(57)【要約】【課題】基板上に塗布される塗布液の供給量を少量に抑制しつつ、当該塗布液を基板面内で均一に塗布する。【解決手段】塗布処理装置は、表面にウェハＷを載置して保持する保持部２０と、保持部２０に保持されたウェハＷの外周部に対応する位置に設けられ、当該保持部２０の表面より上方に突起した突起部５０と、を有する。塗布処理装置では、保持部２０に保持されたウェハＷの外周部が突起部５０に支持された状態で、ウェハＷの表面と塗布ノズルとの間に当該塗布ノズルから吐出された塗布液の液溜まりを形成しつつ、移動機構によってウェハＷと塗布ノズル３２を水平方向に相対的に移動させてウェハＷ上に塗布液を塗布する。【選択図】図４
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に塗布液を塗布する塗布処理装置であって、
表面に基板を載置して保持する保持部と、
前記保持部に保持された基板の外周部に対応する位置に設けられ、当該保持部の表面より上方に突起した突起部と、
前記保持部に保持された基板の表面に対して塗布液を吐出する塗布ノズルと、
前記保持部に保持された基板と前記塗布ノズルを水平方向に相対的に移動させる移動機構と、
前記保持部に保持された基板の外周部が前記突起部に支持された状態で、基板の表面と前記塗布ノズルとの間に当該塗布ノズルから吐出された塗布液の液溜まりを形成しつつ、前記移動機構によって基板と前記塗布ノズルを水平方向に相対的に移動させて基板上に塗布液を塗布するように、前記塗布ノズルと前記移動機構を制御する制御部と、を有することを特徴とする、塗布処理装置。
【請求項２】
前記突起部は、前記保持部の外周部表面に対して、当該突起部を構成する材料を塗布して形成されていることを特徴とする、請求項１に記載の塗布処理装置。
【請求項３】
前記保持部の外周部には、当該外周部に沿って溝部が形成され、
前記突起部は前記溝部内に設けられていることを特徴とする、請求項１に記載の塗布処理装置。
【請求項４】
前記突起部は、その中心部から前記塗布ノズルの相対的な移動方向に、第１の突起部材と第２の突起部材に分割され、
前記第１の突起部材と前記第２の突起部材は、少なくとも幅又は高さが異なることを特徴とする、請求項１〜３のいずれか一項に記載の塗布処理装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、基板上に塗布液を塗布する塗布処理装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、例えば半導体デバイスの製造プロセスにおいて、半導体ウェハ（以下、「ウェハ」という。）の大口径化や薄化に伴い、当該ウェハを補強するため、接着剤を介してウェハと支持基板を接合することが行われている。
【０００３】
かかるウェハと支持基板の接合は、例えば特許文献１に記載された接合システムを用いて行われている。接合システムは、例えばウェハに接着剤を塗布する塗布装置と、接着剤が塗布されたウェハを加熱する熱処理装置と、接着剤を介してウェハと支持基板とを押圧して接合する接合装置とを有している。そして、塗布装置では、ウェハを回転させた状態でウェハの中心部にノズルから接着剤を供給し、遠心力によりウェハ上で接着剤を拡散させることよってウェハの表面に接着剤を塗布する、いわゆるスピン塗布法が行われている。
【０００４】
ところで、スピン塗布法を用いた場合、ウェハ上に供給された接着剤を高速回転で拡げるため、供給された接着剤のうち、大部分はウェハの外周部から飛散してしまい無駄になってしまう。
【０００５】
