(57)【要約】【課題】ウェットエッチングにより、位相シフト効果を十分に発揮できる断面形状に位相シフト膜をパターニング可能な位相シフトマスクブランク及びその製造方法、並びに位相シフト効果を十分に発揮できる位相シフト膜パターンを有する位相シフトマスクの製造方法を提供する。【解決手段】位相シフトマスクブランク１は、透明基板２上にクロムと酸素と窒素とを含有する位相シフト膜３が形成されてなる。位相シフト膜３には、その最表面３ａから膜深さ方向に向けて組成傾斜領域Ｒ１が形成されている。組成傾斜領域Ｒ１では、最表面３ａから膜深さ方向に向けて減少するクロムに対する酸素の割合（Ｏ／Ｃｒ）の最大値が２以上であり、且つ、最表面３ａから膜深さ方向に向けて減少するクロムに対する窒素の割合（Ｎ／Ｃｒ）の最大値が０．４５以下である。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
透明基板上にクロムと酸素と窒素とを含有する位相シフト膜が形成された位相シフトマスクブランクであって、
前記位相シフト膜にその最表面から膜深さ方向に向けて組成傾斜領域が形成され、該組成傾斜領域では、前記最表面から膜深さ方向に向けて減少するクロムに対する酸素の割合（Ｏ／Ｃｒ）の最大値が２以上であり、且つ、前記最表面から膜深さ方向に向けて減少するクロムに対する窒素の割合（Ｎ／Ｃｒ）の最大値が０．４５以下であることを特徴とする位相シフトマスクブランク。
【請求項２】
前記位相シフト膜の前記組成傾斜領域は、前記最表面に対する真空紫外線照射処理により形成されたものであることを特徴とする請求項１記載の位相シフトマスクブランク。
【請求項３】
前記位相シフト膜の前記最表面の膜密度は２．０ｇ／ｃｍ３以上であることを特徴とする請求項１又は２記載の位相シフトマスクブランク。
【請求項４】
前記組成傾斜領域の膜厚は、０．１ｎｍ以上１０ｎｍ以下であることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか一項に記載の位相シフトマスクブランク。
【請求項５】
前記組成傾斜領域及び前記透明基板の近傍領域を除く前記位相シフト膜における膜深さ方向の各元素の組成比は略均一であることを特徴とする請求項１乃至４のいずれか一項に記載の位相シフトマスクブランク。
【請求項６】
前記位相シフト膜は、更に炭素を含有することを特徴とする請求項１乃至５のいずれか一項に記載の位相シフトマスクブランク。
【請求項７】
透明基板上にクロムと酸素と窒素とを含有する位相シフト膜をスパッタリング法により形成する位相シフトマスクブランクの製造方法であって、
前記透明基板上に前記位相シフト膜を成膜する成膜工程と、
成膜された前記位相シフト膜の最表面に対して真空紫外線照射処理を行う真空紫外線照射処理工程を含み、
該真空紫外線照射処理工程は、前記位相シフト膜の前記最表面から膜深さ方向に向けて形成されている組成傾斜領域において、前記最表面から膜深さ方向に向けて減少するクロムに対する酸素の割合（Ｏ／Ｃｒ）の最大値を２以上に変え、且つ、前記最表面から膜深さ方向に向けて減少するクロムに対する窒素の割合（Ｎ／Ｃｒ）の最大値を０．４５以下に変えることを特徴とする位相シフトマスクブランクの製造方法。
【請求項８】
前記真空紫外線照射処理工程は、前記位相シフト膜の前記最表面の膜密度を２．０ｇ／ｃｍ３以上に変えることを特徴とする請求項７に記載の位相シフトマスクブランクの製造方法。
【請求項９】
前記組成傾斜領域及び前記透明基板の近傍領域を除く前記位相シフト膜における膜深さ方向の各元素の組成比は略均一であることを特徴とする請求項７又は８に記載の位相シフトマスクブランクの製造方法。
【請求項１０】
前記成膜工程は、同一材料を積層して前記位相シフト膜を成膜することを特徴とする請求項７乃至９のいずれか一項に記載の位相シフトマスクブランクの製造方法。
【請求項１１】
前記成膜工程は、クロムを含むスパッタターゲットを使用し、不活性ガスと、該位相シフト膜を酸化及び窒化させる活性ガスを含む混合ガスによる反応性スパッタリングにより行うことを特徴とする請求項７乃至１０のいずれか一項に記載の位相シフトマスクブランクの製造方法。
【請求項１２】
前記混合ガスは、前記位相シフト膜を炭化させる活性ガスを更に含むことを特徴とする請求項１１記載の位相シフトマスクブランクの製造方法。
【請求項１３】
前記成膜工程は、インライン型スパッタリング装置にて行うことを特徴とする請求項１１又は１２記載の位相シフトマスクブランクの製造方法。
【請求項１４】
前記混合ガスを、前記スパッタターゲットの近傍における前記透明基板の搬送方向の、該スパッタターゲットに対して川下側より供給することを特徴とする請求項１３記載の位相シフトマスクブランクの製造方法。
【請求項１５】
前記真空紫外線照射処理工程は、前記組成傾斜領域におけるクロムに対する酸素の割合（Ｏ／Ｃｒ）の減少率を前記真空紫外線照射処理前より前記真空紫外線照射処理後において大きくし、且つ、クロムに対する窒素の割合（Ｎ／Ｃｒ）の減少率を前記真空紫外線照射処理前より前記真空紫外線照射処理後において小さくすることを特徴とする請求項７乃至１４のいずれか一項に記載の位相シフトマスクブランクの製造方法。
【請求項１６】
請求項１乃至６のいずれか一項に記載の位相シフトマスクブランク、又は請求項７乃至１５のいずれか一項に記載の位相シフトマスクブランクの製造方法により作製された位相シフトマスクブランクの前記位相シフト膜上にレジスト膜パターンを形成し、該レジスト膜パターンをマスクにして前記位相シフト膜をウェットエッチングして、前記透明基板上に位相シフト膜パターンを形成することを特徴とする位相シフトマスクの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、表示装置製造用の位相シフトマスクブランク及びその製造方法、並びに当該位相シフトマスクブランクを用いた表示装置製造用の位相シフトマスクの製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
現在、液晶表示装置に採用されている方式として、ＶＡ（Vertical alignment）方式やＩＰＳ（In Plane Switching）方式がある。これらの方式により、高精細、高速表示性能、広視野角の液晶表示装置の実現が図られている。これらの方式を適用した液晶表示装置では、透明導電膜によるラインアンドスペースパターンで画素電極を形成することによって、応答速度、視野角を改善することができる。最近では、応答速度及び視野角の更なる向上や、液晶表示装置の光利用効率の向上、すなわち、液晶表示装置の低消費電力化やコントラスト向上の観点から、ラインアンドスペースパターンのピッチ幅の微細化が求められている。例えば、ラインアンドスペースパターンのピッチ幅（ライン幅Ｌとスペース幅Ｓの合計）を６μｍから５μｍへ、さらに５μｍから４μｍへと狭くすることが望まれている。この場合、ライン幅Ｌ、スペース幅Ｓは、少なくともいずれかが３μｍ未満となる場合が多い。例えば、Ｌ＜３μｍ、あるいはＬ≦２μｍ、又はＳ＜３μｍ、あるいはＳ≦２μｍとなる場合が少なくない。
【０００３】
また、液晶表示装置や有機ＥＬ表示装置の製造の際には、必要なパターニングが施された、複数の導電膜や絶縁膜を積層することによってトランジスタなどの素子を形成する。その際、積層される個々の膜のパターニングに、フォトリソグラフィー工程を利用することが多い。例えば、これらの表示装置に用いられる薄膜トランジスタ（Thin Film Transistor、「ＴＦＴ」）で言えば、ＴＦＴを構成する複数のパターンのうち、パッシベーション（絶縁層）に形成されたコンタクトホールが、絶縁層を貫き、その下層側にある接続部に導通する構成が採用されている。この際、上層側と下層側のパターンが正確に位置決めされ、かつ、コンタクトホールの形状が確実に形成されていなければ、表示装置の正しい動作が保証されない。そして、ここでも、表示性能の向上とともに、デバイスパターンの高集積化が必要になり、パターンの微細化が求められている。すなわち、ホールパターンの径も、３μｍを下回るものが必要になってきている。例えば、径が２．５μｍ以下、更には、径が２．０μｍ以下のホールパターンが必要となり、近い将来、これを下回る１．５μｍ以下の径をもつパターンの形成も望まれると考えられる。
【０００４】
このような背景から、ラインアンドスペースパターンやコンタクトホールの微細化に対応できる表示装置製造用のフォトマスクが望まれている。
【０００５】
ラインアンドスペースパターンやコンタクトホールの微細化を実現するに当たり、従来のフォトマスクでは、表示装置製造用の露光機の解像限界が３μｍであるため、十分な工程尤度（Process Margin）なしに、解像限界に近い最小線幅の製品を生産しなければならない。このため、表示装置の不良率が高くなる問題があった。
【０００６】
例えば、コンタクトホールを形成するためのホールパターンを有するフォトマスクを使用し、これを被転写体に転写することを考えた場合、直径が３μｍを超えるホールパターンであれば従来のフォトマスクで転写することができた。しかしながら、直径が３μｍ以下のホールパターン、特に、直径が２．５μｍ以下のホールパターンを転写することは非常に困難であった。直径が２．５μｍ以下のホールパターンを転写するためには、例えば高ＮＡを持つ露光機へ転換することも考えられるが、大きな投資が必要となる。
【０００７】
そこで、解像度を向上させて、ラインアンドスペースパターンやコンタクトホールの微細化に対応するため、表示装置製造用のフォトマスクとして、位相シフトマスクが注目されている。
【０００８】
最近、液晶表示装置製造用のフォトマスクとして、クロム系位相シフト膜を備えた位相シフトマスクが開発された。
特許文献１には、透明基板と、透明基板上に形成された遮光層と、遮光層の周囲に形成され、３００ｎｍ以上５００ｎｍ以下の波長領域のいずれかの光に対して１８０度の位相差をもたせることが可能な酸化窒化クロム系材料からなる位相シフト層とを備えたハーフトーン型位相シフトマスクが記載されている。この位相シフトマスクは、透明基板上の遮光層をパターニングし、遮光層を被覆するように位相シフト層を透明基板上に形成し、位相シフト層上にフォトレジスト層を形成し、フォトレジスト層を露光及び現像することでレジスト膜パターンを形成し、レジスト膜パターンをエッチングマスクとして位相シフト層をパターニングすることにより製造される。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００９】
【特許文献１】特開２０１１−１３２８３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１０】
本発明者らはクロム系位相シフト膜を備えた位相シフトマスクについて鋭意検討した。その結果、レジスト膜パターンをマスクとして、ウェットエッチングによりクロム系位相シフト膜をパターニングした場合、レジスト膜とクロム系位相シフト膜との界面にウェットエッチング液が浸入し、界面部分のエッチングが早く進行することがわかった。このため、形成されたクロム系位相シフト膜パターンのエッジ部分の断面形状は、エッジ部分全体にわたって傾斜し、透明基板に向けて裾を引くテーパー形状となった。
【００１１】
クロム系位相シフト膜パターンのエッジ部分の断面形状がテーパー形状である場合、クロム系位相シフト膜パターンのエッジ部分の膜厚が減少するに従い、位相シフト効果が薄れる。このため、クロム系位相シフト膜パターンは、位相シフト効果を十分に発揮することができない。また、レジスト膜とクロム系位相シフト膜との界面へのウェットエッチング液の浸み込みは、クロム系位相シフト膜とレジスト膜との密着性がよくないことに起因する。このため、クロム系位相シフト膜パターンのエッジ部分の断面形状を厳密に制御することが難しく、解像性が十分に得られず、線幅（ＣＤ）を制御することが非常に困難であった。
【００１２】
さらに、本発明者らはこれらの問題点を解決するためにクロム系位相シフト膜パターンのエッジ部分の断面形状を垂直化する方法を鋭意検討した。これまでに、例えば、エッチング速度を速くさせる窒素の含有量やエッチング速度を遅くさせる炭素の含有量を調整することで、クロム系位相シフト膜の膜組成に傾斜を持たせ膜厚方向のエッチング速度に変化をもたせる方法が開発された。しかし、この方法では、大面積の位相シフトマスク全体における透過率の均一性を実現することが非常に困難であった。
【００１３】
このため、本発明は、上述した問題点に鑑みてなされたものであり、ウェットエッチングにより、位相シフト効果を十分に発揮できる断面形状に位相シフト膜をパターニング可能な位相シフトマスクブランク及びその製造方法、並びに位相シフト効果を十分に発揮できる位相シフト膜パターンを有する位相シフトマスクの製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１４】
上述した課題を解決するため、本発明は以下の構成を有する。
【００１５】
（構成１）透明基板上にクロムと酸素と窒素とを含有する位相シフト膜が形成された位相シフトマスクブランクであって、
前記位相シフト膜にその最表面から膜深さ方向に向けて組成傾斜領域が形成され、該組成傾斜領域では、前記最表面から膜深さ方向に向けて減少するクロムに対する酸素の割合（Ｏ／Ｃｒ）の最大値が２以上であり、且つ、前記最表面から膜深さ方向に向けて減少するクロムに対する窒素の割合（Ｎ／Ｃｒ）の最大値が０．４５以下であることを特徴とする位相シフトマスクブランク。
【００１６】
（構成２）前記位相シフト膜の前記組成傾斜領域は、前記最表面に対する真空紫外線照射処理により形成されたものであることを特徴とする構成１記載の位相シフトマスクブランク。
【００１７】
（構成３）前記位相シフト膜の前記最表面の膜密度は２．０ｇ／ｃｍ３以上であることを特徴とする構成１又は２記載の位相シフトマスクブランク。
【００１８】
（構成４）前記組成傾斜領域の膜厚は、０．１ｎｍ以上１０ｎｍ以下であることを特徴とする構成１乃至３のいずれか一項に記載の位相シフトマスクブランク。
【００１９】
（構成５）前記組成傾斜領域及び前記透明基板の近傍領域を除く前記位相シフト膜における膜深さ方向の各元素の組成比は略均一であることを特徴とする構成１乃至４のいずれか一項に記載の位相シフトマスクブランク。
【００２０】
（構成６）前記位相シフト膜は、更に炭素を含有することを特徴とする構成１乃至５のいずれか一項に記載の位相シフトマスクブランク。
【００２１】
（構成７）透明基板上にクロムと酸素と窒素とを含有する位相シフト膜をスパッタリング法により形成する位相シフトマスクブランクの製造方法であって、
