(57)【要約】【課題】２端子測定で被測定素子のインピーダンスを測定し、その実効値成分とリアクタンス成分とからＱ値を求めるにあたって、測定用接触端子による接触抵抗成分の影響を排除してより正確なＱ値を求める。【解決手段】インダクタンス成分を含む被測定素子の実効抵抗値とリアクタンス値との比であるＱ値を求めるにあたって、４端子測定により被測定素子の第１直流抵抗値Ｒｄｃ４を測定し、２端子測定により被測定素子の第２直流抵抗値Ｒｄｃ２を測定するとともに、実効抵抗値Ｒｓおよびインダクタンス値Ｌを測定し、第２直流抵抗値Ｒｄｃ２と第１直流抵抗値Ｒｄｃ４との差分（Ｒｄｃ２−Ｒｄｃ４）から２端子測定時における接触端子の接触抵抗Ｒｃを算出し、実効抵抗値Ｒｓから接触抵抗Ｒｃを減算（Ｒｓ−Ｒｃ）して、補正実効抵抗値Ｒｓ’を算出し、補正実効抵抗値Ｒｓ’とインダクタンス値Ｌとから、被測定素子のＱ値（＝ωＬ／Ｒｓ’）を求める。【選択図】図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
インダクタンス成分を含む被測定素子の実効抵抗値とリアクタンス値との比であるＱ値を求めるインピーダンス測定方法において、
４端子測定により、上記被測定素子の第１直流抵抗値Ｒｄｃ４を測定する第１ステップと、
２端子測定により、上記被測定素子の実効抵抗値Ｒｓおよびインダクタンス値Ｌを測定するとともに、第２直流抵抗値Ｒｄｃ２を測定する第２ステップと、
上記第２直流抵抗値Ｒｄｃ２と上記第１直流抵抗値Ｒｄｃ４との差分（Ｒｄｃ２−Ｒｄｃ４）から上記２端子測定時における接触端子の接触抵抗Ｒｃを算出する第３ステップと、
上記実効抵抗値Ｒｓから上記接触抵抗Ｒｃを減算（Ｒｓ−Ｒｃ）して、補正実効抵抗値Ｒｓ’を算出する第４ステップと、
上記補正実効抵抗値Ｒｓ’と上記インダクタンス値Ｌとから、上記被測定素子のＱ値（ωＬ／Ｒｓ’：ωは角周波数）を求める第４ステップと、
を実行することを特徴とするインピーダンス測定方法。
【請求項２】
上記第１ステップの４端子測定よりも先に上記第２ステップの２端子測定を実行し、その際の上記第２ステップの２端子測定では、先に上記実効抵抗値Ｒｓおよび上記インダクタンス値Ｌを測定し、その後に上記第２直流抵抗値Ｒｄｃ２を測定することを特徴とする請求項１に記載のインピーダンス測定方法。
【請求項３】
インダクタンス成分を含む被測定素子の実効抵抗値とリアクタンス値との比であるＱ値を求める機能を有するインピーダンス測定装置において、
第１測定手段と第２測定手段とを含み、上記第１測定手段で４端子測定により上記被測定素子の第１直流抵抗値Ｒｄｃ４が測定され、
上記第２測定手段で上記被測定素子について、２端子測定により第２直流抵抗値Ｒｄｃ２と、実効抵抗値Ｒｓおよびインダクタンス値Ｌとが測定され、
上記第２測定手段は、上記第２直流抵抗値Ｒｄｃ２と上記第１直流抵抗値Ｒｄｃ４との差分（Ｒｄｃ２−Ｒｄｃ４）から上記２端子測定時における接触端子の接触抵抗Ｒｃを算出するとともに、上記実効抵抗値Ｒｓから上記接触抵抗Ｒｃを減算（Ｒｓ−Ｒｃ）して、補正実効抵抗値Ｒｓ’を算出し、上記補正実効抵抗値Ｒｓ’と上記インダクタンス値Ｌとから、上記被測定素子のＱ値（ωＬ／Ｒｓ’：ωは角周波数）を求めることを特徴とするインピーダンス測定装置。
【請求項４】
