(57)【要約】【課題】熱の拡散効率を向上させることが可能な外部共振器型面発光レーザを提供すること。【解決手段】基板の表面に下部反射鏡と活性層とを含む垂直外部共振器型面発光レーザであって、基板の裏面に形成された溝部と、基板の裏面及び溝部の内壁面を連続的に覆うように形成された、基板の材料よりも熱伝導率が高い高熱伝導材料と、基板の裏面側に配されたヒートシンクと、を有し、高熱伝導材料は、ヒートシンクと接合している、垂直外部共振器型面発光レーザが提供される。【選択図】図１
2015095507.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板の表面に下部反射鏡と活性層とを含む垂直外部共振器型面発光レーザであって、
前記基板の裏面に形成された溝部と、
前記基板の裏面及び前記溝部の内壁面を連続的に覆うように形成された、前記基板の材料よりも熱伝導率が高い高熱伝導材料と、
前記基板の裏面側に配されたヒートシンクと、
を有し、
前記高熱伝導材料は、前記ヒートシンクと接合している、
垂直外部共振器型面発光レーザ。
【請求項２】
前記溝部は、複数が互いに連通するように交差している、
請求項１に記載の垂直外部共振器型面発光レーザ。
【請求項３】
前記基板の厚さｔ（μｍ）、前記溝部の深さをｄ（μｍ）として、下記の関係式を満たす、
請求項１又は２に記載の垂直外部共振器型面発光レーザ。
ｔ−ｄ≦５０（μｍ）
【請求項４】
前記溝部の形成された領域は、平面視で前記活性層の形成された領域よりも大きい、
請求項１乃至３の何れか一項に記載の垂直外部共振器型面発光レーザ。
【請求項５】
前記高熱伝導材料は、金、銀、銅又はこれらの合金を含む、
請求項１乃至４の何れか一項に記載の垂直外部共振器型面発光レーザ。
【請求項６】
前記溝部と前記ヒートシンクの表面により形成された空間に、流体を流す流体導入機構を備えた、
請求項１乃至５の何れか一項に記載の垂直外部共振器型面発光レーザ。
【請求項７】
前記流体は、ヘリウム又は空気である、
請求項６に記載の垂直外部共振器型面発光レーザ。
【請求項８】
基板の表面に下部反射鏡と活性層とを含む垂直外部共振器型面発光レーザの製造方法であって、
前記基板の裏面に、ダイシングにより溝部を形成する工程と、
前記基板の裏面及び前記溝部の内壁面に、前記基板の材料よりも熱伝導率が高い高熱伝導材料を形成する工程と、
前記高熱伝導材料をヒートシンクと接合する工程と、
を有する垂直外部共振器型面発光レーザの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、垂直外部共振器型面発光レーザ及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
面発光レーザにおいて、活性層と基板との間の半導体多層膜反射鏡における熱伝導率の高い層の膜厚を厚くすることにより、活性層で発生した熱を横方向に拡散させて放熱する構造が知られている（例えば、特許文献１参照）。
【０００３】
また、面発光レーザにおいて、電極パッド形成領域の表面から電極パッド形成領域の外側の素子分離領域の側面に放熱性が優れる金属膜を形成することにより、金属膜に熱を拡散させて放熱する構造が知られている（例えば、特許文献２参照）。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、上述の技術においては、熱の拡散効率が十分ではないため、熱の影響によるレーザ出力の低下が発生することがある。
【０００５】
そこで、本発明の一つの案では、熱の拡散効率を向上させることが可能な垂直外部共振器型面発光レーザを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
一つの案では、基板の表面に下部反射鏡と活性層とを含む垂直外部共振器型面発光レーザであって、基板の裏面に形成された溝部と、基板の裏面及び溝部の内壁面を連続的に覆うように形成された、基板の材料よりも熱伝導率が高い高熱伝導材料と、基板の裏面側に配されたヒートシンクと、を有し、高熱伝導材料は、ヒートシンクと接合している、垂直外部共振器型面発光レーザが提供される。
