(57)【要約】【課題】位置ずれによる不良を精度良く検出することが可能な半導体装置および試験方法を提供する。【解決手段】半導体装置は、半導体よりなる基板と、基板上に形成された複数の第１容量素子からなる素子群とを備える。素子群は、絶縁膜を間にして、少なくとも一部において重畳して設けられた第１および第２の導電層を有する。第１の導電層は一の方向に沿って延在する端縁を含み、第２の導電層は、互いに略同一形状を有する複数のサブ導電層を含む。複数のサブ導電層は、第１の導電層の端縁に対して、相対的に異なる位置に配置されている。【選択図】図５
2015070195.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体よりなる基板と、
前記基板上に形成された、複数の第１容量素子からなる素子群とを備え、
前記素子群は、絶縁膜を間にして、少なくとも一部において重畳して設けられた第１および第２の導電層を有し、
前記第１の導電層は一の方向に沿って延在する端縁を含み、
前記第２の導電層は、互いに略同一形状を有する複数のサブ導電層を含み、かつ
前記複数のサブ導電層は、前記第１の導電層の前記端縁に対して、相対的に異なる位置に配置されている
半導体装置。
【請求項２】
前記素子群において、
前記第２の導電層では、前記複数のサブ導電層が互いに電気的に分離して配置され、
前記第１の導電層は、前記複数のサブ導電層に対して１つ設けられるか、または電気的に接続された状態で複数設けられている
請求項１に記載の半導体装置。
【請求項３】
前記複数のサブ導電層は、一軸方向に沿って段階的にシフトした位置に配置されている
請求項１に記載の半導体装置。
【請求項４】
前記素子群は、前記基板上の複数箇所に設けられている
請求項１に記載の半導体装置。
【請求項５】
前記素子群は、直交する２つの軸方向のそれぞれに沿って設けられている
請求項１に記載の半導体装置。
【請求項６】
前記複数のサブ導電層の面形状は、矩形状、半円状または三角形状である
請求項１に記載の半導体装置。
【請求項７】
前記素子群における静電容量に基づいて、前記第１および第２の導電層間の位置ずれ量を検出する検出回路を更に備えた
請求項１に記載の半導体装置。
【請求項８】
前記検出回路は、前記素子群における前記複数の第１容量素子の各静電容量の相対比較により、前記位置ずれ量を検出する
請求項７に記載の半導体装置。
【請求項９】
前記基板上に設けられた第２容量素子と、
前記検出回路により検出された位置ずれ量に基づいて、前記第２容量素子の静電容量を補正するための補正回路とを更に備えた
請求項７に記載の半導体装置。
【請求項１０】
前記補正回路は、前記第２容量素子に並列接続された複数の第３容量素子を有し、
前記複数の第３容量素子のうちの一部または全部の第３容量素子が、前記位置ずれ量に基づく補正により電気的に切断されている
請求項９に記載の半導体装置。
【請求項１１】
半導体よりなる基板と、
前記基板上に複数形成され、それぞれが絶縁膜を間にして第１および第２の導電層を有する第１容量素子と、
複数の前記第１容量素子の静電容量に基づいて、前記第１および第２の導電層間の位置ずれ量を検出する検出回路とを備え、
前記第１の導電層は複数設けられ、
前記第２の導電層は、各第１の導電層の少なくとも一部に重畳して設けられ、
前記検出回路は、前記複数の第１容量素子のうちの選択的な容量素子の静電容量の差分および和を用いた演算処理により前記位置ずれ量を検出するように構成されている
半導体装置。
【請求項１２】
前記第１の導電層は、一軸方向に沿って複数配置され、
前記第２の導電層は、前記一軸方向に沿って配置された第１の導電層の各一部に跨って配置されている
請求項１１に記載の半導体装置。
【請求項１３】
前記第１の導電層は、直交する２つの軸方向に沿って２次元配置され、
前記第２の導電層は、前記２次元配置された第１の導電層の各一部に跨って配置されている
請求項１１に記載の半導体装置。
【請求項１４】
前記第１の導電層は、２行２列の配列で配置されている
請求項１３に記載の半導体装置。
【請求項１５】
前記検出回路は、前記複数の第１容量素子の静電容量と、各第１容量素子における少なくとも一軸方向の幅の設計値とをパラメータとして含む演算処理を行うものである
請求項１１に記載の半導体装置。
【請求項１６】
半導体よりなる基板上の層間における相対的な位置ずれ量を、複数の第１容量素子からなる素子群の電気的測定に基づいて検出するステップと、
検出された位置ずれ量に基づいて、前記基板上の領域毎に不良判定を行うステップとを含み、
前記素子群は、絶縁膜を間にして、少なくとも一部において重畳して設けられた第１および第２の導電層を有し、
前記第１の導電層は一の方向に沿って延在する端縁を含み、
前記第２の導電層は、互いに略同一形状を有する複数のサブ導電層を含み、かつ
前記複数のサブ導電層は、前記第１の導電層の前記端縁に対して、相対的に異なる位置に配置されている
試験方法。
【請求項１７】
前記位置ずれ量を検出するステップでは、前記素子群における前記複数の第１容量素子の各静電容量の相対比較により、前記位置ずれ量を検出する
請求項１６に記載の試験方法。
【請求項１８】
前記基板上の各領域のうち不良と判定された領域に対応して、位置ずれによる不良箇所が記録されたマップを作成するステップを更に含む
請求項１６に記載の試験方法。
【請求項１９】
半導体よりなる基板上の層間における相対的な位置ずれ量を、複数の第１容量素子を用いた電気的測定により検出するステップと、
検出された位置ずれ量に基づいて、前記基板上の領域毎に不良判定を行うステップとを含み、
前記位置ずれ量を検出するステップでは、前記複数の第１容量素子のうちの選択的な容量素子の静電容量の差分および和を用いた演算処理により前記位置ずれ量を検出し、
前記第１容量素子は、絶縁膜を間にして、複数の第１の導電層と、各第１の導電層の少なくとも一部に重畳する第２の導電層とを有する
試験方法。
【請求項２０】
前記基板上の各領域のうち不良と判定された領域に対応して、位置ずれによる不良箇所が記録されたマップを作成するステップを更に含む
請求項１９に記載の試験方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本開示は、例えばＩＣ（Integrated Circuit：集積回路）などの製造プロセスにおいて生じる各種不良のうち位置ずれによるものを検出可能な半導体装置およびそのような半導体装置を用いた試験方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
ＩＣなどの電子部品では、その製造プロセス途中あるいはプロセス後において、良品および不良品の判定試験が行われる。不良と判定されたＩＣは、例えば不良原因のカテゴリー分けがなされ、歩留まりの向上のために役立てられている。
【０００３】
歩留まり向上のためには、不良の原因を解析してＩＣの製造プロセスのうちのどの工程を改善すべきかを明らかにすることが重要である。また、不良の原因解析を短時間で行うことが、歩留まり向上の時間短縮につながるため望ましい。
【０００４】
上記不良としては、例えば層間における位置ずれ（重ね合わせずれ）によるものがある。また、この位置ずれによる不良のなかには、プロセス過程ではなく、プロセス後に（後発的に）生じるものもある。このため、不良判定の試験は、部品完成後に全品に対して行われることが望ましい。
【０００５】
そのような試験手法としては、例えばバーンイン試験が挙げられる。また、その他にも、容量素子を用い、その容量変化に基づいて位置ずれを検出する手法も提案されている（例えば、特許文献１）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開２００１−１１８９０１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
しかしながら、上記特許文献１の手法では、高精度な容量測定を行うことが困難である。位置ずれによる不良を精度良く検出可能な手法の実現が望まれている。
【０００８】
本開示はかかる問題点に鑑みてなされたもので、その目的は、位置ずれによる不良を精度良く検出することが可能な半導体装置およびそのような半導体装置を用いた試験方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本開示の第１の半導体装置は、半導体よりなる基板と、基板上に形成された複数の第１容量素子からなる素子群とを備えたものである。素子群は、絶縁膜を間にして、少なくとも一部において重畳して設けられた第１および第２の導電層を有する。第１の導電層は一の方向に沿って延在する端縁を含み、第２の導電層は、互いに略同一形状を有する複数のサブ導電層を含む。複数のサブ導電層は、第１の導電層の端縁に対して、相対的に異なる位置に配置されている。
【００１０】
本開示の第１の半導体装置では、基板上に、絶縁膜を間にして第１および第２の導電層を有する素子群（複数の第１容量素子）を備え、この素子群において、第２の導電層が互いに略同一形状を有する複数のサブ導電層を含み、各サブ導電層が、第１の導電層の端縁に対して相対的に異なる位置に配置されている。このような構成により、第１の導電層とサブ導電層との重畳面積に基づいて各容量素子の静電容量が変化するため、それらの静電容量に基づいて、第１および第２の導電層間における位置ずれを検出可能となる。この際、複数の容量素子の各静電容量の相対比較により位置ずれを検出できることから、基板面内において絶縁膜の厚みにばらつきがある場合にも、そのばらつきの影響を受けにくい。
【００１１】
本開示の第２の半導体装置は、半導体よりなる基板と、基板上に複数形成され、それぞれが絶縁膜を間にして第１および第２の導電層を有する第１容量素子と、複数の第１容量素子の静電容量に基づいて、第１および第２の導電層間の位置ずれ量を検出する検出回路とを備えるものである。第１の導電層は複数設けられ、第２の導電層は、各第１の導電層の少なくとも一部に重畳して設けられ、検出回路は、複数の第１容量素子のうちの選択的な容量素子の静電容量の差分および和を用いた演算処理により位置ずれ量を検出するように構成されている。
【００１２】
本開示の第２の半導体装置では、基板上に、絶縁膜を間にして第１および第２の導電層を有する複数の第１容量素子と、これらのうちの選択的な第１容量素子の静電容量の差分および和を用いた演算処理により位置ずれ量を検出する検出回路とを備える。上記所定の演算処理に基づく位置ずれ検出により、絶縁膜の厚みをキャンセルすることができ、基板面内において絶縁膜の厚みにばらつきがある場合にも、位置ずれを精確に検出することができる。
【００１３】
本開示の第１の試験方法は、半導体よりなる基板上の層間における相対的な位置ずれ量を、複数の第１容量素子からなる素子群の電気的測定に基づいて検出するステップと、検出された位置ずれ量に基づいて、基板上の領域毎に不良判定を行うステップとを含むものである。素子群は、絶縁膜を間にして、少なくとも一部において重畳して設けられた第１および第２の導電層を有する。第１の導電層は一の方向に沿って延在する端縁を含み、第２の導電層は、互いに略同一形状を有する複数のサブ導電層を含む。複数のサブ導電層は、第１の導電層の端縁に対して、相対的に異なる位置に配置されている。
【００１４】
本開示の第１の試験方法では、半導体よりなる基板上の層間における相対的な位置ずれ量を、複数の第１容量素子からなる素子群の電気的測定に基づいて検出するステップと、検出された位置ずれ量に基づいて、基板上の領域毎に不良判定を行うステップとを含む。素子群において、第２の導電層が互いに略同一形状を有する複数のサブ導電層を含み、各サブ導電層が、第１の導電層の端縁に対して相対的に異なる位置に配置されている。第１の導電層とサブ導電層との重畳面積に基づいて各容量素子の静電容量が変化するため、各容量素子の電気的測定により位置ずれが検出可能となる。この際、複数の容量素子の各静電容量の相対比較により位置ずれを検出できることから、基板面内において絶縁膜の厚みにばらつきがある場合にも、そのばらつきの影響を受けにくい。
【００１５】
本開示の第２の試験方法は、半導体よりなる基板上の層間における相対的な位置ずれ量を、複数の第１容量素子を用いた電気的測定により検出するステップと、検出された位置ずれ量に基づいて、基板上の領域毎に不良判定を行うステップとを含むものである。位置ずれ量を検出するステップでは、複数の第１容量素子のうちの選択的な容量素子の静電容量の差分および和を用いた演算処理により位置ずれ量を検出する。第１容量素子は、絶縁膜を間にして、複数の第１の導電層と、各第１の導電層の少なくとも一部に重畳する第２の導電層とを有するものである。
【００１６】
本開示の第２の試験方法では、半導体よりなる基板上の層間における相対的な位置ずれ量を、複数の第１容量素子を用いた電気的測定により検出するステップと、検出された位置ずれ量に基づいて、基板上の領域毎に不良判定を行うステップとを含む。位置ずれ量を検出するステップでは、複数の第１容量素子のうちの選択的な容量素子の静電容量の差分および和を用いた演算処理により位置ずれ量を検出する。この所定の演算処理に基づく位置ずれ検出により、絶縁膜の厚みをキャンセルすることができ、基板面内において絶縁膜の厚みにばらつきがある場合にも、位置ずれを精確に検出することができる。
【発明の効果】
【００１７】
