(57)【要約】【課題】本発明における課題は、高透過率であり、アンチニュートンリング特性とガスバリア性を１枚で両立することができるフィルムを製造することである。【解決手段】高分子フィルムの少なくとも片面に、珪素原子を含有する層が２層以上積層されており、４０℃湿度９０％での水蒸気透過度が０．５ｇ／ｍ２・ｄａｙ以下であり、全光線透過率が８０％以上、Ｈａｚｅが５以上であり、珪素原子を含有する層以外に粒子を含有する層を有するガスバリア性フィルムである。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
高分子フィルムの少なくとも片面に、珪素原子を含有する層が２層以上積層されており、４０℃湿度９０％での水蒸気透過度が０．５ｇ／ｍ２・ｄａｙ以下であり、全光線透過率が８０％以上、Ｈａｚｅが５以上であり、珪素原子を含有する層以外に粒子を含有する層を有するガスバリア性フィルム。
【請求項２】
珪素原子を含有する層は少なくとも１層は真空成膜により形成される、請求項１に記載のガスバリア性フィルム。
【請求項３】
粒子の平均粒子径が０．５μｍ以上である、請求項１または２に記載のガスバリア性フィルム。
【請求項４】
ガスバリア性フィルムの総厚が６０μｍ以下である、請求項１から３のいずれかに記載のガスバリア性フィルム。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、巻き取り特性が良好であり、かつディスプレイなどで他の部材と接する際にニュートンリング模様が出ないことを特徴とするガスバリアフィルムの製造方法である。
【背景技術】
【０００２】
従来、酸素や水蒸気の透過に関するバリア性を備えた包装材料としては、種々のものが開発されているが、近年は酸化ケイ素、酸化アルミニウムのような金属酸化物膜をナノスケールでプラスチック基材上に設けたガスバリア性フィルムが数多く提案されている。
【０００３】
一般にガスバリア性フィルムは、アルミニウム箔を使用したものが多く使用されているが、ディスプレイなどで使用する際には高透過率が必要となり、アルミニウム箔は使用できない。
【０００４】
近年ではディスプレイ用途においては、光源に有機ＥＬを用いたバックライトや、蛍光体を用いた波長変換層の保護フィルムとしてガスバリア性が重要視されているとともに、他のプラスチック部材と接触した際のニュートンリング模様が出ないようにするという要求がある。
【０００５】
例えば、特許文献１のように、ポリエチレンテレフタレートフィルム上に粒子を含有する層を形成し、アンチニュートンリング特性を出している例はあるが、通常のポリエチレンテレフタレートフィルムに加工しているため、ガスバリア性はない。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開２００３−１９１３９３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
本発明における課題は、高透過率であり、アンチニュートンリング特性とガスバリア性を１枚で両立することができるフィルムを製造することである。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
上記課題解決のための手段として請求項１に記載の発明は、高分子フィルムの少なくとも片面に、珪素原子を含有する層が２層以上積層されており、４０℃湿度９０％での水蒸気透過度が０．５ｇ／ｍ２・ｄａｙ以下であり、全光線透過率が８０％以上、Ｈａｚｅが５以上であり、珪素原子を含有する層以外に粒子を含有する層を有するガスバリア性フィルムである。
【０００９】
