(57)【要約】【課題】配線が埋め込まれたフレキシブル基板およびその製造方法を提供する。【解決手段】配線が埋め込まれたフレキシブル基板であって、高分子材料によって構成されたフレキシブル基板、および複数の孔を含み、前記フレキシブル基板に埋め込まれ、前記高分子材料が前記孔を充填する連続した配線パターンを含む配線が埋め込まれたフレキシブル基板。【選択図】図１
2015162678.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
配線が埋め込まれたフレキシブル基板であって、
高分子材料によって構成されたフレキシブル基板、および
複数の孔を含み、前記フレキシブル基板に埋め込まれ、前記高分子材料が前記孔を充填する連続した配線パターンを含む配線が埋め込まれたフレキシブル基板。
【請求項２】
前記高分子材料は、ポリイミド（ＰＩ）またはポリフッ化ビニリデン（ＰＶＤＦ）を含む請求項１に記載の配線が埋め込まれたフレキシブル基板。
【請求項３】
前記配線パターンは、銀、銅、ニッケル、またはその合金を含む請求項１に記載の配線が埋め込まれたフレキシブル基板。
【請求項４】
前記配線パターンは、約１．６×１０−６Ω・ｃｍ〜約１０×１０−６Ω・ｃｍの抵抗率を有する請求項１に記載の配線が埋め込まれたフレキシブル基板。
【請求項５】
前記孔は、約１０ｎｍ〜約１００μｍの大きさを有する請求項１に記載の配線が埋め込まれたフレキシブル基板。
【請求項６】
前記連続した配線パターンは、前記フレキシブル基板内の領域に埋め込まれる請求項１に記載の配線が埋め込まれたフレキシブル基板。
【請求項７】
前記連続した配線パターンは、前記フレキシブル基板の表面近傍に埋め込まれる請求項１に記載の配線が埋め込まれたフレキシブル基板。
【請求項８】
キャリアを提供するステップ、
前記キャリア上に、複数の孔を含む連続した配線パターンを形成するステップ、
前記連続した配線パターンとキャリア上に高分子材料をカバーし、前記孔を充填するステップ、および
前記高分子材料と前記キャリアを分割し、前記連続した配線パターンが埋め込まれたフレキシブル基板を形成するステップを含む配線が埋め込まれたフレキシブル基板を製造する方法。
【請求項９】
前記キャリアは、ガラスまたは金属を含む請求項８に記載の配線が埋め込まれたフレキシブル基板を製造する方法。
【請求項１０】
表面処理プロセスを前記連続した配線パターンが埋め込まれたフレキシブル基板に行うステップを更に含む請求項８に記載の配線が埋め込まれたフレキシブル基板を製造する方法。
【請求項１１】
前記キャリア上に連続した配線パターンを形成するステップは、
約８０％〜８５％の固形分を有する金属接着剤を提供するステップ、
前記金属接着剤の連続したパターンを前記キャリア上に形成するステップ、および
前記キャリアに対して、３００℃〜３５０℃の焼結温度と３０分〜４０分の焼結時間を有する焼結プロセスを行うステップを含む請求項８に記載の配線が埋め込まれたフレキシブル基板を製造する方法。
【請求項１２】
前記連続した配線パターンと前記キャリア上に高分子材料をカバーするステップは、
５％〜３０％の固形分を有するポリフッ化ビニリデン（ＰＶＤＦ）を提供するステップ、
前記連続した配線パターンとキャリア上にポリフッ化ビニリデン（ＰＶＤＦ）層を形成するステップ、および
前記キャリアに対して、約５０℃〜約１８０℃の焼結温度と約１０分〜約３０分の焼成時間を有する焼成プロセスを行うステップを含む請求項８に記載の配線が埋め込まれたフレキシブル基板を製造する方法。
【請求項１３】
前記連続した配線パターンと前記キャリア上に高分子材料をカバーするステップは、
約５％〜４０％の固形分を有するポリイミド（ＰＩ）を提供するステップ、
前記連続した配線パターンと前記キャリア上にポリイミド（ＰＩ）層を形成するステップ、および
