(57)【要約】      （修正有）【課題】１つの波長可変光源で２つの光出力を効率よく得ることを可能とする小型かつ高効率な２出力波長可変光源を提供する。【解決手段】波長可変光源は、一方の出力端から第１のレーザ光を出力し、他方の出力端から第２のレーザ光を出力する波長可変光源部４２０と、第１のレーザ光を受光して増幅し、増幅した第１のレーザ光を出力する第１の光増幅器４１０と、第２のレーザ光を受光して増幅し、増幅した第２のレーザ光を出力する第２の光増幅器４３０と、を備える。【選択図】図４
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
一方の出力端から第１のレーザ光を出力し、他方の出力端から第２のレーザ光を出力する波長可変光源部と、
前記第１のレーザ光を受光して増幅し、当該増幅した第１のレーザ光を出力する第１の光増幅器と、
前記第２のレーザ光を受光して増幅し、当該増幅した第２のレーザ光を出力する第２の光増幅器と、
を備えたことを特徴とする波長可変光源。
【請求項２】
前記第１のレーザ光及び前記第２のレーザ光は、波長が同一であることを特徴とする請求項１に記載の波長可変光源。
【請求項３】
前記第１の光増幅器への注入電流を調整する第１の電流調整機構と、
前記第２の光増幅器への注入電流を調整する第２の電流調整機構と、
をさらに備えたことを特徴とする請求項１又は２に記載の波長可変光源。
【請求項４】
前記第１の電流調整機構及び前記第２の電流調整機構は、前記増幅した第１のレーザ光の光強度と前記増幅した第２のレーザ光の光強度とが同一となるように、前記第１の光増幅器及び前記第２の光増幅器への注入電流をそれぞれ調整することを特徴とする請求項３に記載の波長可変光源。
【請求項５】
前記波長可変光源部は、分布帰還型半導体レーザ又は分布反射型半導体レーザであることを特徴とする請求項１乃至４のいずれかに記載の波長可変光源。
【請求項６】
前記波長可変光源部は、
複数の半導体レーザをアレイ状に並べた半導体レーザアレイと、
前記複数の半導体レーザの各々の一方の出力端に接続され、前記複数の半導体レーザの各々の前記一方の出力端から出力された光を合波して前記第１のレーザ光を出力する第１の光合波器と、
前記複数の半導体レーザの各々の他方の出力端に接続され、前記複数の半導体レーザの各々の前記他方の出力端から出力された光を合波して前記第２のレーザ光を出力する第２の光合波器と、
を含み、
前記半導体レーザは、分布帰還型半導体レーザ又は分布反射型半導体レーザであることを特徴とする請求項１乃至４のいずれかに記載の波長可変光源。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、大容量光通信網の構成要素である波長可変光源に関する。
【背景技術】
【０００２】
長距離通信網の高速化に伴い、多値変調を用いた通信方式が使用され始めている。図１は、非特許文献１に示されるような多値変調用トランシーバの構成の一例を示す。図１には、光受信部１１０と、デジタル信号処理部１２０と、光送信部１３０とを備えた多値変調用トランシーバ１００が示されている。
【０００３】
光受信部１１０は、伝送されてきた光を受信して分波する偏波分波器ＰＢＳと、光受信部１１０内で干渉光を生成する受信用波長可変光源ＬＯと、２つの９０度光ハイブリッド回路１１１と、８つの受光器１１２とを備える。デジタル信号処理部１２０は、アナログ・デジタル変換部ＡＤＣを含む。光送信部１３０は、変調光の元となる光を生成する送信用波長可変光源ＬＤと、送信用波長可変光源ＬＤで生成された光を変調する２つの変調器１３１と、偏波合波器ＰＢＣとを含む。
【０００４】
光受信信号は、偏波分波器ＰＢＳによって分波され、受信用波長可変光源ＬＯの出力光と干渉させるコヒーレント検波を行った上で、受光器１１２によって電気信号に変換されて、デジタル信号処理部１２０に出力される。
【０００５】
