(57)【要約】【課題】画質の劣化を防止しつつ、発光制御とセンシング制御とを行うことが可能な、表示装置、および制御方法を提供する。【解決手段】発光素子と、発光素子に第１端子が接続され、制御端子に印加される電圧に基づき第２端子と接続されている第１電源と発光素子を接続して、発光素子を発光状態とするスイッチトランジスタと、発光素子に第１端子が接続され、第２の信号線を介して制御端子に印加される電圧に基づき第２端子と接続されている第２電源と発光素子を接続して、発光素子がセンシングされる状態とするセンシングスイッチトランジスタとを含む画素回路を有する表示部と、発光素子の発光とセンシングを制御する制御部とを有し、制御部は、発光時間を制御することにより階調を表現させ、発光期間において発光素子に接続される電源を第１電源と第２電源との間で切り替えさせることにより、発光制御とセンシング制御とを同時に行う、表示装置が提供される。【選択図】図２
2015102804.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
電流が流れることにより発光する発光素子と、
前記発光素子の第１端子に接続される第１端子、第１電源に接続される第２端子、および制御端子を有するスイッチトランジスタと、
前記発光素子の第１端子に接続される第１端子、センシングに係る第２電源に接続される第２端子、および制御端子を有するセンシングスイッチトランジスタと、
を含む画素回路を有し、データ信号が選択的に供給される第１の信号線に供給される前記データ信号に対応する画像を表示する表示部と、
前記画素回路における前記発光素子の発光と、前記発光素子のセンシングとを制御する制御部と、
を有し、
前記画素回路において、
前記スイッチトランジスタは、前記第１の信号線を介して前記スイッチトランジスタの制御端子に印加される電圧に基づいて、前記スイッチトランジスタの第２端子と接続されている前記第１電源と、前記スイッチトランジスタの第１端子に接続されている前記発光素子の第１端子とを接続して、前記発光素子を選択的に発光状態とし、
前記センシングスイッチトランジスタは、センシングを制御するセンシング信号が選択的に供給される第２の信号線を介して前記センシングスイッチトランジスタの制御端子に印加される電圧に基づいて、前記センシングスイッチトランジスタの第２端子と接続されている前記第２電源と、前記センシングスイッチトランジスタの第１端子と接続されている前記発光素子の第１端子とを接続して、選択的に前記発光素子がセンシングされる状態とし、
前記制御部は、
前記画素回路が有する前記発光素子の発光時間を制御することにより階調を表現させ、
前記発光素子を発光させる発光期間において、前記発光素子の第１端子に接続される電源を、前記第１電源と前記第２電源との間で切り替えさせることによって、前記発光素子の発光制御と前記発光素子のセンシング制御とを同時に行うことを特徴とする、表示装置。
【請求項２】
前記制御部は、前記画素回路が有する前記発光素子をセンシングさせる場合には、
所定のレベルのデータ信号を前記第１の信号線に供給して前記第１電源と前記発光素子の第１端子とを切り離させ、
所定のレベルのセンシング信号を前記第２の信号線に供給して前記第２電源と前記発光素子の第１端子とを接続させることを特徴とする、請求項１に記載の表示装置。
【請求項３】
前記制御部は、前記発光期間内において前記画素回路が有する前記発光素子をセンシングさせることが可能なセンシング期間では、前記表示部に表示させる画像に対応するデータ信号に基づいて、前記第２電源の電圧を、前記発光素子を発光させ、センシングを行わせる第１電圧、または、前記発光素子を非発光とし、センシングを行わせない第２電圧とすることを特徴とする、請求項１に記載の表示装置。
【請求項４】
前記制御部は、
前記センシング期間に対応するデータ信号が示す値が、第１の値である場合には、前記第２電源の電圧を前記第１電圧とし、
前記センシング期間に対応するデータ信号が示す値が、前記第１の値より小さい第２の値である場合には、前記第２電源の電圧を前記第２電圧とすることを特徴とする、請求項３に記載の表示装置。
【請求項５】
前記第２電源の前記第１電圧の電圧値は、前記第１電源の電圧の電圧値と等しいことを特徴とする、請求項３に記載の表示装置。
【請求項６】
１フィールドは、階調ごとに重み付けがされた複数のサブフィールド期間に分けられ、
前記制御部は、複数の前記サブフィールド期間のうちの、前記発光期間に対応する少なくとも１以上のサブフィールド期間において、前記画素回路が有する前記発光素子をセンシングさせることを特徴とする、請求項１〜５のいずれか１項に記載の表示装置。
【請求項７】
前記制御部が前記発光素子をセンシングさせる少なくとも１以上のサブフィールド期間は、前記発光素子のセンシングに必要なセンシング必要時間よりも長いことを特徴とする、請求項６に記載の表示装置。
【請求項８】
前記制御部は、前記画素回路が有する前記スイッチトランジスタの制御端子への電圧の印加に関する制御と、前記画素回路が有する前記発光素子の発光制御とを、前記サブフィールド期間の重み付けに基づいて、飛び越し走査により行うことを特徴とする、請求項６に記載の表示装置。
【請求項９】
前記センシングスイッチトランジスタの第２端子は、前記第２電源に接続されているセンシング線に接続されることを特徴とする、請求項１〜５のいずれか１項に記載の表示装置。
【請求項１０】
前記表示部は、前記画素回路を複数有し、
１フィールドは、階調ごとに重み付けがされた複数のサブフィールド期間に分けられ、
前記サブフィールド期間それぞれは、前記画素回路が有する前記スイッチトランジスタの制御端子への電圧の印加に関する制御が行われる第１期間と、前記画素回路が有する前記発光素子の発光制御が行われる第２期間とを有し、
前記制御部は、前記サブフィールド期間それぞれにおいて、
前記第１期間では、前記スイッチトランジスタの制御端子への電圧の印加に関する制御を、複数の前記画素回路に対して線順次に行い、
前記第２期間では、前記発光素子の発光制御を、複数の前記画素回路に対して同時に行うことを特徴とする、請求項１〜５のいずれか１項に記載の表示装置。
【請求項１１】
前記センシングスイッチトランジスタの第２端子は、前記第１の信号線に接続され、
前記制御部は、前記第１の信号線に、前記データ信号または前記第２電源の電圧を選択的に供給させることを特徴とする、請求項１０に記載の表示装置。
【請求項１２】
前記制御部は、前記画素回路における前記発光素子の発光制御を行う場合において、前記発光素子の発光状態と非発光状態とを、前記第１電源の電圧を変化させることにより制御する、請求項１１に記載の表示装置。
【請求項１３】
前記画素回路は、前記発光素子の第１端子に接続される第１端子、前記スイッチトランジスタの第１端子に接続される第２端子、および制御端子を有するエミッションスイッチトランジスタをさらに有し、
前記エミッションスイッチトランジスタは、前記発光素子における発光状態と非発光状態とを制御する発光制御信号が選択的に供給される第３の信号線を介して前記エミッションスイッチトランジスタの制御端子に印加される電圧に基づいて、前記エミッションスイッチトランジスタの第１端子に接続されている前記発光素子と、前記エミッションスイッチトランジスタの第２端子に接続されている前記スイッチトランジスタとを選択的に接続させ、
前記制御部は、前記画素回路における前記発光素子の発光制御を行う場合において、前記発光素子の発光状態と非発光状態とを、前記第３の信号線に供給する前記発光制御信号によって制御する、請求項１１に記載の表示装置。
【請求項１４】
電流が流れることにより発光する発光素子と、
前記発光素子の第１端子に接続される第１端子、第１電源に接続される第２端子、および制御端子を有するスイッチトランジスタと、
前記発光素子の第１端子に接続される第１端子、センシングに係る第２電源に接続される第２端子、および制御端子とを有するセンシングスイッチトランジスタと、
を含む画素回路を有し、データ信号が選択的に供給される第１の信号線に供給される前記データ信号に対応する画像を表示する表示部を有し、
前記画素回路において、
前記スイッチトランジスタは、前記第１の信号線を介して前記スイッチトランジスタの制御端子に印加される電圧に基づいて、前記スイッチトランジスタの第２端子と接続されている前記第１電源と、前記スイッチトランジスタの第１端子に接続されている前記発光素子の第１端子とを接続して、前記発光素子を選択的に発光状態とし、
前記センシングスイッチトランジスタは、センシングを制御するセンシング信号が選択的に供給される第２の信号線を介して前記センシングスイッチトランジスタの制御端子に印加される電圧に基づいて、前記センシングスイッチトランジスタの第２端子と接続されている前記第２電源と、前記センシングスイッチトランジスタの第１端子と接続されている前記発光素子の第１端子とを接続して、選択的に前記発光素子がセンシングされる状態とする、表示装置における制御方法であって、
前記画素回路における前記発光素子の発光と、前記発光素子のセンシングとを制御するステップを有し、
前記制御するステップでは、
