(57)【要約】【課題】加熱工程において基板の熱分布を均一に維持することのできる支持装置及びこれを備える基板処理装置とこれを用いた基板処理方法を提供する。【解決手段】本発明の支持ユニットは、上下方向に所定の長さだけ延設され、上部に基板が載置される支持体と、前記支持体の内部に配設さ  れる嵌入体と、を備える。これにより、基板を工程チャンバーの内部に搬入する前に直接的な方式または間接的な方式により支持ユニットを基板の工程温度と同一または類似の温度に予熱することにより、支持ユニットによる基板の熱損失を抑制または防止することができる。したがって、生産される基板の品質を向上させることができて基板の歩留まりを増大させることができ、処理装置の効率性及び生産性を増大させることができる。【選択図】図６
2015081764.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
上下方向に所定の長さだけ延設され、上部に基板が載置される支持体と、
前記支持体の内部に配設される嵌入体と、
を備える支持ユニットが少なくとも一つ以上配設されることを特徴とする支持装置。
【請求項２】
前記支持体は透過性及び熱伝導性を有する材質で形成され、前記嵌入体は耐熱性及び熱伝導性を有する材質で形成され、
前記嵌入体は前記支持体よりも熱伝導性が高いことを特徴とする請求項１に記載の支持装置。
【請求項３】
前記嵌入体には、前記嵌入体の温度を制御する加熱制御器が接続されることを特徴とする請求項２に記載の支持装置。
【請求項４】
前記嵌入体は前記支持体と同一または類似の形状に、且つ、前記支持体の幅よりも狭く形成されることを特徴とする請求項３に記載の支持装置。
【請求項５】
前記嵌入体は前記支持体の幅よりも狭く形成され、上下方向に所定の長さだけ延びて左右方向に折り曲げられる折曲部を有することを特徴とする請求項４に記載の支持装置。
【請求項６】
前記嵌入体は、黒鉛、メタル及びコイルのうちの少なくともいずれか一種であることを特徴とする請求項１から請求項５のいずれか一項に記載の支持装置。
【請求項７】
内部空間を形成する工程チャンバーと、
前記工程チャンバーの上部及び下部のうちの少なくともいずれか一方の個所に配設され、熱源を備えるヒーティングブロックと、
前記ヒーティングブロックに対向する個所に少なくとも一つ以上配設され、内部に嵌入体が配設される支持ユニットと、
を備えることを特徴とする基板処理装置。
【請求項８】
前記支持ユニットは、
上下方向に延設される支持体と、前記支持体の内部に配設される嵌入体と、を備え、
前記嵌入体は、耐熱性及び熱伝導性を有することを特徴とする請求項７に記載の基板処理装置。
【請求項９】
前記工程チャンバーの外側には前記嵌入体を加熱するために電源を印加する加熱制御器が配設され、
前記加熱制御器は、基板の工程温度を確認した後、前記嵌入体を前記基板の工程温度と同じ温度または工程温度よりも５〜１０％低い温度に加熱することを特徴とする請求項８に記載の基板処理装置。
【請求項１０】
前記工程チャンバーの内側下部には、
前記嵌入体と前記加熱制御器を連結するための経路を形成する下部ブロックが配設されることを特徴とする請求項９に記載の基板処理装置。
【請求項１１】
前記嵌入体は、前記熱源から放出された熱を吸収して発熱する材質で形成され、耐熱性及び熱伝導性を有することを特徴とする請求項９または請求項１０に記載の基板処理装置。
【請求項１２】
前記ヒーティングブロックと前記工程チャンバーとの間に透過窓が配設され、
前記透過窓と前記支持体は光透過性を有する材質で形成されることを特徴とする請求項１１に記載の基板処理装置。
【請求項１３】
基板を準備する過程と、
工程チャンバーの内部に配設される基板の支持ユニットを予熱する過程と、
前記基板を前記工程チャンバーの内部に搬入して前記支持ユニットの上に載置する過程と、
前記基板を加熱する過程と、
を含むことを特徴とする基板処理方法。
【請求項１４】
前記支持ユニットの予熱は、
