(57)【要約】【課題】  例えば、スループットの点で有利な描画装置を提供する。【解決手段】  描画装置であって、荷電粒子線をブランキングするブランカーと、前記荷電粒子線を偏向して前記基板の上で走査する偏向器と、前記基板を保持して移動可能なステージと、前記偏向器により前記荷電粒子線を第１方向に偏向させて前記基板の上で走査させながら前記ステージを第２方向に移動させることによって前記描画を行うように前記偏向器および前記ステージを制御する制御部と、を備える。前記制御部は、前記第２方向に移動する前記ステージを描画すべきパターンに基づいて前記第１方向に移動させ、前記ステージの前記第１方向における移動量と前記パターンとに基づいて前記偏向器による前記荷電粒子線の前記第１方向における走査幅を制御する。【選択図】図７
2015095566.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
荷電粒子線で基板に描画を行う描画装置であって、
前記荷電粒子線をブランキングするブランカーと、
前記荷電粒子線を偏向して前記基板の上で走査する偏向器と、
前記基板を保持して移動可能なステージと、
前記偏向器により前記荷電粒子線を第１方向に偏向させて前記基板の上で走査させながら前記ステージを第２方向に移動させることによって前記描画を行うように前記偏向器および前記ステージを制御する制御部と、を備え、
前記制御部は、前記第２方向に移動する前記ステージを描画すべきパターンに基づいて前記第１方向に移動させ、前記ステージの前記第１方向における移動量と前記パターンとに基づいて前記偏向器による前記荷電粒子線の前記第１方向における走査幅を制御する、ことを特徴とする描画装置。
【請求項２】
前記制御部は、前記第２方向に並んだショット領域の列ごとに前記描画を行うように前記偏向器および前記ステージを制御する、ことを特徴とする請求項１に記載の描画装置。
【請求項３】
前記制御部は、前記列を構成するショット領域の位置に基づいて前記移動量を決定する、ことを特徴とする請求項２に記載の描画装置。
【請求項４】
前記位置を計測する計測器を備える、ことを特徴とする請求項３に記載の描画装置。
【請求項５】
前記制御部は、前記列を構成するショット領域それぞれの位置に基づいて、前記ステージの軌道を決定する、ことを特徴とする請求項３または４に記載の描画装置。
【請求項６】
前記ステージの軌道は、曲線または１つの直線として決定する、ことを特徴とする請求項５に記載の描画装置。
【請求項７】
前記制御部は、前記パターンの設計情報に基づいて前記移動量を決定する、ことを特徴とする請求項１ないし６のいずれか１項に記載の描画装置。
【請求項８】
前記制御部は、前記基板上における前記荷電粒子線の位置の目標位置からのずれにも基づいて前記走査幅を決定する、ことを特徴とする請求項１ないし７のいずれか１項に記載の描画装置。
【請求項９】
前記描画装置は、前記基板上で前記第１方向において互いに間隔を有する複数の荷電粒子線で描画を行うように構成され、
前記ブランカーおよび前記偏向器をそれぞれ複数備え、
前記制御部は、前記複数の偏向器に関して前記走査幅が共通となるように前記複数の偏向器を制御する、ことを特徴とする請求項１ないし８のいずれか１項に記載の描画装置。
【請求項１０】
請求項１ないし９のいずれか１項に記載の描画装置を用いて基板に描画を行う工程と、
前記工程で描画を行われた基板を現像する工程と、
