(57)【要約】【課題】基板の変形を抑制しつつ上面周縁部を処理するとともに、処理に要するエネルギーを抑制する。【解決手段】基板処理装置は、基板を水平姿勢に保持しつつ回転させる基板回転部と、基板の下方から基板の下面に向けて加熱された流体を吐出する下ノズルと、基板の上方から基板の上面周縁部に向けて処理液を吐出する上ノズルと、を備える。下ノズルは、加熱された流体の供給路と、供給路から供給された加熱された流体の第１部分を、基板の下面のうち下面周縁部に囲まれた下面内側部に向けて吐出する少なくとも１つの第１吐出口と、供給路から供給された加熱された流体の第２部分を、下面周縁部に向けて吐出する少なくとも１つの第２吐出口と、を備える。そして、全ての第２吐出口の面積の和は、全ての第１吐出口の面積の和よりも大きい。【選択図】図６
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板を水平姿勢に保持しつつ、当該基板を、その面内の中心を通る鉛直な回転軸のまわりで回転させる基板回転部と、
前記基板の下方から前記基板の下面に向けて加熱された流体を吐出する下ノズルと、
前記基板の上方から前記基板の上面周縁部に向けて処理液を吐出する上ノズルと、
を備え、
前記下ノズルは、
前記加熱された流体の供給路と、
前記供給路から供給された前記加熱された流体の第１部分を、前記基板の下面のうち下面周縁部に囲まれた下面内側部に向けて吐出する少なくとも１つの第１吐出口と、
前記供給路から供給された前記加熱された流体の第２部分を、前記下面周縁部に向けて吐出する少なくとも１つの第２吐出口と、
を備え、
全ての第２吐出口の面積の和は、全ての第１吐出口の面積の和よりも大きい、基板処理装置。
【請求項２】
請求項１に記載の基板処理装置であって、
前記少なくとも１つの第１吐出口が、複数の第１吐出口を含み、
１以上の第２吐出口の各面積は、２以上の第１吐出口の何れの面積よりも大きい、基板処理装置。
【請求項３】
請求項１または請求項２に記載の基板処理装置であって、
前記少なくとも１つの第１吐出口が、前記回転軸からの距離が相互に異なる複数の第１吐出口を含んでいる、基板処理装置。
【請求項４】
請求項１から請求項３の何れか１つの請求項に記載の基板処理装置であって、
前記供給路は、
前記基板の中央部分の下方から前記下面周縁部の下方に延設され、前記加熱された流体を流通させる少なくとも１つの管路を備え、
各管路には、第１吐出口と第２吐出口との双方が設けられている、基板処理装置。
【請求項５】
請求項４に記載の基板処理装置であって、
前記供給路は、前記基板の中央部分の下方に設けられた導入口を通じて、前記下ノズルの外部から前記加熱された流体を受け入れるとともに、
各管路は、
一端において前記導入口が開口するとともに、前記導入口から前記回転軸の遠心方向に延設された幹流路と、
前記幹流路から分岐して前記下面周縁部の下方に延設された複数の枝流路と、
を備えており、
前記幹流路において、１以上の第１吐出口が開口しており、
前記複数の枝流路のそれぞれにおいて、１以上の第２吐出口が開口している、基板処理装置。
【請求項６】
請求項１から請求項５の何れか１つの請求項に記載の基板処理装置であって、
前記少なくとも１つの第２吐出口は、前記少なくとも１つの第１吐出口よりも、前記基板の下面に近い位置に形成されている、基板処理装置。
【請求項７】
請求項１から請求項６の何れか１つの請求項に記載の基板処理装置であって、
前記下ノズルは、
前記少なくとも１つの第１吐出口と前記少なくとも１つの第２吐出口との間に、前記回転軸方向の段差をなすように前記基板の下面側に突出している壁部をさらに備えている、基板処理装置。
【請求項８】
請求項１から請求項７の何れか１つの請求項に記載の基板処理装置であって、
前記加熱された流体が過熱水蒸気である、基板処理装置。
【請求項９】
基板を水平姿勢に保持しつつ、当該基板を、その面内の中心を通る鉛直な回転軸のまわりで回転させる基板回転部と、
前記基板の下方から前記基板の下面に向けて加熱された流体を吐出する下ノズルと、
前記基板の上方から前記基板の上面周縁部に向けて処理液を吐出する上ノズルと、
を備え、
前記下ノズルは、
前記加熱された流体の供給路と、
前記供給路から供給された前記加熱された流体の第１部分を、前記基板の下面のうち下面周縁部に囲まれた下面内側部に向けて吐出する少なくとも１つの第１吐出口と、
前記供給路から供給された前記加熱された流体の第２部分を、前記下面周縁部に向けて吐出する少なくとも１つの第２吐出口と、
を備え、
前記加熱された流体の前記第１部分の単位時間当りの吐出量は、前記加熱された流体の前記第２部分の単位時間当りの吐出量よりも少ない、基板処理装置。
【請求項１０】
基板を水平姿勢に保持しつつ、当該基板を、その面内の中心を通る鉛直な回転軸のまわりで回転させる基板回転ステップと、
前記基板の下方から、前記基板回転ステップと並行して、加熱された流体を前記基板の下面に向けて吐出する流体吐出ステップと、
前記基板回転ステップおよび前記流体吐出ステップと並行して、前記基板の上方から前記上面周縁部に向けて処理液を吐出する処理液吐出ステップと、
を備え、
前記流体吐出ステップは、
前記基板の下面のうち前記下面周縁部に囲まれた下面内側部に向けて前記加熱された流体の第１部分を吐出するとともに、前記下面周縁部に向けて前記加熱された流体の第２部分を吐出するステップであり、
前記加熱された流体の前記第１部分の単位時間当りの吐出量は、前記加熱された流体の前記第２部分の単位時間当りの吐出量よりも少ない、基板処理方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は、半導体ウェハ、液晶表示装置用ガラス基板、プラズマディスプレイ用ガラス基板、光ディスク用基板、磁気ディスク用基板、光磁気ディスク用基板、フォトマスク用ガラス基板、太陽電池用基板、等（以下、単に「基板」という）に、処理を施す技術に関する。
【背景技術】
【０００２】
基板においては、その端面ぎりぎりまでデバイスパターン（回路パターン）が形成されることはあまりなく、デバイスパターンは、基板の表面領域のうち端面から一定幅の周縁部（表面周縁部）よりも内側の領域に形成されることが多い。
【０００３】
ところが、デバイスパターンを形成するための成膜工程においては、デバイスパターンが形成される領域（以下単に「デバイス領域」ともいう）の外側の表面周縁部まで、膜が形成されることがある。表面周縁部に形成された膜は、不要であるばかりでなく、各種のトラブルの原因にもなり得る。例えば、表面周縁部に形成されている膜が、処理工程の途中で剥がれ落ちて、歩留まりの低下、基板処理装置のトラブルなどを引き起こす虞等がある。
【０００４】
そこで、水平面内で回転されている基板の上面周縁部（表面周縁部）に形成されている薄膜を、エッチングにより除去する処理（所謂、ベベルエッチング処理）が行われることがある。このような処理を行う装置として、例えば、特許文献１、２には、回転されている基板の周縁部にレーザ光線を照射することや、あるいは周縁部の保持部材にヒータを内蔵することによって周縁部を加熱しつつ、上面周縁部に処理液を供給することでエッチングレートを向上させてベベルエッチング処理を行う装置が開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２００３−２６４１６８号公報
【特許文献２】特開２００９−２１３３９号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかしながら、特許文献１、２の装置には、基板の周縁部が加熱されることによって基板の径方向に沿った温度分布が不均一になるため、基板に反りなどの変形が生じて基板が回転中に振動し、エッチング精度が低下するといった問題がある。
【０００７】
そしてこれは、ベベルエッチング処理に限らず、処理液を用いて基板の上面周縁部の処理を行う処理一般に生じる問題である。
【０００８】
本発明は、こうした問題を解決するためになされたものであり、処理液を用いた基板の上面周縁部の処理において、基板の変形を抑制しつつ上面周縁部を処理できるとともに、処理に要するエネルギーを抑制できる技術を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
上記の課題を解決するために、第１の態様に係る基板処理装置は、基板を水平姿勢に保持しつつ、当該基板を、その面内の中心を通る鉛直な回転軸のまわりで回転させる基板回転部と、前記基板の下方から前記基板の下面に向けて加熱された流体を吐出する下ノズルと、前記基板の上方から前記基板の上面周縁部に向けて処理液を吐出する上ノズルと、を備え、前記下ノズルは、前記加熱された流体の供給路と、前記供給路から供給された前記加熱された流体の第１部分を、前記基板の下面のうち下面周縁部に囲まれた下面内側部に向けて吐出する少なくとも１つの第１吐出口と、前記供給路から供給された前記加熱された流体の第２部分を、前記下面周縁部に向けて吐出する少なくとも１つの第２吐出口と、を備え、全ての第２吐出口の面積の和は、全ての第１吐出口の面積の和よりも大きい。
【００１０】
第２の態様に係る基板処理装置は、第１の態様に係る基板処理装置であって、前記少なくとも１つの第１吐出口が、複数の第１吐出口を含み、１以上の第２吐出口の各面積は、２以上の第１吐出口の何れの面積よりも大きい。
【００１１】
第３の態様に係る基板処理装置は、第１または第２の態様に係る基板処理装置であって、前記少なくとも１つの第１吐出口が、前記回転軸からの距離が相互に異なる複数の第１吐出口を含んでいる。
【００１２】
第４の態様に係る基板処理装置は、第１から第３の何れか１つの態様に係る基板処理装置であって、前記供給路は、前記基板の中央部分の下方から前記下面周縁部の下方に延設され、前記加熱された流体を流通させる少なくとも１つの管路を備え、各管路には、第１吐出口と第２吐出口との双方が設けられている。
【００１３】
第５の態様に係る基板処理装置は、第４の態様に係る基板処理装置であって、前記供給路は、前記基板の中央部分の下方に設けられた導入口を通じて、前記下ノズルの外部から前記加熱された流体を受け入れるとともに、各管路は、一端において前記導入口が開口するとともに、前記導入口から前記回転軸の遠心方向に延設された幹流路と、前記幹流路から分岐して前記下面周縁部の下方に延設された複数の枝流路と、を備えており、前記幹流路において、１以上の第１吐出口が開口しており、前記複数の枝流路のそれぞれにおいて、１以上の第２吐出口が開口している。
【００１４】
第６の態様に係る基板処理装置は、第１から第５の何れか１つの態様に係る基板処理装置であって、前記少なくとも１つの第２吐出口は、前記少なくとも１つの第１吐出口よりも、前記基板の下面に近い位置に形成されている。
【００１５】
第７の態様に係る基板処理装置は、第１から第６の何れか１つの請求項に記載の基板処理装置であって、前記下ノズルは、前記少なくとも１つの第１吐出口と前記少なくとも１つの第２吐出口との間に、前記回転軸方向の段差をなすように前記基板の下面側に突出している壁部をさらに備えている。
【００１６】
第８の態様に係る基板処理装置は、第１から第７の何れか１つの態様に係る基板処理装置であって、前記加熱された流体が過熱水蒸気である。
【００１７】
第９の態様に係る基板処理装置は、基板を水平姿勢に保持しつつ、当該基板を、その面内の中心を通る鉛直な回転軸のまわりで回転させる基板回転部と、前記基板の下方から前記基板の下面に向けて加熱された流体を吐出する下ノズルと、前記基板の上方から前記基板の上面周縁部に向けて処理液を吐出する上ノズルと、を備え、前記下ノズルは、前記加熱された流体の供給路と、前記供給路から供給された前記加熱された流体の第１部分を、前記基板の下面のうち下面周縁部に囲まれた下面内側部に向けて吐出する少なくとも１つの第１吐出口と、前記供給路から供給された前記加熱された流体の第２部分を、前記下面周縁部に向けて吐出する少なくとも１つの第２吐出口と、を備え、前記加熱された流体の前記第１部分の単位時間当りの吐出量は、前記加熱された流体の前記第２部分の単位時間当りの吐出量よりも少ない。
【００１８】
第１０の態様に係る基板処理方法は、基板を水平姿勢に保持しつつ、当該基板を、その面内の中心を通る鉛直な回転軸のまわりで回転させる基板回転ステップと、前記基板の下方から、前記基板回転ステップと並行して、加熱された流体を前記基板の下面に向けて吐出する流体吐出ステップと、前記基板回転ステップおよび前記流体吐出ステップと並行して、前記基板の上方から前記上面周縁部に向けて処理液を吐出する処理液吐出ステップと、を備え、前記流体吐出ステップは、前記基板の下面のうち前記下面周縁部に囲まれた下面内側部に向けて前記加熱された流体の第１部分を吐出するとともに、前記下面周縁部に向けて前記加熱された流体の第２部分を吐出するステップであり、前記加熱された流体の前記第１部分の単位時間当りの吐出量は、前記加熱された流体の前記第２部分の単位時間当りの吐出量よりも少ない。
【発明の効果】
【００１９】
