(57)【要約】【課題】過酷な測定環境での利用を可能とする特に耐熱性に優れたカーボンナノチューブを用いた圧力センサを提供する。【解決手段】導電部材６に垂直に配向されて表面に耐熱性を有する被覆膜５ｂが形成された複数の被覆カーボンナノチューブ５からなるセンサ素子体７と、センサ素子体７が収容される収容部材８と、収容部材８の開口部に設けられて複数の被覆カーボンナノチューブ５の先端を覆う受圧部である可撓性及び導電性を有するダイアフラム９とを具備し、負荷がない状態において、ダイアフラム９と被覆カーボンナノチューブ５の先端とが当接するように配置され、且つ負荷が作用した状態において、ダイアフラム９を介して被覆カーボンナノチューブ５が歪むことによる抵抗値の変化を検出して圧力を測定し得るようにしたものである。【選択図】図２
2015045544.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
導電部材に垂直に配向されて表面に耐熱性を有する被覆膜が形成された複数の被覆カーボンナノチューブからなるセンサ素子体と、当該センサ素子体が収容される収容部材と、当該収容部材の開口部に設けられて複数の前記被覆カーボンナノチューブの先端を覆う受圧部である可撓性及び導電性を有するダイアフラムとを具備し、
負荷がない状態において、前記ダイアフラムと前記被覆カーボンナノチューブの先端とが当接するように配置され、
且つ負荷が作用した状態において、前記ダイアフラムを介して前記被覆カーボンナノチューブが歪むことによる抵抗値の変化を検出して圧力を測定し得るようにしたことを特徴とする圧力センサ。
【請求項２】
導電部材に垂直に配向されて表面に耐熱性を有する被覆膜が形成された複数の被覆カーボンナノチューブからなるセンサ素子体と、当該センサ素子体が収容される収容部材と、当該収容部材の開口部に設けられて複数の前記被覆カーボンナノチューブの先端を覆う受圧部である可撓性及び導電性を有するダイアフラムとを具備し、
負荷がない状態において、前記ダイアフラムと前記被覆カーボンナノチューブの先端とが離間するように配置され、
且つ負荷が作用した状態において、前記被覆カーボンナノチューブと前記ダイアフラムとの接触面積が増減することによる抵抗値の変化を検出して圧力を測定し得るようにしたことを特徴とする圧力センサ。
【請求項３】
被覆膜は、ケイ素、ゲルマニウム、ヒ化ガリウム、リン化インジウム、窒化ガリウム、硫化亜鉛、セレン化亜鉛、炭化ケイ素、シリコンゲルマニウムのいずれか一種、又は二種以上を含む複合材から成ることを特徴とする請求項１に記載の圧力センサ。
【請求項４】
被覆膜は、アルミニウム、チタン、銅、クロム、鉄、コバルト、ニッケル、マグネシウム、亜鉛、金、銀のいずれか一種、若しくは二種以上を含む合金、又は少なくとも一種の酸化物から成ることを特徴とする請求項２に記載の圧力センサ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、カーボンナノチューブを用いた圧力センサに関する。
【背景技術】
【０００２】
従来の圧力センサの例として、複数のカーボンナノチューブを含むセンサ素子体（検知素子）及びセンサ素子体と接触している電気プローブを備え、応力や歪みの機械的状態を測定するものがある（例えば特許文献１）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特表２００６−５２１２１２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかし、このような従来の圧力センサは、センサ素子体にカーボンナノチューブを用いるため、例えば高温下や酸化雰囲気下などの過酷な測定環境での利用を目的とした場合には、センサ素子体であるカーボンナノチューブも腐食され、圧力センサとして利用できない惧れがある。
