(57)【要約】【課題】放射線検出装置において、配線部材の圧着におけるセンサパネルの破損・変形を抑制するための技術を提供する。【解決手段】放射線検出装置の製造方法は、第１面と第１面の反対側にある第２面とを有し、画素アレイ及び電気接続部が第１面側に配置されたセンサパネルを準備する準備工程と、画素アレイをセンサパネルの第２面側から支持する第１支持部を、センサパネルに接着層によって接着する接着工程と、電気接続部をセンサパネルの第２面側から支持する第２支持部を、取り外せないようにセンサパネルに固定する固定工程と、電気接続部に配線部材を圧着する圧着工程とを有する。第２支持部の圧着工程における弾性率は、接着層の圧着工程における弾性率よりも高い。【選択図】図２
2015052535.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
放射線検出装置の製造方法であって、
第１面と前記第１面の反対側にある第２面とを有し、画素アレイ及び電気接続部が前記第１面側に配置されたセンサパネルを準備する準備工程と、
前記画素アレイを前記センサパネルの前記第２面側から支持する第１支持部を、前記センサパネルに接着層によって接着する接着工程と、
前記電気接続部を前記センサパネルの前記第２面側から支持する第２支持部を、取り外せないように前記センサパネルに固定する固定工程と、
前記電気接続部に配線部材を圧着する圧着工程とを有し、
前記第２支持部の前記圧着工程における弾性率は、前記接着層の前記圧着工程における弾性率よりも高いことを特徴とする製造方法。
【請求項２】
前記第２支持部の前記圧着工程における圧縮強度は、９０ＭＰａ以上であることを特徴とする請求項１に記載の製造方法。
【請求項３】
前記第２支持部は、前記センサパネルの前記第２面に接していることを特徴とする請求項１又は２に記載の製造方法。
【請求項４】
前記第２支持部と前記接着層との間に隙間があることを特徴とする請求項１乃至３の何れか１項に記載の製造方法。
【請求項５】
前記第２支持部は、硬化性を有し、
前記第２支持部は、硬化前の状態で前記電気接続部を支持する位置に配置され、
前記製造方法は、前記圧着工程の前に、前記第２支持部を硬化する工程を更に有することを特徴とする請求項１乃至４の何れか１項に記載の製造方法。
【請求項６】
前記第１支持部は、支持基板に含まれ、
前記第２支持部は、前記支持基板と前記電気接続部の前記第２面側とを接着する接着層に含まれることを特徴とする請求項１乃至５の何れか１項に記載の製造方法。
【請求項７】
前記第１支持部は、支持基板に含まれ、
前記支持基板は、枠体に接着剤を用いて接着され、
前記第２支持部は、前記枠体と前記電気接続部の前記第２面側とを接着する接着層に含まれることを特徴とする請求項１乃至５の何れか１項に記載の製造方法。
【請求項８】
前記第１支持部は、支持基板に含まれ、
前記第２支持部は、枠体に含まれ、
前記支持基板と前記枠体とは、接着剤を用いて接着されることを特徴とする請求項１乃至４の何れか１項に記載の製造方法。
【請求項９】
前記第１支持部及び前記第２支持部は、同一の枠体に含まれる異なる部分であることを特徴とする請求項１乃至４の何れか１項に記載の製造方法。
【請求項１０】
前記第２支持部は金属性材料で形成されることを特徴とする請求項１乃至９の何れか１項に記載の製造方法。
【請求項１１】
前記画素アレイを覆う位置にシンチレータ層を配置する工程を更に有することを特徴とする請求項１乃至１０の何れか１項に記載の製造方法。
【請求項１２】
放射線検出装置であって、
第１面と前記第１面の反対側にある第２面とを有し、画素アレイ及び電気接続部が前記第１面側に配置されたセンサパネルと、
前記画素アレイを前記センサパネルの前記第２面側から緩衝部材を介して支持する第１支持部と、
