(57)【要約】【課題】  少なくとも１つの被接合部材と少なくとも１つのはんだ材をとの積層体を、短時間のはんだ付け処理によって接合し、はんだ接合層中の気泡の少ない接合体を得ることができる接合組立装置を提供する。【解決手段】  金属線１２と、少なくとも１つの被接合部材と少なくとも１つのはんだ材との積層体１０を支持する搬送ステージ１３であって、水平方向及び垂直方向に移動可能な搬送ステージ１３と、前記搬送ステージを介して前記積層体を冷却する冷却板１５と、前記搬送ステージを介して前記積層体を加熱する熱板１６と、活性種ガス導入管１７と、不活性ガス導入管１８と、排気口１１３とを減圧炉１１内に備えるとともに、前記金属線を通電により加熱する加熱手段である炉外の図示しない交流もしくは直流電力供給源を備えてなる接合組立装置。【選択図】  図１
2015070053.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
金属線と、
少なくとも１つの被接合部材と少なくとも１つのはんだ材との積層体を支持する搬送ステージであって、水平方向及び鉛直方向に移動可能な搬送ステージと、
水平方向に離間されて設置される冷却板及び熱板であって、前記搬送ステージを介して前記積層体を冷却可能な冷却板と、前記搬送ステージを介して前記積層体を加熱可能な熱板と、
活性種生成ガス導入管と、
不活性ガス導入管と、
排気口と
を減圧炉内に備えるとともに、前記金属線を加熱する加熱手段を備えてなる接合組立装置。
【請求項２】
前記金属線が、タングステン、モリブデン、白金、ニッケル、レニウムから選択される金属、あるいはそれらの一以上からなる合金であり、１０００℃以上に加熱することにより、活性種生成ガスを加熱分解して原子状水素を生成する、請求項１に記載の接合組立装置。
【請求項３】
前記金属線が、前記減圧炉の上部であって、かつ前記熱板の上方に設けられている、請求項１または２に記載の接合組立装置。
【請求項４】
前記金属線が、前記熱板全域を覆うように、前記熱板の上方に設けられている、請求項３に記載の接合組立装置。
【請求項５】
前記金属線と、前記搬送ステージとの鉛直方向距離を、３０ｍｍ〜１５０ｍｍに調節可能である請求項１〜４のいずれかに記載の接合組立装置。
【請求項６】
前記活性種生成ガス導入管が、前記金属線に活性種生成ガスを導く複数の吹き出し口を備え、前記吹き出し口から、前記金属線を介し、前記熱板へ向けて、活性種生成ガスを均一に噴出させる、請求項１〜５のいずれかに記載の接合組立装置。
【請求項７】
前記減圧炉内の圧力監視装置をさらに備える、請求項１〜６のいずれかに記載の接合組立装置。
【請求項８】
請求項１〜７のいずれかに記載の接合組立装置の作動方法であって、
少なくとも１つの被接合部材と少なくとも１つのはんだ材とを含む積層体を投入した減圧炉内を真空排気する一次減圧工程と、
前記一次減圧工程後、前記減圧炉内を負圧の水素雰囲気にして、前記金属線を加熱して、原子状水素を発生させる、熱線式加熱工程と、
前記熱線式加熱工程後、前記減圧炉内を正圧の水素雰囲気にして、接合温度まで加熱して前記はんだ材を溶融する加熱工程と、
前記加熱工程後、接合温度に保持したまま前記減圧炉内を再び真空雰囲気にしてはんだ融液中の気泡を除去する気泡除去工程と
を含む、接合組立装置の作動方法。
【請求項９】
前記気泡除去工程において、前記減圧炉内を負圧の水素雰囲気にして前記金属線を加熱し、原子状水素を発生させる熱線式加熱工程を１回以上、断続的に繰り返して含む、請求項８に記載の接合組立装置の作動方法。
【請求項１０】
前記熱線式加熱工程において、水素分子ガスが、前記金属線と接触した後、前記積層体に向けて供給されるように、減圧炉内に供給される、請求項８または９に記載の接合組立装置の作動方法。
【請求項１１】
前記気泡除去工程後、接合温度に保持したまま再び前記減圧炉内を正圧の水素雰囲気にする再還元工程をさらに含む、請求項８〜１０のいずれかに記載の接合組立装置の作動方法。
【請求項１２】
前記再還元工程後、前記減圧炉内を正圧の水素雰囲気にしたまま前記積層体を急冷する冷却工程をさらに含む、請求項１１に記載の接合組立装置の作動方法。
【請求項１３】
前記冷却工程後、前記減圧炉内を真空排気する二次減圧工程と、
前記二次減圧工程後、前記減圧炉内を正圧の不活性ガス雰囲気にした後、前記減圧炉を開放する工程と
をさらに含む、請求項１２に記載の接合組立装置の作動方法。
【請求項１４】
前記熱線式加熱工程から前記加熱工程までを、複数回繰り返して含む、請求項８〜１３のいずれかに記載の接合組立装置の作動方法。
【請求項１５】
前記気泡除去工程から前記再還元工程までを、複数回繰り返して含む、請求項８〜１４のいずれかに記載の接合組立装置の作動方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、接合組立装置に関する。本発明は、特には、短時間のはんだ付け処理によって接合し、はんだ接合層中の気泡の少ないはんだ接合層を備える積層体を得ることができる接合組立装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、電力用半導体装置を製造する方法として、主に次の３つの方法が実施されている。第一の方法では、まず還元雰囲気の連続炉（トンネル炉）を用いて、予備はんだをおこない、シリコンチップの裏面電極上にはんだを設ける。つづいて、そのはんだを介して絶縁基板にシリコンチップをはんだ付けする。その後、ワイヤボンディングをおこなう。そして、絶縁基板上にシリコンチップをはんだ付けしたものを、大気中でフラックスを用いて、銅などでできた金属ベースにはんだ付けする。
【０００３】
第２の方法では、還元雰囲気の連続炉を用いて、シリコンチップと絶縁基板とをはんだ付けする。その後、ワイヤボンディングをおこなう。そして、絶縁基板上にシリコンチップをはんだ付けしたものを、還元雰囲気の連続炉を用いて金属ベースにはんだ付けする。
【０００４】
第３の方法では、不活性雰囲気の減圧炉を用いて、シリコンチップと絶縁基板と金属ベースとをフラックス入りはんだを介してはんだ付けする。その後、ワイヤボンディングをおこなう。
【０００５】
ところで、パワーモジュールなどの電力用半導体装置では、大電流が流れるため、シリコンチップの発熱量は数十〜数千ワットと非常に大きい。そのため、電力用半導体装置には、優れた熱放散特性が要求される。しかし、シリコンチップと絶縁基板との間のはんだ接合層や、絶縁基板と金属ベースとの間のはんだ接合層に気泡（ボイド）が存在すると、これらの気泡は熱放散を妨げるため、熱放散特性の著しい低下をもたらし、半導体装置の破壊を招く原因となる。したがって、はんだ接合層中に気泡をできるだけ存在させないことが重要である。
【０００６】
