(57)【要約】【課題】ピンド層の磁化の方位ばらつきに起因する外部磁場の検出精度の低下を軽減することができる。【解決手段】磁気センサ１は、ピンド層と、フリー層と、を含む積層をそれぞれ有する第１の磁気抵抗効果素子１０ａ及び第２の磁気抵抗効果素子１０ｂを備え、第１の磁気抵抗効果素子１０ａは、外部磁場がない場合におけるフリー層の磁化の方位が特定方位（＋Ｙの方位）を向いており、第２の磁気抵抗効果素子１０ｂは、第１の磁気抵抗効果素子１０ａに隣接して配されるとともに、外部磁場がない場合におけるフリー層の磁化の方位が、上記特定方位と逆方向の成分を有する方位（‐Ｙの方位）を向いている。【選択図】図１
2015095630.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
磁化の方位が固定されたピンド層と、磁化の方位が外部磁場に応じて変化するフリー層と、を含む積層をそれぞれ有する第１の磁気抵抗効果素子及び第２の磁気抵抗効果素子を備えた磁気センサであって、
前記第１の磁気抵抗効果素子は、前記外部磁場がない場合におけるフリー層の磁化の方位が特定方位を向いており、
前記第２の磁気抵抗効果素子は、前記第１の磁気抵抗効果素子に隣接して配されるとともに、前記外部磁場がない場合における前記フリー層の磁化の方位が、前記特定方位と逆方向の成分を有する方位を向いている
ことを特徴とする磁気センサ。
【請求項２】
前記第１の磁気抵抗効果素子と、前記第２の磁気抵抗効果素子と、が直列接続されている
ことを特徴とする請求項１に記載の磁気センサ。
【請求項３】
前記第１の磁気抵抗効果素子が有するフリー層の磁化の方位を、前記特定方位に初期化するとともに、前記第２の磁気抵抗効果素子が有するフリー層の磁化の方位を、前記特定方位と逆方向の成分を有する方位に初期化する初期化手段を
備えることを特徴とする請求項１または請求項２に記載の磁気センサ。
【請求項４】
前記初期化手段は、
通電により、前記第１の磁気抵抗効果素子に対して前記特定方位の磁場を発生させるとともに、前記第２の磁気抵抗効果素子に対して前記特定方位と逆方向の成分を有する方位の磁場を発生させるコイルである
ことを特徴とする請求項３に記載の磁気センサ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、磁気抵抗効果素子を用いた磁気センサに関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、磁気センサに使用される素子として、巨大磁気抵抗効果素子（ＧＭＲ（Giant Magneto Resistive effect）素子）が知られている。この磁気抵抗効果素子は、磁化の向きが所定の方位に固定（ピン）されたピンド層と、磁化の向きが外部磁場に応じて変化するフリー層とを備え、ピンド層の磁化の向きと、フリー層の磁化の向きとの相対関係に応じた抵抗値を示す。
【０００３】
このような磁気抵抗効果素子を用いた磁気センサに関連する技術として、強い磁界が加わった場合におけるオフセットの動きを抑制し、高い磁場耐性を向上させる磁気センサが考案されている（特許文献１参照）。
【０００４】
なお、上述した磁気センサは、ブリッジ回路をなす複数の磁気抵抗効果素子で構成されるのが一般的である。このような磁気センサは、自身を構成する全ての磁気抵抗効果素子におけるピンド層の磁化の向きが、設計時において所望する特定の方位を向いていることを前提として、外部磁場の方位を特定するものである。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２００４−１９３５４０号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかしながら、磁気センサの実際の製造工程において、全ての磁気抵抗効果素子におけるピンド層の磁化の向きを、設計時において所望する方位と完全に一致するように製造することは困難である。具体的には、同一基板上に生成される複数の磁気抵抗効果素子のピンド層の磁化の向きは、例えば、製造工程における面内ばらつきに起因して、所望する特定の方位から一定の誤差を含んでばらついたものとなる。
