(57)【要約】【課題】発光装置の端子の上に被覆層が設けられている場合において、端子と導電部材の接続抵抗を低くする。【解決手段】発光部１２０は基板１１０に設けられており、例えば有機ＥＬ素子などの発光素子を有している。陽極端子１０２及び陰極端子１０４は、発光部１２０に接続している。陽極リード部１４２及び陰極リード部１４４は、基板１１０とは別に設けられている。陽極リード部１４２は陽極端子１０２に接続しており、陰極リード部１４４は陰極端子１０４に接続している。被覆層１５０は、陽極端子１０２及び陰極端子１０４を覆っている。陽極端子１０２は、陽極リード部１４２と重なっている領域の一部に接続領域２００を有している。接続領域２００は、陽極端子１０２のうち陽極リード部１４２に接続している部分である。【選択図】図４
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と、
前記基板に設けられた発光部と、
前記基板に設けられ、前記発光部と電気的に接続する端子と、
前記基板とは別に設けられ、前記端子に接続するリード部と、
前記端子を覆う被覆層と、
を備え、
前記端子は、前記リード部と重なっている領域の一部に、前記被覆層を有していない接続領域を有し、前記接続領域において前記リード部に接続している発光装置。
【請求項２】
請求項１に記載の発光装置において、
前記接続領域は、前記リード部と前記端子の間にはんだ層または導電ペースト層を備える発光装置。
【請求項３】
請求項２に記載の発光装置において、
前記リード部のうち前記端子に接続する接続面は、前記被覆層の厚さよりも高低差が大きい凹凸部を有しており、
前記接続領域は、前記凹凸部を前記端子に押し付けてスライドさせることにより、形成されている発光装置。
【請求項４】
請求項３に記載の発光装置において、
前記端子は前記基板の縁部に設けられており、
前記リード部のうち前記端子に接続する部分は、前記基板の縁部のうち前記端子が設けられている部分を、前記基板の両面側から挟んでいる発光装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、発光装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年は、有機ＥＬ素子を光源として利用した発光装置の開発が進んでいる。この発光装置に関する文献としては、例えば特許文献１に記載の技術がある。特許文献１において、発光層は封止層によって封止されている。そして、電極の一部は、封止層の外部に引き出されて端子となっている。この端子には、金属からなる導電部材が取り付けられている。この導電部材のうち電極に接続する部分は、基板の縁を挟み込む形状を有している。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開平１１−２７３８５５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
特許文献１に記載されているように、発光装置には、発光部に接続する端子が設けられている。端子の上には、被覆層が設けられていることがある。このような構造の端子に導電部材を接続する場合、被覆層に起因して、端子と導電部材の接続抵抗が高くなる可能性が出てくる。
【０００５】
本発明が解決しようとする課題としては、発光装置の端子の上に被覆層が設けられている場合において、端子と導電部材の接続抵抗を低くすることが一例として挙げられる。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
請求項１に記載の発明は、基板と、
前記基板に設けられた発光部と、
前記基板に設けられ、前記発光部と電気的に接続する端子と、
前記基板とは別に設けられ、前記端子に接続するリード部と、
前記端子を覆う被覆層と、
を備え、
前記端子は、前記リード部と重なっている領域の一部に、前記被覆層を有していない接続領域を有し、前記接続領域において前記リード部に接続している発光装置である。
【図面の簡単な説明】
【０００７】
【図１】実施形態に係る発光装置の平面図である。
【図２】図１のＡ−Ａ断面図である。
【図３】陽極リード部及び陰極リード部の斜視図である。
【図４】図６のＢ−Ｂ断面図である。
【図５】図６のＣ−Ｃ断面図である。
【図６】接続領域を説明するための平面図である。
【図７】実施例に係る発光装置の断面図である。
【図８】実施形態の図４に対応する断面図である。
【図９】図８の変形例を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【０００８】
以下、本発明の実施の形態について、図面を用いて説明する。尚、すべての図面において、同様な構成要素には同様の符号を付し、適宜説明を省略する。