本開示の第１の半導体装置では、基板上に、絶縁膜を間にして第１および第２の導電層を有する素子群（複数の第１容量素子）を備え、この素子群において、第２の導電層が互いに略同一形状を有する複数のサブ導電層を含み、各サブ導電層が、第１の導電層の端縁に対して相対的に異なる位置に配置されている。このような構成により、第１の導電層とサブ導電層との重畳面積に応じた各容量素子の静電容量に基づいて、第１および第２の導電層間における位置ずれを検出可能となる。この際、複数の容量素子の各静電容量の相対比較を用いることから、基板面内における絶縁膜の厚みのばらつきの影響を緩和しつつ、位置ずれを検出することができる。よって、位置ずれによる不良を精度良く検出することが可能となる。
【００１８】
本開示の第２の半導体装置では、基板上に、絶縁膜を間にして第１および第２の導電層を有する複数の第１容量素子と、これらのうちの選択的な第１容量素子の静電容量の差分および和を用いた演算処理により位置ずれ量を検出する検出回路とを備える。上記所定の演算処理に基づく位置ずれ検出により、絶縁膜の厚みをキャンセルすることができ、絶縁膜の厚みのばらつきの影響を受けずに位置ずれを精確に検出することができる。よって、位置ずれによる不良を精度良く検出することが可能となる。
【００１９】
本開示の第１の試験方法では、半導体よりなる基板上の層間における相対的な位置ずれ量を、複数の第１容量素子からなる素子群の電気的測定に基づいて検出するステップと、検出された位置ずれ量に基づいて、基板上の領域毎に不良判定を行うステップとを含む。素子群において、第２の導電層が互いに略同一形状を有する複数のサブ導電層を含み、各サブ導電層が、第１の導電層の端縁に対して相対的に異なる位置に配置されている。第１の導電層とサブ導電層との重畳面積に基づいて各容量素子の静電容量が変化するため、各容量素子の電気的測定により位置ずれが検出可能となる。この際、複数の容量素子の各静電容量の相対比較により位置ずれを検出できることから、基板面内における絶縁膜の厚みのばらつきの影響を緩和しつつ、位置ずれ量を検出することができる。よって、位置ずれによる不良を精度良く検出することが可能となる。
【００２０】
また、検出された位置ずれ量に基づいて基板上の領域毎に不良判定を行うことにより、不良となった領域を選別することができる。不良となった領域（不良品）は、例えば破棄する、あるいは補正して良品化することができる。また、判定された不良を製造プロセスにフィードバックすることにより歩留まり向上につながる。
【００２１】
本開示の第２の試験方法では、半導体よりなる基板上の層間における相対的な位置ずれ量を、複数の第１容量素子を用いた電気的測定により検出するステップと、検出された位置ずれ量に基づいて、基板上の領域毎に不良判定を行うステップとを含む。位置ずれ量を検出するステップでは、複数の第１容量素子のうちの選択的な容量素子の静電容量の差分および和を用いた演算処理により位置ずれ量を検出する。この所定の演算処理に基づく位置ずれ検出により、絶縁膜の厚みをキャンセルすることができ、絶縁膜の厚みのばらつきの影響を受けずに位置ずれ量を精確に検出することができる。よって、位置ずれによる不良を精度良く検出することが可能となる。
【００２２】
また、検出された位置ずれ量に基づいて基板上の領域毎に不良判定を行うことにより、不良となった領域を選別することができる。不良となった領域（不良品）は、例えば破棄する、あるいは補正して良品化することができる。また、判定された不良を製造プロセスにフィードバックすることにより歩留まり向上につながる。
【００２３】
上記内容は本開示の一例である。本開示の効果は、上述したものに限らず、他の異なる効果であってもよいし、更に他の効果を含んでいてもよい。
【図面の簡単な説明】
【００２４】
【図１Ａ】配線間の位置ずれを説明するための模式図である。
【図１Ｂ】配線間の位置ずれを説明するための模式図である。
【図２Ａ】配線間の位置ずれを説明するための模式図である。
【図２Ｂ】配線間の位置ずれを説明するための模式図である。
【図３】配線接続プロセスの一例を表す断面模式図である。
【図４Ａ】バーンイン試験の出力結果を表す特性図である。
【図４Ｂ】バーンイン試験の出力結果を表す特性図である。
【図４Ｃ】ウエハ外周部における露光ショットパターンの一例である。
【図５】本開示の第１の実施の形態に係る半導体装置の概略構成を表す模式図である。
【図６Ａ】図５に示した素子群の詳細構成を表す平面図である。
【図６Ｂ】図５に示した素子群の詳細構成を表す断面図である。
【図７Ａ】図５に示したセレクタ回路の要部構成例を表す回路図である。
【図７Ｂ】図５に示したセレクタ回路の要部構成例を表す回路図である。
【図８】セレクタ回路を用いない場合の回路図である。
【図９】セレクタ回路への入力選択信号と出力信号の組み合わせの一例である。
【図１０Ａ】容量測定手法の一例（ブリッジ法）を説明するための回路図である。
【図１０Ｂ】容量測定手法の一例（ＬＣＲ測定器を用いた手法）を説明するための回路図である。
【図１１】容量測定手法の一例（ＣＢＣＭ法）を説明するための回路図である。
【図１２】図１１に示した回路における充電用および放電用の入力信号の一例を表す模式図である。
【図１３】容量測定手法の一例（ＣＢＣＭ法）を説明するための回路図である。
【図１４】図１３に示した回路における充電用および放電用の入力信号の一例を表す模式図である。
【図１５】容量素子毎にリファレンス回路を設けた場合のレイアウト例を表す回路図である。
【図１６】各容量素子に共通のリファレンス回路を設けた場合のレイアウト例を表す回路図である。
【図１７Ａ】基準位置における（位置ずれのない）素子群のレイアウトを表す模式図である。
【図１７Ｂ】図１７Ａに示したレイアウトの素子群から測定された容量の一例を表す特性図である。
【図１８Ａ】位置ずれ（小）が生じた場合の素子群のレイアウトを表す模式図である。
【図１８Ｂ】図１８Ａに示したレイアウトの素子群から測定された容量の一例を表す特性図である。
【図１９Ａ】位置ずれ（大）が生じた場合の素子群のレイアウトを表す模式図である。
【図１９Ｂ】図１９Ａに示したレイアウトの素子群から測定された容量の一例を表す特性図である。
【図２０Ａ】位置ずれ（大）が生じた場合の素子群のレイアウトを表す模式図である。
【図２０Ｂ】図２０Ａに示したレイアウトの素子群から測定された容量の一例を表す特性図である。
【図２１Ａ】第２導電層が設計値より小さい場合の素子群のレイアウトを表す模式図である。
【図２１Ｂ】図２１Ａに示したレイアウトの素子群から測定された容量の一例を表す特性図である。
【図２２Ａ】図２１Ａの素子群において更に位置ずれが生じた場合のレイアウトを表す模式図である。
【図２２Ｂ】図２２Ａに示したレイアウトの素子群から測定された容量の一例を表す特性図である。
【図２３Ａ】第２導電層が設計値より大きい場合の素子群のレイアウトを表す模式図である。
【図２３Ｂ】図２３Ａに示したレイアウトの素子群から測定された容量の一例を表す特性図である。
【図２４Ａ】図２３Ａの素子群において更に位置ずれが生じた場合のレイアウトを表す模式図である。
【図２４Ｂ】図２４Ａに示したレイアウトの素子群から測定された容量の一例を表す特性図である。
【図２５】位置ずれによる不良箇所が記録された半導体ウエハのマップの一例である。
【図２６Ａ】半導体ウエハ上への絶縁膜の成膜手法（スパッタ法）を説明するための模式図である。
【図２６Ｂ】半導体ウエハ上への絶縁膜の成膜手法（回転塗布法）を説明するための模式図である。
【図２７】半導体ウエハ面内における絶縁膜の厚みのばらつきについて説明するための模式図である。
【図２８】半導体ウエハ面内における絶縁膜の厚みのばらつきに起因して生じる容量のばらつきを表す特性図である。
【図２９】補正回路を含むメモリー回路の要部構成例を表す回路図である。
【図３０Ａ】変形例１−１に係る素子群のレイアウトを表す平面模式図である。
【図３０Ｂ】図３０Ａにおける矢視断面図である。
【図３１】変形例１−２に係る素子群のレイアウトを表す平面模式図である。
【図３２】変形例１−３に係る素子群のレイアウトを表す平面模式図である。
【図３３】変形例１−４に係る素子群のレイアウトを表す平面模式図である。
【図３４】変形例１−５に係る素子群のレイアウトを表す平面模式図である。
【図３５】変形例１−６に係る素子群のレイアウトを表す平面模式図である。
【図３６】変形例１−７に係る素子群のレイアウトを表す平面模式図である。
【図３７】本開示の第２の実施の形態に係る半導体装置の概略構成を表す模式図である。
【図３８Ａ】図３７に示した膜厚測定素子を用いた膜厚測定原理を説明するための模式図である。
【図３８Ｂ】図３７に示した膜厚測定素子を用いた膜厚測定原理を説明するための模式図である。
【図３９】図３７に示した半導体装置の位置ずれ検出について説明するための模式図である。
【図４０】図３７に示した半導体装置の位置ずれ検出について説明するための模式図である。
【図４１】膜厚測定素子の一実施例を表す模式図である。
【図４２】第２導電層の一実施例を表す模式図である。
【図４３】図４１および図４２に基づく実施例結果の一例を表す特性図である。
【図４４】変形例２に係る半導体装置の概略構成を表す模式図である。
【図４５Ａ】図４４に示した半導体装置の位置ずれ検出について説明するための模式図である。
【図４５Ｂ】図４４に示した半導体装置の位置ずれ検出について説明するための模式図である。
【図４６Ａ】変形例３に係る第２導電層を構成するサブ導電層の面形状を表す模式図である。
【図４６Ｂ】図４６Ａに示した形状の違いによる位置ずれ量と容量変化との関係について表す特性図である。
【図４７Ａ】本開示の第３の実施の形態に係る半導体装置の要部構成を表す模式図である。
【図４７Ｂ】図４７Ａに示した半導体装置において位置ずれが生じた場合のレイアウトの一例を表す模式図である。
【図４８Ａ】図４７Ｂに示したレイアウトにおける面積の差分について説明するための模式図である。
【図４８Ｂ】図４７Ｂに示したレイアウトにおける面積の和について説明するための模式図である。
【図４９Ａ】変形例４−１に係る半導体装置の要部構成を表す模式図である。
【図４９Ｂ】図４９Ａに示した半導体装置において位置ずれが生じた場合のレイアウトの一例を表す模式図である。
【図５０Ａ】変形例４−２に係る半導体装置の要部構成を表す模式図である。
【図５０Ｂ】図５０Ａに示した半導体装置の一部の拡大模式図である。
【図５１Ａ】変形例５−１に係る半導体装置の要部構成を表す模式図である。
【図５１Ｂ】変形例５−２に係る半導体装置の要部構成を表す模式図である。
【図５１Ｃ】変形例５−３に係る半導体装置の要部構成を表す模式図である。
【図５１Ｄ】変形例５−４に係る半導体装置の要部構成を表す模式図である。
【図５１Ｅ】変形例５−５に係る半導体装置の要部構成を表す模式図である。
【発明を実施するための形態】
【００２５】
以下、本開示の実施の形態について図面を参照して詳細に説明する。尚、説明は以下の順序で行う。
１．第１の実施の形態（電気的測定により位置ずれによる不良を検出可能な半導体装置の例）
１−１．半導体プロセスにおける位置ずれ不良について
１−２．半導体装置の構成
１−３．半導体装置を用いた電気的測定による試験方法の例
１−４．容量補正の例
２．変形例１−１〜１−７（素子群レイアウトの他の例）
３．第２の実施の形態（膜厚測定素子を用いる場合の例）
４．変形例２（導電層レイアウトの他の例）
５．変形例３（サブ導電層の面形状の他の例）
６．第３の実施の形態（容量和分を用いた演算処理を利用する場合の例）
７．変形例４−１，４−２（２軸方向の位置ずれを検出する場合の演算処理の例）
８．変形例５−１〜５−５（電極レイアウトの他の例）
【００２６】
＜第１の実施の形態＞
［半導体プロセスにおける位置ずれ不良］
半導体集積回路（ＩＣ）などの製造プロセスでは、各種試験方法を用いて、プロセス途中あるいはプロセス後（製品完成後）に不良の有無を検出し、良品および不良品の選別が行われている。また、不良が生じた場合には、その不良がどの工程において、どのような原因で生じたものであるかを解析し、解析結果を製造プロセスにフィードバックすることが望まれる。歩留まりの改善、あるいは歩留まり改善までの時間の短縮化につながるからである。
【００２７】
このようなプロセス過程で生じる不良としては、例えば層間（導電層間）の位置ずれ（重ね合わせずれ）によるものが挙げられる。例えば、ビアを用いた層間配線接続のプロセス途中に位置ずれが生じると、接続不良となる。あるいは、各種容量素子の形成プロセスにおいて、上下の導電層間に位置ずれが生じると、所望の容量値が得られなくなる等の不具合が生じる。配線接続における位置ずれを、図１Ａ，１Ｂおよび図２Ａ，２Ｂを用いて説明する。但し、これらの図では、配線部分のみを抜粋して模式的に示し、Ａ図が斜視図、Ｂ図が断面図となっている。例えば、図１Ａおよび図１Ｂに示したように、互いに異なる層に配置された導電層同士（上部配線１１０ａおよび下部配線１１１）が層間接続される場合、下部配線１１１、接続部１１０ｂおよび上部配線１１０ａが重畳するように位置合わせされつつ、層毎にパターン形成される。このとき、下部配線１１１や接続部１１０ｂ等の側面には、バリアメタルあるいは拡散防止膜などの保護膜１１３が形成される。
【００２８】