【０００５】
本発明は上記問題点を解決して、過酷な測定環境での利用を可能とする特に耐熱性に優れたカーボンナノチューブを用いた圧力センサを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明の実施例１に係る圧力センサは、導電部材に垂直に配向されて表面に耐熱性を有する被覆膜が形成された複数の被覆カーボンナノチューブからなるセンサ素子体と、当該センサ素子体が収容される収容部材と、当該収容部材の開口部に設けられて複数の前記被覆カーボンナノチューブの先端を覆う受圧部である可撓性及び導電性を有するダイアフラムとを具備し、
負荷がない状態において、前記ダイアフラムと前記被覆カーボンナノチューブの先端とが当接するように配置され、
且つ負荷が作用した状態において、前記ダイアフラムを介して前記被覆カーボンナノチューブが歪むことによる抵抗値の変化を検出して圧力を測定し得るようにした。
【０００７】
また、本発明の実施例２に係る圧力センサは、導電部材に垂直に配向されて表面に耐熱性を有する被覆膜が形成された複数の被覆カーボンナノチューブからなるセンサ素子体と、当該センサ素子体が収容される収容部材と、当該収容部材の開口部に設けられて複数の前記被覆カーボンナノチューブの先端を覆う受圧部である可撓性及び導電性を有するダイアフラムとを具備し、
負荷がない状態において、前記ダイアフラムと前記被覆カーボンナノチューブの先端とが離間するように配置され、
且つ負荷が作用した状態において、前記被覆カーボンナノチューブと前記ダイアフラムとの接触面積が増減することによる抵抗値の変化を検出して圧力を測定し得るようにした。
【０００８】
そして、実施例１に係る圧力センサにおいて、被覆膜は、ケイ素、ゲルマニウム、ヒ化ガリウム、リン化インジウム、窒化ガリウム、硫化亜鉛、セレン化亜鉛、炭化ケイ素、シリコンゲルマニウムのいずれか一種、又は二種以上を含む複合材から成ることが好ましい。
【０００９】
さらに、実施例２に係る圧力センサにおいて、被覆膜は、アルミニウム、チタン、銅、クロム、鉄、コバルト、ニッケル、マグネシウム、亜鉛、金、銀のいずれか一種、若しくは二種以上を含む合金、又は少なくとも一種の酸化物から成ることが好ましい。
【発明の効果】
【００１０】
本発明の圧力センサによれば、耐熱性を有する被覆膜が形成された被覆カーボンナノチューブをセンサ素子体として用いているため、例えば高温下や酸化雰囲気下などの過酷な測定環境での利用、特に高温下での利用に優れている。
【図面の簡単な説明】
【００１１】
【図１】本発明の実施例１に係る圧力センサを用いた圧力計測器の概略構成を示すブロック図である。
【図２】同圧力センサの負荷がない状態を示す断面図である。
【図３】同圧力センサの負荷が作用された状態を示す断面図である。
【図４】本発明の実施例２に係る圧力センサを用いた圧力計測器の概略構成を示すブロック図である。
【図５】同圧力センサの負荷がない状態を示す断面図である。
【図６】同圧力センサの負荷が作用された状態を示す断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１２】
[実施例１]
本発明の実施例１に係る圧力センサ１と圧力センサ１を用いた圧力計測器１０について図１〜図３を用いて説明する。
【００１３】
