(57)【要約】【課題】表示品質を向上させることが可能な電気光学装置用基板、電気光学装置、電子機器、及び電気光学装置用基板の製造方法を提供する。【解決手段】第１基材１０ａ上に、絶縁層１１と、絶縁層１１に設けられた第１凹部と、第２凹部と、第３凹部と、第１凹部の中に設けられた緑色カラーフィルター８０Ｇと、第２凹部の中に設けられた赤色カラーフィルター８０Ｒと、第３凹部の中に設けられた青色カラーフィルター８０Ｂと、カラーフィルター８０Ｇ，８０Ｒ，８０Ｂより上層に設けられたパッシベーション層１１ｆと、を備え、カラーフィルター８０Ｇ，８０Ｒ，８０Ｂのうち少なくとも１つの厚みが他の厚みと異なる。【選択図】図５
2015025989.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基材を覆うように配置され、第１凹部と、第２凹部と、第３凹部と、を有する第１絶縁
膜と、
前記第１凹部の中に配置される第１着色層と、前記第２凹部の中に配置される第２着色
層と、前記第３凹部の中に配置される第３着色層と、
前記第１着色層、前記第２着色層、及び前記第３着色層を覆うように配置される第２絶
縁層と、を備え、
前記第１着色層、前記第２着色層、及び前記第３着色層のうちの１つの厚みが前記第１
着色層、前記第２着色層、及び前記第３着色層のうちの他の１つの厚みと異なることを特
徴とする電気光学装置用基板。
【請求項２】
請求項１に記載の電気光学装置用基板であって、
前記第１着色層は、前記第１凹部の中に収まるように配置され、
前記第２着色層は、前記第２凹部の中に収まるように配置され、
前記第３着色層は、前記第３凹部の中に収まるように配置されることを特徴とする電気
光学装置用基板。
【請求項３】
請求項１又は２に記載の電気光学装置用基板であって、
前記第１凹部の深さは、前記第１着色層の厚みと略同じであり、
前記第２凹部の深さは、前記第２着色層の厚みと略同じであり、
前記第３凹部の深さは、前記第３着色層の厚みと略同じであることを特徴とする電気光
学装置用基板。
【請求項４】
請求項１又は２に記載の電気光学装置用基板であって、
前記第１凹部、前記第２凹部、前記第３凹部の深さが略同じであることを特徴とする電
気光学装置用基板。
【請求項５】
請求項１乃至請求項４のいずれか一項に記載の電気光学装置用基板と、
電気光学層と、
前記電気光学層を挟んで前記電気光学装置用基板と対向配置された対向基板と、
を備えることを特徴とする電気光学装置。
【請求項６】
請求項５に記載の電気光学装置を備えることを特徴とする電子機器。
【請求項７】
基材上に第１絶縁層を形成する工程と、
前記第１絶縁層に第１凹部、第２凹部、第３凹部を形成する工程と、
前記第１凹部の中に第１着色層を形成し、前記第２凹部の中に前記第１着色層の厚みと
異なる第２着色層を形成し、前記第３凹部の中に前記第１着色層の厚みと異なる第３着色
層を形成する工程と、
前記第１着色層、前記第２着色層、前記第３着色層を覆うように第２絶縁層を形成する
工程と、
を有することを特徴とする電気光学装置用基板の製造方法。
【請求項８】
請求項７に記載の電気光学装置用基板の製造方法であって、
前記第１凹部、前記第２凹部、前記第３凹部のそれぞれの深さを、前記第１着色層、前
記第２着色層、前記第３着色層それぞれの厚みに合わせて形成することを特徴とする電気
光学装置用基板の製造方法。
【請求項９】
請求項７に記載の電気光学装置用基板の製造方法であって、
前記第１凹部、前記第２凹部、前記第３凹部の深さを略同じ深さに形成することを特徴
とする電気光学装置用基板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、カラーフィルターを備えた電気光学装置用基板、電気光学装置、電子機器、
及び電気光学装置用基板の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
上記電気光学装置として、例えば、画素電極をスイッチング制御する素子としてトラン
ジスターを画素ごとに備えたアクティブ駆動方式の液晶装置が知られている。液晶装置は
、例えば、直視型ディスプレイやライトバルブなどにおいて用いられている。
【０００３】
例えば、特許文献１には、カラーフィルター（着色層）を画素電極やスイッチング素子
と同一の基板（電気光学装置用基板、素子基板）に作りこむ積層構造、所謂オンチップカ
ラーフィルター構造（ＣＯＡ構造）が開示されている。
【０００４】
この構造によれば、同一の基板にカラーフィルターや画素電極などを作り込むので、素
子基板とカラーフィルター基板とを別々に作った場合のような、画素領域とカラーフィル
ター領域とがずれる（組みずれ）ことを抑えることができる。
【０００５】
また、例えば、Ｒ（赤）Ｇ（緑）Ｂ（青）によるカラー表示品質を向上させるために、
各色のカラーフィルターの厚みを異ならせている方法が開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開２００９−５３４１７号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
しかしながら、上記特許文献１に記載の方法によれば、各色の着色層を凸状に突出させ
て厚みを決めているので、着色層の厚みのコントロールが難しかったり、形成方法が難し
かったりする。言い換えれば、各色の色度・色味の調整の自由度が低いという課題がある
。加えて、各着色層の厚みがばらついた場合、着色層の上層の膜の平坦化に影響を与える
恐れがあるという課題がある。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明の態様は、上記課題の少なくとも一部を解決するためになされたものであり、以
下の形態又は適用例として実現することが可能である。
【０００９】
［適用例１］本適用例に係る電気光学装置用基板は、基材を覆うように配置され、第１
凹部と、第２凹部と、第３凹部と、を有する第１絶縁膜と、前記第１凹部の中に配置され
る第１着色層と、前記第２凹部の中に配置される第２着色層と、前記第３凹部の中に配置
される第３着色層と、前記第１着色層、前記第２着色層、及び前記第３着色層を覆うよう
に配置される第２絶縁層と、を備え、前記第１着色層、前記第２着色層、及び前記第３着
色層のうちの１つの厚みが前記第１着色層、前記第２着色層、及び前記第３着色層のうち
