(57)【要約】【課題】反りを抑制することのできる配線基板を提供する。【解決手段】配線基板１０は、コア基板２０と、コア基板２０の上面２０Ａに交互に積層された配線層２３，３２，３４及び絶縁層３１，３３，３５と、コア基板２０の下面２０Ｂに交互に積層された配線層２４，４２，４４，４６及び絶縁層４１，４３，４５とを有する配線構造１１を有する。また、配線基板１０は、配線構造１１の上面に積層され、配線層５０，５２，５４，５６と絶縁層５１，５３，５５とが交互に積層された配線構造１２と、配線構造１１の下面に積層されたソルダレジスト層１３とを有する。配線構造１２の配線密度は、配線構造１１の配線密度よりも高い。また、最下層の配線層４６の体積に対する、配線構造１２全体の配線層５０，５２，５４，５６の体積の体積比が、０．８〜１．５である。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
配線層と絶縁層とが複数層積層された構造を有する第１配線構造と、
配線層と絶縁層とが複数層積層された構造を有し、前記第１配線構造の上面に積層された第２配線構造と、
前記第１配線構造の下面に積層され、前記第１配線構造における最下層の配線層の一部を被覆する最外絶縁層と、を有し、
前記第２配線構造の配線密度は、前記第１配線構造の配線密度よりも高く、
前記最下層の配線層の体積に対する、前記第２配線構造全体の配線層の体積の体積比が、０．８〜１．５であることを特徴とする配線基板。
【請求項２】
前記体積比は、１．０〜１．５であることを特徴とする請求項１に記載の配線基板。
【請求項３】
前記最下層の配線層は、配線パターンと、前記配線パターンの形成されていない領域に形成されたダミーパターンとを有することを特徴とする請求項１又は２に記載の配線基板。
【請求項４】
前記第１配線構造が有する絶縁層は、非感光性樹脂を主成分とする絶縁層であり、
前記第２配線構造が有する絶縁層は、感光性樹脂を主成分とする絶縁層であって、前記第１配線構造が有する絶縁層よりも薄い絶縁層であり、
前記最外絶縁層は、感光性樹脂を主成分とする絶縁層であることを特徴とする請求項１〜３のいずれか一項に記載の配線基板。
【請求項５】
前記最外絶縁層の厚さは、前記第２配線構造内の全ての絶縁層を合わせた厚さと等しい、又は前記第２配線構造内の全ての絶縁層を合わせた厚さよりも厚いことを特徴とする請求項４に記載の配線基板。
【請求項６】
前記第１配線構造は、
前記第１配線構造の最上層に形成された第１絶縁層と、
前記第１絶縁層の上面に開口し、前記第１絶縁層を厚さ方向に貫通する貫通孔と、
前記貫通孔内に充填され、前記第１絶縁層から露出された上端面を有するビア配線と、を有し、
前記第２配線構造は、前記第１絶縁層の上面及び前記ビア配線の上端面に積層された第１配線層を有し、
前記第１配線層は、前記ビア配線の上端面とシード層を介して接続されていることを特徴とする請求項１〜５のいずれか一項に記載の配線基板。
【請求項７】
前記第１配線構造は、
補強材入りの絶縁性樹脂からなるコア基板と、
前記コア基板の上面に積層された、補強材入りの絶縁性樹脂からなる絶縁層と、前記コア基板の下面に積層された、補強材入りの絶縁性樹脂からなる絶縁層と、
を有することを特徴とする請求項１〜６のいずれか一項に記載の配線基板。
【請求項８】
前記第１配線構造が有する絶縁層に形成された貫通孔の全てが、前記最外絶縁層側の開口部に対して前記第２配線構造側の開口部が拡開されたテーパ状に形成されている、又は、前記第１配線構造が有する絶縁層に形成された貫通孔の全てが、前記第２配線構造側の開口部に対して前記最外絶縁層側の開口部が拡開されたテーパ状に形成されていることを特徴とする請求項１〜７のいずれか一項に記載の配線基板。
【請求項９】
請求項１〜８のいずれか一項に記載の配線基板と、
前記第２配線構造の最上層の配線層にフリップチップ実装された半導体チップと、
を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項１０】
非感光性樹脂を主成分とする絶縁層と配線層とを複数層有する第１配線構造を形成する工程と、
前記第１配線構造の上面に、感光性樹脂を主成分とする絶縁層と配線層とを複数層有する第２配線構造を積層する工程と、
前記第１配線構造の下面に、感光性樹脂を主成分とする最外絶縁層を積層する工程と、を有し、
前記第１配線構造を形成する工程は、
配線層を被覆する非感光性樹脂を主成分とする最上層の絶縁層を形成する工程と、
前記最上層の絶縁層を厚さ方向に貫通する貫通孔を形成する工程と、
前記貫通孔を充填するとともに、前記最上層の絶縁層の上面を被覆する導電層を形成する工程と、
前記導電層と前記最上層の絶縁層の上面とを研磨することにより、前記最上層の絶縁層の上面を平滑化するとともに、前記最上層の絶縁層から露出する上端面を有するビア配線を形成する工程と、を有し、
前記第２配線構造を積層する工程は、
前記最上層の絶縁層の上面に、前記ビア配線の上端面に接合される配線層を形成する工程を含み、
前記第１配線構造の最下層に形成された配線層の体積に対する、前記第２配線構造全体の配線層の体積の体積比が、０．８〜１．５となるように形成されたことを特徴とする配線基板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、配線基板、半導体装置及び配線基板の製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来、半導体パッケージ等に用いられる配線基板として、配線パターンを高密度化するため、コア基板の上下両面にビルドアップ配線層と絶縁層とを積層したビルドアップ配線基板が知られている（例えば、特許文献１，２参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００３−０２３２５２号公報
【特許文献２】特開２００３−０２３２５３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
ところで、上述した配線基板において、例えば、配線基板の上方に半導体チップを搭載し下方に実装基板を接続するような場合には、上方と下方とで物性値（熱膨張係数や弾性率等）に差が生じる。このような物性値の相違に起因して、配線基板に反りが生じ易くなるという問題がある。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本発明の一観点によれば、配線層と絶縁層とが複数層積層された構造を有する第１配線構造と、配線層と絶縁層とが複数層積層された構造を有し、前記第１配線構造の上面に積層された第２配線構造と、前記第１配線構造の下面に積層され、前記第１配線構造における最下層の配線層の一部を被覆する最外絶縁層と、を有し、前記第２配線構造の配線密度は、前記第１配線構造の配線密度よりも高く、前記最下層の配線層の体積に対する、前記第２配線構造全体の配線層の体積の体積比が、０．８〜１．５である。
【発明の効果】
【０００６】
本発明の一観点によれば、反りを抑制することができるという効果を奏する。
【図面の簡単な説明】
【０００７】
【図１】第１実施形態の配線基板を示す概略断面図（図２における１−１断面図）。
【図２】第１実施形態の配線基板を示す概略平面図。本図では、ソルダレジスト層が透視的に描かれている。
【図３】第１実施形態の半導体装置を示す概略断面図。
【図４】（ａ）〜（ｄ）は、第１実施形態の配線基板の製造方法を示す概略断面図。
【図５】（ａ）〜（ｃ）は、第１実施形態の配線基板の製造方法を示す概略断面図。
【図６】（ａ）、（ｂ）は、第１実施形態の配線基板の製造方法を示す概略断面図。
【図７】（ａ）、（ｂ）は、第１実施形態の配線基板の製造方法を示す概略断面図。
【図８】（ａ）は、第１実施形態の配線基板の製造方法を示す概略断面図、（ｂ）は（ａ）に示した構造体の一部を拡大した拡大断面図。
【図９】（ａ）、（ｂ）は、第１実施形態の配線基板の製造方法を示す概略断面図。
【図１０】（ａ）は、第１実施形態の配線基板の製造方法を示す概略断面図、（ｂ）は、（ａ）に示した構造体の一部を拡大した拡大断面図。
【図１１】第１実施形態の半導体装置の製造方法を示す概略断面図。
【図１２】第２実施形態の配線基板を示す概略断面図。
【図１３】（ａ）、（ｂ）は、第２実施形態の配線基板の製造方法を示す概略断面図。
【図１４】（ａ）〜（ｃ）は、第２実施形態の配線基板の製造方法を示す概略断面図。
【図１５】第２実施形態の配線基板の製造方法を示す概略断面図。
【図１６】第３実施形態の配線基板を示す概略断面図。
【図１７】第４実施形態の配線基板を示す概略断面図。
【図１８】第５実施形態の配線基板を示す概略断面図。
【図１９】第５実施形態の配線基板の適用例を示す概略断面図。
【図２０】第５実施形態の配線基板の適用例を示す概略断面図。
【図２１】第５実施形態の配線基板の適用例を示す概略断面図。
【図２２】変形例における最下層の配線層を示す概略平面図。
【図２３】シミュレーション結果を示す説明図。
【図２４】（ａ）、（ｂ）は、配線基板の反りの向きを示す説明図。
【発明を実施するための形態】
【０００８】
以下、添付図面を参照して各実施形態を説明する。なお、添付図面は、特徴を分かりやすくするために便宜上特徴となる部分を拡大して示している場合があり、各構成要素の寸法比率などが実際と同じであるとは限らない。また、断面図では、各部材の断面構造を分かりやすくするために、一部の部材のハッチングを梨地模様に代えて示し、一部の部材のハッチングを省略している。
【０００９】
（第１実施形態）
以下、図１〜図１１に従って第１実施形態を説明する。
図１に示すように、配線基板１０は、配線構造１１と、配線構造１１の一方の側の面（ここでは、上面）に積層された配線構造１２と、配線構造１１の他方の側の面（ここでは、下面）に積層されたソルダレジスト層１３とを有している。配線基板１０の平面形状は、任意の形状及び任意の大きさとすることができる。例えば、配線基板１０の平面形状は、２０ｍｍ×２０ｍｍ〜４０ｍｍ×４０ｍｍ程度の正方形状とすることができる。
【００１０】
まず、配線構造１１の構造について説明する。
配線構造１１は、配線構造１２よりも配線密度の低い配線層が形成された低密度配線層である。この配線構造１１の厚さ方向の略中心部には、コア基板２０が設けられている。コア基板２０としては、例えば、補強材であるガラスクロス（ガラス織布）にエポキシ系樹脂を主成分とする熱硬化性の絶縁性樹脂を含浸させ硬化させた、いわゆるガラスエポキシ基板を用いることができる。熱硬化性の絶縁性樹脂としては、エポキシ系樹脂に限らず、例えば、ポリイミド系樹脂やシアネート系樹脂などの樹脂材を用いることができる。コア基板２０は、所要数（図１では、１個）のガラスクロス２０Ｇを有している。例えば、ガラスクロス２０Ｇは、第１方向に並設されたガラス繊維束と、第１方向と平面視で直交する第２方向に並設されたガラス繊維束とが格子状に平織りされた形態を有している。各ガラス繊維束は、例えば、１本当たりの繊維径が１〜２μｍ程度のガラス繊維を複数本束ねたものである。各ガラス繊維束の厚さは、例えば、５〜５０μｍ程度とすることができる。なお、ガラス繊維束を用いたガラスクロス２０Ｇ以外に、炭素繊維束、ポリエステル繊維束、ナイロン繊維束、アラミド繊維束、液晶ポリマ（Liquid Crystal Polymer：ＬＣＰ）繊維束等を用いた織布や不織布を補強材として用いてもよい。繊維束の織り方は、平織りに限定されず、例えば、朱子織りや綾織りであってもよい。また、コア基板２０は、例えば、シリカ（ＳｉＯ２）やアルミナ（Ａｌ２Ｏ３）等のフィラーを含有していてもよい。
【００１１】
コア基板２０には、所要の箇所（図１では３箇所）に貫通孔２０Ｘが設けられている。貫通孔２０Ｘは、コア基板２０の上面２０Ａから下面２０Ｂまでを貫通するように形成されている。貫通孔２０Ｘは、図示は省略するが、例えば平面視略円形状に形成されている。その貫通孔２０Ｘの直径は、例えば、１００〜２００μｍ程度とすることができる。貫通孔２０Ｘのピッチは、例えば、２００〜４００μｍ程度とすることができる。
【００１２】
貫通孔２０Ｘの内側面には、コア基板２０を厚さ方向に貫通する貫通電極２１が形成されている。貫通孔２０Ｘの中心部（つまり、貫通電極２１よりも内側の貫通孔２０Ｘ）には、樹脂２２が充填されている。貫通電極２１の材料としては、例えば、銅（Ｃｕ）や銅合金を用いることができる。樹脂２２の材料としては、例えば、エポキシ系樹脂等の絶縁性樹脂を用いることができる。
【００１３】
コア基板２０の上面２０Ａには配線層２３が形成され、コア基板２０の下面２０Ｂには配線層２４が形成されている。これら配線層２３，２４は貫通電極２１を介して相互に電気的に接続されている。なお、配線層２３，２４の材料としては、例えば、銅や銅合金を用いることができる。配線層２３，２４の厚さは、例えば、１５〜３５μｍ程度とすることができる。配線層２３，２４のラインアンドスペース（Ｌ／Ｓ）は、例えば、２０μｍ／２０μｍ程度とすることができる。ここで、ラインアンドスペースは、配線の幅と、隣り合う配線同士の間隔とを示す。
【００１４】
