(57)【要約】      （修正有）【課題】キャパシタンス面積を軽減しつつ、キャパシタンス容量を保持する。【解決手段】ガラスベースに順次設定された多結晶シリコン層、第一絶縁層、第一金属層、第二絶縁層、第二金属層及び第三絶縁層が含まれる。第一金属層と第二金属層は相互平行で、第一キャパシタンスを形成し、第三絶縁層に第三金属層を形成し、第三金属層と第二金属層が相互平行で第二キャパシタンスを形成する。第二絶縁層と第三絶縁層が第一金属層と第三金属層に対照する位置にコンタクトホールを形成し、第二金属層はコンタクトホールを回避するスペースを形成し、第三金属層と第一金属層はコンタクトホール経由で接続、伝導し、第一キャパシタンスと第二キャパシタンスの並列接続を形成する。第一キャパシタンスに第三金属層を一つ追加することにより、それと第二金属層が第二キャパシタンスを形成し、コンタクトホールで第二キャパシタンスと第一キャパシタンスを並列接続する。【選択図】図４
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
ガラスベースに順次に設定された多結晶シリコン層を一つ、第一絶縁層を一つ、第一金属層を一つ、第二絶縁層を一つ、第二金属層を一つ、及び第三絶縁層を一つで構成し、前記第一金属層と前記第二金属層は相互平行で、第一キャパシタンスを一つ形成し、前記第三絶縁層に第三金属層が一つあり、前記第三金属層と前記第二金属層が相互平行で、第二キャパシタンスを一つ形成し、前記第二絶縁層と前記第三絶縁層が前記第一金属層と前記第三金属層に対照する位置にコンタクトホールを形成し、前記第二金属層は前記コンタクトホールの回避スペースを形成し、前記第三金属層と前記第一金属層は前記コンタクトホールにて接触し伝動するため、前記第一キャパシタンスと前記第二キャパシタンスの並列接続を形成することを特徴とする一種の有機発光ダイオードストレージキャパシタ構造。
【請求項２】
前記回避スペースの面積が前記コンタクトホールの面積より大きく、また、前記第三絶縁層の材料堆積は、前記回避スペースとコンタクトホールの間に充填されたことを特徴とする請求項１に記載の一種の有機発光ダイオードストレージキャパシタ構造。
【請求項３】
ガラスベースに多結晶シリコン層を一つ、第一絶縁層を一つ、第一金属層を一つ、第二絶縁層を一つ、第二金属層を一つ及び第三絶縁層を一つを順次に制作し、前記第一金属層と前記第二金属層が相互平行で第一キャパシタンスを一つ形成し、
前記第二金属層を制作する時、回避スペースを一つ形成し、前記第二金属層に前記第三絶縁層を制作し、また、前記第三絶縁層の材料は前記回避スペースに堆積し、
前記第二絶縁層と前記第三絶縁層が前記第一金属層と回避スペースに対照する位置でコンタクトホールを形成し、
前記第三絶縁層に第三金属層を一つ制作し、前記第三金属層と前記第二金属層が相互平行で、第二キャパシタンスを一つ形成し、また、前記コンタクトホールを通じ、前記第三金属層と前記第一金属層を接触、伝道させ、前記第一キャパシタンスと前記第二キャパシタンスの並列接続を形成する一種の有機発光ダイオードストレージキャパシタ構造の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、一種のＡＭＯＬＥＤバックプレーンの画素レイアウト技術、特に、一種の有機発光ダイオードストレージキャパシタ構造及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
現在、ＡＭＯＬＥＤバックプレーンの画素レイアウトの面積を一番大きく占めるのがストレージキャパシタンスである。図１と図２が示すとおり、ストレージキャパシタンスは上下二層の平行金属層２１及び２２で構成している。金属層の面積が大きいほど、キャパシタンスが大きく、ストレージ容量が大きい。ストレージキャパシタンスの面積を縮小できれば、ピクセルパネルの面積を大幅に縮小できるため、正確な画素補間（Ｐｒｅｃｉｓｅ  Ｐｉｘｅｌ  Ｉｎｔｅｒｐｏｌａｔｉｏｎ、略称ＰＰＩ）需求の需要を満足できる。但し、ストレージキャパシタンス面積が縮小されれば、キャパシタンスのストレージ容量も小さくなり、画素回路の駆動能力に影響を与える。
