(57)【要約】【課題】スライダを大きく移動させて、磁気ヘッドの位置を大きく調整することのできるヘッド・ジンバル・アセンブリを提供すること。【解決手段】ヘッド・ジンバル・アセンブリ１は、回路付サスペンション基板２と、回路付サスペンション基板２に、伸縮可能に搭載される１対のピエゾ素子２３と、回路付サスペンション基板２に搭載され、１対のピエゾ素子２３の伸縮によって揺動可能に構成され、磁気ヘッド２７を実装するスライダ２６とを備え、右ピエゾ素子２３Ａの伸縮方向に沿う第１仮想線Ｌ１と、左ピエゾ素子２３Ｂの伸縮方向に沿う第２仮想線Ｌ２とが、交差するように、１対のピエゾ素子２３が回路付サスペンション基板２に配置されている。【選択図】図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
回路付サスペンション基板と、
前記回路付サスペンション基板に、伸縮可能に搭載される１対の圧電素子と、
前記回路付サスペンション基板に搭載され、前記１対の圧電素子の伸縮によって揺動可能に構成され、磁気ヘッドを実装するスライダとを備え、
一方の前記圧電素子の伸縮方向に沿う第１仮想線と、他方の前記圧電素子の伸縮方向に沿う第２仮想線とが交差するように、前記１対の圧電素子が前記回路付サスペンション基板に配置されていることを特徴とする、ヘッド・ジンバル・アセンブリ。
【請求項２】
前記スライダは、前記第１仮想線および前記第２仮想線の交点から一方の前記圧電素子までの第１線分と、前記交点から他方の前記圧電素子までの第２線分との成す角の二等分線上に配置されていることを特徴とする、請求項１に記載のヘッド・ジンバル・アセンブリ。
【請求項３】
前記第１線分と前記第２線分との成す角度が、９０度以下であることを特徴とする、請求項２に記載のヘッド・ジンバル・アセンブリ。
【請求項４】
前記第１仮想線と前記第２仮想線とは、前記１対の圧電素子から前記スライダに向かうに従って、互いに近接するように、傾斜することを特徴とする、請求項２または３に記載のヘッド・ジンバル・アッセンブリ。
【請求項５】
前記１対の圧電素子は、前記第１線分と前記第２線分との成す角の二等分線に対して線対称に配置されていることを特徴とする、請求項２〜４のいずれか一項に記載のヘッド・ジンバル・アセンブリ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ヘッド・ジンバル・アセンブリ、詳しくは、詳しくは、ハードディスクドライブに用いられるヘッド・ジンバル・アセンブリに関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、回路付サスペンション基板に、種々の電子素子、具体的には、例えば、磁気ヘッドが実装されたスライダおよびピエゾ素子（圧電素子）を搭載したヘッド・ジンバル・アセンブリが知られている。このようなヘッド・ジンバル・アセンブリでは、ピエゾ素子の伸縮によって、スライダの位置を調整して、磁気ヘッドによる書込および読込の精度を向上させている。
【０００３】
例えば、回路付サスペンション基板のジンバル部に、スライダおよび１対のピエゾ素子を実装したヘッド・ジンバル・アセンブリが提案されている（例えば、特許文献１参照。）。特許文献１に記載のヘッド・ジンバル・アセンブリでは、１対のピエゾ素子のそれぞれが、回路付サスペンション基板の長手方向に沿って平行に配置されている。詳しくは、１対のピエゾ素子のそれぞれは、長手方向に間隔を隔てて配置される基部、および、スライダが搭載されるステージを架設するように配置されており、一方のピエゾ素子を収縮させる一方、他方のピエゾ素子を伸長させることによって、ステージおよびスライダを幅方向に揺動させている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２０１３−０６２０１２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
近年、ピエゾ素子の伸縮に基づいて、スライダを幅方向により大きく移動させて、磁気ヘッドの位置を大きく調整したい要求がある。しかし、特許文献１に記載のヘッド・ジンバル・アセンブリでは、１対のピエゾ素子が平行に配置されているので、上記要求を満足させることができないという不具合がある。
【０００６】
