(57)【要約】【課題】光ファイバをレーザダイオードに対して精度高く調心することができる光ファイバの調心方法を提供する。【解決手段】光ファイバ２０の光路を第１の分岐光路２２と第２の分岐光路２４に分岐し、第１の分岐光路２２に光源３０を、第２の分岐光路２４に光検出器３２を光学的に接続する。端面発光型の屈折率導波型レーザダイオード５０から出射されるレーザ光の波長よりも長い波長の調心光を光源３０から光ファイバ２０を通してレーザダイオード５０に照射する。レーザダイオード５０で反射し光ファイバ２０及び第２の分岐光路２４を通って光検出器３２に至る調心光の光量を検出する。レーザダイオード５０と光ファイバ２０とを相対的に移動させつつ、光検出器３２により検出される調心光の光量に基づいてレーザダイオード５０に対する光ファイバ２０の調心位置を決定する。【選択図】図７
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
屈折率が相対的に低い層に囲まれた活性層と、前記活性層の第１の端面に形成された低反射面と、前記活性層の第２の端面に形成された高反射面とを有する端面発光型の屈折率導波型レーザダイオードに対して光ファイバを調心する方法であって、
前記光ファイバの光路を第１の分岐光路と第２の分岐光路に分岐し、
前記第１の分岐光路に、前記レーザダイオードから出射されるレーザ光の波長よりも長い波長の調心光を出射可能な光源を光学的に接続し、
前記第２の分岐光路に、該第２の分岐光路を通る光の光量を検出可能な光検出器を光学的に接続し、
前記光源から前記調心光を前記第１の分岐光路及び前記光ファイバを通して前記レーザダイオードの前記第１の端面側に照射し、
前記レーザダイオードで反射し前記光ファイバ及び前記第２の分岐光路を通って前記光検出器に至る前記調心光の光量を検出し、
前記レーザダイオードと前記光ファイバとを相対的に移動させつつ、前記光検出器により検出される前記調心光の光量に基づいて前記レーザダイオードに対する前記光ファイバの調心位置を決定する
ことを特徴とするレーザダイオードに対する光ファイバの調心方法。
【請求項２】
前記光ファイバの調心位置の決定において、前記光検出器により検出される前記調心光の光量が最大となる位置を前記光ファイバの調心位置とすることを特徴とする請求項１に記載の光ファイバの調心方法。
【請求項３】
前記調心光は高次モードを含む光であることを特徴とする請求項１又は２に記載の光ファイバの調心方法。
【請求項４】
前記調心光は単一波長の光であって、前記レーザダイオードにおける反射率が最大となるように調整された偏波角と波長を有する光であることを特徴とする請求項１又は２に記載の光ファイバの調心方法。
【請求項５】
屈折率が相対的に低い層に囲まれた活性層と、前記活性層の第１の端面に形成された低反射面と、前記活性層の第２の端面に形成された高反射面とを有する端面発光型の屈折率導波型レーザダイオードと光ファイバの一方を基板に固定し、
前記光ファイバの光路を第１の分岐光路と第２の分岐光路に分岐し、
前記第１の分岐光路に、前記レーザダイオードから出射されるレーザ光の波長よりも長い波長の調心光を出射可能な光源を光学的に接続し、
前記第２の分岐光路に、該第２の分岐光路を通る光の光量を検出可能な光検出器を光学的に接続し、
前記光源から前記調心光を前記第１の分岐光路及び前記光ファイバを通して前記レーザダイオードの前記第１の端面側に照射し、
前記レーザダイオードで反射し前記光ファイバ及び前記第２の分岐光路を通って前記光検出器に至る前記調心光の光量を検出し、
前記レーザダイオードと前記光ファイバとを相対的に移動させつつ、前記光検出器により検出される前記調心光の光量に基づいて前記レーザダイオードに対する前記光ファイバの調心位置を決定し、
前記レーザダイオードに対して前記光ファイバを前記調心位置に維持した状態で、前記レーザダイオードと前記光ファイバの他方を前記基板に固定する