第１から第８の何れの態様に係る発明によっても、下ノズルは、少なくとも１つの第１吐出口から基板の下面内側部に加熱された流体を吐出するとともに、少なくとも１つの第２吐出口から下面周縁部に加熱された流体を吐出する。これにより、基板の下面のうち下面周縁部のみに加熱された流体を吐出する場合に比べて、基板の径方向の温度分布の不均一さを改善できる。そして、全ての第２吐出口の面積の和は、全ての第１吐出口の面積の和よりも大きいので、下面内側部よりも下面周縁部に対して、より多量の加熱された流体を吐出できる。これにより、基板のうち周縁部に囲まれた内側部を周縁部よりも低い温度に加熱して基板の加熱に要するエネルギーを抑制できる。従って、基板の変形を抑制しつつ上面周縁部を処理できるとともに、処理に要するエネルギーを抑制できる。
【００２０】
第９態様に係る発明によれば、下ノズルは、少なくとも１つの第１吐出口から基板の下面内側部に加熱された流体を吐出するとともに、少なくとも１つの第２吐出口から下面周縁部に加熱された流体を吐出する。これにより、基板の下面のうち下面周縁部のみに加熱された流体を吐出する場合に比べて、基板の径方向の温度分布の不均一さを改善できる。そして、加熱された流体の第１部分の単位時間当りの吐出量は、加熱された流体の第２部分の単位時間当りの吐出量よりも少ないので、下面内側部よりも下面周縁部に対して、より多量の加熱された流体を吐出できる。これにより、基板のうち周縁部に囲まれた内側部を周縁部よりも低い温度に加熱して基板の加熱に要するエネルギーを抑制できる。従って、基板の変形を抑制しつつ上面周縁部を処理できるとともに、処理に要するエネルギーを抑制できる。
【００２１】
第１０の態様に係る発明によれば、基板の下面内側部に向けて加熱された流体の第１部分が吐出されるとともに、下面周縁部に向けて加熱された流体の第２部分が吐出される。これにより、基板の下面のうち下面周縁部のみに加熱された流体を吐出する場合に比べて、基板の径方向の温度分布の不均一さを改善できる。そして、加熱された流体の第１部分の単位時間当りの吐出量は、加熱された流体の第２部分の単位時間当りの吐出量よりも少ないので、下面内側部よりも下面周縁部に対して、より多量の加熱された流体を吐出できる。これにより、基板のうち周縁部に囲まれた内側部を周縁部よりも低い温度に加熱して基板の加熱に要するエネルギーを抑制できる。従って、基板の変形を抑制しつつ上面周縁部を処理できるとともに、処理に要するエネルギーを抑制できる。
【図面の簡単な説明】
【００２２】
【図１】基板処理システムを模式的に示す概略平面図である。
【図２】処理対象となる基板の周縁部付近の構造を例示する断面図である。
【図３】実施形態に係る基板処理装置の一例を示す概略斜視図である。
【図４】実施形態に係る基板処理装置の一例を示す概略斜視図である。
【図５】図３、図４の基板処理装置の構成の一例を説明するための模式図である。
【図６】図５の裏面用ノズルの構成の一例を示す平面図である。
【図７】図６の裏面用ノズルを矢印Ａ１方向から見た断面図である。
【図８】裏面用ノズルから水蒸気を吐出されている基板を上方から見た図である。
【図９】実施形態に係る基板処理装置が備える裏面用ノズルの他の一例を示す平面図である。
【図１０】実施形態に係る基板処理装置が備える裏面用ノズルの他の一例を示す平面図である。
【図１１】基板処理装置で実行される動作の全体の流れを示す図である。
【図１２】前処理の流れを示す図である。
【図１３】前処理を説明するための図である。
【図１４】表面周縁処理の流れを示す図である。
【図１５】表面周縁処理を説明するための図である。
【発明を実施するための形態】
【００２３】
以下、図面を参照しながら、実施の形態について説明する。以下の実施の形態は、本発明を具体化した一例であり、本発明の技術的範囲を限定する事例ではない。また、以下に参照する各図では、理解容易のため、各部の寸法や数が誇張または簡略化して図示されている場合がある。
【００２４】
＜１．基板処理システム１００＞
＜１−１．構成＞
基板処理システム１００の構成について、図１を参照しながら説明する。図１は、基板処理システム１００を模式的に示す概略平面図である。
【００２５】
基板処理システム１００は、半導体ウェハ等の複数枚の基板９を、一枚ずつ、連続して処理するシステムである。基板９の表面形状は略円形である。
【００２６】
基板処理システム１００は、並設された複数のセル（処理ブロック）（具体的には、インデクサセル１１０および処理セル１２０）と、当該複数のセル１１０，１２０が備える各動作機構等を制御する制御部１３０と、を備える。
【００２７】
＜インデクサセル１１０＞
インデクサセル１１０は、装置外から受け取った未処理の基板９を処理セル１２０に渡すとともに、処理セル１２０から受け取った処理済みの基板９を装置外に搬出するためのセルである。インデクサセル１１０は、複数のキャリアＣを載置するキャリアステージ１１１と、各キャリアＣに対する基板９の搬出入を行う基板搬送装置（移載ロボット）ＩＲと、を備える。
【００２８】
キャリアステージ１１１に対しては、未処理の基板９を収納したキャリアＣが、装置外部から、ＯＨＴ(Overhead Hoist Transfer)等によって搬入されて載置される。未処理の基板９は、キャリアＣから１枚ずつ取り出されて装置内で処理され、装置内での処理が終了した処理済みの基板９は、再びキャリアＣに収納される。処理済みの基板９を収納したキャリアＣは、ＯＨＴ等によって装置外部に搬出される。このように、キャリアステージ１１１は、未処理の基板９および処理済みの基板９を集積する基板集積部として機能する。なお、キャリアＣの形態としては、基板９を密閉空間に収納するＦＯＵＰ(Front Opening Unified Pod)であってもよいし、ＳＭＩＦ(Standard Mechanical Inter Face)ポッドや、収納された基板９を外気に曝すＯＣ(Open Cassette)であってもよい。
【００２９】
移載ロボットＩＲは、基板９を下方から支持することによって、基板９を水平姿勢（基板９の主面が水平な姿勢）で保持するハンド１１２と、ハンド１１２を駆動するハンド駆動機構１１３と、を備える。移載ロボットＩＲは、キャリアステージ１１１に載置されたキャリアＣから未処理の基板９を取り出して、当該取り出した基板９を、基板受渡位置Ｐにおいて搬送ロボットＣＲ（後述する）に渡す。また、移載ロボットＩＲは、基板受渡位置Ｐにおいて搬送ロボットＣＲから処理済みの基板９を受け取って、当該受け取った基板９を、キャリアステージ１１１上に載置されたキャリアＣに収納する。
【００３０】
＜処理セル１２０＞
処理セル１２０は、基板９に処理を行うためのセルである。処理セル１２０は、複数の基板処理装置１と、当該複数の基板処理装置１に対する基板９の搬出入を行う基板搬送装置（搬送ロボットＣＲ）と、を備える。ここでは、複数個（例えば、３個）の基板処理装置１が鉛直方向に積層されて、１個の基板処理装置群１０を構成している。そして、複数個（図示の例では、４個）の基板処理装置群１０が、搬送ロボットＣＲを取り囲むようにクラスタ状（房状）に設置される。
【００３１】
複数の基板処理装置１の各々は、内部に処理空間を形成する筐体１１を備える。筐体１１には、搬送ロボットＣＲのハンド１２１を筐体内部に挿入させるための搬出入口１２が形成されており、基板処理装置１は、搬送ロボットＣＲが配置されている空間に、この搬出入口１２を対向させるようにして配置される。基板処理装置１の具体的な構成については、後に説明する。
【００３２】
搬送ロボットＣＲは、基板９を下方から支持することによって、基板９を水平姿勢で保持するハンド１２１と、ハンド１２１を駆動するハンド駆動機構１２２と、を備える。ただし、上述したとおり、搬送ロボットＣＲ（具体的には、搬送ロボットＣＲの基台）は、複数の基板処理装置群１０に取り囲まれる空間の中央に配置される。搬送ロボットＣＲは、指定された基板処理装置１から処理済みの基板９を取り出して、当該取り出した基板９を、基板受渡位置Ｐにおいて移載ロボットＩＲに渡す。また、搬送ロボットＣＲは、基板受渡位置Ｐにおいて移載ロボットＩＲから未処理の基板９を受け取って、当該受け取った基板９を、指定された基板処理装置１に搬送する。
【００３３】
＜制御部１３０＞
制御部１３０は、移載ロボットＩＲ、搬送ロボットＣＲ、および、一群の基板処理装置１の各々を制御する。制御部１３０のハードウエアとしての構成は、一般的なコンピュータと同様のものを採用できる。すなわち、制御部１３０は、例えば、各種演算処理を行うＣＰＵ、基本プログラムを記憶する読み出し専用のメモリであるＲＯＭ、各種情報を記憶する読み書き自在のメモリであるＲＡＭ、制御用ソフトウェアやデータなどを記憶しておく磁気ディスク、等を備えている。制御部１３０において、プログラムに記述された手順に従って主制御部としてのＣＰＵが演算処理を行うことにより、基板処理システム１００の各部を制御する各種の機能部が実現される。もっとも、制御部１３０において実現される一部あるいは全部の機能部は、専用の論理回路などでハードウエア的に実現されてもよい。
【００３４】
＜１−２．動作＞
基板処理システム１００の全体動作について、引き続き図１を参照しながら説明する。基板処理システム１００においては、制御部１３０が、基板９の搬送手順および処理条件等を記述したレシピにしたがって、基板処理システム１００が備える各部を制御することによって、以下に説明する一連の動作が実行される。
【００３５】
未処理の基板９を収容したキャリアＣがキャリアステージ１１１に載置されると、移載ロボットＩＲが、当該キャリアＣから未処理の基板９を取り出す。そして、移載ロボットＩＲは、未処理の基板９を保持したハンド１１２を基板受渡位置Ｐまで移動させて、基板受渡位置Ｐにおいて、当該未処理の基板９を、搬送ロボットＣＲに渡す。ハンド１２１上に未処理の基板９を受け取った搬送ロボットＣＲは、当該未処理の基板９を、レシピにて指定された基板処理装置１に搬入する。なお、移載ロボットＩＲと搬送ロボットＣＲとの間の基板９の受け渡しは、ハンド１１２，１２１間で直接に行われてもよいし、基板受渡位置Ｐに設けられた載置部などを介して行われてもよい。
【００３６】
基板９が搬入された基板処理装置１においては、基板９に対して、定められた処理が実行される。基板処理装置１にて実行される処理の流れについては、後に説明する。
【００３７】
基板処理装置１において基板９に対する処理が終了すると、搬送ロボットＣＲは、処理済みの基板９を基板処理装置１から取り出す。そして、搬送ロボットＣＲは、処理済みの基板９を保持したハンド１２１を基板受渡位置Ｐまで移動させて、基板受渡位置Ｐにおいて、当該処理済みの基板９を、移載ロボットＩＲに渡す。ハンド１１２上に処理済みの基板９を受け取った移載ロボットＩＲは、当該処理済みの基板９を、キャリアＣに格納する。
【００３８】
基板処理システム１００においては、搬送ロボットＣＲおよび移載ロボットＩＲが、レシピにしたがって、上述した搬送動作を反復して行うとともに、各基板処理装置１が、レシピにしたがって、基板９に対する処理を実行する。これによって、基板９に対する処理が次々と行われていくことになる。
【００３９】
＜２．基板９＞
次に、基板処理装置１にて処理対象とされる基板９について、図２を参照しながら説明する。図２は、基板９の周縁部付近を示す断面図である。
【００４０】
基板処理装置１にて処理対象とされる基板９の主面形状は略円形であり、その直径は、例えば、３００ｍｍなどである。基板９は、例えば、シリコン（Ｓｉ）により構成される中心層９０１、中心層９０１の外側に成膜された下層膜９０２、および、下層膜９０２の外側に成膜された上層膜９０３、の三層構造を備える。下層膜９０２は、例えば、熱酸化膜（Ｔｈ−ＳｉＯ２）、あるいは、絶縁膜（例えば、Ｈｆ（ハフニューム）膜、または、酸化Ｈｆ膜、等）である。また、上層膜９０３は、例えば、バリアメタル膜（例えば、ＴｉＮ膜、ＴａＮ膜、等）、あるいは、メタル膜（例えば、Ａｌ膜、Ｗ膜、ＮｉＳｉ膜、Ｃｕ膜、等）である。もっとも、基板処理装置１で処理対象とされる基板９は、例えば、中心層９０１と下層膜９０２との二層構造を備えるものであってもよいし、４層以上の構造を備えるものであってもよい。
【００４１】
基板９は、２つの主面のうちデバイスパターンが形成される方の面を上に向けて基板処理装置１に保持される。以下において、基板９の各主面のうちのデバイスパターンが形成される方の面を「表面（「上面」）９１」という。また、表面９１の反対側の面を「裏面（「下面」）９２」という。さらに、表面９１における、デバイスパターンが形成される領域を「デバイス領域９０」という。また、表面９１における、デバイス領域９０よりも外側の周縁領域（具体的には、例えば、基板９の端面９３から定められた幅ｄ１（例えば、ｄ１＝０．５ｍｍ〜３．０ｍｍ（ミリメートル））の環状の領域）を「表面周縁部（「上面周縁部」）９１１」という。また、裏面９２における、端面９３から定められた幅ｄ２（例えば、ｄ２＝１０ｍｍ〜３０ｍｍ）の環状の領域を「裏面周縁部（「下面周縁部」）９２１」という。
【００４２】
