(57)【要約】【課題】製造を効率化しつつ、層間絶縁膜の剥がれを回避することができる光偏向器を提供する。【解決手段】光偏向器１は、アクチュエータ部とパッド部とを備える。アクチュエータ部は、Ｓi層２４の基板層上に１０００ｎｍ以上の厚さで形成された表面ＳiＯ２層２５の酸化膜層と、酸化膜層上に形成され、ＰＺＴ層３２を含むアクチュエータ層３０とを備える。パッド部は、アクチュエータ層３０のエッチング後の酸化膜層の上に形成されたＴＥＯＳ膜３６の層間絶縁膜と、層間絶縁膜上に金属配線４２の配線部の端部として形成された配線層と、配線層上に金属薄膜５４のボンディングパッドとして形成されたパッド層とを備える。【選択図】図５
2015102592.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ミラー部と、該ミラー部を回動させるアクチュエータ部と、上面にボンディングパッドを形成したパッド部と、該パッド部から前記アクチュエータ部に電圧を印加するための配線部とを備える光偏向器であって、
基板層と、該基板層上に１０００ｎｍ以上の厚さで形成された酸化膜層と、該酸化膜層上に形成され、圧電膜層を含むアクチュエータ層とを備える積層構造を有し、
前記アクチュエータ部は、前記積層構造を含み、
前記パッド部は、前記積層構造の上面側からの前記アクチュエータ層のエッチングにより露出した前記酸化膜層の上に形成された層間絶縁膜と、前記層間絶縁膜上に前記配線部の端部として形成された配線層と、前記配線層上に前記ボンディングパッドとして形成されたパッド層とを含むことを特徴とする光偏向器。
【請求項２】
請求項１記載の光偏向器において、
前記ミラー部は、前記積層構造の上面側からの前記アクチュエータ層及び前記酸化膜層のエッチングより露出した前記基板層上に成膜された光反射膜を含むことを特徴とする光偏向器。
【請求項３】
請求項１又は２記載の光偏向器において、前記積層構造の前記酸化膜層の厚さは２０００ｎｍ以下であることを特徴とする光偏向器。
【請求項４】
ミラー部と、該ミラー部を回動させるアクチュエータ部と、ボンディングパッドをもつパッド部と、該パッド部から前記アクチュエータ部に電圧を印加するための配線部とを備える光偏向器の製造方法であって、
基板層と、前記基板層上に１０００ｎｍ以上の厚さで形成された酸化膜層と、前記酸化膜層上に形成され、圧電膜層を含むアクチュエータ層とを備える積層構造を作成する第１工程と、
前記積層構造における前記アクチュエータ部の部位を残して、前記アクチュエータ層をエッチングする第２工程と、
層間絶縁膜を上側から全面にわたり形成する第３工程と、
前記層間絶縁膜上の前記アクチュエータ部の部位にコンタクトホールを形成して、前記アクチュエータ層を露出する第４工程と、
前記アクチュエータ部の部位の前記アクチュエータ層と前記パッド部の部位とを接続する配線層を前記配線部として形成する第５工程と、
パッシベーション膜を上側から全面にわたり形成する第６工程と、
前記パッド部の部位における前記パッシベーション膜にコンタクトホールを形成する第７工程と、
前記パッド部の部位の前記コンタクトホール内に前記ボンディングパッドとしてのパッド層を形成する第８工程とを備えることを特徴とする製造方法。
【請求項５】
請求項４記載の製造方法において、
前記第７工程と前記第８工程との間に、前記ミラー部の部位において前記パッシベーション膜と前記酸化膜層とのエッチングにより前記基板層の上面を露出させる工程を追加し、
前記第８工程では、前記パッド部の部位における前記コンタクトホール内と、前記ミラー部の部位における前記基板層の上面とにおいて同一の金属材料による成膜を行って、前記パッド部の前記パッド層と前記ミラー部の光反射膜とを同時に形成することを特徴とする製造方法。
【請求項６】
請求項４又は５記載の製造方法において、
前記第１工程における前記酸化膜層の厚さは、２０００ｎｍ以下であることを特徴とする製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ＭＥＭＳ（Micro−Electro−Mechanical Systems）技術により製造される光偏向器及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
例えば特許文献１に示されるように、ＭＥＭＳ技術による光偏向器は、ミラー部と、該ミラー部を回動させるアクチュエータ部と、ボンディングパッドを含むパッド部と、ボンディングパッドからアクチュエータ部に電圧を印加するための配線部とを備えている。
【０００３】
このような光偏向器の従来の製造方法では、アクチュエータ部を作製するために、ＳＯＩ（Silicon on Insulator）基板の全面において、圧電膜層とその両側の電極層とを含むアクチュエータ層をＳＯＩ基板の酸化シリコン層上に形成し、次に、アクチュエータ部の部位を残して、アクチュエータ層をエッチングした後、全面に層間絶縁膜を形成し、次に、ミラー部の光反射膜及びパッド部のボンディングパッドを形成する。
【０００４】
上記の製造方法で用いられるＳＯＩ基板における酸化シリコン層の厚さは、特許文献２に示されるように、４０〜３００ｎｍが一般的である。
【０００５】
また、後述のように、ＳＯＩ基板のシリコン層又は酸化シリコン層の上に形成した層間絶縁膜が剥がれるのを防止するため、特許文献３に示されるように、シリコン層又は酸化シリコン層の上にＷ−ＳｉやＴiＮの層を蒸着により形成する方法も知られている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特許第４９２６５９６号公報
【特許文献２】特許第５１５４２４３号公報
【特許文献３】特開２００１−１３５７９８号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
