(57)【要約】【課題】微細なマークを形成することができる半導体レーザ素子及びその製造方法を提供する。【解決手段】基板と、前記基板の表面に形成された半導体層と、前記基板の裏面に形成された第１電極と、前記半導体層の表面に形成された第２電極と、前記第１電極及び前記第２電極のいずれか一方の電極が形成されている面上において前記一方の電極から離間した位置に形成された所定の情報を読み取り可能なマークと、を備えた半導体レーザ素子であって、前記マークは、金属材料からなるとともに、前記一方の電極よりも厚みが小さい半導体レーザ素子などである。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と、前記基板の表面に形成された半導体層と、前記基板の裏面に形成された第１電極と、前記半導体層の表面に形成された第２電極と、前記第１電極及び前記第２電極のいずれか一方の電極が形成されている面上において前記一方の電極から離間した位置に形成された所定の情報を読み取り可能なマークと、を備えた半導体レーザ素子であって、
前記マークは、金属材料からなるとともに、前記一方の電極よりも厚みが小さいことを特徴とする半導体レーザ素子。
【請求項２】
前記マークは、Ａｕ以外の金属材料で構成されていることを特徴とする請求項１に記載の半導体レーザ素子。
【請求項３】
前記マークは、前記一方の電極を構成する主要な金属材料とは異なる金属材料を主要な金属材料として構成されていることを特徴とする請求項１に記載の半導体レーザ素子。
【請求項４】
前記一方の電極は、Ａｕを主要な金属材料として構成されており、
前記マークは、Ａｕ以外の金属材料を主要な金属材料として構成されている、
ことを特徴とする請求項３に記載の半導体レーザ素子。
【請求項５】
前記マークは、Ｐｔを主要な金属材料として構成されていることを特徴とする請求項４に記載の半導体レーザ素子。
【請求項６】
前記マークは、その厚みが前記一方の電極の厚みの５０％以下であることを特徴とする請求項１から５のいずれか１項に記載の半導体レーザ素子。
【請求項７】
前記マークは、二次元コードであることを特徴とする請求項１から６のいずれか１項に記載の半導体レーザ素子。
【請求項８】
前記所定の情報は、前記半導体レーザ素子を個片化する前の半導体ウエハ内における位置情報であることを特徴とする請求項１から７のいずれか１項に記載の半導体レーザ素子。
【請求項９】
前記一方の電極は、前記第１電極であることを特徴とする請求項１から８のいずれか１項に記載の半導体レーザ素子。
【請求項１０】
前記一方の電極は、前記第２電極であることを特徴とする請求項１から８のいずれか１項に記載の半導体レーザ素子。
【請求項１１】
前記半導体層の表面にリッジが形成されており、
前記第２電極は、外部電源と接続されるための接続部を有し、前記接続部は、前記リッジにより区切られる前記半導体層の表面領域における片側に配置されており、
前記マークは、前記リッジにより区切られる前記半導体層の表面領域において前記接続部が配置されている側に配置されている、
ことを特徴とする請求項１０に記載の半導体レーザ素子。
【請求項１２】
前記マークは、上面視において、光反射側端面よりも光出射側端面に近い位置に形成されていることを特徴とする請求項１０に記載の半導体レーザ素子。
【請求項１３】
前記マークは、前記半導体層の表面に絶縁膜を介して形成されていることを特徴とする請求項１０から１２のいずれか１項に記載の半導体レーザ素子。
【請求項１４】
基板と前記基板の表面に形成された半導体層とを有する半導体ウエハを個片化して個々の半導体レーザ素子にする半導体レーザ素子の製造方法であって、
前記基板の裏面に複数の第１電極を形成する第１電極形成工程と、
前記半導体層の表面に複数の第２電極を形成する第２電極形成工程と、
前記第１電極形成工程及び前記第２電極形成工程の前または後に、あるいは、前記第１電極形成工程及び前記第２電極形成工程の一方より後で他方よりも前に、前記第１電極及び前記第２電極のいずれか一方の電極が形成される面上において、前記一方の電極から離間した位置に配置されるよう、所定の情報を読み取り可能な金属材料からなるマークを、前記一方の電極よりも小さい厚みで形成するマーク形成工程と、