ところが、図２Ａに示したように、下部配線１１１に対して、接続層１１０ｂおよび上部配線１１０ａが所望の位置に形成されない場合（位置ずれが生じた場合）、図２ＢのＸに示したように、接続部１１０ｂの一部が保護膜１１３から露出する。また、隣の電極１１２との距離も近くなる。ここで、電界強度は距離の２乗に反比例することから、下部配線１１１と電極１１２との間の距離が近くなると電界強度が増し、いわゆるイオンマイグレーションが生じやすい。ずれが大きい場合には、電極１１２の保護膜１１３と接触することもある。このように、下部配線１１１および上部配線１１０ａ間において、位置ずれはあるものの電気的な接続は確保されている場合、プロセス途中の試験では不良として検出されにくく、イオンマイグレーションなどにより時間経過に伴ってショートが発生する。このように、後発的に生じる不良もある。
【００２９】
図３に、上記のような配線接続のプロセスの一例として、タングステンプラグ（Ｗ−plug）の形成プロセスについて示す。タングステンプラグを形成する際には、例えば、下部配線１１１および層間絶縁膜１１４，１１５を形成後、フォトレジスト１１６を用いたエッチングにより、層間絶縁膜１１５にコンタクトホールＨを形成する。下部配線１１１としては、例えばアルミニウムと銅の合金（Ａｌ−Ｃｕ系合金）を用いることができ、層間絶縁膜１１４，１１５としては、例えばＴＥＯＳ（Tetraethoxysilane；テトラエトキシシラン）ガスを用いて成膜したプラズマ酸化膜（ＳｉＯ２）を用いることができる。そして、フォトレジスト１１６を剥離、洗浄後、例えばタングステン（Ｗ）からなる接続部１０ｂを、コンタクトホールＨを充填するように所定の厚みで成膜し、続いて層間絶縁膜１１５と略同一の厚みとなるまで平坦化（研磨）する。この後、上部配線１１０ａを例えばスパッタ法等により成膜し、例えばフォトリソグラフィ法を用いたエッチングによりパターニングする。尚、上部配線１１０ａとしては、例えばＣｕあるいはＳｉが添加されたアルミニウムを用いることができる。
【００３０】
尚、上記のような位置ずれが発生し得る配線接続構造としては、この他にも、上部配線１１０ａと接続部１１０ｂとが一体的に形成された構造、例えばいわゆるデュアルダマシンによる配線構造なども挙げられる。また、ここでは、配線接続プロセスにおける位置ずれを例示したが、例えば容量形成プロセスにおいても、位置ずれによる不良が生じ得る。例えば、各種の容量素子を形成する際に、上下の導電層間に位置ずれが生じると、そのずれ量によって容量が変化することから、設計値通りの容量が得られず、回路の動作がスペックアウトしてしまう。
【００３１】
上記位置ずれによる不良は、後発的に生じるものも含めて、例えばバーンイン（Burn-In）試験により検出可能である。バーンイン試験は、製造プロセス後に、ウエハ面内の全点に対して実際に時間と負荷をかけて行われ、バーンインスタディ（Burn-in Study）という手法に基づく解析試験である。図４Ａは、バーンイン試験による出力結果を示すマップであり、図４Ｂは、径（ウエハの中心から外縁までの距離）と不良指標との関係を表す特性図である。このように、位置ずれによる不良箇所（図４Ｂにおける縦軸１．５以上の箇所）は、主にウエハ外周部に多く発生していることがわかる。これは、ウエハ外周部ｅ１付近では、フォトリソグラフィ工程における露光のショットパターンＰにおいて、デフォーカスとなる箇所が生じ易いためである（図４Ｃ）。デフォーカスとなった箇所では、設計通りのパターニングが難しく、上述したような位置ずれが生じ易い。また、プロセス過程における試験では、ウエハ面内のうちの代表点のみを検査することが多いため、外周部の不良が見過ごされ易いことも原因の一つとなっている。バーンイン試験工程では、製品として出荷前に、全てのＩＣについて良品および不良品の最終的な選別がなされる。
【００３２】
以下に説明する本実施の形態の半導体装置（半導体装置１）は、上記のような位置ずれを検出するために好適に用いられるものである。また、この半導体装置１を用いた試験方法は、上記のようなバーンイン試験の代替手段として、あるいはバーンイン試験の時間的負担を軽減する目的で好適に用いることができる。
【００３３】
［半導体装置１の構成］
図５は、本実施の形態の半導体装置１の概略構成を表す模式図である。半導体装置１は、１または複数の容量素子を含み、この容量素子を用いた電気的測定により位置ずれを検出可能な素子構造を有している。半導体装置１は、例えば、複数の容量素子１０ａ（第１容量素子）からなる素子群１Ａを有している。素子群１Ａの各容量素子１０ａは、例えばセレクタ回路（セレクタ回路２０Ｘまたはセレクタ回路２０Ｙ）を介して、測定部３０に接続されている。
【００３４】
素子群１Ａは、絶縁膜（図５では図示省略）を間にして第１導電層１１および第２導電層１２を有している。これらのうち少なくとも第２導電層１２は、複数（ここでは７つ）のサブ導電層１２ａを含んで構成されている（複数のサブ導電層１２ａに分割されている）。素子群１Ａを構成する容量素子１０ａの個数およびレイアウトは、例えばサブ導電層１２ａの個数およびレイアウトに対応しており、１つのサブ導電層１２ａと第１導電層１１との重畳部分によって、１つの容量素子１０ａが構成されている。
【００３５】
この素子群１Ａは、複数の容量素子１０ａのレイアウトに応じた軸方向における位置ずれを検出するための単位ユニットである。素子群１Ａを構成する容量素子１０ａの個数は、２以上であればよいが、多いほど位置ずれを極め細やかに検出することができる。素子群１Ａは、例えばＸ軸方向およびＹ軸方向に沿ってそれぞれ設けられており、互いに直交する２つの軸方向（Ｘ軸方向およびＹ軸方向）における位置ずれを検出可能となっている。また、素子群１Ａは、例えば半導体プロセスにおけるウエハ面内の各所（選択的な領域、あるいはＩＣチップのそれぞれに隣接する領域）に、複数形成されている。
【００３６】
（容量素子のレイアウト構成）
図６Ａは、１つの素子群１Ａの平面構成を拡大して表したものである。図６Ｂは、図６ＡのＩ−Ｉ線における矢視断面図である。このように、例えばシリコンなどの半導体よりなる基板１３上の選択的な領域に第１導電層１１が設けられ、この第１導電層１１上に、絶縁膜１４を間にして第２導電層１２が設けられている。第２導電層１２は、上記のように複数のサブ導電層１２ａに分割されており、これらの複数のサブ導電層１２ａは互いに電気的に分離されている。
【００３７】
各容量素子１０ａは、サブ導電層１２ａと第１導電層１１の一部（サブ導電層１２ａに正対する部分）と、それらの間に介在する絶縁膜１４とにより構成されている。ここでは、第２導電層１２を構成する各サブ導電層１２ａの全部分が第１導電層１１に対向する領域に配置されている構成（位置ずれの生じていない状態）を図示している。但し、後述する位置ずれが生じた場合などのように、必ずしもサブ導電層１２ａの全部分が第１導電層１１に対向して配置されていなくともよい。第１導電層１１と第２導電層１２とが少なくとも一部において重畳して配置されていればよい。
【００３８】
本実施の形態では、このような素子群１Ａにおいて、第１導電層１１が、一軸方向に沿って延在する端縁（例えば端縁ｂ１，ｂ２）を含むＸＹ平面形状（以下、単に面形状という）、例えば矩形状または方形状などを有している。端縁ｂ１，ｂ２は、位置ずれを検出したい軸方向（以下、検出方向という。ここではＹ軸方向）と直交する方向（ここではＸ軸方向）に沿って延在する。第１導電層１１の面形状を、図５に示したように、矩形状の一部が屈曲したような「Ｌ」字形状とし、第１導電層１１を、複数の素子群１Ａに共通の導電層として設けてもよい。但し、このような構成に限定されず、第１導電層１１は、端縁ｂ１（または端縁ｂ２）を有する形状であれば、素子群１Ａ毎に個別に設けられていてもよい。また、後述するように、サブ導電層１２ａのレイアウトによっては、第１導電層１１は、素子群１Ａ内において２以上に分割されていてもよい（複数設けられていてもよい）。第１導電層１１が、素子群１Ａ毎に（あるいは素子群１Ａ内において）分割されている場合には、電気的に接続されていることが望ましい。
【００３９】
第２導電層１２では、複数のサブ導電層１２ａがそれぞれ、互いに略同一の形状を有している。これらの複数のサブ導電層１２ａは、第１導電層１１の端縁ｂ１（または端縁ｂ２）に対して相対的に異なる位置に配置されている。例えば、図６Ａに示した例では、複数のサブ導電層１２ａはそれぞれ、検出方向（ここではＹ軸方向）に長辺を有する矩形状の面形状を有している。これらのサブ導電層１２ａの各短辺（ａ１〜ａ７）の位置が、検出方向（ここではＹ軸方向）において互いに異なり、複数のサブ導電層１２ａが段階的にシフトして配置されている。例えば、サブ導電層１２ａは、Ｘ軸方向に沿って間隔ｄ１（例えば０．５μｍ〜２．０μｍ程度）で配置されると共に、Ｙ軸方向に沿って距離ｄ２（例えば０．０１μｍ〜０．１μｍ程度）ずつシフトして配置されている。
【００４０】
セレクタ回路２０Ｘ，２０Ｙは、例えば素子群１Ａ毎に設けられ、素子群１Ａを構成する複数の容量素子１０ａの各容量を切り替えて測定するためのスイッチング回路である。セレクタ回路２０Ｘ，２０Ｙによって選択された容量素子１０ａの容量は、測定部３０を介して（あるいは測定部３０において）測定されるようになっている。
【００４１】
図７Ａは、セレクタ回路２０Ｘ，２０Ｙの構成例を表す回路図である。尚、セレクタ回路２０Ｘ，２０Ｙのいずれも同様の構成を有しているため、セレクタ回路２０Ｘを例に挙げて説明する。セレクタ回路２０Ｘは、例えば各容量素子１０ａの一端（サブ導電層１２ａ）に、選択線Ｌ２を介して接続されたスイッチング素子（例えば図示したような３端子型のトランジスタＴｒ）を備える。セレクタ回路２０Ｘでは、各トランジスタのゲートにそれぞれ選択信号が入力されることで、測定対象の容量素子１０ａが切り替えられる（選択される）。各トランジスタに入力される選択信号は、例えば図７Ｂに示したような入力切り替え回路２１０および各種論理回路を含んで構成された回路（デコード回路）により生成され出力される。図示は省略するが、図７Ｂの出力側Ａ，Ｂ，Ｃ，Ｄ，Ｅ，Ｆ，Ｇが、図７Ａにおける各トランジスタＴｒへのゲートＡ〜Ｇに接続されている。また、入力切り替え回路２１０の個数は、素子群１Ａを構成する容量素子１０ａの個数に応じて設定され、ｎ（ｎは１以上の整数）個の入力切り替え回路２１０を設けた場合、２ｎ個の容量素子１０ａを切り替え可能となる。ここでは、素子群１Ａが７つの容量素子１０ａを有しているので、セレクタ回路２０Ｘでは、３つの入力切り替え回路２１０が用いられている。尚、セレクタ回路２０Ｘには、この他にも、回路動作の電源を供給するための電源回路等（図示せず）が設けられている。
【００４２】
尚、図８に示したように、セレクタ回路２０Ｘ，２０Ｙを設けずに、各容量素子１０ａの一端（サブ導電層１２ａ）のそれぞれに、測定部３０が設けられていてもよい。但し、素子群１Ａを構成する容量素子１０ａの個数が多い場合、セレクタ回路２０Ｘ，２０Ｙを用いないと、測定部３０の個数が多くなる（ここでは、１つの素子群１Ａに対して８個の測定部３０が必要となる）ため、セレクタ回路２０Ｘ，２０Ｙを設けることが望ましい。
【００４３】
測定部３０は、例えば、容量素子１０ａの静電容量（以下、単に容量という）を測定するための回路、および位置ずれを検出するための検出回路を含んで構成されている。あるいは、この測定部３０は、出力用端子（電極、パッド）として機能するものであってもよく、この場合、測定部３０が各種の電気計器あるいは測定回路等に接続されることで、容量測定および位置ずれ検出がなされる。容量測定手法としては、様々な手法があり、特に限定されないが、例えば交流電流計を用いた手法、ブリッジ法、ＬＣＲ測定器を用いた手法、充電時定数による手法、ＣＢＣＭ（Charge Based Capacitance Measurement）法などが挙げられる。位置ずれの検出は、素子群１Ａにおける複数の容量素子１０ａから測定された各容量の相対比較によって行われる。以下、これらの容量測定および位置ずれ検出の各動作（半導体装置１を用いた試験方法）について述べる。
【００４４】
［試験方法］
本実施の形態の半導体装置１では、上述のような構成を有する素子群１Ａの容量素子１０ａを用いた電気的測定により位置ずれが検出される。その検出結果に基づいて、半導体ウエハ面内の領域毎に不良判定が行われる。具体的には、まず、図示しない制御部により、セレクタ回路２０Ｘ，２０Ｙのそれぞれに所定の選択信号が入力されると、素子群１Ａにおける複数の容量素子１０ａが順次切り替えられて、測定部３０と接続される。図９にセレクタ回路２０Ｘ，２０Ｙ（詳細には、図７Ｂに示した入力切り替え回路２１０）へ入力される選択信号と、出力信号の組み合わせの一例を示す。尚、セレクタ回路２０Ｘ，２０Ｙのそれぞれに入力される各選択信号は異なっていてもよいが、同じものを用いることができる。
【００４５】
セレクタ回路２０Ｘ，２０Ｙにより選択された（測定部３０に接続された）容量素子１０ａでは、測定部３０において（あるいは測定部３０を介して）各種測定手法により容量が測定される。以下に容量測定手法の一例を示す。
【００４６】
（容量測定）
１．交流電流計による測定
例えば、振幅および周波数が既知の交流電流を容量素子１０ａに流し、以下の式（１）から容量Ｃを求めることができる。但し、ｆを周波数とする。
Ｉ＝２πｆＣＶ………（１）
【００４７】
２．ブリッジ法