前記透明基板上に前記位相シフト膜を成膜する成膜工程と、
成膜された前記位相シフト膜の最表面に対して真空紫外線照射処理を行う真空紫外線照射処理工程を含み、
該真空紫外線照射処理工程は、前記位相シフト膜の前記最表面から膜深さ方向に向けて形成されている組成傾斜領域において、前記最表面から膜深さ方向に向けて減少するクロムに対する酸素の割合（Ｏ／Ｃｒ）の最大値を２以上に変え、且つ、前記最表面から膜深さ方向に向けて減少するクロムに対する窒素の割合（Ｎ／Ｃｒ）の最大値を０．４５以下に変えることを特徴とする位相シフトマスクブランクの製造方法。
【００２２】
（構成８）前記真空紫外線照射処理工程は、前記位相シフト膜の前記最表面の膜密度を２．０ｇ／ｃｍ３以上に変えることを特徴とする構成７に記載の位相シフトマスクブランクの製造方法。
【００２３】
（構成９）前記組成傾斜領域及び前記透明基板の近傍領域を除く前記位相シフト膜における膜深さ方向の各元素の組成比は略均一であることを特徴とする構成７又は８に記載の位相シフトマスクブランクの製造方法。
【００２４】
（構成１０）前記成膜工程は、同一材料を積層して前記位相シフト膜を成膜することを特徴とする構成７乃至９のいずれか一項に記載の位相シフトマスクブランクの製造方法。
【００２５】
（構成１１）前記成膜工程は、クロムを含むスパッタターゲットを使用し、不活性ガスと、該位相シフト膜を酸化及び窒化させる活性ガスを含む混合ガスによる反応性スパッタリングにより行うことを特徴とする構成７乃至１０のいずれか一項に記載の位相シフトマスクブランクの製造方法。
【００２６】
（構成１２）前記混合ガスは、前記位相シフト膜を炭化させる活性ガスを更に含むことを特徴とする構成１１記載の位相シフトマスクブランクの製造方法。
【００２７】
（構成１３）前記成膜工程は、インライン型スパッタリング装置にて行うことを特徴とする構成１１又は１２記載の位相シフトマスクブランクの製造方法。
【００２８】
（構成１４）前記混合ガスを、前記スパッタターゲットの近傍における前記透明基板の搬送方向の、該スパッタターゲットに対して川下側より供給することを特徴とする構成１３記載の位相シフトマスクブランクの製造方法。
【００２９】
（構成１５）前記真空紫外線照射処理工程は、前記組成傾斜領域におけるクロムに対する酸素の割合（Ｏ／Ｃｒ）の減少率を前記真空紫外線照射処理前より前記真空紫外線照射処理後において大きくし、且つ、クロムに対する窒素の割合（Ｎ／Ｃｒ）の減少率を前記真空紫外線照射処理前より前記真空紫外線照射処理後において小さくすることを特徴とする構成７乃至１４のいずれか一項に記載の位相シフトマスクブランクの製造方法。
【００３０】
（構成１６）構成１乃至６のいずれか一項に記載の位相シフトマスクブランク、又は構成７乃至１５のいずれか一項に記載の位相シフトマスクブランクの製造方法により作製された位相シフトマスクブランクの前記位相シフト膜上にレジスト膜パターンを形成し、該レジスト膜パターンをマスクにして前記位相シフト膜をウェットエッチングして、前記透明基板上に位相シフト膜パターンを形成することを特徴とする位相シフトマスクの製造方法。
【発明の効果】
【００３１】
上述したように、本発明に係る位相シフトマスクブランクによれば、透明基板上にクロムと酸素と窒素とを含有する位相シフト膜が形成されている。この位相シフト膜には、その最表面から膜深さ方向に向けて組成傾斜領域が形成され、該組成傾斜領域では、前記最表面から膜深さ方向に向けて減少するクロムに対する酸素の割合（Ｏ／Ｃｒ）の最大値が２以上であり、且つ、前記最表面から膜深さ方向に向けて減少するクロムに対する窒素の割合（Ｎ／Ｃｒ）の最大値が０．４５以下である。このため、この位相シフトマスクブランクは、その位相シフト膜が、ウェットエッチングにより、位相シフト効果を十分に発揮できる断面形状にパターニングされることが可能である。この位相シフトマスクブランクは、その位相シフト膜をパターニングすることで得られる位相シフト膜パターンのエッジ部分の断面形状を、位相シフト効果を十分に発揮できる断面形状とすることができるものであるので、解像度を向上させ、良好なＣＤ特性をもつ位相シフト膜パターンを有する位相シフトマスクの製造用原版とすることができる。
【００３２】
また、本発明に係る位相シフトマスクブランクの製造方法によれば、透明基板上にクロムと酸素と窒素とを含有する位相シフト膜をスパッタリング法により成膜する成膜工程と、成膜された前記位相シフト膜の最表面に対して真空紫外線照射処理を行う真空紫外線照射処理工程を含む。この真空紫外線照射処理工程は、前記位相シフト膜の前記最表面から膜深さ方向に向けて形成されている組成傾斜領域において、前記最表面から膜深さ方向に向けて減少するクロムに対する酸素の割合（Ｏ／Ｃｒ）の最大値を２以上に変え、且つ、前記最表面から膜深さ方向に向けて減少するクロムに対する窒素の割合（Ｎ／Ｃｒ）の最大値を０．４５以下に変える工程である。このため、ウェットエッチングにより、位相シフト効果を十分に発揮できる断面形状に位相シフト膜をパターニング可能な位相シフトマスクブランクを製造することができる。位相シフト膜パターンのエッジ部分の断面形状を、位相シフト効果を十分に発揮できる断面形状とすることができるので、解像度を向上させ、良好なＣＤ特性をもつ位相シフト膜パターンへのパターニングが可能な位相シフトマスクブランクを製造することができる。
【００３３】
また、本発明に係る位相シフトマスクの製造方法によれば、上述した位相シフトマスクブランクを用いて位相シフトマスクを製造する。このため、位相シフト効果を十分に発揮できる位相シフト膜パターンを有する位相シフトマスクを製造することができる。位相シフト膜パターンが位相シフト効果を十分に発揮できるので、解像度を向上させ、良好なＣＤ特性をもつ位相シフト膜パターンを有する位相シフトマスクを製造することができる。この位相シフトマスクは、ラインアンドスペースパターンやコンタクトホールの微細化に対応することができる。
【図面の簡単な説明】
【００３４】
【図１】本発明の実施の形態１による位相シフトマスクブランクの構成を示す断面図である。
【図２】（ａ）及び（ｂ）は図１に示した位相シフトマスクブランクの製造方法の各工程を示す断面図である。
【図３】位相シフトマスクブランクの成膜に使用可能なインライン型スパッタリング装置を示す模式図である。
【図４】（ａ）〜（ｅ）は本発明の実施の形態２による位相シフトマスクの製造方法の各工程を示す断面図である。
【図５】本発明の実施の形態３による位相シフトマスクブランクの構成を示す断面図である。
【図６】（ａ）〜（ｇ）は図５に示した位相シフトマスクブランクの製造方法の各工程を示す断面図である。
【図７】（ａ）〜（ｅ）は本発明の実施の形態４による位相シフトマスクの製造方法の各工程を示す断面図である。
【図８】比較例１の位相シフトマスクブランクの位相シフト膜に対する深さ方向の組成分析結果を示す図である。
【図９】実施例１の位相シフトマスクブランクの位相シフト膜に対する深さ方向の組成分析結果を示す図である。
【図１０】実施例１の位相シフトマスクブランクと比較例１の位相シフトマスクブランクについて、クロムに対する酸素の割合（Ｏ／Ｃｒ）と膜深さとの関係を示す図である。
【図１１】実施例１の位相シフトマスクブランクと比較例１の位相シフトマスクブランクについて、クロムに対する窒素の割合（Ｎ／Ｃｒ）と膜深さとの関係を示す図である。
【図１２】実施例１の位相シフト膜パターンのエッジ部分の断面形状を示す断面写真である。
【図１３】比較例１の位相シフトマスクの位相シフト膜パターンのエッジ部分の断面形状を示す断面写真である。
【図１４】位相シフトマスクの位相シフト膜パターンのエッジ部分の断面における断面角度を説明するための断面図である。
【図１５】実施例２の位相シフトマスクの位相シフト膜パターンのエッジ部分の断面形状を示す断面写真である。
【図１６】比較例２の位相シフトマスクの位相シフト膜パターンのエッジ部分の断面形状を示す断面写真である。
【発明を実施するための形態】
【００３５】
以下、本発明の実施の形態に係る位相シフトマスクブランク及びその製造方法、並びに当該位相シフトマスクブランクを用いた位相シフトマスクの製造方法を詳細に説明する。
【００３６】
実施の形態１．
実施の形態１では、表示装置製造用の位相シフトマスクブランク（透明基板／位相シフト膜）及びその製造方法について説明する。
図１は本発明の実施の形態１による位相シフトマスクブランクの構成を示す断面図であり、図２（ａ）及び図２（ｂ）は図１に示した位相シフトマスクブランクの製造方法の各工程を示す断面図であり、図３は位相シフトマスクブランクの成膜に使用可能なインライン型スパッタリング装置を示す模式図である。
【００３７】
実施の形態１の位相シフトマスクブランク１は、図１に示すように、透明基板２上に、クロムと酸素と窒素とを含有する位相シフト膜３が形成された構成を有する。
【００３８】
このように構成された、実施の形態１の位相シフトマスクブランク１の製造方法は、透明基板２を準備する準備工程と、透明基板２の主表面上に、スパッタリングにより、クロムと酸素と窒素とを含有する位相シフト膜３を成膜する成膜工程（以下、位相シフト膜形成工程という場合がある）と、成膜された位相シフト膜３の最表面３ａに対して真空紫外線（以下、ＶＵＶという場合がある）照射処理を行う真空紫外線照射処理工程を含む。
以下、各工程を詳細に説明する。
【００３９】
１．準備工程
先ず、透明基板２を準備する。
透明基板２の材料は、使用する露光光に対して透光性を有する材料であれば、特に制限されない。例えば、合成石英ガラス、ソーダライムガラス、無アルカリガラスが挙げられる。
【００４０】
２．位相シフト膜形成工程
次に、図２（ａ）に示すように、透明基板２の主表面上に、スパッタリングにより、クロムと酸素と窒素とを含有する位相シフト膜３を形成する。
詳細には、この位相シフト膜形成工程では、クロムを含むスパッタターゲットを使用し、スパッタパワーを印加し、不活性ガスと、位相シフト膜を酸化及び窒化させる活性ガスを含む混合ガスによる反応性スパッタリングにより、クロムと酸素と窒素とを含有する位相シフト膜３を成膜する成膜工程を行う。
【００４１】
位相シフト膜３は、露光光の位相を変える性質（位相シフト効果）を有する。この性質により、位相シフト膜３を透過した露光光と透明基板２のみを透過した露光光との間に所定の位相差が生じる。露光光が３００ｎｍ以上５００ｎｍ以下の波長範囲の光を含む複合光である場合、位相シフト膜３は、代表波長の光に対して、所定の位相差を生じるように形成する。例えば、露光光がｉ線、ｈ線及びｇ線を含む複合光である場合、位相シフト膜３は、ｉ線、ｈ線及びｇ線のいずれかに対して、１８０度の位相差を生じるように形成する。また、位相シフト効果を発揮するために、例えば、ｉ線における位相シフト膜３の位相差は、１８０度±１０度の範囲に設定され、好ましくは略１８０度に設定される。また、例えば、ｉ線における位相シフト膜３の透過率は、１％以上２０％以下の範囲に設定されることが好ましい。特に、後述するような真空紫外線照射処理により位相シフト膜３の最表面の膜質に影響を与え、その結果、ウェットエッチングによる位相シフト膜のパターニングで十分に位相効果を発揮できる断面形状とする点においては、ｉ線における位相シフト膜３の透過率が、３％以上１５％以下の範囲に設定された膜組成とすることが好ましい。
【００４２】
位相シフト膜３は、少なくともクロム（Ｃｒ）と酸素（Ｏ）と窒素（Ｎ）とを含有するクロム系材料から構成される。このクロム系材料には、上記三つの元素の他、必要に応じて、更に炭素（Ｃ）が含有されてもよい。炭素を含むクロム系材料とした場合、位相シフト膜３の耐薬性、洗浄耐性を向上させることができる。
具体的には、位相シフト膜３を構成するクロム系材料として、例えば、クロム酸化窒化物（ＣｒＯＮ）、クロム炭化酸化窒化物（ＣｒＣＯＮ）が挙げられる。さらに、これらのクロム系材料は、本発明の効果を逸脱しない範囲で、水素（Ｈ）、フッ素（Ｆ）を含んでいてもよい。
【００４３】
位相シフト膜３は、例えば、以下のようなスパッタターゲット、スパッタガス雰囲気により成膜することができる。
位相シフト膜３の成膜に使用されるスパッタターゲットとしては、クロム（Ｃｒ）を含むものが選択される。具体的には、クロム（Ｃｒ）、クロムの窒化物、クロムの酸化物、クロムの炭化物、クロムの酸化窒化物、クロムの炭化窒化物、クロムの酸化炭化物、及び、クロムの酸化炭化窒化物が挙げられる。
位相シフト膜３の成膜時におけるスパッタガス雰囲気は、不活性ガスと、位相シフト膜を酸化及び窒化させる活性ガスを含む混合ガスからなる。不活性ガスとしては、ヘリウム（Ｈｅ）ガス、ネオン（Ｎｅ）ガス、アルゴン（Ａｒ）ガス、クリプトン（Ｋｒ）ガス、及びキセノン（Ｘｅ）ガスが挙げられ、これらのガスの少なくとも一種のガスが選択される。活性ガスとしては、酸素（Ｏ２）ガス、窒素（Ｎ２）ガス、一酸化窒素（ＮＯ）ガス、二酸化窒素（ＮＯ２）ガス、及び亜酸化窒素（Ｎ２Ｏ）ガスが挙げられ、これらのガスの少なくとも一種のガスが選択される。また、上記混合ガスには、位相シフト膜を炭化させる活性ガスを含めることができる。炭化させる活性ガスとしては、一酸化炭素（ＣＯ）ガス、二酸化炭素（ＣＯ２）ガス、及び炭化水素系ガスが挙げられ、これらのガスの少なくとも一種のガスが選択される。炭化水素系ガスとしては、例えば、メタンガス、ブタンガス、プロパンガス、スチレンガスが挙げられる。さらに、上記混合ガスには、本発明の効果を逸脱しない範囲の供給量で、活性ガスとしてフッ素系ガスを含めてもよい。フッ素系ガスとしては、例えば、ＣＦ４ガス、ＣＨＦ３ガス、ＳＦ６ガスや、これらのガスにＯ２ガスを混合したものが挙げられる。
上述したスパッタターゲットの形成材料とスパッタガス雰囲気のガスの種類との組み合わせや、スパッタガス雰囲気中の活性ガスと不活性ガスとの混合割合は、位相シフト膜３を構成する材料の種類や組成に応じて、適宜決められる。
【００４４】
位相シフト膜３の膜厚は、所望の光学特性（位相差）が得られるように、８０ｎｍ以上１８０ｎｍ以下の範囲で適宜調整される。
【００４５】
位相シフト膜３は単層膜及び積層膜のいずれであってもよい。位相シフト膜３が積層膜である場合、各層の界面間で組成を一致させ、例えばウェットエッチング時のエッチング速度を一定にし、且つ、被エッチング断面における、いわゆる喰われ現象の発生を防止する観点から、同一材料を積層して位相シフト膜３を成膜することが好ましい。また、積層膜の場合、位相シフト膜３の成膜工程は同一の成膜条件で複数回行われることが好ましい。複数回の成膜工程は、同一のスパッタリング装置において連続的に行われることが好ましい。複数回の成膜工程を連続的に行う場合、後述のようなインライン型スパッタリング装置を用いることが好ましい。尚、成膜工程が複数回行われる場合、位相シフト膜３の成膜時にスパッタターゲットに印加するスパッタパワーを小さくすることができる。