デジタル信号処理部１２０に出力された電気信号は、アナログ・デジタル変換部ＡＤＣに入力されてアナログ・デジタル変換が行われ、変換されたデジタル信号に対して波長分散（ＣＤ）、偏波モード分散（ＰＭＤ）の補償等が行われて、光送信部１３０に出力される。
【０００６】
光送信部１３０において、送信用波長可変光源ＬＤから出力された光は、２つの変調器１３１に入力され、変調器１３１においてデジタル信号処理部１２０から出力された信号に基づいて変調が行われ、偏波合波器ＰＢＣによって合波された上で４値変調（ＱＰＳＫ：Quadrature Phase Shift Keying）の光送信信号として出力される。
【０００７】
ここで重要なのは、図１に示される多値変調用トランシーバ１００においては、送信用波長可変光源ＬＤと受信用波長可変光源ＬＯとの２つの波長可変光源を必要とすることである。多値変調用トランシーバで使用される波長可変光源としては、非特許文献２乃至４に示される波長可変光源が挙げられる。以下、図２及び図３を用いて、多値変調用トランシーバで使用される従来の波長可変光源を示す。
【０００８】
図２は、分布反射型レーザ（以下、ＤＢＲレーザ）を用いた従来の波長可変光源を示す。図２に示される波長可変光源２００は、例えば超周期構造回折格子反射器（ＳＳＧ−ＤＢＲ）を波長選択器として用いたレーザであって、光増幅部２１０及び波長可変光源部２２０を備える。
【０００９】
波長可変光源部２２０は、前側ミラー部２２１、後側ミラー部２２２、位相調整部２２３及び光利得部２２４（活性領域）の４領域からなる。前側ミラー部２２１及び後側ミラー部２２２はそれぞれＳＳＧ−ＤＢＲであり、前側ミラー部２２１及び後側ミラー部２２２には周期的な位相変調が施された回折格子が形成され、その結果、反射特性には波長軸上に複数のピークが形成される。前後の反射ピークの間隔が異なるため、ただ一箇所、前後の反射ピークが一致する点でのみレーザ発振が生じる。前側ミラー部２２１及び後側ミラー部２２２への電流注入により反射ピークの組み合わせを変えることにより、大きな波長変化が得られる。位相調整部２２３への電流は、縦モードの制御に使用する。
【００１０】
波長可変光源部２２０から出力された光は、波長可変光源部２２０の前方に設置された光増幅部２１０で増幅されて出力される。
【００１１】
図３は、半導体レーザアレイを用いた従来の波長可変光源を示す。図３に示される波長可変光源３００は、分布帰還型レーザ（以下、ＤＦＢレーザ）３２１を複数並べた半導体レーザアレイを用いており、光増幅部３１０及び波長可変光源部３２０を備える。波長可変光源部３２０は、５個のＤＦＢレーザ３２１及び光合波器３２２を含む。
【００１２】
図３に示される波長可変光源３００において、ＤＦＢレーザ３２１の発振光周波数は、共振器内に形成されている回折格子の周期によって決まる。５個のＤＦＢレーザ３２１の発振光周波数は、回折格子の周期を少しずつ変化させて形成することによって、幅の広い波長にわたって波長を変えることができる。さらに、ＤＦＢレーザ３２１の発振光周波数は、チップ温度１℃あたり約１２ＧＨｚの割合で変化するため、５個のＤＦＢレーザ３２１のうち、どれか１つのみに電流を流して発振させ、さらにレーザチップの温度を調整することにより、所望の光周波数（波長）を得ることができる。
【００１３】
波長可変光源部３２０から出力された光は、波長可変光源部３２０の前方に設置された光増幅部３１０で増幅されて出力される。
【先行技術文献】
【非特許文献】
【００１４】
【非特許文献１】鈴木扇太 他、「光通信ネットワークの大容量化に向けたディジタルコヒーレント信号処理技術の研究開発」、電子情報通信学会誌、2012年、Vol.95、No.12、p.1100-1116
【非特許文献２】石井啓之 他、「ＳＳＧ−ＤＢＲレーザによる波長可変幅の拡大」、電子情報通信学会エレクトロニクスソサイエティ大会、１９９５年、SC-2-8、p.355-356
