(57)【要約】【課題】ウエーハの表面近傍に存在する結晶欠陥を感度良く検出して評価することができるウエーハの評価方法を提供する。【解決手段】ウエーハの表面にレーザー光を照射し、内部の欠陥による散乱光を検出してウエーハを評価する方法であって、前記評価するウエーハとしてシリコンウエーハまたは酸化膜付シリコンウエーハを用意し、該ウエーハの表面に３６５〜３８０ｎｍの範囲から選択された１波長のレーザー光を垂直入射し、ウエーハの表面を走査しながら、異なる角度で設置した複数の光検出器で散乱光を検出して散乱光強度を別々に測定し、前記複数の光検出器のうち、高角度側に設置した光検出器での散乱光強度Ｈおよび低角度側に設置した光検出器での散乱光強度Ｌの比Ｈ／Ｌが１以上になる欠陥を、ウエーハ表面近傍に存在する内部欠陥として評価するウエーハの評価方法。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
ウエーハの表面にレーザー光を照射し、ウエーハ内部の欠陥による散乱光を検出してウエーハを評価する方法であって、
前記評価するウエーハとしてシリコンウエーハまたは酸化膜付シリコンウエーハを用意し、
該ウエーハの表面に３６５〜３８０ｎｍの範囲から選択された１波長のレーザー光を垂直入射し、ウエーハの表面を走査しながら、異なる角度で設置した複数の光検出器で散乱光を検出して散乱光強度を別々に測定し、
前記異なる角度で設置した複数の光検出器のうち、高角度側に設置した光検出器で測定された散乱光強度Ｈおよび低角度側に設置した光検出器で測定された散乱光強度Ｌの比Ｈ／Ｌが１以上になる欠陥を、ウエーハ表面近傍に存在する内部欠陥として評価することを特徴とするウエーハの評価方法。
【請求項２】
前記ウエーハ表面近傍に存在する内部欠陥を評価するとき、
前記レーザー光の斜入射による散乱光の測定を別個行い、該斜入射による測定において低角度側に設置した光検出器で散乱光が検出された欠陥を排除して評価することを特徴とする請求項１に記載のウエーハの評価方法。
【請求項３】
前記レーザー光の波長を３７２〜３７３ｎｍとすることを特徴とする請求項１または請求項２に記載のウエーハの評価方法。
【請求項４】
前記酸化膜付シリコンウエーハの酸化膜厚を、該酸化膜付シリコンウエーハをボンドウエーハとして用いて作製する貼り合わせＳＯＩウエーハの埋め込み酸化膜と同じ厚さにすることを特徴とする請求項１から請求項３のいずれか一項に記載のウエーハの評価方法。
【請求項５】
前記酸化膜付シリコンウエーハの酸化膜厚を、前記レーザー光に対して反射率が最低となる厚さにすることを特徴とする請求項１から請求項４のいずれか一項に記載のウエーハの評価方法。
【請求項６】
前記ウエーハ表面近傍に存在する内部欠陥を、前記シリコンウエーハの表面から、または、前記酸化膜付シリコンウエーハの酸化膜とシリコンウエーハとの界面から、２０ｎｍ以内の深さに存在する欠陥とすることを特徴とする請求項１から請求項５のいずれか一項に記載のウエーハの評価方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、レーザー光を用いて結晶の内部欠陥を検出してウエーハを評価する方法に関し、特に、ＦＤ−ＳＯＩ（Ｆｕｌｌｙ  Ｄｅｐｌｅｔｅｄ  Ｓｉｌｉｃｏｎ  Ｏｎ  Ｉｎｓｕｌａｔｅｒ）等に使われる薄いＳＯＩ層を持つ、貼り合せＳＯＩウエーハの原料となるシリコンウエーハ（ボンドウエーハ）の、光散乱法による、ＳＯＩ層の厚さ程度の深さの表面近傍に存在する内部欠陥を評価するウエーハの評価方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
ＦＤ−ＳＯＩデバイス用ＳＯＩウエーハにおけるＳＯＩ層が１２ｎｍ程度の厚さになり、材料として使うシリコン単結晶ウエーハの極表面近傍に存在する欠陥が、ＳＯＩウエーハのＳＯＩ層の欠陥となる。すなわち、ＳＯＩ層が１２ｎｍであるため、ＳＯＩの材料として用いるボンドウエーハの表面近傍の例えば２０ｎｍ程度の深さにある、１０ｎｍ程度の大きさの欠陥がＳＯＩ層の欠陥となる。したがって、ＳＯＩウエーハの製造前のボンドウエーハで、表面近傍の欠陥を検出してスクリーニングする必要がある。