前記工程チャンバーの上に設けられる熱源から放出される熱により加熱される間接加熱方式と、
前記支持ユニットに接続される加熱制御器により加熱される直接加熱方式のうちの少なくともいずれか一方の方式により行われることを特徴とする請求項１３に記載の基板処理方法。
【請求項１５】
前記支持ユニットを予熱する過程において、前記支持ユニットは前記基板が処理される工程温度と同じ温度または工程温度よりも５〜１０％低い温度に予熱されることを特徴とする請求項１４に記載の基板処理方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、基板の熱損失を抑えることのできる支持装置、基板処理装置及び基板処理方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
一般に、熱処理は、製造工程に欠かせない工程であり、ガラスなどの基板の加熱が行われる工程では基板を均一に熱処理することが求められる。この理由から、最近には、既存の炉を用いる熱処理方式よりも、急速熱処理（ｒａｐｉｄ ｔｈｅｒｍａｌ ｐｒｏｃｅｓｓ；ＲＴＰ）装置を用いる熱処理方式の方が多用されている。
【０００３】
急速熱処理方法は、タングステンハロゲンランプなどの熱源からの放射光を基板に照射して基板を加熱処理する方法である。このような急速熱処理方法は、基板の加熱及び冷却が非常に短時間内に広い温度範囲で行われるため、均一な熱処理のためには温度制御が必ず求められる。すなわち、基板の温度分布を均一に維持した状態で熱処理工程を行うためには、基板の全地点において熱的特性が一定に維持されることが肝要である。
【０００４】
特に、工程が行われる空間内において基板を支持する手段が重要な要素として作用する（ここで、図１は、従来の急速熱処理装置を説明するための図である。）
このため、従来には、工程チャンバー１０内にピン状の支持体４０が用いられて基板Ｓと支持体４０との接触面積を最小化させていた。そして、ヒーティングブロック２０に収容された熱源２５の作動により放出される放射光により約５００〜６００℃の雰囲気下で工程が行われる。
【０００５】
しかしながら、熱源２５として用いられるタングステンハロゲンランプは加熱波長が０．４μｍ〜４μｍであり、基板Ｓと支持体４０はハロゲンランプの加熱波長帯域における吸収率が０．５％に過ぎない。このとき、基板Ｓ上の薄膜が加熱されて最終的に基板Ｓを加熱することができるが、支持体４０は放射光が透過して加熱されないという問題が発生する。このため、基板Ｓを支持する支持体４０の支持点で熱損失が発生し、支持点の熱損失により基板Ｓにはピンマークが形成される。
【０００６】
これは、最終的に生産される基板Ｓの品質を低下させる問題を引き起こし、これにより、基板の歩留まりが低下される。なお、急速熱処理装置の効率性及び生産性が低下されて工程のコストが増大され、これは、工程に求められる電力量の増大につながる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００７】
【特許文献１】韓国特許公開２００２−００７１９７１号公報
【特許文献２】韓国特許公開２０１２−００４４８８９号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
本発明は上記事情に鑑みてなされたものであり、その目的は、加熱工程において基板の熱分布を均一に維持することのできる支持装置及びこれを備える基板処理装置とこれを用いた基板処理方法を提供することである。
【０００９】
また、本発明の他の目的は、熱源から発生する熱を容易に吸収することのできる支持装置及びこれを備える基板処理装置とこれを用いた基板処理方法を提供することである。
【００１０】
さらに、本発明のさらに他の目的は、基板支持体による基板の熱損失を抑えることのできる支持装置及びこれを備える基板処理装置とこれを用いた基板処理方法を提供することである。
【００１１】