前記画素回路が有する前記発光素子の発光時間を制御することにより階調を表現させ、
前記発光素子を発光させる発光期間において、前記発光素子の第１端子に接続される電源を、前記第１電源と前記第２電源との間で切り替えさせることによって、前記発光素子の発光制御と前記発光素子のセンシング制御とを同時に行わせることを特徴とする、制御方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、表示装置、および制御方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
発光素子を含む画素回路を有するアクティブマトリクス型（active  matrix）の表示装置において、発光素子のＶＩ特性（voltage-current  characteristics）を測定する技術が開発されている。上記発光素子のＶＩ特性を測定する技術としては、例えば、特許文献１に記載の技術が挙げられる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００９−２４４６５４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
例えば特許文献１に記載の技術が用いられる場合、複数のデータライン（data  line）それぞれに対して所定の検定電流を供給する複数の定電流回路から、各画素がそれぞれ有する発光素子に対して、各画素における所定の電流路を介して検定電流が流される。そして、例えば特許文献１に記載の技術では、上記検定電流が流れたときにおける発光素子それぞれの端子間の電圧を測定することによって、発光素子のＶＩ特性が測定される。よって、例えば特許文献１に記載の技術を用いる場合には、発光素子のＶＩ特性を測定することができる可能性がある。
【０００５】
しかしながら、例えば特許文献１に記載の技術が用いられる場合には、発光素子のＶＩ特性を測定する際に発光素子に検定電流を流すときに、発光素子が発光してしまうため、例えば、線欠陥や、黒浮きによるコントラスト（contrast）低下が生じることによって、画質の劣化が生じうる。
【０００６】
本発明は、上記問題に鑑みてなされたものであり、本発明の目的とするところは、発光素子のＶＩ特性がセンシング（sensing）される際における画質の劣化を防止しつつ、発光素子の発光制御と発光素子のセンシング制御とを行うことが可能な、新規かつ改良された表示装置、および制御方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上記目的を達成するために、本発明の第１の観点によれば、電流が流れることにより発光する発光素子と、上記発光素子の第１端子に接続される第１端子、第１電源に接続される第２端子、および制御端子を有するスイッチトランジスタと、上記発光素子の第１端子に接続される第１端子、センシングに係る第２電源に接続される第２端子、および制御端子を有するセンシングスイッチトランジスタと、を含む画素回路を有し、データ信号が選択的に供給される第１の信号線に供給される上記データ信号に対応する画像を表示する表示部と、上記画素回路における上記発光素子の発光と、上記発光素子のセンシングとを制御する制御部と、を有し、上記画素回路において、上記スイッチトランジスタは、上記第１の信号線を介して上記スイッチトランジスタの制御端子に印加される電圧に基づいて、上記スイッチトランジスタの第２端子と接続されている上記第１電源と、上記スイッチトランジスタの第１端子に接続されている上記発光素子の第１端子とを接続して、上記発光素子を選択的に発光状態とし、上記センシングスイッチトランジスタは、センシングを制御するセンシング信号が選択的に供給される第２の信号線を介して上記センシングスイッチトランジスタの制御端子に印加される電圧に基づいて、上記センシングスイッチトランジスタの第２端子と接続されている上記第２電源と、上記センシングスイッチトランジスタの第１端子と接続されている上記発光素子の第１端子とを接続して、選択的に上記発光素子がセンシングされる状態とし、上記制御部は、上記画素回路が有する上記発光素子の発光時間を制御することにより階調を表現させ、上記発光素子を発光させる発光期間において、上記発光素子の第１端子に接続される電源を、上記第１電源と上記第２電源との間で切り替えさせることによって、上記発光素子の発光制御と上記発光素子のセンシング制御とを同時に行う表示装置が提供される。
【０００８】
かかる構成によって、発光期間において、発光制御とセンシング制御とを同時に行うことが可能となる。よって、かかる構成によって、発光素子のＶＩ特性がセンシングされる際における画質の劣化を防止しつつ、発光素子の発光制御と発光素子のセンシング制御とを行うことができる。
【０００９】
また、上記制御部は、上記画素回路が有する上記発光素子をセンシングさせる場合には、所定のレベルのデータ信号を上記第１の信号線に供給して上記第１電源と上記発光素子の第１端子とを切り離させ、所定のレベルのセンシング信号を上記第２の信号線に供給して上記第２電源と上記発光素子の第１端子とを接続させてもよい。
【００１０】
また、上記制御部は、上記発光期間内において上記画素回路が有する上記発光素子をセンシングさせることが可能なセンシング期間では、上記表示部に表示させる画像に対応するデータ信号に基づいて、上記第２電源の電圧を、上記発光素子を発光させ、センシングを行わせる第１電圧、または、上記発光素子を非発光とし、センシングを行わせない第２電圧としてもよい。
【００１１】
また、上記制御部は、上記センシング期間に対応するデータ信号が示す値が、第１の値である場合には、上記第２電源の電圧を上記第１電圧とし、上記センシング期間に対応するデータ信号が示す値が、上記第１の値より小さい第２の値である場合には、上記第２電源の電圧を上記第２電圧としてもよい。
【００１２】
また、上記第２電源の上記第１電圧の電圧値は、上記第１電源の電圧の電圧値と等しくてもよい。
【００１３】
また、１フィールドは、階調ごとに重み付けがされた複数のサブフィールド期間に分けられ、上記制御部は、複数の上記サブフィールド期間のうちの、上記発光期間に対応する少なくとも１以上のサブフィールド期間において、上記画素回路が有する上記発光素子をセンシングさせてもよい。
【００１４】
また、上記制御部が上記発光素子をセンシングさせる少なくとも１以上のサブフィールド期間は、上記発光素子のセンシングに必要なセンシング必要時間よりも長くてもよい。
【００１５】
また、上記制御部は、上記画素回路が有する上記スイッチトランジスタの制御端子への電圧の印加に関する制御と、上記画素回路が有する上記発光素子の発光制御とを、上記サブフィールド期間の重み付けに基づいて、飛び越し走査により行ってもよい。
【００１６】
また、上記センシングスイッチトランジスタの第２端子は、上記第２電源に接続されているセンシング線に接続されてもよい。
【００１７】
また、上記表示部は、上記画素回路を複数有し、１フィールドは、階調ごとに重み付けがされた複数のサブフィールド期間に分けられ、上記サブフィールド期間それぞれは、上記画素回路が有する上記スイッチトランジスタの制御端子への電圧の印加に関する制御が行われる第１期間と、上記画素回路が有する上記発光素子の発光制御が行われる第２期間とを有し、上記制御部は、上記サブフィールド期間それぞれにおいて、上記第１期間では、上記スイッチトランジスタの制御端子への電圧の印加に関する制御を、複数の上記画素回路に対して線順次に行い、上記第２期間では、上記発光素子の発光制御を、複数の上記画素回路に対して同時に行ってもよい。
【００１８】
また、上記センシングスイッチトランジスタの第２端子は、上記第１の信号線に接続され、上記制御部は、上記第１の信号線に、上記データ信号または上記第２電源の電圧を選択的に供給させてもよい。
【００１９】
また、上記画素回路は、上記発光素子の第１端子に接続される第１端子、上記スイッチトランジスタの第１端子に接続される第２端子、および制御端子を有するエミッションスイッチトランジスタをさらに有し、上記エミッションスイッチトランジスタは、上記発光素子における発光状態と非発光状態とを制御する発光制御信号が選択的に供給される第３の信号線を介して上記エミッションスイッチトランジスタの制御端子に印加される電圧に基づいて、上記エミッションスイッチトランジスタの第１端子に接続されている上記発光素子と、上記エミッションスイッチトランジスタの第２端子に接続されている上記スイッチトランジスタとを選択的に接続させ、上記制御部は、上記画素回路における上記発光素子の発光制御を行う場合において、上記発光素子の発光状態と非発光状態とを、上記第３の信号線に供給する上記発光制御信号によって制御してもよい。
【００２０】
