(57)【要約】【課題】  ウェーハに外力を付与して分割する際に分割不良が発生する恐れを低減可能なウェーハの加工方法を提供することである。【解決手段】  基板と、該基板上に形成された積層体とからなり、該積層体によって格子状に交差する複数の分割予定ラインと該分割予定ラインで区画された各領域にデバイスが形成されたウェーハの加工方法であって、分割予定ラインに沿って切削ブレードで該積層体を切削して切削溝を形成する切削溝形成ステップと、該切削溝形成ステップを実施した後、該基板に対して透過性を有する波長のレーザビームの集光点を該基板の内部に位置付けた状態で、該レーザビームをウェーハの裏面側から該分割予定ラインに沿って照射して、該基板の内部に該分割予定ラインに沿った改質層を形成する改質層形成ステップと、該改質層形成ステップを実施した後、ウェーハに外力を付与してウェーハを該分割予定ラインに沿って個々のチップに分割する分割ステップと、を備えたことを特徴とする。【選択図】図４
2015207604.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と、該基板上に形成された積層体とからなり、該積層体によって格子状に交差する複数の分割予定ラインと該分割予定ラインで区画された各領域にデバイスが形成されたウェーハの加工方法であって、
分割予定ラインに沿って切削ブレードで該積層体を切削して切削溝を形成する切削溝形成ステップと、
該切削溝形成ステップを実施した後、該基板に対して透過性を有する波長のレーザビームの集光点を該基板の内部に位置付けた状態で、該レーザビームをウェーハの裏面側から該分割予定ラインに沿って照射して、該基板の内部に該分割予定ラインに沿った改質層を形成する改質層形成ステップと、
該改質層形成ステップを実施した後、ウェーハに外力を付与してウェーハを該分割予定ラインに沿って個々のチップに分割する分割ステップと、
を備えたことを特徴とするウェーハの加工方法。
【請求項２】
前記切削溝形成ステップで使用する該切削ブレードの厚みは１０μｍ以下である請求項１記載のウェーハの加工方法。
【請求項３】
該切削溝形成ステップでは、該基板に至らない深さの切削溝を形成する請求項１又は２記載のウェーハの加工方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ウェーハの加工方法に関し、特に、層間絶縁膜として低誘電率絶縁膜（Ｌｏｗ−ｋ膜）を使用したウェーハの加工方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体デバイス製造プロセスにおいては、略円板形状であるシリコンウェーハ、ガリウム砒素ウェーハ等の半導体ウェーハの表面に格子状に形成されたストリートと呼ばれる分割予定ラインによって複数の領域が区画され、区画された各領域にＩＣ、ＬＳＩ等のデバイスを形成する。
【０００３】
このような半導体ウェーハは研削装置によって裏面が研削されて所定の厚みに加工された後、切削装置又はレーザ加工装置によって個々のデバイスに分割され、分割されたデバイスは携帯電話、パソコン等の各種電気機器に広く利用されている。
【０００４】
切削装置としては一般にダイシング装置と呼ばれる切削装置が用いられており、この切削装置ではダイアモンドやＣＢＮ等の超砥粒をメタルやレジンで固めて厚さ２０〜３０μｍの切刃を有する切削ブレードが約３００００ｒｐｍ等の高速で回転しつつ半導体ウェーハへ切り込むことで切削が遂行される。
【０００５】
半導体ウェーハの表面に形成された半導体デバイスは、金属配線が何層にも積層されて信号を伝達しており、各金属配線間は主にＳｉＯ２から形成された層間絶縁膜により絶縁されている。
【０００６】
近年、構造の微細化に伴い、配線間距離が近くなり、近接する配線間の電気容量は大きくなってきている。これに起因して信号の遅延が発生し、消費電力が増加するという問題が顕著になってきている。
【０００７】
各層間の寄生容量を軽減すべく、デバイス（回路）形成時に各層間を絶縁する層間絶縁膜として従来は主にＳｉＯ２絶縁膜を採用していたが、最近になりＳｉＯ２絶縁膜よりも誘電率の低い低誘電率絶縁膜（Ｌｏｗ−ｋ膜）が採用されるようになってきている。
