(57)【要約】【課題】異常検出直前に記憶された各情報を読み出すことができ、異常検出が連続した場合でも、前の異常検出時に記憶された情報に上書きされることがないパワーコンディショナを提供する。【解決手段】パワーコンディショナにおいて、複数の記憶領域（第１〜第４バンク）を有する記憶部４１と、記憶領域の内の１の記憶領域に、取得した情報を順に循環的に書き込む書込部４２と、異常を検出する異常検出回路６と、異常検出回路６によって異常が検出された場合に、情報を書き込む記憶領域を別の記憶領域に変更するバンク変更部４３とを備えるようにした。異常が検出されない間は、１の記憶領域に情報が循環的に書き込まれ、異常が検出された場合に、情報を書き込む記憶領域が別の記憶領域に変更される。よって、異常検出直前に書き込まれた情報に上書きされることを防ぐことができる。【選択図】図２
2015104276.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
インバータ回路によって直流電力を交流電力に変換して出力するパワーコンディショナであって、
複数の記憶領域を有する記憶手段と、
前記記憶領域の内の１の記憶領域に、取得した情報を順に循環的に書き込む書込手段と、
異常を検出する異常検出手段と、
前記異常検出手段によって異常が検出された場合に、情報を書き込む記憶領域を別の記憶領域に変更する記憶領域変更手段と、
を備えていることを特徴とするパワーコンディショナ。
【請求項２】
前記記憶領域変更手段は、前記異常検出手段によって異常が検出された時から所定時間経過後に、前記情報を書き込む記憶領域を別の記憶領域に変更する、
請求項１に記載のパワーコンディショナ。
【請求項３】
前記所定時間は、前記情報を書き込む記憶領域の記憶容量の半分以下の情報を書き込むための時間である、
請求項２に記載のパワーコンディショナ。
【請求項４】
前記記憶領域変更手段によって記憶領域が変更された場合に、変更される前の記憶領域に記憶されている情報を読み出す読出手段と、
前記読み出された情報を送信する通信手段と、
をさらに備えている、
請求項１ないし３のいずれかに記載のパワーコンディショナ。
【請求項５】
前記記憶領域変更手段によって記憶領域が変更された場合に、変更される前の記憶領域に記憶されている情報を読み出す読出手段と、
前記読み出された情報を分析する分析手段と、
をさらに備えている、
請求項１ないし３のいずれかに記載のパワーコンディショナ。
【請求項６】
前記異常検出手段は、短絡、地絡、単独運転、瞬低、周波数異常、過電圧、過電流、温度異常のいずれかを、異常として検出する、
請求項１ないし５のいずれかに記載のパワーコンディショナ。
【請求項７】
前記書込手段は、第１のサンプリングタイムごとに検出される情報と、前記第１のサンプリングタイムより長い第２のサンプリングタイムごとに検出される情報とを、それぞれ循環的に書き込む、
請求項１ないし６のいずれかに記載のパワーコンディショナ。
【請求項８】
前記第１のサンプリングタイムごとに検出される情報は、前記インバータ回路の入出力についての電気的情報である、
請求項７に記載のパワーコンディショナ。
【請求項９】
前記第２のサンプリングタイムごとに検出される情報は、前記インバータ回路の出力電力値である、
請求項７または８に記載のパワーコンディショナ。
【請求項１０】
前記記憶手段は４つの記憶領域を有している、
請求項１ないし９のいずれかに記載のパワーコンディショナ。
【請求項１１】
太陽電池が出力する直流電力を変換して電力系統に出力する、
請求項１ないし１０のいずれかに記載のパワーコンディショナ。
【請求項１２】
インバータ回路の入出力についての電気的情報を記憶手段に記憶する記憶方法であって、
前記記憶手段は複数の記憶領域を有しており、
前記記憶領域の内の１の記憶領域に、取得した情報を順に循環的に書き込む第１の工程と、
異常を検出する第２の工程と、
異常が検出された場合に、情報を書き込む記憶領域を別の記憶領域に変更する第３の工程と、
を備えていることを特徴とする記憶方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、センサによる検出結果などの情報を記憶する機能を有するパワーコンディショナ、および、記憶方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
太陽電池が発電した直流電力をパワーコンディショナによって交流電力に変換し、電力系統に供給する太陽光発電システムがある。太陽光発電システムにおいては、発電状況を管理したり、各種の制御を行うために、パワーコンディショナの入出力の電流、電圧などの電気的情報が検出される。検出された各電気的情報は、制御のためにパワーコンディショナの内部で用いられ、また、定期的（例えば１分ごと）に管理用のコンピュータに送信されて、発電状況の管理に使用される。
