(57)【要約】      （修正有）【課題】基板を縦型ボートに保持して縦型炉内に装入して処理する半導体製造装置において、ボートの耐震強度を向上させつつ、成膜への影響を低減する【解決手段】複数の円形板状の基板を上下に所定の間隔をおいてボートに載置しつつ処理室にて処理する基板処理装置において、前記ボートは、前記基板の周方向に沿って配置された少なくとも第１の支柱及び２本の第２の支柱を備え、該第１及び第２の支柱には、前記基板を載置する載置部が夫々設けられ、かつ前記２本の第２の支柱との間は前記基板を該基板の周方向から搬入出可能なように配置され、前記第１の支柱と前記第２の支柱は、支柱の上下においてプレートと接続され前記プレートと前記第１の支柱と前記第２の支柱との接続部分の各支柱の内面側において、曲面加工部を有する。【選択図】図３
2015070046.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の基板を上下に所定の間隔をもって保持する基板保持具において、前記基板が載置される載置部が設けられた複数本の支柱と、前記支柱の上部と下部に接続されたプレートとを備え、前記支柱は、前記プレートとの接続部分において前記基板保持具の内周側に形成された曲面加工部を有する基板保持具。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、基板保持具に係り、特に縦型半導体製造装置に用いられる基板保持具に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
一般に、縦型拡散装置や縦型ＣＶＤ装置等の縦型半導体製造装置は、半導体ウエハ等の複数の円形板状の基板を、上下に所定の間隔をおいて基板保持具たるボートに多段に載置し、これを処理室に搬入して熱処理する構成となっている。
この縦型半導体製造装置で使用される基板保持具（ボート）として、ベースプレート及びトッププレートの端板間に、上下に架設された柱と、その柱に隣接して配置された補強用の柱を備えるものが知られている。（特許文献１）
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００６−１６５１３４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
基板保持具の耐震性向上のために補強用の柱を設ける場合、当該補強用の柱によって基板保持具の強度をより効果的に向上させることが望まれる。
【０００５】
本発明は、強度を効果的に向上させた基板保持具を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明の一態様によれば、複数の基板を上下に所定の間隔をもって保持する基板保持具において、前記基板が載置される載置部が設けられた複数本の支柱と、前記支柱の上部と下部に接続されたプレートとを備え、前記支柱は、前記プレートとの接続部分において前記基板保持具の内周側に形成された曲面加工部を有する基板保持具が提供される。
【発明の効果】
【０００７】
本発明に係る基板保持具によれば、その強度を効果的に向上させることができる。
【図面の簡単な説明】
【０００８】
【図１】本発明の実施形態に係る基板保持具が使用される基板処理装置の例を示す斜視図である。
【図２】図１に示す基板処理装置の処理炉の垂直断面図である。
【図３】本発明の第１の実施形態に係る基板保持具の正面図である。
【図４】本発明の第２の実施形態に係る基板保持具の正面図である。
【図５】本発明の第２の実施形態に係る基板保持具の横断面図である。
【図６】本発明の第２の実施形態に係る基板保持具の補強柱の変形例を示す図である。
【図７】本発明の第３の実施形態に係る基板保持具の正面図である。
【図８】本発明の第３の実施形態に係る基板保持具の図７におけるＡ−Ａ´断面矢視図である。
【発明を実施するための形態】
