(57)【要約】【課題】本発明は、外部電極用導電性ペースト及びこれを適用した積層セラミック電子部品に関する。【解決手段】本発明の一形態によると、複数の誘電体層と複数の内部電極を含むセラミック本体と、上記内部電極と電気的に接続されるように上記セラミック本体の外側面に形成され、導電性金属とガラス（ｇｌａｓｓ）を含む電極層と、上記電極層上に形成され、第１銅粒子、上記第１銅粒子より粒径の小さい第２銅粒子、上記第２銅粒子より粒径の小さい酸化銅粒子、及びベース樹脂を含む導電性樹脂層と、を含み、上記酸化銅粒子の粒径は２０ｎｍ以下である積層セラミック電子部品を提供することができる。【選択図】図３
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の誘電体層と複数の内部電極を含むセラミック本体と、
前記内部電極と電気的に接続されるように前記セラミック本体の外側面に形成され、導電性金属とガラス（ｇｌａｓｓ）を含む電極層と、
前記電極層上に形成され、第１銅粒子、前記第１銅粒子より粒径の小さい第２銅粒子、前記第２銅粒子より粒径の小さい酸化銅粒子、及びベース樹脂を含む導電性樹脂層と、を含み、
前記酸化銅粒子の粒径は２０ｎｍ以下である、積層セラミック電子部品。
【請求項２】
前記導電性樹脂層に含まれた酸化銅粒子の５０％以上は、前記第２銅粒子の表面に配置される、請求項１に記載の積層セラミック電子部品。
【請求項３】
前記酸化銅粒子の粒径は２ｎｍから１５ｎｍである、請求項１に記載の積層セラミック電子部品。
【請求項４】
前記第２銅粒子の粒径は５０ｎｍから２００ｎｍである、請求項１に記載の積層セラミック電子部品。
【請求項５】
前記酸化銅粒子は、前記第１銅粒子及び前記第２銅粒子からなる銅粒子１００重量部に対して２から２０重量部含まれる、請求項１に記載の積層セラミック電子部品。
【請求項６】
前記導電性樹脂層は、前記第２銅粒子と前記酸化銅粒子を２：１ないし２０：１の質量比率で含む、請求項１に記載の積層セラミック電子部品。
【請求項７】
前記第１銅粒子の粒径は１μｍ以上である、請求項１に記載の積層セラミック電子部品。
【請求項８】
前記第１銅粒子の粒径は１μｍから２．５μｍである、請求項１に記載の積層セラミック電子部品。
【請求項９】
第１銅粒子と、
前記第１銅粒子より粒径の小さい第２銅粒子と、
２０ｎｍ以下の粒径を有する酸化銅粒子と、
ベース樹脂と、を含む外部電極用導電性ペースト。
【請求項１０】
前記第２銅粒子の粒径は５０ｎｍから２００ｎｍである、請求項９に記載の外部電極用導電性ペースト。
【請求項１１】
前記酸化銅粒子は、前記第１銅粒子及び前記第２銅粒子からなる銅粒子１００重量部に対して２から２０重量部含まれる、請求項９に記載の外部電極用導電性ペースト。
【請求項１２】
前記第２銅粒子と前記酸化銅粒子は２：１ないし２０：１の質量比率で含まれる、請求項９に記載の外部電極用導電性ペースト。
【請求項１３】
前記第１銅粒子の粒径は１μｍ以上である、請求項９に記載の外部電極用導電性ペースト。
【請求項１４】
前記第１銅粒子の粒径は１μｍから２．５μｍである、請求項９に記載の外部電極用導電性ペースト。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、外部電極用導電性ペースト及びそれを適用した積層セラミック電子部品に関する。
【背景技術】
【０００２】
積層セラミック電子部品は、積層された複数の誘電体層と、誘電体層を介して対向配置された内部電極と、上記内部電極に電気的に接続された外部電極と、を含む。
【０００３】
積層セラミックキャパシタは小型で、且つ高容量が保障され、実装が容易であるという長所によりコンピューター、ＰＤＡ、携帯電話などの移動通信装置の部品として広く用いられている。
【０００４】
