(57)【要約】【課題】温度などの環境変動に対して第１パラメータデータを補正する第２パラメータデータを持つことにより、検出動作を途中で停止させることなく、キャリブレーション回路のオフセット調整を用意且つ高精度に行うことを可能にする。【解決手段】タッチパネルコントローラに、タッチパネルの複数のＸ電極に対応する複数の検出回路の入力信号に対して、オフセット調整を実施するキャリブレーション回路を設けると共に、キャリブレーション回路のオフセット調整動作を規定する第１パラメータデータの他に前記第１パラメータデータに対して必要な補正を行うための第２パラメータデータを格納する記憶装置を設けた。【選択図】図８
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数のＹ電極とＸ電極がマトリクス状に配置されたタッチパネルと、
前記タッチパネルの前記Ｙ電極と前記Ｘ電極の交点容量に応じて前記Ｘ電極に現れる信号に基づいて前記Ｙ電極と前記Ｘ電極の交点毎の容量分布に応ずる検出データを生成するタッチパネルコントローラと、
前記タッチパネルコントローラから転送される前記検出データを用いたデータ処理を行うプロセッサと、を備えるタッチ検出装置において、
前記タッチパネルコントローラは、前記複数のＸ電極に対応する複数の検出回路と、
夫々の前記検出回路の入力信号又は出力信号に対して、オフセット調整を実施するキャリブレーション回路と、
前記キャリブレーション回路のオフセット調整動作を規定する第１パラメータデータと前記第１パラメータデータに対して必要な補正を行うための第２パラメータデータとを格納する記憶装置と、を備えるタッチ検出装置。
【請求項２】
請求項１において、前記第１パラメータデータは前記Ｙ電極と前記Ｘ電極の交点毎のデータであり、
前記第２パラメータデータは前記Ｙ電極と前記Ｘ電極の交点毎のデータである、タッチ検出装置。
【請求項３】
請求項１において、前記第１パラメータデータは前記Ｙ電極と前記Ｘ電極の交点毎のデータであり、
前記第２パラメータデータは、前記Ｙ電極と前記Ｘ電極の複数の交点の補正に代表して用いられる代表データである、タッチ検出装置。
【請求項４】
請求項２において、前記記憶装置は第１パラメータデータを格納する第１メモリと、前記第２パラメータデータを格納する第２メモリとから成り、
前記第２メモリには前記プロセッサから与えられた前記第２パラメータデータが格納される、タッチ検出装置。
【請求項５】
請求項３において、前記記憶装置は第１パラメータデータを格納する第１メモリと、前記第２パラメータデータとしての前記代表データを格納するパラメータレジスタとから成り、
前記パラメータレジスタには前記プロセッサから与えられた前記代表データが格納される、タッチ検出装置。
【請求項６】
請求項１において、前記タッチパネルコントローラは、前記複数のＹ電極に電極配列順でパルス信号を供給して駆動する駆動回路を有し、
前記検出回路は、駆動されるＹ電極単位で当該Ｙ電極と交差する前記Ｘ電極との交点容量の容量値を検出し、
前記キャリブレーション切り替え前記パルス信号が印加される前記Ｙ電極の切り替え毎に、補正前又は補正後の対応する前記第１パラメータデータを入力する、タッチ検出装置。
【請求項７】
請求項１において、前記第２パラメータデータは前記第１パラメータデータに加算又は減算されるデータであり、前記第１パラメータデータに前記第２パラメータデータが加算又は減算されることによって必要な補正が行われる、タッチ検出装置。
【請求項８】
請求項７において、前記キャリブレーション回路は前記検出回路の入力に結合された定電流源の電流量を補正前又は補正後の前記第１パラメータデータによって調整する回路である、タッチ検出装置。
【請求項９】
請求項７において、前記キャリブレーション回路は前記検出回路の入力に結合された容量素子を介して当該入力に印加する電荷量を補正前又は補正後の前記第１パラメータデータによって調整する回路である、タッチ検出装置。
【請求項１０】
請求項７において、前記キャリブレーション回路は前記検出回路の出力に結合された加減算回路を介して印加する電圧の加減算量を補正前又は補正後の前記第１パラメータデータによって調整する回路である、タッチ検出装置。
【請求項１１】
請求項７において、前記タッチパネルコントローラは、補正前の前記第１パラメータデータに基づいて前記キャリブレーション回路を動作させる第１モードと、前記第１パラメータデータを前記第２パラメータデータで補正して得られる第３パラメータデータに基づいて前記キャリブレーション回路を動作させる第２モードとを切り替え可能に指定するモードレジスタを有し、
前記モードレジスタに対する設定は前記プロセッサが行う、タッチ検出装置。
【請求項１２】
請求項１において、前記プロセッサは、前記タッチパネルコントローラから転送される前記Ｘ電極の交点毎の検出データに基づいてタッチ無しの時の検出データが許容範囲を超えている場合にその変動分をキャンセルする方向に第１パラメータデータを補正する値の第２パラメータデータを演算し、演算した第２パラメータデータを前記タッチパネルコントローラの前記記憶装置に与える制御を行う、タッチ検出装置。
【請求項１３】
請求項１において、前記プロセッサは、タッチ検出装置が置かれている環境の変動に対する検出結果に基づいて第１パラメータデータの補正に用いる第２パラメータデータの値を選択し、選択した第２パラメータデータを前記タッチパネルコントローラの記憶装置に与える制御を行う、タッチ検出装置。
【請求項１４】
複数のＹ電極とＸ電極がマトリクス状に配置されたタッチパネルと、
前記タッチパネルの前記Ｙ電極と前記Ｘ電極の交点容量に応じて前記Ｘ電極に現れる信号に基づいて前記Ｙ電極と前記Ｘ電極の交点毎の検出データを生成するタッチパネルコントローラと、
前記タッチパネルコントローラから転送される前記検出データを用いたデータ処理を行うプロセッサと、を備えるタッチ検出装置において、
前記タッチパネルコントローラは、前記複数のＸ電極に対応する複数の検出回路と、
夫々の前記検出回路の入力信号又は出力信号に対して、オフセット調整を実施するキャリブレーション回路と、
前記キャリブレーション回路のオフセット調整動作を規定する第１パラメータデータを格納する記憶装置と、
制御回路とを備え、
前記プロセッサは、前記タッチパネルコントローラから転送される前記Ｘ電極の交点毎の検出データに基づいてタッチ無しの時の検出データが許容範囲を超えている場合にその変動分をキャンセルする方向に対応する第１パラメータデータを補正する補正値を演算し、演算した補正値で補正した第１パラメータデータを前記タッチパネルコントローラの前記記憶装置に与える制御を行い、
前記制御回路は、第１パラメータデータを前記記憶装置から読み出す動作に重ならないタイミングで前記第１パラメータデータを前記記憶装置に書き込む制御を行う、タッチ検出装置。
【請求項１５】
請求項１４において、前記複数のＹ電極に電極配列順でパルス信号を供給して駆動する駆動回路を有し、
前記検出回路は、駆動されるＹ電極単位で当該Ｙ電極と交差する前記Ｘ電極との交点容量の容量値を検出し、
前記キャリブレーション切り替え前記パルス信号が印加される前記Ｙ電極の切り替え毎に、補正前又は補正後の対応する前記第１パラメータデータを入力する、タッチ検出装置。
【請求項１６】
請求項１５において、タッチパネルコントローラは複数のＹ電極を順番に駆動してＹ電極の駆動単位で前記検出データを前記プロセッサに与え、
前記プロセッサは、与えられた検出データに基づいて演算した対応する補正後の第１パラメータデータを、当該検出データを得るためのＹ電極が次に駆動されるまでのタイミングで前記タッチパネルコントローラの前記記憶装置に与える制御を行う、タッチ検出装置。
【請求項１７】
請求項１４において、前記キャリブレーション回路は前記検出回路の入力に結合された定電流源の電流量を前記第１パラメータデータによって調整する回路である、タッチ検出装置。
【請求項１８】
請求項１４において、前記キャリブレーション回路は前記検出回路の入力に結合された容量素子を介して当該入力に印加する電荷量を前記第１パラメータデータによって調整する回路である、タッチ検出装置。
【請求項１９】
請求項１４において、前記キャリブレーション回路は前記検出回路の出力に結合された加減算回路を介して印加する電圧の加減算量を前記第１パラメータデータによって調整する回路である、タッチ検出装置。
【請求項２０】
複数のＹ電極とＸ電極がマトリクス状に配置されたタッチパネルの前記Ｙ電極と前記Ｘ電極の交点容量に応じて前記Ｘ電極に現れる信号に基づいて前記Ｙ電極と前記Ｘ電極の交点毎の容量分布に応ずる検出データを生成する半導体装置であって、
前記複数のＸ電極に対応する複数の検出回路と、
夫々の前記検出回路の入力信号又は出力信号に対して、オフセット調整を実施するキャリブレーション回路と、
前記キャリブレーション回路のオフセット調整動作を規定する第１パラメータデータと前記第１パラメータデータに対して必要な補正を行うための第２パラメータデータとを格納する記憶装置と、を備える半導体装置。
【請求項２１】
請求項２０において、前記第１パラメータデータは前記Ｙ電極と前記Ｘ電極の交点毎のデータであり、
前記第２パラメータデータは前記Ｙ電極と前記Ｘ電極の交点毎のデータである、半導体装置。
【請求項２２】
請求項２０おいて、前記第１パラメータデータは前記Ｙ電極と前記Ｘ電極の交点毎のデータであり、
前記第２パラメータデータは、前記Ｙ電極と前記Ｘ電極の交点に対して単数又は複数個のデータで代表する代表データである、半導体装置。
【請求項２３】
請求項２０において、前記タッチパネルコントローラは、前記複数のＹ電極に電極配列順でパルス信号を供給して駆動する駆動回路を有し、
前記検出回路は、駆動されるＹ電極単位で当該Ｙ電極と交差する前記Ｘ電極との交点容量の容量値を検出し、
前記キャリブレーション切り替え前記パルス信号が印加される前記Ｙ電極の切り替え毎に、補正前又は補正後の対応する前記第１パラメータデータを入力する、半導体装置。
【請求項２４】
請求項２０において、前記第２パラメータデータは前記第１パラメータデータに加算又は減算されるデータであり、前記第１パラメータデータに前記第２パラメータデータが加算又は減算されることによって必要な補正が行われる、半導体装置。
【請求項２５】
請求項２４補正後の前記第１パラメータデータによって調整する回路である、半導体装置。
【請求項２６】
請求項２５において、前記キャリブレーション回路は前記検出回路の入力に結合された容量素子を介して当該入力に印加する電荷量を補正前又は補正後の前記第１パラメータデータによって調整する回路である、半導体装置。
【請求項２７】
請求項２５において、前記キャリブレーション回路は前記検出回路の出力に結合された加減算回路を介して印加する電圧の加減算量を補正前又は補正後の前記第１パラメータデータによって調整する回路である、半導体装置。
【請求項２８】
請求項２４において、前記タッチパネルコントローラは、補正前の前記第１パラメータデータに基づいて前記キャリブレーション回路を動作させる第１モードと、前記第１パラメータデータを前記第２パラメータデータで補正して得られる第３パラメータデータに基づいて前記キャリブレーション回路を動作させる第２モードとを切り替え可能に指定するモードレジスタを有する、半導体装置。
【請求項２９】
請求項２０において、前記タッチパネルコントローラから転送される前記検出データを用いたデータ処理を行うプロセッサを更に有する、半導体装置。
【請求項３０】
請求項２９において、前記プロセッサは、前記タッチパネルコントローラから転送される前記Ｘ電極の交点毎の検出データに基づいてタッチ無しの時の検出データが許容範囲を超えている場合にその変動分をキャンセルする方向に第１パラメータデータを補正する値の第２パラメータデータを演算し、演算した第２パラメータデータを前記タッチパネルコントローラの前記記憶装置に与える制御を行う、半導体装置。
【請求項３１】
請求項２９において、前記プロセッサは、タッチ検出装置が置かれている環境の変動に対する検出結果に基づいて第１パラメータデータの補正に用いる第２パラメータデータの値を選択し、選択した第２パラメータデータを前記タッチパネルコントローラの記憶装置に与える制御を行う、半導体装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、タッチ検出装置及びそれに適用される半導体装置に係り、特にタッチパネルの検出対象容量のオフセットを調整する技術に関し、例えばＰＤＡ（Personal Digital Assistant）やタブレットＰＣ（Personal Computer）のタッチセンス入力システム等に適用して有効な技術に関する。
【背景技術】
【０００２】
相互キャパシタンス方式によるマルチポイントタッチに対応するタッチパネルは例えば駆動電極としてのＹ電極と検出電極としてのＸ電極が誘電体を介在して直交するように配置され、それぞれの交差部分のクロス結合容量としての交差容量が交点容量を構成する。交点容量の近傍に指や手によるキャパシタンスが存在すると当該ノードの相互キャパシタンスは指や手による合成キャパシタンスの分だけ減少する。タッチパネルコントローラは、この相互キャパシタンスの変化がどの交点容量で発生したかを検出するために、駆動電極を順次パルス駆動してパルス単位の充電動作を行ない、充電電荷の変化をそれぞれの検出電極から検出する動作を順次繰り返して、マトリクス配置された交点容量の相互キャパシタンスの変化に応ずる信号を検出回路で取得する。このような相互キャパシタンス方式を用いてタッチパネルを駆動して信号を検出するコントローラについて例えば特許文献１に記載がある。
【０００３】
特許文献１においては、交点容量から検出回路に至る経路には寄生容量成分が存在し、その大きさはＸ電極の位置やレイアウトによってばらつきがあることに着眼している。このようなばらつきはＸ電極を介して検出回路に入力される電荷量のばらつきとなって現れるので、そのようなばらつきによる影響を補正するためのキャリブレーション技術として、交点容量毎に対応してオフセットの調整を行なう技術を提案する。即ち、タッチパネルコントローラに、タッチパネルの複数のＸ電極に対応する複数の検出回路の入力信号又は出力信号に対して、オフセット調整を実施するキャリブレーション回路を設けると共に、前記キャリブレーション回路の調整パラメータを格納するメモリを設ける。これによれば、タッチパネルの交点容量毎に非タッチの検出データのばらつきを高精度に調整することができる。したがって、検出回路による検出電圧がＡ／Ｄ変換器の入力レンジに収まるようになる。