また、上記目的を達成するために、本発明の第２の観点によれば、電流が流れることにより発光する発光素子と、上記発光素子の第１端子に接続される第１端子、第１電源に接続される第２端子、および制御端子を有するスイッチトランジスタと、上記発光素子の第１端子に接続される第１端子、センシングに係る第２電源に接続される第２端子、および制御端子とを有するセンシングスイッチトランジスタと、を含む画素回路を有し、データ信号が選択的に供給される第１の信号線に供給される上記データ信号に対応する画像を表示する表示部を有し、上記画素回路において、上記スイッチトランジスタは、上記第１の信号線を介して上記スイッチトランジスタの制御端子に印加される電圧に基づいて、上記スイッチトランジスタの第２端子と接続されている上記第１電源と、上記スイッチトランジスタの第１端子に接続されている上記発光素子の第１端子とを接続して、上記発光素子を選択的に発光状態とし、上記センシングスイッチトランジスタは、センシングを制御するセンシング信号が選択的に供給される第２の信号線を介して上記センシングスイッチトランジスタの制御端子に印加される電圧に基づいて、上記センシングスイッチトランジスタの第２端子と接続されている上記第２電源と、上記センシングスイッチトランジスタの第１端子と接続されている上記発光素子の第１端子とを接続して、選択的に上記発光素子がセンシングされる状態とする、表示装置における制御方法であって、上記画素回路における上記発光素子の発光と、上記発光素子のセンシングとを制御するステップを有し、上記制御するステップでは、上記画素回路が有する上記発光素子の発光時間を制御することにより階調を表現させ、上記発光素子を発光させる発光期間において、上記発光素子の第１端子に接続される電源を、上記第１電源と上記第２電源との間で切り替えさせることによって、上記発光素子の発光制御と上記発光素子のセンシング制御とを同時に行わせる制御方法が提供される。
【００２１】
かかる方法が用いられることによって、発光期間において、発光制御とセンシング制御とを同時に行うことが可能となる。よって、かかる方法が用いられることによって、発光素子のＶＩ特性がセンシングされる際における画質の劣化を防止しつつ、発光素子の発光制御と発光素子のセンシング制御とを行うことができる。
【発明の効果】
【００２２】
本発明によれば、発光素子のＶＩ特性がセンシングされる際における画質の劣化を防止しつつ、発光素子の発光制御と発光素子のセンシング制御とを行うことができる。
【図面の簡単な説明】
【００２３】
【図１】第１の実施形態に係る制御方法を説明するための説明図である。
【図２】第１の実施形態に係る表示装置の構成の一例を説明するための説明図である。
【図３】第１の実施形態に係る表示装置の構成の一例を説明するための説明図である。
【図４】第１の実施形態に係る表示装置の構成の一例を説明するための説明図である。
【図５】第１の実施形態に係る表示装置の構成の一例を説明するための説明図である。
【図６】第１の実施形態に係る制御方法の一例を説明するための説明図である。
【図７】第１の実施形態に係る制御方法の一例を説明するための説明図である。
【図８】第１の実施形態に係る制御方法の一例を説明するための説明図である。
【図９】第１の実施形態に係る制御方法の一例を説明するための説明図である。
【図１０】第１の実施形態に係る制御方法の一例を説明するための説明図である。
【図１１】第１の実施形態に係る制御方法の一例を説明するための説明図である。
【図１２】第１の実施形態に係る制御方法の一例を説明するための説明図である。
【図１３】第１の実施形態に係る制御方法の一例を説明するための説明図である。
【図１４】第１の実施形態に係る制御方法の一例を説明するための説明図である。
【図１５】第２の実施形態に係る制御方法を説明するための説明図である。
【図１６】第２の実施形態に係る表示装置の構成の一例を説明するための説明図である。
【図１７】第２の実施形態に係る表示装置の構成の一例を説明するための説明図である。
【図１８】第２の実施形態に係る制御方法の一例を説明するための説明図である。
【図１９】第２の実施形態に係る制御方法の一例を説明するための説明図である。
【図２０】第２の実施形態に係る制御方法の一例を説明するための説明図である。
【図２１】第２の実施形態に係る制御方法の一例を説明するための説明図である。
【図２２】第２の実施形態に係る制御方法の一例を説明するための説明図である。
【図２３】第２の実施形態に係る制御方法の一例を説明するための説明図である。
【図２４】第３の実施形態に係る表示装置の構成の一例を説明するための説明図である。
【図２５】第３の実施形態に係る表示装置の構成の一例を説明するための説明図である。
【図２６】第３の実施形態に係る制御方法の一例を説明するための説明図である。
【図２７】第３の実施形態に係る制御方法の一例を説明するための説明図である。
【図２８】第３の実施形態に係る制御方法の一例を説明するための説明図である。
【図２９】第３の実施形態に係る制御方法の一例を説明するための説明図である。
【図３０】第３の実施形態に係る制御方法の一例を説明するための説明図である。
【発明を実施するための形態】
【００２４】
以下に添付図面を参照しながら、本発明の好適な実施の形態について詳細に説明する。なお、本明細書および図面において、実質的に同一の機能構成を有する構成要素については、同一の符号を付することにより重複説明を省略する。
【００２５】
（本発明の実施形態に係る表示装置、制御方法の概要）
本発明の実施形態に係る表示装置は、例えば、発光素子を含む画素回路（以下、単に「画素」と示す場合がある。）を有するアクティブマトリクス型の表示装置であり、定電圧・デジタル（digital）駆動により画像を表示画面に表示させる。本発明の実施形態に係る表示装置は、例えば、１フィールド（field）を複数に分割したサブフィールド（sub-field）期間それぞれにおいて、画素の発光素子をオン（on）状態またはオフ（off）状態とすることにより、階調を表現する。
【００２６】
ここで、本発明の実施形態に係る発光素子としては、例えば、有機ＥＬ素子（organic  Electro  Luminescence  element）や、無機ＥＬ素子（Inorganic  Electro  Luminescence  element）など、電流が流れることにより発光する任意の発光素子が挙げられる。以下では、本発明の実施形態に係る発光素子が、有機ＥＬ素子である場合を例に挙げる。
【００２７】
発光素子を含む画素回路を有するアクティブマトリクス型の表示装置が、定電圧・デジタル駆動により画像を表示画面に表示させる場合、例えば、発光素子のＶＩ特性のばらつきにより、発光素子に一定電圧を印加しても電流がばらつき、その結果、輝度ムラ（luminance  unevenness）による画質劣化が発生しうる。上記発光素子のＶＩ特性ばらつきは、例えば、発光素子の製造時のばらつきや、発光素子の経時劣化のはらつきなどにより生じる。ここで、発光素子の製造時のばらつきによるＶＩ特性ばらつきは、例えば、輝度ムラの発生の要因となりうる。また、発光素子の経時劣化のはらつきによるＶＩ特性ばらつきは、例えば、焼き付き（イメージスティッキング（Image  Sticking））の発生の要因となりうる。
【００２８】
ここで、デジタル駆動とは、例えば、発光素子の発光時間を変えることによって、階調表現をさせる駆動方式である。
【００２９】
また、定電圧駆動とは、トランジスタ（transistor）の線形領域を利用して、トランジスタをオン・オフスイッチ（on/off  switch）として使用し、発光素子の発光時間により階調表現させる駆動方式である。定電圧駆動が用いられる場合には、例えば下記に示すような特性を有する。
・トランジスタをオン・オフスイッチとして使用し、発光素子の発光時間により階調表現させるので、当該トランジスタの特性のばらつきが、階調表現に影響しない。
・トランジスタの線形領域を利用し、また、当該トランジスタの抵抗値は小さいため、電源電圧を低減させることが可能となり、低消費電力化が可能である。
・オン・オフスイッチとして使用されるトランジスタは、低抵抗で使用されるので、ジュール熱が低減し、表示画面に表示させる画像に依存する発熱を低減させることが可能である。
・発光素子に電圧をかけることによって発光素子に流れる電流が決まるため、発光素子のＶＩ特性のばらつきにより、発光素子に流れる電流ばらつきが発生する。
【００３０】
定電圧・デジタル駆動が用いられる場合には、上記に示すように、例えば、発光素子のＶＩ特性のばらつきにより発光素子に一定電圧を印加しても電流がばらつき、その結果、輝度ムラなどによる画質劣化が発生しうる。また、例えば特許文献１に記載の技術のような発光素子のＶＩ特性を測定可能な技術を利用して、発光素子のＶＩ特性をセンシングし、センシング結果に基づき発光素子のＶＩ特性を補償ことによって、上記のような画質劣化を防止することは可能である。
【００３１】
しかしながら、例えば特許文献１に記載の技術のような既存の発光素子のＶＩ特性を測定可能な技術を用いる場合には、発光素子のセンシング時に発光素子が発光してしまうことから、例えば、線欠陥や、黒浮きによるコントラスト低下が生じることによって、画質の劣化が生じうる。
【００３２】
