(57)【要約】【課題】  基板の端部への接触なしに基板を高い精度で位置合わせすることが可能な基板処理装置および基板処理方法を提供する。【解決手段】  回転保持装置５０４が回転軸ＲＡの周りで回転し、制御部がラインセンサ５０５から取得する位置データに基づいて回転方向オフセット量θｏｆｆ、Ｘオフセット量ＸｏｆｆおよびＹオフセット量Ｙｏｆｆを算出する。Ｘオフセット量およびＹオフセット量が０となるようにＸ方向可動部５０２およびＹ方向可動部５０３が移動するとともに、回転方向オフセット量θｏｆｆが０となるように回転保持装置５０４が回転する。Ｘ方向可動部５０２がＸ方向に移動しつつ膜厚測定器５０７が基板Ｗ上の膜の厚さを順次測定する。【選択図】図８
2015211205.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板に処理を行う基板処理装置であって、
基板を保持して回転軸の周りで回転させる回転保持装置と、
前記回転保持装置を前記回転軸に垂直な二次元方向に移動させる移動装置と、
前記回転保持装置により回転される基板の外周部の位置を検出する位置検出器と、
前記位置検出器により検出される位置に基づいて前記回転保持装置により保持される基板の中心が予め定められた基準軸と一致するように前記移動装置を制御する制御部とを備える、基板処理装置。
【請求項２】
前記制御部は、前記位置検出器により検出された位置に基づいて、前記回転保持装置により保持される基板の中心と前記回転保持装置の前記回転軸とのずれ量を算出し、算出されたずれ量に基づいて前記回転保持装置により保持される基板の中心が前記基準軸と一致するように前記移動装置を制御する、請求項１記載の基板処理装置。
【請求項３】
前記制御部は、前記位置検出器により検出された位置に基づいて、前記回転保持装置により保持される基板のノッチの方向を算出し、算出された方向に基づいて前記回転保持装置により保持される基板のノッチの方向が予め定められた基準方向と一致するように前記回転保持装置および前記移動装置を制御する、請求項１または２記載の基板処理装置。
【請求項４】
前記制御部は、前記算出されたずれ量に基づいて、前記回転保持装置により保持される基板の中心が予め定められた測定位置と一致するように前記移動装置を制御し、前記回転保持装置により保持される基板の中心が前記測定位置と一致する状態で基板が回転されるように前記回転保持装置および前記移動装置を制御し、基板の中心が前記測定位置と一致する状態で前記位置検出器により検出された位置に基づいて基板のノッチの方向を算出し、算出された方向に基づいて前記回転保持装置により保持される基板のノッチの方向が予め定められた基準方向と一致するように前記回転保持装置および前記移動装置を制御する、請求項１または２記載の基板処理装置。
【請求項５】
前記制御部は、
前記回転保持装置が基板を前記回転軸の周りで回転させるとともに前記移動装置が前記回転保持装置を移動させることにより、前記回転される基板の中心が前記基準軸と一致する状態を維持するように前記回転保持装置および前記移動装置を制御する、請求項１〜４のいずれか一項に記載の基板処理装置。
【請求項６】
前記回転保持装置により保持される基板の中心が前記基準軸と一致した後、基板を前記回転保持装置から離間させて前記回転保持装置の上方で支持する昇降機構をさらに備え、
前記制御部は、基板が前記昇降機構により支持されているときに、前記回転保持装置の前記回転軸が基板の中心と一致するように前記移動装置を制御し、
前記昇降機構は、前記回転保持装置の前記回転軸が基板の中心と一致した後、基板を下降させ、
前記回転保持装置は、前記昇降機構により下降された基板を保持して前記回転軸の周りで回転させる、請求項１〜４のいずれか一項に記載の基板処理装置。
【請求項７】
前記回転保持装置により回転される基板の上面の周縁部に処理を行う第１の処理部をさらに備える、請求項５または６記載の基板処理装置。
【請求項８】
前記回転保持装置により回転される基板の外周端部に処理を行う第２の処理部をさらに備える、請求項５〜７のいずれか一項に記載の基板処理装置。
【請求項９】
基板の予め定められた位置の状態を測定する測定装置をさらに備え、
前記制御部は、前記回転保持装置により保持される基板の中心が前記基準軸と一致した後、前記測定装置により前記予め定められた位置の状態が測定されるように前記回転保持装置および移動装置の少なくとも一方を制御することにより前記回転保持装置により保持される基板を移動させる、請求項５〜８のいずれか一項に記載の基板処理装置。
【請求項１０】
基板に処理を行う基板処理装置であって、
基板を水平姿勢で保持して回転軸の周りで回転させる回転保持装置と、
基板の中心が前記回転保持装置の前記回転軸から離間するように基板を前記回転保持装置に搬送する搬送機構と、
前記回転保持装置を前記回転軸に垂直な二次元方向に移動させる移動装置と、
前記回転保持装置により回転される基板の外周部の位置を検出する位置検出器と、
基板を水平姿勢で保持するとともに鉛直方向の基準軸を有する基板保持部と、
前記回転保持装置が基板を前記基板保持部に転送するように前記移動装置および前記回転保持装置を制御する制御部とを備え、
前記制御部は、前記位置検出器により検出される位置に基づいて、前記転送後の基板の中心が前記基板保持部の前記基準軸と一致するように前記回転保持装置および前記移動装置を制御する、基板処理装置。
【請求項１１】
前記回転保持装置の前記回転軸から離間した想定位置が予め設定され、
前記制御部は、前記位置検出器により検出された位置に基づいて、前記回転保持装置により保持される基板の中心と前記想定位置とのずれ量を算出し、算出されたずれ量に基づいて、前記転送後の基板の中心が前記基板保持部の前記基準軸と一致するように前記移動装置を制御する、請求項１０記載の基板処理装置。
【請求項１２】
前記制御部は、前記位置検出器により検出された位置に基づいて、前記回転保持装置により保持される基板のノッチの方向を算出し、算出された方向に基づいて、前記転送後の基板のノッチの方向が予め定められた基準方向と一致するように前記回転保持装置および前記移動装置を制御する、請求項１０または１１記載の基板処理装置。
【請求項１３】
前記基板保持部は、基板を水平姿勢で保持して前記基準軸の周りで回転させるように構成される、請求項１０〜１２のいずれか一項に記載の基板処理装置。
【請求項１４】
前記基板保持部により回転される基板の上面の周縁部に処理を行う第１の処理部をさらに備える、請求項１３記載の基板処理装置。
【請求項１５】
前記基板保持部により回転される基板の外周端部に処理を行う第２の処理部をさらに備える、請求項１３または１４記載の基板処理装置。
【請求項１６】
基板に処理を行う基板処理方法であって、
回転保持装置により基板を保持して回転軸の周りで回転させるステップと、
前記回転保持装置により回転される基板の外周部の位置を検出するステップと、
前記検出される位置に基づいて前記回転保持装置により保持される基板の中心が予め定められた基準軸と一致するように前記回転保持装置を前記回転軸に垂直な二次元方向に移動させるステップとを含む、基板処理方法。
【請求項１７】
基板に処理を行う基板処理方法であって、
基板の中心が回転保持装置の回転軸から離間するように基板を搬送機構により前記回転保持装置に搬送するステップと、
前記回転保持装置により基板を水平姿勢で保持して回転軸の周りで回転させるステップと、
前記回転保持装置により回転される基板の外周部の位置を検出するステップと、
前記回転保持装置から前記基板保持部に基板を転送するステップと、
転送後の基板を基板保持部により水平姿勢で保持するステップとを含み、
前記転送するステップは、前記検出される位置に基づいて、前記転送後の基板の中心が前記基板保持部の前記基準軸と一致するように、移動装置により前記回転保持装置を前記回転軸に垂直な二次元方向に移動させることを含む、基板処理方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、基板に処理を行う基板処理装置および基板処理装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体基板、液晶表示装置用基板、プラズマディスプレイ用基板、光ディスク用基板、磁気ディスク用基板、光磁気ディスク用基板、フォトマスク用基板等の各種基板に種々の処理を行うために、基板処理装置が用いられている。
【０００３】
特許文献１に記載された基板処理装置には、基板上のレジスト膜の周辺領域（周縁部）の露光を行う周辺露光機能と、基板上のレジスト膜の厚さを測定する膜厚測定機能とを有する基板処理ユニットが設けられる。その基板処理ユニットは、露光ヘッド部および膜厚測定装置を備える。露光ヘッド部および膜厚測定装置は、ＸＹ駆動機構によりＸＹ移動可能に設けられる。
【０００４】
露光動作時には、スピンチャックにより保持された基板が回転されるとともにエッジセンサによりスピンチャックの回転軸から基板の外周部までの距離が検出され、その検出結果に基づいて基板の中心とスピンチャックの回転軸との位置関係およびスピンチャックに対する基板の位置が検出される。それにより、露光されるべき基板の周辺領域の位置が特定される。スピンチャックにより保持された基板が回転させつつＸＹ駆動機構により露光ヘッドによる露光用の光の照射位置を変化させることにより、基板の周辺領域の露光が行われる。
【０００５】
膜厚測定動作時には、スピンチャックにより保持された基板が回転されるとともにエッジセンサによりスピンチャックの回転軸から基板の外周部までの距離が検出され、その検出結果に基づいて基板の中心とスピンチャックの回転軸との位置関係およびスピンチャックに対する基板の位置が検出される。それにより、測定されるべき基板の測定点の位置が特定される。ＸＹ駆動機構により膜厚測定装置の露光ヘッドの光学ヘッドが基板の測定点に対応する位置に移動されることにより、測定点の膜厚が測定される。
【０００６】
１枚の基板から得られるチップの数を増加させることが求められている。したがって、基板の周縁部における露光等の処理を高い精度で行う必要がある。
【０００７】
上記の特許文献１の処理ユニットでは、基板の中心がスピンチャックの回転軸に対して偏心している場合でも、基板の周縁部に露光等の処理を行うことができる。
【０００８】
しかしながら、基板の中心が偏心した状態で基板の特定の領域に処理を行う場合、処理の精度に限界がある。例えば、基板の中心が回転中心に対して偏心した状態で基板の周縁部の一定の角度の領域に処理を行うと、処理の開始点および終了点の位置がずれやすい。したがって、基板の中心が回転中心と一致した状態で基板の特定の領域に処理を行うことが望ましい。
【０００９】
そこで、特許文献２に記載された基板処理装置では、基板の周縁部に形成された膜を精度よく除去するために、複数の塗布ユニットの各々に２つのガイドアームが設けられる。各塗布ユニットにおいては、外部から搬入された基板がスピンチャック上に載置された状態で、スピンチャック上の軸心に向って２つのガイドアームが移動する。スピンチャック上で基板が２つのガイドアームにより狭持されることにより、スピンチャック上で基板の位置が修正される。この状態で、基板がスピンチャックにより吸着保持される。その後、スピンチャックにより保持される基板に対して塗布液が供給され、基板上に膜が形成される。続いて、基板の周縁部に向って針状ノズルから除去液が供給される。それにより、基板の周縁部に形成された膜が除去される。
【先行技術文献】
【特許文献】
【００１０】
【特許文献１】特開２００３−１５１８９３号公報
【特許文献２】特開２００８−６０３０２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１１】
しかしながら、上記の特許文献２に記載された構成では、ガイドアームが基板の外周端部に接触する。そのため、基板の端部に形成された膜の剥離等によりパーティクルが発生することがある。したがって、基板の端部への接触なしに基板の位置を所定の位置に合わせることが望まれる。
【００１２】
本発明の目的は、基板の端部への接触なしに基板を高い精度で位置合わせすることが可能な基板処理装置および基板処理方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【００１３】
（１）第１の発明に係る基板処理装置は、基板に処理を行う基板処理装置であって、基板を保持して回転軸の周りで回転させる回転保持装置と、回転保持装置を回転軸に垂直な二次元方向に移動させる移動装置と、回転保持装置により回転される基板の外周部の位置を検出する位置検出器と、位置検出器により検出される位置に基づいて回転保持装置により保持される基板の中心が予め定められた基準軸と一致するように移動装置を制御する制御部とを備える。
【００１４】
その基板処理装置においては、回転保持装置により回転される基板の外周部の位置が位置検出器により検出され、検出された位置に基づいて回転保持装置により保持される基板の中心が予め定められた基準軸と一致するように移動装置により回転保持装置が二次元方向に移動される。それにより、基板の端部への接触なしに基板を高い精度で位置合わせすることが可能である。
【００１５】
（２）制御部は、位置検出器により検出された位置に基づいて、回転保持装置により保持される基板の中心と回転保持装置の回転軸とのずれ量を算出し、算出されたずれ量に基づいて回転保持装置により保持される基板の中心が基準軸と一致するように移動装置を制御してもよい。
【００１６】
この場合、回転保持装置に保持される基板の中心が回転保持装置の回転軸に対して偏心している場合でも、基板の中心を基準軸に一致させることができる。
【００１７】
（３）制御部は、位置検出器により検出された位置に基づいて、回転保持装置により保持される基板のノッチの方向を算出し、算出された方向に基づいて回転保持装置により保持される基板のノッチの方向が予め定められた基準方向と一致するように回転保持装置および移動装置を制御してもよい。
【００１８】
この場合、回転保持装置により保持される基板のノッチの方向が基準方向と一致しない場合でも、基板のノッチの方向を基準方向に一致させることができる。
【００１９】
（４）制御部は、算出されたずれ量に基づいて、回転保持装置により保持される基板の中心が予め定められた測定位置と一致するように移動装置を制御し、回転保持装置により保持される基板の中心が測定位置と一致する状態で基板が回転されるように回転保持装置および移動装置を制御し、基板の中心が測定位置と一致する状態で位置検出器により検出された位置に基づいて基板のノッチの方向を算出し、算出された方向に基づいて回転保持装置により保持される基板のノッチの方向が予め定められた基準方向と一致するように回転保持装置および移動装置を制御してもよい。
