(57)【要約】【課題】レーザダイオードに対して光ファイバを精度高く調心することができる光ファイバの調心を提供する。【解決手段】光ファイバ２０の光路を第１の分岐光路２２と第２の分岐光路２４に分岐し、第１の分岐光路２２に光源３０を、第２の分岐光路２４に光検出器３２を光学的に接続する。端面発光型の利得導波型レーザダイオード５０から出射されるレーザ光の波長よりも長い波長の調心光を光源３０から光ファイバ２０を通してレーザダイオード５０に照射する。レーザダイオード５０で反射し光ファイバ２０及び第２の分岐光路２４を通って光検出器３２に至る調心光の光量を検出する。レーザダイオード５０と光ファイバ２０とを相対的に移動させつつ、光検出器３２により検出される調心光の光量に基づいてレーザダイオード５０に対する光ファイバ２０の調心位置を決定する。【選択図】図７
2015052751.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
電流を流すことにより励起されるストライプ領域を内部に有する活性層と、前記活性層の第１の端面に形成された低反射面と、前記活性層の第２の端面に形成された高反射面と、縦方向で前記活性層を挟み込むクラッド層であって前記活性層の屈折率よりも屈折率の低いクラッド層とを有する端面発光型の利得導波型レーザダイオードに対して光ファイバを調心する方法であって、
前記光ファイバの光路を第１の分岐光路と第２の分岐光路に分岐し、
前記第１の分岐光路に、前記レーザダイオードから出射されるレーザ光の波長よりも長い波長の調心光を出射可能な光源を光学的に接続し、
前記第２の分岐光路に、該第２の分岐光路を通る光の光量を検出可能な光検出器を光学的に接続し、
前記レーザダイオードに電流を流して前記ストライプ領域を励起しつつ、前記光源から前記調心光を前記第１の分岐光路及び前記光ファイバを通して前記レーザダイオードの前記第１の端面側に照射し、
前記レーザダイオードで反射し前記光ファイバ及び前記第２の分岐光路を通って前記光検出器に至る前記調心光の光量を検出し、
前記レーザダイオードと前記光ファイバとを相対的に移動させつつ、前記光検出器により検出される前記調心光の光量に基づいて前記レーザダイオードに対する前記光ファイバの調心位置を決定する
ことを特徴とするレーザダイオードに対する光ファイバの調心方法。
【請求項２】
前記光ファイバの調心位置の決定において、前記レーザダイオードと前記光ファイバとを前記縦方向に沿って相対的に移動させつつ、前記光検出器により検出される前記調心光の光量が最大となる位置を前記縦方向における前記光ファイバの調心位置とすることを特徴とする請求項１に記載の光ファイバの調心方法。
【請求項３】
前記光ファイバの調心位置の決定において、前記レーザダイオードと前記光ファイバとを前記縦方向及び前記レーザダイオードのレーザ光の出射方向に対して垂直な横方向に沿って相対的に移動させつつ、前記光検出器により検出される前記調心光の光量が最小となる位置を前記横方向における前記光ファイバの調心位置とすることを特徴とする請求項１又は２に記載の光ファイバの調心方法。
【請求項４】
前記光ファイバの調心位置の決定において、
前記レーザダイオードと前記光ファイバとを前記縦方向に沿って相対的に移動させつつ、前記光検出器により検出される前記調心光の光量が最大となる位置を前記縦方向における前記光ファイバの調心位置とし、
前記縦方向における前記光ファイバの調心位置を維持したまま、前記レーザダイオードと前記光ファイバとを前記縦方向及び前記レーザダイオードのレーザ光の出射方向に対して垂直な横方向に沿って相対的に移動させつつ、前記光検出器により検出される前記調心光の光量が最小となる位置を前記光ファイバの調心位置とする
ことを特徴とする請求項１に記載の光ファイバの調心方法。
【請求項５】
