(57)【要約】【課題】  簡便な工法で高い半田接合力を得ることができるベースと当該ベースの製造方法および当該ベースを用いた圧電デバイスを提供することを目的とする。【解決手段】  水晶振動子１に用いられるベース２の側面には、ベースの高さ方向に伸長する複数の溝７が凹凸状に連続して形成されている。そして４つの外部接続端子５，５，５，５が、ベースの底面２２の周縁に沿って当該底面に形成されているとともに、ベースの底面２２から連続して溝７の内部にも及んで形成されている。【選択図】  図４
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
圧電デバイスに用いられるベースであって、
前記ベースの側面には、ベースの高さ方向に伸長する複数の溝が凹凸状に連続して形成され、
複数の外部接続端子が、前記ベースの底面の周縁に沿って当該底面に形成されているとともに、当該底面から連続して前記溝の内部にも及んでいることを特徴とするベース。
【請求項２】
前記ベースの底面が平面視略矩形であり、当該底面の４隅に当該底面の周縁に沿って４つの外部接続端子が配され、前記溝の内部に及んだ前記外部接続端子のベースの側面視における高さが一定でないことを特徴とする請求項１に記載のベース。
【請求項３】
請求項１または請求項２に記載のベースに、少なくとも圧電振動素子を収容し、蓋を接合することによって少なくとも圧電振動素子を気密に封止した圧電デバイス。
【請求項４】
圧電デバイスに用いられるベースの製造方法であって、
多数個の平面視略矩形のベースが格子状に整列し一体成形され、各ベースの領域を縦横に区画する境界線同士が交差する点を中心として、互いに隣接する４つのベースの各底面に跨るように導体が形成されたベース基板を用意するベース基板形成工程と、
レーザービームを前記ベース基板の底面側から前記境界線に沿って断続的に照射するビーム照射工程と、
前記境界線に沿ってベース基板を分割することによって、
ベースの側面にベースの高さ方向に伸長する複数の溝が凹凸状に連続して形成され、
４つの外部接続端子が、ベースの底面の周縁に沿って当該底面の４隅に配されるとともに、当該底面から連続して前記溝の内部にも及んだベースを多数個得る分割工程と、
を有するベースの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、圧電デバイスに用いられるベースと当該ベースの製造方法および当該ベースを用いた圧電デバイスに関する。
【背景技術】
【０００２】
ＡＴカット水晶振動子等の圧電デバイスは、各種通信機器など様々な用途に用いられている電子部品である。例えば車載用途については、ＥＣＵ（電子制御ユニット）の基準周波数を創出するタイミングデバイスとして水晶振動子が使用されている。近年、ＥＣＵ基板の大きさが縮小してきているため、当該基板に搭載される水晶振動子の搭載スペースも狭小化が進んでいる。前記水晶振動子は平面視の外形寸法として例えば長さ３．２ｍｍ×幅２．５ｍｍ程度で、かつ薄型のものが要求されている。さらに車載用途においては、特に水晶振動子と外部基板との高い半田接合力が要求されるが、水晶振動子の小型化に伴って充分な接合強度を得ることが困難になってきている。
【０００３】
圧電振動子の外部基板との半田接合力を向上させるための工夫として、例えば圧電振動子の底面部に凸凹部を形成し、当該凸凹部にならうように外部電極を設けることによって、リフロー処理での基板への実装を強固かつ適切な状態にする構成が特許文献１に開示されている。なお特許文献２には実装電極（外部接続端子）に絶縁基板が露出した溝部を設けた構成が、特許文献３には水晶振動子のベース（水晶片を収容するための容器）の外底面に窪みを設け、当該窪みに実装端子（外部接続端子）を形成した構成がそれぞれ開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特許第４７７７７４５号
【特許文献２】特開２００９−２２４７４１号
【特許文献３】特開２０１０−２６８４３９号
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