また、上記と同様に交流を用いて容量を測定する手法として、いわゆるブリッジ法を用いてもよく、これにより高精度な容量測定が可能となる。ブリッジ法による測定回路の一例を図１０Ａに示す。この場合、２つのブリッジ回路に電流が流れない（即ちＶ＝０となる）ように、容量Ｃ１，抵抗Ｒ１，Ｒ２，Ｒ３を調整し、そのときのＣ１，Ｒ１，Ｒ２，Ｒ３の各値から、容量Ｃを求めることができる。
【００４８】
３．ＬＣＲ測定器を用いた測定
あるいは、共振周波数から容量を測定する手法もある。この場合、インダクタンスが既知のコイルと組み合わせて共振回路を形成して共振周波数を測り、以下の式（２）から容量Ｃを求めることができる。
ｆ＝１／｛２π・（ＬＣ）１／２｝………（２）
【００４９】
共振周波数の測定には、ＬＣＲ測定器が用いられる。ＬＣＲ測定器の代表的な測定方式は、図１０Ｂに示したような回路を用いた自動平衡ブリッジ法が挙げられる。尚、図１０Ｂにおける「ＤＵＴ」は、Device Under Testの略で、被測定物に相当するものである。また、高ゲインアンプ３１０は、帰還抵抗ＲおよびＤＵＴに流れるそれぞれの電流が等しくなるように、即ちＤＵＴの低電位側(図のＬ端側)が常に仮想接地(電位０)となるように、自動的にゲインを調整するものである。そのときの入力電圧Ｅ１、出力電圧Ｅ２では、以下の式（３），（４）のように位相角θ１，θ２が測定される。これらの結果と、帰還抵抗Ｒから、以下の式（５），（６）に基づいて、ＤＵＴのインピーダンスＺｘが求められる。そして、このインピーダンスＺｘの実部（Ｒｘ）および虚部（Ｘｘ）のうち虚部Ｘｘの値から、以下の式（７）に基づいてＤＵＴの容量Ｃを求めることができる。なお、ｊは虚数を表す。
Ｅ１＝｜Ｅ１｜・cosθ１+ｊ・｜Ｅ１｜・sinθ１  ………（３）
Ｅ２＝｜Ｅ２｜・cosθ２+ｊ・｜Ｅ２｜・sinθ２  ………（４）
Ｚｘ＝Ｒ・Ｅ１／Ｅ２        ………（５）
Ｚｘ＝Ｒ・｜Ｅ１｜／｜Ｅ２｜・｛cos(θ１−θ２)＋ｊ・sin(θ１−θ２)｝……（６）
Ｘｘ＝ｊ／ωＣ        ………（７）
【００５０】
４．充電時定数による手法
更に、容量素子１０ａを充電し、一定電圧Ｖに達するまでの時間ｔを測定する（あるいは一定時間ｔ経過後に達した電圧Ｖを測定する）ことにより、以下の式（７）の関係を用いて容量Ｃを求めることができる。
Ｖ＝（Ｉ／Ｃ）・ｔ        ………（７）
【００５１】
５．ＣＢＣＭ法
微小容量を測定する際には、配線容量（寄生容量）を考慮したＣＢＣＭ法を用いるとよい。図１１に、ＣＢＣＭ法による測定回路の一例を示す。ここで、測定対象の容量Ｃが微小である場合、配線等による寄生容量Ｃ’による影響が大きくなる。ＣＢＣＭ法では、寄生容量Ｃ’の影響を除去するためのリファレンス回路Ｕ１が用いられる。具体的には、リファレンス回路Ｕ１では、充電用のトランジスタＴｒＡ（ここではＰＭＯＳ）と、放電用のトランジスタＴｒＢ（ここではＮＭＯＳ）とが、それぞれ対で設けられ、配線構造が対称形となるように構成されている。これにより、トランジスタＴｒＡ，ＴｒＢの各組で同じ寄生容量Ｃ’が生じ、最終的に寄生容量Ｃ’の影響を除去することができる。このようなリファレンス回路Ｕ１の一方のトランジスタＴｒＡ，ＴｒＢの側に、測定対象の容量素子１０ａが接続される。
【００５２】
このような測定回路において、容量素子１０ａの充電および放電を行う。このときトランジスタＴｒＡ，ＴｒＢの各ゲートに入力する信号ＣＬＫ１，ＣＬＫ２の波形の一例を図１２に示す。まず、トランジスタＴｒＡに入力される信号ＣＬＫ１がLow側、トランジスタＴｒＢに入力される信号ＣＬＫ２がHigh側のときに、容量素子１０ａの充電（図１１中のＰ１）が行われる。このとき、リファレンス回路Ｕ１の寄生容量Ｃ’も充電される。尚、ここでは、トランジスタＴｒＡとしてＰＭＯＳを用いているため、トランジスタＴｒＡは、信号ＣＬＫ１がLow側のときにオンとなり、High側のときにオフとなる。但し、ＰＭＯＳとＮＭＯＳとが同時にオンとなると貫通電流が流れるため、信号ＣＬＫ２のオン期間は信号ＣＬＫ１のオフ期間よりも短くなるように設定することが望ましい。
【００５３】
続いて、トランジスタＴｒＡに入力される信号ＣＬＫ１がHigh側、トランジスタＴｒＢに入力される信号ＣＬＫ２がLow側のときに、容量素子１０ａの放電（図１１中のＰ２）が行われる。このとき、リファレンス回路Ｕ１の寄生容量Ｃ’も放電される。尚、ここでは、トランジスタＴｒＢとしてＮＭＯＳを用いているため、トランジスタＴｒＢは、信号ＣＬＫ２がHigh側のときにオンとなり、Low側のときにオフとなる。
【００５４】
充放電の後、図１１中の電流Ｉ，Ｉ’をそれぞれ測定し、それらの差分をとる。ここで、電流Ｉは、容量素子１０ａと寄生容量Ｃ’とに流れる電流であり、電流Ｉ’は、寄生容量Ｃ’のみに流れる電流である。従って、電流Ｉ，Ｉ’の差分をとることにより、寄生容量Ｃ’が相殺され、以下の式（８）から容量Ｃを求めることができる。なお、ｆは測定周波数であり、１ｋＨｚ〜数十ＭＨｚの範囲に設定される。
Ｉ−Ｉ’＝Ｃ・Ｖdd・ｆ    ………（８）
【００５５】
尚、上記リファレンス回路Ｕ１では、充電用のトランジスタＴｒＡとしてＰＭＯＳを用いた例を示したが、トランジスタＴｒＡは、図１３に示したようにＮＭＯＳであってもよい。また、図１４に、その場合のトランジスタＴｒＡ，ＴｒＢの各ゲートに入力する信号ＣＬＫ１，ＣＬＫ２の波形の一例を示す。トランジスタＴｒＡがＮＭＯＳである場合、トランジスタＴｒＡは、信号ＣＬＫ１がHigh側のときにオンとなり、Low側のときにはオフとなる。但し、充電用のトランジスタＴｒＡは参照電位Ｖdd側に設けられることから、トランジスタＴｒＡとしては、ＮＭＯＳよりもＰＭＯＳを用いた方がオン抵抗が小さくなり、効率が良い。
【００５６】
また、図１５には、上記のような測定回路が複数（例えば素子群１Ａを構成する容量素子１０ａの個数分など）設けられる場合の回路レイアウトについて示す。この例では、リファレンス回路Ｕ１が容量素子１０ａ毎に配置されており、寄生容量を精確に除去することができる。尚、信号ＣＬＫ１，ＣＬＫ２の入力端子は、容量素子１０ａ毎に個別に設けられていてもよいし、共通化されていてもよい。ここでは、信号ＣＬＫ１の入力端子が容量素子１０ａ毎にそれぞれ設けられており、信号ＣＬＫ２の入力端子は各容量素子１０ａに共通となっている。
【００５７】
あるいは、図１６に示したように、寄生容量除去のためのトランジスタＴｒＡ，ＴｒＢを含むリファレンス回路Ｕ２を、複数の容量素子１０ａに対して１つだけ設けるようにしてもよい。この場合、セレクタ回路３２０により、信号ＣＬＫ１が、各容量素子１０ａの充電用のトランジスタＴｒＡへ順次入力される。このような回路レイアウトとすることにより、図１５に示した例に比べ、リファレンス回路部分のスペースを削減することができる。
【００５８】
測定部３０では（あるいは測定部３０を介して）、上記手法により、素子群１Ａにおける複数の容量素子１０ａのそれぞれについて容量が測定されると、測定された各容量の相対比較により位置ずれ（位置ずれ量）が検出される。以下、本実施の形態における位置ずれ検出のアルゴリズムについて説明する。
【００５９】
（位置ずれ検出）
図１７Ａは、第１導電層１１および第２導電層１２の基準位置におけるレイアウトを模式的に表したものである。この例では、第２導電層１２を構成するサブ導電層１２ａの全てが、第１導電層１１の端縁ｂ１，ｂ２の内側に納まっている状態（端縁ｂ１，ｂ２の外側にはみ出していない状態）で、第１導電層１１および第２導電層１２がそれぞれ配置されている。この配置を、第１導電層１１および第２導電層１２間において位置ずれが生じていない、即ち設計値通りに形成された基準のレイアウトとして説明する。また、７つのサブ導電層１２ａに対応する７つの容量素子１０ａに便宜的にＣ１〜Ｃ７と符号を付して説明する。
【００６０】
図１７Ｂは、図１７Ａに示したレイアウトで配置された容量素子Ｃ１〜Ｃ７の容量［ｆＦ（フェムト・ファラッド）］の測定結果の一例である。このように、位置ずれが生じていない場合、容量素子Ｃ１〜Ｃ７のいずれも同等の容量となる。従って、容量素子Ｃ１〜Ｃ７から測定された各容量を比較し、特に変化がない際には、位置ずれが生じていないと判定することができる。以下、この例を基準として、位置ずれが生じた場合の容量変化の一例について説明する。
【００６１】
図１８Ａは、第１導電層１１および第２導電層１２のレイアウト（基準位置から比較的小さな位置ずれが生じた場合）を模式的に表したものである。この例では、第２導電層１２を構成するサブ導電層１２ａのうち、一部の容量素子（ここでは容量素子Ｃ７の短辺ａ７）のみが、第１導電層１１の端縁ｂ２の外側にはみ出した状態で、第１導電層１１および第２導電層１２がそれぞれ配置されている。
【００６２】
図１８Ｂは、図１８Ａに示したレイアウトで配置された容量素子Ｃ１〜Ｃ７の容量［ｆＦ（フェムト・ファラッド）］の測定結果の一例である。このように、例えばＸ軸方向に沿って微小の位置ずれが生じている場合、容量素子Ｃ７において、サブ導電層１２ａと第１導電層１１との重畳面積が減少し、他の容量素子Ｃ１〜Ｃ６よりも相対的に小さな容量を示す。即ち、複数のサブ導電層１２ａが段階的にシフトして配置されていることにより、上記のような微小な位置ずれが生じた場合にも、容量素子Ｃ１〜Ｃ７のうちの一部において容量変化が生じる（局所的に容量が減少する）。これらの容量素子Ｃ１〜Ｃ７の各容量を比較し、容量が段階的に変化している部分と変化がない部分との境界（ここでは、例えば容量素子Ｃ６，Ｃ７間）と、複数のサブ導電層１２ａのレイアウト（サブ導電層１２ａの面形状、間隔ｄ２など）などに基づいて、容易に位置ずれ量を求めることができる。
【００６３】
尚、１つの素子群１Ａを用いて検出される位置ずれ量は１軸方向におけるもののみであり、この例ではＸ軸方向に沿った位置ずれ量を検出することができる。従って、図５に示したように、Ｘ軸方向およびＹ軸方向の２つの方向に沿って素子群１Ａが配置されることが望ましい。
【００６４】
図１９Ａは、第１導電層１１および第２導電層１２のレイアウト（基準位置から比較的大きなずれが生じた場合）を模式的に表したものである。この例では、第２導電層１２を構成するサブ導電層１２ａのうち半数以上の端部（ここでは容量素子Ｃ１〜Ｃ６に対応するサブ導電層１２ａの短辺ａ１〜ａ６）が、第１導電層１１の端縁ｂ１の外側にはみ出た（張り出した）状態で、第１導電層１１および第２導電層１２が配置されている。
【００６５】
図１９Ｂは、図１９Ａに示したレイアウトで配置された容量素子Ｃ１〜Ｃ７の容量［ｆＦ（フェムト・ファラッド）］の測定結果の一例である。このように、例えばＸ軸方向に沿って位置ずれが生じている場合、容量素子Ｃ１〜Ｃ７において、サブ導電層１２ａと第１導電層１１との重畳面積が段階的に変化し、これにより容量が段階的に（左下がりに）変化する。即ち、複数のサブ導電層１２ａが段階的にシフトして配置されていることにより、位置ずれが生じた場合に、その位置ずれ量に応じて、容量素子Ｃ１〜Ｃ７において段階的な容量変化が生じる。これらの容量素子Ｃ１〜Ｃ７の各容量を相対的に比較し、容量が段階的に変化している部分と変化がない部分との境界（ここでは、例えば容量素子Ｃ６，Ｃ７間）と、複数のサブ導電層１２ａのレイアウト（サブ導電層１２ａの面形状、間隔ｄ２など）に基づいて、容易に位置ずれ量を求めることができる。
【００６６】
図２０Ａは、第１導電層１１および第２導電層１２のレイアウト（基準位置から比較的大きなずれが生じた場合）を模式的に表したものである。この例では、第２導電層１２を構成するサブ導電層１２ａのうち半数以上の端部（ここでは容量素子Ｃ２〜Ｃ７に対応するサブ導電層１２ａの短辺ａ２〜ａ７）が、第１導電層１１の端縁ｂ２の外側にはみ出た状態で、第１導電層１１および第２導電層１２が配置されている。
【００６７】
図２０Ｂは、図２０Ａに示したレイアウトで配置された容量素子Ｃ１〜Ｃ７の容量［ｆＦ（フェムト・ファラッド）］の測定結果の一例である。このように、例えばＸ軸方向に沿って位置ずれが生じている場合、容量素子Ｃ１〜Ｃ７において、サブ導電層１２ａと第１導電層１１との重畳面積が段階的に変化し、これにより容量が段階的に（右下がりに）変化する。即ち、複数のサブ導電層１２ａが段階的にシフトして配置されていることにより、位置ずれが生じた場合に、その位置ずれ量に応じて、容量素子Ｃ１〜Ｃ７において段階的な容量変化が生じる。これらの容量素子Ｃ１〜Ｃ７の各容量を相対的に比較し、容量が段階的に変化している部分と変化がない部分との境界（ここでは、例えば容量素子Ｃ１，Ｃ２間）と、複数のサブ導電層１２ａのレイアウト（サブ導電層１２ａの面形状、間隔ｄ２など）に基づいて、容易に位置ずれ量を求めることができる。
【００６８】
また、図１９Ａおよび図１９Ｂに示した例と、図２０Ａおよび図２０Ｂに示した例とを比較すると、Ｘ軸方向において生じる位置ずれの向きによって、容量素子Ｃ１〜Ｃ７の各容量の段階的変化の傾きが異なる。従って、段階的変化の傾き（右下がり，左下がり等）に基づいて軸方向のどちらの向きに位置ずれが生じているかについても特定することができる。
【００６９】
更に、上述した例では、第１導電層１１および第２導電層１２間において生じた位置ずれを検出したが、どちらかが設計値よりも小さく（あるいは大きく）形成された場合にも容量変化が生じるため、そのようなケースも検出可能である。
【００７０】
