(57)【要約】【課題】酸化物半導体を含み、信頼性の高い半導体装置を提供する。また、酸化物半導体を用いた半導体装置において、酸化物半導体に含まれる不純物濃度を低減する。また、酸化物半導体を用いた半導体装置において、電気特性を向上させる。【解決手段】酸化物半導体膜と、酸化物半導体膜と重なるゲート電極層と、酸化物半導体膜とゲート電極層の間のゲート絶縁膜と、酸化物半導体膜を介して、ゲート絶縁膜と重なる金属酸化物膜と、酸化物半導体膜と電気的に接続するソース電極層及びドレイン電極層と、を有し、金属酸化物膜は、少なくとも酸化物半導体膜のチャネル領域及び側面を覆う。【選択図】図１
2015111667.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
酸化物半導体膜と、
前記酸化物半導体膜と重なるゲート電極層と、
前記酸化物半導体膜と前記ゲート電極層の間のゲート絶縁膜と、
前記酸化物半導体膜を介して、前記ゲート絶縁膜と重なる金属酸化物膜と、
前記酸化物半導体膜と電気的に接続するソース電極層及びドレイン電極層と、
を有し、
前記金属酸化物膜は、少なくとも前記酸化物半導体膜のチャネル領域及び側面を覆う、
ことを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
酸化物半導体膜と、
前記酸化物半導体膜と重なるゲート電極層と、
前記酸化物半導体膜と前記ゲート電極層の間のゲート絶縁膜と、
前記酸化物半導体膜を介して、前記ゲート絶縁膜と重なる金属酸化物膜と、
前記酸化物半導体膜と電気的に接続するソース電極層及びドレイン電極層と、
を有し、
前記金属酸化物膜は、前記酸化物半導体膜よりも伝導帯下端のエネルギー準位が真空準位に近く、少なくとも前記酸化物半導体膜のチャネル領域及び側面を覆う、
ことを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
ゲート電極層と、
前記ゲート電極層上のゲート絶縁膜と、
前記ゲート絶縁膜上の前記ゲート電極層と重畳する位置の酸化物半導体膜と、
前記酸化物半導体膜のチャネル領域及び側面を覆う金属酸化物膜と、
前記金属酸化物膜を介して、前記酸化物半導体膜に電気的に接続されるソース電極層及びドレイン電極層と、を有する、
ことを特徴とする半導体装置。
【請求項４】
請求項３において、
前記金属酸化物膜は、前記酸化物半導体膜よりも伝導帯下端のエネルギー準位が真空準位に近い、
ことを特徴とする半導体装置。
【請求項５】
請求項３において、
前記金属酸化物膜は、前記酸化物半導体膜に達する開口部を有する、
ことを特徴とする半導体装置。
【請求項６】
請求項１乃至請求項５のいずれか一つにおいて、
前記酸化物半導体膜は、
Ｉｎ−Ｍ−Ｚｎ酸化物（Ｍは、Ｔｉ、Ｇａ、Ｙ、Ｚｒ、Ｌａ、Ｃｅ、Ｎｄ、ＳｎまたはＨｆを表す。）である、
ことを特徴とする半導体装置。
【請求項７】
請求項１乃至請求項５のいずれか一つにおいて、
前記金属酸化物膜は、
Ｉｎ−Ｍ−Ｚｎ酸化物、またはＩｎ−Ｍ酸化物（Ｍは、Ｔｉ、Ｇａ、Ｙ、Ｚｒ、Ｌａ、Ｃｅ、Ｎｄ、ＳｎまたはＨｆを表す。）である、
ことを特徴とする半導体装置。
【請求項８】
請求項１乃至請求項７に記載のいずれか一つの半導体装置を用いた表示装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、物、方法、又は製造方法に関する。又は、本発明は、プロセス、マシン、マニュファクチャ、又は組成物（コンポジション・オブ・マター）に関する。また、本発明の一態様は、半導体装置、表示装置、発光装置、電子機器、それらの作製方法、又はそれらの駆動方法に関する。特に、本発明の一態様は、半導体装置及びその作製方法に関する。
【０００２】
なお、本明細書等において、半導体装置とは、半導体素子自体または半導体素子を含むものをいい、このような半導体素子として、例えばトランジスタ（薄膜トランジスタなど）が挙げられる。また、液晶表示装置などの表示装置は、半導体装置を含む場合がある。
【背景技術】
【０００３】
絶縁表面を有する基板上に形成された半導体膜を用いてトランジスタを構成する技術が注目されている。該トランジスタは、集積回路（ＩＣ）や画像表示装置（単に表示装置とも表記する。）のような電子デバイスに広く応用されている。トランジスタに適用可能な半導体膜としてシリコン系半導体材料が広く知られているが、その他の材料として半導体特性を示す金属酸化物（酸化物半導体）が注目されている。
【０００４】
例えば、酸化物半導体として、Ｉｎ、Ｚｎ、Ｇａ、Ｓｎなどを含む非晶質酸化物を用いてトランジスタを作製する技術が特許文献１で開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２００６−１６５５２９号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
酸化物半導体を用いたトランジスタは、比較的容易にトランジスタ特性を得られるものの、物性が不安定になりやすく、信頼性の確保が困難である。
【０００７】
そこで、本発明の一態様は、酸化物半導体を含み、信頼性の高い半導体装置を提供することを課題の１つとする。または、本発明の一態様は、酸化物半導体を用いた半導体装置において、酸化物半導体に含まれる不純物濃度を低減することを課題の１つとする。または、本発明の一態様は、酸化物半導体を用いた半導体装置において、電気特性を向上させることを課題の１つとする。または、本発明の一態様は、新規な半導体装置を提供することを課題の１つとする。
【０００８】
なお、上記の課題の記載は、他の課題の存在を妨げるものではない。上記以外の課題は、明細書等の記載から自ずと明らかになるものであり、明細書等の記載から上記以外の課題を抽出することが可能である。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明の一態様は、酸化物半導体膜と、酸化物半導体膜と重なるゲート電極層と、酸化物半導体膜とゲート電極層の間のゲート絶縁膜と、酸化物半導体膜を介して、ゲート絶縁膜と重なる金属酸化物膜と、酸化物半導体膜と電気的に接続するソース電極層及びドレイン電極層と、を有し、金属酸化物膜は、少なくとも酸化物半導体膜のチャネル領域及び側面を覆う、ことを特徴とする半導体装置である。
【００１０】
また、本発明の他の一態様は、酸化物半導体膜と、酸化物半導体膜と重なるゲート電極層と、酸化物半導体膜とゲート電極層の間のゲート絶縁膜と、酸化物半導体膜を介して、ゲート絶縁膜と重なる金属酸化物膜と、酸化物半導体膜と電気的に接続するソース電極層及びドレイン電極層と、を有し、金属酸化物膜は、酸化物半導体膜よりも伝導帯下端のエネルギー準位が真空準位に近く、少なくとも酸化物半導体膜のチャネル領域及び側面を覆う、ことを特徴とする半導体装置である。
【００１１】
また、本発明の他の一態様は、ゲート電極層と、ゲート電極層上のゲート絶縁膜と、ゲート絶縁膜上のゲート電極層と重畳する位置の酸化物半導体膜と、酸化物半導体膜のチャネル領域及び側面を覆う金属酸化物膜と、金属酸化物膜を介して、酸化物半導体膜に電気的に接続されるソース電極層及びドレイン電極層と、を有することを特徴とする半導体装置である。
【００１２】
また、上記構成において、金属酸化物膜は、酸化物半導体膜よりも伝導帯下端のエネルギー準位が真空準位に近いと好ましい。また、上記構成において、金属酸化物膜は、酸化物半導体膜に達する開口部を有すると好ましい。
【００１３】
また、上記各構成において、酸化物半導体膜は、Ｉｎ−Ｍ−Ｚｎ酸化物（Ｍは、Ｔｉ、Ｇａ、Ｙ、Ｚｒ、Ｌａ、Ｃｅ、Ｎｄ、ＳｎまたはＨｆを表す。）であると好ましい。また、上記各構成において、金属酸化物膜は、Ｉｎ−Ｍ−Ｚｎ酸化物、またはＩｎ−Ｍ酸化物（Ｍは、Ｔｉ、Ｇａ、Ｙ、Ｚｒ、Ｌａ、Ｃｅ、Ｎｄ、ＳｎまたはＨｆを表す。）であると好ましい。
【００１４】
また、上記各構成の半導体装置を用いた表示装置も本発明の一態様に含まれる。
【発明の効果】
【００１５】
本発明の一態様により、酸化物半導体を含み、信頼性の高い半導体装置を提供することができる。または、酸化物半導体を用いた半導体装置において、酸化物半導体に含まれる不純物濃度を低減することができる。または、酸化物半導体を用いた半導体装置において、電気特性を向上させることができる。または、新規な半導体装置を提供することができる。なお、これらの効果の記載は、他の効果の存在を妨げるものではない。なお、本発明の一態様は、必ずしも、これらの効果の全てを有する必要はない。なお、これら以外の効果は、明細書、図面、請求項などの記載から、自ずと明らかとなるものであり、明細書、図面、請求項などの記載から、これら以外の効果を抽出することが可能である。
【図面の簡単な説明】
【００１６】
【図１】半導体装置の上面図、及び断面図。
【図２】半導体装置の上面図、及び断面図。
【図３】半導体装置の上面図、及び断面図。
【図４】半導体装置の上面図、及び断面図。
【図５】半導体装置の断面図。
【図６】半導体装置の断面図。
【図７】半導体装置の作製方法を示す断面図。
【図８】半導体装置の作製方法を示す断面図。
【図９】半導体装置の作製方法を示す断面図。
【図１０】半導体装置の作製方法を示す断面図。
【図１１】半導体装置の断面図、及び積層膜のエネルギーバンド図。
【図１２】ＣＡＡＣ−ＯＳの断面におけるＣｓ補正高分解能ＴＥＭ像、およびＣＡＡＣ−ＯＳの断面模式図。
【図１３】ＣＡＡＣ−ＯＳの平面におけるＣｓ補正高分解能ＴＥＭ像。
【図１４】ＣＡＡＣ−ＯＳおよび単結晶酸化物半導体のＸＲＤによる構造解析を説明する図。
【図１５】表示装置を説明するブロック図及び回路図。
【図１６】表示モジュールを説明する図。
【図１７】電子機器を説明する図。
【図１８】本発明の一態様の半導体装置を用いた発光装置の一例を示す図。
【図１９】本発明の一態様の半導体装置を用いた発光装置の作製方法を示す図。
【図２０】半導体装置の上面図、及び断面図。
【図２１】半導体装置の断面図。
【図２２】表示装置の断面図。
【図２３】表示装置の断面図。
【図２４】表示装置の断面図。
【図２５】表示装置の断面図。
【図２６】ＣＡＡＣ−ＯＳの電子回折パターンを示す図。
【図２７】Ｉｎ−Ｇａ−Ｚｎ酸化物の電子照射による結晶部の変化を示す図。
【図２８】ＣＡＡＣ−ＯＳおよびｎｃ−ＯＳの成膜モデルを説明する模式図。
【図２９】ＩｎＧａＺｎＯ４の結晶、およびペレットを説明する図。
【図３０】ＣＡＡＣ−ＯＳの成膜モデルを説明する模式図。
【発明を実施するための形態】
【００１７】
以下では、本発明の実施の形態について図面を用いて詳細に説明する。但し、本発明は以下の説明に限定されず、その形態及び詳細を様々に変更し得ることは当業者であれば容易に理解される。従って、本発明は以下に示す実施の形態の記載内容に限定して解釈されるものではない。
【００１８】
なお、以下に説明する本発明の構成において、同一部分又は同様の機能を有する部分には同一の符号を異なる図面間で共通して用い、その繰り返しの説明は省略する。また、同様の機能を有する部分を指す場合には、ハッチパターンを同じくし、特に符号を付さない場合がある。
【００１９】
なお、本明細書で説明する各図において、各構成の大きさ、膜の厚さ、又は領域は、明瞭化のために誇張されている場合がある。よって、必ずしもそのスケールに限定されない。
【００２０】
また、本明細書において、「平行」とは、二つの直線が−１０°以上１０°以下の角度で配置されている状態をいう。したがって、−５°以上５°以下の場合も含まれる。また、「略平行」とは、二つの直線が−３０°以上３０°以下の角度で配置されている状態をいう。また、「垂直」とは、二つの直線が８０°以上１００°以下の角度で配置されている状態をいう。したがって、８５°以上９５°以下の場合も含まれる。また、「略垂直」とは、二つの直線が６０°以上１２０°以下の角度で配置されている状態をいう。
【００２１】
なお、本明細書等において、第１、第２等として付される序数詞は、便宜上用いるものであり、工程順又は積層順を示すものではない。そのため、例えば、「第１の」を「第２の」又は「第３の」などと適宜置き換えて説明することができる。また、本明細書等に記載されている序数詞と、本発明の一態様を特定するために用いられる序数詞は一致しない場合がある。
【００２２】
（実施の形態１）
本実施の形態では、本発明の一態様の半導体装置について、図１乃至図１０を参照して説明する。
【００２３】
＜半導体装置の構成例１＞
図１（Ａ）は、本発明の一態様の半導体装置であるトランジスタ１５０の上面図であり、図１（Ｂ）は、図１（Ａ）の一点鎖線Ｙ１−Ｙ２間における切断面の断面図に相当し、図１（Ｃ）は、図１（Ａ）に示す一点鎖線Ｘ１−Ｘ２間における切断面の断面図に相当する。なお、図１（Ａ）において、煩雑になることを避けるため、トランジスタ１５０の構成要素の一部（ゲート絶縁膜等）を省略して図示している。
【００２４】
トランジスタ１５０は、基板１０２上のゲート電極層としての機能を有する導電膜１０４と、基板１０２及び導電膜１０４上のゲート絶縁膜としての機能を有する絶縁膜１０６と、絶縁膜１０６上の導電膜１０４と重畳する位置の酸化物半導体膜１０８と、絶縁膜１０６及び酸化物半導体膜１０８上の金属酸化物膜１１０と、酸化物半導体膜１０８に電気的に接続され、トランジスタ１５０のソース電極層及びドレイン電極層として機能する導電膜１１２ａ、１１２ｂと、を有する。なお、導電膜１１２ａ、１１２ｂは、金属酸化物膜１１０に設けられる開口部１４０ａ、１４０ｂを介して、酸化物半導体膜１０８と接続される。
【００２５】
また、図１（Ｂ）、（Ｃ）において、ゲート絶縁膜としての機能を有する絶縁膜１０６は、絶縁膜１０６ａと絶縁膜１０６ｂを有する２層構造である。ただし、絶縁膜１０６の構造は、これに限定されず、１層構造または３層以上の積層構造としてもよい。
【００２６】
また、図１（Ｂ）、（Ｃ）において、トランジスタ１５０上、より詳しくは、金属酸化物膜１１０、及び導電膜１１２ａ、１１２ｂ上には、トランジスタ１５０の保護絶縁膜としての機能を有する絶縁膜１１４、１１６、１１８が設けられる。
【００２７】
また、図１（Ｂ）、（Ｃ）に示すように、金属酸化物膜１１０は、少なくとも酸化物半導体膜１０８のチャネル領域及び側面を覆う。なお、本明細書等において、チャネル領域とは、電流が主として流れる領域をいう。
【００２８】
トランジスタ１５０において、酸化物半導体膜１０８のチャネル領域及び側面を覆うように設けられる金属酸化物膜１１０は、ソース電極層及びドレイン電極層として機能する導電膜１１２ａ、１１２ｂの構成元素が酸化物半導体膜１０８に拡散することを抑制するバリア膜として機能する。または、金属酸化物膜１１０を設けることで、酸化物半導体膜１０８の上層に設けられる絶縁膜１１４等の構成元素が、酸化物半導体膜１０８に混入することを抑制することができる。
【００２９】
チャネル領域が形成される酸化物半導体膜１０８への不純物の混入を抑制することで、トランジスタ１５０の電気特性の低下を抑制することができる。または、金属酸化物膜１１０を設けることで、ソース電極層及びドレイン電極層として機能する導電膜１１２ａ、１１２ｂの形成時、例えば、エッチング工程のときに酸化物半導体膜１０８へ与えられるダメージを緩和することができる。
【００３０】
酸化物半導体膜１０８には、Ｉｎ−Ｇａ酸化物、Ｉｎ−Ｚｎ酸化物、Ｉｎ−Ｍ−Ｚｎ酸化物（Ｍは、Ｔｉ、Ｇａ、Ｙ、Ｚｒ、Ｌａ、Ｃｅ、Ｎｄ、ＳｎまたはＨｆを表す。）を用いることができる。また、金属酸化物膜１１０には、Ｉｎ−Ｍ−Ｚｎ酸化物（ＭはＴｉ、Ｇａ、Ｙ、Ｚｒ、Ｌａ、Ｃｅ、Ｎｄ、ＳｎまたはＨｆを表す。）、あるいはＩｎ−Ｍ酸化物（Ｍは、Ｔｉ、Ｇａ、Ｙ、Ｚｒ、Ｌａ、Ｃｅ、Ｎｄ、ＳｎまたはＨｆを表す。）を用いることができる。ただし、金属酸化物膜１１０がチャネル領域の一部として機能することを防止するため、金属酸化物膜１１０には導電率が十分に低い材料を用いるものとする。または、金属酸化物膜１１０には、電子親和力（真空準位と伝導帯下端のエネルギー準位との差）が酸化物半導体膜１０８よりも小さく、伝導帯下端のエネルギー準位が酸化物半導体膜１０８の伝導帯下端エネルギー準位と差分（バンドオフセット）を有する材料を用いるものとする。
【００３１】
金属酸化物膜１１０の膜厚は、ソース電極層及びドレイン電極層として機能する導電膜１１２ａ、１１２ｂの構成元素が酸化物半導体膜１０８に拡散することを抑制することのできる膜厚以上であって、絶縁膜１１４、１１６から酸化物半導体膜１０８への酸素の供給を抑制する膜厚未満とする。例えば、金属酸化物膜１１０の膜厚が１０ｎｍ以上であると、ソース電極層及びドレイン電極層として機能する導電膜１１２ａ、１１２ｂの構成元素が酸化物半導体膜１０８へ拡散するのを抑制することができる。また、金属酸化物膜１１０の膜厚を１００ｎｍ以下とすると、絶縁膜１１４、１１６から酸化物半導体膜１０８へ効果的に酸素を供給することができる。
【００３２】
このように、金属酸化物膜１１０は、酸化物半導体膜１０８のチャネル領域を保護するためのチャネル保護膜としての機能を有する。なお、本実施の形態の金属酸化物膜１１０は、少なくとも、酸化物半導体膜１０８のチャネル領域及び側面を覆う。別言すると、金属酸化物膜１１０は、ゲート電極層として機能する導電膜１０４と重畳し、ソース電極層またはドレイン電極層として機能する導電膜１１２ａと、ソース電極層またはドレイン電極層として機能する導電膜１１２ｂの間の酸化物半導体膜１０８の表面を覆い、且つ酸化物半導体膜１０８の側面を覆う。上述の導電膜１１２ａと導電膜１１２ｂの間の酸化物半導体膜１０８の表面は、所謂バックチャネル側の表面である。該バックチャネル側の表面に酸化物半導体膜１０８に含まれる元素を含む金属酸化物膜１１０が接することで、酸化物半導体膜１０８に混入しうる不純物を極めて少なくすることが可能となる。
【００３３】
また、本実施の形態に示すトランジスタ１５０において、ソース電極層及びドレイン電極層として機能する導電膜１１２ａ、１１２ｂとしては、銅、アルミニウム、金、又は銀等の低抵抗材料からなる単体、若しくは合金、又はこれらを主成分とする化合物を含む、単層構造又は積層構造とすることが好ましい。導電膜１１２ａ、１１２ｂは配線としても機能するため、導電膜１１２ａ、１１２ｂを銅、アルミニウム、金又は銀等の低抵抗材料を含んで形成することで、基板１０２として大面積基板を用いた場合においても配線遅延を抑制した半導体装置を作製することが可能となる。
【００３４】
また、導電膜１１２ａ、１１２ｂを２層構造とする場合、２層目の導電膜の膜厚を厚くし、且つ銅、アルミニウム、金、又は銀等の低抵抗材料からなる単体、若しくは合金、又はこれらを主成分とする化合物を含む導電膜とし、１層目の導電膜には、上述の２層目の導電膜に対するバリア膜として機能する導電膜を用いて形成することが好ましい。例えば、チタン、タンタル、モリブデン、タングステンの単体若しくは合金、又は窒化チタン、窒化タンタル、窒化モリブデン、窒化タングステン等を含む導電膜をバリア膜として用いることができる。また、導電膜１１２ａ、１１２ｂを３層構造とする場合、上述の１層目及び２層目上に接して、２層目の導電膜に対するバリア膜として機能する導電膜を用いて３層目の導電膜を形成することが好ましい。
【００３５】
例えば、導電膜１１２ａ、１１２ｂを２層構造とする場合、チタン膜上にアルミニウム膜を積層した構造、タングステン膜上に銅膜を積層した構造、タングステン膜上にアルミニウム膜を積層した構造、銅−マグネシウム−アルミニウム合金膜上に銅膜を積層した構造、チタン膜上に銅膜を積層した構造、タングステン膜上に銅膜を積層した構造、モリブデン膜上に銅膜を積層した構造、モリブデンとタングステンを含む合金膜上に銅膜を積層した構造、モリブデンとジルコニウムを含む合金膜上に銅膜を積層した構造、銅とマンガンを含む合金膜上に銅膜を積層した構造等を用いることが好ましい。また、導電膜１１２ａ、１１２ｂを３層構造とする場合、１層目及び３層目には、チタン、窒化チタン、モリブデン、タングステン、モリブデンとタングステンを含む合金、モリブデンとジルコニウムを含む合金、銅とマンガンを含む合金又は窒化モリブデンでなる膜を形成し、２層目には、銅、アルミニウム、金又は銀等の低抵抗材料でなる膜を形成することが好ましい。
【００３６】
本実施の形態で示すトランジスタ１５０は、ソース電極層及びドレイン電極層として機能する導電膜１１２ａ、１１２ｂとして、銅、アルミニウム、金、又は銀等の低抵抗材料を含む導電膜を用いることで、配線遅延を抑制した半導体装置を作製することができる。さらに、酸化物半導体膜１０８には、酸化物半導体膜１０８のチャネル領域及び側面を覆う金属酸化物膜１１０が設けられるため、ソース電極層及びドレイン電極層として機能する導電膜１１２ａ、１１２ｂの構成元素が酸化物半導体膜１０８へ拡散するのを抑制することができる。したがって、電気特性の低下を抑制し、良好な電気特性を有する半導体装置を提供することが可能となる。
【００３７】
以下に、本実施の形態の半導体装置に含まれるその他の構成要素について、詳細に説明する。
【００３８】
＜基板＞
基板１０２の材質などに大きな制限はないが、少なくとも、後の熱処理に耐えうる程度の耐熱性を有している必要がある。例えば、ガラス基板、セラミック基板、石英基板、サファイア基板等を、基板１０２として用いてもよい。また、シリコンや炭化シリコンなどの単結晶半導体基板、多結晶半導体基板、シリコンゲルマニウム等の化合物半導体基板、ＳＯＩ基板等を適用することも可能であり、これらの基板上に半導体素子が設けられたものを、基板１０２として用いてもよい。なお、基板１０２として、ガラス基板を用いる場合、第６世代（１５００ｍｍ×１８５０ｍｍ）、第７世代（１８７０ｍｍ×２２００ｍｍ）、第８世代（２２００ｍｍ×２４００ｍｍ）、第９世代（２４００ｍｍ×２８００ｍｍ）、第１０世代（２９５０ｍｍ×３４００ｍｍ）等の大面積基板を用いることで、大型の表示装置を作製することができる。
【００３９】
また、基板１０２として、可撓性基板を用い、可撓性基板上に直接、トランジスタ１５０を形成してもよい。または、基板１０２とトランジスタ１５０の間に剥離層を設けてもよい。剥離層は、その上に半導体装置を一部あるいは全部完成させた後、基板１０２より分離し、他の基板に転載するのに用いることができる。その際、トランジスタ１５０は耐熱性の劣る基板や可撓性の基板にも転載できる。なお、上述の剥離層には、例えば、タングステン膜と酸化シリコン膜との無機膜の積層構造の構成や、基板上にポリイミド等の有機樹脂膜が形成された構成等を用いることができる。
【００４０】
＜導電膜＞
ゲート電極層として機能する導電膜１０４は、クロム、銅、アルミニウム、金、銀、亜鉛、モリブデン、タンタル、チタン、タングステンから選ばれた金属元素、または上述した金属元素を成分とする合金か、上述した金属元素を組み合わせた合金等を用いて形成することができる。また、マンガン、ジルコニウムのいずれか一または複数から選択された金属元素を用いてもよい。また、導電膜１０４は、単層構造でも、二層以上の積層構造としてもよい。例えば、シリコンを含むアルミニウム膜の単層構造、アルミニウム膜上にチタン膜を積層する二層構造、窒化チタン膜上にチタン膜を積層する二層構造、窒化チタン膜上にタングステン膜を積層する二層構造、窒化タンタル膜または窒化タングステン膜上にタングステン膜を積層する二層構造、チタン膜と、そのチタン膜上にアルミニウム膜を積層し、さらにその上にチタン膜を形成する三層構造等がある。また、アルミニウムに、チタン、タンタル、タングステン、モリブデン、クロム、ネオジム、スカンジウムから選ばれた一または複数組み合わせた合金膜、もしくは窒化膜を用いてもよい。
