(57)【要約】【課題】  透明性に優れた基材、基材と良好に接着し、金属箔または金属板をエッチングで除去した後の基材の透明性に優れた金属箔または金属板、及び、それを用いた積層板、プリント配線板、電子機器を提供する。また、透明性に優れた基材を用いて精度良く効率的な作製が可能なプリント配線板の製造方法を提供する。【解決手段】  基材表面に入射する光の波長をλとしたとき、少なくとも一方の表面の一部または全体の十点平均粗さＲｚが２．１×λ以下である基材。【選択図】なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
基材表面に入射する光の波長をλとしたとき、少なくとも一方の表面の一部または全体の十点平均粗さＲｚが２．１×λ以下である基材。
【請求項２】
前記少なくとも一方の表面の一部または全体の十点平均粗さＲｚが１．１×λ以下である請求項１に記載の基材。
【請求項３】
少なくとも一方の表面の一部または全体の局部山頂平均間隔Ｓが４．１×λ以下である請求項１又は２に記載の基材。
【請求項４】
前記少なくとも一方の表面の一部または全体の局部山頂平均間隔Ｓが２．１×λ以下である請求項３に記載の基材。
【請求項５】
基材表面に入射する光の波長をλとしたとき、少なくとも一方の表面の一部または全体の局部山頂平均間隔Ｓが４．１×λ以下である基材。
【請求項６】
前記少なくとも一方の表面の一部または全体の局部山頂平均間隔Ｓが２．１×λ以下である請求項５に記載の基材。
【請求項７】
金属箔または金属板を基材表面に積層し、続いてエッチングにより前記金属箔または金属板を除去した後の前記基材表面について、前記基材表面に入射する光の波長をλとしたとき、少なくとも一方の表面の一部または全体の十点平均粗さＲｚが２．１×λ以下となる金属箔または金属板。
【請求項８】
前記基材の少なくとも一方の表面の一部または全体の十点平均粗さＲｚが１．１×λ以下となる請求項７に記載の金属箔または金属板。
【請求項９】
金属箔または金属板を基材表面に積層し、続いてエッチングにより前記金属箔または金属板を除去した後の前記基材表面について、前記基材表面に入射する光の波長をλとしたとき、少なくとも一方の表面の一部または全体の局部山頂平均間隔Ｓが４．１×λ以下となる請求項７又は８に記載の金属箔または金属板。
【請求項１０】
前記基材の少なくとも一方の表面の一部または全体の局部山頂平均間隔Ｓが２．１×λ以下となる請求項９に記載の金属箔または金属板。
【請求項１１】
金属箔または金属板を基材表面に積層し、続いてエッチングにより前記金属箔または金属板を除去した後の前記基材表面について、前記基材表面に入射する光の波長をλとしたとき、少なくとも一方の表面の一部または全体の局部山頂平均間隔Ｓが４．１×λ以下となる金属箔または金属板。
【請求項１２】
前記基材の少なくとも一方の表面の一部または全体の局部山頂平均間隔Ｓが２．１×λ以下となる請求項１１に記載の金属箔または金属板。
【請求項１３】
キャリアを有する請求項７〜１２のいずれか一項に記載の金属箔または金属板。
【請求項１４】
請求項７〜１２のいずれか一項に記載の金属箔または金属板と基材とを積層して構成した積層板。
【請求項１５】
請求項１〜６のいずれか一項に記載の基材を用いたプリント配線板。
【請求項１６】
請求項１４に記載の積層板を用いたプリント配線板。
【請求項１７】
請求項１５又は１６に記載のプリント配線板を用いた電子機器。
【請求項１８】
請求項１５又は１６に記載のプリント配線板を２つ以上接続して、プリント配線板が２つ以上接続したプリント配線板を製造する方法。
【請求項１９】
請求項１５又は１６に記載のプリント配線板を少なくとも１つと、もう一つの請求項１４又は１５に記載のプリント配線板又は請求項１４又は１５に記載のプリント配線板に該当しないプリント配線板とを接続する工程を含む、プリント配線板が２つ以上接続したプリント配線板を製造する方法。
【請求項２０】
請求項１５又は１６に記載のプリント配線板と、部品とを接続する工程を少なくとも含む、プリント配線板を製造する方法。
【請求項２１】
第１のプリント配線板と第２のプリント配線板とを接合してプリント配線板が２つ以上接続したプリント配線板を製造する方法であって、
前記第１及び第２のプリント配線板は基材と配線とを有し、
前記第１のプリント配線板はマークを有し、
前記第１のプリント配線板の前記基材の表面の一部または全体の十点平均粗さＲｚが２．１×（マークの検出に用いられる光の波長λ）以下であり、
前記第１のプリント配線板の前記マークに、前記第１のプリント配線板の基材越しに光を照射する工程、
前記照射した光の透過光又は反射光を検出する工程、
前記透過光又は反射光を検出した位置に基づいて、前記マークの位置を検出する工程、及び、
前記検出したマークの位置に基づいて前記第１のプリント配線板及び／又は前記第２のプリント配線板の位置決めをする工程、
を含むプリント配線板の製造方法。
【請求項２２】
前記マークの位置を検出する工程と、前記プリント配線板の位置決めをする工程との間に、前記検出した透過光又は反射光に基づいて、前記第１のプリント配線板のマークの有無を判定する工程を備える請求項２１に記載のプリント配線板の製造方法。
【請求項２３】
前記第１のプリント配線板の前記基材の表面の一部または全体の十点平均粗さＲｚが１．１×（マークの検出に用いられる光の波長λ）以下である請求項２１又は２２に記載のプリント配線板の製造方法。
【請求項２４】
前記第１のプリント配線板の前記基材の表面の一部または全体の局部山頂平均間隔Ｓが４．１×（マークの検出に用いられる光の波長λ）以下である請求項２１〜２３のいずれか一項に記載のプリント配線板の製造方法。
【請求項２５】
前記第１のプリント配線板の前記基材の表面の一部または全体の局部山頂平均間隔Ｓが２．１×（マークの検出に用いられる光の波長λ）以下である請求項２４に記載のプリント配線板の製造方法。
【請求項２６】
第１のプリント配線板と第２のプリント配線板とを接合してプリント配線板が２つ以上接続したプリント配線板を製造する方法であって、
前記第１及び第２のプリント配線板は基材と配線とを有し、
前記第１のプリント配線板はマークを有し、
前記第１のプリント配線板の前記基材の表面の一部または全体の局部山頂平均間隔Ｓが４．１×（マークの検出に用いられる光の波長λ）以下であり、
前記第１のプリント配線板の前記マークに、前記第１のプリント配線板の基材越しに光を照射する工程、
前記照射した光の透過光又は反射光を検出する工程、
前記透過光又は反射光を検出した位置に基づいて、前記マークの位置を検出する工程、及び、
前記検出したマークの位置に基づいて前記第１のプリント配線板及び／又は前記第２のプリント配線板の位置決めをする工程、
