(57)【要約】【課題】被測定素子の２端子測定によるインピーダンス測定において、コンタクトチェック判定の信頼性を高める。【解決手段】４端子測定により、被測定素子の第１直流抵抗値Ｒｄｃ４を測定し、２端子測定により、被測定素子の実効抵抗成分Ｒｓおよびリアクタンス成分Ｘを測定するとともに、第２直流抵抗値Ｒｄｃ２を測定し、第２直流抵抗値Ｒｄｃ２と第１直流抵抗値Ｒｄｃ４との差分（Ｒｄｃ２−Ｒｄｃ４）から２端子測定時における接触端子の接触抵抗Ｒｃを算出し、この接触抵抗Ｒｃと予め設定されている所定の閾値とを比較して接触端子のコンタクトチェックの良否判定を行う。【選択図】図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
被測定素子の実効抵抗成分Ｒｓとリアクタンス成分Ｘとを求めるインピーダンス測定方法において、
４端子測定により、上記被測定素子の第１直流抵抗値Ｒｄｃ４を測定する第１ステップと、
２端子測定により、上記被測定素子の実効抵抗成分Ｒｓおよびリアクタンス成分Ｘを測定するとともに、第２直流抵抗値Ｒｄｃ２を測定する第２ステップと、
上記第２直流抵抗値Ｒｄｃ２と上記第１直流抵抗値Ｒｄｃ４との差分（Ｒｄｃ２−Ｒｄｃ４）から上記２端子測定時における接触端子の接触抵抗Ｒｃを算出する第３ステップと、
上記接触抵抗Ｒｃと予め設定されている所定の閾値とを比較して上記接触端子のコンタクトチェックの良否判定を行う第４ステップと、を含むことを特徴とするインピーダンス測定方法。
【請求項２】
上記第１ステップの４端子測定よりも先に上記第２ステップの２端子測定を実行し、その際の上記第２ステップの２端子測定では、先に上記実効抵抗成分Ｒｓおよび上記リアクタンス成分Ｘを測定し、その後に上記第２直流抵抗値Ｒｄｃ２を測定することを特徴とする請求項１に記載のインピーダンス測定方法。
【請求項３】
上記第４ステップでのコンタクトチェックが良判定の場合には、引き続いて、上記実効抵抗成分Ｒｓから上記接触抵抗Ｒｃを減算（Ｒｓ−Ｒｃ）して、補正実効抵抗成分Ｒｓ’を算出して、上記補正実効抵抗成分Ｒｓ’と上記リアクタンス成分Ｘとから、上記被測定素子のＱ値（Ｘ／Ｒｓ’）を求めることを特徴とする請求項１または２に記載のインピーダンス測定方法。
【請求項４】
上記被測定素子がコイルを含むインダクタ素子であり、そのインダクタンス成分をＬとして、上記Ｑ値が（ωＬ／Ｒｓ’：ωは角周波数）として求められることを特徴とする請求項３に記載のインピーダンス測定方法。
【請求項５】
被測定素子の実効抵抗成分Ｒｓとリアクタンス成分Ｘとを求めるインピーダンス測定装置において、
第１測定手段と第２測定手段とを含み、上記第１測定手段で４端子測定により上記被測定素子の第１直流抵抗値Ｒｄｃ４が測定され、
上記第２測定手段で上記被測定素子について、２端子測定により第２直流抵抗値Ｒｄｃ２と、実効抵抗成分Ｒｓおよびリアクタンス成分Ｘとが測定され、
上記第２測定手段は、上記第２直流抵抗値Ｒｄｃ２と上記第１直流抵抗値Ｒｄｃ４との差分（Ｒｄｃ２−Ｒｄｃ４）から上記２端子測定時における接触端子の接触抵抗Ｒｃを算出し、上記接触抵抗Ｒｃと予め設定されている所定の閾値とを比較して上記接触端子のコンタクトチェックの良否判定を行うことを特徴とするインピーダンス測定装置。
【請求項６】
上記第２測定手段にはＬＣＲメータが含まれ、上記ＬＣＲメータにより、上記第２直流抵抗値Ｒｄｃ２，上記実効抵抗成分Ｒｓおよび上記リアクタンス成分Ｘが測定されることを特徴とする請求項５に記載のインピーダンス測定装置。
【請求項７】
上記第１測定手段と上記第２測定手段は、所定の通信手段を介して接続されており、上記第１測定手段から上記第１直流抵抗値Ｒｄｃ４が上記第２測定手段に送信されることを特徴とする請求項５または６に記載のインピーダンス測定装置。