本発明の目的は、スライダを大きく移動させて、磁気ヘッドの位置を大きく調整することのできるヘッド・ジンバル・アセンブリを提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上記目的を達成するために、本発明のヘッド・ジンバル・アセンブリは、回路付サスペンション基板と、前記回路付サスペンション基板に、伸縮可能に搭載される１対の圧電素子と、前記回路付サスペンション基板に搭載され、前記１対の圧電素子の伸縮によって揺動可能に構成され、磁気ヘッドを実装するスライダとを備え、一方の前記圧電素子の伸縮方向に沿う第１仮想線と、他方の前記圧電素子の伸縮方向に沿う第２仮想線とが交差するように、前記１対の圧電素子が前記回路付サスペンション基板に配置されていることを特徴としている。
【０００８】
このヘッド・ジンバル・アセンブリでは、一方の圧電素子の伸縮方向に沿う第１仮想線と、他方の圧電素子の伸縮方向に沿う第２仮想線とが交差するように、１対の圧電素子が回路付サスペンション基板に配置されているので、一方の圧電素子を伸長させ、他方の圧電素子を収縮させれば、スライダを第１仮想線および第２仮想線に対する交差方向に、大きく揺動させることができる。
【０００９】
そのため、磁気ヘッドの交差方向における位置を大きく調整することができる。
【００１０】
また、本発明のヘッド・ジンバル・アセンブリでは、前記スライダは、前記第１仮想線および前記第２仮想線の交点から一方の前記圧電素子までの第１線分と、前記交点から他方の前記圧電素子までの第２線分との成す角の二等分線上に配置されていることが好適である。
【００１１】
このヘッド・ジンバル・アセンブリによれば、スライダは、第１仮想線および第２仮想線の交点から一方の圧電素子までの第１線分と、交点から他方の圧電素子までの第２線分との成す角の二等分線上に配置されているので、スライダを交点に対する第１線分側および第２線分側の両側にバランスよく揺動させることができる。
【００１２】
また、本発明のヘッド・ジンバル・アセンブリでは、前記第１線分と前記第２線分との成す角度が、９０度以下であることが好適である。
【００１３】
このヘッド・ジンバル・アセンブリによれば、第１線分と第２線分との成す角度が特定値以下であるので、回路付サスペンション基板のデザイン上の制約を受けにくくしながら、スライダを揺動させることができる。
【００１４】
また、本発明のヘッド・ジンバル・アセンブリでは、前記第１仮想線と前記第２仮想線とは、前記１対の圧電素子から前記スライダに向かうに従って、互いに近接することが好適である。
【００１５】
このヘッド・ジンバル・アセンブリによれば、第１仮想線と第２仮想線とは、１対の圧電素子からスライダに向かうに従って、互いに近接するので、第１仮想線と第２仮想線とが互いに離間する場合に比べて、１対の圧電素子のスライダ側端部の間の長さを短くすることができる。そのため、１対の圧電素子のうち、一方を伸長させ、他方を収縮させたときに、スライダをより大きく揺動させることができる。
【００１６】
また、本発明のヘッド・ジンバル・アセンブリでは、前記１対の圧電素子は、前記第１線分と前記第２線分との成す角の二等分線に対して線対称に配置されていることが好適である。
【００１７】
このヘッド・ジンバル・アセンブリによれば、１対の圧電素子は、第１線分と第２線分との成す角の二等分線に対して線対称に配置されているので、１対の圧電素子のうち、一方を伸長させ、他方を収縮させれば、スライダを交点に対する第１線分側および第２線分側の両側にバランスよく揺動させることができる。
【発明の効果】
【００１８】
本発明のヘッド・ジンバル・アセンブリによれば、磁気ヘッドの交差方向における位置を大きく調整することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１９】
【図１】図１は、本発明のヘッド・ジンバル・アセンブリの第１実施形態の平面図を示す。
【図２】図２は、図１に示すヘッド・ジンバル・アセンブリのジンバル部の拡大平面図を示す。
【図３】図３は、図２に示すジンバル部のＡ−Ａ線に沿う断面図を示す。
【図４】図４は、図２に示すジンバル部のステージを揺動させた状態の拡大平面図を示す。
【図５】図５は、本発明のヘッド・ジンバル・アセンブリの第２実施形態（第２仮想線が先後方向に対して平行である態様）のジンバル部の平面図を示す。
【図６】図６は、本発明のヘッド・ジンバル・アセンブリの第３実施形態（第１仮想線と第２仮想線とが、１対のピエゾ素子からスライダに向かうに従って互いに離間する態様）の平面図を示す。
【図７】図７は、第１実施形態および第３実施形態のステージの揺動を示す平面図であり、図７Ａは、第１実施形態のステージの揺動を示す平面図、図７Ｂは、第３実施形態のステージの揺動を示す平面図を示す。
【発明を実施するための形態】
【００２０】
［第１実施形態の構成］