コア基板２０の上面２０Ａには、絶縁層３１と、配線層３２と、絶縁層３３と、配線層３４と、絶縁層３５と、ビア配線３６が順に積層されている。絶縁層３１，３３，３５の材料としては、例えば、エポキシ系樹脂やポリイミド系樹脂などの熱硬化性樹脂を主成分とする非感光性の絶縁性樹脂を用いることができる。これら絶縁層３１，３３，３５は、例えば、シリカやアルミナ等のフィラーを含有していてもよい。配線層３２，３４及びビア配線３６の材料としては、例えば、銅や銅合金を用いることができる。また、絶縁層３１，３３，３５の厚さは、例えば、２０〜４５μｍ程度とすることができる。配線層３２，３４の厚さは、例えば、１５〜３５μｍ程度とすることができる。配線層３２，３４のラインアンドスペース（Ｌ／Ｓ）は、例えば、２０μｍ／２０μｍ程度とすることができる。
【００１５】
絶縁層３１は、コア基板２０の上面２０Ａに、配線層２３を被覆するように形成されている。絶縁層３１には、所要の箇所に、当該絶縁層３１を厚さ方向に貫通して配線層２３の上面を露出する貫通孔３１Ｘが形成されている。
【００１６】
配線層３２は、絶縁層３１の上面に積層されている。配線層３２は、貫通孔３１Ｘ内に充填されたビア配線を介して配線層２３と電気的に接続されている。この配線層３２は、例えば、貫通孔３１Ｘ内に充填されたビア配線と一体に形成されている。
【００１７】
絶縁層３３は、絶縁層３１の上面に、配線層３２を被覆するように形成されている。絶縁層３３には、所要の箇所に、当該絶縁層３３を厚さ方向に貫通して配線層３２の上面を露出する貫通孔３３Ｘが形成されている。
【００１８】
配線層３４は、絶縁層３３の上面に積層されている。配線層３４は、貫通孔３３Ｘ内に充填されたビア配線を介して配線層３２と電気的に接続されている。この配線層３４は、例えば、貫通孔３３Ｘ内に充填されたビア配線と一体に形成されている。
【００１９】
絶縁層３５は、絶縁層３３の上面に、配線層３４を被覆するように形成されている。絶縁層３５には、当該絶縁層３５の上面３５Ａの所要の箇所に開口し、当該絶縁層３５を厚さ方向に貫通して配線層３４の上面を露出する貫通孔３５Ｘが形成されている。
【００２０】
絶縁層３５の上面３５Ａは、凹凸が少ない平滑面（低粗度面）である。例えば、絶縁層３５の上面３５Ａは、貫通孔３５Ｘの内側面よりも表面粗度が低くなっている。絶縁層３５の上面３５Ａの粗度は、表面粗さＲａ値で例えば１５〜４０ｎｍ程度となるように設定されている。また、貫通孔３５Ｘの内側面の粗度は、表面粗さＲａ値で例えば３００〜４００ｎｍ程度となるように設定されている。ここで、表面粗さＲａ値とは、表面粗さを表わす数値の一種であり、算術平均粗さと呼ばれるものであって、具体的には測定領域内で変化する高さの絶対値を平均ラインである表面から測定して算術平均したものである。
【００２１】
ここで、貫通孔３１Ｘ，３３Ｘ，３５Ｘは、図１において下側（コア基板２０側）から上側（配線構造１２側）に向かうに連れて径が大きくなるテーパ状に形成されている。例えば、貫通孔３１Ｘ，３３Ｘ，３５Ｘは、上側の開口端の開口径が下側の開口端の開口径よりも大径となる逆円錐台形状に形成されている。貫通孔３１Ｘ，３３Ｘ，３５Ｘの上側の開口端の開口径は、例えば、６０〜７０μｍ程度とすることができる。
【００２２】
貫通孔３５Ｘ内には、配線層３４と絶縁層３５の上面３５Ａ上に形成された配線層５０とを電気的に接続するビア配線３６が形成されている。このビア配線３６は、絶縁層３５を厚さ方向に貫通するように形成されている。ビア配線３６は、貫通孔３５Ｘと同様に、図１において下側（配線層３４側）から上側（配線層５０側）に向かうに連れて径が大きくなるテーパ状に形成されている。例えば、ビア配線３６は、上端面３６Ａが下端面よりも大径となる略逆円錐台形状に形成されている。ビア配線３６の上端面３６Ａは、絶縁層３５から露出されている。例えば、ビア配線３６の上端面３６Ａは、絶縁層３５の上面３５Ａと略面一に形成されている。そして、ビア配線３６の上端面３６Ａは配線層５０に直接接合されている。なお、ビア配線３６の上端面３６Ａの直径は、例えば、６０〜７０μｍ程度とすることができる。ビア配線３６の材料としては、例えば、銅や銅合金を用いることができる。
【００２３】
コア基板２０の下面２０Ｂには、絶縁層４１と、配線層４２と、絶縁層４３と、配線層４４と、絶縁層４５と、最外層（ここでは、最下層）の配線層４６とが順に積層されている。絶縁層４１，４３，４５の材料としては、例えば、エポキシ系樹脂やポリイミド系樹脂などの絶縁性樹脂を主成分とする熱硬化性の絶縁性樹脂を用いることができる。これら絶縁層４１，４３，４５は、例えば、シリカやアルミナ等のフィラーを含有していてもよい。配線層４２，４４，４６の材料としては、例えば、銅や銅合金を用いることができる。また、絶縁層４１，４３，４５の厚さは、例えば、２０〜４５μｍ程度とすることができる。配線層４２，４４，４６の厚さは、例えば、１５〜３５μｍ程度とすることができる。配線層４２，４４，４６のラインアンドスペース（Ｌ／Ｓ）は、例えば、２０μｍ／２０μｍ程度とすることができる。
【００２４】
絶縁層４１は、コア基板２０の下面２０Ｂに、配線層２４を被覆するように形成されている。絶縁層４１には、所要の箇所に、当該絶縁層４１を厚さ方向に貫通して配線層２４の下面を露出する貫通孔４１Ｘが形成されている。
【００２５】
配線層４２は、絶縁層４１の下面に積層されている。配線層４２は、貫通孔４１Ｘ内に充填されたビア配線を介して配線層２４と電気的に接続されている。この配線層４２は、例えば、貫通孔４１Ｘ内に充填されたビア配線と一体に形成されている。
【００２６】
絶縁層４３は、絶縁層４１の下面に、配線層４２を被覆するように形成されている。絶縁層４３には、所要の箇所に、当該絶縁層４３を厚さ方向に貫通して配線層４２の下面を露出する貫通孔４３Ｘが形成されている。
【００２７】
配線層４４は、絶縁層４３の下面に積層されている。配線層４４は、貫通孔４３Ｘ内に充填されたビア配線を介して配線層４２と電気的に接続されている。この配線層４４は、例えば、貫通孔４３Ｘ内に充填されたビア配線と一体に形成されている。
【００２８】
絶縁層４５は、絶縁層４３の下面に、配線層４４を被覆するように形成されている。絶縁層４５は、配線構造１１の最下層に形成された絶縁層である。絶縁層４５には、所要の箇所に、当該絶縁層４５を厚さ方向に貫通して配線層４４の下面を露出する貫通孔４５Ｘが形成されている。
【００２９】
ここで、貫通孔４１Ｘ，４３Ｘ，４５Ｘは、図１において上側（コア基板２０側）から下側（ソルダレジスト層１３側）に向かうに連れて径が大きくなるテーパ状に形成されている。例えば、貫通孔４１Ｘ，４３Ｘ，４５Ｘは、下側の開口端の開口径が上側の開口端の開口径よりも大径となる円錐台形状に形成されている。貫通孔４１Ｘ，４３Ｘ，４５Ｘの下側の開口端の開口径は、例えば、６０〜７０μｍ程度とすることができる。
【００３０】
配線層４６は、絶縁層４５の下面に積層されている。配線層４６は、配線構造１１の最下層（最外層）に形成された配線層である。配線層４６の一部は、貫通孔４５Ｘ内に充填されたビア配線４７を介して配線層４４と電気的に接続されている。
【００３１】
配線層４６は、例えば、ビア配線４７と一体に形成され、ビア配線４７を介して配線層４４と電気的に接続された配線パターン４６Ａと、配線パターン４６Ａの形成（配置）されていない領域の一部に形成されたダミーパターン４６Ｂとを有している。配線パターン４６Ａは、例えば、当該配線基板１０をマザーボード等の実装基板に実装する際に使用されるはんだボールやリードピン等の外部接続端子が接続される外部接続用パッドＰ２として機能する。ダミーパターン４６Ｂは、例えば、ベタ状に形成されている。また、ダミーパターン４６Ｂは、例えば、直上の配線層４４（ビア配線４７）と電気的に接続されず、電気的に孤立（フローティング）している。
【００３２】
図２に示すように、配線パターン４６Ａは、例えば、平面視でマトリクス状に配置されている。ダミーパターン４６Ｂは、例えば、隣接する配線パターン４６Ａ間に形成されている。配線パターン４６Ａ及びダミーパターン４６Ｂの平面形状は、任意の形状及び任意の大きさとすることができる。例えば、配線パターン４６Ａの平面形状は、直径が２５０〜４００μｍ程度の円形状とすることができる。また、ダミーパターン４６Ｂは、例えば、平面視略菱形状に形成されている。
【００３３】
このように、図１に示した配線構造１１では、コア基板２０の上下両面に同一層数の絶縁層及び配線層が積層されている。すなわち、コア基板２０を中心として絶縁層及び配線層が上下略対称に形成されている。このため、配線構造１１は、反りに強い構造である。とくに、各絶縁層を同一層厚とすることにより、上下のバランスが向上するため、反りに強い構造となる。
【００３４】
本実施形態では、コア基板２０の上面２０Ａに３層の絶縁層（絶縁層３１，３３，３５）が形成され、コア基板２０の下面２０Ｂに３層の絶縁層（絶縁層４１，４３，４５）が形成されている。これに限らず、コア基板２０の上面２０Ａ及び下面２０Ｂにそれぞれ形成される絶縁層の数は３層以外の層数に設定してもよい。また、コア基板２０の上面２０Ａに４層の配線層（配線層２３，３２，３４及びビア配線３６）が形成され、コア基板２０の下面２０Ｂ側に４層の配線層（配線層２４，４２，４４，４６）が形成されている。これに限らず、コア基板２０の上面２０Ａ及び下面２０Ｂにそれぞれ形成される配線層の数は４層以外の層数に設定してもよい。
【００３５】
次に、配線構造１２の構造について説明する。
配線構造１２は、配線構造１１よりも配線密度の高い配線層が形成された高密度配線層である。配線構造１２は、絶縁層３５上に積層された配線層５０と、絶縁層５１と、配線層５２と、絶縁層５３と、配線層５４と、絶縁層５５と、配線層５６とが順に積層された構造を有している。配線構造１２の厚さＴ１、具体的には配線構造１２内の全ての絶縁層を合わせた厚さ（つまり、絶縁層３５の上面３５Ａから絶縁層５５の上面までの厚さ）Ｔ１は、例えば、２０〜４０μｍ程度とすることができる。
【００３６】
ここで、配線層５０，５２，５４，５６の材料としては、例えば、銅や銅合金を用いることができる。また、絶縁層５１，５３，５５の材料としては、例えば、フェノール系樹脂やポリイミド系樹脂等を主成分とする感光性の絶縁性樹脂を用いることができる。これら絶縁層５１，５３，５５は、例えば、シリカやアルミナ等のフィラーを含有していてもよい。
【００３７】
また、配線層５０，５２，５４，５６は、配線構造１１の配線層よりも薄い配線層である。配線層５０，５２，５４の厚さは、例えば、１〜３μｍ程度とすることができる。配線層５６の厚さは、例えば、１０〜１５μｍ程度とすることができる。配線層５０，５２，５４のラインアンドスペース（Ｌ／Ｓ）は、例えば、２μｍ／２μｍ程度とすることができる。また、絶縁層５１，５３，５５は、配線構造１１の絶縁層よりも薄い絶縁層である。絶縁層５１，５３，５５の厚さは、例えば、５〜１０μｍ程度とすることができる。
【００３８】
配線層５０は、ビア配線３６の上端面３６Ａと接続するように、絶縁層３５の上面３５Ａ上に積層されている。すなわち、配線層５０の下面の一部がビア配線３６の上端面３６Ａと接しており、配線層５０とビア配線３６とが電気的に接続されている。換言すると、配線層５０とビア配線３６とは電気的に接続されているが、一体的ではない。具体的には、配線層５０は、例えば、ビア配線３６（例えば、銅（Ｃｕ）層）の上端面３６Ａ上に形成されたシード層（例えば、チタン（Ｔｉ）層とＣｕ層の積層体）と、そのシード層上に形成された金属層（例えば、Ｃｕ層）とを有している。
【００３９】
絶縁層５１は、絶縁層３５の上面３５Ａに、配線層５０を被覆するように形成されている。絶縁層５１は、配線層５０から露出する絶縁層３５の上面３５Ａ全面を被覆するように形成されている。絶縁層５１には、所要の箇所に、当該絶縁層５１を厚さ方向に貫通して配線層５０の上面を露出する貫通孔５１Ｘが形成されている。
【００４０】
配線層５２は、絶縁層５１の上面に積層されている。配線層５２は、貫通孔５１Ｘ内に充填されたビア配線を介して配線層５０と電気的に接続されている。この配線層５２は、例えば、貫通孔５１Ｘ内に充填されたビア配線と一体に形成されている。
【００４１】
絶縁層５３は、絶縁層５１の上面に、配線層５２を被覆するように形成されている。絶縁層５３には、所要の箇所に、当該絶縁層５３を厚さ方向に貫通して配線層５２の上面を露出する貫通孔５３Ｘが形成されている。
【００４２】
配線層５４は、絶縁層５３の上面に積層されている。配線層５４は、貫通孔５３Ｘ内に充填されたビア配線を介して配線層５２と電気的に接続されている。この配線層５４は、例えば、貫通孔５３Ｘ内に充填されたビア配線と一体に形成されている。
【００４３】
絶縁層５５は、絶縁層５３の上面に、配線層５４を被覆するように形成されている。絶縁層５５には、所要の箇所に、当該絶縁層５５を厚さ方向に貫通して配線層５４の上面を露出する貫通孔５５Ｘが形成されている。
【００４４】
ここで、貫通孔５１Ｘ，５３Ｘ，５５Ｘは、図１において下側（配線構造１１側）から上側（配線層５６側）に向かうに連れて径が大きくなるテーパ状に形成されている。例えば、貫通孔５１Ｘ，５３Ｘ，５５Ｘは、上側の開口端の開口径が下側の開口端の開口径よりも大径となる逆円錐台形状に形成されている。貫通孔５１Ｘ，５３Ｘ，５５Ｘの上側の開口端の開口径は、例えば、１０〜２０μｍ程度とすることができる。
【００４５】
