(57)【要約】【課題】光半導体素子がポッティング工法で樹脂封止されている光半導体装置において、配光特性の安定性に優れた光半導体装置を安価に提供する。【解決手段】コーティング層として光半導体素子を覆う封止樹脂部の底面の拡がりを抑制する手段として、ダイボンディング工程と同時にダイボンド材を用いてダムを形成するようにした。【選択図】図１
2015070126.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
光半導体素子がポッティング工法で樹脂封止されている光半導体装置において、前記光半導体素子を基台上に接合するためのダイボンボンド材と同一材料により、前記樹脂による封止形状調整用のダム部が形成されていることを特徴とする光半導体装置。
【請求項２】
前記ダム部は、点描痕で構成されていることを特徴とする請求項１に記載の光半導体装置。
【請求項３】
前記光半導体素子は両面電極構造の素子が基台として配線付基板のパターンにダイボンディングされており、前記ダイボンボンド材は導電タイプであり、ダム部の敷設個所は前記半導体素子の周囲の一部であり、ダイボンディングされるパターンと同一パターンあるいはそれらに繋がるラインパターン上であることを特徴とする請求項１および請求項２に記載の光半導体装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は光半導体素子がポッティング工法で樹脂封止されている光半導体装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
樹脂封止されて作成される光半導体装置において、例えばＬＥＤ素子への応力緩和や、波長変換層の敷設などの目的で、コーティング層としてＬＥＤ素子を覆うように第１の封止樹脂で封止し、さらに全体を覆うように第２の封止樹脂にて封止した所謂複層モールドによる封止部構成を持つＬＥＤ発光装置が知られている。
【０００３】
図８はＬＥＤ発光装置の一例として、前述の複層モールドによる封止部構成を持つＬＥＤ発光装置１００の断面図を示したものである。ＬＥＤ発光装置１００は配線付基板１０２を基台として用いたチップタイプＬＥＤと呼称されるものである。基板１０２には、正負の二つの電極１０５と夫々の電極から延長された配線パターンが敷設されている。片方の電極側パターンにＬＥＤ素子１０１がダイボンドされ、ＬＥＤ素子１０１と他方の電極側パターンが金細線１０６にてワイヤボンド接続されている。ＬＥＤ素子１０１はポッティング（滴下）工法により第１の封止樹脂部１０３にて周囲が覆われ、さらに第２の封止樹脂部１０４にて全体が封止されている。
【０００４】
ここで、ＬＥＤ素子１０１が例えばＧａＡｓ赤外ＬＥＤ素子などのように応力に対して脆弱な素子の場合、第２の封止樹脂部１０４に使用されているエポキシ樹脂の応力によってＬＥＤ素子１０１が早期劣化を誘発される懸念があるため、第1の封止樹脂部１０３には応力緩和措置としてシリコーン等の透光性軟質樹脂が用いられる。
またＬＥＤ素子１０１をＧａＮ系青色ＬＥＤ素子として装置１００を白色ＬＥＤ発光装置とする場合、第１の封止樹脂部１０３は波長変換層となり、ＵＶ耐性を確保するためシリコーン樹脂をバインダーとしてＹＡＧ蛍光剤等を混錬したものが用いられる。
【０００５】
図８の例において、第１の封止樹脂部１０３に用いるシリコーン樹脂は、粘性が低く、基板１０２上への塗布後に大きく拡がりやすい。第１の封止樹脂部１０３の形状を安定して量産することが難しい。また、図８の例では第２の封止樹脂部１０４にレンズが形成されているため、特に第１の封止樹脂部１０３の変形によって、ＬＥＤ発光装置の配光特性に与える影響が大きい例として示したものであるが、他にレンズが形成されていないＬＥＤ発光装置であっても、配光特性に与える影響が大きくなるため、歩留りが低下する。