【０００３】
そして、従来、シリコン単結晶ウエーハの表面近傍の欠陥を検査する方法としては、例えば、波長が４００ｎｍ以上のレーザー光を用いた、特許文献１に記載されているような方法が用いられていた。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開平７−１５１６９８号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
上記特許文献１の方法について本発明者が調査したところ、この従来の方法では深い領域に存在する欠陥を検出してしまい、表面に近い領域までの欠陥を感度良く検出することができていなかった。
【０００６】
本発明は、上記問題点に鑑みてなされたものであって、ウエーハの表面近傍に存在する結晶欠陥を感度良く検出して評価することができるウエーハの評価方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上記目的を達成するために、本発明は、ウエーハの表面にレーザー光を照射し、ウエーハ内部の欠陥による散乱光を検出してウエーハを評価する方法であって、前記評価するウエーハとしてシリコンウエーハまたは酸化膜付シリコンウエーハを用意し、該ウエーハの表面に３６５〜３８０ｎｍの範囲から選択された１波長のレーザー光を垂直入射し、ウエーハの表面を走査しながら、異なる角度で設置した複数の光検出器で散乱光を検出して散乱光強度を別々に測定し、前記異なる角度で設置した複数の光検出器のうち、高角度側に設置した光検出器で測定された散乱光強度Ｈおよび低角度側に設置した光検出器で測定された散乱光強度Ｌの比Ｈ／Ｌが１以上になる欠陥を、ウエーハ表面近傍に存在する内部欠陥として評価することを特徴とするウエーハの評価方法を提供する。
【０００８】
上記範囲の波長のレーザー光を用いれば、シリコン内部への適度な侵入長を得ることができ、表面近傍（例えば２０ｎｍ程度の深さまで）に存在する内部欠陥（表面近傍内部欠陥）の検出を行うことができる。また、このような波長におけるシリコンの屈折率は高く、後述する式からわかるように表面近傍内部欠陥からの散乱光強度を高めることができ、検出感度を高めることができる。
【０００９】
さらに、表面近傍内部欠陥からの散乱光強度を、異なる角度で設置した複数の光検出器で別々に測定する。
検出の目的である表面近傍内部欠陥（酸素析出物等）としては、基本的に、低角度側の光検出器には殆ど検出されず、高角度側の光検出器で検出されるものと考えられる。一方、表面上パーティクルの場合は、Ｈ／Ｌは１に近い値になるが、パーティクルが非常に小さくなると高角度側の光検出器に検出されない場合が出てくるため、Ｈ／Ｌはゼロに近づく。したがってＨ／Ｌが１より小さければ表面上パーティクルと考えることができ、Ｈ／Ｌが１以上であれば表面近傍内部欠陥と考えることができる。
このようにして、ウエーハ表面に存在するパーティクル等と表面近傍内部欠陥とを簡便に区別して評価することができる。
【００１０】
そして、上記表面近傍内部欠陥の評価により、評価したシリコンウエーハ等を用いて貼り合わせＳＯＩウエーハを作製した場合に極薄のＳＯＩ層となる領域の内部欠陥を評価することができる。
【００１１】
このとき、前記ウエーハ表面近傍に存在する内部欠陥を評価するとき、前記レーザー光の斜入射による散乱光の測定を別個行い、該斜入射による測定において低角度側に設置した光検出器で散乱光が検出された欠陥を排除して評価することができる。
【００１２】
垂直入射による測定だけでは、ウエーハ表面の微小パーティクルや表面の凹凸形状を表面近傍内部欠陥として検知してしまう場合があるので、上記のような斜入射による測定を加えて行うことで表面近傍内部欠陥の検出精度を一層高めることができる。
【００１３】
