(57)【要約】【課題】本発明は、薄膜トランジスタの駆動バックプレート及びその製造方法を提供する。【解決手段】透光性の絶縁基板上に１以上の非透光性のゲート電極を形成するステップと、透光性の絶縁基板上にゲート絶縁膜を形成してゲート電極を覆うステップと、ゲート絶縁膜上に、ゲート電極と重なる重複領域と重複領域と一体形成されゲート電極からはみ出されたはみ出し領域を含むパターン化された光伝導半導体層を形成するステップと、電磁放射によりはみ出し領域を導体に変換して、それぞれ薄膜トランジスタのソース領域とドレーン領域とするステップと、ドレーン領域を露出させるための画素電極コンタクトホールが形成されているパターン化された保護層を形成して、光伝導半導体層を覆うステップと、画素電極コンタクトホールを介してドレーン領域と接続する画素電極を形成するステップと、保護層上を覆い画素電極の一部を露出させる絶縁層を形成するステップとを少なくとも含む。【選択図】図３
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
透光性の絶縁基板と、
前記透光性の絶縁基板上に形成される１以上の非透光性のゲート電極と、
前記透光性の絶縁基板上に形成され前記ゲート電極を覆うゲート絶縁膜と、
前記ゲート絶縁膜上に形成され、前記ゲート電極と重なる重複領域と前記重複領域と一体形成され前記ゲート電極からはみ出されたはみ出し領域を含むパターン化された光伝導半導体層と
を含み、
前記はみ出し領域は導体に変換され、それぞれ前記薄膜トランジスタのソース領域及びドレーン領域とする
ことを特徴とする薄膜トランジスタ。
【請求項２】
前記はみ出し領域は、紫外線の照射により導体に変換されることを特徴とする請求項１に記載の薄膜トランジスタ。
【請求項３】
前記光伝導半導体層は、インジウム、ガリウムと亜鉛の酸化物を含むことを特徴とする請求項１に記載の薄膜トランジスタ。
【請求項４】
前記光伝導半導体層は、対向する二の方向よりゲート電極からはみ出されることを特徴とする請求項１に記載の薄膜トランジスタ。
【請求項５】
前記透光性の絶縁基板の材料は、ガラス又は可撓性の誘電体材料であることを特徴とする請求項１に記載の薄膜トランジスタ。
【請求項６】
透光性の絶縁基板上に１以上の非透光性のゲート電極を形成するステップと、
前記透光性の絶縁基板上にゲート絶縁膜を形成して前記ゲート電極を覆うステップと、
前記ゲート絶縁膜上に、前記ゲート電極と重なる重複領域と前記重複領域と一体形成され前記ゲート電極からはみ出されたはみ出し領域を含むパターン化された光伝導半導体層を形成するステップと、
電磁放射により前記はみ出し領域を導体に変換して、それぞれ前記薄膜トランジスタのソース領域とドレーン領域とするステップと
を少なくとも含むことを特徴とする薄膜トランジスタの製造方法。
【請求項７】
前記電磁放射変換ステップにおいて、紫外線を供して、前記透光性の絶縁基板を透過して、前記光伝導半導体層における前記ゲート電極からはみ出されたはみ出し領域のみを照射することを特徴とする請求項６に記載の薄膜トランジスタの製造方法。
【請求項８】
前記光伝導半導体層は、インジウム、ガリウムと亜鉛の酸化物を含むことを特徴とする請求項６に記載の薄膜トランジスタの製造方法。
【請求項９】
前記光伝導半導体層は、対向する二の方向よりゲート電極からはみ出されることを特徴とする請求項６に記載の薄膜トランジスタの製造方法。
【請求項１０】
前記透光性の絶縁基板の材料は、ガラス又は可撓性の誘電体材料であることを特徴とする請求項７に記載の薄膜トランジスタの製造方法。
【請求項１１】
透光性の絶縁基板と、
前記透光性の絶縁基板上に形成される１以上の非透光性のゲート電極と、
前記透光性の絶縁基板上に形成され前記ゲート電極を覆うゲート絶縁膜と、
前記ゲート絶縁膜上に形成され、前記ゲート電極と重なる重複領域と前記重複領域と一体形成され前記ゲート電極からはみ出されたはみ出し領域を含むパターン化された光伝導半導体層と、
前記光伝導半導体層を覆い、前記ドレーン領域を露出させるための画素電極コンタクトホールが形成されているパターン化された保護層と、
前記画素電極コンタクトホールを介して前記ドレーン領域と接続する画素電極と、
前記保護層上に形成され前記画素電極の一部を露出させる絶縁層と
を含み、
前記はみ出し領域は導体に変換され、それぞれ前記薄膜トランジスタのソース領域とドレーン領域とする
ことを特徴とする薄膜トランジスタ駆動バックプレート。
【請求項１２】
前記はみ出し領域は、紫外線の照射により導体に変換されることを特徴とする請求項１１に記載の薄膜トランジスタ駆動バックプレート。
【請求項１３】
前記光伝導半導体層は、インジウム、ガリウムと亜鉛の酸化物を含むことを特徴とする請求項１１に記載の薄膜トランジスタ駆動バックプレート。
【請求項１４】
前記光伝導半導体層は、対向する二の方向よりゲート電極からはみ出されることを特徴とする請求項１１に記載の薄膜トランジスタ駆動バックプレート。
【請求項１５】
前記画素電極の材料は酸化インジウムスズを含むことを特徴とする請求項１１に記載の薄膜トランジスタ駆動バックプレート。
【請求項１６】
透光性の絶縁基板上に１以上の非透光性のゲート電極を形成するステップと、
前記透光性の絶縁基板上にゲート絶縁膜を形成して前記ゲート電極を覆うステップと、
前記ゲート絶縁膜上に、前記ゲート電極と重なる重複領域と前記重複領域と一体形成され前記ゲート電極からはみ出されたはみ出し領域を含むパターン化された光伝導半導体層を形成するステップと、
電磁放射により前記はみ出し領域を導体に変換して、それぞれ前記薄膜トランジスタのソース領域とドレーン領域とするステップと、
前記ドレーン領域を露出させるための画素電極コンタクトホールが形成されているパターン化された保護層を形成して、前記光伝導半導体層を覆うステップと、
前記画素電極コンタクトホールを介して前記ドレーン領域と接続する画素電極を形成するステップと、
前記保護層上を覆い前記画素電極の一部を露出させる絶縁層を形成するステップ
を少なくとも含むことを特徴とする薄膜トランジスタ駆動バックプレートの製造方法。
【請求項１７】
前記電磁放射変換ステップにおいて、紫外線を供して、前記透光性の絶縁基板を透過して、前記光伝導半導体層における前記ゲート電極からはみ出されたはみ出し領域のみを照射することを特徴とする請求項１６に記載の薄膜トランジスタ駆動バックプレートの制造方法。
【請求項１８】
前記光伝導半導体層は、インジウム、ガリウムと亜鉛の酸化物を含むことを特徴とする請求項１６に記載の薄膜トランジスタ駆動バックプレートの制造方法。
【請求項１９】
前記光伝導半導体層は、対向する二の方向よりゲートからはみ出されることを特徴とする請求項１６に記載の薄膜トランジスタ駆動バックプレートの制造方法。
