(57)【要約】【課題】レーザー発振を抑制しつつ、高出力化を図ることができる発光装置を提供する。【解決手段】発光装置１００は、電流が注入されて光を発生させることが可能な活性層１０６と、活性層１０６を挟む第１クラッド層１０４および第２クラッド層１０８と、活性層１０６の端部に形成される第１傾斜面２０および第２傾斜面２２と、を含み、活性層１０６は、活性層１０６にて発生した光２ａ，２ｂを導波させる光導波路１０７を構成し、光導波路１０７は、第１傾斜面２０と第２傾斜面２２とを接続し、オフ基板のオフ方向に沿って延在し、第１傾斜面２０および第２傾斜面２２は、当該傾斜面２０，２２の法線方向Ｐ１，Ｐ２と第１クラッド層１０４および活性層１０６の積層方向とのなす角度が４５度ではない。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
電流が注入されて光を発生させることが可能な活性層と、
前記活性層を挟む第１クラッド層および第２クラッド層と、
前記活性層の端部に形成される第１傾斜面および第２傾斜面と、
を含み、
前記活性層は、前記活性層にて発生した光を導波させる光導波路を構成し、
前記光導波路は、前記第１傾斜面と前記第２傾斜面とを接続し、オフ基板のオフ方向に沿って延在し、
前記第１傾斜面および前記第２傾斜面は、当該傾斜面の法線方向と前記第１クラッド層および前記活性層の積層方向とのなす角度が４５度ではない、ことを特徴とする発光装置。
【請求項２】
前記第１傾斜面および前記第２傾斜面によって、前記活性層にて発生した光を前記第１クラッド層の方向へ反射させる、ことを特徴とする請求項１に記載の発光装置。
【請求項３】
前記第１クラッド層は、表面に曲面が形成されている、ことを特徴とする請求項２に記載の発光装置。
【請求項４】
前記第１クラッド層の前記活性層とは反対側にバッファー層が設けられている、ことを特徴とする請求項２に記載の発光装置。
【請求項５】
前記バッファー層は、表面に曲面が形成されている、ことを特徴とする請求項４に記載の発光装置。
【請求項６】
前記バッファー層の表面および前記第１クラッド層の表面にまたがった曲面が形成されている、ことを特徴とする請求項４に記載の発光装置。
【請求項７】
前記オフ基板のオフ角をθとすると、前記第１傾斜面の法線と前記積層方向とのなす角は４５度＋θであり、前記第２傾斜面の法線と前記積層方向とのなす角は４５度−θである、ことを特徴とする請求項１ないし６のいずれか１項に記載の発光装置。
【請求項８】
オフ基板の上方に、第１クラッド層、活性層、第２クラッド層をこの順で積層して積層体を形成する工程と、
前記積層体をエッチングして、前記活性層の端部に第１傾斜面および第２傾斜面を形成する工程と、
を含み、
前記第１傾斜面および前記第２傾斜面を形成する工程において、当該傾斜面の法線方向と前記第１クラッド層および前記活性層の積層方向とのなす角度が４５度にならないように形成され、
前記活性層は、前記活性層にて発生した光を導波させる光導波路を構成し、
前記光導波路は、前記第１傾斜面と前記第２傾斜面とを接続し、前記オフ基板のオフ方向に沿って延在する、ことを特徴とする発光装置の製造方法。
【請求項９】
前記積層体の前記第２クラッド層側に支持基板を貼り付ける工程と、
前記積層体から前記オフ基板を剥がす工程と、
を含む、ことを特徴とする請求項８に記載の発光装置の製造方法。
【請求項１０】
前記積層体を形成する工程では、前記第１クラッド層を形成する前に、前記オフ基板の上方にバッファー層を形成する、ことを特徴とする請求項９に記載の発光装置の製造方法
。
【請求項１１】
前記オフ基板を剥がす工程の後に、前記バッファー層上にレジストを形成する工程と、
前記レジストを加熱して溶かした後に、当該レジストの形状を前記バッファー層に転写して、前記バッファー層の表面に曲面を形成する工程と、
を含む、ことを特徴とする請求項１０に記載の発光装置の製造方法。
【請求項１２】
前記オフ基板を剥がす工程の後に、前記第１クラッド層上にレジストを形成する工程と、
前記レジストを加熱して溶かした後に、当該レジストの形状を前記第１クラッド層に転写して、前記第１クラッド層の表面に曲面を形成する工程と、
を含む、ことを特徴とする請求項９に記載の発光装置の製造方法。
【請求項１３】
前記オフ基板を剥がす工程の後に、前記バッファー層上にレジストを形成する工程と、
前記レジストを加熱して溶かした後に、当該レジストの形状を前記バッファー層および前記第１クラッド層に転写して、前記バッファー層の表面および前記第１クラッド層の表面にまたがる曲面を形成する工程と、
を含む、ことを特徴とする請求項１０に記載の発光装置の製造方法。
【請求項１４】
請求項１ないし７のいずれか１項に記載の発光装置と、
前記発光装置から射出された光を、画像情報に応じて変調する光変調装置と、
前記光変調装置によって形成された画像を投射する投射装置と、
を含む、ことを特徴とするプロジェクター。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、発光装置およびその製造方法、並びにプロジェクターに関する。
【背景技術】
【０００２】
スーパールミネッセントダイオード（Ｓｕｐｅｒ  Ｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｔ  Ｄｉｏｄｅ、以下「ＳＬＤ」ともいう）は、通常の発光ダイオードと同様にインコヒーレント性を示し、かつ広帯域なスペクトル形状を示しながら、光出力特性では半導体レーザーと同様に単一の素子で数百ｍＷ程度までの出力を得ることが可能な半導体発光装置である。
【０００３】
チップの両端面から光を射出するＳＬＤの場合、ＳＬＤから得られる光を無駄なく利用するためには、両端面からの光を同じ方向に向けることが望ましい。
【０００４】
射出光の方向を揃える方法として、例えば特許文献１に記載の発光装置では、半導体層の積層方向に光を折り曲げて射出する構成が開示されている。この特許文献１に記載の発光装置では、光を折り曲げるための反射鏡面は、発振を抑制するために４５度からわずかに傾いている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開平８−２８８５４３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかしながら、特許文献１に記載の発光装置では、光導波路の延在方向とオフ基板のオフ方向の関係については記載がなく、光導波路内を導波する光の利得を高めることができない場合がある。
【０００７】
本発明のいくつかの態様に係る目的の１つは、レーザー発振を抑制しつつ、高出力化を図ることができる発光装置およびその製造方法を提供することにある。また、本発明のいくつかの態様に係る目的の１つは、上記発光装置を有するプロジェクターを提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明に係る発光装置は、
電流が注入されて光を発生させることが可能な活性層と、
前記活性層を挟む第１クラッド層および第２クラッド層と、
前記活性層の端部に形成される第１傾斜面および第２傾斜面と、
を含み、
前記活性層は、前記活性層にて発生した光を導波させる光導波路を構成し、
前記光導波路は、前記第１傾斜面と前記第２傾斜面とを接続し、オフ基板のオフ方向に沿って延在し、
前記第１傾斜面および前記第２傾斜面は、当該傾斜面の法線方向と前記第１クラッド層および前記活性層の積層方向とのなす角度が４５度ではない。
【０００９】
このような発光装置では、例えば、光導波路がオフ方向と異なる方向に沿って延在している場合と比べて、光導波路内を導波する光が受ける利得を大きくすることができ、高出力化を図ることができる。さらに、このような発光装置では、第１傾斜面および第２傾斜
面は、当該傾斜面の法線方向と第１クラッド層および活性層の積層方向とのなす角度が４５度ではないため、光導波路を導波して第１傾斜面および第２傾斜面で反射された光が、再び光導波路に戻ることを抑制することができる。これにより、レーザー発振を抑制することができる。
【００１０】
本発明に係る発光装置において、
前記第１傾斜面および前記第２傾斜面によって、前記活性層にて発生した光を前記第１クラッド層の方向へ反射させてもよい。
【００１１】
このような発光装置では、レーザー発振を抑制しつつ、高出力化を図ることができる。
【００１２】
本発明に係る発光装置において、
前記第１クラッド層は、表面に曲面が形成されていてもよい。
【００１３】
このような発光装置では、例えば、第１傾斜面および第２傾斜面で反射されて第１クラッド層の表面から射出される光の放射角度を制御することができる。
【００１４】
本発明に係る発光装置において、
前記第１クラッド層の前記活性層とは反対側にバッファー層が設けられていてもよい。
【００１５】
このような発光装置では、レーザー発振を抑制しつつ、高出力化を図ることができる。
【００１６】
本発明に係る発光装置において、
前記バッファー層は、表面に曲面が形成されていてもよい。
【００１７】
このような発光装置では、例えば、第１傾斜面および第２傾斜面で反射されてバッファー層の表面から射出される光の放射角度を制御することができる。
【００１８】
本発明に係る発光装置において、
前記バッファー層の表面および前記第１クラッド層の表面にまたがった曲面が形成されていてもよい。
【００１９】
このような発光装置では、例えば、第１傾斜面および第２傾斜面で反射されてバッファー層の表面および第１クラッド層の表面から射出される光の放射角度を制御することができる。
【００２０】
本発明に係る発光装置において、
前記オフ基板のオフ角をθとすると、前記第１傾斜面の法線と前記積層方向とのなす角は４５度＋θであり、前記第２傾斜面の法線と前記積層方向とのなす角は４５度−θであってもよい。
【００２１】
このような発光装置では、光導波路を導波して第１傾斜面および第２傾斜面で反射された光が、再び光導波路に戻ることを抑制することができる。
【００２２】
本発明に係る発光装置の製造方法は、