【００４１】
また、導電膜１０４は、インジウム錫酸化物、酸化タングステンを含むインジウム酸化物、酸化タングステンを含むインジウム亜鉛酸化物、酸化チタンを含むインジウム酸化物、酸化チタンを含むインジウム錫酸化物、インジウム亜鉛酸化物、酸化シリコンを添加したインジウム錫酸化物等の透光性を有する導電性材料を適用することもできる。また、上記透光性を有する導電性材料と、上記金属元素の積層構造とすることもできる。
【００４２】
また、導電膜１０４と絶縁膜１０６ａとの間に、Ｉｎ−Ｇａ−Ｚｎ系酸窒化物半導体膜、Ｉｎ−Ｓｎ系酸窒化物半導体膜、Ｉｎ−Ｇａ系酸窒化物半導体膜、Ｉｎ−Ｚｎ系酸窒化物半導体膜、Ｓｎ系酸窒化物半導体膜、Ｉｎ系酸窒化物半導体膜、金属窒化膜（ＩｎＮ、ＺｎＮ等）等を設けてもよい。これらの膜は５ｅＶ以上、好ましくは５．５ｅＶ以上の仕事関数を有し、酸化物半導体の電子親和力よりも大きい値であるため、酸化物半導体を用いたトランジスタのしきい値電圧をプラスにシフトすることができ、所謂ノーマリーオフ特性のスイッチング素子を実現できる。例えば、Ｉｎ−Ｇａ−Ｚｎ系酸窒化物半導体膜を用いる場合、少なくとも酸化物半導体膜１０８より高い窒素濃度、具体的には７原子％以上のＩｎ−Ｇａ−Ｚｎ系酸窒化物半導体膜を用いる。
【００４３】
＜ゲート絶縁膜＞
トランジスタ１５０のゲート絶縁膜として機能する絶縁膜１０６ａ、１０６ｂとしては、プラズマ化学気相堆積（ＰＥＣＶＤ：（Ｐｌａｓｍａ  Ｅｎｈａｎｃｅｄ  Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｖａｐｏｒ  Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ））法、スパッタリング法等により、酸化シリコン膜、酸化窒化シリコン膜、窒化酸化シリコン膜、窒化シリコン膜、酸化アルミニウム膜、酸化ハフニウム膜、酸化イットリウム膜、酸化ジルコニウム膜、酸化ガリウム膜、酸化タンタル膜、酸化マグネシウム膜、酸化ランタン膜、酸化セリウム膜および酸化ネオジム膜を一種以上含む絶縁膜を、それぞれ用いることができる。なお、絶縁膜１０６ａ、１０６ｂの積層構造とせずに、上述の材料から選択された単層の絶縁膜、または３層以上の絶縁膜を用いてもよい。
【００４４】
なお、トランジスタ１５０のチャネル領域として機能する酸化物半導体膜１０８と接する絶縁膜１０６ｂは、酸化物絶縁膜であることが好ましく、化学量論的組成よりも過剰に酸素を含有する領域（酸素過剰領域）を有することがより好ましい。別言すると、絶縁膜１０６ｂは、酸素を放出することが可能な絶縁膜である。なお、絶縁膜１０６ｂに酸素過剰領域を設けるには、例えば、酸素雰囲気下にて絶縁膜１０６ｂを形成すればよい。または、成膜後の絶縁膜１０６ｂに酸素を導入して、酸素過剰領域を形成してもよい。酸素の導入方法としては、イオン注入法、イオンドーピング法、プラズマイマージョンイオン注入法、プラズマ処理等を用いることができる。
【００４５】
また、絶縁膜１０６ａ、１０６ｂのいずれか一方または双方として、酸化ハフニウムを用いる場合、以下の効果を奏する。酸化ハフニウムは、酸化シリコンや酸化窒化シリコンと比べて比誘電率が高い。したがって、酸化ハフニウムを用いると、等価酸化膜厚に対して物理的な膜厚を大きくできるため、等価酸化膜厚を１０ｎｍ以下または５ｎｍ以下とした場合でも、トンネル電流によるリーク電流を小さくすることができる。すなわち、オフ電流の小さいトランジスタを実現することができる。さらに、結晶構造を有する酸化ハフニウムは、非晶質構造を有する酸化ハフニウムと比べて高い比誘電率を備える。したがって、オフ電流の小さいトランジスタとするためには、結晶構造を有する酸化ハフニウムを用いることが好ましい。結晶構造の例としては、単斜晶系や立方晶系などが挙げられる。ただし、本発明の一態様は、これらに限定されない。
【００４６】
なお、本実施の形態では、絶縁膜１０６ａとして窒化シリコン膜を形成し、絶縁膜１０６ｂとして酸化シリコン膜を形成する。窒化シリコン膜は、酸化シリコン膜と比較して比誘電率が高く、酸化シリコン膜と同等の静電容量を得るのに必要な膜厚が大きいため、トランジスタ１５０のゲート絶縁膜として、窒化シリコン膜を含むことで絶縁膜を物理的に厚膜化することができる。よって、トランジスタ１５０の絶縁耐圧の低下を抑制、さらには絶縁耐圧を向上させて、トランジスタ１５０の静電破壊を抑制することができる。
【００４７】
＜酸化物半導体膜＞
酸化物半導体膜１０８は、代表的には、Ｉｎ−Ｇａ酸化物、Ｉｎ−Ｚｎ酸化物、Ｉｎ−Ｍ−Ｚｎ酸化物（Ｍは、Ｔｉ、Ｇａ、Ｙ、Ｚｒ、Ｌａ、Ｃｅ、Ｎｄ、ＳｎまたはＨｆ）がある。とくに、酸化物半導体膜１０８としては、Ｉｎ−Ｍ−Ｚｎ酸化物（Ｍは、Ｔｉ、Ｇａ、Ｙ、Ｚｒ、Ｌａ、Ｃｅ、Ｎｄ、ＳｎまたはＨｆを表す。）を用いると好ましい。
【００４８】
酸化物半導体膜１０８がＩｎ−Ｍ−Ｚｎ酸化物（Ｍは、Ｔｉ、Ｇａ、Ｙ、Ｚｒ、Ｌａ、Ｃｅ、Ｎｄ、ＳｎまたはＨｆを表す。）の場合、Ｉｎ−Ｍ−Ｚｎ酸化物を成膜するために用いるスパッタリングターゲットの金属元素の原子数比は、Ｉｎ≧Ｍ、Ｚｎ≧Ｍを満たすことが好ましい。このようなスパッタリングターゲットの金属元素の原子数比として、Ｉｎ：Ｍ：Ｚｎ＝１：１：１、Ｉｎ：Ｍ：Ｚｎ＝１：１：１．２、Ｉｎ：Ｍ：Ｚｎ＝３：１：２が好ましい。なお、成膜される酸化物半導体膜１０８の原子数比はそれぞれ、誤差として上記のスパッタリングターゲットに含まれる金属元素の原子数比のプラスマイナス４０％の変動を含む。
【００４９】
なお、酸化物半導体膜１０８がＩｎ−Ｍ−Ｚｎ酸化物であるとき、Ｚｎ及びＯを除いてのＩｎとＭの原子数比率は、好ましくはＩｎが２５ａｔｏｍｉｃ％以上、Ｍが７５ａｔｏｍｉｃ％未満、さらに好ましくはＩｎが３４ａｔｏｍｉｃ％以上、Ｍが６６ａｔｏｍｉｃ％未満とする。
【００５０】
また、酸化物半導体膜１０８は、エネルギーギャップが２ｅＶ以上、好ましくは２．５ｅＶ以上、より好ましくは３ｅＶ以上である。このように、エネルギーギャップの広い酸化物半導体を用いることで、トランジスタ１５０のオフ電流を低減することができる。
【００５１】
また、酸化物半導体膜１０８の厚さは、３ｎｍ以上２００ｎｍ以下、好ましくは３ｎｍ以上１００ｎｍ以下、さらに好ましくは３ｎｍ以上５０ｎｍ以下とする。
【００５２】
また、酸化物半導体膜１０８としては、キャリア密度の低い酸化物半導体膜を用いる。例えば、酸化物半導体膜１０８は、キャリア密度が１×１０１７個／ｃｍ３以下、好ましくは１×１０１５個／ｃｍ３以下、さらに好ましくは１×１０１３個／ｃｍ３以下、より好ましくは１×１０１１個／ｃｍ３以下、さらに好ましくは１×１０１０個／ｃｍ３以下であり、１×１０−９個／ｃｍ３以上とする。
【００５３】
なお、これらに限られず、必要とするトランジスタの半導体特性及び電気特性（電界効果移動度、しきい値電圧等）に応じて適切な組成のものを用いればよい。また、必要とするトランジスタの半導体特性を得るために、酸化物半導体膜１０８のキャリア密度や不純物濃度、欠陥密度、金属元素と酸素の原子数比、原子間距離、密度等を適切なものとすることが好ましい。
【００５４】
なお、酸化物半導体膜１０８として、不純物濃度が低く、欠陥準位密度の低い酸化物半導体膜を用いることで、さらに優れた電気特性を有するトランジスタを作製することができ好ましい。ここでは、不純物濃度が低く、欠陥準位密度の低い（酸素欠損の少ない）ことを高純度真性または実質的に高純度真性とよぶ。高純度真性または実質的に高純度真性である酸化物半導体膜は、キャリア発生源が少ないため、キャリア密度を低くすることができる。従って、該酸化物半導体膜にチャネル領域が形成されるトランジスタは、しきい値電圧がマイナスとなる電気特性（ノーマリーオンともいう。）になることが少ない。また、高純度真性または実質的に高純度真性である酸化物半導体膜は、欠陥準位密度が低いため、トラップ準位密度も低くなる場合がある。また、高純度真性または実質的に高純度真性である酸化物半導体膜は、オフ電流が著しく小さく、チャネル幅が１×１０６μｍでチャネル長Ｌが１０μｍの素子であっても、ソース電極とドレイン電極間の電圧（ドレイン電圧）が１Ｖから１０Ｖの範囲において、オフ電流が、半導体パラメータアナライザの測定限界以下、すなわち１×１０−１３Ａ以下という特性を得ることができる。
【００５５】
従って、上記高純度真性、又は実質的に高純度真性の酸化物半導体膜にチャネル領域が形成されるトランジスタは、電気特性の変動が小さく、信頼性の高いトランジスタとすることができる。なお、酸化物半導体膜のトラップ準位に捕獲された電荷は、消失するまでに要する時間が長く、あたかも固定電荷のように振る舞うことがある。そのため、トラップ準位密度の高い酸化物半導体膜にチャネル領域が形成されるトランジスタは、電気特性が不安定となる場合がある。不純物としては、水素、窒素、アルカリ金属、またはアルカリ土類金属等がある。
【００５６】
酸化物半導体膜に含まれる水素は、金属原子と結合する酸素と反応して水になると共に、酸素が脱離した格子（または酸素が脱離した部分）に酸素欠損を形成する。該酸素欠損に水素が入ることで、キャリアである電子が生成される場合がある。また、水素の一部が金属原子と結合する酸素と結合して、キャリアである電子を生成することがある。従って、水素が含まれている酸化物半導体膜を用いたトランジスタはノーマリーオン特性となりやすい。このため、酸化物半導体膜１０８は水素ができる限り低減されていることが好ましい。具体的には、酸化物半導体膜１０８において、二次イオン質量分析法（ＳＩＭＳ：Ｓｅｃｏｎｄａｒｙ  Ｉｏｎ  Ｍａｓｓ  Ｓｐｅｃｔｒｏｍｅｔｒｙ）により得られる水素濃度を、２×１０２０ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以下、好ましくは５×１０１９ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以下、より好ましくは１×１０１９ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以下、好ましくは５×１０１８ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以下、好ましくは１×１０１８ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以下、より好ましくは５×１０１７ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以下、さらに好ましくは１×１０１６ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以下とする。
【００５７】
酸化物半導体膜１０８において、第１４族元素の一つであるシリコンや炭素が含まれると、酸化物半導体膜１０８において酸素欠損が増加し、ｎ型化してしまう。このため、酸化物半導体膜１０８におけるシリコンや炭素の濃度、または金属酸化物膜１１０と、酸化物半導体膜１０８との界面近傍のシリコンや炭素の濃度（二次イオン質量分析法により得られる濃度）を、２×１０１８ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以下、好ましくは２×１０１７ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以下とする。
【００５８】
また、酸化物半導体膜１０８において、二次イオン質量分析法により得られるアルカリ金属またはアルカリ土類金属の濃度を、１×１０１８ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以下、好ましくは２×１０１６ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以下にする。アルカリ金属及びアルカリ土類金属は、酸化物半導体と結合するとキャリアを生成する場合があり、トランジスタのオフ電流が増大してしまうことがある。このため、酸化物半導体膜１０８のアルカリ金属またはアルカリ土類金属の濃度を低減することが好ましい。
【００５９】
また、酸化物半導体膜１０８に窒素が含まれていると、キャリアである電子が生じ、キャリア密度が増加し、ｎ型化しやすい。この結果、窒素が含まれている酸化物半導体膜を用いたトランジスタはノーマリーオン特性となりやすい。従って、該酸化物半導体膜において、窒素はできる限り低減されていることが好ましい、例えば、二次イオン質量分析法により得られる窒素濃度は、５×１０１８ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以下にすることが好ましい。
【００６０】
また、酸化物半導体膜１０８は、例えば非単結晶構造でもよい。非単結晶構造は、例えば、後述するＣＡＡＣ−ＯＳ（Ｃ  Ａｘｉｓ  Ａｌｉｇｎｅｄ  Ｃｒｙｓｔａｌｌｉｎｅ  Ｏｘｉｄｅ  Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ）、多結晶構造、後述する微結晶構造、または非晶質構造を含む。非単結晶構造において、非晶質構造は最も欠陥準位密度が高く、ＣＡＡＣ−ＯＳは最も欠陥準位密度が低い。
【００６１】
酸化物半導体膜１０８は、例えば非晶質構造でもよい。非晶質構造の酸化物半導体膜は、例えば、原子配列が無秩序であり、結晶成分を有さない。または、非晶質構造の酸化物膜は、例えば、完全な非晶質構造であり、結晶部を有さない。
【００６２】
なお、酸化物半導体膜１０８が、非晶質構造の領域、微結晶構造の領域、多結晶構造の領域、ＣＡＡＣ−ＯＳの領域、単結晶構造の二種以上を有する混合膜であってもよい。混合膜は、例えば、非晶質構造の領域、微結晶構造の領域、多結晶構造の領域、ＣＡＡＣ−ＯＳの領域、単結晶構造の領域のいずれか二種以上の領域を有する場合がある。また、混合膜は、例えば、非晶質構造の領域、微結晶構造の領域、多結晶構造の領域、ＣＡＡＣ−ＯＳの領域、単結晶構造の領域のいずれか二種以上の領域の積層構造を有する場合がある。なお、酸化物半導体膜１０８に接する金属酸化物膜１１０は、例えば非晶質構造、微結晶構造、多結晶構造等とすることができる。
【００６３】
また、酸化物半導体膜１０８と接して酸化物半導体と異なる構成元素（例えばシリコン）を有する絶縁膜を設けた場合、酸化物半導体膜１０８と該絶縁膜との界面には、異種接合、不純物の混入等に起因した界面準位が形成されることがある。本実施の形態のトランジスタ１５０では、酸化物半導体膜１０８と、酸化物半導体と異なる構成元素（例えばシリコン）を有しうる絶縁膜１１４との間に、酸化物半導体と構成元素が同じである金属酸化物膜１１０が設けられている。このため、金属酸化物膜１１０と絶縁膜１１４の間において、不純物及び欠陥によりトラップ準位が形成されても、該トラップ準位と酸化物半導体膜１０８との間には隔たりがある。この結果、酸化物半導体膜１０８を流れる電子がトラップ準位に捕獲されにくく、トランジスタのオン電流を増大させることが可能であると共に、電界効果移動度を高めることができる。また、トラップ準位に電子が捕獲されると、該電子がマイナスの固定電荷となってしまう。この結果、トランジスタのしきい値電圧が変動してしまう。しかしながら、酸化物半導体膜１０８とトラップ準位との間に隔たりがあるため、トラップ準位における電子の捕獲を低減することが可能であり、しきい値電圧の変動を低減することができる。
【００６４】
＜金属酸化物膜＞
金属酸化物膜１１０には、Ｉｎ−Ｍ−Ｚｎ酸化物あるいはＩｎ−Ｍ酸化物（Ｍは、Ｔｉ、Ｇａ、Ｙ、Ｚｒ、Ｌａ、Ｃｅ、Ｎｄ、ＳｎまたはＨｆを表す。）で表される金属酸化物を用いることができる。なお、金属酸化物膜１１０には、上記記載の効果の他、以下の効果を奏する。金属酸化物膜１１０に含まれる元素Ｍは、酸素との結合力が高いため、元素Ｍの原子数比が高い金属酸化物膜１１０は酸素欠損を形成しにくい。よって、金属酸化物膜１１０に接する酸化物半導体膜１０８における酸素欠損量を低減することが可能である。
【００６５】
また、金属酸化物膜１１０の伝導帯下端のエネルギー準位が、酸化物半導体膜１０８の伝導帯下端のエネルギー準位よりも０．２ｅＶより真空準位に近い材料、好ましくは０．５ｅＶ以上真空準位に近い材料を適用することが好ましい。このような材料を用いることで、トランジスタのドレイン電圧の大きさに依存する、しきい値電圧の差が生じることを抑制することが可能となる。
【００６６】
また、Ｉｎに対する元素Ｍの原子数比を高めることで、金属酸化物膜１１０のエネルギーギャップを大きくし、電子親和力を小さくすることができる。例えば、金属酸化物膜１１０として、Ｉｎ−Ｍ酸化物（Ｍは、Ｔｉ、Ｇａ、Ｙ、Ｚｒ、Ｌａ、Ｃｅ、Ｎｄ、ＳｎまたはＨｆを表す。）で構成される材料を用いる場合、酸化物半導体膜１０８との間に伝導帯のバンドオフセットを形成し、金属酸化物膜１１０にチャネルが形成されることを抑制するためには、金属酸化物膜１１０は、Ｉｎ：Ｍ＝ｘ：ｙ［原子数比］とすると、ｙ／（ｘ＋ｙ）を、０．７５以上１以下、好ましくは、０．７８以上１以下、より好ましくは０．８０以上１以下とすることが好ましい。ただし、金属酸化物膜１１０は、主成分であるインジウム、Ｍ及び酸素以外の元素が不純物として混入していてもよい。その際の不純物の割合は、０．１％以下が好ましい。
【００６７】
また、金属酸化物膜１１０をスパッタリング法によって形成する場合、Ｉｎに対する元素Ｍの原子数比を高めることで、成膜時のパーティクル数を低減させることが可能である。パーティクル数を低減させるためには、Ｉｎ：Ｍ＝ｘ：ｙ［原子数比］とすると、ｙ／（ｘ＋ｙ）を、０．９０以上、例えば０．９３とするとよい。ただし、金属酸化物膜１１０をスパッタリング法によって形成する場合、Ｉｎに対するＭの原子数比が高すぎると、ターゲットの絶縁性が高く、ＤＣ放電を用いた成膜が困難となり、ＲＦ放電を適用する必要が生じる。よって、大面積基板への対応が可能なＤＣ放電を用いて成膜を行うためには、ｙ／（ｘ＋ｙ）を０．９６以下、好ましくは０．９５以下、例えば０．９３とするとよい。大面積基板に対応した成膜方法を適用することで、半導体装置の生産性を高めることができる。
【００６８】
なお、金属酸化物膜１１０は、膜中にスピネル型の結晶構造が含まれないことが好ましい。金属酸化物膜１１０の膜中にスピネル型の結晶構造を含む場合、該スピネル型の結晶構造に起因してソース電極層及びドレイン電極層として機能する導電膜１１２ａ、１１２ｂの構成元素が酸化物半導体膜１０８へ拡散してしまう場合があるためである。例えば、金属酸化物膜１１０としてＩｎ−Ｍ酸化物を適用し、Ｍとして２価の金属原子（例えば、亜鉛など）を含まない構成とすることで、スピネル型の結晶構造を含有しない金属酸化物膜１１０を形成することができるため好ましい。
【００６９】
金属酸化物膜１１０としては、Ｉｎ−Ｍ−Ｚｎ酸化物を用いる場合、Ｉｎ−Ｍ−Ｚｎ酸化物を成膜するために用いるターゲットの金属元素の原子数比の代表例としては、Ｉｎ：Ｍ：Ｚｎ＝１：３：２、Ｉｎ：Ｍ：Ｚｎ＝１：３：４、Ｉｎ：Ｍ：Ｚｎ＝１：３：５、Ｉｎ：Ｍ：Ｚｎ＝１：３：６、Ｉｎ：Ｍ：Ｚｎ＝１：４：２、Ｉｎ：Ｍ：Ｚｎ＝１：４：４、Ｉｎ：Ｍ：Ｚｎ＝１：４：５等がある。また、金属酸化物膜１１０としては、Ｉｎ−Ｍ酸化物を用いる場合、Ｉｎ−Ｍ酸化物を成膜するために用いるターゲットの金属元素の原子数比の代表例としては、Ｉｎ：Ｍ＝７：９３等がある。
【００７０】
＜保護絶縁膜＞
絶縁膜１１４、１１６、１１８は、保護絶縁膜としての機能を有する。例えば、絶縁膜１１４は、酸素を透過することのできる絶縁膜である。なお、絶縁膜１１４は、後に形成する絶縁膜１１６を形成する際の、金属酸化物膜１１０へのダメージ緩和膜としても機能する。なお、絶縁膜１１４は、必ずしも設ける必要は無く、設けない構成としてもよい。
【００７１】
絶縁膜１１４としては、厚さが５ｎｍ以上１５０ｎｍ以下、好ましくは５ｎｍ以上５０ｎｍ以下の酸化シリコン、酸化窒化シリコン等を用いることができる。なお、本明細書中において、酸化窒化シリコン膜とは、その組成として、窒素よりも酸素の含有量が多い膜を指し、窒化酸化シリコン膜とは、その組成として、酸素よりも窒素の含有量が多い膜を指す。
【００７２】
また、絶縁膜１１４は、欠陥量が少ないことが好ましく、代表的には、ＥＳＲ測定により、シリコンのダングリングボンドに由来するｇ＝２．００１に現れる信号のスピン密度が３×１０１７ｓｐｉｎｓ／ｃｍ３以下であることが好ましい。これは、絶縁膜１１４に含まれる欠陥密度が多いと、該欠陥に酸素が結合してしまい、絶縁膜１１４における酸素の透過量が減少してしまうためである。
【００７３】
また、絶縁膜１１４と金属酸化物膜１１０との界面における欠陥量が少ないことが好ましく、代表的には、ＥＳＲ測定により、金属酸化物膜１１０の欠陥に由来するｇ＝１．８９以上１．９６以下に現れる信号のスピン密度が１×１０１７ｓｐｉｎｓ／ｃｍ３以下、さらには検出下限以下であることが好ましい。
【００７４】
なお、絶縁膜１１４においては、外部から絶縁膜１１４に入った酸素が全て絶縁膜１１４の外部に移動せず、絶縁膜１１４にとどまる酸素もある。また、絶縁膜１１４に酸素が入ると共に、絶縁膜１１４に含まれる酸素が絶縁膜１１４の外部へ移動することで、絶縁膜１１４において酸素の移動が生じる場合もある。絶縁膜１１４として酸素を透過することができる酸化物絶縁膜を形成すると、絶縁膜１１４上に設けられる、絶縁膜１１６から脱離する酸素を、絶縁膜１１４を介して酸化物半導体膜１０８に移動させることができる。
【００７５】
絶縁膜１１６は、化学量論的組成を満たす酸素よりも多くの酸素を含む酸化物絶縁膜を用いて形成する。化学量論的組成を満たす酸素よりも多くの酸素を含む酸化物絶縁膜は、加熱により酸素の一部が脱離する。化学量論的組成を満たす酸素よりも多くの酸素を含む酸化物絶縁膜は、ＴＤＳ分析にて、酸素原子に換算しての酸素の脱離量が１．０×１０１８ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以上、好ましくは３．０×１０２０ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以上である酸化物絶縁膜である。なお、上記ＴＤＳ分析時における膜の表面温度としては１００℃以上７００℃以下、または１００℃以上５００℃以下の範囲が好ましい。
【００７６】
絶縁膜１１６としては、厚さが３０ｎｍ以上５００ｎｍ以下、好ましくは５０ｎｍ以上４００ｎｍ以下の、酸化シリコン、酸化窒化シリコン等を用いることができる。
【００７７】
また、絶縁膜１１６は、欠陥量が少ないことが好ましく、代表的には、ＥＳＲ測定により、シリコンのダングリングボンドに由来するｇ＝２．００１に現れる信号のスピン密度が１．５×１０１８ｓｐｉｎｓ／ｃｍ３未満、さらには１×１０１８ｓｐｉｎｓ／ｃｍ３以下であることが好ましい。なお、絶縁膜１１６は、絶縁膜１１４と比較して酸化物半導体膜１０８から離れているため、絶縁膜１１４より、欠陥密度が多くともよい。
【００７８】
また、絶縁膜１１４、１１６は、同種の材料の絶縁膜を用いることができるため、絶縁膜１１４と絶縁膜１１６の界面が明確に確認できない場合がある。したがって、本実施の形態においては、絶縁膜１１４と絶縁膜１１６の界面は、破線で図示している。なお、本実施の形態においては、絶縁膜１１４と絶縁膜１１６の２層構造について説明したが、これに限定されず、例えば、絶縁膜１１４の単層構造、絶縁膜１１６の単層構造、または３層以上の積層構造としてもよい。
【００７９】
