＡＭ等を備え、装置全体を制御する制御部７０を備える。この制御部７０は、予備チャンバー１に配設された分圧測定器１１と接続されている。また、制御部７０は、図１に示す搬送機構２５、２６等を駆動制御する搬送機構駆動部７１と、開閉弁１５、４１、４４、５１、５４等を開閉制御する開閉弁駆動部７２と、ゲートバルブ５、６を開閉制御するゲートバルブ駆動部７３と、スパッタ電極２３およびＣＶＤ電極２４を駆動制御する電極駆動部７４と、シャッター４、７、２８を開閉制御するシャッター駆動部７５とも接続されている。
【００３８】
次に、以上のような構成を有する成膜装置による成膜動作について説明する。この成膜装置により成膜動作を実行するときには、射出成型されたワークＷが、予備チャンバー１、成膜チャンバー２および搬出チャンバー３に順次搬送され、その成膜処理が実行される。
【００３９】
この成膜装置により成膜動作を実行するときには、最初に、ターボ分子ポンプ１６および補助ポンプ１７の作用により、予備チャンバー１内の圧力を１０−３Ｐａ以下の高真空としておく。また、ヒータ１４の作用によりステージ１３を介して予備チャンバー１内を加熱するとともに、脱湿部材１２の作用により予備チャンバー１内を脱湿しておく。このときには、ゲートバルブ５、６は閉じられている。また、ターボ分子ポンプ４２および補助ポンプ４３の作用により、成膜チャンバー２内および搬出チャンバー３内を、１Ｐａ未満の低真空まで減圧する。なお、成膜チャンバー２および搬出チャンバー３の減圧は、そこにワークＷが搬入される前に完了していればよい。
【００４０】
この状態において、射出成型されたワークＷを射出成型機より搬送し、予備チャンバー１内に搬入する。このときには、多数のワークＷを予備チャンバー１内に搬入し、予備チャンバー１内にストックしておくことが好ましい。そして、シャッター４およびゲートバルブ５を閉じた状態で、分圧測定器１１により予備チャンバー１内の酸素の分圧または水分の分圧を測定する。なお、酸素の分圧と水分の分圧のいずれを測定するかは、金属薄膜の種類等により適宜選択すればよい。また、酸素の分圧と水分の分圧の両方を測定するようにしてもよい。
【００４１】
なお、この予備チャンバー１においては、ヒータ１４の作用により予備チャンバー１内を加熱するとともに、脱湿部材１２の作用により予備チャンバー１内を脱湿していることから、予備チャンバー１内の酸素の分圧または水分の分圧を速やかに小さなものとすることが可能となる。なお、排気速度の大きな真空ポンプを使用することによって予備チャンバー１内の酸素の分圧または水分の分圧を減少させることも可能ではあるが、この場合においては、装置構成が大型化するばかりではなく、断熱膨張により予備チャンバー１の内部やワークＷに結露を生じ、金属薄膜について所望の膜質が得られない場合がある。
【００４２】
分圧測定器１１により測定された予備チャンバー１内の酸素の分圧または水分の分圧が設定値以下となり、また、成膜チャンバー２内が０．１Ｐａから１Ｐａ未満の低真空まで減圧されれば、ゲートバルブ５を開放し、搬送機構２５によりワークＷを予備チャンバー１から成膜チャンバー２に搬送する。このときには、予備チャンバー１内は、十分に減圧され、かつ、酸素の分圧または水分の分圧が設定値以下となっていることから、成膜チャンバー２内もそのまま減圧され、さらに、成膜チャンバー２内の酸素の分圧または水分の分圧が設定値以下となる。
【００４３】
この状態において、開閉弁５１を開放することにより、不活性ガスの供給部５３から成膜チャンバー２内にアルゴン等の不活性ガスを供給し、成膜チャンバー２内の真空度が０．５〜３Ｐａとなるように、成膜チャンバー２内を不活性ガスで充満させる。また、図１において仮想線で示すように、搬送機構２６により搬送されるワークＷを、成膜チャンバー２内のスパッタ電極２３と対向する位置に配置する。そして、スパッタ電極２３に対して直流電源３３から直流電圧を付与する。これにより、スパッタリング現象でアルミニウムからなるターゲット材料２２の薄膜がワークＷの表面に形成される。
【００４４】
このスパッタリング工程においては、スパッタ電極２３におけるターゲット材料２２の表面積に対して、１平方センチ当たり２５ワット以上の投入電力となるように、直流電源３３からスパッタ電極２３に直流電圧が印加される。これにより、成膜チャンバー２内が低真空である場合であっても、樹脂製のワークＷの表面にターゲット材料２２による薄膜が好適に成膜される。すなわち、樹脂製のワークＷに対してアルミによる成膜を実行する場合において、黄変を生ずることなく、高反射率を有し、かつ、高密着性を有する薄膜を好適に成膜することが可能となる。
【００４５】