そうすると、複数の磁気抵抗効果素子からなる磁気センサは、当該複数の磁気抵抗効果素子におけるピンド層の磁化の方位ばらつきにより一定のオフセットを含有した特性を示し、外部磁場の検出精度が低下するという問題があった。
【０００７】
本発明は、上述の問題に鑑みてなされたものであって、製造工程時におけるピンド層の磁化の方位ばらつきに起因する外部磁場の検出精度の低下を軽減することができる磁気センサを提供することを目的としている。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明は、上述の課題を解決すべくなされたもので、磁化の方位が固定されたピンド層と、磁化の方位が外部磁場に応じて変化するフリー層と、を含む積層をそれぞれ有する第１の磁気抵抗効果素子及び第２の磁気抵抗効果素子を備えた磁気センサであって、前記第１の磁気抵抗効果素子は、前記外部磁場がない場合におけるフリー層の磁化の方位が特定方位を向いており、前記第２の磁気抵抗効果素子は、前記第１の磁気抵抗効果素子に隣接して配されるとともに、前記外部磁場がない場合における前記フリー層の磁化の方位が、前記特定方位と逆方向の成分を有する方位を向いていることを特徴とする磁気センサである。
本発明によれば、第１の磁気抵抗効果素子と、第２の磁気抵抗効果素子と、のピンド層の磁化の方位が所望する方位からずれていた場合であっても、第１の磁気抵抗効果素子が検出する外部磁場と、第２の磁気抵抗効果素子が検出する外部磁場と、を加算することで、上記ずれに起因する計測誤差をキャンセルすることができる。
【０００９】
また本発明は、上述の磁気センサにおいて、さらに、前記第１の磁気抵抗効果素子が有するフリー層の磁化の方位を、前記特定方位に初期化するとともに、前記第２の磁気抵抗効果素子が有するフリー層の磁化の方位を、前記特定方位と逆方向の成分を有する方位に初期化する初期化手段を備えることを特徴とする。
本発明によれば、第１の磁気抵抗効果素子及び第２の磁気抵抗効果素子が直列に接続されているので、それぞれが検出する外部磁場の和を、第１の磁気抵抗効果素子と、第２の磁気抵抗効果素子と、を直列接続した素子全体の抵抗値の変化成分として、直接的に取得することができる。
【００１０】
また本発明は、上述の磁気センサにおいて、前記初期化手段が、通電により、前記第１の磁気抵抗効果素子に対して前記特定方位の磁場を発生させるとともに、前記第２の磁気抵抗効果素子に対して前記特定方位と逆方向の成分を有する方位の磁場を発生させるコイルであることを特徴とする。
本発明によれば、第１の磁気抵抗効果素子及び第２の磁気抵抗効果素子のフリー層の磁化の方位が互いに逆方向を向くように、任意のタイミングで初期化することができる。
【発明の効果】
【００１１】
本発明によれば、ピンド層の磁化の方位ばらつきに起因する外部磁場の検出精度の低下を軽減することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１２】
【図１】第１の実施形態に係る磁気センサの構造を示す第１の図である。
【図２】第１の実施形態に係る磁気センサの構造を示す第２の図である。
【図３】第１の実施形態に係る磁気センサの動作原理を説明する図である。
【図４】第１の実施形態に係る初期化手段の例を示す図である。
【図５】第１の実施形態に係る磁気センサの効果を説明する第１の図である。
【図６】第１の実施形態に係る磁気センサの効果を説明する第２の図である。
【発明を実施するための形態】
【００１３】
以下、第１の実施形態に係る磁気センサを、図面を参照して説明する。
図１、図２は、第１の実施形態に係る磁気センサの構造を示す第１の図、第２の図である。これらの図において、符号１は磁気センサである。
図１は、磁気センサ１を上面から平面視した場合の模式図であり、図２は、図１におけるＡ−Ａ’の断面模式図である。
【００１４】
図１、図２に示すように、磁気センサ１は、磁気抵抗効果素子１０ａ（第１の磁気抵抗効果素子）、磁気抵抗効果素子１０ｂ（第２の磁気抵抗効果素子）と、配線層１１０、１１１、１１２を備えている。