配線層５６は、絶縁層５５の上面に積層されている。配線層５６は、貫通孔５５Ｘ内に充填されたビア配線を介して配線層５４と電気的に接続されている。この配線層５６は、例えば、貫通孔５５Ｘ内に充填されたビア配線と一体に形成され、絶縁層５５の上面から突出するパッドＰ１を有している。パッドＰ１の平面形状は、任意の形状及び任意の大きさとすることができる。例えば、パッドＰ１の平面形状は、直径が２０〜３０μｍ程度の円形状とすることができる。パッドＰ１のピッチは、例えば、４０〜６０μｍ程度とすることができる。このパッドＰ１は、半導体チップ等の電子部品と電気的に接続するための電子部品搭載用のパッドとして機能する。
【００４６】
なお、必要に応じて、パッドＰ１の表面（上面及び側面、又は上面のみ）に表面処理層を形成するようにしてもよい。表面処理層の例としては、金（Ａｕ）層、ニッケル（Ｎｉ）層／Ａｕ層（Ｎｉ層とＡｕ層をこの順番で積層した金属層）、Ｎｉ層／パラジウム（Ｐｄ）層／Ａｕ層（Ｎｉ層とＰｄ層とＡｕ層をこの順番で積層した金属層）などを挙げることができる。これらＮｉ層、Ａｕ層、Ｐｄ層としては、例えば、無電解めっき法により形成された金属層（無電解めっき金属層）を用いることができる。また、Ｎｉ層はＮｉ又はＮｉ合金からなる金属層、Ａｕ層はＡｕ又はＡｕ合金からなる金属層、Ｐｄ層はＰｄ又はＰｄ合金からなる金属層である。また、パッドＰ１の表面（上面及び側面、又は上面のみ）に、ＯＳＰ（Organic Solderability Preservative）処理などの酸化防止処理を施して表面処理層を形成するようにしてもよい。
【００４７】
ここで、配線構造１２全体における配線層５０，５２，５４，５６の体積Ｖ１は、配線構造１１の最下層の配線層４６（つまり、最下層の絶縁層４５の下面に形成された配線パターン４６Ａ及びダミーパターン４６Ｂ）の体積Ｖ２と略等しくなるように設定されている。例えば、配線構造１１の最上層の絶縁層３５よりも上方に形成された配線層５０，５２，５４，５６の体積Ｖ１を、配線構造１１の最下層の絶縁層４５よりも下方に形成された配線層４６の体積Ｖ２と略等しくすることにより、配線基板１０の反り量を低減できる。
【００４８】
具体的には、最下層の配線層４６の体積Ｖ２に対する、配線層５０，５２，５４，５６の体積Ｖ１の体積比Ｖ１／Ｖ２は、０．８〜１．５であることが好ましく、１．０〜１．５であることが更に好ましい。このように体積比Ｖ１／Ｖ２を設定することにより、配線基板１０の反り量をより好適に低減することができる。詳しくは、反りのシミュレーションの項で説明する。
【００４９】
なお、体積Ｖ２に対する体積Ｖ１の体積比Ｖ１／Ｖ２は、例えば、ダミーパターン４６Ｂの形成領域や、配線層４６及び配線層５０，５２，５４，５６の厚さを適宜調整することにより、所定値に設定することができる。
【００５０】
一方、ソルダレジスト層１３は、配線基板１０の最外層（ここでは、最下層）の最外絶縁層である。ソルダレジスト層１３は、配線構造１１の下面（具体的には、配線構造１１の最下層に形成された絶縁層４５の下面）に、最下層の配線層４６を被覆するように形成されている。ソルダレジスト層１３は、例えば、配線パターン４６Ａの一部を被覆するとともに、ダミーパターン４６Ｂの表面（下面及び側面）全面を被覆するように形成されている。
【００５１】
ソルダレジスト層１３には、最下層の配線層４６（具体的には、配線パターン４６Ａ）の一部を外部接続用パッドＰ２として露出させるための開口部１３Ｘが形成されている。この外部接続用パッドＰ２には、配線基板１０をマザーボード等の実装基板に実装する際に使用されるはんだボールやリードピン等の外部接続端子が接続されるようになっている。なお、必要に応じて、開口部１３Ｘから露出する配線パターン４６Ａ上に表面処理層を形成するようにしてもよい。表面処理層の例としては、Ａｕ層、Ｎｉ／Ａｕ層（Ｎｉ層とＡｕ層をこの順番で積層した金属層）や、Ｎｉ層／Ｐｄ層／Ａｕ層（Ｎｉ層とＰｄ層とＡｕ層をこの順番で積層した金属層）などを挙げることができる。これらＮｉ層、Ａｕ層、Ｐｄ層としては、例えば、無電解めっき法により形成された金属層を用いることができる。また、外部接続用パッドＰ２の下面に、ＯＳＰ処理などの酸化防止処理を施して表面処理層を形成するようにしてもよい。なお、開口部１３Ｘから露出する配線パターン４６Ａ（あるいは、配線パターン４６Ａ上に表面処理層が形成されている場合には、その表面処理層）自体を、外部接続端子としてもよい。
【００５２】
外部接続用パッドＰ２及び開口部１３Ｘの平面形状は、任意の形状及び任意の大きさとすることができる。例えば、外部接続用パッドＰ２及び開口部１３Ｘの平面形状は、直径が２００〜３００μｍ程度の円形状とすることができる。なお、ソルダレジスト層１３の材料としては、例えば、フェノール系樹脂やポリイミド系樹脂などを主成分とする感光性の絶縁性樹脂を用いることができる。ソルダレジスト層１３は、例えば、シリカやアルミナ等のフィラーを含有していてもよい。
【００５３】
ソルダレジスト層１３の厚さＴ２、つまり絶縁層４５の下面からソルダレジスト層１３の下面までの厚さＴ２は、配線構造１２の厚さＴ１と等しい、又は、厚さＴ１よりも厚く設定されている。例えば、配線構造１２の厚さＴ１が３０μｍである場合には、ソルダレジスト層１３の厚さＴ２は例えば３０〜５０μｍ程度とすることができる。具体的には、ソルダレジスト層１３の厚さＴ２に対する配線構造１２の厚さＴ１の比率（Ｔ１／Ｔ２）は、１以下とすることが好ましく、０．７５以下とすることが更に好ましい。このようにソルダレジスト層１３の厚さを設定することにより、配線基板１０の反り量を低減することができる。
【００５４】
配線基板１０において、コア基板２０の弾性率は約３０ＧＰａ程度とし、コア基板２０の熱膨張係数は約１０ｐｐｍ／℃程度とすることが好ましい。また、熱硬化性樹脂（非感光性樹脂）を主成分とする絶縁層３１，３３，３５，４１，４３，４５の弾性率は約５〜１５ＧＰａ程度とし、絶縁層３１，３３，３５，４１，４３，４５の熱膨張係数は約１０〜４０ｐｐｍ／℃程度とすることが好ましい。また、感光性樹脂を主成分とする絶縁層５１，５３，５５の弾性率は約５ＧＰａ程度とし、絶縁層５１，５３，５５の熱膨張係数は約５０〜７０ｐｐｍ／℃程度とすることが好ましい。また、感光性樹脂を主成分とするソルダレジスト層１３の弾性率は約２〜４ＧＰａ程度とし、ソルダレジスト層１３の熱膨張係数は約４０〜５０ｐｐｍ／℃程度とすることが好ましい。
【００５５】
なお、各絶縁層の熱膨張係数は、例えば、フィラーの含有量により所定値に調整することができる。但し、感光性樹脂を主成分とする絶縁層では、フィラーの含有量が多くなると露光が不可能となるため、含有可能なフィラーの量には制限（上限）がある。したがって、感光性樹脂を主成分とする絶縁層の熱膨張係数は、熱硬化性樹脂を主成分とする絶縁層の熱膨張係数よりも大きくなる傾向がある。フィラーとしては、前述したシリカやアルミナ以外に、例えば、カオリン（Ａｌ２Ｓｉ２Ｏ５（ＯＨ４））、タルク（Ｍｇ３Ｓｉ４Ｏ１０（ＯＨ２））などを用いてもよい。または、これらを混在させてもよい。
【００５６】
上述した物性値（弾性率及び熱膨張係数）とすることにより、配線基板１０は、コア基板２０を中心として外層に向かうに連れて徐々に軟らかくなる構造となる。このため、上述した、配線層５０，５２，５４，５６と配線層４６の体積の関係、及びソルダレジスト層１３と配線構造１２の厚さの関係との相乗効果により、配線基板１０の反りが抑制される。
【００５７】
次に、図３に従って、半導体装置６０の構造について説明する。
図３に示すように、半導体装置６０は、配線基板１０と、１又は複数の半導体チップ７０と、アンダーフィル樹脂７５とを有している。
【００５８】
半導体チップ７０は、配線基板１０にフリップチップ実装されている。すなわち、半導体チップ７０の回路形成面（ここでは、下面）に配設された接続端子７１を、接合部材７２を介して配線基板１０のパッドＰ１に接合することにより、半導体チップ７０は、接続端子７１及び接合部材７２を介してパッドＰ１（配線層５６）と電気的に接続されている。
【００５９】
半導体チップ７０としては、例えば、ＣＰＵ（Central Processing Unit）チップやＧＰＵ（Graphics Processing Unit）チップなどのロジックチップを用いることができる。また、半導体チップ７０としては、例えば、ＤＲＡＭ（Dynamic Random Access Memory）チップ、ＳＲＡＭ（Static Random Access Memory）チップやフラッシュメモリチップなどのメモリチップを用いることもできる。なお、配線基板１０に複数の半導体チップ７０を搭載する場合には、ロジックチップとメモリチップとを組み合わせて配線基板１０に搭載するようにしてもよい。
【００６０】
半導体チップ７０の大きさは、例えば、平面視で３ｍｍ×３ｍｍ〜１２ｍｍ×１２ｍｍ程度とすることができる。また、半導体チップ７０の厚さは、例えば、５０〜１００μｍ程度とすることができる。
【００６１】
接続端子７１としては、例えば、金属ポストを用いることができる。この接続端子７１は、半導体チップ７０の回路形成面から下方に延びる柱状の接続端子である。本例の接続端子７１は、例えば、円柱状に形成されている。このような接続端子７１の高さは、例えば、１０〜２０μｍ程度とすることができる。接続端子７１の直径は、例えば、２０〜３０μｍ程度とすることができる。また、接続端子７１のピッチは、例えば、４０〜６０μｍ程度とすることができる。接続端子７１の材料としては、例えば、銅や銅合金を用いることができる。なお、接続端子７１としては、金属ポストの他に、例えば、金バンプを用いることもできる。
【００６２】
接合部材７２は、パッドＰ１に接合されるとともに、接続端子７１に接合されている。接合部材７２としては、例えば、錫（Ｓｎ）層や鉛（Ｐｂ）フリーはんだのはんだを用いることができる。はんだの材料としては、例えば、Ｓｎ−銀（Ａｇ）系、Ｓｎ−Ｃｕ系、Ｓｎ−Ａｇ−Ｃｕ系の鉛フリーはんだを用いることができる。なお、接合部材７２の厚さは、例えば、５〜１５μｍ程度とすることができる。
【００６３】
アンダーフィル樹脂７５は、配線基板１０と半導体チップ７０との隙間を充填するように設けられている。アンダーフィル樹脂７５の材料としては、例えば、エポキシ系樹脂などの絶縁性樹脂を用いることができる。
【００６４】
次に、配線基板１０の製造方法について説明する。なお、以下の説明では、配線基板１０となる複数の部分を一括して製作した後に、個片化して多数の配線基板１０を製造する、いわゆる多数個取りの製造方法について説明する。
【００６５】
まず、図４（ａ）に示す工程では、コア基板２０の上面２０Ａに平板状の金属箔８１が積層され、コア基板２０の下面２０Ｂに平板状の金属箔８２が積層された基材を準備する。このとき、コア基板２０としては、配線基板１０が多数個取れる大判の基板が使用される。詳述すると、コア基板２０は、配線基板１０に対応する構造体が形成される領域Ａ１を複数個有している。このコア基板２０は、領域Ａ１に配線基板１０に対応する構造体が形成された後、切断線Ａ２に沿ってスライサー等によって切断される。これにより、配線基板１０に対応する構造体が個片化され、複数の配線基板１０が製造されることになる。なお、金属箔８１，８２としては、例えば、厚さが１０〜２０μｍ程度の銅箔を用いることができる。
【００６６】
次に、コア基板２０（基材）に複数の貫通孔２０Ｘを形成する。この貫通孔２０Ｘは、例えば、ドリル加工法により形成することができる。
続いて、図４（ｂ）に示す工程では、例えば、銅等を用いた無電解めっき法と電解めっき法等により、各貫通孔２０Ｘの内側面に貫通電極２１を形成する。次いで、貫通電極２１が形成された各貫通孔２０Ｘの中心部に、例えばエポキシ系樹脂等の絶縁性樹脂を充填して樹脂２２を形成する。また、貫通電極２１及び樹脂２２の上端面及び下端面に、例えば、無電解めっき法と電解めっき法等により銅パターンを形成する。なお、図４（ｂ）では、貫通電極２１及び樹脂２２の上端面及び下端面に形成された銅パターンと、その周辺部の金属箔とは特に区別していない。このため、図４（ｂ）では、銅パターンを形成した部分も含めて平板状の金属箔８１，８２として図示している。
【００６７】
次いで、平板状の金属箔８１，８２をパターニングして、図４（ｃ）に示すように、コア基板２０の上面２０Ａに配線層２３を形成し、コア基板２０の下面２０Ｂに配線層２４を形成する。このように、配線層２３，２４は、例えば、サブトラクティブ法により形成される。
【００６８】
次に、図４（ｄ）に示す工程では、コア基板２０の上面２０Ａ及び配線層２３を被覆する絶縁層３１を形成するとともに、コア基板２０の下面２０Ｂ及び配線層２４を被覆する絶縁層４１を形成する。絶縁層３１，４１として樹脂フィルムを用いる場合には、例えば、コア基板２０の上面２０Ａ及び下面２０Ｂに樹脂フィルムをラミネートする。そして、樹脂フィルムを押圧しながら硬化温度以上の温度（例えば、１３０〜２００℃程度）で熱処理して硬化させることにより、絶縁層３１，４１を形成することができる。このとき、樹脂フィルムを真空雰囲気中でラミネートすることにより、ボイドの巻き込みを防止することができる。なお、樹脂フィルムとしては、例えば、エポキシ系樹脂を主成分とする熱硬化性樹脂のフィルムを用いることができる。また、絶縁層３１，４１として液状又はペースト状の絶縁性樹脂を用いる場合には、コア基板２０の上面２０Ａ及び下面２０Ｂに液状又はペースト状の絶縁性樹脂をスピンコート法などにより塗布する。そして、塗布した絶縁性樹脂を硬化温度以上の温度で熱処理して硬化させることにより、絶縁層３１，４１を形成することができる。なお、液状又はペースト状の絶縁性樹脂としては、例えば、エポキシ系樹脂を主成分とする熱硬化性樹脂を用いることができる。
