(57)【要約】【課題】光配向処理における紫外線照射後の後加熱工程において、基板を短時間に所定の温度まで、基板全体にわたって均一に上昇させ、配向規制力を維持する。【解決手段】  配向膜を塗布したマザーＴＦＴ基板３０またはマザー対向基板３０（以後基板）に対し直線偏光紫外線を照射して、配向膜に一軸性を付与する。その後、ホットプレート２０の上に該基板３０を載置し、基板３０の周辺を押さえピン１０によってホットプレート２０上に押し付ける。これによって、加熱時の基板３０の反りを防止し、基板３０全体にわたって均一に、３０秒程度で、２６℃から２４０℃程度まで温度を上げることが出来る。これによって、配向規制力の高い光配向膜を有する液晶表示装置を得ることが出来る。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
ＴＦＴ基板が複数形成されたマザーＴＦＴ基板と対向基板が複数形成されたマザー対向基板とを周辺で接着して形成したマザー基板を分離して個々の液晶表示装置を製造する液晶表示装置の製造方法であって、
前記マザーＴＦＴ基板または前記マザー対向基板に配向膜を塗布し、
前記配向膜に対して直線偏光の紫外線を照射し、その後、後加熱工程を有する光配向処理を施し、
前記後加熱工程は、ホットプレート上に前記マザーＴＦＴ基板または前記マザー対向基板を載置し、
前記マザーＴＦＴ基板または前記マザー対向基板の周辺領域を、押さえピンによって押さえながら加熱することを特徴とする液晶表示装置の製造方法。
【請求項２】
前記光配向処理は、前記直線偏光紫外線照射を行う前に、前記配向膜を加熱してイミド化する加熱工程を有し、
前記イミド化する加熱工程は、ホットプレート上に前記マザーＴＦＴ基板または前記マザー対向基板を載置し、
前記マザーＴＦＴ基板または前記マザー対向基板の周辺領域を、押さえピンによって押さえながら加熱することを特徴とする請求項１に記載の液晶表示装置の製造方法。
【請求項３】
ＴＦＴ基板が複数形成されたマザーＴＦＴ基板と対向基板が複数形成されたマザー対向基板とを周辺で接着して形成したマザー基板を分離して個々の液晶表示装置を製造する液晶表示装置の製造方法であって、
前記マザーＴＦＴ基板または前記マザー対向基板に配向膜を塗布し、
前記配向膜を加熱してイミド化する工程を有し、
前記イミド化する工程は、ホットプレート上に前記マザーＴＦＴ基板または前記マザー対向基板を載置し、
前記マザーＴＦＴ基板または前記マザー対向基板の周辺領域を、押さえピンによって押さえながら加熱し、
その後、ラビング処理によって前記配向膜に対して配向処理を施すことを特徴とする液晶表示装置の製造方法。
【請求項４】
ＴＦＴ基板が複数形成されたマザーＴＦＴ基板と対向基板が複数形成されたマザー対向基板とを周辺で接着して形成したマザー基板を分離して個々の液晶表示装置を製造する液晶表示装置の製造装置あって、
配向膜が塗布された前記マザーＴＦＴ基板または前記マザー対向基板を載置するホットプレートと、
前記ホットプレート上に載置された前記マザーＴＦＴ基板または前記マザー対向基板の周辺領域を前記ホットプレート面に押し付ける押さえピンを有する加熱装置を含むことを特徴とする液晶表示装置の製造装置。
【請求項５】
前記ホットプレートは、前記マザーＴＦＴ基板または前記マザー対向基板を前記ホットプレートに真空吸着するための排気孔を有することを特徴とする請求項４に記載の液晶表示装置の製造装置。
【請求項６】
前記押さえピンは、押さえ板に配置され、前記押さえ板と前記押さえピンの間には、スプリング手段が形成されていることを特徴とする請求項４に記載の液晶表示装置の製造装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は液晶表示装置に係り、特に、光配向方式の配向膜を有する液晶表示装置の製造方法およびその製造装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