【０００９】
（１）基板処理装置の構成
図１は、本発明に係る基板保持具が使用される基板処理装置の概略構成図であり、処理炉２０２部分を縦断面図で示している。また、図２は、図１に示す処理炉のＡ−Ａ’断面図である。なお、本発明は、図示の基板処理装置に限らず、枚葉式、Ｈｏｔ  Ｗａｌｌ型、Ｃｏｌｄ  Ｗａｌｌ型の処理炉を有する基板処理装置にも好適に適用できる。
【００１０】
図１に示されているように、処理炉２０２は加熱手段（加熱機構）としてのヒータ２０７を有する。ヒータ２０７は円筒形状であり、保持板としてのヒータベース（図示せず）に支持されることにより垂直に据え付けられている。
【００１１】
ヒータ２０７の内側には、ヒータ２０７と同心円状に反応管としてのプロセスチューブ２０３が配設されている。プロセスチューブ２０３は、例えば石英（ＳｉＯ２）または炭化シリコン（ＳｉＣ）等の耐熱性材料からなり、上端が閉塞し下端が開口した円筒形状に形成されている。プロセスチューブ２０３の筒中空部には処理室２０１が形成されており、基板としての基板２００を後述するボート２１７によって水平姿勢で垂直方向に多段に整列した状態で収容可能に構成されている。
【００１２】
プロセスチューブ２０３の下方には、プロセスチューブ２０３と同心円状にマニホールド２０９が配設されている。マニホールド２０９は、例えばステンレス等からなり、上端及び下端が開口した円筒形状に形成されている。マニホールド２０９は、プロセスチューブ２０３に係合しており、プロセスチューブ２０３を支持するように設けられている。なお、マニホールド２０９とプロセスチューブ２０３との間にはシール部材としてのＯリング２２０ａが設けられている。マニホールド２０９がヒータベースに支持されることにより、プロセスチューブ２０３は垂直に据え付けられた状態となっている。プロセスチューブ２０３とマニホールド２０９とにより反応容器が形成される。
【００１３】
マニホールド２０９には、第１ガス導入部としての第１ノズル２３３ａと、第２ガス導入部としての第２ノズル２３３ｂとが、マニホールド２０９の側壁を貫通するように設けられており、第１ノズル２３３ａ、第２ノズル２３３ｂには、それぞれ第１ガス供給管２３２ａ、第２ガス供給管２３２ｂが接続されている。このように、処理室２０１内へは複数種類、ここでは２種類の処理ガスを供給するガス供給路として、２本のガス供給管が設けられている。
【００１４】
第１ガス供給管２３２ａには、上流方向から順に、流量制御器（流量制御手段）である第１マスフローコントローラ２４１ａ、及び開閉弁である第１バルブ２４３ａが設けられている。また、第１ガス供給管２３２ａの第１バルブ２４３ａよりも下流側には、不活性ガスを供給する第１不活性ガス供給管２３４ａが接続されている。この第１不活性ガス供給管２３４ａには、上流方向から順に、流量制御器（流量制御手段）である第３マスフローコントローラ２４１ｃ、及び開閉弁である第３バルブ２４３ｃが設けられている。また、第１ガス供給管２３２ａの先端部には、上述の第１ノズル２３３ａが接続されている。第１ノズル２３３ａは、処理室２０１を構成しているプロセスチューブ２０３の内壁とウエハ２００との間における円弧状の空間に、プロセスチューブ２０３の内壁の下部より上部に沿って、また、基板２００の積載方向に沿って設けられている。第１ノズル２３３ａの側面にはガスを供給する供給孔である第１ガス供給孔２４８ａが設けられている。この第１ガス供給孔２４８ａは、下部から上部にわたってそれぞれ同一の開口面積を有し、更に同じ開口ピッチで設けられている。主に、第１ガス供給管２３２ａ、第１マスフローコントローラ２４１ａ、第１バルブ２４３ａ、第１ノズル２３３ａにより第１ガス供給系が構成され、主に、第１不活性ガス供給管２３４ａ、第３マスフローコントローラ２４１ｃ、第３バルブ２４３ｃにより、第１不活性ガス供給系が構成される。
【００１５】