を含む、ことを特徴とする物品の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、荷電粒子線で基板に描画を行う描画装置、および物品の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体集積回路等のデバイスの製造に用いられる描画装置として、複数の荷電粒子線（荷電粒子線アレイ）で基板に描画を行う描画装置が特許文献１に開示されている。特許文献１に開示の描画装置は、複数の荷電粒子線を偏向して基板の上を走査させながら基板を荷電粒子線の偏向方向と直交する方向に移動させて描画を行っている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】国際公開２００９−１４７２０２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
特許文献１記載の描画装置は、各荷電粒子線を偏向し、描画データで各荷電粒子線の照射のオンオフを偏向と同期して制御することで目標パターンの描画を行っている。特許文献１記載の描画装置では、荷電粒子線の走査幅（偏向幅）は、複数のショット領域で共通の事前に設定された所定値であり、複数のショット領域のすべてに対応可能な値に設定されている。そのため、荷電粒子線の走査幅は大きく、描画時間が冗長化し、スループット（デバイスの生産性）の低下を招いてしまう。
【０００５】
上記ではラスタースキャン方式についての課題を説明した。しかし、ベクター方式であるＶＳＢ描画方式においても、荷電粒子線の走査幅が大きくなると描画時間が長くなるため偏向量を小さくすることが望まれている。
【０００６】
本発明は、例えば、スループットの点で有利な描画装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明は、荷電粒子線で基板に描画を行う描画装置であって、前記荷電粒子線をブランキングするブランカーと、前記荷電粒子線を偏向して前記基板の上で走査する偏向器と、前記基板を保持して移動可能なステージと、前記偏向器により前記荷電粒子線を第１方向に偏向させて前記基板の上で走査させながら前記ステージを第２方向に移動させることによって前記描画を行うように前記偏向器および前記ステージを制御する制御部と、を備え、前記制御部は、前記第２方向に移動する前記ステージを描画すべきパターンに基づいて前記第１方向に移動させ、前記ステージの前記第１方向における移動量と前記パターンとに基づいて前記偏向器による前記荷電粒子線の前記第１方向における走査幅を制御する、ことを特徴とする。
【発明の効果】
【０００８】
本発明によれば、例えば、スループットの点で有利な描画装置を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【０００９】
【図１】描画装置の構成例を示す図
【図２】ラスター走査式の描画方法を説明する図
【図３】複数のストライプ描画領域間の位置関係を説明する図
【図４】露光領域でショットの配列を描画する方法を説明する図
【図５】ウエハ上に配列されたショットを描画する方法を説明する図
【図６】変形した描画担当領域を、補正領域を付加して補正する方法を説明する図
【図７】ショット列単位に偏向量を決定する方法を説明する図
【図８】ＶＳＢ描画方式の描画方法を説明する図
【図９】ＶＳＢ描画方式において偏向量を決定する方法を説明する図
【発明を実施するための形態】
【００１０】
以下に、添付の図面を参照して本発明の実施形態を説明する。図１は、ウエハ（基板）１０に描画を行う描画装置の構成を示す。図１において、電子源（荷電粒子源）１は、電子放出材としてＬａＢ６またはＢａＯ／Ｗ（ディスペンサーカソード）などを含むいわゆる熱電子型の電子源を用いることができる。コリメータレンズ２は、電界により電子線を収束させる静電型のレンズを用いることができる。電子源１から放射された電子線は、コリメータレンズ２によって略平行の電子線となる。なお、本実施形態の描画装置は、複数の電子線で基板上にパターンを描画するものであるが、イオン線等の電子線以外の荷電粒子線を用いてもよく、複数の荷電粒子線で基板上にパターンを描画する描画装置に一般化しうる。