ことを特徴とするレーザダイオードモジュールの製造方法。
【請求項６】
前記光ファイバの調心位置の決定において、前記光検出器により検出される前記調心光の光量が最大となる位置を前記光ファイバの調心位置とすることを特徴とする請求項５に記載のレーザダイオードモジュールの製造方法。
【請求項７】
前記調心光は高次モードを含む光であることを特徴とする請求項５又は６に記載のレーザダイオードモジュールの製造方法。
【請求項８】
前記調心光は単一波長の光であって、前記レーザダイオードにおける反射率が最大となるように調整された偏波角と波長を有する光であることを特徴とする請求項５又は６に記載のレーザダイオードモジュールの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、レーザダイオードに対する光ファイバの調心方法に係り、特に端面発光型の屈折率導波型レーザダイオードに対する光ファイバの調心方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
レーザダイオード（ＬＤ）モジュールを製作する際には、光ファイバをレーザダイオードに対して調心する必要があるが、より正確な光ファイバの調心を行うために、レーザダイオードからレーザ光を出射させた状態で光ファイバの調心（アクティブ調心）が行われることがある（例えば、特許文献１，２参照）。
【０００３】
このアクティブ調心においては、図１に示すように、基板１００に載置されたＬＤチップ１１０に電源１２０を接続し、ＬＤチップ１１０内のレーザダイオードに電流を印加して、ＬＤチップ１１０のレーザダイオードの出射端面からレーザ光１３０を出射させる。このレーザ光１３０は光ファイバ１４０に入射し、この光ファイバ１４０の端部に接続された光検出器１５０によってその光量が検出される。
【０００４】
この状態で、光ファイバ１４０やレンズ（図示せず）などの光学系を移動させながら、光検出器１５０で検出されるレーザ光の光量が最も多くなる位置（調心位置）を探し、その位置に光ファイバ１４０を固定する。このようにして、ＬＤチップ１１０のレーザダイオードに対して光ファイバ１４０が調心され、ＬＤチップ１１０からのレーザ光１３０が光ファイバ１４０に結合される。
【０００５】
しかしながら、このようなアクティブ調心を行う場合には、ＬＤチップ１１０に電流を供給するための電源１２０や電気配線、レーザダイオードを冷却するための冷却手段などが必要となるため、ＬＤモジュール製造装置の構成が複雑になるという問題がある。また、ＬＤチップ１１０の電極に電源１２０を接続する必要が生じるため、工程数が多くなるとともに、電極に電源１２０を接続する際にＬＤチップ１１０に生じる静電気やサージ電流によりＬＤチップ１１０が破壊されるおそれが生じる。
【０００６】
また、上記のようにして調心された光ファイバ１４０は、はんだや樹脂の接合材、溶接などを用いてサブマウント１６０などに固定されるが、光ファイバ１４０をサブマウント１６０に固定する際に接合材の収縮などにより、光ファイバ１４０が調心位置からずれてしまうことがある。このような光ファイバ１４０の位置のずれを防止する、あるいは最小限にするためには、光ファイバ１４０をサブマウント１６０に固定する間も光検出器１５０によりレーザ光の光量を検出して光ファイバ１４０の位置を調整することが考えられる。しかしながら、光ファイバ１４０を接合材により固定する場合には、熱を加えながら接合する必要があり、この場合には、ＬＤチップ１１０の温度の上昇に伴いレーザダイオードからレーザ光が出射されなくなりレーザ光の検出ができなくなってしまうことが考えられる。
【０００７】
