(57)【要約】【課題】本発明の目的は、半導体装置の製造時のダイシング工程において帯電防止効果を有しながら、切り屑や基材ヒゲなどの基材屑の発生が少なく、かつ、好適なエキスパンド性を有するダイシングフィルムを提供することにある。【解決手段】本発明のダイシングフィルムは、基材と、前記基材に設けられた粘着剤層とを有するダイシングフィルムであって、前記基材における前記粘着剤層側の面と、前記粘着剤層における前記基材とは反対側の面との距離が５０μｍ以上であって１５０μｍ以下であることを特徴とする。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基材と、前記基材に設けられた粘着剤層とを有するダイシングフィルムであって、前記基材における前記粘着剤層側の面と、前記粘着剤層における前記基材とは反対側の面との距離が５０μｍ以上であって１５０μｍ以下であることを特徴とするダイシングフィルム。
【請求項２】
前記基材の厚さは、１００μｍ以上であって４００μｍ以下であることを特徴とする請求項１に記載のダイシングフィルム。
【請求項３】
前記基材は、基材全体に対して、３重量％以上であって３０重量％以下の帯電防止剤を含むものであることを特徴とする請求項１または２に記載のダイシングフィルム。
【請求項４】
前記ダイシングフィルムは、前記基材と前記粘着剤層との間に中間層を有することを特徴とする請求項１ないし３いずれか１項に記載のダイシングフィルム。
【請求項５】
前記中間層は、８０℃における破断伸度が２０％以上であって７５０％以下であることを特徴とする請求項４に記載のダイシングフィルム。
【請求項６】
前記中間層は、実質的に前記帯電防止剤を含まないものであることを特徴とする請求項４または５に記載のダイシングフィルム。
【請求項７】
前記中間層の厚さは、３０μｍ以上であって１９０μｍ以下であることを特徴とする請求項４ないし６のいずれか１項に記載のダイシングフィルム。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ダイシングフィルムに関するものである。
【背景技術】
【０００２】
半導体装置を製造する工程において、半導体チップや半導体パッケージのような半導体装置が複数設けられた半導体ウエハのような半導体装置基板を切断して、半導体装置に個片化する際にダイシングフィルムが用いられている。ダイシングフィルムとは、半導体装置基板に貼り付けられ、半導体装置基板をダイシング（切断、個片化）し、さらにダイシングフィルムをエキスパンディング等することにより、半導体装置をピックアップするために用いられるものである。
【０００３】
一般にダイシングフィルムは、基材フィルムと粘着剤層とで構成されている（例えば、特許文献１参照）。また、半導体チップ等の製造工程において、ダイシングフィルムが帯電すると、製品破壊または作業上の不具合が発生しやすい。例えば、セパレータをダイシングフィルムから剥離するときや、ダイシング時のブレードとダイシングフィルムとが接触したときにダイシングフィルムが帯電しやすい。また、ダイシング後にダイシングフィルムを吸着テーブルから取り外すときや、半導体装置をピックアップするときにダイシングフィルムが帯電することもある。
【０００４】
そこで、例えば、特許文献１にはポリエーテルを含む帯電防止樹脂を１０〜４５質量部含有する樹脂組成物からなる帯電防止層と、粘着剤層と、を含む、帯電防止型半導体加工用粘着テープが開示されている。このダイシングフィルムは、帯電防止層によって帯電を抑制することができる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２０１０―０７７８６２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかし、近年の小型化・薄型化した半導体装置を有する半導体装置基板のダイシング工程においては、ダイシングフィルムの厚みの精度にバラつきがある場合、ダイシングブレードの接触仕方に差が生じ半導体装置基板に割れが発生しやすく、また、半導体装置のカット残りやダイシング時の切り屑や基材ヒゲ（基材フィルムのカットラインから伸びたヒゲ状の切り残査）などの基材屑が発生し半導体装置に付着することがあった。特に、半導体装置基板の割れを改良するために、ダイシングブレードの回転速度を上げると、基材ヒゲが発生しやすくなる。また、半導体装置基板にダイシングフィルムを貼り付けてダイシングした後、隣接する半導体装置間の間隔を広げるために、ダイシングフィルムのエキスパンドを行うが、基材に十分な靭性がないとエキスパンド時にダイシングフィルムが破断しやすい。そのため、半導体装置を有する半導体装置基板のダイシング工程において、基材ヒゲを抑制することができ、かつ、エキスパンディング時に基材フィルムが破断しないダイシングフィルムが求められている。
特に、帯電防止型半導体加工用粘着テープは、帯電防止剤層にブレードが入ると、ブレードを高速回転した時に基材ヒゲが発生しやすく、半導体装置への基材屑の付着が生じやすかった。
【０００７】
従って、本発明の目的は、基材屑の発生が少なく、かつ、好適なエキスパンド性を有する、半導体装置の製造時のダイシング工程において使用されるダイシングフィルムを提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
このような目的は、下記（１）〜（７）に記載の本発明により達成される。
（１）本願発明に係る１つの態様は、基材と、上記基材に設けられた粘着剤層とを有するダイシングフィルムであって、上記基材における上記粘着剤層側の面と、上記粘着剤層における上記基材とは反対側の面との距離が５０μｍ以上であって１５０μｍ以下であるダイシングフィルムを提供する。
【０００９】
（２）上記基材の厚さは、上記（１）に記載のダイシングフィルムにおいて、１００μｍ以上であって４００μｍ以下であってもよい。
【００１０】
