(57)【要約】【課題】基板の主面に加熱処理を良好に施すことができる基板処理装置を提供することを目的とする。【解決手段】ヒータヘッド３５が、赤外線を出射する赤外線ランプ３８と、赤外線ランプ３８を収容するハウジング４０と、赤外線ランプ３８から出射される赤外線の一部を遮蔽する遮蔽膜６９と、を有する。そして、ヒータヘッド３５が第２の近接位置に配された状態では、赤外線ランプ３８のうち一方側に配される出射点Ｐ１からウエハＷの存在範囲を外れてウエハＷの外周部よりも外側に向けて出射される赤外線ＩＬ２が遮蔽膜６９によって遮蔽される。他方、赤外線ランプ３８から出射される赤外線のうち赤外線ＩＬ２を除いた赤外線ＩＬ１はハウジング４０を透過してヒータヘッド３５の下方へと出射される。【選択図】図５
2015162538.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板処理装置であって、
基板を水平姿勢で保持し、該基板を鉛直軸線周りに回転する基板回転部と、
赤外線を出射する少なくとも１つの出射点を有する加熱部と、前記加熱部を収容するハウジングと、前記加熱部から出射される赤外線の一部を遮蔽する遮蔽部と、を有する加熱ヘッドと、
前記基板回転部に保持回転される前記基板の上側主面に沿って前記加熱ヘッドを走査させるヘッド走査部と、
を有し、
前記加熱ヘッドの外周部のうち走査過程において前記基板回転部に保持される前記基板の外周部の上方に到達する部分を特定端部と呼ぶとき、
前記加熱ヘッドが走査され前記特定端部が前記基板回転部に保持回転された前記基板の前記外周部の上方に配される状態で、前記遮蔽部は、前記加熱部のうち前記特定端部側に配される出射点から前記基板の存在範囲を外れて前記基板の前記外周部よりも外側に向けて出射される赤外線を遮蔽することを特徴とする基板処理装置。
【請求項２】
請求項１に記載の基板処理装置であって、
前記基板回転部は、水平面に沿って配され前記基板の外周部を把持する複数の把持部材を有し、前記把持部材によって前記基板が水平姿勢で保持されることを特徴とする基板処理装置。
【請求項３】
請求項１または請求項２に記載の基板処理装置であって、
前記遮蔽部は、前記加熱部と前記ハウジングとの間に形成されていることを特徴とする基板処理装置。
【請求項４】
請求項１または請求項２に記載の基板処理装置であって、
前記遮蔽部は、前記ハウジングが囲む空間の外部に形成されていることを特徴とする基板処理装置。
【請求項５】
請求項１ないし請求項４のいずれかに記載の基板処理装置であって、
前記遮蔽部は、前記ハウジングを構成する側壁に形成された遮蔽膜であることを特徴とする基板処理装置。
【請求項６】
請求項１ないし請求項４のいずれかに記載の基板処理装置であって、
前記遮蔽部は、前記ハウジングに固定された遮蔽部材であることを特徴とする基板処理装置。
【請求項７】
請求項１ないし請求項６のいずれかに記載の基板処理装置であって、
前記遮蔽部は、前記加熱部より出射される赤外線を反射することを特徴とする基板処理装置。
【請求項８】
請求項１ないし請求項６のいずれかに記載の基板処理装置であって、
前記遮蔽部は、前記加熱部より出射される赤外線を吸収することを特徴とする基板処理装置。
【請求項９】
請求項１ないし請求項８のいずれかに記載の基板処理装置であって、
前記遮蔽部の底部が曲線形状であることを特徴とする基板処理装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、基板に対して加熱処理を行う基板処理装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
半導体装置の製造工程には、たとえば、基板の主面にリン、砒素、硼素などの不純物（イオン）を局所的に注入する工程が含まれる。この工程では、不要な部分に対するイオン注入を防止するため、基板の表面がレジストによってマスクされる。基板の表面上にパターンとして形成されたレジストはイオン注入の後は不要になるから、イオン注入後には、基板の表面上の不要となったレジストを除去するレジスト除去処理が行われる。
【０００３】
このようなレジスト除去処理として、基板の表面にＳＰＭ液を供給し、赤外線照射により該ＳＰＭ液を加熱して、ＳＰＭ液に含まれるペルオキソ一硫酸（Ｈ２ＳＯ５）の強酸化力により基板の表面からレジストを剥離する手法が知られている。
【０００４】
例えば、特許文献１に記載の装置では、ウエハ回転機構によって水平姿勢で保持回転されるウエハの上面に剥離液供給ノズルから高温のＳＰＭ液を供給し、加熱ヘッドがウエハの上面に沿って走査しながらウエハに向けて赤外線を照射する構成が開示されている。この結果、ウエハの上面に供給されたＳＰＭ液が加熱され、該ウエハについてのレジスト除去処理が進行する。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２０１３−１８２９５７号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
この種の処理では、基板の中心側においてはＳＰＭ液を十分に高温化させることができ速やかにレジスト剥離処理を行うことができる一方で、放熱しやすい基板の外周部側においてはＳＰＭ液を十分に高温化させることができずレジスト剥離処理の進行が遅れる、という問題が生じていた。
【０００７】
加熱ヘッドの直下（より正確には、加熱ヘッドが有する熱源の直下）がもっとも加熱されやすい箇所であるので、上記問題を解決するための態様として、加熱ヘッドを基板の外周部の直上に配した状態で加熱ヘッドから基板に向けて赤外線を照射する態様が考えられる。しかしながら、該態様においては、基板の側方に存在する各部材にまで赤外線が照射されてしまい、該各部材が加熱による悪影響を受ける（例えば、基板を把持する把持部材が加熱によって変形する等）という新たな問題が生じる。
【０００８】
このような問題は、ＳＰＭ液等のレジスト剥離液を用いたレジスト除去処理だけでなく、回転される基板を赤外線照射によって加熱する種々の処理に共通の課題である。
【０００９】