また、マルチモードレーザ光を出射するＬＤチップの場合、高電流を印加しつつアクティブ調心を行うと、出射されるレーザ光が強くなりすぎて光ファイバの被覆が壊れてしまうおそれがあり、また発熱量が大きくなるために冷却装置が必要となる。このような発熱の影響を抑える方法として、パルス状に電流を流すことも考えられるが、電源や光検出器の構成が複雑になるために装置が高価なものとなる。このため、アクティブ調心をする場合には低電流領域でレーザダイオードを動作させる必要があるが、低電流領域ではレーザ光の横モードが不安定になりやすく、レーザダイオードの活性層に平行な方向の結合位置が動作電流領域での結合位置とずれてしまうことも考えられる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００８】
【特許文献１】特開２００３−５７４９８号公報
【特許文献２】特開２００５−１８２０１４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
本発明は、このような従来技術の問題点に鑑みてなされたもので、簡素な構成で、静電気やサージ電流によるレーザダイオードの破壊を生ずることなく、光ファイバをレーザダイオードに対して精度高く調心することができる光ファイバの調心方法を提供することを第１の目的とする。
【００１０】
また、本発明は、簡素な構成で、静電気やサージ電流によるレーザダイオードの破壊を生ずることなく、レーザダイオードに対して光ファイバが精度高く調心されたレーザダイオードモジュールを製造する方法を提供することを第２の目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
本発明の第１の態様によれば、端面発光型の屈折率導波型レーザダイオードに対して光ファイバを調心する方法が提供される。このレーザダイオードは、屈折率が相対的に低い層に囲まれた活性層と、上記活性層の第１の端面に形成された低反射面と、上記活性層の第２の端面に形成された高反射面とを有している。この調心方法では、上記光ファイバの光路を第１の分岐光路と第２の分岐光路に分岐し、上記第１の分岐光路に、上記レーザダイオードから出射されるレーザ光の波長よりも長い波長の調心光を出射可能な光源を光学的に接続し、上記第２の分岐光路に、該第２の分岐光路を通る光の光量を検出可能な光検出器を光学的に接続し、上記光源から上記調心光を上記第１の分岐光路及び上記光ファイバを通して上記レーザダイオードの上記第１の端面側に照射し、上記レーザダイオードで反射し上記光ファイバ及び上記第２の分岐光路を通って上記光検出器に至る上記調心光の光量を検出し、上記レーザダイオードと上記光ファイバとを相対的に移動させつつ、上記光検出器により検出される上記調心光の光量に基づいて上記レーザダイオードに対する上記光ファイバの調心位置を決定する。
【００１２】
本発明の第２の態様によれば、屈折率が相対的に低い層に囲まれた活性層と、上記活性層の第１の端面に形成された低反射面と、上記活性層の第２の端面に形成された高反射面とを有する端面発光型の屈折率導波型レーザダイオードを含むレーザダイオードモジュールの製造方法が提供される。この方法では、上記レーザダイオードと光ファイバの一方を基板に固定し、上記光ファイバの光路を第１の分岐光路と第２の分岐光路に分岐し、上記第１の分岐光路に、上記レーザダイオードから出射されるレーザ光の波長よりも長い波長の調心光を出射可能な光源を光学的に接続し、上記第２の分岐光路に、該第２の分岐光路を通る光の光量を検出可能な光検出器を光学的に接続し、上記光源から上記調心光を上記第１の分岐光路及び上記光ファイバを通して上記レーザダイオードの上記第１の端面側に照射し、上記レーザダイオードで反射し上記光ファイバ及び上記第２の分岐光路を通って上記光検出器に至る上記調心光の光量を検出し、上記レーザダイオードと上記光ファイバとを相対的に移動させつつ、上記光検出器により検出される上記調心光の光量に基づいて上記レーザダイオードに対する上記光ファイバの調心位置を決定し、上記レーザダイオードに対して上記光ファイバを上記調心位置に維持した状態で、上記レーザダイオードと上記光ファイバの他方を上記基板に固定する。