第２ガス供給管２３２ｂには、上流方向から順に、流量制御器（流量制御手段）である第２マスフローコントローラ２４１ｂ、及び開閉弁である第２バルブ２４３ｂが設けられている。また、第２ガス供給管２３２ｂの第２バルブ２４３ｂよりも下流側には、不活性ガスを供給する第２不活性ガス供給管２３４ｂが接続されている。この第２不活性ガス供給管２３４ｂには、上流方向から順に、流量制御器（流量制御手段）である第４マスフローコントローラ２４１ｄ、及び開閉弁である第４バルブ２４３ｄが設けられている。また、第２ガス供給管２３２ｂの先端部には、上述の第２ノズル２３３ｂが接続されている。
第２ノズル２３３ｂは、処理室２０１を構成しているプロセスチューブ２０３の内壁と基板２００との間における円弧状の空間に、プロセスチューブ２０３の内壁の下部より上部に沿って、また、基板２００の積載方向に沿って設けられている。第２ノズル２３３ｂの側面にはガスを供給する供給孔である第２ガス供給孔２４８ｂが設けられている。この第２ガス供給孔２４８ｂは、下部から上部にわたってそれぞれ同一の開口面積を有し、更に同じ開口ピッチで設けられている。主に、第２ガス供給管２３２ｂ、第２マスフローコントローラ２４１ｂ、第２バルブ２４３ｂ、第２ノズル２３３ｂにより第２ガス供給系が構成され、主に、第２不活性ガス供給管２３４ｂ、第４マスフローコントローラ２４１ｄ、第４バルブ２４３ｄにより第２不活性ガス供給系が構成される。
【００１６】
例えば、第１ガス供給管２３２ａからは、ジクロロシラン（ＳｉＨ２Ｃｌ２、略称ＤＣＳ）ガスが、第１マスフローコントローラ２４１ａ、第１バルブ２４３ａ、第１ノズル２３３ａを介して処理室２０１内に供給される。このとき同時に、第１不活性ガス供給管２３４ａからは、不活性ガスが、第３マスフローコントローラ２４１ｃ、第３バルブ２４３ｃを介して第１ガス供給管２３２ａ内に供給されるようにしてもよい。また、第２ガス供給管２３２ｂからは、アンモニア（ＮＨ３）ガスが、第２マスフローコントローラ２４１ｂ、第２バルブ２４３ｂ、第２ノズル２３３ｂを介して処理室２０１内に供給される。このとき同時に、第２不活性ガス供給管２３４ｂからは、不活性ガスが、第４マスフローコントローラ２４１ｄ、第４バルブ２４３ｄを介して第２ガス供給管２３２ｂ内に供給されるようにしてもよい。
【００１７】
マニホールド２０９には、処理室２０１内の雰囲気を排気するガス排気管２３１が設けられている。ガス排気管２３１のマニホールド２０９との接続側と反対側である下流側には、圧力検出器としての圧力センサ２４５及び圧力調整器としてのＡＰＣ（Ａｕｔｏ  Ｐｒｅｓｓｕｒｅ  Ｃｏｎｔｒｏｌｌｅｒ）バルブ２４２を介して、真空排気装置としての真空ポンプ２４６が接続されている。なお、ＡＰＣバルブ２４２は、弁を開閉して処理室２０１内の真空排気・真空排気停止ができ、更に弁開度を調節して圧力調整可能なように構成されている開閉弁である。真空ポンプ２４６を作動させつつ、圧力センサ２４５により検出された圧力に基づいてＡＰＣバルブ２４２の弁の開度を調節することにより、処理室２０１内の圧力が所定の圧力（真空度）となるよう真空排気し得るように構成されている。
【００１８】
マニホールド２０９の下方には、マニホールド２０９の下端開口を気密に閉塞可能な炉口蓋体としてのシールキャップ２１９が設けられている。シールキャップ２１９は、マニホールド２０９の下端に垂直方向下側から当接されるように構成されている。シールキャップ２１９は、例えばステンレス等の金属からなり、円盤状に形成されている。シールキャップ２１９の上面には、マニホールド２０９の下端と当接するシール部材としてＯリング２２０ｂが設けられる。シールキャップ２１９の処理室２０１と反対側には、後述する基板保持具としてのボート２１７を回転させる回転機構２６７が設置されている。回転機構２６７の回転軸２５５は、シールキャップ２１９を貫通してボート２１７に接続されている。回転機構２６７は、ボート２１７を回転させることでウエハ２００を回転させるように構成されている。シールキャップ２１９は、プロセスチューブ２０３の外部に垂直に設置された昇降機構としてのボートエレベータ１１５によって垂直方向に昇降されるように構成されている。ボートエレベータ１１５は、シールキャップ２１９を昇降させることで、ボート２１７を処理室２０１内に対して搬入・搬出することが可能なように構成されている。