特許文献１乃至３ではベースの底面に加工を施したり、外部端子の形状に工夫が加えられている。しかしながら特許文献１および特許文献３では予め圧電デバイスの底面に凸凹部や窪みを形成しておく必要があり、工数が増加してしまうことになる。また、圧電振動デバイスの高さ方向（上下方向）への凹部や窪みの成形ばらつき等によっては、リフロー処理時に圧電デバイスが傾斜したり回転する虞がある。また特許文献２では実装電極の形成領域内においては半田との接合強度を増大させることはできるものの、圧電デバイス自体が小型になってくると充分な接合強度を得ることが困難になってくる。
【０００６】
本発明は、かかる点に鑑みてなされたものであり、簡便な工法で高い半田接合力を得ることができるベースと当該ベースの製造方法および当該ベースを用いた圧電デバイスを提供することを目的とするものである。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上記目的を達成するために請求項１に係る発明は、圧電デバイスに用いられるベースであって、前記ベースの側面には、ベースの高さ方向に伸長する複数の溝が凹凸状に連続して形成され、複数の外部接続端子が、前記ベースの底面の周縁に沿って当該底面に形成されているとともに、当該底面から連続して前記溝の内部にも及んでいる。
【０００８】
上記発明によると、当該ベースを用いた圧電デバイスと外部基板との半田接合強度を向上させることができる。これはベースの高さ方向に伸長する溝が、ベースの側面に凹凸状に複数連続して形成されていることによってベースの側面の表面積が増大するとともに、外部接続端子がベースの底面から連続して前記溝の内部にも及んでいることによってリフロー時に溶融した半田のフィレットが形成されるからである。
【０００９】
また上記目的を達成するために請求項２に係る発明は、前記ベースの底面が平面視略矩形であり、当該底面の４隅に当該底面の周縁に沿って４つの外部接続端子が配され、前記溝の内部に及んだ前記外部接続端子のベースの側面視における高さが一定となっていない。
【００１０】
上記発明によると、使用するベースの形状に応じて前述の半田のフィレットの形成高さをコントロールすることができる。例えば、平面視矩形状のベースのアスペクト比（長辺寸法と短辺寸法との比）に応じて、前記溝の内部に及ぶ外部接続端子のベースの側面視の高さを可変させることができる。これを次に説明する。
【００１１】
アスペクト比が相対的に小さいベースの場合、ベースの長辺および短辺の両端である４隅を含む領域を補強するために、外部接続端子の前記溝の内部に及ぶ高さを、前記４隅が最も高く（ベース底面を基準としてよりベースの上方まで）なるように設定し、当該４隅の近傍の領域は前記４隅よりも低くなるように設定する。これにより、ベースの底面の４隅において半田のフィレットが当該４隅近傍の部位よりも相対的に高く形成されるので、ベースの底面の４隅を含む領域における半田の接合強度をより向上させることができる。
【００１２】
一方、アスペクト比が相対的に大きいベースの場合、長手方向であるベースの長辺中央部分が、圧電デバイスと半田で接合された外部基板の反りによる応力の影響を最も受けやすい領域となる。このような場合、ベースの側面における外部接続端子の形成領域のうちベースの長辺中央に最も近くなる位置において、前記溝の内部に及ぶ高さが最大となるようにする。これにより、ベースの長辺方向における剛性を半田のフィレットによって補うことができる。
【００１３】
さらに上記目的を達成するために請求項３に係る発明は、請求項１または請求項２に記載のベースに、少なくとも圧電振動素子を収容し、蓋を接合することによって少なくとも圧電振動素子を気密に封止した圧電デバイスとなっている。
【００１４】
上記発明によると、前述した作用効果を有する圧電デバイスを得ることができる。
【００１５】
さらに上記目的を達成するために請求項４に係る発明は、圧電デバイスに用いられるベースの製造方法であって、多数個の平面視略矩形のベースが格子状に整列し一体成形され、各ベースの領域を縦横に区画する境界線同士が交差する点を中心として、互いに隣接する４つのベースの各底面に跨るように導体が形成されたベース基板を用意するベース基板形成工程と、レーザービームを前記ベース基板の底面側から前記境界線に沿って断続的に照射するビーム照射工程と、前記境界線に沿ってベース基板を分割することによって、ベースの側面にベースの高さ方向に伸長する複数の溝が凹凸状に連続して形成され、４つの外部接続端子が、ベースの底面の周縁に沿って当該底面の４隅に配されるとともに、当該底面から連続して前記溝の内部にも及んだベースを多数個得る分割工程と、を有するベースの製造方法となっている。
