(57)【要約】【課題】所定の加工位置にレーザ光の集光位置を合わせる動作にかかる時間を短くするレーザ加工方法を提供する。【解決手段】本発明のレーザ加工方法は、被加工物とＸ軸方向走査手段及びＹ軸方向走査手段との相対位置を、これら走査手段とは異なる回転手段によって変更することにより、レーザ照射位置をＸ軸方向とＹ軸方向に同時に被加工物の所定の加工位置まで移動させる工程、及び、レーザ光を前記加工位置において照射させる工程を有し、前記２つの工程を予め決められた移動経路順に行うことを特徴とする。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
被加工物の加工位置にレーザの照射位置を移動させ、前記レーザを照射して前記被加工物を加工するレーザ加工方法であって、
前記被加工物の加工位置までの前記レーザの照射位置のＸ軸方向の移動量およびＹ軸方向の移動量を求めておき、前記求めておいたＸ軸方向の移動量およびＹ軸方向の移動量の多い方の移動量より、Ｘ軸方向の移動量およびＹ軸方向の移動量が少なくなるように、前記被加工物を回転させる工程と、
前記被加工物を回転させた状態で、前記レーザの照射位置を前記被加工物の加工位置までＸ軸方向とＹ軸方向に移動させて前記レーザを照射して前記被加工物を加工する工程と、
を有することを特徴とする、レーザ加工方法。
【請求項２】
前記レーザの照射位置は、ガルバノスキャナによってＸ軸方向とＹ軸方向に同時に移動させることを特徴とする、請求項１に記載のレーザ加工方法。
【請求項３】
前記被加工物の加工位置までの前記レーザの照射位置のＸ軸方向の移動量およびＹ軸方向の移動量は、複数の加工位置をつなぐ移動経路における前記レーザの照射位置のＸ軸方向の移動量およびＹ軸方向の移動量それぞれの総和であることを特徴とする、請求項１または２に記載のレーザ加工方法。
【請求項４】
前記レーザの照射位置を前記被加工物の加工位置に移動させるとともに、前記レーザの照射位置に前記被加工物の加工位置を移動させることを特徴とする、請求項１乃至３のいずれか１項に記載のレーザ加工方法。
【請求項５】
レーザの照射位置に被加工物の加工位置を移動させ、前記レーザを照射して前記被加工物を加工するレーザ加工方法であって、
前記レーザの照射位置に前記被加工物の加工位置が移動するまでのＸ軸方向の移動量およびＹ軸方向の移動量を求めておき、前記求めておいたＸ軸方向の移動量およびＹ軸方向の移動量の多い方の移動量より、Ｘ軸方向の移動量およびＹ軸方向の移動量が少なくなるように、前記被加工物を回転させる工程と、
前記被加工物を回転させた状態で、前記被加工物の加工位置を前記レーザの照射位置までＸ軸方向とＹ軸方向に移動させる工程と、
を有することを特徴とする、レーザ加工方法。
【請求項６】
前記被加工物は、Ｘ軸移動手段およびＹ軸移動手段によってＸ軸方向とＹ軸方向に同時に移動させることを特徴とする、請求項５に記載のレーザ加工方法。
【請求項７】
前記レーザの照射位置までの前記被加工物の加工位置のＸ軸方向の移動量およびＹ軸方向の移動量は、複数の加工位置をつなぐ移動経路におけるＸ軸方向の移動量およびＹ軸方向の移動量それぞれの総和であることを特徴とする、請求項５または６に記載のレーザ加工方法。
【請求項８】
前記レーザの照射位置に前記被加工物の加工位置を移動させるとともに、前記被加工物の加工位置に前記レーザの照射位置を移動させることを特徴とする、請求項５乃至７のいずれか１項に記載のレーザ加工方法。
【請求項９】