【００１１】
アパーチャアレイ３は、２次元に配列された開口を有する。コンデンサーレンズアレイ４には、同一の光学的パワーを有する静電型のコンデンサーレンズが２次元に配列されている。パターン開口アレイ５は、電子線の形状を規定する（決定する）パターン開口のアレイ（サブアレイ）を各コンデンサーレンズに対応して含む。５ａは、サブアレイを上から見た形状を示す。
【００１２】
コリメータレンズ２からの略平行な電子線は、アパーチャアレイ３によって複数の電子線に分割される。分割された電子線は、対応するコンデンサーレンズアレイ４のコンデンサーレンズを介して、対応するパターン開口アレイ５のサブアレイを照射する。ここで、アパーチャアレイ３は、照射の範囲を規定する機能を有している。
【００１３】
ブランカーアレイ６には、個別に駆動可能な静電型のブランカー（電極対）が各コンデンサーレンズに対応して複数備えられている。ブランキングアパーチャアレイ７には、ブランキングアパーチャ（１つの開口）が各コンデンサーレンズに対応して配列されている。ブランカーアレイ６とブランキングアパーチャアレイ７とは、荷電粒子線をブランキングする。偏向器アレイ８には、電子線を所定の方向に偏向させる偏向器が各コンデンサーレンズに対応して複数備えられている。対物レンズアレイ９には、静電型の対物レンズが各コンデンサーレンズに対応して配列されている。ここで、電子源１〜ブランキングアパーチャアレイ７および対物レンズアレイ９は、電子線をウエハ１０に照射する投影する投影系を構成している。また、電子源１からブランキングアパーチャアレイ７までの照射系および対物レンズアレイ９の投影系と偏向器アレイ８とは、電子光学系（荷電粒子光学系）を構成している。
【００１４】
パターン開口アレイ５の各サブアレイから出射された電子線は、それに対応するブランカー、ブランキングアパーチャ、偏向器、対物レンズを介して、１００分の１の大きさに縮小されてウエハ１０に投影される。ここで、サブアレイにおいてパターン開口の配列されている面が物面であり、かつ、ウエハ１０の上面が像面である、という関係となっている。
【００１５】
パターン開口アレイ５のサブアレイからの電子線は、それに対応するブランカーの制御により、ブランキングアパーチャにより遮断されるか否か、すなわち、ウエハ１０に電子線が入射するか否かが切り替えられる。それと並行して、ウエハ１０に入射する電子線は、偏向器アレイ８により、同一の偏向幅で一括して偏向されてウエハ１０上を走査される。
【００１６】
電子源１は、コリメータレンズ２とコンデンサーレンズとを介してブランキングアパーチャ上に結像され、その像の大きさは、ブランキングアパーチャの開口より大きくなるように設定されている。このため、ウエハ１０上の電子線のセミアングル（半角）は、ブランキングアパーチャの開口により規定される。ブランキングアパーチャの開口は、それに対応する対物レンズの前側焦点位置に配置されているため、サブアレイの複数のパターン開口から出射された複数の電子線の主光線は、ウエハ１０上に略垂直に入射する。このため、ウエハ１０の上面が上下に変位しても、水平面内での電子線の変位は微小となる。
【００１７】
Ｘ−Ｙステージ（ステージ）１１は、ウエハ１０を保持し、光軸と直交するＸ−Ｙ平面（水平面）内で移動可能である。ステージ１１は、ウエハ１０を保持する（引きつける）ための静電チャックのようなチャック機構（不図示）を含んでいる。ステージ１１には、電子線が入射する開口パターンを含んで電子線の位置を検出する検出器とアライメントマークとを有する基準マーク１８が設けられている。アライメントスコープ１７は、基準マーク１８の位置と、ウエハ１０に予めパターニングされている下地パターンの位置とを、アライメント計測する。搬送機構１２は、ウエハ１０を搬送し、ステージ１１との間でウエハ１０の受け渡しを行う。アライメントスコープ１７は、列を構成するショット領域の位置を計測する計測器を構成している。