液晶表示装置に使用される液晶表示パネルは、画素電極および薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）等を有する画素がマトリクス状に形成されたＴＦＴ基板と、ＴＦＴ基板に対向して、ＴＦＴ基板の画素電極と対応する場所にカラーフィルタ等が形成された対向基板が配置され、ＴＦＴ基板と対向基板の間に液晶が挟持されている。そして液晶分子による光の透過率を画素毎に制御することによって画像を形成している。
【０００３】
液晶表示装置では、ＴＦＴ基板と対向基板に形成された配向膜によって、液晶分子の初期配向を行い、この液晶分子の初期配向の状態を、画素電極に映像信号を印加することにより、画素電極と対向電極との間に形成された電界によって変化させることによって、液晶表示パネルを透過する光の量をコントロールしている。液晶分子の初期配向の向きは配向膜をラビング処理あるいは光配向処理することによって規定している。
【０００４】
配向膜のラビング処理は、ラビングによる配向膜の削り屑による、製品あるいは製造工程の汚染、静電気の発生等による配線間の絶縁破壊の問題等を有している。光配向方式は、このような削り屑の発生や静電気発生の問題を軽減することが出来るが、配向膜にいわゆるプレティルト角を形成することが困難である。
【０００５】
一方、液晶表示装置では視野角特性が問題である。視野角特性は、画面を正面から見た場合と、斜め方向から見た場合に、輝度が変化したり、色度が変化したりする現象である。視野角特性は、液晶分子を水平方向の電界によって動作させるＩＰＳ（Ｉｎ  Ｐｌａｎｅ  Ｓｗｉｔｃｈｉｎｇ）方式が優れた特性を有している。ＩＰＳでは、配向膜にいわゆるプレティルト角を必要としないので、配向膜の光配向処理に適している。
【０００６】
「特許文献１」には、配向膜となるポリアミド酸薄膜に偏光紫外線を照射してから加熱して、ポリアミド酸をポリイミドに変換することにより、配向異方性を有する配向膜を形成する構成が記載されている。「特許文献２」には、光配向処理において、加熱しながら偏光紫外線を配向膜に照射して配向異方性を配向膜に付与する構成が記載されている。すなわち、加熱処理の温度を偏光紫外線照射中に、初期、中期、後期に分けて変化させる。温度を段階的に上げることによって、偏光照射で分離された分子鎖が再配置前に架橋するのを抑制する構成が記載されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００７】
【特許文献１】特開２００３−２５５３４９号公報
【特許文献２】特開２００７−２２６０９７号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
図６はＩＰＳ方式の液晶表示装置の断面図である。ＩＰＳ方式の液晶表示装置は種々存在するが、図６はその一例であり、本発明は他のＩＰＳ方式の液晶表示装置にも適用することが出来る。図６において、ガラスで形成されたＴＦＴ基板１００に走査線を兼ねたゲート電極１０１が形成され、その上にゲート絶縁膜１０２が形成されている。ゲート絶縁膜１０２の上に半導体層１０３が形成され、半導体層１０３の上にドレイン電極１０４およびソース電極１０５が形成され、これによってＴＦＴが形成されている。ＴＦＴを覆ってＳｉＮ等からなる無機パッシベーション膜１０６が形成され、無機パッシベーション膜１０６の上に平坦化膜を兼ねた有機パッシベーション膜１０７が形成されている。
【０００９】
有機パッシベーション膜１０７の上には、平面ベタで、ＩＴＯによって形成された対向電極１０８が形成されている。対向電極１０８の上には層間絶縁膜１０９が形成され、その上に透明電極で形成された櫛歯状の画素電極１１０が形成されている。画素電極１１０はスルーホール１１１を介してソース電極１０５と接続し、映像信号を受ける。画素電極１１０の上には、配向膜１１３が形成され、配向膜１１３は光配向によって配向処理を受けている。
