(57)【要約】【課題】アルカリ性洗浄液を用いた基板の表面を改めて洗浄する場合において、洗浄後の異物等の当該表面への再付着、及び洗浄液による当該表面の過浸食を防止することが可能な洗浄方法を提供する。【解決手段】基板ＳＢの表面に向けて洗浄液を吐出する洗浄液吐出部１０と、表面に向けて超音波ＳＳを照射する超音波照射部８と、表面上にある洗浄液を吸引して除去するための吸引部１１及び１３と、を備えるノズル１を用いて基板ＳＢを洗浄する洗浄方法であって、洗浄液吐出部１０を用いて洗浄液を吐出する工程と、音波照射部８を用いて超音波ＳＳを照射する工程と、吸引部１１及び１３を用いて表面上にある洗浄液を吸引して除去する工程と、表面に対する洗浄液吐出、超音波ＳＳの照射及び吸引と並行して、ノズル１を表面に沿って移動させる工程と、を含む。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
洗浄対象物の表面に向けて洗浄液を吐出する洗浄液吐出手段と、前記表面に向けて超音波を照射する超音波照射手段と、前記表面上にある前記洗浄液を吸引して当該表面上から除去するための吸引手段と、を備えるノズル手段を用いて前記表面を洗浄する洗浄方法であって、
前記洗浄液吐出手段を用いて前記表面に向けて前記洗浄液を吐出する洗浄液吐出工程と、
前記超音波照射手段を用いて前記表面に向けて前記超音波を照射する超音波照射工程と、
前記吸引手段を用いて前記表面上にある前記洗浄液を吸引して当該表面上から除去する吸引工程と、
前記表面に対する前記超音波照射工程、前記洗浄液吐出工程及び前記吸引工程と並行して、前記ノズル手段を前記表面に沿って移動させる移動工程と、
を含むことを特徴とする洗浄方法。
【請求項２】
請求項１に記載の洗浄方法において、
前記ノズル手段は、前記表面に向けて水を吐出する水吐出手段を更に備え、
前記吸引工程においては、前記表面上にある前記洗浄液及び前記水をそれぞれ除去するために、前記吸引手段を用いて前記洗浄液及び前記水を吸引することを特徴とする洗浄方法。
【請求項３】
請求項２に記載の洗浄方法において、
前記水が脱気水であり、
前記移動工程においては、前記水吐出手段を用いた前記脱気水の前記表面への吐出後に前記洗浄液吐出工程及び前記超音波照射工程が実行され、その後に前記吸引工程が実行されるように前記ノズル手段が移動されることを特徴とする洗浄方法。
【請求項４】
請求項２に記載の洗浄方法において、
前記水が脱気水であり、
前記移動工程においては、前記洗浄液吐出工程後に、前記水吐出手段を用いた前記脱気水の前記表面への吐出、及び前記超音波照射工程が実行され、その後に前記吸引工程が実行されるように前記ノズル手段が移動されることを特徴とする洗浄方法。
【請求項５】
請求項１から請求項４のいずれか一項に記載の洗浄方法において、
前記洗浄液吐出手段は、酸性の前記洗浄液である酸性洗浄液を吐出する酸性洗浄液吐出手段と、アルカリ性の前記洗浄液であるアルカリ性洗浄液を吐出するアルカリ性洗浄液吐出手段と、により構成されており、
前記洗浄液吐出工程は、前記酸性洗浄液吐出手段を用いて前記表面に向けて前記酸性洗浄液を吐出する酸性洗浄液吐出工程と、前記アルカリ性洗浄液吐出手段を用いて前記表面に向けて前記アルカリ性洗浄液を吐出するアルカリ性洗浄液吐出工程と、を含んでおり、
前記移動工程においては、前記酸性洗浄液吐出工程後に当該吐出された酸性洗浄液が前記吸引手段により吸引され、その後に前記アルカリ性洗浄液吐出工程が実行され、更に当該アルカリ性洗浄液吐出工程後に当該吐出されたアルカリ洗浄液が前記吸引手段により吸引されるように前記ノズル手段を移動させることを特徴とする洗浄方法。
【請求項６】
請求項１から請求項５のいずれか一項に記載の前記ノズル手段と、
前記ノズル手段を前記表面に沿って移動させることにより、請求項１から請求項５のいずれか一項に記載の前記移動工程を実行する移動手段と、
を備えることを特徴とする洗浄装置。
【請求項７】
洗浄対象物の表面に向けて洗浄液を吐出する洗浄液吐出手段と、前記表面に向けて超音波を照射する超音波照射手段と、前記表面上にある前記洗浄液を吸引して当該表面上から除去するための吸引手段と、を備えるノズル手段と、前記ノズル手段を前記表面に沿って移動させる移動手段と、を備えて前記表面を洗浄する洗浄装置に含まれるコンピュータに、
前記洗浄液吐出手段を用いて前記表面に向けて前記洗浄液を吐出する洗浄液吐出ステップ、
前記超音波照射手段を用いて前記表面に向けて前記超音波を照射する超音波照射ステップ、
前記吸引手段を用いて前記表面上にある前記洗浄液を吸引して当該表面上から除去する吸引ステップ、及び、
前記移動手段を用いて、前記表面に対する前記超音波照射工程、前記洗浄液吐出工程及び前記吸引工程と並行して、前記ノズル手段を前記表面に沿って移動させる移動ステップ、
を実行させることを特徴とする洗浄装置用プログラム。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、洗浄方法、洗浄装置及び洗浄装置用プログラムの技術分野に属する。より詳細には、フォトマスク基板、ナノインプリント用テンプレート基板及び半導体素子用の基板等の洗浄を行う洗浄方法及び洗浄装置並びに当該洗浄装置用のプログラムの技術分野に属する。
【背景技術】
【０００２】
半導体メモリ等の半導体素子の製造に当たっては、当該半導体素子自体、又は当該半導体素子用の基板の洗浄が極めて重要である。このような洗浄の方法として従来の一般的なものに、ＲＣＡ（Radio Corporation of America（登録商標））洗浄がある。このＲＣＡ洗浄の一例としては、先ず、アンモニア水：過酸化水素水：水＝１：１：５を標準とするアルカリ性水溶液を用いたＳＣ（Standard Clean）１洗浄で異物を除去し、次に、塩酸：過酸化水素水：水＝１：１：５を標準とする酸性水溶液を用いたＳＣ２洗浄で金属汚染物を除去する洗浄が行われる。また、ＲＣＡ洗浄の応用として、先ず、硫酸：過酸化水素水＝4：１を標準とする酸性水溶液のＳＰＭ（Sulfuric acid/hydrogen peroxide mixture）洗浄で金属汚染物及び有機汚染物を除去し、次に、アンモニア水：過酸化水素水：水＝１：１：５を標準とするアルカリ性水溶液を用いたＳＣ１洗浄で異物を除去する洗浄等も挙げられる。