上記のように、従来のＳＯＩ等のシリコン基板における酸化シリコン層の厚さは、４０〜３００ｎｍと薄い。このため、酸化シリコン層の上に、圧電膜の層を含むアクチュエータ層を形成した積層構造を作成し、該積層構造から、パッド部やミラー部の部位においてアクチュエータ層をエッチングするときに、次のような問題が生じていた。
【０００８】
すなわち、エッチングによりアクチュエータ層と共にシリコン基板の上面側の薄い酸化シリコン層も一部が除去されて、酸化シリコン層の下のシリコン層が一部露出する。そして、パッド部では、アクチュエータ層のエッチング後に、ＴＥＯＳ（Tetra Ethyl Ortho Silicate）膜等の層間絶縁膜が成膜されるが、露出したシリコン層の上に層間絶縁膜が成膜されると、層間絶縁膜が剥がれ易くなり、不良の原因になる。
【０００９】
そこで、層間絶縁膜の剥がれを回避するため、上記特許文献３に示されているように、シリコン基板層の上にＷ−シリコンやＴiＮの層を蒸着するようにすると、その分、工数が増大する。
【００１０】
さらに、アクチュエータ層をエッチングすると、アクチュエータ層の上面の凹凸が酸化シリコン層の上面に転写され、凹凸の大きい上面になる。従って、ミラー部の光反射膜が、凹凸の大きい酸化シリコン層の上面に形成されると、凹凸の大きい光反射膜が形成され、ミラー部の反射率が低下するという問題もあった。
【００１１】
本発明の目的は、製造工程を増やすことなく、層間絶縁膜の剥がれを回避できる光偏向器及びその製造方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
本発明の光偏向器は、ミラー部と、該ミラー部を所定の軸線の回りに回動させるアクチュエータ部と、上面にボンディングパッドを形成したパッド部と、該パッド部から前記アクチュエータ部に電圧を印加するための配線部とを備える光偏向器であって、基板層と、前記基板層上に１０００ｎｍ以上の厚さで形成された酸化膜層と、前記酸化膜層上に形成され、圧電膜層を含むアクチュエータ層とを備える積層構造を有し、前記アクチュエータ部は、前記積層構造の全体を含み、前記パッド部は、前記積層構造の上面側からの前記アクチュエータ層のエッチングにより露出した前記酸化膜層の上に形成された層間絶縁膜と、前記層間絶縁膜上に前記配線部の端部として形成された配線層と、前記配線層上に前記ボンディングパッドとして形成されたパッド層とを含むことを特徴とする。
【００１３】
本発明者は、光偏向器の基板層と酸化膜層とアクチュエータ層とを備える積層構造においてアクチュエータ層のエッチング処理を行ったとき、酸化膜層の下の基板層が露出するのを確実に回避するには、酸化膜層の厚さを、従来は考えられなかった大きさにする必要があるとの思想に基づき、その具体的な厚さは１０００ｎｍ以上であればよいことを見出した。従って、本発明の光偏向器においては、アクチュエータ層は、１０００ｎｍ以上の厚さで形成された酸化膜層の上に形成される。これにより、アクチュエータ層のエッチング処理を行ったとき、酸化膜層の下の基板層が露出することはなく、パッド部の部位において、酸化膜層の上に形成された層間絶縁膜は、全面で酸化膜層と接触することとなり、層間絶縁膜の剥がれが防止される。
【００１４】
また、本発明によれば、パッド部の部位において層間絶縁膜の剥がれを防止するために、従来のＷ−シリコンやＴiＮの層を蒸着する工程が省略できるので、光偏向器の製造コストが抑えられると共に製造効率もよい。
【００１５】
本発明の光偏向器において、前記ミラー部は、前記積層構造の上面側からの前記アクチュエータ層及び前記酸化膜層のエッチングより露出した前記基板層上に成膜された光反射膜を含むことができる。
【００１６】
この構成によれば、ミラー部の光反射膜は、アクチュエータ層及び酸化膜層が除去された後の基板層上に成膜されるので、光反射膜の反射面の平滑度が改善され、反射面の反射率を向上することができる。
【００１７】
本発明の光偏向器において、前記積層構造の前記酸化膜層の厚さは、２０００ｎｍ以下であることが好ましい。
【００１８】
この構成によれば、基板層上の酸化膜層の形成時間の長大化に因るコスト増大を回避しつつ、パッド部の部位における層間絶縁膜の剥がれを防止することができる。
【００１９】
本発明の製造方法は、ミラー部と、該ミラー部を所定の軸線の回りに回動させるアクチュエータ部と、ボンディングパッドをもつパッド部と、該パッド部から前記アクチュエータ部に電圧を印加するための配線部とを備える光偏向器の製造方法であって、基板層と、前記基板層上に１０００ｎｍ以上の厚さで形成された酸化膜層と、前記酸化膜層上に形成され、圧電膜層を含むアクチュエータ層とを備える積層構造を作成する第１工程と、前記積層構造における前記アクチュエータ部の部位を残して、前記アクチュエータ層をエッチングする第２工程と、層間絶縁膜を上側から全面にわたり形成する第３工程と、前記層間絶縁膜上の前記アクチュエータ部の部位にコンタクトホールを形成して、前記アクチュエータ層を露出する第４工程と、前記アクチュエータ部の部位の前記アクチュエータ層と前記パッド部の部位とを接続する配線層を前記配線部として形成する第５工程と、パッシベーション膜を上側から全面にわたり形成する第６工程と、前記パッド部の部位における前記パッシベーション膜にコンタクトホールを形成する第７工程と、前記パッド部の部位の前記コンタクトホール内に前記ボンディングパッドとしてのパッド層を形成する第８工程とを備えることを特徴とする。
【００２０】
本発明の製造方法によれば、積層構造において、アクチュエータ層は、１０００ｎｍ以上の厚さで形成された酸化膜層の上に形成されることになる。従って、第２工程において、パッド部の部位においてアクチュエータ層のエッチングを行っても、酸化膜層の下の基板層が露出することが確実に回避される。この結果、パッド部の部位において層間絶縁膜は、全面にわたり酸化膜層と接触することとなり、パッド部における層間絶縁膜の剥がれを防止することができる。