そこで、このような塗布液の無駄を抑制するため、例えば特許文献２において、ウェハと塗布ノズルとの間に液溜りを形成しながら、ウェハ上に塗布液を塗布する方法（以下、「キャピラリー塗布法」という場合がある。）が提案されている。具体的には、塗布ノズルの下端面に形成されたスリット状の吐出口をウェハに接近させ、当該吐出口とウェハとの間に所定の隙間が形成された状態を維持する。そして、ウェハと吐出口との間に当該吐出口から吐出された塗布液の液溜りを形成し、その状態でウェハと塗布ノズルを水平方向、例えばウェハの径方向に相対的に移動させる。そうすると、吐出口から吐出された塗布液は、その自重と毛細管現象の作用によってウェハの表面に順次供給され、ウェハ上に塗布液が塗布される。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開２０１３−５８５６７号公報
【特許文献２】特開２０１３−９８３７１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
しかしながら、発明者らが鋭意検討した結果、上述した特許文献２に記載されたキャピラリー塗布法でウェハ上に塗布液を塗布した場合、図１６に示すように、ウェハＷの外周部において塗布液Ｅが盛り上がり、ハンプＰが形成されることが分かった。すなわち、ウェハＷの中心部から外周部までの面内において、塗布液Ｅが均一に塗布されないことが分かった。また、このハンプＰは、塗布液Ｅの粘度や表面張力、ウェハＷの濡れ性などに影響を受けて形成されることも分かった。
【０００８】
特に塗布液Ｅが接着剤である場合、接着剤が高粘度であるため、ウェハＷの外周部にハンプＰが形成されやすい。また、このハンプＰが形成されると、ウェハＷと支持基板を接合した際に、当該ウェハＷと支持基板の外周部から接着剤がはみ出してしまう。このようにはみ出た接着剤は、ウェハＷと支持基板の搬送装置や処理装置に付着し、搬送工程や処理工程に悪影響を及ぼすおそれがある。
【０００９】
なお、かかるハンプＰはスピン塗布法を用いた場合でも生じるが、当該スピン塗布法ではウェハＷを回転させて、塗布液Ｅに遠心力が作用するため、ハンプＰの幅及び高さは比較的小さくなる。これに対して、キャピラリー塗布法では、上記のように塗布液Ｅに遠心力が作用せず、当該塗布液Ｅの表面張力の作用によって、ハンプＰの幅及び高さが大きく形成されやすい。
【００１０】
本発明は、かかる点に鑑みてなされたものであり、基板上に塗布される塗布液の供給量を少量に抑制しつつ、当該塗布液を基板面内で均一に塗布することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
前記の目的を達成するため、本発明は、基板上に塗布液を塗布する塗布処理装置であって、表面に基板を載置して保持する保持部と、前記保持部に保持された基板の外周部に対応する位置に設けられ、当該保持部の表面より上方に突起した突起部と、前記保持部に保持された基板の表面に対して塗布液を吐出する塗布ノズルと、前記保持部に保持された基板と前記塗布ノズルを水平方向に相対的に移動させる移動機構と、前記保持部に保持された基板の外周部が前記突起部に支持された状態で、基板の表面と前記塗布ノズルとの間に当該塗布ノズルから吐出された塗布液の液溜まりを形成しつつ、前記移動機構によって基板と前記塗布ノズルを水平方向に相対的に移動させて基板上に塗布液を塗布するように、前記塗布ノズルと前記移動機構を制御する制御部と、を有することを特徴としている。
【００１２】
ここで、本発明で用いられるキャピラリー塗布法においては、基板の表面と塗布ノズルとの距離を制御することで、基板の表面に塗布される塗布液の膜厚が制御される。すなわち、当該距離を大きくすると塗布液の膜厚は大きくなり、当該距離を小さくすると塗布液の膜厚は小さくなる。
【００１３】
本発明では、保持部に保持された基板の外周部は突起部に支持されているので、当該基板の外周部表面は内周部表面に比べて高くなっている。すなわち、外周部表面と塗布ノズルとの距離は、内周部表面と塗布ノズルとの距離より小さくなっている。そうすると、塗布ノズルから基板の外周部に塗布される塗布液の膜厚は、内周部に塗布される塗布液の膜厚より小さくなるように制御されるため、塗布ノズルが基板の外周部から離れた際、当該基板の外周部上の塗布液が盛り上がっても、従来のハンプの発生を抑制することができる。したがって、塗布液を基板面内で均一に塗布することができる。
