(57)【要約】【課題】位置合せの精度を向上すること。【解決手段】配線基板は、絶縁層６１の上面６１ａに配線層６２と位置合せマーク６３が形成されている。配線層６２の上面６２ａは粗面化されている。位置合せマーク６３の上面は保護層６４により覆われている。絶縁層６１の上面６１ａ，配線層６２，保護層６４は絶縁層６５により覆われている。絶縁層６５はフィラーを含む絶縁材によりなる。絶縁層６５にビアホール６６を形成するレーザ加工機は、付属するカメラ７２により位置合せマーク６３を撮影し、認識した位置合せマーク６３を基準としてレーザ光７１によりビアホール６６を形成する。【選択図】図３
2015211134.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１絶縁層と、
前記第１絶縁層の上面に形成された上面が粗化された配線層と、
前記第１絶縁層の上面に形成され、前記配線層と同じ材料よりなる位置合せマークと、
前記位置合せマークの上面の少なくとも一部を覆う保護層と、
フィラーを含む絶縁材よりなり、前記第１絶縁層、前記配線層、前記保護層、及び前記位置合せマークを覆う第２絶縁層と、
前記第２絶縁層を貫通し前記配線層の上面の一部を露出し、前記配線層と接続されるビアを形成するためのビアホールと、
を有することを特徴とする配線基板。
【請求項２】
前記保護層は、フィラーを含まない絶縁材、または前記第２絶縁層よりも含有するフィラーが少ない絶縁材よりなること、を特徴とする請求項１に記載の配線基板。
【請求項３】
第１絶縁層の上面に配線層及び位置合せマークを形成する工程と、
前記位置合せマークの上面の少なくとも一部を覆う保護層を形成する工程と、
前記第１絶縁層の上面側から粗化処理して前記配線層の上面を粗面化する工程と、
前記第１絶縁層、前記配線層、前記保護層、及び前記位置合せマークを覆う第２絶縁層を形成する工程と、
前記位置合せマークを認識し、認識した前記位置合せマークを基準として前記配線層の上面の一部を露出するビアホールを形成する工程と、
を有することを特徴とする配線基板の製造方法。
【請求項４】
第１絶縁層の上面に配線層及び位置合せマークを形成する工程と、
前記第１絶縁層の上面側から粗化処理して前記配線層の上面及び前記位置合せマークの上面を粗面化する工程と、
前記位置合せマークの上面の少なくとも一部を覆う保護層を形成する工程と、
前記第１絶縁層、前記配線層、前記保護層、及び前記位置合せマークを覆う第２絶縁層を形成する工程と、
前記位置合せマークを認識し、認識した前記位置合せマークを基準として前記配線層の上面の一部を露出するビアホールを形成する工程と、
を有することを特徴とする配線基板の製造方法。
【請求項５】
フィラーを含まない絶縁材、または前記第２絶縁層よりも含有するフィラーが少ない絶縁材により前記保護層を形成すること、を特徴とする請求項３または４に記載の配線基板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
配線基板、及び配線基板の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、半導体装置を搭載したパッケージに用いられる配線基板は、多層基板であり、このような配線基板はたとえばビルドアップ法により製造される。この方法は、絶縁層と配線層を交互に積層して配線基板を形成するものである。かかる配線基板の製造方法では、層間の電気的接続のため、下層の配線層に対応させてビアホールを形成する必要がある。このため、たとえば、配線層の一部に、位置合わせのための基準となるマーク（アライメントマーク）を形成し、配線層（アライメントマークを含む）の上に絶縁層を形成する。そして、絶縁層を介してアライメントマークをＣＣＤカメラ等によって撮像した画像データに基づいてアライメントマークを認識し、配線層上の絶縁層にたとえばレーザ光を照射してビアホールを形成する（たとえば、特許文献１参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００８−２７０７６８号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