例えば、図２１Ａに示したように、第２導電層１２が設計値よりも小さく形成された場合には、図２１Ｂに示したように、例えば図１７Ｂの測定結果よりも小さな容量が測定される。このように、もとの設計値通りの容量が既知であれば、位置ずれだけでなく、大きさのずれが生じた場合にも、その容量変化に基づいてずれの発生を検出することができる。
【００７１】
また、図２２Ａに示したように、位置と大きさの両方がずれている場合には、例えば図２２Ｂに示したような測定結果となる。この例では、容量素子Ｃ１，Ｃ２に対応するサブ導電層１２ａの短辺ａ１，ａ２が、第１導電層１１の端縁ｂ１の外側にはみ出た状態で配置され、かつ第２導電層１２が設計値よりも小さく形成されている。この場合、容量素子Ｃ１〜Ｃ７の各容量を比較すると、例えば容量素子Ｃ２，Ｃ３間付近が容量変化の境界となる一方、段階的な容量変化のない箇所（容量素子Ｃ３〜Ｃ７に対応する部分）においては、容量の値が図１７Ｂの測定結果よりも小さくなる。従って、この結果から、位置ずれ量を検出できると共に、大きさのずれの発生を検出できる。
【００７２】
逆に、図２３Ａに示したように、第２導電層１２が設計値よりも大きく形成された場合には、図２３Ｂに示したように、例えば図１７Ｂの測定結果よりも大きな容量が測定される。また、この例では、上下端のサブ導電層１２ａ（容量素子Ｃ１，Ｃ７に対応するサブ導電層１２ａ）の短辺ａ１，ａ７が端縁ｂ１，ｂ２からはみ出しているため、図２３Ｂにおいて両端の容量素子Ｃ１，Ｃ７の容量が他の容量素子Ｃ２〜Ｃ６よりも僅かに小さくなっている。
【００７３】
また、図２４Ａに示したように、第２導電層１２が設計値よりも大きく形成された場合において、位置と大きさの両方がずれた場合には、例えば図２４Ｂに示したような測定結果となる。この例では、容量素子Ｃ１，Ｃ２に対応するサブ導電層１２ａの短辺ａ１，ａ２が、第１導電層１１の端縁ｂ１の外側にはみ出た状態で配置され、かつ第２導電層１２が設計値よりも大きく形成されている。この場合、容量素子Ｃ１〜Ｃ７の各容量を比較すると、例えば容量素子Ｃ２，Ｃ３間付近が容量変化の境界となる一方、段階的な容量変化のない箇所（容量素子Ｃ３〜Ｃ７に対応する部分）においては、容量の値が図１７Ｂの測定結果よりも大きくなる。
【００７４】
上述のように、本実施の形態では、素子群１Ａにおいて、第２導電層１２を構成する複数のサブ導電層１２ａの端部（短辺ａ１〜ａ７）が第１導電層１１の端縁ｂ１，ｂ２に対して相対的に異なる位置に配置されている。これにより、複数の容量素子１０ａの各容量を測定し、測定した各容量を相対比較することにより、第１導電層１１および第２導電層１２間の位置ずれを検出することができる。
【００７５】
（不良判定）
このようにして素子群１Ａ毎に位置ずれ検出を行ったのち、その結果に基づいて不良の有無を判定することができる。例えば、検出された位置ずれ量が許容範囲（所定の閾値）を超えていた場合には、“不良”と判定することができる。この不良判定は、ＩＣ製造業者などの半導体装置１のユーザが行うことができる。また、素子群１Ａがウエハ面内の各所に設置されることにより、領域毎（ウエハ内の選択的な領域毎、あるいはＩＣチップ毎）に、判定が可能となる。具体的には、位置ずれが検出された素子群１Ａの周囲に形成されたＩＣ、あるいはそのような素子群１Ａに隣接して形成されたＩＣを不良と判定することができる。従って、ウエハ面内において、位置ずれによる不良が生じている箇所を精度よく検出し、ＩＣチップ単位での不良判定が可能となる。無駄のない効率的な半導体プロセスを実現可能となる。
【００７６】
図２５は、位置ずれによる不良ＩＣが記録されたマップの一例である。このように、半導体ウエハ１２０の面内において不良ＩＣと判定された箇所を記録したマップを作成してもよい。この例では、半導体ウエハ１２０の外周部付近に位置ずれによる不良が生じていることを示している。また、このようなマップを作成し、不良発生箇所および発生原因（この場合は位置ずれによるもの）を製造プロセスへフィードバックすることで、歩留まり向上が期待できる。
【００７７】
ところで、半導体プロセスにおいて、絶縁膜（図６Ｂ中の絶縁膜１４に相当）は、図２６Ａに示したように、半導体ウエハ１２０にスパッタ法により成膜されるか、あるいは図２６Ｂに示したように、半導体ウエハ１２０に回転塗布法等により成膜される。このため、図２７に示したように、半導体ウエハ１２０の面内において、領域によって絶縁膜１４の厚みにばらつきが生じ、例えばウエハ中心部付近の領域Ｓａでは厚みｔ１が大きく、ウエハ外周部付近の領域Ｓｂでは厚みｔ２が小さくなり易い。
【００７８】
一対の導電層間に絶縁膜が挟まれてなるコンデンサの容量Ｃは一般に以下の式（９）のように表される。但し、ε０を真空の誘電率、εを絶縁膜の比誘電率、ｄを導電層間の距離（絶縁膜の厚み）、Ｓを導電層の面積とする。
Ｃ＝ε０・ε・Ｓ／ｄ      ………（９）
【００７９】
このため、面積Ｓが同等である場合、図２８に示したように、半導体ウエハ１２０の中心部から外周部にかけての各領域において、絶縁膜の厚みのばらつきに起因して容量にばらつきが生じる。
【００８０】
本実施の形態では、上述のように、ウエハ面内の各所に素子群１Ａが設けられ、素子群１Ａ毎の容量の相対比較により位置ずれ検出がなされる。このため、上述のようなウエハ面内において絶縁膜の厚みにばらつきが生じている場合にも、その影響を受けにくい。よって、位置ずれによる不良を精度良く検出することが可能となる。
【００８１】
（容量補正）
上記半導体装置１を用いた試験方法では、素子群１Ａを用いた電気的測定により位置ずれを検出し、その検出結果に基づいて不良判定を行うことについて述べたが、更なる応用例として、不良と判定された箇所を補正してもよい。例えば、各種コンデンサなどの容量素子が使用されるＩＣのうち、上記位置ずれにより設計値からスペックアウトしてしまうものに対し、容量補填により良品化することが可能である。
【００８２】
図２９は、補正回路（補正回路４０）を含むメモリー回路の要部構成例である。このメモリー回路では、例えばビット線ＢＬおよびワード線ＷＬに、スイッチング素子４１１を介して保持容量素子４１０の一端側が接続されており、ワード線ＷＬにHighの信号が入力されると、ビット線ＢＬを通じて保持容量素子４１０が充電される。このようなメモリー回路において、例えば保持容量素子４１０に並列して、保持容量素子４１０の容量を補正するための補正回路４０が接続されている。
【００８３】
補正回路４０は、１または複数の補正用容量素子（ここでは４つの容量素子Ｃａ１，Ｃａ２，Ｃａ３，Ｃａ４）と、これらの容量素子Ｃａ１〜Ｃａ４を個別に切り離す（切断する）ことが可能な容量選択部４１とを備えている。容量素子Ｃａ１〜Ｃａ４は、互いに並列に設けられると共に、互いに同一のまたは異なる容量を有している。容量選択部４１は、例えばヒューズにより構成されている。ヒューズの切り離し手法としては、例えばポリ配線を用いる手法あるいはレーザによる手法などが挙げられる。また、不揮発性メモリーを使用することで、トランジスタなどのスイッチング素子を用いて切り離しがなされるように構成されていてもよい。補正回路４０では、この容量選択部４１を用いて、位置ずれ量に応じて、容量素子Ｃａ１〜Ｃａ４のうちの不必要な容量素子を切り離し、保持容量素子４１０の容量補正が行われる。
【００８４】
例えば、位置ずれが生じた場合、保持容量素子４１０の容量Ｃｓが設計値よりも小さくなることから、その容量不足分を容量素子Ｃａ１〜Ｃａ４の組み合わせにより補填する。例えば、容量Ｃｓの設計値（必要とされる容量）が２２ｐＦ（ピコファラッド）である場合に、位置ずれにより１７ｐＦしか得られなかった場合には、不足分の５ｐＦを、補正回路４０を用いて補填する。例えば、容量素子Ｃａ１が８ｐＦ，容量素子Ｃａ２が４ｐＦ，容量素子Ｃａ３が２ｐＦ，容量素子Ｃａ４が１ｐＦとなるように構成されている場合、容量選択部４１を用いて例えば容量素子Ｃａ１，Ｃａ３を選択的に切り離す。これにより、容量素子Ｃａ２，Ｃａ４の各容量の和（５ｐＦ）が容量Ｃｓに付加され、所望の２２ｐＦの容量を得ることができる。この例では、保持容量素子４１０に対し、容量素子Ｃａ２，Ｃａ４が電気的に接続され、容量素子Ｃａ１，Ｃａ３が電気的に切断された状態で出荷される。
【００８５】
尚、本実施の形態における保持容量素子４１０が、本開示の「第２の容量素子」の一具体例に相当し、容量素子Ｃａ１〜Ｃａ４が、本開示の「第３の容量素子」の一具体例に相当する。
【００８６】
以上説明したように、本実施の形態の半導体装置１では、例えば半導体ウエハ面内に、素子群１Ａ（複数の容量素子１０ａ）を備え、各素子群１Ａが、絶縁膜１４を間にして第１導電層１１および第２導電層１２を有する。第２導電層１２が互いに略同一形状を有する複数のサブ導電層１２ａからなり、各サブ導電層１２ａが、第１導電層１１の端縁ｂ１，ｂ２に対して相対的に異なる位置に配置されている。このような構成により、第１導電層１１とサブ導電層１２ａとの重畳面積に応じて各容量素子間の容量が変化するため、それらの容量変化に基づいて、第１導電層１１および第２導電層１２間における位置ずれを検出可能となる。このように、素子群１Ａにおいて、複数の容量素子１２ａの各容量の相対比較により位置ずれを検出できることから、ウエハ面内において絶縁膜１４の厚みにばらつきがある場合にも、そのばらつきの影響を受けにくい。よって、位置ずれによる不良を精度良く検出することが可能となる。
【００８７】
次に、上記第１の実施の形態の半導体装置における素子群の変形例について説明する。素子群の構成（第１導電層および第２導電層のレイアウト）には、上述したものの他にも様々なものがある。以下にその一例を示す。尚、上記第１の実施の形態の同様の構成要素については同一の符号を付し、適宜その説明を省略する。
【００８８】
＜変形例１−１＞
図３０Ａは、変形例１−１に係る素子群（素子群１Ｂ）のＸＹ平面構成を表す模式図である。図３０Ｂは、図３０ＡのII−II線における矢視断面図である。上記第１の実施の形態の素子群１Ａでは、複数のサブ導電層１２ａに対して１つの（共通の）第１導電層１１が設けられていたが、本変形例の素子群１Ｂのように、第１導電層１１は、複数設けられていてもよい。但し、これらの複数の第１導電層１１は、電気的に接続されている。第２導電層１２は、上記第１の実施の形態と同様、複数のサブ導電層１２ａを含み、この例では、１つの第１導電層１１に対して１つのサブ導電層１２ａが重畳するようにレイアウトされている。
【００８９】
本変形例では、各第１導電層１１が一軸方向（ここでは例えばＸ軸方向）に沿って延在する端縁ｂ３，ｂ４を有し、複数のサブ導電層１２ａが、これらの端縁ｂ３，ｂ４に対して相対的に異なる位置に配置されている。これにより、上記第１の実施の形態と同様にして、各容量素子１０ａの容量を測定し、測定した各容量の相対比較により、一軸方向（ここではＹ軸方向）に沿って生じる位置ずれを検出することができる。
【００９０】
＜変形例１−２＞
図３１は、変形例１−２に係る素子群（素子群１Ｃ）のＸＹ平面構成を表す模式図である。本変形例の素子群１Ｃでは、複数の（この例では２つの）第１導電層１１が設けられ、これらの２つの第１導電層１１に跨って、第２導電層１２が配置されている。このように、第１導電層１１と第２導電層１２とが必ずしも１対１対応で設けられていなくともよく、複数のサブ導電層１２ａが、第１導電層１１の端縁ｂ１または端縁ｂ２に対して相対的に異なる位置に配置されていればよい。
【００９１】
＜変形例１−３，１−４＞
図３２は、変形例１−３に係る素子群（素子群１Ｄ）のＸＹ平面構成を表す模式図である。図３３は、変形例１−４に係る素子群（素子群１Ｅ）のＸＹ平面構成を表す模式図である。これらの変形例では、第１導電層１１のＸＹ平面形状が、矩形状ではなく、櫛歯状となっている。このように、第１導電層１１は、一軸方向に延在する端縁（例えば端縁ｂ５，ｂ６，ｂ７等）を有する形状であればよく、そのような端縁に対してサブ導電層１２ａが相対的に異なる位置に配置されていればよい。
【００９２】
＜変形例１−５＞
図３４は、変形例１−５に係る素子群（素子群１Ｆ）のＸＹ平面構成を表す模式図である。本変形例の素子群１Ｆでは、上記第１の実施の形態の素子群１Ａと同様、第１導電層１１が、Ｘ軸方向に沿って延在する端縁ｂ８，ｂ９を有し、複数のサブ導電層１２ａが、端縁ｂ８，ｂ９に対して相対的に異なる位置に配置されている。但し、本変形例では、複数のサブ導電層１２ａが端縁ｂ８，ｂ９に対してランダムな配列で設けられている。
【００９３】
＜変形例１−６＞
図３５は、変形例１−６に係る素子群（素子群１Ｇ）のＸＹ平面構成を表す模式図である。本変形例の素子群１Ｇでは、上記変形例１−５のようにサブ導電層１２ａがランダム配置されているレイアウトにおいて、第１導電層１１が複数設けられていてもよい。また、これらの複数の（ここでは２つの）第１導電層１１の各平面形状は、同一であってもよいが、異なっていてもよい。
【００９４】
＜変形例１−７＞
図３６は、変形例１−７に係る素子群（素子群１Ｈ）のＸＹ平面構成を表す模式図である。本変形例の素子群１Ｈでは、第２導電層１２を構成する各サブ導電層１２ａが更に細分化されており、サブ導電層１２ａが複数（ここでは３つ）の細線層１２ａ１から構成されている。また、第１導電層１１も、細線層１２ａ１と１対１対応で設けられている。３つの細線層１２ａ１からなる各サブ導電層１２ａが、第１導電層１１の端縁ｂ１０，ｂ１１に対して相対的に異なる位置に設けられている。
