(57)【要約】      （修正有）【課題】適度な光透過性を有するナノ構造ベースの透過性導電性膜が形成可能な導電性インクジェット用インクの提供【解決手段】水、イソプロパノール、プロピレングリコール、及びエチレングリコールから選択される２種の溶剤と、界面活性剤と、金属異方性ナノ構造を有する金属ナノワイヤ又は金属ナノチューブとを含んでなるインクジェット用インク。前記インクジェット用インクは基板上に、異方導電性を有する塗膜を形成することができる。【選択図】なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
明細書または図面に記載の発明。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
（関連出願の相互参照）
本願は、米国仮特許出願第６１／０３１，５２８号（２００８年２月２６日出願）の米国特許法第１１９条第（ｅ）項の優先権の利益を主張し、この出願の開示は、その全体が本明細書に参考として援用される。
【０００２】
（１．発明の分野）
本開示は、基板上における導電性特徴の形成に関する。
【背景技術】
【０００３】
（２．関連技術）
透過性導体とは、高透過率表面または基板上に塗膜される、薄い導電性膜を指す。透過性導体は、表面導電率を有しつつ、適度な光透過性を維持するように製造され得る。そのような表面導電透過性導体は、フラット液晶ディスプレイ、タッチパネル、エレクトロルミネセント素子、および薄膜光電池内の透過性電極として、帯電防止層として、ならびに電磁波遮蔽層として、広く使用されている。
【０００４】
現在、インジウムスズ酸化物（ＩＴＯ）等の真空蒸着金属酸化物は、ガラスおよびポリマー膜等の誘電表面に、光学的透過性および導電性を提供するための業界標準材料である。しかしながら、金属酸化物膜は、曲げまたは他の物理的応力を受ける際に、脆弱かつ損傷しやすい。また、高導電率レベルを達成するために、高蒸着温度および／または高焼鈍温度を必要とする。また、プラスチックおよび有機基板、例えば、ポリカーボネート等、湿気を吸収しやすい基板への金属酸化物膜の接着に関する問題が生じる場合がある。したがって、可撓性基板上における金属酸化物膜の塗布は、大幅に制限される。加えて、真空蒸着は、コストがかかるプロセスであって、特殊機器を必要とする。さらに、真空蒸着のプロセスは、パターンおよび回路を形成することにはつながらない。これは、典型的には、フォトリソグラフィ等の高価なパターニングプロセスの必要性をもたらす。
【０００５】
また、導電性ポリマーは、光学的透過性電導体として使用されている。しかしながら、概して、金属酸化物膜と比較して、より低い導電率値およびより高い光吸収率（特に、可視波長において）を有し、化学的および長期的安定性の欠如を被る。
【０００６】
近年、導電性ナノ構造を使用して形成される透過性導体が開発され、上述の種類の透過性導体に優るいくつかの利点を提供する。特に、導電性ナノ構造を使用して形成される透過性導体は、比較的に可撓性であって、湿潤塗膜プロセスを使用して加工可能であって、望ましい電気的および光学的性質を呈し得る。そのような透過性導体は、例えば、米国特許出願第１１／７６６，５５２号、同第１１／５０４，８２２号、同第１１／８７１，７６７号、および同第１１／８７１，７２１号に開示されており、参照することによって、全体として本明細書に組み込まれる。加えて、いくつかの上述の素子用途は、比較的に大きな連続的な導電性面積を有する透過導電性シートを使用することが可能であるが、また、これらの用途の多くは、比較的より小規模な面積、パターン、トレース、ライン、または他のそのような特徴のみが導電性である層を必要とする。ナノ構造ベースの透過性導体をパターニングするための方法が開発されているが、そのようなパターニングプロセスは、製造上の非効率性をもたらす場合がある。故に、導電性パターンまたは特徴を有する、ナノ構造ベースの導電性膜の生成を可能にする必要性がある。
【発明の概要】
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明による製品では、導電性特徴が基板上に形成され、導電性特徴は金属異方性ナノ構造を含み、導電性特徴は基板上へ金属異方性ナノ構造を含有する塗膜溶液をインクジェット噴射することによって形成される。
【０００８】
さらに、インクジェット噴射することによって基板上に導電性特徴を生成するために使用可能な本発明による塗膜組成物は、第１の溶剤と、第２の溶剤と、界面活性剤と、金属異方性ナノ構造とを含む。
【０００９】
加えて、本発明による基板上に導電性特徴を形成する方法は、金属異方性ナノ構造を含有する塗膜溶液を提供するステップと、複数の第１の液滴をその間に液滴間空間を有する基板上へインクジェット噴射するステップと、複数の第１の液滴を乾燥させるステップと、基板上の複数の第１の液滴間の液滴間空間内へ複数の第２の液滴をインクジェット噴射するステップと、導電性経路が、複数の第１の液滴のうちの少なくとも第１の液滴と第２の液滴との間に形成されるように複数の第２の液滴を乾燥させるステップとを含む。
【図面の簡単な説明】
【００１０】
【図１】図１は、本発明による、浸透閾値を上回る異方性ナノ構造を含む、導電性特徴の図面である。
【図２】図２は、浸透閾値を下回る異方性ナノ構造を含む、特徴の図面である。
【図３】図３は、導電性ナノ構造を有する塗膜溶液をインクジェット噴射することによって導電性特徴を生成する、本発明による方法の一実施形態を例示する図である。
【図４】図４は、導電性ナノ構造を有する塗膜溶液をインクジェット噴射することによって導電性特徴を生成する、本発明による方法の第２の実施形態を例示する図である。
【図５】図５は、図４によって例示される方法を示す、フローチャートである。
【図６】図６は、本発明による、異方性導電性ナノ構造を含む、導電性特徴である。
【図７】図７は、本発明によって生成される導電性特徴の抵抗率を例示するグラフである。
【図８Ａ】図８Ａおよび８Ｂは、本発明による、導電性特徴を生成する方法の実施形態を例示する、顕微鏡写真である。
【図８Ｂ】図８Ａおよび８Ｂは、本発明による、導電性特徴を生成する方法の実施形態を例示する、顕微鏡写真である。
【図９Ａ】図９Ａおよび９Ｂは、本発明による、導電性特徴を生成する方法の実施形態を例示する、顕微鏡写真である。
【図９Ｂ】図９Ａおよび９Ｂは、本発明による、導電性特徴を生成する方法の実施形態を例示する、顕微鏡写真である。
【図１０】図１０は、本発明による、圧力によって生成される導電性特徴を例示する、顕微鏡写真である。
【図１１】図１１は、一実施形態による、ＴＦＴバックプレーンのスイッチング素子の断面図である。
【図１２】図１２は、本発明による、ナノ構造に基づく透過性電極を備える、ディスプレイ素子を示す。
【図１３】図１３は、一実施形態による、上部ゲート型ＴＦＴに基づくＬＣＤの断面図を示す。
【図１４】図１４は、一実施形態による、ＰＤＰの断面図を示す。
【図１５】図１５は、一実施形態による、ホモ接合太陽電池構造を示す。
【図１６】図１６は、別の実施形態による、ヘテロ接合太陽電池構造を示す。
【図１７】図１７は、別の実施形態による、多接合太陽電池構造を示す。
【発明を実施するための形態】
【００１１】
本発明によると、透過導電性パターンは、導電性ナノ構造を含む塗膜溶液のインクジェット噴射によって、基板上に形成可能である。インクジェット印刷は、液体塗膜溶液（すなわち、「インク」）の液滴を基板上へ飛沫させる印刷方法である。液滴は、典型的には、熱または圧電手段によって、インクジェットヘッド上のノズルまたは複数のノズルを通して強制的に押される。そうすることによって、塗膜溶液およびインクジェット噴射方法は、塗膜溶液の噴射性能ならびに塗膜される基板上における液滴の再現性と液滴のパターンとを達成するはずである。特に、本発明による、ナノワイヤおよび／またはナノチューブを含む、導電性パターンまたはトレースをインクジェット噴射するための塗膜溶液および装置の方法では、塗膜溶液は、インクジェットノズル上で乾燥せず、塗膜溶液は、最小目詰まりを伴うノズルまたは複数のノズルを通して流動し、インクジェットヘッドから放出される塗膜溶液の液滴は、基板と安定した相互作用を形成して、基板上で十分かつ急速に乾燥するはずある。
【００１２】
（導電性ナノ構造）
本発明による塗膜溶液は、好ましくは、導電性ナノ構造を含む。本明細書で使用されるように、「ナノ構造」とは、概して、ナノサイズの構造を指し、その少なくとも１つの寸法は、５００ｎｍ未満、より好ましくは、２５０ｎｍ、１００ｎｍ、または２５ｎｍ未満である。好ましくは、本発明による塗膜溶液中において使用されるナノ構造は、異方性に成形される、すなわち、１に等しくないアスペクト比（長さと直径との比）を有する。透過導電性特徴を生成する際の等方性ナノ構造の使用は、所望のレベルの導電率を達成するために、比較的高い重量パーセント（すなわち、表面装填レベル）のそのようなナノ構造が必要とされる場合があるために、困難であり得る。そのような高装填レベルは、ヘイズ（例えば、概して、高ヘイズをもたらす）および透過性（例えば、概して、低い透過性をもたらす）等の光学的性質に容認不可能な程度の影響を及ぼし得る。しかしながら、インクジェット噴射用途における異方性ナノ構造の使用は、挑戦的であり得、その理由は、ナノ構造の長さが、インクジェットノズルを比較的さらに容易に目詰まりさせ得るか、または容認し難いジェット噴射を生じさせ得るからである。本発明による方法および塗膜溶液は、有利には、これらの困難点を克服する。