【００６９】
続いて、図５（ａ）に示す工程では、配線層２３の上面の一部が露出されるように絶縁層３１の所定箇所に貫通孔３１Ｘを形成するとともに、配線層２４の下面の一部が露出されるように絶縁層４１の所定箇所に貫通孔４１Ｘを形成する。これら貫通孔３１Ｘ，４１Ｘは、例えば、ＣＯ２レーザやＵＶ−ＹＡＧレーザ等によるレーザ加工法によって形成することができる。次いで、貫通孔３１Ｘ，４１Ｘをレーザ加工法によって形成した場合には、デスミア処理を行って、貫通孔３１Ｘ，４１Ｘの底部に露出する配線層２３，２４の露出面に付着した樹脂スミアを除去する。
【００７０】
続いて、図５（ｂ）に示す工程では、絶縁層３１の貫通孔３１Ｘに充填されたビア配線と、そのビア配線を介して配線層２３と電気的に接続され、絶縁層３１の上面に積層された配線層３２とを形成する。また、絶縁層４１の貫通孔４１Ｘに充填されたビア配線と、そのビア配線を介して配線層２４と電気的に接続され、絶縁層４１の下面に積層された配線層４２を形成する。これら配線層３２，４２は、例えば、セミアディティブ法やサブトラクティブ法などの各種の配線形成方法を用いて形成することができる。
【００７１】
次に、図４（ｄ）〜図５（ｂ）に示した工程と同様の工程を再度実行することにより、図５（ｃ）に示すように、絶縁層３１の上面に絶縁層３３と配線層３４を積層するとともに、絶縁層４１の下面に絶縁層４３と配線層４４を積層する。
【００７２】
また、図５（ｃ）に示す工程では、図４（ｄ）及び図５（ａ）に示した工程と同様の工程を再度実行することにより、絶縁層３３の上面に、貫通孔３５Ｘを有する絶縁層３５を積層するとともに、絶縁層４３の下面に、貫通孔４５Ｘを有する絶縁層４５を積層する。
【００７３】
次いで、貫通孔３５Ｘ，４５Ｘをレーザ加工法によって形成した場合には、デスミア処理を行って、貫通孔３５Ｘ，４５Ｘの底部に露出する配線層３４，４４の露出面に付着した樹脂スミアを除去する。このデスミア処理により、貫通孔３５Ｘの内側面及び絶縁層３５の上面３５Ａが粗化されるとともに、貫通孔４５Ｘの内側面及び絶縁層４５の下面が粗化される。
【００７４】
次に、図６（ａ）に示す工程では、絶縁層４５の貫通孔４５Ｘに充填されたビア配線４７を形成するとともに、絶縁層４５の下面に配線層４６を形成する。このとき、絶縁層４５の下面には、ビア配線４７を介して配線層４４と電気的に接続される配線パターン４６Ａと、その配線パターン４６Ａの配置されていない領域の一部に形成されたダミーパターン４６Ｂとが形成される。この配線層４６は、例えば、セミアディティブ法やサブトラクティブ法などの各種の配線形成方法を用いて形成することができる。
【００７５】
また、図６（ａ）に示す工程では、貫通孔３５Ｘの内面を含む絶縁層３５の上面３５Ａ全面を被覆するシード層（図示略）を形成し、そのシード層を給電層とする電解めっきを施す。例えば、絶縁層３５の表面全面を被覆するシード層を無電解銅めっき法により形成し、そのシード層を給電層とする電解銅めっき法を施して導電層８３を形成する。これにより、貫通孔３５Ｘを充填するとともに、絶縁層３５の上面３５Ａ全面を被覆する導電層８３が形成される。
【００７６】
続いて、図６（ｂ）に示す工程では、例えば、ＣＭＰ法（Chemical Mechanical Polishing）等により、絶縁層３５の上面３５Ａから突出する導電層８３を研磨するとともに、粗化面である絶縁層３５の上面３５Ａの一部を研磨する。これにより、貫通孔３５Ｘ内に充填されたビア配線３６が形成され、そのビア配線３６の上端面３６Ａが絶縁層３５の上面３５Ａと略面一になるように形成される。また、絶縁層３５の上面３５Ａの一部を研磨することにより、絶縁層３５の上面３５Ａが平滑化される。例えば、研磨前における絶縁層３５の上面３５Ａの粗度が表面粗さＲａ値で３００〜４００ｎｍ程度であるのに対し、研磨により絶縁層３５の上面３５Ａの粗度を表面粗さＲａ値で１５〜４０ｎｍ程度とすることができる。換言すると、本工程では、絶縁層３５の上面３５Ａが平滑化される（例えば、表面粗さＲａ値で１５〜４０ｎｍ程度）ように、絶縁層３５の上面３５Ａが研磨される。なお、貫通孔３５Ｘの内側面は粗面化された状態のままであるため、絶縁層３５の上面３５Ａは貫通孔３５Ｘの内側面よりも表面粗度が低くなる。本工程の研磨により、絶縁層３５の上面３５Ａ及びビア配線３６の上端面３６Ａは研磨面となる。
【００７７】
以上の製造工程により、配線構造１１に対応する構造体が製造される。
次に、図７（ａ）に示す工程では、絶縁層３５の上面３５Ａ全面及びビア配線３６の上端面３６Ａ全面を被覆するようにシード層８４を形成する。このシード層８４は、例えば、スパッタ法や無電解めっき法により形成することができる。例えば、本工程では、絶縁層３５の上面３５Ａが平滑面であるため、その上面３５Ａに対してスパッタ法によりシード層８４を均一に形成することができ、シード層８４の上面を平滑に形成することができる。このため、粗化面に対してスパッタ法によりシード層８４を形成する場合に比べて、シード層８４を薄く形成することができる。例えば、スパッタ法によりシード層８４を形成する場合には、まず、絶縁層３５の上面３５Ａ及びビア配線３６の上端面３６Ａを被覆するように、それら上面３５Ａ及び上端面３６Ａ上にチタン（Ｔｉ）をスパッタリングにより堆積させてＴｉ層を形成する。その後、Ｔｉ層上に銅をスパッタリングにより堆積させてＣｕ層を形成する。これにより、２層構造（Ｔｉ層／Ｃｕ層）のシード層８４を形成することができる。このとき、Ｔｉ層の厚さは、例えば２０〜５０ｎｍ程度とすることができ、Ｃｕ層の厚さは、例えば１００〜３００ｎｍ程度とすることができる。このように、シード層８４の下層にＴｉ層を形成することにより、絶縁層３５とシード層８４との密着性を向上させることができる。なお、Ｔｉ層を窒化チタン（ＴｉＮ）からなるＴｉＮ層に変更し、ＴｉＮ層とＣｕ層からなる２層構造のシード層８４を形成するようにしてもよい。ここで、チタンや窒化チタンは、銅よりも耐腐食性の高い金属であり、銅よりも絶縁層３５との密着性が高い金属である。また、無電解めっき法によりシード層８４を形成する場合には、例えば、無電解銅めっき法によりＣｕ層（１層構造）からなるシード層８４を形成することができる。
【００７８】
なお、シード層８４を形成する前に、絶縁層３５の上面３５Ａに、Ｏ２プラズマアッシング等のプラズマ処理を施すようにしてもよい。プラズマ処理を施すことにより、絶縁層３５の上面３５Ａを粗化できる。絶縁層３５の上面３５Ａを粗化することにより、シード層８４と絶縁層３５との密着性を高めることができる。但し、絶縁層３５の上面３５Ａの粗度を低減して平滑度を向上することにより上面３５Ａ上に微細配線の形成が可能となるため、プラズマ処理では、後工程での微細配線の形成に支障のない程度に絶縁層３５の上面３５Ａを粗化する。
【００７９】
次いで、シード層８４上に、所定の箇所に開口パターン８５Ｘを有するレジスト層８５を形成する。開口パターン８５Ｘは、配線層５０（図１参照）の形成領域に対応する部分のシード層８４を露出するように形成される。レジスト層８５の材料としては、例えば、次工程のめっき処理に対して耐めっき性がある材料を用いることができる。例えば、レジスト層８５の材料としては、感光性のドライフィルムレジスト又は液状のフォトレジスト（例えば、ノボラック系樹脂やアクリル系樹脂等のドライフィルムレジストや液状レジスト）等を用いることができる。例えば、感光性のドライフィルムレジストを用いる場合には、シード層８４の上面にドライフィルムを熱圧着によりラミネートし、そのドライフィルムをフォトリソグラフィ法によりパターニングしてレジスト層８５を形成する。なお、液状のフォトレジストを用いる場合にも、同様の工程を経て、レジスト層８５を形成することができる。本工程において、レジスト層８５が形成されるシード層８４の上面が平滑面になっているため、レジスト層８５にパターニング欠陥が生じることを抑制することができる。すなわち、レジスト層８５に開口パターン８５Ｘを高精度に形成することができる。
【００８０】
次に、図７（ｂ）に示す工程では、レジスト層８５をめっきマスクとして、シード層８４の上面に、そのシード層８４をめっき給電層に利用する電解めっき法を施す。具体的には、レジスト層８５の開口パターン８５Ｘから露出されたシード層８４の上面に電解めっき法（ここでは、電解銅めっき法）を施すことにより、そのシード層８４の上面に金属層８６（電解めっき金属層）を形成する。
【００８１】
続いて、レジスト層８５を例えばアルカリ性の剥離液により除去する。次いで、金属層８６をエッチングマスクとして、不要なシード層８４をエッチングにより除去する。これにより、図８（ａ）及び図８（ｂ）に示すように、ビア配線３６の上端面３６Ａ及び絶縁層３５の上面３５Ａ上に配線層５０が形成される。この配線層５０は、図８（ｂ）に示すように、ビア配線３６の上端面３６Ａと接合されたシード層８４と、そのシード層８４上に形成された金属層８６とから構成されている。このように、配線層５０は、セミアディティブ法によって形成される。また、配線層５０とビア配線３６とは別工程で形成されるため、配線層５０とビア配線３６とは一体的に形成されていない。
【００８２】
次に、図９（ａ）に示す工程では、絶縁層３５の上面３５Ａ上に、配線層５０の上面の一部を露出する貫通孔５１Ｘを有する絶縁層５１を形成する。例えば、絶縁層５１として樹脂フィルムを用いる場合には、絶縁層３５の上面３５Ａに樹脂フィルムを熱圧着によりラミネートし、その樹脂フィルムをフォトリソグラフィ法によりパターニングして絶縁層５１を形成する。このとき、樹脂フィルムを真空雰囲気中でラミネートすることにより、ボイドの巻き込みを防止することができる。なお、樹脂フィルムとしては、例えば、フェノール系樹脂やポリイミド系樹脂等の感光性樹脂のフィルムを用いることができる。また、絶縁層５１として液状又はペースト状の絶縁性樹脂を用いる場合には、例えば、絶縁層３５の上面３５Ａに液状又はペースト状の絶縁性樹脂をスピンコート法などにより塗布し、その絶縁性樹脂をフォトリソグラフィ法によりパターニングして絶縁層５１を形成する。なお、液状又はペースト状の絶縁性樹脂としては、例えば、フェノール系樹脂やポリイミド系樹脂等の感光性樹脂を用いることができる。
【００８３】
なお、このような感光性樹脂からなる絶縁層５１の上面の粗度は、例えば、表面粗さＲａ値で２〜１０ｎｍ程度とすることができる。すなわち、絶縁層５１の上面は、貫通孔３５Ｘの内側面よりも表面粗度が低く、且つ絶縁層３５の上面３５Ａよりも表面粗度が低い。
【００８４】
次いで、図９（ｂ）に示す工程では、貫通孔５１Ｘに充填されたビア配線と、そのビア配線を介して配線層５０と電気的に接続され、絶縁層５１の上面に積層された配線層５２とを形成する。このとき、配線層５２は、図１０（ｂ）に示すように、貫通孔５１Ｘ周辺の絶縁層５１の上面を被覆するシード層９１と、そのシード層９１上に形成された電解銅めっき層９２とから構成されている。この配線層５２は、例えば、セミアディティブ法を用いて形成することができる。なお、シード層９１は、シード層８４と同様に、例えば、スパッタ法や無電解めっき法により形成することができる。
【００８５】
次に、図１０（ａ）に示す工程では、図９（ａ）に示した工程と同様に、絶縁層５１上に、配線層５２の上面の一部を露出する貫通孔５３Ｘを有する絶縁層５３を形成する。続いて、図９（ｂ）に示した工程と同様に、例えばセミアディティブ法により、貫通孔５３Ｘに充填されたビア配線と、そのビア配線を介して配線層５２と電気的に接続され、絶縁層５３の上面に積層された配線層５４とを形成する。このとき、配線層５４は、図１０（ｂ）に示すように、貫通孔５３Ｘ周辺の絶縁層５３の上面を被覆するシード層９３と、そのシード層９３上に形成された電解銅めっき層９４とから構成されている。なお、シード層９３は、シード層８４と同様に、例えば、スパッタ法や無電解めっき法により形成することができる。
【００８６】
次に、図９（ａ）に示した工程と同様に、絶縁層５３上に、配線層５４の上面の一部を露出する貫通孔５５Ｘを有する絶縁層５５を形成する。続いて、図９（ｂ）に示した工程と同様に、例えばセミアディティブ法により、貫通孔５５Ｘに充填されたビア配線と、そのビア配線を介して配線層５４と電気的に接続され、絶縁層５５の上面に積層された配線層５６とを形成する。このとき、配線層５６は、貫通孔５５Ｘ周辺の絶縁層５５の上面を被覆するシード層９５と、そのシード層９５上に形成された電解銅めっき層９６とから構成されている。なお、必要に応じて、配線層５６のパッドＰ１の表面に表面処理層を形成するようにしてもよい。また、シード層９５は、シード層８４と同様に、例えば、スパッタ法や無電解めっき法により形成することができる。
【００８７】
以上の製造工程により、配線構造１１の最上層に形成された絶縁層３５の上面３５Ａ上に配線構造１２を積層することができる。このとき、配線構造１２全体の配線層５０，５２，５４，５６の体積Ｖ１は、配線構造１１の最下層の配線層４６の体積Ｖ２と略等しくなるように設定されている。
【００８８】
