(57)【要約】【課題】ＸＰＳにおいて、分析する者に依存することなく、バラツキの少ないピークフィッティングを行なうことのできる分析方法を提供する。【解決手段】Ｘ線光電子分光法による分析方法において、分析対象となる試料における２つの異なる内殻準位を選択して、前記試料にＸ線を照射した際の前記試料からの光電子の脱出深さが略同じとなるように、前記２つの異なる内殻準位における光電子の取り出し角度を各々設定する条件設定工程と、前記試料にＸ線を照射し、前記２つの異なる内殻準位のうち一方の内殻準位において、前記一方の内殻準位に対応する光電子の取り出し角度により、光電子の測定を行なう第１の測定工程と、前記試料にＸ線を照射し、前記２つの異なる内殻準位のうち他方の内殻準位において、前記他方の内殻準位に対応する光電子の取り出し角度により、光電子の測定を行なう第２の測定工程と、を有することを特徴とする分析方法により上記課題を解決する。【選択図】  図８
2015081819.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
Ｘ線光電子分光法による分析方法において、
分析対象となる試料における２つの異なる内殻準位を選択して、前記試料にＸ線を照射した際の前記試料からの光電子の脱出深さが略同じとなるように、前記２つの異なる内殻準位における光電子の取り出し角度を各々設定する条件設定工程と、
前記試料にＸ線を照射し、前記２つの異なる内殻準位のうち一方の内殻準位において、前記一方の内殻準位に対応する光電子の取り出し角度により、光電子の測定を行なう第１の測定工程と、
前記試料にＸ線を照射し、前記２つの異なる内殻準位のうち他方の内殻準位において、前記他方の内殻準位に対応する光電子の取り出し角度により、光電子の測定を行なう第２の測定工程と、
を有することを特徴とする分析方法。
【請求項２】
前記第１の測定工程及び前記第２の測定工程の後、
前記一方の内殻準位において測定により得られた結果及び前記他方の内殻準位において測定により得られた結果に基づき、前記試料におけるピークフィッティングを行なうピークフィッティング工程を有することを特徴とする請求項１に記載の分析方法。
【請求項３】
前記試料には、２つの異なる物質が含まれており、
前記ピークフィッティング工程は、前記第１の測定工程により得られた結果における前記２つの異なる物質の比率と、第２の測定工程により得られた結果における前記２つの異なる物質の比率とが、略同じとなるように行なうことを特徴とする請求項２の記載の分析方法。
【請求項４】
前記ピークフィッティング工程は、前記第１の測定工程により得られた結果における前記２つの異なる物質の面積比と、第２の測定工程により得られた結果における前記２つの異なる物質の面積比とが、略同じとなるように行なうことを特徴とする請求項３の記載の分析方法。
【請求項５】
前記２つの異なる物質は、酸化物と窒化物であることを特徴とする請求項３または４に記載の分析方法。
【請求項６】
Ｘ線光電子分光法による分析方法において、
分析対象となる試料における２以上の異なる内殻準位を選択して、前記試料にＸ線を照射した際の前記試料からの光電子の脱出深さが略同じとなるように、前記２以上の異なる内殻準位における光電子の取り出し角度を各々設定する条件設定工程と、
前記試料にＸ線を照射し、各々の前記内殻準位において、各々の前記内殻準位に対応する前記光電子の取り出し角度により、光電子の測定を行なう測定工程と、
を有することを特徴とする分析方法。
【請求項７】
前記測定工程の後、
前記測定において得られた結果に基づき、前記試料におけるピークフィッティングを行なうピークフィッティング工程を有することを特徴とする請求項６に記載の分析方法。
【請求項８】
前記試料には、複数の異なる物質が含まれており、
前記ピークフィッティング工程は、前記測定工程により得られた結果において、前記複数の異なる物質の比率が、略同じとなるよう行なうことを特徴とする請求項７の記載の分析方法。
【請求項９】
前記ピークフィッティング工程は、前記測定工程により得られた結果において、前記複数の異なる物質における面積比が、略同じとなるように行なうことを特徴とする請求項８の記載の分析方法。
【請求項１０】