【０００３】
パワーコンディショナの故障や、電力系統での異常発生などの異常が検出された場合、各電流、電圧の波形などを分析することで、その異常の原因を究明することができる。このため、検出された各電気的情報をパワーコンディショナの内部に所定時間分記憶しておいて、異常検出時に読み出して分析することが行われている。例えば、特許文献１には、ＲＡＭに循環的に電気的情報を書き込んでおき、故障時にその前後の情報を読み出して故障の分析に用いることが記載されている。また、特許文献１の電力変換装置は、軽故障の直後に重故障が発生した場合に、軽故障時前後の電気的情報と重故障時前後の電気的情報とを両方記憶できるようにしている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特許第４５９９９６９号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
特許文献１の電力変換装置の場合、重故障後は所定量のデータを書き込んだ後はＲＡＭへの書き込みを中止することで軽故障時のデータに上書きされることを防止している。したがって、ＲＡＭへの書き込みを中止しない軽故障が連続した場合、前の軽故障時のデータに上書きされる場合がある。
【０００６】
本発明は上述した事情のもとで考え出されたものであって、異常が検出された場合に、異常検出直前に記憶された各情報を読み出すことができ、異常の検出が連続した場合でも、前の異常検出時に記憶された情報に上書きされることがないパワーコンディショナを提供することをその目的としている。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上記課題を解決するため、本発明では、次の技術的手段を講じている。
【０００８】
本発明の第１の側面によって提供されるパワーコンディショナは、インバータ回路によって直流電力を交流電力に変換して出力するパワーコンディショナであって、複数の記憶領域を有する記憶手段と、前記記憶領域の内の１の記憶領域に、取得した情報を順に循環的に書き込む書込手段と、異常を検出する異常検出手段と、前記異常検出手段によって異常が検出された場合に、情報を書き込む記憶領域を別の記憶領域に変更する記憶領域変更手段とを備えていることを特徴とする。
【０００９】
なお、「循環的に書き込む」とは、記憶領域の先頭アドレスの記憶位置から順に書き込んでいき、最後尾アドレスの記憶位置に書き込んだ後は、先頭アドレスの記憶位置に戻って書き込みを継続することである。
【００１０】
本発明の好ましい実施の形態においては、前記記憶領域変更手段は、前記異常検出手段によって異常が検出された時から所定時間経過後に、前記情報を書き込む記憶領域を別の記憶領域に変更する。
【００１１】
本発明の好ましい実施の形態においては、前記所定時間は、前記情報を書き込む記憶領域の記憶容量の半分以下の情報を書き込むための時間である。
【００１２】
本発明の好ましい実施の形態においては、前記記憶領域変更手段によって記憶領域が変更された場合に、変更される前の記憶領域に記憶されている情報を読み出す読出手段と、前記読み出された情報を送信する通信手段とをさらに備えている。
【００１３】
本発明の好ましい実施の形態においては、前記記憶領域変更手段によって記憶領域が変更された場合に、変更される前の記憶領域に記憶されている情報を読み出す読出手段と、前記読み出された情報を分析する分析手段とをさらに備えている。
【００１４】
本発明の好ましい実施の形態においては、前記異常検出手段は、短絡、地絡、落雷、単独運転、瞬低、周波数異常、過電圧、過電流、温度異常のいずれかを、異常として検出する。
【００１５】
本発明の好ましい実施の形態においては、前記書込手段は、第１のサンプリングタイムごとに検出される情報と、前記第１のサンプリングタイムより長い第２のサンプリングタイムごとに検出される情報とを、それぞれ循環的に書き込む。
【００１６】
本発明の好ましい実施の形態においては、前記第１のサンプリングタイムごとに検出される情報は、前記インバータ回路の入出力についての電気的情報である。
【００１７】
本発明の好ましい実施の形態においては、前記第２のサンプリングタイムごとに検出される情報は、前記インバータ回路の出力電力値である。
【００１８】
本発明の好ましい実施の形態においては、前記記憶手段は４つの記憶領域を有している。
【００１９】
本発明の好ましい実施の形態においては、前記パワーコンディショナは、太陽電池が出力する直流電力を変換して電力系統に出力する。
【００２０】