【０００３】
ここで、例えば半導体素子用の基板を洗浄対象とする従来の上記後者のＳＣ１工程には、より詳細には、
（イ）超音波を用いた物理洗浄により当該基板と異物とを分離させ、
（ロ）アルカリ性洗浄液を用いて当該基板及び上記分離させた異物のゼータ電位を同極とすることで当該異物が基板へ付着することを防止し、
（ハ）アルカリ性水溶液を用いた処理を継続して基板上のアルカリ性水溶液中の異物を洗い流し、更に、
（ニ）純水を用いたリンス工程により当該アルカリ性水溶液をリンス後、基板を乾燥させる、
という工程が含まれている。このような従来の洗浄方法を示す文献としては、例えば下記非特許文献１が挙げられる。
【先行技術文献】
【非特許文献】
【０００４】
【非特許文献１】「水素ガス溶解水の半導体洗浄への応用とディスク基板洗浄への適用可能性」、塚本和巳、pp. 7 - pp. 10、IDEMA Japan News No. 43 （２００１年７・８月号）
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、上記非特許文献１等に記載されている従来の洗浄方法のＳＣ１工程によると、異物は、基板からの脱離及び浮遊、その一部についての基板への再付着並びにその他についての基板遠方への移動（つまり洗浄の完了）を、基板近傍のアルカリ性水溶液中で繰り返している。よってそのままリンス工程を行う場合には、アルカリ性洗浄液中に浮遊している異物の基板への再付着を防止すべく、当該浮遊している異物がなくなるまでアルカリ性洗浄液での洗浄を継続する時間が必要となる。ところが、この洗い流しに必要な時間にはアルカリ性洗浄液が引き続き基板に接することから、そのアルカリ性洗浄液が基板表面をエッチングしてしまうことで、当該基板に形成済みのパターン（例えば、ハーフピッチ２０ナノメートルのライン＆スペースパターン、又は６０ナノメートル深さのクオーツパターン等）の形状を変えてしまい、フォトマスクやナノインプリント用テンプレート基板として所望の設計／製造ができないという問題点があった。
【０００６】
そこで、本発明は上記の問題点に鑑みて為されたもので、その課題は、アルカリ性洗浄液を用いて基板を改めて洗浄する場合において、洗浄後の異物等の当該基板への再付着、及び洗浄液による当該基板の過浸食（不要なエッチングを含む。以下、同様。）を防止することが可能な洗浄方法及び洗浄装置並びに当該洗浄装置用のプログラムを提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上記の課題を解決するために、請求項１に記載の発明は、基板等の洗浄対象物の表面に向けて洗浄液を吐出する洗浄液吐出部等の洗浄液吐出手段と、前記表面に向けて超音波を照射する超音波照射部等の超音波照射手段と、前記表面上にある前記洗浄液を吸引して当該表面上から除去するための吸引部等の吸引手段と、を備えるノズル等のノズル手段を用いて前記表面を洗浄する洗浄方法であって、前記洗浄液吐出手段を用いて前記表面に向けて前記洗浄液を吐出する洗浄液吐出工程と、前記超音波照射手段を用いて前記表面に向けて前記超音波を照射する超音波照射工程と、前記吸引手段を用いて前記表面上にある前記洗浄液を吸引して当該表面上から除去する吸引工程と、前記表面に対する前記超音波照射工程、前記洗浄液吐出工程及び前記吸引工程と並行して、前記ノズル手段を前記表面に沿って移動させる移動工程と、を含む。
【０００８】
上記の課題を解決するために、請求項６に記載の発明は、請求項１から請求項５のいずれか一項に記載の前記ノズル手段と、前記ノズル手段を前記表面に沿って移動させることにより、請求項１から請求項５のいずれか一項に記載の前記移動工程を実行する駆動部等の移動手段と、を備える。
【０００９】
上記の課題を解決するために、請求項７に記載の発明は、基板等の洗浄対象物の表面に向けて洗浄液を吐出する洗浄液吐出部等の洗浄液吐出手段と、前記表面に向けて超音波を照射する超音波照射部等の超音波照射手段と、前記表面上にある前記洗浄液を吸引して当該表面上から除去するための吸引部等の吸引手段と、を備えるノズル等のノズル手段と、前記ノズル手段を前記表面に沿って移動させる駆動部等の移動手段と、を備えて前記表面を洗浄する洗浄装置に含まれるコンピュータに、前記洗浄液吐出手段を用いて前記表面に向けて前記洗浄液を吐出する洗浄液吐出ステップ、前記超音波照射手段を用いて前記表面に向けて前記超音波を照射する超音波照射ステップ、前記吸引手段を用いて前記表面上にある前記洗浄液を吸引して当該表面上から除去する吸引ステップ、及び、前記移動手段を用いて、前記表面に対する前記超音波照射工程、前記洗浄液吐出工程及び前記吸引工程と並行して、前記ノズル手段を前記表面に沿って移動させる移動ステップ、を実行させる。
【００１０】
請求項１、請求項６又は請求項７のいずれか一項に記載の発明によれば、洗浄液吐出手段を用いて洗浄液を吐出し、超音波照射手段を用いて洗浄対象物の表面に向けて超音波を照射し、更に当該表面上から当該洗浄液を除去するために、吸引手段を用いて洗浄液を吸引する。このとき、表面に対する洗浄液吐出工程、超音波照射工程及び吸引工程と並行して、洗浄液吐出手段、超音波照射手段及び吸引手段を備えるノズル手段を当該表面に沿って移動させる。従って、超音波の照射下で表面を洗浄した洗浄液をその表面から除去するために吸引するので、洗浄後の異物等を含む洗浄液が洗浄対象物の表面に滞留する時間を最小限にでき、当該異物等の表面への再付着、及び洗浄液による表面の過浸食を防止することができる。
【００１１】
上記の課題を解決するために、請求項２に記載の発明は、請求項１に記載の洗浄方法において、前記ノズル手段は、前記表面に向けて水を吐出する水吐出部等の水吐出手段を更に備え、前記吸引工程においては、前記表面上にある前記洗浄液及び前記水をそれぞれ除去するために、前記吸引手段を用いて前記洗浄液及び前記水を吸引するように構成される。