【００１０】
図６において、ガラスで形成された対向基板２００にはブラックマトリクス２０２およびカラーフィルタ２０１が形成され、その上にカラーフィルタを保護するオーバーコート膜２０３が形成されている。オーバーコート膜２０３の上には配向膜１１３が形成され、配向膜１１３は光配向によって配向処理を受けている。ＴＦＴ基板１００と対向基板２００との間に液晶層３００が挟持されている。
【００１１】
図６のＴＦＴ基板１００において、櫛歯状の画素電極１１０に映像信号による電圧を印加すると、櫛歯と櫛歯の間のスリット１１２をとおして対向電極１０８に向かって電気力線が発生し、液晶分子３０１を回転させることによって、液晶層３００を通過するバックライトからの光を制御することによって画像を形成する。液晶分子３０１の初期配向は、配向膜１１３によって規定される。図６の配向膜１１３は、ＴＦＴ基板１００側も対向基板２００側も光配向処理が施されている。
【００１２】
光配向処理は、後で説明するように、ポリイミド膜に直線偏光した紫外線を照射することによって配向膜に一軸性を与えるものである。その後、加熱することによって、低分子の分解物を揮発させ、かつ、生成されたオリゴマの回転を促して配向規制力を向上させる。
【００１３】
この加熱プロセスは、従来は、遠赤外線方式、熱風循環方式等の加熱装置が用いられていた。しかし、このような、従来技術による加熱方式では、基板を室温である２６℃から必要な温度である２４０℃に上昇させるのに２分以上の時間を要していた。しかし、直線偏光紫外線を照射した後の加熱時間は、従来例では、十分でなく、さらに短くする必要がある。
【００１４】
本発明の課題は、基板を短時間に所定の温度まで上昇させることにより、の所定の配向規制力を有する光配向膜を有する液晶表示装置の製造方法を得ることである。また、本発明の他の課題は、光配向処理における加熱プロセスに代表されるように、ガラス基板を均一に、かつ、短時間で２４０℃程度にまで加熱することを可能にする製造装置を得ることである。
【課題を解決するための手段】
【００１５】
本発明はこのような課題を解決するものであり、具体的な手段は次のとおりである。
【００１６】
（１）ＴＦＴ基板が複数形成されたマザーＴＦＴ基板と対向基板が複数形成されたマザー対向基板とを周辺で接着して形成したマザー基板を分離して個々の液晶表示装置を製造する液晶表示装置の製造方法であって、前記マザーＴＦＴ基板または前記マザー対向基板に配向膜を塗布し、前記配向膜に対して直線偏光の紫外線を照射し、その後、後加熱工程を有する光配向処理を施し、前記後加熱工程は、ホットプレート上に前記マザーＴＦＴ基板または前記マザー対向基板を載置し、前記マザーＴＦＴ基板または前記マザー対向基板の周辺領域を、押さえピンによって押さえながら加熱することを特徴とする液晶表示装置の製造方法。
【００１７】
（２）前記光配向処理は、前記直線偏光紫外線照射を行う前に、前記配向膜を加熱してイミド化する加熱工程を有し、前記イミド化する加熱工程は、ホットプレート上に前記マザーＴＦＴ基板または前記マザー対向基板を載置し、前記マザーＴＦＴ基板または前記マザー対向基板の周辺領域を、押さえピンによって押さえながら加熱することを特徴とする（１）に記載の液晶表示装置の製造方法。
【００１８】
（３）ＴＦＴ基板が複数形成されたマザーＴＦＴ基板と対向基板が複数形成されたマザー対向基板とを周辺で接着して形成したマザー基板を分離して個々の液晶表示装置を製造する液晶表示装置の製造方法であって、前記マザーＴＦＴ基板または前記マザー対向基板に配向膜を塗布し、前記配向膜を加熱してイミド化する工程を有し、前記イミド化する工程は、ホットプレート上に前記マザーＴＦＴ基板または前記マザー対向基板を載置し、前記マザーＴＦＴ基板または前記マザー対向基板の周辺領域を、押さえピンによって押さえながら加熱し、その後、ラビング処理によって前記配向膜に対して配向処理を施すことを特徴とする液晶表示装置の製造方法。
