(57)【要約】【課題】基板処理によって発生する雰囲気の拡散を抑制する技術を提供する。【解決手段】２つのカバー部材８１が変位され、該２つのカバー部材８１が互いに分離された分離状態と互いに結合された結合状態との状態遷移が行われる。結合状態ではウエハ回転機構３に保持される基板の上方空間が互いに結合した２つのカバー部材８１によって覆われて処理空間Ｌ２が形成される。また、結合状態では、水平面視において、基板保持領域の少なくとも一部に２つのカバー部材の空隙部８１４がある。基板処理を行う際には、結合状態において、剥離液供給ノズル４が空隙部８１４を貫通してウエハＷの上面Ｓ１に処理液を供給する。【選択図】図６
2015162557.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板処理装置であって、
基板保持領域に基板を水平姿勢で保持し、該基板を鉛直軸線周りに回転する基板回転部と、
前記基板回転部に保持される前記基板の上側主面に処理液を供給するノズルと、
互いに離された分離状態と互いに結合された結合状態との間で状態遷移が可能な複数のカバー部材と、
前記複数のカバー部材のそれぞれを変位させ、前記分離状態と前記結合状態との状態遷移を行う変位機構と、
を備え、
前記結合状態では前記基板保持領域の上方空間が互いに結合した前記複数のカバー部材によって覆われて処理空間が形成される一方、前記分離状態では前記上方空間が開放して前記処理空間が形成されず、
前記結合状態では、水平面視において、前記基板保持領域の少なくとも一部に前記複数のカバー部材の存在しないカバー空隙部があり、
前記結合状態において、前記ノズルは前記複数のカバー部材の前記カバー空隙部を貫通して前記基板の上側主面に処理液を供給することを特徴とする基板処理装置。
【請求項２】
請求項１に記載の基板処理装置であって、
前記処理空間に連通した排気口と排気源とを接続する排気経路、をさらに備え、
前記結合状態の際に、前記排気源が前記排気口および前記排気経路を通じて前記処理空間の雰囲気を排気することを特徴とする基板処理装置。
【請求項３】
請求項１または請求項２に記載の基板処理装置であって、
前記カバー空隙部を介して前記処理空間に連通した給気口と給気源とを接続する給気経路、をさらに備え、
前記結合状態の際に、前記給気源が前記給気経路および前記給気口を通じて前記処理空間に給気することを特徴とする基板処理装置。
【請求項４】
請求項１ないし請求項３のいずれかに記載の基板処理装置であって、
水平面視において、前記カバー空隙部に前記基板の中心位置があることを特徴とする基板処理装置。
【請求項５】
請求項１ないし請求項４のいずれかに記載の基板処理装置であって、
前記ノズルを水平方向の一方向に沿って移動させるノズル走査部、
をさらに備え、
前記カバー空隙部は前記一方向に伸びてなり、
前記ノズルは、前記カバー空隙部を貫通した状態で前記ノズル走査部によって前記一方向に沿って移動されつつ、前記基板の上側主面に処理液を供給することを特徴とする基板処理装置。
【請求項６】
請求項１ないし請求項５のいずれかに記載の基板処理装置であって、
前記カバー空隙部は、前記結合状態における前記複数のカバー部材に囲まれる孔部であることを特徴とする基板処理装置。
【請求項７】
請求項１ないし請求項５のいずれかに記載の基板処理装置であって、
前記カバー空隙部は、前記結合状態における前記複数のカバー部材に対する切り欠き部であることを特徴とする基板処理装置。
【請求項８】
請求項１ないし請求項７のいずれかに記載の基板処理装置であって、
前記変位機構は、前記基板回転部に保持される前記基板の径方向に沿って前記複数のカバー部材を変位することを特徴とする基板処理装置。
【請求項９】
請求項１ないし請求項８のいずれかに記載の基板処理装置であって、
前記処理液は、硫酸と過酸化水素水との混合液であることを特徴とする基板処理装置。
【請求項１０】
基板処理方法であって、
互いに離された分離状態と互いに結合された結合状態との間で状態遷移が可能な複数のカバー部材を、基板保持領域の上方空間を避けるように前記分離状態とし、基板を前記上方空間を経由して前記基板保持領域へと搬入する基板搬入工程と、
前記基板保持領域において前記基板を水平姿勢で保持し、該基板を鉛直軸線周りに回転する回転工程と、
前記複数のカバー部材を前記結合状態とすることにより前記上方空間を覆い、処理空間を形成するカバー工程と、
ノズルより前記基板の上側主面に処理液を供給する供給工程と、
前記複数のカバー部材を前記分離状態とし、前記基板を前記基板保持領域から前記上方空間を経由して搬出する基板搬出工程と、
を有し、
前記結合状態では、水平面視において、前記基板保持領域の少なくとも一部に前記複数のカバー部材の存在しないカバー空隙部があり、
前記供給工程では、前記ノズルが前記複数のカバー部材の前記カバー空隙部を貫通して前記基板の上側主面に処理液を供給することを特徴とする基板処理方法。
【請求項１１】
請求項１０に記載の基板処理方法であって、
前記供給工程と並行して行われ、前記処理空間の雰囲気を排気する排気工程、をさらに備えることを特徴とする基板処理方法。
【請求項１２】
請求項１０または請求項１１に記載の基板処理方法であって、
前記供給工程と並行して行われ、前記カバー空隙部を介して前記処理空間に給気する給気工程、をさらに備えることを特徴とする基板処理方法。
【請求項１３】
請求項１０ないし請求項１２のいずれかに記載の基板処理方法であって、
前記カバー空隙部は水平方向の一方向に伸びてなり、
前記供給工程では、前記ノズルが前記カバー空隙部を貫通した状態で前記一方向に沿って移動されつつ前記基板の上側主面に処理液を供給することを特徴とする基板処理方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、基板処理装置および基板処理方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
半導体装置の製造工程には、たとえば、基板の主面にリン、砒素、硼素などの不純物（イオン）を局所的に注入する工程が含まれる。この工程では、不要な部分に対するイオン注入を防止するため、基板の表面がレジストによってマスクされる。基板の表面上にパターン形成されたレジストはイオン注入の後は不要になるから、イオン注入後には、基板の表面上の不要となったレジストを除去するレジスト除去処理が行われる。