【００１２】
請求項２に記載の発明によれば、請求項１に記載の発明の作用に加えて、ノズル手段が水吐出手段を更に備えており、吸引工程において、洗浄液及び水をそれぞれ除去するために吸引手段を用いてこれらを吸引するので、いわゆるリンス工程を含めることで洗浄対象物の表面をより効果的に洗浄することができる。
【００１３】
上記の課題を解決するために、請求項３に記載の発明は、請求項２に記載の洗浄方法において、前記水が脱気水であり、前記移動工程においては、前記水吐出手段を用いた前記脱気水の前記表面への吐出後に前記洗浄液吐出工程及び前記超音波照射工程が実行され、その後に前記吸引工程が実行されるように前記ノズル手段が移動されるように構成される。
【００１４】
請求項３に記載の発明によれば、請求項２に記載の発明の作用に加えて、洗浄対象物の表面に吐出される水が脱気水であり、移動工程においては、脱気水の吐出後に洗浄液吐出工程及び超音波照射工程が実行され、その後に脱気水及び洗浄液を吸引する吸引工程が実行されるようにノズル手段が移動される。よって、脱気水が表面に吐出された後に洗浄液が吐出され且つ超音波が照射されるので、洗浄対象物の表面付近に脱気水が滞留することによりいわゆるキャビテーションが当該表面近傍で起こり難くなるため、当該表面の過浸食を更に防止して当該表面の形状等を保護できる。
【００１５】
上記の課題を解決するために、請求項４に記載の発明は、請求項２に記載の洗浄方法において、前記水が脱気水であり、前記移動工程においては、前記洗浄液吐出工程後に、前記水吐出手段を用いた前記脱気水の前記表面への吐出、及び前記超音波照射工程が実行され、その後に前記吸引工程が実行されるように前記ノズル手段が移動されるように構成される。
【００１６】
請求項４に記載の発明によれば、請求項２に記載の発明の作用に加えて、洗浄対象物の表面に吐出される水が脱気水であり、移動工程においては、洗浄液吐出工程後に、脱気水の吐出及び超音波照射工程が実行され、その後に脱気水及び洗浄液を吸引する吸引工程が実行されるようにノズル手段が移動される。よって、洗浄液が先に表面に吐出された後に脱気水が吐出され且つ超音波が照射されるので、洗浄対象物の表面付近に洗浄液が滞留することによりいわゆるキャビテーションが当該表面のみで起こるように制御できるため、当該表面の過浸食を制御して当該表面の形状等を保護できる。
【００１７】
上記の課題を解決するために、請求項５に記載の発明は、請求項１から請求項４のいずれか一項に記載の洗浄方法において、前記洗浄液吐出手段は、酸性の前記洗浄液である酸性洗浄液を吐出する酸性洗浄液吐出手段と、アルカリ性の前記洗浄液であるアルカリ性洗浄液を吐出するアルカリ性洗浄液吐出手段と、により構成されており、前記洗浄液吐出工程は、前記酸性洗浄液吐出手段を用いて前記表面に向けて前記酸性洗浄液を吐出する酸性洗浄液吐出工程と、前記アルカリ性洗浄液吐出手段を用いて前記表面に向けて前記アルカリ性洗浄液を吐出するアルカリ性洗浄液吐出工程と、を含んでおり、前記移動工程においては、前記酸性洗浄液吐出工程後に当該吐出された酸性洗浄液が前記吸引手段により吸引され、その後に前記アルカリ性洗浄液吐出工程が実行され、更に当該アルカリ性洗浄液吐出工程後に当該吐出されたアルカリ洗浄液が前記吸引手段により吸引されるように前記ノズル手段を移動させるように構成される。
【００１８】
請求項５に記載の発明によれば、請求項１から請求項４のいずれか一項に記載の発明の作用に加えて、洗浄液吐出手段が酸性洗浄液吐出手段とアルカリ性洗浄液吐出手段とにより構成されている。また、洗浄液吐出工程が酸性洗浄液吐出工程とアルカリ性洗浄液吐出工程と、を含んでおり、移動工程においては、酸性洗浄液吐出工程後に酸性洗浄液が吸引され、その後にアルカリ性洗浄液吐出工程が実行され、更にアルカリ洗浄液吐出工程後にアルカリ洗浄液が吸引されるようにノズル手段が移動させる。従って、酸性洗浄液による有機物等の除去後にアルカリ性洗浄液による異物等の除去が行われる通常の洗浄方法において、いずれの工程でも、有機物等又は異物等の表面への再付着、及び各洗浄液による表面の過浸食を防止とすることができる。
【発明の効果】
【００１９】
本発明によれば、洗浄液吐出手段を用いて洗浄液を吐出し、超音波照射手段を用いて洗浄対象物の表面に向けて超音波を照射し、更に当該表面上から当該洗浄液を除去するために、吸引手段を用いて洗浄液を吸引する。このとき、表面に対する洗浄液吐出工程、超音波照射工程及び吸引工程と並行して、洗浄液吐出手段、超音波照射手段及び吸引手段を備えるノズル手段を当該表面に沿って移動させる。
【００２０】
従って、超音波の照射下で表面を洗浄した洗浄液をその表面から除去するために吸引するので、洗浄後の異物等を含む洗浄液が洗浄対象物の表面に滞留する時間を最小限にでき、当該異物等の表面への再付着、及び洗浄液による表面の過浸食を防止することができる。
【図面の簡単な説明】
【００２１】
【図１】第１実施形態に係る洗浄装置の概要構成を示すブロック図等であり、（ａ）は当該ブロック図であり、（ｂ）は当該洗浄装置を構成するノズルの下面図である。
【図２】第１実施形態に係る洗浄装置を構成するノズルの上面図である。
【図３】第１実施形態に係る洗浄処理を説明するフローチャートである。
【図４】第２実施形態に係る洗浄装置の概要構成を示すブロック図である。
【図５】第３実施形態に係る洗浄装置の概要構成を示すブロック図である。
【図６】第４実施形態に係る洗浄装置の概要構成を示すブロック図である。
【発明を実施するための形態】
【００２２】
次に、本発明を実施するための形態について、図面に基づいて説明する。なお、以下に説明する各実施形態は、例えば、既に電子回路等の構造物が表面に形成されている半導体基板を洗浄する洗浄装置における洗浄方法に対して本発明を適用した場合の実施の形態である。
【００２３】
（Ｉ）第１実施形態
