(57)【要約】【課題】サイズを小型化できること。【解決手段】光モジュール１００は、光導波路１１２と、複数の電極１２１とが設けられる導波路基板１１１と、導波路基板１１１に隣接する中継基板１０２ａと、導波路基板１１１を挟んで中継基板１０２ａと反対側に隣接する終端基板１０２ｂとを有する。複数の電極１２１は、中継基板１０２ａから終端基板１０２ｂへ延在する第１の配線部と、第１の配線部から延び且つ終端基板１０２ｂ上でそれぞれ分岐した第２の配線部とを有する。分岐した一方の配線部１２１Ａａａには、キャパシタ１３１および終端抵抗１３２が設けられ、分岐した他方の配線部１２１Ａａｂは、バイアス抵抗１３３を介して中継基板１０２ａ上のＤＣ電極１２１ｂまで延在される。第２の配線部は、光導波路１１２に沿った第１の方向Ｘ１に延びる第１のグループと、第１の方向と反対方向Ｘ２に延びる第２のグループと、に分かれる。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
光導波路と、前記光導波路に電気信号が印加される複数の電極とが設けられる導波路基板と、
前記導波路基板に隣接して配置される中継基板と、
前記導波路基板に隣接し、前記導波路基板を挟んで前記中継基板と反対側に配置される終端基板とを有し、
前記複数の電極は、前記中継基板から前記導波路基板を介して前記終端基板へ接続する第１の配線部と、前記第１の配線部から延び且つ前記終端基板上でそれぞれ分岐した第２の配線部とを有し、
前記第２の配線部のうち、分岐した一方の配線部には、キャパシタおよび終端抵抗が設けられ、分岐した他方の配線部は、バイアス抵抗を介して前記中継基板上のＤＣ電極まで延在し、
前記第２の配線部は、前記光導波路に沿った第１の方向に延びる第１のグループと、前記第１の方向と反対方向に延びる第２のグループと、に分かれる
ことを特徴とする光モジュール。
【請求項２】
一対の平行導波路を含む光導波路と、
前記一対の平行導波路に沿って設けられ、電気信号が印加される一対の電極と、
一対の前記光導波路および一対の前記電極が複数設けられる導波路基板と、
前記導波路基板に隣接して配置される中継基板と、
前記導波路基板に隣接し、前記導波路基板を挟んで前記中継基板と反対側に配置される終端基板とを有し、
前記複数の電極は、前記中継基板から前記導波路基板を介して前記終端基板へ延在する第１の配線部と、前記第１の配線部から延び且つ前記終端基板上でそれぞれ分岐した第２の配線部とを有し、
前記第２の配線部のうち、分岐した一方の配線部には、キャパシタおよび終端抵抗が設けられ、分岐した他方の配線部は、バイアス抵抗を介して前記中継基板上のＤＣ電極まで延在し、
前記第２の配線部は、前記光導波路に沿った第１の方向に延びる第１のグループと、前記第１の方向と反対方向に延びる第２のグループと、に分かれる
ことを特徴とする光モジュール。
【請求項３】
分岐した他方の前記配線部は、前記終端基板のビアを介して前記終端基板の裏面に導出され、前記バイアス抵抗は、前記終端基板の裏面に配置されたことを特徴とする請求項１または２に記載の光モジュール。
【請求項４】
分岐した一方の前記配線部と、分岐した他方の前記配線部は、前記終端基板の表裏でほぼ同一位置に設けられたことを特徴とする請求項３に記載の光モジュール。
【請求項５】
前記終端基板は、温度制御クーラー上に設けられるキャリア基板と一体化されたことを特徴とする請求項１〜４のいずれか一つに記載の光モジュール。
【請求項６】
前記中継基板は、前記キャリア基板と一体化されたことを特徴とする請求項５に記載の光モジュール。
【請求項７】
前記キャリア基板は、積層基板であり、
分岐した他方の前記配線部は、前記キャリア基板のビアを介して前記キャリア基板の内層配線に接続されたことを特徴とする請求項５または６に記載の光モジュール。
【請求項８】
光導波路と、前記光導波路に電気信号が印加される複数の電極とが設けられる導波路基板と、
前記導波路基板に隣接して配置される中継基板と、
前記導波路基板に隣接し、前記導波路基板を挟んで前記中継基板と反対側に配置される終端基板とを有し、
前記複数の電極は、前記中継基板から前記導波路基板を介して前記終端基板へ延在する第１の配線部と、前記第１の配線部から延び且つ前記終端基板上でそれぞれ分岐した第２の配線部とを有し、
前記第２の配線部のうち、分岐した一方の配線部には、キャパシタおよび終端抵抗が設けられ、分岐した他方の配線部は、バイアス抵抗およびキャリア基板を介して前記中継基板上のＤＣ電極まで延在し、
前記バイアス抵抗は、前記キャリア基板の内層配線部分に設けられた
ことを特徴とする光モジュール。
【請求項９】
光導波路と、前記光導波路に電気信号が印加される複数の電極とが設けられる導波路基板と、
前記導波路基板に隣接して配置される中継基板と、
前記導波路基板に隣接し、前記導波路基板を挟んで前記中継基板と反対側に配置される終端基板とを有し、
前記複数の電極は、前記中継基板から前記導波路基板を介して前記終端基板へ延在する第１の配線部と、前記第１の配線部から延び且つ前記終端基板上でそれぞれ分岐した第２の配線部とを有し、
前記第２の配線部のうち、分岐した一方の配線部には、キャパシタおよび終端抵抗が設けられ、分岐した他方の配線部は、バイアス抵抗およびキャリア基板を介して前記中継基板上のＤＣ電極まで延在し、
分岐した一方の前記配線部は、前記終端基板のビアを介して前記終端基板の裏面に導出され、前記キャパシタおよび終端抵抗が前記キャリア基板の裏面に配置された
ことを特徴とする光モジュール。
【請求項１０】
分岐した一方の前記配線部の前記ビアに隣接する他の一つまたは複数のビアを接地したグランド電極としたことを特徴とする請求項９に記載の光モジュール。
【請求項１１】
前記キャリア基板の表面には、前記導波路基板を収容する溝が形成されたことを特徴とする請求項５〜１０のいずれか一つに記載の光モジュール。
【請求項１２】
光導波路と、前記光導波路に電気信号が印加される複数の電極とが設けられる導波路基板と、
前記導波路基板に隣接して配置される中継基板と、