【００１３】
ナノ構造は、中実または中空であり得る。中実の異方性ナノ構造は、例えば、ナノワイヤを含む。中空の異方性ナノ構造は、例えば、ナノチューブを含む。典型的には、異方性ナノ構造は、直径５乃至５００ｎｍ、より好ましくは、１０乃至１００ｎｍ、より好ましくは、３０乃至９０ｎｍと、長さ１００ｎｍ乃至１０μｍ、より好ましくは、５００ｎｍ乃至１μｍを有する。
【００１４】
ナノ構造は、任意の導電性材料から形成することが可能である。最も典型的には、導電性材料は金属である。半導性または非導電性ナノ構造は、容認可能な導電率を達成するために、比較的高い割合のそのような材料が使用される必要がある場合があるため、概して、本明細書に開示される基板上に透過導電性特徴を生成するための方法および装置との併用性能が良くない。そして、そのような比較的大きい量は、生成される特徴の光学特性に悪影響を及ぼす場合がある。金属材料は、好ましくは、純金属、金属合金、または２種類以上の金属を備える二元金属材料であり得る。好適な金属は、銀、金、銅、ニッケル、金めっき銀、白金、およびパラジウムを含むが、それらに限定されない。また、金属の大気酸化によって生じる少量の酸化物も存在する場合があると考えられる。
【００１５】
導電性の異方性ナノ構造は、好ましくは、本発明による塗膜溶液中の主要な導電性媒体として使用され得る。好ましい種類の異方性金属ナノ構造は、金属ナノワイヤを含む。金属ナノワイヤは、金属、金属合金、またはめっき金属から形成されるナノワイヤである。好適な金属ナノワイヤは、銀ナノワイヤ、金ナノワイヤ、銅ナノワイヤ、ニッケルナノワイヤ、金めっき銀ナノワイヤ、白金ナノワイヤ、およびパラジウムナノワイヤを含むが、それらに限定されない。同時係属中の同一出願人に所有される米国特許出願第１１／７６６，５５２号、同第１１／５０４，８２２号、同第１１／８７１，７６７号、および同第１１／８７１，７２１号は、金属ナノワイヤ（例えば、銀ナノワイヤ）を調製する方法を記載しており、その記載は、参照することによって、全体として本明細書に組み込まれる。
【００１６】
主要な導電性媒体中で使用される別の好ましい種類の異方性金属ナノ構造は、金属ナノチューブを含む。２００８年２月２６日出願の同時係属中の同一出願人に所有される米国特許出願第６１／０３１，６４３号は、金属ナノチューブ（例えば、金ナノチューブ）を調製する方法を記載しており、その記載は、参照することによって、全体として本明細書に組み込まれる。
【００１７】
種々の実施形態では、導電性ナノワイヤは、長さ約５−１００μｍおよび直径５−１００ｎｍ（すなわち、横断面）である。ある実施形態では、ナノワイヤは、長さ約５−３０μｍおよび直径２０−８０ｎｍである。好ましい実施形態では、ナノワイヤ（例えば、銀ナノワイヤ）は、長さ約２０μｍおよび直径５０ｎｍである。好適なナノチューブは、ナノワイヤの場合に記載のものと類似する寸法を有する。ナノチューブの場合、直径とは、ナノチューブの外径を指す。
【００１８】
（導電性特徴）
基板上に形成される導電性特徴では、異方性ナノ構造は、浸透プロセスを介して、導電ネットワークを形成する。浸透導電性は、導電路が相互接続する異方性ナノ構造を介して形成されると、確立され得る。電気的浸透の閾値に到達し、導電性となるために十分なナノ構造が存在しなければならない。したがって、電気的浸透閾値は、ナノ構造の装填密度または濃度と相関する値であって、それを上回ると、長期的な接続性が達成され得る。典型的には、装填密度とは、面積当たりのナノ構造の数を指し、「数／μｍ２」によって表され得る。
【００１９】
同時係属中の米国特許出願第１１／５０４，８２２号に記載されるように、異方性ナノ構造のアスペクト比が高い程、浸透導電率を達成するためには、より少ないナノ構造が必要とされる。ナノワイヤまたはナノチューブ等の異方性ナノ構造の場合、電気的浸透閾値あるいは装填密度は、ナノワイヤもしくはナノチューブの長さ２（長さの２乗）に逆相関する。同時係属中の同一出願人に所有される米国特許出願第１１／８７１，０５３号（参照することによって、全体として本明細書に組み込まれる）は、異方性ナノ構造の大きさ／形状と、浸透閾値における表面装填密度との間における、理論的ならびに経験的関係を詳細に記載している。
【００２０】
図１は、基板（図示せず）の表面上の導電性特徴５を図式的に示しており、導電ネットワークは、電気的浸透閾値以上の導電異方性ナノ構造２０によって形成される。導電路は、相互接続するナノ構造２０によって形成される（例えば、経路は、ナノ構造の連結を通してネットワークの一端から他端までトレース可能である）。したがって、電流は、異方性ナノ構造ネットワークをわたって伝えられることが可能である。
【００２１】
本明細書で使用されるように、「導電ネットワーク」または「ネットワーク」とは、電気的浸透閾値を上回る導電性ナノ構造によって形成される、相互接続しているネットワークを指す。典型的には、導電ネットワークは、１０８オーム／スクエア（また、「Ω／□」とも称される）以下の表面抵抗率を有する。好ましくは、表面抵抗率は、１０４Ω／□、３，０００Ω／□、１，０００Ω／□、または１００Ω／□以下である。典型的には、金属ナノワイヤまたはナノチューブによって形成される導電ネットワークの表面抵抗率は、１０Ω／□乃至１０００Ω／□、１００Ω／□乃至７５０Ω／□、５０Ω／□乃至２００Ω／□、１００Ω／□乃至５００Ω／□、１００Ω／□乃至２５０Ω／□、１０Ω／□乃至２００Ω／□、１０Ω／□乃至５０Ω／□、または１Ω／□乃至１０Ω／□の範囲である。そのような抵抗範囲は、導電性特徴の対向端に接触する２点抵抗プローブによって得られるようなものであり、結果として得られた抵抗率を、特徴を構成するスクエア数によって除すことによって得られる。例えば、長さ１００μｍおよび幅１μｍの特徴は、１００スクエアから構成されるであろう。
【００２２】
また、図１に示されるように、異方性ナノ構造は、ワイヤ間空間３０を画定する。浸透閾値以上では、ワイヤ間空間のサイズ（また、「網目サイズ」とも称される）は、ネットワークの導電率と相関する。典型的には、より小さい網目サイズは、より密に分布するナノ構造を意味し、言い換えると、より高い導電率に相当する。
【００２３】
また、網目サイズは、ナノ構造表面装填レベルの指標としても使用され得る。例えば、所与の長さの異方性ナノ構造の場合、表面装填が少ない程、より大きな網目サイズをもたらすであろう。網目サイズがある閾値を上回ると、ナノ構造は離間し過ぎており、浸透はもはや不可能となり、事実上、ワイヤ間空間が絶縁体となり得る。図２は、特徴５’を示しており、ナノ構造２０’は、完全なネットワークを形成するには不十分な密度状態にある。ワイヤ間空間３０’は、絶縁状態となる。換言すると、図１と比較して、低密度のナノ構造のため、網目サイズが拡張し、ナノ構造間の導電性がこわされる。
【００２４】
（印刷方法）
図３は、本発明による、導電性異方性ナノ構造を含む塗膜溶液をインクジェット噴射することによって、導電性特徴５０を生成する方法の一実施形態を例示する。
【００２５】
示されるように、分注液滴５２は、隣接液滴が実質的に相互に接触するように沈着される。分注液滴は任意の生成可能直径であってもよいが、図３は、約７０μｍの直径を有する分注液滴を示す。基板への塗布後（但し、乾燥前）、分注液滴は共流動し、若干大きな直径の分注液滴５４を形成し、分注線５６を形成する傾向にある。結果として得られる液滴５４および分注線５６が分注液滴５２より若干大きい直径を有する態様の実施例として、結果として得られる液滴５４は、約１００μｍの直径を有することが可能であって、分注線は、約１００μｍの幅を有することが可能である。乾燥後、分注線５６は、特徴線５０となり、例えば、約１００μｍの幅を有することが可能である。
【００２６】
特徴線５０等の特徴の導電性は、特徴の上部に塗膜溶液の追加層を蒸着させることによって変更可能であることが分かっている。特に、第１の特徴５０を沈着後、一実施形態では、第２および後続のインクジェットヘッド通過は、同一経路に沿って、特徴５０を生成するために使用される同一パラメータで操作することによって、行なうことが可能である。このように、塗膜溶液の複数の層が、特徴５０上に構築可能である。概して、上述の複数の層を蒸着させることは、比較的低い抵抗率を有する特徴をもたらすが、また、後述のように、低光透過性かつ高光学ヘイズを有する特徴をもたらす場合がある。
【００２７】