前記レーザ光の波長をフィルタしてから、あるいは前記レーザ光を分離してから前記調心光を前記光検出器に導くことを特徴とする請求項１から４のいずれか一項に記載の光ファイバの調心方法。
【請求項６】
電流を流すことにより励起されるストライプ領域を内部に有する活性層と、前記活性層の第１の端面に形成された低反射面と、前記活性層の第２の端面に形成された高反射面と、縦方向で前記活性層を挟み込むクラッド層であって前記活性層の屈折率よりも屈折率の低いクラッド層とを有する端面発光型の利得導波型レーザダイオードと光ファイバの一方を基板に固定し、
前記光ファイバの光路を第１の分岐光路と第２の分岐光路に分岐し、
前記第１の分岐光路に、前記レーザダイオードから出射されるレーザ光の波長よりも長い波長の調心光を出射可能な光源を光学的に接続し、
前記第２の分岐光路に、該第２の分岐光路を通る光の光量を検出可能な光検出器を光学的に接続し、
前記レーザダイオードに電流を流して前記ストライプ領域を励起しつつ、前記光源から前記調心光を前記第１の分岐光路及び前記光ファイバを通して前記レーザダイオードの前記第１の端面側に照射し、
前記レーザダイオードで反射し前記光ファイバ及び前記第２の分岐光路を通って前記光検出器に至る前記調心光の光量を検出し、
前記レーザダイオードと前記光ファイバとを相対的に移動させつつ、前記光検出器により検出される前記調心光の光量に基づいて前記レーザダイオードに対する前記光ファイバの調心位置を決定し、
前記レーザダイオードに対して前記光ファイバを前記調心位置に維持した状態で、前記レーザダイオードと前記光ファイバの他方を前記基板に固定する
ことを特徴とするレーザダイオードモジュールの製造方法。
【請求項７】
前記光ファイバの調心位置の決定において、前記レーザダイオードと前記光ファイバとを前記縦方向に沿って相対的に移動させつつ、前記光検出器により検出される前記調心光の光量が最大となる位置を前記縦方向における前記光ファイバの調心位置とすることを特徴とする請求項６に記載のレーザダイオードモジュールの製造方法。
【請求項８】
前記光ファイバの調心位置の決定において、前記レーザダイオードと前記光ファイバとを前記縦方向及び前記レーザダイオードのレーザ光の出射方向に対して垂直な横方向に沿って相対的に移動させつつ、前記光検出器により検出される前記調心光の光量が最小となる位置を前記横方向における前記光ファイバの調心位置とすることを特徴とする請求項６又は７に記載のレーザダイオードモジュールの製造方法。
【請求項９】
前記光ファイバの調心位置の決定において、
前記レーザダイオードと前記光ファイバとを前記縦方向に沿って相対的に移動させつつ、前記光検出器により検出される前記調心光の光量が最大となる位置を前記縦方向における前記光ファイバの調心位置とし、
前記縦方向における前記光ファイバの調心位置を維持したまま、前記レーザダイオードと前記光ファイバとを前記縦方向及び前記レーザダイオードのレーザ光の出射方向に対して垂直な横方向に沿って相対的に移動させつつ、前記光検出器により検出される前記調心光の光量が最小となる位置を前記光ファイバの調心位置とする
とすることを特徴とする請求項６に記載のレーザダイオードモジュールの製造方法。
【請求項１０】
前記レーザ光の波長をフィルタしてから、あるいは前記レーザ光を分離してから前記調心光を前記光検出器に導くことを特徴とする請求項６から９のいずれか一項に記載のレーザダイオードモジュールの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、レーザダイオードに対する光ファイバの調心方法に係り、特に端面発光型の利得導波型レーザダイオードに対する光ファイバの調心方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