【００２１】
本発明の製造方法によれば、パッド部の部位において層間絶縁膜の剥がれを防止するために、Ｗ−ＳiやＴiＮの層を蒸着する工程を省略できるので、製造効率を高めることができる。
【００２２】
本発明の製造方法において、前記第７工程と前記第８工程との間に、前記ミラー部の部位において前記パッシベーション膜と前記酸化膜層とのエッチングにより前記基板層の上面を露出させる工程を追加し、
前記第８工程では、前記パッド部の部位における前記コンタクトホール内と、前記ミラー部の部位における前記基板層の上面とにおいて同一の金属材料による成膜を行って、前記パッド部の前記パッド層と前記ミラー部の光反射膜とを同時に形成することができる。
【００２３】
この構成によれば、パッド部のボンディングパッド及びミラー部の光反射膜を第８工程でまとめて作製するので、光偏向器の製造効率を高めることができる。また、ミラー部の光反射膜は、アクチュエータ層及び酸化膜層が除去された後の基板層上に成膜されるので、光反射膜の反射面の平滑度が改善され、反射面の反射率を向上することができる。
【００２４】
本発明の製造方法において、前記第１工程における前記酸化膜層の厚さは、２０００ｎｍ以下であることができる。
【００２５】
この構成によれば、基板層上の酸化膜層の形成時間の長大化に因るコスト増大を回避しつつ、パッド部の部位における層間絶縁膜の剥がれを防止することができる。
【図面の簡単な説明】
【００２６】
【図１】光偏向器の斜視図。
【図２】光偏向器の製造方法の第１の工程範囲の説明図。
【図３】光偏向器の製造方法の第２の工程範囲の説明図。
【図４】光偏向器の製造方法の第３の工程範囲の説明図。
【図５】光偏向器の製造方法の第４の工程範囲の説明図。
【図６】光偏向器の所定の製造工程におけるパッド部位の構造状態を（ａ）実施形態の製造方法と（ｂ）の従来の製造方法とで対比して示した図。
【図７】光偏向器の所定の製造工程におけるミラー部位の構造状態を（ａ）実施形態の製造方法と（ｂ）比較例の製造方法とで対比して示した図。
【図８】酸化膜の厚さの異なるＳＯＩ基板から製造した光偏向器の歩留まり率を示すグラフ。
【図９】酸化膜の厚さの異なるＳＯＩ基板から製造した光偏向器のミラー部の表面粗さ及び平均反射率を示すグラフ。
【発明を実施するための形態】
【００２７】
図１を参照して、光偏向器１の構成について説明する。光偏向器１は、図２以降で説明するように、ＭＥＭＳ技術を利用して製造され、下から順番に支持板１８、ＳＯＩ基板２０及び上部積層部１９が積層された構造となっている。支持板１８は、ＳＯＩ基板２０の下面に固定される。
【００２８】
光偏向器１は、中心に配置されるミラー部２、ミラー部２を外側から包囲する矩形の内側枠部３、及び内側枠部３を外側から包囲する矩形の外側枠部４を主要構成要素として備えている。
【００２９】
説明の便宜上、光偏向器１の縦方向及び横方向を、それぞれ外側枠部４の短辺に平行な方向及び長辺に平行な方向と定義する。図１では、左斜め下−右斜め上の方向が光偏向器１の縦方向であり、左斜め上−右斜め下の方向が光偏向器１の横方向となる。また、光偏向器１が、光を入射及び反射する側を光偏向器１の表側と定義し、表側とは反対側を光偏向器１の裏側と定義する。
【００３０】
１対のトーションバー５は、その軸線を縦方向に揃えて、ミラー部２に対して縦方向両側に配設され、ミラー部２に先端側を結合している。トーションバー５の基端側は内側枠部３の横辺の内周側の中心部に結合している。なお、トーションバー５の基端側は、内側枠部３の内周に結合することなく、内側枠部３の内周から分離していてもよい。
【００３１】
各トーションバー５に対して、横方向両側には内側アクチュエータ６が１つずつ配設されている。内側アクチュエータ６は、横方向へ直線の形状であり、基端側及び先端側においてそれぞれ内側枠部３の内周及びトーションバー５に結合している。トーションバー５への内側アクチュエータ６の結合位置は、ミラー部２の周縁から所定距離、離れた縦方向位置に設定されている。
【００３２】
内側アクチュエータ６は、圧電膜を利用したカンチレバー式の圧電アクチュエータとなっている。光偏向器１が光スキャナ等に組み込まれた場合には、横方向両側の内側アクチュエータ６は、光スキャナの制御器（図示せず）からの印加電圧により駆動される。該印加電圧は、周波数がミラー部２及びトーションバー５を含む構造部分の共振周波数と同一周波数（以下、「第１周波数」という。）で、かつ横方向両側の内側アクチュエータ６において、相互に逆の位相とされる。
【００３３】
この結果、横方向両側の内側アクチュエータ６としてのカンチレバーは、相互に逆位相で撓み量を増減し、トーションバー５を第１回転軸線の回りに同一の回転方向に駆動する。第１回転軸線は、トーションバー５の軸線に一致し、ミラー部２の中心を通るように設定されている。
【００３４】
制御器（図示せず）から内側アクチュエータ６へカンチレバーの印加電圧として供給される制御電圧は、第１周波数で増減するので、ミラー部２は、第１回転軸線の回りに第１周波数で往復回動する。
【００３５】
１対の外側アクチュエータ７は、内側枠部３に対して横方向両側に配設される。各外側アクチュエータ７は、ミアンダパターンで直列に結合された複数（図示の例では４つ）のカンチレバー１３を有し、基端側を外側枠部４の縦辺部の一端側（図１において下側の横辺部側）に結合し、先端側を内側枠部３の縦辺部の一端側に結合している。
【００３６】
各カンチレバー１３は、１つのアクチュエータとして作動可能な構造を有している。従って、外側アクチュエータ７の全体の作用は、４つのアクチュエータとしての４つのカンチレバー１３の協働作用となる。
【００３７】