【００１９】
（４）ＴＦＴ基板が複数形成されたマザーＴＦＴ基板と対向基板が複数形成されたマザー対向基板とを周辺で接着して形成したマザー基板を分離して個々の液晶表示装置を製造する液晶表示装置の製造装置あって、配向膜が塗布された前記マザーＴＦＴ基板または前記マザー対向基板を載置するホットプレートと、前記ホットプレート上に載置された前記マザーＴＦＴ基板または前記マザー対向基板の周辺領域を前記ホットプレート面に押し付ける押さえピンを有する加熱装置を含むことを特徴とする液晶表示装置の製造装置。
【発明の効果】
【００２０】
本発明によれば、ＴＦＴ基板が複数形成されたマザーＴＦＴ基板あるいは対向基板が複数形成されたマザー対向基板を短時間で２４０℃程度の高温に上昇させることが出来るので、特に光配向処理された配向膜を有する液晶表示装置において、配向膜の配向規制力を向上させることが出来る。
【００２１】
また、本発明による加熱装置によれば、大型のマザーＴＦＴ基板あるいはマザー対向基板に対しても短時間にかつ基板全体を均一に加熱することができるので、光配向処理を用いた液晶表示装置の歩留まりを向上させることが出来る。
【００２２】
さらに、本発明による加熱装置によれば、ラビング処理を用いた液晶表示装置における配向膜のイミド化のための加熱処理において、マザーＴＦＴ基板あるいはマザー対向基板を短時間で、かつ、基板全体にわたって均一に加熱することが出来るので、液晶表示装置の製造効率向上と製造歩留まりの向上を図ることが出来る。
【００２３】
さらには、液晶表示装置の製造工程において、配向膜の形成のみでなく、マザーＴＦＴ基板あるいはマザー対向基板を短時間で加熱する必要がある工程に本発明を適用することによって、液晶表示装置の効率向上と製造歩留まりの向上を図ることが出来る。
【図面の簡単な説明】
【００２４】
【図１】本発明におけるマザーＴＦＴ基板加熱装置の斜視図である。
【図２】マザーＴＦＴ基板の平面図である。
【図３】ホットプレートの平面図および側面図である。
【図４】本発明における押さえピン、押さえ板、マザーＴＦＴ基板との関係を示す断面図である。
【図５】本発明における基板加熱おプロセスフローである。
【図６】ＩＰＳ方式液晶表示装置の断面図である。
【図７】光配向処理のプロセスフローである。
【図８】押さえピンが無い場合のホットプレートを用いた基板加熱の問題点を示す斜視図である。
【発明を実施するための形態】
【００２５】
実施例を説明する前に、本発明において、特に効果のある光配向膜を有する液晶表示装置の光配向プロセスについて説明する。図７は、光配向処理プロセスの例である。配向膜はＴＦＴ基板と対向基板の両方に形成されるが、図７に示す光配向処理プロセスは、ＴＦＴ基板、対向基板ともに共通である。
【００２６】
図７において、ＴＦＴ基板であれば、図６に示す画素電極１１０まで形成された基板を洗浄する。また、対向基板であれば、図６に示すオーバーコート膜２０３まで形成された基板を洗浄する。ＴＦＴ基板あるいは対向基板に対して、印刷等で配向膜を塗布する。印刷はオフセット印刷が使用される。印刷以外の方法としては、インクジェット、スピンコート、スプレーコート等を使用することが出来る。配向膜材料としては、ポリアミド酸あるいはポリアミド酸エステル等が使用される。
【００２７】
配向膜を印刷した基板をレベリング炉に投入し、配向膜を乾燥させると同時に、レベリングして、配向膜の表面を平坦化する。その後基板を焼成炉に投入し、温度を２４０℃程度まで上昇させ、配向膜材料をイミド化し、ポリイミド膜を形成する。
【００２８】