さらにまた、本発明のさらに他の目的は、生産される基板の品質を向上させることのできる支持装置及びこれを備える基板処理装置とこれを用いた基板処理方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
上記の目的を達成するために、本発明の一実施形態による支持装置は、上下方向に所定の長さだけ延設され、上部に基板が載置される支持体と、前記支持体の内部に配設される嵌入体と、を備える支持ユニットが少なくとも一つ以上配設される。
【００１３】
本発明の一実施形態による支持装置において、前記支持体は透過性及び熱伝導性を有する材質で形成されてもよく、前記嵌入体は耐熱性及び熱伝導性を有する材質で形成されてもよく、前記嵌入体は前記支持体よりも熱伝導性が高くてもよい。
【００１４】
本発明の一実施形態による支持装置において、前記嵌入体には前記嵌入体の温度を制御する加熱制御器が接続されてもよい。
【００１５】
本発明の一実施形態による支持装置において、前記嵌入体は前記支持体と同一または類似の形状に、且つ、前記支持体の幅よりも狭く形成されてもよい。
【００１６】
本発明の一実施形態による支持装置において、前記嵌入体は前記支持体の幅よりも狭く形成されてもよく、上下方向に所定の長さだけ延びて左右方向に折り曲げられる折曲部を有していてもよい。
【００１７】
本発明の一実施形態による支持装置において、前記嵌入体は、黒鉛、メタル及びコイルのうちの少なくともいずれか一種であってもよい。
【００１８】
上記の目的を達成するために、本発明の一実施形態による基板処理装置は、内部空間を形成する工程チャンバーと、前記工程チャンバーの上部及び下部のうちの少なくともいずれか一方の個所に配設され、熱源を備えるヒーティングブロックと、前記ヒーティングブロックに対向する個所に少なくとも一つ以上配設され、内部に嵌入体が配設される支持ユニットと、を備える。
【００１９】
本発明の一実施形態による基板処理装置において、前記支持ユニットは、上下方向に延設される支持体と、前記支持体の内部に配設される嵌入体と、を備え、前記嵌入体は、耐熱性及び熱伝導性を有していてもよい。
【００２０】
本発明の一実施形態による基板処理装置において、前記工程チャンバーの外側には前記嵌入体を加熱するために電源を印加する加熱制御器が配設され、前記加熱制御器は、前記基板の工程温度を確認した後、前記嵌入体を前記基板工程温度と同じ温度または工程温度よりも５〜１０％低い温度に加熱してもよい。
【００２１】
本発明の一実施形態による基板処理装置において、前記工程チャンバーの内側下部には、前記嵌入体と前記加熱制御器を連結するための経路を形成する下部ブロックが配設されていてもよい。
【００２２】
本発明の一実施形態による基板処理装置において、前記嵌入体は、前記熱源から放出された熱を吸収して発熱する材質で形成され、耐熱性及び熱伝導性を有していてもよい。
【００２３】
本発明の一実施形態による基板処理装置において、前記ヒーティングブロックと前記工程チャンバーとの間に透過窓が配設され、前記透過窓と前記支持体は光透過性を有する材質で形成されてもよい。
【００２４】
上記の目的を達成するために、本発明の一実施形態による基板処理方法は、基板を準備する過程と、工程チャンバーの内部に配設される基板の支持ユニットを予熱する過程と、前記基板を前記工程チャンバーの内部に搬入して前記支持ユニットの上に載置する過程と、前記基板を加熱する過程と、を含む。
【００２５】
本発明の一実施形態による基板処理方法において、前記支持ユニットの予熱は、前記工程チャンバーの上に設けられる熱源から放出される熱により加熱される間接加熱方式と、前記支持ユニットに接続される加熱制御器により加熱される直接加熱方式のうちの少なくともいずれか一方の方式により行われてもよい。
【００２６】
本発明の一実施形態による基板処理方法において、前記支持ユニットを予熱する過程において、前記支持ユニットは前記基板が処理される工程温度と同じ温度または工程温度よりも５〜１０％低い温度に予熱されてもよい。