レーザダイオード（ＬＤ）モジュールを製作する際には、光ファイバをレーザダイオードに対して調心する必要があるが、より正確な光ファイバの調心を行うために、レーザダイオードからレーザ光を出射させた状態で光ファイバの調心（アクティブ調心）が行われることがある（例えば、特許文献１，２参照）。
【０００３】
このアクティブ調心においては、図１に示すように、基板１００に載置されたＬＤチップ１１０に電源１２０を接続し、ＬＤチップ１１０内のレーザダイオードに電流を流して、ＬＤチップ１１０のレーザダイオードの出射端面からレーザ光１３０を出射させる。このレーザ光１３０は光ファイバ１４０に入射し、この光ファイバ１４０の端部に接続された光検出器１５０によってその光量が検出される。
【０００４】
この状態で、光ファイバ１４０やレンズ（図示せず）などの光学系を移動させながら、光検出器１５０で検出されるレーザ光の光量が最も多くなる位置（調心位置）を探し、その位置に光ファイバ１４０を固定する。このようにして、ＬＤチップ１１０のレーザダイオードに対して光ファイバ１４０が調心され、ＬＤチップ１１０からのレーザ光１３０が光ファイバ１４０に結合される。
【０００５】
ここで、マルチモードレーザ光を出射するＬＤチップの場合、高電流を印加しつつアクティブ調心を行うと、出射されるレーザ光が強くなりすぎて光ファイバの被覆が壊れてしまうおそれがあり、また発熱量が大きくなるために冷却装置が必要となる。このような発熱の影響を抑える方法として、パルス状に電流を流すことも考えられるが、電源や光検出器の構成が複雑になるために装置が高価なものとなる。このため、アクティブ調心をする場合には低電流領域でレーザダイオードを動作させる必要があるが、低電流領域ではレーザ光の横モードが不安定になりやすく、レーザダイオードの活性層に平行な方向の結合位置が動作電流領域での結合位置とずれてしまうことも考えられる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開２００３−５７４９８号公報
【特許文献２】特開２００５−１８２０１４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
本発明は、このような従来技術の問題点に鑑みてなされたもので、低電流領域でレーザダイオードを動作させながら、レーザダイオードに対して光ファイバを精度高く調心することができる光ファイバの調心方法を提供することを第１の目的とする。
【０００８】
また、本発明は、レーザダイオードに対して光ファイバが精度高く調心されたレーザダイオードモジュールを製造する方法を提供することを第２の目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明の第１の態様によれば、端面発光型の利得導波型レーザダイオードに対して光ファイバを調心する方法が提供される。このレーザダイオードは、電流を流すことにより励起されるストライプ領域を内部に有する活性層と、上記活性層の第１の端面に形成された低反射面と、上記活性層の第２の端面に形成された高反射面と、縦方向で上記活性層を挟み込むクラッド層であって上記活性層の屈折率よりも屈折率の低いクラッド層とを有している。この調心方法では、上記光ファイバの光路を第１の分岐光路と第２の分岐光路に分岐し、上記第１の分岐光路に、上記レーザダイオードから出射されるレーザ光の波長よりも長い波長の調心光を出射可能な光源を光学的に接続し、上記第２の分岐光路に、該第２の分岐光路を通る光の光量を検出可能な光検出器を光学的に接続し、上記レーザダイオードに電流を流して上記ストライプ領域を励起しつつ、上記光源から上記調心光を上記第１の分岐光路及び上記光ファイバを通して上記レーザダイオードの上記第１の端面側に照射し、上記レーザダイオードで反射し上記光ファイバ及び上記第２の分岐光路を通って上記光検出器に至る上記調心光の光量を検出し、上記レーザダイオードと上記光ファイバとを相対的に移動させつつ、上記光検出器により検出される上記調心光の光量に基づいて上記レーザダイオードに対する上記光ファイバの調心位置を決定する。
