(57)【要約】      （修正有）【課題】残留応力の発生を抑制できる電子部品及びその製造方法を提供する。【解決手段】複数の絶縁体層１６ｃ〜１６ｄが積層されて構成されている積層体と、前記絶縁体層に積層方向から挟まれているインダクタ導体１８ａと、を備えており、前記インダクタ導体１８ａにおいて積層方向の一方側に位置する第１の絶縁体層に対向している第１の部分２０ａの形成に用いられる第１の導電性ペーストの第１の焼結開始温度が、該インダクタ導体において積層方向の他方側に位置する第２の絶縁体層に対向している第２の部分２２ａの形成に用いられる第２の導電性ペーストの第２の焼結開始温度よりも高いこと、を特徴とする電子部品。【選択図】図３Ｂ
2015070172.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の絶縁体層が積層されて構成されている積層体と、
前記絶縁体層に積層方向から挟まれているインダクタ導体と、
を備えており、
前記インダクタ導体において積層方向の一方側に位置する第１の絶縁体層に対向している第１の部分の形成に用いられる第１の導電性ペーストの第１の焼結開始温度が、該インダクタ導体において積層方向の他方側に位置する第２の絶縁体層に対向している第２の部分の形成に用いられる第２の導電性ペーストの第２の焼結開始温度よりも高いこと、
を特徴とする電子部品。
【請求項２】
前記第１の絶縁体層と前記第１の部分との接触面積は、前記第２の絶縁体層と前記第２の部分との接触面積よりも小さいこと、
を特徴とする請求項１に記載の電子部品。
【請求項３】
複数のセラミックグリーン層が積層されて構成されている積層体と、該セラミックグリーン層に積層方向から挟まれているインダクタ導体と、を備えた未焼結体を作製する未焼結体作製工程と、
前記未焼結体を焼結する焼結工程と、
を備えており、
前記未焼結体作製工程では、前記インダクタ導体において積層方向の一方側に位置する第１のセラミックグリーン層に対向している第１の部分を第１の導電性ペーストを用いて形成し、該インダクタ導体において積層方向の他方側に位置する第２のセラミックグリーン層に対向している第２の部分を第２の導電性ペーストを用いて形成し、
前記第１の導電性ペーストの第１の焼結開始温度は、前記第２の導電性ペーストの第２の焼結開始温度よりも高いこと、
を特徴とする電子部品の製造方法。
【請求項４】
前記未焼結体作製工程は、
シート状の前記第２のセラミックグリーン層上に第２の導電性ペーストを用いて前記第２の部分を形成する第１の形成工程と、
前記第２の部分上に前記第１の導電性ペーストを用いて前記第１の部分を形成する第２の形成工程と、
前記第１の部分及び前記第２の部分が形成された前記第２のセラミックグリーン層上に前記第１のセラミックグリーン層を積層する積層工程と、
を含んでいること、
を特徴とする請求項３に記載の電子部品の製造方法。
【請求項５】
前記焼成工程後において、前記第１のセラミックグリーン層が焼結された第１の絶縁体層と前記第１の部分との接触面積は、前記第２のセラミックグリーン層が焼結された第２の絶縁体層と前記第２の部分との接触面積よりも小さいこと、
を特徴とする請求項３又は請求項４のいずれかに記載の電子部品の製造方法。
【請求項６】
前記第１の導電性ペーストに含まれる金属粒子の平均粒径は、前記第２の導電性ペーストに含まれる金属粒子の平均粒径よりも大きいこと、
を特徴とする請求項３ないし請求項５のいずれかに記載の電子部品の製造方法。
【請求項７】
前記第１の導電性ペーストに含まれる金属粒子の表面にはコーティングが施され、前記第２の導電性ペーストに含まれる金属粒子の表面にはコーティングが施されないこと、
を特徴とする請求項３ないし請求項６のいずれかに記載の電子部品の製造方法。
【請求項８】
前記第１の導電性ペーストに含まれる金属粒子は、Ａｇ粒子及びＦｅ粒子であり、
前記第２の導電性ペーストに含まれる金属粒子は、Ａｇ粒子であること、
を特徴とする請求項３ないし請求項７のいずれかに記載の電子部品の製造方法。
【請求項９】
前記第１の導電性ペーストに含まれるバインダーの割合は、前記第２の導電性ペーストに含まれるバインダーの割合よりも多いこと、
を特徴とする請求項３ないし請求項８のいずれかに記載の電子部品の製造方法。
【請求項１０】