本発明の目的は、基板の主面に加熱処理を良好に施すことができる基板処理装置を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本発明の第１の態様にかかる基板処理装置は、基板を水平姿勢で保持し、該基板を鉛直軸線周りに回転する基板回転部と、赤外線を出射する少なくとも１つの出射点を有する加熱部と、前記加熱部を収容するハウジングと、前記加熱部から出射される赤外線の一部を遮蔽する遮蔽部と、を有する加熱ヘッドと、前記基板回転部に保持回転される前記基板の上側主面に沿って前記加熱ヘッドを走査させるヘッド走査部と、を有し、前記加熱ヘッドの外周部のうち走査過程において前記基板回転部に保持される前記基板の外周部の上方に到達する部分を特定端部と呼ぶとき、前記加熱ヘッドが走査され前記特定端部が前記基板回転部に保持回転された前記基板の前記外周部の上方に配される状態で、前記遮蔽部は、前記加熱部のうち前記特定端部側に配される出射点から前記基板の存在範囲を外れて前記基板の前記外周部よりも外側に向けて出射される赤外線を遮蔽することを特徴とする。
【００１１】
本発明の第２の態様にかかる基板処理装置は、本発明の第１の態様にかかる基板処理装置であって、前記基板回転部は、水平面に沿って配され前記基板の外周部を把持する複数の把持部材を有し、前記把持部材によって前記基板が水平姿勢で保持されることを特徴とする。
【００１２】
本発明の第３の態様にかかる基板処理装置は、本発明の第１の態様または第２の態様にかかる基板処理装置であって、前記遮蔽部は、前記加熱部と前記ハウジングとの間に形成されていることを特徴とする。
【００１３】
本発明の第４の態様にかかる基板処理装置は、本発明の第１の態様または第２の態様にかかる基板処理装置であって、前記遮蔽部は、前記ハウジングが囲む空間の外部に形成されていることを特徴とする。
【００１４】
本発明の第５の態様にかかる基板処理装置は、本発明の第１の態様ないし第４の態様のいずれかにかかる基板処理装置であって、前記遮蔽部は、前記ハウジングを構成する側壁に形成された遮蔽膜であることを特徴とする。
【００１５】
本発明の第６の態様にかかる基板処理装置は、本発明の第１の態様ないし第４の態様のいずれかにかかる基板処理装置であって、前記遮蔽部は、前記ハウジングに固定された遮蔽部材であることを特徴とする。
【００１６】
本発明の第７の態様にかかる基板処理装置は、本発明の第１の態様ないし第６の態様のいずれかにかかる基板処理装置であって、前記遮蔽部は、前記加熱部より出射される赤外線を反射することを特徴とする。
【００１７】
本発明の第８の態様にかかる基板処理装置は、本発明の第１の態様ないし第６の態様のいずれかにかかる基板処理装置であって、前記遮蔽部は、前記加熱部より出射される赤外線を吸収することを特徴とする。
【００１８】
本発明の第９の態様にかかる基板処理装置は、本発明の第１の態様ないし第８の態様のいずれかにかかる基板処理装置であって、前記遮蔽部の底部が曲線形状であることを特徴とする。
【発明の効果】
【００１９】
本発明の第１の態様では、加熱ヘッドが、赤外線を出射する少なくとも１つの出射点を有する加熱部と、加熱部を収容するハウジングと、加熱部から出射される赤外線の一部を遮蔽する遮蔽部と、を有する。
【００２０】
そして、加熱ヘッドが走査され加熱ヘッドにおける特定端部が基板回転部に保持回転された基板の外周部の上方に配される状態で、遮蔽部は、加熱部のうち特定端部側に配される出射点から基板の存在範囲を外れて基板の外周部よりも外側に向けて出射される赤外線を遮蔽する。
【００２１】
このように、加熱ヘッドにおける特定端部が基板回転部に保持回転された基板の外周部の上方に配される状態で基板への加熱処理を行うことができるので、放熱しやすい基板の外周部を十分に加熱することができる。
【００２２】
また、加熱部のうち特定端部側に配される出射点から基板の存在範囲を外れて基板の外周部よりも外側に向けて出射される赤外線を遮蔽部が遮蔽するので、基板の側方に存在する各部材が赤外線照射による熱影響を受けることを有効に防止できる。
【００２３】
本発明の第７の態様では、遮蔽部が加熱部より出射される赤外線を反射する。このため、反射された赤外線が基板に照射されることで加熱効率が向上しうる。
【図面の簡単な説明】
【００２４】
【図１】実施形態に係る基板処理装置の構成を模式的に示す図である。
【図２】ヒータヘッドの横断面図である。
【図３】赤外線ランプの斜視図である。
【図４】ヒータアームとヒータヘッドとの結合の様子を示す斜視図である。
【図５】ヒータヘッドの横断面図である。
【図６】遮蔽膜を示す斜視図である。
【図７】第１の近接位置に位置するヒータヘッドとウエハとを示す上面図である。
【図８】第２の近接位置に位置するヒータヘッドとウエハとを示す上面図である。
【図９】比較例において、第２の近接位置に位置するヒータヘッドとウエハとを示す上面図である。
【図１０】比較例において、第３の近接位置に位置するヒータヘッドとウエハとを示す上面図である。
【図１１】基板処理装置の電気的構成を示すブロック図である。
【図１２】実施形態に係る基板処理装置の処理例を示すフロー図である。
【図１３】レジスト除去処理の様子を示す側面図である。
【図１４】レジスト除去処理の様子を示す側面図である。
【図１５】変形例に係る遮蔽膜を示す斜視図である。
【図１６】変形例に係る遮蔽膜の展開図である。
【図１７】変形例において、第２の近接位置に位置するヒータヘッドとウエハとを示す上面図である。
【図１８】変形例において、第２の近接位置に位置するヒータヘッドとウエハとを示す上面図である。
【発明を実施するための形態】
【００２５】
以下、図面を参照しつつ本発明の実施の形態について詳細に説明する。
【００２６】
＜１  実施形態＞
＜１．１  基板処理装置１の構成＞
図１は、本発明の実施形態に係る基板処理装置１の構成を模式的に示す図である。基板処理装置１は、一方の主面にイオン注入処理やドライエッチング処理を施された基板（以下、ウエハＷ）に対して、該ウエハＷの上記主面から不要になったレジストを除去する枚葉式の装置である。
【００２７】
基板処理装置１は、図示しない隔壁により区画された処理室２内に、上記主面が上側となるようにウエハＷを回転可能に水平姿勢で保持するウエハ回転機構３と、ウエハ回転機構３に保持されているウエハＷの上側主面（上面Ｓ１）に薬液（例えば、レジスト剥離液としてのＳＰＭ液）を供給するための剥離液供給ノズル４と、ウエハ回転機構３に保持されているウエハＷの上面Ｓ１に対向配置されるヒータヘッド３５と、を備える。
【００２８】
基板処理装置１では、ウエハ回転機構３に保持回転されるウエハＷの上面Ｓ１に剥離液供給ノズル４からＳＰＭ液を供給し、ヒータヘッド３５によってウエハＷの上面Ｓ１に吐出されたＳＰＭ液を加熱することで、ウエハＷ上面Ｓ１のレジスト剥離を進行させる（詳細は、図１２〜図１４を参照しつつ後述する）。
【００２９】
＜ウエハ回転機構３＞
ウエハ回転機構３（基板回転部）は、モータ６と、このモータ６の駆動軸と一体化されたスピン軸７と、スピン軸７の上端に水平に取り付けられた円板状のスピンベース８と、スピンベース８の周縁部の複数箇所に水平面に沿ってほぼ等角度間隔で設けられた複数の把持部材９とを備えている。