【請求項８】
上記第１測定手段および上記第２測定手段を制御する制御部を備え、上記第２測定手段に代えて上記制御部が、上記接触端子のコンタクトチェックの良否判定を行うことを特徴とする請求項５に記載のインピーダンス測定装置。
【請求項９】
上記第２測定手段または上記制御部は、上記コンタクトチェックが良判定の場合、引き続いて、上記実効抵抗成分Ｒｓから上記接触抵抗Ｒｃを減算（Ｒｓ−Ｒｃ）して、補正実効抵抗成分Ｒｓ’を算出して、上記補正実効抵抗成分Ｒｓ’と上記リアクタンス成分Ｘとから、上記被測定素子のＱ値（Ｘ／Ｒｓ’）を求めることを特徴とする請求項５または８に記載のインピーダンス測定装置。
【請求項１０】
上記被測定素子がコイルを含むインダクタ素子であり、そのインダクタンス成分をＬとして、上記Ｑ値が（ωＬ／Ｒｓ’：ωは角周波数）として求められることを特徴とする請求項９に記載のインピーダンス測定装置。
【請求項１１】
上記第１測定手段と上記第２測定手段とが、上記被測定素子の選別ラインに組み込まれており、上記第１測定手段が上記選別ラインの上流側、上記第２測定手段が上記選別ラインの下流側に配置され、上記第１測定手段での上記４端子測定が先に行われ、その後に上記第２測定手段での上記２端子測定が行われることを特徴とする請求項５ないし１０のいずれか１項に記載のインピーダンス測定装置。
【請求項１２】
上記第１測定手段と上記第２測定手段とが、上記被測定素子の選別ラインに組み込まれており、上記第２測定手段が上記選別ラインの上流側、上記第１測定手段が上記選別ラインの下流側に配置され、上記第２測定手段での上記２端子測定では、先に上記実効抵抗成分Ｒｓおよび上記リアクタンス成分Ｘが測定され、その後に上記第２直流抵抗値Ｒｄｃ２が測定され、上記第２測定手段による測定に続いて、上記第１測定手段で上記４端子測定が行われることを特徴とする請求項５ないし１０のいずれか１項に記載のインピーダンス測定装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、２端子測定により被測定素子の実効抵抗成分とリアクタンス成分とを求めるインピーダンス測定方法およびその装置に関し、さらに詳しく言えば、測定に用いられる接触端子のコンタクトチェックの良否判定を行う技術に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
例えば、特許文献１を参照して、２端子の絶縁抵抗計におけるコンタクトチェックでは、直流電流計と交流電流計とを備え、被測定絶縁物は抵抗とコンデンサの並列モデルと考えられることから、直流電流計の指示値がほぼゼロであっても、交流電流計の指示値がゼロでない場合、すなわち直流抵抗が大きくても、交流インピーダンスが低い場合には、正常なコンタクトであると判断し、直流電流計と交流電流計の各指示値がともに実質的にゼロの場合、コンタクト異常と判断するようにしている。
【０００３】
このように、２端子計測でのコンタクトチェックの良否は、実際の計測信号とは異なる信号（直流を含む）で測定することで判断するようにしている。例えば、高周波インピーダンス測定においても、インダクタ等の直流抵抗の低い被測定物を測定する場合、直流抵抗が低い値を示せばコンタクトが正常であると判断している。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開平５−８７８５７号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、２端子測定でのコンタクトチェックには次のような問題がある。インダクタンス測定を例にして説明すると、被測定素子のインダクタンスとＱ値の測定には、通常、ＬＣＲメータが用いられるが、高周波での測定であるため２端子測定となる。