上記第２測定手段にはＬＣＲメータが含まれ、上記ＬＣＲメータにより、上記第２直流抵抗値Ｒｄｃ２，上記実効抵抗値Ｒｓおよび上記インダクタンス値Ｌが測定されることを特徴とする請求項３に記載のインピーダンス測定装置。
【請求項５】
上記第１測定手段と上記第２測定手段は、所定の通信手段を介して接続されており、上記第１測定手段から上記第１直流抵抗値Ｒｄｃ４が上記第２測定手段に送信されることを特徴とする請求項３または４に記載のインピーダンス測定装置。
【請求項６】
上記第１測定手段および上記第２測定手段を制御する制御部を備え、上記第２測定手段に代えて上記制御部が、上記第１直流抵抗値Ｒｄｃ２と上記第２直流抵抗値Ｒｄｃ４との差分（Ｒｄｃ２−Ｒｄｃ４）から上記２端子計測時における接触端子の接触抵抗Ｒｃを算出するとともに、上記実効抵抗値Ｒｓから上記接触抵抗Ｒｃを減算（Ｒｓ−Ｒｃ）して、補正実効抵抗値Ｒｓ’を算出し、上記補正実効抵抗値Ｒｓ’と上記インダクタンス値Ｌとから、上記被測定素子のＱ値（ωＬ／Ｒｓ’：ωは角周波数）を求めることを特徴とする請求項３ないし５のいずれか１項に記載のインピーダンス測定装置。
【請求項７】
上記第１測定手段と上記第２測定手段とが、上記被測定素子の選別ラインに組み込まれており、上記第１測定手段が上記選別ラインの上流側、上記第２測定手段が上記選別ラインの下流側に配置され、上記第１測定手段での上記４端子測定が先に行われ、その後に上記第２測定手段での上記２端子測定が行われることを特徴とする請求項３ないし６のいずれか１項に記載のインピーダンス測定装置。
【請求項８】
上記第１測定手段と上記第２測定手段とが、上記被測定素子の選別ラインに組み込まれており、上記第２測定手段が上記選別ラインの上流側、上記第１測定手段が上記選別ラインの下流側に配置され、上記第２測定手段での上記２端子測定では、先に上記実効抵抗値Ｒｓおよび上記インダクタンス値Ｌが測定され、その後に上記第２直流抵抗値Ｒｄｃ２が測定され、上記第２測定手段による測定に続いて、上記第１測定手段で上記４端子測定が行われることを特徴とする請求項３ないし６のいずれか１項に記載のインピーダンス測定装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、被測定素子の実効抵抗値とリアクタンス値との比であるＱ値を測定するインピーダンス測定方法およびその装置に関し、さらに詳しく言えば、測定に用いられる接触端子の接触抵抗による影響を排除してより正確なＱ値を得る技術に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
通常、被測定素子のインピーダンス測定にはＬＣＲメータが用いられ、被測定素子のインピーダンスＺは、実効抵抗成分をＲｓ，リアクタンス成分をＸとして、Ｚ＝Ｒｓ＋ｊＸで表され、Ｑ値は、Ｑ＝Ｘ／Ｒｓにより求められる。インダクタンス測定の場合には、Ｚ＝Ｒｓ＋ｊωＬで、Ｑ＝ωＬ／Ｒｓ（ω：角周波数）となる。
【０００３】