前記電気接続部を前記センサパネルの前記第２面側から支持する枠体と、
前記電気接続部に接続された配線部材とを備え、
前記第２支持部は、取り外せないように前記センサパネルに固定されており、
前記第２支持部の弾性率は、前記緩衝部材の弾性率よりも高いことを特徴とする放射線検出装置。
【請求項１３】
請求項１２に記載の放射線検出装置と、
前記放射線検出装置によって得られた信号を処理する信号処理手段と
を備えることを特徴とする放射線検出システム。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は放射線検出装置及びその製造方法並びに放射線検出システムに関する。
【背景技術】
【０００２】
特許文献１は、複数の光電変換素子を有するセンサパネルと、シンチレータ層とを備える放射線撮像装置に関する技術を提案する。センサパネルは光電変換素子に電気的に接続された電気接続部を有しており、電気接続部にはセンサパネルからの信号を外部に読み出すための配線部材が接続される。この配線部材は電気接続部に対して圧着することによって取り付けられる。センサパネルの裏面には接着剤によって支持基板が接着されている。センサパネルのうち電気接続部が配置された部分と支持基板の間には間隙が設けられている。配線部材の圧着時にはこの間隙に剛性部材が挿入される。配線部材の取り付け後に、この間隙から剛性部材が取り外され、代わりに緩衝部材が挿入される。配線部材の圧着時に剛性部材を装着することによって圧着によるセンサパネルの変形を抑制するとともに、それ以外の場合に緩衝部材を装着することによってセンサパネルの耐衝撃性を向上する。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特許第４４６４２６０号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
特許文献１に記載された放射線撮像装置では、センサパネルのうち電気接続部が配置された部分と支持基板の間の間隙において、剛性部材と緩衝部材とが交換可能なように構成されている。このような構成では、これらの部材を挿入したり取り外したりする際にセンサパネルが破損する可能性がある。そこで、本発明では、放射線検出装置において、配線部材の圧着におけるセンサパネルの破損・変形を抑制するための技術を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
上記課題に鑑みて、一部の実施形態では、放射線検出装置の製造方法であって、第１面と前記第１面の反対側にある第２面とを有し、画素アレイ及び電気接続部が前記第１面側に配置されたセンサパネルを準備する準備工程と、前記画素アレイを前記センサパネルの前記第２面側から支持する第１支持部を、前記センサパネルに接着層によって接着する接着工程と、前記電気接続部を前記センサパネルの前記第２面側から支持する第２支持部を、取り外せないように前記センサパネルに固定する固定工程と、前記電気接続部に配線部材を圧着する圧着工程とを有し、前記第２支持部の前記圧着工程における弾性率は、前記接着層の前記圧着工程における弾性率よりも高いことを特徴とする製造方法が提供される。
【発明の効果】
【０００６】
上記手段により、放射線検出装置において、配線部材の圧着におけるセンサパネルの破損・変形を抑制するための技術が提供される。
【図面の簡単な説明】
【０００７】
【図１】一部の実施形態の放射線検出装置の構成例を説明する図。
【図２】図１の放射線検出装置の製造方法例を説明する図。
【図３】一部の実施形態の放射線検出装置の構成例を説明する図。
【図４】図３の放射線検出装置の製造方法例を説明する図。
【図５】一部の実施形態の放射線検出装置の構成例を説明する図。