ところで、上記のように絶縁層を介してアライメントマークを撮影する方法では、アライメントマークが認識し難い場合がある。このような場合、絶縁層に形成するビアホールや絶縁層上の配線層の位置ずれを招く虞がある。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本発明の一観点によれば、配線基板は、第１絶縁層と、前記第１絶縁層の上面に形成された上面が粗化された配線層と、前記第１絶縁層の上面に形成され、前記配線層と同じ材料よりなる位置合せマークと、前記位置合せマークの上面の少なくとも一部を覆う保護層と、フィラーを含む絶縁材よりなり、前記第１絶縁層、前記配線層、前記保護層、及び前記位置合せマークを覆う第２絶縁層と、前記第２絶縁層を貫通し前記配線層の上面の一部を露出し、前記配線層と接続されるビアを形成するためのビアホールと、を有する。
【発明の効果】
【０００６】
本発明の一観点によれば、位置合せの精度を向上することができる。
【図面の簡単な説明】
【０００７】
【図１】配線基板の一例を示す断面図である。
【図２】配線基板の概略平面図である。
【図３】（ａ）〜（ｅ）は配線基板の製造工程を示す概略断面図である。
【図４】（ａ）〜（ｅ）は配線基板の製造工程を示す概略断面図である。
【図５】（ａ）〜（ｄ）は比較例の製造工程を示す概略断面図である。
【発明を実施するための形態】
【０００８】
以下、添付図面を参照して各実施形態を説明する。
なお、添付図面は、部分的に拡大して示している場合があり、寸法，比率などは実際と異なる場合がある。また、断面図では、各部材の断面構造を分かりやすくするために、一部のハッチングを省略している。
【０００９】
（第一実施形態）
まず、配線基板１の構造について説明する。
図１に示すように、配線基板１は、配線基板１は、コア基板１１を有している。コア基板１１は、たとえば補強材であるガラスクロス（ガラス織布）にエポキシ樹脂を主成分とする熱硬化性の絶縁性樹脂を含浸させ硬化させた、いわゆるガラスエポキシ基板である。
【００１０】
コア基板１１には、所定位置に上面と下面との間を貫通する複数の貫通孔１２が形成されている。貫通孔１２内には、コア基板１１の上面と下面との間を貫通する貫通電極１３が形成されている。貫通電極１３の材料は、たとえば銅（Ｃｕ）である。
【００１１】
コア基板１１の上面には、配線パターン３１ａ，絶縁層２１ａ，配線パターン３１ｂ，絶縁層２１ｂ，配線パターン３１ｃ，絶縁層２１ｃ，配線パターン３１ｄがこの順番で積層されている。コア基板１１の下面には、配線パターン３３ａ，絶縁層２２ａ，配線パターン３３ｂ，絶縁層２２ｂ，配線パターン３３ｃ，絶縁層２２ｃ，配線パターン３３ｄがこの順番で積層されている。絶縁層２１ａ〜２１ｃ及び絶縁層２２ａ〜２２ｃの材料は、たとえばエポキシ系の絶縁樹脂である。配線パターン３１ａ〜３１ｄ及び配線パターン３３ａ〜３３ｄの材料は、たとえば銅である。
【００１２】
コア基板１１の上方側においては、配線パターン３１ｂは、絶縁層２１ａの上面と下面との間を貫通するビアホールに形成されたビア３２ａにより配線パターン３１ａと電気的に接続されている。同様に、配線パターン３１ｃはビア３２ｂにより配線パターン３１ｂと電気的に接続され、配線パターン３１ｄはビア３２ｃにより配線パターン３１ｃと電気的に接続されている。最外層の絶縁層２１ｃ及び配線パターン３１ｄの表面は、ソルダレジスト等の保護膜４１により被覆されている。保護膜４１には、所定位置に開口４１ａが形成され、開口４１ａから配線パターン３１ｄがパッドとして露出される。なお、図では省略しているが、配線パターン３１ａ等の表面（図において上面）、コア基板１１の上面、絶縁層２１ａ等の表面（図において上面）は粗面化されている。
【００１３】