絶縁膜１１８は、酸素、水素、水、アルカリ金属、アルカリ土類金属等のブロッキングできる機能を有する。絶縁膜１１８を設けることで、酸化物半導体膜１０８からの酸素の外部への拡散と、外部から酸化物半導体膜１０８への水素、水等の入り込みを防ぐことができる。絶縁膜１１８としては、例えば、窒化物絶縁膜を用いることができる。該窒化物絶縁膜としては、窒化シリコン、窒化酸化シリコン、窒化アルミニウム、窒化酸化アルミニウム等がある。なお、酸素、水素、水、アルカリ金属、アルカリ土類金属等のブロッキング効果を有する窒化物絶縁膜の代わりに、酸素、水素、水等のブロッキング効果を有する酸化物絶縁膜を設けてもよい。酸素、水素、水等のブロッキング効果を有する酸化物絶縁膜としては、酸化アルミニウム、酸化窒化アルミニウム、酸化ガリウム、酸化窒化ガリウム、酸化イットリウム、酸化窒化イットリウム、酸化ハフニウム、酸化窒化ハフニウム等がある。
【００８０】
なお、上記記載の、導電膜、絶縁膜、酸化物半導体膜、金属酸化物膜などの様々な膜はスパッタリング法やＰＥＣＶＤ法により形成することができるが、他の方法、例えば、ＡＬＤ（Ａｔｏｍｉｃ  Ｌａｙｅｒ  Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法、または熱ＣＶＤ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｖａｐｏｒ  Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法により形成してもよい。熱ＣＶＤ法の例としてＭＯＣＶＤ（Ｍｅｔａｌ  Ｏｒｇａｎｉｃ  Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｖａｐｏｒ  Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法などが挙げられる。
【００８１】
熱ＣＶＤ法は、プラズマを使わない成膜方法のため、プラズマダメージにより欠陥が生成されることが無いという利点を有する。
【００８２】
熱ＣＶＤ法は、原料ガスと酸化剤を同時にチャンバー内に送り、チャンバー内を大気圧または減圧下とし、基板近傍または基板上で反応させて基板上に堆積させることで成膜を行ってもよい。
【００８３】
また、ＡＬＤ法は、チャンバー内を大気圧または減圧下とし、反応のための原料ガスが順次にチャンバーに導入され、そのガス導入の順序を繰り返すことで成膜を行ってもよい。例えば、それぞれのスイッチングバルブ（高速バルブとも呼ぶ）を切り替えて２種類以上の原料ガスを順番にチャンバーに供給し、複数種の原料ガスが混ざらないように第１の原料ガスと同時またはその後に不活性ガス（アルゴン、或いは窒素など）などを導入し、第２の原料ガスを導入する。なお、同時に不活性ガスを導入する場合には、不活性ガスはキャリアガスとなり、また、第２の原料ガスの導入時にも同時に不活性ガスを導入してもよい。また、不活性ガスを導入する代わりに真空排気によって第１の原料ガスを排出した後、第２の原料ガスを導入してもよい。第１の原料ガスが基板の表面に吸着して第１の層を成膜し、後から導入される第２の原料ガスと反応して、第２の層が第１の層上に積層されて薄膜が形成される。このガス導入順序を制御しつつ所望の厚さになるまで複数回繰り返すことで、段差被覆性に優れた薄膜を形成することができる。薄膜の厚さは、ガス導入順序を繰り返す回数によって調節することができるため、精密な膜厚調節が可能であり、微細なＦＥＴを作製する場合に適している。
【００８４】
ＭＯＣＶＤ法などの熱ＣＶＤ法やＡＬＤ法は、上記の導電膜、絶縁膜、酸化物半導体膜、金属酸化物膜などの様々な膜を形成することができ、例えば、Ｉｎ−Ｇａ−Ｚｎ−Ｏ膜を成膜する場合には、トリメチルインジウム、トリメチルガリウム、及びジメチル亜鉛を用いる。なお、トリメチルインジウムの化学式は、Ｉｎ（ＣＨ３）３である。また、トリメチルガリウムの化学式は、Ｇａ（ＣＨ３）３である。また、ジメチル亜鉛の化学式は、Ｚｎ（ＣＨ３）２である。また、これらの組み合わせに限定されず、トリメチルガリウムに代えてトリエチルガリウム（化学式Ｇａ（Ｃ２Ｈ５）３）を用いることもでき、ジメチル亜鉛に代えてジエチル亜鉛（化学式Ｚｎ（Ｃ２Ｈ５）２）を用いることもできる。
【００８５】
例えば、ＡＬＤを利用する成膜装置により酸化ハフニウム膜を形成する場合には、溶媒とハフニウム前駆体化合物を含む液体（ハフニウムアルコキシド溶液、代表的にはテトラキスジメチルアミドハフニウム（ＴＤＭＡＨ））を気化させた原料ガスと、酸化剤としてオゾン（Ｏ３）の２種類のガスを用いる。なお、テトラキスジメチルアミドハフニウムの化学式はＨｆ［Ｎ（ＣＨ３）２］４である。また、他の材料液としては、テトラキス（エチルメチルアミド）ハフニウムなどがある。
【００８６】
例えば、ＡＬＤを利用する成膜装置により酸化アルミニウム膜を形成する場合には、溶媒とアルミニウム前駆体化合物を含む液体（トリメチルアルミニウム（ＴＭＡ）など）を気化させた原料ガスと、酸化剤としてＨ２Ｏの２種類のガスを用いる。なお、トリメチルアルミニウムの化学式はＡｌ（ＣＨ３）３である。また、他の材料液としては、トリス（ジメチルアミド）アルミニウム、トリイソブチルアルミニウム、アルミニウムトリス（２，２，６，６−テトラメチル−３，５−ヘプタンジオナート）などがある。
【００８７】
例えば、ＡＬＤを利用する成膜装置により酸化シリコン膜を形成する場合には、ヘキサクロロジシランを被成膜面に吸着させ、吸着物に含まれる塩素を除去し、酸化性ガス（Ｏ２、一酸化二窒素）のラジカルを供給して吸着物と反応させる。
【００８８】
例えば、ＡＬＤを利用する成膜装置によりタングステン膜を成膜する場合には、ＷＦ６ガスとＢ２Ｈ６ガスを順次繰り返し導入して初期タングステン膜を形成し、その後、ＷＦ６ガスとＨ２ガスを同時に導入してタングステン膜を形成する。なお、Ｂ２Ｈ６ガスに代えてＳｉＨ４ガスを用いてもよい。
【００８９】
例えば、ＡＬＤを利用する成膜装置により酸化物半導体膜、例えばＩｎ−Ｇａ−Ｚｎ−Ｏ膜を成膜する場合には、Ｉｎ（ＣＨ３）３ガスとＯ３ガスを順次繰り返し導入してＩｎ−Ｏ層を形成し、その後、Ｇａ（ＣＨ３）３ガスとＯ３ガスを同時に導入してＧａ−Ｏ層を形成し、更にその後Ｚｎ（ＣＨ３）２とＯ３ガスを同時に導入してＺｎ−Ｏ層を形成する。なお、これらの層の順番はこの例に限らない。また、これらのガスを混ぜてＩｎ−Ｇａ−Ｏ層やＩｎ−Ｚｎ−Ｏ層、Ｇａ−Ｚｎ−Ｏ層などの混合化合物層を形成しても良い。なお、Ｏ３ガスに変えてＡｒ等の不活性ガスでバブリングして得られたＨ２Ｏガスを用いても良いが、Ｈを含まないＯ３ガスを用いる方が好ましい。また、Ｉｎ（ＣＨ３）３ガスにかえて、Ｉｎ（Ｃ２Ｈ５）３ガスを用いても良い。また、Ｇａ（ＣＨ３）３ガスにかえて、Ｇａ（Ｃ２Ｈ５）３ガスを用いても良い。また、Ｚｎ（ＣＨ３）２ガスを用いても良い。
【００９０】
＜半導体装置の構成例２＞
次に、図２（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）を用いて、本発明の一態様の半導体装置であるトランジスタ１６０について説明する。図２（Ａ）は、本発明の一態様の半導体装置であるトランジスタ１６０の上面図であり、図２（Ｂ）は、図２（Ａ）の一点鎖線Ｙ３−Ｙ４間における切断面の断面図に相当し、図２（Ｃ）は、図２（Ａ）に示す一点鎖線Ｘ３−Ｘ４間における切断面の断面図に相当する。なお、図２（Ａ）において、煩雑になることを避けるため、トランジスタ１６０の構成要素の一部（ゲート絶縁膜等）を省略して図示している。
【００９１】
トランジスタ１６０は、基板１０２上のゲート電極層としての機能を有する導電膜１０４と、基板１０２及び導電膜１０４上のゲート絶縁膜としての機能を有する絶縁膜１０６と、絶縁膜１０６上の導電膜１０４と重畳する位置の酸化物半導体膜１０８と、絶縁膜１０６及び酸化物半導体膜１０８上の金属酸化物膜１１０と、酸化物半導体膜１０８に電気的に接続され、トランジスタ１６０のソース電極層及びドレイン電極層として機能する導電膜１１２ａ、１１２ｂと、導電膜１１２ａ、１１２ｂ及び金属酸化物膜１１０上の絶縁膜１１４、１１６、１１８と、絶縁膜１１８上の導電膜１２０ａ、１２０ｂと、を有する。なお、導電膜１１２ａ、１１２ｂは、金属酸化物膜１１０に設けられる開口部１４０ａ、１４０ｂを介して、酸化物半導体膜１０８と接続される。また、導電膜１２０ａは、絶縁膜１１４、１１６、１１８に設けられる開口部１４２ｃを介して、導電膜１１２ｂと接続される。また、導電膜１２０ｂは、絶縁膜１１８上の酸化物半導体膜１０８と重畳する位置に形成される。
【００９２】
また、図２（Ｂ）、（Ｃ）において、ゲート絶縁膜としての機能を有する絶縁膜１０６は、絶縁膜１０６ａと絶縁膜１０６ｂを有する２層構造である。ただし、絶縁膜１０６の構造は、これに限定されず、１層構造または３層以上の積層構造としてもよい。
【００９３】
また、図２（Ｂ）、（Ｃ）に示すように、金属酸化物膜１１０は、少なくとも酸化物半導体膜１０８のチャネル領域及び側面を覆う。
【００９４】
また、トランジスタ１６０において、導電膜１２０ａは、例えば、表示装置に用いる画素電極層として機能する。また、トランジスタ１６０において、導電膜１２０ｂはバックゲート電極層として機能する。また、導電膜１２０ｂと酸化物半導体膜１０８との間に設けられる金属酸化物膜１１０、絶縁膜１１４、１１６、１１８を含む積層構造は、バックゲート電極層に対するゲート絶縁膜として機能する。また、導電膜１２０ｂは、絶縁膜１０６ａ、１０６ｂ、１１４、１１６、１１８、及び金属酸化物膜１１０に設けられる開口部１４２ａ、１４２ｂにおいて、ゲート電極層として機能する導電膜１０４に接続される。よって、導電膜１２０ｂと導電膜１０４とは、同じ電位が与えられる。
【００９５】
トランジスタ１６０は、絶縁膜１１８上に導電膜１２０ａ、１２０ｂを有する点において、図１に示すトランジスタ１５０と相違する。その他の構成は、トランジスタ１５０と同様であり、同様の効果を奏することができる。すなわち、酸化物半導体膜１０８のチャネル領域及び側面を覆うように設けられる金属酸化物膜１１０は、ソース電極層及びドレイン電極層として機能する導電膜１１２ａ、１１２ｂの構成元素が酸化物半導体膜１０８に拡散することを抑制するバリア膜として機能する。または、金属酸化物膜１１０を設けることで、酸化物半導体膜１０８の上層に設けられる絶縁膜１１４等の構成元素が、酸化物半導体膜１０８に混入することを抑制することもできる。チャネル領域が形成される酸化物半導体膜１０８への不純物の混入を抑制することで、トランジスタ１６０の電気特性の低下を抑制することができる。または、金属酸化物膜１１０を設けることで、ソース電極層及びドレイン電極層として機能する導電膜１１２ａ、１１２ｂの形成時、例えば、エッチング工程のときに酸化物半導体膜１０８へ与えられるダメージを緩和することができる。これによって、酸化物半導体膜１０８への不純物の混入及び拡散を抑制することができる。したがって、トランジスタ１６０は電気特性の低下が抑制されたトランジスタである。トランジスタ１６０の各構成要素の詳細は、トランジスタ１５０についての説明を参酌することができる。
【００９６】
また、図２（Ｂ）の断面図に示すように、酸化物半導体膜１０８は、ゲート電極層として機能する導電膜１０４と、バックゲート電極層として機能する導電膜１２０ｂのそれぞれと対向するように位置し、２つのゲート電極層として機能する導電膜に挟まれている。バックゲート電極層として機能する導電膜１２０ｂのチャネル長方向の長さ及びチャネル幅方向の長さは、酸化物半導体膜１０８のチャネル長方向の長さ及びチャネル幅方向の長さよりもそれぞれ長く、酸化物半導体膜１０８の全体は、金属酸化物膜１１０、及び絶縁膜１１４、１１６、１１８を介して導電膜１２０ｂに覆われている。また、バックゲート電極層として機能する導電膜１２０ｂとゲート電極層として機能する導電膜１０４とは、絶縁膜１０６ａ、１０６ｂ、１１４、１１６、１１８及び金属酸化物膜１１０に設けられる開口部１４２ａ、１４２ｂにおいて接続されるため、酸化物半導体膜１０８のチャネル幅方向の側面は、金属酸化物膜１１０を介してバックゲート電極層として機能する導電膜１２０ｂと対向している。
【００９７】
このような構成を有することで、トランジスタ１６０に含まれる酸化物半導体膜１０８を、ゲート電極層として機能する導電膜１０４及びバックゲート電極層として機能する導電膜１２０ｂの電界によって電気的に囲むことができる。トランジスタ１６０のように、ゲート電極層及びバックゲート電極層の電界によって、チャネルが形成される酸化物半導体膜を電気的に囲むトランジスタのデバイス構造をｓｕｒｒｏｕｎｄｅｄ  ｃｈａｎｎｅｌ（ｓ−ｃｈａｎｎｅｌ）構造と呼ぶことができる。
【００９８】
トランジスタ１６０は、ｓ−ｃｈａｎｎｅｌ構造を有するため、ゲート電極層として機能する導電膜１０４によってチャネルを誘起させるための電界を効果的に酸化物半導体膜１０８に印加することができるため、トランジスタ１６０の電流駆動能力が向上し、高いオン電流特性を得ることが可能となる。また、オン電流を高くすることが可能であるため、トランジスタ１６０を微細化することが可能となる。また、トランジスタ１６０は、チャネルがゲート電極層として機能する導電膜１０４及びバックゲート電極層として機能する導電膜１２０ｂによって囲まれた構造を有するため、トランジスタ１６０の機械的強度を高めることができる。
【００９９】
なお、トランジスタ１６０において、開口部１４２ａ、１４２ｂのいずれか一方の開口部を形成して、該開口部において導電膜１２０ｂと導電膜１０４を接続する構成としてもよい。
【０１００】
また、トランジスタ１６０に用いる導電膜１２０ａ、１２０ｂとしては、例えば、インジウム（Ｉｎ）、亜鉛（Ｚｎ）、錫（Ｓｎ）の中から選ばれた一種を含む材料を用いることができる。とくに、導電膜１２０ａ、１２０ｂとしては、例えば、酸化タングステンを含むインジウム酸化物、酸化タングステンを含むインジウム亜鉛酸化物、酸化チタンを含むインジウム酸化物、酸化チタンを含むインジウム錫酸化物、インジウム錫酸化物（ＩＴＯ）、インジウム亜鉛酸化物、酸化ケイ素を添加したインジウム錫酸化物などの透光性を有する導電性材料を用いることができる。また、導電膜１２０ａ、１２０ｂとしては、例えば、スパッタリング法を用いて形成することができる。
【０１０１】
次に、一例として、導電膜１２０ａの上に液晶層１９０が設けられている場合の例を図２２に示す。基板１０２ａには、導電層１９１が設けられている。導電層１９１は、一例としては、導電膜１２０ａ、１２０ｂで述べた内容と同様な材料を有している。導電層１９１は、共通電極としての機能を有している。よって、導電膜１２０ａと液晶層１９０と導電層１９１とによって、液晶素子が構成される。別の例として、発光素子を設けた場合の例を図２３に示す。なお、図２３においては、導電層１９１が基板１０２側に設けられ、絶縁膜１９２が導電膜１２０ａの上に設けられている。また、導電膜１２０ａ及び絶縁膜１９２上には、発光層１９３が設けられている。また、導電膜１２０ａと発光層１９３と導電層１９１とによって、発光素子が構成される。
【０１０２】
例えば、本明細書等において、表示素子、表示素子を有する装置である表示装置、発光素子、及び発光素子を有する装置である発光装置は、様々な形態を用いること、又は様々な素子を有することが出来る。表示素子、表示装置、発光素子又は発光装置の一例としては、ＥＬ（エレクトロルミネッセンス）素子（有機物及び無機物を含むＥＬ素子、有機ＥＬ素子、無機ＥＬ素子）、ＬＥＤ（白色ＬＥＤ、赤色ＬＥＤ、緑色ＬＥＤ、青色ＬＥＤなど）、トランジスタ（電流に応じて発光するトランジスタ）、電子放出素子、液晶素子、電子インク、電気泳動素子、グレーティングライトバルブ（ＧＬＶ）、プラズマディスプレイ（ＰＤＰ）、ＤＭＳ（デジタル・マイクロ・シャッター）、ＩＭＯＤ（インターフェアレンス・モジュレーション）素子、エレクトロウェッティング素子、圧電セラミックディスプレイ、カーボンナノチューブ、など、電気磁気的作用により、コントラスト、輝度、反射率、透過率などが変化する表示媒体を有するものがある。ＥＬ素子を用いた表示装置の一例としては、ＥＬディスプレイなどがある。電子放出素子を用いた表示装置の一例としては、フィールドエミッションディスプレイ（ＦＥＤ）又はＳＥＤ方式平面型ディスプレイ（ＳＥＤ：Ｓｕｒｆａｃｅ−ｃｏｎｄｕｃｔｉｏｎ  Ｅｌｅｃｔｒｏｎ−ｅｍｉｔｔｅｒ  Ｄｉｓｐｌａｙ）などがある。液晶素子を用いた表示装置の一例としては、液晶ディスプレイ（透過型液晶ディスプレイ、半透過型液晶ディスプレイ、反射型液晶ディスプレイ、直視型液晶ディスプレイ、投射型液晶ディスプレイ）などがある。電子インク又は電気泳動素子を用いた表示装置の一例としては、電子ペーパーなどがある。
【０１０３】
＜半導体装置の構成例３＞
次に、図３（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）を用いて、本発明の一態様の半導体装置であるトランジスタ１６２について説明する。図３（Ａ）は、本発明の一態様の半導体装置であるトランジスタ１６２の上面図であり、図３（Ｂ）は、図３（Ａ）の一点鎖線Ｙ５−Ｙ６間における切断面の断面図に相当し、図３（Ｃ）は、図３（Ａ）に示す一点鎖線Ｘ５−Ｘ６間における切断面の断面図に相当する。なお、図３（Ａ）において、煩雑になることを避けるため、トランジスタ１６２の構成要素の一部（ゲート絶縁膜等）を省略して図示している。
【０１０４】
トランジスタ１６２は、基板１０２上のゲート電極層としての機能を有する導電膜１０４と、基板１０２及び導電膜１０４上のゲート絶縁膜としての機能を有する絶縁膜１０６と、絶縁膜１０６上の導電膜１０４と重畳する位置の酸化物半導体膜１０８と、絶縁膜１０６及び酸化物半導体膜１０８上の金属酸化物膜１１０と、酸化物半導体膜１０８に電気的に接続され、トランジスタ１６２のソース電極層及びドレイン電極層として機能する導電膜１１２ａ、１１２ｂと、導電膜１１２ａ、１１２ｂ及び金属酸化物膜１１０上の絶縁膜１１４、１１６、１１８と、絶縁膜１１８上の導電膜１２０ａ、１２０ｂ、１２０ｃ、１２０ｄと、を有する。なお、導電膜１１２ａ、１１２ｂは、金属酸化物膜１１０に設けられる開口部１４０ａ、１４０ｂを介して、酸化物半導体膜１０８と接続される。また、導電膜１２０ａは、絶縁膜１１４、１１６、１１８に設けられる開口部１４２ｃを介して、導電膜１１２ｂと接続される。また、導電膜１２０ｂは、絶縁膜１１８上の酸化物半導体膜１０８と重畳する位置に形成される。また、導電膜１２０ｃは、絶縁膜１０６ａ、１０６ｂ、１１４、１１６、１１８、及び金属酸化物膜１１０に設けられる開口部１４２ｂを介して、導電膜１０４と接続される。また、導電膜１２０ｄは、絶縁膜１０６ａ、１０６ｂ、１１４、１１６、１１８、及び金属酸化物膜１１０に設けられる開口部１４２ａを介して、導電膜１０４と接続される。
【０１０５】
また、図３（Ｂ）、（Ｃ）において、ゲート絶縁膜としての機能を有する絶縁膜１０６は、絶縁膜１０６ａと絶縁膜１０６ｂを有する２層構造である。ただし、絶縁膜１０６の構造は、これに限定されず、１層構造または３層以上の積層構造としてもよい。
【０１０６】
また、図３（Ｂ）、（Ｃ）に示すように、金属酸化物膜１１０は、少なくとも酸化物半導体膜１０８のチャネル領域及び側面を覆う。
【０１０７】
また、トランジスタ１６２において、導電膜１２０ａは、例えば、表示装置に用いる画素電極層として機能する。
【０１０８】
また、トランジスタ１６２は、先に示すトランジスタ１６０のバックゲート電極層として機能する導電膜１２０ｂが分離する構成を有する点において相違する。その他の構成はトランジスタ１６０と同様とすることができる。トランジスタ１６２の構成の詳細は、先に示すトランジスタ１６０についての説明を参酌することが可能である。
【０１０９】
トランジスタ１６２に含まれる導電膜１２０ｃ、１２０ｄは、上面形状において酸化物半導体膜１０８と重なる領域を有し、開口部１４２ａ、１４２ｂにおいて酸化物半導体膜１０８の側面と対向する。よって、トランジスタ１６２もトランジスタ１６０と同様に、酸化物半導体膜１０８が導電膜１０４、１２０ｂ、１２０ｃ、１２０ｄによって電気的に囲まれたｓ−ｃｈａｎｎｅｌ構造を有するため、ゲート電極層として機能する導電膜１０４によってチャネルを誘起させるための電界を効果的に酸化物半導体膜１０８に印加することができる。よって、トランジスタ１６２の電流駆動能力が向上し、高いオン電流特性を得ることが可能となる。
【０１１０】
また、トランジスタ１６２においては、バックゲート電極層として機能する導電膜１２０ｂが、ゲート電極層として機能する導電膜１０４と電気的に接続されていないため、導電膜１０４と導電膜１２０ｂに異なる電位や信号を入力することができる。よって、バックゲート電極層として機能する導電膜１２０ｂへの入力信号や入力電位によりトランジスタ１６２のしきい値電圧をプラス方向またはマイナス方向へシフトさせることが可能となる。トランジスタ１６２のしきい値電圧を適宜制御することにより、トランジスタ１６２をエンハンスメント型またはデプレッション型に適宜変更することが可能である。なお、バックゲート電極層として機能する導電膜１２０ｂは、フローティング状態であってもよい。
【０１１１】
＜半導体装置の構成例４＞
次に、図４（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）を用いて、本発明の一態様の半導体装置であるトランジスタ１６４について説明する。図４（Ａ）は、本発明の一態様の半導体装置であるトランジスタ１６４の上面図であり、図４（Ｂ）は、図４（Ａ）の一点鎖線Ｙ７−Ｙ８間における切断面の断面図に相当し、図４（Ｃ）は、図４（Ａ）に示す一点鎖線Ｘ７−Ｘ８間における切断面の断面図に相当する。なお、図４（Ａ）において、煩雑になることを避けるため、トランジスタ１６４の構成要素の一部（ゲート絶縁膜等）を省略して図示している。
【０１１２】
トランジスタ１６４は、基板１０２上のゲート電極層としての機能を有する導電膜１０４と、基板１０２及び導電膜１０４上のゲート絶縁膜としての機能を有する絶縁膜１０６と、絶縁膜１０６上の導電膜１０４と重畳する位置の酸化物半導体膜１０８と、絶縁膜１０６及び酸化物半導体膜１０８上の金属酸化物膜１１０と、酸化物半導体膜１０８に電気的に接続され、トランジスタ１６４のソース電極層及びドレイン電極層として機能する導電膜１１２ａ、１１２ｂと、導電膜１１２ａ、１１２ｂ及び金属酸化物膜１１０上の絶縁膜１１４、１１６、１１８と、絶縁膜１１８上の導電膜１２０ａ、１２０ｃ、１２０ｄと、を有する。なお、導電膜１１２ａ、１１２ｂは、金属酸化物膜１１０に設けられる開口部１４０ａ、１４０ｂを介して、酸化物半導体膜１０８と接続される。また、導電膜１２０ａは、絶縁膜１１４、１１６、１１８に設けられる開口部１４２ｃを介して、導電膜１１２ｂと接続される。また、導電膜１２０ｃは、絶縁膜１０６ａ、１０６ｂ、１１４、１１６、１１８、及び金属酸化物膜１１０に設けられる開口部１４２ｂを介して、導電膜１０４と接続される。また、導電膜１２０ｄは、絶縁膜１０６ａ、１０６ｂ、１１４、１１６、１１８、及び金属酸化物膜１１０に設けられる開口部１４２ａを介して、導電膜１０４と接続される。
【０１１３】
また、図４（Ｂ）、（Ｃ）において、ゲート絶縁膜としての機能を有する絶縁膜１０６は、絶縁膜１０６ａと絶縁膜１０６ｂを有する２層構造である。ただし、絶縁膜１０６の構造は、これに限定されず、１層構造または３層以上の積層構造としてもよい。
【０１１４】