各外側アクチュエータ７において、カンチレバー１３は、長手方向を光偏向器１の縦方向に揃えて、並設され、横方向に隣り関係のカンチレバー１３同士は、折返し部を介して端部において相互に連結されている。これにより、外側アクチュエータ７は、複数のカンチレバー１３が直列に結合した構造になっている。
【００３８】
各外側アクチュエータ７の複数のカンチレバー１３に対し、外側アクチュエータ７の基端側から先端側への配列順に番号１〜４を付けると、各カンチレバー１３の後述のＰＺＴ（チタン酸ジルコン酸鉛）層３２への光スキャナの制御器（図示せず）からの所定の印加電圧の供給により、カンチレバー１３の撓み量は、奇数番のカンチレバー１３同士、及び偶数番のカンチレバー１３同士では、同一位相で増減する。また、奇数番のカンチレバー１３の撓み量と偶数番のカンチレバー１３の撓み量とは、相互に逆位相で増減する。これにより、ミラー部２に対して横方向両側の外側アクチュエータ７は、協働して、内側枠部３の縦方向の一端側を第２回転軸線の回りに往復回動させる。第２回転軸線とは、光偏向器１の横方向に平行な直線であり、ミラー部２の中心において第１回転軸線と直交する。
【００３９】
電極パッド８，９は、外側枠部４の一方及び他方の縦辺部の表側の面にそれぞれ配備される。電極パッド８は、ミラー部２に対して電極パッド８側に配設された内側アクチュエータ６及び外側アクチュエータ７内の電極端子に金属配線４２（図３）を介して接続され、電極パッド９は、ミラー部２に対して電極パッド９側に配設された内側アクチュエータ６及び外側アクチュエータ７内の電極端子に金属配線４２（図３）を介して接続される。電極パッド８，９は、ボンディングパッドとして、光偏向器１が収納されるパッケージ（図示せず）の端子と、図示しないボンディングワイヤを介して接続される。
【００４０】
光偏向器１の全体の作用を簡単に説明する。ミラー部２は、内側アクチュエータ６及び外側アクチュエータ７の作動により第１及び第２回転軸線の回りにそれぞれ第１及び第２周波数で往復回動しつつ、図示していない光源（例：レーザ光源）からの一定方向の光を表側からミラー部２の表側のミラー面に入射され、該光を第１及び第２回転軸線の回りの回転角に応じた角度で反射して、表側に出射する。
【００４１】
光偏向器１からの出射光は、横方向及び縦方向へ所定の走査角範囲でかつ所定の振動数で往復する走査光となる。なお、通常、第２周波数は、第１周波数より低い値となっている。また、第２周波数での外側アクチュエータ７による第２軸線回りのミラー部２の往復回動には、ミラー部２及びトーションバー５を含む構造部分の共振は利用されない。従って、外側アクチュエータ７によるミラー部２の回転駆動力は、内側アクチュエータ６によるミラー部２の回転駆動力よりも大きくする必要がある。
【００４２】
光偏向器１は、典型的には、その縦方向及び横方向をそれぞれ鉛直方向及び水平方向に揃えて、設置される。その場合、第１回転軸線の回りのミラー部２の回動によりミラー部２からの反射光は水平方向へ往復変位する。また、第２回転軸線の回りのミラー部２の回動によりミラー部２からの反射光は鉛直方向へ往復変位する。これにより、光偏向器１からの反射光は、照射先を縦横に走査する光として出射される。
【００４３】
光偏向器１は、その光源と共に、光スキャナに実装される。該光スキャナは、例えば、プロジェクタ、バーコードリーダ、レーザプリンタ、レーザヘッドアンプ、又はヘッドアップディスプレイ等に装備される。
【００４４】
次に、図２〜図５を参照して、光偏向器１の製造方法について説明する。説明の便宜上、光偏向器１の上下を図２〜図５の上下として説明する。この上下は、図１の説明時に光偏向器１の表側及び裏側とした側に一致する。
【００４５】
ＳＴＥＰ１では、ＳＯＩ基板２０が用意される。ＳＯＩ基板２０は、下面側から上面側へ順番に裏面ＳiＯ２層２１、単結晶ＳiのＳiハンドリング層２２、中間ＳiＯ２層２３、単結晶ＳiのＳi層２４及び表面ＳiＯ２層２５が積層した積層構造を備えている。ＳＯＩ基板２０の各層の厚さを例示すると、次のとおりである。
【００４６】
裏面ＳiＯ２層２１の厚さ：５００ｎｍ〜２０００ｎｍ／Ｓiハンドリング層２２の厚さ：１００ 〜６００μｍ／中間ＳiＯ２層２３の厚さ：０．５〜２μｍ／Ｓi層２４の厚さ：２０〜１５０μｍ／表面ＳiＯ２層２５の厚さ：１０００ｎｍ〜２０００ｎｍ。Ｓi（シリコン）層２４の上面は光学研磨処理がなされている。表面ＳiＯ２層２５は、Ｓi層２４の光学研磨処理がなされている上面に積層されている。
【００４７】
ＳＴＥＰ２では、ＳＯＩ基板２０の上面にアクチュエータ層３０が積層される。アクチュエータ層３０は、下側から上側へ順番に金属薄膜から成る下部電極層３１、ＰＺＴ（チタン酸ジルコン酸鉛）から成る圧電膜層としてのＰＺＴ層３２、金属薄膜から成る上部電極層３３の積層構造から成る。下部電極層３１の金属薄膜は、Ｐt（白金）及びＴi（チタン）から成り、最初に、表面ＳiＯ２層２５の上面に、下側層としてＴiを１０〜１００ｎｍ蒸着させ、次に上側層としてＰt（白金）を１００〜３００ｎｍ程度蒸着させて、作製される。電極形成のための蒸着方法としては、スパッタ法やＥＢ蒸着法等がある。また、金属薄膜は、上記材料に限定されず、例えばＩＴＯ（Indiuｍ Tin Oxide）やＳＲＯ（strontium ruthenium oxide）といった酸化膜導電体でも構わない。
【００４８】
ＰＺＴ層３２は、例えば特開２００１−２３４３３１号公報、特開２００２−１７７７６５号公報、及び特開２００３−８１６９４号公報に記載されている反応性アーク放電を利用したイオンプレーティング法により成膜する。下部電極層３１及び上部電極層３３の成膜厚さは１〜１０μｍ程度である。また、上部電極層３３のＰＺＴ層３２は、スパッタ法、ゾルゲル法等により成膜することもできる。ただし、イオンプレーティング法による成膜では、バルクの圧電体と同等の圧電特性を有する圧電膜を形成することができる。
【００４９】