オフ基板の上方に、第１クラッド層、活性層、第２クラッド層をこの順で積層して積層体を形成する工程と、
前記積層体をエッチングして、前記活性層の端部に第１傾斜面および第２傾斜面を形成する工程と、
を含み、
前記第１傾斜面および前記第２傾斜面を形成する工程において、当該傾斜面の法線方向と前記第１クラッド層および前記活性層の積層方向とのなす角度が４５度にならないように形成され、
前記活性層は、前記活性層にて発生した光を導波させる光導波路を構成し、
前記光導波路は、前記第１傾斜面と前記第２傾斜面とを接続し、前記オフ基板のオフ方向に沿って延在する。
【００２３】
このような発光装置の製造方法では、レーザー発振を抑制しつつ、高出力化を図ることができる発光装置を容易に製造することができる。
【００２４】
なお、本発明に係る記載では、「上方」という文言を、例えば、「特定のもの（以下、「Ａ」という）の「上方」に他の特定のもの（以下、「Ｂ」という）を形成する」などと用いる場合に、Ａ上に直接Ｂを形成するような場合と、Ａ上に他のものを介してＢを形成するような場合とが含まれるものとして、「上方」という文言を用いている。
【００２５】
本発明に係る発光装置の製造方法において、
前記積層体の前記第２クラッド層側に支持基板を貼り付ける工程と、
前記積層体から前記オフ基板を剥がす工程と、
を含んでいてもよい。
【００２６】
このような発光装置の製造方法では、例えば、ジャンクションダウン実装することができる。
【００２７】
本発明に係る発光装置の製造方法において、
前記積層体を形成する工程では、前記第１クラッド層を形成する前に、前記オフ基板の上方にバッファー層を形成してもよい。
【００２８】
このような発光装置の製造方法では、レーザー発振を抑制しつつ、高出力化を図ることができる発光装置を容易に製造することができる。
【００２９】
本発明に係る発光装置の製造方法において、
前記オフ基板を剥がす工程の後に、前記バッファー層上にレジストを形成する工程と、
前記レジストを加熱して溶かした後に、当該レジストの形状を前記バッファー層に転写して、前記バッファー層の表面に曲面を形成する工程と、
を含んでいてもよい。
【００３０】
このような発光装置の製造方法では、例えば高価なガラスプリズム等の光学素子を用いることなく、レーザー発振を抑制しつつ第１クラッド層および活性層の積層方向に光を射出することができる発光装置を製造することができる。また、例えばプリズム等の光学素子を用いた場合、光学素子と発光素子との間のアライメントが難しいという問題があるが、このような発光装置の製造方法では、このような問題が生じないため、製造が容易である。
【００３１】
本発明に係る発光装置の製造方法において、
前記オフ基板を剥がす工程の後に、前記第１クラッド層上にレジストを形成する工程と、
前記レジストを加熱して溶かした後に、当該レジストの形状を前記第１クラッド層に転写して、前記第１クラッド層の表面に曲面を形成する工程と、
を含んでいてもよい。
【００３２】
このような発光装置の製造方法では、例えば高価なガラスプリズム等の光学素子を用いることなく、レーザー発振を抑制しつつ第１クラッド層および活性層の積層方向に光を射出することができる発光装置を製造することができる。また、例えばプリズム等の光学素子を用いた場合、光学素子と発光素子との間のアライメントが難しいという問題があるが、このような発光装置の製造方法では、このような問題が生じないため、製造が容易である。
【００３３】
本発明に係る発光装置の製造方法において、
前記オフ基板を剥がす工程の後に、前記バッファー層上にレジストを形成する工程と、
前記レジストを加熱して溶かした後に、当該レジストの形状を前記バッファー層および前記第１クラッド層に転写して、前記バッファー層の表面および前記第１クラッド層の表面にまたがる曲面を形成する工程と、
を含んでいてもよい。
【００３４】
このような発光装置の製造方法では、例えば高価なガラスプリズム等の光学素子を用いることなく、レーザー発振を抑制しつつ第１クラッド層および活性層の積層方向に光を射出することができる発光装置を製造することができる。また、例えばプリズム等の光学素子を用いた場合、光学素子と発光素子との間のアライメントが難しいという問題があるが、このような発光装置の製造方法では、このような問題が生じないため、製造が容易である。
【００３５】
本発明に係るプロジェクターは、
本発明に係る発光装置と、
前記発光装置から射出された光を、画像情報に応じて変調する光変調装置と、
前記光変調装置によって形成された画像を投射する投射装置と、
を含む。
【００３６】
このようなプロジェクターでは、レーザー発振を抑制しつつ高出力化を図ることができる発光装置を含むため、例えば、スペックルノイズが低減された良好な画像を得ることができる。
【図面の簡単な説明】
【００３７】
【図１】第１実施形態に係る発光装置を模式的に示す断面図。
【図２】第１実施形態に係る発光装置を模式的に示す平面図。
【図３】第１実施形態に係る発光装置を模式的に示す断面図。
【図４】第１実施形態に係る発光装置の製造方法の一例を示すフローチャート。
【図５】第１実施形態に係る発光装置の製造工程を模式的に示す断面図。
【図６】第１実施形態に係る発光装置の製造工程を模式的に示す断面図。
【図７】第１実施形態に係る発光装置の製造工程を模式的に示す断面図。
【図８】第１実施形態に係る発光装置の製造工程を模式的に示す断面図。
【図９】第１実施形態に係る発光装置の製造工程を模式的に示す断面図。
【図１０】第１実施形態に係る発光装置の製造工程を模式的に示す断面図。
【図１１】第１実施形態に係る発光装置の製造工程を模式的に示す断面図。
【図１２】第１実施形態に係る発光装置の製造工程を模式的に示す断面図。
【図１３】第２実施形態に係る発光装置を模式的に示す断面図。
【図１４】第２実施形態に係る発光装置の製造方法の一例を示すフローチャート。
【図１５】第２実施形態に係る発光装置の製造工程を模式的に示す断面図。
【図１６】第２実施形態に係る発光装置の製造工程を模式的に示す断面図。
【図１７】第３実施形態に係る発光装置を模式的に示す断面図。
【図１８】第３実施形態に係る発光装置の製造方法の一例を示すフローチャート。
【図１９】第３実施形態に係る発光装置の製造工程を模式的に示す断面図。
【図２０】第４実施形態に係る発光装置を模式的に示す断面図。
【図２１】第４実施形態に係る発光装置の製造方法の一例を示すフローチャート。
【図２２】第５実施形態に係る発光装置を模式的に示す断面図。
【図２３】第５実施形態に係る発光装置の製造方法の一例を示すフローチャート。
【図２４】第６実施形態に係るプロジェクターを模式的に示す図。
【発明を実施するための形態】
【００３８】
以下、本発明の好適な実施形態について、図面を用いて詳細に説明する。なお、以下に説明する実施形態は、特許請求の範囲に記載された本発明の内容を不当に限定するものではない。また、以下で説明される構成の全てが本発明の必須構成要件であるとは限らない。
【００３９】
１．  第１実施形態
１．１．  発光装置
まず、第１実施形態に係る発光装置について、図面を参照しながら説明する。図１は、第１実施形態に係る発光装置１００を模式的に示す断面図である。図２は、第１実施形態に係る発光装置１００を模式的に示す平面図である。図３は、第１実施形態に係る発光装置１００を模式的に示す断面図である。
【００４０】
なお、図１は、図２のＩ−Ｉ線断面図であり、図３は、図２のＩＩＩ−ＩＩＩ線断面図である。また、図２では、便宜上、支持基板４０および第１電極３０の図示を省略している。図１〜図３には、互いに直交する３つの軸として、Ｘ軸、Ｙ軸、Ｚ軸を図示している。
【００４１】
発光装置１００は、図１〜図３に示すように、積層体１０と、第１傾斜面２０と、第２傾斜面２２と、第１電極３０と、第２電極３２と、支持基板４０と、を含む。以下では、発光装置１００がＩｎＧａＡｌＰ系（赤色）のＳＬＤである場合について説明する。
【００４２】
積層体１０は、図１および図３に示すように、バッファー層１０２と、第１クラッド層１０４と、活性層１０６と、第２クラッド層１０８と、コンタクト層１１０と、絶縁層１１２と、を含む。後述するように、積層体１０を構成する各半導体層１０２，１０４，１０６，１０８，１１０は、オフ基板１０１（図５参照）上に、バッファー層１０２、第１クラッド層１０４、活性層１０６、第２クラッド層１０８、コンタクト層１１０をこの順でエピタキシャル成長させることにより形成される。
【００４３】
図１に示す例では、積層体１０は、コンタクト層１１０側を下（バッファー層１０２側を上）にして支持基板４０に支持されている。積層体１０では、活性層１０６にて発生した光２ａ，２ｂが光導波路１０７を導波して傾斜面２０，２２で反射され、第１クラッド層１０４およびバッファー層１０２を通って、バッファー層１０２のレンズ面１０３ａ，１０３ｂから射出光４ａ，４ｂとして射出される。
【００４４】
バッファー層１０２は、第１クラッド層１０４の活性層１０６が設けられる面とは反対側の面に設けられている。バッファー層１０２は、例えば、第１導電型（例えばｎ型）のＧａＡｓ層、ＡｌＧａＡｓ層、ＩｎＧａＰ層等である。バッファー層１０２は、エピタキシャル成長させる際に、その上方に形成される層の結晶性を向上させることができる。
【００４５】
バッファー層１０２の表面１０３（バッファー層１０２の第１クラッド層１０４が設けられる面とは反対側の面）の一部は、レンズ形状を有するレンズ面（曲面）１０３ａ，１０３ｂとなっている。レンズ面１０３ａ，１０３ｂは、図示の例では、２つ設けられてい
る。第１レンズ面１０３ａには、活性層１０６の第１傾斜面２０で反射された光が入射する。第２レンズ面１０３ｂには、活性層１０６の第２傾斜面２２で反射された光が入射する。レンズ面１０３ａ，１０３ｂは、例えば、球面である。第１レンズ面１０３ａの曲率と第２レンズ面１０３ｂの曲率は、例えば、同じである。
【００４６】