また、前記レーザー光の波長を３７２〜３７３ｎｍとすることができる。
【００１４】
このような波長においてシリコンの屈折率は最大になる。屈折率が高いほど表面近傍内部欠陥からの散乱光強度を高めることができるので、より一層検出感度を高めることができる。
【００１５】
また、前記酸化膜付シリコンウエーハの酸化膜厚を、該酸化膜付シリコンウエーハをボンドウエーハとして用いて作製する貼り合わせＳＯＩウエーハの埋め込み酸化膜と同じ厚さにすることができる。
【００１６】
貼り合わせＳＯＩウエーハを作製する場合、いずれもシリコン単結晶からなるボンドウエーハ及びベースウエーハの少なくとも一方にシリコン酸化膜を形成して貼り合わせが行われる。ボンドウエーハにシリコン酸化膜を形成する熱処理を行うと、その熱処理によってボンドウエーハの表面近傍に酸素析出物等の内部欠陥が成長する場合がある。
したがって、上記のようにボンドウエーハに酸化膜を形成して酸化膜付シリコンウエーハを用意し、後にそれをＳＯＩウエーハの作製に用いる場合には、より正確な評価を得るため、評価する酸化膜付シリコンウエーハの酸化膜厚をＢＯＸ層と同じ厚さで形成した状態で表面近傍内部欠陥の検出を行うことがより好ましい。
【００１７】
また、前記酸化膜付シリコンウエーハの酸化膜厚を、前記レーザー光に対して反射率が最低となる厚さにすることができる。
【００１８】
このようにすれば、シリコン内部へ入るレーザー光の光強度をより高くすることができ、表面近傍内部欠陥をより高感度で検出することができる。
【００１９】
また、前記ウエーハ表面近傍に存在する内部欠陥を、前記シリコンウエーハの表面から、または、前記酸化膜付シリコンウエーハの酸化膜とシリコンウエーハとの界面から、２０ｎｍ以内の深さに存在する欠陥とすることができる。
【００２０】
このようにすれば、これらのシリコンウエーハまたは酸化膜付シリコンウエーハをボンドウエーハとして貼り合わせＳＯＩウエーハを作製した場合に２０ｎｍ程度の極薄のＳＯＩ層（ＦＤ−ＳＯＩ等に使われるＳＯＩ層等）となる領域に存在する内部欠陥を検出することができる。
【発明の効果】
【００２１】
以上のように、本発明によれば、表面近傍（例えば表面から２０ｎｍ程度の領域内）に存在する内部欠陥を簡便に高感度で検出して評価することができ、貼り合わせＳＯＩウエーハを作製した場合に極薄のＳＯＩ層となる領域の内部欠陥を評価することができる。
【図面の簡単な説明】
【００２２】
【図１】本発明の評価方法の一例を示すフロー図である。
【図２】本発明の評価方法を実施するための評価装置の一例を示す概略図である。
【図３】シリコン単結晶における屈折率（ｎ）と消衰係数（ｋ）の波長依存性を示すグラフである。
【図４】波長３７２ｎｍに対する反射率の酸化膜厚依存性を示すグラフである。
【発明を実施するための形態】
【００２３】
以下、本発明について、実施態様の一例として、図を参照しながら詳細に説明するが、本発明はこれに限定されるものではない。
本発明者は、ＦＤ−ＳＯＩ等に用いられる極薄のＳＯＩ層となるようなシリコンウエーハ（ボンドウエーハ）の表面近傍（例えば表面から２０ｎｍ以内の深さ）に存在する内部欠陥の評価方法について鋭意調査を行った。
上述した特許文献１の他、特許文献１とは異なる波長のレーザー光を用いてウエーハ表面の散乱光を検出するレーザー表面検査装置として、ＫＬＡ  Ｔｅｎｃｏｒ社のＳＰ２（入射波長：３５５ｎｍ）、ＳＰ３（入射波長：２６６ｎｍ）などが知られている。
【００２４】
しかしながら、特許文献１の方法は、検査に使用するレーザー光は４００ｎｍ〜８００ｎｍの波長のものを用いているため、シリコン結晶への侵入長が１００ｎｍ以上となり、表面近傍よりも深い領域の欠陥を検出してしまう。また、このような波長におけるシリコンの屈折率も十分大きくないため、欠陥からの散乱光強度が弱い。これにより、表面近傍の欠陥（例えば２０ｎｍ程度の深さにある１０ｎｍ程度の大きさの欠陥）を検出することはできなかった。