【００１４】
上述したように塗布液の粘度が高い場合に従来のハンプが発生しやすく、このような高粘度の塗布液を基板上に塗布する場合に、本発明は特に有用である。また、基板の中心部から外周部まで基板面内全面での塗布液の均一性が要求される場合にも、本発明は有用となる。
【００１５】
しかも本発明では、キャピラリー塗布法を用いているので、基板に供給された塗布液が当該基板の外に流出することがなく、必要量の塗布液のみを基板に供給すればよい。したがって、例えばスピン塗布法に比べて、塗布液の供給量を少量化することができる。
【００１６】
前記突起部は、前記保持部の外周部表面に対して、当該突起部を構成する材料を塗布して形成されていてもよい。
【００１７】
また、前記保持部の外周部には、当該外周部に沿って溝部が形成され、前記突起部は前記溝部内に設けられていてもよい。
【００１８】
前記突起部は、その中心部から前記塗布ノズルの相対的な移動方向に、第１の突起部材と第２の突起部材に分割され、前記第１の突起部材と前記第２の突起部材は、少なくとも幅又は高さが異なっていてもよい。
【発明の効果】
【００１９】
本発明によれば、基板上に塗布される塗布液の供給量を少量に抑制しつつ、当該塗布液を基板面内で均一に塗布することができる。
【図面の簡単な説明】
【００２０】
【図１】本実施の形態にかかる塗布処理装置の構成の概略を示す縦断面図である。
【図２】本実施の形態にかかる塗布処理装置の構成の概略を示す横断面図である。
【図３】塗布ノズルの構成の概略を示す斜視図である。
【図４】保持部と突起部の構成の概略を示す縦断面図である。
【図５】保持部と突起部の構成の概略を示す平面図である。
【図６】突起部周辺を拡大した縦断面の説明図である。
【図７】突起部を形成する様子を示す説明図である。
【図８】塗布ノズルをウェハの外周部上方に移動させた状態を示す説明図である。
【図９】塗布ノズルをウェハの径方向に移動させながら接着剤を塗布する様子を示す説明図である。
【図１０】ウェハの外周部において接着剤が塗布される様子を示す説明図である。
【図１１】塗布ノズルをウェハの他の外周部上方に移動させた状態を示す説明図である。
【図１２】保持部に保持されたウェハ上に接着剤が塗布された様子を示す説明図である。
【図１３】保持部による保持が解除されたウェハ上に接着剤が塗布された様子を示す説明図である。
【図１４】他の実施の形態にかかる保持部と突起部の構成の概略を示す平面図である。
【図１５】他の実施の形態にかかる保持部と突起部の構成の概略を示す縦断面図である。
【図１６】従来においてウェハの外周部上にハンプが形成された様子を示す側面視における説明図である。
【図１７】従来においてウェハの外周部上にハンプが形成された様子を示す平面視における説明図である。
【図１８】図１７のＡ−Ａ断面図である。
【図１９】図１７のＢ−Ｂ断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００２１】
以下、本発明の実施の形態について説明する。図１は、本実施の形態にかかる塗布処理装置１の構成の概略を示す縦断面図である。図２は、塗布処理装置１の構成の概略を示す横断面図である。なお、本実施の形態の塗布処理装置１では、基板としてのウェハの表面に塗布液としての接着剤を塗布する。
【００２２】
塗布処理装置１は、図１に示すように処理容器１０を有している。処理容器１０の側面には、ウェハＷの搬入出口（図示せず）が形成されている。
【００２３】
処理容器１０内の中央部には、表面にウェハＷを載置して保持する保持部２０が設けられている。保持部２０には、例えば真空チャックが用いられる。なお、保持部２０の詳細な構成については後述する。