【００１８】
ブランキング制御回路１３は、ブランカーアレイ６を構成する複数のブランカーを個別に制御する。偏向器制御回路１４は、偏向器アレイ８を構成する複数の偏向器を共通の信号で制御する。ステージ制御回路１５は、ステージ１１の位置を計測する不図示のレーザ干渉計と協働してステージ１１の位置決めを制御する。電子線計測回路１９は、基準マーク１８に含まれる電子線の位置を検出する検出器を制御し、電子線の位置の計測を制御する。アライメント計測回路２０は、アライメントスコープ１７を制御し、基準マーク１８や、ウエハ１０に予めパターニングされている下地パターンのアライメントマーク位置の計測を制御する。主制御部１６は、上記の複数の制御回路を制御し、描画装置を統括的に制御する。なお、描画装置の制御部２１は、本実施形態では制御回路１３〜１５、計測回路１９，２０および主制御部１６により構成されているが、これは一例に過ぎず、適宜変更が可能である。
【００１９】
図２を参照しながら、本実施形態に係るラスター走査式の描画方法を説明する。電子線は、偏向器アレイ８による偏向とステージ１１の位置とで決定されるウエハ１０上の走査グリッド上を走査されながら、描画パターンＰに応じて、ウエハ１０上への照射（オン状態）、非照射（オフ状態）がブランカーアレイ６により制御される。ここで、走査グリッドとは、図２に示すように、Ｘ方向にピッチＧＸ、Ｙ方向にピッチＧＹで形成されるグリッドである。図２中の縦線と横線との交点（グリッド点）に、電子線の照射または非照射が割り当てられる。
【００２０】
制御部２１は、ウエハ１０をステージ１１によりＹ方向（第２方向）に連続移動させながら、各電子線をＸ方向（第１方向）に走査し、各電子線の照射、非照射を、グリッドピッチＧＸで規定されるグリッド点ごとに制御する。制御部２１は、各電子線をＸ方向に走査した後、Ｙ方向のフライバックを介して、各電子線のＸ方向の走査を順次繰り返して描画を行う。各サブアレイでは、ストライプ幅ＳＷのストライプ描画領域ＳＡの描画が行われる。
【００２１】
図３は、各サブアレイ（または対物レンズＯＬ）あたりの複数のストライプ描画領域ＳＡ間の位置関係を説明する。対物レンズアレイ９は、例えば７２行１８０列の対物レンズアレイ（総計１２９６０本の対物レンズを含む）の場合、対物レンズＯＬをＸ方向に１４４μｍピッチで間隔をおいて一次元に配列する。次の行の対物レンズＯＬは、ストライプ幅ＳＷ（２μｍ）のストライプ描画領域ＳＡが隣接するように、Ｘ方向に２μｍだけずらして構成する。同図では、説明をし易くするため、図３では、４行８列の対物レンズアレイを示している。このような構成によれば、ステージ１１をＹ方向に沿った一方向に連続移動（走査）させることにより、ウエハ１０上の露光領域ＥＡに描画を行うことができる。
【００２２】
図４は、ストライプ描画領域ＳＡの集合体である露光領域ＥＡでウエハ１０上に２次元に配列された複数のショット領域ＳＨに描画を行う方法を説明する。ショット領域ＳＨは描画の単位であり、この単位で描画データをハンドリングし、加工して描画を行う。なおショット領域ＳＨのサイズは、光露光装置のショット領域のサイズ（２６ｍｍ×３３ｍｍ）と整合させると、光露光装置とのミックスアンドマッチでのプロセス上好ましい。
【００２３】