【発明の効果】
【００２７】
本発明の一実施形態による支持装置及びこれを備える基板処理装置とこれを用いた基板処理方法によれば、熱損失が発生しない支持体により基板をチャンバーの内部において支持する。このため、基板の全領域に均一に熱を分布させることができる。すなわち、支持体の内部に熱を発生する物質を挿入した後、支持体を予熱して基板の工程温度と同一または類似の温度に支持体の温度を調節することができて、支持体による熱損失の発生を抑制または防止することができる。
【００２８】
また、基板の処理に際して、基板が処理される工程温度を確認した後に支持体を予熱し、基板を支持ユニットの上に配設した後に基板の処理工程を行う。これにより、従来に基板支持体と基板が接触する支持点において熱損失による跡が基板に発生することを防ぐことができる。
【００２９】
したがって、最終的に生産される基板の品質を向上させることができて基板の歩留まりを増大させることができ、基板処理装置の効率性及び生産性を増大させることができる。
【図面の簡単な説明】
【００３０】
【図１】従来の急速熱処理装置を説明するための図である。
【図２】本発明の一実施形態による基板処理装置を示す図である。
【図３】本発明の一実施形態による透過窓及び支持体の波長帯域別の透過率を示すグラフである。
【図４】本発明の一実施形態による支持ユニットを示す図である。
【図５】本発明の変形例による嵌入体を示す図である。
【図６】本発明の一実施形態による支持ユニットを備える基板処理装置を用いて基板を処理する過程を示す工程図及び手順図である。
【発明を実施するための形態】
【００３１】
以下、添付図面に基づき、本発明の好適な実施形態についてより詳細に詳述する。しかしながら、本発明は以下に開示される実施形態に限定されるものではなく、異なる様々な形態に具体化可能であり、単に、これらの実施形態は、本発明の開示を完全たるものにし、本発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者に発明の範囲を完全に知らせるために提供されるものである。図中、同じ符号は同じ構成要素を示す。
【００３２】
本発明は、処理物が処理される空間において、処理物に加えられる熱が支持体と処理物が接触する支持点により損失されることを抑えることのできる支持装置を提供して処理物を均一に熱処理するためのものである。本発明においては、処理物としてガラス基板を採用し、処理物が処理される空間としては基板処理装置の工程チャンバーを採用している。以下、熱処理工程を行う基板処理装置を例にとって説明するが、本発明の支持装置は、所定の温度をもって処理される種々の工程に適用可能である。
【００３３】
以下、図２から図５に基づき、本発明の一実施形態による支持装置及び基板処理装置について説明する。ここで、図２は、本発明の一実施形態による基板処理装置を示す図であり、図３は、本発明の一実施形態による透過窓及び支持体の波長帯域別の透過率を示すグラフであり、図４は、本発明の一実施形態による支持ユニットを示す図であり、図５は、本発明の変形例による嵌入体を示す図である。
【００３４】
図２を参照すると、基板処理装置１００は、内部空間を形成する工程チャンバー１１０と、工程チャンバー１１０の上部及び下部のうちの少なくともいずれか一方に配設され、熱源２５０を備えるヒーティングブロック２００と、ヒーティングブロック２００に対向する個所に少なくとも一つ以上配設され、内部に嵌入体４２５が配設される支持ユニット４００と、を備える。
【００３５】
ヒーティングブロック２００は、輻射エネルギーを発生する熱源２５０を少なくとも一つ以上備えて内部に収納する。このとき、熱源２５０は放射光を放出して輻射エネルギーを発生し、熱源２５０から発生する熱により基板Ｓが加熱される。
【００３６】
