(57)【要約】【課題】検査スループットを向上しつつ、ウェハのそり・たわみを補正するための技術を提供する。【解決手段】表面検査装置は、ウェハの表面検査の前に、高さセンサを用いて、ウェハ上の複数位置におけるそり又はたわみを測定し、当該測定の結果に基づいて、前記そり又はたわみの測定位置と測定値を対応させて補正曲線を生成する。そして、表面検査装置は、ウェハ上の検査サンプリング位置の情報（検査中における位置確認のためのサンプリングの情報）と、補正曲線におけるそり又はたわみの測定位置の情報とに基づいて、そり又はたわみ補正のためのステージＺ駆動のタイミングとを算出する。このタイミングに従って、表面検査装置は、ステージＺを駆動し、ウェハの高さ調整をしながら、ウェハの表面検査を実行する。【選択図】図７Ａ
2015102488.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ウェハの表面を検査する表面検査装置であって、
前記ウェハをＲ方向に移動させる第１のステージと、
前記ウェハを高さ方向に移動させる第２のステージと、
高さセンサと、
前記ウェハの表面検査の前に、前記高さセンサを用いて、前記ウェハ上の複数位置におけるそり又はたわみを測定し、当該測定の結果に基づいて、前記そり又はたわみの測定位置と測定値を対応させて補正曲線を生成するプロセッサと、
前記生成された補正曲線をそり・たわみ補正情報として格納するメモリと、を有し、
前記プロセッサは、
前記メモリから前記そり・たわみ補正情報を読み出し、前記ウェハ上の検査サンプリング位置の情報と、前記補正曲線における前記そり又はたわみの測定位置の情報とに基づいて、そり又はたわみ補正のための前記第２のステージ駆動のタイミングとを算出する処理と、
前記算出したタイミングに従って前記第２のステージを駆動し、前記ウェハの高さ調整をする処理と、
を実行することを特徴とする表面検査装置。
【請求項２】
請求項１において、
前記プロセッサは、前記タイミングを算出する処理において、現時点の検査サンプリング位置と次の検査サンプリング位置との間に、前記そり又はたわみの測定位置が存在する場合に、前記第２のステージ駆動のタイミングを算出することを特徴とする表面検査装置。
【請求項３】
請求項２において、
前記プロセッサは、前記タイミングを算出する処理において、さらに、前記現時点の検査サンプリング位置における前記ウェハのそり又はたわみ量を前記補正曲線から求め、当該求めたそり又はたわみ量が所定の許容範囲を超える場合に、前記第２のステージ駆動のタイミングを算出することを特徴とする表面検査装置。
【請求項４】
請求項１において、
前記プロセッサは、前記タイミングを算出する処理において、前記第２のステージの動作遅延を考慮して前記第２のステージ駆動のタイミングを算出することを特徴とする表面検査装置。
【請求項５】
請求項１において、
前記プロセッサは、前記ウェハのＲ軸上の複数位置における前記そり又はたわみを測定し、前記補正曲線を生成することを特徴とする表面検査装置。
【請求項６】
請求項１において、
前記プロセッサは、前記そり又はたわみの測定位置が前記ウェハのＲ軸上にない場合に、当該測定位置の座標を前記ウェハのＲ軸上の座標に変換して、前記補正曲線を生成することを特徴とする表面検査装置。
【請求項７】
請求項１において、
前記ウェハは、裏面吸着によってチャック上に載置されていることを特徴とする表面検査装置。
【請求項８】
請求項１において、
前記ウェハは、エッジグリップ方式により保持され、前記ウェハの裏面からエアが吹き付けられていることを特徴とする表面検査装置。
【請求項９】
請求項１において、
前記第１のステージの駆動が、検査位置確認のためのサンプリング周期に比べて高速に設定されており、
前記プロセッサは、前記タイミングを算出する処理において、現時点の検査サンプリング位置と次の検査サンプリング位置との間に、複数のそり又はたわみの測定位置が存在する場合、当該複数のそり又はたわみの測定位置のそれぞれに対して、前記第２のステージ駆動のタイミングを算出することを特徴とする表面検査装置。
【請求項１０】
請求項１において、
前記第１のステージの駆動が、検査位置確認のためのサンプリング周期よりも低速に設定されており、
前記プロセッサは、前記タイミングを算出する処理において、２つのそり又はたわみの測定位置の間に複数の検査サンプリング位置が存在する場合、当該２つのそり又はたわみの測定位置におけるそり又はたわみ量によって決まる補正量を、前記２つのそり又はたわみの測定位置の間におけるサンプリング回数で分割して分割補正量を算出し、当該分割補正量に基づいて前記第２のステージ駆動のタイミングを算出することを特徴とする表面検査装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、表面検査装置に関し、例えば、ウェハ上に存在する異物、傷等の欠陥を検査する検査装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体製造工程では歩留まりを管理するために、ウェハ上の欠陥を正しく検査する必要がある。半導体製造工程において、回路パターンの形成されていないベアウェハ上の欠陥を検査するのが、表面検査装置である。
【０００３】
表面検査装置では、ウェハをステージに載置し、ウェハにスポット光を照射しながら、回転動作、および直線動作を行う。この動作によってウェハ全面を走査することが可能となる。そして、表面検査装置は、スポット光を照射した領域からの散乱光を光電子増倍管等の検出器で検出し、その検出結果に閾値処理を施すことで欠陥を検出する。例えば、特許文献１では、基板検査装置において、複数の高さ測定器を用いて、検査中に基板のそりを測定し、そりに応じてイメージセンサ両端にあるステージＺを駆動し、基板とイメージセンサの平行を保ちつつ検査することを開示している。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開平６−１０９６４８号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