また請求項２に記載の発明は珪素原子を含有する層は少なくとも１層は真空成膜により形成される、請求項１に記載のガスバリア性フィルムである。
【００１０】
また請求項３に記載の発明は粒子の平均粒子径が０．５μｍ以上である、請求項１または２に記載のガスバリア性フィルムである。
【００１１】
また請求項４に記載の発明はガスバリア性フィルムの総厚が６０μｍ以下である、請求項１から３のいずれかに記載のガスバリア性フィルムである。
【発明の効果】
【００１２】
本発明によれば、高分子フィルムの少なくとも片面に、珪素原子を含有する層が少なくとも２層以上積層されたガスバリア性フィルムであり、珪素原子を含有する層以外に平均粒径０．５μｍ以上の粒子を含有する層を有し、４０℃湿度９０％での水蒸気透過度が０．５ｇ／ｍ２・ｄａｙ以下であり、全光線透過率が８０％以上、Ｈａｚｅを５以上にすることにより、アンチニュートンリング特性とガスバリア性を両立するフィルムを製造することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１３】
【図１】本発明のガスバリア性フィルムの一実施形態の断面概略図である。
【図２】本発明のガスバリア性フィルムの他の実施形態の断面概略図である。
【発明を実施するための形態】
【００１４】
以下、本発明の一実施形態について、図面を参照して説明する。
【００１５】
図１は、本発明におけるガスバリア積層フィルムの断面概略図である。本発明におけるガスバリア性フィルムは、高分子材料からなる高分子フィルム（１）の少なくとも一方の面上に、珪素原子を含有する層（２）が少なくとも２層以上からなり、少なくとも１層は真空成膜で形成される。
【００１６】
本発明で用いられる高分子フィルム（１）は、ポリエチレンテレフタレート、ポリブチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート、ナイロン、ポリカーボネート、ポリプロピレン、トリアセチルセルロース、シクロオレフィン等を挙げることができるが、これらに限定されるものではない。
高分子フィルム（１）の厚さは制約を加えるものではないが、ガスバリアフィルムの総厚は、６０μｍ以下であることがより望ましい。
【００１７】
高分子フィルム（１）には、必要に応じて帯電防止剤、紫外線吸収剤、可塑剤、滑り剤といった添加剤が含まれていてもよい。さらに、高分子フィルム（１）表面に、コロナ処理、フレーム処理、プラズマ処理、易接着処理等の改質処理、オフラインによるアクリル樹脂やウレタン樹脂のアンカーコート層を施してもよい。基材表面は真空成膜の初期成長段階における緻密性や密着性に寄与するものであり、平滑であることが望ましい。
【００１８】
本発明で用いられる珪素原子を含有する層（２）は、少なくとも１層は真空成膜で形成することが必要である。真空成膜では、物理気相成長法あるいは化学気相成長法を用いることができる。物理気相成長法としては、真空蒸着法、スパッタ蒸着法、イオンプレーティング法等を挙げることができるが、これらに限定されるものではない。化学気相成長法としては、熱ＣＶＤ法、プラズマＣＶＤ法、光ＣＶＤ法等を挙げることができるが、これらに限定されるものではない。
【００１９】
ここでは、特に、抵抗加熱式真空蒸着法、ＥＢ（Ｅｌｅｃｔｒｏｎ  Ｂｅａｍ）加熱式真空蒸着法、誘導加熱式真空蒸着法、スパッタリング法、反応性スパッタリング法、デュアルマグネトロンスパッタリング法、プラズマ化学気相堆積法（ＰＥＣＶＤ法）等が好ましく用いられる。
【００２０】
上記のスパッタリング法以降の項目ではプラズマを用いているが、ＤＣ（Ｄｉｒｅｃｔ