前記導波路基板に隣接し、前記導波路基板を挟んで前記中継基板と反対側に配置される終端基板とを有し、
前記複数の電極は、前記中継基板から前記導波路基板を介して前記終端基板へ延在する第１の配線部と、前記第１の配線部から延び且つ前記終端基板上でそれぞれ分岐した第２の配線部とを有し、
前記第２の配線部のうち、分岐した一方の配線部には、キャパシタおよび終端抵抗が設けられ、分岐した他方の配線部は、バイアス抵抗を介して前記中継基板上のＤＣ電極まで延在し、
前記第２の配線部は、前記光導波路に沿った第１の方向に延びる第１のグループと、前記第１の方向と反対方向に延びる第２のグループと、に分かれる光モジュールと、
前記複数の電極に個別に送信用のデータを前記電気信号として供給し、前記ＤＣ電極を介して、前記光導波路による変調の駆動信号を供給するデータ生成部と、
前記光導波路の光の偏波状態が互いに直交するように制御するバイアス制御回路と、
を有することを特徴とする光送信機。
【請求項１３】
分岐した他方の前記配線部は、前記終端基板のビアを介して前記終端基板の裏面に導出され、前記バイアス抵抗は、前記終端基板の裏面に配置されたことを特徴とする請求項１２に記載の光送信機。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、光通信に用いられる光モジュールおよび光送信機に関する。
【背景技術】
【０００２】
光モジュールとして、例えば、ＬｉＮｂＯ3（ＬＮ）基板やＬｉＴａＯ2基板などの電気光学結晶基板や、ＧａＡｓ基板やＩｎＰ基板などの半導体基板を用いた光導波路デバイスがある。この光導波路デバイスは、基板上の一部にチタン（Ｔｉ）などの金属膜を形成し、熱拡散させて光導波路を形成する。または、パターニング後に安息香酸中でプロトン交換して光導波路を形成する。この後、光導波路近傍に電極を設けることにより、光変調器等の光モジュールを構成できる。
【０００３】
このような光変調器を高速で駆動する場合には、信号電極と接地電極の終端を抵抗で接続して進行波電極とし、入力側からＲＦ端子に高速マイクロ波信号（電気信号）を印加する。このとき、電界によって一対の平行導波路Ａ，Ｂの屈折率がそれぞれ＋Δと−Δ側に変化し、平行導波路Ａ，Ｂ間の位相差が変化する。これにより、マッハツェンダ干渉によって、出射導波路から強度変調された信号光が出力される。
【０００４】
そして、光と高速マイクロ波信号（電気信号）の速度を整合させることによって高速の光応答特性を得ることができる。電気信号は光変調器を通過した後、キャパシタを通って終端抵抗で終端される。キャパシタの手前で電極が分岐され、分岐した一方はバイアス抵抗を介してＤＣ端子に接続され、他方は終端抵抗で終端される。この構成でバイアスとして機能し、ＤＣ端子に電圧を与えることで、マッハツェンダ部のバイアスポイントや駆動電圧を制御できる。
【０００５】
このような光変調器は、マッハツェンダ変調部と、マッハツェンダ変調部を駆動する電気信号が入力される中継基板とを有している。中継基板は、例えば、信号入力用基板と、終端抵抗等を搭載した信号終端用基板の間にマッハツェンダ変調部を配置した技術（例えば、特許文献１参照。）や、信号入力用回路と、信号終端用回路とを一つの回路基板上に搭載した技術（例えば、特許文献２参照。）がある。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開２００４−２２６７６９号公報
【特許文献２】特開平５−２８９０３４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
近年、光通信において大容量化を目的とした多値化および偏波多重が進み、変調器の構成も複雑になってきている。例えば、変調器においても、一対の平行導波路を有するマッハツェンダ変調部を２組設け、この２組のマッハツェンダ変調部に独立した信号を入力させることにより、多値化および偏波多重された信号を生成する変調方式が用いられている。
【０００８】
しかしながら、２組のマッハツェンダ変調部を設けた構成では、マッハツェンダ変調部の基板上において、電気信号の信号路の数が倍に増え、信号路の引き回しに所定のスペースが必要になる。これに対応して、中継基板でもＲＦ端子とＤＣ端子、キャパシタ、バイアス抵抗および終端抵抗の個数が倍に増えて、搭載するスペースが必要になる。このため、中継基板のサイズ、例えば、マッハツェンダ変調部の平行導波路に沿った長さ方向が大きくなり、変調器を備えたモジュールのサイズが大きくなるという問題が生じる。
【０００９】
一つの側面では、本発明は、サイズを小型化できることを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
一つの案では、光モジュールは、光導波路と、前記光導波路に電気信号が印加される複数の電極とが設けられる導波路基板と、前記導波路基板に隣接して配置される中継基板と、前記導波路基板に隣接し、前記導波路基板を挟んで前記中継基板と反対側に配置される終端基板とを有し、前記複数の電極は、前記中継基板から前記導波路基板を介して前記終端基板へ接続する第１の配線部と、前記第１の配線部から延び且つ前記終端基板上でそれぞれ分岐した第２の配線部とを有し、前記第２の配線部のうち、分岐した一方の配線部には、キャパシタおよび終端抵抗が設けられ、分岐した他方の配線部は、バイアス抵抗を介して前記中継基板上のＤＣ電極まで延在し、前記第２の配線部は、前記光導波路に沿った第１の方向に延びる第１のグループと、前記第１の方向と反対方向に延びる第２のグループと、に分かれる。
【発明の効果】
【００１１】
一つの実施形態によれば、サイズを小型化できるようになる。
【図面の簡単な説明】
【００１２】
【図１】図１は、実施の形態１にかかる光モジュールを示す平面図である。
【図２】図２は、実施の形態２にかかる光モジュールを示す平面図である。
【図３】図３は、実施の形態２にかかる光モジュールを示す側断面図である。
【図４】図４は、実施の形態３にかかる光モジュールを示す側断面図である。
【図５】図５は、実施の形態４にかかる光モジュールを示す側断面図である。