の他の１つの厚みと異なることを特徴とする。
【００１０】
本適用例によれば、凹部の中に各着色層が設けられているので、着色層の厚みのコント
ロールがしやすく、色度・色味の調整がしやすい。また、着色層を積み重ねて厚みをつく
る方法と比較して、比較的簡単に形成することができる。また、着色層の高さのばらつき
が抑えられるので、着色層の上層に設けられた第２絶縁層の平坦化に影響を与えることを
抑えることができる。また、凹部の中に着色層を設けるので、着色層が幅方向に広がらな
いようにすることができる。
【００１１】
［適用例２］上記適用例に係る電気光学装置用基板において、前記第１着色層は、前記
第１凹部の中に収まるように配置され、前記第２着色層は、前記第２凹部の中に収まるよ
うに配置され、前記第３着色層は、前記第３凹部の中に収まるように配置されることが好
ましい。
【００１２】
本適用例によれば、凹部の中に収まるように各着色層が設けられているので、着色層の
厚みのコントロールがしやすく、色度・色味の調整がしやすい。また、着色層を積み重ね
て厚みをつくる方法と比較して、比較的簡単に形成することができる。
【００１３】
［適用例３］上記適用例に係る電気光学装置用基板において、前記第１凹部の深さは、
前記第１着色層の厚みと略同じであり、前記第２凹部の深さは、前記第２着色層の厚みと
略同じであり、前記第３凹部の深さは、前記第３着色層の厚みと略同じであることが好ま
しい。
【００１４】
本適用例によれば、着色層の厚みに合わせて凹部の深さが設定されているので、着色層
の厚みがばらつくことを抑えることが可能となり、色度・色味がばらつくことを抑えるこ
とができる。
【００１５】
［適用例４］上記適用例に係る電気光学装置用基板において、前記第１凹部、前記第２
凹部、前記第３凹部の深さが略同じであることが好ましい。
【００１６】
本適用例によれば、第１凹部〜第３凹部の深さが同じである、言い換えれば、第１着色
層〜第３着色層の厚みで色度・色味を調整するので、第１凹部〜第３凹部の形成を比較的
簡単に行うことができる。また、着色層の厚みを自由に変えることが可能となり、色度・
色味の調整の自由度を高めることができる。
【００１７】
［適用例５］本適用例に係る電気光学装置は、上記に記載の電気光学装置用基板と、電
気光学層と、前記電気光学層を挟んで前記電気光学装置用基板と対向配置された対向基板
と、を備えることを特徴とする。
【００１８】
本適用例によれば、色度・色味の調整がしやすく、それぞれの着色層の高さのばらつき
を抑えることができる。また、第２絶縁層の平坦化に影響を与えることを抑えることがで
きると共に、着色層が幅方向に広がらないようにすることが可能な電気光学装置を提供す
ることができる。
【００１９】
［適用例６］本適用例に係る電子機器は、上記に記載の電気光学装置を備えることを特
徴とする。
【００２０】
本適用例によれば、色度・色味をバランスよく表示することが可能な電子機器を提供す
ることができる。
【００２１】
［適用例７］本適用例に係る電気光学装置用基板の製造方法は、基材上に第１絶縁層を
形成する工程と、前記第１絶縁層に第１凹部、第２凹部、第３凹部を形成する工程と、前
記第１凹部の中に第１着色層を形成し、前記第２凹部の中に前記第１着色層の厚みと異な
る第２着色層を形成し、前記第３凹部の中に前記第１着色層の厚みと異なる第３着色層を
形成する工程と、前記第１着色層、前記第２着色層、前記第３着色層を覆うように第２絶
縁層を形成する工程と、を有することを特徴とする。
【００２２】
本適用例によれば、凹部の中に収まるように各着色層を形成するので、着色層の厚みの
コントロールがしやすく、色度・色味の調整がしやすい。また、着色層を積み重ねて厚み
をつくる方法と比較して、比較的簡単に形成することができる。また、着色層の高さのば
らつきが抑えられるので、着色層の上層に形成する第２絶縁層の平坦化に影響を与えるこ
とを抑えることができる。また、凹部の中に着色層を形成するので、着色層が幅方向に広
がらないようにすることができる。
【００２３】
［適用例８］上記適用例に係る電気光学装置用基板の製造方法において、前記第１凹部
、前記第２凹部、前記第３凹部のそれぞれの深さを、前記第１着色層、前記第２着色層、
前記第３着色層それぞれの厚みに合わせて形成することが好ましい。
【００２４】
本適用例によれば、着色層の厚みに合わせて凹部の深さを形成するので、着色層の厚み
がばらつくことを抑えることが可能となり、色度・色味がばらつくことを抑えることがで
きる。
【００２５】
［適用例９］上記適用例に係る電気光学装置用基板の製造方法において、前記第１凹部
、前記第２凹部、前記第３凹部の深さを略同じ深さに形成することが好ましい。
【００２６】
本適用例によれば、第１凹部〜第３凹部の深さを同じにする、言い換えれば、第１着色
層〜第３着色層の厚みで色度・色味を調整するので、第１凹部〜第３凹部の形成を比較的
簡単に行うことができる。また、着色層の厚みを自由に変えることが可能となり、色度・
色味の調整の自由度を高めることができる。
【図面の簡単な説明】
【００２７】
【図１】液晶装置の構成を示す模式平面図。
【図２】図１に示す液晶装置のＨ−Ｈ’線に沿う模式断面図。
【図３】液晶装置の電気的な構成を示す等価回路図。
【図４】液晶装置のうち主に画素の構造を示す模式断面図。
【図５】液晶装置のうち素子基板の構造を具体的に示す模式断面図。
【図６】液晶装置の製造方法を工程順に示すフローチャート。
【図７】液晶装置の製造方法のうち素子基板の製造方法を示す模式断面図。
【図８】液晶装置の製造方法のうち素子基板の製造方法を示す模式断面図。
【図９】液晶装置を備えた投射型表示装置の構成を示す概略図。
【図１０】第２実施形態の液晶装置の構造を示す模式断面図。
【図１１】第２実施形態の液晶装置の製造方法のうち素子基板の製造方法を示す模式断面図。
【図１２】第２実施形態の液晶装置の製造方法のうち素子基板の製造方法を示す模式断面図。
【発明を実施するための形態】
【００２８】
以下、本発明を具体化した実施形態について図面に従って説明する。なお、使用する図
面は、説明する部分が認識可能な状態となるように、適宜拡大または縮小して表示してい
る。
【００２９】
なお、以下の形態において、例えば「基板上に」と記載された場合、基板の上に接する
ように配置される場合、または基板の上に他の構成物を介して配置される場合、または基