【０００６】
この２端子測定時には、コンタクトチェックを兼ねて、ＬＣＲメータにより被測定素子の直流抵抗値が測定されるが、２端子測定の場合、測定された直流抵抗値には、素子自体の直流抵抗と接触端子のプロービング時に生ずる接触抵抗とが含まれ、その各々がばらつきを持つことから、コンタクトチェックの良否判定基準としての閾値を一律に設定することが困難であり、被測定素子の種類によっては、閾値を検証し直す必要がある。
【０００７】
また、２端子測定により測定された直流抵抗値が高抵抗値である場合、被測定素子自体が内部断線等によるオープン不良なのか、コンタクト不良なのかの違いを判別することができない、という問題もある。この種の問題は、特に連続的に部品選別を行う自動検査ラインおいて早急な解決が望まれている。
【０００８】
したがって、本発明の課題は、被測定素子の２端子測定によるインピーダンス測定において、コンタクトチェック判定の信頼性を高めることにある。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
上記課題を解決するため、本発明のインピーダンス測定方法は、被測定素子の実効抵抗成分Ｒｓとリアクタンス成分Ｘとを求めるインピーダンス測定方法において、
４端子測定により、上記被測定素子の第１直流抵抗値Ｒｄｃ４を測定する第１ステップと、２端子測定により、上記被測定素子の実効抵抗成分Ｒｓおよびリアクタンス成分Ｘを測定するとともに、第２直流抵抗値Ｒｄｃ２を測定する第２ステップと、上記第２直流抵抗値Ｒｄｃ２と上記第１直流抵抗値Ｒｄｃ４との差分（Ｒｄｃ２−Ｒｄｃ４）から上記２端子測定時における接触端子の接触抵抗Ｒｃを算出する第３ステップと、上記接触抵抗Ｒｃと予め設定されている所定の閾値とを比較して上記接触端子のコンタクトチェックの良否判定を行う第４ステップと、を含むことを特徴としている。
【００１０】
上記被測定素子が、例えば有芯コイルのように直流磁化されるインダクタ素子である場合には、上記第１ステップの４端子測定よりも先に上記第２ステップの２端子測定を実行し、その際の上記第２ステップの２端子測定では、先に上記実効抵抗成分Ｒｓおよび上記リアクタンス成分Ｘを測定し、その後に上記第２直流抵抗値Ｒｄｃ２を測定することが好ましい。
【００１１】
本発明のインピーダンス測定方法において、上記第４ステップでのコンタクトチェックが良判定の場合には、引き続いて、上記実効抵抗成分Ｒｓから上記接触抵抗Ｒｃを減算（Ｒｓ−Ｒｃ）して、補正実効抵抗成分Ｒｓ’を算出して、上記補正実効抵抗成分Ｒｓ’と上記リアクタンス成分Ｘとから、上記被測定素子のＱ値（Ｘ／Ｒｓ’）を求める。
【００１２】
なお、上記被測定素子がコイルを含むインダクタ素子である場合には、そのインダクタンス成分をＬとして、上記Ｑ値が（ωＬ／Ｒｓ’：ωは角周波数）として求められることになる。
【００１３】
また、本発明のインピーダンス測定装置は、被測定素子の実効抵抗成分Ｒｓとリアクタンス成分Ｘとを求めるインピーダンス測定装置において、
第１測定手段と第２測定手段とを含み、上記第１測定手段で４端子測定により上記被測定素子の第１直流抵抗値Ｒｄｃ４が測定され、上記第２測定手段で上記被測定素子について、２端子測定により第２直流抵抗値Ｒｄｃ２と、実効抵抗成分Ｒｓおよびリアクタンス成分Ｘとが測定され、上記第２測定手段は、上記第２直流抵抗値Ｒｄｃ２と上記第１直流抵抗値Ｒｄｃ４との差分（Ｒｄｃ２−Ｒｄｃ４）から上記２端子測定時における接触端子の接触抵抗Ｒｃを算出し、上記接触抵抗Ｒｃと予め設定されている所定の閾値とを比較して上記接触端子のコンタクトチェックの良否判定を行うことを特徴としている。