前記第１電極形成工程、前記第２電極形成工程、及び前記マーク形成工程の後に、前記マークが各個片に含まれるよう前記半導体ウエハを個片化する個片化工程と、
を有することを特徴とする半導体レーザ素子の製造方法。
【請求項１５】
前記マークは、前記一方の電極を構成する主要な金属材料とは異なる金属材料を主要な金属材料として用い形成されることを特徴とする請求項１４に記載の半導体レーザ素子の製造方法。
【請求項１６】
前記一方の電極は、前記第１電極であることを特徴とする請求項１４または１５のいずれか１項に記載の半導体レーザ素子の製造方法。
【請求項１７】
前記一方の電極は、前記第２電極であることを特徴とする請求項１４または１５のいずれか１項に記載の半導体レーザ素子の製造方法。
【請求項１８】
前記マークは、上面視において、光反射側端面よりも光出射側端面に近い位置に形成されることを特徴とする請求項１７に記載の半導体レーザ素子の製造方法。
【請求項１９】
前記マーク形成工程の前に、前記半導体層の表面における少なくとも前記第２電極が形成される領域以外に絶縁膜を形成することにより、前記マークを前記半導体層の表面に絶縁膜を介して形成することを特徴とする請求項１７または１８に記載の半導体レーザ素子の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体レーザ素子及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、ウエハを個片化してできる各半導体チップに、ウエハ上の位置を示すチップＩＤ（マーク）を記録する方法が提案された（特許文献１参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００７−２４３１３２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、上記従来の方法では、微細なマークを形成することができないため、マークの面積を大きくしなければ（１枚のウエハから得られる素子の数を減らさなければ）、各半導体チップにより多くの情報を記録することができないという問題があった。
【０００５】
そこで、本発明は、微細なマークを形成することができる半導体レーザ素子及びその製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明によれば、上記課題は、次の手段により解決される。
【０００７】
本発明は、基板と、前記基板の表面に形成された半導体層と、前記基板の裏面に形成された第１電極と、前記半導体層の表面に形成された第２電極と、前記第１電極及び前記第２電極のいずれか一方の電極が形成されている面上において前記一方の電極から離間した位置に形成された所定の情報を読み取り可能なマークと、を備えた半導体レーザ素子であって、前記マークは、金属材料からなるとともに、前記一方の電極よりも厚みが小さいことを特徴とする半導体レーザ素子である。
【０００８】
本発明は、基板と前記基板の表面に形成された半導体層とを有する半導体ウエハを個片化して個々の半導体レーザ素子にする半導体レーザ素子の製造方法であって、前記基板の裏面に複数の第１電極を形成する第１電極形成工程と、前記半導体層の表面に複数の第２電極を形成する第２電極形成工程と、前記第１電極形成工程及び前記第２電極形成工程の前または後に、あるいは、前記第１電極形成工程及び前記第２電極形成工程の一方より後で他方よりも前に、前記第１電極及び前記第２電極のいずれか一方の電極が形成される面上において、前記一方の電極から離間した位置に配置されるよう、所定の情報を読み取り可能な金属材料からなるマークを、前記一方の電極よりも小さい厚みで形成するマーク形成工程と、前記第１電極形成工程、前記第２電極形成工程、及び前記マーク形成工程の後に、前記マークが各個片に含まれるよう前記半導体ウエハを個片化する個片化工程と、を有することを特徴とする半導体レーザ素子の製造方法である。
【発明の効果】
【０００９】