【００１９】
基板保持具としてのボート２１７は、例えば石英や炭化珪素等の耐熱性材料からなり、複数枚の基板２００を水平姿勢で、かつ、互いに中心を揃えた状態で整列させて多段に保持するように構成されている。なお、ボート２１７の下部には、例えば石英や炭化珪素等の耐熱性材料からなる断熱部材２１８が設けられており、ヒータ２０７からの熱がシールキャップ２１９側に伝わりにくくなるように構成されている。なお、断熱部材２１８は、石英や炭化珪素等の耐熱性材料からなる複数枚の断熱板と、これら断熱板を水平姿勢で多段に支持する断熱板ホルダとにより構成としている。プロセスチューブ２０３内には、温度検出器としての温度センサ２６３が設置されており、温度センサ２６３により検出された温度情報に基づきヒータ２０７への通電具合を調整することにより、処理室２０１内の温度が所望の温度分布となるように構成されている。温度センサ２６３は、第１ノズル２３３ａ及び第２ノズル２３３ｂと同様に、プロセスチューブ２０３の内壁に沿って設けられている。
【００２０】
制御部（制御手段）であるコントローラ２８０は、第１〜第４のマスフローコントローラ２４１ａ、２４１ｂ、２４１ｃ、２４１ｄ、第１〜第４のバルブ２４３ａ、２４３ｂ、２４３ｃ、２４３ｄ、圧力センサ２４５、ＡＰＣバルブ２４２、ヒータ２０７、温度センサ２６３、真空ポンプ２４６、回転機構２６７、ボートエレベータ１１５等に接続されている。コントローラ２８０により、第１〜第４のマスフローコントローラ２４１ａ、２４１ｂ、２４１ｃ、２４１ｄの流量調整、第１〜第４のバルブ２４３ａ、２４３ｂ、２４３ｃ、２４３ｄの開閉動作、ＡＰＣバルブ２４２の開閉及び圧力センサ２４５に基づく圧力調整動作、温度センサ２６３に基づくヒータ２０７の温度調整、真空ポンプ２４６の起動・停止、回転機構２６７の回転速度調節、ボートエレベータ１１５の昇降動作等の制御が行われる。
前述の基板処理装置の処理炉を用いて、基板上に薄膜を形成する。
【００２１】
以下本発明に係るボートの第１の実施形態について、図面に基づいて説明する。
図３は本発明の第１の実施形態に係る基板保持具の構成を示したものである
。
【００２２】
図示の基板保持具は、上述した縦型の基板処理装置で使用されるものであり、以下、縦型ボートと呼ぶ。この縦型ボートは、図３に示すように、基板を保持する基板保持領域３１０と断熱板を保持する断熱板保持領域３２０の複数の領域から構成されている。
まず、基板保持領域３１０について説明する。基板保持領域３１０では、円形板から構成されるベースプレート３０及びトッププレート３１を有し、この上下のベースプレート３０、トッププレート３１間に、ボート柱３３、３４を円周方向に所定の間隔をあけて互いに平行に立設したものである。具体的には、上下のベースプレート３０、トッププレート３１間に、縦型ボートの背面側に位置する１本の第１のボート柱３３と、縦型ボートの側面側に位置する２本の第２のボート柱３４を備えている。この縦型ボートを構成するベースプレート３０、トッププレート３１、ボート柱３３、３４等の部材の材質はすべて石英あるいは炭化珪素等の耐熱性材料から構成されている。
【００２３】
これらのボート柱３３、３４には、基板を載置する載置部として、基板周辺部を支えるための載置部３６が、各ボート柱の内面側に設けられている。この載置部３６は、ボート柱３３、３４の上下方向に亘って並列に複数形成されている。本図面では、便宜上、載置部３６は下から３個ずつの記載としているが、本来はトッププレート３１の近傍までに亘り所要数の２５〜１２５個程度設けられている。この載置部３６上に基板２００を載置することによって、ボート２１７に基板２００を保持することとなる。