特許文献１には、高周波測定時における回路網の非線形による誤差を除去するため、同軸構造のインピーダンスが既知の基準デバイスＬＯＡＤ１と、位相角が既知の基準デバイスＬＯＡＤ２を用いて校正を行うことにより、Ｑの確度（位相の確度）を高確度で測定することが提案されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開平７−１９８７６６号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、同軸構造で２端子測定となる高周波ＬＣＲメータでは、被測定素子と接触端子（フィクスチュアもしくはプローブピン）との接触による接触抵抗成分が測定値に含まれるため、校正に用いられる基準デバイスの精度を高めても、その接触抵抗成分によってＱ値が不安定になる。これは、連続的に部品選別を行う自動検査ラインにおいて特に問題となる。
【０００６】
したがって、本発明の課題は、２端子測定で被測定素子のインピーダンスを測定し、その実効値成分とリアクタンス成分とからＱ値を求めるにあたって、測定用接触端子による接触抵抗成分の影響を排除してより正確なＱ値を求めることにある。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上記課題を解決するため、本発明のインピーダンス測定方法は、インダクタンス成分を含む被測定素子の実効抵抗値とリアクタンス値との比であるＱ値を求めるインピーダンス測定方法において、４端子測定により、上記被測定素子の第１直流抵抗値Ｒｄｃ４を測定する第１ステップと、２端子測定により、上記被測定素子の実効抵抗値Ｒｓおよびインダクタンス値Ｌを測定するとともに、第２直流抵抗値Ｒｄｃ２を測定する第２ステップと、上記第２直流抵抗値Ｒｄｃ２と上記第１直流抵抗値Ｒｄｃ４との差分（Ｒｄｃ２−Ｒｄｃ４）から上記２端子測定時における接触端子の接触抵抗Ｒｃを算出する第３ステップと、上記実効抵抗値Ｒｓから上記接触抵抗Ｒｃを減算（Ｒｓ−Ｒｃ）して、補正実効抵抗値Ｒｓ’を算出する第４ステップと、上記補正実効抵抗値Ｒｓ’と上記インダクタンス値Ｌとから、上記被測定素子のＱ値（ωＬ／Ｒｓ’：ωは角周波数）を求める第４ステップとを実行することを特徴としている。
【０００８】
上記被測定素子が、例えば有芯コイルのように直流磁化されるインダクタ素子である場合には、上記第１ステップの４端子測定よりも先に上記第２ステップの２端子測定を実行し、その際の上記第２ステップの２端子測定では、先に上記実効抵抗値Ｒｓおよび上記インダクタンス値Ｌを測定し、その後に上記第２直流抵抗値Ｒｄｃ２を測定することが好ましい。
【０００９】
また、本発明のインピーダンス測定装置は、インダクタンス成分を含む被測定素子の実効抵抗値とリアクタンス値との比であるＱ値を求める機能を有するインピーダンス測定装置において、第１測定手段と第２測定手段とを含み、上記第１測定手段で４端子測定により上記被測定素子の第１直流抵抗値Ｒｄｃ４が測定され、上記第２測定手段で上記被測定素子について、２端子測定により第２直流抵抗値Ｒｄｃ２と、実効抵抗値Ｒｓおよびインダクタンス値Ｌとが測定され、上記第２測定手段は、上記第２直流抵抗値Ｒｄｃ２と上記第１直流抵抗値Ｒｄｃ４との差分（Ｒｄｃ２−Ｒｄｃ４）から上記２端子測定時における接触端子の接触抵抗Ｒｃを算出するとともに、上記実効抵抗値Ｒｓから上記接触抵抗Ｒｃを減算（Ｒｓ−Ｒｃ）して、補正実効抵抗値Ｒｓ’を算出し、上記補正実効抵抗値Ｒｓ’と上記インダクタンス値Ｌとから、上記被測定素子のＱ値（ωＬ／Ｒｓ’：ωは角周波数）を求めることを特徴としている。