【００４６】
このような位相シフト膜形成工程は、例えば、図３に示すインライン型スパッタリング装置１１を用いて行うことができる。
【００４７】
スパッタリング装置１１はインライン型であり、搬入チャンバーＬＬ、第１スパッタチャンバーＳＰ１、バッファーチャンバーＢＵ、第２スパッタチャンバーＳＰ２、及び搬出チャンバーＵＬＬの５つのチャンバーから構成されている。これら５つのチャンバーが順番に連続して配置されている。
【００４８】
トレイ（図示せず）に搭載された透明基板２は、所定の搬送速度で、矢印Ｓの方向に、搬入チャンバーＬＬ、第１スパッタチャンバーＳＰ１、バッファーチャンバーＢＵ、第２スパッタチャンバーＳＰ２、及び搬出チャンバーＵＬＬの順番に搬送されることができる。また、トレイ（図示せず）に搭載された透明基板２は、矢印Ｓと逆の方向に、搬出チャンバーＵＬＬ、第２スパッタチャンバーＳＰ２、バッファーチャンバーＢＵ、第１スパッタチャンバーＳＰ１、及び搬入チャンバーＬＬの順番に戻されることができる。
【００４９】
搬入チャンバーＬＬと第１スパッタチャンバーＳＰ１、第２スパッタチャンバーＳＰ２と搬出チャンバーＵＬＬは、仕切板により仕切られている。また、搬入チャンバーＬＬ及び搬出チャンバーＵＬＬは、仕切板によりスパッタリング装置１１の外部から仕切られることができる。
搬入チャンバーＬＬ、バッファーチャンバーＢＵ、及び搬出チャンバーＵＬＬは、排気を行う排気装置（図示せず）に接続されている。
【００５０】
第１スパッタチャンバーＳＰ１には、搬入チャンバーＬＬ側に、位相シフト膜３を形成するためのクロムを含む第１スパッタターゲット１３が配置され、第１スパッタターゲット１３近傍における透明基板２の矢印Ｓで示す搬送方向の、第１スパッタターゲット１３に対して川上側の位置に第１ガス導入口ＧＡ１１が配置され、第１スパッタターゲット１３に対して川下側の位置に第２ガス導入口ＧＡ１２が配置されている。また、第１スパッタチャンバーＳＰ１には、バッファーチャンバーＢＵ側に、位相シフト膜３を形成するためのクロムを含む第２スパッタターゲット１４が配置され、第２スパッタターゲット１４近傍における透明基板２の矢印Ｓで示す搬送方向の、第２スパッタターゲット１４に対して川上側の位置に第３ガス導入口ＧＡ２１が配置され、第２スパッタターゲット１４に対して川下側の位置に第４ガス導入口ＧＡ２２が配置されている。
ここで、第１スパッタターゲット１３と川下側の第２ガス導入口ＧＡ１２との間隔は、第１スパッタターゲット１３と川上側の第１ガス導入口ＧＡ１１との間隔よりも広く設定されている。これと同様に、第２スパッタターゲット１４と川下側の第４ガス導入口ＧＡ２２との間隔は、第２スパッタターゲット１４と川上側の第３ガス導入口ＧＡ２１との間隔よりも広く設定されている。
尚、第１スパッタチャンバーＳＰ１において、スパッタターゲットと川下側のガス導入口との間隔は、例えば、１５ｃｍ以上５０ｃｍ以下に設定され、スパッタターゲットと川上側のガス導入口との間隔は、例えば、１ｃｍ以上５ｃｍ以下に設定されることが好ましい。
【００５１】
第２スパッタチャンバーＳＰ２には、バッファーチャンバーＢＵ側に、位相シフト膜３を形成するためのクロムを含む第３スパッタターゲット１５が配置され、第３スパッタターゲット１５近傍における透明基板２の矢印Ｓで示す搬送方向の、第３スパッタターゲット１５に対して川上側の位置に第５ガス導入口ＧＡ３１が配置され、第３スパッタターゲット１５に対して川下側の位置に第６ガス導入口ＧＡ３２が配置されている。
ここで、第１スパッタチャンバーＳＰ１と同様に、第３スパッタターゲット１５と川下側の第５ガス導入口ＧＡ３１との間隔は、第３スパッタターゲット１５と川上側の第６ガス導入口ＧＡ３２との間隔よりも広く設定されている。
尚、第２スパッタチャンバーＳＰ２においても、第１スパッタチャンバーＳＰ１と同様に、スパッタターゲットと川下側のガス導入口との間隔は、例えば、１５ｃｍ以上５０ｃｍ以下に設定され、スパッタターゲットと川上側のガス導入口との間隔は、例えば、１ｃｍ以上５ｃｍ以下に設定されることが好ましい。
図３では、第１スパッタターゲット１３、第２スパッタターゲット１４、及び第３スパッタターゲット１５に、ハッチングを付して示している。
【００５２】
ここで、単層膜からなる位相シフト膜３を成膜する場合（１回成膜）を説明する。
先ず、スパッタリング装置１１の搬入チャンバーＬＬに、トレイ（図示せず）に搭載された透明基板２を搬入する。
次に、スパッタリング装置１１の内部を所定の真空度にした後、例えば、第１スパッタターゲット１３の川下側の第２ガス導入口ＧＡ１２から所定の流量のスパッタガスを第１スパッタチャンバーＳＰ１に導入し、第１スパッタターゲット１３に所定のスパッタパワーを印加する。スパッタパワーの印加、スパッタガスの導入は、透明基板２が搬出チャンバーＵＬＬに搬送されるまで継続する。
【００５３】
その後、トレイ（図示せず）に搭載された透明基板２を、所定の搬送速度で、矢印Ｓの方向に、搬入チャンバーＬＬ、第１スパッタチャンバーＳＰ１、バッファーチャンバーＢＵ、第２スパッタチャンバーＳＰ２、及び搬出チャンバーＵＬＬの順番に搬送する。透明基板２が第１スパッタチャンバーＳＰ１の第１スパッタターゲット１３付近を通過する際に、反応性スパッタリングにより、図２（ａ）に示すように、透明基板２の主表面上に、所定の膜厚のクロム系材料から構成される、単層膜からなる位相シフト膜３が成膜される。
尚、上記の第１スパッタターゲット１３に代えて、第２スパッタターゲット１４を用いて単層膜からなる位相シフト膜３の成膜を行ってもよい。この場合、第２スパッタターゲット１４の川下側の第４ガス導入口ＧＡ２２から所定の流量のスパッタガスを第１スパッタチャンバーＳＰ１に導入し、第２スパッタターゲット１４に所定のスパッタパワーを印加する。また、第１スパッタチャンバーＳＰ１の第１スパッタターゲット１３又は第２スパッタターゲット１４に代えて、第２スパッタチャンバーＳＰ２の第３スパッタターゲット１５を用いて単層膜からなる位相シフト膜３の成膜を行ってもよい。この場合、第３スパッタターゲット１５の川下側の第６ガス導入口ＧＡ３２から所定の流量のスパッタガスを第２スパッタチャンバーＳＰ２に導入し、第３スパッタターゲット１５に所定のスパッタパワーを印加する。
【００５４】
積層膜からなる位相シフト膜３を成膜する場合（複数回成膜）を説明する。
この場合には、透明基板２の矢印Ｓの方向の搬送と矢印Ｓと逆の方向の搬送とを繰り返し、矢印Ｓの方向の搬送中ごとに、位相シフト膜３の一部を構成するクロム系材料層を順次積層することで、位相シフト膜３を成膜する第１の成膜方法と、透明基板２の矢印Ｓの方向への１回の搬送中に、第１スパッタターゲット１３、第２スパッタターゲット１４、及び、第３スパッタターゲット１５のうち、少なくとも２つを用いて、位相シフト膜３の一部を構成するクロム系材料層を順次積層して位相シフト膜３を成膜する第２の成膜方法と、第１の成膜方法と第２の成膜方法を組み合わせた第３の成膜方法がある。これらの成膜方法は、位相シフト膜３の層数に応じて、適宜選択される。
【００５５】
第１の成膜方法では、例えば、以下の手順に従う。
上述のように成膜された単層膜を、位相シフト膜３の一部を構成するクロム系材料層の１層目とし、その後に、透明基板２を、矢印Ｓと逆の方向に、搬出チャンバーＵＬＬから搬入チャンバーＬＬまで、順番に戻し、再度、上述の１層目のクロム系材料層の成膜と同様に、位相シフト膜３の一部を構成するクロム系材料層の２層目の成膜を行う。
位相シフト膜３の一部を構成するクロム系材料層の３層目以降の成膜を行う場合も、同様に行う。
このような第１の成膜方法を用いた成膜工程により、図２（ａ）に示すように、透明基板２の主表面上に、所定の膜厚のクロム系材料から構成される、２層又は３層以上の積層構造の積層膜からなる位相シフト膜３が成膜される。
【００５６】
第２の成膜方法では、例えば、以下の手順に従う。
先ず、スパッタリング装置１１の搬入チャンバーＬＬに、透明基板２を搬入する。
次に、スパッタリング装置１１の内部を所定の真空度にした後、第１スパッタターゲット１３の川下側の第２ガス導入口ＧＡ１２から所定の流量のスパッタガスを第１スパッタチャンバーＳＰ１に導入し、第３スパッタターゲット１５の川下側の第６ガス導入口ＧＡ３２から、第１スパッタチャンバーＳＰ１に導入されたスパッタガスと同一成分のスパッタガスを所定の流量で第２スパッタチャンバーＳＰ２に導入し、第１スパッタターゲット１３及び第３スパッタターゲット１５にそれぞれ所定のスパッタパワーを印加する。スパッタパワーの印加、スパッタガスの導入は、透明基板２が搬出チャンバーＵＬＬに搬送されるまで継続する。
その後、透明基板２を、所定の搬送速度で、矢印Ｓの方向に、搬入チャンバーＬＬから搬出チャンバーＵＬＬまで、順番に搬送する。透明基板２が第１スパッタチャンバーＳＰ１の第１スパッタターゲット１３付近を通過する際に、反応性スパッタリングにより、透明基板２の主表面上に、所定の膜厚のクロム系材料層の１層目が成膜される。
その後、透明基板２が第２スパッタチャンバーＳＰ２の第３スパッタターゲット１５付近を通過する際に、反応性スパッタリングにより、１層目のクロム系材料層上に、所定の膜厚のクロム系材料層の２層目が成膜される。
３層構造の積層膜からなる位相シフト膜３の成膜を行う場合、上記のスパッタターゲットに加えて、第１スパッタチャンバーＳＰ１の第２スパッタターゲット１４をさらに用い、その第２スパッタターゲット１４の川下側の第４ガス導入口ＧＡ２２から所定の流量でスパッタガスを供給し、第２スパッタターゲット１４に所定のスパッタパワーを印加する。この場合、第２スパッタターゲット１４付近の通過の際に成膜されるクロム系材料層は位相シフト膜３の２層目となり、第３スパッタターゲット１５付近の通過の際に成膜されるクロム系材料層は位相シフト膜３の３層目となる。
このような第２の成膜方法を用いた成膜工程により、図２（ａ）に示すように、透明基板２の主表面上に、所定の膜厚のクロム系材料から構成される、２層又は３層以上の積層構造の積層膜からなる位相シフト膜３が成膜される。
【００５７】
第３の成膜方法では、上述した第１の成膜方法及び第２の成膜方法のいずれを先に行ってもよい。
例えば、先に第２の成膜方法を行って、１回の透明基板２の搬送中に多層のクロム系材料層を積層し、その後に、第１の成膜方法を行って、さらに必要な層数のクロム系材料層を積層することで、積層予定数の層数を有する積層膜からなる位相シフト膜３の成膜を行うことができる。
このような第３の成膜方法を用いた成膜工程により、図２（ａ）に示すように、透明基板２の主表面上に、所定の膜厚のクロム系材料から構成される、３層以上の多数の層を有する積層膜からなる位相シフト膜３が成膜される。
【００５８】
このようにして透明基板２の主表面上に位相シフト膜３を形成した後、スパッタリング装置１１の外部に透明基板２を取り出す。
【００５９】
３．ＶＵＶ照射工程
次に、図２（ｂ）に示すように、位相シフト膜３の最表面３ａに対してＶＵＶ照射処理を行う。
ここで、ＶＵＶ照射処理とは、被照射体としての位相シフト膜３の最表面３ａ上を、その面方向に沿って、所定の間隔をもって、ＶＵＶ照射装置（図示せず）の照射部（図示せず）を走査させながら、その照射部（図示せず）から最表面３ａに対してＶＵＶを照射して行う改質処理をいう。
ＶＵＶ照射処理に用いられるＶＵＶとは、紫外線の中でも波長が短いものをいう。ＶＵＶは、主として大気中では吸収により減衰するが、真空中では減衰を防げることが知られている。本発明では、ＶＵＶとは波長が１０ｎｍ〜２００ｎｍである紫外線をいい、波長１００ｎｍ〜２００ｎｍのものを使用することが好ましい。具体的には、ＶＵＶとしては、例えば、波長１２６ｎｍ（アルゴン）、波長１４６ｎｍ（クリプトン）、波長１７２ｎｍ（キセノン）のエキシマ光の使用が可能であるが、本発明では、波長１７２ｎｍのキセノンエキシマ光を用いることが好ましい。尚、上記ＶＵＶ照射に伴い、あるいはＶＵＶ照射後に、加熱処理を行ってもよい。但し、特段、高温（例えば、２００℃以上）の加熱を行わなくても、改質効果は得られる。
【００６０】
ＶＵＶ照射処理におけるＶＵＶ照射条件については、以下のようにすることが好ましい。
照射雰囲気には特に制約はなく、窒素などの不活性ガスや真空とすることができるが、大気中でも改質効果は得られる。但し、大気中でＶＵＶ照射処理を行う場合には、ＶＵＶの減衰率を考慮し、ＶＵＶ照射装置の照射部（図示せず）と位相シフト膜の最表面との距離を小さくすることが好ましい。
ＶＵＶ照射エネルギーとしては、位相シフト膜３の改質処理に十分なエネルギーとすることが肝要である。例えば、位相シフト膜３の最表面３ａに対し、２０Ｊ／ｃｍ２以上とし、好ましくは３０Ｊ／ｃｍ２以上、より好ましくは４０Ｊ／ｃｍ２以上とする。また、照射効率の観点から、６０Ｊ／ｃｍ２以下であることが好ましい。
ＶＵＶ照射は、例えば、照度３０Ｗ／ｃｍ２〜５０Ｗ／ｃｍ２の光源（図示せず）を備えた照射部（図示せず）を用い、位相シフト膜３の最表面３ａに対し、２０分以上の照射（走査により最表面３ａの同一箇所に対して複数回の照射を行う場合には、その合計時間での照射）とすることができる。具体的には、光源（図示せず）を照度４０Ｗ／ｃｍ２とし、照射領域の長さを２００ｍｍとし、走査速度を１０ｍｍ／秒とし、減衰率を７０％とした場合、２０分程度のＶＵＶ照射によって、最表面３ａに対して４５Ｊ／ｃｍ２の照射エネルギーを与えることができる。ここで、減衰率とは、照射部（図示せず）からの照射量に対する減衰後の残存量の割合をいう。
尚、ＶＵＶ照射は、透明基板２の減衰率や照射効率の観点から、透明基板２側からではなく、位相シフト膜３の最表面３ａ側から行うことが好ましい。
【００６１】
このようにして製造された実施の形態１の位相シフトマスクブランク１は、その位相シフト膜３がＶＵＶ照射工程により改質されている。位相シフト膜３には、その最表面３ａから膜深さ方向に向けて組成傾斜領域Ｒ１が形成され、透明基板２との界面の近傍に透明基板近傍領域Ｒ２が形成され、組成傾斜領域Ｒ１及び透明基板近傍領域Ｒ２を除く中間領域にバルク部Ｂが形成されている。
組成傾斜領域Ｒ１は、位相シフト膜３の最表面３ａから膜深さ方向に向けて減少するクロムに対する酸素の割合（以下、Ｏ／Ｃｒという場合がある）の最大値が２以上であり、且つ、最表面３ａから膜深さ方向に向けて減少するクロムに対する窒素の割合（以下、Ｎ／Ｃｒという場合がある）の最大値が０．４５以下であるという特性を示す。尚、Ｏ／Ｃｒは、クロム原子数に対する酸素原子数の比であり、Ｎ／Ｃｒは、クロム原子数に対する窒素原子数の比である。