【０００４】
更に特許文献１では環境（周辺温度、湿度）変動によって調整パラメータの最適値が変化した場合の対応について記載がある。即ち、環境変動に対応するために調整パラメータを格納するＲＡＭを２面持ち、一方のＲＡＭに格納された調整パラメータを利用しながら、他方のＲＡＭを環境変動に対応した調整パラメータで書き換え、書き換え完了した後に、使用するＲＡＭを切り替えるものである。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２０１２−２３４４７３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
本発明者は環境変動に応じた調整パラメータの更新について検討した結果、以下の点について着眼した。第１に、特許文献１の如く夫々調整パラメータを格納するＲＡＭを複数設けて排他的に用いる構成ではＲＡＭの記憶容量を大きくしなければならず回路規模若しくはチップ面積の増大に繋がる。第２に、環境変動に応ずる新たな調整パラメータを演算してＲＡＭに書き込み完了するまでの間では、最適ではない古い調整パラメータを用いてタッチ検出を行なわなければならず、タッチの誤判定を生ずる虞がある。そのような誤判定の虞を解消するには書き換え期間中にはタッチ検出を休止しなければならず、タッチ入力の操作性が悪化して不便を強いることになる。この場合はＲＡＭを２面持つ意味もない。第３に、調整パラメータそれ自体を書き換えるので、夫々の調整パラメータは必要な調整精度に見合うビット数を持つことから書き換えには少なからず時間を要することになり、上記タッチ誤判定の虞も高くなり、また、上記タッチ検出の休止期間も長くなってしまう。
【０００７】
本発明の目的は、タッチパネルの交点容量毎の非タッチの検出データのばらつきを調整するための調整パラメータを環境変動に応じて最適化することができ、そのとき、タッチ検出の休止を要せず、且つ、タッチ誤判定の虞を未然に防止することができる、タッチ検出装置を提供することにある。
【０００８】
更に、そのようなタッチ検出装置に好適な半導体装置を提供することにある。
【０００９】
本発明の前記並びにその他の目的と新規な特徴は本明細書の記述及び添付図面から明らかになるであろう。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本願において開示される実施の形態のうち代表的なものの概要を簡単に説明すれば下記の通りである。
【００１１】
すなわち、タッチパネルコントローラに、タッチパネルの複数のＸ電極に対応する複数の検出回路の入力信号に対して、オフセット調整を実施するキャリブレーション回路を設けると共に、キャリブレーション回路のオフセット調整動作を規定する第１パラメータデータの他に前記第１パラメータデータに対して必要な補正を行うための第２パラメータデータを格納する記憶装置を設ける。
【発明の効果】
【００１２】
本願において開示される実施の形態のうち代表的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば下記のとおりである。
【００１３】
すなわち、温度などの環境変動に対して第１パラメータデータを補正する第２パラメータデータを持つことにより、検出動作を途中で停止させることなく、キャリブレーション回路のオフセット調整を容易且つ高精度に行うことが可能になる。
【図面の簡単な説明】
【００１４】
【図１】図１はタッチパネルを適用した電子機器の一例として携帯情報端末の概略を示すブロック図である。
【図２】図２はタッチパネルの電極構成を例示する説明図である。
【図３】図３はタッチパネルの等価回路と検出回路の一例である積分回路を例示する回路図である。
【図４】図４はＹ電極に供給される駆動パルス信号の信号波形を例示する波形図である。
【図５】図５はＹ電極への入力パルス電圧と積分回路による検出動作のタイミングを例示するタイミング図である。
【図６】図６はタッチパネルの一例を示す平面図である。
【図７】図７は積分回路の出力電圧とそれに対するＡＤ変換結果データの目標値とを例示する波形図である。
【図８】図８は第１の実施の形態におけるタッチパネルコントローラを例示するブロック図である。
【図９】図９は制御レジスタ値ＴＰＣ＿ＣＡＬＡＤＪＯＮの機能説明図である。
【図１０】図１０は環境変動に対応可能なキャリブレーションデータの生成並びにこれを用いたタッチ検出動作を例示するフローチャートである。
【図１１】図１１はキャリブレーション補正データ用のＲＡＭに格納するキャリブレーション補正データＣＡＤＪ＿Ｄａｔａの真理値を示す説明図である。
【図１２】図１２は第１の実施の形態においてタッチパネルのＸＹ電極交点の配列とキャリブレーション用のＲＡＭのデータマッピングとの対応を例示する説明図である。
【図１３】図１３はタッチパネルの駆動電極Ｙ１〜Ｙ３に着目して検出動作を行う場合におけるキャリブレーションデータと検出データの関係を示した動作タイミングチャートである。
【図１４】図１４はキャリブレーションデータに応じて電流源の電流量でタッチパネルの検出電極Ｘｎからの入力信号を調整するキャリブレーション回路を例示する説明図である。
【図１５】図１５はキャリブレーションデータに応じ容量電荷でタッチパネルの検出電極Ｘｎからの入力信号を調整するキャリブレーション回路を例示する説明図である。
【図１６】図１６は検出回路の出力に対してオフセット調整を行うキャリブレーション回路を例示する説明図である。
【図１７】図１７は環境変動に対応するキャリブレーションデータを生成する第２の実施の形態に係るタッチパネルコントローラを例示するブロック図である。
【図１８】図１８は第２の実施の形態における環境変動に対応可能なキャリブレーションデータの生成並びにこれを用いたタッチ検出動作を例示するフローチャートである。
【図１９】図１９は第２の実施の形態におけるタッチパネルのＸＹ電極交点の配列とキャリブレーション用のＲＡＭ及びレジスタのデータマッピングとの対応を例示する説明図である。
【図２０】図２０はタッチパネルの駆動電極Ｙ１〜Ｙ３に着目して検出動作を行う場合におけるキャリブレーションデータと検出データの関係を示した動作タイミングチャートである。
【図２１】図２１は環境変動に対応するキャリブレーションデータを生成する第３の実施の形態に係るタッチパネルコントローラを例示するブロック図である。
【図２２】図２２は第３の実施の形態における環境変動に対応可能なキャリブレーションデータの生成並びにこれを用いたタッチ検出動作を例示するフローチャートである。
【図２３】図２３は環境変動に対応するキャリブレーションデータを生成する第４の実施の形態に係るタッチパネルコントローラを例示するブロック図である。
【図２４】図２４は温度センサを設置した場合の補正処理フローを例示するフローチャートである。
【図２５】図２５は判定の基準温度を複数のレンジで設定した場合の真理値の一例を示す説明図である。
【発明を実施するための形態】
【００１５】
１．実施の形態の概要
先ず、本願において開示される実施の形態について概要を説明する。実施の形態についての概要説明で括弧を付して参照する図面中の参照符号はそれが付された構成要素の概念に含まれるものを例示するに過ぎない。
【００１６】
〔１〕《オフセット調整パラメータの補正データ》
タッチ検出装置（ＴＭＬ）は、複数のＹ電極（Ｙｍ（Ｙ１〜ＹＭ））とＸ電極（Ｘｎ（Ｘ１〜ＹＮ））がマトリクス状に配置されたタッチパネル（１）と、前記タッチパネルの前記Ｙ電極と前記Ｘ電極の交点容量に応じて前記Ｘ電極に現れる信号に基づいて前記Ｙ電極と前記Ｘ電極の交点毎の容量分布に応ずる検出データを生成するタッチパネルコントローラ（３，３Ａ，３Ｃ）と、前記タッチパネルコントローラから転送される前記検出データを用いたデータ処理を行うプロセッサ（５）と、を備える。前記タッチパネルコントローラは、前記複数のＸ電極に対応する複数の検出回路と、夫々の前記検出回路の入力信号又は出力信号に対して、オフセット調整を実施するキャリブレーション回路（３０４）と、前記キャリブレーション回路のオフセット調整動作を規定する第１パラメータデータ（Ｃ＿Ｄａｔａ）と前記第１パラメータデータに対して必要な補正を行うための第２パラメータデータ（ＣＡＤＪ＿Ｄａｔａ）とを格納する記憶装置（３０７，３０８，３２２）と、を備える。
【００１７】
これによれば、タッチパネルの交点容量毎に検出データのばらつきを調整するための第１パラメータデータを必要に応じて補正するための第２パラメータデータを格納する記憶装置を持つから、環境の変動に対してタッチ検出動作を停止させて第１パラメータデータのセットを書き換えることを要さず、また、第１パラメータデータのセットを格納する記憶装置を複数個用意しておくことも要しない。更に、オフセット調整のためのパラメータデータを第２パラメータデータで補正する構成を採るから、その補正刻みを小さくすれば環境変動に対してダイナミックに第２パラメータデータを最適化することも容易に実現可能になる。
【００１８】
〔２〕《Ｙ電極と前記Ｘ電極の交点毎の補正データ》
項１において、前記第１パラメータデータは前記Ｙ電極と前記Ｘ電極の交点毎のデータ（Ｃ＿Ｄａｔａ［ｙ１、ｘ１］〜Ｃ＿Ｄａｔａ［ｙＭ，ｘＮ］）である。前記第２パラメータデータは前記Ｙ電極と前記Ｘ電極の交点毎のデータ（ＣＡＤＪ＿Ｄａｔａ［ｙ１，ｘ１］〜ＣＡＤＪ＿Ｄａｔａ［ｙＭ，ｘＮ］）である（図８参照）。
【００１９】
これにより、前記Ｙ電極と前記Ｘ電極の交点毎にパラメータデータの補正を行うことができるので、補正によるオフセット調整精度を高く保つことができる。
【００２０】
〔３〕《Ｙ電極と前記Ｘ電極の交点に対して代表する補正データ》
項１において、前記第１パラメータデータは前記Ｙ電極と前記Ｘ電極の交点毎のデータ（Ｃ＿Ｄａｔａ［ｙ１、ｘ１］〜Ｃ＿Ｄａｔａ［ｙＭ，ｘＮ］）である。前記第２パラメータデータは、前記Ｙ電極と前記Ｘ電極の交点に対して単数又は複数個のデータで代表する代表データ（ＣＡＤＪ＿Ｄａｔａ［７：０］）である（図１７、図２３参照）。
【００２１】
これによれば、補正によるオフセット調整精度は低下するが、第２パラメータデータを格納することによる記憶装置の回路規模の増大を抑えることができる。
【００２２】
〔４〕《第１パラメータデータと第２パラメータデータを個別に格納するメモリ》
項２において、前記記憶装置は第１パラメータデータを格納する第１メモリ（３０７）と、前記第２パラメータデータを格納する第２メモリ（３０８）とから成る。前記第２メモリには前記プロセッサから与えられた前記第２パラメータデータが格納される。
【００２３】
これによれば、第１パラメータデータとは性質の異なる第２パラメータデータを第１パラメータデータから分離してプロセッサで容易に管理することができる。
【００２４】
〔５〕《第２パラメータデータとしての代表データをレジスタに格納する》
項３において、前記記憶装置は第１パラメータデータを格納する第１メモリ（３０７）と、前記第２パラメータデータとしての前記代表データを格納するパラメータレジスタ（３２２）とから成る。前記パラメータレジスタには前記プロセッサから与えたれた前記代表データが格納される。
【００２５】
これによれば、第１パラメータデータとは性質の異なる第２パラメータデータとしての代表データを第１パラメータデータから分離してプロセッサで容易に管理することができる。
【００２６】
〔６〕《Ｙ電極の切り替え毎にキャリブレーション回路がパラメータデータを取得》
項１において、前記タッチパネルコントローラは、前記複数のＹ電極に電極配列順でパルス信号を供給して駆動する駆動回路（３００）を有する。前記検出回路は、駆動されるＹ電極単位で当該Ｙ電極と交差する前記Ｘ電極との交点容量の容量値を検出する。前記キャリブレーション回路は、前記パルス信号が印加される前記Ｙ電極の切り替え毎に、補正前又は補正後の対応する前記第１パラメータデータを入力する。
【００２７】
これにより、Ｙ電極の切り替えに同期して第１パラメータデータ及び第２パラメータデータの読出し及び転送制御を行えばよい。
【００２８】
〔７〕《加算、又は減算による補正》
項１において、前記第２パラメータデータは前記第１パラメータデータに加算又は減算されるデータであり、前記第１パラメータデータに前記第２パラメータデータが加算又は減算されることによって必要な補正が行われる。
【００２９】
これによれば、第２パラメータデータによる第１パラメータデータの補正を簡単に行うことができ、第１パラメータデータに比べて第２パラメータデータのビット数を容易に減らすことができる。
【００３０】
〔８〕《定電流源の電流量によるキャリブレーション》
項７において、前記キャリブレーション回路は前記検出回路の入力に結合された定電流源（３４０＿ｎ）の電流量を補正前又は補正後の前記第１パラメータデータによって調整する回路である。
【００３１】
これによれば、前記検出回路の入力に対する定電流源からの電流量制御によって容易にオフセットを調整することができる。
【００３２】
〔９〕《電荷の移動量によるキャリブレーション》
項７において、前記キャリブレーション回路は前記検出回路の入力に結合された容量素子（３４１＿ｎ）を介して当該入力に印加する電荷量を補正前又は補正後の前記第１パラメータデータによって調整する回路である。
【００３３】
これによれば、前記検出回路の入力ノードに対する容量結合電圧の制御によって容易にオフセットを調整することができる。
【００３４】
〔１０〕《調整パラメータに応じた電圧の加減算量によるキャリブレーション》
項７において、前記キャリブレーション回路は前記検出回路の出力に結合された加減算回路（３５０＿ｎ）を介して印加する電圧の加減算量を補正前又は補正後の前記第１パラメータデータによって調整する回路である。
【００３５】
これによれば、前記検出回路の出力に対する電圧の加減算制御によって容易にオフセットを調整することができる。
【００３６】
〔１１〕《モードレジスタ》