また、図４（Ｂ）、（Ｃ）に示すように、金属酸化物膜１１０は、少なくとも酸化物半導体膜１０８のチャネル領域及び側面を覆う。
【０１１５】
また、トランジスタ１６４において、導電膜１２０ａは、例えば、表示装置に用いる画素電極層として機能する。
【０１１６】
なお、絶縁膜１１８と、導電膜１２０ａとの間に、さらに、絶縁膜１９４が設けられていてもよい。その場合の例を、図２４、図２５に示す。絶縁膜１９４は、一例としては、ポリイミド、アクリル、ポリアミド、エポキシ等の有機樹脂材料を有していてもよい。その場合、上面の凹凸を緩和して、平坦にすることが可能である。
【０１１７】
なお、トランジスタをマトリクス状に配置する場合、配線と配線とが交差する領域が存在することとなる。その領域の上面図と断面図について、一例を図２０（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）、（Ｄ）、（Ｅ）、（Ｆ）に示す。図２０（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）、（Ｄ）では、酸化物半導体膜１０８と同時に成膜し、同時にエッチングし、同時にパターニングして形成した酸化物半導体膜１０８ａが設けられている。また、図２０（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）、（Ｄ）、（Ｅ）、（Ｆ）では、導電膜１０４と同時に成膜し、同時にエッチングし、同時にパターニングして形成した導電膜１０４ａが設けられている。導電膜１０４ａは、例えば、配線としての機能を有している。一例としては、導電膜１０４ａは、ゲート信号線、スキャン線、容量配線、コモン配線などとしての機能を有している。また、図２０（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）、（Ｄ）、（Ｅ）、（Ｆ）では、導電膜１１２ａと同時に成膜し、同時にエッチングし、同時にパターニングして形成した導電膜１１２ｃが設けられている。導電膜１１２ｃは、例えば、配線としての機能を有している。一例としては、導電膜１１２ｃは、ソース信号線、データ線、電流供給線、電源線などとしての機能を有している。図２０（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）、（Ｄ）に示すように、酸化物半導体膜１０８ａを設けることにより、配線と配線の膜厚方向の間隔を広げることができる。その結果、配線の寄生容量を低減することが出来る。
【０１１８】
また、トランジスタ１６４は、先に示すトランジスタ１６０のバックゲート電極層として機能する導電膜１２０ｂが分離する構成を有する点において相違する。その他の構成はトランジスタ１６０と同様とすることができる。トランジスタ１６４の構成の詳細は、先に示すトランジスタ１６０についての説明を参酌することが可能である。
【０１１９】
トランジスタ１６４は、金属酸化物膜１１０、及び絶縁膜１１４、１１６、１１８を介して酸化物半導体膜１０８と重なる導電膜１２０ｃ、１２０ｄを有する。また、導電膜１２０ｃは、絶縁膜１０６ａ、１０６ｂ、１１４、１１６、１１８、及び金属酸化物膜１１０に設けられる開口部１４２ｂにおいて、ゲート電極層として機能する導電膜１０４と接続する。また、導電膜１２０ｄは、絶縁膜１０６ａ、１０６ｂ、１１４、１１６、１１８、及び金属酸化物膜１１０に設けられる開口部１４２ａにおいて、ゲート電極層として機能する導電膜１０４と接続する。すなわち、トランジスタ１６４は、先に示すトランジスタ１６２からバックゲート電極層として機能する導電膜１２０ｂを省略した構成である。
【０１２０】
また、トランジスタ１６４は、トランジスタ１６０及びトランジスタ１６２と同様に、酸化物半導体膜１０８の上面、下面、２つの側面に対向する導電膜１０４、１２０ｃ、１２０ｄを有するため、酸化物半導体膜１０８を電気的に囲むｓ−ｃｈａｎｎｅｌ構造とすることができる。よって、トランジスタ１６４は、電流駆動能力が向上し、高いオン電流特性を有するトランジスタとすることが可能となる。また、図２０と同様に、配線交差部の例を、図２１（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）に示す。
【０１２１】
＜半導体装置の構成例５＞
次に、図５（Ａ）、（Ｂ）、及び図６を用いて、本発明の一態様の半導体装置であるトランジスタについて説明する。図５（Ａ）は、図１（Ｃ）に示すトランジスタ１５０の断面図の変形例であり、図５（Ｂ）は、図１（Ｃ）に示すトランジスタ１５０の断面図の変形例であり、図６は、図２（Ｃ）に示すトランジスタ１６０の断面図の変形例である。図５（Ａ）、（Ｂ）及び図６に示すトランジスタの上面形状については、それぞれ、トランジスタ１５０及びトランジスタ１６０の上面図を参酌することができる。
【０１２２】
図５（Ａ）に示すトランジスタの断面図において、図１（Ｃ）に示すトランジスタ１５０の断面図と相違する点は、金属酸化物膜１１０、及びソース電極層及びドレイン電極層として機能する導電膜１１２ａ、１１２ｂ上に絶縁膜１１４が設けられていない。すなわち、図５（Ａ）に示すトランジスタにおいては、金属酸化物膜１１０、及びソース電極層及びドレイン電極層として機能する導電膜１１２ａ、１１２ｂ上に絶縁膜１１６が設けられる構成である。
【０１２３】
図５（Ｂ）に示すトランジスタの断面図において、図１（Ｃ）に示すトランジスタ１５０の断面図と相違する点は、絶縁膜１１４、１１６の位置が異なり、開口部１４０ａ、１４０ｂの代わりに、開口部１４１ａ、１４１ｂが設けられる。開口部１４１ａ、１４１ｂは、金属酸化物膜１１０、及び絶縁膜１１４、１１６を形成後に一括して開口を行うことで形成される。
【０１２４】
図６に示すトランジスタの断面図において、図２（Ｃ）に示すトランジスタ１６０の断面図と相違する点は、絶縁膜１１８、及び導電膜１２０ａ、１２０ｂ上に絶縁膜１２２を有する。絶縁膜１２２は、例えば、平坦化膜としての機能を有する。絶縁膜１２２としては、例えば、ポリイミド、アクリル、ポリアミド、エポキシ等の有機樹脂膜、または無機絶縁膜を用いることができる。
【０１２５】
なお、図５（Ａ）、（Ｂ）及び図６に示すトランジスタのその他の構成は、先に示すトランジスタ１５０、またはトランジスタ１６０と同様であり、同様の効果を奏することができる。
【０１２６】
また、本実施の形態に係るトランジスタは、上記の構造のそれぞれを自由に組み合わせることが可能である。
【０１２７】
＜半導体装置の作製方法１＞
次に、本発明の一態様の半導体装置であるトランジスタ１５０の作製方法について、図７及び図８を用いて以下詳細に説明する。
【０１２８】
まず、基板１０２上に導電膜を形成し、該導電膜を、フォトリソグラフィ工程及びエッチング工程を用いて加工してゲート電極層として機能する導電膜１０４を形成する。次に、ゲート電極層として機能する導電膜１０４上にゲート絶縁膜として機能する絶縁膜１０６を形成する。なお、絶縁膜１０６は、絶縁膜１０６ａ、１０６ｂを有する（図７（Ａ）参照）。
【０１２９】
ゲート電極層として機能する導電膜１０４は、スパッタリング法、化学気相堆積（ＣＶＤ）法、真空蒸着法、パルスレーザ堆積（ＰＬＤ）法、を用いて形成することができる。又は、塗布法や印刷法で形成することができる。成膜方法としては、スパッタリング法、プラズマ化学気相堆積（ＰＥＣＶＤ）法が代表的であるが、先に説明した有機金属化学気相堆積（ＭＯＣＶＤ）法等の熱ＣＶＤ法、又は原子層堆積（ＡＬＤ）法を用いてもよい。
【０１３０】
本実施の形態では、基板１０２としてガラス基板を用い、ゲート電極層として機能する導電膜１０４として厚さ１００ｎｍのタングステン膜をスパッタリング法で形成する。
【０１３１】
ゲート絶縁膜として機能する絶縁膜１０６は、スパッタリング法、ＰＥＣＶＤ法、熱ＣＶＤ法、真空蒸着法、ＰＬＤ法等を用いて形成することができる。本実施の形態では、ＰＥＣＶＤ法により、絶縁膜１０６ａとして厚さ４００ｎｍの窒化シリコン膜を形成し、絶縁膜１０６ｂとして厚さ５０ｎｍの酸化窒化シリコン膜を形成する。
【０１３２】
次いで、ゲート絶縁膜として機能する絶縁膜１０６上に酸化物半導体膜１０８を形成する（図７（Ｂ）参照）。
【０１３３】
本実施の形態では、Ｉｎ−Ｇａ−Ｚｎ金属酸化物ターゲット（Ｉｎ：Ｇａ：Ｚｎ＝１：１：１）を用いて、スパッタリング法により酸化物半導体膜を成膜する。その後、当該酸化物半導体膜を島状に加工することで酸化物半導体膜１０８を形成する。
【０１３４】
酸化物半導体膜１０８の形成後、１５０℃以上基板の歪み点未満、好ましくは２００℃以上４５０℃以下、さらに好ましくは３００℃以上４５０℃以下の加熱処理を行ってもよい。ここでの加熱処理は、酸化物半導体膜の高純度化処理の一つであり、酸化物半導体膜１０８に含まれる水素、水等を低減することができる。なお、水素、水等の低減を目的とした加熱処理は、酸化物半導体膜１０８を島状に加工する前に行ってもよい。また、水素、水等の低減を目的とした加熱処理は、後に形成する金属酸化物膜１１０の形成後に行ってもよい。
【０１３５】
酸化物半導体膜１０８への加熱処理は、電気炉、ＲＴＡ装置等を用いることができる。ＲＴＡ装置を用いることで、短時間に限り基板の歪み点以上の温度で熱処理を行うことができる。そのため、加熱時間を短縮することが可能となる。
【０１３６】
なお、酸化物半導体膜１０８への加熱処理は、窒素、酸素、超乾燥空気（水の含有量が２０ｐｐｍ以下、好ましくは１ｐｐｍ以下、好ましくは１０ｐｐｂ以下の空気）、または希ガス（アルゴン、ヘリウム等）の雰囲気下で行えばよい。なお、上記窒素、酸素、超乾燥空気、または希ガスに水素、水等が含まれないことが好ましい。また、窒素または希ガス雰囲気で加熱処理した後、酸素または超乾燥空気雰囲気で加熱してもよい。この結果、酸化物半導体膜中に含まれる水素、水等を脱離させると共に、酸化物半導体膜中に酸素を供給することができる。この結果、酸化物半導体膜中に含まれる酸素欠損量を低減することができる。
【０１３７】
次に、絶縁膜１０６及び酸化物半導体膜１０８上に金属酸化物膜１１０を形成する。金属酸化物膜１１０は、少なくとも酸化物半導体膜１０８のチャネル領域及び側面を覆うように形成する（図７（Ｃ）参照）。
【０１３８】
本実施の形態では、Ｉｎ−Ｇａ金属酸化物ターゲット（Ｉｎ：Ｇａ＝７：９３）を用いて、スパッタリング法により金属酸化物膜１１０を形成する。
【０１３９】
なお、スパッタリング法で酸化物半導体膜１０８、及び金属酸化物膜１１０を形成する場合、プラズマを発生させるための電源装置は、ＲＦ電源装置、ＡＣ電源装置、ＤＣ電源装置等を適宜用いることができる。ただし、大面積基板への対応が可能なＤＣ放電を用いて成膜を行うと、半導体装置の生産性を高めることができるため好ましい。また、金属酸化物膜１１０を、ＤＣ放電を用いたスパッタリング法で成膜するためには、Ｉｎ：Ｍ＝ｘ：ｙ［原子数比］としたときに、ｙ／（ｘ＋ｙ）を０．９６以下、好ましくは０．９５以下、例えば０．９３とするとよい。
【０１４０】
なお、スパッタリング法で酸化物半導体膜１０８、及び金属酸化物膜１１０を形成する場合、スパッタリングガスは、希ガス（代表的にはアルゴン）、酸素、希ガス及び酸素の混合ガスを適宜用いる。なお、混合ガスの場合、希ガスに対して酸素のガス比を高めることが好ましい。また、スパッタリングガスの高純度化も必要である。例えば、スパッタリングガスとして用いる酸素ガスやアルゴンガスは、露点が−４０℃以下、好ましくは−８０℃以下、より好ましくは−１００℃以下、より好ましくは−１２０℃以下にまで高純度化したガスを用いることで酸化物半導体膜１０８、及び金属酸化物膜１１０に水分等が取り込まれることを可能な限り防ぐことができる。
【０１４１】
また、スパッタリング法で酸化物半導体膜１０８、及び金属酸化物膜１１０を形成する場合、スパッタリング装置におけるチャンバーは、酸化物半導体膜１０８、及び金属酸化物膜１１０にとって不純物となる水等を可能な限り除去すべくクライオポンプのような吸着式の真空排気ポンプを用いて高真空排気（５×１０−７Ｐａ〜１×１０−４Ｐａ程度まで）することが好ましい。または、ターボ分子ポンプとコールドトラップを組み合わせて排気系からチャンバー内に気体、特に炭素または水素を含む気体が逆流しないようにしておくことが好ましい。
【０１４２】
次に、金属酸化物膜１１０上にフォトレジストマスクを用いるフォトリソグラフィ工程により、レジストマスクを形成した後、該レジストマスクを用いて金属酸化物膜１１０に開口部１４０ａ、１４０ｂを形成する（図７（Ｄ）参照）。
【０１４３】
なお、開口部１４０ａ、１４０ｂは、酸化物半導体膜１０８に達する。また、開口部１４０ａ、１４０ｂの形成時において、オーバーエッチングにより酸化物半導体膜１０８の一部がエッチングされ、凹部を有する酸化物半導体膜１０８となる場合がある。なお、開口部１４０ａ、１４０ｂは、ウェットエッチング法、ドライエッチング法、またはウェットエッチング法とドライエッチング法を組み合わせたエッチング法にて形成される。
【０１４４】
次に、金属酸化物膜１１０上に開口部１４０ａ、１４０ｂを覆うように、トランジスタ１５０のソース電極層及びドレイン電極層として機能する導電膜１１２ａ、１１２ｂを形成する（図８（Ａ）参照）。
【０１４５】
本実施の形態においては、導電膜１１２ａ、１１２ｂとして、厚さ５０ｎｍのタングステン膜と、厚さ３００ｎｍの銅膜を形成する。その後、該銅膜上にフォトレジストマスクを用いたフォトリソグラフィ工程によりレジストマスクを形成した後、該レジストマスクを用いてタングステン膜及び銅膜を加工することで、導電膜１１２ａ、１１２ｂとする。
【０１４６】
また、上記の銅膜のエッチングには、例えば、ウェットエッチング法を用い、タングステン膜のエッチングにはＳＦ６を用いたドライエッチング法を適用すると、銅膜の表面にフッ化物が形成され、該フッ化物により銅膜からの銅元素の拡散を抑制することができる。なお、金属酸化物膜１１０は、酸化物半導体膜１０８に対するエッチング保護膜として機能する。なお、上記タングステン膜をモリブデン膜として、ウェットエッチング法を用い、モリブデン膜と銅膜を一括してエッチングしてもよい。
【０１４７】
次に、金属酸化物膜１１０及び導電膜１１２ａ、１１２ｂ上に、トランジスタ１５０の保護絶縁膜として機能する絶縁膜１１４、１１６、１１８を形成する（図８（Ｂ）参照）。
【０１４８】
なお、絶縁膜１１４を形成した後、大気に曝すことなく、連続的に絶縁膜１１６を形成することが好ましい。絶縁膜１１４を形成後、大気開放せず、原料ガスの流量、圧力、高周波電力及び基板温度の一以上を調整して、絶縁膜１１６を連続的に形成することで、絶縁膜１１４と絶縁膜１１６の界面において大気成分由来の不純物濃度を低減することができるとともに、絶縁膜１１６に含まれる酸素を酸化物半導体膜１０８に移動させることが可能となり、酸化物半導体膜１０８の酸素欠損量を低減することが可能となる。
【０１４９】
例えば、絶縁膜１１４として、ＰＥＣＶＤ法を用いて、酸化窒化シリコン膜を形成することができる。この場合、原料ガスとしては、シリコンを含む堆積性気体及び酸化性気体を用いることが好ましい。シリコンを含む堆積性気体の代表例としては、シラン、ジシラン、トリシラン、フッ化シラン等がある。酸化性気体としては、一酸化二窒素、二酸化窒素等がある。また、上記の堆積性気体に対する酸化性気体を２０倍より大きく１００倍未満、好ましくは４０倍以上８０倍以下とし、処理室内の圧力を１００Ｐａ未満、好ましくは５０Ｐａ以下とするＰＥＣＶＤ法を用いることで、絶縁膜１１４が、窒素を含み、且つ欠陥量の少ない絶縁膜となる。
【０１５０】
本実施の形態においては、絶縁膜１１４として、基板１０２を保持する温度を２２０℃とし、流量５０ｓｃｃｍのシラン及び流量２０００ｓｃｃｍの一酸化二窒素を原料ガスとし、処理室内の圧力を２０Ｐａとし、平行平板電極に供給する高周波電力を１３．５６ＭＨｚ、１００Ｗ（電力密度としては１．６×１０−２Ｗ／ｃｍ２）とするＰＥＣＶＤ法を用いて、酸化窒化シリコン膜を形成する。
【０１５１】
絶縁膜１１６としては、ＰＥＣＶＤ装置の真空排気された処理室内に載置された基板を１８０℃以上２８０℃以下、さらに好ましくは２００℃以上２４０℃以下に保持し、処理室に原料ガスを導入して処理室内における圧力を１００Ｐａ以上２５０Ｐａ以下、さらに好ましくは１００Ｐａ以上２００Ｐａ以下とし、処理室内に設けられる電極に０．１７Ｗ／ｃｍ２以上０．５Ｗ／ｃｍ２以下、さらに好ましくは０．２５Ｗ／ｃｍ２以上０．３５Ｗ／ｃｍ２以下の高周波電力を供給する条件により、酸化シリコン膜または酸化窒化シリコン膜を形成する。
【０１５２】
絶縁膜１１６の成膜条件として、上記圧力の反応室において上記パワー密度の高周波電力を供給することで、プラズマ中で原料ガスの分解効率が高まり、酸素ラジカルが増加し、原料ガスの酸化が進むため、絶縁膜１１６中における酸素含有量が化学量論比よりも多くなる。一方、基板温度が、上記温度で形成された膜では、シリコンと酸素の結合力が弱いため、後の工程の加熱処理により膜中の酸素の一部が脱離する。この結果、化学量論的組成を満たす酸素よりも多くの酸素を含み、加熱により酸素の一部が脱離する酸化物絶縁膜を形成することができる。
【０１５３】
なお、絶縁膜１１６の形成工程において、絶縁膜１１４が金属酸化物膜１１０の保護膜となる。また、金属酸化物膜１１０が酸化物半導体膜１０８の保護膜となる。これらの結果、酸化物半導体膜１０８へのダメージを低減しつつ、パワー密度の高い高周波電力を用いて絶縁膜１１６を形成することができる。
【０１５４】
なお、絶縁膜１１６の成膜条件において、酸化性気体に対するシリコンを含む堆積性気体の流量を増加することで、絶縁膜１１６の欠陥量を低減することが可能である。代表的には、ＥＳＲ測定により、シリコンのダングリングボンドに由来するｇ＝２．００１に現れる信号のスピン密度が６×１０１７ｓｐｉｎｓ／ｃｍ３未満、好ましくは３×１０１７ｓｐｉｎｓ／ｃｍ３以下、好ましくは１．５×１０１７ｓｐｉｎｓ／ｃｍ３以下である欠陥量の少ない酸化物絶縁膜を形成することができる。この結果トランジスタの信頼性を高めることができる。
【０１５５】
絶縁膜１１４、１１６を形成した後、加熱処理を行う。該加熱処理により、絶縁膜１１４、１１６に含まれる酸素の一部を酸化物半導体膜１０８に移動させ、酸化物半導体膜１０８に含まれる酸素欠損量をさらに低減することができる。加熱処理後に、絶縁膜１１８を形成する。
【０１５６】
絶縁膜１１４、１１６への加熱処理の温度は、代表的には、１５０℃以上４００℃以下、好ましくは３００℃以上４００℃以下、好ましくは３２０℃以上３７０℃以下とする。加熱処理は、窒素、酸素、超乾燥空気（水の含有量が２０ｐｐｍ以下、好ましくは１ｐｐｍ以下、好ましくは１０ｐｐｂ以下の空気）、または希ガス（アルゴン、ヘリウム等）の雰囲気下で行えばよい。なお、上記窒素、酸素、超乾燥空気、または希ガスに水素、水等が含まれないことが好ましい該加熱処理には、電気炉、ＲＴＡ装置等を用いることができる。
【０１５７】
本実施の形態では、窒素及び酸素雰囲気で、３５０℃、１時間の加熱処理を行う。
【０１５８】
絶縁膜１１４、１１６に水、水素等が含まれる場合、水、水素等をブロッキングする機能を有する絶縁膜１１８を形成後に加熱処理を行うと、絶縁膜１１４、１１６に含まれる水、水素等が酸化物半導体膜１０８に移動し、酸化物半導体膜１０８に欠陥が生じてしまう場合がある。よって、絶縁膜１１８の形成前に加熱処理を行うことで、絶縁膜１１４、１１６に含まれる水、水素を効果的に低減させることができる。
【０１５９】
なお、絶縁膜１１６を、加熱しながら絶縁膜１１４上に形成することで、酸化物半導体膜１０８に酸素を移動させ、酸化物半導体膜１０８に含まれる酸素欠損を低減することが可能であるため、この加熱処理を行わなくともよい場合がある。
【０１６０】
絶縁膜１１８をＰＥＣＶＤ法で形成する場合、基板温度は３００℃以上４００℃以下に、好ましくは３２０℃以上３７０℃以下にすることで、緻密な膜を形成できるため好ましい。
【０１６１】
例えば、絶縁膜１１８としてＰＥＣＶＤ法により窒化シリコン膜を形成する場合、シリコンを含む堆積性気体、窒素、及びアンモニアを原料ガスとして用いことが好ましい。窒素と比較して少量のアンモニアを用いることで、プラズマ中でアンモニアが解離し、活性種が発生する。該活性種が、シリコンを含む堆積性気体に含まれるシリコン及び水素の結合、及び窒素の三重結合を切断する。この結果、シリコン及び窒素の結合が促進され、シリコン及び水素の結合が少なく、欠陥が少なく、緻密な窒化シリコン膜を形成することができる。一方、窒素に対するアンモニアの量が多いと、シリコンを含む堆積性気体及び窒素の分解が進まず、シリコン及び水素結合が残存してしまい、欠陥が増大した、且つ粗な窒化シリコン膜が形成されてしまう。これらのため、原料ガスにおいて、アンモニアに対する窒素の流量比を５以上５０以下、好ましくは１０以上５０以下とすることが好ましい。
【０１６２】
本実施の形態においては、絶縁膜１１８として、ＰＥＣＶＤ装置を用いて、シラン、窒素、及びアンモニアの原料ガスから、厚さ５０ｎｍの窒化シリコン膜を形成する。流量は、シランが５０ｓｃｃｍ、窒素が５０００ｓｃｃｍであり、アンモニアが１００ｓｃｃｍである。処理室の圧力を１００Ｐａ、基板温度を３５０℃とし、２７．１２ＭＨｚの高周波電源を用いて１０００Ｗの高周波電力を平行平板電極に供給する。ＰＥＣＶＤ装置は電極面積が６０００ｃｍ２である平行平板型のＰＥＣＶＤ装置であり、供給した電力を単位面積あたりの電力（電力密度）に換算すると１．７×１０−１Ｗ／ｃｍ２である。
【０１６３】
また、絶縁膜１１８の形成後に、加熱処理を行ってもよい。該加熱処理の温度は、代表的には、１５０℃以上４００℃以下、好ましくは３００℃以上４００℃以下、好ましくは３２０℃以上３７０℃以下とする。上記加熱処理を行う際には、絶縁膜１１４、１１６の水素および水が低減されているため、上述したような酸化物半導体膜１０８の欠陥の発生は抑えられている。
【０１６４】
以上の工程により、図１に示すトランジスタ１５０を形成することができる。
【０１６５】
＜半導体装置の作製方法２＞
次に、本発明の一態様の半導体装置であるトランジスタ１６０の作製方法について、図９を用いて以下詳細に説明する。
【０１６６】
まず、図８（Ｂ）に示す工程まで行う。その後、絶縁膜１０６ａ、１０６ｂ、１１４、１１６、１１８及び金属酸化物膜１１０に開口部１４２ａ、１４２ｂを形成する。また、絶縁膜１１４、１１６、１１８に開口部１４２ｃを形成する（図９（Ａ）参照）。
【０１６７】
開口部１４２ａ、１４２ｂは、導電膜１０４に達する。また開口部１４２ｃは、導電膜１１２ｂに達する。開口部１４２ａ、１４２ｂ、１４２ｃは、同一の工程で形成することができる。例えば、ハーフトーンマスク（または、グレートーンマスク、位相差マスクなど）を用いて、所望の領域にパターンを形成し、ドライエッチング装置を用いて、開口部１４２ａ、１４２ｂ、１４２ｃを形成することができる。なお、ハーフトーンマスクまたはグレートーンマスクは、必要によって用いればよく、ハーフトーンマスクまたはグレートーンマスクを用いなくてもよい。また、開口部１４２ａ、１４２ｂと開口部１４２ｃの形成工程を分けてもよい。この場合、開口部１４２ａ、１４２ｂの形状が２段階の形状となる場合がある。
【０１６８】
次に、絶縁膜１１８上に開口部１４２ａ、１４２ｂ、１４２ｃを覆うように導電膜１２０を形成する（図９（Ｂ）参照）。
【０１６９】