上部電極層３３は、ＰＺＴ層３２上に成膜された金属薄膜から成る。上部電極層３３の材料として、Ｐtを１００〜３００ｎｍ程度蒸着させた後、Ｔiを１０〜１００ｎｍ 程度蒸着させている。電極形成方法としては、スパッタ法やＥＢ蒸着法等により蒸着させる。また金属薄膜は上記材料の他に、例えばＩＴＯやＳＲＯといった酸化膜導電体であってもよい。
【００５０】
ＳＴＥＰ３以降について説明する。ＳＴＥＰ３以降の各ＳＴＥＰの図において、Ａmはミラー部２の部位を示し、Ａaは内側アクチュエータ６及びカンチレバー１３の部位を示し、Ａpは電極パッド８，９の部位を示している。図２〜図５の構造図は、光偏向器１の製造方法を分かり易く説明するために、模式的に示しており、図１の光偏向器１の構成とは正確に対応していない。図１には図示されているが、実施形態の製造方法の説明に直接関係ない素子の図示はＳＴＥＰ３以降の構造図から省略している。
【００５１】
ＳＴＥＰ３では、フォトリソグラフィー技術を用いて、上側から順番に、すなわち上部電極層３３、ＰＺＴ層３２及び下部電極層３１の順番に形状加工を行う。具体的に説明すると、パターニングしたレジスト材料をマスクとして上部電極層３３のエッチングを行う。エッチングは、ＲＩＥ（Reactive Ion Etching）装置を用いてドライエッチングを行う。
【００５２】
ＰＺＴ層３２に対しても同様に、アクチュエータ部位Ａa以外の部位では、ドライエッチングにより除去する。なお、アクチュエータ部位Ａaの全領域が、アクチュエータになるのではなく、一部領域は、ミラー部２の回転角を検出するセンサーとして使用される。該センサーの圧電膜層としてのＰＺＴ層３２には、ミラー部２の回転角に対応する応力が作用し、ミラー部２の回転角に応じた電圧を出力する。ＰＺＴ層３２のエッチングは、ドライエッチングに代えて、酸系（ＨＣl、ＨＮＯ３など）を用いたウェットエッチングを使用することもできる。
【００５３】
下部電極層３１についても、上部電極層３３と同様なドライエッチングを行う。このような加工により内側アクチュエータ６及び外側アクチュエータ７の形成がなされる。なお、このエッチングの際、ミラー部位Ａm及びパッド部位Ａpの表面ＳiＯ２層２５がエッチングされないような膜厚が必要とされる。これは、ＰＺＴ層３２の表面の凹凸がＳi層２４のシリコン面（後に一部がミラー面となる）に転写されて、深部において部分的にＳi層２４が露出すると、ミラー部２のミラー面の反射率の低下につながるからである。
【００５４】
ＳＴＥＰ４では、ＳＯＩ基板２０の全面に薄膜のＴＥＯＳ膜３６を層間絶縁膜として形成する。ＴＥＯＳ膜３６の材料としては、酸化膜（ＳiＯ２）及び窒化膜（ＳiＮ）が用いられる。ＴＥＯＳ膜３６の厚さは１００〜１０００ｎｍ程度とする。また、成膜に関しては、原料としてＳiＨ４（シランガス）を用いる成膜方法などでもよいが、ＴＥＯＳ膜３６がより望ましい。なぜならば、原料としてプラズマＣＶＤを用いた成膜方法でＴＥＯＳ膜３６を成膜することにより、膜応力、膜密度などが制御できるだけでなく、圧電素子に特有な数μｍ程度の高い段差を円滑に被膜することができるからである。
【００５５】
図３のＳＴＥＰ５では、アクチュエータ部位ＡaにおいてＴＥＯＳ膜３６の上面から上部電極層３３に導通できるようなコンタクトホール３９を空けるために、ＴＥＯＳ膜３６上に形状加工を行う。具体的には絶縁膜上にフォトリソグラフィー技術を用いてレジスト材料をパターニングし、パターニングしたレジスト材料をマスクとしてＴＥＯＳ膜３６に、ＲＩＥ装置を用いてドライエッチングを行い層間絶縁膜を除去する。こうして、アクチュエータ部位Ａaにおいて、ＴＥＯＳ膜３６にコンタクトホール３９を任意の形状で形成することができる。
【００５６】
ＳＴＥＰ６では、ＴＥＯＳ膜３６上に薄膜の金属配線４２を形成する。具体的には絶縁膜上にフォトリソグラフィー技術を用いてレジスト材料をパターニングし、パターニングしたレジスト材料をマスクとしてＴＥＯＳ膜３６上に金属材料の蒸着を行う。金属配線４２の蒸着後、リフトオフを用いて、金属配線４２の形成を行う。金属材料には、Ａl、Ａu、Ｐt、Ｃuといった単体の金属材料や、Ａl−ＮdやＡl−Ｃuといった合金系の材料が用いられる。また蒸着方法もＥＢ蒸着法やスパッタ法などを用いて蒸着される。金属配線４２の厚さは １００〜１０００ｎｍ程度である。
【００５７】
金属配線４２のアクチュエータ部位Ａa側の端は、前工程のＳＴＥＰ５で加工したコンタクトホール３９の上面で上部電極層３３と接触し、導通されている。なお、下部電極層３１は、光偏向器１に共通のアースであり、各アクチュエータごとに金属配線４２に接続される必要はない。
【００５８】
ＳＴＥＰ７では、ＳＯＩ基板２０の全面にわたり上側から薄膜のパッシベーンション膜４５を防湿膜として形成する。パッシベーンション膜４５の材料としては、窒化膜（ＳiＮ）が用いられる。パッシベーンション膜４５の厚さは、１００〜１０００ｎｍ程度とする。パッシベーンション膜４５のその他の材料として、原料としてＳiＨ４（シランガス）を用いるＳiＯ２膜でもよいが、外部からの不純物の拡散や、吸湿性に対して高い信頼性を持つＳiＮ膜をパッシベーション膜として使用することが望ましい。
【００５９】
ＳＴＥＰ８では、パッド部位Ａpにおいて、コンタクトホール４８をパッシベーンション膜４５に形成する。具体的には、パッシベーンション膜４５上にフォトリソグラフィー技術を用いてレジスト材料をパターニングし、パターニングしたレジスト材料をマスクとしてパッシベーンション膜４５にＲＩＥ装置を用いてドライエッチングを行い、パッシベーンション膜４５の一部を除去し、コンタクトホール４８を形成する。
【００６０】
図４のＳＴＥＰ９では、ミラー部位Ａmにおいて、フォトリソグラフィー技術を用いて、パッシベーンション膜４５、ＴＥＯＳ膜３６及び表面ＳiＯ２層２５の形状加工を行って、孔５１を形成する。孔５１の底面は、Ｓi層２４の上面となっている。具体的には、パターニングしたレジスト材料をマスクとして、パッシベーンション膜４５、ＴＥＯＳ膜３６及び表面ＳiＯ２層２５のエッチングを該マスクにて行うことができる。エッチングはＲＩＥ装置を用いてドライエッチングを行う。