【００１４】
本発明の好ましい態様によると、上記第２測定手段にはＬＣＲメータが含まれ、上記ＬＣＲメータにより、上記第２直流抵抗値Ｒｄｃ２，上記実効抵抗成分Ｒｓおよび上記リアクタンス成分Ｘが測定される。
【００１５】
また、本発明の好ましい態様によると、上記第１測定手段と上記第２測定手段は、所定の通信手段を介して接続されており、上記第１測定手段から上記第１直流抵抗値Ｒｄｃ４が上記第２測定手段に送信される。
【００１６】
別の態様として、上記第１測定手段および上記第２測定手段を制御する制御部を備え、上記第２測定手段に代えて上記制御部が、上記接触端子のコンタクトチェックの良否判定を行うようにしてもよく、このような態様も本発明に含まれる。
【００１７】
本発明のインピーダンス測定装置において、上記第２測定手段または上記制御部は、上記コンタクトチェックが良判定の場合、引き続いて、上記実効抵抗成分Ｒｓから上記接触抵抗Ｒｃを減算（Ｒｓ−Ｒｃ）して、補正実効抵抗成分Ｒｓ’を算出して、上記補正実効抵抗成分Ｒｓ’と上記リアクタンス成分Ｘとから、上記被測定素子のＱ値（Ｘ／Ｒｓ’）を求める。
【００１８】
なお、上記被測定素子がコイルを含むインダクタ素子である場合、そのインダクタンス成分をＬとして、上記Ｑ値が（ωＬ／Ｒｓ’：ωは角周波数）として求められることになる。
【００１９】
また、上記第１測定手段と上記第２測定手段とが、上記被測定素子の選別ラインに組み込まれており、上記第１測定手段が上記選別ラインの上流側、上記第２測定手段が上記選別ラインの下流側に配置され、上記第１測定手段での上記４端子測定が先に行われ、その後に上記第２測定手段での上記２端子測定が行われる態様も本発明に含まれる。
【００２０】
上記被測定素子が、例えば有芯コイルのように直流磁化されるインダクタ素子である場合には、上記第２測定手段が上記選別ラインの上流側、上記第１測定手段が上記選別ラインの下流側に配置され、上記第２測定手段での上記２端子測定では、先に上記実効抵抗成分Ｒｓおよび上記リアクタンス成分Ｘが測定され、その後に上記第２直流抵抗値Ｒｄｃ２が測定され、上記第２測定手段による測定に続いて、上記第１測定手段で上記４端子測定が行われるようにすることが好ましい。
【発明の効果】
【００２１】
本発明によれば、４端子測定により、被測定素子の第１直流抵抗値Ｒｄｃ４を測定し、２端子測定により、被測定素子の実効抵抗成分Ｒｓおよびリアクタンス成分Ｘを測定するとともに、第２直流抵抗値Ｒｄｃ２を測定し、第２直流抵抗値Ｒｄｃ２と第１直流抵抗値Ｒｄｃ４との差分（Ｒｄｃ２−Ｒｄｃ４）から２端子測定時における接触端子の接触抵抗Ｒｃを算出し、この接触抵抗Ｒｃと予め設定されている所定の閾値とを比較して接触端子のコンタクトチェックの良否判定を行うようにしたことにより、被測定素子の２端子測定によるインピーダンス測定においても、被測定素子自体が有する直流抵抗値の影響を受けることなく、高い信頼性をもってコンタクトチェックを行うことができる。また、被測定素子自体のオープン不良は、４端子測定時に見つけることができる。
【００２２】
また、４端子測定よりも先に２端子測定を実行し、その際の２端子測定では、被測定素子の実効抵抗成分Ｒｓおよびリアクタンス成分Ｘを測定した後、被測定素子の第２直流抵抗値Ｒｄｃ２を測定するようにし、その後において、４端子測定により被測定素子の第１直流抵抗値Ｒｄｃ４を測定することにより、被測定素子が例えば有芯コイルのような直流磁化されるインダクタ素子であっても、より正確に被測定素子のインダクタンス値ＬとＱ値とを得ることができる。
【図面の簡単な説明】
【００２３】
【図１】本発明によるインピーダンス測定装置の第１実施形態を示す模式図。