はんだ接合層中に気泡が発生する原因として、積層体を構成する金属部材表面の残留酸化物及びはんだ材料中の炭酸ガスなどの溶存ガスがはんだ溶融時に気泡として残ることが挙げられる。また、はんだ付け時に、はんだや絶縁基板などの被接合部材の表面に吸着した吸着物、または酸化スズや酸化銅や酸化ニッケルが還元され、それによって生じたＨ２Ｏがガス化して気泡として残ることも原因として挙げられる。また、はんだ付け時に使用するフラックスの気化により発生するガスやフラックスそのものがはんだ接合層中に残留することも原因の一つである。
【０００７】
したがって、はんだ接合層中の気泡を低減させるため、一般に、被接合部材表面の酸化を防止してその表面を清浄に保ったり、溶存ガスのないはんだ材料や濡れ性のよいはんだ材料を使用したりするなどの対策が講じられている。また、はんだ付けプロファイルを最適化したり、被接合部材の変形を制御したり、減圧雰囲気ではんだ付けをおこなうなどの対策が講じられている。
【０００８】
また、はんだ付け方法に関する提案も多数なされている。例えば、処理容器と、真空排気と高純度ガス導入とにより低酸素濃度雰囲気を生成することによって処理容器内の雰囲気とその圧力とを制御する手段と、処理容器内に設けられた加熱手段とを備えたはんだ付け装置を用いて、回路基板を加熱手段により加熱し、処理容器内の雰囲気の圧力を制御することにより、はんだ接続を行う方法が公知である（例えば、特許文献１参照）。
【０００９】
さらには、金属ベース、はんだ板、絶縁基板、はんだ板およびシリコンチップからなる積層体を減圧炉内に設置し、炉内を真空排気後、炉内を正圧の水素雰囲気にして積層体の各部材の表面を還元した後、はんだを加熱溶融させることを特徴とする半導体装置の製造方法も知られている（例えば、特許文献２参照）。
【００１０】
他にも、耐熱金属のフィラメントグリッドを用いて活性分子種を生成し、これにより金属表面の酸化物を除去した後、はんだ付けを行う、乾式はんだ付けのために金属表面を処理する方法が開示されている（例えば、特許文献３参照）。
【００１１】
また、接触分解反応によって生成した原子状水素による接合前のはんだの洗浄への適用例が開示されている（例えば、非特許文献１、非特許文献２参照）。さらに、錫を主成分とする鉛フリーはんだ合金を微粉末状で、ホットワイヤー法によって発生した原子状水素を用いて、還元及びエッチングを行なうことを特徴とする鉛フリーはんだ合金の処理方法も知られている（例えば、特許文献４参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【００１２】
【特許文献１】特開平８−２４２０６９号公報
【特許文献２】特開２００３−２９７８６０号公報
【特許文献３】米国特許明細書５４０９５４３
【特許文献４】特許第４９９１０２８号公報
【非特許文献】
【００１３】
【非特許文献１】表面科学Vol. 31, No. 4, pp. 196-201, 2010
【非特許文献２】エレクトロニクス実装学会講演大会講演論文集, 22nd, pp.167-168(2008)
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１４】
しかしながら、例えば、特許文献１の方法では、搭載部品の固定に液体が用いられるが、この場合はんだ付け装置への投入前に別設備にて前処理(液体の塗布)を行う必要があり作業工程の増加、及び作業時間が発生するといった不利益がある。また、特許文献２の方法では、およそ３００℃以上で水素の還元能力が効果的に発揮されるが、それ以下の温度域では被接合部材及びはんだの還元は不足してしまい接合性は悪化してしまう場合がある。水素ガスの還元能力を向上させるため、加熱温度をさらに高温化する手法も存在するが、シリコンチップの熱損傷が懸念される。
【００１５】
特許文献３に開示された発明は、連続炉を用いており、十分な真空度を達成できないために、原子状水素の生成量が少なく、金属酸化物等に対する還元力も十分ではない。そのために電子抑制のための装置を使用して原子状水素を選択的にワークに集める必要があり、装置が複雑になり、水素やエネルギーの損失も大きいという不利益がある。
【００１６】
また、特許文献４に開示された方法は、接合に先だってはんだ合金のみを回転ドラム式の装置で処理する方法であり、はんだ接合をも含む効率的な接合組立を実現するものではない。非特許文献１、２が開示する方法は、実験的手法にすぎず、半導体装置の効率的な量産には現実的に適用することができるものではない。
【００１７】
本発明は、上記問題点に鑑みてなされたものであって、少なくとも１つの被接合部材と少なくとも１つのはんだ材をとの積層体を、短時間のはんだ付け処理によって接合し、はんだ接合層中の気泡の少ないはんだ接合層を備える積層体を得ることができる接合組立装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１８】
本発明は、上記課題を解決するためになされたものである。すなわち、本発明は、接合組立装置であって、金属線と、少なくとも１つの被接合部材と少なくとも１つのはんだ材との積層体を支持する搬送ステージであって、水平方向及び鉛直方向に移動可能な搬送ステージと、水平方向に離間されて設置される冷却板及び熱板であって、前記搬送ステージを介して前記積層体を冷却可能な冷却板と、前記搬送ステージを介して前記積層体を加熱可能な熱板と、活性種生成ガス導入管と、不活性ガス導入管と、排気口とを減圧炉内に備えるとともに、前記金属線を加熱する加熱手段を備えてなる。
【００１９】
前記接合組立装置において、前記金属線が、タングステン、モリブデン、白金、ニッケル、レニウムから選択される金属、あるいはそれらの一以上からなる合金であり、１０００℃以上に加熱することにより、活性種生成ガスを加熱分解して原子状水素を生成することができることが好ましい。また、前記接合組立装置において、前記金属線が、前記減圧炉の上部であって、かつ前記熱板の上方に設けられていることが好ましい。また、前記接合組立装置において、前記金属線が、前記熱板全域を覆うように、前記熱板の上方に設けられていることが好ましい。また、前記接合組立装置において、前記金属線と、前記搬送ステージとの鉛直方向距離を、３０ｍｍ〜１５０ｍｍに調節可能であることが好ましい。
【００２０】
前記接合組立装置において、前記活性種生成ガス導入管が、前記金属線に活性種生成ガスを導く複数の吹き出し口を備え、前記吹き出し口から、前記金属線を介し、前記熱板へ向けて、活性種生成ガスを均一に噴出させることが好ましい。また、前記接合組立装置において、前記減圧炉内の圧力監視装置をさらに備えることが好ましい。
【００２１】
本発明は、別の局面によれば、前述のいずれかの接合組立装置の作動方法であって、少なくとも１つの被接合部材と少なくとも１つのはんだ材とを含む積層体を投入した減圧炉内を真空排気する一次減圧工程と、前記一次減圧工程後、前記減圧炉内を負圧の水素雰囲気にして、前記金属線を加熱して、原子状水素を発生させる、熱線式加熱工程と、前記熱線式加熱工程後、前記減圧炉内を正圧の水素雰囲気にして、接合温度まで加熱して前記はんだ材を溶融する加熱工程と、前記加熱工程後、接合温度に保持したまま前記減圧炉内を再び真空雰囲気にしてはんだ融液中の気泡を除去する気泡除去工程とを含む。