本発明の第２の側面によって提供される記憶方法は、インバータ回路の入出力についての電気的情報を記憶手段に記憶する記憶方法であって、前記記憶手段は複数の記憶領域を有しており、前記記憶領域の内の１の記憶領域に、取得した情報を順に循環的に書き込む第１の工程と、異常を検出する第２の工程と、異常が検出された場合に、情報を書き込む記憶領域を別の記憶領域に変更する第３の工程とを備えていることを特徴とする。
【発明の効果】
【００２１】
本発明によると、異常が検出されない間は、複数の記憶領域の内の１の記憶領域に、情報が循環的に書き込まれる。そして、異常が検出された場合に、情報を書き込む記憶領域が別の記憶領域に変更される。したがって、異常が検出される直前に書き込まれた情報に上書きされることを防ぐことができる。
【００２２】
本発明のその他の特徴および利点は、添付図面を参照して以下に行う詳細な説明によって、より明らかとなろう。
【図面の簡単な説明】
【００２３】
【図１】第１実施形態に係るパワーコンディショナを説明するための図である。
【図２】第１実施形態に係る記憶回路の内部構成を説明するための機能ブロック図である。
【図３】記憶処理の処理手順について説明するためのフローチャートである。
【図４】書込処理を説明するための図である。
【図５】書込処理を説明するための図である。
【図６】第１実施形態に係るパワーコンディショナの別の実施例を説明するための図である。
【図７】第１実施形態に係るパワーコンディショナの別の実施例を説明するための図である。
【発明を実施するための形態】
【００２４】
以下、本発明の実施の形態を、図面を参照して具体的に説明する。
【００２５】
図１は、第１実施形態に係るパワーコンディショナを説明するための図であり、太陽光発電システムを示している。
【００２６】
パワーコンディショナＡは、インバータ回路１、各種センサ２１〜２７、制御回路３、記憶回路４、通信回路５、および、異常検出回路６を備えている。パワーコンディショナＡは、太陽電池Ｂが出力する直流電力をインバータ回路１によって交流電力に変換し、図示しない負荷に供給する。負荷には、電力系統Ｃからも電力が供給される。また、パワーコンディショナＡは、逆潮流ありのシステムであり、交流電力を電力系統Ｃにも供給する。なお、図示しないが、インバータ回路１の出力側には、交流電圧を昇圧（または降圧）するための変圧器が設けられている。
【００２７】
インバータ回路１は、太陽電池Ｂから入力される直流電力を交流電力に変換して出力するものである。インバータ回路１は、図示しないＰＷＭ制御インバータとフィルタとを備えている。ＰＷＭ制御インバータは、図示しない３組６個のスイッチング素子を備えた三相インバータであり、制御回路３から入力されるＰＷＭ信号に基づいて各スイッチング素子のオンとオフとを切り替えることで直流電力を交流電力に変換する。フィルタは、スイッチングによる高周波成分を除去する。なお、インバータ回路１は、これに限られない。例えば、ＰＷＭ制御インバータは、単相インバータであってもよいし、マルチレベルインバータであってもよい。また、ＰＷＭ制御に限定されず、フェーズシフト制御など他の方式を用いるものであってもよい。
【００２８】
直流電流センサ２１は、インバータ回路１の入力電流の瞬時値を検出するものである。直流電圧センサ２２は、インバータ回路１の入力電圧の瞬時値を検出するものである。電流センサ２３は、インバータ回路１の出力電流の瞬時値を検出するものである。電圧センサ２４は、インバータ回路１の出力電圧の瞬時値を検出するものである。各センサ２１〜２４は、検出値を制御回路３および記憶回路４に出力する。
【００２９】
日射センサ２５は、日射量を検出するものであり、太陽電池Ｂの近くに配置される。気温センサ２６は、気温を検出するものであり、太陽電池Ｂの近くに配置される。温度センサ２７は、温度を検出するものであり、パワーコンディショナＡの内部に配置される。各センサ２５，２６，２７は、検出値を記憶回路４に出力する。なお、配置されるセンサは、上記したものに限られない、例えば、風速センサ、風向センサ、雨量センサなどを太陽電池Ｂの近くに配置して、太陽電池Ｂの近辺の風速、風向、雨量を検出し、検出値を記憶回路４に出力するようにしてもよい。
【００３０】
制御回路３は、インバータ回路１を制御するものであり、例えばマイクロコンピュータなどによって実現されている。制御回路３は、直流電流センサ２１、直流電圧センサ２２、電流センサ２３、および、電圧センサ２４より入力される検出値に基づいてＰＷＭ信号を生成して、インバータ回路１に出力する。制御回路３は、入力電圧や無効電力、出力電流を制御するが、各制御のための構成の記載および説明は省略する。
【００３１】
制御回路３は、各種パラメータの値を記憶回路４に出力する。出力されるパラメータには、例えば、ユーザが設定した制御パラメータや、各制御の目標値、パワーコンディショナＡの状態で変わるリミット値などがある。また、制御回路３は、パワーコンディショナＡの運転状態（停止状態、ソフトスタート状態、連系状態、抑制運転状態など）を示す情報も、記憶回路４に出力する。