【００３０】
複数の把持部材９（例えば、チャックピン）は、スピンベース８内に収容された図示省略のリンク機構によって連動して駆動される部材である。このため、該リンク機構を駆動することで、ウエハＷの外周部を把持しウエハＷを水平姿勢で保持する状態とウエハＷの水平姿勢での保持を解除する状態とが切り替えられる。
【００３１】
複数の把持部材９によりウエハＷを水平姿勢に把持した状態でモータ６が駆動されると、その駆動力によってスピンベース８およびスピンベース８に固設された複数の把持部材９に把持されるウエハＷが回転軸線Ｃ（鉛直軸線）まわりに回転される。なお、ウエハ回転機構３においてウエハＷを保持する態様としては、上述した把持式のものに限らず、たとえば、ウエハＷの下面を真空吸着することで該ウエハＷを保持する真空吸着式のものであっても構わない。
【００３２】
＜剥離液供給ノズル４＞
剥離液供給ノズル４は、たとえば、連続流の状態でＳＰＭ液を吐出するストレートノズルである。剥離液供給ノズル４は、その吐出口を下方に向けた状態で、ほぼ水平に延びる第１液アーム１１の先端に取り付けられている。第１液アーム１１は、鉛直方向に延びる所定の揺動軸線まわりに旋回可能に設けられている。第１液アーム１１には、第１液アーム１１を所定角度範囲内で揺動させるための第１液アーム揺動機構１２が結合されている。第１液アーム１１の揺動により、剥離液供給ノズル４は、ウエハ回転機構３に保持されたウエハＷの直上に位置する処理ポジションと、ウエハ回転機構３の側方に設定されたホームポジションとの間で移動される。
【００３３】
剥離液供給ノズル４にＳＰＭ液を供給するための剥離液供給機構１３は、硫酸（Ｈ２ＳＯ４）と過酸化水素水（Ｈ２Ｏ２）とを混合させるための混合部１４と、混合部１４と剥離液供給ノズル４との間に接続された剥離液供給管１５とを備えている。混合部１４には、硫酸供給管１６および過酸化水素水供給管１７が接続されている。硫酸供給管１６には、硫酸供給源１６Ａから、所定温度（たとえば約８０℃）に温度調節された硫酸が供給される。一方、過酸化水素水供給管１７には、過酸化水素水供給源１７Ａから、温度調節されていない室温（約２５℃）程度の過酸化水素水が供給される。硫酸供給管１６の途中部には、硫酸バルブ１８および流量調節バルブ１９が介装されている。また、過酸化水素水供給管１７の途中部には、過酸化水素水バルブ２０および流量調節バルブ２１が介装されている。剥離液供給管１５の途中部には、攪拌流通管２２および剥離液バルブ２３が混合部１４側からこの順に介装されている。攪拌流通管２２は、たとえば、管部材内に、それぞれ液体流通方向を軸にほぼ１８０度のねじれを加えた長方形板状体からなる複数の撹拌フィンを、液体流通方向に沿う管中心軸まわりの回転角度を９０°ずつ交互に異ならせて配置した構成を有している。
【００３４】
剥離液バルブ２３が開かれた状態で、硫酸バルブ１８および過酸化水素水バルブ２０が開かれると、硫酸供給管１６からの硫酸および過酸化水素水供給管１７からの過酸化水素水が混合部１４に流入し、それらが混合部１４から剥離液供給管１５へと流出する。硫酸および過酸化水素水は、剥離液供給管１５を流通する途中、攪拌流通管２２を通過することにより十分に攪拌される。攪拌流通管２２による攪拌によって、硫酸と過酸化水素水とが十分に反応し、多量のペルオキソ一硫酸（Ｈ２ＳＯ５）を含むＳＰＭ液が生成される。そして、ＳＰＭ液は、硫酸と過酸化水素水との反応熱により、混合部１４に供給される硫酸の液温以上の高温に昇温する。その高温のＳＰＭ液が剥離液供給管１５を通して剥離液供給ノズル４に供給される。
【００３５】
硫酸供給源１６Ａの硫酸タンクには、硫酸が貯められており、この硫酸は硫酸タンク内の温度調節器（図示せず）により所定温度（たとえば約８０℃）に温度調節されている。そして、該所定温度に暖められた硫酸が硫酸供給管１６に供給されている。混合部１４において約８０℃の硫酸と室温の過酸化水素水とが混合されることにより、たとえば約１４０℃のＳＰＭ液が生成される。剥離液供給ノズル４は、約１４０℃のＳＰＭ液を吐出する。
【００３６】
＜ＤＩＷノズル２４、ＳＣ１ノズル２５＞
また、基板処理装置１は、ウエハ回転機構３に保持されたウエハＷの表面にリンス液としてのＤＩＷ（脱イオン化された水）を供給するためのＤＩＷノズル２４と、ウエハ回転機構３に保持されたウエハＷの表面に対して洗浄用の薬液としてのＳＣ１（ａｍｍｏｎｉａ-ｈｙｄｒｏｇｅｎ ｐｅｒｏｘｉｄｅ ｍｉｘｔｕｒｅ：アンモニア過酸化水素水混合液）を供給するためのＳＣ１ノズル２５とを備えている。
【００３７】
ＤＩＷノズル２４は、たとえば、連続流の状態でＤＩＷを吐出するストレートノズルであり、ウエハ回転機構３の上方で、その吐出口をウエハＷの回転中心付近に向けて固定的に配置されている。ＤＩＷノズル２４には、ＤＩＷ供給源からのＤＩＷが供給されるＤＩＷ供給管２６が接続されている。ＤＩＷ供給管２６の途中部には、ＤＩＷノズル２４からのＤＩＷの供給／供給停止を切り換えるためのＤＩＷバルブ２７が介装されている。
【００３８】
ＳＣ１ノズル２５は、たとえば、連続流の状態でＳＣ１を吐出するストレートノズルである。ＳＣ１ノズル２５は、その吐出口を下方に向けた状態で、ほぼ水平に延びる第２液アーム２８の先端に取り付けられている。第２液アーム２８は、鉛直方向に延びる所定の揺動軸線まわりに旋回可能に設けられている。第２液アーム２８には、第２液アーム２８を所定角度範囲内で揺動させるための第２液アーム揺動機構２９が結合されている。第２液アーム２８の揺動により、ＳＣ１ノズル２５は、ウエハ回転機構３に保持されたウエハＷの直上に位置するポジションと、ウエハ回転機構３の側方に設定されたホームポジションとの間で移動される。
【００３９】
ＳＣ１ノズル２５には、ＳＣ１供給源からのＳＣ１が供給されるＳＣ１供給管３０が接続されている。ＳＣ１供給管３０の途中部には、ＳＣ１ノズル２５からのＳＣ１の供給／供給停止を切り換えるためのＳＣ１バルブ３１が介装されている。
【００４０】
＜揺動駆動機構３６、昇降駆動機構３７＞
ウエハ回転機構３の側方には、鉛直方向に延びる支持軸３３が配置されている。支持軸３３の上端には水平方向に延びるヒータアーム３４が結合されており、ヒータアーム３４の先端にはヒータヘッド３５（加熱ヘッド）が取り付けられている。また、支持軸３３には、支持軸３３をその中心軸線まわりに回動させるための揺動駆動機構３６と、支持軸３３をその中心軸線に沿って上下動させるための昇降駆動機構３７とが結合されている。
【００４１】
