(57)【要約】    【課題】  プリント配線板と該プリント配線板上に搭載される上基板との間の接続信頼性を高め得るプリント配線板の提供。    【解決手段】  金属ポスト７７の径ｄ１がソルダーレジスト層７０Ｆの第２開口７１ＦＰの径ｄ２よりも小さいため、金属ポスト７７がソルダーレジスト層７０Ｆと接触せず、ソルダーレジスト層からの熱応力を受けない。このため、金属ポストの接続信頼性が高い。【選択図】  図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
最上の層間樹脂絶縁層と、
前記最上の層間樹脂絶縁層上に形成され、ほぼ中央側に形成されているＩＣチップ接続用の第１パッドと、外周側に形成されている他の基板接続用の第２パッドと、
前記最上の層間樹脂絶縁層及び前記第１パッドと前記第２パッド上に形成され、前記第１パッドを露出する第１の開口と、前記第２パッドを露出する第２の開口とを備えるソルダーレジスト層と、
前記第２パッド上にめっきで形成されている金属ポストと、を有するプリント配線板であって、
前記金属ポストの径は、前記第２の開口の径より小さく、
前記第２の開口の径は、前記第２パッドの径よりも小さい。
【請求項２】
請求項２のプリント配線板であって、
前記第２パッドは、前記金属ポストの回りに、該金属ポストの軸線に同心状の凹部を備える。
【請求項３】
請求項１のプリント配線板であって、
前記金属ポストは、シード層と電解銅めっき層から成る。
【請求項４】
請求項１のプリント配線板であって、
前記金属ポストの頂部は、湾曲状の凸部または凹部形状となっている。
【請求項５】
請求項３のプリント配線板であって、前記シード層と前記第２パッドの界面は、前記凹部の最低部よりも高く、前記第２パッドの最上部よりも低い位置にある。
【請求項６】
請求項１のプリント配線板であって、
前記金属ポストの頂部は平均粗度Ｒａ０．０３〜０．２６の粗化処理がなされている。
【請求項７】
請求項１のプリント配線板であって、前記第２パッドの凹部の外縁は、前記第２の開口よりも広く、前記ソルダーレジスト層の底部まで広がっている。
【請求項８】
請求項６のプリント配線板であって、前記ソルダーレジスト層上には樹脂充填剤が充填されている。
【請求項９】
請求項１のプリント配線板であって、
前記金属ポスト間のピッチは０．３mm以下である。
【請求項１０】
請求項１のプリント配線板であって、
前記金属ポストの径は５０〜１５０μｍ、アスペクト比が０．６〜１．５である。
【請求項１１】
プリント配線板の製造方法であって、
最外層の層間樹脂絶縁層、実装パッドを含む導体回路上に、プリント配線板のほぼ中央側の実装パッドを露出する第１の開口と、プリント配線板の外周側の実装パッドを露出する第２の開口とを有するソルダーレジスト層を形成することと、
前記ソルダーレジスト層の表面に粗化処理を施すと共に、第２の開口から露出される前記実装パッド表面に凹部を形成することと、
前記ソルダーレジスト層、前記第１開口及び前記第２開口内、前記第１開口、前記第２開口から露出する実装パッド上にシード層を形成することと、
前記実装パッドの凹部上に該第２の開口よりも径の小さなレジスト開口を備えるめっきレジストを形成することと、
前記シード層を介して前記レジスト開口を電解めっきで充填し金属ポストを形成することと、
前記めっきレジストを除去することと、
前記ソルダーレジスト層上に露出されているシード層を除去することと、から成る。
【請求項１２】
請求項１１のプリント配線板の製造方法であって、
前記ソルダーレジスト層の表面の粗化処理、及び、前記実装パッド表面の凹部形成をウェットブラストで行う。
【請求項１３】
請求項１１のプリント配線板の製造方法であって、