【００３２】
記憶回路４は、パワーコンディショナＡの内部情報を一元的に保存管理するものである。記憶回路４には、各センサ２１〜２７および制御回路３より、パワーコンディショナＡの状態に関する情報（内部情報）が入力される。記憶回路４は、これらの内部情報を所定時間の間、記憶しておく。また、記憶回路４は、各センサ２１〜２７より入力される情報に基づいて算出された出力電力値などの情報も、内部情報として記憶しておく。記憶回路４は、所定のタイミング（例えば、１分毎）で、所定の内部情報（例えば、太陽電池Ｂ近辺の日射量や出力電力値など）を、通信回路５を介して管理用コンピュータＤに送信する。管理用コンピュータＤは、所定のタイミング毎に送られてくる情報を蓄積して、発電状況の管理に用いる。さらに、記憶回路４は、異常が検出されると、その前後の内部情報を管理用コンピュータＤに送信する。管理用コンピュータＤは、異常検出前後の内部情報を分析して、異常の原因を判断する。記憶回路４の詳細については後述する。
【００３３】
通信回路５は、管理用コンピュータＤとの間で通信を行うものである。通信回路５は、定期的に、所定の内部情報を管理用コンピュータＤに送信する。また、異常が検出された場合に、その前後の内部情報を管理用コンピュータＤに送信する。また、管理用コンピュータＤから情報提供の要求を受信した場合にも、内部情報の送信を行う。
【００３４】
異常検出回路６は、異常の発生を検出するものである。異常検出回路６によって検出される異常には、パワーコンディショナＡの故障などによるものの他に、電力系統の異常（瞬低、系統周波数の変化、地絡、短絡、落雷など）、太陽電池Ｂの異常（太陽電池パネルの損傷、地絡、短絡、落雷など）などがある。また、インバータ回路１を即時停止させるような大きな異常だけでなく、インバータ回路１の運転を継続させられる小さな異常も含まれる。異常検出回路６は、例えば、短絡検出装置、地絡検出装置、単独運転検出装置、瞬低検出装置、周波数異常検出装置、過電圧検出装置、過電流検出装置、温度異常検出装置などによって異常が検出された場合に、検出信号を記憶回路４に出力する。
【００３５】
記憶回路４は、各センサ２１〜２４より入力される検出値を、所定の第１サンプリングタイムごとに記憶する。本実施形態では、インバータ回路１の入力電流、入力電圧、出力電流および出力電圧の各瞬時値が記憶される。第１サンプリングタイムは、商用周波数（６０Ｈｚまたは５０Ｈｚ）の電流および電圧の波形を再現できるように、数ミリ秒程度にしている。また、記憶回路４は、電圧センサ２４が検出した電圧の瞬時値から算出された系統周波数、電流センサ２３が検出した電流の瞬時値と電圧センサ２４が検出した電圧の瞬時値とから算出されたインバータ回路１の出力電力値なども記憶する。系統周波数や出力電力値は、電流および電圧の瞬時値と同じ第１サンプリングタイムで記憶する必要がなく、また、ある程度長い時間の情報が必要になるので、第１サンプリングタイムの１００倍程度の第２サンプリングタイムごとに記憶される。
【００３６】
また、記憶回路４は、日射センサ２５より入力される日射量、気温センサ２６より入力される気温、温度センサ２７より入力される温度、制御回路３より入力される各種パラメータの値、パワーコンディショナＡの運転状態も記憶する。これらの内部情報は、第２サンプリングタイムごとに記憶される。つまり、記憶回路４は、波形を再現できるように、入力電流、入力電圧、出力電流および出力電圧の各瞬時値を第１サンプリングタイムごとに記憶し、ある程度長い時間の情報を記憶できるように、系統周波数、出力電力値、日射量、気温、温度、各種パラメータの値および運転状態を第２サンプリングタイムごとに記憶する。なお、記憶回路４に記憶される内部情報は、上記したものに限定されない。
【００３７】
図２は、記憶回路４の内部構成を説明するための機能ブロック図である。記憶回路４は、記憶部４１、書込部４２、バンク変更部４３、および、読出部４４を備えている。
【００３８】
記憶部４１は、内部情報を記憶するためのものであり、例えば、ＲＡＭや不揮発性の半導体メモリであるフラッシュメモリなどによって実現されている。記憶部４１内の記憶領域は、第１バンクから第４バンクまでの４つの記憶領域に分けられている。また、第１〜第４バンクは、第１サンプリングタイムで記憶される内部情報のための第１領域と第２サンプリングタイムで記憶される内部情報のための第２領域との２つの領域に分けられている。第１領域と第２領域とは記憶容量が同じなので、サンプリングタイムの違いにより、第２領域の方が第１領域の１００倍程度の時間の情報を記憶することができる。例えば、第１領域が数秒分の情報を記憶するのに対して、第２領域は分単位の情報を記憶することができる。第１領域および第２領域は複数の記憶位置に分けられており、各記憶位置にはアドレスが付されている。図２においては、ｘ個の記憶位置が設けられて、順に「０」から「ｘ−１」までのアドレスが付されている。