基板処理装置１は、上述されたような多層構造を備える基板９を処理対象として、その表面周縁部９１１に対する処理（例えば、表面周縁部９１１に形成されている薄膜を除去する処理）を行うことができる。
【００４３】
＜３．基板処理装置１の構成＞
基板処理装置１の構成について、図３〜図５を参照しながら説明する。図３は、基板処理装置１の概略斜視図であり、ガード部材６０を構成する半円弧部材６１，６２、カップ３１、および、周縁部用吐出ヘッド５１が、各々の待避位置に配置されている状態が示されている。図４も、基板処理装置１の概略斜視図であるが、ここでは、ガード部材６０、カップ３１、および、周縁部用吐出ヘッド５１が、各々の処理位置に配置されている状態が示されている。図５は、基板処理装置１の構成を説明するための模式図である。本明細書において上下は、スピンベース２１（図５）に対して基板９がある側を上、その反対を下、と定義する。
【００４４】
なお、以下の説明において、「処理液」には、薬液処理に用いられる「薬液」と、薬液をすすぎ流すリンス処理に用いられる「リンス液」と、が含まれる。
【００４５】
基板処理装置１は、スピンチャック２、飛散防止部３、表面保護部４、周縁処理部５、液跳ね抑制部６、および加熱処理部７を備える。これら各部２〜７は、制御部１３０と電気的に接続されており、制御部１３０からの指示に応じて動作する。
【００４６】
＜スピンチャック２＞
スピンチャック２は、基板９のデバイスパターンが形成される面を上に向けた状態で、基板９を略水平姿勢に保持する基板回転部であって、当該基板９を、その表面９１の中心を通る鉛直な回転軸Ａのまわりで回転させる。
【００４７】
スピンチャック２は、基板９より若干大きい円板状の部材であるスピンベース２１を備える。スピンベース２１の中央部には、スピンベース２１を上下に貫通する図示省略の貫通孔が設けられており、スピンベース２１の下面中央部には、円筒状の回転軸部２２が、その軸線を鉛直方向に沿わした姿勢で連結されている。スピンベース２１の貫通孔と回転軸部２２の中空部とは連通されている。また、回転軸部２２には、これをその軸線まわりに回転駆動する回転駆動部（例えば、モータ）２３が接続される。回転軸部２２および回転駆動部２３は、筒状のケーシング２４内に収容されている。また、スピンベース２１の上面の周縁部付近には、適当な間隔をおいて複数個（例えば６個）の保持部材２５が設けられている。保持部材２５は、基板９の端面９３と当接して基板９の水平方向の位置決めを行うとともに、スピンベース２１の上面より僅かに高い位置で（すなわち、スピンベース２１の上面から定められた間隔を隔てて）、基板９を略水平姿勢で保持する。
【００４８】
この構成において、保持部材２５がスピンベース２１の上方で基板９を保持した状態で、回転駆動部２３が回転軸部２２を回転すると、スピンベース２１が鉛直方向に沿った軸心周りで回転され、これによって、スピンベース２１上に保持された基板９が、その面内の中心を通る鉛直な回転軸Ａのまわりで、回転される。
【００４９】
ただし、保持部材２５および回転駆動部２３は、制御部１３０と電気的に接続されており、制御部１３０の制御下で動作する。つまり、スピンベース２１上に基板９を保持するタイミング、保持された基板９を開放するタイミング、および、スピンベース２１の回転態様（具体的には、回転開始タイミング、回転終了タイミング、回転数（すなわち、回転速度）、等）は、制御部１３０によって制御される。
【００５０】
＜飛散防止部３＞
飛散防止部３は、スピンベース２１に保持されて回転される基板９から飛散する処理液等を受け止める。
【００５１】
飛散防止部３は、カップ３１を備える。カップ３１は、上端が開放された筒形状の部材であり、スピンチャック２を取り囲むように設けられる。この実施の形態では、カップ３１は、例えば、内部材３１１、中部材３１２、および、外部材３１３の３個の部材を含んで構成されている。
【００５２】
内部材３１１は、上端が開放された筒形状の部材であり、円環状の底部３１１ａと、底部３１１ａの内側縁部から上方に延びる円筒状の内壁部３１１ｂと、底部３１１ａの外側縁部から上方に延びる円筒状の外壁部３１１ｃと、内壁部３１１ｂと外壁部３１１ｃとの間に立設された円筒状の案内壁３１１ｄと、を備える。案内壁３１１ｄは、底部３１１ａから上方に延び、上端部付近は、内側上方に向かって湾曲している。内壁部３１１ｂの少なくとも先端付近は、スピンチャック２のケーシング２４に設けられた鍔状部材２４１の内側空間に収容される。
【００５３】
底部３１１ａには、内壁部３１１ｂと案内壁３１１ｄとの間の空間と連通する排液溝（図示省略）が形成される。この排液溝は、工場の排液ラインと接続される。また、この排液溝には、溝内を強制的に排気して、内壁部３１１ｂと案内壁３１１ｄとの間の空間を負圧状態とする排気液機構が接続されている。内壁部３１１ｂと案内壁３１１ｄとの間の空間は、基板９の処理に使用された処理液を集めて排液するための空間であり、この空間に集められた処理液は、排液溝から排液される。
【００５４】
また、底部３１１ａには、案内壁３１１ｄと外壁部３１１ｃとの間の空間と連通する第１の回収溝（図示省略）が形成される。第１の回収溝は、第１の回収タンクと接続される。また、この第１の回収溝には、溝内を強制的に排気して、案内壁３１１ｄと外壁部３１１ｃとの間の空間を負圧状態とする排気液機構が接続されている。案内壁３１１ｄと外壁部３１１ｃとの間の空間は、基板９の処理に使用された処理液を集めて回収するための空間であり、この空間に集められた処理液は、第１の回収溝を介して、第１の回収タンクに回収される。
【００５５】
中部材３１２は、上端が開放された筒形状の部材であり、内部材３１１の案内壁３１１ｄの外側に設けられている。中部材３１２の上部は内側上方に向かって湾曲しており、その上端縁部は案内壁３１１ｄの上端縁部に沿って折曲されている。
【００５６】
中部材３１２の下部には、内周面に沿って下方に延びる内周壁部３１２ａと、外周面に沿って下方に延びる外周壁部３１２ｂとが形成される。内周壁部３１２ａは、内部材３１１と中部材３１２とが近接する状態（図５に示される状態）において、内部材３１１の案内壁３１１ｄと外壁部３１１ｃとの間に収容される。また、外周壁部３１２ｂの下端は、円環状の底部３１２ｃの内側縁部に着設される。底部３１２ｃの外側縁部からは、上方に延びる円筒状の外壁部３１２ｄが立設される。
【００５７】
底部３１２ｃには、外周壁部３１２ｂと外壁部３１２ｄとの間の空間と連通する第２の回収溝（図示省略）が形成される。第２の回収溝は、第２の回収タンクと接続される。また、この第２の回収溝には、溝内を強制的に排気して、外周壁部３１２ｂと外壁部３１２ｄとの間の空間を負圧状態とする排気液機構が接続されている。外周壁部３１２ｂと外壁部３１２ｄとの間の空間は、基板９の処理に使用された処理液を集めて回収するための空間であり、この空間に集められた処理液は、第２の回収溝を介して、第２の回収タンクに回収される。
【００５８】
外部材３１３は、上端が開放された筒形状の部材であり、中部材３１２の外側に設けられている。外部材３１３の上部は内側上方に向かって湾曲しており、その上端縁部３０１は、中部材３１２の上端縁部および内部材３１１の上端縁部より僅かに内方で下方に折曲されている。内部材３１１，中部材３１２、および、外部材３１３が近接する状態（図５に示される状態）において、中部材３１２の上端縁部および内部材３１１の上端縁部が、外部材３１３の折曲された部分によって、覆われる。
【００５９】
外部材３１３の下部には、内周面に沿って下方に延びるように内周壁部３１３ａが形成される。内周壁部３１３ａは、中部材３１２と外部材３１３とが近接する状態（図５に示される状態）において、中部材３１２の外周壁部３１２ｂと外壁部３１２ｄとの間に収容される。
【００６０】
カップ３１には、これを昇降移動させるカップ駆動機構３２が配設されている。カップ駆動機構３２は、例えば、ステッピングモータにより構成される。この実施の形態では、カップ駆動機構３２は、カップ３１が備える３個の部材３１１，３１２，３１３を、独立して昇降させる。
【００６１】
内部材３１１、中部材３１２、および、外部材３１３の各々は、カップ駆動機構３２の駆動を受けて、上方位置と下方位置との間で移動される。ここで、各部材３１１，３１２，３１３の上方位置は、当該部材３１１，３１２，３１３の上端縁部が、スピンベース２１上に保持された基板９の側方に配置される位置である。一方、各部材３１１，３１２，３１３の下方位置は、当該部材３１１，３１２，３１３の上端縁部が、スピンベース２１の上面よりも下方に配置される位置である。ただし、カップ駆動機構３２は、制御部１３０と電気的に接続されており、制御部１３０の制御下で動作する。つまり、カップ３１の位置（具体的には、内部材３１１、中部材３１２、および、外部材３１３各々の位置）は、制御部１３０によって制御される。
【００６２】
外部材３１３が下方位置に配置されている状態（すなわち、内部材３１１、中部材３１２、および、外部材３１３の全てが、下方位置に配置されている状態）を指して、以下「カップ３１が待避位置にある」という。スピンベース２１上に基板９が保持されていない間は、カップ３１は、待避位置に配置される。つまり、スピンベース２１上に基板９が保持されていない間は、カップ３１は、その上端縁部（すなわち、外部材３１３の上端縁部）３０１がスピンベース２１の上面よりも下方にくるような位置に配置される。
【００６３】
一方、外部材３１３が上方位置に配置されている状態を指して、以下「カップ３１が処理位置にある」という。処理位置にあるカップ３１の上端縁部（すなわち、外部材３１３の上端縁部３０１）は、スピンベース２１上に保持された基板９の側方に配置されることになる。ただし、「カップ３１が処理位置にある」状態には、以下の３つの状態が含まれる。第１の状態は、内部材３１１、中部材３１２、および、外部材３１３の全てが、上方位置に配置された状態である（図５に示される状態）。この状態では、スピンチャック２に保持されている基板９から飛散した処理液は、内部材３１１の内壁部３１１ｂと案内壁３１１ｄとの間の空間に集められて、排液溝から排液される。第２の状態は、内部材３１１が下方位置に配置されるとともに、中部材３１２および外部材３１３が上方位置に配置された状態である。この状態では、スピンチャック２に保持されている基板９から飛散した処理液は、内部材３１１の案内壁３１１ｄと外壁部３１１ｃとの間の空間に集められて、第１の回収タンクに回収される。第３の状態は、内部材３１１および中部材３１２が下方位置に配置されるとともに、外部材３１３が上方位置に配置された状態である。この状態では、スピンチャック２に保持されている基板９から飛散した処理液は、中部材３１２の外周壁部３１２ｂと外壁部３１２ｄとの間の空間に集められて、第２の回収タンクに回収される。
【００６４】
＜表面保護部４＞
表面保護部４は、スピンベース２１上に保持された基板９の表面９１の中央付近に対して、ガス（カバーガス）を供給して、デバイス領域９０を、表面周縁部９１１等に供給された処理液の雰囲気等から保護する。
【００６５】
表面保護部４は、スピンベース２１上に保持される基板９の表面９１の中央付近に向けて、ガスを吐出するカバーガスノズル４１を備える。カバーガスノズル４１は、水平に延在するアーム４２の先端部に取り付けられている。また、アーム４２の基端部は、ノズル基台４３に連結されている。ノズル基台４３は、その軸線を鉛直方向に沿わすような姿勢で配置されており、アーム４２の基端部はノズル基台４３の上端に連結されている。
【００６６】
ノズル基台４３には、カバーガスノズル４１を駆動する駆動部４４が配設されている。駆動部４４は、例えば、ノズル基台４３をその軸線まわりに回転させる回転駆動部（例えば、サーボモータ）と、ノズル基台４３をその軸線に沿って伸縮させる昇降駆動部（例えば、ステッピングモータ）と、を含んで構成される。駆動部４４がノズル基台４３を回動させると、カバーガスノズル４１が、水平面内の円弧軌道に沿って移動し、駆動部４４がノズル基台４３を伸縮させると、カバーガスノズル４１が、基板９と近接離間する方向に移動する。
【００６７】
カバーガスノズル４１は、駆動部４４の駆動を受けて、処理位置と待避位置との間で移動される。ここで、カバーガスノズル４１の処理位置は、スピンベース２１上に保持される基板９の上方の位置であって、表面９１の中央付近と対向しつつ、表面９１と非接触状態で近接した位置である。一方、カバーガスノズル４１の待避位置は、搬送経路に沿って搬送される基板９と、退避されたカバーガスノズル４１とが接触しない位置であり、例えば、上方から見て、カップ３１の上端縁部３０１よりも外側の位置である。また、駆動部４４は、制御部１３０と電気的に接続されており、制御部１３０の制御下で動作する。つまり、カバーガスノズル４１の位置は、制御部１３０によって制御される。
【００６８】
カバーガスノズル４１には、これにガス（ここでは、例えば、窒素（Ｎ２）ガス）を供給する配管系であるカバーガス供給部４５が接続されている。カバーガス供給部４５は、具体的には、例えば、窒素ガスを供給する供給源である窒素ガス供給源４５１が、開閉弁４５３が介挿された配管４５２を介して、カバーガスノズル４１に接続された構成を備えている。この構成において、開閉弁４５３が開放されると、窒素ガス供給源４５１から供給される窒素ガスが、カバーガスノズル４１から吐出される。なお、カバーガスノズル４１に供給されるガスは、窒素ガス以外の気体（例えば、窒素ガス以外の各種の不活性ガス、乾燥空気、等）であってもよい。