前記レジスト開口を電解めっきで充填し金属ポストを形成した後、前記めっきレジストを剥離する前に、該金属ポストの高さを揃えると共に頂部を粗いから仕上げまでの複数研磨処理を行う。
【請求項１４】
請求項１３のプリント配線板の製造方法であって、
前記研磨処理をバフ研磨により行う。
【請求項１５】
ＩＣチップの実装された下基板と、該下基板上に搭載される上基板とから成るパッケージ−オン−パッケージであって、
前記下基板は、最上の層間樹脂絶縁層と、
前記最上の層間樹脂絶縁層上に形成され、該下基板のほぼ中央側に形成されているＩＣチップ接続用の第１パッドと、外周側に形成されている上基板接続用の第２パッドと、
前記最上の層間樹脂絶縁層上に形成され、前記第１パッドを露出する第１の開口と、前記第２パッドを露出する第２の開口とを備えるソルダーレジスト層と、
前記２パッド上に形成され、前記第２の開口よりも小径のめっきから成る金属ポストと、
第１バンプを備え、該第１バンプを介して前記第１パッドに実装されたＩＣチップと、
前記上基板と該下基板との間に充填され、前記金属ポストの頂部を露出する開口を備えるモールド樹脂とから成り、
前記上基板は、第２バンプを備え、該第２バンプが前記モールド樹脂の開口から露出する金属ポストの頂部に接続され、
前記第２パッドは、前記金属ポストの回りに、該金属ポストの軸線に同心状の凹部を備える。
【請求項１６】
請求項１５のパッケージ−オン−パッケージであって、
前記金属ポストの頂部は、湾曲状の凸部または凹部形状となっている。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、他のプリント配線板（上基板）を搭載するための金属ポストを有するプリント配線板、及び、該プリント配線板の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
特許文献１は、プリント配線板のパッド上に金属ポストを形成する方法を開示している。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００３−８２２８号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
特許文献１はプリント配線板上に金属ポストをめっきプロセスで形成している。プリント配線板が、ＩＣチップを実装するためのバンプと、上基板を搭載するための金属ポストとを備える場合、プリント配線板と上基板との距離は、プリント配線板とＩＣチップよりも離れているため、高さの有る金属ポストを介してプリント配線板と上基板とを接続した際に、接続信頼性が低下することが考えられる。
【０００５】
本発明の目的は、プリント配線板と該プリント配線板上に搭載される上基板との間の接続信頼性を高め得るプリント配線板、及び、該プリント配線板の製造方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明に係るプリント配線板は、最上の層間樹脂絶縁層と、前記最上の層間樹脂絶縁層上に形成されているパッドと、前記パッド上にめっきで形成されている金属ポストと、前記最上の層間樹脂絶縁層上に、プリント配線板の中央側に設けられバンプ形成用パッドを露出する第１の開口と、プリント配線板の外周側に設けられ前記金属ポストの形成される前記パッドを露出するための第２の開口とを有するソルダーレジスト層と、を有する。そして、前記金属ポストの径は、第２の開口の径よりも小さく、前記第２の開口の径は、前記パッドの径より小さい。
【０００７】