【０００３】
このようなレジスト除去処理として、基板の表面にＳＰＭ液を供給し、赤外線照射により該ＳＰＭ液を加熱して、ＳＰＭ液に含まれるペルオキソ一硫酸（Ｈ２ＳＯ５）の強酸化力により基板の表面からレジストを剥離する手法が知られている。
【０００４】
例えば、特許文献１に記載の装置では、ウエハ回転機構によって水平姿勢で保持回転されるウエハの上面に剥離液供給ノズルから高温のＳＰＭ液を供給し、加熱ヘッドがウエハの上面に沿って走査しながらウエハに向けて赤外線を照射する構成が開示されている。この結果、ウエハの上面に供給されたＳＰＭ液が加熱され、該ウエハについてのレジスト除去処理が進行する。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２０１３−１８２９５７号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
この種のレジスト除去処理では特定の雰囲気が発生する。このような雰囲気としては、例えば、レジストおよびＳＰＭ液の化学反応により生じるヒュームや、純水成分が蒸発することにより生じる水蒸気などがある。該雰囲気が処理室内に拡散し処理室内の各部に付着すると、一定時間経過後、固化してパーティクルとなることがある。パーティクルは処理対象たる基板の汚染源となるため、上記した雰囲気の拡散を防止することが望まれる。
【０００７】
このような問題は、ＳＰＭ液等のレジスト剥離液を用いたレジスト除去処理だけでなく、基板に液処理を施す種々の処理に共通の課題である。
【０００８】
本発明の目的は、基板処理によって発生する雰囲気の拡散を抑制する技術を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明の第１の態様にかかる基板処理装置は、基板保持領域に基板を水平姿勢で保持し、該基板を鉛直軸線周りに回転する基板回転部と、前記基板回転部に保持される前記基板の上側主面に処理液を供給するノズルと、互いに離された分離状態と互いに結合された結合状態との間で状態遷移が可能な複数のカバー部材と、前記複数のカバー部材のそれぞれを変位させ、前記分離状態と前記結合状態との状態遷移を行う変位機構と、を備え、前記結合状態では前記基板保持領域の上方空間が互いに結合した前記複数のカバー部材によって覆われて処理空間が形成される一方、前記分離状態では前記上方空間が開放して前記処理空間が形成されず、前記結合状態では、水平面視において、前記基板保持領域の少なくとも一部に前記複数のカバー部材の存在しないカバー空隙部があり、前記結合状態において、前記ノズルは前記複数のカバー部材の前記カバー空隙部を貫通して前記基板の上側主面に処理液を供給することを特徴とする。
【００１０】
本発明の第２の態様にかかる基板処理装置は、第１の態様にかかる基板処理装置であって、前記処理空間に連通した排気口と排気源とを接続する排気経路、をさらに備え、前記結合状態の際に、前記排気源が前記排気口および前記排気経路を通じて前記処理空間の雰囲気を排気することを特徴とする。
【００１１】
本発明の第３の態様にかかる基板処理装置は、本発明の第１の態様または第２の態様にかかる基板処理装置であって、前記カバー空隙部を介して前記処理空間に連通した給気口と給気源とを接続する給気経路、をさらに備え、前記結合状態の際に、前記給気源が前記給気経路および前記給気口を通じて前記処理空間に給気することを特徴とする。
【００１２】
本発明の第４の態様にかかる基板処理装置は、第１の態様ないし第３の態様のいずれかにかかる基板処理装置であって、水平面視において、前記カバー空隙部に前記基板の中心位置があることを特徴とする。
【００１３】
本発明の第５の態様にかかる基板処理装置は、第１の態様ないし第４の態様のいずれかにかかる基板処理装置であって、前記ノズルを水平方向の一方向に沿って移動させるノズル走査部、をさらに備え、前記カバー空隙部は前記一方向に伸びてなり、前記ノズルは、前記カバー空隙部を貫通した状態で前記ノズル走査部によって前記一方向に沿って移動されつつ、前記基板の上側主面に処理液を供給することを特徴とする。
【００１４】
本発明の第６の態様にかかる基板処理装置は、第１の態様ないし第５の態様のいずれかにかかる基板処理装置であって、前記カバー空隙部は、前記結合状態における前記複数のカバー部材に囲まれる孔部であることを特徴とする。
【００１５】
本発明の第７の態様にかかる基板処理装置は、第１の態様ないし第５の態様のいずれかにかかる基板処理装置であって、前記カバー空隙部は、前記結合状態における前記複数のカバー部材に対する切り欠き部であることを特徴とする。
【００１６】
本発明の第８の態様にかかる基板処理装置は、第１の態様ないし第７の態様のいずれかにかかる基板処理装置であって、前記変位機構は、前記基板回転部に保持される前記基板の径方向に沿って前記複数のカバー部材を変位することを特徴とする。
【００１７】
本発明の第９の態様にかかる基板処理装置は、第１の態様ないし第８の態様のいずれかにかかる基板処理装置であって、前記処理液は、硫酸と過酸化水素水との混合液であることを特徴とする。
【００１８】
本発明の第１０の態様にかかる基板処理方法は、互いに離された分離状態と互いに結合された結合状態との間で状態遷移が可能な複数のカバー部材を、基板保持領域の上方空間を避けるように前記分離状態とし、基板を前記上方空間を経由して前記基板保持領域へと搬入する基板搬入工程と、前記基板保持領域において前記基板を水平姿勢で保持し、該基板を鉛直軸線周りに回転する回転工程と、前記複数のカバー部材を前記結合状態とすることにより前記上方空間を覆い、処理空間を形成するカバー工程と、ノズルより前記基板の上側主面に処理液を供給する供給工程と、前記複数のカバー部材を前記分離状態とし、前記基板を前記基板保持領域から前記上方空間を経由して搬出する基板搬出工程と、を有し、前記結合状態では、水平面視において、前記基板保持領域の少なくとも一部に前記複数のカバー部材の存在しないカバー空隙部があり、前記供給工程では、前記ノズルが前記複数のカバー部材の前記カバー空隙部を貫通して前記基板の上側主面に処理液を供給することを特徴とする。
【００１９】
本発明の第１１の態様にかかる基板処理方法は、第１０の態様にかかる基板処理方法であって、前記供給工程と並行して行われ、前記処理空間の雰囲気を排気する排気工程、をさらに備えることを特徴とする。
【００２０】