請求項１乃至８のいずれか１項に記載のレーザ加工方法を用いて、インク滴を吐出する吐出孔にインクを供給する経路となる溝を加工することを特徴とする、インクジェットヘッドの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、レーザ光を用いて被加工物を加工するレーザ加工方法、及び、このレーザ加工方法を用いたインクジェットヘッドの製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
穴あけ、切断などのレーザ光を利用した加工が機械、電子、半導体など多方面の分野で利用されている。これらの加工を行うレーザ加工装置として、レーザ発振器から出力されたレーザ光を、被加工物上で走査する手段と被加工物に集光する手段により走査と集光を行い、レーザ加工を行う技術がある（特許文献１）。  
【０００３】
特許文献１に記載された技術の場合、被加工物を積載したＸＹステージにより、Ｘ軸方向とＹ軸方向それぞれに被加工物を移動させることで、被加工物上のレーザ光の集光位置を変える。そして、所望の加工位置にレーザ光を集光する状態にし、レーザ光を照射させて加工を行う。そのため、複数の穴あけ加工や複数のドットマーキング加工などを行う場合は、ステージ上の被加工物の予め指定した複数の加工位置に順次レーザ光を照射して加工が行われるように、ステージを移動し、位置決めする。そして被加工物の所定の加工位置（Ｘ軸方向とＹ軸方向）にレーザ光の集光位置を合わせる動作と、レーザ光を照射して加工を行う動作を制御して順次行う。
【０００４】
例えば、Ｎ個所で穴あけ加工を行う場合はＮ回、所定の加工位置にレーザ光の集光位置を合わせる動作を行う必要がある。これは、ガルバノスキャナのようにレーザ光を走査して、所定の加工位置にレーザ光の集光位置を合わせる場合でも同じである。
【０００５】
加工個所が多い加工においては、この所定の加工位置にレーザ光の集光位置を合わせる動作にかかる時間が長く、加工スループットを悪化させる原因となっている。そのため、この時間をより短くするために、加工位置をすべて回る移動経路が短くなるように加工順を決めて加工を行うようにすることで加工スループットの向上を図っている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特許第３０５２９２８号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
しかしながら、加工位置をすべて回る移動経路が短くなるように加工順を決めて加工を行う場合においても、所定の加工位置にレーザ光の集光位置を合わせる動作は必要である。そのため加工個所が多い加工では、レーザ光の集光位置をＸ軸方向とＹ軸方向に移動させ、加工位置に合わせる動作にかかる時間が長くなり、加工スループットを悪化させるという問題があった。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明は、このような事情に鑑み、所定の加工位置にレーザ光の集光位置を合わせる動作にかかる時間を短くするレーザ加工を実現すべくなされたものである。
【０００９】
本発明のレーザ加工方法は、被加工物の加工位置にレーザの照射位置を移動させ、前記レーザを照射して前記被加工物を加工するレーザ加工方法であって、前記被加工物の加工位置までの前記レーザの照射位置のＸ軸方向の移動量およびＹ軸方向の移動量を求めておき、前記求めておいたＸ軸方向の移動量およびＹ軸方向の移動量の多い方の移動量より、Ｘ軸方向の移動量およびＹ軸方向の移動量が少なくなるように、前記被加工物を回転させる工程と、前記被加工物を回転させた状態で、前記レーザの照射位置を前記被加工物の加工位置までＸ軸方向とＹ軸方向に移動させて前記レーザを照射して前記被加工物を加工する工程と、を有することを特徴とする。