項７において、前記タッチパネルコントローラは、補正前の前記第１パラメータデータに基づいて前記キャリブレーション回路を動作させる第１モードと、前記第１パラメータデータを前記第２パラメータデータで補正して得られる第３パラメータデータに基づいて前記キャリブレーション回路を動作させる第２モードとを切り替え可能に指定するモードレジスタ（３２１）を有する。前記モードレジスタに対する設定は前記プロセッサが行う。
【００３７】
これによれば、環境変動に対する第１パラメータデータの補正の可否をプロセッサによって自由に制御することができる。
【００３８】
〔１２〕《検出データに基づいて第２パラメータデータの値を演算》
項１において、前記プロセッサは、前記タッチパネルコントローラから転送される前記Ｘ電極の交点毎の検出データに基づいてタッチ無しの時の検出データが許容範囲を超えている場合にその変動分をキャンセルする方向に第１パラメータデータを補正する値の第２パラメータデータを演算し、演算した第２パラメータデータを前記タッチパネルコントローラの前記記憶装置に与える制御を行う（図１０、図１８参照）。
【００３９】
これによれば、環境変動に即して演算した第２パラメータデータを用いることができる。
【００４０】
〔１３〕《環境変動の検出結果に応じて第２パラメータデータの値を選択》
項１において、前記プロセッサは、タッチ検出装置が置かれている環境の変動に対する検出結果に基づいて第１パラメータデータの補正に用いる第２パラメータデータの値を選択し、選択した第２パラメータデータを前記タッチパネルコントローラの記憶装置に与える制御を行う（図２１参照）。
【００４１】
これによれば、予め想定した環境変動に対応する第２パラメータデータを環境変動の検出結果に基づいて選択すればよいので、プロセッサによる第２パラメータデータの演算負荷を低減することができる。
【００４２】
〔１４〕《オフセット調整パラメータの書き換え》
別のタッチ検出装置（３Ｂ）は、複数のＹ電極とＸ電極がマトリクス状に配置されたタッチパネル（１）と、前記タッチパネルの前記Ｙ電極と前記Ｘ電極の交点容量に応じて前記Ｘ電極に現れる信号に基づいて前記Ｙ電極と前記Ｘ電極の交点毎の検出データを生成するタッチパネルコントローラ（３）と、前記タッチパネルコントローラから転送される前記検出データを用いたデータ処理を行うプロセッサ（５）と、を備える。前記タッチパネルコントローラは、前記複数のＸ電極に対応する複数の検出回路（３０１）と、夫々の前記検出回路の入力信号又は出力信号に対して、オフセット調整を実施するキャリブレーション回路（３０４）と、前記キャリブレーション回路のオフセット調整動作を規定する第１パラメータデータ（Ｃ＿Ｄａｔａ）を夫々の前記交点容量に対応させて格納する記憶装置（３０７）と、制御回路（３３０）とを備える。前記プロセッサは、前記タッチパネルコントローラから転送される前記Ｘ電極の交点毎の検出データに基づいてタッチ無しの時の検出データが許容範囲を超えている場合にその変動分をキャンセルする方向に対応する第１パラメータデータを補正する補正値を演算し、演算した補正値で補正した第１パラメータデータを前記タッチパネルコントローラの前記記憶装置に与える制御を行う。前記制御回路は、第１パラメータデータを前記記憶装置から読み出す動作に重ならないタイミングで前記第１パラメータデータを前記記憶装置に書き込む制御を行う。
【００４３】
これにより、補正対象にされる第１パラメータデータが次に用いられるまでの比較的長い時間を補正の処理時間とすることができるので、検出された検出データに基づく第１パラメータデータの補正処理を時間的な余裕を持って順次行うことができ、第１パラメータデータを環境変動に対してダイナミックに追従させることができる。更に、第１パラメータデータの読出しと書き込みが重ならないように前記記憶装置のアクセス制御が行われるので、補正された第１パラメータデータの書き込み中に記憶装置から読み出される不都合を未然に防止することができる。
【００４４】
〔１５〕《Ｙ電極の切り替え毎にキャリブレーション回路がパラメータデータを取得》
項１４において、前記複数のＹ電極に電極配列順でパルス信号を供給して駆動する駆動回路を有する。前記検出回路は、駆動されるＹ電極単位で当該Ｙ電極と交差する前記Ｘ電極との交点容量の容量値を検出する。前記キャリブレーション回路は、前記パルス信号が印加される前記Ｙ電極の切り替え毎に、補正前又は補正後の対応する前記第１パラメータデータを入力する。
【００４５】
これにより、Ｙ電極の切り替えに同期して第１パラメータデータの読出し及び転送制御を行えばよい。
【００４６】
〔１６〕《オフセット調整パラメータの書き換えサイクル》
項１５において、タッチパネルコントローラは複数のＹ電極を順番に駆動してＹ電極の駆動単位で前記検出データを前記プロセッサに与える。前記プロセッサは、与えられた検出データに基づいて演算した対応する補正後の第１パラメータデータを、当該検出データを得るためのＹ電極が次に駆動されるまでのタイミングで前記タッチパネルコントローラの前記記憶装置に与える制御を行う（図２１、図２２参照）。
【００４７】
これによれば、Ｙ電極の切り替えが一巡される時間をＹ電極の駆動単位に応ずる一群の第１パラメータデータに対する補正及び書き換えの処理時間とすることができる。
【００４８】
〔１７〕《定電流源の電流量によるキャリブレーション》
項１４において、前記キャリブレーション回路は前記検出回路の入力に結合された定電流源（３４０＿ｎ）の電流量を前記第１パラメータデータによって調整する回路である。
【００４９】
これによれば、前記検出回路の入力に対する定電流源からの電流量制御によって容易にオフセットを調整することができる。
【００５０】
〔１８〕《電荷の移動量によるキャリブレーション》
項１４において、前記キャリブレーション回路は前記検出回路の入力に結合された容量素子（３４１＿ｎ）を介して当該入力に印加する電荷量を前記第１パラメータデータによって調整する回路である。
【００５１】
これによれば、前記検出回路の入力ノードに対する容量結合電圧の制御によって容易にオフセットを調整することができる。
【００５２】
〔１９〕《調整パラメータに応じた電圧の加減算量によるキャリブレーション》
項１４において、前記キャリブレーション回路は前記検出回路の出力に結合された加減算回路（３５０＿ｎ）を介して印加する電圧の加減算量を前記第１パラメータデータによって調整する回路である。
【００５３】
これによれば、前記検出回路の出力に対する電圧の加減算制御によって容易にオフセットを調整することができる。
【００５４】
〔２０〕《オフセット調整パラメータの補正データ》
半導体装置（１０）は、複数のＹ電極とＸ電極がマトリクス状に配置されたタッチパネルの前記Ｙ電極と前記Ｘ電極の交点容量に応じて前記Ｘ電極に現れる信号に基づいて前記Ｙ電極と前記Ｘ電極の交点毎の容量分布に応ずる検出データを生成する。この半導体装置は、前記複数のＸ電極に対応する複数の検出回路（３０１）と、夫々の前記検出回路の入力信号又は出力信号に対して、オフセット調整を実施するキャリブレーション回路（３０４）と、前記キャリブレーション回路のオフセット調整動作を規定する第１パラメータデータと前記第１パラメータデータに対して必要な補正を行うための第２パラメータデータとを格納する記憶装置（３０７，３０８，３２２）とを備える。
【００５５】
これによれば、タッチパネルの交点容量毎に検出データのばらつきを調整するための第１パラメータデータを必要に応じて補正するための第２パラメータデータを格納する記憶装置を持つから、検出信号の信号生成環境の変動に対してタッチ検出動作を停止させて第１パラメータデータのセットを書き換えることを要さず、また、第１パラメータデータのセットを格納する記憶装置を複数個用意しておくことも要しない。更に、オフセット調整のためのパラメータデータを第２パラメータデータで補正する構成を採るから、その補正刻みを小さくすれば環境変動に対してダイナミックに第２パラメータデータを最適化することも容易に実現可能にする。この半導体装置は、タッチパネルの交点容量毎の非タッチの検出データのばらつきを調整するための調整パラメータを環境変動に応じて最適化するタッチ検出装置に用いるのに好適である。
【００５６】
〔２１〕《Ｙ電極と前記Ｘ電極の交点毎の補正データ》
項２０において、前記第１パラメータデータは前記Ｙ電極と前記Ｘ電極の交点毎のデータ（Ｃ＿Ｄａｔａ［ｙ１、ｘ１］〜Ｃ＿Ｄａｔａ［ｙＭ，ｘＮ］）であり、前記第２パラメータデータは前記Ｙ電極と前記Ｘ電極の交点毎のデータ（ＣＡＤＪ＿Ｄａｔａ［ｙ１，ｘ１］〜ＣＡＤＪ＿Ｄａｔａ［ｙＭ，ｘＮ］）である（図８参照）。
【００５７】
これにより、前記Ｙ電極と前記Ｘ電極の交点毎にパラメータデータの補正を行うことができるので、補正によるオフセット調整精度を高く保つことができる。
【００５８】
〔２２〕《Ｙ電極と前記Ｘ電極の交点に対して代表する補正データ》
項２０において、前記第１パラメータデータは前記Ｙ電極と前記Ｘ電極の交点毎のデータ（Ｃ＿Ｄａｔａ［ｙ１、ｘ１］〜Ｃ＿Ｄａｔａ［ｙＭ，ｘＮ］）であり、前記第２パラメータデータは、前記Ｙ電極と前記Ｘ電極の交点に対して単数又は複数個のデータで代表する代表データ（ＣＡＤＪ＿［７：０］）である（図１７，図２３参照）。
【００５９】
これによれば、補正によるオフセット調整精度は低下するが、第２パラメータデータを格納することによる記憶装置の回路規模の増大を抑えることができる。
【００６０】
〔２３〕《Ｙ電極の切り替え毎にキャリブレーション回路がパラメータデータを取得》
項２０において、前記タッチパネルコントローラは、前記複数のＹ電極に電極配列順でパルス信号を供給して駆動する駆動回路（３００）を有する。前記検出回路は、駆動されるＹ電極単位で当該Ｙ電極と交差する前記Ｘ電極との交点容量の容量値を検出する。前記キャリブレーション回路は、前記パルス信号が印加される前記Ｙ電極の切り替え毎に、補正前又は補正後の対応する前記第１パラメータデータを入力する。
【００６１】
これにより、Ｙ電極の切り替えに同期して第１パラメータデータ及び第２パラメータデータの読出し及び転送制御を行えばよい。
【００６２】
〔２４〕《加算、又は減算による補正》
項２０において、前記第２パラメータデータは前記第１パラメータデータに加算又は減算されるデータであり、前記第１パラメータデータに前記第２パラメータデータが加算又は減算されることによって必要な補正が行われる。
【００６３】
これによれば、第２パラメータデータによる第１パラメータデータの補正を簡単に行うことができ、第１パラメータデータに比べて第２パラメータデータのビット数を容易に減らすことができる。
【００６４】
〔２５〕《定電流源の電流量によるキャリブレーション》
項２４において、前記キャリブレーション回路は前記検出回路の入力に結合された定電流源（３４０＿ｎ）の電流量を補正前又は補正後の前記第１パラメータデータによって調整する回路である。
【００６５】
これによれば、前記検出回路の入力に対する定電流源からの電流量制御によって容易にオフセットを調整することができる。
【００６６】
〔２６〕《電荷の移動量によるキャリブレーション》
項２５において、前記キャリブレーション回路は前記検出回路の入力に結合された容量素子（３４１＿ｎ）を介して当該入力に印加する電荷量を補正前又は補正後の前記第１パラメータデータによって調整する回路である。
【００６７】
これによれば、前記検出回路の入力ノードに対する容量結合電圧の制御によって容易にオフセットを調整することができる。
【００６８】
〔２７〕《調整パラメータに応じた電圧の加減算量によるキャリブレーション》
項２５において、前記キャリブレーション回路は前記検出回路の出力に結合された加減算回路（３５０＿ｎ）を介して印加する電圧の加減算量を補正前又は補正後の前記第１パラメータデータによって調整する回路である。
【００６９】
これによれば、前記検出回路の出力に対する電圧の加減算制御によって容易にオフセットを調整することができる。
【００７０】
〔２８〕《モードレジスタ》
項２４において、前記タッチパネルコントローラは、補正前の前記第１パラメータデータに基づいて前記キャリブレーション回路を動作させる第１モードと、前記第１パラメータデータを前記第２パラメータデータで補正して得られる第３パラメータデータに基づいて前記キャリブレーション回路を動作させる第２モードとを切り替え可能に指定するモードレジスタ（３２１）を有する。
【００７１】
これによれば、環境変動に対する第１パラメータデータの補正の可否を自由に制御することができる。
【００７２】
〔２９〕《プロセッサを内蔵》
項２０において、前記タッチパネルコントローラから転送される前記検出データを用いたデータ処理を行うプロセッサを更に有する。
【００７３】
これによれば処理の高速化及びタッチ検出装置などの適用システムの小型化に資することができる。
【００７４】
〔３０〕《検出データに基づいて第２パラメータデータの値を演算》
項２９において、前記プロセッサは、前記タッチパネルコントローラから転送される前記Ｘ電極の交点毎の検出データに基づいてタッチ無しの時の検出データが許容範囲を超えている場合にその変動分をキャンセルする方向に第１パラメータデータを補正する値の第２パラメータデータを演算し、演算した第２パラメータデータを前記タッチパネルコントローラの前記記憶装置に与える制御を行う（図１０、図１８参照）。
【００７５】
これによれば、環境変動に即して演算した第２パラメータデータを用いることができる。
【００７６】
〔３１〕《環境変動の検出結果に応じて第２パラメータデータの値を選択》
項２９において、前記プロセッサは、タッチ検出装置が置かれている環境の変動に対する検出結果に基づいて第１パラメータデータの補正に用いる第２パラメータデータの値を選択し、選択した第２パラメータデータを前記タッチパネルコントローラの記憶装置に与える制御を行う（図２１参照）。
【００７７】
これによれば、予め想定した環境変動に対応する第２パラメータデータを環境変動の検出結果に基づいて選択すればよいので、プロセッサによる第２パラメータデータの演算負荷を低減することができる。
【００７８】
２．実施の形態の詳細
実施の形態について更に詳述する。
【００７９】
≪タッチパネルを適用した電子機器≫
図１にはタッチパネルを適用した電子機器の一例として携帯情報端末の概略が例示される。
【００８０】