発光装置１００では、レンズ面１０３ａ，１０３ｂの位置や形状によって、射出光４ａ，４ｂの射出方向や放射角度を制御することができる。例えば、第１レンズ面１０３ａおよび第２レンズ面１０３ｂによって、第１射出光４ａおよび第２射出光４ｂを、同一の方向または集光する方向に射出することができる。また、第１レンズ面１０３ａおよび第２レンズ面１０３ｂによって、第１射出光４ａおよび第２射出光４ｂの各々の放射角度を狭くしたり、あるいは平行化したりすることができる。
【００４７】
例えば、図１に示すように、光導波路１０７と第１傾斜面２０とが接続する第１接続部２０ａの中心から、第１クラッド層１０４および活性層１０６の積層方向、すなわち積層体１０の積層方向（図示の例ではＺ軸方向）に仮想直線Ｌ１を引いたときに、第１レンズ面１０３ａは、第１レンズ面１０３ａの中心が仮想直線Ｌ１上に位置するように設けられている。言い換えれば、第１レンズ面１０３ａの中心軸と仮想直線Ｌ１とは重なっている。すなわち、例えば、図２に示すように、平面視において（積層体１０の積層方向から見て）、第１レンズ面１０３ａの中心と第１接続部２０ａの中心とは重なっている。これにより、第１傾斜面２０で反射されて第１レンズ面１０３ａに入射する光を、第１レンズ面１０３ａのうちの第１レンズ面１０３ａの中心から＋Ｘ軸方向にずれた面に入射させることができる。そのため、第１射出光４ａの光軸を、支持基板４０の主面（積層体１０を支持している面）に対して垂直な方向、すなわち、積層体１０の積層方向に近づけることができる。
【００４８】
同様に、図１に示すように、光導波路１０７と第２傾斜面２２とが接続する第２接続部２２ａの中心から、積層体１０の積層方向に仮想直線Ｌ２を引いたときに、第２レンズ面１０３ｂは、第２レンズ面１０３ｂの中心が仮想直線Ｌ２上に位置するように設けられている。言い換えれば、第２レンズ面１０３ｂの中心軸と仮想直線Ｌ２とは重なっている。すなわち、例えば、図２に示すように、平面視において、第２レンズ面１０３ｂの中心と第２接続部２２ａの中心とは重なっている。これにより、第２傾斜面２２で反射されて第２レンズ面１０３ｂに入射する光を、第２レンズ面１０３ｂのうちの第２レンズ面１０３ｂの中心から＋Ｘ軸方向にずれた面に入射させることができる。そのため、第２射出光４ｂの光軸を、支持基板４０の主面に対して垂直な方向、すなわち、積層体１０の積層方向に近づけることができる。
【００４９】
なお、図示はしないが、バッファー層１０２の表面１０３には、反射防止膜が設けられていてもよい。バッファー層１０２の表面１０３上に反射防止膜を設けることにより、活性層１０６にて発生した光の波長帯におけるバッファー層１０２の表面１０３の反射率を低減できる。反射防止膜としては、例えば、ＳｉＯ２層、Ｔａ２Ｏ５層、Ａｌ２Ｏ３層、ＴｉＮ層、ＴｉＯ２層、ＳｉＯＮ層、ＳｉＮ層や、これらの多層膜を用いることができる。
【００５０】
第１クラッド層１０４は、バッファー層１０２の下に形成されている。第１クラッド層１０４は、例えば、ｎ型のＩｎＧａＡｌＰ層である。
【００５１】
活性層１０６は、第１クラッド層１０４の下に形成されている。活性層１０６は、第１クラッド層１０４および第２クラッド層１０８で挟まれている。活性層１０６は、例えば、ＩｎＧａＰウェル層とＩｎＧａＡｌＰバリア層とから構成される量子井戸構造を３つ重ねた多重量子井戸（ＭＱＷ）構造を有している。活性層１０６の−Ｘ軸方向側の端部には
、第１傾斜面２０が形成されている。また、活性層１０６の＋Ｘ軸方向側の端部には、第２傾斜面２２が形成されている。第１傾斜面２０および第２傾斜面２２は、活性層１０６の上面と下面とを接続する活性層１０６の側面である。
【００５２】
活性層１０６は、電流が注入されて光２ａ，２ｂを発生させることが可能な層である。活性層１０６の一部は、活性層１０６にて発生した光２ａ，２ｂを導波させる光導波路１０７を構成している。光導波路１０７を導波する光２ａ，２ｂは、光導波路１０７の電流が注入される部分において、利得を受けることができる。
【００５３】
光導波路１０７は、第１傾斜面２０と第２傾斜面２２とを接続している。光導波路１０７は、第１傾斜面２０と第２傾斜面２２との間に延在している。光導波路１０７は、図２に示すように平面視において、第１傾斜面２０と第２傾斜面２２との間に直線状に設けられている。光導波路１０７は、平面視において、所定の幅を有し帯状に設けられている。
【００５４】
光導波路１０７は、オフ基板１０１（図５参照）のオフ方向に沿って延在している。すなわち、光導波路１０７の延在方向とオフ基板１０１のオフ方向とは同じ方向（平行）である。光導波路１０７の延在方向とは、例えば、平面視において、第１接続部２０ａの中心と第２接続部２２ａの中心とを結ぶ仮想直線の方向である。オフ基板１０１のオフ方向は、図示の例では、Ｘ軸方向である。光導波路１０７は、図２に示すように平面視において、長方形であり、その長辺の方向がオフ基板１０１のオフ方向である。
【００５５】
ここで、光導波路１０７がオフ基板１０１のオフ方向に沿って延在しているとは、光導波路１０７の延在方向がオフ方向と同じ方向（平行）である場合と、光導波路１０７の延在方向がオフ方向に実質的に同じ方向である場合と、を含む。例えば、光導波路１０７の延在方向とオフ方向とのずれが製造誤差の範囲内にあるならば、光導波路１０７の延在方向がオフ方向に実質的に同じ方向であるといえる。製造誤差の範囲は、例えば、光導波路１０７の延在方向とオフ方向とのずれが±２度以内の範囲である。
【００５６】
また、オフ基板とは、特定の結晶面の法線方向を、所定の方向に、所定の角度だけ傾けた方向を法線方向とする面を主面とする基板である。この所定の方向を、オフ方向といい、所定の角度をオフ角度という。なお、特定の結晶面とは、例えば、（ａｂｃ）面（ただし、ａ，ｂ，ｃは０または１）で表される低指数面である。また、オフ方向は、前記特定の結晶面の傾斜方向ということができる。また、オフ角度は、オフ基板の主面の法線と前記特定の結晶面の法線とがなす角度ということができる。オフ角度の範囲は、例えば、１度以上１５度以下である。
【００５７】
例えば、オフ基板１０１（図５参照）は、（１００）面の法線方向を、［０１１］方向に１０度傾けた方向を法線方向とする面を主面とする基板である。このとき、前記特定の面は（１００）面であり、オフ方向は［０１１］方向であり、オフ角度は１０度である。
【００５８】
なお、オフ基板１０１のオフ方向は、例えば、活性層１０６のオフ方向と言い換えることができ、オフ基板１０１のオフ角度は、例えば、活性層１０６のオフ角度と言い換えることができる。同様に、オフ基板１０１のオフ方向は、例えば、第１クラッド層１０４（または第２クラッド層１０８）のオフ方向と言い換えることができ、オフ基板１０１のオフ角度は、例えば、第１クラッド層１０４（または第２クラッド層１０８）のオフ角度と言い換えることができる。以下、その理由について説明する。
【００５９】
積層体１０を構成している各半導体層１０２，１０４，１０６，１０８，１１０は、オフ基板１０１上にエピタキシャル成長させることによって形成される。そのため、積層体１０を構成している各半導体層１０２，１０４，１０６，１０８，１１０は、オフ基板１
０１の結晶構造を反映した結晶構造を有し、オフ基板１０１と同じオフ方向、オフ角度を有する。したがって、上記のような言い換えが可能である。
【００６０】
第１傾斜面２０は、活性層１０６にて発生した光２ａを第１クラッド層１０４の方向へ反射させる。図示の例では、第１傾斜面２０は、光導波路１０７を水平方向（−Ｘ軸方向）に導波する光２ａを、鉛直方向（＋Ｚ軸方向）に向けて反射させる。
【００６１】
第１傾斜面２０は、図１に示すように、第１傾斜面２０の法線Ｐ１と積層体１０の積層方向（Ｚ軸方向）とのなす角度Ａが、４５度ではない。具体的には、第１傾斜面２０は、図１に示すように、第１傾斜面２０の法線Ｐ１と積層体１０の積層方向とのなす角度Ａは、４５度＋θである。そのため、光導波路１０７を導波して第１傾斜面２０に入射する光２ａの入射角は、４５度−θとなる。したがって、第１傾斜面２０で反射された光は、＋Ｚ軸方向から＋Ｘ軸方向（時計回り）に＋２θだけ傾いた方向に進行する。ここで、θは、積層体１０が形成されるオフ基板１０１のオフ角度である。
【００６２】
第２傾斜面２２は、活性層１０６にて発生した光２ｂを第１クラッド層１０４の方向へ反射させる。図示の例では、第２傾斜面２２は、光導波路１０７を水平方向（＋Ｘ軸方向）に導波する光２ｂを、鉛直方向（＋Ｚ軸方向）に向けて反射させる。
【００６３】
第２傾斜面２２は、第２傾斜面２２の法線Ｐ２と積層体１０の積層方向とのなす角度Ｂが、４５度ではない。具体的には、第２傾斜面２２は、第２傾斜面２２の法線Ｐ２と積層体１０の積層方向（Ｚ軸方向）とのなす角度Ｂは、４５度−θである。そのため、光導波路１０７を導波して第２傾斜面２２に入射する光２ｂの入射角は、４５度＋θとなる。したがって、第２傾斜面２２で反射された光は、＋Ｚ軸方向から＋Ｘ軸方向（時計回り）に＋２θだけ傾いた方向に進行する。
【００６４】
積層体１０では、例えば、活性層１０６の第１傾斜面２０と、バッファー層１０２の−Ｘ軸方向側の側面と、第１クラッド層１０４の−Ｘ軸方向側の側面と、第２クラッド層１０８の−Ｘ軸方向側の側面と、コンタクト層１１０の−Ｘ軸方向側の側面とは、連続して１つの傾斜面を構成している。同様に、例えば、活性層１０６の第２傾斜面２２と、バッファー層１０２の＋Ｘ軸方向側の側面と、第１クラッド層１０４の＋Ｘ軸方向側の側面と、第２クラッド層１０８の＋Ｘ軸方向側の側面と、コンタクト層１１０の＋Ｘ軸方向側の側面とは、連続して１つの傾斜面を構成している。
【００６５】
第２クラッド層１０８は、活性層１０６の下に形成されている。第２クラッド層１０８は、例えば、第２導電型（例えばｐ型）のＩｎＧａＡｌＰ層である。クラッド層１０４，１０８は、活性層１０６よりもバンドギャップが大きく、屈折率が小さい層である。クラッド層１０４，１０８は、活性層１０６を挟んで、注入キャリア（電子および正孔）並びに光を活性層１０６に閉じ込める機能（光の漏れを抑制する機能）を有している。
【００６６】