本発明のヘッド・ジンバル・アセンブリの第１実施形態を、図１〜図４を参照して説明する。なお、図１において、紙面左側を先側（第１方向一方側）、紙面右側を後側（第１方向他方側）、紙面上側を左側（第１方向に直交する第２方向一方側、幅方向（交差方向の一例）一方側）、紙面下側を右側（第２方向他方側、幅方向他方側）、紙面紙厚方向手前側を上側（第１方向および第２方向に直交する第３方向一方側）、紙面紙厚方向奥側を下側（第３方向他方側）とする。図２以降の各図の方向は、図１の方向を基準とする。
【００２１】
なお、図１、図２および図４において、後述するベース絶縁層７およびカバー絶縁層８は、後述する金属支持基板５、導体層６およびスライダ２６の相対配置を明瞭に示すため、省略している。  図１および図２において、このヘッド・ジンバル・アセンブリ１は、回路付サスペンション基板２と、回路付サスペンション基板２に、伸縮可能に搭載される１対の圧電素子としての１対のピエゾ素子２３と、回路付サスペンション基板２に搭載されるスライダ２６とを備える。このヘッド・ジンバル・アセンブリ１は、ハードディスクドライブ（図示せず）に搭載される。
【００２２】
回路付サスペンション基板２では、金属支持基板５に導体層６が支持されている。
【００２３】
金属支持基板５は、先後方向（長手方向）に延びる平面視略矩形平帯状に形成されており、本体部３と、本体部３の先側に形成されるジンバル部４とを一体的に備えている。
【００２４】
本体部３は、平面視略矩形状に形成されている。
【００２５】
ジンバル部４は、本体部３の先端から先側に延びるように形成されている。また、ジンバル部４には、厚み方向を貫通する平面視略矩形状の基板開口部１１が形成されている。ジンバル部４は、基板開口部１１の幅方向（先後方向に直交する方向）外側に仕切られるアウトリガー部１４と、アウトリガー部１４に連結されるタング部１２とを備えている。
【００２６】
アウトリガー部１４は、本体部３の幅方向両端部から先側に向かって直線状に延びるように形成されている。
【００２７】
タング部１２は、図２に示すように、アウトリガー部１４の幅方向内側に設けられ、アウトリガー部１４の先端部から幅方向内側斜め後方に向かって延びる第１連結部１３を介して、アウトリガー部１４に連結されている。タング部１２は、平面視略Ｈ字状に形成されており、幅方向に長く延びる平面視略矩形状の基部１５と、基部１５の先側に間隔を隔てて配置され、幅方向に長く延びる平面視略矩形状のステージ１７と、基部１５およびステージ１７の幅方向中央を接続し、先後方向に長い平面視略矩形状の中央部１６とを一体的に備えている。
【００２８】
ステージ１７は、スライダ２６を実装するために設けられており、可撓性の第２連結部２０によって、アウトリガー部１４に接続されている。第２連結部２０は、各アウトリガー部１４の先端と、ステージ１７の幅方向両端を湾曲状に連結する湾曲部２１と、各アウトリガー部１４の先端と、ステージ１７の先端とを連結するＥ字部２２とを備えている。
【００２９】
湾曲部２１は、アウトリガー部１４の先端から幅方向内側斜め先側に向かって湾曲状に延び、ステージ１７の幅方向両端に至っている。
【００３０】
Ｅ字部２２は、平面視略Ｅ字状をなし、具体的には、両アウトリガー部１４の先端から先側に向かって延び、その後、幅方向内側に屈曲し、幅方向内側に延びて合一となった後、後側に屈曲して、ステージ１７の先端に至っている。
【００３１】
中央部１６は、幅方向に湾曲可能な幅狭に形成されている。
【００３２】
導体層６は、図１に示すように、外部側端子１０と、ヘッド側端子１８と、ピエゾ先側端子２４と、ピエゾ後側端子２５と、配線９とを備えている。
【００３３】
外部側端子１０は、本体部３の後端部に設けられ、先後方向に互いに間隔を隔てて複数（８個）配置されている。
【００３４】
ヘッド側端子１８は、図２に示すように、ステージ１７の先端部に設けられ、幅方向に互いに間隔を隔てて複数（４個）配置されている。
【００３５】
ピエゾ先側端子２４は、ステージ１７の幅方向外側部の後端縁から後方に向かって突出するように形成され、中央部１６の幅方向両外側に互いに間隔を隔てて複数（２個）配置されている。詳しくは、ピエゾ先側端子２４は、ステージ１７の後端部の配線９（後述）が、ステージ１７の後端縁から後側斜め幅方向外側に向かって傾斜して突出し、かつ、幅方向に膨出するように形成されている。また、ピエゾ先側端子２４は、長手方向に延びる平面視略矩形状をなし、その長手方向が幅方向内側に向かうに従って後側に傾斜するように形成されている。なお、後述するが、図３が参照されるように、ピエゾ先側端子２４を形成する導体層６の周端部には、ステージ１７の後端部の配線９の下に形成されるベース絶縁層７が連続して平面視枠状に形成されており、導体層６がかかるベース絶縁層７の枠内に落ち込んでいる。
