(57)【要約】【課題】駆動電圧が低く寿命の長い有機ＥＬ素子を提供する。【解決手段】陽極と陰極、及び前記陽極と陰極の間に少なくとも１層の有機薄膜層を備え、前記有機薄膜層のうちの１層が、下記式（１）で表されるポリマーを含む有機エレクトロルミネッセンス素子。2015207758.tif 000043【選択図】なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
陽極と陰極、及び
前記陽極と陰極の間に少なくとも１層の有機薄膜層を備え、
前記有機薄膜層のうちの１層が、下記式（１）で表されるポリマーを含む有機エレクトロルミネッセンス素子。
【化３６】
2015207758.tif 000038
（式（１）中、
ａ及びｂは、それぞれ、炭素原子、窒素原子、酸素原子又は硫黄原子である。ａ及びｂが、それぞれ、窒素原子、酸素原子又は硫黄原子であるとき、Ｒ１及びＲ２は存在しない。
Ｒ１及びＲ２は、それぞれ、水素原子、炭素数１〜８のアルキル基、炭素数５〜６のシクロアルキル基、炭素数１〜８のアルコキシ基、環形成炭素数６〜１０のアリール基、環形成炭素数６〜１０のアリーロキシ基、フッ素原子、塩素原子、炭素数２〜１６のアルコキシアルキル基、置換もしくは無置換のアミノ基、又は置換もしくは無置換のメルカプト基である。
Ｒ１及びＲ２は、それぞれ、他の原子と結合して又は互いに結合して、環を形成してもよい。
環Ａは、芳香族炭化水素環又は芳香族複素環である。
Ｘ１は−Ｏ−又は−Ｓ−である。
Ｒ３は、置換基である。
Ｒ４は、水素原子又は置換基である。
ｎは繰り返し数である。
Ｌ１は、単結合、又は下記式（２）もしくは下記式（３）で表される基である。
−Ｌ１１−Ｌ１２−Ｌ１３−          （２）
（式（２）中、Ｌ１１は炭素数１〜８のアルキレン基であり、Ｌ１２は単結合、−Ｏ−又は−Ｓ−であり、Ｌ１３は単結合又は炭素数１〜８のアルキレン基である。尚、Ｌ１１がＲ４と結合し、Ｌ１３が環Ａと結合する。）
−Ｌ１４−Ｌ１５−Ｂ−Ｌ１６−      （３）
（式（３）中、Ｌ１４は単結合又は炭素数１〜８のアルキレン基であり、Ｌ１５は単結合、−Ｏ−又は−Ｓ−であり、Ｂは置換もしくは無置換の芳香族炭化水素環又は置換もしくは無置換の芳香族複素環であり、Ｌ１６は単結合、−Ｏ−又は−Ｓ−である。尚、Ｌ１４がＲ４と結合し、Ｌ１６が環Ａと結合する。））
【請求項２】
Ｒ３とＲ４が、それぞれ、置換もしくは無置換の炭素数１〜８のアルキル基、置換もしくは無置換の炭素数１〜８のアルコキシ基、置換もしくは無置換の炭素数１〜８のアルキルカルボニル基、置換もしくは無置換の炭素数６〜１０のアリール基、置換もしくは無置換の炭素数６〜１０のアリーロキシ基、置換もしくは無置換の炭素数６〜１０のアリールカルボニル基、又は置換もしくは無置換の炭素数７〜２０のアラルキル基である請求項１記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
【請求項３】
Ｒ３とＲ４が、それぞれ、置換もしくは無置換の炭素数６〜１０のアリール基、又は置換もしくは無置換の炭素数６〜１０のアリールカルボニル基である請求項１記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
【請求項４】
ａ，ｂが共に炭素原子である請求項１〜３のいずれか記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
【請求項５】
Ｒ１及びＲ２が、それぞれ、水素原子、炭素数１〜８のアルキル基、炭素数５〜６のシクロアルキル基、炭素数１〜８のアルコキシ基、環形成炭素数６〜１０のアリール基、環形成炭素数６〜１０のアリーロキシ基、又は炭素数２〜１６のアルコキシアルキル基である請求項１〜４のいずれか記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
【請求項６】
Ｒ１及びＲ２が、それぞれ、炭素数１〜８のアルキル基、炭素数１〜８のアルコキシ基、又は環形成炭素数６〜１０のアリール基である請求項１〜４のいずれか記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
【請求項７】
環Ａが、芳香族炭化水素環である請求項１〜６のいずれか記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
【請求項８】
環Ａ又はＢが、６員環、５員環、６員環同士の縮合環、又は６員環と５員環の縮合環である請求項１〜７のいずれか記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
【請求項９】
前記式（１）で表されるポリマーが下記式（２）で表されるポリマーである請求項１〜８のいずれか記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
【化３７】
2015207758.tif 000039
（式（２）中、Ｒ１〜Ｒ４、Ｌ１、Ｘ１、ｎは、それぞれ前記式（１）のＲ１〜Ｒ４、Ｌ１、Ｘ１、ｎの定義と同じである。）
【請求項１０】
Ｘ１が、−Ｏ−である請求項１〜９のいずれか記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
【請求項１１】
Ｌ１が、単結合である請求項１〜１０のいずれか記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
【請求項１２】
前記式（１）で表されるポリマーが下記式（３）で表されるポリマーである請求項１〜１１のいずれか記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
【化３８】
2015207758.tif 000040
（式（３）中、Ｒ１〜Ｒ４、ｎは、それぞれ前記式（１）のＲ１〜Ｒ４、ｎの定義と同じである。）
【請求項１３】
前記式（１）で表されるポリマーが下記式（４）で表されるポリマーである請求項１〜１２のいずれか記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
【化３９】
2015207758.tif 000041
（式（４）中、Ｒ１、Ｒ２、ｎは、それぞれ前記式（１）のＲ１、Ｒ２、ｎの定義と同じである。Ａｒ３及びＡｒ４は、それぞれ環形成炭素数６〜１０のアリール基である。）