【００２２】
前記接合組立装置の作動方法における、前記気泡除去工程において、前記減圧炉内を負圧の水素雰囲気にして前記金属線を加熱し、原子状水素を発生させる熱線式加熱工程を１回以上、断続的に繰り返して含むことが好ましい。
【００２３】
前記接合組立装置の作動方法における、前記熱線式加熱工程において、水素分子ガスが、前記金属線と接触した後、前記積層体に向けて供給されるように、減圧炉内に供給されることが好ましい。
【００２４】
前記接合組立装置の作動方法において、前記気泡除去工程後、接合温度に保持したまま再び前記減圧炉内を正圧の水素雰囲気にする再還元工程をさらに含むことが好ましい。また、前記再還元工程後、前記減圧炉内を正圧の水素雰囲気にしたまま前記積層体を急冷する冷却工程をさらに含むことが好ましい。さらに、前記冷却工程後、前記減圧炉内を真空排気する二次減圧工程と、前記二次減圧工程後、前記減圧炉内を正圧の不活性ガス雰囲気にした後、前記減圧炉を開放する工程とをさらに含むことが好ましい。
【００２５】
前記接合組立装置の作動方法において、前記熱線式加熱工程から前記加熱工程までを、複数回繰り返して含むことが好ましい。あるいは、もしくはそれに加えて、前記気泡除去工程から前記再還元工程までを、複数回繰り返して含むことが好ましい。
【発明の効果】
【００２６】
本発明に係る接合組立装置によれば、特には、従来の水素ガスのみを用いたはんだ接合に加えて、金属線による水素ガス等の活性種生成ガスの分解により生じる、不対電子を有する活性種が高い酸化物還元効果をもたらす。金属線を備えることにより、本発明に係る接合組立装置においては、はんだ溶融温度以下でのはんだの還元、被接合部材の加熱補助、並びに被接合部材の酸化物還元を実現することが可能である。そして、本発明に係る接合組立装置を用いることで、例えば、半導体装置を製造する場合には、金属ベースと絶縁基板とのはんだ接合、および絶縁基板とシリコンチップなどの素子とのはんだ接合を減圧炉内で同時に実施可能となるともに、そのときにはんだ中の気泡が除去され、また異種材料の接合により生じる金属ベースの反りが速やかに除去される。そして、接合組立装置の運転開始後、十数分以内に、従来よりも高品質で信頼性の高いはんだ接合層を有し、熱放散性に優れた半導体装置を得ることができる。
【００２７】
また、本発明に係る接合組立装置によれば、従来に比べて、低い温度域、例えば、３００℃以下で還元効果を有し、かつ水素ガスや不活性ガスの使用量が少なくて済み、またフラックスを使用する必要がない。そのため、処理時間の短縮と高い接合品質、運転コストの低減効果や、環境負荷の低減といった効果を得ることが出来る。さらに、本発明による接合組立装置を用いることにより、積層体の接合特性を向上させることができるため、量産される複数の製品間でのばらつきをなくし、品質を安定化させることができるという利点も有する。
【図面の簡単な説明】
【００２８】
【図１】図１は、本発明にかかる接合組立装置を概略的に説明する図である。
【図２】図２は、金属線１２と熱板１６との位置関係を示す図であって、図２（ａ）は、減圧炉１１内において、金属線１２上方から炉底の向きに見た場合の、金属線１２と熱板１６との位置関係を示す図であり、図２（ｂ）は、減圧炉の正面から見た場合の、金属線１２と熱板１６との位置関係を示す図である。
【図３】図３は、本発明にかかる接合組立装置において、はんだ付けをおこなう、被接合体及びはんだからなる積層体の構成を模式的に示した図である。
【図４】図４は、本発明にかかる接合組立装置の作動方法における、温度プロファイル、チャンバー内雰囲気および圧力、金属線通電、並びに処理動作の一例を示すチャートである。
【発明を実施するための形態】
【００２９】
以下に、図面を参照して、本発明の実施の形態を説明する。ただし、本発明は、以下に説明する実施の形態によって限定されるものではない。
【００３０】
本発明は、一実施の形態によれば、接合組立装置に関する。図１に本発明に係る接合組立装置の概略図を示す。本発明に係る接合組立装置は、減圧炉１１内に、金属線１２と、搬送ステージ１３と、冷却板１５と、熱板１６と、活性種生成ガス導入管１７と、不活性ガス導入管１８とを主として備えてなる。本発明において、活性種生成ガスとは、金属線１２により接触分解されて、高い還元性を有する、不対電子を有する元素を生成し得るガスをいう。このような活性種生成ガスは、特定のガスには限定されないが、以下の本実施形態の説明においては、活性種生成ガスの一例として、水素ガスを用いて説明する。
【００３１】
減圧炉１１は、炉本体１１０およびこれにパッキン１１２を介して被せられ、炉内部を気密状態に保つ蓋体１１１から主として構成される。減圧炉１１には、炉内に水素分子ガスａを供給するための水素分子ガス導入管１７、炉内に窒素ガスｂなどの不活性ガスを供給するための不活性ガス導入管１８、および排気口１１３が設けられている。炉本体１１０の底部には、熱板１６と冷却板１５とが、離間して設置されている。搬送ステージ１３は、搬送レール１４により、熱板１６と冷却板１５との間を行き来することができるように構成されている。搬送ステージ１３はまた、図示しない別の機構により、鉛直方向上下にも可動に構成される。
【００３２】
減圧炉１１内の上部、好ましくは、蓋体１１１を構成する減圧炉１１の天井部であって、熱板１６の上方には、金属線１２が取り付けられる。金属線１２は、金属線１２を通電により加熱する加熱手段である炉外の図示しない交流もしくは直流電力供給源に接続されている。なお、この交流もしくは直流電力供給源としては、金属線１２への供給電力を調整する機能を備えた電源装置を減圧炉１１の外部に備える。このとき、金属線１２の周囲は、耐熱性の部材で、かつ絶縁性を確保するように構成する。金属線１２の周囲は、非常に高温となり、かつ電流・電圧が印加されるためである。なお、金属線１２の取り付け位置は、金属線が後述する所定の箇所に位置するのであれば、減圧炉１１の天井部に取り付けられている必要はなく、減圧炉１１の側壁部に取り付けられていても、減圧炉１１の底部から適当な手段で支持されていても良い。また、金属線１２は熱や酸化により劣化しうるため、金属線１２は交換可能に減圧炉１１に取り付けられていることが好ましい。
【００３３】
金属線１２は、１０００℃以上、好ましくは１５００℃以上、さらに好ましくは１６００℃以上であって、好ましくは２０００℃以下に加熱することが可能な線状の金属部材であって、水素分子ガスの接触分解反応により、還元性の原子状水素（水素原子）を生成することができるものである。金属線１２は、複数回繰り返して使用することが可能であり、例えば、約１０００回程度繰り返して使用することが可能であるが、繰り返し使用回数は特定の回数には限定されるものではない。本明細書において、水素分子ガスとは、気体状の水素分子をいい、金属線の加熱により生成される原子状水素と区別して用いられる。金属線を構成する材料は、例えば、タングステン、タンタル、モリブデン、バナジウム、白金、トリウム、ジルコニウム、イットリウム、ハフニウム、パラジウム、ニッケル、レニウム、あるいはこれらの一以上を主成分とする合金であってよく、タングステンを用いることが好ましいが、上記機能を有するものであれば、特定の金属には限定されない。