最近では、電子製品が小型化及び多機能化するに伴ってチップ部品も小型化及び高機能化する傾向であるため、積層セラミック電子部品もそのサイズが小さくて容量の大きい高容量製品が要求されている。
【０００５】
そのために誘電体層及び内部電極層の厚さを薄くして多数の誘電体層を積層した積層セラミック電子部品が製造されており、外部電極も薄層化している。
【０００６】
また、自動車や医療機器のように高信頼性を求める分野の多くの機能が電子化されて需要が増加するにつれ、それに符合するように積層セラミック電子部品にも高信頼性が求められる。
【０００７】
このような高信頼性において問題となる要素には、工程時に発生するめっき液の浸透、外部衝撃によるクラック発生などがある。
【０００８】
よって、上記問題点を解決するための手段として、外部電極の電極層上に導電性物質を含む樹脂組成物を塗布して、外部衝撃を吸収し、めっき液の浸透を防いで信頼性を向上させている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００９】
【特許文献１】大韓民国登録特許公報第１０−０５８６９６２号
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１０】
本発明は、外部電極用導電性ペースト及びそれを適用した積層セラミック電子部品を提供する。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
本発明の一形態によると、複数の誘電体層と複数の内部電極を含むセラミック本体と、上記内部電極と電気的に接続されるように上記セラミック本体の外側面に形成され、導電性金属とガラス（ｇｌａｓｓ）を含む電極層と、上記電極層上に形成され、第１銅粒子、上記第１銅粒子より粒径の小さい第２銅粒子、上記第２銅粒子より粒径の小さい酸化銅粒子、及びベース樹脂を含む導電性樹脂層と、を含み、上記酸化銅粒子の粒径は２０ｎｍ以下である積層セラミック電子部品を提供することができる。
【００１２】
上記導電性樹脂層に含まれた酸化銅粒子の５０％以上は、上記第２銅粒子の表面に配置されてもよい。
【００１３】
上記酸化銅粒子の粒径は２ｎｍから１５ｎｍであってもよい。
【００１４】
上記第２銅粒子の粒径は５０ｎｍから２００ｎｍであってもよい。
【００１５】
上記酸化銅粒子は、上記第１銅粒子及び上記第２銅粒子からなる銅粒子１００重量部に対して２から２０重量部含まれてもよい。
【００１６】
上記導電性樹脂層は、上記第２銅粒子と上記酸化銅粒子を２：１ないし２０：１の質量比率で含んでもよい。
【００１７】
上記第１銅粒子の粒径は１μｍ以上であってもよい。
【００１８】
上記第１銅粒子の粒径は１μｍから２．５μｍであってもよい。
【００１９】
本発明の他の形態は、第１銅粒子と、上記第１銅粒子より粒径の小さい第２銅粒子と、２０ｎｍ以下の粒径を有する酸化銅粒子と、ベース樹脂と、を含む外部電極用導電性ペーストを提供することができる。
【００２０】
上記第２銅粒子の粒径は５０ｎｍから２００ｎｍであってもよい。
【００２１】
上記酸化銅粒子は、上記第１銅粒子及び上記第２銅粒子からなる銅粒子１００重量部に対して２から２０重量部含まれてもよい。
【００２２】
上記第２銅粒子と上記酸化銅粒子は２：１ないし２０：１の質量比率で含まれてもよい。
【００２３】
上記第１銅粒子の粒径は１μｍ以上であってもよい。
【００２４】
上記第１銅粒子の粒径は１μｍから２．５μｍであってもよい。
【発明の効果】
【００２５】
本発明の一形態によると、外部刺激から積層セラミック電子部品を保護し、衝撃吸収及びめっき液浸透防止特性を保持しながらも、等価直列抵抗（ＥＳＲ）が低く、電極層と導電性樹脂層との接着力が向上した積層セラミック電子部品及びその製造のための外部電極用導電性ペーストを提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００２６】