【請求項１４】
前記式（１）のポリマーを含む層が、発光層である請求項１〜１３のいずれか記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
【請求項１５】
前記式（１）のポリマーを含む層が、前記ポリマーを１〜８０重量％含む請求項１〜１４のいずれか記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
【請求項１６】
下記式（１）で表されるポリマーと、有機半導体材料と、を含むインク組成物。
【化４０】
2015207758.tif 000042
（式（１）中、
ａ及びｂは、それぞれ、炭素原子、窒素原子、酸素原子又は硫黄原子である。ａ及びｂが、それぞれ、窒素原子、酸素原子又は硫黄原子であるとき、Ｒ１及びＲ２は存在しない。
Ｒ１及びＲ２は、それぞれ、水素原子、炭素数１〜８のアルキル基、炭素数５〜６のシクロアルキル基、炭素数１〜８のアルコキシ基、環形成炭素数６〜１０のアリール基、環形成炭素数６〜１０のアリーロキシ基、フッ素原子、塩素原子、炭素数２〜１６のアルコキシアルキル基、置換もしくは無置換のアミノ基、又は置換もしくは無置換のメルカプト基である。
Ｒ１及びＲ２は、それぞれ、他の原子と結合して又は互いに結合して、環を形成してもよい。
環Ａは、芳香族炭化水素環又は芳香族複素環である。
Ｘ１は−Ｏ−又は−Ｓ−である。
Ｒ３は、置換基である。
Ｒ４は、水素原子又は置換基である。
ｎは繰り返し数である。
Ｌ１は、単結合、又は下記式（２）もしくは下記式（３）で表される基である。
−Ｌ１１−Ｌ１２−Ｌ１３−          （２）
（式（２）中、Ｌ１１は炭素数１〜８のアルキレン基であり、Ｌ１２は単結合、−Ｏ−又は−Ｓ−であり、Ｌ１３は単結合又は炭素数１〜８のアルキレン基である。尚、Ｌ１１がＲ４と結合し、Ｌ１３が環Ａと結合する。）
−Ｌ１４−Ｌ１５−Ｂ−Ｌ１６−      （３）
（式（３）中、Ｌ１４は単結合又は炭素数１〜８のアルキレン基であり、Ｌ１５は単結合、−Ｏ−又は−Ｓ−であり、Ｂは置換もしくは無置換の芳香族炭化水素環又は置換もしくは無置換の芳香族複素環であり、Ｌ１６は単結合、−Ｏ−又は−Ｓ−である。尚、Ｌ１４がＲ４と結合し、Ｌ１６が環Ａと結合する。））
【請求項１７】
前記有機半導体材料が、有機エレクトロルミネッセンス素子用材料である請求項１６記載のインク組成物。
【請求項１８】
さらに溶媒を含む請求項１６又は１７記載のインク組成物。
【請求項１９】
請求項１６〜１８のいずれか記載のインク組成物を用いて、有機半導体素子の少なくとも１層を湿式で製造する有機半導体素子の製造方法。
【請求項２０】
請求項１〜１５のいずれか記載の有機エレクトロルミネッセンス素子を具備する表示装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、有機エレクトロルミネッセンス素子及びそれを用いた装置並びにインク組成物に関する。
【背景技術】
【０００２】
有機エレクトロルミネッセンス（ＥＬ）素子は、電界を印加することにより、陽極より注入された正孔と陰極より注入された電子の再結合エネルギーにより蛍光性物質が発光する原理を利用した自発光素子である。
【０００３】
有機ＥＬ素子は、陽極と陰極の間に、発光層の他、さらに、正孔注入層、正孔輸送層、電子注入層、電子輸送層等の有機層を含む積層構造を有する。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００４−１５２７４６号公報
【特許文献２】特開平１−１４４４１５号公報
【特許文献３】特開平２−２９４３２７号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
本発明の目的は、駆動電圧が低く寿命の長い有機ＥＬ素子を提供することである。
本発明の他の目的は、新規なインク組成物を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明者らは、鋭意研究の結果、特許文献１に記載のポリフェニレンオキサイドは末端処理が施されていないため水酸基が残留し、有機ＥＬ特性を低下させることを見出した。そして、ポリフェニレンオキサイドの末端処理をすることにより、素子特性を改善できることを見出し、本発明を完成させた。
【０００７】
本発明の一態様によれば、以下の有機ＥＬ素子が提供される。
陽極と陰極、及び
前記陽極と陰極の間に少なくとも１層の有機薄膜層を備え、
前記有機薄膜層のうちの１層が、下記式（１）で表されるポリマーを含む有機エレクトロルミネッセンス素子。
【化１】
2015207758.tif 000002
（式（１）中、
ａ及びｂは、それぞれ、炭素原子、窒素原子、酸素原子又は硫黄原子である。ａ及びｂが、それぞれ、窒素原子、酸素原子又は硫黄原子であるとき、Ｒ１及びＲ２は存在しない。
Ｒ１及びＲ２は、それぞれ、水素原子、炭素数１〜８のアルキル基、炭素数５〜６のシクロアルキル基、炭素数１〜８のアルコキシ基、環形成炭素数６〜１０のアリール基、環形成炭素数６〜１０のアリーロキシ基、フッ素原子、塩素原子、炭素数２〜１６のアルコキシアルキル基、置換もしくは無置換のアミノ基、又は置換もしくは無置換のメルカプト基である。
Ｒ１及びＲ２は、それぞれ、他の原子と結合して又は互いに結合して、環を形成してもよい。
環Ａは、芳香族炭化水素環又は芳香族複素環である。
Ｘ１は−Ｏ−又は−Ｓ−である。
Ｒ３は、置換基である。
Ｒ４は、水素原子又は置換基である。
ｎは繰り返し数である。
Ｌ１は、単結合、又は下記式（２）もしくは下記式（３）で表される基である。
−Ｌ１１−Ｌ１２−Ｌ１３−          （２）
（式（２）中、Ｌ１１は炭素数１〜８のアルキレン基であり、Ｌ１２は単結合、−Ｏ−又は−Ｓ−であり、Ｌ１３は単結合又は炭素数１〜８のアルキレン基である。尚、Ｌ１１がＲ４と結合し、Ｌ１３が環Ａと結合する。）
−Ｌ１４−Ｌ１５−Ｂ−Ｌ１６−      （３）
（式（３）中、Ｌ１４は単結合又は炭素数１〜８のアルキレン基であり、Ｌ１５は単結合、−Ｏ−又は−Ｓ−であり、Ｂは置換もしくは無置換の芳香族炭化水素環又は置換もしくは無置換の芳香族複素環であり、Ｌ１６は単結合、−Ｏ−又は−Ｓ−である。尚、Ｌ１４がＲ４と結合し、Ｌ１６が環Ａと結合する。））
【０００８】
本発明の他の態様によれば、上記式（１）で表されるポリマーと、有機半導体材料と、を含むインク組成物が、提供される。