【０００３】
ＡＭＯＬＥＤ製品解像度の向上に伴い、画面品質要求が向上し、画素サイズが益々小さくなり、画素回路がますます複雑になる。ストレージキャパシタンス平面面積が縮小する同時に、キャパシタンス容量を維持、電気的要求を保持することが、キーとなる技術研究方向である。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
本発明は、キャパシタンス容量に変更が起こらない前提で、キャパシタンスの平面面積を縮小し、画素品質を改善する有機発光ダイオードストレージキャパシタ構造を実現するという技術問題を解決する。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
前記課題を解決するために、本発明は、一種の有機発光ダイオードストレージキャパシタ構造を公開した。前記構造は、ガラスベースに順次設定された多結晶シリコン層一つ、第一絶縁層一つ、第一金属層一つ、第二絶縁層一つ、第二金属層一つ及び第三絶縁層一つで構成している、前記第一金属層と前記第二金属層は相互平行で、第一キャパシタンス一つを形成した。その中、前記第三絶縁層に第三金属層が一つ設定された、前記第三金属層と前記第二金属層が相互平行で、第二キャパシタンスを一つ形成した、前記第二絶縁層と前記第三絶縁層が前記第一金属層と前記第三金属層と対照する位置にコンタクトホールが形成した、前記第二金属層が前記コンタクトホールを回避する回避スペースを形成した、前記第三金属層と前記第一金属層は前記コンタクトホールで接触、伝導するため、前記第一キャパシタンスと前記第二キャパシタンスの並列接続を形成する。
【発明の効果】
【０００６】
本発明は、前記技術案を採用するため、下記の有益な効果を有する。立体空間の第一金属層と第二金属層で構成した第一キャパシタンスに第三金属層を一つ追加することにより、それと第二金属層で第二キャパシタンスを一つ構成し、次は、コンタクトホールにて第一金属層と第三金属層を接触、伝導させ、第二キャパシタンスと第一キャパシタンスが、相互並列接続する二つのキャパシタンス構造を構成している。これにより、ストレージキャパシタンスの平面面積を軽減する同時に、キャパシタンスの容量を保持し、画素回路の駆動能力に影響を与えない。
【０００７】
本発明による一層の改善は以下とおりである。前記回避スペースの面積が前記コンタクトホールの面積より大きい。また、前記第三絶縁層の材料が前記回避スペースとコンタクトホールの間に堆積、充填されている。第二金属層を制作する時、コンタクトホールの対照位置を回避する必要がある。また、回避範囲はコンタクトホールより大きいため、第三絶縁層は堆積するようになり、コンタクトホールエッチングが終わった後、第二金属層の側壁に一定の第三絶縁層材料を留保し、第三金属層が堆積する時、コンタクトホールに流れ込んで、側面の第二金属層に接触するこを避ける。
【０００８】
本発明は、また、一種の有機発光ダイオードストレージキャパシタ構造の製造方法を公開した。ガラスベースに多結晶シリコン層一つ、第一絶縁層一つ、第一金属層一つ、第二絶縁層一つ、第二金属層一つ及び第三絶縁層一つを順次に形成し、前記第一金属層と前記第二金属層が相互平行で、第一キャパシタンスを一つ形成する。その中、前記第二金属層を形成する時、一つの回避スペースを形成し、前記第二金属層に前記第三絶縁層を形成する。また、前記第三絶縁層の材料を前記回避スペースに堆積させる。
【０００９】
前記第二絶縁層と前記第三絶縁層が前記第一金属層と回避スペースに対称する位置でコンタクトホールを形成する。
【００１０】
前記第三絶縁層に第三金属層を一つ形成し、前記第三金属層と前記第二金属層が相互平行で、第二キャパシタンスを一つ形成する。また、前記コンタクトホールにて、前記第三金属層と前記第一金属層を接触、伝導させるため、前記第一キャパシタンスと前記第二キャパシタンスの並列接続を形成する。
【図面の簡単な説明】
【００１１】
【図１】図１は、既存ストレージキャパシタ構造のイメージである。
【図２】図２は、図１の局部断面図である。
【図３】図３は、本発明の有機発光ダイオードストレージキャパシタ構造のイメージである。