本発明に係るプリント配線板の製造方法は、最外層の層間樹脂絶縁層、実装パッドを含む導体回路上に、プリント配線板の中央側の実装パッドを露出する第１の開口と、プリント配線板の外周側の実装パッドを露出する第２の開口とを有するソルダーレジスト層を形成することと、前記ソルダーレジスト層の表面に粗化処理を施すと共に、第２の開口から露出される前記実装パッド表面に凹部を形成することと、前記ソルダーレジスト層、前記第１開口及び前記第２開口内、前記第１開口、前記第２開口から露出する実装パッド上にシード層を形成することと、前記実装パッドの凹部上に該第２の開口よりも径の小さなレジスト開口を備えるめっきレジストを形成することと、前記シード層を介して前記レジスト開口を電解めっきで充填し金属ポストを形成することと、前記めっきレジストを除去することと、前記ソルダーレジスト層上に露出されているシード層を除去することと、から成る。
【発明の効果】
【０００８】
本発明に係るプリント配線板及びプリント配線板の製造方法では、金属ポストの径がソルダーレジスト層の第２開口の径よりも小さいため、金属ポストがソルダーレジスト層と接触せず、ソルダーレジスト層からの熱応力を受けない。このため、金属ポストの接続信頼性が高い。更に、パッドが、金属ポストの回りに該金属ポストの軸線に同心状の凹部を備える。このため、金属ポストのシード層と電解銅めっき層との界面位置と、パッドと該パッドに接する封止樹脂との界面位置がずれ、封止樹脂から受ける熱応力が小さくなり、金属ポストの接続信頼性が高まる。
【図面の簡単な説明】
【０００９】
【図１】本発明の第１実施形態に係るプリント配線板の応用例の断面図。
【図２】第１実施形態のプリント配線板の断面図。
【図３】図３（Ａ）は実装面の平面図、図３（Ｂ）は金属ポストを有する実装面を示す平面図。
【図４】第１実施形態に係るプリント配線板の製造工程図。
【図５】第１実施形態に係るプリント配線板の製造工程図。
【図６】第１実施形態に係るプリント配線板の製造工程図。
【図７】第１実施形態に係るプリント配線板の製造工程図。
【図８】第１実施形態に係るプリント配線板の製造工程図。
【図９】第１実施形態に係るプリント配線板の製造工程図。
【図１０】第１実施形態に係るプリント配線板の製造工程図。
【図１１】第１実施形態に係るプリント配線板のパッドを拡大して示す断面図図。
【図１２】第１実施形態に係るプリント配線板の金属ポストを拡大して示す断面図。
【図１３】第１実施形態の改変例に係るプリント配線板の金属ポストの断面図。
【図１４】第１実施形態の改変例に係るプリント配線板の金属ポストの断面図。
【発明を実施するための形態】
【００１０】
[第１実施形態]
本発明の第１実施形態に係るプリント配線板１０の応用例が図１に示されている。
プリント配線板１０は、ＩＣチップ等の電子部品９０を実装するためのパッド（第１パッド）７５Ｉと他のプリント配線板（上基板）１１０を搭載するためのパッド（第２パッド）７５Ｐを有する。他のプリント配線板にメモリなどの電子部品９００が実装される。複数のパッド７５Ｉでパッド群Ｃ４（図３（Ａ）参照）が形成され、パッド群Ｃ４は、プリント配線板１０の略中央に形成されている。パッド７５Ｐは、パッド群Ｃ４の周りの外周領域Ｐ４（図３（Ａ）参照）に形成されている。そして、パッド７５Ｐ上に上基板を搭載するための接合ポスト（金属ポスト）７７が形成されている。金属ポストの形状は、例えば、円柱である。金属ポスト７７は、プリント配線板１０とプリント配線板１１０を電気的に接続する機能を有する。また、パッド７５Ｐ間のピッチｐ１が０．３ｍｍ以下でも、金属ポスト７７により、実施形態のプリント配線板１０とプリント配線板（上基板）１１０との間の距離が確保される。パッド７５Ｐ間のピッチｐ１が０．２５ｍｍ以下でも、金属ポスト７７により、実施形態のプリント配線板１０とプリント配線板（上基板）１１０との間の距離が一定に保たれる。隣接するパッド間で絶縁が確保される。ピッチｐ１は隣接するパッド７５Ｐの中心間の距離である。