このような特性を示す組成傾斜領域Ｒ１は、位相シフト膜３の最表面３ａを含むため、位相シフト膜３の上側表層領域であり、その膜厚は、例えば、０．１ｎｍ以上１０ｎｍ以下であることが好ましいが、この範囲に限定されるものではない。
組成傾斜領域Ｒ１の最表面３ａの膜密度は、２．０ｇ／ｃｍ３以上である。最表面３ａの膜密度が２．０ｇ／ｃｍ３以上であることは、耐薬性及び洗浄耐性の向上の観点から好ましく、２．２ｇ／ｃｍ３以上であることがより好ましい。
透明基板近傍領域Ｒ２は、組成傾斜領域Ｒ１のように、Ｏ／ＣｒやＮ／Ｃｒが膜深さ方向に傾斜するという特性を示す位相シフト膜３の下側表層領域である。
バルク部Ｂは、上記の組成傾斜領域Ｒ１及び透明基板近傍領域Ｒ２とは異なり、膜深さ方向の各元素の組成比が略均一であるという特性を示す位相シフト膜３の内部領域である。
【００６２】
位相シフト膜３を構成する各元素の含有量は、所望の光学特性（露光光に対する透過率、位相差）となるように適宜調整される。
また、位相シフト膜３を構成する材料をＣｒＯＮとした場合、バルク部Ｂの各元素の含有量は、Ｘ線光電子分光分析法（X-ray Photoelectron Spectroscopy：以下、ＸＰＳという場合がある）にて分析した結果で示すと、クロムが３５原子％以上６５原子％以下であり、酸素が１６原子％以上５０原子％以下であり、窒素が６原子％以上３０原子％以下の範囲で調整される。好ましくは、クロムが４１原子％以上５８原子％以下であり、酸素が２１原子％以上４３原子％以下であり、窒素が１１原子％以上２４原子％以下である。
位相シフト膜３を構成する材料をＣｒＣＯＮとした場合、バルク部Ｂの各元素の含有量は、ＸＰＳにて分析した結果で示すと、クロムが３５原子％以上６０原子％以下であり、酸素が１５原子％以上４５原子％以下であり、窒素が５原子％以上２５原子％以下であり、炭素が２原子％以上１５原子％以下の範囲で調整される。好ましくは、クロムが４０原子％以上５５原子％以下であり、酸素が２０原子％以上４０原子％以下であり、窒素が１０原子％以上２０原子％以下であり、炭素が３原子％以上１０原子％以下である。
また、バルク部Ｂでは、上述したように、膜深さ方向の各元素の組成比が略均一である。ここで、膜深さ方向の各元素の組成比が略均一であるとは、上記の成膜工程における成膜条件で得られる位相シフト膜３の膜深さ方向の各元素の含有量の中心的な値を基準とし、その中心的な含有量に対する所定の変動幅の範囲内にバルク部Ｂの各元素の含有量が収まっていることをいう。例えば、位相シフト膜３を構成する材料をＣｒＯＮとした場合、クロムの変動幅がクロムの中心的な含有量に対して±５．０原子％、酸素の変動幅が酸素の中心的な含有量に対して±６．５原子％、窒素の変動幅が窒素の中心的な含有量に対して±４．５原子％である。好ましくは、クロムの変動幅が±３．５原子％、酸素の変動幅が±５．５原子％、窒素の変動幅が±３．５原子％である。また、位相シフト膜３を構成する材料をＣｒＣＯＮとした場合、クロムの変動幅がクロムの中心的な含有量に対して±５．０原子％、酸素の変動幅が酸素の中心的な含有量に対して±６．５原子％、窒素の変動幅が窒素の中心的な含有量に対して±４．５原子％、炭素の変動幅が炭素の中心的な含有量に対して±４．０原子％である。好ましくは、クロムの変動幅が±３．５原子％、酸素の変動幅が±５．５原子％、窒素の変動幅が±３．５原子％、炭素の変動幅が±３．０原子％である。
尚、バルク部Ｂにおける膜深さ方向の各元素の組成比の略均一は、膜厚方向の段階的又は連続的な組成変化を与えることを目的として、成膜工程中に、スパッタ原料やスパッタガスの供給方法や供給量を変化させる操作を行わずに、位相シフト膜３を成膜することで達成される。
【００６３】
位相シフト膜３は、ＶＵＶ照射工程により、以下のような特性を有する。
（１）ＶＵＶ照射工程は、組成傾斜領域Ｒ１において、Ｏ／Ｃｒの最大値を２以上に変え、且つ、Ｎ／Ｃｒの最大値を０．４５以下に変えるという改質を行うことができる。このような改質処理により、位相シフト膜３をパターニングして得られる位相シフト膜パターン３´のエッジ部分の被エッチング断面の断面形状が、位相シフト効果を十分に発揮できる断面形状になる。
これに対し、従来の位相シフトマスクブランクにおいても、その位相シフト膜の最表面から膜深さ方向に向けて組成傾斜領域が形成されており、この組成傾斜領域も、最表面から膜深さ方向に向けてＯ／ＣｒやＮ／Ｃｒの減少傾向を示す。しかし、従来の位相シフト膜は、ＶＵＶ照射工程を行っていないため、ＶＵＶ照射処理による改質を受けていない。このため、従来の位相シフト膜の組成傾斜領域は、上述のＯ／Ｃｒの最大値やＮ／Ｃｒの最大値の条件を満たさないことから、その位相シフト膜をパターニングして得られる位相シフト膜パターンのエッジ部分の被エッチング断面の断面形状が、そのエッジ部分全体にわたって傾斜し、透明基板に向けて裾を引くテーパー形状になり、位相シフト効果を十分には発揮できない。
（２）ＶＵＶ照射工程は、最表面３ａの膜密度を高く変化させるという改質を行うことができる。位相シフト膜３の最表面３ａの膜密度が上昇する理由としては、ＶＵＶ照射処理により、最表面３ａに存在するクロム原子の周辺の空孔に他の原子が供給され空孔が埋められるためであると考えられる。他の原子としては、例えば酸素原子が挙げられる。この場合、空孔が酸素原子により埋められることで、最表面３ａにおける「ＣｒＯ」の密度が上昇する結果、最表面３ａの膜密度が上昇するものと考えられる。
具体的には、ＶＵＶ照射工程により、最表面３ａの膜密度を２．０ｇ／ｃｍ３以上に変えることができる。尚、最表面３ａの膜密度の上昇は、位相シフト膜３に対するパターニングの際に用いられるレジスト膜５との密着性を向上させる一因となる可能性があると考えられる。
さらに、最表面３ａの膜密度の上昇が上述のように「ＣｒＯ」の密度の上昇に由来すると仮定すると、その仮定は、位相シフト膜パターン３´のエッジ部分の被エッチング断面の断面形状を、位相シフト効果を十分に発揮できる断面形状にすることができるという効果によって裏付けられるものと考えられる。すなわち、最表面３ａに酸素（Ｏ）が供給されると、エッチング速度を速くさせる窒素（Ｎ）の含有量が相対的に減少するため、位相シフト膜３に対するパターニングの際の等方エッチング（ウェットエッチング）において、当該エッジ部分の被エッチング断面のうち、レジスト膜５近傍の被エッチング断面（最表面３ａ近傍）部分のエッチング速度が遅くなる。このため、そのレジスト膜５近傍の被エッチング断面部分は、エッチングにより透明基板２の主表面が露出した後、エッジ部分の下側部分に及ぶまで持ち堪えることができ、レジスト膜５近傍の被エッチング断面部分には、エッチング液による、いわゆる喰われ現象の発生が少なくなると考えられるからである。
尚、最表面３ａの膜密度は、例えば、Ｘ線反射率分析法（ＸＲＲ）にて測定することができる。実施例、比較例における最表面３ａの膜密度の値は、位相シフト膜３の膜厚方向に複数分割してシミュレーションすることでフィッティングした際のフィッティングの妥当性を示す数値指標Ｆｉｔ  Ｒが０．０２５以下となるシミュレーション条件により得た。
（３）ＶＵＶ照射工程は、バルク部Ｂの膜深さ方向の各元素の組成比を変化させない。このため、バルク部Ｂの膜深さ方向の各元素の組成比は、ＶＵＶ照射工程を行っていない場合と同様に、略均一のままである。つまり、ＶＵＶ照射工程を行っても、ＶＵＶ照射工程前における位相シフト膜３のバルク部Ｂの膜深さ方向の各元素の組成比に大きな変化を与えることがないため、位相シフト膜３は、所望の光学特性（透過率、位相差）を維持できる。
（４）ＶＵＶ照射工程は、組成傾斜領域Ｒ１におけるＯ／Ｃｒの減少率をＶＵＶ照射処理前よりＶＵＶ照射処理後において大きくし、且つ、Ｎ／Ｃｒの減少率をＶＵＶ照射処理前よりＶＵＶ照射処理後において小さくするという改質を行うことができる。つまり、クロム系材料からなる位相シフト膜３に対するパターニングの際の等方エッチング（ウェットエッチング）において、組成傾斜領域Ｒ１では、エッチング速度をあまり変化させない酸素の含有量は、ＶＵＶ照射処理前と比べて、大きな減少率で変化する。一方、エッチング速度を速くさせる窒素の含有量は、ＶＵＶ照射処理前と比べて、小さな減少率で変化する。このため、エッチングが膜深さ方向に進行していく際に、ＶＵＶ照射処理後の組成傾斜領域Ｒ１では、ＶＵＶ照射処理前と比べて、エッチング速度が緩やかに速くなっていく。このような組成傾斜領域Ｒ１におけるエッチング速度の増加傾向の緩和特性により、エッチングが組成傾斜領域Ｒ１からバルク部Ｂへ移行して進行していく際に、バルク部Ｂにおけるエッチング速度との大きなギャップが解消され、エッチング速度が連続的に変化し、エッジ部分の被エッチング断面を連続面として形成することができる。
（５）透明基板近傍領域Ｒ２では、上述したように、上記バルク部Ｂとは異なり、Ｏ／ＣｒやＮ／Ｃｒが膜深さ方向に傾斜しているが、最表面３ａ側から行われるＶＵＶ照射工程では、透明基板近傍領域Ｒ２におけるＯ／ＣｒやＮ／Ｃｒの傾斜組成は、ＶＵＶ照射処理の影響を受けないと考えられる。
（６）ＶＵＶ照射工程は、上述したように、成膜時の位相シフト膜３の透過率を殆ど変えることがなく、位相シフト膜３をパターニングして得られる位相シフト膜パターン３´のエッジ部分の被エッチング断面の断面形状を、ＶＵＶ照射工程を行っていない場合とは全く異なり、位相シフト効果を十分に発揮できる断面形状にすることができる。また、ＶＵＶ照射工程は、成膜時の位相シフト膜３の殆ど反射率を変えない。このことは、位相シフト膜パターン３´のＣＤばらつきを非常に狭い範囲に制御できる可能性を示すものであり、この点でも、ＶＵＶ照射工程は有効であると考えられる。
【００６４】
実施の形態１の位相シフトマスクブランク１は、このような準備工程と、位相シフト膜形成工程と、ＶＵＶ照射工程とにより製造される。
【００６５】
このようにして製造された実施の形態１の位相シフトマスクブランク１によれば、透明基板２上にクロムと酸素と窒素とを含有する位相シフト膜３が形成されている。この位相シフト膜３には、その最表面３ａから膜深さ方向に向けて組成傾斜領域Ｒ１が形成され、組成傾斜領域Ｒ１では、最表面３ａから膜深さ方向に向けて減少するＯ／Ｃｒの最大値が２以上であり、且つ、最表面３ａから膜深さ方向に向けて減少するＮ／Ｃｒの最大値が０．４５以下である。このため、この位相シフトマスクブランク１は、その位相シフト膜３が、ウェットエッチングにより、位相シフト効果を十分に発揮できる断面形状に位相シフト膜をパターニングすることが可能である。この位相シフトマスクブランク１は、その位相シフト膜３をパターニングすることで得られる位相シフト膜パターンのエッジ部分の被エッチング断面の断面形状を、位相シフト効果を十分に発揮できる断面形状とすることができるものであるので、解像度を向上させ、良好なＣＤ特性をもつ位相シフト膜パターンを有する位相シフトマスクの製造用原版とすることができる。
【００６６】
また、実施の形態１の位相シフトマスクブランク１の製造方法によれば、透明基板２上にクロムと酸素と窒素とを含有する位相シフト膜３をスパッタリング法により成膜する成膜工程と、成膜された位相シフト膜３の最表面３ａに対してＶＵＶ照射処理を行うＶＵＶ照射処理工程を含む。このＶＵＶ照射処理工程は、位相シフト膜３の最表面３ａから膜深さ方向に向けて形成されている組成傾斜領域Ｒ１において、最表面３ａから膜深さ方向に向けて減少するＯ／Ｃｒの最大値を２以上に変え、且つ、最表面３ａから膜深さ方向に向けて減少するＮ／Ｃｒの最大値を０．４５以下に変える工程である。このため、ウェットエッチングにより、位相シフト効果を十分に発揮できる断面形状に位相シフト膜３をパターニング可能な位相シフトマスクブランク１を製造することができる。位相シフト膜パターンのエッジ部分の被エッチング断面の断面形状を、位相シフト効果を十分に発揮できる断面形状とすることができるので、解像度を向上させ、良好なＣＤ特性をもつ位相シフト膜パターンへのパターニングが可能な位相シフトマスクブランク１を製造することができる。
【００６７】
尚、実施の形態１では、組成傾斜領域Ｒ１は、例えば、成膜後の状態の位相シフト膜３の最表面３ａに対するＶＵＶ照射処理により形成されたものとして説明したが、これに限られるものではない。組成傾斜領域Ｒ１は、上記のような特性を有するように改質できる処理であれば、ＶＵＶ照射処理以外のいかなる処理によって形成されたものであってもよい。
また、実施の形態１における位相シフト膜形成工程により成膜された透明基板２の位相シフト膜３に対して、その成膜直後に、後工程としてのＶＵＶ照射工程を行ってもよく、あるいは、成膜後の所定の期間、所定のケース内に保管した後に、ＶＵＶ照射工程を行ってもよい。保管は、例えば１か月程度の期間であってもよいが、これに限定されるものではない。保管前にＶＵＶ処理工程を行うと、例えば、１か月程度の保管後であっても、洗浄の有無（硫酸洗浄を除く）に関わらず、レジストパターンをマスクにしてウェットエッチングにより形成される位相シフト膜パターンの断面形状は、ＶＵＶ処理なされていない断面形状と比べて良好になる。保管後にＶＵＶ照射工程を行う際には、所定の膜洗浄を行う必要はない。保管中に位相シフト膜３の最表面３ａ等の露出部分が若干汚染される可能性はあるが、仮に汚染された状態であっても、ＶＵＶ照射工程による改質効果に影響を与えない。好ましくは、レジスト膜形成の直前にＶＵＶ照射工程を行うことが望ましい。また、フォトマスクブランクの製造過程において、位相シフト膜３の表面を硫酸洗浄し、その後に位相シフト膜３上にレジストパターンを形成すると、位相シフト膜パターンの断面形状はテーパー形状となるが、位相シフト膜３の硫酸洗浄後、レジスト膜形成前にＶＵＶ照射を行うことで、位相シフト膜パターンの断面形状はテーパー形状になりにくく、垂直化できる可能性がある。すなわち、位相シフト膜３の表面を硫酸洗浄すると、レジスト膜と位相シフト膜３の膜表面の密着性が著しく低下するため、レジストパターンをマスクにしたウェットエッチングプロセス後の断面形状が非常に大きなテーパー形状となってしまうので、位相シフト膜の解像度を有効に活用できない。位相シフト膜３の硫酸洗浄後であってもＶＵＶ照射工程を行うことによって、大幅に位相シフト膜パターンの断面形状を改善することができる。さらに、位相シフト膜３への硫酸洗浄後のリンスを強化し、硫黄成分を極力低減した後にＶＵＶ照射工程を行うことで位相シフト膜パターンの断面形状を垂直化できる可能性がある。