【００１０】
本発明の第２の態様によれば、電流を流すことにより励起されるストライプ領域を内部に有する活性層と、上記活性層の第１の端面に形成された低反射面と、上記活性層の第２の端面に形成された高反射面と、縦方向で上記活性層を挟み込むクラッド層であって上記活性層の屈折率よりも屈折率の低いクラッド層とを有する端面発光型の利得導波型レーザダイオードを含むレーザダイオードモジュールの製造方法が提供される。この方法では、上記レーザダイオードと光ファイバの一方を基板に固定し、上記光ファイバの光路を第１の分岐光路と第２の分岐光路に分岐し、上記第１の分岐光路に、上記レーザダイオードから出射されるレーザ光の波長よりも長い波長の調心光を出射可能な光源を光学的に接続し、上記第２の分岐光路に、該第２の分岐光路を通る光の光量を検出可能な光検出器を光学的に接続し、上記レーザダイオードに電流を流して上記ストライプ領域を励起しつつ、上記光源から上記調心光を上記第１の分岐光路及び上記光ファイバを通して上記レーザダイオードの上記第１の端面側に照射し、上記レーザダイオードで反射し上記光ファイバ及び上記第２の分岐光路を通って上記光検出器に至る上記調心光の光量を検出し、上記レーザダイオードと上記光ファイバとを相対的に移動させつつ、上記光検出器により検出される上記調心光の光量に基づいて上記レーザダイオードに対する上記光ファイバの調心位置を決定し、上記レーザダイオードに対して上記光ファイバを上記調心位置に維持した状態で、上記レーザダイオードと上記光ファイバの他方を上記基板に固定する。
【００１１】
本発明によれば、レーザダイオードに電流を流すことにより生じるレーザ光の代わりに、外部の光源から入射しレーザダイオードの活性層の第２の端面で反射する調心光を用いて光ファイバの調心を行っているため、レーザダイオードに流す電流を低電流としても、正確に光ファイバの調心を行うことができる。例えば、レーザダイオードに流す電流を閾値電流以下とした場合にも光ファイバの調心が可能である。
【００１２】
上記光ファイバの調心位置の決定において、上記レーザダイオードと上記光ファイバとを上記縦方向に沿って相対的に移動させつつ、上記光検出器により検出される上記調心光の光量が最大となる位置を上記縦方向における上記光ファイバの調心位置としてもよい。また、上記光ファイバの調心位置の決定において、上記レーザダイオードと上記光ファイバとを上記縦方向及び上記レーザダイオードのレーザ光の出射方向に対して垂直な横方向に沿って相対的に移動させつつ、上記光検出器により検出される上記調心光の光量が最小となる位置を上記横方向における上記光ファイバの調心位置としてもよい。光ファイバの縦方向の移動及び横方向の移動の順序は特に限定されないが、先に光ファイバを縦方向に移動させて縦方向の位置決めを正確にしてから横方向の位置決めをすることが好ましい。
【００１３】
また、上記レーザ光の波長をフィルタしてから、あるいは上記レーザ光を分離してから上記調心光を上記光検出器に導くこととしてもよい。
【発明の効果】
【００１４】
本発明によれば、低電流領域でレーザダイオードを動作させながら、光ファイバをレーザダイオードに対して精度高く調心することができる光ファイバの調心方法が提供される。また、レーザダイオードに対して光ファイバが精度高く調心されたレーザダイオードモジュールを製造する方法が提供される。
【図面の簡単な説明】
【００１５】
【図１】従来のレーザダイオードモジュールにおける光ファイバの調心方法を説明する模式図である。
【図２】本発明の一実施形態におけるレーザダイオードモジュールを示す模式図である。
【図３】図２に示されるレーザダイオードモジュールのレーザダイオードの構造を模式的に示す断面図である。
【図４】図３のIV-IV線断面図である。