【請求項２０】
前記画素電極の材料は酸化インジウムスズを含むことを特徴とする請求項１６に記載の薄膜トランジスタ駆動バックプレートの制造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、薄膜トランジスタの駆動バックプレートの製造分野に関し、特に、光伝導半導体材料の一部のみを変換して、ソース領域、ドレーン領域及びチャネルをワンステップに形成する薄膜トランジスタの駆動バックプレート及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
今、薄膜トランジスタ（ＴＦＴ、Ｔｈｉｎ  Ｆｉｌｍ  Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）は、主に、液晶ディスプレイ（ＬＣＤ、Ｌｉｑｕｉｄ  Ｃｒｙｓｔａｌ  Ｄｉｓｐｌａｙ）及び有機フォトダイオード（ＯＬＥＤ、Ｏｒｇａｎｉｃ  Ｌｉｇｈｔ−Ｅｍｉｔｔｉｎｇ  Ｄｉｏｄｅ）表示装置の副画素を駆動するために用いられる。薄膜トランジスタアレイで構成された駆動バックプレートは、表示画面がより高い画素密度、開口率及び輝度を実現するためのキーポイント的な部材である。今のＴＦＴ−ＬＣＤは、一般的にアモルファスシリコン（Ａｍｏｒｐｈｏｕｓ  ｓｉｌｉｃｏｎ）をアクティブレイヤーとするＴＦＴバックプレートを利用する。しかし、アモルファスシリコン（ａ−Ｓｉ）は、移動度が低すぎて、ＯＬＥＤ表示画面、ハイデフィニション（Ｈｉｇｈ  Ｄｅｆｉｎｉｔｉｏｎ）なＴＦＴ−ＬＣＤ及び３Ｄ表示の要求を満足できない。金属酸化半導体は、薄膜トランジスタのアクティブレイヤー材料として、その高い移動度、低い堆積温度及び透明な光学特性によって次世代の表示バックプレート技術と認められており、世界範囲で研究者たちに着目されている。金属酸化半導体は、高い移動度によって、未来の表示技術での高いリフレッシュ頻度、大電流の薄膜トランジスタの要求を満足する。また、その工程温度が１００℃に未満するので、金属酸化によって可撓性の表示装置を製造することができる。
【０００３】
今の薄膜トランジスタ駆動バックプレートは、アモルファスシリコン（ａ−Ｓｉ）薄膜トランジスタ駆動バックプレートと、ポリシリコン（Ｐｏｌｙ−Ｓｉ）薄膜トランジスタ駆動バックプレートの二つがある。
【０００４】
アモルファスシリコン（ａ−Ｓｉ）薄膜トランジスタ駆動バックプレートの製造工程は、主に以下のステップを含む。
【０００５】
ゲート（Ｇａｔｅ）及び走査線を形成するステップは、金属をスパッタリング（Ｓｐｕｔｔｅｒｉｎｇ）して成膜を行なうことによりゲート層を形成し、ゲートをフォトエッチング（Ｐｈｏｔｏ−ｅｔｃｈｉｎｇ）する工程を含む。
【０００６】
ゲート絶縁層及びアモルファスシリコンの島（Ｉｓｌａｎｄ）を形成するステップは、ＰＥＣＶＤで連続的に三層の成膜を行い、パッドをエッチングし、パッドをドライエッチング（Ｄｒｙ  ｅｔｃｈｉｎｇ）するなどによって、ガラス基板にＴＦＴ用のアモルファスシリコンの島を形成する工程を含む。
【０００７】
ソース／ドレイン電極（Ｓ／Ｄ）と、データ電極と、チャネル（Ｃｈａｎｎｅｌ）とを形成するステップは、スパッタリングして成膜を行なうことによりＳ／Ｄ金属層を形成し、Ｓ／Ｄフォトエッチング、Ｓ／Ｄウェットエッチング（Ｗｅｔ  ｅｔｃｈｉｎｇ）、チャネルドライエッチング等によって、最後にガラス基板にＴＦＴのソース／ドレイン電極、チャネル及びデータラインを形成する工程を含む。これらによって、ＴＦＴの製造を完了する。
【０００８】
保護絶縁層（Ｐａｓｓｉｖｉｔｉｏｎ）及びビアホール（Ｖｉａ）を形成するステップは、ＰＥＣＶＤ法による成膜、フォトエッチング、ビアホールのドライエッチング等の工程を含む。これらの工程を経て、最後にガラス基板にＴＦＴチャネル保護絶縁層及びビアホールを形成する。
【０００９】
透明な画素電極ＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ  ｔｉｎ  ｏｘｉｄｅ  、酸化インジウムスズ）を形成するステップで、ＩＴＯ透明電極層をスパッタリングしして成膜を行い、ＩＴＯフォトエッチング、ＩＴＯウェットエッチングする等によって、ガラス基板に透明な画素電極を形成する工程を含む。これまで、複数の組みの工程が全部完了する。
【００１０】
低温ポリシリコン（Ｌｏｗ  Ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ  Ｐｏｌｙ−Ｓｉｌｉｃｏｎ；ＬＴＰＳ）は、新世代の薄膜トランジスタの液晶ディスプレイ制造技術で、所謂低温ポリシリコン（ＬＴＰＳ）技術は、主に、レーザアニ−ル工程（Ｌａｓｅｒ  Ａｎｎｅａｌ）によってａ−Ｓｉの薄膜をポリシリコン（Ｐｏｌｙ−Ｓｉ）薄膜層に変換させる。ポリシリコンのトランジスタの電子移動速度はアモルファスシリコンに比べて百倍高めて、表示画面の応答速度が速く、輝度が高く、解像率が高いなどを利点がある。そして、電子移動速度が速いので、Ｐｏｌｙ−Ｓｉは駆動回路とすることができるので、周囲の駆動回路をガラス基板に形成して、その重さを低減でき、軽薄化の要求を満足できる。また、ＬＴＰＳ  ＴＦＴは駆動ＩＣをＬＣＤ基板に統合したので、ＩＣのコストを低減でき、ＩＣの後段の加工で発生する不良率を低減できるので、合格率を高める。
【００１１】
従来の技術において、計８のフォトマスクを利用して周囲の駆動回路のＣＭＯＳ  ＴＦＴ素子を形成し、Ｎ−ＴＦＴはＬＤＤ構造を有している。
【００１２】
まず、絶縁基板（例えば、ガラス基板）に、順序にバッファ層及びアモルファスシリコン膜層を堆積し、このバッファ層は、このガラス基板における不純物が後の高温工程によって拡散することを防止するためのものである。続いて、エキシマーレーザー（Ｅｘｃｉｍｅｒ  Ｌａｓｅｒ；ＥＬ）でこのアモルファスシリコン膜層を走査して、このアモルファスシリコン結晶をポリシリコンに変化させポリシリコン膜層を形成する。そして、フォトリソグラフィ工程を実行して、第一フォトレジストパターン（第一フォトマスク）を介して、このガラス基板上のポリシリコン膜層をパターン化して、Ｎ−ＴＦＴとＰ−ＴＦＴとしようとするポリシリコンパッド（ｐｏｌｙ  ｉｓｌａｎｄ）を形成し、続いてゲート絶縁層を堆積する。
【００１３】
続いて、Ｎ−ＴＦＴのＮ＋イオン注入ステップを行って、第二フォトレジストパターン（第二フォトマスクを利用する）をこのゲート絶縁層に形成し、この第二フォトレジストパターンは、Ｎ−ＴＦＴに位置するＬＤＤ構造と、ゲート領域のこのポリシリコンパッドと、また全てのＰ−ＴＦＴ領域のこのポリシリコンパッドを覆ってから、このポリシリコンパッドにＮ＋イオン注入を行って、Ｎ−ＴＦＴのＳ／Ｄ領域を形成する。
【００１４】