コア基板１１の下方側においては、配線パターン３３ｂは、絶縁層２２ａの上面と下面との間を貫通するビアホールに形成されたビア３４ａにより配線パターン３３ａと電気的に接続されている。同様に、配線パターン３３ｃは、ビア３４ｂにより配線パターン３３ｂと電気的に接続され、配線パターン３３ｄはビア３４ｃにより配線パターン３３ｃと電気的に接続されている。最外層の絶縁層２２ｃ及び配線パターン３３ｄの表面は、ソルダレジスト等の保護膜４２により被覆されている。保護膜４２には、所定位置に開口４２ａが形成され、開口４２ａから配線パターン３３ｄがパッドとして露出される。なお、図では省略しているが、配線パターン３３ａ等の表面（図において下面）、コア基板１１の下面、絶縁層２２ａ等の表面（図において下面）は粗面化されている。
【００１４】
上記の配線基板１は、たとえば１枚の配線基板を個片化して形成される。
図２に示すように、配線基板５０は、たとえばシート状の基板である。配線基板５０は、たとえば平面視矩形状に形成されている。配線基板５０は、上記の配線基板１を形成するため、複数（図では１６個）の基板領域１と、基板領域１の周囲に設定された枠部５１とを有している。枠部５１は、たとえば矩形枠状に形成されている。複数の基板領域１は、たとえばマトリックス状（４×４）に配列されている。なお、図２では、各基板領域１の境界を実線にて示し、上記配線基板１と同じ符号を付している。配線基板５０は、各基板領域１の境界線に沿って切断される。これにより配線基板５０を個片化して図１に示す配線基板１が形成される。なお、枠部５１は、個片化の際に破棄される部分である。
【００１５】
枠部５１には、所定位置に位置合せマーク５２が設けられている。なお、位置合せマーク５２は、積層される絶縁層及び配線層に応じて形成される。たとえば、図１に示す配線基板１の場合、絶縁層２１ａ、配線パターン３１ｂ及びビア３２ａのために、コア基板１１の上面に位置合せマーク５２が形成される。また、絶縁層２１ｂ、配線パターン３１ｃ及びビア３２ｂのために、絶縁層２１ａの上面に位置合せマーク５２が形成される。
【００１６】
なお、図２では、１つの絶縁層の面に形成された位置合せマーク５２を示す。また、図２では、位置合せマーク５２を円として示しているが、これは位置合せマーク５２が形成された位置を示すものである。そして、位置合せマーク５２は、保護層５３により覆われている。なお、図２では、位置合せマーク５２と保護層５３を、１つの円を用いて示している。
【００１７】
次に、上記の配線基板において、ビアホールの形成にかかる工程を説明する。なお、図１に示す絶縁層２１ａ〜２１ｃ，２２ａ〜２２ｃ，ビア３２ａ〜３２ｃ、３４ａ〜３４ｃ等については同様の工程であるため、１つの絶縁層にかかる工程の概略を説明する。なお、ビアホールについては配線層及び絶縁層を特定しないため、上記の図１，図２に用いた符号と異なる符号を用いて説明する。
【００１８】
先ず、図３（ａ）に示すように、絶縁層６１の上面に配線層６２と位置合せマーク６３を形成する。絶縁層６１は、図２に示す配線基板５０に含まれる１つの絶縁層（図１に示すコア基板１１や絶縁層２１ａ等）である。配線層６２は、基板領域１に含まれる配線層である。また、配線層６２は、たとえば図１に示す配線パターン３１ｂに相当する。位置合せマーク６３は図２に示す位置合せマーク５２に相当する。
【００１９】
配線層６２及び位置合せマーク６３は、たとえば、絶縁層６１上に開口部を有するレジスト膜を形成し、そのレジスト膜の開口部から露出する絶縁層６１の上面に、無電解めっきや電解めっき等により形成することができる。また、絶縁層６１の上面に貼付した金属箔をたとえばエッチングして配線層６２及び位置合せマーク６３を形成してもよい。また、配線層６２及び位置合せマーク６３は、スパッタ法や蒸着法を用いて形成することができる。
【００２０】
