(57)【要約】【課題】樹脂シートを電子デバイス上に載せる際に容易に位置合わせできるとともに、位置ずれを防止できる電子デバイス封止用樹脂シート及び電子デバイスパッケージの製造方法を提供する。【解決手段】平坦部、及び前記平坦部から厚み方向に突起する凸部を備える電子デバイス封止用樹脂シートに関する。【選択図】  図１
2015070034.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
平坦部、及び前記平坦部から厚み方向に突起する凸部を備える電子デバイス封止用樹脂シート。
【請求項２】
前記凸部は、前記平坦部の外周の少なくとも一部に形成されている請求項１に記載の電子デバイス封止用樹脂シート。
【請求項３】
前記凸部は、前記平坦部の外周全体に形成されている請求項２に記載の電子デバイス封止用樹脂シート。
【請求項４】
前記平坦部が平面視で多角形であり、
前記凸部は前記平坦部の少なくとも１辺に形成されている請求項１に記載の電子デバイス封止用樹脂シート。
【請求項５】
２５℃の引張貯蔵弾性率が０．０１ＭＰａ以上である請求項１〜４のいずれかに記載の電子デバイス封止用樹脂シート。
【請求項６】
真空包装容器内に配置された電子デバイスを封止するために使用される請求項１〜５のいずれかに記載の電子デバイス封止用樹脂シート。
【請求項７】
前記電子デバイスがＳＡＷフィルタである請求項６に記載の樹脂シート。
【請求項８】
平坦部、及び前記平坦部から厚み方向に突起する凸部を備える樹脂シートを準備する工程と、
前記平坦部が電子デバイスと対向するように、前記樹脂シートを前記電子デバイス上に載せる工程と、
前記樹脂シートで前記電子デバイスを封止する工程とを含む電子デバイスパッケージの製造方法。
【請求項９】
基板に実装された前記電子デバイスを準備する工程と、
前記基板に実装された前記電子デバイス及び前記電子デバイス上に載せられた前記樹脂シートを真空包装容器に入れる工程とをさらに含み、
前記電子デバイスを封止する工程は、前記樹脂シートで前記真空包装容器内に配置された前記電子デバイスを封止する工程である請求項８に記載の電子デバイスパッケージの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、樹脂シート及び電子デバイスパッケージの製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
電子デバイスを封止する方法として、電子デバイスを樹脂シートで封止する方法が知られている。
【０００３】
例えば、特許文献１及び特許文献２は、基板に実装された電子機能素子（ＳＡＷフィルタなど）の上に樹脂シートを配置し、次いで基板上に実装された電子機能素子と樹脂シートとをガスバリア性を備えた袋の中に入れ、次いで袋内を減圧し、次いで袋内の電子機能素子を樹脂シートで封止する方法を開示している。この方法は、減圧下でＳＡＷフィルタを封止できるためボイドの発生を低減できる、簡素な減圧装置により実施できるなどのメリットがある。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】国際公開ＷＯ２００５／０７１７３１号（国際公開第０５／０７１７３１号パンフレット）
【特許文献２】特許第５２２３６５７号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
特許文献１及び特許文献２に記載の方法では、樹脂シートと袋の内面との接触などにより、樹脂シートがずれることがある。無機充填剤を高充填した樹脂シートは、特にずれやすい。
【０００６】
本発明は前記課題を解決し、樹脂シートを電子デバイス上に載せる際に容易に位置合わせできるとともに、位置ずれを防止できる電子デバイス封止用樹脂シート及び電子デバイスパッケージの製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明は、平坦部、及び前記平坦部から厚み方向に突起する凸部を備える電子デバイス封止用樹脂シートに関する。
【０００８】
本発明の樹脂シートでは、凸部が電子デバイスに引っかかることで、樹脂シートの位置ずれを防止できる。また、樹脂シートを電子デバイス上に載せる際、凸部を電子デバイスに引っかけられるので、容易に位置合わせできる。
【０００９】
前記凸部は、前記平坦部の外周の少なくとも一部に形成されていることが好ましい。凸部が視認し易い位置にあるので、容易に位置合わせできる。
【００１０】
前記凸部は、前記平坦部の外周全体に形成されていることが好ましい。これにより、位置ずれを効果的に防止できる。
【００１１】
前記平坦部が平面視で多角形であり、前記凸部は前記平坦部の少なくとも１辺に形成されていることが好ましい。凸部が視認し易い位置にあるので、容易に位置合わせできる。また、位置ずれを効果的に防止できる。また、平面視で凸部が直線状であるので、位置ずれを効果的に防止できる。
【００１２】
２５℃の引張貯蔵弾性率が０．０１ＭＰａ以上であることが好ましい。２５℃の引張貯蔵弾性率が上記範囲内であると、樹脂シートと真空包装容器の内面との接触などによる樹脂シートの変形を防止又は低減できる。また、比較的大きな衝撃が樹脂シートに与えられても、位置ずれを防止できる。