熱源２５０は、バルブタイプまたはリニアタイプに放射状の多数のゾーンに配設される。熱源２５０としてはタングステンハロゲンランプまたはアークランプが用いられ、これは近赤外線の形でエネルギーを放射する。熱源２５０は内部が空いている中空管状に製作され、熱源２５０がハロゲンタングステンランプにより実現される場合、内部には輻射エネルギーを発生するフィラメントが設けられる。このとき、熱源２５０はガラスまたは石英などの透過性材質により保護され、これを介して輻射熱の輻射エネルギーが損失なしに透過して基板Ｓに伝達されるように形成されることが好ましい。なお、熱源２５０の内部には不活性ガス（例えば、アルゴン）が充填されることが効果的である。
【００３７】
工程チャンバー１１０は基板Ｓが内部に配設されて熱処理可能な空間を形成する。工程チャンバー１１０の側面のうちの少なくともいずれか一個所には、工程チャンバー１１０の内部に基板Ｓが出入り自在となる出入口が形成される。このとき、工程チャンバー１１０の内側下部には支持ユニット４００が配設され、嵌入体４２５と加熱制御器５００を接続するための下部ブロック１１５が設けられてもよい。
【００３８】
工程チャンバー１１０は内部が空いている中空の円筒形状、矩形筒状に製作されてもよい。しかし、工程チャンバー１１０の形状はこれらに何ら制限されるものではなく、種々の形状（すなわち、円形または多角形）の筒状を呈していてもよい。そして、基板処理装置がインライン方式により構成される場合、工程チャンバー１１０には基板Ｓが出入り自在な出入り口に加えて、排出口（図示せず）が形成されてもよい。なお、基板Ｓの出入口及び排出口には基板Ｓを搬送する搬送ユニット（図示せず）が接続されていてもよい。
【００３９】
一方、工程チャンバー１１０の上部及び下部のうちの少なくともいずれか一方には基板Ｓの温度を測定する温度感知器（図示せず）が配設されてもよい。温度感知器は基板Ｓの温度を接触方式または非接触方式により測定する。温度感知手段としては、種々の感知器具が採用可能である。ここで、非接触式により基板Ｓの温度を測定する場合には、基板Ｓから放出される輻射エネルギーを感知して温度を測定する高温計（パイロメーター）が用いられる。また、温度感知器は基板Ｓの大きさに応じて少なくとも一つ以上が設けられて基板Ｓの温度を部分的に測定してもよい。このとき、温度感知器が複数配設される場合には基板Ｓの温度測定の正確性が高くなるので、温度感知器は少なくとも一つ以上配設されることが好ましい。
【００４０】
上述したヒーティングブロック２００と工程チャンバー１１０との間には透過窓３００が配設されてもよい。
【００４１】
透過窓３００はヒーティングブロック２００と工程チャンバー１１０との間に配設され、熱源２５０から放射される放射光を透過させて基板Ｓに伝達させる。このため、透過窓３００は、放射光を透過可能なように光透過率に優れており、しかも、放射光による温度に起因する変形が防止可能なように耐熱性に優れた材質で製作されてもよい。透過窓３００は、石英、サファイアなどで製作されてもよい。透過窓３００は工程チャンバー１１０の形状と同一または類似の形状に製作されて、ヒーティングブロック２００と工程チャンバー１１０との間を遮断して工程チャンバー１１０の真空を維持する。そして、外部環境（例えば、圧力、ガス、汚染物質）から工程チャンバー１１０を保護する役割を果たす。なお、透過窓３００は熱源２５０を保護し、熱源２５０から発生する熱により発生する工程副産物が工程チャンバー１１０の内部に配設された基板に落下して基板の上に付着されることを防ぐ。このような透過窓３００は、ヒーティングブロック２００と工程チャンバー１１０との間においてＯリングなどの密閉部材（図示せず）を用いてヒーティングブロック２００と工程チャンバー１１０との間を密閉・遮断して真空を維持する場合もある。
【００４２】
一方、透過窓３００は、熱源２５０の０．４μｍ〜４μｍ波長帯域の輻射エネルギーを透過させて下部の基板に放射する。そして、０．４μｍ以下または４μｍ超えの波長帯域を吸収して自体的に加熱され、加熱されたエネルギーを基板及び上部に放射する。
【００４３】
