(57)【要約】【課題】  フォトメモリーを抑制する電子写真感光体、その製造方法、ならびに、電子写真感光体を有する電子写真装置およびプロセスカートリッジを提供する。【解決手段】  電子写真感光体の感光層が、ＣｕＫα特性Ｘ線回折におけるブラッグ角２θ±０．２°の７．０°、１６．６°、２０．８°および２６．９°にピークを有するヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶を含有する。【選択図】  図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
支持体および前記支持体上に形成された感光層を有する電子写真感光体であって、
前記感光層が、ＣｕＫα特性Ｘ線回折におけるブラッグ角２θ±０．２°の７．０°、１６．６°、２０．８°および２６．９°にピークを有するヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶を含有することを特徴とする電子写真感光体。
【請求項２】
前記ヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶が、結晶内にヘキサメチルリン酸トリアミドを含有する請求項１に記載の電子写真感光体。
【請求項３】
前記ヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶内における前記ヘキサメチルリン酸トリアミドの含有量が、０．５質量％以上２０質量％以下である請求項２に記載の電子写真感光体。
【請求項４】
前記感光層が、結着樹脂を含有する請求項１〜３のいずれか１項に記載の電子写真感光体。
【請求項５】
支持体および前記支持体上に形成された感光層を有する電子写真感光体を製造する電子写真感光体の製造方法であって、前記製造方法が、
ＣｕＫα特性Ｘ線回折におけるブラッグ角２θ±０．２°の６．９および２６．６°にピークを有するヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶とヘキサメチルリン酸トリアミドとを混合して、結晶変換し、ＣｕＫα特性Ｘ線回折におけるブラッグ角２θ±０．２°の７．０°、１６．６°、２０．８°および２６．９°にピークを有するヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶を得る工程、
結晶変換後の前記ヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶、および結着樹脂を溶剤に混合して感光層用塗布液を調製する工程、および
前記感光層用塗布液の塗膜を形成し、前記塗膜を乾燥させて前記感光層を形成する工程
を有することを特徴とする電子写真感光体の製造方法。
【請求項６】
前記ＣｕＫα特性Ｘ線回折におけるブラッグ角２θ±０．２°の６．９および２６．６°にピークを有するヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶が、クロロガリウムフタロシアニン結晶にアシッドペースティング処理することによって得られたヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶である請求項５に記載の電子写真感光体の製造方法。
【請求項７】
前記ＣｕＫα特性Ｘ線回折におけるブラッグ角２θ±０．２°の７．０°、１６．６°、２０．８°および２６．９°にピークを有するヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶内における前記ヘキサメチルリン酸トリアミドの含有量が、０．５質量％以上２０質量％以下である請求項５または６に記載の電子写真感光体の製造方法。
【請求項８】
請求項１〜４のいずれか１項に記載の電子写真感光体と、帯電手段、現像手段、転写手段およびクリーニング手段からなる群より選択される少なくとも１つの手段とを一体に支持し、電子写真装置本体に着脱自在であることを特徴とするプロセスカートリッジ。
【請求項９】
請求項１〜４のいずれか１項に記載の電子写真感光体、ならびに、帯電手段、露光手段、現像手段および転写手段を有する電子写真装置。
【請求項１０】
ＣｕＫα特性Ｘ線回折におけるブラッグ角２θ±０．２°の７．０°、１６．６°、２０．８°および２６．９°にピークを有するヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶。
【請求項１１】
前記ヒドロキシガリウムフタロシアニンが、結晶内にヘキサメチルリン酸トリアミドを含有する請求項１０に記載のヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶。
【請求項１２】
前記ヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶内における前記ヘキサメチルリン酸トリアミドの含有量が、０．５質量％以上２０質量％以下である請求項１１に記載のヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電子写真感光体、電子写真感光体を有する電子写真装置およびプロセスカートリッジ、ならびに、ヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶に関する。
【背景技術】
【０００２】
電子写真感光体に用いられる電荷発生物質として、高い感度を有するフタロシアニン顔料が用いられている。
