(57)【要約】【課題】配線基板内部の放熱性に優れ、サーマルビアによる配線パターン設計の制約を軽減する配線基板を提供することを目的とする。【解決手段】本発明の配線基板は、コア基材に形成されたスルーホールに熱伝導率の高い放熱用絶縁樹脂を充填することにより、コア基材の内部に熱伝導の経路を作成する。これにより、効率的に配線基板内部の熱を配線基板の外部に伝播することができる。また、熱伝導の経路が絶縁材料で形成されているため、放熱用絶縁樹脂の存在する部位に配線パターンを配することができ、配線パターンの制約を軽減することが出来る。【選択図】図１
2015070169.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
コア基材と、
前記コア基材上に形成されたパターン配線層と、
前記パターン配線層を覆うように積層されたビルドアップ層と、を備え、
前記コア基材は、少なくとも１つ以上のスルーホールを有するコア基材であり、
前記スルーホールの少なくとも１つ以上に、前記コア基材よりも熱伝導率の高い放熱用絶縁樹脂が充填されていること
を特徴とする配線基板。
【請求項２】
前記スルーホールは、コア基材表面と段差を形成する凹部を有するスルーホールであり、
少なくとも前記凹部に放熱用絶縁樹脂を充填したこと
を特徴とする請求項１に記載の配線基板。
【請求項３】
前記コア基材はガラス基材であること
を特徴とする請求項１または２のいずれかに記載の配線基板。
【請求項４】
コア基材に凹部を形成する凹部形成工程と、
前記凹部が形成された領域にスルーホールを形成するスルーホール形成工程と、
前記スルーホールの少なくとも１つ以上に前記コア基材よりも熱伝導率の高い放熱用絶縁樹脂を充填する充填工程と、
前記コア基材上に、パターン配線層およびビルドアップ層を積層するビルドアップ工程と、
を含むことを特徴とする配線基板製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、配線基板、および、該配線基板の製造に適した配線基板製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体チップをマザーボードに電気的接続するにあたり、半導体チップとマザーボードとの間に配線基板を配している。配線基板を配することにより、半導体チップとマザーボードとの熱膨張係数の相違の橋渡しを行い、接合信頼性を高めることが出来る。このような配線基板は、半導体パッケージ基板、インターポーザ基板、などと呼称される。
【０００３】
ここで、配線基板は、半導体チップの熱暴走による機器の誤作動を防止などの観点から、半導体チップなどから発生する熱を効率良く外部に放出させることが求められている。このため、種々の放熱対策が提案されている。
【０００４】
例えば、配線基板の上面と下面とに伝熱性の高い物質（セラミック）を積層することが提案されている（特許文献１参照）。
【０００５】
また、配線基板の外周部に伝熱性の高い物質を積層した場合、配線基板外周部の放熱性は向上するが配線基板内部の放熱性は改善されない。このため、配線基板の内部に放熱のための伝熱経路を設けることが提案されている。
【０００６】
例えば、スルーホールに銅ペーストを充填することで、スルーホール電極を放熱のための伝熱経路（サーマルビア）として機能させることが提案されている（特許文献２参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００７】
【特許文献１】特開２００９−００４７０９号公報
【特許文献２】特開２００４−１３４３７８号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
サーマルビアに熱伝導性が高い銅などの導電性金属を用いた場合、放熱用途で最適なサーマルビアの配置位置と配線用途で最適な配線パターンとが空間位置的に競合することから、配線パターンはサーマルビアを避けて設計するなどの制約を受ける問題がある。
【０００９】