図４は、本発明による、導電性異方性ナノ構造を含む塗膜溶液をインクジェット噴射することによって、導電性特徴５０’を生成する方法の第２の実施形態を例示する図である。図４の方法では、分注液滴５２’は、隣接液滴が相互に接触しないように沈着させられる。加えて、分注液滴は、好ましくは、隣接液滴の最近接縁との間に略液滴の直径を有するように分注される。図４に示される実施例では、任意の生成可能直径および液滴間空間は、本発明の範囲内であるという理解の下、分注液滴５２’は約７０μｍの直径を有し、隣接液滴の最近接縁との間に約７０μｍの間隔で沈着される。したがって、隣接液滴は、接触し、より大きな液滴を形成するように共流動せず、また、結果として得られる液滴５４’も、図４の実施例では、約７０μｍの直径である。次いで、結果として得られる液滴５４’は、また、図４の実施例では、約７０μｍの直径を有する乾燥液滴５８を形成するように乾燥させられる。次いで、インクジェットヘッドの第２の通過は、同一線に沿って行なわれ、充填液滴６０は、乾燥液滴５８との間の空間に分注される。図４の実施例では、充填液滴６０は、約７０μｍの直径を有し、隣接液滴の最近接縁との間に約７０μｍの空間を有するように分注されるが、任意の液滴間空間を伴う任意の生成可能直径液滴は、本発明の範囲内である。充填液滴は相互に接触して沈着させられないので、一体的に流動してより大きな液滴を形成することはない。したがって、結果として得られる線特徴５０’は、図３に示される線特徴５０の約１００μｍの幅とは対照的に、約７０μｍの幅を有する。
【００２８】
図５は、図４に例示される方法を示すフローチャートである。ステップ２１０では、複数の第１の液滴は、液滴が相互に接触せず、その間に液滴間空間を有するように、基板の表面上へインクジェット噴射される。ステップ２２０では、第１の液滴が乾燥させられる。次いで、ステップ２３０では、複数の第２の液滴が、基板上へインクジェット噴射され、第１の液滴によって形成された液滴間空間を充填する。次いで、第２の液滴が乾燥させられる。このように、導電性トレースが、本明細書に記載のように形成可能である。
【００２９】
また、上述のように、図４および５に例示される方法を使用して、線５０’と異なる幅を有する特徴を生成可能である。これは、異なるサイズのインクジェットノズルを使用して行なうことが可能である。特に、実施例において後述されるように、約７０μｍ幅の線は、１０ｐＬ（２７μｍ直径）ノズルを使用して生成可能である。しかしながら、約３０μｍの液滴間空間を伴う１ｐＬ（９μｍ直径）ノズルが使用されると、約４５ｎｍの最終特徴線幅を生成可能である。
【００３０】
加えて、図４および５に例示される方法は、基板上の同一場所にわたって、複数回の通過として反復して行なわれ、単一特徴内に塗膜溶液の複数の層を構築してもよい。概して、上述のように複数の層を蒸着させるステップは、比較的低い抵抗率を有する特徴をもたらす。また、より大きい直径ノズルを使用する場合よりも、より小さい直径ノズルを使用する場合に、所与の抵抗率の特徴を生成するためにはより多くの層が必要とされることが分かっている。より小さい直径ノズルは、通過当たりの分注塗膜溶液の量が少なく、通過当たりの導電性材料が少なくなるためであると考えられる。
【００３１】
（塗膜溶液製剤）
上述のように、導電性である表面特徴を生成するためには、異方性ナノ構造装填レベルが、特徴内に浸透網を形成することに対して十分であることが重要である。故に、塗膜溶液中の異方性ナノ構造の量は、導電性表面特徴を生成可能にするために重要である。
【００３２】
さらに、インクジェットヘッドのノズル上で塗膜溶液の乾燥が生じないように、十分に高い沸点が提供されるべきである。しかしながら、概して、高沸点溶液は、基板上での乾燥により時間がかかる可能性がある。そして、複数のインクジェット塗膜通過を含み得る、複数のステップが単一基板上で実行される生産環境では、乾燥時間の延長は、処理量を低減させる可能性がある。故に、塗膜溶液の沸点は、基板上に放出される液滴の乾燥が遅速過ぎて、生産処理量を低減させることがないように低温であることも重要であり得る。一実施形態では、本発明による、ナノワイヤおよび／またはナノチューブを含む、インクジェット噴射可能塗膜溶液は、好ましくは、１００Ｃ超かつ１８０Ｃ未満の沸点を有する。
【００３３】
後述のように、本発明による塗膜溶液は、好ましくは、界面活性剤を含む。界面活性剤の量が少な過ぎる場合、良好な液滴形状を生成しないことが分かっており、すなわち、液滴は、細長いか、またはランダムな非円形形状であり得る。そのような不規則形状の液滴は、基板上に形成される導電性特徴のサイズ調整および形状を比較的困難にし得る。しかしながら、多過ぎる界面活性剤が使用される場合、インクジェットノズルからの軌道（好ましくは、実質的にノズルの縦軸に沿う）は、そのような縦軸に対してある角度を成し得る。そのような分注軌道は、基板上の所望の場所に特徴を生成することを比較的困難にする可能性がある。一実施形態では、本発明による導電性塗膜溶液は、好ましくは、２００ｐｐｍ乃至８００ｐｐｍの界面活性剤を含み、より好ましくは、４００ｐｐｍ乃至６００ｐｐｍの界面活性剤を含む。
【００３４】
さらに、塗膜溶液内に存在する導電性ナノ構造、例えば、ナノワイヤまたはナノチューブの重量％は、噴射性能に重要である。特に、ナノ構造の重量％が多過ぎる場合、初期分注時または塗膜流体が分注されるにつれて経時的に、ノズルの目詰まりおよび不発を生じさせる可能性がある。一実施形態では、本発明による導電性塗膜溶液は、好ましくは、０．１乃至５重量％の導電性ナノ構造を含み、より好ましくは、０．５乃至１．５重量％の導電性ナノ構造を含む。
【００３５】
本発明による、ナノワイヤおよび／またはナノチューブを含む、インクジェット噴射可能な塗膜溶液は、好ましくは、水、アルコール、ケトン、エーテル、炭化水素、または芳香族溶剤（ベンゼン、トルエン、キシレン等）、ならびにナノワイヤおよび／またはナノチューブのうちの１つ以上を含む。
【００３６】
より好ましくは、本発明による、ナノワイヤおよび／またはナノチューブを含む、インクジェット噴射可能な塗膜溶液は、第１の溶剤と、第２の溶剤と、界面活性剤と、ナノワイヤおよび／またはナノチューブとを含む。好適な界面活性剤の代表的実施例として、Ｚｏｎｙｌ（登録商標）  ＦＳＡ、Ｚｏｎｙｌ（登録商標）  ＦＳＮ、Ｚｏｎｙｌ（登録商標）  ＦＳＯ、Ｚｏｎｙｌ（登録商標）  ＦＳＨ、Ｔｒｉｔｏｎ（ｘ１００、ｘ１１４、ｘ４５）、Ｄｙｎｏｌ（６０４、６０７）、ｎ−Ｄｏｄｅｃｙｌ  ｂ−Ｄ−ｍａｌｔｏｓｉｄｅ、およびＮｏｖｅｋを含む。好適な溶剤（第１または第２の溶剤）の実施例として、水、イソプロパノール、プロピレングリコール、およびエチレングリコールを含む。本発明による好ましい実施形態では、塗膜溶液は、３５乃至７５重量％の第１の溶剤（例えば、プロピレングリコールであってもよい）と、２５乃至６５重量％の第２の溶剤（例えば、水であってもよい）と、０．００５乃至０．５重量％の界面活性剤（例えば、Ｚｏｎｙｌ  ＦＳＯであってもよい）と、０．１乃至５重量％の金属ナノ構造（例えば、銀ナノワイヤまたは金ナノチューブであってもよい）とを含む。より好ましくは、本発明による塗膜溶液の実施形態は、５０乃至６０重量％の第１の溶剤（例えば、プロピレングリコールであってもよい）と、４０乃至５０重量％の第２の溶剤（例えば、水であってもい）と、０．００５乃至０．５重量％の界面活性剤（例えば、Ｚｏｎｙｌ  ＦＳＯであってもい）と、１乃至２重量％の金属ナノ構造（例えば、銀ナノワイヤおよび／または金ナノチューブであってもよい）とを含む。本発明による塗膜溶液の別の実施形態は、７乃至７５０の第１の溶剤の金属ナノ構造に対する重量比率と、５乃至６５０の第２の溶剤の金属ナノ構造に対する重量比率と、０．００１乃至５の界面活性剤の重量比率とを有してもよい。そのような実施形態では、第１の溶剤は、例えば、プロピレングリコールであって、第２の溶剤は、例えば、水であって、界面活性剤は、例えば、Ｚｏｎｙｌ  ＦＳＯであって、金属ナノ構造は、例えば、銀ナノワイヤおよび／または金ナノチューブであってもよい。本発明による塗膜溶液の別の実施形態は、２５乃至６０の第１の溶剤の金属ナノ構造に対する重量比率と、４０乃至６０の第２の溶剤の金属ナノ構造に対する重量比率と、０．００乃至０．１の界面活性剤の重量比率とを有してもよい。そのような実施形態では、第１の溶剤は、例えば、プロピレングリコールであって、第２の溶剤は、例えば、水であって、界面活性剤は、例えば、Ｚｏｎｙｌ  ＦＳＯであって、金属ナノ構造は、例えば、銀ナノワイヤおよび／または金ナノチューブであってもよい。
【００３７】
加えて、本発明による塗膜溶液は、添加剤および結合剤を含有し、粘度、腐食、粘着、およびナノワイヤ分散を制御してもよい。好適な添加剤および結合剤の実施例として、カルボキシメチルセルロース（ＣＭＣ）、２−ヒドロキシエチルセルロース（ＨＥＣ）、ヒドロキシプロピルメチルセルロース（ＨＰＭＣ）、メチルセルロース（ＭＣ）、ポリビニルアルコール（ＰＶＡ）、トリプロピレングリコール（ＴＰＧ）、およびキサンタンガム（ＸＧ）、ならびにエトキシレート、アルコキシレート、エチレンオキシド、およびプロピレンオキシド、ならびにそれらのコポリマー、スルホン酸塩、硫酸塩、二硫酸塩、スルホコハク酸塩、リン酸エステル、およびフッ素界面活性剤（例えば、ＤｕＰｏｎｔ製Ｚｏｎｙｌ（登録商標））等の界面活性剤を含むが、それらに限定されない。
【００３８】