【図５】図２に示されるレーザダイオードモジュールの製造方法を説明する模式図である。
【図６】図２に示されるレーザダイオードモジュールの製造方法を説明する模式図である。
【図７】図２に示されるレーザダイオードモジュールの製造方法を説明する模式図である。
【図８】図３に示されるレーザダイオードに電流を流していないときの活性層の屈折率を模式的に示す図である。
【図９】図３に示されるレーザダイオードに電流を流しているときの活性層の屈折率を模式的に示す図である。
【図１０】図３のレーザダイオードにおける調心光の光路を説明する模式図である。
【図１１】図３のレーザダイオードにおける調心光の光路を説明する模式図である。
【図１２】図３に示されるレーザダイオードから調心光が出射される部分を示す模式図である。
【図１３】図３に示されるレーザダイオードに対して光ファイバを調心する方法を説明する模式図である。
【図１４】図１３のＹ方向に沿って光ファイバを移動させたときに検出される調心光の光量を模式的に示すグラフである。
【図１５】図１３のＸ方向に沿って光ファイバを移動させたときに検出される調心光の光量を模式的に示すグラフである。
【発明を実施するための形態】
【００１６】
以下、本発明に係るレーザダイオードモジュールの製造方法の実施形態について図２から図１５を参照して詳細に説明する。なお、図２から図１５において、同一又は相当する構成要素には、同一の符号を付して重複した説明を省略する。
【００１７】
図２は、本発明の一実施形態におけるレーザダイオード（ＬＤ）モジュール１０を示す模式図である。図２に示すＬＤモジュール１０は、基板１２と、基板１２上に固定された第１のサブマウント１４と、第１のサブマウント１４上に固定されたＬＤチップ１６と、基板１２上に固定された第２のサブマウント１８と、第２のサブマウント１８に固定された光ファイバ２０とを備えている。ＬＤチップ１６は内部に利得導波型レーザダイオードを有している。また、ＬＤチップ１６と光ファイバ２０との間には、ＬＤチップ１６のレーザダイオードから出射されたレーザ光を光ファイバ２０に集光するためのレンズ（図示せず）などの光学系が配置されている。
【００１８】
図３は、ＬＤチップ１６内のレーザダイオード５０を示しており、レーザ光出射方向に垂直な方向の断面図である。図３に示すように、このレーザダイオード５０は、利得導波型レーザダイオードであり、ｐ−ＧａＡｓ層５１と、ｐ−ＧａＡｓ層５１の一部を露出させるようにｐ−ＧａＡｓ層５１上に形成された絶縁膜（ＳｉＯ2）５２と、絶縁膜５２上に形成されたｐ電極５３と、ｐ−ＧａＡｓ層５１の下方に配置されたｐ−ＡｌＧａＡｓ層５４と、ｐ−ＡｌＧａＡｓ層５４の下方に配置されたＡｌＧａＡｓ活性層５５と、ＡｌＧａＡｓ活性層５５の下方に配置されたｎ−ＡｌＧａＡｓ層５６と、ｎ−ＡｌＧａＡｓ層５６の下方に配置されたｎ−ＧａＡｓ基板５７と、ｎ−ＧａＡｓ基板５７の下面に形成されたｎ電極５８とを備えている。このように、ＡｌＧａＡｓ活性層５５が、ｐクラッド層であるｐ−ＡｌＧａＡｓ層５４とｎクラッド層であるｎ−ＡｌＧａＡｓ層５６で挟み込まれており、ダブルヘテロ（ＤＨ）構造が形成されている。このような構成において、縦方向（クラッド層及び活性層が積層されている方向）に沿ってｐ電極５３からｎ電極５８に電流を流すと、活性層５５のストライプ領域５９においてキャリア励起による反転分布が生じてレーザ光が生じる。
【００１９】
なお、レーザダイオード５０として用いられる利得導波型レーザダイオードは、図３に示されるものに限られない。例えば、図３のｐ−ＧａＡｓ層５１に代えてｐ−ＩｎＧａＡｓＰ層を、ｐ−ＡｌＧａＡｓ層５４に代えてｐ−ＩｎＰ層を、ＡｌＧａＡｓ活性層５５に代えてＩｎＧａＡｓＰ活性層を、ｎ−ＡｌＧａＡｓ層５６に代えてｎ−ＩｎＰ層を、ｎ−ＧａＡｓ基板５７に代えてｎ−ＩｎＰ基板を用いることとしてもよい。
【００２０】