本発明の第１２の態様にかかる基板処理方法は、第１０の態様または第１１の態様にかかる基板処理方法であって、前記供給工程と並行して行われ、前記カバー空隙部を介して前記処理空間に給気する給気工程、をさらに備えることを特徴とする。
【００２１】
本発明の第１３の態様にかかる基板処理方法は、本発明の第１０の態様ないし第１２の態様のいずれかにかかる基板処理方法であって、前記カバー空隙部は水平方向の一方向に伸びてなり、前記供給工程では、前記ノズルが前記カバー空隙部を貫通した状態で前記一方向に沿って移動されつつ前記基板の上側主面に処理液を供給することを特徴とする。
【発明の効果】
【００２２】
本発明の第１の態様および第１０の態様では、複数のカバー部材を変位することで、該複数のカバー部材が互いに分離された分離状態と該複数のカバー部材が互いに結合された結合状態との状態遷移を行うことができる。
【００２３】
結合状態では基板回転部に保持される基板の上方空間が互いに結合した複数のカバー部材によって覆われて処理空間が形成される一方、分離状態では上記上方空間が開放して上記処理空間が形成されない。また、結合状態では、水平面視において、基板保持領域の少なくとも一部に複数のカバー部材の存在しないカバー空隙部がある。
【００２４】
そして、基板処理を行う際には、結合状態において、ノズルがカバー空隙部を貫通して基板の上側主面に処理液を供給する。このため、該処理で特定の雰囲気（例えば、レジストおよびＳＰＭ液の化学反応により生じるヒューム）が発生したとしても、複数のカバー部材が結合状態とされていることによって該雰囲気が処理空間から漏れて処理室内に拡散することが抑制される。
【００２５】
本発明の第２の態様および第１１の態様においては、結合状態の際に、排気源が排気口および排気経路を通じて処理空間の雰囲気を排気する。このため、処理空間内で上記雰囲気が発生したとしても、該雰囲気が処理室内に拡散することが抑制される。
【００２６】
本発明の第３の態様および第１２の態様においては、結合状態の際に、上記カバー空隙部を介して処理空間に給気する。このため、処理空間内で上記雰囲気が発生したとしても、該雰囲気が処理空間の上記カバー空隙部から漏れて処理室内に拡散することが抑制される。
【図面の簡単な説明】
【００２７】
【図１】実施形態に係る基板処理装置の構成を模式的に示す図である。
【図２】処理室内の様子を示す斜視図である。
【図３】基板処理装置の電気的構成を示すブロック図である。
【図４】基板処理装置のレジスト処理の処理例を示すフロー図である。
【図５】レジスト処理の様子を示す断面図である。
【図６】レジスト処理の様子を示す断面図である。
【図７】レジスト処理の様子を示す断面図である。
【図８】レジスト処理の様子を示す断面図である。
【図９】レジスト処理の様子を示す断面図である。
【図１０】レジスト処理の様子を示す断面図である。
【図１１】変形例にかかるカバー部材の上面図である。
【図１２】変形例にかかるカバー部材の断面図である。
【図１３】変形例にかかるカバー部材の上面図である。
【図１４】変形例にかかるカバー部材の上面図である。
【発明を実施するための形態】
【００２８】
以下、図面を参照しつつ本発明の実施の形態について詳細に説明する。
【００２９】
＜１  実施形態＞
＜１．１  基板処理装置１の構成＞
図１は、本発明の実施形態に係る基板処理装置１の構成を模式的に示す図である。基板処理装置１は、一方の主面にイオン注入処理やドライエッチング処理を施された基板（以下、ウエハＷ）に対して、該ウエハＷの上記主面から不要になったレジストを除去する枚葉式の装置である。
【００３０】
基板処理装置１は、図示しない隔壁により区画された処理室２内に、上記主面が上側となるようにウエハＷを回転可能に水平姿勢で保持するウエハ回転機構３と、ウエハ回転機構３に保持されているウエハＷの上側主面（上面Ｓ１）に薬液（例えば、レジスト剥離液としてのＳＰＭ液）を供給するための剥離液供給ノズル４と、カバー形成部８０と、を備える。
【００３１】
基板処理装置１では、カバー形成部８０によってウエハ回転機構３に保持回転されるウエハＷの上方空間を覆った状態で、回転される該ウエハＷの上面Ｓ１に剥離液供給ノズル４から高温のＳＰＭ液を供給し、ウエハＷ上面Ｓ１のレジスト剥離を進行させる（詳細は、図５〜図１０を参照しつつ後述する）。
【００３２】
＜ウエハ回転機構３＞
ウエハ回転機構３（基板回転部）は、モータ６と、このモータ６の駆動軸と一体化されたスピン軸７と、スピン軸７の上端に水平に取り付けられた円板状のスピンベース８と、スピンベース８の周縁部の複数箇所に水平面に沿ってほぼ等角度間隔で設けられた複数の把持部材９とを備えている。
【００３３】
複数の把持部材９（例えば、チャックピン）は、スピンベース８内に収容されたリンク機構（図示せず）によって連動して駆動される部材である。このため、該リンク機構を駆動することで、ウエハＷの端縁を把持しウエハＷを水平姿勢で保持する状態とウエハＷの水平姿勢での保持を解除する状態とが切り替えられる。本明細書では、複数の把持部材９によって保持されるウエハＷの存在領域を「基板保持領域」と呼ぶ。
【００３４】
複数の把持部材９によりウエハＷを水平姿勢に把持した状態でモータ６が駆動されると、その駆動力によってスピンベース８およびスピンベース８に固設された複数の把持部材９に把持されるウエハＷが回転軸線Ｃ（鉛直軸線）まわりに回転される。なお、ウエハ回転機構３においてウエハＷを保持する態様としては、上述した把持式のものに限らず、たとえば、ウエハＷの下面を真空吸着することで該ウエハＷを保持する真空吸着式のものであっても構わない。
【００３５】
＜剥離液供給ノズル４＞
剥離液供給ノズル４は、たとえば、連続流の状態でＳＰＭ液を吐出するストレートノズルである。剥離液供給ノズル４は、その吐出口を下方に向けた状態で、ほぼ水平に延びる第１液アーム１１の先端に取り付けられている。第１液アーム１１は、鉛直方向に延びる所定の揺動軸線まわりに旋回可能に設けられている。第１液アーム１１には、第１液アーム１１を所定角度範囲内で揺動させ、かつ、第１液アーム１１を昇降させるための第１液アーム駆動機構１２（ノズル走査部）が結合されている。第１液アーム１１の揺動により、剥離液供給ノズル４は、ウエハＷの回転軸線Ｃ上の位置（ウエハＷの回転中心に対向する位置）と、ウエハ回転機構３の側方に設定されたホームポジションとの間で移動される。
【００３６】