【図６】一部の実施形態の放射線検出システムの構成例を説明する図。
【発明を実施するための形態】
【０００８】
添付の図面を参照しつつ本発明の実施形態について以下に説明する。様々な実施形態を通じて同様の要素には同一の参照符号を付して重複する説明を省略する。また、各実施形態は適宜変更、組み合わせが可能である。
【０００９】
図１を参照しつつ、一部の実施形態に係る放射線検出装置１００の構成例を説明する。図１（ａ）は放射線検出装置１００の平面図であり、図１（ｂ）は放射線検出装置１００のＡ−Ａ’線における断面図であり、図１（ｃ）は放射線検出装置１００のＢ−Ｂ’線における断面図である。
【００１０】
放射線検出装置１００は図１に示す各構成要素を有する。センサパネル１１０は、一方の主面（図１（ｂ）において上側の面、以下、表面）側に画素アレイ１１１と電気接続部１１２とを有する。画素アレイ１１１には複数の画素がアレイ状に配置されており、各画素は光電変換素子を含む。電気接続部１１２は画素アレイ１１１の外側に位置し、画素アレイ１１１と電気的に接続されている。図１の例では放射線検出装置１００の対向する２辺に沿って複数の電気接続部１１２が配置されている。しかい、電気接続部１１２は隣接する２辺に配置されてもよいし、１辺のみに配置されてもよいし、３辺又はすべての辺に配置されてもよい。また、図１の例では、画素アレイ１１１及び電気接続部１１２をそれぞれが有する複数のセンサチップによってセンサパネル１１０が構成されている。複数のセンサチップの周囲には、画素アレイ１１１及び電気接続部１１２を有しないダミーチップ１１３が配置されている。これに代えて、１枚のセンサチップによってセンサパネル１１０が構成されてもよい。
【００１１】
センサパネル１１０は画素アレイ１１１と電気接続部１１２とを有していればどのような構成であってもよい。例えば、センサパネル１１０は、シリコン基板上に半導体素子が形成されたＣＭＯＳセンサやＣＣＤセンサであってもよい。これに代えて、センサパネル１１０は、ガラス等の基板上に半導体素子が形成されたフラットパネルであってもよい。
【００１２】
放射線検出装置１００は表面照射型（センサパネル１１０の表面から放射線が入射するタイプ）であってもよいし、裏面照射型（センサパネルの裏面から放射線が入射するタイプ）であってもよい。センサパネル１１０の裏面とは、センサパネル１１０の表面の反対側の主面（図１（ｂ）において下側の面）である。一般に、放射線検出装置がマンモグラフィーに使用される場合に、２５ｋｅＶ程度の低い管電圧のＸ線を用いて撮影が行われる。そこで、放射線検出装置１００が裏面照射型である場合には、マンモグラフィーに使用されることを想定して、センサパネル１１０の基板による放射線吸収を抑制すべく薄型の基板を用いてもよい。
【００１３】
以下の表１は、一般的な３００ｍｍウエハの厚さである０．７７５ｍｍ厚の単結晶シリコン基板の透過率を基準として、様々な厚さの単結晶シリコン基板について、２５ＫｅＶの管電圧のＸ線の透過率の向上率を計算した結果を示す。
【００１４】
【表１】
2015052535.tif 000003
【００１５】
また、以下の表２は、０．７ｍｍ厚のガラス基板の透過率を基準として、様々な厚さのガラス基板について、２５ＫｅＶの管電圧のＸ線の透過率の向上率を計算した結果を示す。
【００１６】
【表２】
2015052535.tif 000004
【００１７】
いずれの場合も、基板を薄くすることによってＸ線の透過率が向上することが見て取れる。
【００１８】
センサパネル１１０は、表面側に、画素アレイ１１１を被覆して保護する保護層を有してもよい。保護層は例えば有機樹脂で形成され、例えば耐熱性の高い有機樹脂が用いられる。このような有機樹脂として、ポリイミド樹脂やスチレン樹脂、エポキシ系樹脂、アクリル系樹脂、ポリ塩化ビニリデン系樹脂、ポリフッ化ビニリデン系樹脂、ポリエステル系樹脂、ポリオレフィン系樹脂等がある。