【図１】本発明の一実施形態による積層セラミック電子部品を概略的に示す斜視図である。
【図２】図１のＡ−Ａ’線の断面図である。
【図３】図２のＰ領域の拡大図である。
【発明を実施するための形態】
【００２７】
以下では、添付の図面を参照し、本発明の好ましい実施形態について説明する。しかし、本発明の実施形態は様々な他の形態に変形されることができ、本発明の範囲は以下で説明する実施形態に限定されない。また、本発明の実施形態は、当該技術分野で平均的な知識を有する者に本発明をより完全に説明するために提供されるものである。図面における要素の形状及び大きさなどはより明確な説明のために誇張されることがある。
【００２８】
図１は本発明の一実施形態による積層セラミック電子部品１００を示す斜視図であり、図２は図１のＡ−Ａ’線の断面図であり、図３は図２のＰ領域の拡大図である。
【００２９】
図１及び図２を参照すると、本発明の一実施形態による積層セラミック電子部品１００は、セラミック本体１１０と、外部電極１３０ａ、１３０ｂと、を含む。
【００３０】
上記セラミック本体１１０は、キャパシタの容量形成に寄与する部分としてのアクティブ層と、上下マージン部としてアクティブ層の上下部にそれぞれ形成される上部及び下部カバー層と、を含んでもよい。上記アクティブ層は誘電体層１１１と内部電極１２１、１２２を含む。
【００３１】
本発明の一実施形態において、セラミック本体１１０の形状は特に制限されないが、実質的に六面体であってもよい。チップ焼成時のセラミック粉末の焼成収縮、内部電極パターンの有無による厚さの差及びセラミック本体の角部の研磨により、セラミック本体１１０は完全な六面体ではないが、実質的に六面体に近い形状を有することができる。
【００３２】
本発明の実施形態を明確に説明するために六面体の方向を定義すると、図面上に表示されたＬ、Ｗ及びＴはそれぞれ長さ方向、幅方向及び厚さ方向を示す。ここで、厚さ方向は、誘電体層が積層された積層方向と同じ概念で用いることができる。
【００３３】
上記内部電極１２１、１２２は第１内部電極１２１及び第２内部電極１２２からなり、第１及び第２内部電極は上記誘電体層１１１を介して対向配置されてもよい。第１及び第２内部電極１２１、１２２は異なる極性を有する一対の電極であって、誘電体層１１１上に導電性金属を含む導電性ペーストを所定の厚さに印刷して誘電体層１１１の積層方向に沿ってセラミック本体の両端面を通じて交互に露出するように形成されてもよく、中間に配置された誘電体層１１１により互いに電気的に絶縁されてもよい。
【００３４】
即ち、第１及び第２内部電極１２１、１２２はセラミック本体１１０の両端面を通じて交互に露出する部分により外部電極１３０ａ、１３０ｂと電気的に連結されてもよい。より具体的には、上記外部電極は第１外部電極１３０ａ及び第２外部電極１３０ｂを含み、第１内部電極は第１外部電極１３０ａと連結され、第２内部電極は第２外部電極１３０ｂとそれぞれ電気的に連結されることができる。
【００３５】
従って、第１及び第２外部電極１３０ａ、１３０ｂに電圧を印加すると、対向する第１及び第２内部電極１２１、１２２の間に電荷が蓄積され、このとき、積層セラミックキャパシタ１００の静電容量は、第１及び第２内部電極１２１、１２２が重畳する領域の面積と比例する。
【００３６】
このような第１及び第２内部電極１２１、１２２の厚さは、用途に応じて決定されてもよい。
【００３７】
また、第１及び第２内部電極１２１、１２２に含まれる導電性金属はニッケル（Ｎｉ）、銅（Ｃｕ）、パラジウム（Ｐｄ）、またはこれらの合金であってもよく、本発明はこれに限定されない。
【００３８】
このとき、誘電体層１１１の厚さは、積層セラミックキャパシタの容量設計に合わせて任意に変更してもよい。