剥離液供給ノズル４にＳＰＭ液を供給するための剥離液供給機構１３は、硫酸（Ｈ２ＳＯ４）と過酸化水素水（Ｈ２Ｏ２）とを混合させるための混合部１４と、混合部１４と剥離液供給ノズル４との間に接続された剥離液供給管１５とを備えている。混合部１４には、硫酸供給管１６および過酸化水素水供給管１７が接続されている。硫酸供給管１６には、硫酸供給源１６Ａから、所定温度（たとえば約８０℃）に温度調節された硫酸が供給される。一方、過酸化水素水供給管１７には、過酸化水素水供給源１７Ａから、温度調節されていない室温（約２５℃）程度の過酸化水素水が供給される。硫酸供給管１６の途中部には、硫酸バルブ１８および流量調節バルブ１９が介装されている。また、過酸化水素水供給管１７の途中部には、過酸化水素水バルブ２０および流量調節バルブ２１が介装されている。剥離液供給管１５の途中部には、攪拌流通管２２および剥離液バルブ２３が混合部１４側からこの順に介装されている。攪拌流通管２２は、たとえば、管部材内に、それぞれ液体流通方向を軸にほぼ１８０度のねじれを加えた長方形板状体からなる複数の撹拌フィンを、液体流通方向に沿う管中心軸まわりの回転角度を９０°ずつ交互に異ならせて配置した構成を有している。
【００３７】
剥離液バルブ２３が開かれた状態で、硫酸バルブ１８および過酸化水素水バルブ２０が開かれると、硫酸供給管１６からの硫酸および過酸化水素水供給管１７からの過酸化水素水が混合部１４に流入し、それらが混合部１４から剥離液供給管１５へと流出する。硫酸および過酸化水素水は、剥離液供給管１５を流通する途中、攪拌流通管２２を通過することにより十分に攪拌される。攪拌流通管２２による攪拌によって、硫酸と過酸化水素水とが十分に反応し、多量のペルオキソ一硫酸（Ｈ２ＳＯ５）を含むＳＰＭ液が生成される。そして、ＳＰＭ液は、硫酸と過酸化水素水との反応熱により、混合部１４に供給される硫酸の液温以上の高温に昇温する。その高温のＳＰＭ液が剥離液供給管１５を通して剥離液供給ノズル４に供給される。
【００３８】
硫酸供給源１６Ａの硫酸タンクには、硫酸が貯められており、この硫酸は硫酸タンク内の温度調節器（図示せず）により所定温度（たとえば約１２０℃）に温度調節されている。そして、該所定温度に暖められた硫酸が硫酸供給管１６に供給されている。混合部１４において約１２０℃の硫酸と室温の過酸化水素水とが混合されることにより、たとえば約１６０℃のＳＰＭ液が生成される。剥離液供給ノズル４は、約１６０℃のＳＰＭ液を吐出する。
【００３９】
＜ＤＩＷノズル２４、ＳＣ１ノズル２５＞
また、基板処理装置１は、ウエハ回転機構３に保持されたウエハＷの表面にリンス液としてのＤＩＷ（脱イオン化された水）を供給するためのＤＩＷノズル２４と、ウエハ回転機構３に保持されたウエハＷの表面に対して洗浄用の薬液としてのＳＣ１（ａｍｍｏｎｉａ-ｈｙｄｒｏｇｅｎ ｐｅｒｏｘｉｄｅ ｍｉｘｔｕｒｅ：アンモニア過酸化水素水混合液）を供給するためのＳＣ１ノズル２５とを備えている。
【００４０】
ＤＩＷノズル２４は、たとえば、連続流の状態でＤＩＷを吐出するストレートノズルである。ＤＩＷノズル２４は、その吐出口を下方に向けた状態で、ほぼ水平に延びる第３液アーム３２の先端に取り付けられている。第３液アーム３２は、鉛直方向に延びる所定の揺動軸線まわりに旋回可能に設けられている。第３液アーム３２には、第３液アーム３２を所定角度範囲内で揺動させ、かつ、第３液アーム３２を昇降させるための第３液アーム駆動機構３３（ノズル走査部）が結合されている。第３液アーム３２の揺動により、ＤＩＷノズル２４は、ウエハ回転機構３に保持されたウエハＷの直上に位置するポジションと、ウエハ回転機構３の側方に設定されたホームポジションとの間で移動される。
【００４１】
ＤＩＷノズル２４には、ＤＩＷ供給源からのＤＩＷが供給されるＤＩＷ供給管２６が接続されている。ＤＩＷ供給管２６の途中部には、ＤＩＷノズル２４からのＤＩＷの供給／供給停止を切り換えるためのＤＩＷバルブ２７が介装されている。
【００４２】
ＳＣ１ノズル２５は、たとえば、連続流の状態でＳＣ１を吐出するストレートノズルである。ＳＣ１ノズル２５は、その吐出口を下方に向けた状態で、ほぼ水平に延びる第２液アーム２８の先端に取り付けられている。第２液アーム２８は、鉛直方向に延びる所定の揺動軸線まわりに旋回可能に設けられている。第２液アーム２８には、第２液アーム２８を所定角度範囲内で揺動させ、かつ、第２液アーム２８を昇降させるための第２液アーム駆動機構２９（ノズル走査部）が結合されている。第２液アーム２８の揺動により、ＳＣ１ノズル２５は、ウエハ回転機構３に保持されたウエハＷの直上に位置するポジション、ウエハ回転機構３の側方に設定されたホームポジションとの間で移動される。
【００４３】
ＳＣ１ノズル２５には、ＳＣ１供給源からのＳＣ１が供給されるＳＣ１供給管３０が接続されている。ＳＣ１供給管３０の途中部には、ＳＣ１ノズル２５からのＳＣ１の供給／供給停止を切り換えるためのＳＣ１バルブ３１が介装されている。
【００４４】
＜処理カップ４０＞
ウエハ回転機構３の周囲には、互いに独立して昇降可能な内カップ４１、中カップ４２および外カップ４３を備える処理カップ４０が配される。
【００４５】
内カップ４１は、ウエハ回転機構３の周囲を取り囲み、ウエハ回転機構３に保持されたウエハＷの中心を通る回転軸線Ｃに対してほぼ回転対称となる形状を有している。内カップ４１は、平面視円環状の底部４４と、底部４４の内周縁から上方に立ち上がる円筒状の内壁部４５と、底部４４の外周縁から上方に立ち上がる円筒状の外壁部４６と、内壁部４５と外壁部４６との間から立ち上がり、上端部が滑らかな円弧を描きつつ中心側（ウエハ回転機構３に保持されるウエハＷの回転軸線Ｃに近づく方向）斜め上方に延びる第１案内部４７と、第１案内部４７と外壁部４６との間から上方に立ち上がる円筒状の中壁部４８とを一体的に備えている。
【００４６】
内壁部４５は、内カップ４１が最も上昇された状態で、ウエハ回転機構３の外壁と鍔状部材５４との間に適当な隙間を保って収容されるような長さに形成されている（図９、図１０）。中壁部４８は、内カップ４１と中カップ４２とが最も近接した状態で、中カップ４２の後述する第２案内部５２と処理液分離壁５３との間に適当な隙間を保って収容されるような長さに形成されている。
【００４７】
第１案内部４７の上端部は、滑らかな円弧を描きつつ中心側（ウエハＷの回転軸線Ｃに近づく方向）斜め上方に延びる。
【００４８】