前記試料は、Ｇａを含む材料により形成されていることを特徴とする請求項１から９のいずれかに記載の分析方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、分析方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
Ｘ線光電子分光法（ＸＰＳ：X-ray photoelectron spectroscopy）は、特性Ｘ線を固体試料表面に照射し、光電効果によって発生する光電子を検出する分析方法である。具体的には、検出された光電子の運動エネルギから元素の種類、内殻準位、化学結合状態を分析することができる。
【０００３】
ＸＰＳにおいて、試料における化学結合状態を分析する場合、化学結合状態の変化で光電子の運動エネルギに変化がでやすい、ピーク形状が解析しやすい等の理由から注目する元素１つに対して１種類の内殻準位を選択し、分析が行なわれることが多い。即ち、選択された１種類の内殻準位から放出された光電子について、分析が行なわれることが殆どである。
【０００４】
この場合、検出された光電子ピークに、いくつかの異なる化学結合状態が含まれるかを予測し、ピークフィッティングを行うことで化学結合状態を決定する。この際、検出されることが予想される化学結合状態に相当する標準試料を同じ測定条件で測定し、ピークフィッティング用の要素ピークとする。しかし、ＸＰＳにより測定される表面から１０ｎｍ程度の深さの領域では表面が酸化している場合もあり、必要な標準試料が入手できない場合がある。また、標準試料の作り方や、吸着ハイドロカーボンによる補正によって結合エネルギは、ばらついてしまう。そのため、標準試料が必ずしも絶対的な要素ピークとならない場合もある。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開平６−３２９５号公報
【特許文献２】特開平６−１６０３１４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
ところで、標準試料が準備できない場合等においては、文献値等を参考にするが、文献等には結合エネルギの記載はあるものの、半値幅や非対称パラメーター等ピーク形状を決定する要素の開示はなされていない。従って、ピーク形状決定する要素が不明であることから、分析する者の主観が入った要素ピークの設定や、フィッティング結果となる場合が多くなるため、バラツキも生じやすい。
【０００７】
従って、ＸＰＳにより、同一装置、同一測定条件で測定された光電子ピークにおいて、分析する者に依存することなく、バラツキの少ないピークフィッティングを行なうことのできる分析方法が求められている。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本実施の形態の一観点によれば、Ｘ線光電子分光法による分析方法において、分析対象となる試料における２つの異なる内殻準位を選択して、前記試料にＸ線を照射した際の前記試料からの光電子の脱出深さが略同じとなるように、前記２つの異なる内殻準位における光電子の取り出し角度を各々設定する条件設定工程と、前記試料にＸ線を照射し、前記２つの異なる内殻準位のうち一方の内殻準位において、前記一方の内殻準位に対応する光電子の取り出し角度により、光電子の測定を行なう第１の測定工程と、前記試料にＸ線を照射し、前記２つの異なる内殻準位のうち他方の内殻準位において、前記他方の内殻準位に対応する光電子の取り出し角度により、光電子の測定を行なう第２の測定工程と、を有することを特徴とする。
【０００９】
また、本実施の形態の他の一観点によれば、Ｘ線光電子分光法による分析方法において、分析対象となる試料における２以上の異なる内殻準位を選択して、前記試料にＸ線を照射した際の前記試料からの光電子の脱出深さが略同じとなるように、前記２以上の異なる内殻準位における光電子の取り出し角度を各々設定する条件設定工程と、前記試料にＸ線を照射し、各々の前記内殻準位において、各々の前記内殻準位に対応する前記光電子の取り出し角度により、光電子の測定を行なう測定工程と、を有することを特徴とする。
【発明の効果】
【００１０】
開示の分析方法によれば、ＸＰＳにおいて、分析する者に依存することなく、バラツキの少ないピークフィッティングを行なうことができる。
【図面の簡単な説明】
【００１１】
【図１】ＸＰＳによる分析装置の構造図
