(57)【要約】【課題】磁場の測定の感度の変動を抑制する磁場測定装置を提供する。【解決手段】磁場測定装置１Ａは、光源１０と、ガスを内部に収容したセル５０と、光源１０により出射された光をセル５０に導く導光体３０と、セル５０と導光体３０との間に設けられ、光を第１軸方向の偏光成分と第２軸方向の偏光成分とに分離する第１偏光分離器２１と、第２軸方向の偏光成分の光量を測定する光量モニター１１０と、光量モニター１１０により測定された光量の測定結果に基づいて、セル５０を透過した第1軸方向の光量により磁場を測定する信号処理回路９０とを有する。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
光源と、
ガスを内部に収容したセルと、
前記光源により出射された光を前記セルに導く導光体と、
前記セルと前記導光体との間に設けられ、前記光を第１軸方向の偏光成分と第２軸方向の偏光成分とに分離する偏光分離部と、
前記第２軸方向の偏光成分の光量を測定する光量測定部と、
前記光量測定部により測定された光量の測定結果に基づいて、前記セルを透過した前記第１軸方向の光量により磁場を測定する磁場測定部と
を有する磁場測定装置。
【請求項２】
前記磁場測定部は、前記光量測定部により測定された光量の変化量が予め設定された閾値以下であるときに磁場を測定する
ことを特徴とする請求項１に記載の磁場測定装置。
【請求項３】
前記磁場測定部は、前記光量測定部により測定された光量が予め設定された閾値以下であるときに磁場を測定する
ことを特徴とする請求項１に記載の磁場測定装置。
【請求項４】
前記閾値は、前記磁場測定部により測定される磁場の精度に応じて決められる
ことを特徴とする請求項２または３に記載の磁場測定装置。
【請求項５】
前記導光体は、光ファイバーを含む
ことを特徴とする請求項１ないし４のいずれか一項に記載の磁場測定装置。
【請求項６】
前記セルは複数設けられており、
前記偏光分離部は、前記第１軸方向の偏光成分を互いに異なる比率で反射および透過させ、かつ、前記第２軸方向の偏光成分を透過させる複数の偏光分離素子を有する
ことを特徴とする請求項１ないし５のいずれか一項に記載の磁場測定装置。
【請求項７】
光源、ガスを内部に収容したセル、前記光源により出射された光を前記セルに導く導光体、並びに前記光を第１軸方向の偏光成分と第２軸方向の偏光成分とに分離する偏光分離部を有する磁場測定装置における磁場測定方法であって、
前記偏光分離部により分離された光のうち前記第２軸方向の偏光成分の光量を測定するステップと、
前記測定された光量の測定結果に基づいて、前記セルを透過した前記第１軸方向の光量により磁場を測定するステップと
を有する磁場測定方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、磁場を測定する技術に関する。
【背景技術】
【０００２】
アルカリ金属ガスが封入されたセルに直線偏光を入射させ、偏光面の回転角に応じて磁場を測定する光ポンピング式磁気センサーが知られている。特許文献１には、光ポンピング式磁気センサーにおいて、外乱磁場の方向とセルに入射する光の電場の振動方向とが合うように偏光板を回転させることにより、外乱磁場の影響を抑制することが記載されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２０１３−１０８８３３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
特許文献１に記載の技術は、セルに入射するレーザービームの光量が変化する場合に、磁場の測定の感度が変動してしまう問題があった。本発明は、磁場の測定の感度が安定しているときに磁場の強さを測定することを目的の一つとする。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本発明は、光源と、ガスを内部に収容したセルと、前記光源により出射された光を前記セルに導く導光体と、前記セルと前記導光体との間に設けられ、前記光を第１軸方向の偏光成分と第２軸方向の偏光成分とに分離する偏光分離部と、前記第２軸方向の偏光成分の光量を測定する光量測定部と、前記光量測定部により測定された光量の測定結果に基づいて、前記セルを透過した前記第１軸方向の光量により磁場を測定する磁場測定部とを有する磁場測定装置を提供する。この磁場測定装置によれば、導光体が光を導く過程で偏光成分が変化する場合であっても、磁場の測定の感度が安定しているときに磁場の強さが測定される。