【０００９】
本発明の他の態様によれば、上記インク組成物を用いて、有機半導体素子の少なくとも１層を湿式で製造する有機半導体素子の製造方法が、提供される。
【００１０】
本発明の他の態様によれば、上記有機エレクトロルミネッセンス素子を具備する表示装置が、提供される。
【発明の効果】
【００１１】
本発明によれば、駆動電圧が低く寿命の長い有機ＥＬ素子が提供できる。
本発明によれば、新規なインク組成物が提供できる。
【発明を実施するための形態】
【００１２】
本発明の有機ＥＬ素子は、陽極と陰極の間に少なくとも１層の有機薄膜層を備え、有機薄膜層のうちの１層が、下記式（１）で表されるポリマーを含む。
【化２】
2015207758.tif 000003
式（１）中、ａ及びｂは、それぞれ、炭素原子、窒素原子、酸素原子又は硫黄原子である。ａ及びｂが、それぞれ、窒素原子、酸素原子又は硫黄原子であるとき、Ｒ１及びＲ２は存在しない。ａ及びｂは共に炭素原子であることが好ましい。
【００１３】
Ｒ１及びＲ２は、水素原子、炭素数１〜８のアルキル基、炭素数５〜６のシクロアルキル基、炭素数１〜８のアルコキシ基、環形成炭素数６〜１０のアリール基、環形成炭素数６〜１０のアリーロキシ基、フッ素原子、塩素原子、炭素数２〜１６のアルコキシアルキル基、置換もしくは無置換のアミノ基、又は置換もしくは無置換のメルカプト基である。
Ｒ１及びＲ２は、同じでも異なってもよいが、同じ置換基であることが好ましい。
【００１４】
アルキル基として、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基、ヘキシル基、オクチル基等が挙げられる。
シクロアルキル基として、シクロヘキシル基、シクロペンチル基等が挙げられる。
アルコキシ基として、メトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基等が挙げられる。
アリール基として、フェニル基、ナフチル基等が挙げられる。
アリーロキシ基として、フェノキシ基等が挙げられる。
アルコキシアルキル基として、メトキシメチル基、エトキシメチル基等が挙げられる。
【００１５】
置換アミノ基又は置換メルカプト基は、モノ置換でもジ置換でもよく、炭素数は例えば１〜２０である。置換基として、炭素数１〜８のアルキル基、環形成炭素数６〜１０のアリール基、炭素数７〜３０のアルキルアリール基等が挙げられる。
アルキル基、アリール基の具体例は上記と同じである。
アルキルアリールとしては、メチルフェニル基等が挙げられる。
【００１６】
置換もしくは無置換のアミノ基として、ジメチルアミノ基、ジエチルアミノ基、メチルエチルアミノ基、ジフェニルアミノ基等が挙げられる。
置換もしくは無置換のメルカプト基として、メチルメルカプト基、エチルメルカプト基、プロピルメルカプト基等が挙げられる。
【００１７】
Ｒ１及びＲ２は、それぞれ、好ましくは炭素数１〜８のアルキル基、炭素数１〜８のアルコキシ基、又は環形成炭素数６〜１０のアリール基であり、より好ましくは、メチル基、メトキシ基、フェニル基である。
【００１８】
Ｒ１及びＲ２は、それぞれ、他の原子と結合して又は互いに結合して、環を形成してもよい。
Ｒ１とＲ２の少なくとも一方を一部として含む環は、好ましくは飽和又は不飽和炭化水素環であり、芳香環でもよい。
【００１９】
Ｒ１とＲ２の少なくとも一方を一部として含む環は、環Ａと縮合環を形成する。当該縮合環は、好ましくは６員環同士の縮合環、又は６員環と５員環の縮合環である。
当該縮合環を形成する炭素数は、例えば１０〜２０である。好ましくは１０〜１８である。当該縮合環を形成する原子数は、例えば１０〜２０である。好ましくは１０〜１８である。縮合環が含むヘテロ原子として、例えば、窒素原子、酸素原子及び硫黄原子から選択される１以上の原子、好ましくは１〜３、より好ましくは１又は２の原子が挙げられる。
当該縮合環は、例えば、ナフタレン、アントラセン、テトラヒドロナフタレン等である。
【００２０】
環Ａは、芳香族炭化水素環又は芳香族複素環である。
【００２１】
Ｘ１は−Ｏ−又は−Ｓ−である。好ましくは−Ｏ−である。
【００２２】
Ｒ３は、置換基である。
Ｒ４は、水素原子又は置換基である。
Ｒ３とＲ４として、それぞれ、置換もしくは無置換の炭素数１〜８のアルキル基、置換もしくは無置換の炭素数１〜８のアルコキシ基、置換もしくは無置換の炭素数１〜８のアルキルカルボニル基、置換もしくは無置換の炭素数６〜１０のアリール基、置換もしくは無置換の炭素数６〜１０のアリーロキシ基、置換もしくは無置換の炭素数６〜１０のアリールカルボニル基、置換もしくは無置換の炭素数７〜２０のアラルキル基等が挙げられ、好ましくは置換もしくは無置換の炭素数６〜１０のアリール基、又は置換もしくは無置換の炭素数６〜１０のアリールカルボニル基である。
【００２３】
アルキル基、アルコキシ基、アリール基、アリーロキシ基の具体例は上記と同じである。
アルキルカルボニル基のアルキル基の具体例は上記と同じであり、アルキルカルボニル基としてはアセチル基等が挙げられる。
アリールカルボニル基のアリール基の具体例は上記と同じであり、アリールカルボニル基としてはベンゾイル基等が挙げられる。
アラルキル基のアルキル基とアリール基の具体例は上記と同じであり、アラルキル基としてはベンジル基等が挙げられる。
【００２４】
ｎは繰り返し数である。ｎは通常１０〜３０００である。
【００２５】
Ｌ１は、単結合、又は下記式（２）もしくは下記式（３）で表される基である。
−Ｌ１１−Ｌ１２−Ｌ１３−          （２）
式（２）中、Ｌ１１は炭素数１〜８のアルキレン基であり、Ｌ１２は単結合、−Ｏ−又は−Ｓ−であり、Ｌ１３は単結合又は炭素数１〜８のアルキレン基である。Ｌ１１がＲ４と結合し、Ｌ１３が環Ａと結合する。
−Ｌ１４−Ｌ１５−Ｂ−Ｌ１６−      （３）
式（３）中、Ｌ１４は単結合又は炭素数１〜８のアルキレン基であり、Ｌ１５は単結合、−Ｏ−又は−Ｓ−であり、Ｂは置換もしくは無置換の芳香族炭化水素環又は置換もしくは無置換の芳香族複素環であり、Ｌ１６は単結合、−Ｏ−又は−Ｓ−である。Ｌ１４がＲ４と結合し、Ｌ１６が環Ａと結合する。
【００２６】
環Ａ又はＢは、単環でもよく縮合環でもよい。
環Ａ又はＢの芳香族炭化水素環の環を形成する炭素数は、例えば６〜２０である。好ましくは６〜１８である。
環Ａ又はＢの芳香族複素環の環を形成する原子数は、例えば５〜２０である。好ましくは５〜１０である。