【００３９】
また、誘電体層１１１は高い誘電率を有するセラミック粉末、例えば、チタン酸バリウム（ＢａＴｉＯ３）系またはチタン酸ストロンチウム（ＳｒＴｉＯ３）系粉末を含んでもよいが、本発明はこれに限定されない。
【００４０】
上部及び下部カバー層は、内部電極を含まないことを除き、誘電体層１１１と同じ材質及び構成を有することができる。上部及び下部カバー層は、単一誘電体層または２つ以上の誘電体層をアクティブ層の上下面にそれぞれ上下方向に積層して形成したものであり、基本的に物理的または化学的ストレスによる第１及び第２内部電極１２１、１２２の損傷を防止する役割を担うことができる。
【００４１】
上記外部電極１３０ａ、１３０ｂは、電極層１３１ａ、１３１ｂと、上記電極層上に形成された導電性樹脂層１３２と、を含んでもよい。
【００４２】
上記外部電極は第１外部電極及び第２外部電極を含んでもよく、上記電極層は第１電極層及び第２電極層を含んでもよい。
【００４３】
例えば、上記第１外部電極１３０ａは第１電極層１３１ａ及び導電性樹脂層１３２を含み、上記第２外部電極１３０ｂは第２電極層１３１ｂ及び導電性樹脂層１３２を含んでもよい。
【００４４】
上記第１及び第２電極層１３１ａ、１３１ｂは、第１及び第２内部電極１２１、１２２と直接連結されて外部電極と内部電極の間の電気的導通を確保する。
【００４５】
上記第１及び第２電極層１３１ａ、１３１ｂは導電性金属とガラス（ｇｌａｓｓ）を含むことができ、上記導電性金属はニッケル（Ｎｉ）、銅（Ｃｕ）、パラジウム（Ｐｄ）、金（Ａｕ）またはこれらの合金であってもよいが、本発明はこれに限定されない。
【００４６】
これに限定されないが、上記ガラスはＳｉＯ２系やＢ２Ｏ３系ガラスであってもよく、ＳｉＯ２とＢ２Ｏ３の両方を含んでもよい。
【００４７】
これに制限されないが、例えば、上記ガラスはａＳｉＯ２−ｂＢ２Ｏ３−ｃＲ１２Ｏの組成を含むか、ＳｉＯ２−ｂＢ２Ｏ３−ｄＲ２Ｏの組成を含んでもよい。Ｒ１はリチウム（Ｌｉ）、ナトリウム（Ｎａ）及びカリウム（Ｋ）からなる群より選択され、Ｒ２はマグネシウム（Ｍｇ）、カルシウム（Ｃａ）、ストロンチウム（Ｓｒ）及びバリウム（Ｂａ）からなる群より選択され、ａ、ｂ、ｃ及びｄは、所望するガラスの物性に応じて適切に調節されてもよい。
【００４８】
上記第１及び第２電極層１３１ａ、１３１ｂは、導電性金属とガラスを含むペーストの焼成により形成される焼成型電極であってもよい。上記ガラスは、上記ペースト中にガラスフリット状に含まれてもよい。
【００４９】
上記第１及び第２電極層１３１ａ、１３１ｂ上には導電性樹脂層１３２が配置されてもよい。
【００５０】
即ち、セラミック本体の外部面に第１及び第２電極層１３１ａ、１３１ｂが配置され、上記第１及び第２電極層の外側に導電性樹脂層１３２が配置されてもよい。
【００５１】
本明細書において、外部電極を基準として、セラミック本体１１０が存在する方向を内側、セラミック本体１１０が存在しない方向を外側と定義する。
【００５２】
図３は図２のＰ領域を拡大して示したものである。図３を参照すると、本発明の一実施形態による導電性樹脂層１３２は、第１銅粒子３２ａ、第２銅粒子３２ｂ、酸化銅粒子３２ｃ、及びベース樹脂３２ｄを含んでもよい。
【００５３】
上記導電性樹脂層は、第１銅粒子３２ａ、第２銅粒子３２ｂ、酸化銅粒子３２ｃ及びベース樹脂３２ｄを含む外部電極用導電性ペーストで形成されてもよい。
【００５４】
上記導電性樹脂層は、第１銅粒子３２ａ、第２銅粒子３２ｂ及び酸化銅粒子３２ｃをそれぞれ複数含んでもよい。
【００５５】
図３に示されたように、上記導電性樹脂層内において、上記第１銅粒子３２ａ、第２銅粒子３２ｂ及び酸化銅粒子３２ｃは互いに接触したり、隣接して配置されてもよく、上記ベース樹脂３２ｄは第１銅粒子、第２銅粒子及び酸化銅粒子を取り囲むように配置されてもよい。
