(57)【要約】【課題】複数の互いに大きさの異なるパネル用のパターンを基板に効率的に露光する。【解決手段】露光方法であって、大きさの異なるパネル形成用パターン５１，５２が形成されたマスクＭを準備することと、大きさの異なるパネルが形成されるパターン形成領域６１Ａ，６２Ａを有する基板Ｐを準備することと、１回の露光で、マスクＭのパネル形成用パターン５１の一部及びパネル形成用パターン５２の一部を介して、それぞれ基板Ｐのパターン形成領域６１Ａの一部及びパターン形成領域６２Ａの一部を露光することとを有する。【選択図】図６
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１パネル用マスクパターンと、前記第１パネル用マスクパターンとは異なる大きさの第２パネル用マスクパターンとが形成されたマスクを準備することと、
第１パネルが形成される第１領域と、前記第１パネルとは異なる大きさの第２パネルが形成される第２領域とを有する基板を準備することと、
１回の露光で、前記マスクの前記第１パネル用マスクパターンの少なくとも一部及び前記第２パネル用マスクパターンの少なくとも一部を介して、前記基板の前記第１領域の少なくとも一部及び前記第２領域の少なくとも一部を露光することと、
を含むことを特徴とする露光方法。
【請求項２】
前記基板の前記第１パネルは、前記マスクの前記第１パネル用マスクパターンの像よりも大きいことを特徴とする請求項１に記載の露光方法。
【請求項３】
前記第２パネルは、前記マスクの前記第２パネル用マスクパターンの像よりも大きいことを特徴とする請求項２に記載の露光方法。
【請求項４】
前記マスクに形成される前記第１パネル用マスクパターン及び前記第２パネル用マスクパターンは第１方向に沿って配列されるとともに、前記第１方向に直交する第２方向の前記第１パネル用マスクパターンの長さは、前記第２方向の前記第２パネル用マスクパターンの長さよりも長く、
前記マスクの前記第２パネル用マスクパターンに対して前記第２方向に隣接する領域が遮光領域とされるとともに、
前記基板は、前記第２パネルが形成される前記第２領域に対して、前記第２方向に対応する方向に隣接して、前記第２パネルが形成される第３領域を有することを特徴とする請求項１〜３のいずれか一項に記載の露光方法。
【請求項５】
前記１回の露光で、前記マスクの前記第１パネル用マスクパターンの少なくとも一部及び前記第２パネル用マスクパターンの少なくとも一部を介して、それぞれ前記基板の前記第１領域の少なくとも一部及び前記第２領域の少なくとも一部を露光するときに、
前記マスクの前記遮光領域の少なくとも一部を介して、前記基板の前記第３領域の少なくとも一部を露光する動作を行うことを特徴とする請求項４に記載の露光方法。
【請求項６】
請求項１〜５のいずれか一項に記載の露光方法を用いて基板上に感光層のパターンを形成することと、
前記パターンが形成された前記基板を処理することと、
を含むデバイス製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、マスクを介して基板を露光する露光方法、及びこの露光方法を使用するデバイス製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
例えば液晶ディスプレイ、有機ＥＬ(Electro-Luminescence)ディスプレイ、又はプラズマディスプレイ等の表示装置の表示部であるフラットパネルのようなパネルを製造するための製造工程中で、フォトレジストが塗布されたガラスプレート等の基板にマスクパターンの像を露光するために、例えば一括露光型又は走査露光型の露光装置（以下、パネル露光装置という。）が使用されている。
【０００３】
従来、パネルの製造工程では、基板上に異なる大きさの複数のパネルを形成するために、パネル露光装置において、基板上にそれらの異なる大きさのパネル用のパターンを個別に露光することがあった。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
最近、大きさの異なる様々なパネルが使用されるようになってきており、パネル露光装置においては、そのように大きさの異なるパネル用のパターンを高いスループット（生産性）で露光することが求められている。
本発明の態様は、このような事情に鑑み、互いに大きさの異なるパネル用のパターンを基板に効率的に露光することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本発明の第１の態様によれば、第１パネル用マスクパターンと、その第１パネル用マスクパターンとは異なる大きさの第２パネル用マスクパターンとが形成されたマスクを準備することと、第１パネルが形成される第１領域と、その第１パネルとは異なる大きさの第２パネルが形成される第２領域とを有する基板を準備することと、１回の露光で、そのマスクのその第１パネル用マスクパターンの少なくとも一部及びその第２パネル用マスクパターンの少なくとも一部を介して、その基板のその第１領域の少なくとも一部及びその第２領域の少なくとも一部を露光することと、を含む露光方法が提供される。
【０００６】
第２の態様によれば、本発明の態様の露光方法を用いて基板上に感光層のパターンを形成することと、そのパターンが形成されたその基板を処理することと、を含むデバイス製造方法が提供される。
【発明の効果】
【０００７】