前記第１の導電性ペーストの第１の焼結開始温度は、前記第２の導電性ペーストの第２の焼結終了温度よりも高いこと、
を特徴とする請求項３ないし請求項９のいずれかに記載の電子部品の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電子部品及びその製造方法に関し、より特定的には、インダクタを内蔵した積層型の電子部品及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来の電子部品に関する発明としては、例えば、特許文献１に記載の積層型インダクタが知られている。該積層型インダクタは、磁性体層と内部導体パターンとが交互に積層されて構成されている。そして、内部導体パターンの焼結の際の収縮率は、磁性体層の焼結の際の収縮率よりも大きい。これにより、焼結後に、内部導体パターンと磁性体層との間に空隙が形成されるようになる。内部導体パターンと磁性体層との間に空隙が形成されると、以下に説明するように、磁気特性の低下、ばらつき等の発生が抑制される。
【０００３】
より詳細には、内部導体パターンの材料と磁性体層の材料とは異なるので、内部導体パターンの熱膨張係数と磁性体層の熱膨張係数とは異なる。そのため、内部導体パターンと磁性体層とが密着していると、素子内部に応力が発生し、素子内部の歪みによる磁気特性の低下、ばらつき等が発生する。
【０００４】
そこで、特許文献１に記載の積層型インダクタでは、内部導体パターンの焼結の際の収縮率は、磁性体層の焼結の際の収縮率よりも大きくなっている。これにより、焼結後に、内部導体パターンと磁性体層との間に空隙が形成されるようになる。その結果、残留応力の発生が抑制され、磁気特性の低下、ばらつき等の発生が抑制される。
【０００５】
しかしながら、特許文献１に記載の積層型インダクタは、残留応力の発生を十分に抑制できない。より詳細には、特許文献１に記載の積層型インダクタでは、内部導体パターンと内部導体パターンの上下の磁性体層との間で架橋が形成される。そのため、内部導体パターンと磁性体層とが密着し、焼結時にこれらの間に空隙が形成されにくい。その結果、特許文献１に記載の積層型インダクタでは、残留応力の発生を十分に抑制できない。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開２００３−１０９８２０号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
そこで、本発明の目的は、残留応力の発生を抑制できる電子部品及びその製造方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明の一形態に係る電子部品は、複数の絶縁体層が積層されて構成されている積層体と、前記絶縁体層に積層方向から挟まれているインダクタ導体と、を備えており、前記インダクタ導体において積層方向の一方側に位置する第１の絶縁体層に対向している第１の部分の形成に用いられる第１の導電性ペーストの第１の焼結開始温度が、該インダクタ導体において積層方向の他方側に位置する第２の絶縁体層に対向している第２の部分の形成に用いられる第２の導電性ペーストの第２の焼結開始温度よりも高いこと、を特徴とする。
【０００９】
本発明の一形態に係る電子部品の製造方法は、複数のセラミックグリーン層が積層されて構成されている積層体と、該セラミックグリーン層に積層方向から挟まれているインダクタ導体と、を備えた未焼結体を作製する未焼結体作製工程と、前記未焼結体を焼結する焼結工程と、を備えており、前記未焼結体作製工程では、前記インダクタ導体において積層方向の一方側に位置する第１のセラミックグリーン層に対向している第１の部分を第１の導電性ペーストを用いて形成し、該インダクタ導体において積層方向の他方側に位置する第２のセラミックグリーン層に対向している第２の部分を第２の導電性ペーストを用いて形成し、前記第１の導電性ペーストの第１の焼結開始温度は、前記第２の導電性ペーストの第２の焼結開始温度よりも高いこと、を特徴とする。
【発明の効果】
【００１０】
本発明によれば、残留応力の発生を抑制できる。
【図面の簡単な説明】
【００１１】
【図１】一実施形態に係る電子部品１０ａの外観斜視図である。
【図２】電子部品１０ａの積層体１２の分解斜視図である。