【００１３】
なお、２５℃の引張貯蔵弾性率が上記範囲内であると、樹脂シート表面が滑り易くなる傾向があるが、本発明の樹脂シートは凸部により位置ずれを防止できる。
【００１４】
本発明の樹脂シートは、真空包装容器内に配置された電子デバイスを封止するために使用されることが好ましい。
【００１５】
前記電子デバイスがＳＡＷフィルタであることが好ましい。
【００１６】
本発明はまた、平坦部、及び前記平坦部から厚み方向に突起する凸部を備える樹脂シートを準備する工程と、前記平坦部が電子デバイスと対向するように、前記樹脂シートを前記電子デバイス上に載せる工程と、前記樹脂シートで前記電子デバイスを封止する工程とを含む電子デバイスパッケージの製造方法に関する。
【００１７】
本発明の電子デバイスパッケージの製造方法としては、平坦部、及び前記平坦部から厚み方向に突起する凸部を備える樹脂シートを準備する工程と、基板に実装された電子デバイスを準備する工程と、前記平坦部が前記電子デバイスと対向するように、前記樹脂シートを前記電子デバイス上に載せる工程と、前記基板に実装された前記電子デバイス及び前記電子デバイス上に載せられた前記樹脂シートを真空包装容器に入れる工程と、前記樹脂シートで前記真空包装容器内に配置された前記電子デバイスを封止する工程とを含む方法が好ましい。
【図面の簡単な説明】
【００１８】
【図１】実施形態１の樹脂シートの斜視図である。
【図２】樹脂シートの平面図である。
【図３】樹脂シートのＡ−Ａ’線断面図である。
【図４】ＳＡＷフィルタを実装するＬＴＣＣ基板の断面模式図である。
【図５】ＬＴＣＣ基板に実装されたＳＡＷフィルタ上に樹脂シートを積層した様子を模式的に示す図である。
【図６】ＬＴＣＣ基板に実装されたＳＡＷフィルタ及びＳＡＷフィルタ上の樹脂シートを真空包装容器の中に入れた様子を模式的に示す図である。
【図７】真空包装容器を密封した様子を模式的に示す図である。
【図８】樹脂シート中に埋め込まれたＳＡＷフィルタを真空包装容器から取り出した様子を模式的に示す図である。
【図９】分割後のＳＡＷフィルタパッケージの断面模式図である。
【図１０】実施形態１の樹脂シートの変形例を示す斜視図である。
【図１１】実施形態１の樹脂シートの変形例を示す斜視図である。
【発明を実施するための形態】
【００１９】
以下に実施形態を掲げ、本発明を詳細に説明するが、本発明はこれらの実施形態のみに限定されるものではない。
【００２０】
［実施形態１］
図１は、実施形態１の樹脂シート１１の斜視図である。図２は、樹脂シート１１の平面図である。図３は、Ａ−Ａ’線断面図である。樹脂シート１１は、平坦部１、及び平坦部１から厚み方向に突起する凸部２を平坦部１の外周全体に備えている。
【００２１】
具体的には、樹脂シート１１は、一方の面に平坦な平坦部１を備え、さらに平坦部１から厚み方向に突起する凸部２を平坦部１の外周全体に備えている。樹脂シート１１の他方の面は平坦である。
【００２２】
樹脂シート１１では、凸部２が電子デバイスに引っかかることで、位置ずれを防止できる。また、樹脂シート１１を電子デバイス上に載せる際、凸部２を電子デバイスに引っかけられるので、容易に位置合わせできる。
【００２３】
凸部２の高さ（平坦部１から凸部２の頂点までの高さ）は特に限定されないが、好ましくは２０μｍ以上、より好ましくは５０μｍ以上である。２０μｍ以上であると、凸部２を電子デバイスに引っかけやすい。また、凸部２の高さは、例えば３００μｍ以下である。
なお、本明細書において、凸部２の高さとは、凸部２の最も高い箇所の高さをいう。
【００２４】
凸部２の幅（図３に示される凸部２の左右方向の幅）は特に限定されないが、電子デバイス同士の間隔よりも大きいことが好ましく、具体的には０．５ｍｍ以上である。凸部２の幅が電子デバイス同士の間隔よりも大きいと、凸部２が電子デバイス間に嵌ることを防止できる。よって、一層容易に位置合わせできる。
【００２５】
平坦部１の厚みは特に限定されないが、好ましくは１００μｍ以上、より好ましくは１５０μｍ以上である。また、樹脂シート１１の厚みは、好ましくは２０００μｍ以下、より好ましくは１０００μｍ以下である。上記範囲内であると、電子デバイスを良好に封止できる。
【００２６】
樹脂シート１１の２５℃の引張貯蔵弾性率は、好ましくは０．０１ＭＰａ以上、より好ましくは０．１ＭＰａ以上、さらに好ましくは０．５ＭＰａ以上である。０．０１ＭＰａ以上であると、樹脂シート１１と真空包装容器の内面との接触などによる樹脂シート１１の変形を防止又は低減できる。また、比較的大きな衝撃が樹脂シート１１に与えられても、位置ずれを防止できる。また、包装容器内でＳＡＷフィルタを樹脂封止する際に、中空部を容易に維持できる。２５℃の引張貯蔵弾性率は、好ましくは１０００ＭＰａ以下である。１０００ＭＰａ以下であると、良好な電子デバイスとの接着性が得られる。
なお、２５℃の引張貯蔵弾性率は、実施例に記載の方法により測定できる。
【００２７】
樹脂シート１１は熱硬化性であることが好ましい。
【００２８】
樹脂シート１１は、エポキシ樹脂を含むことが好ましい。