を含むプリント配線板の製造方法。
【請求項２７】
前記マークの位置を検出する工程と、前記プリント配線板の位置決めをする工程との間に、前記検出した透過光又は反射光に基づいて、前記第１のプリント配線板のマークの有無を判定する工程を備える請求項２６に記載のプリント配線板の製造方法。
【請求項２８】
前記第１のプリント配線板の前記基材の表面の一部または全体の局部山頂平均間隔Ｓが２．１×（マークの検出に用いられる光の波長λ）以下である請求項２６又は２７に記載のプリント配線板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】  本発明は、基材、金属箔または金属板、及び積層板、プリント配線板、電子機器、並びに、プリント配線板の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】  スマートフォンやタブレットＰＣといった小型電子機器には、配線の容易性や軽量性からフレキシブルプリント配線板（以下、ＦＰＣ）が採用されている。近年、これら電子機器の高機能化により信号伝送速度の高速化が進み、ＦＰＣにおいてもインピーダンス整合が重要な要素となっている。信号容量の増加に対するインピーダンス整合の方策として、ＦＰＣのベースとなる樹脂絶縁層（例えば、ポリイミド）の厚層化が進んでいる。一方、ＦＰＣは液晶基材への接合やＩＣチップの搭載などの加工が施されるが、この際の位置合わせは銅箔と樹脂絶縁層との積層板における銅箔をエッチングした後に残る樹脂絶縁層を透過して視認される位置決めパターンを介して行われるため、樹脂絶縁層の視認性が重要となる。【０００３】  また、銅箔と樹脂絶縁層との積層板である銅張積層板は、表面に粗化めっきが施された圧延銅箔を使用しても製造できる。この圧延銅箔は、通常タフピッチ銅（酸素含有量１００〜５００重量ｐｐｍ）又は無酸素銅（酸素含有量１０重量ｐｐｍ以下）を素材として使用し、これらのインゴットを熱間圧延した後、所定の厚さまで冷間圧延と焼鈍とを繰り返して製造される。【０００４】  このような技術として、例えば、特許文献１には、ポリイミドフィルムと低粗度銅箔とが積層されてなり、銅箔エッチング後のフィルムの波長６００ｎｍでの光透過率が４０％以上、曇価（ＨＡＺＥ）が３０％以下であって、接着強度が５００Ｎ／ｍ以上である銅張積層板に係る発明が開示されている。
また、特許文献２には、電解銅箔による導体層を積層された絶縁層を有し、当該導体層をエッチングして回路形成した際のエッチング領域における絶縁層の光透過性が５０％以上であるチップオンフレキ（ＣＯＦ）用フレキシブルプリント配線板において、前記電解銅箔は、絶縁層に接着される接着面にニッケル−亜鉛合金による防錆処理層を備え、該接着面の表面粗度（Ｒｚ）は０．０５〜１．５μｍであるとともに入射角６０°における鏡面光沢度が２５０以上であることを特徴とするＣＯＦ用フレキシブルプリント配線板に係る発明が開示されている。
また、特許文献３には、印刷回路用銅箔の処理方法において、銅箔の表面に銅−コバルト−ニッケル合金めっきによる粗化処理後、コバルト−ニッケル合金めっき層を形成し、更に亜鉛−ニッケル合金めっき層を形成することを特徴とする印刷回路用銅箔の処理方法に係る発明が開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】  特開２００４−９８６５９号公報
【特許文献２】  ＷＯ２００３／０９６７７６
【特許文献３】  特許第２８４９０５９号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】  特許文献１において、黒化処理又はめっき処理後の有機処理剤により接着性が改良処理されて得られる低粗度銅箔は、銅張積層板に屈曲性が要求される用途では、疲労によって断線することがあり、樹脂透視性に劣る場合がある。
また、特許文献２では、粗化処理がなされておらず、ＣＯＦ用フレキシブルプリント配線板以外の用途においては銅箔と樹脂との密着強度が低く不十分である。
さらに、特許文献３に記載の処理方法では、銅箔へのＣｕ−Ｃｏ−Ｎｉによる微細処理は可能であったが、当該銅箔を樹脂と接着させてエッチングで除去した後の樹脂について、優れた透明性を実現できていない。
本発明は、透明性に優れた基材、基材と良好に接着し、金属箔または金属板をエッチングで除去した後の基材の透明性に優れた金属箔または金属板、及び、それを用いた積層板、プリント配線板、電子機器を提供する。また、本発明は、透明性に優れた基材を用いて精度良く効率的な作製が可能なプリント配線板の製造方法を提供する。
【課題を解決するための手段】
【０００７】  本発明者らは鋭意研究を重ねた結果、少なくとも一方の表面の一部または全体の十点平均粗さＲｚを、基材表面に入射する光の波長λに対して所定倍以下に制御することで、基材の透明性が改善することを見出した。【０００８】  以上の知見を基礎として完成された本発明は一側面において、基材表面に入射する光の波長をλとしたとき、少なくとも一方の表面の一部または全体の十点平均粗さＲｚが２．１×λ以下である基材である。【０００９】  本発明は別の一側面において、基材表面に入射する光の波長をλとしたとき、少なくとも一方の表面の一部または全体の局部山頂平均間隔Ｓが４．１×λ以下である基材である。【００１０】  本発明は更に別の一側面において、銅箔を基材表面に積層し、続いてエッチングにより前記銅箔を除去した後の前記基材表面について、前記基材表面に入射する光の波長をλとしたとき、少なくとも一方の表面の一部または全体の十点平均粗さＲｚが２．１×λ以下となる銅箔である。【００１１】  本発明は更に別の一側面において、銅箔を基材表面に積層し、続いてエッチングにより前記銅箔を除去した後の前記基材表面について、前記基材表面に入射する光の波長をλとしたとき、少なくとも一方の表面の一部または全体の局部山頂平均間隔Ｓが４．１×λ以下となる銅箔である。【００１２】  本発明は更に別の一側面において、本発明の銅箔と基材とを積層して構成した積層板である。【００１３】  本発明は更に別の一側面において、本発明の基材を用いたプリント配線板である。【００１４】  本発明は更に別の一側面において、本発明の積層板を用いたプリント配線板である。【００１５】  本発明は更に別の一側面において、本発明のプリント配線板を用いた電子機器である。【００１６】  本発明は更に別の一側面において、本発明のプリント配線板を２つ以上接続して、プリント配線板が２つ以上接続したプリント配線板を製造する方法である。【００１７】  本発明は更に別の一側面において、本発明のプリント配線板を少なくとも１つと、もう一つの本発明のプリント配線板又は本発明のプリント配線板に該当しないプリント配線板とを接続する工程を含む、プリント配線板が２つ以上接続したプリント配線板を製造する方法である。【００１８】  本発明は更に別の一側面において、本発明のプリント配線板と、部品とを接続する工程を少なくとも含む、プリント配線板を製造する方法である。【００１９】  本発明は更に別の一側面において、