圧力計測器１０は、概して、図１に示すように、センサ部１０ａと演算出力部１０ｂとから構成され、センサ部１０ａには、実施例１に係る圧力センサ１が設けられ、演算出力部１０ｂには、圧力センサ１の抵抗値を測定して出力する抵抗計２と、抵抗計２から入力された抵抗値を圧力値に変換して出力する抵抗／圧力変換部３と、抵抗／圧力変換部３から入力された変換された圧力値を表示する圧力表示部４とが備えられる。
【００１４】
以下、本発明の実施例１に係る圧力センサ１について、図１及び図２を用いて説明する。
本発明の実施例１に係る圧力センサ１は、歪みゲージ型の圧力センサ１であり、図２に示すように、センサ素子として被覆カーボンナノチューブ５が用いられているものである。図１に示すように、圧力センサ１はセンサ部１０ａに設けられており、圧力センサ１は演算出力部１０ｂの抵抗計２に接続され、被覆カーボンナノチューブ５の歪み（屈曲）による抵抗率の変化が計測される。すなわち、被覆カーボンナノチューブ５の歪み（屈曲）によるピエゾ抵抗効果（後述する）を利用し、受けた負荷（圧力）を検知するものである。
【００１５】
具体的には、図２に示すように圧力センサ１は、導電部材６に垂直に配向されて垂直配向性を備えるとともに、表面に耐熱性を有する被覆材料、実施例１においては半導体材料の被覆膜５ａが形成（被覆）された複数の被覆カーボンナノチューブ５からなるセンサ素子体７と、センサ素子体７が収容される収容部材８と、収容部材８の開口部に設けられて複数の被覆カーボンナノチューブ５の先端を覆う受圧部である可撓性及び導電性を有するダイアフラム９とを具備している。そして、圧力センサ１、具体的には導電部材６とダイアフラム９とが抵抗計２に接続されている。また、負荷（圧力）がない状態（以下、基準状態という。）において、図２に示すように、被覆カーボンナノチューブ５は屈曲せず垂直配向性を有する状態で、ダイアフラム９と被覆カーボンナノチューブ５の先端とが当接して配置されている。ここで、垂直配向性の被覆カーボンナノチューブ５として、カーボンナノチューブ５ａが導電部材６に対して概ね９０°±１０°の範囲内で形成されたものが使用される。
【００１６】
被覆カーボンナノチューブ５におけるカーボンナノチューブ５ａは多層カーボンナノチューブが用いられている。多層カーボンナノチューブは２層以上のカーボンナノチューブで、本発明では、使用する多層カーボンナノチューブは３層以上であることが望ましい。その長さは３０μｍ〜５００μｍである。センサ素子体７は、複数のカーボンナノチューブ５ａが１０８〜１０１１／ｃｍ２の本数密度で導電部材６に対して垂直に配向されて形成されたブラシ状の構造体を成している。また、それらのカーボンナノチューブ５ａの表面には、図２に示すように、耐熱性を有する半導体材料、具体的には炭化ケイ素（ＳｉＣ）の被覆膜５ｂが被覆されている。炭化ケイ素のほかに、半導体材料としては、耐熱、耐酸化性を有するケイ素（Ｓｉ）、ゲルマニウム（Ｇｅ）、ヒ化ガリウム（ＧａＡｓ）、リン化インジウム（ＩｎＰ）、窒化ガリウム（ＧａＮ）、硫化亜鉛（ＺｎＳ）、セレン化亜鉛（ＺｎＳｅ）、炭化ケイ素（ＳｉＣ）、シリコンゲルマニウム（ＳｉＧｅ）、酸化スズ（ＳｎＯ２）、酸化インジウム（Ｉｎ２Ｏ３）のいずれか一種又は二種以上を含む複合材が適用できる。このとき、被覆膜５ｂの厚さは、薄すぎると歪みによる抵抗率の変化が小さくセンサ素子体７の感度が低くなり、また厚すぎると被覆カーボンナノチューブ５が歪みにくくなるため、１０ｎｍ〜１００ｎｍの範囲が好適である。
【００１７】
