(57)【要約】      （修正有）【課題】窒化アルミニウム（AlN）-焼結助剤系を出発組成として、AlN結晶粒の成長を促進し、粗大AlN結晶粒（例えば、粒径30μm以上のAlN結晶粒）を製造する方法を提供する。【解決手段】本発明の方法は、第１段階：AlN及び焼結助剤から成る混合物又はその成形物を、非酸化性雰囲気下、1900℃以下で焼成する段階、及び第2段階：前段階で得た焼結体を、炭素材料に接触させない条件下、前段階よりも高い2000〜２３００℃で、０，５〜１０ＭＰａの加圧下で焼成する段階から成る。前記焼成助剤が希土類酸化物であり、焼成温度が１７５０〜１９００℃であるか又は、前記焼成助剤がアルカリ土類金属であり１７００〜１８５０℃である製法。【選択図】なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
下記2段階から成る窒化アルミニウム（AlN）粗大結晶粒焼結体の製法。
（１）第1段階：AlN及び焼結助剤から成る混合物又はその成形物を、炭素材料に接触させない条件下、非酸化性雰囲気下で焼成する段階であって、該混合物中の該焼結助剤の含有量が3〜5重量％であり、該焼成助剤が希土類酸化物又はアルカリ土類金属酸化物であり、焼成温度が1900℃以下である段階、及び
（２）第2段階：前段階で得た焼結体を、炭素材料に接触させない条件下、非酸化性雰囲気下、及び焼成温度が2000〜2300℃の条件で焼成する段階
【請求項２】
前記第２段階における圧が0.1MPa以上である請求項１に記載の製法。
【請求項３】
前記第２段階における圧が0.5〜10MPa以上である請求項１に記載の製法。
【請求項４】
前記第１段階で生成する焼結体の密度が95％以上である請求項１〜３のいずれか一項に記載の製法。
【請求項５】
前記第１段階において、前記焼成助剤が希土類酸化物であり焼成温度が1750〜1900℃である、又は前記焼成助剤がアルカリ土類金属であり焼成温度が1700〜1850℃である請求項１に記載の製法。
【請求項６】
前記希土類酸化物がY2O3である、又は前記アルカリ土類金属酸化物がCaO又はCaCO3である請求項1〜5のいずれか一項に記載の製法
【請求項７】
第2段階において、前記成形物又は前記焼結体を炭素材料に接触させない条件が、これらを窒化ホウ素又はAlNから成る容器に収納することである請求項１〜６のいずれか一項に記載の製法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は、窒化アルミニウム（以下「AlN」という）の粗大結晶粒を製造する方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
AlNはウルツ鉱型（a=0.3111, c=0.4980）の結晶構造からなり、バンドギャップは6.2eVで電気的には絶縁性を示す。原子間結合は酸化物に比べて共有結合性が強く、優れた耐熱性、耐食性を示す。
一般に、高強度や高熱伝導性を達成するためには材料の緻密化が必要である。AlNは単独では高度の緻密化は困難であったが、イットリア（Y2O3）などの希土類酸化物やカルシア（CaO）などのアルカリ土類金属酸化物を焼結助剤として用いて焼結することにより緻密化を達成でき、さらに焼結過程での工夫により高熱伝導化が可能になっている（非特許文献１）。
また、一方では樹脂の高熱伝導化のための高熱伝導フィラーとしてAlNの粗大粒が求められるが、これに関しては、AlN-焼結助剤系の顆粒成形体を焼成して多結晶体顆粒を製造することが行われているが、この場合、焼結助剤を使用するため焼結体内に粒界相が必然的に存在することになるため（特許文献１など）、高熱伝導化は困難な状態にある。
さらに、粗大なAlやAl2O3粒子を粒子形態を保持した状態でAlNに変換させることも検討されてきたが粗大化は困難であるので、このルートからのAlN粗大結晶粒の開発も近年の重要な課題の一つとなっている（非特許文献２など）。またAlN単結晶については現在昇華法が実施されているが（非特許文献３など）、極めて高価であるため他の合成法の開発が強く求められている。
また、窒化ホウ素容器にAlN粉末原料（焼結助剤を添加しない）を充填し、還元雰囲気下1900℃以上で焼成することにより結晶性の高いAlNを製造する方法が開示されている（特許文献２）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開平５−２３８８３０
【特許文献２】特開２００３−１１９０１０
【非特許文献】
【０００４】
【非特許文献１】米屋勝利ら「熱伝導率・熱拡散率の制御と測定評価方法」サイエンス＆テクノロジー，(2009), p.106-115.