【０００６】
そこで、形状安定性を高める対策として、樹脂材を基板１０２上のＬＥＤ素子１０３搭載位置の周囲に設けることでダム部を形成し、拡がり防止措置とする方法が考えられる。このときダム部を形成する樹脂材としては、ダム形成専用の樹脂材が用いられる。
【０００７】
図９は特許文献１に開示されている白色ＬＥＤ発光装置２００の断面図を示すものである。白色ＬＥＤ発光装置２００はリードフレーム２０６に耐熱樹脂をインサート成形して外囲器を形成したパッケージ２０２を用いるＬＥＤ発光装置（ＰＬＣＣタイプと呼称される）であり、前述の複層モールドが施されているものである。白色ＬＥＤ発光装置２００においてＬＥＤ素子２０１の収納部に充填される樹脂全体に蛍光体を拡散させたものとした場合、過度の散乱による損失が増大するため、複層モールド構成とし、ＬＥＤ素子の周囲を略円筒状に覆う第１の封止樹脂部２０３に蛍光体を分散させ、収納部に充填される第２の封止樹脂部２０４は透明な封止樹脂とすることで、収納部に設けられたリフレクタ２０５での反射光量が増大し、性能向上に優れた効果を奏するものとしている。
この例においても第１の封止樹脂部２０３に変形があると、リフレクタ２０５における反射光分布も変化するため、配光特性に影響を与えることが予想される。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００８】
【特許文献１】特開２００５−５７０８９号報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
図８のＬＥＤ発光装置１００および図９の白色ＬＥＤ発光装置２００は、一般的にＬＥＤ素子の周縁を覆う第1の封止樹脂部がポッティング(滴下)工法により形成されるため形状が一定せず、従って配光特性のばらつきが大きくなるという懸念がある。
【００１０】
また、図８のＬＥＤ発光装置１００および図９の白色ＬＥＤ発光装置２００には、ＬＥＤ素子を搭載する前に、ダム材を描画し加熱硬化してダム部を形成することが可能であるが、工数増加によるコスト上昇を招いてしまう。またＬＥＤ素子が小型の場合には、描画自体に困難さが伴い、その精度にも自ずと限界がある。更にＬＥＤ素子搭載時にボンディングパターンの汚染による接続不良発生の懸念も生じる。
【００１１】
本発明は、光半導体素子がポッティング工法で樹脂封止されている光半導体装置において、前記樹脂による封止形状を調整するためのダムの作成が容易で、配光特性の安定性に優れた光半導体装置を安価に提供することを目的としている。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
上記目的を達成するため、本発明の請求項１に記載の光半導体装置によれば、光半導体素子がポッティング工法で樹脂封止されている光半導体装置において、前記光半導体素子を基台上に接合するためのダイボンド材と同一材料により、前記樹脂による封止形状調整用のダム部が形成されていることを特徴とする光半導体装置とすることで、前記光半導体素子を接合する為のダイボンボンド材の塗布と加熱硬化の工程と同時に前記ダム部を敷設することができ、安価で配光特性のばらつきが抑制された光半導体装置とすることができる。
【００１３】
上記目的を達成するため、本発明の請求項２に記載の光半導体装置によれば、前記ダム部は、点描痕で構成されていることを特徴とする請求項１に記載の光半導体装置とすることで、前記光半導体素子が小型の場合にも、一般的なダイボンド材の塗布方法であるスタンピング工法によりダム部形成位置へのダイボンド材の塗布が可能で、前記ダム部の敷設を容易なものとすることが可能となる。