塗膜溶液の組成物に加えて、分注の際のインクジェットノズルの温度は、容認可能なジェット噴射性能において重要であり得る。特に、ノズル温度が低過ぎる場合、インクジェットノズルが目詰まりし、不定形状液滴が生成される可能性がある。好ましくは、本発明による異方性ナノ構造を含有する塗膜溶液をインクジェット噴射するためのノズル温度は、４５℃乃至６５℃であって、より好ましくは、５０℃乃至６０℃である。
【００３９】
（印刷条件−基板）
本明細書で使用されるように、「基板」、すなわち、「選択基板」とは、導電性特徴が塗膜される材料を指す。基板は、剛性または可撓性であり得る。基板は、透明または不透明であり得る。好適な剛性基板は、例えば、ガラス、ポリカーボネート、アクリル等を含む。好適な可撓性基板として、ポリエステル（例えば、テレフタル酸ポリエチレン（ＰＥＴ）、ポリエステルナフタレート、およびポリカーボネート）、ポリオレフィン（例えば、線状、分岐、および環状ポリオレフィン）、ポリビニル（例えば、ポリ塩化ビニル、ポリ塩化ビニリデン、ポリビニルアセタール、ポリスチレン、ポリアクリル酸等）、セルロースエステル基（例えば、三酢酸セルロース、酢酸セルロース）、ポリエーテルスルホン、ポリイミド、シリコーン等のポリスルホン、ならびに他の従来のポリマー膜を含むが、それらに制限されない。好適な基板の付加的実施例は、例えば、米国特許第６，９７５，０６７号に見出され得る。
【００４０】
インクジェット塗布プロセスを介して、基板上に所与のサイズの導電性特徴を再現可能に生成するためには、一様なサイズおよび形状のインクジェット液滴を生成することが重要であり得る。本発明によると、基板上への塗膜溶液のインクジェット蒸着に先立って、ＵＶオゾンまたはＯ２プラズマによって、標的基板を処置するステップは、比較的優れたインクジェット液滴のサイズおよび形状の一様性を有利にもたらし得る。
【００４１】
（基質または被膜）
基板上への導電性特徴の蒸着後、ある実施形態では、導電性特徴の上部に被膜または基質を蒸着することが好ましい場合がある。被膜または基質とは、導電性ナノ構造が分散あるいは埋め込まれている中実状態の材料を指す。異方性ナノ構造の一部は、被膜または基質材料から突出し、導電ネットワークへのアクセスを可能にし得る。被膜または基質は、ナノ構造のための宿主として作用し得る。被膜または基質は、浸食および摩耗等の有害環境要因から金属ナノ構造を保護し得る。特に、基質は、微量の酸、酸素、硫黄等の湿潤環境において、浸食要素の浸透を大幅に低減し得る。加えて、被膜または基質は、好ましい物理的および機械的特性を導電性特徴にもたらす。例えば、基板への接着を提供可能である。さらに、金属酸化物膜と異なり、異方性ナノ構造が埋め込まれるポリマーまたは有機基質は、頑強かつ可撓性である。
【００４２】
さらに、導電性層の光学特性は、適切な基質材料を選択することによって、調整することが可能である。例えば、反射損および望ましくないグレアは、望ましい屈折率、組成、および厚さの基質を使用することによって、効果的に軽減され得る。
【００４３】
典型的には、基質は、光学的透明材料である。材料は、材料の光透過率が可視領域の少なくとも８０％（４００ｎｍ−７００ｎｍ）である場合、「光学的に透明」または「光学的に透過性」であると考えられる。特別の定めのない限り、本明細書に記載される透過性導体内の全層（基板および異方性ナノ構造層を含む）が、好ましくは、光学的に透明である。基質の光学的透明度は、典型的には、屈折率（ＲＩ）、厚さ、厚さ全体のＲＩの一貫性、表面（界面を含む）反射、ならびにヘイズ（表面粗度および／または埋入粒子によって生じる散乱損失）を含むが、それらに限定されない、多数の要因によって決定される。
【００４４】
ある実施形態では、基質は、厚さ約１０ｎｍ乃至５μｍ、約２０ｎｍ乃至１μｍ、または約５０ｎｍ乃至２００ｎｍである。他の実施形態では、基質は、約１．３乃至２．５、または約１．３５乃至１．８の屈折率を有する。ある実施形態では、基質は、ポリマーであって、それは、またポリマー基質とも称される。光学的に透明なポリマーは、当技術分野において周知である。好適なポリマー基質の実施例は、ポリメタクリル酸（例えば、ポリ（メタクリル酸メチル））、ポリアクリル酸、およびポリアクリロニトリル等のポリアクリル、ポリビニルアルコール、ポリエステル（例えば、テレフタル酸ポリエチレン（ＰＥＴ）、ポリエステルナフタレート、およびポリカーボネート）、フェノールまたはクレゾールホルムアルデヒド（ノボラックｓ（登録商標））、ポリスチレン、ポリビニルトルエン、ポリビニルキシレン、ポリイミド、ポリアミド、ポリアミドイミド、ポリエーテルイミド、ポリスルフィド、ポリサルフォン、ポリフェニレン、およびポリフェニルエーテル等の高芳香族性を伴うポリマー、ポリウレタン（ＰＵ）、エポキシ、ポリオレフィン（例えば、ポリプロピレン、ポリメチルペンテン、および環状オレフィン）、アクリロニトリルブタジエンスチレンコポリマー（ＡＢＳ）、セルロース誘導体、シリコーンおよび他のシリコン含有ポリマー（例えば、ポリシルセスキオキサンおよびポリシラン）、ポリ塩化ビニル（ＰＶＣ）、ポリアセテート、ポリノルボルネン、合成ゴム（例えば、ＥＰＲ、ＳＢＲ、ＥＰＤＭ）、およびフッ素ポリマー（例えば、ポリフッ化ビニリデン、ポリテトラフルオロエチレン（ＴＦＥ）、またはポリヘキサフルオロプロピレン）、フルオロオレフィンおよび炭化水素オレフィンのコポリマー（例えば、Ｌｕｍｉｆｌｏｎ（登録商標））、ならびにアモルファスフルオロカーボンポリマーあるいはコポリマー（例えば、Ａｓａｈｉ  Ｇｌａｓｓ  Ｃｏ．製のＣＹＴＯＰ（登録商標）またはＤｕ  Ｐｏｎｔ製のＴｅｆｌｏｎ（登録商標）ＡＦ）を含むが、それらに限定されない。
【００４５】
他の実施形態では、本明細書に記載されるポリマー基質は、部分的重合または部分的硬化ポリマーを備える。完全重合または完全硬化の基質と比較して、部分的硬化基質は、より低い架橋結合および／または重合度ならびに低分子量を有する。したがって、部分的重合基質は、ある条件下においてエッチング可能であって、パターニングは、従来のフォトリソグラフィを使用して可能である。適切な重合条件下において、部分的硬化基質は、さらに硬化されてもよく、さらなる架橋結合および重合が行なわれ、部分的硬化基質よりも高分子量の基質を提供する。部分的硬化基質は、エッチングされ、続いて、さらなる硬化ステップが続き、パターン化され、完全硬化透過導電体膜を提供可能である。好適な部分的硬化ポリマーの実施例は、部分的硬化アクリレート、シリコーンエポキシ、シロキサン、ノボラック、エポキシ、ウレタン、シルセスキオキサン、またはポリイミドを含むが、それらに限定されない。
【００４６】
さらなる実施形態では、基質は、無機材料である。例えば、シリカ、ムライト、アルミナ、ＳｉＣ、ＭｇＯ−Ａｌ２Ｏ３−ＳｉＯ２、Ａｌ２Ｏ３−ＳｉＯ２、ＭｇＯ−Ａｌ２Ｏ３−ＳｉＯ２−Ｌｉ２Ｏ、またはそれらの混合物に基づくゾルゲル基質が、使用可能である。ある実施形態では、基質自体が、導電性である。例えば、基質は、導電性ポリマーであり得る。導電性ポリマーは、当技術分野において周知であって、ポリ（３，４−エチレンジオキシチオフェン）（ＰＥＤＯＴ）、ポリアニリン、ポリチオフェン、およびポリジアセチレンを含むが、それらに限定されない。
【００４７】
（電気および光学特性）
導電性ナノ構造を有する方法および塗膜溶液を使用して生成される透過導電性特徴は、少なくとも５０％、少なくとも６０％、少なくとも７０％、少なくとも８０％、少なくとも８５％、少なくとも９０％、または少なくとも９５％（空気を基準として使用）の光透過率を有し得る。ヘイズは、光散乱指数である。これは、透過の際に入射光から分離し、散乱される光の量の割合を指す（すなわち、透過ヘイズ）。主として媒体の特性である光の透過と異なり、ヘイズは、多くの場合、生産に関係し、典型的には表面粗度および媒体中の埋込み粒子または組成の不均一性によって生じる。種々の実施形態では、透過性導電特徴のヘイズは、１０％以下、８％以下、５％以下、３％以下、２％以下または１％以下である。
【００４８】
本明細書に論じられるように、本発明による導電性特徴は、電気的浸透閾値を上回るナノ構造の相互接続ネットワークを含む。典型的には、本発明による導電性特徴は、１０８オーム／スクエア（また、「Ω／□」とも称される）以下の抵抗率を有する。好ましくは、抵抗率は、１０４Ω／□、３，０００Ω／□、１，０００Ω／□、または１００Ω／□以下である。典型的には、抵抗率は、１０Ω／□乃至１０００Ω／□、１００Ω／□乃至７５０Ω／□、５０Ω／□乃至２００Ω／□、１００Ω／□乃至５００Ω／□、１００Ω／□乃至２５０Ω／□、１０Ω／□乃至２００Ω／□、１０Ω／□乃至５０Ω／□、または１Ω／□乃至１０Ω／□の範囲である。
【００４９】
上述のように、導電性特徴は、単一の特徴を形成する場合、基板上に塗膜溶液の複数の被膜を層化することによって、基板上に形成され得る。そのような複数の層化は、概して、特徴の抵抗率を低減させるが、また、ヘイズを増加させ、特徴の透過率を低下させ得る。
【００５０】
さらに、塗布される塗膜溶液に含有される百分率固体、すなわち、導電性ナノ構造である塗膜の全体積の百分率は、結果として生じる導電性特徴の光学特性に影響を及ぼし得る。特に、塗膜の百分率固体が大きいほど、それだけ特徴の幅は厚くなり得る。
