(57)【要約】【課題】弁体と処理容器との導通を確保しながら、弁体及び処理容器の損傷を低減し、金属パーティクルの発生を抑制できるゲートバルブ装置を提供する。【解決手段】弁座プレート２０４は、枠状をなし、基板搬送用開口１ｂ１とほぼ同等の大きさの開口２０４ａを有する。弁座プレート２０４は、金属等の導電性材料によって構成され、弁体２０２によって基板搬送用開口１ｂ１を閉塞した状態で弁体２０２と処理容器１との間に介在する。弁座プレート２０４と、シールドリング２３２，２４２を同種の金属材料で構成することによって、異種金属間の接触を少なくし、金属パーティクルの発生を抑制する。【選択図】図４
2015081633.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
被処理基板を処理容器内に搬入搬出するための開口部を有し、前記処理容器内で生成させたプラズマにより前記被処理基板にプラズマ処理を施すプラズマ処理装置に配置されるゲートバルブ装置であって、
前記開口部を開閉するための弁体と、
前記弁体によって前記開口部を開閉するために前記弁体を移動させる弁体移動手段と、
開口を有する枠状をなし、前記処理容器における前記開口部の周囲の壁に装着され、前記弁体によって前記開口部を閉塞した状態で前記弁体と前記処理容器との間に介在する導電性の弁体受け部材と、
前記弁体によって前記開口部を閉塞した状態で、前記弁体と弁体受け部材との間に介在してこれらの間を気密に封止する第１の気密封止部材と、
前記弁体によって前記開口部を閉塞した状態で、前記弁体と弁体受け部材との間に介在してこれらの間を電気的に接続する第１の導電性部材と、
前記開口部を囲むように設けられ、前記弁体受け部材と前記処理容器との間に介在してこれらの間を気密に封止する第２の気密封止部材と、
前記開口部を囲むように設けられ、前記弁体受け部材と前記処理容器との間に介在してこれらの間を電気的に接続する第２の導電性部材と、
を備え、
前記第１の導電性部材と、前記弁体受け部材とが、同じ材料によって形成されていることを特徴とするゲートバルブ装置。
【請求項２】
被処理基板を処理容器内に搬入搬出するための開口部を有し、前記処理容器内で生成させたプラズマにより前記被処理基板にプラズマ処理を施すプラズマ処理装置に配置されるゲートバルブ装置であって、
前記開口部を開閉するための弁体と、
前記弁体によって前記開口部を開閉するために前記弁体を移動させる弁体移動手段と、
開口を有する枠状をなし、前記処理容器における前記開口部の周囲の壁に装着され、前記弁体によって前記開口部を閉塞した状態で前記弁体と前記処理容器との間に介在する導電性の弁体受け部材と、
前記弁体によって前記開口部を閉塞した状態で、前記弁体と弁体受け部材との間に介在してこれらの間を気密に封止する第１の気密封止部材と、
前記弁体によって前記開口部を閉塞した状態で、前記弁体と弁体受け部材との間に介在してこれらの間を電気的に接続する第１の導電性部材と、
前記開口部を囲むように設けられ、前記弁体受け部材と前記処理容器との間に介在してこれらの間を気密に封止する第２の気密封止部材と、
前記開口部を囲むように設けられ、前記弁体受け部材と前記処理容器との間に介在してこれらの間を電気的に接続する第２の導電性部材と、
を備え、
前記弁体は、本体部と、該本体部とは異なる導電性材料からなり、前記第１の導電性部材に当接する第１の当接部と、を有しており、
前記第１の導電性部材と、前記第１の当接部と、前記弁体受け部材とが、同じ材料によって形成されていることを特徴とするゲートバルブ装置。
【請求項３】
被処理基板を処理容器内に搬入搬出するための開口部を有し、前記処理容器内で生成させたプラズマにより前記被処理基板にプラズマ処理を施すプラズマ処理装置に配置されるゲートバルブ装置であって、
前記開口部を開閉するための弁体と、
前記弁体によって前記開口部を開閉するために前記弁体を移動させる弁体移動手段と、
開口を有する枠状をなし、前記処理容器における前記開口部の周囲の壁に装着され、前記弁体によって前記開口部を閉塞した状態で前記弁体と前記処理容器との間に介在する導電性の弁体受け部材と、
前記弁体によって前記開口部を閉塞した状態で、前記弁体と弁体受け部材との間に介在してこれらの間を気密に封止する第１の気密封止部材と、
前記弁体によって前記開口部を閉塞した状態で、前記弁体と弁体受け部材との間に介在してこれらの間を電気的に接続する第１の導電性部材と、
前記開口部を囲むように設けられ、前記弁体受け部材と前記処理容器との間に介在してこれらの間を気密に封止する第２の気密封止部材と、
前記開口部を囲むように設けられ、前記弁体受け部材と前記処理容器との間に介在してこれらの間を電気的に接続する第２の導電性部材と、
を備え、
前記弁体は、本体部と、該本体部とは異なる導電性材料からなり、前記第１の導電性部材に当接する第１の当接部と、を有しており、
前記弁体受け部材は、弁座本体と、該弁座本体とは異なる導電性材料からなり、前記第１の導電性部材に当接する第２の当接部と、を有しており、
前記第１の導電性部材と、前記第１の当接部と、前記第２の当接部とが、同じ材料によって形成されていることを特徴とするゲートバルブ装置。
【請求項４】
さらに、前記第２の導電性部材が、前記第１の導電性部材と同じ材料で形成されている請求項１から３のいずれか１項に記載のゲートバルブ装置。
【請求項５】
前記第１の導電性部材及び前記第２の導電性部材がステンレス鋼によって形成されている請求項１から４のいずれか１項に記載のゲートバルブ装置。
【請求項６】
前記弁体によって前記開口部を閉塞した状態で、第１の導電性部材は、前記第１の気密封止部材を囲むように設けられている請求項１から５のいずれか１項に記載のゲートバルブ装置。
【請求項７】
第２の導電性部材は、前記第２の気密封止部材を囲むように設けられている請求項１から６のいずれか１項に記載のゲートバルブ装置。
【請求項８】
請求項１から７のいずれか１項に記載のゲートバルブ装置を備えたプラズマ処理装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、例えば基板を真空条件下で処理するプラズマ処理装置において、基板の搬入出を行うゲート開口部を開閉するためのゲートバルブ装置及びそれを備えたプラズマ処理装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
ＦＰＤ（フラットパネルディスプレイ）用のガラス基板等の被処理基板に対して真空条件下でプラズマエッチング、プラズマアッシング、プラズマ成膜等の処理を行うために、プラズマ処理装置が用いられている。プラズマ処理装置は、例えば、基板に対する処理が行われるプロセスモジュールと、プロセスモジュールへの基板の搬入およびプロセスモジュールからの基板の搬出を行う搬送装置を収容した搬送モジュールと、プロセスモジュールと搬送モジュールとの間に設けられたゲートバルブ装置等を備えた真空処理システムの一部分として構成することができる。
