(57)【要約】【課題】電極層と端子の接続部分において可視光透過性の低下を抑えるとともに接続信頼性にも優れる有機半導体素子およびその製造方法を提供する。【解決手段】基板１２上に第１電極層１４と有機半導体層１６と第２電極層１８と可撓性支持体層２０とがこの順で積層され、第２電極層１８と基板１２との間に、第２電極層１８と厚み方向において重なり接触する接触部２６ａと活性領域外に取り出された取出部２６ｂとを有する第２電極層の取出端子２６が設けられ、可撓性支持体層２０の厚み方向外側で厚み方向において接触部２６ａと重なる位置に、硬化性樹脂を含有する硬化性組成物の硬化物からなる硬化層２２が設けられている有機半導体素子１０とする。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に、第１電極層と、有機半導体層と、第２電極層と、可撓性支持体層と、がこの順で積層され、
前記第２電極層と前記基板の間に、前記第２電極層と厚み方向において重なり接触する接触部と活性領域外に取り出された取出部とを有する前記第２電極層の取出端子が設けられ、
前記可撓性支持体層の厚み方向外側で厚み方向において前記接触部と重なる位置に、硬化性樹脂を含有する硬化性組成物の硬化物からなる硬化層が設けられていることを特徴とする有機半導体素子。
【請求項２】
前記硬化層が、前記可撓性支持体層の厚み方向外側で厚み方向において前記接触部と重なる位置から前記活性領域外に取り出された取出部と接する位置まで連続して設けられていることを特徴とする請求項１に記載の有機半導体素子。
【請求項３】
前記硬化層が、前記可撓性支持体層の厚み方向外側全面に接して設けられていることを特徴とする請求項１または２に記載の有機半導体素子。
【請求項４】
前記硬化層が、前記可撓性支持体層の厚み方向外側全面から前記可撓性支持体層、前記第２電極層、前記有機半導体層、前記第１電極層のすべての周縁を囲むように活性領域外の基板面、第１電極層の取出端子、および、前記第２電極層の取出端子の取出部と接して設けられていることを特徴とする請求項１から３のいずれか１項に記載の有機半導体素子。
【請求項５】
前記第２電極層と前記第２電極層の取出端子の接触部との間の厚み方向に重なり接触する領域において、厚み方向における可視光透過率が５０％以上であることを特徴とする請求項１から４のいずれか１項に記載の有機半導体素子。
【請求項６】
前記硬化性組成物の２０℃における粘度が１０００００ｍＰａ・ｓ以下であり、前記硬化層の２０℃におけるヤング率が１０ＭＰａ以上であることを特徴とする請求項１から５のいずれか１項に記載の有機半導体素子。
【請求項７】
前記硬化層の厚みが、３μｍ以上であることを特徴とする請求項１から６のいずれか１項に記載の有機半導体素子。
【請求項８】
前記硬化性樹脂が、エポキシ樹脂、ウレタン樹脂、フェノール樹脂、アミノ樹脂、ポリエステル樹脂、アクリル樹脂から選択される１種または２種以上であることを特徴とする請求項１から７のいずれか１項に記載の有機半導体素子。
【請求項９】
基板上に、第１電極層と、有機半導体層と、第２電極層と、可撓性支持体層と、がこの順で積層され、
前記第２電極層と前記基板の間に、前記第２電極層と厚み方向において重なり接触する接触部と活性領域外に取り出された取出部とを有する前記第２電極層の取出端子が設けられ、
前記可撓性支持体層の厚み方向外側で厚み方向において前記接触部と重なる位置に、熱可塑性樹脂を含有する熱可塑性組成物の固化物からなる固化層が設けられていることを特徴とする有機半導体素子。
【請求項１０】
前記熱可塑性組成物は、８０℃から２００℃の間に溶融点を持ち、溶融時の粘度が１０００００ｍＰａ・ｓ以下であり、かつ２０℃におけるヤング率が１０ＭＰａ以上であることを特徴とする請求項９に記載の有機半導体素子。
【請求項１１】
基板上に、第１電極層と、有機半導体層と、第２電極層と、可撓性支持体層と、がこの順で積層された有機半導体素子の製造方法であって、
前記基板上には、前記第２電極層と厚み方向において重なり接触する接触部と活性領域外に取り出される取出部とを有する前記第２電極層の取出端子が設けられており、
前記可撓性支持体層の一方面には前記第２電極層が設けられ、その他方面のうち前記第２電極層が前記第２電極層の取出端子の接触部と厚み方向において重なる位置には硬化性樹脂を含有する硬化性組成物からなる硬化性組成物層が設けられており、
前記第２電極層と前記第２電極層の取出端子の接触部とを厚み方向において重ね合わせて接触させ、前記硬化性組成物層の厚み方向外側から厚み方向に圧力を加えて密着させるとともに、前記硬化性組成物層を硬化させて硬化層を形成する工程を有することを特徴とする有機半導体素子の製造方法。
【請求項１２】
前記硬化層を、前記可撓性支持体層の厚み方向外側で厚み方向において前記接触部と重なる位置から前記活性領域外に取り出された取出部と接する位置まで連続して形成することを特徴とする請求項１１に記載の有機半導体素子の製造方法。
【請求項１３】
前記硬化層を、前記可撓性支持体層の厚み方向外側全面に接して形成することを特徴とする請求項１１または１２に記載の有機半導体素子の製造方法。
【請求項１４】
前記硬化層を、前記可撓性支持体層の厚み方向外側全面から前記可撓性支持体層、前記第２電極層、前記有機半導体層、前記第１電極層のすべての周縁を囲むように活性領域外の基板面、第１電極層の取出端子、および、前記第２電極層の取出端子の取出部と接して形成することを特徴とする請求項１１から１３のいずれか１項に記載の有機半導体素子の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、有機半導体素子およびその製造方法に関し、さらに詳しくは、有機エレクトロルミネッセンス素子（有機発光素子、有機ＥＬ素子）や有機薄膜太陽電池などに好適な有機半導体素子およびその製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来、半導体素子に有機物を用いた有機半導体素子が知られている。この種の有機半導体素子として、発光材料として有機物材料を用いた有機エレクトロルミネッセンス素子（有機発光素子、有機ＥＬ素子）や、導電性ポリマーやフラーレン等を組み合わせた有機物材料を用いた有機薄膜太陽電池などがある。
【０００３】
例えば特許文献１には、絶縁性基板上に、陽極層、発光層、陰極層を順次積層して形成した有機ＥＬ素子が開示されている。そして、特許文献２には、有機ＥＬ装置において、基板の接続端子と実装部品の被接続端子とを、接合層中に導電性粒子を含有してなる異方導電層により接続することが示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特許第４１３３７３６号
【特許文献２】国際公開２０１３／１２８６２１