発光装置１００では、ｐ型の第２クラッド層１０８、不純物がドーピングされていない活性層１０６、およびｎ型の第１クラッド層１０４により、ｐｉｎダイオードが構成される。発光装置１００では、電極３０，３２間に、ｐｉｎダイオードの順バイアス電圧を印加する（電流を注入する）と、活性層１０６の電流が注入される領域において電子と正孔との再結合が起こる。この再結合により発光が生じる。この生じた光を起点として、連鎖的に誘導放出が起こり、電流が注入される活性層１０６内に光導波路１０７が形成され、光の強度が増幅される。光導波路１０７は、光２ａ，２ｂを閉じ込めて導波させる活性層１０６と、光２ａ，２ｂの漏れを抑制するクラッド層１０４，１０８と、によって構成されている。
【００６７】
コンタクト層１１０は、図１に示すように、第２クラッド層１０８の下に形成されている。コンタクト層１１０は、第２電極３２とオーミックコンタクトしている。例えば、コンタクト層１１０の下面（第２電極３２との接触面）の平面形状は、光導波路１０７の平面形状と同じである。コンタクト層１１０は、例えば、ｐ型のＧａＡｓ層である。
【００６８】
コンタクト層１１０と第２クラッド層１０８の一部とは、図３に示すように、柱状部１１１を構成している。柱状部１１１の平面形状は、例えば、光導波路１０７の平面形状と同じである。柱状部１１１の平面形状によって、電極３０，３２間の電流経路が決定される。なお、図示はしないが、柱状部１１１の側面を傾斜させてもよい。
【００６９】
絶縁層１１２は、第２クラッド層１０８上であって、柱状部１１１の側方に形成されている。絶縁層１１２は、柱状部１１１の側面に接している。絶縁層１１２の上面は、図３に示すように、コンタクト層１１０の下面と連続していてもよい。絶縁層１１２は、例えば、ＳｉＮ層、ＳｉＯ２層、ＳｉＯＮ層、Ａｌ２Ｏ３層、ポリイミド層である。絶縁層１１２として上記の材料を用いた場合、電極３０，３２間の電流は、絶縁層１１２を避けて、絶縁層１１２に挟まれた柱状部１１１を流れる。
【００７０】
絶縁層１１２は、第２クラッド層１０８の屈折率よりも小さい屈折率を有している。そのため、絶縁層１１２を形成した部分の垂直断面の有効屈折率は、絶縁層１１２を形成しない部分、すなわち、柱状部１１１が形成された部分の垂直断面の有効屈折率よりも小さくなる。これにより、平面方向において、光導波路１０７内に効率よく光２ａ，２ｂを閉じ込めることができる。なお、図示はしないが、絶縁層１１２は、設けられなくてもよい。この場合、柱状部１１１を取り囲む空気が絶縁層１１２と同様の機能を果たす。
【００７１】
第１電極３０は、バッファー層１０２の表面１０３の一部に形成されている。第１電極３０は、例えば、バッファー層１０２の表面１０３のうち、レンズ面１０３ａ，１０３ｂを除いた領域に形成されている。第１電極３０は、第１電極３０とオーミックコンタクトする層（図示の例ではバッファー層１０２）の上面（図示の例では表面１０３）に接して形成されている。第１電極３０は、バッファー層１０２を介して、第１クラッド層１０４と電気的に接続されている。第１電極３０は、発光装置１００を駆動するための一方の電極である。第１電極３０としては、例えば、バッファー層１０２側からＣｒ層、ＡｕＧｅ層、Ｎｉ層、Ａｕ層の順序で積層したものを用いる。
【００７２】
第２電極３２は、コンタクト層１１０の下に形成されている。さらに、第２電極３２は、図３に示すように、絶縁層１１２の下にも形成されていてもよい。第２電極３２は、コンタクト層１１０を介して、第２クラッド層１０８と電気的に接続されている。第２電極３２は、発光装置１００を駆動するための他方の電極である。例えば、電極３０，３２間に位置する活性層１０６（光導波路１０７）は、電流が注入されて光を発生させ、該光の強度を増幅させることができる。第２電極３２としては、例えば、コンタクト層１１０側からＣｒ層、ＡｕＺｎ層、Ａｕ層の順序で積層したものを用いる。
【００７３】
支持基板４０は、積層体１０および電極３０，３２を支持している。図示の例では、接合部材４２によって、支持基板４０と第２電極３２とが固定されている。すなわち、発光装置１００は、ジャンクションダウン実装されている。接合部材４２は、例えば、銀ペーストである。支持基板４０としては、例えば、板状の部材（直方体形状の部材）を用いることができる。支持基板４０の材質は、例えば、シリコン（Ｓｉ）である。なお、支持基板４０の材質はＳｉに限定されず、例えば、Ｃｕ、Ａｌ、Ｍｏ、Ｗ、Ｃ、Ｂｅ、Ａｕや、これらの化合物（例えば、ＡｌＮ、ＢｅＯ、ＳｉＣなど）や合金（例えばＣｕＭｏなど）などの金属であってもよい。図示はしないが、支持基板４０上には、第２電極３２と電気的に接続される配線等が形成されていてもよい。
【００７４】
次に、発光装置１００の動作について説明する。発光装置１００では、電極３０，３２間に、ｐｉｎダイオードの順バイアス電圧を印加すると、活性層１０６にて光２ａ，２ｂが発生する。そして、光導波路１０７を−Ｘ軸方向に導波する光２ａは、第１傾斜面２０で反射されて＋Ｚ軸方向から＋Ｘ軸方向（時計回り）に＋２θだけ傾いた方向に反射される。第１傾斜面２０で反射された光は、第１クラッド層１０４およびバッファー層１０２を通って第１レンズ面１０３ａから射出される。
【００７５】
同様に、光導波路１０７を＋Ｘ軸方向に導波する光２ｂは、第２傾斜面２２で反射されて＋Ｚ軸方向から＋Ｘ軸方向（時計回り）に＋２θだけ傾いた方向に反射される。第２傾斜面２２で反射された光は、第１クラッド層１０４およびバッファー層１０２を通って第２レンズ面１０３ｂから射出される。
【００７６】
ここで、第１傾斜面２０および第２傾斜面２２は、当該傾斜面２０，２２の法線Ｐ１，Ｐ２の方向と積層体１０の積層方向とのなす角度が４５度ではない。そのため、発光装置１００では、傾斜面２０，２２で反射された光が、バッファー層１０２の表面１０３から射出されずに、表面１０３で反射されて再び光導波路１０７に戻ることを防ぐことができる。これにより、発光装置１００では、共振やレーザー発振を抑制することができる。
【００７７】
第１レンズ面１０３ａおよび第２レンズ面１０３ｂによって、第１レンズ面１０３ａから射出された第１射出光４ａおよび第２レンズ面１０３ｂから射出された第２射出光４ｂは、例えば、同じ方向（＋Ｚ軸方向）に進む光（平行光）となる。なお、第１レンズ面１０３ａおよび第２レンズ面１０３ｂによって、第１射出光４ａおよび第２射出光４ｂを、集光する方向に進む光としてもよい。
【００７８】
発光装置１００は、例えば、プロジェクター、ディスプレイ、照明装置、計測装置などの光源に適用されることができる。
【００７９】
発光装置１００は、例えば、以下の特徴を有する。
【００８０】
発光装置１００では、光導波路１０７は、オフ基板１０１のオフ方向に沿って延在している。そのため、発光装置１００では、例えば、光導波路１０７がオフ方向と異なる方向に沿って延在している場合と比べて、光導波路１０７内を導波する光２ａ，２ｂが受ける利得を大きくすることができ、高出力化を図ることができる。以下、その理由について説明する。
【００８１】
活性層において、光導波路内を進行する光が受ける利得は、主に電子の存在確率によって決定され、電子の存在確率が大きいほど利得が大きくなる。オフ基板上の活性層では、電子軌道がオフ方向に揃いやすく、オフ方向に沿って電子の存在確率が大きくなる。したがって、発光装置１００では、光導波路１０７がオフ基板１０１のオフ方向に沿って延在しているため、光導波路１０７がオフ方向と異なる方向に沿って延在している場合と比べて、光導波路１０７内を導波する光２ａ，２ｂが受ける利得を大きくすることができる。
【００８２】
さらに、発光装置１００では、光導波路１０７は、オフ基板１０１のオフ方向に沿って延在していることにより、平面視における素子面積を小さくすることができる。例えば、平面視において、光導波路の延在方向をオフ基板のオフ方向に平行または垂直な方向とは異なる方向にした場合、光導波路の延在方向とオフ基板の劈開方向とが平行とならない。そのため、導波路に平行に（平行四辺形状に）素子を分割することは難しく、平面視における素子面積が大きくなってしまう。これに対して、発光装置１００では、光導波路１０７はオフ基板１０１のオフ方向に沿って延在しているため、光導波路の延在方向とオフ基
板１０１の劈開方向とを平行にすることができる。したがって、発光装置１００では、平面視における素子面積を小さくすることができる。
【００８３】
発光装置１００では、第１傾斜面２０および第２傾斜面２２は、当該傾斜面２０，２２の法線方向と積層体１０の積層方向とのなす角度が４５度ではない。そのため、発光装置１００では、傾斜面２０，２２で反射された光が、バッファー層１０２の表面１０３から射出されずに、表面１０３で反射されて再び光導波路１０７に戻ることを抑制することができる。これにより、発光装置１００では、共振やレーザー発振を抑制することができる。その結果、発光装置１００は、ＳＬＤとして光４ａ，４ｂを射出することができ、例えば、スペックルノイズを低減することができる。
【００８４】
具体的には、発光装置１００では、オフ基板１０１のオフ角をθとすると、第１傾斜面２０の法線Ｐ１と積層体１０の積層方向とのなす角は４５度＋θであり、第２傾斜面２２の法線Ｐ２と積層体１０の積層方向とのなす角は４５度−θである。そのため、発光装置１００では、例えば異方性エッチングによって容易に第１傾斜面２０および第２傾斜面２２を容易に形成することができる。
【００８５】
発光装置１００では、バッファー層１０２の表面１０３がレンズ形状となっている。そのため、発光装置１００では、第１射出光４ａおよび第２射出光４ｂの放射角度を制御することができる。したがって、発光装置１００では、高価なガラスプリズム等の光学素子を用いることなく、共振やレーザー発振を抑制しつつ、積層体１０の積層方向に光４ａ，４ｂを射出することができる。さらに、発光装置１００では、バッファー層１０２の表面１０３がレンズ形状となっているため、バッファー層１０２の表面１０３が平坦な場合と比べて、射出光４ａ，４ｂの射出角度を小さくできる。そのため、射出光４ａ，４ｂの放射パターンの歪みを小さくすることができる。