【００３４】
金属線１２は、直径が、例えば、０．１ｍｍ〜１．０ｍｍ、好ましくは、０．３ｍｍ〜０．８ｍｍのものを使用することができるが、このような直径には限定されない。金属線１２は、単線であってもよく、２以上の金属線を組み合わせて複線にしたものであってよく、単線もしくは複線とした金属線１２を、別々に、複数本設けても良い。またこのような、単線もしくは複線にした金属線１２を、例えば、ジグザグ形状（Ｚ字形状、Ｕ字形状）、らせん状（渦巻き状）、網目状、格子状、またはこれらを適宜、組み合わせた形状としたものであってもよい。特定の形状には限定されないが、金属線の表面積が大きくなるようにすることが好ましい。水素分子ガスと金属線１２との接触面積を大きくすることで、より多くの還元性の原子状水素を生成させるためである。
【００３５】
また、金属線１２の取り付け位置については、搬送ステージ１３が位置Ｂにあるとき、搬送ステージ１３上に載置する積層体１０と金属線１２との鉛直方向の距離が、１５０ｍｍ以内であって、３０ｍｍ以上とすることが好ましく、５０〜１００ｍｍとすることがより好ましい。積層体１０と金属線１２との鉛直方向の距離とは、後述するように積層体１０と金属線１２とが均一になるような位置関係で設けられている場合の金属線１２の径の中心と加熱接合する積層体１０の上面との距離をいうものとする。なお、積層体１０と金属線１２との鉛直方向の距離は、搬送ステージ１３の鉛直方向上下の調節機構により調節することもできる。特には、金属線１２による水素分子ガスの分解活性や、積層体１０を構成するはんだの温度を、後述する適切な条件に保つように、当業者が適宜調節することができるように構成される。
【００３６】
減圧炉１１内において、搬送ステージ１３が、位置Ｂもしくは位置Ｃにあるとき、金属線１２と、接合対象である積層体１０との距離が、均一になるような位置関係であることが好ましい。金属線１２と積層体１０との距離が不均一であると、金属線１２は高温に加熱されるため、積層体１０への輻射熱が影響し、積層体１０の温度上昇を伴う可能性があるためである。また、減圧炉１１内における、金属線１２と熱板１６との水平方向の位置関係は、接合対象である積層体１０の形状を網羅する範囲で、片よりなく金属線を設置することが好ましく、熱板１６表面全域を網羅する範囲で設置することがより好ましい。金属線との接触で分解された水素分子ガスは金属線の全方位に放射状に発生するが、距離に応じ減衰するためである。図２（ａ）は、減圧炉１１内の、金属線１２上方から炉底の向きに見た場合の、金属線１２と熱板１６との位置関係を示す図であり、図２（ｂ）は、減圧炉の正面から見た場合の、金属線１２と熱板１６との位置関係を示す図である。なお、図が煩雑になるのを避けるために、搬送ステージ１３の記載は省略している。また、金属線１２と熱板１６との関係は、必ずしもこの態様に限定されるものではなく、例えば、少なくとも接合対象となる積層体１０の表面全域を網羅する範囲で設置されていればよい。
【００３７】
図示する実施形態では、金属線１２は、熱板１６の上方のみに取り付けられているが、これに加えて、熱板１６の四方を取り囲むように、好ましくは、熱板１６の加熱面に対して垂直かつ減圧炉１１の側壁に平行に金属線１２を取り付けてもよい。この場合でも、金属線１２と積層体１０との距離を、上記適切な距離範囲に保つことにより、原子状水素による還元効果を得ることができる。
【００３８】
冷却板１５は、冷却面を少なくとも有し、冷却温度及び速度を調節可能な任意の冷却機構を備えるものであれば、典型的なはんだ付け装置で一般的に使用されるものであってよい。冷却板１５は、一例として、炉外の、冷却板１５の冷却水ｄを循環させるチラー２０に接続されていてもよい。この場合、炉本体１１０の、好ましくは底部であって、冷却板１５の下方には、冷却水の循環のための図示しない出入口が設けられていてもよい。なお、冷却板１５は、他の機構で積層体を冷却するものであっても良い。また、熱板１６は、加熱面を少なくとも有し、加熱温度及び速度を調節可能な任意の加熱機構を備えるものであれば、典型的なはんだ付け装置で一般的に使用されるものであってよい。例えば、熱板１６としては、搬送ステージ１３を介して、積層体１０を、常温〜４００℃の範囲で加熱可能なヒーター等であってよい。
【００３９】
冷却板１５と、熱板１６とは、減圧炉１１の底部に、離間して設置される。冷却板１５と、熱板１６とは、例えば、１０ｍｍ〜５０ｍｍ程度の距離をおいて、設置されることが好ましい。また、冷却板１５の冷却面と、熱板１６の加熱面が、減圧炉１１内の底部から、略同一の高さに位置するように設置されることが好ましい。また、冷却板１５の冷却面と、熱板１６の加熱面は、略同一の面積を有することが好ましい。なお、図示する実施形態では、冷却板１５、熱板１６は、それぞれ、減圧炉１１内の底部から離間して設置されている。冷却板１５、熱板１６から炉本体への熱移動を避け、効率の良い冷却もしくは加熱を行うためである。しかしながら、このような設置態様に替えて、好適な断熱材を配置して、冷却板１５、熱板１６を減圧炉１１内の底部に接して設置することもできる。
【００４０】
図示しない任意選択的な構成として、冷却板１５と、熱板１６との間に、断熱壁として機能する仕切り板を設けてもよい。また、熱板１６の外周に断熱壁を設けても良い。かかる構成により、熱板１６と冷却板１５とが近接した領域における温度の不均一部分をなくすことができる。かかる構成により、保温効果を奏することができる。
【００４１】
搬送ステージ１３は、積層体１０を保持し、積層体１０の移動手段として機能する。搬送ステージ１３及びその駆動機構は、典型的なはんだ付け装置で一般的に使用されるものであってよい。搬送ステージ１３は、熱板１６と冷却板１５との間を、搬送レール１４により、水平方向に移動可能に構成される。すなわち、図１における左右方向に移動することができ、位置Ａ、Ｂ間、位置Ｃ、Ｄ間を移動することができる。また、図示しない機構により、鉛直方向にも移動可能に構成され、位置Ａ、Ｂ、Ｃ、Ｄ間を移動することができる。すなわち、図１における上下方向にも移動することができる。搬送ステージ１３の鉛直方向の可動範囲は、０ｍｍ〜５０ｍｍとすることが好ましい。また、この可動範囲は、金属線１２と搬送ステージ１３との鉛直方向距離を、３０ｍｍ〜１５０ｍｍ、好ましくは、５０ｍｍ〜１００ｍｍの範囲で調整することができるものであることが好ましい。搬送ステージ１３は、その上に着脱可能な均熱板（図示せず）を備えることが好ましい。均熱板は、接合対象となる積層体１０を保持することができ、均熱化に供するものであればよく、例えば、２〜３ｍｍのカーボン板からなる均熱板を使用することができる。
【００４２】