【００１９】
シンチレータ層１２０は、センサパネル１１０の表面側に、画素アレイ１１１を覆う位置に配置される。シンチレータ層１２０は、放射線検出装置１００へ入射した放射線を画素アレイ１１１の光電変換素子が検出可能は波長の光（例えば可視光）に変換する。シンチレータ層１２０は、例えばヨウ化セシウム（以下、ＣｓＩ）にＴｌをドープした材料（ＣｓＩ：Ｔｌ）に代表されるハロゲン化アルカリ系の材料で形成される。または、シンチレータ層１２０は、金属酸硫化物（例えばＧｄ2Ｏ2Ｓ）の母体に、発光中心としてテルビウムやユーロピウムといった３価の希土類を微量ドープした粉末蛍光体（以下、ＧＯＳ）で形成される。
【００２０】
シンチレータ層１２０の面のうちセンサパネル１１０と接している面以外の面をシンチレータ保護層１２１で覆ってもよい。シンチレータ保護層１２１は、シンチレータ層１２０の吸湿による発光量や鮮鋭度の低下を抑制する。シンチレータ保護層１２１は、透湿度の低い有機樹脂や透湿度の低いシートを接着剤や粘着剤等の接着層を介して貼り合わせて形成されうる。透湿度の低い有機樹脂として、ポリパラキシリレンやポリ塩化ビニリデン等の塩素系樹脂、ＰＣＴＦＥ、ポリフッ化ビニリデン等のフッ素系樹脂がある。透湿度の低いシートとして、樹脂のシートの他に、アルミや銀、銅等の金属箔がある。図１に示す実施形態では、粘着剤を用いてアルミシートを貼り合わせてシンチレータ保護層１２１を形成する。
【００２１】
電気接続部１１２に配線部材１３０が取り付けられている。配線部材１３０は例えばフレキシブル配線基板（ＦＰＣ）である。配線部材１３０に含まれる導電体が電気接続部１１２に電気的に接続される。配線部材１３０及び電気接続部１１２を通じて、外部の装置と画素アレイ１１１とが電気信号を交換する。
【００２２】
センサパネル１１０の裏面は、接着層１４１によって支持基板１４２の表面に接着されている。接着層１４１は、センサパネル１１０の裏面のうち、画素アレイ１１１が配置された部分と接しているが、電気接続部１１２が配置された部分とは接していない。センサパネル１１０を支持基板１４２に接着することによって、センサパネル１１０の強度を向上できる。このように、支持基板１４２は、画素アレイ１１１をセンサパネル１１０の裏面側から支持する。支持基板１４２として高耐熱な部材を用いてもよい。放射線検出装置１００が裏面照射型である場合に、支持基板１４２として放射線透過率が高い部材を用いてもよい。このような部材として、アルミニウム、マグネシウム、アルミ合金、マグネシウム合金等の軽金属や軽金属からなる合金、シリコン、ゲルマニウム、炭素等の結晶、アモルファスカーボン、ガラス、セラミックス、陶器等の非晶質、カーボン繊維強化プラスチック（ＣＦＲＰ）、ガラス繊維強化プラスチック（ＧＦＲＰ）等の複合材料、アラミド系樹脂、ポリイミド系樹脂、ＰＰＳ樹脂、ＰＥＥＫ樹脂、エポキシ系樹脂、アクリル系樹脂等の耐熱性を有する樹脂がある。接着層１４１は緩衝部材としても機能する。
【００２３】
支持基板１４２の裏面は接着層１４３によって、箱状の枠体１４４の底部に接着されている。枠体１４４の側壁はセンサパネル１１０の裏面のうち電気接続部１１２が配置された部分に接している。従って、枠体１４４の側壁は、電気接続部１１２をセンサパネル１１０の裏面側から支持する。配線部材１３０の取り付け時のセンサパネル１１０の変形を抑制するために、枠体１４４は接着層１４１よりも高い弾性率を有する。本明細書において、弾性率とは例えば体積弾性率のことでありうる。また、枠体１４４の圧縮強度は９０ＭＰａ以上（９１８ｋｇｆ／ｃｍ2以上）である。枠体１４４の圧縮強度が９０ＭＰａ未満の場合に、配線部材１３０を５ＭＰａの圧力で電気接続部１１２に取り付けると、枠体１４４が変形して配線部材１３０の接触不良が生じる可能性がある。