【図３Ａ】図１の電子部品１０ａのＡ−Ａにおける断面構造図である。
【図３Ｂ】インダクタ導体１８ａの拡大図である。
【図４】導電性ペーストの収縮率と温度との関係を示したグラフである。
【図５】焼結工程において、第１の部分２０ａの形成に用いられる第１の導電性ペーストに含まれる金属粒子Ｐ１及び第２の部分２２ａの形成に用いられる第２の導電性ペーストに含まれる金属粒子Ｐ２を示した図である。
【図６】焼結後のインダクタ導体の断面構造を示したＳＥＭ写真である。
【発明を実施するための形態】
【００１２】
以下に、本発明の実施形態に係る電子部品及びその製造方法について説明する。
【００１３】
（電子部品の構成）
以下に、本発明の一実施形態に係る電子部品の構成について図面を参照しながら説明する。図１は、一実施形態に係る電子部品１０ａの外観斜視図である。図２は、電子部品１０ａの積層体１２の分解斜視図である。以下では、電子部品１０ａの積層方向を上下方向と定義し、上側から電子部品１０ａを平面視したときに長辺が延在している方向を前後方向と定義し、上側から電子部品１０ａを平面視したときに短辺が延在している方向を左右方向と定義する。
【００１４】
電子部品１０ａは、図１及び図２に示すように、積層体１２、外部電極１４ａ，１４ｂ及びインダクタＬを備えている。
【００１５】
積層体１２は、直方体状をなしており、絶縁体層１６ａ〜１６ｉが上側から下側へとこの順に積層されて構成されている。絶縁体層１６ａ〜１６ｉは、図２に示すように、長方形状をなしており、例えば、Ｎｉ−Ｃｕ−Ｚｎ系フェライトからなる磁性体材料により作製されている。以下では、絶縁体層１６ａ〜１６ｉの上側の面を表面と呼び、絶縁体層１６ａ〜１６ｉの下側の面を裏面と呼ぶ。
【００１６】
インダクタＬは、上側から平面視したときに、反時計回りに周回しながら下側に向かって進行する螺旋状をなしており、インダクタ導体１８ａ〜１８ｃ及びビアホール導体ｖ１，ｖ２を含んでいる。インダクタ導体１８ａ〜１８ｃ及びビアホール導体ｖ１，ｖ２は、例えば、Ａｇを主成分とする導電性材料により作製されている。
【００１７】
インダクタ導体１８ａは、絶縁体層１６ｄの表面上に設けられており、反時計回りに周回する線状導体である。インダクタ導体１８ａは、上下方向から絶縁体層１６ｃ，１６ｄに挟まれている。インダクタ導体１８ａは、３／４周分の長さを有しており、絶縁体層１６ｄの左側の長辺、前側の短辺及び右側の長辺に沿って延在している。
【００１８】
インダクタ導体１８ｂは、絶縁体層１６ｅの表面上に設けられており、反時計回りに周回する線状導体である。インダクタ導体１８ｂは、上下方向から絶縁体層１６ｄ，１６ｅに挟まれている。インダクタ導体１８ｂは、３／４周分の長さを有しており、絶縁体層１６ｅの後ろ側の短辺、左側の長辺及び前側の短辺に沿って延在している。
【００１９】
インダクタ導体１８ｃは、絶縁体層１６ｆの表面上に設けられており、反時計回りに周回する線状導体である。インダクタ導体１８ｃは、上下方向から絶縁体層１６ｅ，１６ｆに挟まれている。インダクタ導体１８ｃは、３／４周分の長さを有しており、絶縁体層１６ｆの右側の長辺、後ろ側の短辺及び左側の長辺に沿って延在している。以下では、インダクタ導体１８ａ〜１８ｃの反時計回り方向の上流側の端部を上流端と呼び、インダクタ導体１８ａ〜１８ｃの反時計回り方向の下流側の端部を下流端と呼ぶ。
【００２０】
ビアホール導体ｖ１は、絶縁体層１６ｄを上下方向に貫通しており、インダクタ導体１８ａの下流端とインダクタ導体１８ｂの上流端とを接続している。ビアホール導体ｖ２は、絶縁体層１６ｅを上下方向に貫通しており、インダクタ導体１８ｂの下流端とインダクタ導体１８ｃの上流端とを接続している。
【００２１】
インダクタ導体１８ａの上流端は、絶縁体層１６ｄの後ろ側の短辺に引き出されている。インダクタ導体１８ｃの下流端は、絶縁体層１６ｆの前側の短辺に引き出されている。
【００２２】
外部電極１４ａは、積層体１２の後ろ側の端面を覆っていると共に、該端面に隣接する４つの面に折り返されている。積層体１２の後ろ側の端面は、絶縁体層１６ａ〜１６ｉの後ろ側の短辺が連なって形成されている面である。これにより、外部電極１４ａは、インダクタ導体１８ａの上流端と接続されている。
【００２３】