【図４】図４は、図３の局部断面図である。
【図５】図５は、本発明の有機発光ダイオードストレージキャパシタ構造の局部回路図である。
【発明を実施するための形態】
【００１２】
次は、図と具体実施方式で、本発明をより詳しく説明する。
【００１３】
本発明は、一種の有機発光ダイオードストレージキャパシタ構造を公開した。図３〜図５が示すとおり、ガラスベース１１に多結晶シリコン層１２が一つ、第一絶縁層１３が一つ、第一金属層１４が一つ、第二絶縁層１５が一つ、第二金属層１６が一つと第三絶縁層１７が一つ、順次に設定された。第一金属層１４と第二金属層１６が相互平行で、第一キャパシタンスＣ１を一つ形成した。
【００１４】
第三絶縁層１７に第三金属層１８が一つあり、第三金属層１８と第二金属層１６が相互平行で第二キャパシタンスＣ２を一つ形成している。第二絶縁層１５と第三絶縁層１７が第一金属層１４及び第三金属層１８に対称する位置にコンタクトホール１９が形成され、第二金属層１６は、コンタクトホール１９を回避する回避スペース１９０を形成した。回避スペース１９０の面積がコンタクトホール１９の面積より大きく、また、第三絶縁層１７の材料が回避スペース１９０とコンタクトホール１９の間に堆積、充填され、コンタクトホール１９のエッチングが終わった後、第二金属層１６の側壁に一定の第三絶縁層１７の材料を残し、第三金属層１８が堆積する時、コンタクトホール１９に流れ込んで、側面第二金属層１６に接触することを回避する。第三金属層１８はコンタクトホール１９にて、第一金属層１４に直接に接触、伝導する、第一キャパシタンスＣ１と第二キャパシタンスＣ２が並列接続する構造を構成した。
【００１５】
本発明の有機発光ダイオードストレージキャパシタ構造の製造方法は主に下記工程が含まれる。
【００１６】
ガラスベース１１に多結晶シリコン層１２を堆積する、多結晶シリコン層１２に第一絶縁層１３を形成する、第一絶縁層１３に第一金属層１４を形成し、エッチングを行う。第一金属層１４に第二絶縁層１５を再形成し、第二絶縁層１５に第二金属層１６を再形成し、エッチングを行う。第一金属層１４と第二金属層１６が相互平行で、第一キャパシタンスＣ１を形成する、第二金属層１６を形成する時、第二金属層１６にエッチングを行い、回避スペース１９０を形成する、第二金属層１６に第三絶縁層１７を堆積し、第三絶縁層１７の材料を回避スペース１９０の内側に堆積させ、第二金属層１６の側壁に一定の第三絶縁層１７の材料を残す。
【００１７】
次は、第二絶縁層１５と第三絶縁層１７が第一金属層１４と回避スペース１９０に対称する位置にコンタクトホール１９を形成する。
【００１８】
第三絶縁層１７に第三金属層１８を一つ堆積し、エッチングを行い、第三金属層１８と第二金属層１６が相互平行で、第二キャパシタンスＣ２を一つ形成し、コンタクトホール１９にて第三金属層１８と第一金属層１４を接触、伝導させる。第一キャパシタンスＣ１と第二キャパシタンスＣ２が並列接続する構造を構成する。
【００１９】
本発明の有機発光ダイオードストレージキャパシタ構造は、立体空間の第一金属層１４と第二金属層１６で構成した第一キャパシタンスＣ１に第三金属層１８を一つ追加することにより、それと第二金属層１６で第二キャパシタンスＣ２を一つ構成し、次は、コンタクトホール１９にて第一金属層１４と第三金属層１８を接触、伝導させ、第二キャパシタンスＣ２と第一キャパシタンスＣ１が、相互並列接続する二つのキャパシタンス構造を構成している。これより、ストレージキャパシタンスの平面面積を軽減する同時に、キャパシタンスの容量を保持し、画素回路の駆動能力に影響を与えない。
【００２０】
以上は、図と実施例で本発明を詳しく説明したが、本分野の普通の技術者は前記説明に基づき、本発明の各種の変化例を作り出せる。そのため、実施例のある細部は、本発明の限定とならない。本発明は附録とする権利要求書で陳述した範囲を本発明の保護範囲にする。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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