【００６９】
カバーガスノズル４１が処理位置に配置されている状態において、カバーガス供給部４５からカバーガスノズル４１にガスが供給されると、カバーガスノズル４１から、スピンベース２１上に保持される基板９の表面９１の中央付近に向けて、ガス（カバーガス）が吐出される。ただし、カバーガス供給部４５の開閉弁４５３は、制御部１３０と電気的に接続されており、制御部１３０の制御下で開閉される。つまり、カバーガスノズル４１からのガスの吐出態様（具体的には、吐出開始タイミング、吐出終了タイミング、吐出流量、等）は、制御部１３０によって制御される。
【００７０】
＜周縁処理部５＞
周縁処理部５は、スピンベース２１上に保持された基板９の表面周縁部９１１に対する処理を行う。
【００７１】
周縁処理部５は、スピンベース２１上に保持される基板９の上方から表面周縁部９１１に向けて、流体（ここでは、処理液、および、ガス）を吐出する周縁部用吐出ヘッド（「上ノズル」とも称する）５１を備える。より詳細には、周縁部用吐出ヘッド５１は、後述する加熱処理部７の裏面用ノズル７１が、加熱された水蒸気を裏面９２に吐出している間に、当該吐出処理と並行して、基板９の表面周縁部９１１に向けて処理液などの流体を吐出する。
【００７２】
周縁部用吐出ヘッド５１は、水平に延在するアーム５２の先端部に取り付けられている。また、アーム５２の基端部は、ノズル基台５３に連結されている。ノズル基台５３は、その軸線を鉛直方向に沿わすような姿勢で配置されており、アーム５２の基端部はノズル基台５３の上端に連結されている。
【００７３】
ノズル基台５３には、周縁部用吐出ヘッド５１を駆動する駆動部５４が配設されている。駆動部５４は、例えば、ノズル基台５３をその軸線まわりに回転させる回転駆動部（例えば、サーボモータ）と、ノズル基台５３をその軸線に沿って伸縮させる昇降駆動部（例えば、ステッピングモータ）と、を含んで構成される。駆動部５４がノズル基台５３を回動させると、周縁部用吐出ヘッド５１が、水平面内の円弧軌道に沿って移動し、駆動部５４がノズル基台５３を伸縮させると、周縁部用吐出ヘッド５１が、基板９と近接離間する方向に移動する。
【００７４】
周縁部用吐出ヘッド５１は、駆動部５４の駆動を受けて、処理位置と待避位置との間で移動される。ここで、周縁部用吐出ヘッド５１の処理位置は、スピンベース２１上に保持される基板９の上方であって、表面周縁部９１１と対向しつつ、表面周縁部９１１と非接触状態で近接した位置である（図４に示される位置）。ただし、周縁部用吐出ヘッド５１が処理位置に配置された状態において、周縁部用吐出ヘッド５１の少なくとも一部分が、後述するガード部材６０の内周壁に形成された切り欠き６０５内に収容された状態となる。一方、周縁部用吐出ヘッド５１の待避位置は、搬送経路に沿って搬送される９と退避された周縁部用吐出ヘッド５１とが接触しない位置であり、例えば、上方から見て、カップ３１の上端縁部３０１よりも外側の位置である（図３に示される位置）。また、駆動部５４は、制御部１３０と電気的に接続されており、制御部１３０の制御下で動作する。つまり、周縁部用吐出ヘッド５１の位置は、制御部１３０によって制御される。
【００７５】
周縁部用吐出ヘッド５１には、これに流体（具体的には、処理液およびガス）を供給する配管系である流体供給部５５が接続されている。流体供給部５５は、具体的には、例えば、酸系薬液供給源５５１ａ、アルカリ系薬液供給源５５１ｂ、リンス液供給源５５１ｃ、窒素ガス供給源５５１ｄ、複数の配管５５２ａ，５５２ｂ，５５２ｃ，５５２ｄ、および、複数の開閉弁５５３ａ，５５３ｂ，５５３ｃ，５５３ｄを、組み合わせて構成されている。
【００７６】
酸系薬液供給源５５１ａは、酸性の薬液を供給する供給源である。ここでは、酸系薬液供給源５５１ａは、例えば、希釈したフッ化水素酸（希フッ酸）（以下、「ＤＨＦ」と示す）と、塩酸過酸化水素水（すなわち、塩酸（ＨＣｌ）と過酸化水素（Ｈ２Ｏ２）と純水（ＤＩＷ：脱イオン水）とが、定められた比率で混合された薬液であり、以下、「ＳＣ−２」と示す）とを、選択的に供給できる。酸系薬液供給源５５１ａは、開閉弁５５３ａが介挿された配管５５２ａを介して、周縁部用吐出ヘッド５１（より具体的には、周縁部用吐出ヘッド５１が備える第１薬液ノズル５０ａ）に接続されている。したがって、開閉弁５５３ａが開放されると、酸系薬液供給源５５１ａから供給される酸性の薬液（ＤＨＦ、あるいは、ＳＣ−２）が、第１薬液ノズル５０ａから吐出される。もっとも、酸系薬液供給源５５１ａは、必ずしもＤＨＦおよびＳＣ−２を選択的に供給するものに限らない。例えば、酸系薬液供給源５５１ａは、ＤＨＦ、ＳＣ−２、ＢＤＨＦ（バッファードフッ酸）、ＨＦ（フッ酸）、塩酸、硫酸、硝酸、リン酸、酢酸、シュウ酸、およびこれらの混合溶液、等のうちの少なくとも１つを供給するものであってもよい。
【００７７】
アルカリ系薬液供給源５５１ｂは、アルカリ性の薬液を供給する供給源である。ここでは、アルカリ系薬液供給源５５１ｂは、例えば、アンモニア過酸化水素水（すなわち、水酸化アンモニウム（ＮＨ４ＯＨ）と過酸化水素（Ｈ２Ｏ２）と純水とが、定められた比率で混合された薬液であり、以下、「ＳＣ−１」と示す）を供給できる。アルカリ系薬液供給源５５１ｂは、開閉弁５５３ｂが介挿された配管５５２ｂを介して、周縁部用吐出ヘッド５１（より具体的には、周縁部用吐出ヘッド５１が備える第２薬液ノズル５０ｂ）に接続されている。したがって、開閉弁５５３ｂが開放されると、アルカリ系薬液供給源５５１ｂから供給されるアルカリ性の薬液（ＳＣ−１）が、第２薬液ノズル５０ｂから吐出される。なお、アルカリ系薬液供給源５５１ｂから供給されるＳＣ−１は、例えば、６０℃〜８０℃に温調されていることも好ましい。もっとも、アルカリ系薬液供給源５５１ｂは、ＳＣ−１以外の薬液（例えば、アンモニアの水溶液等）を供給するものであってもよい。
【００７８】
リンス液供給源５５１ｃは、リンス液を供給する供給源である。ここでは、リンス液供給源５５１ｃは、例えば、二酸化炭素（ＣＯ２）が溶融した純水（炭酸水）を、リンス液として供給する。リンス液供給源５５１ｃは、開閉弁５５３ｃが介挿された配管５５２ｃを介して、周縁部用吐出ヘッド５１（より具体的には、周縁部用吐出ヘッド５１が備えるリンス液ノズル５０ｃ）に接続されている。したがって、開閉弁５５３ｃが開放されると、リンス液供給源５５１ｃから供給されるリンス液が、リンス液ノズル５０ｃから吐出される。なお、リンス液として、純水、温水、オゾン水、磁気水、還元水（水素水）、各種の有機溶剤（イオン水、ＩＰＡ（イソプロピルアルコール）、機能水、等が用いられてもよい。
【００７９】
窒素ガス供給源５５１ｄは、ガス（ここでは、例えば、窒素（Ｎ２）ガス）を供給する供給源である。窒素ガス供給源５５１ｄは、開閉弁５５３ｄが介挿された配管５５２ｄを介して、周縁部用吐出ヘッド５１（より具体的には、周縁部用吐出ヘッド５１が備えるガスノズル５０ｄ）に接続されている。したがって、開閉弁５５３ｄが開放されると、窒素ガス供給源５５１ｄから供給される窒素ガスが、ガスノズル５０ｄから吐出される。もっとも、窒素ガス供給源５５１ｄは、窒素ガス以外のガス（例えば、窒素ガス以外の各種の不活性ガス、乾燥空気、等）を供給するものであってもよい。
【００８０】
周縁部用吐出ヘッド５１が処理位置に配置されている状態において、流体供給部５５から周縁部用吐出ヘッド５１に処理液（酸性の薬液（ＤＨＦ、あるいは、ＳＣ−２）、アルカリ性の薬液（ＳＣ−１）、あるいは、リンス液）が供給されると、周縁部用吐出ヘッド５１から、スピンベース２１上に保持された基板９の表面周縁部９１１に向けて、当該処理液が吐出される。また、周縁部用吐出ヘッド５１が処理位置に配置されている状態において、流体供給部５５から周縁部用吐出ヘッド５１にガスが供給されると、周縁部用吐出ヘッド５１から、スピンベース２１上に保持された基板９の表面周縁部９１１に向けて、ガスが吐出される。また、流体供給部５５が備える開閉弁５５３ａ，５５３ｂ，５５３ｃ，５５３ｄの各々は、制御部１３０と電気的に接続されており、制御部１３０の制御下で開閉される。つまり、周縁部用吐出ヘッド５１からの流体の吐出態様（具体的には、吐出される流体の種類、吐出開始タイミング、吐出終了タイミング、吐出流量、等）は、制御部１３０によって制御される。
【００８１】
＜液跳ね抑制部６＞
基板処理装置１においては、スピンベース２１上に保持された基板９の表面周縁部９１１に向けて、周縁部用吐出ヘッド５１から処理液が吐出されるときに、表面周縁部９１１に供給された処理液の一部が基板９から飛散し、当該飛散した処理液の一部が、外部に配置された部材で跳ね返されるなどして、基板９に再付着する虞がある。液跳ね抑制部６は、基板９から飛散した処理液が、基板９に再付着することを抑制するための部材である。
【００８２】
液跳ね抑制部６は、基板９の表面周縁部９１１の全周に沿うリング状の部材であるガード部材６０を備える。ガード部材６０は、スピンベース２１上に保持された基板９に対する処理が行われる間、上から見て、当該基板９と同心に配置され、当該基板９の表面周縁部９１１と非接触状態で近接した位置（処理位置）に配置される。ガード部材６０における周方向と直交する断面は、矩形であることが好ましく、特に、正方形であることが好ましい。
【００８３】
ガード部材６０の内径は、基板９の外径よりも僅かに小さい寸法とされる。したがって、処理位置に配置されているガード部材６０を上方から見ると、ガード部材６０の内周壁は、基板９の端面９３よりも内側（基板９の中心側）にあり、ガード部材６０の下面の少なくとも内周部分は、スピンベース２１上に保持される基板９の表面周縁部９１１と対向して配置される。また、ガード部材６０の外径は、基板９の外径よりも大きく、かつ、カップ３１の上端縁部３０１の内径よりも僅かに小さい寸法とされる。したがって、処理位置に配置されているガード部材６０を上方から見ると、ガード部材６０の外周壁は、基板９の端面９３よりも外側にあり、かつ、カップ３１の上端縁部３０１と非接触の状態で近接しつつ、上端縁部３０１の全周に沿って延在する。つまり、処理位置に配置されたカップ３１は、スピンベース２１上の基板９と、ガード部材６０とを一括して取り囲む恰好となる。
【００８４】
上述した周縁部用吐出ヘッド５１は、これが処理位置に配置された状態において、ガード部材６０の内周壁の側（すなわち、ガード部材６０を挟んで、カップ３１に対して反対側）に配置される。つまり、この状態において、周縁部用吐出ヘッド５１が備えるノズル５０ａ〜５０ｄは、ガード部材６０を挟んでカップ３１に対して反対側に配置される。ただし、ガード部材６０の内周壁には、周縁部用吐出ヘッド５１の少なくとも一部分を収容する切り欠き６０５が形成されており、周縁部用吐出ヘッド５１が処理位置に配置された状態において、周縁部用吐出ヘッド５１の少なくとも一部分（具体的には、例えば、周縁部用吐出ヘッド５１が備えるノズル５０ａ，５０ｂ，５０ｃ，５０ｄの少なくとも一部分）が、この切り欠き６０５に収容された状態となる。これによって、周縁部用吐出ヘッド５１が、表面周縁部９１１の上方の処理位置に配置される。
【００８５】
カップ３１は、スピンベース２１の上面よりも下方の待避位置まで移動できるように、その上端縁部３０１の内径が、スピンベース２１の外径よりも大きな寸法とされている。スピンベース２１の外径は基板９の外径よりも大きな寸法とされているため、上から見ると、スピンベース２１上に保持された基板９の端面９３と、カップ３１の上端縁部３０１との間に、リング状の隙間空間が存在する。したがって、基板９の表面周縁部９１１と対向する処理位置に配置された周縁部用吐出ヘッド５１と、カップ３１の上端縁部３０１との間にも、隙間空間が存在することになる。この隙間空間は、基板９から飛散した処理液のミスト等が浮遊し得る空間であるところ、ここでは、この隙間空間の少なくとも一部分が、ガード部材６０の一部分によって埋められる。この構成によると、基板９から飛散した処理液のミスト等が浮遊し得る空間が、ガード部材６０によって埋められる空間分だけ小さくなり、当該空間が小さくなった分だけ、基板９の付近における処理液の浮遊量が少なくなる。その結果、処理液のミスト等が基板９に再付着する可能性が低減する。すなわち、基板９から飛散した処理液の一部が、基板９に再付着することを抑制できる。特に、ここでは、ガード部材６０の下面の少なくとも一部分が、表面周縁部９１１と対向配置されるので、基板９から飛散した処理液が、ガード部材６０の下面に沿って、カップ３１内へと導かれる。これによって、当該飛散した処理液が、基板９に再付着することを十分に抑制できる。また、ここでは、ガード部材６０が、基板９の表面周縁部９１１の全周に沿うリング状の部材であるので、基板９から飛散した処理液が基板９に再付着することを、基板９の周方向の全体に亘って抑制できる。
【００８６】