【非特許文献２】Suehiro et al.,J. Eur. Ceram. Soc., 22, 521-526 (2002).
【非特許文献３】佐藤一成ら「窒化アルミニウム単結晶基板の開発」SEIテクニカルレビュー、(2010), 177, 87-91 (2010).
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
本発明は、AlN-焼結助剤系を出発組成として、AlN結晶粒の成長を促進し、粗大AlN結晶粒を製造することを目的とする。この粗大AlN結晶粒とは、原料や製造条件又要求性能にもよるが、例えば、粒径が30μm以上のAlN結晶粒のことをいう。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明者らは鋭意検討の結果、AlNに焼結助剤を加えて焼成することにより粒界相を有するAlN焼結体を生成させる第１段階、及び、この粒界相を有する焼結体をより高温の2000℃以上で焼成してAlN結晶粒を成長させる第２段階の２段階から成る方法により、AlN結晶粒の粒径を大きくすることができることを見出し、本発明を完成させるに至った。
即ち、本発明は、下記2段階から成るAlN粗大結晶粒焼結体の製法である。
（１）第1段階：AlN及び焼結助剤から成る成形体を、炭素材料に接触させない条件下、非酸化性雰囲気下で焼成する段階であって、該混合物中の該焼結助剤の含有量が3〜5重量％であり、該焼成助剤が希土類酸化物又はアルカリ土類金属酸化物であり、焼成温度が1900℃以下である段階、及び
（２）第2段階：前段階で得た焼結体を、炭素材料に接触させない条件下、非酸化性雰囲気下、及び焼成温度が2000〜2300℃の条件で焼成する段階
【図面の簡単な説明】
【０００７】
【図１】AlN焼結体破面の走査型電子顕微鏡写真（SEM写真）を示す図である。Aは実施例１の第１段階で生成したAlN焼結体、Ｂは実施例１の第２段階で生成したAlN焼結体（焼成温度：2000℃）、Ｃは実施例２の第２段階で生成したAlN焼結体（焼成温度：2100℃）、Ｄは実施例３の第２段階で生成したAlN焼結体（焼成温度：2200℃）のものを示す。図１Ａ及びＢの拡大図を図３Ａ及びＢに示す。
【図２】比較例2で得られたAlN焼結体破面のSEM写真を示す図である。Ａは第１段階で生成したAlN焼結体、Ｂは第２段階で得られたAlN焼結体のSEM写真を示す。Ａには拡大図を添付しておくがこの図から粒界相がほとんど存在しないことが確認される。図２Ａの拡大図を図３Ｃに示す。
【図３】図１及び図２のAlN焼結体破面の粒界相のSEM写真の拡大を示す図である。Ａは図１Ａの拡大図、Ｂは図１Ｂの拡大図、Ｃは図２Ａの拡大図を示す。粒界相の存在の有無は矢印先端部の形態によって判断できる。すなわち、ＡとＢには先端部に三角状の粒界相が認められるが、Ｃにはそれが観察されない。このことから、Ｃには粒界相は存在しないと判断される。
【図４】AlN焼結体のＸ線回折(XRD)スペクトルを示す図である。横軸は回折角2θを、縦軸はピーク強度を示す。Ａは実施例１（実施例３と同じ）の第１段階で生成したAlN焼結体、Ｂは実施例３の第２段階で生成したAlN焼結体、Ｃは比較例２の第１段階で生成したAlN焼結体の各XRDスペクトルである。これらのＸ線回折結果に示されるように、いずれも33〜40度の間にAlNに固有の3本のピークが認められ、Ａには、34.5度にAl-Y-O系の粒界相に固有の小さなピーク（図中＊で示す。）が認められる。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００８】
本発明の方法は上記のように2段階から成る。以下それぞれ詳細に説明する。
（１）第１段階では、AlN及び焼結助剤から成る成形物を炭素材料に接触させないようにして、非酸化性雰囲気下で焼成する。
原料として使用するAlNに特に限定はないが、粒径２μm以下の微粉末を使用するのが好ましい。また、AlNの純度が95％以上のAlN粉末を使用することが好ましい。主な不純物はAlNの表面近傍に存在する酸素であるが、微量の酸素によって緻密化が促進される。その他の不純物としては、遷移元素等が存在しうるが、ハロゲン元素は好ましくない。