初めに、本発明に係る第１実施形態について、図１乃至図３を用いて説明する。なお、図１は第１実施形態に係る洗浄装置の概要構成を示すブロック図等であり、図２は第１実施形態に係る洗浄装置を構成するノズルの上面図であり、図３は第１実施形態に係る洗浄処理を説明するフローチャートである。
【００２４】
図１（ａ）に示すように、第１実施形態に係る洗浄装置Ｓは、本発明に係る「洗浄対象物」の一例である基板ＳＢに対向する位置に配置されて移動可能なノズル１と、水吐出制御部２及び水吐出制御部６と、吸引制御部３及び吸引制御部５と、洗浄液吐出制御部４と、駆動部７と、制御部９と、により構成されている。この時、基板ＳＢの表面（ノズル１に対向する側の表面）には、例えば電子回路やトランジスタに相当する構造物が、例えばいわゆるフォトリソグラフィー技術により既に形成されていてもよい。また、基板ＳＢとして、フォトマスク基板、ナノインプリント用テンプレート基板が含まれていてもよい。更に、上記ノズル１が本発明に係る「ノズル手段」の一例に相当し、上記駆動部７が本発明に係る「移動手段」の一例に相当する。更に、上記洗浄液吐出制御部４が本発明に係る「洗浄液吐出手段」の一例に相当し、上記吸引制御部３及び吸引制御部５が本発明に係る「吸引手段」の一例に相当し、上記水吐出制御部２及び水吐出制御部６が本発明に係る「水吐出手段」の一例に相当する。
【００２５】
一方、上記ノズル１には、その内部に、水吐出部１２と、洗浄液吐出部１０と、水吐出部１４と、が形成されている。そして、水吐出部１２と洗浄液吐出部１０との間の部分に本発明に係る吸引部１１が形成され、また水吐出部１４と洗浄液吐出部１０との間の部分に本発明に係る吸引部１３が形成されている。なお図１（ａ）においてノズル１は、上記洗浄液吐出部１０等の形状を説明するため、その縦断面図として示されている。
【００２６】
この構成において水吐出部１２は、水導入口１２Ｂを介して水吐出制御部２と連通されている。そして水吐出制御部２の制御により、洗浄後のリンス用の水（当該リンス用の水としては、例えば純水が挙げられる。以下、当該リンス用の水を、単に「リンス水」と称する）が水導入口１２Ｂから導入され、ノズル１の基板ＳＢ側に開口されている水吐出口１２Ａから基板ＳＢに向けて吐出される（図１（ａ）中下向き破線矢印参照）。一方洗浄液吐出部１０は、洗浄液導入口１０Ｂを介して洗浄液吐出制御部４と連通されている。そして洗浄液吐出制御部４の制御により、例えばアルカリ性洗浄液が洗浄液導入口１０Ｂから導入され、ノズル１の基板ＳＢ側に開口されている洗浄液吐出口１０Ａから基板ＳＢに向けて吐出される（図１（ａ）中下向き破線矢印参照）。この洗浄液は、アルカリ性の場合、例えば基板ＳＢの表面にある異物の除去に用いられ、洗浄液の吐出により基板ＳＢの表面から離隔された（引き剥がされた）上記異物は、洗浄液中に浮遊することになる。また水吐出部１４は、水導入口１４Ｂを介して水吐出制御部６と連通されている。そして、水吐出制御部６の制御により、リンス水が水導入口１４Ｂから導入され、ノズル１の基板ＳＢ側に開口されている水吐出口１４Ａから当該リンス水が基板ＳＢに向けて吐出される（図１（ａ）中下向き破線矢印参照）。
【００２７】
これらに対して吸引部１１は、導出口１１Ｂを介して吸引制御部２と連通されており、更に導出口１１Ｂの反対側のノズル１の表面には吸引口１１Ａが形成されている。そして、洗浄液吐出口１０Ａから吐出されて基板ＳＢの表面の洗浄に用いられた（即ち、洗浄後の異物が浮遊している）洗浄液及びリンス水が基板ＳＢ上に混在しているとき、ノズル１の移動に合わせて、吸引制御部２の制御によりそれらを纏めて吸引口１１Ａから吸引し、導出口１１Ｂを介して外部に排出する（図１（ａ）中上向き一点鎖線矢印参照）。一方吸引部１３は、導出口１３Ｂを介して吸引制御部５と連通されており、更に導出口１３Ｂの反対側のノズル１の表面には吸引口１３Ａが形成されている。そして、洗浄液吐出口１０Ａから吐出されて基板ＳＢの表面の洗浄に用いられた洗浄液及びリンス水が基板ＳＢ上に混在しているとき、ノズル１の移動に合わせて、吸引制御部５の制御によりそれらを纏めて吸引口１３Ａから吸引し、導出口１３Ｂを介して外部に排出する（図１（ａ）中上向き一点鎖線矢印参照）。
【００２８】
なお図１（ａ）では、基板ＳＢ上又は洗浄液吐出部１０の洗浄液を右上がり斜線ハッチングで表示し、基板ＳＢ上又は水吐出部１２及び水吐出部１４のリンス水を右下がり斜線ハッチングで表示し、上記洗浄液とリンス水とが混じった状態を交差斜線ハッチングで表示している。
【００２９】
一方、洗浄液吐出部１０の洗浄液導入口１０Ｂよりの部分には、洗浄用の超音波ＳＳを上記洗浄液の吐出と同時に基板ＳＢに向けて照射する超音波照射部８が配置されている。このとき、超音波照射部８が本発明に係る「超音波照射手段」の一例に相当する。またこの場合に照射される超音波ＳＳの周波数としては、例えばいわゆるメガソニックに相当する周波数（より具体的には、例えば７５０キロヘルツ乃至４メガヘルツの周波数）が好適である。
【００３０】
次に、第１実施形態に係るノズル１の構造について、より具体的に図１及び図２を用いて説明する。
【００３１】
上記図１（ａ）を用いて説明したように、第１実施形態に係る洗浄装置Ｓのノズル１の基板ＳＢに対応する面には、水吐出口１２Ａ、吸引口１１Ａ、洗浄液吐出口１０Ａ、吸引口１３Ａ及び水吐出口１４Ａが、この順で並んで形成されている。そして洗浄液吐出口１０Ａが形成された洗浄液吐出部１０の奥には、上記超音波照射部８が配置されている。このようなノズル１を上記洗浄液及びリンス水がない状態で下（基板ＳＢ側）から見ると、図１（ｂ）に示すように、手前側に水吐出口１２Ａ、吸引口１１Ａ、洗浄液吐出口１０Ａ、吸引口１３Ａ及び水吐出口１４Ａがそれぞれ形成された水吐出部１２、吸引部１１、洗浄液吐出部１０、吸引部１３及び水吐出部１４の奥側に、水導入口１２Ｂ、導出口１１Ｂ、洗浄液導入口１０Ｂの一部、超音波照射部８、導出口１３Ｂ及び水導入口１４Ｂが視認できる構成となっている。このとき、ノズル１は、基板ＳＢの表面上を、当該表面から所定距離だけ離隔されつつ、基板ＳＢに対して例えば図１（ｂ）に白矢印で示す両方向に移動可能とされている。なおノズル１の移動は、基板ＳＢに対して相対的に移動可能とされている。より具体的には、ノズル１が固定されている状態で基板ＳＢが移動することにより、結果的にノズル１が基板ＳＢに対して移動するように構成されてもよいし、ノズル１自体が静止している基板ＳＢ上を移動するように構成されてもよい。