【０００３】
しかしながら、フタロシアニン顔料を用いた電子写真感光体は、優れた感度特性を有している反面、プロセスカートリッジや電子写真装置の外部から内部に漏れ入ってくる光により、フォトメモリーが発生しやすく、近年、その改善が求められている。フォトメモリーとは、光が照射された部分（照射部）にキャリアが滞留し、光が照射されていない部分（非照射部）との間に電位差が生じる現象であり、画像品質（画像再現性）を低下させる原因となる現象である。
【０００４】
特許文献１には、電子写真感光体にヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶を用いることで、半導体レーザー用の近赤外光に対して、高感度で、繰り返し安定性に優れることが記載されている。また、特許文献２には、２種類のフタロシアニン化合物を含有するフタロシアニン組成物を用いて、高感度で、環境依存性が低い電子写真感光体を提供する技術が記載されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開平５−２４９７１６号公報
【特許文献２】特開２００５−２９０３６５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかしながら、本発明者らの検討の結果、特許文献１および２に記載されている技術では、フォトメモリーを十分に改善できていない場合があった。
【０００７】
本発明の目的は、フォトメモリーの発生を抑制する電子写真感光体、その製造方法、ならびに、電子写真感光体を有する電子写真装置およびプロセスカートリッジを提供することにある。
【０００８】
さらに、本発明の他の目的は、ＣｕＫα特性Ｘ線回折のブラッグ角に特定なピークを有する新規なヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明は、支持体および前記支持体上に形成された感光層を有する電子写真感光体であって、
前記感光層が、ＣｕＫα特性Ｘ線回折におけるブラッグ角２θ±０．２°の７．０°、１６．６°、２０．８°および２６．９°にピークを有するヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶を含有することを特徴とする電子写真感光体に関する。
【００１０】
また、本発明は、上記電子写真感光体と、帯電手段、現像手段、転写手段およびクリーニング手段からなる群より選択される少なくとも１つの手段とを一体に支持し、電子写真装置本体に着脱自在であることを特徴とするプロセスカートリッジに関する。
【００１１】
また、本発明は、上記電子写真感光体、ならびに、帯電手段、露光手段、現像手段および転写手段を有する電子写真装置である。
【００１２】
また、本発明は、ＣｕＫα特性Ｘ線回折におけるブラッグ角２θ±０．２°の７．０°、１６．６°、２０．８°および２６．９°にピークを有するヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶に関する。
【発明の効果】
【００１３】
本発明によれば、フォトメモリーの発生を抑制する電子写真感光体、その製造方法、ならびに、電子写真感光体を有する電子写真装置およびプロセスカートリッジを提供することが可能である。
【００１４】
さらに、本発明によれば、ＣｕＫα特性Ｘ線回折のブラッグ角に特定なピークを有する新規なヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶を提供することが可能である。
【図面の簡単な説明】
【００１５】
【図１】結晶製造例１で得られたヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶のＸ線回折図である。
【図２】実施例１で得られた電荷発生層のＵＶ吸収スペクトル図である。
【図３】電子写真感光体を有するプロセスカートリッジを備えた電子写真装置の概略構成の一例を示す図である。
【図４】電子写真感光体の層構成について説明する図である。
【発明を実施するための形態】
【００１６】
本発明は、電子写真感光体の感光層に、ＣｕＫα特性Ｘ線回折におけるブラッグ角２θ±０．２°の７．０°、１６．６°、２０．８°および２６．９°にピーク（以下、強いピークともいう）を有するヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶を含有する。
【００１７】
本発明者らは、感光層にこの新規なヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶を含有させるとフォトメモリーの発生が低減できることを見出した。
【００１８】
フタロシアニンは広い共役系に起因する強いπ−πスタッキングにより、Ｈ会合体を形成しやすいことが知られている。そして、フタロシアニンがＨ会合することにより、電荷移動を阻害しやすい。
【００１９】
本発明のヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶は、滞留した電荷（キャリア）を流しやすくなるように、Ｈ会合体が結晶中に適度な形で形成されていると推測している。これにより、光が照射された部分（照射部）におけるキャリアの滞留が改善され、照射部と光が照射されていない部分（非照射部）との間の電位差が低減し、フォトメモリーが低減されるものと考えられる。
【００２０】