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
図９に、有機半導体素子の構成の一例を示す。図９に示す有機半導体素子７０は、基板上７２に、第１の電極層７４と、有機半導体材料からなる有機半導体層７６と、第２の電極層７８と、封止部材８０と、が積層された構成からなる。第２の電極層７８は、端部において、導電性粒子を含有する導電性樹脂からなる接合層８４を介して取出端子８２と接続されている。
【０００６】
端子接続部分において、導電性粒子を含有する導電性樹脂からなる接合層８４を介在させると、導電性粒子が光を遮蔽するため、端子接続部分において厚み方向の可視光透過性が低下する。一方、このような接合層８４を介さないで第２の電極層７８と取出端子８２とを直接貼り合わせることにより接続する場合には、貼り合わせ表面に異物が付着したりすると、貼り合わせ不良や界面剥離などが生じて接触不良となる。そうすると、接続信頼性が低下する。
【０００７】
本発明が解決しようとする課題は、電極層と端子の接続部分において可視光透過性の低下を抑えるとともに接続信頼性にも優れる有機半導体素子およびその製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
上記課題を解決するため本発明に係る有機半導体素子は、基板上に、第１電極層と、有機半導体層と、第２電極層と、可撓性支持体層と、がこの順で積層され、前記第２電極層と前記基板の間に、前記第２電極層と厚み方向において重なり接触する接触部と活性領域外に取り出された取出部とを有する前記第２電極層の取出端子が設けられ、前記可撓性支持体層の厚み方向外側で厚み方向において前記接触部と重なる位置に、硬化性樹脂を含有する硬化性組成物の硬化物からなる硬化層が設けられていることを要旨とするものである。
【０００９】
この場合、前記硬化層は、前記可撓性支持体層の厚み方向外側で厚み方向において前記接触部と重なる位置から前記活性領域外に取り出された取出部と接する位置まで連続して設けられていることが好ましい。また、前記硬化層は、前記可撓性支持体層の厚み方向外側全面に接して設けられていることが好ましい。さらに、前記硬化層は、前記可撓性支持体層の厚み方向外側全面から前記可撓性支持体層、前記第２電極層、前記有機半導体層、前記第１電極層のすべての周縁を囲むように活性領域外の基板面、第１電極層の取出端子、および、前記第２電極層の取出端子の取出部と接して設けられていることが好ましい。
【００１０】
そして、前記第２電極層と前記第２電極層の取出端子の接触部との間の厚み方向に重なり接触する領域において、厚み方向における可視光透過率が５０％以上であることが好ましい。また、前記硬化性組成物の２０℃における粘度が１０００００ｍＰａ・ｓ以下であり、前記硬化層の２０℃におけるヤング率が１０ＭＰａ以上であることが好ましい。そして、前記硬化層の厚みは３μｍ以上であることが好ましい。また、前記硬化性樹脂は、エポキシ樹脂、ウレタン樹脂、フェノール樹脂、アミノ樹脂、ポリエステル樹脂、アクリル樹脂から選択される１種または２種以上であることが好ましい。
【００１１】
また、本発明に係る他の有機半導体素子は、基板上に、第１電極層と、有機半導体層と、第２電極層と、可撓性支持体層と、がこの順で積層され、前記第２電極層と前記基板の間に、前記第２電極層と厚み方向において重なり接触する接触部と活性領域外に取り出された取出部とを有する前記第２電極層の取出端子が設けられ、前記可撓性支持体層の厚み方向外側で厚み方向において前記接触部と重なる位置に、熱可塑性樹脂を含有する熱可塑性組成物の固化物からなる固化層が設けられていることを要旨とするものである。
【００１２】
この場合、前記熱可塑性組成物は、８０℃から２００℃の間に溶融点を持ち、溶融時の粘度が１０００００ｍＰａ・ｓ以下であり、かつ２０℃におけるヤング率が１０ＭＰａ以上であることが好ましい。
【００１３】
本発明に係る有機半導体素子の製造方法は、基板上に、第１電極層と、有機半導体層と、第２電極層と、可撓性支持体層と、がこの順で積層された有機半導体素子の製造方法であって、前記基板上には、前記第２電極層と厚み方向において重なり接触する接触部と活性領域外に取り出される取出部とを有する前記第２電極層の取出端子が設けられており、前記可撓性支持体層の一方面には前記第２電極層が設けられ、その他方面のうち前記第２電極層が前記前記第２電極層の取出端子の接触部と厚み方向において重なる位置には硬化性樹脂を含有する硬化性組成物からなる硬化性組成物層が設けられており、前記第２電極層と前記第２電極層の取出端子の接触部とを厚み方向において重ね合わせて接触させ、前記硬化性組成物層の厚み方向外側から厚み方向に圧力を加えて密着させるとともに、前記硬化性組成物層を硬化させて硬化層を形成する工程を有することを要旨とするものである。
【００１４】
この場合、前記硬化層を、前記可撓性支持体層の厚み方向外側で厚み方向において前記接触部と重なる位置から前記活性領域外に取り出された取出部と接する位置まで連続して形成することが好ましい。また、前記硬化層を、前記可撓性支持体層の厚み方向外側全面に接して形成することが好ましい。さらに、前記硬化層を、前記可撓性支持体層の厚み方向外側全面から前記可撓性支持体層、前記第２電極層、前記有機半導体層、前記第１電極層のすべての周縁を囲むように活性領域外の基板面、第１電極層の取出端子、および、前記第２電極層の取出端子の取出部と接して形成することが好ましい。
【発明の効果】
【００１５】
本発明に係る有機半導体素子によれば、第２電極層と第２電極層の取出端子の接触部とが厚み方向において重なり接触することにより第２電極層と第２電極層の取出端子とが接続されていることから、導電性粒子を含有する接合層により電極層と端子の接続を行う構成と比較して、端子接続部分において可視光透過性の低下を抑えることができる。そして、第２電極層の厚み方向外側に配置される支持体層が可撓性材料で構成されているので、貼り合わせ界面の表面形状（表面粗さ）や貼り合わせ界面の異物形状に支持体層が追従し、貼り合わせ不良が抑えられる。さらに、可撓性支持体層の厚み方向外側で厚み方向において接触部と重なる位置に硬化性樹脂を含有する硬化性組成物の硬化物からなる硬化層が設けられているので、可撓性支持体層が貼り合わせ界面の表面形状（表面粗さ）や貼り合わせ界面の異物形状に追従した状態で固定され、可撓性支持体層の反り返りによる界面剥離が抑えられる。これらにより、端子接続部分の接触不良が抑えられ、接続信頼性にも優れるものとなる。
【００１６】
この場合、硬化層が、可撓性支持体層の厚み方向外側で厚み方向において接触部と重なる位置から活性領域外に取り出された取出部と接する位置まで連続して設けられていると、硬化層により第２電極層と第２電極層の取出端子の接触部とが厚み方向において重なり接触した状態で固定され、その接触圧が維持されるので、良好な接続状態が維持され、接続信頼性に貢献する。