本発明のインクジェットヘッドの製造方法は、上記のレーザ加工方法を用いてインク滴を吐出する吐出孔にインクを供給する経路となる溝を加工することを特徴とすることを特徴とする。
【発明の効果】
【００１０】
本発明によれば、所定の加工位置に、レーザ光の集光位置を合わせる動作にかかる時間が短くなるレーザ加工を実現できる。
【図面の簡単な説明】
【００１１】
【図１】本発明の実施形態に係るレーザ加工方法を説明する図である。
【図２】レーザ加工の加工予定位置を表す図である。
【図３】本発明の実施形態による加工位置を表す図である。
【図４】回転角度と移動量の関係を示す図である。
【図５】本発明の実施形態における加工予定位置を表す図である。
【図６】インクジェットヘッドの一部を示す断面図である。
【図７】本発明の効果を説明する図である。
【発明を実施するための形態】
【００１２】
図１において、１１は基板、２１はレーザ光、２５は加工点、２２は集光レンズ透過後のレーザ光、３１は集光レンズである。また４はレーザ発振器、５１はＸ軸方向とＹ軸方向とＺ軸方向に独立して基板を移動制御可能であり、レーザ光の照射位置に基板を移動することができるＸ軸移動手段、Ｙ軸移動手段、Ｚ軸移動手段を含むＸ−Ｙ−Ｚステージである。５２はＸ−Ｙ−Ｚステージとは異なる、基板の回転手段であるθステージ、８は制御装置を示す。また、図２において、１０は基準点、１００は基準面、１０１から１３２はレーザ加工を行う加工予定位置を示す。
【００１３】
基板１１は被加工物であり、例えば半導体材料基板、ガラス基板、圧電材料基板などである。基準点１０は基板の基準となる位置、即ち、基板１１上の基準点であり、基準面１００は基板の基準となる面、即ち、基板１１の基準面である。図２のα軸とβ軸は直交しており基板１１の標準軸である。加工予定位置１０１から１３２は、基準点１０と基準面１００を基準に位置が決められている。
【００１４】
レーザ光２１はレーザ発振器４から発振される。加工点２５にて、基板１１に対してレーザ光が集光され加工が行われる。集光レンズ３１には、レーザ光を微小スポットに集光する光学系や、Ｘ軸方向とＹ軸方向に独立してレーザ光の照射位置を移動制御可能な走査手段である光学系、例えばガルバノスキャナとｆθレンズを組合せた光学系などが用いられる。レーザ発振器４には、ＹＡＧレーザ、ＣＯ２レーザ、ファイバーレーザなどが用いられる。
【００１５】
Ｘ−Ｙ−Ｚステージ５１は、単独動作可能なＸ軸ステージ、Ｙ軸ステージ、Ｚ軸ステージで構成され、搭載しているθステージ５２を、ＸＹ面を含めて、Ｘ―Ｙ―Ｚ方向に自在に移動させる。θステージ５２は、搭載している基板をＸＹ面で回転させることができる。またθステージ５２上部には基板１１を配置するための台座（不図示）があり、例えば付当てピンなどにより台座の決められた位置に、基板１１の基準点１０と基準面１００を合わせて基板を搭載することができる。
【００１６】
制御装置８は、レーザ発振器４、Ｘ−Ｙ−Ｚステージ５１、θステージ５２を制御する。また、制御装置８は、集光レンズ３１がレーザ光の照射位置を移動制御可能な走査手段をもった光学系の場合、走査手段の制御も行う。
【００１７】
（第１の実施形態）
図１、図２、図３及び図４を用いて、本発明のレーザ加工方法による第１の実施形態を説明する。
【００１８】
集光レンズ３１が有するＸ−Ｙガルバノスキャナによりレーザ光の集光位置を合わせ、加工予定位置１０１、１０２、１０３、・・・１３０、１３１、１３２の順で加工を行う。まず基板１１を、基板を配置するための台座に搭載する。初期の基板１１と集光レンズ３１の相対角度は、例えば基板１１を配置するための台座に有る付当てピンと、基板１１の基準点１０と、基準面１００とによって決められる。ここでは、基板１１のα軸と集光レンズ３１が有するＸ−ＹガルバノスキャナのＸ軸、基板１１のβ軸と集光レンズ３１が有するＸ−ＹガルバノスキャナのＹ軸が平行になるように付当てピンを設けている。これにより図２に示すような配置となる。