【００１３】
本発明によれば、レーザダイオードに電流を流すことにより生じるレーザ光の代わりに、外部の光源から入射しレーザダイオードの活性層の第２の端面で反射する調心光を用いて光ファイバの調心を行っているため、レーザダイオードに電流を流すための電源や電気配線、レーザダイオードを冷却する手段を必要とすることなく、光ファイバの調心を行うことができる。したがって、レーザダイオードモジュール製造装置の構成を簡素化することができる。また、レーザダイオードに電流を流す必要がなく、レーザダイオードモジュールに電流を流す必要がないので、静電気やサージ電流によりレーザダイオードが破壊されるおそれも少ない。
【００１４】
また、外部の光源で生成される調心光を用いているため、光ファイバを固定する工程で光ファイバの周囲の温度が上昇した場合においても、外部の光源は温度上昇による影響を受けずに調心光を出射し続けることができる。したがって、光ファイバを基板に固定する間も光検出器において調心光の検出をすることができるので、光ファイバの位置の微調整をして精度高く調心された状態で光ファイバを固定することができる。
【００１５】
また、上記光ファイバの調心位置の決定において、上記光検出器により検出される上記調心光の光量が最大となる位置を上記光ファイバの調心位置とすることが好ましい。
【００１６】
また、レーザダイオードがマルチモードレーザ光を出射するものである場合、上記調心光として高次モードを含む光を用いることが好ましい。そのような場合には、光検出器にて検出される調心光が実際に使用する電流領域のモード分布に近づくので、より正確な調心を実現することができる。
【００１７】
また、レーザダイオードがシングルモードレーザ光を出射するものである場合、上記調心光として単一波長の光であって、上記レーザダイオードにおける反射率が最大となるように調整された偏波角と波長を有する光を用いることが好ましい。
【発明の効果】
【００１８】
本発明によれば、簡素な構成で、静電気やサージ電流によるレーザダイオードの破壊を生ずることなく、光ファイバをレーザダイオードに対して精度高く調心することができる光ファイバの調心方法が提供される。
【００１９】
また、簡素な構成で、静電気やサージ電流によるレーザダイオードの破壊を生ずることなく、レーザダイオードに対して光ファイバが精度高く調心されたレーザダイオードモジュールを製造する方法が提供される。
【図面の簡単な説明】
【００２０】
【図１】従来のレーザダイオードモジュールにおける光ファイバの調心方法を説明する模式図である。
【図２】本発明の一実施形態におけるレーザダイオードモジュールを示す模式図である。
【図３】図２に示されるレーザダイオードモジュールのレーザダイオードの構造を模式的に示す断面図である。
【図４】図３のIV-IV線断面図である。
【図５】図２に示されるレーザダイオードモジュールの製造方法を説明する模式図である。
【図６】図２に示されるレーザダイオードモジュールの製造方法を説明する模式図である。
【図７】図２に示されるレーザダイオードモジュールの製造方法を説明する模式図である。
【図８】図７のレーザダイオードモジュールにおける調心光の光路を説明する模式図であり、レーザダイオードモジュールを横方向から見た図である。
【発明を実施するための形態】
【００２１】
以下、本発明に係るレーザダイオードモジュールの製造方法の実施形態について図２から図８を参照して詳細に説明する。なお、図２から図８において、同一又は相当する構成要素には、同一の符号を付して重複した説明を省略する。
【００２２】