【図６】図６は、実施の形態５にかかる光モジュールを示す側断面図である。
【図７】図７は、実施の形態６にかかる光モジュールを示す側断面図である。
【図８】図８は、実施の形態７にかかる光送信機の構成例を示すブロック図である。
【図９】図９は、各実施の形態と比較用の他の光モジュールの構成例を示す平面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１３】
（実施の形態１）
以下に添付図面を参照して、開示技術の好適な実施の形態を詳細に説明する。
【００１４】
図１は、実施の形態１にかかる光モジュールを示す平面図である。図１に示す光モジュール１００は、ＱＰＳＫ光変調器の構成例であり、マッハツェンダ変調部（変調器チップ）１０１と、電極基板１０２と、これらを収容する筐体（パッケージ）１０３と、入出力の光ファイバ１０４（１０４ａ，１０４ｂ）と、を含む。電極基板１０２には複数の端子（後述するＲＦ端子およびＤＣ端子）が設けられる。
【００１５】
マッハツェンダ変調部１０１は、ＬｉＮｂＯ3（ＬＮ）基板やＬｉＴａＯ2基板の電気光学結晶基板や、ＧａＡｓやＩｎＰ等の半導体基板からなる導波路基板１１１上に形成された光導波路１１２と、電極１２１と、を含む。
【００１６】
光導波路１１２は、光ファイバ１０４ａ側に設けられる入射導波路１１２ａと、電極１２１に沿った平行導波路（マッハツェンダ干渉部Ａ，Ｂ）１１２ｂと、出射導波路１１２ｃとを含む。
【００１７】
光ファイバ１０４ａからの入力光は、入射導波路１１２ａ部分の分岐部１１３により、２組のマッハツェンダ干渉部Ａ，Ｂ（平行導波路１１２Ａ，１１２Ｂ）に２分岐される。
【００１８】
そして、２組のマッハツェンダ干渉部Ａ，Ｂ（平行導波路１１２Ａ，１１２Ｂ）のそれぞれは、一対の平行導波路１１２ｂに２分岐され、平行導波路１１２ｂに平行に電極１２１が設けられ、電極１２１上のデータが光信号上に変調される。
【００１９】
一対の平行導波路１１２ｂの後段の出射導波路１１２ｃは、一対のマッハツェンダ干渉部Ａ，Ｂによる光信号の変調成分を合波（偏波多重）して、光ファイバ１０４ｂに出力する。
【００２０】
分岐部１１３と合波部１１５は光結合用のカプラを用いることができる。なお、導波路基板１１１端部の光導波路１１２は、不図示のレンズ等の光学素子を介して空間伝搬され、入力側および出力側の光ファイバ１０４ａ，１０４ｂに光結合される。
【００２１】
電極１２１は、光導波路１１２のマッハツェンダ干渉部Ａ，Ｂ（平行導波路１１２Ａ，１１２Ｂ）に沿って電極として設けられる。マッハツェンダ干渉部Ａ，Ｂ（平行導波路１１２Ａ，１１２Ｂ）部分の電極１２１の両側部には、図示しない接地電極が設けられ、コプレーナ電極を形成している。
【００２２】
図１の例では、一つのマッハツェンダ干渉部Ａあたり２本の平行導波路１１２Ａを有しており、対応して電極１２１は、この平行導波路１１２Ａに沿って２本設けられている。したがって、一対のマッハツェンダ干渉部Ａ，Ｂに対応して、電極１２１は、一対の平行導波路１１２Ａ，１１２Ｂに沿って合計４本設けられている。そして、図１の例では、一対のマッハツェンダ干渉部Ａと一対の電極１２１からなる１組と、一対のマッハツェンダ干渉部Ｂと一対の電極１２１からなる１組の計２組が設けられる。なお、このマッハツェンダ干渉部Ａ，Ｂの電極１２１は、いずれも同じ長さ（作用長）Ｌ１を有して平行に沿って配置されている。
【００２３】
図１に示す電極基板１０２は、マッハツェンダ変調部１０１の導波路基板１１１を中心として一方の中継基板１０２ａと、他方の終端基板１０２ｂの２枚が設けられる。これら中継基板１０２ａと、終端基板１０２ｂからなる電極基板１０２は、図示のように、独立した基板とするほか、１枚の基板（後述するキャリア３０２）により構成してもよい。中継基板１０２ａと終端基板１０２ｂとを１枚で構成した場合、マッハツェンダ変調部１０１の電極基板１０２部分に凹みを設け、この凹み部分にマッハツェンダ変調部１０１を設ける（具体例の詳細は後述する）。
【００２４】
中継基板１０２ａは、電極１２１の端部を筐体（パッケージ）１０３に導出するために設けられる。電極１２１は、４本のＲＦ電極１２１ａと、４本のバイアス用のＤＣ電極１２１ｂとを有する。このほか、オフ点調整用の４本のＤＣ電極１２１ｃと、位相調整用の２本のＤＣ電極１２１ｄとを有する。
【００２５】
４本のＲＦ電極１２１ａと、４本のＤＣ電極１２１ｂは、光導波路１１２の１組のマッハツェンダ干渉部Ａ，Ｂ（平行導波路１１２Ａ，１１２Ｂ）あたり２本のＲＦ電極１２１ａと、２本のＤＣ電極１２１ｂが割り当てられる。
【００２６】
電極１２１の接続構成を入力側から順に説明する。ＲＦ電極１２１ａの端部は、筐体１０３のＲＦ端子に接続され、ＲＦ端子から伝送データが高速な電気信号（マイクロ波信号）として入力される。ここで、１組の一対のマッハツェンダ干渉部Ａに対応する一対のＲＦ電極１２１ａに対し送信用の所定のデータが入力され、もう１組の他の一対のマッハツェンダ干渉部Ｂに対応する一対のＲＦ電極１２１ａに対しても個別に他の所定のデータが入力される。
【００２７】
電極１２１ａは、中継基板１０２ａからマッハツェンダ変調部１０１に接続され、光導波路１１２のマッハツェンダ干渉部Ａ，Ｂ（平行導波路１１２Ａ，１１２Ｂ）の部分で電気信号が光信号にデータ変換（変調）される。
【００２８】
この後、ＲＦ電極１２１ａは、マッハツェンダ変調部１０１から終端基板１０２ｂに接続される（第１の配線部）。終端基板１０２ｂ上では、電極１２１が２分岐される（第２の配線部）。
【００２９】
第２の配線部において、分岐された一方の電極１２１（一方の配線部１２１Ａａａ）は、キャパシタ１３１を介して終端抵抗（５０Ω）１３２によりＲＦ終端されている。
【００３０】
分岐された他方の電極１２１（他方の配線部１２１Ａａｂ）は、高抵抗（数百〜数ｋΩ）のバイアス抵抗１３３を介して、バイアス用のＤＣ電極１２１ｂとされる。このＤＣ電極１２１ｂは、終端基板１０２ｂ〜マッハツェンダ変調部１０１の導波路基板１１１〜中継基板１０２ａを介し、筐体１０３のＤＣ端子に接続される。このＤＣ端子に所定の電圧を印加し、可変させることにより、マッハツェンダ変調部１０１を電圧可変によりバイアスポイントを制御できる。