外部電極１４ｂは、積層体１２の前側の端面を覆っていると共に、該端面に隣接する４つの面に折り返されている。積層体１２の前側の端面は、絶縁体層１６ａ〜１６ｉの前側の短辺が連なって形成されている面である。これにより、外部電極１４ｂは、インダクタ導体１８ｃの下流端と接続されている。
【００２４】
ところで、電子部品１０ａは残留応力が発生することを抑制するための構成を有している。以下にかかる構成について図面を参照しながら説明する。図３Ａは、図１の電子部品１０ａのＡ−Ａにおける断面構造図である。また、図３Ｂには、インダクタ導体１８ａの拡大図も併せて示してある。
【００２５】
図３Ａ及び図３Ｂに示すように、インダクタ導体１８ａは、横長な楕円形状の断面構造を有しており、第１の部分２０ａ及び第２の部分２２ａを含んでいる。第１の部分２０ａは、インダクタ導体１８ａの上半分を占めており、インダクタ導体１８ａの上側に位置する絶縁体層１６ｃと対向している部分である。第２の部分２２ａは、インダクタ導体１８ａの下半分を占めており、インダクタ導体１８ａの下側に位置する絶縁体層１６ｄと対向している部分である。また、第１の部分２０ａと絶縁体層１６ｃとの間には、隙間Ｓｐが存在しており、第２の部分２２ａと絶縁体層１６ｄとの間には、隙間が存在していない。
【００２６】
また、インダクタ導体１８ｂは、横長な楕円形状の断面構造を有しており、第１の部分２０ｂ及び第２の部分２２ｂを含んでいる。第１の部分２０ｂは、インダクタ導体１８ｂの上半分を占めており、インダクタ導体１８ｂの上側に位置する絶縁体層１６ｄと対向している部分である。第２の部分２２ｂは、インダクタ導体１８ｂの下半分を占めており、インダクタ導体１８ｂの下側に位置する絶縁体層１６ｅと対向している部分である。また、第１の部分２０ｂと絶縁体層１６ｄとの間には、隙間Ｓｐが存在しており、第２の部分２２ｂと絶縁体層１６ｅとの間には、隙間が存在していない。
【００２７】
また、インダクタ導体１８ｃは、横長な楕円形状の断面構造を有しており、第１の部分２０ｃ及び第２の部分２２ｃを含んでいる。第１の部分２０ｃは、インダクタ導体１８ｃの上半分を占めており、インダクタ導体１８ｃの上側に位置する絶縁体層１６ｅと対向している部分である。第２の部分２２ｃは、インダクタ導体１８ｃの下半分を占めており、インダクタ導体１８ｃの下側に位置する絶縁体層１６ｆと対向している部分である。また、第１の部分２０ｃと絶縁体層１６ｅとの間には、隙間Ｓｐが存在しており、第２の部分２２ｃと絶縁体層１６ｆとの間には、隙間が存在していない。
【００２８】
以上のように、第１の部分２０ａと絶縁体層１６ｃとの間、第１の部分２０ｂと絶縁体層１６ｄとの間、及び、第１の部分２０ｃと絶縁体層１６ｅとの間に隙間Ｓｐが形成されることにより、後述するように、電子部品１０ａに残留応力が発生することが抑制されている。
【００２９】
（電子部品の製造方法）
以上のように構成された電子部品１０ａの製造方法について図面を参照しながら説明する。
【００３０】
まず、図２に示す絶縁体層１６ａ〜１６ｉとなるべきセラミックグリーンシートを形成する。具体的には、酸化第二鉄（Ｆｅ2Ｏ3）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）及び酸化銅（ＣｕＯ）及び酸化ニッケル（ＮｉＯ）を所定の比率で秤量したそれぞれの材料を原材料としてボールミルに投入し、湿式調合を行う。得られた混合物を乾燥してから粉砕し、得られた粉末を８００℃で１時間仮焼する。得られた仮焼粉末をボールミルにて湿式粉砕した後、乾燥してから解砕して、フェライトセラミック粉末を得る。
【００３１】
このフェライトセラミック粉末に対して結合剤（酢酸ビニル、水溶性アクリル等）と可塑剤、湿潤材、分散剤を加えてボールミルで混合を行い、その後、減圧により脱泡を行う。得られたセラミックスラリーをドクターブレード法により、キャリアシート上にシート状に形成して乾燥させ、絶縁体層１６ａ〜１６ｉとなるべきセラミックグリーンシートを作製する。
【００３２】
次に、絶縁体層１６ｄ，１６ｅとなるべきセラミックグリーンシートのそれぞれに、ビアホール導体ｖ１，ｖ２を形成する。具体的には、絶縁体層１６ｄ，１６ｅとなるべきセラミックグリーンシートにレーザビームを照射してビアホールを形成する。次に、これらのビアホールに対して、Ａｇ，Ｐｄ，Ｃｕ，Ａｕやこれらの合金などの導電性ペーストを印刷塗布などの方法により充填する。