同図に示される携帯情報端末ＴＭＬは、タッチパネル（ＴＰ）１、表示パネル（ＤＰ）２、タッチパネルコントローラ（ＴＰＣ）３、表示コントローラ（ＤＰＣ）４、サブプロセッサ（ＳＭＰＵ）５、ホストプロセッサ（ＨＭＰＵ）６、及びその他周辺機器（ＰＲＰＨ）７を有する。ここで、タッチパネルコントローラ３、表示コントローラ４、及びサブプロセッサ５は、例えばＣＭＯＳ集積回路製造技術によって１個の半導体チップに形成された１チップの半導体装置１０Ａとされる。1個の半導体装置の範囲はこれに限定されず、タッチパネルコントローラ３及びサブプロセッサ５を１個の半導体チップに形成された半導体装置とし、表示コントローラ４を別チップで構成することも可能である。この構成は、表示コントローラ４の仕様が変わり、タッチパネル検出の仕様が変わらない場合、表示コントローラ４の１チップを差し替えることにより、容易に新仕様のタッチパネルシステムを構成できるというメリットがある。このとき、半導体装置はＨｓｙｎｃ、Ｖｓｙｎｃのような表示用の同期信号を表示コントローラ４から受け取る。或いは、タッチパネルコントローラ３及び表示コントローラ４を１個の半導体チップに形成された半導体装置とし、サブプロセッサ５を別チップで構成することも可能である。この構成は、サブプロセッサ５上に構築するソフトウェアを流用して複数世代の製品を設計する場合に適している。即ち、液晶表示及びタッチ検出のハードウェア設計と、タッチ検出結果を使ったソフトウェア設計を、分業して開発可能なように、半導体装置の機能を切り分けることができる。特に図示はしないが、タッチパネルコントローラ３、表示コントローラ４、及びサブプロセッサ５の夫々を個別の半導体チップに別々形成することも妨げられない。
【００８１】
表示パネル２は、例えばガラス基板上に表示規模に応じて透明電極及び液晶による画素が形成されて成る。タッチパネル１は、特に制限されないが、表示パネルの表面にそれと一体的に形成されたインセル構造を有し、複数の駆動電極（Ｙ電極）と複数の検出電極（Ｘ電極）が誘電体を介して交差配置され、所謂互容量方式のタッチパネルとして構成される。
【００８２】
タッチパネルコントローラ３は駆動電極に順次駆動パルスを供給したりすることにより、タッチパネル１の駆動電極と検出電極との間の容量成分を介して検出電極に現れる信号を周期的に積分して前記容量成分に応ずる検出データを生成する。検出データとはＹ電極とＸ電極との交点毎の容量分布に応ずるデータである。
【００８３】
サブシステム用のプロセッサであるサブプロセッサ５はタッチパネルコントローラ３に対する初期設定や動作モードを制御する。また、サブプロセッサ５は、タッチパネルコントローラ３が取得した検出データに基づいて、指などが接近したタッチ位置の演算及び外来ノイズの評価などを行なう。サブプロセッサ５はデータプロセッサの一例である。サブプロセッサ５やホストプロセッサ６は中央処理装置（ＣＰＵ）とその周辺回路を備えたプログラム処理装置である。
【００８４】
ホストプロセッサ６は携帯情報端末の全体的な制御を司る。例えばホストプロセッサ６が表示制御の一貫として表示データを生成すると、表示コントローラ４がその表示データを受け取って、表示タイミングに同期しながら表示データに応ずる表示信号を表示パネル２に供給する。また、ホストプロセッサ６は、サブプロセッサ５が演算した位置座標を受け取り、そのときの表示内容と位置座標との関係から、タッチパネル１に対する操作を解析して、その入力に応答する制御を行なう。
【００８５】
その他周辺回路７として、携帯情報端末に必要な通信制御ユニット、画像処理ユニット、音声処理ユニット、及びその他データ処理用のアクセラレータなどを有する。
【００８６】
図２にはタッチパネル１の電極構成が例示される。タッチパネル１は横方向に形成された多数の駆動電極（Ｙ電極）Ｙ１〜ＹＭと、縦方向に形成された多数の検出電極（Ｘ電極）Ｘ１〜ＸＮとが電気的に絶縁されて配置される。特に制限されないが、各電極毎にその延在方向の途中に複数の方形状電極が成形され、電気的に絶縁された隣接する方形状電極の間に交点容量が形成される。交点容量にグローバルグランドに導通する指などの物体が近接すると、それによる浮遊容量が前記交点容量に加わることになって、当該電極合間の容量成分（合成容量成分）が交点容量よりも小さくされる。タッチパネルコントローラ３が生成する検出データにはその容量成分の差に応ずる信号差が現れることになる。
【００８７】
特に図示はしないが、表示パネル２は横方向に形成された走査電極としての複数のゲート電極と縦方向に形成された信号電極としてのドレイン電極とが配置され、その交点部分には選択端子が対応する走査電極に接続され、入力端子が対応する信号電極に接続された多数の表示セル（サブピクセル）が配置される。表示コントローラ４は、例えば、垂直同期信号で規定される１フレーム表示期間にゲート電極の順次駆動（表示ラインの走査駆動）を制御し、夫々のゲート電極の駆動毎に、ドレイン電極に階調信号（表示信号）を与えることにより、サブピクセルの液晶素子の透過度を表示ライン単位で制御していく。
【００８８】
図３にはタッチパネル１の等価回路と検出回路の一例である積分回路３０１（３０１＿１〜３０１＿Ｎ）の一例が示される。タッチパネル１には、Ｙ電極Ｙ１〜ＹＭとＸ電極Ｘ１〜ＸＮ電極がマトリクス状に配置され、その交差部に形成される交点容量はＣｘｙとして図示される。
【００８９】
積分回路３０１は、例えばＸ電極Ｘ１〜ＸＮをチャージするためのプリチャージ電圧ＶＨＳＰと、Ｘ電極Ｘ１〜ＸＮにプリチャージ電圧として電圧ＶＨＳＰを選択的に印加するスイッチＳＷ２、非反転入力端子（＋）に基準電圧として電圧ＶＨＳＰが印加され且つ反転入力端子（−）に対応するＸ電極が接続されるオペアンプＡＭＰ、オペアンプＡＭＰの反転入力端子（−）と出力端子との間に配置された積分コンデンサＣｓ、積分コンデンサＣｓをリセットするためのスイッチＳＷ１によって構成される。尚、スイッチＳＷ１は検出に使用するコンデンサＣｓに重畳された電荷をリセットする。特に制限されないが、スイッチＳＷ２はＹ電極Ｙ１〜ＹＭのパルス駆動期間にオフ状態にされる。
【００９０】
図４にはＹ電極Ｙ１〜ＹＭに供給される駆動パルス信号の信号波形の一例が示される。例えばＹ電極Ｙ１〜ＹＭには電極の配列順に複数の駆動パルスが供給される。例えば、Ｙ電極１本当たり１０個の駆動パルスが所定のパルス幅及びパルス周期で供給される例を便宜的に示す。１本のＹ電極を複数回パルス駆動する期間は、表示パネルの複数の表示ラインを順次走査駆動する期間（複数の表示走査期間）に対応される。例えば表示パネルの水平同期信号に同期される１表示走査期間にタッチパネルのＹ電極を２回パルス駆動するとき、１本のＹ電極のパルス駆動回数を１０回とすれば、５表示ラインの表示期間中に１本のＹ電極を１０回パルス駆動して積分動作を行なう。複数回のパルス駆動による積分動作によって検出感度を上げることができる。Ｔｔｆはタッチパネル１の全面に対する１回のタッチ検出期間になる。
【００９１】
図５にはＹ電極Ｙ１〜ＹＭへの入力パルス電圧と積分回路３０１による検出動作のタイミングが例示される。先ず、スイッチＳＷ２がオン状態にされて、Ｘ電極Ｘｎ（ｎ＝１〜Ｎ）を電源ＶＨＳＰにチャージする非検出状態ａに遷移させ、スイッチＳＷ１をオン状態にして、コンデンサＣｓをリセットする。次に、スイッチＳＷ１とスイッチＳＷ２をオフ状態にして、検出待受状態ｂに遷移する。検出待受状態ｂでは、Ｘ電極Ｘｎは、電源ＶＨＳＰに接続されない状況になり、仮想接地の構成である積分回路３０１で電圧レベルが保持される。そして、検出待受状態ｂに遷移した後に、Ｙ電極Ｙ１に振幅Ｖｙの立ち上がりパルスを入力する（他のＹ電極Ｙ２〜ＹＭはローレベルに固定）。その結果、Ｙ電極Ｙ１上の交点容量Ｃｘｙを介してＸ電極Ｘｎに電荷（=Ｖｙ×Ｃｘｙ）が移動して検出回路３０１に入力され、オペアンプＡＭＰの出力ＶＯＵＴｎが変化する。尚、指でタッチすることで該当する交点容量Ｃｘｙが容量値Ｃｆだけ減少するため、例えば、タッチしたＸ電極がＸ２だとした場合、Ｘ電極Ｘ２のオペアンプＡＭＰに入力される電荷はＶｙ×（Ｃｘｙ−Ｃｆ）となり、オペアンプＡＭＰの出力ＶＯＵＴ２は高電位になる。このＶＯＵＴｎ（ｎ=１〜Ｎ）をＡ／Ｄ変換器３０４でデジタル値の検出データに変換して、座標演算などに供せられる。
【００９２】
図６にはタッチパネル１の一例が示される。タッチパネル１とタッチパネルコントローラ３との間において、例えばＹ電極Ｙ１〜ＹＭについては、タッチパネルコントローラ３から近い側の電極と遠い側の電極までの配線長が異なっていたり、近い側は右手から接続されているのに対して、遠い側は左手から接続されていたりする。Ｘ電極Ｘ１〜ＸＮについては、最もタッチパネルコントローラ３に近いタッチパネル１の中央部に対して、左右に分かれて配線される端部は、配線が長かったり、Ｙ電極Ｙ１〜ＹＭとの間の配線間の配線環境の影響を受けたりする。また、図の例では、タッチパネルコントローラ３はＦＰＣ（Flexible printed circuits）上に実装されているが、ＦＰＣを介してメイン基板上に実装する場合も考えられる。以上を考慮すれば、実装環境によって、タッチパネル１の１面分から得られる検出データＳ＿Ｄａｔａはどの位置でも同一とはならず、ばらつくことが想定される。
【００９３】
図７には積分回路３０１の出力電圧ＶＯＵＴｎとそれに対するＡＤ変換結果データ（検出データ）Ｓ＿Ｄａｔａの目標値が例示される。検出結果に対する理想としては、前述したような、実装環境によるアナログの検出データＳ＿Ｄａｔａの値ＶＴＧ０のばらつきをキャンセルして、タッチしていないときのタッチパネルの１面分の検出データを所定の許容値に揃えること（値ＶＴＧ０を中心にある範囲±εに収まる）である。更に、タッチ時の検出データも含めて、検出回路の後段に設置されるＡ／Ｄ変換器の入力レンジに効率よく収めることを理想とする。ここでは、変換出力を１０ビット精度とし入力電圧のフルレンジを４ＶとするＡ／Ｄ変換器を用いた場合を例示している。
【００９４】
ここで、温度条件や湿度条件の周辺環境が変化（環境変動）した場合に、検出データＳ＿Ｄａｔａの値ＶＴＧ０が変動する、例えば、非タッチの値ＶＴＧ０が上昇、或いは下降する場合がある。図７では、非タッチの値ＶＴＧ０がＶＴＧ０’に上昇した場合を示しているが、この条件下で、タッチパネル１にタッチされると、タッチの値もＶＴＧ１’となり、Ａ／Ｄ変換器の入力レンジ０〜４Ｖをオーバーする虞がある。以下においては、環境変動が発生した場合でも、検出結果がＡ／Ｄ変換器の入力レンジ０〜４Ｖをオーバーしないように調整するための構成について詳細に説明する。尚、環境変動時の値ＶＴＧ０の変化方向は、検出方式や検出回路により異なる。図２乃至図５で説明した検出方式及び検出回路の構成を採用する場合を一例として説明すると、周辺温度が上昇して、Ｙｍ、Ｘｎの抵抗値が上昇すると、信号の伝搬率が低下し、出力電圧ＶＯＵＴｎの電圧変化は小さくなる。その結果、値ＶＴＧ０（＝ＶＯＵＴｎ）の電圧レベルは上昇することになる。一方、周辺温度が低下して、Ｙｍ、Ｘｎの抵抗値が低下すると、信号の伝搬率が向上し、出力電圧ＶＯＵＴｎの電圧変化は大きくなる。その結果、値ＶＴＧ０（＝ＶＯＵＴｎ）の電圧レベルは下降することになる。ここではタッチパネル１の抵抗成分、即ちＹｍ、Ｘｎの抵抗値を例に挙げ、温度依存性に関して説明したが、タッチパネル１を用いるタッチ検出システムにおける変動要因となり得る素子に応じて、値ＶＴＧの変化方向が変わることは言うまでもない。
【００９５】
《環境変動に対応するキャリブレーションデータを生成する第１の実施の形態》
実装環境によって、タッチパネル１の１面分から得られる検出データＳ＿Ｄａｔａが位置によってばらつく、という事情を考慮して検出データＳ＿Ｄａｔａに対する上述のような理想を実現するように検出データのばらつきをキャンセルするためのキャリブレーションについては、特許文献１で実現されている。以下では、それを前提に、環境変動に応じてキャリブレーションのためのデータを調整する技術を採用した第１の実施の形態について説明する。
【００９６】
図８にはタッチパネルコントローラ３の具体例が示される。同図においてタッチパネルコントローラ３は代表的に示された駆動回路３００、検出回路３０１（３０１＿１〜３０１＿Ｎ）、Ａ／Ｄ変換器３０２（３０２＿１〜３０２Ｎ）、検出データ用のＲＡＭ３０３を備える。更にタッチパネルコントローラ３はタッチ検出のキャリブレーションのために、キャリブレーション回路３０４（３０４＿１〜３０４Ｎ）、Ｄ／Ａ変換器３０５（３０５＿１〜３０５＿Ｎ）、ラインラッチ３０６、及びキャリブレーションソースデータ用のＲＡＭ３０７、キャリブレーション補正データ用のＲＡＭ３０８、及び加算器３０９を備える。検出データ用のＲＡＭ３０３、キャリブレーションソースデータ用のＲＡＭ３０７、及びキャリブレーション補正データ用のＲＡＭ３０８はバスインタフェース３１１を介してサブシステム用のマイクロプロセッサによって構成されたサブプロセッサ５にインタフェースされる。
【００９７】
タッチパネルコントローラ３の全体的な制御はレジスタ部３２０及び制御部３３０によって行われる。レジスタ部３２０はコマンドレジスタ及びデータレジスタを有し、バスインタフェース３１１を介してサブプロセッサ５によってコマンドの書き込み及びデータのリード／ライトが行われる。レジスタ部３２０に書き込まれたコマンド及び制御パラメータは制御部３３０に供給され、制御部３３０はコマンドに従って制御パラメータなどを用いてタッチパネルコントローラ３の内部を全体的に制御する。全体的な制御ロジックとして図には駆動・検出制御回路３３１が例示されている。レジスタ部３２０にセットされた初期設定データなどの一部の制御データは、特に制限されないが、タッチパネルコントローラ３の内部回路に直接内部転送される。
【００９８】