表面検査装置は、ウェハ表面に対し、スポット光を照射し検査を行う。このスポット光はレンズを用いて集光してある。そのため、ウェハにそり・たわみが存在すると照射位置がずれてしまい、デフォーカスが発生し、感度低下の要因となる。上記特許文献１では、上述のように、ウェハのそり・たわみの影響を除去している。
【０００６】
しかしながら、特許文献１では、ウェハの検査位置に光が到達するたびに生成した補正曲線に合わせてそり・たわみを補正している。このため、そり・たわみの影響を除去できるものの、スループットが悪く、検査時間が掛かってしまう。
【０００７】
本発明はこのような状況に鑑みてなされたものであり、検査スループットを向上しつつ、ウェハのそり・たわみを補正するための技術を提供するものである。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
上記課題を解決するために、本発明では、まず、検査前にウェハ表面の複数個所でそり・たわみ量を測定する。そして、測定データに基づき、ウェハ全体のそり・たわみ量を推定する。推定したウェハ全体のそり・たわみ量に基づき、検査時にステージを高さ方向に駆動し、そり・たわみによるウェハの高さ変動分を補正する。
【０００９】
より具体的には、表面検査装置は、ウェハの表面検査の前に、高さセンサを用いて、ウェハ上の複数位置におけるそり又はたわみを測定し、当該測定の結果に基づいて、前記そり又はたわみの測定位置と測定値を対応させて補正曲線を生成する。そして、表面検査装置は、ウェハ上の検査サンプリング位置の情報（検査中における位置確認のためのサンプリングの情報）と、補正曲線におけるそり又はたわみの測定位置の情報とに基づいて、そり又はたわみ補正のためのステージＺ駆動のタイミングとを算出する。このタイミングに従って、表面検査装置は、ステージＺを駆動し、ウェハの高さ調整をしながら、ウェハの表面検査を実行する。
【００１０】
本発明に関連する更なる特徴は、本明細書の記述、添付図面から明らかになるものである。また、本発明の態様は、要素及び多様な要素の組み合わせ及び以降の詳細な記述と添付される特許請求の範囲の様態により達成され実現される。
本明細書の記述は典型的な例示に過ぎず、本発明の特許請求の範囲又は適用例を如何なる意味に於いても限定するものではないことを理解する必要がある。
【発明の効果】
【００１１】
本発明によれば、検査スループットの向上と、ウェハのそり・たわみの補正を両立することができるようになる。
【図面の簡単な説明】
【００１２】
【図１】本発明の実施形態による表面検査システムの概略構成を示す図である。
【図２】ウェハ１０５の検査シーケンスを説明するためのフローチャートである。
【図３】ステップ２０６のウェハたわみ測定処理の詳細を説明するためのフローチャートである。
【図４】ウェハ１０５のたわみの概念を示す模式図である。
【図５】ステップ２０８のたわみ補正テーブルの作成処理の詳細を説明するためのフローチャートである。
【図６】裏面吸着でのたわみ補正テーブル作成処理の模式図である。
【図７Ａ】ステップ２１０での補正テーブルに基づく高さ調整処理の詳細を説明するためのフローチャートである。
【図７Ｂ】たわみ補正の様子を模式化した図である。
【図８】裏面吸着におけるウェハのたわみ測定の様子を示す模式図である。
【図９】エッジグリップの模式図である。
【図１０】エッジグリップを用いた場合に、たわみ測定理を行う前に実行される準備処理を説明するためのフローチャートである。
【図１１】エッジグリップ方式を用いた場合のたわみ補正テーブル作成処理を説明するためのフローチャートである。
【図１２】エッジグリップ方式を用いた場合のウェハのたわみ測定の様子を示す模式図である。
【図１３】ステージＲ１０１が高速駆動するときのたわみ補正の概念を示す模式図である。
【図１４】ステージＲ１０１が低速駆動するときのたわみ補正の概念を示す模式図である。
【発明を実施するための形態】
【００１３】
以下、添付図面を参照して本発明の実施形態について説明する。添付図面では、機能的に同じ要素は同じ番号で表示される場合もある。なお、添付図面は本発明の原理に則った具体的な実施形態と実装例を示しているが、これらは本発明の理解のためのものであり、決して本発明を限定的に解釈するために用いられるものではない。
【００１４】
本実施形態では、当業者が本発明を実施するのに十分詳細にその説明がなされているが、他の実装・形態も可能で、本発明の技術的思想の範囲と精神を逸脱することなく構成・構造の変更や多様な要素の置き換えが可能であることを理解する必要がある。従って、以降の記述をこれに限定して解釈してはならない。
【００１５】
更に、本発明の実施形態は、汎用コンピュータ上で稼動するソフトウェアで実装しても良いし専用ハードウェア又はソフトウェアとハードウェアの組み合わせで実装しても良い。
【００１６】
なお、以後の説明では「補正テーブル」という表現を用いて本発明の実施形態について説明するが、必ずしもテーブルによるデータ構造で表現されていなくても良く、リスト、ＤＢ、キュー等のデータ構造やそれ以外で表現されていても良い。そのため、データ構造に依存しないことを示すために単に「補正情報」と呼ぶことがある。
【００１７】
以下では「コントローラ（プロセッサ）」を主語（動作主体）として本発明の実施形態における各処理について説明を行うが、各フローチャートに対応するプログラムに名称を付し、各プログラムを動作主体とした説明としても良い。また、プログラムの一部または全ては専用ハードウェアで実現してもよく、また、モジュール化されていても良い。各種プログラムはプログラム配布サーバや記憶メディアによって各計算機にインストールされてもよい。
【００１８】
（１）第１の実施形態
＜表面検査システムの構成＞