露光領域ＥＡでショット領域ＳＨを包含できるよう、ウエハ１０にＹ方向に沿った列状にショット領域ＳＨを配列し、ステージ１１でＹ方向に連続移動（走査）させることによりショット領域ＳＨの描画を行うことができる。描画領域ＥＡが例えば前述の総計１２９６０本の対物レンズを含む対物レンズアレイでストライプ幅ＳＷ（２μｍ）のストライプ描画領域ＳＡで構成される場合、描画領域ＥＡの幅は２５．９２ｍｍとなる。ショット列毎に折り返しながら走査を矢印の様に繰り返すことにより、ウエハ１０に配置された全ショット領域ＳＨの描画を行うことができる。
【００２４】
ウエハ１０上に配列するショット領域ＳＨの描画形状が同じであれば同じ描画データを繰り返し使用することができる。そうすると、描画データをハンドリングするための時間を少なくでき、生産能力の点で有利となる。ここでは露光領域ＥＡが十分広い幅を持ち、光露光装置のショット領域のサイズを包含できる場合を例示した。しかし、露光領域ＥＡの幅が逆にショット領域ＳＨの幅より小さい場合でも描画を行うことができる。そのような場合にはショット領域ＳＨを露光領域ＥＡで分割して隣接させ、順次描画を行えばよい。
【００２５】
図５は、露光領域ＥＡを構成するストライプ描画領域ＳＡとショット領域ＳＨとの関係を説明する。図３では、３２（４行８列の対物レンズアレイ）のストライプ描画領域ＳＡで露光領域ＥＡを構成する場合の図で説明した。しかし、図５では、より説明をし易くするため、１つのショット領域ＳＨを４つのストライプ描画領域ＳＡで構成し、それぞれをＳＡ１〜ＳＡ４と示す。ショット領域ＳＨは、ストライプ描画領域ＳＡ１〜ＳＡ４でＹ方向に沿って分割され、各ストライプ描画領域を描画担当領域ＷＡ１〜ＷＡ４として分担し、Ｙ方向に沿ったショット列で繰り返し描画を行う。なお以後の説明では特に説明の無い限り、ショット領域ＳＨは４つのストライプ描画領域ＳＡ１〜ＳＡ４、描画担当領域ＷＡ１〜ＷＡ４で構成される事例で説明する。
【００２６】
［補正領域の付加による形状補正］
ショット領域ＳＨごと描画を行う場合、実際には電子線の誤差や下地のショット領域の歪みによる誤差が生じる。電子線の誤差は、電子光学系の誤差等による電子線の基板上における照射位置の目標位置のずれである。下地のショット領域の歪みの情報は、アライメントスコープ１７によるアライメント計測で予め取得され、ショット領域の歪みの補正量が式１のように与えられるものとする。Ｘｓ、Ｙｓはショット領域の中心を原点としたショット座標系における任意の描画座標であり、ｄＸｓ、ｄＹｓは各描画座標における補正量である。Ａｘ、Ｂｘ、Ｃｘ、Ｄｘ、Ａｙ、Ｂｙ、Ｃｙ、Ｄｙはショット形状の補正係数である。
【００２７】
【数１】
2015095566.tif 000003
【００２８】
同様に、電子レンズや偏向器の誤差やコンタミネーションを起因とする電子線の照射位置のずれは、主にサブアレイ（または対物レンズＯＬ）を単位に発生する。このずれの情報は、電子線の計測時にサブアレイ状の電子線の平均量として電子線計測回路１９、基準マーク１８で予め計測し、式２のように与えられるものとする。Ｘｂ、Ｙｂは、サブアレイ（または対物レンズＯＬ）を単位とする補正を表現するために、ショット座標系を各サブアレイの偏向中心を原点とした各ビーム偏向座標系に置き換えた描画座標である。ｄＸｎ、ｄＹｎは各描画座標における補正量である。Ａｘｎ、Ｂｘｎ、Ｃｘｎ、Ｄｘｎ、Ａｙｎ、Ｂｙｎ、Ｃｙｎ、Ｄｙｎは補正係数であり、ｎは各サブアレイ（または対物レンズＯＬ）を区別するための数字を示す。
【００２９】
【数２】
2015095566.tif 000004
【００３０】
式１で表現される下地のショット領域の歪による誤差や式２で表現される電子線の照射位置のずれによる誤差を補正した後の描画座標（Ｘｓ’、Ｙｓ’）は、式３で表される。
【００３１】
【数３】
2015095566.tif 000005
【００３２】