第１のプリント配線板と第２のプリント配線板とを接合してプリント配線板が２つ以上接続したプリント配線板を製造する方法であって、
前記第１及び第２のプリント配線板は基材と配線とを有し、
前記第１のプリント配線板はマークを有し、
前記第１のプリント配線板の前記基材の表面の一部または全体の十点平均粗さＲｚが２．１×（マークの検出に用いられる光の波長λ）以下であり、
前記第１のプリント配線板の前記マークに、前記第１のプリント配線板の基材越しに光を照射する工程、
前記照射した光の透過光又は反射光を検出する工程、
前記透過光又は反射光を検出した位置に基づいて、前記マークの位置を検出する工程、及び、
前記検出したマークの位置に基づいて前記第１のプリント配線板及び／又は前記第２のプリント配線板の位置決めをする工程、
を含むプリント配線板の製造方法である。【００２０】  本発明は更に別の一側面において、
第１のプリント配線板と第２のプリント配線板とを接合してプリント配線板が２つ以上接続したプリント配線板を製造する方法であって、
前記第１及び第２のプリント配線板は基材と配線とを有し、
前記第１のプリント配線板はマークを有し、
前記第１のプリント配線板の前記基材の表面の一部または全体の局部山頂平均間隔Ｓが４．１×（マークの検出に用いられる光の波長λ）以下であり、
前記第１のプリント配線板の前記マークに、前記第１のプリント配線板の基材越しに光を照射する工程、
前記照射した光の透過光又は反射光を検出する工程、
前記透過光又は反射光を検出した位置に基づいて、前記マークの位置を検出する工程、及び、
前記検出したマークの位置に基づいて前記第１のプリント配線板及び／又は前記第２のプリント配線板の位置決めをする工程、
を含むプリント配線板の製造方法である。
【発明の効果】
【００２１】  本発明によれば、透明性に優れた基材、基材と良好に接着し、金属箔または金属板をエッチングで除去した後の基材の透明性に優れた金属箔または金属板、及び、それを用いた積層板、プリント配線板、電子機器を提供することができる。また、本発明によれば、透明性に優れた基材を用いて精度良く効率的な作製が可能なプリント配線板の製造方法を提供することができる。
【発明を実施するための形態】
【００２２】  〔基材〕
本発明で使用可能な基材は、プリント配線板等に適用可能な特性を有するものが好ましく、例えば、リジッドＰＷＢ用に紙基材フェノール樹脂、紙基材エポキシ樹脂、合成繊維布基材エポキシ樹脂、ガラス布・紙複合基材エポキシ樹脂、ガラス布・ガラス不織布複合基材エポキシ樹脂及びガラス布基材エポキシ樹脂等を使用し、ＦＰＣ用にポリエステルフィルムやポリイミドフィルム、液晶ポリマー（ＬＣＰ）フィルム等を使用する事ができる。
【００２３】  本発明の基材の厚みは、特に制限されないが、例えば、１〜１００００μｍ、５〜５０００μｍ、１０〜１０００μｍｖ、或いは、１５〜５００μｍとすることができる。
【００２４】  本発明の基材は、基材表面に入射する光の波長をλとしたとき、少なくとも一方の表面の一部または全体の十点平均粗さＲｚが２．１×λ以下である。このような構成によれば、基材表面での光の乱反射（拡散反射）を抑えることができるため、マークの検出に利用される、反射光または透過光の強さが弱くなりにくくなるため有効である。
また、本発明の基材は、少なくとも一方の表面の一部または全体の十点平均粗さＲｚが１．６×λ以下であるのが好ましく、１．１×λ以下であるのがより好ましく、０．８×λ以下であるのが更により好ましい。
なお、入射する光が短波長の光で無い場合には、光の強度が最も高い波長を上記λとする。
また、Ｒｚの下限は特に規定する必要はないが、典型的には例えば、０．０００１×λ以上、あるいは０．０００５×λ以上、あるいは０．００１×λ以上、あるいは０．００２×λ以上である。
【００２５】  本発明の基材は、基材表面に入射する光の波長をλとしたとき、少なくとも一方の表面の一部または全体の局部山頂平均間隔Ｓが４．１×λ以下である。ここで、ＳはＪＩＳ  Ｂ０６０１−１９９４で規定される局部山頂の平均間隔Ｓを指す。このような構成によれば、基材表面での光の乱反射（拡散反射）を抑えることができるため、マークの検出に利用される、反射光または透過光の強さが弱くなりにくくなるため有効である。
また、本発明の基材は、少なくとも一方の表面の一部または全体の局部山頂平均間隔Ｓが３．６×λ以下であるのが好ましく、３．１×λ以下であるのがより好ましく、２．６×λ以下であるのが更により好ましい、２．１×λ以下であるのが更により好ましい、１．６×λ以下であるのが更により好ましい。
なお、入射する光が単波長の光で無い場合には、光の強度が最も高い波長を上記λとする。
また、Ｓの下限は特に規定する必要はないが、典型的には例えば、０．００００１×λ以上、あるいは０．００００５×λ以上、あるいは０．０００１×λ以上、あるいは０．０００２×λ以上、あるいは０．００１×λ以上である。
【００２６】  〔基材の製造方法〕
本発明の基材は、以下の４通りの方法により製造することができる。
（１）基材表面に対し、エッチング液を用いてエッチングする
（２）基材表面に対し、レーザー照射による加工処理を行う。
（３）基材表面に対し、砥石またはバフ（砥粒４５００番〜６０００番、１０００〜２０００ｒｐｍ、１〜１２０秒）で機械研磨する。
（４）基材に所定の表面形態を有する金属箔または金属板を、当該表面側から張り合わせた後、当該金属箔または金属板をエッチング等により除去することで、金属箔または金属板の表面形態を基材表面に転写する。
なお、エッチングをしない場合であっても、所望の表面のＲｚとＳの値を満たす場合には、上記（１）〜（４）を行わずに、そのまま基材を用いてもよい。
【００２７】  上記（１）の製造方法において用いるエッチング条件を以下に示す。
基材が樹脂である場合には以下順にエッチングを行う。
（エッチング処理条件Ａ）
・エッチング処理液：３０〜５０ｇ／Ｌ  ＫＭｎＯ４またはＮａＭｎＯ４、２０ｇ／Ｌ  ＮａＯＨ、残部水
・処理温度：室温
・浸漬時間：１５〜２５分
・攪拌子回転数：２００〜４００ｒｐｍ
（エッチング処理条件Ｂ）
・エッチング処理液：７０〜１１０ｇ／Ｌ  ＫＭｎＯ４またはＮａＭｎＯ４、３〜１０ｇ／Ｌ  ＨＣｌ、残部水