（３）上記基材は、上記（１）または（２）に記載のダイシングフィルムにおいて、基材全体に対して、３重量％以上であって３０重量％以下の帯電防止剤を含むものであってもよい。
【００１１】
（４）上記ダイシングフィルムは、上記（１）ないし（３）のいずれかに記載のダイシングフィルムにおいて、上記基材と上記粘着剤層との間に中間層を有してもよい。
【００１２】
（５）上記中間層は、上記（４）に記載のダイシングフィルムにおいて、８０℃における破断伸度が２０％以上であって７５０％以下であってもよい。
【００１３】
（６）上記中間層は、上記（４）または（５）に記載のダイシングフィルムにおいて、実質的に上記帯電防止剤を含まないものであることを特徴とする請求項４または５に記載のダイシングフィルム。
【００１４】
（７）上記中間層の厚さは、上記（４）ないし（６）のいずれかに記載のダイシングフィルムにおいて、３０μｍ以上であって１９０μｍ以下であってもよい。
【発明の効果】
【００１５】
本発明によれば、半導体製造時のダイシング工程において、基材屑の発生が少なく、好適なエキスパンド性を有するダイシングフィルムを提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１６】
【図１】本発明の第１の実施形態に係るダイシングフィルムを示す概略断面図である。
【図２】本発明の第２の実施形態に係るダイシングフィルムを示す概略断面図である。
【図３】本発明の第３の実施形態に係るダイシングフィルムを示す概略断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１７】
［第１の実施形態］
本発明の第１の実施形態に係るダイシングフィルム１０を、図１を参照しながら詳細に説明する。
【００１８】
第１の実施形態に係るダイシングフィルム１０は、図１に示すように基材１と、基材１の片面に設けられた粘着剤層２と、を有する。半導体装置の製造方法において、ダイシングフィルム１０は、半導体チップや半導体パッケージのような半導体装置が複数設けられた半導体装置基板に固着される。この際、ダイシングフィルム１０は、粘着剤層２によって半導体装置基板の裏面に固着される。半導体装置基板には、プリント回路基板とプリント回路基板に搭載された半導体チップ及び／又は半導体パッケージなどの複数の半導体装置を有するものや、半導体チップ及び／又は半導体パッケージなどの複数の半導体装置が形成された半導体ウエハが例示される。プリント回路基板としては、ガラスエポキシ基板やセラミクス基板などのリジット基板、ポリイミド基板やポリエステル基板などのフレキシブル基板が用いられる。ダイシングフィルム１０が半導体装置基板に固着された状態で、半導体装置基板を表面側からダイシングブレードやレーザーなどで切断して、半導体装置を個片化した後に、ダイシングフィルム１０を放射状にエキスパンドし、隣接する半導体装置間を一定間隔に広げる（ダイシング工程）。
【００１９】
このダイシング工程の後、少なくともダイシングフィルム１０を加熱するか、又は、ダイシングフィルム１０の基材１側から粘着剤層２に電磁線を照射することにより、粘着剤層２の粘着力を低下させた後、半導体装置をニードル等で突き上げると同時に、真空コレットやエアピンセット等で吸着するなどの方法により、ダイシングフィルム１０から半導体装置をピックアップし（ピックアップ工程）、又は、半導体装置から基材１を剥離する（剥離工程）ことにより、少なくとも基材１を半導体装置から除去する（基材除去工程）。
【００２０】
基材１は、半導体装置を搬送時に安定させるため、及び／又は、ダイシング後の半導体装置間の間隔を広げるためのものであり、粘着剤層２は、ダイシングフィルム１０に被着される半導体装置基板及び／又は半導体装置を基材１に保持する役割を有する。
【００２１】
ここで、上述のように、半導体装置のダイシング工程における切り屑や基材ヒゲ（基材１の切断ラインから伸びたヒゲ状の切り残査）のような基材屑は、ダイシングブレードが基材１と接触、または、基材１を切削した場合に、基材１から発生するものである。
【００２２】
基材１は、粘着剤層２が固着される側の第１の基材面Ｓ１と、第１の基材面Ｓ１に対向する第２の基材面Ｓ２と、を規定する。粘着剤層２は、基材１が固着される側の第１の粘着面Ａ１と、第１の粘着面Ａ１に対向する第２の粘着面Ａ２とを規定する。本実施形態に係るダイシングフィルム１０は、基材１における粘着剤層２側の面である第１の基材面Ｓ１と、粘着剤層２における基材とは反対側の第２の粘着面Ａ２との距離（Ｌ）が５０μｍ以上であって１５０μｍ以下である。
【００２３】
距離（Ｌ）が、５０μｍ以上であることにより、上記ダイシング工程において、ダイシングブレードが、ダイシングフィルム１０に対して、粘着剤層２側から垂直方向へ切り込んだ際、ダイシングブレードと基材１とが接しないか、または接しても切り込む距離が短いために、上述のような基材屑（切り屑や基材ヒゲ）の発生を著しく抑制することができるものである。すなわち、上記ダイシング工程において、粘着剤層２と半導体回路基板とは切断するが、基材１は切断されないか、または、基材１への切り込み距離を短くすることができる。
【００２４】
さらに、距離（Ｌ）が１５０μｍ以下であることにより、エキスパンドした時の破断を抑制することができる。そのため、ダイシング後のピックアップ工程や剥離工程などの基材除去工程において、半導体装置間に一定間隔を確保することができ、半導体装置のピックアップや基材１の剥離を良好に行うことができる。
【００２５】
距離（Ｌ）は、５０μｍ以上であって１５０μｍ以下であればよいが、７０μｍ以上であって１３０μｍ以下であることが好ましく、８０μｍ以上であって１２０μｍ以下であることがより好ましい。距離（Ｌ）がこれらの範囲内にあることにより、基材屑の発生がより少なく、エキスパンド性をより高くすることができる。
【００２６】