【０００３】
プロセスモジュールは、基板の搬入または搬出の際に基板を通過させるための開口部を有している。プロセスモジュールと搬送モジュールとの間に設けられたゲートバルブ装置は、プロセスモジュールの開口部を開閉する弁体を有している。この弁体によってプロセスモジュールの開口部が閉塞されることによって、プロセスモジュールは気密にシールされる。
【０００４】
プロセスモジュール内で、処理が行われる際には、プロセスモジュールの開口部はゲートバルブ装置の弁体によって閉塞されている。この状態で、金属製の弁体の表面の一部は、プロセスモジュール内の空間に露出している。また、弁体とプロセスモジュールとの間には、絶縁性のエラストマー等からなるシール部材が介在するため、弁体とプロセスモジュールが電位的に独立した状態となる。そのため、プロセスモジュールに高周波を導入してプラズマを生成させると、弁体が高周波によってチャージされ、弁体の付近で局所的なプラズマや異常放電が発生するという問題があった。
【０００５】
特許文献１では、ゲートバルブ装置の弁体とプロセスモジュールとの間の導通を図るため、導電性のシール部材を配備することが提案されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開２００９−２５２６３５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
特許文献１に記載されている導電性のシール部材として、一般に、ステンレス製のスパイラルシールドが使用される。一方、ゲートバルブ装置の弁体や、プロセスモジュールの容器（処理容器）には、通常アルミニウムが使用される。その結果、スパイラルシールドと、弁体又は処理容器との間で、異種金属間の接触が生じる。特に、弁体は可動部材であるため、異種金属間での接触と離間とを繰り返す間に、異種金属接触腐食による化学的なダメージや、硬度が違うことによる物理的なダメージ等により、弁体や処理容器に損傷が生じて交換等のメンテナンスが必要になったり、金属パーティクルが発生したりする原因となる。
【０００８】
本発明はかかる問題点に鑑みてなされたもので、その目的は、弁体と処理容器との導通を確保しながら、弁体及び処理容器の損傷を低減し、金属パーティクルの発生を抑制できるゲートバルブ装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明のゲートバルブ装置は、被処理基板を処理容器内に搬入搬出するための開口部を有し、前記処理容器内で生成させたプラズマにより前記被処理基板にプラズマ処理を施すプラズマ処理装置に配置されるゲートバルブ装置である。
【００１０】
本発明のゲートバルブ装置は、前記開口部を開閉するための弁体を備えている。
【００１１】
本発明のゲートバルブ装置は、前記弁体によって前記開口部を開閉するために前記弁体を移動させる弁体移動手段を備えている。
【００１２】
本発明のゲートバルブ装置は、開口を有する枠状をなし、前記処理容器における前記開口部の周囲の壁に装着され、前記弁体によって前記開口部を閉塞した状態で前記弁体と前記処理容器との間に介在する導電性の弁体受け部材を備えている。
【００１３】
本発明のゲートバルブ装置は、前記弁体によって前記開口部を閉塞した状態で、前記弁体と弁体受け部材との間に介在してこれらの間を気密に封止する第１の気密封止部材を備えている。
【００１４】
本発明のゲートバルブ装置は、前記弁体によって前記開口部を閉塞した状態で、前記弁体と弁体受け部材との間に介在してこれらの間を電気的に接続する第１の導電性部材を備えている。
【００１５】
本発明のゲートバルブ装置は、前記開口部を囲むように設けられ、前記弁体受け部材と前記処理容器との間に介在してこれらの間を気密に封止する第２の気密封止部材を備えている。
【００１６】
本発明のゲートバルブ装置は、前記開口部を囲むように設けられ、前記弁体受け部材と前記処理容器との間に介在してこれらの間を電気的に接続する第２の導電性部材を備えている。
【００１７】
本発明の第１の側面において、ゲートバルブ装置は、前記第１の導電性部材と、前記弁体受け部材とが、同じ材料によって形成されている。
【００１８】
本発明の第２の側面において、前記弁体は、本体部と、該本体部とは異なる導電性材料からなり、前記第１の導電性部材に当接する第１の当接部と、を有している。そして、本発明の第３の側面では、前記第１の導電性部材と、前記第１の当接部と、前記弁体受け部材とが、同じ材料によって形成されている。
【００１９】
本発明の第３の側面において、前記弁体は、本体部と、該本体部とは異なる導電性材料からなり、前記第１の導電性部材に当接する第１の当接部と、を有している。また、本発明の第３の側面において、前記弁体受け部材は、弁座本体と、該弁座本体とは異なる導電性材料からなり、前記第１の導電性部材に当接する第２の当接部と、を有している。そして、本発明の第３の側面では、前記第１の導電性部材と、前記第１の当接部と、前記第２の当接部とが、同じ材料によって形成されている。
【００２０】
本発明のゲートバルブ装置は、さらに、前記第２の導電性部材が、前記第１の導電性部材と同じ材料で形成されていてもよい。
【００２１】
本発明のゲートバルブ装置は、前記第１の導電性部材及び前記第２の導電性部材がステンレス鋼によって形成されていてもよい。
【００２２】
本発明のゲートバルブ装置において、前記弁体によって前記開口部を閉塞した状態で、第１の導電性部材は、前記第１の気密封止部材を囲むように設けられていてもよい。
【００２３】
本発明のゲートバルブ装置において、第２の導電性部材は、前記第２の気密封止部材を囲むように設けられていてもよい。
【００２４】
本発明のプラズマ処理装置は、上記いずれかのゲートバルブ装置を備えている。
【発明の効果】
【００２５】
本発明のゲートバルブ装置によれば、弁体と処理容器との導通を確保しながら、弁体及び処理容器の損傷を低減し、金属パーティクルの発生を抑制できる。
【図面の簡単な説明】
【００２６】
【図１】本発明の第１の実施の形態に係るゲートバルブ装置を含む真空処理システムを概略的に示す斜視図である。
【図２】図１に示したプロセスモジュールの典型的な実施の形態としてのプラズマエッチング装置の概略構成を示す断面図である。
【図３】本発明の第１の実施の形態に係るゲートバルブ装置の構成を示す断面図である。
【図４】図３に示したゲートバルブ装置を閉じた状態を示す断面図である。
【図５】図３に示したゲートバルブ装置の弁体を示す正面図である。