ＶＵＶ照射工程を行った実施の形態１の位相シフトマスクブランク１は、そのＶＵＶ照射工程直後に、位相シフトマスクの製造方法における製造用原版として用いてもよい。また、位相シフトマスクブランク１を所定の期間、所定のケース内に保管しても、位相シフト膜３に対するＶＵＶ照射処理による改質効果が維持される。このため、保管後に、位相シフトマスクの製造方法における製造用原版として用いることができる。このように、位相シフトマスクブランク１を保管できるので、一定量の位相シフトマスクブランク１をストックしておき、出荷時や位相シフトマスクの製造時などに利用でき、その取扱い性を向上させることができる。尚、保管は、例えば２週間程度の期間であってもよいが、これに限定されるものではない。
【００６８】
実施の形態１では、成膜工程に上述した構成のインライン型スパッタリング装置１１を用いた場合を説明したが、他の構成のインライン型スパッタリング装置を用いてもよい。他の構成のインライン型スパッタリング装置としては、例えば、第２スパッタチャンバーＳＰ２に、搬出チャンバーＵＬＬ側に、位相シフト膜３を形成するためのクロムを含む第４スパッタターゲット（図示せず）を配置し、第４スパッタターゲット近傍における透明基板２の矢印Ｓで示す搬送方向の、第４スパッタターゲットに対して川上側の位置に第７ガス導入口（図示せず）を配置し、第４スパッタターゲットに対して川下側の位置に第８ガス導入口（図示せず）を配置した構成が挙げられる。このように、第４スパッタターゲット（図示せず）を配置する場合においても、他のスパッタターゲットとその搬送方向の両側に配置されるガス導入口との配置関係と同様に、第４スパッタターゲット（図示せず）と川下側の第８ガス導入口（図示せず）との間隔は、第４スパッタターゲット（図示せず）と川上側の第７ガス導入口（図示せず）との間隔よりも広く設定されることが好ましい。
【００６９】
上述した位相シフト膜形成工程では、スパッタターゲットの川下側のガス導入口からスパッタガスを供給して成膜を行う場合を説明したが、他のスパッタガスの供給方法として、スパッタターゲットの川上側のガス導入口からスパッタガスを供給して成膜を行ってもよい。いずれの場合においても、成膜された位相シフト膜３は、後に詳述するＶＵＶ照射工程を行った後に、ウェットエッチングにより得られる位相シフト膜パターン３´のエッジ部分の被エッチング断面の断面形状（後述の実施例１、２参照）が、ＶＵＶ照射工程を行っていない従来の位相シフト膜パターンのエッジ部分の被エッチング断面の断面形状（後述の比較例１、２参照）よりも、テーパー形状になりにくい。特に、上述した成膜工程のように、川下側のガス導入口よりスパッタガスを供給した場合、位相シフト膜パターン３´のエッジ部分の被エッチング断面の断面形状を、位相シフト効果を最も発揮できる垂直断面形状とすることも可能である。
【００７０】
実施の形態２．
実施の形態２では、表示装置製造用の位相シフトマスク（透明基板／位相シフト膜パターン）の製造方法について説明する。
図４（ａ）〜図４（ｅ）は本発明の実施の形態２による位相シフトマスクの製造方法の各工程を示す断面図であり、図１〜図３と同一構成要素には同一符号を付して重複説明を省略する。
【００７１】
実施の形態２の位相シフトマスク３０は、透明基板２上に位相シフト膜パターン３´が形成された構成を有する。
【００７２】
このように構成された、実施の形態２の位相シフトマスクの製造方法では、先ず、実施の形態１で説明した位相シフトマスクブランク１（図１参照）、又は、実施の形態１で説明した位相シフトマスクブランクの製造方法によって得られた位相シフトマスクブランク１（図２（ｂ）参照）の位相シフト膜３上に、レジスト膜パターン５´を形成するレジスト膜パターン形成工程を行う。
詳細には、このレジスト膜パターン形成工程では、先ず、図４（ａ）に示すように、透明基板２上にクロム系材料からなる位相シフト膜３が形成された位相シフトマスクブランク１を準備する。その後、図４（ｂ）に示すように、位相シフト膜３上にレジスト膜５を形成する。その後、図４（ｃ）に示すように、レジスト膜５に対して所定のサイズのパターンを描画した後、レジスト膜５を所定の現像液で現像して、レジスト膜パターン５´を形成する。
レジスト膜５に描画するパターンとして、ラインアンドスペースパターンやホールパターンが挙げられる。
【００７３】
次に、図４（ｄ）に示すように、レジスト膜パターン５´をマスクにして位相シフト膜３をウェットエッチングして、位相シフト膜パターン３´を形成する位相シフト膜パターン形成工程を行う。
位相シフト膜３をウェットエッチングするエッチング液は、クロム系材料から構成された位相シフト膜３を選択的にエッチングできるものであれば、特に制限されない。具体的には、硝酸第二セリウムアンモニウムと過塩素酸とを含むエッチング液が挙げられる。
【００７４】
位相シフト膜パターン３´の形成後、図４（ｅ）に示すように、レジスト膜パターン５´を剥離する。
【００７５】
実施の形態２の位相シフトマスク３０は、このようなレジスト膜パターン形成工程と、位相シフト膜パターン形成工程とにより製造される。
【００７６】
位相シフト膜パターン３´は、位相シフトマスクブランク１の位相シフト膜３と同様に、露光光の位相を変える性質を有する。この性質により、位相シフト膜パターン３´を透過した露光光と透明基板２のみを透過した露光光との間に所定の位相差が生じる。露光光が３００ｎｍ以上５００ｎｍ以下の波長範囲の光を含む複合光である場合、位相シフト膜パターン３´は、代表波長の光に対して、所定の位相差を生じるように形成する。例えば、露光光がｉ線、ｈ線及びｇ線を含む複合光である場合、位相シフト膜パターン３´は、ｉ線、ｈ線及びｇ線のいずれかに対して、１８０度の位相差を生じるように形成する。また、位相シフト効果を発揮するために、例えば、ｉ線における位相シフト膜パターン３´の位相差は、１８０度±１０度の範囲に設定され、好ましくは略１８０度に設定される。また、例えば、ｉ線における位相シフト膜パターン３´の透過率は、１％以上２０％以下、特に好ましくは、３％以上１５％以下の範囲に設定されることが好ましい。
【００７７】
位相シフト膜パターン３´の各元素の組成比は、位相シフト膜パターン３´の最表面から膜深さ方向に向かって形成された組成傾斜領域及び位相シフト膜パターン３´と透明基板２との界面近傍の透明基板近傍領域を除くバルク部において略均一である。但し、位相シフト膜パターン３´の最表面から膜深さ方向に向かって形成された組成傾斜領域及び透明基板近傍領域では、組成が傾斜する領域が形成されるため、それらの部分の組成は均一ではない。
【００７８】
このような位相シフト膜パターン３´のエッジ部分の被エッチング断面の断面形状は、位相シフト膜３の最表面３ａが上述したＶＵＶ照射処理を受け、組成傾斜領域Ｒ１が改質されているため、テーパー形状になりにくい。
ここで、位相シフト膜パターン３´のエッジ部分の被エッチング断面の断面角度（θ）（後述の図１４参照）は、位相シフト効果を十分に発揮させる上で、できる限り、９０度又はこの９０度に近い角度であることが望ましい。
但し、断面角度（θ）が９０度又はこの９０度に近い角度でなくても、位相シフト効果を十分に発揮させることが可能である。例えば、位相シフト膜パターン３´のエッジ部分の被エッチング断面のうち、透明基板２に近いエッジ部分の被エッチング断面部分に若干、裾部分があったとしても、レジスト膜パターン５´に近い位相シフト膜パターン３´のエッジ部分の被エッチング断面の多くの部分が９０度又はこの９０度に近い角度であれば、位相シフト効果を十分に発揮させることが可能である。
【００７９】
このように製造された表示装置製造用の位相シフトマスク３０は、等倍露光のプロジェクション露光に使用されて位相シフト効果を十分に発揮する。特に、その露光環境としては、開口数（ＮＡ）は、好ましくは０．０６〜０．１５、より好ましくは０．０８〜０．１０であり、コヒーレンスファクター（σ）は好ましくは０．５〜１．０である。
【００８０】
実施の形態２の位相シフトマスクの製造方法によれば、実施の形態１で説明した位相シフトマスクブランク１、又は、実施の形態１で説明した位相シフトマスクブランクの製造方法によって得られた位相シフトマスクブランク１を用いて位相シフトマスク３０を製造する。このため、位相シフト効果を十分に発揮できる位相シフト膜パターン３´を有する位相シフトマスク３０を製造することができる。位相シフト膜パターン３´が位相シフト効果を十分に発揮できるので、解像度を向上させ、良好なＣＤ特性をもつ位相シフト膜パターン３´を有する位相シフトマスク３０を製造することができる。この位相シフトマスク３０は、ラインアンドスペースパターンやコンタクトホールの微細化に対応することができる。
【００８１】
尚、実施の形態２では、位相シフトマスク３０の製造用原版として、透明基板／位相シフト膜の構成を有する位相シフトマスクブランク１を用いて説明したが、これに限定されるものではない。例えば、透明基板／位相シフト膜／レジスト膜の構成（図４（ｂ）参照）を有する位相シフトマスクブランクを位相シフトマスク３０の製造用原版としてもよい。
【００８２】
また、実施の形態２では、レジスト膜パターン形成工程前において、位相シフトマスクブランク１の位相シフト膜３に対して、必要に応じて、膜洗浄を行ってもよい。膜洗浄には、公知の洗浄方法を用いることができる。但し、硫黄（Ｓ）成分を含む洗浄液（例えば、硫酸過水）を用いる洗浄方法以外の洗浄方法を用いることが好ましい。硫黄（Ｓ）成分を含む洗浄液を用いた膜洗浄では、その硫黄（Ｓ）成分が位相シフト膜３上に残留する。このため、その残留した硫黄（Ｓ）成分により、位相シフト膜３をパターニングして位相シフト膜パターン３´を得る際に、そのエッジ部分の被エッチング断面の断面形状がテーパー形状になり易くなるからである。
【００８３】
実施の形態３．
実施の形態３では、表示装置製造用の位相シフトマスクブランク（透明基板／遮光膜パターン／位相シフト膜）及びその製造方法について説明する。
図５は本発明の実施の形態３による位相シフトマスクブランクの構成を示す断面図であり、図６（ａ）〜図６（ｇ）は図５に示した位相シフトマスクブランクの製造方法の各工程を示す断面図であり、図１〜図４と同一構成要素には同一符号を付して重複説明を省略する。
【００８４】
実施の形態３の位相シフトマスクブランク１０は、図５に示すように、透明基板２と、この透明基板２の主表面上に形成された遮光膜パターン４´と、この遮光膜パターン４´及び透明基板２の主表面上に形成された位相シフト膜３とから構成されている。
【００８５】
このように構成された、実施の形態３の位相シフトマスクブランク１０の製造方法は、透明基板２を準備する準備工程と、透明基板２の主表面上に、スパッタリングにより、遮光膜４を成膜する成膜工程（以下、遮光膜形成工程という場合がある）と、遮光膜４をパターニングして遮光膜パターン４´を形成する遮光膜パターン形成工程と、遮光膜パターン４´上に、クロムと酸素と窒素とを含有する位相シフト膜３を成膜する位相シフト膜形成工程と、成膜された位相シフト膜３の最表面３ａに対してＶＵＶ照射処理を行うＶＵＶ照射工程を含む。
以下、各工程を詳細に説明する。
【００８６】
１．準備工程
先ず、透明基板２を準備する。
この準備工程は、実施の形態１における準備工程と同様に行う。
【００８７】
２．遮光膜形成工程
次に、図６（ａ）に示すように、透明基板２の主表面上に、スパッタリングにより、遮光膜４を形成する。
詳細には、この遮光膜形成工程では、スパッタガス雰囲気でスパッタパワーを印加して所定の材料から構成される遮光膜４を成膜する成膜工程を行う。
【００８８】
遮光膜４は、位相シフト膜３との合計で、露光光に対する光学濃度が２．８以上、好ましくは３．０以上となるように、遮光膜４を構成する材料や膜厚が調整される。
【００８９】
遮光膜４を構成する材料は、特に限定されないが、マスクブランクに使用されている材料であることが好ましい。マスクブランクに使用されている材料としては、例えば、クロムを含む材料、タンタルを含む材料、及び、金属とケイ素（Ｓｉ）とを含む材料（金属シリサイド材料）が挙げられる。クロムを含む材料としては、クロム（Ｃｒ）を含むものであれば、特に制限されないが、例えば、クロム（Ｃｒ）、クロムの酸化物、クロムの窒化物、クロムの炭化物、及び、クロムのフッ化物が挙げられる。タンタルを含む材料としては、タンタル（Ｔａ）を含むものであれば、特に制限されないが、例えば、タンタル（Ｔａ）、タンタルの酸化物、及び、タンタルの窒化物が挙げられる。金属シリサイド材料として、例えば、金属シリサイドの窒化物、金属シリサイドの酸化物、金属シリサイドの酸化窒化物、金属シリサイドの炭化窒化物、金属シリサイドの酸化炭化物、及び、金属シリサイドの酸化炭化窒化物が挙げられる。金属としては、モリブデン（Ｍｏ）、タンタル（Ｔａ）、タングステン（Ｗ）、チタン（Ｔｉ）などの遷移金属が挙げられる。金属とケイ素の組成は、遮光膜４の光学特性の観点から調整される。金属とケイ素の比率は、金属の種類や遮光膜に要求される光学特性に応じて、適宜選択され、金属：ケイ素＝１：１以上１：９以下が好ましい。
尚、遮光膜４を構成する材料は、必要に応じて、酸素（Ｏ）、窒素（Ｎ）、炭素（Ｃ）等の他の元素を含んでいてもよい。
【００９０】
遮光膜４は、１つの層から構成される場合及び複数の層から構成される場合のいずれであってもよい。遮光膜４が複数の層から構成される場合、例えば、位相シフト膜３側に形成される遮光層と遮光層上に形成される反射防止層とから構成される積層構造の場合がある。遮光層は１つの層から構成される場合及び複数の層から構成される場合のいずれであってもよい。遮光層として、例えば、クロム窒化膜（ＣｒＮ）、クロム炭化膜（ＣｒＣ）、クロム炭化窒化膜（ＣｒＣＮ）が挙げられる。反射防止層は、露光光の反射率を低減させる目的で、遮光膜の表面に設けられ、反射防止層は１つの層から構成される場合及び複数の層から構成される場合のいずれであってもよい。反射防止層として、例えば、クロム酸化窒化膜（ＣｒＯＮ）が挙げられる。
【００９１】
遮光膜４の成膜には、クラスター型スパッタリング装置、インライン型スパッタリング装置などのスパッタリング装置が用いられる。
【００９２】
遮光膜４は、例えば、以下のようなスパッタターゲット、スパッタガス雰囲気により成膜することができる。
クロムを含む材料からなる遮光膜４の成膜に使用されるスパッタターゲットとしては、クロム（Ｃｒ）又はクロム化合物を含むものが選択される。具体的には、クロム（Ｃｒ）、クロムの窒化物、クロムの酸化物、クロムの炭化物、クロムの酸化窒化物、クロムの炭化窒化物、クロムの酸化炭化物、及び、クロムの酸化炭化窒化物が挙げられる。
