(57)【要約】【課題】硫酸イオンを効果的に除去することができるプラズマ処理装置およびプラズマ処理方法を提供することである。【解決手段】実施形態に係るプラズマ処理装置は、プラズマを発生させる領域に電磁エネルギーを供給するプラズマ発生部と、前記プラズマを発生させる領域に、酸素原子および水素原子の少なくともいずれかを含むプロセスガスを供給するガス供給部と、前記プラズマを発生させる領域の近傍に設けられ、硫酸イオンを表面に有する被処理物を載置する載置部と、を備えている。【選択図】図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
プラズマを発生させる領域に電磁エネルギーを供給するプラズマ発生部と、
前記プラズマを発生させる領域に、酸素原子および水素原子の少なくともいずれかを含むプロセスガスを供給するガス供給部と、
前記プラズマを発生させる領域の近傍に設けられ、硫酸イオンを表面に有する被処理物を載置する載置部と、
を備えたプラズマ処理装置。
【請求項２】
前記プロセスガスは、酸素ガス、酸素ガスを含む混合ガス、水素ガス、および水素ガスを含む混合ガスの少なくとも１種を含む請求項１記載のプラズマ処理装置。
【請求項３】
前記プラズマを発生させる領域を内部に有し、大気圧よりも減圧された雰囲気を維持可能な処理容器と、
前記処理容器の内部を所定の圧力まで減圧する減圧部と、
をさらに備えたプラズマ処理装置。
【請求項４】
プラズマを発生させる領域に電磁エネルギーを供給して前記プラズマを発生させ、前記プラズマに向けて供給された酸素原子および水素原子の少なくともいずれかを含むプロセスガスを励起させて少なくともラジカルを生成する工程と、
前記生成されたラジカルを用いて、被処理物の表面にある硫酸イオンを除去する工程と、
を備えたプラズマ処理方法。
【請求項５】
前記プロセスガスは、酸素ガス、酸素ガスを含む混合ガス、水素ガス、および水素ガスを含む混合ガスの少なくとも１種を含む請求項４記載のプラズマ処理方法。
【請求項６】
前記ラジカルは、酸素ラジカルおよび水素ラジカルの少なくともいずれかである請求項４または５に記載のプラズマ処理方法。
【請求項７】
前記プラズマを発生させる領域の圧力は、大気圧以下である請求項４〜６のいずれか１つに記載のプラズマ処理方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明の実施形態は、プラズマ処理装置およびプラズマ処理方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
フォトマスクやウェーハなどは、表面が清浄であることが要求されている。  
ここで、レジストなどの有機物がフォトマスクやウェーハなどの表面に付着する場合がある。例えば、フォトマスクの表面には、露光工程において蒸発したレジストが付着する場合がある。ウェーハの表面には、回路パターンの形成工程においてレジストマスクが設けられる。  
この場合、付着した有機物を除去する際には、硫酸を含む処理液が用いられている。例えば、硫酸と過酸化水素水とを含む処理液を用いるＳＰＭ（Sulfuric Acid Hydrogen Peroxide Mixture）処理などが行われている。  
硫酸を含む処理液を用いれば、フォトマスクやウェーハなどの表面に付着した有機物を除去することができる。
【０００３】
ところが、硫酸を含む処理液を用いると、フォトマスクやウェーハなどの表面に硫酸イオンが残留することになる。フォトマスクやウェーハなどの表面に硫酸イオンが残留していると、硫酸イオンと雰囲気中のアンモニアが反応して硫酸アンモニウムが生成されるおそれがある。フォトマスクやウェーハなどの表面に硫酸アンモニウムが生成されると、フォトマスクの機能が損なわれたり、ウェーハにおいて回路パターンの不良が発生したりするおそれがある。  
そのため、フォトマスクやウェーハなどの表面にある硫酸イオンを除去する技術が提案されている（例えば、特許文献１を参照）。  
しかしながら、近年においては硫酸イオンの除去に対する更なる改善が望まれている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００５−１０１１４５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