なお、ガード部材６０は、互いに別体に構成されている複数の弧状部材（ここでは、一対の半円弧部材６１，６２）が、その周方向の端面同士が互いに当接し合う状態とされることによって、形成されている。すなわち、一対の半円弧部材６１，６２の各々は、互いに等しい径の半円弧状の部材であり、弦方向を内側に向けるとともに、周方向の端面を互いに対向させて配置されている。そして、一対の半円弧部材６１，６２の各々には、各半円弧部材６１，６２を駆動する半円弧部材駆動部６３が配設されている。半円弧部材駆動部６３は、これが接続されている半円弧部材６１，６２を、鉛直軸に沿って昇降移動させる昇降駆動部（例えば、ステッピングモータ）６３１と、当該半円弧部材６１，６２を、水平面内において他方の半円弧部材と近接離間する方向に進退移動させる進退駆動部６３２と、を含んで構成される。
【００８７】
各半円弧部材６１，６２は、スピンベース２１上に基板９が保持されていない間は、他方の半円弧部材から離間して、基板９の搬出入経路の外側の位置（待避位置）に配置される。各半円弧部材６１，６２の待避位置は、例えば、スピンベース２１の上面よりも下側の位置（すなわち、各半円弧部材６１，６２の上面が、スピンベース２１の上面よりも下側にくる位置）であり、かつ、上方から見てカップ３１の上端縁部３０１よりも外側の位置である（図３に示される位置）。
【００８８】
スピンベース２１上に基板９が保持されると、昇降駆動部６３１が、待避位置に配置されている各半円弧部材６１，６２を、スピンベース２１の上面よりも僅かに上方の位置まで上昇させ、続いて、進退駆動部６３２が、各半円弧部材６１，６２を、水平面内において他方の半円弧部材に近づける方向に移動させて、各半円弧部材６１，６２の周方向の端面同士が互いに当接し合う状態とする。これによって、リング状の部材であるガード部材６０が、処理位置に配置された状態となる（図４に示される状態）。
【００８９】
＜加熱処理部７＞
加熱処理部７は、保持部材２５によってスピンベース２１上に保持された基板９の裏面９２に対して、基板９の表面周縁部９１１の処理温度（基板処理温度）よりも高温に加熱された水蒸気、特に好ましくは、過熱水蒸気を供給して、基板９を加熱する。
【００９０】
加熱処理部７は、スピンベース２１上に保持される基板９の下方から、基板９の裏面９２に向けて、定められた基板処理温度よりも高温に加熱された水蒸気を吐出する裏面用ノズル（「下ノズル」とも称される）７１を備える。裏面９２に吐出された水蒸気によって、基板９が加熱される。基板処理温度は、例えば、６０℃〜９０℃の範囲で設定される。
【００９１】
裏面用ノズル７１は、スピンベース２１の上方、かつ、スピンベース２１に保持された基板９の下方に配置される。裏面用ノズル７１の上面側には、加熱された水蒸気を吐出するための複数個の吐出口が形成されている。当該複数個の吐出口のうちの少なくとも１個の吐出口は、スピンベース２１上に保持される基板９の裏面周縁部９２１に対して選択的に加熱された水蒸気を供給する位置に形成されている。この吐出口は、より好ましくは、裏面周縁部９２１と対向する位置に形成されている。また、この吐出口からは、他の吐出口よりも多量の水蒸気を吐出できるようになっている。この構成によって、裏面用ノズル７１は、基板９の裏面９２のうち、特に裏面周縁部９２１に向けて、重点的に、水蒸気を吐出できるようになっている。
【００９２】
基板処理装置１は、スピンチャック２の回転軸部２２の中空部およびスピンベース２１の貫通孔のそれぞれに貫通して配置された供給管８１を備える。供給管８１の上端は、スピンベース２１の上面から僅かに上方の位置において、裏面用ノズル７１の下面に設けられた導入口１７３に接続されている。供給管８１の下端には、加熱された水蒸気を、供給管８１を介して裏面用ノズル７１に供給する配管系である流体供給部７２が接続されている。流体供給部７２は、具体的には、例えば、加熱された水蒸気を供給する供給源である流体供給源７２１が、開閉弁７２３が介挿された配管７２２を介して、裏面用ノズル７１に接続された構成を備えている。この構成において、開閉弁７２３が開放されると、流体供給源７２１から供給される水蒸気が、裏面用ノズル７１から吐出される。開閉弁７２３は、制御部１３０と電気的に接続されており、制御部１３０の制御下で開閉される。つまり、裏面用ノズル７１からの加熱された水蒸気の吐出態様（具体的には、吐出開始タイミング、吐出終了タイミング、吐出流量、等）は、制御部１３０によって制御される。
【００９３】
なお、裏面用ノズル７１から吐出される水蒸気は、十分高温（例えば、１００℃以上かつ１３０℃以下）に加熱された過熱水蒸気であることが好ましい。このためには、例えば、流体供給源７２１を、純水などが加熱されることにより生成された水蒸気を供給する供給源と、これと接続された配管と、当該配管の経路途中に介挿されたヒータと、を含んで構成すればよい（いずれも図示省略）。この場合、供給源から供給される水蒸気が配管等を通過する際に温度低下することを考慮して、ヒータは、供給源から供給される水蒸気を、例えば、１４０℃〜１６０℃程度に加熱することが好ましい。すなわち、流体供給源７２１は、加熱された水蒸気として過熱水蒸気を供給することがこのましい。もっとも、基板９に供給された水蒸気の一部が、基板９に熱を奪われて冷却され、基板９上で凝縮して水滴となったとしても、当該水滴は、基板９の回転に伴う遠心力によって、基板９の端面９３から基板９の外に振り払われることになる。したがって、デバイス領域９０に水滴が付着することはない。
【００９４】
ここで、基板９の裏面９２（より好ましくは裏面９２および周縁部）に含まれる物質に対して化学反応性を持たない素材の流体であれば、水蒸気以外の流体が採用されても良い。すなわち、基板９の裏面９２に対して加熱された流体（「被加熱流体」とも称する）を吐出する裏面用ノズル７１を含むことによって、基板処理装置１の加熱処理部７が実現されても良い。換言すれば、基板処理装置１は、加熱された流体などの熱媒体を基板９の裏面９２に吐出する裏面用ノズル７１を備える加熱処理部７を含んで実現される。
【００９５】
以下に、裏面用ノズル７１が加熱された水蒸気を吐出する場合を例に、裏面用ノズル７１についてさらに詳しく説明する。
【００９６】
図６は、実施形態に係る基板処理装置１が備える裏面用ノズル７１の構成の一例を示す平面図である。図７は、図６の裏面用ノズル７１を矢印Ａ１方向から見た断面図である。
【００９７】
裏面用ノズル７１は、上方（基板９側）から見て扇形の形状を有している。より詳細には、裏面用ノズル７１は、扇形の形状を有する板状の第１基部１８１と、上方から見て、帯状の円弧形状を有し、第１基部１８１の扇形の弧の部分に接続して設けられた板状の第２基部１８２とを主に備えて構成されている。裏面用ノズル７１は、第１基部１８１の扇形の要の部分が基板９の中央部分の下方に位置するとともに、第２基部１８２が、基板９の裏面周縁部９２１の下方に位置するように、裏面９２の下方に延在している。第１基部１８１は、基板９の裏面９２のうち端面９３から定められた幅の裏面周縁部９２１に囲まれた裏面内側部９２２に対向して延在している。第２基部１８２は、第１基部１８１の裏面周縁部９２１側の端部、すなわち第１基部１８１の扇形の弧の部分に接続して設けられており、基板９の裏面周縁部９２１に対向して延在している。また、裏面用ノズル７１の下面１８７は、スピンベース２１に対向して延在している。
【００９８】
裏面用ノズル７１は、加熱された水蒸気を供給する供給路７３１を備えている。供給路７３１は、基板９の中央部分の下方から裏面周縁部９２１の下方に延設され、加熱された水蒸気を流通させる少なくとも１つ（図示の例では３つ）の管路（「管状の流路」）７３を備えている。また、裏面用ノズル７１は、供給路７３１、すなわち各管路７３のそれぞれに流体供給部７２から供給される加熱された水蒸気を導く導入口１７３を備えている。これにより、供給路７３１は、導入口１７３を介して流体供給部７２が供給する水蒸気を受け入れる。導入口１７３は、裏面用ノズル７１の裏面９２のうち基板９の中央部分の下方部分、すなわち第１基部１８１の扇形の要の部分の下面に設けられている。
【００９９】
第１基部１８１の上面１８３には、複数（図示の例では、３３個）の第１吐出口１７１が基板９の裏面内側部９２２に対向して設けられている。各第１吐出口１７１は、各管路７３のうち１つにおいて開口しており、下面内側部９２２に向けて、流体供給部７２から供給された加熱された水蒸気の一部を吐出する。
【０１００】
第２基部１８２のうち上面１８４側の一部は、第１基部１８１に対して基板９の裏面９２側に突出している。第２基部１８２の上面１８４には、複数（図示の例では、６個）の第２吐出口１７２が、基板９の裏面周縁部９２１に対向して設けられている。各第２吐出口１７２は、各管路７３のうち１つにおいて開口しており、裏面周縁部９２１に向けて、流体供給部７２から供給された加熱された水蒸気の一部を吐出する。
【０１０１】
全ての第１吐出口１７１から裏面内側部９２２に向けて吐出される水蒸気の単位時間当りの吐出量は、各第１吐出口１７１の開口面積（以下、単に「面積」と称する）と第１吐出口１７１の個数とに比例し、全ての第２吐出口１７２から裏面周縁部９２１に向けて吐出される水蒸気の単位時間当りの吐出量は、各第２吐出口１７２の面積と第２吐出口１７２の個数とに比例する。従って、全ての第１吐出口１７１から裏面内側部９２２に向けて吐出される水蒸気の単位時間当りの吐出量は、全ての第２吐出口１７２から裏面周縁部９２１に向けて吐出される水蒸気の単位時間当りの吐出量よりも少ない。
【０１０２】
裏面用ノズル７１においては、上面１８４が裏面９２側に突出しているので、各第２吐出口１７２と、基板９の裏面周縁部９２１との各距離は、各第１吐出口１７１と、基板９の裏面内側部９２２との各距離よりも短い。従って、第２吐出口１７２から吐出される加熱された水蒸気は、第１吐出口１７１から吐出される加熱された水蒸気に比べて拡がっていない状態で基板９の裏面周縁部９２１に吐出されるので、裏面周縁部９２１の幅が狭い場合でも、加熱された水蒸気を裏面周縁部９２１により正確に吐出できる。
【０１０３】
第２基部１８２は、第１基部１８１の上面１８３のうち裏面周縁部９２１側の端部から裏面９２側へ向けて立ち上がっている壁部１８５を備えている。第１基部１８１の上面１８３に沿って回転軸Ａ側から基板９の裏面周縁部９２１へ向かう加熱された水蒸気の流れを壁部１８５が規制可能なように、第１基部１８１と第２基部１８２とは、壁部１８５において回転軸Ａ方向の段差δをなしている。段差δは、例えば、０．５ｍｍ〜３ｍｍの範囲で設定される。従って、第１吐出口１７１から基板９の裏面内側部９２２に吐出され、裏面周縁部９２１側に向かう過程で冷却された水蒸気の流れを壁部１８５で規制することで、第２吐出口１７２が吐出する加熱された水蒸気によって基板９の周縁部をより効率良く加熱できる。なお、第２基部１８２が第１基部１８１に対して裏面９２側に突出しておらず、各第１吐出口１７１から裏面９２までの各距離と、各第２吐出口１７２から裏面９２までの各距離とが等しいとしても、本発明の有用性を損なうものではない。また、壁部１８５が、パルス信号のような断面形状を有する壁部によって実現されてもよい。
【０１０４】
また、各第１吐出口１７１と各第２吐出口１７２とは、全ての第２吐出口１７２の面積の和が、全ての第１吐出口１７１の面積の和よりも大きくなるように、裏面用ノズル７１に設けられている。また、各第１吐出口１７１と各第２吐出口１７２とは、１以上の第２吐出口１７２の各面積が、２以上の第１吐出口１７１の何れの面積よりも大きくなるように設けられている。より詳細には、各第１吐出口１７１と各第２吐出口１７２とは、各第２吐出口１７２の面積が、何れの第１吐出口１７１の面積よりも大きくなるように設けられている。具体的には、例えば、第１吐出口１７１の直径は、０．５ｍｍ〜１ｍｍの範囲で設定され、第２吐出口１７２の直径は、２ｍｍ〜５ｍｍの範囲で設定される。そして、第１吐出口１７１の個数と第２吐出口１７２の個数は、例えば、第２吐出口１７２の個数が６個の場合には、第１吐出口１７１の個数は、例えば、１０個〜８０個程度の範囲で、第１吐出口１７１と第２吐出口１７２とのそれぞれの直径に応じて、各第２吐出口１７２の面積の和が、各基板処理装置１の面積の和よりも大きくなるように設定される。
【０１０５】
なお、表面周縁部９１１を含む基板９の周縁部の温度と、当該周縁部に囲まれた基板９の内側部の温度との関係は、基板９の変形を抑制しつつ、基板９の加熱に要するエネルギーを抑制できる温度差を選択することができる。温度差を３５℃以下とすることにより、基板９の変形を効果的に抑制することができる。反面、温度差が少ないと、基板９の加熱に要するエネルギーの総量が増加することとなる。従って、第１吐出口１７１と第２吐出口１７２とのそれぞれの個数および大きさは、上述した温度の条件の中で加熱に要するエネルギーの総量を抑制できるように設定されることがより好ましい。
【０１０６】
なお、裏面用ノズル７１が、１つの第１吐出口１７１と、１つの第２吐出口１７２とを備えて構成されてもよい。すなわち、裏面用ノズル７１は、少なくとも１つの第１吐出口１７１と、少なくとも１つの第２吐出口１７２とを備えている。