【００８６】
１．２．  発光装置の製造方法
次に、第１実施形態に係る発光装置の製造方法について、図面を参照しながら説明する。図４は、第１実施形態に係る発光装置の製造方法の一例を示すフローチャートである。図５〜図１２は、第１実施形態に係る発光装置１００の製造工程を模式的に示す断面図である。なお、図５、図７〜図１２は、図１に対応しているが、図５、図７、図８では、便宜上、図１とは上下を逆に図示している。また、図６は、図３に対応しているが、図６では、便宜上、図３と上下を逆に図示している。
【００８７】
図５に示すように、オフ基板１０１上に、犠牲層１１、および積層体１０を形成する（工程Ｓ１０）。
【００８８】
オフ基板１０１は、例えば、ｎ型のＧａＡｓ基板である。例えば、オフ基板１０１は、（１００）面の法線方向を、［０１１］方向に１０度傾けた方向を法線方向とする面を主面とする基板である。ここでは、オフ基板１０１のオフ方向はＸ軸方向とし、オフ基板１０１のオフ角度をθとする。
【００８９】
犠牲層１１は、例えば、ＡｌｘＧａ１−ｘＡｓ（ｘ≧０．９５）層である。犠牲層１１の膜厚は、例えば、数十ｎｍ程度である。
【００９０】
犠牲層１１および積層体１０は、例えば、オフ基板１０１上に、犠牲層１１、バッファー層１０２、第１クラッド層１０４、活性層１０６、第２クラッド層１０８、コンタクト層１１０をこの順でエピタキシャル成長させて積層することで形成される（工程Ｓ１０）。エピタキシャル成長させる方法としては、例えば、ＭＯＣＶＤ（Ｍｅｔａｌ  Ｏｒｇａｎｉｃ  Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｖａｐｏｒ  Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法、ＭＢＥ（Ｍｏｌｅ
ｃｕｌａｒ  Ｂｅａｍ  Ｅｐｉｔａｘｙ）法が挙げられる。
【００９１】
なお、図示はしないが、オフ基板１０１と犠牲層１１との間に、さらに、バッファー層を設けてもよい。当該バッファー層は、例えば、ＧａＡｓ層、ＡｌＧａＡｓ層、ＩｎＧａＰ層等である。
【００９２】
図６に示すように、コンタクト層１１０および第２クラッド層１０８をパターニングして柱状部１１１を形成する。パターニングは、例えば、フォトリソグラフィーおよびエッチングによって行われる。柱状部１１１は、オフ基板１０１のオフ方向に沿って延在するように形成される。ここで、柱状部１１１の平面形状によって、電極３０，３２間の電流経路が決定され、光導波路１０７の平面形状が決まる。したがって、本工程において、柱状部１１１をオフ基板１０１のオフ方向に沿って延在するように形成することで、発光装置１００において、図１および図２に示すように、光導波路１０７をオフ基板１０１のオフ方向に沿って延在させることができる。
【００９３】
次に、柱状部１１１の側面を覆うように絶縁層１１２を形成する。具体的には、まず、例えば、ＣＶＤ法、塗布法などにより、第２クラッド層１０８の上方（コンタクト層１１０上を含む）に絶縁層（図示せず）を成膜する。次に、例えば、エッチング技術などを用いて、コンタクト層１１０の上面を露出させる。以上の工程により、絶縁層１１２を形成することができる。
【００９４】
図７に示すように、積層体１０、犠牲層１１、およびオフ基板１０１の一部をエッチングして、活性層１０６の端部に傾斜面２０，２２を形成する（工程Ｓ１２）。
【００９５】
エッチングは、例えば、ウエットエッチングにより行うことができる。エッチング液としては、Ｈ２ＳＯ４とＨ２Ｏ２とＨ２Ｏの混合液を用いることができる。これにより、所定の結晶面によるエッチング速度の違いを利用した異方性エッチングを行うことができる。異方性エッチングを行うことにより、積層体１０を構成する各半導体層１０２，１０４，１０６，１０８，１１０、犠牲層１１、およびオフ基板１０１の所定の結晶面（例えば（１１１）面）によって、積層体１０の積層方向に対して４５度−θ傾いた傾斜面が−Ｘ軸方向側に形成される。そのため、活性層１０６の−Ｘ軸方向側の端部には、第１傾斜面２０が形成される。同様に、積層体１０を構成する各半導体層１０２，１０４，１０６，１０８，１１０、犠牲層１１、およびオフ基板１０１の所定の結晶面によって、積層体１０の積層方向に対して４５度＋θ傾いた傾斜面が＋Ｘ軸方向側に形成される。そのため、活性層１０６の＋Ｘ軸方向側の端部には、第２傾斜面２２が形成される。このように、本工程Ｓ１２では、第１傾斜面２０および第２傾斜面２２が、当該傾斜面２０，２２の法線方向と第１クラッド層１０４および活性層１０６の積層方向とのなす角度が４５度にならないように形成される。
【００９６】
なお、ここでは、ウエットエッチングのみによって傾斜面２０，２２を形成したが、事前にドライエッチングを行った後にウエットエッチングを行うことによって、傾斜面２０，２２を形成してもよい。この方法により、例えば、ウエットエッチングにおいて、活性層１０６と、第１クラッド層１０４、第２クラッド層１０８とのエッチング速度が異なる場合においても、面一な傾斜面２０，２２を容易に形成することができる。
【００９７】
図８に示すように、コンタクト層１１０上に第２電極３２を形成する（工程Ｓ１４）。第２電極３２は、例えば、真空蒸着法やスパッタ法などにより形成される。
【００９８】
なお、ここでは、活性層１０６の端部に傾斜面２０，２２を形成する工程Ｓ１２の後に、第２電極３２を形成する工程Ｓ１４を行ったが、第２電極３２を形成する工程の後に、
活性層１０６の端部に傾斜面２０，２２を形成する工程を行ってもよい。
【００９９】
図９に示すように、積層体１０の第２クラッド層１０８側に支持基板４０を貼り付ける（工程Ｓ１６）。具体的には、積層体１０の第２クラッド層１０８側を支持基板４０に向けて、オフ基板１０１、積層体１０、および電極３０，３２を含む構造体１２を、支持基板４０上に貼り付ける。構造体１２と支持基板４０とは、接合部材４２によって固定される。図示の例では、接合部材４２は、第２電極３２と支持基板４０とを接合している。
【０１００】
図１０に示すように、積層体１０からオフ基板１０１を剥がす（工程Ｓ１８）。
【０１０１】
具体的には、犠牲層１１を選択的にエッチングして、オフ基板１０１を剥がす。犠牲層１１がエッチングされることにより、積層体１０とオフ基板１０１とは分離する。エッチングは、例えば、犠牲層１１に対して選択性の高い希塩酸（例えば０．０１重量％以上５重量％以下の希塩酸）を用いたウエットエッチングにより行われる。なお、犠牲層１１をエッチングした後に、純水によってリンスを行ってもよい。
【０１０２】
図１１に示すように、バッファー層１０２上に２つのレジスト１４ａ，１４ｂを形成する（工程Ｓ２０）。レジスト１４ａ，１４ｂは、フォトリソグラフィーおよびエッチングを用いて形成される。このとき、レジスト１４ａ，１４ｂの形状は、図示はしないが、例えば、直方体である。
【０１０３】
次に、レジスト１４ａ，１４ｂを加熱して溶かす（工程Ｓ２２）。具体的には、レジスト１４ａ，１４ｂを所定の温度で熱処理（リフロー）する。これにより、図１１に示すように、レジスト１４ａ，１４ｂは溶けて角や面が曲面となり、レンズ形状となる。
【０１０４】
図１２に示すように、リフローされたレジスト１４ａ，１４ｂの形状をバッファー層１０２に転写して、バッファー層１０２に曲面（レンズ形状）を形成する（工程Ｓ２４）。
【０１０５】
具体的には、リフローされたレジスト１４ａ，１４ｂをマスクとして、バッファー層１０２をエッチングする。これにより、バッファー層１０２の表面１０３にレジスト１４ａ，１４ｂの形状が転写されて、バッファー層１０２の表面１０３を曲面とすることができる。エッチングは、例えば、ドライエッチングで行われる。
【０１０６】
図１に示すように、バッファー層１０２上に第１電極３０を形成する（工程Ｓ２６）。第１電極３０は、例えば、真空蒸着法やスパッタ法などにより形成される。
【０１０７】
以上の工程により、発光装置１００を製造することができる。
【０１０８】
第１実施形態に係る発光装置１００の製造方法は、例えば、以下の特徴を有する。
【０１０９】
発光装置１００の製造方法では、オフ基板１０１の上方に、第１クラッド層１０４、活性層１０６、第２クラッド層１０８をこの順で積層して積層体１０を形成する工程Ｓ１０と、積層体１０をエッチングして、活性層１０６の端部に第１傾斜面２０および第２傾斜面２２を形成する工程Ｓ１２と、を含み、工程Ｓ１２において、当該傾斜面２０，２２の法線方向と第１クラッド層１０４および活性層１０６の積層方向とのなす角度が４５度にならないように形成され、光導波路１０７は、第１傾斜面２０と第２傾斜面２２とを接続し、オフ基板１０１のオフ方向に沿って延在する。そのため、発光装置１００の製造方法では、レーザー発振を抑制しつつ高出力化を図ることができる発光装置１００を容易に製造することができる。例えば、発光装置１００の製造方法では、オフ基板１０１のオフ角度を利用して、異方性エッチングにより、当該傾斜面２０，２２の法線方向と第１クラッ
ド層１０４および活性層１０６の積層方向とのなす角度が４５度にならないように形成することができるため、製造が容易である。
【０１１０】
発光装置１００の製造方法では、積層体１０の第２クラッド層１０８側に支持基板４０を貼り付ける工程Ｓ１６と、積層体１０からオフ基板１０１を剥がす工程Ｓ１８と、を含む。これにより、発光装置１００において、ジャンクションダウン実装することができる。
【０１１１】
発光装置１００の製造方法では、オフ基板１０１を剥がす工程Ｓ１８の後に、バッファー層１０２上にレジスト１４ａ，１４ｂを形成する工程Ｓ２０と、レジスト１４ａ，１４ｂを加熱して溶かした（工程Ｓ２２）後に、当該レジスト１４ａ，１４ｂの形状をバッファー層１０２に転写して、バッファー層１０２の表面１０３に曲面を形成する工程Ｓ２４と、を含む。これにより、例えば、高価なガラスプリズム等の光学素子を用いることなく、レーザー発振を抑制しつつ積層体１０の積層方向に光４ａ，４ｂを射出することができる発光装置１００を製造することができる。また、例えば、プリズム等の光学素子を用いた場合、光学素子と発光素子との間のアライメントが難しいという問題があるが、発光装置１００の製造方法では、このような問題が生じないため、製造が容易である。