本発明のヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶は、結晶内にヘキサメチルリン酸トリアミドを含有することが好ましい。
【００２１】
さらに、ヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶内におけるヘキサメチルリン酸トリアミドの含有量は、０．５質量％以上２０質量％以下であることが好ましい。より好ましくは、５質量％以上１５質量％以下である。
【００２２】
このように、本発明のヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶の結晶内にヘキサメチルリン酸トリアミドが含有されると、滞留したキャリアをより効率的に流す結晶構造を形成しやすくなり、フォトメモリーが低減されるものと推測している。
【００２３】
また、ＣｕＫα特性Ｘ線回折におけるブラッグ角２θ±０．２°の７．０°、１６．６°、２０．８°および２６．９°にピーク（強いピーク）を有するヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶として、さらに、７．４°にピーク（強いピーク）を有するヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶も好ましい。
【００２４】
本発明のヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶を含有する感光層は、以下のようにして形成することが可能である。
【００２５】
ＣｕＫα特性Ｘ線回折におけるブラッグ角２θ±０．２°の６．９°、および２６．６°に強いピークを有するヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶とヘキサメチルリン酸トリアミドとを混合して、結晶変換させる。これにより、ＣｕＫα特性Ｘ線回折におけるブラッグ角２θ±０．２°の７．０°、１６．６°、２０．８°および２６．９°に強いピークを有するヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶を得られる。次に、結晶変換後のヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶、および結着樹脂を溶剤に混合して、感光層用塗布液を調製する。この感光層用塗布液の塗膜を形成し、塗膜を乾燥させてことによって感光層を形成する。
【００２６】
また、ＣｕＫα特性Ｘ線回折におけるブラッグ角２θ±０．２°の６．９°、および２６．６°に強いピークを有するヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶は、以下のようにして得られる。すなわち、クロロガリウムフタロシアニン結晶にアシッドペースティング処理することによって、ＣｕＫα特性Ｘ線回折におけるブラッグ角２θ±０．２°の６．９°、および２６．６°に強いピークを有するヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶が得られる。アシッドペースティング処理とは、以下のような処理である。すなわち、フタロシアニンを酸の中に溶解または分散させた後、これに大量の水に注加し、再沈したフタロシアニンの固体を必要によりアルカリ水溶液と混合し、次いで洗液の伝導度が２０μＳ以下になるまでイオン交換水で洗浄を繰り返す処理である。アシッドペースティング処理に用いられる酸としては、例えば、硫酸、塩酸、トリフルオロ酢酸が挙げられる。これらの中でも、濃硫酸が好ましい。酸の使用量は、質量基準でフタロシアニン顔料の１０〜４０倍であることが好ましい。また、酸での溶解温度または分散温度は、フタロシアニン顔料の分解または酸との反応の観点から、５０℃以下であることが好ましい。
【００２７】
ヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶がヘキサメチルリン酸トリアミドを結晶内に含有しているかどうかについて、本発明においては、得られたヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶をＮＭＲ測定のデータを解析する。そして、得られたヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶からヘキサメチルリン酸トリアミドが検出された場合は、ヘキサメチルリン酸トリアミドが結晶内に含有していると判断することができる。具体的には、ヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶を溶媒に溶解し、Ｈ−ＮＭＲ測定を行う。Ｈ−ＮＭＲ測定にて得られたピークの積分値から、ヒドロキシガリウムフタロシアニンとヘキサメチルリン酸トリアミドのモル組成比を求める。そして、それぞれの分子量からヒドロキシガリウムフタロシアニンとヘキサメチルリン酸トリアミドの質量比を求める。
【００２８】
本発明のヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶のＸ線回折の測定およびＮＭＲの測定は、次の条件でおこなう。
【００２９】
［粉末Ｘ線回折測定］
使用測定機：理学電気（株）製、Ｘ線回折装置ＲＩＮＴ−ＴＴＲＩＩ
Ｘ線管球：Ｃｕ
管電圧：５０ｋＶ
管電流：３００ｍＡ
スキャン方法：２θ／θスキャン
スキャン速度：４．０°／ｍｉｎ
サンプリング間隔：０．０２°
スタート角度（２θ）：５．０°
ストップ角度（２θ）：４０．０°
アタッチメント：標準試料ホルダー