・処理温度：４７〜５２℃
・浸漬時間：１５〜３５分
・攪拌子回転数：２００〜４００ｒｐｍ
（中和処理条件）
・中和処理液：Ｌ−アスコルビン酸  ６０〜１００ｇ／Ｌ
・処理温度：室温
・浸漬時間：３〜５分
・攪拌なし
【００２８】  基材が無機物である場合には以下の条件でエッチングを行う。
（エッチング処理条件１）
・エッチング処理液：フッ化水素アンモニウム  １〜３ｍａｓｓ％、残部水
・処理温度：３０〜５０℃
・浸漬時間：１０〜３０分
・攪拌子回転数：２００〜４００ｒｐｍ
【００２９】  （エッチング処理条件２）
・エッチング処理液：フッ化水素酸及び／又はフッ化水素アンモニウム並びにリン酸及び／又はリン酸アンモニウム塩を含有し、かつ、フッ化水素アンモニウム及び／又はリン酸アンモニウム塩を含有するエッチング液であって、フッ化水素酸及び／又はフッ化水素アンモニウムが０．０５〜５重量％、リン酸及び／又はリン酸アンモニウム塩が０．３〜５０重量％、残部水である。
・処理温度：３０〜５０℃
・浸漬時間：１０〜３０分
・攪拌子回転数：２００〜４００ｒｐｍ
【００３０】  （エッチング処理条件３）
エッチング処理条件２のエッチング液にハロゲン化アルミニウムを含む液でエッチングする。その他の条件はエッチング処理条件２と同じである。
【００３１】  上記（２）及び（３）の製造方法において、レーザー照射又は砥石による機械研磨は、一般的なレーザー照射装置、機械研磨装置を用いて行うことができる。
【００３２】  上記（４）の製造方法において、基材に張り合わせる金属箔または金属板としては、特に限定されないが、例えば、ニッケル箔、アルミ箔、合金箔等、ニッケル板、アルミ板、合金板等を使用でき、典型的には銅箔を用いることができる。ここでは、銅箔について具体的に説明する。
【００３３】  本発明において使用する銅箔は、電解銅箔或いは圧延銅箔いずれでも良い。本発明に用いることのできる銅箔の厚さについても特に制限はなく、実用に適した厚さに適宜調節すればよい。例えば、２〜３００μｍ程度とすることができる。但し、本発明の銅箔を回路材料としても使用する場合には銅箔厚みは５〜１０５μｍ、好ましくは１２〜７０μｍであり、典型的には１８〜３５μｍ程度である。
【００３４】  通常、銅箔の、基材と接着する面、即ち粗化面には積層後の銅箔の引き剥し強さを向上させることを目的として、脱脂後の銅箔の表面にふしこぶ状の電着を行う粗化処理が施される。電解銅箔は製造時点で凹凸を有しているが、粗化処理により電解銅箔の凸部を増強して凹凸を一層大きくする。本発明においては、この粗化処理は銅−コバルト−ニッケル合金めっきや銅−ニッケル−りん合金めっき等により行うことができる。粗化前の前処理として通常の銅めっき等が行われることがあり、粗化後の仕上げ処理として電着物の脱落を防止するために通常の銅めっき等が行なわれることもある。圧延銅箔と電解銅箔とでは処理の内容を幾分異にすることもある。
【００３５】  なお、圧延銅箔にはＡｇ、Ｓｎ、Ｉｎ、Ｔｉ、Ｚｎ、Ｚｒ、Ｆｅ、Ｐ、Ｎｉ、Ｓｉ、Ｔｅ、Ｃｒ、Ｎｂ、Ｖ等の元素を一種以上含む銅合金箔も含まれる。上記元素の濃度が高くなる（例えば合計で１０質量％以上）と、導電率が低下する場合がある。圧延銅箔の導電率は、好ましくは５０％ＩＡＣＳ以上、より好ましくは６０％ＩＡＣＳ以上、更に好ましくは８０％ＩＡＣＳ以上である。
【００３６】  粗化処理としての銅−コバルト−ニッケル合金めっきは、電解めっきにより、付着量が１５〜４０ｍｇ／ｄｍ２の銅−１００〜３０００μｇ／ｄｍ２のコバルト−１００〜１５００μｇ／ｄｍ２のニッケルであるような３元系合金層を形成するように実施することができる。Ｃｏ付着量が１００μｇ／ｄｍ２未満では、耐熱性が悪化し、エッチング性が悪くなることがある。Ｃｏ付着量が３０００μｇ／ｄｍ２を超えると、磁性の影響を考慮せねばならない場合には好ましくなく、エッチングシミが生じ、また、耐酸性及び耐薬品性の悪化がすることがある。Ｎｉ付着量が１００μｇ／ｄｍ２未満であると、耐熱性が悪くなることがある。他方、Ｎｉ付着量が１５００μｇ／ｄｍ２を超えると、エッチング残が多くなることがある。好ましいＣｏ付着量は１０００〜２５００μｇ／ｄｍ２であり、好ましいニッケル付着量は５００〜１２００μｇ／ｄｍ２である。ここで、エッチングシミとは、塩化銅でエッチングした場合、Ｃｏが溶解せずに残ってしまうことを意味しそしてエッチング残とは塩化アンモニウムでアルカリエッチングした場合、Ｎｉが溶解せずに残ってしまうことを意味するものである。
【００３７】  このような３元系銅−コバルト−ニッケル合金めっきを形成するための一般的浴及びめっき条件の一例は次の通りである：
めっき浴組成：Ｃｕ１０〜２０ｇ／Ｌ、Ｃｏ１〜１０ｇ／Ｌ、Ｎｉ１〜１０ｇ／Ｌ
ｐＨ：１〜４
温度：３０〜５０℃
電流密度Ｄｋ：２０〜３０Ａ／ｄｍ２
めっき時間：１〜５秒
【００３８】  粗化処理後、粗化面上に付着量が２００〜３０００μｇ／ｄｍ２のコバルト−１００〜７００μｇ／ｄｍ２のニッケルのコバルト−ニッケル合金めっき層を形成することができる。この処理は広い意味で一種の防錆処理とみることができる。このコバルト−ニッケル合金めっき層は、銅箔と基板の接着強度を実質的に低下させない程度に行う必要がある。コバルト付着量が２００μｇ／ｄｍ２未満では、耐熱剥離強度が低下し、耐酸化性及び耐薬品性が悪化することがある。また、もう一つの理由として、コバルト量が少ないと処理表面が赤っぽくなってしまうので好ましくない。コバルト付着量が３０００μｇ／ｄｍ２を超えると、磁性の影響を考慮せねばならない場合には好ましくなく、エッチングシミが生じる場合があり、また、耐酸性及び耐薬品性の悪化することがある。好ましいコバルト付着量は５００〜２５００μｇ／ｄｍ２である。一方、ニッケル付着量が１００μｇ／ｄｍ２未満では耐熱剥離強度が低下し耐酸化性及び耐薬品性が悪化することがある。ニッケルが１３００μｇ／ｄｍ２を超えると、アルカリエッチング性が悪くなる。好ましいニッケル付着量は２００〜１２００μｇ／ｄｍ２である。
【００３９】  また、コバルト−ニッケル合金めっきの条件の一例は次の通りである：
めっき浴組成：Ｃｏ１〜２０ｇ／Ｌ、Ｎｉ１〜２０ｇ／Ｌ
ｐＨ：１．５〜３．５
温度：３０〜８０℃
電流密度Ｄｋ：１．０〜２０．０Ａ／ｄｍ２
めっき時間：０．５〜４秒
【００４０】  本発明に従えば、コバルト−ニッケル合金めっき上に更に付着量の３０〜２５０μｇ／ｄｍ２の亜鉛めっき層が形成される。亜鉛付着量が３０μｇ／ｄｍ２未満では耐熱劣化率改善効果が無くなることがある。他方、亜鉛付着量が２５０μｇ／ｄｍ２を超えると耐塩酸劣化率が極端に悪くなることがある。好ましくは、亜鉛付着量は３０〜２４０μｇ／ｄｍ２であり、より好ましくは８０〜２２０μｇ／ｄｍ２である。