本発明が解決しようとする課題は、硫酸イオンを効果的に除去することができるプラズマ処理装置およびプラズマ処理方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
実施形態に係るプラズマ処理装置は、プラズマを発生させる領域に電磁エネルギーを供給するプラズマ発生部と、前記プラズマを発生させる領域に、酸素原子および水素原子の少なくともいずれかを含むプロセスガスを供給するガス供給部と、前記プラズマを発生させる領域の近傍に設けられ、硫酸イオンを表面に有する被処理物を載置する載置部と、を備えている。
【発明の効果】
【０００７】
本発明の実施形態によれば、硫酸イオンを効果的に除去することができるプラズマ処理装置およびプラズマ処理方法が提供される。
【図面の簡単な説明】
【０００８】
【図１】第１の実施形態に係るプラズマ処理装置１を例示するための模式図である。
【図２】硫酸イオンの除去効果を例示するためのグラフ図である。
【図３】第２の実施形態に係るプラズマ処理方法を例示するためのフローチャートである。
【発明を実施するための形態】
【０００９】
以下、図面を参照しつつ、実施の形態について例示をする。  
[第１の実施形態]  
図１は、第１の実施形態に係るプラズマ処理装置１を例示するための模式図である。
図１に例示をするプラズマ処理装置１は、一般に「ＳＷＰ（Surface Wave Plasma：表面波プラズマ）装置」と呼ばれるマイクロ波励起型のプラズマ処理装置である。すなわち、マイクロ波により励起、発生させたプラズマを用いてプロセスガスからプラズマ生成物を生成し、被処理物の処理を行うプラズマ処理装置の一例である。
【００１０】
図１に示すように、プラズマ処理装置１は、プラズマ発生部２、処理容器３、マイクロ波発生部４、ガス供給部５、減圧部６、および制御部７などを備えている。  
プラズマ発生部２は、プラズマＰを発生させる領域にマイクロ波（電磁エネルギー）を供給することでプラズマＰを発生させる。    
プラズマ発生部２には、透過窓２ａ、導入導波管２ｂが設けられている。  
透過窓２ａは平板状を呈し、マイクロ波Ｍに対する透過率が高くエッチングされにくい材料からなる。透過窓２ａは、例えば、石英などから形成することができる。  
透過窓２ａは、処理容器３の上端に気密となるようにして設けられている。
【００１１】
処理容器３の外側であって、透過窓２ａの上面には導入導波管２ｂが設けられている。導入導波管２ｂは、マイクロ波発生部４から放射されたマイクロ波Ｍを伝播させて、プラズマＰを発生させる領域にマイクロ波Ｍを導入する。  
導入導波管２ｂと透過窓２ａとの接続部分には、スリット２ｃが設けられている。スリット２ｃは、導入導波管２ｂの内部を導波されてきたマイクロ波Ｍを透過窓２ａに向けて放射するためのものである。
【００１２】
導入導波管２ｂの一端には、マイクロ波発生部４が設けられている。マイクロ波発生部４は、所定の周波数（例えば２．４５ＧＨｚ）のマイクロ波Ｍを発生させ、導入導波管２ｂに向けて放射することができるようになっている。
【００１３】
ガス供給部５は、処理容器３の側壁上部に接続されている。ガス供給部５と処理容器３との間には、流量制御部（ＭＦＣ；Mass Flow Controller）５ａが設けられている。
ガス供給部５は、流量制御部５ａを介して処理容器３内のプラズマＰを発生させる領域にプロセスガスＧを供給する。  
流量制御部５ａは、プロセスガスＧの流量を制御する。
【００１４】
プロセスガスＧは、酸素原子および水素原子の少なくともいずれかを含んでいる。
プロセスガスＧは、例えば、酸素ガスおよび水素ガスの少なくともいずれかを含むものとすることができる。この場合、プロセスガスＧは、例えば、酸素ガス、酸素ガスを含む混合ガス、水素ガス、および水素ガスを含む混合ガスの少なくとも１種を含むものとすることができる。酸素ガスを含む混合ガスは、例えば、酸素ガスと窒素ガスなどとの混合ガスとすることができる。水素ガスを含む混合ガスは、例えば、水素ガスと窒素ガスなどとの混合ガスとすることができる。
【００１５】
処理容器３は、有底の略円筒形状を呈し、大気圧よりも減圧された雰囲気を維持可能となっている。すなわち、処理容器３は、プラズマＰを発生させる領域を内部に有し、大気圧よりも減圧された雰囲気を維持可能となっている。  
載置部３ａは、処理容器３の内部に設けられている。載置部３ａは、プラズマＰを発生させる領域の近傍に設けられている。    
載置部３ａは、硫酸イオンを表面に有する被処理物１００を載置する。  