図１は、本発明の実施形態による表面検査システムの概略構成を示す図である。表面検査システム１００は、表面検査装置と搬送装置とによって構成されている。表面検査装置は、ステージＲ１０１と、ステージＺ１０２と、スピンドル１０３と、ウェハ１０５をステージに固定するためのチャック１０４と、ビーム１０７をウェハ１０５に照射するための照射部１０６と、ウェハ１０５からの散乱光１０８を検出する検出部１０９と、欠陥抽出部１１０と、コントローラ１１１と、高さセンサ１１２と、外周検出センサ１１３と、を有する。搬送装置は、ウェハ１０５を表面検査装置に受け渡す搬送部１１４と、搬送ロボット１１５と、搬送ロボット１１５のハンド１１６と、ウェハ１０５を格納する格納容器１１８を載置するためのロードポート１１７と、を有している。
【００１９】
ステージＲ１０１は、被検査体のウェハ１０５をＲ方向に移動させる。ステージＺ１０２は、ウェハ１０５をＺ方向に移動させ、ウェハ１０５の高さを調整する。ステージＺ１０２は、ステージＲ１０１上に載置されている。
【００２０】
スピンドル１０３は、ウェハ１０５を回転させる。スピンドル１０３は、ステージＺ１０２に載置されている。チャック１０４は、ウェハ１０５を保持する。チャック１０４は、スピンドル１０３上に載置されている。
【００２１】
照射部１０６は、ウェハ１０５に対してビーム１０７を照射する。ビーム１０７は、ウェハ１０５上で散乱し、散乱光１０８が発生する。発生した散乱光１０８は、検出部１０９にて検出される。欠陥抽出部１１０は、検出部１０９のデータからウェハ１０５上の欠陥の検出処理を行う。また、欠陥抽出部１１０は、ステージＲ１０１およびスピンドル１０３のエンコーダ値を取得し、検出欠陥の座標算出も行う。欠陥抽出部１１０にて検出された欠陥のデータは、コントローラ１１１に送られる。
【００２２】
コントローラ１１１は、キーボードやマウス等の入力装置、フラットパネルディスプレイ等の出力装置、装置各部位の制御を行う制御部（プロセッサ）を有する。ユーザはコントローラ１１１を操作し、検査条件の設定や、検査結果の確認を行う。コントローラ１１１は、通常のコンピュータで構成しても良い。
【００２３】
搬送装置の搬送部１１４は、表面検査装置に隣接している。搬送部１１４は、格納容器１１８に格納されたウェハ１０５を取出し、表面検査装置の内部へ搬送するものである。より詳細には、ロードポート１１７は、搬送部１１４に設置されている。ウェハ１０５を格納した格納容器１１８は、ロードポート１１７の上に載置される。搬送部１１４の内部にある搬送ロボット１１５が駆動し、ハンド１１６を用いて格納容器１１８からウェハ１０５を取出し、表面検査装置内部に搬送する。
【００２４】
コントローラ１１１は、ステージＲ１０１を駆動させ、ウェハ受渡位置１１９に移動させる。表面検査装置内部に搬送されたウェハ１０５は、チャック１０４上に載置される。その後、コントローラ１１１は、ステージＲ１０１を駆動させ、ウェハ１０５を高さ測定位置１２０まで移動させる。そして、コントローラ１１１は、高さセンサ１１２を用いて、高さセンサ１１２からウェハ１０５の表面までの距離を測定する。コントローラ１１１は、この測定結果に基づき、ステージＺ１０２を駆動させ、高さ調整を行う。
【００２５】
また、コントローラ１１１は、ステージＲ１０１を駆動させ、ウェハ１０５を外周検出位置１２１に移動させる。そして、コントローラ１１１は、スピンドル１０３を回転させて、外周検出センサ１１３にてウェハ１０５の外周データを測定する。外周データの測定は、ウェハ１０５をチャック１０４に載置したときにどれだけ２次元平面のＸＹ方向にずれているかを測定するために行うものである。そして、コントローラ１１１は、外周データからウェハ１０５のチャック１０４上への載置位置を算出する。
【００２６】
コントローラ１１１は、算出したウェハ１０５載置位置のデータを欠陥検出部１１０に送信する。
その後、コントローラ１１１は、ステージＲ１０１を駆動し、ウェハ１０５を検査開始位置１２２へ移動させ、検査を開始する。
【００２７】
＜ウェハ検査処理＞
図２は、ウェハ１０５の検査シーケンスを説明するためのフローチャートである。図２は、チャック１０４が裏面吸着方式の場合の検査シーケンスを示している。
【００２８】
（i）ステップ２０１
ハンド１１６は、ウェハ１０５を格納容器１１８から取り出して、表面検査装置の内部へ搬送し、チャック１０４上にウェハ１０５を載置する。
【００２９】
（ii）ステップ２０２
コントローラ１１１は、ステージＲ１０１を駆動して、ウェハ１０５を高さ測定位置１２０に移動し、高さセンサ１１２を用いて当該センサからウェハ１０５までの距離を測定する。
【００３０】
（iii）ステップ２０３
コントローラ１１１は、ステージＲ１０１を駆動して、ウェハ１０５を外周検出位置１２１に移動する。そして、コントローラ１１１は、スピンドル１０３を回転させ、外周検出センサ１１３を用いて、ウェハ１０５の外周計測を行う。このとき、コントローラ１１１は、外周計測データに基づき、チャック１０４に対するウェハ１０５の載置位置を算出する。ステップ２０３の処理により、ウェハ１０５の座標が確定する。
【００３１】
（iv）ステップ２０４
コントローラ１１１は、検査時と同じ状態でたわみの測定を行うために、ステージＺ１０２を駆動させ、ウェハ１０５を検査時の高さに移動する。また、コントローラ１１１は、スピンドル１０３を回転させ、ウェハ１０５を検査時の回転速度で回す。
【００３２】
（v）ステップ２０５
コントローラ１１１は、ステージＲ１０１を駆動させ、外周検出位置１２１から、検査開始位置１２２のある方向へ、ウェハ１０５の移動を開始する。
【００３３】
（vi）ステップ２０６
ウェハ１０５を外周検出位置１２１から検査開始位置１２２に移動させている途中に、コントローラ１１１は、ステージＲ１０１の駆動を何度か停止させる。そして、その都度、高さセンサ１１２を用いて、ウェハ１０５の表面までの高さを計測する。なお、本ステップの詳細については後述する（図３参照）。
【００３４】
（vii）ステップ２０７
コントローラ１１１は、ステージＲ１０１を駆動して、ウェハ１０５を検査開始位置１２２に移動させる。
【００３５】
（viii）ステップ２０８
コントローラ１１１は、ステップ２０６において高さセンサ１１２を用いて測定した高さデータに基づき、ウェハ１０５全域でのたわみ量を算出する。算出した結果から、ウェハ１０５上でのＲ座標とその箇所でのたわみ量の関係をまとめた、たわみ補正テーブルを作成する。なお、本ステップの詳細についても後述する（図５参照）。