【００４１】  上記亜鉛めっきの条件の一例は次の通りである：
めっき浴組成：Ｚｎ１００〜３００ｇ／Ｌ
ｐＨ：３〜４
温度：５０〜６０℃
電流密度Ｄｋ：０．１〜０．５Ａ／ｄｍ２
めっき時間：１〜３秒
【００４２】  なお、亜鉛めっき層の代わりに亜鉛−ニッケル合金めっき等の亜鉛合金めっき層を形成してもよく、さらに最表面にはクロメート処理やシランカップリング剤の塗布等によって防錆層を形成してもよい。
【００４３】  〔表面粗さＲｚ〕
本発明の銅箔は、銅箔表面に粗化処理により粗化粒子が形成され、且つ、粗化処理表面のＴＤの平均粗さＲｚが０．３０〜０．８０μｍに制御されていてもよい。このような構成により、ピール強度が高くなって基材と良好に接着し、且つ、銅箔をエッチングで除去した後の基材の曇りの度合い（ヘイズ値）が小さくなり、透明性が高くなる。この結果、当該基材を透過して視認される位置決めパターンを介して行うＩＣチップ搭載時の位置合わせ等が容易となる。ＴＤの平均粗さＲｚが０．３０μｍ未満であると、銅箔表面の粗化処理が不十分であり、基材と十分に接着できない。一方、ＴＤの平均粗さＲｚが０．８０μｍ超であると、銅箔をエッチングで除去した後の基材表面の凹凸が大きくなり、その結果基材のヘイズ値が大きくなる。粗化処理表面のＴＤの平均粗さＲｚは、０．３０〜０．７０μｍが好ましく、０．３５〜０．６０μｍがより好ましく、０．３５〜０．５５μｍが更により好ましく、０．３５〜０．５０μｍが更により好ましい。
【００４４】  〔光沢度〕
銅箔の粗化面の圧延方向（ＭＤ）の入射角６０度での光沢度は、上述の基材のヘイズ値に大いに影響を及ぼす。すなわち、粗化面の光沢度が大きい銅箔ほど、上述の基材のヘイズ値が小さくなる。このため、本発明の銅箔は、粗化面の光沢度が８０〜３５０％であり、９０〜３００％であるのが好ましく、９０〜２５０％であるのがより好ましく、１００〜２５０％であるのがより好ましい。
【００４５】  ここで、本発明の視認性の効果をさらに向上させるために、表面処理前の銅箔の処理側の表面のＴＤの粗さ（Ｒｚ）及び光沢度を制御しておくことも重要である。具体的には、表面処理前の銅箔のＴＤの表面粗さ（Ｒｚ）が０．３０〜０．８０μｍ、好ましくは０．３０〜０．５０μｍであり、圧延方向（ＭＤ）の入射角６０度での光沢度が３５０〜８００％、好ましくは５００〜８００％であって、更に従来の粗化処理よりも電流密度を高くし、粗化処理時間を短縮すれば、表面処理を行った後の、銅箔の圧延方向（ＭＤ）の入射角６０度での光沢度が９０〜３５０％となる。このような銅箔としては、圧延油の油膜当量を調整して圧延を行う（高光沢圧延）、或いは、ケミカルエッチングのような化学研磨やリン酸溶液中の電解研磨により作製することができる。このように、処理前の銅箔のＴＤの表面粗さ（Ｒｚ）と光沢度とを上記範囲にすることで、処理後の銅箔の表面粗さ（Ｒｚ）及び表面積を制御しやすくすることができる。
【００４６】  また、粗化処理前の銅箔は、ＭＤの６０度光沢度が５００〜８００％であるのが好ましく、５０１〜８００％であるのがより好ましく、５１０〜７５０％であるのが更により好ましい。粗化処理前の銅箔のＭＤの６０度光沢度が５００％未満であると５００％以上の場合よりもヘイズ値が高くなるおそれがあり、８００％を超えると、製造することが難しくなるという問題が生じるおそれがある。
【００４７】  なお、高光沢圧延は以下の式で規定される油膜当量を１３０００〜２４０００以下とすることで行うことが出来る。
油膜当量＝｛（圧延油粘度［ｃＳｔ］）×（通板速度［ｍｐｍ］＋ロール周速度［ｍｐｍ］）｝／｛（ロールの噛み込み角［ｒａｄ］）×（材料の降伏応力［ｋｇ／ｍｍ２］）｝
圧延油粘度［ｃＳｔ］は４０℃での動粘度である。
油膜当量を１３０００〜２４０００とするためには、低粘度の圧延油を用いたり、通板速度を遅くしたりする等、公知の方法を用いればよい。
化学研磨は硫酸−過酸化水素−水系またはアンモニア−過酸化水素−水系等のエッチング液で、通常よりも濃度を低くして、長時間かけて行う。
【００４８】  粗化処理表面のＭＤの６０度光沢度とＴＤの６０度光沢度との比Ｃ（Ｃ＝（ＭＤの６０度光沢度）／（ＴＤの６０度光沢度））が０．８０〜１．４０であるのが好ましい。粗化処理表面のＭＤの６０度光沢度とＴＤの６０度光沢度との比Ｃが０．８０未満であると、０．８０以上である場合よりもヘイズ値が高くなるおそれがある。また、当該比Ｃが１．４０超であると、１．４０以下である場合よりもヘイズ値が高くなるおそれがある。当該比Ｃは、０．９０〜１．３５であるのがより好ましく、１．００〜１．３０であるのが更により好ましい。
【００４９】  〔ヘイズ値〕
本発明の銅箔は、上述のように粗化処理表面の平均粗さＲｚ及び光沢度が制御されているため、基材に貼り合わせた後、銅箔を除去した部分の基材のヘイズ値が小さくなる。ここで、ヘイズ値（％）は、（拡散透過率）／（全光線透過率）×１００で算出される値である。具体的には、本発明の銅箔は、粗化処理表面側から厚さ５０μｍの基材の両面に貼り合わせた後、エッチングで当該銅箔を除去したとき、基材のヘイズ値が２０〜７０％であるのが好ましく、３０〜５５％であるのがより好ましい。
【００５０】  〔粒子の表面積〕
粗化粒子の表面積Ａと、粗化粒子を銅箔表面側から平面視したときに得られる面積Ｂとの比Ａ／Ｂは、上述の基材のヘイズ値に大いに影響を及ぼす。すなわち、表面粗さＲｚが同じであれば、比Ａ／Ｂが小さい銅箔ほど、上述の基材のヘイズ値が小さくなる。このため、本発明の銅箔は、当該比Ａ／Ｂが１．９０〜２．４０であり、２．００〜２．２０であるのが好ましい。
【００５１】  粒子形成時の電流密度とメッキ時間とを制御することで、粒子の形態や形成密度が決まり、上記表面粗さＲｚ、光沢度及び粒子の面積比Ａ／Ｂを制御することができる。
【００５２】  本発明の銅箔は、上述のように、粗化粒子の表面積Ａと、粗化粒子を銅箔表面側から平面視したときに得られる面積Ｂとの比Ａ／Ｂが１．９０〜２．４０に制御されており、表面の凹凸が大きい。また、粗化処理表面のＴＤの平均粗さＲｚが０．３０〜０．８０μｍに制御されているため表面に極端に粗い部分が無い。一方、粗化処理表面の光沢度が８０〜３５０％と高い。これらを考慮すると、本発明の銅箔は、粗化処理表面における粗化粒子の粒径が小さく制御されていることがわかる。この粗化粒子の粒径は、銅箔をエッチング除去した後の基材透明性に影響を及ぼすが、本発明の銅箔は、このように基材に接着している側の表面平均粗さＲｚ、光沢度、及び、粗化粒子の表面積と粗化粒子を銅箔表面側から平面視したときに得られる面積との比を本発明の範囲に制御することは、粗化粒子の粒径を適切な範囲で小さくすることを意味しており、このため銅箔をエッチング除去した後の基材透明性が良好となると共に、ピール強度も良好となる。