【００１７】
そして、硬化層が可撓性支持体層の厚み方向外側全面に接して設けられていると、活性領域内における異物形状への追従も期待でき、活性領域内での貼り合わせ不良や界面剥離なども抑えられる。
【００１８】
そして、硬化層が、可撓性支持体層の厚み方向外側全面から可撓性支持体層、第２電極層、有機半導体層、第１電極層のすべての周縁を囲むように活性領域外の基板面、第１電極層の取出端子、および、第２電極層の取出端子の取出部と接して設けられていると、第２電極層、有機半導体層、第１電極層を覆って封止できる。これにより、第２電極層、有機半導体層、第１電極層の劣化防止に貢献できる。
【００１９】
そして、第２電極層と第２電極層の取出端子の接触部との間の厚み方向に重なり接触する領域において、厚み方向における可視光透過率が５０％以上であると、可視光透過性に優れ、優れた透明性が確保できる。
【００２０】
そして、硬化層を形成する硬化性組成物の２０℃における粘度が１０００００ｍＰａ・ｓ以下であり、硬化層の２０℃におけるヤング率が１０ＭＰａ以上であると、貼り合わせ界面の表面形状（表面粗さ）や貼り合わせ界面の異物形状に可撓性支持体層が追従した状態で固定され、可撓性支持体層の反り返りによる界面剥離が抑えられる。
【００２１】
また、本発明に係る他の有機半導体素子によれば、第２電極層と第２電極層の取出端子の接触部とが厚み方向において重なり接触することにより第２電極層と第２電極層の取出端子とが接続されていることから、導電性粒子を含有する接合層により電極層と端子の接続を行う構成と比較して、端子接続部分において可視光透過性の低下を抑えることができる。そして、第２電極層の厚み方向外側に配置される支持体層が可撓性材料で構成されているので、貼り合わせ界面の表面形状（表面粗さ）や貼り合わせ界面の異物形状に支持体層が追従し、貼り合わせ不良が抑えられる。さらに、可撓性支持体層の厚み方向外側で厚み方向において接触部と重なる位置に熱可塑性樹脂を含有する熱可塑性組成物の固化物からなる固化層が設けられているので、可撓性支持体層が貼り合わせ界面の表面形状（表面粗さ）や貼り合わせ界面の異物形状に追従した状態で固定され、可撓性支持体層の反り返りによる界面剥離が抑えられる。これらにより、端子接続部分の接触不良が抑えられ、接続信頼性にも優れるものとなる。
【００２２】
そして、固化層を形成する熱可塑性組成物が、８０℃から２００℃の間に溶融点を持ち、溶融時の粘度が１０００００ｍＰａ・ｓ以下であり、かつ２０℃におけるヤング率が１０ＭＰａ以上であると、貼り合わせ界面の表面形状（表面粗さ）や貼り合わせ界面の異物形状に可撓性支持体層が追従した状態で固定され、可撓性支持体層の反り返りによる界面剥離が抑えられる。
【００２３】
そして、本発明に係る有機半導体素子の製造方法によれば、第２電極層と第２電極層の取出端子の接触部とを厚み方向において重ね合わせて接触させて第２電極層と第２電極層の取出端子とを接続するので、導電性粒子を含有する接合層により電極層と端子の接続を行う構成と比較して、端子接続部分において可視光透過性の低下を抑えることができる。そして、第２電極層と第２電極層の取出端子の接触部とを硬化性組成物層の厚み方向外側から厚み方向に圧力を加えて密着させることから、貼り合わせ界面の表面形状（表面粗さ）や貼り合わせ界面の異物形状に可撓性支持体層が追従し、貼り合わせ不良が抑えられる。さらに、硬化性組成物層を硬化させて硬化層を形成するので、可撓性支持体層が貼り合わせ界面の表面形状（表面粗さ）や貼り合わせ界面の異物形状に追従した状態で固定され、可撓性支持体層の反り返りによる界面剥離が抑えられる。これらにより、端子接続部分の接触不良が抑えられ、接続信頼性にも優れるものとなる。
【図面の簡単な説明】
【００２４】
【図１】本発明の一実施形態に係る有機半導体素子の平面図（ａ）と、Ａ−Ａ線断面図（ｂ）と、Ｂ−Ｂ線断面図（ｃ）である。
【図２】有機半導体素子の製造工程を説明する工程図（ａ）（ｂ）である。
【図３】本発明の構成による作用効果を説明する断面図（ａ）と、比較となる構成による作用効果を説明する断面図（ｂ）である。
【図４】比較となる構成による作用効果を説明する断面図（ａ）（ｂ）である。
【図５】本発明の他の実施形態に係る有機半導体素子の断面図（ａ）（ｂ）である。
【図６】本発明の他の実施形態に係る有機半導体素子の平面図である。
【図７】接続信頼性評価を説明する模式図である。
【図８】硬化性樹脂の硬化物のヤング率を測定する方法を説明する模式図である。
【図９】比較となる有機半導体素子の構成の一例の断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００２５】
以下に、本発明に係る有機半導体素子について詳細に説明する。なお、本実施形態は一例であり、特にこの構成に限定されるものではない。
【００２６】
図１（ａ）は、本発明の一実施形態に係る有機半導体素子の平面図であり、図１（ｂ）は、そのＡ−Ａ線断面図であり、図１（ｃ）は、そのＢ−Ｂ線断面図である。なお、図１（ａ）では、層構成を明確にするため、各層の外郭を実線で示している。
【００２７】
図１に示すように、有機半導体素子１０は、基板１２と、第１電極層１４と、有機半導体層１６と、第２電極層１８と、可撓性支持体層２０と、を備えている。第１電極層１４、有機半導体層１６、第２電極層１８、可撓性支持体層２０は、この順で基板１２上に積層されている。第１電極層１４は、基板１２に接して設けられ、有機半導体層１６は、第１電極層１４と第２電極層１８の間にこれらに接して設けられ、第２電極層１８は、有機半導体層１６と可撓性支持体層２０の間にこれらに接して設けられている。第１電極層１４と、有機半導体層１６と、第２電極層１８と、可撓性支持体層２０と、が積層されている領域Ｘが、発光あるいは光電変換が行われる（素子として機能する）活性領域となる。この領域Ｘの平面方向外側に示された領域Ｙは、可撓性支持体層２０の上に積層された硬化層２２および封止層２４が配置されている領域である。
【００２８】
基板１２の面上の所定位置には、第２電極層１８と接続される第２電極層の取出端子（第２電極端子２６）が設けられている。第２電極端子２６は、基板１２の面上において基板１２の端縁から内側に向かって伸びる帯状に形成されており、第２電極層１８と基板１２との間に配置され、第２電極層１８と厚み方向において重なり接触する接触部２６ａと、接触部２６ａから活性領域外に取り出された取出部２６ｂとを有している。
【００２９】