本発明の態様によれば、１回の露光で、第１パネル用マスクパターン及び第２パネル用マスクパターンを介して基板の第１領域及び第２領域を露光するため、互いに大きさの異なるパネル用のパターンを基板に効率的に露光できる。
【図面の簡単な説明】
【０００８】
【図１】実施形態の一例に係る露光装置の概略構成を示す斜視図である。
【図２】（Ａ）は図１中の複数の部分投影光学系及び視野絞りの配置の一例を示す平面図、（Ｂ）は複数の露光領域により基板を露光している状態を示す平面図、（Ｃ）は基板上に継ぎ合わせて露光している状態を示す平面図である。
【図３】（Ａ）は複数のマスクパターンの配置の一例を示す平面図、（Ｂ）は基板の複数のパターン形成領域の配置の一例を示す平面図である。
【図４】（Ａ）はマスクパターンのうち１回目の露光で選択される範囲を示す平面図、（Ｂ）は基板上で１回目に露光される領域を示す平面図である。
【図５】（Ａ）はマスクパターンのうち２回目の露光で選択される範囲を示す平面図、（Ｂ）は基板上で２回目に露光される領域を示す平面図である。
【図６】（Ａ）はマスクパターンのうち３回目の露光で選択される範囲を示す平面図、（Ｂ）は基板上で３回目に露光される領域を示す平面図である。
【図７】（Ａ）はマスクパターンのうち４回目の露光で選択される範囲を示す平面図、（Ｂ）は基板上で４回目に露光される領域を示す平面図である。
【図８】基板上で５回目〜８回目に露光される領域を示す平面図である。
【図９】（Ａ）はマスクパターンの配置の他の例を示す平面図、（Ｂ）は基板の複数のパターン形成領域の配置の他の例を示す平面図である。
【図１０】電子デバイスの製造工程の一例を示すフローチャートである。
【発明を実施するための形態】
【０００９】
本発明の実施形態の一例につき図１〜図８を参照して説明する。図１は、本実施形態に係る露光装置ＥＸの概略構成を示す。露光装置ＥＸは、フォトレジスト（感光材料）が塗布された矩形の平板状のガラス（ガラスプレート）よりなる基板ＰにマスクＭのパターンの像を露光する走査露光方式のパネル露光装置である。露光装置ＥＸで露光された基板Ｐは、一例として、液晶ディスプレイ又は有機ＥＬディスプレイ等の薄型表示装置の表示部であるフラットパネルのようなパネルを製造するために使用される。露光装置ＥＸは、それぞれマスクＭのパターンの像を基板Ｐの表面に投影する複数（本実施形態では一例として７つ）の部分投影光学系ＰＬＡ，ＰＬＢ，ＰＬＣ，ＰＬＤ，ＰＬＥ，ＰＬＦ，ＰＬＧ（図２（Ａ）参照）を有するマルチレンズ型の投影システムＰＳ（投影光学系）を備えている。以下、投影システムＰＳに対して合焦されているときの基板Ｐの表面に垂直にＺ軸を取り、その表面に平行な平面内で走査露光時のマスクＭ及び基板Ｐの走査方向に沿ってＸ軸を、Ｘ軸に直交する方向（非走査方向）に沿ってＹ軸を取って説明する。
【００１０】
図１において、露光装置ＥＸは、露光用の照明光（露光光）ＥＬを発生する例えば超高圧水銀ランプからなる光源１０と、照明光ＥＬでマスクＭのパターン面の部分投影光学系ＰＬＡ〜ＰＬＧと同じ個数の照明領域ＩＲＡ〜ＩＲＧを均一な照度分布で照明する照明系ＩＳと、マスクＭをマスクホルダ（不図示）を介してＸＹ平面に平行に保持して移動するマスクステージ２１と、基板Ｐを保持して移動する基板ステージ２２と、を備えている。
【００１１】
さらに、露光装置ＥＸは、マスクステージ２１の位置情報を計測する複数軸のレーザ干渉計２３Ａと、基板ステージ２２の位置情報を計測する複数軸のレーザ干渉計２３Ｂと、レーザ干渉計２３Ａ，２３Ｂの計測結果に基づいてマスクステージ２１及び基板ステージ２２を同期して駆動するリニアモータ等を含む駆動系（不図示）と、基板ステージ２２に設けられて、必要に応じて、基板Ｐの表面のＹ方向（非走査方向）の露光可能な領域を制限する１対のそれぞれＸ方向に平行なエッジ部を有する平板状の基板側ブラインド４１Ａ，４１Ｂと、基板側ブラインド４１Ａ，４１ＢのＹ方向の位置を制御する駆動部４２Ａ，４２Ｂと、アライメント系（不図示）と、装置全体の動作を統括的に制御する主制御装置（不図示）と、を備えている。なお、説明の便宜上、図１において、基板側ブラインド４１Ａ，４１Ｂは２点鎖線で表されている。また、基板側ブラインド４１Ａ，４１Ｂの駆動部は、投影システムＰＳを支持する光学系フレーム（不図示）で支持してもよい。
【００１２】
そして、光源１０から射出された照明光ＥＬは、楕円鏡、ミラー、シャッタ（不図示）、及び波長選択フィルター（不図示）を介して集光光学系１１に入射する。集光光学系１１を通過した照明光ＥＬは、分岐光学系１３の入射端１２に入射し、部分投影光学系ＰＬＡ〜ＰＬＧと同じ個数の分岐光学系１３の射出端１４Ａ〜１４Ｇから射出された照明光ＥＬは、それぞれ対応する部分照明系ＩＬＡ〜ＩＬＧを介して台形状の照明領域ＩＲＡ〜ＩＲＧを照明する。なお、本実施形態では、部分投影光学系ＰＬＡ〜ＰＬＧの物体面側の視野は、部分投影光学系ＰＬＡ〜ＰＬＧ中の視野絞り３５Ａ〜３５Ｇ（図２（Ａ）参照）によって規定されるため、照明領域ＩＲＡ〜ＩＲＧとは、視野絞り３５Ａ〜３５Ｇの開口３５Ａａ等と共役な領域を意味している。部分照明系ＩＬＡ〜ＩＬＧは、それぞれコリメートレンズ、フライアイインテグレータ（オプティカルインテグレータ）、及びコンデンサーレンズ等を有する。集光光学系１１から部分照明系ＩＬＡ〜ＩＬＧまでの光学部材を含んで照明系ＩＳが構成されている。
【００１３】