【００２０】
この場合、回転保持装置により保持される基板の中心が測定位置と一致する状態で基板のノッチの方向が算出される。それにより、ノッチの方向が正確に算出される。したがって、基板のノッチの方向を正確に基準方向に一致させることができる。
【００２１】
（５）制御部は、回転保持装置が基板を回転軸の周りで回転させるとともに移動装置が回転保持装置を移動させることにより、回転される基板の中心が基準軸と一致する状態を維持するように回転保持装置および移動装置を制御してもよい。
【００２２】
この場合、回転保持装置により保持される基板の中心が回転保持装置の回転軸に対して偏心している場合でも、基板の中心が回転中心と一致する状態で基板を回転させることができる。
【００２３】
（６）回転保持装置により保持される基板の中心が基準軸と一致した後、基板を回転保持装置から離間させて回転保持装置の上方で支持する昇降機構をさらに備え、制御部は、基板が昇降機構により支持されているときに、回転保持装置の回転軸が基板の中心と一致するように移動装置を制御し、昇降機構は、回転保持装置の回転軸が基板の中心と一致した後、基板を下降させ、回転保持装置は、昇降機構により下降された基板を保持して回転軸の周りで回転させてもよい。
【００２４】
この場合、回転保持装置により保持される基板の中心が回転保持装置の回転軸に対して偏心している場合でも、昇降機構の簡単な動作により基板の中心が回転保持装置の回転軸と一致するように基板が回転保持装置により再配置される。それにより、移動装置による二次元方向への回転保持装置の移動を行うことなく、基板の中心が回転中心と一致した状態で基板を回転させることができる。
【００２５】
（７）基板処理装置は、回転保持装置により回転される基板の上面の周縁部に処理を行う第１の処理部をさらに備えてもよい。
【００２６】
この場合、基板の中心が回転中心と一致した状態で基板が回転されるので、基板の上面の周縁部における一定幅の領域に正確に処理を行うことができる。
【００２７】
（８）基板処理装置は、回転保持装置により回転される基板の外周端部に処理を行う第２の処理部をさらに備えてもよい。
【００２８】
この場合、基板の中心が回転中心と一致した状態で基板が回転されるので、基板の外周端部に均一に処理を行うことができる。
【００２９】
（９）基板処理装置は、基板の予め定められた位置の状態を測定する測定装置をさらに備え、制御部は、回転保持装置により保持される基板の中心が基準軸と一致した後、測定装置により予め定められた位置の状態が測定されるように回転保持装置および移動装置の少なくとも一方を制御することにより回転保持装置により保持される基板を移動させてもよい。
【００３０】
この場合、基板の中心が基準軸と一致した後に基板が移動されるので、基板の予め定められた位置に状態を正確に測定することができる。
【００３１】
（１０）第２の発明に係る基板処理装置は、基板に処理を行う基板処理装置であって、基板を水平姿勢で保持して回転軸の周りで回転させる回転保持装置と、基板の中心が回転保持装置の回転軸から離間するように基板を回転保持装置に搬送する搬送機構と、回転保持装置を回転軸に垂直な二次元方向に移動させる移動装置と、回転保持装置により回転される基板の外周部の位置を検出する位置検出器と、基板を水平姿勢で保持するとともに鉛直方向の基準軸を有する基板保持部と、回転保持装置が基板を基板保持部に転送するように移動装置および回転保持装置を制御する制御部とを備え、制御部は、位置検出器により検出される位置に基づいて、転送後の基板の中心が基板保持部の基準軸と一致するように回転保持装置および移動装置を制御してもよい。
【００３２】
この基板処理装置においては、基板の中心が回転保持装置の回転軸から離間するように基板が搬送機構により回転保持装置に搬送される。この状態で、回転保持装置により基板が水平姿勢で保持されて回転軸の周りで回転され、回転される基板の外周部の位置が検出される。その後、回転保持装置から基板保持部に基板が転送される。このとき、上記のように検出された外周部の位置に基づいて、転送後の基板の中心が基板保持部の基準軸と一致するように、移動装置により回転保持装置が二次元方向に移動される。転送後の基板は、基板保持部により水平姿勢で保持される。
【００３３】
それにより、基板の中心が基準軸と一致した状態で基板保持部により保持される。したがって、基板の端部への接触なしに基板を高い精度で位置合わせすることが可能である。
【００３４】
（１１）回転保持装置の回転軸から離間した想定位置が予め設定され、制御部は、位置検出器により検出された位置に基づいて、回転保持装置により保持される基板の中心と想定位置とのずれ量を算出し、算出されたずれ量に基づいて、転送後の基板の中心が基板保持部の基準軸と一致するように移動装置を制御してもよい。
【００３５】
この場合、回転保持装置に保持される基板の中心が回転保持装置の回転軸に対して偏心している場合でも、基板の中心を基板支持部の基準軸に一致させることができる。
【００３６】
（１２）制御部は、位置検出器により検出された位置に基づいて、回転保持装置により保持される基板のノッチの方向を算出し、算出された方向に基づいて、転送後の基板のノッチの方向が予め定められた基準方向と一致するように回転保持装置および移動装置を制御してもよい。
【００３７】
この場合、回転保持装置に保持される基板の中心が回転保持装置の回転軸に対して偏心している場合でも、基板支持部において基板の中心を基準方向に一致させることができる。
【００３８】
（１３）基板保持部は、基板を水平姿勢で保持して基準軸の周りで回転させるように構成されてもよい。
【００３９】
この場合、基板支持部において基板の中心が基準軸と一致した状態で基板を回転させることができる。
【００４０】
（１４）基板処理装置は、基板保持部により回転される基板の上面の周縁部に処理を行う第１の処理部をさらに備えてもよい。
【００４１】
この場合、基板の中心が回転中心と一致した状態で基板が回転されるので、基板の上面の周縁部における一定幅の領域に正確に処理を行うことができる。
【００４２】
（１５）基板処理装置は、基板保持部により回転される基板の外周端部に処理を行う第２の処理部をさらに備えてもよい。
【００４３】
この場合、基板の中心が回転中心と一致した状態で基板が回転されるので、基板の外周端部に均一に処理を行うことができる。
【００４４】
（１６）第３の発明に係る基板処理方法は、基板に処理を行う基板処理方法であって、回転保持装置により基板を保持して回転軸の周りで回転させるステップと、回転保持装置により回転される基板の外周部の位置を検出するステップと、検出される位置に基づいて回転保持装置により保持される基板の中心が予め定められた基準軸と一致するように回転保持装置を回転軸に垂直な二次元方向に移動させるステップとを含む。
【００４５】
その基板処理方法においては、回転保持装置により回転される基板の外周部の位置が位検出され、検出された位置に基づいて回転保持装置により保持される基板の中心が予め定められた基準軸と一致するように移動装置により回転保持装置が二次元方向に移動される。それにより、基板の端部への接触なしに基板を高い精度で位置合わせすることが可能である。
【００４６】
（１７）第４の発明に係る基板処理方法は、基板に処理を行う基板処理方法であって、基板の中心が回転保持装置の回転軸から離間するように基板を搬送機構により回転保持装置に搬送するステップと、回転保持装置により基板を水平姿勢で保持して回転軸の周りで回転させるステップと、回転保持装置により回転される基板の外周部の位置を検出するステップと、回転保持装置から基板保持部に基板を転送するステップと、転送後の基板を基板保持部により水平姿勢で保持するステップとを含み、転送するステップは、検出される位置に基づいて、転送後の基板の中心が基板保持部の基準軸と一致するように、移動装置により回転保持装置を回転軸に垂直な二次元方向に移動させることを含む。
【００４７】
この基板処理方法においては、基板の中心が回転保持装置の回転軸から離間するように基板が搬送機構により回転保持装置に搬送される。この状態で、回転保持装置により基板が水平姿勢で保持されて回転軸の周りで回転され、回転される基板の外周部の位置が検出される。その後、回転保持装置から基板保持部に基板が転送される。このとき、上記のように検出された外周部の位置に基づいて、転送後の基板の中心が基板保持部の基準軸と一致するように、移動装置により回転保持装置が二次元方向に移動される。転送後の基板は、基板保持部により水平姿勢で保持される。
【００４８】
それにより、基板の中心が基準軸と一致した状態で基板保持部により保持される。したがって、基板の端部への接触なしに基板を高い精度で位置合わせすることが可能である。
【発明の効果】
【００４９】
本発明によれば、基板の端部への接触なしに基板を高い精度で位置合わせすることが可能になる。
【図面の簡単な説明】
【００５０】
【図１】基板処理装置の構成を示す模式的平面図である。
【図２】主として図１の塗布処理部、現像処理部および洗浄乾燥処理部を示す基板処理装置の模式的側面図である。
【図３】主として図１の熱処理部，および洗浄乾燥処理部を示す基板処理装置の模式的側面図である。
【図４】主として図１の搬送部を示す側面図である。
【図５】エッジ露光部の構成を示す模式的平面図および模式的側面図である。
【図６】エッジ露光部の制御系の構成を示すブロック図である。
【図７】図５のエッジ露光部の動作を説明するための模式図である。
【図８】図５のエッジ露光部の動作を説明するための模式図である。
【図９】図５のエッジ露光部の動作を説明するための模式図である。
【図１０】図５のエッジ露光部の動作を説明するための模式図である。
【図１１】図５のエッジ露光部の動作を説明するための模式図である。
【図１２】図５のエッジ露光部の動作を説明するための模式図である。
【図１３】ラインセンサの出力信号に基づいて取得される位置データの一例を示す図である。
【図１４】膜厚測定器による膜厚測定方法の一例を示す模式的平面図である。
【図１５】膜厚測定器による膜厚測定方法の他の例を示す模式的平面図である。
【図１６】露光ユニットによる基板のエッジ露光方法を示す模式的平面図である。
【図１７】塗布処理ユニットの第１の例の構成を示す模式的平面図および模式的側面図である。
【図１８】塗布処理ユニットの制御系の構成を示すブロック図である。
【図１９】図１７の塗布処理ユニットの動作を説明するための模式的平面図および模式的側面図である。
【図２０】図１７の塗布処理ユニットの動作を説明するための模式的平面図および模式的側面図である。
【図２１】図１７の塗布処理ユニットの動作を説明するための模式的平面図および模式的側面図である。
【図２２】図１７の塗布処理ユニットの動作を説明するための模式的平面図および模式的側面図である。
【図２３】塗布処理ユニットの第２の例の構成を示す模式的平面図および模式的側面図である。
【図２４】図２３の塗布処理ユニットの移動装置の動作を示す模式的平面図である。
【図２５】塗布処理ユニットの第３の例の構成を示す模式的平面図および模式的側面図である。
【図２６】図２５の塗布処理ユニットの移動装置の動作を示す模式的平面図である。
【図２７】図２５の塗布処理ユニットの移動装置の動作を示す模式的平面図である。
【図２８】図２５の塗布処理ユニットの移動装置の動作を示す模式的平面図である。
【図２９】基板載置部の例の構成を示す模式的平面図および模式的側面図である。
【図３０】洗浄乾燥処理ユニットの第１の例の構成を示す模式的平面図および模式的側面図である。
【図３１】洗浄乾燥処理ユニットの第２の構成を示す模式的側面図および模式的平面図である。
【図３２】洗浄乾燥処理ユニットの動作を説明するための模式図である。
【図３３】洗浄乾燥処理ユニットの動作を説明するための模式図である。
【図３４】移動装置として用いられる搬送機構の主要部の構成および動作を示す模式的平面図である。
【図３５】インクリメント型エンコーダを用いた場合において原点位置を調整するための構成を示す模式的平面図である。
【図３６】インクリメント型エンコーダを用いた場合における原点位置の調整方法を説明するための模式的平面図である。
【発明を実施するための形態】
【００５１】
以下、本発明の実施の形態に係る基板処理装置について図面を用いて説明する。なお、以下の説明において、基板とは、半導体基板、液晶表示装置用基板、プラズマディスプレイ用基板、フォトマスク用ガラス基板、光ディスク用基板、磁気ディスク用基板、光磁気ディスク用基板またはフォトマスク用基板等をいう。
【００５２】
（１）全体構成
図１は、基板処理装置１００の構成を示す模式的平面図である。図１および後述する図２〜図４には、位置関係を明確にするために互いに直交するＵ方向、Ｖ方向およびＺ方向を示す矢印を付している。Ｕ方向およびＶ方向は水平面内で互いに直交し、Ｚ方向は鉛直方向に相当する。
【００５３】
図１に示すように、基板処理装置１００は、インデクサブロック１１、第１の処理ブロック１２、第２の処理ブロック１３、洗浄乾燥処理ブロック１４Ａおよび搬入搬出ブロック１４Ｂを備える。洗浄乾燥処理ブロック１４Ａおよび搬入搬出ブロック１４Ｂにより、インターフェイスブロック１４が構成される。搬入搬出ブロック１４Ｂに隣接するように露光装置１５が配置される。露光装置１５においては、液浸法により基板Ｗに露光処理が行われる。
【００５４】
インデクサブロック１１は、複数のキャリア載置部１１１および搬送部１１２を含む。各キャリア載置部１１１には、複数の基板Ｗを多段に収納するキャリア１１３が載置される。
【００５５】
搬送部１１２には、制御部１１４および搬送機構１１５が設けられる。制御部１１４は、基板処理装置１００の種々の構成要素を制御する。搬送機構１１５は、基板Ｗを保持するためのハンド１１６を有する。搬送機構１１５は、ハンド１１６により基板Ｗを保持しつつその基板Ｗを搬送する。
【００５６】
第１の処理ブロック１２は、塗布処理部１２１、搬送部１２２および熱処理部１２３を含む。塗布処理部１２１および熱処理部１２３は、搬送部１２２を挟んで対向するように設けられる。後述のように、搬送部１２２と搬送部１１２との間には、基板Ｗが載置される基板載置部ＰＡＳＳ１，ＰＡＳＳ２，ＰＡＳＳ３，ＰＡＳＳ４（図４参照）が設けられる。本実施の形態では、基板載置部ＰＡＳＳ１〜ＰＡＳＳ４は、基板Ｗの位置合わせ機能を有する。基板Ｗの位置合わせとは、基板Ｗに形成されたノッチの方向を基板Ｗの中心に関して特定の方向に一致させるとともに基板Ｗの中心を特定の位置に一致させることをいう。基板載置部ＰＡＳＳ１〜ＰＡＳＳ４の詳細については後述する。搬送部１２２には、基板Ｗを搬送する搬送機構１２７および後述する搬送機構１２８（図４参照）が設けられる。
【００５７】