そこで、本発明は、配線基板内部の放熱性に優れ、サーマルビアによる配線パターン設計の制約を軽減する配線基板を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
［１］本発明の一実施形態は、コア基材と、前記コア基材上に形成されたパターン配線層と、前記パターン配線層を覆うように積層されたビルドアップ層と、を備え、前記コア基材は、少なくとも１つ以上のスルーホールを有するコア基材であり、前記スルーホールの少なくとも１つ以上に、前記コア基材よりも熱伝導率の高い放熱用絶縁樹脂が充填されていることを特徴とする配線基板である。
［２］また、前記スルーホールは、コア基材表面と段差を形成する凹部を有するスルーホールであり、少なくとも前記凹部に放熱用絶縁樹脂を充填してもよい。
［３］また、前記コア基材はガラス基材であってもよい。
［４］本発明の一実施形態は、コア基材に凹部を形成する凹部形成工程と、前記凹部が形成された領域にスルーホールを形成するスルーホール形成工程と、前記スルーホールの少なくとも１つ以上に前記コア基材よりも熱伝導率の高い放熱用絶縁樹脂を充填する充填工程と、前記コア基材上に、パターン配線層およびビルドアップ層を積層するビルドアップ工程と、を含むことを特徴とする配線基板製造方法である。
【発明の効果】
【００１１】
本発明の配線基板は、コア基材に形成されたスルーホールに熱伝導率の高い放熱用絶縁樹脂を充填することにより、コア基材の内部に熱伝導の経路を作成する。これにより、効率的に配線基板内部の熱を配線基板の外部に伝播することができる。また、熱伝導の経路が絶縁材料で形成されているため、放熱用絶縁樹脂の存在する部位に配線パターンを配することができ、配線パターンの制約を軽減することが出来る。
【図面の簡単な説明】
【００１２】
【図１】本発明の配線基板の一例に係る概略断面図である。
【図２】本発明の配線基板の一例に係る概略断面図である。
【図３】本発明の配線基板製造方法の一例に係る概略工程図である。
【図４】本発明の配線基板製造方法の一例に係る概略工程図である。
【図５】比較例の配線基板に係る概略断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１３】
（コア基材）
コア基材は、配線基板の基体となる部位である。コア基材は、少なくとも１つ以上のスルーホールを有している。
【００１４】
コア基材には、有機系材料基板、シリコン基板、ガラス基板、などを用いることが出来る。特に、シリコン基板、ガラス基板、は、線膨張係数（ＣＴＥ）が半導体チップと同じまたはそれに近い値であるため、実装にあたり、熱膨張係数差によって発生する応力などを軽減でき、好ましい。また、シリコン基板、ガラス基板をコア基材に用いた配線基板は、２．５Ｄ実装、３Ｄ実装、などに活用が期待される。
【００１５】
また、コア基材はガラス基材であることが特に好ましい。シリコンの熱伝導率は約１６８Ｗ／ｍ・Ｋ、ガラスの熱伝導率は約１Ｗ／ｍ・Ｋであり、１００倍以上の差がある。つまり、ガラス基板はシリコン基板よりも熱が逃げにくく、同じ構造であればガラス基板を用いた配線基板のほうが放熱性は低くなる傾向がある。このため、ガラス基板は内部に熱がこもりやすく、放熱性を向上させる必要性が大きい。本発明の配線基板によれば、配線基板内部の熱を配線基板の外部に効率よく伝播することが出来ることから、ガラス基板に特有の課題について、効果的に解消することが出来る。ここで、ガラス基板としては、具体的には、例えば、無アルカリガラス、合成石英ガラス、などを用いてもよい。また、ガラス基板を用いる場合、ガラス基板の厚みは１００μｍ以上５００μｍ以下程度の範囲内にあることが好ましい。ただし、本発明の配線基板において用いるガラス基板の厚みは上記範囲に限定されるものではない。
【００１６】
また、コア基材の外形状は、特に限定されず、所望する使用に応じて適宜決定してよい。例えば、板状、正方形状、円形状、などの外形状であってもよい。
【００１７】
（スルーホール）