導電部材６は、図２に示すように、導電性を有する材料から成る板状物、膜状物であり、アルミニウム（Ａｌ）、チタン（Ｔｉ）、銅（Ｃｕ）、クロム（Ｃｒ）、鉄（Ｆｅ）、コバルト（Ｃｏ）、ニッケル（Ｎｉ）、マグネシウム（Ｍｇ）、亜鉛（Ｚｎ）、金（Ａｕ）、銀（Ａｇ）、タンタル（Ｔａ）、ジルコニウム（Ｚｒ）、モリブデン（Ｍｏ）のいずれか一種、二種以上を含む合金、若しくは少なくとも一種の酸化物、又は二種以上の酸化物を含む合金が適用できる。なかでも、銅（Ｃｕ）、アルミニウム（Ａｌ）、チタン（Ｔｉ）、ジルコニウム（Ｚｒ）、タンタル（Ｔａ）、クロム（Ｃｒ）及びモリブデン（Ｍｏ）が特に効果的である。
【００１８】
ダイアフラム９は図２に示すように、表面側に耐腐食性の強いセラミック層（膜）９ａが、裏面側に導電性を有する金属層（膜）９ｂが重ねられて２層構造にされている。ダイアフラム９の金属層９ｂは耐熱性、耐酸化性及び導電性を有する材料から成る板状物又は膜状物である。ダイアフラム９の金属層９ｂには、アルミニウム（Ａｌ）、チタン（Ｔｉ）、銅（Ｃｕ）、クロム（Ｃｒ）、鉄（Ｆｅ）、コバルト（Ｃｏ）、ニッケル（Ｎｉ）、マグネシウム（Ｍｇ）、亜鉛（Ｚｎ）、金（Ａｕ）、銀（Ａｇ）、タンタル（Ｔａ）、ジルコニウム（Ｚｒ）、タングステン（Ｗ）、モリブデン（Ｍｏ）のいずれか一種、若しくは二種以上を含む合金、又は少なくとも一種の酸化物が適用できる。なかでも、タングステン（Ｗ）、タンタル（Ｔａ）、モリブデン（Ｍｏ）及びチタン（Ｔｉ）が、導電性の面では銅（Ｃｕ）、金（Ａｕ）などが特に効果的である。また、セラミック層９ａには、酸化アルミニウム（Ａｌ２Ｏ３）、炭化ケイ素（ＳｉＣ）が適用できる。
【００１９】
センサ素子体７が収められる収容部材８は、耐熱、耐酸化性を有するガラスなどの絶縁体から成る。その形状は特に限定されるものではないが、本実施例においては角状の容器が用いられている。
【００２０】
以下、本実施例１に係る圧力センサ１を用いた圧力計測器１０について図１を用いて説明する。圧力計測器１０は、本実施例１に係る圧力センサ１と、圧力センサ１の被覆カーボンナノチューブ５の抵抗値を測定する抵抗計２と、抵抗計２から出力される抵抗値を圧力値に変換する変換テーブルを有して圧力値を出力する抵抗／圧力変換部３とを備える。変換テーブルについては、例えば、予め実験で求めた抵抗―圧力特性が用いられる。
【００２１】
以下、本発明の実施例１に係る圧力センサ１を用いた圧力の測定方法について図１〜図３を用いて説明する。
基本的な原理について説明すると、基準状態において、ダイアフラム９と被覆カーボンナノチューブ５とが当接して配置されていることから、受圧時にダイアフラム９が変形することによって被覆カーボンナノチューブ５が変形するため、被覆カーボンナノチューブ５が歪む。この歪みにより被覆カーボンナノチューブ５の抵抗率が変化することで、センサ素子としての抵抗値が変化する。いわゆるピエゾ抵抗効果が得られる。ピエゾ抵抗効果とは、一般的に、半導体などに力を加えると結晶格子に歪みが生じて、半導体中のキャリアの数や移動度が変化するために、抵抗率が変化するといわれるものである。具体的には、実施例１においては、ダイアフラム９が受けた圧力Ｆ１に比例して抵抗率が増加する。本実施例においては、この抵抗率の変化、すなわち被覆カーボンナノチューブ５の抵抗値をホイートストンブリッジ回路を有する抵抗計２により測定するようにしたものである。
【００２２】