【００３２】
一方、このようなノズル１を上面から基板ＳＢを見下ろす方向にみると、図２に示すように、水吐出部１２、吸引部１１、洗浄液吐出部１０、吸引部１３及び水吐出部１４のそれぞれについて、水導入口１２Ｂ、導出口１１Ｂ、洗浄液導入口１０Ｂ、超音波照射部８、導出口１３Ｂ及び水導入口１４Ｂ、並びに水吐出口１２Ａ、吸引口１１Ａ、洗浄液吐出口１０Ａ、吸引口１３Ａ及び水吐出口１４Ａが形成されている。
【００３３】
そして、基板ＳＢの洗浄時において制御部９は、駆動部７を制御することにより、基板ＳＢの表面に沿って例えば図２に白矢印で示す方向に、ノズル１を移動させる。この移動と並行して制御部９は、水吐出制御部２及び水吐出制御部６、吸引制御部３及び吸引制御部５並びに洗浄液吐出制御部４を制御して、リンス水及び洗浄液をそれぞれ水吐出口１２Ａ、洗浄液吐出口１０Ａ及び水吐出口１４Ａから吐出させつつ、且つ基板ＳＢ上に吐出された洗浄液及びリンス水（この洗浄水内には、上述したように洗浄後の異物が浮遊している）を吸引口１１Ａ及び吸引口１３Ａから吸引することにより、第１実施形態に係る基板ＳＢの洗浄処理を実行する。このとき超音波照射部８からは、制御部９の制御の下、洗浄液の吐出と同時並行的に、洗浄用の上記超音波ＳＳが洗浄液吐出口１０Ａの正面の基板ＳＢの表面領域に対して照射される。そして図２に例示する場合、上記ノズル１の移動と上記洗浄液及びリンス水の吐出、並びにこれらの吸い込み及び超音波ＳＳの照射が同時並行的に実行されることで、例えば基板ＳＢの表面Ａ点（図１（ａ）参照）においては、水吐出口１４Ａからのリンス水の吐出→吸引口１３Ａからの当該リンス水及び洗浄液の吸い込み→洗浄液吐出口１０Ａからの洗浄液の吐出及び超音波の照射による基板ＳＢ表面の洗浄（不純物の洗浄液内への取り込み）→吸引口１１Ａからのリンス水及び洗浄液の吸い込み→水吐出口１２Ａからのリンス水の吐出、が順に実行されることで、第１実施形態に係る基板ＳＢの洗浄処理が実行される。
【００３４】
次に、酸性洗浄液を用いたＳＣ２工程及びアルカリ性洗浄液を用いたＳＣ１工程を含む基板ＳＢの洗浄処理に対して第１実施形態に係る洗浄処理を適用した場合について、図１乃至図３を用いて説明する。なお以下に説明する洗浄処理では、上記第１実施形態に係るノズル１は、上記ＳＣ１工程としてアルカリ性洗浄液を用いた基板ＳＢの洗浄処理を実行する。
【００３５】
図３に示すように上記基板ＳＢの洗浄処理においては、初めに、基板ＳＢがノズル１の下方に搬送されてくると（ステップＳ１）、例えば従来と同様の方法により、酸性洗浄液を用いたＳＣ２工程（ステップＳ２）、及びリンス水を用いた上記酸性洗浄液のリンス工程（ステップＳ３）が実行される。なお、このＳＣ２工程及びリンス工程には第１実施形態に係るノズル１は使用されない。
【００３６】
上記ステップＳ３のリンス工程が終了した基板ＳＢは、次に第１実施形態に係るノズル１を用いたＳＣ１工程を実行すべく、ノズル１の下方に搬送される（図２参照）。そして、図２を用いて例示した方向にノズル１を移動させつつ、当該ノズル１を用いたＳＣ１工程（ステップＳ４）及びリンス工程（ステップＳ５）が実行される。より具体的には、制御部９の制御の下、水吐出口１４Ａからのリンス水の吐出、吸引口１３Ａからの当該リンス水及び洗浄液の吸い込み、洗浄液吐出口１０Ａからの洗浄液の吐出及び超音波の照射による基板ＳＢ表面の洗浄、吸引口１１Ａからのリンス水及び洗浄液の吸い込み、並びに水吐出口１２Ａからのリンス水の吐出が、ノズル１の移動と並行的に実行される。これらにより、上記ＳＣ１工程（ステップＳ４）及びそのリンス工程（ステップＳ５）が一つのノズル１により実行されることになる。
【００３７】
ここで、第１実施形態に係るノズル１を用いて実行される上記ＳＣ１工程（ステップＳ４）及びリンス工程（ステップＳ５）における、リンス水及び洗浄液それぞれの吐出量、吸引口１１Ａ及び吸引口１３Ａからの吸引量、並びにノズル１自体の移動量等は、以下に説明する条件に基づいて予め設定される（なお以下において、上記リンス水及び洗浄液それぞれの吐出量、吸引口１１Ａ及び吸引口１３Ａからの吸引量、並びにノズル１自体の移動量等を、適宜「諸元」と称する。）。
【００３８】
即ち、先ず上記ＳＣ１工程（ステップＳ４）及びリンス工程（ステップＳ５）における本発明としての望ましい条件は、以下の（１）及び（２）の二つである。
（１）ＳＣ１工程（ステップＳ４）に用いられるアルカリ性洗浄液の、基板ＳＢ上における滞留時間が可能な限り短くなること。
（２）アルカリ性洗浄液及び／又はリンス水が、それらの表面張力により基板ＳＢ上（より具体的には、基板ＳＢとノズル１との間の空間）にむらなく液盛りされること。より具体的には、例えば高さ１ミリメートル乃至３ミリメートル程度に液盛りされること。
【００３９】
このとき、上記条件（１）により、以下の（ア）及び（イ）の効果が得られる。
（ア）基板ＳＢの表面における当該洗浄液によるエッチング量（不要なエッチング量）を小さくし、基板ＳＢ上に既に形成されている上記構造物（電子回路のパターン等の構造物）の寸法の変動、及び基板ＳＢのいわゆるラフネス（上記構造物より小さい寸法の凹凸）の形成を抑制できる。
（イ）基板ＳＢの表面から除去された異物が再付着する割合を下げる（即ち、当該再付着が発生し得る時間を短くする）ことで、基板ＳＢ上の異物を更に少なくできる。
【００４０】
また、上記条件（２）により、以下の（ウ）及び（エ）の効果が得られる。
（ウ）気体（空気）と液体（洗浄液等）と固体（基板ＳＢ）の三相界面が基板ＳＢ上に形成される時間を極量なくすことができる。