図２は、本発明の一実施形態におけるレーザダイオード（ＬＤ）モジュール１０を示す模式図である。図２に示すＬＤモジュール１０は、基板１２と、基板１２上に固定された第１のサブマウント１４と、第１のサブマウント１４上に固定されたＬＤチップ１６と、基板１２上に固定された第２のサブマウント１８と、第２のサブマウント１８に固定された光ファイバ２０とを備えている。ＬＤチップ１６は内部に屈折率導波型レーザダイオードを有している。また、ＬＤチップ１６と光ファイバ２０との間には、ＬＤチップ１６のレーザダイオードから出射されたレーザ光を光ファイバ２０に集光するためのレンズ（図示せず）などの光学系が配置されている。
【００２３】
図３は、ＬＤチップ１６内のレーザダイオード５０を示しており、レーザ光出射方向に垂直な方向の断面図である。図３に示すように、このレーザダイオード５０は、屈折率導波型レーザダイオードであり、上面のｐ電極５１と、下面のｎ電極５２と、ｐ電極５１の下方に位置するｐクラッド層５３と、ｐクラッド層５３の下方に位置する活性層５４と、活性層５４の下方に位置するｎクラッド層５５とを有している。活性層５４が活性層５４よりもバンドギャップの大きいｐクラッド層５３とｎクラッド層５５で挟み込まれており、ダブルヘテロ（ＤＨ）構造が形成されている。また、活性層５４の両側には、活性層５４よりもバンドギャップが大きく、クラッド層５３，５５とバンドギャップが同等のｎ埋め込み層５６とｐ埋め込み層５７が形成されており、埋め込みヘテロ（ＢＨ）構造が形成されている。活性層５４の周囲にあるｐクラッド層５３、ｎクラッド層５５、ｎ埋め込み層５６、ｐ埋め込み層５７は、活性層５４よりもバンドギャップが大きくなっている。このような構造により、活性層５４内に光とキャリアを閉じ込めることができるようになっている。
【００２４】
なお、図３では、屈折率導波型レーザダイオード５０として埋め込みヘテロ（ＢＨ）構造を有するレーザダイオードを用いる例を示しているが、ＬＤチップ１６内の屈折率導波型レーザダイオードはこれに限られるものではない。例えば、埋め込みリッジ構造を有する屈折率導波型レーザダイオードを用いることもできる。
【００２５】
図４は、図３のIV-IV線断面図である。図４に示すように、レーザダイオード５０の活性層５４の軸方向の端面５４Ａ，５４Ｂは劈開面により構成される。端面５４Ａには、例えば誘電体の積層膜からなる反射防止膜（図示せず）が成膜されており、この端面５４Ａは、活性層５４で生じたレーザ光の一部を外部に出射する低反射面を構成する。一方、端面５４Ｂには、例えば誘電体の積層膜からなる高反射膜（図示せず）が成膜されており、この端面５４Ｂは、活性層５４で生じたレーザ光を反射する高反射面を構成する。このような構成において、ｐ電極５１からｎ電極５２に電流を流すと、活性層５４においてキャリア励起による反転分布が生じてレーザ光が生じる。このレーザ光は、低反射面である端面５４Ａと高反射面である端面５４Ｂとの間に形成される共振器により増幅され、その一部が低反射面である端面５４Ａから外部に出射される。このように、本実施形態におけるレーザダイオード５０は、端面発光型のレーザダイオードとなっている。
【００２６】
次に、レーザダイオード５０に対して光ファイバ２０を調心しつつＬＤモジュール１０を製造する方法について図５から図８を参照して説明する。
【００２７】
まず、図５に示すように、上面にＬＤチップ１６が固定された第１のサブマウント１４を基板１２上に固定する。次に、図６に示すように、第２のサブマウント１８を基板１２上に固定し、この第２のサブマウント１８上に光ファイバ２０を載置する。このとき、光ファイバ２０の第１の端部２０ＡをＬＤチップ１６の近傍に位置させる。
【００２８】
そして、図７に示すように、光ファイバ２０の第２の端部２０Ｂ（図６参照）に、第１の分岐光路（光ファイバ）２２と第２の分岐光路（光ファイバ）２４が接続された光カプラ２６を取り付ける。この光カプラ２６によって光ファイバ２０を伝搬する光は第１の分岐光路２２と第２の分岐光路２４に分岐する。なお、この光カプラ２６としては、バルク型カプラ、導波型カプラ、ファイバ型カプラ（融着）など種々の光合成分離手段を用いることができる。