また、図１０（ａ）に示す工程では、配線構造１１の最下層の配線パターン４６Ａの所要箇所に画定される外部接続用パッドＰ２を露出させるための開口部１３Ｘを有するソルダレジスト層１３を、絶縁層４５の下面に積層する。このとき、ソルダレジスト層１３の厚さＴ２（絶縁層４５の下面からソルダレジスト層１３の下面までの厚さ）は、配線構造１２の厚さＴ１（絶縁層３５の上面３５Ａから絶縁層５５の上面までの厚さ）と等しい、又は配線構造１２の厚さＴ１よりも厚く設定されている。ソルダレジスト層１３は、感光性のフェノール系樹脂やポリイミド系樹脂からなる。このソルダレジスト層１３は、例えば、感光性のソルダレジストフィルムをラミネートし、又は液状のソルダレジストを塗布し、当該レジストを所要の形状にパターニングすることにより形成することができる。これにより、ソルダレジスト層１３の開口部１３Ｘから配線パターン４６Ａの一部が外部接続用パッドＰ２として露出される。
【００８９】
なお、必要に応じて、外部接続用パッドＰ２上に表面処理層を形成するようにしてもよい。また、ソルダレジスト層１３は、最下層の配線層４６を形成した後であればいつ形成してもよい。例えば、図６（ａ）に示した工程の後にソルダレジスト層１３を形成するようにしてもよい。
【００９０】
以上の製造工程により、各領域Ａ１に配線基板１０に対応する構造体が製造される。
次に、図１０（ａ）に示した構造体を、スライサー等を用いて切断線Ａ２に沿って切断することにより、個片化された複数の配線基板１０を得る。
【００９１】
次に、図１１に従って、半導体装置６０の製造方法について説明する。
図１１に示す工程では、まず、柱状の接続端子７１を有する半導体チップ７０を用意する。接続端子７１は、公知の製造方法により製造することが可能であるため、図示を省略して詳細な説明を割愛するが、例えば以下のような方法で製造される。
【００９２】
まず、半導体チップ７０の回路形成面（ここでは、下面）に、例えば電極パッドを露出させる開口部を有する保護膜を形成し、その保護膜の下面及び電極パッドの下面を被覆するようにシード層を形成する。次に、接続端子７１の形成領域に対応する部分のシード層（電極パッドの下面を被覆するシード層）を露出させたレジスト層を形成する。続いて、レジスト層から露出されたシード層上に、そのシード層を給電層に利用する電解めっき法（例えば、電解銅めっき法）を施すことにより、電極パッド上に柱状の接続端子７１を形成する。
【００９３】
続いて、接続端子７１の下面に、接合部材７２を形成する。この接合部材７２は、例えば、レジスト層をめっきマスクに利用し、シード層をめっき給電層に利用する電解はんだめっき法により、接続端子７１の下面にはんだを被着することにより形成することができる。その後、不要なシード層及びレジスト層を除去する。
【００９４】
次いで、配線基板１０のパッドＰ１上に、半導体チップ７０の接続端子７１をフリップチップ接合する。例えば、配線基板１０と半導体チップ７０とを位置合わせした後に、リフロー処理を行って接合部材７２（はんだめっき層）を溶融させ、接続端子７１をパッドＰ１に電気的に接続する。
【００９５】
その後、フリップチップ接合された半導体チップ７０と配線基板１０との間に、アンダーフィル樹脂７５（図３参照）を充填し、そのアンダーフィル樹脂７５を硬化する。以上の製造工程により、図３に示した半導体装置６０を製造することができる。
【００９６】
以上説明した本実施形態によれば、以下の効果を奏することができる。
（１）配線基板１０は、コア基板２０を中心として絶縁層及び配線層が上下略対称に形成された配線構造１１を有している。また、配線基板１０は、配線構造１１の上面に配線層及び絶縁層が複数層積層された配線構造１２が形成され、配線構造１１の下面にソルダレジスト層１３が形成されており、配線構造１１を中心として上下非対称の構造になっている。具体的には、外部接続用パッドＰ２が設けられる配線パターン４６Ａは配線密度が低いため、その配線パターン４６Ａと配線構造１２との間で配線密度の差が生じ、配線構造１１を中心として上下非対称の構造になっている。このため、配線基板１０は、反りが発生し易い構造になっている。
【００９７】
但し、本実施形態の配線基板１０では、配線構造１１の最下層の絶縁層４５の下面に積層された配線層４６の体積Ｖ２を、配線構造１１の最上層の絶縁層３５の上面３５Ａに積層された配線層５０，５２，５４，５６の体積Ｖ１と略等しくなるように設定した。これにより、最下層の絶縁層４５の下方における配線密度と、最上層の絶縁層３５の上方における配線密度との差を小さくすることができる。したがって、コア基板２０を中心とした上下の物性値（熱膨張係数や弾性率等）のバランスが良好となる。すなわち、配線基板１０を上下方向（厚さ方向）に見たときに、コア基板２０を中心とした物性値の分布が上下対称に近づく。このため、配線基板１０に反りやうねりが発生することを好適に抑制することができる。
【００９８】
（２）ところで、配線基板１０に反りやうねりが発生した場合には、熱硬化性樹脂を主成分とする絶縁層３５と、感光性樹脂を主成分とする絶縁層５１との界面に応力が生じる。このとき、絶縁層３５の上面３５Ａが平滑面である場合には、絶縁層３５と絶縁層５１との密着性が弱いため、応力に起因して絶縁層５１が絶縁層３５から剥離しやすくなるという問題がある。これに対し、本例では、配線基板１０に反りやうねりが発生することを抑制できるため、絶縁層５１が絶縁層３５から剥離することを好適に抑制することができる。
【００９９】
（３）配線層４６に、配線パターン４６Ａとダミーパターン４６Ｂを設けるようにした。このとき、配線パターン４６Ａの配線密度が低いため、ダミーパターン４６Ｂを配置する領域を容易に確保することができる。
【０１００】
（４）ソルダレジスト層１３の厚さＴ２を、配線構造１２内の全ての絶縁層を合わせた厚さＴ１と等しい、又は厚さＴ１よりも厚く形成するようにした。これにより、配線基板１０を上下方向（厚さ方向）に見たときの物性値の分布を、コア基板２０を中心にして上下対称に近づけることができる。したがって、コア基板２０を中心とした上下の物性値のバランスが良好となり、熱収縮などに伴って配線基板１０に反りや変形が発生することを好適に抑制することができる。
【０１０１】
（５）絶縁層３５に設けられた貫通孔３５Ｘの内側面を粗化面とした。これにより、貫通孔３５Ｘの内側面が平滑面である場合に比べて、ビア配線３６と絶縁層３５との接触面積を増大させることができる。このため、ビア配線３６と絶縁層３５との密着性が向上し、ビア配線３６と絶縁層３５との線膨張係数の差に起因した引っ張り力に対して強くなる。したがって、ビア配線３６と絶縁層３５との接続信頼性を向上させることができるとともに、ビア配線３６が貫通孔３５Ｘから抜けることを抑制することができる。
【０１０２】
（６）絶縁層３５の上面３５Ａを、その絶縁層３５の貫通孔３５Ｘの内側面よりも平滑な面とした。このため、例えばスパッタ法により、絶縁層３５の上面３５Ａに金属膜（例えば、シード層８４）を均一に形成することができる。したがって、粗化面にシード層８４を形成する場合に比べて、シード層８４を薄く形成することができる。さらに、絶縁層３５の上面３５Ａは凹凸の少ない平滑面であるため、絶縁層３５の上面３５Ａが凹凸の大きい粗化面である場合に比べて、シード層８４をエッチング除去する際の残渣の発生を抑制することができる。これらにより、絶縁層３５の上面３５Ａに積層される配線層の微細化が進んだ場合であっても、その配線層の微細化に容易に対応することができる。
【０１０３】
（第２実施形態）
以下、図１２〜図１５に従って第２実施形態を説明する。この実施形態の配線基板１０Ａは、配線構造１１が配線構造１１Ａに置換された点が上記第１実施形態と異なっている。先の図１〜図１１に示した部材と同一の部材にはそれぞれ同一の符号を付して示し、それら各要素についての詳細な説明は省略する。
【０１０４】
図１２に示すように、配線基板１０Ａは、配線構造１１Ａと、配線構造１１Ａの上面に積層された配線構造１２と、配線構造１１Ａの下面に積層されたソルダレジスト層１３とを有している。配線基板１０Ａの平面形状は、任意の形状及び任意の大きさとすることができる。例えば、配線基板１０Ａの平面形状は、２０ｍｍ×２０ｍｍ〜４０ｍｍ×４０ｍｍ程度の正方形状とすることができる。
【０１０５】
配線構造１１Ａは、配線構造１２よりも配線密度の低い配線層が形成された低密度配線層である。この配線構造１１Ａは、コア基板２０と、コア基板２０の上面２０Ａに積層された絶縁層１３１及びビア配線１３２と、コア基板２０の下面２０Ｂに積層された絶縁層１４１及び配線層１４２とを有している。
【０１０６】
ここで、絶縁層１３１，１４１は、補強材入りの絶縁層であって、機械的強度（剛性や硬度等）の高い絶縁層である。例えば、絶縁層１３１，１４１は、配線構造１２の絶縁層５１，５３，５５よりも機械的強度の高い絶縁層である。この絶縁層１３１，１４１の材料としては、例えば、補強材であるガラスクロスにエポキシ樹脂を主成分とする熱硬化性の絶縁性樹脂を含浸させ硬化させた、いわゆるガラスエポキシ樹脂を用いることができる。絶縁層１３１は、所要数（図１２では、１個）のガラスクロス１３１Ｇを有し、絶縁層１４１は、所要数（図１２では、１個）のガラスクロス１４１Ｇを有している。これらガラスクロス１３１Ｇ，１４１Ｇは、ガラスクロス２０Ｇと同様の構造を有している。なお、補強材としてはガラスクロス１３１Ｇに限らず、例えば、炭素繊維束、ポリエステル繊維束、ナイロン繊維束、アラミド繊維束、液晶ポリマ繊維束等を用いた織布や不織布を用いることができる。また、熱硬化性の絶縁性樹脂としては、エポキシ系樹脂に限らず、例えば、ポリイミド系樹脂やシアネート系樹脂などの樹脂材を用いることができる。
【０１０７】
絶縁層１３１は、配線層２３を被覆するように、コア基板２０の上面２０Ａに積層されている。絶縁層１３１の厚さは、例えば、コア基板２０よりも薄く設定されている。例えば、絶縁層１３１の厚さは４０〜７５μｍ程度とすることができる。
【０１０８】
絶縁層１３１には、上面１３１Ａの所要の箇所に開口し、当該絶縁層１３１を厚さ方向に貫通して配線層２３の上面の一部を露出する貫通孔１３１Ｘが形成されている。貫通孔１３１Ｘは、図１２において下側（コア基板２０側）から上側（配線構造１２側）に向かうに連れて径が大きくなるテーパ状に形成されている。例えば、貫通孔１３１Ｘは、下側の開口端の開口径が上側の開口端の開口径よりも小径となる逆円錐台形状に形成されている。なお、貫通孔１３１Ｘの上側の開口端の開口径は、貫通孔２０Ｘの直径よりも小径に設定されている。例えば、貫通孔１３１Ｘの上側の開口端の開口径は５０〜７０μｍ程度とすることができる。
【０１０９】
この貫通孔１３１Ｘによってガラスクロス１３１Ｇが分断されている。分断されたガラスクロス１３１Ｇの端部は、例えば、貫通孔１３１Ｘの側壁から該貫通孔１３１Ｘの内側に向かって突出している。
【０１１０】
絶縁層１３１の上面１３１Ａは、凹凸が少ない平滑面（低粗度面）である。例えば、絶縁層１３１の上面１３１Ａは、貫通孔１３１Ｘの内側面よりも表面粗度が低くなっている。絶縁層１３１の上面１３１Ａの粗度は、表面粗さＲａ値で例えば１５〜４０ｎｍ程度となるように設定されている。また、貫通孔１３１Ｘの内側面の粗度は、表面粗さＲａ値で例えば３００〜４００ｎｍ程度となるように設定されている。
【０１１１】
貫通孔１３１Ｘ内には、配線層２３と電気的に接続されるビア配線１３２が形成されている。このビア配線１３２は、絶縁層１３１を厚さ方向に貫通するように形成されている。ビア配線１３２は、例えば、貫通孔１３１Ｘ内に充填されている。このため、ビア配線１３２は、貫通孔１３１Ｘと同様の形状に形成されている。なお、ビア配線１３２の材料としては、例えば、銅や銅合金を用いることができる。
【０１１２】
ビア配線１３２は、貫通孔１３１Ｘ内において、その貫通孔１３１Ｘの側壁から突出されたガラスクロス１３１Ｇの端部全面を被覆するように形成されている。
これら絶縁層１３１の上面１３１Ａ及びビア配線１３２の上端面１３２Ａには、配線構造１２が積層されている。例えば、配線構造１２の配線層５０は、ビア配線１３２の上端面１３２Ａと接続するように、絶縁層１３１の上面１３１Ａに積層されている。
【０１１３】
一方、コア基板２０の下面２０Ｂには、絶縁層１４１と、配線層１４２とが順に積層されている。絶縁層１４１は、配線層２４を被覆するように、コア基板２０の下面２０Ｂに積層されている。絶縁層１４１の厚さは、例えば、コア基板２０よりも薄く設定されている。例えば、絶縁層１４１の厚さは４０〜７５μｍ程度とすることができる。
【０１１４】
絶縁層１４１には、所要の箇所に、当該絶縁層１４１を厚さ方向に貫通する貫通孔１４１Ｘが形成されている。貫通孔１４１Ｘは、図１２において上側（コア基板２０側）から下側（ソルダレジスト層１３側）に向かうに連れて径が大きくなるテーパ状に形成されている。例えば、貫通孔１４１Ｘは、下側の開口端の開口径が上側の開口端の開口径よりも大径となる円錐台形状に形成されている。なお、貫通孔１４１Ｘの下側の開口端の開口径は、貫通孔２０Ｘの直径よりも小径に設定されている。例えば、貫通孔１４１Ｘの下側の開口端の開口径は５０〜７０μｍ程度とすることができる。
【０１１５】
この貫通孔１４１Ｘによってガラスクロス１４１Ｇが分断されている。分断されたガラスクロス１４１Ｇの端部は、例えば、貫通孔１４１Ｘの側壁から該貫通孔１４１Ｘの内側に向かって突出している。
【０１１６】
配線層１４２は、配線構造１１Ａの最下層の絶縁層１４１の下面に積層された最下層の配線層である。配線層１４２の一部は、貫通孔１４１Ｘ内に形成されたビア配線１４３を介して配線層２４と電気的に接続されている。ビア配線１４３は、例えば、貫通孔１４１Ｘ内に充填されている。このため、ビア配線１４３は、貫通孔１４１Ｘと同様の形状に形成されている。