（エ）これにより、上記構造部としての欠陥となる、いわゆるウォーターマークの形成を抑制することができる。
【００４１】
そして、上記条件（１）及び条件（２）を満たすための上記リンス水及び洗浄液についての上記諸元は、本発明の発明者らの実験及び経験等によれば、基板ＳＢの大きさが例えば６インチ四方である場合、以下の（ｉ）乃至（iii）と考えられる。
（ｉ）洗浄液の吐出量及びリンス水の吐出量は、共に毎分５００ミリリットル乃至２，０００ミリリットル。
（ii）吸引口１１Ａ及び吸引口１３Ａからの吸引量は、洗浄液の吐出量及びリンス水の吐出量を合わせた量に相当する、毎分１，０００ミリリットル乃至４，０００ミリリットル。
（iii）ノズル１自体の移動量は、毎秒２ミリメートル乃至５０ミリメートル。
【００４２】
ここで、上記（ｉ）及び（ii）と上記（iii）とは、相互にバランスが取れるように互いに調整することが必要となる。
【００４３】
以上の諸元を含む上記ステップＳ２乃至ステップＳ５の洗浄工程及びリンス工程が実行された後、例えば基板ＳＢを高速で回転させること等により、当該洗浄後の基板ＳＢの乾燥が実行される（ステップＳ６）。
【００４４】
なお、上記ステップＳ２乃至ステップＳ５の洗浄工程及びリンス工程がそれぞれ実行された後、必要に応じて再度リンス水を用いたリンス工程を行ってもよい。この再度のリンス工程においては、例えば、ＳＣ１工程（ステップＳ４及びステップＳ５）後の基板を回転させ、その上からリンス水を滴下することで、当該回転による遠心力を用いた洗浄が実行される。
【００４５】
その後制御部９は、洗浄対象たる基板ＳＢの全てについて必要な洗浄処理が終了したか否かを、例えば図示しない表示部等を用いて確認する（ステップＳ７）。ステップＳ７の確認において上記洗浄処理の対象とすべき他の基板ＳＢがある場合（ステップＳ７；ＮＯ）、制御部９は、当該他の基板ＳＢに対して当該洗浄処理を実行すべく上記ステップＳ１に戻る。一方、ステップＳ７の確認において、洗浄対象たる基板ＳＢの全てについて必要な洗浄処理が終了している場合（ステップＳ７；ＹＥＳ）、制御部９は基板ＳＢの洗浄処理を終了する。なお、当該洗浄処理が終了された基板ＳＢは、その後の工程に移送されることになる。
【００４６】
以上説明したように、第１実施形態に係るノズル１を含む洗浄装置Ｓの動作によれば、超音波照射部８を用いて基板ＳＢの表面に向けて超音波ＳＳを照射し、洗浄液吐出部１０を用いて洗浄液を吐出し、更に当該表面上から当該洗浄液を除去するために、吸引部１
１及び吸引部１３を用いて洗浄液を吸引する。このとき、表面に対する超音波ＳＳの照射、洗浄液の吐出及びこれらの吸い込みと並行して、ノズル１を当該表面に沿って移動させる。従って、超音波ＳＳの照射下で表面を洗浄した洗浄液をその表面から除去するために吸引するので、洗浄後の異物等を含む洗浄液が基板ＳＢの表面に滞留する時間を最小限にでき、当該異物等の表面への再付着、及び洗浄液による表面の過浸食を防止することができる。
【００４７】
また、ノズル１が水吐出部１２及び水吐出部１４を備えており、洗浄液及びリンス水をそれぞれ除去するために吸引部１１及び吸引部１３を用いてこれらを吸引するので、いわゆるリンス工程を含めることで基板ＳＢの表面をより効果的に洗浄することができる。
【００４８】
（II）第２実施形態
次に、本発明に係る他の形態である第２実施形態について、図４を用いて説明する。なお図４は、第２実施形態に係る洗浄装置の概要構成を示すブロック図である。この図４においては、第２実施形態に係る洗浄装置に含まれるノズルを、その形状を説明するべく図１（ａ）と同様にその縦断面図として示している。また、図４における洗浄液及びリンス水等の表記方法は図１（ａ）と同様である。更に、第２実施形態に係る洗浄装置において第１実施形態に係る洗浄装置Ｓと同一の部材については、同一の部材番号を付して細部の説明を省略する。
【００４９】
上述した第１実施形態では、基板ＳＢの洗浄処理のうち、アルカリ性洗浄液を用いたＳＣ１工程（図３ステップＳ４及びステップＳ５参照）において第１実施形態に係るノズル１を用いた洗浄を行う場合について説明した。これに対して以下に説明する第２実施形態では、上記ＳＣ１工程だけでなく、酸性洗浄液を用いたＳＣ１工程（図３ステップＳ２及びステップＳ３参照）においても、本発明に係るノズルを用いた洗浄を行う。
【００５０】
即ち、第２実施形態に係る洗浄装置のノズル１Ａは、第１実施形態に係るノズル１（図１及び図２参照）と同様の洗浄液吐出部１０、吸引部１１及び吸引部１３並びに水吐出部１２及び水吐出部１４に加えて、洗浄液吐出部１６及び洗浄液吐出部２０と、水吐出部２２及び水吐出部１８と、吸引部１５、吸引部１７、吸引部１９及び吸引部２１と、を更に備えている。そしてノズル１Ａは、基板ＳＢの表面上を、当該表面から所定距離だけ離隔されつつ、基板ＳＢに対して例えば図４に白矢印で示す両方向に移動可能とされている。
【００５１】
この構成において、洗浄液吐出部１０、吸引部１１及び吸引部１３並びに水吐出部１２及び水吐出部１４の動作は第１実施形態に係るノズル１と同様であり、これらにより、アルカリ性洗浄液を用いたＳＣ１工程を行う。
【００５２】
一方、水吐出部１８及び水吐出部２２はそれぞれ、水導入口１８Ｂ及び水導入口２２Ｂを介して、別個の図示しない水吐出制御部と連通されている。そして当該各水吐出制御部の制御により、水導入口１８Ｂ及び水導入口２２Ｂからリンス水がそれぞれ導入され、ノズル１Ａの基板ＳＢ側に開口されている水吐出口１８Ａ及び水吐出口２２Ａから、基板ＳＢに向けてそれぞれ吐出される（図４中下向き破線矢印参照）。一方洗浄液吐出部２０及び洗浄液吐出部１６はそれぞれ、洗浄液導入口１６Ｂ及び洗浄液導入口２０Ｂを介して、別個の図示しない洗浄液吐出制御部と連通されている。そして当該各洗浄液吐出制御部の制御により、ＳＣ２工程としての酸性の洗浄液が洗浄液導入口１６Ｂ及び洗浄液導入口２０Ｂからそれぞれ導入され、ノズル１の基板ＳＢ側に開口されている洗浄液吐出口１６Ａ及び洗浄液吐出口２０Ａから、基板ＳＢに向けてそれぞれ吐出される（図４中下向き破線矢印参照）。この酸性洗浄液は、例えば基板ＳＢの表面にある有機物の分解・除去に用いられ、各洗浄液の吐出により基板ＳＢの表面において分解された上記有機物は、各洗浄液中に浮遊する。酸性洗浄液として具体的には、例えば、オゾン水（電界オゾン水）、硫酸過水、又は紫外線による基板ＳＢの表面特性の親水性への改質を伴うオゾン水等が用いられる。なお図４では、基板ＳＢ上又は洗浄液吐出部１６及び洗浄液吐出部２０の洗浄液をドットハッチングで表示している。