また、内壁部４５と第１案内部４７との間には、使用済みの処理液を集めて処理カップ４０の外部に排出するための溝４９が形成されている。第１案内部４７と中壁部４８との間にも、同様に、溝５０が形成されている。中壁部４８と外壁部４６との間にも、同様に、溝５１が形成されている。各溝４９〜５１にはそれぞれ排出経路が設けられ、各排出経路は回収機構あるいは廃棄機構に接続される。これにより、各排出経路から排出された処理液が回収あるいは廃棄される。
【００４９】
中カップ４２は、ウエハ回転機構３の周囲を取り囲み、ウエハ回転機構３に保持されたウエハＷの中心を通る回転軸線Ｃに対してほぼ回転対称となる形状を有している。中カップ４２は、上端部が滑らかな円弧を描きつつ中心側（ウエハ回転機構３に保持されるウエハＷの回転軸線Ｃに近づく方向）斜め上方に延びる第２案内部５２と、この第２案内部５２に対して外側（ウエハ回転機構３に保持されるウエハＷの回転軸線Ｃから遠ざかる方向）に連結された円筒状の処理液分離壁５３とを一体的に備えている。
【００５０】
第２案内部５２の下端部は、内カップ４１と中カップ４２とが最も近接した状態で、第１案内部４７と中壁部４８との間に適当な隙間を保って収容される。また、第２案内部５２の上端部は、内カップ４１の第１案内部４７の上端部と上下方向に重なるように設けられ、内カップ４１と中カップ４２とが最も近接した状態で、第１案内部４７の上端部に対してごく微小な間隔を保って近接する。
【００５１】
処理液分離壁５３は、内カップ４１と中カップ４２とが最も近接した状態で、中壁部４８と外カップ４３との間に適当な隙間を保って溝５１内に収容される。
【００５２】
外カップ４３は、中カップ４２の第２案内部５２の外側において、ウエハ回転機構３の周囲を取り囲み、ウエハ回転機構３に保持されたウエハＷの中心を通る回転軸線Ｃに対してほぼ回転対称となる形状を有している。外カップ４３は、第３案内部としての機能を有する。
【００５３】
外カップ４３の上端部は、滑らかな円弧を描きつつ中心側（ウエハＷの回転軸線Ｃに近づく方向）斜め上方に延びる。
【００５４】
外カップ４３の下端部は、内カップ４１と外カップ４３とが最も近接した状態で、中カップ４２の処理液分離壁５３と内カップ４１の外壁部４６との間に適当な隙間を保って収容される。また、外カップ４３の上端部は、中カップ４２の第２案内部５２と上下方向に重なるように設けられ、中カップ４２と外カップ４３とが最も近接した状態で、第２案内部５２の上端部に対してごく微小な間隔を保って近接する。
【００５５】
また，内カップ４１、中カップ４２および外カップ４３のそれぞれには個別に昇降機構（図示省略）が設けられており、それによって別個独立して昇降される。このような昇降機構としては、例えばボールネジ機構やエアシリンダなどの種々の機構を採用することができる。
【００５６】
＜カバー形成部８０＞
カバー形成部８０は、互いに離された分離状態（図１の実線）と互いに結合された結合状態（図１の一点鎖線）との間で状態遷移が可能な２つのカバー部材８１と、２つのカバー部材８１を変位させる２つの変位機構８２と、を有する。
【００５７】
図２は、基板処理装置１に係る構成のうち、特に、ウエハ回転機構３、処理カップ４０、および、カバー形成部８０に係る構成を示した斜視図である。なお、図２では、２つのカバー部材８１が結合状態とされている。本明細書において、２つのカバー部材８１の「結合状態」とは、２つのカバー部材８１が互いに直接接触している状態のみならず、２つのカバー部材８１が互いにほぼ接触する状態で近接することにより、基板保持領域の上方空間が全体として２つのカバー部材８１によって覆われる状態を含む。
【００５８】
カバー部材８１は、水平面視において角度１８０°の円弧形状（半リング状）の淵部８１０と、淵部８１０の上端から該円弧形状の中心点に向けて所定の長さ水平方向に延設される蓋部８１１と、によって構成され、水平面視において略Ｕ字状の部材である。２つのカバー部材８１の各々は、互いに等しい径で構成され、弦方向を内側に向けるとともに、端面８１３を互いに対向させて配置されている。
【００５９】
２つのカバー部材８１のそれぞれには、カバー部材８１を変位する変位機構８２が接続されている。変位機構８２は、該変位機構８２が接続されるカバー部材８１を鉛直軸に沿って昇降移動させる昇降機構（例えば、ステッピングモータ）と、該変位機構８２が接続されるカバー部材８１を水平面内においてウエハ回転機構３に保持されるウエハＷの径方向に沿って進退移動させる進退機構と、を含んで構成される。このため、２つの変位機構８２が同期駆動することによって２つのカバー部材が同期して変位され、分離状態（図１の実線部）と結合状態（図１の一点鎖線部）との状態遷移が行われる。
【００６０】
分離状態における２つのカバー部材８１の位置（退避位置）は、具体的には、水平面視においてスピンベース８よりも側方で、かつ、鉛直方向において上昇した際の処理カップ４０よりも上方の位置である（図５、図８〜図１０）。このため、分離状態では、基板保持領域の上方空間が開放される。なお、本実施形態とは別の態様として、例えば、２つのカバー部材８１の退避位置が、水平面視において処理カップ４０よりも側方で、かつ、鉛直方向においてスピンベース８よりも下方となる態様であっても構わない。該態様においては、基板保持領域の上方空間をより開放することができる。
【００６１】
また、結合状態における２つのカバー部材８１の位置（処理位置）は、具体的には、水平面視において処理カップ４０の存在領域の内側で、かつ、鉛直方向において処理カップ４０のうち上昇したカップの上端部と略同一高さの位置となる（図６、図７）。結合状態では、２つのカバー部材８１の端面８１３が互いに当接され、基板保持領域の上方空間が２つのカバー部材８１によって覆われる。本明細書では、結合状態において、ウエハ回転機構３に保持されるウエハＷの上面Ｓ１とカバー部材８１の下面とによって挟まれる空間を処理空間Ｌ２と呼ぶ。
【００６２】
また、既述の通り、２つのカバー部材８１は水平面視において略Ｕ字状に形成されている。このため、２つのカバー部材８１の端面８１３が互いに当接される結合状態では、水平面視において、基板保持領域の少なくとも一部に２つのカバー部材８１が存在しないカバー空隙部（以下、「空隙部８１４」と呼ぶ）が形成される。
【００６３】