【０００６】
好ましい態様において、前記磁場測定部は、前記光量測定部により測定された光量の変化量が予め設定された閾値以下であるときに磁場を測定することを特徴とする。この磁場測定装置によれば、測定された光量の変化量が閾値を上回るときに磁場が測定されることが防止される。
【０００７】
別の好ましい態様において、前記磁場測定部は、前記光量測定部により測定された光量が予め設定された閾値以下であるときに磁場を測定することを特徴とする。この磁場測定装置によれば、測定された光量が閾値を上回るときに磁場が測定されることが防止される。
【０００８】
別の好ましい態様において、前記閾値は、前記磁場測定部により測定される磁場の精度に応じて決められることを特徴とする。この磁場測定装置によれば、磁場の測定の感度が、測定される磁場の精度に応じたレベルで安定しているときに、磁場の強さが測定される。
【０００９】
別の好ましい態様において、前記導光体は、光ファイバーを含むことを特徴とする。この磁場測定装置によれば、光ファイバーが光を導く過程で偏光成分が変化する場合であっても、磁場の測定の感度が安定しているときに磁場の強さが測定される。
【００１０】
別の好ましい態様において、前記セルは複数設けられており、前記偏光分離部は、前記第１軸方向の偏光成分を互いに異なる比率で反射および透過させ、かつ、前記第２軸方向の偏光成分を透過させる複数の偏光分離素子を有することを特徴とする。この磁場測定装置によれば、複数のチャネルで磁場を測定することができる。
【００１１】
また、本発明は、光源、ガスを内部に収容したセル、前記光源により出射された光を前記セルに導く導光体、並びに前記光を第１軸方向の偏光成分と第２軸方向の偏光成分とに分離する偏光分離部を有する磁場測定装置における磁場測定方法であって、前記偏光分離部により分離された光のうち前記第２軸方向の偏光成分の光量を測定するステップと、前記測定された光量の測定結果に基づいて、前記セルを透過した前記第１軸方向の光量により磁場を測定するステップとを有する磁場測定方法を提供する。この磁場測定方法によれば、導光体が光を導く過程で偏光成分が変化する場合であっても、磁場の測定の感度が安定しているときに磁場の強さが測定される。
【図面の簡単な説明】
【００１２】
【図１】第１実施形態に係る磁場測定装置の構成を示すブロック図。
【図２】磁場測定装置の動作を示すフローチャート。
【図３】第２実施形態に係る磁場測定装置の構成を示すブロック図。
【図４】各偏光分離素子２２の反射率Ｒ：透過率Ｔを示す図。
【図５】第３実施形態に係る磁場測定装置の構成を示すブロック図。
【図６】各無偏光分離素子２３の反射率Ｒ：透過率Ｔを示す図。
【図７】比較例に係る磁場測定装置の構成を示すブロック図。
【発明を実施するための形態】
【００１３】
１．構成
図７は、比較例に係る磁場測定装置２の構成を示すブロック図である。磁場測定装置２は、非線形光学回転（Nonlinear Magneto-Optical Rotation、ＮＭＯＲ）を用いた磁場測定装置である。磁場測定装置２は、光源１０と、偏光板２０と、光ファイバー３０と、コネクター４０と、ガスセル５０と、偏光分離器６０と、ＰＤ（Photo Detector、光検出器）７０と、ＰＤ８０と、信号処理回路９０と、表示装置１００とを有する。ガスセル５０内には、気体の状態のアルカリ金属原子が封入されている。アルカリ金属原子は、照射される光の偏光方向に応じてスピン偏極し、磁化された状態になる。この磁化ベクトルは、測定軸（（レーザービームの進行方向））に直交する軸に対して定常的に傾いている。レーザービームがガスセル５０を通過するとき、ファラデー効果によってその偏光面が回転する。偏光面の回転角は、測定軸方向の磁場の強さに比例する。レーザービームの偏光面の回転角をＰＤ（Photo Detector）７０およびＰＤ８０により検出することで、磁場が測定される。