【００３６】
（ix）ステップ２０９
コントローラ１１１は、ウェハ１０５に対して照射部１０６からビーム１０７を照射し、検査を開始する。
【００３７】
（x）ステップ２１０
コントローラ１１１は、ステップ２０８で作成したたわみ補正テーブルに基づき、ステージＺ１０２を駆動して高さ調整を行う。本ステップについても後述する（図７Ａ参照）。
【００３８】
（xi）ステップ２１１
コントローラ１１１は、検査を終了する。
【００３９】
（xii）ステップ２１２
搬送装置のハンド１１６は、検査終了したウェハ１０５をチャック１０４から回収し、格納容器１１８へ返却する。
【００４０】
＜たわみ測定処理の詳細＞
図３は、ステップ２０６のウェハたわみ測定処理の詳細を説明するためのフローチャートである。
【００４１】
（i）ステップ３０１
コントローラ１１１は、高さセンサ１１２を用いて、ウェハ１０５が外周検出位置１２１に有る時点での、ウェハ１０５の高さ測定を行う。このとき、ステージＲ１０１のエンコーダ値を取得し、高さデータと合わせてセットで管理する。
【００４２】
（ii）ステップ３０２
コントローラ１１１は、ステップ３０１で実施した個所とは別な個所でウェハ１０５の高さ測定を実施するため、ステージＲ１０１を駆動し、ウェハ１０５を検査開始位置１２２の方向へ所定量移動させる。
【００４３】
（iii）ステップ３０３
ステップ３０１と同じく、コントローラ１１１は、高さセンサ１１２を用いて、ウェハ１０５の高さ測定を行う。このときも、ステージＲ１０１のエンコーダ値を取得し、ウェハ１０５上での高さ測定位置と高さの測定データをセットで管理する。
【００４４】
（iv）繰返し処理
コントローラ１１１は、ステップ３０２及び３０３の処理を所定回数繰返し実行する。
【００４５】
（v）ステップ３０４
コントローラ１１１は、ステージＲ１０１を駆動させ、ウェハ１０５を検査開始位置１２２へ移動させる。
【００４６】
なお、ウェハ受渡位置１１９、高さ測定位置１２０、及び外周検出位置１２１を同じ位置とした場合、ステップ３０１及び３０３で実施する高さ測定のエリアを広くすることができる。
【００４７】
＜たわみの概念＞
図４は、ウェハ１０５のたわみの概念を示す模式図である。
図４に示すように、ウェハ１０５に比べて、チャック１０４が小さい場合には、ウェハ１０５がチャック１０４からはみ出す。このはみ出した部分にはウェハ１０５の自重や回転時に発生する浮力等によりそり・たわみが発生する場合がある。また、チャック１０４で保持されている個所でも、そり・たわみが発生する可能性がある。
【００４８】
このようなそり・たわみの影響により、ウェハ１０５の高さは、ウェハ中心から外周にかけて均一ではない場合がある。特に、チャック境界線上およびチャック外の部分はそり・たわみの影響が大きく出てくる。
【００４９】
このため、それらの部分では密に高さデータの取得を行い、そり・たわみ量を測定するようにする。ウェハ１０５の中心からの距離と各箇所でのたわみ量をまとめると、たわみ曲線４０１を生成することができる。
【００５０】
＜たわみ補正テーブル＞
図５は、ステップ２０８のたわみ補正テーブルの作成処理の詳細を説明するためのフローチャートである。また、図６は、裏面吸着でのたわみ補正テーブル作成処理の模式図である。
【００５１】
（i）ステップ５０１
コントローラ１１１は、ステップ２０６で測定したウェハ１０５の高さデータ、及びステージＲ１０１での測定座標を、ウェハ１０５の中心を、式（１）に従って、原点とした座標空間に変換する。
【００５２】
（式１）
（ｒｉ，ｚｉ）＝（ｒ’ｉ−ｒ’ｃ，ｚ’ｉ）      ・・・（１）
ここで、ｒ’ｉは高さ測定した個所のステージＲ１０１のエンコーダ値、ｒ’ｃはウェハ１０５中心の高さを測定した際のステージＲ１０１のエンコーダ値、ｚ’ｉは測定した高さデータ、ｒｉはウェハ１０５の中心を原点としたＲ座標値、ｚｉはｒｉでの高さデータである。
【００５３】
（ii）ステップ５０２
コントローラ１１１は、ステップ５０１で求めた高さデータｚｉから、ステップ３０１で測定した高さデータ分を引き、たわみ量を求める。
【００５４】
（iii）ステップ５０３
コントローラ１１１は、ステップ５０２で求めた各データ間を線形補間し、ウェハ１０５のＲ軸上でのたわみ量を、一定の刻み幅で求める。ウェハ１０５中心からの距離、およびその位置でのたわみ量を１組のデータとし、ウェハ１０５のＲ軸全域でのたわみ量をまとめたたわみ補正テーブルを作成する。
【００５５】
図６に示されるように、ウェハ１０５の中心からチャック１０４の外周部手前までの所定距離内では粗くたわみ量を測定し、チャック１０４外周部手前以降（中心から所定距離外）では細かくたわみ量を測定するようにして、たわみ補正テーブルが生成される。
【００５６】
＜高さ調整処理＞
図７Ａは、ステップ２１０での補正テーブルに基づく高さ調整処理の詳細を説明するためのフローチャートである。本処理は、ステップ２０９での検査開始から、ステップ２１１での検査終了まで継続して実行される。図７Ｂは、たわみ補正の様子を模式化した図である。
【００５７】
位置確認のためのサンプリングのステップ（図７ＢのＲｉとＲｉ＋１の間隔）は、各検査ステップよりも大きい（サンプリングステップは装置によって決まる固定的な値（通常、ミリオーダ）となる。一方、検査ステップはユーザが決定するマイクロオーダの値である。）。各検査位置で位置確認しながらたわみ補正すれば、非常に正確なたわみ補正を実現することができるが、その反面、スループットが悪化してしまい、検査時間が長く掛かってしまう。そこで、本発明は、サンプリング位置（現時点でのサンプリング位置、及び予測サンプリング位置）の情報を用いて、補正曲線にできるだけ追従しながらある程度正確なたわみ補正を実現しつつ、スループットを向上させるものである。具体的には、図７Ｂにおける太線に従ってたわみ補正を実行する。求めた補正テーブル（たわみ補正量）に従ってたわみ補正を実現するよりも補正量は正確ではないが、補正テーブルに合わせてたわみ補正するよりもスループットは良好なものとなる。