フィルター：不使用
インシデントモノクロ：使用  
カウンターモノクロメーター：不使用
発散スリット：開放
発散縦制限スリット：１０．００ｍｍ
散乱スリット：開放
受光スリット：開放
カウンター：シンチレーションカウンター
【００３０】
［Ｈ−ＮＭＲ測定］
使用測定器：（ＪＭＮ−ＥＸ４００ＪＥＯＬ社）
溶媒：重硫酸（Ｄ２ＳＯ４）
【００３１】
本発明の電子写真感光体は、支持体および感光層を有する。
感光層は、電荷輸送物質と電荷発生物質を同一の層に含有する単層型感光層、電荷発生物質を含有する電荷発生層と電荷輸送物質を含有する電荷輸送層とに分離した積層型（機能分離型）感光層が挙げられる。電子写真特性の観点から、電荷発生層および該電荷発生層上に形成された電荷輸送層を有する積層型感光層が好ましい。
【００３２】
図４（ａ）および図４（ｂ）は、本発明の電子写真感光体の層構成の一例を示す図である。図４（ａ）中、電子写真感光体は、支持体１０１、下引き層１０２および感光層１０３を有する。また、図４（ｂ）中、電子写真感光体は、支持体１０１、下引き層１０２、電荷発生層１０４および電荷輸送層１０５を有する。
【００３３】
〔支持体〕
支持体は、導電性を有するもの（導電性支持体）であることが好ましい。例えば、アルミニウムやステンレス鋼といった金属または合金製の支持体が挙げられる。また、表面に導電性皮膜を設けてなる金属、プラスチック、または紙製の支持体が挙げられる。
【００３４】
また、支持体の形状としては、例えば、円筒状、フィルム状が挙げられる。
【００３５】
支持体と後述の下引き層との間には、支持体の表面のムラの隠蔽、干渉縞の抑制を目的として、導電層を設けてもよい。導電層は、導電性粒子、結着樹脂、および溶剤を分散させて得られる導電層用塗布液の塗膜を形成し、この塗膜を乾燥／硬化させることによって形成することが可能である。
【００３６】
導電性粒子としては、例えば、アルミニウム粒子、酸化チタン粒子、酸化スズ粒子、酸化亜鉛粒子、カーボンブラック、銀粒子が挙げられる。結着樹脂としては、例えば、ポリエステル、ポリカーボネート、ポリビニルブチラール、アクリル樹脂、シリコーン樹脂、エポキシ樹脂、メラミン樹脂、ウレタン樹脂、フェノール樹脂、アルキッド樹脂が挙げられる。導電層用塗布液の溶剤としては、例えば、エーテル系溶剤、アルコール系溶剤、ケトン系溶剤、芳香族炭化水素系溶剤が挙げられる。
【００３７】
導電層の膜厚は、５〜４０μｍであることが好ましく、１０〜３０μｍであることがより好ましい。
【００３８】
支持体と感光層との間には、バリア機能や接着機能を持つ下引き層（中間層とも呼ばれる。）を設けることもできる。下引き層は、結着樹脂、および溶剤を混合させることによって調製された下引き層用塗布液の塗膜を形成し、この塗膜を乾燥させて下引き層を形成することが可能である。
【００３９】
下引き層に用いられる結着樹脂としては、例えば、ポリビニルアルコール、ポリエチレンオキシド、エチルセルロース、メチルセルロース、カゼイン、ポリアミド、にかわ、ゼラチンが挙げられる。下引き層の膜厚は、０．３〜５．０μｍであることが好ましい。
【００４０】
〔感光層、電荷発生層〕
感光層が積層型感光層である場合、電荷発生層は、電荷発生物質として本発明のヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶を含有する。電荷発生層は、ヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶および結着樹脂を溶剤に分散させて調製された電荷発生層用塗布液の塗膜を形成し、この塗膜を乾燥させることによって形成することが可能である。
【００４１】
電荷発生層の膜厚は、０．０５〜１μｍであることが好ましく、０．１〜０．３μｍであることがより好ましい。
【００４２】
電荷発生層中の電荷発生物質の含有量は、電荷発生層の全質量に対して３０〜９０質量％であることが好ましく、５０〜８０質量％であることがより好ましい。
【００４３】
電荷発生層に用いられる電荷発生物質としては、ＣｕＫα特性Ｘ線回折におけるブラッグ角２θ±０．２°の７．０°、１６．６°、２０．８°および２６．９°に強いピークを有するヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶が挙げられる。電荷発生物質として、上記ヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶以外のものを併用してもよい。その場合、本発明のヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶は、電荷発生物質の全質量に対して５０質量％以上であることが好ましい。
【００４４】
電荷発生層に用いられる結着樹脂としては、例えば、ポリエステル、アクリル樹脂、フェノキシ樹脂、ポリカーボネート、ポリビニルブチラール、ポリスチレン、ポリビニルアセテート、ポリサルホン、ポリアリレート、塩化ビニリデン、アクリロニトリル共重合体、ポリビニルベンザールが挙げられる。これらの中でも、ポリビニルブチラール、ポリビニルベンザールが好ましい。
【００４５】
〔感光層、電荷輸送層〕
電荷輸送層は、電荷輸送物質および結着樹脂を溶剤に溶解させて調製された電荷輸送層用塗布液の塗膜を形成し、この塗膜を乾燥させることによって形成することが可能である。
【００４６】
電荷輸送物質としては、例えば、トリアリールアミン化合物、ヒドラゾン化合物、スチルベン化合物、ピラゾリン化合物、オキサゾール化合物、チアゾール化合物、トリアリルメタン化合物が挙げられる。これらの中でも、トリアリールアミン化合物が好ましい。