図１に示すように、磁気抵抗効果素子１０ａ、１０ｂは、平面視で長方形を成し、その長手方向が±Ｙの方位に沿うように配される。そして、磁気抵抗効果素子１０ａと磁気抵抗効果素子１０ｂは、配線層１１１を介して電気的に直列接続される。また、配線層１１０、１１２には、図示しない定電圧源の正極または負極等が接続される。この定電圧源による所定の電圧（例えば＋５Ｖ）の印加に応じて、例えば、配線層１１０から磁気抵抗効果素子１０ａ、１０ｂを介して配線層１１２へと電流が流れる。
【００１５】
図２に示すように、磁気抵抗効果素子１０ａは、反強磁性材料からなるピニング層１００ａ、ピニング層１００ａにより磁化の向きが固定されたピンド層１０１ａ、非磁性材料からなるスペーサ層１０２ａ、および、磁化の向きが外部磁場に応じて変化するフリー層１０３ａ、を含む積層を有して、スピンバルブ構造をなしている。
同様に、磁気抵抗効果素子１０ｂは、ピニング層１００ｂ、ピンド層１０１ｂ、スペーサ層１０２ｂおよびフリー層１０３ｂを含む積層を有して、スピンバルブ構造をなしている。
このスピンバルブ構造により、磁気センサ１は、外部磁場に応じて配線層１１０と配線層１１２間の抵抗値が変化し、外部磁場を検出することができる。
なお、図１、図２に示した磁気抵抗効果素子１０ａ、磁気抵抗効果素子１０ｂの構造は一例であって、その構造は、スピンバルブの機能を発揮できる限度において適宜変更可能である。例えば、フリー層１０３ａ、１０３ｂと、ピンド層１０１ａ、１０１ｂ及びピニング層１００ａ、１００ｂの成膜順序は入れ替え可能であり、さらに、磁気抵抗効果素子としての特性改善のため、上記以外の層が挿入されていてもよい。
また、磁気抵抗効果素子１０ａ、１０ｂの製造プロセスについては、従来の成膜・パターニング技術を適用可能であるため、詳細な説明を省略する。
【００１６】
また、磁気センサ１は、磁気抵抗効果素子１０ａ、１０ｂのピンド層１０１ａ、１０１ｂの磁化の向きが同一の所定の方位（＋Ｘの方位）を向いて固定されるように作製される（図１）。具体的には、ピンド層１０１ａ、１０１ｂの向きが＋Ｘの方位を向くように、ピニング層１００ａ、１００ｂの製造工程条件を決定する。
ここで、図１に示したピンド層１０１ａ、１０１ｂの磁化の向きは、製作者が設計時において所望する理想的な方位を示すものであって、後述するように、実際の製造工程を経て作製されたピンド層１０１ａ、１０１ｂの磁化の向きは、一定の方位ばらつきを有するものとなる。
【００１７】
また、磁気センサ１は、外部磁場が存在しない状態（以下、「初期状態」とも記載する。）において、フリー層１０３ａの磁化の向きが特定方位（＋Ｙの方位）を向くとともに、フリー層１０３ｂの磁化の向きが、特定方位と逆方向の成分を有する方位（−Ｙの方位）を向くように初期化される。この初期化を行う初期化手段については後述する。
なお、磁気抵抗効果素子１０ａ、１０ｂは、一般的な磁気抵抗効果素子と同様、平面視で長方形に成形することで、形状異方性を利用して、初期化処理（後述）直後の初期状態におけるフリー層１０３ａ、１０３ｂの磁化の向きが、その長手方向（＋Ｙまたは−Ｙの方位）に揃うようにしている（図１）。
【００１８】
図３は、第１の実施形態に係る磁気センサの動作原理を説明する図である。
以上のような構成を有する磁気センサ１は、±Ｘの方位を向く外部磁場Ｈが印加された場合に、フリー層１０３ａ、１０３ｂの磁化の向きが、当該外部磁場Ｈの強度に応じて変化する。
例えば、図３（ａ）に示すように、初期状態において、フリー層１０３ａ、１０３ｂの磁化の向きは、それぞれ＋Ｙ、−Ｙの方位を向いている。この状態において、フリー層１０３ａ、１０３ｂの磁化の向きと、ピンド層１０１ａ、１０１ｂの磁化の向きとのなす角度は共に“θ”（＝９０°）となっており、また、このときの磁気センサ１の電気的な抵抗値は“Ｒ”である。
【００１９】