環Ａ又はＢの芳香族複素環のヘテロ原子として、例えば、窒素原子、酸素原子及び硫黄原子から選択される１以上の原子、好ましくは１〜３、より好ましくは１又は２の原子が挙げられる。
【００２７】
環Ａ又はＢは、好ましくは６員環、５員環、６員環同士の縮合環、又は６員環と５員環の縮合環である。
好適な環Ａとして、ベンゼン環、ナフタレン環、アントラセン環、テトラヒドロナフタレン環、ピリジン環等が挙げられる。
好適な環Ｂとして、ベンゼン環、ナフタレン環、アントラセン環、テトラヒドロナフタレン環、ピリジン環等が挙げられる。
【００２８】
式（１）で表されるポリマーは、下記式（２）、（３）又は（４）で表されるポリマーであってもよい。
【化３】
2015207758.tif 000004
式（２）中、Ｒ１〜Ｒ４、Ｌ１、Ｘ１、ｎは、それぞれ式（１）のＲ１〜Ｒ４、Ｌ１、Ｘ１、ｎの定義と同じである。
【化４】
2015207758.tif 000005
式（３）中、Ｒ１〜Ｒ４、ｎは、それぞれ式（１）のＲ１〜Ｒ４、ｎの定義と同じである。
【化５】
2015207758.tif 000006
式（４）中、Ｒ１、Ｒ２、ｎは、それぞれ式（１）のＲ１、Ｒ２、ｎの定義と同じである。Ａｒ３及びＡｒ４は、それぞれ環形成炭素数６〜１０のアリール基である。アリール基の具体例は上記と同じである。
【００２９】
式（１）は以下の式（１０）の繰り返し構造を含む。
【化６】
2015207758.tif 000007
（式中、ａ、ｂ、Ｒ１、Ｒ２、Ａ、Ｘ１、Ｌ１は、それぞれ、式（１）のａ、ｂ、Ｒ１、Ｒ２、Ａ、Ｘ１、Ｌ１と同じである。）
【００３０】
環Ａが芳香族炭化水素環である式（１０）の繰り返し構造の具体例として以下を示す。
【化７】
2015207758.tif 000008
【化８】
2015207758.tif 000009
【化９】
2015207758.tif 000010
【化１０】
2015207758.tif 000011
（式中、ｎは繰り返し数である。）
【００３１】
環Ａが芳香族複素環である式（１０）の繰り返し構造の具体例として以下を示す。
【化１１】
2015207758.tif 000012
【００３２】
上記構造中のＨとして、以下を例示できる。
【化１２】
2015207758.tif 000013
【化１３】
2015207758.tif 000014
【化１４】
2015207758.tif 000015
【００３３】
ポリマーは、少なくも１つの末端又は両端がキャッピングされている。ポリマーは分岐していてもよい。分岐ポリマーは、重合の際、分岐モノマーを添加することで製造できる。
【００３４】
上記において、“置換もしくは無置換”というときの任意の置換基は、炭素数１〜８のアルキル基；炭素数１〜８のフルオロアルキル基；環形成炭素数３〜８のシクロアルキル基；環形成炭素数６〜２０のアリール基；環形成炭素数６〜２０のアリール基を有する炭素数２〜２８のアラルキル基；アミノ基；炭素数１〜８のアルキル基を有するモノ−又はジアルキルアミノ基；環形成炭素数６〜２０のアリール基を有するモノ−又はジアリールアミノ基；炭素数１〜８のアルキル基を有するアルコキシ基；炭素数１〜８のアルキル基を有するフルオロアルコキシ基；環形成炭素数６〜２０のアリール基を有するアリーロキシ基；炭素数１〜８のアルキル基及び環形成炭素数６〜２０のアリール基から選ばれる基を有するモノ−、ジ−又はトリ置換シリル基；環形成原子数５〜２０でありヘテロ原子（窒素原子、酸素原子、硫黄原子）を１〜５個（好ましくは１〜３個、より好ましくは１〜２個）含むヘテロアリール基；ハロゲン原子（フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子）；シアノ基；ニトロ基からなる群より選ばれる。
【００３５】
アルキル基、シクロアルキル基、アルコキシ基、アリール基、アラルキル基、モノ−又はジアルキルアミノ基、モノ−又はジアリールアミノ基、アリーロキシ基の具体例は上記と同じであり、フルオロアルキル基のアルキル基、フルオロアルコキシ基のアルコキシ基、置換シリル基の置換基であるアルキル基及びアリール基は上記と同じである。
【００３６】
ヘテロアリール基としては、例えば、ピロリル基、トリアジニル基、ピラジニル基、ピリミジニル基、ピリジニル基、インドリル基、イソインドリル基、イミダゾリル基、フリル基、ベンゾフラニル基、イソベンゾフラニル基、ジベンゾフラニル基、ジベンゾチオフェニル基、キノリル基、イソキノリル基、キノキサリニル基、カルバゾリル基、フェナントリジニル基、アクリジニル基、フェナントロリニル基、フェナジニル基、フェノチアジニル基、フェノキサジニル基、オキサゾリル基、オキサジアゾリル基、フラザニル基、チエニル基、ベンゾチオフェニル基等が挙げられる。
【００３７】
また、上記の「カルバゾリル基」には以下の構造も含まれる。
【化１５】
2015207758.tif 000016
【００３８】
また、上記のヘテロアリール基には以下の構造も含まれる。
【化１６】
2015207758.tif 000017
（式中、Ｘ，Ｙはそれぞれ酸素原子、硫黄原子、窒素原子又は−ＮＨ−基である。）
【００３９】
これらの置換基には、上記の置換基によって更に置換されてもよい。また、これらの置換基は複数が互いに結合して環を形成してもよい。
【００４０】
本明細書において、水素原子とは、中性子数が異なる同位体、すなわち、軽水素（protium）、重水素（deuterium）、三重水素（tritium）、を包含する。
【００４１】
本明細書において、環形成炭素数とは、原子が環状に結合した構造の化合物（例えば、単環化合物、縮合環化合物、架橋化合物、炭素環化合物、複素環化合物）の当該環自体を構成する原子のうちの炭素原子の数を表す。当該環が置換基によって置換される場合、置換基に含まれる炭素は環形成炭素数には含まない。以下で記される「環形成炭素数」については、特筆しない限り同様とする。例えば、ベンゼン環は環形成炭素数が６であり、ナフタレン環は環形成炭素数が１０であり、ピリジニル基は環形成炭素数５であり、フラニル基は環形成炭素数４である。また、ベンゼン環やナフタレン環に置換基として例えばアルキル基が置換している場合、当該アルキル基の炭素数は、環形成炭素数の数に含めない。また、フルオレン環に置換基として例えばフルオレン環が結合している場合（スピロフルオレン環を含む）、置換基としてのフルオレン環の炭素数は環形成炭素数の数に含めない。