Ｃｕｒｒｅｎｔ）方式、ＲＦ（Ｒａｄｉｏ  Ｆｒｅｑｕｅｎｃｙ）方式、ＭＦ（Ｍｉｄｄｌｅ  Ｆｒｅｑｕｅｎｃｙ）方式、ＤＣパルス方式、ＲＦパルス方式、ＤＣ＋ＲＦ重畳方式等のプラズマの生成法を挙げることができる。
【００２１】
スパッタリング法の場合、陰極であるターゲットに負の電位勾配が生じ、Ａｒ＋イオンが電位エネルギーを受け、ターゲットに衝突する。ここで、プラズマが発生しても負の自己バイアス電位が生じないとスパッタリングを行うことができない。したがって、ＭＷ（Ｍｉｃｒｏ  Ｗａｖｅ）プラズマは自己バイアスが生じないため、スパッタリングには適していない。しかし、ＰＥＣＶＤ法では、プラズマ中の気相反応を利用して化学反応、堆積とプロセスが進むため、自己バイアスが無くても膜の生成が可能であるため、ＭＷプラズマを利用することができる。
【００２２】
本発明で用いられる真空成膜による珪素原子を含有する層（３）は、所謂ＳｉＯｘと呼ばれる金属酸化物層を用いることができるが、窒素やアルミ原子を含有しても差し支えない。
【００２３】
本発明における真空成膜による珪素原子を含有する層（３）は、５ｎｍ以上１００ｎｍ以下であることが好ましい。膜厚が５ｎｍ未満であると、十分な水蒸気バリア性能を得ることができない。また、硬化膜厚が１００ｎｍより大きいと、硬化収縮の増加によりクラックが発生し、水蒸気バリア性が低下する。さらに、材料使用量の増加、膜形成時間の長時間化等に起因してコストが増加し、経済的観点から好ましくない。
【００２４】
真空成膜で形成しない珪素原子を含有する層（４）の場合は、溶液を用いた塗布方法を用いることが望ましい。
【００２５】
塗布方式としては公知の方法を用いることができる。具体的には、グラビアコーター、ディップコーター、リバースコーター、ワイヤーバーコーター、ダイコーター等のウェット成膜法である。
【００２６】
真空成膜で形成しない珪素原子を含有する層（４）における、具体的な珪素原子は、主としてシラノール基の反応として膜を形成することが望ましく、一般的にはＲ１（Ｓｉ−ＯＲ２）としては、テトラメトキシシラン、テトラエトキシシラン、テトラプロポキシシラン、テトラブトキシシラン、メチルトリメトキシシラン、メチルトリエトキシシラン、ジメチルジメトキシシラン、ジメチルジエトキシシラン等のシランを原材料として挙げることができる。Ａｌ原子の場合は金属原子がＡｌであるＲ１（Ａｌ−ＯＲ２）、具体的には、テトラメトキシアルミニウム、テトラエトキシアルミニウム、テトライソプロポキシアルミニウム、テトラブトキシアルミニウムなどを使用することができる。
【００２７】
真空成膜で形成しない珪素原子を含有する層（４）においては、水性の樹脂を加えてもよい、具体的にはアクリル樹脂、ポリエステル樹脂やポリビニルアルコール、ポリビニルピロリドンといったものが挙げられる。これらの系統の化合物に含まれれば、構造などに特に制限はないが、シラノール基を含む樹脂と相溶性がある材料を選定する必要がある。
【００２８】
真空成膜で形成しない珪素原子を含有する層（４）は前記のような材料を混ぜて使用することができる。また、この層には他の金属材料を用いてもよい。金属原子がＴｉであるＲ１（Ｔｉ−ＯＲ２）、具体的にはテトラメトキシチタニウム、テトラエトキシチタニウム、テトライソプロポキシチタニウム、テトラブトキシチタニウムが挙げられる。また、金属原子がＡｌであるＲ１（Ａｌ−ＯＲ２）、具体的には、テトラメトキシアルミニウム、テトラエトキシアルミニウム、テトライソプロポキシアルミニウム、テトラブトキシアルミニウムや、金属原子がＺｒであるＲ１（Ｚｒ−ＯＲ２）としては、テトラメトキシジルコニウム、テトラエトキシジルコニウム、テトライソプロポキシジルコニウム、テトラブトキシジルコニウム等も挙げることができる。また、レベリング剤や消泡剤、紫外線吸収剤、酸化防止剤、シランカップリング剤やチタンキレート剤なども必要に応じて添加しても差し支えない。