処理する基板２００は、上下のベースプレート３０、トッププレート３１間においてボート柱３３、３４により囲まれる領域に搬入され、その支柱内側の載置部３６に載置される。
【００２４】
このボート柱３３、３４の配置間隔や、載置部３６の高さ及び配向は、第２のボート柱３４の間から基板２００を図３の図面手前方向から奥方向へ搬入出可能なように配慮される。
【００２５】
具体的には、第２のボート柱３４は円形のベースプレート３０、トッププレート３１又は基板２００のほぼ直径方向に相対向する位置に立設されており、これにより処理基板２００はボート柱３３、３４に干渉することなく、載置部３６に載置することができ、基板２００を搬入出が可能となっている。また、第１のボート柱３３は、縦型ボートの周方向において、この２本の第２のボート柱３４の間の中間に配置されている。
【００２６】
また、第１のボート柱３３及び第２のボート柱３４とベースプレート３０の接続部分においては、それぞれのボート柱の内面側（縦型ボートの内周側）に曲面加工部３０１、３０２が設けられている。この曲面加工部３０１、３０２は、単にボート柱の取付部分を太く（断面積を広く）するだけではなく、曲面加工を施すことで、特にボート柱３３、３４とベースプレート３０の接続部に掛かる応力を低減させることとなり、ボート柱の耐震性を向上させている。この曲面加工部３０１、３０２の半径Ｒは、例えば１５から２５程度である。
なお、この曲面加工部３０１、３０２はボート柱の外周側に設けられていても構わない。発明者らは、本実施形態のような縦型ボートにおいて、耐震性を向上させるためには、各ボート柱と各プレートとの接続部分において、縦型ボートの内周側あるいは外周側に曲面加工部を形成することが有効であり、特に、内周側に形成することが好ましいことを知見している。
また、この曲面加工部３０１、３０２は曲面に代えて、テーパ状としても構わない。また、これら複数の曲面加工部３０１、３０２の曲面の半径Ｒは同じ値であってもよいし、異なる値であってもよい。
【００２７】
次に、断熱板保持領域３２０について説明する。断熱板保持領域３２０の構造も、基板保持領域３１０の構造と基本的には同じであるが、断熱板保持領域３２０では、ベースプレート３０と断熱板保持プレート３２を第１の断熱板保持柱３７と２本の第２の断熱板保持柱３８により接続し、断熱板保持領域を構成している。第１の断熱板保持柱３７は、基板保持領域における第一のボート柱３５の下方向への延長線上に配置される。
【００２８】
２本の第２の断熱板保持柱３８、３８も基板保持領域における第２のボート柱３４、３４の下方向への延長線上にそれぞれ配置される。また、基板保持領域と同様に、それぞれの第１の断熱板保持柱３７と２本の第２の断熱板保持柱３８の断熱板保持プレート３２との接続部分は、断熱板保持柱３７、３８の内周面側に曲面加工部３０３、３０４が設けられており、曲面加工を施すことで、断熱板保持柱に掛かる応力を低減させることとなり、各断熱板保持柱３７、３８の耐震性を向上させている。この曲面加工部３０３、３０４の半径Ｒは、例えば１０から２０程度である。
なお、この曲面加工部３０３、３０４はボート柱の外周側に設けられていても構わない。
【００２９】
前記第１の断熱板保持柱３７と２本の第２の断熱板保持柱３８には、前述した基板保持領域における基板が載置されるのと同様に、図示を省略した、所要数の断熱板載置部が設けられ、この断熱板載置部に所要数の断熱板が装填される。
【００３０】
以上のようにボート２１７は上下方向に複数の領域（基板保持領域、断熱板保持領域）を有している。例えば、各領域のボート柱３３、３４及び基板保持柱の付根部分に設けられた曲面加工部のＲの大きさを異ならせる（或いはテーパの角度を異ならせる）場合を説明する。