【０００８】
低誘電率絶縁膜としては、ＳｉＯ２膜（誘電率ｋ＝４．１）よりも誘電率が低い（例えばｋ＝２．５乃至３．６程度）材料、例えばＳｉＯＣ，ＳｉＬＫ等の無機物系の膜、ポリイミド系、パリレン系、ポリテトラフルオロエチレン系等のポリマー膜である有機物系の膜、及びメチル含有ポリシロキサン等のポーラスシリカ膜を挙げることができる。
【０００９】
このような低誘電率絶縁膜を含む積層体を切削ブレードにより分割予定ラインに沿って切削すると、低誘電率絶縁膜は雲母のように非常に脆いことから積層体が剥離するという問題が生じる。
【００１０】
この問題を解決するために、特開２００７−１７３４７５号公報では、予め分割予定ライン上の積層体をレーザビームの照射によりアブレーションで除去し、次いで裏面からウェーハに対して透過性を有する波長のレーザビームを照射してウェーハ内部に改質層を形成し、次いでウェーハに外力を付与してウェーハを個々のチップに分割するウェーハの加工方法が提案されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【００１１】
【特許文献１】特開２００７−１７３４７５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１２】
しかし、特許文献１に開示されたウェーハの加工方法では、ウェーハ内部に改質層を形成後ウェーハに外力を付与してウェーハを個々のチップに分割しようとしても、ウェーハの裏面側に形成された改質層からウェーハの表面に形成されたレーザ加工溝に向かってクラックが真っ直ぐに伸長せず、ウェーハの表面側において分割不良が発生してしまうことがある。
【００１３】
その原因を推測するに、アブレーションによりウェーハの表面にレーザ加工溝を形成する際にレーザ加工溝の周囲が変質してしまうことで、ウェーハに外力を付与してウェーハを分割する際に改質層からのクラックが表面に到達しないためであると考えられる。
【００１４】
本発明はこのような点に鑑みてなされたものであり、その目的とするところは、ウェーハに外力を付与して分割する際に分割不良が発生する恐れを低減可能なウェーハの加工方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【００１５】
本発明によると、基板と、該基板上に形成された積層体とからなり、該積層体によって格子状に交差する複数の分割予定ラインと該分割予定ラインで区画された各領域にデバイスが形成されたウェーハの加工方法であって、分割予定ラインに沿って切削ブレードで該積層体を切削して切削溝を形成する切削溝形成ステップと、該切削溝形成ステップを実施した後、該基板に対して透過性を有する波長のレーザビームの集光点を該基板の内部に位置付けた状態で、該レーザビームをウェーハの裏面側から該分割予定ラインに沿って照射して、該基板の内部に該分割予定ラインに沿った改質層を形成する改質層形成ステップと、該改質層形成ステップを実施した後、ウェーハに外力を付与してウェーハを該分割予定ラインに沿って個々のチップに分割する分割ステップと、を備えたことを特徴とするウェーハの加工方法が提供される。
【００１６】
好ましくは、切削溝形成ステップで使用する切削ブレードの厚みは１０μｍ以下である。好ましくは、切削溝形成ステップでは、基板に至らない深さの切削溝を形成する。
【発明の効果】
【００１７】
本発明のウェーハの加工方法では、基板表面に形成された積層体を切削ブレードで切削して切削溝を形成してから、基板内部に改質層を形成するため、切削溝の周囲が変質することがない。よって、ウェーハに外力を付与してウェーハを分割する際に改質層からのクラックは切削溝に向かって真っ直ぐ伸長するため、従来方法のように分割不良が発生する恐れを低減できる。
【００１８】
積層体に低誘電率絶縁膜（Ｌｏｗ−ｋ膜）を含んでいる場合にも、薄い切削ブレードを使用することでデラミネーションの発生を防止し得る。また、切削溝形成ステップでは、基板を切削しないため、細粒径の切削ブレードを使用することができ、デラミネーションの発生を防止し得る。