【００５６】
上記ベース樹脂３２ｄは熱硬化性樹脂であり、上記外部電極用導電性ペーストに含まれたベース樹脂は硬化前のベース樹脂であり、上記導電性樹脂層に含まれたベース樹脂は硬化後のベース樹脂であってもよい。
【００５７】
上記熱硬化性樹脂はエポキシ樹脂であってもよい。
【００５８】
上記第２銅粒子３２ｂの粒径は上記第１銅粒子３２ａの粒径より小さく、上記酸化銅粒子３２ｃの粒径は上記第２銅粒子３２ｂの粒径より小さい。
【００５９】
上記第１銅粒子３２ａは球状またはフレーク状であってもよい。
【００６０】
第１及び第２電極層上に形成された導電性樹脂層１３２は、外部の熱的、化学的及び物理的刺激から積層セラミック電子部品を保護し、積層セラミック電子部品の曲げ強度を増加させる機能をすることができる。
【００６１】
しかし、ベース樹脂を含む導電性樹脂層の場合、外部衝撃を吸収して積層セラミック電子部品を保護することはできるが、ベース樹脂は高温で分解したり、燃えることがあるため、導電性樹脂層に含まれた金属を高温で焼成することが困難であるという恐れがある。
【００６２】
従って、ベース樹脂を含む導電性樹脂層の場合、内部に含まれた導電体の接触及びトンネリング効果によって電流の流れが発生するため、電子の移動が比較的自由な焼成型電極より等価直列抵抗（ＥＳＲ）が高いという問題がある。
【００６３】
しかし、本発明の一実施形態によると、導電性樹脂層１３２が、第１銅粒子３２ａと上記第１銅粒子より粒径の小さい第２銅粒子３２ｂを含むことで、従来に比べて等価直列抵抗（ＥＳＲ）が減少した積層セラミック電子部品を提供することができる。
【００６４】
上記第２銅粒子３２ｂは、第１銅粒子と接触したり、第１銅粒子の間に配置されて銅粒子間の接触点を増加させることができ、上記導電性樹脂層１３２が第１銅粒子３２ａより粒径の小さい第２銅粒子３２ｂを含むことで、導電性樹脂層内において第１及び第２電極層と接する銅粒子の分率を増加させることができる。また、導電性樹脂層内の金属分率が増加することができる。従って、導電性樹脂層１３２が第１銅粒子３２ａと第２銅粒子３２ｂを混合して含むことにより、導電性樹脂層の電気伝導度が増加し、等価直列抵抗（ＥＳＲ）が低くなることができる。
【００６５】
また、上記酸化銅粒子３２ｃは導電性樹脂層１３２に含まれて、ガラス（ｇｌａｓｓ）を含む第１及び第２電極層１３１ａ、１３１ｂと導電性樹脂層１３２との接着力を向上させることができる。
【００６６】
本発明の一実施形態によると、導電性樹脂層１３２に含まれている酸化銅粒子３２ｃのＣｕ２Ｏと電極層１３１ａ、１３１ｂに含まれているガラスのシリコン（Ｓｉ）成分の組み合わせによりＣｕ−Ｏ−Ｓｉ結合が形成されることで、第１及び第２電極層１３１ａ、１３１ｂと導電性樹脂層１３２との接着力を向上させることができる。
【００６７】
本明細書において、第１銅粒子３２ａ、第２銅粒子３２ｂ及び酸化銅粒子３２ｃの粒径は、第１銅粒子、第２銅粒子及び酸化銅粒子の長軸の長さを意味することができる。
【００６８】
本発明の一実施形態によると、上記第１銅粒子３２ａの粒径は１μｍ以上であってもよい。
【００６９】
本発明の一実施形態によると、上記第１銅粒子３２ａの粒径は１μｍから２．５μｍであってもよい。
【００７０】
上記第１銅粒子の粒径が１μｍ未満では、充填率が低くなったり、第１銅粒子の表面積が増加することにより、これを取り囲んでいるベース樹脂が増加して抵抗が高くなることがあり、上記第１銅粒子の粒径が２．５μｍを超えると、薄層の外部電極を形成することが困難である。
【００７１】
本発明の一実施形態によると、上記第２銅粒子３２ｂの粒径は５０ｎｍから２００ｎｍであってもよい。上記第２銅粒子の粒径が２００ｎｍを超えると、第１銅粒子との関係において銅粒子のサイズが小さくなることによる等価直列抵抗の低減効果が大きくなく、上記第２銅粒子の粒径が５０ｎｍ未満では、導電性樹脂層を硬化する際、第２銅粒子の高い表面積により、第２銅粒子の酸化が急激に進行して抵抗が上昇するという問題が生じ得る。