【００５３】
これらに対して吸引部１５及び吸引部１７はそれぞれ、導出口１５Ｂ及び導出口１７Ｂを介して、別個の図示しない吸引制御部と連通されており、更に導出口１５Ｂ及び導出口１７Ｂそれぞれの反対側のノズル１の表面には、吸引口１７Ａ及び吸引口１５Ａがそれぞれ形成されている。そして、洗浄液吐出口１６Ａから吐出されて基板ＳＢの表面のＳＣ２工程としての洗浄に用いられた（即ち、洗浄後の有機物が含まれている）酸性洗浄液及びリンス水が基板ＳＢ上に混在しているとき、ノズル１Ａの移動に合わせて、それらが纏めて吸引口１７Ａ及び吸引口１５Ａからそれぞれ吸引され、導出口１７Ｂ及び導出口１５Ｂそれぞれを介して外部に排出される（図４中上向き一点鎖線矢印参照）。一方、吸引部１９及び吸引部２１はそれぞれ、導出口１９Ｂ及び導出口２１Ｂを介して、別個の図示しない吸引制御部と連通されており、更に導出口１９Ｂ及び導出口２１Ｂそれぞれの反対側のノズル１の表面には、吸引口１９Ａ及び吸引口２１Ａがそれぞれ形成されている。そして、洗浄液吐出口２０Ａから吐出されて基板ＳＢの表面のＳＣ２工程としての洗浄に用いられた酸性洗浄液及びリンス水が基板ＳＢ上に混在しているとき、ノズル１Ａの移動に合わせて、それらが纏めて吸引口１９Ａ及び吸引口２１Ａからそれぞれ吸引され、導出口１９Ｂ及び導出口２１Ｂそれぞれを介して外部に排出される（図４中上向き一点鎖線矢印参照）。なお、第２実施形態に係る洗浄装置におけるＳＣ２工程においては、第１実施形態に係る洗浄装置Ｓにおける超音波の照射は、行われない。
【００５４】
以上の構成を備える第２実施形態に係るノズル１を用いることにより、例えば当該ノズル１Ａが図４中右方向に移動する場合は、洗浄液吐出口２０Ａから吐出された酸性洗浄液によるＳＣ２工程→水吐出口１４Ａから吐出されたリンス水によるリンス工程→洗浄液吐出口１０Ａから超音波ＳＳと共に吐出されたアルカリ性洗浄液によるＳＣ１工程→水吐出口１２Ａから吐出されたリンス水によるリンス工程、が段階的に順次実行される。そしてこの間、吸引口２１Ａ、吸引口１９Ａ、吸引口１３Ａ、吸引口１１Ａ及び吸引口１５Ａからの各洗浄液及びリンス水の吸引が、順次実行される。一方、例えばノズル１Ａが図４中左方向に移動する場合は、洗浄液吐出口１６Ａから吐出された酸性洗浄液によるＳＣ２工程→水吐出口１２Ａから吐出されたリンス水によるリンス工程→洗浄液吐出口１０Ａから超音波ＳＳと共に吐出されたアルカリ性洗浄液によるＳＣ１工程→水吐出口１４Ａから吐出されたリンス水によるリンス工程、が段階的に順次実行される。そしてこの間、吸引口１７Ａ、吸引口１５Ａ、吸引口１１Ａ、吸引口１３Ａ及び吸引口１９Ａからの各洗浄液及びリンス水の吸引が、順次実行される。
【００５５】
以上説明したように、第２実施形態に係る洗浄装置の動作によれば、第１実施形態に係る洗浄装置Ｓの動作による作用効果に加えて、酸性洗浄液を吐出する洗浄液吐出部１６及び洗浄液吐出部２０と、アルカリ性洗浄液を吐出する洗浄液吐出部１０と、を備え、ノズル１Ａの移動による洗浄処理において、酸性洗浄液がリンス水と共に吸引され、その後にアルカリ性洗浄液が吐出され、その後にアルカリ洗浄液が吸引される。従って、酸性洗浄液による有機物等の除去後にアルカリ性洗浄液による異物等の除去が行われる通常の洗浄方法において、いずれの工程でも、有機物等又は異物等の表面への再付着、及び各洗浄液による表面の過浸食を防止とすることができる。
【００５６】
（III）第３実施形態
次に、本発明に係る他の形態である第３実施形態について、図５を用いて説明する。なお図５は、第３実施形態に係る洗浄装置の概要構成を示すブロック図である。この図５においては、第２実施形態に係る洗浄装置に含まれるノズルを、その形状を説明するべく図１（ａ）と同様にその縦断面図として示している。また、図５における洗浄液及びリンス水等の表記方法は図１（ａ）と同様である。更に、第３実施形態に係る洗浄装置において第１実施形態に係る洗浄装置Ｓと同一の部材については、同一の部材番号を付して細部の説明を省略する。
【００５７】
上述した第１実施形態及び第２実施形態では、基板ＳＢの洗浄処理に用いるリンス水として純水を用いた。これに対して以下に説明する第３実施形態及び後述の第４実施形態では、リンス水としていわゆる脱気水を用いる。
【００５８】
即ち図５に示すように、第３実施形態に係る洗浄装置のノズル１Ｂは、その構造上は第１実施形態に係る洗浄装置Ｓのノズル１と同様であるが、水吐出部１２及び水吐出部１４からそれぞれ吐出されるリンス水として上記脱気水が用いられる。この場合の脱気水は、例えば、「純水に大気圧によって溶解している溶存気体成分を人為的に取り除いた水」と定義される水である。そして、この脱気水をリンス水として用いることで、図５に破線で例示するように、洗浄液吐出部１０の正面の基板ＳＢの領域においては、当該脱気水がノズル１Ｂと基板ＳＢとの間の基板ＳＢ側の部分に位置し、アルカリ性洗浄液がノズル１Ｂ側の部分に位置することになる。そしてこの状態で超音波ＳＳが超音波照射部８から基板ＳＢに向けて照射されると、この超音波ＳＳによって生じるいわゆるキャビテーションのエネルギーが基板ＳＢ上の構造物に直接伝搬することが、結果的に少なくなる。そのため、超音波洗浄を用いながらもフォトマスクやナノインプリント用テンプレート基板などの微細パターンの洗浄時における倒壊を抑制できる。また洗浄液の深さ方向においてキャビテーションのエネルギーの発生位置を制御することもでき、種々の異物の洗浄除去が可能になる。