【図６】処理容器に装着された弁座プレートを示す正面図である。
【図７】本発明の第２の実施の形態に係るゲートバルブ装置の構成を示す断面図である。
【図８】図７に示したゲートバルブ装置の弁体を示す正面図である。
【図９】図７に示したゲートバルブ装置の変形例における弁体を示す正面図である。
【図１０】本発明の第３の実施の形態に係るゲートバルブ装置の構成を示す断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００２７】
［第１の実施の形態］
以下、本発明の実施の形態について図面を参照して詳細に説明する。始めに、図１を参照して、本発明の第１の実施の形態に係るゲートバルブ装置を含むシステムの一例としての真空処理システム１００の構成について説明する。
【００２８】
＜基板処理システム＞
図１は、真空処理システム１００を概略的に示す斜視図である。真空処理システム１００は、例えばＦＰＤ用のガラス基板（以下、単に「基板」と記す）Ｓに対してプラズマ処理を行うための処理システムとして構成されている。なお、ＦＰＤとしては、液晶ディスプレイ（ＬＣＤ）、エレクトロルミネセンス（Electro Luminescence；ＥＬ）ディスプレイ、プラズマディスプレイパネル（ＰＤＰ）等が例示される。
【００２９】
真空処理システム１００は、十字形に連結された５つの真空モジュールを備えている。具体的には、真空処理システム１００は、５つの真空モジュールとして、３つのプロセスモジュール１０１ａ，１０１ｂ，１０１ｃと、搬送モジュール１０３と、ロードロックモジュール１０５とを備えている。
【００３０】
プロセスモジュール１０１ａ，１０１ｂ，１０１ｃは、その内部空間を所定の減圧雰囲気（真空状態）に維持できるように構成されている。プロセスモジュール１０１ａ，１０１ｂ，１０１ｃ内には、それぞれ、基板Ｓを載置する載置台（図示省略）が配備されている。プロセスモジュール１０１ａ，１０１ｂ，１０１ｃでは、基板Ｓを載置台に載置した状態で、基板Ｓに対して、例えば真空条件でのエッチング処理、アッシング処理、成膜処理等のプラズマ処理が行なわれる。
【００３１】
搬送モジュール１０３は、プロセスモジュール１０１ａ，１０１ｂ，１０１ｃと同様に所定の減圧雰囲気に保持できるように構成されている。搬送モジュール１０３内には、図示しない搬送装置が設けられている。この搬送装置によって、プロセスモジュール１０１ａ，１０１ｂ，１０１ｃとロードロックモジュール１０５の間で基板Ｓの搬送が行われる。
【００３２】
ロードロックモジュール１０５は、プロセスモジュール１０１ａ，１０１ｂ，１０１ｃおよび搬送モジュール１０３と同様に所定の減圧雰囲気に保持できるように構成されている。ロードロックモジュール１０５は、減圧雰囲気の搬送モジュール１０３と外部の大気雰囲気との間で基板Ｓの授受を行うためのものである。
【００３３】
真空処理システム１００は、更に、５つのゲートバルブ装置１１０ａ，１１０ｂ，１１０ｃ，１１０ｄ，１１０ｅを備えている。ゲートバルブ装置１１０ａ，１１０ｂ，１１０ｃは、それぞれ、搬送モジュール１０３とプロセスモジュール１０１ａ，１０１ｂ，１０１ｃとの間に配置されている。ゲートバルブ装置１１０ｄは、搬送モジュール１０３とロードロックモジュール１０５との間に配置されている。ゲートバルブ装置１１０ｅは、ロードロックモジュール１０５におけるゲートバルブ装置１１０ｄとは反対側に配置されている。ゲートバルブ装置１１０ａ〜１１０ｅは、いずれも、隣接する２つの空間を仕切る壁に設けられた開口部を開閉する機能を有している。
【００３４】
ゲートバルブ装置１１０ａ〜１１０ｄは、閉状態で各モジュールを気密にシールすると共に、開状態でモジュール間を連通させて基板Ｓの移送を可能にする。ゲートバルブ装置１１０ｅは、閉状態でロードロックモジュール１０５の気密性を維持すると共に、開状態でロードロックモジュール１０５内と外部との間で基板Ｓの移送を可能にする。
【００３５】
真空処理システム１００は、更に、ロードロックモジュール１０５との間でゲートバルブ装置１１０ｅを挟む位置に配置された搬送装置１２５を備えている。搬送装置１２５は、基板保持具としてのフォーク１２７と、フォーク１２７を進出、退避および旋回可能に支持する支持部１２９と、この支持部１２９を駆動する駆動機構を備えた駆動部１３１とを有している。
【００３６】
真空処理システム１００は、更に、駆動部１３１の両側に配置されたカセットインデクサ１２１ａ，１２１ｂと、それぞれカセットインデクサ１２１ａ，１２１ｂの上に載置されたカセットＣ１，Ｃ２とを備えている。カセットインデクサ１２１ａ，１２１ｂは、それぞれ、カセットＣ１，Ｃ２を昇降する昇降機構部１２３ａ，１２３ｂを有している。各カセットＣ１，Ｃ２内には、基板Ｓを、上下に間隔を空けて多段に配置できるようになっている。搬送装置１２５のフォーク１２７は、カセットＣ１，Ｃ２の間に配置されている。
【００３７】
また、図１では図示しないが、真空処理システム１００は、更に、真空処理システム１００において制御が必要な構成要素を制御する制御部を備えている。制御部は、例えば、ＣＰＵを備えたコントローラと、コントローラに接続されたユーザーインターフェースと、コントローラに接続された記憶部とを有している。コントローラは、真空処理システム１００において制御が必要な構成要素を統括して制御する。ユーザーインターフェースは、工程管理者が真空処理システム１００を管理するためにコマンドの入力操作等を行うキーボードや、真空処理システム１００の稼働状況を可視化して表示するディスプレイ等から構成される。記憶部には、真空処理システム１００で実行される各種処理をコントローラの制御にて実現するための制御プログラム（ソフトウエア）や処理条件データ等が記録されたレシピが保存されている。そして、必要に応じて、ユーザーインターフェースからの指示等にて任意のレシピを記憶部から呼び出してコントローラに実行させることで、コントローラの制御下で、真空処理システム１００での所望の処理が行われる。
【００３８】
前記制御プログラムや処理条件データ等のレシピは、コンピュータ読み取り可能な記憶媒体、例えばＣＤ−ＲＯＭ、ハードディスク、フレキシブルディスク、フラッシュメモリなどに格納された状態のものを利用できる。あるいは、他の装置から、例えば専用回線を介して随時伝送させてオンラインで利用したりすることも可能である。
【００３９】
＜プラズマ処理装置＞
図２は、プロセスモジュール１０１ａ，１０１ｂ，１０１ｃの典型的な実施の形態としてのプラズマエッチング装置の概略構成を示す断面図である。プラズマエッチング装置１０１Ａは、基板Ｓに対してエッチングを行なう容量結合型の平行平板プラズマエッチング装置として構成されている。
【００４０】