基材１は、熱可塑性樹脂などの樹脂により構成される。基材１は、電磁波（放射線、可視光線、近赤外線、紫外線、Ｘ線、電子線など）を透過するものが好ましい。基材１を透過した電磁波によって、粘着剤層２の粘着力を低下させ、半導体装置のピックアップを容易に行うことができるためである。基材１を構成する樹脂としては、例えば、ポリ塩化ビニル、低密度ポリエチレン、高密度ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリブテン、ポリブタジエン、ポリメチルペンテン等のポリオレフィン系樹脂、エチレン・酢酸ビニル共重合体、アイオノマー、エチレン・(メタ)アクリル酸共重合体、エチレン・(メタ)アクリル酸エステル共重合体等のオレフィン系共重合体、ポリエチレンテレフタレート、ポリスチレン、ポリスチレンとゴムの混合物、ポリブチレンテレフタレート等のポリアルキレンテレフタレート系樹脂、スチレン系熱可塑性エラストマー、オレフィン系熱可塑性エラストマー、ポリビニルイソプレン、ポリカーボネート等の熱可塑性樹脂及びこれらの熱可塑性樹脂の混合物の少なくとも１つが用いられる。特に、基材１を構成する樹脂は、アイオノマー、低密度ポリエチレン又はポリスチレンと、ゴム又はエラストマーと、を少なくとも有する混合物であることが好ましい。このような混合物により形成された基材１を用いたダイシングフィルム１０は、特に優れたエキスパンド性と基材ヒゲの抑制効果とを有する。
【００２７】
また、基材１の厚さＴ１は、１００μｍ以上であって４００μｍ以下であることが好ましく、１２０μｍ以上であって３００μｍ以下であることがより好ましく、１３０μｍ以上であって２５０μｍ以下であることがより一層好ましい。
【００２８】
基材１の厚さＴ１が上記下限値以上であることにより、エキスパンド時に基材１がより破断しにくいものとなり、基材１の厚さＴ１が上記上限値以下であることにより、ダイシング時の基材屑（切り屑や基材ヒゲ）の発生をより抑制することができる。
【００２９】
さらに、基材１は、本発明の効果を損なわない範囲で、目的に合わせて、各種樹脂や添加剤等を含んでもよい。帯電防止性を付与するために、基材１は、ポリエーテルとポリオレフィンとのブロックポリマーやポリエーテルエステルアミドブロックポリマー等の高分子型帯電防止剤及び／又はカーボンブラック等を含んでもよい。この場合、基材１は、帯電防止性を有する帯電防止層となる。なお、帯電防止効果を付与する場合においては、オレフィン系樹脂との相溶性という観点からは、ポリエーテルとポリオレフィンとの共重合体を用いたイオン伝導型帯電防止剤が好ましい。ポリエーテルとポリオレフィンとの共重合体を用いたイオン伝導型帯電防止剤として、具体的には、ペレスタット３００（三洋化成工業製）が挙げられる。
【００３０】
基材１が帯電防止剤を含む帯電防止層である場合、帯電防止剤の含有量は、基材１全体に対して、３重量％以上であって３０重量％以下であることが好ましく、５重量％以上であって２５重量％以下であることがより好ましく、１０重量％以上であって２０重量％以下であることより一層好ましい。
【００３１】
このように帯電防止層である基材１に含まれる帯電防止剤が上記範囲内にあることにより、ダイシングフィルム１０から基材１を剥離する際や半導体装置をピックアップする際の帯電を抑制することができる。さらには、上記範囲内であることで、ダイシングフィルム１０の製造時において、ダイシングフィルム１０の厚みを精度良く制御することが可能であり、製膜を容易にすることができる。
【００３２】
ダイシングフィルム１０などの被測定物の帯電防止性能を測定する方法としては、特に限定されないが、ＭＩＬ−Ｂ−８１７０５Ｃに準じた方法で評価してもよい。この方法は被測定物に強制的に電圧をかけて被測定物内に電圧を発生させた後、その電圧が初期印加電圧の１％に減衰する時間を測定する。１％減衰時間を測定することにより、半導体装置への帯電抑制の指標とすることができる。
【００３３】
粘着剤層２は、電磁波（放射線、可視光線、近赤外線、紫外線、Ｘ線、電子線など）又は熱により粘着性が変化する樹脂を備える。粘着剤層２の粘着力を変化させることで、ダイシングフィルム１０の半導体装置基板への固着、半導体装置のピックアップ及び／又は半導体装置からの基材１の剥離を容易に行うためである。粘着剤層２に用いられる樹脂組成物としては、ゴム系粘着剤、シリコーン系粘着剤、アクリル系粘着剤、ＵＶ硬化性ウレタンアクリレート樹脂、又は、イソシアネート系架橋剤等があげられる。これらの中でも半導体装置のマウント時にも使用でき、半導体装置基板の端材飛び及びチッピングを効果的に抑制するためには、粘着剤層２は、ゴム系粘着剤、シリコーン系粘着剤及びアクリル系粘着剤の少なくともいずれか１つを含むものであることが好ましい。また、上記アクリル系粘着剤は、極性基を有するものであることがより好ましく、極性基を有するアクリル系粘着剤としては、カルボキシル基含有のアクリル酸ブチル等が挙げられる。粘着剤層２が極性基を有するアクリル系粘着剤を含むことにより、粘着剤層２を半導体装置のマウント時にも使用でき、端材飛び及びチッピングの抑制を特に好適に行うことができる。
【００３４】
粘着剤層２の厚さＴ２は、３μｍ以上であって３５μｍ以下であることが好ましく、５μｍ以上であって２０μｍ以下であることがより好ましい。粘着剤層２の厚みＴ２を上記範囲内とすることにより、ダイシング時に半導体装置の個片が飛んでしまうことを防ぎ、ダイシングフィルム１０から半導体装置をピックアップしやすくし、または、半導体装置から基材１を剥離しやすくすることができる。
【００３５】
粘着剤層２は、単層構造であっても、物理的性質、機械的性質、電気的性質及び熱的性質の少なくともいずれか１つが異なる複数の層を備える多層構造であってもよい。
【００３６】
次に、第１の実施形態に係るダイシングフィルム１０の製造方法について説明する。まず、基材１または基材１を含む樹脂フィルムを供する。基材１を構成する樹脂を押出機によって押出製膜することで、基材１の厚みＴ１が１００μｍ以上であって４００μｍ以下の基材１を形成する。基材１を構成する樹脂には、押出製膜前に各種樹脂や帯電防止剤などの添加剤が混合されてもよい。このシートの少なくとも一方の面は、粘着剤の濡れ性と接着性を向上させるためにコロナ処理を施してもよい。