【非特許文献３】Naoki Fujiwara 他、「Suppression of thermal wavelength drift in SSG-DBR laser with thermal drift compensation structure」、Semiconductor Laser Conference、2006年、(ISLC 2006) Conference Digest. 2006 IEEE 20th International、p.31-32
【非特許文献４】石井啓之 他、「高機能波長可変光源技術」、ＮＴＴ技術ジャーナル、2007年11月、p.66-69
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１５】
先に述べたように、多値変調用トランシーバは、上述したような波長可変光源を送信用・受信用にそれぞれ１つ、すなわちトランシーバ内に２台搭載している。このとき、二台の波長可変光源から出力される光は同じ波長である必要がある。今後はトランシーバの小型や低消費電力化のために、波長可変光源一台で送信用と受信用とを兼ねる必要がある。
【００１６】
しかし、波長可変光源一台で送信用と受信用とを兼ねるためには、波長可変光源の出力光を分岐する光分岐器が新たに必要であるが、構造の複雑化や分岐損失の発生といった問題があった。また、分岐損失が発生するため波長可変光源の出力を上げる必要があるが、波長可変光源の高出力化には、光増幅部として使用する半導体光増幅器（ＳＯＡ：semiconductor optical amplifier）のバイアス電流を増加させる必要があり、消費電力が増大するという問題があった。
【課題を解決するための手段】
【００１７】
上記課題を解決するために、請求項１に記載の波長可変光源は、一方の出力端から第１のレーザ光を出力し、他方の出力端から第２のレーザ光を出力する波長可変光源部と、前記第１のレーザ光を受光して増幅し、当該増幅した第１のレーザ光を出力する第１の光増幅器と、前記第２のレーザ光を受光して増幅し、当該増幅した第２のレーザ光を出力する第２の光増幅器と、を備えたことを特徴とする。
【００１８】
請求項２に記載の波長可変光源は、請求項１に記載の波長可変光源であって、前記第１のレーザ光及び前記第２のレーザ光は、波長が同一であることを特徴とする。
【００１９】
請求項３に記載の波長可変光源は、請求項１又は２に記載の波長可変光源であって、前記第１の光増幅器への注入電流を調整する第１の電流調整機構と、前記第２の光増幅器への注入電流を調整する第２の電流調整機構と、をさらに備えたことを特徴とする。
【００２０】
請求項４に記載の波長可変光源は、請求項３に記載の波長可変光源であって、前記第１の電流調整機構及び前記第２の電流調整機構は、前記増幅した第１のレーザ光の光強度と前記増幅した第２のレーザ光の光強度とが同一となるように、前記第１の光増幅器及び前記第２の光増幅器への注入電流をそれぞれ調整することを特徴とする。
【００２１】
請求項５に記載の波長可変光源は、請求項１乃至４のいずれかに記載の波長可変光源であって、前記波長可変光源部は、分布帰還型半導体レーザ又は分布反射型半導体レーザであることを特徴とする。
【００２２】
請求項６に記載の波長可変光源は、請求項１乃至４のいずれかに記載の波長可変光源であって、前記波長可変光源部は、複数の半導体レーザをアレイ状に並べた半導体レーザアレイと、前記複数の半導体レーザの各々の一方の出力端に接続され、前記複数の半導体レーザの各々の前記一方の出力端から出力された光を合波して前記第１のレーザ光を出力する第１の光合波器と、前記複数の半導体レーザの各々の他方の出力端に接続され、前記複数の半導体レーザの各々の前記他方の出力端から出力された光を合波して前記第２のレーザ光を出力する第２の光合波器と、を含み、前記半導体レーザは、分布帰還型半導体レーザ又は分布反射型半導体レーザであることを特徴とする。
【発明の効果】
【００２３】