【００２４】
保持部２０の下方には、ウェハＷを下方から支持し昇降させるための昇降ピン２１が設けられている。昇降ピン２１は例えば３本設けられ、昇降駆動部２２により上下動できる。保持部２０には、当該保持部２０を厚み方向に貫通する貫通孔２３が例えば３箇所に形成されおり、昇降ピン２１は、貫通孔２３を挿通し、保持部２０の上面から突出可能になっている。
【００２５】
図２に示すように保持部２０のＸ方向負方向（図２の下方向）側には、Ｙ方向（図２の左右方向）に沿って延伸するレール３０が形成されている。レール３０は、例えば保持部２０のＹ方向負方向（図２の左方向）側の外方からＹ方向正方向（図２の右方向）側の外方まで形成されている。レール３０には、アーム３１が取り付けられている。
【００２６】
アーム３１には、図１及び図２に示すようにウェハＷに接着剤を供給する塗布ノズル３２が支持されている。アーム３１は、図２に示す移動機構としてのノズル駆動部３３により、レール３０上を移動自在である。これにより、塗布ノズル３２は、保持部２０のＹ方向正方向側の外方に設置された待機部３４から保持部２０上のウェハＷの中心部上方まで移動でき、さらに当該ウェハＷの表面上をウェハＷの径方向に移動できる。また、アーム３１は、ノズル駆動部３３によって昇降自在であり、塗布ノズル３２の高さを調整できる。
【００２７】
塗布ノズル３２は、図３に示すようにＸ方向に向けて延伸する略直方体形状に形成されている。塗布ノズル３２は、例えばウェハＷの径よりも長く形成されている。塗布ノズル３２の下端面には、例えばウェハＷの径よりも長いスリット状の塗布液の吐出口３２ａが形成されている。
【００２８】
塗布ノズル３２には、図１に示すように当該塗布ノズル３２に接着剤を供給する供給管３５が接続されている。供給管３５は、内部に接着剤を貯留する接着剤供給源３６に連通している。また、供給管３５には、接着剤の流れを制御するバルブや流量調節部等を含む供給機器群３７が設けられている。
【００２９】
次に、上述した保持部２０の構成について、図４及び図５を用いて説明する。保持部２０の表面には、ウェハＷを真空引きするための吸引溝４０が形成されている。吸引溝４０は、保持部２０の外周部に沿って環状に設けられた外側吸引溝４０ａと、外側吸引溝４０ａの内側において格子状に設けられた内側吸引溝４０ｂと、を有している。吸引溝４０には、保持部２０の内部に設けられた吸引管４１が接続されている。吸引管４１には、真空ポンプ４２が接続されている。
【００３０】
保持部２０の外周部表面には、当該表面より上方に突起した突起部５０が形成されている。突起部５０は、保持部２０の外周部に沿って環状に設けられている。また、突起部５０は、保持部２０に保持されたウェハＷの外周部に対応する位置、すなわち当該ウェハＷの外周部を支持する位置に設けられている。
【００３１】
より詳細には、図６に示すように突起部５０は、その内側面が例えば外側吸引溝４０ａの外周面と一致し、外側面が保持部２０の外周面と一致するように設けられている。突起部５０の内側面は、保持部２０に保持されたウェハＷの外縁部から所定の距離Ｌ、例えば１０ｍｍ以内、好ましくは５ｍｍ以内に位置している。そして、突起部５０は、この所定の距離Ｌの分、ウェハＷの外周部を支持できるようになっている。
【００３２】
なお、突起部５０の高さＨは、例えば数十μｍであり、好ましくは２０μｍである。
【００３３】
次に、保持部２０の外周部表面に突起部５０を形成する方法について説明する。先ず、保持部２０の表面に対して例えばラッピング加工を行い、当該表面を研磨する。保持部２０の表面にウェハＷを適切に保持するためには、当該表面が例えばμｍオーダーの所定の平面度を有する必要がある。このため、保持部２０の表面に対してラッピング加工を行う。しかしながら、このラッピング加工は段差があると行えない。そこで、保持部２０の表面のラッピング加工は、突起部５０を形成する前に予め行われる。