【００３３】
次に、絶縁体層１６ｄ〜１６ｆとなるべきセラミックグリーンシート上にインダクタ導体１８ａ〜１８ｃを形成する。具体的には、インダクタ導体１８ａ〜１８ｃのそれぞれを第１の印刷工程及び第２の印刷工程の２回の印刷工程により形成する。
【００３４】
まず、第１の印刷工程について説明する。第１の印刷工程では、絶縁体層１６ｄ〜１６ｆとなるべきセラミックグリーンシートのそれぞれの上に、第２の導電性ペーストをスクリーン印刷法で塗布することにより、第２の部分２２ａ〜２２ｃを形成する。第２の部分２２ａ〜２２ｃはそれぞれ、上側から平面視したときには、インダクタ導体１８ａ〜１８ｃと同じ形状をなしている。第２の導電性ペーストは、Ａｇからなる金属粒子とバインダーとの混合物である。また、第２の導電性ペーストに含まれる金属粒子の表面にはコーティングが施されていない。なお、第２の導電性ペーストに含まれる金属粒子は、Ａｇに限らず、Ｐｄ，Ｃｕ，Ａｕ又はこれらの合金や混合物であってもよい。また、第２の部分２２ａ〜２２ｃを形成する第１の印刷工程とビアホールに対して導電性ペーストを充填する工程とは、同じ工程において行われてもよい。
【００３５】
次に、第２の印刷工程について説明する。第２の印刷工程では、第２の部分２２ａ〜２２ｃのそれぞれの上に、第１の導電性ペーストをスクリーン印刷法で塗布することにより、第１の部分２０ａ〜２０ｃを形成する。第１の部分２０ａ〜２０ｃはそれぞれ、上側から平面視したときには、第２の部分２２ａ〜２２ｃ（すなわち、インダクタ導体１８ａ〜１８ｃ）と同じ形状をなしている。よって、第２の印刷工程において用いられるスクリーン板と第１の印刷工程において用いられるスクリーン板とは同じである。
【００３６】
また、第１の導電性ペーストは、Ａｇからなる金属粒子とバインダーとの混合物である。第１の導電性ペーストに含まれる金属粒子の表面にはコーティングが施されている。コーティングの材料は、例えば、酸化カルシウムや酸化マグネシウムである。また、第１の導電性ペーストに含まれる金属粒子の平均粒径は、第２の導電性ペーストに含まれる金属粒子の平均粒径よりも大きい。本実施形態では、第１の導電性ペーストに含まれる金属粒子の平均粒径は、５μｍであり、第２の導電性ペーストに含まれる金属粒子の平均粒径は、１μｍである。平均粒径の測定については、レーザ回折／散乱式粒度分布測定によって行った。
【００３７】
なお、第１の導電性ペーストに含まれる金属粒子は、Ａｇに限らず、Ｐｄ，Ｃｕ，Ａｕ又はこれらの合金や混合物であってもよい。
【００３８】
ここで、第１の導電性ペーストと第２の導電性ペーストの２種類の導電性ペーストを用いる理由について説明する。図４は、導電性ペーストの収縮率と温度との関係を示したグラフである。縦軸は収縮率を示し、横軸は温度を示す。
【００３９】
第１の導電性ペーストに含まれる金属粒子の平均粒径は、第２の導電性ペーストに含まれる金属粒子の平均粒径よりも大きい。金属粒子の粒径が大きくなれば、導電性ペーストは焼結されにくくなる。よって、図４に示すように、第１の導電性ペーストの方が第２の導電性ペーストよりも収縮が始まる温度（以下、焼結開始温度と呼ぶ）が高い。また、第１の導電性ペーストの方が第２の導電性ペーストよりも収縮が終わる温度（以下、焼結終了温度と呼ぶ）が高い。よって、同じ条件で第１の導電性ペーストと第２の導電性ペーストとを焼結した場合、第２の導電性ペーストの方が第１の導電性ペーストよりも先に、収縮を開始し、収縮を終了する。
【００４０】
また、以下の理由によっても、第１の導電性ペーストの焼結開始温度は、第２の導電性ペーストの焼結開始温度よりも高くなる。より詳細には、第１の導電性ペーストに含まれる金属粒子の表面にはコーティングが施され、第２の導電性ペーストに含まれる金属粒子の表面にはコーティングが施されていない。金属粒子の表面にコーティングが施されている導体性ペーストは、金属粒子の表面にコーティングが施されていない導体性ペーストに比べて焼結されにくくなる。よって、第１の導電性ペーストの焼結開始温度は、第２の導電性ペーストの焼結開始温度よりも高くなる。
【００４１】