【００３９】
書込部４２は、各センサ２１〜２７および制御回路３より入力される各情報および算出された情報（内部情報）を、記憶部４１の記憶領域に書き込むものである。書込部４２は、バンク変更部４３から変更指令が入力されるまでは、内部情報を、第１〜第４バンクのいずれか１つのバンクの中で循環的に書き込んでいく。最後尾アドレス（図２においてはアドレス「ｘ−１」）の記憶位置に書き込んだ後は、先頭アドレス(図２においてはアドレス「０」)の記憶位置に戻って書き込みを継続するので、当該バンクに記憶されている内部情報は上書きされていく。書込部４２は、バンク変更部４３から変更指令が入力された場合、内部情報の書き込み先を別のバンクに変更し、当該バンクの先頭アドレスの記憶位置から順に書き込みを行う。したがって、変更前のバンクには、変更直前に書き込まれた内部情報が残される。
【００４０】
また、第１〜第４バンクは第１領域と第２領域とに分けられており、各領域は異なるサンプリングタイムで書き込みを行うので、書込部４２は、書き込み先のアドレスを第１領域用のアドレスと第２領域用のアドレスとで別々に管理している。
【００４１】
バンク変更部４３は、内部情報の書き込み先を別のバンクに変更することを指令するものである。バンク変更部４３は、異常検出回路６から検出信号を入力された場合、検出信号受信から所定時間経過後に、変更指令を書込部４２および読出部４４に出力する。検出信号受信から変更指令出力までに所定時間あけているのは、この間に入力される異常検出直後の内部情報も異常検出直前の内部情報と同じバンクに記憶させるためである。これにより、異常検出直前の内部情報だけでなく、異常検出直後の内部情報も残すことができる。本実施形態では、異常検出直前のｔ１秒分の内部情報と、異常検出直後のｔ２秒分の内部情報とを残すようにしている。一般的に、異常の原因を分析するためには、異常検出直後の内部情報よりも異常検出直前の内部情報が重要になるので、ｔ１秒をｔ２秒より大きくする。本実施形態では、ｔ１秒をｔ２秒の数倍としている。なお、異常検出前後のどの程度の時間分の内部情報を残すかによって、ｔ１秒およびｔ２秒を適宜設定すればよい。例えば、異常検出直前の内部情報だけを残せばよいのであれば、検出信号受信時にすぐに変更指令を出力する（すなわち、ｔ２＝０）ようにすればよい。
【００４２】
各バンクの第１領域は、（ｔ１＋ｔ２）秒分の内部情報を記憶できる記憶容量を有する。各バンクの第２領域は第１領域と同じ記憶容量であり、サンプリングタイムが１００倍程度長いので、第２領域には、異常検出直前の内部情報がｔ１秒の１００倍程度の時間分残される。しかし、バンク変更のタイミングは第１領域と同じタイミングなので、異常検出直後の内部情報はｔ２秒分だけが残される。
【００４３】
読出部４４は、記憶部４１から内部情報を読み出すものである。読出部４４は、定期的に所定の内部情報を読み出して、通信回路５に出力する。通信回路５は入力された内部情報を管理用コンピュータＤに送信する。また、管理用コンピュータＤから情報提供の要求があった場合にも、内部情報を読み出して通信回路５に出力する。さらに、読出部４４は、バンク変更部４３から変更指令が入力されたときに、変更前のバンクに記憶されている内部情報を読み出して、通信回路５に出力する。通信回路５は、入力された内部情報を、異常検出前後の内部情報として、管理用コンピュータＤに送信する。管理用コンピュータＤは、受信した内部情報に基づいて分析を行い、異常の原因を究明する。
【００４４】
管理用コンピュータＤは、異常の原因に応じて、対応する処理を行う。例えば、異常の原因が電力系統Ｃで瞬間的に異常が発生したことによるもので、すぐに回復するもの（例えば、瞬低や瞬間的な系統周波数の変化）である場合には、パワーコンディショナＡに故障が発生したわけではないので、管理用コンピュータＤは、インバータ回路１を再起動させる。また、異常の原因が太陽電池Ｂの損傷であった場合には、管理用コンピュータＤは、太陽電池Ｂを修理するように管理者に知らせる。また、管理用コンピュータＤは、異常検出前後の内部情報と異常の原因とを関連付けて蓄積し、異常の原因を究明するためのデータベースを構築する。
【００４５】
図３は、記憶回路４が行う、内部情報を記憶部４１に書き込む処理（以下では、「書込処理」とする）の処理手順について説明するためのフローチャートである。書込処理は、パワーコンディショナＡが起動したときに開始され、インバータ回路１が停止している間も含め、常に実行されている。また、第１領域と第２領域とでは書き込みのタイミングが異なるので、それぞれの書込処理が並行して実行される。以下では、第１領域での書き込み処理を記載する（図４，５についても同様）。