【００３４】
このように研磨された保持部２０の表面に対して、突起部５０を形成する。ここで、上述したように突起部５０の高さＨは例えば２０μｍ程度であり、かかる微小な高さＨの突起部５０を、例えば機械加工によって保持部２０の表面に形成するのは困難である。そこで本実施の形態では、保持部２０の外周部表面に所定の材料を塗布して突起部５０を形成する。突起部５０を構成する所定の材料は、ウェハＷの外周部を支持できるものであれば特に限定されないが、例えばテフロン（登録商標）などのフッ素樹脂が用いられる。
【００３５】
具体的には、図７に示すように保持部２０の表面において、突起部５０が形成される外周部の内側にマスク６０が配置される。そして、保持部２０の外周部上方に設けられたノズル６１から、当該保持部２０の外周部表面にフッ素樹脂６２を塗布する。この際、ノズル６１を移動させながら、当該ノズル６１からフッ素樹脂６２を供給して、保持部２０の外周部にフッ素樹脂６２を塗布してもよい。或いは、例えばスピンチャック（図示せず）で保持部２０を吸着保持し、当該スピンチャックにより保持部２０を回転させながら、ノズル６１からフッ素樹脂６２を供給して、保持部２０の外周部にフッ素樹脂６２を塗布してもよい。その後、例えば保持部２０の外周部上のフッ素樹脂６２を熱処理して焼成することで、突起部５０が形成される。
【００３６】
このように本実施の形態では、突起部５０の高さＨが微小であったとしても、突起部５０を適切に形成することができる。
【００３７】
なお、フッ素樹脂６２を塗布する前に、保持部２０の外周部表面をブラスト加工してもよい。かかる場合、保持部２０の外周部表面とフッ素樹脂６２の密着性が向上し、突起部５０をより適切に形成することができる。
【００３８】
以上の塗布処理装置１には、図１に示すように制御部１００が設けられている。制御部１００は、例えばコンピュータであり、プログラム格納部（図示せず）を有している。プログラム格納部には、例えば塗布ノズル３２による接着剤の供給動作、ノズル駆動部３３による塗布ノズル３２の移動動作などの動作を制御して、塗布処理装置１における塗布処理を制御するプログラムが格納されている。また、プログラム格納部には、その他の各種駆動系の動作を制御して、塗布処理装置１における塗布処理を実現させるためのプログラムも格納されている。なお、前記プログラムは、例えばコンピュータ読み取り可能なハードディスク（ＨＤ）、フレキシブルディスク（ＦＤ）、コンパクトディスク（ＣＤ）、マグネットオプティカルデスク（ＭＯ）、メモリーカードなどのコンピュータに読み取り可能な記憶媒体Ｈに記録されていたものであって、その記憶媒体Ｈから制御部１００にインストールされたものが用いられる。
【００３９】
次に、以上のように構成された塗布処理装置１で行われる塗布処理のプロセスについて説明する。
【００４０】
塗布処理を行うにあたっては、先ずウェハＷが塗布処理装置１の処理容器１０内に搬送機構（図示せず）により搬入される。塗布処理装置１に搬入されたウェハＷは、昇降ピン２１に受け渡され、保持部２０に載置される。その後、真空ポンプ４２を作動させ、吸引溝４０からウェハＷを真空引きし、ウェハＷが保持部２０に吸着保持される。このとき、図８に示すようにウェハＷの外周部は突起部５０に支持されており、ウェハＷの外周部表面は内周部表面に比べて高くなっている。
【００４１】
続いて、図８に示すようにアーム３１によって、待機部３４の塗布ノズル３２をウェハＷの外周部（図８のＹ方向正方向側の外周部）の上方まで移動させ、さらに塗布ノズル３２を所定の高さまで下降させる。このとき、ウェハＷの外周部表面と塗布ノズル３２との距離は、ウェハＷ上に塗布される接着剤Ｇの膜厚に応じて設定され、本実施の形態では例えば４０μｍ〜１００μｍである。そして、接着剤供給源３６から塗布ノズル３２に接着剤Ｇを供給し、当該塗布ノズル３２の吐出口３２ａから表面張力によって接着剤Ｇを露出させる。そうすると、ウェハＷの外周部表面と塗布ノズル３２の吐出口３２ａとの間に、塗布ノズル３２から吐出された接着剤Ｇの液溜まりが形成される。