【００１４】
上記目的を達成するため、本発明の請求項３に記載の光半導体装置によれば、前記光半導体素子は両面電極構造の素子が基台として配線付基板のパターンにダイボンディングされており、前記ダイボンド材は導電タイプであり、ダム部の敷設個所は前記半導体素子の周囲の一部であり、ダイボンディングされるパターンと同一パターンあるいはそれらに繋がるラインパターン上であることを特徴とする請求項１および請求項２に記載の光半導体装置とすることで、前記ダム部は光半導体素子のダイボンディングと同時に形成されるためダイボンド接続に対する汚染の影響はなく、また前記ダム部は２ｎｄボンディングされるパッドパターン上あるいは近傍に形成しないように配置することが可能で、ワイヤボンド接続に対する汚染の影響も抑制することでき、信頼性の高い光半導体装置とすることが可能となる。
【発明の効果】
【００１５】
本発明によれば、光半導体素子がポッティング工法で樹脂封止されている光半導体装置において、前記樹脂による封止形状が調整されて配光特性の安定性に優れた光半導体装置を安価に提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１６】
【図１】図１は本発明の実施例によるＬＥＤ発光装置を示す図である。
【図２】図２はダム部を敷設しない場合の封止樹脂部の樹脂のながれを模式的に示した図であり、（ａ）はコーティング用樹脂を滴下する前のダイポンディングパッドにＬＥＤ素子１１がダイボンドされ金細線によって接続された状態を部分的に表したもので、（ｂ）はコーティング層として封止樹脂部が形成された後の状態を表したものである
【図３】図３は本発明の実施例によるＬＥＤ発光装置の製造プロセスの一例を示す図である。
【図４】図４は本発明の別の実施例によるＬＥＤ発光装置を示す図である。
【図５】図５は本発明の別の実施例によるＬＥＤ発光装置を示す図である。
【図６】図６は本発明の別の実施例によるＬＥＤ発光装置を示す図である。
【図７】本発明の実施例を応用したＬＥＤ面状発光装置を示す図であり、（ａ）は素子搭載面示す図で、（ｂ）は内部素子結線図を示す図である。
【図８】従来例によるＬＥＤ発光装置の断面図を示す図ある。
【図９】別の従来例によるＬＥＤ発光装置の断面図を示す図ある。
【発明を実施するための形態】
【００１７】
本発明は、コーティング層として光半導体素子を覆う封止樹脂部を有する光半導体装置において、該封止樹脂部の底面の拡がりを抑制する手段としてダイボンド材を用いたダム部を敷設することを特徴とする。実施例として図１乃至図７を示しながら、詳細について説明を行うこととする。
【００１８】
（実施例１）
図１は本発明による実施例として、封止樹脂部の底面の拡がりを抑制する手段としてダイボンド材を用いてダム部を敷設し、コーティング層の形状安定化を施した複層モールドによる封止部構成を持つＬＥＤ発光装置１０を示したものである。ＬＥＤ発光装置１０は基台として配線付基板１２を用いたチップタイプＬＥＤであり、基板１２は該基板の端部に設けられた外部接続用の正負の二つの電極１３ａ１、１３ｂ１と電極１３ａ１、１３ｂ１の各々から延在してダイポンディングパッド１３ｂ２、２ｎｄボンディングパッド１３ａ２が素子搭載面に敷設されており、ダイポンディングパッド１３ｂ２にダイボンド層１４により接合された両面電極構造のＬＥＤ素子１１、ＬＥＤ素子１１と２ｎｄボンディングパッド１３ａ２間にワイヤボンド接続された金細線１５、コーティング層としてポッティング工法により形成されたＬＥＤ素子１１を覆う第１の封止樹脂部１７、トランスファーモールド工法により成形された全体封止するとともに集光機能を付与するためのレンズを備えた第２の封止樹脂部１８で構成されている。