【０１０７】
裏面用ノズル７１においては、各第１吐出口１７１が、下面内側部９２２に向けて加熱された水蒸気を吐出し、各第２吐出口１７２が、裏面周縁部９２１に向けて加熱された水蒸気を吐出するので、例えば、基板９の裏面９２のうち裏面周縁部９２１のみに加熱された水蒸気が吐出される場合に比べて、基板９の径方向の温度分布の不均一さを低減できる。
【０１０８】
また、全ての第２吐出口１７２の面積の和は、全ての第１吐出口１７１の面積の和よりも大きいので、裏面用ノズル７１は、裏面内側部９２２よりも裏面周縁部９２１に対して、より多量の加熱された水蒸気を吐出できる。これにより、基板９の内側部を周縁部よりも低い温度に加熱して基板９の加熱に要するエネルギーを抑制できる。
【０１０９】
また、１以上の第２吐出口１７２の各面積が、２以上の第１吐出口１７１の何れの面積よりも大きいので、第１吐出口１７１を、第２吐出口１７２よりも数多く設けることが出来る。これにより、裏面内側部９２２の各部に対して、加熱された水蒸気をより均一に吐出して基板９のうち周縁部に囲まれた内側部の温度分布をより均一にすることができる。
【０１１０】
各管路７３には、少なくとも１つ（図示の例では１１個）の第１吐出口１７１と、少なくとも１つ（図示の例では１つ）の第２吐出口１７２とが、それぞれ連通して形成されている。従って、例えば、互いに隣り合う２つの管路７３のうち一方の流路に対して少なくとも１つの第１吐出口１７１が設けられ、他方の流路に対して少なくとも１つの第２吐出口１７２が設けられる場合に比べて、裏面用ノズル７１に設けられる第１吐出口１７１および第２吐出口１７２のそれぞれの単位面積当りの個数を増やすことが出来る。従って、基板９の周縁部と内側部とのそれぞれをより均一に加熱できる。また、裏面用ノズル７１を小型化することも出来る。
【０１１１】
供給路７３１が備える各管路７３には、複数（図示例では、１１個）の第１吐出口１７１が設けられており、これらの第１吐出口１７１と回転軸Ａとの各距離は、相互に異なっている。従って、加熱された水蒸気を、基板９の径方向に沿ってより均一に裏面内側部９２２に向けて吐出できる。従って、基板９の内側部の温度分布を基板９の径方向に沿ってより均一にすることができる。
【０１１２】
供給路７３１の各管路７３は、幹流路（「導入口側流路」）７４と、複数（図示の例では２つ）の枝流路（「周縁側流路」）７５とを備えて構成されている。幹流路７４の一端には、導入口１７３が開口して連通しており、幹流路７４は、導入口１７３から基板９の径方向、すなわち、回転軸Ａの遠心方向に延設されている。幹流路７４において、１以上（図示の例では、８個）の第１吐出口１７１が開口して設けられている。複数の枝流路７５は、幹流路７４の他端からそれぞれ分岐して裏面周縁部９２１の下方にそれぞれ延設されている。すなわち、各管路７３は、幹流路７４の他端から複数の枝流路７５に分岐している。各枝流路７５において、１以上の第２吐出口が開口して設けられている。本明細書において幹流路とは、各管路のうち導入口１７３から最も上流側の枝流路の基端部（導入口１７３側の端部）が形成されている箇所まで延設されている分岐していない管路である。
【０１１３】
このように、裏面用ノズル７１の供給路７３１は、少なくも１つ（図示例では、３つ）の管路７３を備え、各管路７３は、複数（図示の例では、２つ）の枝流路７５を備えている。従って、供給路７３１は、複数（図示例では、６個）の枝流路７５を備えており、これらの枝流路７５において、複数（図示例では、６個）の第２吐出口１７２がそれぞれ開口して設けられている。
【０１１４】
これにより、例えば、裏面用ノズル７１の供給路が、導入口１７３から基板周縁部側に放射状に分岐する複数の管路によって構成されており、当該複数の管路のそれぞれに、第１吐出口１７１と第２吐出口１７２との双方を設ける場合に比べて、第１吐出口１７１の個数に対する第２吐出口１７２の個数の割合を増加させることができる。従って、第１吐出口１７１からの加熱された水蒸気の吐出に起因して各第２吐出口１７２から吐出される加熱された水蒸気の吐出圧力が低下することを抑制しつつ、裏面周縁部９２１に吐出される水蒸気の量を裏面内側部９２２に吐出される水蒸気の量に比べて増やすことが出来る。
【０１１５】
なお、裏面用ノズル７１の形状は、回転軸Ａの遠心方向に長い筒状の形状でもよく、また、裏面９２の略全域に対向する円盤状の形状などでもよい。また、裏面用ノズル７１が、その内部の略全域にわたって形成された１つの供給路を備え、当該供給路にそれぞれ開口して連通する導入口１７３と、少なくとも１つの第１吐出口１７１と、少なくとも１つの第２吐出口１７２とを備えてもよい。
【０１１６】
図８は、裏面用ノズル７１によって裏面９２に水蒸気を吐出されている基板９を上方から見た図である。保持部材２５の一部は、基板９の裏面９２側から裏面周縁部９２１を支持している。このため、スピンベース２１が回転する際に、裏面用ノズル７１が保持部材２５に当たらないようにするために、裏面用ノズル７１の第２基部１８２の端面１８６と、保持部材２５との間には、隙間が設けられている。各第２吐出口１７２から裏面周縁部９２１に吐出された水蒸気は、基板９の回転に伴う遠心力によって、矢印Ｙ２に沿って基板９の端面９３側に流れ、各第１吐出口１７１から裏面内側部９２２に吐出された水蒸気は、矢印Ｙ１に沿って裏面周縁部９２１側に流れる。各第１吐出口１７１および各第２吐出口１７２から吐出された加熱された水蒸気によって、基板９は、裏面９２側から加熱される。なお、矢印Ｙ１、Ｙ２の方向は、基板９の上方から回転軸Ａ方向に見て、基板９の接線に沿って基板９の回転方向下流側に向かう成分と、基板９の径に沿って基板９の中心側（回転軸Ａ側）から端面９３側に向かう成分とを有する斜め方向である。
【０１１７】
図９、図１０は、実施形態に係る基板処理装置１が備える裏面用ノズルの他の一例として、裏面用ノズル７１ａ、７１ｂをそれぞれ示す図である。裏面用ノズル７１ａ、７１ｂは、裏面用ノズル７１と同様の外形を有し、基板処理装置１において、裏面用ノズル７１と同様に設けられる。
【０１１８】
裏面用ノズル７１ａは加熱された流体の供給路７３１ａを備え、供給路７３１ａは、少なくとも１つ（図示の例では、６個）の管路７３ａを備えて構成されている。各管路７３ａは、導入口１７３からそれぞれ分岐している。裏面用ノズル７１の管路７３と異なり、裏面用ノズル７１ａの各管路７３ａには導入口１７３よりも端面１８６ａ側の部分から分岐する複数の枝流路が形成されていない。すなわち各管路７３ａは、幹流路でもある。裏面用ノズル７１ａの上面のうち基板９の裏面周縁部９２１に対向する部分には、各管路７３ａのうち最も端面１８６ａ側の各部分と連通して裏面周縁部９２１に対向し、基板９の裏面周縁部９２１に向けて加熱された水蒸気を吐出する複数（図示例では、６個）の第２吐出口１７２が設けられている。また、裏面用ノズル７１ａの上面のうち、基板９の裏面内側部９２２に対向する部分には、管路７３ａと連通する複数（図示例では、６６個）の第１吐出口１７１が設けられている。
【０１１９】
裏面用ノズル７１ｂは、加熱された流体の供給路７３１ｂを備え、供給路７３１ｂは、少なくとも１つ（図示の例では、３個）の管路７３ｂを備えて構成されている。各管路７３ｂは、導入口１７３からそれぞれ分岐している。そして、裏面用ノズル７１と同様に、各管路７３ｂには、導入口１７３よりも端面１８６ｂ側の部分から分岐している複数の枝流路７５ｂが形成されている。より詳細には、各管路７３ｂは、導入口１７３に連通し、基板９の裏面周縁部９２１の下方に至る幹流路７４ｂを備えている。各幹流路７４ｂには、基板９の裏面内側部９２２に対向し、裏面内側部９２２に加熱された水蒸気を吐出する複数（図示例では、１１個）の第１吐出口１７１が設けられている。
【０１２０】
各幹流路７４ｂは、その先端から２つの枝流路７５ｂに分岐している。各枝流路７５ｂは、基板９の裏面周縁部９２１の下方において裏面周縁部９２１に沿ってそれぞれ延在している。各枝流路７５ｂの先端部分には、基板９の裏面周縁部９２１に対向し、裏面周縁部９２１に向けて加熱された水蒸気を吐出する複数（図示例では２個）の第２吐出口１７２がそれぞれ設けられている。
【０１２１】
これにより、裏面用ノズル７１ｂは、その上面のうち基板９の裏面周縁部９２１に対向する部分に複数（図示例では、６個）の第２吐出口１７２を備え、その上面のうち基板９の裏面内側部９２２に対向する部分に複数（図示例では３３個）の第１吐出口１７１を備えている。
【０１２２】
裏面用ノズル７１ａ、７１ｂの何れにおいても、全ての第２吐出口１７２の面積の和は、全ての第１吐出口１７１の面積の和よりも大きい。また、１以上の第２吐出口１７２の各面積は、２以上の第１吐出口１７１の何れの面積よりも大きい。従って、裏面用ノズル７１ａ、７１ｂが、裏面用ノズル７１に代えて採用されたとしても、本発明の有用性を損なうものではない。
【０１２３】
＜４．基板処理装置１の動作＞
次に、基板処理装置１の動作について説明する。基板処理装置１においては、制御部１３０の制御下で、以下に説明する一連の処理が実行される。もっとも、以下に説明するのは、基板処理装置１にて実行可能な処理の一例に過ぎない。
【０１２４】
基板処理装置１では、例えば、１枚の基板９に対して、前処理（ステップＳ１）、および表面周縁処理（ステップＳ２）が、この順で行われる（図１１）。以下に、各処理について具体的に説明する。
【０１２５】
＜４−１．前処理＞
前処理（ステップＳ１）について、図１２、図１３を参照しながら説明する。図１２は、前処理の流れを示す図である。図１３は、前処理を説明するための図であり、前処理における各処理工程を実行している状態の基板処理装置１の一部要素が、模式的に示されている。
【０１２６】
まず、半円弧部材６１，６２、カップ３１、周縁部用吐出ヘッド５１、および、カバーガスノズル４１が、各々の待避位置に配置されている状態において、搬送ロボットＣＲが、基板９を、その表面９１が上を向く姿勢で、スピンベース２１上に配置する。スピンベース２１上に配置された基板９は、一群の保持部材２５によって保持される（ステップＳ１０１）。これによって、スピンベース２１上に、基板９が、略水平姿勢で保持された状態となる。
【０１２７】
基板９がスピンベース２１上に保持されると、ガード部材６０が処理位置まで移動される（ステップＳ１０２）。具体的には、半円弧部材駆動部６３の昇降駆動部６３１が、待避位置に配置されている各半円弧部材６１，６２を、スピンベース２１の上面よりも僅かに上方の位置まで上昇させ、続いて、半円弧部材駆動部６３の進退駆動部６３２が、各半円弧部材６１，６２を、水平面内において他方の半円弧部材に近づける方向に移動させて、各半円弧部材６１，６２の周方向の端面同士が互いに当接し合う状態とする。これによって、リング状の部材であるガード部材６０が、処理位置に配置された状態となる。なお、処理位置に配置されたガード部材６０は、スピンベース２１が回転開始されても、回転されることなく静止状態のままとされる。
【０１２８】
ガード部材６０が処理位置に配置されると、続いて、待避位置に配置されているカップ３１が上昇されて、処理位置に配置される（ステップＳ１０３）。これによって、カップ３１が、スピンベース２１上に保持された基板９とガード部材６０とを一括して取り囲むように配置された状態となる。
【０１２９】
カップ３１が処理位置に配置されると、続いて、カバーガスノズル４１が、待避位置から処理位置に移動される。そして、処理位置に配置されたカバーガスノズル４１から、基板９の表面９１の中央付近に向けて、カバーガスが吐出開始される（ステップＳ１０４）。ここで開始された、基板９の表面９１の中央付近へのカバーガスの供給は、当該基板９に対する処理が終了するまで続行される。基板９の表面９１の中央付近にカバーガスが供給され続けることによって、当該基板９に対する処理が行われる間、デバイス領域９０が、表面周縁部９１１等に供給された処理液の雰囲気等に曝されることがない。つまり、デバイス領域９０が、表面周縁部に供給された処理液の雰囲気等から保護され続ける。
【０１３０】
なお、ここでは、カップ３１が処理位置に配置された後に、カバーガスノズル４１からのカバーガスの吐出を開始している。仮に、カップ３１が処理位置まで上昇されるのを待たずに、カバーガスノズル４１からのカバーガスの吐出を開始してしまうと、基板９の表面周縁部９１１付近の気流が乱れて巻き上がりが生じて、基板９にパーティクル等が付着する虞があるところ、カップ３１が処理位置に配置された後にカバーガスの吐出を開始する構成とすれば、このような事態の発生を回避できる。
【０１３１】
続いて、スピンベース２１の回転が開始され、これによって、スピンベース２１上に保持される基板９が、水平姿勢で回転開始される（ステップＳ１０５）。このときのスピンベース２１の回転数（すなわち、基板９の回転数）は、例えば、６００ｒｐｍである。この回転数は、表面周縁処理が行われる間、表面周縁部９１１に供給された処理液がデバイス領域９０に進入することがなく、また、端面９３の側に移動することもないような回転数（つまり、処理を施すべき表面周縁部９１１内の領域に、処理液が安定的に保持されるような回転数）に、適宜設定される。