第２の処理ブロック１３は、現像処理部１３１、搬送部１３２および熱処理部１３３を含む。現像処理部１３１および熱処理部１３３は、搬送部１３２を挟んで対向するように設けられる。搬送部１３２と搬送部１２２との間には、基板Ｗが載置される基板載置部ＰＡＳＳ５〜ＰＡＳＳ８（図４参照）が設けられる。搬送部１３２には、基板Ｗを搬送する搬送機構１３７および後述する搬送機構１３８（図４参照）が設けられる。
【００５８】
洗浄乾燥処理ブロック１４Ａは、洗浄乾燥処理部１６１，１６２および搬送部１６３を含む。洗浄乾燥処理部１６１，１６２は、搬送部１６３を挟んで対向するように設けられる。搬送部１６３には、搬送機構１４１，１４２が設けられる。搬送部１６３と搬送部１３２との間には、載置兼バッファ部Ｐ−ＢＦ１および後述の載置兼バッファ部Ｐ−ＢＦ２（図４参照）が設けられる。載置兼バッファ部Ｐ−ＢＦ１，Ｐ−ＢＦ２は、複数の基板Ｗを収容可能に構成される。
【００５９】
また、搬送機構１４１，１４２の間において、搬入搬出ブロック１４Ｂに隣接するように、基板載置部ＰＡＳＳ９および後述の載置兼冷却部Ｐ−ＣＰ（図４参照）が設けられる。載置兼冷却部Ｐ−ＣＰは、基板Ｗを冷却する機能を備える。載置兼冷却部Ｐ−ＣＰにおいて、基板Ｗが露光処理に適した温度に冷却される。
【００６０】
搬入搬出ブロック１４Ｂには、搬送機構１４６が設けられる。搬送機構１４６は、露光装置１５に対する基板Ｗの搬入および搬出を行う。露光装置１５には、基板Ｗを搬入するための基板搬入部１５ａおよび基板Ｗを搬出するための基板搬出部１５ｂが設けられる。
【００６１】
（２）塗布処理部および現像処理部の構成
図２は、主として図１の塗布処理部１２１、現像処理部１３１および洗浄乾燥処理部１６１を示す基板処理装置１００の模式的側面図である。
【００６２】
図２に示すように、塗布処理部１２１には、塗布処理室２１，２２，２３，２４が階層的に設けられる。現像処理部１３１には、現像処理室３１，３２，３３，３４が階層的に設けられる。塗布処理室２１〜２４の各々には、塗布処理ユニット１２９が設けられる。現像処理室３１〜３４の各々には、現像処理ユニット１３９が設けられる。
【００６３】
各塗布処理ユニット１２９は、基板Ｗを保持するスピンチャック２５およびスピンチャック２５の周囲を覆うように設けられるカップ２７を備える。本実施の形態では、各塗布処理ユニット１２９に２組のスピンチャック２５およびカップ２７が設けられる。スピンチャック２５は、図示しない駆動装置（例えば、電動モータ）により回転駆動される。また、図１に示すように、各塗布処理ユニット１２９は、処理液を吐出する複数の処理液ノズル２８およびそれらの処理液ノズル２８を移動させるノズル搬送機構２９を備える。
【００６４】
塗布処理ユニット１２９においては、図示しない駆動装置によりスピンチャック２５が回転されるとともに、複数の処理液ノズル２８のうちのいずれかの処理液ノズル２８がノズル搬送機構２９により基板Ｗの上方に移動され、その処理液ノズル２８から処理液が吐出される。これにより、基板Ｗ上に処理液が塗布される。また、図示しないエッジリンスノズルから、基板Ｗの周縁部にリンス液が吐出される。それにより、基板Ｗの周縁部に付着する処理液が除去される。本実施の形態では、各塗布処理ユニット１２９は、基板Ｗの位置合わせ機能を有する。塗布処理ユニット１２９の詳細については後述する。
【００６５】
塗布処理室２２，２４の塗布処理ユニット１２９においては、反射防止膜用の処理液が処理液ノズル２８から基板Ｗに供給される。塗布処理室２１，２３の塗布処理ユニット１２９においては、レジスト膜用の処理液（以下、レジスト液と呼ぶ）が処理液ノズル２８から基板Ｗに供給される。
【００６６】
現像処理ユニット１３９は、塗布処理ユニット１２９と同様に、スピンチャック３５およびカップ３７を備える。本実施の形態では、各現像処理ユニット１３９に３組のスピンチャック３５およびカップ３７が設けられる。スピンチャック３５は、図示しない駆動装置（例えば、電動モータ）により回転駆動される。また、図１に示すように、現像処理ユニット１３９は、現像液を吐出する２つの現像ノズル３８およびその現像ノズル３８をＶ方向に移動させる移動機構３９を備える。
【００６７】
現像処理ユニット１３９においては、図示しない駆動装置によりスピンチャック３５が回転されるとともに、一方の現像ノズル３８がＶ方向に移動しつつ各基板Ｗに現像液を供給し、その後、他方の現像ノズル３８が移動しつつ各基板Ｗに現像液を供給する。この場合、基板Ｗに現像液が供給されることにより、基板Ｗの現像処理が行われる。また、本実施の形態においては、２つの現像ノズル３８から互いに異なる現像液が吐出される。それにより、各基板Ｗに２種類の現像液を供給することができる。
【００６８】
洗浄乾燥処理部１６１には、複数（本例では４つ）の洗浄乾燥処理ユニットＳＤ１が設けられる。洗浄乾燥処理ユニットＳＤ１においては、露光処理前の基板Ｗの洗浄および乾燥処理が行われる。本実施の形態では、洗浄乾燥処理ユニットＳＤ１は、基板Ｗの位置合わせ機能を有する。洗浄乾燥処理ユニットＳＤ１の詳細については後述する。
【００６９】
図１および図２に示すように、塗布処理部１２１において現像処理部１３１に隣り合うように流体ボックス部５０が設けられる。同様に、現像処理部１３１において洗浄乾燥処理ブロック１４Ａに隣り合うように流体ボックス部６０が設けられる。流体ボックス部５０および流体ボックス部６０内には、塗布処理ユニット１２９および現像処理ユニット１３９への薬液の供給ならびに塗布処理ユニット１２９および現像処理ユニット１３９からの廃液および排気等に関する導管、継ぎ手、バルブ、流量計、レギュレータ、ポンプ、温度調節器等の流体関連機器が収納される。
【００７０】
（３）熱処理部の構成
図３は、主として図１の熱処理部１２３，１３３および洗浄乾燥処理部１６２を示す基板処理装置１００の模式的側面図である。
【００７１】
図３に示すように、熱処理部１２３は、上方に設けられる上段熱処理部３０１および下方に設けられる下段熱処理部３０２を有する。上段熱処理部３０１および下段熱処理部３０２の各々には、複数の熱処理ユニットＰＨＰ、複数の密着強化処理ユニットＰＡＨＰおよび複数の冷却ユニットＣＰが設けられる。
【００７２】
熱処理ユニットＰＨＰにおいては、基板Ｗの加熱処理および冷却処理が行われる。以下、熱処理ユニットＰＨＰにおける加熱処理および冷却処理を単に熱処理と呼ぶ。密着強化処理ユニットＰＡＨＰにおいては、基板Ｗと反射防止膜との密着性を向上させるための密着強化処理が行われる。具体的には、密着強化処理ユニットＰＡＨＰにおいて、基板ＷにＨＭＤＳ（ヘキサメチルジシラサン）等の密着強化剤が塗布されるとともに、基板Ｗに加熱処理が行われる。冷却ユニットＣＰにおいては、基板Ｗの冷却処理が行われる。
【００７３】
熱処理部１３３は、上方に設けられる上段熱処理部３０３および下方に設けられる下段熱処理部３０４を有する。上段熱処理部３０３および下段熱処理部３０４の各々には、冷却ユニットＣＰ、エッジ露光部ＥＥＷおよび複数の熱処理ユニットＰＨＰが設けられる。エッジ露光部ＥＥＷにおいては、基板Ｗ上の膜の厚さを測定する膜厚測定処理が行われるとともに、基板Ｗの周縁部の露光処理（エッジ露光処理）が行われる。本実施の形態では、エッジ露光部ＥＥＷは、基板Ｗの位置合わせ機能を有する。エッジ露光部ＥＥＷの詳細については後述する。上段熱処理部３０３および下段熱処理部３０４において、洗浄乾燥処理ブロック１４Ａに隣り合うように設けられる熱処理ユニットＰＨＰは、洗浄乾燥処理ブロック１４Ａからの基板Ｗの搬入が可能に構成される。
【００７４】
洗浄乾燥処理部１６２には、複数（本例では４つ）の洗浄乾燥処理ユニットＳＤ２が設けられる。洗浄乾燥処理ユニットＳＤ２においては、露光処理後の基板Ｗの洗浄および乾燥処理が行われる。
【００７５】
（４）搬送部の構成
図４は、主として図１の搬送部１２２，１３２，１６３を示す側面図である。図４に示すように、搬送部１２２は、上段搬送室１２５および下段搬送室１２６を有する。搬送部１３２は、上段搬送室１３５および下段搬送室１３６を有する。上段搬送室１２５には搬送機構１２７が設けられ、下段搬送室１２６には搬送機構１２８が設けられる。また、上段搬送室１３５には搬送機構１３７が設けられ、下段搬送室１３６には搬送機構１３８が設けられる。
【００７６】
搬送部１１２と上段搬送室１２５との間には、基板載置部ＰＡＳＳ３および基板載置部ＰＡＳＳ１が設けられ、搬送部１１２と下段搬送室１２６との間には、基板載置部ＰＡＳＳ４および基板載置部ＰＡＳＳ２が設けられる。上段搬送室１２５と上段搬送室１３５との間には、基板載置部ＰＡＳＳ５，ＰＡＳＳ６が設けられ、下段搬送室１２６と下段搬送室１３６との間には、基板載置部ＰＡＳＳ７，ＰＡＳＳ８が設けられる。
【００７７】
上段搬送室１３５と搬送部１６３との間には、載置兼バッファ部Ｐ−ＢＦ１が設けられ、下段搬送室１３６と搬送部１６３との間には載置兼バッファ部Ｐ−ＢＦ２が設けられる。搬送部１６３においてインターフェイスブロック１４と隣接するように、基板載置部ＰＡＳＳ９および複数の載置兼冷却部Ｐ−ＣＰが設けられる。基板載置部ＰＡＳＳ９は基板Ｗの位置合わせ機能を有する。複数の載置兼冷却部Ｐ−ＣＰの各々が基板Ｗの位置合わせ機能を有してもよい。
【００７８】
搬送機構１２７は、基板載置部ＰＡＳＳ３，ＰＡＳＳ１，ＰＡＳＳ５，ＰＡＳＳ６、塗布処理室２１，２２（図２）および上段熱処理部３０１（図３）の間で基板Ｗを搬送可能に構成される。搬送機構１２８は、基板載置部ＰＡＳＳ４，ＰＡＳＳ２，ＰＡＳＳ７，ＰＡＳＳ８、塗布処理室２３，２４（図２）および下段熱処理部３０２（図３）の間で基板Ｗを搬送可能に構成される。
【００７９】
搬送機構１３７は、基板載置部ＰＡＳＳ５，ＰＡＳＳ６、載置兼バッファ部Ｐ−ＢＦ１、現像処理室３１，３２（図２）および上段熱処理部３０３（図３）の間で基板Ｗを搬送可能に構成される。搬送機構１３８は、基板載置部ＰＡＳＳ７，ＰＡＳＳ８、載置兼バッファ部Ｐ−ＢＦ２、現像処理室３３，３４（図２）および下段熱処理部３０４（図３）の間で基板Ｗを搬送可能に構成される。
【００８０】
搬送機構１２７，１２８，１３７，１３８，１４１，１４２，１４６の各々は、基板Ｗの裏面を吸着して保持しつつ基板Ｗを搬送するハンドＨ１，Ｈ２を有する。これにより、基板Ｗの搬送時に、ハンドＨ１，Ｈ２上で基板Ｗの位置がすれることおよび基板Ｗの中心に関するノッチＮＴの位置が変化することが防止される。
【００８１】
（５）動作
図１〜図４を参照しながら基板処理装置１００の動作を説明する。インデクサブロック１１のキャリア載置部１１１（図１）には、未処理の基板Ｗが収容されたキャリア１１３が載置される。搬送機構１１５は、キャリア１１３から基板載置部ＰＡＳＳ３，ＰＡＳＳ４（図４）に未処理の基板Ｗを搬送する。このとき、基板載置部ＰＡＳＳ３，ＰＡＳＳ４において、基板Ｗの位置合わせが行われる。また、搬送機構１１５は、基板載置部ＰＡＳＳ１，ＰＡＳＳ２（図４）に載置された処理済みの基板Ｗをキャリア１１３に搬送する。
【００８２】
第１の処理ブロック１２において、搬送機構１２７（図４）は、基板載置部ＰＡＳＳ３（図４）によって位置合わせされた基板Ｗを密着強化処理ユニットＰＡＨＰ（図３）、冷却ユニットＣＰ（図３）、塗布処理室２２（図２）、熱処理ユニットＰＨＰ（図３）、冷却ユニットＣＰ（図３）、塗布処理室２１（図２）、熱処理ユニットＰＨＰ（図３）および基板載置部ＰＡＳＳ５（図４）に順に搬送する。
【００８３】
この場合、密着強化処理ユニットＰＡＨＰにおいて、基板Ｗに密着強化処理が行われた後、冷却ユニットＣＰにおいて、反射防止膜の形成に適した温度に基板Ｗが冷却される。次に、塗布処理室２２において、塗布処理ユニット１２９（図２）により、基板Ｗの位置合わせが行われた後、基板Ｗ上に反射防止膜が形成される。続いて、熱処理ユニットＰＨＰにおいて、基板Ｗの熱処理が行われた後、冷却ユニットＣＰにおいて、レジスト膜の形成に適した温度に基板Ｗが冷却される。次に、塗布処理室２１において、塗布処理ユニット１２９（図２）により、基板Ｗの位置合わせが行われた後、基板Ｗ上にレジスト膜が形成され、エッジリンス処理が行われる。その後、熱処理ユニットＰＨＰにおいて、基板Ｗの熱処理が行われ、その基板Ｗが基板載置部ＰＡＳＳ５に載置される。
【００８４】
また、搬送機構１２７は、基板載置部ＰＡＳＳ６（図４）に載置された現像処理後の基板Ｗを基板載置部ＰＡＳＳ１（図４）に搬送する。
【００８５】
搬送機構１２８（図４）は、基板載置部ＰＡＳＳ４（図４）によって位置合わせされた基板Ｗを密着強化処理ユニットＰＡＨＰ（図３）、冷却ユニットＣＰ（図３）、塗布処理室２４（図２）、熱処理ユニットＰＨＰ（図３）、冷却ユニットＣＰ（図３）、塗布処理室２３（図２）、熱処理ユニットＰＨＰ（図３）および基板載置部ＰＡＳＳ７（図４）に順に搬送する。また、搬送機構１２８（図４）は、基板載置部ＰＡＳＳ８（図４）に載置された現像処理後の基板Ｗを基板載置部ＰＡＳＳ２（図４）に搬送する。塗布処理室２３，２４（図２）および下段熱処理部３０２（図３）における基板Ｗの処理内容は、上記の塗布処理室２１，２２（図２）および上段熱処理部３０１（図３）における基板Ｗの処理内容と同様である。
【００８６】
第２の処理ブロック１３において、搬送機構１３７（図４）は、基板載置部ＰＡＳＳ５（図４）に載置されたレジスト膜形成後の基板Ｗをエッジ露光部ＥＥＷ（図３）および載置兼バッファ部Ｐ−ＢＦ１（図４）に順に搬送する。この場合、エッジ露光部ＥＥＷにおいて、基板Ｗの位置合わせが行われた後、膜厚測定およびエッジ露光処理が行われる。
【００８７】
また、搬送機構１３７（図４）は、洗浄乾燥処理ブロック１４Ａに隣接する熱処理ユニットＰＨＰ（図３）から露光処理後でかつ熱処理後の基板Ｗを取り出し、その基板Ｗを冷却ユニットＣＰ（図３）、現像処理室３１，３２（図２）のいずれか一方、熱処理ユニットＰＨＰ（図３）および基板載置部ＰＡＳＳ６（図４）に順に搬送する。
【００８８】
この場合、冷却ユニットＣＰにおいて、現像処理に適した温度に基板Ｗが冷却された後、現像処理室３１，３２のいずれか一方において、現像処理ユニット１３９により基板Ｗの現像処理が行われる。その後、熱処理ユニットＰＨＰにおいて、基板Ｗの熱処理が行われ、その基板Ｗが基板載置部ＰＡＳＳ６に載置される。
【００８９】
搬送機構１３８（図４）は、基板載置部ＰＡＳＳ７（図４）に載置されたレジスト膜形成後の基板Ｗをエッジ露光部ＥＥＷ（図３）および載置兼バッファ部Ｐ−ＢＦ２（図４）に順に搬送する。また、搬送機構１３８（図４）は、洗浄乾燥処理ブロック１４Ａに隣接する熱処理ユニットＰＨＰ（図３）から露光処理後でかつ熱処理後の基板Ｗを取り出し、その基板Ｗを冷却ユニットＣＰ（図３）、現像処理室３３，３４（図２）のいずれか一方、熱処理ユニットＰＨＰ（図３）および基板載置部ＰＡＳＳ８（図４）に順に搬送する。現像処理室３３，３４および下段熱処理部３０４における基板Ｗの処理内容は、上記の現像処理室３１，３２および上段熱処理部３０３における基板Ｗの処理内容と同様である。