【００５３】  なお、プリント配線板または銅張積層板においては、樹脂を溶かして除去することで、銅回路または銅箔表面について、前述の表面粗さ（Ｒｚ）、粒子の面積比（Ａ／Ｂ）、光沢度を測定することができる。
【００５４】  上記（４）の方法では、上述のような銅箔を、処理面側から基材に張り合わせた後、当該銅箔をエッチング等により除去することで、銅箔の表面形態を基材表面に転写して、上記表面形態の基材を作製することができる。
【００５５】  〔積層体〕
なお、本発明の銅箔を、粗化処理面側から基材に貼り合わせて積層体を製造することができる。貼り合わせの方法は、リジッドＰＷＢ用の場合、ガラス布などの基材に樹脂を含浸させ、樹脂を半硬化状態まで硬化させたプリプレグを用意する。銅箔を被覆層の反対側の面からプリプレグに重ねて加熱加圧させることにより行うことができる。ＦＰＣの場合、ポリイミドフィルム等の基材に接着剤を介して、又は、接着剤を使用せずに高温高圧下で銅箔に積層接着して、又は、ポリイミド前駆体を塗布・乾燥・硬化等を行うことで積層板を製造することができる。
【００５６】  本発明の積層体は各種のプリント配線板（ＰＷＢ）に使用可能であり、特に制限されるものではないが、例えば、導体パターンの層数の観点からは片面ＰＷＢ、両面ＰＷＢ、多層ＰＷＢ（３層以上）に適用可能であり、絶縁基板材料の種類の観点からはリジッドＰＷＢ、フレキシブルＰＷＢ（ＦＰＣ）、リジッド・フレックスＰＷＢに適用可能である。
【００５７】  〔プリント配線板の製造方法〕
本発明のプリント配線板の製造方法について説明する。まず、銅箔と基材との積層板を準備する。本発明の銅箔と基材との積層板の具体例としては、本体基板と付属の回路基板と、それらを電気的に接続するために用いられる、ポリイミド等の基材の少なくとも一方の表面に銅配線が形成されたフレキシブルプリント基板とで構成される電子機器において、フレキシブルプリント基板を正確に位置決めして当該本体基板及び付属の回路基板の配線端部に圧着させて作製される積層板が挙げられる。すなわち、この場合であれば、積層板は、フレキシブルプリント基板及び本体基板の配線端部が圧着により貼り合わせられた積層体、或いは、フレキシブルプリント基板及び回路基板の配線端部が圧着により貼り合わせられた積層板となる。積層板は、当該銅配線の一部や別途材料で形成したマークを有している。マークの位置については、当該積層板を構成する基材越しにＣＣＤカメラ等の撮影手段で撮影可能な位置であれば特に限定されない。ここで、マークとは積層板やプリント配線板等の位置を検出し、または、位置決めをし、または、位置合わせをするために用いられる印（しるし）のことをいう。
【００５８】  このように準備された積層板において、上述のマークを樹脂越しに撮影手段で撮影すると、前記マークの位置を良好に検出することができる。そして、このようにして前記マークの位置を検出して、前記検出されたマークの位置に基づき銅箔と基材との積層板の位置決めを良好に行うことができる。また、積層板としてプリント配線板を用いた場合も同様に、このような位置決め方法によって撮影手段がマークの位置を良好に検出し、プリント配線板の位置決めをより正確に行うことが出来る。
【００５９】  そのため、一つのプリント配線板ともう一つのプリント配線板を接続する際に、接続不良が低減し、歩留まりが向上すると考えられる。なお、一つのプリント配線板ともう一つのプリント配線板を接続する方法としては半田付けや異方性導電フィルム（Ａｎｉｓｏｔｒｏｐｉｃ  Ｃｏｎｄｕｃｔｉｖｅ  Ｆｉｌｍ、ＡＣＦ）を介した接続、異方性導電ペースト（Ａｎｉｓｏｔｒｏｐｉｃ  Ｃｏｎｄｕｃｔｉｖｅ  Ｐａｓｔｅ、ＡＣＰ）を介した接続または導電性を有する接着剤を介しての接続など公知の接続方法を用いることができる。なお、本発明において、「プリント配線板」には部品が装着されたプリント配線板およびプリント回路板およびプリント基板も含まれることとする。また、本発明のプリント配線板を２つ以上接続して、プリント配線板が２つ以上接続したプリント配線板を製造することができ、また、本発明のプリント配線板を少なくとも１つと、もう一つの本発明のプリント配線板又は本発明のプリント配線板に該当しないプリント配線板とを接続することができ、このようなプリント配線板を用いて電子機器を製造することもできる。
【００６０】  なお、本発明において、「銅回路」には銅配線も含まれることとする。さらに、本発明のプリント配線板を、部品と接続してプリント配線板を製造してもよい。また、本発明のプリント配線板を少なくとも１つと、もう一つの本発明のプリント配線板又は本発明のプリント配線板に該当しないプリント配線板とを接続し、さらに、本発明のプリント配線板が２つ以上接続したプリント配線板と、部品とを接続することで、プリント配線板が２つ以上接続したプリント配線板を製造してもよい。ここで、「部品」としては、コネクタやＬＣＤ（Ｌｉｑｕｉｄ  Ｃｒｉｓｔａｌ  Ｄｉｓｐｌａｙ）、ＬＣＤに用いられるガラス基板などの電子部品、ＩＣ（Ｉｎｔｅｇｒａｔｅｄ  Ｃｉｒｃｕｉｔ）、ＬＳＩ（Ｌａｒｇｅ  ｓｃａｌｅ  ｉｎｔｅｇｒａｔｅｄ  ｃｉｒｃｕｉｔ）、ＶＬＳＩ（Ｖｅｒｙ  Ｌａｒｇｅ  ｓｃａｌｅ  ｉｎｔｅｇｒａｔｅｄ  ｃｉｒｃｕｉｔ）、ＵＬＳＩ（Ｕｌｔｒａ−Ｌａｒｇｅ  Ｓｃａｌｅ  Ｉｎｔｅｇｒａｔｉｏｎ）などの半導体集積回路を含む電子部品（例えばＩＣチップ、ＬＳＩチップ、ＶＬＳＩチップ、ＵＬＳＩチップ）、電子回路をシールドするための部品およびプリント配線板にカバーなどを固定するために必要な部品等が挙げられる。
【００６１】  なお、本発明の実施の形態に係る位置決め方法は積層板（銅箔と基材との積層板やプリント配線板を含む）を移動させる工程を含んでいてもよい。移動工程においては例えばベルトコンベヤーやチェーンコンベヤーなどのコンベヤーにより移動させてもよく、アーム機構を備えた移動装置により移動させてもよく、気体を用いて積層板を浮遊させることで移動させる移動装置や移動手段により移動させてもよく、略円筒形などの物を回転させて積層板を移動させる移動装置や移動手段（コロやベアリングなどを含む）、油圧を動力源とした移動装置や移動手段、空気圧を動力源とした移動装置や移動手段、モーターを動力源とした移動装置や移動手段、ガントリ移動型リニアガイドステージ、ガントリ移動型エアガイドステージ、スタック型リニアガイドステージ、リニアモーター駆動ステージなどのステージを有する移動装置や移動手段などにより移動させてもよい。また、公知の移動手段による移動工程を行ってもよい。上記、積層板を移動させる工程において、積層板を移動させて位置合わせをすることができる。そして、位置合わせをすることで、一つのプリント配線板ともう一つのプリント配線板や部品を接続する際に、接続不良が低減し、歩留まりが向上すると考えられる。