【００５１】
（用途）
本明細書に開示されるインクジェット噴射方法および装置を使用して生成される透過導電性特徴を有する基板は、現在、金属酸化物膜等の透過性導体を利用する任意の素子を含む、種々の素子内の電極として使用可能である。好適な素子の実施例は、ＬＣＤ等のフラットパネルディスプレイ、プラズマディスプレイパネル（ＰＤＰ）、着色フラットパネルディスプレイ用カラーフィルタ、タッチスクリーン、電磁遮蔽、機能ガラス（例えば、電界変色性窓用）、ＥＬランプおよび光電池を含む光電子素子等を含む。加えて、本明細書の透過導電性特徴は、可撓性ディスプレイおよびタッチスクリーン等の可撓性素子内で使用可能である。
【００５２】
（（ａ）液晶ディスプレイ）
ＬＣＤは、外部電場により光の透過率を制御することによって、画像を表示するフラットパネルディスプレイである。典型的には、ＬＣＤは、液晶セルのマトリクス（すなわち、「ピクセル」）と、ピクセルを駆動するための駆動回路とを含む。各液晶セルは、共通電極に対して、液晶セルに電場を印加するためのピクセル電極を備える。ピクセル電極の各々が、薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）にともに接続される場合、スイッチング素子として機能し、すなわち、ピクセル電極は、ＴＦＴを介して印加されるデータ信号に従って、液晶セルを駆動する。
【００５３】
ＴＦＴ  ＬＣＤパネルは、その間に介在している液晶セルを伴う、２つの基板を備える。ピクセル電極は、各液晶セルのための下方基板上に提供されるが、共通電極は、上方対向基板の表面全体に一体的に形成される。したがって、下方基板（また、ＴＦＴアレイ基板またはＴＦＴバックプレーンとも称される）は、対応するピクセル電極に接続される、薄膜トランジスタのアレイを備える。上方対向基板は、カラーフィルタ（その組み合わせは、カラーフィルタ基板と称される場合もある）上に塗膜され得る、共通電極を備える。
【００５４】
従来、ピクセル電極は、十分な光を透過させるために、高透過性ＩＴＯ膜から成る。上述のように、ＩＴＯ膜は、加工にコストがかかり、可撓性基板上で使用される場合、亀裂を受けやすい場合がある。本明細書に記載される異方性ナノ構造ベースの透過性導体特徴は、ＴＦＴピクセル電極の加工に代替方法をもたらす。
【００５５】
概して、本明細書に記載される薄膜トランジスタは、当技術分野において任意の周知の方法に従って、加工可能である。ナノワイヤベースのピクセル電極は、異方性ナノ構造透過導電性塗膜によって、ＴＦＴバックプレーンの特徴をインクジェットすることによって、形成可能である。
【００５６】
本明細書に開示されるナノ構造ベースの透過導電性特徴は、ＬＣＤ技術において現在使用されているあらゆるＴＦＴ構成と互換性がある。一般に、薄膜トランジスタは、底部ゲート型と上部ゲート型の２つの広義のカテゴリに分類される。底部ゲートＴＦＴでは、ゲート電極は、活性層下に配置されるが、上部ゲート型ＴＦＴでは、ゲート電極は、活性層上に配置される。底部ゲート薄膜トランジスタは、典型的には、上部ゲート型薄膜トランジスタと比較して、優れた信頼性を有する。これらの構造的構成は、例えば、Ｍｏｄｅｒｎ  Ｌｉｑｕｉｄ  Ｃｒｙｓｔａｌ  Ｐｒｏｃｅｓｓ  Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｉｅｓ’９９（Ｐｒｅｓｓ  Ｊｏｕｒｎａｌ，１９９８，ｐｐ．５３  ｔｏ  ５９）およびＦｌａｔ  Ｐａｎｅｌ  Ｄｉｓｐｌａｙ  １９９９（Ｎｉｋｋｅｉ  ＢＰ，１９９８，ｐｐ．１３２
ｔｏ  １３９）により詳細に記載されている。さらに、活性面積を形成する材料の種類に応じて、薄膜トランジスタは、また、非晶形シリコン、多結晶シリコン、および有機半導体に基づき得る。
【００５７】
図１１は、一実施形態による、ＴＦＴバックプレーンのスイッチング素子の断面図を示す。示されるように、スイッチング素子３９４は、底部ゲート薄膜トランジスタ３９６と、ナノ構造ベースのピクセル電極３９８とを備える。薄膜トランジスタは、基板４０２上に形成される、ゲート電極４００を含む。ゲート電極は、フォトリソグラフィによって画定される、金属層（例えば、Ｍｏ−Ａｌ−Ｃｄ）であり得る。ゲート絶縁層４０６は、ゲート電極４００上にある。薄膜トランジスタ３９６は、絶縁層４１０と、第１の半導体層４１４（例えば、アモルファスシリコン）と、第２の半導体層４１８（例えば、ｎ＋ドープアモルファスシリコン）とをさらに含み、すべて、島状の構造を形成するように画定される。ソース電極４２２およびドレイン電極４２６は、チャネル４３０を画定し、第１の半導体層４１４（すなわち、活性層）の一部を露出させる。さらなる保護層４３４は、島構造、ソース、およびドレイン電極を被覆する一方、接触正孔４３８を露出させる。保護層４３４は、例えば、シリコン窒化物層である。ナノ構造ベースの透過導電性特徴４４２は、ピクセル電極３９８を形成するパターンで薄膜トランジスタ３９６上に塗膜される。ＴＦＴバックプレーンの他の部分では、同一ナノ構造ベースの透過性導体特徴４４２は、また、信号線範囲４４６を画定するようにパターン化され得る。
【００５８】
さらなる実施形態では、上述のスイッチング素子は、液晶ディスプレイ（ＬＣＤ）素子内に組み込まれ得る。
【００５９】
図１２は、ＴＦＴバックプレーン５０１と、カラーフィルタ基板５０２とを備える、ＬＣＤ素子５００を図式的に示す。バックライト５０４は、偏光子５０８およびガラス基板５１２を通して、光を投影させる。複数の第１の透過性導体細片５２０は、底部ガラス基板５１２と第１の整合層５２２（例えば、ポリイミド層）との間に配置される。各透過性導体細片５２０は、データライン５２４と交互する。スペーサ５３０は、第１の整合層５２２と第２の整合層５３２との間に提供され、整合層は、その間に液晶５３６を挟着する。複数の第２の透過性導体細片５４０は、第２の整合層５３２上に配置され、第２の透過性導体細片５４０は、第１の透過性導体細片５２０から直角に向く。第２の透過性導体細片５４０は、不動態化層５４４と、着色基質のカラーフィルタ５４８と、上部ガラス基板５５０と、偏光子５５４とによって、さらに塗膜される。有利なことに、透過性導体細片５２０および５４０は、それぞれ、底部ガラス基板および整合層上にインクジェット噴射された本明細書に開示される透過導電性特徴を使用して、形成可能である。従来採用されていた金属酸化物細片（ＩＴＯ）と異なり、コストのかかる蒸着またはエッチングプロセスが必要ない。
【００６０】
図１３は、別の実施形態による、上部ゲート型ＴＦＴに基づくＬＣＤの断面図を示す。示されるように、ＬＣＤ５４２は、ＴＦＴ基板５４４と、カラーフィルタ基板５４６とを有し、液晶層５４８が、それらの間に介在している。上述のように、ＴＦＴ基板５４４では、薄膜トランジスタ５５０およびピクセル電極５５２は、底部透過性基板５５４上に基質構成として配列される。共通電圧が供給され得る共通電極５５６およびカラーフィルタ５５８は、上部透過性基板５６０上に配置される。ピクセル電極５５２と共通電極５５６との間に印加される電圧は、それらの間に液晶５４８を伴って、互いに対向し、液晶セル（ピクセル）を駆動する。
【００６１】
底部透過性基板５５４上のピクセルの各々に対して配置される薄膜トランジスタ５５０は、上部ゲート型ＴＦＴであって、そのゲート電極５６２は、活性層５６４上に位置する。ＴＦＴの活性層５６４は、当技術分野において周知の方法に従って、底部基板５５４上にパターン化される。ゲート絶縁層５６６は、活性層５６４上にあり、それを被覆する。ゲート電極５６２に対向する活性層５６４の一部は、チャネル領域５６４ｃである。不純物ドープを伴うドレイン領域５６４ｄおよびソース領域５６４ｓは、チャネル領域５６４ｃの両側に配置される。活性層５６４のドレイン領域５６４ｄは、また、ゲート電極５６２を被覆する層間絶縁層５６８内に形成される接触正孔を通して、ドレイン電極５６６としても機能するデータラインに接続される。また、絶縁層５７０は、データラインおよびドレイン電極５６６を被覆するように配置される。ピクセル電極５５２を形成するナノ構造ベースの透過導電性特徴は、絶縁層５７０上に配置される。ピクセル電極５５２は、接触正孔を介して、活性層５６４のソース領域５６４ｓに接続される。第１の整合層５７２は、ピクセル電極上に配置されてもよい。図１３は、各ピクセルに対して配置され得る、蓄積容量要素５７４をさらに示す。蓄積容量要素は、ＴＦＴが選択されない場合、液晶容量に印加されるべき表示コンテンツに対応する電荷を維持する。したがって、ピクセル電極５５２の電圧変化が維持され、あるシーケンスの間、表示コンテンツを不変状態にすることが可能である。また、示されるように、活性層５６４のソース領域５６４ｓは、蓄積容量要素５７４の第１の電極５７６としても機能する。蓄積容量要素５７４の第２の電極５７８は、ゲート電極５６２とともに、かつ同一層内に同時に形成可能である。また、ゲート絶縁層５６６は、第１の電極５７６と第２の電極５７８との間の誘電体としても作用する。ゲート電極５６６（すなわち、ゲートライン）と第２の電極５７８（すなわち、蓄積容量ライン）とは、平行に配列される。それらは、ピクセル電極５５２から直角に配向され、ピクセルのマトリクスを画定する。