【図２】ＸＰＳのワイドスキャンにより得られた結合エネルギと光電子の個数との相関図
【図３】従来のピークフィッティングの説明図（１）
【図４】従来のピークフィッティングの説明図（２）
【図５】取り出し角度と光電子の脱出深さとの関係の説明図
【図６】本実施の形態における分析方法におけるピークフィッティングのフローチャート
【図７】本実施の形態における分析方法に用いられるＸＰＳによる分析装置の構造図
【図８】本実施の形態における分析方法におけるピークフィッティングの説明図（１）
【図９】本実施の形態における分析方法におけるピークフィッティングの説明図（２）
【発明を実施するための形態】
【００１２】
実施するための形態について、以下に説明する。尚、同じ部材等については、同一の符号を付して説明を省略する。
【００１３】
最初に、図１に基づき、一般的なＸＰＳについて説明する。図１に示されるように、一般的なＸＰＳは、Ｘ線源１０、アナライザ２０、ディテクタ３０、試料ステージ４０等を有しており、試料ステージ４０に、分析対象となる試料５０が設置されている。ＸＰＳによる分析を行う際には、Ｘ線源１０よりＸ線を試料ステージ４０に設置されている試料５０に照射する。これにより、試料５０において、光電子が発生し、発生した光電子は、アナライザ２０を介しディテクタ３０において、エネルギごとに検出される。
【００１４】
図２は、試料５０がＧａＮの場合において、ＸＰＳによりワイドスキャンさせた場合における結合エネルギと光電子の強度（光電子の個数）との関係を示す。尚、試料５０は大気中に放置されており、表面が酸化しているものである。このような試料５０においては、Ｇａ２ｐ、Ｇａ３ｐ、Ｇａ３ｄ等におけるピークが検出される。本実施の形態においては、Ｘ線源１０から発せられるＸ線はＡｌＫα線（１４８６．６ｅＶ）である。
【００１５】
ここで、内殻準位がＧａ２ｐ３／２における測定結果を用いて、ピークフィッティングを行なう場合について説明する。尚、光電子の取り出し角度は２８°である。一般的には、ピークフィッティングは、重複したピークの分離やピーク位置の推定などの目的で行なわれている。内殻準位がＧａ２ｐ３／２であって、光電子の取り出し角度が２８°の場合において測定により得られた結合エネルギと光電子の個数との関係を図３（ａ）に示す。このように測定により得られた結合エネルギと光電子の強度との関係に基づき、ピークフィッティングを行なった結果を図３（ｂ）に示す。この結果に基づくならば、試料５０の表面における酸化物となるＧａ２Ｏ３の割合は４８％と推察される。
【００１６】
一方、内殻準位がＧａ３ｄにおける測定結果を用いて、ピークフィッティングを行なう場合について説明する。尚、光電子の取り出し角度は２８°である。内殻準位がＧａ３ｄであって、光電子の取り出し角度が２８°の場合において測定により得られた結合エネルギと光電子の強度との関係を図４（ａ）に示す。このように測定により得られた結合エネルギと光電子の強度との関係に基づき、ピークフィッティングを行なった結果を図４（ｂ）に示す。この結果に基づくならば、試料５０の表面における酸化物となるＧａ２Ｏ３の割合は１７％と推察される。
【００１７】
このように、内殻準位がＧａ２ｐ３／２における測定結果を用いた場合と、内殻準位がＧａ３ｄにおける測定結果を用いた場合とでは、ピークフィッティングを行なった結果により得られる酸化物の割合が大きく異なる。このように、内殻準位がＧａ２ｐ３／２とＧａ３ｄとにおいて、得られる酸化物の割合が大きく異なる理由は、後述するように、内殻準位がＧａ２ｐ３／２の場合と、内殻準位がＧａ３ｄの場合とでは、試料５０における光電子の脱出深さが異なるからである。
【００１８】
一方、ＸＰＳにおいては、アナライザ２０に対して試料ステージ４０を回転させること等により、試料５０の表面とアナライザ２０とのなす角を変化させることができる。これにより、試料５０からの光電子の脱出深さを変えることができ、非破壊で試料５０における深さ方向の分析を行うことが可能となる。
【００１９】