【００３７】
一方、粘着剤層２に用いられる樹脂組成物を適宜溶剤に溶解または分散させて粘着剤を供する。粘着剤には、粘着剤層２となる樹脂組成物と硬化成分と光重合開始剤と架橋剤と溶剤とを含んでもよい。この粘着剤を、ロールコーティングやグラビアコーティングなどの公知のコーティング法によって、基材１に塗布した後、粘着剤を乾燥させて粘着剤層２とする。乾燥後の粘着剤層２の厚みＴ２が５０μｍ以上であって１５０μｍ以下となるように基材１に粘着剤を塗布する。すなわち、粘着剤層２となる粘着剤の乾燥後において、基材１における粘着剤層２側の面である第１の基材面Ｓ１と、粘着剤層２における基材とは反対側の第２の粘着面Ａ２と、の距離（Ｌ）が５０μｍ以上であって１５０μｍ以下となるように、粘着剤が塗布する。なお、基材１にコロナ処理を施した場合には、コロナ処理を施した面に粘着剤を塗布する。これにより、基材１の第１の基材面Ｓ１に粘着剤層２が固着された本実施形態のダイシングフィルム１０が形成される。
【００３８】
［第２の実施形態］
本発明の第２の実施形態に係るダイシングフィルムを、図２を参照しながら詳細に説明する。本発明の第２の実施形態に係るダイシングフィルム２０は、第１の実施形態に係る半導体用のダイシングフィルム１０にさらに中間層３を有する点においてのみ、第１の実施形態と異なる。すなわち、本発明の第２の実施形態に係るダイシングフィルム２０は、第１の実施形態に係る半導体用のダイシングフィルム１０の基材１と粘着剤層２との間に、中間層３を更に有するものである。本実施形態の説明において、第１の実施形態と実質的に同一の部分には同一の符号を付して説明することで、重複した説明を省略し、異なる部分についてのみ詳細に説明する。
【００３９】
中間層３は、基材１と粘着剤層２との間に設けられている。これにより、粘着剤層２の厚さを上記範囲内としつつ、かつ、上記距離（Ｌ）を上記範囲内に設定することが容易となる。すなわち、第２の実施形態に係るダイシングフィルム１０は、中間層３が設けられることで、粘着剤層２の厚さを３μｍ以上であって３５μｍ以下に設定し、かつ、基材１における粘着剤層２側の面である第１の基材面Ｓ１と、粘着剤層２における基材とは反対側の第２の粘着面Ａ２との距離（Ｌ）を５０μｍ以上であって１５０μｍ以下に設定しやすい。
【００４０】
中間層３を構成する樹脂としては、特に限定されないが、例えば、低密度ポリエチレン、ポリスチレン、ポリスチレン及びゴムの少なくともいずれかを含むものが挙げられる。なかでも、エキスパンド性と基材ヒゲ抑制という観点で、低密度ポリエチレン及びポリスチレンの少なくともいずれか一方と、ゴム及びエラストマーの少なくともいずれか一方と、の混合物が好ましい。尚、中間層３は、単層構造であっても、物理的性質、機械的性質、電気的性質及び熱的性質の少なくともいずれか１つが異なる複数の層を備える多層構造であってもよい。
【００４１】
また、中間層３全体の８０℃における破断伸度は、２０％以上であって７５０％以下であることが好ましい。ダイシング工程において、ダイシングフィルム１０のうち、ダイシングブレードと接触する部分は、ダイシングブレードとダイシングフィルム１０との摩擦熱により、８０℃以上の高温に晒される。このような高温状態においては、ダイシングフィルム１０のうち、ダイシングブレードとの接触部が柔らかく伸びやすい状態となり、切り屑がダイシングブレードの回転に引っ張られ伸長することがダイシング工程で基材ヒゲが発生する一因である。従って、中間層３全体の８０℃における破断伸度が７５０％以下であれば、ダイシングフィルム１０のダイシングブレードとの接触部が、高温状態において柔らかく伸びやすい状態にはなりにくいために、ダイシング工程における基材ヒゲの発生をさらに抑制することができる。また、中間層３全体の８０℃における破断伸度が２０％以上であれば、ダイシングフィルム１０のエキスパンド後にダイシングフィルム１０が破断するのを防ぐことができる。
【００４２】
尚、中間層３全体の８０℃における破断伸度は、７５０％以下であれば特に限定されないが６００％以下であることが好ましく、４００％以下であることがより好ましい。これにより、上記効果をより顕著に発揮することができる。
【００４３】
中間層３全体の８０℃における破断伸度は、基材１の中間層３全体の８０℃における破断伸度よりも小さくてもよい。これにより、基材１のエキスパンド性を高く維持しつつ、ダイシングブレードによって切断される可能性がある中間層３は基材ヒゲが発生しにくくなる。
【００４４】
中間層３は、中間層３全体として、実質的に帯電防止剤を含まないものであることが好ましい。上記「中間層３が実質的に帯電防止剤を含まない」とは、中間層３が帯電防止剤を含まないか、または、中間層３全体に対して、帯電防止剤の含有量が３重量％以下のものをいう。つまり、中間層３は、帯電防止剤を含まないものが好ましいが、微量の帯電防止剤を含むものであってもよい。上記帯電防止剤の含有量は１重量％以下であることが好ましく、０．５重量％以下であることがより好ましい。これにより、ダイシング時に基材ヒゲの発生を抑制することができる。
【００４５】
中間層３は、基材１及び粘着剤層２の少なくとも一方と、物理的性質、機械的性質、電気的性質及び熱的性質の少なくともいずれか１つが異なるものであってもよい。例えば、基材１と中間層３とは電気的性質が異なるものであってもよい。すなわち、中間層３が実質的に帯電防止剤を含まないものである場合、基材１は帯電防止剤を含むものであってもよい。これにより、帯電防止型のダイシングフィルム１０は、帯電防止剤層たる基材１にダイシングブレードが接しないか、または、ダイシングブレートが接しても基材１に切り込む距離を短くすることができ、半導体装置への基材屑の付着による不具合を回避できる。