【００６２】
底部ゲートおよび上部ゲート型ＴＦＴ構成の両方に対して、活性層は、任意の容認可能な半導体材料であり得ることを理解されたい。典型的には、アモルファスシリコンは、蒸着およびパターニングステップの容易性および経済性のため、広く使用されている。また、多結晶シリコンも使用可能である。多結晶シリコンは、アモルファスシリコンよりも優れた電流駆動能力を有するため、スイッチング素子内で使用される場合、優れた性能を提供する。多結晶シリコンの低温蒸着が可能であって、多結晶シリコンベースのＴＦＴ製造の代替方法として報告されており、例えば、米国特許第７，０５２，９４０号を参照されたい。加えて、また、有機半導体材料も使用可能である。ある実施形態では、有機π共役化合物は、有機ＴＦＴの活性層を形成する、有機半導体材料として使用され得る。π共役化合物は、当技術分野において周知であって、ポリピロール、ポリチオフェン（任意に、Ｃ６０によってドープされてもよい）、ポリピレン、ポリアセチレン、およびポリベンゾチオフェン等を含むが、それらに限定されない。有機ＴＦＴの好適な有機半導体材料のさらなる実施例は、例えば、米国特許第７，０１８，８７２号に記載されている。
【００６３】
本明細書に論じられるように、ＴＦＴバックプレーンは、カラーフィルタ基板に対向して、ＬＣＤ内に配置される（例えば、図２４および２５参照）。カラーフィルタ基板は、典型的には、透過性基板と、黒色基質（すなわち、光遮蔽層）と、着色ピクセルのアレイとを備える。典型的には、着色ピクセルは、あるパターンにおいて、透過性基板上に配列される。黒色基質は、各着色ピクセルの周囲にグリッドを形成する。ある実施形態では、各着色ピクセルは、色と関連付けられる。他の実施形態では、各着色ピクセルは、より小さい色素範囲（サブピクセルと称される）にさらに分割され、各サブピクセルは、色と関連付けられ得る。典型的には、赤色（Ｒ）、緑色（Ｇ）、および青色（Ｂ）等の原色が使用される。例えば、ＲＧＢの３色の反復アレイは、種々の色のカラー画像を生成可能である。着色ピクセルまたはサブピクセルは、原色に限定されず、また、白色、黄色、シアン等の他の色も使用可能である。
【００６４】
ＬＣＤのモードに応じて、共通電極と単位カラーフィルタとの相対的位置は、ＴＮ（ねじれネマチック）モードにおけるものとＩＰＳ（面内スイッチング）モードにおけるものとは異なり得る。
【００６５】
（（ｂ）プラズマディスプレイパネル）
プラズマディスプレイパネルは、プラズマ放電によって発生される紫外線光によって蛍光材料（例えば、蛍光体）を励起させることによって、可視光を放出する。プラズマディスプレイパネルは、２つの絶縁基板（例えば、ガラス板）を採用し、各絶縁基板は、電極およびその上に形成されるバリアリブを有し、個々のセル（ピクセル）を画定する。これらのセルは、１つ以上の不活性ガス（例えば、Ｘｅ、Ｎｅ、またはＫｒ）で充填され、電場下、イオン化され、プラズマを生成し得る。より具体的には、アドレス電極は、後面ガラス板に沿って、セルの背面に形成される。透過性ディスプレイ電極は、バス電極とともに、正面ガラス板上のセルの正面に搭載される。アドレス電極および透過性ディスプレイ電極は、互いに直交し、セルにおいて交差する。動作時、制御回路は、電極を充電し、正面と背面板との間に電圧差を生じさせ、不活性ガスをイオン化し、プラズマを形成する。
【００６６】
金属酸化物透過性導体（例えば、ＩＴＯ）は、従来、上方ガラス板上の透過性ディスプレイ電極として使用され、プラズマ発生可視光を通過させる。ナノ構造ベースの透過性トレースは、ＰＤＰ内のディスプレイ電極の好適な電極材料である。それらは、必要な特徴サイズ（例えば、１００μｍ−３００μｍ）において、本明細書に開示されるようにインクジェット噴射され得る。
【００６７】
図１４は、一実施形態による、ＰＤＰの断面図を示す。ＰＤＰ６０６は、下方透過性基板６０８と、下方透過性基板６０８上に形成される下方絶縁層６１０と、下方絶縁層６０８上に形成されるアドレス電極６１２と、アドレス電極６１２および下方絶縁層６１０上に形成される下方誘電層６１４と、放電セル６１８を画定する絶縁壁６１６と、絶縁壁６１６上に配置される黒色基質層６２０と、黒色基質層６２０および絶縁壁６１６の両側と、下方絶縁層６０８上とに形成される蛍光層６２２と、上方透過性基板６２４と、上方透過性基板６２４上に形成され、アドレス電極６１２に対して直角に配置されるディスプレイ電極６２６と、ディスプレイ電極６２６の一部上に形成されるバス電極６２８と、バス電極６２８、ディスプレイ電極６２６、および上方透過性基板６２４上に形成される上方誘電層６３０と、上方誘電層６３０上に形成される保護層（例えば、ＭｇＯ）６３２とを含む。ディスプレイ電極は、本明細書に記載される方法に従って蒸着される導電性ナノ構造トレースによって形成され得る。
【００６８】
ナノ構造ベースの透過導電性特徴は、光が容認可能な効率性を伴って透過し、ディスプレイパネル上に画像を生成可能なように、透過性電極が、ディスプレイパネル上に配置される、ＰＤＰの任意の他の構成にも好適であることを理解されたい。
【００６９】
（（ｃ）光電池）
太陽放射は、約０．４ｅＶ乃至４ｅＶの光子範囲で使用可能なエネルギーを提供する。光起電（ＰＶ）セル等の光電子素子は、本範囲にある光子エネルギーを採集し、電力に変換する。光電池は、本質的に、照明下の半導体接合部である。光は、半導体接合部（すなわち、ダイオード）によって吸収され、電子−正孔対は、接合部の両側、すなわち、ｎ型エミッタおよびｐ型ベース上に生成される。次いで、これらの電荷担体（ベースからの電子およびエミッタからの正孔）は、接合部に拡散し、電場によって掃引され、したがって、素子全体に電流を生成する。半導体接合部は、単一材料（例えば、結晶シリコン）をドープし、ｐ型およびｎ型側を形成することによって、ホモ接合セル内に形成され得る。ＰＮ構造またはＰ−ｉ−Ｎ構造のいずれかが、使用され得る。
【００７０】
ヘテロ接合は、２つの異なる半導体を接触させることによって、形成可能である。典型的には、２つの半導体は、異なるバンドギャップを有する。より高いバンドギャップを伴う１つは、その透過性のために選択され、上部層または窓層として配置される。より低いバンドギャップを伴う１つは、底部層を形成し、光吸収材料として機能する。窓層は、ほぼあらゆる入射光を底部層に到達させ、直ちに光を吸収させる。
【００７１】
多接合セルは、太陽のスペクトルの大部分を補足するように開発されている。本構成では、個々のヘテロ接合セルは、太陽光が、最初に、最大バンドギャップを有する材料上に当たるように堆積される。次いで、第１のセル内に吸収されない光子は、残りの太陽放射のより高いエネルギー部分を吸収する一方、より低いエネルギー光子に対しては透過性のままである、第２のセルに透過される。これらの選択的吸収プロセスは、最小バンドギャップを有する最終セルまで続く。
【００７２】
励起子ＰＶセルでは、ｐドープおよびｎドープ領域の代わりに、異なるバンドギャップの材料が、１つの半導体から別の半導体への電荷移動を介して、電荷を分割および励起するために使用される。電荷分離後、電荷は、電荷収集のための接触電極間の仕事関数の差異によって生じる蓄積電位のために掃引される。例えば、有機光電池は、このように作用し、一方の半導体は、ポリチオフェンであって、他方は、Ｃ６０であり得る。ポリチオフェンは、光を吸収し、励起が生じる。電子は、ポリチオフェンからＣ６０（電子のより低いエネルギー状態）に遷移する。正孔は、電子同様に、バッキーボール間のホッピングによって収集されるまで、ポリチオフェン骨格に沿って移動する。
【００７３】
オーム金属−半導体接点は、太陽電池のｎ型側およびｐ型側の両方に提供される。また、多接合セルにおいて、それらは、２つの隣接するセル間に介在している。ｎ型側に生成されるか、または接合部によって「収集され」、ｎ型側に掃引された電子は、ワイヤを通って進行し、負荷に電力を供給し、ｐ型半導体−金属接点に到達するまで、ワイヤを通過し続け得る。透過性導体（例えば、ＩＴＯ）は、窓層を通って、その下の活性光吸収材料へと光を通過させるとともに、光吸収材料から光生成電荷担体を運搬するオーム接点としての役割を果たすので、太陽電池のための接触材料として望ましい。
【００７４】
図１５は、ホモ接合太陽電池６６４を示す。太陽電池６４４は、上部接点６６８と、底部接点６７０と、その間に介在している半導体ダイオード６７２とを含む。半導体ダイオードは、例えば、上部のｐドープシリコンと、底部のＮドープシリコンとを伴う、ＰＮ構造であり得る。シリコンは、典型的には、結晶シリコンである。より経済的代替例として、多結晶シリコンが、当技術分野において周知の方法に従って使用可能である。また、半導体ダイオードは、アモルファスシリコンから形成可能であって、その場合、Ｐ−ｉ−Ｎ構造が好ましい。
【００７５】
上部接点は、典型的には光学的に透明であって、光入射表面、すなわち、光が最初に太陽電池内に侵入する表面を備える。任意に、基板６７４は、底部接点６７０下に存在し得る。また、任意に、バスバー６７６が形成されて上部接点を覆い得る。バスバー６７６は、本明細書に記載されるように、ナノ構造ベースの透過導電性ラインをインクジェット噴射することによって、形成されることが可能である。