具体的には、図５（ａ）に示されるように、試料５０の表面の法線となる方向にアナライザ２０を設置した場合、光電子の取り出し角度ＴＯＡ（Take-Off Angle）は０°であり、試料５０からの光電子の脱出深さＤは深くなる。これに対し、図５（ｂ）に示すように、試料５０の表面における法線に対し傾斜して、アナライザ２０を設置した場合、試料５０からの光電子の脱出深さＤは、図５（ａ）に示す場合と比べて浅くすることができる。尚、光電子の取り出し角度ＴＯＡとは、試料５０の表面における法線に対する角度を意味している。また、試料５０における光電子の取り出し深さＤは、平均自由行程をλ、光電子の取り出し角度ＴＯＡをθとした場合に、Ｄ＝３λｃｏｓθにより得ることができる。尚、後述するＧａ２ｐ３／２における光電子の平均自由行程は、０．９５ｎｍであり、Ｇａ３ｄにおける光電子の平均自由行程は、２．５７ｎｍである。
【００２０】
試料５０の表面にＧａＮが形成されている場合における光電子の取り出し角度ＴＯＡと光電子の脱出深さとの関係を表１に示す。表１に示されるように、光電子の取り出し角度ＴＯＡが大きくなると、Ｇａ２ｐ３／２における脱出深さ及びＧａ３ｄにおける脱出深さは、ともに徐々に浅くなる。また、試料５０からの光電子の脱出深さは、内殻準位によって異なっており、内殻準位がＧａ２ｐ３／２における脱出深さとＧａ３ｄにおける脱出深さは、同じ光電子の取り出し角度ＴＯＡであっても異なっている。
【００２１】
【表１】
2015081819.tif 000003
【００２２】
本実施の形態は、異なる２以上の内殻準位について、脱出深さが略同じとなるように光電子の取り出し角度ＴＯＡを設定してピークフィッティングを行なう。これにより、バラツキのないピークフィッティングを行なうことができる。
【００２３】
具体的には、光電子の取り出し角度ＴＯＡが２８°の場合におけるＧａ２ｐ３／２の脱出深さは２．５ｎｍであり、光電子の取り出し角度ＴＯＡが６８°の場合におけるＧａ３ｄの脱出深さは２．９ｎｍである。よって、光電子の取り出し角度ＴＯＡが２８°の場合におけるＧａ２ｐ３／２の脱出深さと、光電子の取り出し角度ＴＯＡが６８°強の場合におけるＧａ３ｄにおける脱出深さは、略同じ２．５ｎｍとなる。このように、試料５０の同じ脱出深さにおける情報を異なる条件により測定することにより、後述するように、バラツキのないピークフィッティングを行なうことが可能となる。即ち、試料５０において測定される深さにおける情報が同じであれば、例えば、Ｇａの酸化物と窒化物の比率は同じであるため、これに基づきピークフィッティングを行なうことにより、バラツキを減少させることができる。
【００２４】
また、光電子の取り出し角度ＴＯＡが５８°の場合におけるＧａ２ｐ３／２の脱出深さは１．５ｎｍであり、光電子の取り出し角度ＴＯＡが７８°の場合におけるＧａ３ｄの脱出深さは１．６ｎｍである。よって、光電子の取り出し角度ＴＯＡが５８°の場合におけるＧａ２ｐ３／２の脱出深さと、光電子の取り出し角度ＴＯＡが７８°強の場合におけるＧａ３ｄにおける脱出深さは、略同じ１．５ｎｍとなる。この場合についても上記と同様である。
【００２５】
（分析方法）
次に、本実施の形態における分析方法について図６に基づき説明する。
【００２６】
最初に、ステップ１０２（Ｓ１０２）に示すように、試料５０における光電子の脱出深さが略同じとなるように、内殻準位と取り出し角度を設定する。具体的には、表１等に示される複数の内殻準位における取り出し角度と脱出深さとの関係に基づき、脱出深さが略同じとなるような内殻準位と取り出し角度の組み合わせを複数選択し、測定条件として設定する。具体的には、内殻準位がＧａ２ｐ３／２の場合における光電子の取り出し角度ＴＯＡが２８°を第１の条件とし、内殻準位がＧａ３ｄの場合における光電子の取り出し角度ＴＯＡが６８°を第２の条件とする。光電子の取り出し角度ＴＯＡが２８°の場合におけるＧａ２ｐ３／２の脱出深さは２．５ｎｍであり、光電子の取り出し角度ＴＯＡが６８°の場合におけるＧａ３ｄの脱出深さは２．９ｎｍであり、双方における脱出深さの値は、略同じである。このようにして、２つの異なる測定条件を設定する。
【００２７】