【００３１】
また、２組のマッハツェンダ干渉部Ａ，Ｂ（平行導波路１１２Ａ，１１２Ｂ）を構成する４本の平行導波路１１２ｂの後部には、計４本の導波路と平行に位相調整用のＤＣ電極１２１ｃが設けられ、中継基板１０２ａに導出されている。位相調整用のＤＣ電極１２１ｃに対する電圧印加によりマッハツェンダ変調部（マッハツェンダ干渉部Ａ，Ｂ）１０１のオフ点（動作点）を位相制御できる。
【００３２】
この平行導波路１１２ｂの２組のマッハツェンダ干渉部Ａ，Ｂ（平行導波路１１２Ａ，１１２Ｂ）後段の出射導波路１１２ｃ上には、計２本の導波路と平行に位相調整用のＤＣ電極１２１ｄが設けられ、中継基板１０２ａに導出されている。位相調整用のＤＣ電極１２１ｄに対する電圧印加により、出射導波路１１２ｃの１対の導波路相互の位相が互いに直交するように制御できる。
【００３３】
（終端基板上の電極のレイアウトについて）
図１に示す終端基板１０２ｂ上の複数の電極１２１のレイアウトについて説明しておく。一つのマッハツェンダ干渉部Ａ側の２本の電極１２１Ａ（第１のグループ：１２１Ａａ，１２１Ａｂ）は、終端基板１０２ｂ上において、平行導波路１１２Ａ，１１２Ｂに沿った第１の方向（図中Ｘ１方向）に向けてＬ字型に折り返して配置される。
【００３４】
１本の電極１２１Ａａの分岐および配置について信号経路順に説明すると、分岐された一方の電極１２１Ａａａ上のキャパシタ１３１と終端抵抗（５０Ω）１３２は、Ｘ１方向に向けて配置される。また、分岐された他方の電極１２１Ａａｂ上のバイアス抵抗１３３は、キャパシタ１３１と終端抵抗（５０Ω）１３２と同一のＸ１方向に向けて配置される。そして、キャパシタ１３１と終端抵抗１３２に対し、バイアス抵抗１３３は、筐体１０３の幅方向（Ｙ）方向に並列に配置される。もう１本の電極１２１Ａｂ側のキャパシタ１３１と終端抵抗１３２、およびバイアス抵抗１３３についても、電極１２１Ａａ同様にＸ１およびＹ方向に配置される。
【００３５】
一方、もう一つのマッハツェンダ干渉部Ｂ側の２本の電極１２１Ｂ（第２のグループ：１２１Ｂａ，１２１Ｂｂ）は、電極１２１Ａ（第１のグループ）の折り返し方向（Ｘ１）と反対の第２の方向（図中Ｘ２方向）に向けてＬ字型に折り返して配置される。また、電極１２１Ｂａ，１２１Ｂｂ上に配置されるキャパシタ１３１と終端抵抗１３２、およびバイアス抵抗１３３についても、同様にＸ２方向に向けて配置される。
【００３６】
このように、終端基板１０２ｂ上において、複数（４つ）の電極１２１の配線部を電極１２１Ａ側と、電極１２１Ｂ側とに２グループに分割する。そして、分割した一方の電極１２１Ａ（第１のグループ：１２１Ａａ，１２１Ａｂ）側と、他方の電極１２１Ｂ（第２のグループ：１２１Ｂａ，１２１Ｂｂ）の配線レイアウトを長さ（Ｘ軸）方向で互いに逆方向（Ｘ１，Ｘ２）に配置している。
【００３７】
図１の例では、長さ（Ｘ軸）方向で見て、一方の電極１２１Ａ（第１のグループ）側がマッハツェンダ干渉部Ａ，Ｂの作用長Ｌ１と重なる位置に配置されている。ここで、配線レイアウトを説明したが、所定の領域が必要なバイアス抵抗１３３の配置について、分割した双方の電極上で逆方向に配置することが重要となる。バイアス抵抗１３３は、高抵抗（数百〜数ｋΩ）であるために終端基板１０２ｂ上で所定の領域が必要となるために配置を分散させる。
【００３８】
このように、４つの電極１２１を筐体１０３の長さ方向（Ｘ１，Ｘ２）に２つのグループに分けて分散配置することにより、終端基板１０２ｂの大きさ（Ｘ軸方向の増加）を抑えることができるようになる。
【００３９】
したがって、実施の形態１によれば、終端基板１０２ｂの長さＬ２を短くすることができるため、この電極基板１０２ｂを含み収容する筐体１０３の長さＬ３を短くして小型化できるようになる。
【００４０】
（実施の形態２）
図２は、実施の形態２にかかる光モジュールを示す平面図、図３は、実施の形態２にかかる光モジュールを示す側断面図である。実施の形態２において実施の形態１と同一の構成部には同一の符号を付している。実施の形態２は、実施の形態１と比べて、終端基板１０２ｂ上の複数の電極１２１の配線レイアウト、および終端抵抗１３２の配置位置が異なる。
【００４１】
また、この実施の形態２の光モジュール１００は、ＤＰ−ＤＰＳＫ光変調器の構成例である点が実施の形態１のＱＰＳＫ変調器と異なる。このため、実施の形態２では、出射導波路１１２ｃ上には、一方の導波路上に偏波を回転させ、他方の導波路の偏波方向と直交させるための偏波回転部２１１を設けている。また、合波部１１５部分には、偏波合成部２１２を設けている。なお、実施の形態１および実施の形態２は、いずれも出射導波路１１２ｃ部分に実施の形態１の位相調整機構、あるいは実施の形態２の偏波調整機構を選択的に設けることができ、いずれの変調方式も採用できる。
【００４２】
一つのマッハツェンダ干渉部Ａ用の電極１２１Ａａの分岐および配置について信号経路順に説明する。分岐された一方の電極（一方の配線部）１２１Ａａａ上のキャパシタ１３１と終端抵抗（５０Ω）１３２は、Ｘ１方向に向けて終端基板１０２ｂの表面上に配置される。
【００４３】
そして、実施の形態２では、分岐された他方の電極（他方の配線部）１２１Ａａｂは、終端基板１０２ｂの表面から裏面に貫通して形成されたビア２０１ａを介して終端基板１０２ｂの裏面の電極１２１Ａａｂに導出し接続される（図中点線）。終端基板１０２ｂの裏面上の電極１２１Ａａｂには、バイアス抵抗１３３が配置される。
【００４４】
このバイアス抵抗１３３は、高抵抗（数百〜数ｋΩ）であるために終端基板１０２ｂ上で所定の領域が必要となる。このため、実施の形態２では、一方の電極１２１Ａａａと、キャパシタ１３１と終端抵抗１３２は、終端基板１０２ｂの表面に配置し、他方の電極１２１Ａａｂと、バイアス抵抗１３３を終端基板１０２ｂの裏面に設ける。
【００４５】