枠体１４４は、例えばアルミ、アルミ合金、マグネシウム、マグネシウム合金、鉄、ステンレス等の金属や金属合金、シリコン、ゲルマニウム、炭素等の結晶、アモルファスカーボン、ガラス、セラミックス等の非晶質、ＣＦＲＰ、ＧＦＲＰ等の複合材料、アラミド系樹脂、エポキシ系樹脂、アクリル系樹脂、ポリエチレン系樹脂、フェノール系樹脂、酢酸セルロース系樹脂、塩化ビニル系樹脂等の樹脂で形成される。枠体１４４の側壁と接着層１４１との間には隙間が存在する。言い換えると、センサパネル１１０の裏面は、枠体１４４と接着層１４１との間にこれらの何れにも覆われていない部分を含む。センサパネル１１０と支持基板１４２とは接着層１４１によって接着されており、枠体１４４と支持基板１４２とは接着層１４３によって接着されている。従って、枠体１４４はセンサパネル１１０に固定されており、放射線検出装置１００から枠体１４４を取り除くことはできない。
【００２４】
続いて、図２を参照して、放射線検出装置１００の製造方法例を説明する。まず、図２（ａ）に示すように、画素アレイ１１１及び電気接続部１１２を有するセンサパネル１１０を準備する。この工程はどのような手法で行ってもよく、既存の手法を用いてもよいので、詳細な説明を省略する。
【００２５】
その後、準備したセンサパネル１１０の裏面を化学研磨（エッチング）等によって研磨してセンサパネル１１０の基板を薄くしてもよい。例えば、センサパネル１１０の基板の厚さが５ｍｍ以下となるようにこの基板を研磨してもよい。シリコン基板の厚さを例えば０．３ｍｍにすることによって、０．７７５ｍｍ厚のシリコン基板の場合と比較して、Ｘ線透過率を１８．５％向上できる。また、センサパネル１１０としてフラットパネルを用いる場合に、センサパネル１１０のガラス基板の厚さを例えば０．３ｍｍにすることによって、０．７ｍｍ厚のガラス基板の場合と比較して、Ｘ線透過率を２１．８％向上できる。
【００２６】
その後、接着層１４１によって、センサパネル１１０の裏面と支持基板１４２の表面とを接着する。接着層１４１は、例えば厚さ１００μｍのシリコーン系粘着剤である。接着層１４１はセンサパネル１１０の裏面のうち画素アレイ１１１が配置された部分と接しているが、電気接続部１１２が配置された部分には接していない。
【００２７】
その後、センサパネル１１０の表面側に、シンチレータ層１２０を配置する。シンチレータ層１２０は、例えばＣｓＩとＴｌＩを真空チャンバー内で同時に加熱し蒸着することで形成される。例えば、蛍光体原料を蒸着材料として抵抗加熱ボートに充填するとともに、蒸着装置の支持体ホルダにセンサパネル１１０を設置する。その後、蒸着装置内を真空ポンプで排気し、Ａｒガスを導入して真空度を０．１Ｐａに調整し蒸着を行う。シンチレータ層１２０として粉末蛍光体を用いる場合に、シンチレータ層１２０は例えばＧＯＳ等を塗布・乾燥することによって形成される。
【００２８】
その後、シンチレータ層１２０を覆うシンチレータ保護層１２１を形成する。例えば、事前に粘着剤を貼り合わせたアルミシートを、ロールラミネータを用いてシンチレータ層１２０を被覆するように貼り合わせることによってシンチレータ保護層１２１を形成する。シンチレータ保護層１２１としてポリパラキシリレンをＣＶＤにより形成してもよい。例えば、シンチレータ層１２０が形成されたセンサパネル１１０をＣＶＤ用のチャンバーに設置し、３０Ｐａに真空引きした後、センサパネル１１０が設置された台を５ｒｐｍで回転させながらポリパラキシリレンの成膜を行う。以上の工程により、図２（ａ）に示す構造体２００が形成される。
【００２９】