【００１９】
ここで本発明の特徴として、金属材料により形成されたダイポンディングパッド１３ｂ２と電極１３ｂ１を繋ぐライン１３ｂ３上の、ダイポンディングパッド１３ｂ２の外縁と重なる位置に、ダイボンド材を用いたダム部１６がスタンピング工法等によって敷設され、封止樹脂部１７の樹脂がダイポンディングパッド１３ｂ２からライン１３ｂ３の方向へ流れて、コーティング層として形状の歪みを抑制する手段としていることである。
【００２０】
図２は上述のダム部１６を敷設しない場合の封止樹脂部１７の樹脂のながれを模式的に示した図であり、図２（ａ）はコーティング用樹脂を滴下する前のダイポンディングパッド１３ｂ２にＬＥＤ素子１１がダイボンドされ金細線１５によって接続された状態を部分的に表したもので、図２（ｂ）はコーティング層として封止樹脂部１７が形成された後の状態を表したものである。ダム部１６を敷設しない場合、封止樹脂部１７１の樹脂はダイポンディングパッド１３ｂ２の外縁のパターンエッジ部において樹脂の表面張力により拡がりが抑制され、樹脂の滴下量が適正であれば、決壊せずに、樹脂の流れはライン１３ｂ３の方向へ向かい、尾根状の拡がり部１９が形成される。
【００２１】
本発明によればダム部１６を拡がり易い配線パターン上に設けることで、コーティング用樹脂のライン１３ｂ３方向への流れを阻止し、形状の歪みを抑制するとともに、ダム部１６にダイボンド材を用いることによってダイボンド材の塗布工程と同時に形成可能であり、工数の増加もない。さらに、ダム部１６の設置位置の微調整も容易である。
【００２２】
（製造工程）
図３は本発明によるＬＥＤ発光装置１０の製造工程の一例を示すもので、以下のフローで詳細の説明を加える。尚、通常、ＬＥＤ発光装置１０のようなチップタイプＬＥＤは、複数枚の配線付基板１２が多面付された集合基板をワークとして後述するａ）ダイボンド材塗布工程からｅ）樹脂封止工程までを一括して処理する工程となっているが、図３ではワークに含まれる装置一個分について簡略化して工程毎に上面と側面から観た図で描いている。
【００２３】
（ａ）で示すダイボンド材塗布工程では、ＢＴレジン等の有機基材やセラミックを基材とした基板に正負極に対応したパターン１３ｂ１、１３ａ１が施された配線付基板１２を単位基板として複数枚が多面付した集合基板がワークとして用意され、ダイボンド材をダイボンド層１４を形成する位置に塗布する。同時に、例えばスタンピングによりダイボンド材をダム部１６を形成する。なお、図で示す配線付基板１２に施されたパターンは両面電極構造のＬＥＤ素子１１を搭載するもので、使用されるダイボンド材は導電タイプとなり、一般的にエポキシ系バインダーに銀粒子等の導電性フィラーが混錬したものが用いられる。
【００２４】
（ｂ）で示すダイボンド工程では、未硬化状態のダイボンド層１４にＬＥＤ素子１１を載置した後に。加温してダイアボンド層１４を硬化させることでＬＥＤ素子１１とボンディングパターン１３ｂ２とがダイボンド層を介して接合される。この時、同時にダム部１６の樹脂も硬化される。尚、加熱により、ダイボンド材中のバインダー樹脂が粘度低下をおこすが、銀粒子の混和率が比較的高いため塗布領域の拡がりは抑制される。
【００２５】
（ｃ）で示すワイヤボンド工程では一般的に超音波熱圧着式のワイヤボンダにより金細線１５によりＬＥＤ素子１１と２ｎｄボンディングパッド１３ａ２間が接続される。
【００２６】
（ｄ）で示すコーティング工程ではコーティング用の樹脂をＬＥＤ素子上面に滴下した後、樹脂が流動し、ダイポンディングパッド１３ｂ２の外縁のパターンエッジ部とダム部１６において拡がりが抑制され、これを加温して硬化させることでコーティング層として封止樹脂部１７が形成される。本例では、コーティング層が前述したように応力緩和層や蛍光体を含んだ波長変換層を形成するために施されるものでコーティング層の樹脂には例えばシリコーン樹脂が使用される。