前記キャリアに対して、約５０℃〜約２１０℃の焼結温度と約３０分〜約６０分の焼成時間を有する焼成プロセスを行うステップを含む請求項８に記載の配線が埋め込まれたフレキシブル基板を製造する方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、配線が埋め込まれたフレキシブル基板およびその製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
現在、フレキシブルプリント回路板は、主にフレキシブル銅張積層板（ＦＣＣＬ）に依存している。ＦＣＣＬは、層数によって無接着タイプのフレキシブル銅張積層板（２層ＦＣＣＬ）と接着タイプのフレキシブル銅張積層板（３層ＦＣＣＬ）の２種類に分けられる。これらの２種類の最も大きな違いは、銅箔とポリイミド薄膜との間に接着剤があるかどうかである。２Ｌ  ＦＣＣＬは、高い耐熱性、耐屈曲性、および寸法安定性などの利点を有する。しかしながら、そのコストは比較的高い。そのため、ほとんどのフレキシブル基板は主に３Ｌ  ＦＣＣＬを用いており、ハイレベルのフレキシブル基板のみが２Ｌ  ＦＣＣＬを用いている。
【０００３】
３Ｌ  ＦＣＣＬは、フレキシブル基板と配線との間の接着剤としてエポキシ樹脂を用いる。しかしながら、一般のエポキシ樹脂の接着剤の耐熱性は、ポリイミドの接着剤の耐熱性より悪い。そのため、エポキシ樹脂の接着剤の使用において温度制限がある。また、その信頼度においても十分でない。配線パターンの要求に対処するためには、２Ｌ  ＦＣＣＬは、表面処理、膜蒸着、およびエッチングのステップも必要とするが、その製造手順は複雑で且つ時間がかかる。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
配線が埋め込まれたフレキシブル基板およびその製造方法を提供する。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本発明の１つの実施形態に従って、配線が埋め込まれたフレキシブル基板が提供される。配線が埋め込まれたフレキシブル基板は、高分子材料によって構成されたフレキシブル基板、および複数の孔を含み、フレキシブル基板に埋め込まれ、高分子材料が孔を充填する連続した配線パターンを含む。
【０００６】
本発明のもう１つの実施形態に従って、配線が埋め込まれたフレキシブル基板を製造する方法が提供される。前記製造方法は、キャリアを提供するステップ、キャリア上に、複数の孔を含む連続した配線パターンを形成するステップ、連続した配線パターンとキャリア上に高分子材料をカバーし、孔を充填するステップ、および高分子材料とキャリアを分割し、連続した配線パターンが埋め込まれたフレキシブル基板を形成するステップを含む。
【０００７】
詳細な説明は、添付の図面と併せて以下の実施形態に説明される。
【図面の簡単な説明】
【０００８】
添付の図面とともに以下の本発明の様々な実施形態の詳細な説明を検討することで、本発明はより完全に理解できる。
【図１】本発明の１つの実施形態に係る、配線が埋め込まれたフレキシブル基板の断面図である。
【図２】本発明の１つの実施形態に係る、配線が埋め込まれたフレキシブル基板の断面図である。
【図３】図３Ａ〜図３Ｃは、本発明の１つの実施形態に係る、配線が埋め込まれたフレキシブル基板を製造する方法の断面図である。
【図４】図４Ａ〜図４Ｄは、本発明の１つの実施形態に係る、配線が埋め込まれたフレキシブル基板を製造する方法の断面図である。
【発明を実施するための形態】
【０００９】
以下の発明を実施するための形態では、説明のために、多数の特定の詳細が本実施形態の完全な理解を提供するために述べられる。しかしながら、１つ以上の実施形態では、これらの特定の詳細なしに行い得ることは明らかである。もう１つの例では、従来公知の構造および装置は、図を簡素化するために概略的に示されている。
【００１０】