スルーホールは、コア基材の表裏を貫通する孔である。スルーホールに導電性材料を充填することにより、コア基材の上下面の電気的接続を行うことが出来る（スルーホール電極）。また、本発明の配線基板では、スルーホールにコア基材よりも熱伝導率の高い放熱用絶縁樹脂が充填する。これにより、コア基材の表裏を貫通する熱伝導の経路を形成でき、配線基板内部の熱を外部に伝播させることが出来る。
【００１８】
また、スルーホールの、配置箇所、範囲、寸法、形状、数量、などは特に限定されず、配線パターンの設計に基づいて決定してよい。具体的には、例えば、開口径１０μｍ以上５００μｍ以下程度の円孔形状であってもよい。
【００１９】
また、スルーホールは、コア基材表面と段差を形成する凹部を有するスルーホールであってもよい。凹部に放熱用絶縁樹脂を充填することにより、コア基材と放熱用絶縁樹脂とが接触する表面積が増大させることが出来る。このため、好適にコア基材から放熱用絶縁樹脂へと熱を伝播することが出来、放熱特性が向上する。
【００２０】
（放熱用絶縁樹脂）
放熱用絶縁樹脂は、前記コア基材に形成されたスルーホールの少なくとも１つ以上に、充填される。スルーホールに熱伝導率の高い放熱用絶縁樹脂を充填することにより、コア基材の内部に熱伝導の経路を作成し、効率的に配線基板内部の熱を配線基板の外部に伝播することができる。また、熱伝導の経路が絶縁材料で形成されているため、放熱用絶縁樹脂の存在する部位に配線パターンを配することができ、配線パターンの制約を軽減することが出来る。
【００２１】
放熱用絶縁樹脂は、選択したコア基材よりも熱伝導率が大きく、選択したコア基材との密着性が良好な絶縁樹脂を適宜選択し、用いてよい。例えば、コア基材にガラス基板を用いた場合、熱伝導性フィラー入りのエポキシ樹脂、セラミック樹脂、などを用いてよい。
【００２２】
また、放熱用絶縁樹脂とコア基材との間に接着層を形成してもよい。接着層を形成することにより、放熱用絶縁樹脂とコア基材との密着性を向上し、コア基材との密着性が悪い樹脂でも放熱用絶縁樹脂として選択可能となる。密着層の材料は、絶縁性を有した材料であればよい。また、密着層を形成する場合、密着層の膜厚は、１ｎｍ以上９ｎｍ以下程度の範囲でよい。ただし、密着層の膜厚は上記範囲に限定されるものではない。
【００２３】
（ビルドアップ層／パターン配線層）
パターン配線層は、コア基材上の両面に形成する。ビルドアップ層は、パターン配線層を覆うように積層する。また、さらに、パターン配線層とビルドアップ層とを交互に積層することにより、より多層の配線基板を製造することが出来る（ビルドアップ工法）。ここで、積層したビルドアップ層は、穴（ビアホール）あけ加工し、導電材料を充填し、ビルドアップ層の上下のパターン配線層との電気的接続を行う（ビア電極）。
【００２４】
パターン配線層の材料は、導電性の材料を用いて形成する。例えば、銅、などを用いてもよい。
【００２５】
ビルドアップ層の材料は、公知のビルドアップ工法にて用いられる絶縁材料から適宜選択し用いてよい。例えば、エポキシ系樹脂、ポリイミド系樹脂、などを用いてもよい。
【００２６】
ビルドアップ層に形成するビアホールにおいて、形状・寸法は、配線パターンの設計に応じて適宜決定してよい。具体的には、例えば、開口径２０μｍ以上１００μｍ以下程度の範囲内の孔であってもよい。
【００２７】
また、本発明の配線基板において、最表面には電気信号を外部に接続するために電極パッドを形成してもよい。電極パッドを形成する場合、最表面には電極パッド上に開口するようにソルダーレジストが積層してよい。ここで、ソルダーレジストとしては、例えば、感光性エポキシ樹脂、フィラーを添加した樹脂、などを用いることが出来る。
【００２８】
図１に、凹部を有するスルーホールを形成した本発明の配線基板の一例を示す。
図１に示す本発明の配線基板は、凹部を有するスルーホールが形成されたコア基材１、該凹部を有するスルーホールに充填された放熱用絶縁樹脂２、コア基材１の表裏の電気的接続をとるスルーホール電極３、コア基材１およびビルドアップ層５上に積層されたパターン配線層４、各層のパターン配線層４を絶縁するように設けたビルドアップ層５、ビルドアップ層５の上下でパターン配線層４を電気的接続するビア電極６、最上層のビルドアップ層５上に設けられたソルダーレジスト８、ソルダーレジスト８の開口部に設けた電極パッド７、を備える構成である。図１において、コア基材１上に配されたパターン配線層４の一部は、凹部を有するスルーホールに充填された放熱用絶縁樹脂２の充填表面に配されており、配線パターンの制約を軽減することが出来ることが示されている。