【００１９】
次に本実施形態では、例えば、θステージ５２により基板１１を３４度回転し、基板１１のα軸と集光レンズ３１が有するＸ−ＹガルバノスキャナのＸ軸、基板１１のβ軸と集光レンズ３１が有するＸ−ＹガルバノスキャナのＹ軸が３４度の関係になるようにする。
【００２０】
そして、Ｘ−Ｙ−Ｚステージ５１により、基準点１０と集光レンズ３１が有するＸ−Ｙガルバノスキャナの座標（０，０）に合わせる。これにより図３に示すような配置となる。
【００２１】
集光レンズ３１が有するＸ−Ｙガルバノスキャナにより、加工位置１０１にレーザ光の集光位置を合わせる。集光位置を合わせたら、レーザ光２２を所望の加工になるまで照射を行う。
【００２２】
所望の加工が終わったら、同じように集光レンズ３１が有するＸ−Ｙガルバノスキャナにより加工位置１０２にレーザ光の集光位置を合わせ、レーザ光２２を所望の加工になるまで照射を行う。同様の動作を予め決められた移動経路順に、各加工位置に対して行い、加工が完了となる。
【００２３】
ここでθステージ５２により基板１１を回転せずに加工した場合と、θステージ５２により基板１１を３４度回転して加工した場合とにおいて、加工位置にレーザ光の集光位置を合わせるのにかかる時間について述べる。ここでは集光レンズ３１が有するＸ−Ｙガルバノスキャナによって、レーザ光の集光位置をあわせる実施形態について述べる。
【００２４】
集光レンズ３１が有するＸ−Ｙガルバノスキャナから見た、それぞれの加工位置座標を表１に示す。
【００２５】
【表１】
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【００２６】
θステージ５２により基板１１を３４度回転しなかった場合、例えば、加工位置１０１から加工位置１０２への移動量では、Ｘ軸の移動量はＸ座標０．８からＸ座標１．２への移動となるため０．４となる。Ｙ軸の移動量はＹ座標１．０からＹ座標２．０への移動となるため１．０となる。よって、Ｙ軸の移動量の方が多い。また、例えば加工位置１２０から加工位置１２１への移動量では、Ｘ軸の移動量はＸ座標８．４からＸ座標３．２への移動となるため５．２となる。Ｙ軸の移動量はＹ座標６．０からＹ座標５．０への移動となるため１．０となる。よって、Ｘ軸の移動量の方が多い。このように各加工位置間の移動量においてＸ軸の移動量とＹ軸の移動量を比較する。そして、各加工位置間の移動量の多い方の総和を求めると、約３３．８となる。同様にθステージ５２により基板１１を３４度回転した場合、各加工位置間の移動量においてＸ軸の移動量とＹ軸と移動量の多い方の総和を求めると、約３０．８となる。
【００２７】
なお、θステージ５２により基板１１を回転させた回転角度と各加工位置間の移動量において、Ｘ軸とＹ軸の多い方の総和の関係は図４に示す関係となる。この関係から回転させる角度を、本実施形態の加工予定位置の配置と加工順序で、各加工位置間の移動量におけるＸ軸とＹ軸の多い方の総和が小さくなる角度である３４度とした。
【００２８】
このように、加工する加工予定位置の配置と加工順序に応じて、このような関係を求めることで、回転させる角度を決めることができる。各加工位置間の移動量において、Ｘ軸とＹ軸の多い方の総和が小さいということは、Ｘ軸とＹ軸が同時に動いている時間が長く、一方の軸だけが動いている時間が短い。すなわちＸ軸とＹ軸の両方を効率良く使って各加工位置間の移動を行っているということができる。