また上記のＳＰ２、ＳＰ３といった従来装置を用いた場合では、シリコン結晶への侵入長が１０ｎｍに届かず、欠陥を検出可能な領域が狭く、表面近傍の評価としては不十分であった。
【００２５】
これらの課題を見出した本発明者が行った調査について以下にさらに詳述する。
まず、シリコン単結晶ウエーハ表面に存在するパーティクルからの散乱光強度は以下の式（１）で表される。
【００２６】
【数１】
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【００２７】
ここで、Ｐｓｓｃａｔｔｅｒｉｎｇ：散乱光強度、ｄｓ：パーティクルサイズ（直径）、ｎｓ：ウエーハ屈折率、λｓ：入射光波長、Ｉｓｉｎｃｉｄｅｎｔ：入射光強度である。
【００２８】
これは、検出対象であるパーティクルがウエーハ表面に存在する場合についての散乱光強度を求める式である。
一方、シリコン単結晶中の内部欠陥として酸素析出物（ＳｉＯ２）が存在し、それを散乱体として検出する場合は下記式（２）となる。
【００２９】
【数２】
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【００３０】
ここで、Ｐｓｃａｔｔｅｒｉｎｇ：散乱光強度、ｄ：酸素析出物サイズ（直径）、ＮＳｉ：シリコン単結晶の屈折率、ＮＳｉＯ２：酸素析出物の屈折率、λ：入射光波長、Ｉｉｎｃｉｄｅｎｔ：入射光強度である。
【００３１】
図３は、シリコン単結晶における屈折率（ｎ）と消衰係数（ｋ）の波長依存性を示している（出典：Ｇ．Ｅ．Ｊｅｌｌｉｓｏｎ  Ｊｒ．，Ｏｐｔｉｃａｌ  Ｍａｔｅｒｉａｌ  １  （１９９２）  ４１−４７）。
図３に基づいて、従来より使用されているレーザー光波長（２６６ｎｍ、３５５ｎｍ、４８８ｎｍ）のシリコン単結晶への侵入長Ｄ（ｎｍ）を算出すると下記表１の通りとなる。すなわち、表面近傍（例えば表面から２０ｎｍ程度までの深さ）に存在する結晶欠陥を検出するにあたっては、２６６ｎｍや３５５ｎｍの波長では侵入長が短く、４８８ｎｍでは長すぎてしまうため適さないことがわかる。
【００３２】
【表１】
2015070116.tif 000005
【００３３】
表面から２０ｎｍ程度までの深さに存在する内部欠陥を感度よく検出するための重要なポイントは、シリコン単結晶に対する入射光の屈折率、および侵入長である。上の式（２）により、内部欠陥である酸素析出物からの散乱光強度を大きくして感度を高めるためには、シリコン単結晶と酸素析出物との屈折率差（ＮＳｉ−ＮＳｉＯ２）を大きくする必要があるが、酸素析出物（ＳｉＯ２）の屈折率はほぼ一定であることより、シリコンの屈折率ができるだけ大きくなる波長を選択することが最も有利である。
一方、表面近傍の２０ｎｍ程度の深さの欠陥を検出したいことから、侵入長が２０ｎｍ程度になる波長を選択することも必要となる。
【００３４】
これらの観点に基づいて、図３において屈折率がピークとなる３７２〜３７３ｎｍ（屈折率：６．９５）前後の波長における、屈折率、消衰率、侵入長を算出した結果を下記表２に示した。
【００３５】
【表２】
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【００３６】
表２からわかるように、屈折率がピークとなる３７２〜３７３ｎｍの前後の波長を選択することによって、高い屈折率と適度な侵入長が得られる。
すなわち波長を３６５〜３８０ｎｍの範囲から選択すれば、６．５０以上の屈折率と１１〜３６ｎｍの侵入長が得られ、表面近傍内部欠陥を高感度で検出可能になる。また、そのうち屈折率が最大となる３７２〜３７３ｎｍの波長を選択すれば、侵入長も２０ｎｍ程度（１６〜１９ｎｍ）であり、特に目的とする深さの内部欠陥を最も高感度で検出することができ、より好ましい。
本発明者はこれらのことを見出して本発明を完成させた。
【００３７】
図２に本発明のウエーハの評価方法を実施するための評価装置の一例を示す。