本発明によれば、低コストで、より多くの情報が記録された半導体レーザ素子を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１０】
【図１】本発明の実施形態１に係る半導体レーザ素子１００を示す模式図であり、（ａ）は半導体レーザ素子１００を斜めから見た図、（ｂ）は半導体レーザ素子１００を上から見た図、（ｃ）は半導体レーザ素子１００を下から見た図である。
【図２】本発明の実施形態２に係る半導体レーザ素子２００を示す模式図であり、（ａ）は半導体レーザ素子２００を斜めから見た図、（ｂ）は半導体レーザ素子２００を上から見た図、（ｃ）は半導体レーザ素子２００を下から見た図である。
【図３】本発明の実施形態３に係る半導体レーザ素子３００を示す模式図であり、（ａ）は半導体レーザ素子３００を斜めから見た図、（ｂ）は半導体レーザ素子３００を上から見た図、（ｃ）は半導体レーザ素子３００を下から見た図である。
【図４】本発明の実施形態１から３に係る半導体レーザ素子１００から３００の製造方法の一例を説明する模式図であって、具体例として半導体レーザ素子１００の場合を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００１１】
以下に、添付した図面を参照しつつ、本発明を実施するための形態について説明する。
【００１２】
［本発明の実施形態１に係る半導体レーザ素子１００］
図１は、本発明の実施形態１に係る半導体レーザ素子１００を示す模式図であり、（ａ）は半導体レーザ素子１００を斜めから見た図、（ｂ）は半導体レーザ素子１００を上から見た図、（ｃ）は半導体レーザ素子１００を下から見た図である。
【００１３】
図１に示すように、本発明の実施形態１に係る半導体レーザ素子１００は、基板１０と、基板１０の表面に形成された半導体層２０と、基板１０の裏面に形成された第１電極３０と、半導体層２０の表面に形成された第２電極４０と、第１電極３０及び第２電極４０のいずれか一方の電極が形成されている面上において一方の電極から離間した位置に形成された所定の情報を読み取り可能なマーク５０と、を備えた半導体レーザ素子１００であって、マーク５０は、金属材料からなるとともに、一方の電極よりも厚みが小さい半導体レーザ素子１００である。
【００１４】
以下、順に説明する。
【００１５】
（基板１０）  
基板１０は、導電性の基板であり、例えば、半導体からなる基板である。半導体には、窒化物半導体などを用いることができる。窒化物半導体としては、例えば、ＩｎＸＡｌＹＧａ１−Ｘ−ＹＮ（０≦Ｘ、０≦Ｙ、Ｘ＋Ｙ≦１）を用いることができる。また、ＩｎＸＡｌＹＧａ１−Ｘ−ＹＮ（０≦Ｘ、０≦Ｙ、Ｘ＋Ｙ≦１）としては、典型的には、ＧａＮを用いることができる。
【００１６】
（半導体層２０）  
半導体層２０は、基板１０の表面に形成されている。
【００１７】
半導体層２０には、窒化物半導体などを用いることができる。窒化物半導体としては、例えば、ＩｎＸＡｌＹＧａ１−Ｘ−ＹＮ（０≦Ｘ、０≦Ｙ、Ｘ＋Ｙ≦１）を用いることができる。また、半導体層２０としては、例えば、複数の層が積層されたものを用いることができる。複数の層が積層された半導体層２０としては、例えば、基板１０側から順に、第１導電型半導体層（例えばｎ型層２１）と、発光層２２と、第２導電型半導体層（例えばｐ型層２３）と、を有するものを一例として挙げることができる。
【００１８】
半導体層２０の幅Ｗ（上面視において光導波路の延伸方向Ｌと垂直な方向の長さ。以下、同じ。）は、例えば３００μｍ以下とされる。なお、本発明の実施形態１に係る半導体レーザ素子１００では、半導体層２０の幅Ｗが半導体レーザ素子１００の幅と等しい。
【００１９】
（第１電極３０、第２電極４０）
第１電極３０は、基板１０の裏面に形成されており、第２電極４０は、半導体層２０の表面に形成されている。第１電極３０は、例えばｎ側電極であり、第２電極４０は、例えばｐ側パッド電極である。
【００２０】