【００２９】
次に、各加工位置にレーザ光の集光位置を合わせるのにかかる時間と、各加工位置間の移動量におけるＸ軸とＹ軸の多い方の総和について述べる。集光レンズ３１が有するＸ−ＹガルバノスキャナのＸ軸とＹ軸の走査能力が同じであり、同時に動作を開始する場合、各加工位置にレーザ光の集光位置を合わせるのにかかる時間は、各加工位置間の移動量においてＸ軸とＹ軸の多い方によって決まる。
【００３０】
そのため、各加工位置間の移動量において、Ｘ軸とＹ軸の多い方の総和が小さい方が、各加工位置にレーザ光の集光位置を合わせるのにかかる時間が短い。したがって、θステージ５２により基板１１を３４度回転した場合の方が、各加工位置にレーザ光の集光位置を合わせるのにかかる時間が短くなる。
【００３１】
このように本実施形態の場合、被加工物と、Ｘ軸方向走査手段及びＹ軸方向走査手段との相対位置を、これら走査手段とは異なる回転手段によって変更する。そして、その状態で、レーザ光の集光位置をＸ軸方向とＹ軸方向に同時に被加工物の所定の加工位置まで移動させる。これにより、所定の加工位置にレーザ光の集光位置を合わせる動作にかかる時間が短くなるレーザ加工を実現できる。
【００３２】
また本実施形態では、Ｘ−ＹガルバノスキャナのＸ軸とＹ軸の走査能力が同じ場合について述べたが、走査能力が同じ場合に限られず、Ｘ−ＹガルバノスキャナのＸ軸とＹ軸の走査能力が異なっていてもよい。Ｘ−ＹガルバノスキャナのＸ軸とＹ軸の走査能力が異なっている場合は、Ｘ軸とＹ軸が同時に動いている時間が長く、一方の軸だけが動いている時間が短くなるように、回転させる角度を選択すればよい。
【００３３】
また本実施形態ではＸ−Ｙガルバノスキャナにより、各加工位置にレーザ光の集光位置を合わせる場合について述べたが、Ｘ−Ｙに走査可能なステージを用いた場合も同様に実施することができる。
【００３４】
また本実施形態では基板をθステージの上に積載し、最初の加工位置を加工する前に基板を回転させる場合について述べたが、途中の加工位置を加工する前に基板を回転させても実施することができる。また、回転させる回数は１度でなくてもよく、複数回行って実施することができる。
【００３５】
（第２の実施形態）
次に、図１と図５及び図７を用いて、本発明の第２の実施形態を説明する。図５は本実施形態における加工予定位置を示す図である。
【００３６】
図５に示す加工予定位置１０１〜１０８の順で加工を行う。まず基板１１を、基板を配置するための台座に搭載する。初期の基板１１とＸ−Ｙ−Ｚステージ５１の相対角度は、例えば基板１１を配置するための台座に有る付当てピンと基板１１の基準点１０と基準面１００によって決められる。ここでは、基板１１のα軸とＸ−Ｙ−Ｚステージ５１のＸ軸、基板１１のβ軸とＸ−Ｙ−Ｚステージ５１のＹ軸が平行になるように付当てピンを設けている。
【００３７】
この初期の基板１１とＸ−Ｙ−Ｚステージ５１の相対角度のまま、加工位置にレーザ光の集光位置を合わせる動作を行う場合、１０１から１０４までの移動は、Ｘ−Ｙ−Ｚステージ５１のＹ軸ステージのみにより移動することとなる。同様に、１０４から１０５への移動はＸ−Ｙ−Ｚステージ５１のＸ軸ステージのみより移動となり、１０５から１０８までの移動はＸ−Ｙ−Ｚステージ５１のＹ軸ステージのみにより移動することとなる。すなわち、Ｘ軸ステージとＹ軸ステージが同時に稼働している時間はない。
【００３８】
本発明では、加工位置にレーザ光の集光位置を合わせる動作を行う前に、基板１１とＸ−Ｙ−Ｚステージ５１の相対角度をθステージ５２により変えることで、各走査手段が同時に稼働している時間を変える。