その後、図２（ｂ）に示すように、枠体１４４の底部に接着層１４３を塗布するとともに、構造体２００の上側（シンチレータ保護層１２１の上面）を吸着ステージ２０１で真空吸着する。枠体１４４として、例えば厚さ２ｍｍのＣＦＲＰ板を箱状に加工したものを用いる。接着層１４３は例えば２液を混合して硬化が促進される２液型のエポキシ樹脂で形成される。２液型のエポキシ樹脂を用いることで、加熱することなく接着層１４３を硬化できる。
【００３０】
その後、図２（ｃ）に示すように、構造体２００を枠体１４４に取り付ける。この取り付けにおいて、構造体２００は、例えば０．０５ＭＰａの圧力で加圧される。取り付け時の圧力が高すぎるとセンサパネル１１０が割れる可能性がある。取り付け時の圧力が低すぎるとセンサパネル１１０と枠体１４４との接触が不十分となり、配線部材１３０の取り付けの際にセンサパネル１１０が割れる可能性がある。
【００３１】
その後、図２（ｄ）に示すように、異方性導電フィルム（ＡＣＦ）や金バンプなどの接着部材を介して電気接続部１１２の上に配線部材１３０を配置する。その後、圧着ヘッド２０２によって、１００℃〜２００℃の温度、１ＭＰａ〜５ＭＰａの圧力、５秒〜５分の時間で配線部材１３０を電気接続部１１２に熱圧着する。この熱圧着において、センサパネル１１０のうち電気接続部１１２が配置された部分が裏面から枠体１４４によって支持される。この工程において、枠体１４４は接着層１４１よりも高い弾性率を有するので、枠体１４４は圧着ヘッド２０２からの圧力によって変形されにくい。そのため、センサパネル１１０の変形を抑制でき、電気接続部１１２と配線部材１３０との接着性が向上する。その結果、放射線検出装置１００から得られる放射線画像が高品質となる。熱圧着を用いる代わりに、配線部材１３０は加熱を伴わない圧着で電気接続部１１２に接着されてもよい。
【００３２】
続いて、図３を参照しつつ、他の実施形態に係る放射線検出装置３００の構成例を説明する。図３（ａ）は放射線検出装置３００の平面図であり、図３（ｂ）は放射線検出装置３００のＡ−Ａ’線における断面図であり、図３（ｃ）は放射線検出装置３００のＢ−Ｂ’線における断面図である。
【００３３】
放射線検出装置３００は図３に示す各構成要素を有する。放射線検出装置３００のうち、放射線検出装置１００のものと同様の要素については同一の参照符号を付して重複する説明を省略する。センサパネル３１０は、一方の主面（図３（ｂ）において上側の面、以下、表面）側に画素アレイ３１１と電気接続部３１２とを有する。画素アレイ３１１及び電気接続部３１２は画素アレイ１１１及び電気接続部１１２とそれぞれ同様であってもよいので、これらの説明を省略する。図３の実施形態では、センサパネル３１０は１枚のセンサチップによって構成される。しかしながら、図１と同様に、センサパネル３１０を複数のセンサチップによって構成してもよい。
【００３４】
センサパネル３１０のうち電気接続部３１２が配置された部分と支持基板１４２との間に、支持部材３４１が配置されている。すなわち、支持部材３４１は、電気接続部３１２をセンサパネル３１０の裏面側から支持する。支持部材３４１の弾性率は接着層１４１の弾性率よりも大きい。また、支持部材３４１として、圧縮強度が９０ＭＰａ以上の材料を用いうる。このような材料として、例えば圧縮強度が１５０ＭＰａであるエポキシ樹脂等の有機樹脂を用いてもよい。これに代えて、支持部材３４１の材料として、圧縮強度が９０ＭＰａ以上の金属や金属合金などの金属性材料を用いてもよい。例えば、支持部材３４１の材料として、圧縮強度が４００ＭＰａであるステンレスを用いる。さらに、支持部材３４１の材料として、接着性を有する材料を使用してもよい。すなわち、支持部材３４１は、電気接続部３１２の裏面側と支持基板１４２とを接着する接着層であってもよい。また、支持部材３４１の材料は光硬化性や熱硬化性などの硬化性を有してもよい。
【００３５】