そこで、本発明の実施形態に係る表示装置は、本発明の実施形態に係る制御方法として、定電圧デジタル駆動において、発光素子の発光制御（以下、単に「発光制御」と示す。）と発光素子のセンシング制御（以下、単に「センシング制御」と示す。）とを同時に行う。より具体的には、本発明の実施形態に係る表示装置は、例えば、発光素子を発光させる発光期間において、発光素子の第１端子（例えば、アノード（anode））に接続される電源を、発光素子の発光に係る電源と、発光素子のセンシングに係る電源との間で切り替えさせることによって、発光制御とセンシング制御とを同時に行う。以下では、例えば、発光素子の第１端子に接続される、発光素子の発光に係る電源を「第１電源」と示し、発光素子の第１端子に接続される、発光素子のセンシングに係る電源を「第２電源」と示す。また、以下では、発光素子の第１端子が、アノードであり、発光素子の第２端子がカソード（Cathode）である場合を例に挙げる。
【００３３】
ここで、本発明の実施形態に係る“一の構成要素と、他の構成要素とを、接続する”とは、“当該一の構成要素と当該他の構成要素とが、さらに他の構成要素を介さずに、電気的に接続されていること”、または、“当該一の構成要素と当該他の構成要素とが、さらに他の構成要素を介して、電気的に接続されていること”をいう。
【００３４】
発光期間において、発光制御とセンシング制御とが同時に行われることによって、既存の発光素子のＶＩ特性を測定可能な技術が用いられる場合のような、発光素子のＶＩ特性のセンシング時に発生する画質劣化が防止される。したがって、本発明の実施形態に係る表示装置は、発光素子のＶＩ特性がセンシングされる際における画質の劣化を防止しつつ、発光素子の発光制御と発光素子のセンシング制御とを行うことができる。
【００３５】
以下、本発明の実施形態に係る表示装置と、本発明の実施形態に係る制御方法とについて、より具体的に説明する。以下では、本発明の各実施形態に係る制御方法に係る処理を、制御方法に対応する本発明の各実施形態に係る表示装置が行うものとして説明する。本発明の実施形態に係る表示装置では、例えば、後述する制御部が、本発明の実施形態に係る制御方法に係る処理を主導的に行う。
【００３６】
（第１の実施形態に係る表示装置、制御方法）
［１］第１の実施形態に係る表示装置における動作の一例
図１は、第１の実施形態に係る制御方法を説明するための説明図であり、第１の実施形態に係る表示装置における動作のタイミングチャート（timing  chart）の一例を示している。
【００３７】
例えば図１に示すように、第１の実施形態に係る表示装置は、１フィールドを複数に分割したサブフィールド期間それぞれにおいて、画素の発光素子をオン状態またはオフ状態とすることにより階調を表現するデジタル駆動を行う。図１に示すＤ０〜Ｄ７それぞれが、サブフィールド期間に該当する。
【００３８】
また、例えば図１に示すように、サブフィールド期間は、階調データごとに重み付けがされる。そして、第１の実施形態に係る表示装置は、画素回路が有するスイッチトランジスタ（後述する）のゲート（gate）（制御端子）への電圧の印加に関する制御と、発光制御とを、サブフィールド期間の重み付けに基づいて、飛び越し走査により行う。以下では、画素回路が有するスイッチトランジスタ（後述する）のゲートへの電圧の印加に関する制御を、「データプログラム」（data  program）と示す場合がある。
【００３９】
第１の実施形態に係る表示装置は、複数のサブフィールド期間のうちの、発光期間に対応する少なくとも１以上のサブフィールド期間において、画素が有する発光素子をセンシングさせる。また、図１では、第１の実施形態に係る表示装置が、最上位階調（Ｄ７）に対応するサブフィールド期間において、発光素子をセンシングさせる例を示している。
【００４０】
なお、第１の実施形態に係る表示装置が、発光素子をセンシングさせるサブフィールド期間は、図１に示すような最上位階調（Ｄ７）に対応するサブフィールド期間に限られない。例えば、第１の実施形態に係る表示装置は、発光素子のセンシングに必要なセンシング必要時間よりも長い、１または２以上の任意のサブフィールド期間において、発光素子をセンシングさせることが可能である。
【００４１】
［２］第１の実施形態に係る表示装置の構成の一例
図２〜図５は、第１の実施形態に係る表示装置の構成の一例を説明するための説明図である。図２は、第１の実施形態に係る表示装置１００の構成の一例を示している。図３は、図２に示す画素回路１１２の構成の一例を示している。また、図４は、図２に示す電流検出ドライバ１１０の構成の一例を示しており、図５は、図２に示すデータドライバ１０８（data  driver）の構成の一例を示している。以下では、第１の実施形態に係る表示装置を、「表示装置１００」と示す場合がある。
【００４２】
以下、図２〜図５を参照しつつ、第１の実施形態に係る表示装置１００の構成の一例について説明する。
【００４３】
［２−１］表示装置１００の構成の一例（図２）
表示装置１００は、例えば、表示部１０２と、スキャンドライバ１０４（scan  driver）と、センスドライバ１０６（sense  driver）と、データドライバ１０８と、電流検出ドライバ１１０とを備える。表示部１０２は、複数の画素回路１１２を有し、データ信号に対応する画像を表示画面に表示させる。画素回路１１２それぞれは、行状に配された制御線（図２に示すＳＣＡＮ、ＳＥＮＳＥ）と列状に配された信号線（図２に示すＤＴ、ＳＥ）との交差部分に、マトリクス状に配置される。図２では、表示部１０２が、（ｎ＋２）×（ｍ＋２）個（ｎは、整数。ｍは、整数）の画素回路１１２を有している例を示している。なお、図２（以降の図でも同様。）では、便宜上、ｎとｍとが１である例を示しているが、表示部１０２が有する画素回路１１２の数や、制御線や信号線の数が、図２に示す例に限られないことは、言うまでもない。
【００４４】
ここで、図２に示す第１の実施形態に係る表示装置１００では、スキャンドライバ１０４、センスドライバ１０６、データドライバ１０８、および電流検出ドライバ１１０が、本発明の実施形態に係る制御方法に係る処理を主導的に行う制御部の役目を果たす。なお、本発明の実施形態に係る制御部は、例えば、スキャンドライバ１０４、センスドライバ１０６、データドライバ１０８、および電流検出ドライバ１１０における処理タイミングを制御するタイミングコントローラ（図示せず）を含んでいてもよい。また、本発明の実施形態に係る制御部は、例えば、図２に示すスキャンドライバ１０４、センスドライバ１０６、データドライバ１０８、および電流検出ドライバ１１０のうちの、本発明の実施形態に係る制御方法に係る処理に係る一部のドライバであってもよい。また、本発明の実施形態に係る制御部は、例えば、１または２以上のＩＣ（Integrated  Circuit）で実現することが可能である。
【００４５】
画素回路１１２それぞれと、電流検出ドライバ１１０には、電圧ＥＬＶＤＤと、電圧ＥＬＶＳＳとが供給される。
【００４６】
ここで、電圧ＥＬＶＤＤは、例えば、第１の共通電源から供給され、例えば、画素回路１１２が含む発光素子の第１の端子（例えば、アノード）に選択的に印加される。電圧ＥＬＶＤＤを供給する第１の共通電源は、第１電源（発光素子の第１端子に接続される、発光素子の発光に係る電源）に該当する。
【００４７】
また、電圧ＥＬＶＳＳは、例えば、第２の共通電源から供給され、画素回路１１２が含む発光素子の第２の端子（例えば、カソード）に印加される。電圧ＥＬＶＳＳは、例えば、電圧ＥＬＶＤＤより低い電圧であり、第２の共通電源は、いわゆる基底電源の役目を果たす。
【００４８】
本発明の実施形態に係る第１の共通電源と、第２の共通電源とは、第１の実施形態に係る表示装置が備えていてもよいし、第１の実施形態に係る表示装置の外部電源であってもよい。また、本発明の実施形態に係る第１の共通電源と、第２の共通電源とは、１つの電源回路（または電源装置）であってもよいし、異なる電源回路（または電源装置）であってもよい。
【００４９】
スキャンドライバ１０４は、制御線ＳＣＡＮと接続され、発光制御に係る制御信号である走査信号を、制御線ＳＣＡＮに選択的に供給する。走査信号は、画素回路に配置されたトランジスタを制御する役目を果たす。
【００５０】
センスドライバ１０６は、制御線ＳＥＮＳＥ（第２の信号線）と接続され、センシングに係る制御信号であるセンシング信号を、制御線ＳＥＮＳＥに選択的に供給する。センシング信号は、画素回路に配置されたトランジスタを制御する役目を果たす。
【００５１】
データドライバ１０８は、信号線ＤＴ（第１の信号線）と接続され、データ信号ＶＤＡＴＡを、信号線ＤＴに選択的に供給する。データドライバ１０８の構成の一例については、後述する。
【００５２】
電流検出ドライバ１１０は、信号線ＳＥと接続され、信号線ＳＥを介して画素回路が含む発光素子のＶＩ特性をセンシングする。図２に示す第１の実施形態に係る表示装置１００では、電流検出ドライバ１１０は、センシングに係る電源（第２電源）の役目を果たす。電流検出ドライバ１１０の構成の一例については、後述する。
【００５３】
［２−２］第１の実施形態に係る画素回路１１２の回路構成の一例（図３）
画素回路１１２は、例えば、スイッチトランジスタＭ１（switch  transistor）と、サンプリングスイッチトランジスタＭ２（sampling  switch  transistor）と、センシングスイッチトランジスタＭ３（sensing  switch  transistor）と、保持容量ＣＳＴと、発光素子Ｄとを含む。