載置部３ａの内部には、被処理物１００を保持するための図示しない保持手段を設けることができる。図示しない保持手段は、例えば、静電チャックなどとすることができる。
【００１６】
載置部３ａの内部には、被処理物１００の温度を制御するための温度制御部３ｂを設けることができる。  
温度制御部３ｂは、例えば、ジュール熱を利用するヒータや、加熱または冷却された媒体を循環させる温度制御装置などとすることができる。  
なお、温度制御部３ｂは、必ずしも必要ではなく、被処理物１００の温度制御を行う場合に設けるようにすることができる。
【００１７】
また、載置部３ａには、被処理物１００の受け渡しを行うための図示しないリフトピンなどを設けることができる。  
また、処理容器３には、被処理物１００の搬入と搬出を行うための図示しない開口部と、開口部を気密に開閉することができる図示しない開閉扉などを設けることができる。
【００１８】
被処理物１００は、表面に硫酸イオンを有する。  
例えば、被処理物１００は、硫酸を含む処理液で処理されたフォトマスク、ウェーハ、ナノインプリント法に用いられるテンプレート、ＭＥＭＳ（Micro Electro Mechanical Systems）などの微細構造体などとすることができる。
【００１９】
減圧部６は、処理容器３の底面に接続されている。減圧部６は、例えば、ターボ分子ポンプ（ＴＭＰ；turbomolecular pump）などとすることができる。  
また、減圧部６と処理容器３との間には、圧力制御部（ＡＰＣ；Auto Pressure Controller）６ａが設けられている。  
減圧部６は、処理容器３の内部を所定の圧力まで減圧する。  
圧力制御部６ａは、処理容器３の内圧を検出する図示しない真空計の出力に基づいて、処理容器３の内圧が所定の圧力となるように制御する。
【００２０】
制御部７は、プラズマ処理装置１に設けられた各要素の動作を制御する。  
制御部７は、例えば、処理容器３に設けられた図示しない開閉扉の開閉動作を制御する。
制御部７は、例えば、載置部３ａに設けられた図示しない保持手段やリフトピンの動作を制御する。  
制御部７は、例えば、載置部３ａに設けられた温度制御部３ｂを制御して、被処理物１００の温度制御を行う。  
制御部７は、例えば、マイクロ波発生部４を制御して、プラズマＰの発生と停止を制御する。  
この際、制御部７は、マイクロ波発生部４を制御して、処理時間を制御することができる。  
制御部７は、例えば、ガス供給部５と流量制御部５ａを制御して、処理容器３内のプラズマＰを発生させる領域に所定流量のプロセスガスＧを供給する。  
制御部７は、例えば、減圧部６と圧力制御部６ａを制御して、処理容器３の内圧が所定の圧力となるようにする。
【００２１】
ここで、被処理物１００の表面には硫酸イオンがある。  
被処理物１００の表面にある硫酸イオンは、アルカリ液による洗浄や超純水による洗浄でも除去することができる。  
ところが、被処理物１００の表面には、アルカリ液により溶解される材料からなる膜が形成されている場合がある。例えば、被処理物１００の表面には、クロムなどからなる膜が形成されている場合がある。  
そのため、硫酸イオンを除去するためにアルカリ液による洗浄を行うと、被処理物１００の表面に損傷が発生するおそれがある。  
一方、超純水による洗浄では、硫酸イオンの除去が不十分となったり、除去時間が長くなったりするおそれがある。
【００２２】
また、被処理物１００を加熱すれば、被処理物１００の表面にある硫酸イオンを除去することができる。  
ところが、被処理物１００を加熱することで硫酸イオンを除去するようにすると、高温となった被処理物１００を冷却することが必要となる。  
そのため、冷却装置を組み込む必要が生じ、プラズマ処理装置１の構成要素が増えてしまうという新たな問題が生じる。  
またさらに、冷却装置による、冷却時間の分だけプロセス時間が長くなるという新たな問題も生じる。
【００２３】
本発明者の得た知見によれば、酸素ラジカルおよび水素ラジカルの少なくともいずれかを被処理物１００の表面に供給すれば、硫酸イオンを除去することができる。  
ここで、被処理物１００の表面に硫酸イオンがあると、硫酸アンモニウムからなるパーティクルが生成される。  
そのため、生成されるパーティクルの個数を測定すれば、被処理物１００の表面にある硫酸イオンの量を評価することができる。