【００１６】
上記発明によると、ベースの側面にベースの高さ方向に伸長する複数の溝が凹凸状に連続して形成され、４つの外部接続端子が、ベースの底面の周縁に沿って当該底面の４隅に配されるとともに、当該底面から連続して前記溝の内部にも及んだベースを効率的に製造することができる。前記ビーム照射工程においてレーザービームを前記ベース基板の底面側から前記境界線に沿って断続的に照射することによって、溶融した前記導体をベースの基材側へ回り込ませることができる。そして前記分割工程においてベース基板を前記境界線に沿って分割することによって、前記構成の外部接続端子を有するベースを効率的に製造することができる。
【発明の効果】
【００１７】
以上のように、本発明によれば、簡便な工法で高い半田接合力を得ることができるベースと当該ベースの製造方法および当該ベースを用いた圧電デバイスを提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１８】
【図１】本発明に係るベース基板の底面模式図
【図２】本発明に係るベース基板の上面模式図
【図３】本発明に係るベース基板の底面の部分拡大図
【図４】本発明に係るベースの底面から見た斜視図
【図５】本発明に係る水晶振動子の製造方法を示す側面模式図
【図６】本発明の実施形態の変形例を示す水晶振動子の側面模式図
【図７】本発明の実施形態の変形例を示す水晶振動子の側面模式図
【発明を実施するための最良の形態】
【００１９】
以下、本発明による実施形態を圧電デバイスとして表面実装型の水晶振動子を例に挙げて説明する。本実施形態で適用される水晶振動子の外観は略直方体であり、平面視では略矩形となっている。本実施形態では水晶振動子の平面視の外形寸法は縦２．５ｍｍ×横２．０ｍｍとなっている。前記水晶振動子は、ベースと水晶振動素子と蓋とが主な構成部材となっている。前記ベースは水晶振動素子を収容するための凹部を備えた容器であり、上部が開口した箱状体となっている。前記ベースの凹部には水晶振動素子が収容され、ベースの開口部分を覆うように平板状の蓋がベースと接合されることによって水晶振動素子がベースの内部に気密封止されるようになっている。次に本発明に係るベースの製造方法のうち主要な工程について説明する。
【００２０】
まず図１乃至２を参照しながら、本発明に係るベースの製造方法における「ベース基板形成工程」について説明する。図１は本発明に係るベース２が多数個、格子状に整列して一体形成されたベース基板２００の底面側から見た模式図となっている。ベース基板２００は複数のセラミックグリーンシートの積層体であり、これら複数のシートは所定位置に内部配線の印刷処理を施した後に位置決め積層され、焼成によって一体成形されている。
【００２１】
ベース基板２００の表面２０１と裏面２０２には、各ベースの領域（図１乃至２において符号Ａ、Ｂで示す領域が１区画）を縦横に区画する境界線ＢＬ１，ＢＬ２が形成されており、これらの境界線ＢＬ１，ＢＬ２はベース基板の平面視で略一致するように形成されている。ベース基板２００の裏面２０２には、境界線ＢＬ１，ＢＬ２とが交差する点Ｃを中心として、互いに隣接する４つのベースの各底面に跨るように導体５０が形成されている（捨代領域Ｒに面する辺においては隣接する２つのベースに跨るように導体５０が形成されている）。なお図１乃至２では説明の便宜上、ベースの個数を減らして図示している。
【００２２】
ベース基板２００の裏面２０２に形成された導体５０は、ベース基板２００の分割後には個々のベースの外部接続端子（５）となる。この導体５０は図示しないめっき用配線を介して、電解めっき法によって一括で形成されている。
【００２３】
図２は本発明に係るベース基板の上面側から見た模式図である。図２に示すようにベース基板２００の表面２０１には複数の凹部８，８，・・・，８が形成されており、凹部８を包囲するように堤部２０が形成されている。
【００２４】
凹部８の内底面２１は平面視略矩形となっており、当該内底面２１の一短辺側には一対の搭載電極６，６が並列して形成されている。搭載電極６は水晶振動素子と導電性接着剤を介して導電接合される電極となっている。一対の搭載電極６，６は内底面２１にタングステンメタライズを施し、その上部にニッケルメッキが、さらにその上部に金メッキが施された層構成となっている。そして、搭載電極６はベース内部に形成された内部配線（図示省略）を介して、ベース２の外底面２２に形成される外部接続端子５と電気的に接続される。