次に、図３（ｂ）に示すように、位置合せマーク６３上に保護層６４を形成する。この保護層６４は、図２に示す保護層５３に相当する。保護層６４の材料は、位置合せマーク６３の表面に密着可能である材料が好ましい。また、保護層６４の材料は、絶縁層６１よりも検出のための光を透過させ易い材料が好ましい。また、保護層６４の材料は、積層した絶縁層６１を硬化する際の温度（たとえば、２００℃程度）に耐えられる材料が好ましい。これらの条件に対し、保護層６４の材料としては、たとえば、エポキシ系樹脂やポリイミド系樹脂などのフィラーを含まない絶縁性樹脂を用いることができる。保護層６４の材料としては、熱硬化性を有する絶縁性樹脂や感光性を有する絶縁性樹脂を用いることができる。
【００２１】
たとえば、保護層６４として感光性ドライフィルムを用いた場合、絶縁層６１の表面、保護層６４、配線層６２を被覆したフィルムをフォトリソグラフィ法によりパターニングして保護層６４を形成する。なお、液状のフォトレジスト材を用いる場合にも、同様の工程により保護層６４を形成することができる。また、位置合せマーク６３に応じた大きさのフィルムを位置合せマーク６３上面に貼付しこれを硬化して保護層６４を形成してもよい。
【００２２】
次いで、図３（ｃ）に示すように、絶縁層６１の上面側から粗化処理を行う。粗化処理は、たとえばエッチング、酸化、めっき、ブラスト、Ｏ２プラズマアッシング等のプラズマ処理、等によって行うことができる。この粗化処理により、露出する絶縁層６１の上面６１ａ、配線層６２の上面６２ａが粗面化される。そして、位置合せマーク６３の上面６３ａは保護層６４により覆われているため、粗面化されない。
【００２３】
次に、図３（ｄ）に示すように、絶縁層６１、保護層６４、配線層６２を覆う絶縁層６５を形成する。絶縁層６５は、たとえば、樹脂フィルムや液状またはペースト状の絶縁性樹脂を用いて形成することができる。樹脂フィルムを用いる場合には、たとえば、絶縁層６１、位置合せマーク６３、配線層６２を樹脂フィルムにてラミネートした後に、樹脂フィルムを押圧しながら１３０〜１９０℃程度の温度で熱処理して硬化させることにより絶縁層６５を形成することができる。また、液状又はペースト状の絶縁性樹脂を用いる場合には、金属膜上に液状又はペースト状の絶縁性樹脂をスピンコート法などにより塗布し、その塗布した絶縁性樹脂を１３０〜１９０℃程度の温度で熱処理して硬化させることにより絶縁層６５を形成することができる。
【００２４】
これにより、位置合せマーク６３の上には、保護層６４と絶縁層６５ａとが積層され、配線層６２の上には絶縁層６５ｂのみである。したがって、位置合せマーク６３の上の絶縁層６５ａの厚さｔ１は、配線層６２の上の絶縁層６５ｂの厚さｔ２よりも薄い。
【００２５】
そして、図３（ｅ）に示すように、図示しないレーザ装置を用いて、レーザ光７１を絶縁層６５ｂに照射し、配線層６２上の絶縁層６５ｂにビアホール６６を形成する。このとき、レーザ装置に付属されたカメラ７２により位置合せマーク６３を撮影する。
【００２６】
たとえば、絶縁層６５の上面から図示しない光源を用いて光を絶縁層６５ａに照射し、位置合せマーク６３をカメラ７２により撮影する。光源としては、たとえばリング状の照射器を用いることができる。絶縁層６５ａに照射する光としては、たとえは赤外光を用いることができる。カメラ７２は、絶縁層６５ａに照射する光に対応する特性を持つものであり、たとえば赤外線カメラを用いることができる。
【００２７】
レーザ装置に付属された画像処理装置は、カメラ７２により得られた画像に基づいて位置合せマーク６３を認識する。そして、レーザ装置は、認識した位置合せマーク６３を基準として、レーザ光７１を照射し、ビアホール６６を形成する。
【００２８】
（比較例）
次に、比較例の製造工程を説明する。この比較例の製造工程における処理は、上記実施形態における処理と同様であるため、上記実施形態における工程を説明した符号を用い、概略的に説明する。
【００２９】
先ず、図５（ａ）に示すように、絶縁層６１の上面に配線層６２と位置合せマーク６３を形成する。
次に、図５（ｂ）に示すように、絶縁層６１の上面側から粗化処理を行う。この粗化処理により、露出する絶縁層６１の上面６１ａ、配線層６２の上面６２ａ、及び位置合せマーク６３の上面６３ａが粗面化される。