【００１０】
本発明の好ましい態様によると、上記第２測定手段にはＬＣＲメータが含まれ、上記ＬＣＲメータにより、上記第２直流抵抗値Ｒｄｃ２，上記実効抵抗値Ｒｓおよび上記インダクタンス値Ｌが測定される。
【００１１】
また、本発明の好ましい態様によると、上記第１測定手段と上記第２測定手段は、所定の通信手段を介して接続されており、上記第１測定手段から上記第１直流抵抗値Ｒｄｃ４が上記第２測定手段に送信される。
【００１２】
別の態様として、上記第１測定手段および上記第２測定手段を制御する制御部を備え、上記第２測定手段に代えて上記制御部が、上記第２直流抵抗値Ｒｄｃ２と上記第１直流抵抗値Ｒｄｃ４との差分（Ｒｄｃ２−Ｒｄｃ４）から上記２端子計測時における接触端子の接触抵抗Ｒｃを算出するとともに、上記実効抵抗値Ｒｓから上記接触抵抗Ｒｃを減算（Ｒｓ−Ｒｃ）して、補正実効抵抗値Ｒｓ’を算出し、上記補正実効抵抗値Ｒｓ’と上記インダクタンス値Ｌとから、上記被測定素子のＱ値（ωＬ／Ｒｓ’：ωは角周波数）を求めるようにしてもよく、このような態様も本発明に含まれる。
【００１３】
また、上記第１測定手段と上記第２測定手段とが、上記被測定素子の選別ラインに組み込まれており、上記第１測定手段が上記選別ラインの上流側、上記第２測定手段が上記選別ラインの下流側に配置され、上記第１測定手段での上記４端子測定が先に行われ、その後に上記第２測定手段での上記２端子測定が行われる態様も本発明に含まれる。
【００１４】
上記被測定素子が、例えば有芯コイルのように直流磁化されるインダクタ素子である場合には、上記第２測定手段が上記選別ラインの上流側、上記第１測定手段が上記選別ラインの下流側に配置され、上記第２測定手段での上記２端子測定では、先に上記実効抵抗値Ｒｓおよび上記インダクタンス値Ｌが測定され、その後に上記第２直流抵抗値Ｒｄｃ２が測定され、上記第２測定手段による測定に続いて、上記第１測定手段で上記４端子測定が行われるようにすることが好ましい。
【発明の効果】
【００１５】
本発明によれば、４端子測定により、被測定素子の第１直流抵抗値Ｒｄｃ４を測定し、２端子測定により、被測定素子の実効抵抗値Ｒｓおよびインダクタンス値Ｌを測定するとともに、第２直流抵抗値Ｒｄｃ２を測定し、第２直流抵抗値Ｒｄｃ２と第１直流抵抗値Ｒｄｃ４との差分（Ｒｄｃ２−Ｒｄｃ４）から２端子測定時における接触端子の接触抵抗Ｒｃを算出し、実効抵抗値Ｒｓから接触抵抗Ｒｃを減算（Ｒｓ−Ｒｃ）して、補正実効抵抗値Ｒｓ’を算出し、補正実効抵抗値Ｒｓ’とインダクタンス値Ｌとから、被測定素子のＱ値を求めるようにしたことにより、測定用接触端子による接触抵抗成分の影響を排除してより正確なＱ値を求めることができる。
【００１６】
また、４端子測定よりも先に２端子測定を実行し、その際の２端子測定では、被測定素子の実効抵抗値Ｒｓおよびインダクタンス値Ｌを測定した後、被測定素子の第２直流抵抗値Ｒｄｃ２を測定するようにし、その後において、４端子測定により被測定素子の第１直流抵抗値Ｒｄｃ４を測定することにより、被測定素子が例えば有芯コイルのような直流磁化されるインダクタ素子であっても、より正確に被測定素子のインダクタンス値ＬとＱ値とを得ることができる。
【図面の簡単な説明】
【００１７】