【０００９】
図１は、実施形態に係る発光装置１０の平面図である。図２は、図１のＡ−Ａ断面図である。なお、図１では、説明のため陽極リード部１４２及び陰極リード部１４４を省略している。
【００１０】
実施形態に係る発光装置１０は、基板１１０、発光部１２０、陽極端子１０２及び陰極端子１０４（端子）、陽極リード部１４２及び陰極リード部１４４（リード部）、ならびに被覆層１５０（図４を用いて後述）を備えている。発光部１２０は基板１１０に設けられており、例えば有機ＥＬ素子などの発光素子を有している。陽極端子１０２及び陰極端子１０４は、発光部１２０と電気的に接続している。陽極リード部１４２及び陰極リード部１４４は、基板１１０とは別に設けられている。陽極リード部１４２は陽極端子１０２に接続しており、陰極リード部１４４は陰極端子１０４に接続している。被覆層１５０は、陽極端子１０２及び陰極端子１０４を覆っている。陽極端子１０２は、陽極リード部１４２と重なっている領域の一部に接続領域２００（図４を用いて後述）を有している。接続領域２００は、陽極端子１０２のうち陽極リード部１４２に接続している部分である。
【００１１】
本図に示す例において、発光装置１０は、発光パネル１００を有している。そして、基板１１０、発光部１２０、陽極端子１０２、陰極端子１０４、及び被覆層１５０は、発光パネル１００に含まれている。以下、詳細に説明する。
【００１２】
基板１１０は、たとえばガラス基板や樹脂基板などの透明基板である。基板１１０は、可撓性を有していてもよい。この場合、基板１１０の厚さは、例えば１０μｍ以上１．１ｍｍ以下である。この場合においても、基板１１０は無機材料及び有機材料のいずれで形成されていてもよい。基板１１０は、例えば矩形などの多角形である。
【００１３】
基板１１０には、発光部１２０が形成されている。発光部１２０には、少なくとも一つの発光素子、例えば有機ＥＬ素子が設けられている。この有機ＥＬ素子は、第１電極と第２電極の間に有機層を挟んだ構成を有している。有機層は、正孔輸送層、発光層、及び電子輸送層をこの順に積層した構成を有している。第１電極が陽極の場合は、正孔輸送層が第１電極の上に形成される。また、第１電極が陰極の場合は、電子輸送層が第１電極の上に形成される。なお、有機層は、さらに他の層を有していてもよい。
【００１４】
第１電極及び第２電極のうち少なくとも一方は透光性の電極になっている。また、残りの電極は、例えばＡｌやＡｇなどの金属によって形成されている。透光性の電極の材料は、例えば、ＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ  Ｔｉｎ  Ｏｘｉｄｅ）やＩＺＯ（Ｉｎｄｉｕｍ  Ｚｉｎｃ  Ｏｘｉｄｅ）等の無機材料、またはポリチオフェン誘導体などの導電性高分子である。例えば、有機ＥＬ素子が、基板１１０の上に第１電極、有機層、及び第２電極をこの順に積層した構成を有している場合、第１電極は透光性の電極になっており、第２電極は、Ａｌなど光を反射する電極になっている。
【００１５】
発光部１２０は、封止部材１３０によって封止されている。封止部材１３０は、例えばガラス、又はＳＵＳやＡｌなどの金属の薄い板（又は箔）によって形成されており、発光部１２０を収容する部分が上側に窪んでいる。これにより、封止部材１３０と基板１１０の間には、発光部１２０を収容する空間が形成される。この空間には乾燥剤が配置されている。また、この空間をエポキシなどの接着剤で充填しても良い。そして封止部材１３０の縁は、基板１１０に固定されている。
【００１６】
なお、封止部材１３０は、成膜法によって形成された膜であってもよい。この場合、例えばＡＬＤ（Atomic Layer Deposition）法又はＣＶＤ法を用いて形成されている。ＡＬＤ法で形成されている場合、封止部材１３０は、例えば酸化アルミニウムなどの酸化金属膜によって形成されている。ＣＶＤ法で形成されている場合、封止部材１３０は、酸化シリコン膜などの無機絶縁膜によって形成されている。
【００１７】
基板１１０のうち封止部材１３０の外側に位置する部分、例えば基板１１０の縁部には、陽極端子１０２及び陰極端子１０４が形成されている。陽極端子１０２は、引出配線１２２を介して発光部１２０の陽極に接続しており、陰極端子１０４は、引出配線１２４を介して発光部１２０の陰極に接続している。引出配線１２２，１２４は、封止部材１３０で封止されている空間から封止部材１３０の外部に引き出されている。
【００１８】