【００４２】
本明細書において、環形成原子数とは、原子が環状に結合した構造（例えば単環、縮合環、環集合）の化合物（例えば単環化合物、縮合環化合物、架橋化合物、炭素環化合物、複素環化合物）の当該環自体を構成する原子の数を表す。環を構成しない原子（例えば環を構成する原子の結合手を終端する水素原子）や、当該環が置換基によって置換される場合の置換基に含まれる原子は環形成原子数には含まない。以下で記される「環形成原子数」については、特筆しない限り同様とする。例えば、ピリジン環の環形成原子数は６であり、キナゾリン環は環形成原子数が１０であり、フラン環の環形成原子数が５である。ピリジン環やキナゾリン環の炭素原子にそれぞれ結合している水素原子や置換基を構成する原子については、環形成原子数の数に含めない。また、フルオレン環に置換基として例えばフルオレン環が結合している場合（スピロフルオレン環を含む）、置換基としてのフルオレン環の原子数は環形成原子数の数に含めない。
【００４３】
本明細書において、「置換もしくは無置換の炭素数ＸＸ〜ＹＹのＺＺ基」という表現における「炭素数ＸＸ〜ＹＹ」は、ＺＺ基が無置換である場合の炭素数を表すものであり、置換されている場合の置換基の炭素数は含めない。ここで、「ＹＹ」は「ＸＸ」よりも大きく、「ＸＸ」と「ＹＹ」はそれぞれ１以上の整数を意味する。
【００４４】
本明細書において、「置換もしくは無置換の原子数ＸＸ〜ＹＹのＺＺ基」という表現における「原子数ＸＸ〜ＹＹ」は、ＺＺ基が無置換である場合の原子数を表すものであり、置換されている場合の置換基の原子数は含めない。ここで、「ＹＹ」は「ＸＸ」よりも大きく、「ＸＸ」と「ＹＹ」はそれぞれ１以上の整数を意味する。
【００４５】
「置換もしくは無置換の」という場合における「無置換」とは前記置換基で置換されておらず、水素原子が結合していることを意味する。
【００４６】
上記のポリフェニレンオキサイドの末端処理は通常の方法で実施できる。例えば、末端をベンゾイルでキャッピングする場合、以下のようにして得られる。
【化１７】
2015207758.tif 000018
上記反応の他、目的物に合せた既知の代替反応や原料を用いることで、末端処理できる。
【００４７】
陽極と陰極の間にある有機薄膜層として、発光層、正孔輸送層、正孔注入層、電子輸送層、電子注入層、正孔障壁層、絶縁層等、公知の層を含むことができる。好ましい層構成は、限定されないが、陽極側から陰極側へ、正孔注入層、正孔輸送層、発光層、電子輸送層、電子注入層が積層される。
【００４８】
本発明では、有機薄膜層の少なくとも１層が、上記式（１）のポリマーを含むことができるが、好ましくは、発光層である。ポリマーを、通常１〜８０重量％、例えば３重量％以上２０重量％未満（又は１８重量％以下）含む。好ましくは５〜６０重量％含む。
【００４９】
有機ＥＬ素子の発光層に用いられる高分子材料は低分子量成分が除去されていることが望ましい。Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．Ｌｅｔｔ．，Ｖｏｌ．７６，Ｎｏ．１８（２０００）には、材料中に含まれる低分子量成分が発光層中で拡散することにより性能が変化することが示されている。
本発明で用いるポリマーについても例外ではなく、低分子量成分が除去されていることが好ましい。特に、ポリスチレン換算における重量平均分子量が１０，０００未満の低分子量成分が、ポリマー（重量平均分子量１０，０００以上１，０００，０００未満）の総重量の１０％以下であることが好ましい。
【００５０】
低分子量成分の除去には、低分子量成分を除去するのに適切な溶剤を用いた洗浄処理や、本発明で用いるポリマーに対して良溶媒として機能する溶媒と、貧溶媒として機能する溶媒とを適切に組み合わせた再沈殿処理等が挙げられる。
【００５１】
洗浄処理に用いられる溶剤としては、メタノール、エタノール、プロパノール、ブタノール、シクロヘキサノール等のアルコール系溶媒、ヘキサン、シクロヘキサン等の脂肪族系溶媒、酢酸エチル、酢酸ブチル、ＰＧＭＥＡ等のエステル系溶媒、アセトン、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン、ジエチルケトン、シクロペンタノン、シクロヘキサノン、メチルシクロヘキサノン等のケトン系溶媒、ベンゼン、トルエン、ジエチルベンゼン、キシレン、アニソール等の芳香族系溶媒、ジメチルホルムアミド、ジメチルアセトアミド、ジエチルホルムアミド、ジエチルアセトアミド、Ｎ−メチルピロリドン、Ｎ−エチルピロリドン、Ｎ，Ｎ−ジメチルメトキシプロピオンアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルエトキシプロピオンアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルプロポキシプロピオンアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルブトキシプロピオンアミド等のアミド系溶媒、クロロベンゼン、塩化メチレン、クロロホルム、四塩化炭素等のハロゲン系溶剤等が用いられる。
特に、本発明で用いるポリマーのうち、有機ＥＬ素子の特性に適合する分子量範囲（例えば、重量平均分子量１０，０００〜１，０００，０００）を主成分として含む場合は、アセトン、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトンによる処理が好ましい。
【００５２】
再沈殿処理に用いられる溶剤のうち、良溶媒としては、ベンゼン、トルエン、ジエチルベンゼン、キシレン、アニソール、ジメチルホルムアミド、ジメチルアセトアミド、ジエチルホルムアミド、ジエチルアセトアミド、Ｎ−メチルピロリドン、Ｎ−エチルピロリドン、Ｎ，Ｎ−ジメチルメトキシプロピオンアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルエトキシプロピオンアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルプロポキシプロピオンアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルブトキシプロピオンアミド、クロロベンゼン、塩化メチレン、クロロホルム、四塩化炭素等が挙げられる。