板の上に一部が接するように配置され、一部が他の構成物を介して配置される場合を表す
ものとする。
【００３０】
本実施形態では、電気光学装置の一例として、薄膜トランジスター（ＴＦＴ：Thin Fil
m Transistor）を画素のスイッチング素子として備えたアクティブマトリックス型の液晶
装置を例に挙げて説明する。この液晶装置は、例えば、投射型表示装置（液晶プロジェク
ター）の光変調素子（液晶ライトバルブ）として好適に用いることができるものである。
【００３１】
（第１実施形態）
＜電気光学装置としての液晶装置の構成＞
図１は、液晶装置の構成を示す模式平面図である。図２は、図１に示す液晶装置のＨ−
Ｈ’線に沿う模式断面図である。図３は、液晶装置の電気的な構成を示す等価回路図であ
る。以下、液晶装置の構成を、図１〜図３を参照しながら説明する。
【００３２】
図１及び図２に示すように、本実施形態の液晶装置１００は、対向配置された素子基板
１０及び対向基板２０と、これら一対の基板によって挟持された電気光学層としての液晶
層１５とを有する。素子基板１０を構成する基材としての第１基材１０ａ、および対向基
板２０を構成する第２基材２０ａは、例えば、ガラス基板、石英基板などの透明基板が用
いられている。
【００３３】
素子基板１０は対向基板２０よりも大きく、両基板は、対向基板２０の外周に沿って配
置されたシール材１４を介して接合されている。その隙間に、正または負の誘電異方性を
有する液晶が封入されて液晶層１５を構成している。
【００３４】
シール材１４は、例えば、熱硬化性又は紫外線硬化性のエポキシ樹脂などの接着剤が採
用されている。シール材１４には、一対の基板の間隔を一定に保持するためのスペーサー
（ガラスビーズ）が混入されている。ガラスビーズは、セルギャップを出すために用いら
れる。
【００３５】
シール材１４の内側には、表示に寄与する複数の画素Ｐが配列した画素領域Ｅ（表示領
域）が設けられている。画素領域Ｅの周囲には、表示に寄与しないダミー画素領域（図示
せず）が設けられている。また、図１及び図２では図示を省略したが、画素領域Ｅにおい
て複数の画素Ｐをそれぞれ平面的に区分する遮光部（ブラックマトリックス；ＢＭ）が対
向基板２０に設けられている。
【００３６】
素子基板１０の１辺部に沿ったシール材１４と該１辺部との間に、データ線駆動回路２
２が設けられている。また、該１辺部に対向する他の１辺部に沿ったシール材１４と画素
領域Ｅとの間に、検査回路２５が設けられている。さらに、該１辺部と直交し互いに対向
する他の２辺部に沿ったシール材１４と画素領域Ｅとの間に走査線駆動回路２４が設けら
れている。該１辺部と対向する他の１辺部に沿ったシール材１４と検査回路２５との間に
は、２つの走査線駆動回路２４を繋ぐ複数の配線２９が設けられている。
【００３７】
対向基板２０側における額縁状に配置されたシール材１４の内側には、同じく額縁状に
遮光膜１８（見切り部）が設けられている。遮光膜１８は、例えば、遮光性の金属あるい
は金属酸化物などからなり、遮光膜１８の内側が複数の画素Ｐを有する画素領域Ｅとなっ
ている。なお、図１では図示を省略したが、画素領域Ｅにおいても複数の画素Ｐを平面的
に区分する遮光膜が設けられている。
【００３８】
これらデータ線駆動回路２２、走査線駆動回路２４に繋がる配線は、該１辺部に沿って
配列した複数の外部接続用端子６１に接続されている。以降、該１辺部に沿った方向をＸ
方向とし、該１辺部と直交し互いに対向する他の２辺部に沿った方向をＹ方向として説明
する。なお、検査回路２５の配置はこれに限定されず、データ線駆動回路２２に沿ったシ
ール材１４と画素領域Ｅとの間に設けてもよい。
【００３９】
図２に示すように、第１基材１０ａの液晶層１５側の表面には、画素Ｐごとに設けられ
た透光性の画素電極２７およびスイッチング素子である薄膜トランジスター（ＴＦＴ：Th
in Film Transistor、以降、「ＴＦＴ３０」と呼称する）と、信号配線と、これらを覆う
無機配向膜２８とが形成されている。
【００４０】
また、ＴＦＴ３０における半導体層に光が入射してスイッチング動作が不安定になるこ
とを防ぐ遮光構造が採用されている。本発明における素子基板１０は、少なくとも画素電
極２７、ＴＦＴ３０、信号配線、無機配向膜２８を含むものである。
【００４１】
対向基板２０の液晶層１５側の表面には、遮光膜１８と、これを覆うように成膜された
絶縁層３３と、絶縁層３３を覆うように設けられた対向電極３１と、対向電極３１を覆う
無機配向膜３２とが設けられている。本発明における対向基板２０は、少なくとも遮光膜
１８、対向電極３１、無機配向膜３２を含むものである。
【００４２】
遮光膜１８は、図１に示すように画素領域Ｅを取り囲むと共に、平面的に走査線駆動回
路２４、検査回路２５と重なる位置に設けられている。これにより対向基板２０側からこ
れらの駆動回路を含む周辺回路に入射する光を遮蔽して、周辺回路が光によって誤動作す
ることを防止する役目を果たしている。また、不必要な迷光が画素領域Ｅに入射しないよ
うに遮蔽して、画素領域Ｅの表示における高いコントラストを確保している。
【００４３】
絶縁層３３は、例えば、酸化シリコンなどの無機材料からなり、光透過性を有して遮光
膜１８を覆うように設けられている。このような絶縁層３３の形成方法としては、例えば
プラズマＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）法などを用いて成膜する方法が挙げられ
る。
【００４４】
対向電極３１は、例えばＩＴＯ（Indium Tin Oxide）などの透明導電膜からなり、絶縁
層３３を覆うと共に、図１に示すように対向基板２０の四隅に設けられた上下導通部２６
により素子基板１０側の配線に電気的に接続している。
【００４５】
画素電極２７を覆う無機配向膜２８および対向電極３１を覆う無機配向膜３２は、液晶
装置１００の光学設計に基づいて選定される。無機配向膜２８，３２としては、気相成長
法を用いてＳｉＯｘ（酸化シリコン）などの無機材料を成膜して、負の誘電異方性を有す
る液晶分子に対して略垂直配向させた無機配向膜が挙げられる。
【００４６】
このような液晶装置１００は、例えば透過型であって、電圧が印加されない時の画素Ｐ
の透過率が電圧印加時の透過率よりも大きいノーマリーホワイトや、電圧が印加されない