【００１１】
実施形態のプリント配線板は、コア基板を有するプリント配線板であってもコアレス基板であっても良い。コア基板を有するプリント配線板やその製造方法は、例えば、ＪＰ２００７２２７５１２Ａに示されている。コアレス基板やその製造方法は、例えば、ＪＰ２００５２３６２４４Ａに示されている。コアレス基板は、交互に積層されている層間樹脂絶縁層と導体層を有し、全ての層間樹脂絶縁層の厚みが例えば６０μｍ以下である。
第１実施形態のプリント配線板１０は、コア基板３０を有する。そのコア基板は第１面Ｆとその第１面と反対側の第２面Ｓとを有する絶縁基板２０ｚと絶縁基板の第１面Ｆ上に形成されている第１導体層３４Ｆと絶縁基板の第２面上に形成されている第２導体層３４Ｓを有する。コア基板はさらに、絶縁基板２０ｚに形成されているスルーホール導体用の貫通孔２８をめっき膜で充填しているスルーホール導体３６を有する。スルーホール導体３６は、第１導体層３４Ｆと第２導体層３４Ｓを接続している。コア基板の第１面と絶縁基板の第１面は同じ面であり、コア基板の第２面と絶縁基板の第２面は同じ面である。
【００１２】
コア基板３０の第１面Ｆ上に層間樹脂絶縁層（最上の層間樹脂絶縁層）５０Ｆが形成されている。この層間樹脂絶縁層５０Ｆ上に導体層（最上の導体層）５８Ｆが形成されている。導体層５８Ｆと第１導体層３４Ｆやスルーホール導体は、層間樹脂絶縁層５０Ｆを貫通するビア導体（最上のビア導体）６０Ｆで接続されている。層間樹脂絶縁層５０Ｆと導体層５８Ｆとビア導体６０Ｆで上側のビルドアップ層５５Ｆが形成されている。第１実施形態では、上側のビルドアップ層は１層である。最上の導体層はパッド７５Ｉ、７５Ｐを有している。パッド７５Ｉ、７５Ｐは、最上の導体層に含まれる導体回路の上面や最上のビア導体の上面である。
【００１３】
コア基板３０の第２面Ｓに層間樹脂絶縁層（最下の層間樹脂絶縁層）５０Ｓが形成されている。この層間樹脂絶縁層５０Ｓ上に導体層（最下の導体層）５８Ｓが形成されている。導体層５８Ｓと第２導体層３４Ｓやスルーホール導体は、層間樹脂絶縁層５０Ｓを貫通するビア導体（最下のビア導体）６０Ｓで接続されている。層間樹脂絶縁層５０Ｓと導体層５８Ｓとビア導体６０Ｓで下側のビルドアップ層５５Ｓが形成されている。第１実施形態では、下側のビルドアップ層は１層である。最下の導体層はマザーボードと接続するためのＢＧＡパッド７１ＳＰを有している。パッド７１ＳＰは、最下の導体層に含まれる導体回路の上面や最下のビア導体の上面である。
【００１４】
上側のビルドアップ層上に上側のソルダーレジスト層７０Ｆが形成され、下側のビルドアップ層上に下側のソルダーレジスト層７０Ｓが形成されている。ソルダーレジスト層７０Ｆは、パッド７５Ｉを露出するための開口（第１開口）７１ＦＩとパッド７５Ｐを露出するための開口（第２開口）７１ＦＰを有する。ソルダーレジスト層７０Ｓは、ＢＧＡパッド７１ＳＰを露出する開口７１Ｓを有する。ＢＧＡパッド７１ＳＰ上にマザーボードと接続するための半田バンプ７６Ｓが形成される。半田バンプは無くてもよく、代わりにＳｎ膜などの接続部材を設けてもよい。パッド７５Ｉには、半田バンプ９４を介してＩＣチップ９０のパッドが接続される。
【００１５】
図２は、半田バンプ７６Ｓを有する実施形態のプリント配線板１０の断面図である。実装面は上側のソルダーレジスト層７０Ｆやパッド７５Ｉ、７５Ｐを有している。パッド７５Ｐ上に金属ポスト７７が形成されている。
【００１６】