基板保持領域３１０のボート柱３３、３４とベースプレート３０との曲面加工部３０１、３０２の半径Ｒは例えば１５ｍｍとし、断熱板保持領域３２０の断熱板保持柱３７、３８と断熱板保持プレート３２との曲面加工部３０３、３０４の半径Ｒは例えば１０ｍｍのように複数の領域での各柱とプレートとの付根部分に設けられた曲面加工部の半径Ｒを異ならせることができる。これらの半径Ｒは、ボート柱３３、３４や断熱板保持柱３７、３８の長さ、換言すれば、基板保持領域３１０と断熱板保持領域３２０の高さに応じて設定するものとし、例えば柱が長くなる（領域が大きくなる）のに伴い、半径Ｒを大きくことができる。
第１の実施形態によれば、ボート柱及び断熱板保持柱の付根部を各柱の内周側または外周側に曲面部を設けているため、耐震性に優れるという効果を有する。また、基板保持領域、断熱板保持領域のように、領域による各柱に掛かる負荷に応じた曲面率とすることで、各柱の幅の増加を抑制しつつ耐震性を向上させることができるため、ガス流れの基板への影響を抑制することが可能となる。
【００３１】
次に本発明に係る第２の実施形態について図４を用いて説明する。
第２の実施形態では、第１の実施形態と同じ構造のボートに更に、ボート補強用の補強柱を設け、この補強柱にスリットを設ける構造としたものである。
【００３２】
まず、基板保持領域３１０について説明する。ここでは、第１の実施形態で説明した点は省略する。本実施形態においては、ボート２１７に補強用の複数の補強柱３９を設け、更にこれら補強柱３９にガス通過のためのスリット４０を新たに設けたものである。補強柱３９は、柱状の石英あるいは炭化珪素等の耐熱性材料から構成されており、補強柱３９の外面と内面を貫通するように高さ方向に亘りスリット４０が設けられている。補強柱３９において、ベースプレート３０とトッププレート３１への付け根部分には、ボート柱３３、３４と同様な曲面加工部３０５が形成される。すなわち、補強柱３９において、スリット４０は、ボート柱３３、３４の載置部３６が設けられる範囲（上下方向の範囲）に形成される。
なお、このスリット４０は、１本の柱にスリットを設けた形状に限られるものではなく、２本の柱を上部及び下部で接続したものでも構わない。これら補強柱３９には、基板２００を載置するためのものではないので、基板載置部は設けられていない。
【００３３】
次に、断熱板保持領域について説明する。ここでも第１の実施形態で説明した点は省略する。本実施形態においては、ボート２１７の断熱板保持領域３２０に補強用の複数の補強柱４１を新たに設けたものである。補強柱４１において、ベースプレート３０と断熱板保持プレート３２への付け根部分には、断熱板保持柱３８と同様な曲面加工部３０６が形成される。
補強柱４１は、柱状の石英あるいは炭化珪素等の耐熱性材料から構成されており、前述の基板保持領域３１０における補強柱３９とは異なり、スリット４０を設ける必要が無い。
また、これら補強柱４０には、断熱板を載置するためのものではないので、断熱板載置部は設けられていないが、断熱板載置部を有していても構わない。
【００３４】
図５に第２の実施形態における、ガスとボート２１７と基板２００との関係を示す。図において、ボート２１７が基板処理中に矢印方向に回転している。ノズル２３３ａ、２３３ｂから処理ガス５００が基板２００に向け供給されている。補強柱３９がノズル２３３ａ、２３３ｂの前を通過する際、処理ガス５００は補強柱３９に形成されたスリット４０を通りガス５００が基板２００上に到達する。
このように補強柱３９を設けると共に、当該補強柱にスリット４０を設けることによって、ボート２１７の耐震性を向上させつつ、補強柱３９によるガス流れの影響を緩和することができる。なお、このスリット４０は、補強柱４０だけではなく、ボート柱３３、３４に形成しても構わない。
【００３５】