【図面の簡単な説明】
【００１９】
【図１】半導体ウェーハの表面側斜視図である。
【図２】ウェーハユニットの斜視図である。
【図３】切削溝形成ステップを示す斜視図である。
【図４】切削溝形成ステップを示す一部断面側面図である。
【図５】改質層形成ステップを示す斜視図である。
【図６】レーザビーム発生ユニットのブロック図である。
【図７】改質層形成ステップ後のウェーハの断面図である。
【図８】分割ステップを示す一部断面側面図である。
【図９】分割ステップ後のウェーハの断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００２０】
以下、本発明の実施形態を図面を参照して詳細に説明する。図１を参照すると、半導体ウェーハ（以下、単にウェーハと略称することがある）１１の表面側斜視図が示されている。ウェーハ１１は、図４に示すように、シリコンウェーハ等の基板１２と、基板１２上に形成された低誘電率絶縁膜（Ｌｏｗ−ｋ膜）を含む積層体１３とから形成されている。
【００２１】
ウェーハ１１の表面１１ａに形成された積層体１３には、格子状に形成された複数の分割予定ライン（ストリート）１５によって区画された各領域にＩＣ，ＬＳＩ等のデバイス１７が形成されている。ウェーハ１１の厚みは、例えば１００μｍ程度である。
【００２２】
本発明のウェーハの加工方法では、図２に示すように、ウェーハ１１の裏面１１ｂを、外周部が環状フレームＦに貼着された粘着テープであるダイシングテープＴに貼着し、ウェーハユニット１９を形成する。ウェーハユニット１９では、ウェーハ１１はダイシングテープＴを介して環状フレームＦで支持された状態となる。
【００２３】
ウェーハユニット１９を形成した後、ウェーハ１１の分割予定ライン１５に沿って切削ブレードで積層体１３を切削し、切削溝を形成する切削溝形成ステップを実施する。この切削溝形成ステップでは、ウェーハ１１の基板１２に至らない深さの切削溝を形成する。
【００２４】
切削溝形成ステップは、図３に示す切削装置の切削ユニット１０により実施する。切削ユニット１０は、スピンドルハウジング１２中に回転可能に収容されたスピンドル１４の先端に切削ブレード１６が着脱可能に装着されて構成されている。
【００２５】
この切削溝形成ステップでは、切削装置のチャックテーブル１８でダイシングテープＴを介してウェーハ１１を吸引保持し、切削ブレード１６を矢印Ａ方向に高速回転させながら、図４に示すように、積層体１３と基板１２との境界まで切り込ませつつ、チャックテーブル１８を矢印Ｘ１方向に加工送りしながら、分割予定ライン１５に沿って積層体１３を切削して切削溝２１を形成する。
【００２６】
積層体１３と基板１２との境界まで切削ブレード１６が切り込むのが好ましいが、ダイシングテープＴの厚みばらつきや切り込み深さ制御の誤差を考慮して、基板１２を切削しないように積層体１３を数μｍ程度切り残して切削溝２１を形成するのが好ましい。
【００２７】
切削ユニット１０を分割予定ライン１５のピッチずつ割り出し送りしながら、第１の方向に伸長する全ての分割予定ライン１５に沿って同様な切削溝２１を形成する。次いで、チャックテーブル１８を９０°回転してから、第１の方向と直交する第２の方向に伸長する全ての分割予定ライン１５に沿って同様な切削溝２１を形成する。
【００２８】
本実施形態の切削溝形成ステップでは、ウェーハ１１の基板１２を切削しないため、細粒径の切削ブレード１６を使用するのが好ましい。更に、厚み１０μｍ以下の切削ブレード１６で切削溝２１を形成するため、Ｌｏｗ−ｋ膜が雲母のように剥がれる所謂デラミネーションの発生を防止することができる。加えて、細粒径の切削ブレード１６を使用することにより、デラミネーションの発生を防止できる。
【００２９】
切削溝形成ステップを実施した後、ウェーハ１１の基板２に対して透過性を有する波長のレーザビームの集光点を基板１２の内部に位置付けた状態で、レーザビームをウェーハ１１の裏面１１ｂ側から分割予定ライン１５に沿って照射して、基板１２の内部に分割予定ライン１５に沿った改質層を形成する改質層形成ステップを実施する。