【０１１２】
２．  第２実施形態
２．１．  発光装置
次に、第２実施形態に係る発光装置について、図面を参照しながら説明する。図１３は、第２実施形態に係る発光装置２００を模式的に示す断面図である。以下、第２実施形態に係る発光装置２００において、第１実施形態に係る発光装置１００の構成部材と同様の機能を有する部材については同一の符号を付し、その詳細な説明を省略する。
【０１１３】
発光装置１００では、図１に示すように、バッファー層１０２の表面１０３がレンズ形状（レンズ面１０３ａ，１０３ｂ）となっていた。
【０１１４】
これに対して、発光装置２００では、図１３に示すように、第１クラッド層１０４の表面１０５が曲面（レンズ面１０５ａ，１０５ｂ）となっている。
【０１１５】
レンズ面１０５ａ，１０５ｂの位置や形状は、第１クラッド層１０４の表面１０５に形成されている点を除いて、上述したレンズ面１０３ａ，１０３ｂと同様である。
【０１１６】
なお、発光装置２００では、バッファー層１０２（図１参照）は設けられていない。そのため、第１電極３０は、第１クラッド層１０４上に設けられている。
【０１１７】
発光装置２００では、第１クラッド層１０４は、表面１０５に曲面が形成されている。そのため、発光装置２００では、発光装置１００と同様に、第１クラッド層１０４の表面１０５から射出される第１射出光４ａおよび第２射出光４ｂの放射角度を制御することができる。
【０１１８】
さらに、発光装置２００では、バッファー層１０２（図１参照）が設けられていないため、例えばバッファー層１０２が設けられている場合と比べて、傾斜面２０，２２で反射されてレンズ面１０５ａ，１０５ｂから射出されるまでの間の光吸収を低減することができる。
【０１１９】
また、発光装置２００では、発光装置１００と同様に、レーザー発振を抑制しつつ、高出力化を図ることができる。
【０１２０】
２．２．  発光装置の製造方法
次に、第２実施形態に係る発光装置の製造方法について図面を参照しながら説明する。図１４は、第２実施形態に係る発光装置の製造方法の一例を示すフローチャートである。なお、図１４に示す第２実施形態に係る発光装置の製造方法において、図４に示す第１実施形態に係る発光装置の製造方法と同様の工程については同一の符号を付している。図１５および図１６は、第２実施形態に係る発光装置２００の製造工程を模式的に示す断面図である。なお、図１５および図１６は、図１３に対応している。
【０１２１】
第２実施形態に係る発光装置の製造方法では、図１４に示すように、バッファー層１０２を除去する工程Ｓ２０２、第１クラッド層１０４上にレジスト１４ａ，１４ｂを形成する工程Ｓ２０４、レジスト１４ａ，１４ｂをリフローして、当該レジスト１４ａ，１４ｂの形状を第１クラッド層１０４に転写して第１クラッド層１０４の表面１０５を曲面（レンズ形状）とする工程Ｓ２０６、および第１クラッド層１０４上に第１電極３０を形成する工程Ｓ２０８が、図４に示す第１実施形態に係る発光装置の製造方法と異なっている。
【０１２２】
以下、第２実施形態に係る発光装置の製造方法では、第１実施形態に係る発光装置の製造方法との相違点について説明し、同様の工程についてはその詳細な説明を省略する。
【０１２３】
オフ基板１０１上に犠牲層１１および積層体１０を形成する工程Ｓ１０、積層体１０をエッチングして傾斜面２０，２２を形成する工程Ｓ１２、コンタクト層１１０上に第２電極３２を形成する工程Ｓ１４、積層体１０の第２クラッド層１０８側に支持基板４０を貼り付ける工程Ｓ１６、および、積層体１０からオフ基板１０１を剥がす工程Ｓ１８を行う。
【０１２４】
積層体１０からオフ基板１０１を剥がす工程Ｓ１８（図１０参照）の後に、図１５に示すように、バッファー層１０２を除去する（工程Ｓ２０２）。バッファー層１０２は、例えば、ウエットエッチングにより、選択的に除去される。
【０１２５】
図１６に示すように、第１クラッド層１０４上に２つのレジスト１４ａ，１４ｂを形成する（工程Ｓ２０４）。レジスト１４ａ，１４ｂは、フォトリソグラフィーおよびエッチングを用いて形成される。このとき、レジスト１４ａ，１４ｂの形状は、図示はしないが、例えば、直方体である。
【０１２６】
次に、レジスト１４ａ，１４ｂを加熱して溶かす（工程Ｓ２２）。具体的には、レジスト１４ａ，１４ｂを所定の温度で熱処理（リフロー）する。これにより、図１６に示すように、レジスト１４ａ，１４ｂは溶けて角や面が曲面となり、レンズ形状となる。
【０１２７】
図１３に示すように、リフローされたレジスト１４ａ，１４ｂの形状を第１クラッド層１０４に転写して、第１クラッド層１０４の表面１０５に曲面（レンズ形状）を形成する（工程Ｓ２０６）。
【０１２８】
具体的には、リフローされたレジスト１４ａ，１４ｂをマスクとして、第１クラッド層１０４をエッチングする。これにより、第１クラッド層１０４の表面１０５にレジスト１４ａ，１４ｂの形状が転写されて、第１クラッド層１０４の表面１０５を曲面とすることができる。エッチングは、例えば、ドライエッチングで行われる。
【０１２９】
次に、第１クラッド層１０４上に第１電極３０を形成する（工程Ｓ２０８）。第１電極３０は、例えば、真空蒸着法やスパッタ法などにより形成される。
【０１３０】
以上の工程により、発光装置２００を製造することができる。
【０１３１】
第２実施形態に係る発光装置の製造方法は、例えば、以下の特徴を有する。
【０１３２】
第２実施形態に係る発光装置の製造方法では、オフ基板１０１を剥がす工程Ｓ１８の後に、第１クラッド層１０４上にレジスト１４ａ，１４ｂを形成する工程Ｓ２０４と、レジスト１４ａ，１４ｂを加熱して溶かした（工程Ｓ２２）後に、当該レジスト１４ａ，１４ｂの形状を第１クラッド層１０４に転写して、第１クラッド層１０４の表面１０５に曲面を形成する工程Ｓ２０６と、を含む。これにより、第１実施形態に係る発光装置の製造方法と同様に、例えば、高価なガラスプリズム等の光学素子を用いることなく、レーザー発振を抑制しつつ積層体１０の積層方向に光４ａ，４ｂを射出することができる発光装置２００を容易に製造することができる。
【０１３３】
３．  第３実施形態
３．１．  発光装置
次に、第３実施形態に係る発光装置について、図面を参照しながら説明する。図１７は、第３実施形態に係る発光装置３００を模式的に示す断面図である。以下、第３実施形態に係る発光装置３００において、第１実施形態に係る発光装置１００の構成部材と同様の機能を有する部材については同一の符号を付し、その詳細な説明を省略する。
【０１３４】
発光装置１００では、図１に示すように、バッファー層１０２の表面１０３がレンズ形状（レンズ面１０３ａ，１０３ｂ）となっていた。
【０１３５】
これに対して、発光装置３００では、図１７に示すように、バッファー層１０２の表面１０３および第１クラッド層１０４の表面１０５にまたがった曲面（レンズ面）３０１ａ，３０１ｂが形成されている。
【０１３６】
すなわち、レンズ面３０１ａ，３０１ｂは、バッファー層１０２の表面１０３の一部および第１クラッド層１０４の表面１０５の一部で構成されている。レンズ面３０１ａ，３０１ｂの位置や形状は、バッファー層１０２の表面１０３および第１クラッド層１０４の表面１０５にまたがって形成されている点を除いて、上述したレンズ面１０３ａ，１０３ｂと同様である。
【０１３７】
発光装置３００では、バッファー層１０２の表面１０３および第１クラッド層１０４の表面１０５にまたがった曲面３０１ａ，３０１ｂが形成されている。そのため、発光装置３００では、発光装置１００と同様に、バッファー層１０２の表面１０３および第１クラッド層１０４の表面１０５から射出される第１射出光４ａおよび第２射出光４ｂの放射角度を制御することができる。
【０１３８】
また、発光装置３００では、発光装置１００と同様に、レーザー発振を抑制しつつ、高出力化を図ることができる。
【０１３９】
３．２．  発光装置の製造方法
次に、第３実施形態に係る発光装置の製造方法について図面を参照しながら説明する。図１８は、第３実施形態に係る発光装置の製造方法の一例を示すフローチャートである。なお、図１８に示す第３実施形態に係る発光装置の製造方法において、図４に示す第１実施形態に係る発光装置の製造方法と同様の工程については同一の符号を付している。図１９は、第３実施形態に係る発光装置３００の製造工程を模式的に示す断面図である。なお、図１９は、図１７に対応している。
【０１４０】
第３実施形態に係る発光装置の製造方法では、図１８に示すように、レジスト１４ａ，
１４ｂを加熱して溶かした（リフロー）後に、当該レジスト１４ａ，１４ｂの形状をバッファー層１０２および第１クラッド層１０４に転写して、バッファー層１０２の表面１０３および第１クラッド層１０４の表面１０５にまたがる曲面（レンズ面）３０１ａ，３０１ｂを形成する工程Ｓ３０２、第１クラッド層１０４上に第１電極３０を形成する工程Ｓ３０４が、図４に示す第１実施形態に係る発光装置の製造方法と異なっている。
【０１４１】
以下、第３実施形態に係る発光装置の製造方法では、第１実施形態に係る発光装置の製造方法との相違点について説明し、同様の工程についてはその詳細な説明を省略する。
【０１４２】
オフ基板１０１上に犠牲層１１および積層体１０を形成する工程Ｓ１０、積層体１０をエッチングして傾斜面２０，２２を形成する工程Ｓ１２、コンタクト層１１０上に第２電極３２を形成する工程Ｓ１４、積層体１０の第２クラッド層１０８側に支持基板４０を貼り付ける工程Ｓ１６、積層体１０からオフ基板１０１を剥がす工程Ｓ１８、バッファー層１０２上にレジスト１４ａ，１４ｂを形成する工程Ｓ２０、および、レジスト１４ａ，１４ｂをリフローする工程Ｓ２２を行う。
【０１４３】
レジスト１４ａ，１４ｂを加熱して溶かす（リフロー）工程Ｓ２２の後に（図１１参照）、図１９に示すように、リフローされたレジスト１４ａ，１４ｂの形状をバッファー層１０２および第１クラッド層１０４に転写して、バッファー層１０２の表面１０３および第１クラッド層１０４の表面１０５に曲面（レンズ形状）を形成する（工程Ｓ３０２）。