【００４６】
また、中間層３全体の厚さＴ３は、例えば３０μｍ以上であって１９０μｍ以下であることが好ましく、５０μｍ以上であって１７０μｍ以下であることがより好ましく、６０μｍ以上であって１００μｍ以下であることがより一層好ましい。これにより、粘着剤層２の厚さＴ２を上記範囲内としつつ、かつ、基材１における粘着剤層２側の面である第１の基材面Ｓ１と、粘着剤層２における基材とは反対側の第２の粘着面Ａ２との距離（Ｌ）を５０μｍ以上であって１５０μｍ以下に設定することがより一層容易となる。
【００４７】
尚、帯電防止剤とは、導電性を高める性質である帯電防止性を有するものであれば、特に限定されないが、例えばポリエーテルとポリオレフィンとのブロックポリマーやポリエーテルエステルアミドブロックポリマー等の高分子型帯電防止剤、及び／又は、カーボンブラック等が挙げられる。
【００４８】
また、ダイシングフィルム１０の全体の厚さは、６０μｍ以上であって２８０μｍ以下であることが好ましく、７０μｍ以上であって２３０μｍ以下であることがより好ましく、８０μｍ以上であって２２０μｍ以下であることがより一層好ましい。ダイシングフィルム１０全体の厚さが上記範囲内にあることにより、半導体装置を取扱時に保持しやすく、また、ダイシングフィルム１０のエキスパンドを良好に行うことができる。
【００４９】
次に、第２の実施形態に係るダイシングフィルム２０の製造方法について説明する。まず、基材１を構成する樹脂と、中間層３を構成する樹脂と、を押出機によって押出製膜することで、基材１の厚みＴ１が１００μｍ以上であって４００μｍ以下の基材１と、中間層３の厚みＴ３が３０μｍ以上であって１９０μｍ以下の中間層３と、を有するシートを形成する。基材１を構成する樹脂には、押出製膜前に各種樹脂や帯電防止剤などの添加剤が混合されてもよい。このシートの中間層３側の表面には、粘着剤層２の濡れ性と接着性を向上させるためにコロナ処理を施してもよい。
【００５０】
一方、粘着剤層２に用いられる樹脂組成物を適宜溶剤に溶解または分散させて粘着剤を供する。粘着剤には、粘着剤層２となる樹脂組成物と硬化成分と光重合開始剤と架橋剤と溶剤とを含んでもよい。この粘着剤を、ロールコーティングやグラビアコーティングなどの公知のコーティング法によって、基材１と中間層３とを備えるシートの中間層３側の表面に塗布した後、粘着剤を乾燥することで、粘着剤層２を形成する。乾燥後の粘着剤層２の厚みが５０μｍ以上であって１５０μｍ以下となるように、基材１と中間層３とを備えるシートに粘着剤を塗布する。すなわち、粘着剤層２となる粘着剤の乾燥後において、基材１における粘着剤層２側の面である第１の基材面Ｓ１と、粘着剤層２における基材とは反対側の第２の粘着面Ａ２と、の距離（Ｌ）が５０μｍ以上であって１５０μｍ以下となるように、粘着剤を塗布する。なお、このシートにコロナ処理を施した場合には、コロナ処理を施した面に粘着剤を塗布する。これにより、中間層３上に粘着剤層２を有する本実施形態のダイシングフィルム２０が形成される。
【００５１】
［第３の実施形態］
本発明の第３の実施形態に係るダイシングフィルム３０を、図３を参照しながら詳細に説明する。本発明の第３の実施形態に係るダイシングフィルム３０は、第２の実施形態に係る半導体用のダイシングフィルム２０の基材１が、第１の基材１１と、第１の基材１１とは物理的性質、機械的性質、電気的性質及び熱的性質の少なくともいずれか１つが異なる第２の基材１２と、を有する多層構造をとる点においてのみ、第２の実施形態と異なる。すなわち、本発明の第３の実施形態に係るダイシングフィルム３０は、第１の基材１１と、第１の基材上に設けられ、第１の基材１１とは物理的性質、機械的性質及び熱的性質の少なくともいずれか１つが異なる第２の基材１２と、第２の基材１２上に設けられた中間層３と、中間層３の上に設けられた粘着剤層２と、を備える。なお、このダイシングフィルム３０のうち、中間層３は省略されてもよい。本実施形態の説明において、第１の実施形態および第２の実施形態と実質的に同一の部分には同一の符号を付して説明することで、重複した説明を省略し、異なる部分についてのみ詳細に説明する。
【００５２】
第１の基材１１には、低密度ポリエチレンと、ポリエーテルとポリオレフィンとの共重合体を用いたイオン伝導型帯電防止剤などの帯電防止剤と、を備える樹脂を用い、第２の基材１２には、帯電防止剤を実質的に含まない樹脂を用いることで、第１の基材１１と第２の基材１２との電気的性質を異ならせてもよい。この場合に、上述のように、中間層３は帯電防止剤を実質的に含まないものを用いてもよい。なお、「第２の基材１２が実質的に帯電防止剤を含まない」とは、第２の基材１２が帯電防止剤を含まないか、または、第２の基材１２全体に対して、帯電防止剤の含有量が３重量％以下のものをいう。
【００５３】
次に、第３の実施形態に係るダイシングフィルム３０の製造方法について説明する。まず、第１の基材１１を構成する樹脂と、第２の基材１２を構成する樹脂と、中間層３を構成する樹脂と、を押出機によって押出製膜することで、基材１の厚みＴ１が１００μｍ以上であって４００μｍ以下となるように設けられた第１の基材１１及び第２の基材１２とを備える基材１と、中間層の厚みＴ３が３０μｍ以上であって１９０μｍ以下の中間層３と、を有するシートを形成する。第１の基材１１及び第２の基材１２を構成する樹脂の少なくとも一方には、押出製膜前に各種樹脂や帯電防止剤などの添加剤が混合されてもよい。このシートの少なくとも粘着剤塗工面は、粘着剤の濡れ性と接着性を向上させるためにコロナ処理を施してもよい。
【００５４】