次に、ステップ１０４（Ｓ１０４）に示すように、第１の条件において、結合エネルギと光電子の強度との関係を測定する。具体的には、内殻準位がＧａ２ｐ３／２の場合において、光電子の取り出し角度ＴＯＡが２８°における測定を行なう。この際、図１に示される装置において、取り出し角度が変化するように、アナライザ２０を移動させる不図示の移動機構を設け、取り出し角度が２８°となるようにアナライザ２０を移動させて測定を行なってもよい。また、図７に示されるように、複数のアナライザ２０ａ、２０ｂが設置されている装置を用い、例えば、光電子の取り出し角度ＴＯＡが２８°となる位置に設置されているアナライザ２０ａにより測定を行ってもよい。尚、アナライザ２０ａは、ディテクタ３０ａに接続されており、ディテクタ３０ａは、制御部６０に接続されていてもよい。制御部６０には、インターフェース、制御部本体、表示装置等が含まれている。尚、一般的には、試料５０を試料ステージ４０とともに回転させ、アナライザ２０ａ、２０ｂとの角度を変化させる。
【００２８】
次に、ステップ１０６（Ｓ１０６）に示すように、第２の条件において、結合エネルギと光電子の強度との関係を測定する。具体的には、内殻準位がＧａ３ｄの場合において、光電子の取り出し角度ＴＯＡが６８°における測定を行なう。この際、図１に示される装置において、取り出し角度が変化するように、アナライザ２０を移動させる不図示の移動機構を設け、取り出し角度が６８°となるようにアナライザ２０を移動させて測定を行なってもよい。また、図７に示されるように、複数のアナライザ２０ａ、２０ｂが設置されている装置を用い、例えば、光電子の取り出し角度ＴＯＡが６８°となる位置に設置されているアナライザ２０ｂにより測定を行ってもよい。尚、アナライザ２０ｂは、ディテクタ３０ｂに接続されており、ディテクタ３０ｂは、制御部６０に接続されていてもよい。
【００２９】
次に、ステップ１０８（Ｓ１０８）に示すように、制御部６０等において、ピークフィッティングを行なう。具体的には、ステップ１０４において得られた第１の条件における結合エネルギと光電子の強度との関係と、ステップ１０６において得られた第２の条件における結合エネルギと光電子の強度との関係に基づき、ピークフィッティングを行なう。この際、Ｇａの酸化物と窒化物との比率が、双方において略同じとなるように要素ピークを定めてピークフィッティングを行なう。具体的には、測定において得られた結合エネルギと光電子の強度との関係のグラフにおいて、Ｇａの酸化物における面積とＧａの窒化物における面積との比率が、双方において略同じとなるようにピークフィッティングを行なう。
【００３０】
図８（ａ）には、内殻準位がＧａ２ｐ３／２の場合において、光電子の取り出し角度ＴＯＡを２８°として測定を行ない得られた結合エネルギと光電子の強度との関係を示す。図８（ｂ）には、内殻準位がＧａ３ｄの場合において、光電子の取り出し角度ＴＯＡを６８°として測定を行ない得られた結合エネルギと光電子の強度との関係を示す。図８（ａ）及び図８（ｂ）において、Ｇａの酸化物と窒化物との比率が、双方において略同じとなるように要素ピークを定めてピークフィッティングを行なった。この結果、図８（ａ）に示される場合における酸化物の割合は１８％であり、図８（ｂ）に示される場合における酸化物の割合は１６％であり、双方における酸化物の割合は、略同じ値となった。
【００３１】
このように、本実施の形態においては、ピークフィッティングの確からしさを向上させることができる。
【００３２】
（分析方法の他の例）
次に、上記とは異なる内殻準位と取り出し角度を測定条件として設定した場合の例について、図６に基づき説明する。
【００３３】
最初に、ステップ１０２（Ｓ１０２）に示すように、試料５０における光電子の脱出深さが略同じとなるように、内殻準位と取り出し角度を設定する。具体的には、内殻準位がＧａ２ｐ３／２の場合における光電子の取り出し角度ＴＯＡが５８°を第１の条件とし、内殻準位がＧａ３ｄの場合における光電子の取り出し角度ＴＯＡが７８°を第２の条件とする。光電子の取り出し角度ＴＯＡが５８°の場合におけるＧａ２ｐ３／２の脱出深さは１．５ｎｍであり、光電子の取り出し角度ＴＯＡが７８°の場合におけるＧａ３ｄの脱出深さは１．６ｎｍであり、双方における脱出深さの値は略同じである。このようにして、２つの異なる測定条件を設定する。
【００３４】
次に、ステップ１０４（Ｓ１０４）に示すように、第１の条件において、結合エネルギと光電子の個数との関係を測定する。具体的には、内殻準位がＧａ２ｐ３／２の場合において、光電子の取り出し角度ＴＯＡが５８°における測定を行なう。この際、図１に示される装置において、取り出し角度が変化するように、アナライザ２０を移動させる不図示の移動機構を設け、取り出し角度が５８°となるようにアナライザ２０を移動させて測定を行なってもよい。また、図７に示されるように、複数のアナライザ２０ａ、２０ｂが設置されている装置を用い、例えば、光電子の取り出し角度ＴＯＡが５８°となる位置に設置されているアナライザ２０ａにより測定を行ってもよい。