本発明に係る波長可変光源は、波長可変光源の前方、後方に別々の増幅部を設け、前方、後方の両側からレーザ光を出射させることにより、消費電力を増大させることなく、２つのレーザ光を取り出すことができる。それにより、本発明によると、１つの波長可変光源で２つの光出力を効率よく得ることを可能する小型かつ高効率な２出力波長可変光源を実現することができる。
【図面の簡単な説明】
【００２４】
【図１】多値変調用トランシーバの構成の一例を示す図である。
【図２】従来型波長可変光源（ＤＢＲレーザ）を示す図である。
【図３】従来型波長可変光源（ＤＦＢレーザアレイ）を示す図である。
【図４】本発明の実施例１に係る波長可変光源（両端ＳＯＡ集積ＤＢＲレーザ）を示す図である。
【図５】本発明の実施例２に係る波長可変光源（両端ＳＯＡ集積ＤＦＢレーザアレイ）を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００２５】
以下に本発明の具体的な実施形態を例にして説明する。以下に示される実施例は、本発明の効果を示す一つの例示であり、本発明の主旨を逸脱しない範囲内で種々の変更を行い得ることは言うまでもない。
【００２６】
（実施例１）
図４は、本発明の実施例１に係る波長可変光源を示す。図４には、第１の光増幅部４１０と、波長可変光源部４２０と、第２の光増幅部４３０とを備えた波長可変光源４００が示されている。本発明の実施例１に係る波長可変光源４００では、ＤＢＲレーザを波長可変光源部４２０として用いており、波長可変光源部４２０は、前側ミラー部４２１、後側ミラー部４２２、位相調整部４２３及び光利得部４２４（活性領域）を含む。第１の光増幅部４１０及び第２の光増幅部４３０としては、半導体光増幅器（ＳＯＡ）を用いることができる。波長可変光源部４２０の構成は従来と同様であるため、その詳細な説明は省略する。
【００２７】
実施例１に係る波長可変光源４００において、波長可変光源部４２０の一方の出力端から出力されたレーザ光は、第１の光増幅部４１０で受光・増幅されて出力される。波長可変光源部４２０の他方の出力端から出力されたレーザ光は、第２の光増幅部４３０で受光・増幅されて出力される。
【００２８】
図４に示されるように、実施例１に係る波長可変光源４００では、波長可変光源部４２０の両端に第１の光増幅部４１０及び第２の光増幅部４３０が配置されている。そのため、波長可変光源部４２０の両側から出射される出力光を両端のそれぞれに配置された第１の光増幅部４１０及び第２の光増幅部４３０で増幅することにより、１つの波長可変光源部４２０で、２つの出力光を出力することが可能となる。また、図２に示されるような従来の波長可変光源２００では、波長可変光源部２２０において光増幅部２１０の反対側に出力された光は使われずに無駄になっていたが、実施例１に係る波長可変光源４００では波長可変光源部４２０の両端の出力光を使用できるため、光出力を効率よく得ることができる構造になっている。また、第１の光増幅部４１０及び第２の光増幅部４３０に光を出力する波長可変光源部が共通であるため、同じ波長のレーザ光を波長可変光源４００の前方及び後方から出力することができる。
【００２９】
以下に、本発明の実施例１に係る波長可変光源４００の作成方法を示す。
【００３０】
半導体層の結晶成長には有機金属気相成長（ＭＯＶＰＥ：Metal-Oganic Vapor Phase Epitaxy）法を用い、ｎ−ＩｎＰ基板上に結晶成長した。光利得部４２４、第１の光増幅部４１０及び第２の光増幅部４３０の活性層には、バンドギャップ波長１．５９ミクロンのＩｎＧａＡｓＰ多重量子井戸（ＭＱＷ：Multi-Quantum Well）層を用い、ウェル数は６で、１％の圧縮歪を与えた。光利得部４２４、第１の光増幅部４１０及び第２の光増幅部４３０の活性層の下部にはｎ−ＩｎＰクラッド層を設け、上部にはｐ−ＩｎＰクラッド層を設けて、２つのクラッド層で活性層を挟むダブルヘテロ構造とした。ｐ−ＩｎＰクラッド層の上には、ｐ−ＩｎＧａＡｓＰコンタクト層を成長した。