【００７２】
本発明の一実施形態によると、上記酸化銅粒子３２ｃの粒径は２０ｎｍ以下であってもよい。上記酸化銅粒子３２ｃの粒径が２０ｎｍ以下では、電極層と導電性樹脂層との接着力がさらに改善されることができる。上記酸化銅粒子の粒径が２０ｎｍを超えると、酸化銅粒子の添加による濡れ性が大きく改善されず、電極層と導電性樹脂層との接着力の向上効果が大きくない恐れがある。
【００７３】
接着力の向上効果をさらに増加させるために、上記酸化銅粒子の粒径は１５ｎｍ以下であってもよい。
【００７４】
また、本発明の一実施形態によると、上記酸化銅粒子３２ｃの粒径は２ｎｍ以上であってもよい。上記酸化銅粒子の粒径が２ｎｍ未満では、導電性樹脂層を形成するための外部電極用導電性ペーストの分散時に酸化銅が第１及び第２銅粒子の表面に均一に分散されず、粒子間が凝集して結合力を向上させる役割を行うことが困難な恐れがある。
【００７５】
本発明の一実施形態によると、上記導電性樹脂層１３２は、上記ベース樹脂３２ｄを５ｗｔ％から２０ｗｔ％含んでもよい。
【００７６】
ベース樹脂が５ｗｔ％未満含まれると、電極層に対する導電性樹脂層の接着力が減少する恐れがあり、２０ｗｔ％を超えて含まれると、導電性樹脂層の抵抗が上昇することがあり、導電性樹脂層上にめっき層を形成する際、めっき層が導電性樹脂層の表面に均一に形成されない未めっき現象が発生する恐れがある。
【００７７】
本発明の一実施形態によると、上記導電性樹脂層１３２は、第１銅粒子３２ａ及び第２銅粒子３２ｂを含む銅粒子を７０ｗｔ％から９０ｗｔ％含んでもよい。
【００７８】
上記導電性樹脂層に銅粒子が７０ｗｔ％未満含まれると、導電体間の間隔が広くなって導電性樹脂層の等価直列抵抗（ＥＳＲ）が上昇することがあり、９０ｗｔ％を超えて含まれると、導電性樹脂層内のベース樹脂量が減少するにつれて電極層に対する導電性樹脂層の接着力が低下することがある。
【００７９】
本発明の一実施形態によると、上記酸化銅粒子３２ｃは、上記第１銅粒子３２ａ及び上記第２銅粒子３２ｂからなる銅粒子１００重量部に対して２から２０重量部含まれてもよい。上記銅粒子１００重量部に対して上記酸化銅粒子が２重量部未満含まれると、導電性樹脂層内の酸化銅粒子の比率が低くて、電極層に含まれたガラスとの結合を形成することが困難であり、２０重量部を超えて含まれると、導電性樹脂層の第１銅粒子及び第２銅粒子の間に過度に存在して電気の流れを邪魔して抵抗が増加する恐れがある。
【００８０】
上記第２銅粒子３２ｂと上記酸化銅粒子３２ｃは、２：１ないし２０：１の比率（第２銅粒子：酸化銅粒子）で導電性樹脂層に含まれてもよい。上記第２銅粒子と上記酸化銅粒子の比が２：１から外れるように上記酸化銅粒子が多く含まれると、第２銅粒子の表面を酸化銅粒子が過度に取り囲むため、外部電極の等価直列抵抗が上昇することがあり、上記第２銅粒子と上記酸化銅粒子の比が２０：１から外れるように上記酸化銅粒子が少なく含まれると、酸化銅粒子の含量が低くなり、電極層と導電性樹脂層との結合力の増加に悪い影響を与える恐れがある。
【００８１】
本発明の一実施形態によると、上記導電性樹脂層１３２に含まれた酸化銅粒子３２ｃの５０％以上は、上記第２銅粒子３２ｂの表面に配置されてもよい。導電性樹脂層を形成するためのペーストを製造する際、予め第２銅粒子の表面に酸化銅粒子を分散させて、上記のように酸化銅粒子の５０％以上が上記第２銅粒子の表面に配置されるようにすることができる。
【００８２】
例えば、導電性樹脂層を形成するためのペーストを製造する際、予め表面に酸化銅粒子が分散配置された第２銅粒子を形成して、上記第２銅粒子、第１銅粒子及びベース樹脂などを混合して導電性樹脂層用ペーストを製造すると、酸化銅粒子の５０％以上が第２銅粒子の表面に配置されるように形成することができる。