【図１】本発明によるインピーダンス測定装置の第１実施形態を示す模式図。
【図２】上記第１実施形態の動作説明用のフローチャート。
【図３】（ａ）４端子測定法を示す等価回路図、（ｂ）２端子測定法を示す等価回路図。
【図４】本発明によるインピーダンス測定装置の第２実施形態を示す模式図。
【図５】上記第２実施形態の動作説明用のフローチャート。
【発明を実施するための形態】
【００１８】
次に、図１ないし図５により、本発明の実施形態について説明するが、本発明はこれに限定されるものではない。
【００１９】
まず、図１を参照して、第１実施形態に係るインピーダンス測定装置１Ａは、制御部としてのコントローラ１０と、第１測定手段２０と、第２測定手段３０とを備え、連続的に部品選別を行う自動検査ラインに組み込まれている。
【００２０】
この実施形態において、選別される部品（被測定素子）は、コイルを有するインダクタ素子Ｄで、インダクタ素子Ｄは、図示しない搬送手段により図１の左側（上流側）から右側（下流側）に向けて所定の時間間隔をもって順次流される。
【００２１】
第１測定手段２０には、４端子測定法による直流抵抗計が用いられる。また、第２測定手段３０には、測定周波数が例えば１００ＭＨｚ以上である高周波ＬＣＲメータが用いられる。コントローラ１０は、ＣＰＵやマイクロコンピュータ等からなり、各測定手段２０，３０の測定トリガタイミングの制御やインダクタ素子Ｄの良否選別等を行う。
【００２２】
この第１実施形態において、第１測定手段２０は、上記自動検査ラインの上流側の第１測定ステージ（４端子測定ステージ）に配置され、第２測定手段３０は、その下流側の第２測定ステージ（２端子測定ステージ）に配置されている。第１測定手段２０と第２測定手段３０は、所定の通信配線を介して接続されている。通信は無線で行われてもよく、また、コントローラ１０を介して行われてもよい。
【００２３】
図２のフローチャートを併せて参照して、インダクタ素子Ｄの接触抵抗を排除したＱ値を求めるにあたって、この第１実施形態では、まず、ステップＳＴ２０１で、第１測定手段２０での４端子測定により、インダクタ素子Ｄの直流抵抗値Ｒｄｃ４が測定され、続くステップＳＴ２０２で、測定された直流抵抗値Ｒｄｃ４が上記通信配線を介して第２測定手段３０のＬＣＲメータに送信される。
【００２４】
図３（ａ）に示すように、４端子測定では、電流供給側の２本のプローブＰ１，Ｐ４と、電圧検出側の２本のプローブＰ２，Ｐ３の４本の測定用接触子が用いられるが、電圧検出側のプローブＰ２，Ｐ３の接触抵抗Ｒ２，Ｒ３は、電圧計Ｖの内部抵抗ＲＶ（通常１〜１０ＧΩ程度）に比べて無視できる程度に小さいため、接触抵抗Ｒ２，Ｒ３の影響をほとんど受けない正確な直流抵抗値（第１直流抵抗値）Ｒｄｃ４が測定される。
【００２５】
第１測定手段２０で測定を終えたインダクタ素子Ｄは、第２測定ステージの第２測定手段３０に搬送され、ステップＳＴ３０１として、ＬＣＲメータの２端子測定により、インダクタ素子Ｄの直流抵抗値（第２直流抵抗値）Ｒｄｃ２が測定される。この直流抵抗値Ｒｄｃ２の測定は、コンタクトチェックも兼ねて行われる。
【００２６】
その後のステップＳＴ３０２で、ＬＣＲメータにより、インダクタ素子Ｄの実効抵抗値Ｒｓとインダクタンス値Ｌの測定が行われる。上記ステップＳＴ３０１で行われるＬＣＲメータの２端子測定は、図３（ｂ）に示す等価回路で行われる。