【００６１】
ＳＴＥＰ９のエッチングでは、ＳiとＳiＯ２とのエッチングレート差を利用して、表面ＳiＯ２層２５のみを選択的にエッチングして、Ｓi層２４はエッチングされないようにする。このような選択エッチングにより、Ｓi層２４の露出面は平坦度の高いものになる。
【００６２】
なお、ミラー部２のミラー面の加工に関しては酸系（ＢＨＦ（超高純度バッファードフッ酸）など）を用いたウェットエッチングを使用することもできる。また、本エッチング加工で露出された Ｓi基板面に後述する金属薄膜５４を蒸着工程を行うことで、ＭＥＭＳミラー面となる。
【００６３】
ＳＴＥＰ１０では、電極パッド８，９のボンディングパッドとミラー部２の光反射膜としての金属薄膜５４を同時に共通の金属で形成する。前工程のＳＴＥＰ８，９で加工されているパッド部位Ａpのコンタクトホール４８の中とミラー部位Ａmの孔５１内に露出しているＳi層２４とに金属材料の蒸着を行う。電極パッド８，９のボンディングパッドとミラー部２の光反射膜との金属材料には、Ａu、Ｐtといった単体の金属材料や、Ａl（アルミニウム）−Ｎd（ネオジム）やＡl−Ｃu（銅）といった合金系の材料が用いられる。 特に、求められる用途（波長領域）によりミラー部２に使用される金属材料を変化させて、蒸着を行うことで任意のミラー部２としての反射率を得ることができる。 また蒸着方法については、ＥＢ蒸着法やスパッタ法などを用いて金属蒸着される。
【００６４】
ミラー部位Ａmにおいて、光反射膜としての金属薄膜５４の厚さは １００〜１０００ｎｍ程度である。また、パッド部位Ａpでは、ボンディングパッドとしての金属薄膜５４は、前工程で加工したコンタクトホール４８内で金属配線４２と接続される。これにより、所定の位置で電極パッド８，９を形成することができ、ボンディングワイヤにより外部パッケージの端子に接続することができる。
【００６５】
ＳＴＥＰ１１では、ミラー部位Ａmの金属薄膜５４にＳiＯ２／ＴiＯ２からなる増反射膜５７を形成する。ＳＴＥＰ１１で蒸着される増反射膜５７は、ＳiＯ２を含む積層構造であるため、ＭＥＭＳミラー面を外部から保護（不純物の付着や傷）する機能も果たしている。増反射膜５７として成膜される厚さは、１層が４０〜２５０ｎｍ程度の厚さで、積層構造により構成されている。
【００６６】
ＳＴＥＰ１２では、ミラー部位Ａmにおいて、ＳＯＩ基板２０のＳi層２４の加工を行う。これにより、ミラー部位Ａmの周囲（図１のトーションバー５側を除く）に深堀溝６０が形成される。具体的な加工方法では、絶縁膜上にフォトリソグラフィー技術を用いてレジスト材料をパターニングし、パターニングしたレジスト材料をマスクとしてＳi層２４の加工を行う。この加工の際、Ｄｅｅｐ−ＲＩＥ装置を用いることによりＳi層２４の深堀りエッチングを行って、深堀溝６０を形成する。このＤｅｅｐ−ＲＩＥ装置は、マイクロマシニング技術で使用されるドライエッチング装置であり、Ｓiを垂直に深堀りすることが可能な装置である。
【００６７】
ＳＴＥＰ１３では、次のＳＴＥＰ１４において、ＳＯＩ基板２０のＳiハンドリング層２２を加工するため、その前段階として裏面ＳiＯ２層２１のエッチングを行って、裏面ＳiＯ２層２１に浅い孔６３を形成する。エッチングについては前工程までと同様のＳiＯ２のドライエッチング方法と同様である。
【００６８】
ＳＴＥＰ１４では、Ｓiハンドリング層２２の形状加工を行う。具体的には絶縁膜上にフォトリソグラフィー技術を用いてレジスト材料をパターニングし、パターニングしたレジスト材料をマスクとしてＳiハンドリング層２２に変位許容空間６５を形成する。ＳＴＥＰ１３の浅い孔６３は、変位許容空間６５に統合される。変位許容空間６５の形成では、Ｄｅｅｐ−ＲＩＥ装置を用いることでＳiの深堀りエッチングを行う。このＤｅｅｐ−ＲＩＥ装置は、マイクロマシニング技術で使用されるドライエッチング装置であり、Ｓiハンドリング層２２を垂直に深堀りすることが可能な装置である。ただし、ミラー部位Ａmの下側部分であるＳiハンドリング層２２の部分は、エッチングせずに加工前Ｓi６６として残す。
【００６９】
ＳＴＥＰ１５では、ミラー部位Ａmの加工前Ｓi６６（ＳＴＥＰ１４）に対して、形状加工を行って、裏部６７を作成する。裏部６７は、ミラー部２の裏面にある程度の重さを残しておくことでミラー部２のミラー面としての増反射膜５７の歪みを防ぐ役割がある。裏部６７の形状・重さ・大きさについては用途により適宜変更することができる。
【００７０】
ＳＴＥＰ１６では、ミラー部位Ａmの深堀溝６０の下面の中間ＳiＯ２層２３を除去して、ミラー部位Ａmの周囲（図１のトーションバー５側を除く）に貫通孔７０を形成する。ＳＴＥＰ１５までの深堀溝６０は、貫通孔７０に統合される。具体的にはＳＯＩ基板２０の裏側からＲＩＥ装置を用いてドライエッチングを行う。貫通孔７０によりミラー部２がトーションバー５以外の周縁において他の部位から分離され、これにより、ミラー部２は、第１及び第２回転軸線の回りに回動可能になる。
【００７１】
以上、光偏向器１におけるミラー部位Ａm、アクチュエータ部位Ａa及びパッド部位Ａpの製造方法の主要工程について説明した。ＳＴＥＰ１６の構造図において、表面ＳiＯ２層２５より上に構成された部分は、図１の上部積層部１９を構成する。
【００７２】
図６は、光偏向器１の所定の製造工程におけるパッド部位Ａpの構造状態を実施形態の製造方法と従来の製造方法とで対比して示している。なお、図６では、アクチュエータ層３０（図２のＳＴＥＰ２参照）はその主要層としてのＰＺＴ層３２のみを示し、下部電極層３１及び上部電極層３３は図示を省略している。
【００７３】