【００９０】
洗浄乾燥処理ブロック１４Ａにおいて、搬送機構１４１（図１）は、載置兼バッファ部Ｐ−ＢＦ１，Ｐ−ＢＦ２（図４）に載置された基板Ｗを洗浄乾燥処理部１６１の洗浄乾燥処理ユニットＳＤ１（図２）および載置兼冷却部Ｐ−ＣＰ（図４）に順に搬送する。この場合、洗浄乾燥処理ユニットＳＤ１において、基板Ｗの位置合わせが行われ、基板Ｗの洗浄および乾燥処理が行われた後、載置兼冷却部Ｐ−ＣＰにおいて、露光装置１５（図１〜図３）における露光処理に適した温度に基板Ｗが冷却される。
【００９１】
搬送機構１４２（図１）は、基板載置部ＰＡＳＳ９（図４）に載置された露光処理後の基板Ｗを洗浄乾燥処理部１６２の洗浄乾燥処理ユニットＳＤ２（図３）に搬送し、洗浄および乾燥処理後の基板Ｗを洗浄乾燥処理ユニットＳＤ２から上段熱処理部３０３の熱処理ユニットＰＨＰ（図３）または下段熱処理部３０４の熱処理ユニットＰＨＰ（図３）に搬送する。この場合、基板載置部ＰＡＳＳ９において、基板Ｗの位置合わせが行われる。熱処理ユニットＰＨＰにおいては、露光後ベーク（ＰＥＢ）処理が行われる。
【００９２】
インターフェイスブロック１４において、搬送機構１４６（図１）は、載置兼冷却部Ｐ−ＣＰ（図４）に載置された露光処理前の基板Ｗを露光装置１５の基板搬入部１５ａ（図１）に搬送する。また、搬送機構１４６（図１）は、露光装置１５の基板搬出部１５ｂ（図１）から露光処理後の基板Ｗを取り出し、その基板Ｗを基板載置部ＰＡＳＳ９（図４）に搬送する。
【００９３】
なお、露光搬送部２００が基板Ｗの受け入れをできない場合、露光処理前の基板Ｗが載置兼バッファ部Ｐ−ＢＦ１，Ｐ−ＢＦ２に一時的に収容される。また、第２の処理ブロック１３の現像処理ユニット１３９（図２）が露光処理後の基板Ｗの受け入れをできない場合、露光処理後の基板Ｗが載置兼バッファ部Ｐ−ＢＦ１，Ｐ−ＢＦ２に一時的に収容される。載置兼バッファ部Ｐ−ＢＦ１，Ｐ−ＢＦ２において、基板Ｗの位置合わせが行われてもよい。
【００９４】
本実施の形態においては、上段に設けられた塗布処理室２１，２２、現像処理室３１，３２および上段熱処理部３０１，３０３における基板Ｗの処理と、下段に設けられた塗布処理室２３，２４、現像処理室３３，３４および下段熱処理部３０２，３０４における基板Ｗの処理を並行して行うことができる。それにより、フットプリントを増加させることなく、スループットを向上させることができる。
【００９５】
（６）エッジ露光部ＥＥＷの構成および動作
図５（ａ），（ｂ）はエッジ露光部ＥＥＷの構成を示す模式的平面図および模式的側面図である。図５および以降の図において、水平面内で互いに直交する２つの方向をＸ方向およびＹ方向と定義し、鉛直方向をＺ方向と定義する。本実施の形態では、Ｙ方向を基準方向とする。以下の説明において、Ｘ方向とは矢印Ｘの方向またはその逆方向を意味し、Ｙ方向とは矢印Ｙの方向またはその逆方向を意味する。
【００９６】
図５に示すように、エッジ露光部ＥＥＷは、移動装置５００、回転保持装置５０４、ラインセンサ５０５、露光ユニット５０６および膜厚測定器５０７を備える。移動装置５００は、支持部材５０１、Ｘ方向可動部５０２およびＹ方向可動部５０３を含む。
【００９７】
Ｘ方向可動部５０２は、支持部材５０１に対してＸ方向に移動可能に構成される。Ｙ方向可動部５０３は、Ｘ方向可動部５０２に対してＹ方向に移動可能に構成される。回転保持装置５０４は、Ｘ方向可動部５０２に固定される。回転保持装置５０４は、例えば吸着式スピンチャックからなり、基板の裏面を吸着して基板Ｗを水平姿勢で保持する。この回転保持装置５０４は、Ｙ方向可動部５０３に設けられたモータ（図示せず）により鉛直方向の回転軸ＲＡの周りで回転駆動される。それにより、基板が回転軸ＲＡの周りで回転する。
【００９８】
ラインセンサ５０５としては、例えばＣＣＤ（電荷結合素子）ラインセンサが用いられる。ラインセンサ５０５は、Ｙ方向に延びるように配置される。ラインセンサ５０５は、Ｙ方向における基板の外周部の位置を測定するために用いられる。
【００９９】
露光ユニット５０６は、基板上に形成されたレジスト膜等の膜の周縁部を露光するために用いられる。膜厚測定器５０７は、基板上の膜の厚さを測定するために用いられる。露光ユニット５０６および膜厚測定器５０７は、固定部材５０８に固定される。
【０１００】
ハンドＨ１，Ｈ２（図１および図４参照）と回転保持装置５０４との間での基板の受け渡しを行うための想定位置ＡＰが設定されている。想定位置ＡＰと膜厚測定器５０７との間に測定位置ＭＰが設定されている。ラインセンサ５０５は、測定位置ＭＰを通る直線上に延びるように設けられる。測定位置ＭＰおよび想定位置ＡＰはＸ方向の直線上に並ぶ。想定位置ＡＰと測定位置ＭＰとの間の距離はａである。
【０１０１】
初期状態では、回転保持装置５０４の回転軸ＲＡが想定位置ＡＰと一致するようにＸ方向可動部５０２およびＹ方向可動部５０３が位置する。
【０１０２】
図６はエッジ露光部ＥＥＷの制御系の構成を示すブロック図である。図６に示すように、エッジ露光部ＥＥＷは制御部５１０をさらに含む。制御部５１０は、ＣＰＵ（中央演算処理装置）およびメモリ等により構成される。制御部５１０は、ラインセンサ５０５の出力信号に基づいて、移動装置５００のＸ方向可動部５０２、Ｙ方向可動部５０３および回転保持装置５０４を制御する。また、制御部５１０は、露光ユニット５０６および膜厚測定器５０７の動作を制御し、膜厚測定器５０７の測定結果を取得する。
【０１０３】
図７〜図１２は図５のエッジ露光部ＥＥＷの動作を説明するための模式図である。図７〜図１２の（ａ）は模式的平面図であり、図７〜図１２の（ｂ）は模式的側面図である。図８（ｃ）は基板Ｗの拡大平面図である。
【０１０４】
まず、図７に示すように、搬送機構１３７（図４）または搬送機構１３８（図４）のハンドＨ１によりエッジ露光部ＥＥＷ内に基板Ｗが搬入される。この場合、矢印で示すように、基板Ｗを保持したハンドＨ１がエッジ露光部ＥＥＷ内に進入する。ハンドＨ２によりエッジ露光部ＥＥＷ内に基板Ｗが搬入されてもよい。基板Ｗは、外周部の一部にノッチＮＴを有する。
【０１０５】
次に、図８（ａ），（ｂ）に示すように、ハンドＨ１は、基板Ｗを回転保持装置５０４の上面に載置し、矢印で示すように、エッジ露光部ＥＥＷから退出する。ここで、図８（ｃ）に示すように、基板Ｗの中心ＷＣとノッチＮＴとを結ぶ直線の方向をノッチＮＴの方向と呼ぶ。また、ノッチＮＴの方向が基準方向（Ｙ方向）に対してなす角度を回転方向オフセット量θｏｆｆと呼ぶ。図８の例では、ノッチＮＴの方向は基準方向に一致していない。また、Ｘ方向において回転軸ＲＡからの基板Ｗの中心ＷＣまでのずれ量をＸオフセット量Ｘｏｆｆと呼び、Ｙ方向において回転軸ＲＡから基板Ｗの中心ＷＣまでのずれ量をＹオフセット量Ｙｏｆｆと呼ぶ。図８の例では、基板Ｗの中心ＷＣは回転保持装置５０４の回転軸ＲＡと一致していない。すなわち、基板Ｗの中心ＷＣが回転軸ＲＡに対して偏心している。
【０１０６】
次いで、図９に矢印で示すように、Ｘ方向可動部５０２がＹ方向可動部５０３および回転保持装置５０４とともに測定位置ＭＰに向ってＸ方向に距離ａ移動する。それにより、回転保持装置５０４の回転軸ＲＡが測定位置ＭＰに一致する。
【０１０７】
この状態で、図１０に矢印で示すように、回転保持装置５０４が回転軸ＲＡの周りで３６０°回転する。回転保持装置５０４が３６０°回転すると、基板Ｗは図９の状態に戻る。基板Ｗの回転中に、図６の制御部５１０は、ラインセンサ５０５の出力信号を位置データとして取得する。位置データは、基板Ｗの外周部のＹ方向の位置を表す。
【０１０８】
ここで、図１３を参照しながら基板Ｗの中心ＷＣおよびノッチＮＴの方向の算出方法について説明する。図１３はラインセンサ５０５の出力信号に基づいて取得される位置データの一例を示す図である。図１３の縦軸は位置データを示し、横軸は基板Ｗの回転角度を示す。
【０１０９】
基板Ｗの中心ＷＣが回転軸ＲＡに対して偏心している場合には、図１３に示すように、基板Ｗの回転に伴って位置データの値が変化する。制御部５１０は、例えば、基板Ｗの０．１度の回転ごとに位置データを取得する。この場合、合計３６００個の位置データが取得される。制御部５１０は、位置データの変化に基づいてノッチＮＴに対応する位置データＰｎを検出し、位置データＰｎに対応する回転角度に基づいてノッチＮＴの回転方向オフセット量θｏｆｆを算出する。
【０１１０】
また、制御部５１０は、位置データの変化に基づいて回転軸ＲＡに対する基板Ｗの中心ＷＣのＸオフセット量ＸｏｆｆおよびＹオフセット量Ｙｏｆｆを算出する。
【０１１１】
基板Ｗの回転角度が０°、９０°、１８０°および２７０°である場合の位置データをそれぞれＰＡ０、ＰＡ１、ＰＡ２およびＰＡ３とする。この場合、Ｘオフセット量ＸｏｆｆおよびＹオフセット量Ｙｏｆｆは次式により算出される。
【０１１２】
Ｘｏｆｆ＝（ＰＡ１−ＰＡ３）／２      …（１）
Ｙｏｆｆ＝（ＰＡ０−ＰＡ２）／２      …（２）
また、基板Ｗの回転角度が４５°、１３５°、２２５°および３１５°である場合の位置データをそれぞれＰＢ０、ＰＢ１、ＰＢ２およびＰＢ３とする。この場合、Ｘオフセット量ＸｏｆｆおよびＹオフセット量Ｙｏｆｆは次式により算出される。
【０１１３】
Ｘｏｆｆ＝（ＰＢ１−ＰＢ３）／２×ｃｏｓ４５°−（ＰＢ０−ＰＢ２）／２×ｓｉｎ４５°      …（３）
Ｙｏｆｆ＝（ＰＢ１−ＰＢ３）／２×ｓｉｎ４５°−（ＰＢ０−ＰＢ２）／２×ｃｏｓ４５°      …（４）
ノッチＮＴが回転角度４５°、１３５°、２２５°および３１５°のいずれかまたはその近傍の位置にある場合には、上式（１），（２）を用いてＸオフセット量ＸｏｆｆおよびＹオフセット量Ｙｏｆｆを算出する。また、ノッチＮＴが回転角度０°、９０°、１８０°および２７０°のいずれかまたはその近傍の位置にある場合には、上式（３），（４）を用いてＸオフセット量ＸｏｆｆおよびＹオフセット量Ｙｏｆｆを算出する。
【０１１４】
次に、Ｘオフセット量およびＹオフセット量が０となるようにＸ方向可動部５０２およびＹ方向可動部５０３が移動する。それにより、基板Ｗの中心ＷＣが測定位置ＭＰに一致する。このとき、回転方向オフセット量θｏｆｆが０となるように回転保持装置５０４が回転してもよい。この状態で、回転保持装置５０４が回転軸ＲＡの周りで３６０°回転し、制御部５１０が回転方向オフセット量θｏｆｆ、Ｘオフセット量ＸｏｆｆおよびＹオフセット量Ｙｏｆｆを算出する。
【０１１５】
次に、図１１に示すように、Ｘオフセット量およびＹオフセット量が０となるようにＸ方向可動部５０２およびＹ方向可動部５０３が移動するとともに、回転方向オフセット量θｏｆｆが０となるように回転保持装置５０４が回転する。それにより、基板Ｗの中心ＷＣが測定位置ＭＰに一致するとともに、ノッチＮＴの方向が基準方向に一致する。
【０１１６】
本実施の形態では、基板Ｗの位置合わせ動作により、基板Ｗの中心ＷＣが測定位置ＭＰに一致しかつノッチＮＴの方向が基準方向に一致する。基板Ｗの位置合わせ動作を複数回繰り返してもよい。それにより、基板Ｗの中心ＷＣを測定位置ＭＰに正確に一致させかつノッチＮＴの方向を基準方向に正確に一致させることができる。
【０１１７】
その後、図１２に示すように、Ｘ方向可動部５０２がＸ方向に移動しつつ膜厚測定器５０７が基板Ｗ上の膜の厚さを順次測定する。図１４は膜厚測定器５０７による膜厚測定方法の一例を示す模式的平面図である。
【０１１８】
図１２に示すＸ方向可動部５０２の移動中に、図１４（ａ）に示すように、基板Ｗの中心ＷＣとノッチＮＴとを通る直線に垂直な直線上の複数の測定点ｍｐでの膜の厚さが順次測定される。次に、回転保持装置５０４が９０°回転した後、Ｘ方向可動部５０２がＸ方向に移動しつつ膜厚測定器５０７が基板Ｗ上の膜の厚さを順次測定する。それにより、図１４（ｂ）に示すように、基板Ｗの中心ＷＣとノッチＮＴとを通る直線上の複数の測定点ｍｐの膜厚が測定される。
【０１１９】
図１５は膜厚測定器５０７による膜厚測定方法の他の例を示す模式的平面図である。
【０１２０】
回転保持装置５０４が回転軸ＲＡの周りで回転するとともに膜厚測定器５０７が基板Ｗ上の膜の厚さを連続的に測定する。このとき、基板Ｗの中心ＷＣが移動しないように回転保持装置５０４の一定角度の回転ごとにＸ方向可動部５０２およびＹ方向可動部５０３が回転保持装置５０４をＸ方向およびＹ方向に移動させる。この場合、回転保持装置５０４は、図１５（ａ）に示すように、基板Ｗの中心ＷＣが移動しないようにＸ方向可動部５０２およびＹ方向可動部５０３が回転保持装置５０４をＸ方向およびＹ方向に移動させる動作をＸＹ補正動作と呼ぶ。
【０１２１】
図１５（ａ）においては、回転保持装置５０４の軌跡が実線で描かれている。それにより、基板Ｗ上の円弧状の測定領域ｍｒにおける膜の厚さが測定される。基板Ｗが３６０°回転することにより、図１５（ｂ）に示すように、円環状の測定領域ｍｒにおける膜の厚さが測定される。
【０１２２】
図１６は露光ユニット５０６による基板Ｗのエッジ露光方法を示す模式的平面図である。
【０１２３】
図１２の露光ユニット５０６が基板Ｗの上面の周縁部の上方に位置するようにＸ方向可動部５０２がＸ方向に移動する。このとき、基板Ｗの中心ＷＣは予め定められた基準軸ＲＲと一致する。その後、回転保持装置５０４が回転軸ＲＡの周りで回転するとともに露光ユニット５０６が露光用の光を基板Ｗの上面の周縁部に照射する。このとき、基板Ｗの中心ＷＣが移動しないように回転保持装置５０４の一定角度の回転ごとにＸ方向可動部５０２およびＹ方向可動部５０３が回転保持装置５０４をＸ方向およびＹ方向に移動させる。この場合、回転保持装置５０４は、図１６（ａ）に示すように、ＸＹ補正動作により移動する。この場合、基板Ｗの中心ＷＣが基準軸ＲＲに一致した状態で基板Ｗが回転する。それにより、基板Ｗ上の膜の周縁部における円弧状の領域ｍｒａに光が照射される。基板Ｗが３６０°回転することにより、図１６（ｂ）に示すように、基板Ｗ上の膜の周縁部における円環状の領域ｍｒａに光が照射される。
【０１２４】
本実施の形態に係るエッジ露光部ＥＥＷにおいては、基板Ｗの中心ＷＣが予め設定された測定位置ＭＰに一致しかつノッチＮＴの方向が基準方向に一致するように位置合わせ動作が行われた後に膜厚が測定される。それにより、基板Ｗ上の膜の予め定められた位置の厚さを正確に測定することができる。
【０１２５】
また、エッジ露光処理の際に基板Ｗの中心ＷＣが基準軸ＲＲと一致した状態で基板Ｗが回転されるので、基板Ｗ上の膜の周縁部の一定幅の領域を正確に露光することができる。
【０１２６】