第１電極３０や第２電極４０は、金属材料により構成される。金属材料の種類は特に限定されないが、第１電極３０や第２電極４０を構成する主要な金属材料の一例としては、例えばＡｕを挙げることができる。ここで、主要な金属材料とは、例えば、第１電極３０や第２電極４０が多層膜からなる場合において、最も厚みが大きい膜に用いられている金属材料などをいう。例えば、第２電極４０が、半導体層２０側から順にＮｉ、Ｐｄ、Ａｕという３層が積層された多層膜からなる場合において、最上層であるＡｕの厚みが最も厚ければ、Ａｕが、この第２電極４０の主要な金属材料となる。第２電極４０の平面視形状は、マーク５０の形成領域が確保できるものであれば特に限定されないが、図１（ｂ）に示すように、幅の広い部分である凸状部を素子中央付近に有する第２電極４０であれば、マーク５０を光出射側端面Ａ側と光反射側端面Ｂ側のいずれにでも形成可能であるため、マーク５０の形成位置の変更を容易に行うことができる。また、第２電極４０の凸状部は、ワイヤボンディングの目安とすることもできる。なお、第２電極４０の幅とは、半導体層２０の幅Ｗと同じ方向における長さを指す。
【００２１】
（マーク５０：マーク５０が形成される面）
マーク５０は、第１電極３０及び第２電極４０のいずれか一方の電極が形成されている面上において形成されている。
【００２２】
「面上」とは、マーク５０が、第１電極３０及び第２電極４０のいずれか一方の電極が形成されている面に直接形成されていてもよいが、当該一方の電極が形成されている面に他の部材（例：絶縁膜６０）を介して形成されていてもよいことを意味する。
【００２３】
マーク５０が、第２電極４０が形成されている面（すなわち半導体層２０の表面）に絶縁膜６０を介して形成されている場合（図１参照）は、マーク５０が一方の電極が形成されている面に接触しないため、マーク５０が金属材料からなることによる電気的な悪影響を防止することができる。絶縁膜６０の一例としては、ＳｉＯ２、ＳｉＮ、ＺｒＯ２を挙げることができる。
【００２４】
なお、マーク５０が、第１電極３０が形成されている面上（すなわち基板１０の裏面上）に形成される場合は、少なくとも第１電極３０が形成されている領域以外に形成された絶縁膜を介してマーク５０が形成されていてもよく、絶縁膜を設けずにマーク５０が基板１０の裏面に直接形成されていてもよい。通常、半導体レーザ素子では、基板１０の裏面に絶縁膜を設けないため、マーク５０を基板１０の裏面に直接形成すれば、マーク５０形成工程以外の工程増加が不要となる。
【００２５】
（マーク５０：マーク５０が形成される位置）
マーク５０は、一方の電極から離間した位置に形成されている。
【００２６】
マーク５０が一方の電極から離間した位置に形成されている形態の一例としては、例えば、マーク５０が第２電極４０が形成されている面上に形成されている場合において、半導体層２０の表面にリッジ２３ａが形成されており、第２電極４０の外部電源と接続されるための接続部がリッジ２３ａにより区切られる半導体層２０の表面領域における片側に配置されており、マーク５０がリッジ２３ａにより区切られる半導体層２０の表面領域において接続部が配置されている側に配置されている形態を挙げることができる（図１参照）。この一例によれば、リッジ２３ａにより区切られる半導体層２０の表面領域において、第２電極４０とマーク５０とが配置されていない側の面積を小さくして、半導体レーザ素子１００の幅を小さくし、１枚のウエハから得られる素子の数を増やすことができる。なお、第２電極４０の接続部とは、ワイヤ等が接続される部分であり、通常、他の部分よりも幅広で形成される。本発明の実施形態１では、図１（ｂ）に示す上面図において、第２電極４０の凸状の部分が接続部である。
【００２７】
また、マーク５０が一方の電極から離間した位置に形成されている形態の他の一例としては、例えば、マーク５０が第２電極４０が形成されている面上に形成されている場合において、マーク５０が、上面視において、光反射側端面Ｂよりも光出射側端面Ａに近い位置に形成されている形態を挙げることができる（図１参照）。この一例によれば、半導体レーザ素子１００から出射される光のうち光導波路に沿った光以外の光がマーク５０により吸収されるようになるため、レーザ光の遠視野像（ＦＦＰ）においてリップルが発生しにくい半導体レーザ素子１００を提供することができる。
【００２８】