図６において、（ａ）は実施形態の製造方法における各ＳＴＥＰの構造状態を示し、（ｂ）は従来の製造方法における各ＳＴＥＰの構造状態を示している。図６には図示していないＳＴＥＰ１において、実施形態の製造方法では、ＳＯＩ基板２０は、表面ＳiＯ２層２５の厚さが１０００〜２０００ｎｍになっている。これに対し、図６（ｂ）従来の製造方法で使用されるＳＯＩ基板２０の表面ＳiＯ２層２５の厚さは、特許文献３に記載されている４０〜３００ｎｍの範囲内に設定している。
【００７４】
ＳＴＥＰ２では、ＰＺＴ層３２が表面ＳiＯ２層２５の上に形成され、ＳＴＥＰ３では、パッド部位ＡpにおいてＰＺＴ層３２がエッチングされる。ＳＴＥＰ２で形成されたＰＺＴ層３２は、上面が平滑ではなく、凹凸が形成されている。このため、ＳＴＥＰ３におけるＰＺＴ層３２のエッチングによって、表面ＳiＯ２層２５の上面が露出するとともに、該上面には、ＰＺＴ層３２の上面の凹凸が転写された凹凸面となる。
【００７５】
図６（ａ）実施形態では、ＳＴＥＰ１の表面ＳiＯ２層２５が１０００〜２０００ｎｍの厚さのために、ＳＴＥＰ３において、表面ＳiＯ２層２５の上面の凹凸にもかかわらず、Ｓi層２４の上面が露出することはない。これに対し、図６（ｂ）従来の製造方法では、ＳＴＥＰ１の表面ＳiＯ２層２５が、５００ｎｍの厚さのために薄く、ＳＴＥＰ３では、表面ＳiＯ２層２５は、上面の凹凸における深部では、完全に削り取られて、該深部ではＳi層２４の上面が露出することが多い。
【００７６】
ＳＴＥＰ３の後のＳＴＥＰ４では、パッド部位Ａpにおいて、ＴＥＯＳ膜３６が表面ＳiＯ２層２５の上に成膜される。そして、ＳＴＥＰ６（図３参照）では、パッド部位ＡpにおいてＴＥＯＳ膜３６が表面ＳiＯ２層２５の上に成膜されてから、ＳＴＥＰ１０において、金属配線４２がＴＥＯＳ膜３６の上に成膜される。
【００７７】
図６（ａ）実施形態では、ＳＴＥＰ４において、ＴＥＯＳ膜３６の下面は、全面にわたり表面ＳiＯ２層２５の上に形成され、Ｓi層２４の上面との接触が回避される。この結果、ＴＥＯＳ膜３６が剥がれるという問題は克服される。これに対し、図６（ｂ）従来の製造方法では、ＴＥＯＳ膜３６の下面の一部は、Ｓi層２４の上面と直接接触してしまうので、ＴＥＯＳ膜３６が剥がれるという問題が生じてしまう。
【００７８】
図７は、光偏向器１の所定の製造工程におけるミラー部位Ａmの構造状態を、（ａ）実施形態の製造方法と、（ｂ）比較例１の製造方法とで対比して示している。
【００７９】
比較例１の製造方法は、実施形態の製造方法と対比するために、発明者が想定した製造方法であり、アクチュエータ層３０の形成前の表面ＳiＯ２層２５の厚さは、図６（ｂ）の従来例と同じく、特許文献３に記載されている４０〜３００ｎｍの範囲内に設定している。
【００８０】
ミラー部位Ａmの図７の（ａ）及び（ｂ）におけるＳＴＥＰ２，３の構造状態は、パッド部位Ａpにおける図６の（ａ）及び（ｂ）におけるＳＴＥＰ２，３の構造状態と同一であるので、説明を省略する。
【００８１】
図７（ａ）の実施形態では、ＳＴＥＰ９においてミラー部位Ａmの表面ＳiＯ２層２５が、Ｓi層２４とのエッチングレート差を利用して、エッチングされ、Ｓi層２４の平滑な上面が露出される。そして、ＳＴＥＰ１０では、ミラー部位Ａmにおいて金属薄膜５４が平滑なＳi層２４の上面に形成される。この結果、光反射膜としての金属薄膜５４の上面は平滑化され、ミラー部２の反射率が高まる。
【００８２】
これに対し、図７（ｂ）の比較例１では、ＳＴＥＰ９において、表面ＳiＯ２層２５のエッチングを省略している。そして、ＳＴＥＰ１０において、凹凸のある表面ＳiＯ２層２５上に金属薄膜５４を形成している。この結果、金属薄膜５４の上面には、粗い凹凸が生じ、ミラー部２の反射率は低下する。
【００８３】
図８は、表面ＳiＯ２層の初期厚さ（ＳＴＥＰ１時の厚さ）としての酸化膜の厚さと、歩留りとの関係を示している。酸化膜の厚さとして、５００，７５０，１０００，１５００，２０００ｎｍの５種が選択された。歩留りは、各厚さの酸化膜で光偏向器１を試験製造したときの製造数ｎt、及びＴＥＯＳ膜３６の剥離が無かった光偏向器１の個数ｎokとして、式（ｎok／ｎt）×１００％で算出される。
【００８４】
図８に係る実験では、酸化膜の厚さが５００，７５０，１０００，１５００，２０００ｎｍの５種の光偏向器１のそれぞれについて、２５個ずつ、図２〜図５の製造方法によって、試験的に製造した。従って、上式でｎt＝２５である。
【００８５】
酸化膜の厚さを５００，７５０，１０００，１５００，２０００ｎｍにして試験製造した２５個の光偏向器１のうち、ＴＥＯＳ膜３６が剥離していた光偏向器１の個数（＝ｎt−ｎok）ものはそれぞれ２０，１２，１，０，１であった。従って、酸化膜の厚さを５００，７５０，１０００，１５００，２０００ｎｍにして試験製造した光偏向器１の歩留りは、それぞれ２０％，５２％，９６％，１００％，９６％となる。
【００８６】
図８の実験結果のグラフより明らかなように、歩留りは、酸化膜の厚さ＜１０００ｎｍの範囲では、酸化膜の厚さの増大に伴って急激に増大し、酸化膜の厚さ≧１０００ｎｍの範囲では、酸化膜の厚さが増大しても、ほぼ一定である。そして、酸化膜の厚さが２０００ｎｍ以上になっても、歩留りは殆ど変わらないのに対し、酸化膜の厚さを厚くするほど、製造に要する時間及びコストが増大する。また、表面ＳiＯ２層２５の厚さが２０００ｎｍを超えると、表面ＳiＯ２層２５にき裂が生じたり、ＳＯＩ基板２０が反ったりするという問題もある。
【００８７】
従って、酸化膜の厚さは１０００ｎｍ以上であることが必要であるが、実施例としては、酸化膜の厚さの上限は２０００ｎｍとすることが好ましい。
【００８８】
図９は、図７で対比した（ａ）実施形態の製造方法で製造した光偏向器１と、アクチュエータ層３０の形成前の表面ＳiＯ２層２５の厚さを、図７（ｂ）比較例１の厚さの４０〜３００ｎｍより厚い５００ｎｍにしつつ、図７（ｂ）比較例１と同一の工程で、ミラー部を製造した光偏向器（以下、「比較例２」という。）とについてミラー部２の表面粗さＲy及び平均反射率を示している。