【００１４】
磁場測定装置２において、光源１０から偏光板２０までのレーザービームの伝播には、シングルモードの光ファイバー３０が用いられる。光ファイバー３０において、コアのわずかな歪みまたは外部からの応力（環境的な温度変化または機械的な振動）などによりランダムな複屈折が生じると、光ファイバー３０を通過するレーザービームの偏光方向が変化する。偏光方向が変化するとガスセル５０に入射するレーザービームの光量が変化するため、磁場が一定であっても観測される磁場の値が変動してしまう（すなわち、測定の感度が変動しているようにみえる）。また、光ファイバー３０として偏波保持ファイバー（複屈折ファイバー）を用いた場合であっても、光源１０により出射されるレーザービームの偏光方向と、偏波保持ファイバーの高速軸または低速軸との間にずれが生じて偏光方向が変化し、同様の問題が生じる場合がある。本実施形態は、このような問題に対処するものである。
【００１５】
図１は、本発明の第１実施形態に係る磁場測定装置１Ａの構成を示すブロック図である。この例で、磁場測定装置１Ａは、心磁または脳磁等、生体から発生される磁場を生体の状態の指標として測定する生体状態測定装置（心磁計または脳磁計等）に用いられる。磁場測定装置１Ａは、光源１０と、光ファイバー３０と、コネクター４０と、第１偏光分離器２１と、ガスセル５０と、第２偏光分離器６１と、ＰＤ（Photo Detector、光検出器）７０と、ＰＤ８０と、信号処理回路９０と、表示装置１００と、光量モニター１１０と、制御部１２０と、増幅回路１３０とを有する。
【００１６】
光源１０は、セシウムの吸収線に応じた波長（例えばＤ１線に相当する８９４ｎｍ）のレーザービームを出力する装置、例えばチューナブルレーザーである。光源１０から出力されるレーザービームは、連続的に一定の光量を有する、いわゆるＣＷ（Continuous Wave）光である。図１の例で、光源１０は、偏光成分がＰ波成分のレーザービームを出力する。なお、Ｐ波成分は、第１軸方向の偏光成分の一例である。
【００１７】
光ファイバー３０（導光体の一例）は、光源１０により出力されたレーザービームを、ガスセル５０側に導く部材である。光ファイバー３０には、例えば、基本モードのみを伝播するシングルモードの光ファイバーが用いられる。コネクター４０は、光ファイバー３０を支持するための部材である。第１偏光分離器２１（偏光分離部の一例）は、ガスセル５０と光ファイバー３０との間に設けられ、光ファイバー３０により導かれたレーザービームを２つの偏光成分に分離する素子（例えば、ウォラストンプリズムまたは偏光ビームスプリッター）である。上述の通り、光源１０から出力されたレーザービームは光ファイバー３０を通過する過程で偏光方向が変化し、第１偏光分離器２１に入射するレーザービームの偏光成分にはＰ波成分とＳ波成分とが含まれる。第１偏光分離器２１は、入射したレーザービームをＰ波成分とＳ波成分とに分離する。なお、Ｓ波成分は、第２軸方向の偏光成分の一例である。
【００１８】
ガスセル５０は、内部に空隙を有する箱（セル）であり、この空隙にはアルカリ金属原子（この例ではセシウム）が封入されている。ガスセル５０は、石英ガラスまたはホウケイ酸ガラス等の無機材料により形成される。ガスセル５０に封入されているアルカリ金属原子は、測定時には少なくとも一部が気化する。アルカリ金属ガスには、希ガス等の不活性ガスが混ぜられていてもよい。また、ガスセル５０の内壁は、パラフィン等によりコーティングされていてもよい。
【００１９】
第２偏光分離器６１は、入射したレーザービームを、互いに直交する２つの偏光成分のレーザービームに分離する素子（例えば、ウォラストンプリズムまたは偏光ビームスプリッター）である。ＰＤ７０およびＰＤ８０は、レーザービームの波長に感度を有する検出器であり、入射光の光量に応じた電流を信号処理回路９０に出力する。ＰＤ７０およびＰＤ８０が磁場を発生すると測定に影響を与える可能性があるので、非磁性の材料で構成されることが望ましい。ＰＤ７０およびＰＤ８０は、ガスセル５０からみて第２偏光分離器６１と同じ側に配置される。増幅回路１３０は、ＰＤ７０およびＰＤ８０から出力された信号を増幅する。