【００３６】
ピエゾ後側端子２５は、図２に示すように、ピエゾ先側端子２４に対応して形成されており、具体的には、中央部１６の幅方向両外側に互いに間隔を隔てて複数（２個）配置されている。ピエゾ後側端子２５は、基部１５の幅方向外側部の先端縁から先方に向かって突出するように形成され、幅方向に互いに間隔を隔てて複数（２個）配置されている。複数のピエゾ後側端子２５のそれぞれは、複数のピエゾ先側端子２４のそれぞれの後側斜め幅方向外方に間隔を隔てて設けられている。具体的には、右側のピエゾ後側端子２５は、右側のピエゾ先側端子２４の後側斜め右方に間隔を隔てて設けられている。一方、左側のピエゾ後側端子２５は、左側のピエゾ先側端子２４の後側斜め左方に間隔を隔てて設けられている。つまり、先後方向に複数のピエゾ後側端子２５および複数のピエゾ先側端子２４を投影したときに、複数のピエゾ後側端子２５の少なくとも幅方向外端部のそれぞれは、複数のピエゾ先側端子２４のそれぞれの外側に配置される。詳しくは、ピエゾ先側端子２４およびピエゾ後側端子２５を先後に投影したときに、右側のピエゾ後側端子２５の右端部は、右側のピエゾ先側端子２４のさらに右側に配置される。一方、左側のピエゾ後側端子２５の左端部は、左側のピエゾ先側端子２４のさらに左側に配置される。ピエゾ後側端子２５は、導体層６が、基部１５の先端縁から先側斜め幅方向内側に向かって傾斜して突出し、かつ、幅方向に膨出するように形成されている。ピエゾ後側端子２５は、長手方向に延びる平面視略矩形状をなし、その長手方向が幅方向内側に向かうに従って後側に傾斜するように形成されている。なお、後述するが、図３が参照されるように、ピエゾ後側端子２５を形成する導体層６の周端部には、ベース絶縁層７が平面視枠状に形成されており、導体層６がかかるベース絶縁層７の枠内に落ち込んでいる。
【００３７】
配線９は、図１に示すように、外部側端子１０と、ヘッド側端子１８、ピエゾ先側端子２４およびピエゾ後側端子２５とに連続し、それらを電気的に接続している。配線９は、本体部３において、幅方向に互いに間隔を隔てて複数（１０個）形成されている。具体的には、配線９は、本体部３の後端部において、外部側端子１０から先側に向かって延び、本体部３の幅方向中央において、幅方向両側に向かって２束に分岐状に屈曲した後、幅方向両端部において先側に屈曲し、本体部３の先端部に向けて、幅方向外端縁に沿って延びるように配置されている。また、配線９は、図２に示すように、ジンバル部４において、基板開口部１１を通過しながら、基部１５の先後方向途中に集束状に至るように、配置されている。また、配線９は、基部１５において、３つ、具体的には、幅方向両側および先側に分岐しており、それらのうち、先側に向かう束状の複数（８個）の配線９は、中央部１６に沿って先側に延び、その後、ステージ１７の後端部において、幅方向両側に向かって２束に分岐状に屈曲した後、ステージ１７の周端縁に沿って延び、その後、折り返されて、ヘッド側端子１８およびピエゾ先側端子２４に至るように形成されている。一方、基部１５において、両外側にそれぞれ分岐した１個の配線９は、基部１５の幅方向外端部において、先側に屈曲し、ピエゾ後側端子２５に至るように、形成されている。
【００３８】
図３に示すように、回路付サスペンション基板２は、金属支持基板５、金属支持基板５の上に形成されるベース絶縁層７、ベース絶縁層７の上に形成される導体層６、および、ベース絶縁層７の上に、導体層６を被覆するように形成されるカバー絶縁層８を備えている。
【００３９】
金属支持基板５は、図１に示すように、回路付サスペンション基板２の外形形状に対応する形状に形成されている。金属支持基板５は、例えば、ステンレス、４２アロイ、アルミニウム、銅−ベリリウム、りん青銅などの金属材料から形成されている。好ましくは、ステンレスから形成されている。金属支持基板５の厚みは、例えば、１０μｍ以上、好ましくは、１５μｍ以上であり、また、例えば、５０μｍ以下、好ましくは、３５μｍ以下である。基部１５の幅（左右方向長さ）Ｌ６は、例えば、４００μｍ以上、好ましくは、５００μｍ以上であり、また、例えば、５０００μｍ以下、好ましくは、４０００μｍ以下である。ステージ１７の幅Ｌ８は、例えば、５００μｍ以上、好ましくは、６００μｍ以上であり、また、例えば、２０００μｍ以下、好ましくは、１５００μｍ以下である。
【００４０】