図６は、電子線の誤差や下地のショット領域の誤差により位置や形状が変化した描画担当領域ＷＡ１〜ＷＡ４を、補正領域ＣＡ１〜ＣＡ４を付加して描画する方法を説明する。図６の（ａ）は、隣接する描画担当領域ＷＡ１〜ＷＡ４およびその補正領域ＣＡ１〜ＣＡ４を配置の通り隣接させた状態を示す。図６の（ｂ）〜（ｅ）は、図６の（ａ）における描画担当領域ＷＡ１〜ＷＡ４およびその補正領域ＣＡ１〜ＣＡ４を判りやすくするために分離して示している。ショット領域ＳＨを構成する描画担当領域ＷＡ１〜ＷＡ４の位置や形状は式３の補正の結果、各々破線の様に変化する。それらの位置や形状変化を補償して描画するため、制御部２１は、各描画担当領域ＷＡ１〜ＷＡ４の境界部に補正領域ＣＡ１〜ＣＡ４を冗長的に付加してオーバースキャンし、露光領域ＥＡを広げて描画データで補正する。図６では判りやすくするためにＣＡ１を付加した領域を特に太い線で示している。具体的にはＸ方向はストライプ幅ＳＷを拡張して隣接ストライプ描画領域間でオーバーラップさせ、Ｙ方向は単純に領域を拡大する事で補正領域ＣＡ１〜ＣＡ４を付加する。
【００３３】
描画担当領域ＷＡ１〜ＷＡ４毎に描画データを式３で補正をし、補正領域ＣＡ１〜ＣＡ４を含めた領域で描画を行う。前述のようにＸ方向の補正領域はストライプ幅ＳＷを拡張して確保するため、走査幅（偏向幅)を広げる必要がある。拡張した走査幅（時間）は、前記補正を行うために必要であるが、生産性の観点からすると無駄な幅（時間）となる。
【００３４】
従来、補正領域の量は、補正対象となる各種誤差量を勘案して必要な補正領域量を見積って事前に設定していた。しかし前記補正を実現しながら生産性の低下を抑えるため、本発明では、補正領域の量を実際の補正に必要な最低限な量に調整して、走査幅を決定する。
【００３５】
［第１実施形態］
図４のようにウエハ１０上に配列されたショット領域ＳＨは、ショット列単位にＹ方向に連続移動（走査）させながらＸ方向に電子線をＸ方向に偏向して走査して、各ストライプ描画領域の描画を行うことで各ショット領域ＳＨを描画する。ここで各ストライプ描画領域の描画に求められるＹ方向の連続移動（走査）速度は、電子線のＸ方向の走査幅（時間）に依存し、電子線の走査幅（時間）が大きいほど遅く、小さいほど速くなる。Ｙ方向にステージ１１で一定速度の安定した走査を行いながら各ストライプ描画領域を同時に描画するためには、ショット列単位に各ストライプ描画領域のＸ方向の走査幅（時間）を共通した一定の値にすることが必要となる。
【００３６】
図７は、制御部２１が、ステージの走査軌道を求め、ショット列単位に必要な補正領域の量を算出し、走査幅を決定する方法を説明する。ステージ１１を駆動した時、偏向器アレイ８が偏向していない状態でウエハ１０上に投影された電子線配列の重心位置がウエハ１０上に描く軌跡をステージの走査軌道と呼ぶことにする。変形が無い各ショット領域ＳＨのＸ方向中心値を通るように設定したステージの走査軌道を図７の（ａ）に一点鎖線ＰａＳ１で示す。
【００３７】
ショット列のショット領域ＳＨの配置や形状は、図７の（ａ）のように実際は各々異なっており、直前のアライメント計測で取得する。また電子線の誤差はサブアレイ（または対物レンズＯＬ）を単位に発生しており、直前の電子線の計測で取得する。まず、ステージの走査軌道の算出について説明する。図７の（ａ）に示すように、ショット列の各ショット領域ＳＨの重心座標Ｇｒを求め、得られた重心座標Ｇｒを繋ぐ直線をステージの走査軌道ＰａＳ２とする。ステージの走査軌道ＰａＳ１と走査軌道ＰａＳ２との間で、あるＹ座標におけるＸ方向の偏差をｄＸｓｔとする。
【００３８】