【００４７】
電荷輸送層に用いられる結着樹脂としては、例えば、ポリエステル、アクリル樹脂、フェノキシ樹脂、ポリカーボネート、ポリスチレン、ポリビニルアセテート、ポリサルホン、ポリアリレート、塩化ビニリデン、アクリロニトリル共重合体が挙げられる。これらの中でも、ポリカーボネート、ポリアリレートが好ましい。
【００４８】
電荷輸送層の膜厚は、５〜４０μｍであることが好ましく、１０〜２５μｍであることがより好ましい。電荷輸送層中の電荷輸送物質の含有量は、電荷輸送層の全質量に対して２０〜８０質量％であることが好ましく、３０〜６０質量％であることがより好ましい。
【００４９】
感光層が単層型感光層である場合、単層型感光層用塗布液の塗膜を形成し、この塗膜を乾燥させることによって形成することが可能である。単層型感光層用塗布液は、電荷発生物質として本発明のヒドロシキフタロシアニン結晶、電荷輸送物質、結着樹脂、および溶剤を混合させることよって調製することが可能である。
【００５０】
感光層上には、感光層を保護することを目的として、保護層を設けてもよい。
【００５１】
保護層は、結着樹脂を溶剤に溶解させて調製された保護層用塗布液の塗膜を形成し、この塗膜を乾燥させることによって形成することが可能である。保護層に用いられる結着樹脂としては、例えば、ポリビニルブチラール、ポリエステル、ポリカーボネート、ナイロン、ポリイミド、ポリアリレート、ポリウレタン、スチレン−ブタジエンコポリマー、スチレン−アクリル酸コポリマー、スチレン−アクリロニトリルコポリマーが挙げられる。
【００５２】
また、保護層に電荷輸送能を持たせるために、電荷輸送能（正孔輸送能）を有するモノマーを種々の重合反応、架橋反応を用いて硬化させることによって保護層を形成してもよい。具体的には、連鎖重合性官能基を有する電荷輸送性化合物（正孔輸送性化合物）を重合または架橋させ、硬化させることによって保護層を形成することが好ましい。
【００５３】
保護層の膜厚は、０．０５〜２０μｍであることが好ましい。
【００５４】
上記各層の塗布液を塗布する方法としては、例えば、浸漬塗布法（ディッピング法）、スプレーコーティング法、スピンナーコーティング法、ビードコーティング法、ブレードコーティング法、ビームコーティング法が挙げられる。
【００５５】
電子写真感光体の表面層となる層には、導電性粒子、紫外線吸収剤、フッ素原子含有樹脂粒子などの潤滑性粒子を含有させてもよい。導電性粒子としては、例えば、酸化スズ粒子の如き金属酸化物粒子が挙げられる。
【００５６】
図３は、電子写真感光体を有するプロセスカートリッジを備えた電子写真装置の概略構成の一例を示す図である。
【００５７】
円筒状（ドラム状）の電子写真感光体１は、軸２を中心に矢印方向に所定の周速度（プロセススピード）をもって回転駆動される。
【００５８】
電子写真感光体１の表面（周面）は、回転過程において、帯電手段（一次帯電手段）３により、正または負の所定電位に帯電される。次いで、電子写真感光体１の表面には、露光手段（像露光手段）（不図示）から露光光（像露光光）４が照射され、目的の画像情報に対応した静電潜像が電子写真感光体１の表面に形成される。露光光４は、例えば、スリット露光やレーザービーム走査露光といった露光手段から出力される、目的の画像情報の時系列電気デジタル画像信号に対応して強度変調された光である。
【００５９】
電子写真感光体１の表面に形成された静電潜像は、現像手段５内に収容された現像剤（トナー）で現像（正規現像または反転現像）され、電子写真感光体１の表面にはトナー像が形成される。電子写真感光体１の表面に形成されたトナー像は、転写手段６により、転写材Ｐに転写されていく。このとき、転写手段６には、バイアス電源（不図示）からトナーの保有電荷とは逆極性の電圧（転写バイアス）が印加される。また、転写材Ｐは、転写材供給手段（不図示）から電子写真感光体１の回転と同期して取り出されて、電子写真感光体１と転写手段６との間に給送される。
【００６０】
トナー像が転写された転写材Ｐは、電子写真感光体１の表面から分離されて、定着手段８へ搬送されて、トナー像の定着処理を受け、画像形成物（プリント、コピー）として電子写真装置の外へプリントアウトされる。
【００６１】
トナー像が転写材Ｐに転写された後の電子写真感光体１の表面は、クリーニング手段７により、転写残りの現像剤（転写残りトナー）などの付着物の除去を受けて清浄される。また、転写残トナーを現像手段などで回収することもできる（クリーナーレスシステム）。
【００６２】
さらに、電子写真感光体１の表面は、前露光手段（不図示）からの前露光光（不図示）が照射され、除電処理された後、繰り返し画像形成に使用される。なお、図３に示すように、帯電手段３が帯電ローラーを用いた接触帯電手段である場合は、前露光手段は必ずしも必要ではない。
【００６３】
電子写真感光体１、帯電手段３、現像手段５およびクリーニング手段７などの構成要素のうち、複数の構成要素を容器に納めて一体に支持してプロセスカートリッジを形成してもよい。このプロセスカートリッジを電子写真装置本体に対して着脱自在に構成することができる。例えば、帯電手段３、現像手段５およびクリーニング手段７から選択される少なくとも１つの手段を電子写真感光体１とともに一体に支持してカートリッジ化する。そして、電子写真装置本体のレールといった案内手段１０を用いて電子写真装置本体に着脱自在なプロセスカートリッジ９とすることが可能である。
【００６４】