図１を参照に、本実施形態に係る、配線が埋め込まれたフレキシブル基板が提供される。フレキシブル基板１０は、フレキシブル基板１２と連続した配線パターン１４を含む配線が埋め込まれている。フレキシブル基板１２は、高分子材料１２’によって構成される。連続した配線パターン１４は、フレキシブル基板１２に埋め込まれた複数の孔１６を含む。高分子材料１２’は、孔１６を充填する。
【００１１】
高分子材料１２’は、ポリイミド（ＰＩ）またはポリフッ化ビニリデン（ＰＶＤＦ）を含むことができる。
【００１２】
配線パターン１４は、銀、銅、ニッケル、またはその合金を含むことができる。配線パターン１４は、約１．６×１０−６Ω・ｃｍ〜約１０×１０−６Ω・ｃｍの抵抗率を有する。
【００１３】
連続した配線パターン１４に含まれた孔１６は、約１０ｎｍ〜約１００μｍの大きさを有する。
【００１４】
この実施形態では、連続した配線パターン１４は、図１に示されるように、フレキシブル基板１２内の領域に埋め込まれる。
【００１５】
図２を参照に、本発明のもう１つの実施形態に従って配線が埋め込まれたフレキシブル基板が提供される。配線が埋め込まれたフレキシブル基板１００は、フレキシブル基板１２０と連続した配線パターン１４０を含む。フレキシブル基板１２０は、高分子材料１２０’によって構成される。連続した配線パターン１４０は、フレキシブル基板１２０に埋め込まれた複数の孔１６０を含む。高分子材料１２０’は、孔１６０を充填する。
【００１６】
高分子材料１２０’は、ポリイミド（ＰＩ）またはポリフッ化ビニリデン（ＰＶＤＦ）を含むことができる。
【００１７】
配線パターン１４０は、銀、銅、ニッケル、またはその合金を含むことができる。配線パターン１４０は、約１．６×１０−６Ω・ｃｍ〜約１０×１０−６Ω・ｃｍの抵抗率を有する。
【００１８】
連続した配線パターン１４０に含まれた孔１６０は、約１０ｎｍ〜約１００μｍの大きさを有する。
【００１９】
この実施形態では、連続した配線パターン１４０は、図２に示されるように、フレキシブル基板１２０の表面近傍に埋め込まれる。
【００２０】
図３Ａ〜図３Ｃを参照に、本実施形態に係る、配線が埋め込まれたフレキシブル基板を製造する方法が提供される。まず、図３Ａに示されるように、キャリア１８が提供される。キャリア１８は、ガラスまたは金属を含むことができる。
【００２１】
次いで、連続した配線パターン１４０は、キャリア１８に形成される。連続した配線パターン１４は、複数の孔（図示されていない）を含む。この実施形態では、複数の孔を含む連続した配線パターン１４をキャリア１８上に形成するステップは、例えば、スクリーン印刷プロセスを用いて連続した配線パターン１４をキャリア１８上に形成することができる。次いで、約２５０℃〜約３００℃の焼結温度で連続した配線パターン１４に対して焼結プロセスを行い、複数の孔を含む連続した配線パターン１４を形成する。配線パターン１４は、例えば、銀、銅、ニッケル、またはその合金を含むことができる。配線パターン１４は、約１．６×１０−６Ω・ｃｍ〜約１０×１０−６Ω・ｃｍの抵抗率を有する。また、連続した配線パターン１４に含まれた孔は、約１０ｎｍ〜約１００μｍの大きさを有する。
【００２２】
１つの実施形態では、連続した配線パターン１４をキャリア１８上に形成するステップは、約８０％〜８５％の固形分を有する金属接着剤（図示されていない）を提供するステップ、金属接着剤の連続したパターン１４をキャリア１８上に形成するステップ、およびキャリア１８に対して焼結プロセスを行うステップを含む。焼結プロセスは、約３００℃〜約３５０℃の焼結温度と約３０分〜約４０分の焼結時間を有する。
【００２３】
次いで、高分子材料１２’は、例えばコーティングプロセスを用いて連続した配線パターン１４とキャリア１８をカバーし、高分子材料１２’が孔（図示されていない）に充填される。高分子材料１２’は、ポリイミド（ＰＩ）またはポリフッ化ビニリデン（ＰＶＤＦ）を含むことができる。
【００２４】