揺動駆動機構３６から支持軸３３に駆動力が入力されると、支持軸３３は中心軸線周りに所定の角度範囲内で回動され、ヒータアーム３４は支持軸３３を支点として揺動される。ヒータアーム３４の揺動により、ヒータアーム３４の先端部に取り付けられたヒータヘッド３５がウエハ回転機構３に保持されたウエハＷの直上に位置する処理ポジション（図７で示す第１の近接位置と図８で示す第２の近接位置との区間）と、ウエハ回転機構３の側方に設定されたホームポジションとの間で移動される。
【００４２】
また、昇降駆動機構３７から支持軸３３に駆動力が入力されることにより、支持軸３３が昇降される。支持軸３３の昇降により、ヒータアーム３４の先端部に取り付けられた剥離液供給ノズル４も、ウエハ回転機構３に保持されたウエハＷの上面Ｓ１に近接する近接位置（図１に二点鎖線で示す位置）と、近接位置よりも上方に退避する退避位置（図１に実線で示す位置）との間で、昇降される。この実施形態において、近接位置は、ウエハ回転機構３に保持されたウエハＷの上面Ｓ１と剥離液供給ノズル４の下面との間隔がたとえば３ｍｍになる位置に設定されている。
【００４３】
後述するレジスト除去処理では、揺動駆動機構３６および昇降駆動機構３７によってウエハ回転機構３に保持回転されるウエハＷの上面Ｓ１に沿ってヒータヘッド３５が走査され、ウエハＷの上面Ｓ１が加熱される。このように、揺動駆動機構３６および昇降駆動機構３７は、ヒータヘッド３５を走査するヘッド走査部として機能する。
【００４４】
＜ヒータヘッド３５＞
図２は、ヒータヘッド３５の図解的な縦断面図である。
【００４５】
ヒータヘッド３５は、赤外線ランプ３８と、上部に開口部３９を有し赤外線ランプ３８（加熱部）を収容する有底容器状のハウジング４０と、ハウジング４０の内部で赤外線ランプ３８を吊下げ支持する支持部材４２と、ハウジング４０の開口部３９を閉塞するための蓋４１とを備えている。この実施形態では、蓋４１がヒータアーム３４の先端に固定されている。
【００４６】
図３は、赤外線ランプ３８の斜視図である。
【００４７】
赤外線ランプ３８は、フィラメントを石英配管内に配設して構成される１本のランプヒータであり、略円環状の（より厳密には、円弧状の）円環部４３と、円環部４３の両端から円環部４３の中心軸線に沿うように鉛直上方に延びる一対の直線部４４，４５と、を有する。この実施形態では、円環部４３の直径は、たとえば約６０ｍｍに設定されている。赤外線ランプ３８が支持部材４２に支持された状態で、円環部４３は水平面内に配され、直線部４４，４５は鉛直方向に沿って配される。赤外線ランプ３８としては、例えば、ハロゲンランプやカーボンヒータに代表される短・中・長波長の赤外線ヒータを採用することができる。
【００４８】
赤外線ランプ３８の上端部には、電圧供給のためのアンプ５４が接続されている。このため、アンプ５４から赤外線ランプ３８に電圧が印加されると、赤外線ランプ３８が赤外線を出射する。赤外線ランプ３８においては、少なくとも円環部４３が発光部（加熱部）として機能すれば足り、直線部４４，４５が発光部（加熱部）として機能するか否かはいずれでもよい。本実施形態では、円環部４３のみが加熱する構成、すなわち、円環部４３にのみフィラメントが配設される構成について説明する。
【００４９】
図４は、ヒータアーム３４およびヒータヘッド３５の斜視図である。
【００５０】
図２および図４に示すように、蓋４１は円板状をなし、ヒータアーム３４の長手方向に沿う姿勢で固定されている。蓋４１は、ＰＴＦＥ（ポリテトラフルオロエチレン）などのフッ素樹脂材料を用いて形成されている。この実施形態では、蓋４１はヒータアーム３４と一体に形成されている。しかしながら、蓋４１をヒータアーム３４と別に形成してもよい。また、蓋４１の材料として、ＰＴＦＥ等の樹脂材料以外にも、セラミックスや石英などの材料を採用できる。
【００５１】
図２に示すように、蓋４１の下面４９には溝部５１が形成されている。溝部５１は水平平坦面からなる上底面５０を有し、上底面５０に支持部材４２の上面４２Ａが接触固定されている。図２および図４に示すように、蓋４１には、上底面５０および下面４２Ｂを鉛直方向に貫通する挿通孔５８，５９が形成されている。各挿通孔５８，５９は、赤外線ランプ３８の直線部４４，４５の各上端部が挿通するためのものである。なお、図４では、赤外線ランプ３８がヒータヘッド３５から取り除かれた状態を示している。
【００５２】
図２に示すように、ヒータヘッド３５のハウジング４０は有底円筒容器状をなしている。ハウジング４０は石英を用いて形成されている。
【００５３】
ハウジング４０は、その開口部３９を上方に向けた状態で、蓋４１の下面４９に固定されている。ハウジング４０の開口側の周端部からは、円環状のフランジ４０Ａが径方向外方に向けて水平に突出している。ボルト等の固定手段（図示せず）を用いて、フランジ４０Ａが蓋４１の下面４９に固定されることにより、ハウジング４０が蓋４１に支持される。
【００５４】
ハウジング４０の底板部５２は、水平姿勢の円板状をなしている。底板部５２の上面５２Ａおよび下面５２Ｂはそれぞれ水平平坦面をなしている。ハウジング４０内において、赤外線ランプ３８は、円環部４３の下部が底板部５２の上面５２Ａに近接して対向配置されている。円環部４３の下部と上面５２Ａとの間の上下方向の間隔はたとえば約２ｍｍに設定されている。
【００５５】
支持部材４２は、厚肉の略円板状をなしており、ボルト５６等によって蓋４１にその下方から水平姿勢で取付け固定されている。支持部材４２は、耐熱性を有する材料（たとえばセラミックスや石英）を用いて形成されている。支持部材４２は、その上面４２Ａおよび下面４２Ｂを、鉛直方向に貫通する挿通孔４６，４７を２つ有している。各挿通孔４６，４７は、赤外線ランプ３８の直線部４４，４５が挿通するためのものである。
【００５６】
各直線部４４，４５の途中部には、Ｏリング４８が外嵌固定されている。直線部４４，４５を挿通孔４６，４７に挿通させた状態では、各Ｏリング４８の外周が挿通孔４６，４７の内壁に圧接し、これにより、直線部４４，４５の各挿通孔４６，４７に対する抜止めが達成され、赤外線ランプ３８が支持部材４２によって吊り下げ支持される。
【００５７】
アンプ５４から赤外線ランプ３８に電圧が供給されると、赤外線ランプ３８が赤外線を放射する。該赤外線は、ハウジング４０を介して、ヒータヘッド３５の下方に向けて出射される。後述するレジスト除去処理の際には、ヒータヘッド３５がウエハ回転機構３に保持されているウエハＷの上方に配される状態で赤外線ランプ３８から赤外線が出射され、該赤外線によってウエハＷおよびウエハＷ上面Ｓ１のＳＰＭ液が加熱される。この際、赤外線ランプ３８の円環部４３が水平姿勢であるので、同じく水平姿勢にあるウエハＷの表面に対し均一に赤外線を照射することができる。