図４は、図３のIV-IV線断面図である。図４に示すように、レーザダイオード５０の活性層５５の軸方向の端面５５Ａ，５５Ｂは劈開面により構成される。端面５５Ａには、例えば誘電体の積層膜からなる反射防止膜（図示せず）が成膜されており、この端面５５Ａは、活性層５５のストライプ領域５９で生じたレーザ光の一部を外部に出射する低反射面を構成する。一方、端面５５Ｂには、例えば誘電体の積層膜からなる高反射膜（図示せず）が成膜されており、この端面５５Ｂは、活性層５５のストライプ領域５９で生じたレーザ光を反射する高反射面を構成する。ｐ電極５３からｎ電極５８に電流を流すことにより活性層５５のストライプ領域５９に生じたレーザ光は、低反射面である端面５５Ａと高反射面である端面５５Ｂとの間に形成される共振器により増幅され、その一部が低反射面である端面５５Ａから外部に出射される。このように、本実施形態におけるレーザダイオード５０は、端面発光型のレーザダイオードとなっている。
【００２１】
次に、レーザダイオード５０に対して光ファイバ２０を調心しつつＬＤモジュール１０を製造する方法について図５から図１５を参照して説明する。
【００２２】
まず、図５に示すように、上面にＬＤチップ１６が固定された第１のサブマウント１４を基板１２上に固定する。次に、図６に示すように、第２のサブマウント１８を基板１２上に固定し、この第２のサブマウント１８上に光ファイバ２０を載置する。このとき、光ファイバ２０の第１の端部２０ＡをＬＤチップ１６の近傍に位置させる。
【００２３】
そして、図７に示すように、光ファイバ２０の第２の端部２０Ｂ（図６参照）に、第１の分岐光路（光ファイバ）２２と第２の分岐光路（光ファイバ）２４が接続された光カプラ２６を取り付ける。この光カプラ２６によって光ファイバ２０を伝搬する光は第１の分岐光路２２と第２の分岐光路２４に分岐する。なお、この光カプラ２６としては、バルク型カプラ、導波型カプラ、ファイバ型カプラ（融着）など種々の光合成分離手段を用いることができる。
【００２４】
次に、第１の分岐光路２２の端部に、ＬＤチップ１６のレーザダイオードから出射されるレーザ光の波長よりも長い波長の光（調心光）を出射可能な光源３０を光学的に接続する。また、第２の分岐光路２４の端部に、第２の分岐光路２４を通る光の光量を検出可能な光検出器３２を光学的に接続する。
【００２５】
この状態で光ファイバ２０の第１の端部２０ＡをＬＤチップ１６に近づける。例えば、光ファイバ２０とＬＤチップ１６との間に配置されたレンズの焦点付近に光ファイバ２０の第１の端部２０Ａを位置させる。
【００２６】
ここで、図８は、レーザダイオード５０に電流を流していないときの活性層５５の屈折率を模式的に示す図である。図８に示すように、縦方向については、活性層５５は、その上下の層（ｐ−ＡｌＧａＡｓ層５４とｎ−ＡｌＧａＡｓ層５６）よりも屈折率が高くなっているため、光が活性層５５内に閉じ込められる導波路構造が形成されている。また、レーザダイオード５０に電流を流していないときの活性層５５の横方向の屈折率は一定である。半導体は、電流を流すと屈折率が下がるという特性を持っているため、電源７０（図７参照）によってレーザダイオード５０のｐ電極５３からｎ電極５８に電流を流すと、図９に示すように、横方向については、活性層５５のストライプ領域５９の屈折率がその外側の領域の屈折率よりも低くなる。
【００２７】
本実施形態では、光ファイバ２０の調心のために、レーザダイオード５０のｐ電極５３からｎ電極５８に電流を流して活性層５５内に図９に示す横方向の屈折率分布を形成する。そして、この状態で光源３０を発光させる。
【００２８】
光源３０から出射された調心光は、図７の矢印Ａに示すように、第１の分岐光路２２及び光カプラ２６を通って光ファイバ２０に至る。そして、この調心光は、光ファイバ２０の第１の端部２０Ａからレーザダイオード５０の端面５５Ａ側に照射される。
【００２９】