【０１３２】
続いて、裏面用ノズル７１から、回転される基板９の裏面９２に向けて、加熱された水蒸気（流体）が吐出される（ステップＳ１０６）。裏面用ノズル７１からの水蒸気の吐出は、後述するＳＣ−１による薬液処理（図１４のステップＳ２０１）まで連続して行われる。この水蒸気の吐出処理によって、基板９が加熱される。基板９に対する薬液処理に用いられる薬液の多くは、温度が上がるほど反応が促進される薬液であるところ、基板９が、予めステップＳ１０６の処理により加熱されることによって、薬液処理における、薬液と基板９との反応が促進される。その結果、薬液処理の処理時間が短縮されるとともに、薬液の使用量が抑えられる。
【０１３３】
＜４−２．表面周縁処理＞
前処理（ステップＳ１）が終了すると、続いて、表面周縁処理（ステップＳ２）が行われる。表面周縁処理について、図１４、図１５を参照しながら説明する。図１４は、表面周縁処理の流れを示す図である。図１５は、表面周縁処理を説明するための図であり、表面周縁処理における各処理工程を実行している状態の基板処理装置１の一部要素が、模式的に示されている。
【０１３４】
ただし、以下に説明する表面周縁処理が実行されている間、基板９は、一定の回転数（例えば、６００ｒｐｍ）で、回転され続けている。また、上述したとおり、表面周縁処理が実行されている間、基板９の表面９１の中央付近に向けて、カバーガスノズル４１からカバーガスが供給され続けており、これによって、デバイス領域９０が、表面周縁部９１１に供給される処理液の雰囲気等から保護されている。
【０１３５】
＜アルカリ処理（ＳＣ−１）＞
＜i．薬液処理＞
まず、基板９の表面周縁部９１１に対して、ＳＣ−１による薬液処理が行われる（ステップＳ２０１）。具体的には、まず、周縁部用吐出ヘッド５１が、待避位置から処理位置に移動される。そして、処理位置に配置された周縁部用吐出ヘッド５１の第２薬液ノズル５０ｂから、回転される基板９の表面周縁部９１１に向けて、ＳＣ−１が吐出される。このときのＳＣ−１の吐出流量は、例えば、２０（ｍＬ/ｍｉｎ）以上かつ５０（ｍＬ/ｍｉｎ）以下である。ＳＣ−１が吐出開始されてから所定時間（例えば、２０秒）が経過すると、周縁部用吐出ヘッド５１からのＳＣ−１の吐出が停止される。
【０１３６】
この薬液処理によって、基板９の表面周縁部９１１に形成されている薄膜が除去される（エッチング処理）。ただし、この薬液処理が行われている間、裏面用ノズル７１から、基板９の裏面９２に向けて、加熱された水蒸気が吐出される。このときの水蒸気の吐出流量は、例えば、５００（ｍＬ/ｍｉｎ）以上かつ２０００（ｍＬ/ｍｉｎ）以下である。また、吐出される水蒸気の温度は、例えば、１１０℃以上かつ１３０℃以下である。ＳＣ−１は、温度が上がるほど反応が促進される薬液であるところ、ＳＣ−１により薬液処理される基板９が、水蒸気の供給を受けて加熱されることによって、基板９の表面周縁部９１１とＳＣ−１との反応が促進される（すなわち、エッチングレートが高まる）（所謂、ヒートアシスト）。その結果、ＳＣ−１による薬液処理の処理時間が短縮されるとともに、ＳＣ−１の使用量が抑えられる。特に、ここでは、基板９の裏面周縁部９２１が重点的に加熱されるので、表面周縁部９１１とＳＣ−１との反応を効果的に促進させることができる。
【０１３７】
＜ii．リンス処理＞
続いて、リンス処理が行われる（ステップＳ２０２）。具体的には、処理位置に配置されている周縁部用吐出ヘッド５１のリンス液ノズル５０ｃから、回転される基板９の表面周縁部９１１に向けて、リンス液が吐出される。リンス液が吐出開始されてから所定時間（例えば、５秒）が経過すると、周縁部用吐出ヘッド５１からのリンス液の吐出が停止される。このリンス処理によって、表面周縁部９１１に付着している処理液（ここでは、ＳＣ−１）が、すすぎ流される。
【０１３８】
＜iii．液振り切り処理＞
続いて、液振り切り処理が行われる（ステップＳ２０３）。液振り切り処理は、表面周縁部９１１に残存している処理液（ここでは、ステップＳ２０２のリンス処理において基板９から振り切られずに、表面周縁部９１１に残存しているリンス液）を、基板９の端面９３側に寄せて、端面９３から基板９の外に振り切る処理である。端面９３側に寄せられた処理液は、端面９３およびその付近の非水平な面領域部分に保持された状態となるところ、非水平な面領域部分に保持された処理液は液切れを起こしにくいため、このような処理液は、まとまって、基板９の外に振り切られる。つまり、表面周縁部９１１に残存している処理液を、基板９の端面９３側に寄せてから基板９の外に振り切ることによって、表面周縁部９１１に液残りをほとんど生じさせることなく、当該残存している処理液の大部分を基板９から除去することができる。
【０１３９】
液振り切り処理は、具体的には、例えば、次のように行われる。まず、周縁部用吐出ヘッド５１からの表面周縁部９１１に向けての流体（処理液およびガス）の吐出が停止された状態で、基板９が定められた時間だけ回転される（液寄せ工程）（ステップＳ２０３１）。これによって、表面周縁部９１１に残存している処理液が、基板９の回転に伴う遠心力を受けて、基板９の端面９３に近づく方向に移動して、端面９３およびその付近の非水平な面領域部分に保持された状態となる。続いて、処理位置に配置されている周縁部用吐出ヘッド５１のガスノズル５０ｄから、回転される基板９の表面周縁部９１１に向けて、ガスが吐出される（吹き飛ばし工程）（ステップＳ２０３２）。このときのガスの吐出流量は、例えば、１４（Ｌ/ｍｉｎ）である。これによって、非水平な面領域部分に保持されている処理液が、ガスの風圧と基板９の回転に伴う遠心力とを受けて、まとまって、基板９の外に振り切られる。周縁部用吐出ヘッド５１からのガスの吐出が開始されてから所定時間（例えば、１５秒）が経過すると、周縁部用吐出ヘッド５１からのガスの吐出が停止される。
【０１４０】
この液振り切り処理によって、表面周縁部９１１に残存している処理液（すなわち、ステップＳ２０２のリンス処理において基板９から振り切られずに表面周縁部９１１に残存しているリンス液）の大部分が、基板９から振り切られる。
【０１４１】
＜第１の酸処理（ＳＣ−２）＞
＜i．薬液処理＞
次に、基板９の表面周縁部９１１に対して、ＳＣ−２による薬液処理が行われる（ステップＳ２０４）。具体的には、処理位置に配置されている周縁部用吐出ヘッド５１の第１薬液ノズル５０ａから、回転される基板９の表面周縁部９１１に向けて、ＳＣ−２が吐出される。ＳＣ−２が吐出開始されてから所定時間（例えば、２０秒）が経過すると、周縁部用吐出ヘッド５１からのＳＣ−２の吐出が停止される。
【０１４２】
この薬液処理によって、基板９の表面周縁部９１１に付着しているメタル成分（例えば、Ｍｏ、Ｃｏ、等）等が除去される（洗浄処理）。ただし、ここでは、この薬液処理に先立って、液振り切り処理が行われている（ステップＳ２０３）。このため、ＳＣ−２は、リンス液がほとんど残存しない表面周縁部９１１に向けて、吐出されることになる。仮に、ステップＳ２０３の液振り切り処理が行われていないとすると、リンス液が残存している表面周縁部９１１に向けてＳＣ−２が吐出されることになり、当該吐出されたＳＣ−２が、残存しているリンス液と衝突して跳ねて、デバイス領域９０に進入する虞がある。しかしながら、ここでは、液振り切り処理によって、表面周縁部９１１は、リンス液がほとんど残存しない状態となっているので、このような処理液の衝突に起因するデバイス領域９０への処理液の進入が生じにくい。また、仮に、ステップＳ２０３の液振り切り処理が行われていないとすると、表面周縁部９１１上で、残存しているリンス液と、供給されたＳＣ−２とが混じり合う虞があるが、液振り切り処理が行われている場合は、このような事態が生じにくい。その結果、所期の濃度のＳＣ−２を表面周縁部９１１に適切に作用させることができる。また、アルカリ性の薬液であるＳＣ−１をすすぎ流したリンス液と酸性の薬液であるＳＣ−２との混触も回避できる。
【０１４３】
＜ii．液振り切り処理＞
続いて、液振り切り処理が行われる（ステップＳ２０５）。液振り切り処理の具体的な流れは、ステップＳ２０３にて説明したとおりである。すなわち、まず、表面周縁部９１１に向けての流体の吐出が停止された状態で、基板９が定められた時間だけ回転され（液寄せ工程）、その後、処理位置に配置されている周縁部用吐出ヘッド５１のガスノズル５０ｄから、回転される基板９の表面周縁部９１１に向けて、ガスが吐出される（吹き飛ばし工程）。周縁部用吐出ヘッド５１からのガスの吐出が開始されてから所定時間（例えば、１５秒）が経過すると、周縁部用吐出ヘッド５１からのガスの吐出が停止される。
【０１４４】
この液振り切り処理によって、表面周縁部９１１に残存している処理液（すなわち、ステップＳ２０４の洗浄処理において基板９から振り切られずに、表面周縁部９１１に残存しているＳＣ−２）の大部分が、基板９から振り切られる。ステップＳ２０４の洗浄処理において基板９から振り切られずに表面周縁部９１１に残存しているＳＣ−２には、洗浄処理で基板９から除去されたメタル成分等の不純物が含まれているところ、洗浄処理の後に液振り切り処理が行われることによって、この不純物が、早い段階で、基板９から振り切られることになる。したがって、ＳＣ−２による薬液処理で基板９から除去された不純物が、基板９に再付着するリスクが低減される。
【０１４５】
＜iii．リンス処理＞
続いて、リンス処理が行われる（ステップＳ２０６）。リンス処理の具体的な流れは、ステップＳ２０２の処理と同様である。すなわち、処理位置に配置されている周縁部用吐出ヘッド５１のリンス液ノズル５０ｃから、回転される基板９の表面周縁部９１１に向けて、リンス液が吐出される。リンス液が吐出開始されてから所定時間（例えば、５秒）が経過すると、周縁部用吐出ヘッド５１からのリンス液の吐出が停止される。
【０１４６】
このリンス処理によって、表面周縁部９１１に付着している処理液（ここでは、ＳＣ−２）が、すすぎ流される。ただし、ここでは、このリンス処理に先立って、液振り切り処理が行われている（ステップＳ２０５）ため、表面周縁部９１１は、ＳＣ−２がほとんど残存しない状態となっている。したがって、このリンス処理の処理時間は、液振り切り処理が行われない場合よりも短くてすむ。また、このリンス処理においては、リンス液は、ＳＣ−２がほとんど残存しない表面周縁部９１１に向けて、吐出されることになるため、処理液の衝突に起因するデバイス領域９０への処理液の進入が生じにくい。
【０１４７】
＜iv．液振り切り処理＞
続いて、液振り切り処理が行われる（ステップＳ２０７）。液振り切り処理の具体的な流れは、ステップＳ２０３にて説明したとおりである。すなわち、まず、表面周縁部９１１に向けての流体の吐出が停止された状態で、基板９が定められた時間だけ回転され（液寄せ工程）、その後、処理位置に配置されている周縁部用吐出ヘッド５１のガスノズル５０ｄから、回転される基板９の表面周縁部９１１に向けて、ガスが吐出される（吹き飛ばし工程）。周縁部用吐出ヘッド５１からのガスの吐出が開始されてから所定時間（例えば、１５秒）が経過すると、周縁部用吐出ヘッド５１からのガスの吐出が停止される。
【０１４８】
この液振り切り処理によって、表面周縁部９１１に残存している処理液（すなわち、ステップＳ２０６のリンス処理において基板９から振り切られずに、表面周縁部９１１に残存しているリンス液）の大部分が、基板９から振り切られる。
【０１４９】
＜第２の酸処理（ＤＨＦ）＞
＜i．薬液処理＞
次に、基板９の表面周縁部９１１に対して、ＤＨＦによる薬液処理が行われる（ステップＳ２０８）。具体的には、処理位置に配置されている周縁部用吐出ヘッド５１の第１薬液ノズル５０ａから、回転される基板９の表面周縁部９１１に向けて、ＤＨＦが吐出される。このときのＤＨＦの吐出流量は、例えば、２０（ｍＬ/ｍｉｎ）以上かつ５０（ｍＬ/ｍｉｎ）以下である。ＤＨＦが吐出開始されてから所定時間（例えば、１０秒）が経過すると、周縁部用吐出ヘッド５１からのＤＨＦの吐出が停止される。
【０１５０】
この薬液処理によって、基板９の表面周縁部９１１に形成されている薄膜が除去される（エッチング処理）。ただし、ここでは、この薬液処理に先立って、液振り切り処理が行われている（ステップＳ２０７）ため、ＤＨＦは、リンス液がほとんど残存しない表面周縁部９１１に向けて、吐出されることになる。したがって、処理液の衝突に起因するデバイス領域９０への処理液の進入が生じにくい。また、表面周縁部９１１上で、ＤＨＦとリンス液とが混じり合うことがないので、所期の濃度のＤＨＦを、表面周縁部９１１に適切に作用させることができる。
【０１５１】