【００５４】
ここで、本発明の実施形態に係るトランジスタとしては、例えば、ＭＯＳＦＥＴ（Metal-Oxide-Semiconductor  Field-Effect  Transistor）などのＦＥＴ（Field-Effect  Transistor）が挙げられる。図３では、本発明の実施形態に係るトランジスタが、Ｐチャネル（channel）型のＭＯＳＦＥＴである例を示しているが、本発明の実施形態に係るトランジスタは、上記に示す例に限られない。例えば、本発明の実施形態に係るトランジスタは、Ｎチャネル型のＭＯＳＦＥＴであってもよい。また、後述する各トランジスタの役目を果たすことが可能であれば、本発明の実施形態に係るトランジスタは、ＦＥＴに限られず、任意の種類のトランジスタで構成されることも可能である。さらに、後述する各トランジスタの役目を果たすことが可能であれば、本発明の実施形態に係るトランジスタは、任意の回路素子であってもよい。以下では、本発明の実施形態に係るトランジスタが、Ｐチャネル型のＭＯＳＦＥＴである場合を例に挙げる。
【００５５】
スイッチトランジスタＭ１は、表示画面に表示させる画像に対応するデータ（以下、「表示データ」と示す場合がある。）に応じて発光素子Ｄのアノード（第１端子）への電圧供給をオン・オフする役目を果たす。スイッチトランジスタＭ１は、発光素子Ｄのアノードに接続される第１端子と、第１電源に接続される第２端子と、ゲート（制御端子）とを有する。スイッチトランジスタＭ１は、データ線ＤＴ（第１の信号線）を介してゲート（制御端子）に印加される電圧に基づいて、第２端子と接続されている第１電源と、第１端子と接続されている発光素子Ｄの第１端子とを接続して、発光素子Ｄを選択的に発光状態とする。
【００５６】
サンプリングスイッチトランジスタＭ２は、データ線ＤＴから供給される表示データに応じたオン・オフ電圧を、スイッチトランジスタＭ１のゲートにサンプリングする役目を果たす。サンプリングスイッチトランジスタＭ２のゲートは、走査線ＳＣＡＮと接続され、サンプリングスイッチトランジスタＭ２は、走査線ＳＣＡＮから供給される走査信号に基づいて、選択的に上記オン・オフ電圧を、スイッチトランジスタＭ１のゲートに対して印加する。
【００５７】
保持容量ＣＳＴは、スイッチトランジスタＭ１のゲートの電位を保持する。保持容量ＣＳＴとしては、例えば、所定の静電容量を有するキャパシタが挙げられる。また、保持容量ＣＳＴは、例えば、寄生容量であってもよい。
【００５８】
センシングスイッチトランジスタＭ３は、選択的に発光素子ＤのＶＩ特性がセンシングされる状態とする役目を果たす。センシングスイッチトランジスタＭ３は、発光素子のアノード（第１端子）に接続される第１端子と、第２電源に接続される第２端子と、ゲート（制御端子）とを有する。センシングスイッチトランジスタＭ３は、第２端子と接続されている第２電源と、第１端子に接続されている発光素子Ｄのアノードとを接続することによって、選択的に発光素子Ｄがセンシングされる状態とする。ここで、図３に示す画素回路１１２では、センシングスイッチトランジスタＭ３の第２端子が、信号線ＳＥを介して、第２電源の役目を果たす電流検出ドライバ１１０と接続される例を示している。
【００５９】
センシングスイッチトランジスタＭ３のゲートは、制御線ＳＥＮＳＥと接続され、センシングスイッチトランジスタＭ３は、制御線ＳＥＮＳＥから供給されるセンシング信号に基づいて、選択的に第２電源と発光素子Ｄのアノードとを接続させる。
【００６０】
画素回路１１２は、例えば、スキャンドライバ１０４やセンスドライバ１０６において生成された制御信号（走査信号、センシング信号）により制御される。また、画素回路１１２へは、表示データに対応するデータ信号がデータドライバ１０８から供給され、画素回路１１２が含む発光素子ＤのＶＩ特性は、電流検出ドライバ１１０によりセンシングされる。
【００６１】
なお、画素回路１１２の構成は、図３に示す例に限られない。例えば、第１の実施形態に係る画素回路１１２は、図３に示す発光素子Ｄ、スイッチトランジスタＭ１、およびセンシングスイッチトランジスタＭ３を含む構成と同様の機能を有する構成であれば、任意の素子をさらに有していてもよいし、任意の回路構成によって置き換えられてもよい。つまり、第１の実施形態に係る画素回路１１２は、図３に示す発光素子Ｄ、スイッチトランジスタＭ１、およびセンシングスイッチトランジスタＭ３を含む構成と同様の機能を有する構成であれば、任意の回路構成をとることが可能である。後述する他の実施形態に係る画素回路においても、本発明の実施形態に係る画素回路の回路構成は、後述する例に限られない。
【００６２】
［２−３］電流検出ドライバ１１０の回路構成の一例（図４）
電流検出ドライバ１１０は、例えば、スイッチ１２０と、電流検出回路１２２と、ＡＤ回路１２４（Analog-to-Digital  Converter）と、メモリ１２６とを、信号線ＳＥごとに備える。
【００６３】
電流検出ドライバ１１０は、スイッチ１２０が表示データに基づきスイッチング（switching）することによって、信号線ＳＥに供給する電圧ＶＳＥＮＳＥを、表示データにあわせて、電圧ＥＬＶＤＤ（Ｈｉｇｈ）と電圧ＥＬＶＤＤ（Ｌｏｗ）のうちから選択し、選択された電圧を供給する。
【００６４】
ここで、電流検出ドライバ１１０が供給する電圧ＥＬＶＤＤ（Ｈｉｇｈ）は、“第２電源から供給される、発光素子Ｄを発光させ、センシングを行わせるための電圧”に該当する。また、電流検出ドライバ１１０が供給する電圧ＥＬＶＤＤ（Ｌｏｗ）は、“第２電源から供給される、発光素子Ｄを非発光とし、センシングを行わせないための電圧”に該当する。以下では、“第２電源から供給される、発光素子Ｄを発光させ、センシングを行わせるための電圧”を、「第２電源の第１電圧」と示し、また、“第２電源から供給される、発光素子Ｄを非発光とし、センシングを行わせないための電圧”を、「第２電源の第２電圧」と示す。
【００６５】
電圧ＥＬＶＤＤ（Ｈｉｇｈ）としては、例えば、第１電源（発光素子の第１端子に接続される、発光素子の発光に係る電源）に該当する第１の共通電源（図示せず）から供給される電圧ＥＬＶＤＤと電圧値が等しい電圧が挙げられる。なお、電圧ＥＬＶＤＤ（Ｈｉｇｈ）が、第１の共通電源から供給される電圧ＥＬＶＤＤと同一の電圧に限られないことは、言うまでもない。
【００６６】
電圧ＥＬＶＤＤ（Ｌｏｗ）としては、例えば、第２の共通電源（図示せず）から供給される電圧ＥＬＶＳＳと電圧値が等しい電圧が挙げられる。なお、電圧ＥＬＶＤＤ（Ｌｏｗ）が、第２の共通電源から供給される電圧ＥＬＶＳＳと同一の電圧に限られないことは、言うまでもない。
【００６７】
ここで、電流検出ドライバ１１０が、電圧ＥＬＶＤＤ（Ｈｉｇｈ）を供給する場合には、センスドライバ１０６から供給されるセンシング信号により、電流検出ドライバ１１０と画素回路１１２が含む発光素子Ｄとは、画素回路１１２が含むセンシングスイッチトランジスＭ３を介して接続される。よって、電流検出ドライバ１１０が、電圧ＥＬＶＤＤ（Ｈｉｇｈ）を供給する場合には、画素回路１１２が含むセンシングスイッチトランジスＭ３を経由して発光素子Ｄに電流が流れ、電流検出ドライバ１１０は、電流検出回路１２２により電流を測定することによって、画素回路１１２が含む発光素子ＤのＶＩ特性を検出する。
【００６８】
電流検出回路１２２により検出された発光素子ＤのＶＩ特性は、ＡＤ回路１２４においてデジタルデータに変換され、メモリ１２６に記憶される。メモリに記憶された、発光素子ＤのＶＩ特性を示すデータＯＬＥＤ_ＶＩは、例えば、データドライバ１０８が備えるデータ補正回路（後述する）に、適宜転送される。
【００６９】
電流検出ドライバ１１０は、例えば図４に示す回路構成を有する。なお、電流検出ドライバ１１０の回路構成が、図４に示す例に限られないことは、言うまでもない。
【００７０】
［２−３］データドライバ１０８の回路構成の一例（図５）
データドライバ１０８は、例えば、データ補正回路１３０と、データラッチ回路１３２（data  latch  circuit）と、出力制御回路１３４と、出力バッファ１３６（output  buffer）とを備える。データラッチ回路１３２、出力制御回路１３４、および出力バッファ１３６は、信号線ＤＴごとに設けられる。
【００７１】
データドライバ１０８は、例えば、データ補正回路１３０において、電流検出ドライバ１１０から転送された発光素子ＤのＶＩ特性を示すデータＯＬＥＤ_ＶＩに基づいて、補正後のデータを算出することによって、表示データを補正する。データドライバ１０８は、取り込み制御信号ＣＬＫに基づいて、補正後のデータをデータラッチ回路１３２に取り込む。そして、データドライバ１０８は、出力制御回路１３４によって、出力バッファ１３６を介してデータ信号ＶＤＡＴＡを信号線ＤＴに出力する。
【００７２】
データドライバ１０８は、例えば、発光素子ＤのＶＩ特性を示すデータＯＬＥＤ_ＶＩに基づき補正後のデータを算出した後に、データラッチ回路１３２に取り込むことによって、画素回路１１２が含む発光素子ＤのＶＩ特性の補償を実現する。なお、データドライバ１０８の回路構成が、図５に示す例に限られないことは、言うまでもない。