図１において、マスクＭの照明領域ＩＲＡ〜ＩＲＧからの照明光は、各照明領域に対応するようにＹ方向に沿って２列に配列された複数の部分投影光学系ＰＬＡ〜ＰＬＧからなる投影システムＰＳに入射する。部分投影光学系ＰＬＡ〜ＰＬＧは照明領域ＩＲＡ〜ＩＲＧ中のパターンの像を対応する台形状の露光領域ＰＲＡ〜ＰＲＧ（図２（Ｂ）参照）に形成する。部分投影光学系ＰＬＡ〜ＰＬＧは、互いに同一構成で一例としてＺ方向に配列された２段の反射屈折系を有するほぼ両側にテレセントリックで高精細な結像光学系である。また、部分投影光学系ＰＬＡ〜ＰＬＧは、それぞれ一例として中間結像を行うとともに、マスクパターンの等倍の正立正像を基板Ｐ上に形成する。
【００１４】
一例として、部分投影光学系ＰＬＤは、マスクＭからの光をシフトする像シフタ３１Ａと、マスクＭのパターンの一次像を形成する第１反射屈折系を構成する第１屈折系３３Ａ及び凹面鏡３４Ａと、マスクＭからの光をその第１反射屈折系に向け、その第１反射屈折系からの光を−Ｚ方向に向ける第１直角プリズム３２Ａと、その一次像の近傍に配置された視野絞り３５Ｄと、その一次像の二次像を基板Ｐ上に形成する第２反射屈折系を構成する第２屈折系３３Ｂ及び凹面鏡３４Ｂと、一次像からの光をその第２反射屈折系に向け、その第２反射屈折系からの光を基板Ｐ側に向ける第２直角プリズム３２Ｂと、基板Ｐに入射する光をシフトする像シフタ３１Ｂとを備えている。像シフタ３１Ａ，３１Ｂは例えば複数の平行平面板よりなる。なお、マルチレンズ型の投影システムの詳細な構成の一例は、例えば特開２０１３−１０５８６５号公報に開示されている。
【００１５】
また、投影システムＰＳを構成する部分投影光学系ＰＬＡ〜ＰＬＧの個数は、露光されるマスクＭが大きくなるほど多くすることができ、投影システムＰＳは例えば１１個の部分投影光学系（１列目が５個及び２列目が６個）を備えてもよい。このように、部分投影光学系ＰＬＡ等の個数は任意であり、部分投影光学系ＰＬＡ等の構成は任意である。
図２（Ａ）に示すように、部分投影光学系ＰＬＡ〜ＰＬＧは、Ｙ方向に配置された第１列の３個の部分投影光学系ＰＬＡ，ＰＬＢ，ＰＬＣと、それらに対向するように−Ｘ方向に配置されるとともに、Ｙ方向に半周期ずれて配置された第２列の４個の部分投影光学系ＰＬＤ，ＰＬＥ，ＰＬＦ，ＰＬＧとに分かれて、光学系フレーム（不図示）に支持されている。また、部分投影光学系ＰＬＡ〜ＰＬＧの中間結像面の近傍に、視野絞り３５Ａ〜３５Ｇが配置され、視野絞り３５Ａ〜３５Ｇに設けられたＹ方向に平行なエッジ部を上辺及び底辺とする台形状の開口３５Ａａ〜３５Ｇａによって、露光領域ＰＲＡ〜ＰＲＧの形状が規定される。
【００１６】
図２（Ｂ）に示すように、第２列の部分投影光学系ＰＬＤ〜ＰＬＧの露光領域ＰＲＤ〜ＰＲＧは、−Ｘ方向側を底辺とする台形状であり、第１列の部分投影光学系ＰＬＡ〜ＰＬＣの露光領域ＰＲＡ〜ＰＲＣは、Ｙ方向に関して露光領域ＰＲＤ〜ＰＲＧの間に位置しているとともに、露光領域ＰＲＡ〜ＰＲＣは、＋Ｘ方向側を底辺とする台形状である。また、例えば＋Ｘ方向に向かって全部の露光領域ＰＲＡ〜ＰＲＧを見ると、１列目の露光領域ＰＲＡ〜ＰＲＣの傾斜した２つの辺の部分（Ｙ方向の幅ｄの部分）は、それぞれ２列目の露光領域ＰＲＤ，ＰＲＥ、ＰＲＥ，ＰＲＦ、ＰＲＦ，ＰＲＧの傾斜した辺の部分と重なっている。
【００１７】
また、部分投影光学系ＰＬＡ〜ＰＬＧは、それぞれマスクパターンの等倍の正立正像を基板Ｐ上に形成するため、照明領域ＩＲＡ〜ＩＲＧの形状及び配列は、露光領域ＰＲＡ〜ＰＲＧの形状及び配列と同じである。このため、露光領域ＰＲＡ〜ＰＲＧ（照明領域ＩＲＡ〜ＩＲＧ）はＹ方向に隙間なく配置されている。そこで、照明領域ＩＲＡ〜ＩＲＧのパターンの投影システムＰＳによる像で基板Ｐを露光しつつ、マスクステージ２１によって照明領域ＩＲＡ〜ＩＲＧに対してマスクＭを＋Ｘ方向（又は−Ｘ方向）に移動することと、基板ステージ２２によって露光領域ＰＲＡ〜ＰＲＧに対して基板Ｐを＋Ｘ方向（又は−Ｘ方向）に移動することとを同期して行うことで、マスクＭの全面のパターンを１回の走査露光で基板Ｐの一つのパターン形成領域に隙間なく露光できる。
【００１８】
また、本実施形態において、図２（Ａ）に示すように、１列目のＹ方向の両端の視野絞り３５Ａ，３５Ｃの台形状の開口３５Ａａ，３５ＣａのＹ方向の外側の傾斜した辺に平行なエッジ部を有するシャッタ部３６Ａ，３６Ｃが、駆動部３７Ａ，３７ＣによってＹ方向の位置を制御できるように配置されている。例えば駆動部３７Ｃによって、シャッタ部３６Ｃを点線で示す位置３８Ａまで移動して、開口３５Ｃａの一部を遮光することによって、視野絞り３５Ｃによって規定される台形状の露光領域ＰＲＣ（図２（Ｂ）参照）の＋Ｙ方向の傾斜した辺のＹ方向の位置（露光領域ＰＲＣのＹ方向の長さ）を調整できる。また、一例として、シャッタ部３６Ａ，３６Ｃをそれぞれ＋Ｙ方向又は−Ｙ方向に移動することによって、中央の視野絞り３５Ｂの開口のＹ方向のエッジ部の位置を制御することも可能である。さらに、シャッタ部３６Ａ，３６Ｃで開口３５Ａａ，３５Ｃａ等の全面を覆って、開口３５Ａａ，３５Ｃａ等を閉じることによって、対応する露光領域ＰＲＡ〜ＰＲＣをオフ状態（露光用の照明光が照射されない状態）にすることも可能である。
【００１９】