【００９５】
＜第２の実施の形態＞
図３７は、本実施の形態の半導体装置（半導体装置２）の概略構成を表す模式図である。本実施の形態の半導体装置２では、上記第１の実施の形態の半導体装置１と同様、容量素子を用いた電気的測定により位置ずれによる不良を検出可能となっている。但し、以下の点で、半導体装置２は、上記第１の実施の形態の半導体装置１と異なっている。即ち、上記半導体装置１では、第２導電層１２を細分化して複数の容量素子１０ａのユニットを用いて位置ずれを検出したが、本実施の形態では、１つの第２導電層１２に対応して形成される１つの容量素子（容量素子２０ａ１，２０ａ２）を用いて位置ずれが検出される。尚、ここでは、便宜上、Ｘ軸方向の位置ずれを検出する容量素子を容量素子２０ａ１、Ｙ軸方向の位置ずれを検出する容量素子を容量素子２０ａ２としている。容量素子２０ａ１，２０ａ２についても、上記第１実施の形態の素子群１Ａと同様、半導体ウエハの各所に、複数設けられている。これらの容量素子２０ａ１，２０ａ２に隣接して、絶縁膜１４ａ（第１導電層２１および第２導電層２２間に設けられた絶縁膜１４と同層の絶縁膜）の厚みを測定する膜厚測定素子２Ａが配置されている。第１導電層２１および第２導電層２２は、少なくとも一部において重畳して設けられている。具体的には、第２導電層２２は、第１導電層２１の端縁の一部に対向して設けられると共に、第１導電層２１に重畳する部分と、第１導電層２１に非重畳の部分とを有している。
【００９６】
図３８Ａおよび図３８Ｂは、膜厚測定素子２Ａの概略構成を表したものである。膜厚測定素子２Ａは、絶縁膜１４ａを間にして一対の導電膜３２，３３を有している。一対の導電膜３２，３３のうち、一方の導電膜（導電膜３２）の面積Ｓ３は、他方の導電膜（導電膜３３）の面積Ｓ４に対して小さくなるように設計されている。この膜厚測定素子２Ａの容量が、測定部３１により（あるいは測定部３１を介して）測定され、測定された容量に基づいて絶縁膜１４ａの厚みｄが算出される。測定部３１は、上記測定部３０と同様の容量検出回路を含むか、あるいは各種電気計器が接続可能な端子を有する。尚、導電膜３２，３３が、本開示の「第３の導電層」および「第４の導電層」の一具体例に相当する。
【００９７】
膜厚測定素子２Ａを用いた膜厚測定は以下の原理に基づく。即ち、図３８Ａに示した導電膜３２，３３のレイアウトを基準として、図３８Ｂに示したように、導電膜３２，３３間に位置ずれが生じた場合であっても、導電膜３２，３３の重畳面積（導電膜３２の面積Ｓ３に等しい）が変化しないことから、前述の式（９）に示した面積Ｓが既知となり、絶縁膜１４ａの厚みｄを求めることができる。第１導電層２１および第２導電層２２は、この膜厚測定素子２Ａに隣接して設けられていることから、膜厚測定素子２Ａにより測定された厚みｄは、第１導電層２１および第２導電層２２間の絶縁膜１４の厚みと同等である。
【００９８】
位置ずれ検出の際には、容量素子２０ａ１，２０ａ２の容量を測定部３０により（あるいは測定部３０を介して）測定し、測定した容量と、上記膜厚測定素子２Ａを用いて測定された絶縁膜１４の厚みとに基づいて、位置ずれ量を求める。具体的には、位置ずれが生じていない場合（図３９）の容量を基準として、位置ずれが生じた場合には、容量素子２０ａ１，２０ａ２毎に容量変化が生じる。例えば、図４０に示したように、Ｘ軸方向Ｐ３の向きに第２導電層２２の位置がずれた場合、容量素子２０ａ１では、第１導電層２１および第２導電層２２の重畳面積が減少することから容量が減少する。また、Ｙ軸方向Ｐ４の向きに第２導電層２２の位置がずれた場合、容量素子２０ａ２では、第１導電層２１および第２導電層２２の重畳面積が増加することから容量が増加する。従って、各容量素子２０ａ１，２０ａ２の容量と、絶縁膜１４の厚みとに基づいて、前述した式（９）から各軸方向における位置ずれ量を求めることができる。また、この位置ずれ量に基づいて、上記第１の実施の形態と同様にして、不良判定を行うことができ、更に不良箇所が記録されたマップを形成するようにしてもよい。
【００９９】
図４１〜図４３に膜厚測定および位置ずれ検出の実施例を示す。この際、膜厚測定素子２Ａでは、図４１に示したように、導電膜３２のＸＹ寸法を１μｍ×１μｍとした。絶縁膜１４ａとしては、ＴＥＯＳガスを用いて成膜したプラズマ酸化膜（ＳｉＯ２）（比誘電率ε＝４）を用いた。膜厚測定素子２Ａの容量を測定したところ、１．１０×１０−１６Ｆとなった。この結果から、絶縁膜１４ａ（絶縁膜１４）の厚みとして、０．３２２μｍが導出された。尚、真空の誘電率ε０は８．８６×１０−１２とした。一方、図４２に示したように、容量素子２０ａ１では、第２導電層２２のＸＹ平面寸法を１μｍ×２μｍとした。図４３には、容量素子２０ａ１の容量変化と、絶縁膜１４の厚みとに基づいて得られた位置ずれ量について示す。例えば、容量素子２０ａ１の容量を測定したところ、０．１０８ｆＦの容量が得られ、この容量と絶縁膜の厚みとに基づいて位置ずれ量を求めると、−０．０２μｍとなる。
【０１００】
本実施の形態では、上述のように、絶縁膜１４を間にして第１導電層２１および第２導電層２２を有する容量素子２０ａ１，２０ａ２と、絶縁膜１４の厚みを測定するための膜厚測定素子２Ａとを備える。このような構成により、容量素子２０ａ１，２０ａ２の容量変化と絶縁膜の厚みとに基づいて、第１導電層２１および第２導電層２２間における位置ずれを検出可能となる。この際、絶縁膜１４の厚みが既知であることから、絶縁膜１４の厚みのばらつきの影響を受けずに位置ずれを精確に検出できる。よって、位置ずれによる不良を精度良く検出することが可能となる。
【０１０１】
＜変形例２＞
図４４は、上記第２の実施の形態の変形例に係る半導体装置の要部構成を表す模式図である。この半導体装置では、第１導電層２１が２×２の配列で設けられており、これらの計４つの第１導電層２１に対して１つの第２導電層２２が配置されている。このような構成により、１つの第２導電層２２に対応して４つの容量素子２０ａ１，２０ａ２，２０ａ３，２０ａ４が形成されている。換言すると、４つの第１導電層２１のそれぞれの少なくとも一部に第２導電層２２が重畳して配置されており、各重畳部分が容量素子２０ａ１〜２０ａ４に相当する。このようなレイアウト構成の容量素子を用いることにより、Ｘ軸方向およびＹ軸方向の２軸方向に沿った位置ずれを検出可能となる。
【０１０２】
図４５Ａおよび図４５Ｂを参照して、本変形例の位置検出に用いられる演算式の導出について説明する。具体的には、まず図４５Ａに示したように、位置ずれが生じていない（設計値通りの）レイアウトにおいて、容量素子２０ａ１〜２０ａ４が同一の形状および面積を有するものとし、それぞれのＸ軸方向における幅をＷ、Ｙ軸方向における幅をＨとする。本変形例では、幅Ｗ（または幅Ｈ）と、容量素子２０ａ１〜２０ａ４の面積（Ｓ１〜Ｓ４）との関係から、位置ずれ量（ｄｘ，ｄｙ）を導出することができる。なお、面積Ｓ１〜Ｓ４は、上述した式（９）に基づき、容量素子２０ａ１〜２０ａ４の容量（Ｃ１〜Ｃ４）と、膜厚測定素子２Ａにより測定された絶縁膜１４の膜厚ｄとから算出することができる。
【０１０３】
具体的には、図４５Ｂに示したように、第１導電層２１と第２導電層２２との間で、Ｘ軸方向における正の向き（図の右向き）にｄｘ、Ｙ軸方向における正の向き（図の上向き）にｄｙの位置ずれがそれぞれ生じている場合を想定する。この場合、容量素子２０ａ１〜２０ａ４の面積Ｓ１〜Ｓ４は、以下の式(10-1)〜(10-4)のように表すことができる。
Ｓ１＝(Ｗ＋ｄｘ)(Ｈ−ｄｙ)＝ＨＷ−Ｗｄｙ＋Ｈｄｘ−ｄｘｄｙ  …（10-1）
Ｓ２＝(Ｗ＋ｄｘ)(Ｈ＋ｄｙ)＝ＨＷ＋Ｗｄｙ＋Ｈｄｘ＋ｄｘｄｙ  …（10-2）
Ｓ３＝(Ｗ−ｄｘ)(Ｈ＋ｄｙ)＝ＨＷ＋Ｗｄｙ−Ｈｄｘ−ｄｘｄｙ  …（10-3）
Ｓ４＝(Ｗ−ｄｘ)(Ｈ−ｄｙ)＝ＨＷ−Ｗｄｙ−Ｈｄｘ＋ｄｘｄｙ  …（10-4）
【０１０４】
上記式(10-1)〜(10-4)を用いて、ｄｘおよびｄｙを導出することができる。例えば、Ｘ軸方向における位置ずれ量ｄｘについては、次のようにして導出する。まず、上記式(10-1),(10-2)を足し合わせて以下の式（11-1）を、上記式(10-3),(10-4)を足し合わせて以下の式(11-2)を得る。即ち、Ｙ軸方向に沿って配列した容量素子の面積の式同士を足し合わせる。これらの式(11-1),(11-2)から、「２ＨＷ」の項を消し、ｄｘについて解くと、式(11-3)が得られる。
Ｓ１＋Ｓ２＝２ＨＷ＋２Ｈｄｘ            …（11-1）
Ｓ３＋Ｓ４＝２ＨＷ−２Ｈｄｘ            …（11-2）
ｄｘ＝（Ｓ１＋Ｓ２−Ｓ３−Ｓ４）／４Ｈ    …（11-3）
【０１０５】
一方、Ｙ軸方向における位置ずれ量ｄｙについては、次のようにして導出する。まず、上記式(10-2),(10-3)を足し合わせて以下の式(12-1)を、上記式(10-1),(10-4)を足し合わせて以下の式(12-2)を得る。即ち、Ｘ軸方向に沿って配列した容量素子の面積の式同士を足し合わせる。これらの式(12-1),(12-2)から、「２ＨＷ」の項を消し、ｄｙについて解くと、式(12-3)が得られる。
Ｓ２＋Ｓ３＝２ＨＷ＋２Ｗｄｙ              …（12-1）
Ｓ１＋Ｓ４＝２ＨＷ−２Ｗｄｙ              …（12-2）
ｄｙ＝（−Ｓ１＋Ｓ２＋Ｓ３−Ｓ４）／４Ｗ    …（12-3）
【０１０６】
上記のように、本変形例では、膜厚測定素子２Ａにより測定された絶縁膜１４の膜厚ｄと、容量素子２０ａ１〜２０ａ４の各容量の値と、第１導電層２１および第２導電層２２の重畳部分の設計値（幅Ｗ，Ｈ）とを用いた演算処理によって、位置ずれ量（ｄｘ、ｄｙ）を求めることができる。これにより、上記第１，第２の実施の形態と同等の効果を得ることができると共に、予め容量と位置ずれ量との関係を表すテーブルなどを保持しておく必要がなくなる。また、４つの容量素子２０ａ１〜２０ａ４から測定された容量を用いるので、測定誤差が軽減されると共に、寄生容量がキャンセルされ易く、Ｘ，Ｙの２軸方向における位置ずれを精度良く検出可能となる。
【０１０７】
＜変形例３＞
図４６Ａは、変形例３に係る第２導電層１２を構成するサブ導電層１２ａの形状パターンについて説明するための模式図である。上記第１および第２実施の形態では、第２導電層（あるいは第２導電層のサブ導電層）の形状として、矩形状や方形状のものを例に挙げたが、サブ導電層のＸＹ平面形状は、本変形例のように、矩形状（導電層２４ａ）の他にも、三角形状（導電層２４ｂ）あるいは半円形状（導電層２４ｃ）であってもよい。図４６Ｂに、位置ずれ量に対する容量変化の関係について示す。このように、導電層２４ａ〜２４ｃの平面形状によって容量変化が異なり、例えば半円形状の導電層２４ｃでは、他の形状の導電層２４ａ，２４ｂに比べて、微小なずれ量に対して容量変化が大きくなる（ずれ量に対する容量の感度が高くなる）。但し、各導電層２４ａ〜２４ｃにおける面積はほぼ同程度となるように設計している。具体的には、矩形状のサブ導電層２４ａでは、短辺を０．５μｍ，長辺を２μｍとし、三角形状のサブ導電層２４ｂでは、底辺を１μｍ，高さを２μｍとし、半円形状のサブ導電層２４ｃでは半径を０、８μｍとした。
【０１０８】
＜第３の実施の形態＞
図４７Ａは、本実施の形態の半導体装置の要部構成を表す模式図である。本実施の形態の半導体装置では、上記第１の実施の形態の半導体装置１と同様、容量素子を用いた電気的測定により位置ずれによる不良を検出可能となっている。また、第１導電層２１および第２導電層２２のレイアウトについては、上記第２の実施の形態の半導体装置２と同様であり、２以上の第１導電層２１の少なくとも一部に第２導電層２２が重畳して配置されている。但し、本実施の形態では、膜厚測定素子２Ａが不要である。また、図示はしないが、第１導電層２１および第２導電層２２には、測定部３０が接続されており、上記第１の実施の形態と同様、測定部３０において（あるいは測定部３０を介して）、容量測定および位置検出がなされる。本実施の形態では、測定した容量値の差分および和を用いた演算処理により、絶縁膜１４の膜厚のばらつきの影響を受けずに、精度よく位置ずれ検出が可能となっている。
【０１０９】
導電層のレイアウトは特に限定されないが、複数（ここでは２つ）の第１導電層２１が所定の間隔で一軸方向（例えばＸ軸方向）に沿って配置され、これら２つの第１導電層２１の各一部に跨って１つの第２導電層２２が配置された場合を例に挙げる。これらの第１導電層２１および第２導電層２２の重畳部分が、容量素子２０ａＬ，２０ａＲ（第１容量素子）となっている。第１導電層２１のＸＹ平面形状は、例えば矩形状（あるいは方形状）である。第２導電層２２のＸＹ平面形状は、一軸方向（ここではＸ軸方向）に沿って長辺を有する矩形状であり、Ｙ軸方向における幅がＨとなっている。また、位置ずれのない設計値（図４７Ａ）では、第２導電層２２の第１導電層２１との重畳部分のＸ軸方向における幅がＷとなっている。このようなレイアウト構成を有する半導体装置を用いて、Ｘ軸方向における位置ずれを検出する場合の演算式の導出について、以下説明する。
【０１１０】
まず、前述の式（９）における「ε０ε／ｄ」を係数ｋと置くと、設計値（図４７Ａ）では、容量素子２０ａＬ，２０ａＲの各容量（ＣＬ，ＣＲとする）は、以下の式（１３）によって表される。
ＣＬ＝ＣＲ＝ｋ・Ｗ・Ｈ    ………（１３）
【０１１１】