【００４６】
まず、書込部４２が取得した内部情報が、記憶部４１の現在指定されているバンクの指定アドレスの記憶位置に書き込まれる（Ｓ１）。書込部４２は、サンプリングタイムごとに内部情報を取得する。また、指定されているバンクのバンク番号および指定アドレスは、ＲＡＭなどに記憶されている。次に、異常が検出されたか否か、すなわち、異常検出回路６から検出信号が入力されたか否かが判別される（Ｓ２）。異常が検出されなかった場合（Ｓ２：ＮＯ）、ステップＳ１に戻って、次のアドレスの記憶位置に内部情報が書き込まれる。異常が検出されるまで、ステップＳ１およびＳ２が繰り返される。
【００４７】
異常が検出された場合（Ｓ２：ＹＥＳ）、時間を計時するための変数ｔが「０」に初期化される（Ｓ３）。次に、書込部４２が取得した内部情報が、記憶部４１の現在指定されているバンクに書き込まれ（Ｓ４）、変数ｔが所定の時間ｔ２以上になったか否かが判別される（Ｓ５）。変数ｔがｔ２未満の場合（Ｓ５：ＮＯ）、ステップＳ４に戻る。すなわち、ｔ２が経過するまで、ステップＳ４およびＳ５が繰り返される。これにより、異常検出直後からｔ２までの内部情報が、異常検出直前の内部情報と同じバンクに書き込まれる。
【００４８】
変数ｔがｔ２以上になった場合（Ｓ５：ＹＥＳ）、指定されているバンクが変更され（Ｓ６）、変更前のバンクの読出処理（後述）が開始され、ステップＳ１に戻る。なお、記憶回路４が行う書込処理は、上述したものに限定されない。
【００４９】
図４は、書込処理を説明するための図である。
【００５０】
同図（ａ）は、現在指定されているバンクが第１バンクであり、内部情報が第１バンクに循環的に書き込まれている状態を示している。白い矢印は、現在指定されているアドレスを示している。同図（ａ）では、アドレス「ｙ」が指定されている。
【００５１】
同図（ｂ）は、アドレス「ｙ」の記憶位置に内部情報が記憶された後に異常が検出され、ｔ２までの間に内部情報がｚ回書き込まれた状態を示している。アドレス「ｙ＋ｚ」の記憶位置まで、異常検出後の内部情報が書き込まれている。
【００５２】
同図（ｃ）は、同図(ｂ)の直後のバンクが変更された状態を示している。指定されているバンクが第２バンクになり、第２バンクのアドレス「０」が指定されている。この後は、内部情報が第２バンクに循環的に書き込まれる。第１バンクには異常検出前後の内部情報が記憶されたまま残っている。
【００５３】
次に、記憶回路４が行う、異常検出前後の内部情報を記憶部４１から読み出す処理（「読出処理」）について説明する。読出処理は、書込処理中に異常が検出されてバンクの変更が行われた時（図３のステップＳ６参照）に開始される。
【００５４】
読出処理では、変更前のバンクの最後に書き込みがされたアドレスの次のアドレスの記憶位置から、記憶されている内部情報が順に読み出される。図４の場合、第１バンクのアドレス「ｙ＋ｚ＋１」の記憶位置から順にアドレス「ｘ−１」の記憶位置までの内部情報が読み出され、続いて、アドレス「０」の記憶位置からアドレス「ｙ＋ｚ」の記憶位置までの内部情報が読み出される。このうち、アドレス「ｙ＋ｚ＋１」〜「ｘ−１」、「０」〜「ｙ」の記憶位置の内部情報が、異常検出直前の時間ｔ１の間に書き込まれた内部情報に該当し、アドレス「ｙ＋１」〜「ｙ＋ｚ」の記憶位置（図４における点描の領域参照）の内部情報が、異常検出直後の時間ｔ２の間に書き込まれた内部情報に該当する。第２領域の場合、アドレス「ｙ＋ｚ＋１」〜「ｘ−１」、「０」〜「ｙ」の記憶位置の内部情報が、異常検出直前（時間ｔ１の１００倍程度の時間）に書き込まれた内部情報として読み出され、異常検出直後の時間ｔ２の間に書き込まれた内部情報がアドレス「ｙ＋１」以降の記憶位置から読み出される。
【００５５】
バンクが変更されてから変更後のバンクでの循環的な書き込みが何巡目であるかは、カウントされておりＲＡＭなどに記憶されている。例えば、バンクの変更時に変数Ｃを「１」に初期化しておき、最後尾アドレスの記憶位置に内部情報が書き込まれた後に変数Ｃに「１」を加算していく。変数Ｃが「２」以上の状態でバンクの変更がされた場合、異常検出直前の時間ｔ１の間に書き込まれた内部情報はすべて変更前のバンクに記憶されているので、上記の読出処理で読み出すことができる。しかし、変数Ｃが「１」の状態でバンクの変更がされた場合、異常検出直前の時間ｔ１の間に書き込まれた内部情報の一部は、もう１つ前のバンクに記憶されている。例えば、第４バンクから第１バンクに変更されて、第１バンクの１巡目（Ｃ＝１）の書き込み時に異常が検出された場合、異常検出直前の内部情報の一部を、第４バンクからも読み出す必要がある。
【００５６】