【００３５】
次に、ステップ１０６（Ｓ１０６）に示すように、第２の条件において、結合エネルギと光電子の個数との関係を測定する。具体的には、内殻準位がＧａ３ｄの場合において、光電子の取り出し角度ＴＯＡが７８°における測定を行なう。この際、図１に示される装置において、取り出し角度が変化するように、アナライザ２０を移動させる不図示の移動機構を設け、取り出し角度が７８°となるようにアナライザ２０を移動させて測定を行なってもよい。また、図７に示されるように、複数のアナライザ２０ａ、２０ｂが設置されている装置を用い、例えば、光電子の取り出し角度ＴＯＡが７８°となる位置に設置されているアナライザ２０ｂにより測定を行ってもよい。
【００３６】
次に、ステップ１０８（Ｓ１０８）に示すように、ピークフィッティングを行なう。具体的には、ステップ１０４において得られた第１の条件における結合エネルギと光電子の個数との関係と、ステップ１０６において得られた第２の条件における結合エネルギと光電子の個数との関係に基づき、ピークフィッティングを行なう。この際、Ｇａの酸化物と窒化物との比率が、双方において略同じとなるように要素ピークを定めてピークフィッティングを行なう。
【００３７】
図９（ａ）には、内殻準位がＧａ２ｐ３／２の場合において、光電子の取り出し角度ＴＯＡを５８°として測定を行ない得られた結合エネルギと光電子の強度との関係を示す。図９（ｂ）には、内殻準位がＧａ３ｄの場合において、光電子の取り出し角度ＴＯＡを７８°として測定を行ない得られた結合エネルギと光電子の強度との関係を示す。図９（ａ）及び図９（ｂ）において、Ｇａの酸化物と窒化物との比率が、双方において略同じとなるように要素ピークを定めてピークフィッティングを行なった。この結果、図９（ａ）に示される場合における酸化物の割合は３７％であり、図９（ｂ）に示される場合における酸化物の割合は３５％であり、この場合においても、双方における酸化物の割合は略同じ値となった。
【００３８】
尚、上記においては、装置の制約より、試料５０における脱出深さが略同じになるように、取り出し角度を設定する場合について説明したが、装置等の制約がなければ、光電子の脱出深さがより均一となるように取り出し角度を設定してもよい。表２には、試料５０における脱出深さが略同じになるように設定した場合における光電子の脱出深さと、内殻準位がＧａ２ｐ３／２の場合における取り出し角度及び内殻準位がＧａ３ｄの場合における取り出し角度との関係を示す。
【００３９】
【表２】
2015081819.tif 000004
【００４０】
表２に示されるように、試料５０における光電子の脱出深さが、ともに０．５ｎｍとなる条件で測定する場合には、内殻準位がＧａ２ｐ３／２の場合における取り出し角度を８０°とし、内殻準位がＧａ３ｄの場合における取り出し角度８６°として測定を行なう。
【００４１】
また、試料５０における光電子の脱出深さが、ともに１．０ｎｍとなる条件で測定する場合には、内殻準位がＧａ２ｐ３／２の場合における取り出し角度を６９°とし、内殻準位がＧａ３ｄの場合における取り出し角度８３°として測定を行なう。
【００４２】
また、試料５０における光電子の脱出深さが、ともに１．５ｎｍとなる条件で測定する場合には、内殻準位がＧａ２ｐ３／２の場合における取り出し角度を５８°とし、内殻準位がＧａ３ｄの場合における取り出し角度７９°として測定を行なう。
【００４３】
また、試料５０における光電子の脱出深さが、ともに２．０ｎｍとなる条件で測定する場合には、内殻準位がＧａ２ｐ３／２の場合における取り出し角度を４５°とし、内殻準位がＧａ３ｄの場合における取り出し角度７５°として測定を行なう。
【００４４】
また、試料５０における光電子の脱出深さが、ともに２．５ｎｍとなる条件で測定する場合には、内殻準位がＧａ２ｐ３／２の場合における取り出し角度を２９°とし、内殻準位がＧａ３ｄの場合における取り出し角度７１°として測定を行なう。
【００４５】