【００２７】
（ｅ）で示す樹脂封止工程ではトランスファーモールド工法によりエポキシ樹脂やシリコーン樹脂を封止樹脂として、封止樹脂部１７と金細線１５を覆いながら、集光機能を付与するためのレンズを備えた封止樹脂部１８を形成する。
【００２８】
上記ａ）からｅ）までの高低は前述したように配線付基板１２を単位基板とした集合基板をワークとして工程が進められものであるので最後にダイサー等により個片化してＬＥＤ発光装置１０の完成となる。
【００２９】
（実施例２）
図４はＬＥＤ発光装置１０と同様の構成を持つが、両面電極構造のＬＥＤ素子２１が大型サイズとなっているＬＥＤ２０の例で、図４（ａ）はダイボンド材塗布工程からダイボンド、ワイヤボンド工程を経た段階での素子搭載面を示す図である。
【００３０】
基板２２は基板２２の端部に設けられた外部接続用の正負の二つの電極２３ａ１、２３ｂ１と電極２３ａ１、２３ｂ１の各々から延在してダイボンディングパッド２３ｂ２、２ｎｄボンディングパッド２３ａ２が素子搭載面に敷設されているのは実施例１と同様であるが、本例では、ダイボンディングパッド２３ｂ２と電極２３ｂ１を繋ぐライン２３ｂ３がＬＥＤ素子２１から発生する熱の拡散を意図して幅広とされている。ダイボンド材の塗布は、素子サイズが大きくても□１ｍｍ程度のＬＥＤ素子の場合、スタンピング工法で行なうのが一般的であり、本例では図４（ａ）で示すようにダイボンド材の塗布と同時にダム部２６もスタンピング工法で敷設され、３個の点描痕で構成されている。
【００３１】
ダイボンド材塗布後にダイボンディングパッド２３ｂ２にダイボンド層２４によりＬＥＤ素子２１が接合され、ＬＥＤ素子２１と２ｎｄボンディングパッド２３ａ２間を金細線２５によりワイヤボンド接続される。
【００３２】
図４（ｂ）は、コーティング工程後を示す図で、コーティング層としてポッティング工法にてＬＥＤ素子２１を覆う第１の封止樹脂部２７が形成されている。ＬＥＤ発光装置２０も複層モールドによる封止部構成を持つタイプであり、コーティング工程の後、ＬＥＤ発光装置１０の工程と同様に樹脂封止工程にて、封止樹脂部１７と金細線１５を覆う封止樹脂部が形成される（図示なし）。
【００３３】
本例ではダム部２６が間隔を開けた点描痕の集合で構成されているが、樹脂の粘度により該間隔を調整することで、コーティング層として形状の歪みを抑制する手段として機能させることができる。前述のように点描痕の位置はスタンピングのティーチングデータを変更するだけなので微調整は容易である。
【００３４】
尚、ＬＥＤ発光装置２０のダム部２６はスタンピングによる点描痕の集合で構成するものとして描いているが、これに限定するものではない。ＬＥＤ素子のサイズが大きくなり、ダイボンド材塗布がマスク印刷やディスペンサ描画によって行われる場合には、当然ながらダム部２６も線状に敷設するのが好ましい。
【００３５】
（実施例３）
図５は本発明を用いた別の実施例として片面電極構造となっているＬＥＤ素子３１を搭載するＬＥＤ発光装置３０を示すもので、コーティング工程を終えた段階での素子搭載面を示している。
【００３６】
基板３２は基板３２の端部に設けられた外部接続用の正負の二つの電極３３ａ１、３３ｂ１と電極３３ａ１、３３ｂ１各々から延在して二つの２ｎｄボンディングパッド３３ａ２、３３ｂ２、二つの電極３３ａ１、３３ｂ１から独立したパターンとしてダイボンディングパッド３３ｃ１が敷設されている。ダイボンディングパッド３３ｃ１上にダイボンド層３４を介せてＬＥＤ素子３１が接合され、ＬＥＤ素子３１と二つの２ｎｄボンディングパッド３３ａ２、３３ｂ２が二本の金細線３５ａ、３５ｂによって接続されている。