時の画素Ｐの透過率が電圧印加時の透過率よりも小さいノーマリーブラックモードの光学
設計が採用される。光の入射側と射出側とにそれぞれ偏光素子が光学設計に応じて配置さ
れて用いられる。
【００４７】
図３に示すように、液晶装置１００は、少なくとも画素領域Ｅにおいて互いに絶縁され
て直交する複数の走査線３ａおよび複数のデータ線６ａと、容量線３ｂとを有する。走査
線３ａが延在する方向がＸ方向であり、データ線６ａが延在する方向がＹ方向である。
【００４８】
走査線３ａとデータ線６ａならびに容量線３ｂと、これらの信号線類により区分された
領域に、画素電極２７と、ＴＦＴ３０と、容量素子１６とが設けられ、これらが画素Ｐの
画素回路を構成している。
【００４９】
走査線３ａはＴＦＴ３０のゲートに電気的に接続され、データ線６ａはＴＦＴ３０のデ
ータ線側ソースドレイン領域（ソース領域）に電気的に接続されている。画素電極２７は
、ＴＦＴ３０の画素電極側ソースドレイン領域（ドレイン領域）に電気的に接続されてい
る。
【００５０】
データ線６ａは、データ線駆動回路２２（図１参照）に接続されており、データ線駆動
回路２２から供給される画像信号Ｄ１，Ｄ２，…，Ｄｎを画素Ｐに供給する。走査線３ａ
は、走査線駆動回路２４（図１参照）に接続されており、走査線駆動回路２４から供給さ
れる走査信号ＳＣ１，ＳＣ２，…，ＳＣｍを各画素Ｐに供給する。
【００５１】
データ線駆動回路２２からデータ線６ａに供給される画像信号Ｄ１〜Ｄｎは、この順に
線順次で供給してもよく、互いに隣り合う複数のデータ線６ａ同士に対してグループごと
に供給してもよい。走査線駆動回路２４は、走査線３ａに対して、走査信号ＳＣ１〜ＳＣ
ｍを所定のタイミングでパルス的に線順次で供給する。
【００５２】
液晶装置１００は、スイッチング素子であるＴＦＴ３０が走査信号ＳＣ１〜ＳＣｍの入
力により一定期間だけオン状態とされることで、データ線６ａから供給される画像信号Ｄ
１〜Ｄｎが所定のタイミングで画素電極２７に書き込まれる構成となっている。そして、
画素電極２７を介して液晶層１５に書き込まれた所定レベルの画像信号Ｄ１〜Ｄｎは、画
素電極２７と液晶層１５を介して対向配置された対向電極３１との間で一定期間保持され
る。
【００５３】
保持された画像信号Ｄ１〜Ｄｎがリークするのを防止するため、画素電極２７と対向電
極３１との間に形成される液晶容量と並列に容量素子１６が接続されている。容量素子１
６は、ＴＦＴ３０の画素電極側ソースドレイン領域と容量線３ｂとの間に設けられている
。容量素子１６は、２つの容量電極の間に誘電体層を有するものである。
【００５４】
＜液晶装置を構成する画素の構成＞
図４は、液晶装置のうち主に画素の構造を示す模式断面図である。以下、液晶装置のう
ち画素の構造を、図４を参照しながら説明する。なお、図４は、各構成要素の断面的な位
置関係を示すものであり、明示可能な尺度で表されている。
【００５５】
図４に示すように、液晶装置１００は、電気光学装置用基板としての素子基板１０と、
これに対向配置される対向基板２０とを備えている。素子基板１０を構成する第１基材１
０ａ、及び対向基板２０を構成する第２基材２０ａは、例えば、石英基板等によって構成
されている。
【００５６】
図４に示すように、第１基材１０ａ上には、例えば、Ａｌ（アルミニウム）、Ｔｉ（チ
タン）、Ｃｒ（クロム）、Ｗ（タングステン）等の材料を含む下側遮光膜３ｃが形成され
ている。下側遮光膜３ｃは、平面的に格子状にパターニングされており、各画素Ｐの開口
領域を規定している。なお、下側遮光膜３ｃは、導電性を有し、走査線３ａの一部として
機能するようにしてもよい。第１基材１０ａ及び下側遮光膜３ｃ上には、酸化シリコン等
からなる下地絶縁層１１ａが形成されている。
【００５７】
下地絶縁層１１ａ上には、ＴＦＴ３０及び走査線３ａ等が形成されている。ＴＦＴ３０
は、例えば、ＬＤＤ（Lightly Doped Drain）構造を有しており、ポリシリコン（高純度
の多結晶シリコン）等からなる半導体層３０ａと、半導体層３０ａ上に形成されたゲート
絶縁層１１ｇと、ゲート絶縁層１１ｇ上に形成されたポリシリコン膜等からなるゲート電
極３０ｇとを有する。走査線３ａは、ゲート電極３０ｇとしても機能する。
【００５８】
半導体層３０ａは、例えば、リン（Ｐ）イオン等のＮ型の不純物イオンが注入されるこ
とにより、Ｎ型のＴＦＴ３０として形成されている。具体的には、半導体層３０ａは、チ
ャネル領域３０ｃと、データ線側ＬＤＤ領域３０ｓ１と、データ線側ソースドレイン領域
３０ｓと、画素電極側ＬＤＤ領域３０ｄ１と、画素電極側ソースドレイン領域３０ｄとを
備えている。
【００５９】
チャネル領域３０ｃには、ボロン（Ｂ）イオン等のＰ型の不純物イオンがドープされて
いる。その他の領域（３０ｓ１，３０ｓ，３０ｄ１，３０ｄ）には、リン（Ｐ）イオン等
のＮ型の不純物イオンがドープされている。このように、ＴＦＴ３０は、Ｎ型のＴＦＴと
して形成されている。
【００６０】
ゲート電極３０ｇ及びゲート絶縁層１１ｇ上には、酸化シリコン等からなる第１層間絶
縁層１１ｂが形成されている。第１層間絶縁層１１ｂ上には、容量素子１６が設けられて
いる。具体的には、ＴＦＴ３０の画素電極側ソースドレイン領域３０ｄ及び画素電極２７
に電気的に接続された画素電位側容量電極としての第１容量電極１６ａと、固定電位側容
量電極としての容量線３ｂ（第２容量電極１６ｂ）の一部とが、誘電体膜１６ｃを介して
対向配置されることにより、容量素子１６が形成されている。
【００６１】
誘電体膜１６ｃは、例えば、シリコン窒化膜である。第２容量電極１６ｂ（容量線３ｂ
）は、例えば、Ｔｉ（チタン）、Ｃｒ（クロム）、Ｗ（タングステン）、Ｔａ（タンタル
）、Ｍｏ（モリブデン）等の高融点金属のうち少なくとも一つを含む、金属単体、合金、
金属シリサイド、ポリシリサイド、これらを積層したもの等からなる。或いは、Ａｌ（ア
ルミニウム）膜から形成することも可能である。
【００６２】
第１容量電極１６ａは、例えば、導電性のポリシリコン膜からなり容量素子１６の画素
電位側容量電極として機能する。ただし、第１容量電極１６ａは、容量線３ｂと同様に、
金属又は合金を含む単一層膜又は多層膜から構成してもよい。第１容量電極１６ａは、画
素電位側容量電極としての機能のほか、コンタクトホールＣＮＴ１，ＣＮＴ２，ＣＮＴ３
を介して、画素電極２７とＴＦＴ３０の画素電極側ソースドレイン領域３０ｄ（ドレイン