さらに、本実施形態では、一例として、２列目のＹ方向の両端の視野絞り３５Ｄ，３５Ｇの台形状の開口３５Ｄａ，３５ＧａのＹ方向の外側の傾斜した辺に平行なエッジ部を有するシャッタ部３６Ｄ，３６Ｇが、駆動部３７Ｄ，３７ＧによってＹ方向の位置を制御できるように配置されている。そして、シャッタ部３６Ｄ，３６Ｇをそれぞれ＋Ｙ方向又は−Ｙ方向に移動することによって視野絞り３５Ｄ〜３５Ｇの開口３５Ｄａ等のＹ方向のエッジ部の位置を制御することができる。さらに、例えば駆動部３７Ｇによって、シャッタ部３６Ｇを点線で示す位置３８Ｂまで移動して、開口３５Ｇａを閉じることによって、視野絞り３５Ｇに対応する露光領域ＰＲＧをオフ状態にすることもできる。なお、このように露光領域ＰＲＡ〜ＰＲＧをオフ状態にできる場合には、基板側ブラインド４１Ａ，４１Ｂは必ずしも使用する必要がない。
【００２０】
また、図２（Ｂ）に示すように、一例として、基板側ブラインド４１Ａ，４１Ｂで露光領域ＰＲＧの＋Ｙ方向の傾斜部より＋Ｙ方向の領域、及び露光領域ＰＲＥよりも−Ｙ方向の領域を覆い、シャッタ部３６Ａの像３６ＡＰで露光領域ＰＲＡをオフにした状態（シャッタ部３６Ａで視野絞り３５Ａの開口３５Ａａを閉じた状態）で、露光領域ＰＲＡ〜ＰＲＧに対して基板Ｐを矢印で示すように＋Ｘ方向に走査して、基板Ｐのあるパターン形成領域４３Ａにあるマスクパターンを露光する場合を想定する。露光領域ＰＲＥの外側の傾斜部で露光される領域が継ぎ部４４Ａとなる。
【００２１】
次に、一例として、基板Ｐを＋Ｙ方向に所定距離だけ移動し、図２（Ｃ）に示すように、基板側ブラインド４１Ａ，４１Ｂで露光領域ＰＲＧの−Ｙ方向の端部より＋Ｙ方向の領域、及び露光領域ＰＲＤの中央よりも−Ｙ方向の領域を覆い、シャッタ部３６Ｃの像３６ＣＰで露光領域ＰＲＣの＋Ｙ方向の傾斜部の位置を変化させた状態（シャッタ部３６Ｃで視野絞り３５Ｃの開口３５Ｃａの一部を覆った状態）で、露光領域ＰＲＡ〜ＰＲＧに対して基板Ｐを矢印で示すように−Ｘ方向に走査して、基板Ｐのパターン形成領域４３Ａに継ぎ部４４Ａを挟んで隣接するパターン形成領域４３Ｂにそのマスクパターンを露光する。この場合、継ぎ部４４Ａでは、露光量が他の領域と同じ露光量になるように二重露光が行われるため、継ぎ部４４Ａに不要な境界線等が現れることがない。さらに、シャッタ部３６ＣのＹ方向の位置によって、露光領域ＰＲＡ〜ＰＲＧに対する継ぎ部４４ＡのＹ方向の相対位置を制御できるため、マスクパターンに応じて継ぎ部４４Ａの位置を最適な位置に設定できる。
【００２２】
次に、本実施形態で使用されるマスクＭに形成されたパターン、及び露光対象の基板Ｐのパターン形成領域の配置の一例につき説明する。
図３（Ａ）は、図１のマスクステージ２１に保持されたマスクＭに形成された複数のパターンの配置の一例を示し、図３（Ｂ）は、図１の基板ステージ２２に保持された基板Ｐの複数のパターン形成領域の配置の一例を示す。図３（Ａ）、（Ｂ）における座標系（Ｘ，Ｙ）は、図１の露光装置ＥＸの座標系（Ｘ，Ｙ）と同じである。
【００２３】
図３（Ａ）において、マスクＭは、一例としてＸ方向の幅が１〜２ｍ程度（例えば１４００ｍｍ）、Ｙ方向の幅が１〜１．５ｍ程度（例えば１２２０ｍｍ）の矩形の平板状であり、マスクＭのパターン面のパターン領域内に、第１のパネルを形成するためのＸ方向に細長い長方形のパネル形成用パターン５１と、第１のパネルと異なる大きさの第２のパネルを形成するためのＸ方向に長い長方形のパネル形成用パターン５２とがＹ方向に並列に形成されている。パネル形成用パターン５１のＸ方向の幅ＬＸ１は、マスクＭのＸ方向の幅よりもわずかに小さく、Ｙ方向の幅ＬＹ１は、マスクＭのＹ方向の幅の１／３程度である。また、パネル形成用パターン５２のＸ方向の幅ＬＸ２は、パネル形成用パターン５１の幅ＬＸ１よりもわずかに小さく、Ｙ方向の幅ＬＹ３は、マスクＭのＹ方向の幅の２／３よりもわずかに小さい程度である。また、一例として、マスクＭのパターン領域内でパネル形成用パターン５１，５２の周囲の領域は遮光領域である。
【００２４】
一例として、製造対象の第１及び第２のパネルが液晶ディスプレイ用である場合、パネル形成用パターン５１は、例えばＸ方向及びＹ方向に格子状に周期的に配列された多数のＴＦＴ(thin-film-transistor)を形成するためのパターン、Ｘ方向及びＹ方向に格子状に周期的に配列された多数の画素電極を形成するためのパターン、多数のゲート配線を形成するためのパターン、又は多数のデータ配線等を形成するためのパターン等である。この場合、パネル形成用パターン５１は、例えば所定の基本となるパターンをＸ方向及び／又はＹ方向にそれぞれ所定の周期で繰り返して形成される周期的なパターンであり、パネル形成用パターン５１は、少なくともＹ方向に一定であるか、又は所定の基本となるパターンをＹ方向に所定の周期ＰＴ１（例えば数μｍ〜数１０μｍ程度のラインアンドスペースの周期）が数ｍｍ〜数１００ｍｍにわたって繰り返して形成されるパターンである。以下では、一例としてパネル形成用パターン５１は、Ｙ方向に周期ＰＴ１の周期的パターンであるとする。この場合、パネル形成用パターン５１の等倍の像を、その周期ＰＴ１の整数倍だけＹ方向にずらして、繋ぎ合わせながら露光することで、パネル形成用パターン５１の像よりも大きいパネルを製造できる。
【００２５】
同様に、パネル形成用パターン５２も、少なくともＹ方向に一定であるか、又は所定の基本となるパターン（パネル形成用パターン５１の基本となるパターンと異なる大きさでもよい）をＹ方向に所定の周期ＰＴ２（例えば数μｍ〜数１０μｍ程度のラインアンドスペースの周期）が数ｍｍ〜数１００ｍｍにわたって繰り返して形成されるパターンである。以下では、一例としてパネル形成用パターン５２は、Ｙ方向に周期ＰＴ２の周期的パターンであるとする。このとき、パネル形成用パターン５２の等倍の像を、その周期ＰＴ２の整数倍だけＹ方向にずらして、繋ぎ合わせながら露光することで、パネル形成用パターン５２の像よりも大きいパネルを製造できる。なお、パネル形成用パターン５１の周期ＰＴ１と、パネル形成用パターン５２の周期ＰＴ２とは異なっていてもよい。