【００３０】
この改質層形成ステップを、図５乃至図７を参照して説明する。図５を参照すると、レーザビーム照射ユニット２０は、実質上水平に配置された円筒形状のケーシング２２を有している。
【００３１】
ケーシング２２内には、図６に示されたレーザビーム発生ユニット２４が収容されており、ケーシング２２の先端部には、レーザビーム発生ユニット２４から発生されたレーザビームを集光する集光器２６が装着されている。
【００３２】
レーザビーム発生ユニット２４は、図６に示すように、ＹＡＧパルスレーザ発振器あるいはＹＶＯ４パルスレーザ発振器等のパルスレーザ発振器３２と、繰り返し周波数設定手段３４と、パルス幅調整手段３６と、パワー調整手段３８を含んでいる。
【００３３】
レーザビーム発生ユニット２０のケーシング２２には撮像ユニット（撮像手段）２８が装着されている。撮像ユニット２８は、可視光線によって撮像するＣＣＤ等の通常の撮像素子の他に、ウェーハ１１に赤外線を照射する赤外線照射手段と、赤外線に対応した電気信号を出力する赤外線ＣＣＤ等の赤外線撮像素子を含んで構成されており、撮像した画像信号は図示しない制御手段に送信される。
【００３４】
レーザ加工装置を用いてウェーハ１１の基板１２の内部に改質層を形成するには、図５に示すように、レーザ加工装置のチャックテーブル３０上にダイシングテープＴを上にしてウェーハ１１の表面１１ａ側を載置する。
【００３５】
そして、図示しない吸引手段によってチャックテーブル３０上にウェーハ１１を吸引保持する。従って、チャックテーブル３０上に吸引保持されたウェーハ１１は裏面１１ｂが上側となり、ダイシングテープＴが上方に露出する。
【００３６】
改質層形成ステップを実施する前に、撮像ユニット２８によってウェーハ１１のレーザ加工すべき加工領域を検出するアライメントを実施する。即ち、撮像ユニット２８及び図示しない制御手段は、ウェーハ１１の第１の方向に伸長する分割予定ライン１５と、分割予定ライン１５に沿ってレーザビームを照射するレーザビーム照射ユニット２０の集光器２６との位置合わせを行うためのパターンマッチング等の画像処理を実行し、レーザビーム照射位置のアライメントを遂行する。
【００３７】
次いで、ウェーハ１１に形成されている第１の方向に対して直交する第２の方向に伸長する分割予定ライン１５に対しても、同様にレーザビーム照射位置のアライメントを遂行する。
【００３８】
この時、ウェーハ１１の分割予定ライン１５が形成されている表面１１ａは下側に位置しているが、撮像ユニット２８が赤外線撮像素子を備えているので、ダイシングテープＴ及びウェーハ１１の裏面１１ｂ側から透かして分割予定ライン１５を撮像することができる。
【００３９】
アライメント実施後、チャックテーブル３０をレーザビームを照射するレーザビーム照射ユニット２０の集光器２６が位置するレーザビーム照射位置に移動し、第１の方向に伸長する分割予定ライン１５の一端を集光器２６の直下に位置付ける。
【００４０】
そして、集光器２６からダイシングテープＴ及びウェーハ１１の基板１２に対して透過性を有する波長のレーザビームの集光点を基板１２の内部に位置付けた状態で、ウェーハ１１の裏面側からパルスレーザビームを照射しつつ、チャックテーブル３０を矢印Ｘ１方向に所定の送り速度で移動する。集光器２６のレーザビーム照射位置が分割予定ライン１５の他端に達したなら、パルスレーザビームの照射を停止するとともにチャックテーブル３０の移動を停止する。
【００４１】
次いで、チャックテーブル３０を分割予定ライン１５のピッチだけ割り出し送りして、隣接する分割予定ライン１５の他端に集光器２６を位置付け、チャックテーブル３０を矢印Ｘ２方向に所定の送り速度で加工送りしながら、隣接する分割予定ライン１５に対応する基板１２の内部に同様な改質層を形成する。
【００４２】