【００２７】
この等価回路において、電流計Ａの内部抵抗ＲＡは、レンジによって異なるが、通常１〜１０Ω程度であるため、電圧計Ｖの読み値に対する影響はほとんど無視でき、また、インダクタ素子Ｄの抵抗値が、プローブＰ１，Ｐ４の接触抵抗Ｒ１，Ｒ４よりもはるかに大きい場合には、接触抵抗Ｒ１，Ｒ４による影響も無視できる。
【００２８】
しかしながら、そうではない場合には、上記ステップＳＴ３０１で行われるＬＣＲメータの２端子測定によるインダクタ素子Ｄの直流抵抗値Ｒｄｃ２には、プローブＰ１，Ｐ４の接触抵抗Ｒ１，Ｒ４が含まれることになる。
【００２９】
そこで、この第１実施形態では、ステップＳＴ３０３において、上記ステップＳＴ３０１で測定されたインダクタ素子Ｄの直流抵抗値Ｒｄｃ２に含まれているプローブＰ１，Ｐ４による接触抵抗Ｒ１，Ｒ４をＲｃとして、直流接触抵抗Ｒｃを次式（１）、
Ｒｃ＝Ｒｄｃ２−Ｒｄｃ４…（１）
により求める。
【００３０】
この直流接触抵抗Ｒｃは、実質的に周波数特性依存性がないことから、ステップＳＴ３０４において、インダクタンス素子Ｄの実効抵抗値Ｒｓと直流接触抵抗Ｒｃとから、補正実効抵抗値Ｒｓ’を次式（２）、
Ｒｓ’＝Ｒｓ−Ｒｃ…（２）
により求める。
【００３１】
そして、次段のステップＳＴ３０５で、補正実効抵抗値Ｒｓ’とインダクタンス値Ｌとから、インダクタ素子ＤのＱ値を次式（３）、
Ｑ＝ωＬ／Ｒｓ’…（３）
により求める（ωは角周波数）。
【００３２】
これにより、２端子測定での接触抵抗Ｒｃの影響を除いたＱ値を得ることができる。このＱ値と、好ましくはその算出基礎データとしてのインダクタンス値Ｌは、第２測定手段３０からコントローラ１０に送信され、コントローラ１０は、Ｑ値および／またはインダクタンス値Ｌに基づいて、インダクタ素子Ｄの良否判定を行い、不良（ＮＧ）であれば、第２測定手段３０もしくは第２測定手段３０の下流側にある図示しない選別ステージに排除信号を出力し、不良品を検査ラインから排除する。
【００３３】
なお、第１測定手段２０にて測定された直流抵抗値Ｒｄｃ４、第２測定手段３０にて測定された直流抵抗値Ｒｄｃ２，実効抵抗値Ｒｓ，インダクタンス値Ｌをそれぞれコントローラ１０に与え、コントローラ１０において、接触抵抗Ｒｃ，補正実効抵抗値Ｒｓ’およびＱ値を求めるようにしてもよい。
【００３４】
ところで、上記第１実施形態では、第１測定手段２０→第２測定手段３０の順で測定が行われることから、上記被測定素子が、例えば有芯コイルのように直流磁化されるインダクタ素子Ｄである場合、第１測定手段２０での４端子測定時にインダクタ素子Ｄが磁化され、これにより、第２測定手段３０で測定されるインダクタンス値Ｌが変動し、Ｑ値も磁化による影響を受けることがある。
【００３５】
このような問題は、第１測定手段２０による第１測定ステージと第２測定手段３０による第２測定ステージとの間に、消磁ステージを介在させることにより解決されるが、時間がかかるばかりでなく、自動検査ラインの構成も複雑になるため好ましくない。
【００３６】