このプラズマエッチング装置１０１Ａは、内側が陽極酸化処理（アルマイト処理）されたアルミニウムからなる角筒形状に成形された処理容器１を有している。処理容器１は、底壁１ａ、４つの側壁１ｂ（２つのみ図示）及び蓋体１ｃにより構成されている。処理容器１は電気的に接地されている。側壁１ｂには、基板Ｓを搬入搬出する基板搬送用開口１ｂ１と、これを封止するゲートバルブ装置１１０が設けられている。なお、ゲートバルブ装置１１０は、図１に示したゲートバルブ装置１１０ａ，１１０ｂ，１１０ｃのいずれでもよい。
【００４１】
蓋体１ｃは、図示しない開閉機構により、側壁１ｂに対して開閉可能に構成されている。蓋体１ｃを閉じた状態で蓋体１ｃと各側壁１ｂとの接合部分は、Ｏリング３によってシールされ、処理容器１内の気密性が保たれている。
【００４２】
処理容器１内の底部には、枠形状の絶縁部材９が配置されている。絶縁部材９の上には、基板Ｓを載置可能な載置台であるサセプタ１１が設けられている。下部電極でもあるサセプタ１１は、基材１２を備えている。基材１２は、例えばアルミニウムやステンレス鋼（ＳＵＳ）などの導電性材料で形成されている。基材１２は、絶縁部材９の上に配置され、両部材の接合部分にはＯリングなどのシール部材１３が配備されて気密性が維持されている。絶縁部材９と処理容器１の底壁１ａとの間も、Ｏリングなどのシール部材１４により気密性が維持されている。基材１２の側部外周は、絶縁部材１５により囲まれている。これによって、サセプタ１１の側面の絶縁性が確保され、プラズマ処理の際の異常放電が防止されている。
【００４３】
サセプタ１１の上方には、このサセプタ１１と平行に、かつ対向して上部電極として機能するシャワーヘッド３１が設けられている。シャワーヘッド３１は処理容器１の上部の蓋体１ｃに支持されている。シャワーヘッド３１は中空状をなし、その内部には、ガス拡散空間３３が設けられている。また、シャワーヘッド３１の下面（サセプタ１１との対向面）には、処理ガスを吐出する複数のガス吐出孔３５が形成されている。このシャワーヘッド３１は電気的に接地されており、サセプタ１１とともに一対の平行平板電極を構成している。
【００４４】
シャワーヘッド３１の上部中央付近には、ガス導入口３７が設けられている。このガス導入口３７には、処理ガス供給管３９が接続されている。この処理ガス供給管３９には、２つのバルブ４１，４１およびマスフローコントローラ（ＭＦＣ）４３を介して、エッチングのための処理ガスを供給するガス供給源４５が接続されている。処理ガスとしては、例えばハロゲン系ガスやＯ２ガスのほか、Ａｒガス等の希ガスなどを用いることができる。
【００４５】
前記処理容器１内の底壁１ａには、複数の箇所（例えば８か所）に貫通した排気用開口５１が形成されている。各排気用開口５１には、それぞれ排気管５３が接続されている。各排気管５３は、その端部にフランジ部５３ａを有しており、このフランジ部５３ａと底壁１ａとの間にＯリング（図示省略）を介在させた状態で固定されている。各排気管５３には、ＡＰＣバルブ５５及び排気装置５７が接続されている。
【００４６】
プラズマエッチング装置１０１Ａには、処理容器１内の圧力を計測する圧力計６１が設けられている。圧力計６１は、制御部と接続されており、処理容器１内の圧力の計測結果をリアルタイムで制御部へ提供する。
【００４７】
サセプタ１１の基材１２には、給電線７１が接続されている。この給電線７１には、マッチングボックス（Ｍ．Ｂ．）７３を介して高周波電源７５が接続されている。これにより、高周波電源７５から例えば１３．５６ＭＨｚの高周波電力が、下部電極としてのサセプタ１１に供給される。なお、給電線７１は、底壁１ａに形成された貫通開口部としての給電用開口７７を介して処理容器１内に導入されている。
【００４８】
プラズマエッチング装置１０１Ａの各構成部は、制御部に接続されて制御される構成となっている。
【００４９】
次に、以上のように構成されるプラズマエッチング装置１０１Ａにおける処理動作について説明する。まず、ゲートバルブ装置１１０が開放された状態で基板搬送用開口１ｂ１を介して、被処理体である基板Ｓが、図示しない搬送装置によって搬送モジュール１０３から処理容器１内へと搬入され、サセプタ１１へ受渡される。その後、ゲートバルブ装置１１０が閉じられ、排気装置５７によって、処理容器１内が所定の真空度まで真空引きされる。
【００５０】
次に、バルブ４１を開放して、処理ガスをガス供給源４５から処理ガス供給管３９、ガス導入口３７を介してシャワーヘッド３１のガス拡散空間３３へ導入する。この際、マスフローコントローラ４３によって処理ガスの流量制御が行われる。ガス拡散空間３３に導入された処理ガスは、さらに複数のガス吐出孔３５を介してサセプタ１１上に載置された基板Ｓに対して均一に吐出され、処理容器１内の圧力が所定の値に維持される。
【００５１】
この状態で高周波電源７５から高周波電力がマッチングボックス７３を介してサセプタ１１に印加される。これにより、下部電極としてのサセプタ１１と上部電極としてのシャワーヘッド３１との間に高周波電界が生じ、処理ガスが解離してプラズマ化する。このプラズマにより、基板Ｓにエッチング処理が施される。
【００５２】
エッチング処理を施した後、高周波電源７５からの高周波電力の印加を停止し、ガス導入を停止した後、処理容器１内を所定の圧力まで減圧する。次に、ゲートバルブ装置１１０を開放し、サセプタ１１から図示しない搬送装置に基板Ｓを受け渡し、処理容器１の基板搬送用開口１ｂ１から搬送モジュール１０３へ基板Ｓを搬出する。以上の操作により、一枚の基板Ｓに対するプラズマエッチング処理が終了する。
【００５３】
＜ゲートバルブ装置＞
次に、図３ないし図５を参照して、本実施の形態に係るゲートバルブ装置の構成について詳しく説明する。図３及び図４は、本実施の形態に係るゲートバルブ装置の構成を示す断面図である。なお、図３はゲートバルブ装置の開状態を表し、図４はゲートバルブ装置の閉状態を表している。図５は、ゲートバルブ装置の弁体を示す正面図である。
【００５４】
本実施の形態に係るゲートバルブ装置１１０は、図１および図２に示した真空処理システム１００における５つのゲートバルブ装置１１０ａ，１１０ｂ，１１０ｃ，１１０ｄ，１１０ｅのいずれにも適用することができる。その中でも、ゲートバルブ装置１１０は、特に、プロセスモジュール１０１ａ，１０１ｂ，１０１ｃと搬送モジュール１０３の間に設けられたゲートバルブ装置１１０ａ，１１０ｂ，１１０ｃへの適用に好適である。そこで、以下、ゲートバルブ装置１１０ａ，１１０ｂ，１１０ｃに適用した場合を例にとって、本実施の形態に係るゲートバルブ装置１１０について説明する。この例では、ゲートバルブ装置１１０は、プロセスモジュール１０１と搬送モジュール１０３との間に配置されている。なお、「プロセスモジュール１０１」は、プロセスモジュール１０１ａ，１０１ｂ，１０１ｃのいずれかを意味する。