チャックテーブル３０をＸ１方向及びＸ２方向に交互に加工送りしながら、第１の方向に伸長する分割予定ライン１５に対応する基板２の内部に改質層２３を形成する。第１の方向に伸長する全ての分割予定ライン１５に沿って改質層２３を形成したならば、チャックテーブル３０を９０°回転してから、第１の方向に直交する第２の方向に伸長する分割予定ライン１５に沿って基板１５の内部に同様な改質層２３を形成する。
【００４３】
改質層２３は、密度、屈折率、機械的強度等の物理特性が周囲とは異なる状態になった領域をいい、溶融再硬化層として形成される。改質層２３が基板２の内部に形成されると、改質層２３から上下方向に伸びるマイクロクラックが形成される。
【００４４】
この改質層形成ステップにおける加工条件は、例えば次のように設定されている。
【００４５】
光源                    ：ＬＤ励起Ｑスイッチ  Ｎｄ：ＹＶＯ４パルスレーザ
波長                    ：１０６４ｎｍ
繰り返し周波数          ：１００ｋＨｚ
パルス出力              ：１０μＪ
集光スポット径          ：φ１μｍ
加工送り速度            ：１００ｍｍ／秒
【００４６】
改質層形成ステップ実施後、改質層２３が形成されたウェーハ１１に外力を付与して改質層２３を分割起点にウェーハ１１を分割予定ライン１５に沿って個々のチップに分割する分割ステップを実施する。
【００４７】
分割ステップでは、図８（Ａ）に示すように、ウェーハ１１をダイシングテープＴを介して支持した環状フレームＦを、フレーム保持部材４６の載置面４６ａ上に載置し、クランプ４８によってフレーム保持部材４６を固定する。この時、フレーム保持部材４６はその載置面４６ａが拡張ドラム４４の上端と略同一高さとなる基準位置に位置付けられる。
【００４８】
次いで、エアシリンダ５２を駆動してフレーム保持部材４６を図８（Ｂ）に示す拡張位置に下降する。これにより、フレーム保持部材４６の載置面４６ａ上に固定されている環状フレームＦを下降するため、環状フレームＦに貼着されたダイシングテープＴは拡張ドラム４４の上端縁に当接して主に半径方向に拡張される。
【００４９】
その結果、ダイシングテープＴに貼着されているウェーハ１１には放射状に引っ張り力が作用する。このようにウェーハ１１に放射状に引っ張り力が作用すると、図９に示すように、改質層２３からのクラック２７が切削溝２１に向かってまっすぐ伸長し、ウェーハ１１を改質層２３を分割起点に分割予定ライン１５に沿って個々のチップ２５に分割することができる。
【００５０】
即ち、本実施形態では、基板２上に形成された積層体１３に厚みの薄い切削ブレード１６で切削溝２１を形成するため、切削溝２１の周囲が変質することがない。従って、ウェーハ１１に外力を付与してウェーハ１１を個々のチップに分割するときに、改質層２３からクラック２７が切削溝２１に向かってまっすぐ伸長するため、従来方法のように分割不良が発生する恐れを低減することができる。
【００５１】
上述した実施形態では、ウェーハ１１の積層体１３に層間絶縁膜として低誘電率絶縁膜（Ｌｏｗ−ｋ膜）を含んでいるウェーハ１１について説明したが、本発明のウェーハの加工方法は、層間絶縁膜としてＳｉＯ２絶縁膜を含むウェーハに対しても同様に適用することができる。
【符号の説明】
【００５２】
１１    半導体ウェーハ
１２    基板
１３    積層体
１５    分割予定ライン
１６    切削ブレード
１７    デバイス
２０    レーザビーム照射ユニット
２１    切削溝
２３    改質層
２５    チップ
２６    集光器
２８    撮像ユニット
【図１】
2015207604.tif 000003
【図２】
2015207604.tif 000004
【図３】
2015207604.tif 000005
【図４】
2015207604.tif 000006
【図５】
2015207604.tif 000007
【図６】
2015207604.tif 000008
【図７】
2015207604.tif 000009
【図８】
2015207604.tif 000010
【図９】
2015207604.tif 000011