放射線検出装置３００も放射線検出装置１００と同様の利点を有しうる。さらに、放射線検出装置３００は放射線検出装置１００よりも構成要素が少ないので、低コストで製造できる。
【００３６】
続いて、図４を参照して、放射線検出装置３００の製造方法例を説明する。まず、図４（ａ）に示すように、画素アレイ３１１及び電気接続部３１２を有するセンサパネル３１０を準備する。この工程はどのような手法で行ってもよく、既存の手法を用いてもよいので、詳細な説明を省略する。その後、図２（ａ）の説明と同様にして、センサパネル３１０を接着層１４１によって支持基板１４２に接着し、センサパネル３１０の上にシンチレータ層１２０及びシンチレータ保護層１２１を形成する。
【００３７】
その後、図４（ｂ）に示すように、センサパネル３１０のうち電気接続部３１２が配置された部分と支持基板１４２との間に、支持部材３４１を挿入する。例えば、武蔵エンジニアリング製のディスペンサーＭＳ−１０を用いて、支持基板１４２とセンサパネル１１０との間に硬化前の状態のエポキシ樹脂を配置し、その後８０℃、１時間の硬化によりエポキシ樹脂を硬化して支持部材３４１を形成する。
【００３８】
その後、図４（ｃ）に示すように、電気接続部３１２に配線部材１３０を圧着する。この工程は図２（ｄ）の工程と同様であるので、重複する説明を省略する。図４の例ではセンサパネル３１０を支持基板１４２に接着した後に支持部材３４１を配置する。しかし、支持基板１４２に支持部材３４１を配置した後に、支持基板１４２にセンサパネル３１０を接着してもよい。
【００３９】
続いて、図５を参照して、本発明の様々な他の実施形態に係る放射線検出装置の構成例を説明する。図５で説明される各放射線検出装置の構成要素のうち、放射線検出装置１００、３００のものと同様の要素については同一の参照符号を付して重複する説明を省略する。図５（ａ）の放射線検出装置５１０は、センサパネル１１０が接着層１４１によって枠体１４４に直接に接着されている。
【００４０】
図５（ｂ）の放射線検出装置５２０では、センサパネル１１０の裏面のうち電気接続部１１２が配置された部分と枠体１４４との間に、硬化性を有する接着層５２１が配置されている。センサパネル１１０の裏面を研磨すると、この裏面に研磨むらや研磨剤による研磨痕などの凹凸が生じる場合がある。放射線検出装置５２０では、接着層５２１によってこの凹凸を緩和する。まず、硬化前の状態の接着層５２１をセンサパネル１１０の裏面のうち電気接続部１１２が配置された部分と枠体１４４との間に配置する。その後、この接着層５２１を硬化する。硬化後の接着層５２１の弾性率は、接着層１４１の弾性率よりも高い。従って、接着層１４１は電気接続部１１２をセンサパネル１１０の裏面側から支持する。接着層として、エポキシ系樹脂、アクリル系樹脂、ポリエチレン系樹脂、フェノール系樹脂、酢酸セルロース系樹脂、塩化ビニル系樹脂等の樹脂を用いうる。
【００４１】
図５（ｃ）の放射線検出装置５３０では、支持部材３４１とセンサパネル３１０とが接着層５３１で接着され、支持部材３４１と支持基板１４２とが接着層５３２で接着される。接着層５３１、５３２はどちらも接着層５２１と同じであってもよいので、重複する説明を省略する。
【００４２】
上述の実施形態では、センサパネルの上にシンチレータ層を直接に形成した。しかし、シンチレータ層を有するシンチレータパネルをセンサパネルとは別に準備し、センサパネルとシンチレータパネルとを重ね合わせて放射線検出装置を形成してもよい。また、放射線検出装置は、シンチレータ層を有さず、センサパネルの変換素子が放射線を直接に電荷に変換するタイプの放射線検出装置であってもよい。
【００４３】