図１０に示すように、光ファイバ２０の第１の端部２０Ａから出射された調心光（Ｌ1）が、レーザダイオード５０の導波路である活性層５５のストライプ領域５９に入射した場合、縦方向については、上述した導波路構造により調心光が活性層５５内に閉じ込められるが、横方向については、活性層５５内で屈折率が相対的に高い領域、すなわちストライプ領域５９の外側の外側領域６０に調心光が出ていくことになる（Ｌ2）。活性層５５の側面は空気との界面であるため、外側領域６０に出た調心光は側面で容易に全反射する（Ｌ3）。また、活性層５５内の外側領域６０からストライプ領域５９に向かう光は、外側領域６０とストライプ領域５９の屈折率の差により全反射して外側領域６０に戻る（Ｌ4）。このようにして外側領域６０を伝搬する調心光は、高反射面である端面５５Ｂで反射し、図１１に示すように、再び活性層５５内の外側領域６０を伝搬して（Ｌ5）、低反射面である端面５５Ａから出射される（Ｌ6）。この結果として、活性層５５のストライプ領域５９に入射した調心光は、ストライプ領域５９以外の外側領域６０を伝搬するようになり、本来のレーザ光出射領域であるストライプ領域５９の両側の外側領域６０（図１２の斜線部分で示す部分）から主に出射されることになる。また、光ファイバ２０の第１の端部２０Ａから出射された調心光が、活性層５５の外側領域６０に入射した場合も、ストライプ領域５９に入射した場合と同様に、調心光が外側領域６０を伝搬して端面５５Ｂで反射した後、再び外側領域６０を伝搬して外側領域６０から主に出射されることになる。
【００３０】
このようにしてレーザダイオード５０から出射された調心光が光ファイバ２０に入射すると、その調心光は、光カプラ２６で分岐され、その一部は、図７の矢印Ｂに示すように、第２の分岐光路２４を通って光検出器３２に至り、その光量が光検出器３２にて検出される。
【００３１】
このように、活性層５５の外側領域６０から出射される調心光を検出することにより、レーザダイオード５０に対して光ファイバ２０を調心することができる。例えば、図１３に示すように、横方向のある位置で光ファイバ２０を縦方向（Ｙ方向）に移動させると、検出される調心光の光量は図１４に示すようになる。すなわち、調心光が主に出射される活性層５５の外側領域６０に光ファイバ２０が位置したときに、検出される調心光の光量が多くなる。したがって、検出される調心光の光量が最も多い位置ＰVが縦方向の調心位置であることがわかる。
【００３２】
続いて、光ファイバ２０の縦方向の位置をＰVに維持しつつ、光ファイバ２０を横方向（Ｘ方向）に移動させると、検出される調心光の光量は図１５に示すようになる。すなわち、上述したように、調心光は主に外側領域６０から出射されるが、ストライプ領域５９からは出射されないので、光ファイバ２０が外側領域６０の位置にあるときは一定量の調心光が検出され、光ファイバ２０の位置が外側領域６０からストライプ領域５９の中心（両側の外側領域６０の中間点）に近づくにつれ検出される調心光の量が少なくなる。したがって、検出された調心光の光量が最も少ない位置ＰVHが横方向（及び縦方向）の調心位置であることがわかる。したがって、光ファイバ２０をこの調心位置ＰVHに維持しつつ、第２のサブマウント１８に樹脂やはんだ、溶接などで光ファイバ２０を固定する。なお、光検出器３２により調心状態をモニタリングして光ファイバ２０の位置の微調整をしながら光ファイバ２０を固定してもよい。
【００３３】
その後、光カプラ２６や分岐光路２２，２４、光源３０、光検出器３２を用途に応じて取り除くことで、図２に示すＬＤモジュール１０が完成する。
【００３４】