この初期状態から、図３（ｂ）に示すような＋Ｘの方位を向く外部磁場Ｈが印加されると、フリー層１０３ａ、１０３ｂの磁化の向きは、外部磁場Ｈの影響により共に＋Ｘに傾いて、ピンド層１０１ａ、１０１ｂの磁化の向きとのなす角度がθからθ’に変化する。そうすると、上記角度がθからθ’に変化したことに対応して、磁気センサ１の電気的な抵抗値は、ＲからＲ’へと変化する。
なお、磁気センサ１は、磁気抵抗効果素子１０ａ、１０ｂに接続される計測処理部（図示せず）を別途備えている。計測処理部は、磁気抵抗効果素子１０ａ、１０ｂにおけるそれぞれの抵抗値の変化（ＲからＲ’への変化量ΔＲ）を、例えばＡ／Ｄ（Analog/Digital）変換部電圧を介した電圧の変化で読み取ることで、＋Ｘの方位を向く外部磁場Ｈの強度を特定する処理を行う。
【００２０】
図４は、第１の実施形態に係る初期化手段の例を示す図である。
次に、図４を参照しながら、磁気センサ１の初期化手段について説明する。
本実施形態に係る磁気センサ１は、フリー層１０３ａ、１０３ｂの初期化手段として、図４に示すようなコイル３０ａ、３０ｂを備えている。具体的には、コイル３０ａ、３０ｂは、図４に示すように、磁気抵抗効果素子１０ａ、１０ｂの下層に埋設され、導電性を有する層により形成される。
【００２１】
ここで、フリー層１０３ａ、１０３ｂの磁化の向きの変位量が、外部磁場Ｈに対して安定的な線形性を有するためには、初期状態における磁化の向きが安定して、それぞれ＋Ｙ、−Ｙの方位（図１に示す方位）を向いている必要がある。
したがって、磁気センサ１は、フリー層１０３ａ、１０３ｂの外部磁場Ｈに対する線形性を確保して高精度な磁場検出を可能とするため、定期的にコイル３０ａ、３０ｂに電流Ｉを流し、フリー層１０３ａ、１０３ｂの磁化の向きを初期化する処理を行う。
【００２２】
具体的には、磁気センサ１は、コイル３０ａ、３０ｂそれぞれの両端子に接続された図示しない初期化処理部を備えている。そしてこの初期化処理部が、初期化処理として、コイル３０ａ、３０ｂに、図４に示す方向に所定の電流Ｉを通電し、磁気抵抗効果素子１０ａに対して特定方位（＋Ｙの方位）を向く磁場Ｈａ（図４）を発生させるとともに、磁気抵抗効果素子１０ｂに対して特定方位と逆方向の成分を有する方位（−Ｙの方位）を向く磁場Ｈｂ（図４）を発生させる。
初期化処理部による初期化処理後（電流Ｉの印加を停止した後）は、フリー層１０３ａ、１０３ｂの磁化の向きは、その形状異方性により、それぞれ、その長手方向に沿った＋Ｙまたは−Ｙの方位に固定されて安定する。
【００２３】
なお、上記初期化手段は、図４に示すようなコイル３０ａ、３０ｂの態様に限定されない。例えば、コイル３０ａ、３０ｂは、磁気抵抗効果素子１０ａ、１０ｂの下層ではなく上層に設置されるものであってもよい。また、初期化手段は、磁気抵抗効果素子１０ａに対して＋Ｙの方位を向く磁場Ｈａを発生させるとともに、磁気抵抗効果素子１０ｂに対して−Ｙの方位を向く磁場Ｈｂを発生させる単一のコイルで構成されるものであってもよい。
その他、初期化手段は、フリー層１０３ａ、１０３ｂの磁化の向きを、互いに逆の方向成分を有する方位へ揃えることが可能な態様であれば、いかなる態様であってもよい。
【００２４】
図５、図６は、第１の実施形態に係る磁気センサの効果を説明する第１の図、第２の図である。
次に、本実施形態に係る磁気センサ１の構成に基づく効果について、図５、図６を参照しながら説明する。
図５は、本実施形態に係る磁気センサ１の対比として、単一の磁気抵抗効果素子９０からなる磁気センサ９の特性を説明する図である。なお、磁気抵抗効果素子９０の構造は、本実施形態に係る磁気抵抗効果素子１０ａまたは磁気抵抗効果素子１０ｂと同一の構造を有している（図１、図２）。
図５（ａ）に示すように、磁気抵抗効果素子９０からなる磁気センサ９は、固定されたピンド層９０１の磁化の向き（＋Ｘの方位）と、外部磁場Ｈにより方位が変化するフリー層９０３の磁化の向きと、の成す角度θに応じて抵抗値が変化する。磁気センサ９は、この抵抗値の変化量ΔＲを読み取って、これに応じた外部磁場Ｈの強度を算出する。
具体的には、磁気センサ９における角度θに応じた抵抗値の変化量ΔＲ［Ω］は、所定の係数Ｒ０［Ω］を用いて、式（１）で表される。
【００２５】
【数１】