図１２（Ａ）は金属ポストを拡大して示す。金属ポストの形状は円柱である。金属ポスト７７は頂部７７Ｔと頂部と反対側の底部７７Ｂを有する。金属ポスト７７は頂部と底部の間に側壁７７Ｗを有する。金属ポスト７７は、底部７７Ｂ表面に形成されたシード層８４と、シード層上に形成された電解めっき膜８６とから成る。頂部７７Ｔの表面には粗化層７９が形成されている。粗化層は、平均粗度Ｒａ０．０３〜０．２６が好ましい。
【００１７】
金属ポストの径ｄ１は５０〜１５０μｍである。ソルダーレジストの第２開口７１ＦＰの径（径の最小部）ｄ２は７０〜２００μｍである。第２開口の径は、金属ポストの径よりも大きい。金属ポストの径ｄ１との径ｄ２と第２開口７１の径との比（ｄ１／ｄ２）は、０．５から０．９であることが好ましい。パッド間のピッチを小さくすることができる。図２、図３（Ａ）中に示すピッチｐ１が０．３ｍｍ以下でも、プリント配線板１０と上基板との間の接続信頼性が高い。また、金属ポスト間の絶縁信頼性が高い。
【００１８】
第２パッド７５Ｐは、金属ポスト７７の回りに、該金属ポストの軸線Ｚ１に同心状の凹部７５ＰＲを備える。金属ポストの底面７７Ｂと第２パッド７５Ｐとの界面（金属ポストの底部）７７Ｂは、凹部の最低部よりもｆ２：１〜１０μｍ分高く、パッドの最上部よりもｆ２：１〜１０μｍ分低い位置にある。
【００１９】
第１実施形態に係るプリント配線板では、金属ポスト７７の径ｄ１がソルダーレジスト層７０Ｆの第２開口７１ＦＰの径ｄ２よりも小さいため、金属ポスト７７がソルダーレジスト層７０Ｆと接触せず、ソルダーレジスト層からの熱応力を受けない。このため、金属ポストの接続信頼性が高い。
【００２０】
図１２（Ｂ）は、プリント配線板上にモールド樹脂８０が充填された状態が示される。第２パッド７５Ｐが、金属ポストの回りに該金属ポストの軸線Ｚ１に同心状の凹部７５ＰＲを備える。このため、金属ポスト７７のシード層８４と電解銅めっき層８６との界面８５の位置と、及び、シード層８４と第２パッドの界面（金属ポストの底部）７７Ｂの位置と、パッド７５Ｐと該パッドに接するモールド樹脂８０との界面位置がずれている。また、第２パッドのモールド樹脂との接触部位が凹状であるため、平板状と比較してモールド樹脂からの応力が横方向へ分散する。このため、モールド樹脂８０から金属ポストが受ける熱応力が小さくなり、金属ポストの接続信頼性が高まる。
【００２１】
第１実施形態では、第２パッド７５Ｐの径（パッドの露出部の径）ｄ３は、第２開口７１ＦＰの径ｄ２よりも大きい。第２パッド７５Ｐの径はソルダーレジスト層７０Ｆから露出している部分の導体（導体回路やビア導体）の径である。ソルダーレジスト層７０Ｆの裏面まで、第２パッド７５Ｐの外縁７５ＰＥは延在している。このため、モールド樹脂８０が、ソルダーレジスト層の裏面まで回り込み、ソルダーレジスト層とモールド樹脂との密着性が高い。第２パッド７５Ｐは、第２開口７１ＦＰと同心状の円形の実装パッド５８ＦＰ上に形成される。実装パッド５８ＦＰは、最上の導体層５８Ｆに含まれる。実装パッド５８ＦＰの径ｄ４は、第２パッド７５Ｐの径ｄ３より大きい。
【００２２】
隣接するパッド７５Ｐ間の距離（ピッチ）ｐ１（図２参照）は、１００μｍ〜３００μｍである。ピッチｐ１が１００μｍより小さいと、金属ポスト間の絶縁信頼性が低下しやすい。また、金属ポストが細くなるので、上基板とプリント配線板１０間の接続信頼性が低下する。ピッチｐ１が３００μｍを越えると、プリント配線板１０のサイズが大きくなる。そのため、金属ポストに働く応力が大きくなるので、上基板とプリント配線板１０間の接続信頼性が低下する。
【００２３】
ピッチｐ１が０．３ｍｍ以下の場合、金属ポスト７７の高さ（頂部から底部先端までの距離）Ｈは７５μｍ〜２００μｍであって、金属ポストの径ｄ１は１２５μｍ〜３３０μｍである。実施形態のプリント配線板と上基板間の接続信頼性や金属ポスト間の絶縁信頼性が向上する。
【００２４】