【０１１７】
配線層１４２は、例えば、ビア配線１４３と一体に形成され、ビア配線１４３を介して配線層２４と電気的に接続された配線パターン１４２Ａと、配線パターン１４２Ａの形成されていない領域の一部に形成されたダミーパターン１４２Ｂとを有している。ダミーパターン１４２Ｂは、上記第１実施形態のダミーパターン４６Ｂと同様に形成されている。
【０１１８】
なお、配線層１４２（配線パターン１４２Ａ及びダミーパターン１４２Ｂ）及びビア配線１４３の材料としては、例えば、銅や銅合金を用いることができる。
ここで、配線構造１１Ａの最下層の配線層１４２（配線パターン１４２Ａ及びダミーパターン１４２Ｂ）の体積Ｖ２は、配線構造１２全体の配線層５０，５２，５４，５６の体積Ｖ１と略等しくなるように設定されている。具体的には、体積Ｖ２に対する体積Ｖ１の体積比Ｖ１／Ｖ２が０．８〜１．５の範囲に設定されている。
【０１１９】
ソルダレジスト層１３は、配線構造１１Ａの最下層に形成された絶縁層１４１の下面に、最下層の配線層１４２を被覆するように形成されている。このソルダレジスト層１３の開口部１３Ｘから配線層１４２（具体的には、配線パターン１４２Ａ）の下面の一部が外部接続用パッドＰ２として露出される。
【０１２０】
次に、配線基板１０Ａの製造方法について説明する。なお、以下の説明では、配線基板１０Ａとなる複数の部分を一括して製作した後に、個片化して多数の配線基板１０Ａを製造する、いわゆる多数個取りの製造方法について説明する。
【０１２１】
まず、図１３（ａ）に示す工程では、図４（ａ）〜図４（ｃ）に示した工程と同様に、コア基板２０の上面２０Ａに配線層２３を形成し、コア基板２０の下面に配線層２４を形成する。
【０１２２】
続いて、図１３（ｂ）に示す工程では、コア基板２０の上面２０Ａ及び配線層２３を被覆する絶縁層１３１を形成するとともに、コア基板２０の下面２０Ｂ及び配線層２４を被覆する絶縁層１４１を形成する。これら絶縁層１３１，１４１は、例えば、コア基板２０に樹脂フィルムをラミネートした後に、樹脂フィルムを押圧しながら１３０〜２００℃程度の温度で熱処理して硬化させることにより形成することができる。ここで、樹脂フィルムとしては、補強材であるガラスクロスにエポキシ樹脂等の熱硬化性樹脂を含浸させた樹脂フィルムを用いることができる。
【０１２３】
続いて、図１４（ａ）に示す工程では、配線層２３の上面の一部が露出されるように絶縁層１３１の所定箇所に貫通孔１３１Ｘを形成するとともに、配線層２４の下面の一部が露出されるように絶縁層１４１の所定箇所に貫通孔１４１Ｘを形成する。これら貫通孔１３１Ｘ，１４１Ｘは、例えば、ＣＯ２レーザやＵＶ−ＹＡＧレーザ等によるレーザ加工法によって形成することができる。レーザ加工法により貫通孔１３１Ｘを形成すると、レーザにより切断されたガラスクロス１３１Ｇの端部が貫通孔１３１Ｘの側壁から突出する。これにより、ガラスクロス１３１Ｇ部分の表面粗さが樹脂部分（つまり、貫通孔１３１Ｘの側壁を構成する樹脂層）の表面粗さよりも大きくなる。同様に、レーザ加工法により貫通孔１４１Ｘを形成した場合には、レーザにより切断されたガラスクロス１４１Ｇの端部が貫通孔１４１Ｘの側壁から突出する。
【０１２４】
次いで、貫通孔１３１Ｘ，１４１Ｘをレーザ加工法によって形成した場合には、デスミア処理を行って、貫通孔１３１Ｘ，１４１Ｘの底部に露出する配線層２３，２４の露出面に付着した樹脂スミアを除去する。なお、このデスミア処理により、貫通孔１３１Ｘの内側面及び絶縁層１３１の上面１３１Ａが粗化されるとともに、貫通孔１４１Ｘの内側面及び絶縁層１４１の下面が粗化される。
【０１２５】
続いて、図１４（ｂ）に示す工程では、図６（ａ）に示した工程と同様に、絶縁層１４１の貫通孔１４１Ｘに充填されたビア配線１４３を形成するとともに、絶縁層１４１の下面に配線層１４２を形成する。このとき、ビア配線１４３は、貫通孔１４１Ｘの側壁から突出するガラスクロス１４１Ｇの端部全面を被覆するように形成される。このため、貫通孔１４１Ｘの側壁から突出されたガラスクロス１４１Ｇの端部がビア配線１４３に食い込むように形成されることになる。また、本工程により、絶縁層１４１の下面に、ビア配線１４３を介して配線層２４と電気的に接続される配線パターン１４２Ａが形成されるとともに、配線パターン１４２Ａの配置されていない領域にダミーパターン１４２Ｂが形成される。
【０１２６】
また、図１４（ｂ）に示す工程では、貫通孔１３１Ｘの内面を含む絶縁層１３１の上面１３１Ａ全面及び貫通孔１３１Ｘから露出する配線層２３の上面全面を被覆するシード層（図示略）を形成し、そのシード層を給電層とする電解めっき法を施す。これにより、貫通孔１３１Ｘを充填するとともに、絶縁層１３１の上面１３１Ａ全面を被覆する導電層１５０が形成される。
【０１２７】
次いで、図１４（ｃ）に示す工程では、例えば、ＣＭＰ法等により、絶縁層１３１の上面１３１Ａから突出する導電層１５０を研磨するとともに、粗化面である絶縁層１３１の上面１３１Ａの一部を研磨する。これにより、貫通孔１３１Ｘ内に充填されたビア配線１３２が形成され、そのビア配線１３２の上端面１３２Ａが絶縁層１３１の上面１３１Ａと略面一になるように形成される。このとき、ビア配線１３２は、貫通孔１３１Ｘの側壁から突出するガラスクロス１３１Ｇの端部全面を被覆するように形成される。このため、貫通孔１３１Ｘの側壁から突出されたガラスクロス１３１Ｇの端部がビア配線１３２に食い込むように形成されることになる。また、本工程では、絶縁層１３１の上面１３１Ａの一部を研磨することにより、絶縁層１３１の上面１３１Ａが平滑化される。
【０１２８】
以上の製造工程により、配線構造１１Ａを製造することができる。
次に、図１５に示す工程では、図７〜図１０に示した工程と同様に、配線構造１１Ａの上面、つまり絶縁層１３１の上面１３１Ａ上及びビア配線１３２の上端面１３２Ａ上に、複数の配線層５０，５２，５４，５６と複数の絶縁層５１，５３，５５とを交互に積層する。これにより、配線構造１１Ａの上面に配線構造１２が積層される。その後、配線構造１１Ａの下面、つまり絶縁層１４１の下面に、最下層の配線パターン１４２Ａの所要箇所に画定される外部接続用パッドＰ２を露出させるための開口部１３Ｘを有するソルダレジスト層１３（図１２参照）を積層する。
【０１２９】
以上の製造工程により、各領域Ａ１に配線基板１０Ａに対応する構造体が製造される。
以上説明した実施形態によれば、第１実施形態の（１）〜（６）の効果に加えて、以下の効果を奏することができる。
【０１３０】
（７）コア基板２０の上下両面に、補強材入りの絶縁性樹脂からなる絶縁層１３１，１４１を形成するようにした。これにより、コア基板２０の薄型化に伴ってコア基板２０の機械的強度が低下した場合であっても、その低下した分を絶縁層１３１，１４１の機械的強度によって補うことができる。この点について以下に説明する。
【０１３１】
まず、コア基板２０に形成される貫通孔２０Ｘの直径が１００〜２００μｍ程度であるのに対し、補強材入りの絶縁層１３１，１４１に形成される貫通孔１３１Ｘ，１４１Ｘの直径は５０〜７０μｍ程度である。すなわち、貫通孔１３１Ｘ，１４１Ｘは、貫通孔２０Ｘよりも小径に設定されている。このため、仮に貫通孔２０Ｘと貫通孔１３１Ｘ（又は、貫通孔１４１Ｘ）とを同数設けた場合には、コア基板２０のガラスクロス２０Ｇが貫通孔２０Ｘにより分断される量よりも、絶縁層１３１のガラスクロス１３１Ｇ（又は、絶縁層１４１のガラスクロス１４１Ｇ）が貫通孔１３１Ｘ（又は、貫通孔１４１Ｘ）により分断される量の方が少なくなる。このため、補強材であるガラスクロス２０Ｇ，１３１Ｇ，１４１Ｇが占める面積が大きく確保される。従って、コア基板２０を薄型化し、その厚さ減少分よりも薄い絶縁層１３１，１４１をコア基板２０の上下両面に積層した場合であっても、絶縁層１３１，１４１のガラスクロス１３１Ｇ，１４１Ｇにより、配線基板１０Ａの剛性を十分に確保することができる。このため、配線基板１０Ａ全体を薄型化することができ、さらに配線基板１０Ａに反りやうねりが発生することを好適に抑制することができる。
【０１３２】
（第３実施形態）
以下、図１６に従って第３実施形態を説明する。この実施形態の配線基板１０Ｂは、配線構造１１が配線構造１１Ｂに置換された点が上記第１実施形態と異なっている。以下、第１実施形態との相違点を中心に説明する。なお、先の図１〜図１５に示した部材と同一の部材にはそれぞれ同一の符号を付して示し、それら各要素についての詳細な説明は省略する。
【０１３３】
図１６に示すように、配線構造１１Ｂは、コア基板２０を有していない配線構造であり、配線構造１２よりも配線密度の低い配線層が形成された低密度配線層である。配線構造１１Ｂは、配線層１６０と、絶縁層１６１と、配線層１６２と、絶縁層１６３と、配線層１６４と、絶縁層１６５と、ビア配線１６６とが順に積層された構造を有している。絶縁層１６１，１６３，１６５の材料としては、例えば、エポキシ系樹脂やポリイミド系樹脂などの絶縁性樹脂を主成分とする熱硬化性の絶縁性樹脂を用いることができる。これら絶縁層１６１，１６３，１６５は、例えば、シリカやアルミナ等のフィラーを含有していてもよい。配線層１６２，１６４及びビア配線１６６の材料としては、例えば、銅や銅合金を用いることができる。また、絶縁層１６１，１６３，１６５の厚さは、例えば２０〜４５μｍ程度とすることができる。配線層１６０，１６２，１６４の厚さは、例えば、１５〜３５μｍ程度とすることができる。配線層１６０，１６２，１６４のラインアンドスペース（Ｌ／Ｓ）は、例えば、２０μｍ／２０μｍ程度とすることができる。
【０１３４】
配線層１６０は、配線構造１１Ｂの最下層の配線層である。配線層１６０の下面は、絶縁層１６１から露出されている。配線層１６０の下面は、例えば、絶縁層１６１の下面と略面一になるように形成されている。例えば、配線層１６０としては、第１金属層（例えば、Ｃｕ層）と、第２金属層（例えば、Ｎｉ層／Ａｕ層）とが積層された構造を採用することができる。この場合に、配線層１６０は、Ａｕ層が絶縁層１６１から露出するように形成されている。
【０１３５】
配線層１６０は、例えば、直上の配線層１６２と電気的に接続された配線パターン１６０Ａと、配線パターン１６０Ａの形成されていない領域の一部に形成されたダミーパターン１６０Ｂとを有している。ダミーパターン１６０Ｂは、上記第１実施形態のダミーパターン４６Ｂと同様に形成されている。
【０１３６】
ここで、配線構造１１Ｂの最下層の配線層１６０（配線パターン１６０Ａ及びダミーパターン１６０Ｂ）の体積Ｖ２は、配線構造１２全体の配線層５０，５２，５４，５６の体積Ｖ１と略等しくなるように設定されている。具体的には、体積Ｖ２に対する体積Ｖ１の体積比Ｖ１／Ｖ２が０．８〜１．５の範囲に設定されている。
【０１３７】
絶縁層１６１は、配線層１６０の上面及び側面を被覆し、配線層１６０の下面を露出するように形成されている。絶縁層１６１には、所要の箇所に、当該絶縁層１６１を厚さ方向に貫通して配線層１６０（具体的には、配線パターン１６０Ａ）の上面を露出する貫通孔１６１Ｘが形成されている。
【０１３８】
配線層１６２は、絶縁層１６１の上面に積層されている。配線層１６２は、貫通孔１６１Ｘ内に充填されたビア配線を介して配線層１６０（具体的には、配線パターン１６０Ａ）と電気的に接続されている。この配線層１６２は、例えば、貫通孔１６１Ｘ内に充填されたビア配線と一体に形成されている。
【０１３９】
絶縁層１６３は、絶縁層１６１の上面に、配線層１６２を被覆するように形成されている。絶縁層１６３には、所要の箇所に、当該絶縁層１６３を厚さ方向に貫通して配線層１６２の上面を露出する貫通孔１６３Ｘが形成されている。
【０１４０】
配線層１６４は、絶縁層１６３の上面に積層されている。配線層１６４は、貫通孔１６３Ｘ内に充填されたビア配線を介して配線層１６２と電気的に接続されている。この配線層１６４は、例えば、貫通孔１６３Ｘ内に充填されたビア配線と一体に形成されている。
【０１４１】
絶縁層１６５は、絶縁層１６３の上面に、配線層１６４を被覆するように形成されている。絶縁層１６５には、上面１６５Ａの所要の箇所に開口し、当該絶縁層１６５を厚さ方向に貫通して配線層１６４の上面を露出する貫通孔１６５Ｘが形成されている。
【０１４２】
ここで、貫通孔１６１Ｘ，１６３Ｘ，１６５Ｘは、図１６において下側（ソルダレジスト層１３側）から上側（配線構造１２側）に向かうに連れて径が大きくなるテーパ状に形成されている。例えば、貫通孔１６１Ｘ，１６３Ｘ，１６５Ｘは、上側の開口端の開口径が下側の開口端の開口径よりも大径となる逆円錐台形状に形成されている。このように、配線構造１１Ｂに形成された貫通孔１６１Ｘ，１６３Ｘ，１６５Ｘの全てが、ソルダレジスト層１３側の開口部に対して配線構造１２側の開口部が拡開されたテーパ状に形成されている。なお、貫通孔１６１Ｘ，１６３Ｘ，１６５Ｘの上側の開口端の開口径は、例えば、６０〜７０μｍ程度とすることができる。
【０１４３】
貫通孔１６５Ｘ内には、配線層１６４と絶縁層１６５の上面１６５Ａ上に形成された配線層５０とを電気的に接続するビア配線１６６が形成されている。ビア配線１６６は、例えば、貫通孔１６５Ｘ内に充填されている。このため、ビア配線１６６は、貫通孔１６５Ｘと同様の形状に形成されている。ビア配線１６６の上端面１６６Ａは、例えば、絶縁層１６５の上面１６５Ａと略面一になるように形成されている。