【００２９】
また、本発明の配線基板において、凹部を有するスルーホールを形成した場合、少なくとも該凹部に放熱用絶縁樹脂を充填してあればよく、スルーホール内に複数の材料を充填してもよい。少なくとも凹部に放熱用絶縁樹脂すれば、コア基材表面の絶縁が出来るため、コア基材表面に形成するパターン配線層の設計を自由に行うことが出来る。このとき、スルーホール内部に充填する材料は、必ずしも絶縁材料である必要が無いため、熱伝導率の高い材料を自由に選択することが出来る。例えば、スルーホール内部に充填する材料として、銅などの金属材料を用いてもよい。
【００３０】
図２に、凹部を有するスルーホールを形成し、凹部にのみ放熱用絶縁樹脂を充填した本発明の配線基板の一例を示す。
図２に示す本発明の配線基板は、凹部を有するスルーホールが形成されたコア基材１、凹部を有するスルーホールの凹部に充填された放熱用絶縁樹脂２、凹部を有するスルーホールの内部に充填された高熱伝導材料９、コア基材１の表裏の電気的接続をとるスルーホール電極３、コア基材１およびビルドアップ層５上に積層されたパターン配線層４、各層のパターン配線層４を絶縁するように設けたビルドアップ層５、ビルドアップ層５の上下でパターン配線層４を電気的接続するビア電極６、最上層のビルドアップ層５上に設けられたソルダーレジスト８、ソルダーレジスト８の開口部に設けた電極パッド７、を備える構成である。図２において、コア基材１に形成された凹部を有するスルーホールは、凹部に放熱用絶縁樹脂２、内部に高熱伝導材料９が充填されており、スルーホール内に複数の材料を充填した様態を示している。図２に示す本発明の配線基板において、高熱伝導材料９は、必ずしも絶縁材料である必要が無いため、熱伝導率の高い、銅などの金属材料であってもよい。
【００３１】
以下、本発明の配線基板製造方法の一例について説明を行う。なお、本発明の配線基板は、以下の配線基板製造方法にて製造された配線基板に限定されるものではない。
【００３２】
（凹部形成工程）
まず、コア基材に、凹部を形成する。
【００３３】
凹部の形成には、コア基材に選択した材料、凹部の形状・寸法、などを考慮して、適宜公知の微細加工方法から選択して用いてよい。凹部の深さは、コア基材の剛性を考慮して適宜決定する。例えば、（１）レーザー装置によるアブレーション加工、（２）化学エッチング、（３）微細切削加工、などを用いてもよい。ここで、コア基材にガラス基板を選択した場合、化学エッチングにはフッ酸を用いることが出来る。
【００３４】
（スルーホール形成工程）
次に、凹部が形成された領域にスルーホールを形成する。このとき、スルーホール電極用のスルーホールも同時に形成してよい。
【００３５】
スルーホールの形成には、適宜公知の穴加工方法を選択して用いてよい。例えば、レーザー加工（具体的には、ＵＶレーザー、炭酸ガスレーザー、エキシマレーザー、など）、ドリル加工、などを用いてよい。
【００３６】
（充填工程）
次に、スルーホールに放熱用絶縁樹脂を充填する。
【００３７】
放熱用絶縁樹脂の充填方法は、選択した放熱用絶縁樹脂、スルーホールの形状・寸法、などに応じて、適宜公知の充填方法から選択して用いてよい。例えば、（１）印刷法、（２）フィルム状の放熱用絶縁樹脂をラミネートし、減圧する方法、などを行ってもよい。また、放熱用絶縁樹脂の充填にあたり、コア基材の片面ずつ充填しても両面に一度に充填してもよい。
【００３８】
また、凹部を有するスルーホール内に複数の材料を充填する場合、充填する材料に応じて充填方法を適宜組み合わせて行ってよい。例えば、スルーホール内部に銅／凹部に放熱用絶縁樹脂を充填する場合、（１）無電解めっき法によりコア基材の表面に無電解めっき膜を形成し、（２）電解めっき法によりスルーホール内に電解めっき膜を形成し、（３）凹部の部位に形成された無電解めっき膜および電解めっき膜をエッチングし、（４）凹部に放熱用絶縁樹脂を充填する、ことを行ってもよい。