【００５８】
（i）ステップ７０１
コントローラ１１１は、ウェハ１０５上での現在検査中のＲ座標Ｒi（位置確認のためのサンプリングした検査ポイント：図７Ｂ参照）を算出する。これは検査開始から現在までにステージＲ１０１が移動した量から算出される。
【００５９】
ステージＲ１０１の移動量は、ステージＲ１０１のエンコーダ値を用いてもよいし、検査開始からの駆動時間から算出してもよい。ステージＲ１０１の座標系からウェハ１０５の中心を基準にした座標系への換算式は式（２）のようになる。
【００６０】
（式２）
Ｒｉ＝Ｒｅ−Ｒｓ      ・・・（２）
ここで、Ｒｉはウェハ上の検査位置、ＲｅはステージＲ１０１の座標、Ｒｓはウェハ１０５の中心検査時のステージＲ１０１の座標である。
【００６１】
（ii）ステップ７０２
コントローラ１１１は、ステップ７０１を実施した時の、ウェハ１０５上での次のＲ座標Ｒｉ＋１（次の位置確認のためのサンプリング検査ポイント）を予測する。予測は、次の検査位置取得までの時間およびステージＲ１０１における検査時の移動スピードから算出できる。なお、実際には、サンプリングポイントＲｉとＲｉ＋１との間には多数の検査ポイントが存在する。
【００６２】
（iii）ステップ７０３
コントローラ１１１は、ステップ７０１及び７０２で求めたＲｉとＲｉ＋１の間に、補正テーブルの刻み点が位置するかどうかを判定する。例えば、Ｒｉ＝１０．９ｍｍ、Ｒｉ＋１＝１１．３ｍｍ、刻み点がｎｍｍ（ｎは整数）とすると、１０．９≦ｎ≦１１．３であるため、ＲｉとＲｉ＋１の間に、補正テーブルの刻み点が位置するということになる。条件がＹｅｓなら、処理はステップ７０４に進み、Ｎｏなら処理はステップ７０１に進む。
【００６３】
（iv）ステップ７０４
コントローラ１１１は、ステップ７０１で算出したウェハ１０５上での検査位置Ｒｉにおけるたわみ量を、ステップ５０３で求めた、たわみ補正テーブルから取得する。例えば、Ｒｉが５ｍｍの場合には、たわみ補正テーブルにおいて、ウェハ中心からの距離が５ｍｍの箇所でのたわみ量を取得する。このたわみ量が許容範囲内であれば、何もしないで処理はステップ７０１に進む。たわみ量が許容範囲外であれば、処理はステップ７０５に進む。
【００６４】
（v）ステップ７０５
コントローラ１１１は、たわみ補正の動作時間や遅延時間を考慮して、たわみの補正駆動を開始するタイミングを算出する。
【００６５】
図７Ｂに示されるように、補正テーブルにできるだけ追従するようにステージＺ１０２を動かすことが必要となる。そのため、コントローラ１１１は、現在位置Ｒｉからどのタイミング（時間）でたわみ補正を駆動するか、式（３）を用いて算出する。
【００６６】
（式３）
Ｔ＝Ｔｒ＋（Ｔｎ−Ｔｚ）／２−Ｔｄ      ・・・（３）
ここで、Ｔｒは現在位置Ｒｉから次の補正テーブルの刻み位置までのステージＲ１０１の移動時間、ＴｎはステージＲ１０１が補正テーブルの刻み区間ｎ〜ｎ＋１を移動するのにかかる時間、ＴｚはステージＺ１０２がたわみ補正量分駆動するのにかかる時間（ステージＺ１０２の、停止指示を受けてから停止までの時間である遅延時間を含む）、ＴｄはステージＺ１０２が補正開始の指示を受けてから動作開始するまでの時間（遅延時間）である。
【００６７】
（vi）ステップ７０６
コントローラ１１１は、ステップ７０５において算出したタイミングＴ（時間）分だけ待って、ステージＺ１０２に対して補正動作の実行指示を出す。
【００６８】
（vii）ステップ７０７
コントローラ１１１は、ステップ７０４において求めた補正量だけ、コントローラ１１１がステージＺ１０２を動作させる。ステージＺ１０２には動作遅延があるので、タイミングＴで補正動作実行が指示されたとしても、実際の補正が行われるのは、補正動作実行指示の時点からＴｄ後ということになる。
【００６９】
（viii）繰返し処理
その後、コントローラ１１１は、ステップ７０１からステップ７０７までの処理を検査完了まで繰り返す。
【００７０】
（２）第２の実施形態
第２の実施形態は、高さセンサ１１２での測定位置がウェハ１０５のＲ軸上と異なる場合のたわみ補正テーブルの作成処理に関するものである。
【００７１】
検査は、照射部１０６からの照射されるビーム１０７はウェハ１０５のＲ軸上に照射されるため、たわみ補正テーブルはウェハ１０５のＲ軸上のものが必要である。
【００７２】
しかし、高さ測定個所とウェハ１０５のＲ軸が異なる場合は、測定個所とウェハ１０５のＲ軸の距離を考慮して、ウェハ１０５のＲ軸上のたわみ補正テーブルを予測する必要がある。
【００７３】
図８は、裏面吸着におけるウェハのたわみ測定の様子を示す模式図である。第２の実施形態において、図８に示されるように、チャック１０４の外周付近まで（ウェハ１０５の中心からは所定距離内）は粗く測定し、それ以降は細かく測定するようにする。これは、第１の実施形態と同様であるが、中心を通るＲ軸上に測定位置を変換する必要がある。その変換式が後述の式（４）及び（５）である。
【００７４】
第２の実施形態による補正テーブル作成処理は、第１の実施形態で示した図５の補正テーブル作成処理と同じである。第１の実施形態と第２の実施形態の違いは、ステップ５０１において用いられる計算式である。
【００７５】
第２の実施形態において、ステップ５０１では、コントローラ１１１は、ステップ２０６で測定したウェハ１０５の高さデータ・測定個所の情報に基づき、予測計算式（式（４）或いは式（５））を用いて、ウェハ１０５のＲ軸上での高さを予測する。
【００７６】
まずウェハ１０５において、チャック１０４で保持されている個所が平坦であると仮定すると、つまり、ｒ’ｉを高さ測定した個所のウェハ上でのＲ座標としたとき、０≦ｒ’ｉ≦チャック１０４の半径の場合には、チャック１０４上での測定データを用いて、計算式は式（４）のようになる。
（式４）
（ｒｉ，ｚｉ）＝（ｒ’ｉ，ｚ’ｉ）      ・・・（４）
【００７７】
次に、全測定個所のデータに対して適用できる計算式は、０≦ｒ’ｉ≦ウェハ１０５の半径の場合、式（５）のようになる。
（式５）