その後、ポリイミド化した配向膜に対して、波長が２４０ｎｍ〜４００ｎｍ程度の直線偏光された紫外線を照射する。この紫外線の照射により、偏光紫外線の電界ベクトルの方向と一致する方向で、配向膜中の高分子中の主鎖が切断されることによって、一軸性が付与される。
【００２９】
偏光紫外線照射によってポリマーが切断されることにより、揮発性の低分子物質が生成される。この低分子物質を揮発させ、除去するために、基板を２４０℃程度にまで加熱する。これを後加熱と称する。また、紫外線照射によって、オリゴマも形成されるが、このオリゴマは低分子が蒸発すると、再配列し、配向規制力を向上させる働きをする。その後、基板を放置して冷却する。
【００３０】
したがって、後加熱は配向規制力にとって重要である。しかし、配向規制力を高く保つためには、後加熱における基板の温度上昇を短時間で行う必要がある。例えば、基板の温度を２６℃から２４０℃まで、１分未満で上昇させる必要がある。しかしながら、従来のような、赤外線式あるいは熱風循環式等の加熱方法では、基板の昇温温度は早くできず、例えば、基板の温度を２６℃から２４０℃まで上昇させるまで、２分以上の時間を要していた。この程度の昇温スピードでは、光配向した配向規制力が低下してしまうという問題がある。
【００３１】
本発明は、基板温度を短時間で２４０℃程度にまで上昇させるために、基板をホットプレートに載置し、ホットプレートによる加熱で、短時間で基板の温度を室温である２６℃から２４０℃程度にまで上昇させる。一方、光配向処理は、ＴＦＴ基板が多数形成されたマザーＴＦＴ基板あるいは対向基板が多数形成されたマザー対向基板の状態で行う。マザーＴＦＴ基板あるいはマザー対向基板はサイズが大きく、単純にマザーＴＦＴ基板あるいはマザー対向基板をホットプレートに載置し、加熱するだけでは、図８に示すように、マザーＴＦＴ基板３０あるいはマザー対向基板にそりが発生し、特に、コーナー部に形成されたＴＦＴ基板あるいは対向基板の温度が十分に上昇せず、この部分の液晶セルにおいては配向規制力が十分でないという問題を生じていた。
【００３２】
図８はこの問題を示す模式図である。図８において、ホットプレート２０の上に、マザー対向基板あるいはマザーＴＦＴ基板３０が載置されている。基板３０が加熱されるに従い、熱膨張差によって基板３０にそりが発生する。このそりは、図８に示すように、特に基板のコーナー部において顕著である。したがって、マザーＴＦＴ基板３０あるいはマザー対向基板のコーナー部に存在するＴＦＴ基板あるいは対向基板の配向規制力は十分でなく、液晶表示装置の製造歩留り低下の一因となっている。
以下の実施例に示す本発明によれば、マザーＴＦＴ基板３０あるいはマザー対向基板をホットプレートによって均一にかつ短時間で温度上昇させることが出来る。
【実施例１】
【００３３】
図１は、本発明における基板加熱装置の斜視図である。図１において、ホットプレート２０の上にマザーＴＦＴ基板３０が載置されている。なお、光配向プロセスは、マザーＴＦＴ基板３０とマザー対向基板とにおいて同一なので、マザーＴＦＴ基板３０について説明するが、マザー対向基板の場合も同様である。図２はマザーＴＦＴ基板３０の平面図である。マザーＴＦＴ基板３０には多くのＴＦＴ基板３１が形成されており、マザーＴＦＴ基板３０の長径ＸＬは例えば、９２０ｍｍ、短径ＹＬは例えば、７３０ｍｍである。マザーＴＦＴ基板３０の周辺には、別途製作されるマザー対向基板と接着するためのシール領域等のために、ＴＦＴ基板３１が無い周辺領域３２が確保されている。周辺領域３２のＤ１は２０ｍｍ程度である。
【００３４】
このようなマザーＴＦＴ基板３０がホットプレート２０の上に載置される。図３（ａ）はホットプレート２０の平面図であり、図３（ｂ）はホットプレート２０の側面図である。図３（ａ）において、ホットプレート２０の長径ＸＨＬは１０２０ｍｍ程度で、短径ＹＨＬは８３０ｍｍ程度である。このサイズは、図２に示すマザーＴＦＴ基板３０に対応したサイズである。図３（ａ）において、点線で示す部分にマザーＴＦＴ基板３０が載置されることになる。