【０００９】
焼結助剤は、希土類酸化物又はアルカリ土類金属酸化物であり（焼成によって酸化物になるものも含む）、具体的には、希土類酸化物としてY2O3、La2O3、CeO2、PrO2、Nd2O3、Sm2O3、Gd2O3、Dy2O3等、アルカリ土類酸化物として、CaCO3、SrCO3、BaCO3等が挙げられる。
焼結助剤の含有量は、AlNと焼結助剤の混合物に対して3〜5重量％である。この場合、AlN-Y2O3系を例にとると、粒界相を形成する化合物はAl2Y4O9、YAlO3、Y3Al5O12のいずれかであり、その組成はAlN中に含まれる酸素量で決まる（特許文献２など）。通常はこの酸素が大量には存在しないため、必要以上のY2O3を添加すると、未反応のY2O3は残存して逆に緻密化が阻害されてしまう。経験的で原料品質にもよるが焼結助剤の含有量の上限は5重量％であるので、これを超える場合には焼結後も未反応Y2O3として残ってしまうことが多い（後述の比較例６参照）。
この含有量が3重量％に満たない場合は、1重量％以下では緻密化の進行は不十分であり、1重量％以上の添加では第1段階での緻密化は可能だが、粒成長のための粒界相の量が不十分である（後述の比較例４，５参照）。
【００１０】
AlN-焼結助剤系からなる混合粉体を成形する方法に特に制限は無いが、通常AlN−焼結助剤系の混合粉体を成形して得られた圧粉体を用いる。例えば、これらの混合物にパラフィンやポリビニールアルコール等のバインダを添加して、一軸成形で所望の形状に成形した後低温で加熱してバインダ等の有機物質を除去して被焼成用の試料として使用する。より均質な成形体を得るためにバインダを含む成形体をさらにCIP（冷間製水圧成形）処理してもよい。
【００１１】
焼成温度は、1900℃以下、好ましくは1700〜1900℃、特に1700℃以上1900℃未満である。その内焼結助剤が希土類酸化物である場合にはより好ましくは1750〜1900℃、焼成助剤がアルカリ土類金属である場合にはより好ましくは1700〜1850℃である。
焼成温度が1900℃より高くなると、粒界相となる希土類やアルカリ土類化合物が分解又は蒸発しやすくなるので好ましくない（後述の比較例３参照）。
焼成温度が1700℃より低い場合には、緻密化が不十分になることがあり好ましくない（非特許文献１など）。
また、焼成時間は、１〜5時間程度で十分であるが、試料の形状や大きさによっても最適条件は異なる。
【００１２】
「炭素材料に接触させない条件下」とは、焼成しようとする材料を、炭素材料に接触させなければ如何なる条件でもよく、一般に、焼成しようとする材料を、炭素を含まない容器の中に置くことで達成される。このような炭素を含まない容器として、BN、AlN、AlN-BN複合体等のような所定温度・雰囲気環境下において構成成分に不活性な材料で作製された容器が適宜使用される。
焼成しようとする材料を、炭素容器中に直接置くなどして「炭素材料に接触させる条件下」で焼結すると、粒界相は還元窒化されて、焼結体表面に排出され除去される。この方法は粒界相を除去して高熱伝導化するために開発された技術である（非特許文献１）。
「非酸化性雰囲気」とは、窒素（N2）、アルゴン（Ar）等或いはそれらの混合ガス等をいうが、通常は経済性の観点から窒素（N2）を用いる。
焼結時のガス圧力は、通常0.1MPa以上、また通常100MPa以下、好ましくは0.1〜1.0MPa、より好ましくは0.5〜0.9MPaである。
【００１３】
以上のように、AlNを焼結助剤と焼結することにより、得られる焼結体は緻密化される（非特許文献１）。得られる焼結体の密度は通常95％以上、好ましくは97%以上である。この段階で緻密化が十分でない焼結体を、後述の第２段階で用いると、AlN結晶粒の成長は起こるが、同時に粒界相の分解・蒸散が進行するので、特に表面近傍は粒界相が急激に減少して粒成長が減速することになる。