そこで、図４に示すように、本発明の第２実施形態に係るインピーダンス測定装置１Ｂでは、上記第１実施形態における第１測定手段２０と第２測定手段３０の配置を入れ替えて、先に第１測定ステージとして第２測定手段３０により測定を行い、その後に第２測定ステージとして第１測定手段２０により測定を行うようにしている。第１測定手段２０、第２測定手段３０の各構成は、上記第１実施形態と同じであってよい。
【００３７】
すなわち、この第２実施形態においては、第１測定ステージが２端子測定ステージ、第２測定ステージが４端子測定ステージであり、まず、第１測定ステージの第２測定手段３０において、ＬＣＲメータの２端子測定により、インダクタ素子Ｄ（有芯コイル）の実効抵抗値Ｒｓとインダクタンス値Ｌの測定が行われ、その後に、インダクタ素子Ｄの直流抵抗値（第２直流抵抗値）Ｒｄｃ２が測定される。
【００３８】
そして、第２測定手段３０にて測定されたこれらの測定値（Ｒｄｃ２，Ｌ，Ｒｓ）は、第２測定手段３０が備えている図示しないメモリに記憶される。
【００３９】
次に、インダクタ素子Ｄは、第２測定手段３０から第２測定ステージの第１測定手段２０に搬送され、次なる測定として、４端子測定によりインダクタ素子Ｄの直流抵抗値（第１直流抵抗値）Ｒｄｃ４が測定され、この直流抵抗値Ｒｄｃ４が第１測定手段２０から第２測定手段３０に送信される。
【００４０】
第２測定手段３０は、第１測定手段２０からの直流抵抗値Ｒｄｃ４を受信すると、先に行った同じインダクタ素子Ｄの測定値（Ｒｄｃ２，Ｌ，Ｒｓ）をメモリから読み出し、上記第１実施形態と同じく、直流接触抵抗Ｒｃ（＝Ｒｄｃ２−Ｒｄｃ４）を算出し、さらに補正実効抵抗値Ｒｓ’（＝Ｒｓ−Ｒｃ）を算出したのち、インダクタ素子ＤのＱ値をＱ＝ωＬ／Ｒｓ’により求める。
【００４１】
ここで、図５のフローチャートを併せて参照して、この第２実施形態の自動検査ラインでの動作について説明する。第２測定手段３０でｎ番目のインダクタ素子Ｄｎを測定しているとき、そのｍ個前で第２測定手段３０により測定済みのインダクタ素子Ｄｎ−ｍが第１測定手段２０で測定されているものとする。
【００４２】
第２測定手段３０において、ステップＳＴ３１１〜ＳＴ３１５により、インダクタ素子Ｄｎについて、ＬＣＲメータの２端子測定により、最初に交流の実効抵抗値Ｒｓ（Ｄｎ）およびインダクタンス値Ｌ（Ｄｎ）が測定され、その後に、直流抵抗値Ｒｄｃ２（Ｄｎ）が測定され、これらの測定値（直流抵抗値Ｒｄｃ２（Ｄｎ），実効抵抗値Ｒｓ（Ｄｎ），Ｌ（Ｄｎ））がメモリに記憶される。
【００４３】
これと並行して、第１測定手段２０では、ステップＳＴ２１１〜ＳＴ２１４により、４端子測定によりインダクタ素子Ｄｎ−ｍの直流抵抗値Ｒｄｃ４（Ｄｎ−ｍ）が測定され、第２測定手段３０に送信される。
【００４４】
第２測定手段３０は、ステップＳＴ３２１で、インダクタ素子Ｄｎ−ｍの直流抵抗値Ｒｄｃ４（Ｄｎ−ｍ）を受信すると、続くステップＳＴ３２２で、インダクタ素子Ｄｎ−ｍについて先に行った測定による測定値（直流抵抗値Ｒｄｃ２（Ｄｎ−ｍ），実効抵抗値Ｒｓ（Ｄｎ−ｍ），Ｌ（Ｄｎ−ｍ））をメモリから読み出す。
【００４５】
そして、ステップＳＴ３２３で、インダクタ素子Ｄｎ−ｍの直流接触抵抗Ｒｃ（Ｄｎ−ｍ）を次式（１ａ）、
Ｒｃ（Ｄｎ−ｍ）＝Ｒｄｃ２（Ｄｎ−ｍ）−Ｒｄｃ４（Ｄｎ−ｍ）…（１ａ）
より算出する。
【００４６】
続いて、ステップＳＴ３２４で、インダクタ素子Ｄｎ−ｍの補正実効抵抗値Ｒｓ’（Ｄｎ−ｍ）を次式（２ａ）、