【００３５】
ホットプレート２０には、マザーＴＦＴ基板３０をホットプレート２０上に真空吸着するための排気孔２５がマトリクス状に形成されている。図３（ｂ）は、ホットプレート２０の側面図であり、ホットプレート２０は、金属板２１と金属板の下に配置されたヒータ２２とから形成されている。ホットプレート２０全体の厚さＴは２０ｍｍ程度である。金属板２１はＡｌあるいはステンレス等によって形成されている。図３（ｂ）において、マザーＴＦＴ基板３０を真空吸着するための排気孔２５が金属板とヒータを貫通して形成されている。ホットプレート２０のガラス基板側にはＮｉメッキ２１１が形成されている。
【００３６】
金属板２０の上に点線で示すマザーＴＦＴ基板３０が載置される。マザーＴＦＴ基板３０が載置されると、ホットプレート２０に形成された排気孔２５から排気し、マザーＴＦＴ基板３０を吸引して、マザーＴＦＴ基板３０がホットプレート２０に密着するようにする。しかしながら、マザーＴＦＴ基板３０がホットプレート２０に載置されると、マザーＴＦＴ基板３０のホットプレート２０側が膨張することによって、図８に示すように、特に、マザーＴＦＴ基板３０のコーナー部にそりが生ずる。このそりは、図３に示す真空吸着による吸着力だけでは、抑えることが出来ない。そうすると、マザーＴＦＴ基板３０のコーナー部に配置しているＴＦＴ基板の温度が十分に上昇せずに、この部分のＴＦＴ基板の配向膜の配向規制力が十分でないという問題を生ずる。
【００３７】
本発明は、図１に示すように、マザーＴＦＴ基板３０の周辺領域を押さえピン１０によって押さえることによって、基板３０のそりを防止している。押さえピン１０は、押さえ板１１にとりつけられている。押さえ板１１は例えば、ステンレスによって形成されている。押さえ板１１はシリンダ１２と接続し、シリンダ１２によって上下に動く。押さえピン１０は、押さえ板１１に形成された凹部に挿入され、押さえ板１１の凹部と押さえピン１０の間にはスプリング状の構造１３が形成されており、マザーＴＦＴ基板３０をホットプレート２０上に均一の力で抑えるようにしている。
【００３８】
すなわち、マザーＴＦＴ基板３０は、ホットプレート２０上に押さえ板１１の重量とシリンダによる力の合計でホットプレート２０上に均一に押さえられる。押さえピン１０はポリイミド等の耐熱性の樹脂で形成されている。押さえピン１０の数は、マザーＴＦＴ基板３０の各辺において１０個程度配置されている。
【００３９】
図４に示す押さえピン１０の径φは、マザーＴＦＴ基板３０の辺部では均一であるが、マザーＴＦＴ基板３０のコーナー部においては、大きくなっている。押さえピン１０の径が太くなっている分、押さえピン１０によるマザーＴＦＴ基板３０を抑えるスプリング力は大きくなる構成としている。加熱によって、マザーＴＦＴ基板に生ずるそりは、コーナー部で最も大きいからである。また、押さえピンは、マザーＴＦＴ基板に形成される液晶表示装置のＴＦＴ基板の表示領域を避けた領域を押させるように配置されている。液晶表示装置の画面サイズによってはピンの位置をずらす必要が生じるため、押さえピンの位置を変更する機構を持たせることも可能である。
【００４０】
図５はホットプレートによってマザーＴＦＴ基板を加熱するプロセスフローである。図５において、マザーＴＦＴ基板は、搬送ロボットのアームの上に載置されて搬送され、ホットプレートの上に載置される。この時、ホットプレートから受けピンが上昇して、マザーＴＦＴ基板を受け取り、受けピンが下降してホットプレート内に退避すると、マザーＴＦＴ基板がホットプレートに載置される。この時、ホットプレートの排気孔から排気を行い、マザーＴＦＴ基板をホットプレート上に真空吸着する。
【００４１】