さらに、図１１の位置合わせ動作により基板Ｗの中心ＷＣが測定位置ＭＰに一致することにより、ラインセンサ５０５が基板Ｗの半径方向に延びることとなる。この状態で、再度ノッチＮＴの方向を検出すると、基板Ｗの回転中に基板Ｗの外周部がラインセンサ５０５のほぼ同じ部分を通過する。それにより、ラインセンサ５０５の受光面の位置に依存する測定誤差の影響を低減することができる。また、基板Ｗの回転中にラインセンサ５０５が基板Ｗの外周部に垂直に交差する。これらの結果、ノッチＮＴの方向を正確に検出することができる。
【０１２７】
（７）塗布処理ユニット１２９の第１の例
図１７（ａ），（ｂ）は塗布処理ユニット１２９の第１の例の構成を示す模式的平面図および模式的側面図である。
【０１２８】
図１７に示すように、塗布処理ユニット１２９は、移動装置５００、回転保持装置５０４、ラインセンサ５０５、スピンチャック２５、処理液ノズル２８およびエッジリンスノズル５２０を備える。移動装置５００は、図５のＹ方向可動部５０３の代わりにＹ方向可動部５０３ａを含む点を除いて、図５の移動装置５００と同様の構成を有する。Ｙ方向可動部５０３ａは、Ｘ方向可動部５０２に対してＹ方向に移動可能であるとともにＺ方向に移動可能に構成される。
【０１２９】
スピンチャック２５は、基板Ｗの裏面を吸着して基板Ｗを水平姿勢で保持し、鉛直方向の回転軸Ｒａの周りで回転駆動される。このスピンチャック２５は、回転保持装置５０４よりも高速で回転可能に構成される。
【０１３０】
処理液ノズル２８は、基板Ｗ上にレジスト液等の処理液を供給するために用いられる。エッジリンスノズル５２０は、基板Ｗ上の膜の周縁部にリンス液を供給するために用いられる。図１７には、１つのスピンチャック２５のみが示されるが、図２の複数のスピンチャック２５に対応して複数の移動装置５００および複数のラインセンサ５０５が設けられる。なお、図１７では、カップ２７の図示が省略されている。
【０１３１】
測定位置ＭＰに関してスピンチャック２５の回転軸Ｒａと反対側に想定位置ＡＰが設定されている。回転軸Ｒａ、測定位置ＭＰおよび想定位置ＡＰはＸ方向の直線上に並ぶ。想定位置ＡＰと測定位置ＭＰとの間の距離はａであり、測定位置ＭＰと回転軸Ｒａとの間の距離はｂである。初期状態では、回転保持装置５０４の回転軸ＲＡは、想定位置ＡＰから離間した位置にある。
【０１３２】
図１８は塗布処理ユニット１２９の制御系の構成を示すブロック図である。図１８に示すように、塗布処理ユニット１２９は制御部５１０ａ、処理液供給系２８ａおよびリンス液供給系５２０ａをさらに含む。処理液供給系２８ａおよびリンス液供給系５２０ａは、流体ボックス部５０（図２）に設けられる。処理液供給系２８ａは、処理液ノズル２８にレジスト液等の処理液を供給する。リンス液供給系５２０ａは、エッジリンスノズル５２０にレジスト膜等の膜を溶解させるリンス液を供給する。制御部５１０ａは、ラインセンサ５０５の出力信号に基づいて、移動装置５００のＸ方向可動部５０２、Ｙ方向可動部５０３ａおよび回転保持装置５０４を制御する。また、制御部５１０ａは、スピンチャック２５、処理液供給系２５ａおよびリンス液供給系５２０ａを制御する。
【０１３３】
図１９（ａ），（ｂ）〜図２２（ａ），（ｂ）は図１７の塗布処理ユニット１２９の動作を説明するための模式的平面図および模式的側面図である。
【０１３４】
まず、図１９に示すように、図４の搬送機構１２７または搬送機構１２８のハンドＨ１またはハンドＨ２が基板Ｗを回転保持装置５０４の上面に載置する。この場合、基板Ｗは、中心ＷＣが回転保持装置５０４の回転軸ＲＡから離間するように載置される。それより、回転保持装置５０４により基板Ｗの外周部に近い部分が保持される。理想的には、ノッチＮＴの方向が基準方向と一致しかつ中心ＷＣが想定位置ＡＰに一致するように基板Ｗが回転保持装置５０４の上面に載置されることが望ましい。しかしながら、図１９の例では、ノッチＮＴの方向が基準方向と一致せず、かつ基板Ｗの中心ＷＣが想定位置ＡＰと一致していない。
【０１３５】
次いで、図２０に矢印で示すように、Ｘ方向可動部５０２がＹ方向可動部５０３ａおよび回転保持装置５０４とともに測定位置ＭＰに向ってＸ方向に距離ａ移動する。図２０の例では、ノッチＮＴの方向は基準方向と一致せず、かつ基板Ｗの中心ＷＣは測定位置ＭＰと一致していない。
【０１３６】
この状態で、回転保持装置５０４が回転軸ＲＡの周りで３６０°回転する。基板Ｗの回転中に、図１８の制御部５１０ａは、ラインセンサ５０５の出力信号を位置データとして取得する。この場合、基板Ｗの外周部に近い部分が回転保持装置５０４により保持されているので、基板Ｗの外周部の位置が大きな範囲で移動する。そのため、基板Ｗの外周部がラインセンサ５０５により検出可能な範囲内に位置するように、Ｘ方向可動部５０２およびＹ方向可動部５０３ａが基板ＷをＸ方向およびＹ方向に移動させながら回転保持装置５０４が回転する。制御部５１０ａは、回転保持装置５０４の一定角度の回転ごとのＸ方向の移動量、Ｙ方向の移動量およびラインセンサ５０５から取得される位置データに基づいて、回転方向オフセット量θｏｆｆを算出するとともに、測定位置ＭＰに対する基板Ｗの中心ＷＣのＸオフセット量ＸｏｆｆおよびＹオフセット量Ｙｏｆｆを算出する。
【０１３７】
次に、Ｘオフセット量およびＹオフセット量が０となるようにＸ方向可動部５０２およびＹ方向可動部５０３が移動する。それにより、基板Ｗの中心ＷＣが測定位置ＭＰに一致する。このとき、回転方向オフセット量θｏｆｆが０となるように回転保持装置５０４が回転してもよい。この状態で、回転保持装置５０４が回転軸ＲＡの周りで３６０°回転し、制御部５１０ａが回転方向オフセット量θｏｆｆ、Ｘオフセット量ＸｏｆｆおよびＹオフセット量Ｙｏｆｆを算出する。
【０１３８】
次に、Ｘオフセット量およびＹオフセット量が０となるようにＸ方向可動部５０２およびＹ方向可動部５０３が移動するとともに、回転方向オフセット量θｏｆｆが０となるように回転保持装置５０４が回転する。それにより、基板Ｗの中心ＷＣが測定位置ＭＰに一致するとともに、ノッチＮＴの方向が基準方向に一致する。
【０１３９】
また、図２１に示すように、Ｘ方向可動部５０２が回転軸Ｒａに向ってＸ方向に距離ｂ移動する。それにより、回転保持装置５０４により保持される基板Ｗの中心ＷＣがスピンチャック２５の回転軸Ｒａに一致する。
【０１４０】
次いで、図２２に示すように、回転保持装置５０４が基板Ｗの吸着を解除し、Ｙ方向可動部５０３ａが下方に移動する。それにより、スピンチャック２５上に基板Ｗが載置される。その後、Ｘ方向可動部５０２がＹ方向可動部５０３ａおよび回転保持装置５０４とともにＸ方向に移動し、図１７の初期状態の位置に戻る。
【０１４１】
この状態で、スピンチャック２５が基板Ｗを吸着して保持し、回転軸Ｒａの周りで回転する。回転する基板Ｗ上に処理液ノズル２８からレジスト液等の処理液が供給される。それにより、基板Ｗ上にレジスト膜等の膜が形成される。その後、エッジリンスノズル５２０から回転する基板Ｗ上の膜の周縁部にリンス液が供給される。それにより、基板Ｗ上の膜の周縁部が除去される。
【０１４２】
本実施の形態に係る塗布処理ユニット１２９においては、基板Ｗの中心ＷＣがスピンチャック２５の回転軸ＲＡと一致しかつノッチＮＴの方向が基準方向と一致するように位置合わせ動作が行われるので、基板Ｗの上面の全体に均一な膜を形成することができる。また、基板Ｗ上の膜の周縁部の一定幅の領域に正確にエッジリンス処理を行うことができる。
【０１４３】
（８）塗布処理ユニット１２９の第２の例
図２３（ａ），（ｂ）は塗布処理ユニット１２９の第２の例の構成を示す模式的平面図および模式的側面図である。
【０１４４】
図２３の塗布処理ユニット１２９の構成が図１７の塗布処理ユニット１２９の構成と異なるのは次の点である。図２３の塗布処理ユニット１２９においては、図１７のスピンチャック２５が設けられない。移動装置５００は、図５の移動装置５００と同様に、支持部材５０１、Ｘ方向可動部５０２およびＹ方向可動部５０３を含む。初期状態では、回転保持装置５０４の回転軸ＲＡは測定位置ＭＰにある。
【０１４５】
図４の搬送機構１２７または搬送機構１２８のハンドＨ１またはハンドＨ２は基板Ｗを回転保持装置５０４の上面に載置する。図２３の例では、ノッチＮＴの方向は基準方向と一致せず、かつ基板Ｗの中心ＷＣは測定位置ＭＰと一致していない。回転保持装置５０４は、基板Ｗの裏面を吸着して基板Ｗを水平姿勢で保持する。
【０１４６】
この状態で、回転保持装置５０４が回転軸ＲＡの周りで３６０°回転する。基板Ｗの回転中に、制御部５１０ａ（図１８）は、ラインセンサ５０５の出力信号を位置データとして取得する。制御部５１０ａは、回転保持装置５０４の一定角度の回転ごとのＸ方向の移動量、Ｙ方向の移動量およびラインセンサ５０５から取得される位置データに基づいて、回転方向オフセット量θｏｆｆを算出するとともに、測定位置ＭＰに対する基板Ｗの中心ＷＣのＸオフセット量ＸｏｆｆおよびＹオフセット量Ｙｏｆｆを算出する。
【０１４７】
図２４は図２３の塗布処理ユニット１２９の移動装置５００の動作を示す模式的平面図である。図２４に示すように、制御部５１０ａは、測定位置ＭＰに対する基板Ｗの中心ＷＣのＸオフセット量ＸｏｆｆおよびＹオフセット量Ｙｏｆｆに基づいて、基板Ｗの中心ＷＣが測定位置ＭＰに一致した状態を維持しつつ基板Ｗが回転するように、Ｘ方向可動部５０２、Ｙ方向可動部５０３および回転保持装置５０４を制御する。この場合、基板Ｗの中心ＷＣが測定位置ＭＰに一致するように回転保持装置５０４の一定角度の回転ごとにＸ方向可動部５０２およびＹ方向可動部５０３が回転保持装置５０４をＸ方向およびＹ方向に移動させる。それにより、回転保持装置５０４は、図２４に示すように、ＸＹ補正動作により移動する。図２４においては、回転保持装置５０４の軌跡が実線で描かれている。
【０１４８】
回転する基板Ｗ上に処理液ノズル２８からレジスト液等の処理液が供給される。それにより、基板Ｗ上にレジスト膜等の膜が形成される。その後、エッジリンスノズル５２０から回転する基板Ｗ上の膜の周縁部にリンス液が供給される。それにより、基板Ｗ上の膜の周縁部が除去される。
【０１４９】
本実施の形態に係る塗布処理ユニット１２９においては、基板Ｗの中心ＷＣが測定位置ＭＰと一致した状態を維持しつつ基板Ｗが回転されるので、基板Ｗの上面の全体に均一な膜を形成することができる。また、基板Ｗ上の膜の周縁部の一定幅の領域に正確にエッジリンス処理を行うことができる。
【０１５０】
（９）塗布処理ユニット１２９の第３の例
図２５（ａ），（ｂ）〜図２８（ａ），（ｂ）は塗布処理ユニット１２９の第３の例の構成および動作を示す模式的平面図および模式的側面図である。
【０１５１】
図２５の塗布処理ユニット１２９の構成が図２３の塗布処理ユニット１２９の構成と異なるのは次の点である。図２５の塗布処理ユニット１２９においては、３本以上の昇降ピン５３０がさらに設けられる。
【０１５２】
初期状態では、昇降ピン５３０は基板Ｗの裏面から下方に離間している。まず、図４の搬送機構１２７または搬送機構１２８のハンドＨ１またはハンドＨ２は基板Ｗを回転保持装置５０４の上面に載置する。図２５の例では、ノッチＮＴの方向は基準方向と一致せず、かつ基板Ｗの中心ＷＣは測定位置ＭＰと一致していない。回転保持装置５０４は、基板Ｗの裏面を吸着して基板Ｗを水平姿勢で保持する。
【０１５３】
この状態で、図２６に示すように、図２３の塗布処理ユニット１２９と同様に、ラインセンサ５０５から取得される位置データに基づいて回転方向オフセット量θｏｆｆ、Ｘオフセット量ＸｏｆｆおよびＹオフセット量Ｙｏｆｆが算出される。回転方向オフセット量θｏｆｆ、Ｘオフセット量ＸｏｆｆおよびＹオフセット量Ｙｏｆｆがそれぞれ０となるように、Ｘ方向可動部５０２およびＹ方向可動部５０３が移動するとともに回転保持装置５０４が回転する。それにより、基板Ｗの中心ＷＣが測定位置ＭＰと一致する。
【０１５４】
次に、図２７に示すように、回転保持装置５０４が基板Ｗの吸着を解除し、昇降ピン５３０が上昇する。それにより、基板Ｗが回転保持装置５０４から離間し、回転保持装置５０４の上方で支持される。その後、回転保持装置５０４の回転軸ＲＡが基板Ｗの中心ＷＣに一致するように、Ｘ方向可動部５０２およびＹ方向可動部５０３が移動する。
【０１５５】
次に、図２８に示すように、昇降ピン５３０が下降し、回転保持装置５０４が基板Ｗの裏面を吸着する。それにより、基板Ｗの中心ＷＣが回転保持装置５０４の回転軸ＲＡに一致した状態で、基板Ｗが回転保持装置５０４により保持される。
【０１５６】
回転保持装置５０４とともに基板Ｗが回転し、回転する基板Ｗ上に処理液ノズル２８からレジスト液等の処理液が供給される。それにより、基板Ｗ上にレジスト膜等の膜が形成される。その後、エッジリンスノズル５２０から回転する基板Ｗ上の膜の周縁部にリンス液が供給される。それにより、基板Ｗ上の膜の周縁部が除去される。
【０１５７】
本実施の形態に係る塗布処理ユニット１２９においては、基板Ｗの中心ＷＣが回転軸ＲＡおよび測定位置ＭＰと一致した状態を維持しつつ基板Ｗが回転されるので、基板Ｗの上面の全体に均一な膜を形成することができる。また、基板Ｗ上の膜の周縁部の一定幅の領域に正確にエッジリンス処理を行うことができる。
【０１５８】
（１０）基板載置部ＰＡＳＳ３
図２９（ａ），（ｂ）は基板載置部ＰＡＳＳ３の例の構成を示す模式的平面図および模式的側面図である。なお、基板載置部ＰＡＳＳ１，ＰＡＳＳ２，ＰＡＳＳ４〜ＰＡＳＳ９の構成は、基板載置部ＰＡＳＳ３の構成と同様である。
【０１５９】
図２９の基板載置部ＰＡＳＳ３は、移動装置５００、回転保持装置５０４およびラインセンサ５０５を含む。初期状態では、回転保持装置５０４の回転軸ＲＡは測定位置ＭＰにある。基板載置部ＰＡＳＳ３の制御系の構成は、スピンチャック２５、処理液供給系２８ａおよびリンス液供給系５２０ａを有しない点を除いて図１８の塗布処理ユニット１２９の制御系の構成と同様である。
【０１６０】
図２９の基板載置部ＰＡＳＳ３においては、図４の搬送機構１１５のハンド１１６が基板Ｗを回転保持装置５０４の上面に載置する。図２９の例では、基板Ｗの中心ＷＣが測定位置ＭＰと一致せず、かつ基板ＷのノッチＮＴの方向が基準方向と一致していない。回転保持装置５０４は、基板Ｗの裏面を吸着して基板Ｗを水平姿勢で保持する。この状態で、回転保持装置５０４が回転軸ＲＡの周りで３６０°回転し、制御部５１０ａ（図１８）が回転方向オフセット量θｏｆｆ、Ｘオフセット量ＸｏｆｆおよびＹオフセット量Ｙｏｆｆを算出する。
【０１６１】
次に、Ｘオフセット量およびＹオフセット量が０となるようにＸ方向可動部５０２およびＹ方向可動部５０３が移動する。それにより、基板Ｗの中心ＷＣが測定位置ＭＰに一致する。このとき、回転方向オフセット量θｏｆｆが０となるように回転保持装置５０４が回転してもよい。この状態で、回転保持装置５０４が回転軸ＲＡの周りで３６０°回転し、制御部５１０ａ（図１８）が回転方向オフセット量θｏｆｆ、Ｘオフセット量ＸｏｆｆおよびＹオフセット量Ｙｏｆｆを算出する。
【０１６２】