また、マーク５０が一方の電極から離間した位置に形成されている形態の他の一例としては、例えば、マーク５０が第１電極３０が形成されている面上に形成されている場合において、第１電極３０の平面視形状が凸状部（幅広の部分）を有する形状に形成されており、マーク５０が基板１０の裏面において第１電極３０が形成されていない領域に形成されている形態（図２参照）や第１電極３０がマーク５０が形成されている領域を除く基板１０の裏面におけるほぼ全領域に形成されている形態（図３参照）などを挙げることができる。
【００２９】
（マーク５０：マーク５０の形状）
マーク５０は、所定の情報を読み取り可能な形状に形成されている。例えば、二次元コードや数桁の数字などは、マーク５０の一例である。図１（ｂ）に示すマーク５０は、二次元コードの一例として示すものであり、矩形の４辺のうち隣接する２辺を直線状のアライメントパターンとするデータマトリクスである。図１（ｂ）では、アライメントパターンを端面側に配置したが、素子中央側に配置してもよい。また、所定の情報の一例としては、半導体レーザ素子１００を個片化する前の半導体ウエハ４００内における位置情報などを挙げることができる。位置情報とは、例えば、何行目の何列目の素子という情報である。一例として、２インチのウエハを用いて幅１００〜２００μｍ程度の素子を形成する場合には、行数も列数も２桁以上に達する。本発明の実施形態１であれば、微細な形状のマーク５０を形成できるため、このような情報量の多いマーク５０であっても限られた領域内に形成可能である。なお、マーク５０からは、例えば、光学的に撮影された写真を読取装置（例：二次元コードを読み取るリーダ装置）で解読することにより情報が読み取られる。
【００３０】
（マーク５０：マーク５０の材料）
マーク５０は、金属材料からなる。これにより、樹脂材料等の透明な材料を用いてマーク５０が形成されている場合と比較して、明暗がはっきりとした写真（コントラストが明確な写真）を光学的に撮影することが可能となり、マーク５０から情報を読み取りやすくなる。
【００３１】
マーク５０を構成する金属材料の種類は限定されないが、マーク５０を構成する金属材料の一例としては、例えば、Ａｕ以外の金属材料を挙げることができる。Ａｕは延性が大きいため、Ａｕ以外の金属材料でマーク５０が構成されるものとすれば、微細な形状を有するマーク５０を形成しやすくなる。
【００３２】
マーク５０は、第１電極３０及び第２電極４０のいずれか一方の電極を構成する主要な金属材料とは異なる金属材料を主要な金属材料として構成されていてもよい。このようにすれば、第１電極３０及び第２電極４０のいずれか一方の電極とマーク５０とを区別することが容易になるため、マーク５０から情報を読み取りやすくなる。また、第１電極３０や第２電極４０には延性が大きい電極材料を用いる傾向があるため、第１電極３０及び第２電極４０のいずれか一方の電極とは異なる材料を主要な金属材料として用いることで、微細な形状を有するマーク５０を形成しやすくなる。
【００３３】
マーク５０が、第１電極３０及び第２電極４０のいずれか一方の電極を構成する主要な金属材料とは異なる金属材料を主要な金属材料として構成されている場合とは、例えば、第１電極３０及び第２電極４０のいずれか一方の電極に用いられている主要な金属材料がＡｕである場合に、マーク５０が、Ａｕ以外の金属材料（例：Ｐｔ）を主要な金属材料として用い形成されている場合などである。
【００３４】
マーク５０を構成する主要な金属材料とは、例えば、マーク５０が多層膜からなる場合において、最も厚みが大きい膜に用いられている金属材料などをいう。例えば、マーク５０が、半導体層２０側から順にＮｉ、Ｐｔという２層が積層されてなる形態において、最上層であるＰｔの厚みが最も厚い場合は、Ｐｔがこのマーク５０の主要な金属材料である。
【００３５】
なお、マーク５０が第２電極４０が形成されている面上に形成される形態において、マーク５０が多層膜からなる場合、半導体層２０の表面（半導体層２０の表面に絶縁膜６０を介して第２電極４０が形成されている場合は、絶縁膜６０の表面）と接する側の層には、半導体の表面（または絶縁膜６０の表面）との密着性が良好で、絶縁膜６０とは非反応な材料（例：絶縁膜６０がＳｉＯ２である場合のＮｉなど）を用いることができる。また、マーク５０が第２電極４０が形成されている面上に形成される形態において、マーク５０を保護膜等で被覆しない場合は、マーク５０の最表面は変色や劣化の生じにくい金属材料（例：Ｐｔ）を用いることが好ましい。