【００２９】
エポキシ樹脂としては、特に限定されるものではない。例えば、トリフェニルメタン型エポキシ樹脂、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂、ビフェニル型エポキシ樹脂、変性ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂、変性ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂、ジシクロペンタジエン型エポキシ樹脂、フェノールノボラック型エポキシ樹脂、フェノキシ樹脂などの各種のエポキシ樹脂を用いることができる。これらエポキシ樹脂は単独で用いてもよいし２種以上併用してもよい。
【００３０】
エポキシ樹脂の反応性を確保する観点からは、エポキシ当量１５０〜２５０、軟化点もしくは融点が５０〜１３０℃の常温で固形のものが好ましい。なかでも、信頼性の観点から、トリフェニルメタン型エポキシ樹脂、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂、ビフェニル型エポキシ樹脂がより好ましい。
【００３１】
樹脂シート１１は、フェノール樹脂を含むことが好ましい。
【００３２】
フェノール樹脂は、エポキシ樹脂との間で硬化反応を生起するものであれば特に限定されるものではない。例えば、フェノールノボラック樹脂、フェノールアラルキル樹脂、ビフェニルアラルキル樹脂、ジシクロペンタジエン型フェノール樹脂、クレゾールノボラック樹脂、レゾール樹脂などが用いられる。これらフェノール樹脂は単独で用いてもよいし、２種以上併用してもよい。
【００３３】
フェノール樹脂としては、エポキシ樹脂との反応性の観点から、水酸基当量が７０〜２５０、軟化点が５０〜１１０℃のものを用いることが好ましく、なかでも硬化反応性が高いという観点から、フェノールノボラック樹脂を好適に用いることができる。また、信頼性の観点から、フェノールアラルキル樹脂やビフェニルアラルキル樹脂のような低吸湿性のものも好適に用いることができる。
【００３４】
樹脂シート１１中のエポキシ樹脂及びフェノール樹脂の合計含有量は、５重量％以上が好ましい。５重量％以上であると、電子デバイス、基板などに対する接着力が良好に得られる。樹脂シート１１中のエポキシ樹脂及びフェノール樹脂の合計含有量は、２０重量％以下が好ましい。２０重量％以下であると、吸湿性を低く抑えることができる。
【００３５】
エポキシ樹脂とフェノール樹脂の配合割合は、硬化反応性という観点から、エポキシ樹脂中のエポキシ基１当量に対して、フェノール樹脂中の水酸基の合計が０．７〜１．５当量となるように配合することが好ましく、より好ましくは０．９〜１．２当量である。
【００３６】
樹脂シート１１は、硬化促進剤を含むことが好ましい。
【００３７】
硬化促進剤としては、エポキシ樹脂とフェノール樹脂の硬化を進行させるものであれば特に限定されず、例えば、２−メチルイミダゾール（商品名；２ＭＺ）、２−ウンデシルイミダゾール（商品名；Ｃ１１−Ｚ）、２−ヘプタデシルイミダゾール（商品名；Ｃ１７Ｚ）、１，２−ジメチルイミダゾール（商品名；１．２ＤＭＺ）、２−エチル−４−メチルイミダゾール（商品名；２Ｅ４ＭＺ）、２−フェニルイミダゾール（商品名；２ＰＺ）、２−フェニル−４−メチルイミダゾール（商品名；２Ｐ４ＭＺ）、１−ベンジル−２−メチルイミダゾール（商品名；１Ｂ２ＭＺ）、１−ベンジル−２−フェニルイミダゾール（商品名；１Ｂ２ＰＺ）、１−シアノエチル−２−メチルイミダゾール（商品名；２ＭＺ−ＣＮ）、１−シアノエチル−２−ウンデシルイミダゾール（商品名；Ｃ１１Ｚ−ＣＮ）、１−シアノエチル−２−フェニルイミダゾリウムトリメリテイト（商品名；２ＰＺＣＮＳ−ＰＷ）、２，４−ジアミノ−６−［２’−メチルイミダゾリル−（１’）］−エチル−ｓ−トリアジン（商品名；２ＭＺ−Ａ）、２，４−ジアミノ−６−［２’−ウンデシルイミダゾリル−（１’）］−エチル−ｓ−トリアジン（商品名；Ｃ１１Ｚ−Ａ）、２，４−ジアミノ−６−［２’−エチル−４’−メチルイミダゾリル−（１’）］−エチル−ｓ−トリアジン（商品名；２Ｅ４ＭＺ−Ａ）、２，４−ジアミノ−６−［２’−メチルイミダゾリル−（１’）］−エチル−ｓ−トリアジンイソシアヌル酸付加物（商品名；２ＭＡ−ＯＫ）、２−フェニル−４，５−ジヒドロキシメチルイミダゾール（商品名；２ＰＨＺ−ＰＷ）、２−フェニル−４−メチル−５−ヒドロキシメチルイミダゾール（商品名；２Ｐ４ＭＨＺ−ＰＷ）などのイミダゾール系硬化促進剤が挙げられる（いずれも四国化成工業（株）製）。
【００３８】
硬化促進剤の含有量は、エポキシ樹脂及びフェノール樹脂の合計１００重量部に対して、好ましくは０．１重量部以上、より好ましくは１重量部以上である。また、硬化促進剤の含有量は、好ましくは１５重量部以下、より好ましくは１０重量部以下である。
【００３９】
樹脂シート１１は、熱可塑性樹脂（エラストマー）を含むことが好ましい。
【００４０】