１つの実施形態では、連続した配線パターン１４とキャリア１８上に高分子材料１２’をカバーするステップは、約５％〜３０％の固形分を有するポリフッ化ビニリデン（ＰＶＤＦ）（図示されていない）を提供するステップ、ポリフッ化ビニリデン（ＰＶＤＦ）層１２’を連続した配線パターン１４とキャリア１８上に形成するステップ、およびキャリア１８に対して焼成プロセスを行うステップを含む。焼成プロセスは、約５０℃〜約１８０℃の焼結温度と約１０分〜約３０分の焼成時間を有する。
【００２５】
もう１つの実施形態では、連続した配線パターン１４とキャリア１８上に高分子材料１２’をカバーするステップは、約５％〜４０％の固形分を有するポリイミド（ＰＩ）（図示されていない）を提供するステップ、ポリイミド（ＰＩ）層１２’を連続した配線パターン１４とキャリア１８上に形成するステップ、およびキャリア１８に対して焼成プロセスを行うステップを含む。焼成プロセスは、約５０℃〜約２１０℃の焼結温度と約３０分〜約６０分の焼成時間を有する。
【００２６】
次いで、高分子材料１２’とキャリア１８は、例えば、切断プロセスを用いて分割され、連続した配線パターン１４が埋め込まれたフレキシブル基板１２を形成する。
【００２７】
この実施形態では、図３Ｃに示されるように、連続した配線パターン１４は、フレキシブル基板１２内の領域に埋め込まれる。
【００２８】
図４Ａ〜４Ｄを参照に、本発明の１つの実施形態に従って配線が埋め込まれたフレキシブル基板を形成する方法が提供される。まず、図４Ａに示されるように、キャリア１８０が提供される。キャリア１８０は、ガラスまたは金属を含むことができる。
【００２９】
次いで、連続した配線パターン１４０は、キャリア１８０に形成される。連続した配線パターン１４０は、複数の孔（図示されていない）を含む。この実施形態では、複数の孔を含む連続した配線パターン１４０をキャリア１８０上に形成するステップは、例えば、スクリーン印刷プロセスを用いて連続した配線パターン１４０をキャリア１８０上に形成することができる。次いで、約２５０℃〜約３００℃の焼結温度で連続した配線パターン１４０に対して焼結プロセスを行い、複数の孔を含む連続した配線パターン１４０を形成する。配線パターン１４０は、例えば、銀、銅、ニッケル、またはその合金を含むことができる。配線パターン１４０は、約１．６×１０−６Ω・ｃｍ〜約１０×１０−６Ω・ｃｍの抵抗率を有する。連続した配線パターン１４に含まれた孔は、約１０ｎｍ〜約１００μｍの大きさを有する。
【００３０】
次いで、高分子材料１２０は、例えばコーティングプロセスを用いて連続した配線パターン１４０とキャリア１８０をカバーし、高分子材料１２０’が孔（図示されていない）に充填される。高分子材料１２０’は、ポリイミド（ＰＩ）またはポリフッ化ビニリデン（ＰＶＤＦ）を含むことができる。
【００３１】
次いで、高分子材料１２０’とキャリア１８０は、例えば、切断プロセスを用いて分割され、連続した配線パターン１４０が埋め込まれたフレキシブル基板１２０を形成する。
【００３２】
次いで、例えば、プラズマプロセスなどの表面処理プロセス２００が連続した配線パターン１４０が埋め込まれたフレキシブル基板１２０に行われ、連続した配線パターン１４０を露出する。
【００３３】
この実施形態では、連続した配線パターン１４０は、図４Ｄに示されるように、フレキシブル基板１２０の表面近傍の領域に埋め込まれる。
【００３４】
本発明では、フレキシブル基板に金属線を埋め込むことができるフルプリンティング（ｆｕｌｌ−ｐｒｉｎｔｉｎｇ）基板構造設計が開発されて、現在の基板と配線との信頼性と接着強度が乏しい問題を解決する。この製造手順の簡易化は、最適な利点を提供し、フレキシブル電子、フレキシブルプリント回路、ＬＥＤなどの関連産業に広く用いられている。本発明では、金属線が埋め込まれたフレキシブル基板構造は、金属線とキャリアとの接着強度が乏しいことを示しているが、用いられる高分子材料がコーティングされて成型された後、高分子材料と金属線は、キャリアから容易に取り下ろされて、金属線がはめ込まれた高分子材料を形成することができる。これは、構造の高い耐屈曲性、および基板と配線との高い接着強度を有するため、配線が基板から剥離し難くなる。