ただし、この薬液処理が行われている間は、周縁部用吐出ヘッド５１のガスノズル５０ｄから、表面周縁部９１１に向けて、ガスが吐出される。このときのガスの吐出流量は、例えば、１４（Ｌ/ｍｉｎ）である。つまり、表面周縁部９１１内の各位置において、古いＤＨＦ（すなわち、一周前に第１薬液ノズル５０ａから供給されて、基板９が一周回転される間に振り切られなかった古いＤＨＦ）が、ガスノズル５０ｄから吐出されるガスで除去された後に、当該位置に第１薬液ノズル５０ａから新たなＤＨＦが供給される。この構成によると、上述したとおり、基板９が一周回転される間に振り切られなかった古い処理液と新しく供給された処理液との衝突に起因するデバイス領域９０への処理液の進入を抑制できる。また、この構成によると、常に新鮮なＤＨＦを基板９に作用させて、処理効率を高めることができる。また、この構成によると、表面周縁部９１１内の各位置に一時的に多量のＤＨＦが保持されるといった状況を回避することができる。その結果、エッチング幅を安定させて、エッチング幅の制御精度を高めることができる。また、ＤＨＦが供給されると、表面周縁部９１１は撥水性となるため、表面周縁部９１１に保持される古い処理液が部分的に厚くなる場合がある。この状態で新しい処理液が供給されると、処理液が弾かれて跳ねやすい状態となる。そのため、古い処理液をガスノズル５０ｄから吐出されるガスにより基板９の外側に向けて吹き飛ばすことによって、当該液滴等がデバイス領域９０へ進入することが十分に抑制される。
【０１５２】
＜ii．リンス処理＞
続いて、リンス処理が行われる（ステップＳ２０９）。リンス処理の具体的な流れは、ステップＳ２０２の処理と同様である。すなわち、処理位置に配置されている周縁部用吐出ヘッド５１のリンス液ノズル５０ｃから、回転される基板９の表面周縁部９１１に向けて、リンス液が吐出される。リンス液が吐出開始されてから所定時間（例えば、５秒）が経過すると、周縁部用吐出ヘッド５１からのリンス液の吐出が停止される。
【０１５３】
このリンス処理によって、表面周縁部９１１に付着している処理液（ここでは、ＤＨＦ）が、すすぎ流される。ただし、このリンス処理が行われている間も、周縁部用吐出ヘッド５１のガスノズル５０ｄから、基板９の表面周縁部９１１に向けて、ガスが吐出される。このときのガスの吐出流量は、例えば、１４（Ｌ/ｍｉｎ）である。つまり、表面周縁部９１１内の各位置において、古いリンス液（すなわち、一周前にリンス液ノズル５０ｃから供給されて、基板９が一周回転される間に振り切られなかった古いリンス液）が、ガスノズル５０ｄから吐出されるガスで除去された後に、当該位置にリンス液ノズル５０ｃから新たなリンス液が供給される。この構成によると、上述したとおり、基板９が一周回転される間に振り切られなかった古い処理液と新しく供給された処理液との衝突に起因するデバイス領域９０への処理液の進入を抑制できる。また、この構成によると、ＤＨＦを含む古いリンス液を、速やかに表面周縁部９１１から除去するとともに、ＤＨＦを含まない新たなリンス液を基板９に作用させることができるので、リンス処理の処理効率が高まる。また、この構成によると、上述したとおり、表面周縁部９１１で弾かれた処理液の液滴等が、ガスノズル５０ｄから吐出されるガスによって形成される気流によって、基板９の外側に向けて吹き飛ばされるので、当該液滴等がデバイス領域９０へ進入することが十分に抑制される。
【０１５４】
＜iii．液振り切り処理＞
続いて、液振り切り処理が行われる（ステップＳ２１０）。液振り切り処理の具体的な流れは、ステップＳ２０３にて説明したとおりである。すなわち、まず、表面周縁部９１１に向けての流体の吐出が停止された状態で、基板９が定められた時間だけ回転され（液寄せ工程）、その後、処理位置に配置されている周縁部用吐出ヘッド５１のガスノズル５０ｄから、回転される基板９の表面周縁部９１１に向けて、ガスが吐出される（吹き飛ばし工程）。周縁部用吐出ヘッド５１からのガスの吐出が開始されてから所定時間（例えば、５秒）が経過すると、周縁部用吐出ヘッド５１からのガスの吐出が停止される。
【０１５５】
この液振り切り処理によって、表面周縁部９１１に残存している処理液（すなわち、ステップＳ２０９のリンス処理において基板９から振り切られずに、表面周縁部９１１に残存しているリンス液）の大部分が、基板９から振り切られる。
【０１５６】
表面周縁処理（ステップＳ２）が終了すると、カバーガスノズル４１からのガスの吐出が停止されて、カバーガスノズル４１が待避位置に移動される。また、周縁部用吐出ヘッド５１、カップ３１、および、半円弧部材６１，６２が、各々の待避位置に移動される。そして、一群の保持部材２５が基板９を開放するとともに、搬送ロボットＣＲが、当該基板９を基板処理装置１から搬出する。以上で、当該基板９に対する一連の処理が終了する。
【０１５７】
上記の実施形態において、基板９は、半導体ウェハであるとしたが、基板９は、液晶表示装置用ガラス基板、プラズマディスプレイ用ガラス基板、光ディスク用基板、磁気ディスク用基板、光磁気ディスク用基板、フォトマスク用ガラス基板、太陽電池用基板、等であってもよい。
【０１５８】
以上のような本実施形態に係る基板処理装置によれば、裏面用ノズル（下ノズル）７１は、少なくとも１つの第１吐出口１７１から基板９の裏面内側部（下面内側部）９２２に加熱された水蒸気などの流体を吐出するとともに、少なくとも１つの第２吐出口１７２から裏面周縁部（下面周縁部）９２１に加熱された流体を吐出する。これにより、例えば、基板９の裏面（下面）９２のうち裏面周縁部９２１のみに加熱された流体を吐出する場合に比べて、基板９の径方向の温度分布の不均一さを改善できる。そして、全ての第２吐出口１７２の面積の和は、全ての第１吐出口１７１の面積の和よりも大きいので、裏面内側部９２２よりも裏面周縁部９２１に対して、より多量の加熱された流体を吐出できる。これにより、基板９の内側部を周縁部よりも低い温度に加熱して基板９の加熱に要するエネルギーを抑制できる。従って、基板９の変形を抑制しつつ表面周縁部９１１を処理できるとともに、処理に要するエネルギーを抑制できる。
【０１５９】
また、以上のような本実施形態に係る基板処理装置によれば、１以上の第２吐出口１７２の各面積は、２以上の第１吐出口１７１の何れの面積よりも大きいので、第１吐出口１７１を、第２吐出口１７２よりも数多く設けることが出来る。これにより、基板９の裏面内側部９２２の各部に対して、加熱された流体をより均一に吐出して基板９のうち周縁部に囲まれた内側部の温度分布をより均一にすることができる。
【０１６０】
また、以上のような本実施形態に係る基板処理装置によれば、少なくとも１つの第１吐出口１７１が、回転軸Ａからの距離が相互に異なる複数の第１吐出口１７１を含んでいるので、加熱された流体を、基板９の径方向に沿ってより均一に裏面内側部９２２に向けて吐出できる。従って、基板９の内側部の温度分布をより均一にすることができる。
【０１６１】
また、以上のような本実施形態に係る基板処理装置によれば、裏面用ノズル７１が備える各管路７３には、第１吐出口１７１と、第２吐出口１７２との双方が設けられている。従って、例えば、隣り合う２つの管路７３のうち一方の管路に対して少なくとも１つの第１吐出口１７１が設けられ、他方の管路に対して少なくとも１つの第２吐出口１７２が設けられる場合に比べて、裏面用ノズル７１に設けられる第１吐出口１７１および第２吐出口１７２のそれぞれの単位面積当りの個数を増やすことが出来る。従って、基板９の周縁部と内側部とのそれぞれをより均一に加熱できる。また、裏面用ノズル７１を小型化することも出来る。
【０１６２】
また、以上のような本実施形態に係る基板処理装置によれば、裏面用ノズル７１の各管路７３は、導入口１７３から回転軸Ａの遠心方向、すなわち基板９の径方向に延設された幹流路７４と、幹流路７４から分岐して裏面周縁部９２１の下方に延設された複数の枝流路７５と、を備えている。そして、幹流路７４において、１以上の第１吐出口１７１が開口しており、複数の枝流路７５のそれぞれにおいて、１以上の第２吐出口が開口している。これにより、例えば、供給路７３１が、導入口１７３から基板９の周縁部側に放射状に分岐する複数の流路によって構成されており、当該複数の流路のそれぞれに、少なくとも１つの第１吐出口１７１と少なくとも１つの第２吐出口１７２との双方を設ける場合に比べて、第１吐出口１７１の個数に対する第２吐出口１７２の個数の割合を増加させることができる。従って、第１吐出口１７１からの加熱された流体の吐出に起因して各第２吐出口１７２から吐出される加熱された流体の吐出圧力が低下することを抑制しつつ、裏面周縁部９２１に吐出される流体の量を裏面内側部９２２に吐出される流体の量に比べて増やすことが出来る。
【０１６３】
また、以上のような本実施形態に係る基板処理装置によれば、少なくとも１つの第２吐出口１７２は、少なくとも１つの第１吐出口１７１よりも基板９の裏面９２に近い位置に形成されている。従って、第２吐出口１７２から吐出される加熱された流体は、第１吐出口１７１から吐出される加熱された流体に比べて拡がっていない状態で基板９の裏面周縁部９２１に吐出されるので、裏面周縁部９２１の幅が狭い場合でも、加熱された流体を裏面周縁部９２１により正確に吐出できる。
【０１６４】
また、以上のような本実施形態に係る基板処理装置によれば、裏面用ノズル７１は、少なくとも１つの第１吐出口と少なくとも１つの第２吐出口との間に、回転軸Ａ方向の段差δをなすように基板９の裏面９２側に突出している壁部１８５をさらに備えている。従って、第１吐出口１７１から基板９の裏面内側部９２２に向けて吐出され、裏面周縁部９２１側に向かう過程で冷却された流体の流れを第２基部１８２の壁部１８５で規制することで、第２吐出口１７２が吐出する加熱された流体によって基板９の周縁部をより効率良く加熱できる。
【０１６５】
また、以上のような本実施形態に係る基板処理装置によれば、加熱された流体が過熱水蒸気であるので、例えば、１００℃までの温度の飽和水蒸気が基板９の加熱処理に用いられる場合に比べて基板９をより効率良く加熱できる。
【０１６６】
また、以上のような本実施形態に係る基板処理装置によれば、裏面用ノズル（下ノズル）７１は、少なくとも１つの第１吐出口１７１から基板９の裏面内側部（下面内側部）９２２に加熱された水蒸気などの流体を吐出するとともに、少なくとも１つの第２吐出口１７２から裏面周縁部（下面周縁部）９２１に加熱された流体を吐出する。これにより、例えば、基板９の裏面（下面）９２のうち裏面周縁部９２１のみに加熱された流体を吐出する場合に比べて、基板９の径方向の温度分布の不均一さを改善できる。そして、裏面内側部９２２に吐出される加熱された流体の単位時間当りの吐出量は、裏面周縁部９２１に吐出される加熱された流体の単位時間当りの吐出量よりも少ないので、裏面内側部９２２よりも裏面周縁部９２１に対して、より多量の加熱された流体を吐出できる。これにより、基板９のうち周縁部に囲まれた内側部を周縁部よりも低い温度に加熱して基板９の加熱に要するエネルギーを抑制できる。従って、基板９の変形を抑制しつつ表面周縁部９１１を処理できるとともに、処理に要するエネルギーを抑制できる。
【０１６７】
また、以上のような本実施形態に係る基板処理方法によれば、基板９の裏面９２のうち裏面周縁部９２１に囲まれた裏面内側部９２２に向けて加熱された流体の第１部分が吐出されるとともに、裏面周縁部９２１に向けて加熱された流体の第２部分が吐出される。そして、加熱された流体の第１部分の単位時間当りの吐出量は、加熱された流体の第２部分の単位時間当りの吐出量よりも少ない。これにより、基板９の径方向の温度分布の不均一さを改善できるとともに、裏面内側部９２２よりも裏面周縁部９２１に対して、より多量の加熱された流体を吐出して基板９の内側部を周縁部よりも低い温度に加熱できる。従って、基板９の変形を抑制しつつ表面周縁部９１１を処理できるとともに、処理に要するエネルギーを抑制できる。
【０１６８】
以上のとおり、本発明は詳細に示され記述されたが、上記の記述は全ての態様において例示であって限定的ではない。したがって、本発明は、その発明の範囲内において、実施の形態を適宜、変形、省略することが可能である。
【符号の説明】
【０１６９】
１００  基板処理システム
１３０  制御部
１  基板処理装置
２  スピンチャック（基板回転部）
２１  スピンベース
２５  保持部材
３  飛散防止部
３１  カップ
３２  カップ駆動機構
４  表面保護部
４１  カバーガスノズル
４５  カバーガス供給部
５  周縁処理部
５１  周縁部用吐出ヘッド（上ノズル）
５５  流体供給部
６  液跳ね抑制部
６０  ガード部材
７  加熱処理部
７１  裏面用ノズル（下ノズル）
７２  流体供給部
７３１  供給路
７３  管路
７４  幹流路
７５  枝流路
１７１  第１吐出口
１７２  第２吐出口
１７３  導入口
１８１  第１基部
１８２  第２基部
１８３  第１基部の上面
１８４  第２基部の上面
１８５  第２基部の側面
１８６  第２基部の側面
８１  供給管
９  基板
９０  デバイス領域
９１  基板の表面（上面）
９１１  基板の表面周縁部（上面周縁部）
９２  基板の裏面（下面）
９２１  基板の裏面周縁部（下面周縁部）
９２２  基板の裏面内側部（下面内側部）
９３  基板の端面
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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