また、基板１２の面上の所定位置には、第１電極層１４と接続される第１電極層の取出端子（第１電極端子２８）が設けられている。第１電極端子２８は、基板１２の面上において基板１２の端縁から内側に向かって伸びる帯状に、第１電極層１４と一体的に形成されている。なお、第１電極端子２８は、第１電極層１４と一体的に形成されていなくてもよい。
【００３０】
可撓性支持体層２０の厚み方向外側には、硬化性樹脂を含有する硬化性組成物の硬化物からなる硬化層２２がその厚み方向外側全面に接して設けられている。硬化層２２は、可撓性支持体層２０の厚み方向外側全面から可撓性支持体層２０、第２電極層１８、有機半導体層１６、第１電極層１４のすべての周縁を囲むように活性領域外の基板１２の面上、第１電極端子２８、および、第２電極端子２６の取出部２６ｂと接して設けられている。つまり、硬化層２２は、可撓性支持体層２０の厚み方向外側全面を覆う部分である平面部２２ａと、可撓性支持体層２０、第２電極層１８、有機半導体層１６、第１電極層１４のすべての周縁を囲って覆う部分である側面部２２ｂと、を有している。硬化層２２は、このような構成の層であり、可撓性支持体層２０の厚み方向外側で厚み方向において接触部２６ａと重なる位置に設けられた部分を含んでおり、したがって、硬化層２２は、可撓性支持体層２０の厚み方向外側で厚み方向において接触部２６ａと重なる位置に設けられている。また、活性領域外に取り出された取出部２６ｂと接する位置に設けられた部分を含んでおり、したがって、可撓性支持体層２０の厚み方向外側で厚み方向において接触部２６ａと重なる位置から活性領域外に取り出された取出部２６ｂと接する位置まで連続して設けられている。この硬化層２２の平面部２２ａの厚み方向外側には、その平面部２２ａの厚み方向外側全面を覆う封止層２４が設けられている。
【００３１】
基板１２は、第１電極層１４などを形成する基材となるものであり、第１電極層１４などを形成することができる程度の強度を有するのであれば、剛体であってもよいし、可撓性材料であってもよい。剛体は、曲げられないほどの硬さを有するものであり、可撓性材料は、曲げられるほどの柔軟性を有するものである。また、基板１２は、可視光透過性に優れることが好ましい。すなわち、透明基板であることが好ましい。具体的には、可視光透過率が５０％以上であることが好ましい。
【００３２】
基板１２の材料として好適な、可視光透過性に優れる透明材料としては、ガラスなどの透明セラミック材料や、透明樹脂材料などが挙げられる。透明樹脂材料としては、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート等のポリエステル、ポリカーボネート、ポリイミド、ポリエーテルスルフォン、ポリエーテルイミド、ポリフェニレンサルファイド、ポリスルホン、ポリエーテルエーテルケトン、ポリアミド、ポリメタクリル酸メチル、ポリアリレート、シクロオレフィンポリマーなどが挙げられる。これらは１種または２種以上含まれていても良い。基板１２の厚みは、用途に応じて適宜定めることができる。
【００３３】
第１電極層１４は、仕事関数の大きい金属、導電性化合物、または、これらの混合物などの材料により形成されることが好ましい。また、可視光透過性に優れる（透明である）ことが好ましい。具体的には、可視光透過率が５０％以上であることが好ましい。このような材料としては、ＩＴＯ（錫ドープ酸化インジウム）、ＩＺＯ（インジウム亜鉛酸化物）などが挙げられる。また、Ａｇ、Ａｌなどが挙げられる。第１電極層１４の厚みは、通常、１μｍ以下であり、２００ｎｍ以下が好ましい。第１電極層１４の抵抗は、数百Ω／ｓｑ．以下であることが好ましい。第１電極層１４は、陽極層としてもよいし、陰極層としてもよい。好ましくは陽極層である。
【００３４】
第１電極端子２８は、金属、導電性樹脂、またはこれら複合層などの導電性を有する材料により形成される。導電性樹脂は、導電性フィラーとバインダー樹脂とを含有するものから構成される。導電性フィラーとしては、Ａｇ，Ｃｕ，Ａｌなどの導電性に優れる金属からなるフィラーが挙げられる。バインダー樹脂としては、熱可塑性樹脂、熱硬化性樹脂、光硬化性樹脂などが挙げられる。第１電極端子２８は、可視光透過性に優れる（透明である）ことが好ましい。具体的には、可視光透過率が５０％以上であることが好ましい。このような材料としては、ＩＴＯ（錫ドープ酸化インジウム）、ＩＺＯ（インジウム亜鉛酸化物）、Ａｇ、Ａｌなどが挙げられる。第１電極端子２８の厚みは、用途に応じて適宜定めることができる。
【００３５】
第２電極層１８は、第１電極層１４と同様の材料により形成されればよい。この場合、第２電極層１８は、第１電極層１４と同じ材料により形成されてもよいし、異なる材料により形成されてもよい。また、第２電極層１８は、可視光透過性に優れる（透明である）ことが好ましい。具体的には、可視光透過率が５０％以上であることが好ましい。このような材料としては、ＩＴＯ（錫ドープ酸化インジウム）、ＩＺＯ（インジウム亜鉛酸化物）などが挙げられる。また、Ａｇ、Ａｌなどが挙げられる。第２電極層１８の厚みは、用途に応じて適宜定めることができる。第２電極層１８の抵抗は、数百Ω／ｓｑ．以下であることが好ましい。第２電極層１８は、第１電極層１４に対し、陰極層としてもよいし、陽極層としてもよい。好ましくは陰極層である。
【００３６】
第２電極端子２６は、第１電極端子２８と同様、金属、導電性樹脂などの導電性を有する材料により形成される。第２電極端子２６は、可視光透過性に優れる（透明である）ことが好ましい。具体的には、可視光透過率が５０％以上であることが好ましい。このような材料としては、ＩＴＯ（錫ドープ酸化インジウム）、ＩＺＯ（インジウム亜鉛酸化物）、Ａｇ、Ａｌなどが挙げられる。第２電極端子２６の厚みは、用途に応じて適宜定めることができる。
【００３７】
有機半導体層１６は、有機半導体材料を含有する層であり、有機半導体素子の機能を発揮させる部位であり、その種類に応じた材料が用いられる。有機半導体層１６は、可視光透過性に優れる（透明である）ことが好ましい。具体的には、可視光透過率が５０％以上であることが好ましい。有機半導体素子１０は、例えば、有機ＥＬ素子、有機薄膜太陽電池などとして好適に用いることができる。
【００３８】
有機ＥＬ素子の場合、有機半導体層１６には有機発光材料が含まれる。このような有機発光材料としては、具体的には、例えば、Ａｌｑ３（トリス−（８−ヒドロキシキノリナト）アルミニウム）に代表される金属錯体、ポリフェニレンビニレン（ＰＰＶ）誘導体、ポリフルオレン誘導体などが挙げられる。この際、発光色を調節するために、蛍光色素などの単独では安定な薄膜を形成し難い有機発光材料を少量添加することもできる。蛍光色素としては、クマリン、ＤＣＭ誘導体、キナクリドン、ペリレン、ルブレンなどが挙げられる。有機半導体層１６には、有機発光材料に加えて、電荷輸送性（正孔輸送性、電子輸送性、両性輸送性）を有する材料が含まれていても良い。
【００３９】