【００５８】
ヒータヘッド３５では、赤外線ランプ３８の周囲がハウジング４０によって覆われている。また、ハウジング４０のフランジ４０Ａと蓋４１の下面４９とは、ハウジング４０の全周にわたって密着している。さらに、ハウジング４０の開口部３９が蓋４１によって閉塞されている。このため、後述するレジスト除去処理の際、ウエハＷの表面付近のＳＰＭ液の液滴を含む雰囲気がハウジング４０内に進入して赤外線ランプ３８に悪影響を及ぼすのを防止することができる。これにより、赤外線ランプ３８の石英管の管壁にＳＰＭ液の液滴が付着することを防止でき、赤外線ランプ３８から放射される赤外線の光量を長期にわたって安定的に保つことができる。
【００５９】
また、ハウジング４０を構成する側壁の内面には、赤外線ランプ３８から出射される赤外線の一部を遮蔽する遮蔽膜６９が形成されている。本明細書において、「赤外線を遮蔽する」とは、赤外線を遮ること全般を意味し、例えば、「赤外線を反射する」ことおよび「赤外線を吸収する」ことを含む概念である。
【００６０】
図５は、ヒータヘッド３５が後述する第２の近接位置に配される場合において赤外線ランプ３８から出射される赤外線ＩＬ１，ＩＬ２の光路を概略的に示す側面図である。図６は、遮蔽膜６９の構成を示す概略的な斜視図である。図７，図８は、処理ポジションにおける、ヒータヘッド３５とウエハＷとの位置関係を示す概念的な上面図である。なお、図５では、説明の便宜のため、実際には赤外線ランプ３８から各方向へ出射される赤外線のうち一部の赤外線ＩＬ１，ＩＬ２のみを図示している。
【００６１】
本実施形態において、遮蔽膜６９は、ハウジング４０の内面に塗布された曲面形状の白色セラミックコーティングであり、円環部４３（加熱部）とハウジング４０との間に形成される。
【００６２】
後述するレジスト除去処理の際には、ヒータヘッド３５が、ヒータアーム３４の揺動により第１の近接位置（図７）と第２の近接位置（図８）との区間で走査される。ここで、「第１の近接位置」とは、ヒータヘッド３５がウエハ回転機構３に保持されたウエハＷの回転中心の直上に配される位置である。また、「第２の近接位置」とは、ヒータヘッド３５における特定端部ＰＥがウエハ回転機構３に保持されたウエハＷの外周部の上方に配される位置である。ここで、特定端部ＰＥとは、水平面視において、ヒータヘッド３５の外周部のうち走査過程においてウエハ回転機構３に保持されるウエハＷの外周部の上方に到達する部分である。本明細書では、ヒータヘッド３５のうち、特定端部ＰＥが配される側を「一方側」と呼称する。
【００６３】
遮蔽膜６９は、ハウジング４０を構成する側壁の内面のうち上記一方側の内面にのみ形成される（図５〜図８）。ヒータヘッド３５が第２の近接位置に配された状態で、遮蔽膜６９は、円環部４３のうち上記一方側に配される出射点Ｐ１からウエハＷの存在範囲を外れてウエハＷの外周部よりも外側に向けて出射される赤外線ＩＬ２を反射する（図５）。他方、赤外線ランプ３８から出射される赤外線のうち赤外線ＩＬ２を除いた赤外線ＩＬ１はハウジング４０を透過してヒータヘッド３５の下方へと直進する（図５）。
【００６４】
その結果、ウエハＷの上面Ｓ１のうち赤外線ランプ３８から赤外線が照射される領域（以下、「照射領域ＲＳ１」と呼ぶ）は、上記一方側で相対的に照射面積が小さく上記一方側以外の部分で相対的に照射面積が大きい略円形の領域となる（図７、図８）。
【００６５】
図９、図１０は、本実施形態の比較例を示す図であり、処理ポジションにおける、ヒータヘッド３５ＡとウエハＷとの位置関係を示す概念的な上面図である。
【００６６】
ヒータヘッド３５Ａは、遮蔽膜６９を有さない。このため、図９に示すようにヒータヘッド３５Ａが第２の近接位置に配された場合には、赤外線ランプ３８から出射された赤外線がウエハＷの側方にも照射される。その結果、ウエハ回転機構３に保持されるウエハＷの側方に存在する各部材が加熱による悪影響を受ける（例えば、把持部材９が加熱によって変形する）おそれがある。
【００６７】
本実施形態の基板処理装置１では、ヒータヘッド３５が遮蔽膜６９を有することによって、ヒータヘッド３５が第２の近接位置に配された場合でもウエハＷの側方に赤外線が照射されることが抑制される。その結果、本実施形態では、上記比較例（図９）で説明したようにウエハＷの側方に存在する各部材が加熱による悪影響を受ける（例えば、把持部材９が加熱によって変形する）ことを有効に防止できる。
【００６８】
特に、把持部材９はウエハＷの側方に当接されている。また、ウエハＷ上面Ｓ１に形成される電気的構成が静電気破壊されることを防ぐ目的で、把持部材９は導電性を有するカーボン材料を含有し黒色となっており、光の吸収をしやすい。このように把持部材９は特にヒータヘッド３５による加熱の影響を受けやすい部材であるので、上記した加熱による悪影響の防止効果が特に現れやすい。
【００６９】
また、比較例における別態様として、後述するレジスト除去処理の際に、遮蔽膜６９を有さないヒータヘッド３５Ａを第１の近接位置と第３の近接位置（図１０）との区間で往復移動する態様も考えられる。ここで、第３の近接位置とは、ヒータヘッド３５Ａが第２の近接位置から第１の近接位置に向けて一定角度だけ移動され、水平面視においてヒータヘッド３５Ａにおける照射領域ＲＳ２の一部がウエハ回転機構３に保持されたウエハＷの外周部の一部と一致する位置である。
【００７０】
該態様においては、遮蔽膜６９を有さないヒータヘッド３５Ａを利用しつつ、ウエハＷの側方に赤外線が照射されることを抑制することができる。一方、該態様においては、放熱しやすいウエハＷの外周部の上方にヒータヘッド３５Ａを配することができない。当然ながらヒータヘッド３５の直下（より正確には、熱源である赤外線ランプ３８の直下）がもっとも加熱されやすい箇所であるので、該態様においてはただでさえ放熱しやすいウエハＷの外周部を十分に加熱することができず、ウエハＷの外周部でのレジスト剥離の進行が遅れる。
【００７１】
本実施形態の基板処理装置１では、ヒータヘッド３５が遮蔽膜６９を有することによって、ヒータヘッド３５が第２の近接位置に配された場合にウエハＷの外周部を十分に加熱することができる。その結果、ウエハＷの外周部でのレジスト剥離も速やかに進行することができる。
【００７２】
図２に戻って、ヒータヘッド３５の各部についての説明を再開する。
【００７３】