そして、この第二フォトレジストパターンを剥離し、ゲート金属層を堆積し、またフォトリソグラフィを施して、第三フォトレジストパターン（第三フォトマスク）を通じて、このゲート金属層をパターン化して、Ｎ−ＴＦＴとＰ−ＴＦＴのゲート金属を形成する。後に、このゲート金属を直接にマスクとしてイオン注入ステップを行い、Ｎ−ＴＦＴのＬＤＤ構造を形成する。
【００１５】
そして、第四フォトレジストパターン（第四フォトマスク）を形成して、全般的なＮ−ＴＦＴ領域を覆わせて、Ｐ−ＴＦＴ領域にＰ＋イオン注入ステップを施して、Ｐ−ＴＦＴのＳ／Ｄ領域を形成する。これまで、Ｎ−ＴＦＴとＰ−ＴＦＴの主な構造は大体に完成する。
【００１６】
続いて、この第四フォトレジストパターンを剥離し、誘電体層をこのガラス基板に堆積し、このゲート金属を覆わせてから、この誘電体層とこのゲート絶縁層に対してフォトリソグラフィを施し、フォトレジストパターン（第五フォトマスク）を利用して、Ｎ−ＴＦＴとＰ−ＴＦＴのＳ／Ｄを露出できるように、Ｎ−ＴＦＴとＰ−ＴＦＴとの第一ビアホールを形成する。続いて、金属層を堆積し、この第一ビアホールを充填し、この金属層に対してフォトリソグラフィを施して、フォトレジストパターン（第六フォトマスク）を通じて、Ｎ−ＴＦＴとＰ−ＴＦＴのＳ／Ｄ金属電極を形成して、データライン（ｄａｔａｌｉｎｅ）とし、このＬＣＤ板上の画素領域とこのＬＣＤ板の外部の回路に接続する。
【００１７】
続いて、保護層をガラス基板に堆積し、このＳ／Ｄ金属電極を覆って、この保護層に対してフォトリソグラフィを施して、フォトレジストパターン（第七フォトマスク）で一部のＳ／Ｄ金属電極が露出できるように、Ｎ−ＴＦＴとＰ−ＴＦＴの第二ビアホールを形成する。続いて、酸化インジウムスズ層（ＩＴＯ）を堆積しこの第二ビアホールを充填してから、この酸化インジウムスズ層にフォトリソグラフィを施して、フォトレジストパターン（第八フォトマスク）を通じて、ＩＴＯ接続電極を形成して、このＬＣＤ板の外部の回路に接続できる。
【００１８】
以上のように、従来の技術の駆動バックプレートの製造工程は多く、フローの周期が全般的に長く、大量の金属材料が必要で、人力が多く必要で、デバイスの稼働率に影響を与える。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１９】
従来の技術における以上の問題を鑑で、本発明は、従来の技術の問題を克服し、光伝導半導体材料の一部のみを変換して、ソース領域、ドレーン領域及びチャネルをワンステップに形成し、製造工程が簡単で、工程の周期が全体的に短く、大量の金属材料が必要しなく、人力を低減し、デバイスの稼働率を高めた薄膜トランジスタ駆動バックプレート及びその製造方法を提供する。
【課題を解決するための手段】
【００２０】
本発明の一つの局面によると、
透光性の絶縁基板と、
透光性の絶縁基板上に形成される１以上の非透光性のゲート電極と、
透光性の絶縁基板上に形成されゲート電極を覆うゲート絶縁膜と、
ゲート絶縁膜上に形成され、ゲート電極と重なる重複領域と重複領域と一体形成されゲート電極からはみ出されたはみ出し領域を含むパターン化された光伝導半導体層と
を含み、
はみ出し領域は導体に変換され、それぞれ薄膜トランジスタのソース領域及びドレーン領域とする薄膜トランジスタを提供する。
【００２１】
好ましくは、はみ出し領域は、紫外線の照射により導体に変換される。
好ましくは、重複領域は遮蔽されて光により照射されず、半導体のままである。
【００２２】
好ましくは、光伝導半導体層は、インジウム、ガリウムと亜鉛の酸化物を含む。
好ましくは、光伝導半導体層は、対向する二の方向よりゲート電極からはみ出される。
【００２３】
好ましくは、透光性の絶縁基板の材料は、ガラス又は可撓性の誘電体材料である。
本発明のもう一つの局面によると、
透光性の絶縁基板上に１以上の非透光性のゲート電極を形成するステップと、
透光性の絶縁基板上にゲート絶縁膜を形成してゲート電極を覆うステップと、
ゲート絶縁膜上に、ゲート電極と重なる重複領域と重複領域と一体形成されゲート電極からはみ出されたはみ出し領域を含むパターン化された光伝導半導体層を形成するステップと、
電磁放射によりはみ出し領域を導体に変換して、それぞれ薄膜トランジスタのソース領域とドレーン領域とするステップとを少なくとも含む薄膜トランジスタの製造方法を提供する。
【００２４】
好ましくは、電磁放射変換ステップにおいて、紫外線を供して、透光性の絶縁基板を透過して、光伝導半導体層におけるゲート電極からはみ出されたはみ出し領域のみを照射する。
【００２５】
好ましくは、重複領域は遮蔽されて光により照射されず、半導体のままである。
好ましくは、光伝導半導体層は、インジウム、ガリウムと亜鉛の酸化物を含む。
【００２６】
好ましくは、光伝導半導体層は、対向する二の方向よりゲート電極からはみ出される。
好ましくは、透光性の絶縁基板の材料は、ガラス又は可撓性の誘電体材料である。
【００２７】
本発明のもう一つの局面によると、
透光性の絶縁基板と、
透光性の絶縁基板上に形成される１以上の非透光性のゲート電極と、
透光性の絶縁基板上に形成されゲート電極を覆うゲート絶縁膜と、
ゲート絶縁膜上に形成され、ゲート電極と重なる重複領域と重複領域と一体形成されゲート電極からはみ出されたはみ出し領域を含むパターン化された光伝導半導体層と、
光伝導半導体層を覆い、ドレーン領域を露出させるための画素電極コンタクトホールが形成されているパターン化された保護層と、
画素電極コンタクトホールを介してドレーン領域と接続する画素電極と、
保護層上に形成され画素電極の一部を露出させる絶縁層と
を含み、
はみ出し領域は導体に変換され、それぞれ薄膜トランジスタのソース領域とドレーン領域とする薄膜トランジスタ駆動バックプレートを提供する。
【００２８】
好ましくは、はみ出し領域は、紫外線の照射により導体に変換される。
好ましくは、重複領域は遮蔽されて光により照射されず、半導体のままである。
【００２９】
好ましくは、光伝導半導体層は、インジウム、ガリウムと亜鉛の酸化物を含む。
好ましくは、光伝導半導体層は、対向する二の方向よりゲート電極からはみ出される。
【００３０】
好ましくは、画素電極の材料は酸化インジウムスズを含む。
本発明のもう一つの局面によると、
透光性の絶縁基板上に１以上の非透光性のゲート電極を形成するステップと、
透光性の絶縁基板上にゲート絶縁膜を形成してゲート電極を覆うステップと、
ゲート絶縁膜上に、ゲート電極と重なる重複領域と重複領域と一体形成されゲート電極からはみ出されたはみ出し領域を含むパターン化された光伝導半導体層を形成するステップと、
電磁放射によりはみ出し領域を導体に変換して、それぞれ薄膜トランジスタのソース領域とドレーン領域とするステップと、