ベース絶縁層７は、図１および図２が参照されるように、本体部３およびジンバル部４にわたって形成されており、図３に示すように、導体層６が形成される部分に対応して形成されている。具体的には、ベース絶縁層７は、本体部３において、金属支持基板５の上に形成される一方、ジンバル部４の基板開口部１１内と、中央部１６の上とにも、配線９に沿って形成されている。さらに、ベース絶縁層７は、ステージ１７の金属支持基板５から後方に突出し、ピエゾ先側端子２４の周端部に、平面視略矩形枠形状に形成されている。また、ベース絶縁層７は、基部１５の金属支持基板５から先方に突出し、ピエゾ後側端子２５の周端部に、平面視略矩形枠形状に形成されている。また、ベース絶縁層７は、図２に示すように、第２連結部２０を形成する。ベース絶縁層７は、例えば、ポリイミド樹脂、ポリアミドイミド樹脂、アクリル樹脂、ポリエーテルニトリル樹脂、ポリエーテルスルホン樹脂、ポリエチレンテレフタレート樹脂、ポリエチレンナフタレート樹脂、ポリ塩化ビニル樹脂などの合成樹脂などの絶縁材料から形成されている。好ましくは、ポリイミド樹脂から形成されている。ベース絶縁層７の厚みは、例えば、１μｍ以上、好ましくは、３μｍ以上であり、また、例えば、３５μｍ以下、好ましくは、１５μｍ以下である。
【００４１】
導体層６は、上記したように、外部側端子１０（図１）、ヘッド側端子１８、ピエゾ先側端子２４、ピエゾ後側端子２５および配線９を備える導体パターンとして形成されている。ピエゾ先側端子２４およびピエゾ後側端子２５は、図３が参照されるように、平面視略枠状に形成されるベース絶縁層７の内側に落ち込むように形成され、それにより、ピエゾ先側端子２４およびピエゾ後側端子２５の下面がベース絶縁層７から下方に露出している。また、ピエゾ先側端子２４およびピエゾ後側端子２５のそれぞれの下面は、その周端部に形成されるベース絶縁層７の下面と、幅方向および先後方向において面一に形成されている。
【００４２】
導体層６は、例えば、銅、ニッケル、金、はんだまたはこれらの合金などの導体材料から形成されている。導体層６の厚みは、例えば、５μｍ以上、好ましくは、８μｍ以上であり、また、例えば、１００μｍ以下、好ましくは、８０μｍ以下である。配線９の幅は、例えば、５μｍ以上、好ましくは、８μｍ以上であり、また、例えば、２００μｍ以下、好ましくは、１００μｍ以下である。また、外部側端子１０、ヘッド側端子１８、ピエゾ先側端子２４およびピエゾ後側端子２５の幅および長さ（先後方向長さ）は、例えば、２０μｍ以上、好ましくは、３０μｍ以上であり、また、例えば、１０００μｍ以下、好ましくは、８００μｍ以下である。２つのピエゾ後側端子２５の幅方向の間隔Ｌ７は、例えば、１００μｍ以上、好ましくは、２００μｍ以上であり、また、例えば、３０００μｍ以下、好ましくは、２５００μｍ以下である。２つのピエゾ先側端子２４の左右方向の間隔Ｌ９は、２つのピエゾ後側端子２５の幅方向の間隔Ｌ７に比べて小さく、Ｌ７に対して、例えば、１００％未満であり、また、例えば、１０％以上であり、具体的には、例えば、１００μｍ以上、好ましくは、２００μｍ以上であり、また、例えば、３０００μｍ以下、好ましくは、２５００μｍ以下である。
【００４３】
カバー絶縁層８は、図１が参照されるように、本体部３およびジンバル部４にわたって形成され、図３に示すように、平面視において導体層６を含むパターンに形成されている。具体的には、カバー絶縁層８は、配線９、ピエゾ先側端子２４およびピエゾ後側端子２５の上面を被覆し、外部側端子１０（図１参照）およびヘッド側端子１８の上面を露出するパターンに形成されている。カバー絶縁層８は、ベース絶縁層７を形成する絶縁材料と同様の絶縁材料から形成されている。カバー絶縁層８の厚みは、例えば、１μｍ以上、好ましくは、２μｍ以上であり、また、例えば、４０μｍ以下、好ましくは、２０μｍ以下である。
【００４４】
この回路付サスペンション基板２は、金属支持基板５を用意し、次いで、ベース絶縁層７、導体層６およびカバー絶縁層８を順次設け、その後、基板開口部１１を金属支持基板５に形成する公知の方法によって、製造される。
【００４５】
図２に示すように、ピエゾ素子２３は、ピエゾ先側端子２４およびピエゾ後側端子２５を介して電気が供給され、その電圧が制御されることによって、伸縮できるように、例えば、鉛、亜鉛、チタン、ジルコニウム、または、それらの合金（チタン酸ジルコン酸鉛（Ｐｂ（Ｚｒ，Ｔｉ）Ｏ３などの複合酸化物）などから形成されている。
【００４６】
また、１対のピエゾ素子２３のそれぞれは、長手方向に延びる平面視略矩形板状をなし、その長手方向が先側に向かうに従って幅方向内側に傾斜するように、配置されている。
【００４７】