【００３９】
本実施形態では、例えば、θステージ５２により基板１１を４５度回転し、基板１１のα軸とＸ−Ｙ−Ｚステージ５１のＸ軸、基板１１のβ軸とＸ−Ｙ−Ｚステージ５１のＹ軸が４５度の関係になるようにする。この相対角度で、加工位置にレーザ光の集光位置を合わせる動作を行うと、１０１から１０８までの移動はＸ−Ｙ−Ｚステージ５１のＸ軸ステージとＹ軸ステージの両方を同時に稼働させ、移動させることができる。そのため、片軸あたりの移動量が少なくなり移動時間を短縮できる。ここで、Ｘ軸だけで移動を行う場合と、Ｘ軸とＹ軸が両方を同時に稼働させ、移動する場合について述べる。例えば、図７（ａ）に示すように、ある距離Ａの移動をＸ軸だけで移動させる場合のＸ軸の移動量はＡとなる。この時、Ｘ軸だけで移動させるため、Ｙ軸の移動量は０である。また、この時、移動に掛かる時間はＸ軸移動量Ａの移動を完了するまでである。それに対して、図７（ｂ）に示すように、距離Ａの移動をＸ軸とＹ軸の両方を同時に稼働させ移動する場合、Ｘ軸移動量はＡ／√２、Ｙ軸移動量もＡ／√２となる。この時、Ｘ軸移動とＹ軸移動を同時に行い、Ｘ軸とＹ軸の走査能力が一緒であれば、移動に掛かる時間はＸ軸移動量Ａ／√２の移動を完了するまでである。移動に掛かる時間が移動距離に応じて決まるとすると、Ｘ軸移動量がＡからＡ／√２に短くなった分、移動に掛かる時間が短縮される。
【００４０】
この効果は加工位置にレーザ光の集光位置を合わせる動作をＸ−Ｙ−Ｚステージ５１ではなく、２軸以上のガルバノスキャナとｆθレンズを組合せて、Ｘ−Ｙ面でスキャンすることができる機能を有する集光レンズ３１で行う場合でも得ることができる。
【００４１】
ここでＸ軸ステージとＹ軸ステージの動作性能が一緒であれば、各加工位置間の移動のＸ軸方向の移動距離とＹ軸方向の移動距離が同じであるため、Ｘ軸ステージとＹ軸ステージは同じ時間稼働することとなる。またＸ軸ステージとＹ軸ステージの動作性能が異なっていたとしても、各加工位置間の移動におけるＸ軸ステージとＹ軸ステージが同時稼働している時間が長くなるように、事前に基板１１とＸ−Ｙ−Ｚステージ５１の相対角度をθステージ５２により変えればよい。
【００４２】
基板１１を台座に搭載し、基板１１とＸ−Ｙ−Ｚステージ５１の相対角度をθステージ５２により変えた後は、Ｘ−Ｙ−Ｚステージ５１により基板１１を移動させ、加工位置１０１にレーザ光の集光位置を合わせる。集光位置を合わせたら、レーザ光２２を所望の加工になるまで照射を行う。所望の加工が終わったら同じようにＸ−Ｙ−Ｚステージ５１により基板１１を移動させ、加工位置１０２にレーザ光の集光位置を合わせ、レーザ光２２を所望の加工になるまで照射を行う。同様の動作を予め決められた移動経路順に、各加工位置に対して行い、加工が完了となる。
【００４３】
このように本実施形態の場合、被加工物と、Ｘ軸方向走査手段及びＹ軸方向走査手段との相対位置を、これら被加工物移動手段とは異なる回転手段によって変更する。このことにより、レーザ光の集光位置をＸ軸方向とＹ軸方向に同時に被加工物の所定の加工位置まで移動させることができる。これにより、所定の加工位置に、レーザ光の集光位置を合わせる動作にかかる時間が短くなるレーザ加工を実現できる。
【００４４】
また本実施形態ではＸ−Ｙに走査可能なステージにより、各加工位置にレーザ光の集光位置を合わせる場合について述べたが、Ｘ−Ｙガルバノスキャナを用いた場合も同様に実施することができる。
【００４５】
また本実施形態では基板をθステージの上に積載し、最初の加工位置を加工する前に基板を回転させる場合について述べたが、途中の加工位置を加工する前に基板を回転させても実施することができる。また、回転させる回数は１度でなくてもよく、複数回行って実施することができる。