蓋４１内には、ハウジング４０の内部に不活性ガスを供給するための給気経路６０と、ハウジング４０の内部の雰囲気を排気するための排気経路６１とが形成されている。給気経路６０および排気経路６１は、蓋４１の下面に開口する給気ポート６２および排気ポート６３を有している。給気経路６０には、給気配管６４の一端が接続されている。給気配管６４の他端は、不活性ガスの給気源に接続されている。排気経路６１には、排気配管６５の一端が接続されている。排気配管６５の他端は、排気源に接続されている。
【００７４】
給気配管６４および給気経路６０を通して、給気ポート６２からハウジング４０内に不活性ガスを供給しつつ、ハウジング４０内の雰囲気を、排気ポート６３および排気経路６１を通して排気配管６５へ排気することにより、ハウジング４０内の高温雰囲気を換気することができる。これにより、ハウジング４０の内部を冷却することができ、その結果、赤外線ランプ３８、ハウジング４０、および支持部材４２などを良好に冷却することができる。
【００７５】
なお、不活性ガスとしては、例えば、窒素ガスやアルゴンガスであっても構わない。また、不活性ガスに代えてエアを使用しても構わない。
【００７６】
給気配管６４（図４参照）および排気配管６５（図４では図示省略、図２参照）は、ヒータアーム３４の一方の側面に配設された板状の給気配管ホルダ６６、およびヒータアーム３４の他方の側面に配設された板状の排気配管ホルダ６７に、それぞれ支持されている。
【００７７】
＜制御装置５５＞
図１１は、基板処理装置１の電気的構成を示すブロック図である。基板処理装置１は、さらに、マイクロコンピュータを含む構成の制御装置５５を備えている。制御装置５５には、モータ６、アンプ５４、揺動駆動機構３６、昇降駆動機構３７、第１液アーム揺動機構１２、第２液アーム揺動機構２９、硫酸バルブ１８、過酸化水素水バルブ２０、剥離液バルブ２３、ＤＩＷバルブ２７、ＳＣ１バルブ３１、流量調節バルブ１９，２１等が制御対象として接続されている。
【００７８】
＜１．２  基板処理装置１の動作＞
図１２は、基板処理装置１におけるレジスト除去処理の処理例を示す工程図である。図１３，図１４は、ＳＰＭ液膜形成工程およびＳＰＭ液膜加熱工程を説明するための図解的な断面図である。
【００７９】
以下、レジスト除去処理の処理例について説明する。
【００８０】
レジスト除去処理に際しては、搬送ロボット（図示しない）が制御されて、処理室２（図１）内にイオン注入処理後のウエハＷが搬入される（ステップＳ１：ウエハ搬入）。ウエハＷは、レジストをアッシングするための処理を受けていないものとする。ウエハＷは、その表面を上方に向けた状態でウエハ回転機構３に受け渡される。このとき、ウエハＷの搬入の妨げにならないように、ヒータヘッド３５、剥離液供給ノズル４およびＳＣ１ノズル２５は、それぞれホームポジションに配置されている。
【００８１】
ウエハ回転機構３にウエハＷが保持されると、制御装置５５はモータ６を制御して、ウエハＷを回転開始させる。ウエハＷの回転速度は第１回転速度（たとえば６０ｒｐｍ）まで上げられ、その後、その第１回転速度に維持される（ステップＳ２）。第１回転速度は、ウエハＷをＳＰＭ液でカバレッジできる速度である。また、制御装置５５は、第１液アーム揺動機構１２を制御して、剥離液供給ノズル４をウエハＷの上方位置に移動する。
【００８２】
ウエハＷの回転速度が第１回転速度に達した後、図１３に示すように、制御装置５５は、硫酸バルブ１８、過酸化水素水バルブ２０および剥離液バルブ２３を開いて、剥離液供給ノズル４からＳＰＭ液をウエハＷの表面に供給する。
【００８３】
ウエハＷの回転速度が第１回転速度であるので、ウエハＷの表面に供給されるＳＰＭ液は、ウエハＷの表面上に溜められていき、ウエハＷの表面上に、その表面の全域を覆うＳＰＭ液の液膜７０が形成される（ステップＳ３：ＳＰＭ液膜形成工程）。
【００８４】
図１３に示すように、ＳＰＭ液膜形成工程の開始時には、制御装置５５は、第１液アーム揺動機構１２を制御して、剥離液供給ノズル４をウエハＷの回転中心上に配置させ、剥離液供給ノズル４からＳＰＭ液を吐出する。これにより、ウエハＷの表面にＳＰＭ液の液膜７０を形成するとともに、ＳＰＭ液をウエハＷの表面の全域に行き渡らせることができる。この結果、ＳＰＭ液の液膜７０でウエハＷの表面の全域が覆われる。
【００８５】
ステップＳ３のＳＰＭ液膜形成工程に並行して、制御装置５５は、アンプ５４を制御して赤外線ランプ３８から赤外線を放射させるとともに、揺動駆動機構３６および昇降駆動機構３７を制御してヒータヘッド３５を保持したヒータアーム３４をウエハＷ上方で揺動および昇降させる。具体的には、ヒータヘッド３５は、ウエハ回転機構３に保持回転されるウエハＷの表面と近接する位置まで下降され、剥離液供給ノズル４の動作と干渉しないように走査される。
【００８６】
ウエハＷの表面の全域を覆うＳＰＭ液の液膜７０が形成されるまでに要する時間は、剥離液供給ノズル４から吐出されるＳＰＭ液の流量によって異なるが、たとえば５秒間である。
【００８７】
ＳＰＭ液の供給開始から５秒間が経過すると、制御装置５５はモータ６を制御してウエハＷの回転速度を第１回転速度よりも小さい所定の第２回転速度に下げる。これにより、ステップＳ４のＳＰＭ液膜加熱工程が実行される。
【００８８】
第２回転速度は、ウエハＷへのＳＰＭ液の供給がなくても、ウエハＷの表面上にＳＰＭ液の液膜７０を保持可能な速度（たとえば１５ｒｐｍ）である。また、モータ６によるウエハＷの減速と同期して、制御装置５５は、剥離液バルブ２３を閉じて剥離液供給ノズル４からのＳＰＭ液の供給を停止するとともに、第１液アーム揺動機構１２を制御して剥離液供給ノズル４をホームポジションに戻す。ウエハＷへのＳＰＭ液の供給が停止された後も、ウエハＷの回転速度が第２回転速度に下げられることによりウエハＷの表面上にＳＰＭ液の液膜７０が継続して保持される。
【００８９】
図１４に示すように、ウエハＷの回転速度が下げられた後も、ヒータヘッド３５の赤外線ランプ３８によるウエハＷの表面上のＳＰＭ液への加熱、ならびにヒータヘッド３５の走査は継続される（ステップＳ４：ＳＰＭ液膜加熱工程）。すなわち、制御装置５５は、アンプ５４を制御して赤外線ランプ３８から赤外線を放射させるとともに、揺動駆動機構３６および昇降駆動機構３７を制御してヒータヘッド３５を第１の近接位置と第２の近接位置との間で往復移動させる（図７、図８、図１４）。
【００９０】
赤外線ランプ３８による赤外線の照射により、ウエハＷの上面Ｓ１に保持されるＳＰＭ液のうちヒータヘッド３５の下方に存在するＳＰＭ液が約２５０℃程度の高温に加熱される。ウエハＷが回転され、かつ、ヒータヘッド３５が第１の近接位置から第２の近接位置までの範囲内を円弧帯状の軌跡を描きつつ移動することにより、ウエハＷの上面Ｓ１の全域がヒータヘッド３５によって加熱される。