【００３１】
前側ミラー部４２１、後側ミラー部４２２、位相調整部４２３のコア層は、バンドギャップ波長１．３ミクロンのノンドープＩｎＧａＡｓＰコア層とし、光利得部４２４、第１の光増幅部４１０及び第２の光増幅部４３０とバットジョイントした。コア層の下部にはｎ−ＩｎＰクラッド層を設け、上部にはノンドープＩｎＰクラッド層を設けた。前側ミラー部４２１及び後側ミラー部４２２の回折格子は、ノンドープＩｎＰクラッド層に形成した。前側ミラー部４２１及び後側ミラー部４２２の回折格子の深さは４０ｎｍとした。ノンドープＩｎＰクラッド層の上には、ｐ−ＩｎＧａＡｓＰコンタクト層を成長した。メサ幅は１．２ミクロンとし、Ｃｌ２反応性イオンエッチング（ＲＩＥ：Reactive ion etching）で形成したメサの両脇はｐｎ電流ブロック層による埋込成長で埋めた。
【００３２】
ｐ側の電極はＡｕＺｎ/Ａｕとし、第１の光増幅部４１０、前側ミラー部４２１、後側ミラー部４２２、位相調整部４２３、光利得部４２４及び第２の光増幅部４３０を分離するために、ＡｕＺｎ/Ａｕ電極とｐ−ＩｎＧａＡｓＰコンタクト層とを分離した。ｎ側の電極はＡｕＧｅ/Ａｕとした。素子の劈開後、端面の反射を減らすため、両端に無反射（ＡＲ：anti-reflecting）コートを施した。ＡＲコートの反射率は０．５％以下とした。
【００３３】
第１の光増幅部４１０、前側ミラー部４２１、後側ミラー部４２２、位相調整部４２３、光利得部４２４及び第２の光増幅部４３０の長さは、それぞれ４００ミクロン、４００ミクロン、６００ミクロン、１５０ミクロン、３５０ミクロン、４００ミクロンとした。
【００３４】
図２に示される従来の波長可変光源２００と実施例１に係る波長可変光源４００とで、同じ光出力の時にどの程度、消費電力が異なるか比較した。従来の波長可変光源２００及び実施例１に係る波長可変光源４００のどちらにも、光利得部に１００ｍＡの電流を注入した。また、光出力は、実施例１に係る波長可変光源４００が両端でそれぞれ＋１３ｄＢｍ、従来の波長可変光源２００はその２倍である＋１６ｄＢｍとなるように光増幅部の電流値を設定した。
【００３５】
従来の波長可変光源２００は、光増幅部２１０（ＳＯＡ）の電流値２００ｍＡ、電圧１．８Ｖ、消費電力０．３６Ｗで、光出力が＋１６ｄＢｍに到達した。これに対して、実施例１に係る波長可変光源４００では、第１の光増幅部４１０及び第２の光増幅部４３０（両者ともにＳＯＡ）にそれぞれ電流値１１０ｍＡ、電圧１．３Ｖ、第１の光増幅部４１０及び第２の光増幅部４３０の消費電力があわせて０．２８６Ｗで、両端の光出力が＋１３ｄＢｍにそれぞれ到達した。この結果から、実施例１に係る波長可変光源４００の方が、従来の波長可変光源２００に比べて低消費電力であることが確認できた。実際は、従来の波長可変光源２００では、光スプリッター等で二分岐するときの損失を補償するために、さらに高出力化が必要なため、実施例１に係る波長可変光源４００の方がより低消費電力である。
【００３６】
以上より、実施例１に係る波長可変光源４００によると、小型かつ高効率な２出力波長可変光源が実現可能であることが明らかである。
【００３７】
なお、上記の説明の波長可変光源部は「前側ミラー部」と「位相調整部」と「光利得部」と「後側ミラー部」を有する、いわゆる「ＳＳＧ−ＤＢＲ」型のもので説明しているが、波長可変光源部を「サンプルドグレーティング（ＳＧ）を有するＤＦＢ型の光利得部」と「サンプルドグレーティング（ＳＧ）をわずかにチャープさせたミラー部」を有する（「位相長調整部」を有さない）いわゆる「ＳＧ−ＤＢＲ」型のものでも構わない。
【００３８】
また「前側ミラー部」「後側ミラー部」「サンプルドグレーティング（ＳＧ）をわずかにチャープさせたミラー部」を調整するために、対応する電極から電流注入しても構わないし、ヒータ電極を設けて局所発熱をしても構わない。
【００３９】
（実施例２）