【００２５】
前記搭載電極６および前記導体５０等を構成する金属膜は電解めっき法によって一括で形成される。なお、前記搭載電極６と外部接続端子５との電気的接続は、ベースの外側面の一部をベースの上下方向に切り欠き、その内壁面に導体が被着された，いわゆるキャスタレーションを形成することによって行ってもよい。
【００２６】
以上のようなベース基板を用意する工程を、本発明に係るベースの製造方法において「ベース基板形成工程」と呼ぶ。
【００２７】
本実施形態において水晶振動素子は、水晶振動板に各種電極が付加された圧電素子である（図５参照）。前記水晶振動板は水晶インゴットから所定の角度で切り出された平面視矩形状のＡＴカット水晶片であり、水晶振動板の表裏主面には当該水晶振動板を駆動させるための一対の励振電極（４１，４１）が対向形成されている（図５参照）。水晶振動板の一短辺側の縁部には、励振電極から引き出された引出電極（図示省略）と接続した接続電極（図示省略）が一対で形成されている。一対の接続電極は前述の一対の搭載電極６，６の上に導電性接着剤（図示省略）を介して一対一で導電接合される。本実施形態では前記導電性接着剤としてはシリコーン系の導電性樹脂接合材が使用されている。なお、前記導電性接着剤はシリコーン系の導電性樹脂接合材に限定されるものではなく、シリコーン系以外にもエポキシ系などの導電性樹脂接合材も使用可能である。また樹脂系接合材以外に金属製バンプを使用してもよい。
【００２８】
本実施形態で使用される蓋（３）は、セラミック材料から成る平面視略矩形の板状の部材である（図５参照）。蓋のベースとの接合面側の周縁には封止材（Ｓ）が周状に形成されている。本実施形態では前記封止材として低融点ガラスが使用されている。なお前記蓋はセラミック材料以外にコバールを母材とし、その上部にニッケルめっき層、金めっき層が形成された層構成であってもよい。この場合、封止材として金錫（ＡｎＳｎ）合金等の金属ロウ材が好ましい。
【００２９】
次に図３を参照しながら、本発明に係るベースの製造方法における「ビーム照射工程」について説明する。図３は本発明に係るベース基板の底面の部分拡大図である。図３では図中の矢印の方向に向かって、ベース基板２００の底面側から（図３において紙面上方から）ベース基板に対してレーザービームを境界線ＢＬ２に沿って照射している状態を表している。具体的にはベース基板２００に設けられた縦横の境界線ＢＬ１，ＢＬ２のうち横方向（図中で示すＸ方向）の境界線ＢＬ２に沿って、捨代部Ｒに面する側からベース基板の中央に向かう方向にレーザービームを照射している状態を表している。
【００３０】
本発明の実施形態では、レーザービームは境界線ＢＬ１，ＢＬ２の各々に沿って断続的に照射（間欠照射）されている。これにより、図３においてＬＢで示すように境界線上に形成されたビームスポットが所定の間隔を隔てた状態で境界線に沿って形成されていく（ビーム照射工程）。本実施形態ではレーザーとして炭酸ガスレーザーが使用されているが、炭酸ガスレーザー以外のレーザーを使用してもよい。例えばＹＡＧレーザーやエキシマレーザーも使用可能である。
【００３１】
前記ビーム照射工程では、レーザービームは境界線ＢＬ１，ＢＬ２に沿ってベース基板の裏面２０２側から照射されることから、レーザービームはベース基板のセラミック基材の領域と導体５０等の金属膜の領域の両方の領域を通過することになる。ここで導体５０においてはレーザービームの照射によって導体５０（金属膜）が溶融し、溶融した導体が導体５０の下方のセラミック基材側へ回り込むようになる。なおベース基板の裏面２０２が上向きになるように載置された状態で、ベース基板の上方からベース基板に対してレーザービームを照射する場合、レーザービームの照射によって溶融した導体が重力の影響を受けてより下方（ベースの表面２０１側）に及び易くなるため、ベース基板の表面２０１が上向きに載置された状態でベース基板の下方からベース基板の裏面２０１に対してレーザービームを照射する場合に比べて、より上方まで這い上がったキャスタレーションを形成するのに好適である。
【００３２】
本実施形態ではレーザービームはベース基板を当該基板の厚み方向に貫通するように照射されている。しかしながらが必ずしも貫通状態でなくてもよい。例えばベース基板の厚みの途中まで穿孔するようにレーザービームの出力や焦点位置や照射時間等をコントロールしてもよい。また、レーザーのパルス発振周波数や加工速度を可変させることによって隣接するビームスポット間のピッチを可変させてもよい。