図６は上述の何れかの放射線検出装置のＸ線診断システム（放射線検出システム）への応用例を示した図である。Ｘ線チューブ６０５０（放射線源）で発生した放射線としてのＸ線６０６０は、被験者又は患者６０６１の胸部６０６２を透過し、上述の放射線検出装置の何れかである検出装置６０４０に入射する。この入射したＸ線には患者６０６１の体内部の情報が含まれている。Ｘ線の入射に対応してシンチレータは発光し、これを光電変換して、電気的情報を得る。この情報はデジタル信号に変換され信号処理部となるイメージプロセッサ６０７０により画像処理され制御室の表示部となるディスプレイ６０８０で観察できる。なお、放射線検出システムは、検出装置と、検出装置からの信号を処理する信号処理部とを少なくとも有する。
【００４４】
また、この情報は電話回線６０９０等の伝送処理部により遠隔地へ転送でき、別の場所のドクタールームなど表示部となるディスプレイ６０８１に表示もしくは光ディスク等の記録部に保存することができ、遠隔地の医師が診断することも可能である。また記録部となるフィルムプロセッサ６１００により記録媒体となるフィルム６１１０に記録することもできる。
【００４５】
様々な実施例を説明する。以下の実施例で具体例が示されていない構成は上述の説明の何れの構成を用いてもよい。第１実施例では、図１に示した構成において、センサパネル１１０としてＣＭＯＳチップを用いる。センサパネル１１０のシリコン基板の裏面は厚さが０．３ｍｍになるまで研磨される。支持基板１４２として厚さが１ｍｍのＣＲＦＰ基板を用いる。シンチレータ層１２０として、真空蒸着により形成されたＣｓＩ：Ｔｌを用いる。シンチレータ保護層１２１として、アルミシートを貼り合わせた膜を用いる。枠体１４４として、エポキシ樹脂を含浸させたＣＦＲＰ基板を用いる。接着層１４１として、厚さが１００μｍのシリコーン系粘着剤を用いる。接着層１４３として、２液型のエポキシ樹脂を用いる。
【００４６】
第２実施例では、図３に示した構成において、センサパネル１１０としてＣＭＯＳチップを用いる。センサパネル１１０のシリコン基板の裏面は厚さが０．３ｍｍになるまで研磨される。支持基板１４２として厚さが１ｍｍのＣＲＦＰ基板を用いる。シンチレータ層１２０として、真空蒸着により形成されたＣｓＩ：Ｔｌを用いる。シンチレータ保護層１２１として、アルミシートを貼り合わせた膜を用いる。支持部材３４１として、圧縮強度が１５０ＭＰａのエポキシ樹脂を用いる。接着層１４１として、厚さが１００μｍのシリコーン系粘着剤を用いる。
【００４７】
第３実施例では、図３に示した構成において、センサパネル１１０としてＣＭＯＳチップを用いる。センサパネル１１０のシリコン基板の裏面は厚さが０．３ｍｍになるまで研磨される。支持基板１４２として厚さが１ｍｍのＣＲＦＰ基板を用いる。シンチレータ層１２０として、真空蒸着により形成されたＣｓＩ：Ｔｌを用いる。シンチレータ保護層１２１として、アルミシートを貼り合わせた膜を用いる。支持部材３４１として、圧縮強度が４００ＭＰａであり、厚さが０．２ｍｍのステンレス鋼を用いる。接着層１４１として、厚さが２００μｍのシリコーン系粘着剤を用いる。
【００４８】
第４実施例では、図３に示した構成において、センサパネル１１０としてフラットパネルを用いる。センサパネル１１０のガラス基板の裏面は厚さが０．３ｍｍになるまで研磨される。支持基板１４２として厚さが１ｍｍのＣＲＦＰ基板を用いる。シンチレータ層１２０として、ＣＶＤにより形成されたポリパラキシリレンを用いる。シンチレータ保護層１２１として、アルミシートを貼り合わせた膜を用いる。支持部材３４１として、圧縮強度が１５０ＭＰａのエポキシ樹脂を用いる。接着層１４１として、厚さが１００μｍのシリコーン系粘着剤を用いる。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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