駆動回路３００はＹ電極Ｙ１〜ＹＭをパルス状の交流駆動電圧によって電極の配列順に駆動する。要するに交点容量を走査駆動する。検出回路３０１は走査駆動された交点容量Ｃｘｙとしての交点容量から対応するＸ電極Ｘ１〜ＸＮを介して検出信号を入力してその信号電荷を周期的に取り込み、例えば前述の如く周期的に積分する。積分された信号電荷は対応するＡ／Ｄ変換器３０２によって検出データに変換される。特に制限されないが、ここではＸ電極Ｘ１〜ＸＮ毎にＡ／Ｄ変換器３０２（３０２＿１〜３０２＿Ｎ）を有するから、Ｙ電極Ｙ１〜ＹＭの電極単位の走査駆動毎に、Ｙ電極の本数に応ずる数の変換データが並列的に生成される。変換された検出データＳ＿Ｄａｔａ［ｙ１，ｘ１］〜Ｓ＿Ｄａｔａ［ｙＭ，ｘＮ］はＲＡＭ３０３に蓄積される。Ａ／Ｄ変換器の変換精度を１０ビットとすると、タッチパネルコントローラ３の一面分の検出データＳ＿Ｄａｔａ［ｙ１，ｘ１］〜Ｓ＿Ｄａｔａ［ｙＭ，ｘＮ］は交点容量Ｃｘｙ毎に１０ビットのデータとされ、そのデータ量は全部でＭ×Ｎ×１０ビットとされる。ＲＡＭ３０３に蓄積された検出データはバスインタフェース回路３０６を介してサブプロセッサ５に供給され、デジタルフィルタ演算及び座標演算に供される。タッチ座標の演算結果は携帯情報端末の全体的な制御を行うホストプロセッサ（ＨＭＰＵ）６によって利用される。尚、本明細書において、駆動電極Ｙ１〜ＹＭと検出電極Ｘ１〜ＸＮの交点位置は便宜上、［ｙ１，ｘ１］〜［ｙＭ，ｘＮ］のように表すものとする。したがって上記検出データＳ＿Ｄａｔａ［ｙ１，ｘ１］〜Ｓ＿Ｄａｔａ［ｙＭ，ｘＮ］などのデータ表記において［ｙｍ、ｘｎ］、即ち［ｙ１，ｘ１］〜［ｙＭ，ｘＮ］は、当該データが対応する交点位置を意味するサフィックスと理解されたい。
【００９９】
キャリブレーション回路３０４＿１〜３０４＿Ｎは前記検出回路３０１＿１〜３０１＿Ｍの入力信号に対して、そのオフセットを調整するための信号を印加する回路である。キャリブレーション回路３０４＿１〜３０４＿ＮはＤ／Ａ変換器３０５＿１〜３０５＿Ｎの出力を受けて動作し、Ｄ／Ａ変換器３０５＿１〜３０５＿Ｎはラインラッチ３０６から供給されるキャリブレーションデータＣＡＬ＿Ｄａｔａ［ｙｍ，ｘ１］〜ＣＡＬ＿Ｄａｔａ［ｙｍ，ｘＮ］をＤ／Ａ変換してキャリブレーション回路３０４＿１〜３０４＿Ｎに出力する。ラインラッチ３０６に供給されるキャリブレーションデータＣＡＬ＿Ｄａｔａ［ｙｍ，ｘ１］〜ＣＡＬ＿Ｄａｔａ［ｙｍ，ｘＮ］の生成には、第１パラメータデータとしてのキャリブレーションソースデータＣ＿Ｄａｔａ［ｙ１，ｘ１］〜Ｃ＿Ｄａｔａ［ｙＭ，ｘＮ］と、キャリブレーションソースデータＣ＿Ｄａｔａ［ｙ１，ｘ１］〜Ｃ＿Ｄａｔａ［ｙＭ，ｘＮ］に対して必要な補正を行うための第２パラメータデータとしてのキャリブレーション補正データＣＡＤＪ＿Ｄａｔａ［ｙ１，ｘ１］〜ＣＡＤＪ＿Ｄａｔａ［ｙＭ，ｘＮ］を用いる。補正は加算器３０９でキャリブレーションソースデータＣ＿Ｄａｔａ［ｙ１，ｘ１］〜Ｃ＿Ｄａｔａ［ｙＭ，ｘＮ］にキャリブレーション補正データＣＡＤＪ＿Ｄａｔａ［ｙ１，ｘ１］〜ＣＡＤＪ＿Ｄａｔａ［ｙＭ，ｘＮ］を加算することで行われる。キャリブレーションソースデータＣ＿Ｄａｔａ［ｙ１，ｘ１］〜Ｃ＿Ｄａｔａ［ｙＭ，ｘＮ］はＲＡＭ３０７にバスインタフェース３１１を介して書き込まれ、制御部３３０の制御に基づいてＲＡＭ３０７から検出ライン単位で読み出される。キャリブレーション補正データＣＡＤＪ＿Ｄａｔａ［ｙ１，ｘ１］〜ＣＡＤＪ＿Ｄａｔａ［ｙＭ，ｘＮ］はＲＡＭ３０８にバスインタフェース３１１を介して書き込まれ、制御部３３０の制御に基づいてＲＡＭ３０８から検出ライン単位で読み出される。
【０１００】
キャリブレーションソースデータＣ＿Ｄａｔａ［ｙ１，ｘ１］〜Ｃ＿Ｄａｔａ［ｙＭ，ｘＮ］及びキャリブレーション補正データＣＡＤＪ＿Ｄａｔａ［ｙ１，ｘ１］〜ＣＡＤＪ＿Ｄａｔａ［ｙＭ，ｘＮ］は、例えば交点容量Ｃｘｙ毎の８ビット単位のデータである。環境変動による補正が不要な場合には、キャリブレーションソースデータＣ＿Ｄａｔａ［ｙ１，ｘ１］〜Ｃ＿Ｄａｔａ［ｙＭ，ｘＮ］は電極順に走査駆動されるＹ電極単位の交点容量に応ずるデータ単位（キャリブレーションライン単位）でラインラッチ３０６にラッチされていき、第３ラメータデータとしてのキャリブレーションデータＣＡＬ＿Ｄａｔａ［ｙｍ，ｘ１］〜ＣＡＬ＿Ｄａｔａ［ｙｍ，ｘＮ］とされる。環境変動による補正が必要な場合は、キャリブレーションソースデータＣ＿Ｄａｔａ［ｙ１，ｘ１］〜Ｃ＿Ｄａｔａ［ｙＭ，ｘＮ］及びキャリブレーション補正データＣＡＤＪ＿Ｄａｔａ［ｙ１，ｘ１］〜ＣＡＤＪ＿Ｄａｔａ［ｙＭ，ｘＮ］が電極順に走査駆動されるＹ電極単位の交点容量に応ずるデータ単位（キャリブレーションライン単位）でＲＡＭ３０７及びＲＡＭ３０８から読み出され、読み出されたデータが対応するもの同士で加算器３０９により加算されてラインラッチ３０６にラッチされていき、第３パラメータデータとしてのキャリブレーションデータＣＡＬ＿Ｄａｔａ［ｙｍ，ｘ１］〜ＣＡＬ＿Ｄａｔａ［ｙｍ，ｘＮ］とされる。ラインラッチ３０６にラッチされたキャリブレーションデータＣＡＬ＿Ｄａｔａ［ｙｍ，ｘ１］〜ＣＡＬ＿Ｄａｔａ［ｙｍ，ｘＮ］は対応するＤ／Ａ変換器３０５＿１〜３−３０５＿Ｎでアナログ信号に変換されてキャリブレーション回路３０４＿１〜３０４＿Ｎに与えられる。キャリブレーション回路３０４＿１〜３０４＿Ｎは調整パラメータに従って対応するＸ電極Ｘ１〜ＸＮの信号レベルから不所望なオフセット量をキャンセルするように動作する。
【０１０１】
オフセット調整の有無はレジスタ部３２１に配置されたモードレジスタとしての制御レジスタ３２１の設定値ＴＰＣ＿ＣＡＬＡＤＪＯＮによって決定され、制御部３３０がその設定値を参照する。
【０１０２】
図９には制御レジスタ値ＴＰＣ＿ＣＡＬＡＤＪＯＮの機能が例示される。制御レジスタ値ＴＰＣ＿ＣＡＬＡＤＪＯＮが１’ｂ０のときは、キャリブレーションデータの調整機能がオフ（ＯＦＦ）にされ、キャリブレーションソースデータＣ＿Ｄａｔａ［ｙ１，ｘ１］〜Ｃ＿Ｄａｔａ［ｙＭ，ｘＮ］をキャリブレーションデータＣＡＬ＿Ｄａｔａ［ｙｍ，ｘ１］〜ＣＡＬ＿Ｄａｔａ［ｙｍ，ｘＮ］として用いる。一方、制御レジスタ値ＴＰＣ＿ＣＡＬＡＤＪＯＮが１’ｂ１のときは、キャリブレーションデータの調整機能がオン（ＯＮ）にされ、キャリブレーションソースデータＣ＿Ｄａｔａ［ｙ１，ｘ１］〜Ｃ＿Ｄａｔａ［ｙＭ，ｘＮ］にキャリブレーション補正データＣＡＤＪ＿Ｄａｔａ［ｙ１，ｘ１］〜ＣＡＤＪ＿Ｄａｔａ［ｙＭ，ｘＮ］を加算して得られたデータをキャリブレーションデータＣＡＬ＿Ｄａｔａ［ｙｍ，ｘ１］〜ＣＡＬ＿Ｄａｔａ［ｙｍ，ｘＮ］とする。
【０１０３】
例えば、周辺温度Ｔが５０℃以上になった場合の調整値に対応するデジタルデータをキャリブレーション補正データＣＡＤＪ＿Ｄａｔａ［ｙ１，ｘ１］〜ＣＡＤＪ＿Ｄａｔａ［ｙＭ，ｘＮ］としてＲＡＭ３０７に格納しておく場合を想定する。この場合に、温度センサの出力ｔｅｍｐがＴ以上になった場合に、サブプロセッサ５がこれを検出することによって制御レジスタ値ＴＰＣ＿ＣＡＬＡＤＪＯＮ＝１に設定する。温度センサの出力ｔｅｍｐがＴ未満になった場合にはサブプロセッサ５は制御レジスタ値ＴＰＣ＿ＣＡＬＡＤＪＯＮ＝０に設定する。これにより、キャリブレーション回路３０４＿１〜３０４＿Ｎには、周辺温度に応じた最適な値のキャリブレーションデータＣＡＬ＿Ｄａｔａ［ｙｍ，ｘ１］〜ＣＡＬ＿Ｄａｔａ［ｙｍ，ｘＮ］が供給され、検出結果を、Ａ／Ｄ変換器３０２＿１〜３０２＿Ｎの入力レンジに収めることが可能になる。
【０１０４】
上記制御レジスタ値ＴＰＣ＿ＣＡＬＡＤＪＯＮの設定の変更タイミング、若しくは制御回路３３０による制御レジスタ値ＴＰＣ＿ＣＡＬＡＤＪＯＮの参照タイミングについては以下を考慮することが必要である。即ち、駆動電極Ｙ１〜ＹＭの駆動を一巡させてタッチ検出を行う１検出フレーム期間の途上で制御レジスタ値ＴＰＣ＿ＣＡＬＡＤＪＯＮが切り替わると、補正後のキャリブレーションデータが適用された検出データと、補正される前のキャリブレーションデータが適用された検出データが混在することになり、タッチの有無について誤検出を生ずることになる。このような誤検出の虞を未然に防止するために、制御レジスタ値ＴＰＣ＿ＣＡＬＡＤＪＯＮの変更タイミング若しくは制御回路３３０による制御レジスタ値ＴＰＣ＿ＣＡＬＡＤＪＯＮの参照タイミングはタッチ検出フレームの区切りとされなければならない。要するに、タッチ検出フレームの途中で制御レジスタ値ＴＰＣ＿ＣＡＬＡＤＪＯＮの変更がタッチ検出の制御に反映されはならない。
【０１０５】
尚、上記説明では、判定基準温度Ｔを一種類として説明したが、判定基準温度は複数種類であっても構わない。また、その場合は、制御レジスタ値ＴＰＣ＿ＣＡＬＡＤＪＯＮ＝０に設定して、キャリブレーション補正データ用の用ＲＡＭ３０８に格納するキャリブレーション補正データＣＡＤＪ＿Ｄａｔａ［ｙ１，ｘ１］〜ＣＡＤＪ＿Ｄａｔａ［ｙＭ，ｘＮ］を書き換える。書き換え終了後に制御レジスタ値ＴＰＣ＿ＣＡＬＡＤＪＯＮ＝１にする。制御レジスタ値ＴＰＣ＿ＣＡＬＡＤＪＯＮ＝１の設定変更が制御に反映されるのは上述の通り、タッチ検出フレームの区切りとされるため、交点容量毎のキャリブレーションデータに補正前と補正後の値が混在されずタッチの誤検出は発生しない。
【０１０６】
図１０には環境変動に対応可能なキャリブレーションデータの生成並びにこれを用いたタッチ検出動作のフローが例示される。前述の如く第１の実施の形態では交点容量毎のキャリブレーションソースデータＣ＿Ｄａｔａ［ｙ１、ｘ１］〜Ｃ＿Ｄａｔａ［ｙＭ、ｘＮ］に対してこれと同様に交点容量毎のキャリブレーション補正データＣＡＤＪ＿Ｄａｔａ［ｙ１、ｘ１］〜ＣＡＤＪ＿Ｄａｔａ［ｙＭ、ｘＮ］を用いる。補正しない場合のキャリブレーションデータは式１、補正する場合のキャリブレーションデータは式２とされる。
【０１０７】
ＣＡＬ＿Ｄａｔａ［ｙｍ，ｘｎ］＝Ｃ＿Ｄａｔａ［ｙｍ，ｘｎ］…式１
ＣＡＬ＿Ｄａｔａ［ｙｍ，ｘｎ］＝Ｃ＿Ｄａｔａ［ｙｍ，ｘｎ］＋ＣＡＤＪ＿Ｄａｔａ［ｙｍ，ｘｎ］…式２
【０１０８】
キャリブレーションソースデータＣ＿Ｄａｔａは、表示パネル２にタッチパネル１を組み込み且つ表示パネル２のガラス基板にタッチパネルコントローラ３を実装した状態で決定され、実装環境により、電極毎に異なる配線容量負荷、或いは異なる配線抵抗負荷があっても、非タッチ時の検出値ＶＴＧ０を均一に調整するためのマトリクスデータである。また、キャリブレーション値補正データＣＡＤＪ＿Ｄａｔａは、温度や湿度などの周辺環境に応じて非タッチ時の検出値ＶＴＧ０を均一に調整するためのマトリクスデータである。制御レジスタ値ＴＰＣ＿ＣＡＬＡＤＪＯＮ＝１に設定された場合に、環境変動対応キャリブレーションデータＣＡＬ＿Ｄａｔａは、式２に従って生成される。制御レジスタ値ＴＰＣ＿ＣＡＬＡＤＪＯＮ＝０に設定された場合には、環境変動対応キャリブレーションデータＣＡＬ＿Ｄａｔａは式１に従って生成される。
【０１０９】
先ず、前提として、少なくとも携帯情報端末の出荷工程時には、作成可能な非タッチ時の検出データＳ＿Ｄａｔａが駆動電極Ｙｍと検出電極Ｘｎの交点（ＸＹ電極交点）毎に均一になるようなキャリブレーションソースデータＣ＿ＤａｔａがＲＡＭ３０７に準備されているものとする。ここでのキャリブレーションソースデータＣ＿Ｄａｔａは、タッチパネル１が取り付けられた表示モジュールの状態で、検出動作を実施すれば容易に作成できる。例えば、キャリブレーションソースデータＣ＿Ｄａｔａを順次変更した場合の検出データＳ＿Ｄａｔａを交点毎にモニタし、例えば、１０ｂｉｔ空間で考えた場合は、十進数標記で例えばＳ＿Ｄａｔａ＝２５６（ｄｅｃ）になるキャリブレーションソースデータＣ＿Ｄａｔａを取得すればよい。
【０１１０】
動作電源がＯＮにされると（Ｓ１）、初期化動作の一環として、キャリブレーショ用のデータ取得が指示され（Ｓ２）、これによって、サブプロセッサ５がタッチパネルコントローラ３に内蔵されたＲＡＭ３０７に例えば周辺装置７内の記憶装置から前述のキャリブレーションソースデータＣ＿Ｄａｔａを転送する（Ｓ４）。これと共にタッチ検出ラインを示すカウンタをｍ＝１にセットする（Ｓ３）。この後、制御レジスタ値ＴＰＣ＿ＣＡＬＡＤＪＯＮ＝１の場合に制御部３３０はＲＡＭ３０７に格納されているキャリブレーションソースデータＣ＿Ｄａｔａ及びＲＡＭ３０８に格納されているキャリブレーション補正データＣＡＤＪ＿Ｄａｔａをカウンタが示すタッチ検出ライン単位で読み出し、前者を後者に加算して（Ｓ１４）生成したキャリブレーションデータＣＡＬ＿Ｄａｔａをラインラッチ６に転送する（Ｓ５）。制御レジスタ値ＴＰＣ＿ＣＡＬＡＤＪＯＮ＝０の場合に制御３３０はＲＡＭ３０７に格納されているキャリブレーションソースデータＣ＿Ｄａｔａをカウンタが示すタッチ検出ライン単位で読み出し、これをキャリブレーションデータＣＡＬ＿Ｄａｔａとしてラインラッチ６に転送する（Ｓ５）。ラインラッチ３０６に転送されたキャリブレーションデータＣＡＬ＿ＤａｔａはＤ／Ａ変換３０５＿１〜３０５＿ＮでＤ／Ａ変換され、そのＤ／Ａ変換結果に従ったオフセット調整が例えば検出回路３０１＿１〜３０１＿Ｎの入力に対して行われる。これによって検出回路３０１＿１〜３０１＿Ｎは、検出電電極Ｘ１〜ＸＮに現れる信号を積分して検出動作を実行し、アナログの検出信号ＶＴＧを取得する（Ｓ６）。検出信号ＶＴＧはＡＤ変換器３０２＿１〜３０２＿Ｎによってデジタルの検出データＳ＿Ｄａｔａに変換されて、ＲＡＭに３０３に格納される。ステップＳ５〜Ｓ７が一順される毎にカウンタ値ｍがインクリメント（Ｓ９）され、ｍ＝ＭになるまでステップＳ５〜Ｓ７，Ｓ９の処理が繰り返される（Ｓ８）。
【０１１１】
ステップＳ８でｍ＝Ｍが判別されると、サブプロセッサ５が、そのときＲＡＭ３０３に格納されたタッチ検出フレームの１フレーム分の検出データＳ＿Ｄａｔａ［ｙ１、ｘ１］〜Ｓ＿Ｄａｔａ［ｙＭ、ｘＮ］を用いてタッチ有無の判別を行う。即ち、ＸＹ電極交点毎の検出データＳ＿Ｄａｔａ［ｙｍ、ｘｎ］を参照してタッチ有無の判定を実施する。タッチ有無判定は、様々な判定方法が考えられるが、一例を挙げるならば、Ｓ＿Ｄａｔａの時間的変化量で判定する方法があり、タッチフレーム単位のＳ＿Ｄａｔａの変化値が３００（ｄｅｃ）を超過したらタッチと判定すれば良い。
【０１１２】
タッチ有りの場合には、サブプロセッサ５はＸＹ電極交点毎の検出データＳ＿Ｄａｔａ［ｙｍ，ｘｎ］を使用してタッチ位置の座標演算を行う（Ｓ１５）。タッチ有りの場合には、これと共に、ステップＳ３に戻って次のタッチ検出フレームに対する処理が開始される。
【０１１３】
一方、ステップＳ１０でタッチ無と判定された場合は、非タッチレベル判定とキャリブレーション補正データの生成若しくは更新を実施する（Ｓ１１〜Ｓ１３）。
【０１１４】