（ｒｉ，ｚｉ）＝（√（ａ＾２＋（ｒ’ｉ）＾２），ｚ’ｉ）      ・・・（５）
ここで、ａは高さ測定個所とウェハ１０５のＲ軸の距離、ｚ’ｉは測定した高さデータ、ｒｉはウェハ１０５のＲ軸上でのＲ座標、ｚｉはウェハ１０５のＲ軸上での高さデータである。
【００７８】
（３）第３の実施形態
第３の実施形態は、チャック１０４がエッジグリップ方式の場合についてたわみ補正処理に関するものである。
【００７９】
図９は、エッジグリップの模式図である。エッジグリップ方式は、ウェハ１０５の外周を爪で保持し固定する機構を有している。そして、ウェハ中央部のたわみを低減するため、ウェハ１０５の中心部付近に対して下からエアが吹付けられる。
【００８０】
＜検査シーケンス＞
チャック１０４がエッジグリップ方式の場合の検査シーケンスについて説明する。チャック１０４がエッジグリップ方式の場合も、検査全体シーケンスは、図２に示されるフローチャートとほぼ同じであるが、裏面吸着時とは、ステップ２０４及びステップ２０８における処理が異なるのみである。
【００８１】
（i）ステップ２０４
コントローラ１１１は、検査時と同じ状態でウェハ１０５のたわみを測定するために、ウェハ１０５の高さ、回転数を検査時の設定にする。
【００８２】
図１０は、エッジグリップを用いた場合に、たわみ測定を行う前に実行される準備処理を説明するためのフローチャートである。
ステップ１００１では、コントローラ１１１は、ステージＺ１０２を駆動して、検査する所定の高さ位置へウェハ１０５を移動する。
ステップ１００２では、コントローラ１１１は、スピンドル１０３を回転させ、ウェハ１０５を検査時の回転速度で回す。
ステップ１００３では、コントローラ１１１は、ウェハ１０５に対して、検査時の流量でエアの吹付けを開始する。
以上のステップ１００１乃至１００３の処理を実行した後に、たわみ測定が可能となる。
【００８３】
（ii）ステップ２０８
コントローラ１１１は、ステップ２０６で測定したたわみデータに基づき、ウェハ１０５のたわみ補正テーブルを作成する。
【００８４】
図１１は、エッジグリップ方式を用いた場合のたわみ補正テーブル作成処理を説明するためのフローチャートである。また、図１２は、エッジグリップ方式を用いた場合のウェハのたわみ測定の様子を示す模式図である。エッジグリップ方式を用いる場合には、図６及び８で示した裏面吸着方式を用いた場合と比べて、全体的に高さ測定を細かく実行する。高さ測定箇所がウェハのＲ軸上にない場合には、図８の場合と同様に、測定箇所をＲ軸上の座標に変換する必要がある。
【００８５】
ステップ１１０１において、コントローラ１１１は、ステップ２０６で測定したウェハ１０５の高さデータ・測定個所に基づき、ウェハ１０５のＲ軸上での高さを予測する。予測の計算式は、第２の実施形態で示した式（５）になる。なお、第２の実施形態ではチャック上であれば、たわみはほとんどないため、式（４）を利用できたが、エッジグリップ式ではウェハ中心からの距離に応じてたわみ量が変化するため、式（４）を使用することはできない。
【００８６】
ステップ１１０２において、コントローラ１１１は、ステップ１１０１で求めたウェハ１０５のＲ軸上の高さデータと、ステップ３０１で測定した高さデータ分の差分をとり、たわみ量を求める。
【００８７】
次に、ステップ１１０３において、コントローラ１１１は、ステップ１１０２で求めたデータおよびエア吹付け位置に基づき、ウェハ内周部分での、たわみ量の変局点や極大・極小値を求める。
【００８８】
そして、ステップ１１０４において、コントローラ１１１は、ステップ１１０２およびステップ１１０３にて求めた、たわみデータ間を補間して、ウェハ１０５のＲ軸上でのたわみ量を、一定の刻み幅で求める。また、コントローラ１１１は、ウェハ中心からの距離、及びその位置でのたわみ量を１組のデータとし、ウェハ１０５のＲ軸全域でのたわみをまとめたたわみ補正テーブルを作成する。
【００８９】
（４）第４の実施形態
第４の実施形態は、上述のステップ２１０のステージ高さ調整処理において、ステップ７０１のウェハ１０５上での検査位置を確認する間隔がたわみ補正テーブルの間隔より大きい場合に、たわみ補正の追従性を向上させるためのたわみ補正処理に関するものである。
【００９０】
図１３は、ステージＲ１０１が高速駆動するときのたわみ補正の概念を示す模式図である。
【００９１】
ここで、現在のサンプリング（検査中の現在位置確認のためのサンプリング）時の検査位置をＲｉ、次のサンプリング時の検査位置をＲｉ＋１とする。この場合、たわみ補正テーブルの区間ｎ〜ｎ＋１分の補正は行うことができるが、区間ｎ＋１〜ｎ＋２分の補正が抜けてしまう。そこで、第４の実施形態では、たわみ補正の抜けが発生することを避けるため、区間ｎ〜ｎ＋１の補正後に、適切な間隔を開けた後、区間ｎ＋１〜ｎ＋２分の補正も併せて行うように制御する。
【００９２】
第４の実施形態によるたわみ補正処理は、第１の実施形態によるたわみ補正処理（図７Ａ）と同様である。
【００９３】
（i）ステップ７０１及び７０２
コントローラ１１１は、ステップ７０１及び７０２を実行し、現在の検査位置がＲｉおよび次のサンプリング時の検査位置Ｒｉ＋１を算出する。
【００９４】
（ii）ステップ７０５
コントローラ１１１は、ＲｉからＲｉ＋１の間に複数の区間が含まれる場合には、それぞれの区間に対して、補正駆動開始タイミングを算出する。現在位置Ｒｉから見てｍ個目の補正テーブルの刻み位置に対するタイミングの計算式は、式（６）のようになる。
【００９５】
（式６）
Ｔ（ｍ）＝Ｔｒ＋Ｔｎ（１）＋…＋Ｔｎ（ｍ−１）
＋（Ｔｎ（ｍ）−Ｔｚ（ｍ））／２−Ｔｄ      ・・・（６）
ここで、Ｔｒは現在位置Ｒｉから最寄りの補正テーブルの刻み位置（そり・たわみ測定ポイント）までのステージＲ１０１の移動時間、Ｔｎ（ｘ）はステージＲ１０１が補正テーブルの刻み区間ｘ〜ｘ＋１を移動するのにかかる時間、Ｔｚ(ｘ)はステージＺ１０２が補正テーブルの刻み区間ｘ〜ｘ＋１でのたわみ補正量分駆動するのにかかる時間、ＴｄはステージＺ１０２が補正開始の指示を受けてから動作開始するまでの時間（遅延時間）である。
【００９６】
（iii）ステップ７０６