【００２０】
レーザービームの経路に沿って説明すると、上記の素子は、以下のように配置されている。レーザービームの経路の最上流には光源１０が位置し、以下、上流側から、光ファイバー３０、コネクター４０、第１偏光分離器２１、ガスセル５０、第２偏光分離器６１、およびＰＤ７０（ＰＤ８０）の順で配置されている。レーザービームの進行について説明すると、光源１０から出力されたレーザービームは、光ファイバー３０に導かれて第１偏光分離器２１に到達する。第１偏光分離器２１に到達したレーザービームは、Ｐ波成分とＳ波成分とに分離される。第１偏光分離器２１により分離されたＰ波成分のレーザービームは、ガスセル５０に入射する。ガスセル５０を透過しているレーザービームは、ガスセル５０に封入されているアルカリ金属原子を励起（光ポンピング）する。このとき、レーザービームは、磁場の強さに応じた偏光面回転作用を受けて偏光面が回転する。ガスセル５０を透過したレーザービームは第２偏光分離器６１により２つの偏光成分のビームに分離される。２つの偏光成分のビームの光量は、ＰＤ７０およびＰＤ８０で計測（プロービング）される。なお、第１偏光分離器２１により分離されたレーザービームのうちＳ波成分は、後述の光量モニター１１０に入射する。
【００２１】
信号処理回路９０は、ＰＤ７０およびＰＤ８０により計測されたビームの光量を示す信号をそれぞれ受け取る。信号処理回路９０は、受け取った各信号に基づいて、レーザービームの偏光面の回転角を計測する。偏光面の回転角は、レーザービームの伝播方向の磁場の強さに基づく関数で表される（例えば、Ｄ．バドカー、外５名，「原子の共鳴非線形磁気光学回転効果」，レビュー・オブ・モダン・フィジクス誌，米国，米国物理学会，２００２年１０月，第７４巻，第４号，ｐ．１１５３−１２０１の数式（２）を参照。数式（２）は線形光学回転に関するものであるが、ＮＭＯＲの場合もほぼ同様の式を用いることができる）。信号処理回路９０は、偏光面の回転角からレーザービームの伝播方向における磁場の強さを測定する。表示装置１００は、信号処理回路９０により測定された磁場の強さを表示する。
【００２２】
光量モニター１１０は、第１偏光分離器２１により分離されたＳ波成分のレーザービームの光量を検出するフォトダイオードなどの受光素子である。光量モニター１１０にＳ波成分が入射すると、光量モニター１１０は、入射した光量に応じた電流を制御部１２０に出力する。制御部１２０は、磁場測定装置１Ａの各部の動作を制御するコンピュータである。制御部１２０は、ＣＰＵ（Central Processing Unit）と、ＲＯＭ（Read Only Memory）と、ＲＡＭ（Random Access Memory）とを有する。制御部１２０は、光量モニター１１０による光量の検出結果に基づいて、信号処理回路９０による磁場の測定を制御する。図１において、制御部１２０により制御されている光量モニター１１０は、光量測定部の一例である。制御部１２０、および制御部１２０により制御されている信号処理回路９０は、磁場測定部の一例である。
【００２３】
２．動作
図２は、磁場測定装置１の動作を示すフローチャートである。以下の処理は、例えば、ユーザが図示せぬ入力部を操作して磁場測定装置１を起動したことを契機として開始される。磁場測定装置１が起動されると、光源１０からレーザービームが出力される。ステップＳ１において、制御部１２０は、光量モニター１１０に入射した光量を測定する。ステップＳ１における光量の測定は、予め決められた間隔で繰り返し行われる。制御部１２０は、測定した光量をＲＡＭに記憶する。ステップＳ２において、制御部１２０は、光量の変動量（以下、「変動量ΔＬ」という）を算出する。変動量ΔＬとしては、例えば、ステップＳ２の処理が行われる前の決められた期間における光量の変動の最大値、光量の変動の平均値、または光量の変動の標準偏差などが用いられる。