一方、粘着剤層２に用いられる樹脂組成物を適宜溶剤に溶解または分散させて粘着剤を供する。粘着剤には、粘着剤層２となる樹脂組成物と硬化成分と光重合開始剤と架橋剤と溶剤とを含んでもよい。この粘着剤を、ロールコーティングやグラビアコーティングなどの公知のコーティング法によって、第１の基材１１と第２の基材１２と中間層３とを備えるシートに塗布した後、粘着剤を乾燥して、粘着剤層２を形成する。粘着剤は、中間層３の厚みと乾燥後の粘着剤層２の厚みとの合計が５０μｍ以上であって１５０μｍ以下となるように、第１の基材１１と第２の基材１２と中間層３とを備えるシートに塗布される。すなわち、粘着剤層２となる粘着剤の乾燥後において、基材１における粘着剤層２側の面である第１の基材面Ｓ１と、粘着剤層２における基材とは反対側の第２の粘着面Ａ２と、の距離（Ｌ）が５０μｍ以上であって１５０μｍ以下となるように、粘着剤が塗布される。なお、このシートにコロナ処理を施した場合には、コロナ処理を施した面に粘着剤を塗布する。これにより、第１の基材１１、第２の基材１２及び中間層３上に粘着剤層２を有する本実施形態のダイシングフィルム３０が形成される。
【００５５】
尚、ダイシングフィルム１０は、本発明の効果を損なわない範囲で目的に応じて他の樹脂層を含んでもよい。
【００５６】
本明細書中、「物理的性質」は、比重、比容積、屈折率、透明性及び吸水率に例示される物理的な性質を意味し、「機械的性質」は、破断強度、破断伸度、引張弾性率、圧縮強さ、曲げ強さ、衝撃強さ及び硬度に例示される機械的な性質を意味し、「電気的性質」は、体積抵抗、絶縁破壊強さ、誘電率、導電率及び耐アーク性に例示される電気的な性質を意味し、「熱的性質」は、熱伝導度、比熱、熱膨張係数、連続耐熱温度及び熱変形温度に例示される熱的な性質を意味する。なお、これらの例示は、各性質をこれらの例示に限定するものではない。
【実施例】
【００５７】
本発明に係る実施形態を実施例により更に詳細に説明するが、これは単なる例示であり、本発明はこれにより限定されるものではない。
【００５８】
（実施例１）
基材１を構成する基材材料として、低密度ポリエチレンＦ５２２Ｎ（宇部丸善ポリエチレン製）８５重量部と帯電防止剤としてペレスタット２３０（三洋化成工業製）１５重量部を準備し、両者をドライブレンドしたのち、Φ５０ｍｍ押出機（Ｌ／Ｄ＝２５  ユニメルトピンスクリュー  スクリュー圧縮比＝２．９）、３００ｍｍ幅のコートハンガーダイ（リップ間隙＝０．５ｍｍ）、押出温度＝２２０℃（スクリュー先端）の条件で押出製膜し、厚み１５０μｍのシートを得た。その後、シートの粘着剤塗工面にコロナ処理を施して、基材１として使用されるシートを得た。
【００５９】
次に、粘着剤層２用の粘着剤として、粘着剤全体を１００重量％として、以下に示す構成成分を混合した樹脂溶液である粘着剤を準備した。粘着剤のベースポリマーとして、アクリル酸２−エチルヘキシルを９０重量部と、アクリル酸１０重量部とを共重合させて得られた共重合体（重量平均分子量は５００，０００）を４２重量％用いた。
【００６０】
粘着剤の硬化成分として、重量平均分子量が５，０００、重合性官能基数が４であるウレタンアクリレートを４７重量％準備した。粘着剤の光重合開始剤として、２，２−ジメトキシ−１，２−ジフェニルエタン−１−オン（商品名「イルガキュア６５１」）を３重量％準備した。粘着剤のイソシアネート系架橋剤として、ポリイソシアネート化合物（商品名「コロネートＬ」）を８重量％準備した。
【００６１】
上記の粘着剤のベースポリマーと、硬化成分と、光重合開始剤と、架橋剤と、その合計の２倍量の酢酸エチルと共に混合し、粘着剤を作製した。この粘着剤を、乾燥後の粘着剤層の厚みが６０μｍになるようにして上記シートのコロナ処理面に塗工した後、８０℃で１分間乾燥させることで粘着剤層２として、所望のダイシングフィルムを得た。
【００６２】
（実施例２）
基材１を構成する基材材料として、低密度ポリエチレンＦ５２２Ｎ（宇部丸善ポリエチレン製）８５重量部とペレスタット２３０（三洋化成工業製）１５重量部を準備し、両者をドライブレンドした。また、中間層３を構成する中間層材料として、ポリスチレンＨ９１５２（商品名、ＰＳジャパン株式会社製）１００重量部を準備した。基材材料及び中間層材料ともΦ５０ｍｍ押出機（Ｌ／Ｄ＝２５  ユニメルトピンスクリュー  スクリュー圧縮比＝２．９）、３００ｍｍ幅のマルチマニホールドコートハンガーダイ（リップ間隔＝０．５ｍｍ）、押出温度＝２２０℃（スクリュー先端）の条件で押出製膜し、基材１の厚みが４０μｍ、中間層３の厚みが１１０μｍである合計厚み１５０μｍのシートを得た。その後、中間層３の粘着剤塗工面にコロナ処理を施した。実施例１と同様にして準備した粘着剤を、乾燥後の粘着剤層２の厚みが１５μｍになるようにして、中間層３のコロナ処理面に塗工した後、８０℃で１分間乾燥することで粘着剤層２として、所望のダイシングフィルムを得た。
【００６３】
（実施例３）
中間層３を構成する中間層材料として低密度ポリエチレンＦ５２２Ｎ（宇部丸善ポリエチレン製）１００重量部を準備し、実施例２と同様の押出機で、この中間層材料と実施例２で準備した基材材料とを押出製膜し、基材１の厚みが７５μｍ、中間層３の厚みが７５μｍで合計厚み１５０μｍのシートを得た。その後、実施例２と同様にシートの粘着層塗工面にコロナ処理を実施し、実施例２と同様にして準備した粘着剤を使用して、乾燥後の粘着剤層の厚みが１５μｍになるようにして、中間層の粘着剤塗工面に樹脂溶液を塗工した後、８０℃で１分間乾燥させて所望のダイシングフィルムを得た。
【００６４】
（実施例４）
実施例３で準備した、基材材料と中間層材料とを使用し、実施例３記載の押出機で押出製膜して得られた、基材の厚みが６０μｍ、中間層の厚みが９０μｍである合計厚み１５０μｍのシートを使用した以外は実施例３と同様に実施し、所望のダイシングフィルムを得た。
【００６５】
（実施例５）