熱可塑性樹脂としては、天然ゴム、ブチルゴム、イソプレンゴム、クロロプレンゴム、エチレン−酢酸ビニル共重合体、エチレン−アクリル酸共重合体、エチレン−アクリル酸エステル共重合体、ポリブタジエン樹脂、ポリカーボネート樹脂、熱可塑性ポリイミド樹脂、６−ナイロンや６，６−ナイロンなどのポリアミド樹脂、フェノキシ樹脂、アクリル樹脂、ＰＥＴやＰＢＴなどの飽和ポリエステル樹脂、ポリアミドイミド樹脂、フッ素樹脂、スチレン−イソブチレン−スチレントリブロック共重合体、メチルメタクリレート−ブタジエン−スチレン共重合体（ＭＢＳ樹脂）などが挙げられる。これらの熱可塑性樹脂は単独で、又は２種以上を併用して用いることができる。
【００４１】
樹脂シート１１中の熱可塑性樹脂の含有量は、１重量％以上が好ましい。１重量％以上であると、２５℃の引張貯蔵弾性率を上記範囲に容易に調整できる。樹脂シート１１中の熱可塑性樹脂の含有量は、３０重量％以下が好ましい。３０重量％以下であると、電子デバイスなどに対して良好な接着力が得られる。
【００４２】
樹脂シート１１は、無機充填剤を含むことが好ましい。無機充填剤を配合することにより、熱膨張係数を小さくできる。
【００４３】
無機充填剤としては、例えば、石英ガラス、タルク、シリカ（溶融シリカや結晶性シリカなど）、アルミナ、窒化アルミニウム、窒化珪素、窒化ホウ素などが挙げられる。なかでも、熱膨張係数を良好に低減できるという理由から、シリカ、アルミナが好ましく、シリカがより好ましい。シリカとしては、流動性に優れるという理由から、溶融シリカが好ましく、球状溶融シリカがより好ましい。
【００４４】
無機充填剤の平均粒子径は、好ましくは５μｍ以上である。５μｍ以上であると、樹脂シート１１の可撓性、柔軟性を得易い。無機充填剤の平均粒子径は、好ましくは５０μｍ以下、より好ましくは３０μｍ以下である。５０μｍ以下であると、無機充填剤を高充填率化し易い。
なお、平均粒子径は、例えば、母集団から任意に抽出される試料を用い、レーザー回折散乱式粒度分布測定装置を用いて測定することにより導き出すことができる。
【００４５】
無機充填剤は、シランカップリング剤により処理（前処理）されたものが好ましい。これにより、樹脂との濡れ性を向上でき、無機充填剤の分散性を高めることができる。
【００４６】
シランカップリング剤は、分子中に加水分解性基及び有機官能基を有する化合物である。
【００４７】
加水分解性基としては、例えば、メトキシ基、エトキシ基などの炭素数１〜６のアルコキシ基、アセトキシ基、２−メトキシエトキシ基等が挙げられる。なかでも、加水分解によって生じるアルコールなどの揮発成分を除去し易いという理由から、メトキシ基が好ましい。
【００４８】
有機官能基としては、ビニル基、エポキシ基、スチリル基、メタクリル基、アクリル基、アミノ基、ウレイド基、メルカプト基、スルフィド基、イソシアネート基などが挙げられる。なかでも、エポキシ樹脂、フェノール樹脂と反応し易いという理由から、エポキシ基が好ましい。
【００４９】
シランカップリング剤としては、例えば、ビニルトリメトキシシラン、ビニルトリエトキシシランなどのビニル基含有シランカップリング剤；２−（３，４−エポキシシクロヘキシル）エチルトリメトキシシラン、３−グリシドキシプロピルメチルジメトキシシラン、３−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、３−グリシドキシプロピルメチルジエトキシシラン、３−グリシドキシプロピルトリエトキシシランなどのエポキシ基含有シランカップリング剤；ｐ−スチリルトリメトキシシランなどのスチリル基含有シランカップリング剤；３−メタクリロキシプロピルメチルジメトキシシラン、３−メタクリロキシプロピルトリメトキシシラン、３−メタクリロキシプロピルメチルジエトキシシラン、３−メタクリロキシプロピルトリエトキシシランなどのメタクリル基含有シランカップリング剤；３−アクリロキシプロピルトリメトキシシランなどのアクリル基含有シランカップリング剤；Ｎ−２−（アミノエチル）−３−アミノプロピルメチルジメトキシシラン、Ｎ−２−（アミノエチル）−３−アミノプロピルトリメトキシシラン、３−アミノプロピルトリメトキシシラン、３−アミノプロピルトリエトキシシラン、３−トリエトキシシリル−Ｎ−（１，３−ジメチル−ブチリデン）プロピルアミン、Ｎ−フェニル−３−アミノプロピルトリメトキシシラン、Ｎ−（ビニルベンジル）−２−アミノエチル−３−アミノプロピルトリメトキシシランなどのアミノ基含有シランカップリング剤；３−ウレイドプロピルトリエトキシシランなどのウレイド基含有シランカップリング剤；３−メルカプトプロピルメチルジメトキシシラン、３−メルカプトプロピルトリメトキシシランなどのメルカプト基含有シランカップリング剤；ビス（トリエトキシシリルプロピル）テトラスルフィドなどのスルフィド基含有シランカップリング剤；３−イソシアネートプロピルトリエトキシシランなどのイソシアネート基含有シランカップリング剤などが挙げられる。
【００５０】
シランカップリング剤により無機充填剤を処理する方法としては特に限定されず、溶媒中で無機充填剤とシランカップリング剤を混合する湿式法、気相中で無機充填剤とシランカップリング剤を処理させる乾式法などが挙げられる。
【００５１】