図３に示すように、透過窓３００を製作する物質の特性からみて、０．４μｍ〜４μｍ波長帯域の熱エネルギーは７０％以上の透過率を有する。このため、透過窓３００は熱源２５０から発せられた放射光を十分に透過させることができるので、基板Ｓを容易に加熱することができる。
【００４４】
支持装置は、上下方向に延設され、上部に基板Ｓが載置される支持体４２０と、支持体４２０の内部に配設される嵌入体４２５ａと、を備える少なくとも一つの支持ユニット４００を備える。
【００４５】
支持ユニット４００は、上下方向に所定の長さだけ延設される支持体４２０と、支持体４２０の内部に配設される嵌入体４２５ａと、を備える。
【００４６】
支持体４２０は工程チャンバー１１０の内部に配設された下部ブロック１１５の上に取り付けられて、工程チャンバー１１０の内部において基板Ｓを支持する。支持体４２０はヒーティングブロック２００及び透過窓３００に対向する個所に少なくとも一つ以上取り付けられる。このとき、下部ブロック１１５には溝が形成されて支持体４２０が下部ブロック１１５に形成された溝に嵌着されてもよく、下部ブロック１１５の表面に支持体４２０が配設されてもよい。このため、支持体４２０が下部ブロック１１５に取り付けられる方法については限定しない。
【００４７】
一方、支持体４２０は内部に収容溝４２２が筐体状に設けられて、内部に嵌入体４２５ａを配設する。すなわち、図４（ｂ）に示すように、支持体４２０の内部に嵌入体４２５ａの形状と同一または類似の収容溝４２２を形成し、収容溝４２２に嵌入体４２５ａをはめ込むことにより支持ユニット４００を構成してもよい。このとき、本発明においては、収容溝４２２と嵌入体４２５ａの形状を同様にして、支持体４２０と嵌入体４２５ａとの間の離隔空間がないように支持体４２０の内部に嵌入体４２５ａを配設したが、本発明はこれに限定されない。
【００４８】
一方、支持体４２０は、透過窓３００と同一または類似の材質で形成されることが好ましい。すなわち、支持体４２０は石英またはサファイアなどの光透過性及び耐熱性に優れた材質で形成されることが好ましい。これは、嵌入体４２５ａから発生する熱により支持体４２０が変形されてはいけないためである。なお、嵌入体４２５ａから発生する熱を基板の下部に容易に放出するために透過性の高い物質を用いることが好ましいためである。
【００４９】
嵌入体４２５ａは支持体４２０の内部にはめ込まれ、ヒーティングブロック２００の熱源２５０から加熱されて発生する熱を支持体に伝達する役割を果たす。このため、嵌入体４２５ａは支持体４２０よりも高い熱伝導性を有する材質で形成されることが好ましい。すなわち、熱源２５０から発生する熱は支持体４２０を透過して嵌入体４２５ａに吸収され、吸収された熱により加熱された嵌入体４２５ａは支持体４２０に熱を放出しながら支持体４２０の温度を増大させる。このように、嵌入体４２５ａが熱を発生して支持体４２０が加熱されることにより、従来の支持体４０の特性からみて熱源２５の加熱波長を透過するため熱源２５により予熱しにくかった問題を解消することができる。
【００５０】
一方、嵌入体４２５ａは熱源２５０により加熱される場合、熱による変形が発生しない耐熱性を有し、且つ、支持体４２０への熱伝導性に優れた材質で形成されることが好ましい。例えば、本発明においては、嵌入体４２５ａとして黒鉛（グラファイト）を採用している。黒鉛は化学的に安定している物質であり、耐熱性、耐熱衝撃性、耐食性が強く、電気及び熱伝導性に優れている。しかしながら、嵌入体４２５ａは黒鉛に限定されるものではなく、黒鉛と同一または類似の特性を有するものが用いられてもよい。このため、嵌入体４２５ａとしては、黒鉛、メタル及びコイルのうちの少なくともいずれか一種が用いられてもよい。例えば、支持体４２０の内部において嵌入体４２５ａの熱膨張が発生する場合を考慮した設計をすれば、金属材質も嵌入体４２５ａとして採用可能である。すなわち、金属の嵌入体４２５ａが用いられる場合、支持体４２０に形成される収容溝４２２に比べて嵌入体４２５ａを小さく製作して支持体４２０と係合させる。このため、嵌入体４２５ａに熱膨張が発生しても収容溝４２２による離隔空間により支持体４２０に物理的な衝撃が発生しないように製作することができる。