また、これらスリット４０は、ガスの流れをスムースにするため、スリット内面をテーパ状や曲面にしても構わない。図６には、補強柱３９の形状及びそれに伴う、スリット４０の様々な実施形態を示す。（ａ）は、補強柱３９が角柱であり、スリット４０はそれぞれの角柱３９の面に挟まれた例である。（ｂ）は、補強柱３９が円柱であり、スリット４０はそれぞれの円柱に挟まれており、スリットの内面が曲面の例である。（ｃ）は、補強柱３９が角柱であり、スリット４０はそれぞれの円柱に挟まれているが、角柱間のスリット４０がテーパ状になっている例である。（ｄ）は、補強柱３９間のスリット４０が曲面となっている例である。（ｂ）は、補強柱３９の角柱の角を面取りした例である。
【００３６】
以上のように、本実施形態においては、ボートに複数の領域（基板保持領域、断熱板保持領域）を有し、各領域に設けられた、補強用の柱を設け、基板保持領域側の補強用の柱にガス通過のためのスリットを設けたものである。このような構成により、ボートの耐震性を向上させつつ、ガス流れへの影響を抑制する事が可能となるという効果を奏する。
【００３７】
次に本発明に係る第３の実施形態について図７、８を用いて説明する。
図７は、ボート２１７を基板挿入側から見た斜視図であり、図８は、図７のＡ−Ａ´で縦方向に切断した場合のＡ−Ａ´矢視である。第３の実施形態では、第２の実施形態と同じ構造のボートにおいて、基板保持領域３１０と断熱板保持領域３２０におけるボート柱３４と３８の断面積を異ならせるものである。更に、基板保持領域３１０における各ボート柱３４、各補強柱３９と各ベースプレート３０、トッププレート３１との接続点の曲面加工部の曲面の半径Ｒを異ならせるものである。また、断熱板保持領域３２０における各補強柱と各トッププレート３１と断熱板保持プレート３２の接続点の曲面加工部の曲面の半径Ｒを異ならせるものである。なお、図７において、基板載置部の図示を省略している。
【００３８】
図７に示すように、基板保持領域３１０のボート柱３４と断熱板保持領域３２０における断熱板保持柱３８とでは、ボート柱３４の方が細くしている。すなわち断面積を小さくしている。これは、ボート柱３４におけるベースプレート３０との接続点において、ボート柱に曲面加工部即ち断面積の広い部分を有しているため、可能な構造となっている。このように、ボート２１７が上下方向に複数の領域を有している場合に、各領域に位置する柱の断面積を異ならせている。特に断熱板保持領域３２０の柱の断面積を基板保持領域３１０のボート柱３４のそれよりも広くすることにより、耐震性を一層向上させると共に、基板保持領域におけるガス流れへの影響を抑制することが可能となる。
【００３９】
続いて、各保持領域における各ボート柱３４、各補強柱３９と各ベースプレート３０、トッププレート３１、断熱板保持プレート３２との接続点の曲面加工部の曲面の半径Ｒを異ならせる点を説明する。図８に示すように、基板保持領域３１０におけるボート柱３３、３４のベースプレート３０との接続点の曲面加工部３０１、３０２、３０５の曲面の半径Ｒは例えば１５ｍｍであり、基板保持領域３１０におけるボート柱３３、３４のトッププレート３１との接続点の曲面加工部３０９、３１０の曲面の半径Ｒは例えば４ｍｍとして、柱の上下部のプレートとの接続点の曲面加工部のＲを変えている。特に上側の曲面加工部のＲを下側の曲面加工部のＲより小さくすることにより、耐震性を維持しつつ、ボート全高を抑えると共に、ガス流れの基板への影響を抑制することができる。
断熱板保持領域３２０においても同様であり、断熱板保持柱３７、３８とベースプレート３０との接続点３１１の曲面加工部の半径Ｒは例えば７ｍｍであり、断熱板保持柱３７、３８と断熱板保持プレート３２との接続点３０４、３０３の曲面加工部の半径Ｒは例えば１０ｍｍであり、各柱の上下部のプレートとの接続点の曲面加工部のＲを変えている。特に上側の曲面加工部のＲを下側の曲面加工部のＲより小さくすることにより、耐震性を維持することが可能となる。
【００４０】