【００８９】
本発明の製造方法の実施形態で製造した光偏向器１では、表面ＳiＯ２層の初期厚さ（ＳＴＥＰ１時の表面ＳiＯ２層２５の厚さ）としての酸化膜の厚さをそれぞれ１０００，２０００ｎｍとしている。
【００９０】
図９において左側の縦軸の表面粗さＲyとは、ミラー部２の金属薄膜５４の表面の最高点と最低点との差を意味する。図９において右側の縦軸の平均反射率とは、各製造方法で光偏向器１を複数、製造し、製造した複数の光偏向器１におけるミラー部２の反射率の平均値を意味する。
【００９１】
図９の実験では、表面ＳiＯ２層の初期厚さ（ＳＴＥＰ１での表面ＳiＯ２層厚さ）としての酸化膜の厚さをそれぞれ５００ｎｍ、１０００ｎｍ及び２０００ｎｍにして光偏向器を製造した。酸化膜の厚さをそれぞれ１０００ｎｍ及び２０００ｎｍにして図２〜図５の工程を経て製造した光偏向器１は、本発明の実施形態に属する。酸化膜の厚さを５００ｎｍにして製造した光偏向器は、本発明の実施形態と対比するために、比較例２として、製造した光偏向器であり、本発明の実施形態には属しない。比較例２の製造方法では、図７（ｂ）の比較例１と同様に、ＳＴＥＰ９を省略して、ＳＴＥＰ１０が実施されている。
【００９２】
酸化膜の厚さを１０００ｎｍにして製造した光偏向器１では、表面粗さは７．５ｎｍ、ミラー部２の平均反射率は波長６００ｎｍで８８〜９０％であった。酸化膜の厚さを２０００ｎｍにして製造した光偏向器１では、表面粗さは４．８ｎｍ、ミラー部２の平均反射率は、波長６００ｎｍで８８〜９０％であった。これに対し、比較例２では、 表面粗さは１３０ｎｍ、ミラー部２の平均反射率は、波長６００ｎｍで８０〜８５％であった。
【００９３】
図９の対比により、酸化膜の厚さを１０００ｎｍにして図２〜図５の工程を経て製造した光偏向器１は、比較例２の光偏向器１に対してミラー部２の平均反射率に関し、十分な改善効果があることが判明した。
【００９４】
また、図９から、酸化膜の厚さの１０００ｎｍ，２０００ｎｍの平均反射率を対比して、ミラー部２の反射率は、酸化膜の厚さが２０００ｎｍの方が、酸化膜の厚さが１０００ｎｍより高いものの、その差は大きくなく、ミラー部２の反射率は、表面ＳiＯ２層の酸化膜の厚さ（ＳＴＥＰ１時の表面ＳiＯ２層２５の厚さ）＝１０００ｎｍで、酸化膜の厚さの増大に対してほぼ飽和状態になっていることが判明した。また、図８において前述したように、酸化膜の厚さを増大することは、製造時間の増大につながるとともに、コストの増大、さらには、酸化膜の厚さが２０００ｎｍを超えると、酸化膜にき裂が生じたり、ＳＯＩ基板２０が反ったりする問題が生じ易い。これらを考慮すると、ミラー部２の反射率の観点からも、酸化膜の厚さは、１０００ｎｍ以上でかつ２０００ｎｍ以下であることが望ましい。
【００９５】
本発明の実施形態について説明した。電極パッド８，９は、本発明のパッド部の一例である。内側アクチュエータ６及びカンチレバー１３は、本発明のアクチュエータ部の一例である。ＳＴＥＰ２（図２）におけるＳＯＩ基板２０とその上のアクチュエータ層３０とは、本発明の積層構造の一例である。
【００９６】
Ｓi層２４は、本発明の基板層の一例である。表面ＳiＯ２層２５は、本発明の酸化膜層の一例である。ＰＺＴ層３２は本発明の圧電膜層の一例である。金属配線４２（ＳＴＥＰ６）は、配線部及び配線層の一例である。ミラー部位Ａmにおける金属薄膜５４は、本発明の光反射膜としての一例である。パッド部位Ａpにおける金属薄膜５４は、本発明のボンディングパッドとして形成されたパッド層の一例である。
【００９７】
ＳＴＥＰ１及びＳＴＥＰ２は、本発明の第１工程の一例である。ＳＴＥＰ３は、本発明の第２工程の一例である。ＳＴＥＰ４は、本発明の第３工程の一例である。ＳＴＥＰ５は、本発明の第４工程の一例である。ＳＴＥＰ６は、本発明の第５工程の一例である。
【００９８】
ＳＴＥＰ７は、本発明の第６工程の一例である。ＳＴＥＰ８は、本発明の第７工程の一例である。ＳＴＥＰ１０は、本発明の第８工程の一例である。ＳＴＥＰ９は、本発明の第７工程と第８工程との間に挿入される追加工程の一例である。
【００９９】
実施形態の光偏向器１は、ミラー部２を、直交する第１及び第２回転軸線の回りに回動する二次元スキャン型の光偏向器であるが、本発明が適用される光偏向器は、一次元スキャン型の光偏向器であってもよい。また、実施形態の光偏向器１は、ミラー部２に対して横方向の両側に外側アクチュエータ７等が存在する対称な構造になっているが、本発明が適用される光偏向器は、対称な構造でなくてもよく、外側アクチュエータ７の本数も用途により適宜変更することができる。また、電極パッド８，９の位置は、外側枠部４であれば、パッケージに合わせて適宜位置及び大きさを変更することができる。
【符号の説明】
【０１００】
１・・・光偏向器、２・・・ミラー部、６・・・内側アクチュエータ（アクチュエータ部）、８，９・・・電極パッド（パッド部）、１３・・・カンチレバー（アクチュエータ部）、２０・・・ＳＯＩ基板（積層構造）、２４・・・Ｓi層（基板層）、２５・・・表面ＳＯ２層（酸化膜層）、３０・・・アクチュエータ層、３２・・・ＰＺＴ層（圧電膜層）、３６・・・ＴＥＯＳ膜（層間絶縁膜）、４２・・・金属配線（配線部）、５４・・・金属層（ボンディングパッド、パッド層及び光反射膜）。
【図１】
2015102592.tif 000003
【図２】
2015102592.tif 000004
【図３】
2015102592.tif 000005
【図４】
2015102592.tif 000006
【図５】
2015102592.tif 000007
【図６】
2015102592.tif 000008
【図７】
2015102592.tif 000009
【図８】
2015102592.tif 000010
【図９】
2015102592.tif 000011