【００５１】
図５を参照すると、本発明の変形例による嵌入体４２５ｂは支持体４２０の幅よりも狭く形成され、上下方向に所定の長さだけ延びて左右方向に折り曲げられる折曲部を有する。すなわち、千鳥状が連続して繰り返される形状を有していてもよい。しかし、左右方向に折り曲げられる折曲部を有する嵌入体の形状は図５（ａ）に限定されるものではなく、折曲部を有し、熱が放出される表面積を増大させる限り、種々の形状が採用可能である。このように、嵌入体４２５ｂが形成される場合、嵌入体４２５ｂにおいて熱が発生する表面積が増大される。このため、増大された表面積に熱が吸収されて支持体４２０に放出されることにより、支持体４２０が加熱される予熱時間を短縮することができる。
【００５２】
また、図５（ｂ）に示すように、電源を印加すると熱が発生するコイル状に嵌入体４２５ｃを製作して支持体４２０の収容溝に収容してもよい。このため、図５（ｂ）に示す嵌入体４２５ｃの表面積が増大された構造において多量の熱が発生することにより、少ない電力量でも多量の熱を発生させることができる。
【００５３】
そして、支持ユニット４００は上部に進むにつれて幅が狭くなるように形成されてもよい。これにより、支持体４２０と基板Ｓが接触する個所に支持体４２０から放出される熱が集中することを抑えるために支持体４２０の上部に進むにつれて傾斜が形成されて支持体４２０と基板Ｓが接触する表面積を狭めることができる。
【００５４】
基板処理装置１００の外側には嵌入体４２５ａを容易に加熱可能な加熱制御器５００が配設されてもよい。すなわち、嵌入体４２５ａは、上述した方法のように、ヒーティングブロック２００に配設された熱源２５０及びチャンバーの外側に設けられた加熱制御器５００のうちの少なくともいずれか一方に接続されて加熱される。
【００５５】
加熱制御器５００は、工程チャンバー１１０の外側から嵌入体４２５ａを加熱するために電源を印加する。より具体的には、基板Ｓの工程温度を確認した後、嵌入体４２５ａを基板Ｓの工程温度と同じ温度または工程温度よりも５〜１０％低い温度に加熱する。このとき、加熱制御器５００としては、熱を発生させる電源を印加する役割を果たすとともに、工程温度に応じて支持体４２０が予熱されるべき工程温度に合わせて嵌入体４２５ａを加熱する装置が用いられる。このため、作業者が手動で電源を印加してもよく、支持体が予熱されるべき温度が設定された後、加熱制御器が自動的に支持体の予熱温度を設定して工程が行われるようにしてもよい。これにより、工程にかかる時間が短縮される。
【００５６】
このように、加熱制御器５００をさらに備えて用いる場合、熱源２５０から発生する熱により嵌入体４２５ａが加熱されるまでかかる時間を嵌入体４２５ａを直接的に加熱することにより短縮することができる。
【００５７】
図６は、本発明の一実施形態による支持ユニットを備える基板処理装置を用いて基板を処理する過程を示す工程図及び手順図である。図６（ａ）は、本発明の一実施形態による基板処理方法を示す手順図であり、図６（ｂ）は、基板が処理される原理を説明するための概念図である。
【００５８】
図６（ａ）を参照すると、本発明の一実施形態による基板処理方法は、基板を準備する過程と、工程チャンバーの内部に配設される基板の支持ユニットを予熱する過程と、基板を工程チャンバーの内部に搬入して支持ユニットの上に載置する過程及び基板を加熱する過程を含む。
【００５９】
先ず、基板処理装置において基板Ｓを熱処理するための工程準備をする。すなわち、熱処理されるべき基板Ｓを準備する（Ｓ１０）。次いで、基板Ｓが処理される工程温度を確認する（Ｓ２０）。このように、工程温度を予め確認する過程が求められる理由は、工程温度と同じまたは類似の温度に支持体を加熱しなければならないためである。
【００６０】