導電膜１２０としては、例えば、インジウム（Ｉｎ）、亜鉛（Ｚｎ）、錫（Ｓｎ）の中から選ばれた一種を含む材料を用いることができる。とくに、導電膜１２０としては、例えば、酸化タングステンを含むインジウム酸化物、酸化タングステンを含むインジウム亜鉛酸化物、酸化チタンを含むインジウム酸化物、酸化チタンを含むインジウム錫酸化物、インジウム錫酸化物（ＩＴＯ）、インジウム亜鉛酸化物、酸化ケイ素を添加したインジウム錫酸化物などの透光性を有する導電性材料を用いることができる。また、導電膜１２０としては、例えば、スパッタリング法を用いて形成することができる。
【０１７０】
次に、導電膜１２０を所望の領域に加工し、導電膜１２０ａ、１２０ｂを形成する（図９（Ｃ）参照）。
【０１７１】
導電膜１２０ａ、１２０ｂの形成方法としては、例えば、ドライエッチング法、ウェットエッチング法、またはドライエッチング法とウェットエッチング法を組み合わせて用いればよい。
【０１７２】
以上の工程により、図２に示すトランジスタ１６０を形成することができる。
【０１７３】
なお、図３に示すトランジスタ１６２、及び図４に示すトランジスタ１６４については、図９（Ｃ）に示す導電膜１２０の除去する領域を、変更することで形成することができる。
【０１７４】
＜半導体装置の作製方法３＞
次に、図５（Ｂ）に示すトランジスタの作製方法について、図１０を用いて以下詳細に説明する。
【０１７５】
まず、図７（Ｂ）に示す工程まで行う。その後、酸化物半導体膜１０８上に金属酸化物膜１１０、絶縁膜１１４、１１６を形成する（図１０（Ａ）参照）。
【０１７６】
次に、金属酸化物膜１１０、絶縁膜１１４、１１６に開口部１４１ａ、１４１ｂを形成する（図１０（Ｂ）参照）。
【０１７７】
なお、開口部１４１ａ、１４１ｂは、酸化物半導体膜１０８に達する。また、開口部１４１ａ、１４１ｂの形成時において、オーバーエッチングにより酸化物半導体膜１０８の一部がエッチングされ、凹部を有する酸化物半導体膜１０８となる場合がある。なお、開口部１４１ａ、１４１ｂは、ウェットエッチング法、ドライエッチング法、またはウェットエッチング法とドライエッチング法を組み合わせたエッチング法にて形成される。
【０１７８】
次に、絶縁膜１１６上に開口部１４１ａ、１４１ｂを覆うように、ソース電極層及びドレイン電極層として機能する導電膜１１２ａ、１１２ｂを形成する（図１０（Ｃ）参照）。
【０１７９】
導電膜１１２ａ、１１２ｂは、先に記載の導電膜１１２ａ、１１２ｂに用いる材料及び形成方法と同様である。
【０１８０】
次に、絶縁膜１１６及び導電膜１１２ａ、１１２ｂ上に絶縁膜１１８を形成する（図１０（Ｄ）参照）。
【０１８１】
絶縁膜１１４、１１６、１１８は、先に記載の絶縁膜１１４、１１６、１１８に用いる材料及び形成方法と同様である。
【０１８２】
以上の工程により、図５（Ｂ）に示すトランジスタを形成することができる。
【０１８３】
上述したように、本実施の形態の半導体装置として用いるトランジスタは、ソース電極層及びドレイン電極層として機能する導電膜として、銅、アルミニウム、金、又は銀等の低抵抗材料を用いることで、配線遅延を抑制した半導体装置を作製することができる。さらに、ソース電極層及びドレイン電極層として機能する導電膜と接して、バリア膜として機能する金属酸化物膜を設けることで、電気特性の低下を抑制し、良好な電気特性を有する半導体装置を提供することが可能となる。
【０１８４】
また、本実施の形態に係る作製工程によって、酸化物半導体膜のチャネル領域及び側面が金属酸化物膜により保護されているため、該酸化物半導体膜の酸素欠損の低減、及び／または酸化物半導体膜の不純物の濃度が低減された信頼性の高いトランジスタを作製することが可能である。
【０１８５】
以上、本実施の形態で示す構成、方法は、他の実施の形態で示す構成、方法と適宜組み合わせて用いることができる。
【０１８６】
（実施の形態２）
本実施の形態では、本発明の一態様の半導体装置として、実施の形態１に示す構成の変形例について、図１１を用いて説明する。なお、実施の形態１に示す機能と同様の箇所については、同様の符号を用い、その詳細な説明は省略する。
【０１８７】
＜半導体装置の構成例６＞
図１１（Ａ）は、実施の形態１の図１（Ｃ）に示す断面図の変形例である。
【０１８８】
図１１（Ａ）に示す半導体装置は、図１（Ｃ）に示すトランジスタ１５０の酸化物半導体膜１０８を、酸化物半導体膜１０８、及び金属酸化物膜１０９の積層とした構造である。なお、金属酸化物膜１０９は、酸化物半導体膜１０８上に接して形成される。金属酸化物膜１０９は、導電膜１１２ａ、１１２ｂの構成元素が酸化物半導体膜１０８に拡散することを抑制するバリア膜としての機能を有する。
【０１８９】
また、図１１（Ａ）に示す半導体装置は、酸化物半導体膜１０８のチャネル領域及び側面、並びに金属酸化物膜１０９の上面及び側面を金属酸化物膜１１０で覆う構造である。したがって、ソース電極層及びドレイン電極層として機能する導電膜１１２ａ、１１２ｂの構成元素、または絶縁膜１１４の構成元素が、酸化物半導体膜１０８に混入するのを抑制することができる。したがって、トランジスタ１５０の電気特性の低下を抑制することができる。
【０１９０】
酸化物半導体膜１０８としては、実施の形態１に記載の材料、例えば、Ｉｎ−Ｍ−Ｚｎ酸化物（ＭはＴｉ、Ｇａ、Ｙ、Ｚｒ、Ｌａ、Ｃｅ、Ｎｄ、ＳｎまたはＨｆを表す。）で構成される材料を用いる。また、金属酸化物膜１０９としては、Ｉｎ−Ｍ−Ｚｎ酸化物、あるいはＩｎ−Ｍ酸化物（Ｍは、Ｔｉ、Ｇａ、Ｙ、Ｚｒ、Ｌａ、Ｃｅ、Ｎｄ、ＳｎまたはＨｆを表す。）で構成される材料を用いる。また、金属酸化物膜１１０としては、Ｉｎ−Ｍ−Ｚｎ酸化物、あるいはＩｎ−Ｍ酸化物（Ｍは、Ｔｉ、Ｇａ、Ｙ、Ｚｒ、Ｌａ、Ｃｅ、Ｎｄ、ＳｎまたはＨｆを表す。）で構成される材料を用いる。
【０１９１】
なお、金属酸化物膜１０９と金属酸化物膜１１０を同種の材料を用いて形成する場合、金属酸化物膜１０９と金属酸化物膜１１０の界面が確認されない場合がある。
【０１９２】
ここで、図１１（Ｂ）、（Ｃ）に、図１１（Ａ）に示す絶縁膜１０６ｂ、酸化物半導体膜１０８、金属酸化物膜１０９、金属酸化物膜１１０、及び絶縁膜１１４を有する積層構造の膜厚方向のバンド構造の一例を示す。なお、バンド構造は、理解を容易にするため絶縁膜１０６ｂ、酸化物半導体膜１０８、金属酸化物膜１０９、１１０、及び絶縁膜１１４の伝導帯下端のエネルギー準位（Ｅｃ）を示す。
【０１９３】
また、図１１（Ｂ）は、絶縁膜１０６ｂ、１１４として酸化シリコン膜を用い、酸化物半導体膜１０８として金属元素の原子数比をＩｎ：Ｇａ：Ｚｎ＝１：１：１の金属酸化物ターゲットを用いて形成される酸化物半導体膜を用い、金属酸化物膜１０９として金属元素の原子数比をＩｎ：Ｇａ＝７：９３の金属酸化物ターゲットを用いて形成される金属酸化物膜を用い、金属酸化物膜１１０として金属元素の原子数比をＩｎ：Ｇａ：Ｚｎ＝１：３：２の金属酸化物ターゲットを用いて形成される金属酸化物膜を用いる構成のバンド図である。
【０１９４】
また、図１１（Ｃ）は、絶縁膜１０６ｂ、１１４として酸化シリコン膜を用い、酸化物半導体膜１０８として金属元素の原子数比をＩｎ：Ｇａ：Ｚｎ＝１：１：１の金属酸化物ターゲットを用いて形成される酸化物半導体膜を用い、金属酸化物膜１０９として金属元素の原子数比をＩｎ：Ｇａ：Ｚｎ＝１：３：２の金属酸化物ターゲットを用いて形成される金属酸化物膜を用い、金属酸化物膜１１０として金属元素の原子数比をＩｎ：Ｇａ＝７：９３の金属酸化物ターゲットを用いて形成される金属酸化物膜を用いる構成のバンド図である。
【０１９５】
図１１（Ｂ）、（Ｃ）に示すように、酸化物半導体膜１０８、及び金属酸化物膜１０９、１１０において、伝導帯下端のエネルギー準位はなだらかに変化する。換言すると、連続的に変化または連続接合するともいうことができる。このようなバンド構造を有するためには、酸化物半導体膜１０８と金属酸化物膜１０９との界面において、酸化物半導体にとってトラップ中心や再結合中心のような欠陥準位を形成するような不純物が存在しないとする。また、金属酸化物膜１０９と金属酸化物膜１１０との界面において、酸化物半導体にとって、トラップ中心や再結合中心のような欠陥準位を形成するような不純物が存在しないとする。
【０１９６】
酸化物半導体膜１０８、及び金属酸化物膜１０９、１１０に連続接合を形成するためには、ロードロック室を備えたマルチチャンバー方式の成膜装置（スパッタリング装置）を用いて各膜を大気に触れさせることなく連続して積層することが必要となる。
【０１９７】
図１１（Ｂ）、（Ｃ）に示す構成とすることで酸化物半導体膜１０８がウェル（井戸）となり、上記積層構造を用いたトランジスタにおいて、チャネル領域が酸化物半導体膜１０８に形成されることがわかる。
【０１９８】
なお、金属酸化物膜１０９、１１０を設けることにより、酸化物半導体膜１０８に形成されうるトラップ準位を遠ざけることができる。
【０１９９】
また、図１１（Ａ）に示すトランジスタ１５０に電圧を印加すると、各構成の伝導帯下端のエネルギー準位（Ｅｃ）は変化する。この変化により、トラップ準位がチャネル領域として機能する酸化物半導体膜１０８の伝導帯下端のエネルギー準位（Ｅｃ）より真空準位に遠くなることがあり、トラップ準位に電子が蓄積しやすくなってしまう。トラップ準位に電子が蓄積されることで、マイナスの固定電荷となり、トランジスタのしきい値電圧はプラス方向にシフトしてしまう。したがって、図１１（Ａ）に示すトランジスタ１５０に電圧を印加した状態でもトラップ準位が酸化物半導体膜１０８の伝導帯下端のエネルギー準位（Ｅｃ）より真空準位に近くなるような構成すると好ましい。このようにすることで、トラップ準位に電子が蓄積しにくくなり、トランジスタのオン電流を増大させることが可能であると共に、電界効果移動度を高めることができる。
【０２００】
また、図１１（Ｂ）、（Ｃ）において、金属酸化物膜１０９、１１０は、酸化物半導体膜１０８よりも伝導帯下端のエネルギー準位が真空準位に近く、代表的には、酸化物半導体膜１０８の伝導帯下端のエネルギー準位と、金属酸化物膜１０９、１１０の伝導帯下端のエネルギー準位との差が、０．１５ｅＶ以上、または０．５ｅＶ以上、かつ２ｅＶ以下、または１ｅＶ以下である。すなわち、金属酸化物膜１０９、１１０の電子親和力と、酸化物半導体膜１０８の電子親和力との差が、０．１５ｅＶ以上、または０．５ｅＶ以上、かつ２ｅＶ以下、または１ｅＶ以下である。
【０２０１】
このような構成を有することで、図１１（Ａ）に示すトランジスタ１５０に電圧を印加した際に酸化物半導体膜１０８が電流の主な経路となり、チャネル領域として機能する。また、金属酸化物膜１０９、１１０は、チャネル領域が形成される酸化物半導体膜１０８を構成する金属元素の一種以上から構成される金属酸化物膜であるため、酸化物半導体膜１０８と金属酸化物膜１０９との界面において、界面散乱が起こりにくい。従って、該界面においてはキャリアの動きが阻害されないため、トランジスタ１５０の電界効果移動度が高くなる。
【０２０２】
また、図１１（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）において、金属酸化物膜１０９、１１０は、チャネル領域の一部として機能することを防止するため、導電率が十分に低い材料を用いるものとする。または、金属酸化物膜１０９、１１０には、電子親和力（真空準位と伝導帯下端のエネルギー準位との差）が酸化物半導体膜１０８よりも小さく、伝導帯下端のエネルギー準位が酸化物半導体膜１０８の伝導帯下端エネルギー準位と差分（バンドオフセット）を有する材料を用いるものとする。また、ドレイン電圧の大きさに依存したしきい値電圧の差が生じることを抑制するためには、金属酸化物膜１０９、１１０の伝導帯下端のエネルギー準位が、酸化物半導体膜１０８の伝導帯下端のエネルギー準位よりも０．２ｅＶより真空準位に近い材料、好ましくは０．５ｅＶ以上真空準位に近い材料を適用することが好ましい。
【０２０３】
また、金属酸化物膜１０９、１１０は、膜中にスピネル型の結晶構造が含まれないことが好ましい。金属酸化物膜１０９、１１０の膜中にスピネル型の結晶構造を含む場合、該スピネル型の結晶構造に起因して導電膜１１２ａ、１１２ｂの構成元素が酸化物半導体膜１０８へ拡散してしまう場合がある。なお、金属酸化物膜１０９、１１０が後述するＣＡＡＣ−ＯＳである場合、導電膜１１２ａ、１１２ｂの構成元素、例えば、銅元素のブロッキング性が高くなり好ましい。
【０２０４】
金属酸化物膜１０９と、金属酸化物膜１１０とを合わせた膜厚は、導電膜１１２ａ、１１２ｂの構成元素が酸化物半導体膜１０８に拡散することを抑制することのできる膜厚以上であって、絶縁膜１１４、１１６から酸化物半導体膜１０８への酸素の供給を抑制する膜厚未満とする。例えば、金属酸化物膜１０９と、金属酸化物膜１１０とを合わせた膜厚が１０ｎｍ以上であると、導電膜１１２ａ、１１２ｂの構成元素が酸化物半導体膜１０８へ拡散するのを抑制することができる。また、金属酸化物膜１０９と、金属酸化物膜１１０とを合わせた膜厚を１００ｎｍ以下とすると、絶縁膜１１４、１１６から酸化物半導体膜１０８へ効果的に酸素を供給することができる。
【０２０５】
金属酸化物膜１０９、１１０がＩｎ−Ｍ−Ｚｎ酸化物であるとき、元素ＭとしてＴｉ、Ｇａ、Ｙ、Ｚｒ、Ｌａ、Ｃｅ、Ｎｄ、ＳｎまたはＨｆをＩｎより高い原子数比で有することで、金属酸化物膜１０９、１１０のエネルギーギャップを大きく、電子親和力を小さくしうる。よって、酸化物半導体膜１０８との電子親和力の差を元素Ｍの組成によって制御することが可能となる場合がある。また、Ｔｉ、Ｇａ、Ｙ、Ｚｒ、Ｌａ、Ｃｅ、Ｎｄ、ＳｎまたはＨｆは、酸素との結合力が強い金属元素であるため、これらの元素をＩｎより高い原子数比で有することで、酸素欠損が生じにくくなる。
【０２０６】
また、金属酸化物膜１０９、１１０がＩｎ−Ｍ−Ｚｎ酸化物であるとき、ＺｎおよびＯを除いてのＩｎおよびＭの原子数比率は、好ましくは、Ｉｎが５０ａｔｏｍｉｃ％未満、Ｍが５０ａｔｏｍｉｃ％以上、さらに好ましくは、Ｉｎが２５ａｔｏｍｉｃ％未満、Ｍが７５ａｔｏｍｉｃ％以上とする。
【０２０７】
また、酸化物半導体膜１０８及び金属酸化物膜１０９、１１０が、Ｉｎ−Ｍ−Ｚｎ酸化物（ＭはＴｉ、Ｇａ、Ｙ、Ｚｒ、Ｌａ、Ｃｅ、Ｎｄ、ＳｎまたはＨｆを表す。）の場合、酸化物半導体膜１０８と比較して、金属酸化物膜１０９、１１０に含まれるＭ（Ｔｉ、Ｇａ、Ｙ、Ｚｒ、Ｌａ、Ｃｅ、Ｎｄ、ＳｎまたはＨｆを表す。）の原子数比が大きく、代表的には、酸化物半導体膜１０８に含まれる上記原子と比較して、１．５倍以上、好ましくは２倍以上、さらに好ましくは３倍以上高い原子数比である。
【０２０８】
また、酸化物半導体膜１０８及び金属酸化物膜１０９、１１０が、Ｉｎ−Ｍ−Ｚｎ酸化物（ＭはＴｉ、Ｇａ、Ｙ、Ｚｒ、Ｌａ、Ｃｅ、Ｎｄ、ＳｎまたはＨｆを表す。）の場合、酸化物半導体膜１０８をＩｎ：Ｍ：Ｚｎ＝ｘ１：ｙ１：ｚ１［原子数比］、金属酸化物膜１０９及び金属酸化物膜１１０のいずれか一方または双方をＩｎ：Ｍ：Ｚｎ＝ｘ２：ｙ２：ｚ２［原子数比］とすると、ｙ２／ｘ２がｙ１／ｘ１よりも大きく、好ましくは、ｙ２／ｘ２がｙ１／ｘ１よりも１．５倍以上である。より好ましくは、ｙ２／ｘ２がｙ１／ｘ１よりも２倍以上大きく、さらに好ましくは、ｙ２／ｘ２がｙ１／ｘ１よりも３倍以上または４倍以上大きい。このとき、酸化物半導体膜１０８において、ｙ１がｘ１以上であると、酸化物半導体膜１０８を用いるトランジスタに安定した電気特性を付与できるため好ましい。ただし、ｙ１がｘ１の３倍以上になると、酸化物半導体膜１０８を用いるトランジスタの電界効果移動度が低下してしまうため、ｙ１はｘ１の３倍未満であると好ましい。
【０２０９】
酸化物半導体膜１０８がＩｎ−Ｍ−Ｚｎ酸化物（Ｍは、Ｔｉ、Ｇａ、Ｙ、Ｚｒ、Ｌａ、Ｃｅ、Ｎｄ、ＳｎまたはＨｆを表す。）の場合、酸化物半導体膜１０８を成膜するために用いるターゲットにおいて、金属元素の原子数比をＩｎ：Ｍ：Ｚｎ＝ｘ１：ｙ１：ｚ１とすると、ｘ１／ｙ１は、１／３以上６以下、さらには１以上６以下であって、ｚ１／ｙ１は、１／３以上６以下、さらには１以上６以下であることが好ましい。なお、ｚ１／ｙ１を１以上６以下とすることで、酸化物半導体膜１０８として後述のＣＡＡＣ−ＯＳ膜が形成されやすくなる。ターゲットの金属元素の原子数比の代表例としては、Ｉｎ：Ｍ：Ｚｎ＝１：１：１、Ｉｎ：Ｍ：Ｚｎ＝１：１：１．２、Ｉｎ：Ｍ：Ｚｎ＝３：１：２、Ｉｎ：Ｍ：Ｚｎ＝４：２：４．１等がある。
【０２１０】
また、金属酸化物膜１０９、１１０がＩｎ−Ｍ−Ｚｎ酸化物（Ｍは、Ｔｉ、Ｇａ、Ｙ、Ｚｒ、Ｌａ、Ｃｅ、Ｎｄ、ＳｎまたはＨｆを表す。）の場合、金属酸化物膜１０９及び金属酸化物膜１１０のいずれか一方または双方を成膜するために用いるターゲットにおいて、金属元素の原子数比をＩｎ：Ｍ：Ｚｎ＝ｘ２：ｙ２：ｚ２とすると、ｘ２／ｙ２＜ｘ１／ｙ１であって、ｚ２／ｙ２は、１／３以上６以下、さらには１以上６以下であることが好ましい。また、インジウムに対するＭの原子数比率を大きくすることで、金属酸化物膜１０９、１１０のエネルギーギャップを大きく、電子親和力を小さくすることが可能であるため、ｙ２／ｘ２を３以上、または４以上とすることが好ましい。ターゲットの金属元素の原子数比の代表例としては、Ｉｎ：Ｍ：Ｚｎ＝１：３：２、Ｉｎ：Ｍ：Ｚｎ＝１：３：４、Ｉｎ：Ｍ：Ｚｎ＝１：３：５、Ｉｎ：Ｍ：Ｚｎ＝１：３：６、Ｉｎ：Ｍ：Ｚｎ＝１：４：２、Ｉｎ：Ｍ：Ｚｎ＝１：４：４、Ｉｎ：Ｍ：Ｚｎ＝１：４：５等がある。
【０２１１】
また、金属酸化物膜１０９、１１０がＩｎ−Ｍ酸化物（Ｍは、Ｔｉ、Ｇａ、Ｙ、Ｚｒ、Ｌａ、Ｃｅ、Ｎｄ、ＳｎまたはＨｆを表す。）の場合、Ｍとして２価の金属原子（例えば、亜鉛など）を含まない構成とすることで、スピネル型の結晶構造を含有しない金属酸化物膜１０９、１１０を形成することができる。また、金属酸化物膜１０９、１１０としては、例えば、Ｉｎ−Ｇａ酸化物膜を用いることができる。該Ｉｎ−Ｇａ酸化物としては、例えば、Ｉｎ−Ｇａ金属酸化物ターゲット（Ｉｎ：Ｇａ＝７：９３）を用いて、スパッタリング法により形成することができる。また、金属酸化物膜１０９及び金属酸化物膜１１０のいずれか一方または双方を、ＤＣ放電を用いたスパッタリング法で成膜するためには、Ｉｎ：Ｍ＝ｘ：ｙ［原子数比］としたときに、ｙ／（ｘ＋ｙ）を０．９６以下、好ましくは０．９５以下、例えば０．９３とするとよい。
【０２１２】
なお、酸化物半導体膜１０８、及び金属酸化物膜１０９、１１０の原子数比はそれぞれ、誤差として上記の原子数比のプラスマイナス４０％の変動を含む。
【０２１３】
なお、本実施の形態に示す構成及び方法などは、他の実施の形態に示す構成及び方法などと適宜組み合わせて用いることができる。
【０２１４】
（実施の形態３）
本実施の形態では、本発明の一態様の半導体装置に含まれる酸化物半導体膜の構成について詳述する。
【０２１５】
以下に酸化物半導体膜の有しうる構造について説明する。
【０２１６】
また、本明細書において、結晶が三方晶または菱面体晶である場合、六方晶系として表す。
【０２１７】
酸化物半導体は、単結晶酸化物半導体と、それ以外の非単結晶酸化物半導体とに分けられる。
【０２１８】
非単結晶酸化物半導体としては、ＣＡＡＣ−ＯＳ（Ｃ  Ａｘｉｓ  Ａｌｉｇｎｅｄ  Ｃｒｙｓｔａｌｌｉｎｅ  Ｏｘｉｄｅ  Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ）、多結晶酸化物半導体、微結晶酸化物半導体、非晶質酸化物半導体などがある。
【０２１９】
また別の観点では、酸化物半導体は、非晶質酸化物半導体と、それ以外の結晶性酸化物半導体とに分けられる。結晶性酸化物半導体としては、単結晶酸化物半導体、ＣＡＡＣ−ＯＳ、多結晶酸化物半導体、微結晶酸化物半導体などがある。
【０２２０】
＜ＣＡＡＣ−ＯＳ＞
まずは、ＣＡＡＣ−ＯＳについて説明する。なお、ＣＡＡＣ−ＯＳを、ＣＡＮＣ（Ｃ−Ａｘｉｓ  Ａｌｉｇｎｅｄ  ｎａｎｏｃｒｙｓｔａｌｓ）を有する酸化物半導体と呼ぶこともできる。
【０２２１】
ＣＡＡＣ−ＯＳは、ｃ軸配向した複数の結晶部（ペレットともいう。）を有する酸化物半導体の一つである。
【０２２２】
透過型電子顕微鏡（ＴＥＭ：Ｔｒａｎｓｍｉｓｓｉｏｎ  Ｅｌｅｃｔｒｏｎ  Ｍｉｃｒｏｓｃｏｐｅ）によって、ＣＡＡＣ−ＯＳの明視野像と回折パターンとの複合解析像（高分解能ＴＥＭ像ともいう。）を観察すると、複数のペレットを確認することができる。一方、高分解能ＴＥＭ像ではペレット同士の境界、すなわち結晶粒界（グレインバウンダリーともいう。）を明確に確認することができない。そのため、ＣＡＡＣ−ＯＳは、結晶粒界に起因する電子移動度の低下が起こりにくいといえる。
【０２２３】
以下では、ＴＥＭによって観察したＣＡＡＣ−ＯＳについて説明する。図１２（Ａ）に、試料面と略平行な方向から観察した、ＣＡＡＣ−ＯＳの断面の高分解能ＴＥＭ像を示す。高分解能ＴＥＭ像の観察には、球面収差補正（Ｓｐｈｅｒｉｃａｌ  Ａｂｅｒｒａｔｉｏｎ  Ｃｏｒｒｅｃｔｏｒ）機能を用いた。球面収差補正機能を用いた高分解能ＴＥＭ像を、特にＣｓ補正高分解能ＴＥＭ像と呼ぶ。Ｃｓ補正高分解能ＴＥＭ像の取得は、例えば、日本電子株式会社製原子分解能分析電子顕微鏡ＪＥＭ−ＡＲＭ２００Ｆなどによって行うことができる。
【０２２４】
図１２（Ａ）の領域（１）を拡大したＣｓ補正高分解能ＴＥＭ像を図１２（Ｂ）に示す。図１２（Ｂ）より、ペレットにおいて、金属原子が層状に配列していることを確認できる。金属原子の各層の配列は、ＣＡＡＣ−ＯＳの膜を形成する面（被形成面ともいう。）または上面の凹凸を反映しており、ＣＡＡＣ−ＯＳの被形成面または上面と平行となる。
【０２２５】
図１２（Ｂ）に示すように、ＣＡＡＣ−ＯＳは特徴的な原子配列を有する。図１２（Ｃ）は、特徴的な原子配列を、補助線で示したものである。図１２（Ｂ）および図１２（Ｃ）より、ペレット一つの大きさは１ｎｍ以上３ｎｍ以下程度であり、ペレットとペレットとの傾きにより生じる隙間の大きさは０．８ｎｍ程度であることがわかる。したがって、ペレットを、ナノ結晶（ｎｃ：ｎａｎｏｃｒｙｓｔａｌ）と呼ぶこともできる。
【０２２６】
ここで、Ｃｓ補正高分解能ＴＥＭ像から、基板５１２０上のＣＡＡＣ−ＯＳのペレット５１００の配置を模式的に示すと、レンガまたはブロックが積み重なったような構造となる（図１２（Ｄ）参照。）。図１２（Ｃ）で観察されたペレットとペレットとの間で傾きが生じている箇所は、図１２（Ｄ）に示す領域５１６１に相当する。
【０２２７】
また、図１３（Ａ）に、試料面と略垂直な方向から観察したＣＡＡＣ−ＯＳの平面のＣｓ補正高分解能ＴＥＭ像を示す。図１３（Ａ）の領域（１）、領域（２）および領域（３）を拡大したＣｓ補正高分解能ＴＥＭ像を、それぞれ図１３（Ｂ）、図１３（Ｃ）および図１３（Ｄ）に示す。図１３（Ｂ）、図１３（Ｃ）および図１３（Ｄ）より、ペレットは、金属原子が三角形状、四角形状または六角形状に配列していることを確認できる。しかしながら、異なるペレット間で、金属原子の配列に規則性は見られない。
【０２２８】
次に、Ｘ線回折（ＸＲＤ：Ｘ−Ｒａｙ  Ｄｉｆｆｒａｃｔｉｏｎ）によって解析したＣＡＡＣ−ＯＳについて説明する。例えば、ＩｎＧａＺｎＯ４の結晶を有するＣＡＡＣ−ＯＳに対し、ｏｕｔ−ｏｆ−ｐｌａｎｅ法による構造解析を行うと、図１４（Ａ）に示すように回折角（２θ）が３１°近傍にピークが現れる場合がある。このピークは、ＩｎＧａＺｎＯ４の結晶の（００９）面に帰属されることから、ＣＡＡＣ−ＯＳの結晶がｃ軸配向性を有し、ｃ軸が被形成面または上面に略垂直な方向を向いていることが確認できる。
【０２２９】
なお、ＣＡＡＣ−ＯＳのｏｕｔ−ｏｆ−ｐｌａｎｅ法による構造解析では、２θが３１°近傍のピークの他に、２θが３６°近傍にもピークが現れる場合がある。２θが３６°近傍のピークは、ＣＡＡＣ−ＯＳ中の一部に、ｃ軸配向性を有さない結晶が含まれることを示している。より好ましいＣＡＡＣ−ＯＳは、ｏｕｔ−ｏｆ−ｐｌａｎｅ法による構造解析では、２θが３１°近傍にピークを示し、２θが３６°近傍にピークを示さない。