【００３５】
上述のフレキシブル基板構造では、高分子材料は、配線の孔を充填して浸透するため、金属線は、高分子材料によって効果的にコーティングされ、金属線が高分子基板内に埋め込まれるか、または高分子基板の表面近傍に埋め込まれ、金属線に耐熱性、耐半田性、耐屈曲性、薄化、および高電子伝導性（ｒａｐｉｄ  ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃ  ｃｏｎｄｕｃｔｉｏｎ）などの特性を持たせる。また、本発明によって開発された新しいフレキシブル基板導体回路構造は、超薄型高分子基板と回路の形成に用いられることができ、全体の集積（ｉｎｔｅｇｒａｔｉｏｎ）の薄化を達成し、例えば、フレキシブルＬＥＤパッケージ基板、タッチパネル、ディスプレイなどのフレキシブルディスプレイに効果的に用いられている。また、この構造は、高出力電子チップの接着、およびパッケージングと電子回路の薄化にも用いられることができる。
【００３６】
実施例
【００３７】
実施例１
【００３８】
配線が埋め込まれたフレキシブル基板の準備（１）およびその特性の分析
【００３９】
図３Ａ〜３Ｃを参照すると、まず、図３Ａに示されるように、キャリア１８が提供される。キャリア１８は、ガラスで構成される。
【００４０】
次いで、連続した配線パターン１４がキャリア１８上に形成される。連続した配線パターン１４は、複数の孔（図示されていない）を含む。この実施例では、複数の孔を含む連続した配線パターン１４をキャリア１８上に形成するステップは、Ｃ１１Ｈ２３ＯＯＡｇ（８ｇ）をキシレン（ｘｙｌｅｎｅ）（１６ｍｌ）に溶かし、溶液を形成するステップ、その溶液を１００ｎｍ〜３００ｎｍ（４０ｇ）の大きさを有する球状金属銀粉末と混合し、８５％の固形分を有する導電銀接着剤（１００，０００ｃｐの粘度を有する）を準備するステップ、スクリーン印刷プロセス（メッシュ：３２５）を用いて、連続した配線パターン１４をキャリア１８上に形成するステップ、および約３００℃の焼結温度で連続した配線パターン１４に対して約３０分間、焼結プロセスを行い、複数の孔を含む連続した配線パターン１４を形成するステップを含む。連続した配線パターン１４に含まれた孔は、１０ｎｍ〜１００μｍの大きさを有する。
【００４１】
次いで、高分子材料１２’は、コーティングプロセスを用いて連続した配線パターン１４とキャリア１８をカバーし、高分子材料１２’が孔（図示されていない）に充填される。この実施例では、連続した配線パターン１４とキャリア１８上に高分子材料１２’をカバーするステップは、３００μｍスクレーパを用いて、約２０％の固形分を有するポリイミド（ＰＩ）溶液（２４ｍｌのジメチルアセトアミドに６ｇのＰＩを溶かし、溶液を形成する）を、連続した配線パターン１４とキャリア１８にコーティングし、ポリイミド（ＰＩ）膜を形成するステップ、およびポリイミド（ＰＩ）膜に対して焼成プロセスを行い、透明なポリイミド（ＰＩ）薄膜を得る。焼成プロセスでは、ポリイミド（ＰＩ）膜は、５０℃で３０分間、１４０℃で３０分間と、２１０℃で６０分間、焼成される。
【００４２】
次いで、高分子材料１２’とキャリア１８は、切断プロセスを用いて分割され、連続した配線パターン１４が埋め込まれたフレキシブル基板１２を形成する。切断プロセスは、簡単な機械の切断プロセスである。
【００４３】
この実施形態では、図３Ｃに示されるように、連続した配線パターン１４は、フレキシブル基板１２内の領域に埋め込まれる。
【００４４】
次いで、この実施例で準備された配線が埋め込まれたフレキシブル基板の特性（フレキシブル基板と配線との接着強度、配線の抵抗率）が分析され、その曲げ試験とはんだ耐久試験も行われる。その結果は、表１に示される。