次にステージの走査軌道ＰａＳ１でショット領域ＳＨの描画を行う場合、ショット列単位に必要な補正領域の量を算出し、走査幅を決定する方法を説明する。式１で表現されるショット形状の補正係数は、ショット列内のショット領域ＳＨ毎に異なり、式２で表現される電子線の補正係数は直前の電子線の計測結果で更新される。そのため、式３で表現される補正量（補正後の描画座標）も異なる。つまり、各ショット領域ＳＨを構成する各描画担当領域ＷＡ１〜ＷＡ４の単位で、式３で表現される補正量（補正後の描画座標）が異なり、実際に必要とされる補正領域の量も異なる。よってショット列単位で、前述の必要量の異なる補正領域量を全て包含できる必要最低幅にＸ方向の走査幅を調整して描画を行うことで、無駄な偏向時間を低減する。
【００３９】
具体的には、まずショット列を構成する各ショットＳＨの各描画担当領域ＷＡ１〜ＷＡ４に必要なＸ方向の補正偏差量を各々全て求める。図７の（ｂ）でショット列を包含する露光領域ＥＡ内の任意の描画担当領域ＷＡｍの補正偏差量の求め方を説明する。ここでＷＡｍは任意の描画担当領域（ｍは各描画担当領域をユニークに区別する数字）を示し、諸誤差のために変形したＷＡｍを破線で示す。補正領域として事前に見積り設定していた領域をＣＡｍ、実際の必要補正量に応じて最適化した補正領域をＣＡｍ’（一点鎖線）で示す。
【００４０】
式１〜式３で表現される形状の補正変換は、四角形を四角形に補正変換する性質である為、描画担当領域ＷＡｍの４つの頂点Ｖ１ｍ〜Ｖ４ｍから必要な補正偏差量を求めることができる。各描画担当領域の４つの頂点Ｖ１ｍ〜Ｖ４ｍの座標を式１、式２で座標変換し、Ｘ座標について補正前の座標からの補正偏差（ｄＸｓ＋ｄＸｎ）がそれぞれ求まる。ここで４つの頂点Ｖ１ｍ〜Ｖ４ｍの補正偏差をそれぞれｄＸＶ１ｍ、ｄＸＶ２ｍ、ｄＸＶ３ｍ、ｄＸＶ４ｍとする。描画担当領域ＷＡｍのＸ方向負側の補正領域量はｄＸＶ１ｍ、ｄＸＶ２ｍの小さい方、Ｘ方向正側の補正領域量はｄＸＶ３ｍ、ｄＸＶ４ｍの大きい方となる。図７の（ｂ）の場合、Ｘ方向負側の補正領域量はｄＸＶ１ｍ（負値）、Ｘ方向正側の補正領域量はｄＸＶ３ｍ（正値）となる。よって図７の（ｂ）の描画担当領域ＷＡｍを形状補正して描画するには、補正前のＸ方向の走査幅を負側に−ｄＸＶ１ｍ、正側にｄＸＶ３ｍに拡張し、走査幅を（ｄＸＶ３ｍ−ｄＸＶ１ｍ）だけ拡大すれば良い。
【００４１】
ショット列単位で共通な走査幅は、前述のように求めた全描画担当領域ＷＡｍのＸ方向に負側の補正領域量の最小値、Ｘ方向に正側の補正領域量の最大値から同様に決定できる。つまりショット列単位で形状補正して描画するには、補正前のＸ方向の走査幅を負側にＸ方向負側の補正領域量の最小値まで、正側にＸ方向正側の補正領域量の最大値まで拡張し、走査幅を決定することができる。
【００４２】
次に、ステージの走査軌道ＰａＳ２でショット領域ＳＨの描画を行う場合、ショット列単位に必要な補正領域の量を算出し、走査幅を決定する方法を説明する。ステージの走査軌道ＰａＳ１の場合には、描画担当領域ＷＡｍの４頂点Ｖ１ｍ〜Ｖ４ｍの座標を式１、式２で座標変換し、補正偏差（ｄＸｓ＋ｄＸｎ）を求めた。ステージの走査軌道ＰａＳ２の場合、ＷＡｍの４頂点だけでなく、描画担当領域ＷＡｍのＹ方向範囲におけるステージの走査軌道ＰａＳ２上に変曲点が存在する場合には、変曲点のＹ座標におけるＷＡｍ外周の座標も考慮に入れて計算する。また補正偏差は、上記で説明したステージの走査軌道ＰａＳ１と走査軌道ＰａＳ２との間の偏差ｄＸｓｔを考慮した補正偏差（ｄＸｓ＋ｄＸｎ＋ｄＸｓｔ）を求める。偏差ｄＸｓｔは、ステージ１１のＸ方向（第１方向）における移動量を表す。４つの頂点の座標と外周座標について補正偏差（ｄＸｓ＋ｄＸｎ＋ｄＸｓｔ）を求めた後は、ステージの走査軌道ＰａＳ１の場合と同様の手順で走査幅を求めることができる。
【００４３】