【００３９】
また、スルーホールに放熱用絶縁樹脂を充填後、表面研磨を行ってもよい。表面研磨を行うことにより、コア基材表面と放熱用絶縁樹脂の充填部位との面位置を揃え、好適にパターン配線層を積層することが出来る。表面研磨として、例えば、化学研磨、サンドブラスト工法、などを用いてよい。
【００４０】
（ビルドアップ工程）
次に、コア基材上にパターン配線層／ビルドアップ層を積層する。
【００４１】
まず、コア基材に、スルーホール電極およびパターン配線層を形成する。スルーホール電極およびパターン配線層の形成として、具体的には、例えば、（１）無電解めっき法により、コア基材表面、スルーホール側面、放熱用絶縁樹脂の充填表面に無電解銅めっき膜を形成し、（２）無電解銅めっき膜上にフォトレジストを成膜し、露光し、現像し、レジストパターンを形成し、（３）電解めっき法により、該レジストパターンのマスク開口部に電解銅めっき膜を形成し、（４）レジストパターンを剥離除去し、（５）該レジストパターンの剥離により露出した無電解銅めっき膜をエッチングにて除去する、ことにを行ってもよい。また、スルーホール内の銅めっき形成方式はフィルドめっきに限らず、コンフォーマルめっきを行ってもよい。コンフォーマルめっきを行った場合、コンフォーマルめっき後、スルーホール内部に樹脂を挿入してスルーホール電極を形成することが出来る。
【００４２】
次に、パターン配線層上にビルドアップ層を形成する。ビルドアップ層の形成として、（１）パターン配線層が形成されたコア基材表面を粗化処理し、（２）真空ラミネーター装置を用いて絶縁樹脂を積層し、（３）該絶縁樹脂を硬化、を行ってよい。このとき、パターン配線層が形成されたコア基材の両面にラミネートを行ってよい。
【００４３】
次に、ビルドアップ層にビアを形成する。ビアの形成には、穴加工方法を選択して用いてよい。例えば、レーザー加工（具体的には、ＵＶレーザー、炭酸ガスレーザー、エキシマレーザー、など）、を用いてよい。また、ビルドアップ層に用いる絶縁材料として感光性樹脂を選択した場合、フォトリソグラフィー工法を利用してビアを形成してよい。
【００４４】
次に、デスミア処理を行う。デスミア処理は、ビア加工工程で発生したスミア（樹脂の残渣）を除去する工程である。特に、レーザー加工はスミアが発生するため、薬品処理でスミアを溶解除去することが好ましい。
【００４５】
次に、ビルドアップ層にビア電極およびビルドアップ層上にパターン配線層を形成する。ビア電極およびパターン配線層の形成として、具体的には、例えば、（１）無電解めっき法により、ビルドアップ層、ビア側面、に無電解銅めっき膜を全面に形成し、（２）無電解銅めっき膜上にフォトレジストを成膜し、露光し、現像し、レジストパターンを形成し、（３）電解めっき法により、該レジストパターンのマスク開口部に電解銅めっき膜を形成し、（４）レジストパターンを剥離除去し、（５）該レジストパターンの剥離により露出した無電解銅めっき膜をエッチングにて除去する、ことにを行ってもよい。また、ビア内の銅めっき形成方式はフィルドめっきに限らず、コンフォーマルめっきを行い、スルーホール内部に樹脂を挿入してビア電極を形成してもよい。
【００４６】
ビルドアップ工程では、所望する配線パターンに応じて、パターン配線層／ビルドアッを１組として交互に積層を繰り返してよい。これにより、より多層の配線基板を製造することが出来る。（ビルドアップ工法）。ここで、さらなるパターン配線層／ビルドアップ層の形成は上述と同様に行ってよい。
【００４７】
（電極パッド／ソルダーレジストの形成）
次に、ビルドアップ層の最上層に電極パッド／ソルダーレジストを形成する。具体的には、例えば、（１）ビルドアップ層最上層表面に電極パッドを形成し、（２）電極パッドを含むビルドアップ層表面にソルダーレジストを積層し、（３）ソルダーレジストを、露光し、現像し、開口部を形成することにより電極パッドを露出させる、ことを行ってよい。また、外部との接続のため必要に応じて、例えば、はんだバンプおよび金バンプ、などを形成してもよい。