図２では、便宜上、電極１２１Ａａａと、電極１２１Ａａｂが重ならないように幅（Ｙ軸）方向にずらして記載した。しかし、終端基板１０２ｂの表面の一方の電極１２１Ａａａと、キャパシタ１３１と終端抵抗１３２と、終端基板１０２ｂの裏面の他方の電極１２１Ａａｂと、バイアス抵抗１３３は、終端基板１０２ｂの表裏で同一またはほぼ同一位置（近傍）に設けることができる。
【００４６】
この後、電極１２１Ａａｂは、ビア２０１ｂを介して終端基板１０２ｂの表面に導出され、バイアス抵抗１３３通過後にＤＣ電極１２１ｂとして、終端基板１０２ｂ〜マッハツェンダ変調部１０１の導波路基板１１１〜中継基板１０２ａを介し、筐体１０３のＤＣ端子に接続される。
【００４７】
図３に示すように、光モジュール１００は、筐体（パッケージ）１０３内部の底面から順に、温度調整クーラー（ＴＥＣ：Ｔｈｅｒｍｏ  Ｅｌｅｃｔｒｉｃ  Ｃｏｏｌｅｒ）３０１上に、キャリア（基板）３０２が搭載される。バイアス抵抗１３３は、筐体１０３底面と、終端基板１０２ｂ裏面と、温度調整クーラー３０１およびキャリア３０２側部により形成される空間３０５に収容される。
【００４８】
そして、キャリア３０２上に、マッハツェンダ変調部１０１の導波路基板１１１が搭載される。また、このキャリア３０２上には、マッハツェンダ変調部１０１の導波路基板１１１を挟んで一方に中継基板１０２ａが搭載され、他方に終端基板１０２ｂが搭載される。
【００４９】
これら中継基板１０２ａ〜マッハツェンダ変調部１０１の導波路基板１１１〜終端基板１０２ｂの表面には、同一の高さ位置に電極１２１（１２１ａ，１２１ｂ）が設けられ、これら電極１２１（１２１ａ，１２１ｂ）は、中継基板１０２ａと導波路基板１１１との間、および導波路基板１１１と終端基板１０２ｂとの間がワイヤボンディング３０４等により電気的に接続される。
【００５０】
温度調整クーラー３０１は、ヒートシンク、ペルチェ素子等の温度調節部材、および温度検出素子と制御回路を含み、上面に搭載されるキャリア３０２、および中継基板１０２ａ、終端基板１０２ｂ、マッハツェンダ変調部１０１の導波路基板１１１が一定温度となるように温度制御する。
【００５１】
中継基板１０２ａの電極１２１（ＲＦ電極１２１ａ、ＤＣ電極１２１ｂ）は、入力ＩＦ基板３０３を介して筐体１０３外部の端子（不図示）に導出される。
【００５２】
バイアス抵抗１３３の配置について、上述した実施の形態１では、図１のように、キャパシタ１３１、終端抵抗１３２と重ならないようにＹ軸方向にずらして配置した。これに対し、図２に示した実施の形態２によれば、バイアス抵抗１３３を終端基板１０２ｂの裏面に配置し、終端基板１０２ｂの表面にはバイアス抵抗１３３を設けない。これにより、実施の形態２によれば、終端基板１０２ｂのＹ軸方向の幅Ｗ１はバイアス抵抗１３３（およびＤＣ電極１２１Ａａｂ）分だけ削減でき、幅（Ｙ軸）方向のサイズを小型化できる。
【００５３】
この実施の形態２によれば、実施の形態１と同様に終端基板１０２ｂの長さＬ２を短くすることができる。加えて、終端基板１０２ｂの表裏を利用してＤＣ電極１２１ｂを効率的に配置することができ、終端基板１０２ｂの幅Ｗ１についても、実施の形態１に比して小さくできるようになる。これにより、この終端基板１０２ｂを含み収容する筐体１０３は、実施の形態１同様に長さＬ３を有して小さくでき、幅Ｗ２については実施の形態１よりも短くでき、さらに小型化できるようになる。
【００５４】
また、終端基板１０２ｂの裏面にＤＣ電極１２１ｂを設ける構成としても、高周波信号用の（ＲＦ）電極１２１ａ側には影響を与えず、高速マイクロ信号の高周波特性を維持することができる。
【００５５】
（実施の形態３）
図４は、実施の形態３にかかる光モジュールを示す側断面図である。実施の形態３は、実施の形態２において説明した終端基板１０２ｂをキャリア３０２と一体形成したものである。その他の構成は、実施の形態２と同じである。なお、キャリア３０２において、上記実施の形態で説明した終端基板１０２ｂの配置位置は終端部１０２ｂと称する。
【００５６】
キャリア３０２は、積層基板を用い、このキャリア３０２の表面側には、中継基板１０２ａと、マッハツェンダ変調部（変調器チップ）１０１の導波路基板１１１の高さ相当分の段差（溝）３０２ａを形成し、この段差３０２ａ部分に中継基板１０２ａと、マッハツェンダ変調部（変調器チップ）１０１の導波路基板１１１を収容する。これにより、段差（溝）３０２ａに収容される導波路基板１１１の表面（電極位置）と、キャリア３０２の表面（電極位置）とを面一にすることができる。
【００５７】
また、実施の形態２において説明した終端基板１０２ｂの配置位置部分（終端部１０２ｂ）のキャリア３０２には、実施の形態２同様に、電極１２１を設ける。一つのマッハツェンダ干渉部Ａ用の電極１２１Ａａを例に説明すると、分岐された一方の電極１２１Ａａａ上のキャパシタ１３１と終端抵抗（５０Ω）１３２は、キャリア３０２の表面上に配置される。また、分岐された他方の電極１２１Ａａｂは、ビア２０１ａを介してキャリア３０２の裏面の電極１２１Ａａｂに導出し接続される。キャリア３０２の裏面上の電極１２１Ａａｂには、バイアス抵抗１３３が配置される。
【００５８】
この実施の形態３によれば、実施の形態２と同様に基板（キャリア）の長さおよび幅を小さくすることができ、キャリアを収容する筐体も長さおよび幅を小型化できるようになる。また、実施の形態３によれば、終端基板がキャリアと一体化されているため、部品点数を削減でき、部品の取り扱いおよび筐体１０３への実装を容易に行うことができる。
【００５９】
（実施の形態４）
図５は、実施の形態４にかかる光モジュールを示す側断面図である。実施の形態４は、実施の形態２において説明した中継基板１０２ａおよび終端基板１０２ｂをキャリア３０２と一体形成したものである。その他の構成は、実施の形態２，３と同じである。なお、キャリア３０２において、上記実施の形態で説明した中継基板１０２ａは、中継部１０２ａと称し、終端基板１０２ｂの配置位置は終端部１０２ｂと称する。
【００６０】
キャリア３０２は、積層基板を用い、キャリア３０２の中央部分には、マッハツェンダ変調部（変調器チップ）１０１の導波路基板１１１の高さ相当分の溝（凹溝）３０２ｂを形成し、この凹溝３０２ｂ部分にマッハツェンダ変調部（変調器チップ）１０１の導波路基板１１１を収容する。