金属ポストのアスペクト比（高さＨ／径ｄ１）は０．６より大きいことが好ましい。金属ポストで上基板と実施形態のプリント配線板間の応力が緩和される。接続信頼性が高くなる。アスペクト比が０．６〜１．５であることが好ましい。上基板とプリント配線板１０間の応力が緩和される。また、金属ポストが疲労で劣化しない。上基板とプリント配線板１０間の接続信頼性が高くなる。
【００２５】
第１実施形態では、ピッチｐ１を小さくすることができる。隣接する金属ポスト間のスペースの距離が大きいので、ピッチｐ１が０．３ｍｍ以下でも、金属ポスト間の絶縁信頼性が高い。ピッチｐ１が０．２５ｍｍ以下になると、金属ポストが細くなる。接続信頼性を高くするため、金属ポストのアスペクト比（Ｈ／ｄ１）は０．６以上であることが好ましい。パッド７５Ｐの数が多くなると、プリント配線板のサイズが大きくなる。しかしながら、金属ポストのアスペクト比（Ｈ／ｄ１）が１以上であると、上基板の物性とプリント配線板の物性の違いに起因する応力が金属ポストで緩和される。Ｈ／ｄ１が１．５を越えると金属ポストがヒートサイクルで劣化する。物性の例は熱膨張係数やヤング率である。
【００２６】
図１に示されるように、プリント配線板１０と上基板１１０は、高い剛性を有する金属ポスト７７で接続される。上基板とプリント配線板間の熱応力が金属ポスト７７で緩和される。金属ポストで上基板とプリント配線板を有する電子機器の強度が保たれる。上基板の物性とプリント配線板の物性の違いによる電子機器の反りが低減される。
【００２７】
図４〜図９に、金属ポストの製造方法が示される。
図４（Ａ）に示すプリント配線板１０１が、上述したように、例えば、ＪＰ２００７２２７５１２Ａに示されている方法で製造される。プリント配線板１０１は、ＩＣチップ等の電子部品９０を実装するためのパッド（第１パッド）７５Ｉと他のプリント配線板（上基板）１１０を搭載するためのパッド（第２パッド）７５Ｐを上側のソルダーレジスト層７０Ｆ下に有する。また、マザーボードへ実装するためのパッド７１ＳＰを下側のソルダーレジスト層７０Ｓ下に有する。
【００２８】
レーザにより、上側のソルダーレジスト層７０Ｆに第１開口７１ＦＩが形成され、第１パッド７５Ｉが露出され、第２開口７１ＦＰが形成され、第２パッド７５Ｐが露出される。同様に、下側のソルダーレジスト層７０Ｓに開口７１Ｓが形成され、パッド７１ＳＰが露出される（図４（Ｂ））。
【００２９】
ウェットブラストによりソルダーレジスト層７０Ｆの表面が粗化されると共に、第２開口７ＦＰ１内の第２パッド７５Ｐに半球状凹部７５ＲＲが形成される（図５（Ａ））。図１１（Ａ）に、図４（Ｂ）の円Ｃ１中の半球状凹部形成前の第２パッド７５Ｐが示され、図１１（Ｂ）中に、図５（Ａ）の円Ｃ２中の半球状凹部形成後の第２パッドが示される。なお、第１開口７１ＦＩは径が小さいため、第１パッド７５Ｉに深い凹部が形成されない。ここでは、ウェットブラストにより粗化が行われたが、プラズマ処理等を用いることも可能である。
【００３０】
下側のソルダーレジスト層７０Ｓの表面にレジスト８２Ｓが形成される。上側のソルダーレジスト層７０Ｆ表面、及び、第１開口７１ＦＩ、第２開口７１ＦＰ内にスパッタによりＴｉ／Ｃｕシード層８４が形成される（図５（Ｂ））。ここでは、スパッタリングでＴｉ／Ｃｕシード層を形成したが、無電解銅めっきによりシード層を形成することもできる。図１１（Ｃ）中に、図５（Ｂ）の円Ｃ３中のシード層８４形成後の第２パッド７５Ｐが示される。
【００３１】
プリント配線板１０１のソルダーレジスト層７０Ｆ上に、第２開口７１ＦＰを露出させると共に、該第２開口よりも径の小さなレジスト開口８２Ａを備えるめっきレジスト８２Ｆが形成される（図６（Ａ））。シード層８４を介して電流が流され、レジスト開口８２Ａ内に電解銅めっき８６が充填され、金属ポスト７７が形成される（図６（Ｂ））。