第１の基材１１を構成する材料として、低密度ポリエチレンＦ５２２Ｎ（宇部丸善ポリエチレン製）８５重量部とペレスタット２３０（三洋化成工業製）１５重量部をドライブレンドし、第２の基材１２を構成する材料として低密度ポリエチレンＦ５２２Ｎ（宇部丸善ポリエチレン製）１００重量部を準備した。第１の基材１１と第２の基材１２とを合わせた基材全体に含まれる帯電防止剤は、基材全体の重量に対して７．５重量％とした。また、中間層３として低密度ポリエチレンＦ５２２Ｎ（宇部丸善ポリエチレン製）１００重量部を準備した。中間層３、第１の基材１１、及び第２の基材１２ともΦ５０ｍｍ押出機（Ｌ／Ｄ＝２５  ユニメルトピンスクリュー  スクリュー圧縮比＝２．９）、３００ｍｍ幅のマルチマニホールドコートハンガーダイ（リップ間隙＝０．５ｍｍ）、押出温度＝２２０℃（スクリュー先端）の条件で押出製膜し、第１の基材１１の厚みが５０μｍ、第２の基材１２の厚みが３０μｍ、中間層３の厚みが７０μｍの合計厚み１５０μｍのシートを得た。その後、中間層３の粘着剤塗工面にコロナ処理を施した。続いて、実施例１と同様にして粘着剤層２用の粘着剤を作製し、この粘着剤を、乾燥後の粘着剤層２の厚みが１５μｍになるようにして中間層３の粘着剤塗工面に塗工した後、８０℃で１分間乾燥させることで粘着剤層２として、所望のダイシングフィルムを得た。
【００６６】
（実施例６）
実施例５で準備した、第１の基材１１を構成する材料と、第２の基材１２を構成する材料と、中間層３を構成する材料と、を使用し、実施例５記載の押出機で押出製膜し、第１の基材１１の厚みが２０μｍ、第２の基材１２の厚みが６０μｍ、中間層３の厚みが７０μｍで合計厚みが１５０μｍのシートを得て使用した以外は、実施例６と同様に実施し、所望のダイシングフィルムを得た。
【００６７】
（実施例７）
実施例３で使用した基材１を構成する材料、中間層３を構成する材料を使用し、実施例３記載の押出機で押出製膜し、基材１の厚みが１００μｍ、中間層３の厚みが５０μｍの合計厚み１５０μｍのシートを得て使用した以外は、実施例３と同様に実施し、所望のダイシングフィルムを得た。
【００６８】
（実施例８）
実施例１で準備したシートに、実施例１で準備した粘着剤層２用の粘着剤を、乾燥後の粘着剤層２の厚みが５０μｍになるようにして上記シートのコロナ処理面に塗工した後、８０℃で１分間乾燥させることで粘着剤層２とした以外は、実施例１と同様に実施し、所望のダイシングフィルムを得た。
【００６９】
（実施例９）
実施例２で準備した基材１を構成する基材材料と中間層３を構成する材料とを、実施例２で使用した押出機で押出製膜し、基材１の厚みが１５μｍで、かつ、中間層３の厚みが１３５μｍのシートを得た後、シートの粘着剤塗工面にコロナ処理を施したものを使用した以外は、実施例２と同様に実施し、所望のダイシングフィルムを得た。
【００７０】
（実施例１０）
基材１を構成する基材材料として、低密度ポリエチレンＦ５２２Ｎ（宇部丸善ポリエチレン製）９９重量部とペレスタット２３０（三洋化成工業製）１重量部を準備し、両者をドライブレンドしたものを使用した以外は、実施例５と同様に実施し、所望のダイシングフィルムを得た。
【００７１】
（実施例１１）
基材１を構成する基材材料として、低密度ポリエチレンＦ５２２Ｎ（宇部丸善ポリエチレン製）７０重量部とペレスタット２３０（三洋化成工業製）３０重量部を準備し、両者をドライブレンドしたものを使用した以外は、実施例５と同様に実施し、所望のダイシングフィルムを得た。
【００７２】
（実施例１２）
基材１を構成する基材材料として、低密度ポリエチレンＦ５２２Ｎ（宇部丸善ポリエチレン製）９７重量部とペレスタット２３０（三洋化成工業製）３重量部を準備し、両者をドライブレンドしたものを使用した以外は、実施例５と同様に実施し、所望のダイシングフィルムを得た。
【００７３】
（実施例１３）
中間層３を構成する中間層材料として、低密度ポリエチレンＦ５２２Ｎ（宇部丸善ポリエチレン製）９９．５重量部とペレスタット２３０（三洋化成工業製）０．５重量部を準備し、両者をドライブレンドしたものを使用した以外は、実施例２と同様に実施し、所望のダイシングフィルムを得た。
【００７４】
（実施例１４）
中間層３を構成する中間層材料として、低密度ポリエチレンＦ５２２Ｎ（宇部丸善ポリエチレン製）９９重量部とペレスタット２３０（三洋化成工業製）１重量部を準備し、両者をドライブレンドしたものを使用した以外は、実施例２と同様に実施し、所望のダイシングフィルムを得た。
【００７５】
（実施例１５）
中間層３を構成する中間層材料として、低密度ポリエチレンＦ５２２Ｎ（宇部丸善ポリエチレン製）９７重量部とペレスタット２３０（三洋化成工業製）３重量部を準備し、両者をドライブレンドしたものを使用した以外は、実施例２と同様に実施し、所望のダイシングフィルムを得た。
【００７６】
（実施例１６〜１９）
粘着剤層２の厚さを表１に示す数値としたこと以外は、実施例４と同様に実施し、所望のダイシングフィルムを得た。
【００７７】
（実施例２０）
中間層を構成する材料として、カルボキシル基を有する化合物を陽イオンで架橋したアイオノマー樹脂ハイミラン１８５５（三井デュポン製）１００重量部を使用した以外は、実施例４と同様に実施し、所望のダイシングフィルムを得た。
【００７８】
（実施例２１）
中間層を構成する材料として、ポリカーボネート樹脂カリバー３０１−４  （住友ダウ社製）１００重量部を使用した以外は、実施例４と同様に実施し、所望のダイシングフィルムを得た。
【００７９】
（比較例１）
実施例１で使用した基材材料を使用し、実施例１と同様の押出機を用いて厚み１５０μｍのシートを得た。続いて、実施例１と同様の粘着剤を、乾燥後の粘着剤層の厚みが１５μｍになるようにしてシートの粘着剤塗工面に塗工した後、８０℃で１分間乾燥させることで粘着剤層として、所望のダイシングフィルムを得た。
【００８０】
（比較例２）
実施例３で使用した基材材料と中間層材料とを使用し、基材の厚みが５μｍ、中間層の厚みが１４５μｍの合計厚みが１５０μｍのシートを得て実施した以外は、実施例３と同様にして実施し、所望のダイシングフィルムを得た。
【００８１】
（比較例３）