１つのピエゾ素子２３のそれぞれは、中央部１６の幅方向両側にそれぞれ設けられている。具体的には、１対のピエゾ素子２３は、中央部１６の右側に設けられる一方のピエゾ素子としての右ピエゾ素子２３Ａ、および、中央部１６の左側に設けられる他方のピエゾ素子としての左ピエゾ素子２３Ｂからなる。右ピエゾ素子２３Ａは、中央部１６の右側に設けられる、ピエゾ先側端子２４およびピエゾ後側端子２５を架設するように実装される。左ピエゾ素子２３Ｂは、中央部１６の左側に設けられる、ピエゾ先側端子２４およびピエゾ後側端子２５を架設するように実装される。詳しくは、１対のピエゾ素子２３のそれぞれの先端部および後端部は、ピエゾ先側端子２４およびピエゾ後側端子２５に電気的に接続されるとともに、それらにそれぞれ固定される。これによって、１対のピエゾ素子２３は、ピエゾ先側端子２４およびピエゾ後側端子２５を架設して、後側に向かって開く略ハ字形状をなすように配置されている。
【００４８】
さらに、１対のピエゾ素子２３のそれぞれは、伸縮方向に沿う第１仮想線Ｌ１および第２仮想線Ｌ２のそれぞれが、先後方向に対して傾斜するように設けられている。つまり、第１仮想線Ｌ１および第２仮想線Ｌ２のそれぞれは、厚み方向に投影したときに、幅方向に対して交差する。詳しくは、厚み方向に投影したときに、第１仮想線Ｌ１と第２仮想線Ｌ２とが交差するように、１対のピエゾ素子２３が回路付サスペンション基板２に配置されている。すなわち、第１仮想線Ｌ１は、先側に向かうに従って左側に傾斜する一方、第２仮想線Ｌ２は、先側に向かうに従って右側に傾斜する。第１仮想線Ｌ１と第２仮想線Ｌ２とは、１対のピエゾ素子２３からスライダ２６に向かうに従って互いに近接するように、具体的には、第１仮想線Ｌ１および第２仮想線Ｌ２の交点Ｘから後側に向かうに従って互いに離間するように、傾斜する。つまり、第１仮想線Ｌ１と第２仮想線Ｌ２とは、第１仮想線Ｌ１および第２仮想線Ｌ２において、第１仮想線Ｌ１および第２仮想線Ｌ２の交点Ｘから右ピエゾ素子２３Ａまでの第１線分Ｓ１と、交点Ｘから左ピエゾ素子２３Ｂまでの第２線分Ｓ２とが後側に向かって開く略Ｖ字形状を形成するように、傾斜する。
【００４９】
第１線分Ｓ１と第２線分Ｓ２との成す角α’の二等分線ＢＳに対して線対称となるように、１対のピエゾ素子２３が配置されている。
【００５０】
また、上記した二等分線ＢＳ上には、中央部１６およびステージ１７の中央部が配置されている。
【００５１】
また、第１仮想線Ｌ１と第２仮想線Ｌ２との成す角度αは、例えば、０度を超え、５度以上であり、また、例えば、１２０度以下、好ましくは、９０度（鋭角）以下、より好ましくは、６０度以下、さらに好ましくは、４５度以下、さらにまた好ましくは、３０度以下である。上記した角度αは、右ピエゾ素子２３Ａまでの第１線分Ｓ１と、交点Ｘから左ピエゾ素子２３Ｂまでの第２線分Ｓ２との成す角度として定義される。角度αが上記上限以下であれば、回路付サスペンション基板２がデザイン上の制約を受けにくくすることができる。一方、角度αが上記下限以上であれば、スライダ２６を幅方向に十分大きく揺動させることができる。
【００５２】
なお、先後方向（長手方向）に沿い、中央部１６を通過する基準線Ｌ３と、第１仮想線Ｌ１との成す角β１は、上記した角度αの半分（つまり、β１＝α／２）である。また、基準線Ｌ３と、第２仮想線Ｌ２との成す角β２は、上記した角度αの半分（つまり、β２＝α／２）である。
【００５３】
１対のピエゾ素子２３のそれぞれの長さＬ１０は、例えば、３００μｍ以上、好ましくは、４００μｍ以上であり、また、例えば、４０００μｍ以下、好ましくは、３０００μｍ以下である。また、ピエゾ素子２３の厚みは、例えば、１０μｍ以上、好ましくは、３０μｍ以上であり、また、例えば、１００μｍ以下、好ましくは、８０μｍ以下である。ピエゾ素子２３の幅は、例えば、１００μｍ以上、好ましくは、２００μｍ以上であり、また、例えば、８００μｍ以下、好ましくは、５００μｍ以下である。
【００５４】
スライダ２６は、図２に示すように、ステージ１７より小さく、長手方向が幅方向に沿う平面視略矩形状をなし、ステージ１７の幅方向中央および先後方向中央に実装されている。図２の破線および図３に示すように、スライダ２６は、その中央部が、ステージ１７の中央部に、公知の接着剤からなる接着剤層３７を介して接着される。また、スライダ２６は、二等分線ＢＳ上に配置されるとともに、第１線分Ｓ１および第２線分Ｓ２上にも配置されている。詳しくは、スライダ２６は、その幅方向中央に二等分線ＢＳが通過するように配置されている。接着剤層３７の厚みは、例えば、ベース絶縁層７、導体層６およびカバー絶縁層８の総厚み以上である。また、スライダ２６の先端面には、磁気ヘッド２７が実装されている。
【００５５】
磁気ヘッド２７は、スライダ２６の先端面の全面に実装されており、上下方向に延びる略箱形状に形成されている。磁気ヘッド２７は、複数のヘッド側端子１８に沿って形成されており、具体的には、図３に示すように、ヘッド側端子１８の後側に微小間隔を隔てて形成される。これにより、磁気ヘッド２７は、ヘッド側端子１８とはんだボール１９などによって電気的に接続される。