また、このような条件下で得られるAlN焼結体は粒界相を含む。この段階では焼結助剤を使用するため、高温で液相となる粒界相が生成して緻密な焼結体が得られ、構成相はAlNと粒界相からなる。
【００１４】
粒界相は、X-Al-O系（Xは焼結助剤中の主たる金属を表す。例えば、焼結助剤がY2O3であれば、XはY（イットリウム）であり、焼結助剤がCaCO３（CaCO3は昇温過程の900℃前後でCaCO3→CaO+CO2の分解反応が起こりCaOに変化する）であれば、XはCaである。これらの粒界相には若干のNが含まれていると考えられるので、X-Al-O-Nと表記してもよいが、通常、それぞれの結晶構造は酸化物系として表記される。また粒界相の成分比は原料や結晶構造により適宜定まり、例えば、Y2O3添加の場合の焼結体中の粒界相は、Al2Y4O9、YAlO3及びY3Al5O12が混在している（非特許文献１）。
AlN焼結体が粒界相を含むことは、定性的にはＸ線回折によって評価されるが定量的には微構造観察、添加物質（例えば、Y2O3）中の金属成分(例えば、Y)量を化学分析によって求める方法などが行われている。
【００１５】
（２）第２段階では、前段階で得た焼結体を、同様に炭素材料に接触させない条件下、前段階よりも高い2000℃以上の温度で焼成する。この段階では、AlN焼結体中に粒界相が存在するため、AlN結晶粒の粒界相中への溶解・析出を繰り返して、AlN結晶粒は急速に成長する。粒界相が存在する限りAlN結晶粒の成長は進行する。また、材料を炭素材料に接触させないため、失われる粒界相は少なくAlN結晶粒の成長が阻害されることも少ない。
この段階の焼成温度は、2000〜2300℃、特に2000℃より高く2300℃以下、好ましくは2100〜2300℃、特に2100℃より高く2300℃以下である。焼成温度がより高温になるほどAlN結晶粒の成長の進行は加速され、粒界相の減量も速くなる。
焼成温度が2000℃より低い場合には、AlN結晶粒の成長が遅いため好ましくない。また、焼成温度が2300℃より高い場合には、AlNと粒界相のいずれもが分解・蒸発してしまうため好ましくない。
焼成時間は、試料の形状や大きさによっても異なるが、通常は１〜５時間程度である。
【００１６】
焼結時の圧力は、好ましくは0.1MPa以上、より好ましくは0.1〜10MPa、更に好ましくは0.5〜10MPaである。加圧雰囲気の方が粒界相が残留しやすく表面からの蒸散が少なく、AlN結晶粒の成長が促進される。また、焼成温度が高いほどAlNと粒界相の分解を防ぐ必要から、0.5MPa以上のガス圧下で焼成するのが好ましいが、0.1MPa程度でも内部の粒界相は残存するので粒成長は進行して粒界相も残ることができる。しかし、低圧（例えば、0.1MPa）では被焼成物の表面近傍では粒界相が蒸発離散しやすいので目的によって使用圧力を設定することになる。云うまでもなく、より低圧のほうがコスト面で有利であるので、例えば、低圧で密閉容器を使用してもよい。
0.1MPaより低い低圧ではAlN、粒界相の分解、蒸発がさらに起こりやすいので好ましくない。一方、10MPaより高い高圧の場合には、原理的にはAlN、粒界相の分解蒸発を防ぐことができるので不可とは云いがたいが、設備がより強固で高額になるなどの不利益がある。
【００１７】
以上のようにして得られるAlN焼結体は、粒径が30μm以上、好ましくは50μm以上のAlN粗大結晶粒で構成され、通常はサイズの大きい結晶粒が複数集積した集積物となっているが、単結晶も原理的には可能である。
通常得られたAlN焼結体には微量の粒界相が不可避的に存在する。これを完全に除去したい場合には、焼結体又はこれを解砕したものを希硫酸やNaOH溶融塩などの腐食液で洗浄してもよい。
このAlN焼結体は、高密度で高熱伝導性を示すので、自動車、電子情報、エネルギー関連のパワーモジュールや高温半導体部品として使用可能である。
また、このAlN焼結体は、粒子を一つずつ分離できれば樹脂用のフィラーとして有用である。
【実施例】
【００１８】
以下、実施例にて本発明を例証するが本発明を限定することを意図するものではない。