クロムを含む材料からなる遮光膜４の成膜時におけるスパッタガス雰囲気は、窒素（Ｎ２）ガス、一酸化窒素（ＮＯ）ガス、二酸化窒素（ＮＯ２）ガス、亜酸化窒素（Ｎ２Ｏ）ガス、一酸化炭素（ＣＯ）ガス、二酸化炭素（ＣＯ２）ガス、酸素（Ｏ２）ガス、炭化水素系ガス及びフッ素系ガスからなる群より選ばれる少なくとも一種を含む活性ガスと、ヘリウム（Ｈｅ）ガス、ネオン（Ｎｅ）ガス、アルゴン（Ａｒ）ガス、クリプトン（Ｋｒ）ガス及びキセノン（Ｘｅ）ガスからなる群より選ばれる少なくとも一種を含む不活性ガスとの混合ガスからなる。炭化水素系ガスとしては、例えば、メタンガス、ブタンガス、プロパンガス、スチレンガスが挙げられる。
上述したスパッタターゲットの形成材料とスパッタガス雰囲気のガスの種類との組み合わせや、スパッタガス雰囲気中の活性ガスと不活性ガスとの混合割合は、遮光膜４を構成するクロム系材料の種類や組成に応じて、適宜決められる。
【００９３】
タンタルを含む材料からなる遮光膜４の成膜に使用されるスパッタターゲットとしては、タンタル（Ｔａ）又はタンタル化合物を含むものが選択される。具体的には、タンタル（Ｔａ）、タンタルの酸化物、及び、タンタルの窒化物が挙げられる。
タンタルを含む材料からなる遮光膜４の成膜時におけるスパッタガス雰囲気は、窒素（Ｎ２）ガス、一酸化窒素（ＮＯ）ガス、二酸化窒素（ＮＯ２）ガス、亜酸化窒素（Ｎ２Ｏ）ガス、一酸化炭素（ＣＯ）ガス、二酸化炭素（ＣＯ２）ガス及び酸素（Ｏ２）ガスからなる群より選ばれる少なくとも一種を含む活性ガスと、ヘリウム（Ｈｅ）ガス、ネオン（Ｎｅ）ガス、アルゴン（Ａｒ）ガス、クリプトン（Ｋｒ）ガス及びキセノン（Ｘｅ）ガスからなる群より選ばれる少なくとも一種を含む不活性ガスとの混合ガスからなる。
上述したスパッタターゲットの形成材料とスパッタガス雰囲気のガスの種類との組み合わせや、スパッタガス雰囲気中の活性ガスと不活性ガスとの混合割合は、遮光膜４を構成するタンタルを含む材料の種類や組成に応じて、適宜決められる。
【００９４】
金属シリサイド材料からなる遮光膜４の成膜に使用されるスパッタターゲットとしては、金属と、ケイ素（Ｓｉ）を含むものが選択される。具体的には、金属シリサイド、金属シリサイドの窒化物、金属シリサイドの酸化物、金属シリサイドの炭化物、金属シリサイドの酸化窒化物、金属シリサイドの炭化窒化物、金属シリサイドの酸化炭化物、及び、金属シリサイドの酸化炭化窒化物が挙げられる。
金属シリサイド材料からなる遮光膜４の成膜時におけるスパッタガス雰囲気は、窒素（Ｎ２）ガス、一酸化窒素（ＮＯ）ガス、二酸化窒素（ＮＯ２）ガス、亜酸化窒素（Ｎ２Ｏ）ガス、一酸化炭素（ＣＯ）ガス、二酸化炭素（ＣＯ２）ガス及び酸素（Ｏ２）ガスからなる群より選ばれる少なくとも一種を含む活性ガスと、ヘリウム（Ｈｅ）ガス、ネオン（Ｎｅ）ガス、アルゴン（Ａｒ）ガス、クリプトン（Ｋｒ）ガス及びキセノン（Ｘｅ）ガスからなる群より選ばれる少なくとも一種を含む不活性ガスとの混合ガスからなる。
上述したスパッタターゲットの形成材料とスパッタガス雰囲気のガスの種類との組み合わせや、スパッタガス雰囲気中の活性ガスと不活性ガスとの混合割合は、遮光膜４を構成する金属シリサイド材料の種類や組成に応じて、適宜決められる。
【００９５】
遮光膜形成工程は、例えば、図３に示すスパッタリング装置１１を用いて行うことができる。
ここでは、クロムを含む材料からなる遮光膜４を形成する場合を例にして説明する。
先ず、例えば、遮光層と反射防止層とから構成される積層構造の遮光膜４を形成する場合、第１スパッタチャンバーＳＰ１に、遮光膜４の遮光層を形成するためのクロムを含む第１スパッタターゲット１３を配置し、第２スパッタチャンバーＳＰ２に、遮光膜４の反射防止層を形成するためのクロムを含む第３スパッタターゲット１５を配置する。
【００９６】
その後、遮光膜４を形成するため、トレイ（図示せず）に搭載された透明基板２を搬入チャンバーＬＬに搬入する。
【００９７】
その後、スパッタリング装置１１の内部を所定の真空度にした状態で、第２ガス導入口ＧＡ１２から所定の流量のスパッタガスを導入し、第１スパッタターゲット１３に所定のスパッタパワーを印加する。また、第６ガス導入口ＧＡ３２から所定の流量のスパッタガスを導入し、第３スパッタターゲット１５に所定のスパッタパワーを印加する。スパッタパワーの印加、スパッタガスの導入は、透明基板２が搬出チャンバーＵＬＬに搬送されるまで継続する。
【００９８】
その後、トレイ（図示せず）に搭載された透明基板２を、所定の搬送速度で、矢印Ｓの方向に、搬入チャンバーＬＬ、第１スパッタチャンバーＳＰ１、バッファーチャンバーＢＵ、第２スパッタチャンバーＳＰ２、及び搬出チャンバーＵＬＬの順番に搬送する。透明基板２が第１スパッタチャンバーＳＰ１の第１スパッタターゲット１３付近を通過する際に、反応性スパッタリングにより、透明基板２の主表面上に、所定の膜厚のクロム系材料から構成される遮光層が成膜される。また、透明基板２が第２スパッタチャンバーＳＰ２の第３スパッタターゲット１５付近を通過する際に、反応性スパッタリングにより、遮光層上に、所定の膜厚のクロム系材料から構成される反射防止層が成膜される。
【００９９】
透明基板２の主表面上に、遮光層と反射防止層とから構成される積層構造の遮光膜４を形成した後、透明基板２をスパッタリング装置１１の外部に取り出す。
【０１００】
３．遮光膜パターン形成工程
次に、透明基板２の主表面上に、遮光膜パターン４´を形成する遮光膜パターン形成工程を行う。
詳細には、この遮光膜パターン形成工程では、先ず、図６（ｂ）に示すように、遮光膜４上にレジスト膜５を形成する。その後、図６（ｃ）に示すように、レジスト膜５に対して所定のサイズのパターンを描画した後、レジスト膜５を所定の現像液で現像して、レジスト膜パターン５´を形成する。
レジスト膜５に描画するパターンとして、ラインアンドスペースパターンやホールパターンが挙げられる。
【０１０１】
次に、図６（ｄ）に示すように、レジスト膜パターン５´をマスクにして遮光膜４をウェットエッチングして、遮光膜パターン４´を形成する遮光膜パターン形成工程を行う。
遮光膜４がクロム系材料から構成される場合、その遮光膜４をウェットエッチングするエッチング液は、遮光膜４を選択的にエッチングできるものであれば、特に制限されない。具体的には、硝酸第二セリウムアンモニウムと過塩素酸とを含むエッチング液が挙げられる。
遮光膜４が金属シリサイド材料から構成される場合、その遮光膜４をウェットエッチングするエッチング液は、遮光膜４を選択的にエッチングできるものであれば、特に制限されない。例えば、弗化水素酸、珪弗化水素酸、および弗化水素アンモニウムから選ばれた少なくとも一つの弗素化合物と、過酸化水素、硝酸、および硫酸から選ばれた少なくとも一つの酸化剤とを含むエッチング液が挙げられる。具体的には、フッ化水素アンモニウムと過酸化水素の混合溶液を純水で希釈したエッチング液が挙げられる。
遮光膜４がタンタル系材料から構成される場合、その遮光膜４をウェットエッチングするエッチング液は、遮光膜４を選択的にエッチングできるものであれば、特に制限されない。具体的には、水酸化ナトリウムと過酸化水素とを含むエッチング液が挙げられる。
遮光膜パターン４´の形成後、図６（ｅ）に示すように、レジスト膜パターン５´を剥離する。
【０１０２】
４．位相シフト膜形成工程
次に、図６（ｆ）に示すように、透明基板２上の遮光膜パターン４´上に、位相シフト膜３を成膜する位相シフト膜形成工程を行う。
この位相シフト膜形成工程は、実施の形態１における位相シフト膜形成工程と同様に行う。
【０１０３】
５．ＶＵＶ照射工程
次に、図６（ｇ）に示すように、位相シフト膜３の最表面３ａに対してＶＵＶ照射処理を行う。
このＶＵＶ照射工程は、実施の形態１におけるＶＵＶ照射工程と同様に行う。
このようなＶＵＶ照射工程を経た位相シフト膜３は、そのＶＵＶ照射工程により、実施の形態１の位相シフトマスクブランク１における位相シフト膜３と同様の特性を有するように改質される。
【０１０４】
実施の形態３の位相シフトマスクブランク１０は、このような準備工程と、遮光膜形成工程と、遮光膜パターン形成工程と、位相シフト膜形成工程と、ＶＵＶ照射工程とにより製造される。
【０１０５】
このようにして製造された実施の形態３の位相シフトマスクブランク１０によれば、透明基板２の主表面上に遮光膜パターン４´を介して、及び、透明基板２の主表面上に直接、クロムと酸素と窒素とを含有する位相シフト膜３が形成されている。位相シフト膜３の組成傾斜領域Ｒ１では、最表面３ａから膜深さ方向に向けて減少するＯ／Ｃｒの最大値が２以上であり、且つ、最表面３ａから膜深さ方向に向けて減少するＮ／Ｃｒの最大値が０．４５以下である。このため、この位相シフトマスクブランク１０は、その位相シフト膜３が、ウェットエッチングにより、位相シフト効果を十分に発揮できる断面形状にパターニングされることが可能である。この位相シフトマスクブランク１０は、その位相シフト膜３をパターニングすることで得られる位相シフト膜パターン３´のエッジ部分の被エッチング断面の断面形状を、位相シフト効果を十分に発揮できる断面形状とすることができるものであるので、解像度を向上させ、良好なＣＤ特性をもつ位相シフト膜パターンを有する位相シフトマスクの製造用原版とすることができる。
【０１０６】
また、実施の形態３の位相シフトマスクブランクの製造方法によれば、透明基板２の主表面上に遮光膜パターン４´を介して、及び、透明基板２の主表面上に直接、クロムと酸素と窒素とを含有する位相シフト膜３をスパッタリング法により成膜する成膜工程と、成膜された位相シフト膜３の最表面３ａに対してＶＵＶ照射処理を行うＶＵＶ照射処理工程を含む。このＶＵＶ照射処理工程は、組成傾斜領域Ｒ１において、最表面３ａから膜深さ方向に向けて減少するＯ／Ｃｒの最大値を２以上に変え、且つ、最表面３ａから膜深さ方向に向けて減少するＮ／Ｃｒの最大値を０．４５以下に変える工程である。このため、ウェットエッチングにより、位相シフト効果を十分に発揮できる断面形状に位相シフト膜をパターニング可能な位相シフトマスクブランク１０を製造することができる。また、位相シフト膜パターン３´のエッジ部分の被エッチング断面の断面形状を、位相シフト効果を十分に発揮できる断面形状とすることができるので、解像度を向上させ、良好なＣＤ特性をもつ位相シフト膜パターンへのパターニングが可能な位相シフトマスクブランク１０を製造することができる。
【０１０７】
実施の形態４．
実施の形態４では、表示装置製造用の位相シフトマスク（透明基板／遮光膜パターン／位相シフト膜パターン）の製造方法について説明する。
図７（ａ）〜図７（ｅ）は図５に示した位相シフトマスクブランクを用いた本発明の実施の形態４による位相シフトマスクの製造方法の各工程を示す断面図であり、図１〜図６と同一構成要素には同一符号を付して重複説明を省略する。
【０１０８】
実施の形態４の位相シフトマスクブランクの製造方法で製造される位相シフトマスク３１は、透明基板２の主表面上に遮光膜パターン４´を介して、及び、透明基板２の主表面上に直接、クロムと酸素と窒素とを含有する位相シフト膜パターン３´が形成された構成を有する。
【０１０９】
このように構成された、実施の形態４の位相シフトマスクの製造方法では、先ず、実施の形態３で説明した位相シフトマスクブランク１０（図５参照）、又は、実施の形態３で説明した位相シフトマスクブランクの製造方法によって得られた位相シフトマスクブランク１０（図６（ｇ）参照）の位相シフト膜３上に、レジスト膜パターン５´を形成するレジスト膜パターン形成工程を行う。
詳細には、このレジスト膜パターン形成工程では、先ず、図７（ａ）に示すように、透明基板２の主表面上に遮光膜パターン４´を介して、及び、透明基板２の主表面上に直接、クロムと酸素と窒素とを含有する位相シフト膜３が形成された位相シフトマスクブランク１０を準備する。その後、図７（ｂ）に示すように、位相シフト膜３上にレジスト膜５を形成する。その後、図７（ｃ）に示すように、レジスト膜５に対して所定のサイズのパターンを描画した後、レジスト膜５を所定の現像液で現像して、レジスト膜パターン５´を形成する。
レジスト膜５に描画するパターンとして、ラインアンドスペースパターンやホールパターンが挙げられる。
【０１１０】
次に、図７（ｄ）に示すように、レジスト膜パターン５´をマスクにして位相シフト膜３をウェットエッチングして、位相シフト膜パターン３´を形成する位相シフト膜パターン形成工程を行う。
位相シフト膜３をウェットエッチングするエッチング液は、クロム系材料から構成された位相シフト膜３を選択的にエッチングできるものであれば、特に制限されない。具体的には、硝酸第二セリウムアンモニウムと過塩素酸とを含むエッチング液が挙げられる。
得られた位相シフト膜パターン３´は、実施の形態２における位相シフト膜パターン３´と同様に、露光光の位相を変える性質を有し、そのエッジ部分の被エッチング断面の断面形状は、位相シフト膜３の最表面３ａが上述したＶＵＶ照射処理を受け、組成傾斜領域Ｒ１が改質されているため、テーパー形状になりにくい。
【０１１１】
位相シフト膜パターン３´の形成後、図７（ｅ）に示すように、レジスト膜パターン５´を剥離する。
【０１１２】
実施の形態４の位相シフトマスク３１は、このようなレジスト膜パターン形成工程と、位相シフト膜パターン形成工程とにより製造される。
このように製造された表示装置製造用の位相シフトマスク３１は、等倍露光のプロジェクション露光に使用されて位相シフト効果を十分に発揮する。特に、その露光環境としては、開口数（ＮＡ）は、好ましくは０．０６〜０．１５、より好ましくは０．０８〜０．１０であり、コヒーレンスファクター（σ）は好ましくは０．５〜１．０である。
【０１１３】
実施の形態４の位相シフトマスクの製造方法によれば、実施の形態３で説明した位相シフトマスクブランク１０、又は、実施の形態３で説明した位相シフトマスクブランクの製造方法によって得られた位相シフトマスクブランク１０を用いて位相シフトマスク３１を製造する。このため、位相シフト効果を十分に発揮できる位相シフト膜パターン３´を有する位相シフトマスク３１を製造することができる。位相シフト膜パターン３´が位相シフト効果を十分に発揮できるので、解像度を向上させ、良好なＣＤ特性をもつ位相シフト膜パターン３´を有する位相シフトマスク３１を製造することができる。この位相シフトマスク３１は、ラインアンドスペースパターンやコンタクトホールの微細化に対応することができる。
【０１１４】
尚、実施の形態４では、位相シフトマスク３１の製造用原版として、透明基板／遮光膜パターン／位相シフト膜の構成を有する位相シフトマスクブランク１０を用いて説明したが、これに限定されるものではない。例えば、透明基板／遮光膜パターン／位相シフト膜／レジスト膜の構成（図７（ｂ）参照）を有する位相シフトマスクブランクを位相シフトマスク３１の製造用原版としてもよい。