図２に示すように、この評価装置１は、評価対象のウエーハＷの表面にレーザー光（波長：３６５〜３８０ｎｍ）を照射するレーザー光照射手段２、レーザー光でウエーハＷの表面を走査させるための移動手段３、照射されたレーザー光がウエーハ内部の欠陥等によって散乱する散乱光を検出するための複数の光検出器４を備えている。
【００３８】
レーザー光照射手段２の他にミラーを備えたものとし、該ミラーを利用してウエーハＷの表面にレーザー光を垂直入射することが可能である。また、レーザー光照射手段２からウエーハＷの表面にレーザー光を斜入射することも可能である。
【００３９】
移動手段３は、ウエーハＷを適切に水平移動させることによって、レーザー光をウエーハ面内を走査させることができるものであれば良く、特に限定されない。例えばＸＹステージとすることができる。
【００４０】
また光検出器４としては、異なる角度で複数設置されている（高角度側の光検出器（高角検出器５）と低角度側の光検出器（低角検出器６））。これら高角検出器５および低角検出器６によって、散乱光を散乱角の高低の違いに応じて検出してその散乱光強度を別個に測定することが可能になっている。
【００４１】
図１に、このような評価装置１を用いた本発明のウエーハの評価方法の一例を示す。
まず、評価対象のウエーハを用意する（工程１）。ここではシリコン単結晶ウエーハを用意した場合について説明するが、このほか、このシリコン単結晶ウエーハの表面にシリコン酸化膜が形成されている酸化膜付のウエーハを評価対象とすることもできる。
なお、シリコンウエーハとしては表面を鏡面研磨等されたもの、酸化膜付シリコンウエーハとしては表面を鏡面研磨したシリコンウエーハに酸化熱処理を施して酸化膜を形成したものなどが挙げられる。
【００４２】
また、これらのシリコンウエーハや酸化膜付シリコンウエーハとしては、例えば、貼り合わせＳＯＩウエーハのＳＯＩ層の原料となるボンドウエーハとすることができる。
この場合、酸化膜付シリコンウエーハの酸化膜厚をその作製する貼り合わせＳＯＩウエーハの埋め込み酸化膜と同じ厚さにすると良い。ＳＯＩウエーハの作製にあたっては材料のシリコンウエーハに、後に埋め込み酸化膜となるシリコン酸化膜を熱処理で形成する場合があり、そしてその熱処理によってシリコンウエーハの表面近傍に酸素析出物等の内部欠陥が成長する場合がある。実際に材料として用いるときと同じ状態（埋め込み酸化膜と同じ厚さの酸化膜が形成された状態）の酸化膜付シリコンウエーハを用意して評価することで、ＳＯＩウエーハを作製した際のＳＯＩ層内の欠陥に関する評価をより適切に把握することが可能になる。
【００４３】
また、酸化膜付シリコンウエーハとしては、照射するレーザー光に対して反射率ができるだけ小さくなるように酸化膜の厚さを適宜調整して形成したものを用意することができる。特には選択したレーザー光の波長に応じて反射率が最低となる厚さにするのが好ましい。このようにすれば、シリコン内部へ入るレーザー光の光強度をより高くすることができ、内部欠陥をより高感度で検出することができるからである。
【００４４】
図４は、波長３７２ｎｍに対する反射率の酸化膜厚依存性を示すグラフである。反射率は酸化膜厚に対して周期的に変動し、６１ｎｍ、１８７ｎｍ、３１３ｎｍ等で極小値となる。従って、このような極小値となる酸化膜厚を選択すれば、内部欠陥の検出の感度を高めることができる。
なお、このような極小値となる酸化膜厚がＳＯＩウエーハの埋め込み酸化膜の厚さと異なる場合には、散乱光強度を測定した後に酸化膜のエッチングを行い、埋め込み酸化膜と同じ厚さにしてから貼り合わせを行うこともできる。
【００４５】
次に、レーザー光をウエーハ表面に垂直入射し、ウエーハを走査する（工程２）。
ウエーハの走査は移動手段３を用いて行うことができる。
また、レーザー光照射手段２から照射するレーザー光は、波長が３６５〜３８０ｎｍの範囲のものから選択する（表２参照）。照射するレーザー光の波長がこのような範囲の場合、シリコンの屈折率が高く、シリコンへの侵入長が適度であり、表面近傍内部欠陥を検出するのに極めて有利である。従来法のように波長が長すぎて必要以上の深さまで欠陥検出を行うのを防ぐことができ、また、波長が短すぎて欠陥検出の対象範囲が狭く不十分な評価になってしまうのを防ぐことができる。