基板処理装置１へウエハＷを搬入する際には、搬送ロボット（図示せず）が処理室２の側壁に設けられた開口２ａを通じて処理室２内にウエハＷを運び入れ、複数の把持部材９における基板保持領域の上方空間を経由して基板保持領域までウエハＷを運ぶ。そして、リンク機構（図示せず）によって複数の把持部材９が連動して駆動されることによって、ウエハＷが搬送ロボットから複数の把持部材９へと受け渡される。
【００６４】
他方、基板処理装置１からウエハＷを搬出する際には、搬送ロボットが基板保持領域までアクセスした状態でリンク機構によって複数の把持部材９が連動して駆動され、ウエハＷが複数の把持部材９から搬送ロボットへと受け渡される。そして、搬送ロボットが該ウエハＷを保持した状態で、基板保持領域の上方空間を経由して開口２ａを通じて処理室２からウエハＷを運び出す。
【００６５】
このように、基板処理装置１におけるウエハＷの搬入工程・搬出工程の際には、基板保持領域の上方空間を経由してウエハＷが搬送されることになる。したがって、少なくともこれらのタイミングでは、２つのカバー部材８１が分離状態（基板保持領域の上方空間を避ける状態）とされて、基板保持領域の上方が開放されることになる。分離状態においては、基板保持領域の上方空間が開放されるため処理空間Ｌ２が形成されない。
【００６６】
また、後述するＳＰＭ処理の際には、該処理で発生する雰囲気（例えば、レジストおよびＳＰＭ液の化学反応により生じるヒュームなど）が処理室２内に拡散することを抑止する目的で、剥離液供給ノズル４が結合状態とされる２つのカバー部材８１の空隙部８１４を貫通してウエハＷの上面Ｓ１にＳＰＭ液を供給する（図６）。したがって、少なくともこのタイミングでは、２つのカバー部材８１が結合状態とされて、基板保持領域の上方が覆われることになる。
【００６７】
後述するレジスト除去処理の際には、変位機構８２によって変位される２つのカバー部材８１と昇降機構によって昇降される処理カップ４０とが互いに干渉しないように、制御装置５５によってそれぞれ駆動制御される。
【００６８】
＜給気経路３５、排気経路３８＞
図１、および図５〜図１０に示すように、基板処理装置１は、処理室２の天井壁に設けられたファンフィルタユニット３４と、給気源３６（図１参照）と、ファンフィルタユニット３４と給気源３６とを接続する給気経路３５（図１参照）とを備える。ファンフィルタユニット３４は、清浄化した空気を処理室２内に供給するための装置であり、その給気口はウエハ回転機構３の上方で下向きに開口している。
【００６９】
また、基板処理装置１は、内壁部４５と第１案内部４７とに挟まれる空間Ｌ１に開口する排気口３７と、排気源３９と、排気口３７と排気源３９とを接続する排気経路３８とを備える。
【００７０】
ＳＰＭ処理の際には、ファンフィルタユニット３４から空隙部８１４を介して処理空間Ｌ２に空気が供給され、かつ、空間Ｌ１を介して処理空間Ｌ２と連通した排気口３７から処理空間Ｌ２内の雰囲気の排気が行われる。この結果、処理空間Ｌ２に気流が形成される（詳細は、図６を参照しつつ後述する）。
【００７１】
＜制御装置５５＞
図３は、基板処理装置１の電気的構成を示すブロック図である。基板処理装置１は、さらに、マイクロコンピュータを含む構成の制御装置５５を備えている。制御装置５５には、モータ６、変位機構８２、ファンフィルタユニット３４、排気源３９、第１液アーム駆動機構１２、第２液アーム駆動機構２９、第３液アーム駆動機構３３、硫酸バルブ１８、過酸化水素水バルブ２０、剥離液バルブ２３、ＤＩＷバルブ２７、ＳＣ１バルブ３１、流量調節バルブ１９，２１等が制御対象として接続されている。
【００７２】
＜１．２  基板処理装置１の動作＞
図４は、基板処理装置１におけるレジスト除去処理の処理例を示す工程図である。図５〜図１０は、レジスト除去処理の流れを説明するための図解的な断面図である。
【００７３】
以下、レジスト除去処理の一例について説明する。
【００７４】
レジスト除去処理に際しては、搬送ロボット（図示せず）が制御されて、処理室２（図１）内にイオン注入処理後のウエハＷが搬入される（ステップＳＴ１：基板搬入工程）。既述の通り、基板搬入工程では２つのカバー部材８１が分離状態とされており、ウエハＷは基板保持領域の上方空間を経由してウエハ回転機構３（より正確には、複数の把持部材９）に受け渡される（図５）。このとき、ウエハＷの搬入の妨げにならないように、剥離液供給ノズル４、ＤＩＷノズル２４、およびＳＣ１ノズル２５は、それぞれホームポジションに配置されている。
【００７５】
ウエハ回転機構３にウエハＷが保持されると、制御装置５５はモータ６を制御してウエハＷを回転軸線Ｃ周りに回転させる（回転工程）。ウエハＷの回転速度はたとえば１００ｒｐｍである。
【００７６】
制御装置５５は、第１液アーム駆動機構１２を制御して、剥離液供給ノズル４をウエハＷの上方位置に移動する。また、制御装置５５は、変位機構８２を制御して２つのカバー部材８１を結合状態とすることにより、ウエハＷの上方空間を覆い処理空間Ｌ２を形成する（カバー工程）。このとき、剥離液供給ノズル４は、結合状態における２つのカバー部材８１の空隙部８１４を上下に貫通するよう配される。また、制御装置５５は、昇降機構（図示せず）を制御して、外カップ４３を上昇させる（図６）。
【００７７】
その後、制御装置５５は、硫酸バルブ１８、過酸化水素水バルブ２０および剥離液バルブ２３を開いて、剥離液供給ノズル４から高温のＳＰＭ液をウエハＷの上面Ｓ１に供給する（供給工程）。本実施形態では、水平面視において空隙部８１４の範囲内にウエハＷの中心位置Ｐ１がある（図６）。このため、空隙部８１４を上下に貫通する剥離液供給ノズル４から吐出されたＳＰＭ液は、回転されるウエハＷの上面Ｓ１の中央付近に供給される。
【００７８】
ウエハＷが水平姿勢で回転されているため、ウエハＷの上面Ｓ１に供給されたＳＰＭ液は回転の遠心力によって拡散し、ウエハＷの上面Ｓ１の全域が高温のＳＰＭ液によって覆われる。この結果、ウエハＷの上面Ｓ１上のレジストと高温のＳＰＭ液との反応が進み、ウエハＷの上面Ｓ１からレジストが剥離する（ステップＳＴ２）。
【００７９】
剥離したレジストは、回転の遠心力によってウエハＷの上面Ｓ１上を拡散するＳＰＭ液によって押し流され、該ＳＰＭ液とともにウエハＷの側方に飛散する。ウエハＷの側方に飛散したＳＰＭ液およびレジストは、主として、中カップ４２の第２案内部５２の上面または外カップ４３（第３案内部）の下面に着液し、基板処理装置１の外部へと排出される。
【００８０】