有機ＥＬ素子においては、有機半導体層１６の厚みの上限は、実用的な発光輝度を得るなどの観点から、好ましくは、１μｍ以下、より好ましくは、５００ｎｍ以下、さらに好ましくは、３００ｎｍ以下であると良い。一方、有機半導体層１６の厚みの下限は、実用的な発光輝度を得るなどの観点から、好ましくは、１ｎｍ以上、より好ましくは、５ｎｍ以上、さらに好ましくは、１０ｎｍ以上であると良い。
【００４０】
有機薄膜太陽電池の場合、有機半導体層１６（光電変換層）には、電子供与性を有する有機材料（ｐ型有機半導体材料）や電子受容性を有する有機材料（ｎ型有機半導体材料）が含まれる。有機薄膜太陽電池には、ショットキー型の有機薄膜太陽電池や、ヘテロ接合型の有機薄膜太陽電池がある。また、ヘテロ接合型の有機薄膜太陽電池には、バイレイヤー型のものとバルクヘテロ型のものがある。
【００４１】
ショットキー型の有機薄膜太陽電池の場合、有機半導体層１６には、電子供与性を有する有機材料または電子受容性を有する有機材料が含まれる。ショットキー型有機薄膜太陽電池においては、光電変換層を形成する材料は、電子供与性または電子受容性の性質を有する材料であれば特に限定されない。具体的には、ペンタセンなどの有機単結晶、ポリ−３−メチルチオフェン、ポリアセチレン、ポリフェニレンおよびその誘導体、ポリフェニレンビニレンおよびその誘導体、ポリシランおよびその誘導体、ポリアルキルチオフェンおよびその誘導体等の導電性高分子およびその誘導体、ポルフィリン誘導体、フタロシアニン誘導体、メロシアニン誘導体、クロロフィル等の合成色素、有機金属ポリマー等が挙げられる。
【００４２】
バイレイヤー型の有機薄膜太陽電池の場合、有機半導体層１６として、電子受容性を有する有機材料が含まれる電子輸送層と、電子供与性を有する有機材料が含まれる正孔輸送層とを別個に形成し、これらの界面において形成されるｐｎ接合を利用して光電荷分離を生じさせ、光電流を得る。この場合、電子輸送層と正孔輸送層との間に、異なる波長の光をそれぞれ効率よく光電流に変換するための光捕集層を設けても良い。
【００４３】
バルクヘテロ型の有機薄膜太陽電池の場合、有機半導体層１６として、電子受容性を有する有機材料と電子供与性を有する有機材料とが含まれる電子正孔輸送層を形成する。電子正孔輸送層内でバルクの状態で存在するｐ型有機半導体材料とｎ型有機半導体材料によるｐｎ接合を利用して光電荷分離を生じさせ、光電流を得る。
【００４４】
ヘテロ接合型有機薄膜太陽電池において、電子受容性を有する有機材料としては、ＣＮ−ポリ（フェニレン−ビニレン）、ＭＥＨ−ＣＮ−ＰＰＶ、−ＣＮ基または−ＣＦ３基含有ポリマー、それらの−ＣＦ３置換ポリマー、ポリ（フルオレン）誘導体、Ｃ６０などのフラーレン誘導体、カーボンナノチューブ、ペリレン誘導体、多環キノン、キナクリドンなどの材料が挙げられる。一方、電子供与性を有する有機材料としては、ポリフェニレンおよびその誘導体、ポリフェニレンビニレンおよびその誘導体、ポリシランおよびその誘導体、ポリアルキルチオフェンおよびその誘導体、ポルフィリン誘導体、フタロシアニン誘導体、有機金属ポリマーなどの材料が挙げられる。
【００４５】
有機薄膜太陽電池においては、有機半導体層１６（光電変換層）の厚みの上限は、実用的な発電特性を得るなどの観点から、好ましくは、１μｍ以下、より好ましくは、５００ｎｍ以下、さらに好ましくは、２００ｎｍ以下であると良い。一方、有機半導体層１６（光電変換層）の厚みの下限は、実用的な発電特性を得るなどの観点から、好ましくは、１ｎｍ以上、より好ましくは、５ｎｍ以上、さらに好ましくは、１０ｎｍ以上であると良い。
【００４６】
なお、有機ＥＬ素子においては、陽極層と有機半導体層１６との間に正孔輸送性を有する材料を含む正孔輸送層を備えていてもよいし、有機半導体層１６と陰極層との間に電子注入材料を含む電子注入層および／または電子輸送性を有する材料を含む電子輸送層を備えていてもよい。
【００４７】
電子注入材料としては、Ｍｇ、Ｍｇのハロゲン化物、Ｍｇ系有機化合物、アルカリ土類金属、アルカリ土類金属のハロゲン化物、アルカリ土類金属系有機化合物、アルカリ金属、アルカリ金属のハロゲン化物、アルカリ金属系有機化合物、フタロシアニン系有機化合物（有機化合物には有機金属錯体も含まれる。）が挙げられる。電子注入材料として好適な金属としては、Ｍｇ、Ｃａ、Ｓｒ、Ｂａ、Ｌｉ、Ｎａ、Ｋ、Ｒｂ、Ｃｓなどが挙げられる。電子注入材料として好適な金属ハロゲン化物としては、ＭｇＦ、ＣａＦ、ＬｉＦ、ＮａＦなどが挙げられる。電子注入材料として好適なフタロシアニン系有機化合物としては、フッ素化フタロシアニン、中心金属としてＣｕやＺｎなどの金属を有するフッ素化フタロシアニンなどが挙げられる。これらは単独で用いても良いし、２以上を組み合わせて用いても良い。これらのうちでは、取り扱い性に優れるなどの観点から、Ｃａ，ＬｉＦ，ＮａＦが好ましい。有機ＥＬ素子の場合には、Ｃａ，ＬｉＦ，ＮａＦを電子注入材料として機能させることで、優れた有機ＥＬ素子を得ることができる。
【００４８】
正孔輸送材料としては、Ｃｏ酸化物、Ｃｕ酸化物、Ｍｏ酸化物、Ｎｉ酸化物、アミン系有機化合物、ヒドラゾン系有機化合物、スチルベン系有機化合物、スターバスト系有機化合物（これらの有機化合物には有機金属錯体も含まれる。）が挙げられる。正孔輸送材料として好適な金属酸化物としては、Ｃｏ３Ｏ４、ＣｕＯ、ＭｏＯｘ（ｘは整数）、ＮｉＯｘ（ｘは整数）などが挙げられる。正孔輸送材料として好適な有機化合物としては、４，４’−ビス［Ｎ−ナフチル−Ｎ−フェニル−アミノ］ビフェニル（α−ＮＰＤ）、銅フタロシアニン（ＣｕＰｃ）などが挙げられる。これらは単独で用いても良いし、２以上を組み合わせて用いても良い。
【００４９】
また、正孔輸送材料として、テトラアリールベンジシン化合物、トリフェニレン誘導体、水溶性のＰＥＤＯＴ：ＰＳＳ（ポリスチレンスルフォン酸ドープポリエチレンジオキシチオフェン）などを用いてもよい。正孔輸送層の厚みは、２０〜１００ｎｍが好ましい。正孔輸送層には、その正孔移動度を改善するために、電子受容性アクセプタを添加することが好ましい。電子受容性アクセプタの例としては、ハロゲン化金属、ルイス酸、有機酸などが挙げられる。正孔輸送層は、真空蒸着法、スピンコート法、キャスト法、ＬＢ法、印刷法などにより形成することができる。正孔輸送層にＰＥＤＯＴ：ＰＳＳを用いる場合は、イソプロピルアルコールなどのアルコール系溶媒に希釈し、スピンコート等で塗工し、加熱して乾燥することで形成することができる。
【００５０】
可撓性支持体層２０は、第２電極層１８を形成する際の支持体となる層であり、可撓性を有する柔軟な材料で構成される。曲げられるほどの柔軟性を有し、可撓性を有する柔軟な材料であれば、フレキシブルガラスであってもよいし、樹脂フィルムであってもよい。可撓性、柔軟性に特に優れるなどの観点から、可撓性支持体層２０は樹脂フィルムからなることが好ましい。可撓性支持体層２０は、可視光透過性に優れる（透明である）ことが好ましい。具体的には、可視光透過率が５０％以上であることが好ましい。