本実施形態では、第１の導電性ペーストの焼結開始温度は、５８０℃〜６００℃であり、第２の導電性ペーストの焼結開始温度は、２５０℃〜３００℃である。また、第１の導電性ペーストの焼結終了温度は、８００℃〜９００℃であり、第２の導電性ペーストの焼結終了温度は、約６００℃である。なお、焼結開始温度とは、導電性ペーストの収縮率が１％に到達した温度を意味する。焼結終了温度とは、導電性ペーストの収縮率が最大になるときの温度を意味する。収縮率とは、加熱前の被測定物の長さと加熱後の被測定物の長さとの差を加熱前の被測定物の長さで割って１００を掛けた値である。
【００４２】
図２に戻って、絶縁体層１６ａ〜１６ｉとなるべきセラミックグリーンシートをこの順に並べて積層・圧着する工程について説明する。絶縁体層１６ａ〜１６ｉとなるべきセラミックグリーンシートの積層・圧着は、１枚ずつ積層して仮圧着した後、未焼結のマザー積層体を静水圧プレスなどにより加圧して本圧着を行う。これにより、第１の部分２０ａ及び第２の部分２２ａが形成された絶縁体層１６ｄとなるべきセラミックグリーンシート上に絶縁体層１６ｃとなるべきセラミックグリーンシートが積層される。同様に、第１の部分２０ｂ及び第２の部分２２ｂが形成された絶縁体層１６ｅとなるべきセラミックグリーンシート上に絶縁体層１６ｄとなるべきセラミックグリーンシートが積層される。同様に、第１の部分２０ｃ及び第２の部分２２ｃが形成された絶縁体層１６ｆとなるべきセラミックグリーンシート上に絶縁体層１６ｅとなるべきセラミックグリーンシートが積層される。その結果、絶縁体層１６ａ〜１６ｉとなるべきセラミックグリーンシートが積層されて構成されているマザー積層体と、絶縁体層１６ｃ〜１６ｆとなるべきセラミックグリーンシートに上下方向から挟まれているインダクタ導体１８ａ〜１８ｃと、を備えたマザー未焼結体を得る。
【００４３】
次に、マザー未焼結体をカット刃により所定寸法の未焼結体にカットする。この未焼結体に脱バインダー処理及び焼結を行う。以下に、焼結工程について図面を参照しながら説明する。図５は、焼結工程において、第１の部分２０ａの形成に用いられる第１の導電性ペーストに含まれる金属粒子Ｐ１及び第２の部分２２ａの形成に用いられる第２の導電性ペーストに含まれる金属粒子Ｐ２を示した図である。
【００４４】
焼結は、以下の条件で行った。第１の焼結過程において常温から４００℃まで２５時間かけて昇温させ、第２の焼結過程において４００℃から９５０℃まで６時間かけて昇温させ、第３の焼結過程において９５０℃を２時間保持した。
【００４５】
第１の焼結過程では、絶縁体層１６ｄ上に塗布された第２の導電性ペーストからなる第２の部分２２ａが焼結されて収縮する。具体的には、第２の導電性ペーストの焼結開始温度は２５０℃〜３００℃であり、第１焼結過程での温度は常温〜４００℃である。よって、図５に示すように、第２の導電性ペーストに含まれる金属粒子Ｐ２が溶融する。金属粒子Ｐ２が溶融すると、金属粒子Ｐ２間の隙間がなくなるので、第２の部分２２ａが収縮する。一方、第１の焼結過程では、第１の導電性ペーストからなる第１の部分２０ａは焼結されず収縮しない。ただし、第１の部分２０ａと第２の部分２２ａとの界面近傍の金属粒子Ｐ１は、溶融した金属粒子Ｐ２の表面張力により下方に引っ張られる。これにより、第１の部分２０ａが下方に引っ張られて、第１の部分２０ａと第１の部分２０ａの上側に位置する絶縁体層１６ｃとの間に隙間Ｓｐが形成される。
【００４６】
第２の焼結過程では、第１の導電性ペーストからなる第１の部分２０ａが焼結されて収縮する。具体的には、第１の導電性ペーストの焼結開始温度は５８０℃〜６００℃であり、第２焼結過程での温度は４００℃〜９００℃である。よって、第１の導電性ペーストに含まれる金属粒子Ｐ１が溶融する。金属粒子Ｐ１が溶融すると、金属粒子Ｐ１間の隙間がなくなるので、第１の部分２０ａが収縮する。これにより、隙間Ｓｐが拡大する。また、セラミックグリーンシートの焼結開始温度は８００℃であり、セラミックグリーンシートの焼結終了温度は９３０℃〜９５０℃である。よって、第２の焼成過程においてセラミックグリーンシートの焼結が開始される。
【００４７】
第３の焼成過程では、セラミックグリーンシートが焼結される。セラミックグリーンシートの焼結開始温度は８００℃であり、セラミックグリーンシートの焼結終了温度は９３０℃〜９５０℃である。よって、第３の焼成過程において９５０℃を２時間保持することにより、セラミックグリーンシートが焼結されて絶縁体層１６ｄとなる。同様に絶縁体層１６ａ〜１６ｃ，１６ｅ〜１６ｉが形成され、積層体１２を得ることができる。