ＳＰＭ処理（ステップＳＴ２）では、処理空間Ｌ２内に特定の雰囲気（例えば、レジストおよびＳＰＭ液の化学反応により生じるヒューム）が発生するが、２つのカバー部材８１が結合状態とされているため、該雰囲気が舞い上がって処理室２内に拡散することが抑制される。
【００８１】
また、上記供給工程と並行して、空隙部８１４を通じてファンフィルタユニット３４から処理空間Ｌ２への給気動作が実行される（給気工程）。また、上記供給工程と並行して、空間Ｌ１を介して処理空間Ｌ２から排気する排気源３９の排気動作が実行される（排気工程）。上記給気動作および上記排気動作によって処理空間Ｌ２内に空隙部８１４から空間Ｌ１に向けての気流が形成される。
【００８２】
このため、ＳＰＭ処理で処理空間Ｌ２内に発生する上記雰囲気は上記気流に沿って排気源３９へと排気され、該雰囲気が舞い上がって処理室２内に拡散することがさらに抑制される。
【００８３】
ＳＰＭ液の供給が所定の時間にわたって続けられると、制御装置５５は、硫酸バルブ１８、過酸化水素水バルブ２０および剥離液バルブ２３が閉じるとともに、第１液アーム駆動機構１２を制御して第１液アーム１１をホームポジションに戻す。
【００８４】
ＳＰＭ処理が終了すると、制御装置５５は、モータ６を制御してウエハＷの回転速度を所定の液処理回転速度（たとえば１０００ｒｐｍ）に上げる。また、制御装置５５は、第３液アーム駆動機構３３を制御して、ＤＩＷノズル２４をウエハＷの上方位置に移動する。このとき、ＤＩＷノズル２４は、結合状態における２つのカバー部材８１の空隙部８１４を上下に貫通するよう配される。
【００８５】
そして、制御装置５５は、ＤＩＷバルブ２７を開いてＤＩＷノズル２４の吐出口からウエハＷの回転中心付近に向けてＤＩＷを供給する（ステップＳＴ３）。ウエハＷの上面Ｓ１に供給されたＤＩＷは、ウエハＷの回転による遠心力を受けてウエハＷの上面Ｓ１をウエハＷの周縁に向けて流れる（図７）。
【００８６】
この結果、ウエハＷの上面Ｓ１に付着しているＳＰＭ液がＤＩＷによって押し流され、該ＳＰＭ液および該ＤＩＷがウエハＷの側方に飛散する。ウエハＷの側方に飛散したＳＰＭ液およびＤＩＷは、主として、中カップ４２の第２案内部５２の上面または外カップ４３（第３案内部）の下面に着液し、基板処理装置１の外部へと排出される。
【００８７】
ＤＩＷの供給が所定の中間リンス時間にわたって続けられると、制御装置５５は、ＤＩＷバルブ２７を閉じるとともに、第３液アーム駆動機構３３を制御して第３液アーム３２をホームポジションに戻す。
【００８８】
ＤＩＷ処理が終了すると、制御装置５５は、第２液アーム駆動機構２９を制御して、ＳＣ１ノズル２５をウエハＷの上方位置に移動する。また、制御装置５５は、変位機構８２を制御して、２つのカバー部材８１を分離状態とする。また、制御装置５５は、昇降機構（図示せず）を制御して、中カップ４２を上昇させる。これにより、中カップ４２および外カップ４３が上昇した状態（図８参照）となる。
【００８９】
ウエハＷの回転速度を液処理回転速度に維持しつつ、制御装置５５は、ＳＣ１バルブ３１を開いて、ＳＣ１ノズル２５からＳＣ１をウエハＷの表面に供給する（ステップＳＴ４）。また、制御装置５５は、第２液アーム駆動機構２９を制御して第２液アーム２８を所定角度範囲内で揺動させて、ＳＣ１ノズル２５をウエハＷの回転中心上と周縁部上との間で往復移動させる。これによって、ＳＣ１ノズル２５からウエハＷの上面Ｓ１上に供給されるＳＣ１の着液位置は、ウエハＷの回転中心からウエハＷの周縁部に至る範囲内をウエハＷの回転方向と交差する円弧状の軌跡を描きつつ往復移動する。この結果、ウエハＷの上面Ｓ１の全域にＳＣ１がむらなく供給され、ＳＣ１の化学的能力によりウエハＷの上面Ｓ１に付着しているレジスト残渣およびパーティクルなどの異物が除去される（図８）。
【００９０】
上記異物は、回転の遠心力によってウエハＷの上面Ｓ１上を拡散するＳＣ１によって押し流され、該ＳＣ１液とともにウエハＷの側方に飛散する。ウエハＷの側方に飛散したＳＣ１液および上記異物は、主として、内カップ４１の第１案内部４７の上面または中カップ４２の第２案内部５２の下面に着液し、基板処理装置１の外部へと排出される。
【００９１】
ＳＣ１の供給が所定のＳＣ１供給時間にわたって続けられると、制御装置５５は、ＳＣ１バルブ３１を閉じるとともに、第２液アーム駆動機構２９を制御してＳＣ１ノズル２５をホームポジションに戻す。
【００９２】
ＳＣ１処理が終了すると、制御装置５５は、第３液アーム駆動機構３３を制御して、ＤＩＷノズル２４をウエハＷの上方位置に移動する。
【００９３】
ウエハＷの回転速度が液処理回転速度に維持された状態で、制御装置５５は、ＤＩＷバルブ２７を開いて、ＤＩＷノズル２４の吐出口からウエハＷの回転中心付近に向けてＤＩＷを供給する（ステップＳＴ５）。ウエハＷの上面Ｓ１に供給されたＤＩＷは、ウエハＷの回転による遠心力を受けて、ウエハＷの上面Ｓ１をウエハＷの周縁に向けて流れる（図９）。
【００９４】
ＳＣ１は、回転の遠心力によってウエハＷの上面Ｓ１上を拡散するＤＩＷによって押し流され、該ＤＩＷ液とともにウエハＷの側方に飛散する。ウエハＷの側方に飛散したＳＣ１およびＤＩＷは、主として、内カップ４１の第１案内部４７の上面または中カップ４２の第２案内部５２の下面に着液し、基板処理装置１の外部へと排出される。
【００９５】
ＤＩＷの供給が所定のＤＩＷ供給時間にわたって続けられると、制御装置５５は、ＤＩＷバルブ２７を閉じるとともに、第３液アーム駆動機構３３を制御してＤＩＷノズル２４をホームポジションに戻す。また、制御装置５５は、昇降機構（図示せず）を制御して、内カップ４１を上昇させる。これにより、処理カップ４０のすべて（内カップ４１、中カップ４２、および、外カップ４３）が上昇した状態（図１０参照）となる。
【００９６】
その後、制御装置５５は、モータ６を駆動して、ウエハＷの回転速度を所定の高回転速度（たとえば１５００〜２５００ｒｐｍ）に上げる。これにより、ウエハＷに付着しているＤＩＷを高速回転により振り切って乾燥するスピンドライ処理が行われる（ステップＳＴ６、図１０）。
【００９７】
スピンドライ処理が予め定めるスピンドライ処理時間にわたって行われると、制御装置５５は、モータ６に指令を与え、ウエハ回転機構３の回転を停止させる。
【００９８】