【０１１５】
また、実施の形態４では、実施の形態２と同様に、上記レジスト膜パターン形成工程前において、位相シフトマスクブランク１０の位相シフト膜３に対して、必要に応じて、膜洗浄を行ってもよい。膜洗浄には、公知の洗浄方法を用いることができる。但し、硫黄（Ｓ）成分を含む洗浄液（例えば、硫酸過水）を用いる洗浄方法以外の洗浄方法を用いることが好ましい。
【実施例】
【０１１６】
以下、実施例に基づいて本発明をより具体的に説明する。
【０１１７】
実施例１及び比較例１．
実施例１及び比較例１では、位相シフト膜（材料：ＣｒＣＯＮ）を有する位相シフトマスクブランク及びこの位相シフトマスクブランクを用いて製造される位相シフトマスクについて説明する。
尚、実施例１の位相シフトマスクブランク１は、その位相シフト膜３の最表面３ａに対するＶＵＶ照射工程を行って製造されるのに対し、比較例１の位相シフトマスクブランクは、その位相シフト膜の最表面に対するＶＵＶ照射工程を行わずに製造される点で、両者は異なる。
【０１１８】
Ａ．位相シフトマスクブランク及びその製造方法
上述した構成の実施例１及び比較例１の位相シフトマスクブランク１を製造するため、先ず、透明基板２として、３３４５サイズ（３３０ｍｍ×４５０ｍｍ×５ｍｍ）の合成石英ガラス基板を準備した。
【０１１９】
その後、透明基板２を、図３に示すクロムからなるスパッタターゲットが配置されたインライン型スパッタリング装置１１に搬入し、図１及び図２（ａ）に示すように、透明基板２の主表面上にクロム酸化炭化窒化物（ＣｒＯＣＮ）からなる位相シフト膜３（膜厚１２５ｎｍ）を成膜した。
尚、位相シフト膜３は、クロムからなる第１スパッタターゲット１３の川下側に配置された第２ガス導入口ＧＡ１２から、アルゴン（Ａｒ）ガスと二酸化炭素（ＣＯ２）ガスと窒素（Ｎ２）ガスを含む混合ガス（Ａｒ：４６ｓｃｃｍ、Ｎ２：４６ｓｃｃｍ、ＣＯ２：３５ｓｃｃｍ）を導入し、スパッタパワー３．５５ｋｗ、透明基板２の搬送速度を２００ｍｍ／分として、反応性スパッタリングにより、透明基板２上に成膜した。１回成膜にて、位相シフト膜３（膜厚１２５ｎｍ）を形成した。
【０１２０】
その後、位相シフト膜３の最表面３ａに対してＶＵＶ照射処理を行った。
ＶＵＶ照射処理には、ＶＵＶ（キセノンエキシマ光、波長１７２ｎｍ）を４０ｍＷ／ｃｍ２のエネルギーで照射する照射装置（図示せず）を用い、位相シフト膜３の最表面３ａに対し照射エネルギー４５Ｊ／ｃｍ２に相当する照射を行った。
このようにして、図２（ｂ）に示すように、透明基板２上に、ＶＵＶ照射工程を受けた位相シフト膜３が形成された実施例１の位相シフトマスクブランク１を得た。
【０１２１】
一方、透明基板２上に、ＶＵＶ照射工程を受けていない位相シフト膜３が形成された比較例１の位相シフトマスクブランクを得た。
【０１２２】
実施例１及び比較例１の位相シフトマスクブランク１の位相シフト膜３について、Ｘ線反射率分析法（ＸＲＲ）により最表面３ａの膜密度を測定した。
尚、最表面３ａの膜密度は、表層から深さ方向２．２ｎｍにおける位相シフト膜３の膜密度を測定した。その結果、実施例１の位相シフト膜３の最表面３ａの膜密度は、２．３３ｇ／ｃｍ３、比較例１の位相シフト膜３の最表面３ａの膜密度は、１．９２ｇ／ｃｍ３であった。尚、膜密度を算出した際のフィッティングの妥当性を示す数値指標Ｆｉｔ  Ｒは、実施例１は０．０１３、比較例１は０．０１２であった。
【０１２３】
実施例１の位相シフトマスクブランク１の位相シフト膜３及び比較例１の位相シフトマスクブランクの位相シフト膜について、Ｘ線光電子分光法（ＸＰＳ）による深さ方向の組成分析を行った。
図８は比較例１の位相シフトマスクブランクに対するＸＰＳによる深さ方向の組成分析結果を示し、図９は実施例１の位相シフトマスクブランク１に対するＸＰＳによる深さ方向の組成分析結果を示す。図８及び図９の横軸は位相シフト膜３の最表面３ａからの深さ（ｎｍ）を示し、縦軸は原子組成百分率（原子％）を示している。
図８を参照すると、比較例１における位相シフト膜のバルク部は、各元素の含有量に殆ど変化がない深さ約１０．０ｎｍ〜約１１５ｎｍの領域である。組成傾斜領域は、各元素の含有量が大きく変化している、最表面（約０．１ｎｍ）からバルク部の最浅端（約１０．０ｎｍ）までの領域である。ケイ素（Ｓｉ）が出現している深部は、合成石英ガラス基板（透明基板２）であるため、ケイ素（Ｓｉ）が出現し始める深さ約１２７ｎｍ付近が位相シフト膜３と透明基板２との界面である。透明基板近傍領域は、当該界面から最表面側への約１０ｎｍの領域である。
図９を参照すると、実施例１における位相シフト膜３のバルク部Ｂは、各元素の含有量に殆ど変化がない深さ約１０．０ｎｍ〜約１１５ｎｍの領域である。組成傾斜領域Ｒ１は、各元素の含有量が大きく変化している、最表面３ａ（約０．１ｎｍ）からバルク部Ｂの最浅端（約１０．０ｎｍ）までの領域である。ケイ素（Ｓｉ）が出現している深部は、合成石英ガラス基板（透明基板２）であるため、ケイ素（Ｓｉ）が出現し始める深さ約１２５ｎｍ付近が位相シフト膜３と透明基板２との界面である。透明基板近傍領域Ｒ２は、当該界面から最表面側への約１０ｎｍの領域である。
比較例１及び実施例１のいずれにおいても、バルク部では、クロム（Ｃｒ）、酸素（Ｏ）、窒素（Ｎ）及び炭素（Ｃ）の各元素の含有量の変動幅が小さく、略均一である。比較例１及び実施例１のいずれにおいても、組成傾斜領域及び透明基板近傍領域では、クロム（Ｃｒ）、酸素（Ｏ）、窒素（Ｎ）及び炭素（Ｃ）の各元素の含有量が大きく変化している。
【０１２４】
図８及び図９の数値データから算出した、最表面３ａから膜深さ方向に向けて減少するクロムに対する酸素の割合（Ｏ／Ｃｒ）と最表面３ａから膜深さ方向に向けて減少するクロムに対する窒素の割合（Ｎ／Ｃｒ）について、実施例１と比較例１を比較した。
図１０はＸＰＳによる深さ方向のＯ／Ｃｒの分析結果を示し、図１１はＸＰＳによる深さ方向のＮ／Ｃｒの分析結果を示す。図１０及び図１１の横軸は位相シフト膜３の最表面３ａからの深さ（ｎｍ）を示し、図１０の縦軸はＯ／Ｃｒを示し、図１１の縦軸はＮ／Ｃｒを示している。
先ず、図１０から明らかなように、組成傾斜領域における膜深さ方向のＯ／Ｃｒの変化について、実施例１と比較例１を比較する。実施例１のＯ／Ｃｒは、最表面３ａにおいて最大値（２．２０）を示し、最表面３ａから膜深さ方向に向けて減少し、約３ｎｍの膜深さまで急激に減少している。これに対し、比較例１のＯ／Ｃｒは、最表面において最大値（１．９６）を示し、最表面から膜深さ方向に向けて減少し、約３ｎｍの膜深さまで減少している。つまり、比較例１のＯ／Ｃｒの最大値（１．９６）から実施例１のＯ／Ｃｒの最大値（２．２０）へと、大きくなっている。また、実施例１のＯ／Ｃｒの減少率が比較例１のＯ／Ｃｒの減少率よりも大きい。この結果から明らかなように、実施例１と比較例１の相違は、ＶＵＶ照射処理の有無であるから、ＶＵＶ照射処理により、Ｏ／Ｃｒの最大値が大きくなり、Ｏ／Ｃｒの減少率も大きくなることが分かる。そして、図１０より、実施例１のＯ／Ｃｒの最大値は２以上であるといえる。
【０１２５】
次に、図１１から明らかなように、組成傾斜領域における膜深さ方向のＮ／Ｃｒの変化について、実施例１と比較例１を比較する。比較例１のＮ／Ｃｒは、最表面において最大値（０．４９）を示し、最表面から膜深さ方向に向けて減少し、約３ｎｍの膜深さまで急激に減少している。これに対し、実施例１のＮ／Ｃｒは、最表面３ａにおいて最大値（０．３４）を示し、最表面３ａから膜深さ方向に向けて減少し、約３ｎｍの膜深さまで減少している。つまり、実施例１のＮ／Ｃｒの最大値（０．３４）から比較例１のＮ／Ｃｒの最大値（０．４９）へと、小さくなっている。また、実施例１のＮ／Ｃｒの減少率が比較例１のＮ／Ｃｒの減少率よりも小さくなっている。この結果から明らかなように、実施例１と比較例１の相違は、ＶＵＶ照射処理の有無であるから、ＶＵＶ照射処理により、Ｎ／Ｃｒの最大値が小さくなり、Ｎ／Ｃｒの減少率も小さくなることが分かる。そして、図１１より、実施例１のＮ／Ｃｒの最大値は０．４５以下であるといえる。
【０１２６】
尚、実施例１及び比較例１の各位相シフトマスクブランク１の位相シフト膜３について、日立ハイテクノロジー社製の分光光度計Ｕ−４１００により透過率を測定し、レーザーテック社製のＭＰＭ−１００により位相差を測定した。尚、実施例１及び比較例１における透過率の値は、いずれもＡｉｒ基準の値である。
位相シフト膜３の透過率及び位相差の測定には、同一の基板ホルダー（図示せず）にセットされた６０２５サイズ（１５２ｍｍ×１５２ｍｍ）の透明基板２の主表面上に、位相シフト膜３（膜厚１２５ｎｍ）が成膜された位相シフト膜付き基板（ダミー基板）を用いた。
その結果、波長２００ｎｍ〜８００ｎｍにおける実施例１の透過率スペクトルは、ＶＵＶ照射処理を行っていない比較例１の透過率スペクトルと略同様であった。この結果から、ＶＵＶ照射処理を行っても、ＶＵＶ照射処理を行う前の透過率スペクトルに変化を与えることはなく、所望の透過率スペクトルを維持できることが分かった。
波長３６５ｎｍにおける実施例１及び比較例１の位相差は、１８４．６度であった。この結果から、ＶＵＶ照射処理を行っても、ＶＵＶ照射処理を行う前の位相差に変化を与えることはなく、所望の位相差を維持できることが分かった。
【０１２７】
また、実施例１及び比較例１の位相シフトマスクブランク１の位相シフト膜３について、日立ハイテクノロジー社製の分光光度計Ｕ−４１００により反射率を測定した。
その結果、波長２００ｎｍ〜８００ｎｍにおける実施例１の反射率スペクトルは、ＶＵＶ照射処理を行っていない比較例１の反射率スペクトルと略同様であった。この結果から、ＶＵＶ照射処理を行っても、ＶＵＶ照射処理を行う前の反射率スペクトルに変化を与えることはなく、所望の反射率スペクトルを維持できることが分かった。
【０１２８】
Ｂ．位相シフトマスク及びその製造方法
上述のようにして製造された実施例１及び比較例１の位相シフトマスクブランクを用いて、実施例１及び比較例１の位相シフトマスクを製造するため、先ず、実施例１及び比較例１の位相シフトマスクブランクの位相シフト膜３上に、レジスト塗布装置を用いてフォトレジスト膜５を塗布した。
その後、加熱・冷却工程を経て、膜厚１０００ｎｍのフォトレジスト膜５を形成した。
その後、レーザー描画装置を用いてフォトレジスト膜５を描画し、現像・リンス工程を経て、位相シフト膜３上に、ラインパターンの幅が２．０μｍ及びスペースパターンの幅が２．０μｍのラインアンドスペースパターンのレジスト膜パターン５´を形成した。
【０１２９】
その後、レジスト膜パターン５´をマスクにして、硝酸第二セリウムアンモニウムと過塩素酸とを含むクロムエッチング液により位相シフト膜３をウェットエッチングして、位相シフト膜パターン３´を形成した。
【０１３０】
その後、レジスト膜パターン５´を剥離した。
【０１３１】
このようにして、透明基板２の上に、ＶＵＶ照射工程を受けた位相シフト膜３をパターニングした位相シフト膜パターン３´が形成された実施例１の位相シフトマスク３０（透明基板／位相シフト膜パターン）を得た。
一方、透明基板２の上に、ＶＵＶ照射工程を受けていない位相シフト膜３をパターニングした位相シフト膜パターン３´が形成された比較例１の位相シフトマスク（透明基板／位相シフト膜パターン）を得た。
【０１３２】
実施例１の位相シフトマスク３０及び比較例１の位相シフトマスクの各位相シフト膜パターン３´のエッジ部分の被エッチング断面を、レジスト膜パターン５´の剥離前に、走査型電子顕微鏡により観察した。
図１２は実施例１の位相シフトマスクの位相シフト膜パターン３´のエッジ部分の断面写真であり、図１３は比較例１の位相シフトマスクの位相シフト膜パターン３´のエッジ部分の断面写真であり、図１４はエッジ部分の断面形状の判断指標となる断面角度（θ）を説明するための断面図である。
図１４において、位相シフト膜３の膜厚をＴとし、最表面３ａからＴ／１０の深さに引いた補助線をＬ１とし、透明基板２の主表面側からＴ／１０の高さに引いた補助線をＬ２とし、位相シフト膜３の被エッチング断面Ｆと補助線Ｌ１との交点をＣ１とし、被エッチング断面Ｆと補助線Ｌ２との交点をＣ２とする。ここで、断面角度（θ）は、交点Ｃ１と交点Ｃ２を結んだ連絡線と透明基板２の主表面がなす角度である。
また、レジスト界面角度は、レジスト近傍の被エッチング断面Ｆと最表面３ａがなす角度であり、透明基板界面角度は、透明基板近傍の被エッチング断面Ｆと透明基板の主表面がなす角度である。
さらに、テーパー下面長さは、レジスト近傍の被エッチング断面Ｆと最表面３ａとの交差部の一点を透明基板の主表面上にそのまま垂直方向に投影した地点と、透明基板近傍の被エッチング断面Ｆの裾部分の先端部の一点との長さである。
【０１３３】
図１２に示す実施例１のエッジ部分の被エッチング断面のレジスト界面角度は９０度であり、透明基板界面角度は９０度であり、テーパー下面長さは０ｎｍであり、断面角度（θ）は９０度であった。
一方、図１３に示す比較例１のエッジ部分の被エッチング断面のレジスト界面角度は１４０度であり、透明基板界面角度は３８度であり、テーパー下面長さは１５０ｎｍであり、断面角度（θ）は３８度であった。また、ＶＵＶ照射工程を行っていない比較例１の被エッチング断面は、裾を引くテーパー形状になった。
これらの結果から明らかなように、実施例１における被エッチング断面は、比較例１における被エッチング断面よりも格段に大きな断面角度（θ）を有し、より垂直断面形状に近いことが分かった。つまり、ＶＵＶ照射処理によって、エッジ部分の被エッチング断面の断面角度（θ）が大きくなる。
【０１３４】
次に、実施例１の位相シフトマスクの位相シフト膜パターンのＣＤばらつきを、セイコーインスツルメンツナノテクノロジー社製ＳＩＲ８０００により測定した。ＣＤばらつきの測定は、基板の周縁領域を除外した２７０ｍｍ×３９０ｍｍの領域について、５×５の地点で測定した。ＣＤばらつきは、目標とするラインアンドスペースパターン（ラインパターンの幅：２．０μｍ、スペースパターンの幅：２．０μｍ）からのずれ幅である。以下の実施例及び比較例において、ＣＤばらつきの測定には、同じ装置を用いた。
ＣＤばらつきは０．０５μｍと非常に良好であった。
【０１３５】
比較例１の位相シフトマスクの位相シフト膜パターンのＣＤばらつきは、０．２０μｍとなり、実施例１よりも大きいことが分かった。
【０１３６】
実施例２及び比較例２．
実施例２及び比較例２では、実施例１及び比較例１とは異なる成膜条件で成膜される位相シフト膜（材料：ＣｒＣＯＮ）を有する位相シフトマスクブランク及びこの位相シフトマスクブランクを用いて製造される位相シフトマスクについて説明する。