【０１４４】
これら絶縁層１６５の上面１６５Ａ上及びビア配線１６６の上端面１６６Ａ上には、配線構造１２が積層されている。例えば、配線構造１２の配線層５０は、ビア配線１６６の上端面１６６Ａと接続するように、絶縁層１６５の上面１６５Ａ上に積層されている。ここで、絶縁層１６５の上面１６５Ａ及びビア配線１６６の上端面１６６Ａを、例えば、上記第１実施形態の絶縁層３５の上面３５Ａ及びビア配線３６の上端面３６Ａ（図１参照）と同様に、研磨面としてもよい。
【０１４５】
一方、ソルダレジスト層１３は、配線構造１１Ｂの最下層の絶縁層１６１の下面に、最下層の配線層１６０を被覆するように形成されている。このソルダレジスト層１３の開口部１３Ｘから配線パターン１６０Ａの下面の一部が外部接続用パッドＰ２として露出される。
【０１４６】
このように配線構造１１Ｂがコア基板２０を有しない場合であっても、配線層１６０の体積Ｖ２に対する配線層５０，５２，５４，５６の体積Ｖ１の体積比Ｖ１／Ｖ２を０．８〜１．５（より好適には、１．０〜１．５）に設定することにより、配線基板１０Ｂの反り量を低減することができる。また、配線構造１１Ｂがコア基板２０を有しない場合であっても、上記第１実施形態の（２）〜（６）の効果と同様の効果を奏することができる。
【０１４７】
なお、配線構造１１Ｂは、公知の製造方法により製造することが可能であるため、図示を省略して説明を割愛するが、例えば以下のような方法で製造される。まず、支持体としての仮基板を用意し、この仮基板の上に、配線層１６０と、絶縁層１６１と、配線層１６２と、絶縁層１６３と、配線層１６４と、絶縁層１６５とを順に積層し、絶縁層１６５にビア配線１６６を形成する。これにより、仮基板上に配線構造１１Ｂに対応する構造体が製造される。そして、図７〜図１０に示した工程と同様に、配線構造１１Ｂの上面に配線構造１２を積層した後、仮基板を除去し、絶縁層１６１の下面にソルダレジスト層１３を形成することにより、配線基板１０Ｂを製造することができる。
【０１４８】
（第４実施形態）
以下、図１７に従って第４実施形態を説明する。この実施形態の配線基板１０Ｃは、配線構造１１が配線構造１１Ｃに置換された点が上記第１実施形態と異なっている。以下、第１実施形態との相違点を中心に説明する。なお、先の図１〜図１６に示した部材と同一の部材にはそれぞれ同一の符号を付して示し、それら各要素についての詳細な説明は省略する。
【０１４９】
図１７に示すように、配線構造１１Ｃは、コア基板２０を有していない配線構造であり、配線構造１２よりも配線密度の低い配線層が形成された低密度配線層である。配線構造１１Ｃは、絶縁層４１と、配線層４２と、絶縁層４３と、配線層４４と、絶縁層４５と、配線層４６とが順に積層された構造を有している。
【０１５０】
配線構造１１Ｃの最上層に形成された絶縁層４１には、上面４１Ａの所要の箇所に開口し、当該絶縁層４１を厚さ方向に貫通する貫通孔４１Ｘが形成されている。絶縁層４１の上面４１Ａは、例えば、貫通孔４１Ｘの内側面よりも表面粗度が低くなっている。
【０１５１】
ここで、配線構造１１Ｃの絶縁層４１，４３，４５に形成された貫通孔４１Ｘ，４３Ｘ，４５Ｘは、図１７において上側（配線構造１２側）から下側（ソルダレジスト層１３側）に向かうに連れて径が大きくなるテーパ状に形成されている。例えば、貫通孔４１Ｘ，４３Ｘ，４５Ｘは、下側の開口端の開口径が上側の開口端の開口径よりも大径となる円錐台形状に形成されている。このように、配線構造１１Ｃに形成された貫通孔４１Ｘ，４３Ｘ，４５Ｘの全てが、配線構造１２側の開口部に対してソルダレジスト層１３側の開口部が拡開されたテーパ形状に形成されている。
【０１５２】
配線層４２は、絶縁層４１の下面に形成されている。配線層４２は、貫通孔４１Ｘ内に形成されたビア配線４８と電気的に接続されている。配線層４２は、例えば、ビア配線４８と一体に形成されている。ビア配線４８は、貫通孔４１Ｘ内に充填されている。このため、ビア配線４８は、貫通孔４１Ｘと同様の形状に形成されている。ビア配線４８の上端面４８Ａは、例えば、絶縁層４１の上面４１Ａと略面一に形成されている。
【０１５３】
これら絶縁層４１の上面４１Ａ上及びビア配線４８の上端面４８Ａ上には、配線構造１２が積層されている。例えば、配線構造１２の配線層５０は、ビア配線４８の上端面４８Ａと接続するように、絶縁層４１の上面４１Ａ上に積層されている。ここで、絶縁層４１の上面４１Ａ及びビア配線４８の上端面４８Ａを、例えば、上記第１実施形態の絶縁層３５の上面３５Ａ及びビア配線３６の上端面３６Ａ（図１参照）と同様に、研磨面としてもよい。
【０１５４】
このように配線構造１１Ｃがコア基板２０を有しない場合であっても、最下層の配線層４６の体積Ｖ２に対する配線層５０，５２，５４，５６の体積Ｖ１の体積比Ｖ１／Ｖ２を０．８〜１．５（より好適には、１．０〜１．５）に設定することにより、配線基板１０Ｃの反り量を低減することができる。また、配線構造１１Ｃがコア基板２０を有しない場合であっても、上記第１実施形態の（２）〜（６）の効果と同様の効果を奏することができる。
【０１５５】
なお、配線構造１１Ｃは、公知の製造方法により製造することが可能であるため、図示を省略して説明を割愛するが、例えば以下のような方法で製造される。まず、支持体としての仮基板を用意し、この仮基板の上に、絶縁層４１と、配線層４２と、絶縁層４３と、配線層４４と、絶縁層４５と、配線層４６とを順に積層する。これにより、仮基板上に配線構造１１Ｃに対応する構造体が製造される。そして、配線構造１１Ｃから仮基板を除去した後、絶縁層４１の上面４１Ａ上及びビア配線４８の上端面４８Ａ上に配線構造１２を積層し、絶縁層４５の下面にソルダレジスト層１３を形成することにより、配線基板１０Ｃを製造することができる。
【０１５６】
（第５実施形態）
以下、図１８に従って第５実施形態を説明する。この実施形態の配線基板１０Ｄは、最上層の配線層５６の構造が上記第１実施形態と異なっている。以下、第１実施形態との相違点を中心に説明する。なお、先の図１〜図１７に示した部材と同一の部材にはそれぞれ同一の符号を付して示し、それら各要素についての詳細な説明は省略する。
【０１５７】
配線基板１０Ｄでは、図１に示した配線基板１０における最上層の配線層５６に、パッドＰ１と併せて、他の配線基板や他の半導体装置と電気的に接続される接続パッドＰ３を設けるようにした。
【０１５８】
接続パッドＰ３は、例えば、パッドＰ１よりも外側の領域に形成されている。接続パッドＰ３は、例えば、最上層の絶縁層５５の上面に平面視でペリフェラル状に配置されている。接続パッドＰ３の平面形状は、任意の形状及び任意の大きさとすることができる。接続パッドＰ３の平面形状は、例えば、パッドＰ１の平面形状よりも大きく形成されている。例えば、接続パッドＰ３の平面形状は、直径が１２０〜１７０μｍ程度の円形状とすることができる。
【０１５９】
このように配線層５６に接続パッドＰ３を設けた場合であっても、最下層の配線層４６の体積Ｖ２に対する配線層５０，５２，５４，５６の体積Ｖ１の体積比Ｖ１／Ｖ２を０．８〜１．５（より好適には、１．０〜１．５）に設定することにより、配線基板１０Ｄの反り量を低減することができる。また、配線層５６に接続パッドＰ３を設けた配線基板１０Ｄであっても、上記第１実施形態の（２）〜（６）の効果と同様の効果を奏することができる。
【０１６０】
次に、図１９〜図２１に従って、配線基板１０Ｄの適用例について説明する。
（適用例１）
まず、図１９に従って、配線基板１０Ｄに他の半導体パッケージ２００を搭載した半導体装置６１について説明する。
【０１６１】
半導体装置６１は、配線基板１０Ｄと、配線基板１０Ｄに実装された１又は複数（図１９では、２つ）の半導体チップ７０と、配線基板１０Ｄに積層接合された半導体パッケージ２００と、外部接続端子１４とを有している。
【０１６２】
次に、半導体パッケージ２００の構造について簡単に説明する。
半導体パッケージ２００は、配線基板２１０と、その配線基板２１０に実装された１又は複数の半導体チップ２２０と、配線基板２１０と半導体チップ２２０との間に形成されたアンダーフィル樹脂２２５とを有している。
【０１６３】
配線基板２１０は、コア基板２１１と、コア基板２１１に設けられた貫通電極２１２と、コア基板２１１の下面に形成された最下層の配線層２１３と、コア基板２１１の上面に形成された最上層の配線層２１４と、ソルダレジスト層２１５，２１６とを有している。配線層２１３，２１４は、貫通電極２１２を介して相互に電気的に接続されている。
【０１６４】
ソルダレジスト層２１５は、配線層２１３の一部を覆うようにコア基板２１１の下面に積層されている。ソルダレジスト層２１５には、配線層２１３の一部を接続パッドＰ４として露出させるための開口部２１５Ｘが形成されている。この接続パッドＰ４は、配線基板１０Ｄの接続パッドＰ３と電気的に接続されるパッドであり、接続パッドＰ３の各々に対向するように設けられている。
【０１６５】
ソルダレジスト層２１６は、配線層２１４の一部を覆うようにコア基板２１１の上面に積層されている。ソルダレジスト層２１６には、配線層２１４の一部をパッドＰ５として露出させるための開口部２１６Ｘが形成されている。このパッドＰ５は、半導体チップや受動素子等の電子部品と電気的に接続するための電子部品搭載用のパッドとして機能する。
【０１６６】
半導体チップ２２０は、以上説明した配線基板２１０にフリップチップ実装されている。すなわち、半導体チップ２２０の回路形成面（図１９では、下面）に配設されたバンプ２２１をパッドＰ５に接合することにより、半導体チップ２２０は、バンプ２２１を介して配線層２１４と電気的に接続されている。このようにフリップチップ接合された配線基板２１０と半導体チップ２２０との隙間には、アンダーフィル樹脂２２５が形成されている。
【０１６７】
配線基板１０Ｄの接続パッドＰ３上には、はんだボール２３０が接合されている。はんだボール２３０は、配線基板１０Ｄと半導体パッケージ２００との間に介在して設けられ、その一端が接続パッドＰ３に接合され、他端が接続パッドＰ４に接合されている。はんだボール２３０としては、例えば、導電性コアボール（銅コアボールなど）や樹脂コアボールの周囲をはんだで覆った構造を有するはんだボールを用いることができる。なお、はんだボール２３０としては、導電性コアボールや樹脂コアボールを省略したはんだボールを用いることもできる。
【０１６８】
このように、配線基板１０Ｄと半導体パッケージ２００とがはんだボール２３０を介して積層接合され、ＰＯＰ（Package on Package）構造の半導体装置６１が形成されている。
【０１６９】
外部接続端子１４は、配線基板１０Ｄの外部接続用パッドＰ２上に形成されている。この外部接続端子１４は、例えば図示しないマザーボード等の実装基板に設けられたパッドと電気的に接続される接続端子である。外部接続端子１４としては、例えば、はんだボールやリードピンを用いることができる。
【０１７０】
なお、配線基板１０Ｄ上に半導体パッケージ２００を積層接合する際に、配線基板１０Ｄの反り量が低減されているため、その配線基板１０Ｄに半導体パッケージ２００を容易に積層接合させることができる。
【０１７１】
（適用例２）
次に、図２０に従って、配線基板１０Ｄを電子部品内蔵基板６２に適用した場合について説明する。
【０１７２】
電子部品内蔵基板６２は、配線基板１０Ｄと、配線基板１０Ｄに実装された１又は複数（図２０では、２つ）の半導体チップ７０と、配線基板１０Ｄに搭載された他の配線基板２１０と、配線基板１０Ｄと配線基板２１０との間の空間に形成された封止樹脂２４０とを有している。
【０１７３】
電子部品内蔵基板６２では、配線基板１０Ｄと配線基板２１０とがはんだボール２３０を介して積層接合されている。はんだボール２３０は、配線基板１０Ｄと配線基板２１０との間に介在して設けられ、その一端が接続パッドＰ３に接合され、他端が接続パッドＰ４に接合されている。
【０１７４】
配線基板１０Ｄと配線基板２１０との間の空間には、封止樹脂２４０が充填されている。この封止樹脂２４０によって、配線基板２１０が配線基板１０Ｄに対して固定されるとともに、配線基板１０Ｄに実装された半導体チップ７０が封止される。すなわち、封止樹脂２４０は、配線基板１０Ｄと配線基板２１０とを接着する接着剤として機能するとともに、半導体チップ７０を保護する保護層として機能する。
【０１７５】
このように、電子部品内蔵基板６２は、配線基板１０Ｄと配線基板２１０との間の空間に電子部品である半導体チップ７０が内蔵された構造を有している。
（適用例３）
次に、図２１に従って、図２０に示した電子部品内蔵基板６２に、他の半導体パッケージ３００を搭載した半導体装置６３について説明する。
【０１７６】
半導体装置６３は、配線基板１０Ｄを有する電子部品内蔵基板６２と、その電子部品内蔵基板６２に積層接合された半導体パッケージ３００と、外部接続端子１４とを有している。電子部品内蔵基板６２の配線基板２１０に形成されたパッドＰ５は、他の配線基板や他の半導体装置と電気的に接続されるパッドとして機能する。
【０１７７】
次に、半導体パッケージ３００の構造について簡単に説明する。
半導体パッケージ３００は、配線基板３１０と、その配線基板３１０に実装された１又は複数の半導体チップ３２０と、配線基板３１０と半導体チップ３２０との間に形成されたアンダーフィル樹脂３２５とを有している。