ドレーン領域を露出させるための画素電極コンタクトホールが形成されているパターン化された保護層を形成して、光伝導半導体層を覆うステップと、
画素電極コンタクトホールを介してドレーン領域と接続する画素電極を形成するステップと、
保護層上を覆い画素電極の一部を露出させる絶縁層を形成するステップとを少なくとも含む薄膜トランジスタ駆動バックプレートの製造方法を提供する。
【００３１】
好ましくは、電磁放射変換ステップにおいて、紫外線を供して、透光性の絶縁基板を透過して、光伝導半導体層におけるゲート電極からはみ出されたはみ出し領域のみを照射する。
【００３２】
好ましくは、重複領域は遮蔽されて光により照射されず、半導体のままである。
好ましくは、光伝導半導体層は、インジウム、ガリウムと亜鉛の酸化物を含む。
【００３３】
好ましくは、光伝導半導体層は、対向する二の方向よりゲートからはみ出される。
好ましくは、画素電極の材料は酸化インジウムスズを含む。
【００３４】
従来の技術に比べると、以上の方面によって、本発明の薄膜トランジスタ駆動バックプレート及びその製造方法は、光伝導半導体材料の一部のみを変換することによって、ソース領域、ドレーン領域及びチャネルをワンステップに形成でき、製造工程が簡単で、フォトレジストパターンを複数回に利用する必要がなく、全体的にフローの周期が短く、大量の金属材料が必要しなく、人力が低減され、デバイスの稼働率が高まる。
【００３５】
以下の図面を参照して非限定性の実施例について述べた詳細を通じて、本発明の他の特徴、目の及びメリットはより明瞭になるべきだ。
【図面の簡単な説明】
【００３６】
【図１】図１は、本発明の第一の実施例による本発明の薄膜トランジスタの製造方法のフローチャートを示す。
【図２Ａ】図２Ａは、本発明の第一実施例による本発明の薄膜トランジスタの製造過程での構造の変化の概略図を示す。
【図２Ｂ】図２Ｂは、本発明の第一実施例による本発明の薄膜トランジスタの製造過程での構造の変化の概略図を示す。
【図３】図３は、本発明の第二の実施例による本発明の薄膜トランジスタ駆動バックプレートの製造方法のフローチャートを示す。
【図４Ａ】図４Ａは、本発明の第二の実施例による本発明の薄膜トランジスタ駆動バックプレートの製造過程での構造の変化の概略図を示す。
【図４Ｂ】図４Ｂは、本発明の第二の実施例による本発明の薄膜トランジスタ駆動バックプレートの製造過程での構造の変化の概略図を示す。
【図４Ｃ】図４Ｃは、本発明の第二の実施例による本発明の薄膜トランジスタ駆動バックプレートの製造過程での構造の変化の概略図を示す。
【図４Ｄ】図４Ｄは、本発明の第二の実施例による本発明の薄膜トランジスタ駆動バックプレートの製造過程での構造の変化の概略図を示す。
【図４Ｅ】図４Ｅは、本発明の第二の実施例による本発明の薄膜トランジスタ駆動バックプレートの製造過程での構造の変化の概略図を示す。
【図５】図５は、本発明の第三の実施例による本発明の第一薄膜トランジスタ表示装置の製造方法のフローチャートを示す。
【図６】図６は、本発明の第三の実施例による本発明の第一薄膜トランジスタ表示装置の構造の概略図を示す。
【図７】図７は、本発明の第四の実施例の本発明の第二薄膜トランジスタ表示装置の製造方法のフローチャートを示す。
【図８】図８は、本発明の第四の実施例の本発明の第二薄膜トランジスタ表示装置の構造の概略図を示す。
【発明を実施するための形態】
【００３７】
当業者は、従来の技術及び上記の実施例を合わせて前記変化例を実現できることを理解できるので、ここで重複に説明しない。このような変化例は、本発明の実質的な内容に影響を与えないので、ここで重複に説明しない。
【００３８】
［第一の実施例］
図１は、本発明の第一の実施例による本発明の薄膜トランジスタの製造方法のフローチャートである。図１に示すように、本発明の薄膜トランジスタの制造方法は、以下のステップを含む。
【００３９】
まず、ステップＳ１０１では、透光性の絶縁基板上に1以上の非透光性のゲート電極を形成し、透光性の絶縁基板上にゲート絶縁膜を形成して、ゲート電極を覆う。
【００４０】
そして、ステップＳ１０２では、ゲート絶縁膜上に、透光性の絶縁基板の方向に沿ってゲート電極と重なる重複領域及び前記重複領域と一体形成されゲート電極からはみ出されたはみ出し領域を含むパターン化された光伝導半導体層を形成し、電磁放射によりはみ出し領域を導体に変換して、それぞれ薄膜トランジスタのソース領域とドレーン領域とする。
【００４１】
本発明の薄膜トランジスタ及びその製造方法は、光伝導半導体材料の一部を変換して、ソース領域、ドレーン領域及びチャネルをワンステップに形成する。
【００４２】
光伝導半導体層の両端には、それぞれソース領域及びドレーン領域を形成して、ソース及びドレーンの機能を実現し、金属でソース及びドレーンをエッチングするステップを省略し、材料が節約され、工程が低減され、製造周期が短縮した。
【００４３】
ステップＳ１０１では、光伝導半導体層は、インジウム、ガリウム及び亜鉛の酸化物を含む。透光性の絶縁基板の材料は、ガラス又は可撓性の誘電体材料である。画素電極の材料は、酸化インジウムスズを含む。
【００４４】
ステップＳ１０２では、電磁放射変換ステップで、光を供して、透光性の絶縁基板を透過して光伝導半導体層のゲート電極からはみ出されたはみ出し領域のみを照射する。重複領域は遮蔽されて光により照射されず、半導体のままである。光は、紫外線である。光伝導半導体層は、対向する二の方向よりゲート電極からはみ出される。
【００４５】
図２Ａ〜図２Ｂは、本発明の第一実施例による本発明の薄膜トランジスタの製造過程での構造の変化の概略図を示す。
【００４６】
図１のステップＳ１０１で、図２Ａを参照して、薄膜トランジスタの出発原料は、透光性の絶縁基板１である。透光性の絶縁基板１は、ガラス又は可撓性の誘電体材料であってもよい。透光性の絶縁基板１は、既知のものでもよく、後に研究されてくるいずれの透明な絶縁材料であってもよい。好ましくは、透光性の絶縁基板１は透光性の可撓性の誘電体材料で形成される。その最大の処理可能な温度又はその近くの温度でアニ−ルにより、後の処理ステップでの大きさの安定性を改善する。
【００４７】
透光性の絶縁基板１の表面に、スパッタリングにより非透光性のゲート電極２を形成する。ゲート電極２は、既知の物又は将来に開発される何れかの一つの導電材料であってもよい。ゲート電極２として、好ましくは抵抗の低い金属によって形成される。例えば、マスクによるフォトエッチング等の伝統的な光リソグラフィー技術によってパターン化し、エッチングして堆積させる。実際の製造過程では、透光性の絶縁基板１の表面に、ゲートバス、データバス、ゲート駆動回路、データ駆動回路などを形成してもよい。
【００４８】