【発明の効果】
【０００７】
一態様によれば、熱の拡散効率を向上させることが可能な垂直外部共振器型面発光レーザが提供できる。
【図面の簡単な説明】
【０００８】
【図１】一実施形態に係る垂直外部共振器型面発光レーザを発振させるために必要な構成を例示する断面図である。
【図２】一実施形態に係る垂直外部共振器型面発光レーザの構成を示す断面図である。
【図３】実施例１に係る垂直外部共振器型面発光レーザの製造方法を示すフローチャートである。
【図４】実施例２に係る垂直外部共振器型面発光レーザの製造方法を示すフローチャートである。
【図５】実施例３に係る基板に形成される溝部の形状を例示する平面図である。
【図６】実施例３に係る垂直外部共振器型面発光レーザを例示する斜視図である。
【図７】実施例４に係る垂直外部共振器型面発光レーザを例示する斜視図である。
【発明を実施するための形態】
【０００９】
以下、本発明の実施形態について添付の図面を参照しながら説明する。なお、本明細書及び図面において、実質的に同一の機能構成を有する構成要素については、同一の符号を付することにより重複した説明を省く。
【００１０】
図１は、一実施形態に係る垂直外部共振器型面発光レーザ１を発振させるために必要な構成を例示する断面図である。図２は、一実施形態に係る垂直外部共振器型面発光レーザ１の構成を示す断面図である。
【００１１】
図１に示すように、一実施形態に係る垂直外部共振器型面発光レーザ１は、基板１０１の表面に積層された下部反射鏡１０２、活性層１０３を有する。また、基板１０１の裏面には、溝部１１１が形成されており、基板１０１の材料よりも熱伝導率が高い高熱伝導材料１０４が、基板１０１の裏面１０１ａ及び溝部１１１の内壁面を連続的に覆うように形成されている。更に、高熱伝導材料１０４は、基板１０１の裏面側に配されたヒートシンク１０５と接合している。
【００１２】
基板１０１としては、例えば、ＧａＡｓ基板を用いることができる。
【００１３】
下部反射鏡１０２は、基板１０１の表面に形成されている。下部反射鏡１０２は、化合物半導体で形成される分布ブラッグ反射鏡（ＤＢＲ：Distributed Bragg Reflector）である。下部反射鏡１０２は、例えば、ＡｌＡｓ層からなる低屈折率層と、Ａｌ０．１Ｇａ０．９Ａｓ層からなる高屈折率層とを一対（１周期）として、２５周期を積層することにより形成される。
【００１４】
活性層１０３は、下部反射鏡１０２上に形成されている。活性層１０３は、量子井戸層とバリア層とを有する多層構造であり、例えば、１５〜２０層積層することにより形成されている。量子井戸層は、例えば、圧縮して歪ませたＩｎＧａＡｓ系の材料により形成されている。バリア層は、例えば、ＧａＡｓにより形成されている。また、活性層１０３は、多層構造により、構造内の正味歪みが相殺されるように形成されている。
【００１５】
活性層１０３として、ＧａＡｓ系の化合物半導体を用いる場合には、組成及び膜厚の設計により、出射するレーザの波長は、９００〜１２００ｎｍの範囲で制御される。
【００１６】
また、活性層１０３として、化合物半導体を用いる場合、量子井戸の励起は、バリア層の吸収によりキャリアを発生させることで行われるため、バリア層のバンドギャップよりも大きい光子エネルギーを有する励起光であれば活性層１０３に吸収される。すわなち、外部に設けられた励起光源２０１から照射される励起光の励起波長は、出射するレーザの発振波長以下であれば良い。
【００１７】
なお、基板１０１上に複数の半導体層が積層された構造体を、以降、便宜上「積層体」と称する場合がある。
【００１８】
溝部１１１は、基板１０１の裏面に形成されている。溝部１１１の断面形状は、例えば、矩形状とすることができ、溝部１１１の断面は、溝部１１１の底面１１１ａと内側側面１１１ｂを含む内壁面を形成する（図２参照）。
【００１９】