【図２】上記第１実施形態の動作説明用のフローチャート。
【図３】（ａ）４端子測定法を示す等価回路図、（ｂ）２端子測定法を示す等価回路図。
【図４】本発明によるインピーダンス測定装置の第２実施形態を示す模式図。
【図５】上記第２実施形態の動作説明用のフローチャート。
【発明を実施するための形態】
【００２４】
次に、図１ないし図５により、本発明の実施形態について説明するが、本発明はこれに限定されるものではない。
【００２５】
まず、図１を参照して、第１実施形態に係るインピーダンス測定装置１Ａは、制御部としてのコントローラ１０と、第１測定手段２０と、第２測定手段３０とを備え、連続的に部品選別を行う自動検査ラインに組み込まれている。
【００２６】
選別される部品（被測定素子）は、キャパシタ素子であってもよいが、この実施形態において、被測定素子は、コイルを有するインダクタ素子Ｄで、インダクタ素子Ｄは、図示しない搬送手段により図１の左側（上流側）から右側（下流側）に向けて所定の時間間隔をもって順次流される。
【００２７】
第１測定手段２０には、４端子測定法による直流抵抗計が用いられる。また、第２測定手段３０には、測定周波数が例えば１００ＭＨｚ以上である高周波ＬＣＲメータが用いられる。コントローラ１０には、ＣＰＵやマイクロコンピュータ等が適用され、コントローラ１０は、各測定手段２０，３０の測定トリガタイミングの制御やインダクタ素子Ｄの良否選別等を行う。
【００２８】
この第１実施形態において、第１測定手段２０は、上記自動検査ラインの上流側の第１測定ステージである４端子測定ステージに配置され、第２測定手段３０は、その下流側の第２測定ステージである２端子測定ステージに配置されている。第１測定手段２０と第２測定手段３０は、所定の通信配線を介して接続されている。通信は無線で行われてもよく、また、コントローラ１０を介して行われてもよい。
【００２９】
図２のフローチャートを併せて参照して、この第１実施形態では、まず、ステップＳＴ２０１で、４端子測定ステージでの測定が開始され、ステップＳＴ２０２で、第１のコンタクトチェックが行われる。
【００３０】
ここでの第１のコンタクトチェックは、４端子測定での電流供給側プローブ（図３（ａ）におけるプローブＰ１，Ｐ４）と、電圧検出側プローブ（図３（ａ）におけるプローブＰ２，Ｐ３）とが、インダクタ素子Ｄの電極端子に接触しているかどうかを検査する。
【００３１】
その一例として、プローブＰ１とＰ２とを、また、プローブＰ３とＰ４とを、それぞれ切替スイッチを介して電流源（ともに図示しない）に接続し、インダクタ素子Ｄの電極端子を介してＰ１とＰ２間、Ｐ３とＰ４間に電流が流れればコンタクト正常、電流が流れなければコンタクト異常（プローブ外れ）と判定する。
【００３２】
コンタクト異常の場合には、当該インダクタ素子ＤをコンタクトＮＧに分類するか、もしくはプローブコンタクトをリトライする（ステップＳＴ２０２ａ）。リトライしても、改善が見られない場合には、フザーやランプ等の報知手段にてユーザーにプローブ交換等を促す。
【００３３】
ステップＳＴ２０２での判定がＯＫ（コンタクト正常）であれば、ステップＳＴ２０３で、第１測定手段２０での４端子測定により、インダクタ素子Ｄの直流抵抗値（第１直流抵抗値）Ｒｄｃ４の測定が行われる。
【００３４】
図３（ａ）に示すように、４端子測定では、電流供給側の２本のプローブＰ１，Ｐ４と、電圧検出側の２本のプローブＰ２，Ｐ３の４本の測定用接触子が用いられるが、電圧検出側のプローブＰ２，Ｐ３の接触抵抗Ｒ２，Ｒ３は、電圧計Ｖの内部抵抗ＲＶ（通常１〜１０ＧΩ程度）に比べて無視できる程度に小さいため、接触抵抗Ｒ２，Ｒ３の影響をほとんど受けない正確な直流抵抗値Ｒｄｃ４が測定される。
【００３５】