透光性の絶縁基板１の表面にゲート電極２を形成してから、続いて、透光性の絶縁基板上にゲート絶縁膜３を形成する。ゲート絶縁膜３は、色々な誘電体材料における何れかの一つを含んでいてもよく、異なる厚さに形成（又は堆積）してもよい。ゲート絶縁膜３は、色々な既知の工程又は堆積工程における何れかの一つによって形成してもよい。本実施例において、ゲート絶縁膜３はＳｉＮＸによって形成された。ＰＥＣＶＤ（ｐｌａｓｍａ  ｅｎｈａｎｃｅｄ  ｃｈｅｍｉｃａｌ  ｖａｐｏｒ  ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ：  プラズマ増強化学堆積）によってゲート絶縁膜３を堆積させて、ゲート絶縁膜３によってゲート電極２が全般的に覆われる。
【００４９】
図１のステップＳ１０２において、図２Ｂを参照して、ゲート絶縁膜３を形成してから、ゲート絶縁膜３上にパターン化された光伝導半導体層４を形成し、光伝導半導体層４は、既知の物又は将来に開発される何れかの一つの光伝導半導体材料であってもよい。本実施例において、光伝導半導体層４は、インジウムガリウム亜鉛の酸化物（ＩＧＺＯ）で、Ｉｎ２Ｏ３：Ｇａ２Ｏ３：ＺｎＯ＝１：１：１のターゲットで、スパッタリングにより成膜を行なう。光伝導半導体層４は、位置的にゲート電極２と重なり、範囲的にはゲート電極２より広く形成される。光伝導半導体層４の中間部分は、ゲート電極２に覆われる。光伝導半導体層４の両端は、二つの異なる方向よりゲート電極２からはみ出される。光伝導半導体層４の両端は、ゲート電極２に覆われていない。
【００５０】
多くの半導体材料は光に非常に敏感で、光の照射がない場合、導電難いが、光の照射がある場合は、導電が容易になる。例えば、常用の硫化ガドミウム（Ｃａｄｍｉｕｍ  ｓｕｌｆｉｄｅ）の半導体である場合、光の照射がない場合その抵抗は何十ＭΩになり、光の照射がある場合抵抗は何十ＫΩに低減される。半導体が光の照射を受けたら抵抗が明らかに小さくなる現象を「光伝導」と呼ぶ。インジウムガリウム亜鉛の酸化物（ＩＧＺＯ）も光電半導体の一つで、可視光領域で安定しているが、紫外線の照射で、インピーダンスが大幅に小さくなり、導体に変換する。
【００５１】
且つ、インジウムガリウム亜鉛の酸化物（ＩＧＺＯ）は透明な非晶酸化物半導体（ＴＡＯＳ）で、移動度が高く、均一性がよく、透明などの利点を有し、ＴＦＴのコア部分として、アクティブレイヤーの成膜品質、厚さ等の要素などが薄膜トランジスタの素子に直接に影響する機能を高めるに役立つ。インジウムガリウム亜鉛の酸化物薄膜は可視光区で安定しており、その光学帯域は約３．６９ｅＶで、紫外線の領域に近い。
【００５２】
そのため、紫外線の平行光が透光性の絶縁基板１を透過して、光伝導半導体層４に照射する。光伝導半導体層４とゲート電極２との重畳領域は覆われて、光Ｂはゲート電極２を透過できないので、光伝導半導体層４の中間部分は光Ｂにより照射されず、半導体のままである。
【００５３】
光伝導半導体層４の両端のゲート電極からはみ出されたはみ出し領域は、ゲート電極２に覆われず、それぞれ紫外線のＡ部分とＣ部分によって照射され、両端が導体に変換される。この両端の形成領域は、それぞれ薄膜トランジスタのソース領域４１とドレーン領域４２とである。光伝導半導体層４の両端のゲート電極からはみ出されたはみ出し領域の長さはそれぞれＳとＤであり、ソース領域４１の広さはＳで、ドレーン領域４２の広さはＤである。光伝導半導体層４の中間部分は半導体のままである。
【００５４】
インジウムガリウム亜鉛の酸化物による技術は、表示画面の消費電力がＯＬＥＤと大体に近似しているが、コストがより低く、厚さもＯＬＥＤより２５％だけ高く、かつ解像率が全ハイデフィニション（Ｆｕｌｌ  ＨＤ）〜超ハイデフィニションの（Ｕｌｔｒａ  Ｄｅｆｉｎｉｔｉｏｎ、解像率４ｋ＊２ｋ）レベルに到達できる。
【００５５】
インジウムガリウム亜鉛酸化物のキャリヤー移動度は、アモルファスシリコンの２０乃至３０倍で、ＴＦＴの画素電極に対する充放電速率が大幅に高め、画素の応答速度を高め、より速いリフレッシュ率を実現し、同時により速い応答は画素の行走査速率も大幅に高めて、ＴＦＴ−ＬＣＤで超高な解像率も実現できる。また、トランジスタの数量が低減され、各画素の透光率を高まりたので、インジウムガリウム亜鉛の酸化物表示装置はより高いエネルギー効率があり、効率がより高い。
【００５６】
本発明において、ゲート電極２の広さＬを制御することにより直接に光伝導半導体層４のチャネルの長さＬを形成することができる。ゲート電極２によって遮断されたＢ部分の光によって、光伝導半導体層４にＢ部分の広さＬに均等な半導体領域が保留され、チャネルとする。そのため、チャネルの広さもＬに等しい。このような方式は、開口率を簡単で有効に高めることができ、薄膜トランジスタの輝度を高めることができる。同じように、光伝導半導体層４の両端のそれぞれのゲート電極からはみ出されたはみ出し領域の長さＳとＤを制御することにより、製造工程の具体的な必要によって、ソース領域４１とドレーン領域４２とのそれぞれの長さを有効的に形成できる。
【００５７】
続いて図２Ｂを参照して、本発明の薄膜トランジスタは、透光性の絶縁基板１と、１以上の非透光性のゲート電極２と、ゲート絶縁膜３と、パターン化された光伝導半導体層４と、パターン化された保護層と、１以上の画素電極６と、絶縁層７とを含む。
【００５８】
ゲート電極２は、透光性の絶縁基板１上に形成される。ゲート絶縁膜３は、透光性の絶縁基板１上に形成され、ゲート電極２を覆う。パターン化された光伝導半導体層４は、ゲート絶縁膜３上に形成され、光伝導半導体層４はゲート電極２と重ねられ、且つゲート電極２からはみ出され、電磁放射によって光伝導半導体層４のゲート電極２からはみ出されたはみ出し領域を導体に変換して、それぞれ薄膜トランジスタのソース領域４１とドレーン領域４２とする。保護層は光伝導半導体層を覆って、保護層には、ドレーン領域４２を露出させるための画素電極コンタクトホール５１が形成されている。画素電極６は、画素電極コンタクトホール５１を介してドレーン領域４２に接続する。絶縁層７は保護層上に形成され、画素電極６の一部を露出させる。
【００５９】
透光性の絶縁基板１の材料は、ガラス又は可撓性の誘電体材料である。光伝導半導体層４は、インジウム、ガリウムと亜鉛の酸化物を含む。画素電極６の材料は、酸化インジウムスズを含む。光伝導半導体層４は、対向する二つの方向よりゲート電極２からはみ出される。光伝導半導体層４のゲート電極２からはみ出された部分は、光に照射され導体に変換される。光伝導半導体層４とゲート電極２との重なる重複領域は覆われ、光により照射されず、半導体のままである。光は、紫外線である。
【００６０】
［第二の実施例］
図３は、本発明の第二の実施例による本発明の薄膜トランジスタ駆動バックプレートの製造方法のフローチャートである。図３によると、本発明の薄膜トランジスタ駆動バックプレートの制造方法は、以下のステップを含む。