【００４８】
次に、積層体１２にバレル加工を施して、面取りを行う。その後、積層体１２の表面に、例えば、浸漬法等の方法により主成分が銀である電極ペーストを塗布及び焼き付けすることにより、外部電極１４ａ，１４ｂとなるべき銀電極を形成する。銀電極の焼き付けは、８００℃で１時間行われる。
【００４９】
最後に、銀電極の表面に、Ｎｉめっき及びＳｎめっきを施すことにより、外部電極１４ａ，１４ｂを形成する。以上の工程を経て、図１に示す電子部品１０ａが完成する。
【００５０】
（効果）
以上のように構成された電子部品１０ａ及び電子部品１０ａの製造方法によれば、残留応力の発生を抑制できる。より詳細には、電子部品１０ａ及び電子部品１０ａの製造方法では、インダクタ導体１８ａ〜１８ｃにおいて上側に位置する絶縁体層１６ｃ〜１６ｅに対向している第１の部分２０ａ〜２０ｃの形成に用いられる第１の導電性ペーストの第１の焼結開始温度が、インダクタ導体１８ａ〜１８ｃにおいて下側に位置する絶縁体層１６ｄ〜１６ｆに対向している第２の部分２２ａ〜２２ｃの形成に用いられる第２の導電性ペーストの第２の焼結開始温度よりも高い。これにより、未焼結体の焼結時に、第２の部分２２ａ〜２２ｃが第１の部分２０ａ〜２０ｃよりも先に収縮する。そのため、第１の部分２０ａ〜２０ｃと絶縁体層１６ｃ〜１６ｅとの間に隙間Ｓｐが形成される。これにより、インダクタ導体１８ａ〜１８ｃはそれぞれ、下側に位置する絶縁体層１６ｄ〜１６ｆとの間で架橋を生じ、絶縁体層１６ｄ〜１６ｆと密着する。一方、インダクタ導体１８ａ〜１８ｃはそれぞれ、上側に位置する絶縁体層１６ｃ〜１６ｅとの間で架橋を生じず、絶縁体層１６ｃ〜１６ｅと密着しない。よって、インダクタ導体１８ａ〜１８ｃが上下に位置する絶縁体層の両方に密着することが抑制される。その結果、インダクタ導体１８ａ〜１８ｃが絶縁体層により上下方向に引っ張られることが抑制され、電子部品１０ａにおいて、残留応力が発生しにくくなる。
【００５１】
また、電子部品１０ａの製造方法では、以下の理由より、より確実に隙間Ｓｐを形成することができる。より詳細には、電子部品１０ａの製造方法では、セラミックグリーンシート上に第２の部分２２ａ〜２２ｃを印刷している。一方、第１の部分２０ａ〜２０ｃは、圧着によりセラミックグリーンシートに接触している。そのため、セラミックグリーンシートと第２の部分２２ａ〜２２ｃとの密着性は、セラミックグリーンシートと第１の部分２０ａ〜２０ｃとの密着性よりも高い。よって、焼結時に、セラミックグリーンシートと第２の部分２２ａ〜２２ｃとの間よりもセラミックグリーンシートと第１の部分２０ａ〜２０ｃとの間に隙間Ｓｐが形成されやすくなる。ただし、このことは、第１の部分２０ａ〜２０ｃがセラミックグリーンシートに印刷されることを妨げるものではない。
【００５２】
また、電子部品１０ａ及び電子部品１０ａの製造方法では、第１の部分２０ａ〜２０ｃの形成に用いられる第１の導電性ペーストの第１の焼結開始温度が、第２の部分２２ａ〜２２ｃの形成に用いられる第２の導電性ペーストの第２の焼結終了温度と略同じである。これにより、焼結において、第２の部分２２ａ〜２２ｃの焼結が終了した後に、第１の部分２０ａ〜２０ｃの焼結が開始する。すなわち、第２の部分２２ａ〜２２ｃの収縮が終了した後に、第１の部分２０ａ〜２０ｃの収縮が開始する。よって、隙間Ｓｐがより確実に形成されるようになる。
【００５３】
（その他の実施形態）
本発明に係る電子部品及び電子部品の製造方法は、前記実施形態に係る電子部品１０ａ及び電子部品１０ａの製造方法に限らず、その要旨の範囲内において変更可能である。
【００５４】
なお、電子部品１０ａの製造方法では、セラミックグリーンシートを積層及び圧着する逐次圧着法を採用しているが、セラミックペーストを用いてセラミックグリーン層を印刷することと導電性ペーストを用いてインダクタ導体を印刷することとを繰り返す印刷法を採用してもよい。
【００５５】