【００７６】
図１６は、別の実施形態による、ヘテロ接合太陽電池を示す。示されるように、ヘテロ接合太陽電池６８０は、上部接点６８２と、底部接点６８４と、その間に介在している半導体ヘテロ接合層６８６とを含む。
【００７７】
ある実施形態では、半導体ヘテロ接合層６８６は、三層構造（例えば、Ｎ−ｉ−Ｐ）を備える。したがって、ドープ上部半導体層６８６ａ、非ドープ中間半導体層６８６ｂと、ドープ底部半導体層６８６ｃとを備えてもよい。ある実施形態では、第１の半導体層６８６ａは、第３の半導体層６８６ｃより高いバンドギャップを有する。
【００７８】
第１、第２、および第３の半導体層は、薄膜層として蒸着され得る。好適な半導体材料は、有機半導体材料（本明細書に論じられるように）、テルル化カドミウム（ＣｄＴｅ）、銅インジウムガリウムセレン化物（ＣＩＧＳ）、銅インジウムセレン化物（ＣＩＳ）等を含むが、それらに限定されない。例えば、典型的なＣｄＴｅセルでは、上部層は、ｐ型硫化カドミウム（ＣｄＳ）であって、中間層は、真性ＣｄＴｅであって、および底部層は、ｎ型テルル化亜鉛（ＺｎＴｅ）である。
【００７９】
また、半導体ヘテロ接合層６８６は、ＮＰ構造中に上部半導体層６８６ａおよび底部半導体層６８６ｃのみを含むことも可能である。
【００８０】
薄膜半導体層に基づくヘテロ接合セルは、シリコンベースの太陽電池と比較して、材料コストを節約する。しかしながら、薄膜半導体層の劣った性能のため、そのような素子は、エネルギー変換において、多結晶シリコンベースのセルより低効率である。したがって、一実施形態では、多接合セルが、図１７に関連して記載される。示されるように、多接合セル６９０は、上部から底部まで連続的に、上部接点６９２と、第１のセル６９４と、トンネル層６９６と、第２のセル６９８と、底部接点７００とを含み、上部接点６９２および底部接点７００は、本明細書に開示されるように、ナノ構造ベースの透過性導電性材料から成る。簡潔にするため、多接合セル６９０は、２つのセルのみを含むように示される。しかしながら、付加的セルが同様に加工され得ることを理解されたい。
【００８１】
第１のセル６９２および第２のセル６９８は両方とも、図２９Ｂに示される単一の接合太陽電池６８０と類似の三層構造とを有する。第１のセルは、衝突光により近接し、したがって、第２のセルよりも大きなバンドギャップを有するように選択されるべきである。そうすることによって、第１のセルは、第２のセル６９８によって吸収され得るより低いエネルギー光子に対して透過性となる。
【００８２】
第１のセルと第２のセルとは、セル間の電子の流動を可能にするトンネル層６９６によって分離される。トンネル層６９６は、反対にドープされた半導体層を備える、ＰＮダイオードであり得る。
【００８３】
上部接点６９２および底部接点７００は、ナノワイヤベースの透過性導体薄膜である。それらは、本明細書に記載される方法によって調製され得る。太陽電池６９０は、当業者に認識されるように、基板、バスバー、反射防止膜等の付加的層を含み得る。さらに、本明細書に開示されるナノ構造ベースの透過性導電性材料は、任意の太陽電池構成における１つ以上の接点として好適であることを理解されたい。
【実施例】
【００８４】
（実施例１）
（銀ナノワイヤの合成）
銀ナノワイヤは、ポリ（ビニルピロリドン）（ＰＶＰ）の存在下、エチレングリコール中で溶解された硝酸銀の還元によって合成された。本方法は、例えば、Ｙ．Ｓｕｎ、Ｂ．Ｇａｔｅｓ、Ｂ．Ｍａｙｅｒｓ、およびＹ．Ｘｉａによる「Ｃｒｙｓｔａｌｌｉｎｅ  ｓｉｌｖｅｒ  ｎａｎｏｗｉｒｅｓ  ｂｙ  ｓｏｆｔ  ｓｏｌｕｔｉｏｎ  ｐｒｏｃｅｓｓｉｎｇ」、Ｎａｎｏｌｅｔｔ、（２００２）、２（２）１６５−１６８に記載されている。
【００８５】
代替として、一様な銀ナノワイヤは、上述の反応混合物への好適なイオン添加剤（例えば、塩化テトラブチルアンモニウム）の添加によって、直接合成可能である。したがって、生成された銀ナノワイヤは、サイズ選択の分離ステップを伴わずに、直接使用可能である。本合成は、本願の譲受人であるＣａｍｂｒｉｏｓ  Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｉｅｓ  Ｃｏｒｐｏｒａｔｉｏｎの名前に基づく米国仮出願第６０／８１５，６２７号により詳細に記載されており、その出願は、本明細書に全体として組み込まれる。
【００８６】
（実施例２）
（導電性塗膜溶液の調製）
次いで、本明細書に記載されるように調製され、沈殿および溶剤交換を介して精製された銀ナノワイヤを、１週間、水中に沈殿させた。ナノワイヤは、約１２μｍの長さおよび約３０ｎｍ乃至５０ｎｍの直径を有していた。水を他へ移し、沈殿ナノワイヤを完全に乾燥させた。プロピレングリコール、水、およびＺｏｎｙｌ（登録商標）  ＦＳＯを、重量当たり、約５５％のプロピレングリコール、４３．５％の水、０．０５％のＺｏｎｙｌ（登録商標）  ＦＳＯ、および１．５％の銀ナノワイヤを有する最終塗膜溶液を形成するような割合で混合し、乾燥させた銀ナノワイヤ沈殿物に添加した。本混合物は、１１μｍのナイロンメッシュフィルタを通して濾過された。次いで、銀ナノワイヤの重量％を測定し、プロピレングリコール、水、および／またはＺｏｎｙｌ（登録商標）  ＦＳＯによって希釈することによって、上述の割合に調節した。
【００８７】
（実施例３）
（インクジェット印刷導電性塗膜溶液；電気および光学特性）
Ｆｕｊｉ  Ｆｉｌｍ  Ｄｉｍａｔｉｘ  ＤＭＰインクジェットプリンタに、上述の実施例２で調製した塗膜溶液を提供した。インクジェットプリンタを１２個の１０ｐＬ（２７μｍ直径）ノズルを有するＤｉｍａｔｉｘインクジェットヘッドを伴って構成した。ノズル温度を５０Ｃに設定し、インクジェットプリンタを、８０ｋＨｚおよび２０．０ボルトの電圧で動作するＤｉｍａｔｉｘ  Ｍｏｄｅｌ  Ｆｌｕｉｄ  ２波形発生器によって駆動した。標的基板は、Ｅａｇｌｅ  ２０００ガラスとし、３０Ｃに設定されたホットプレート上に配置した。
【００８８】
隣接液滴が相互に接触するように、第１の列の液滴を基板に塗布した。次いで、液滴を乾燥させた。図６は、生成された線特徴９００の顕微鏡写真である。本プロセスを５回反復し、５つの単一層特徴線を生成した。次いで、同様に塗布される追加層を残りの線のうちの４つの上に重畳し、１つの単一層特徴線、１つの３層特徴線、１つの６層特徴線、１つの９層特徴線、および１つの１２層特徴線を生成した。次いで、Ｋｅｉｔｈｌｙ  Ｉｎｓｔｒｕｍｅｎｔｓ製の２つのプローブオーム計を使用して、これらの５つの特徴線のそれぞれの抵抗率を試験した。次いで、５つの特徴線を１８０Ｃで９０秒間焼成し、上述のように、表面抵抗率を再度測定した。
【００８９】
次いで、最初に１．５重量％の銀ナノワイヤを含む、次に２．０５重量％の銀ナノワイヤを含む、上述の塗膜溶液製剤を使用して、単一層および多層の特徴線を生成する上述のプロセスを反復した。しかしながら、１．５％の銀ナノワイヤ塗膜溶液および２．０５％の銀ナノワイヤ塗膜溶液を使用する特徴線の両方に対して、１、６、１２、および１８層を有する線が生成された。加えて、これらの８つの生成された特徴線それぞれの抵抗率を上述のように測定し、次いで、追加特徴線を１８０℃で９０秒間焼成し、線の表面抵抗率を再度測定した。
【００９０】
上述のように生成された特徴線の抵抗率測定の結果は、図７に示される（グラフ中、水平軸は、測定線の層または印刷の数であって、垂直軸は、測定線の抵抗率である）。示されるように、より高い割合の銀ナノワイヤを有する塗膜溶液によって形成される線は、より低い表面抵抗率を示した。加えて、同一割合のナノワイヤ塗膜溶液によって形成される試料中、複数の塗膜層を有する線は、単一の塗膜層のみから形成される線より低い表面抵抗率を示した。
【００９１】
インクジェット噴射された線の電気特性の測定に加えて、１．５％の銀ナノワイヤを有する塗膜溶液によって生成される線の光学特性を測定した。特に、以下の表１は、基板上にインクジェット噴射される１．５％の銀ナノワイヤの導電性塗膜溶液の複数の層または印刷の結果を示す。表１の「印刷数」欄は、塗布された導電性特徴層の数を列挙する。「％Ｔ」および「％Ｈ」欄は、対応する印刷数に対して、それぞれ、透過性およびヘイズを列挙する。透過性およびヘイズは、ＢＹＫ  Ｇａｒｄｎｅｒ  Ｈａｚｅ−ｇａｒｄ  Ｐｌｕｓを使用して測定された。示されるように、印刷数が多いほど、それだけ透過性が低く、ヘイズが高くなる。
【００９２】
【表１】
2015045006.tif 000002
（実施例４）
（非接触液滴蒸着による導電性特徴）
上述の実施例２に記載される塗膜溶液と、上述の実施例３に記載される塗膜パラメータおよび基板とを使用して、第１の列の液滴を基板に塗布した（液滴は、約７０μｍの直径を有し、約７５μｍの液滴の最近接縁との間の空間を伴う）。図８Ａは、蒸着された液滴の第１の列８００を示す顕微鏡写真である。示されるように、第１の列８００内の液滴は、相互に接触していない。液滴を、蒸着後５０秒間乾燥させた。次いで、第１の列内の液滴と同一の近似直径および空間を有する液滴の第２の線を、液滴の第１の乾燥線の間に蒸着し、少なくとも５０秒間乾燥させ、単一の連続的特徴線を形成した。図８Ｂは、結果として得られる特徴線８１０を示す、顕微鏡写真である。示されるように、特徴線８１０の幅は、少なくとも約６９．９７μｍ乃至約７６．４９μｍで変動する。