【００５５】
プロセスモジュール１０１は、プロセスモジュール１０１内の空間を画定する処理容器１を備えている。上記のとおり、処理容器１は、ゲートバルブ装置１１０に隣接する側壁１ｂを備えている。この側壁１ｂは、プロセスモジュール１０１内の空間とそれに隣接するゲートバルブ装置１１０側の空間とを仕切っている。側壁１ｂには、プロセスモジュール１０１と搬送モジュール１０３との間で基板Ｓの移送を可能にする基板搬送用開口１ｂ１が設けられている。側壁１ｂは、ゲートバルブ装置１１０に向いた面１ｂ２を有している。
【００５６】
ゲートバルブ装置１１０は、ハウジング２０１と、基板搬送用開口１ｂ１を開閉するための弁体２０２と、弁体２０２を移動させる弁体変位装置２０３と、本発明における弁体受け部材としての弁座プレート２０４とを備えている。弁体変位装置２０３は、本発明における弁体移動手段に対応する。
【００５７】
（ハウジング）
ハウジング２０１は、弁体２０２と、弁体変位装置２０３の一部と、弁座プレート２０４とを収容している。ハウジング２０１は、上部と、底部と、上部と底部とを連結する側部とを有している。ハウジング２０１におけるプロセスモジュール１０１側の側部と搬送モジュール１０３側の側部はそれぞれ開口している。なお、ハウジング２０１は、ゲートバルブ装置１１０における必須の構成ではなく、搬送モジュール１０３とプロセスモジュール１０１を隣接させ、弁体２０２と弁体変位装置２０３の一部を搬送モジュール１０３内に収容することで省略することができる。
【００５８】
（弁体）
弁体２０２は、例えばアルミニウム等の金属材料によって構成され、ほぼ直方体形状をなしている。弁体２０２は、プロセスモジュール１０１に向き、基板搬送用開口１ｂ１を閉塞可能なシール面２０２Ａと、このシール面２０２Ａとは反対側の背面２０２Ｂと、上面２０２Ｃと、底面２０２Ｄと、２つの側面２０２Ｅ，２０２Ｆとを有している。シール面２０２Ａは、基板搬送用開口１ｂ１を閉塞することができる大きさを有している。
【００５９】
弁体２０２の上面２０２Ｃには、２つのローラー２１５が回転可能に取り付けられている。２つのローラー２１５の一部は、上面２０２Ｃよりも上方に突出している。
【００６０】
（弁体変位装置）
弁体変位装置２０３は、エアシリンダー２２１と、ベース部材２２２と、４つのリンク２２３とを有している。エアシリンダー２２１は、シリンダー部２２１ａとロッド部２２１ｂとを含んでいる。シリンダー部２２１ａは、ハウジング２０１の底部に取り付けられている。ロッド部２２１ｂは、シリンダー部２２１ａからハウジング２０１の内部に向けて突出している。ロッド部２２１ｂは、シリンダー部２２１ａに供給されるエアにより、シリンダー部２２１ａおよびロッド部２２１ｂの軸方向（図３、図４における上下方向）に往復運動する。なお、エアシリンダー２２１の代わりに、油圧シリンダーや、モータにより駆動するボールねじ機構を使用してもよい。
【００６１】
ベース部材２２２は、ロッド部２２１ｂの先端部に取り付けられている。ベース部材２２２は、例えば、弁体２０２と同様に、ほぼ直方体形状をなしている。エアシリンダー２２１は、ベース部材２２２を側壁１ｂの面１ｂ２に平行な方向に移動させる。
【００６２】
４つのリンク２２３は、ベース部材２２２と弁体２０２とを接続するリンク機構を構成している。図３ないし図５に示したように、各リンク２２３の一端部は、弁体２０２の側面２０２Ｅ又は２０２Ｆに対して回動可能に接続され、各リンク２２３の他端部は、側面２０２Ｅ又は２０２Ｆに対応するベース部材２２２の側面に対して回動可能に接続されている。
【００６３】
図示しないが、ベース部材２２２は、各リンク２２３を、それらのベース部材２２２の側面に対する接続部を中心として図３、図４における反時計回り方向に回動するように付勢するばね等の付勢手段と、反時計回り方向へのリンク２２３の回動を規制するストッパとを含んでいる。図３は、ストッパによってリンク２２３の回動が規制された状態を表している。
【００６４】
弁体変位装置２０３は、弁体２０２を、図３に示した待機位置と、図４に示した閉塞位置との間で移動させる。なお、弁体変位装置２０３が弁体２０２を変位させる機構としては、図３及び図４に示した機構に限るものではない。
【００６５】
（弁座プレート）
弁座プレート２０４は、処理容器１の側壁１ｂの外側において、基板搬送用開口１ｂ１の周囲に配設されている。弁座プレート２０４は、枠状をなし、基板搬送用開口１ｂ１とほぼ同等の大きさの開口２０４ａを有する。開口２０４ａの大きさは、基板搬送用開口１ｂ１と同じか、それ以上であることが好ましい。弁座プレート２０４は、金属等の導電性材料によって構成されている。
【００６６】
図６は、処理容器１の側壁１ｂに装着した状態の弁座プレート２０４を示す正面図である。弁座プレート２０４は、プロセスモジュール１０１の処理容器１における基板搬送用開口１ｂ１の周囲の側壁１ｂの面１ｂ２に、例えば螺子等の固定手段（図示省略）によって装着されている。そして、弁座プレート２０４は、図４に示したように、弁体２０２によって基板搬送用開口１ｂ１を閉塞した状態で弁体２０２と処理容器１との間に介在する。
【００６７】
（第１の気密封止部材）
弁座プレート２０４には、第１の気密封止部材としてのＯリング２３１が取り付けられている。Ｏリング２３１は、弁座プレート２０４に形成された溝（図示省略）に嵌め込まれている。Ｏリング２３１は、弁座プレート２０４の開口２０４ａを全周にわたって囲むように設けられている。Ｏリング２３１は、弁体２０２によって基板搬送用開口１ｂ１を閉塞した状態で、弁体２０２と弁座プレート２０４との間に挟まれる。このように、Ｏリング２３１は、弁体２０２によって基板搬送用開口１ｂ１を閉塞した状態で、弁体２０２と弁座プレート２０４との間に介在してこれらの間を気密に封止する。なお、Ｏリング２３１は、弁体２０２側に配備することもできる。
【００６８】
（第１の導電性部材）
弁座プレート２０４には、第１の導電性部材としてのシールドリング２３２が取り付けられている。シールドリング２３２は、弁座プレート２０４に形成された溝（図示省略）に嵌め込まれている。シールドリング２３２は、金属等の導電性材料によって構成され、弁座プレート２０４の開口２０４ａを全周にわたって囲むように設けられている。シールドリング２３２は、弁体２０２によって基板搬送用開口１ｂ１を閉塞した状態で、弁体２０２と弁座プレート２０４との間に挟まれる。このように、シールドリング２３２は、弁体２０２によって基板搬送用開口１ｂ１を閉塞した状態で、弁体２０２と弁座プレート２０４との間に介在してこれらの間を電気的に接続する。ここで、電気的に接続するとは、接続される部材間で電荷が移動し電位が等しくなることを意味する。なお、シールドリング２３２は、弁体２０２側に配備することもできる。