測定方法を圧力センサ１の状態とともに説明すれば、図２に示すように、基準状態において、ダイアフラム９と導電部材６とを抵抗計２に接続して、ダイアフラム９、導電部材６及び被覆カーボンナノチューブ５に電圧を印加して通電状態にする。そして、図３に示すように、ダイアフラム９が圧力Ｆ１を受けると、ダイアフラム９とともに被覆カーボンナノチューブ５は歪み（屈曲し）ながら全体として断面凹状に変形する。このように変形した被覆カーボンナノチューブ５の抵抗値が抵抗計２により測定され、この抵抗値が、抵抗／圧力変換部３に入力されて、予め実験により求めておいた抵抗―圧力特性に基づき圧力値が得られる。この圧力値が圧力表示部４に表示される。
【００２３】
実施例１に係る圧力センサ１及びこれを用いた圧力計測器１０においては、耐熱性を有する被覆膜５ｂが形成された被覆カーボンナノチューブ５をセンサ素子体として用いているため、例えば高温下や酸化雰囲気下などの過酷な測定環境での利用、特に４００℃以上の高温下（ただし、被覆材料の融点以下であることが好ましく、炭化ケイ素（ＳｉＣ）の場合１４００℃程度である。）での利用に優れている。
【００２４】
また、本実施例１に係る圧力センサ１及びこれを用いた圧力計測器１０においては、被覆膜５ｂが半導体材料であるため、歪みによる抵抗率の変化が金属よりも大きいため、被覆カーボンナノチューブ５の抵抗値の変化を正確に検出でき、圧力センサ１の感度を高くすることができる。
【００２５】
本実施例１に係る圧力センサ１及びこれを用いた圧力計測器１０においては、センサ素子体７に垂直配向性を有する被覆カーボンナノチューブ５を用いることで、垂直配向性を有さないカーボンナノチューブを用いる場合に比べて、抵抗値（歪み）検知に寄与するカーボンナノチューブ５ａの本数が多くなるため、圧力センサ１の感度を高くすることができる。
【００２６】
なお、実施例１に係る圧力センサ１を用いた圧力計測器１０は、センサ素子の要部となる被覆カーボンナノチューブ５が、耐熱、耐酸化性を有するガラス製の収容部材８に収められるとともに、耐熱、耐酸化性を有するダイアフラム９に覆われているため、被覆カーボンナノチューブ５は測定環境と遮絶されて、測定雰囲気に影響されることがない。したがって、この圧力センサ１を用いた圧力計測器１０は、測定雰囲気によらず、正確な測定を可能とする。
[実施例２]
本発明の実施例２に係る圧力センサ２０及びこれを用いた圧力計測器３０について図４〜図６を用いて説明する。なお、実施例２に係る圧力センサ２０は、実施例１に係る圧力センサ２０において、被覆カーボンナノチューブ２１の先端とダイアフラム９とが離間して配置されている構成であり、その他は実施例１と同一である。したがって、実施例１と同一の構成については、同一の符号を付して説明を省略する場合がある。図４に示すように、実施例１と同様に、センサ部３０ａと演算出力部３０ｂとで構成される圧力計測器３０のセンサ部３０ａに、実施例２に係る圧力センサ２０が用いられる。
【００２７】
圧力センサ２０は、図５に示すように、導電部材６に垂直に配向されて垂直配向性を備えるとともに、表面に被覆材料、実施例２においては金属材料２１ｂの被覆膜が形成された複数の被覆カーボンナノチューブ２１からなるセンサ素子体７と、センサ素子体７が収容される収容部材８と、収容部材８の開口部に設けられて複数の被覆カーボンナノチューブ２１の先端を覆う受圧部である可撓性及び導電性を有するダイアフラム９とを具備している。そして、圧力センサ２０、具体的には導電部材（金属板又は金属膜）６とダイアフラム９とは抵抗計２に接続されている。また、基準状態において、ダイアフラム９と被覆カーボンナノチューブ２１の先端とが離間して配置されている。離間の大きさについては、所望の測定範囲やカーボンナノチューブ２１ａの長さ、ダイアフラム９の特性（撓み量）などの諸条件によって、適宜設計される。
【００２８】