【００２９】
次に、第１の分岐光路２２の端部に、ＬＤチップ１６のレーザダイオードから出射されるレーザ光の波長よりも長い波長の光（調心光）を出射可能な光源３０を光学的に接続する。また、第２の分岐光路２４の端部に、第２の分岐光路２４を通る光の光量を検出可能な光検出器３２を光学的に接続する。
【００３０】
この状態で光ファイバ２０の第１の端部２０ＡをＬＤチップ１６に近づける。例えば、光ファイバ２０とＬＤチップ１６との間に配置されたレンズの焦点付近に光ファイバ２０の第１の端部２０Ａを位置させる。
【００３１】
そして、光源３０を発光させると、光源３０から出射された調心光が、図７の矢印Ａに示すように、第１の分岐光路２２及び光カプラ２６を通って光ファイバ２０に至る。そして、この調心光が、光ファイバ２０の第１の端部２０Ａからレーザダイオード５０の端面５４Ａ側に照射される。このとき、図８に示すように、光ファイバ２０の第１の端部２０Ａから出射された調心光（Ｌ1）がレーザダイオード５０の導波路である活性層５４に入射した場合、調心光は活性層５４内を伝搬して高反射面である端面５４Ｂで反射する（Ｌ2）。この端面５４Ｂで反射した調心光は再び活性層５４を伝搬して低反射面である端面５４Ａから出射され、光ファイバ２０に戻ることとなる（Ｌ3）。一方、光ファイバ２０の第１の端部２０Ａから出射された調心光がレーザダイオード５０の活性層５４以外の場所に当たると、その調心光はレーザダイオード５０の導波路である活性層５４を通らないため、高反射面である端面５４Ｂで反射して光ファイバ２０に戻ってくる調心光の量は少なくなる。光ファイバ２０に戻ってきた調心光は光カプラ２６で分岐され、その一部は、図７の矢印Ｂに示すように、第２の分岐光路２４を通って光検出器３２に至り、その光量が光検出器３２にて検出される。
【００３２】
本実施形態においては、ｐ電極５１とｎ電極５２との間に電流を流すことにより生じるレーザ光の代わりに、上述したレーザダイオード５０の活性層５４の端面５４Ｂで反射する調心光を用いて、レーザダイオード５０に対する光ファイバ２０の調心をすることができる。すなわち、レーザダイオード５０に対して光ファイバ２０が調心される位置では活性層５４の端面５４Ｂで反射する調心光の量が最も多くなるため、レーザダイオード５０の端面に平行な２軸上で光ファイバ２０を移動させつつ、光検出器３２により検出される光量が最も多くなる位置を探す。そして、光検出器３２により検出される光量が最も多くなる位置に光ファイバ２０を維持しつつ、第２のサブマウント１８に樹脂やはんだ、溶接などで光ファイバ２０を固定する。なお、光検出器３２により調心状態をモニタリングして光ファイバ２０の位置の微調整をしながら光ファイバ２０を固定してもよい。
【００３３】
その後、光カプラ２６や分岐光路２２，２４、光源３０、光検出器３２を用途に応じて取り除くことで、図２に示すＬＤモジュール１０が完成する。
【００３４】
このように、本実施形態では、ｐ電極５１とｎ電極５２との間に電流を流すことにより生じるレーザ光の代わりに、外部の光源３０から入射しレーザダイオード５０の活性層５４の端面５４Ｂで反射する調心光を用いているため、ｐ電極５１とｎ電極５２との間に電流を流すための電源や電気配線、レーザダイオード５０を冷却する手段を必要とすることなく、光ファイバ２０の調心を行うことができる。したがって、ＬＤモジュール１０の製造装置の構成を簡素化することができる。また、ｐ電極５１とｎ電極５２との間に電流を流す必要がなく、ＬＤモジュール１０に電流を流す必要がないので、静電気やサージ電流によりＬＤチップ１６が破壊されるおそれも少ない。
【００３５】