【００５１】
可撓性支持体層２０の材料として好適な、可視光透過性に優れる透明材料としては、ガラスなどの透明セラミック材料や、透明樹脂材料などが挙げられる。透明樹脂材料としては、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート等のポリエステル、ポリカーボネート、ポリイミド、ポリエーテルスルフォン、ポリエーテルイミド、ポリフェニレンサルファイド、ポリスルホン、ポリエーテルエーテルケトン、ポリアミド、ポリメタクリル酸メチル、ポリアリレート、シクロオレフィンポリマー、ポリエチレン、ポリプロピレン、エチレン−αオレフィン共重合体、プロピレン−αオレフィン共重合体などが挙げられる。αオレフィンとしては、ブテン、オクテンなどが挙げられる。これらは１種または２種以上含まれていても良い。
【００５２】
可撓性支持体層２０の厚みは、可撓性を確保するなどの観点から、５００μｍ以下であることが好ましい。また、可撓性に優れるなどの観点から、２００μｍ以下であることが好ましい。一方、支持体としての強度を確保するなどの観点から、１μｍ以上であることが好ましい。また、支持体としての強度に優れるなどの観点から、２０μｍ以上であることが好ましい。
【００５３】
硬化層２２は、硬化性樹脂を含有する硬化性組成物の硬化物からなる。硬化性樹脂としては、熱硬化性樹脂、光硬化性樹脂が挙げられる。材料劣化の観点から光を照射することが好ましくない用途（有機ＥＬ素子）の場合には、硬化性樹脂としては熱硬化性樹脂が好ましい。そうでない場合には、光硬化性樹脂を用いてもよい。また、加熱圧着プレス装置を用いる場合には、圧着と加熱硬化を同時に行えるため、硬化性樹脂としては、熱硬化樹脂が好ましい。また、硬化層２２は、可視光透過性に優れる（透明である）ことが好ましい。具体的には、可視光透過率が５０％以上であることが好ましい。このような材料としては、エポキシ樹脂、ウレタン樹脂、フェノール樹脂、アミノ樹脂、ポリエステル樹脂、アクリル樹脂などが挙げられる。これらは、1種単独で用いてもよいし、２種以上を併用してもよい。これらのうちでは、硬化後の硬度などの観点から、エポキシ樹脂、アミノ樹脂が特に好ましい。
【００５４】
硬化性樹脂を含有する硬化性組成物は、異物の埋まり込みの効果に優れるなどの観点から、２０℃における粘度が１０００００ｍＰａ・ｓ以下であることが好ましい。より好ましくは５００００ｍＰａ・ｓ以下である。一方、追従高さの確保などの観点から、硬化性組成物の２０℃における粘度は０．１ｍＰａ・ｓ以上であることが好ましい。より好ましくは０．５ｍＰａ・ｓ以上である。
【００５５】
この硬化性組成物を硬化して得られる硬化層２２は、剛性に優れ、可撓性支持体層２０の反り返りを抑える効果に優れ、界面剥離による接触不良を抑えるなどの観点から、２０℃におけるヤング率が１０ＭＰａ以上であることが好ましい。より好ましくは１００ＭＰａ以上である。
【００５６】
硬化層２２の厚みは、異物などの埋まり込みの効果に優れるなどの観点から、３μｍ以上であることが好ましい。より好ましくは５μｍ以上である。目視可能な欠点の大きさは３０μｍ以上であり、この欠点の要因となる異物の大きさは欠点の大きさの約１／１０の３μｍ以上である。硬化層２２は、３μｍ以上の異物に追従し、埋め込むことが好ましいからである。
【００５７】
封止層２４は、硬化層２２の平面部２２ａの厚み方向外側全面を覆って酸素や水分が外から侵入するのを封止する。封止層２４は、剛体であってもよいし、可撓性材料であってもよい。封止層２４は、可視光透過性に優れる（透明である）ことが好ましい。具体的には、可視光透過率が５０％以上であることが好ましい。封止層２４の材料として好適な、可視光透過性に優れる透明材料としては、ガラスなどの透明セラミック材料や、透明樹脂材料などが挙げられる。透明樹脂材料としては、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート等のポリエステル、ポリカーボネート、ポリイミド、ポリエーテルスルフォン、ポリエーテルイミド、ポリフェニレンサルファイド、ポリスルホン、ポリエーテルエーテルケトン、ポリアミド、ポリメタクリル酸メチル、ポリアリレート、シクロオレフィンポリマーなどが挙げられる。これらは１種または２種以上含まれていても良い。封止層２４の厚みは、用途に応じて適宜定めることができる。
【００５８】
以上の構成の有機半導体素子１０は、図２に示すように、基板１２の一方面上の所定位置に第１電極層１４、第１電極端子２８、第２電極端子２６、有機半導体層１６を有する第１貼合部材１０ａの一方面側と、可撓性支持体層２０の一方面上の所定位置に第２電極層１８を有し、その他方面上の所定位置に硬化性組成物からなる硬化性組成物層２２ａと封止層２４とをこの順で有する第２貼合部材１０ｂの一方面側と、を対向させて貼り合わせることにより製造することができる。
【００５９】
第１貼合部材１０ａにおいて、第１電極層１４、第１電極端子２８、第２電極端子２６は、真空蒸着法、スパッタ法、スピンコート法、キャスト法、ＬＢ法、パイロゾル法、スプレー法などにより基板１２の一方面上に形成することができる。また、第１電極端子２８、第２電極端子２６は、導電性ペーストを所定の場所に塗工し、乾燥あるいは硬化させることにより基板１２の一方面上に形成することができる。有機半導体層１６は、有機半導体材料を含有する材料を有機溶媒に希釈し、スピンコート等で塗工し、加熱して乾燥することで形成することができる。
【００６０】
第２貼合部材１０ｂにおいて、第２電極層１８は、真空蒸着法、スパッタ法、スピンコート法、キャスト法、ＬＢ法、パイロゾル法、スプレー法などにより可撓性支持体層２０の一方面上に形成することができる。硬化性組成物層２２ａは、ペースト状あるいは液状にされた硬化性組成物を所定の場所に塗工し、必要に応じて乾燥させることにより可撓性支持体層２０の他方面上に形成することができる。封止層２４は、ガラス板、樹脂板、樹脂フィルムなどを硬化性組成物層２２ａの面上に重ね合わせることにより可撓性支持体層２０の他方面上に形成することができる。また、封止層２４は、硬化性組成物層２２ａの面上に樹脂組成物を塗工し、必要に応じて乾燥させることにより可撓性支持体層２０の他方面上に形成することができる。
【００６１】
貼り合せの際、第２電極層１８と第２電極端子２６の接触部２６ａとを厚み方向において重ね合わせて接触させ、硬化性組成物層２２ａの厚み方向外側から厚み方向に圧力を加えて密着させる。このとき、圧力で硬化性樹脂は可撓性支持体層２０の全周縁から基板１２の面上に流れて基板１２の面上に密着する。これにより、第１電極層１４、有機半導体層１６、第２電極層１８、可撓性支持体層２０が硬化性樹脂で覆われ、封止される。この状態で、硬化性樹脂を硬化させて硬化層２２を形成する。