【００９１】
また、前述のように、ヒータヘッド３５が近接位置にあるときには、底板部５２の下面５２ＢとウエハＷの表面との間が微小間隔（たとえば３ｍｍ）に保たれる。そのため、下面５２ＢとウエハＷの上面Ｓ１との間の雰囲気をその周囲から遮断することができる。これにより、下面５２ＢとウエハＷの上面Ｓ１との間に存在するＳＰＭ液の温度降下を抑制することができ、該ＳＰＭ液を効率よく加熱することができる。
【００９２】
ステップＳ４のＳＰＭ液膜加熱工程では、ＳＰＭ液の液膜７０がウエハＷの上面Ｓ１との境界付近で温められる。この間に、ウエハＷの表面上のレジストとＳＰＭ液との反応が進み、ウエハＷの表面からのレジストの剥離が進行する。
【００９３】
その後、ウエハＷの回転速度が下げられてから予め定める液膜加熱処理時間が経過すると、制御装置５５はアンプ５４を制御して赤外線ランプ３８からの赤外線の放射を停止させる。また、制御装置５５は、揺動駆動機構３６および昇降駆動機構３７を制御してヒータヘッド３５をホームポジションに戻す。
【００９４】
さらに、制御装置５５は、モータ６を制御してウエハＷの回転速度を所定の液処理回転速度（たとえば１０００ｒｐｍ）に上げるとともに、ＤＩＷバルブ２７を開いてＤＩＷノズル２４の吐出口からウエハＷの回転中心付近に向けてＤＩＷを供給する（ステップＳ５：中間リンス処理工程）。ウエハＷの表面に供給されたＤＩＷは、ウエハＷの回転による遠心力を受けてウエハＷの上面Ｓ１をウエハＷの周縁に向けて流れる。この結果、ウエハＷの上面Ｓ１に付着しているＳＰＭ液がＤＩＷによって洗い流される。
【００９５】
ＤＩＷの供給が所定の中間リンス時間にわたって続けられると、ＤＩＷバルブ２７が閉じられて、ウエハＷの表面へのＤＩＷの供給が停止される。
【００９６】
ウエハＷの回転速度を液処理回転速度に維持しつつ、制御装置５５は、ＳＣ１バルブ３１を開いて、ＳＣ１ノズル２５からＳＣ１をウエハＷの表面に供給する（ステップＳ６）。また、制御装置５５は、第２液アーム揺動機構２９を制御して第２液アーム２８を所定角度範囲内で揺動させて、ＳＣ１ノズル２５をウエハＷの回転中心上と周縁部上との間で往復移動させる。これによって、ＳＣ１ノズル２５からウエハＷの上面Ｓ１上に供給されるＳＣ１の着液位置は、ウエハＷの回転中心からウエハＷの周縁部に至る範囲内をウエハＷの回転方向と交差する円弧状の軌跡を描きつつ往復移動する。この結果、ウエハＷの上面Ｓ１の全域にＳＣ１がむらなく供給され、ＳＣ１の化学的能力によりウエハＷの上面Ｓ１に付着しているレジスト残渣およびパーティクルなどの異物が除去される。
【００９７】
ＳＣ１の供給が所定のＳＣ１供給時間にわたって続けられると、制御装置５５は、ＳＣ１バルブ３１を閉じるとともに、第２液アーム揺動機構２９を制御してＳＣ１ノズル２５をホームポジションに戻す。
【００９８】
また、ウエハＷの回転速度が液処理回転速度に維持された状態で、制御装置５５は、ＤＩＷバルブ２７を開いて、ＤＩＷノズル２４の吐出口からウエハＷの回転中心付近に向けてＤＩＷを供給する（ステップＳ７：リンス処理工程）。ウエハＷの上面Ｓ１に供給されたＤＩＷは、ウエハＷの回転による遠心力を受けて、ウエハＷの上面Ｓ１をウエハＷの周縁に向けて流れる。これにより、ウエハＷの上面Ｓ１に付着しているＳＣ１がＤＩＷによって洗い流される。
【００９９】
ＤＩＷの供給が所定のリンス時間にわたって続けられると、制御装置５５は、ＤＩＷバルブ２７を閉じて、ウエハＷの表面へのＤＩＷの供給を停止する。
【０１００】
その後、制御装置５５は、モータ６を駆動して、ウエハＷの回転速度を所定の高回転速度（たとえば１５００〜２５００ｒｐｍ）に上げる。これにより、ウエハＷに付着しているＤＩＷを高速回転により振り切って乾燥するスピンドライ処理が行われる（ステップＳ８）。
【０１０１】
スピンドライ処理が予め定めるスピンドライ処理時間にわたって行われると、制御装置５５は、モータ６を駆動して、ウエハ回転機構３の回転を停止させる。
【０１０２】
これにより、１枚のウエハＷに対するレジスト除去処理が終了し、搬送ロボットによって、処理済みのウエハＷが処理室２から搬出される（ステップＳ９）。
【０１０３】
＜１．３  基板処理装置１の効果＞
以上説明したように、本実施形態では、ヒータヘッド３５が遮蔽膜６９を有していることによって、ヒータヘッド３５が第２の近接位置に配された場合でもウエハＷの側方に赤外線が照射されることが抑制される。このため、本実施形態では、比較例（図９）で説明した場合と異なり、ウエハＷの側方に存在する各部材が熱影響を受けることを有効に防止できる。
【０１０４】
また、本実施形態では、ヒータヘッド３５が第２の近接位置に配された場合にウエハＷの外周部を十分に加熱することができる。このため、比較例（図１０）で説明した場合と異なり、ウエハＷの外周部でのレジスト剥離も速やかに進行することができる。
【０１０５】
また、本実施形態では、ハウジング４０のフランジ４０Ａと蓋４１の下面４９とがハウジング４０の全周にわたって密着している。さらに、ハウジング４０の開口部３９が蓋４１によって閉塞されている。このため、レジスト除去処理の際、ウエハＷの表面付近に漂うＳＰＭ液の液滴を含む雰囲気がハウジング４０内に進入して遮蔽膜６９に悪影響を及ぼす（遮蔽膜６９の遮蔽性能を低下させる、遮蔽膜６９をハウジング４０から剥離させる、等）ことを防止することができる。また、遮蔽膜６９がハウジング４０の内部に配されるため、仮に遮蔽膜６９がハウジング４０の側壁から剥離したとしても、処理中のウエハＷの上面Ｓ１に該遮蔽膜６９が落下することを防止できる。
【０１０６】
また、本実施形態では、水平面視においてハウジング４０の一方側にのみ遮蔽膜６９が配され、該一方側でのみウエハＷへの赤外線の照射が抑制される。このため、本実施形態では、水平面視においてハウジング４０の全周に遮蔽膜６９が配される態様に比べ、ウエハＷの上面Ｓ１への赤外線の照射領域ＲＳ１が大きくなり、より効率的にウエハＷの上面Ｓ１を加熱することができる。
【０１０７】
＜２  変形例＞
以上、本発明の実施の形態について説明したが、この発明はその趣旨を逸脱しない限りにおいて上述したもの以外に種々の変更を行うことが可能である。以下では、上記実施形態の変形例について説明するが、上記実施形態と同一の要素については同一の符号を付し重複説明を省略する。
【０１０８】
上記実施形態では、ＳＰＭ液をレジスト剥離液として用いてレジスト除去処理を行う基板処理装置１について説明したが、本発明を適用可能な基板処理装置はこれに限られるものではない。高温の燐酸を用いた窒化膜等の選択エッチング処理を行う基板処理装置など、種々の基板処理装置に本発明を適用可能である。