そして、設計値から位置ずれが生じた場合（図４７Ｂ）の、容量素子２０ａＬ，２０ａＲの容量ＣＬ，ＣＲは、以下の式(14-1),(14-2)のように表すことができる。尚、ここでは、Ｘ軸方向の正の向き（図の右向き）にｄｘの位置ずれが生じている場合を想定している。これらの式(14-1),(14-2)から、係数ｋを消すことができ、ｄｘについての以下の式（１５）が得られる。
ＣＲ＝ｋ（Ｗ＋ｄｘ）Ｈ                  ……（14-1）
ＣＬ＝ｋ（Ｗ−ｄｘ）Ｈ                  ……（14-2）
ｄｘ＝Ｗ（ＣＲ−ＣＬ）／（ＣＲ＋ＣＬ）    ……（１５）
【０１１２】
あるいは、次のような考え方も可能である。図４８Ａに示したように、２つの容量素子２０ａＬ，２０ａＲの面積の差分は「２ｄｘＨ」であり、図４８Ｂに示したように、２つの容量素子２０ａＬ，２０ａＲの面積の和は「２ＷＨ」である。これらの比をとると、以下の式（１６）のように「ｄｘ／Ｗ」となる。ここで、容量は面積に係数ｋを乗じたものであるから、面積の差分と和の比率は、容量の差分と和の比率と等しく、以下の式（１７）のように表すことができる。これは、上記式（１５）と等価である。
２ｄｘＨ／２ＷＨ＝ｄｘ／Ｗ            ……（１６）
ｄｘ／Ｗ＝（ＣＲ−ＣＬ）／（ＣＲ＋ＣＬ）  ……（１７）
【０１１３】
このように、本実施の形態では、容量素子２０ａＬ，２０ａＲの容量ＣＬ，ＣＲと、設計値（この場合は、Ｘ軸方向の幅Ｗ）とが既知であれば、位置ずれ量（ｄｘ）を演算処理によって容易に算出可能である。演算処理としては、容量ＣＬ，ＣＲの差分（ＣＲ−ＣＬ）および和（ＣＲ＋ＣＬ）を用いているところが特徴であり、これによって、予め容量と位置ずれ量との関係などを保持しておく必要がなくなり、装置構成を簡易化できる。換言すると、一軸方向の位置ずれ（ここではｄｘ）を、２つの容量ＣＬ，ＣＲと一軸方向の幅（ここではＷ）との３つのパラメータのみを用いて、検出することができる。特に、式（１５）の導出過程において、絶縁膜１４の膜厚ｄを含む係数ｋが消えることから、式（１５）に基づく位置ずれ検出により、絶縁膜１４の厚みのばらつきの影響を受けない。よって、上記第１および第２の実施の形態と同等の効果を得ることができる。
【０１１４】
＜変形例４−１＞
図４９Ａは、上記第３の実施の形態の変形例（変形例４−１）に係る半導体装置の要部構成を表す模式図である。この半導体装置では、導電層のレイアウトが例えば上記変形例２と同様となっている。即ち、第１導電層２１が２×２の配列で設けられており、これらの４つの第１導電層２１に対して１つの第２導電層２２が配置されている。また、第２導電層２２は、各第１導電層２１の少なくとも一部に重畳して配置されている。これにより、１つの第２導電層２２に対応して４つの容量素子２０ａ１〜２０ａ４（第１容量素子）が形成されている。なお、図４９Ａは、位置ずれのない設計値通りのレイアウトを示しており、容量素子２０ａ１〜２０ａ４が同一の形状および面積を有している。また、第２導電層２２の第１導電層２１との重畳部分のＸ軸方向における幅をＷ、Ｙ軸方向における幅をＨとする。このような容量素子を有する半導体装置を用いることにより、Ｘ軸方向およびＹ軸方向の２軸方向に沿った位置ずれを検出可能となる。以下、本変形例の位置ずれ検出に用いられる演算式の導出について説明する。
【０１１５】
まず、設計値（図４９Ａ）から位置ずれが生じた場合（図４９Ｂ）の容量素子２０ａ１〜２０ａ４の容量（Ｃ１〜Ｃ４）は、係数ｋを用いて、以下の式(18-1)〜(18-4)のように表すことができる。尚、ここでは、Ｘ軸方向における正の向き（図の右向き）にｄｘ、Ｙ軸方向における正の向き（図の上向き）にｄｙの位置ずれがそれぞれ生じている場合を想定する。
Ｃ１＝ｋ(Ｗ＋ｄｘ)(Ｈ−ｄｙ)＝ｋ(ＨＷ−Ｗｄｙ＋Ｈｄｘ−ｄｘｄｙ)…（18-1）
Ｃ２＝ｋ(Ｗ＋ｄｘ)(Ｈ＋ｄｙ)＝ｋ(ＨＷ＋Ｗｄｙ＋Ｈｄｘ＋ｄｘｄｙ)…（18-2）
Ｃ３＝ｋ(Ｗ−ｄｘ)(Ｈ＋ｄｙ)＝ｋ(ＨＷ＋Ｗｄｙ−Ｈｄｘ−ｄｘｄｙ)…（18-3）
Ｃ４＝ｋ(Ｗ−ｄｘ)(Ｈ−ｄｙ)＝ｋ(ＨＷ−Ｗｄｙ−Ｈｄｘ＋ｄｘｄｙ)…（18-4）
【０１１６】
上記式(18-1)〜(18-4)を用いて、ｄｘおよびｄｙを導出することができる。まず、上記式(18-1)〜(18-4)を足し合わせると（容量素子２０ａ１〜２０ａ４の容量（Ｃ１〜Ｃ４）を全て足し合わせると）、以下の式（１９）が得られる。従って、係数ｋは、以下の式（２０）のように表すことができる。
Ｃ１＋Ｃ２＋Ｃ３＋Ｃ４＝４ｋＨＷ              …（１９）
ｋ＝（Ｃ１＋Ｃ２＋Ｃ３＋Ｃ４）／（４ＨＷ）    …（２０）
【０１１７】
そして、Ｘ軸方向における位置ずれ量ｄｘについては、次のようにして導出される。即ち、Ｘ軸方向に沿って幅が増えた容量素子（ここでは、容量素子２０ａ１，２０ａ２）の容量の和と、幅が減った容量素子（ここでは、容量素子２０ａ３，２０ａ４）の容量の和との差分をとると、以下の式（２１）が得られる。この式（２１）の係数ｋに上記式（２０）の右辺を代入すると、以下の式（２２）が得られる。
（Ｃ１＋Ｃ２）−（Ｃ３＋Ｃ４）＝４ｋＨｄｘ                    …（２１）
ｄｘ＝Ｗ（Ｃ１＋Ｃ２−Ｃ３−Ｃ４）／（Ｃ１＋Ｃ２＋Ｃ３＋Ｃ４）    …（２２）
【０１１８】
一方、Ｙ軸方向における位置ずれ量ｄｙについては、次のようにして導出される。即ち、Ｙ軸方向に沿って幅が増えた容量素子（ここでは、容量素子２０ａ２，２０ａ３）の容量の和と、幅が減った容量素子（ここでは、容量素子２０ａ１，２０ａ４）の容量の和との差分をとると、以下の式（２３）が得られる。この式（２３）の係数ｋに上記式（２０）の右辺を代入すると、以下の式（２４）が得られる。
（Ｃ２＋Ｃ３）−（Ｃ１＋Ｃ４）＝４ｋＷｄｙ                    …（２３）
ｄｙ＝Ｈ（Ｃ２＋Ｃ３−Ｃ１−Ｃ４）／（Ｃ１＋Ｃ２＋Ｃ３＋Ｃ４）    …（２４）
【０１１９】
上記のように、本変形例では、容量素子２０ａ１〜２０ａ４の各容量と、設計値（幅Ｗ，Ｈ）とが既知であれば、２軸方向における位置ずれ量（ｄｘ，ｄｙ）を演算処理によって容易に算出可能である。演算処理としては、上記第３の実施の形態と同様、容量の差分および和を用いているところが特徴である。また、式（２２），（２４）の導出過程において、絶縁膜１４の膜厚ｄを含む係数ｋが消えることから、式（２２），（２４）を用いて位置ずれ量を検出することにより、絶縁膜１４の厚みのばらつきの影響を受けずに済む。よって、上記第１および第２の実施の形態と同等の効果を得ることができる。また、４つの容量素子２０ａ１〜２０ａ４から測定された容量を用いるので、測定誤差が軽減されると共に、寄生容量が軽減され易く、Ｘ，Ｙの２軸方向における位置ずれを精度良く検出可能となる。
【０１２０】
＜変形例４−２＞
図５０Ａは、上記第３の実施の形態の変形例（変形例４−２）に係る半導体装置の要部構成を表す模式図である。図５０Ｂは、１の容量素子（例えば容量素子２０ｂ２）を拡大した模式図である。この半導体装置では、導電層のレイアウトにおいて、第２導電層（第２導電層２２Ａ）の形状、あるいは配置方法が異なっていること以外の構成は、上記変形例４−１と同様となっている。即ち、第１導電層２１が２×２の配列で設けられており、これらの４つの第１導電層２１に対して１つの第２導電層２２Ａが配置されている。また、第２導電層２２Ａは、各第１導電層２１の少なくとも一部に重畳して配置されている。これにより、１つの第２導電層２２Ａに対応して４つの容量素子２０ｂ１〜２０ｂ４が形成されている。なお、図５０Ａでは、第２導電層２２Ａの位置ずれのない設計値通りのレイアウトを破線で示し、位置ずれが生じているレイアウトを実線で示している。また、第２導電層２２Ａの第１導電層２１との重畳部分のＸ軸方向における幅をＷ、Ｙ軸方向における幅をＨとする。
【０１２１】
本変形例では、第２導電層２２ＡのＸＹ平面形状が、例えばひし形あるいは方形状であり、その頂点Ｆ１が第１導電層２１同士の間隙Ｂ内に配置されるように、レイアウトされている。また、間隙Ｂは、位置ずれが生じた場合にも各頂点Ｆ１が第１導電層２１に重ならないような大きさに設計されていることが望ましい。これにより、各第１導電層２１と第２導電層２２Ａとの重畳部分（容量素子２０ｂ１〜２０ｂ４の面積）のＸＹ平面形状が互いに相似形（三角形状）となる。本変形例では、以下のようにして演算式が導出され、位置ずれ検出がなされる。
【０１２２】
まず、設計値（図５０Ａの破線）から位置ずれが生じた場合（図５０Ａの実線）の容量素子２０ｂ１〜２０ｂ４の容量（Ｃ１〜Ｃ４）は、係数ｋを用いて、以下の式(25-1)〜(25-4)のように表すことができる。尚、ここでは、Ｘ軸方向における正の向き（図の右向き）にｄｘ、Ｙ軸方向における正の向き（図の上向き）にｄｙの位置ずれがそれぞれ生じている場合を想定する。
Ｃ１＝{ｋ(Ｗ＋ｄｘ)(Ｈ−ｄｙ)}／２      …（25-1）
Ｃ２＝{ｋ(Ｗ＋ｄｘ)(Ｈ＋ｄｙ)}／２      …（25-2）
Ｃ３＝{ｋ(Ｗ−ｄｘ)(Ｈ＋ｄｙ)}／２      …（25-3）
Ｃ４＝{ｋ(Ｗ−ｄｘ)(Ｈ−ｄｙ)}／２      …（25-4）
【０１２３】
上記変形例４−１と同様に、上記式(25-1)〜(25-4)を用いて、ｄｘおよびｄｙを導出できる。まず、上記式(25-1)〜(25-4)を足し合わせ（容量素子２０ｂ１〜２０ｂ４の容量（Ｃ１〜Ｃ４）を全て足し合わせ）、係数ｋについての以下の式（２６）を得る。
ｋ＝（Ｃ１＋Ｃ２＋Ｃ３＋Ｃ４）／（２ＨＷ）    …（２６）
【０１２４】
また、Ｘ軸方向における位置ずれは、上記変形例４−１と同様、例えば容量素子２０ｂ１，２０ｂ２の容量の和と、容量素子２０ｂ３，２０ｂ４の容量の和との差分をとり、以下の式（２７）が得られる。この式（２７）の係数ｋに上記式（２６）の右辺を代入すると、以下の式（２８）が得られる。つまり、上記変形例４−１の式（２２）と同じ式が得られる。
ｄｘ＝（Ｃ１＋Ｃ２−Ｃ３−Ｃ４）／２ｋＨ                      …（２７）
ｄｘ＝Ｗ（Ｃ１＋Ｃ２−Ｃ３−Ｃ４）／（Ｃ１＋Ｃ２＋Ｃ３＋Ｃ４）    …（２８）
【０１２５】
一方、Ｙ軸方向における位置ずれは、上記変形例４−１と同様、例えば容量素子２０ｂ２，２０ｂ３）の容量の和と、容量素子２０ｂ１，２０ｂ４の容量の和との差分をとり、以下の式（２９）が得られる。この式（２９）の係数ｋに上記式（２６）の右辺を代入すると、以下の式（３０）が得られる。つまり、上記変形例４−１の式（２４）と同じ式が得られる。
ｄｙ＝（Ｃ２＋Ｃ３−Ｃ１−Ｃ４）／２ｋＷ                      …（２９）
ｄｙ＝Ｈ（Ｃ２＋Ｃ３−Ｃ１−Ｃ４）／（Ｃ１＋Ｃ２＋Ｃ３＋Ｃ４）    …（３０）
【０１２６】
上記のように、第２導電層２２Ａの形状および配置は、上記第３の実施の形態および変形例４−１のような方形状や矩形状に限定されるものではなく、様々なレイアウトが可能である。また、本変形例では、容量素子２０ｂ１〜２０ｂ４の各形状が三角形である。ここで、上述の変形例３において、三角形状は、矩形状に比べ位置ずれに対する容量の感度が高いことを述べたが、本変形例では、面積が、増える容量素子の組と減る容量素子の組とにおいて相殺されることから、上記変形例４−１の場合と同じ演算式が得られた。
【０１２７】
＜変形例５−１〜５−５＞
尚、上記第２および第３の実施の形態において説明した導電層のレイアウトは、上述したものに限定されない。例えば、第１導電層２１のＸＹ平面形状と第２導電層２２の平面形状とは、互いに同一であってもよいが、異なっていてもよい。
【０１２８】
具体的には、図５１Ａに示した変形例５−１のように、方形状の第１導電層２１に対し、円形状の第２導電層２２Ｂが配置されたレイアウトであってもよい。この場合、第２導電層２２Ｂの各点Ｆ２が、各第１導電層２１に重ならないように、間隙Ｂが設定されていることが望ましい。また、図５１Ｂに示した変形例５−２のように、円形状の第１導電層２１Ａに対し、方形状の第２導電層２２が配置されたレイアウトであってもよい。この他にも、図５１Ｃに示した変形例５−３のように、三角形状の第１導電層２１Ｂに対し、方形状の第２導電層２２が配置されたレイアウトであってもよい。また、図５１Ｄに示した変形例５−４のように、半円形状の第１導電層２１Ｃに対し、方形状の第２導電層２２が配置されたレイアウトであってもよい。更には、図５１Ｅに示した変形例５−５のように、円形状の第１導電層２１Ａに対し、円形状の第２導電層２２Ｂが配置されたレイアウトであってもよい。
【０１２９】
このように、第１導電層および第２導電層の各形状としては様々なものが挙げられ、その組み合わせも多様である。また、上述した第１導電層および第２導電層のうち一方が上層、他方が下層に配置されていればよく、上下の位置関係は特に限定されない。
【０１３０】
以上、実施の形態を挙げて本開示を説明したが、本開示はこれらの実施の形態に限定されず、種々の変形が可能である。例えば、上記実施の形態等では、第１導電層１１上に絶縁膜１４および第２導電層１２がこの順に形成された場合を例示したが、第１導電層１１および第２導電層１２は少なくとも一部が重畳して配置されていれば、位置関係が上下逆であってもよい。即ち、上述したような複数のサブ導電層１２ａからなる第２導電層１２上に、絶縁膜１４を介して第１導電層１１が形成されていてもよい。
【０１３１】