次いで、支持ユニット４００により基板の熱損失を抑制または防止するために支持ユニット４００を予熱する。このとき、支持ユニットの予熱は、熱源２５０から放出される熱により加熱される間接加熱方式及び加熱制御器５００により加熱される直接加熱方式のうちの少なくともいずれか一方により行われる。
【００６１】
より具体的に、嵌入体４２５を加熱するためにヒーティングブロック２００の熱源２５０を作動させて工程チャンバー１１０の内部を予熱するとともに、支持ユニット４００の嵌入体４２５ａが熱源２５０から放出された熱を吸収する。このとき、上述したように、嵌入体４２５ａの予熱時間を短縮するために、嵌入体４２５ａには加熱制御器５００などの電源供給手段及び加熱手段が接続される。熱源２５０から発生する熱を吸収したり加熱制御器５００により加熱された嵌入体４２５ａは熱を支持体４２０に放出して支持体４２０を基板Ｓの工程温度と同じ温度または工程温度よりも５〜１０％低い温度に予熱する（Ｓ３０）。
【００６２】
このようにして、支持体４２０の予熱が終わった後、工程チャンバー１１０の出入口を介して基板Ｓを工程チャンバー１１０の内側に搬入して支持体４２０の上部に載置する（Ｓ４０）。次いで、基板Ｓの熱処理工程が始まる。
【００６３】
図６（ｂ）を参照すると、基板Ｓを熱処理する過程において、熱源２５０から放射光が照射されてヒーティングブロック２００と工程チャンバー１１０との間に配設された透過窓３００を介して基板Ｓの上部に照射される。このとき、基板Ｓを支持する支持体４２０を、基板Ｓが支持体４２０の上に載置される前に工程雰囲気下で予熱する。これにより、熱を発生する支持体４２０と透過窓３００との間に配設される基板Ｓは、支持体４２０による熱損失が発生せずに基板Ｓの全領域が均一に加熱される。
【００６４】
以上述べたように、本発明の一実施形態によれば、基板を処理するために工程チャンバーの内部に基板を搬入する前に、基板を支持する支持体を基板の工程温度と同じまたは類似の温度に予熱して基板の熱損失を抑えることができる。すなわち、従来に工程温度よりも相対的に低い支持体と基板との間の支持点において基板に熱が均一に分布されないことに起因して発生する跡の発生を防ぐことができる。
【００６５】
そして、支持体の内部に、熱を吸収して加熱される嵌入体を配設することにより、ヒーティングブロックに収容された熱源から発生する熱が嵌入体に吸収された後、嵌入体が加熱されながら放出する熱により支持体を予熱することができる。
【００６６】
このように、本発明は、処理される基板の全領域に亘って均一に熱を分布させることができて、最終的に生産される基板の品質を向上させることができる。なお、基板の不良率が減少されて基板の歩留まりを増大させることができる。そして、基板を処理する処理装置の効率性及び生産性も増大させることができる。
【００６７】
以上、添付図面に基づき、本発明の一実施形態について詳細に説明したが、本発明の権利範囲はこれに何ら限定されるものではなく、特許請求の範囲によって限定される。よって、この技術分野において通常の知識を有する者であれば、特許請求の範囲の技術的思想から逸脱しない範囲内において本発明を種々に変形及び修正することができる。
【符号の説明】
【００６８】
Ｓ              基板  
１、１００      基板処理装置
１０、１１０    チャンバー    
２０、２００    ヒーティングブロック
２５、２５０    熱源  
３０、３００    透過窓
４０、４００    支持ユニット
４２０          支持体
４２２          嵌入溝
４２５ａ        嵌入体
４２５ｂ        嵌入体
４２５ｃ        嵌入体
５００          加熱制御器
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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