キャリブレーションソースデータＣ＿Ｄａｔａによるオフセット調整による非タッチ時の検出データＳ＿ＤａｔａのターゲットをＳ＿Ｄａｔａ＝２５６（ｄｅｃ）とすると、理想的には検出データＳ＿Ｄａｔａ≒２５６が継続される。ここで、タッチがないとき、検出データＳ＿Ｄａｔａに急激な変化がなく、検出データＳ＿Ｄａｔａが２５６から小さく、又は大きくなる方向に値が変化していった場合は、周辺環境の変化、例えば温度変化により非タッチレベルが変化したと判断する（Ｓ１１）。判断基準としてパラメータδを設定し、Ｓ＿Ｄａｔａ≦２５６±δの場合は、環境変動が小さいと判断してキャリブレーション補正データＣＡＤＪ＿Ｄａｔａを変更せずにステップＳ３から検出動作を再開する。Ｓ＿Ｄａｔａ＞２５６±δになった場合は、環境変動が大きいと判断して、その検出データに応ずるキャリブレーションソースデータＣ＿Ｄａｔａの値を補正するキャリブレーション補正データＣＡＤＪ＿Ｄａｔａの補正値を計算して（Ｓ１２）、ＲＡＭ３０８の対応アドレスのデータを書き換える（Ｓ１３）。パラメータδは、検出回路３０１の特性若しくは設定に応じて決定されるものとする。例えば、キャリブレーションデータＣＡＬ＿Ｄａｔａが刻み１変化した場合の検出データＳ＿Ｄａｔａの変化ΔＳ＿Ｄａｔａは、検出回路３０１の回路設定で予測できるものであるから、例えばδ＝ΔＳ＿Ｄａｔａとすれば良い。予測の一例を挙げれば、キャリブレーションデータＣＡＬ＿Ｄａｔａが１変化した場合の物理変化、例えば電流変化や電荷変化は、検出回路３０１が有するゲイン倍した変化ΔＳ＿Ｄａｔａに変換されるのを利用する。ゲインは回路設定で決定されるものであるから、これにより予測が可能と言える。
【０１１５】
ＲＡＭ３０８に初期的に格納されている各交点位置の全てのキャリブレーション補正データＣＡＤＪ＿Ｄａｔ［ｙｍ，ｘｎ］の初期値は例えばゼロとされている。Ｓ＿Ｄａｔａ＞２５６＋δが成立した場合は、その検出データのＸＹ電極交点位置に応ずるキャリブレーションデータＣＡＬ＿Ｄａｔａが＋１されるようなキャリブレーション補正データＣＡＤＪ＿Ｄａｔａを計算して（Ｓ１２）、キャリブレーション補正データ用のＲＡＭ３０８の対応位置に格納すれば良い（Ｓ１３）。Ｓ＿Ｄａｔａ＜２５６−δが成立した場合は、その検出データのＸＹ電極交点位置に応ずるキャリブレーションデータＣＡＬ＿Ｄａｔａが−１されるようなキャリブレーション補正データＣＡＤＪ＿Ｄａｔａを計算して（Ｓ１２）、キャリブレーション補正データ用ＲのＲＡＭ３０８の対応位置に格納すればよい（Ｓ１３）。対応位置とは、判別対象になった検出データＳ＿Ｄａｔａと同じ交点位置に対応されるキャリブレーション補正データＣＡＤＪ＿Ｄａｔａの格納位置を意味する。
【０１１６】
キャリブレーション補正データの更新刻みが大きい場合にはＲＡＭ３０８内の全てのキャリブレーション補正データが最適化されなければタッチ誤判定の原因になる。したがって、そのような場合には、全てのＸＹ電極交点位置のキャリブレーション補正データを取得してＲＡＭ３０８に書き込むまで、制御レジスタ値ＴＰＣ＿ＣＡＬＡＤＪＯＮ＝０に維持しておくことが望ましい。一方、上述の如く、キャリブレーション補正データの更新刻みが±１のように小さい場合には、ＲＡＭ３０８内のキャリブレーション補正データを逐次更新してもタッチ誤判定の虞はないと考えられる。したがって、その場合には、全てのＸＹ電極交点位置のキャリブレーション補正データを取得して一旦ＲＡＭ３０８に書き込んだ後は、制御レジスタ値ＴＰＣ＿ＣＡＬＡＤＪＯＮ＝１の状態に維持したまま、キャリブレーション補正データを更新して環境変動に対しダイナミックに対応することが可能になる。
【０１１７】
特に制限されないが、環境変動に対してダイナミックに対応する場合、キャリブレーション補正データＣＡＤＪ＿Ｄａｔａを取得するためのステップＳ１２，Ｓ１３の処理は、次のタッチ検出フレームのタッチ検出が開始されるまでの間に完了される。換言すれば、次のタッチ検出フレームのタッチ検出タイミングが開始されるまでの間に可能な範囲でステップＳ１１〜Ｓ１３の処理を行う。タッチ検出フレーム全体の検出データに対して処理を完了できない場合には処理を中断すればよい。続きは、次のタッチ検出フレームの検出データに対して、前回処理を中断した交点位置の検出データからステップＳ１１の処理を行えばよい。
【０１１８】
尚、キャリブレーション補正データ用のＲＡＭ３０８に格納するキャリブレーション補正データＣＡＤＪ＿Ｄａｔａの真理値表は、例えば図１１に例示される。この例は補正データＣＡＤＪ＿Ｄａｔａによる補正範囲を６ビットによる±３２（ｄｅｃ）段階とするものであり、特に制限されるものではない。
【０１１９】
以上によれば、温度や湿度などの環境変動に寄って、Ｓ＿Ｄａｔａ＞２５６±δとなっても、キャリブレーションソースデータＣ＿Ｄａｔａを対応するキャリブレーション補正データＣＡＤＪ＿Ｄａｔａを用いて補正することによりＳ＿Ｄａｔａ≒２５６に揃えることができる。環境変動に従ってＲＡＭ３０７のデータを全て書き換える処理とは異なり、環境変動に応答するキャリブレーションデータの調整を容易に実現することができる。
【０１２０】
図１２には上記第１の実施の形態においてタッチパネル１のＸＹ電極交点の配列とキャリブレーション用のＲＡＭ３０７，３０８のデータマッピングとの対応が例示される。例えば、タッチパネル１の左上（ｙ１、ｘ１）に対応するキャリブレーションソースデータＣ＿Ｄａｔａ、キャリブレーション補正データＣＡＤＪ＿Ｄａｔａを対応するＲＡＭ３０７，３０８の左上のアドレスに格納する様子が示される。図１２において、ＬＣＳｍはタッチパネル１の検出ラインＹｍに対応される一列分のキャリブレーションソースデータの列（キャリブレーションソースデータライン）を意味する。図１２において、ＬＣＡｍはタッチパネル１の検出ラインＹｍに対応される一列分のキャリブレーション補正データの列（キャリブレーション補正データライン）を意味する。
【０１２１】
図１３にはタッチパネル１の駆動電極Ｙ１〜Ｙ３に着目して検出動作を行う場合を例に、キャリブレーションデータと検出データの関係を示した動作タイミングが例示される。先ず、電極Ｙ１にパルスを入力する直前に、対応するキャリブレーションソースデータラインＬＣＳ１のデータＣ＿Ｄａｔａ［ｙ１、ｘ１]〜Ｃ＿Ｄａｔａ［ｙ１、ｘＮ］をＲＡＭ３０７から読み出すと共に、対応するキャリブレーション補正データラインＬＣＡ１のデータＣＡＤＪ＿Ｄａｔａ［ｙ１、ｘ１］〜ＣＡＤＪ＿Ｄａｔａ［ｙ１、ｘＮ］をＲＡＭ３０８から読み出して、加算器３０９で前者（ＬＣＳ１）に後者（ＬＣＡ１）を加算し、加算したデータをラインラッチ３０６にキャリブレーションデータＣＡＬ＿Ｄａｔａ［ｙ１、ｘ１］〜ＣＡＬ＿Ｄａｔａ［ｙ１、ｘＮ］としてラッチする。
【０１２２】
ラインラッチ６にラッチされたキャリブレーションデータＣＡＬ＿Ｄａｔａ［ｙ１、ｘ１］〜ＣＡＬ＿Ｄａｔａ［ｙ１、ｘＮ］はＤ／Ａ変換器３０５でアナログ制御信号に変換されてキャリブレーション回路３０４に供給される。キャリブレーション回路３０４はそのアナログ制御信号に基づいて検出電極Ｘ１〜ＸＮのオフセットをキャンセルする動作を行って、検出電圧ＶＯＵＴ１〜ＶＯＵＴＮを得る。検出電圧ＶＯＵＴ１〜ＶＯＵＴＮはＡ／Ｄ変換器３０２で検出データＳ＿Ｄａｔａ［ｙ１、ｘ１］〜Ｓ＿Ｄａｔａ［ｙ１、ｘＮ］に変換されてＲＡＭ３０３に格納される。駆動電極Ｙ１のパルス駆動期間の次の駆動周期では駆動電極Ｙ２が駆動され、このときもその直前に、対応するキャリブレーションソースデータラインＬＣＳ２のデータＣ＿Ｄａｔａ［ｙ２、ｘ１]〜Ｃ＿Ｄａｔａ［ｙ２、ｘＮ］をＲＡＭ３０７から読み出すと共に、対応するキャリブレーション補正データラインＬＣＡ２のデータＣＡＤＪ＿Ｄａｔａ［ｙ２、ｘ１］〜ＣＡＤＪ＿Ｄａｔａ［ｙ２、ｘＮ］をＲＡＭ３０８から読み出して、加算器３０９で前者（ＬＣＳ２）に後者（ＬＣＡ２）を加算し、加算したデータをラインラッチ３０６にキャリブレーションデータＣＡＬ＿Ｄａｔａ［ｙ２、ｘ１］〜ＣＡＬ＿Ｄａｔａ［ｙ２、ｘＮ］としてラッチする。以下同様に、パルス駆動する駆動電極Ｙｍを切り替える度にラインラッチ３０６に、対応するキャリブレーションソースデータＣ＿Ｄａｔａとキャリブレーション補正データＣＡＤＪ＿Ｄａｔａを加算したキャリブレーションデータＣＡＬ＿Ｄａｔａデータを転送しながら、検出動作を実施する。
【０１２３】
図１４乃至図１６にはキャリブレーション回路の例が示される。
【０１２４】
図１４はキャリブレーションデータに応じて電流源の電流量でタッチパネル１の検出電極Ｘｎからの入力信号を調整する場合を示す。模式的に図示された定電流源３４０＿ｎの電流量をＤ／Ａ変換器３０５＿ｎの出力電圧によって制御するように構成される。
【０１２５】
図１５はキャリブレーションデータに応じ容量電荷でタッチパネル１の検出電極Ｘｎからの入力信号を調整する場合を示す。模式的に図示された容量素子３４１＿ｎの一方の容量電極をバッファアンプ３４２＿ｎで駆動し、駆動量に応じて、検出電極Ｘｎに結合された他方の容量電極に印加する容量結合電圧を制御するように構成される。バッファアンプ３４２＿ｎの出力電圧はＤ／Ａ変換器３０５＿ｎの出力によって制御される。
【０１２６】
図１６は上記とは異なり検出回路の出力に対してオフセット調整を行うもので、その出力対して電圧で調整する場合を示す。ここでは、検出回路３０１＿ｎとＡ／Ｄ変換器３０２＿ｎとの間に、キャリブレーション回路として加減算器３５０＿ｎを設けた。加減算器３５０＿ｎは検出回路３の出力電圧ＶＯＵＴｎに対してＤ／Ａ変換器３０５＿ｎで変換された電圧を加減算することによってオフセットを調整する。
【０１２７】
以上説明した第１の実施の形態によれば、キャリブレーションソースデータ用のＲＡＭ３０７とキャリブレーション補正データ用のＲＡＭ３０８はタッチパネルコントローラ３に内蔵されているから、駆動ラインに切り替え毎に対応するキャリブレーションソースデータ及びキャリブレーション補正データを外部のサブプロセッサ５がバスアクセスを起動して転送することを要しない。制御部３００がタッチパネルコントローラ３の内部で自律的に内部転送制御を行えばよい。キャリブレーションソースデータ用のＲＡＭ３０７とキャリブレーション補正データ用のＲＡＭ３０８をタッチパネルコントローラ３の外部に設ける場合に比べて、そのデータ転送処理にバスインタフェースが長く占有されることを抑制でき、また、データ転送で消費される電力の削減にも資することができる。
【０１２８】
また、回路が動作するタッチ検出期間中は、駆動電極Ｙｍ電極が切り替わるたびに、キャリブレーション用ＲＡＭから対応するラインデータを高頻度で読み出して、順次ラインラッチに転送する動作を行っていかなければならない。キャリブレーション補正データを用いない場合には、例えば周辺温度が変化し、最適キャリブレーション値が変化したときは、一旦検出動作を停止して、ＲＡＭ上のキャリブレーションデータを直接書き換えてから、検出動作を再開する必要がある。停止しないで書き換えてしまうと検出信号に対するタッチの有無判別の基準が大きく変わってしまえば誤検出の虞を生ずるだけでなく、書き換え途中のキャリブレーションデータが用いられれば誤検出が多発してタッチ検出の信頼性が著しく低下するからである。検出動作の停止期間中は、タッチパネルを搭載した端末の操作を受け付けない時間を設定せざる得ないため、操作性が悪化することになって望ましくない。
【０１２９】
上記実施の形態の如く、温度などの環境変動に対して、キャリブレーションソースデータを必要に応じてキャリブレーション補正データで補正し、更に、キャリブレーション補正データを小さな刻みで逐次更新することにより、検出動作を休止若しくは停止させなくても、検出信号に対するタッチ有無の判別基準は変わらず、タッチ検出の信頼性を低下させず、タッチ検出動作の休止若しくは停止によって携帯情報端末ＴＭＬの操作が一時的に受け付けられないことによる操作性の悪化も生じない。検出動作を停止せずに、キャリブレーション値を最適化する動的キャリブレーションも可能になる。
【０１３０】
《環境変動に対応するキャリブレーションデータを生成する第２の実施の形態》
図１７には環境変動に対応するキャリブレーションデータを生成する第２の実施の形態に係るタッチパネルコントローラ３Ａが例示される。タッチパネルコントローラ３Ａは第１の実施の形態に係るタッチパネルコントローラ３に対して代替可能である。
【０１３１】
第１の実施の形態と異なる点は、キャリブレーション補正データ用のＲＡＭ３０８に代えて例えば８ビットのキャリブレーション補正データＣＡＤＪ＿Ｄａｔａ［７：０］を格納するレジスタ（パラメータレジスタ）３２２を採用したことである。ここで用いるキャリブレーション補正データＣＡＤＪ＿Ｄａｔａ［７：０］は駆動電極Ｙｍと検出電極Ｘｎの交点毎ではなく、タッチ検出フレーム全体の代表値であるという点においても相違する。第１の実施の形態では、周辺環境の変化、例えば温度変化が発生した場合であっても、非タッチ時の検出データがＳ＿Ｄａｔａ＝２５６になるように、駆動電極Ｙｍと検出電極Ｘｎの交点毎のキャリブレーション補正データＣＡＤＪ＿Ｄａｔａ［ｙ１、ｘ１］〜ＣＡＤＪ＿Ｄａｔａ［ｙＭ、ｘＮ］を使用してキャリブレーションデータＣ＿Ｄａｔａを補正するものである。レジスタ３２２に対するキャリブレーション補正データＣＡＤＪ＿Ｄａｔａ［７：０］の書き込みはサブプロセッサ５が行う。制御部３３０はタッチ検出ライン単位でＲＡＭ３０７から読み出されたキャリブレーションソースデータＣ＿Ｄａｔａにはレジスタ３２２から出力されたキャリブレーション補正データＣＡＤＪ＿Ｄａｔａ［７：０］を毎回加算器３０９で加算制御する。その他の構成については図８と同様であるからその詳細な説明は省略する。
【０１３２】
図１８には第２の実施の形態における環境変動に対応可能なキャリブレーションデータの生成並びにこれを用いたタッチ検出動作のフローが例示される。
【０１３３】
前述の如く第２の実施の形態では交点容量毎のキャリブレーションソースデータＣ＿Ｄａｔａ［ｙ１、ｘ１］〜Ｃ＿Ｄａｔａ［ｙＭ、ｘＮ］に対して代表値としてのキャリブレーション補正データＣＡＤＪ＿Ｄａｔａ［７：０］を用いる。補正しない場合のキャリブレーションデータは式３、補正する場合のキャリブレーションデータは式４とされる。
【０１３４】
ＣＡＬ＿Ｄａｔａ［ｙｍ，ｘｎ］＝Ｃ＿Ｄａｔａ［ｙｍ，ｘｎ］…式３
ＣＡＬ＿Ｄａｔａ［ｙｍ，ｘｎ］＝Ｃ＿Ｄａｔａ［ｙｍ，ｘｎ］＋ＣＡＤＪ＿Ｄａｔａ［７：０］…式４
【０１３５】