【０１０９】
図１５は、変形例に係る遮蔽膜６９Ａの概略構成を示す斜視図である。図１６は、遮蔽膜６９Ａの展開図である。なお、図１５および図１６において一点鎖線で示すのは、上記実施形態における遮蔽膜６９では存在し、本変形例における遮蔽膜６９Ａでは存在しない部分である。
【０１１０】
図１５および図１６に示すように、変形例に係る遮蔽膜６９Ａの底部６９１は、水平方向中央側で下向きに凸の曲線形状となっている。このため、遮蔽膜６９Ａでは、赤外線の遮蔽効果が上記中央側で最も大きく上記中央側から両側方に離れるにつれてなめらかに低下する。その結果、本変形例では、ウエハＷの上面Ｓ１への照射領域が、遮蔽膜６９Ａの上記中央側で最も照射面積が小さく、遮蔽膜６９Ａの上記中央側から両側方にかけて徐々に照射面積が拡がり、遮蔽膜６９Ａの存しない部分で相対的に照射面積が大きい略円形の領域となる。
【０１１１】
そして、ヒータヘッド３５の特定端部と遮蔽膜６９Ａの上記中央側とが一致するようにハウジング４０の側面に遮蔽膜６９Ａが配される。この結果、ヒータヘッド３５が第２の近接位置に配された場合に、上記実施形態と同様に上記一方側でウエハＷよりも側方に赤外線が照射されることを抑制しつつ、ウエハＷの上面Ｓ１に上記実施形態の場合より広範囲に赤外線を照射することが可能となる。
【０１１２】
図１７は、変形例に係るヒータヘッド３５Ｂの構成を示す概略的な上面図である。
【０１１３】
図１７に示すように、ヒータヘッド３５Ｂは、水平面視において略円弧形状であり、ヒータヘッド３５Ｂの水平方向一方側の側面形状はウエハ回転機構３に保持回転されるウエハＷの外周部の所定区間の形状と対応する。また、ヒータヘッド３５Ｂは、その内部に、ヒータヘッド３５Ｂの側壁に沿って配される環状の赤外線ランプ３８Ｂと、ヒータヘッド３５Ｂの側壁のうち上記一方側に沿って配される遮蔽膜６９Ｂと、を備える。このため、照射領域ＲＳ３も略円弧形状に形成される。
【０１１４】
このような構成となっているので、本変形例では、ヒータヘッド３５Ｂが第２の近接位置に配された場合（図１７）に、ウエハＷの側方に赤外線が照射されることが抑制される。また、ヒータヘッド３５Ｂが第２の近接位置に配された場合（図１７）に、ウエハＷをその外周部に沿って広範囲に加熱することができる。
【０１１５】
図１８は、変形例に係るヒータヘッド３５Ｃの構成を示す概略的な上面図である。
【０１１６】
図１８に示すように、ヒータヘッド３５Ｃは、水平面視において略円弧形状であり、ヒータヘッド３５Ｃの水平方向一方側の側面形状はウエハ回転機構３に保持回転されるウエハＷの外周部の所定区間の形状と対応する。また、ヒータヘッド３５Ｃは、その内部に、２つの赤外線ランプ３８と、ヒータヘッド３５Ｂの側壁のうち上記一方側に沿って配される遮蔽膜６９Ｃと、を備える。このため、照射領域ＲＳ４も略円弧形状に形成される。
【０１１７】
このような構成となっているので、本変形例では、ヒータヘッド３５Ｃが第２の近接位置に配された場合（図１８）に、ウエハＷの側方に赤外線が照射されることが抑制される。また、ヒータヘッド３５Ｂが第２の近接位置に配された場合（図１８）に、ウエハＷをその外周部に沿って広範囲に加熱することができる。
【０１１８】
上記実施形態では、ヒータヘッド３５の内面（より厳密には、ハウジング４０を構成する側壁の内面）にセラミックコーティングとしての遮蔽膜６９が形成される態様について説明したが、これに限られるものではない。
【０１１９】
例えば、石英のハウジングに対してクロムメッキを行うなど他の種々の態様で遮蔽膜を形成してもよい。
【０１２０】
また、上記遮蔽膜に代えて、ハウジングに固定された遮蔽部材を設けてもよい。本明細書では、遮蔽膜と遮蔽部材との双方を含む概念を総称して遮蔽部と呼ぶ。
【０１２１】
また、遮蔽部は、ハウジング４０が囲む空間の外部に形成されてもよい。また、ハウジング４０を構成する側壁の少なくとも一部が赤外線を遮蔽する部材で構成され、該側壁が遮蔽部としての機能を兼ねてもよい。
【０１２２】
また、上記実施形態のように白色の遮蔽部が赤外線を反射する態様の他、例えば、黒色の遮蔽部が赤外線を吸収する態様であっても構わない。なお、上記実施形態のように遮蔽部が赤外線を反射する態様の方が、反射された赤外線をウエハＷの上面Ｓ１に照射でき加熱効率を向上できる点で望ましい。
【０１２３】
また、上記実施形態では、水平面視においてハウジングの一方側にのみ遮蔽部が配される態様について説明したが、これに限られるものではない。水平面視においてハウジングの全周に沿って遮蔽部が配される態様でも構わない。また、例えば、ハウジングの下面の一部に遮蔽部が配される態様でも構わない。
【０１２４】
また、上記実施形態では、赤外線を出射する複数の出射点が円環状に配列された赤外線ランプについて説明したが、これに限られるものではない。例えば、複数の出射点が直線状に配列された赤外線ランプであっても構わない。また、点光源（１つの出射点）によって構成される赤外線ランプであっても構わない。
【０１２５】
また、上記実施形態ではヒータヘッド３５と剥離液供給ノズル４とが別体として設けられる構成について説明したが、これに限られず、両者が一体として設けられる構成でも構わない。
【０１２６】
以上、実施形態およびその変形例に係る基板処理装置について説明したが、これらは本発明に好ましい実施形態の例であって、本発明の実施の範囲を限定するものではない。本発明は、その発明の範囲内において、各実施形態の自由な組み合わせ、あるいは各実施形態の任意の構成要素の変形、もしくは各実施形態において任意の構成要素の省略が可能である。
【符号の説明】
【０１２７】
１  基板処理装置
３  ウエハ回転機構
４  剥離液供給ノズル
９  把持部材
３５，３５Ａ〜３５Ｃ  ヒータヘッド
３８，３８Ｂ  赤外線ランプ
６９，６９Ａ〜６９Ｃ  遮蔽膜
ＩＬ１，ＩＬ２  赤外線
ＰＥ  特定端部
ＲＳ１〜ＲＳ４  照射領域
Ｓ１  上面
Ｗ  ウエハ
【図１】
2015162538.tif 000003
【図２】
2015162538.tif 000004
【図３】
2015162538.tif 000005
【図４】
2015162538.tif 000006
【図５】
2015162538.tif 000007
【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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