【０１７８】
配線基板３１０は、コア基板３１１と、コア基板３１１に設けられた貫通電極３１２と、コア基板３１１の下面に形成された最下層の配線層３１３と、コア基板３１１の上面に形成された最上層の配線層３１４と、ソルダレジスト層３１５，３１６とを有している。配線層３１３，３１４は、貫通電極３１２を介して相互に電気的に接続されている。
【０１７９】
ソルダレジスト層３１５は、配線層３１３の一部を覆うようにコア基板３１１の下面に積層されている。ソルダレジスト層３１５には、配線層３１３の一部を接続パッドＰ６として露出させるための開口部３１５Ｘが形成されている。この接続パッドＰ６は、電子部品内蔵基板６２のパッドＰ５と電気的に接続されるパッドであり、パッドＰ５の各々に対向するように設けられている。
【０１８０】
ソルダレジスト層３１６は、配線層３１４の一部を覆うようにコア基板３１１の上面に積層されている。ソルダレジスト層３１６には、配線層３１４の一部をパッドＰ７として露出させるための開口部３１６Ｘが形成されている。このパッドＰ７は、半導体チップや受動素子等の電子部品と電気的に接続するための電子部品搭載用のパッドとして機能する。
【０１８１】
半導体チップ３２０は、以上説明した配線基板３１０にフリップチップ実装されている。すなわち、半導体チップ３２０の回路形成面（図２１では、下面）に配設されたバンプ３２１をパッドＰ７に接合することにより、半導体チップ３２０は、バンプ３２１を介して配線層３１４と電気的に接続されている。このようにフリップチップ接合された配線基板３１０と半導体チップ３２０との隙間には、アンダーフィル樹脂３２５が形成されている。
【０１８２】
半導体パッケージ３００は、はんだボール３３０を介して電子部品内蔵基板６２上に積層接合されている。はんだボール３３０は、電子部品内蔵基板６２と半導体パッケージ３００との間に介在して設けられ、その一端が電子部品内蔵基板６２のパッドＰ５に接合され、他端が接続パッドＰ６に接合されている。
【０１８３】
（他の実施形態）
なお、上記各実施形態は、これを適宜変更した以下の態様にて実施することもできる。
・上記第２〜第４実施形態の配線基板１０Ａ〜１０Ｃにおける最上層の配線層５６に、上記第５実施形態の配線基板１０Ｄと同様に、接続パッドＰ３を設けるようにしてもよい。
【０１８４】
・上記各実施形態では、配線構造１１，１１Ａ〜１１Ｄの最下層の配線層４６，１４２，１６０に、配線パターン４６Ａ，１４２Ａ，１６０Ａとダミーパターン４６Ｂ，１４２Ｂ，１６０Ｂとを形成するようにした。これに限らず、例えば、ダミーパターン４６Ｂ，１４２Ｂ，１６０Ｂと同様のダミーパターンを、配線構造１２内の配線層５０，５２，５４，５６の少なくとも１つの配線層に形成するようにしてもよい。
【０１８５】
・上記各実施形態及び上記変形例における配線層４６，１４２，１６０の構造を変更してもよい。例えば、上記各実施形態及び上記変形例におけるダミーパターン４６Ｂ，１４２Ｂ，１６０Ｂを省略してもよい。このとき、例えば図２２に示すように、配線層４６を、外部接続用パッドＰ２のみで構成するようにしてもよい。図示の例では、外部接続用パッドＰ２は、例えば、最下層の絶縁層４５の下面全面に平面視で格子状に配列される。また、ダミーパターン４６Ｂを省略したときに、例えば、配線層４６を、外部接続用パッドＰ２と、その外部接続用パッドＰ２と接続される配線パターンとから構成するようにしてもよい。以上説明した配線層４６と同様に、配線層１４２，１６０についても変更することができる。
【０１８６】
なお、このようにダミーパターン４６Ｂ，１４２Ｂ，１６０Ｂを省略した場合には、配線構造１１，１１Ａ〜１１Ｃの最下層の配線層４６，１４２，１６０の厚さや面積と、配線層５０，５２，５４，５６の厚さや面積とを適宜調整することにより、体積比Ｖ１／Ｖ２を０．８〜１．５の範囲に設定するようにしてもよい。
【０１８７】
・上記各実施形態では、ソルダレジスト層１３の厚さＴ２を、配線構造１２の厚さＴ１と等しい、又は配線構造１２の厚さＴ１よりも厚く設定するようにした。これに限らず、例えば、ソルダレジスト層１３の厚さＴ２を、配線構造１２の厚さＴ１よりも薄く設定するようにしてもよい。
【０１８８】
・上記各実施形態では、ビア配線３６，１３２，１６６，４８の上端面３６Ａ，１３２Ａ，１６６Ａ，４８Ａを、絶縁層３５，１３１，１６５，４１の上面３５Ａ，１３１Ａ，１６５Ａ，４１Ａと面一になるようにそれぞれ形成した。これに限らず、例えば、ビア配線３６，１３２，１６６，４８の上端面３６Ａ，１３２Ａ，１６６Ａ，４８Ａを、絶縁層３５，１３１，１６５，４１の上面３５Ａ，１３１Ａ，１６５Ａ，４１Ａよりも下方に凹むように形成してもよい。また、ビア配線３６，１３２，１６６，４８の上端面３６Ａ，１３２Ａ，１６６Ａ，４８Ａを、絶縁層３５，１３１，１６５，４１の上面３５Ａ，１３１Ａ，１６５Ａ，４１Ａよりも上方に突出するように形成してもよい。
【０１８９】
・上記各実施形態の配線基板１０，１０Ａ〜１０Ｃに形成された貫通孔の断面形状は特に限定されない。例えば、配線基板１０，１０Ａ〜１０Ｃに形成された貫通孔をストレート形状（断面視略矩形状）に形成するようにしてもよい。
【０１９０】
・上記各実施形態における配線構造１１，１１Ａ〜１１Ｃにおける配線層及び絶縁層の層数や配線の取り回しなどは様々に変形・変更することが可能である。例えば、上記第２実施形態では、コア基板２０の上面２０Ａに１層の絶縁層１３１を形成し、コア基板２０の下面２０Ｂに１層の絶縁層１４１を形成するようにした。これに限らず、コア基板２０の上面２０Ａ及び下面２０Ｂにそれぞれ形成される、補強材入りの絶縁層の層数を２層以上としてもよい。
【０１９１】
・上記各実施形態では、配線構造１２内の絶縁層５１，５３，５５を、感光性樹脂を主成分とする絶縁性樹脂からなる絶縁層とした。これに限らず、例えば、配線構造１２内の絶縁層５１，５３，５５を、熱硬化性樹脂を主成分とする非感光性の絶縁性樹脂からなる絶縁層としてもよい。
【０１９２】
・上記各実施形態における配線構造１２における配線層５０，５２，５４，５６及び絶縁層５１，５３，５５の層数や配線の取り回しなどは様々に変形・変更することが可能である。
【０１９３】
・上記第１実施形態の半導体装置６０では、配線基板１０に半導体チップ７０を実装するようにした。これに限らず、例えば、半導体チップ７０の代わりに、チップコンデンサ、チップ抵抗やチップインダクタ等のチップ部品や水晶振動子などの半導体チップ以外の電子部品を配線基板１０に実装するようにしてもよい。また、上記第２〜第４実施形態の配線基板１０Ａ〜１０Ｃに半導体チップ７０等の電子部品を実装するようにしてもよい。
【０１９４】
・また、半導体チップ７０、チップ部品及び水晶振動子などの電子部品の実装の形態（例えば、フリップチップ実装、ワイヤボンディング実装、はんだ実装又はこれらの組み合わせ）などは様々に変形・変更することが可能である。
【０１９５】
・上記各実施形態における貫通電極２１を、例えば、めっき金属層（例えば、Ｃｕ層）等により貫通孔２０Ｘを完全に充填した貫通電極に変更してもよい。
（反りのシミュレーション）
図１に示した配線基板１０と同様の構造を有する配線基板（以下、「配線基板Ａ」とする）について、反りのシミュレーションを実行した。具体的には、配線基板Ａの平面形状は、１９．５ｍｍ×１３．５ｍｍの矩形状とした。また、コア基板２０の厚さを８００μｍ、配線構造１１内の配線層２３，２４の厚さを３５μｍ、配線層３２，３４，４２，４４の厚さを１５μｍ、配線構造１１内の絶縁層３１，３３，３５，４１，４３，４５の厚さを３０μｍ、ソルダレジスト層１３の厚さを２５μｍに固定した。そして、このような配線基板Ａにおいて、最下層の配線層４６の体積Ｖ２に対する、配線構造１２内の配線層５０，５２，５４，５６の体積Ｖ１の体積比Ｖ１／Ｖ２を、０．８、１．０、１．３、１．５に変えた場合の反りのシミュレーションを実行した。なお、比較例として、体積Ｖ２に対する体積Ｖ１の体積比Ｖ１／Ｖ２を０．５、１．９、２．５とした場合の反りのシミュレーションも実行した。
【０１９６】
シミュレーション結果を図２３に示す。図２３に示すように、体積比Ｖ１／Ｖ２が所定値（ここでは、１．５）に近くなると、配線基板Ａの反り量が低減されることが確認された。具体的には、体積比Ｖ１／Ｖ２を０．８〜２．５の範囲に設定することにより、体積比Ｖ１／Ｖ２が０．５である比較例よりも、配線基板Ａの反り量を低減できることが確認された。また、体積比Ｖ１／Ｖ２が所定値（１．５）よりも小さい場合には、配線構造１２側が凹に反る傾向があることが確認された。さらに、体積比Ｖ１／Ｖ２が所定値（１．５）よりも大きい場合、ここでは体積比Ｖ１／Ｖ２が１．９及び２．５の比較例の場合には、配線構造１２側が凸に反る傾向があることが確認された。
【０１９７】
配線基板Ａは、配線構造１１の上面に高密度配線層である配線構造１２が形成され、配線構造１１の下面にソルダレジスト層１３が形成された構造、つまり配線構造１１を中心として上下非対称の構造を有している。このため、配線基板Ａは、反りの発生し易い構造になっている。しかし、上下非対称構造である配線基板Ａであっても、体積比Ｖ１／Ｖ２を１．５近傍の所定値に近づけることにより、配線基板Ａの反りを改善できることが分かった。その一方で、体積比Ｖ１／Ｖ２が１．５近傍の所定値より大きくなっても小さくなっても反りが悪化する傾向にあることが分かった。
【０１９８】
ここで、本発明者らの検討により、配線基板ＡのパッドＰ１に半導体チップ等の電子部品を実装する場合を考慮すると、配線基板Ａの反り量を４０μｍ以下に抑制すると好適であり、３０μｍ以下に抑制すると更に好適であることが分かっている。さらに、配線基板Ａの反りの向きは、配線構造１２側が凹に反る方向が好適であることが分かっている。
【０１９９】
以下に、図２４を参照して、配線構造１２側が凹に反る方向が好適である点について説明する。
配線基板Ａの配線構造１２（高密度配線層）における絶縁層の熱膨張係数（例えば、５０〜７０ｐｐｍ／℃程度）は、コア基板２０の熱膨張係数（例えば、１０ｐｐｍ／℃程度）よりも大きい。このため、配線基板ＡのパッドＰ１に半導体チップ７０を搭載する際の加熱処理では、コア基板２０よりも配線構造１２が大きく膨張する。このため、図２４（ｂ）に示すように、半導体チップ７０の搭載前に配線構造１２側が凸に反っている場合には、半導体チップ７０を搭載する際の加熱処理によって配線基板Ａの反りが悪化してしまう。これに対し、図２４（ａ）に示すように、半導体チップ７０の搭載前に配線構造１２側が凹に反っている場合には、半導体チップ７０を搭載する際の加熱処理において配線基板Ａの反りが改善される。以上のことから、半導体チップ７０を搭載する前の配線基板Ａの反りの向きは、配線構造１２側が凹に反る方向が好適である。
【０２００】
これらの検討を踏まえると、図２３に示したシミュレーション結果から、配線基板Ａの反りの方向を配線構造１２側が凹に反る方向とし、反り量を４０μｍ以下に抑制するためには、体積比Ｖ１／Ｖ２を０．８〜１．５の範囲に設定することが好ましい。さらに、配線基板Ａの反りの方向を配線構造１２側が凹に反る方向とし、反り量を３０μｍ以下に抑制するためには、体積比Ｖ１／Ｖ２を１．０〜１．５の範囲に設定することが好ましい。
【０２０１】
ここで、体積比Ｖ１／Ｖ２を１．５から１．９に変更させたときの反り量の変化量は３．９μｍであることから、体積比Ｖ１／Ｖ２を１．５から１．９に変更させたときには反り量がほとんど変化しない。このため、体積比Ｖ１／Ｖ２を１．５〜１．９の間で更に細かく刻んでシミュレーションを行っても、シミュレーション精度の関係から、実際上の有効な結果は得られない。また、体積比Ｖ１／Ｖ２が１．５のときに配線構造１２側が凹に反る方向、体積比Ｖ１／Ｖ２が１．９のときに配線構造１２側が凸に反る方向であり、１．５と１．９との間で反り方向が変化する。以上のことから、体積比Ｖ１／Ｖ２が１．５のときを反り方向の転換点と見なし、「１．５」を体積比Ｖ１／Ｖ２の上限とした。
【符号の説明】
【０２０２】
１０，１０Ａ〜１０Ｄ  配線基板
１１，１１Ａ〜１１Ｃ  配線構造（第１配線構造）
１２  配線構造（第２配線構造）
１３  ソルダレジスト層（最外絶縁層）
２０  コア基板
２３，２４，３２，３４，４２，４４  配線層
３１，３３，４３，４５，１４１  絶縁層
３５，４１，１３１、１６５  絶縁層（第１絶縁層、最上層の絶縁層）
３５Ａ，４１Ａ，１３１Ａ，１６５Ａ  上面
３５Ｘ，４１Ｘ，１３１Ｘ，１６５Ｘ  貫通孔
３６，４８，１３２，１６６  ビア配線
３６Ａ，４８Ａ，１３２Ａ，１６６Ａ  上端面
４１Ｘ，４３Ｘ，４５Ｘ，１６１Ｘ，１６３Ｘ  貫通孔
４６，１４２，１６０  配線層（最下層の配線層）
４６Ａ，１４２Ａ，１６０Ａ  配線パターン
４６Ｂ，１４２Ｂ，１６０Ｂ  ダミーパターン
５０  配線層（第１配線層）
５２，５４  配線層
５６  配線層（最上層の配線層）
５１，５３，５５  絶縁層
６０  半導体装置
７０  半導体チップ
８３，１５０  導電層
８４  シード層
１６１，１６３，１６５  絶縁層
１６２，１６４  配線層
Ｔ１  厚さ
Ｔ２  厚さ
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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