なお、本発明の実施の形態に係る位置決め方法は表面実装機やチップマウンターに用いてもよい。
また、本発明において位置決めされる銅箔と基材との積層板が、基材及び前記基材の上に設けられた回路を有するプリント配線板であってもよい。また、その場合、前記マークが前記回路であってもよい。
【００６２】  本発明において「位置決め」とは「マークや物の位置を検出すること」を含む。また、本発明において、「位置合わせ」とは、「マークや物の位置を検出した後に、前記検出した位置に基づいて、当該マークや物を所定の位置に移動すること」を含む。
また、本発明では、上述の基材の表面状態に基づく検査光源の波長の決定方法、当該決定方法を行うための決定装置、当該決定定プログラム及びそれが記録されたコンピュータ読み取り可能な記録媒体を提供することができる。さらに、本発明では、上述の検査光源の波長に基づく基材の表面状態の決定方法、当該決定方法を行うための決定装置、当該決定プログラム及びそれが記録されたコンピュータ読み取り可能な記録媒体を提供することができる。
【００６３】  また、本発明のプリント配線板の製造方法は、別の一側面において、第１のプリント配線板と第２のプリント配線板とを接合してプリント配線板が２つ以上接続したプリント配線板を製造する方法であって、前記第１及び第２のプリント配線板は基材と配線とを有し、前記第１のプリント配線板はマークを有し、前記第１のプリント配線板の前記基材の表面の一部または全体の十点平均粗さＲｚが２．１×（マークの検出に用いられる光の波長λ）以下であり、前記第１のプリント配線板の前記マークに、前記第１のプリント配線板の基材越しに光を照射する工程、前記照射した光の透過光又は反射光を検出する工程、前記透過光又は反射光を検出した位置に基づいて、前記マークの位置を検出する工程、及び、前記検出したマークの位置に基づいて前記第１のプリント配線板及び／又は前記第２のプリント配線板の位置決めをする工程を含むプリント配線板の製造方法である。このような構成によれば、視認性が良好な基材を用いることで、精度良く配線板の位置決め、位置合わせ等を行うことができ、良好な効率的でプリント配線板を製造することができる。
また、前記マークの位置を検出する工程と、前記プリント配線板の位置決めをする工程との間に、前記検出した透過光又は反射光に基づいて、前記第１のプリント配線板のマークの有無を判定する工程を備えてもよい。
【００６４】  また、本発明のプリント配線板の製造方法は、別の一側面において、第１のプリント配線板と第２のプリント配線板とを接合してプリント配線板が２つ以上接続したプリント配線板を製造する方法であって、前記第１及び第２のプリント配線板は基材と配線とを有し、前記第１のプリント配線板はマークを有し、前記第１のプリント配線板の前記基材の表面の一部または全体の局部山頂平均間隔Ｓが４．１×（マークの検出に用いられる光の波長λ）以下であり、前記第１のプリント配線板の前記マークに、前記第１のプリント配線板の基材越しに光を照射する工程、前記照射した光の透過光又は反射光を検出する工程、前記透過光又は反射光を検出した位置に基づいて、前記マークの位置を検出する工程、及び、前記検出したマークの位置に基づいて前記第１のプリント配線板及び／又は前記第２のプリント配線板の位置決めをする工程を含むプリント配線板の製造方法である。このような構成によれば、視認性が良好な基材を用いることで、精度良く配線板の位置決め、位置合わせ等を行うことができ、良好な効率的でプリント配線板を製造することができる。
また、前記マークの位置を検出する工程と、前記プリント配線板の位置決めをする工程との間に、前記検出した透過光又は反射光に基づいて、前記第１のプリント配線板のマークの有無を判定する工程を備えてもよい。
【実施例】
【００６５】（製箔工程）
下記に示すような電解液及び電解条件でステンレス鋼製の円柱型カソード上に電析させ、所定厚みの銅箔を得た。例１〜１６において、厚さ３５μｍの電解銅箔（但し、例１１はアルミニウム箔）とした。【００６６】（製箔工程の電解液組成）
Ｃｕ（Ｃｕ２＋として）：１００ｇ／Ｌ
Ｈ２ＳＯ４：１００ｇ／Ｌ
添加剤として、Ｃｌ（塩化物イオンとして）、膠、及びチオ尿素を表１に記載の各添加量で加えた。【００６７】（製箔工程の電解条件）
液温：５７℃
電流密度：４０〜８０Ａ／ｄｍ２
電解液流速：４．０ｍ／秒【００６８】  例１１においては、銅箔以外の金属箔として圧延によって得られた厚さ２０μｍのアルミニウム箔を用いた。接着剤との貼り合わせる面のＲｚは小坂研究所製サーフコーダーＳＥ−３Ｃにより測定して、表面処理前において１．０μｍであった。【００６９】（粗化処理）
例６〜８及び１１においては、製箔工程で得られた銅箔のマット面及びアルミニウム箔の表面に、以下に示す２段階の粗化処理を施した。【００７０】（１段階目の粗化処理）
１段階目の粗化処理の目的は、金属箔最表面への銅イオン拡散の限界電流密度を超える電流密度でＣｕ微粒子を電着することによって金属箔表面に粗化粒子の核を生成させることである。
（電解液組成）
Ｃｕ（Ｃｕ２＋として）：１０〜３０ｇ／Ｌ
Ｈ２ＳＯ４：５０〜１５０ｇ／Ｌ
Ａｓ：１〜２０００ｍｇ／Ｌ
Ｗ：１〜１００ｍｇ／Ｌ
（粗化処理条件）
液温：２０〜５０℃
電流密度：２０〜１００Ａ／ｄｍ２
通電時間：１〜１０秒【００７１】（２段階目の粗化処理）
２段階目の粗化処理の目的は、１段階目の粗化処理で生成した粗化粒子の核の上に平滑なめっきを施すことによって粗化粒子核を成長させ、所定の大きさの粗化粒子とすることである。
（電解液組成）
Ｃｕ（Ｃｕ２＋として）：２０〜６０ｇ／Ｌ
Ｈ２ＳＯ４：５０〜１５０ｇ／Ｌ（粗化処理条件）
液温：３０〜６０℃
電流密度：１〜５０Ａ／ｄｍ２
通電時間：１〜１０秒【００７２】（表面処理工程）
例１〜８及び１０〜１１においては、製箔工程で得られた銅箔のマット面（粗面、析出面）又はアルミニウム箔（例１１）の片面上に、以下に示す表面被覆処理（ａ）、（ｂ）、（ｃ）、（ｄ）、（ｅ）のうち何れか１つ又は複数を選択し処理した。各例で適用した表面処理の組み合わせを表１に示す。各表面被覆処理層の被覆量は表面被覆層を希硝酸により溶解した後、溶解液中の被覆処理層成分元素の濃度をＩＣＰ‐ＡＥＳ法によって測定して算出した。【００７３】（ａ）Ｃｕ‐Ｚｎ合金めっき処理
（電解液組成、ｐＨ）
ＮａＣＮ：１０〜３０ｇ／Ｌ
ＮａＯＨ：４０〜１００ｇ／Ｌ
Ｃｕ（ＣＮ）２：６０〜１２０ｇ／Ｌ
Ｚｎ（ＣＮ）２：１〜１０ｇ／Ｌ
ｐＨ：１０〜１３
（電解条件）