図５は、本発明の実施例２に係る波長可変光源を示す。図５には、第１の光増幅部５１０と、波長可変光源部５２０と、第２の光増幅部５３０とを備えた波長可変光源５００が示されている。本発明の実施例２に係る波長可変光源５００では、ＤＦＢレーザアレイを波長可変光源部４２０として用いており、波長可変光源部５２０は、ＤＦＢレーザ５２１と、第１の光合波器５２２と、第２の光合波器５２３とを含む。第１の光増幅部５１０及び第２の光増幅部５３０としては、半導体光増幅器（ＳＯＡ）を用いることができる。
【００４０】
実施例２に係る波長可変光源５００において、波長可変光源部５２０の各ＤＦＢレーザ５２１の一方の出力端から出力されたレーザ光は、第１の光合波器５２２で合波され、その合波光が第１の光増幅部５１０で受光・増幅されて出力される。波長可変光源部５２０の各ＤＦＢレーザ５２１の他方の出力端から出力されたレーザ光は、第２の光合波器５２３で合波され、その合波光が第２の光増幅部５３０で受光・増幅されて出力される。
【００４１】
実施例２に係る波長可変光源５００と従来例である図３に示される波長可変光源３００とで相違する点は、従来の波長可変光源３００が波長可変光源部３２０の前方にのみ光増幅部３１０と光合波器３２２とを有するのに対し、実施例２に係る波長可変光源５００では、前方の第１の光増幅部５１０及び第１の光合波器５２２に加え、後方にも第２の光増幅部５３０及び第２の光合波器５２３を有し、前方と後方の両方からレーザ光を出射できる点にある。
【００４２】
以下に、本発明の実施例２に係る波長可変光源５００の作成方法を示す。
【００４３】
半導体層の結晶成長にはＭＯＶＰＥ法を用い、ｎ−ＩｎＰ基板上に結晶成長した。ＤＦＢレーザ５２１、第１の光増幅部５１０及び第２の光増幅部５３０の活性層には、ＩｎＧａＡｓＰ多重量子井戸（ＭＱＷ）層を用いた。ＤＦＢレーザ５２１、第１の光増幅部５１０及び第２の光増幅部５３０の活性層の下部にはｎ−ＩｎＰクラッド層を設け、上部にはｐ−ＩｎＰクラッド層を設け、２つのクラッド層で活性層を挟むダブルヘテロ構造とした。ｐ−ＩｎＰクラッド層の上にはｐ−ＩｎＧａＡｓコンタクト層を成長した。
【００４４】
導波路や第１の光合波器５２２及び第２の光合波器５２３のコア層は、厚さ０．３ミクロンのノンドープＩｎＧａＡｓＰコア層とし、ＤＦＢレーザ５２１や第１の光増幅部５１０及び第２の光増幅部５３０とそれぞれバットジョイントした。コア層の下部にはｎ−ＩｎＰクラッド層を設け、上部にはノンドープＩｎＰクラッド層を設けた。
【００４５】
第１の光合波器５２２及び第２の光合波器５２３には多モード干渉型（ＭＭＩ：multi-mode interference）カプラを用いた。ＭＭＩカプラの大きさは５０ミクロン×４００ミクロンとした。曲導波路の最小半径は２５０ミクロン、ＤＦＢレーザ５２１の共振長は４５０ミクロン、第１の光増幅部５１０及び第２の光増幅部５３０の長さは１２００ミクロンとした。メサ幅は１．５ミクロンとし、Ｃｌ２反応性ＲＩＥで形成したメサの両脇はｐｎ電流ブロック層による埋込成長で埋めた。
【００４６】
ＤＦＢレーザ５２１、第１の光増幅部５１０及び第２の光増幅部５３０のｐ側電極はＡｕＺｎ/Ａｕとし、ｎ側電極はＡｕＧｅ/Ａｕとした。素子の劈開後、端面の反射を減らすため、両端にＡＲコートを施した。ＡＲコートの反射率は０．５％以下とした。
【００４７】
図３に示される従来の波長可変光源３００と実施例２に係る波長可変光源５００とで、同じ光出力の時にどの程度、消費電力が異なるか比較した。従来の波長可変光源３００及び実施例２に係る波長可変光源５００のどちらにも、最上部のＤＦＢレーザに１００ｍＡの電流を注入した。また、光出力は、実施例２に係る波長可変光源５００が両端それぞれ＋１０ｄＢｍと＋７．０ｄＢｍ、従来の波長可変光源３００はその和である＋１１．７６ｄＢｍとなるように光増幅部の電流値を設定した。
【００４８】