また、上記実施の形態等において説明した第１導電層１１および第２導電層１２の各平面形状およびレイアウトについては一例であり、本開示は、上記構成例に限定されるものではない。また、上記実施の形態等において説明した効果は一例であり、他の効果であってもよいし、更に他の効果を含んでいてもよい。
【０１３２】
尚、本開示は以下のような構成であってもよい。
（１）
半導体よりなる基板と、
前記基板上に形成された、複数の第１容量素子からなる素子群とを備え、
前記素子群は、絶縁膜を間にして、少なくとも一部において重畳して設けられた第１および第２の導電層を有し、
前記第１の導電層は一の方向に沿って延在する端縁を含み、
前記第２の導電層は、互いに略同一形状を有する複数のサブ導電層を含み、かつ
前記複数のサブ導電層は、前記第１の導電層の前記端縁に対して、相対的に異なる位置に配置されている
半導体装置。
（２）
前記素子群において、
前記第２の導電層では、前記複数のサブ導電層が互いに電気的に分離して配置され、
前記第１の導電層は、前記複数のサブ導電層に対して１つ設けられるか、または電気的に接続された状態で複数設けられている
上記（１）に記載の半導体装置。
（３）
前記複数のサブ導電層は、一軸方向に沿って段階的にシフトした位置に配置されている
上記（１）または（２）に記載の半導体装置。
（４）
前記素子群は、前記基板上の複数箇所に設けられている
上記（１）〜（３）のいずれかに記載の半導体装置。
（５）
前記素子群は、直交する２つの軸方向のそれぞれに沿って設けられている
上記（１）〜（４）のいずれかに記載の半導体装置。
（６）
前記複数のサブ導電層の面形状は、矩形状、半円状または三角形状である
上記（１）〜（５）のいずれかに記載の半導体装置。
（７）
前記素子群における静電容量に基づいて、前記第１および第２の導電層間の位置ずれ量を検出する検出回路を更に備えた
上記（１）〜（６）のいずれかに記載の半導体装置。
（８）
前記検出回路は、前記素子群における前記複数の第１容量素子の各静電容量の相対比較により、前記位置ずれ量を検出する
上記（７）に記載の半導体装置。
（９）
前記基板上に設けられた第２容量素子と、
前記検出回路により検出された位置ずれ量に基づいて、前記第２容量素子の静電容量を補正するための補正回路とを更に備えた
上記（７）または（８）に記載の半導体装置。
（１０）
前記補正回路は、前記第２容量素子に並列接続された複数の第３容量素子を有し、
前記複数の第３容量素子のうちの一部または全部の第３容量素子が、前記位置ずれ量に基づく補正により電気的に切断されている
上記（９）に記載の半導体装置。
（１１）
半導体よりなる基板と、
前記基板上に複数形成され、それぞれが絶縁膜を間にして第１および第２の導電層を有する第１容量素子と、
複数の前記第１容量素子の静電容量に基づいて、前記第１および第２の導電層間の位置ずれ量を検出する検出回路とを備え、
前記第１の導電層は複数設けられ、
前記第２の導電層は、各第１の導電層の少なくとも一部に重畳して設けられ、
前記検出回路は、前記複数の第１容量素子のうちの選択的な容量素子の静電容量の差分および和を用いた演算処理により前記位置ずれ量を検出するように構成されている
半導体装置。
（１２）
前記第１の導電層は、一軸方向に沿って複数配置され、
前記第２の導電層は、前記一軸方向に沿って配置された第１の導電層の各一部に跨って配置されている
上記（１１）に記載の半導体装置。
（１３）
前記第１の導電層は、直交する２つの軸方向に沿って２次元配置され、
前記第２の導電層は、前記２次元配置された第１の導電層の各一部に跨って配置されている
上記（１１）に記載の半導体装置。
（１４）
前記第１の導電層は、２行２列の配列で配置されている
上記（１３）に記載の半導体装置。
（１５）
前記検出回路は、前記複数の第１容量素子の静電容量と、各第１容量素子における少なくとも一軸方向の幅の設計値とをパラメータとして含む演算処理を行うものである
上記（１１）〜（１４）のいずれかに記載の半導体装置。
（１６）
半導体よりなる基板上の層間における相対的な位置ずれ量を、複数の第１容量素子からなる素子群の電気的測定に基づいて検出するステップと、
検出された位置ずれ量に基づいて、前記基板上の領域毎に不良判定を行うステップとを含み、
前記素子群は、絶縁膜を間にして、少なくとも一部において重畳して設けられた第１および第２の導電層を有し、
前記第１の導電層は一の方向に沿って延在する端縁を含み、
前記第２の導電層は、互いに略同一形状を有する複数のサブ導電層を含み、かつ
前記複数のサブ導電層は、前記第１の導電層の前記端縁に対して、相対的に異なる位置に配置されている
試験方法。
（１７）
前記位置ずれ量を検出するステップでは、前記素子群における前記複数の第１容量素子の各静電容量の相対比較により、前記位置ずれ量を検出する
上記（１６）に記載の試験方法。
（１８）
前記基板上の各領域のうち不良と判定された領域に対応して、位置ずれによる不良箇所が記録されたマップを作成するステップを更に含む
上記（１６）または（１７）に記載の試験方法。
（１９）
半導体よりなる基板上の層間における相対的な位置ずれ量を、複数の第１容量素子を用いた電気的測定により検出するステップと、
検出された位置ずれ量に基づいて、前記基板上の領域毎に不良判定を行うステップとを含み、
前記位置ずれ量を検出するステップでは、前記複数の第１容量素子のうちの選択的な容量素子の静電容量の差分および和を用いた演算処理により前記位置ずれ量を検出し、
前記第１容量素子は、絶縁膜を間にして、複数の第１の導電層と、各第１の導電層の少なくとも一部に重畳する第２の導電層とを有する
試験方法。
（２０）
前記基板上の各領域のうち不良と判定された領域に対応して、位置ずれによる不良箇所が記録されたマップを作成するステップを更に含む
上記（１９）の試験方法。
【０１３３】
また、本開示は以下のような構成であってもよい。
（２１）
半導体よりなる基板と、
前記基板上に形成されると共に、絶縁膜を間にして第１および第２の導電層を有する第１容量素子と、
前記第１容量素子の前記絶縁膜の厚みを測定するための膜厚測定素子とを備え、
前記第１および第２の導電層は、少なくとも一部において重畳して設けられている
半導体装置。
（２２）
前記第１の導電層は一の方向に沿って延在する端縁を含み、
前記第２の導電層は、前記第１の導電層の前記端縁の一部に対向して設けられると共に、前記第１の導電層に重畳する部分と、前記第１の導電層に非重畳の部分とを有する
上記（２１）に記載の半導体装置。
（２３）
前記膜厚測定素子は、前記第１容量素子に隣接して設けられ、
前記第１容量素子の前記絶縁膜と同層に形成された測定用絶縁膜と、
前記測定用絶縁膜を間にして対向配置された第３および第４の導電層とを有し、
前記第４の導電層は、前記第３の導電層の形成領域のうちの局所的な領域にのみ重畳して設けられている
上記（２１）または（２２）に記載の半導体装置。
（２４）
前記第１容量素子を構成する前記第１および第２の導電層の組が複数設けられている
上記（２１）〜（２３）のいずれかに記載の半導体装置。
（２５）
前記第１容量素子を構成する前記第１および第２の導電層の組が、直交する２つの軸方向のそれぞれに沿って設けられている
上記（２１）〜（２４）のいずれかに記載の半導体装置。
（２６）
半導体よりなる基板上の層間における相対的な位置ずれ量を、第１容量素子を用いた電気的測定により検出するステップと、
検出された位置ずれ量に基づいて、前記基板上の領域毎に不良判定を行うステップとを含み、
前記第１容量素子は、絶縁膜を間にして少なくとも一部において重畳して設けられた第１および第２の導電層を有し、
前記位置ずれ量を検出するステップでは、前記第１容量素子の絶縁膜の厚みを測定し、測定した厚みを考慮して前記位置ずれ量を検出する
試験方法。
（２７）
前記基板上の各領域のうち不良と判定された領域に対応して、位置ずれによる不良箇所が記録されたマップを作成するステップを更に含む
上記（２６）に記載の試験方法。
【符号の説明】
【０１３４】
１〜３…半導体装置、１Ａ〜１Ｈ…素子群、２Ａ…膜厚測定素子、１０ａ，２０ａ１，２０ａ２…容量素子、１１，２１…第１導電層、１２，２２…第２導電層、１２ａ…サブ導電層、１３…基板、１４…絶縁膜、２０Ｘ，２０Ｙ…セレクタ回路、３０…測定部、４０…補正回路、ｂ１，ｂ２…端縁
【図１Ａ】
2015070195.tif 000003
【図１Ｂ】
2015070195.tif 000004
【図２Ａ】
2015070195.tif 000005
【図２Ｂ】
2015070195.tif 000006
【図３】
2015070195.tif 000007
【図４Ａ】
2015070195.tif 000008
【図４Ｂ】
2015070195.tif 000009
【図４Ｃ】
2015070195.tif 000010
【図５】
2015070195.tif 000011
【図６Ａ】
2015070195.tif 000012
【図６Ｂ】
2015070195.tif 000013
【図７Ａ】
2015070195.tif 000014
【図７Ｂ】
2015070195.tif 000015
【図８】
2015070195.tif 000016
【図９】
2015070195.tif 000017
【図１０Ａ】
2015070195.tif 000018
【図１０Ｂ】
2015070195.tif 000019
【図１１】
2015070195.tif 000020
【図１２】
2015070195.tif 000021
【図１３】
2015070195.tif 000022
【図１４】
2015070195.tif 000023
【図１５】
2015070195.tif 000024
【図１６】
2015070195.tif 000025
【図１７Ａ】
2015070195.tif 000026
【図１７Ｂ】
2015070195.tif 000027
【図１８Ａ】
2015070195.tif 000028
【図１８Ｂ】
2015070195.tif 000029
【図１９Ａ】
2015070195.tif 000030
【図１９Ｂ】
2015070195.tif 000031
【図２０Ａ】
2015070195.tif 000032
【図２０Ｂ】
2015070195.tif 000033
【図２１Ａ】
2015070195.tif 000034
【図２１Ｂ】
2015070195.tif 000035
【図２２Ａ】
2015070195.tif 000036
【図２２Ｂ】
2015070195.tif 000037
【図２３Ａ】
2015070195.tif 000038
【図２３Ｂ】
2015070195.tif 000039
【図２４Ａ】
2015070195.tif 000040
【図２４Ｂ】
2015070195.tif 000041
【図２５】
2015070195.tif 000042
【図２６Ａ】
2015070195.tif 000043
【図２６Ｂ】
2015070195.tif 000044
【図２７】
2015070195.tif 000045
【図２８】
2015070195.tif 000046
【図２９】
2015070195.tif 000047
【図３０Ａ】
2015070195.tif 000048
【図３０Ｂ】
2015070195.tif 000049
【図３１】
2015070195.tif 000050
【図３２】
2015070195.tif 000051
【図３３】
2015070195.tif 000052
【図３４】
2015070195.tif 000053
【図３５】
2015070195.tif 000054
【図３６】
2015070195.tif 000055
【図３７】
2015070195.tif 000056
【図３８Ａ】
2015070195.tif 000057
【図３８Ｂ】
2015070195.tif 000058
【図３９】
2015070195.tif 000059
【図４０】
2015070195.tif 000060
【図４１】
2015070195.tif 000061
【図４２】
2015070195.tif 000062
【図４３】
2015070195.tif 000063
【図４４】
2015070195.tif 000064
【図４５Ａ】
2015070195.tif 000065
【図４５Ｂ】
2015070195.tif 000066
【図４６Ａ】
2015070195.tif 000067
【図４６Ｂ】
2015070195.tif 000068
【図４７Ａ】
2015070195.tif 000069
【図４７Ｂ】
2015070195.tif 000070
【図４８Ａ】
2015070195.tif 000071
【図４８Ｂ】
2015070195.tif 000072
【図４９Ａ】
2015070195.tif 000073
【図４９Ｂ】
2015070195.tif 000074
【図５０Ａ】
2015070195.tif 000075
【図５０Ｂ】
2015070195.tif 000076
【図５１Ａ】
2015070195.tif 000077
【図５１Ｂ】
2015070195.tif 000078
【図５１Ｃ】
2015070195.tif 000079
【図５１Ｄ】
2015070195.tif 000080
【図５１Ｅ】
2015070195.tif 000081