高熱伝導材料１０４は、基板１０１の裏面１０１ａ及び溝部１１１の内壁面を被覆するように連続的に形成されている。高熱伝導材料１０４としては、基板１０１の材料よりも熱伝導率の高い材料を用いることができる。
【００２０】
基板１０１としてＧａＡｓ基板を用いた場合には、高熱伝導材料１０４としては、例えば、ＧａＡｓよりも熱伝導率の高い金（Ａｕ）、銀（Ａｇ）、銅（Ｃｕ）又はこれらの合金等を用いることができる。また、これらの材料は、単独で用いても良いし、他の材料と積層して多層膜としても良い。多層膜の一例として、チタン（Ｔｉ）、白金（Ｐｔ）、金（Ａｕ）を含む膜を挙げることができる。
【００２１】
一般的なＧａＡｓの熱伝導率は、４６（Ｗ／ｍ・Ｋ）である。この値は、熱の拡散を担わせる材料としては不十分である。これに対して、Ａｕの熱伝導率は、３１８（Ｗ／ｍ・Ｋ）であるので、ＧａＡｓの約７倍大きい値である。また、Ｃｕの熱伝導率は、４０１（Ｗ／ｍ・Ｋ）であるので、ＧａＡｓの約９倍近い値である。
【００２２】
このことから、高熱伝導材料１０４として、ＡｕやＣｕを用いた場合には、熱の拡散効率を向上させることができる。
【００２３】
高熱伝導材料１０４の膜厚は、用いる材料に応じて当業者が任意に選択することができる。例えば、Ｔｉ／Ｐｔ／Ａｕの多層膜を用いた場合には、Ａｕの膜厚が大きいほど熱の拡散効率が高くなるので好ましいが、スループットやコストの観点から当業者が最適な膜厚を決定することができ、好適には、５〜１０μｍである。
【００２４】
また、高熱伝導材料１０４は、基板１０１の裏面側に配されたヒートシンク１０５と接合している。具体的には、高熱伝導材料１０４は、例えば、ＡｕＳｎ合金はんだペースト、Ａｇペースト又はＡｕ微粒子等の熱伝導率の高い接合材料を用いてヒートシンク１０５と接合している。
【００２５】
以上に説明したように、本実施形態に係る垂直外部共振器型面発光レーザ１によれば、活性層１０３で発生する熱は、下部反射鏡１０２、基板１０１、高熱伝導材料１０４を介して、ヒートシンク１０５に効率よく拡散される。このため、熱の拡散効率を向上させることができる。
【００２６】
上述した垂直外部共振器型面発光レーザ１に対して、例えば、垂直外部共振器型面発光レーザ１の外部に励起光源２０１、レンズ２０２、波長変換素子２０３及び共振器ミラー２０４を用いてレーザを発振させることができる。
【００２７】
励起光源２０１は、例えば、波長８０８ｎｍ、出力３０Ｗの半導体レーザにより出射される励起光をレンズ２０２により集光し、活性層１０３に照射する。
【００２８】
励起光により励起された光は、波長変換素子２０３を通過し、共振器ミラー２０４と下部反射鏡１０２との間で共振する。共振した光は、共振器ミラー２０４の透過率に対応して、所定の波長及びエネルギーを有するレーザ光として、基板１０１の表面上方（図１の矢印の方向）に出射される。
【００２９】
共振器ミラー２０４は、例えば、波長１０６０ｎｍの光に対して高い反射率（低い透過率）を有し、波長５３０ｎｍの光に対して約５％の透過率を有するようなコーティングが施されている。
【００３０】
このように、本実施形態に係る垂直外部共振器型面発光レーザ１は、外部に設けられた励起光源２０１を活性層１０３に照射して、レーザ光を出射させる構造であることから、励起用のレーザ光源の選択自由度が高く、高出力のレーザを得やすい。
【００３１】
更に、上述したとおり、本実施形態に係る垂直外部共振器型面発光レーザ１によれば、熱の拡散効率を向上させることができる。
【００３２】
すなわち、本実施形態に係る垂直外部共振器型面発光レーザ１によれば、活性層１０３で発生する熱を、これまで開示されてきた水平方向や光出射方向へ拡散する構造とは異なり、基板１０１方向へ拡散する構造である。これにより、活性層１０３で発生する熱を効率よく系外に拡散させることが可能となる。更に、ヒートシンク１０５は、高熱伝導材料１０４を介して、基板１０１の裏面１０１ａに密着して接合することが可能となるため、熱の拡散効率が飛躍的に向上する。