【００６９】
Ｏリング２３１は、弁座プレート２０４の開口２０４ａを全周にわたって囲むように設けられ、さらに、Ｏリング２３１の外側を、シールドリング２３２が囲むように配設されている。なお、Ｏリング２３１とシールドリング２３２の配置は、逆でもよい。すなわち、弁座プレート２０４の開口２０４ａを全周にわたって囲むようにシールドリング２３２を設け、シールドリング２３２の外側を囲むように、Ｏリング２３１を設けることができる。
【００７０】
（第２の気密封止部材）
弁座プレート２０４には、第２の気密封止部材としてのＯリング２４１が取り付けられている。Ｏリング２４１は、弁座プレート２０４に形成された溝（図示省略）に嵌め込まれている。Ｏリング２４１は、基板搬送用開口１ｂ１を全周にわたって囲むように設けられている。Ｏリング２４１は、弁座プレート２０４と側壁１ｂにおける基板搬送用開口１ｂ１の周囲の面１ｂ２との間に挟まれている。このように、Ｏリング２４１は、弁座プレート２０４と処理容器１との間に介在してこれらの間を気密に封止する。なお、Ｏリング２４１は、処理容器１の側壁１ｂ側に配備することもできる。
【００７１】
（第２の導電性部材）
弁座プレート２０４には、第２の導電性部材としてのシールドリング２４２が取り付けられている。シールドリング２４２は、弁座プレート２０４に形成された溝（図示省略）に嵌め込まれている。シールドリング２４２は、金属等の導電性材料によって構成され、基板搬送用開口１ｂ１を全周にわたって囲むように設けられている。シールドリング２４２は、弁座プレート２０４と側壁１ｂにおける基板搬送用開口１ｂ１の周囲の面１ｂ２との間に挟まれている。このように、シールドリング２４２は、弁座プレート２０４と処理容器１との間に介在してこれらの間を電気的に接続する。なお、シールドリング２４２は、処理容器１の側壁１ｂ側に配備することもできる。
【００７２】
Ｏリング２４１は、弁座プレート２０４の開口２０４ａ及び基板搬送用開口１ｂ１を全周にわたって囲むように設けられ、さらに、Ｏリング２４１の外側を、シールドリング２４２が囲むように配設されている。なお、Ｏリング２４１とシールドリング２４２の配置は、逆でもよい。すなわち、弁座プレート２０４の開口２０４ａ及び基板搬送用開口１ｂ１を全周にわたって囲むようにシールドリング２４２を設け、シールドリング２４２の外側を囲むように、Ｏリング２４１を設けることができる。
【００７３】
上記第１の導電性部材であるシールドリング２３２及び第２の導電性部材であるシールドリング２４２は、いずれも電磁波シール機能を有する部材であればよい。シールドリング２３２，２４２としては、例えばステンレス等の金属薄板を螺旋状に形成したスパイラル・スプリング・ガスケットを用いることが好ましい。
【００７４】
以上のように、弁体２０２によって基板搬送用開口１ｂ１を閉塞した状態で、２つのＯリング２３１，２４１によって、処理容器１と弁座プレート２０４と弁体２０２との間が気密にシールされ、処理容器１の気密性が保持される。また、弁体２０２によって基板搬送用開口１ｂ１を閉塞した状態で、２つのシールドリング２３２，２４２によって、処理容器１と弁座プレート２０４と弁体２０２との間の導通が確保され、これらの間が電気的に接続される。従って、弁体２０２によって基板搬送用開口１ｂ１を閉塞した状態で、弁体２０２は処理容器１と同様に接地電位となる。アルミニウム等の金属製の弁体２０２が電気的にフローティングな状態にあると、プラズマ処理の間に、弁体２０２の付近で、異常放電や局所的なプラズマが発生する可能性がある。そのため、本実施の形態では、弁体２０２によって基板搬送用開口１ｂ１を閉塞した状態で、弁座プレート２０４及び２つのシールドリング２３２，２４２を介在させることによって、弁体２０２と処理容器１との間の導通を確保し、異常放電や局所的なプラズマの発生を防止している。
【００７５】
また、本実施の形態では、弁体受け部材としての弁座プレート２０４と、第１の導電性部材としてのシールドリング２３２と、第２の導電性部材としてのシールドリング２４２とを、いずれも同種の金属材料によって構成している。ここで、「同種の金属材料」とは、ａ）含有する主な元素の種類が同じであることを意味し、ｂ）含有する元素の種類が同じであることが好ましく、ｃ）含有する元素の種類が同じで含有比率も同じであることがより好ましい。また、上記ａ）の場合に、「主な元素」とは、例えば金属材料中に７０質量％以上含まれる元素を意味し、微量に含有する元素は種類が異なっていてもよい。上記ｂ）の場合、元素の含有比率は異なっていてもよい。本実施の形態において、シールドリング２３２とシールドリング２４２とを同種の金属材料で構成する場合の好ましい例として、ステンレス鋼などを挙げることができる。このように、弁座プレート２０４及び２つのシールドリング２３２，２４２の材質として、同種の金属を用いることによって、金属パーティクルの発生を抑制できる。
【００７６】
次に、本実施の形態に係るゲートバルブ装置１１０の動作について説明する。図３は、弁体２０２が待機位置にある状態を示している。このとき、弁体２０２は下降した状態にある。この状態で、基板搬送用開口１ｂ１を通して、搬送モジュール１０３とプロセスモジュール１０１との間で基板Ｓが移送される。
【００７７】
図３に示した状態から、弁体２０２によって基板搬送用開口１ｂ１を閉塞する際には、弁体変位装置２０３のエアシリンダー２２１によってベース部材２２２を上昇させる。ベース部材２２２の上昇に伴って、弁体２０２も上昇する。このとき、ローラー２１５がハウジング２０１の上部に当接するまでは、弁体２０２は、側壁１ｂの面１ｂ２に平行な方向に移動する。
【００７８】
ローラー２１５がハウジング２０１の上部に当接したとき、弁体２０２は基板搬送用開口１ｂ１に対向する位置に達している。この状態から、更にエアシリンダー２２１によってベース部材２２２を上昇させると、リンク２２３が、ベース部材２２２の側面の接続部を中心として図４における時計回り方向に回動しながら、弁体２０２を基板搬送用開口１ｂ１に向けて側壁１ｂの面１ｂ２に垂直な方向に移動させる。このとき、ローラー２１５の作用により、弁体２０２はハウジング２０１と接触することなく滑らかに移動する。そして、図４に示したように、弁体２０２のシール面２０２Ａが弁座プレート２０４側に押し付けられて、弁体２０２によって基板搬送用開口１ｂ１が閉塞される。
【００７９】