制御部１２０は、ステップＳ１で測定された光量に応じて変動量ΔＬを算出する。制御部１２０は、算出された変動量ΔＬをＲＡＭに記憶する。ステップＳ３において、制御部１２０は、変動量ΔＬが閾値Ｔｈ１以下であるか否かを判断する。閾値Ｔｈ１は、信号処理回路９０が測定する磁場の強さの精度に応じて決められた値であり、予めＲＯＭに記憶されている。制御部１２０は、ＲＡＭから変動量ΔＬを、ＲＯＭから閾値Ｔｈ１をそれぞれ読み出して両者を比較する。変動量ΔＬが閾値Ｔｈ１以下であると判断された場合（Ｓ３：ＹＥＳ）、制御部１２０は、処理をステップＳ４に移行する。変動量ΔＬが閾値Ｔｈ１を上回ると判断された場合（Ｓ３：ＮＯ）、制御部１２０は、処理をステップＳ１に移行する。ステップＳ４において、制御部１２０は、磁場の強さを測定する。
【００２４】
ステップＳ１からステップＳ４の処理が行なわれると、変動量ΔＬが閾値Ｔｈ１を上回る場合に磁場の強さが測定される場合に比べて、ガスセル５０に入射するレーザービームの光量の変化が少ないとき（すなわち磁場の測定の感度が安定しているとき）に磁場の強さが測定される。次に、磁場測定装置の他の構成について説明する。以下に示す磁場測定装置についても、図２と同様の動作が行われる。
【００２５】
３．他の構成
図３は、本発明の第２実施形態に係る磁場測定装置１Ｂの構成を示すブロック図である。磁場測定装置１Ｂは、ガスセルを４つ有する、いわゆる４チャネルの磁場測定装置である。したがって、磁場測定装置１Ｂは、ガスセル５０、第２偏光分離器６１、ＰＤ７０、ＰＤ８０、および増幅回路１３０の組み合わせを４組有する。以下では、磁場測定装置１Ｂについて、磁場測定装置１Ａと異なる構成を中心に説明する。磁場測定装置１Ｂは、第１偏光分離器２１に代えて４個の偏光分離素子２２（２２Ａ〜２２Ｄ）を有する。
【００２６】
偏光分離素子２２は、入射したレーザービームに含まれる偏光成分のうち、光源１０により出力されたレーザービームの偏光成分と同じ偏光成分を反射および透過させる。図３に示す例では、光源１０は偏光成分がＰ波成分のレーザービームを出力しているため、偏光分離素子２２は、入射したレーザービームに含まれるＰ波成分を反射および透過させる。偏光分離素子２２が、ある偏光成分（ここではＰ波成分）を反射および透過させるときの比率（反射率Ｒ：透過率Ｔ）は、各偏光分離素子２２Ａ〜２２Ｄで互いに異なる。
【００２７】
偏光分離素子２２は、また、入射したレーザービームに含まれる偏光成分のうち、光源１０により出力されたレーザービームの偏光成分とは異なる偏光成分を透過させる。図３に示す例では、光源１０は偏光成分がＰ波成分のレーザービームを出力しているため、偏光分離素子２２は、入射したレーザービームに含まれるＳ波成分を透過させる。
【００２８】
図４は、各偏光分離素子２２の反射率Ｒ：透過率ＴをＰ波成分とＳ波成分について示す図である。Ｐ波成分について、磁場測定装置１Ｂでは、複数のガスセル５０のそれぞれに入射する光量が等しくなるように、各偏光分離素子２２Ａ〜２２Ｄの反射率Ｒ：透過率Ｔが決められている。具体的には、各偏光分離素子２２Ａ〜２２ＤのＰ波成分に対する反射率Ｒ：透過率Ｔは、偏光分離素子２２Ａが２５：７５、偏光分離素子２２Ｂが３３：６７、偏光分離素子２２Ｃが５０：５０、偏光分離素子２２Ｄが１００：０である。また、各偏光分離素子２２Ａ〜２２ＤのＳ波成分に対する反射率Ｒ：透過率Ｔは、いずれも０：１００である。
【００２９】
図５は、本発明の第３実施形態に係る磁場測定装置１Ｃの構成を示すブロック図である。磁場測定装置１Ｃは、ガスセルを１６個有する、いわゆる１６チャネルの磁場測定装置である。したがって、磁場測定装置１Ｃは、ガスセル５０、第２偏光分離器６１、ＰＤ７０、ＰＤ８０、および増幅回路１３０の組み合わせを１６組有する。なお、図５においては、説明の便宜上、１６チャネル分の組み合わせの図示は省略している。磁場測定装置１Ｃは、磁場測定装置１Ｂの構成に加えて、１６個の無偏光分離素子２３（２３Ａｎ、２３Ｂｎ、２３Ｃｎ、２３Ｄｎ）を有する。
【００３０】