このようにして測定されたインダクタ素子Ｄの直流抵抗値Ｒｄｃ４は、ステップＳＴ２０４で、素子自体のオープン不良の判定基準としての所定の閾値ＴｈＯと比較され、Ｒｄｃ４＞ＴｈＯであれば、ＮＧ判定として当該インダクタ素子を直流抵抗ＮＧ品に分類する（ステップＳＴ２０４ａ）。したがって、素子内部の断線等によるオープン不良品はステップＳＴ２０４で排除される。
【００３６】
ステップＳＴ２０４での判定がＯＫ（Ｒｄｃ４≦ＴｈＯ）であれば、次段のステップＳＴ２０５で、測定された直流抵抗値Ｒｄｃ４が上記通信配線を介して第２測定手段３０のＬＣＲメータに送信される。
【００３７】
第１測定手段２０での測定を終えたインダクタ素子Ｄは、２端子測定ステージに搬送され（ステップＳＴ３０１）、ステップＳＴ３０２で、第２測定手段３０が備えるＬＣＲメータの２端子計測により、直流信号によるインダクタ素子Ｄの直流抵抗値（第２直流抵抗値）Ｒｄｃ２が測定される。このＬＣＲメータによる２端子測定は、図３（ｂ）に示す等価回路で行われる。
【００３８】
この等価回路において、電流計Ａの内部抵抗ＲＡは、レンジによって異なるが、通常１〜１０Ω程度であるため、電圧計Ｖの読み値に対する影響はほとんど無視でき、また、インダクタ素子Ｄの抵抗値が、プローブＰ１，Ｐ４の接触抵抗Ｒ１，Ｒ４よりもはるかに大きい場合には、接触抵抗Ｒ１，Ｒ４による影響も無視できる。
【００３９】
しかしながら、そうではない場合には、上記ステップＳＴ３０２で行われるＬＣＲメータの２端子測定によるインダクタ素子Ｄの直流抵抗値Ｒｄｃ２には、プローブＰ１，Ｐ４の接触抵抗Ｒ１，Ｒ４が含まれることになる。
【００４０】
そこで、この第１実施形態では、ステップＳＴ３０３において、上記ステップＳＴ３０２で測定されたインダクタ素子Ｄの直流抵抗値Ｒｄｃ２に含まれているプローブＰ１，Ｐ４による接触抵抗Ｒ１，Ｒ４をＲｃとして、接触抵抗Ｒｃを次式（１）、
Ｒｃ＝Ｒｄｃ２−Ｒｄｃ４…（１）
により求める。
【００４１】
その後のステップＳＴ３０４で、第２のコンタクトチェックとして、接触抵抗Ｒｃと、予め設定されているコンタクトチェックの良否判定基準としての閾値ＴｈＣとが比較され、Ｒｃ＞ＴｈＣであれば、ＮＧ判定として当該インダクタ素子ＤをコンタクトＮＧに分類するか、もしくはプローブコンタクトをリトライする（ステップＳＴ３０４ａ）。
【００４２】
ステップＳＴ３０４でのコンタクトチェック判定がＯＫ（Ｒｄｃ２≦ＴｈＣ）の良判定であれば、ステップＳＴ３０５で、ＬＣＲメータにより、交流信号によるインダクタ素子Ｄの実効抵抗値Ｒｓとインダクタンス値Ｌの測定が行われ、ωＬ／Ｒｓ（ωは角周波数）によりＱ値が求められる。
【００４３】
そして、ステップＳＴ３０６で、インダクタンス値Ｌとその閾値ＴｈＬ、Ｑ値とその閾値ＴｈＱとがそれぞれ比較され、そのいずれか一方もしくは双方がＮＧであれば、当該インダクタ素子Ｄを不良品とする（ステップＳＴ３０６ａ）。これに対して、ステップＳＴ３０６での判定が双方ともＯＫ判定であれば、当該インダクタ素子Ｄを良品とする（ステップＳＴ３０７）。
【００４４】
なお、上記ステップＳＴ３０５でＱ値を求めるにあたって、この実施形態では、Ｑ値をωＬ／Ｒｓにより求めているが、インダクタンス素子Ｄの実効抵抗値Ｒｓと接触抵抗Ｒｃとから、補正実効抵抗値Ｒｓ’を次式（２）、
Ｒｓ’＝Ｒｓ−Ｒｃ…（２）
により求めたのち、この補正実効抵抗値Ｒｓ’とインダクタンス値Ｌとから、インダクタ素子ＤのＱ値を次式（３）、
Ｑ＝ωＬ／Ｒｓ’（ωは角周波数）…（３）
により求めるようにしてもよく、これによれば、２端子測定での接触抵抗Ｒｃの影響を除いたより正確なＱ値を得ることができる。
【００４５】