次に、異常検出直後の時間ｔ２の間の内部情報を書き込んでいる途中（図３のステップＳ４とＳ５のループ中）に再度異常が検出された場合の処理について、図５を参照して説明する。
【００５７】
図５（ａ）は、アドレス「ｙ」の記憶位置に内部情報が記憶された後に異常が検出され、アドレス「ｙ’」の記憶位置に内部情報が記憶された後に再度異常が検出された状態を示している。この場合、変数ｔとは別に、時間を計時するための変数ｔ’が「０」に初期化されて計時を開始する。第１バンクへの書き込みは、最初の異常検出からｔ２まで、アドレス「ｙ＋ｚ」の記憶位置まで継続されている。
【００５８】
同図（ｂ）は、同図(ａ)の後、２回目の異常検出（ｔ’＝０）からｔ２までの間に内部情報がｚ回書き込まれた状態を示している。第２バンクのアドレス「ｙ’−ｙ−１」の記憶位置まで、２回目の異常検出後の内部情報が書き込まれている。２回目の異常検出後の内部情報は、第１バンクのアドレス「ｙ’＋１」から「ｙ＋ｚ」までの記憶位置に（ｙ＋ｚ−ｙ’）回分がすでに書き込まれているので、第２バンクには、残りの(ｙ’−ｙ)｛＝ｚ−（ｙ＋ｚ−ｙ’）｝回分が書き込まれている。
【００５９】
同図（ｃ）は、同図(ｂ)の直後のバンクが変更された状態を示している。指定されているバンクが第３バンクになり、第３バンクのアドレス「０」が指定されている。この後は、内部情報が第３バンクに循環的に書き込まれる。最初の異常検出前後の内部情報は第１バンクに残されており、２回目の異常検出前後の内部情報は第１バンクおよび第２バンクに残されている。
【００６０】
第１バンクに記憶されている、最初の異常検出前後の内部情報の読出処理は、上記の読出処理と同じである。２回目の異常検出前後の内部情報の読出処理（以下では「第２の読出処理」とする）について、以下に説明する。第２の読出処理は、２回目の異常検出があってバンクの変更が行われた時に開始される。
【００６１】
第２の読出処理では、変更前のバンク（図５においては第１バンク）のアドレス「ｙ’＋ｚ＋１」の記憶位置から順にアドレス「ｘ−１」の記憶位置までの内部情報が読み出される。なお、第１バンクの読出し開始位置は、最初の異常検出がなかったとした場合に第１バンクに書き込みされていたはずである最後のアドアレス「ｙ’＋ｚ」の次のアドレス「ｙ’＋ｚ＋１」になる。続いて、第１バンクのアドレス「０」の記憶位置からアドレス「ｙ＋ｚ」の記憶位置までの内部情報が読み出される。そして、変更前のバンク（図５においては第２バンク）のアドレス「０」の記憶位置から順にアドレス「ｙ’−ｙ−１」の記憶位置までの内部情報が読み出される。このうち、第１バンクのアドレス「ｙ’＋ｚ＋１」〜「ｘ−１」、「０」〜「ｙ’」の記憶位置の内部情報が、２回目の異常検出直前の時間ｔ１の間に書き込まれた内部情報に該当し、第１バンクのアドレス「ｙ’＋１」〜「ｙ＋ｚ」および第２バンクのアドレス「０」〜「ｙ’−ｙ−１」の記憶位置（図６における斜線の領域参照）の内部情報が、２回目の異常検出直後の時間ｔ２の間に書き込まれた内部情報に該当する。
【００６２】
本実施形態によると、異常が検出されない間は、１のバンクに内部情報が循環的に書き込まれる。そして、異常が検出された場合に、内部情報を書き込むバンクが別のバンクに変更される。したがって、異常が検出される直前に書き込まれた内部情報に上書きされることを防ぐことができる。
【００６３】
また、バンクの変更のタイミングを、異常が検出された時から所定時間経過後としているので、異常が検出された直後の内部情報も、同じバンクに残すことができる。これにより、異常検出前後の内部情報を、上書きされないように残すことができ、異常の原因究明に用いることができる。
【００６４】
また、本実施形態では、入力電流、入力電圧、出力電流および出力電圧の各瞬時値を第１サンプリングタイムごとにサンプリングして第１領域に書き込み、系統周波数、出力電力値、日射量、気温、温度、各種パラメータの値および運転状態を、第１サンプリングタイムの１００倍程度長い第２サンプリングタイムごとに第２領域に書き込んでいる。したがって、入力電流、入力電圧、出力電流および出力電圧の各瞬時値を波形が再現できるように記憶しつつ、その他の内部情報を長い時間記憶しておくことができる。これにより、異常検出前後の各波形を参照することができ、かつ、異常検出前の系統周波数や日射量などについて長い時間の変化状態を参照することができる。
【００６５】