【００５６】
［スライダの揺動］
次に、ピエゾ素子２３の伸縮によるスライダ２６の揺動について、図４を参照して説明する。
【００５７】
まず、右ピエゾ素子２３Ａに電気がピエゾ先側端子２４およびピエゾ後側端子２５を介して供給され、電気の電圧が制御されることによって、右ピエゾ素子２３Ａが伸長する。すると、右側のピエゾ先側端子２４およびピエゾ後側端子２５が相対的に離間する。つまり、右側のピエゾ先側端子２４が、先側斜め左側に移動する。
【００５８】
これと同時に、左ピエゾ素子２３Ｂに電気がピエゾ先側端子２４およびピエゾ後側端子２５を介して供給され、電気の電圧が制御されることによって、左ピエゾ素子２３Ｂが収縮する。すると、左側のピエゾ先側端子２４およびピエゾ後側端子２５が相対的に近接する。つまり、左側のピエゾ先側端子２４が、後側斜め左側に移動する。
【００５９】
つまり、左側のピエゾ先側端子２４が、先側斜め左側に移動するとともに、右側のピエゾ先側端子２４が、後側斜め左側に移動することによって、ステージ１７が左側に揺動する。
【００６０】
なお、上記したステージ１７の揺動とともに、中央部１６の先端および先後方向途中は、左側に湾曲する。
【００６１】
他方、右ピエゾ素子２３Ａが収縮し、左ピエゾ素子２３Ｂが伸長すれば、スライダ２６は、右側に揺動する。
【００６２】
［第１実施形態の作用効果］
そして、このヘッド・ジンバル・アセンブリ１では、右ピエゾ素子２３Ａの伸縮方向に沿う第１仮想線Ｌ１と、左ピエゾ素子２３Ｂの伸縮方向に沿う第２仮想線Ｌ２とが交差するように、１対のピエゾ素子２３が回路付サスペンション基板２に配置されているので、右ピエゾ素子２３Ａを伸長または収縮させ、左ピエゾ素子２３Ｂを収縮または伸長させれば、スライダ２６を第１仮想線Ｌ１および第２仮想線Ｌ２に対する交差方向、つまり、幅方向に、大きく揺動させることができる。
【００６３】
そのため、磁気ヘッド２７の幅方向における位置を大きく調整することができる。
【００６４】
このヘッド・ジンバル・アセンブリ１によれば、スライダ２６は、第１線分Ｓ１と、第２線分Ｓ２との成す角α’の二等分線ＢＳ上に配置されているので、スライダ２６を交点Ｘに対する第１線分Ｓ１側および第２線分Ｓ２側の両側、つまり、右側および左側の両側にバランスよく揺動させることができる。
【００６５】
また、このヘッド・ジンバル・アセンブリ１によれば、第１線分Ｓ１と、第２線分Ｓ２との成す角度αが特定値以下であれば、回路付サスペンション基板２のデザイン上の制約を受けにくくしながら、スライダ２６を揺動させることができる。
【００６６】
このヘッド・ジンバル・アセンブリ１によれば、１対のピエゾ素子２３が、第１線分Ｓ１と第２線分Ｓ２との成す角α’の二等分線ＢＳに対して線対称に配置されているので、１対のピエゾ素子２３のうち、右ピエゾ素子２３Ａを伸長させ、左ピエゾ素子２３Ｂを収縮させるか、あるいは、右ピエゾ素子２３Ａを収縮させ、左ピエゾ素子２３Ｂを伸長させれば、スライダ２６を第１線分Ｓ１側および第２線分Ｓ２側の両側、つまり、右側および左側の両側にバランスよく揺動させることができる。
【００６７】
［第２実施形態］
第２実施形態の図５において、第１実施形態と同様の部材および工程については、同一の参照符号を付し、その詳細な説明を省略する。
【００６８】
第１実施形態では、図２に示すように、第１仮想線Ｌ１および第２仮想線Ｌ２の両方を、先後方向に対して傾斜させるように、１対のピエゾ素子２３をヘッド・ジンバル・アセンブリ１に設けている。しかし、例えば、図５に示すように、一方のみ、例えば、右ピエゾ素子２３Ａを、その通過線が先側に向かうに従って幅方向内側（左側）に傾斜するように配置し、これによって、第１仮想線Ｌ１のみを先後方向に対して傾斜させることもできる。他方、左ピエゾ素子２３Ｂを、通過線が先後方向に沿うように配置し、これによって、第２仮想線Ｌ２を基準線Ｌ３に対して平行となる（具体的には、第２仮想線Ｌ２が、基準線Ｌ３に対して交わらない）ように、左ピエゾ素子２３Ｂを配置することもできる。
【００６９】
この第２実施形態は、第１実施形態と同様の作用効果を奏することができる。
【００７０】
［第３実施形態］
第３実施形態の図６および図７において、第１実施形態と同様の部材および工程については、同一の参照符号を付し、その詳細な説明を省略する。
【００７１】