走査型電子顕微鏡（SEM）写真を、焼結体破面にイオンスパッタリング装置（日本電子（株）、JFC-1100）で〜30nmの金を蒸着し、走査型電子顕微鏡（SEM）(日本電子（株）、JSM-5200）を用いて撮り、焼結体の微構造観察を行った。
焼結体の構成相の同定は、Ｘ線回折装置（理学電機（株）、RAD-2R）を使用し、測定はCuターゲットを用いて行った。
AlN結晶粒の粒径は、JIS R1670（ファインセラミックスのグレインサイズ測定法）に準拠して測定し、円相当径として算出した。50個のAlN結晶粒の中から大きい方の10個を選んで、その粒径の平均を「最大粒径」とした（表１）。
焼結体の密度は、エタノールを浸液とするアルキメデス法によって測定した。
【００１９】
実施例１
第1段階：
95wt%AlN（（株）トクタマ製、AlN H-グレード）-5wt%Y2O3（信越化学工業（株）製、試薬級粉末）系組成を総量50gとなるように秤量して、これに分散媒としてエタノールを使い、解膠剤としてポリアクリル酸系剤を少量添加した後、ボールミルにより24時間の湿式混合を行った．これを一旦乾燥した後、バインダとしてパラフィン（m.p.46〜48)を混合粉末の総量に対して1wt%を添加し、60メッシュの篩を使って強制通篩し造粒粉末を調整した。得られた調合を15φ×5mmの円板状に一軸成形、さらに200MPaの圧力でCIP成形（冷間等方静水圧成形）を行い、AlN-Y2O3系成形体を得た。
この成形体を脱脂した後、炭素容器の内側にセットした窒化ホウ素容器（電気化学工業（株）製）内に入れて高温焼成炉に装着した。焼成条件としては、1200℃までを20℃/min，1200℃から1850℃までを10℃/minで昇温し、0.6MPaの窒素雰囲気下1850℃で2時間の焼成を行った。得られた焼結体の相対密度は98％以上であった。
図１Ａ及び図３Ａに、生成したAlN焼結体の破断面のSEM写真を示す。粒界相が観察される。得られた粒径（最大粒径）は5〜10μmであった。
図４Ａに、生成したAlN焼結体のＸ線回折スペクトルを示す。AlNに起因する３本のピークが回折角33〜40度の間に認められ、Y-Al-O系の粒界相に起因するピークが回折角34度近辺に認められる。
【００２０】
第2段階：
第1段階で作製した焼結体を窒化ホウ素容器内に入れて、焼成を行った。焼成条件は2000℃、1時間、0.1MPa N2とした。得られた焼結体破面のSEM写真を図１Bに示す。この微構造写真から、焼結体は著しい粒成長を示し、その最大粒径は65μmに達し、急速な粒成長が進行することが確認された。
【００２１】
実施例２，３
第2段階の焼成温度をそれぞれ2100℃、2200℃として、実施例１と同様にAlN焼結体を作製した。得られた焼結体の破面写真をそれぞれ図１Ｃ〜１Ｄに示す。焼結体の最大粒径はそれぞれ75μm、95μmを示し、著しい粒成長が認められた。
実施例３の第２段階で生成したAlN焼結体のＸ線回折スペクトルを図４Ｂに示す。このＸ線回折スペクトルにおいては、第1段階の焼結体に見られた回折角34度近辺の粒界相特有のピーク（図４Ａ）が消失しており、粒界相の減少に伴ってAlN結晶粒の成長が進行していることを示している。なお、図４Ｂが示すように粒界相は減少するが、SEM観察によって微量の粒界相が存在することが確認されている。図１と図２の拡大図として示した図３から粒界相の存在を把握することができる。しかし、厳密には試料切断後表面を研磨して電顕観察によって結晶粒と粒界相の存在状態を確認するが、さらには高分解能分析電顕を用いることによって粒界相に起因する成分（例えば、Al2Y4O9、YAlO3及びY3Al5O12など）を明確に検出することができる。
【００２２】
実施例４
第2段階での雰囲気圧力を0.9MPa N2として、実施例1と同様にAlN焼結体を作製した。
実施例５
第2段階の焼成温度を2200℃として、実施例４と同様にAlN焼結体を作製した。
実施例６