【００３６】
（マーク５０：マーク５０の厚み）
マーク５０の厚みＴ１は、第１電極３０及び第２電極４０のいずれか一方の電極の厚みＴ２、Ｔ３よりも小さい（Ｔ１＜Ｔ２、あるいはＴ１＜Ｔ３）。これにより、微細な形状を有するマーク５０を形成することが容易になる。また、第１電極３０及び第２電極４０のいずれか一方の電極とマーク５０とを区別することが容易になるため、マーク５０から情報を読み取りやすくなる。また、第１電極３０及び第２電極４０のいずれか一方の電極にワイヤボンディングによりワイヤを接合する場合において、マーク５０が邪魔にならない。なお、ワイヤボンディングは一例であって、これに限るものではない。また、半導体レーザ素子１００は、マーク５０を設けた側の面と反対側の面を、例えばＡｕＳｎ等の導電性部材を介してサブマウント等に実装することができる。
【００３７】
マーク５０の厚みＴ１が第１電極３０及び第２電極４０のいずれか一方の電極の厚みＴ２、Ｔ３よりも小さい場合（Ｔ１＜Ｔ２、あるいはＴ１＜Ｔ３）の一例としては、例えば、マーク５０の厚みＴ１が一方の電極の厚みＴ２、Ｔ３の７０％以下である場合や５０％以下である場合や１０％以下である場合などを挙げることができる。また、具体的な数値を用いると、一方の電極の厚みＴ２、Ｔ３が約１μｍでありマーク５０の厚みＴ１が約５５ｎｍである場合などもマーク５０が一方の電極Ｔ２、Ｔ３よりも厚みが小さい場合の一例として挙げることができる。なお、微細な形状を有するマークをより高精度で形成するため、マーク５０の厚みＴ１は２００ｎｍ以下とすることが好ましい。
【００３８】
マーク５０が第２電極４０が形成されている面上に形成される形態において、絶縁膜６０を介してマーク５０を設ける場合、マーク５０の厚みＴ１と比較する第２電極４０の厚みＴ３は、絶縁膜６０上に形成された第２電極４０の厚みＴ３であることが好ましい。例えば、リッジ２３ａの上面にコンタクト電極７０が形成され、コンタクト電極７０上から絶縁膜６０上まで延在されたｐ側パッド電極４０が形成される場合、マーク５０の厚みＴ１は、ｐ側パッド電極４０を第２電極としてこれの厚みＴ３より小さいことが好ましい。
【００３９】
（マーク５０：マーク５０の大きさ）
マーク５０は、例えば、縦２００μｍ、横２００μｍの矩形の範囲内に収まる大きさであってもよい。ここで、縦は、半導体層２０の幅Ｗと同じ方向における長さを指し、横は、半導体レーザ素子１００の光導波路の延伸方向Ｌと同じ方向における長さを指す。さらに、マーク５０は、光導波路に沿った方向に長い横長のマーク５０とすることができる。このようにすれば、半導体レーザ素子１００の幅を例えば２００μｍ以下にすることができるため、１枚のウエハから得られる素子の数が増える。なお、マーク５０は、微細な形状を有しており情報量が多いため、上記の範囲内に収まる大きさであっても、半導体レーザ素子１００には多くの情報を記録することができる。特に、二次元コードが好ましい。
【００４０】
以上説明した本発明の実施形態１に係る半導体レーザ素子１００によれば、マーク５０が、金属材料からなるとともに、一方の電極よりも厚みが小さいものとされるため、微細なマーク５０を形成することができる。
【００４１】
半導体層２０の面積を小さくすれば、１枚のウエハから得られる素子の数が増えるが、半導体層２０の長さ方向に形成される光導波路長は、半導体レーザ素子１００の特性により定まるものであり、特にＧａＮ系の半導体レーザ素子１００では、最近、１ｍｍを超える光導波路長を有するものも増えてきている。したがって、半導体層２０の面積を小さくするためには、光導波路の延伸方向Ｌの長さではなく、半導体層２０の幅Ｗを小さくせざるを得ないが、本発明の実施形態１によれば、微細なマーク５０を形成することができるため、このように半導体層２０の幅Ｗを狭くしても、半導体レーザ素子１００により多くの情報を記録することができる。