【００４５】
実施例２
【００４６】
配線が埋め込まれたフレキシブル基板の準備（２）およびその特性の分析
【００４７】
図３Ａ〜３Ｃを参照すると、まず、図３Ａに示されるように、キャリア１８が提供される。キャリア１８は、ステンレス鋼で構成される。
【００４８】
次いで、連続した配線パターン１４がキャリア１８上に形成される。連続した配線パターン１４は、複数の孔（図示されていない）を含む。この実施例では、複数の孔を含む連続した配線パターン１４をキャリア１８上に形成するステップは、Ｃ１１Ｈ２３ＯＯＡｇ（８ｇ）をキシレン（ｘｙｌｅｎｅ）（１６ｍｌ）に溶かし、溶液を形成するステップ、その溶液を１００ｎｍ〜３００ｎｍ（４０ｇ）の大きさを有する球状金属銀粉末と混合し、８５％の固形分を有する導電銀接着剤（１００，０００ｃｐの粘度を有する）を準備するステップ、スクリーン印刷プロセス（メッシュ：３２５）を用いて、連続した配線パターン１４をキャリア１８上に形成するステップ、および約３００℃の焼結温度で連続した配線パターン１４に対して約３０分間、焼結プロセスを行い、複数の孔を含む連続した配線パターン１４を形成するステップを含む。連続した配線パターン１４に含まれた孔は、１０ｎｍ〜１００μｍの大きさを有する。
【００４９】
次いで、高分子材料１２’は、コーティングプロセスを用いて連続した配線パターン１４とキャリア１８をカバーし、高分子材料１２’が孔（図示されていない）に充填される。この実施例では、連続した配線パターン１４とキャリア１８上に高分子材料１２’をカバーするステップは、５００μｍスクレーパを用いて、約１５％の固形分を有するポリフッ化ビニリデン（ＰＶＤＦ）溶液（３４ｍｌのジメチルアセトアミドに６ｇのＰＶＤＦを溶かし、溶液を形成する）を、連続した配線パターン１４とキャリア１８にコーティングし、ポリフッ化ビニリデン（ＰＶＤＦ）膜を形成するステップ、およびポリフッ化ビニリデン（ＰＶＤＦ）膜に対して焼成プロセスを行い、透明なポリフッ化ビニリデン（ＰＶＤＦ）薄膜を得る。焼成プロセスでは、ポリフッ化ビニリデン（ＰＶＤＦ）膜は、８０℃で１０分間と、１８０℃で３０分間、焼成される。
【００５０】
次いで、高分子材料１２’とキャリア１８は、切断プロセスを用いて分割され、連続した配線パターン１４が埋め込まれたフレキシブル基板１２を形成する。切断プロセスは、簡単な機械の切断プロセスである。
【００５１】
この実施形態では、図３Ｃに示されるように、連続した配線パターン１４は、フレキシブル基板１２内の領域に埋め込まれる。
【００５２】
次いで、この実施例で準備された配線が埋め込まれたフレキシブル基板の特性（フレキシブル基板と配線との接着強度、配線の抵抗率）が分析され、その曲げ試験とはんだ耐久試験も行われる。その結果は、表１に示される。
【００５３】
実施例３
【００５４】
配線が埋め込まれたフレキシブル基板の準備（３）およびその特性の分析
【００５５】
図４Ａ〜４Ｄを参照すると、まず、図４Ａに示されるように、キャリア１８０が提供される。キャリア１８０は、ガラスで構成される。
【００５６】
次いで、連続した配線パターン１４０がキャリア１８０上に形成される。連続した配線パターン１４０は、複数の孔（図示されていない）を含む。この実施例では、複数の孔を含む連続した配線パターン１４０をキャリア１８０上に形成するステップは、Ｃ１１Ｈ２３ＯＯＡｇ（８ｇ）をキシレン（ｘｙｌｅｎｅ）（１６ｍｌ）に溶かし、溶液を形成するステップ、その溶液を１００ｎｍ〜３００ｎｍ（４０ｇ）の大きさを有する球状金属銀粉末と混合し、８５％の固形分を有する導電銀接着剤（１００，０００ｃｐの粘度を有する）を準備するステップ、スクリーン印刷プロセス（メッシュ：３２５）を用いて、連続した配線パターン１４０をキャリア１８０上に形成するステップ、および約３００℃の焼結温度で連続した配線パターン１４０に対して約３０分間、焼結プロセスを行い、複数の孔を含む連続した配線パターン１４０を形成するステップを含む。連続した配線パターン１４０に含まれた孔は、１０ｎｍ〜１００μｍの大きさを有する。