【０２３０】
一方、ＣＡＡＣ−ＯＳに対し、ｃ軸に略垂直な方向からＸ線を入射させるｉｎ−ｐｌａｎｅ法による構造解析を行うと、２θが５６°近傍にピークが現れる。このピークは、ＩｎＧａＺｎＯ４の結晶の（１１０）面に帰属される。ＣＡＡＣ−ＯＳの場合は、２θを５６°近傍に固定し、試料面の法線ベクトルを軸（φ軸）として試料を回転させながら分析（φスキャン）を行っても、図１４（Ｂ）に示すように明瞭なピークは現れない。これに対し、ＩｎＧａＺｎＯ４の単結晶酸化物半導体であれば、２θを５６°近傍に固定してφスキャンした場合、図１４（Ｃ）に示すように（１１０）面と等価な結晶面に帰属されるピークが６本観察される。したがって、ＸＲＤを用いた構造解析から、ＣＡＡＣ−ＯＳは、ａ軸およびｂ軸の配向が不規則であることが確認できる。
【０２３１】
次に、電子回折によって解析したＣＡＡＣ−ＯＳについて説明する。例えば、ＩｎＧａＺｎＯ４の結晶を有するＣＡＡＣ−ＯＳに対し、試料面に平行にプローブ径が３００ｎｍの電子線を入射させると、図２６（Ａ）に示すような回折パターン（制限視野透過電子回折パターンともいう。）が現れる場合がある。この回折パターンには、ＩｎＧａＺｎＯ４の結晶の（００９）面に起因するスポットが含まれる。したがって、電子回折によっても、ＣＡＡＣ−ＯＳに含まれるペレットがｃ軸配向性を有し、ｃ軸が被形成面または上面に略垂直な方向を向いていることがわかる。一方、同じ試料に対し、試料面に垂直にプローブ径が３００ｎｍの電子線を入射させたときの回折パターンを図２６（Ｂ）に示す。図２６（Ｂ）より、リング状の回折パターンが確認される。したがって、電子回折によっても、ＣＡＡＣ−ＯＳに含まれるペレットのａ軸およびｂ軸は配向性を有さないことがわかる。なお、図２６（Ｂ）における第１リングは、ＩｎＧａＺｎＯ４の結晶の（０１０）面および（１００）面などに起因すると考えられる。また、図２６（Ｂ）における第２リングは（１１０）面などに起因すると考えられる。
【０２３２】
また、ＣＡＡＣ−ＯＳは、欠陥準位密度の低い酸化物半導体である。酸化物半導体の欠陥としては、例えば、不純物に起因する欠陥や、酸素欠損などがある。したがって、ＣＡＡＣ−ＯＳは、不純物濃度の低い酸化物半導体ということもできる。また、ＣＡＡＣ−ＯＳは、酸素欠損の少ない酸化物半導体ということもできる。
【０２３３】
酸化物半導体に含まれる不純物は、キャリアトラップとなる場合や、キャリア発生源となる場合がある。また、酸化物半導体中の酸素欠損は、キャリアトラップとなる場合や、水素を捕獲することによってキャリア発生源となる場合がある。
【０２３４】
なお、不純物は、酸化物半導体の主成分以外の元素で、水素、炭素、シリコン、遷移金属元素などがある。例えば、シリコンなどの、酸化物半導体を構成する金属元素よりも酸素との結合力の強い元素は、酸化物半導体から酸素を奪うことで酸化物半導体の原子配列を乱し、結晶性を低下させる要因となる。また、鉄やニッケルなどの重金属、アルゴン、二酸化炭素などは、原子半径（または分子半径）が大きいため、酸化物半導体の原子配列を乱し、結晶性を低下させる要因となる。
【０２３５】
また、欠陥準位密度の低い（酸素欠損が少ない）酸化物半導体は、キャリア密度を低くすることができる。そのような酸化物半導体を、高純度真性または実質的に高純度真性な酸化物半導体と呼ぶ。ＣＡＡＣ−ＯＳは、不純物濃度が低く、欠陥準位密度が低い。即ち、高純度真性または実質的に高純度真性な酸化物半導体となりやすい。したがって、ＣＡＡＣ−ＯＳを用いたトランジスタは、しきい値電圧がマイナスとなる電気特性（ノーマリーオンともいう。）になることが少ない。また、高純度真性または実質的に高純度真性な酸化物半導体は、キャリアトラップが少ない。酸化物半導体のキャリアトラップに捕獲された電荷は、放出するまでに要する時間が長く、あたかも固定電荷のように振る舞うことがある。そのため、不純物濃度が高く、欠陥準位密度が高い酸化物半導体を用いたトランジスタは、電気特性が不安定となる場合がある。一方、ＣＡＡＣ−ＯＳを用いたトランジスタは、電気特性の変動が小さく、信頼性の高いトランジスタとなる。
【０２３６】
また、ＣＡＡＣ−ＯＳは欠陥準位密度が低いため、光の照射によって欠陥準位に捕獲されるキャリアは少なくなる。したがって、ＣＡＡＣ−ＯＳを用いたトランジスタは、可視光や紫外光の照射による電気特性の変動が小さい。
【０２３７】
＜微結晶酸化物半導体＞
次に、微結晶酸化物半導体について説明する。
【０２３８】
微結晶酸化物半導体は、高分解能ＴＥＭ像において、結晶部を確認することのできる領域と、明確な結晶部を確認することのできない領域と、を有する。微結晶酸化物半導体に含まれる結晶部は、１ｎｍ以上１００ｎｍ以下、または１ｎｍ以上１０ｎｍ以下の大きさであることが多い。特に、１ｎｍ以上１０ｎｍ以下、または１ｎｍ以上３ｎｍ以下の微結晶であるナノ結晶を有する酸化物半導体を、ｎｃ−ＯＳ（ｎａｎｏｃｒｙｓｔａｌｌｉｎｅ  Ｏｘｉｄｅ  Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ）と呼ぶ。また、ｎｃ−ＯＳは、例えば、高分解能ＴＥＭ像では、結晶粒界を明確に確認できない場合がある。なお、ナノ結晶は、ＣＡＡＣ−ＯＳにおけるペレットと同じ起源を有する可能性がある。そのため、以下ではｎｃ−ＯＳの結晶部をペレットと呼ぶ場合がある。
【０２３９】
ｎｃ−ＯＳは、微小な領域（例えば、１ｎｍ以上１０ｎｍ以下の領域、特に１ｎｍ以上３ｎｍ以下の領域）において原子配列に周期性を有する。また、ｎｃ−ＯＳは、異なるペレット間で結晶方位に規則性が見られない。そのため、膜全体で配向性が見られない。したがって、ｎｃ−ＯＳは、分析方法によっては、非晶質酸化物半導体と区別が付かない場合がある。例えば、ｎｃ−ＯＳに対し、ペレットよりも大きい径のＸ線を用いるＸＲＤ装置を用いて構造解析を行うと、ｏｕｔ−ｏｆ−ｐｌａｎｅ法による解析では、結晶面を示すピークが検出されない。また、ｎｃ−ＯＳに対し、ペレットよりも大きいプローブ径（例えば５０ｎｍ以上）の電子線を用いる電子回折（制限視野電子回折ともいう。）を行うと、ハローパターンのような回折パターンが観測される。一方、ｎｃ−ＯＳに対し、ペレットの大きさと近いかペレットより小さいプローブ径の電子線を用いるナノビーム電子回折を行うと、スポットが観測される。また、ｎｃ−ＯＳに対しナノビーム電子回折を行うと、円を描くように（リング状に）輝度の高い領域が観測される場合がある。さらに、リング状の領域内に複数のスポットが観測される場合がある。
【０２４０】
このように、ペレット（ナノ結晶）間では結晶方位が規則性を有さないことから、ｎｃ−ＯＳを、ＲＡＮＣ（Ｒａｎｄｏｍ  Ａｌｉｇｎｅｄ  ｎａｎｏｃｒｙｓｔａｌｓ）を有する酸化物半導体、またはＮＡＮＣ（Ｎｏｎ−Ａｌｉｇｎｅｄ  ｎａｎｏｃｒｙｓｔａｌｓ）を有する酸化物半導体と呼ぶこともできる。
【０２４１】
ｎｃ−ＯＳは、非晶質酸化物半導体よりも規則性の高い酸化物半導体である。そのため、ｎｃ−ＯＳは、非晶質酸化物半導体よりも欠陥準位密度が低くなる。ただし、ｎｃ−ＯＳは、異なるペレット間で結晶方位に規則性が見られない。そのため、ｎｃ−ＯＳは、ＣＡＡＣ−ＯＳと比べて欠陥準位密度が高くなる。
【０２４２】
＜非晶質酸化物半導体＞
次に、非晶質酸化物半導体について説明する。
【０２４３】
非晶質酸化物半導体は、膜中における原子配列が不規則であり、結晶部を有さない酸化物半導体である。石英のような無定形状態を有する酸化物半導体が一例である。
【０２４４】
非晶質酸化物半導体は、高分解能ＴＥＭ像において結晶部を確認することができない。
【０２４５】
非晶質酸化物半導体に対し、ＸＲＤ装置を用いた構造解析を行うと、ｏｕｔ−ｏｆ−ｐｌａｎｅ法による解析では、結晶面を示すピークが検出されない。また、非晶質酸化物半導体に対し、電子回折を行うと、ハローパターンが観測される。また、非晶質酸化物半導体に対し、ナノビーム電子回折を行うと、スポットが観測されず、ハローパターンが観測される。
【０２４６】
非晶質構造については、様々な見解が示されている。例えば、原子配列に全く秩序性を有さない構造を完全な非晶質構造（ｃｏｍｐｌｅｔｅｌｙ  ａｍｏｒｐｈｏｕｓ  ｓｔｒｕｃｔｕｒｅ）と呼ぶ場合がある。また、最近接原子間距離または第２近接原子間距離まで秩序性を有し、かつ長距離秩序性を有さない構造を非晶質構造と呼ぶ場合もある。したがって、最も厳格な定義によれば、僅かでも原子配列に秩序性を有する酸化物半導体を非晶質酸化物半導体と呼ぶことはできない。また、少なくとも、長距離秩序性を有する酸化物半導体を非晶質酸化物半導体と呼ぶことはできない。よって、結晶部を有することから、例えば、ＣＡＡＣ−ＯＳおよびｎｃ−ＯＳを、非晶質酸化物半導体または完全な非晶質酸化物半導体と呼ぶことはできない。
【０２４７】
＜非晶質ライク酸化物半導体＞
なお、酸化物半導体は、ｎｃ−ＯＳと非晶質酸化物半導体との間の物性を示す構造を有する場合がある。そのような構造を有する酸化物半導体を、とくに非晶質ライク酸化物半導体（ａ−ｌｉｋｅ  ＯＳ：ａｍｏｒｐｈｏｕｓ−ｌｉｋｅ  Ｏｘｉｄｅ  Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ）と呼ぶ。
【０２４８】
ａ−ｌｉｋｅ  ＯＳは、高分解能ＴＥＭ像において鬆（ボイドともいう。）が観察される場合がある。また、高分解能ＴＥＭ像において、明確に結晶部を確認することのできる領域と、結晶部を確認することのできない領域と、を有する。
【０２４９】
鬆を有するため、ａ−ｌｉｋｅ  ＯＳは、不安定な構造である。以下では、ａ−ｌｉｋｅ  ＯＳが、ＣＡＡＣ−ＯＳおよびｎｃ−ＯＳと比べて不安定な構造であることを示すため、電子照射による構造の変化を示す。
【０２５０】
電子照射を行う試料として、ａ−ｌｉｋｅ  ＯＳ（試料Ａと表記する）、ｎｃ−ＯＳ（試料Ｂと表記する）およびＣＡＡＣ−ＯＳ（試料Ｃと表記する）を準備する。いずれの試料もＩｎ−Ｇａ−Ｚｎ酸化物である。
【０２５１】
まず、各試料の高分解能断面ＴＥＭ像を取得する。高分解能断面ＴＥＭ像により、各試料は、いずれも結晶部を有することがわかる。
【０２５２】
なお、結晶部の判定は、以下のように行えばよい。例えば、ＩｎＧａＺｎＯ４の結晶の単位格子は、Ｉｎ−Ｏ層を３層有し、またＧａ−Ｚｎ−Ｏ層を６層有する、計９層がｃ軸方向に層状に重なった構造を有することが知られている。これらの近接する層同士の間隔は、（００９）面の格子面間隔（ｄ値ともいう。）と同程度であり、結晶構造解析からその値は０．２９ｎｍと求められている。したがって、格子縞の間隔が０．２８ｎｍ以上０．３０ｎｍ以下である箇所を、ＩｎＧａＺｎＯ４の結晶部と見なすことができる。なお、格子縞は、ＩｎＧａＺｎＯ４の結晶のａ−ｂ面に対応する。
【０２５３】
図２７は、各試料の結晶部（２２箇所から４５箇所）の平均の大きさを調査した例である。ただし、上述した格子縞の長さを結晶部の大きさとしている。図２７より、ａ−ｌｉｋｅ  ＯＳは、電子の累積照射量に応じて結晶部が大きくなっていくことがわかる。具体的には、図２７中に（１）で示すように、ＴＥＭによる観察初期においては１．２ｎｍ程度の大きさだった結晶部（初期核ともいう。）が、累積照射量が４．２×１０８ｅ−／ｎｍ２においては２．６ｎｍ程度の大きさまで成長していることがわかる。一方、ｎｃ−ＯＳおよびＣＡＡＣ−ＯＳは、電子照射開始時から電子の累積照射量が４．２×１０８ｅ−／ｎｍ２までの範囲で、結晶部の大きさに変化が見られないことがわかる。具体的には、図２７中の（２）及び（３）で示すように、電子の累積照射量によらず、ｎｃ−ＯＳ及びＣＡＡＣ−ＯＳの結晶部の大きさは、それぞれ１．４ｎｍ程度及び２．１ｎｍ程度であることがわかる。
【０２５４】
このように、ａ−ｌｉｋｅ  ＯＳは、電子照射によって結晶部の成長が見られる場合がある。一方、ｎｃ−ＯＳおよびＣＡＡＣ−ＯＳは、電子照射による結晶部の成長がほとんど見られないことがわかる。すなわち、ａ−ｌｉｋｅ  ＯＳは、ｎｃ−ＯＳおよびＣＡＡＣ−ＯＳと比べて、不安定な構造であることがわかる。
【０２５５】
また、鬆を有するため、ａ−ｌｉｋｅ  ＯＳは、ｎｃ−ＯＳおよびＣＡＡＣ−ＯＳと比べて密度の低い構造である。具体的には、ａ−ｌｉｋｅ  ＯＳの密度は、同じ組成の単結晶の密度の７８．６％以上９２．３％未満となる。また、ｎｃ−ＯＳの密度およびＣＡＡＣ−ＯＳの密度は、同じ組成の単結晶の密度の９２．３％以上１００％未満となる。単結晶の密度の７８％未満となる酸化物半導体は、成膜すること自体が困難である。
【０２５６】
例えば、Ｉｎ：Ｇａ：Ｚｎ＝１：１：１［原子数比］を満たす酸化物半導体において、菱面体晶構造を有する単結晶ＩｎＧａＺｎＯ４の密度は６．３５７ｇ／ｃｍ３となる。よって、例えば、Ｉｎ：Ｇａ：Ｚｎ＝１：１：１［原子数比］を満たす酸化物半導体において、ａ−ｌｉｋｅ  ＯＳの密度は５．０ｇ／ｃｍ３以上５．９ｇ／ｃｍ３未満となる。また、例えば、Ｉｎ：Ｇａ：Ｚｎ＝１：１：１［原子数比］を満たす酸化物半導体において、ｎｃ−ＯＳの密度およびＣＡＡＣ−ＯＳの密度は５．９ｇ／ｃｍ３以上６．３ｇ／ｃｍ３未満となる。
【０２５７】
なお、同じ組成の単結晶が存在しない場合がある。その場合、任意の割合で組成の異なる単結晶を組み合わせることにより、所望の組成における単結晶に相当する密度を見積もることができる。所望の組成の単結晶に相当する密度は、組成の異なる単結晶を組み合わせる割合に対して、加重平均を用いて見積もればよい。ただし、密度は、可能な限り少ない種類の単結晶を組み合わせて見積もることが好ましい。
【０２５８】
以上のように、酸化物半導体は、様々な構造をとり、それぞれが様々な特性を有する。なお、酸化物半導体は、例えば、非晶質酸化物半導体、ａ−ｌｉｋｅ  ＯＳ、微結晶酸化物半導体、ＣＡＡＣ−ＯＳのうち、二種以上を有する積層膜であってもよい。
【０２５９】
＜成膜モデル＞
以下では、ＣＡＡＣ−ＯＳおよびｎｃ−ＯＳの成膜モデルの一例について説明する。
【０２６０】
図２８（Ａ）は、スパッタリング法によりＣＡＡＣ−ＯＳが成膜される様子を示した成膜室内の模式図である。
【０２６１】
ターゲット５１３０は、バッキングプレートに接着されている。バッキングプレートを介してターゲット５１３０と向かい合う位置には、複数のマグネットが配置される。該複数のマグネットによって磁場が生じている。マグネットの磁場を利用して成膜速度を高めるスパッタリング法は、マグネトロンスパッタリング法と呼ばれる。
【０２６２】
基板５１２０は、ターゲット５１３０と向かい合うように配置しており、その距離ｄ（ターゲット−基板間距離（Ｔ−Ｓ間距離）ともいう。）は０．０１ｍ以上１ｍ以下、好ましくは０．０２ｍ以上０．５ｍ以下とする。成膜室内は、ほとんどが成膜ガス（例えば、酸素、アルゴン、または酸素を５体積％以上の割合で含む混合ガス）で満たされ、０．０１Ｐａ以上１００Ｐａ以下、好ましくは０．１Ｐａ以上１０Ｐａ以下に制御される。ここで、ターゲット５１３０に一定以上の電圧を印加することで、放電が始まり、プラズマが確認される。なお、ターゲット５１３０の近傍には磁場によって、高密度プラズマ領域が形成される。高密度プラズマ領域では、成膜ガスがイオン化することで、イオン５１０１が生じる。イオン５１０１は、例えば、酸素の陽イオン（Ｏ＋）やアルゴンの陽イオン（Ａｒ＋）などである。
【０２６３】
ここで、ターゲット５１３０は、複数の結晶粒を有する多結晶構造を有し、いずれかの結晶粒には劈開面が含まれる。図２９（Ａ）に、一例として、ターゲット５１３０に含まれるＩｎＧａＺｎＯ４の結晶の構造を示す。なお、図２９（Ａ）は、ｃ軸を上向きとし、ｂ軸に平行な方向からＩｎＧａＺｎＯ４の結晶を観察した場合の構造である。
【０２６４】
図２９（Ａ）より、近接する二つのＧａ−Ｚｎ−Ｏ層において、それぞれの層における酸素原子同士が近距離に配置されていることがわかる。そして、酸素原子が負の電荷を有することにより、近接する二つのＧａ−Ｚｎ−Ｏ層の間には斥力が生じる。その結果、ＩｎＧａＺｎＯ４の結晶は、近接する二つのＧａ−Ｚｎ−Ｏ層の間に劈開面を有する。
【０２６５】
高密度プラズマ領域で生じたイオン５１０１は、電界によってターゲット５１３０側に加速され、やがてターゲット５１３０と衝突する。このとき、劈開面から平板状またはペレット状のスパッタ粒子であるペレット５１００ａおよびペレット５１００ｂが剥離し、叩き出される。なお、ペレット５１００ａおよびペレット５１００ｂは、イオン５１０１の衝突の衝撃によって、構造に歪みが生じる場合がある。
【０２６６】
ペレット５１００ａは、三角形、例えば正三角形の平面を有する平板状またはペレット状のスパッタ粒子である。また、ペレット５１００ｂは、六角形、例えば正六角形の平面を有する平板状またはペレット状のスパッタ粒子である。なお、ペレット５１００ａおよびペレット５１００ｂなどの平板状またはペレット状のスパッタ粒子を総称してペレット５１００と呼ぶ。ペレット５１００の平面の形状は、三角形、六角形に限定されない、例えば、三角形が複数個合わさった形状となる場合がある。例えば、三角形（例えば、正三角形）が２個合わさった四角形（例えば、ひし形）となる場合もある。
【０２６７】
ペレット５１００は、成膜ガスの種類などに応じて厚さが決定する。理由は後述するが、ペレット５１００の厚さは、均一にすることが好ましい。また、スパッタ粒子は厚みのないペレット状である方が、厚みのあるサイコロ状であるよりも好ましい。例えば、ペレット５１００は、厚さを０．４ｎｍ以上１ｎｍ以下、好ましくは０．６ｎｍ以上０．８ｎｍ以下とする。また、例えば、ペレット５１００は、幅を１ｎｍ以上３ｎｍ以下、好ましくは１．２ｎｍ以上２．５ｎｍ以下とする。ペレット５１００は、上述の図２７中の（１）で説明した初期核に相当する。例えば、Ｉｎ−Ｇａ−Ｚｎ酸化物を有するターゲット５１３０にイオン５１０１を衝突させると、図２９（Ｂ）に示すように、Ｇａ−Ｚｎ−Ｏ層、Ｉｎ−Ｏ層およびＧａ−Ｚｎ−Ｏ層の３層を有するペレット５１００が剥離する。図２９（Ｃ）に、剥離したペレット５１００をｃ軸に平行な方向から観察した構造を示す。ペレット５１００は、二つのＧａ−Ｚｎ−Ｏ層（パン）と、Ｉｎ−Ｏ層（具）と、を有するナノサイズのサンドイッチ構造と呼ぶこともできる。
【０２６８】
ペレット５１００は、プラズマを通過する際に、側面が負または正に帯電する場合がある。ペレット５１００は、例えば、側面に位置する酸素原子が負に帯電する可能性がある。側面が同じ極性の電荷を有することにより、電荷同士の反発が起こり、平板状またはペレット状の形状を維持することが可能となる。なお、ＣＡＡＣ−ＯＳが、Ｉｎ−Ｇａ−Ｚｎ酸化物である場合、インジウム原子と結合した酸素原子が負に帯電する可能性がある。または、インジウム原子、ガリウム原子または亜鉛原子と結合した酸素原子が負に帯電する可能性がある。また、ペレット５１００は、プラズマを通過する際にインジウム原子、ガリウム原子、亜鉛原子および酸素原子などと結合することで成長する場合がある。上述の図２７中の（２）と（１）の大きさの違いが、プラズマ中での成長分に相当する。ここで、基板５１２０が室温程度である場合、基板５１２０上におけるペレット５１００の成長が起こりにくいためｎｃ−ＯＳとなる（図２８（Ｂ）参照。）。室温程度で成膜できることから、基板５１２０が大面積である場合でもｎｃ−ＯＳの成膜が可能である。なお、ペレット５１００をプラズマ中で成長させるためには、スパッタリング法における成膜電力を高くすることが有効である。成膜電力を高くすることで、ペレット５１００の構造を安定にすることができる。
【０２６９】
図２８（Ａ）および図２８（Ｂ）に示すように、例えば、ペレット５１００は、プラズマ中を凧のように飛翔し、ひらひらと基板５１２０上まで舞い上がっていく。ペレット５１００は電荷を帯びているため、ほかのペレット５１００が既に堆積している領域が近づくと、斥力が生じる。ここで、基板５１２０の上面では、基板５１２０の上面に平行な向きの磁場（水平磁場ともいう。）が生じている。また、基板５１２０およびターゲット５１３０間には、電位差が与えられるため、基板５１２０からターゲット５１３０に向かう方向に電流が流れる。したがって、ペレット５１００は、基板５１２０の上面において、磁場および電流の作用によって、力（ローレンツ力）を受ける。このことは、フレミングの左手の法則によって理解できる。
【０２７０】
ペレット５１００は、原子一つと比べると質量が大きい。そのため、基板５１２０の上面を移動するためには何らかの力を外部から印加することが重要となる。その力の一つが磁場および電流の作用で生じる力である可能性がある。なお、ペレット５１００に、基板５１２０の上面を移動するために十分な力を与えるには、基板５１２０の上面において、基板５１２０の上面に平行な向きの磁場が１０Ｇ以上、好ましくは２０Ｇ以上、さらに好ましくは３０Ｇ以上、より好ましくは５０Ｇ以上となる領域を設けるとよい。または、基板５１２０の上面において、基板５１２０の上面に平行な向きの磁場が、基板５１２０の上面に垂直な向きの磁場の１．５倍以上、好ましくは２倍以上、さらに好ましくは３倍以上、より好ましくは５倍以上となる領域を設けるとよい。
【０２７１】
このとき、マグネットと基板５１２０とが相対的に移動すること、または回転することによって、基板５１２０の上面における水平磁場の向きは変化し続ける。したがって、基板５１２０の上面において、ペレット５１００は、様々な方向から力を受け、様々な方向へ移動することができる。
【０２７２】
また、図２８（Ａ）に示すように基板５１２０が加熱されている場合、ペレット５１００と基板５１２０との間で摩擦などによる抵抗が小さい状態となっている。その結果、ペレット５１００は、基板５１２０の上面を滑空するように移動する。ペレット５１００の移動は、平板面を基板５１２０に向けた状態で起こる。その後、既に堆積しているほかのペレット５１００の側面まで到達すると、側面同士が結合する。このとき、ペレット５１００の側面にある酸素原子が脱離する。脱離した酸素原子によって、ＣＡＡＣ−ＯＳ中の酸素欠損が埋まる場合があるため、欠陥準位密度の低いＣＡＡＣ−ＯＳとなる。なお、基板５１２０の上面の温度は、例えば、１００℃以上５００℃未満、１５０℃以上４５０℃未満、または１７０℃以上４００℃未満とすればよい。したがって、基板５１２０が大面積である場合でもＣＡＡＣ−ＯＳの成膜は可能である。
【０２７３】
また、ペレット５１００は、基板５１２０上で加熱されることにより、原子が再配列し、イオン５１０１の衝突で生じた構造の歪みが緩和される。歪みの緩和されたペレット５１００は、ほとんど単結晶となる。ペレット５１００がほとんど単結晶となることにより、ペレット５１００同士が結合した後に加熱されたとしても、ペレット５１００自体の伸縮はほとんど起こり得ない。したがって、ペレット５１００間の隙間が広がることで結晶粒界などの欠陥を形成し、クレバス化することがない。
【０２７４】
また、ＣＡＡＣ−ＯＳは、単結晶酸化物半導体が一枚板のようになっているのではなく、ペレット５１００（ナノ結晶）の集合体がレンガまたはブロックが積み重なったような配列をしている。また、ペレット５１００同士の間には結晶粒界を有さない。そのため、成膜時の加熱、成膜後の加熱または曲げなどで、ＣＡＡＣ−ＯＳに縮みなどの変形が生じた場合でも、局部応力を緩和する、または歪みを逃がすことが可能である。したがって、可とう性を有する半導体装置に用いることに適した構造である。なお、ｎｃ−ＯＳは、ペレット５１００（ナノ結晶）が無秩序に積み重なったような配列となる。