【００４６】
表面近傍、特には、シリコンウエーハの表面（または酸化膜付シリコンウエーハの酸化膜とシリコンウエーハとの界面）から２０ｎｍ以内の深さまでの領域に存在する欠陥を評価対象とすることができる。このような深さの領域は、ＦＤ−ＳＯＩ等に使われる薄いＳＯＩ層の厚さと同程度である。したがって、その薄いＳＯＩ層を作製する際にあたって、本発明で得られた評価結果を有効に用いることができる。
【００４７】
なお、当然、表面から２０ｎｍ以内の深さという領域に限定されるものではない。表面から深さ２０ｎｍより深いところの欠陥を検査したい場合、例えば３０ｎｍの深さまでにある欠陥を検査したい場合は、例えば３７８ｎｍの波長のレーザー光を使って、表面近傍内部欠陥の検査を行うことができる。
【００４８】
次に、高角検出器５と低角検出器６で散乱光を散乱角ごとに検出して、散乱光強度Ｈおよび散乱光強度Ｌを測定し（工程３）、Ｈ／Ｌが１以上になる欠陥（低角検出器６で検出されない欠陥を含む）を検出し、表面近傍内部欠陥として評価する（工程４）。ここで、散乱光強度Ｈ及び散乱光強度Ｌは、予め標準粒子を使って校正しておく。
このようにしてウエーハ表面に存在するパーティクル等と区別して、表面近傍内部欠陥を簡便に検出することができる。
【００４９】
なお、必要に応じて、以下のようにさらに精度の高い評価を行うことができる。
ウエーハ表面に散乱光の弱い、小さい異物が存在する場合は垂直入射では検出しにくい。このような小さな異物が存在する場合を想定し、この表面の異物の分だけ排除してより精密な評価を行うため、工程２〜工程４の垂直入射による散乱光の測定に加え、別個に斜入射による散乱光の測定を行うことができる。
【００５０】
例えば入射角６０−８５度でレーザー光をウエーハ表面に斜入射して（工程５）、高角検出器５と低角検出器６で散乱光を散乱角ごとに検出し（工程６）、低角検出器６で検出される欠陥を検出する（工程７）。そして、工程４での、垂直入射による測定で表面近傍内部欠陥として評価された欠陥から、工程７での、斜入射による測定で検出された欠陥を排除し、残ったものを最終的に表面近傍内部欠陥として評価することができる（工程８）。
【００５１】
（実験例、参考例１−３）
本発明でのレーザー光の波長域の有効性を、従来法での波長域と比較しつつ説明する。
本発明での波長域（３６５〜３８０ｎｍ）のように波長が３７２ｎｍのレーザー光を用いた場合と（実験例）、従来法のように波長が２６６ｎｍ、３５５ｎｍ、４８８ｎｍ（参考例１〜３）を用いた場合について、シリコン単結晶表面からの侵入長や、該侵入長に相当する深さ付近までの内部欠陥の検出感度（相対感度）を比較した。尚、相対感度は、２６６ｎｍのＰｓｃａｔｔｅｒｉｎｇを基準として規格化した数値として算出した。その結果を表３に示す。
【００５２】
【表３】
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【００５３】
表３に示す結果より、実験例によれば、ＳＯＩ層の膜厚が１７ｎｍの超薄膜ＳＯＩウエーハの製造に用いるボンドウエーハ中の表面近傍の内部欠陥（酸素析出物）を検出することができる。しかも従来よりも２倍以上の高感度で測定できることがわかる。
【００５４】
なお、本発明は、上記実施形態に限定されるものではない。上記実施形態は、例示であり、本発明の特許請求の範囲に記載された技術的思想と実質的に同一な構成を有し、同様な作用効果を奏するものは、いかなるものであっても本発明の技術的範囲に包含される。
【符号の説明】
【００５５】
１…評価装置、  ２…レーザー光照射手段、  ３…移動手段、  ４…光検出器、
５…高角検出器、  ６…低角検出器。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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