【００３３】
その結果、熱の影響による光出力の低下を抑制した高出力の垂直外部共振器型面発光レーザ１を実現できる。
【００３４】
以下、実施例において、具体例を示す。
【００３５】
［実施例１］
図３は、実施例１に係る垂直外部共振器型面発光レーザ１の製造方法を示すフローチャートである。以下、図３を参照しながら、実施例１における垂直外部共振器型面発光レーザ１の製造方法を説明する。なお、実施例１においては、基板１０１として、ＧａＡｓ基板を用いた。
【００３６】
（Ｓ１）
先ず、ＧａＡｓ基板上に、下部反射鏡１０２をエピタキシャル成長により、ＡｌＡｓとＡｌ０．１Ｇａ０．９Ａｓとを交互に２５周期積層する。本実施例では、波長１０６０ｎｍの光に対して高反射率となるように、下部反射鏡１０２を設計した。
【００３７】
なお、エピタキシャル成長には、例えば、有機金属化学気相堆積（ＭＯＣＶＤ：Metal Organic Chemical Vapor Deposition）法又は分子線エピタキシー（ＭＢＥ：Molecular Beam Epitaxy）法等を用いることができる。
【００３８】
（Ｓ２）
次に、下部反射鏡１０２上に、活性層１０３をエピタキシャル成長により、ＩｎＧａＡｓ系材料とＧａＡｓとを交互に積層することにより形成する。本実施例では、発振波長が１０６０ｎｍとなるように、活性層１０３を設計した。
【００３９】
なお、エピタキシャル成長には、例えば、ＭＯＣＶＤ法又はＭＢＥ法等を用いることができる。
【００４０】
（Ｓ３）
次に、基板１０１の裏面１０１ａに、スピンコート法によりレジストを塗布し、マスクを用いて露光、現像を行い、所望のレジストパターンを形成する。
【００４１】
レジストとしては、例えば、ポジレジストを挙げることができ、実施例１では、東京応化社製ＯＦＰＲ８００−２００ｃｐを用いた。また、スピンコーターにより膜厚が約８μｍとなるように回転数を調整しながら、レジストの塗布を行った。
【００４２】
（Ｓ４）
次に、誘導結合型プラズマを用いた反応性イオンエッチング（ＲＩＥ：Reactive Ion Etching）により、Ｓ３で形成したレジストパターンをマスクとして、基板１０１を裏面１０１ａ側から一部エッチングして、溝部１１１を形成する。
【００４３】
溝部１１１の幅は、基板１０１の種類や強度等に応じて、適宜設計することが可能であるが、本実施例では、５０μｍとした。
【００４４】
溝部１１１の深さは、大きいほど、高熱伝導材料１０４と活性層１０３との距離が近くなる。すなわち、溝部１１１の深さを深くすることにより、活性層１０３で発生する熱の拡散効率を更に向上させることができる。
【００４５】
基板１０１の厚さをｔ（μｍ）、溝部１１１の深さをｄ（μｍ）としたとき、溝部１１１上に残存する部分の厚さＴ（μｍ）は、下記の関係式（Ａ）を満たすことが好ましい。
【００４６】
Ｔ＝ｔ−ｄ≦５０  …（Ａ）
すなわち、基板１０１の溝部１１１上に残存する部分の厚さは、５０μｍ以下とすることが好ましい。
【００４７】
これにより、活性層１０３と高熱伝導材料１０４との距離が十分近くなるので、活性層１０３で発生する熱の拡散効率を向上させることができる。
【００４８】
エッチング条件は、基板１０１の材料に応じて、適宜選択することが可能である。実施例１においては、エッチングガスとして、四塩化ケイ素（ＳｉＣｌ４）、塩素（Ｃｌ２）、アルゴン（Ａｒ）を含む混合ガスを使用した。また、処理容器内の圧力を１Ｐａ、基板温度を６０℃、投入電力を５００Ｗとし、４５０μｍのＧａＡｓ基板に対して、４００μｍの深さの溝部１１１を形成した。すなわち、基板１０１の溝部１１１上に残存する部分の厚さを、５０（μｍ）とした。
【００４９】
また、溝部１１１の形成される領域は、平面視で活性層１０３の形成された領域よりも大きいことが好ましい。
【００５０】
（Ｓ５）
次に、基板１０１の裏面１０１ａ上に、蒸着法によりＴｉ、Ｐｔ、Ａｕをこの順に積層することにより、多層膜からなる高熱伝導材料１０４を形成する。これにより、基板１０１の裏面１０１ａ及びＳ４で形成される溝部１１１の内壁面を、基板１０１の材料よりも熱伝導率が高い高熱伝導材料１０４で連続的に被覆することができる。