上記第１実施形態では、ステップＳＴ２０２，２０４での判定を第１測定手段２０、ステップＳＴ３０４，３０６での判定を第２測定手段３０で行うようにしているが、第１測定手段２０にて測定された直流抵抗値Ｒｄｃ４、第２測定手段３０にて測定された直流抵抗値Ｒｄｃ２，実効抵抗値Ｒｓ，インダクタンス値Ｌをそれぞれコントローラ１０に与え、コントローラ１０で、上記各判定を行うようにしてもよい。
【００４６】
なお、ステップＳＴ２０３，３０６で判定された不良品は、例えば各測定ステージに設けられている図示しない選別手段により、検査ラインから排除される。
【００４７】
ところで、上記第１実施形態では、第１測定手段２０→第２測定手段３０の順で測定が行われることから、上記被測定素子が、例えば有芯コイルのように直流磁化されるインダクタ素子Ｄである場合、第１測定手段２０での４端子測定時にインダクタ素子Ｄが磁化され、これにより、第２測定手段３０で測定されるインダクタンス値Ｌが変動し、Ｑ値も磁化による影響を受けることがある。
【００４８】
このような問題は、第１測定手段２０による第１測定ステージと第２測定手段３０による第２測定ステージとの間に、消磁ステージを介在させることにより解決されるが、時間がかかるばかりでなく、自動検査ラインの構成も複雑になるため好ましくない。
【００４９】
そこで、図４に示すように、本発明の第２実施形態に係るインピーダンス測定装置１Ｂでは、上記第１実施形態における第１測定手段２０と第２測定手段３０の配置を入れ替えて、先に２端子測定ステージとして第２測定手段３０により測定を行い、その後に４端子測定ステージとして第１測定手段２０により測定を行うようにしている。第１測定手段２０、第２測定手段３０の各構成は、上記第１実施形態と同じであってよい。
【００５０】
図５のフローチャートを併せて参照して、この第２実施形態の自動検査ラインでの動作について説明する。なお、被測定素子であるインダクタ素子Ｄは有芯コイルであり、第２測定手段３０でｎ番目のインダクタ素子Ｄｎを測定しているとき、そのｍ個前で第２測定手段３０により測定済みのインダクタ素子Ｄｎ−ｍが第１測定手段２０で測定されているものとする。
【００５１】
２端子測定ステージ側では、ステップＳＴ３１１で、インダクタ素子Ｄｎが搬送されると、第２測定手段３０は、ステップＳＴ３１２で、インダクタ素子Ｄｎの測定を開始し、まず、ステップＳＴ３１３で、ＬＣＲメータの２端子測定により、交流の実効抵抗値Ｒｓ（Ｄｎ）およびインダクタンス値Ｌ（Ｄｎ）を測定し、ωＬ（Ｄｎ）／Ｒｓ（Ｄｎ）によりＱ（Ｄｎ）を求める。
【００５２】
そして、ステップＳＴ３１４で、インダクタ素子Ｄｎの直流抵抗値Ｒｄｃ２（Ｄｎ）を測定したのち、ステップＳＴ３１５で、これらの測定値（Ｒｓ（Ｄｎ），Ｌ（Ｄｎ），Ｑ（Ｄｎ），Ｒｄｃ２（Ｄｎ））をメモリに記憶する。ここで得られるＬ（Ｄｎ）は直流磁化される前のインダクタンス値である。
【００５３】
これと並行して、４端子測定ステージ側では、ステップＳＴ２１１で、インダクタ素子Ｄｎ−ｍが搬送されると、第１測定手段２０は、ステップＳＴ２１２で、インダクタ素子Ｄｎ−ｍについて測定を開始し、ステップＳＴ２１３で、上記第１実施形態でのステップＳＴ２０２と同じく、４端子測定での電流供給側プローブ（図３（ａ）におけるプローブＰ１，Ｐ４）と、電圧検出側プローブ（図３（ａ）におけるプローブＰ２，Ｐ３）とが、インダクタ素子Ｄの電極端子に接触しているかどうかについての第１のコンタクトチェックを行う。
【００５４】
そして、次段のステップＳＴ２１４で、上記第１実施形態でのステップＳＴ２０３と同じく、第１測定手段２０での４端子測定により、インダクタ素子Ｄｎ−ｍの直流抵抗値（第１直流抵抗値）Ｒｄｃ４の測定する。
【００５５】