次に、Ｘオフセット量およびＹオフセット量が０となるようにＸ方向可動部５０２およびＹ方向可動部５０３が移動するとともに、回転方向オフセット量θｏｆｆが０となるように回転保持装置５０４が回転する。それにより、基板Ｗの中心ＷＣが測定位置ＭＰに一致するとともに、ノッチＮＴの方向が基準方向に一致する。その後、回転保持装置５０４が基板Ｗの吸着を解除する。
【０１６３】
この状態で、図４の搬送機構１２７または搬送機構１２８のハンドＨ１またはハンドＨ２が回転保持装置５０４の上面上の基板Ｗを受け取り、密着強化処理ユニットＰＡＨＰおよび冷却ユニットＣＰに順次搬送する。
【０１６４】
本実施の形態に係る基板載置部ＰＡＳＳ１〜ＰＡＳＳ９においては、ノッチＮＴの方向が基準方向に一致しかつ基板Ｗの中心ＷＣが測定位置ＭＰと一致するので、密着強化処理ユニットＰＡＨＰ、冷却ユニットＣＰおよび熱処理ユニットＰＨＰの各々においてノッチＮＴの方向が一定の基準方向に一致するように基板Ｗを同じ位置に載置することができる。それにより、複数の基板Ｗを同じ温度分布の条件で処理することができる。
【０１６５】
また、温度測定用基板を用いて密着強化処理ユニットＰＡＨＰ、冷却ユニットＣＰおよび熱処理ユニットＰＨＰ内の温度分布を測定する場合、ノッチＮＴの方向が異なると、測定される温度の分布が異なる。本実施の形態に係る基板載置部ＰＡＳＳ１〜ＰＡＳＳ９によれば、密着強化処理ユニットＰＡＨＰ、冷却ユニットＣＰおよび熱処理ユニットＰＨＰ内でノッチＮＴの方向が一定の基準方向と一致するように基板Ｗを同じ位置に載置することができる。それにより、温度分布を正確に測定することが可能となる。
【０１６６】
なお、載置兼バッファ部Ｐ−ＢＦ１，Ｐ−ＢＦ２にも、図２９の基板載置部ＰＡＳＳ３と同様の構成が用いられる。
【０１６７】
（１１）洗浄乾燥処理ユニットＳＤ１の第１の例
図３０（ａ），（ｂ）は洗浄乾燥処理ユニットＳＤ１の第１の例の構成を示す模式的平面図および模式的側面図である。
【０１６８】
図３０の洗浄乾燥処理ユニットＳＤ１は、基板Ｗの外周端部（ベベル部）を洗浄するために用いられる。図３０の洗浄乾燥処理ユニットＳＤ１が図７の塗布処理ユニット１２９と異なるのは、処理液ノズル２８およびエッジリンスノズル５２０の代わりに、端部洗浄装置５３１および移動機構５３２が設けられている点である。移動機構５３２は端部洗浄装置５３１を移動させる。
【０１６９】
端部洗浄装置５３１は、ハウジングおよび略円筒形状のブラシを有する。ブラシはハウジング内に回転可能に支持される。ハウジングは、基板Ｗの外周端部が挿入される開口を有する。端部洗浄装置５３１のハウジング内には洗浄液が供給される。洗浄液としては、例えば、純水が用いられてもよく、錯体（イオン化したもの）が溶解した純水が用いられてもよく、炭酸水、水素水、電解イオン水またはＨＦＥ（ハイドロフルオロエーテル）が用いられてもよい。
【０１７０】
基板Ｗの端部洗浄処理時には、移動機構５３２が端部洗浄装置５３１を基板Ｗの外周端部に移動させる。それにより、スピンチャック２５により回転する基板Ｗの外周端部と端部洗浄装置５３１のブラシとが接触する。これにより、基板Ｗの外周端部がブラシにより洗浄される。また、ハウジング内でブラシと接触する基板Ｗの外周端部に向って洗浄液が上下方向から噴射される。それにより、基板Ｗの外周端部が効率よく洗浄される。
【０１７１】
本実施の形態に係る洗浄乾燥処理ユニットＳＤ１においては、基板Ｗの中心ＷＣが回転軸ＲＡに一致するように移動装置５００により基板Ｗがスピンチャック２５上に載置される。それにより、基板Ｗの外周端部を均一に洗浄することができる。
【０１７２】
（１２）洗浄乾燥処理ユニットＳＤ１の第２の例
図３１（ａ），（ｂ）は洗浄乾燥処理ユニットＳＤ１の第２の構成を示す模式的側面図および模式的平面図である。洗浄乾燥処理ユニットＳＤ２が図３１の洗浄乾燥処理ユニットＳＤ１と同様の構成を有してもよい。
【０１７３】
図３１（ａ）に示すように、洗浄乾燥処理ユニットＳＤ１は、基板Ｗを水平に保持して垂直方向の回転軸６１１ａの周りで回転させるスピンチャック６１０を備える。スピンチャック６１０は、スピンモータ６１１、円板状のスピンプレート６１２、プレート支持部材６１３、マグネットプレート６１４ａ，６１４ｂおよび複数のチャックピン６１５を含む。
【０１７４】
図３１（ａ）に示すように、スピンモータ６１１の回転シャフトの下端部にはプレート支持部材６１３が取り付けられている。プレート支持部材６１３によりスピンプレート６１２が水平に支持されている。スピンモータ６１１によりスピンプレート６１２が鉛直方向の回転軸６１１ａの周りで回転する。
【０１７５】
スピンモータ６１１およびプレート支持部材６１３には、液供給管６１０ａが挿通されている。液供給管６１０ａを通して、スピンチャック６１０により保持される基板Ｗ上に洗浄液を供給することができる。洗浄液としては、例えば純水が用いられる。
【０１７６】
スピンプレート６１２の周縁部には、４つの以上（本例では４つ）のチャックピン６１５が回転軸６１１ａに関して等角度間隔で設けられている。
【０１７７】
各チャックピン６１５は、軸部６１５ａ、ピン支持部６１５ｂ、保持部６１５ｃおよびマグネット６１６を含む。スピンプレート６１２を貫通するように軸部６１５ａが設けられ、軸部６１５ａの下端部に水平方向に延びるピン支持部６１５ｂが接続されている。ピン支持部６１５ｂの先端部から下方に突出するように保持部６１５ｃが設けられている。また、スピンプレート６１２の上面側において、軸部６１５ａの上端部にマグネット６１６が取り付けられている。
【０１７８】
各チャックピン６１５は、軸部６１５ａを中心に鉛直軸の周りで回転可能であり、保持部６１５ｃが基板Ｗの外周端部に当接する閉状態と、保持部６１５ｃが基板Ｗの外周端部から離間する開状態とに切替可能である。本例では、マグネット６１６のＮ極が内側にある場合に各チャックピン６１５が閉状態となり、マグネット６１６のＳ極が内側にある場合に各チャックピン６１５が開状態となる。
【０１７９】
スピンプレート６１２の上方には、回転軸６１１ａを中心とする周方向に沿ってマグネットプレート６１４ａ，６１４ｂが配置される。マグネットプレート６１４ａ，６１４ｂは、外側にＳ極を有し、内側にＮ極を有する。マグネットプレート６１４ａ，６１５ｂは、マグネット昇降機構（図示せず）によってそれぞれ独立に昇降し、チャックピン６１５のマグネット６１６よりも高い上方位置とチャックピン６１５のマグネット６１６とほぼ等しい高さの下方位置との間で移動する。マグネットプレート６１４ａ，６１４ｂの昇降により、後述するように、各チャックピン６１５が開状態と閉状態とに切り替えられる。
【０１８０】
図３１（ａ）に示すように、洗浄乾燥処理ユニットＳＤ１の下部には、スピンチャック６１０により保持される基板Ｗの外周端部および裏面を洗浄するための洗浄ブラシ６３０が設けられている。洗浄ブラシ６３０は略円柱形状を有し、外周面には断面Ｖ字状の溝６３５が形成されている。洗浄ブラシ６３０はブラシ保持部材６３１により保持されている。ブラシ保持部材６３１がブラシ移動機構６３２によって駆動されことにより、洗浄ブラシ６３０が水平方向および鉛直方向に移動する。
【０１８１】
洗浄ブラシ６３０の近傍におけるブラシ保持部材６３１の部分には洗浄ノズル６３３が取り付けられている。洗浄ノズル６３３には洗浄液が供給される液供給管（図示せず）が接続されている。洗浄ノズル６３３の吐出口は洗浄ブラシ６３０周辺に向けられており、吐出口から洗浄ブラシ６３０周辺に向けて洗浄液が吐出される。
【０１８２】
図３１（ｂ）に示すように、３つ以上（本例では３つ）の基板受け渡し機構６２０がスピンチャック６１０の回転軸６１１ａを中心として等角度間隔で配置されている。各基板受け渡し機構６２０は、昇降回転駆動部６２１、回転軸６２２、アーム６２３および保持ピン６２４を含む。昇降回転駆動部６２１から上方に延びるように回転軸６２２が設けられ、回転軸６２２の上端部から水平方向に延びるようにアーム６２３が連結されている。アーム６２３の先端部に、基板Ｗの外周端部を保持するための保持ピン６２４が設けられている。
【０１８３】
昇降回転駆動部６２１により、回転軸６２２が昇降動作および回転動作を行う。それにより、保持ピン６２４が水平方向および上下方向に移動する。
【０１８４】
次に、図３１〜図３３を参照しながら洗浄乾燥処理ユニットＳＤ１の動作を説明する。図３２および図３３は洗浄乾燥処理ユニットＳＤ１の動作を説明するための模式図である。図３２（ａ），（ｂ），（ｃ）および図３３（ａ）は模式的断面図であり、図３３（ｂ）は模式的平面図である。
【０１８５】
まず、図３１（ａ）に示すように、複数の保持ピン６２４上に図１の搬送機構１４１により基板Ｗが載置される。
【０１８６】
このとき、マグネットプレート６１４ａ，６１４ｂは上方位置にある。この場合、マグネットプレート６１４ａ，６１４ｂの磁力線Ｂは、チャックピン６１５のマグネット６１６の高さにおいて内側から外側に向かう。それにより、各チャックピン６１５のマグネット６１６のＳ極が内側に吸引される。したがって、各チャックピン６１５は開状態となる。この場合に基板ＷのノッチＮＴが複数のチャックピン６１５の下方に位置しないように、予め図４の載置兼バッファ部Ｐ−ＢＦ１または載置兼バッファ部Ｐ−ＢＦ２により基板Ｗの位置合わせが行われる。続いて、複数の保持ピン６２４が基板Ｗを保持した状態で上昇する。これにより、基板Ｗが複数のチャックピン６１５の保持部６１５ｃの間に移動する。
【０１８７】
続いて、図３２（ａ）に示すように、マグネットプレート６１４ａ，６１４ｂが下方位置に移動する。この場合、各チャックピン６１５のマグネット６１６のＮ極が内側に吸引される。それにより、各チャックピン６１５が閉状態となり、各チャックピン６１５の保持部６１５ｃによって基板Ｗの外周端部が保持される。その後、複数の保持ピン６２４がガード６１８の外方に移動する。
【０１８８】
基板Ｗの表面洗浄処理時には、図３２（ｂ）に示すように、スピンチャック６１０により基板Ｗが回転する状態で、液供給管６１０ａを通して基板Ｗの表面に洗浄液が供給される。洗浄液は遠心力によって基板Ｗの表面の全体に広がり、外方に飛散する。これにより、基板Ｗの表面に付着する塵埃等が洗い流される。また、基板Ｗ上のレジスト膜等の膜の成分の一部が洗浄液中に溶出し、洗い流される。
【０１８９】
基板Ｗの裏面洗浄処理時には、図３２（ｂ）に示すように、スピンチャック６１０により基板Ｗが回転する状態で、洗浄ブラシ６３０が基板Ｗの下方に移動する。そして、洗浄ブラシ６３０の上面と基板Ｗの裏面とが接触する状態で、洗浄ブラシ６３０が基板Ｗの中心部下方と周縁部下方との間で移動する。基板Ｗと洗浄ブラシ６３０との接触部分には、洗浄ノズル６３３から洗浄液が供給される。これにより、基板Ｗの裏面の全体が洗浄ブラシ６３０により洗浄され、基板Ｗの裏面に付着する汚染物が取り除かれる。
【０１９０】
基板Ｗの端部洗浄処理時には、図３３（ａ），（ｂ）に示すように、マグネットプレート６１４ａが下方位置に配置され、マグネットプレート６１４ｂが上方位置に配置される。その状態で、スピンチャック６１０により基板Ｗが回転する。
【０１９１】
この場合、マグネットプレート６１４ａの外方領域Ｒ１（図３３（ｂ）参照）においては各チャックピン６１５が閉状態となり、マグネットプレート６１４ｂの外方領域Ｒ２（図３３（ｂ）参照）においては各チャックピン６１５が開状態となる。すなわち、各チャックピン６１５の保持部６１５ｃは、マグネットプレート６１４ａの外方領域Ｒ１を通過する際に基板Ｗの外周端部に接触した状態で維持され、マグネットプレート６１４ｂの外方領域Ｒ２を通過する際に基板Ｗの外周端部から離間する。
【０１９２】
本例では、４つのチャックピン６１５のうちの少なくとも３つのチャックピン６１５がマグネットプレート６１４ａの外方領域Ｒ１に位置する。この場合、少なくとも３つのチャックピン６１５により基板Ｗが保持される。それにより、基板Ｗの安定性が確保される。
【０１９３】
その状態で、洗浄ブラシ６３０が、外方領域Ｒ２においてチャックピン６１５の保持部６１５ｃと基板Ｗの外周端部との間に移動する。そして、洗浄ブラシ６３０の溝６３５が、基板Ｗの外周端部に押し当てられる。洗浄ブラシ６３０と基板Ｗとの接触部分には、洗浄ノズル６３３（図３２（ｃ））から洗浄液が供給される。これにより、基板Ｗの外周端部の全体が洗浄され、基板Ｗの外周端部に付着する汚染物が取り除かれる。
【０１９４】
上記の表面洗浄処理、裏面洗浄処理および端部端部洗浄処理の後には、基板Ｗの乾燥処理が行われる。この場合、マグネットプレート６１４ａ，６１５ｂが下方位置に配置され、全てのチャックピン６１５により基板Ｗが保持される。その状態で、スピンチャック６１０により基板Ｗが高速で回転する。それにより、基板Ｗに付着する洗浄液が振り切られ、基板Ｗが乾燥する。
【０１９５】
本実施の形態に係る基板処理装置１００においては、図４の載置兼バッファ部Ｐ−ＢＦ１または載置兼バッファ部Ｐ−ＢＦ２によりノッチＮＴの方向が一定の基準方向に一致するように基板Ｗの位置合わせが行われる。そのため、いずれかのチャックピン６１５がノッチＮＴの部分に位置することを防止することができる。それにより、最低４つのチャックピン６１５を用いることにより基板Ｗを確実に保持することができる。
【０１９６】
（１３）回転保持装置の他の例
上記実施の形態における移動装置５００の代わりに、搬送機構を用いてもよい。図３４は移動装置として用いられる搬送機構の主要部の構成および動作を示す模式的平面図である。
【０１９７】
図３４（ａ）〜（ｅ）に示す搬送機構ＴＲは、回転駆動部５５０、第１アーム５５１、第２アーム５５２およびハンドＨ１を含む。
【０１９８】
回転駆動部５５０に第１関節５５３により第１アーム５５１の一端が接続される。第１アーム５５１の他端に第２関節５５４により第２アーム５５２の一端が接続される。第２アーム５５２の他端に第３関節５５５によりハンドＨ１が接続される。回転駆動部５５０は、Ｘ方向およびＹ方向に移動可能に設けられる。
【０１９９】
回転駆動部５５０上に第１関節５５３が設けられる。第１関節５５３は、第１アーム５５１を回転駆動部５５０に対して鉛直方向の回転軸Ａの周りで回転させる。第２関節５５４は、第２アーム５５２を第１アーム５５１に対して鉛直方向の回転軸Ｂの周りで回転させる。第３関節５５５は、ハンドＨ１を第２アーム５５２に対して鉛直方向の回転軸Ｃの周りで回転させる。ハンドＨ１は、基板Ｗの裏面を吸着して保持する。ハンドＨ１には、保持位置ＲＢが設定される。
【０２００】
図３４（ａ）〜（ｅ）に示すように、第１関節５５３は、回転軸Ａの位置が固定された状態で、回転駆動部５５０に対して第１アーム５５１を回転させる。また、ハンドＨ１の保持位置ＲＢが固定された状態で、ハンドＨ１の保持位置ＲＢを中心として第３関節５５５の回転軸Ｃが円を描くように第２関節５５４および第３関節５５５が第２アーム５５２およびハンドＨ１を回転させる。また、基板Ｗの中心ＷＣが保持位置ＲＢからずれている場合にも、基板Ｗの中心ＷＣが所定の基準軸に一致する状態で基板Ｗを回転させることができる。