また、第１の導電性ペーストの焼結開始温度を第２の導電性ペーストの焼結開始温度よりも高くするために、第１の導電性ペーストに含まれる金属粒子の平均粒径を第２の導電性ペーストに含まれる金属粒子の平均粒径よりも大きくしている。しかしながら、第１の導電性ペーストの焼結開始温度を第２の導電性ペーストの焼結開始温度よりも高くする方法はこれに限らない。前記実施形態に係る電子部品１０ａの製造方法でも説明したように、第１の導電性ペーストに含まれる金属粒子の表面にコーティングを施し、第２の導電性ペーストに含まれる金属粒子の表面にコーティングを施さないようにしてもよい。
【００５６】
また、第１の導電性ペースト又は第２の導電性ペーストに不純物を添加してもよい。具体的には、第１の導電性ペーストに含まれる金属粒子をＡｇ粒子及びＦｅ粒子とし、第２の導電性ペーストに含まれる金属粒子をＡｇ粒子としてもよい。Ｆｅの融点は、Ａｇの融点よりも高いので、Ｆｅ粒子が加えられた第１の導電性ペーストの焼結開始温度は、Ｆｅ粒子が加えられていない第２の導電性ペーストの焼結開始温度よりも高くなる。
【００５７】
更に、第１の導電性ペーストに含まれるバインダーの割合を第２の導電性ペーストに含まれるバインダーの割合よりも多くしてもよい。これにより、バインダーの割合が多くなると、金属粒子間の距離が大きくなるので、焼結開始温度が高くなる。なお、バインダーの割合とは、導電性ペーストの重量に占めるバインダーの重量である。また、第１の導電性ペーストの焼結開始温度を第２の導電性ペーストの焼結開始温度よりも高くするために、金属粒子の平均粒径の設定、コーティングの有無、不純物の添加及びバインダーの割合の設定を組み合わせてもよい。
【００５８】
また、第１の部分２０ａ〜２０ｃの形成に用いられる第１の導電性ペーストの第１の焼結開始温度が、第２の部分２２ａ〜２２ｃの形成に用いられる第２の導電性ペーストの第２の焼結終了温度と略同じである。しかしながら、第１の部分２０ａ〜２０ｃの形成に用いられる第１の導電性ペーストの第１の焼結開始温度は、第２の部分２２ａ〜２２ｃの形成に用いられる第２の導電性ペーストの第２の焼結終了温度よりも高いことが好ましい。これにより、第２の部分２２ａ〜２２ｃの収縮が完全に終了してから、第１の部分２０ａ〜２０ｃの収縮が開始するようになる。その結果、隙間Ｓｐがより確実に形成されるようになる。
【００５９】
また、インダクタ導体１８ａ〜１８ｃにおいて、第１の部分２０ａ〜２０ｃと第２の部分２２ａ〜２２ｃとの間に、導電性材料からなる第３の部分が設けられていてもよい。
【００６０】
また、電子部品１０ａ及び電子部品１０ａの製造方法では、第１の部分２０ａと絶縁体層１６ｃとの間には、隙間Ｓｐが存在しており、第２の部分２２ａと絶縁体層１６ｄとの間には、隙間が存在していないとした。しかしながら、第２の部分２２ａと絶縁体層１６ｄとの間には、隙間が存在していないとは限らない。図６は、焼結後のインダクタ導体の断面構造を示したＳＥＭ写真である。図６に示すように、インダクタ導体の上側の略全体にわたって、隙間が形成されていることが分かる。一方、インダクタ導体の横方向の両端の下側にも、僅かに隙間が形成されていることが分かる。よって、絶縁体層１６ｃと第１の部分２０ａとの接触面積は、絶縁体層１６ｄと第２の部分２２ａとの接触面積よりも小さければよい。同様の理由により、絶縁体層１６ｄと第１の部分２０ｂとの接触面積は、絶縁体層１６ｅと第２の部分２２ｂとの接触面積よりも小さければよく、絶縁体層１６ｅと第１の部分２０ｃとの接触面積は、絶縁体層１６ｆと第２の部分２２ｃとの接触面積よりも小さければよい。
【産業上の利用可能性】
【００６１】
以上のように、本発明は、電子部品及び電子部品の製造方法に有用であり、特に、残留応力の発生を抑制できる点において優れている。
【符号の説明】
【００６２】
Ｐ１，Ｐ２  金属粒子
１０ａ  電子部品
１２  積層体
１６ａ〜１６ｉ  絶縁体層
１８ａ，１８ｂ  インダクタ導体
２０ａ〜２０ｃ  第１の部分
２２ａ〜２２ｃ  第２の部分
【図１】
2015070172.tif 000003
【図２】
2015070172.tif 000004
【図３Ａ】
2015070172.tif 000005
【図３Ｂ】
2015070172.tif 000006
【図４】
2015070172.tif 000007
【図５】
2015070172.tif 000008
【図６】
2015070172.tif 000009