【実施例】
【００４８】
＜実施例１＞
以下、図３および図４を用いて、具体的に本発明の配線基板製造方法の一例について説明を行う。
【００４９】
まず、コア基材１を用意した（図３（ａ））。
コア基材１は、２７ｍｍ×２７ｍｍ、５００μｍｔの無アルカリガラスとした。
【００５０】
次に、コア基材１に凹部１０を形成した（図３（ｂ））。
凹部１０の形成は、エキシマレーザーを用いたアブレーションにより行った。また、凹部１０の寸法は、２ｍｍ×２ｍｍ、５０μｍｔとした。また、凹部１０は、所定の箇所に複数形成した。
【００５１】
次に、コア基材１にスルーホールを形成し、凹部を有するスルーホール１１および電極用スルーホール１２を形成した（図３（ｃ））。
スルーホールの形成には、マキシマレーザーを用いた。また、スルーホールの寸法は、開口径５０μｍ、２００μｍピッチとした。
【００５２】
次に、凹部を有するスルーホール１１に放熱用絶縁樹脂２を充填した（図３（ｄ））。
放熱用絶縁樹脂２には、１０Ｗ／ｍ・Ｋのエポキシ樹脂に熱伝導性フィラーを添加した液状樹脂を用いた。また、放熱用絶縁樹脂２の塗布充填には印刷法を用いた。
【００５３】
次に、充填した放熱用絶縁樹脂２を硬化し、表面研磨によりコア基材１表面と凹部１０に充填した放熱用絶縁樹脂２との面位置を合わせた。ここで、放熱用絶縁樹脂２の効果条件は、１８０℃、１時間とした。また、表面研磨には、サンドブラスト装置を用いた。
【００５４】
次に、コア基材１の表面にパターン配線層４、電極用スルーホール１２内にスルーホール電極３を形成した（図３（ｅ））。
スルーホール電極３およびパターン配線層４は、（１）無電解めっき法により、コア基材１表面（放熱用絶縁樹脂２の充填表面を含む）、電極用スルーホール１２側面、に無電解銅めっき膜を形成し、（２）形成された無電解銅めっき膜上に、フォトレジストを成膜し、露光し、現像することにより、レジストパターンを形成し、（２）該レジストパターンの開口部に、電解めっき法により、電解銅めっき膜を形成し、（３）該レジストパターンを剥離除去し、（４）該レジストパターンの剥離により露出した無電解銅めっき膜をエッチングにて除去することにより形成した。ここで、フォトレジストの成膜厚さは約３０μｍｔとした。また、電解めっき法により形成した電解銅めっき膜の厚みは約１７μｍとした。また、パターン配線層４は、無電解銅めっき膜上に電解銅めっき膜が積層された２層で形成された。
【００５５】
次に、１層目のパターン配線層４を覆うように１層目のビルドアップ層５を形成した。
ビルドアップ層５は、（１）パターン配線層４が形成されたコア基材１表面を粗化処理し、（２）真空ラミネーター装置を用いて絶縁材料を積層し、（３）該絶縁材料を硬化し、形成した。ここで、ビルドアップ層５の厚みは５０μｍｔとした。また、絶縁材料にはエポキシ系絶縁樹脂を用いた。また、ラミネート条件は、１００℃、荷重１０ｋｇ／ｃｍ２の条件とした。また、絶縁材料の硬化条件は、１００℃、３０分、１７０℃、３０分の条件とした。
【００５６】
次に、１層目のビルドアップ層５にビアホールを形成した。
ビアホールの形成には、ＵＶレーザー装置を用いた。また、ビアホールの開口径は、５０μｍとした。また、レーザー加工の際に発生したビアホールのスミアにデスミア処理を行った。
【００５７】
次に、１層目のビルドアップ層５の表面に２層目のパターン配線層４、ビアホール内にビア電極６、を形成した（図４（ａ））。
ビア電極６およびパターン配線層４は、（１）無電解めっき法により、ビルドアップ層５表面、ビアホール側面、に無電解銅めっき膜を形成し、（２）形成された無電解銅めっき膜上に、フォトレジストを成膜し、露光し、現像することにより、レジストパターンを形成し、（２）該レジストパターンの開口部に、電解めっき法により、電解銅めっき膜を形成し、（３）該レジストパターンを剥離除去し、（４）該レジストパターンの剥離により露出した無電解銅めっき膜をエッチングにて除去することにより、形成した。ここで、フォトレジストの成膜厚さは約３０μｍｔとした。また、電解めっき法により形成した電解銅めっき膜の厚みは約１７μｍとした。また、パターン配線層４は、無電解銅めっき膜上に電解銅めっき膜が積層された２層で形成された。