【００３３】
次に本発明に係るベースの製造方法における「分割工程」について説明する。前記ビーム照射工程の後に、境界線ＢＬ１，ＢＬ２に沿ってベース基板２００に機械的応力を加えて個々のベースに分割する（分割工程）。
【００３４】
前記分割工程によって、図４に示すようにベースの側面にベースの高さ方向に伸長する複数の溝７が、凹凸状にベース水平方向に連続して形成されたベース２を多数個得ることができる。また分割工程によって、平面視矩形状のベースの外底面の４隅には４つの外部接続端子５，５，５，５がベースの底面の周縁に沿って配されることになる。そしてビーム照射工程においてベース基板の導体５０の下方のセラミック基材側へ回り込んだ導体（図４において５ａ，５ｂに相当）が、前記分割工程を経ることによってベース底面２２から連続して溝７の内部に及んだ外部接続端子５となる。
【００３５】
図４に示すように外部接続端子５は、ベースの底面部分と当該底面部分から連続したベースの外側面部分とから成っている。ベースの外側面部分は、長辺側の外側面の一部に及ぶ５ａと短辺側の外側面の一部に及ぶ５ｂとから成っている。本実施形態では、これら５ａ，５ｂの形成深さ（高さ）が略同一となるようにレーザービームによる加工条件が設定されている。なおベースの外側面部分に及んだ５ａ，５ｂは溝７の内部だけでなく、隣接する溝との間の嶺（稜）の部分にも及んで形成されている。
【００３６】
次に図５を参照しながら、本発明に係る水晶振動子の製造方法の概略について説明する。図５に示すように個片状態となったベース２の凹部（８）に、前述した水晶振動素子４を収容する。具体的には水晶振動素子４の表裏主面に形成された一対の励振電極（４１，４１）は、前述した水晶振動素子の接続電極がベース２の内底面に設けられた一対の搭載電極６，６と、導電性接着剤を介して一対一で導電接合されることによって４つの外部接続端子５，５，５，５のうちの２つの入出力用の端子と電気的に接続されることになる（水晶振動素子搭載工程）。
【００３７】
ベース２の凹部内に水晶振動素子４を導電接合した後、ベース２の堤部２０の上面に、封止材Ｓが当接するように蓋３を位置決め載置した後、加熱雰囲気にて封止材Ｓを溶融させることによって蓋３とベース２との接合が行なわれる。これにより、ベース２の内部に水晶振動素子４が気密封止された水晶振動子１が完成する（封止工程）。
【００３８】
前記製造方法によって得られたベースによれば、当該ベースを用いた水晶振動子と外部基板との半田接合強度を向上させることができる。これはベースの高さ方向に伸長する溝７が、ベースの側面に凹凸状に複数連続して形成されていることによってベースの側面の表面積が増大するとともに、外部接続端子がベースの底面から連続して溝７の内部にも及んでいることによってリフロー時に溶融した半田のフィレットが形成されるからである。つまり微小かつ多数のキャスタレーションがベース側面に形成されることによるものである。
【００３９】
−変形例１−
次に本発明の実施形態の変形例を図６乃至７を参照しながら説明する。なお前述した本発明の実施形態と同一の構成についてはその記載を割愛するとともに同一の作用効果を奏する。図６は本発明の実施形態の変形例（変形例１）を示す水晶振動子の側面模式図である。図６においてベース２３の外底面は平面視略矩形となっており、当該外底面の４隅に４つの外部接続端子が配されている。そしてベース２３の外側面にはベースの高さ方向に伸長する複数の溝７が凹凸状にベースに対して水平方向に連続して形成されている。
【００４０】
前述した本発明の実施形態との相違点は、外部接続端子９の溝７の内部に及ぶ高さが一定でない点である。つまり、本発明の実施形態の変形例１では外部接続端子のベースの側面に回り込んでいる部分のベース側面視における高さが一定ではなく、ベースの側面の外部接続端子の溝の内部に及ぶ高さＨが、ベース外底面の４隅からベースの長辺および短辺の各中央に近づくにつれて段階的に低くなっている。なお図６は平面視矩形のベース２３の長辺方向から見た側面図であるため、外部接続端子のベースの側面に回り込んでいる部分のうち長辺側のみが表示されている（９ａ）。
【００４１】