水素分子ガス導入管１７及び不活性ガス導入管１８は、減圧炉本体１１１に取り付けられる。水素分子ガス導入管１７及び不活性ガス導入管１８は、それぞれ、炉外の図示しない水素分子ガス供給源および不活性ガス供給源にそれぞれ接続されて、減圧炉１１内に、水素分子ガス導入管１７及び不活性ガス導入管１８を供給する。なお、水素分子ガス導入管１７は、水素分子ガスのみならず、その他の活性種生成ガスを、単独であるいは水素分子ガスとともに導入する機能を果たす場合もある活性種生成ガスとしては、水素分子ガスの他に、例えば、アンモニア、四フッ化炭素、六フッ化硫黄などのハロゲン含有ガス等が挙げられるが、これらには限定されない。あるいは、他の活性種生成ガスを減圧炉１１内に導入するための、図示しないさらに別の管が設けられていてもよい。また、不活性ガス導入管１８は、典型的には窒素ガス導入管であるが、その他の不活性ガスを導入するものであってもよい。
【００４３】
水素分子ガス導入管１７は、金属線１２の上方、すなわち、蓋体１１１と金属線１２との間に噴出部が位置するように設置する。図が煩雑になるのを避けるために図示省略するが、水素分子ガス導入管の噴出部は、金属線全体へ万遍なく水素分子ガスを吹き付けられる範囲に配管を設置し、金属線１２に向けた方向に吹き出し孔を設ける。図１に示す形態の場合には、具体的には、真下に向けた方向に吹き出し孔を設ける。吹き出した水素分子ガスは、金属線１２を通過し、その過程で原子状水素に分解され、積層体１０へ到達することができる。一方、不活性ガス導入管１８は、炉１１内に、窒素ガスなどの不活性ガスを略均一に導入して、炉内雰囲気を置換することができるように構成されていればよく、特定の態様には限定されない。
【００４４】
減圧炉１１は、内部が真空に耐えることができ、かつ気密性を保持することができる炉体であればよく、その容量等は限定されるものではない。内部が、原子状水素もしくはその他の活性種により劣化されにくい材料で構成されていることが好ましく、例えば、ＳＵＳ３０４やＳＵＳ３１６などのステンレスや表面処理を施したステンレス及びアルミニウム合金で構成することができる。減圧炉１１の排気口１１３は炉内を真空引きするために用いられるほか、炉内で積層体１０の構成部材の還元の結果生成する、酸素含有化合物や、硫化物、塩化物などを含んだ水素含有化合物等の排出口ともなる。排気口１１３には、真空ポンプ等の減圧装置３０が接続される。
【００４５】
減圧炉１１内には、さらに、図示しない圧力測定装置及び／または温度測定装置を備えてもよい。炉内の全圧、及び任意選択的に水素分圧を、圧力測定装置を用いてモニタリングすることで、及び／または積層体１０を構成する部材や金属線１２の温度を温度測定装置を用いてモニタリングすることで、減圧炉１１内部における反応の調節が可能になる。
【００４６】
このような接合組立装置は、少なくとも１つの被接合部材と少なくとも１つのはんだ材との積層体のはんだ接合のために用いられる。典型的には、金属回路板を有するセラミック等の絶縁基板上にシリコンチップ等の素子がはんだ付けされたものを、金属ベース上にはんだ付けしてなるＩＧＢＴ（Insulated Gate Bipolar Transistor：絶縁ゲートバイポーラトランジスタ）モジュールやＩＰＭ（Intelligent Power Module：インテリジェントパワーモジュール）などのパワーモジュールに代表される半導体装置の製造に用いられる、接合組立装置である。
【００４７】
次に、本発明に係る接合組立装置を、その作動方法の面から説明する。なお、本発明に係る図１に示す接合組立装置の作動方法は、当該接合組立装置を用いた積層体、例えば半導体装置の製造方法としても捉えることができる。したがって、以下の説明は、図１に示す上記接合組立装置を用いた積層体の製造方法に関するものでもある。
【００４８】
すなわち、本発明は、別の局面によれば、接合組立装置の作動方法であって、少なくとも１つの被接合部材と少なくとも１つのはんだ材とを含む積層体を投入した減圧炉内を真空排気する一次減圧工程と、前記一次減圧工程後、前記減圧炉内を負圧の水素雰囲気にして、前記金属線を加熱して、原子状水素を発生させる、熱線式加熱工程と、前記熱線式加熱工程後、前記減圧炉内を正圧の水素雰囲気にして、接合温度まで加熱して前記はんだ材を溶融する加熱工程と、前記加熱工程後、接合温度に保持したまま前記減圧炉内を再び真空雰囲気にしてはんだ融液中の気泡を除去する気泡除去工程と、任意選択的に、前記気泡除去工程後、接合温度に保持したまま再び前記減圧炉内を正圧の水素雰囲気にする再還元工程と、前記再還元工程後、前記減圧炉内を正圧の水素雰囲気にしたまま前記積層体を急冷する冷却工程と、前記冷却工程後、前記減圧炉内を真空排気する二次減圧工程と、前記二次減圧工程後、前記減圧炉内を正圧の不活性ガス雰囲気にした後、前記減圧炉を開放する工程とを含む。
【００４９】
本発明に係る接合組立装置において、接合する対象となるのは、少なくとも１つの被接合部材と、少なくとも１つのはんだ材との積層体であり、特には、少なくとも２つの被接合部材間にはんだ材を介した任意の積層体である。このような接合の対象となる積層体としては、半導体装置、電力変換器、通電回路、プリント配線板等が挙げられるが、これらには限定されない。以下においては、半導体装置の製造を一例として本発明を説明するが、本発明に係る接合組立装置の作動方法は、特定の装置の製造における使用には限定されない。図３を参照すると、接合組立対象となる積層体１０は、典型的には、金属ベース１上に、絶縁基板２を、絶縁基板−金属ベース接合用はんだ材３を介して積層し、さらにその上にシリコンチップ４を、シリコンチップ−絶縁基板接合用はんだ材５を介して積層してなる。なお、図３においては、半導体素子の一例として、シリコンチップを挙げて説明したが、本発明において接合対象となる半導体素子は、シリコンチップには限定されず、ＳｉＣチップ、ＧａＮチップが挙げられるが、これらには限定されない。
【００５０】
半導体素子のコレクタ電極面、金属ベース、及び絶縁基板の表面を構成する典型的な被接合部材（接合母材）としては、金（Ａｕ）、銅（Ｃｕ）、銀（Ａｇ）、ニッケル（Ｎｉ）、及び／またはこれらの一以上を主成分とする合金が挙げられるが、これらには限定されない。典型的なはんだ材としては、鉛フリーはんだ、好ましくは融点が約１９０〜２９０℃の鉛フリーはんだを用いることができ、より好ましくは融点が約２１０〜２９０℃の鉛フリーはんだを用いることができる。好ましい実施態様として、融点が約１９０〜２９０℃の鉛フリーのＳｎ含有はんだを用いる。Ｓｎ含有鉛フリーはんだには、Ｓｎはんだ、Ｓｎ−Ａｇ系はんだ、Ｓｎ−Ｃｕ系はんだ、Ｓｎ−Ｓｂ系はんだ（融点：約１９０〜２９０℃），Ｓｎ−Ｂｉ系（融点：約２７０℃）などが含まれる。より好ましくはＳｎ−Ａｇ系はんだである。Ｓｎ−Ａｇ系はんだには、Ｓｎ−Ａｇ、Ｓｎ−Ａｇ−Ｃｕ、Ｓｎ−Ａｇ−Ｂｉ、Ｓｎ−Ａｇ−Ｃｕ−Ｂｉ、Ｓｎ−Ａｇ−Ｃｕ−Ｉｎ、Ｓｎ−Ａｇ−Ｃｕ−Ｓ、およびＳｎ−Ａｇ−Ｃｕ−Ｎｉ−Ｇｅなどが含まれる。より好ましくは、Ｓｎ−３．５Ａｇ−０．５Ｃｕ−０．１Ｎｉ−０．０５Ｇｅはんだ、またはＳｎ−３．５Ａｇ−０．５Ｃｕはんだである。同様に、Ｓｎ−Ｓｂ系はんだも、パワーデバイスのダイボンド接合には広く用いられる。Ｓｎ−Ｓｂ系はんだには、Ｓｎ−Ｓｂ、Ｓｎ−Ｓｂ−Ａｇ、Ｓｎ−Ｓｂ−Ａｇ−Ｃｕ、Ｓｎ−Ｓｂ−Ａｇ−Ｃｕ−Ｎｉなどが含まれる。好ましくは、Ｓｎ−５Ｓｂ、Ｓｎ−８Ｓｂ、Ｓｎ−１３Ｓｂ、Ｓｎ−８Ｓｂ−３Ａｇ、Ｓｎ−８Ｓｂ−３Ａｇ−０．５Ｃｕ、Ｓｎ−８Ｓｂ−３Ａｇ−０．５Ｃｕ−Ｎｉ０．０３〜０．０７ｗｔ．％などである。また、はんだ材は、はんだ板であってもよく、ペースト状はんだであってもよく、その形態は限定されない。