シランカップリング剤の処理量は特に限定されないが、未処理の無機充填剤１００重量部に対して、シランカップリング剤を０．１〜１重量部処理することが好ましい。
【００５２】
樹脂シート１１中の無機充填剤の含有量は、好ましくは６０体積％以上であり、より好ましくは７０体積％以上である。６０体積％以上であると、２５℃の引張貯蔵弾性率を上記範囲に容易に調整できる。また、熱膨張係数、吸水率を小さくできる。一方、無機充填剤の含有量は、好ましくは９０体積％以下であり、より好ましくは８５体積％以下である。９０体積％以下であると、良好な柔軟性、流動性、接着性が得られる。
【００５３】
無機充填剤の含有量は、「重量％」を単位としても説明できる。代表的にシリカの含有量について、「重量％」を単位として説明する。
シリカは通常、比重２．２ｇ／ｃｍ３であるので、シリカの含有量（重量％）の好適範囲は例えば以下のとおりである。
すなわち、樹脂シート１１中のシリカの含有量は、７３重量％以上が好ましく、８１重量％以上がより好ましい。樹脂シート１１中のシリカの含有量は、９４重量％以下が好ましく、９１重量％以下がより好ましい。
【００５４】
アルミナは通常、比重３．９ｇ／ｃｍ３であるので、アルミナの含有量（重量％）の好適範囲は例えば以下のとおりである。
すなわち、樹脂シート１１中のアルミナの含有量は、８３重量％以上が好ましく、８８重量％以上がより好ましい。樹脂シート１１中のアルミナの含有量は、９７重量％以下が好ましく、９５重量％以下がより好ましい。
【００５５】
樹脂シート１１は、前記成分以外にも、封止樹脂の製造に一般に使用される配合剤、例えば、難燃剤成分、顔料、シランカップリング剤などを適宜含有してよい。
【００５６】
難燃剤成分としては、例えば水酸化アルミニウム、水酸化マグネシウム、水酸化鉄、水酸化カルシウム、水酸化スズ、複合化金属水酸化物などの各種金属水酸化物；ホスファゼン化合物などを用いることができる。なかでも、難燃性、硬化後の強度に優れるという理由から、ホスファゼン化合物が好ましい。
【００５７】
顔料としては特に限定されず、カーボンブラックなどが挙げられる。
【００５８】
シランカップリング剤の含有量は特に限定されないが、無機充填材１００重量部に対して、０．１〜１重量部が好ましい。
【００５９】
樹脂シート１１の製造方法は特に限定されないが、前記各成分（例えば、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、硬化促進剤、熱可塑性樹脂及び無機充填剤など）を混練して得られる混練物を塑性加工する方法が好ましい。これにより、無機充填剤を高充填でき、２５℃の引張貯蔵弾性率を上記範囲に容易に調整できる。
【００６０】
例えば、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、硬化促進剤、熱可塑性樹脂及び無機充填剤などをミキシングロール、加圧式ニーダー、押出機などの公知の混練機で溶融混練することにより混練物を調製し、得られた混練物をシート状に塑性加工した後、シート状の混練物をくり抜くことにより平坦部１と凸部２を形成する方法が挙げられる。シート状の混練物に、混練物を付け加えることにより凸部２を形成する方法も挙げられる。
【００６１】
混練条件として、温度の上限は、１４０℃以下が好ましく、１３０℃以下がより好ましい。温度の下限は、上述の各成分の軟化点以上であることが好ましく、例えば３０℃以上、好ましくは５０℃以上である。混練の時間は、好ましくは１〜３０分である。また、混練は、減圧条件下（減圧雰囲気下）で行うことが好ましく、減圧条件下の圧力は、例えば、１×１０−４〜０．１ｋｇ／ｃｍ２である。
【００６２】
シート状に塑性加工する方法としては特に制限されず、平板プレス法、Ｔダイ押出法、スクリューダイ押出法、ロール圧延法、ロール混練法、インフレーション押出法、共押出法、カレンダー成形法などが挙げられる。塑性加工温度としては上述の各成分の軟化点以上が好ましく、エポキシ樹脂の熱硬化性および成形性を考慮すると、例えば４０〜１５０℃、好ましくは５０〜１４０℃、さらに好ましくは７０〜１２０℃である。
【００６３】
なお、図１では、樹脂シート１１が単層である場合を示しているが、樹脂シート１１はこれに限定されず、複層であってもよい。
【００６４】
なお、樹脂シート１１の両面には、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）フィルムなどの支持体が設けられていてもよい。樹脂シート１１からの剥離を容易に行うために、支持体には離型処理が施されていてもよい。
【００６５】
樹脂シート１１は電子デバイスを封止するために使用される。電子デバイスとしては、センサー、ＭＥＭＳ（Ｍｉｃｒｏ  Ｅｌｅｃｔｒｏ  Ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ  Ｓｙｓｔｅｍｓ）、ＳＡＷ（Ｓｕｒｆａｃｅ  Ａｃｏｕｓｔｉｃ  Ｗａｖｅ）フィルタなどの中空構造を有する電子デバイス（中空型電子デバイス）；半導体チップ、ＩＣ（集積回路）、トランジスタなどの半導体素子；コンデンサ；抵抗などが挙げられる。なかでも、ＳＡＷフィルタに特に好適に使用できる。なお、中空構造とは、電子デバイスを基板に搭載した際に、電子デバイスと基板との間に形成される中空部をいう。基板としては特に限定されず、例えば、プリント配線基板、ＬＴＣＣ（Ｌｏｗ  Ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ  Ｃｏ−ｆｉｒｅｄ  Ｃｅｒａｍｉｃｓ）基板（低温同時焼成セラミック基板）、セラミック基板、シリコン基板、金属基板などが挙げられる。