ここで、調心光としては、ＬＤチップ１６のレーザダイオード５０から出射されるレーザ光の波長よりも長い波長を有するものを用いる。レーザダイオードから出射されるレーザ光の波長と同じ波長又はレーザ光の波長よりも短い波長の調心光を用いた場合には、光ファイバ２０からの調心光は、レーザダイオード５０の活性層５５でそのほとんどが吸収されてしまい、光ファイバ２０に戻ってくる調心光の光量が不十分となり、光ファイバ２０の調心ができない。一方、活性層５５の端面５５Ｂにおける反射は波長依存性があるため、調心光の波長はできるだけレーザ光の波長に近い方が好ましい。例えば、レーザダイオード５０から出射されるレーザ光の波長が９１５ｎｍである場合には、波長が９８０ｎｍの調心光、より好ましくは波長が９５０ｎｍの調心光を用いることができる。また、調心光のパワーは例えば１ｍＷとすることができるが、０．１ｍＷ程度のパワーがあれば調心に利用できる。
【００３５】
なお、この場合において、レーザダイオード５０のｐ電極５３からｎ電極５８に電流を流しているので、活性層５５のストライプ領域５９からレーザ光が出射される可能性があるが、上述したようにレーザ光は調心光とは波長が異なるので、レーザ光が光検出器３２に至るまでにレーザ光の波長をフィルタ又は分離することで、光検出器３２で調心光のみを検出することができる。
【００３６】
上述したように、本実施形態では、ｐ電極５３とｎ電極５８との間に電流を流すことにより生じるレーザ光の代わりに、外部の光源３０からレーザダイオード５０の活性層５５に入射させた調心光を用いて光ファイバ２０の調心を行っているため、ｐ電極５３とｎ電極５８との間に流す電流を低電流としても、正確に光ファイバ２０の調心を行うことができる。例えば、ｐ電極５３とｎ電極５８との間に流す電流を閾値電流以下とした場合にも光ファイバ２０の調心が可能である。
【００３７】
また、光ファイバ２０の縦方向の移動及び光ファイバ２０の横方向の移動の順序は特に限定されないが、縦方向については導波路構造による光の閉じ込め構造があるため、検出される調心光の変化がはっきりとわかりやすく、また、光ファイバ２０の縦方向の位置が活性層５５からずれてしまうと横方向の調心光の変化が出にくいため、先に光ファイバ２０を縦方向に移動させて縦方向の位置決めを正確にしてから横方向の位置決めをすることが好ましい。
【００３８】
上述した実施形態では、ＬＤチップ１６と光ファイバ２０との間にレンズなどの光学系を配置した例について述べたが、例えば光ファイバ２０として端面をレンズ加工したレンズドファイバを用いることができ、そのような場合にはＬＤチップ１６と光ファイバ２０との間にレンズを設ける必要がない。
【００３９】
また、上述した実施形態では、調心の際にＬＤチップ１６を固定して光ファイバ２０を移動させることとしたが、レーザダイオード５０に対して光ファイバ２０を相対的に移動すればよく、光ファイバ２０を固定してＬＤチップ１６を移動させて調心を行うこととしてもよい。
【００４０】
これまで本発明の好ましい実施形態について説明したが、本発明は上述の実施形態に限定されず、その技術的思想の範囲内において種々異なる形態にて実施されてよいことは言うまでもない。
【符号の説明】
【００４１】
１０    レーザダイオードモジュール
１２    基板
１４    第１のサブマウント
１６    レーザダイオードチップ
１８    第２のサブマウント
２０    光ファイバ
２２    第１の分岐光路
２４    第２の分岐光路
２６    光カプラ
３０    光源
３２    光検出器
５０    レーザダイオード
５１    ｐ−ＧａＡｓ層
５２    絶縁膜
５３    ｐ電極
５４    ｐ−ＡｌＧａＡｓ層
５５    ＡｌＧａＡｓ活性層
５５Ａ  低反射面
５５Ｂ  高反射面
５６    ｎ−ＡｌＧａＡｓ層
５７    ｎ−ＧａＡｓ基板
５８    ｎ電極
５９    ストライプ領域
６０    外側領域
７０    電源
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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