図４に示した状態から、基板搬送用開口１ｂ１を開放するには、弁体変位装置２０３によって、弁体２０２に、基板搬送用開口１ｂ１を閉塞する際とは逆の動作を行わせる。すなわち、弁体変位装置２０３のエアシリンダー２２１によってベース部材２２２を下降させる。このとき、まず、ローラー２１５がハウジング２０１の上部に当接したまま、リンク２２３が、ベース部材２２２の側面との接続部を中心として図４における反時計回り方向に回動する。そして、弁体２０２は、弁座プレート２０４から離れるように側壁１ｂの面１ｂ２に垂直な方向に移動する。これにより、基板搬送用開口１ｂ１が開放される。
【００８０】
リンク２２３が、ストッパによって規制される位置まで回動すると、その後は、ベース部材２２２の下降に伴って、弁体２０２も下降する。このとき、弁体２０２は、側壁１ｂの面１ｂ２に平行な方向に移動する。そして、最終的には、弁体２０２が図３に示した待機位置に達し、弁体変位装置２０３の動作を停止する。
【００８１】
次に、本実施の形態に係るゲートバルブ装置１１０の効果について説明する。本実施の形態では、弁座プレート２０４と、シールドリング２３２，２４２を同種の金属材料で構成することによって、弁体２０２と処理容器１との間の導通を図りつつ、金属パーティクルの発生を抑制することができる。すなわち、可動部材である弁体２０２の材質が例えばアルミニウムである場合に、弁体２０２とアルミニウム製の処理容器１との間に、直接、異種金属であるステンレス製のシールドリングを介在させると、弁体２０２や処理容器１に損傷が生じやすくなる。つまり、可動部材である弁体２０２との接触部位に、異種金属であるシールドリング２３２が介在することによって、弁体２０２や処理容器１が損傷を受け、金属パーティクルの発生原因となりやすい。それに対し、弁体２０２と処理容器１との間に、シールドリング２３２，２４２と同種の金属材料で構成された弁座プレート２０４を介在させることによって、弁体２０２や処理容器１の損傷を防ぎ、金属パーティクルの発生を抑制できる。また、メンテナンスの際も、シールドリング２３２，２４２、弁座プレート２０４等を交換すればよいため、大型部品である弁体２０２や処理容器１の長寿命化を図ることができる。
【００８２】
［第２の実施の形態］
次に、図７から図９を参照して、本発明の第２の実施の形態に係るゲートバルブ装置について説明する。図７は、本実施の形態に係るゲートバルブ装置１１０Ａの構成を示す断面図である。図８は、本実施の形態に係るゲートバルブ装置１１０Ａの弁体の正面図である。図９は、本実施の形態の変形例を示すゲートバルブ装置１１０Ａの弁体の正面図である。以下、本実施の形態に係るゲートバルブ装置１１０Ａが、第１の実施の形態に係るゲートバルブ装置１１０と異なる点を中心に説明し、第１の実施の形態と同一の構成は同一の符号を付して説明を省略する。本実施の形態に係るゲートバルブ装置１１０Ａは、弁体の構成が、第１の実施の形態のゲートバルブ装置１１０と相違している。
【００８３】
図７及び図８に示したように、本実施の形態に係るゲートバルブ装置１１０Ａにおいて、弁体２５０は、本体部２５１と、該本体部２５１とは異なる導電性材料からなる当接プレート２５２とを備えている。説明の便宜上、図８では、当接プレート２５２を格子状のハッチングによって強調して示している。当接プレート２５２は、本発明における第１の当接部に対応する。当接プレート２５２は、ゲートバルブ装置１１０Ａを閉じた状態で、第１の導電性部材としてのシールドリング２３２に、直接、当接する部分である。
【００８４】
当接プレート２５２は、枠状をなす薄板である。本体部２５１には、当接プレート２５２の厚みと幅に相当する深さと幅の切欠き部２５１ａが設けられており、当接プレート２５２は該切欠き部２５１ａに嵌め込まれている。従って、弁体２５０のシール面２５０Ａにおいて、当接プレート２５２の表面と本体部２５１との表面は面一である。つまり、不要な凹凸はプラズマの均一性に影響する可能性がある為、シール面２５０Ａはフラットな平面をなしている。なお、本体部２５１の切欠き部２５１ａに代えて溝を形成し、そこに当接プレート２５２を嵌め込むこともできる。当接プレート２５２は、本体部２５１に図示しない螺子等の固定手段で固定されている。
【００８５】
当接プレート２５２は、本体部２５１とは異なる金属材料で構成されている。本体部２５１の材質は、例えばアルミニウムであり、当接プレート２５２の材質は、例えばステンレス鋼である。
【００８６】
本実施の形態では、弁体受け部材としての弁座プレート２０４と、第１の導電性部材としてのシールドリング２３２と、第２の導電性部材としてのシールドリング２４２と、第１の当接部としての当接プレート２５２を、いずれも同種の金属材料によって構成している。ここで、同種の金属材料としては、例えばステンレス鋼などを挙げることができる。このように、弁座プレート２０４、シールドリング２３２，２４２、当接プレート２５２を、同種の金属材料によって構成することにより、弁体２５０と処理容器１との間の導通を図りつつ、金属パーティクルの発生を抑制することができる。すなわち、可動部材である弁体の材質が例えばアルミニウムである場合に、弁体とアルミニウム製の処理容器１との間に、直接、異種金属であるステンレス製のシールドリングを介在させると、弁体や処理容器１に損傷が生じやすくなる。それに対し、弁体２５０の一部分をステンレス製の当接プレート２５２に置き換えるとともに、弁体２５０と処理容器１との間に、シールドリング２３２，２４２と同種の金属材料で構成された弁座プレート２０４を介在させることによって、弁体２５０や処理容器１の損傷を防ぎ、金属パーティクルの発生を抑制できる。特に、処理容器１側に弁座プレート２０４を設け、かつ、弁体２５０側に当接プレート２５２を設けることによって、摺動部位での異種金属の接触が回避され、金属パーティクルの発生を確実に低減できる。また、メンテナンスの際も、当接プレート２５２、シールドリング２３２，２４２、弁座プレート２０４等を交換すればよいため、大型部品である弁体２５０の本体部２５１や処理容器１の長寿命化を図ることができる。
【００８７】
＜第２の実施の形態の変形例＞
ここで、図９を参照しながら第２の実施の形態のゲートバルブ装置１１０Ａの変形例について説明する。図７及び図８では、第１の当接部材として、枠状の当接プレート２５２を使用したが、第１の当接部材は複数に分割されていてもよい。図９は、第１の当接部材として、複数の板状の当接プレート２５３を配備した状態を示している。説明の便宜上、図９では、当接プレート２５３を格子状のハッチングによって強調して示している。気密封止のためのＯリングと当接する部材とは異なり、シールドリング２３２と当接する第１の当接部材は導通を確保できればよいため、複数に分割された当接プレート２５３を使用できる。複数に分割されている点を除き、当接プレート２５３の構成は、枠状の当接プレート２５２と同様である。また、弁体２５０の本体部２５１Ａの構成は、切欠き部（図９では図示せず）が複数の部分に分かれて形成されている点を除き、本体部２５１と同様である。