コントローラ１１１は、ステップ７０５において算出したタイミングＴ（ｍ）時間分だけ待ち、その時間経過した時点でステージＺ１０２に対して補正動作実行の指示を出す。
【００９７】
（iv）ステップ７０７
コントローラ１１１は、ステップ７０４において求めた補正量分だけ、ステージＺ１０２を動作させる。
コントローラ１１１は、ステップ７０６及び７０７の処理を、ＲｉからＲｉ＋１の間に含まれる補正テーブルの区間数分だけ繰り返す。
【００９８】
（v）繰返し処理
その後、コントローラ１１１は、ステップ７０１から７０７までの処理を検査完了まで繰り返す。
【００９９】
（５）第５の実施形態
第５の実施形態は、ステップ２１０（図２）のステージ高さ調整処理において、ウェハ１０５の検査位置の確認サンプリング周期に比べて、ステージＲ１０１の駆動が低速で、たわみ補正動作が複数回実施可能な場合の追従性向上に関するものである。なお、たわみ補正処理は、第１の実施形態と同様に、図７Ａのフローチャートに従って実行される。なお、以下では、図７Ａと異なる処理内容のみ説明する。
【０１００】
また、図１４は、ステージＲ１０１が低速駆動するときのたわみ補正の概念を示す模式図である。図１４に示されるように、たわみ補正テーブルの区間ｎ〜ｎ＋１において、複数回検査位置を確認できる場合には、たわみ補正動作を一度に行うよりは、分割して行うことにより、たわみ補正テーブルに対する追従性を良くすることが可能となる。
【０１０１】
（i）ステップ７０１
コントローラ１１１は、現在の検査位置（位置確認のためのサンプリングポイント）Ｒｉを求める。
【０１０２】
（ii）ステップ７０２
コントローラ１１１は、ステージＲ１０１の駆動スピードからたわみ補正テーブルの区間内でのサンプリング回数を算出する。また、コントローラ１１１は、たわみ量をサンプリング回数で分割し、動作一回当たりのたわみ補正量を算出する。
【０１０３】
（iii）ステップ７０５
コントローラ１１１は、分割した補正量に基づいて、補正動作開始タイミングを算出する。
【０１０４】
（iv）ステップ７０６及び７０７
コントローラ１１１は、分割した回数だけ、動作開始タイミングまでの待機（ステップ７０６）、及びウェハ１０５の高さ調整処理（ステップ７０７）を実行する。
【０１０５】
（６）まとめ
（i）以上説明したように、本発明は、単にたわみ補正テーブル（補正曲線）に合わせて、各検査ポイントにおけるそりやたわみを補正するというものではない。補正曲線に合わせて補正するとスループットが悪くなる恐れがあるからである。本発明は、補正曲線と位置確認のためのサンプリング位置（検査ポイントに含まれる位置）との関係を分析し、ステージＺの移動開始のタイミングと停止のタイミングを決定し、このタイミングに従ってステージＺを駆動させて検査を実行するものである（図８、１３、及び１４参照）。
【０１０６】
つまり、表面検査装置は、ウェハの表面検査の前に、高さセンサを用いて、ウェハ上の複数位置におけるそり又はたわみを測定し、当該測定の結果に基づいて、そり又はたわみの測定位置と測定値を対応させて補正曲線（たわみ補正テーブル）を生成する。そして、表面検査装置は、ウェハ上の検査サンプリング位置の情報（検査中における位置確認のためのサンプリングの情報）と、補正曲線におけるそり又はたわみの測定位置（測定ポイント）の情報とに基づいて、そり又はたわみ補正のためのステージＺ駆動のタイミングとを算出する（さらに、具体的には、現時点の検査サンプリング位置と次の検査サンプリング位置との間に、測定ポイントが存在する場合に、ステージＺ駆動のタイミングを算出する）。このタイミングに従って、表面検査装置は、ステージＺを駆動し、ウェハの高さ調整をしながら、ウェハの表面検査を実行する。このようにすることにより、生成した補正曲線になるべく追従してそり・たわみ補正が可能になると共に、検査スループットを向上させることが可能となる。つまり、従来、そり・たわみ補正を実行する場合、検査スループットを犠牲にしていたが、本発明によれば、そり・たわみ補正と検査スループットの向上を両立することができるようになる。また、ウェハ検査の前に、個別のウェハ毎に補正曲線を求めるので、個々のウェハにそり・たわみ量に対応してそり・たわみ補正を実行することができるようになる。さらに、ウェハ全域でのそり・たわみ量を、複数個所でのそり・たわみ量測定データから算出するようにしているので、そり・たわみ量の精度の維持および測定時間を短縮することができるようになる。また、そり・たわみ補正により、検出欠陥の感度をウェハ全域で安定化できるようになる。
【０１０７】
また、表面検査装置は、タイミングを算出する際に、さらに、現時点の検査サンプリング位置におけるウェハのそり又はたわみ量を補正曲線から求め、この求めたそり又はたわみ量が所定の許容範囲を超える場合に、ステージＺ駆動のタイミングを算出する。これにより、たわみ量が許容範囲外にある場合のみステージＺを駆動させることができるので、効率よく表面検査を実行することができるようになる。なお、タイミングを算出する際、ステージＺの動作遅延を考慮してタイミングを算出しても良い。このようにすることにより、より補正曲線に追従してそり・たわみ補正を実行することができるようになる。
【０１０８】
（ii）補正曲線は、ウェハのＲ軸上の複数位置におけるそり又はたわみ量に基づいて生成される。これにより、ステージＲの移動と整合性を保つことができ、より正確にそり・たわみ補正を実行することができるようになる。
【０１０９】
そり又はたわみの測定ポイントがウェハのＲ軸上にない場合に、表面検査装置は、測定ポイントの座標をウェハのＲ軸上の座標に変換して、補正曲線を生成する。このようにすることにより、測定ポイントがウェハ上のどこにあっても、ステージＲの移動と整合性を保つことができるようになる。
【０１１０】