【００７３】
［３］第１の実施形態に係る制御方法の一例
次に、上述した第１の実施形態に係る表示装置１００により実現可能な、第１の実施形態に係る制御方法の一例について、説明する。
【００７４】
図６〜図１４は、第１の実施形態に係る制御方法の一例を説明するための説明図である。以下、図６〜図１４を参照しつつ、第１の実施形態に係る制御方法の一例について説明する。
【００７５】
［３−１］第１の実施形態に係る表示データとサブフィールド期間における状態との関係の一例
図６は、第１の実施形態に係る表示データとサブフィールド期間における状態との関係の一例を示している。
【００７６】
図６に示すように、表示装置１００は、例えば、表示データにより階調ごとに重み付けされたサブフィールド期間で、画素回路１１２が含む発光素子Ｄを、発光状態、発光停止状態（非発光状態）に制御しつつ、最上位階調（Ｄ７）に対応するサブフィールド期間において発光素子Ｄのセンシングを行う。
【００７７】
ここで、表示装置１００は、例えば、センシングを行うことが可能なサブフィールド期間に対応するデータ信号が示す値に基づいて、選択的に、発光状態とさせつつセンシングを行う。表示装置１００は、例えば図６に示すように、センシングを行うことが可能なサブフィールド期間に対応する表示データである、最上位階調（Ｄ７）に対応する表示データの値によって、最上位階調（Ｄ７）に対応するサブフィールド期間において、発光停止状態とするか、または、発光状態とさせつつセンシングを行うかを、制御する。以下では、発光素子をセンシングさせることが可能なサブフィールド期間を、「センシング期間」と示す場合がある。
【００７８】
より具体的には、表示装置１００は、例えば、最上位階調（Ｄ７）に対応する表示データの値が“１”（第１の値の一例）を示す場合には、最上位階調（Ｄ７）に対応するサブフィールド期間において、発光状態とさせつつセンシングを行う。また、表示装置１００は、例えば、最上位階調（Ｄ７）に対応する表示データの値が“０”（第１の値よりも小さい第２の値の一例）を示す場合には、最上位階調（Ｄ７）に対応するサブフィールド期間において、発光停止状態とする。
【００７９】
なお、上述したように、表示装置１００がセンシングを行うサブフィールド期間は、最上位階調（Ｄ７）に限られず、表示装置１００は、センシング必要時間よりも発光時間が長い、任意のサブフィールド期間において、発光素子Ｄのセンシングを行うことが可能である。以下では、表示装置１００がセンシングを行うサブフィールド期間が、最上位階調（Ｄ７）である場合を例に挙げる。
【００８０】
［３−２］第１の実施形態に係る画素回路１１２の基本動作と、サブフィールド期間でのタイミングチャートとの一例（図７〜図１１）
図７は、複数の画素回路１１２におけるサブフィールド期間でのタイミングチャートの一例を示している。より具体的には、図７は、（ｎ）ラインの制御線ＳＣＡＮに接続されている画素回路１１２をセンシング対象の画素（以下、「センシング対象画素」と示す。）とし、また、（ｎ＋１）ラインの制御線ＳＣＡＮに接続されている画素回路１１２、および（ｎ＋２）ラインの制御線ＳＣＡＮに接続されている画素回路１１２を、センシング対象ではない画素（以下、「非センシング対象画素」と示す。）とした場合のタイミングチャートの一例を示している。
【００８１】
［３−２−１］第１の実施形態に係るセンシング対象画素における基本動作と、サブフィールド期間でのタイミングチャートとの一例（図８、図９）
図８は、センシング対象画素における画素回路１１２の基本動作を示し、図９は、センシング対象画素におけるサブフィールド期間でのタイミングチャートの一例を示している。
【００８２】
ここで、図８のＡ１、Ａ２は、センシングを行うサブフィールド期間に対応する表示データの値が“１”である場合における画素回路１１２の基本動作を示し、図９のＡは、センシングを行うサブフィールド期間に対応する表示データの値が“１”である場合におけるタイミングチャートの一例を示している。また、図８のＢ１、Ｂ２は、センシングを行うサブフィールド期間に対応する表示データの値が“０”である場合における画素回路１１２の基本動作を示し、図９のＢは、センシングを行うサブフィールド期間に対応する表示データの値が“０”である場合におけるタイミングチャートの一例を示している。また、図８のＡ１、Ｂ１は、図９のＡ、Ｂに示す“データプログラム”期間に対応する画素回路１１２の基本動作を示している。また、図８のＡ２は、図９のＡに示す“発光＋センシング”期間に対応する、発光およびセンシングに係る画素回路１１２の基本動作を示しており、図８のＢ２は、図９のＢに示す“発光停止”期間に対応する、発光およびセンシングに係る画素回路１１２の基本動作を示している。ここで、図９のＡに示す“発光＋センシング”期間と、図９のＢに示す“発光停止”期間とは、例えば、発光素子をセンシングさせることが可能なセンシング期間の一例に該当する。
【００８３】
（ｎ）ラインの制御線ＳＣＡＮから供給される走査信号により、（ｎ）ラインの制御線ＳＣＡＮに接続されている画素回路１１２のサンプリングスイッチトランジスタＭ２がオンする。サンプリングスイッチトランジスタＭ２がオンすることにより、（ｎ）ラインの制御線ＳＣＡＮに接続されている画素回路１１２では、信号線ＤＴから供給されるスイッチトランジスタＭ１をオフさせるＯＦＦ  Ｌｅｖｅｌ電圧が、スイッチトランジスタＭ１のゲートにプログラムされる。そして、スイッチトランジスタＭ１は、オフ状態となり、発光素子Ｄのアノード電源である第１電源の電圧ＥＬＶＤＤが遮断される（図８のＡ１、Ｂ１）
【００８４】
表示装置１００は、例えば図８のＡ１、Ｂ１に示すように、上記ＯＦＦ  Ｌｅｖｅｌ電圧のような所定のレベルのデータ信号を信号線ＤＴ（第１の信号線）に供給して、第１電源と発光素子Ｄのアノード（第１端子）とを切り離させる。ここで、本発明の実施形態に係る“一の構成要素と、他の構成要素とを、切り離す”とは、例えば、“当該一の構成要素と当該他の構成要素とを、電気的に接続されていない状態とすること”をいう。また、本発明の実施形態に係る“一の構成要素と、他の構成要素とを、切り離す”には、例えば、“当該一の構成要素と当該他の構成要素とを、物理的に接続されていない状態とすること”が含まれていてもよい。
【００８５】
その後、（ｎ）ラインの制御線ＳＥＮＳＥから供給されるセンシング信号により、（ｎ）ラインの制御線ＳＥＮＳＥに接続されている画素回路１１２のセンシングスイッチトランジスタＭ３がオンする。つまり、表示装置１００は、所定のレベルのセンシング信号を制御線ＳＥＮＳＥ（第２の信号線）に供給して、第２電源の役目を果たす電流検出ドライバ１１０と発光素子Ｄのアノード（第１端子）とを接続させる。
【００８６】
（ｎ）ラインの信号線ＳＥから、表示データに合わせて電圧ＶＳＥＮＳＥが発光素子Ｄのアノード電極に１サブフィールド期間供給されることによって、発光とセンシングとが同時に実施される（図９のＡ２）。
【００８７】
ここで、電流検出ドライバ１１０は、例えば最上位階調（Ｄ７）など、センシングを行うサブフィールド期間に対応する表示データの値が“１”である場合には、第２電源の第１電圧に該当する電圧ＥＬＶＤＤ（Ｈｉｇｈ）を、電圧ＶＳＥＮＳＥとして（ｎ）ラインの信号線ＳＥに供給する。電圧ＥＬＶＤＤ（Ｈｉｇｈ）が、電圧ＶＳＥＮＳＥとして（ｎ）ラインの信号線ＳＥに供給されることによって、図８のＡ２、図９のＡの“発光＋センシング”期間に示すように、発光素子Ｄの発光と、発光素子Ｄのセンシングとが行われる。
【００８８】
また、電流検出ドライバ１１０は、最上位階調（Ｄ７）など、センシングを行うサブフィールド期間に対応する表示データの値が“０”である場合には、第２電源の第２電圧に該当するＥＬＶＤＤ（Ｌｏｗ）を電圧ＶＳＥＮＳＥとして（ｎ）ラインの信号線ＳＥに供給する。図８のＢ１、図９のＢでは、ＥＬＶＤＤ（Ｌｏｗ）が電圧ＥＬＶＳＳである例を示している。ＥＬＶＤＤ（Ｌｏｗ）が、電圧ＶＳＥＮＳＥとして（ｎ）ラインの信号線ＳＥに供給されることによって、図８のＢ２、図９のＢの“発光停止”期間に示すように、発光素子Ｄは非発光となり、また、発光素子Ｄのセンシングは行われない。
【００８９】
例えば上記のように、センシングを行うサブフィールド期間に対応する表示データの値（センシング期間に対応するデータ信号が示す値の一例）に応じて、電流検出ドライバ１１０（第２の電源）から信号線ＳＥに供給される電圧が、電圧ＥＬＶＤＤ（Ｈｉｇｈ）とＥＬＶＤＤ（Ｌｏｗ）との間で変わることによって、図８のＡ２、または図８のＢ２に示すような、表示データにあわせた発光制御が実現される。
【００９０】
［３−２−２］第１の実施形態に係る非センシング対象画素における基本動作と、サブフィールド期間でのタイミングチャートとの一例（図１０、図１１）
図１０は、非センシング対象画素における画素回路１１２の基本動作を示し、図１１は、非センシング対象画素におけるサブフィールド期間でのタイミングチャートの一例を示している。
【００９１】