無偏光分離素子２３には、偏光分離素子２２により反射されたレーザービームが入射する。図５に示す例では、光源１０は偏光成分がＰ波成分のレーザービームを出力し、偏光分離素子２２はＰ波成分を反射している。そのため、無偏光分離素子２３には、Ｐ波成分のレーザービームが入射する。無偏光分離素子２３は、入射したレーザービームの偏光成分を変えることなく、ガスセル５０に向かうレーザービーム（ｚ軸正方向に向かうレーザービーム）と、隣り合う他の無偏光分離素子２３に向かうレーザービーム（ｘ軸正方向に向かうレーザービーム）とに分離する。つまり、無偏光分離素子２３により分離されたレーザービームは、一部がガスセル５０に入射し、残りが隣り合う他の無偏光分離素子２３に入射する。
【００３１】
図６は、各無偏光分離素子２３の反射率Ｒ：透過率Ｔを示した図である。磁場測定装置１Ｃでは、複数のガスセル５０のそれぞれに入射するＰ波成分の光量が等しくなるように、各無偏光分離素子２３の反射率Ｒ：透過率Ｔが決められている。具体的には、各無偏光分離素子２３の反射率Ｒ：透過率Ｔは、無偏光分離素子２３Ａｎ（２３Ａ１〜２３Ａ４）が２５：７５、無偏光分離素子２３Ｂｎ（２３Ｂ１〜２３Ｂ４）が３３：６７、無偏光分離素子２３Ｃｎ（２３Ｃ１〜２３Ｃ４）が５０：５０、無偏光分離素子２３Ｄｎ（２３Ｄ１〜２３Ｄ４）が１００：０である。なお、各偏光分離素子２２Ａ〜２２Ｄの反射率Ｒ：透過率Ｔは、図４と同様である。
【００３２】
４．変形例
本発明は、上述の実施形態に限定されるものではなく、種々の変形実施が可能である。以下、変形例をいくつか説明する。以下で説明する変形例のうち、２つ以上のものが組み合わされて用いられてもよい。
【００３３】
本発明が適用される磁場測定装置の構成は、図１、３、および５に示したものに限らない。例えば、磁場測定装置のチャネル数は、実施形態に示したチャネル数とは異なるチャネル数であってもよい。また、各偏光分離素子２２および各無偏光分離素子２３の反射率Ｒ：透過率Ｔは、実施形態に示した比率とは異なる比率であってもよい。さらに、無偏光分離素子２３に代えて、Ｓ波成分またはＰ波成分の直線偏光を決められた比率で分離する偏光分離素子が用いられてもよい。
光ファイバー３０は、シングルモードの光ファイバーに限らない。光ファイバー３０は、例えば、偏波保持ファイバーであってもよい。また、導光体は、光ファイバー３０に限らない。
ＰＤ７０およびＰＤ８０から出力される信号に基づく磁場の強さの解析は、制御部１２０により行なわれてもよい。この場合、信号処理回路９０は、省略される。
【００３４】
光源１０が出力するレーザービームの偏光成分はＰ波成分に限らない。光源１０は、Ｓ波成分のレーザービームを出力してもよい。この場合、第１偏光分離器２１、偏光分離素子２２、および無偏光分離素子２３は、ガスセル５０にＳ波成分が入射し、光量モニター１１０にＰ波成分が入射するように、レーザービームを分離する。
【００３５】
磁場測定装置１の動作は、図２に示した動作に限らない。例えば、ステップＳ１からステップＳ３の処理が、磁場の測定が開始された後に行われてもよい。この場合、変動量ΔＬが閾値Ｔｈ１以下であると判断されたときには、磁場の測定が中止されてもよい。また、変動量ΔＬが算出される方法は、実施形態に記載された方法に限らない。
【００３６】
制御部１２０が、光量モニター１１０による光量の検出結果に基づいて磁場の測定を制御する方法は、図２に示した方法に限らない。制御部１２０は、例えば、光量モニター１１０により検出された光量が閾値Ｔｈ２以下であるときに、磁場の強さを測定してもよい。この場合、変動量ΔＬは算出されない。
【符号の説明】
【００３７】
１,２…磁場測定装置、１０…光源、２０…偏光板、２１…第１偏光分離器、２２…偏光分離素子、２３…無偏光分離素子、３０…光ファイバー、４０…コネクター、５０…ガスセル、６０…偏光分離器、６１…第２偏光分離器、７０，８０…ＰＤ、９０…信号処理回路、１００…表示装置、１１０…光量モニター、１２０…制御部、１３０…増幅回路
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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