【００６１】
まず、ステップＳ２０１では、透光性の絶縁基板上に1以上の非透光性のゲート電極を形成し、透光性の絶縁基板上にゲート絶縁膜を形成して、ゲート電極を覆う。
【００６２】
そして、ステップＳ２０２では、ゲート絶縁膜上に、透光性の絶縁基板の方向に沿ってゲート電極と重なる重複領域と前記重複領域と一体形成されゲート電極からはみ出されたはみ出し領域とを含むパターン化された光伝導半導体層を形成し、電磁放射によりはみ出し領域を導体に変換し、それぞれ薄膜トランジスタのソース領域とドレーン領域とする。
【００６３】
続いて、ステップＳ２０３では、パターン化された保護層を形成して、光伝導半導体層を覆って、保護層にはドレーン領域を露出させるための画素電極コンタクトホールが形成されている。
【００６４】
そして、ステップＳ２０４では、画素電極を形成し、画素電極コンタクトホールを介してドレーン領域と接続する。
【００６５】
最後に、ステップＳ２０５では、絶縁層を形成して保護層に覆われ、画素電極の一部を露出させる。
【００６６】
本発明の薄膜トランジスタ駆動バックプレート及びその製造方法は、光伝導半導体材料の一部のみを変換して、ソース領域、ドレーン領域及びチャネルをワンステップに形成する。
【００６７】
光伝導半導体層の両端には、それぞれソース領域及びドレーン領域を形成して、ソース及びドレーンの機能を実現し、金属でソースとドレーンとをエッチングするステップを省略し、材料が節約され、工程が低減され、製造周期が短縮した。
【００６８】
ステップＳ２０１において、光伝導半導体層は、インジウムと、ガリウムと、亜鉛の酸化物とを含む。透光性の絶縁基板の材料は、ガラス又は可撓性の誘電体材料である。画素電極の材料は、酸化インジウムスズを含む。
【００６９】
ステップＳ２０２で、電磁放射変換ステップにおいて、光を供して、透光性の絶縁基板を透過して、光伝導半導体層のゲート電極からはみ出されたはみ出し領域のみを照射する。重なった領域は覆われて、光により照射されず、半導体のままである。光は、紫外線である。且つ、光伝導半導体層は、対向する二つの方向よりゲート電極からはみ出される。
【００７０】
図４Ａ乃至図４Ｅは、本発明の第二の実施例による本発明の薄膜トランジスタ駆動バックプレートの製造過程での構造の変化の概略図である。
【００７１】
図３のステップＳ２０１において、図４Ａを参照して、薄膜トランジスタ駆動バックプレートの出発原料は、透光性の絶縁基板１である。透光性の絶縁基板１は、ガラス又は可撓性の誘電体材料である。透光性の絶縁基板１は、既知の物又は将来に開発されるもの中の何れかの一つの透明の絶縁材料であってもよい。好ましくは、透光性の絶縁基板１として透光性の可撓性の誘電体材料によって形成される。その最高の処理温度又はその近くの温度でマニ−ルによって、後の処理ステップにおける大きさの安定性を改善する。
【００７２】
透光性の絶縁基板１の表面に、スパッタリングにより非透光性のゲート電極２を形成する。ゲート電極２は、既知の物又は将来に開発されるもの中の何れかの一つの導電材料であってもよい。好ましくは、ゲート電極２として抵抗の低い金属によって形成する。例えば、マスクによるフォトエッチング等の伝統的な光リソグラフィー技術によってパターン化しエッチングして堆積させる。実際の製造過程において、透光性の絶縁基板１の表面に、ゲートバス、データバス、ゲート駆動回路、データ駆動回路などを形成できる。
【００７３】
透光性の絶縁基板１の表面にゲート電極２を形成してから、続いて、透光性の絶縁基板上にゲート絶縁膜３を形成する。ゲート絶縁膜３は、色々な誘電体材料における何れかの一つを含んでいてもよく、異なる厚さに形成（又は堆積）してもよい。ゲート絶縁膜３は、色々な既知の工程又は堆積工程における何れかの一つによって形成してもよい。本実施例において、ゲート絶縁膜３はＳｉＮＸによって形成された。ＰＥＣＶＤ（ｐｌａｓｍａ  ｅｎｈａｎｃｅｄ  ｃｈｅｍｉｃａｌ  ｖａｐｏｒ  ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）によってゲート絶縁膜３を堆積させて、ゲート絶縁膜３によってゲート電極２が全般的に覆われる。
【００７４】
図３のステップＳ２０２において、図４Ｂを参照する。ゲート絶縁膜３を形成してから、ゲート絶縁膜３上にパターン化された光伝導半導体層４を形成し、光伝導半導体層４は、既知の物又は将来に開発されるもの中の何れかの一つの光伝導半導体材料であってもよい。本実施例において、光伝導半導体層４は、インジウムガリウム亜鉛の酸化物（ＩＧＺＯ）で、Ｉｎ２Ｏ３：Ｇａ２Ｏ３：ＺｎＯ＝１：１：１のターゲットで、スパッタリングにより成膜を行なう。光伝導半導体層４は、位置的にゲート電極２と重なり、且つ範囲的にはゲート電極より広く形成される。光伝導半導体層４の中間部分は、ゲート電極２によって覆われる。光伝導半導体層４の両端は、それぞれ二つの方向よりゲート電極２からはみ出される。光伝導半導体層４の両端は、ゲート電極２によって覆われていない。
【００７５】
本発明において、ゲート電極２の広さＬを制御することにより、直接に光伝導半導体層４のチャネルの長さＬを形成する。ゲート電極２によって覆われたＢ部分の光によって、光伝導半導体層４にＢ部分の広さＬに等しい半導体領域を保留し、チャネルとする。そのため、チャネルの広さもＬに等しい。このような方式によって、開口率を簡単かつ有効に高め、薄膜トランジスタ駆動バックプレートの輝度を高めるに有利する。同じように、光伝導半導体層４の両端のそれぞれゲート電極からはみ出されたはみ出し領域の長さＳとＤとを制御することにより、製造工程の具体的な需要によって、それぞれソース領域４１とドレーン領域４２との長さを有効的に形成できる。
【００７６】
図３のステップＳ２０３で、図４Ｃを参照する。光伝導半導体層４にソース領域４１とドレーン領域４２とを形成してから、パターン化された保護層５を形成する。保護層５を形成してから、ゲート絶縁膜３と光伝導半導体層４で延設する。ＰＥＣＶＤ（ｐｌａｓｍａ  ｅｎｈａｎｃｅｄ  ｃｈｅｍｉｃａｌ  ｖａｐｏｒ  ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）によって、保護層５を堆積する。保護層５は、色々な誘電体材料における何れかの一つを含むことができ、異なる厚さに形成（又は堆積）できる。色々な既知の物又は将来に開発される材料の堆積方法又は光リソグラフィー技術を利用する。本実施例において、保護層５はＳｉＮＸによって形成する。また、保護層５のパターンにおいて、画素電極コンタクトホール５１を含む。画素電極コンタクトホール５１は、光伝導半導体層４におけるドレーン領域４２の上方に位置し、ドレーン領域４２の一部を露出させる。
【００７７】