【０２０１】
したがって、図１の搬送機構１２７，１２８，１３７，１３８，１４１，１４２，１４６の各々の代わりに図３４の搬送機構ＴＲを用いることにより、搬送機構ＴＲを上記実施の形態における移動装置５００の代わりに用いることができる。
この場合、基板Ｗを搬送する搬送機構ＴＲが移動装置５００の機能を兼ねることができる。
【０２０２】
（１４）エンコーダの例
移動装置５００における回転軸ＲＡの位置を検出するためにエンコーダおよびカウンタが用いられる。エンコーダには、アブソリュート型エンコーダおよびインクリメント型エンコーダがある。アブソリュート型エンコーダを用いると、原点位置を基準とする回転軸ＲＡの位置を常時検出することができる。しかしながら、アブソリュート型エンコーダはインクリメント型エンコーダに比べて高価である。一方、インクリメント型エンコーダを用いると、回転軸ＲＡの移動量を検出することができる。しかしながら、インクリメント型エンコーダおよびカウンタへの電源電圧の供給が停止された場合には、回転軸ＲＡの位置を示す情報が消失する。この場合、電源電圧が再度供給されたときの回転軸ＲＡの位置が原点位置となる。それにより、基板処理装置１００の固定座標系の原点位置と移動装置５００の座標系との原点位置とがずれることになる。
【０２０３】
図３５はインクリメント型エンコーダを用いた場合において原点位置を調整するための構成を示す模式的平面図である。図３６（ａ）〜（ｅ）はインクリメント型エンコーダを用いた場合における原点位置の調整方法を説明するための模式的平面図である。図３６には、移動装置５００の一部のみが示される。
【０２０４】
図３５に示すように、Ｙ方向可動部５０３にＹ方向に延びるセクタ５６０が取り付けられる。まず、図３６（ａ）に示すように、Ｙ方向可動部５０３がセクタ５６０とともにＹ方向に移動する。次に、図３６（ｂ）に示すように、Ｘ方向可動部５０２がＹ方向可動部５０３およびセクタ５６０とともに一旦ラインセンサ５０５から遠ざかるようにＸ方向に移動する。このとき、カウントにより得られるＸ方向の値（以下、Ｘ座標と呼ぶ）およびＹ方向の値（以下、Ｙ座標と呼ぶ）が０にリセットされる。
【０２０５】
次に、図３６（ｃ）に示すように、Ｘ方向可動部５０２がＹ方向可動部５０３およびセクタ５６０とともにラインセンサ５０５を通過するようにＸ方向に移動する。ラインセンサ５０５によりセクタ５６０が最初に検出された時点のカウンタの値をＹ１とする。また、ラインセンサ５０５によりセクタ５６０が最後に検出された時点のカウンタの値をＹ２とする。
【０２０６】
次に、図３６（ｄ）に示すように、カウンタの値が（Ｙ１＋Ｙ２）／２となる位置（ラインセンサ５０５の中心）にセクタ５６０が位置するように、Ｘ方向可動部５０２がＹ方向可動部５０３およびセクタ５６０とともに移動する。このとき、カウンタのＸ座標が０にリセットされる。
【０２０７】
次いで、図３６（ｅ）に示すように、Ｙ方向可動部５０３がラインセンサ５０５から遠ざかるようにセクタ５６０とともにＹ方向に移動する。ラインセンサ５０５により検出されるセクタ５６０の端部の位置が予め定められた位置に一致したときにカウンタのＹ座標が０にリセットされる。この時点での回転軸ＲＡの位置が移動装置５００の原点位置として決定される。あるいは、Ｘ方向可動部５０２およびＹ方向可動部５０３がさらにＸ方向およびＹ方向に予め定められた距離移動し、カウンタのＸ座標およびＹ座標が０にリセットされてもよい。この場合には、移動後の回転軸ＲＡの位置が移動装置５００の原点位置として決定される。
【０２０８】
（１５）効果
本実施の形態に係る基板処理装置１００の図５のエッジ露光部ＥＥＷにおいては、回転保持装置５０４上に載置された基板Ｗの中心ＷＣが回転軸ＲＡと一致せずかつ基板ＷのノッチＮＴの方向が基準方向と一致していない場合でも、基板Ｗの中心ＷＣが測定位置ＭＰと一致しかつ基板ＷのノッチＮＴの方向が基準方向と一致するように回転保持装置５０４が移動される。それにより、基板Ｗの予め定められた位置の膜厚を測定することができるとともに、基板Ｗ上の膜の周縁部における一定幅の領域に正確にエッジ露光を行うことができる。
【０２０９】
また、図１７の塗布処理ユニット１２９においては、回転保持装置５０４上に載置された基板Ｗの中心ＷＣが回転軸ＲＡと一致していない場合でも、基板Ｗの中心ＷＣがスピンチャック２５の回転軸Ｒａと一致するように回転保持装置５０４からスピンチャック２５に基板Ｗが転送される。それにより、基板Ｗ上に均一に膜を形成することができるとともに、基板Ｗ上の膜の周縁部における一定幅の領域に正確にエッジリンス処理を行うことができる。
【０２１０】
さらに、図２３および図２５の塗布処理ユニット１２９においては、回転保持装置５０４上に載置された基板Ｗの中心ＷＣが回転軸ＲＡと一致していない場合でも、基板Ｗの中心ＷＣが測定位置ＭＰと一致した状態で基板Ｗが回転される。それにより、基板Ｗ上に均一に膜を形成することができるとともに、基板Ｗ上の膜の周縁部における一定幅の領域に正確にエッジリンス処理を行うことができる。
【０２１１】
また、図２９の基板載置部ＰＡＳＳ３においては、回転保持装置５０４上に載置された基板Ｗの中心ＷＣが回転軸ＲＡと一致せずかつ基板ＷのノッチＮＴの方向が基準方向と一致していない場合でも、基板Ｗの中心ＷＣが測定位置ＭＰと一致しかつ基板ＷのノッチＮＴの方向が基準方向と一致するように回転保持装置５０４が移動される。それにより、基板載置部ＰＡＳＳ３において、基板Ｗの位置を一定の位置に補正しかつ基板ＷのノッチＮＴの方向を一定の基準方向に補正することができる。
【０２１２】
また、図３０の洗浄乾燥処理ユニットＳＤ１においては、回転保持装置５０４上に載置された基板Ｗの中心ＷＣが回転軸ＲＡと一致していない場合でも、基板Ｗの中心ＷＣが測定位置ＭＰと一致する状態で基板Ｗが回転される。それにより、基板Ｗの外周端部を均一に洗浄することができる。
【０２１３】
（１６）他の実施の形態
（ａ）本実施の形態に係る基板処理装置１００において、図５のエッジ露光部ＥＥＷ、図１７の塗布処理ユニット１２９、図２３の塗布処理ユニット１２９、図２５の塗布処理ユニット１２９、図２９の基板載置部ＰＡＳＳ３および図３０の洗浄乾燥処理ユニットＳＤ１の位置合わせのための構成のうち１つまたは任意の複数の構成が設けられてもよい。
【０２１４】
（ｂ）図５のエッジ露光部ＥＥＷにおける位置合わせのための構成が塗布処理ユニット１２９、基板載置部ＰＡＳＳ１〜ＰＡＳＳ９、洗浄乾燥処理ユニットＳＤ１，Ｄ２またはその他の部分に設けられてもよい。
【０２１５】
（ｃ）図１７の塗布処理ユニット１２９における位置合わせのための構成がエッジ露光部ＥＥＷ、基板載置部ＰＡＳＳ１〜ＰＡＳＳ９、洗浄乾燥処理ユニットＳＤ１，ＳＤ２またはその他の部分に設けられてもよい。
【０２１６】
（ｄ）図２３または図２５の塗布処理ユニット１２９における位置合わせのための構成がエッジ露光部ＥＥＷ、基板載置部ＰＡＳＳ１〜ＰＡＳＳ９、洗浄乾燥処理ユニットＳＤ１，ＳＤ２またはその他の部分に設けられてもよい。
【０２１７】
（ｅ）図２９の基板載置部ＰＡＳＳ３における位置合わせのための構成がその他の部分に設けられてもよい。
【０２１８】
（ｆ）基板Ｗの外周端部（ベベル部）にエッチング液を供給して基板Ｗのベベルエッチングを行う基板処理装置に図３０のような位置合わせのための機構を設けてもよい。
【０２１９】
（１７）請求項の各構成要素と実施の形態の各要素との対応
以下、請求項の各構成要素と実施の形態の各要素との対応の例について説明するが、本発明は下記の例に限定されない。
【０２２０】
以下、請求項の各構成要素と実施の形態の各要素との対応の例について説明するが、本発明は下記の例に限定されない。
【０２２１】
上記実施の形態では、回転保持装置５０４，５０４ａが回転保持装置の例であり、移動装置５００が移動装置の例であり、ラインセンサ５０５が位置検出器の例であり、制御部５１０，５１０ａが制御部の例である。また、回転軸ＲＡが回転軸の例であり、測定位置ＭＰ、基準軸ＲＲまたは回転軸Ｒａが基準軸の例であり、Ｘオフセット量ＸｏｆｆおよびＹオフセット量Ｙｏｆｆがずれ量の例であり、Ｙ方向が基準方向の例であり、測定位置ＭＰが測定位置の例である。さらに、昇降ピン５３０が昇降機構の例であり、エッジ露光部ＥＥＷまたは塗布処理ユニット１２９が第１の処理部の例であり、洗浄乾燥処理ユニットＳＤ１が第２の処理部の例であり、膜厚測定器５０７が測定装置の例であり、スピンチャック２５が基板保持部の例であり、想定位置ＡＰが想定位置の例である。
【０２２２】
請求項の各構成要素として、請求項に記載されている構成または機能を有する他の種々の要素を用いることもできる。
【産業上の利用可能性】
【０２２３】
本発明は、種々の基板の処理に有効に利用することができる。
【符号の説明】
【０２２４】
１１  インデクサブロック
１２  第１の処理ブロック
１３  第２の処理ブロック
１４  インターフェイスブロック
１４Ａ  洗浄乾燥処理ブロック
１４Ｂ  搬入搬出ブロック
１５  露光装置
１５ａ  基板搬入部
１５ｂ  基板搬出部
２１，２２，２３，２４  塗布処理室
２５，３５，６１０  スピンチャック
２５ａ，２８ａ  処理液供給系
２７，３７  カップ
２８  処理液ノズル
２９  ノズル搬送機構
３１，３２，３３，３４  現像処理室
３８  現像ノズル
３９，５３２  移動機構
５０，６０  流体ボックス部
１００  基板処理装置
１１１  キャリア載置部
１１２，１２２，１３２，１６３  搬送部
１１３  キャリア
１１４，５１０，５１０ａ  制御部
１１５，１２７，１２８，１３７，１３８，１４１，１４２，１４６，ＴＲ  搬送機構
１１６，Ｈ１，Ｈ２  ハンド
１２１  塗布処理部
１２３，１３３  熱処理部
１２５，１３５  上段搬送室
１２６，１３６  下段搬送室
１２９  塗布処理ユニット
１３１  現像処理部
１３９  現像処理ユニット
１６１，１６２  洗浄乾燥処理部
２００  露光搬送部
３０１，３０３  上段熱処理部
３０２，３０４  下段熱処理部
５００  移動装置
５０１  支持部材
５０２  Ｘ方向可動部
５０３，５０３ａ  Ｙ方向可動部
５０４  回転保持装置
５０５  ラインセンサ
５０６  露光ユニット
５０７  膜厚測定器
５０８  固定部材
５２０  エッジリンスノズル
５２０ａ  リンス液供給系
５３０  昇降ピン
５３１  端部洗浄装置
５５０  回転駆動部
５５１  第１アーム
５５２  第２アーム
５５３  第１関節
５５４  第２関節
５５５  第３関節
５６０  セクタ
６１０ａ  液供給管
６１１  スピンモータ
６１２  スピンプレート
６１３  プレート支持部材
６１４ａ，６１４ｂ，６１５ｂ  マグネットプレート
６１５  チャックピン
６１５ａ  軸部
６１５ｂ  ピン支持部
６１５ｃ  保持部
６１６  マグネット
６１８  ガード
６２０  基板受け渡し機構
６２１  昇降回転駆動部
６２３  アーム
６２４  保持ピン
６３０  洗浄ブラシ
６３１  ブラシ保持部材
６３２  ブラシ移動機構
６３３  洗浄ノズル
６３５  溝
Ａ，Ｂ，Ｃ，６１１ａ，６２２，ＲＡ，Ｒａ  回転軸
ＡＰ  想定位置
ＣＰ  冷却ユニット
ＥＥＷ  エッジ露光部
ＭＰ  測定位置
ｍｐ  測定点
ｍｒ  測定領域
ｍｒａ  領域
ＮＴ  ノッチ
Ｐ−ＢＦ１，Ｐ−ＢＦ２  載置兼バッファ部
Ｐ−ＣＰ  載置兼冷却部
ＰＡＨＰ  密着強化処理ユニット
ＰＡＳＳ１，ＰＡＳＳ２，ＰＡＳＳ３，ＰＡＳＳ４，ＰＡＳＳ５，ＰＡＳＳ６，ＰＡＳＳ７，ＰＡＳＳ８，ＰＡＳＳ９  基板載置部
ＰＨＰ  熱処理ユニット
Ｐｎ  位置データ
Ｒ１，Ｒ２  外方領域
ＲＢ  保持位置
ＳＤ１，ＳＤ２  洗浄乾燥処理ユニット
Ｗ  基板
ＷＣ  中心
Ｘ，Ｙ  矢印
Ｘｏｆｆ  Ｘオフセット量
Ｙｏｆｆ  Ｙオフセット量
θｏｆｆ  回転方向オフセット量
【図１】
2015211205.tif 000003
【図２】
2015211205.tif 000004
【図３】
2015211205.tif 000005
【図４】
2015211205.tif 000006
【図５】
2015211205.tif 000007
【図６】
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【図７】
2015211205.tif 000009
【図８】
2015211205.tif 000010
【図９】
2015211205.tif 000011
【図１０】
2015211205.tif 000012
【図１１】
2015211205.tif 000013
【図１２】
2015211205.tif 000014
【図１３】
2015211205.tif 000015
【図１４】
2015211205.tif 000016
【図１５】
2015211205.tif 000017
【図１６】
2015211205.tif 000018
【図１７】
2015211205.tif 000019
【図１８】
2015211205.tif 000020
【図１９】
2015211205.tif 000021
【図２０】
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【図２１】
2015211205.tif 000023
【図２２】
2015211205.tif 000024
【図２３】
2015211205.tif 000025
【図２４】
2015211205.tif 000026
【図２５】
2015211205.tif 000027
【図２６】
2015211205.tif 000028
【図２７】
2015211205.tif 000029
【図２８】
2015211205.tif 000030
【図２９】
2015211205.tif 000031
【図３０】
2015211205.tif 000032
【図３１】
2015211205.tif 000033
【図３２】
2015211205.tif 000034
【図３３】
2015211205.tif 000035
【図３４】
2015211205.tif 000036
【図３５】
2015211205.tif 000037
【図３６】
2015211205.tif 000038
【手続補正書】
【提出日】平成27年6月8日(2015.6.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