【００６６】
樹脂シート１１は、真空包装容器内に配置された電子デバイスを封止するために好適に使用できる。
【００６７】
樹脂シート１１で電子デバイスを封止する方法としては、例えば、樹脂シート１１に電子デバイスを埋め込む方法が代表的である。より具体的には、例えば、平坦部１が電子デバイスと対向するように、樹脂シート１１を電子デバイス上に載せた後、樹脂シート１１で電子デバイスを埋め込むことにより電子デバイスを封止できる。
【００６８】
樹脂シート１１は、電子デバイス及びそれに付随する要素を外部環境から保護するための封止樹脂として機能できる。
【００６９】
［電子デバイスパッケージの製造方法］
電子デバイスパッケージの製造方法として、樹脂シート１１で、ＬＴＣＣ基板１２上に搭載されたＳＡＷフィルタ１３を封止してＳＡＷフィルタパッケージ１６を製造する例を説明する。
【００７０】
（ＳＡＷフィルタ搭載基板準備工程）
ＳＡＷフィルタ搭載基板準備工程では、複数のＳＡＷフィルタ１３が搭載されたＬＴＣＣ基板１２を準備する（図４参照）。ＳＡＷフィルタ１３は、所定の櫛形電極が形成された圧電結晶を公知の方法でダイシングして個片化することにより形成できる。ＳＡＷフィルタ１３のＬＴＣＣ基板１２への搭載には、フリップチップボンダーやダイボンダーなどの公知の装置を用いることができる。ＳＡＷフィルタ１３とＬＴＣＣ基板１２とはバンプなどの突起電極１３ａを介して電気的に接続されている。また、ＳＡＷフィルタ１３とＬＴＣＣ基板１２との間は、ＳＡＷフィルタ表面での表面弾性波の伝播を阻害しないように中空部１４を維持するようになっている。ＳＡＷフィルタ１３とＬＴＣＣ基板１２との間の距離は適宜設定でき、一般的には１５〜５０μｍ程度である。
【００７１】
（配置工程）
ＬＴＣＣ基板１２に実装されたＳＡＷフィルタ１３と平坦部１が対向するように、ＳＡＷフィルタ１３上に樹脂シート１１を載せる（図５参照）。すなわち、ＳＡＷフィルタ１３と平坦部１の凸部２が形成された面が対向するように、ＳＡＷフィルタ１３上に樹脂シート１１を載せる。この際、凸部２をＳＡＷフィルタ１３に引っかけられるので、容易に位置合わせできる。なお、樹脂シート１１のＳＡＷフィルタ１３と接触しない面には離型シート（例えば、上述の支持体）が設けられていてもよい。この様子は、国際公開ＷＯ２００５／０７１７３１号の図５に示されている。
【００７２】
（挿入工程）
次いで、ＬＴＣＣ基板１２に実装されたＳＡＷフィルタ１３及びＳＡＷフィルタ１３上の樹脂シート１１を、真空包装容器２１の中に入れる（図６参照）。なお、真空包装容器２１の開口部などに樹脂シート１１が接触した場合でも、凸部２がＳＡＷフィルタ１３に引っかかるので、樹脂シート１１の位置ずれを防止できる。
【００７３】
真空包装容器２１としては特に限定されず、例えば、ガスバリア性を備える袋などを用いることができる。また、真空包装容器２１としては、耐熱性を備えるものが好ましく、具体的には、熱硬化時の温度に耐える耐熱性を有するものがよい。また、真空包装容器２１としては、柔軟性、ヒートシール性を備えるものが好ましい。
【００７４】
真空包装容器２１としては、具体的には、ポリエステル系フィルムを外層とし、ヒートシール性を備えたポリエチレン系フィルムを内層（シーラント層）とした多層構造のものなどが挙げられる。内層としては、ポリプロピレン系フィルムなども好適に使用できる。外層としては、ポリイミドフィルム、ポリアミドフィルムなども好適に使用できる。なお、外層と内層の間に、中間層を有していてもよい。中間層としては、ガスバリア性の高い層が好ましく、例えばアルミ層などが好ましい。
【００７５】
（真空包装工程）
次いで、真空包装容器２１の内部を減圧（例えば５００Ｐａ以下）した後、真空包装容器２１を密封する（図７参照）。
【００７６】
具体的には、ＬＴＣＣ基板１２、ＳＡＷフィルタ１３及び樹脂シート１１が入っている真空包装容器２１を、密閉容器内に置き、次いで、真空ポンプにより密閉容器内を脱気して、密閉容器内を減圧する。その後、真空包装容器２１の開口部の近傍を両側から熱融着用ヒーター（ヒートシーラー）により融着して、真空包装容器２１を密封する（図５参照）。なお、この様子は、国際公開ＷＯ２００５／０７１７３１号の図３に示されている。真空包装容器２１の開口部はクリップなどで閉じることもできる。
【００７７】
密封状態の真空包装容器２１を、密閉容器から大気圧中に取り出すと、真空包装容器２１の内外の圧力差により、真空包装容器２１がＬＴＣＣ基板１２及び樹脂シート１１と密着した状態となる。
【００７８】
なお、真空包装容器２１の内部を減圧する方法として、真空ポンプに接続された金属パイプを真空包装容器２１の開口部内に気密的に差し込み、真空包装容器２１内を脱気する方法なども挙げられる。