従来の波長可変光源３００は、光増幅部３１０（ＳＯＡ）の電流値１５０ｍＡ、電圧１．６５Ｖ、消費電力０．２５Ｗで、光出力が＋１１．７６ｄＢｍに到達した。これに対して、実施例２に係る波長可変光源５００では、第１の光増幅部５１０（ＳＯＡ）に電流値１００ｍＡ、電圧１．３Ｖ、第２の光増幅部５３０（ＳＯＡ）に電流値７０ｍＡ、電圧１．１Ｖ、第１の光増幅部５１０及び第２の光増幅部５３０の消費電力があわせて０．２Ｗで、第１の光増幅部５１０の光出力が＋１０ｄＢｍ、第２の光増幅部５３０の光出力が＋７．０ｄＢｍにそれぞれ到達した。この結果から、実施例２に係る波長可変光源５００の方が、従来の波長可変光源３００に比べて低消費電力であることが確認できた。実際は、従来の波長可変光源３００では光スプリッター等で二分器するときの損失を補償するために、さらに高出力化が必要なため、実施例２に係る波長可変光源５００の方がより低消費電力である。
【００４９】
以上より、実施例２に係る波長可変光源５００によると、小型かつ高効率な２出力波長可変光源が実現可能であることが明らかである。
【００５０】
なお、実施例２に係る波長可変光源５００では、５個のＤＦＢレーザ５２１を使用したＤＦＢレーザアレイを例にとったが、ＤＦＢレーザ５２１の個数は５個に限定されるものではなく、何個でもいい。例えばＤＦＢレーザ５２１は１２個でもいい。
【００５１】
また、実施例２に係る波長可変光源５００では、半導体レーザアレイとしてＤＦＢレーザを並べたものを例として説明しているが、レーザの構造はＤＦＢレーザに限定されるものではない。例えば図２に示される波長可変光源部２２０を複数並べてもよい。
【００５２】
実施例１及び２において、活性層やコアの組成としてＩｎＧａＡｓＰ系を説明しているが、ＩｎＧａＡｌＡｓ系やＡｌＧａＡｓ系でも構わない。さらにはＳｉもしくはＡｌ、Ｇａ、Ｉｎ、Ａｓ、Ｐ、Ｓｂの中の少なくとも２種類以上の元素からなるＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体であっても構わない。ｐ側電極はＡｕＺｎ/Ａｕとしたが、例えばＴｉ/Ｐｔ/Ａｕでもよく、オーミックコンタクトさえ取れればどんなものでも構わない。ｎ側電極はＡｕＧｅ/Ａｕとしたが、例えばＡｕＧｅＮｉ/Ａｕでもよく、オーミックコンタクトさえ取れればどんなものでも構わない。
【００５３】
また、本発明に係る波長可変光源においては、第１の光増幅器への注入電流を調整する第１の電流調整機構と、第２の光増幅器への注入電流を調整する第２の電流調整機構をさらに設け、各光増幅器への注入電流を調整することにより、第１の光増幅器から出力されたレーザ光及び第２の光増幅器から出力されたレーザ光の強度をそれぞれ独立して所望の値に調整可能なように構成してもよい。また、第１の電流調整機構及び第２の電流調整機構により、第１の光増幅器から出力されたレーザ光の光強度と第２の光増幅器から出力されたレーザ光の光強度とが同一となるように、第１及び第２の光増幅器への注入電流を調整してもよい。
【符号の説明】
【００５４】
多値変調用トランシーバ  １００
光受信部  １１０
９０度光ハイブリッド回路  １１１
受光器  １１２
偏波分波器  ＰＢＳ
受信用波長可変光源  ＬＯ
デジタル信号処理部  １２０
アナログ・デジタル変換部  ＡＤＣ
光送信部  １３０
送信用波長可変光源  ＬＤ
変調器  １３１
波長可変光源  ２００、３００、４００、５００
光増幅部  ２１０、３１０
波長可変光源部  ２２０、３２０、４２０、５２０
前側ミラー部  ２２１、４２１
後側ミラー部  ２２２、４２２
位相調整部  ２２３、４２３
光利得部  ２２４、４２４
ＤＦＢレーザ  ３２１、５２１
光合波器  ３２２
第１の光増幅部  ４１０、５１０
第２の光増幅部  ４３０、５３０
第１の光合波器  ５２２
第２の光合波器  ５２３
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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