【００５１】
なお、蒸着法は、例えば、抵抗加熱蒸着法、電子ビーム蒸着法等を用いることができる。また、蒸着法に限定されず、高熱伝導材料１０４を形成できる方法であれば良く、例えば、スパッタリング法を用いても良い。
【００５２】
また、高熱伝導材料１０４を構成するＡｕの膜厚は、厚ければ厚いほど熱の拡散効率が高くなるが、スループットやコストの観点から好適な膜厚を決定することができる。実施例１では、これらの観点から、高熱伝導材料１０４を構成するＡｕの膜厚は、５〜１０μｍとした。
【００５３】
（Ｓ６）
次に、高熱伝導材料１０４を、例えば、ＡｕＳｎ合金はんだペースト、Ａｇペースト又はＡｕ微粒子等の熱伝導率の高い接合材料を用いてヒートシンク１０５に接合させる。
【００５４】
以上、Ｓ１からＳ６の工程を含む製造方法により作製された垂直外部共振器型面発光レーザ１によれば、熱の拡散効率を向上させることができる。
【００５５】
［実施例２］
実施例２では、基板１０１の裏面１０１ａに形成する溝部１１１をダイシング装置により加工する例を示す。
【００５６】
図４は、実施例２に係る垂直外部共振器型面発光レーザ１の製造方法を示すフローチャートである。図４に示すように、実施例２の製造方法においては、実施例１におけるＳ３及びＳ４の工程に代えて以下の工程Ｓ３Ａ及びＳ４Ａを実施する。
【００５７】
（Ｓ３Ａ）
Ｓ１及びＳ２の工程により基板１０１の表面に形成される積層体を保護するために、基板１０１の表面にスピンコート法によりレジストを塗布した後、ベークを行う。
【００５８】
レジストとしては、例えば、ポジレジストを用いることができ、本実施例では、実施例１と同様の東京応化社製ＯＦＰＲ８００−２００ｃｐを用いた。
【００５９】
また、スピンコーターにより膜厚が約８μｍとなるように回転数を調整しながら、レジストの塗布を行い、約５分間のポストベークを行い、保護レジストを形成した。
【００６０】
（Ｓ４Ａ）
次に、基板１０１の裏面１０１ａがダイシング面となるように、基板１０１をダイシング装置に載置し、例えば、静電吸着又は真空吸着させることによりダイシング装置に固定する。ブレード幅が約８０μｍのダイヤモンドブレードを用いて、ピッチを活性層１０３のレイアウトピッチに相当する値とし、Ｘ軸方向及びＹ軸方向のダイシングを行う。
【００６１】
以降、実施例１におけるＳ５及びＳ６の工程を実施することにより、垂直外部共振器型面発光レーザ１を作製した。
【００６２】
以上、実施例２に係る垂直外部共振器型面発光レーザ１によれば、実施例１と同様に、熱の拡散効率を向上させることができる。更に、実施例２では、溝部１１１を形成する際に、スループットの高いダイシング装置による加工法を用いているため、工程の短縮が実現できる。また、溝部１１１の形成の際にマスクを用いないことから、プロセスの簡略化及び低コスト化が実現できる。
【００６３】
［実施例３］
実施例３に係る垂直外部共振器型面発光レーザ１は、基板１０１の裏面１０１ａに連通する溝部１１１を有している点で、実施例１と異なる。なお、実施例３に係る垂直外部共振器型面発光レーザ１は、実施例１又は実施例２と同様の方法により作製される。
【００６４】
図５は、実施例３に係る垂直外部共振器型面発光レーザ１の基板１０１に形成される溝部１１１の形状を例示する平面図である。図５は、図２のヒートシンク１０５側から上方向（基板１０１）を見たときの図であり、便宜上、図２に示す高熱伝導材料１０４とヒートシンク１０５の図示は省略されている。
【００６５】
図６は、実施例３に係る垂直外部共振器型面発光レーザ１を例示する斜視図である。
【００６６】
図５に示すように、溝部１１１は、直行する２方向に形成された溝部１１１が交差し、各々の溝部１１１が連通するように、基板１０１の裏面１０１ａに形成されている。
【００６７】