【００３０】
そして、図５（ｃ）に示すように、絶縁層６１、配線層６２、位置合せマーク６３を覆う絶縁層６５を形成する。これにより、位置合せマーク６３は、配線層６２と同様に、厚さｔ２の絶縁層６５ｃにより覆われる。
【００３１】
次に、図５（ｄ）に示すように、図示しないレーザ装置に付属するカメラ７２を用いて位置合せマーク６３を認識し、この位置合せマーク６３を基準としてレーザ光７１を絶縁層６５ｂに照射し、配線層６２上の絶縁層６５ｂにビアホール６６を形成する。
【００３２】
次に、本実施形態の配線基板１，５０における作用を説明する。
上記の比較例の場合、位置合せマーク６３が厚さｔ２の絶縁層６５ｃにより覆われている。この絶縁層６５，６５ｂ，６５ｃはシリカ等のフィラーを含む。フィラーは、位置合せマーク６３の撮影に用いられる光を透過し難くする。また、近年では、フィラーの量が増加した、いわゆるフィラーリッチな絶縁層６５，６５ｂ，６５ｃが用いられる。このため、カメラ７２における入射光量が、絶縁層６５ｃにおけるフィラーの含有量に応じて少なくなる。また、位置合せマーク６３の上面６３ａが、配線層６２の上面と同様に粗面化されている。このため、位置合せマーク６３の上面６３ａにおいて、撮影のための光が散乱し、カメラ７２における入射光量が、粗面化しない場合と比べて少なくなる。これらの入射光量の減少は、撮影した画像において、位置合せマーク６３を認識し難くする。この結果、位置合わせの精度が低下し、絶縁層６５ｂにおいて正確な位置にビアホール６６を形成することができなくなる。
【００３３】
本実施形態の場合、光源から照射された光は、絶縁層６５ａと保護層６４を通過して位置合せマーク６３に照射され、位置合せマーク６３の上面６３ａにて反射する。その反射光は、保護層６４と絶縁層６５ａを介してカメラ７２に入射する。そして、カメラ７２は、撮影対象である位置合せマーク６３を、保護層６４及び絶縁層６５ａを介して撮影する。
【００３４】
このとき、保護層６４は、フィラーを含まない樹脂であり、光の透過率が絶縁層６５，６５ａよりも高い。そして、絶縁層６５ａは、配線層６２を覆う絶縁層６５ｂよりも薄い。したがって、カメラ７２に入射する光の量は、保護層６４を設けてない場合、つまり厚さｔ２にて位置合せマーク６３の上に形成された場合に比して多くなる。このため、撮影した画像において、位置合せマーク６３が認識し易い。この結果、位置合せマーク６３の位置を精度よく検出することができ、位置合せマーク６３を基準としてビアホール６６を精度よく形成することができる。
【００３５】
また、上記図３（ｃ）で示したように、粗化処理において、位置合せマーク６３は保護層６４に覆われている。位置合せマーク６３の上面が粗面化されている場合、位置合せマーク６３に照射された光は、散乱される。したがって、本実施形態においてカメラ７２に入射する光の量は、位置合せマーク６３の上面６３ａが粗面化された場合に比して多くなる。このため、撮影した画像において、位置合せマーク６３が認識し易い。この結果、位置合せマーク６３の位置を精度よく検出することができ、位置合せマーク６３を基準としてビアホール６６を精度よく形成することができる。
【００３６】
以上記述したように、本実施形態によれば、以下の効果を奏する。
（１−１）配線基板は、絶縁層６１の上面６１ａに配線層６２と位置合せマーク６３が形成されている。配線層６２の上面６２ａは粗面化されている。位置合せマーク６３の上面は保護層６４により覆われている。絶縁層６１の上面６１ａ，配線層６２，保護層６４は絶縁層６５により覆われている。絶縁層６５はフィラーを含む絶縁材によりなる。
【００３７】
絶縁層６５にビアホール６６を形成するレーザ加工機は、付属するカメラ７２により位置合せマーク６３を撮影する。この位置合せマーク６３を覆う保護層６４は、フィラーを含まない絶縁材、または絶縁層６５よりフィラーの含有率が少ない絶縁材よりなる。したがって、保護層６４を介して位置合せマーク６３を撮影することにより、位置合せマーク６３が認識し易い。したがって、位置合せマーク６３の位置を精度よく検出することができる。そして、認識した位置合せマーク６３を基準とするビアホール６６の加工において、ビアホール６６を精度よく形成することができる。