露光光４は、電子写真装置が複写機やプリンターである場合には、原稿からの反射光や透過光であってもよい。または、センサーで原稿を読み取り、信号化し、この信号に従って行われるレーザービームの走査、ＬＥＤアレイの駆動、液晶シャッターアレイの駆動により放射される光であってもよい。
【００６５】
本発明は、新規なヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶として、ＣｕＫα特性Ｘ線回折におけるブラッグ角２θ±０．２°の７．０°、１６．６°、２０．８°および２６．９°に強いピークを有するヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶が挙げられる。
【００６６】
このヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶は、結晶内にヘキサメチルリン酸トリアミドを含有することが好ましい。このとき、ヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶内におけるヘキサメチルリン酸トリアミドの含有量は、０．５質量％以上２０質量％以下であることが好ましい。
【実施例】
【００６７】
以下に、具体的な実施例を挙げて本発明をさらに詳細に説明する。ただし、本発明は、これらに限定されるものではない。なお、実施例および比較例の電子写真感光体の各層の膜厚は、渦電流式膜厚計（ＦＩＳＣＨＥＲＳＣＯＰＥ、フィッシャーインスツルメント社製）、または単位面積当たりの質量から比重換算で求めた。以下に記載する「部」は、「質量部」であり、「％」は「質量％」である。
【００６８】
〔結晶製造例１〕
アシッドペースティング処理として、クロロガリウムフタロシアニン結晶１５部を１０℃の濃硫酸４５０部に溶解し１時間攪拌した後、氷水２３００部に滴下し、再析出させて、濾過した。そして、濾紙上の残留物を２％アンモニア水で分散洗浄した後、イオン交換水で洗浄し、乾燥した。こうしてＣｕＫα特性Ｘ線回折におけるブラッグ角２θ±０．２°の６．９、および２６．６°に強いピークを有するヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶１３部を得た。
【００６９】
次に、得られたヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶１０部に対して、ヘキサメチルリン酸トリアミド２００部と直径１ｍｍガラスビーズ３００部を用いてミリング処理し、結晶変換工程を行った。これを濾過し、ＴＨＦ（テトラヒドロフラン）で洗浄し、その後乾燥して、ヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶を得た。
【００７０】
得られたヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶は、ＣｕＫα特性Ｘ線回折におけるブラッグ角２θ±０．２°の７．０°、１６．６°、２０．８°および２６．９°に強いピークを有していた。このＸ線回折図を図１に示す。
【００７１】
また、得られたヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶を硫酸−ｄ２溶液（Ｓｉｇｍａ−Ａｌｄｒｉｃｈ社製）に溶解した。この溶解液を、核磁気共鳴装置を用いて１Ｈ−ＮＭＲスペクトルの測定を行った。
以下に測定結果を示す。      
【００７２】
１Ｈ−ＮＭＲ（ｐｐｍ，Ｄ２ＳＯ４）：δ＝
９．５２（ｓ，８Ｈ）      ヒドロキシガリウムフタロシアニン由来
８．４２（ｓ，８Ｈ）      ヒドロキシガリウムフタロシアニン由来
２．６５（ｄ，６Ｈ）      ヘキサメチルリン酸トリアミド由来
プロトン比率から換算した結果、ヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶中のヘキサメチルリン酸トリアミドの割合は１０．１％（質量比）であった。
【００７３】
〔結晶製造例２〕
結晶製造例１において、ヘキサメチルリン酸トリアミドを１８０部、直径１ｍｍガラスビーズを２５０部に変更した以外は、結晶製造例１と同様に製造した。
【００７４】
得られたヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶は、ＣｕＫα特性Ｘ線回折におけるブラッグ角２θ±０．２°の６．９°、１６．６°、２０．８°および２６．９°に強いピークを有していた。また、ヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶中のヘキサメチルリン酸トリアミドの割合は、５．２％（質量比）であった。
【００７５】
〔結晶製造例３〕
結晶製造例１において、ヘキサメチルリン酸トリアミドを２３０部、直径１ｍｍガラスビーズを３２０部に変更した以外は、結晶製造例１と同様に製造した。
【００７６】
得られたヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶は、ＣｕＫα特性Ｘ線回折におけるブラッグ角２θ±０．２°の７．０°、１６．５°、２０．８°および２６．９°に強いピークを有していた。また、ヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶中のヘキサメチルリン酸トリアミドの割合は、１４．９％（質量比）であった。
【００７７】
〔結晶製造例４〕