また、外部の光源３０で生成される調心光を用いているため、光ファイバ２０を固定する工程でＬＤチップ１６の温度が上昇した場合においても、光源３０は温度上昇による影響を受けずに調心光を出射し続けることができる。したがって、光ファイバ２０を第２のサブマウント１８に固定する間も光検出器３２において調心光の検出をすることができるので、光ファイバ２０の位置の微調整をして精度高く調心された状態で光ファイバ２０を固定することができる。
【００３６】
ここで、調心光としては、ＬＤチップ１６のレーザダイオード５０から出射されるレーザ光の波長よりも長い波長を有するものを用いる。レーザダイオードから出射されるレーザ光の波長と同じ波長又はレーザ光の波長よりも短い波長の調心光を用いた場合には、光ファイバ２０からの調心光は、レーザダイオード５０の活性層５４でそのほとんどが吸収されてしまい、光ファイバ２０に戻ってくる調心光の光量が不十分となり、光ファイバ２０の調心ができない。一方、活性層５４の端面５４Ｂにおける反射は波長依存性があるため、調心光の波長はできるだけレーザ光の波長に近い方が好ましい。例えば、レーザダイオード５０から出射されるレーザ光の波長が９１５ｎｍである場合には、波長が９８０ｎｍの調心光、より好ましくは波長が９５０ｎｍの調心光を用いることができる。また、調心光のパワーは例えば１ｍＷとすることができるが、０．１ｍＷ程度のパワーがあれば調心に利用できる。
【００３７】
また、レーザダイオード５０がマルチモードレーザ光を出射するものである場合には、光源３０からの調心光として高次モードを含んだ光を用いることが好ましい。高次モードを含んだ光を調心光として用いれば、光検出器３２にて検出される調心光が実際に使用する電流領域のモード分布に近づくので、より正確な調心を実現することができる。
【００３８】
また、レーザダイオード５０がシングルモードレーザ光を出射するものである場合には、光源３０からの調心光として単一波長の光を用いることが好ましい。また、レーザダイオード５０における反射は波長依存性とともに偏波依存性があるため、レーザダイオード５０における反射率が最大となるように調整された偏波角と波長を有する光を調心光として用いることが好ましい。このような偏波角と波長の調整については、例えば特開２００９−１７４９０９号公報に記載されている調整方法を用いることができる。
【００３９】
上述した実施形態では、ＬＤチップ１６と光ファイバ２０との間にレンズなどの光学系を配置した例について述べたが、例えば光ファイバ２０として端面をレンズ加工したレンズドファイバを用いることができ、そのような場合にはＬＤチップ１６と光ファイバ２０との間にレンズを設ける必要がない。
【００４０】
また、上述した実施形態では、調心の際にＬＤチップ１６を固定して光ファイバ２０を移動させることとしたが、レーザダイオード５０に対して光ファイバ２０を相対的に移動すればよく、光ファイバ２０を固定してＬＤチップ１６を移動させて調心を行うこととしてもよい。
【００４１】
これまで本発明の好ましい実施形態について説明したが、本発明は上述の実施形態に限定されず、その技術的思想の範囲内において種々異なる形態にて実施されてよいことは言うまでもない。
【符号の説明】
【００４２】
１０    レーザダイオードモジュール
１２    基板
１４    第１のサブマウント
１６    レーザダイオードチップ
１８    第２のサブマウント
２０    光ファイバ
２２    第１の分岐光路
２４    第２の分岐光路
２６    光カプラ
３０    光源
３２    光検出器
５０    レーザダイオード
５１    ｐ電極
５２    ｎ電極
５３    ｐクラッド層
５４    活性層
５４Ａ  低反射面
５４Ｂ  高反射面
５５    ｎクラッド層
５６    ｎ埋め込み層
５７    ｐ埋め込み層
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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