尚、上記においては、２つの異なる内殻準位を選択し、光電子の脱出深さが略同じとなるように、取り出し角度を設定する場合について説明した。しかしながら、本実施の形態は、３つの異なる内殻準位を選択し、光電子の脱出深さが略同じとなるように、取り出し角度を設定してもよい。これにより、より一層ピークフィッティングの精度を向上させることができる。
【００４６】
以上、実施の形態について詳述したが、特定の実施形態に限定されるものではなく、特許請求の範囲に記載された範囲内において、種々の変形及び変更が可能である。
【００４７】
上記の説明に関し、更に以下の付記を開示する。
（付記１）
Ｘ線光電子分光法による分析方法において、
分析対象となる試料における２つの異なる内殻準位を選択して、前記試料にＸ線を照射した際の前記試料からの光電子の脱出深さが略同じとなるように、前記２つの異なる内殻準位における光電子の取り出し角度を各々設定する条件設定工程と、
前記試料にＸ線を照射し、前記２つの異なる内殻準位のうち一方の内殻準位において、前記一方の内殻準位に対応する光電子の取り出し角度により、光電子の測定を行なう第１の測定工程と、
前記試料にＸ線を照射し、前記２つの異なる内殻準位のうち他方の内殻準位において、前記他方の内殻準位に対応する光電子の取り出し角度により、光電子の測定を行なう第２の測定工程と、
を有することを特徴とする分析方法。
（付記２）
前記第１の測定工程及び前記第２の測定工程の後、
前記一方の内殻準位において測定により得られた結果及び前記他方の内殻準位において測定により得られた結果に基づき、前記試料におけるピークフィッティングを行なうピークフィッティング工程を有することを特徴とする付記１に記載の分析方法。
（付記３）
前記試料には、２つの異なる物質が含まれており、
前記ピークフィッティング工程は、前記第１の測定工程により得られた結果における前記２つの異なる物質の比率と、第２の測定工程により得られた結果における前記２つの異なる物質の比率とが、略同じとなるように行なうことを特徴とする付記２の記載の分析方法。
（付記４）
前記ピークフィッティング工程は、前記第１の測定工程により得られた結果における前記２つの異なる物質の面積比と、第２の測定工程により得られた結果における前記２つの異なる物質の面積比とが、略同じとなるように行なうことを特徴とする付記３の記載の分析方法。
（付記５）
前記２つの異なる物質は、酸化物と窒化物であることを特徴とする付記３または４に記載の分析方法。
（付記６）
Ｘ線光電子分光法による分析方法において、
分析対象となる試料における２以上の異なる内殻準位を選択して、前記試料にＸ線を照射した際の前記試料からの光電子の脱出深さが略同じとなるように、前記２以上の異なる内殻準位における光電子の取り出し角度を各々設定する条件設定工程と、
前記試料にＸ線を照射し、各々の前記内殻準位において、各々の前記内殻準位に対応する前記光電子の取り出し角度により、光電子の測定を行なう測定工程と、
を有することを特徴とする分析方法。
（付記７）
前記測定工程の後、
前記測定において得られた結果に基づき、前記試料におけるピークフィッティングを行なうピークフィッティング工程を有することを特徴とする付記６に記載の分析方法。
（付記８）
前記試料には、複数の異なる物質が含まれており、
前記ピークフィッティング工程は、前記測定工程により得られた結果において、前記複数の異なる物質の比率が、略同じとなるよう行なうことを特徴とする付記７の記載の分析方法。
（付記９）
前記ピークフィッティング工程は、前記測定工程により得られた結果において、前記複数の異なる物質における面積比が、略同じとなるように行なうことを特徴とする付記８の記載の分析方法。
（付記１０）
前記試料は、Ｇａを含む材料により形成されていることを特徴とする付記１から９のいずれかに記載の分析方法。
【符号の説明】
【００４８】
１０        Ｘ線源
２０        アナライザ
２０ａ      アナライザ
２０ｂ      アナライザ
３０        ディテクタ
３０ａ      ディテクタ
３０ｂ      ディテクタ
４０        試料ステージ
５０        試料
６０        制御部
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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