図３のステップＳ２０４において、図４Ｄを参照する。保護層５を形成してから、画素電極６を形成する。画素電極６は画素電極コンタクトホール５１に流し込んで、ドレーン領域４２に接続する。画素電極６は、色々な透明な導電材料における何れかの一つを含んでいてもよく、異なる厚さに形成（又は堆積）できる。画素電極６は、色々な既知のもの又は将来に開発される材料を含んでいてもよく、堆積方法又は是光リソグラフィー技術における何れかの一つを利用して形成してもよい。本実施例において、画素電極６の材料は、酸化インジウムスズ（ＩＴＯ又は錫酸化インジウムをドーピングする）を利用する。酸化インジウムスズの主な特性は、その電気伝導と光学透明の組み合わせである。しかし、薄膜の堆積では、妥協する必要がある。それは、高い濃度の電荷キャリヤーが材料の導電率を増加させるので、その透明度が低減されるからである。酸化インジウムスズ薄膜は、一般的に物理気相堆積、又はスパッタリング堆積技術の方法によって表面に堆積される。酸化インジウムスズは、インジウム酸化物（Ｉｎ２Ｏ３）と錫酸化物（ＳｎＯ２）との混合物で、一般的には、質量比は９０％の  Ｉｎ２Ｏ３で、１０％の  ＳｎＯ２である。酸化インジウムスズ薄膜は、重ドーピング（ｈｅａｖｉｌｙ  ｄｏｐｉｎｇ）、高退化（ｈｉｇｈ  ｄｅｇｅｎｅｒａｔｉｏｎ）のｎ型の半導体材料で、そのバンドギャップが３ｅＶに近く、導電率が高く、可視光の透過率が高く、機械的硬さが高く、且つ化学的な安定性がよい。
【００７８】
図３のステップＳ２０５で、図４Ｅを参照する。画素電極６を形成してから、絶縁層７を形成して保護層５に覆われ、画素電極６の一部を露出する。絶縁層７は、色々な誘電体材料における何れかの一つを含むことができ、異なる厚さに形成（又は堆積）できる。
【００７９】
続いて、図４Ｅを参照して、本発明の薄膜トランジスタ駆動バックプレートは、透光性の絶縁基板１と、１以上の非透光性のゲート電極２と、ゲート絶縁膜３と、パターン化された光伝導半導体層４と、パターン化された保護層と、１以上の画素電極６と、絶縁層７とを含む。
【００８０】
ゲート電極２は、透光性の絶縁基板１上に形成される。ゲート絶縁膜３は、透光性の絶縁基板１上に形成され、ゲート電極２を覆う。パターン化された光伝導半導体層４は、ゲート絶縁膜３上に形成され、光伝導半導体層４はゲート電極２と重ねてゲート電極２からはみ出され、電磁放射より光伝導半導体層４のゲート電極２からはみ出されたはみ出し領域は導体に変換され、それぞれ薄膜トランジスタのソース領域４１とドレーン領域４２とする。保護層は、光伝導半導体層を覆って、保護層にはドレーン領域４２の画素電極コンタクトホール５１が形成された。画素電極６は、画素電極コンタクトホール５１を介してドレーン領域４２に接続される。絶縁層７は、保護層上に形成され、画素電極６の一部を露出させる。
【００８１】
透光性の絶縁基板１の材料は、ガラス又は可撓性の誘電体材料である。光伝導半導体層４は、インジウム、ガリウムと亜鉛の酸化物とを含む。画素電極６の材料は、酸化インジウムスズを含む。光伝導半導体層４は、二つの対向する方向よりゲート電極２からはみ出される。光伝導半導体層４のゲート電極２からはみ出された部分は、光に照射されることによって導体に変換される。光伝導半導体層４とゲート電極２との重なる重複領域は覆われ、光に照射されず、半導体のままである。光は、紫外線である。
【００８２】
［第三の実施例］
図５は、本発明の第三の実施例による本発明の第一薄膜トランジスタ表示装置の製造方法のフローチャートを示す。図５に示すように、本発明の第一薄膜トランジスタ表示装置の制造方法は、以下のステップを含む。
【００８３】
まず、ステップＳ３０１では、透光性の絶縁基板上に1以上の非透光性のゲート電極を形成し、透光性の絶縁基板上にゲート絶縁膜を形成して、ゲート電極を覆う。
【００８４】
そして、ステップＳ３０２では、ゲート絶縁膜上に、透光性の絶縁基板の方向に沿ってゲート電極と重なる重複領域及び前記重複領域と一体形成されゲート電極からはみ出されたはみ出し領域を含むパターン化された光伝導半導体層を形成し、電磁放射によりはみ出し領域を導体に変換して、それぞれ薄膜トランジスタのソース領域とドレーン領域とする。
【００８５】
そして、ステップＳ３０３では、パターン化された保護層を形成し、光伝導半導体層を覆って、保護層にドレーン領域を露出させるための画素電極コンタクトホールを形成した。
【００８６】
続いて、ステップＳ３０４では、画素電極を形成して、画素電極コンタクトホールを介してドレーン領域と接続する。
【００８７】
そして、ステップＳ３０５では、絶縁層を形成して保護層に覆われ、画素電極の一部を露出する。
【００８８】
最後に、ステップＳ３０６で、有機フォトダイオード表示面板を供して、薄膜トランジスタ駆動バックプレート上の画素電極を有機フォトダイオード表示パネルのピクセルに接続する。
【００８９】
ステップＳ３０１乃至ステップＳ３０５は、第二の実施例におけるステップＳ２０１乃至ステップＳ２０５と同じく、ここで重複に説明しない。
【００９０】
ステップＳ３０６では、本発明によって製造された薄膜トランジスタ駆動バックプレートを有機フォトダイオード表示面板に接続する。有機フォトダイオード表示面板は、既知の物又は将来に開発されるもの中の何れかの一つの有機フォトダイオード表示面板であってもよい。
【００９１】
図６は、本発明の第三の実施例による本発明の第一薄膜トランジスタ表示装置の構造の概略図を示す。図６によると、本発明の第一薄膜トランジスタ表示装置は、透光性の絶縁基板１と、１以上の非透光性のゲート電極２と、ゲート絶縁膜３と、パターン化された光伝導半導体層４と、パターン化された保護層と、１以上の画素電極６と、絶縁層７と、有機フォトダイオード表示パネルのピクセル８とを含む。
【００９２】
ゲート電極２は、透光性の絶縁基板１上に形成される。ゲート絶縁膜３は、透光性の絶縁基板１上に形成され、ゲート電極２を覆う。パターン化された光伝導半導体層４は、ゲート絶縁膜３上に形成され、光伝導半導体層４はゲート電極２と重ね、且つゲート電極２からはみ出され、電磁放射によって光伝導半導体層４のゲート電極２からはみ出されたはみ出し領域は導体に変換され、それぞれ薄膜トランジスタのソース領域４１とドレーン領域４２とする。保護層は、光伝導半導体層を覆って、保護層にはドレーン領域４２を露出させるための画素電極コンタクトホール（図４Ｃにおける符号５１を参照）が形成されている。画素電極６は、画素電極コンタクトホールを介してドレーン領域４２と接続する。絶縁層７は保護層上に形成され、画素電極６の一部を露出する。薄膜トランジスタ駆動バックプレート上の画素電極６は、有機フォトダイオード表示パネルのピクセル８に接続する。
【００９３】