【００３７】
ダム部３６はダイボンド材の塗布と同時に敷設されるが、本例ではＬＥＤ素子３１を取巻く様に、複数個の点描痕で構成されている。更に該点描痕の位置は、ダイポンディングパッド３３ｃ１上に位置するものやダイポンディングパッド３３ｃ１と２ｎｄボンディングパッド３３ａ２あるいは３３ｂ２の間の基板表面（基材表面）に位置するものがある。
【００３８】
前述の実施例１や実施例２では搭載されるＬＥＤ素子が両面電極構造のためダイボンド材は銀粒子等の導電粒子を含む導電タイプであり、塗布位置のずれや銀マイグレーションによる短絡事故を回避するために、ダム部を形成するためのダイボンド材塗布領域はダイボンディングパッドのパターン上あるいはそれらに繋がるラインパターン上に制約する必要があった。
【００３９】
本例で用いるＬＥＤ素子が片面電極構造でありダイボンド材は非導電タイプで良いために塗布領域は電気的な制約を受けない。従って、図５に示すようにダム部３６は２ｎｄボンディングパッド３３ａ２および３３ｂ２に近接して配設することができる。但し、ダイボンド材の樹脂によるブリードアウト等で汚染の可能性があるため２ｎｄボンディングパッド３３ａ２および３３ｂ２上への塗布は避けるのが好ましい。
【００４０】
尚、ＬＥＤ素子用の非導電タイプのダイボンド材は熱伝導性付与のためにアルミナ等のフィラーが混錬されており粘度が比較的高く、一般的にチキソ性も調整されており、本例のようにダム部３６として用いる場合にも形状保持性は良好である。
【００４１】
本例においても、ＬＥＤ発光装置３０のダム部３６はスタンピングによる点描痕の集合で構成するものとして描いているが、これに限定するものではなく、ダイボンド材塗布がマスク印刷やディスペンサ描画によって行われる場合には、当然ながらダム部３６も線状に敷設するのが好ましい。尚、ダム部３６は塗布領域が広く、ダイボンド材の使用量は多くなるが、非導電タイプのダイボンド材は導電タイプに比較して概ね材料コストは低い。
【００４２】
ワイヤボンド工程後に、ポッティング工法によりコーティング層としてＬＥＤ素子３１を覆う第１の封止樹脂部３７が形成されている。ＬＥＤ発光装置３０も複層モールドによる封止部構成を持つタイプであり、コーティング工程の後、実施例１や実施例２と同様に樹脂封止工程にて、第１の封止樹脂部３７と金細線２５ａおよび２５ｂを覆う第２の封止樹脂部が形成される（図示せず）。
【００４３】
（実施例４）
本発明は複層モールドによる封止部構成を持つＬＥＤ発光装置のみだけではなく、コーティング層を持たない単一モールドの封止部構成を持つＬＥＤ発光装置においても封止樹脂部の形状制御に有効なダム部を安価に形成することが可能である。
【００４４】
図６は本発明を用いた別の実施例として片面電極構造となっているＬＥＤ素子４１を搭載し、コーティング層を持たない単一モールドの封止部構成を持つＬＥＤ発光装置４０の素子搭載面を示した図である。
【００４５】
基板４２は基板４２の端部に設けられた外部接続用の正負の二つの電極４３ａ１、４３ｂ１と電極４３ａ１、４３ｂ１の基板素子搭載面上のパターン内部にＵ字溝状の抜きパターン４３ａ３、４３ｂ３で仕切られた陸繋島状の二つの２ｎｄボンディングパッド４３ａ２、４３ｂ２、二つの電極４３ａ１および４３ｂ１から独立したパターンとしてダイポンディングパッド４３ｃ１が基板４０の中央部に敷設されている。
【００４６】
本例で、ダム部４６はダイポンディングパッド４３ｃ１上へのダイボンド層４４形成箇所へのダイボンド材の塗布と同時に非導電タイプのダイボンド材をディスペンサによりリング状に描画ですることで、ＬＥＤ素子４１および二つの２ｎｄボンディングパッド４３ａ２、４３ｂ２を取巻く様に敷設されている。ダム部４６の一部は２ｎｄボンディング個所の近くを配されているが、前述のＵ字溝状の抜きパターン４３ａ３、４３ｂ３によって、ダイボンド材の樹脂のブリードアウト等による２ｎｄボンディングパッド４３ａ２、４３ｂ２の汚染は抑制される。