【００７９】
（加熱工程）
加熱工程では、真空包装容器２１ごと樹脂シート１１を加熱して軟化させる。加熱温度は、通常、樹脂シート１１の硬化温度未満であり、例えば１００℃〜１４０℃である。
【００８０】
これよって、ＬＴＣＣ基板１２上に実装されたＳＡＷフィルタ１３間に、軟化した樹脂シート１１が浸入する。その結果、ＳＡＷフィルタ１３が、樹脂シート１１によって覆われる。
【００８１】
加熱工程では、真空包装容器２１の内部より高い圧力下で（例えば大気圧下で）真空包装容器２１を加熱できる。これにより、真空包装容器２１の内外の圧力差を利用して、ＬＴＣＣ基板１２上に実装されたＳＡＷフィルタ１３間に、軟化した樹脂シート１１を浸入させることができる。
【００８２】
なお、国際公開ＷＯ２００５／０７１７３１号の図８、９及び特許第５２２３６５７号公報の図８などに示されるように、加熱・加圧ローラー又はプレス機などによって、真空包装容器２１を加熱及び加圧して、ＬＴＣＣ基板１２上に実装されたＳＡＷフィルタ１３間に、軟化した樹脂シート１１を浸入させてもよい。
【００８３】
（熱硬化工程）
次いで、真空包装容器２１ごと樹脂シート１１を加熱して、樹脂シート１１を熱硬化する。
【００８４】
具体的な方法としては、例えば、密封された真空包装容器２１を密閉容器に入れた後、密閉容器内に充填された圧力媒体によって真空包装容器２１に圧力を加えた状態で、真空包装容器２１を加熱して、樹脂シート１１を熱硬化する方法がある。この方法では、圧力媒体を介して、真空包装容器２１を加圧及び加熱できるので、中空部１４の形状や寸法の管理が容易である。圧力媒体としては、空気、水、油などが挙げられる。なお、この様子は、国際公開ＷＯ２００５／０７１７３１号の図４に示されている。
【００８５】
加熱温度は、例えば６０℃〜１５０℃である。
【００８６】
他の具体的な方法として、例えば、プレス機によって真空包装容器２１を熱プレスして、樹脂シート１１を熱硬化する方法、真空包装容器２１の内部より高い圧力下で（例えば大気圧下で）真空包装容器２１を加熱して、樹脂シート１１を熱硬化する方法なども好適である。この様子は、特許第５２２３６５７号公報の図８、図９に示されている。
【００８７】
（分割工程）
その後、樹脂シート１１によって封止されたＳＡＷフィルタ１３を真空包装容器２１から取り出し、ＬＴＣＣ基板１２をＳＡＷフィルタ１３毎に分割する（図６及び図７参照）。これにより、ＳＡＷフィルタパッケージ１６を得ることができる。分割方法としては、例えばダイシング、カット・ブレイクなどが挙げられる。
【００８８】
上記例の方法は、減圧下でＳＡＷフィルタを封止できるためボイドの発生を低減できる、簡素な減圧装置により実施できるなどのメリットがある。
【００８９】
なお、上記の例で、ＳＡＷフィルタ１３に代えて半導体チップを使用する場合は、半導体チップと基板との間にアンダーフィル材を充填してもよい。なお、この様子は、国際公開ＷＯ２００５／０７１７３１号の図７に示されている。
【００９０】
なお、上記の例では、真空包装容器２１を密封した後、加熱する方法を示しているが、例えば、減圧した密閉容器内で、ＬＴＣＣ基板１２、ＳＡＷフィルタ１３及び樹脂シート１１が入っている真空包装容器２１を樹脂シート１１の硬化温度未満で加熱し、その後真空包装容器２１を密封する方法も好適である。これにより、樹脂シート１１中に溶剤が存在する場合、溶剤を揮発させることができる。この様子は、特許第５２２３６５７号公報の図３に示されている。
【００９１】
上記の例では、加熱工程と、熱硬化工程を２段階で行う方法を示しているが、これらを併合して１つの工程で行う方法も好適である。
【００９２】
以上のとおり、例えば、平坦部１、及び平坦部１から厚み方向に突起する凸部２を備える樹脂シート１１を準備する工程と、平坦部１が電子デバイスと対向するように、樹脂シート１１を電子デバイス上に載せる工程と、樹脂シート１１で電子デバイスを封止する工程とを含む方法により、電子デバイスパッケージを好適に製造できる。
【００９３】
なかでも、平坦部１、及び平坦部１から厚み方向に突起する凸部２を備える樹脂シート１１を準備する工程と、基板に実装された電子デバイスを準備する工程と、平坦部１が電子デバイスと対向するように、樹脂シート１１を電子デバイス上に載せる工程と、基板に実装された電子デバイス及び電子デバイス上に載せられた樹脂シート１１を真空包装容器に入れる工程と、樹脂シート１１で真空包装容器内に配置された電子デバイスを封止する工程とを含む方法により、電子デバイスパッケージをより好適に製造できる。電子デバイスを封止する工程では、例えば、基板に実装された電子デバイス及び電子デバイス上に載せられた樹脂シート１１を真空包装容器ごと加熱することにより樹脂シート１１を軟化させ、軟化させた樹脂シート１１で電子デバイスを覆うことにより、真空包装容器内に配置された電子デバイスを樹脂シート１１で封止する。
【００９４】