【００２４】
次に、硫酸イオンの除去効果について例示をする。  
硫酸イオンの除去効果の評価は、ＳＰＭ処理を行った被処理物１００に対して行うものとした。  
そして、ＳＰＭ処理を行った被処理物１００をそのまま放置した場合と、ＳＰＭ処理を行った被処理物１００を１００℃に加熱した場合と、ＳＰＭ処理を行った被処理物１００を２００℃に加熱した場合と、ＳＰＭ処理を行った被処理物１００を酸素ラジカルで処理した場合と、ＳＰＭ処理を行った被処理物１００を水素ラジカルで処理した場合とについて、時間の経過とともにパーティクルの個数がどのように変化するのかを調査した。
【００２５】
図２は、硫酸イオンの除去効果を例示するためのグラフ図である。  
図２中のＡは、ＳＰＭ処理を行った被処理物１００をそのまま大気中に放置した場合である。  
Ｂ１は、ＳＰＭ処理を行った被処理物１００を１００℃に加熱し、その後大気中に放置した場合である。  
Ｂ２は、ＳＰＭ処理を行った被処理物１００を２００℃に加熱し、その後大気中に放置した場合である。  
Ｃ１は、ＳＰＭ処理を行った被処理物１００を酸素ラジカルで処理し、その後大気中に放置した場合である。なお、酸素ラジカルによる処理を行う際の被処理物１００の温度は１００℃程度とした。    
Ｃ２は、ＳＰＭ処理を行った被処理物１００を水素ラジカルで処理し、その後大気中に放置した場合である。なお、水素ラジカルによる処理を行う際の被処理物１００の温度は１００℃程度とした。
【００２６】
図２中のＡから分かるように、ＳＰＭ処理を行った被処理物１００をそのまま大気中に放置すると、時間の経過とともにパーティクルの個数が増加する。  
なお、ここで言うパーティクルの個数は、３００ｍｍウェーハの表面全体に存在するパーティクルの数である。  
また、Ｂ１から分かるように、ＳＰＭ処理を行った被処理物１００を１００℃に加熱し、その後大気中に放置しても、時間の経過とともにパーティクルの個数が増加する。  
そのため、被処理物１００を１００℃に加熱するだけでは、硫酸イオンの除去が不十分となることが分かる。  
一方、Ｂ２から分かるように、ＳＰＭ処理を行った被処理物１００を２００℃に加熱すると、パーティクルの個数が増加するのを抑制することができる。  
そのため、被処理物１００を２００℃に加熱すれば、硫酸イオンの十分な除去を行うことができることが分かる。  
ところが、被処理物１００を２００℃に加熱すれば、被処理物１００の冷却が必要となるという新たな問題が生じることになる。
【００２７】
これに対して、Ｃ１およびＣ２から分かるように、酸素ラジカルおよび水素ラジカルの少なくともいずれかを被処理物１００の表面に供給すれば、被処理物１００を２００℃に加熱した場合と同等の硫酸イオンの除去効果を得ることができる。  
また、酸素ラジカルおよび水素ラジカルの少なくともいずれかを被処理物１００の表面に供給する際の温度は１００℃程度とすることができる。  
そのため、被処理物１００の冷却を行うことなく後工程に搬送することができる。その結果、無駄な待ち時間の発生を防止することができる。
【００２８】
次に、図１に戻って、プラズマ処理装置１の作用について例示をする。  
まず、図示しない搬送装置により被処理物１００を処理容器３の内部に搬入する。続いて、搬入した被処理物１００を載置部３ａの上に載置する。その後、図示しない搬送装置を処理容器３の外部に退避させる。続いて、処理容器３が気密に密閉される。
【００２９】
気密に密閉された処理容器３の内部が、減圧部６により所定の圧力まで減圧される。例えば、処理容器３の内圧が、減圧部６により１２０Ｐａ程度となるようにされる。なお、処理容器３の内圧は、プラズマＰの発生が阻害されない範囲で適宜変更することができる。
また、プロセスガスＧが、ガス供給部５により処理容器３の内部に供給される。  
プロセスガスＧは、酸素原子および水素原子の少なくともいずれかを含んでいる。  
プロセスガスＧは、例えば、酸素ガスおよび水素ガスの少なくともいずれかを含むものとすることができる。プロセスガスＧは、例えば、酸素ガス、酸素ガスを含む混合ガス、水素ガス、および水素ガスを含む混合ガスの少なくとも１種を含むものとすることができる。この場合、酸素ガスを含む混合ガスは、例えば、酸素ガスと窒素ガスなどとの混合ガスとすることができる。水素ガスを含む混合ガスは、例えば、水素ガスと窒素ガスなどとの混合ガスとすることができる。
【００３０】