【００６１】
また、実施の形態２において説明した中継基板１０２ａ（中継部１０２ａ）および終端基板１０２ｂ（終端部１０２ｂ）の配置位置部分のキャリア３０２には、電極１２１を設ける。そして、実施の形態３同様に、終端部１０２ｂの一つのマッハツェンダ干渉部Ａの電極１２１Ａａを例に説明すると、分岐された一方の電極１２１Ａａａ上のキャパシタ１３１と終端抵抗（５０Ω）１３２は、キャリア３０２の表面上に配置される。また、分岐された他方の電極１２１Ａａｂは、ビア２０１ａを介してキャリア３０２の裏面の電極１２１Ａａｂに導出し接続される。キャリア３０２の裏面上の電極１２１Ａａｂには、バイアス抵抗１３３が配置される。
【００６２】
この実施の形態４によれば、実施の形態２と同様に基板（キャリア）の長さおよび幅を小さくすることができ、キャリアを収容する筐体も長さおよび幅を小型化できるようになる。また、実施の形態４によれば、中継基板および終端基板がキャリアと一体化されているため、部品点数を削減でき、部品の取り扱いおよび筐体１０３への実装を容易に行うことができる。
【００６３】
（実施の形態５）
図６は、実施の形態５にかかる光モジュールを示す側断面図である。実施の形態５は、実施の形態４同様に、中継基板１０２ａおよび終端基板１０２ｂをキャリア３０２と一体形成している。そして、複数の電極１２１の配線構造、および終端抵抗１３２の配置構造が異なる。
【００６４】
図６に示すように、キャリア３０２は、積層基板を用い、一つのマッハツェンダ干渉部Ａの電極１２１Ａａを例に説明すると、電極１２１Ａａが２分岐された後の一方の電極１２１Ａａａは、キャリア３０２の表面上に設けられ、キャパシタ１３１と終端抵抗１３２についてもキャリア３０２の表面上に設けられる。
【００６５】
そして、実施の形態５では、電極１２１Ａａが２分岐された後の他方の電極１２１Ａａｂは、ビア２０１ａを介してキャリア３０２内部の多層配線のうち１層の内層配線３０２ｃを用いる。また、この内層配線３０２ｃ上にバイアス抵抗１３３を設ける。そして、ＤＣ電極１２１ｂは、キャリア３０２の内層配線３０２ｃを介してマッハツェンダ変調部１０１の導波路基板１１１の下部位置を通過させ、中継部１０２ａ側のビア２０１ｃを介してキャリア３０２の表面に導出され、入力ＩＦ基板３０３に接続される。
【００６６】
このように、実施の形態５では、バイアス抵抗１３３は、キャリア３０２上に配置させずに、キャリア３０２の内層配線３０２ｃ部分に配置させている。このバイアス抵抗１３３は、高抵抗（数百〜数ｋΩ）とするために終端部１０２ｂ上には十分な領域が必要となる。これに対応して、バイアス抵抗１３３をキャリア３０２の内層配線３０２ｃ部分に所定の長さを有して設けることにより、実装可能としている。また、バイアス抵抗１３３をキャリア３０２の内層配線３０２ｃ部分に配置させているため、キャリア３０２上のバイアス抵抗１３３の搭載スペースを削減できる。
【００６７】
なお、終端抵抗１３２は、抵抗値が小さく小型でスペースをとらない。また、キャパシタ１３１は、キャリア３０２の内層配線３０２ｃ部分には設けにくい。
【００６８】
そして、電極１２１のＤＣ電極１２１ｂについて、バイアス抵抗１３３とともに、キャリア３０２の内層配線３０２ｃを用いる構成としたため、キャリア３０２上におけるＤＣ電極１２１ｂの配置スペースをとらず、キャリア３０２のサイズ（幅方向の大きさ）を小さくすることができる。また、ＤＣ電極１２１ｂをマッハツェンダ変調部１０１の下部位置を通過させて導出させている。これにより、ＤＣ電極１２１ｂは、マッハツェンダ変調部１０１部分での電気的接続等を不要にして簡単に反対側のＤＣ端子まで導出できる。
【００６９】
さらに、バイアス抵抗１３３をキャリア３０２の内層配線３０２ｃ部分に配置することにより、キャリア３０２の面上にバイアス抵抗１３３の配置スペースを必要とせず、キャリア３０２（終端部１０２ｂ相当部分）の幅を小さくすることができる。
【００７０】
（実施の形態６）
図７は、実施の形態６にかかる光モジュールを示す側断面図である。実施の形態６は、実施の形態５と同様に、キャリア３０２に中継基板１０２ａおよび終端基板１０２ｂの機能を一体形成により設けている。また、バイアス抵抗１３３は、キャリア３０２上に配置させずに、キャリア３０２の内層配線３０２ｃ部分に配置させている。
【００７１】
そして、キャパシタ１３１と終端抵抗１３２は、キャリア３０２の裏面に設けている。このため、一つのマッハツェンダ干渉部Ａの電極１２１Ａａを例に説明すると、電極１２１Ａａは、キャリア３０２のビア２０１ａを介してキャリア３０２の裏面に導出される。電極１２１Ａａが２分岐された後の一方の電極１２１Ａａａは、キャリア３０２の裏面に形成され、この電極１２１Ａａａ上にキャパシタ１３１と終端抵抗１３２を設ける。
【００７２】
電極１２１Ａａは、ＲＦ電極であるため、所定の特性インピーダンス（５０Ω）を維持する必要がある。このため、信号用の電極１２１Ａａとして用いるビア２０１ａに隣接する他の１本または複数本のビア２０１ｇを接地されたグランド電極として用いる。
【００７３】
キャリア３０２が搭載される温度調整クーラー３０１は、キャリア３０２の裏面に設けられるキャパシタ１３１と終端抵抗１３２部分に干渉しない位置（キャパシタ１３１と終端抵抗１３２部分を避けた幅）を有している。これにより、キャパシタ１３１と終端抵抗１３２は、筐体１０３底面と、キャリア３０２裏面と、温度調整クーラー３０１側部により形成される空間７０１に収容される。
【００７４】
そして、電極１２１Ａａが２分岐された後の他方の電極１２１Ａａｂは、キャリア３０２の内層配線３０２ｃ部分に接続され、この内層配線３０２ｃ部分にバイアス抵抗１３３を設けている。
【００７５】
このように、キャパシタ１３１と終端抵抗１３２をキャリア３０２の裏面に設け、バイアス抵抗１３３をキャリア３０２の内層配線３０２ｃ部分に設けることにより、キャリア３０２上に電子部品（キャパシタ１３１、終端抵抗１３２、バイアス抵抗１３３）が突出しない。これにより、実施の形態６によれば、実施の形態５と比べて、高さ（Ｚ軸）方向の大きさをさらに小型化することができる。