【００２９】
真空成膜で形成しない珪素原子を含有する層（４）の膜厚は、５０ｎｍ〜１０００ｎｍの範囲、より望ましくは１００ｎｍ〜６００ｎｍの範囲が望ましい。薄すぎると膜として成り立たなくなり、厚すぎると割れやカールの要因となる。
【００３０】
真空成膜で形成しない珪素原子を含有する層（４）の膜の硬化方法は特に問わないが、紫外線硬化や熱硬化が挙げられる。紫外線硬化の場合、重合開始剤や二重結合が必要となる。また必要に応じて、加熱エージング等を施してもよい。
【００３１】
アンチニュートンリング層（５）を設けてアンチニュートンリング性を出す方法としては、表面に凸凹を形成する必要があり、一般的に有機もしくは無機微粒子をバインダー樹脂に分散させ、塗布形成する方法や、スピノーダル分解による層分離で形成してもよい。
【００３２】
有機または無機微粒子としては、例えば、無機粒子及び有機粒子が挙げられる。無機粒子としては、二酸化珪素、酸化チタン、酸化アルミニウム、酸化亜鉛、酸化錫、炭酸カルシウム、酸化ジルコニウム、炭酸カルシウム、硫酸バリウム、タルク、カオリン、焼成ケイ酸カルシウム、水和ケイ酸カルシウム、ケイ酸アルミニウム、ケイ酸マグネシウム、リン酸カルシウム、硫酸カルシウム等が挙げられる。
【００３３】
二酸化珪素の微粒子としては、例えば、アエロジルＲ９７２、Ｒ９７２Ｖ、Ｒ９７４、Ｒ８１２、２００、２００Ｖ、３００、Ｒ２０２、ＯＸ５０、ＴＴ６００（以上日本アエロジル（株）製）、或いは、２５０、２５０Ｎ、２５６、２５６Ｎ、３１０、３２０、３５０、３５８、４３０、４３１、４４０、４５０、４７０、４３５、４４５、４３６、４４６、４５６、５３０、５４０、５５０、７３０、７４０、７７０（以上、富士シリシア（株）製）等の商品名を有する市販品が使用できる。
【００３４】
酸化ジルコニウムの微粒子としては、例えば、アエロジルＲ９７６及びＲ８１１（日本アエロジル（株）製）等の商品名で市販されているものが使用できる。
【００３５】
有機粒子としては、ポリ（メタ）アクリレート系樹脂、シリコン系樹脂、ポリスチレン系樹脂、ポリカーボネート系樹脂、アクリルスチレン系樹脂、ベンゾグアナミン系樹脂、メラミン系樹脂、更にポリオレフィン系樹脂、ポリエステル系樹脂、ポリアミド系樹脂、ポリイミド系樹脂、ポリ弗化エチレン系樹脂等が使用できる。
【００３６】
粒子径は特に問わないが、０．１μｍから１０μｍ程度を使用するのが一般的である。必要とする膜厚に応じて変える必要がある。膜厚よりはるかに小さい粒子径だと凸凹が形成しにくくなり、膜厚よりはるかに大きいと均質な膜にならない。
【００３７】
有機または無機微粒子を使用する際のバインダーとしては熱硬化樹脂、活性線硬化（紫外線硬化、電子線硬化など活性線を照射して架橋反応をさせる硬化）樹脂のどちらでもよい。
【００３８】
熱硬化樹脂としては、アクリル樹脂、アルキド樹脂、エポキシ樹脂、ウレタン樹脂、塩化ビニリデン樹脂、アクリル／スチレン共重合体樹脂、ポリエステル樹脂、ビニルアルコール樹脂、エチレンビニルアルコール樹脂、シリコン樹脂等が挙げられるが、アクリル樹脂やウレタン樹脂が種類が幅広く使用しやすい。
【００３９】
熱硬化性樹脂には必要に応じてイソシアネートのような硬化剤や帯電防止剤、シランカップリング剤、紫外線吸収剤、酸化防止剤やレベリング剤、分散剤などを添加してもよい。
【００４０】
活性線硬化性樹脂の例としては、紫外線硬化性ポリエステルアクリレート系樹脂、紫外線硬化性アクリルウレタン系樹脂、紫外線硬化性アクリル酸エステル系樹脂、紫外線硬化性メタクリル酸エステル系樹脂、紫外線硬化性ポリエステルアクリレート系樹脂及び紫外線硬化性ポリオールアクリレート系樹脂などが挙げられる。