実施例１と同様に、被覆カーボンナノチューブ２１におけるカーボンナノチューブ２１ａは多層カーボンナノチューブ（３層以上が望ましい）である。また、カーボンナノチューブ２１ａの表面には、耐熱性を有する金属材料、具体的にはチタン（Ｔｉ）の被覆膜２１ｂが被覆されている。チタンのほかに、耐熱性を有する金属材料としては、アルミニウム（Ａｌ）、チタン（Ｔｉ）、銅（Ｃｕ）、クロム（Ｃｒ）、鉄（Ｆｅ）、コバルト（Ｃｏ）、ニッケル（Ｎｉ）、マグネシウム（Ｍｇ）、亜鉛（Ｚｎ）、金（Ａｕ）、銀（Ａｇ）のいずれか一種、若しくは二種以上を含む合金、又は少なくとも一種の酸化物が適用できる。このとき、被覆カーボンナノチューブ２１の表面に被覆された金属材料の被覆膜２１ａの厚みは、５ｎｍ以上が好適である。
【００２９】
実施例２に係る圧力センサ２０を用いた測定方法について図４〜図６を用いて説明する。基準状態において、図５に示すように、ダイアフラム９とカーボンナノチューブ２１ａの先端とが離間して配置されているため、負荷（圧力）が作用した状態において、図６に示すように、受圧時にダイアフラム９が変形すると、ダイアフラム９と被覆カーボンナノチューブ２１の先端側とが接触するとともに、ダイアフラム９と接触するカーボンナノチューブ２１ａの本数に応じて接触面積が変化し、接触抵抗が変化する。したがって、この圧力センサ２０に、受圧時に抵抗計２により抵抗値を計測し、抵抗／圧力変換部３において、予め実験により求めた抵抗―圧力特性から圧力値を得て、これを測定値とする。
【００３０】
測定方法を圧力センサ２０の状態とともに説明すれば、基準状態において、図５に示すように、ダイアフラム９と導電部材６とを抵抗計２に接続して、ダイアフラム９及び導電部材６に電圧を印加して通電状態にする。図６に示すように、ダイアフラム９が圧力Ｆ２を受けると、断面凹状に変形して接触する被覆カーボンナノチューブ２１の本数が徐々に増えていく。このダイアフラム９と被覆カーボンナノチューブ２１との接触抵抗値が抵抗計２により測定され、この抵抗値が、抵抗／圧力変換部３に入力されて、予め実験により求めておいた抵抗―圧力特性に基づき、圧力値が得られる。この圧力値が、圧力表示部４に表示される。
【００３１】
実施例２に係る圧力センサ２０及びこれを用いた圧力計測器３０においては、被覆膜２１ｂが金属材料から成るため半導体材料（実施例１に例示された被覆材料）と比べて導電性が向上し、接触抵抗の変化を検知しやすくなるとともに、接触面積の変化による抵抗値の変化に対して、歪みによる抵抗値の変化量が小さく、接触面積と抵抗値との関係がほぼ比例するため、接触抵抗の変化を精度良く検知することができる。
【００３２】
また、実施例２に係る圧力センサ２０及びこれを用いた圧力計測器３０においては、耐熱性を有する被覆膜２１ｂが形成された被覆カーボンナノチューブ２１をセンサ素子体として用いているため、４００℃以上の高温下（ただし、被覆材料の融点以下であることが好ましく、チタン（Ｔｉ）の場合１６００℃程度である。）での利用が可能となる。
【００３３】
そして、実施例２に係る圧力センサ２０を用いた圧力計測器３０は、センサ素子の要部となる被覆カーボンナノチューブ２１が、耐熱、耐酸化性を有するガラス製の収容部材８に収められるとともに、耐熱、耐酸化性を有するダイアフラム９に覆われているため、被覆カーボンナノチューブ２１は測定環境と遮絶されて、測定雰囲気に影響されることがない。したがって、この圧力センサ２０を用いた圧力計測器３０は、測定雰囲気によらず、正確な測定を可能とする。
[変形例]