領域）とを中継接続する機能を有する。
【００６３】
容量素子１６上には、第２層間絶縁層１１ｃを介してデータ線６ａが形成されている。
データ線６ａは、ゲート絶縁層１１ｇ、第１層間絶縁層１１ｂ、誘電体膜１６ｃ、及び第
２層間絶縁層１１ｃに開孔されたコンタクトホールＣＮＴ４を介して、半導体層３０ａの
データ線側ソースドレイン領域３０ｓ（ソース領域）に電気的に接続されている。
【００６４】
データ線６ａの上層には、第３層間絶縁層１１ｄ、第４層間絶縁層１１ｅ、第２絶縁層
としてのパッシベーション層１１ｆを介して画素電極２７が形成されている。第２層間絶
縁層１１ｃ、第３層間絶縁層１１ｄ、第４層間絶縁層１１ｅにおける表示領域Ｅには、着
色層としてのカラーフィルター８０が設けられている。更に、第４層間絶縁層１１ｅ上に
は、パッシベーション層１１ｆが設けられている。なお、第３層間絶縁層１１ｄ、第４層
間絶縁層１１ｅ、及びパッシベーション層１１ｆの上層表面は、ＣＭＰ（Chemical Mecha
nical Polishing）等の平坦化処理が施されている。
【００６５】
パッシベーション層１１ｆ上には、画素電極２７が設けられている。画素電極２７は、
コンタクトホールＣＮＴ３、中継層４１、コンタクトホールＣＮＴ２、第１容量電極１６
ａを介してコンタクトホールＣＮＴ１に接続されることにより、半導体層３０ａの画素電
極側ソースドレイン領域３０ｄ（ドレイン領域）に電気的に接続されている。なお、画素
電極２７は、例えば、ＩＴＯ（Indium Tin Oxide）膜等の透明導電膜から形成されている
。
【００６６】
画素電極２７及びパッシベーション層１１ｆ上には、酸化シリコン（ＳｉＯ2）などの
無機材料を斜方蒸着した無機配向膜２８が設けられている。無機配向膜２８上には、シー
ル材１４（図１及び図２参照）により囲まれた空間に液晶等が封入された液晶層１５が設
けられている。
【００６７】
一方、第２基材２０ａ上（液晶層１５側）には、例えば、ＰＳＧ膜（リンをドーピング
した酸化シリコン）などからなる絶縁層（図示せず）が設けられている。絶縁層上には、
その全面に渡って対向電極３１が設けられている。対向電極３１上には、酸化シリコン（
ＳｉＯ2）などの無機材料を斜方蒸着した無機配向膜３２が設けられている。対向電極３
１は、上述の画素電極２７と同様に、例えばＩＴＯ膜等の透明導電膜からなる。
【００６８】
液晶層１５は、画素電極２７と対向電極３１との間で電界が生じていない状態で無機配
向膜２８，３２によって所定の配向状態をとる。シール材１４は、素子基板１０及び対向
基板２０を貼り合わせるための、例えば光硬化性樹脂や熱硬化性樹脂からなる接着剤であ
り、素子基板１０と対向基板２０の距離を所定値とするためのグラスファイバー或いはガ
ラスビーズ等のスペーサーが混入されている。
【００６９】
図５は、液晶装置のうち電気光学装置用基板としての素子基板（特に、カラーフィルタ
ー）の構造を具体的に示す模式断面図である。以下、素子基板の構造を、図５を参照しな
がら説明する。
【００７０】
図５に示すように、第１基材１０ａ上には、配線（データ線６ａ、容量電極１６ａ，１
６ｂなど）やカラーフィルター８０などが設けられている。具体的には、第１基材１０ａ
上には、シリコン酸化膜（ＳｉＯ2）などからなる第１絶縁層としての絶縁層１１（１１
ａ〜１１ｅ）が設けられており、絶縁層１１中に図示しないＴＦＴ３０（図４参照）や、
容量素子１６（１６ａ，１６ｂ）及びデータ線６ａなどの配線が設けられている。
【００７１】
また、絶縁層１１における画素電極２７と平面的に重なる領域には、カラーフィルター
８０が設けられている。例えば、画素電極２７Ｇが設けられた領域には、第１着色層とし
ての緑色カラーフィルター８０Ｇが設けられている。画素電極２７Ｒが設けられた領域に
は、第２着色層としての赤色カラーフィルター８０Ｒが設けられている。画素電極２７Ｂ
が設けられた領域には、第３着色層としての青色カラーフィルター８０Ｂが設けられてい
る。
【００７２】
緑色カラーフィルター８０Ｇは、緑色カラーフィルター８０Ｇの厚みに相当する深さを
有する第１凹部８０Ｇ１（図７参照）に形成されている。赤色カラーフィルター８０Ｒは
、赤色カラーフィルター８０Ｒの厚みに相当する深さを有する第２凹部８０Ｒ１（図７参
照）に形成されている。青色カラーフィルター８０Ｂは、青色カラーフィルター８０Ｂの
厚みに相当する深さを有する第３凹部８０Ｂ１（図７参照）に形成されている。
【００７３】
上記した、容量素子１６（１６ａ，１６ｂ）やデータ線６ａなどの配線は、平面的にカ
ラーフィルター８０（８０Ｇ，８０Ｒ，８０Ｂ）間に設けられている（図５において図示
せず）。カラーフィルター８０を有する絶縁層１１上には、第２絶縁層としてのパッシベ
ーション層１１ｆが配置されている。パッシベーション層１１ｆの上面は、必要に応じて
、ＣＭＰ研磨処理などによって平坦化処理が施される。
【００７４】
パッシベーション層１１ｆ上には、画素電極２７（２７ａ，２７ｂ，２７ｃ）が設けら
れている。また、画素電極２７を含むパッシベーション層１１ｆ上には、無機配向膜２８
が設けられている。無機配向膜２８上には、図示しない液晶層１５が配置されている。
【００７５】
このように、凹部８０Ｇ１，８０Ｒ１，８０Ｂ１の中に収まるようにカラーフィルター
８０（８０Ｇ，８０Ｒ，８０Ｂ）を配置するので、カラーフィルター８０の厚みのコント
ロールがしやすく、色度・色味の調整がしやすい。また、カラーフィルター８０の高さの
ばらつきが抑えられるので、カラーフィルター８０の上層に形成するパッシベーション層
１１ｆの平坦化に影響を与えることを抑えることができる。
【００７６】
＜液晶装置の製造方法、素子基板の製造方法＞
図６は、液晶装置の製造方法を工程順に示すフローチャートである。図７及び図８は、
液晶装置の製造方法のうち電気光学装置用基板としての素子基板の製造方法を示す模式断
面図である。以下、液晶装置及び素子基板の製造方法を、図６〜図８を参照しながら説明
する。
【００７７】
最初に、素子基板１０側の製造方法を説明する。まず、ステップＳ１１では、石英基板
などからなる第１基材１０ａ上にＴＦＴ３０を形成する。具体的には、まず、第１基材１
０ａ上に、アルミニウムなどからなる下側遮光膜３ｃ（走査線）を成膜する。その後、周
知の成膜技術を用いて、シリコン酸化膜などからなる下地絶縁層１１ａを成膜する。