液温：５０〜８０℃
電流密度：１０Ａ／ｄｍ２
めっき時間：４秒
被覆量：５．０ｍｇ／ｄｍ２【００７４】（ｂ）Ｎｉ−Ｚｎ合金めっき処理
（電解液組成、ｐＨ）
Ｚｎ（Ｚｎ２＋として）：１２〜２５ｇ／Ｌ
Ｎｉ（Ｎｉ２＋として）：１〜８ｇ／Ｌ
ｐＨ：２．０〜４．０
（電解条件）
液温：２５〜５０℃
電流密度：１０Ａ／ｄｍ２
めっき時間：２秒
被覆量：１．５ｍｇ／ｄｍ２【００７５】（ｃ）Ｃｕ−Ｎｉ合金めっき処理
（電解液組成、ｐＨ）
Ｃｕ（Ｃｕ２＋として）：０．０１〜５．０ｇ／Ｌ
Ｎｉ（Ｎｉ２＋として）：５〜２５ｇ／Ｌ
ｐＨ：２．０〜４．０
（電解条件）
液温：２５〜５０℃
電流密度：５Ａ／ｄｍ２
めっき時間：２秒
被覆量：１．０ｍｇ／ｄｍ２【００７６】（ｄ）Ｃｏ−Ｎｉ合金めっき処理
（電解液組成、ｐＨ）
Ｃｏ（Ｃｏ２＋として）：０．１〜６．０ｇ／Ｌ
Ｎｉ（Ｎｉ２＋として）：５〜２０ｇ／Ｌ
ｐＨ：２．０〜４．０
（電解条件）
液温：２５〜５０℃
電流密度：５Ａ／ｄｍ２
めっき時間：３秒
被覆量：３．０ｍｇ／ｄｍ２【００７７】（ｅ）電解クロメート処理
（電解液組成、ｐＨ）
Ｋ２Ｃｒ２Ｏ７：２．０〜６．０ｇ／Ｌ
Ｚｎ（Ｚｎ２＋として）：０〜０．５ｇ／Ｌ
Ｎａ２ＳＯ４：５〜１５ｇ／Ｌ
ｐＨ：３．５〜５．０
（電解条件）
液温：２０〜６０℃
電流密度：２．０Ａ／ｄｍ２
めっき時間：２秒
被覆量：０．１５ｍｇ／ｄｍ２【００７８】  例１７として、ＪＩＳ  Ｈ３１００  Ｃ１０２０に規格されている無酸素銅にＡｇを３０質量ｐｐｍ添加した圧延銅箔を用いた。当該圧延銅箔は、最終の冷間圧延（最終の再結晶焼鈍後の冷間圧延）を、油膜当量１４０００の値で行う、いわゆる「高光沢圧延」で行い、さらに電解研磨を行った。「電解研磨」はリン酸６７％＋硫酸１０％＋水２３％の条件で、電圧１０Ｖ／ｃｍ２、４０秒間（１０秒間の電解研磨を行うと、研磨量は１〜２μｍとなる。）で行った。銅箔厚みは１２μｍであり、ＴＤ方向の粗さは０．２５μｍ、光沢度はＭＤ方向で７９２％、ＴＤ方向で７７１％、ＭＤ／ＴＤが１．０３であった。【００７９】  （基材サンプルの作製）
（例１〜１７）
次に、基材として厚さ５０μｍのカネカ製ポリイミドを準備し、上記金属箔を処理面側から両面に積層した後、以下の条件にてエッチング処理を行い、当該金属箔を除去した。
・エッチング条件
装置：スプレー式小型エッチング装置
スプレー圧：０．２ＭＰａ
エッチング液：塩化第二鉄水溶液（比重４０ボーメ）
液温度：５０℃【００８０】  （例１８）
また、例１８として、基材として厚さ５０μｍのカネカ製ポリイミドを準備し、以下の条件にてエッチングによる基材の両面の表面加工処理を行った。
・エッチング条件
以下、エッチング処理条件Ａ→エッチング処理条件Ｂ→中和処理条件の順にエッチングを行った。
（エッチング処理条件Ａ）
・エッチング処理液：４０ｇ／Ｌ  ＮａＭｎＯ４、２０ｇ／Ｌ  ＮａＯＨ、残部水
・処理温度：室温
・浸漬時間：２５分
・攪拌子回転数：３００ｒｐｍ
（エッチング処理条件Ｂ）
・エッチング処理液：７０ｇ／Ｌ  ＫＭｎＯ４、８ｇ／Ｌ  ＨＣｌ、残部水
・処理温度：５０℃
・浸漬時間：１５分
・攪拌子回転数：３００ｒｐｍ
（中和処理条件）
・中和処理液：Ｌ−アスコルビン酸  ８０ｇ／Ｌ
・処理温度：室温
・浸漬時間：３分
・攪拌なし【００８１】  （例１９）
また、例１９として、基材として厚さ１００μｍのガラス基板を準備し、以下の条件にてエッチングによる基材の両面の表面加工処理を行った。
・エッチング条件
・エッチング処理液：フッ化水素アンモニウム  ２ｍａｓｓ％、残部水
・処理温度：４０℃
・浸漬時間：２０分
・攪拌子回転数：３００ｒｐｍ【００８２】  （例２０）
また、例２０として、基材として厚さ５０μｍのカネカ製ポリイミドを準備し、エキシマレーザーで２μｍ間隔で１５ｎｓ照射して、基材の両面の表面加工処理を行った。【００８３】  （例２１）
また、例２１として、基材として厚さ１００μｍガラス基板を準備し、６０００番の砥粒を用いたバフで研磨（１５００ｒｐｍ、２秒、水シャワーでバフを冷却する）することで、基材の両面の表面加工処理を行った。【００８４】  （例２２）
樹脂基板の片面のみ処理した以外は例１と同じで行った。【００８５】  上述のようにして作製した実施例及び比較例の金属箔、及び、表面加工を行った基材について、各種評価を下記の通り行った。
（１）表面粗さ（Ｒｚ）の測定；
金属箔及び基材サンプルについて、株式会社小阪研究所製接触粗さ計Ｓｕｒｆｃｏｒｄｅｒ  ＳＥ−３Ｃを使用してＪＩＳ  Ｂ０６０１−１９９４に準拠して十点平均粗さを粗化面について測定した。測定基準長さ０．８ｍｍ、評価長さ４ｍｍ、カットオフ値０．２５ｍｍ、送り速さ０．１ｍｍ／秒の条件で圧延方向と垂直に（ＴＤに、電解銅箔の場合は通箔方向に垂直に）測定位置を変えて１０回行い、１０回の測定での値を求めた。
なお、表面処理前の金属箔についても、同様にして表面粗さ（Ｒｚ）を求めておいた。【００８６】（２）表面の局部山頂平均間隔Ｓ、Ｓｍの測定；
金属箔及び基材サンプルについて、株式会社キーエンス製ＶＫ−８５１０を用いて局部山頂平均間隔Ｓと平均間隔Ｓｍを測定した。測定方法は線粗さ−ＪＩＳ９４モードを使用した。【００８７】（３）ピール強度（密着強度）；
基材サンプルについて、ＰＣ−ＴＭ−６５０に準拠し、引張り試験機オートグラフ１００で常態ピール強度を測定し、上記常態ピール強度が０．７Ｎ／ｍｍ以上を積層基板用途に使用できるものとした。【００８８】（４）光透過率；
得られた基材について、日本分光株式会社製分光光度計Ｖ−６６０を用いて、スリット１０ｍｍで、光透過率を測定した。用いた光の波長は、λ１（０．９４０μｍ、赤外発光ＬＥＤ相当）、λ２（０．６９４μｍ、ルビーレーザー相当）、λ３（０．５３２μｍ、Ｎｄ：ＹＡＧレーザー相当）、λ４（０．３５１μｍ、エキシマレーザー相当）、λ５（０．１５７μｍ、エキシマレーザー相当）、λ６（０．５５５μｍ、蛍光灯相当）とした。【００８９】（５）歩留まり
得られた基材の表面に、無電解銅メッキにより２０μｍ×２０μｍ角のマークを設けた。そして基材越しにＣＣＤカメラ（光源：蛍光灯）またはレーザー検出器（光源：レーザー、発光ダイオード）で当該マークを検出することを試みた。１０回中１０回検出できた場合には「◎◎」、１０回中９回検出できた場合には「◎」、７〜８回検出できた場合には「○」、６回検出できた場合には「△」、５回以下検出できた場合には「×」とした
上記各試験の条件及び評価を表１〜３に示す。【００９０】
【表１】
2015025106.tif 000002
【００９１】
【表２】
2015025106.tif 000003
【００９２】
【表３】
2015025106.tif 000004