2015095630.tif 000003
【００２６】
つまり、式（１）に示す通り、磁気センサ９の抵抗値の変化量ΔＲは、ｃｏｓθに比例して増減する。
【００２７】
ここで、図５（ｂ）に示すように、製造ばらつきにより、ピンド層９０１の磁化の向きが、設計段階で想定していた方位（＋Ｘの方位）よりも−Ｙに角度αだけずれて固定された磁気抵抗効果素子９０が作製された場合を考える。
図５（ｂ）に示す磁気センサ９の場合、ピンド層９０１とフリー層９０３の磁化の向きの成す角度は、初期状態において、角度θ（＝９０°）に加え、さらに＋αの角度がついている。
【００２８】
具体的には、ピンド層９０１の磁化の向きに角度αの誤差を生じた磁気抵抗効果素子９０（図５（ｂ））における角度θに応じた抵抗値の変化量ΔＲ［Ω］は、式（２）で表される。
【００２９】
【数２】
2015095630.tif 000004
【００３０】
そうすると、磁気センサ９は、実際には外部磁場Ｈが存在しない状態（θ＝９０°）にもかかわらず、角度αに応じた外部磁場Ｈの存在を検出してしまい、外部磁場Ｈの検出量にオフセットが生じることとなる。
このように、単一の磁気抵抗効果素子９０で構成される磁気センサ９は、製造される個体によって、ピンド層９０１の磁化の向きが図５（ａ）、（ｂ）のようにばらついた場合、これに起因して生じる固有のオフセットにより、外部磁場Ｈの検出精度が低下するという問題を有している。
【００３１】
一方、図６は、本実施形態に係る磁気センサ１の特性を説明する図である。
図６（ａ）に示すように、磁気抵抗効果素子１０ａ、１０ｂからなる磁気センサ１は、固定されたピンド層１０１ａ、１０１ｂの磁化の向き（＋Ｘの方位）と、外部磁場Ｈにより方位が変化するフリー層１０３ａ、１０３ｂの磁化の向きと、の成す角度θに応じて抵抗値が変化する（図３参照）。磁気センサ１は、この抵抗値の変化量ΔＲを読み取って、これに応じた外部磁場Ｈの強度を算出する。
具体的には、磁気センサ１における角度θに応じた抵抗値の変化量ΔＲ［Ω］は、磁気抵抗効果素子１０ａにおける抵抗値の変化量ΔＲａと、磁気抵抗効果素子１０ｂにおける抵抗値の変化量ΔＲｂとの和で求められる。
【００３２】
ここで、上述した磁気センサ９と同様に、図６（ｂ）に示すように、製造ばらつきにより、ピンド層１０１ａ、１０１ｂの磁化の向きが、設計段階で想定していた方位（＋Ｘの方位）よりも−Ｙに角度αだけずれて固定された磁気センサ１が作製された場合を考える。
なお、ピンド層の磁化の向きに誤差が生じる要因としては、製造工程時におけるピニング層の特性の面内ばらつきが主要であるため、隣接して配されるピンド層１０１ａ、１０１ｂ間に生じる磁化の方位ばらつきは無視できるほど小さい。したがって、図６（ｂ）のように、製造ばらつきを含んだ磁気センサ１におけるピンド層１０１ａ、１０１ｂの磁化の向きは、共に同じ角度αだけずれたものとなる。
【００３３】
図６（ｂ）に示す磁気センサ１の場合、磁気抵抗効果素子１０ａにおけるピンド層１０１ａとフリー層１０３ａの磁化の向きの成す角度は、初期状態において、角度θ（９０°）＋αとなっている。一方、磁気抵抗効果素子１０ｂにおけるピンド層１０１ｂとフリー層１０３ｂの磁化の向きの成す角度は、初期状態において、角度θ（９０°）−αとなる。
したがって、ピンド層１０１ａ、１０１ｂの磁化の向きに角度αの誤差を生じた磁気センサ１（図６（ｂ））における、角度θに応じた磁気抵抗効果素子１０ａ、１０ｂそれぞれの抵抗値の変化量ΔＲａ、ΔＲｂ［Ω］は、式（３）で表される。
【００３４】
【数３】
2015095630.tif 000005
【００３５】
そして、磁気センサ１全体としての抵抗値の変化量ΔＲは、式（４）のように表される。
【００３６】
【数４】
2015095630.tif 000006
【００３７】
式（４）に示すように、磁気センサ１の抵抗値の変化量ΔＲは、ｃｏｓθのみに比例して増減することとなり、誤差角度αによるオフセット成分が消去される。したがって、磁気センサ１の抵抗値は、製造ばらつきにより生じる誤差角度αに依存せず、印加される外部磁場Ｈに応じて変化する角度θのみに依存して変化する。