【００４７】
ＬＥＤ素子４１はダイボンド層４４を介してダイボンディングパッド４３ｃ１と接合されており、ＬＥＤ素子４１と二つの２ｎｄボンディングパッド４３ａ２、４３ｂ２が二本の金細線４５ａ、４５ｂにて接続されている。
【００４８】
封止樹脂部４７はポッティング工法によりＬＥＤ素子４１と金細線４５ａおよび４５ｂを覆うようにグローブトップ封止することで作成され、実施例１乃至３におけるコーティング層とした第一の樹脂封止部に比較して、樹脂量は多く、また封止高さも高い。従って、実施例１乃至３に比較してダム部４６にも高さが要求されることになる。本例ではダム部４６形成位置へのダイボンド材の塗布をディスペンサ描画で行うことで塗布樹脂量を増やし、ダム部４６の高さを稼ぐようにしている。
【００４９】
（実施例５）
図７は実施例４を応用したグローブトップ封止ＣＯＢ構造のＬＥＤ面状発光装置５０を示す例で、図７（ａ）は素子搭載面示す図である。装置５０は枠体５８上面に拡散板が装着されているが、ここでは拡散板を透かした状態で描いている。図７（ｂ）は装置５０の内部素子結線図を示す。
【００５０】
装置５０は基板５２と、耐熱性樹脂により作成され、基板５２の外縁を囲う様に設けられた枠体５８と、基板５２に相互に所定間隔をおいて分散して載置され、基板５２に設けられた配線パターンに金細線によりワイヤボンド接続された複数個の片面電極構造をもつＬＥＤ素子５１と、ダム５６によって拡がりを抑制することによりグローブトップ形状で各ＬＥＤ素子５１と金細線を覆うように封止している樹脂封止部５７と、枠体５８上面に装着された拡散板（図示せず）で構成されている。
【００５１】
基板５２はＬＥＤ素子５１からの熱を効果的に放熱するため、アルミ板材に絶縁層を介して配線パターンを形成したもの（アルミ基板）である。該配線パターンは略短冊状の幅広なパターンがパターン５３ａ１、５３ｃ１、５３ｄ１、５３ｃ２、５３ｄ２、５３ｃ３、５３ｄ３、５３ｃ４、５３ｂ１の並びで所定間隔を隔てて設けられている。パターン５３ａ１と５３ｂ１はワイヤボンド接続されるパターンであり、また電力を供給する正負極の電極パターンであり、装置５０の裏面に設けられた電源端子と繋がれている（図示せず）。パターン５３ｃ１、５３ｃ２、５３ｃ３、５３ｃ４はＬＥＤ素子５１がダイボンド接合されるパターンである。パターン５３ｄ１、５３ｄ２、５３ｄ３はワイヤボンド接続されるパターンであり、また直列配置される二つのＬＥＤ素子５１を二本の金細線で繋ぐための中継パターンである。
【００５２】
本例では、図７（ｂ）の内部素子結線図パターンに示すように装置５０はＬＥＤ素子５１が４並列４直列に接続された回路となり、パターン５３ａ１が正極端子に接続され、パターン５３ｂ１が装置５０の負極端子に接続されている。尚、図７（ｂ）では素子結線における各接続点に対する前記各パターンの配置関係をパターン符号と破線囲み枠で明示的に示している。
【００５３】
各ＬＥＤ素子５１と夫々のワイヤボンド接続されるパターンには実施例４の構成と同様の２ｎｄボンディングパッドが設けられており（図示せず）、ダム部４６形成位置への樹脂の塗布も実施例４と同様に非導電タイプのダイボンド材を用い、ダイボンド材塗布工程と同時にディスペンサ描画により行われる。
【００５４】