キャリブレーションソースデータＣ＿Ｄａｔａは、表示パネル２にタッチパネル１を組み込み且つ表示パネル２のガラス基板にタッチパネルコントローラ３を実装した状態で決定され、実装環境により、電極毎に異なる配線容量負荷、或いは異なる配線抵抗負荷であっても、非タッチ時の検出データＳ＿Ｄａｔａを均一に調整するためのマトリクスデータである。また、キャリブレーション値補正データＣＡＤＪ＿Ｄａｔａ［７：０］は、周辺環境に応じて非タッチ時の検出データＳ＿Ｄａｔａを調整するためのレジスタデータである。制御レジスタ値ＴＰＣ＿ＣＡＬＡＤＪＯＮ＝１に設定された場合に、環境変動対応のキャリブレーションデータＣＡＬ＿Ｄａｔａは式４に従って生成される。すなわち、駆動電極Ｙｍと検出電極Ｘｎの交点（ＸＹ電極交点とも記す）毎のキャリブレーションソースデータＣ＿Ｄａｔａに、代表値であるキャリブレーション補正データＣＡＤＪ＿Ｄａｔａ［７：０］を加減算して、キャリブレーションデータＣＡＬ＿Ｄａｔａを生成する。
【０１３６】
先ず、前提として、少なくとも携帯情報端末の出荷工程時には、作成可能な非タッチ時の検出データＳ＿ＤａｔａがＸＹ電極交点毎に均一になるようなキャリブレーションソースデータＣ＿ＤａｔａがＲＡＭ３０７に準備されているものとする。ここでのキャリブレーションソースデータＣ＿Ｄａｔａは、タッチパネル１が取り付けられた表示モジュールの状態で、検出動作を実施すれば容易に作成できる。例えば、キャリブレーションソースデータＣ＿Ｄａｔａを順次変更した場合の検出データＳ＿Ｄａｔａを交点毎にモニタし、例えば、１０ｂｉｔ空間で考えた場合は、十進数標記で例えばＳ＿Ｄａｔａ＝２５６（ｄｅｃ）になるキャリブレーションソースデータＣ＿Ｄａｔａを取得すればよい。
【０１３７】
動作電源がＯＮにされると（Ｓ１）、初期化動作の一環として、キャリブレーショ用のデータ取得が指示され（Ｓ２）、これによって、サブプロセッサ５がタッチパネルコントローラ３に内蔵されたＲＡＭ３０７に例えば周辺装置７内の記憶装置から前述のキャリブレーションソースデータＣ＿Ｄａｔａを転送する（Ｓ４）。これと共にタッチ検出ラインを示すカウンタをｍ＝１にセットする（Ｓ３）。この後、制御レジスタ値ＴＰＣ＿ＣＡＬＡＤＪＯＮ＝１の場合に制御部３３０はＲＡＭ３０７に格納されているキャリブレーションソースデータＣ＿Ｄａｔａ及びレジスタ３２２に格納されているキャリブレーション補正データＣＡＤＪ＿Ｄａｔａ［７：０］をカウンタが示すタッチ検出ライン単位で読み出し、前者を後者に加算して（Ｓ１４）生成したキャリブレーションデータＣＡＬ＿Ｄａｔａをラインラッチ６に転送する（Ｓ５）。制御レジスタ値ＴＰＣ＿ＣＡＬＡＤＪＯＮ＝０の場合に制御３３０はＲＡＭ３０７に格納されているキャリブレーションソースデータＣ＿Ｄａｔａをカウンタが示すタッチ検出ライン単位で読み出し、これをキャリブレーションデータＣＡＬ＿Ｄａｔａとしてラインラッチ６に転送する（Ｓ５）。ラインラッチ３０６に転送されたキャリブレーションデータＣＡＬ＿ＤａｔａはＤ／Ａ変換３０５＿１〜３０５＿ＮでＤ／Ａ変換され、そのＤ／Ａ変換結果に従ったオフセット調整が例えば検出回路３０１＿１〜３０１＿Ｎの入力に対して行われる。これによって検出回路３０１＿１〜３０１＿Ｎは、検出電電極Ｘ１〜ＸＮに現れる信号を積分して検出動作を実行して、アナログの検出信号ＶＴＧを取得する（Ｓ６）。検出信号ＶＴＧはＡＤ変換器３０２＿１〜３０２＿Ｎによってデジタルの検出データＳ＿Ｄａｔａに変換されて、ＲＡＭに３０３に格納される。ステップＳ５〜Ｓ７が一順される毎にカウンタ値ｍがインクリメント（Ｓ９）され、ｍ＝ＭになりまでなるまでステップＳ５〜Ｓ７，Ｓ９の処理が繰り返される（Ｓ８）。
【０１３８】
ステップＳ８でｍ＝Ｍが判別されると、サブプロセッサ５が、そのときＲＡＭ３０３に格納されたタッチ検出フレームの１フレーム分の検出データＳ＿Ｄａｔａ［ｙ１、ｘ１］〜Ｓ＿Ｄａｔａ［ｙＭ、ｘＮ］を用いてタッチ有無の判別を行う。即ち、ＸＹ電極交点毎の検出データＳ＿Ｄａｔａ［ｙｍ、ｘｎ］を参照してタッチ有無の判定を実施する。タッチ有無判定は、様々な判定方法が考えられるが、一例を挙げるならば、Ｓ＿Ｄａｔａの時間的変化量で判定する方法があり、タッチフレーム単位のＳ＿Ｄａｔａの変化値が３００（ｄｅｃ）を超過したらタッチ有りと判定すれば良い。
【０１３９】
タッチ有りの場合には、サブプロセッサ５はＸＹ電極交点毎の検出データＳ＿Ｄａｔａ［ｙｍ，ｘｎ］を使用してタッチ位置の座標演算を行う（Ｓ１５）。タッチ有りの場合には、これと共に、ステップＳ３に戻って次のタッチ検出フレームに対する処理が開始される。
【０１４０】
一方、ステップＳ１０でタッチ無と判定された場合は、非タッチレベル判定とキャリブレーション値補正を実施する（Ｓ２１〜Ｓ２３）。
【０１４１】
キャリブレーションソースデータＣ＿ＤＡＴによるオフセット調整による非タッチ時の検出データＳ＿ＤａｔａのターゲットをＳ＿Ｄａｔａ＝２５６（ｄｅｃ）とすると、理想的には検出データＳ＿Ｄａｔａ≒２５６が継続される。ここで、タッチがないとき、特定位置の検出データＳ＿Ｄａｔａ又は検出フレーム内の検出データＳ＿Ｄａｔａの平均値に急激な変化がなく、当該データが２５６から小さい、又は大きくなる方向に値が変化していった場合は、周辺環境の変化、例えば温度変化により非タッチレベルが変化したと判断する（Ｓ２１）。判断基準としてパラメータδを設定し、特定位置の検出データＳ＿Ｄａｔａ又は検出フレーム内の検出データＳ＿Ｄａｔａの平均値（以下単に判定値とも称する）についてＳ＿Ｄａｔａ≦２５６±δの場合は、環境変動が小さいと判断してキャリブレーション補正データＣＡＤＪ＿Ｄａｔａ［７：０］を変更せずにステップＳ３から検出動作を再開する。上記判定値についてＳ＿Ｄａｔａ＞２５６±δになった場合は、環境変動が大きいと判断して、キャリブレーションソースデータＣ＿Ｄａｔａの値を補正するキャリブレーション補正データＣＡＤＪ＿Ｄａｔａ［７：０］の補正値を計算して（Ｓ２２）、レジスタ３２２のデータを書き換える（Ｓ２３）。パラメータδは、検出回路３０１の特性若しくは設定に応じて決定されるものとする。キャリブレーションデータＣＡＬ＿Ｄａｔａが１変化した場合の検出データＣＡＤＪ＿Ｄａｔａ［７：０］の変化ΔＳ＿Ｄａｔａは、検出回路３０１の回路設定で予測できるものであるから、例えばδ＝ΔＳ＿Ｄａｔａとすれば良い。予測の一例を挙げれば、キャリブレーションデータＣＡＬ＿Ｄａｔａが１変化した場合の物理変化、例えば電流変化や電荷変化は、検出回路３０１が有するゲイン倍した変化ΔＳ＿Ｄａｔａに変換されるのを利用する。ゲインは回路設定で決定されるものであるから、これにより予測が可能と言える。
【０１４２】
レジスタ３２２に初期的に格納されているキャリブレーション補正データＣＡＤＪ＿Ｄａｔ［７：０］の初期値はゼロとされている。前記判定値についてのＳ＿Ｄａｔａ＞２５６＋δが成立した場合は、その判定値に応ずるキャリブレーションデータＣＡＬ＿Ｄａｔａが＋１されるようなキャリブレーション補正データＣＡＤＪ＿Ｄａｔａ［７：０］を計算し（Ｓ２２）、計算されたデータでレジスタ３２２を上書きする（Ｓ２３）。前記判定値についてのＳ＿Ｄａｔａ＜２５６−δが成立した場合は、その判定値に応ずるキャリブレーションデータＣＡＬ＿Ｄａｔａが−１されるようなキャリブレーション補正データＣＡＤＪ＿Ｄａｔａ［７：０］を計算し（Ｓ２２）、計算されたデータでレジスタ３２２を上書きする（Ｓ２３）。
【０１４３】
レジスタ３２２に格納されるキャリブレーション補正データＣＡＤＪ＿Ｄａｔａ［７：０］の値としては実施の形態１と同様に図１１に示される真理値を採用することができる。上記同様、キャリブレーション補正データの有効ビット数、並びにレジスタ値とキャリブレーション補正データの値との関係も一例に過ぎず適宜変更可能である。
【０１４４】
図１９には上記第２の実施の形態におけるタッチパネル１のＸＹ電極交点の配列とキャリブレーション用のＲＡＭ３０７及びレジスタ３２２のデータマッピングとの対応が例示される。例えば、タッチパネル１の左上（ｙ１、ｘ１）に対応するキャリブレーションソースデータＣ＿Ｄａｔａを対応するＲＡＭ３０７の左上のアドレスに格納する様子が示される。図１９において、ＬＣＳｍはタッチパネル１の検出ラインＹｍに対応される一列分のキャリブレーションソースデータの列（キャリブレーションソースデータライン）を意味する。レジスタ３２２はタッチパネル１の各ＸＹ交点電極に共通のキャリブレーション補正データＣＡＤＪ＿Ｄａｔａ［７：０］を保持する。
【０１４５】
図２０にはタッチパネル１の駆動電極Ｙ１〜Ｙ３に着目して検出動作を行う場合を例に、キャリブレーションデータと検出データの関係を示した動作タイミングが例示される。先ず、電極Ｙ１にパルスを入力する直前に、対応するキャリブレーションソースデータラインＬＣＳ１のデータＣ＿Ｄａｔａ［ｙ１、ｘ１]〜Ｃ＿Ｄａｔａ［ｙ１、ｘＮ］をＲＡＭ３０７から読み出すと共に、キャリブレーション補正データＣＡＤＪ＿Ｄａｔａ［７：０］をレジスタ３２２から読み出して、加算器３０９でデータＣ＿Ｄａｔａ［ｙ１、ｘ１]〜Ｃ＿Ｄａｔａ［ｙ１、ｘＮ］の８ビットデータ単位で補正データＣＡＤＪ＿Ｄａｔａ［７：０］を加算し、加算したデータをラインラッチ３０６にキャリブレーションデータＣＡＬ＿Ｄａｔａ［ｙ１、ｘ１］〜ＣＡＬ＿Ｄａｔａ［ｙ１、ｘＮ］としてラッチする。
【０１４６】
ラインラッチ６にラッチされたキャリブレーションデータＣＡＬ＿Ｄａｔａ［ｙ１、ｘ１］〜ＣＡＬ＿Ｄａｔａ［ｙ１、ｘＮ］はＤ／Ａ変換器３０５でアナログ制御信号に変換されてキャリブレーション回路３０４に供給される。キャリブレーション回路３０４はそのアナログ制御信号に基づいて検出電極Ｘ１〜ＸＮのオフセットをキャンセルする動作を行って、検出電圧ＶＯＵＴ１〜ＶＯＵＴＮを得る。検出電圧ＶＯＵＴ１〜ＶＯＵＴＮはＡ／Ｄ変換器３０２で検出データＳ＿Ｄａｔａ［ｙ１、ｘ１］〜Ｓ＿Ｄａｔａ［ｙ１、ｘＮ］に変換されてＲＡＭ３０３に格納される。駆動電極Ｙ１のパルス駆動期間の次の駆動周期では駆動電極Ｙ２が駆動され、このときもその直前に、対応するキャリブレーションソースデータラインＬＣＳ２のデータＣ＿Ｄａｔａ［ｙ２、ｘ１]〜Ｃ＿Ｄａｔａ［ｙ２、ｘＮ］をＲＡＭ３０７から読み出すと共に、キャリブレーション補正データＣＡＤＪ＿Ｄａｔａ［７：０］をレジスタ３２２から読み出して、上記同様に８ビット単位で加算し、加算したデータをラインラッチ３０６にキャリブレーションデータＣＡＬ＿Ｄａｔａ［ｙ２、ｘ１］〜ＣＡＬ＿Ｄａｔａ［ｙ２、ｘＮ］としてラッチする。以下同様に、パルス駆動する駆動電極Ｙｍを切り替える度に対応するキャリブレーションソースデータＣ＿Ｄａｔａとキャリブレーション補正データＣＡＤＪ＿Ｄａｔａ［７：０］を加算して、検出動作を実施する。
【０１４７】
実施の形態２によれば、実施の形態１に比べてキャリブレーション補正データを取得するための演算時間の短縮、キャリブレーション補正データのデータ量削減を図ることができる。但し、キャリブレーション補正データはタッチ検出フレームに対する代表値であるから、タッチ検出フレームの部位の間での温度の影響に大きな差がある場合には検出信号のオフセット調整精度が低くなる。その他の作用効果は実施の形態１と同様である。
【０１４８】
《環境変動に対応するキャリブレーションデータを生成する第３の実施の形態》
図２１には環境変動に対応するキャリブレーションデータを生成する第３の実施の形態に係るタッチパネルコントローラ３Ｂが例示される。第３の実施の形態に係るタッチパネルコントローラ３Ｂは第１の実施の形態に係るタッチパネルコントローラ３に対して代替可能である。
【０１４９】
タッチパネルコントローラ３Ｂはキャリブレーション補正データ用のＲＡＭ３０８やレジスタ３２２を用いずに、動的キャリブレーションを実現する為のアドレス制御によってＲＡＭ３０７上でキャリブレーションソースデータＣ＿Ｄａｔａを書き換え可能にした点が上記実施の形態１，２と相違する。特に図２１ではＲＡＭ３０７に対するアドレス制御回路を図示している。上記実施の形態１，２においても図示は省略したがＲＡＭ３０７などに対するアドレス制御回路を備えている。特に実施の形態３では、駆動・検出制御回路３３１Ｂによるアドレス制御回路３３２を介するＲＡＭ３０７からのキャリブレーションソースデータＣ＿Ｄａｔａの読出しと、サブプロセッサ５からの書き込みコマンドに応答するアドレス制御回路３３２を介するＲＡＭ３０７へのキャリブレーションソースデータＣ＿Ｄａｔａの書き込みとが競合しないようにするための制御を保証する。即ち。信号ＴＥＮＢは駆動・検出制御回路３３１がアドレス制御回路３２２にＲＡＭ３０７からラインラッチ３０６へのキャリブレーションソースデータＣ＿Ｄａｔａの転送を指示する信号である。信号ＷＥＮＤはＲＡＭ３０７に対するキャリブレーションソースデータＣ＿Ｄａｔａの書き込み完了状態を駆動・検出回路に通知する信号である。駆動・検出制御回路３３１は信号ＷＥＮＤがイネーブル（書き込み完了状態）にされていることを確認して信号ＴＥＮＢをイネーブル（転送指示）にする。
【０１５０】
動的キャリブレーションを保証する上で上記タイミング制御が必要な理由を述べる。キャリブレーション回路３０４は、ラインラッチ３０６に転送されたキャリブレーションデータＣＡＬ＿Ｄａｔａに従って動作する。ラインラッチ３０６のキャリブレーションデータＣＡＬ＿Ｄａｔａの値は、検出するＹ電極Ｙｍが切り替わる度に、ＲＡＭ３０７から転送されるが、転送時間は検出時間に対して十分に小さい。逆の言い方をすると、次のＹ電極Ｙｍに切り替わるタイミングまでＲＡＭ３０７の読み出し動作が実行されるまでの待機時間は大きい。更に、ＲＡＭ３０７上で同じＹ電極ＹｍのためのキャリブレーションソースデータＣ＿Ｄａｔａが再び読み出されるのは、タッチ検出の１フレーム後である。以上を考慮すれば、周辺環境が変化し、最適キャリブレーション値も変化した場合は、ラインラッチ３０６へのデータ転送が完了したアドレスに対して、次の読み出しを行うまでの待機時間で、ＲＡＭ３０７上での書き換え動作を実施すれば良い。この制御の為には、キャリブレーションソースデータＣ＿Ｄａｔａ用のＲＡＭ３０７の書き換え動作中に検出動作が始まってラインラッチ３０６へのデータ転送が並行して実施されることを回避する必要がある。これを実現するため、駆動・検出制御回路が規定するＲＡＭ３０７からラインラッチ３０６へのデータ転送タイミングを信号ＴＥＮＢでアドレス制御回路３３２に指示し、アドレス制御回路３３２が出力するＲＡＭ３０７の書き換え終了タイミングを信号ＷＥＮＤで駆動・検出制御回路３３１に指示する。尚、本実施の形態ではレジスタ３２１は不要である。