【００７８】
次に、下地絶縁層１１ａ上に、ＴＦＴ３０を形成する。具体的には、周知の成膜技術、
フォトリソグラフィ技術、及びエッチング技術を用いて、ＴＦＴ３０を形成する。
【００７９】
ステップＳ１２では、カラーフィルター８０を形成する。ステップＳ１３では、画素電
極２７を形成する。ステップＳ１４では、無機配向膜２８を形成する。以下、ステップＳ
１２〜ステップＳ１４までの具体例な製造方法を、図７及び図８を参照しながら説明する
。
【００８０】
まず、図７（ａ）に示す工程では、第１基材１０ａ上に、ＴＦＴ３０などを含む下地絶
縁層１１ａ〜第４層間絶縁層１１ｅを形成する。なお、ＴＦＴ３０、容量素子１６、デー
タ線６ａ、及びコンタクトホールなどの図示及び製造方法は省略する。その後、ＴＦＴ３
０や配線等によって絶縁層１１の上面に生じた凹凸を平坦化する。平坦化する方法として
は、例えば、ＣＭＰ研磨処理を行う。
【００８１】
図７（ｂ）に示す工程では、カラーフィルター８０を形成するための凹部８０Ｇ１，８
０Ｒ１，８０Ｂ１を形成する。具体的には、フォトリソグラフィ技術及びエッチング技術
を用いて形成する。これにより、絶縁層１１に、それぞれ深さの異なる凹部８０Ｇ１，８
０Ｒ１，８０Ｂ１がそれぞれ形成される。言い換えれば、それぞれのカラーフィルター８
０Ｇ，８０Ｒ，８０Ｂの厚みに合わせて深さの異なる凹部８０Ｇ１，８０Ｒ１，８０Ｂ１
がそれぞれ形成される。
【００８２】
図７（ｃ）に示す工程では、カラーフィルター８０を形成する。まず、凹部８０Ｇ１，
８０Ｒ１，８０Ｂ１の中に、着色材料８０Ｇ’，８０Ｒ’，８０Ｂ’を充填する。充填す
る方法としては、スピンコート法を用いて、凹部８０Ｇ１，８０Ｒ１，８０Ｂ１の中に、
着色材料８０’（緑色着色材料８０Ｇ’、赤色着色材料８０Ｒ’、青色着色材料８０Ｂ’
）を選択的に充填する。また、インクジェット法を用いて着色材料８０’を充填するよう
にしてもよい。その後、例えば、着色材料８０’を加熱させて硬化し、カラーフィルター
８０を完成させる。
【００８３】
図８（ｄ）に示す工程では、カラーフィルター８０及び絶縁層１１を覆うように、酸化
シリコンなどからなるパッシベーション層１１ｆを成膜する。パッシベーション層１１ｆ
を形成する方法としては、例えば、ＣＶＤ法が挙げられる。カラーフィルター８０Ｇ，８
０Ｒ，８０Ｂそれぞれの厚みを凹部８０Ｇ１，８０Ｒ１，８０Ｂ１の深さで管理するので
、絶縁層１１の上面は略平坦である。よって、パッシベーション層１１ｆの上面が凹凸に
なることを抑えることができる。
【００８４】
図８（ｅ）に示す工程では、パッシベーション層１１ｆにおけるカラーフィルター８０
と重なる領域に画素電極２７を形成する。具体的には、パッシベーション層１１ｆ上にＩ
ＴＯ膜を成膜し、ＩＴＯ膜をパターニングすることにより、平面視でそれぞれのカラーフ
ィルター８０と重なる領域に画素電極２７（２７Ｇ，２７Ｒ，２７Ｂ）を形成する。なお
、画素電極２７は、図示しないコンタクトホールなどを介して、半導体層３０ａの画素電
極側ソースドレイン領域３０ｄと電気的に接続される。
【００８５】
図８（ｆ）に示す工程では、画素電極２７及びパッシベーション層１１ｆ上に無機配向
膜２８を形成する。無機配向膜２８の製造方法としては、例えば、酸化シリコン（ＳｉＯ
2）などの無機材料を斜方蒸着する斜方蒸着法が用いられる。以上により、素子基板１０
側が完成する。
【００８６】
次に、図６を参照しながら、対向基板２０側の製造方法を説明する。まず、ステップＳ
２１では、ガラス基板等の透光性材料からなる第２基材２０ａ上に、周知の成膜技術、フ
ォトリソグラフィ技術及びエッチング技術を用いて、対向電極３１を形成する。
【００８７】
ステップＳ２２では、対向電極３１上に無機配向膜３２を形成する。無機配向膜３２の
製造方法は、無機配向膜２８と場合と同様であり、例えば、斜方蒸着法を用いて形成する
。以上により、対向基板２０側が完成する。次に、素子基板１０と対向基板２０とを貼り
合わせる方法を説明する。
【００８８】
ステップＳ３１では、素子基板１０上にシール材１４を塗布する。詳しくは、素子基板
１０とディスペンサー（吐出装置でも可能）との相対的な位置関係を変化させて、素子基
板１０における表示領域Ｅの周縁部に（表示領域Ｅを囲むように）シール材１４を塗布す
る。
【００８９】
シール材１４としては、例えば、紫外線硬化型エポキシ樹脂が挙げられる。なお、紫外
線などの光硬化型樹脂に限定されず、熱硬化型樹脂などを用いるようにしてもよい。また
、シール材１４には、例えば、素子基板１０と対向基板２０との間隔（ギャップ或いはセ
ルギャップ）を所定値とするためのグラスファイバー或いはガラスビーズ等のギャップ材
が含まれている。
【００９０】
ステップＳ３２では、素子基板１０と対向基板２０とを貼り合わせる。具体的には、素
子基板１０に、塗布されたシール材１４を介して素子基板１０と対向基板２０とを貼り合
わせる。
【００９１】
ステップＳ３３では、液晶注入口から構造体の内部に液晶を注入し、その後、液晶注入
口を封止材で封止する。封止には、例えば、樹脂等の封止材が用いられる。以上により、
液晶装置１００が完成する。
【００９２】
このように、凹部８０Ｇ１，８０Ｒ１，８０Ｂ１の中に収まるようにカラーフィルター
８０（８０Ｇ，８０Ｒ，８０Ｂ）を形成するので、カラーフィルター８０の厚みのコント
ロールがしやすく、色度・色味の調整がしやすい。また、カラーフィルター８０を積み重
ねて厚みをつくる方法と比較して、比較的簡単に形成することができる。
【００９３】
＜電子機器の構成＞
次に、本実施形態の電子機器としての投射型表示装置について、図９を参照しながら説
明する。図９は、上記した液晶装置を備えた投射型表示装置の構成を示す概略図である。
【００９４】
図９に示すように、本実施形態の投射型表示装置１０００は、システム光軸Ｌに沿って
配置された偏光照明装置１１００と、光分離素子としての２つのダイクロイックミラー１
１０４，１１０５と、３つの反射ミラー１１０６，１１０７，１１０８と、５つのリレー
レンズ１２０１，１２０２，１２０３，１２０４，１２０５と、３つの光変調手段として
の透過型の液晶ライトバルブ１２１０，１２２０，１２３０と、光合成素子としてのクロ
スダイクロイックプリズム１２０６と、投射レンズ１２０７とを備えている。
【００９５】