ここで、図１０のＡ１、Ａ２は、センシングを行うサブフィールド期間に対応する表示データの値が“１”である場合における画素回路１１２の基本動作を示し、図１１のＡは、センシングを行うサブフィールド期間に対応する表示データの値が“１”である場合におけるタイミングチャートの一例を示している。また、図１０のＢ１、Ｂ２は、センシングを行うサブフィールド期間に対応する表示データの値が“０”である場合における画素回路１１２の基本動作を示し、図１１のＢは、センシングを行うサブフィールド期間に対応する表示データの値が“０”である場合におけるタイミングチャートの一例を示している。また、図１０のＡ１、Ｂ１は、図１１のＡ、Ｂに示す“データプログラム”期間に対応する画素回路１１２の基本動作を示している。また、図１０のＡ２は、図１１のＡに示す“発光”期間に対応する画素回路１１２の基本動作を示しており、図１０のＢ２は、図１１のＢに示す“発光停止”期間に対応する画素回路１１２の基本動作を示している。
【００９２】
（ｎ＋１）ライン、（ｎ＋２）ラインそれぞれの制御線ＳＣＡＮから供給される走査信号により、（ｎ＋１）ライン、（ｎ＋２）ラインそれぞれの制御線ＳＣＡＮに接続されている画素回路１１２のサンプリングスイッチトランジスタＭ２がオンする。サンプリングスイッチトランジスタＭ２がオンすることにより、（ｎ＋１）ライン、（ｎ＋２）ラインそれぞれの制御線ＳＣＡＮに接続されている画素回路１１２では、信号線ＤＴから供給される表示データに対応する電圧が、スイッチトランジスタＭ１のゲートにプログラムされる（図１０のＡ１、Ｂ１）。そして、スイッチトランジスタＭ１のゲートへとプログラムされた電圧に応じて、スイッチトランジスタＭ１は、オン状態またはオフ状態となり、表示データにあわせて発光素子Ｄが選択的に発光する（図１０のＡ２、Ｂ２）。
【００９３】
表示装置１００は、非センシング対象画素に対して、例えば図１０、図１１に示すように、表示データにあわせた発光制御を行う。
【００９４】
［３−３］本発明の実施形態に係る発光素子のＶＩ特性の検出結果に基づく、表示データの補正に係る処理の概要（図１２〜図１４）
図１２は、画素回路１１２が含む発光素子ＤのＶＩ特性の一例を示している。図１３は、画素回路１１２が含む発光素子Ｄに流れる電流と、輝度との関係の一例を示している。図１４は、画素回路１１２が含む発光素子Ｄにおける、階調と発光量との関係の一例を示している。
【００９５】
発光時間を変えることで階調を表現するデジタル駆動では、“発光量（階調）＝輝度×発光時間”で階調が表現されるので、例えば図１２に示すように、発光素子ＤのＶＩ特性が特性劣化などにより変動すると（例えば図１２に示すＯＬＥＤ１からＯＬＥＤ２への変動）、発光素子Ｄに流れる電流値が変動する（例えば図１２に示すＩＯＬＥＤ１からＩＯＬＥＤ２への変動）。また、発光素子Ｄに流れる電流値が変動すると、例えば図１３に示すように、輝度が変動し（例えば図１３に示すＩＬ１からＩＬ２への変動）、輝度ばらつきなどにより画質劣化が生じうる。
【００９６】
そこで、本発明の実施形態に係る表示装置では、例えば図１４に示すように、発光素子ＤのＶＩ特性を検出し、表示データを補正して発光時間に補正値を加算することによって、発光量（階調）が変動前と同等になるように制御する。なお、本発明の実施形態に係る表示装置は、例えば、発光素子ＤのＶＩ特性の検出結果に基づいて表示データを補正することが可能な、任意の技術を用いて、各画素回路が有する発光量（階調）を制御することが可能である。
【００９７】
［４］第１の実施形態に係る表示装置、制御方法の効果
第１の実施形態に係る表示装置１００は、第１の実施形態に係る制御方法に係る処理を行うことによって、“表示データにあわせて、画素回路１１２が有する発光素子Ｄの発光と発光停止を制御しつつ、同時に発光素子ＤのＶＩ特性をセンシングすること”が可能である。よって、第１の実施形態に係る表示装置１００は、既存の技術が用いられる場合に生じうる、センシング時に発光素子が発光することによる画質劣化を、防止することができる。
【００９８】
したがって、第１の実施形態に係る表示装置１００は、発光素子のＶＩ特性がセンシングされる際における画質の劣化を防止しつつ、発光素子の発光制御と発光素子のセンシング制御とを行うことができる。
【００９９】
また、第１の実施形態に係る表示装置１００は、定電圧デジタル駆動を用いるので、表示画面の大画面化や高解像度化がさらに進む場合であっても、画質劣化を防止しつつ、低消費電力化を図ることができる。
【０１００】
なお、本発明の実施形態に係る表示装置の構成、および本発明の実施形態に係る制御方法は、上述した第１の実施形態に係る表示装置の構成、制御方法に限られない。以下、本発明の実施形態に係る表示装置の他の構成、および本発明の実施形態に係る他の制御方法について、説明する。
【０１０１】
（第２の実施形態に係る表示装置、制御方法）
［Ｉ］第２の実施形態に係る表示装置、制御方法における、第１の実施形態に係る表示装置、制御方法との相違点
上記では、第１の実施形態に係る制御方法に係る処理として、例えば図１に示すように、表示装置１００が、画素回路におけるデータプログラムと発光制御とを、サブフィールド期間の重み付けに基づいて、飛び越し走査により行うことを示した。第１の実施形態に係る表示装置１００では、データプログラムおよび発光（センシング）をラインごとに制御するため、センシング時において、データ信号ＶＤＡＴＡが供給される信号線ＤＴは非センシング対象画素のデータプログラムに用いられている。そのため、第１の実施形態に係る表示装置１００では、データ線とセンシング線とを、別の信号線として有している。
【０１０２】
これに対して、第２の実施形態に係る表示装置は、第２の実施形態に係る制御方法に係る処理として、データプログラムに係る期間（第１期間）と、発光（センシング）期間（第２期間）とを分離する。また、データプログラムに係る期間と発光（センシング）期間とを分離することによって、センシング対象画素のセンシング時において、非センシング対象画素を発光期間とすることが可能である。よって、第２の実施形態に係る表示装置は、データ信号ＶＤＡＴＡが供給される信号線ＤＴを、電圧ＶＳＥＮＳＥが供給される信号線ＳＥとして用いる。つまり、第２の実施形態に係る表示装置では、第１の実施形態に係る信号線ＤＴと信号線ＳＥとが、一つの信号線ＤＴで共有化される。
【０１０３】
以下、第２の実施形態に係る表示装置、制御方法について、第１の実施形態に係る表示装置、制御方法との相違点を中心に説明する。また、以下では、第１の実施形態に係る表示装置、制御方法と同様の点については、説明を省略する。
【０１０４】
［ＩＩ］第２の実施形態に係る表示装置における動作の一例
図１５は、第２の実施形態に係る制御方法を説明するための説明図であり、第２の実施形態に係る表示装置における動作のタイミングチャートの一例を示している。
【０１０５】
例えば図１５に示すように、第２の実施形態に係る表示装置は、１フィールドを複数に分割したサブフィールド期間それぞれを、データプログラムに係る期間（第１期間）と、発光期間（第２期間）とに分ける。各サブフィールド期間は、第１の実施形態に係るサブフィールド期間と同様に、階調データごとに重み付けがされる。
【０１０６】
第２の実施形態に係る表示装置は、例えば、データプログラムに係る期間では、線順次でデータ更新を行う。また、第２の実施形態に係る表示装置は、例えば、第２の実施形態に係る表示装置が有する全ての画素回路に対するデータプログラムが完了した後に、発光期間において発光制御を行いつつ、１つ以上の発光期間でセンシングを行う。
【０１０７】
ここで、図１５は、下位階調のサブフィールド期間ではセンシングを行わず、上位階調のサブフィールド期間でセンシングを行う場合における、動作のタイミングチャートを示している。なお、第２の実施形態に係る表示装置における動作のタイミングチャートは、上記に限られない。例えば、第２の実施形態に係る表示装置は、センシング必要時間よりも発光時間が長いサブフィールド期間であれば、どの階調に対応するサブフィールド期間においてセンシングを行ってもよい。
【０１０８】
［ＩＩＩ］第２の実施形態に係る表示装置の構成の一例
図１６、図１７は、第２の実施形態に係る表示装置の構成の一例を説明するための説明図である。図１６は、第２の実施形態に係る表示装置２００の構成の一例を示している。図１７は、図１６に示す画素回路の構成の一例を示している。以下では、第２の実施形態に係る表示装置を、「表示装置２００」と示す場合がある。
【０１０９】
［ＩＩＩ−１］表示装置２００の構成の一例（図１６）
表示装置２００は、図２に示す第１の実施形態に係る表示装置１００と基本的に同様の構成を有する。また、表示装置２００と図２に示す第１の実施形態に係る表示装置１００との違いは、表示装置２００が、第１スイッチ部２０２と、第２スイッチ部２０４とを有し、また、信号線ＳＥを有していない点にある。また、信号線ＳＥを有さないことにより、表示装置２００が備える画素回路２０６の構成が、図３に示す第１の実施形態に係る画素回路１１２とは異なる。
【０１１０】
第１スイッチ部２０２は、データドライバ１０８から供給されるデータ信号ＶＤＡＴＡと、電流検出ドライバ１１０から供給される電圧ＶＳＥＮＳＥとを切り替える。第１スイッチ部２０２は、例えば、信号線ＤＴごとに設けられるスイッチング素子で構成される。