【０１５１】
図２２には第３の実施の形態における環境変動に対応可能なキャリブレーションデータの生成並びにこれを用いたタッチ検出動作のフローが例示される。
【０１５２】
キャリブレーションソースデータＣ＿Ｄａｔａは、上記実施の形態１，２と同様に生成され、少なくとも携帯情報端末の出荷工程時には、作成可能な非タッチ時の検出データＳ＿ＤａｔａがＸＹ電極交点毎に均一になるようなキャリブレーションソースデータＣ＿ＤａｔａがＲＡＭ３０７に準備されているものとする。
【０１５３】
動作電源がＯＮにされると（Ｓ１）、初期化動作の一環として、キャリブレーショ用のデータ取得が指示され（Ｓ２）、これによって、サブプロセッサ５がタッチパネルコントローラ３に内蔵されたＲＡＭ３０７に例えば周辺装置７内の記憶装置から前述のキャリブレーションソースデータＣ＿Ｄａｔａを転送する（Ｓ４）。これと共にタッチ検出ラインを示すカウンタをｍ＝１にセットする（Ｓ３）。この後、ＲＡＭ３０７に格納されているキャリブレーションソースデータＣ＿Ｄａｔａをカウンタが示すタッチ検出ライン単位で読み出してラインラッチ６に転送する（Ｓ５）。ラインラッチ３０６に転送されたキャリブレーションデータＣＡＬ＿ＤａｔａはＤ／Ａ変換３０５＿１〜３０５＿ＮでＤ／Ａ変換され、そのＤ／Ａ変換結果に従ったオフセット調整が例えば検出回路３０１＿１〜３０１＿Ｎの入力に対して行われる。これによって検出回路３０１＿１〜３０１＿Ｎは、検出電電極Ｘ１〜ＸＮに現れる信号を積分して検出動作を実行して、アナログの検出信号ＶＴＧを取得する（Ｓ６）。検出信号ＶＴＧはＡＤ変換器３０２＿１〜３０２＿Ｎによってデジタルの検出データＳ＿Ｄａｔａに変換されて、ＲＡＭに３０３に格納される。サブプロセッサ５が、そのときＲＡＭ３０３に格納されたタッチ検出ラインの検出データＳ＿Ｄａｔａ［ｙｍ、ｘｎ］を用いてタッチ有無の判別を行う（Ｓ３０）。タッチ有無の判定は上記実施の形態１，２と同様に行えばよい。
【０１５４】
タッチなしの場合にはステップＳ３１の処理に進み、タッチ有りの場合にはｍ＝Ｍを判別し（Ｓ８）、カウンタ値ｍをインクリメントしてステップＳ５〜Ｓ８，Ｓ３０、Ｓ３１の処理が繰り返される。ステップＳ８においてｍ＝Ｍが判別されると、サブプロセッサ５は、そのときＲＡＭ３０３に格納されたタッチ検出フレームの１フレーム分の検出データＳ＿Ｄａｔａ［ｙ１、ｘ１］〜Ｓ＿Ｄａｔａ［ｙＭ、ｘＮ］を用いてタッチ有無の判別を行、また、タッチパネルコントローラ３ＢはステップＳ３に戻って上記処理を繰り返す。
【０１５５】
ステップＳ３０においてタッチ無しであると判別されたときに遷移するステップＳ３１では非タッチレベルの判定を実施する。非タッチ時の検出データのターゲット（Ｓ＿Ｄａｔａ＿ｔａｒｇｅｔ）をＳ＿Ｄａｔａ＝２５６（Ｄｅｃ）とすると、理想的にはＳ＿Ｄａｔａ≒２５６が継続される。ここで、タッチがなく、言い換えるとＳ＿Ｄａｔａに急激な変化がなく、Ｓ＿Ｄａｔａが２５６から小さい、又は大きくなる方向に値が変化していった場合は、周辺環境の変化、例えば温度変化により非タッチレベルが変化したと判断する。判断基準としてパラメータδを設定し、Ｓ＿Ｄａｔａ≦２５６±δの場合は、環境変動が小さいと判断してキャリブレーションソースデータＣ＿Ｄａｔａは変更せずに継続して検出動作を実施し、Ｓ＿Ｄａｔａ＞２５６±δになった場合は、環境変動が大きいと判断してキャリブレーションソースデータＣ＿Ｄａｔａの書き換えを実施する。尚、パラメータδは、検出回路３０１の設定に応じて決定されるものとする。キャリブレーションソースデータＣ＿Ｄａｔａが１変化した場合の検出データＳ＿Ｄａｔａの変化ΔＳ＿Ｄａｔａは、検出回路３０１の回路設定で予測できるものであるから、例えばδ＝ΔＳ＿Ｄａｔａとすれば良い。そして、Ｓ＿Ｄａｔａ＞２５６＋δが成立した場合は、キャリレーションソースデータＣ＿Ｄａｔａ［ｙｍ−１，ｘｎ］を＋１にする演算を行い（Ｓ３２）、その演算結果を用いてＲＡＭ３０７の対応アドレスを書き換える（Ｓ３３）。また、Ｓ＿Ｄａｔａ＜２５６−δが成立した場合は、キャリレーションソースデータＣ＿Ｄａｔａ［ｙｍ−１，ｘｎ］を−１する演算を行い（Ｓ３）、その演算結果を用いてＲＡＭ３０７の対応アドレスを書き換える（Ｓ３３）。このとき、書き換え対象のキャリレーションソースデータＣ＿Ｄａｔａ［ｙｍ−１，ｘｎ］は、書き換え中に検出動作で使用されることはなく、キャリレーションソースデータＣ＿Ｄａｔａ［ｙｍ−１，ｘｎ］が使用されるのは、次の１フレーム後の検出の時になる。また、キャリレーションソースデータＣ＿Ｄａｔａ［ｙｍ−１，ｘｎ］が書き換え中に、並行して実施される検出動作で使用するキャリブレーションソースデータはＣ＿Ｄａｔａ［ｙｍ，ｘｎ］であり、キャリブレーションソースデータの読み込みと書き込みが衝突することはない。即ち、信号ＷＥＮＤがディスエーブルにされているＲＡＭ３０７の書き込み動作中には信号ＴＥＮＢがディスエーブルにされずＲＡＭ３０７からキャリレーションソースデータＣ＿Ｄａｔａが読み出されてラインラッチ３０６に転送されることが抑止される（ＩＮＨ）。
【０１５６】
これにより、キャリブレーションソースデータを動的に書き換えることによって環境変動に対応してタッチ検出のオフセット調整を行うことができる。他の実施の形態のようにキャリブレーション補正データを格納するためのＲＡＭ３０８やレジスタ３２２を要しない。更に、書き換え対象のキャリレーションソースデータが検出動作で使用されないことを制御部３３０の制御によって容易に保証することができる。したがって、環境に対応したキャリブレーションを安定的に且つハードウェアの増大を抑えながら実行可能である。
【０１５７】
《環境変動に対応するキャリブレーションデータを生成する第４の実施の形態》
図２３には環境変動に対応するキャリブレーションデータを生成する第４の実施の形態に係るタッチパネルコントローラ３Ｃが例示される。第４の実施の形態に係るタッチパネルコントローラ３Ｃは第１の実施の形態に係るタッチパネルコントローラ３に対して代替可能であり、第２の実施の形態に比べて、携帯情報端末ＴＭＬ内に温度センサ１１を配置し、サブプロセッサ５がそれによる温度測定結果に基づいてキャリブレーション補正データＣＡＤＪ＿Ｄａｔａを設定するように構成した点が相違される。即ち、検出データＳ＿Ｄａｔａに基づいてキャリブレーション補正データを計算するのではなく、温度センサ１１の出力に応じてデータテーブル（ＡＤＪＴＢＬ）５０などを参照してキャリブレーション補正データの値を決定可能になる。したがって、補正データの計算が不要になり、サブプロセッサ５によるキャリブレーション補正データに割り当てていたデータ処理能力を座標計算、デジタルフィルタ、及びその他のデータ処理に割り当てることが可能になり、サブプロセッサ５によるデータ処理能力に余裕が生ずる。
【０１５８】
図２４には温度センサを設置した場合の補正処理フローを例示する。第４の実施の形態では温度に対するキャリブレーション補正データの値が予め決定されている。例えばその内容はサブプロセッサ５が実行するソフトウェア若しくはサブプロセッサ５が参照するデータテーブルなどによって予め定義されている。
【０１５９】
図２４において補正可否を判定する基準温度をＴとする（Ｓ４０）。基準温度Ｔを境に測定温度が低い場合は、キャリブレーションソースデータの補正が必要ないと判定し、制御レジスタ値ＴＰＣ＿ＣＡＬＡＤＪＯＮ＝０と設定して、キャリブレーション調整機能はＯＦＦにされる（Ｓ４１）。これに対し、基準温度Ｔを境に測定温度が高い場合は、キャリブレーション値の補正が必要ありと判定し、制御レジスタ値ＴＰＣ＿ＣＡＬＡＤＪＯＮ＝１と設定して、キャリブレーション調整機能はＯＮにされる（Ｓ４２）。補正量はレジスタ値ＴＰＣ＿ＣＡＬＡＤＪで決定される。図２４において、例えばＣＡＤＪ＿Ｄａｔａ［７：０］＝８’ｈ０Ａとされる。図１１の真理値を参照すると、補正量は＋１０となるが、この設定は一例であり、タッチパネル１やタッチパネルコントローラ３Ｃの温度特性に応じて調整されるものであることは言うまでもない。
【０１６０】
図２５には判定の基準温度をＴ１〜Ｔ５のように複数のレンジで設定した場合の真理値の一例が示される。温度センサ１１の測定温度が室温２５℃だった場合は、Ｔ３の範囲であり、ＣＡＤＪ＿Ｄａｔａ［７：０］＝８’ｈ００に設定して、キャリブレーションソースデータＣ＿Ｄａｔａの補正は実施しないとする。図２５の真理値では、測定温度がＴ３の温度範囲より低い場合は、キャリブレーション補正データＣＡＤＪ＿Ｄａｔａ［７：０］の補正値は負の値に設定し、測定温度がＴ３の温度範囲より高い場合は、キャリブレーション補正データＣＡＤＪ＿Ｄａｔａ［７：０］の補正量は正の値に設定する。もちろん、真理値にあるＴ１〜Ｔ５の温度範囲の設定はこれに限るものではなく、またレジスタ３２２に対しするキャリブレーション補正データＣＡＤＪ＿Ｄａｔａ［７：０］の最適設定もタッチパネル１やタッチパネルコントローラ３Ｃの特性に応じて変更される性質のものであり、判定用の温度設定も補正量の符号もタッチパネル１の構造や検出方式によって変更しえるものである。
【０１６１】
本発明は上記実施の形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲において種々変更可能であることは言うまでもない。
【０１６２】
例えば第２の実施の形態における補正データＣＡＤＪ＿Ｄａｔａ［７：０］はタッチ検出フレーム全体に対する一つの代表値であることに限定されない。例えば、タッチ検出フレームの中央部と周辺部の夫々に分けた複数個の代表値にしてもよい。
【０１６３】
検出回路は積分に限定されない。検出電極に現れる信号を順次平均する平均処理などを行って検出信号を生成する回路等でも良い。要するに、検出電極に現れる信号を積み上げ的に処理する操作を行う回路であればよい。
【０１６４】
また、Ａ／Ｄ変換器についても、検出回路の出力を順次選択してＡ／Ｄ変換することによって、Ａ／Ｄ変換器の数若しくはＡ／Ｄ変換チャネルの数を減らすようにしてもよい。
【０１６５】
また、キャリブレーション補正データを取得する方法は実施の形態１，２で説明した検出データの誤差に基づく手法に限定されず、実施の形態４の如く、温度や湿度の変化という環境変動の検出結果に基づいて対応するキャリブレーション補正データを選択するという手法を適用することも可能である。
【０１６６】
また、代表データとしてのキャリブレーション補正データＣＡＤＪ＿Ｄａｔａ［７：０］はタッチ検出フレーム全体に対して１個のデータに限定されず、当該フレームの縁部と中央部と言うように部位毎に代表する複数個の代表データであってよいことは言うまでもない。この場合にはレジスタ３２２は、複数の代表データを格納可能なパラメータレジスタであればよい。
【０１６７】
ＲＡＭを用いる場合にも、キャリブレーションソースデータを格納するＲＡＭ７とキャリブレーション補正データを格納するＲＡＭ８を別々に設ける構成に限定されず、１個のデュアルポートＲＡＭに双方のデータを格納して、双方のデータを並列アクセス可能にしてもよい。
【０１６８】
また、ＲＡＭ３０８に対するキャリブレーション補正データの書き込みはサブプロセッサ５のコマンド制御で行うことに限定されず、サブプロセッサ５の直接アクセスによって書き込むようにしてもよい。その場合にはＲＡＭ３０８をサブプロセッサ５のアドレス空間に配置しなければならない。パラメータレジスタ３２２に代表されるレジスタ部３２０へのコマンド及びデータの書き込み制御についても所要のレジスタ書き込みプロトコルにしたがって行えばよい。
【０１６９】
また、表示パネルは液晶パネルに限定されず、ＥＬパネル、プラズマパネルなど、別の表示形式を持つものであってもよい。
【０１７０】
半導体装置はシングルチップであっても良いし、モジュール化されたマルチチップ構成であっても良い。
【符号の説明】
【０１７１】
１  タッチパネル（ＴＰ）
２  表示パネル（ＤＰ）
３，３Ａ，３Ｂ，３Ｃ  タッチパネルコントローラ（ＴＰＣ）
４  表示コントローラ（ＤＰＣ）
５  サブプロセッサ（ＳＭＰＵ）
６  ホストプロセッサ（ＨＭＰＵ）
７  その他周辺機器（ＰＲＰＨ）
１０Ａ  半導体装置
１１  温度センサ
５０  データテーブル
３０１（３０１＿１〜３０１＿Ｎ）  積分回路
Ｙｍ（Ｙ１〜ＹＭ）  Ｙ電極
Ｘｎ（Ｘ１〜ＸＮ）  Ｘ電極
Ｃｘｙ  交点容量
Ｓ＿Ｄａｔａ［ｙ１，ｘ１］〜Ｓ＿Ｄａｔａ［ｙＭ，ｘＮ］  Ａ／Ｄ変換結果データ（検出データ）
３００  駆動回路
３０２（３０２＿１〜３０２Ｎ）  Ａ／Ｄ変換器
３０３  検出データ用のＲＡＭ
３０４（３０４＿１〜３０４Ｎ）  キャリブレーション回路
３０５（３０５＿１〜３０５＿Ｎ）  Ｄ／Ａ変換器
３０６  ラインラッチ
３０７  キャリブレーションソースデータ用のＲＡＭ
３０８  キャリブレーション補正データ用のＲＡＭ
３０９  加算器
３１１  バスインタフェース
３２０  レジスタ部
３２１  制御レジスタ
３２２  キャリブレーション補正データＣＡＤＪ＿Ｄａｔａ［７：０］を格納するレジスタ（パラメータレジスタ）
３３２  アドレス制御回路
ＴＥＮＢ  キャリブレーションソースデータＣ＿Ｄａｔａの転送指示信号
ＷＥＮＤ  キャリブレーションソースデータＣ＿Ｄａｔａの書き込み完了状態の通知信号
ＴＰＣ＿ＣＡＬＡＤＪＯＮの  制御レジスタの設定値
３３０  制御部
３３１，３３１Ａ  駆動・検出制御回路
ＣＡＬ＿Ｄａｔａ［ｙｍ，ｘ１］〜ＣＡＬ＿Ｄａｔａ［ｙｍ，ｘＮ］  キャリブレーションデータ
Ｃ＿Ｄａｔａ［ｙ１，ｘ１］〜ＣＡＬ＿Ｄａｔａ［ｙＭ，ｘＮ］  キャリブレーションソースデータ
ＣＡＤＪ＿Ｄａｔａ［ｙ１，ｘ１］〜ＣＡＤＪ＿Ｄａｔａ［ｙＭ，ｘＮ］  キャリブレーション補正データ
３４０＿ｎ  定電流源
３０５＿ｎ  Ｄ／Ａ変換器
３４１＿ｎ  容量素子
３４２＿ｎ  バッファアンプ
３５０＿ｎ  加減算器
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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【図２５】
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