【００５３】
貧溶媒としては、メタノール、エタノール、プロパノール、ブタノール、シクロヘキサノール、ヘキサン、シクロヘキサン、酢酸エチル、酢酸ブチル、ＰＧＭＥＡ、アセトン、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン、ジエチルケトン、シクロペンタノン、シクロヘキサノン、メチルシクロヘキサノン等が挙げられる。
【００５４】
上記の溶媒から適切な良溶媒と貧溶媒の組合せを用いればよい。特に、良溶媒としてベンゼン、トルエン、塩化メチレン、又はクロロホルム、貧溶媒としてメタノール、アセトン、又はメチルエチルケトンを用いることが好ましく、貧溶媒としてアセトン又はメチルエチルケトンを用いることが好ましい。
【００５５】
以下、有機ＥＬ素子を構成する発光層以外の層について説明する。尚、有機ＥＬ素子を構成する層及び材料は下記に限定されない。
【００５６】
（基板）
基板は、発光素子の支持体として用いられる。基板としては、例えば、ガラス、石英、プラスチック等を用いることができる。また、可撓性基板を用いてもよい。可撓性基板とは、折り曲げることができる（フレキシブル）基板のことであり、例えば、ポリカーボネート、ポリ塩化ビニルからなるプラスチック基板等が挙げられる。
【００５７】
（陽極）
基板上に形成される陽極には、仕事関数の大きい（具体的には４．０ｅＶ以上）金属、合金、電気伝導性化合物、及びこれらの混合物等を用いることが好ましい。具体的には、例えば、酸化インジウム−酸化スズ（ＩＴＯ：Ｉｎｄｉｕｍ  Ｔｉｎ  Ｏｘｉｄｅ）、珪素もしくは酸化珪素を含有した酸化インジウム−酸化スズ、酸化インジウム−酸化亜鉛、酸化タングステン、及び酸化亜鉛を含有した酸化インジウム、グラフェン等が挙げられる。この他、金（Ａｕ）、白金（Ｐｔ）、又は金属材料の窒化物（例えば、窒化チタン）等が挙げられる。
【００５８】
（正孔注入層）
正孔注入層は、正孔注入性の高い物質を含む層である。正孔注入性の高い物質としては、モリブデン酸化物、チタン酸化物、バナジウム酸化物、レニウム酸化物、ルテニウム酸化物、クロム酸化物、ジルコニウム酸化物、ハフニウム酸化物、タンタル酸化物、銀酸化物、タングステン酸化物、マンガン酸化物、芳香族アミン化合物、又は高分子化合物（オリゴマー、デンドリマー、ポリマー等）等も使用できる。
【００５９】
（正孔輸送層）
正孔輸送層は、正孔輸送性の高い物質を含む層である。正孔輸送層には、芳香族アミン化合物、カルバゾール誘導体、アントラセン誘導体等を使用することができる。ポリ（Ｎ−ビニルカルバゾール）（略称：ＰＶＫ）やポリ（４−ビニルトリフェニルアミン）（略称：ＰＶＴＰＡ）等の高分子化合物を用いることもできる。但し、電子よりも正孔の輸送性の高い物質であれば、これら以外のものを用いてもよい。等、正孔輸送性の高い物質を含む層は、単層のものだけでなく、上記物質からなる層が二層以上積層したものとしてもよい。
【００６０】
（発光層のホスト材料）
発光層としては、上述した発光性の高い物質（ゲスト材料）を他の物質（ホスト材料）に分散させた構成としてもよい。発光性の高い物質を分散させるための物質としては、各種のものを用いることができ、発光性の高い物質よりも最低空軌道準位（ＬＵＭＯ準位）が高く、最高被占有軌道準位（ＨＯＭＯ準位）が低い物質を用いることが好ましい。
【００６１】
発光性の高い物質を分散させるための物質（ホスト材料）としては、例えば、アルミニウム錯体、ベリリウム錯体、もしくは亜鉛錯体等の金属錯体、オキサジアゾール誘導体、ベンゾイミダゾール誘導体、もしくはフェナントロリン誘導体等の複素環化合物、カルバゾール誘導体、アントラセン誘導体、フェナントレン誘導体、ピレン誘導体、もしくはクリセン誘導体等の縮合芳香族化合物、トリアリールアミン誘導体、もしくは縮合多環芳香族アミン誘導体等の芳香族アミン化合物が使用される。
【００６２】
ホスト材料として以下を例示できる。
【化１８】
2015207758.tif 000019
【化１９】
2015207758.tif 000020
【化２０】
2015207758.tif 000021
【化２１】
2015207758.tif 000022
【００６３】
当該発光層は、上記に例示されたホスト材料の他に、下記に例示される化合物を更に含んでいてもよい。
【化２２】
2015207758.tif 000023
【化２３】
2015207758.tif 000024
【化２４】
2015207758.tif 000025
【化２５】
2015207758.tif 000026
【化２６】
2015207758.tif 000027
【化２７】
2015207758.tif 000028
【化２８】
2015207758.tif 000029
【００６４】
また、当該発光層のホスト材料として以下を例示できる。
【化２９】
2015207758.tif 000030
【化３０】
2015207758.tif 000031
【００６５】
以上に例示した化合物は、発光層のホスト材、コホスト材としてのみの用途に限られるものではなく、有機エレクトロルミネッセンス素子を構成する他の有機層に適宜含まれていてもよい。
【００６６】
（発光層のゲスト（ドーパント）材料）
発光層は、発光性の高い物質を含む層であり、種々の材料を用いることができる。例えば、発光性の高い物質としては、蛍光を発光する蛍光性化合物や燐光を発光する燐光性化合物を用いることができる。蛍光性化合物は一重項励起状態から発光可能な化合物であり、燐光性化合物は三重項励起状態から発光可能な化合物である。
【００６７】
発光層に用いることができる青色系の蛍光発光材料（ゲスト、ドーパント）として、ピレン誘導体、スチリルアミン誘導体、クリセン誘導体、フルオランテン誘導体、フルオレン誘導体、ジアミン誘導体、トリアリールアミン誘導体等が使用できる。発光層に用いることができる緑色系の蛍光発光材料として、芳香族アミン誘導体等を使用できる。発光層に用いることができる赤色系の蛍光発光材料として、テトラセン誘導体、ジアミン誘導体等が使用できる。
【００６８】
蛍光ドーパント材料として以下を例示できる。
【化３１】
2015207758.tif 000032
【化３２】
2015207758.tif 000033
【００６９】