【００３２】
金属ポスト７７の高さがＨに揃うようにバフロールを用いて粗いから仕上げまでの複数回
バフ研磨が行われる（図７（Ａ））。同時に金属ポストの頂部に粗化処理がなされる。これにより、平均粗度Ｒａ０．０３〜０．２６よりも粗度が大きくなるように粗化される。粗化により頂部の表面積が増え、頂部上に形成される半田との密着性が高まる。なお、ここではバフ研磨を行ったが、頂部の研磨は、グライディングホイールを用いたグラインダ処理、不織布を用いたＣＭＰ処理、或いは、ダイヤモンドバイトを用いた切削処理を行うことも可能である。
【００３３】
上側のめっきレジスト８２Ｆが剥離され、金属ポスト７７が露出される（図７（Ａ））。図１１（Ｄ）中に、図７（Ｂ）の円Ｃ４中の露出された金属ポストが示される。上述されたように、頂部７７Ｔに粗化層７９が形成されている。
【００３４】
ソルダーレジスト層７０Ｆ上に金属ポスト７７から露出しているシード層８４がソフトエッチングで剥離され、下側のレジスト８２Ｓが剥離される（図８（Ａ））。図１２（Ａ）に図８（Ａ）の円Ｃ５中の金属ポストが示される。図１１（Ｂ）に示されたパッド７５Ｐの半球状凹部７５ＲＲに加え、ソフトエッチングで、金属ポストの回りの第２パッド７５Ｐ表面が溶解され、第２パッド７５Ｐに該金属ポストの軸線Ｚ１に同心のリング状凹部７５ＰＲが形成される。金属ポスト７７と第２パッド７５Ｐの界面（金属ポストの底部７７Ｂ）は、凹部７５ＰＲの最低部よりもｆ２分高く、第２パッド７５Ｐの最上部（導体層５８Ｆの上面）よりもｆ２分低い位置にある。また、このエッチングによって、頂部７７Ｔ表面も溶解され、粗化層７９の粗度が平均粗度Ｒａ０．０３〜０．２６に調整される。
【００３５】
上側のソルダーレジスト層７０Ｆの第１開口７１ＦＩから露出される第１パッド７５Ｉ、下側のソルダーレジスト層７０Ｓの開口７１Ｓから露出されるパッド７１ＳＰ上に酸化防止表面処理膜７２が塗布され、プリント配線板１０が完成する（図８（Ｂ））。酸化防止表面処理膜７２はパッドの酸化を防止するための保護膜である。保護膜の例として、ＯＳＰ以外にも、Ｎｉ／ＡｕやＮｉ／Ｐｄ／Ａｕ、Ｓｎなどが挙げられる。
【００３６】
プリント配線板１０のソルダーレジスト層７０Ｆの第１パッド７５Ｉに、半田バンプ９４が形成される（図９（Ａ））。第１パッド７５Ｉに、半田バンプ９４、パッド９２を介してＩＣチップ９０が実装される（図９（Ｂ））。ＩＣチップ９０の上面に合わせてモールド樹脂（アンダーフィル）８０がプリント配線板の上に充填される（図１０（Ａ））。図１２（Ｂ）に図１０（Ａ）の円Ｃ６中の金属ポストが示される。第１実施形態では、第２パッド７５Ｐの径ｄ３は、第２開口の径ｄ２よりも大きい。パッドの径はソルダーレジスト層から露出している部分の導体（導体回路やビア導体）の径である。ソルダーレジスト層７０Ｆの裏面まで、第２パッド７５Ｐの外縁７５ＰＥは延在している。このため、モールド樹脂８０が、ソルダーレジスト層の裏面まで回り込み、ソルダーレジスト層とモールド樹脂との密着性が高い。金属ポスト７７の頂部の半田めっき膜８８を露出させる開口８０Ａがモールド樹脂８０にレーザで形成される（図１０（Ｂ））。
【００３７】
他のプリント配線板（上基板）１１０が半田バンプ１１２を介して金属ポスト７７に接合される。他のプリント配線板１１０がプリント配線板１０に搭載される（図１）。
【００３８】
第１実施形態では、金属ポスト７７の頂部が研磨され、高さがＨに揃えられるため、プリント配線板の上基板との接続信頼性が高まる。
【００３９】