【００８８】
本実施の形態におけるその他の構成、作用および効果は、第１の実施の形態と同様である。
【００８９】
［第３の実施の形態］
次に、図１０を参照して、本発明の第３の実施の形態に係るゲートバルブ装置について説明する。図１０は、本実施の形態に係るゲートバルブ装置１１０Ｂの構成を示す断面図である。以下、本実施の形態に係るゲートバルブ装置１１０Ｂが、第１及び第２の実施の形態に係るゲートバルブ装置１１０，１１０Ａと異なる点を中心に説明し、第１及び第２の実施の形態と同一の構成は同一の符号を付して説明を省略する。本実施の形態に係るゲートバルブ装置１１０Ｂは、弁体２５０の構成及び弁体受け部材としての弁座プレート２０５の構成が、第１の実施の形態のゲートバルブ装置１１０と相違している。
【００９０】
図１０に示したように、本実施の形態に係るゲートバルブ装置１１０Ｂにおいて、弁体２５０は、本体部２５１と、該本体部２５１とは異なる導電性材料からなる当接プレート２５２とを備えている。本実施の形態のゲートバルブ装置１１０Ｂにおいて、弁体２５０の構成は、第２の実施の形態の弁体２５０と同様である。なお、当接プレート２５２に代えて、複数に分割された当接プレート２５３を用いることもできる（図９参照）。
【００９１】
弁座プレート２０５は、処理容器１の側壁１ｂの外側において、基板搬送用開口１ｂ１の周囲に配設されている。弁座プレート２０５は、枠状をなし、基板搬送用開口１ｂ１とほぼ同等の大きさの開口２０５ａを有する。開口２０５ａの大きさは、基板搬送用開口１ｂ１と同じか、それ以上であることが好ましい。
【００９２】
弁座プレート２０５は、導電性材料からなる弁座本体２０６と、該弁座本体２０６とは異なる導電性材料からなる弁座側当接プレート２０７とを有している。弁座側当接プレート２０７は、本発明における第２の当接部に相当し、第１の導電性部材としてのシールドリング２３２に当接する。図１０に示したように、弁座プレート２０５は、弁体２５０によって基板搬送用開口１ｂ１を閉塞した状態で弁体２５０と処理容器１との間に介在する。
【００９３】
弁座側当接プレート２０７は、枠状をなす薄板である。弁座本体２０６には、弁座側当接プレート２０７の厚みと幅に相当する深さと幅の切欠き部２０６ａが設けられており、弁座側当接プレート２０７は該切欠き部２０６ａに嵌め込まれている。従って、弁座プレート２０５において、弁体２５０のシール面２５０Ａに当接する側の面は、Ｏリング２３１及びシールドリング２３２の配設部位を除き、フラットな平面をなしている。なお、弁座本体２０６の切欠き部２０６ａに代えて溝を形成し、そこに弁座側当接プレート２０７を嵌め込むこともできる。弁座側当接プレート２０７は、弁座本体２０６に図示しない螺子等の固定手段で固定されている。
【００９４】
弁座側当接プレート２０７は、弁座本体２０６とは異なる金属材料で構成することができる。弁座本体２０６の材質は、導電性を有していれば特に制限はなく、例えばアルミニウム、ステンレス鋼などで構成できる。弁座側当接プレート２０７の材質は、例えばステンレス鋼である。なお、弁座本体２０６と弁座側当接プレート２０７とを同じ材質で構成することも可能である。
【００９５】
本実施の形態では、第２の当接部としての弁座側当接プレート２０７と、第１の導電性部材としてのシールドリング２３２と、第２の導電性部材としてのシールドリング２４２と、第１の当接部としての当接プレート２５２を、いずれも同種の金属材料によって構成している。ここで、同種の金属材料としては、例えばステンレス鋼などを挙げることができる。このように、弁座側当接プレート２０７、シールドリング２３２，２４２、当接プレート２５２を、同種の金属材料によって構成することにより、弁体２５０と処理容器１との間の導通を図りつつ、金属パーティクルの発生を抑制することができる。すなわち、可動部材である弁体の材質が例えばアルミニウムである場合に、弁体とアルミニウム製の処理容器１との間に、直接、異種金属であるステンレス製のシールドリングを介在させると、弁体や処理容器１に損傷が生じやすくなる。それに対し、弁体２５０の一部分をステンレス製の当接プレート２５２に置き換えるとともに、弁体２５０と処理容器１との間に、シールドリング２３２，２４２と同種の金属材料で構成された弁座側当接プレート２０７を有する弁座プレート２０５を介在させることによって、弁体２５０や処理容器１の損傷を防ぎ、金属パーティクルの発生を抑制できる。特に、処理容器１側の弁座プレート２０５に弁座側当接プレート２０７を設け、かつ、弁体２５０側に当接プレート２５２を設けることによって、摺動部位での異種金属の接触が回避され、金属パーティクルの発生を確実に低減できる。また、メンテナンスの際も、当接プレート２５２、シールドリング２３２，２４２、受け側当接プレート２０７等を交換すればよいため、弁体２５０の本体部２５１や処理容器１の長寿命化を図ることができる。
【００９６】
なお、弁座側当接プレート２０７の形状は、枠状に限らず、例えば複数の部分に分割された板状部材を用いることもできる。
【００９７】
本実施の形態におけるその他の構成、作用および効果は、第１の実施の形態及び第２の実施の形態と同様である。
【００９８】
本発明は、上記各実施の形態に限定されず、種々の変更が可能である。例えば、上記実施の形態では、平行平板型のプラズマエッチング装置を例に挙げたが、本発明は、例えば、誘導結合プラズマ装置、表面波プラズマ装置、ＥＣＲ（Electron  Cyclotron  Resonance）プラズマ装置、ヘリコン波プラズマ装置、マイクロ波プラズマ処理装置など他の方式のプラズマエッチング装置にも適用可能である。また、プラズマエッチング装置に限らず、例えば、プラズマ成膜装置やプラズマアッシング装置などにも同等に適用可能である。
【００９９】
また、本発明は、ＦＰＤ用基板を被処理体とするものに限らず、例えば半導体ウエハや太陽電池用基板を被処理体とする場合にも適用できる。
【符号の説明】
【０１００】
１…処理容器、１ａ…底壁、１ｂ…側壁、１ｃ…蓋体、１ｂ１…基板搬送用開口、１０１…プロセスモジュール、１０３…搬送モジュール、１１０…ゲートバルブ装置、２０１…ハウジング、２０２…弁体、２０３…弁体変位装置、２０４…弁座プレート、２０４ａ…開口、２１５…ローラー、２２１…エアシリンダー、２２１ａ…シリンダー部、２２１ｂ…ロッド部、２２２…ベース部材、２２３…リンク、２３１…Ｏリング、２３２…シールドリング、２４１…Ｏリング、２４２…シールドリング。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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