【００２６】
また、図３（Ｂ）において、基板Ｐは、一例としてＸ方向の幅が２〜３ｍ程度（例えば２２００ｍｍ）、Ｙ方向の幅が２〜３ｍ程度（例えば２５００ｍｍ）の矩形の平板状であり、基板Ｐの表面の＋Ｙ方向の端部の領域に、それぞれ第１のパネルＰＮ１を形成するための互いに同じ大きさのＸ方向に細長い長方形のパターン形成領域６１Ａ，６１Ｂが確保され、パターン形成領域６１Ａ，６１Ｂに対して−Ｙ方向に隣接するように、それぞれ第２のパネルＰＮ２を形成するための互いに同じ大きさのＹ方向に細長い長方形のパターン形成領域６２Ａ，６２Ｂが確保されている。なお、基板Ｐのパターン形成領域６１Ａ，６１Ｂ及び６２Ａ，６２Ｂは、基板Ｐが１回目のリソグラフィ工程を経る前の状態では、パターンの無い領域と同じである。そして、基板Ｐが１回目のリソグラフィ工程を経た後では、パターン形成領域６１Ａ，６１Ｂ及び６２Ａ，６２Ｂにはそれぞれ１層目の回路パターンが形成されており、その周辺にはアライメントマーク（不図示）が形成されている。そして、２回目以降のリソグラフィ工程中で露光装置ＥＸがマスクＭを介して基板Ｐを露光するときには、予めそのアライメントマークの位置を検出することで、それまでの工程でパターン形成領域６１Ａ，６１Ｂ及び６２Ａ，６２Ｂに形成されている回路パターンに対して高精度に重ね合わせるように露光が行われる。
【００２７】
基板Ｐに形成される第１のパネルＰＮ１のＸ方向の幅ＬＸ１は、マスクＭのパネル形成用パターン５１のＸ方向の幅と同じであり、第１のパネルＰＮ１のＹ方向の幅ＬＹ１は、パネル形成用パターン５１のＹ方向の幅ＬＹ１の１．５倍程度である。また、第２のパネルＰＮ２のＸ方向の幅ＬＸ２は、マスクＭのパネル形成用パターン５２のＸ方向の幅と同じであり、第２のパネルＰＮ２のＹ方向の幅ＬＹ４は、パネル形成用パターン５２のＹ方向の幅ＬＹ３の２．５倍程度である。
【００２８】
次に、本実施形態の露光装置ＥＸを用いて、図３（Ａ）のマスクＭのパターンを図３（Ｂ）の基板Ｐの複数のパターン形成領域に露光する方法の一例につき説明する。このための準備工程として、パネルＰＮ１，ＰＮ２で必要な回路パターンに基づいて、マスクＭのパネル形成用パターン５１，５２の設計が行われる。そして、この設計に基づいて、例えば電子線描画装置等を用いるリソグラフィ工程によって、マスクＭにパネル形成用パターン５１，５２が形成される。マスクＭはマスクステージ２１にロードされる。また、図３（Ｂ）の基板Ｐが用意され、基板Ｐの表面にコータ・デベロッパ（不図示）によってフォトレジストが塗布され、その後、基板Ｐは基板ステージ２２にロードされる。マスクＭのパネル形成用パターン５１，５２の形状及び配置、Ｙ方向のそれぞれの周期の情報、並びに基板Ｐのパターン形成領域６１Ａ，６１Ｂ，６２Ａ，６２Ｂの配置の情報は、露光装置ＥＸの主制御装置（不図示）の記憶装置内の露光データファイルに記録されている。
【００２９】
そして、一例として、まず図４（Ａ）に示すように、マスクＭのパターンのうち、パネル形成用パターン５２の一部を露光すべきパターンの領域（以下、選択領域という。）５４Ａとして選択する。このためには、露光領域ＰＲＡ〜ＰＲＧ（Ｙ方向に関して、図１の照明領域ＩＲＡ〜ＩＲＧと同じ位置にある）とマスクＭとのＹ方向の関係が図４（Ａ）の場合には、図４（Ｂ）に２点鎖線で示す基板側ブラインド４１Ａ，４１Ｂによって、露光領域ＰＲＤの−Ｙ方向の傾斜部から−Ｙ方向の部分と、露光領域ＰＲＢよりも＋Ｙ方向の部分とを遮光し、シャッタ部の像３６ＧＰで露光領域ＰＲＦをオフにすればよい。以下、このように図２（Ａ）のシャッタ部３６Ｇ等で視野絞り３５Ｆの開口等を閉じることを、単にシャッタ部の像３６ＧＰ等で露光領域ＰＲＦ等をオフにするといい、シャッタ部３６Ｃ等で視野絞り３５Ｃの開口３５Ｃａ等の一部を覆うことを、単にシャッタ部３６Ｃの像３６ＣＰ等で露光領域ＰＲＣ等の＋Ｙ方向の傾斜部の位置を制御するという。
【００３０】
そして、選択領域５４Ａの下方に、図４（Ｂ）の基板Ｐのパターン形成領域６２Ａの−Ｙ方向の端部の部分領域６２Ａ１を位置決めし、図４（Ａ）に示すように、露光用の照明光でマスクＭを照明し、露光領域ＰＲＡ〜ＰＲＧに対してマスクＭを＋Ｘ方向に走査し、基板Ｐを同期して走査することで、部分領域６２Ａ１に選択領域５４Ａ内のパターンの等倍の像が露光される。この際に、露光領域ＰＲＢの＋Ｙ方向の傾斜部で露光された領域５４Ａａ内のパターンの像が基板Ｐ上で継ぎ部４４Ｂとなる。
【００３１】
その後、図５（Ａ）及び（Ｂ）に示すように、シャッタ部の像３６ＤＰで露光領域ＰＲＤの−Ｙ方向の傾斜部の位置を制御し、シャッタ部の像３６ＧＰで露光領域ＰＲＦをオフにし、基板側ブラインド４１Ａ，４１Ｂで露光領域ＰＲＤよりも−Ｙ方向の領域及び露光領域ＰＲＢよりも＋Ｙ方向の領域を遮光して、マスクＭのパネル形成用パターン５２の一部を選択領域５４Ｂとして選択する。
【００３２】