【００４２】
その後、図９に示すように接着剤ＧをウェハＷの表面に接触させた状態で、アーム３１によって塗布ノズル３２をウェハＷの径方向（図９のＹ方向負方向）に移動させる。そうすると、吐出口３２ａから吐出された接着剤Ｇは、その自重と毛細管現象の作用によってウェハＷの表面に順次供給される。
【００４３】
ここで、ウェハＷに塗布される接着剤Ｇの膜厚は、ウェハＷの表面と塗布ノズル３２との距離で制御される。図１０に示すようにウェハＷの外周部表面は、突起部５０に支持されているので、その突起部５０の高さＨの分、内周部表面に比べて高くなっている。すなわち、ウェハＷの外周部表面と塗布ノズル３２との距離は、内周部表面と塗布ノズル３２との距離より小さくなっている。そうすると、塗布ノズル３２からウェハＷの外周部表面に塗布された直後の外周部接着剤Ｇ１の膜厚Ｔ１’（ウェハＷの外周部表面と図１０中の点線までの距離Ｔ１’）は、ウェハＷの内周部表面に塗布される内周部接着剤Ｇ２の膜厚Ｔ２よりも小さくなるように制御される。このため、塗布ノズル３２がウェハＷの外周部から離れた際、当該ウェハＷの外周部上の外周部接着剤Ｇ１が盛り上がっても、盛り上がった後の外周部接着剤Ｇ１の膜厚Ｔ１を、内周部接着剤Ｇ２の膜厚Ｔ２にほぼ等しくさせることができる。したがって、本実施の形態ではウェハＷの外周部において、従来のハンプの発生を抑制することができる。
【００４４】
なお、本実施の形態において、突起部５０の高さＨは、外周部接着剤Ｇ１が塗布後に盛り上がる高さに設定されている（Ｈ＝Ｔ１−Ｔ１’）。そうすると、外周部接着剤Ｇ１の膜厚Ｔ１（＝Ｈ＋Ｔ１’）は、内周部接着剤Ｇ２の膜厚Ｔ２に等しくなる。但し、この突起部５０の高さＨは任意に設定することができ、この高さＨを制御することによって、ハンプの大きさを制御することができる。
【００４５】
その後、図１１に示すように接着剤ＧをウェハＷの表面に接触させた状態で、塗布ノズル３２をウェハＷの径方向（図９のＹ方向負方向）にさらに移動させ、ウェハＷの他方の外周部（図８のＹ方向負方向側の外周部）まで移動させる。この際にも、吐出口３２ａから吐出された接着剤Ｇは、その自重と毛細管現象の作用によってウェハＷの表面に順次供給される。
【００４６】
その後、アーム３１によって、ウェハＷの外周部上方のウェハＷを待機部３４まで移動させる。こうして、図１２に示すようにウェハＷの表面全面に接着剤Ｇが塗布される。
【００４７】
その後、真空ポンプ４２を停止させ、保持部２０によるウェハＷの吸着保持を解除した後、保持部２０から昇降ピン２１にウェハＷが受け渡される。このとき、図１３に示すようにウェハＷの表面高さはウェハ面内で一様になり、これに伴い、ウェハＷ上に塗布された接着剤Ｇの膜厚もウェハ面内で均一になる。
【００４８】
その後、ウェハＷは搬送機構（図示せず）により処理容器１０から搬出され、一連の塗布処理が終了する。
【００４９】
以上の実施の形態によれば、保持部２０に保持されたウェハＷの外周部は突起部５０に支持されているので、当該ウェハＷの外周部表面は内周部表面に比べて高くなっている。すなわち、外周部表面と塗布ノズル３２との距離は、内周部表面と塗布ノズル３２との距離より小さくなっている。そうすると、塗布ノズル３２からウェハＷの外周部に塗布される外周部接着剤Ｇ１の膜厚Ｔ１’は、内周部に塗布される内周部接着剤Ｇ２の膜厚Ｔ２より小さくなるように制御されるため、塗布ノズル３２がウェハＷの外周部から離れた際に外周部接着剤Ｇ１が盛り上がっても、従来のハンプの発生を抑制することができる。したがって、接着剤Ｇをウェハ面内で均一に塗布することができる。
【００５０】