また、マザーＴＦＴ基板がホットプレート上に載置されると同時に、押さえピンがマザーＴＦＴ基板の周辺領域に接触し、所定の力によって、マザーＴＦＴ基板をホットプレート上に押し付ける。これによって、当初２６℃程度であったマザーＴＦＴ基板は、１分未満（３０秒程度）で２４０程度に上昇する。マザーＴＦＴ基板の周辺領域は押さえピンによっておさえられているので、温度が上昇してもマザーＴＦＴ基板はホットプレートに密着し、周辺あるいはコーナーに形成されたＴＦＴ基板も他の部分と同様に所定の温度まで、短時間で上昇させることが出来る。
【００４２】
マザーＴＦＴ基板が所定の温度、すなわち、２４０℃に上昇した時点で、押さえピンを上昇させ、同時に、ホットプレートから受けピンが上昇し、マザーＴＦＴ基板をホットプレートからはずす。受けピンに載置されて上昇してきたマザーＴＦＴ基板を搬送ロボットのアームによって受け取り、マザーＴＦＴ基板を次の工程に搬送する。
【００４３】
加熱工程においては、マザーＴＦＴ基板の温度は、所定の温度に対して所定の範囲内に収める必要がある。光配向の後加熱においては、所定の温度±５℃程度に抑える必要がある。つまり、光配向の後加熱では、２４０±５℃である。光配向において、このような温度範囲に抑える理由は次のとおりである。すなわち、温度が高すぎると、ＴＦＴ基板に先に形成されている有機パッシベーション膜等の有機膜を変質させるからであり、あるいは、マザー対向基板に形成されちるカラーフィルタを変質せるからである。一方、温度が低すぎると、十分な配向規制力を得られないからである。
【００４４】
本発明によれば、マザーＴＦＴ基板のコーナー部付近のＴＦＴ基板に対しても他の領域のＴＦＴ基板と同様の温度プロファイルとすることが出来るので、マザーＴＦＴ基板全体において、均一な特性を有するＴＦＴ基板を得ることが出来る。
【００４５】
以上は、マザーＴＦＴ基板について説明したが、光配向膜を有するマザー対向基板についても同様である。さらに本発明は、光配向処理の後加熱工程において特に効果があるが、この他に、光配向処理における直線偏光紫外線の照射前のイミド化のための加熱、あるいは、直線偏光紫外線の照射時に加熱する場合は該加熱工程にも適用することが出来る。これらの加熱工程においても、基板を短期間に所定の温度に、かつ、基板全体にわたって均一に加熱することが出来るという本発明の利益を享受することが出来る。
【００４６】
さらに、配向膜を、ラビング法を用いて配向処理するプロセスにおいても、配向膜を塗布して、該塗布された配向膜をイミド化する処理を有するが、このイミド化する処理においても、本発明によるマザーＴＦＴ基板あるいはマザー対向基板の加熱方法を用いることが出来る。この場合も、基板を短期間に所定の温度に、かつ、基板全体にわたって均一に加熱することが出来るという本発明の利益を享受することが出来る。
【符号の説明】
【００４７】
１０…押さえピン、  １１…押さえ板、  １２…シリンダ、  １３…ばね、  ２０…ホットプレート、  ２１…金属板、  ２２…ヒータ、  ３０…マザーＴＦＴ基板、  ３１…ＴＦＴ基板、  ３２…周辺領域、  ２１１…Ｎｉメッキ  １００…ＴＦＴ基板、  １０１…ゲート電極、  １０２…ゲート絶縁膜、  １０３…半導体層、  １０４…ソース電極、  １０５…ドレイン電極、  １０６…無機パッシベーション膜、  １０７…有機パッシベーション膜、  １０８…対向電極、  １０９…層間絶縁膜、  １１０…画素電極、  １１１…スルーホール、  １１２…スリット、  １１３…配向膜、  ２００…対向基板、  ２０１…カラーフィルタ、  ２０２…ブラックマトリクス、  ２０３…オーバーコート膜、  ３００…液晶層、  ３０１…液晶分子
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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