基材を構成する基材材料として、低密度ポリエチレンＦ５２２Ｎ（宇部丸善ポリエチレン製）１００重量部を準備した。中間層を構成する中間層材料として低密度ポリエチレンＦ５２２Ｎ（宇部丸善ポリエチレン製）８５重量部とペレスタット２３０（三洋化成工業製）１５重量部を準備して両者をドライブレンドしたものを準備した。基材材料と中間層材料とを、実施例２に記載の押出機で押出製膜し、基材の厚みが１３０μｍ、中間層の厚みが２０μｍで合計厚みが１５０μｍのシートを得て使用した以外は実施例２と同様に実施し、所望のダイシングフィルムを得た。
【００８２】
（比較例４）
比較例２の基材の厚さを１５μｍ、中間層の厚さを２２０μｍで合計厚みが２３５μｍにしたシートを形成して使用した以外は比較例２と同様に実施し、所望のダイシングフィルムを得た。
【００８３】
＜評価試験＞
上記実施例及び比較例において得られたダイシングフィルムを、以下の評価方法によって、評価したものを表１に示す。
【００８４】
（１）中間層の破断伸度（％）：引っ張り試験
中間層の８０℃環境下での破断伸度を以下の方法に従って測定した。実施例２〜７及び１０、比較例２〜４で使用した中間層をΦ５０ｍｍ押出機（Ｌ／Ｄ＝２５  ユニメルトピンスクリュー  スクリュー圧縮比＝２．９）、３００ｍｍ幅のハンガーダイ（リップ間隙＝０．５ｍｍ）、押出温度＝２２０℃（スクリュー先端）の条件で押出製膜し、厚み１００μｍのシートを得た。６ｍｍ幅、５０ｍｍ長さの短冊を準備し、試験前のシート長さＬ０を測定する。その後、ＭＤ方向に２００ｍｍ／ｍｉｎで引っ張って破断する破断時のシート長さＬ１を測定して、１００×(Ｌ１−Ｌ０)／Ｌ０を算出することで破断伸度（％）を求めた。
【００８５】
（２）ダイシング後の基材屑評価
実施例および比較例で作製したダイシングフィルムに、ガラスエポキシ基板（厚み１．０ｍｍ、縦１０ｃｍ、横１０ｃｍ）とガラスエポキシ基板に実装された半導体チップとを含む半導体装置を複数有する半導体装置基板を貼り付け、下記ダイシング条件でダイシングを行った後、半導体装置を取り除いてダイシングフィルム表面の観察を光学顕微鏡で行い、カットラインから出てくる長さ１００μｍ以上の基材屑の数をカウントした。この基材屑の数の測定結果を、以下のように判定した。
◎  ：  ０〜５本
○  ：  ６〜１０本
×  ：  １１本以上
【００８６】
＜ダイシング条件＞
ダイサー          「ＤＡＤ−３３５０」、ＤＩＳＣＯ製
ブレード          「Ｂ１Ａ８０１  ＳＤ８００Ｎ１００Ｍ４２」、ＤＩＳＣＯ製
ブレード回転数    ４５０００ｒｐｍ
カット速度        ５０ｍｍ／ｓｅｃ
切込量            粘着シート表面から６０μｍ
カットサイズ      ５ｍｍ×５ｍｍ
ブレードクーラー  ２Ｌ／ｍｉｎ
【００８７】
（３）１％減衰時間の測定
実施例および比較例で作製したダイシングフィルムについて、ＭＩＬ−Ｂ−８１７０５Ｃに準拠して、１％減衰時間の測定を行った。具体的には、静電気減衰時間測定器（ｅｌｅｃｔｒｏ−ｔｅｃｈ  ｓｙｓｔｅｍ社製、商品名：ＳＴＡＴＩＣ  ＤＥＣＡＹ  ＭＥＴＥＲ  ＭＯＤＥＬ４０６Ｃ）を用いて、ダイシングテープに５０００Ｖの電圧を印加し、ダイシングテープ１００の電圧が５０００Ｖから５０Ｖまで減衰するのにかかる時間の測定を行った。この減衰するのにかかる時間の測定結果を、以下のように判定した。
◎  ：０．１ｓｅｃ未満
○  ：０．１ｓｅｃ以上であって０．５ｓｅｃ未満
△  ：０．５ｓｅｃ以上であって１０ｓｅｃ未満
×  ：１０ｓｅｃ以上
【００８８】
（４）ダイシング後のピックアップ評価（ピックアップのしやすさ）
ダイシング後、ダイシングテープに紫外線を照射し、真空吸着するコレットを用いて半導体ウエハの表面を吸着し、４ｍｍ間隔の４本のニードルをダイシングテープの下から各高さに突上げて、半導体ウエハをダイシングテープからピックアップした。評価基準は、以下の通りである。
◎  ：  ５個中５個ピックアップ性に成功した突き上げ高さが０．２〜０．３ｍｍのもの
○  ：  ０．３〜０．４ｍｍのもの（ここまでは良好とする）
△  ：  ０．４〜０．５ｍｍのもの
×  ：  ０．５ｍｍ以上のもの
【００８９】
（５）ダイシング後の製品パッケージ飛散評価（ダイシングの飛び）
実施例および比較例で作製したダイシングフィルムに、ガラスエポキシ基板（厚み１．０ｍｍ、縦１０ｃｍ、横１０ｃｍ）とガラスエポキシ基板に実装された半導体チップとを含む半導体装置を複数有する半導体装置基板を貼り付け、下記ダイシング条件でダイシングを行った後、観察し、以下のように判定した。
◎  ：  パッケージが飛んでいないもの
○  ：  周辺のパッケージが飛んでいるが、製品パッケージは飛んでいないもの
×  ：  製品パッケージが飛んでいるもの
【００９０】
（６）ダイシング後のピックアップ評価（エキスパンドの間隔）
ダイシング後、ダイシングテープに紫外線を照射し、エキスパンドを行った。
チップサイズにカット後、ＵＶ照射を行い、エキスパンダー(ヒューグル製)を使用し、２０ｍｍのストロークで１０分間エキスパンドを行い、チップ間隔を測定することで評価した。
◎  ：  チップ間隔が５０μｍ以上開いているもの
○  ：  チップ間隔が３０μｍ以上５０μｍ未満開いているもの
×  ：  チップ間隔が３０μｍ以上開いていないもの
【００９１】
【表１】
2015162561.tif 000003
【００９２】
実施例１乃至１１においては、ダイシング後の基材屑評価は「◎」又は「○」であり、１％減衰時間は「◎」又は「○」であり、比較例１乃至４と比較して、良好な効果が得られた。
【００９３】
以上、本発明の好ましい実施形態について詳述したが、本発明は上述した実施形態に限定されるものではなく、特許請求の範囲に記載された本発明の要旨の範囲内において、種々の変形、変更が可能である。
【符号の説明】
【００９４】
１・・・基材
２・・・粘着剤層
３・・・中間層
１０・・ダイシングフィルム
１１・・第１の基材
１２・・第２の基材
【図１】
2015162561.tif 000004
【図２】
2015162561.tif 000005
【図３】
2015162561.tif 000006