第１実施形態では、図２に示すように、第１仮想線Ｌ１と第２仮想線Ｌ２とは、１対のピエゾ素子２３からスライダ２６に向かうに従って互いに近接するように、傾斜しているが、例えば、図６に示すように、第１仮想線Ｌ１と第２仮想線Ｌ２とを、１対のピエゾ素子２３からスライダ２６に向かうに従って互いに離間するように、傾斜させることもできる。
【００７２】
具体的には、第１仮想線Ｌ１および第２仮想線Ｌ２は、交点Ｘから先側に向かうに従って互いに離間するように、傾斜する。つまり、第１線分Ｓ１と第２線分Ｓ２とは、交点Ｘから先側に向かって開く略Ｖ字形状を形成する。
【００７３】
第３実施形態に比べると、第１実施形態は、ステージ１７を大きく揺動させることができる。図２に示すように、第１実施形態によれば、第１仮想線Ｌ１と第２仮想線Ｌ２とは、１対のピエゾ素子２３からスライダ２６に向かうに従って、互いに近接するので、図６に示す第１仮想線Ｌ１と第２仮想線Ｌ２とが互いに離間する第３実施形態に比べて、１対のピエゾ素子２３の先端部（スライダ側端部）３８の間の長さを短くすることができる。そのため、図７Ａに示すように、１対のピエゾ素子２３のうち、右ピエゾ素子２３Ａを伸長させ、左ピエゾ素子２３Ｂを収縮させたとき、図７Ｂに示す第１実施形態と同じ分だけ第３実施形態の１対のピエゾ素子２３を伸縮させたときに比べて、スライダ２６を左側への大きく揺動させることができる。
【００７４】
また、スライダ２６の右側への揺動も、スライダ２６の左側への揺動と同様であり、第１実施形態は、第３実施形態に比べて、スライダ２６を大きく揺動させることができる。
【００７５】
一方、第３実施形態は、第１実施形態に比べて、スライダ２６を小さく揺動させることできるので、スライダ２６をより精密に揺動させることができる。そのため、磁気ヘッド２７の精確に調整（微調整）することができる。
【実施例】
【００７６】
以下に示す実施例の数値は、上記の実施形態において記載される数値（すなわち、上限値または下限値）に代替することができる。
【００７７】
実施例１
図１〜図３に示すように、下記の金属支持基板５、ベース絶縁層７、導体層６およびカバー絶縁層８を備える回路付サスペンション基板２を用意した。
【００７８】
金属支持基板５：
材料：ステンレス
厚み１８μｍ
基部１５の幅Ｌ６：３８００μｍ
ステージ１７の幅Ｌ８：８００μｍ
ベース絶縁層７：
材料：ポリイミド
厚み１０μｍ
導体層６：
２つのピエゾ後側端子２５の間隔Ｌ７：１８００μｍ
２つのピエゾ先側端子２４の間隔Ｌ９：１０００μｍ
材料：銅
厚み９μｍ
カバー絶縁層８：  
材料：ポリイミド
厚み４μｍ
次に、下記寸法を有する１対のピエゾ素子２３を、第１仮想線Ｌ１および第２仮想線Ｌ２が交差するように、ピエゾ先側端子２４およびピエゾ後側端子２５に電気的に接続した。
【００７９】
ピエゾ素子２３
長さＬ１０：１１５５μｍ
厚み：５０μｍ
幅：３３０μｍ
角度α：３０度
角度β１：１５度
角度β２：１５度
その後、磁気ヘッド２７が実装されたスライダ２６を、ステージ１７の中央部に、接着剤層３７を介して固定した。
【００８０】
これによって、回路付サスペンション基板２、ピエゾ素子２３およびスライダ２６を備えるヘッド・ジンバル・アセンブリ１を作製した。
【００８１】
そして、１対のピエゾ素子２３において、電気をピエゾ先側端子２４およびピエゾ後側端子２５を介して供給して、電気の電圧を制御して、右ピエゾ素子２３Ａを伸長させる一方、左ピエゾ素子２３Ｂを収縮させた。これによって、スライダ２６を左側に揺動させた。その際、磁気ヘッド２７の変位量を測定した。その結果を、表１に示す。
【００８２】
【表１】
2015125785.tif 000003
【００８３】
実施例２、３および比較例１
上記した角度αを、表１に記載の通りに変更した以外は、実施例１と同様に処理して、ヘッド・ジンバル・アセンブリ１を作製し、続いて、スライダ２６を左側に揺動させて、磁気ヘッド２７の変位量を測定した。その結果を、表１に示す。
【符号の説明】
【００８４】
１     ヘッド・ジンバル・アセンブリ
２     回路付サスペンション基板
２３   ピエゾ素子
２３Ａ 右ピエゾ素子
２３Ｂ 左ピエゾ素子
２６   スライダ
２７   磁気ヘッド
Ｌ１   第１仮想線
Ｌ２   第２仮想線
ＢＳ   二等分線
Ｓ１   第１線分
Ｓ２   第２線分
α     角度
α’   角
【図１】
2015125785.tif 000004
【図２】
2015125785.tif 000005
【図３】
2015125785.tif 000006
【図４】
2015125785.tif 000007
【図５】
2015125785.tif 000008
【図６】
2015125785.tif 000009
【図７】
2015125785.tif 000010