結晶製造例１において、ヘキサメチルリン酸トリアミドを１００部、直径１ｍｍガラスビーズを２００部に変更した以外は、結晶製造例１と同様に製造した。
【００７８】
得られたヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶は、ＣｕＫα特性Ｘ線回折におけるブラッグ角２θ±０．２°の７．０°、１６．６°、２０．７°および２６．９°に強いピークを有していた。また、ヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶中のヘキサメチルリン酸トリアミドの割合は、０．５％（質量比）であった。
【００７９】
〔結晶製造例５〕
結晶製造例１において、ヘキサメチルリン酸トリアミドを３００部、直径１ｍｍガラスビーズを４００部に変更した以外は、結晶製造例１と同様に製造した。
【００８０】
こうして得られたヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶は、ＣｕＫα特性Ｘ線回折におけるブラッグ角２θ±０．２°の７．０°、１６．６°、２０．８°および２７．０°に強いピークを有していた。また、ヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶中のヘキサメチルリン酸トリアミドの割合は、１９．８％（質量比）であった。
【００８１】
〔結晶製造例６〕
アシッドペースティング処理として、クロロガリウムフタロシアニン結晶１０部を濃硫酸２５０部に溶解し、２時間撹拌した後、氷冷したイオン交換水８７０ｍｌ、濃アンモニア水５３０ｍｌの混合溶液に滴下して結晶を析出させた。析出した結晶をイオン交換水で十分に洗浄し、乾燥して、ヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶９部を得た。
【００８２】
得られたヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶は、ＣｕＫα特性Ｘ線回折におけるブラッグ角２θ±０．２°の７．０°、１３．４°、１６．６°、２６．０°および２６．７°に強いピークを有していた。また、得られたヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶に、ヘキサメチルリン酸トリアミドは含まれていなかった。
【００８３】
〔結晶製造例７〕
結晶製造例１において、結晶変換工程用の溶媒として、ヘキサメチルリン酸トリアミドをテトラヒドロフランに変更した以外は、結晶製造例１と同様に製造した。得られたヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶は、ＣｕＫα特性Ｘ線回折におけるブラッグ角２θ±０．２°の７．４°１０．０°１６．２°、１８．７、２５．２および２８．４°に強いピークを有していた。また、得られたヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶に、ヘキサメチルリン酸トリアミドは含まれていなかった。
【００８４】
〔結晶製造例８〕
結晶製造例１において、結晶変換工程用の溶媒として、ヘキサメチルリン酸トリアミドをジメチルスルホキシドに変更した以外は、結晶製造例１と同様に製造した。得られたヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶は、ＣｕＫα特性Ｘ線回折におけるブラッグ角２θ±０．２°の７．４°、９．９°、１６．２°、１８．６°、２５．０および２８．８°に強いピークを有していた。また、得られたヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶に、ヘキサメチルリン酸トリアミドは含まれていなかった。
【００８５】
〔結晶製造例９〕
結晶製造例１において、結晶変換工程用の溶媒として、ヘキサメチルリン酸トリアミドを１−メチル−２−ピロリドンに変更した以外は、結晶製造例１と同様に製造した。得られたヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶は、ＣｕＫα特性Ｘ線回折におけるブラッグ角２θ±０．２°の７．４°、９．９°、１６．２°、１８．６°、２５．１°および２８．３に強いピークを有していた。また、得られたヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶に、ヘキサメチルリン酸トリアミドは含まれていなかった。
【００８６】
〔実施例１〕
直径２４ｍｍ、長さ２５７．５ｍｍのアルミニウムシリンダー（ＪＩＳ−Ａ３００３、アルミニウム合金）を円筒状の支持体（導電性支持体）とした。
【００８７】
次に、酸化スズで被覆された硫酸バリウム粒子（商品名：パストランＰＣ１、三井金属鉱業（株）製）６０部、酸化チタン粒子（商品名：ＴＩＴＡＮＩＸＪＲ、テイカ（株）製）１５部、レゾール型フェノール樹脂（商品名：フェノライトＪ−３２５、大日本インキ化学工業（株）製、固形分７０質量％）４３部、シリコーンオイル（商品名：ＳＨ２８ＰＡ、東レシリコーン（株）製）０．０１５部、シリコーン樹脂粒子（商品名：トスパール１２０、東芝シリコーン（株）製）３．６部、２−メトキシ−１−プロパノール５０部、および、メタノール５０部をボールミルに入れ、２０時間分散処理することによって、導電層用塗布液を調製した。この導電層用塗布液を支持体上に浸漬塗布して塗膜を形成し、この塗膜を１時間、温度１４０℃で加熱して硬化させることによって、膜厚が１５μｍの導電層を形成した。