また、マイクロ波発生部４からマイクロ波Ｍを放射させ、スリット２ｃを介してマイクロ波Ｍを透過窓２ａに導入する。導入されたマイクロ波Ｍは、透過窓２ａの表面を伝搬して、処理容器３内のプラズマＰを発生させる領域に放射される。プラズマＰを発生させる領域に放射されたマイクロ波Ｍのエネルギーにより、プロセスガスＧのプラズマＰが形成される。プラズマＰ中の電子密度が、透過窓２ａを透過して導入されるマイクロ波Ｍを遮蔽できる密度（カットオフ密度）以上になると、マイクロ波Ｍは透過窓２ａの下面から一定距離（スキンデプス）だけ入るまでの間に反射されるようになる。そのため、マイクロ波Ｍの定在波が形成されることになる。
【００３１】
すると、マイクロ波Ｍの反射面がプラズマ励起面となって、このプラズマ励起面において安定的にプラズマＰが励起されるようになる。プラズマ励起面において励起されたプラズマＰ中においては、イオンなどがプロセスガスＧの分子と衝突することで励起された原子や分子、遊離原子などのラジカル（中性活性種）が生成される。この場合、プロセスガスＧは、酸素原子および水素原子の少なくともいずれかを含んでいるので、酸素ラジカルおよび水素ラジカルの少なくともいずれかが生成される。  
生成された前述のラジカルは、処理容器３内を下方に向けて拡散する。そして、被処理物１００の表面に到達した酸素ラジカルおよび水素ラジカルの少なくともいずれかにより、硫酸イオンの除去が行われる。
【００３２】
なお、温度制御部３ｂにより被処理物１００の温度制御を行うこともできる。  
例えば、被処理物１００の温度が、プラズマＰの輻射熱により高くなりすぎる場合には被処理物１００の温度を低下させることができる。また、硫酸イオンとラジカルとの反応が促進されるように被処理物１００の温度を制御することもできる。  
なお、被処理物１００の温度は、例えば、１００℃程度とすることができるが、硫酸イオンと前述したラジカルとの反応が阻害されない範囲で適宜変更することができる。
【００３３】
処理が終了した被処理物１００は、図示しない搬送装置により処理容器３から搬出される。  
この後、必要に応じて、前述した手順が繰り返される。
【００３４】
以上に例示をしたプラズマ処理装置１の動作は、制御部７により制御することができる。
また、一例として、ＳＷＰ装置を例示したが、ラジカルの生成に適したプラズマ処理装置であればよい。この場合、ラジカルともにイオンなどの荷電粒子が生成されるプラズマ処理装置であってもよい。例えば、電極間に高周波（RF；Radio Frequency)の電圧を印加してプラズマを発生させるプラズマ処理装置であってもよい。  
すなわち、プラズマＰを発生させる電磁エネルギーとして、マイクロ波を用いることもできるし、高周波を用いることもできる。
また、減圧環境下においてプラズマＰを発生させるプラズマ処理装置を例示したが、大気圧環境下でプラズマＰを発生させるプラズマ処理装置とすることもできる。
【００３５】
本実施の形態に係るプラズマ処理装置１によれば、被処理物１００の表面にある硫酸イオンを効果的に除去することができる。  
この際、被処理物１００の温度が高温となるように加熱することなく硫酸イオンを除去することができる。  
そのため、冷却工程を設ける必要がないのでプロセス時間の短縮、ひいては生産効率の向上を図ることができる。  
また、ラジカルを用いて硫酸イオンを除去するので、被処理物１００の表面に損傷が発生するのを抑制することができる。
【００３６】
[第２の実施形態]  
第２の実施形態に係るプラズマ処理方法により、プラズマ処理を施す被処理物１００は、硫酸を含む処理液を用いた処理が施されたものである。例えば、被処理物１００は、硫酸と過酸化水素水とを含む処理液を用いるＳＰＭ処理が施されたものである。  
そのため、第２の実施形態に係るプラズマ処理方法により、プラズマ処理を施す被処理物１００の表面には硫酸イオンがある。
【００３７】
図３は、第２の実施形態に係るプラズマ処理方法を例示するためのフローチャートである。  
図３に示すように、第２の実施形態に係るプラズマ処理方法は、以下の工程を有している。  
プラズマＰを発生させる領域に電磁エネルギーを供給してプラズマＰを発生させ、プラズマＰに向けて供給された酸素原子および水素原子の少なくともいずれかを含むプロセスガスＧを励起させて少なくともラジカルを生成する工程（ステップＳ１）。  
生成されたラジカルを用いて、被処理物１００の表面にある硫酸イオンを除去する工程（ステップＳ２）。