【００７６】
（実施の形態７）
図８は、実施の形態７にかかる光送信機の構成例を示すブロック図である。光送信機８００は、上述した各実施の形態の光モジュール１００と、データ生成部８０１と、ＬＤ光源（Ｌａｓｅｒ  Ｄｉｏｄｅ）８１０とを含む。データ生成部８０１は、例えばＤＳＰ（Ｄｉｇｉｔａｌ  Ｓｉｇｎａｌ  Ｐｒｏｃｅｓｓｏｒ）を用いて構成できる。このデータ生成部８０１は、入力される送信用のデータ（２つの個別のデータ）を高速マイクロ波信号（電気信号）として光モジュール１００のＲＦ電極１２１ａに出力する。また、光モジュール１００のＤＣ電極１２１ｂを介して、マッハツェンダ干渉部Ａ，Ｂのバイアスポイントを制御する。また、図１の構成例では、ＤＣ電極１２１ｃを介してオフ点を制御し、ＤＣ電極１２１ｄを介して位相直交の制御を行う。
【００７７】
このほか、図２の構成例では、バイアス制御回路８０２は、２組の平行導波路１１２Ａ，１１２Ｂの光の偏波状態が互いに直交するように偏波回転部２１１および偏波合成部２１２に対する偏波制御を行う。このほか、温度制御部８０３は、環境温度の変化等に対応し、光モジュール１００が一定温度となるように温度調整クーラー３０１を温度制御する。
【００７８】
光モジュール１００には、ＬＤ光源８１０の光が入力され、一対のマッハツェンダ干渉部Ａ，Ｂにより２つの個別のデータを上述した変調方式（ＱＰＳＫ、ＤＰ−ＤＰＳＫ等）により多重化して光ファイバ１０４ｂから出力する。
【００７９】
（比較例）
図９は、各実施の形態と比較用の他の光モジュールの構成例を示す平面図である。変調器チップ９０２上に一対のマッハツェンダ干渉部Ａ，Ｂ（作用長Ｌ１）を並設し、中継基板９０１に上述した電極端子および電子部品（キャパシタ９１１、終端抵抗９１２、バイアス抵抗９１３）を配置した構成例を示す。なお、図９では、実施の形態１（図１）で説明した位相制御用のＤＣ電極１２１ｃ，１２１ｄや、実施の形態２（図２）で説明した偏波制御用の偏波回転部２１１、偏波合成部２１２の配置を省略している。
【００８０】
図９に示す光変調器９００は、複数の電極上の電子部品（キャパシタ９１１、終端抵抗９１２、バイアス抵抗９１３）を単にＸ軸方向に沿って並列に配置した構成である。この電子部品（キャパシタ９１１、終端抵抗９１２、バイアス抵抗９１３）の配置に長さＬ１１が必要となる。中継基板９０１の長さＬ１２は、作用長Ｌ１に加えて、電子部品配置の長さＬ１１分が必要となり長さ方向のサイズが大きくなり、筐体９０３についても中継基板９０１の長さＬ１２に対応して長さ方向のサイズが大きくなる。なお、図９の状態では、マッハツェンダ干渉部Ａ，Ｂにおける電極の長さ（作用長Ｌ１）が異なっている。このため、実際には、光導波路に平行に設ける複数の電極の長さを同一とし、作用長Ｌ１以上の箇所の電極は光導波路から逸らして設ける等の工夫が必要となる。
【００８１】
これに対し、上記実施の形態の光モジュール１００は、図１等に示すように、複数の電極１２１を長さ（Ｘ軸）方向に分散して（２分割し互いに逆方向に）配置している。そして、長さ方向に分散させた電極１２１をマッハツェンダ干渉部Ａ，Ｂに必要な作用長Ｌ１と長さ方向に重なる位置に設けている。これにより、終端基板１０２ｂ上に搭載する電子部品（キャパシタ９１１、終端抵抗９１２、バイアス抵抗９１３）の配置に必要な電極１２１を長さ方向に短くできるようになる。実施の形態（図１）の例では、終端基板（終端部）１０２ｂの長さＬ２を図９に示す中継基板９０１の長さＬ１２に比して短くできる。
【００８２】
さらに、分岐した他方の電極１２１Ａａｂを終端基板１０２ｂの裏面に導出する構成としたり、内層配線を用いる構成とすれば、この他方の電極１２１Ａａｂに設けるバイアス抵抗９１３の設置スペースを効率的に配置でき、終端基板（終端部）１０２ｂの幅Ｗ１を小さくすることができ、さらなる小型化を達成できるようになる。
【００８３】
上記実施の形態では、光モジュールとして光変調器を例に説明したが、このほかに、同様の構成を有し、電極１２１に対する印加電圧の反転によりスイッチ動作を行う光スイッチに適用することもできる。
【００８４】
上述した各実施の形態に関し、さらに以下の付記を開示する。
【００８５】
（付記１）光導波路と、前記光導波路に電気信号が印加される複数の電極とが設けられる導波路基板と、
前記導波路基板に隣接して配置される中継基板と、
前記導波路基板に隣接し、前記導波路基板を挟んで前記中継基板と反対側に配置される終端基板とを有し、
前記複数の電極は、前記中継基板から前記導波路基板を介して前記終端基板へ接続する第１の配線部と、前記第１の配線部から延び且つ前記終端基板上でそれぞれ分岐した第２の配線部とを有し、
前記第２の配線部のうち、分岐した一方の配線部には、キャパシタおよび終端抵抗が設けられ、分岐した他方の配線部は、バイアス抵抗を介して前記中継基板上のＤＣ電極まで延在し、
前記第２の配線部は、前記光導波路に沿った第１の方向に延びる第１のグループと、前記第１の方向と反対方向に延びる第２のグループと、に分かれる
ことを特徴とする光モジュール。
【００８６】
（付記２）一対の平行導波路を含む光導波路と、
前記一対の平行導波路に沿って設けられ、電気信号が印加される一対の電極と、
一対の前記光導波路および一対の前記電極が複数設けられる導波路基板と、
前記導波路基板に隣接して配置される中継基板と、
前記導波路基板に隣接し、前記導波路基板を挟んで前記中継基板と反対側に配置される終端基板とを有し、
前記複数の電極は、前記中継基板から前記導波路基板を介して前記終端基板へ延在する第１の配線部と、前記第１の配線部から延び且つ前記終端基板上でそれぞれ分岐した第２の配線部とを有し、
前記第２の配線部のうち、分岐した一方の配線部には、キャパシタおよび終端抵抗が設けられ、分岐した他方の配線部は、バイアス抵抗を介して前記中継基板上のＤＣ電極まで延在し、
前記第２の配線部は、前記光導波路に沿った第１の方向に延びる第１のグループと、前記第１の方向と反対方向に延びる第２のグループと、に分かれる