発光パネル１００は、さらに、陽極リード部１４２及び陰極リード部１４４を有している。陽極リード部１４２及び陰極リード部１４４は、いずれもリードフレームで形成された端子であり、絶縁被膜が形成されていない。ただし、陽極リード部１４２及び陰極リード部１４４には、絶縁被膜が形成されていてもよい。陽極リード部１４２及び陰極リード部１４４の一端は、基板１１０を挟み込む形状を有している。陰極リード部１４４は、一端側で基板１１０のうち陰極端子１０４が形成されている領域を挟み込むことにより、陰極端子１０４に接続し、かつ基板１１０に固定される。陽極リード部１４２も同様の構成を有している。陽極リード部１４２及び陰極リード部１４４の他端側は、発光パネル１００の非発光面側に伸びている。この他端は、例えば回路基板に接続される。この回路基板は、例えば、発光パネル１００を制御する制御回路の少なくとも一部を有している。
【００１９】
そして、陰極リード部１４４と陰極端子１０４の接続部分、及び陽極リード部１４２と陽極端子１０２の接続部分は、絶縁性の樹脂層３００で覆われている。これにより、陰極リード部１４４と陰極端子１０４の接続部分、及び陽極リード部１４２と陽極端子１０２の接続部分は、外部から絶縁され、また、保護される。樹脂層３００は、例えばＵＶ硬化型接着剤によって形成されている。
【００２０】
図３は、陽極リード部１４２の斜視図である。なお、陰極リード部１４４も陽極リード部１４２と同様の構成を有している。陽極リード部１４２は、基板１１０に固定される側の端部に、第１板状部１４６及び第２板状部１４７を有している。第１板状部１４６は、陽極リード部１４２の本体の一端に設けられており、第２板状部１４７は、第１板状部１４６よりも少し陽極リード部１４２の本体の他端側に設けられている。第１板状部１４６及び第２板状部１４７は、陽極リード部１４２の本体からほぼ直角な方向に、かつ互いにほぼ平行に延在している。ただし、第１板状部１４６及び第２板状部１４７は、開放端側が互いに近づく方向(又は離れる方向)に傾斜していてもよい。そして、陽極リード部１４２は、第１板状部１４６及び第２板状部１４７の間に基板１１０が差し込まれることによって、陽極端子１０２に接続する。このとき、陽極リード部１４２のうち第２板状部１４７が陽極端子１０２に接続する。
【００２１】
第２板状部１４７にはスリット１４８が設けられている。スリット１４８は、第２板状部１４７の開放端まで伸びている。スリット１４８が設けられることにより、第１板状部１４６と第２板状部１４７の間に基板１１０を差し込みやすくなる。また、後述するはんだ層２１０(又は導電性接着剤)を第２板状部１４７と陽極端子１０２（又は陰極端子１０４）の間に流し込みやすくなる。
【００２２】
図４及び図５は、陰極リード部１４４の第２板状部１４７と陰極端子１０４が接続している領域（接続領域２００）の構造を説明するための断面図である。図６は、接続領域２００を説明するための平面図である。なお、図４は図６のＢ−Ｂ断面に対応しており、図５は図６のＣ−Ｃ断面に対応している。なお、陽極リード部１４２の第２板状部１４７と陽極端子１０２が接続している領域も、以下に説明する構造を有している。
【００２３】
陰極端子１０４の上には、被覆層１５０が形成されている。被覆層１５０は、例えば、陰極端子１０４よりも抵抗が高い材料によって形成されている。陰極端子１０４は、例えばＡｌなどの金属によって形成されている。これに対して被覆層１５０は、酸化アルミニウムなどの酸化金属や、陰極端子１０４よりも抵抗が高い金属（例えばＭｏ、Ｎｂ、Ｎｉ、ＮｄやＴｉ）によって形成されている。被覆層１５０の厚さは、例えば１０ｎｍ以上２００μｍ以下である。そして、陰極端子１０４のうち第２板状部１４７と重なっている領域には、被覆層１５０で覆われていない領域が部分的に設けられている。陰極端子１０４は、この被覆層１５０で覆われていない領域において、はんだ層２１０を介して第２板状部１４７に接続している。なお、はんだ層２１０の代わりに導電ペースト層が用いられてもよい。
【００２４】
また、第２板状部１４７のうち陰極端子１０４に対向する面は、凹凸部１４５を有している。凹凸部１４５の高低差は、被覆層１５０の厚さよりも大きく、例えば１００ｎｍ以上１ｍｍ以下である。上記したように、陰極リード部１４４は、第１板状部１４６と第２板状部１４７の間に基板１１０を差し込むことにより、発光パネル１００に固定される。この際、図４及び図６に示すように、凹凸部１４５は、陰極端子１０４に押し付けられた状態でスライドし、陰極端子１０４の上から被覆層１５０を部分的に除去する。この際、凹凸部１４５によって、被覆層１５０と陰極端子１０４の一部が除去されることもある。これによって、接続領域２００が形成される。このため、一つの接続領域２００は長手方向に延在した形状を有している。また、第２板状部１４７に複数の凹凸部１４５（又は凸部）が形成されている場合、複数の接続領域２００は、互いに同一の方向に延在した形状を有している。ただし、凹凸部１４５がスライドした際に、凹凸部１４５が通った領域の周囲に位置する被覆層１５０も除去されることもある。この場合、接続領域２００は、凹凸部１４５が通った領域よりも広くなり、またその平面形状も様々になる。