【００５１】
前準備として、図３に示すように、複数の被接合部材およびはんだ材を積層し、積層体１０を形成する。次いで、この積層体１０を、減圧炉１１内の搬送ステージ１３上に載置する。積層体１０の搬送ステージ１３への載置は、適切な装置で行うこともできるし、人が行うこともできる。本発明に係るバッチ式接合組立装置において、１回の操作で接合する積層体１０は、図示するように１つであってもよく、複数であってもよい。
【００５２】
図４は、本発明にかかる接合組立装置を用いた半導体装置の製造方法における、積層体を構成するはんだの温度プロファイル、金属線の通電、チャンバー内雰囲気および圧力、並びに処理動作の一例を示すチャートである。搬送ステージ１３上に積層体１０を載せ、図４に示すチャートにしたがってはんだ付けを開始すると、積層体１０が投入された減圧炉１１が密封され、減圧装置３０が作動して、炉内の減圧が開始される（タイミングＴ０）。この脱気処理時には、搬送ステージ１３は、熱板１６および冷却板１５のいずれからも離れた待機状態である、図１の位置Ａにある。タイミングＴ０〜Ｔ８の操作において、減圧装置３０は、常に作動した状態として、減圧炉１１内の排気を継続することが好ましい。
【００５３】
前記一次減圧工程後、前記減圧炉内を負圧の水素雰囲気にして、減圧炉内の金属線を加熱して、原子状水素を発生させる熱線式加熱工程を行う（タイミングＴ１からＴ２）。かかる工程はまた、負圧の水素雰囲気において、原子状水素により被接合部材及びはんだ材を還元する一次還元工程ということもできる。本明細書において、負圧とは、１０１．３×１０３Ｐａより低い圧力をいうものとする。水素分子ガスの流量は、例えばマスフローコントローラーなどで制御される。
【００５４】
熱線式加熱工程では、減圧炉１１内の真空度が、１〜１０Ｐａ、例えば５．７３１９Ｐａに達すると、減圧炉１１内に水素分子ガスの導入が開始される（タイミングＴ１）。また、搬送ステージが、熱板１６の上方であって、熱板１６により直接に加熱されない位置である図１の位置Ｂへ移動する。すなわち、搬送ステージは、金属線と積層体とが、熱線式加熱処理において適切な位置関係ならびに距離を確保することができる場所に移動する。減圧炉１１内の圧力が、１〜１００Ｐａ、好ましくは、１〜５０Ｐａになると、金属線１２は通電により加熱される。図４のチャートにおいては、金属線１２に通電されるタイミングあるいは通電可能なタイミングを、「金属線通電」として示した。金属線１２の温度が例えば１６００℃に達すると、減圧炉１１内の水素分子ガスが分解され、高い還元能力を有する原子状水素の状態となる。なお、他の実施形態においては、タイミングＴ１において搬送ステージが、熱板１６の上方であって、熱板１６により加熱される位置、すなわち図１の位置Ｃに移動し、積層体１０を加熱しながら、金属線への通電が行われてもよい。
【００５５】
金属線１２の好ましい加熱温度は、金属線１２を構成する金属材料もしくは合金材料によって異なり、例えば、金属線として、タングステンを用いる場合には、１６００〜１８００℃とすることができる。積層体１０を構成する各部材表面の還元処理に必要な金属線１２の加熱継続時間（タイミングＴ１とタイミングＴ２までの時間）は、例えば、１０秒〜５分とすることができ、好ましくは、３０秒〜１２０秒とすることができる。金属線１２の好ましい加熱時間は、金属線１２を構成する金属材料もしくは合金材料によっても異なり、例えば、金属線として、タングステンを用いる場合には、３０秒〜１２０秒とすることができる。また、この時の金属線１２と積層体１０との距離は、３０〜１５０ｍｍとすることが好ましく、５０〜１００ｍｍとすることがより好ましい。金属線１２の加熱温度、通電時間、及び、金属線１２と積層体１０との距離を適切な範囲に設定することで、金属線１２を構成する金属材料による積層体１０の汚染などを防止することができる。
【００５６】
この間、減圧炉１１内の圧力は、例えば、１〜１００Ｐａ、好ましくは１０〜５０Ｐａに保持されるように、水素分子ガス流量を制御しながら、炉内の減圧（排気）も継続させる。これにより、原子状水素による還元反応の結果、生成されて減圧炉内の雰囲気に放出される物質、例えば、水や水素化合物に属する硫化水素、塩化水素などが、排気ｃとして減圧炉１１外に排出されることとなる。また、金属線１２が通電されている期間においては、同時に熱板１６により積層体１０を構成する各部材が加熱され、積層体１０を構成するはんだ材３、５の温度は、部材にもよるが、約１００〜２００℃となる。このように、熱線式加熱工程では、従来の水素分子ガスによる還元に必要とされていた温度よりも低い温度で還元の効果を実現することができる。なお、熱線式加熱工程においては、原子状水素源として炉内に導入される水素分子ガスに替えて、あるいは水素分子ガスに加えて、アンモニアガス、四フッ化炭素、六フッ化硫黄などのハロゲン含有ガスを使用することもできる。
【００５７】
タイミングＴ２において、金属線１２への通電を停止し、金属線加熱を終了する。また、搬送ステージ１３が、位置Ｂから位置Ｃに移動する。熱線式加熱工程後、前記減圧炉内を正圧の水素雰囲気にして接合温度まで加熱して前記はんだ材を溶融する加熱工程を実施する（タイミングＴ２からＴ３）。かかる工程はまた、熱線式加熱工程後、前記減圧炉内を正圧の水素雰囲気にして前記積層体の各部材の少なくとも被接合表面を還元する二次還元工程ということもできる。本明細書において、正圧とは、１０１．３×１０３Ｐａより大きい圧力をいうものとする。加熱工程では、減圧炉１１内に水素分子ガスを導入して、炉内を、正圧の水素雰囲気にする。積層体１０は位置Ｃに移動した搬送ステージ１３を介して加熱され、目標とする接合温度に到達するまでその状態で保持される。図４における、タイミングＴ３〜Ｔ５における一定温度が、接合温度を示すものである。昇温速度は、昇温速度は、毎秒約１〜３０℃とすることができ、約５〜１０℃とすることが好ましい。
【００５８】