ことを特徴とする光モジュール。
【００８７】
（付記３）分岐した他方の前記配線部は、前記終端基板のビアを介して前記終端基板の裏面に導出され、前記バイアス抵抗は、前記終端基板の裏面に配置されたことを特徴とする付記１または２に記載の光モジュール。
【００８８】
（付記４）分岐した一方の前記配線部と、分岐した他方の前記配線部は、前記終端基板の表裏でほぼ同一位置に設けられたことを特徴とする付記３に記載の光モジュール。
【００８９】
（付記５）前記終端基板は、温度制御クーラー上に設けられるキャリア基板と一体化されたことを特徴とする付記１〜４のいずれか一つに記載の光モジュール。
【００９０】
（付記６）前記中継基板は、前記キャリア基板と一体化されたことを特徴とする付記５に記載の光モジュール。
【００９１】
（付記７）前記キャリア基板は、積層基板であり、
分岐した他方の前記配線部は、前記キャリア基板のビアを介して前記キャリア基板の内層配線に接続されたことを特徴とする付記５または６に記載の光モジュール。
【００９２】
（付記８）光導波路と、前記光導波路に電気信号が印加される複数の電極とが設けられる導波路基板と、
前記導波路基板に隣接して配置される中継基板と、
前記導波路基板に隣接し、前記導波路基板を挟んで前記中継基板と反対側に配置される終端基板とを有し、
前記複数の電極は、前記中継基板から前記導波路基板を介して前記終端基板へ延在する第１の配線部と、前記第１の配線部から延び且つ前記終端基板上でそれぞれ分岐した第２の配線部とを有し、
前記第２の配線部のうち、分岐した一方の配線部には、キャパシタおよび終端抵抗が設けられ、分岐した他方の配線部は、バイアス抵抗およびキャリア基板を介して前記中継基板上のＤＣ電極まで延在し、
前記バイアス抵抗は、前記キャリア基板の内層配線部分に設けられた
ことを特徴とする光モジュール。
【００９３】
（付記９）光導波路と、前記光導波路に電気信号が印加される複数の電極とが設けられる導波路基板と、
前記導波路基板に隣接して配置される中継基板と、
前記導波路基板に隣接し、前記導波路基板を挟んで前記中継基板と反対側に配置される終端基板とを有し、
前記複数の電極は、前記中継基板から前記導波路基板を介して前記終端基板へ延在する第１の配線部と、前記第１の配線部から延び且つ前記終端基板上でそれぞれ分岐した第２の配線部とを有し、
前記第２の配線部のうち、分岐した一方の配線部には、キャパシタおよび終端抵抗が設けられ、分岐した他方の配線部は、バイアス抵抗およびキャリア基板を介して前記中継基板上のＤＣ電極まで延在し、
分岐した一方の前記配線部は、前記終端基板のビアを介して前記終端基板の裏面に導出され、前記キャパシタおよび終端抵抗が前記キャリア基板の裏面に配置された
ことを特徴とする光モジュール。
【００９４】
（付記１０）分岐した一方の前記配線部の前記ビアに隣接する他の一つまたは複数のビアを接地したグランド電極としたことを特徴とする付記９に記載の光モジュール。
【００９５】
（付記１１）前記キャリア基板の表面には、前記導波路基板を収容する溝が形成されたことを特徴とする付記５〜１０のいずれか一つに記載の光モジュール。
【００９６】
（付記１２）前記溝は、前記キャリア基板の表面と、前記導波路基板の表面とが面一になる深さを有することを特徴とする付記１１に記載の光モジュール。
【００９７】
（付記１３）光導波路と、前記光導波路に電気信号が印加される複数の電極とが設けられる導波路基板と、
前記導波路基板に隣接して配置される中継基板と、
前記導波路基板に隣接し、前記導波路基板を挟んで前記中継基板と反対側に配置される終端基板とを有し、
前記複数の電極は、前記中継基板から前記導波路基板を介して前記終端基板へ延在する第１の配線部と、前記第１の配線部から延び且つ前記終端基板上でそれぞれ分岐した第２の配線部とを有し、
前記第２の配線部のうち、分岐した一方の配線部には、キャパシタおよび終端抵抗が設けられ、分岐した他方の配線部は、バイアス抵抗を介して前記中継基板上のＤＣ電極まで延在し、
前記第２の配線部は、前記光導波路に沿った第１の方向に延びる第１のグループと、前記第１の方向と反対方向に延びる第２のグループと、に分かれる光モジュールと、
前記複数の電極に個別に送信用のデータを前記電気信号として供給し、前記ＤＣ電極を介して、前記光導波路による変調の駆動信号を供給するデータ生成部と、
前記光導波路の光の偏波状態が互いに直交するように制御するバイアス制御回路と、
を有することを特徴とする光送信機。
【００９８】
（付記１４）分岐した他方の前記配線部は、前記終端基板のビアを介して前記終端基板の裏面に導出され、前記バイアス抵抗は、前記終端基板の裏面に配置されたことを特徴とする付記１３に記載の光送信機。
【符号の説明】
【００９９】
１００  光モジュール
１０１  マッハツェンダ変調部
１０２  電極基板
１０２ａ  中継基板（中継部）
１０２ｂ  終端基板（終端部）
１０３  筐体
１０４（１０４ａ，１０４ｂ）  光ファイバ
１１１  導波路基板
１１２  光導波路
１１２ａ  入射導波路
１１２ｂ  平行導波路
１１２ｃ  出射導波路
１１２Ａ，１１２Ｂ  平行導波路
１１３  分岐部
１１５  合波部
１２１  電極
１２１ａ  ＲＦ電極
１２１ｂ  ＤＣ電極
１２１ｃ，１２１ｄ  ＤＣ電極（位相用）
１２１Ａ，１２１Ｂ  分割した電極（レイアウト）
１３１  キャパシタ
１３２  終端抵抗
１３３  バイアス抵抗
２０１ａ〜２０１ｃ，２０１ｇ  ビア
２１１  偏波回転部
２１２  偏波合成部
３０１  温度調整クーラー
３０２  キャリア基板
３０２ｃ  内層配線
８００  光送信機
８０１  データ生成部
８０２  バイアス制御回路
８０３  温度制御部
８１０  ＬＤ光源
Ａ，Ｂ  マッハツェンダ干渉部
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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