第１実施形態に係るプリント配線板の製造方法では、ＩＣチップ接続用の第１開口７１ＦＩと、上基板接続用の金属ポスト形成用の第２開口７１ＦＰを備えるソルダーレジスト層７０Ｆを形成し、第１開口に半田バンプを形成すること無く、先に第２開口に金属ポスト７７を形成する。半田バンプによる影響を受けないため、金属ポストの形成時の信頼性を高めることができ、上基板と金属ポストとの接続信頼性が向上する。
【００４０】
[第１実施形態の第１改変例]
本発明の第１実施形態の第１改変例に係るプリント配線板１０の金属ポストが図１３（Ａ）に示されている。
第１実施形態の第１改変例では、第２パッド７５Ｐと、金属ポストの周囲に残ったシード層８４により、金属ポストの回りに、該金属ポストの軸線Ｚ１に同心状の凹部７５ＰＲが形成されている。この場合、パッドとは、第２パッド７５Ｐのシード層からの露出部分と、シード層８４の上面と概念される。金属ポスト７７は、シード層上に形成された電解めっき膜８６のみから成る。金属ポストのシード層８４と電解銅めっき層８６の界面８５は、凹部７５ＦＰの最低部よりもｆ２μｍ分高く、パッドの最上部よりもｆ１μｍ分低い位置にある。第１実施形態の第１改変例でも、同心状の凹部７５ＰＲによって金属ポストの接続信頼性が高められる。
【００４１】
[第１実施形態の第２改変例]
本発明の第１実施形態の第２改変例に係るプリント配線板１０の金属ポストが図１３（Ｂ）に示されている。
第１実施形態の第２改変例では、金属ポスト７７の側壁７７Ｗは湾曲していて、上面から下面の間でポストの径が細くなっている。金属ポストが細い部分を有するので、金属ポストが変形しやすくなる。そのため、応力が緩和される。パッド７５Ｐ間のピッチｐ１が０．３ｍｍ以下でも、第１実施形態の第２改変例に係るプリント配線板と上基板間の接続信頼性が低下しない。
【００４２】
第１実施形態の第２改変例のプリント配線板では、金属ポスト７７の側壁７７Ｗは湾曲していて、頂部７７Ｔと底部７７Ｂの間に細い部分を有している。このため、金属ポストの剛性が下がり、金属ポストで応力の緩和ができるため、上基板と金属ポストとの接続信頼性が向上する。また、金属ポスト７７の側壁７７Ｗの面積が増大するため、金属ポストをモールドするモールド樹脂８０と金属ポストと接触面積が増え、金属ポストの信頼性が高まる。
【００４３】
第１実施形態の第２改変例では、金属ポストの頂部７７Ｔ上に半田めっきにより半田めっき膜７８が形成されている。半田として、Ｓｎ／Ａｇ半田やＳｎ／Ａｇ／Ｃｕ半田を用いることができ、また、半田層の代わりにＳｎ層を設けることもできる。
【００４４】
[第１実施形態の第３改変例]
本発明の第１実施形態の第３改変例に係るプリント配線板１０の金属ポストが図１４（Ａ）に示されている。
第１実施形態の第３改変例に係るプリント配線板では、金属ポスト７７の頂部７７Ｔが湾曲した凸部形状に形成されている。
【００４５】
[第１実施形態の第４改変例]
本発明の第１実施形態の第４改変例に係るプリント配線板１０の金属ポストが図１４（Ｂ）に示されている。
第１実施形態の第４改変例に係るプリント配線板では、金属ポスト７７の頂部７７Ｔに凹部が形成されている。第４改変例では、頂部７７Ｔと上基板１１０の半田バンプ１１２（図１参照）との密着性が高い。
【符号の説明】
【００４６】
１０  プリント配線板
７０Ｆ  ソルダーレジスト層
７１ＦＩ  第１開口
７５Ｉ  第１パッド
７１ＦＰ  第２開口
７５Ｐ  第２パッド
７７  金属ポスト
８４  シード層
８６  電解めっき膜
９０  電子部品
１１０  他のプリント配線板
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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