本発明は、上述した実施形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々に変更が可能であることはいうまでもない。
【００４１】
（本発明の効果）
本発明によれば、以下に示す１つまたは複数の効果を奏する。
【００４２】
（ａ）ボートの耐震性が向上する。
（ｂ）補強柱によるガス流れへの影響を抑制することができる。
（Ｃ）ボート柱の有するプレートとの上下の接続部分において、上側の接続点の曲面加工部のＲを下側の接続点の曲面加工部のＲより小さくすることにより、耐震性を維持し、ボートの全高を抑えることができる。
【００４３】
なお、本発明は、ＣＶＤ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｖａｐｏｒ  Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法、ＡＬＤ（Ａｔｏｍｉｃ  Ｌａｙｅｒ  Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法、ＰＶＤ（Ｐｈｙｓｉｃａｌ  Ｖａｐｏｒ  Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法等による酸化膜や窒化膜、金属膜等の種々の膜を形成する成膜処理を行う場合に適用できるほか、プラズマ処理、拡散処理、アニール処理、酸化処理、窒化処理、リソグラフィ処理等の他の基板処理を行う場合にも適用できる。また、本発明は、薄膜形成装置の他、エッチング装置、アニール処理装置、酸化処理装置、窒化処理装置、露光装置、塗布装置、モールド装置、現像装置、ダイシング装置、ワイヤボンディング装置、乾燥装置、加熱装置、検査装置等の他の基板処理装置にも適用できる。
【００４４】
また、本発明は、本実施形態に係る基板処理装置１００のような半導体ウエハを処理する半導体製造装置等に限らず、ガラス基板を処理するＬＣＤ（Ｌｉｑｕｉｄ  Ｃｒｙｓｔａｌ  Ｄｉｓｐｌａｙ）製造装置や太陽電池製造装置等の基板処理装置にも適用できる。
【００４５】
＜本発明の好ましい態様＞
以下に、本発明の好ましい態様について付記する。
【００４６】
（付記１）
一態様によれば、
複数の基板を上下に所定の間隔をもって保持する基板保持具において、前記基板が載置される載置部が設けられた複数本の支柱と、前記支柱の上部と下部に接続されたプレートとを備え、前記支柱は、前記プレートとの接続部分において前記基板保持具の内周側に形成された曲面加工部を有する基板保持具。
【００４７】
（付記２）
付記１の基板保持具であって、好ましくは、更に前記複数本の支柱の間に前記載置を備えない補強柱を有する。
【００４８】
（付記３）
付記２の基板保持具であって、好ましくは、複数の領域を有し、各領域において前記支柱と前記プレートとの接続部分には、領域の大きさに応じた曲率の曲面加工部が形成される。
【００４９】
（付記４）
付記３の基板保持具であって、好ましくは、前記補強柱には、柱の上下方向に亘ってスリットが設けられる。
【符号の説明】
【００５０】
３０                ベースプレート
３１                トッププレート
３２                断熱保持プレート
３３、３４          ボート柱
３９、４１          補強柱
２００              基板
２０２              処理炉
２１７              ボート（基板保持具）
３０１、３０２      曲面加工部
３１０              基板保持領域
３２０              断熱板保持領域
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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