そして、選択領域５４Ｂの下方に、基板Ｐのパターン形成領域６２Ａ内で部分領域６２Ａ１に対して継ぎ部４４Ｂを共通領域として隣接する部分領域６２Ａ２を位置決めし、露光用の照明光でマスクＭを照明し、露光領域ＰＲＡ〜ＰＲＧに対してマスクＭを−Ｘ方向に走査し、基板Ｐを同期して走査することで、部分領域６２Ａ２に選択領域５４Ｂ内のパターンの等倍の像が露光される。この際に、露光領域ＰＲＤの−Ｙ方向の傾斜部で露光された領域５４Ｂａ内のパターンの像が基板Ｐ上で継ぎ部４４Ｂに重ねて露光される。このため、部分領域６２Ａ１に対する部分領域６２Ａ２のＹ方向へのずれ量は、パネル形成用パターン５２のＹ方向の周期ＰＴ２の整数倍である。また、露光領域ＰＲＢの＋Ｙ方向の傾斜部で露光された領域５４Ｂｂ内のパターンの像が基板Ｐ上で次の継ぎ部４４Ｃとなる。
【００３３】
次に、図６（Ａ）及び（Ｂ）に示すように、シャッタ部の像３６ＤＰで露光領域ＰＲＤの−Ｙ方向の傾斜部の位置を制御し、シャッタ部の像３６ＧＰで露光領域ＰＲＧをオフにし、基板側ブラインド４１Ａ，４１Ｂで露光領域ＰＲＤよりも−Ｙ方向の領域及び露光領域ＰＲＣよりも＋Ｙ方向の領域を遮光して、マスクＭのパネル形成用パターン５１の一部及びパネル形成用パターン５２の一部を選択領域５４Ｃとして選択する。
【００３４】
そして、選択領域５４Ｃの下方に、基板Ｐのパターン形成領域６２Ａ内で部分領域６２Ａ２に対して継ぎ部４４Ｃを共通領域として隣接する部分領域６２Ａ３（ここでは、パターン形成領域６２Ａ内で未露光の部分）、及びパターン形成領域６１Ａ内で−Ｙ方向の部分領域６１Ａ１を位置決めし、露光用の照明光でマスクＭを照明し、露光領域ＰＲＡ〜ＰＲＧに対してマスクＭを＋Ｘ方向に走査し、基板Ｐを同期して走査することで、部分領域６２Ａ３及び６１Ａ１内にそれぞれパネル形成用パターン５２及び５１内で選択領域５４Ｃ内にあるパターンの等倍の像が露光される。
【００３５】
この際に、露光領域ＰＲＤの−Ｙ方向の傾斜部で露光された領域５４Ｃａ内のパターンの像が基板Ｐ上で継ぎ部４４Ｃに重ねて露光される。このため、部分領域６２Ａ２に対する部分領域６２Ａ３のＹ方向へのずれ量は、パネル形成用パターン５２のＹ方向の周期ＰＴ２の整数倍である。また、露光領域ＰＲＣの＋Ｙ方向の傾斜部で露光された領域５４Ｃｂ内のパターンの像が基板Ｐ上のパターン形成領域６１Ａ内で次の継ぎ部４４Ｄとなる。
【００３６】
その後、図７（Ａ）及び（Ｂ）に示すように、シャッタ部の像３６ＤＰで露光領域ＰＲＦの−Ｙ方向の傾斜部の位置を制御し、基板側ブラインド４１Ａ，４１Ｂで露光領域ＰＲＦよりも−Ｙ方向の領域及び露光領域ＰＲＧのほぼ中央の位置よりも＋Ｙ方向の領域を遮光して、マスクＭのパネル形成用パターン５１の一部を選択領域５４Ｄとして選択する。
そして、選択領域５４Ｄの下方に、基板Ｐのパターン形成領域６１Ａ内で部分領域６２Ａ１に対して継ぎ部４４Ｄを共通領域として隣接する部分領域６１Ａ２（ここでは、パターン形成領域６１Ａ内で未露光の部分）を位置決めし、露光用の照明光でマスクＭを照明し、露光領域ＰＲＡ〜ＰＲＧに対してマスクＭを−Ｘ方向に走査し、基板Ｐを同期して走査することで、部分領域６１Ａ２内にパネル形成用パターン５１内で選択領域５４Ｄ内にあるパターンの等倍の像が露光される。
【００３７】
この際に、露光領域ＰＲＦの−Ｙ方向の傾斜部で露光された領域５４Ｄａ内のパターンの像が基板Ｐ上で継ぎ部４４Ｄに重ねて露光される。このため、部分領域６１Ａ１に対する部分領域６１Ａ２のＹ方向へのずれ量は、パネル形成用パターン５１のＹ方向の周期ＰＴ１の整数倍である。
その後、図８に示すように、パターン形成領域６１Ａ内の部分領域６１Ａ２を露光した場合と同様に、基板Ｐのパターン形成領域６１Ｂ内の部分領域６１Ｂ２にマスクＭのパネル形成用パターン５１内のパターンの像を露光し、パターン形成領域６１Ａ，６２Ａ内の部分領域６１Ａ１，６２Ａ３を露光した場合と同様に、基板Ｐのパターン形成領域６１Ｂ，６２Ｂ内の部分領域６１Ｂ１，６２Ｂ３にマスクＭのパネル形成用パターン５１，５２内のパターンの像を露光する。さらに、パターン形成領域６２Ａ内の部分領域６２Ａ２を露光した場合と同様に、基板Ｐのパターン形成領域６２Ｂ内の部分領域６２Ｂ２にマスクＭのパネル形成用パターン５２内のパターンの像を露光し、パターン形成領域６２Ａ内の部分領域６２Ａ１を露光した場合と同様に、基板Ｐのパターン形成領域６２Ｂ内の部分領域６２Ｂ１にマスクＭのパネル形成用パターン５２内のパターンの像を露光することで、基板Ｐの全部のパターン形成領域６１Ａ，６１Ｂ，６２Ａ，６２Ｂに対する露光が終了する。この際に、パターン形成領域６１Ｂ内の継ぎ部４４Ｅ、及びパターン形成領域６２Ｂ内の継ぎ部４４Ｆ，４４Ｇにおいても、それぞれ露光領域ＰＲＡ〜ＰＲＧの傾斜部を介して二重露光が行われている。その後、基板Ｐはコータ・デベロッパ（不図示）に搬送されて、フォトレジストの現像が行われる。
【００３８】
この露光方法によれば、基板Ｐの全部のパターン形成領域６１Ａ，６１Ｂ，６２Ａ，６２ＢにマスクＭのパターンを露光するために、全部で８回の露光（走査露光）を行うだけでよい。これに対して、例えばマスクＭのパネル形成用パターン５１及び５２を互いに独立に基板Ｐに露光する場合には、パターン形成領域６２Ａに対するパネル形成用パターン５２の露光が３回、パターン形成領域６１Ａに対するパネル形成用パターン５１の露光が２回必要であるため、全部で１０回の露光が必要になる。本実施形態の露光によれば、露光回数が２０％減少できるため、露光工程のスループットをほぼ１／４（＝２／８）、すなわちほぼ２５％高めることができる。
【００３９】