実施例１に係る圧力センサ１においては、被覆カーボンナノチューブ５における被覆膜５ｂの被覆材料として半導体材料を用い、実施例２に係る圧力センサ２０においては、被覆カーボンナノチューブ２１における被覆膜２１ｂの被覆材料として金属材料を用いたが、これに限定されない。例えば、実施例１に係る圧力センサ１において、被覆膜５ｂの被覆材料として実施例２に例示した金属材料を用い、実施例２に係る圧力センサ２において、被覆膜２１ｂの被覆材料として実施例１に例示した半導体材料を用いてもよい。
【００３４】
実施例１及び実施例２に係る圧力センサ１，２０においては、被覆カーボンナノチューブ５，２１におけるカーボンナノチューブ５ａ，２１ａには多層のものを用いたが、これに限定されない。例えば、単層カーボンナノチューブを用いてもよい。単層カーボンナノチューブは、炭素原子の六員環のつながり方であるカイラリティによって金属型と半導体型とに分類されるが、実施例１においては歪みの感度がより高い半導体型を、実施例２においては導電性がより高い金属型をそれぞれ用いることが好適である。このように、半導体型及び金属型の選別はこのカイラリティにより行うことができるが、金属型及び半導体型を区別することなく用いるためには、実施例１又は実施例２と同様に、単層カーボンナノチューブの表面に半導体材料又は金属材料の被覆膜５ｂ，２１ｂをそれぞれ被覆すればよい。このとき、被覆膜５ｂ，２１ｂは、複数の単層カーボンナノチューブに半導体材料又は金属材料が湿式塗布された後、乾燥させて形成されるのが望ましい。なお、実施例１及び実施例２において、単層カーボンナノチューブを被覆せずに用いる場合には、収容部材８内は、不活性ガス（例えば窒素やアルゴン）で充満させた不活性ガス雰囲気又は真空にするのがよい。
【００３５】
実施例１において、被覆カーボンナノチューブ５の先端とダイアフラム９とを単に当接させて配置したが、より確実に互いを接触させるため、例えば、両者を融着や接着などにより固定してもよい。
【００３６】
実施例１及び実施例２においては、カーボンナノチューブ５ａ，２１ａを導電部材６側に固定したが、被覆カーボンナノチューブ５，２１の垂直配向性を保つため、被覆カーボンナノチューブ５，２１の基端部分を樹脂等で固定してもよい。
【００３７】
実施例１及び実施例２において、ダイアフラム９は２層構造のものを用いているが、当然ながら１層構造のものを用いても構わない。この場合、ダイアフラム９に用いられる材料は実施例１及び実施例２とダイアフラム９の金属層９ｂと同一のものが適用される。
【符号の説明】
【００３８】
１      圧力センサ
２      抵抗計
３      抵抗／圧力変換部
４      圧力表示部
５      被覆カーボンナノチューブ
５ａ    カーボンナノチューブ
５ｂ    被覆膜
６      導電部材
７      センサ素子体
８      収容部材
９      ダイアフラム
９ａ    セラミック層
９ｂ    金属層
１０      圧力計測器
１０ａ    センサ部
１０ｂ    演算出力部
２０      圧力センサ
２１      被覆カーボンナノチューブ
２１ａ  カーボンナノチューブ
２１ｂ  被覆膜
３０      圧力計測器
３０ａ    センサ部
３０ｂ    演算出力部
【図１】
2015045544.tif 000003
【図２】
2015045544.tif 000004
【図３】
2015045544.tif 000005
【図４】
2015045544.tif 000006
【図５】
2015045544.tif 000007
【図６】
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