偏光照明装置１１００は、超高圧水銀灯やハロゲンランプなどの白色光源からなる光源
としてのランプユニット１１０１と、インテグレーターレンズ１１０２と、偏光変換素子
１１０３とから概略構成されている。
【００９６】
ダイクロイックミラー１１０４は、偏光照明装置１１００から射出された偏光光束のう
ち、赤色光（Ｒ）を反射させ、緑色光（Ｇ）と青色光（Ｂ）とを透過させる。もう１つの
ダイクロイックミラー１１０５は、ダイクロイックミラー１１０４を透過した緑色光（Ｇ
）を反射させ、青色光（Ｂ）を透過させる。
【００９７】
ダイクロイックミラー１１０４で反射した赤色光（Ｒ）は、反射ミラー１１０６で反射
した後にリレーレンズ１２０５を経由して液晶ライトバルブ１２１０に入射する。ダイク
ロイックミラー１１０５で反射した緑色光（Ｇ）は、リレーレンズ１２０４を経由して液
晶ライトバルブ１２２０に入射する。ダイクロイックミラー１１０５を透過した青色光（
Ｂ）は、３つのリレーレンズ１２０１，１２０２，１２０３と２つの反射ミラー１１０７
，１１０８とからなる導光系を経由して液晶ライトバルブ１２３０に入射する。
【００９８】
液晶ライトバルブ１２１０，１２２０，１２３０は、クロスダイクロイックプリズム１
２０６の色光ごとの入射面に対してそれぞれ対向配置されている。液晶ライトバルブ１２
１０，１２２０，１２３０に入射した色光は、映像情報（映像信号）に基づいて変調され
クロスダイクロイックプリズム１２０６に向けて射出される。
【００９９】
このプリズムは、４つの直角プリズムが貼り合わされ、その内面に赤色光を反射する誘
電体多層膜と青色光を反射する誘電体多層膜とが十字状に形成されている。これらの誘電
体多層膜によって３つの色光が合成されて、カラー画像を表す光が合成される。合成され
た光は、投射光学系である投射レンズ１２０７によってスクリーン１３００上に投射され
、画像が拡大されて表示される。
【０１００】
液晶ライトバルブ１２１０は、上述した液晶装置１００が適用されたものである。液晶
装置１００は、色光の入射側と射出側とにおいてクロスニコルに配置された一対の偏光素
子の間に隙間を置いて配置されている。他の液晶ライトバルブ１２２０，１２３０も同様
である。
【０１０１】
このような投射型表示装置１０００によれば、液晶ライトバルブ１２１０，１２２０，
１２３０を用いているので、高い信頼性を得ることができる。
【０１０２】
なお、液晶装置１００が搭載される電子機器としては、投射型表示装置１０００の他、
ＥＶＦ（Electrical View Finder）、モバイルミニプロジェクター、ヘッドアップディス
プレイ、スマートフォン、携帯電話、モバイルコンピューター、デジタルカメラ、デジタ
ルビデオカメラ、ディスプレイ、車載機器、オーディオ機器、露光装置や照明機器など各
種電子機器に用いることができる。
【０１０３】
以上詳述したように、第１実施形態の素子基板１０、液晶装置１００、電子機器、及び
素子基板１０の製造方法によれば、以下に示す効果が得られる。
【０１０４】
（１）第１実施形態の素子基板１０、液晶装置１００、及び素子基板１０の製造方法に
よれば、凹部８０Ｇ１，８０Ｒ１，８０Ｂ１の中に収まるようにカラーフィルター（着色
層）８０（８０Ｇ，８０Ｒ，８０Ｂ）を形成するので、カラーフィルター８０の厚みのコ
ントロールがしやすく、色度・色味の調整がしやすい。また、カラーフィルター８０を積
み重ねて厚みをつくる方法と比較して、比較的簡単に形成することができる。また、カラ
ーフィルター８０の高さのばらつきが抑えられるので、カラーフィルター８０の上層に形
成するパッシベーション層１１ｆの平坦化に影響を与えることを抑えることができる。ま
た、凹部８０Ｇ１，８０Ｒ１，８０Ｂ１の中にカラーフィルター８０（８０Ｇ，８０Ｒ，
８０Ｂ）を形成するので、カラーフィルター８０が幅方向に広がらないようにすることが
できる。
【０１０５】
（２）第１実施形態の素子基板１０、液晶装置１００、及び素子基板１０の製造方法に
よれば、カラーフィルター８０Ｇ，８０Ｒ，８０Ｂの厚みに合わせて凹部８０Ｇ１，８０
Ｒ１，８０Ｂ１の深さをそれぞれ形成するので、カラーフィルター８０Ｇ，８０Ｒ，８０
Ｂの厚みがばらつくことを抑えることが可能となり、色度・色味がばらつくことを抑える
ことができる。
【０１０６】
（３）第１実施形態の素子基板１０、液晶装置１００、及び素子基板１０の製造方法に
よれば、凹部８０Ｇ１，８０Ｒ１，８０Ｂ１の中にカラーフィルター８０Ｇ，８０Ｒ，８
０Ｂが収まるように形成するので、絶縁層１１とパッシベーション層１１ｆとの接触面積
を増やすことが可能となる。よって、絶縁層１１からパッシベーション層１１ｆが剥がれ
ることを抑えることができる。
【０１０７】
（４）第１実施形態の電子機器によれば、色度・色味をバランスよく表示することが可
能な電子機器を提供することができる。
【０１０８】
（第２実施形態）
＜液晶装置の構造＞
図１０は、第２実施形態の液晶装置の構造を示す模式断面図である。以下、液晶装置の
構造を、図１０を参照しながら説明する。
【０１０９】
第２実施形態の液晶装置２００は、カラーフィルター８０の凹部８０Ｇ１，８０Ｒ１，
８０Ｂ１の深さをそれぞれ同じ深さに形成し、カラーフィルター８０Ｇ，８０Ｒ，８０Ｂ
の厚みで色味を調整している部分が、第１実施形態の液晶装置１００と異なっている。
【０１１０】
具体的には、図１０に示す液晶装置２００は、例えば、絶縁層１１に第１凹部８０Ｇ１
と、第２凹部８０Ｒ１と、第３凹部８０Ｂ１とが設けられている。
【０１１１】
第１凹部８０Ｇ１の中には、第１凹部８０Ｇ１の縁まで充填された緑色のカラーフィル
ター８０Ｇが配置されている。第２凹部８０Ｒ１の中には、緑色のカラーフィルター８０
Ｇの厚みより薄い厚みの赤色のカラーフィルター８０Ｒが配置されている。第３凹部８０
Ｂ１の中には、赤色のカラーフィルター８０Ｒの厚みより薄い厚みの青色のカラーフィル
ター８０Ｂが配置されている。
【０１１２】
それぞれのカラーフィルター８０Ｇ，８０Ｒ，８０Ｂ及び絶縁層１１上には、第２絶縁
層を構成する平坦化絶縁膜４２が設けられている。平坦化絶縁膜４２は、例えば、酸化シ
リコンである。平坦化絶縁膜４２の上面は、例えば、ＣＭＰ研磨によって平坦化されてい
る。平坦化絶縁膜４２上の構成は、第１実施形態と同様である。
【０１１３】
これによれば、第１凹部８０Ｇ１〜第３凹部８０Ｂ１の深さが同じである、言い換えれ