【００３８】
そして、プロセスガスＧは、酸素ガス、酸素ガスを含む混合ガス、水素ガス、および水素ガスを含む混合ガスの少なくとも１種を含むものとすることができる。この場合、酸素ガスを含む混合ガスは、例えば、酸素ガスと窒素ガスなどとの混合ガスとすることができる。水素ガスを含む混合ガスは、例えば、水素ガスと窒素ガスなどとの混合ガスとすることができる。
【００３９】
また、生成されるラジカルは、酸素ラジカルおよび水素ラジカルの少なくともいずれかである。  
また、プラズマＰを発生させる領域の圧力は、大気圧よりも低くすることもできるし、大気圧とすることもできる。  
すなわち、プラズマＰを発生させる領域の圧力は、大気圧以下とすることができる。
【００４０】
次に、第２の実施形態に係るプラズマ処理方法の内容についてさらに例示をする。
まず、プラズマ処理を施す環境中に被処理物１００を載置する。  
次に、被処理物１００が載置された環境においてプラズマＰを発生させる。  
例えば、大気圧環境下あるいは減圧環境下において、プロセスガスＧを供給するとともにプラズマＰを発生させる。  
プラズマＰの発生方法は、例えば、マイクロ波を導入することでプラズマＰを発生させるものであってもよいし、電極間に高周波（RF；Radio Frequency)の電圧を印加してプラズマＰを発生させるものであってもよい。  
すなわち、プラズマＰを発生させる電磁エネルギーとして、マイクロ波を用いることもできるし、高周波を用いることもできる。
【００４１】
発生したプラズマＰにより、励起された原子や分子、遊離原子などのラジカルが生成される。この場合、プロセスガスＧは、酸素原子および水素原子の少なくともいずれかを含んでいるので、酸素ラジカルおよび水素ラジカルの少なくともいずれかが生成される。
【００４２】
次に、生成した前述のラジカルを被処理物１００の表面に供給する。  
ラジカルの供給は、重力によるものであってもよいし、残余のプロセスガスＧの流れによるものであってもよい。
【００４３】
供給された酸素ラジカルおよび水素ラジカルの少なくともいずれかにより、被処理物１００の表面にある硫酸イオンを除去する。  
この際、被処理物１００の温度制御を行うこともできる。  
例えば、被処理物１００の温度が、プラズマＰの輻射熱により高くなりすぎる場合には被処理物１００の温度を低下させることができる。また、硫酸イオンとラジカルとの反応が促進されるように被処理物１００の温度を制御することもできる。  
なお、被処理物１００の温度は、例えば、１００℃程度とすることができるが、硫酸イオンとラジカルとの反応が阻害されない範囲で適宜変更することができる。
【００４４】
本実施の形態に係るプラズマ処理方法によれば、被処理物１００の表面にある硫酸イオンを効果的に除去することができる。  
この際、被処理物１００の温度が高温となるように加熱することなく硫酸イオンを除去することができる。  
そのため、冷却工程を設ける必要がないのでプロセス時間の短縮、ひいては生産効率の向上を図ることができる。  
また、ラジカルを用いて硫酸イオンを除去するので、被処理物１００の表面に損傷が発生するのを抑制することができる。
【００４５】
以上、実施の形態について例示をした。しかし、本発明はこれらの記述に限定されるものではない。  
前述の実施の形態に関して、当業者が適宜、構成要素の追加、削除若しくは設計変更を行ったもの、または、工程の追加、省略若しくは条件変更を行ったものも、本発明の特徴を備えている限り、本発明の範囲に包含される。  
例えば、プラズマ処理装置１が備える各要素の形状、寸法、材料、配置、数などは、例示をしたものに限定されるわけではなく適宜変更することができる。  
また、前述した各実施の形態が備える各要素は、可能な限りにおいて組み合わせることができ、これらを組み合わせたものも本発明の特徴を含む限り本発明の範囲に包含される。
【符号の説明】
【００４６】
１  プラズマ処理装置、２  プラズマ発生部、２ａ  透過窓、２ｂ  導入導波管、３  処理容器、３ａ  載置部、３ｂ  温度制御部、４  マイクロ波発生部、５  ガス供給部、６  減圧部、７  制御部、１００  被処理物、Ｇ  プロセスガス、Ｍ  マイクロ波、Ｐ  プラズマ
【図１】
2015070040.tif 000003
【図２】
2015070040.tif 000004
【図３】
2015070040.tif 000005