発光層に用いることができる燐光発光材料（ゲスト、ドーパント）としては、燐光量子収率が高く、発光素子の外部量子効率をより向上させることができるという点で、イリジウム（Ｉｒ）、オスミウム（Ｏｓ）、ルテニウム（Ｒｕ）又は白金（Ｐｔ）を含有する化合物であると好ましく、イリジウム錯体、オスミウム錯体、ルテニウム錯体、白金錯体等の金属錯体であるとさらに好ましく、中でもイリジウム錯体及び白金錯体がより好ましく、イリジウム、オスミウム及び白金から選択される金属原子のオルトメタル化錯体が最も好ましい。
【００７０】
（電子輸送層）
電子輸送層は、電子輸送性の高い物質を含む層である。電子輸送層には、１）アルミニウム錯体、ベリリウム錯体、亜鉛錯体等の金属錯体、２）イミダゾール誘導体、ベンゾイミダゾール誘導体、アジン誘導体、カルバゾール誘導体、フェナントロリン誘導体等の複素芳香族化合物、３）高分子化合物を使用することができる。
【００７１】
（電子注入層）
電子注入層は、電子注入性の高い物質を含む層である。電子注入層には、リチウム（Ｌｉ）、フッ化リチウム（ＬｉＦ）、フッ化セシウム（ＣｓＦ）、フッ化カルシウム（ＣａＦ２）、リチウム酸化物（ＬｉＯｘ）等のようなアルカリ金属、アルカリ土類金属、又はそれらの化合物を用いることができる。
【００７２】
（陰極）
陰極には、仕事関数の小さい（具体的には３．８ｅＶ以下）金属、合金、電気伝導性化合物、及びこれらの混合物等を用いることが好ましい。このような陰極材料の具体例としては、元素周期表の第１族又は第２族に属する元素、すなわちリチウム（Ｌｉ）やセシウム（Ｃｓ）等のアルカリ金属、及びマグネシウム（Ｍｇ）等のアルカリ土類金属、及びこれらを含む合金（例えば、ＭｇＡｇ、ＡｌＬｉ）等の希土類金属及びこれらを含む合金等が挙げられる。
【００７３】
本発明の有機ＥＬ素子は駆動電圧が低く、好ましくは、実施例に記載の測定方法で、７．０Ｖ以下の素子を得ることが可能となる。
【００７４】
本発明のインク組成物は、上記式（１）で表されるポリマーと、有機半導体材料とを含む。
【００７５】
有機半導体材料として、有機ＥＬ素子用材料、有機電界効果トランジスタ材料、有機薄膜太陽電池材料等が挙げられる。
【００７６】
本発明のインク組成物は、通常溶媒を含む。溶媒として、メチルエチルケトン、エタノール、アセトン、脂肪族炭化水素、グリコールエーテル、高級アルコール等が挙げられる。
【００７７】
例えば、有機ＥＬ素子の発光層を、上記のインク組成物を用いて製造するとき、通常、組成物は、溶媒、ホスト材料、ドーパント材料、ポリマーを含む。本発明で用いるポリマーは、増粘性、耐熱性を有すると共に、ＥＬ特性に影響しない。ポリマーは増粘材として機能し得る。
【００７８】
上記のインク組成物を用いて、有機半導体素子の１層を、インクジェット、スピンコート、グラビア印刷等の湿式方法で製造できる。インクジェット、スピンコート法が好ましい。湿式（印刷、塗布）で製造できると高生産性、省エネルギーでの生産ができる。
上記のポリマーを含むと、インクの増粘性が向上する。また、上記のポリマーは好ましくはＴｇが１５０℃以上である。このようにＴｇが高いと形成される膜のＴｇが高まる。
【実施例】
【００７９】
製造例１（２，６−ジメチルフェノール（キシレノール）の合成）
酸化鉄１０ｇを４５０℃で３時間焼成した後、フェノール５０ｇ、メタノール２００ｇ、水１００ｇをオートクレーブ中に入れ３６０℃で１５分間反応させた。反応終了後、生成物をろ取し、デカン１００ｇを加えた。有機相を分離し硫酸ナトリウムで乾燥させた後、蒸留（１３１−１３５℃／１００ｍｍＨｇ）により２，６−キシレノール４９．５ｇを得た。
４００ＭＨｚのＮＭＲ測定結果は、δ２．２ｐｐｍ  −ＣＨ３、δ４．６ｐｐｍ  −ＯＨ，δ６．７−６．９  Ａｒ−Ｈであり、得られた化合物は表題の物であることが分かった。
【００８０】
製造例２（２，６−ジメチルフェノールの重合）
撹拌装置、温度計、酸素導入管を備えた５００ｍｌのフラスコに、製造例１で得られた２，６−キシレノール１２．０ｇ、トルエン６０ｍｌ、塩化第一銅０．１ｇ、ピリジン１０ｍｌを加え、３０℃で酸素を導入しながら１２０分撹拌した。反応終了後、塩酸５ｇを含むメタノール１Ｌに反応液を入れ、ポリマーを析出させた。ポリマーをトルエンに溶解し、再び塩酸５ｇを含むメタノール１Ｌに溶液を注ぎポリマーを析出させた。ポリマーを塩化メチレン５００ｍｌに溶解し、これにメタノールを１２０ｍｌ添加した後、溶液を６０℃に加熱して静置した。冷却後分離したポリマーをメタノールで再沈澱を行いポリ２，６−ジメチル−１，４−フェニレンエーテル（Ｐ１）５．４ｇを得た。このポリマーのＧＰＣ測定を行った結果、ポリスチレン換算でＭｗ９４０００、Ｍｗ／Ｍｎ＝２．３３であることが分かった。
【００８１】
製造例３（ポリ２，６−ジメチル−１，４−フェニレンエーテルの末端処理）
製造例２で得られたポリ２，６−ジメチル−１，４−フェニレンエーテル３．０ｇを塩化メチレン３０ｍｌに溶解し、これにトリエチルアミン１．０ｇ、ベンゾイルクロライド１．０ｇを加え、室温で１時間撹拌した。析出した塩をろ別し、メタノールでポリマーを沈殿させた後、メタノールで洗浄した。末端を処理したポリ２，６−ジメチル−１，４−フェニレンエーテル（ＰＸ１）２．９ｇを得た。
４００ＭＨｚのＮＭＲ測定結果において、δ８．１ｐｐｍ、７．７ｐｐｍ、７．５ｐｐｍに新たにピークが観測され、４−５ｐｐｍにピークが無いことからベンゾイル基が導入されていることが分かった。
【００８２】
製造例４（２，６−ジメトキシフェノールの合成）
１，２，３−トリメトキシベンゼン（東京化成株式会社製造品）３２ｇ、クロロホルム１００ｍｌ、ヨウ化トリメチルシラン４４ｇをフラスコに入れ室温で４８時間撹拌した。反応後、ジエチルエーテルを加え、水で３回洗浄した後、硫酸マグネシウムで乾燥し、ジエチルエーテルを留去して固体を得た。この固体をアセトンを使用して再結晶を行ない２，６−ジメトキシフェノール２８ｇを得た。４００ＭＨｚＮＭＲ測定結果、δ３．６ｐｐｍ  −ＯＣＨ３、δ６．１ｐｐｍ  −ＯＨ，δ６．４−６．９  Ａｒ−Ｈであり、得られた化合物は表題の物であることが分かった。
【００８３】
製造例５（２，６−ジメトキシフェノールの重合）