しかも本実施の形態では、キャピラリー塗布法を用いているので、ウェハＷに供給された接着剤Ｇが当該ウェハＷの外に流出することがなく、塗布ノズル３２から必要量の接着剤ＧのみをウェハＷに供給すればよい。したがって、例えばスピン塗布法に比べて、接着剤Ｇの供給量を少量化することができる。
【００５１】
ここで、従来において、本実施の形態のように保持部２０の外周部表面に突起部５０を設けない場合、図１６に示したようにウェハＷの外周部にハンプＰが形成されるのに加えて、図１７に示すように当該ハンプＰの幅が塗布方向（塗布ノズル３２の移動方向）に異なる場合がある。平面視において円形状を有するウェハＷ上に接着剤Ｇを塗布する場合、ハンプＰは、その中心部Ｃから塗布ノズル３２の移動方向（図１７のＹ方向負方向）に、異なる幅を有する第１のハンプＰ１と第２のハンプＰ２に分割される。第１のハンプＰ１は、塗布ノズル３２の移動の前半部分（中心部ＣよりＹ方向正方向側）に形成される。第２のハンプＰ２は、塗布ノズル３２の移動の後半部分（中心部ＣよりＹ方向負方向側）に形成される。そして、第２のハンプＰ２の幅Ｊ２は、第１のハンプＰ１の幅Ｊ１よりも大きくなる。
【００５２】
このように第１のハンプＰ１の幅Ｊ１と第２のハンプＰ２の幅Ｊ２が異なる原因について、発明者らは次のように推察する。図１８は、図１７における中心部ＣよりＹ方向正方向側のＡ−Ａ断面を示している。図１９は、図１７における中心部ＣよりＹ方向負方向側のＢ−Ｂ断面を示している。
【００５３】
塗布ノズル３２の移動の前半部分においては、当該塗布ノズル３２の移動に伴い、ウェハＷのＸ方向の幅が大きくなる。そうすると、図１８に示すようにウェハＷの表面と塗布ノズル３２との間の接着剤Ｇは、その外周面が内側に窪んだ形状となる。このため、ウェハＷの外周部において盛り上がる接着剤Ｇの量が少量となり、第１のハンプＰ１の幅Ｊ１が小さくなる。
【００５４】
一方、塗布ノズル３２の移動の後半部分においては、当該塗布ノズル３２の移動に伴い、ウェハＷのＸ方向の幅が小さくなる。そうすると、図１９に示すようにウェハＷの表面と塗布ノズル３２との間の接着剤Ｇは、その外周面が外側に突出した形状となる。このため、ウェハＷの外周部において盛り上がる接着剤Ｇの量が多量となり、第２のハンプＰ２の幅Ｊ２が大きくなる。
【００５５】
この点、本実施の形態によれば、上述したように従来のハンプ自体の発生を抑制することができる。したがって、塗布ノズル３２の移動の前半と後半で、ウェハＷの外周部における接着剤Ｇの盛り上がる幅が異なる場合でも、ハンプ自体の発生を許容範囲に抑制して、接着剤Ｇをウェハ面内で均一に塗布することができる。
【００５６】
なお、塗布ノズル３２の移動の前半と後半で接着剤Ｇの盛り上がる幅が異なるのを積極的に抑制するため、当該塗布ノズル３２の移動の前半と後半で突起部５０の形状を変えてもよい。図１４に示すように突起部５０は、その中心部Ｃから塗布ノズル３２の移動方向に、第１の突起部材５０ａと第２の突起部材５０ｂに分割されている。第１の突起部材５０ａは、塗布ノズル３２の移動の前半部分（中心部ＣよりＹ方向正方向側）に形成される。第１の突起部材５０ａの幅Ｋ１は、図１７における第１のハンプＰ１の幅Ｊ１に対応して小さい。第２の突起部材５０ｂは、塗布ノズル３２の移動の後半部分（中心部ＣよりＹ方向負方向側）に形成される。第２の突起部材５０ｂの幅Ｋ２は、図１７における第２のハンプＰ２の幅Ｊ２に対応して大きい。
【００５７】
かかる場合、第１の突起部材５０ａの幅Ｋ１と第２の突起部材５０ｂの幅Ｋ２は、それぞれ塗布ノズル３２の移動の前半と後半において、ウェハＷの外周部で盛り上がる接着剤Ｇの幅に応じて設定される。このため、塗布ノズル３２の移動の前半と後半のいずれにおいても、従来のハンプの発生を同じように抑制することができる。すなわち、塗布処理後のウェハＷの外周部上の接着剤Ｇの形状を同一にすることができる。したがって、接着剤Ｇをウェハ面内でさらに均一に塗布することができる。
【００５８】