上記方法は、通常、基板、電子デバイス及び樹脂シート１１を真空包装する工程をさらに含む。真空包装後の真空包装容器内の真空度は、例えば５００Ｐａ以下である。上記方法は、例えば、電子デバイスを封止する工程の後、基板、電子デバイス及び樹脂シート１１を真空包装容器ごと加熱して樹脂シート１１を硬化させる工程をさらに含んでもよい。これにより、電子デバイスパッケージが得られる。
【００９５】
実施形態１では、平坦部１の外周全体に凸部２が形成されている場合を示しているが、凸部２の位置はこれに限定されず、例えば、平坦部１の外周の一部、平坦部１の中央などでもよい。図１０は、平坦部１の外周の一部に凸部２が形成されている例である。なお、実施形態１において、外周とは、平坦部１の縁を意味するだけでなく、平坦部１の縁周辺も意味する。なお、図１などに示すように、凸部２は平坦部１の縁に形成されていることが好ましい。
【００９６】
また、例えば、平坦部１が平面視で多角形である場合、凸部２は平坦部１の少なくとも１辺に形成されていることが好ましい。この場合、平面視で凸部２が直線状であるので、位置ずれを効果的に防止できる。なお、平坦部１は平面視で矩形が好ましい。凸部２は平坦部１の２辺以上に形成されていることが好ましく、３辺以上に形成されていることがより好ましく、４辺以上に形成されていることがさらに好ましい。図１１は、平面視で矩形の平坦部１の１辺に凸部２が形成されている例である。
【実施例】
【００９７】
以下に、この発明の好適な実施例を例示的に詳しく説明する。ただし、この実施例に記載されている材料や配合量などは、特に限定的な記載がない限りは、この発明の範囲をそれらのみに限定する趣旨のものではない。
【００９８】
実施例で使用した成分について説明する。
エポキシ樹脂：新日鐵化学（株）製のＹＳＬＶ−８０ＸＹ（ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂、エポキン当量２００ｇ／ｅｑ．軟化点８０℃）
フェノール樹脂：明和化成社製のＭＥＨ−７８５１−ＳＳ（ビフェニルアラルキル骨格を有するフェノール樹脂、水酸基当量２０３ｇ／ｅｑ．軟化点６７℃）
熱可塑性樹脂：三菱レイヨン社製メタブレンＣ−１３２Ｅ（ＭＢＳ樹脂、平均粒径１２０μｍ）
無機充填剤：電気化学工業社製のＦＢ−９４５４ＦＣ（溶融球状シリカ、平均粒子径２０μｍ）
シランカップリング剤：信越化学社製のＫＢＭ−４０３（３−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン）
カーボンブラック：三菱化学社製の＃２０
難燃剤：伏見製薬所製のＦＰ−１００（ホスファゼン化合物）
硬化促進剤：四国化成工業社製の２ＰＨＺ−ＰＷ（２−フェニル−４，５−ジヒドロキシメチルイミダゾール）
【００９９】
［実施例］
表１に記載の配合比に従い、各成分を配合し、ロール混練機により６０〜１２０℃、１０分間、減圧条件下（０．０１ｋｇ／ｃｍ２）で溶融混練し、混練物を調製した。次いで、得られた混練物を、平板プレス法により、シート状に形成した（厚み２００μｍ）。次いで、シート状組成物をくり抜くことにより、図１〜図３に示す形状の樹脂シート（平坦部、及び平坦部から厚み方向に突起する凸部を平坦部の外周全体に備える樹脂シート）を作製した。樹脂シートの平坦部の厚みは２００μｍであり、凸部の高さは表１のとおりであった。
【０１００】
［比較例］
表１に記載の配合比に従い、各成分を配合し、ロール混練機により６０〜１２０℃、１０分間、減圧条件下（０．０１ｋｇ／ｃｍ２）で溶融混練し、混練物を調製した。次いで、得られた混練物を、平板プレス法により、シート状に形成して、厚さ２００μｍの樹脂シートを作製した。
【０１０１】
［評価］
得られた樹脂シートを用いて下記の評価を行った。結果を表１に示す。
【０１０２】
（位置ずれ）
ＳＡＷフィルタを実装する基板を樹脂シートで成型することにより成型物を得た。９つの成形物について、樹脂シートの位置ずれが０．５ｍｍ未満の場合を位置ずれ無し（○）と評価した。一方、０．５ｍｍ以上の位置ずれがある場合を位置ずれあり（×）と評価した。
【０１０３】
（２５℃の引張貯蔵弾性率）
樹脂シートから、短冊状のサンプル（縦３５ｍｍ×横１０ｍｍ×厚み２００μｍ）を切り出した。このサンプルについて、動的粘弾性測定装置(レオメトリクスサイエンティフィク社製のＲＳＡＩＩＩ)を用いて、引張測定モードにてチャック間距離２０ｍｍ、昇温速度１０℃／分、０〜５０℃の引張貯蔵弾性率を測定した。測定結果から、２５℃の引張貯蔵弾性率を求めた。
【０１０４】
【表１】
2015070034.tif 000003
【符号の説明】
【０１０５】
１    平坦部
２    凸部
１１    樹脂シート
１２    ＬＴＣＣ基板
１３    ＳＡＷフィルタ
１３ａ  突起電極
１４    中空部
１６    電子デバイスパッケージ
２１    真空包装容器
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
2015070034.tif 000010
【図８】
2015070034.tif 000011
【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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