（iii）本発明では、ステージＲの駆動が、検査位置確認のためのサンプリング周期に比べて高速な場合と低速な場合は、別々の動作を実行するようにしている。前者の場合、表面検査装置は、タイミングを算出する際に、現時点の検査サンプリング位置と次の検査サンプリング位置との間に、複数のそり又はたわみの測定位置が存在するが判定し、存在するとき、当該複数のそり又はたわみの測定位置のそれぞれに対して、ステージＺ駆動のタイミングを算出する。このようにすることにより、ステージＺが高速駆動のときに生じうるそり・たわみ補正の抜けを防止し、補正曲線により正確に追従してそり・たわみ補正を実行することができるようになる。
【０１１１】
一方、後者の場合、表面検査装置は、２つのそり又はたわみの測定位置の間に複数の検査サンプリング位置が存在するときに、当該２つのそり又はたわみの測定位置におけるそり又はたわみ量によって決まる補正量を、２つのそり又はたわみの測定位置の間におけるサンプリング回数で分割して分割補正量を算出し、当該分割補正量に基づいてステージＺ駆動のタイミングを算出する。このようにすることにより、補正曲線に対する追従性をより向上させることができる。
【０１１２】
（iv）本発明は、実施形態の機能を実現するソフトウェアのプログラムコードによっても実現できる。この場合、プログラムコードを記録した記憶媒体をシステム或は装置に提供し、そのシステム或は装置のコンピュータ（又はＣＰＵやＭＰＵ）が記憶媒体に格納されたプログラムコードを読み出す。この場合、記憶媒体から読み出されたプログラムコード自体が前述した実施形態の機能を実現することになり、そのプログラムコード自体、及びそれを記憶した記憶媒体は本発明を構成することになる。このようなプログラムコードを供給するための記憶媒体としては、例えば、フレキシブルディスク、ＣＤ−ＲＯＭ、ＤＶＤ−ＲＯＭ、ハードディスク、光ディスク、光磁気ディスク、ＣＤ−Ｒ、磁気テープ、不揮発性のメモリカード、ＲＯＭなどが用いられる。
【０１１３】
また、プログラムコードの指示に基づき、コンピュータ上で稼動しているＯＳ（オペレーティングシステム）などが実際の処理の一部又は全部を行い、その処理によって前述した実施の形態の機能が実現されるようにしてもよい。さらに、記憶媒体から読み出されたプログラムコードが、コンピュータ上のメモリに書きこまれた後、そのプログラムコードの指示に基づき、コンピュータのＣＰＵなどが実際の処理の一部又は全部を行い、その処理によって前述した実施の形態の機能が実現されるようにしてもよい。
【０１１４】
さらに、実施の形態の機能を実現するソフトウェアのプログラムコードを、ネットワークを介して配信することにより、それをシステム又は装置のハードディスクやメモリ等の記憶手段又はＣＤ−ＲＷ、ＣＤ−Ｒ等の記憶媒体に格納し、使用時にそのシステム又は装置のコンピュータ（又はＣＰＵやＭＰＵ）が当該記憶手段や当該記憶媒体に格納されたプログラムコードを読み出して実行するようにしても良い。
【０１１５】
最後に、ここで述べたプロセス及び技術は本質的に如何なる特定の装置に関連することはなく、コンポーネントの如何なる相応しい組み合わせによってでも実装できることを理解する必要がある。更に、汎用目的の多様なタイプのデバイスがここで記述した教授に従って使用可能である。ここで述べた方法のステップを実行するのに、専用の装置を構築するのが有益であることが判るかもしれない。また、実施形態に開示されている複数の構成要素の適宜な組み合わせにより、種々の発明を形成できる。例えば、実施形態に示される全構成要素から幾つかの構成要素を削除してもよい。さらに、異なる実施形態にわたる構成要素を適宜組み合わせてもよい。本発明は、具体例に関連して記述したが、これらは、すべての観点に於いて限定の為ではなく説明の為である。本分野にスキルのある者には、本発明を実施するのに相応しいハードウェア、ソフトウェア、及びファームウエアの多数の組み合わせがあることが解るであろう。例えば、記述したソフトウェアは、アセンブラ、Ｃ／Ｃ＋＋、ｐｅｒｌ、Ｓｈｅｌｌ、ＰＨＰ、Ｊａｖａ（登録商標）等の広範囲のプログラム又はスクリプト言語で実装できる。
【０１１６】
さらに、上述の実施形態において、制御線や情報線は説明上必要と考えられるものを示しており、製品上必ずしも全ての制御線や情報線を示しているとは限らない。全ての構成が相互に接続されていても良い。
【０１１７】
加えて、本技術分野の通常の知識を有する者には、本発明のその他の実装がここに開示された本発明の明細書及び実施形態の考察から明らかになる。記述された実施形態の多様な態様及び／又はコンポーネントは、データを管理する機能を有するコンピュータ化ストレージシステムに於いて、単独又は如何なる組み合わせでも使用することが出来る。明細書と具体例は典型的なものに過ぎず、本発明の範囲と精神は後続する請求範囲で示される。
【符号の説明】
【０１１８】
１０１・・・ステージＲ 
１０２・・・ステージＺ 
１０３・・・スピンドル 
１０４・・・チャック 
１０５・・・ウェハ 
１０６・・・照射部 
１０７・・・ビーム 
１０８・・・散乱光 
１０９・・・検出部 
１１０・・・欠陥抽出部 
１１１・・・コントローラ 
１１２・・・高さセンサ 
１１３・・・外周検出センサ
１１４・・・搬送部 
１１５・・・搬送ロボット 
１１６・・・ハンド 
１１７・・・ロードポート 
１１８・・・格納容器 
１１９・・・ウェハ受渡位置
１２０・・・高さ測定位置 
１２１・・・外周検出位置
１２２・・・検査開始位置 
【図１】
2015102488.tif 000003
【図２】
2015102488.tif 000004
【図３】
2015102488.tif 000005
【図４】
2015102488.tif 000006
【図５】
2015102488.tif 000007
【図６】
2015102488.tif 000008
【図７Ａ】
2015102488.tif 000009
【図７Ｂ】
2015102488.tif 000010
【図８】
2015102488.tif 000011
【図９】
2015102488.tif 000012
【図１０】
2015102488.tif 000013
【図１１】
2015102488.tif 000014
【図１２】
2015102488.tif 000015
【図１３】
2015102488.tif 000016
【図１４】
2015102488.tif 000017