ここで、熱板１６の温度は、はんだの液相線温度に対して約２５℃程度以上高い温度であるのが好ましい。例えば、シリコンチップ−絶縁基板接合用はんだ材５として、液相線温度が２２１℃のＳｎ−３．５Ａｇはんだを用い、かつ絶縁基板−金属ベース接合用はんだ材３として、液相線温度が２４３℃のＳｎ−８Ｓｂはんだを用いる場合、熱板１６の温度は、熱板１６の面内のばらつきを考慮して、２７０〜２８０℃とすることができる。また、例えば、シリコンチップ−絶縁基板接合用はんだ材５として、液相線温度が２２１℃のＳｎ−Ａｇ系はんだを用い、かつ絶縁基板−金属ベース接合用はんだ材３として、液相線温度が２１９℃のＳｎ−３．０Ａｇ−０．５Ｃｕはんだを用いる場合、上記記述にしたがえば、熱板１６の温度は、２４５〜２５０℃である。しかし２５０℃以上で水素分子の還元力の効果が明らかに発揮されることを鑑みれば、十分に還元力が発揮されるための熱板１６の加熱温度は、２９０℃以上であって、３５０℃以下であることが好ましい。なお、半導体素子が、ＳｉＣチップである場合には、熱板１６の加熱温度は、例えば、２９０℃〜５００℃程度であってよいが、特定の加熱温度には限定されない。
【００５９】
目標の接合温度に到達するまでの昇温過程（タイミングＴ２〜Ｔ３）において、減圧炉１１内の圧力が、正圧であるため、積層体１０の各部材の隙間に、水素分子ガスが浸透しやすくなり、水素分子ガスによる還元作用も進行する。したがって、絶縁基板−金属ベース接合用はんだ材３、シリコンチップ−絶縁基板接合用はんだ材５、絶縁基板２および金属ベース１の各表面の還元が促進され、被接合表面、例えばワイヤボンディングをおこなう表面などの濡れ性が確保される。また、各はんだ材３、５が溶融し、そのときに生じた気泡に水素分子ガスが充填され、それによって気泡が活性化する。すなわち、気泡中にあるガス成分が水素に置換され、その後のタイミングＴ３〜Ｔ５における気泡除去工程、及び再還元工程よって十分に活性化される。はんだ材３、５が溶融している間は、減圧炉１１内の酸素濃度は例えば３０ｐｐｍ以下、好ましくは１０ｐｐｍ以下に保たれ、かつ露点は−３０℃以下、好ましくは−５０℃以下に保たれる。
【００６０】
前記加熱工程後、積層体１０の構成部材が目標の接合温度に達すると、接合温度に保持したまま前記減圧炉内を再び真空雰囲気にしてはんだ融液中の気泡を除去する気泡除去工程を実施する（タイミングＴ３からＴ４）。気泡除去工程では、再び減圧炉１１内の減圧が開始される（タイミングＴ３）。そして、減圧炉１１内の真空度が例えば１０Ｐａに達した後、さらに、例えば、３０秒〜１分間、減圧が継続される。それによって、減圧炉１１内の真空度はおおよそ１Ｐａに達する。この減圧の継続により、はんだ材と被接合部材との間の濡れ不足によって発生する気泡、およびはんだ材中に含まれる溶存ガスによって発生する気泡の両方がほとんど除去される。ここで、減圧の継続時間（Ｔ３〜Ｔ４）を３０秒〜１分間としたのは、急激な減圧など行う場合には，液体中に発生した気泡が急激に外部に排出される際に、泡が弾ける作用と同様にはんだが飛散し、はんだボールや外周部にはんだの飛散が発生する懸念があるからであり、かつ、減圧を１分間より長く継続してもさらなる気泡除去効果が得られないからである。
【００６１】
タイミングＴ３からＴ４までの間は、水素分子ガスを減圧炉１１内に導入することなく、単に減圧のみを行ってもよい。あるいは、タイミングＴ３で減圧を開始した後、いったん真空度を、例えば１〜１０Ｐａ程度にまでした後、タイミングＴ４までに間に、再度、熱線式加熱工程を１回以上実施しても良い。すなわち、炉内に水素分子ガスを供給し、炉内圧力を、１〜１００Ｐａ、好ましくは１０〜５０Ｐａとした後、金属線１２に通電して、原子状水素による還元処理を行う。このとき、タイミングＴ３からＴ４までの間に、１回だけ、金属線１２に通電してもよいし、通電と、通電の停止とを１セットとして、これを複数セット繰り返しても良い。すなわち、減圧炉１１内を、負圧の水素雰囲気にして金属線１２を加熱し、原子状水素を発生させる熱線式加熱工程を１回以上、断続的に繰り返して含んでもよい。通電と、通電の停止とを１セットとして繰り返す場合、金属線１２に通電されるタイミングにおいて、炉内圧力が、１〜１００Ｐａ、好ましくは１０〜５０Ｐａとなり、通電を停止するタイミングにおいて、真空に近い圧力、例えば、１〜１０Ｐａとなるように、水素流量及び炉内圧力を制御することができる。また、通電の時間は、前述のように１０秒〜５分とすることができ、通電を停止する時間は、３０秒〜１２０秒とすることが好ましい。金属線１２への通電と、通電の停止とを繰り返す場合には、繰り返し回数は２〜５回とすることが好ましいが、特定の回数には限定されない。なお、図４において、タイミングＴ３からＴ４で「金属線通電」としたのは、この区間で通電を継続することを必須とするものではなく、この区間において通電可能であることを示すものである。
【００６２】
前記気泡除去工程後、接合温度に保持したまま再び前記減圧炉内を正圧の水素雰囲気にする再還元工程を実施する（タイミングＴ４〜Ｔ５）。かかる工程は、タイミングＴ１〜Ｔ２における原子状水素による一次還元工程、タイミングＴ２〜Ｔ３における水素分子ガスによる二次還元工程に次ぐ還元工程であり、三次還元工程ともいう。再還元工程では、まず、炉内に再び水素分子ガスが導入される（タイミングＴ４）。減圧炉１１内の圧力が正圧に達した後、さらに、３０秒〜１分間以上５分程度継続して水素分子ガスが導入される（Ｔ４〜Ｔ５）。但しこの時間は対象の加熱する積層体の大きさによって変わるため、この時間に限定されるものではない。水素分子ガスの導入を継続する理由は、上述した１分間の減圧継続時にはんだ材３、５中の気泡がはんだ材３、５の外に除去される際にはんだ材３、５中に残るトンネル状の孔（気泡が通った跡）を、水素分子ガスの還元作用により塞ぐためである。つまり、はんだ材３、５中の気泡には酸化成分の気体が充満しているので、この気泡が通過する際に接触したはんだ部分は酸化してしまう。そのため、気泡の通過部分のはんだが濡れずに、トンネル状の開気泡が残ってしまう場合があった。タイミングＴ４〜Ｔ５で再還元工程を実施をすることで、この開気泡の中に水素分子ガスが充満することによって、酸化した内面が還元され、はんだの濡れがよくなり、開気泡がはんだで埋まることになる。
【００６３】
また、水素分子ガスの導入を継続するもう一つの理由は、水素分子ガスによる還元と熱板１６による加熱保持により、はんだ材５の表面張力を低減させ、それによってはんだフィレット形状を安定化させて、はんだ亀裂発生寿命を向上させるためである。水素分子ガス導入の継続をおこなわないで、炉内減圧の後、直ちに冷却を開始してはんだ材を凝固させると、はんだ材の表面張力が大きいため、はんだフイレット形状が不均一になり、温度サイクルなどによるはんだ亀裂の発生寿命が短くなってしまう場合がある。はんだ材５の表面張力を小さくするには、タイミングＴ４〜Ｔ５において、はんだ材５を接合温度で加熱保持するか、水素分子ガスにはんだ材５をさらす時間を長くするか、またはそれらを組み合わせればよい。ただし、水素分子ガスの導入を１分間より長く継続しても、気泡が通った跡の孔を埋める効果や、はんだフィレット形状の安定化効果にあまり違いはみられないため、水素分子ガス導入の継続時間は、３０秒〜１分間とすることが好ましい。