ＬＥＤ面状発光装置５０は基板５１にダイボンド層とダム部５６用にダイボンド材を塗布し、次にＬＥＤ素子５１をダイボンドおよび加熱硬化（同時にダム部５６の樹脂も硬化）により接合し、次にＬＥＤ素子５１と所定の２ｎｄボンドパターン間を金細線にてワイヤボンド接続し、その次に封止樹脂のポッティングにより各ＬＥＤ素子５１と金細線を覆うようにグローブトップ状に封止し樹脂封止部５７を形成した後、枠体５８を基板５２に取付け、更に枠体５８に拡散板を装着することで作成される。
【００５５】
ＬＥＤ面状発光装置５０において拡散板は点光源であるＬＥＤ素子からの光を適度に拡散して拡散板上の位置による輝度変化を平滑化することで面状発光装置として発光面の輝度ムラを抑制するように働くものである。しかしながら、ＬＥＤ面状発光装置５０のような構成の場合、枠体５８による反射光や基板５２のパターン面と基材面による光反射率の差異などにより、発光面に局所的な輝度変化の大きい個所が生じることがある。
【００５６】
ダム部５６の形状は略正円のリング状でなくとも樹脂封止部５７な樹脂滴下時に決壊が生じない範囲で楕円形状等に変形させることや径や高さを変化させることが可能で、試作評価結果を反映させてダム部５６の形状を調整し、個々のＬＥＤ発光部における樹脂封止部５７を通した配光特性を積極的に変化させることで上述の局所的な輝度変化を抑制させることが可能である。図７（ａ）におけるＡ、Ｂ、Ｃ，は形状修正後の夫々の位置におけるダム部５６の形状の一例を示すものである。本発明によるダム部５６の形成方法によれば、追加の工程やマスク等の修正も必要とせず、試作評価結果に基づいてダイボンド材を描画するためのディスペンサノズルの移動プログラムを修正し、ダム部５６の形状を微調整するのみで容易に対応することができ、安価で発光分布の優れたＬＥＤ面状発光装置とすることができる。
【００５７】
上述までは実施例は基台として配線付基板を用い、ＬＥＤ素子が搭載されたＬＥＤ発光装置に関するものとして説明してきたが、本発明はこれに限らず、基台はリードフレームに耐熱樹脂をインサート成形して外囲器を形成したＰＬＣＣタイプパッケージを用いても良く、更に、その他の光半導体素子としてレーザーダイオード素子、更にホトダイオード素子などの受光素子を用いた半導体装置でも良い。例えば、ホトダイオード素子などの受光素子を用いた受光装置でも、染料式色フィルタを混錬した樹脂を用いて受光素子を覆うコーティング層を形成しているものもあり、本発明を適用することにより、受光角度特性の安定性向上を図ることできる。
【符号の説明】
【００５８】
１０、２０、３０、４０    ＬＥＤ発光装置
１１、２１、３１、４１、５１    ＬＥＤ素子
１２、２２、３２．４２、５２    基板
１３ａ１、２３ａ１、３３ａ１、４３ａ１、５３ａ１、１３ｂ１、２３ｂ１、３３ｂ１、４３ｂ１、５３ｂ１    電極パターン
１３ａ２、２３ａ２、３３ａ２、４３ａ２    ２ｎｄボンディングパッド
１３ｂ２、２３ｂ２、３３ｂ２、４３ｂ２    ダイボンディングパッド
１３ａ３、２３ａ３、３３ａ３    ダイボンディングパッドと片側の電極パターン繋ぐライン
１４、２４、３４、４４    ダイボンド層
１５、２５、３５、４５    金細線
１６、２６、３６、４６、５６    ダム部
１７、２７，３７    複層モールドによる封止部構成を持つＬＥＤ発光装置における第１の封止樹脂部
１８    複層モールドによる封止部構成を持つＬＥＤ発光装置における第２の封止樹脂部
４３ａ３、４３ｂ３    Ｕ字溝状の抜きパターン
４７、５７    封止樹脂部
５３ｃ１、５３ｃ２、５３ｃ３、５３ｃ４    ダイボンドされるパターン
５３ｄ１、５３ｄ２、５３ｄ３    ニ本の金細線を繋ぐための中継パターン
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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