なお、上記第１実施形態においては、記憶部４１に４つのバンクを設けている場合について説明したが、これに限られない。４つのバンクを設けるのではなく、１つの記憶領域を４つの記憶領域に分けて、書き込みを循環させる領域をアドレスで区別するようにしてもよい。例えば、図６は、１つの記憶領域をアドレス「０」〜「ｘ−１」、アドレス「ｘ」〜「２ｘ−１」、アドレス「２ｘ」〜「３ｘ−１」、アドレス「３ｘ」〜「４ｘ−１」の領域に分けた例を示している。この場合、例えば、アドレス「０」〜「ｘ−１」の記憶位置に循環的に書き込みを行い、異常が検出されてから時間ｔ２経過後に次の書き込みアドレスを「ｘ」にして、その後はアドレス「ｘ」〜「２ｘ−１」の記憶位置に循環的に書き込みを行うようにしてもよい。また、１つの記憶領域を有する記憶部４１を複数設けて、１つの記憶部４１の記憶領域内で循環的に書き込みを行い、異常が検出された場合に、書き込み先を別の記憶部４１の記憶領域に切り替えるようにしてもよい。要するに、１つの記憶領域全体で循環的に書き込みを行うと、古い内部情報が新しい内部情報によって上書きされてしまうので、異常が検出された場合に、書き込み先をそれまでの循環的な書き込み領域から別の循環的な書き込み領域に切り替えることで、切り替え前に書き込まれた内部情報が上書きされないようにすればよい。
【００６６】
上記第１実施形態においては、記憶部４１に４つのバンクを設けているので、３回の異常検出まで異常検出前後の内部情報を残しておくことができる。設けるバンクの数は４つに限定されず、２つ以上であればよい。ただし、バンクが２つだけの場合、１回目の異常検出前後の内部情報を読み出しきる前に次の異常が検出されてバンクの変更が行われると、１回目の異常検出前後の内部情報が上書きされてしまう可能性がある。また、バンクを多く設けた場合、多くの記憶容量が必要になる。したがって、設けるバンクの数は４つほどが適当である。
【００６７】
上記第１実施形態においては、異常が検出されてバンクが変更された場合に、変更前のバンク全体に記憶されている内部情報を読み出す場合について説明したが、これに限られない。各バンクの記憶容量が時間（ｔ１＋ｔ２）以上分の内部情報を記憶できる場合には、バンク全体を読み出す必要はなく、異常検出直前の時間ｔ１および異常検出直後の時間ｔ２に対応する内部情報のみを読み出せばよい。
【００６８】
上記第１実施形態においては、各バンクに第１領域と第２領域とを設け、サンプリングタイムが異なる内部情報を別々に書き込む場合について説明したが、これに限られない。すべての内部情報を同じサンプリングタイムで取得して書き込むようにしてもよい。また、入力電流、入力電圧、出力電流および出力電圧の各瞬時値だけを記憶する場合や、系統周波数、出力電力値、日射量、気温、温度、各種パラメータの値および運転状態だけを記憶する場合には、各内部情報を同じサンプリングタイムで取得すればよい。また、３種類以上のサンプリングタイムを設定して、各サンプリングタイムで当該サンプリングタイムで記憶すべき内部情報を記憶するようにしてもよい。
【００６９】
上記第１実施形態においては、異常検出時に読出部４４が読み出した内部情報を、管理用コンピュータＤが分析する場合について説明したが、これに限られない。図７（ａ）に示すように、異常検出時に読出部４４（記憶回路４）が読み出した内部情報をパワーコンディショナＡ内部の分析回路７で分析して、分析結果を表示回路８に表示するようにしてもよい。また、図７(ｂ)に示すように、分析結果を通信回路５が管理用コンピュータＤに送信するようにしてもよい。なお、図７（ａ）、(ｂ)においては、図１に記載のパワーコンディショナＡと共通する部分の記載を省略している。
【００７０】
上記第１実施形態においては、本発明に係るパワーコンディショナを太陽光発電システムに用いた場合について説明したが、これに限られない。例えば、本発明に係るパワーコンディショナを、風力発電システムなどの自然エネルギーを利用して発電を行う発電システムや燃料電池システムなどに用いるようにしてもよい。これらの場合にも、異常検出前後に書き込まれた内部情報を、上書きされないように残すことができ、異常の原因究明に用いることができる。
【００７１】
本発明に係るパワーコンディショナ、および、記憶方法は、上述した実施形態に限定されるものではない。本発明に係るパワーコンディショナ、および、記憶方法の各部の具体的な構成は、種々に設計変更自在である。
【符号の説明】
【００７２】
Ａ  パワーコンディショナ
１  インバータ回路
２１  直流電流センサ
２２  直流電圧センサ
２３  電流センサ
２４  電圧センサ
２５  日射センサ
２６  気温センサ
２７  温度センサ
３  制御回路
４  記憶回路
４１  記憶部（記憶手段）
４２  書込部（書込手段）
４３  バンク変更部(記憶領域変更手段)
４４  読出部(読出手段)
５  通信回路（通信手段）
６  異常検出回路（異常検出手段）
７  分析回路
８  表示回路
Ｂ  太陽電池
Ｃ  電力系統
Ｄ  管理用コンピュータ
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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