【００４１】
さらに紫外線硬化にする場合、光重合開始剤が必要となる。光重合開始剤としては、例えば、アセトフェノン類、ベンゾイン類、ベンゾフェノン類、ホスフィンオキシド類、ケタール類、アントラキノン類、チオキサントン類等が挙げられる。
【００４２】
また、必要に応じてｎ−ブチルアミン、トリエチルアミン、ポリ− ｎ−ブチルホスフィン等の光増感剤、または帯電防止剤、シランカップリング剤、紫外線吸収剤、酸化防止剤やレベリング剤、分散剤などを添加してもよい。
バインダーと微粒子および添加剤は溶媒に溶かし固形分を１〜８０重量％、より好ましくは３〜６０重量％に調整し基材上に塗工することができる。
【００４３】
スピノーダル分解による形成の場合、熱可塑性樹脂と熱または活性線硬化性樹脂の２種類以上のブレンドが使用される。
熱可塑性樹脂としては、スチレン、アクリル、有機酸ビニルエステル、ビニルエーテル、オレフィン系、ポリカーボネート、ポリエステル、ポリアミド、熱可塑性ポリウレタン、ポリスルホン、セルロース誘導体、シリコーン、ゴム系樹脂が挙げられる。これらの樹脂は単独または二種類以上組み合わせて使用できる。また重合性のある官能基を有してもよい。
【００４４】
硬化性樹脂は熱や活性線（紫外線、電子線など）による反応する官能基を有する化合物であり、熱や活性線により架橋して硬化する化合物である。例えば熱硬化だとエポキシ基、イソシアネート基、アルコキシシリル基、シラノール基などを有する低分子量化合物、たとえばエポキシ樹脂、ポリエステル樹脂、ウレタン樹脂、シリコーン樹脂などである。
【００４５】
溶媒は汎用の溶媒、たとえばメチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン、シクロヘキサンノン、酢酸エチル、酢酸ブチル、メタノール、エタノール、イソプロピルアルコール、ブタノールなどを使用することができる。
【００４６】
少なくとも１つの熱可塑性成分と少なくとも１つの熱硬化性成分のうち、少なくとも２つの成分が、加工温度付近で互いに相分離する組み合わせで使用される。相分離する組み合わせとしては特に限定されないが、通常、複数の熱可塑性樹脂同士の組み合わせや、熱可塑性樹脂と熱硬化性樹脂の組み合わせである。相分離させようとする両者の相溶性が高い場合、溶媒を蒸発させる工程で有効に層分離せず凸凹が形成されない。
【００４７】
アンチニュートンリング層（５）の膜厚は、０．５μｍから１０μｍ、より望ましくは１から５μｍである。薄すぎると凸凹が小さくアンチニュートンリングの性能が発揮されず、厚すぎると粒子が表面に出てこないのでアンチニュートンリングの性能が出てこない場合や、硬化不良、コストが高くなる場合がある。
【００４８】
この分野ではより薄膜化を要求されるので、ガスバリア層とアンチニュートンリング層の形成後、ガスバリアフィルムの総厚は６０μｍ以下であることが望ましい。
【００４９】
図２は本発明のガスバリア性フィルムの他の実施形態の断面概略図であり、真空成膜による珪素原子を含有する層（３）および真空成膜で形成しない珪素原子を含有する層（４）がそれぞれ２層づつある場合の断面概略図である。
【実施例】
【００５０】
以下、本発明を実施例により、さらに具体的に説明するが、本発明はこれら実施例に限定されるものではない。
【００５１】
なお、フィルムの性能は、下記の方法に従って評価した。
【００５２】
水蒸気透過度は、ＪＩＳ−Ｋ７１２９に順ずる方法を用いてＭＯＣＯＮ社Ｐｅｒｍａｔｒａｎにより測定し、４０℃、９０ＲＨ％の条件下において、フィルムを水蒸気透過度を測定した。