以上の工程によりスパッタリングによる成膜が完了すれば、引き続き、プラズマ重合による成膜を実行する。このプラズマ重合は、プラズマＣＶＤ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｖａｐｏｒ  Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）の一種である。プラズマ重合を実行する場合には、図１において実線で示すように、搬送機構２５により搬送されるワークＷを、成膜チャンバー２内のＣＶＤ電極２４と対向する位置に配置する。また、図１において仮想線で示すように、シャッター２８を、スパッタ電極２３と当接することによりターゲット材料２２を覆う当接位置に配置する。この状態においては、エアシリンダ３２のシリンダロッドは、図１に示すように、エアシリンダ３２の本体内に収納された縮収状態となっている。
【００４６】
この状態において、開閉弁５４を開放することにより、原料ガスの供給部５６から成膜チャンバー２内に原料ガスを供給し、成膜チャンバー２内の真空度を０．１〜１０Ｐａとなるように、成膜チャンバー２内を原料ガスで充満させる。そして、ＣＶＤ電極２４に対してマッチングボックス３５を介して高周波電源３４から高周波電圧を付与することにより、プラズマ重合による成膜を実行する。これにより、プラズマ重合反応で原料ガスの薄膜がワークＷの表面に堆積する。
【００４７】
プラズマ重合による成膜が完了すれば、ゲートバルブ６を開き、搬送機構２５、２６により、成膜後のワークＷを成膜チャンバー２から搬出チャンバー３に搬送する。このときには、搬出チャンバー３内は、ターボ分子ポンプ４２および補助ポンプ４３の作用により、０．１Ｐａから１Ｐａ未満の低真空まで減圧されていることから、成膜チャンバー２内の圧力が上昇することはない。ワークＷが搬出チャンバー３内に収納されれば、ゲートバルブ６を閉止する。しかる後、シャッター７を開放して、成膜後のワークＷを成膜装置から搬出する。
【００４８】
このとき、同時に、成膜チャンバー２においては、次のワークＷに対する成膜が実行される。また、成膜チャンバー２により成膜が実行されている間に、シャッター７は閉止され、搬出チャンバー３内が減圧される。このような動作を繰り返すことにより、成膜チャンバー２内の酸素の分圧あるいは水分の分圧を低く保ったままで成膜を実行することが可能となる。このため、低真空圧下でも高い反射率を有する金属剥膜を形成することが出来、成膜に要する時間を短時間とすることが可能となる。
【００４９】
なお、上述した実施形態においては、スパッタリングによる成膜とプラズマＣＶＤによる成膜とを、同一の成膜チャンバー２内で連続して実行する成膜装置にこの発明を適用した場合について説明したが、スパッタリングによる成膜のみを実行する成膜装置にこの発明を適用してもよい。
【００５０】
また、上述した実施形態においては、ＰＶＤ成膜の一種であるスパッタリングによる成膜を採用しているが、スパッタリング以外のＰＶＤ成膜を実行する成膜装置にこの発明を適用してもよい。
【００５１】
なお、分圧測定器１１により予備チャンバー１内の酸素又は水分の分圧を測定する代わりに、予備チャンバー１内の真空度を測定する真空度測定器を設けて、真空度測定器により測定された予備チャンバー１内の真空度が設定値以下（１０−３以下の高真空）となり、また、成膜チャンバー２内が０．１Ｐａから１Ｐａ未満の低真空まで減圧されれば、ゲートバルブ５を開放し、搬送機構２５によりワークＷを予備チャンバー１から成膜チャンバー２に搬送するようにしてもよい。
【符号の説明】
【００５２】
１      予備チャンバー
２      成膜チャンバー
３      搬出チャンバー
４      シャッター
５      ゲートバルブ
６      ゲートバルブ
７      シャッター
１１    分圧測定器
１２    脱湿部材
１４    ヒータ
１５    開閉弁
１６    ターボ分子ポンプ
１７    補助ポンプ
２１    電極部
２２    ターゲット材料
２３    スパッタ電極
２４    ＣＶＤ電極
２５    搬送機構
２６    搬送機構
２８    シャッター
３２    エアシリンダ
３３    直流電源
３４    高周波電源
３５    マッチングボックス
４１    開閉弁
４２    ターボ分子ポンプ
４３    補助ポンプ
４４    開閉弁
５１    開閉弁
５２    流量調整弁
５３    不活性ガスの供給部
５４    開閉弁
５５    流量調整弁
５６    原料ガスの供給部
７０    制御部
７１    搬送機構駆動部
７２    開閉弁駆動部
７３    ゲートバルブ駆動部
７４    電極駆動部
７５    シャッター駆動部
Ｗ      ワーク
【図１】
2015101768.tif 000003
【図２】
2015101768.tif 000004
【図３】
2015101768.tif 000005
【図４】
2015101768.tif 000006
【図５】
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【図６】
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【図７】
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