このような形状の外部接続端子はベース基板状態において、導体５０の形成領域のうち、個片状態のベース２３においてベースの高さ方向においてより深く（高く）外部接続端子の回り込みを形成する領域に対応する部分を予めを厚肉にしておくことによって形成することができる。つまり、導体５０において予め図１における交点Ｃ部分を最も厚肉とし、導体５０の外周部に近づくにつれて段階的に薄肉となるようにすればよい。
【００４２】
このような構成によって、水晶振動子を外部基板上に半田を介して実装する際に、平面視矩形状のベースの外底面の長辺および短辺の各中央に近い側からベースの外側面の４つの稜部に向かって段階的に高く這い上がる半田のフィレットを形成することができるため、水晶振動子と外部基板との半田接合強度をより向上させることができる。
【００４３】
また上記構成によれば、使用するベースの形状に応じて半田のフィレットの形成高さをコントロールすることができる。例えば、平面視矩形状のベースのアスペクト比に応じて、前記溝の内部に及ぶ外部接続端子のベースの側面視の高さを可変させることができる。
【００４４】
つまり図６に示すように、前述した本発明の実施形態におけるベースに対してアスペクト比が相対的に小さいベースの場合、ベースの長辺および短辺の両端である４隅を含む領域を補強するために、外部接続端子の前記溝の内部に及ぶ高さを、前記４隅が最も高くなるように設定し、当該４隅の近傍の領域は前記４隅よりも低くなるように設定する。これにより、ベースの底面の４隅において半田のフィレットが当該４隅近傍の部位よりも相対的に高く形成されるので、ベースの底面の４隅を含む領域における半田の接合強度をより向上させることができる。
【００４５】
−変形例２−
次に本発明の実施形態の変形例（変形例２）を図７を参照しながら説明する。図７に示すベースは、前述した本発明の実施形態におけるベースに対してアスペクト比が相対的に大きいベース（２４）となっている。当該ベースの場合、長手方向であるベースの長辺中央付近が、水晶振動子と半田で接合された外部基板の反りによる応力の影響を最も受けやすい領域となる。このような場合、ベースの側面における外部接続端子の形成領域のうちベースの長辺中央に最も近くなる位置において、溝７の内部に及ぶ高さが最大となるようにする（１０ａ）。これにより、ベースの長辺方向における剛性を半田のフィレットによって補うことができる。
【００４６】
上述した本発明の実施形態では、ベースの外側面の稜部（角部）を除いた領域にベースの高さ方向に伸長する複数の溝が凹凸状にベース水平方向に連続して形成された構成を挙げている。しかしながら前記溝はベースの外側面だけでなく、ベース稜部（角部）にも形成されていてもよい。このような構成はレーザービームの照射位置をコントロールすることによって形成することができる。
【００４７】
本発明の実施形態では、封止材としてガラス材を例にしているが、セラミックベースと金属製の蓋体を用い、封止材に銀ロウ材等のロウ材を用いたレーザー封止、電子ビーム封止による封止等でも適用できる。さらに本発明の実施形態では表面実装型の水晶振動子を例に挙げているが、水晶フィルタや水晶発振器など電子機器等に用いられる他の表面実装型の圧電デバイスにも適用可能である。
【００４８】
本発明は、その精神または主要な特徴から逸脱することなく、他のいろいろな形で実施することができる。そのため、上述の実施の形態はあらゆる点で単なる例示にすぎず、限定的に解釈してはならない。本発明の範囲は特許請求の範囲によって示すものであって、明細書本文には、なんら拘束されない。さらに、特許請求の範囲の均等範囲に属する変形や変更は、全て本発明の範囲内のものである。
【産業上の利用可能性】
【００４９】
圧電デバイスに用いられるベースおよび圧電デバイスの量産に適用できる。
【符号の説明】
【００５０】
１    水晶振動子
２    ベース
２２    ベース外底面
２００    ベース基板
２０２    ベース基板裏面
５、９、１０    外部接続端子
７    溝
５０    導体
【図１】
2015095829.tif 000003
【図２】
2015095829.tif 000004
【図３】
2015095829.tif 000005
【図４】
2015095829.tif 000006
【図５】
2015095829.tif 000007
【図６】
2015095829.tif 000008
【図７】
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