【００８８】
次に、共重合ナイロン（商品名：アミランＣＭ８０００、東レ（株）製）１０部、および、メトキシメチル化６ナイロン（商品名：トレジンＥＦ−３０Ｔ、帝国化学（株）製）３０部を、メタノール４００部／ｎ−ブタノール２００部の混合溶剤に溶解させることによって、下引き層用塗布液を調製した。この下引き層用塗布液を導電層上に浸漬塗布して塗膜を形成し、この塗膜を６分間、温度８０℃で乾燥させることによって、膜厚が０．４５μｍの下引き層を形成した。
【００８９】
次に、結晶製造例１で得られたヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶（電荷発生物質）１０部、ポリビニルブチラール（商品名：エスレックＢＸ−１、積水化学（株）製）５部、および、シクロヘキサノン２５０部を、直径１ｍｍガラスビーズを用いたサンドミルに入れ、４時間分散処理して分散液を調製した。その後、この分散液に酢酸エチル２５０部を加えることによって、電荷発生層用塗布液を調製した。この電荷発生層用塗布液を下引き層上に浸漬塗布して塗膜を形成し、この塗膜を１０分間、温度１００℃で乾燥させることによって、膜厚が０．１７μｍの電荷発生層を形成した。
【００９０】
次に、下記式（Ｃ−１）で示される化合物（正孔輸送物質）４０部、下記式（Ｃ−２）で示される化合物（正孔輸送性化合物）４０部、
【００９１】
【化１】
2015102678.tif 000003
【００９２】
【化２】
2015102678.tif 000004
【００９３】
および、ポリカーボネート（商品名：ユーピロンＺ２００、三菱エンジニアリングプラスチックス（株）製）１００部を、モノクロロベンゼン６００部／ジメトキシメタン２００部の混合溶剤に溶解させることによって電荷輸送層用塗布液を調製した。この電荷輸送層用塗布液を電荷発生層上に浸漬塗布して塗膜を形成し、この塗膜を１０分間そのままの状態で放置した後、塗膜を３０分間、温度１２０℃で乾燥させることによって、膜厚が２１μｍの電荷輸送層を形成した。
【００９４】
このようにして、支持体、導電層、下引き層、電荷発生層、および電荷輸送層を有する円筒状の電子写真感光体を製造した。
【００９５】
また、電荷発生層のＵＶ吸収スペクトルを図２に示す。測定は、ポリエステルフィルム（商品名ルミラー＃１００Ｔ６０、東レ（株）製）に上記電荷発生層用塗布液を塗布して塗膜を形成し、この塗膜を１０分間、温度１００℃で乾燥させることによって、膜厚が０．１４μｍの電荷発生層を形成した。この電荷発生層を有するポリエステルフィルムを分光光度計（商品名：Ｖ−５７０型、日本分光（株）製）に設けて、ＵＶ吸収スペクトルを測定した。
【００９６】
〔実施例２〜５〕
実施例１において、結晶製造例１で得られたヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶をそれぞれ結晶製造例２〜５で得られたヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶に変更した以外は、実施例１と同様にして、実施例２〜５の電子写真感光体を製造した。
【００９７】
〔比較例１〜４〕
実施例１において、結晶製造例１で得られたヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶をそれぞれ結晶製造例６〜９で得られたヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶に変更した以外は、実施例１と同様にして、比較例１〜４の電子写真感光体を製造した。
【００９８】
比較例１において、電荷発生層のＵＶ吸収スペクトルを実施例１と同様に測定すると、８９０ｎｍにピークを有していた。
【００９９】
〔実施例１〜５および比較例１〜４の電子写真感光体の評価〕
評価用の電子写真装置としては、ヒューレットパッカード社製のレーザービームプリンター（商品名：ＬａｓｅｒＪｅｔ  Ｐｒｏ４００Ｃｏｌｏｒ  Ｍ４５１ｄｎ）に以下の改造を施して用いた。すなわち、レーザービームプリンターのレーザーパワーを０．４０μＪ／ｃｍ２に改造した。また、シアン色用のプロセスカートリッジに作製した電子写真感光体を装着してシアンのプロセスカートリッジのステーションに取り付けた。
【０１００】
フォトメモリーの評価方法は、電子写真感光体の表面（周面）の一部を遮光し、遮光していない部分（照射部）に１５００ｌｕｘの白色蛍光灯の光を５分間照射した。その後、照射部の明部電位Ｖｌと非照射部の明部電位Ｖｌとの差（電位差）△Ｖｌ（Ｖ）をフォトメモリーとして評価した。△Ｖｌの値は、小さいほどフォトメモリーが抑えられていることを意味する。
△Ｖｌ＝照射部のＶｌ−非照射部のＶｌ
結果を表１に示す。
【０１０１】
【表１】
2015102678.tif 000005
【０１０２】
上記表１から、実施例１〜５の電子写真感光体は、比較例１〜４の電子写真感光体と比べてフォトメモリーが１２．５％以上抑制されていることが認められる。
【符号の説明】
【０１０３】
１  電子写真感光体
２  軸
３  帯電手段（一次帯電手段）
４  露光光（像露光光）
５  現像手段
６  転写手段
７  クリーニング手段
８  定着手段
９  プロセスカートリッジ
１０  案内手段
Ｐ  転写材
【図１】
2015102678.tif 000006
【図２】
2015102678.tif 000007
【図３】
2015102678.tif 000008
【図４】
2015102678.tif 000009