【００５９】
以上説明したように、第３実施形態に係る洗浄装置の動作によれば、第１実施形態に係る洗浄装置Ｓの動作による作用効果に加えて、基板ＳＢの表面に吐出されるリンス水が脱気水であり、ノズル１Ｂの移動により、脱気水の吐出後に、超音波ＳＳの照射及び洗浄液の吐出が実行され、その後に脱気水及び洗浄液が吸引されることとなる。よって、脱気水が表面に吐出された後に洗浄液が吐出され且つ超音波が照射されるので、基板ＳＢの表面付近に脱気水が滞留することによりいわゆるキャビテーションが当該表面近傍で起こり難くなるため、当該表面の過浸食を更に防止して当該表面の形状等を保護でき、更に微細パターンの倒壊を抑制し、種々の異物の洗浄除去が可能になる。
【００６０】
（IV）第４実施形態
最後に、本発明に係る更に他の形態である第４実施形態について、図６を用いて説明する。なお図６は、第４実施形態に係る洗浄装置の概要構成を示すブロック図である。この図６においては、第４実施形態に係る洗浄装置に含まれるノズルを、その形状を説明するべく図１（ａ）と同様にその縦断面図として示している。また、図６における洗浄液及びリンス水等の表記方法は図１（ａ）と同様である。更に、第４実施形態に係る洗浄装置において第１実施形態に係る洗浄装置Ｓと同一の部材については、同一の部材番号を付して細部の説明を省略する。
【００６１】
上述した第３実施形態では、基板ＳＢの洗浄処理に用いるリンス水として脱気水を用い、ノズル１Ｂの構造としては第１実施形態に係るノズル１と同様とした。これに対して以下に説明する第４実施形態では、リンス水として脱気水を用いると共に、第４実施形態に係るノズルの移動方向に対する洗浄液吐出部１０等の順番を、第１実施形態のノズル１と異ならせている。
【００６２】
即ち図６に示すように、第４実施形態に係るノズル１Ｃは、その移動方向の前方から、洗浄液吐出部１０、水吐出部１４、吸引部１１及び水吐出部１２の順に備えている。そして、第４実施形態に係るノズル１Ｃにおける超音波照射部８は、洗浄液吐出部１０ではなく水吐出部１４内に形成されている。
【００６３】
この構成において、第４実施形態に係る洗浄装置による洗浄処理（例えばＳＣ１工程）では、ノズル１Ｃの移動に伴い、基板ＳＢの表面に洗浄液が洗浄液吐出部１０により吐出され、その後、脱気水たるリンス水の吐出と共に超音波ＳＳの照射が水吐出部１４により実行され、その後、吸引部１１により上記洗浄液及びリンス水の吸引が実行される。これにより、図６に破線で例示するように、水吐出部１４の正面の基板ＳＢの領域においては、洗浄液吐出部１０から吐出された洗浄液がノズル１Ｃと基板ＳＢとの間の基板ＳＢ側の部分に位置し、リンス水がノズル１Ｃ側の部分に位置することになる。そしてこの状態で超音波ＳＳが水吐出部１４内の超音波照射部８から基板ＳＢに向けて照射されると、この超音波ＳＳによって生じる上記キャビテーションは基板ＳＢの表面でのみ発生することになる。そしてこれにより、当該キャビテーションのエネルギーの発生位置を制御することもでき、種々の異物の洗浄除去が可能になる。
【００６４】
以上説明したように、第４実施形態に係る洗浄装置の動作によれば、第１実施形態に係る洗浄装置Ｓの動作による作用効果に加えて、基板ＳＢの表面に吐出されるリンス水が脱気水であり、ノズル１Ｃの移動により、洗浄液の吐出後に、脱気水の吐出及び超音波ＳＳの照射が実行され、その後に脱気水及び洗浄液が吸引されることとなる。よって、洗浄液が先に表面に吐出された後に脱気水が吐出され且つ超音波が照射されるので、基板ＳＢの表面付近に洗浄液が滞留することによりキャビテーションが当該表面のみで起こるように制御できるため、当該表面の過浸食を制御して当該表面の形状等を保護でき、更に種々の異物の洗浄除去が可能になる。
【００６５】
なお、上述した各実施形態においては、基板ＳＢを化学的に洗浄する洗浄装置に対して本発明を適用した場合について説明したが、基板ＳＢ以外の物品を化学的な洗浄対象物とする洗浄装置に対して本発明を適用することも可能である。
【００６６】
また、上記各実施形態に係るノズル１等の制御については、これに相当するプログラム（図３参照）を光ディスク等の記録媒体に記録しておき、或いはインターネット等のネットワークを介して取得して記録しておき、これらを例えば汎用のマイクロコンピュータ等により読み出して実行することにより、当該マイクロコンピュータ等を実施形態に係る制御部９、或いは水吐出制御部２及び水吐出制御部６、洗浄液吐出制御部４、又は吸引制御部３及び吸引制御部５として機能させることも可能である。
【産業上の利用可能性】
【００６７】
以上それぞれ説明したように、本発明は洗浄装置の分野に利用することが可能であり、特に半導体素子用の基板等を化学的に洗浄する洗浄装置の分野に適用すれば特に顕著な効果が得られる。
【符号の説明】
【００６８】
１、１Ａ、１Ｂ、１Ｃ    ノズル
２、６    水吐出制御部
３、５    吸引制御部
４    洗浄液吐出制御部
７    駆動部
８    超音波照射部
９    制御部
１０、１４、１６、２０    洗浄液吐出部
１０Ａ、１４Ａ、１６Ａ、２０Ａ    洗浄液吐出口
１０Ｂ、１４Ｂ、１６Ｂ、２０Ｂ    洗浄液導入口
１１、１３、１５、１７、１９、２１    吸引部
１１Ａ、１３Ａ、１５Ａ、１７Ａ、１９Ａ、２１Ａ    吸引口
１１Ｂ、１３Ｂ、１５Ｂ、１７Ｂ、１９Ｂ、２１Ｂ    導出口
１２、１４、１８、２２    水吐出部
１２Ａ、１４Ａ、１８Ａ、２２Ａ    水吐出口
１２Ｂ、１４Ｂ、１８Ｂ、２２Ｂ    水導入口
Ｓ    洗浄装置
ＳＢ    基板
ＳＳ    超音波
【図２】
2015095555.tif 000003
【図３】
2015095555.tif 000004
【図１】
2015095555.tif 000005
【図４】
2015095555.tif 000006
【図５】
2015095555.tif 000007
【図６】
2015095555.tif 000008