【００３８】
以上、第１の実施形態に係る磁気センサ１によれば、ピンド層の磁化の方位ばらつきに起因する外部磁場の検出精度の低下を軽減することができる。
【００３９】
なお、上述した第１の実施形態に係る磁気センサ１は、二つの磁気抵抗効果素子１０ａ、１０ｂの長手方向が±Ｙの方位に沿って隣接して配される構造としているが、他の実施形態に係る磁気センサ１は、この態様に限定されない。
例えば磁気センサ１は、平面視で、磁気抵抗効果素子１０ａの長手方向に対し、磁気抵抗効果素子１０ｂの長手方向が斜めに配される構造であってもよい。このような場合であっても、初期状態におけるフリー層１０３ｂの磁化の向きが、フリー層１０３ａの磁化の向き（＋Ｙの方位）に対する逆方向（−Ｙの方位）の成分を有していれば、ピンド層１０１ａ、１０１ｂの磁化の方位ばらつきに起因する外部磁場の検出精度の低下を軽減する効果を得ることができる。また、磁気センサ１の磁気抵抗効果素子１０ａ、１０ｂは、長手方向に隣接して配される態様のみならず、短辺方向に隣接して配されるものであってもよい。
【００４０】
また、他の実施形態に係る磁気センサ１は、一対の磁気抵抗効果素子１０ａ、１０ｂを複数組み合わせて構成されるものであってもよい。例えば、磁気センサ１は、複数の磁気抵抗効果素子１０ａ、１０ｂの対を組み合わせたブリッジ回路で構成されてもよい。
また、磁気センサ１は、例えば一対の磁気抵抗効果素子１０ａ、１０ｂをメアンダ状に接続して外部磁場の検出感度を向上させたものであってもよい。
【００４１】
また、上述の実施形態に係る初期化手段は、磁気抵抗効果素子１０ａ、１０ｂに対して逆方向に磁場を発生させるコイル３０ａ、３０ｂであると説明したが、他の実施形態に係る初期化手段は、これに限定されない。例えば、初期化手段は、磁気抵抗効果素子１０ａ、１０ｂと異なる層に埋設された永久磁石であってもよい。
【００４２】
さらに、上述した磁気センサ１は、磁気抵抗効果素子１０ａ、１０ｂが配線層１１１を介して直列に接続されており、それぞれの抵抗値の変化成分ΔＲ１、ΔＲ２が合成された変化成分を、配線層１１０、１１２間の電圧変化を直接的に読み取ることで外部磁場の強度を算出するものとして説明した。
しかし、他の実施形態に係る磁気センサ１は、例えば、磁気抵抗効果素子１０ａ、１０ｂのそれぞれに接続された計測処理部が、磁気抵抗効果素子１０ａにおける抵抗値変化成分ΔＲ１と、磁気抵抗効果素子１０ｂにおける抵抗値変化成分ΔＲ２と、をそれぞれ別個に取得する態様であってもよい。この場合において、上記計測処理部は、取得したΔＲ１、ΔＲ２に基づいて論理演算により、ΔＲ１とΔＲ２の合算値（平均値）に基づく外部磁場の強度を算出する。
【００４３】
以上、本発明のいくつかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これら実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これら実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれると同様に、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれるものとする。
【符号の説明】
【００４４】
１・・・磁気センサ  １０ａ、１０ｂ・・・磁気抵抗効果素子  １００ａ、１００ｂ・・・ピニング層  １０１ａ、１０１ｂ・・・ピンド層  １０２ａ、１０２ｂ・・・スペーサ層  １０３ａ、１０３ｂ・・・フリー層  １１０、１１１、１１２・・・配線層  ３０ａ、３０ｂ・・・コイル  ９・・・磁気センサ  ９０・・・磁気抵抗効果素子  ９０１・・・ピンド層  ９０３・・・フリー層
【図１】
2015095630.tif 000007
【図２】
2015095630.tif 000008
【図３】
2015095630.tif 000009
【図４】
2015095630.tif 000010
【図５】
2015095630.tif 000011
【図６】
2015095630.tif 000012