第１実施形態では、ステージの走査軌道ＰａＳ２を、下地の各ショット領域ＳＨの重心座標を直線で繋ぐことで求めたが、各ショット領域ＳＨの重心座標を直線近似または曲線近似することで求めても良い。また重心座標は下地ショット領域毎に求めたが、下地ショット領域を複数に分解した後に重心座標を求めても良い。第１実施形態ではステージ１１はＸＹ方向移動のみとしたが、回転方向に駆動させることも可能である。また各電子線に均一な位置ずれが生じている場合は、位置ずれの量に対応してステージの走査軌道をオフセットさせても良い。
【００４４】
［第２実施形態］
第１実施形態はラスタースキャン方式で説明したが、ベクタースキャン方式として可変成形電子線を用いた描画方法（ＶＳＢ方式）が考案されている。ＶＳＢ描画方式では描画パターンを矩形形状の図形に分割し、電子線の形状を分割した矩形に成形して描画を行う。ＶＳＢ描画方式の動作を以下で説明する。
【００４５】
図８はＶＳＢ描画方式を説明する。電子源１から放射された電子線２０２は、第１アパーチャ２０３を通過する。第１アパーチャ２０３には矩形形状の第１開口２０４が形成されており、電子線２０２を矩形形状に成形する。第1アパーチャ２０３通過後の電子線２０２は、第１偏向器２０５により偏向されて、第２アパーチャ２０６に照射される。第２アパーチャ２０６には電子線を所定の矩形図形に成形するための第２開口２０７が形成されている。第２アパーチャ２０６通過後の電子線２０２は第２偏向器２０８により偏向されて、連続的に移動するステージ上に搭載されたウエハ１０に照射される。描画パターンをさまざまな大きさの矩形図形に分割して描画し、矩形図形の集合で描画パターンが形成される。
【００４６】
図９は、ウエハ１０上の描画領域の一部を示す。ＶＳＢショットで示される各図形は、ウエハ１０上に形成される描画パターンを矩形図形に分割したものである。一点鎖線で示すステージの走査軌道ＰａＳ１に沿ってステージ１１が連続駆動し、第２偏向器２０８で偏向可能なＬｅｎＤの範囲にあるＶＳＢショットを、電子線２０２を偏向して逐次描画を行う。逐次描画するＶＳＢショット間で走査幅が大きいと、偏向器の整定待ち時間が増加してしまい、生産性を低下させてしまうため、走査幅は小さいほうが望ましい。
【００４７】
ここでまず図９に示すように描画領域をａｒｅａＡ、ａｒｅａＢ、ａｒｅａＣに分割する。次に分割した各領域に含まれる描画パターンの重心値を描画パターンの設計情報に基づいて領域毎に算出し、算出した重心値を繋ぐ直線を図９の実線で示すステージの走査軌道ＰａＳ２とする。ステージの走査軌道ＰａＳ１と走査軌道ＰａＳ２の間で、あるＹ座標におけるＸ方向の偏差をｄＸｓｔとする。ステージの走査軌道ＰａＳ２の場合の描画座標は、走査軌道ＰａＳ１の場合の描画座標からＸ方向にｄＸｓｔだけ変化する。ステージの走査軌道をＰａＳ２として描画を行うことよって、偏向器の走査幅を抑えることができる。
【００４８】
［物品の製造方法］
本発明の実施形態に係る物品の製造方法は、例えば、半導体デバイス等のマイクロデバイスや微細構造を有する素子等の物品を製造するのに好適である。該製造方法は、感光剤が塗布された基板の該感光剤に上記の描画装置を用いて潜像パターンを形成する工程（基板に描画を行う工程）と、当該工程で潜像パターンが形成された基板を現像する工程とを含みうる。さらに、該製造方法は、他の周知の工程（酸化、成膜、蒸着、ドーピング、平坦化、エッチング、レジスト剥離、ダイシング、ボンディング、パッケージング等）を含みうる。本実施形態の物品の製造方法は、従来の方法に比べて、物品の性能・品質・生産性・生産コストの少なくとも１つにおいて有利である。
【００４９】
以上、本発明の実施形態について説明したが、本発明はこれらの実施形態に限定されず、その要旨の範囲内で種々の変形および変更が可能である。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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