これにより、１枚のウエハＷに対するレジスト除去処理が終了し、搬送ロボットによって、処理済みのウエハＷが処理室２から搬出される（ステップＳＴ７、基板搬出工程）。このとき、２つのカバー部材８１が分離状態とされており、ウエハＷは基板保持領域の上方空間を経由して処理室２内から搬出される。
【００９９】
以降のウエハＷに対しても、上記したステップＳＴ１〜ＳＴ７の動作を繰り返すことにより、ヒュームなどの雰囲気が処理室２内に飛散することを防止しつつ、複数のウエハＷについて順次にレジスト除去処理を実行することができる。なお、本実施形態においてはカバー部材８１の下面に上記雰囲気が付着することがある。このため、ウエハＷを所定枚数処理する毎に、カバー部材８１の下面を洗浄する洗浄工程を実行することが望ましい。
【０１００】
＜２  変形例＞
以上、本発明の実施の形態について説明したが、この発明はその趣旨を逸脱しない限りにおいて上述したもの以外に種々の変更を行うことが可能である。以下では、上記実施形態の変形例について説明するが、上記実施形態と同一の要素については同一の符号を付し重複説明を省略する。
【０１０１】
上記実施形態では、ＳＰＭ液をレジスト剥離液として用いてレジスト除去処理を行う基板処理装置１について説明したが、本発明を適用可能な基板処理装置はこれに限られるものではない。高温の燐酸を用いた窒化膜等の選択エッチング処理を行う基板処理装置など、種々の基板処理装置に本発明を適用可能である。
【０１０２】
また、上記実施形態では、２つのカバー部材８１を結合状態にしてＳＰＭ処理を行うことで化学反応により生じるヒュームの飛散を抑制する態様について説明したが、これに限られるものではない。本発明の効果（雰囲気の飛散抑制効果）は、上記したヒュームの飛散防止の他に単なる蒸気等の飛散防止にも有効である。
【０１０３】
図１１は、変形例に係るカバー部材８１Ａを示す上面図である。図１２は、図１１のＡ−Ａ断面から視たカバー部材８１Ａの断面図である。なお、図１２では、剥離液供給ノズル４Ａ（図１１では図示せず）を図示している。
【０１０４】
２つのカバー部材８１Ａは、結合状態で水平面視において空隙部８１４Ａを囲む封止部材８１５を有する。剥離液供給ノズル４Ａは、その外径が上方から下方に向けて小さくなるテーパ部を有している。同様に、封止部材８１５の内径も上方から下方に向けて小さくなるようテーパ状に形成されている。
【０１０５】
本変形例においては、結合状態の２つの封止部材８１５に囲まれる空隙部８１４Ａに剥離液供給ノズル４Ａが嵌合され、２つの封止部材８１５の内縁と剥離液供給ノズル４Ａのテーパ部の外縁とが略密着の状態でＳＰＭ処理が実行される（図１２）。その結果、ＳＰＭ処理で処理空間Ｌ２内に発生する雰囲気が舞い上がって処理室２内に拡散することがさらに抑制される。
【０１０６】
図１３は、変形例に係るカバー部材８１Ｂを示す上面図である。
【０１０７】
上記実施形態では、水平面視において略Ｕ字状のカバー部材８１について説明したが、カバー部材の形状はこれに限られるものではない。例えば、図１３に示すように、水平面視において略三日月状のカバー部材８１Ｂであってもよい。この場合、カバー部材８１Ｂの内縁の曲率半径をウエハＷの半径と同じかウエハＷの半径よりも大きくすることによって、分離状態と結合状態との状態遷移を行う際のカバー部材８１Ｂの水平方向の変位幅を小さくすることができる。
【０１０８】
また、空隙部８１４Ｂのように水平方向の一方向に伸びる空隙部が形成されていれば、ＳＰＭ処理の際に剥離液供給ノズル４が空隙部を貫通した状態でノズル走査部が該剥離液供給ノズル４を上記一方向に沿って移動させることで、回転されるウエハＷの上面Ｓ１の全体に直接的に剥離液供給ノズル４からＳＰＭ液を供給することが可能となる。
【０１０９】
図１４は、変形例に係るカバー部材８１Ｃを示す上面図である。
【０１１０】
上記実施形態では、空隙部８１４が結合状態における２つのカバー部材８１に囲まれる孔部である場合について説明したが、これに限られるものではない。例えば、図１４に示すように、空隙部８１４Ｃが結合状態における２つのカバー部材８１Ｃに対する切り欠き部であってもよい。
【０１１１】
特に、本変形例の空隙部８１４Ｃは、水平面視において略円形状である結合状態の２つのカバー部材８１Ｃに対して、該円の中央部から端部に向けて形成されている。このため、結合状態において行われるＳＰＭの処理において、ノズル走査部が剥離液供給ノズル４を空隙部８１４Ｃに沿って上記円の中央部から端部に沿って移動させることができ、回転されるウエハＷの上面Ｓ１の全体に直接的にＳＰＭ液を供給することが可能となる。
【０１１２】
また、上記実施形態では、２つのカバー部材８１が配される態様について説明したが、３つ以上のカバー部材８１が配される態様でも構わない。同様に各部の個数は必要に応じて変更可能である。
【０１１３】
以上、実施形態およびその変形例に係る基板処理装置について説明したが、これらは本発明に好ましい実施形態の例であって、本発明の実施の範囲を限定するものではない。本発明は、その発明の範囲内において、各実施形態の自由な組み合わせ、あるいは各実施形態の任意の構成要素の変形、もしくは各実施形態において任意の構成要素の省略が可能である。
【符号の説明】
【０１１４】
１  基板処理装置
３  ウエハ回転機構
４  剥離液供給ノズル
９  把持部材
２４  ＤＩＷノズル
２５  ＳＣ１ノズル
３４  ファンフィルタユニット
４０  処理カップ
４１  内カップ
４２  中カップ
４３  外カップ
８１，８１Ａ〜８１Ｃ  カバー部材
８１４，８１４Ａ〜８１４Ｃ  空隙部
８２  変位機構
Ｌ１  空間
Ｌ２  処理空間
Ｓ１  上面
Ｗ  ウエハ
【図１】
2015162557.tif 000003
【図２】
2015162557.tif 000004
【図３】
2015162557.tif 000005
【図４】
2015162557.tif 000006
【図５】
2015162557.tif 000007
【図６】
2015162557.tif 000008
【図７】
2015162557.tif 000009
【図８】
2015162557.tif 000010
【図９】
2015162557.tif 000011
【図１０】
2015162557.tif 000012
【図１１】
2015162557.tif 000013
【図１２】
2015162557.tif 000014
【図１３】
2015162557.tif 000015
【図１４】
2015162557.tif 000016