ば、緑色カラーフィルター８０Ｇ〜青色カラーフィルター８０Ｂの厚みで色度・色味を調
整するので、第１凹部８０Ｇ１〜第３凹部８０Ｂ１の形成を比較的簡単に行うことができ
る。また、カラーフィルター８０の厚みを自由に変えることが可能となり、色度・色味の
調整の自由度を高めることができる。
【０１１４】
＜液晶装置の製造方法、素子基板の製造方法＞
図１１及び図１２は、第２実施形態の液晶装置の製造方法のうち素子基板の製造方法を
示す模式断面図である。以下、素子基板の製造方法を、図１１及び図１２を参照しながら
説明する。
【０１１５】
まず、図１１（ａ）に示す工程では、絶縁層１１にカラーフィルター８０を形成するた
めの凹部８０Ｇ１，８０Ｒ１，８０Ｂ１を形成する。具体的には、まず、第１実施形態と
同様に、第１基材１０ａ上に、下地絶縁層１１ａ、第１層間絶縁層１１ｂ〜第４層間絶縁
層１１ｅを形成する。その後、第１凹部８０Ｇ１と、第２凹部８０Ｒ１と、第３凹部８０
Ｂ１とを、フォトリソグラフィ法及びエッチング法を用いて、同じ深さになるように形成
する。
【０１１６】
図１１（ｂ）に示す工程では、第１凹部８０Ｇ１の縁まで緑色着色材料８０Ｇ’が充填
されるように、第１凹部８０Ｇ１の中に、インクジェット法を用いて緑色着色材料８０Ｇ
’を滴下する。次に、第２凹部８０Ｒ１の中に、緑色着色材料８０Ｇ’の厚みより薄い赤
色着色材料８０Ｒ’を滴下する。その後、第３凹部８０Ｂ１の中に、赤色着色材料８０Ｒ
’の厚みより薄い厚みの青色着色材料８０Ｂ’を滴下する。着色材料を滴下（吐出、塗布
）する方法としては、例えば、インクジェット法が用いられる。
【０１１７】
図１１（ｃ）に示す工程では、カラーフィルター８０及び絶縁層１１の全体を覆うよう
に、平坦化絶縁膜４２を成膜する。平坦化絶縁膜４２は、例えば、酸化シリコンである。
平坦化絶縁膜４２を形成する方法としては、例えば、ＣＶＤ法が挙げられる。これにより
、第２凹部８０Ｒ１の中、第３凹部８０Ｂ１の中に酸化シリコンが成膜されると共に、絶
縁層１１上の全体に酸化シリコンが成膜される。その後、酸化シリコン上の凹凸を平坦化
するために、例えば、ＣＭＰ研磨によって上面が平坦化される。
【０１１８】
図１２（ｄ）に示す工程では、平坦化絶縁膜４２上にパッシベーション層１１ｆを形成
する。パッシベーション層１１ｆは、例えば、酸化シリコンである。具体的な製造方法は
、第１実施形態と同様である。平坦化絶縁膜４２の上面が平坦化されているので、パッシ
ベーション層１１ｆの上面が凹凸になることを抑えることができる。
【０１１９】
図１２（ｅ）に示す工程では、パッシベーション層１１ｆ上における平面視でカラーフ
ィルター８０（８０Ｇ，８０Ｒ，８０Ｂ）と重なる領域に、画素電極２７（２７Ｇ，２７
Ｒ，２７Ｂ）を形成する。具体的な製造方法は、第１実施形態と同様である。
【０１２０】
図１２（ｆ）に示す工程では、画素電極２７及びパッシベーション層１１ｆ上に無機配
向膜２８を形成する。無機配向膜２８の形成方法は、第１実施形態と同様である。
【０１２１】
以上詳述したように、第２実施形態の素子基板１０、液晶装置２００、素子基板１０の
製造方法によれば、上記した第１実施形態の（１）、（３）の効果に加えて、以下に示す
効果が得られる。
【０１２２】
（５）第２実施形態の素子基板１０、液晶装置２００、素子基板１０の製造方法によれ
ば、第１凹部８０Ｇ１〜第３凹部８０Ｂ１の深さが同じである、言い換えれば、緑色カラ
ーフィルター８０Ｇ〜青色カラーフィルター８０Ｂの厚みで色度・色味を調整するので、
第１凹部８０Ｇ１〜第３凹部８０Ｂ１の形成を比較的簡単に行うことができる。また、カ
ラーフィルター８０の厚みを自由に変えることが可能となり、色度・色味の調整の自由度
を高めることができる。
【０１２３】
なお、本発明の態様は、上記した実施形態に限られるものではなく、請求の範囲及び明
細書全体から読み取れる発明の要旨あるいは思想に反しない範囲で適宜変更可能であり、
本発明の態様の技術範囲に含まれるものである。また、以下のような形態で実施すること
もできる。
【０１２４】
（変形例１）
上記したように、電気光学装置として液晶装置１００に適用することに限定されず、例
えば、有機ＥＬ装置、プラズマディスプレイ、電子ペーパー等に適用するようにしてもよ
い。
【符号の説明】
【０１２５】
３ａ…走査線、３ｂ…容量線、３ｃ…下側遮光膜、ＣＮＴ１〜ＣＮＴ４…コンタクトホ
ール、６ａ…データ線、１０…電気光学装置用基板としての素子基板、１０ａ…基材とし
ての第１基材、１１…第１絶縁層としての絶縁層、１１ａ…下地絶縁層、１１ｂ…第１層
間絶縁層、１１ｃ…第２層間絶縁層、１１ｄ…第３層間絶縁層、１１ｅ…第４層間絶縁層
、１１ｆ…第２絶縁層としてのパッシベーション層、１１ｇ…ゲート絶縁層、１４…シー
ル材、１５…電気光学層としての液晶層、１６…容量素子、１６ａ…第１容量電極、１６
ｂ…第２容量電極、１６ｃ…誘電体膜、１８…遮光膜、２０…対向基板、２０ａ…第２基
材、２２…データ線駆動回路、２４…走査線駆動回路、２５…検査回路、２６…上下導通
部、２７，２７Ｒ，２７Ｇ，２７Ｂ…画素電極、２８，３２…無機配向膜、２９…配線、
３０…ＴＦＴ、３０ａ…半導体層、３０ｃ…チャネル領域、３０ｄ…画素電極側ソースド
レイン領域、３０ｄ１…画素電極側ＬＤＤ領域、３０ｇ…ゲート電極、３０ｓ…データ線
側ソースドレイン領域、３０ｓ１…データ線側ＬＤＤ領域、３１…対向電極、３３…絶縁
層、４１…中継層、４２…第２絶縁層を構成する平坦化絶縁膜、６１…外部接続用端子、
８０…着色層としてのカラーフィルター、８０Ｇ１…第１凹部、８０Ｒ１…第２凹部、８
０Ｂ１…第３凹部、１００，２００…液晶装置、１０００…投射型表示装置、１１００…
偏光照明装置、１１０１…ランプユニット、１１０２…インテグレーターレンズ、１１０
３…偏光変換素子、１１０４，１１０５…ダイクロイックミラー、１１０６，１１０７，
１１０８…反射ミラー、１２０１，１２０２，１２０３，１２０４，１２０５…リレーレ
ンズ、１２０６…クロスダイクロイックプリズム、１２０７…投射レンズ、１２１０，１
２２０，１２３０…液晶ライトバルブ、１３００…スクリーン。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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