【０１４４】
具体的には、リフローされたレジスト１４ａ，１４ｂをマスクとして、バッファー層１０２および第１クラッド層１０４をエッチングする。これにより、バッファー層１０２の表面１０３および第１クラッド層１０４の表面１０５にまたがってレジスト１４ａ，１４ｂの形状が転写されて、バッファー層１０２の表面１０３および第１クラッド層１０４の表面１０５にまたがる曲面３０１ａ，３０１ｂを形成することができる。エッチングは、例えば、ドライエッチングで行われる。
【０１４５】
図１７に示すように、第１クラッド層１０４上に第１電極３０を形成する（工程Ｓ３０４）。第１電極３０は、例えば、真空蒸着法やスパッタ法などにより形成される。
【０１４６】
以上の工程により、発光装置３００を製造することができる。
【０１４７】
第３実施形態に係る発光装置の製造方法は、例えば、以下の特徴を有する。
【０１４８】
第３実施形態に係る発光装置の製造方法では、オフ基板１０１を剥がす工程Ｓ１８の後に、バッファー層１０２上にレジスト１４ａ，１４ｂを形成する工程Ｓ２０と、レジスト１４ａ，１４ｂを加熱して溶かした（工程Ｓ２２）後に、当該レジスト１４ａ，１４ｂの形状をバッファー層１０２および第１クラッド層１０４に転写して、バッファー層１０２の表面１０３および第１クラッド層１０４の表面１０５にまたがる曲面３０１ａ，３０１ｂを形成する工程Ｓ３０２と、を含む。これにより、第１実施形態に係る発光装置の製造方法と同様に、例えば、高価なガラスプリズム等の光学素子を用いることなく、レーザー発振を抑制しつつ積層体１０の積層方向に光４ａ，４ｂを射出することができる発光装置３００を容易に製造することができる。
【０１４９】
４．  第４実施形態
４．１．  発光装置
次に、第４実施形態に係る発光装置について、図面を参照しながら説明する。図２０は、第４実施形態に係る発光装置４００を模式的に示す断面図である。以下、第４実施形態に係る発光装置４００において、第１実施形態に係る発光装置１００の構成部材と同様の
機能を有する部材については同一の符号を付し、その詳細な説明を省略する。
【０１５０】
発光装置４００では、図２０に示すように、オフ基板１０１を有する。また、図示の例では、支持基板４０（例えば、図１参照）を有していないが、第１実施形態同様に、第２電極３２が支持基板４０に固定されていてもよい。
【０１５１】
第１電極３０は、オフ基板１０１の下面（＋Ｚ軸方向側の面）に設けられている。第１電極３０の一部には、オフ基板１０１の下面から射出される射出光４ａ，４ｂを通過させるための開口部３１が形成されている。開口部３１によって露出したオフ基板１０１の下面の領域には、反射防止膜４０１が設けられている。反射防止膜４０１としては、例えば、ＳｉＯ２層、Ｔａ２Ｏ５層、Ａｌ２Ｏ３層、ＴｉＮ層、ＴｉＯ２層、ＳｉＯＮ層、ＳｉＮ層や、これらの多層膜を用いることができる。
【０１５２】
発光装置４００では、活性層１０６にて発生した光２ａ，２ｂは、傾斜面２０，２２によって第１クラッド層１０４の方向に反射される。そして、第１クラッド層１０４、バッファー層１０２、オフ基板１０１を通過して、オフ基板１０１の下面から開口部３１を通って射出される。
【０１５３】
発光装置４００では、光導波路１０７は、オフ基板１０１のオフ方向に沿って延在している。そのため、発光装置４００では、例えば光導波路１０７がオフ方向と異なる方向に沿って延在している場合と比べて、光導波路１０７内を導波する光２ａ，２ｂが受ける利得を大きくすることができ、高出力化を図ることができる。
【０１５４】
また、発光装置４００では、第１傾斜面２０および第２傾斜面２２は、当該傾斜面２０，２２の法線方向と積層体１０の積層方向とのなす角度が４５度ではない。そのため、発光装置４００では、傾斜面２０，２２で反射された光が、オフ基板１０１の下面から射出されずに反射されて、再び光導波路１０７に戻ることを抑制することができる。これにより、発光装置４００では、共振やレーザー発振を抑制することができる。その結果、発光装置４００は、ＳＬＤとして光４ａ，４ｂを射出することができ、例えば、スペックルノイズを低減することができる。
【０１５５】
具体的には、発光装置４００では、オフ基板１０１のオフ角をθとすると、第１傾斜面２０の法線Ｐ１と積層体１０の積層方向とのなす角は４５度＋θであり、第２傾斜面２２の法線Ｐ２と積層体１０の積層方向とのなす角は４５度−θである。そのため、発光装置４００では、例えば異方性エッチングによって容易に第１傾斜面２０および第２傾斜面２２を容易に形成することができる。
【０１５６】
４．２．  発光装置の製造方法
次に、第４実施形態に係る発光装置の製造方法について、図面を参照しながら説明する。図２１は、第４実施形態に係る発光装置４００の製造方法の一例を示すフローチャートである。なお、図２１に示す第４実施形態に係る発光装置の製造方法において、図４に示す第１実施形態に係る発光装置の製造方法と同様の工程については同一の符号を付している。
【０１５７】
第４実施形態に係る発光装置の製造方法では、図２１に示すように、オフ基板１０１上に積層体１０を形成する工程Ｓ４０２、およびオフ基板１０１の下面に第１電極３０を形成する工程Ｓ４０４が、図４に示す第１実施形態に係る発光装置の製造方法と異なっている。また、第４実施形態に係る発光装置の製造方法では、図４に示す第１実施形態に係る発光装置の製造方法における、支持基板４０を貼り付ける工程Ｓ１６からバッファー層１０２に第１電極３０を形成する工程Ｓ２４までの工程（工程Ｓ１６〜Ｓ２４）を有さない
点で、第１実施形態に係る発光装置の製造方法と異なっている。
【０１５８】
以下、第４実施形態に係る発光装置の製造方法では、第１実施形態に係る発光装置の製造方法との相違点について説明し、同様の工程についてはその詳細な説明を省略する。
【０１５９】
図２０に示すように、オフ基板１０１上に、積層体１０を形成する（工程Ｓ４０２）。具体的には、オフ基板１０１上に、バッファー層１０２、第１クラッド層１０４、活性層１０６、第２クラッド層１０８、コンタクト層１１０をこの順でエピタキシャル成長させる。エピタキシャル成長させる方法としては、例えば、ＭＯＣＶＤ（Ｍｅｔａｌ  Ｏｒｇａｎｉｃ  Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｖａｐｏｒ  Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法、ＭＢＥ（Ｍｏｌｅｃｕｌａｒ  Ｂｅａｍ  Ｅｐｉｔａｘｙ）法が挙げられる。なお、本工程では、犠牲層１１（図５参照）は形成されない。次に、柱状部１１１および絶縁層１１２を形成する（例えば図６参照）。
【０１６０】
次に、積層体１０をエッチングして第１傾斜面２０および第２傾斜面２２を形成する（工程Ｓ１２）。
【０１６１】
次に、コンタクト層１１０上に第２電極３２を形成する（工程Ｓ１４）。
【０１６２】
次に、図２０に示すように、オフ基板１０１の下面に、開口部３１を有する第１電極３０を形成する（工程Ｓ４０４）。
【０１６３】
第１電極３０は、例えば、真空蒸着法やスパッタ法などによりオフ基板１０１の下面全面に金属層（図示せず）を形成した後に、当該金属層をパターニングすることにより形成される。次に、開口部３１によって露出したオフ基板１０１の下面に反射防止膜４０１を形成する。反射防止膜４０１は、例えば、ＣＶＤ法、塗布法等によって形成される。
【０１６４】
以上の工程により、発光装置４００を製造することができる。
【０１６５】
第４実施形態に係る発光装置の製造方法では、レーザー発振を抑制しつつ、高出力化を図ることができる発光装置４００を容易に製造することができる。
【０１６６】
５．  第５実施形態
５．１．  発光装置
次に、第５実施形態に係る発光装置について、図面を参照しながら説明する。図２２は、第５実施形態に係る発光装置５００を模式的に示す断面図である。以下、第５実施形態に係る発光装置５００において、第１実施形態に係る発光装置１００および第４実施形態に係る発光装置４００の構成部材と同様の機能を有する部材については同一の符号を付し、その詳細な説明を省略する。
【０１６７】
発光装置５００では、図２２に示すように、オフ基板１０１を有する。また、発光装置５００では、活性層１０６にて発生した光２ａ，２ｂは、傾斜面２０，２２によって反射され、オフ基板１０１とは反対側の方向に射出光４ａ，４ｂとして射出される。
【０１６８】
第２電極３２には、射出光４ａ，４ｂを通過させるための開口部３３が形成されている。開口部３３によって露出したコンタクト層１１０の上面の領域には、反射防止膜４０１が設けられている。
【０１６９】
発光装置５００では、活性層１０６にて発生した光２ａ，２ｂは、傾斜面２０，２２によって第２クラッド層１０８の方向に反射される。そして、第２クラッド層１０８、コン
タクト層１１０を通過して、コンタクト層１１０の上面から開口部３３を通って射出される。
【０１７０】
発光装置５００では、光導波路１０７は、オフ基板１０１のオフ方向に沿って延在している。そのため、発光装置５００では、例えば光導波路１０７がオフ方向と異なる方向に沿って延在している場合と比べて、光導波路１０７内を導波する光２ａ，２ｂが受ける利得を大きくすることができ、高出力化を図ることができる。
【０１７１】
また、発光装置５００では、第１傾斜面２０および第２傾斜面２２は、当該傾斜面２０，２２の法線方向と積層体１０の積層方向とのなす角度が４５度ではない。そのため、発光装置５００では、傾斜面２０，２２で反射された光が、コンタクト層１１０の上面から射出されずに反射されて、再び光導波路１０７に戻ることを抑制することができる。これにより、発光装置５００では、共振やレーザー発振を抑制することができる。その結果、発光装置５００は、ＳＬＤとして光４ａ，４ｂを射出することができ、例えば、スペックルノイズを低減することができる。
【０１７２】