【００５３】
アンチニュートンリング特性は、アンチニュートンリング加工した面を、ＰＥＴフィルムＡ４１００  １００μｍフィルムの非易接着面に押し付け、ニュートンリング模様が出るかどうかを確認した。
【００５４】
全光線透過率とＨａｚｅは日本電色製ＮＤＨ−２０００を用いＪＩＳ−Ｋ７１０５に準じ測定を行った。
【００５５】
＜実施例１＞
[基材の作製]
２５μｍのポリエチレンテレフタレートフィルム基材（Ｔ６０、東レ製）上に、ポリエステル樹脂をバーコート法により塗布し、８０℃１分乾燥硬化させることにより１００ｎｍの膜を形成した。
[真空成膜による珪素原子を含有する層]
電子ビーム加熱方式の真空蒸着装置を用いて、酸化珪素材料（ＳｉＯ、キヤノンオプトロン株式会社製）を電子ビーム加熱によって蒸発させ、成膜中の圧力が１．５×１０−２Ｐａにおいて硬化膜厚が４０ｎｍであるＳｉＯｘ膜を成膜した。ただし、このときの蒸着条件は加速電圧：４０ｋＶ、エミッション電流：０．２Ａである。
[真空成膜で形成しない珪素原子を含有する層]
このＳｉＯｘ膜にテトラエトキシシランの加水分解物とポリビニルアルコールを１／１重量比で混合した塗布液をバーコート法にて塗布し、１２０℃１分にて硬化させ、４００ｎｍに加工した。
【００５６】
さらにこの硬化した塗布膜の上に、平均粒子径１μｍのシリカ粒子と紫外線硬化樹脂を固形分重量比で１：１０の割合で混合した塗工液をバーコート法で塗布し、メタルハライドランプで硬化させた。硬化膜厚は２μｍだった。
このフィルムの全光線透過率は８８％、Ｈａｚｅは１０、水蒸気透過率は、０．３ｇ／ｍ２・ｄａｙであり、ニュートンリング試験ではニュートンリングは発生しなかった。
【００５７】
＜実施例２＞
[基材の作製]
５０μｍのポリエチレンテレフタレートフィルム基材（Ａ４１００、東洋紡製）上にポリエステル樹脂をバーコート法により塗布し、８０℃１分乾燥硬化させることにより１００ｎｍの膜を形成した。
[真空成膜による珪素原子を含有する層]
電子ビーム加熱方式の真空蒸着装置を用いて、酸化珪素材料（ＳｉＯ、キヤノンオプトロン株式会社製）を電子ビーム加熱によって蒸発させ、成膜中の圧力が１．５×１０−２Ｐａにおいて硬化膜厚が４０ｎｍであるＳｉＯｘ膜を成膜した。ただし、このときの蒸着条件は加速電圧：４０ｋＶ、エミッション電流：０．２Ａである。
[真空成膜で形成しない珪素原子を含有する層]
このＳｉＯｘ膜にテトラエトキシシランの加水分解物とポリビニルアルコールを１／１重量比で混合した塗布液をバーコート法にて塗布し、１２０℃１分にて硬化させ、４００ｎｍに加工した。
【００５８】
さらに上記工程を再度繰り返し積層した。
この塗布膜の上に、平均粒子径１μｍのシリカ粒子と紫外線硬化樹脂を固形分重量比で１：１０の割合で混合した塗工液をバーコート法で塗布し、メタルハライドランプで硬化させた。硬化膜厚は２μｍだった。
このフィルムの全光線透過率は８８％、Ｈａｚｅは１０、水蒸気透過率は、０．０５ｇ／ｍ２・ｄａｙであり、ニュートンリング試験ではニュートンリングは発生しなかった。
【００５９】
＜比較例１＞
[基材の作成]
２５μｍのポリエチレンテレフタレートフィルム基材（Ｔ６０、東レ製）上に、ポリエステル樹脂をバーコート法により塗布し、８０℃１分乾燥硬化させることにより１００ｎｍの膜を形成した。
[真空成膜による層]
抵抗方式の真空蒸着装置を用いて、酸化アルミ材料を加熱により蒸発させ、成膜中の圧力が３．０×１０−２Ｐａにおいて硬化膜厚が１０ｎｍであるＡｌＯｘ膜を成膜した。
[真空成膜で形成しない珪素原子を含有する層]
このＳｉＯｘ膜にテトラエトキシシランの加水分解物とポリビニルアルコールを１／１重量比で混合した塗布液をバーコート法にて塗布し、１２０℃１分にて硬化させ、２００ｎｍに加工した。