【００６２】
第２電極層１８と第２電極端子２６の接触部２６ａとが直接接触し、接触界面に導電性粒子を含有する接合層が介在しないので、導電性粒子を含有する接合層により電極と端子の接続を行う構成と比較して、端子接続部分において可視光透過性の低下を抑えることができる。そして、第２電極層１８と第２電極端子２６の接触部２６ａとを密着させるときに、硬化性組成物層２２ａの厚み方向外側から厚み方向に圧力を加えるので、図３（ａ）に示すように、第２電極層１８の表面や第２電極端子２６の接触部２６ａの表面に異物３０が付着していても、可撓性支持体層２０が異物３０の形状に追従し、可撓性支持体層２０および硬化性組成物層２２ａに異物３０が埋まり込み、貼り合わせ不良が抑えられる。この効果は、可撓性支持体層２０の厚み方向外側で厚み方向において接触部２６ａと重なる位置に硬化性組成物が配置されることにより奏される。そして、硬化性組成物層２２ａを硬化させて硬化層２２を形成するので、可撓性支持体層２０が異物３０の形状に追従した状態で固定される。これにより、可撓性支持体層２０の反り返りが抑えられ、界面剥離による接触不良が抑えられる。よって、接続信頼性にも優れるものとなる。
【００６３】
これに対し、第２電極層１８を支持する支持体層が柔軟性のない剛体であると、異物により貼り合わせ不良が生じやすい。図３（ｂ）には、比較となる構成を示している。図３（ｂ）では、基板１２の一方面上の所定位置に第１電極層１４、第１電極端子２８、第２電極端子２６、有機半導体層１６を有する第１貼合部材１１ａの一方面側と、剛体である支持体層３２の一方面上の所定位置に第２電極層１８を有する第２貼合部材１１ｂの一方面側と、を対向させて貼り合わせている。図３（ｂ）に示すように、支持体層３２は剛体であるため、異物３０が存在する部分で曲がらず、第２電極層１８と第２電極端子２６の接触部２６ａとの間に隙間を生じさせる。
【００６４】
また、第２電極層１８を支持する支持体層が柔軟性を有する可撓性支持体層２０であったとしても、可撓性支持体層２０の厚み方向外側で厚み方向において接触部２６ａと重なる位置に硬化性組成物が配置されていないと、可撓性支持体層２０の反り返りによる界面剥離により接触不良が生じやすい。図４（ａ）（ｂ）には、比較となる構成を示している。図４では、基板１２の一方面上の所定位置に第１電極層１４、第１電極端子２８、第２電極端子２６、有機半導体層１６を有する第１貼合部材１１ｃの一方面側と、可撓性支持体層２０の一方面上の所定位置に第２電極層１８を有する第２貼合部材１１ｄの一方面側と、を対向させて貼り合わせている。図４に示すように、支持体層２０は可撓性を有するため、反り返りにより、第２電極層１８と第２電極端子２６の接触部２６ａとの間の界面剥離による接触不良を生じさせる。
【００６５】
したがって、本発明に係る有機半導体素子１０によれば、端子接続部分において可視光透過性の低下が抑えられ、可視光透過性に優れるものとなる。このとき、各構成部材がいずれも可視光透過性に優れる、具体的には可視光透過率が５０％以上である部材であると、有機半導体素子１０の全面で可視光透過性に優れ、その全面で可視光透過率が５０％以上となる。したがって、第２電極層１８と第２電極端子２６の接触部２６ａとの間の厚み方向に重なり接触する領域においても厚み方向における可視光透過率が５０％以上となり、可視光透過性に優れ、優れた透明性が確保される。
【００６６】
また、有機半導体素子１０によれば、異物による貼り合わせ不良や界面剥離などが抑えられ、接触不良が抑えられる。これにより、接続信頼性にも優れるものとなる。
【００６７】
また、有機半導体素子１０によれば、硬化層２２が、可撓性支持体層２０の厚み方向外側で厚み方向において接触部２６ａと重なる位置から活性領域外に取り出された取出部２６ｂと接する位置まで連続して設けられているので、硬化層２２により第２電極層１８と第２電極端子２６の接触部２６ａとが厚み方向において重なり接触した状態で固定され、その接触圧が維持されるので、良好な接続状態が維持され、接続信頼性に貢献する。また、硬化層２２が可撓性支持体層２０の厚み方向外側全面に接して設けられているので、活性領域内における異物形状への追従性も期待でき、活性領域内での貼り合わせ不良や界面剥離なども抑えられる。また、硬化層２２が、可撓性支持体層２０の厚み方向外側全面から可撓性支持体層２０、第２電極層１８、有機半導体層１６、第１電極層１４のすべての周縁を囲むように活性領域外の基板１２の面上、第１電極端子２８、および、第２電極端子２６の取出部２６ｂと接して設けられているので、第２電極層１８、有機半導体層１６、第１電極層１４を封止することができる。つまり、これにより、第２電極層１８、有機半導体層１６、第１電極層１４の劣化を抑えることにも貢献することができる。
【００６８】
本発明においては、可撓性支持体層２０の厚み方向外側で厚み方向において接触部２６ａと重なる位置に硬化層２２が配置されていればよく、有機半導体素子１０の構成以外の構成であってもよい。図５（ａ）（ｂ）、図６には、他の実施形態に係る有機半導体素子を示す。なお、硬化層以外の構成は図１に示す有機半導体素子１０と同様であり、その説明を省略する。また、図５（ａ）（ｂ）、図６では、封止層２４を記載しないで示している。
【００６９】
図５（ａ）に示す有機半導体素子４０では、硬化層４２は、可撓性支持体層２０の厚み方向外側で厚み方向において接触部２６ａと重なる位置だけに設けられている。図５（ｂ）に示す有機半導体素子５０では、硬化層５２は、可撓性支持体層２０の厚み方向外側で厚み方向において接触部２６ａと重なる位置から活性領域外に取り出された取出部２６ｂと接する位置までだけ連続して設けられている。図６に示す有機半導体素子６０では、硬化層６２は、可撓性支持体層２０の厚み方向外側で厚み方向において接触部２６ａと重なる位置から活性領域外に取り出された取出部２６ｂと接する位置までと、可撓性支持体層２０の厚み方向外側で厚み方向において接触部２６ａと重なる位置から第２電極端子２６が設けられている基板１２の一方と反対側の活性領域外の面上までだけ連続して設けられている。
【００７０】
図５（ｂ）に示す有機半導体素子５０では、硬化層５２により第２電極層１８と第２電極端子２６の接触部２６ａとが厚み方向において重なり接触した状態で固定され、その接触圧が維持されるので、良好な接続状態が維持され、接続信頼性に貢献する。また、図６に示す有機半導体素子６０でも、硬化層６２により第２電極層１８と第２電極端子２６の接触部２６ａとが厚み方向において重なり接触した状態で固定され、その接触圧が維持されるので、良好な接続状態が維持され、接続信頼性に貢献する。