Ｒｓ’（Ｄｎ−ｍ）＝Ｒｓ（Ｄｎ−ｍ）−Ｒｃ（Ｄｎ−ｍ）…（２ａ）
より算出する。
【００４７】
そして、ステップＳＴ３２５で、接触抵抗を排除したインダクタ素子Ｄｎ−ｍのＱ（Ｄｎ−ｍ）を次式（３ａ）、
Ｑ（Ｄｎ−ｍ）＝ωＬ（Ｄｎ−ｍ）／Ｒｓ’（Ｄｎ−ｍ）…（３ａ）
により求める（ωは角周波数）。
【００４８】
これにより、上記第１実施形態と同様に、２端子測定での接触抵抗Ｒｃの影響を除いたＱ値を得ることができる。なお、上記第２実施形態では、第１測定ステージの第２測定手段３０で、ｎ番目のインダクタ素子Ｄｎを測定しているとき、第２測定ステージの第１測定手段１０で、そのｍ個前のインダクタ素子Ｄｎ−ｍを測定するようにしているが、その変数ｍは、第２測定手段３０のメモリ容量の範囲内において任意に選択されてよい。
【００４９】
また、ステップＳＴ３２５で求められたＱ値は、上記第１実施形態と同様に、第２測定手段３０からコントローラ１０に送信され、コントローラ１０は、Ｑ値に基づいてインダクタ素子Ｄの良否判定を行い、不良（ＮＧ）であれば、第１測定手段２０もしくは第１測定手段２０の下流側にある図示しない選別ステージに排除信号を出力し、不良品を検査ラインから排除する。
【００５０】
また、上記第１実施形態と同様に、第２測定手段３０にて測定された直流抵抗値Ｒｄｃ２，実効抵抗値Ｒｓ，インダクタンス値Ｌおよび第１測定手段２０にて測定された直流抵抗値Ｒｄｃ４を、それぞれコントローラ１０に与え、コントローラ１０において、接触抵抗Ｒｃ，補正実効抵抗値Ｒｓ’およびＱ値を求めるようにしてもよい。
【００５１】
また、上記第１，第２の各実施形態において、上記直流接触抵抗Ｒｃがインダクタンス測定周波数における実効抵抗と一致しない場合には、同じインダクタ素子Ｄについて、あらかじめ何度か測定して補正係数αを求めておくとよい。
【００５２】
その一例として、直流接触抵抗Ｒｃのα倍が交流実効抵抗値になると仮定して、上記式（２）により、
Ｒｓ’＝Ｒｓ−αＲｃ、したがって次式（４）が導かれる。
Ｒｓ−Ｒｓ’＝α（Ｒｄｃ２−Ｒｄｃ４）…（４）
【００５３】
上記式（４）において、左辺の（Ｒｓ−Ｒｓ’）は実効抵抗値の接触抵抗を表し、右辺は直流接触抵抗のα倍を表している。ここで、テストフィクスチュアを使用して安定した低い接触抵抗で測定したときの実効抵抗値をＲｓ’の定数とし、４端子測定で測定した直流抵抗値をＲｄｃ４の定数とする。
【００５４】
同一の試料（インダクタ素子Ｄ）を２端子測定の第２測定手段３０で、プローブＰ１，Ｐ４を接触し直しながら複数回にわたってＲｓ，Ｒｄｃ２を測定し、
（直流接触抵抗値，実効抵抗の接触抵抗）＝（Ｒｄｃ２−Ｒｄｃ４，Ｒｓ−Ｒｓ’）
をプロットし、最小二乗法等により近似曲線を求めて補正係数αを得る。
【符号の説明】
【００５５】
１Ａ，１Ｂ  インピーダンス測定装置
１０  コントローラ（制御部）
２０  第１測定手段（４端子測定）
３０  第２測定手段（２端子測定）
Ｄ  被測定素子（インダクタ素子）
【図１】
2015125135.tif 000003
【図２】
2015125135.tif 000004
【図３】
2015125135.tif 000005
【図４】
2015125135.tif 000006
【図５】
2015125135.tif 000007