上述のように、本実施形態の露光方法は、パネル形成用パターン５１（第１パネル用マスクパターン）と、パネル形成用パターン５１とは異なる大きさのパネル形成用パターン５２（第２パネル用マスクパターン）とが形成されたマスクＭを準備する工程と、第１のパネルＰＮ１が形成されるパターン形成領域６１Ａ（第１領域）と、第１のパネルＰＮ１とは異なる大きさの第２のパネルＰＮ２が形成されるパターン形成領域６２Ａ（第２領域）とを有する基板Ｐを準備する工程と、を有する。さらに、その露光方法は、図６（Ａ）及び（Ｂ）に示すように、露光装置ＥＸによる１回の露光（走査露光）で、マスクＭのパネル形成用パターン５１の一部及びパネル形成用パターン５２の一部を介して、それぞれ基板Ｐのパターン形成領域６１Ａの一部及びパターン形成領域６２Ａの一部を露光する工程を有する。
【００４０】
この露光方法によれば、１回の露光（本実施形態では走査露光）で、パネル形成用パターン５１及び５２を介して基板Ｐのパターン形成領域６１Ａ及び６２Ａを露光するため、基板Ｐの全部のパターン形成領域を露光するための露光回数を減少させることができ、互いに大きさの異なるパネル形成用パターン５１，５２を基板Ｐに効率的に露光できる。
【００４１】
なお、上述の実施形態では、以下のような変形が可能である。
まず、上述の実施形態では、１回の露光で、マスクＭのパネル形成用パターン５１，５２のそれぞれの一部を介して、基板Ｐのパターン形成領域６１Ａ，６２Ａの一部を露光しているが、マスクＭのパネル形成用パターン５１，５２の少なくとも一方の全部のパターンを介して、基板Ｐのパターン形成領域６１Ａ，６２Ａの一部、又はパターン形成領域６１Ａ，６２Ａの少なくとも一方の全部の領域を露光してもよい。
【００４２】
また、上述の実施形態では、継ぎ部４４Ｂ〜４４Ｄを重ねて露光するときに、シャッタ部３６Ｄ，３６Ｇ等を用いて露光領域ＰＲＤ，ＰＲＧ等の傾斜部の位置を制御する方法を使用しているが、継ぎ部４４Ｂ〜４４Ｄの少なくとも一つの露光を通常の露光方法（傾斜部の位置が制御されていない露光領域ＰＲＤ，ＰＲＧ等を使用する方法）で露光してもよい。
【００４３】
また、パネル形成用パターン５１，５２の構成によっては、継ぎ部４４Ｂ〜４４Ｄを設けることなく、単に近接して配置された部分領域６２Ａ１，６２Ａ２等に順に対応するマスクパターンを露光してもよい。
また、上述の実施形態とは異なるパターン配置のマスクを使用して、上述の実施形態とは異なるパターン形成領域の配置を有する基板を露光してもよい。
【００４４】
図９（Ａ）は、図１のマスクステージ２１に保持された他のマスクＭ１に形成された複数のパターンの配置の一例を示し、図９（Ｂ）は、図１の基板ステージ２２に保持された他の基板Ｐ１の複数のパターン形成領域の配置の一例を示す。図９（Ａ）、（Ｂ）における座標系（Ｘ，Ｙ）は、図１の露光装置ＥＸの座標系（Ｘ，Ｙ）と同じである。マスクＭ１の大きさは図３（Ａ）のマスクＭと同様であり、基板Ｐ１の大きさは図３（Ｂ）の基板Ｐと同様である。
【００４５】
図９（Ａ）において、マスクＭ１のパターン領域内に、第３のパネルを形成するためのＸ方向に細長い長方形のパネル形成用パターン５５と、第３のパネルと異なる大きさの第４のパネルを形成するためのＸ方向に長い長方形のパネル形成用パターン５６とがＹ方向に並列に形成されている。パネル形成用パターン５５のＸ方向の幅ＬＸ３は、マスクＭ１のＸ方向の幅よりもわずかに小さく、Ｙ方向の幅ＬＹ５は、マスクＭ１のＹ方向の幅の１／２程度である。また、パネル形成用パターン５６のＸ方向の幅ＬＸ４は、パネル形成用パターン５５の幅ＬＸ３の２／３よりもわずかに小さい程度であり、Ｙ方向の幅ＬＹ７は、マスクＭ１のＹ方向の幅の１／２よりもわずかに小さい程度である。マスクＭ１上でパネル形成用パターン５６にＸ方向に隣接する領域は金属膜等の遮光領域５７とされている。一例として、製造対象の第３及び第４のパネルが液晶ディスプレイ用であり、パネル形成用パターン５５，５６は、Ｙ方向に周期ＰＴ３，ＰＴ４の周期的パターンであるとする。周期ＰＴ３，ＰＴ４は互いに異なっていてもよい。
【００４６】
また、図９（Ｂ）において、基板Ｐ１の表面の＋Ｙ方向の端部の領域に、それぞれ第３のパネルＰＮ３を形成するための互いに同じ大きさのＸ方向に細長い長方形のパターン形成領域６３Ａ，６３Ｂが確保され、パターン形成領域６３Ａ，６３Ｂに対して−Ｙ方向に隣接するように、それぞれ第４のパネルＰＮ４を形成するための互いに同じ大きさのＹ方向に細長い長方形の３個のパターン形成領域６４Ａ，６４Ｂ，６４Ｃが確保されている。
【００４７】
基板Ｐ１に形成される第３のパネルＰＮ３のＸ方向の幅ＬＸ３は、マスクＭ１のパネル形成用パターン５５のＸ方向の幅と同じであり、第３のパネルＰＮ３のＹ方向の幅ＬＹ６は、パネル形成用パターン５５のＹ方向の幅ＬＹ５よりわずかに大きい。また、第４のパネルＰＮ４のＸ方向の幅ＬＸ４は、マスクＭ１のパネル形成用パターン５６のＸ方向の幅と同じであり、第４のパネルＰＮ４のＹ方向の幅ＬＹ８は、パネル形成用パターン５６のＹ方向の幅ＬＹ７の４倍よりもわずかに小さい程度である。
【００４８】
図１の露光装置ＥＸを用いてマスクＭ１のパネル形成用パターン５５，５６を基板Ｐ１のパターン形成領域６３Ａ，６３Ｂ，６４Ａ〜６４Ｃに露光する場合、まず、一例として、図９（Ａ）のマスクＭ１のパネル形成用パターン５５の一部を、図９（Ｂ）のパターン形成領域６３Ｂの＋Ｙ方向の端部の部分領域６３Ｂ２に露光する。その後、図９（Ａ）に示すように、パネル形成用パターン５５の−Ｙ方向の部分、パネル形成用パターン５６の全部、及び遮光領域５７を含む矩形の点線で囲まれた領域を選択領域５８とする。そして、マスクＭ１の選択領域５８内のパターンを、基板Ｐ１のパターン形成領域６３Ｂ内の未露光の部分領域６３Ｂ１、及びパターン形成領域６４Ｃの＋Ｙ方向の端部の部分領域６４Ｃ４を含む点線で囲まれた領域６５に露光する。部分領域６３Ｂ２，６３Ｂ１の境界部には継ぎ部（不図示。以下同様）が設けられている。