実施例１の第1段階で作製した95wt%AlN-5wt%Y2O3系焼結体を用いて、第2段階の焼成をHIP（高温等方ガス圧焼成）焼成炉を用いて、2000℃、1時間、10MPa N2の条件下で行った。その結果、粒径70μmのAlN粗大結晶粒が得られた。
【００２３】
実施例７
原料の95wt%AlN-5wt%Y2O3系組成を95wt%AlN-5wt%CaO（純正化学（株）製、炭酸カルシウム（CaCO3）、試薬特級）系組成に代えて、実施例1と同様にAlN焼結体を作製した。但し、Ca-Al-O系の粒界相の蒸気圧が高いため。第1段階を1800℃で、第2段階焼成条件を2000℃、1時間、0.9MPa N2とした。その結果、粒径65μmのAlN粗大粒を得た。
実施例８
原料の95wt%AlN-5wt%Y2O3系組成を95wt%AlN-5wt%La2O3（信越化学工業（株）製、酸化ランタン粉末、高純度級）系組成に代えて、実施例1と同様にAlN焼結体を作製した。但し、第1段階を1850℃で、第2段階の焼成条件を2000℃、1時間、0.1MPa N2とした。その結果、粒径60μｍのAlN粗大粒を得た。
実施例９
原料の95wt%AlN-5wt%Y2O3系組成を95wt%AlN-5wt%Sm2O3（信越化学工業（株）製、酸化サマリウム粉末、高純度級）系組成に代えて、実施例1と同様にAlN焼結体を作製した。但し、第2段階焼成条件は2100℃,1時間, 0.1MPa N2とした。この場合はSm-Al-O系の粒界相が生成される。その結果、粒径70μmのAlN粗大粒を得た。
【００２４】
比較例１
第2段階の焼成温度を1900℃として、実施例１と同様にAlN焼結体を作製した。この場合、粒径は20μm程度にとどまっており、粒成長の進行が不十分と考えられる。
比較例２
実施例１の第１段階で作製したAlN-Y2O3系成形体を、炭素容器（東海カーボン(株)製、高温耐熱グレード）中に収納して1900℃、90時間の条件で焼成した。
得られた焼結体の、破断面のSEM写真を図２Ａ及び３Ｃに示すが、粒界相は認められない。別途行った高分解能電顕による解析でもＹの量は約100ppmとほぼ皆無に近くなっている。得られた粒径（最大粒径）は20μmであった。
得られたAlN焼結体のX線回折スペクトルを図４Cに示す。このＸ線回折スペクトルで、粒界相特有のピーク（回折角34度近辺）が見られない。
その後この焼結体に、実施例１の第2段階と同じ操作を行った。得られた焼結体の破面写真を図２Ｂに示す。得られた粒径（最大粒径）は30μmであった。第1段階で粒界相がほとんど存在しないため、第2段階での粒成長は認められない。
【００２５】
比較例３
第１段階の焼成温度を2000℃として、実施例１と同様にAlN焼結体を作製した。この場合、第１段階で生成する焼結体の密度が低く、緻密化されていない。焼結助剤（Y2O3）が分解又は蒸発したためと考えられる。そのため、第２段階のAlN粒成長の進行が不十分と考えられる。
比較例４
第１段階の焼結助剤（Y2O3）の含有量を0.5重量％として、実施例１と同様にAlN焼結体を作製した。この場合、第１段階で生成する焼結体の緻密化と、第２段階のAlN粒成長の進行が共に不十分と考えられる。
比較例５
第１段階の焼結助剤（Y2O3）の含有量を2.0重量％として、実施例１と同様にAlN焼結体を作製した。この場合、第１段階で生成する焼結体の緻密化と、第２段階のAlN粒成長の進行が共に不十分と考えられる。
比較例６
第１段階の焼結助剤（Y2O3）の含有量を7.0重量％として、実施例１と同様にAlN焼結体を作製した。この場合、未反応の焼結助剤（Y2O3）が残存して緻密化が阻害され、そのため第２段階のAlN粒成長の進行が不十分になったと考えられる。
【００２６】
以上の結果を下表にまとめる。
【表１】
2015071502.tif 000002
本発明の2段階による製法によれば、製造するAlN結晶粒の粒径を大きくすることができる。
【図４】
2015071502.tif 000003
【図１】
2015071502.tif 000004
【図２】
2015071502.tif 000005
【図３】
2015071502.tif 000006