なお、上記実施の形態では第１の突起部材５０ａの幅Ｋ１と第２の突起部材５０ｂの幅Ｋ２が異なるようにしたが、第１の突起部材５０ａの高さＨ１と第２の突起部材５０ｂの高さＨ２が異なるように制御してもよい。すなわち、塗布ノズル３２の移動の前半と後半で接着剤Ｇの盛り上がり量が異なるのに応じて、第１の突起部材５０ａの高さＨ１と第２の突起部材５０ｂの高さＨ２が異なるように制御する。具体的には、第１の突起部材５０ａの高さＨ１が第２の突起部材５０ｂの高さＨ２より高くなるように制御する。或いは、第１の突起部材５０ａの幅Ｋ１及び高さＨ１と第２の突起部材５０ｂの幅Ｋ２及び高さＨ２とが両方異なるように制御してもよい。いずれの場合でも、塗布ノズル３２の移動の前半と後半において、塗布処理後のウェハＷの外周部上の接着剤Ｇの形状を同一にすることができる。
【００５９】
以上の実施の形態では、保持部２０の外周部表面に突起部５０を形成するに際し、保持部２０の外周部表面にフッ素樹脂６２を塗布していたが、突起部５０の形成方法はこれに限定されず、種々の方法を取り得る。
【００６０】
例えば図１５に示すように、保持部２０の外周部において、当該外周部に沿って溝部１５０を形成し、当該溝部１５０内に環状の突起部１６０を配置してもよい。突起部１６０は、その表面が保持部２０の表面より突出するように形成される。なお、溝部１５０と突起部１６０との間には、例えばＯリング等のシール材（図示せず）が設けられる。かかる場合、機械加工によって保持部２０の外周部に突起部１６０を形成することができるので、当該突起部１６０の形成を容易にすることができる。
【００６１】
なお、上記実施の形態において、突起部５０、１６０は環状に設けられていたが、保持部２０の外周部において分割して複数に設けられていてもよい。
【００６２】
以上の実施の形態では、ノズル駆動部３３によって塗布ノズル３２を水平方向に移動させることで、ウェハＷと塗布ノズル３２を相対的に移動させたが、ウェハＷが保持される保持部２０を水平方向に移動させるようにしてもよい。或いは、塗布ノズル３２と保持部２０の両方を水平方向に移動させるようにしてもよい。
【００６３】
以上の実施の形態では、保持部２０に真空チャックを用いていたが、これに限定されず、例えば静電チャック等、種々の保持手段を用いることができる。
【００６４】
また、以上の実施の形態では、塗布液として接着剤Ｇを用いた場合について説明したが、例えばウェハＷ上の回路を封止するための塗布液や、ポリイミド、レジスト液など他の塗布液をウェハＷ上に塗布する場合にも本発明は適用できる。特に高粘度の塗布液を用いる場合、上述したように従来のハンプが生じやすいので、本発明は特に有用となる。
【００６５】
以上、添付図面を参照しながら本発明の好適な実施の形態について説明したが、本発明はかかる例に限定されない。当業者であれば、特許請求の範囲に記載された思想の範疇内において、各種の変更例または修正例に想到し得ることは明らかであり、それらについても当然に本発明の技術的範囲に属するものと了解される。本発明はこの例に限らず種々の態様を採りうるものである。本発明は、基板がウェハ以外のＦＰＤ（フラットパネルディスプレイ）、フォトマスク用のマスクレチクルなどの他の基板である場合にも適用できる。
【符号の説明】
【００６６】
１      塗布処理装置
２０    保持部
３２    塗布ノズル
３２ａ  吐出口
３３    ノズル駆動部
５０    突起部
５０ａ  第１の突起部材
５０ｂ  第２の突起部材
６２    フッ素樹脂
１００  制御部
１５０  溝部
１６０  突起部
Ｇ      接着剤
Ｇ１    外周部接着剤
Ｇ２    内周部接着剤
Ｗ      ウェハ
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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