また、図６に示すように、高熱伝導材料１０４とヒートシンク１０５とが接合されると、基板１０１とヒートシンク１０５の表面とに挟まれた溝部１１１は、連通した空間となる。ここで、ヒートシンク１０５に接合される基板１０１の裏面１０１ａには、高熱伝導材料１０４が形成されているため、活性層１０３で発生し、基板１０１を通じて拡散してくる熱は、ヒートシンク１０５へと速やかに拡散することができる。
【００６８】
更に、溝部１１１の内壁面にも高熱伝導材料１０４が形成されているため、高熱伝導材料１０４から空気中へと放熱が行われる。
【００６９】
以上のように、実施例３に係る垂直外部共振器型面発光レーザ１においては、実施例１又は実施例２の効果に加えて、基板１０１がヒートシンク１０５と同様の放熱機能を有する効果が得られる。
【００７０】
［実施例４］
実施例４では、実施例３に加えて、活性層１０３で発生する熱を強制的に冷却する構成を付与する例を示す。
【００７１】
図７は、実施例４に係る垂直外部共振器型面発光レーザ１を例示する斜視図である。
【００７２】
図７に示すように、実施例４に係る垂直外部共振器型面発光レーザ１は、基板１０１の側面近傍に、溝部１１１とヒートシンク１０５の表面とにより形成された空間に流体を流すことができる流体導入機構３０１を備えている。
【００７３】
流体導入機構３０１から溝部１１１に導入される流体は、基板１０１と接触することにより熱交換を行い、基板１０１を冷却する。
【００７４】
この構造では、活性層１０３で発生する熱を強制的に冷却することができるので、熱の拡散効率を更に向上させることができる。
【００７５】
なお、溝部１１１に導入される好適な流体の一例は、ヘリウム（Ｈｅ）ガスである。Ｈｅガスは、熱伝導率が大きく、比熱が大きいため、冷却用の流体として適したガスである。また、Ｈｅガスは、ガスボンベから供給することができるため、圧力及び流量を適切に調節して使用することができる。
【００７６】
また、溝部１１１に導入される好適な流体の他の例としては、空気が挙げられる。空気は、Ｈｅガスと比較すると冷却能力の観点からは劣るが、取り扱いが容易であることから冷却用流体として用いることができる。
【００７７】
流体導入機構３０１の一例としては、ファン等の送風機構を挙げることができる。この方法では、構成が複雑でないため、ランニングコストが少なくて良い。
【００７８】
以上に説明したように、実施例４に係る垂直外部共振器型面発光レーザ１においては、溝部１１１は、基板１０１の裏面１０１ａに連通するように形成されている。また、基板１０１の裏面１０１ａ及び溝部１１１の内壁面は、高熱伝導材料１０４により連続的に被覆されている。更に、活性層１０３で発生する熱を強制的に冷却する流体導入機構３０１を備えている。
【００７９】
これらの構成により、実施例４に係る垂直外部共振器型面発光レーザ１は、活性層１０３で発生する熱を短時間で奪いとり、効率よく系外に拡散させることができる。
【００８０】
以上、好ましい実施形態及び実施例について説明したが、上述した実施形態及び実施例に限定されるものではなく、特許請求の範囲に記載された範囲を逸脱することなく、上述した実施の形態及び実施例に種々の変形及び置換を加えることができる。
【符号の説明】
【００８１】
１  垂直外部共振器型面発光レーザ
１０１  基板
１０２  下部反射鏡
１０３  活性層
１０４  高熱伝導材料
１０５  ヒートシンク
１１１  溝部
３０１  流体導入機構
【先行技術文献】
【特許文献】
【００８２】
【特許文献１】特開２００７−２９９８９７号公報
【特許文献２】特開２００９−５４８５５号公報
【図１】
2015095507.tif 000003
【図２】
2015095507.tif 000004
【図３】
2015095507.tif 000005
【図４】
2015095507.tif 000006
【図５】
2015095507.tif 000007
【図６】
2015095507.tif 000008
【図７】
2015095507.tif 000009