発光装置５００では、オフ基板１０１のオフ角をθとすると、第１傾斜面２０の法線Ｐ１と積層体１０の積層方向とのなす角は４５度＋θであり、第２傾斜面２２の法線Ｐ２と積層体１０の積層方向とのなす角は４５度−θである。そのため、発光装置５００では、例えば異方性エッチングによって容易に第１傾斜面２０および第２傾斜面２２を容易に形成することができる。
【０１７３】
なお、発光装置５００では、図示はしないが、コンタクト層１１０の表面に曲面（レンズ形状）が形成されていてもよい。また、例えば、発光装置５００では、コンタクト層１１０の表面および第２クラッド層１０８の表面にまたがった曲面（レンズ形状）が形成されていてもよい。これにより、射出光４ａ，４ｂの放射角度を制御することができる。また、発光装置５００では、曲面が形成される領域に対応するコンタクト層１１０を除去し、第２実施形態の発光装置２００の第１クラッド層１０４に形成される曲面１０５ａ，１０５ｂのような曲面を、第２クラッド層１０８の表面に形成してもよい。
【０１７４】
５．２．  発光装置の製造方法
次に、第５実施形態に係る発光装置の製造方法について、図面を参照しながら説明する。図２３は、第５実施形態に係る発光装置５００の製造方法の一例を示すフローチャートである。なお、図２３に示す第５実施形態に係る発光装置の製造方法において、図２１に示す第４実施形態に係る発光装置の製造方法と同様の工程については同一の符号を付している。
【０１７５】
第５実施形態に係る発光装置の製造方法では、図２３に示すように、積層体１０をエッチングして第１傾斜面２０および第２傾斜面２２を形成する工程Ｓ５００、コンタクト層１１０上に第２電極３２を形成する工程Ｓ５０２、およびオフ基板１０１の下面に第１電極３０を形成する工程Ｓ５０４が、図２１に示す第４実施形態に係る発光装置の製造方法と異なっている。
【０１７６】
以下、第５実施形態に係る発光装置の製造方法では、第４実施形態に係る発光装置の製造方法との相違点について説明し、同様の工程についてはその詳細な説明を省略する。
【０１７７】
図２２に示すように、オフ基板１０１上に、積層体１０を形成する（工程Ｓ４０２）。
【０１７８】
次に、積層体１０をエッチングして第１傾斜面２０および第２傾斜面２２を形成する（工程Ｓ５００）。第１傾斜面２０および第２傾斜面２２は、積層体１０を異方性エッチン
グすることにより形成される。このとき、積層体１０が図２２に示すように断面視において逆方向のテーパー形状（オフ基板１０１から離れるに従って幅が大きくなる形状）となるように、傾斜面２０，２２となる結晶面を選択して異方性エッチングを行う。
【０１７９】
次に、コンタクト層１１０上に開口部３３を有する第２電極３２を形成する（工程Ｓ５０２）。次に、開口部３３によって露出したコンタクト層１１０の上面に反射防止膜４０１を形成する。
【０１８０】
次に、オフ基板１０１の下面に、第１電極３０を形成する（工程Ｓ５０４）。第１電極３０は、例えば、真空蒸着法やスパッタ法などにより形成される。
【０１８１】
以上の工程により、発光装置５００を製造することができる。
【０１８２】
第５実施形態に係る発光装置の製造方法では、レーザー発振を抑制しつつ、高出力化を図ることができる発光装置５００を容易に製造することができる。
【０１８３】
６．  第６実施形態
次に、第６実施形態に係るプロジェクターについて、図面を参照しながら説明する。図２４は、本実施形態に係るプロジェクター６００を模式的に示す図である。なお、便宜上、図２４では、プロジェクター６００を構成する筐体を省略し、さらに光源１００を簡略化して図示している。
【０１８４】
プロジェクター６００は、図２４に示すように、赤色光、緑色光、青色光を射出する赤色光源１００Ｒ、緑色光源１００Ｇ、青色光源１００Ｂを含む。赤色光源１００Ｒ、緑色光源１００Ｇ、青色光源１００Ｂは、本発明に係る発光装置である。以下では、本発明に係る発光装置として発光装置１００を用いた例について説明する。
【０１８５】
プロジェクター６００は、さらに、レンズアレイ６０２Ｒ，６０２Ｇ，６０２Ｂと、透過型の液晶ライトバルブ（光変調装置）６０４Ｒ，６０４Ｇ，６０４Ｂと、投射レンズ（投射装置）６０８と、を含む。
【０１８６】
光源１００Ｒ，１００Ｇ，１００Ｂから射出された光は、各レンズアレイ６０２Ｒ，６０２Ｇ，６０２Ｂに入射する。光源１００Ｒ，１００Ｇ，１００Ｂから射出された光は、レンズアレイ６０２Ｒ，６０２Ｇ，６０２Ｂによって照度分布が均一化された光となる。
【０１８７】
各レンズアレイ６０２Ｒ，６０２Ｇ，６０２Ｂから射出された光は、各液晶ライトバルブ６０４Ｒ，６０４Ｇ，６０４Ｂに入射する。各液晶ライトバルブ６０４Ｒ，６０４Ｇ，６０４Ｂは、入射した光をそれぞれ画像情報に応じて変調する。
【０１８８】
また、プロジェクター６００は、液晶ライトバルブ６０４Ｒ，６０４Ｇ，６０４Ｂから射出された光を合成して投射レンズ６０８に導くクロスダイクロイックプリズム（色光合成手段）６０６を、含むことができる。
【０１８９】
各液晶ライトバルブ６０４Ｒ，６０４Ｇ，６０４Ｂによって変調された３つの色光は、クロスダイクロイックプリズム６０６に入射する。このプリズムは、４つの直角プリズムを貼り合わせて形成され、その内面に赤色光を反射する誘電体多層膜と青色光を反射する誘電体多層膜とが十字状に配置されている。これらの誘電体多層膜によって３つの色光が合成され、カラー画像を表す光が形成される。そして、合成された光は、投射光学系である投射レンズ６０８によりスクリーン６１０上に投射され、液晶ライトバルブ６０４Ｒ，６０４Ｇ，６０４Ｂによって形成された像（画像）が拡大されて表示される。
【０１９０】
プロジェクター６００では、レーザー発振を抑制しつつ、高出力化を図ることができる発光装置１００を含むため、例えば、スペックルノイズが低減された良好な画像を得ることができる。
【０１９１】
なお、上述の例では、光変調装置として透過型の液晶ライトバルブを用いたが、液晶以外のライトバルブを用いてもよいし、反射型のライトバルブを用いてもよい。このようなライトバルブとしては、例えば、反射型の液晶ライトバルブや、デジタルマイクロミラーデバイス（Ｄｉｇｉｔａｌ  Ｍｉｃｒｏｍｉｒｒｏｒ  Ｄｅｖｉｃｅ）が挙げられる。また、投射光学系の構成は、使用されるライトバルブの種類によって適宜変更される。
【０１９２】
また、光源１００を、光源１００からの光を走査することにより、スクリーン上に所望の大きさの画像を表示させる、走査型の画像表示装置（プロジェクター）の光源装置にも適用することが可能である。
【０１９３】
なお、本発明は上述した実施形態に限定されず、本発明の要旨の範囲内で種々の変形実施が可能である。
【０１９４】
上記の実施形態では、ＡｌＧａＩｎＰ系の発光装置について説明したが、本発明に係る発光装置は、光導波路が形成可能なあらゆる材料系を用いることができる。半導体材料であれば、例えば、ＡｌＧａＮ系、ＧａＮ系、ＩｎＧａＮ系、ＧａＡｓ系、ＡｌＧａＡｓ系、ＩｎＧａＡｓ系、ＩｎＧａＡｓＰ系、ＩｎＰ系、ＧａＰ系、ＡｌＧａＰ系、ＺｎＣｄＳｅ系などの半導体材料を用いることができる。
【０１９５】
また、上記の実施形態では、オフ基板として、（１００）面の法線方向を、［０１１］方向に１０度傾けた方向を法線方向とする面を主面とするオフ基板１０１について説明した。すなわち、オフ基板１０１では、特定の面は（１００）面であり、オフ方向は［０１１］方向であり、オフ角度は１０度である。本発明に係る発光装置で用いられるオフ基板は上記例に限定されず、例えば、特定の面として（１００）面以外の低指数面、オフ方向として［１１０］方向以外の方向、オフ角度として１度以上１５度以下の範囲のオフ基板を用いることもできる。
【０１９６】
また、上記の実施形態では、発光装置を、絶縁層１１２が形成されている領域と、絶縁層１１２が形成されていない領域、すなわち柱状部１１１を形成している領域との間に屈折率差を設けて光を閉じ込める、いわゆる屈折率導波型として説明した。図示はしないが、本発明に係る発光装置は、柱状部１１１を形成することによって屈折率差を設けず、電流を注入することによって生じた光導波路１０７がそのまま導波領域となる、いわゆる利得導波型であってもよい。
【０１９７】
上述した実施形態および変形例は一例であって、これらに限定されるわけではない。例えば、各実施形態および各変形例を適宜組み合わせることも可能である。
【０１９８】
本発明は、実施の形態で説明した構成と実質的に同一の構成（例えば、機能、方法及び結果が同一の構成、あるいは目的及び効果が同一の構成）を含む。また、本発明は、実施の形態で説明した構成の本質的でない部分を置き換えた構成を含む。また、本発明は、実施の形態で説明した構成と同一の作用効果を奏する構成又は同一の目的を達成することができる構成を含む。また、本発明は、実施の形態で説明した構成に公知技術を付加した構成を含む。
【符号の説明】
【０１９９】
２ａ，２ｂ…光、４ａ…第１射出光、４ｂ…第２射出光、１０…積層体、１１…犠牲層、１２…構造体、１４ａ，１４ｂ…レジスト、２０…第１傾斜面、２０ａ…第１接続部、２２…第２傾斜面、２２ａ…第２接続部、３０…第１電極、３１…開口部、３２…第２電極、３３…開口部、４０…支持基板、４２…接合部材、１００…発光装置、１０１…オフ基板、１０２…バッファー層、１０３…表面、１０３ａ…第１レンズ面、１０３ｂ…第２レンズ面、１０４…第１クラッド層、１０５…表面、１０５ａ，１０５ｂ…レンズ面、１０６…活性層、１０７…光導波路、１０８…第２クラッド層、１１０…コンタクト層、１１１…柱状部、１１２…絶縁層、２００，３００…発光装置、３０１ａ，３０１ｂ…曲面（レンズ面）、４００…発光装置、４０１…反射防止膜、６００…プロジェクター、６０２…レンズアレイ、６０４…液晶ライトバルブ、６０６…クロスダイクロイックプリズム、６０８…投射レンズ、６１０…スクリーン
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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