撹拌装置、温度計、酸素導入管を備えた３００ｍｌのフラスコに、製造例４で得られた２，６−ジメトキシフェノール５．０ｇ、トルエン３０ｍｌ、塩化第一銅０．１ｇ、ピリジン５０ｍｌを加え、３０℃で酸素を導入しながら６時間撹拌した。反応終了後、塩酸５ｇを含むメタノール１Ｌに反応液を入れ、ポリマーを析出させた。ポリマーをトルエンに溶解し、再び塩酸５ｇを含むメタノール１Ｌに溶液を注ぎポリマーを析出させた。ポリマーを塩化メチレン３００ｍｌに溶解し、これにメタノールを６０ｍｌ添加した後、溶液を６０℃に加熱して静置した。冷却後分離したポリマーをメタノールで再沈澱を行いポリ２，６−ジメトキシ−１，４−フェニレンエーテル（Ｐ２）３．１ｇを得た。このポリマーのＧＰＣ測定を行った結果、ポリスチレン換算でＭｗ２２０００、Ｍｗ／Ｍｎ＝２．８２であることが分かった。
【００８４】
製造例６（ポリ２，６−ジメトキシ−１，４−フェニレンエーテルの末端処理）
製造例５で得られたポリ２，６−ジメトキシ−１，４−フェニレンエーテル３．０ｇを塩化メチレン３０ｍｌに溶解し、これにトリエチルアミン１．０ｇ、ベンゾイルクロライド１．０ｇを加え、室温で１時間撹拌した。析出した塩をろ別し、メタノールでポリマーを沈殿させた後、メタノールで洗浄した。末端を処理したポリ２，６−ジメトキシ−１，４−フェニレンエーテル（ＰＸ２）２．２ｇを得た。
４００ＭＨｚのＮＭＲ測定結果において、δ８．１ｐｐｍ、７．７ｐｐｍ、７．５ｐｐｍに新たにピークが観測され、４−５ｐｐｍにピークが無いことからベンゾイル基が導入されていることが分かった。
【００８５】
製造例７（２，６−ジフェニルフェノールの合成）
シクロヘキサノン２００ｍｌを１５０℃に加熱撹拌し、これに水酸化カリウム５．０ｇを加え３時間反応した。ＫＯＨを除いた後、０．５％の白金を含むアルミナ１０ｇを加え３３０℃で８時間加熱撹拌した。冷却後、減圧加熱で低沸点物を除去し、トルエンから再結晶を行い２，６−ジフェニルフェノール１１．５ｇを得た。融点１０３℃。
４００ＭＨｚＮＭＲの測定結果は、δ５．４ｐｐｍ  −ＯＨ，δ７．１−７．５  Ａｒ−Ｈであり、得られた化合物は表題の物であることが分かった。
【００８６】
製造例８（２，６−ジフェニルフェノールの重合）
撹拌装置、温度計、酸素導入管を備えた３００ｍｌのフラスコに、製造例７で得られた２，６−ジフェニルフェノール（東京化成株式会社製造品）５．０ｇ、トルエン３０ｍｌ、塩化第一銅０．１ｇ、ピリジン５０ｍｌを加え、３０℃で酸素を導入しながら６時間撹拌した。反応終了後、塩酸５ｇを含むメタノール１Ｌに反応液を入れ、ポリマーを析出させた。ポリマーをトルエンに溶解し、再び塩酸５ｇを含むメタノール１Ｌに溶液を注ぎポリマーを析出させた。ポリマーを塩化メチレン３００ｍｌに溶解し、これにメタノールを６０ｍｌ添加した後、溶液を６０℃に加熱して静置した。分離したポリマーをメタノールで再沈澱を行いポリ２，６−ジフェニル−１，４−フェニレンエーテル（Ｐ３）３．３ｇを得た。このポリマーのＧＰＣ測定を行った結果、ポリスチレン換算でＭｗ３４０００、Ｍｗ／Ｍｎ＝２．１１であることが分かった。
【００８７】
製造例９（ポリ２，６−ジフェニル−１，４−フェニレンエーテルの末端処理）
製造例８で得られたポリ２，６−ジフェニル−１，４−フェニレンエーテル３．０ｇを塩化メチレン３０ｍｌに溶解し、これにトリエチルアミン１．０ｇ、ベンゾイルクロライド１．０ｇを加え、室温で１時間撹拌した。析出した塩をろ別し、メタノールでポリマーを沈殿させた後、メタノールで洗浄した。末端を処理したポリ２，６−ジフェニル−１，４−フェニレンエーテル（ＰＸ３）２．２ｇを得た。４００ＭＨｚＮＭＲ測定結果、δ８．１ｐｐｍ、７．７ｐｐｍ、７．５ｐｐｍに新たにピークが観測され、４−５ｐｐｍにピークが無いことからベンゾイル基が導入されていることが分かった。
【００８８】
実施例１
（基板の洗浄）
２５ｍｍ×２５ｍｍ×厚さ１．１ｍｍのＩＴＯ透明電極付ガラス基板（ジオマテック株式会社製）をイソプロピルアルコール中で、超音波洗浄を５分間行った後、ＵＶオゾン洗浄を５分間行った。
【００８９】
（下地層の形成）
正孔輸送材料として下記で表されるＨＥＲＡＥＵＳ社製ＣＬＥＶＩＯＵＳ  ＡＩ４０８３（商品名）（ポリ（３，４−エチレンジオキシチオフェン）−ポリ（スチレンスルフォネート））を３０ｎｍの厚さで前記のＩＴＯ基板上にスピンコート法により成膜した。成膜後、アセトンにより不要な部分を除去し、次いで大気中で２００℃のホットプレートで１０分間焼成し、下地基板を作製した。
【化３３】
2015207758.tif 000034
【００９０】
（発光層の形成）
ホスト材料として下記化合物Ｈ−１、ドーパント材料として下記化合物Ｄ−１、製造例３で得た重合体ＰＸ１を用いて、化合物Ｈ−１：化合物Ｄ−１：重合体ＰＸ１が重量比で７０：２０：１０となるような混合比で１．４重量％のトルエン溶液を調製した。このトルエン溶液を用い、前記下地基板上にスピンコート法により、５０ｎｍの膜厚になるように塗布した。塗布後、不要部分をトルエンにて除去し、１５０℃のホットプレート上で加熱乾燥し、発光層が形成された積層基板を作製した。等、発光層の成膜にかかる全ての操作は窒素雰囲気のグローブボックス中で実施した。
【化３４】
2015207758.tif 000035
【００９１】
（蒸着、封止）
積層基板を蒸着チャンバー中に搬送し、電子輸送層として下記化合物ＥＴ−１を５０ｎｍ蒸着した。さらにフッ化リチウムを１ｎｍ、アルミニウムを８０ｎｍ蒸着した。全ての蒸着工程を完了させた後、窒素雰囲気下のグローブボックス中でザグリガラスによる封止を行い、有機ＥＬ素子を作製した。
【化３５】
2015207758.tif 000036
【００９２】
（素子評価）
得られた有機ＥＬ素子を、電圧が０〜１０ボルト（０．１ボルト刻み）の直流電流駆動により発光させ、発光輝度を輝度計により計測し、１００ｃｄ／ｍ２で発光が観察できる電圧を確認した。
また、定電流駆動により初期輝度１０００ｃｄ／ｍ２から５００ｃｄ／ｍ２まで輝度が低下する時間（輝度半減時間）を計測した。測定結果を表１に示す。
【００９３】
実施例２
素子作製に用いる重合体として製造例６で得たＰＸ２を用いたこと以外は、実施例１と同様にして素子を作製して評価した。結果を表１に示す。
【００９４】
実施例３
素子作製に用いる重合体として製造例９で得たＰＸ３を用いたこと以外は、実施例１と同様にして素子を作製して評価した。結果を表１に示す。
【００９５】
比較例１
素子作製に用いる重合体として製造例２で得たＰ１を用いたこと以外は、実施例１と同様にして素子を作製して評価した。結果を表１に示す。
【００９６】
【表１】
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