【００６４】
本発明のある実施形態においては、前記熱線式加熱工程から加熱工程（Ｔ１〜Ｔ３）を複数回繰り返して含んでも良い。すなわち、このタイミングＴ１〜Ｔ３の操作を１サイクルとして、Ｔ１〜Ｔ３を複数サイクル、例えば２〜５サイクル繰り返しても良い。Ｔ１〜Ｔ３を複数サイクル繰り返すことで、はんだ溶融前に、効率的に金属表面を改質することができる。
【００６５】
あるいは、上記タイミングＴ１〜Ｔ３の操作の繰り返しはせずに、もしくはＴ１〜Ｔ３の操作の繰り返しとともに、タイミングＴ３〜Ｔ５の気泡除去工程及び再還元工程を複数回繰り返しても良い。一例として、大面積基板を接合する場合や、気泡が抜けにくい場合には、Ｔ３〜Ｔ５の気泡除去工程及び再還元工程の操作を１サイクルとして、Ｔ３〜Ｔ５を複数サイクル、例えば２〜５サイクル繰り返す構成としてもよい。このようにして減圧と加圧を繰り返すことによって、溶融中のはんだに揺動が起こり、気泡が抜けやすくなるので、気泡除去効果が得られるためである。ただし、気泡除去工程の繰り返し回数が５回までは回数の増加とともに気泡率が小さくなるが、６サイクル以上繰り返してもそれ以上の効果は得られない場合が多い。
これらの繰り返し操作に加えて、Ｔ１〜Ｔ５を複数回繰り返す構成とすることも出来る。
【００６６】
再還元工程後、減圧炉１１内を正圧の水素雰囲気にしたまま積層体１０を急冷する冷却工程を実施する（タイミングＴ５〜Ｔ６）。冷却工程では、搬送ステージ１３が、レール１４を移動し、熱板１６から冷却板１５に移動される（位置Ｄ）。それによって、積層体１０の冷却が開始される（タイミングＴ５）。積層体１０は、例えば、毎分３００℃の速度で冷却される。この際、炉内では、正圧の水素雰囲気が維持される。
【００６７】
冷却板１５の温度および冷却時間は、はんだの冷却速度（凝固速度）を考慮して選定される。すなわち、本実施の形態では、熱膨張係数の異なるシリコンチップ４と絶縁基板２と金属ベース１とが同時にはんだ付けされるため、はんだ付けが完了した状態では、熱膨張係数の最も大きい金属ベース１が絶縁基板２の側に凸状となるように反ってしまう場合がある。その影響で、はんだ接合層を介して接合された積層体１０には、最大０．３ｍｍ程度の反りが生じ得る。この反りが、次のワイヤボンディング工程まで持ち越されると、電気特性不良の発生原因となるので、ワイヤボンディング前に反りを除去する必要がある。そのためには、絶縁基板２と金属ベース１との間のはんだ接合層を短時間にクリープさせればよい。
【００６８】
クリープ速度を速くするために、冷却速度を毎分２５０℃以上、例えば毎分３００℃とするのが好ましい。本出願人による、特開2003-297860号公報では、冷却速度が毎分２５０℃以上であれば、２４時間以内に金属ベース１の反りが０〜−０．１ｍｍの範囲（“−”は絶縁基板２側に凸であることを表す）に収まり、ワイヤボンディングへの悪影響をなくすことができることが示されている。換言すれば、冷却速度が毎分２５０℃未満では、金属ベース１の反りを十分に戻すことができず、ワイヤボンディングに悪影響を及ぼすおそれがある。また、はんだのクリープを速くして接合後の積層体１０の残留応力をできるだけ前の工程で除去すれば、金属ベース１の変形を安定化させることができる。従って、冷却板１５の温度および冷却時間は、はんだの冷却速度が毎分２５０℃以上となるように選定される。
【００６９】
そして、前記冷却工程後、前記減圧炉内を真空排気する二次減圧工程を実施する（タイミングＴ６〜Ｔ７）。二次減圧工程では、積層体１０の温度が例えば５０〜６０℃になったら、減圧炉１１内の水素の排気が開始される（タイミングＴ６）。
【００７０】
前記二次減圧工程後、前記減圧炉内を正圧の窒素雰囲気にした後、前記減圧炉を開放する工程を実施する（タイミングＴ７〜Ｔ８）。かかる工程では、水素の排気により、減圧炉１１内の真空度が、例えば１〜１０Ｐａになったら、減圧炉１１内に窒素ガスが導入される（タイミングＴ７）。そして、減圧炉１１内が窒素ガスで置換され、炉内の水素濃度が爆発限界以下に達した後、減圧炉１１が開放される（タイミングＴ８）。図４のタイミングＴ０〜Ｔ８の一連の操作は、繰り返し工程の回数にもよるが、概ね１５分以内で完了することができる。そして、この一連の操作により、気泡のない高品質なはんだ接合層を有する半導体装置が得られる。なお、ここでは、窒素雰囲気を一例として説明したが、窒素に限定されず、任意の不活性ガスを用い、不活性ガス雰囲気とすることができる。
【００７１】
ところで、例えば、シリコンチップ４等の素子が５ｍｍ角以下の大きさである場合には、シリコンチップ−絶縁基板接合用はんだ材５の大きさも５ｍｍ角以下である。このように、シリコンチップおよびはんだ材の大きさが著しく小さいと、はんだ付けの前準備に時間がかかったり、シリコンチップ４とはんだ材５との位置合わせが十分でなく、接合不良が発生したりするおそれがある。そこで、このようなサイズのシリコンチップ４をはんだ接合する場合には、本発明に係る接合組立装置を用いて予備はんだをおこない、シリコンチップ４の裏面、例えばコレクタ電極面に、予めシリコンチップ−絶縁基板接合用はんだ５を設けておくのが望ましい。特に、はんだ材料として、酸化しやすいＳｎを主成分とし、Ｐｂを含まないはんだを用いる場合、減圧炉１１内の酸素濃度が数十ｐｐｍ以下と極低酸素雰囲気であるため、予備はんだ後のはんだの表面酸化膜を極力少なくすることができる。そして、同様に、本発明に係る接合組立装置を用いて、予備はんだによりシリコンチップ４の裏面に設けたはんだを介して、絶縁基板２にシリコンチップ４をはんだ付けすることができる。なお、予備はんだは、上記のような小さいサイズのシリコンチップ４等の素子に対してだけ行なわれる処理ではなく、より大きなサイズのシリコンチップ４等の素子など、任意の素子に対して行なわれる場合があり、このような場合においても、本発明に係る半導体装置の製造方法は効果的に適用することができる。
【産業上の利用可能性】
【００７２】
本発明に係る半導体装置の製造装置及びその作動方法は、ＩＧＢＴモジュールや、ＩＰＭなどのパワーモジュールの製造において好ましく使用することができる。
【符号の説明】
【００７３】
１    金属ベース
２    絶縁基板
３    絶縁基板−金属ベース接合用はんだ材
４    シリコンチップ
５    シリコンチップ−絶縁基板接合用はんだ材
１０  積層体
１１  減圧炉
１１０  炉本体
１１１  蓋体
１１２  パッキン
１１３  排気口
１２  金属線
１３  搬送ステージ
１４  搬送レール
１５  冷却板
１６  熱板
１７  水素ガス導入管
１８  不活性ガス導入管
２０  チラー
３０  減圧装置
ａ    水素分子ガス
ｂ    窒素ガス
ｃ    排気
ｄ    冷却水
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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