【０２７５】
ターゲット５１３０をイオン５１０１でスパッタした際に、ペレット５１００だけでなく、酸化亜鉛などが剥離する場合がある。酸化亜鉛はペレット５１００よりも軽量であるため、先に基板５１２０の上面に到達する。そして、０．１ｎｍ以上１０ｎｍ以下、０．２ｎｍ以上５ｎｍ以下、または０．５ｎｍ以上２ｎｍ以下の酸化亜鉛層５１０２を形成する。図３０に断面模式図を示す。
【０２７６】
図３０（Ａ）に示すように、酸化亜鉛層５１０２上にはペレット５１０５ａと、ペレット５１０５ｂと、が堆積する。ここで、ペレット５１０５ａとペレット５１０５ｂとは、互いに側面が接するように配置している。また、ペレット５１０５ｃは、ペレット５１０５ｂ上に堆積した後、ペレット５１０５ｂ上を滑るように移動する。また、ペレット５１０５ａの別の側面において、酸化亜鉛とともにターゲットから剥離した複数の粒子５１０３が、基板５１２０からの加熱により結晶化し、領域５１０５ａ１を形成する。なお、複数の粒子５１０３は、酸素、亜鉛、インジウムおよびガリウムなどを含む可能性がある。
【０２７７】
そして、図３０（Ｂ）に示すように、領域５１０５ａ１は、ペレット５１０５ａと一体化し、ペレット５１０５ａ２となる。また、ペレット５１０５ｃは、その側面がペレット５１０５ｂの別の側面と接するように配置する。
【０２７８】
次に、図３０（Ｃ）に示すように、さらにペレット５１０５ｄがペレット５１０５ａ２上およびペレット５１０５ｂ上に堆積した後、ペレット５１０５ａ２上およびペレット５１０５ｂ上を滑るように移動する。また、ペレット５１０５ｃの別の側面に向けて、さらにペレット５１０５ｅが酸化亜鉛層５１０２上を滑るように移動する。
【０２７９】
そして、図３０（Ｄ）に示すように、ペレット５１０５ｄは、その側面がペレット５１０５ａ２の側面と接するように配置する。また、ペレット５１０５ｅは、その側面がペレット５１０５ｃの別の側面と接するように配置する。また、ペレット５１０５ｄの別の側面において、酸化亜鉛とともにターゲット５１３０から剥離した複数の粒子５１０３が基板５１２０の加熱により結晶化し、領域５１０５ｄ１を形成する。
【０２８０】
以上のように、堆積したペレット同士が接するように配置し、ペレットの側面において成長が起こることで、基板５１２０上にＣＡＡＣ−ＯＳが形成される。したがって、ＣＡＡＣ−ＯＳは、ｎｃ−ＯＳよりも一つ一つのペレットが大きくなる。上述の図２７中の（３）と（２）の大きさの違いが、堆積後の成長分に相当する。
【０２８１】
また、ペレット同士の隙間が極めて小さくなることで、一つの大きなペレットが形成される場合がある。一つの大きなペレットは、単結晶構造を有する。例えば、ペレットの大きさが、上面から見て１０ｎｍ以上２００ｎｍ以下、１５ｎｍ以上１００ｎｍ以下、または２０ｎｍ以上５０ｎｍ以下となる場合がある。このとき、微細なトランジスタに用いる酸化物半導体において、チャネル形成領域が、一つの大きなペレットに収まる場合がある。すなわち、単結晶構造を有する領域をチャネル形成領域として用いることができる。また、ペレットが大きくなることで、単結晶構造を有する領域をトランジスタのチャネル形成領域、ソース領域およびドレイン領域として用いることができる場合がある。
【０２８２】
このように、トランジスタのチャネル形成領域などが、単結晶構造を有する領域に形成されることによって、トランジスタの周波数特性を高くすることができる場合がある。
【０２８３】
以上のようなモデルにより、ペレット５１００が基板５１２０上に堆積していくと考えられる。被形成面が結晶構造を有さない場合においても、ＣＡＡＣ−ＯＳの成膜が可能であることから、エピタキシャル成長とは異なる成長機構であることがわかる。また、ＣＡＡＣ−ＯＳは、レーザ結晶化が不要であり、大面積のガラス基板などであっても均一な成膜が可能である。例えば、基板５１２０の上面（被形成面）の構造が非晶質構造（例えば非晶質酸化シリコン）であっても、ＣＡＡＣ−ＯＳを成膜することは可能である。
【０２８４】
また、ＣＡＡＣ−ＯＳは、被形成面である基板５１２０の上面に凹凸がある場合でも、その形状に沿ってペレット５１００が配列することがわかる。例えば、基板５１２０の上面が原子レベルで平坦な場合、ペレット５１００はａｂ面と平行な平面である平板面を下に向けて並置する。ペレット５１００の厚さが均一である場合、厚さが均一で平坦、かつ高い結晶性を有する層が形成される。そして、当該層がｎ段（ｎは自然数。）積み重なることで、ＣＡＡＣ−ＯＳを得ることができる。
【０２８５】
一方、基板５１２０の上面が凹凸を有する場合でも、ＣＡＡＣ−ＯＳは、ペレット５１００が凹凸に沿って並置した層がｎ段（ｎは自然数。）積み重なった構造となる。基板５１２０が凹凸を有するため、ＣＡＡＣ−ＯＳは、ペレット５１００間に隙間が生じやすい場合がある。ただし、この場合でも、ペレット５１００間で分子間力が働き、凹凸があってもペレット間の隙間はなるべく小さくなるように配列する。したがって、凹凸があっても高い結晶性を有するＣＡＡＣ−ＯＳとすることができる。
【０２８６】
このようなモデルによってＣＡＡＣ−ＯＳが成膜されるため、スパッタ粒子が厚みのないペレット状である方が好ましい。なお、スパッタ粒子が厚みのあるサイコロ状である場合、基板５１２０上に向ける面が一定とならず、厚さや結晶の配向を均一にできない場合がある。
【０２８７】
以上に示した成膜モデルにより、非晶質構造を有する被形成面上であっても、高い結晶性を有するＣＡＡＣ−ＯＳを得ることができる。
【０２８８】
以上のいずれかの構造を有する酸化物半導体膜を用いて本発明の一態様に係る半導体装置を構成することができる。
【０２８９】
以上、本実施の形態で示す構成、方法は、他の実施の形態で示す構成、方法と適宜組み合わせて用いることができる。
【０２９０】
（実施の形態４）
本実施の形態では、本発明の一態様の半導体装置を用いることができる表示装置について、図１５を用いて説明を行う。
【０２９１】
図１５（Ａ）に示す表示装置は、表示素子の画素を有する領域（以下、画素部３０２という）と、画素部３０２の外側に配置され、画素を駆動するための回路を有する回路部（以下、駆動回路部３０４という）と、素子の保護機能を有する回路（以下、保護回路３０６という）と、端子部３０７と、を有する。なお、保護回路３０６は、設けない構成としてもよい。
【０２９２】
駆動回路部３０４の一部、または全部は、画素部３０２と同一基板上に形成されていることが望ましい。これにより、部品数や端子数を減らすことが出来る。駆動回路部３０４の一部、または全部が、画素部３０２と同一基板上に形成されていない場合には、駆動回路部３０４の一部、または全部は、ＣＯＧ（Ｃｈｉｐ  Ｏｎ  Ｇｌａｓｓ）やＴＡＢ（Ｔａｐｅ  Ａｕｔｏｍａｔｅｄ  Ｂｏｎｄｉｎｇ）によって、実装することができる。
【０２９３】
画素部３０２は、Ｘ行（Ｘは２以上の自然数）Ｙ列（Ｙは２以上の自然数）に配置された複数の表示素子を駆動するための回路（以下、画素回路３０１という）を有し、駆動回路部３０４は、画素を選択する信号（走査信号）を出力する回路（以下、ゲートドライバ３０４ａという）、画素の表示素子を駆動するための信号（データ信号）を供給するための回路（以下、ソースドライバ３０４ｂ）などの駆動回路を有する。
【０２９４】
ゲートドライバ３０４ａは、シフトレジスタ等を有する。ゲートドライバ３０４ａは、端子部３０７を介して、シフトレジスタを駆動するための信号が入力され、信号を出力する。例えば、ゲートドライバ３０４ａは、スタートパルス信号、クロック信号等が入力され、パルス信号を出力する。ゲートドライバ３０４ａは、走査信号が与えられる配線（以下、走査線ＧＬ＿１乃至ＧＬ＿Ｘという）の電位を制御する機能を有する。なお、ゲートドライバ３０４ａを複数設け、複数のゲートドライバ３０４ａにより、走査線ＧＬ＿１乃至ＧＬ＿Ｘを分割して制御してもよい。または、ゲートドライバ３０４ａは、初期化信号を供給することができる機能を有する。ただし、これに限定されず、ゲートドライバ３０４ａは、別の信号を供給することも可能である。
【０２９５】
ソースドライバ３０４ｂは、シフトレジスタ等を有する。ソースドライバ３０４ｂは、端子部３０７を介して、シフトレジスタを駆動するための信号の他、データ信号の元となる信号（画像信号）が入力される。ソースドライバ３０４ｂは、画像信号を元に画素回路３０１に書き込むデータ信号を生成する機能を有する。また、ソースドライバ３０４ｂは、スタートパルス、クロック信号等が入力されて得られるパルス信号に従って、データ信号の出力を制御する機能を有する。また、ソースドライバ３０４ｂは、データ信号が与えられる配線（以下、データ線ＤＬ＿１乃至ＤＬ＿Ｙという）の電位を制御する機能を有する。または、ソースドライバ３０４ｂは、初期化信号を供給することができる機能を有する。ただし、これに限定されず、ソースドライバ３０４ｂは、別の信号を供給することも可能である。
【０２９６】
ソースドライバ３０４ｂは、例えば複数のアナログスイッチなどを用いて構成される。ソースドライバ３０４ｂは、複数のアナログスイッチを順次オン状態にすることにより、画像信号を時分割した信号をデータ信号として出力できる。また、シフトレジスタなどを用いてソースドライバ３０４ｂを構成してもよい。
【０２９７】
複数の画素回路３０１のそれぞれは、走査信号が与えられる複数の走査線ＧＬの一つを介してパルス信号が入力され、データ信号が与えられる複数のデータ線ＤＬの一つを介してデータ信号が入力される。また、複数の画素回路３０１のそれぞれは、ゲートドライバ３０４ａによりデータ信号のデータの書き込み及び保持が制御される。例えば、ｍ行ｎ列目の画素回路３０１は、走査線ＧＬ＿ｍ（ｍはＸ以下の自然数）を介してゲートドライバ３０４ａからパルス信号が入力され、走査線ＧＬ＿ｍの電位に応じてデータ線ＤＬ＿ｎ（ｎはＹ以下の自然数）を介してソースドライバ３０４ｂからデータ信号が入力される。
【０２９８】
図１５（Ａ）に示す保護回路３０６は、例えば、ゲートドライバ３０４ａと画素回路３０１の間の配線である走査線ＧＬに接続される。または、保護回路３０６は、ソースドライバ３０４ｂと画素回路３０１の間の配線であるデータ線ＤＬに接続される。または、保護回路３０６は、ゲートドライバ３０４ａと端子部３０７との間の配線に接続することができる。または、保護回路３０６は、ソースドライバ３０４ｂと端子部３０７との間の配線に接続することができる。なお、端子部３０７は、外部の回路から表示装置に電源及び制御信号、及び画像信号を入力するための端子が設けられた部分をいう。
【０２９９】
保護回路３０６は、自身が接続する配線に一定の範囲外の電位が与えられたときに、該配線と別の配線とを導通状態にする回路である。
【０３００】
図１５（Ａ）に示すように、画素部３０２と駆動回路部３０４にそれぞれ保護回路３０６を設けることにより、ＥＳＤ（Ｅｌｅｃｔｒｏ  Ｓｔａｔｉｃ  Ｄｉｓｃｈａｒｇｅ：静電気放電）などにより発生する過電流に対する表示装置の耐性を高めることができる。ただし、保護回路３０６の構成はこれに限定されず、例えば、ゲートドライバ３０４ａに保護回路３０６を接続した構成、またはソースドライバ３０４ｂに保護回路３０６を接続した構成とすることもできる。あるいは、端子部３０７に保護回路３０６を接続した構成とすることもできる。
【０３０１】
また、図１５（Ａ）においては、ゲートドライバ３０４ａとソースドライバ３０４ｂによって駆動回路部３０４を形成している例を示しているが、この構成に限定されない。例えば、ゲートドライバ３０４ａのみを形成し、別途用意されたソースドライバ回路が形成された基板（例えば、単結晶半導体膜、多結晶半導体膜で形成された駆動回路基板）を実装する構成としても良い。
【０３０２】
また、図１５（Ａ）に示す複数の画素回路３０１は、例えば、図１５（Ｂ）に示す構成とすることができる。
【０３０３】
図１５（Ｂ）に示す画素回路３０１は、液晶素子３７０と、トランジスタ３５０と、容量素子３６０と、を有する。
【０３０４】
また、本発明の一態様の半導体装置は、例えば、トランジスタ３５０に適用することができる。トランジスタ３５０として、先の実施の形態に示すトランジスタ１５０、１６０、１６２、１６４等を適用することができる。
【０３０５】
液晶素子３７０の一対の電極の一方の電位は、画素回路３０１の仕様に応じて適宜設定される。液晶素子３７０は、書き込まれるデータにより配向状態が設定される。なお、複数の画素回路３０１のそれぞれが有する液晶素子３７０の一対の電極の一方に共通の電位（コモン電位）を与えてもよい。また、各行の画素回路３０１の液晶素子３７０の一対の電極の一方に異なる電位を与えてもよい。
【０３０６】
例えば、液晶素子３７０を備える表示装置の駆動方法としては、ＴＮモード、ＳＴＮモード、ＶＡモード、ＡＳＭ（Ａｘｉａｌｌｙ  Ｓｙｍｍｅｔｒｉｃ  Ａｌｉｇｎｅｄ  Ｍｉｃｒｏ−ｃｅｌｌ）モード、ＯＣＢ（Ｏｐｔｉｃａｌｌｙ  Ｃｏｍｐｅｎｓａｔｅｄ  Ｂｉｒｅｆｒｉｎｇｅｎｃｅ）モード、ＦＬＣ（Ｆｅｒｒｏｅｌｅｃｔｒｉｃ  Ｌｉｑｕｉｄ  Ｃｒｙｓｔａｌ）モード、ＡＦＬＣ（ＡｎｔｉＦｅｒｒｏｅｌｅｃｔｒｉｃ  Ｌｉｑｕｉｄ  Ｃｒｙｓｔａｌ）モード、ＭＶＡモード、ＰＶＡ（Ｐａｔｔｅｒｎｅｄ  Ｖｅｒｔｉｃａｌ  Ａｌｉｇｎｍｅｎｔ）モード、ＩＰＳモード、ＦＦＳモード、又はＴＢＡ（Ｔｒａｎｓｖｅｒｓｅ  Ｂｅｎｄ  Ａｌｉｇｎｍｅｎｔ）モードなどを用いてもよい。また、表示装置の駆動方法としては、上述した駆動方法の他、ＥＣＢ（Ｅｌｅｃｔｒｉｃａｌｌｙ  Ｃｏｎｔｒｏｌｌｅｄ  Ｂｉｒｅｆｒｉｎｇｅｎｃｅ）モード、ＰＤＬＣ（Ｐｏｌｙｍｅｒ  Ｄｉｓｐｅｒｓｅｄ  Ｌｉｑｕｉｄ  Ｃｒｙｓｔａｌ）モード、ＰＮＬＣ（Ｐｏｌｙｍｅｒ  Ｎｅｔｗｏｒｋ  Ｌｉｑｕｉｄ  Ｃｒｙｓｔａｌ）モード、ゲストホストモードなどがある。ただし、これに限定されず、液晶素子及びその駆動方式として様々なものを用いることができる。
【０３０７】
また、ブルー相（Ｂｌｕｅ  Ｐｈａｓｅ）を示す液晶とカイラル剤とを含む液晶組成物により液晶素子を構成してもよい。ブルー相を示す液晶は、応答速度が１ｍｓｅｃ以下と短く、光学的等方性である。また、ブルー相を示す液晶は、配向処理が不要であり、視野角依存性が小さい。
【０３０８】
ｍ行ｎ列目の画素回路３０１において、トランジスタ３５０のソース電極またはドレイン電極の一方は、データ線ＤＬ＿ｎに電気的に接続され、他方は液晶素子３７０の一対の電極の他方に電気的に接続される。また、トランジスタ３５０のゲート電極は、走査線ＧＬ＿ｍに電気的に接続される。トランジスタ３５０は、オン状態またはオフ状態になることにより、データ信号のデータの書き込みを制御する機能を有する。
【０３０９】
容量素子３６０の一対の電極の一方は、電位が供給される配線（以下、電位供給線ＶＬ）に電気的に接続され、他方は、液晶素子３７０の一対の電極の他方に電気的に接続される。なお、電位供給線ＶＬの電位の値は、画素回路３０１の仕様に応じて適宜設定される。容量素子３６０は、書き込まれたデータを保持する保持容量としての機能を有する。
【０３１０】
例えば、図１５（Ｂ）の画素回路３０１を有する表示装置では、例えば、図１５（Ａ）に示すゲートドライバ３０４ａにより各行の画素回路３０１を順次選択し、トランジスタ３５０をオン状態にしてデータ信号のデータを書き込む。
【０３１１】
データが書き込まれた画素回路３０１は、トランジスタ３５０がオフ状態になることで保持状態になる。これを行毎に順次行うことにより、画像を表示できる。
【０３１２】
また、図１５（Ａ）に示す複数の画素回路３０１は、例えば、図１５（Ｃ）に示す構成とすることができる。
【０３１３】
また、図１５（Ｃ）に示す画素回路３０１は、トランジスタ３５２、３５４と、容量素子３６２と、発光素子３７２と、を有する。ここでは、トランジスタ３５２及びトランジスタ３５４いずれか一方または双方に先の実施の形態に示すトランジスタ１５０、１６０、１６２、１６４等を適用することができる。
【０３１４】
トランジスタ３５２のソース電極及びドレイン電極の一方は、データ信号が与えられる配線（以下、信号線ＤＬ＿ｎという）に電気的に接続される。さらに、トランジスタ３５２のゲート電極は、ゲート信号が与えられる配線（以下、走査線ＧＬ＿ｍという）に電気的に接続される。
【０３１５】
トランジスタ３５２は、オン状態またはオフ状態になることにより、データ信号のデータの書き込みを制御する機能を有する。
【０３１６】
容量素子３６２の一対の電極の一方は、電位が与えられる配線（以下、電位供給線ＶＬ＿ａという）に電気的に接続され、他方は、トランジスタ３５２のソース電極及びドレイン電極の他方に電気的に接続される。
【０３１７】
容量素子３６２は、書き込まれたデータを保持する保持容量としての機能を有する。
【０３１８】
トランジスタ３５４のソース電極及びドレイン電極の一方は、電位供給線ＶＬ＿ａに電気的に接続される。さらに、トランジスタ３５４のゲート電極は、トランジスタ３５２のソース電極及びドレイン電極の他方に電気的に接続される。
【０３１９】
発光素子３７２のアノード及びカソードの一方は、電位供給線ＶＬ＿ｂに電気的に接続され、他方は、トランジスタ３５４のソース電極及びドレイン電極の他方に電気的に接続される。
【０３２０】
発光素子３７２としては、例えば有機エレクトロルミネセンス素子（有機ＥＬ素子ともいう）などを用いることができる。ただし、発光素子３７２としては、これに限定されず、無機材料からなる無機ＥＬ素子を用いても良い。
【０３２１】
なお、電位供給線ＶＬ＿ａ及び電位供給線ＶＬ＿ｂの一方には、高電源電位ＶＤＤが与えられ、他方には、低電源電位ＶＳＳが与えられる。
【０３２２】
図１５（Ｃ）の画素回路３０１を有する表示装置では、例えば、図１５（Ａ）に示すゲートドライバ３０４ａにより各行の画素回路３０１を順次選択し、トランジスタ３５２をオン状態にしてデータ信号のデータを書き込む。
【０３２３】
データが書き込まれた画素回路３０１は、トランジスタ３５２がオフ状態になることで保持状態になる。さらに、書き込まれたデータ信号の電位に応じてトランジスタ３５４のソース電極とドレイン電極の間に流れる電流量が制御され、発光素子３７２は、流れる電流量に応じた輝度で発光する。これを行毎に順次行うことにより、画像を表示できる。
【０３２４】
本実施の形態に示す構成は、他の実施の形態に示す構成と適宜組み合わせて用いることができる。
【０３２５】
（実施の形態５）
本実施の形態では、本発明の一態様の半導体装置を用いることができる表示モジュール及び電子機器について、図１６及び図１７を用いて説明を行う。
【０３２６】
図１６に示す表示モジュール８０００は、上部カバー８００１と下部カバー８００２との間に、ＦＰＣ８００３に接続されたタッチパネル８００４、ＦＰＣ８００５に接続された表示パネル８００６、バックライトユニット８００７、フレーム８００９、プリント基板８０１０、バッテリー８０１１を有する。
【０３２７】
本発明の一態様の半導体装置は、例えば、表示パネル８００６に用いることができる。
【０３２８】
上部カバー８００１及び下部カバー８００２は、タッチパネル８００４及び表示パネル８００６のサイズに合わせて、形状や寸法を適宜変更することができる。
【０３２９】
タッチパネル８００４は、抵抗膜方式または静電容量方式のタッチパネルを表示パネル８００６に重畳して用いることができる。また、表示パネル８００６の対向基板（封止基板）に、タッチパネル機能を持たせるようにすることも可能である。また、表示パネル８００６の各画素内に光センサを設け、光学式のタッチパネルとすることも可能である。
【０３３０】
バックライトユニット８００７は、光源８００８を有する。光源８００８は、バックライトユニット８００７の端部に設け、光拡散板を用いる構成としてもよい。
【０３３１】
フレーム８００９は、表示パネル８００６の保護機能の他、プリント基板８０１０の動作により発生する電磁波を遮断するための電磁シールドとしての機能を有する。またフレーム８００９は、放熱板としての機能を有していてもよい。
【０３３２】
プリント基板８０１０は、電源回路、ビデオ信号及びクロック信号を出力するための信号処理回路を有する。電源回路に電力を供給する電源としては、外部の商用電源であっても良いし、別途設けたバッテリー８０１１による電源であってもよい。バッテリー８０１１は、商用電源を用いる場合には、省略可能である。
【０３３３】
また、表示モジュール８０００は、偏光板、位相差板、プリズムシートなどの部材を追加して設けてもよい。
【０３３４】
図１７（Ａ）乃至図１７（Ｈ）は、電子機器を示す図である。これらの電子機器は、筐体５０００、表示部５００１、スピーカ５００３、ＬＥＤランプ５００４、操作キー５００５（電源スイッチ、又は操作スイッチを含む）、接続端子５００６、センサ５００７（力、変位、位置、速度、加速度、角速度、回転数、距離、光、液、磁気、温度、化学物質、音声、時間、硬度、電場、電流、電圧、電力、放射線、流量、湿度、傾度、振動、におい又は赤外線を測定する機能を含むもの）、マイクロフォン５００８、等を有することができる。
【０３３５】
図１７（Ａ）はモバイルコンピュータであり、上述したものの他に、スイッチ５００９、赤外線ポート５０１０、等を有することができる。図１７（Ｂ）は記録媒体を備えた携帯型の画像再生装置（たとえば、ＤＶＤ再生装置）であり、上述したものの他に、第２表示部５００２、記録媒体読込部５０１１、等を有することができる。図１７（Ｃ）はゴーグル型ディスプレイであり、上述したものの他に、第２表示部５００２、支持部５０１２、イヤホン５０１３、等を有することができる。図１７（Ｄ）は携帯型遊技機であり、上述したものの他に、記録媒体読込部５０１１、等を有することができる。図１７（Ｅ）はテレビ受像機能付きデジタルカメラであり、上述したものの他に、アンテナ５０１４、シャッターボタン５０１５、受像部５０１６、等を有することができる。図１７（Ｆ）は携帯型遊技機であり、上述したものの他に、第２表示部５００２、記録媒体読込部５０１１、等を有することができる。図１７（Ｇ）はテレビ受像器であり、上述したものの他に、チューナ、画像処理部、等を有することができる。図１７（Ｈ）は持ち運び型テレビ受像器であり、上述したものの他に、信号の送受信が可能な充電器５０１７、等を有することができる。
【０３３６】
図１７（Ａ）乃至図１７（Ｈ）に示す電子機器は、様々な機能を有することができる。例えば、様々な情報（静止画、動画、テキスト画像など）を表示部に表示する機能、タッチパネル機能、カレンダー、日付又は時刻などを表示する機能、様々なソフトウェア（プログラム）によって処理を制御する機能、無線通信機能、無線通信機能を用いて様々なコンピュータネットワークに接続する機能、無線通信機能を用いて様々なデータの送信又は受信を行う機能、記録媒体に記録されているプログラム又はデータを読み出して表示部に表示する機能、等を有することができる。さらに、複数の表示部を有する電子機器においては、一つの表示部を主として画像情報を表示し、別の一つの表示部を主として文字情報を表示する機能、または、複数の表示部に視差を考慮した画像を表示することで立体的な画像を表示する機能、等を有することができる。さらに、受像部を有する電子機器においては、静止画を撮影する機能、動画を撮影する機能、撮影した画像を自動または手動で補正する機能、撮影した画像を記録媒体（外部又はカメラに内蔵）に保存する機能、撮影した画像を表示部に表示する機能、等を有することができる。なお、図１７（Ａ）乃至図１７（Ｈ）に示す電子機器が有することのできる機能はこれらに限定されず、様々な機能を有することができる。
【０３３７】