【００８３】
上記のように酸化銅粒子を第２銅粒子の表面に先ず分散して導電性樹脂層を形成するためのペーストを製造すると、粒子と粒子間の分散性を向上させることができる表面積を増大させることができる。
【００８４】
また、酸化銅粒子の５０％以上が上記第２銅粒子の表面に配置されるようにすることで、導電性樹脂層内の酸化銅粒子の凝集を防ぐことができるため、外部電極の等価直列抵抗の増加を防止することができる。
【００８５】
本発明の一実施形態によると、上記外部電極１３０ａ、１３０ｂは導電性樹脂層１３２上に形成されためっき層１３３をさらに含んでもよい。上記めっき層１３３はニッケルめっき層及びスズめっき層を含んでもよく、導電性樹脂層上にニッケルめっき層が配置され、上記ニッケルめっき層上にスズめっき層が配置されてもよい。
【００８６】
本発明の一実施形態によると、導電性樹脂層が、第１銅粒子、第２銅粒子及び酸化銅粒子を含むことにより、外部刺激から積層セラミック電子部品を保護し、衝撃吸収及びめっき液浸透防止特性を保持しながらも、等価直列抵抗（ＥＳＲ）が低く、電極層と導電性樹脂層との接着力が向上した積層セラミック電子部品を提供することができる。
【００８７】
本発明の他の一実施形態による外部電極用導電性ペーストは、第１銅粒子と、上記第１銅粒子より粒径の小さい第２銅粒子と、２ｎｍから２０ｎｍの粒径を有する酸化銅粒子と、ベース樹脂と、を含んでもよい。
【００８８】
上述した積層セラミック電子部品の導電性樹脂層は、本実施形態による外部電極用導電性ペーストで形成されてもよい。即ち、本実施形態による外部電極用導電性ペースは、上述した積層セラミック電子部品の導電性樹脂層形成用ペーストであってもよい。
【００８９】
上記外部電極用導電性ペーストに含まれた上記第１銅粒子の粒径は、１μｍ以上であってもよく、１μから２．５μｍであることが好ましい。
【００９０】
上記第２銅粒子の粒径は５０ｎｍから２００ｎｍであってもよい。
【００９１】
上記酸化銅粒子の粒径は２０ｎｍ以下であってもよく、２ｎｍから２０ｎｍであることが好ましい。
【００９２】
上記酸化銅粒子は、上記第１銅粒子及び上記第２銅粒子からなる銅粒子１００重量部に対して２から２０重量部含まれてもよい。
【００９３】
本発明の一実施形態によると、第２銅粒子と上記酸化銅粒子は２：１ないし２０：１の質量比率で含まれてもよい。
【００９４】
上記外部電極用導電性ペーストは、必要に応じて、粘度調整のための溶剤をさらに含んでもよい。
【００９５】
本実施形態による外部電極用導電性ペーストに対する詳細な説明は、上述した積層セラミック電子部品に関する説明のうち、導電性樹脂層の説明と重なるため、ここでは省略する。
【００９６】
以上、本発明の実施形態について詳細に説明したが、本発明の権利範囲はこれに限定されず、請求の範囲に記載された本発明の技術的思想から外れない範囲内で多様な修正及び変形が可能であるということは、当技術分野の通常の知識を有する者には明らかである。
【符号の説明】
【００９７】
１００  積層セラミック電子部品
１１０  セラミック本体
１１１  誘電体層
１２１、１２２  内部電極
１３０ａ、１３０ｂ  外部電極
３２ａ  第１銅粒子
３２ｂ  第２銅粒子
３２ｃ  酸化銅粒子
３２ｄ  ベース樹脂
【図１】
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【図２】
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【図３】
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