【００２５】
そして、はんだ層２１０は、例えば第２板状部１４７のスリット１４８から、第２板状部１４７と陰極端子１０４の間に流し込まれる。このため、図５に示すように、スリット１４８の間の部分において、接続領域２００は第２板状部１４７の上面よりも盛り上がった形状になっている。
【００２６】
なお、凹凸部１４５は、例えば陰極リード部１４４の第２板状部１４７の表面を荒くする処理を行うことによって、形成される。
【００２７】
以上、本実施形態によれば、陰極端子１０４のうち陰極リード部１４４の第２板状部１４７と重なる部分には、被覆層１５０が除去された接続領域２００が部分的に設けられている。そして、接続領域２００において、陰極端子１０４は陰極リード部１４４に接続している。従って、被覆層１５０によって陰極端子１０４と陰極リード部１４４の間の接続抵抗が上昇することを、抑制できる。
【００２８】
また、第２板状部１４７と陰極端子１０４の間にははんだ層２１０が設けられている。このため、第２板状部１４７と陰極端子１０４は、はんだ層２１０を介して接続している。このようにすると、はんだ層２１０は陰極端子１０４のうち被覆層１５０から露出している部分の多くに接触するため、陰極リード部１４４と陰極端子１０４の接続抵抗はさらに低くなる。
【００２９】
また、本実施形態では、第２板状部１４７のうち陰極端子１０４に対向する面には、凹凸部１４５が形成されている。このため、陰極リード部１４４を基板１１０に差し込むときに、被覆層１５０は部分的に除去される。従って、容易に接続領域２００を形成することができる。
【実施例】
【００３０】
図７は、実施例に係る発光装置１０の断面図であり、実施形態における図２に対応している。図８は、実施形態の図４に対応する断面図である。本実施例は、以下の点を除いて、実施形態に係る発光装置１０と同様の構成を有している。
【００３１】
まず、封止部材１３０は、成膜法によって形成された膜である。例えば封止部材１３０は、ＡＬＤ法によって形成された酸化金属膜（例えば酸化アルミニウム膜）であり、その厚さは、１０ｎｍ以上２００ｎｍ以下である。そして、封止部材１３０は、陽極端子１０２の上及び陰極端子１０４の上にも形成されており、実施形態における被覆層１５０を兼ねている。
【００３２】
また、陽極端子１０２及び陰極端子１０４は、第１層１６２、第２層１６４、及び第３層１６６を積層した構造を有している。第２層１６４はＡｌなどの金属層である。第１層１６２及び第３層１６６は、第２層１６４よりも硬い材料（金属の場合もある）によって形成されており、かつ、第２層１６４よりも薄い。第１層１６２及び第３層１６６の厚さは、例えば１０ｎｍ以上１００ｎｍ以下である。第１層１６２及び第２層１６４は、例えばＮｉＮｂ合金層である。
【００３３】
なお、図９に示すように、接続領域２００において、第３層１６６は凹凸部１４５によって除去されていてもよい。
【００３４】
本実施例によれば、封止部材１３０が陽極端子１０２の上に形成されている場合において、封止部材１３０によって陰極端子１０４と陰極リード部１４４の間の接続抵抗が上昇することを、抑制できる。陽極端子１０２と陽極リード部１４２の間の接続抵抗についても、同様の効果が得られる。
【００３５】
また、封止部材１３０を陽極端子１０２及び陰極端子１０４の上にも形成できるため、封止部材１３０を基板１１０の縁の近くまで形成することができる。このため、発光部１２０を基板１１０の縁の近くまで形成することができる。従って、発光パネル１００のうち非発光領域の幅を狭くすることができる。
【００３６】
以上、図面を参照して実施形態及び実施例について述べたが、これらは本発明の例示であり、上記以外の様々な構成を採用することもできる。
【符号の説明】
【００３７】
１０ 発光装置
１０２ 陽極端子
１０４ 陰極端子
１１０ 基板
１２０ 発光部
１３０ 封止部材
１４２ 陽極リード部
１４４ 陰極リード部
１４５ 凹凸部
１４６ 第１板状部
１４７ 第２板状部
１５０ 被覆層
２００ 接続領域
２１０ はんだ層
【図１】
2015125844.tif 000003
【図２】
2015125844.tif 000004
【図３】
2015125844.tif 000005
【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
2015125844.tif 000009
【図８】
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【図９】
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