【００７１】
なお、有機半導体素子１０では、有機ＥＬ素子における全面発光に対応する構成となっている（領域Ｘが発光部である。）が、本発明に係る有機半導体素子においては、有機ＥＬ素子における発光部を切り分けた構成であってもよい。また、封止層２４が存在しない構成であってもよい。
【００７２】
そして、上記実施形態においては、層２２を、硬化性樹脂を含有する硬化性組成物の硬化物からなる硬化層２２として説明しているが、層２２は、貼り合わせ時においては柔らかく異物を埋め込むことができ、貼り合わせ後においては硬く可撓性支持体層２０を固定することができる材料であればよいため、熱可塑性樹脂を含有する熱可塑性組成物の固化物からなる固化層であってもよい。この場合、熱可塑性樹脂の種類は特に限定されるものではないが、熱プレスによる成形で本発明の上記作用効果が得られやすいなどの観点から、熱可塑性組成物は、８０℃から２００℃の間に溶融点を持ち、溶融時の粘度が１０００００ｍＰａ・ｓ以下であり、かつ２０℃におけるヤング率が１０ＭＰａ以上であることが好ましい。２０℃におけるヤング率は、より好ましくは１００ＭＰａ以上である。
【実施例】
【００７３】
以下に、実施例によって本発明を説明する。
【００７４】
（実施例）
図７に示すように、透明ガラス基板１上に８本のインジウム亜鉛酸化物（ＩＺＯ）パターンＡ１〜Ａ４、Ｂ１〜Ｂ４（膜厚１００ｎｍ）が施されたＩＺＯパターンガラス（ジオマテック社製）を用い、これを、純水、有機アルカリ洗浄液（メルク社製：エキストラン）、純水、アセトン溶液、ＩＰＡ溶液の順に各５分間、超音波洗浄を行った。これにより、第１貼合部材を準備した。
【００７５】
また、図７に示すように、透明な可撓性基材２（帝人社製：ＰＥＴフィルム、厚み１２５μｍ）上に４本のインジウム亜鉛酸化物（ＩＺＯ）パターンＣ１〜Ｃ４（膜厚１００ｎｍ）が施されたＩＺＯパターンフィルム（ジオマテック社製）を用い、これを、純水、有機アルカリ洗浄液（メルク社製：エキストラン）、純水、アセトン溶液、ＩＰＡ溶液の順に各５分間、超音波洗浄を行った。これにより、第２貼合部材を準備した。
【００７６】
そして、図７に示すように、ＩＺＯパターンガラスのＩＺＯパターンと、ＩＺＯパターンフィルムのＩＺＯパターンと、が交差して接触するようにＩＺＯパターンガラスとＩＺＯパターンフィルムとを重ね合わせ、さらに、可撓性基材２の全面に透明な熱硬化性樹脂（エポキシ樹脂、稲畑産業社製、製品名「ＥＨ１６００Ｇ２」、２０℃における粘度３０００ｍＰａ・ｓ）を塗工し、その熱硬化性樹脂層の上に透明ガラス基板（厚さ７００μｍ）を重ね、２ＭＰａの圧力でこれらを密着させた。このとき、圧力で熱硬化性樹脂が可撓性基材２の全周縁から透明ガラス基板１の面上に流れて透明ガラス基板１の面上に密着し、可撓性基材２およびＩＺＯパターンフィルムのＩＺＯパターンとＩＺＯパターンガラスのＩＺＯパターンの一部が熱硬化性樹脂により覆われた。この状態で１４０℃に加熱して熱硬化性樹脂を硬化させ、厚さ４０μｍの硬化層を形成した。以上により、実施例に係る端子間接続を行った。
【００７７】
（比較例１）
ＩＺＯパターンガラスのＩＺＯパターンと、ＩＺＯパターンフィルムのＩＺＯパターンと、が交差して接触する接触界面に異方導電性接着剤（スリーボンド社製「３３７３Ｃ」、厚さ１０μｍ）を介在させたこと、可撓性基材２の表面に熱硬化性樹脂層を介在させないで透明ガラス基板（厚さ７００μｍ）を直接重ねたこと以外は実施例と同様にして、比較例１に係る端子間接続を行った。
【００７８】
（比較例２）
第２貼合部材として、厚さ７００μｍの非可撓性の透明ガラス基板上に４本のインジウム亜鉛酸化物（ＩＺＯ）パターン（膜厚１００ｎｍ）が施されたＩＺＯパターンガラス（ジオマテック社製）を用いたこと以外は実施例と同様にして、比較例２に係る端子間接続を行った。
【００７９】
作製した各端子間接続サンプルを用い、端子接続部における透明性および接続信頼性の評価を行った。その結果を表１に示す。
【００８０】
（透明性）
ＪＩＳ  Ａ５７５９に準拠し、分光光度計（島津製作所製「ＵＶ３１００」）を用い、波長３００〜１０００ｎｍの透過スペクトルを測定し、可視光透過率を算出した。
【００８１】
（接続信頼性）
図７に示すように、作製した各端子間接続サンプルの４つの回路の抵抗値をそれぞれ測定した。具体的には、Ａ１−Ｂ１間、Ａ２−Ｂ２間、Ａ３−Ｂ３間、Ａ４−Ｂ４間の抵抗をそれぞれ測定した。実施例、比較例１、比較例２のそれぞれで２つの端子間接続サンプルを作製し、実施例、比較例１、比較例２のそれぞれについて、合計８つの回路の抵抗値を測定した。回路の抵抗値が１０００Ω以下であった場合を良接続「○」とし、回路の抵抗値が１０００Ω超であった場合を接続不良「×」とした。合計８つの回路のうち良接続であった回路の占める割合を良接続率とし、これを接続信頼性の指標とした。
【００８２】
（熱硬化性樹脂の硬化物のヤング率）
図８に示すように、ガラス基板３（５０ｍｍ×５０ｍｍ×０．７ｍｍｔ）上に実施例１の熱硬化性樹脂（エポキシ樹脂）を５０ｍｍ×１５ｍｍ×０．０５ｍｍｔの範囲に塗布し、実施例１と同じ条件で硬化させた。フィッシャー・インストルメンツ社製のユニバーサル硬度計を用い、以下の測定条件にて硬化物４のヤング率を測定した。その結果、２０℃におけるヤング率は４５６０ＭＰａであった。
圧子：ビッカース
荷重：１０ｍＮ
押し込み時間：５秒
クリープ時間：３０秒
開放時間：５秒
測定温度：２０℃
【００８３】
【表１】
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【００８４】
比較例１では、導電性粒子を配した異方導電性接着剤を用いて端子間接続を行っているため、透明性を満足できない。比較例２では、第２貼合部材において非可撓性の透明ガラス基板を用いているため、端子間で良接続の数が少なく、接続信頼性を満足できない。これに対し、実施例によれば、透明性、接続信頼性の両方を満足できることがわかる。
【００８５】
以上、本発明は上記実施形態、実施例に何ら限定されるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲内で種々の改変が可能なものである。
【符号の説明】
【００８６】
１０  有機半導体素子
１２  基板
１４  第１電極層
１６  有機半導体層
１８  第２電極層
２０  可撓性支持体層
２２  硬化層
２４  封止層
２６  第２電極端子
２６ａ  第２電極端子の接触部
２６ｂ  第２電極端子の取出部
２８  第１電極端子
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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