このフィルムの全光線透過率は８９％、Ｈａｚｅは２、水蒸気透過率は、０．０３ｇ／ｍ２・ｄａｙであり、ニュートンリング試験ではニュートンリングが発生した。
【００６０】
＜比較例２＞
[基材の作成]
２５μｍのポリエチレンテレフタレートフィルム基材（Ｔ６０、東レ製）上に、ポリエステル樹脂をバーコート法により塗布し、８０℃１分乾燥硬化させることにより１００ｎｍの膜を形成した。
[真空成膜による珪素原子を含有する層]
電子ビーム加熱方式の真空蒸着装置を用いて、酸化珪素材料（ＳｉＯ、キヤノンオプトロン株式会社製）を電子ビーム加熱によって蒸発させ、成膜中の圧力が１．５×１０−２Ｐａにおいて硬化膜厚が４０ｎｍであるＳｉＯｘ膜を成膜した。ただし、このときの蒸着条件は加速電圧：４０ｋＶ、エミッション電流：０．２Ａである。
[真空成膜で形成しない珪素原子を含有する層]
このＳｉＯｘ膜にテトラエトキシシランの加水分解物とポリビニルアルコールを１／１重量比で混合した塗布液をバーコート法にて塗布し、１２０℃１分にて硬化させ、４００ｎｍに加工した。
【００６１】
さらにこの硬化した塗布膜の上に、平均粒子径１μｍのシリカ粒子と紫外線硬化樹脂を固形分重量比で４：６の割合で混合した塗工液をバーコート法で塗布し、メタルハライドランプで硬化させた。硬化膜厚は２μｍだった。
このフィルムの全光線透過率は６８％、Ｈａｚｅは６０、水蒸気透過率は、０．３ｇ／ｍ２・ｄａｙであり、ニュートンリング試験ではニュートンリングは発生しなかった。
【００６２】
＜比較例３＞
[基材の作成]
１００μｍのポリエチレンテレフタレートフィルム基材（Ａ４１００、東洋紡製）上にポ
リエステル樹脂をバーコート法により塗布し、８０℃１分乾燥硬化させることにより１００ｎｍの膜を形成した。
[真空成膜による珪素原子を含有する層]
電子ビーム加熱方式の真空蒸着装置を用いて、酸化珪素材料（ＳｉＯ、キヤノンオプトロン株式会社製）を電子ビーム加熱によって蒸発させ、成膜中の圧力が１．５×１０−２Ｐａにおいて硬化膜厚が４０ｎｍであるＳｉＯｘ膜を成膜した。ただし、このときの蒸着条件は加速電圧：４０ｋＶ、エミッション電流：０．２Ａである。
[真空成膜で形成しない珪素原子を含有する層]
このＳｉＯｘ膜にテトラエトキシシランの加水分解物とポリビニルアルコールを１／１重量比で混合した塗布液をバーコート法にて塗布し、１２０℃１分にて硬化させ、４００ｎｍに加工した。
この塗布膜の上に、平均粒子径０．１μｍのシリカ粒子と紫外線硬化樹脂を固形分重量比で１：１０の割合で混合した塗工液をバーコート法で塗布し、メタルハライドランプで硬化させた。硬化膜厚は２μｍだった。
このフィルムの全光線透過率は８９％、Ｈａｚｅは３、水蒸気透過率は、０．３ｇ／ｍ２・ｄａｙであり、ニュートンリング試験ではニュートンリングは発生した。
【００６３】
【表１】
2015134458.tif 000003
表１に示すように、本発明で高透過率であり、アンチニュートンリング特性とガスバリア性を１枚で両立することができるフィルムを作成することができた。
またアンチニュートンリング特性は、実施例１、実施例２、比較例２において平均粒子径１μｍのものを用いて効果があるのに対し、比較例３では０．１μｍのものを用いて効果が無いことも明確になった。
【符号の説明】
【００６４】
１・・・高分子フィルム
２・・・珪素原子を含有する層
３・・・真空成膜による珪素原子を含有する層
４・・・真空成膜で形成しない珪素原子を含有する層
５・・・アンチニュートンリング層
【図１】
2015134458.tif 000004
【図２】
2015134458.tif 000005