本実施の形態において述べた電子機器は、何らかの情報を表示するための表示部を有することを特徴とする。なお、本発明の一態様の半導体装置は、表示部を有さない電子機器にも適用することができる。
【０３３８】
本実施の形態に示す構成は、他の実施の形態に示す構成と適宜組み合わせて用いることができる。
【０３３９】
（実施の形態６）
本実施の形態では、本発明の一態様の半導体装置を用いた発光装置について、図１８を用いて説明する。
【０３４０】
＜本発明の一態様の半導体装置を用いた発光装置の具体例＞
図１８（Ａ）に発光装置４００の上面図を示し、図１８（Ａ）における一点鎖線Ｖ１−Ｖ２間の断面図の一例を図１８（Ｂ）に示す。なお、図１８（Ａ）の上面図において、図面の煩雑さを避けるために、構成要素の一部を省略している。
【０３４１】
図１８（Ａ）において、本発明の一態様の半導体装置を用いた発光装置は、可撓性を有する基板４１６と、可撓性を有する基板４１６上の表示部４０４と、表示部４０４の外側に配置される駆動回路部４０６と、駆動回路部４０６と電気的に接続されるＦＰＣ４０８と、を有する。
【０３４２】
また、図１８（Ｂ）において、本発明の一態様の半導体装置を用いた発光装置は、可撓性を有する基板４１６と、接着層４１８と、素子層４１０と、封止層４３２と、素子層４１１と、接着層４１２、可撓性を有する基板４１４と、を有する。また、素子層４１０は、絶縁膜４２０と、複数のトランジスタ（例えば、トランジスタ４７０）と、導電層４２２と、絶縁膜４２４、４２６、４２８と、複数の発光素子（例えば、発光素子４８０）と、絶縁膜４３０と、を有する。また、素子層４１１は、絶縁膜４３４と、着色層４３６と、遮光層４３８と、及び絶縁膜４４０と、を有する。なお、素子層４１０と素子層４１１は、封止層４３２を介して対向して配置される。
【０３４３】
また、複数のトランジスタ（例えば、トランジスタ４７０）には、先の実施の形態で説明したトランジスタ１５０、１６０、１６２、１６４を適用することができる。なお、図１８（Ｂ）において、トランジスタ４７０としては、図１（Ｂ）に示すトランジスタ１５０を適用した構成を例示している。
【０３４４】
また、導電層４２２は、接続体４４２を介してＦＰＣ４０８と電気的に接続する。導電層４２２は、例えば、トランジスタ４７０のソース電極層及びドレイン電極層として機能する導電膜と同一の工程で形成される。
【０３４５】
発光素子４８０は、下部電極４４４、ＥＬ層４４６、及び上部電極４４８を有する。下部電極４４４は、トランジスタ４７０のソース電極層またはドレイン電極層と電気的に接続される。また、下部電極４４４の端部は、絶縁膜４３０で覆われている。なお、発光素子４８０はトップエミッション構造である。また、上部電極４４８は透光性を有し、ＥＬ層４４６が発する光を透過する。なお、本実施の形態においては、トップエミッション構造について、例示するが、これに限定されない。例えば、下部電極４４４側に光を射出するボトムエミッション構造や、下部電極４４４及び上部電極４４８の双方に光を射出するデュアルエミッション構造にも適用することができる。
【０３４６】
また、発光素子４８０と重なる位置に、着色層４３６が設けられ、絶縁膜４３０と重なる位置に遮光層４３８が設けられている。着色層４３６及び遮光層４３８は、絶縁膜４３４で覆われている。発光素子４８０と絶縁膜４３４の間は封止層４３２で充填されている。
【０３４７】
図１８（Ａ）、（Ｂ）に示す本発明の一態様の半導体装置を用いた発光装置は、表示部４０４及び駆動回路部４０６に、複数のトランジスタを有する。トランジスタ４７０は、絶縁膜４２０上に設けられている。絶縁膜４２０と可撓性を有する基板４１６は接着層４１８によって貼り合わされている。また、絶縁膜４４０と可撓性を有する基板４１４は接着層４１２によって貼り合わされている。絶縁膜４２０や絶縁膜４４０に透水性の低い膜を用いると、発光素子４８０やトランジスタ４７０に水等の不純物が入り込むことを抑制でき、発光装置の信頼性が高くなるため好ましい。
【０３４８】
また、図１８（Ｂ）に示すトランジスタ４７０は、先の実施の形態に示すトランジスタ１５０に用いる材料及び形成方法を参酌することで形成できる。
【０３４９】
接着層４１２、４１８には、例えば、二液混合型の樹脂などの常温で硬化する硬化樹脂、光硬化性の樹脂、熱硬化性の樹脂などの樹脂を用いることができる。例えば、エポキシ樹脂、アクリル樹脂、シリコーン樹脂、フェノール樹脂等が挙げられる。特に、エポキシ樹脂等の透湿性が低い材料が好ましい。
【０３５０】
また、上記樹脂に乾燥剤を含んでいてもよい。例えば、アルカリ土類金属の酸化物（酸化カルシウムや酸化バリウム等）のように、化学吸着によって水分を吸着する物質を用いることができる。または、ゼオライトやシリカゲル等のように、物理吸着によって水分を吸着する物質を用いてもよい。乾燥剤が含まれていると、水分などの不純物が発光素子に侵入することを抑制でき、発光装置の信頼性が向上するため好ましい。
【０３５１】
また、上記樹脂に屈折率の高いフィラー（酸化チタン等）を混合することにより、発光素子からの光取り出し効率を向上させることができ、好ましい。
【０３５２】
また、接着層４１２、４１８には、光を散乱させる散乱部材を有していてもよい。例えば、接着層４１２、４１８には、上記樹脂と上記樹脂と屈折率が異なる粒子との混合物を用いることもできる。該粒子は光の散乱部材として機能する。樹脂と、該樹脂と屈折率の異なる粒子は、屈折率の差が０．１以上あることが好ましく、０．３以上あることがより好ましい。具体的には樹脂としては、エポキシ樹脂、アクリル樹脂、イミド樹脂、シリコーン等を用いることができる。また粒子としては、酸化チタン、酸化バリウム、ゼオライト等を用いることができる。酸化チタンおよび酸化バリウムの粒子は、光を散乱させる性質が強く好ましい。またゼオライトを用いると、樹脂等の有する水を吸着することができ、発光素子の信頼性を向上させることができる。
【０３５３】
本実施の形態における具体例では、耐熱性の高い基板上で素子層４１０を作製したあとに、該耐熱性の高い基板から素子層４１０を剥離し、接着層４１８を用いて可撓性を有する基板４１６上に素子層４１０を転置することで作製できる発光装置を示している。また、本実施の形態における具体例では、耐熱性の高い基板上で素子層４１１を作製し、該耐熱性の高い基板から素子層４１１を剥離し、接着層４１２を用いて可撓性を有する基板４１４上に素子層４１１を転置することで作製できる発光装置を示している。
【０３５４】
可撓性を有する基板４１４、４１６として、例えば、透水性が高く耐熱性が低い材料（樹脂など）を用いる場合、作製工程を高温（例えば、３００℃）にすることが難しいため、可撓性を有する基板４１４、４１６上にトランジスタや絶縁膜を作製する条件に制限が生じてしまう。本実施の形態の作製方法では、耐熱性の高い基板上でトランジスタ等の作製を行えるため、信頼性の高いトランジスタや十分に透水性の低い絶縁膜を形成することができる。そして、それらを可撓性を有する基板４１４や可撓性を有する基板４１６へと転置することで、信頼性の高い発光装置を作製できる。これにより、本発明の一態様では、軽量もしくは薄型であり、且つ信頼性の高い発光装置を実現できる。
【０３５５】
可撓性を有する基板４１４及び可撓性を有する基板４１６には、それぞれ、靱性が高い材料を用いることが好ましい。これにより、耐衝撃性に優れ、破損しにくい発光装置を実現できる。例えば、可撓性を有する基板４１４、４１６を有機樹脂基板とすることで、基材にガラス基板を用いる場合に比べて、軽量であり、破損しにくい発光装置４００を実現できる。別言すると、本発明の一態様の半導体装置を用いた発光装置４００は、所謂フレキシブル性を有する。
【０３５６】
また、可撓性を有する基板４１６に、熱放射率が高い材料を用いると発光装置の表面温度が高くなることを抑制でき、発光装置の破壊や信頼性の低下を抑制できる。例えば、可撓性を有する基板４１６を金属基板と熱放射率の高い層（例えば、金属酸化物やセラミック材料を用いることができる）の積層構造としてもよい。
【０３５７】
ここで、図１８に示す本発明の一態様の半導体装置を用いた発光装置の作製方法について、図１９を用いて以下詳細に説明を行う。なお、図１９において、図面の煩雑さを避けるために、図１８に示す素子層４１０、４１１等を簡略して図示している。
【０３５８】
＜本発明の一態様の半導体装置を用いた発光装置の作製方法＞
まず、基板５０２上に剥離層５０４を形成し、剥離層５０４上に素子層４１０を形成する（図１９（Ａ）参照）。
【０３５９】
基板５０２としては、少なくとも、後の熱処理に耐えうる程度の耐熱性を有している必要がある。例えば、ガラス基板、セラミック基板、石英基板、サファイア基板等を、基板５０２として用いてもよい。
【０３６０】
基板５０２にガラス基板を用いる場合、基板５０２と剥離層５０４との間に、酸化シリコン膜、酸化窒化シリコン膜、窒化シリコン膜、窒化酸化シリコン膜等の絶縁膜を形成すると、ガラス基板からの汚染を防止でき、好ましい。
【０３６１】
剥離層５０４には、例えば、アクリル樹脂、ポリイミド樹脂、ポリアミド樹脂、ポリアミドイミド樹脂等の有機樹脂膜を用いることができる。中でもポリイミド樹脂を用いると耐熱性が高いため好ましい。剥離層５０４として、例えば、ポリイミド樹脂を用いる場合、該ポリイミド樹脂の膜厚は、３ｎｍ以上２０μｍ以下、好ましくは５ｎｍ以上１μｍ以下、さらに好ましくは５ｎｍ以上２０ｎｍ以下である。剥離層５０４として、ポリイミド樹脂を用いる場合、スピンコート法、ディップコート法、ドクターブレード法等により形成することができる。例えば、剥離層５０４として、ポリイミド樹脂を用いる場合、該ポリイミド樹脂をドクターブレード法により、余分な樹脂を除去することで所望の厚さを得ることができる。
【０３６２】
素子層４１０としては、先の実施の形態に示すトランジスタ１５０の作製方法を参酌することで、トランジスタ４７０を形成することが可能である。本実施の形態においては、トランジスタ４７０以外の構成の作製方法について、以下詳細に説明を行う。なお、素子層４１０としては、トランジスタ４７０を含む全ての構成の形成温度が室温以上３００℃以下であると好ましい。例えば、素子層４１０に形成される無機材料で形成される絶縁膜または導電膜は、形成温度が１５０℃以上３００℃以下、好ましくは２００℃以上２７０℃以下で形成される。また、素子層４１０に形成される有機材料で形成される絶縁膜等は、形成温度が室温以上１００℃以下で形成される。
【０３６３】
素子層４１０が有する絶縁膜４２０としては、例えば、透湿性の低い無機絶縁材料で形成すると好ましい。該無機絶縁材料としては、例えば、酸化シリコン膜、窒化シリコン膜、酸化窒化シリコン膜、窒化酸化シリコン膜、酸化アルミニウム膜などを用いることができる。
【０３６４】
また、素子層４１０が有する絶縁膜４２４は、先の実施の形態に示す、絶縁膜１１４に記載の材料及び形成方法を参酌することで形成できる。また、絶縁膜４２６は、先の実施の形態に示す、絶縁膜１１６に記載の材料及び形成方法を参酌することで形成できる。また、絶縁膜４２８は、先の実施の形態に示す、絶縁膜１２２に記載の材料及び形成方法を参酌することで形成できる。
【０３６５】
また、素子層４１０が有する下部電極４４４、ＥＬ層４４６、上部電極４４８、及び絶縁膜４３０は、以下の方法で形成することができる。
【０３６６】
下部電極４４４としては、例えば、可視光において反射性の高い金属膜を用いると好ましい。該金属膜としては、例えば、アルミニウム、銀、またはこれらの合金等を用いることができる。また、下部電極４４４としては、例えば、スパッタリング法を用いて形成することができる。
【０３６７】
ＥＬ層４４６としては、下部電極４４４と上部電極４４８から注入される正孔と電子とが再結合し発光できる発光材料を用いればよい。また、該発光材料の他に、正孔注入層、正孔輸送層、電子輸送層、電子注入層などの機能層を必要に応じて形成してもよい。また、ＥＬ層４４６としては、例えば、蒸着法、または塗布法などを用いて形成することができる。
【０３６８】
上部電極４４８としては、例えば、可視光において透光性のある導電膜を用いると好ましい。該導電膜としては、例えば、インジウム（Ｉｎ）、亜鉛（Ｚｎ）、錫（Ｓｎ）の中から選ばれた一種を含む材料を用いるとよい。また、上部電極４４８としては、例えば、酸化タングステンを含むインジウム酸化物、酸化タングステンを含むインジウム亜鉛酸化物、酸化チタンを含むインジウム酸化物、酸化チタンを含むインジウム錫酸化物、インジウム錫酸化物（ＩＴＯ）、インジウム亜鉛酸化物、酸化シリコンを添加したインジウム錫酸化物などの透光性を有する導電性材料を用いることができる。とくに、上部電極４４８に酸化シリコンを添加したインジウム錫酸化物を用いると、発光装置４００を折り曲げる際に、上部電極４４８にクラック等が入りづらいため好適である。また、上部電極４４８としては、例えば、スパッタリング法を用いて形成することができる。
【０３６９】
絶縁膜４３０としては、例えば、有機樹脂又は無機絶縁材料を用いることができる。有機樹脂としては、例えば、ポリイミド樹脂、ポリアミド樹脂、アクリル樹脂、シロキサン樹脂、エポキシ樹脂、又はフェノール樹脂等を用いることができる。無機絶縁材料としては、酸化シリコン、酸化窒化シリコン等を用いることができる。絶縁膜４３０の作製が容易となるため、特に感光性の樹脂を用いることが好ましい。絶縁膜４３０の形成方法は、特に限定されず、例えば、フォトリソグラフィ法、スパッタ法、蒸着法、液滴吐出法（インクジェット法等）、印刷法（スクリーン印刷、オフセット印刷等）等を用いればよい。
【０３７０】
次に、素子層４１０と、仮支持基板５０８とを、剥離用接着剤５０６を用いて接着し、剥離層５０４から素子層４１０を剥離する。これにより、素子層４１０は、仮支持基板５０８側に設けられる（図１９（Ｂ）参照）。
【０３７１】
仮支持基板５０８としては、ガラス基板、石英基板、サファイア基板、セラミック基板、金属基板などを用いることができる。また、本実施の形態の処理温度に耐えうる耐熱性を有するプラスチック基板を用いてもよいし、フィルムのような可撓性基板を用いてもよい。
【０３７２】
剥離用接着剤５０６としては、水や溶媒に可溶なものや、紫外線などの照射により可塑化させることが可能であるもののように、必要時に仮支持基板５０８と素子層４１０とを化学的もしくは物理的に分離することが可能な接着剤を用いる。
【０３７３】
なお、素子層４１０の仮支持基板５０８への転置工程は、様々な方法を適宜用いることができる。例えば、基板５０２の剥離層５０４が形成されていない側、すなわち図１９（Ｂ）に示す下方側より剥離層５０４にレーザ光を照射することで、剥離層５０４を脆弱化させることで剥離層５０４と素子層４１０を剥離することができる。また、上記レーザ光の照射エネルギー密度を調整することで、剥離層５０４と素子層４１０の密着性が高い領域と、剥離層５０４と素子層４１０の密着性が低い領域を作り分けてから剥離してもよい。
【０３７４】
なお、本実施の形態においては、剥離層５０４と、素子層４１０の界面で剥離する方法について例示したが、これに限定されない。例えば、基板５０２と剥離層５０４との界面で剥離してもよい。この場合、剥離層５０４は、後に設けられる接着層と素子層４１０の間に挟まれる。
【０３７５】
また、剥離層５０４と素子層４１０との界面に液体を浸透させて剥離層５０４から素子層４１０を剥離してもよい。または、剥離層５０４と基板５０２との界面に液体を浸透させて基板５０２から剥離層５０４を素子層４１０と共に剥離してもよい。該液体としては、例えば、水、極性溶媒等を用いることができる。剥離層５０４を剥離する界面、具体的には剥離層５０４と素子層４１０との界面または剥離層５０４と基板５０２との界面に液体を浸透させることによって、素子層４１０に与えられる剥離に伴い発生する静電気等の影響を抑制することができる。
【０３７６】
次に、剥離層５０４又は素子層４１０に接着層４１８を用いて可撓性を有する基板４１６を接着する（図１９（Ｃ）参照）。
【０３７７】
次に、剥離用接着剤５０６を溶解又は可塑化させて、仮支持基板５０８を取り除く。さらに、仮支持基板５０８を取り除いたのち、素子層４１０の表面が露出するように剥離用接着剤５０６を水や溶媒などで除去する（図１９（Ｄ）参照）。
【０３７８】
以上により、可撓性を有する基板４１６上に素子層４１０を作製することができる。
【０３７９】
次に、図１９（Ａ）乃至図１９（Ｄ）に示す工程と同様の形成方法により、可撓性を有する基板４１４と、可撓性を有する基板４１４に接する接着層４１２と、接着層４１２に接する素子層４１１と、を形成する。
【０３８０】
素子層４１１が有する絶縁膜４４０としては、絶縁膜４２０と同様の材料により形成することができる。
【０３８１】
また、素子層４１１が有する着色層４３６としては、特定の波長帯域の光を透過する有色層であればよく、例えば、赤色の波長帯域の光を透過する赤色（Ｒ）のカラーフィルタ、緑色の波長帯域の光を透過する緑色（Ｇ）のカラーフィルタ、青色の波長帯域の光を透過する青色（Ｂ）のカラーフィルタなどを用いることができる。各カラーフィルタは、様様な材料を用いて、印刷法、インクジェット法、フォトリソグラフィ技術を用いたエッチング方法などでそれぞれ所望の位置に形成する。
【０３８２】
また、素子層４１１が有する遮光層４３８としては、特定の波長帯域の光を遮光する機能を有していればよく、金属膜または黒色顔料等を含んだ有機絶縁膜などを用いることができる。
【０３８３】
また、素子層４１１が有する絶縁膜４３４としては、例えば、アクリル系樹脂等の有機絶縁膜を用いることができる。なお、絶縁膜４３４は、必ずしも形成する必要はなく、絶縁膜４３４を形成しない構造としてもよい。
【０３８４】
次に、素子層４１０と素子層４１１の間に、封止層４３２を充填し、素子層４１０と素子層４１１と、を貼り合わせる（図１９（Ｅ）参照）。
【０３８５】
封止層４３２により、例えば、固体封止とすることができる。ただし、封止層４３２としては、可撓性を有する構成が好ましい。封止層４３２としては、例えば、ガラスフリットなどのガラス材料や、二液混合型の樹脂などの常温で硬化する硬化樹脂、光硬化性の樹脂、熱硬化性の樹脂などの樹脂材料を用いることができる。
【０３８６】
最後に、接続体４４２とＦＰＣ４０８を貼り付ける。必要があればＩＣチップなどを実装させてもよい。接続体４４２としては、例えば、異方性導電材料などを用いることができる。
【０３８７】
以上により、図１８に示す発光装置を作製することができる。
【０３８８】
本実施の形態に示す構成は、他の実施の形態に示す構成と適宜組み合わせて用いることができる。
【符号の説明】
【０３８９】
１０２    基板
１０２ａ    基板
１０４    導電膜
１０４ａ    導電膜
１０６    絶縁膜
１０６ａ    絶縁膜
１０６ｂ    絶縁膜
１０８    酸化物半導体膜
１０８ａ    酸化物半導体膜
１０９    金属酸化物膜
１１０    金属酸化物膜
１１２ａ    導電膜
１１２ｂ    導電膜
１１２ｃ    導電膜
１１４    絶縁膜
１１６    絶縁膜
１１８    絶縁膜
１２０    導電膜
１２０ａ    導電膜
１２０ｂ    導電膜
１２０ｃ    導電膜
１２０ｄ    導電膜
１２２    絶縁膜
１４０ａ    開口部
１４０ｂ    開口部
１４１ａ    開口部
１４１ｂ    開口部
１４２ａ    開口部
１４２ｂ    開口部
１４２ｃ    開口部
１５０    トランジスタ
１６０    トランジスタ
１６２    トランジスタ
１６４    トランジスタ
１９０    液晶層
１９１    導電層
１９２    絶縁膜
１９３    発光層
１９４    絶縁膜
３０１    画素回路
３０２    画素部
３０４    駆動回路部
３０４ａ    ゲートドライバ
３０４ｂ    ソースドライバ
３０６    保護回路
３０７    端子部
３５０    トランジスタ
３５２    トランジスタ
３５４    トランジスタ
３６０    容量素子
３６２    容量素子
３７０    液晶素子
３７２    発光素子
４００    発光装置
４０４    表示部
４０６    駆動回路部
４０８    ＦＰＣ
４１０    素子層
４１１    素子層
４１２    接着層
４１４    基板
４１６    基板
４１８    接着層
４２０    絶縁膜
４２２    導電層
４２４    絶縁膜
４２６    絶縁膜
４２８    絶縁膜
４３０    絶縁膜
４３２    封止層
４３４    絶縁膜
４３６    着色層
４３８    遮光層
４４０    絶縁膜
４４２    接続体
４４４    下部電極
４４６    ＥＬ層
４４８    上部電極
４７０    トランジスタ
４８０    発光素子
５０２    基板
５０４    剥離層
５０６    剥離用接着剤
５０８    仮支持基板
５０００    筐体
５００１    表示部
５００２    表示部
５００３    スピーカ
５００４    ＬＥＤランプ
５００５    操作キー
５００６    接続端子
５００７    センサ
５００８    マイクロフォン
５００９    スイッチ
５０１０    赤外線ポート
５０１１    記録媒体読込部
５０１２    支持部
５０１３    イヤホン
５０１４    アンテナ
５０１５    シャッターボタン
５０１６    受像部
５０１７    充電器
５１００    ペレット
５１００ａ    ペレット
５１００ｂ    ペレット
５１０１    イオン
５１０２    酸化亜鉛層
５１０３    粒子
５１０５ａ    ペレット
５１０５ａ１    領域
５１０５ａ２    ペレット
５１０５ｂ    ペレット
５１０５ｃ    ペレット
５１０５ｄ    ペレット
５１０５ｄ１    領域
５１０５ｅ    ペレット
５１２０    基板
５１３０    ターゲット
５１６１    領域
８０００    表示モジュール
８００１    上部カバー
８００２    下部カバー
８００３    ＦＰＣ
８００４    タッチパネル
８００５    ＦＰＣ
８００６    表示パネル
８００７    バックライトユニット
８００８    光源
８００９    フレーム
８０１０    プリント基板
８０１１    バッテリー
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
2015111667.tif 000007
【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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【図２５】
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【図２８】
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【図３０】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図２６】
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【図２７】
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【図２９】
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