【００４９】
その後、一例として、基板Ｐ１のパターン形成領域６４Ｃの部分領域６４Ｃ３，６４Ｃ２，６４Ｃ１、パターン形成領域６４Ｂの４つの部分領域６４Ｂ１〜６４Ｂ４、及びパターン形成領域６４Ａの４つの部分領域６４Ａ１〜６４Ａ４にそれぞれマスクＭ１のパネル形成用パターン５６の少なくとも一部が露光される。また、パターン形成領域６３Ａの２つの部分領域６３Ａ１，６３Ａ２にパネル形成用パターン５５の少なくとも一部が露光されることで、基板Ｐ１に対する露光が終了する。
【００５０】
この変形例によれば、マスクＭ１の選択領域５８のパターンを基板Ｐ１の領域６５に露光する際に、マスクＭ１の遮光領域５７にも露光用の照明光が照射されるが、その照明光は遮光領域５７に遮光されるため、基板Ｐ１上の部分領域６４Ｃ４に＋Ｘ方向に隣接するパターン形成領域６４Ｂの部分領域６４Ｂ４は露光されない。このように１回の露光（走査露光）で、マスクＭ１のパネル形成用パターン５５，５６のそれぞれの一部を基板Ｐ１のパターン形成領域６３Ｂ及び６４Ｃに露光できるため、全部の露光において、パネル形成用パターン５５，５６の一部を個別に露光する場合に比べて、少なくとも１回露光回数を減少させることができ、露光工程のスループットを向上できる。
【００５１】
なお、上述の実施形態では、マスクＭ，Ｍ１に２種類のパネル形成用パターンが形成されているが、マスクに３種類以上のパネル形成用パターンが形成されている場合にも、本発明を適用することで、露光効率を向上できる。
また、上述の実施形態では、マルチレンズ型で等倍の投影システムＰＳが使用されているが、投影システムＰＳとして単一の投影光学系を使用する場合にも本発明が適用できる。さらに、投影光学系の投影倍率が拡大又は縮小の場合にも本発明が適用できる。
【００５２】
また、上述の実施形態では、走査露光型の露光装置ＥＸが使用されているが、一括露光型の露光装置（ステッパー等）で露光する場合にも本発明が適用できる。
また、上記の実施形態の露光装置ＥＸ又は露光方法を用いて、基板上に所定のパターン（ＴＦＴパターン等）を形成することによって、電子デバイス（マイクロデバイス）としての液晶ディスプレイ用のパネル（液晶表示パネル）を得ることもできる。以下、図１０のフローチャートを参照して、この製造方法の一例につき説明する。
【００５３】
図１０のステップＳ４０１（パターン形成工程）では、先ず、露光対象の基板上にフォトレジストを塗布して感光基板（基板Ｐ）を準備する塗布工程、上記の露光装置を用いてパネル用のマスク（例えばマスクＭを含む）のパターンをその感光基板上の複数のパターン形成領域に露光する露光工程、及びその感光基板を現像する現像工程が実行される。この塗布工程、露光工程、及び現像工程を含むリソグラフィ工程によって、その基板上に所定のレジストパターンが形成される。このリソグラフィ工程に続いて、そのレジストパターンをマスクとしたエッチング工程、及びレジスト剥離工程等を経て、その基板上に所定パターンが形成される。そのリソグラフィ工程等は、その基板上のレイヤ数に応じて複数回実行される。
【００５４】
その次のステップＳ４０２（カラーフィルタ形成工程）では、赤Ｒ、緑Ｇ、青Ｂに対応した３つの微細なフィルタの組をマトリックス状に多数配列するか、又は赤Ｒ、緑Ｇ、青Ｂの３本のストライプ状の複数のフィルタの組を水平走査線方向に配列することによってカラーフィルタを形成する。その次のステップＳ４０３（セル組立工程）では、例えばステップＳ４０１にて得られた所定パターンを有する基板とステップＳ４０２にて得られたカラーフィルタとの間に液晶を注入して、液晶セルを製造する。
【００５５】
その後のステップＳ４０４（モジュール組立工程）では、そのようにして組み立てられた液晶セルに表示動作を行わせるための電気回路、及びバックライト等の部品を取り付けて、液晶表示パネルとして完成させる。
上述の電子デバイスの製造方法によれば、上記の実施形態の露光装置又は露光方法を用いてマスクのパターンを基板に転写する工程（ステップＳ４０１の一部）と、この工程によりそのパターンが転写された基板をそのパターンに基づいて加工（現像、エッチング等）する工程（ステップＳ４０１の他の部分）とを含んでいる。
【００５６】
この製造方法によれば、マスクのパターンを効率的に基板に露光できるため、液晶表示パネルを効率的に製造できる。
なお、上述の電子デバイスの製造方法は、有機ＥＬ(Electro-Luminescence)ディスプレイ、又はプラズマディスプレイ等の他のディスプレイ用のパネル等を製造する場合にも適用できる。
【００５７】
なお、本発明は上述の実施形態に限定されず、本発明の要旨を逸脱しない範囲で種々の構成を取り得る。
【符号の説明】
【００５８】
ＥＸ…露光装置、ＰＳ…投影システム、ＰＬＡ〜ＰＬＧ…部分投影光学系、Ｍ…マスク、Ｐ…基板、ＰＲＡ〜ＰＲＧ…露光領域、３５Ａ〜３５Ｇ…視野絞り、３６Ａ，３６Ｃ，３６Ｄ，３６Ｇ…シャッタ部、５１，５２…パネル形成用パターン、６１Ａ，６１Ｂ…パターン形成領域、６２Ａ，６２Ｂ…パターン形成領域
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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