【実施例】
【００４６】
次に、実施形態で説明したレーザ加工方法を用いたインクジェットヘッドの製造方法について説明する。本実施例では、インクジェットヘッドの基板を製造する。
【００４７】
図６に、インクジェットプリンタのヘッド部分の断面を示す。
【００４８】
図６において、３３０は半導体基板（インクジェットヘッドの基板）、３３１はインクの経路となる垂直形状の溝である。また、３３２はヒータ、３３３は液室、３３４はオリフィスプレート、３３５は吐出孔、３３６はインクタンク、破線で示す３３７はインク経路、３３８は微小なインク滴を示す。
【００４９】
溝３３１が形成された半導体基板３３０の下面には、インクを吐出させるためのヒータ３３２、液室３３３、オリフィスプレート３３４が形成される。また、半導体基板３３０の上面には、インクを貯蔵するインクタンク３３６が取り付けられる。
【００５０】
インクは、インクタンク３３６から溝３３１及び液室３３３を経て、ヒータ３３２に到達する。ヒータ３３２の瞬間的な加熱／冷却により形成された気泡がインクを押上げ、オリフィスプレート３３４中に形成された吐出孔３３５より微小なインク滴３３８となって吐出される。
【００５１】
本実施例では、インク滴３３８を吐出する吐出孔３３５に、インクを供給する経路となる溝３３１となる部分に複数の先導孔を、上述の各実施形態で説明したようなレーザ加工によって形成する。即ち、被加工物として溝３３１を形成する前の半導体基板をステージに載置し、上述したようなレーザ加工を施し先導孔を形成する。この先導孔とは、レーザ加工の後工程の異方性エッチングの際にエッチング液を進入させ、異方性エッチングの時間を短縮し、インク供給口の幅をより小さくするためのものである。
【００５２】
インクジェットヘッドの基板は、例えば、結晶面（１００）シリコン製の素材（被非加工物）に加工を施して製造したものである。この被加工物にはヒータや電気配線、耐エッチング性を有するエッチングストップ層、エッチング保護膜など、インクを吐出するための機構やレーザ加工後のエッチング工程のための機構などが形成されている。また、被加工物の厚みは、例えば７２５μｍ程度である。
【００５３】
このような被加工物に対して、上述の所望の先導孔の形状になるまでレーザ光を照射する。この先導孔は、後工程の異方性エッチングの際にエッチング液を進入させ、異方性エッチングの時間を短縮し、インク供給口の幅をより小さくするために、直径φ５〜１００μｍとすることが好ましい。また深さは被加工物として７２５μｍの厚さのものを用いた場合、６００〜７１０μｍが好ましい。
【００５４】
レーザによる先導孔加工後に、アルカリ性エッチング液中で、例えば１５分程度異方性エッチングする事により、最終的な溝形状を形成し、インクジェットヘッドの基板を製造することができる。
【符号の説明】
【００５５】
４      レーザ発振器
８      制御装置
１１    基板
２１    レーザ光
２２    集光レンズ透過後のレーザ光
２５    加工点
３１    集光レンズ５１    Ｘ−Ｙ−Ｚステージ
５２    θステージ３３０  半導体基板
３３１  溝
３３２  ヒータ
３３３  液室
３３４  オリフィスプレート
３３５  吐出孔
３３６  インクタンク
３３７  インク経路
３３８  微小なインク滴
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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