【００４２】
また、半導体レーザ素子１００では、素子側面近傍の半導体層２０の一部を除去して段差Ｘを設ける場合がある（例：窒化物半導体基板１０の転位密集領域に起因するリーク電流を防止するために、転位密集領域上の半導体層２０のＰＮジャンクションが除去される場合など）。この場合、半導体レーザ素子１００においてマーク５０を形成可能な領域が相対的に小さくなるが、本発明の実施形態１によれば、微細なマーク５０を形成することができるため、このような狭い領域にもより多くの情報を記録することができる。
【００４３】
［本発明の実施形態２に係る半導体レーザ素子２００］
図２は、本発明の実施形態２に係る半導体レーザ素子２００を示す模式図であり、（ａ）は半導体レーザ素子２００を斜めから見た図、（ｂ）は半導体レーザ素子２００を上から見た図、（ｃ）は半導体レーザ素子２００を下から見た図である。
【００４４】
図２に示すとおり、本発明の実施形態２に係る半導体レーザ素子２００は、マーク５０が第１電極３０が形成されている面上において形成されている点で、マーク５０が第２電極４０が形成されている面上において形成されている本発明の実施形態１に係る半導体レーザ素子１００と相違する。本発明の実施形態１に係る半導体レーザ素子１００によれば、マーク５０が第２電極４０が形成されている面上において形成されているため、半導体レーザ素子１００をフェイスアップ実装用の素子として用いる場合においてマーク５０から所定の情報を読み取ることが容易になるのに対し、本発明の実施形態２に係る半導体レーザ素子２００によれば、マーク５０が第１電極３０が形成されている面上において形成されているため、半導体レーザ素子２００をフェイスダウン実装用の素子として用いる場合においてマーク５０から所定の情報を読み取ることが容易になる。つまり、半導体レーザ素子２００は、フェイスダウン実装用の素子として、例えば、第２電極４０が導電性部材を介してサブマウントに実装され、第１電極３０にワイヤが接続される。また、図２（ｃ）に示すように素子の中央付近に幅広の凸状部を有する第１電極３０であれば、マーク５０を光出射側端面Ａと光反射側端面Ｂのいずれにでも形成することができるため、マーク５０形成位置の変更が容易である。第１電極３０の凸状部をワイヤボンディングの目安とすることもできる。
【００４５】
［本発明の実施形態３に係る半導体レーザ素子３００］
図３は、本発明の実施形態３に係る半導体レーザ素子３００を示す模式図であり、（ａ）は半導体レーザ素子３００を斜めから見た図、（ｂ）は半導体レーザ素子３００を上から見た図、（ｃ）は半導体レーザ素子３００を下から見た図である。
【００４６】
図３に示すとおり、本発明の実施形態３に係る半導体レーザ素子３００は、基板１０の裏面に形成された第１電極３０の形状の点で、本発明の実施形態２に係る半導体レーザ素子２００と異なる。本発明の実施形態３に係る半導体レーザ素子３００によれば、本発明の実施形態２に係る半導体レーザ素子２００よりも基板１０の裏面に形成された第１電極３０の面積が大きくなる。このため、ワイヤを複数本接続することが可能であり、電流を拡散させやすく、放熱性を向上させることができる。
【００４７】
［製造方法］
図４は、本発明の実施形態１から３に係る半導体レーザ素子１００から３００の製造方法の一例を説明する模式図である。
【００４８】
図４に示すように、上述した本発明の実施形態１から３に係る半導体レーザ素子１００から３００は、例えば、基板１０と基板１０の表面に形成された半導体層２０とを有する半導体ウエハ４００を個片化して個々の半導体レーザ素子にする半導体レーザ素子の製造方法であって、基板１０の裏面に複数の第１電極３０を形成する第１電極形成工程と、半導体層２０の表面に複数の第２電極４０を形成する第２電極形成工程と、第１電極形成工程及び第２電極形成工程の前または後に、あるいは、第１電極形成工程及び第２電極形成工程の一方より後で他方よりも前に、第１電極３０及び第２電極４０のいずれか一方の電極が形成される面上において、一方の電極から離間した位置に配置されるよう、所定の情報を読み取り可能な金属材料からなるマーク５０を、一方の電極よりも小さい厚みで形成するマーク形成工程と、第１電極形成工程、第２電極形成工程、及びマーク形成工程の後に、マーク５０が各個片に含まれるよう半導体ウエハ４００を個片化する個片化工程と、を有する半導体レーザ素子の製造方法により製造することができる。