透光性の絶縁基板１の材料は、ガラス又は可撓性の誘電体材料である。光伝導半導体層４は、インジウム、ガリウムと亜鉛の酸化物を含む。画素電極６の材料は、酸化インジウムスズを含む。光伝導半導体層４は、対向する二つの方向よりゲート電極２からはみ出される。光伝導半導体層４のゲート電極２からはみ出された部分は、光の照射により導体に変換される。光伝導半導体層４とゲート電極２との重なる重複領域は覆われ、光に照射されず、半導体のままである。光は、紫外線である。
【００９４】
本発明によって製造した薄膜トランジスタ駆動バックプレートは、最大な限界で色々な有機フォトダイオード表示面板と接続して表示装置を形成する。
【００９５】
［第四の実施例］
図７は、本発明の第四の実施例による本発明の第二薄膜トランジスタ表示装置の製造方法のフローチャートである。図７に示すように、本発明の第二薄膜トランジスタ表示装置の制造方法は、以下のステップを含む。
【００９６】
まず、ステップＳ４０１では、透光性の絶縁基板上に1以上の非透光性のゲート電極を形成し、透光性の絶縁基板上にゲート絶縁膜を形成して、ゲート電極を覆う。
【００９７】
そして、ステップＳ４０２では、ゲート絶縁膜上に、透光性の絶縁基板の方向に沿ってゲート電極と重なる重複領域及び前記重複領域と一体形成されゲート電極からはみ出されたはみ出し領域を含むパターン化された光伝導半導体層を形成し、電磁放射によりはみ出し領域を導体に変換し、それぞれ薄膜トランジスタのソース領域とドレーン領域とする。
【００９８】
そして、ステップＳ４０３では、パターン化された保護層を形成し、光伝導半導体層を覆って、保護層にはドレーン領域を露出させるための画素電極コンタクトホールが形成されている。
【００９９】
続いて、ステップＳ４０４では、画素電極を形成し、画素電極コンタクトホールを介してドレーン領域と接続する。
【０１００】
続いて、ステップＳ４０５では、絶縁層を形成して、保護層に覆われ、画素電極の一部を露出する。
【０１０１】
最後に、ステップＳ４０６では、液晶表示プレイトを供して、薄膜トランジスタ駆動バックプレート上の画素電極を液晶表示パネルのピクセルに接続する。
【０１０２】
ステップＳ４０１乃至ステップＳ４０５は、第二の実施例におけるステップＳ２０１乃至ステップＳ２０５と同じく、ここで重複に説明しない。
【０１０３】
ステップＳ４０６において、本発明によって製造された薄膜トランジスタ駆動バックプレートを液晶表示プレイトに接続する。液晶表示プレイトは、既知の物又は将来に開発されるもの中の何れかの一つの液晶表示プレイトである。
【０１０４】
図８は、本発明の第四の実施例による本発明の第二薄膜トランジスタ表示装置の構造の概略図を示す。図８によると、本発明の第二薄膜トランジスタ表示装置は、透光性の絶縁基板１と、１以上の非透光性のゲート電極２と、ゲート絶縁膜３と、パターン化された光伝導半導体層４と、パターン化された保護層と、１以上の画素電極６と、絶縁層７と、液晶表示パネルのピクセル９とを含む。
【０１０５】
ゲート電極２は、透光性の絶縁基板１上に形成される。ゲート絶縁膜３は、透光性の絶縁基板１上に形成され、ゲート電極２を覆う。パターン化された光伝導半導体層４は、ゲート絶縁膜３上に形成され、光伝導半導体層４はゲート電極２と重ねて、かつゲート電極２からはみ出され、電磁放射により、光伝導半導体層４のゲート電極２からはみ出されたはみ出し領域を導体に変換し、それぞれ薄膜トランジスタのソース領域４１とドレーン領域４２とする。保護層は、光伝導半導体層を覆って、保護層にはドレーン領域４２を露出させるための画素電極コンタクトホール（図４Ｃにおける符号５１を参照）が形成されている。画素電極６は、画素電極コンタクトホールを介してドレーン領域４２と接続する。絶縁層７は保護層上に形成され、画素電極６の一部を露出させる。薄膜トランジスタ駆動バックプレート上の画素電極６は、液晶表示パネルのピクセル９と接続する。
【０１０６】
透光性の絶縁基板１の材料は、ガラス又は可撓性の誘電体材料である。光伝導半導体層４は、インジウム、ガリウムと亜鉛の酸化物を含む。画素電極６の材料は、酸化インジウムスズを含む。光伝導半導体層４は対向する二つの方向よりゲート電極２からはみ出される。光伝導半導体層４のゲート電極２からはみ出された部分は、光により照射され導体に変換される。光伝導半導体層４とゲート電極２との重なる重複領域は覆われ、光により照射されず、半導体のままである。光は、紫外線である。
【０１０７】
本発明によって製造した薄膜トランジスタ駆動バックプレートは、最大な限界で色々な液晶表示プレイトと接続して表示装置を形成することができる。
【０１０８】
以上から、本発明の薄膜トランジスタ駆動バックプレート及びその製造方法は、光伝導半導体の材料の一部を変換して、ソース領域、ドレーン領域及びチャネルをワンステップに形成し、製造工程が簡単で、フォトレジストパターンを複数回利用する必要がなく、全体的に工程の周期が短く、大量の金属材料が必要なく、人力が低減され、デバイスの稼働率が高まる。
【０１０９】
以上は、本発明の具体的な実施例を説明したが、本発明は、上記の特定した実施形態に限定されていなく、当業者は、特許請求の範囲で色々な変形又は修正ができ、これは本発明の実質的な内容に影響を与えない。
【符号の説明】
【０１１０】
１      透光性の絶縁基板
２    ゲート電極
３    ゲート絶縁膜
４    光伝導半導体層
４１  ソース領域
４２  ドレーン領域
５    保護層
５１  画素電極コンタクトホール
６    画素電極
７    絶縁層
８    有機フォトダイオード表示パネルのピクセル
９    液晶表示パネルのピクセル
【図１】
2015095657.tif 000003
【図２Ａ】
2015095657.tif 000004
【図２Ｂ】
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【図３】
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【図４Ａ】
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【図４Ｂ】
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【図４Ｃ】
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【図４Ｄ】
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【図４Ｅ】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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