【００３８】
（１−２）位置合せマーク６３を覆う保護層６４を形成した後、粗化処理を行って配線層６２の上面６２ａを粗面化した。粗面化された上面６２ａは、この配線層６２と、配線層６２を覆う絶縁層６５との密着性を良くする。そして、粗化処理において、位置合せマーク６３の上面６３ａは保護層６４により覆われているため、その上面６３ａは粗面化されない。このため、位置合せマーク６３を撮影するための光が、上面６３ａにおいて散乱されない。この結果、保護層６４を設けない場合に比して、カメラ７２への入射光量が多くなる。このため、撮影した画像において、位置合せマーク６３が認識し易い。この結果、位置合せマーク６３の位置を精度よく検出することができ、位置合せマーク６３を基準としてビアホール６６を精度よく形成することができる。
【００３９】
（第二実施形態）
以下、第二実施形態を説明する。
この実施形態において形成される配線基板は上記の第一実施形態と同様である。また、個片化する配線基板における位置合せマークと基板領域についても同様である。このため、これらについての説明を省略し、製造工程を説明する。なお、この実施形態において、上記実施形態と同じ構成部材については同じ符号を付してその説明を省略する。
【００４０】
先ず、図４（ａ）に示すように、絶縁層６１の上面に配線層６２と位置合せマーク６３を形成する。配線層６２及び位置合せマーク６３は、たとえば、絶縁層６１上に開口部を有するレジスト膜を形成し、そのレジスト膜の開口部から露出する絶縁層６１の上面に、無電解めっきや電解めっき等により形成することができる。また、絶縁層６１の上面に貼付した金属箔を、たとえばエッチングして配線層６２及び位置合せマーク６３を形成してもよい。また、配線層６２及び位置合せマーク６３を、スパッタ法や蒸着法を用いて形成してもよい。
【００４１】
次に、図４（ｂ）に示すように、絶縁層６１の上面側から粗化処理を行う。粗化処理は、たとえばエッチング、酸化、めっき、ブラスト、Ｏ２プラズマアッシング等のプラズマ処理、等によって行うことができる。この粗化処理により、露出する絶縁層６１の上面６１ａ、配線層６２の上面６２ａ、及び位置合せマーク６３の上面６３ａが粗面化される。
【００４２】
次いで、図４（ｃ）に示すように、位置合せマーク６３上に保護層６４を形成する。保護層６４の材料は、位置合せマーク６３の表面に密着可能である材料が好ましい。また、保護層６４の材料は、絶縁層６１よりも検出のための光を透過させ易い材料が好ましい。また、保護層６４の材料は、積層した絶縁層６１を硬化する際の温度（たとえば、２００℃程度）に耐えられる材料が好ましい。これらの条件に対し、保護層６４の材料としては、たとえば、エポキシ系樹脂やポリイミド系樹脂などのフィラーを含まない絶縁性樹脂を用いることができる。保護層６４の材料としては、熱硬化性を有する絶縁性樹脂や感光性を有する絶縁性樹脂を用いることができる。
【００４３】
たとえば、保護層６４として感光性ドライフィルムを用いた場合、絶縁層６１の表面、保護層６４、配線層６２を被覆したフィルムをフォトリソグラフィ法によりパターニングして保護層６４を形成する。なお、液状のフォトレジスト材を用いる場合にも、同様の工程により保護層６４を形成することができる。また、位置合せマーク６３に応じた大きさのフィルムを位置合せマーク６３上面に貼付しこれを硬化して保護層６４を形成してもよい。
【００４４】