【００５８】
次に、２層目のパターン配線層４を覆うように２層目のビルドアップ層５を形成した。
ビルドアップ層５は、（１）パターン配線層４が形成されたビルドアップ層５を粗化処理し、（２）真空ラミネーター装置を用いて絶縁材料を積層し、（３）該絶縁材料を硬化し、形成した。ここで、ビルドアップ層５の厚みは５０μｍｔとした。また、絶縁材料にはエポキシ系絶縁樹脂を用いた。また、ラミネート条件は、１００℃、荷重１０ｋｇ／ｃｍ２の条件とした。また、絶縁材料の硬化条件は、１００℃、３０分、１７０℃、３０分の条件とした。
【００５９】
次に、２層目のビルドアップ層５にビアホールを形成した。
ビアホールの形成には、ＵＶレーザー装置を用いた。また、ビアホールの開口径は、５０とした。また、レーザー加工の際に発生したビアホールのスミアにデスミア処理を行った。
【００６０】
次に、２層目のビルドアップ層５の表面に電極パッド７およびビアホール内にビア電極６を形成した（図４（ｂ））。
ビア電極６および電極パッド７は、（１）無電解めっき法により、ビルドアップ層５表面、ビアホール側面、に無電解銅めっき膜を形成し、（２）形成された無電解銅めっき膜上に、フォトレジストを成膜し、露光し、現像することにより、レジストパターンを形成し、（２）該レジストパターンの開口部に、電解めっき法により、電解銅めっき膜を形成し、（３）該レジストパターンを剥離除去し、（４）該レジストパターンの剥離により露出した無電解銅めっき膜をエッチングにて除去することにより、形成した。ここで、フォトレジストの成膜厚さは約３０μｍｔとした。また、電解めっき法により形成した電解銅めっき膜の厚みは約１７μｍとした。また、電極パッド７は、無電解銅めっき膜上に電解銅めっき膜が積層された２層で形成された。
【００６１】
次に、ビルドアップ層５の最上層に真空ラミネート装置により、感光性のソルダーレジスト８を積層し、露光・現像を行い、電極パッド７上のソルダーレジストを排除した（図４（ｃ）。
【００６２】
以上より、図１に示す、３層構造である本発明の配線基板を製造した。
【００６３】
＜比較例１＞
実施例１と同様に配線基板を製造した。ただし、コア基材には凹部を有するスルーホールを形成しなかった。
【００６４】
図５に、比較例１で製造された配線基板を示す。
図５に示す比較例１の配線基板は、スルーホールが形成されたコア基材１、コア基材１の表裏の電気的接続をとるスルーホール電極３、コア基材１およびビルドアップ層５上に積層されたパターン配線層４、各層のパターン配線層４を絶縁するように設けたビルドアップ層５、ビルドアップ層５の上下でパターン配線層４を電気的接続するビア電極６、最上層のビルドアップ層５上に設けられたソルダーレジスト８、ソルダーレジスト８の開口部に設けた電極パッド７、を備える構成である。
【００６５】
＜測定・評価＞
実施例１および比較例１にて製造された配線基板において熱伝導率の測定を行った。温度傾斜法を用いて配線基板の片側を加熱、反対側を冷却し、各面に温度勾配を設けて移動する熱量と温度差から熱伝導率を算出した。以下に結果を示す。
実施例１：０．７６Ｗ／ｍ・Ｋ
比較例１：０．６１Ｗ／ｍ・Ｋ
【００６６】
実施例１と比較例１とで熱伝導率を比較すると、実施例１の方が値が大きく、効率よく熱が伝播することが示された。よって、本発明の配線基板の構造を採用することにより、配線基板の熱伝導率が上昇し、配線基板の放熱性が向上したことが確認された。
【符号の説明】
【００６７】
１……コア基材
２……放熱用絶縁樹脂
３……スルーホール電極
４……パターン配線層
５……ビルドアップ層
６……ビア電極
７……電極パッド
８……ソルダーレジスト
９……高熱伝導材料
１０……凹部
１１……凹部を有するスルーホール
１２……電極用スルーホール
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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