【００５７】
次いで、高分子材料１２０’は、コーティングプロセスを用いて連続した配線パターン１４０とキャリア１８０をカバーし、高分子材料１２０’が孔（図示されていない）に充填される。この実施例では、連続した配線パターン１４０とキャリア１８０上に高分子材料１２０’をカバーするステップは、５００μｍスクレーパを用いて、約２０％の固形分を有するポリイミド（ＰＩ）溶液（２４ｍｌのジメチルアセトアミドに６ｇのＰＩを溶かし、溶液を形成する）を、連続した配線パターン１４０とキャリア１８０にコーティングし、ポリイミド（ＰＩ）膜を形成するステップ、およびポリイミド（ＰＩ）膜に対して焼成プロセスを行い、透明なポリイミド（ＰＩ）薄膜を得る。焼成プロセスでは、ポリイミド（ＰＩ）膜は、５０℃で３０分間、１４０℃で３０分間と、２１０℃で６０分間、焼成される。
【００５８】
次いで、高分子材料１２０’とキャリア１８０は、切断プロセスを用いて分割され、連続した配線パターン１４０が埋め込まれたフレキシブル基板１２０を形成する。切断プロセスは、簡単な機械の切断プロセスである。
【００５９】
次いで、表面処理プロセス２００が連続した配線パターン１４０が埋め込まれたフレキシブル基板１２０に行われ、連続した配線パターン１４０を露出する。表面処理プロセス２００は、プラズマプロセスである。
【００６０】
この実施形態では、図４Ｄに示されるように、連続した配線パターン１４０は、フレキシブル基板１２０の表面近傍の領域に埋め込まれる。
【００６１】
次いで、この実施例で準備された配線が埋め込まれたフレキシブル基板の特性（フレキシブル基板と配線との接着強度、配線の抵抗率）が分析され、その曲げ試験とはんだ耐久試験も行われる。その結果は、表１に示される。
【００６２】
比較例１
【００６３】
従来のフレキシブル基板上に配線が形成されたフレキシブル基板の準備（３）およびその特性の分析
【００６４】
まず、基板が提供される。基板は、ポリイミド（ＰＩ）を含む。
【００６５】
次いで、配線パターンが基板上に形成される。この実施例では、配線パターンを基板上に形成するステップは、Ｃ１１Ｈ２３ＯＯＡｇをキシレンに溶かし、溶液を形成するステップ、その溶液を１００ｎｍ〜３００ｎｍの大きさを有する球状金属銀粉末と混合し、８５％の固形分を有する導電銀接着剤を準備するステップ、およびスクリーン印刷プロセス（メッシュ：３２５）を用いて、配線パターンを基板上に形成するステップを含む。
【００６６】
次いで、この実施例で準備された、フレキシブル基板上に配線が形成されたフレキシブル基板の特性（フレキシブル基板と配線との接着強度、配線の抵抗率）が分析され、その曲げ試験とはんだ耐久試験も行われる。その結果は、表１に示される。
【表１】
2015162678.tif 000003
【００６７】
以上、実施例を示して本発明を説明しているが、当業者は、本発明の思想と技術的範囲から逸脱しない種々の修正及び変更を行い得る。実施形態および実施例は、例示的なものであるに過ぎず、本発明の範囲は、以下の請求項及びその均等のものによって規定されて保護される。
【符号の説明】
【００６８】
１０、１００  配線が埋め込まれたフレキシブル基板
１２、１２０  フレキシブル基板
１２’、１２０’  高分子材料
１４、１４０  連続した配線パターン
１６、１６０  孔
１８、１８０  キャリア
２００  表面処理プロセス
【図１】
2015162678.tif 000004
【図２】
2015162678.tif 000005
【図３】
2015162678.tif 000006
【図４】
2015162678.tif 000007
【外国語明細書】
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