尚、実施例２の位相シフトマスクブランク１は、その位相シフト膜３の最表面３ａに対するＶＵＶ照射工程を行って製造されるのに対し、比較例２の位相シフトマスクブランクは、その位相シフト膜の最表面に対するＶＵＶ照射工程を行わずに製造される点で、両者は異なる。
【０１３７】
Ａ．位相シフトマスクブランク及びその製造方法
透明基板２として、実施例１及び比較例１と同じサイズの合成石英ガラス基板を準備した。
実施例２及び比較例２では、位相シフト膜形成工程において、図３に示すスパッタリング装置１１の、クロムからなる第１スパッタターゲット１３の川上側に配置された第１ガス導入口ＧＡ１１から、実施例１及び比較例１と同じ成分の混合ガスを導入し、且つ、スパッタパワーを３．４０ｋｗとした。これ以外の成膜条件は、実施例１及び比較例１と同様に１回成膜にて、位相シフト膜３（膜厚１２５ｎｍ）を形成した。
その後、実施例１と同様に、位相シフト膜３の最表面３ａに対するＶＵＶ照射工程を行って実施例２の位相シフトマスクブランク１を得た。
【０１３８】
一方、透明基板２上に、ＶＵＶ照射工程を受けていない位相シフト膜３が形成された比較例２の位相シフトマスクブランクを得た。
【０１３９】
実施例２の位相シフトマスクブランク１の位相シフト膜３及び比較例２の位相シフトマスクブランクの位相シフト膜について、ＸＰＳによる深さ方向の組成分析を行った。
その結果、実施例２の組成傾斜領域Ｒ１におけるＯ／Ｃｒでは、最表面３ａにおいて２以上の最大値（２．１９）を示し、最表面３ａから膜深さ方向に向けて減少した。これに対し、比較例２の組成傾斜領域におけるＯ／Ｃｒでは、最表面において２未満の最大値（１．９５）を示し、最表面から膜深さ方向に向けて減少した。また、比較例２の組成傾斜領域におけるＮ／Ｃｒでは、最表面において０．４５を超える最大値（０．４９）を示し、最表面から膜深さ方向に向けて減少した。これに対し、実施例２の組成傾斜領域Ｒ１におけるＮ／Ｃｒでは、最表面３ａにおいて０．４５以下の最大値（０．３２）を示し、最表面３ａから膜深さ方向に向けて減少した。
【０１４０】
実施例２及び比較例２の位相シフトマスクブランクの位相シフト膜について、実施例１及び比較例１と同様に、Ｘ線反射率分析法（ＸＲＲ）により最表面３ａの膜密度を測定した。
その結果、実施例２の位相シフトマスクブランク１の位相シフト膜３の最表面３ａの膜密度は２．２８ｇ／ｃｍ３、比較例２の位相シフトマスクブランク１の位相シフト膜３の最表面３ａの膜密度は１．８９ｇ／ｃｍ３であった。
尚、実施例１と比較例１との関係と同様に、実施例２の位相シフトマスクブランク１の位相シフト膜３は、ＶＵＶ照射処理していない比較例２の位相シフトマスクブランクの位相シフト膜と比べて、透過率、反射率及び位相差に殆ど変化がなかった。
【０１４１】
Ｂ．位相シフトマスク及びその製造方法
上述のようにして製造された実施例２及び比較例２の位相シフトマスクブランクを用いて、実施例１と同様に、実施例２及び比較例２の位相シフトマスクを製造した。
【０１４２】
このようにして、透明基板２の上に、ＶＵＶ照射工程を受けた位相シフト膜３をパターニングした位相シフト膜パターン３´が形成された実施例２の位相シフトマスク３０（透明基板／位相シフト膜パターン）を得た。
一方、透明基板２の上に、ＶＵＶ照射工程を受けていない位相シフト膜３をパターニングした位相シフト膜パターン３´が形成された比較例２の位相シフトマスク（透明基板／位相シフト膜パターン）を得た。
【０１４３】
実施例２の位相シフトマスク３０及び比較例２の位相シフトマスクの各位相シフト膜パターン３´のエッジ部分の被エッチング断面を、レジスト膜パターン５´の剥離前に、走査型電子顕微鏡により観察した。
【０１４４】
図１５に示すように、実施例２のエッジ部分の被エッチング断面のレジスト界面角度は１３０度であり、透明基板界面角度は５０度であり、テーパー下面長さは８０ｎｍであり、断面角度（θ）は５０度であった。
一方、図１６に示すように、比較例２のエッジ部分の被エッチング断面のレジスト界面角度は１５０度であり、透明基板界面角度は２８度であり、テーパー下面長さは２３０ｎｍであり、断面角度（θ）は３０度であった。つまり、ＶＵＶ照射工程を行っていない比較例２の被エッチング断面は、実施例２や上記比較例１よりも長く裾を引くテーパー形状になった。
これらの結果から明らかなように、実施例２における被エッチング断面は、比較例２における被エッチング断面よりも格段に大きな断面角度（θ）を有し、より垂直断面形状に近いことが分かった。つまり、ＶＵＶ照射処理によって、エッジ部分の被エッチング断面の断面角度（θ）が大きくなる。また、ＣｒＣＯＮを構成材料とした位相シフト膜３を成膜する場合において、その位相シフト膜形成工程における混合ガス（スパッタガス）を、位相シフト膜の成膜に関わるスパッタターゲットの川下側から供給する場合（実施例１）は、そのスパッタターゲットの川上側から供給する場合（実施例２）よりも断面角度（θ）が大きくなることが分かった。
【０１４５】
次に、実施例２の位相シフトマスク３０の位相シフト膜パターンのＣＤばらつきを、実施例１と同様に、測定した。
ＣＤばらつきは０．１２μｍと良好であった。
比較例２の位相シフトマスクの位相シフト膜パターンのＣＤばらつきは、０．２２μｍとなり、実施例２よりも大きいことが分かった。
【０１４６】
実施例３．
実施例３では、位相シフト膜３の材料がＣｒＯＮである位相シフトマスクブランク及びこの位相シフトマスクブランクを用いて製造される位相シフトマスクについて説明する。
【０１４７】
Ａ．位相シフトマスクブランク及びその製造方法
透明基板２として、実施例１と同じサイズの合成石英ガラス基板を準備した。
その後、透明基板２を図３のインライン型スパッタリング装置１１に導入し、透明基板２の主表面上にクロム酸化窒化物（ＣｒＯＮ）からなる位相シフト膜３（膜厚１５７ｎｍ）を１回成膜にて形成して位相シフトマスクブランク１を得た。
位相シフト膜３は、クロムからなる第１スパッタターゲット１３の川下側の第２ガス導入口ＧＡ１２から、アルゴン（Ａｒ）ガスと一酸化窒素（ＮＯ）ガスを含む混合ガス（Ａｒ：４６ｓｃｃｍ、ＮＯ：７０ｓｃｃｍ）を導入し、スパッタパワー８．０ｋｗ、透明基板２の搬送速度を約４００ｍｍ／分として反応性スパッタリングにより、透明基板２上に成膜した。
その後、位相シフト膜３の最表面３ａに対するＶＵＶ照射処理を、実施例１と同様の照射条件で行った。
【０１４８】
このようにして、透明基板２上に、ＶＵＶ照射工程を受けた位相シフト膜３が形成された位相シフトマスクブランク１を得た。
【０１４９】
実施例３の位相シフトマスクブランク１の位相シフト膜３について、ＸＰＳによる深さ方向の組成分析を行った。
その結果、組成傾斜領域Ｒ１におけるＯ／Ｃｒでは、最表面３ａにおいて２以上の最大値（２．１１）を示し、最表面３ａから膜深さ方向に向けて減少した。また、組成傾斜領域Ｒ１におけるＮ／Ｃｒでは、最表面３ａにおいて０．４５以下の最大値（０．３２）を示し、最表面３ａから膜深さ方向に向けて減少した。
【０１５０】
実施例３の位相シフトマスクブランク１の位相シフト膜３ａについて、実施例１と同様に、Ｘ線反射率分析法（ＸＲＲ）により膜密度を測定した。
その結果、実施例３の位相シフトマスクブランク１の位相シフト膜３の最表面３ａの膜密度は、ＶＵＶ照射処理前の１．８５ｇ／ｃｍ３から２．２１ｇ／ｃｍ３まで上昇した。
尚、実施例３の位相シフトマスクブランク１の位相シフト膜３は、ＶＵＶ照射処理前と比べて、透過率、反射率及び位相差に殆ど変化がなかった。
【０１５１】
Ｂ．位相シフトマスク及びその製造方法
実施例１と同様の方法により、透明基板２上に、ＶＵＶ照射処理を受けた位相シフト膜３をパターニングした位相シフト膜パターン３´が形成された位相シフトマスク３０を得た。
【０１５２】
実施例３の位相シフトマスク３０の位相シフト膜パターン３´のエッジ部分の被エッチング断面を、レジスト膜パターン５´の剥離前に、走査型電子顕微鏡により観察した。
その結果、実施例３のエッジ部分の被エッチング断面のレジスト界面角度は９０度であり、透明基板界面角度は９０度であり、テーパー下面長さは０ｎｍであり、断面角度（θ）は９０度であった。つまり、ＣｒＯＮを構成材料とした実施例３の位相シフト膜パターン３´の被エッチング断面は、ＣｒＣＯＮを構成材料とした実施例１の位相シフト膜パターン３´の被エッチング断面と同様に、裾が全くなく、完全に垂直断面形状になった。
【０１５３】
次に、実施例３の位相シフトマスク３０の位相シフト膜パターンのＣＤばらつきを、実施例１と同様に、測定した。
ＣＤばらつきは０．０５５μｍと良好であった。
【０１５４】
実施例４．
実施例４では、実施例３とは異なる成膜条件で成膜される位相シフト膜（材料：ＣｒＯＮ）を有する位相シフトマスクブランク及びこの位相シフトマスクブランクを用いて製造される位相シフトマスクについて説明する。
【０１５５】
Ａ．位相シフトマスクブランク及びその製造方法
透明基板２として、実施例１と同じサイズの合成石英ガラス基板を準備した。
【０１５６】
実施例４では、位相シフト膜形成工程において、図３に示すスパッタリング装置１１の、クロムからなる第１スパッタターゲット１３の川上側に配置された第１ガス導入口ＧＡ１１から、実施例３と同じ成分の混合ガスを導入した。これ以外の成膜条件は、実施例３と同様に１回成膜にて位相シフト膜３（膜厚１５７ｎｍ）を形成した。
その後、位相シフト膜３の最表面３ａに対するＶＵＶ照射処理を、実施例１と同様の照射条件で行った。
【０１５７】
このようにして、透明基板２上に、ＶＵＶ照射工程を受けた位相シフト膜３をパターニングした位相シフト膜３が形成された位相シフトマスクブランク１を得た。
【０１５８】
実施例４の位相シフトマスクブランク１の位相シフト膜３について、ＸＰＳによる深さ方向の組成分析を行った。
その結果、組成傾斜領域Ｒ１におけるＯ／Ｃｒでは、最表面３ａにおいて２以上の最大値（２．１０）を示し、最表面３ａから膜深さ方向に向けて減少した。また、組成傾斜領域Ｒ１におけるＮ／Ｃｒでは、最表面３ａにおいて０．４５以下の最大値（０．３１）を示し、最表面３ａから膜深さ方向に向けて減少した。
【０１５９】
実施例４の位相シフトマスクブランク１の位相シフト膜３ａについて、実施例１と同様に、Ｘ線反射率分析法（ＸＲＲ）により膜密度を測定した。
その結果、実施例４の位相シフトマスクブランク１の位相シフト膜３の最表面３ａの膜密度は、ＶＵＶ照射処理前の１．８４ｇ／ｃｍ３から２．１９ｇ／ｃｍ３まで上昇した。
尚、実施例４の位相シフトマスクブランク１の位相シフト膜３は、ＶＵＶ照射処理前と比べて、透過率、反射率及び位相差に殆ど変化がなかった。
【０１６０】
Ｂ．位相シフトマスク及びその製造方法
実施例１と同様の方法により、透明基板２上に、位相シフト膜パターン３´が形成された位相シフトマスク３０を得た。
【０１６１】
実施例４の位相シフトマスク３０の位相シフト膜パターン３´のエッジ部分の被エッチング断面を、レジスト膜パターン５´の剥離前に、走査型電子顕微鏡により観察した。
その結果、実施例４のエッジ部分の被エッチング断面のレジスト界面角度は１２２度であり、透明基板界面角度は５８度であり、テーパー下面長さは７０ｎｍであり、断面角度（θ）は５８度であった。
この結果から明らかなように、実施例４における被エッチング断面は、比較例１及び２における被エッチング断面よりも格段に大きな断面角度（θ）を有し、より垂直断面形状に近いことが分かった。また、ＣｒＯＮを構成材料とした位相シフト膜３を成膜する場合（実施例３、４）においても、ＣｒＣＯＮを構成材料とした位相シフト膜３を成膜する場合（実施例１、２）と同様に、位相シフト膜形成工程における混合ガス（スパッタガス）を、位相シフト膜の成膜に関わるスパッタターゲットの川下側から供給する場合（実施例３）は、そのスパッタターゲットの川上側から供給する場合（実施例４）よりも断面角度（θ）が大きくなることが分かった。
【０１６２】
次に、実施例４の位相シフトマスクの位相シフト膜パターンのＣＤばらつきを、実施例１と同様に、測定した。
ＣＤばらつきは０．１１５μｍと良好であった。
【０１６３】
尚、上述の実施例では、透明基板２上に形成する位相シフト膜３を単層膜とした位相シフトマスクブランク１の例を挙げて説明したが、これに限られない。位相シフト膜３を同一材料からなる２層構造、３層構造、４層構造等の積層膜であっても、上記実施例と同様の効果を奏する。
また、上述の実施例では、透明基板２上に位相シフト膜３のみを形成した位相シフトマスクブランク１、及び透明基板２上に位相シフト膜パターン３´のみを形成した位相シフトマスク３０の例を説明したが、これに限られない。透明基板２上に遮光膜パターン４´及び位相シフト膜３を有する位相シフトマスクブランク１０（図５参照）の場合でも、透明基板２上に位相シフト膜３及びレジスト膜５を有する位相シフトマスクブランク（図６（ｂ）参照）の場合でも、透明基板２上に遮光膜パターン４´及び位相シフト膜パターン３´を有する位相シフトマスク３１（図７（ｅ）参照）でも、上記実施例と同様の効果を奏する。
また、透明基板２上に位相シフト膜３と遮光膜４を有する位相シフトマスクブランク（図示せず）において、位相シフト膜３上に形成する遮光膜４を、遮光層、遮光層及び反射防止層の積層構造としてもよい。
【符号の説明】
【０１６４】
１、１０  位相シフトマスクブランク、  ２  透明基板、  ３  位相シフト膜、
３ａ  最表面、  ４  遮光膜、  ５  レジスト膜、  ３´  位相シフト膜パターン、
４´  遮光膜パターン、  ５´  レジスト膜パターン、
Ｒ１  組成傾斜領域、  Ｒ２  透明基板近傍領域、  Ｂ  バルク部、
Ｆ  被エッチング断面、  Ｃ１，Ｃ２  交点、  Ｔ  膜厚、  θ  断面角度、
１１  スパッタリング装置、  ＬＬ  搬入チャンバー、
ＳＰ１  第１スパッタチャンバー、  ＢＵ  バッファーチャンバー、
ＳＰ２  第２スパッタチャンバー、  ＵＬＬ  搬出チャンバー、
１３  第１スパッタターゲット、  ＧＡ１１  第１ガス導入口、
ＧＡ１２  第２ガス導入口、  １４  第２スパッタターゲット、
ＧＡ２１  第３ガス導入口、  ＧＡ２２  第４ガス導入口、
１５  第３スパッタターゲット、  ＧＡ３１  第５ガス導入口、
ＧＡ３２  第６ガス導入口、  ３０、３１  位相シフトマスク。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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