次に、図４（ｄ）に示すように、絶縁層６１、保護層６４、配線層６２を覆う絶縁層６５を形成する。絶縁層６５は、たとえば、樹脂フィルムや液状またはペースト状の絶縁性樹脂を用いて形成することができる。樹脂フィルムを用いる場合には、たとえば、絶縁層６１、位置合せマーク６３、配線層６２を樹脂フィルムにてラミネートした後に、樹脂フィルムを押圧しながら１３０〜１９０℃程度の温度で熱処理して硬化させることにより絶縁層６５を形成することができる。また、液状又はペースト状の絶縁性樹脂を用いる場合には、金属膜上に液状又はペースト状の絶縁性樹脂をスピンコート法などにより塗布し、その塗布した絶縁性樹脂を１３０〜１９０℃程度の温度で熱処理して硬化させることにより絶縁層６５を形成することができる。
【００４５】
これにより、位置合せマーク６３の上には、保護層６４と絶縁層６５ａとが積層され、配線層６２の上には絶縁層６５ｂのみである。したがって、位置合せマーク６３の上に積層された絶縁層６５ａの厚さｔ１は、配線層６２の上の絶縁層６５ｂの厚さｔ２よりも薄い。
【００４６】
そして、図４（ｅ）に示すように、図示しないレーザ装置を用いて、レーザ光７１を絶縁層６５ｂに照射し、配線層６２上の絶縁層６５ｂにビアホール６６を形成する。このとき、レーザ装置に付属されたカメラ７２により位置合せマーク６３を撮影する。
【００４７】
たとえば、絶縁層６５の上面から図示しない光源を用いて光を絶縁層６５ａに照射し、位置合せマーク６３をカメラ７２により撮影する。光源としては、たとえばリング状の照射器を用いることができる。絶縁層６５ａに照射する光としては、たとえは赤外光を用いることができる。カメラ７２は、絶縁層６５ａに照射する光に対応する特性を持つものであり、たとえば赤外線カメラを用いることができる。
【００４８】
レーザ装置に付属された画像処理装置は、カメラ７２により得られた画像に基づいて位置合せマーク６３を認識する。そして、レーザ装置は、認識した位置合せマーク６３を基準として、レーザ光７１を照射し、ビアホール６６を形成する。
【００４９】
次に、本実施形態の作用を説明する。
光源から照射された光は、絶縁層６５ａと保護層６４を通過して位置合せマーク６３に照射され、位置合せマーク６３の上面６３ａにて反射する。その反射光は、保護層６４と絶縁層６５ａを介してカメラ７２に入射する。そして、カメラ７２は、撮影対象である位置合せマーク６３を、保護層６４及び絶縁層６５ａを介して撮影する。
【００５０】
このとき、保護層６４は、フィラーを含まない樹脂であり、光の透過率が絶縁層６５，６５ａ，６５ｂよりも高い。そして、絶縁層６５ａは、配線層６２を覆う絶縁層６５ｂよりも薄い。したがって、カメラ７２に入射する光の量は、保護層６４を設けてない場合、つまり厚さｔ２にて位置合せマーク６３の上に形成された場合に比して多くなる。このため、撮影した画像において、位置合せマーク６３が認識し易い。この結果、位置合せマーク６３の位置を精度よく検出することができ、位置合せマーク６３を基準としてビアホール６６を精度よく形成することができる。
【００５１】
以上記述したように、本実施形態によれば、以下の効果を奏する。
（２−１）上記第一実施形態における（１−１）と同様の効果を得ることができる。
尚、上記各実施形態は、以下の態様で実施してもよい。
【００５２】
・上記各形態では、図２に示すように、枠部５１に位置合せマーク６３を形成したが、基板領域１内に位置合せマーク６３を形成してもよい。
・上記各形態において、たとえば図３（ａ）に示す絶縁層６１の上面６１ａを粗面化した後、配線層６２及び位置合せマーク６３を形成してもよい。
【００５３】
・上記各形態において、たとえば図３（ｂ）では位置合せマーク６３の上面６３ａ全体を覆うように保護層６４を形成したが、上面６３ａの一部であって位置合せに基準となる部分を覆うように保護層６４を形成してもよい。
【符号の説明】
【００５４】
６１  絶縁層（第１絶縁層）
６２  配線層
６３  位置合せマーク
６４  保護層
６５  絶縁層（第２絶縁層）
６６  ビアホール
７１  レーザ光
７２  カメラ
【図１】
2015211134.tif 000003
【図２】
2015211134.tif 000004
【図３】
2015211134.tif 000005
【図４】
2015211134.tif 000006
【図５】
2015211134.tif 000007