【００９３】
（実施例５）
（基板の事前処置）
図９Ａは、上述の実施例３の塗膜パラメータを使用して、Ｅａｇｌｅ  ２０００ガラス基板上に塗膜された上述の実施例２の導電性ナノ構造を含み、ＵＶオゾンまたはＯ２プラズマによって処置されていない、上述の実施例２の塗膜溶液の顕微鏡写真である。示されるように、蒸着された液滴の形状は一様ではなく、液滴の直径も一様ではない。特に、液滴の直径は、少なくとも約５５．４７μｍ乃至約７０．７２μｍの範囲である。図９Ｂは、例えば、上述の実施例３の塗膜パラメータを使用して、Ｅａｇｌｅ  ２０００ガラス基板上に塗膜された導電性ナノ構造を含み、液滴の蒸着に先立って１０分間ＵＶオゾンにさらに曝露された上述の実施例２の塗膜溶液の顕微鏡写真である。示されるように、塗膜溶液の蒸着された塗膜溶液は、概して、より一様な形状を有し、液滴の直径もより一様であって、直径は少なくとも約７０．０６μｍ乃至約７４．６３μｍの範囲である。
【００９４】
（実施例６）
（１ｐＬ（９μｍ）ノズルによって印刷される特徴線）
Ｆｕｊｉ  Ｆｉｌｍ  Ｄｉｍａｔｉｘ  ＤＭＰインクジェットプリンタに、上述の実施例２で調製された塗膜溶液を提供した。インクジェットプリンタは、１２個の１ｐＬ（９μｍ直径）ノズルを有するＤｉｍａｔｉｘインクジェットヘッドとともに構成された。ノズル温度を５０Ｃに設定し、インクジェットプリンタを８０ｋＨｚおよび２０．０ボルトの電圧で動作するＤｉｍａｔｉｘ  Ｍｏｄｅｌ  Ｆｌｕｉｄ  ２波形発生器によって駆動した。標的基板は、Ｅａｇｌｅ  ２０００ガラスとし、３０Ｃに設定されたホットプレート上に配置した。
【００９５】
第１の列の液滴を基板に塗布した（液滴は、約４５μｍの直径を有し、約３０μｍの液滴の最近接縁との間の空間を伴う）。したがって、第１の列内の液滴は、相互に接触しなかった。蒸着後、液滴を５秒間乾燥させた。次いで、第１の列内の液滴と同一の近似直径および空間を有する液滴の第２の線を、液滴の第１の乾燥線の間に蒸着され、少なくとも５秒間乾燥させ、単一の連続的な特徴線を形成した。図１０は、結果として得られる特徴線１０００を示す顕微鏡写真である。示されるように、特徴線１０００の幅は、少なくとも約４４．７８μｍ乃至約５１．３１μｍで変動する。
【００９６】
（実施例７）
（インクジェット噴射された特徴の光学および電気特性）
上述の実施例３に記載のように、１５２ｍｍ×１５２ｍｍの透過性導電性試料を基板上に調製した。塗膜溶液の単一層のみを各試料に対して蒸着した。分注後、試料＃１は、室温で乾燥させ、試料＃２は、室温で部分的に乾燥させた後、６０Ｃのホットプレート上で１分間乾燥させた。第３の試料は、６０Ｃで１分間急速乾燥させた。次いで、Ｄｅｌｃｏｍを使用して、各線の抵抗率を測定した。次いで、８０Ｃで１２０秒間、全３つの試料をホットプレート上で焼成し、試料の各コーナー近傍、試料の中心近傍、および試料の各縁に沿って、各試料の抵抗率を測定した。加えて、焼成後、ＢＹＫ  Ｇａｒｄｎｅｒ  Ｈａｚｅ−ｇａｒｄ  Ｐｌｕｓを使用して、約４００ｎｍ乃至約７００ｎｍの波長範囲にわたって、各試料の透過性を測定した。また、白色光を用いるＧａｒｄｎｅｒ  Ｈａｚｅ−ｇａｒｄを使用して、各試料のヘイズを測定した。測定結果を以下の表２に示す。
【００９７】
【表２】
2015045006.tif 000003
示されるように、焼成後抵抗率は、１８１オーム／スクエア乃至６２５オーム／スクエアの変動であった。ヘイズは１．７２％乃至２．２４％の範囲であって、透過率は７２．３６％乃至８８．９５％で変動した。
【００９８】
本明細書に参照される、および／または出願データシートに列挙される、上述の米国特許、米国特許出願刊行物、米国特許出願、外国特許、外国特許出願、および非特許刊行物は、すべて参照することによって、全体として本明細書に組み込まれる。
【００９９】
上述から、本発明の具体的実施形態が、例示のために、本明細書に記載されたが、種々の修正が、本発明の精神および範囲から逸脱することなく成されてもよいことを理解されるであろう。故に、本発明は、添付の請求項による場合を除き、制限されるものではない。
本発明の好ましい実施形態によれば、例えば、以下が提供される。
（項目１）
インクジェット印刷のための塗膜組成物であって、
第１の溶剤と、
第２の溶剤と、
界面活性剤と、
金属異方性ナノ構造と
を含む、塗膜組成物。
（項目２）
４００ｐｐｍ乃至６００ｐｐｍの界面活性剤を含む、項目１に記載の塗膜組成物。
（項目３）
１００℃乃至１８０℃の沸点を有する、項目１に記載の塗膜組成物。
（項目４）
０．１重量％乃至５重量％のナノ構造を有する、項目１に記載の塗膜組成物。
（項目５）
上記第１の溶剤の上記ナノ構造に対する重量比率は、７乃至７５０であり、
上記第２の溶剤の該ナノ構造に対する重量比率は、５乃至６５０であり、
上記界面活性剤の該ナノ構造に対する重量比率は、０．００１乃至５である、
項目１に記載の塗膜組成物。
（項目６）
上記第１の溶剤は、水、イソプロパノール、プロピレングリコール、およびエチレングリコールのうちの１つである、項目５に記載の塗膜組成物。
（項目７）
上記第２の溶剤は、水、イソプロパノール、プロピレングリコール、およびエチレングリコールのうちの１つである、項目５に記載の塗膜組成物。
（項目８）
上記界面活性剤は、Ｚｏｎｙｌ（登録商標）  ＦＳＡ、Ｚｏｎｙｌ（登録商標）  ＦＳＮ、Ｚｏｎｙｌ（登録商標）  ＦＳＯ、Ｚｏｎｙｌ（登録商標）  ＦＳＨ、Ｔｒｉｔｏｎ、Ｄｙｎｏｌ、ｎ−Ｄｏｄｅｃｙｌ  ｂ−Ｄ−ｍａｌｔｏｓｉｄｅ、およびＮｏｖｅｋのうちの１つである、項目５に記載の塗膜組成物。
（項目９）
上記導電性異方性ナノ構造は、金属ナノワイヤおよび金属ナノチューブのうちの１つである、項目５に記載の塗膜組成物。
（項目１０）
上記導電性異方性ナノ構造は、銀ナノワイヤおよび金ナノチューブのうちの１つである、項目９に記載の塗膜組成物。
（項目１１）
上記第１の溶剤の上記ナノ構造に対する重量比率は、２５乃至６０であり、
上記第２の溶剤の該ナノ構造に対する重量比率は、４０乃至５０であり、
上記界面活性剤の該ナノ構造に対する重量比率は、０．００５乃至０．１である、
項目１に記載の塗膜組成物。
（項目１２）
基板上に形成される導電性特徴であって、
該導電性特徴は、金属異方性ナノ構造を含み、
該導電性特徴は、該基板上に該金属異方性ナノ構造を含有する塗膜溶液をインクジェット噴射することによって形成される、導電性特徴。
（項目１３）
項目１２に記載の導電性特徴を含む、液晶ディスプレイ。
（項目１４）
項目１２に記載の導電性特徴を有する、プラズマディスプレイパネル。
（項目１５）
項目１２に記載の導電性特徴を有する、光電池。
（項目１６）
上記特徴は、幅を含み、該幅は、５０μｍ未満である、項目１２に記載の導電性特徴。
（項目１７）
上記基板上に上記塗膜溶液をインクジェット噴射することは、１つ以上のノズルを有するインクジェットヘッドを使用して行なわれ、該１つ以上のノズルのうちの少なくとも１つは、４５℃乃至６５℃の温度にある、項目１２に記載の導電性特徴。
（項目１８）
８５％超の光透過性を有する、項目１２に記載の導電性特徴。
（項目１９）
２％以下の光学ヘイズを有する、項目１８に記載の導電性特徴。
（項目２０）
１００オーム／スクエア乃至８００オーム／スクエアの抵抗率を有する、項目１９に記載の導電性特徴。
（項目２１）
上記基板は、該基板上に上記導電性塗膜溶液をインクジェット噴射することに先立って、ＵＶオゾンに曝露される、項目１２に記載の導電性特徴。
（項目２２）
基板上に導電性特徴を形成する方法であって、
金属異方性ナノ構造を含有する塗膜溶液を提供することと、
複数の第１の液滴を該基板上にインクジェット噴射することであって、該複数の第１の液滴は、その間に液滴間空間を有する、ことと、
該複数の第１の液滴を乾燥させることと、
複数の第２の液滴を該基板上に該複数の第１の液滴間の該液滴間空間の中にインクジェット噴射することと、
導電性経路が該複数の第１の液滴のうちの少なくとも第１の液滴と第２の液滴との間に形成されるように、該複数の第２の液滴を乾燥させることと
を含む、方法。
（項目２３）
項目１２に記載の方法によって形成される、導電性特徴。
【図１】
2015045006.tif 000004
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８Ａ】
2015045006.tif 000011
【図８Ｂ】
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【図９Ａ】
2015045006.tif 000013
【図９Ｂ】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【外国語明細書】
2015045006000001.pdf