次に、ステップＳＴ２１５で、上記第１実施形態でのステップＳＴ２０４と同じく、直流抵抗値Ｒｄｃ４を素子自体のオープン不良の判定基準としての所定の閾値ＴｈＯと比較し、インダクタ素子Ｄｎ−ｍがオープン不良であるかとうかを判定する。オープン不良品は、このステップＳＴ２１５で排除される。
【００５６】
インダクタ素子Ｄｎ−ｍが正常品であれば、ステップＳＴ２１６で、上記第１実施形態でのステップＳＴ２０５と同じく、インダクタ素子Ｄｎ−ｍで測定された直流抵抗値Ｒｄｃ４を２端子測定ステージの第２測定手段３０に送信する。
【００５７】
第２測定手段３０は、ステップＳＴ３２１で、インダクタ素子Ｄｎ−ｍの直流抵抗値Ｒｄｃ４（Ｄｎ−ｍ）を受信すると、ステップＳＴ３２２で、インダクタ素子Ｄｎ−ｍについて先に行った２端子測定による測定値（Ｒｓ（Ｄｎ−ｍ），Ｌ（Ｄｎ−ｍ），Ｑ（Ｄｎ−ｍ），Ｒｄｃ２（Ｄｎ−ｍ））をメモリから読み出し、インダクタ素子Ｄｎ−ｍの直流接触抵抗Ｒｃを次式（１ａ）、
Ｒｃ＝Ｒｄｃ２（Ｄｎ−ｍ）−Ｒｄｃ４（Ｄｎ−ｍ）…（１ａ）
より算出する。
【００５８】
続くステップＳＴ３２３で、上記第１実施形態でのステップＳＴ３０４と同じく、第２のコンタクトチェックとして、接触抵抗Ｒｃと、予め設定されているコンタクトチェックの良否判定基準としての閾値ＴｈＣとを比較し、Ｒｃ＞ＴｈＣであれば、ＮＧ判定として当該インダクタ素子Ｄｎ−ｍをコンタクトＮＧに分類するか、もしくは消磁処理して２端子測定ステージのステップＳＴ３１２からリトライする（ステップＳＴ３２３ａ）。
【００５９】
ステップＳＴ３２３でのコンタクトチェック判定がＯＫ（Ｒｄｃ２≦ＴｈＣ）の良判定であれば、ステップＳＴ３２４で、上記第１実施形態でのステップＳＴ３０６と同じく、インダクタンス値Ｌ（Ｄｎ−ｍ）とその閾値ＴｈＬ、Ｑ（Ｄｎ−ｍ）値とその閾値ＴｈＱとがそれぞれ比較し、そのいずれか一方もしくは双方がＮＧであれば、当該インダクタ素子Ｄｎ−ｍを不良品とする（ステップＳＴ３２４ａ）。
【００６０】
これに対して、ステップＳＴ３２４での判定が双方ともＯＫ判定であれば、当該インダクタ素子Ｄｎ−ｍを良品とする（ステップＳＴ３２５）。
【００６１】
上記第２実施形態によれば、直流電流印加による磁化に影響を受けることなく、被測定素子（インダクタ素子Ｄ）のインダクタンンス値Ｌを測定することができるとともに、上記第１実施形態と同様に、２端子測定によるインピーダンス測定においても、被測定素子自体が有する直流抵抗値の影響を受けることなく、高い信頼性をもってコンタクトチェックを行うことができる。
【００６２】
なお、上記第２実施形態では、第１測定ステージの第２測定手段３０で、ｎ番目のインダクタ素子Ｄｎを測定しているとき、第２測定ステージの第１測定手段１０で、そのｍ個前のインダクタ素子Ｄｎ−ｍを測定するようにしているが、その変数ｍは、第２測定手段３０のメモリ容量の範囲内において任意に選択されてよい。
【００６３】
また、上記第２実施形態でＱ値を求める際、上記第１実施形態で説明したように、インダクタンス素子Ｄの実効抵抗値Ｒｓと接触抵抗Ｒｃとから、補正実効抵抗値Ｒｓ’をＲｓ’＝Ｒｓ−Ｒｃにより算出したのち、この補正実効抵抗値Ｒｓ’とインダクタンス値Ｌとから、インダクタ素子ＤのＱ値をＱ＝ωＬ／Ｒｓ’（ωは角周波数）により求めるようにしてもよい。
【符号の説明】
【００６４】
１Ａ，１Ｂ  インピーダンス測定装置
１０  コントローラ（制御部）
２０  第１測定手段（４端子測定）
３０  第２測定手段（２端子測定）
Ｄ  被測定素子（インダクタ素子）
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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