本発明は、基板に処理を行う基板処理装置および基板処理方法に関する。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００４】
露光動作時には、スピンチャックにより保持された基板が回転されるとともにエッジセンサによりスピンチャックの回転軸から基板の外周部までの距離が検出され、その検出結果に基づいて基板の中心とスピンチャックの回転軸との位置関係およびスピンチャックに対する基板の位置が検出される。それにより、露光されるべき基板の周辺領域の位置が特定される。スピンチャックにより保持された基板を回転させつつＸＹ駆動機構により露光ヘッド部による露光用の光の照射位置を変化させることにより、基板の周辺領域の露光が行われる。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
（１）第１の発明に係る基板処理装置は、基板に処理を行う基板処理装置であって、基板を保持して回転軸の周りで回転させる回転保持装置と、回転保持装置を回転軸に垂直な二次元方向に移動させる移動装置と、回転保持装置により回転される基板の外周部の位置を検出する位置検出器と、位置検出器により検出される位置に基づいて回転保持装置により保持される基板の中心が予め定められた基準軸と一致するように移動装置を制御する制御部とを備える。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３０】
この場合、基板の中心が基準軸と一致した後に基板が移動されるので、基板の予め定められた位置の状態を正確に測定することができる。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４５】
その基板処理方法においては、回転保持装置により回転される基板の外周部の位置が検出され、検出された位置に基づいて回転保持装置により保持される基板の中心が予め定められた基準軸と一致するように移動装置により回転保持装置が二次元方向に移動される。それにより、基板の端部への接触なしに基板を高い精度で位置合わせすることが可能である。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５０】
【図１】基板処理装置の構成を示す模式的平面図である。
【図２】主として図１の塗布処理部、現像処理部および洗浄乾燥処理部を示す基板処理装置の模式的側面図である。
【図３】主として図１の熱処理部，および洗浄乾燥処理部を示す基板処理装置の模式的側面図である。
【図４】主として図１の搬送部を示す側面図である。
【図５】エッジ露光部の構成を示す模式的平面図および模式的側面図である。
【図６】エッジ露光部の制御系の構成を示すブロック図である。
【図７】図５のエッジ露光部の動作を説明するための模式図である。
【図８】図５のエッジ露光部の動作を説明するための模式図である。
【図９】図５のエッジ露光部の動作を説明するための模式図である。
【図１０】図５のエッジ露光部の動作を説明するための模式図である。
【図１１】図５のエッジ露光部の動作を説明するための模式図である。
【図１２】図５のエッジ露光部の動作を説明するための模式図である。
【図１３】ラインセンサの出力信号に基づいて取得される位置データの一例を示す図である。
【図１４】膜厚測定器による膜厚測定方法の一例を示す模式的平面図である。
【図１５】膜厚測定器による膜厚測定方法の他の例を示す模式的平面図である。
【図１６】露光ユニットによる基板のエッジ露光方法を示す模式的平面図である。
【図１７】塗布処理ユニットの第１の例の構成を示す模式的平面図および模式的側面図である。
【図１８】塗布処理ユニットの制御系の構成を示すブロック図である。
【図１９】図１７の塗布処理ユニットの動作を説明するための模式的平面図および模式的側面図である。
【図２０】図１７の塗布処理ユニットの動作を説明するための模式的平面図および模式的側面図である。
【図２１】図１７の塗布処理ユニットの動作を説明するための模式的平面図および模式的側面図である。
【図２２】図１７の塗布処理ユニットの動作を説明するための模式的平面図および模式的側面図である。
【図２３】塗布処理ユニットの第２の例の構成を示す模式的平面図および模式的側面図である。
【図２４】図２３の塗布処理ユニットの移動装置の動作を示す模式的平面図である。
【図２５】塗布処理ユニットの第３の例の構成を示す模式的平面図および模式的側面図である。
【図２６】図２５の塗布処理ユニットの移動装置の動作を示す模式的平面図である。
【図２７】図２５の塗布処理ユニットの移動装置の動作を示す模式的平面図である。
【図２８】図２５の塗布処理ユニットの移動装置の動作を示す模式的平面図である。
【図２９】基板載置部の例の構成を示す模式的平面図および模式的側面図である。
【図３０】洗浄乾燥処理ユニットの第１の例の構成を示す模式的平面図および模式的側面図である。
【図３１】洗浄乾燥処理ユニットの第２の例の構成を示す模式的側面図および模式的平面図である。
【図３２】洗浄乾燥処理ユニットの動作を説明するための模式図である。
【図３３】洗浄乾燥処理ユニットの動作を説明するための模式図である。
【図３４】移動装置として用いられる搬送機構の主要部の構成および動作を示す模式的平面図である。
【図３５】インクリメント型エンコーダを用いた場合において原点位置を調整するための構成を示す模式的平面図である。
【図３６】インクリメント型エンコーダを用いた場合における原点位置の調整方法を説明するための模式的平面図である。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００８０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００８０】
搬送機構１２７，１２８，１３７，１３８，１４１，１４２，１４６の各々は、基板Ｗの裏面を吸着して保持しつつ基板Ｗを搬送するハンドＨ１，Ｈ２を有する。これにより、基板Ｗの搬送時に、ハンドＨ１，Ｈ２上で基板Ｗの位置がずれることおよび基板Ｗの中心に関するノッチＮＴの位置が変化することが防止される。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００９７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００９７】
Ｘ方向可動部５０２は、支持部材５０１に対してＸ方向に移動可能に構成される。Ｙ方向可動部５０３は、Ｘ方向可動部５０２に対してＹ方向に移動可能に構成される。回転保持装置５０４は、Ｘ方向可動部５０２に固定される。回転保持装置５０４は、例えば吸着式スピンチャックからなり、基板Ｗの裏面を吸着して基板Ｗを水平姿勢で保持する。この回転保持装置５０４は、Ｙ方向可動部５０３に設けられたモータ（図示せず）により鉛直方向の回転軸ＲＡの周りで回転駆動される。それにより、基板Ｗが回転軸ＲＡの周りで回転する。
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００９８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００９８】
ラインセンサ５０５としては、例えばＣＣＤ（電荷結合素子）ラインセンサが用いられる。ラインセンサ５０５は、Ｙ方向に延びるように配置される。ラインセンサ５０５は、Ｙ方向における基板Ｗの外周部の位置を測定するために用いられる。
【手続補正１０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００９９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００９９】
露光ユニット５０６は、基板Ｗ上に形成されたレジスト膜等の膜の周縁部を露光するために用いられる。膜厚測定器５０７は、基板Ｗ上の膜の厚さを測定するために用いられる。露光ユニット５０６および膜厚測定器５０７は、固定部材５０８に固定される。
【手続補正１１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１００
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１００】
ハンドＨ１，Ｈ２（図１および図４参照）と回転保持装置５０４との間での基板Ｗの受け渡しを行うための想定位置ＡＰが設定されている。想定位置ＡＰと膜厚測定器５０７との間に測定位置ＭＰが設定されている。ラインセンサ５０５は、測定位置ＭＰを通る直線上に延びるように設けられる。測定位置ＭＰおよび想定位置ＡＰはＸ方向の直線上に並ぶ。想定位置ＡＰと測定位置ＭＰとの間の距離はａである。
【手続補正１２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１２０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１２０】
回転保持装置５０４が回転軸ＲＡの周りで回転するとともに膜厚測定器５０７が基板Ｗ上の膜の厚さを連続的に測定する。このとき、基板Ｗの中心ＷＣが移動しないように回転保持装置５０４の一定角度の回転ごとにＸ方向可動部５０２およびＹ方向可動部５０３が回転保持装置５０４をＸ方向およびＹ方向に移動させる。この場合、図１５（ａ）に示すように、基板Ｗの中心ＷＣが移動しないようにＸ方向可動部５０２およびＹ方向可動部５０３が回転保持装置５０４をＸ方向およびＹ方向に移動させる動作をＸＹ補正動作と呼ぶ。
【手続補正１３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１４２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１４２】
本実施の形態に係る塗布処理ユニット１２９においては、基板Ｗの中心ＷＣがスピンチャック２５の回転軸Ｒａと一致しかつノッチＮＴの方向が基準方向と一致するように位置合わせ動作が行われるので、基板Ｗの上面の全体に均一な膜を形成することができる。また、基板Ｗ上の膜の周縁部の一定幅の領域に正確にエッジリンス処理を行うことができる。
【手続補正１４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１７６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１７６】
スピンプレート６１２の周縁部には、４つ以上（本例では４つ）のチャックピン６１５が回転軸６１１ａに関して等角度間隔で設けられている。
【手続補正１５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１８０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１８０】
図３１（ａ）に示すように、洗浄乾燥処理ユニットＳＤ１の下部には、スピンチャック６１０により保持される基板Ｗの外周端部および裏面を洗浄するための洗浄ブラシ６３０が設けられている。洗浄ブラシ６３０は略円柱形状を有し、外周面には断面Ｖ字状の溝６３５が形成されている。洗浄ブラシ６３０はブラシ保持部材６３１により保持されている。ブラシ保持部材６３１がブラシ移動機構（図示せず）によって駆動されることにより、洗浄ブラシ６３０が水平方向および鉛直方向に移動する。
【手続補正１６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１８９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１８９】
基板Ｗの裏面洗浄処理時には、図３２（ｃ）に示すように、スピンチャック６１０により基板Ｗが回転する状態で、洗浄ブラシ６３０が基板Ｗの下方に移動する。そして、洗浄ブラシ６３０の上面と基板Ｗの裏面とが接触する状態で、洗浄ブラシ６３０が基板Ｗの中心部下方と周縁部下方との間で移動する。基板Ｗと洗浄ブラシ６３０との接触部分には、洗浄ノズル６３３から洗浄液が供給される。これにより、基板Ｗの裏面の全体が洗浄ブラシ６３０により洗浄され、基板Ｗの裏面に付着する汚染物が取り除かれる。
【手続補正１７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１９４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１９４】
上記の表面洗浄処理、裏面洗浄処理および端部洗浄処理の後には、基板Ｗの乾燥処理が行われる。この場合、マグネットプレート６１４ａ，６１５ｂが下方位置に配置され、全てのチャックピン６１５により基板Ｗが保持される。その状態で、スピンチャック６１０により基板Ｗが高速で回転する。それにより、基板Ｗに付着する洗浄液が振り切られ、基板Ｗが乾燥する。
【手続補正１８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０２０４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０２０４】
図３５に示すように、Ｙ方向可動部５０３にＹ方向に延びるセクタ５６０が取り付けられる。まず、図３６（ａ）に示すように、Ｙ方向可動部５０３がセクタ５６０とともにＹ方向に移動する。次に、図３６（ｂ）に示すように、Ｘ方向可動部５０２がＹ方向可動部５０３およびセクタ５６０とともに一旦ラインセンサ５０５から遠ざかるようにＸ方向に移動する。このとき、カウンタにより得られるＸ方向の値（以下、Ｘ座標と呼ぶ）およびＹ方向の値（以下、Ｙ座標と呼ぶ）が０にリセットされる。
【手続補正１９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０２２０
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正２０】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図２２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図２２】
2015211205.tif 000039
【手続補正２１】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図３０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図３０】
2015211205.tif 000040
【手続補正２２】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図３１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図３１】
2015211205.tif 000041