【００４９】
以下、順に説明する。
【００５０】
（第１電極形成工程、第２電極形成工程）
まず、図４（ａ）に示すように、基板１０と基板１０の表面に形成された半導体層２０とを有する半導体ウエハ４００を準備し、基板１０の裏面に複数の第１電極３０を形成するとともに、半導体層２０の表面に複数の第２電極４０を形成する。第２電極４０の形成後に第１電極３０を形成してもよく、その逆でもよい。
【００５１】
（マーク形成工程）
次に、図４（ｂ）に示すように、第１電極３０及び第２電極４０のいずれか一方の電極が形成される面上において、一方の電極から離間した位置に配置されるよう、所定の情報を読み取り可能な金属材料からなるマーク５０を、一方の電極の厚みＴ２、Ｔ３よりも小さい厚みＴ１で形成する（Ｔ１＜Ｔ２、あるいはＴ１＜Ｔ３）。なお、図４では、「一方の電極」を第２電極４０とした場合の一例を示している。また、図４（ｂ）では、一例として、複数のマーク５０を全て同じパターンとしたが、それぞれ異なるパターンとすることもできる。前述したようにマーク５０にウエハ内の位置情報を含ませる場合は、それぞれ異なるパターンとなる。
【００５２】
マーク形成工程は、第１電極形成工程と第２電極形成工程とにより第１電極３０と第２電極４０とを形成する前に行ってもよく、後に行ってもよい。
【００５３】
また、マーク形成工程は、第１電極形成工程より後で第２電極形成工程よりも前に、あるいは、第２電極形成工程より後で第１電極形成工程よりも前に、行ってもよい。すなわち、一方の電極の形成工程の後、マーク形成工程を挟んで、他方の電極の形成工程を行ってもよい。例えば、第２電極４０を形成後、マーク５０を形成し、最後に第１電極３０を形成することができる。
【００５４】
また、「一方の電極」が第２電極４０である場合は、マーク形成工程の前に、半導体層２０の表面における少なくとも第２電極４０が形成される領域以外に絶縁膜６０を形成することにより、マーク５０を半導体層２０の表面に絶縁膜６０を介して形成してもよい。
【００５５】
（個片化工程）
次に、第１電極形成工程、第２電極形成工程、及びマーク形成工程の後に、図４（ｂ）に示す分割予定線８０ａ，８０ｂで分割して、図４（ｃ）に示すように、マーク５０が各個片に含まれるよう半導体ウエハ４００を個片化する。
【００５６】
本発明の実施形態に係る半導体レーザ素子の製造方法によれば、マーク形成工程を第１電極形成工程や第２電極形成工程とは別の工程とすることで、第１電極３０や第２電極４０とは異なる膜厚や材料でマーク５０を形成することが容易であるため、本発明の実施形態１から３に係る半導体レーザ素子１００から３００を効率的に製造することができる。
【００５７】
以上、本発明の実施形態について説明したが、これらの説明は、本発明の一例に関するものであり、本発明は、これらの説明によって何ら限定されるものではない。
【符号の説明】
【００５８】
１０    基板
２０    半導体層
２１    ｎ型層
２２    発光層
２３    ｐ型層
２３ａ  リッジ
３０    第１電極
４０    第２電極
５０    マーク
６０    絶縁膜
７０    コンタクト電極
８０ａ  分割予定線
８０ｂ  分割予定線
１００  半導体レーザ素子
２００  半導体レーザ素子
３００  半導体レーザ素子
４００  半導体ウエハ
Ａ      光出射側端面
Ｂ      光反射側端面
Ｌ      光導波路の延伸方向
Ｔ１    マークの厚み
Ｔ２    第１電極の厚み
Ｔ３    第２電極の厚み
Ｗ      半導体層の幅
Ｘ      段差  
【図１】
2015070236.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
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