【０１１１】
第２スイッチ部２０４は、スイッチング素子で構成され、第１電源の電圧に該当する電圧ＥＬＶＤＤを、電圧ＥＬＶＤＤ（Ｈｉｇｈ）と電圧ＥＬＶＤＤ（Ｌｏｗ）との間で切り替える。ここで、電圧ＥＬＶＤＤ（Ｈｉｇｈ）は、例えば、第１の共通電源から供給される。また、電圧ＥＬＶＤＤ（Ｌｏｗ）は、例えば、第２の共通電源から供給される。
【０１１２】
図１６では、電圧ＥＬＶＤＤ（Ｌｏｗ）が、電圧ＥＬＶＳＳである例を示している。なお、電圧ＥＬＶＤＤ（Ｌｏｗ）は、電圧ＥＬＶＳＳに限られない。例えば、電圧ＥＬＶＤＤ（Ｌｏｗ）としては、画素回路が含む発光素子のカソードに印加される電圧ＥＬＶＳＳの電圧値と、発光素子の閾値電圧の電圧値とを加算した電圧値よりも、低い電圧値を有する任意の電圧が挙げられる。
【０１１３】
ここで、第１スイッチ部２０２、および第２スイッチ部２０４を構成する各スイッチング素子は、スイッチング素子共通の制御信号であるＥＭ信号でオン・オフ制御される。第２の実施形態に係るスイッチング素子としては、例えば、ＥＭ信号に基づきスイッチングが可能な任意の素子が挙げられる。また、ＥＭ信号は、例えば、タイミングコントローラ（図示せず）など、本発明の実施形態に係る制御方法に係る処理を主導的に行う制御部を構成する構成要素により、生成される。
【０１１４】
［ＩＩＩ−２］第２の実施形態に係る画素回路２０６の回路構成の一例（図１７）
画素回路２０６は、図３に示す第１の実施形態に係る画素回路１１２と基本的に同様の構成を有する。画素回路２０６と図３に示す第１の実施形態に係る画素回路１１２との違いは、画素回路２０６が含むセンシングスイッチトランジスタＭ３の第２端子が、信号線ＤＴ（第１の信号線）に接続されていることにある。
【０１１５】
上述したように、第２の実施形態に係る表示装置２００では、第１の実施形態に係る信号線ＤＴと信号線ＳＥとが、一つの信号線ＤＴで共有化される。表示装置２００は、信号線ＤＴ（第１の信号線）に、データ信号ＶＤＡＴＡと、センシングに係る電圧ＶＳＥＮＳＥとを、選択的に供給する。
【０１１６】
［ＩＶ］第２の実施形態に係る制御方法の一例
次に、上述した第２の実施形態に係る表示装置２００により実現可能な、第２の実施形態に係る制御方法の一例について、説明する。
【０１１７】
図１８〜図２３は、第２の実施形態に係る制御方法の一例を説明するための説明図である。以下、図１８〜図２３を参照しつつ、第２の実施形態に係る制御方法の一例について説明する。
【０１１８】
［ＩＶ−１］第２の実施形態に係る表示データとサブフィールド期間における状態との関係の一例
図１８は、第２の実施形態に係る表示データとサブフィールド期間における状態との関係の一例を示している。
【０１１９】
第１の実施形態に係る表示装置１００が、図６に示す例においてある１つのサブフィールド期間においてセンシングを行っていたのに対して、例えば、図１８に示す例では、表示装置２００は、複数のサブフィールド期間でセンシングを行う。なお、第２の実施形態に係る表示装置２００は、例えば、センシング必要時間よりも発光時間が長いサブフィールド期間であれば、どの階調に対応するサブフィールド期間においてセンシングを行ってもよい。
【０１２０】
［ＩＶ−２］第２の実施形態に係る画素回路２０６の基本動作と、サブフィールド期間でのタイミングチャートとの一例（図１９〜図２３）
図１９は、複数の画素回路２０６におけるサブフィールド期間でのタイミングチャートの一例を示している。
【０１２１】
図１９に示す第２の実施形態に係るタイミングチャートと、図７に示す第１の実施形態に係るタイミングチャートとの違いは、表示装置２００が、データプログラムに係る期間と発光（センシング）期間とを分離させ、線順次で全ての画素回路２０６に対するデータプログラムが完了した後に、発光（センシング）制御を実施することである。
【０１２２】
ここで、データプログラムに係る期間では、画素回路２０６が含む発光素子Ｄの発光を停止させる必要があり、また、発光期間では、画素回路２０６が含む発光素子Ｄを発光可能な状態とさせる必要がある。そこで、表示装置２００は、画素回路２０６における発光素子Ｄの発光制御を行う場合において、発光素子Ｄの発光状態と非発光状態とを、第１電源の電圧に該当する電圧ＥＬＶＤＤを変化させることにより制御する。
【０１２３】
より具体的には、表示装置２００は、データプログラムに係る期間では、第１電源の電圧に該当する電圧ＥＬＶＤＤを、電圧ＥＬＶＤＤ（Ｌｏｗ）に設定する。そして、表示装置２００は、発光期間では、第１電源の電圧に該当する電圧ＥＬＶＤＤを、電圧ＥＬＶＤＤ（Ｈｉｇｈ）に切り替える。ここで、電圧ＥＬＶＤＤ（Ｌｏｗ）としては、例えば、画素回路２０６が含む発光素子Ｄのカソードに印加される電圧ＥＬＶＳＳの電圧値と、発光素子Ｄの閾値電圧の電圧値とを加算した電圧値よりも、低い電圧値を有する任意の電圧が挙げられる。
【０１２４】
［ＩＶ−２−１］第２の実施形態に係るセンシング対象画素における基本動作と、サブフィールド期間でのタイミングチャートとの一例（図２０、図２１）
図２０は、センシング対象画素における画素回路２０６の基本動作を示し、図２１は、センシング対象画素におけるサブフィールド期間でのタイミングチャートの一例を示している。
【０１２５】
ここで、図２０のＡ１、Ａ２は、センシングを行うサブフィールド期間に対応する表示データの値が“１”である場合における画素回路２０６の基本動作を示し、図２１のＡは、センシングを行うサブフィールド期間に対応する表示データの値が“１”である場合におけるタイミングチャートの一例を示している。また、図２０のＢ１、Ｂ２は、センシングを行うサブフィールド期間に対応する表示データの値が“０”である場合における画素回路２０６の基本動作を示し、図２１のＢは、センシングを行うサブフィールド期間に対応する表示データの値が“０”である場合におけるタイミングチャートの一例を示している。また、図２０のＡ１、Ｂ１は、図２１のＡ、Ｂに示す“データプログラム”期間に対応する画素回路２０６の基本動作を示している。また、図２０のＡ２は、図２１のＡに示す“発光＋センシング”期間に対応する、発光およびセンシングに係る画素回路２０６の基本動作を示しており、図２０のＢ２は、図２１のＢに示す“発光停止”期間に対応する、発光およびセンシングに係る画素回路２０６の基本動作を示している。
【０１２６】
“図８、図９に示す第１の実施形態に係るセンシング対象画素における基本動作、およびサブフィールド期間でのタイミングチャート”と、“図２０、図２１に示す第２の実施形態に係るセンシング対象画素における基本動作、およびサブフィールド期間でのタイミングチャート”との違いは、下記に示す通りである。
・第１の実施形態に係る信号線ＤＴと信号線ＳＥとが、一つの信号線ＤＴで共有化されていること
・第１電源の電圧に該当する電圧ＥＬＶＤＤが、データプログラムに係る期間と発光期間とに応じて、ＥＬＶＤＤ（Ｈｉｇｈ）とＥＬＶＤＤ（Ｌｏｗ）との間で可変すること
【０１２７】
［ＩＶ−２−２］第２の実施形態に係る非センシング対象画素における基本動作と、サブフィールド期間でのタイミングチャートとの一例（図２２、図２３）
図２２は、非センシング対象画素における画素回路２０６の基本動作を示し、図２３は、非センシング対象画素におけるサブフィールド期間でのタイミングチャートの一例を示している。
【０１２８】
ここで、図２２のＡ１、Ａ２は、センシングを行うサブフィールド期間に対応する表示データの値が“１”である場合における画素回路２０６の基本動作を示し、図２３のＡは、センシングを行うサブフィールド期間に対応する表示データの値が“１”である場合におけるタイミングチャートの一例を示している。また、図２２のＢ１、Ｂ２は、センシングを行うサブフィールド期間に対応する表示データの値が“０”である場合における画素回路２０６の基本動作を示し、図２３のＢは、センシングを行うサブフィールド期間に対応する表示データの値が“０”である場合におけるタイミングチャートの一例を示している。また、図２２のＡ１、Ｂ１は、図２３のＡ、Ｂに示す“データプログラム”期間に対応する画素回路２０６の基本動作を示している。また、図２２のＡ２は、図２３のＡに示す“発光”期間に対応する画素回路２０６の基本動作を示しており、図２２のＢ２は、図２３のＢに示す“発光停止”期間に対応する画素回路２０６の基本動作を示している。
【０１２９】
“図１０、図１１に示す第１の実施形態に係る非センシング対象画素における基本動作、およびサブフィールド期間でのタイミングチャート”と、“図２２、図２３に示す第２の実施形態に係る非センシング対象画素における基本動作、およびサブフィールド期間でのタイミングチャート”との違いは、下記に示す通りである。
・第１の実施形態に係る信号線ＤＴと信号線ＳＥとが、一つの信号線ＤＴで共有化されていること
・第１電源の電圧に該当する電圧ＥＬＶＤＤが、データプログラムに係る期間と発光期間とに応じて、ＥＬＶＤＤ（Ｈｉｇｈ）とＥＬＶＤＤ（Ｌｏｗ）との間で可変すること
【０１３０】
［Ｖ］第２の実施形態に係る表示装置、制御方法の効果
第２の実施形態に係る表示装置２００は、第２の実施形態に係る制御方法に係る処理を行うことによって、“表示データにあわせて、画素回路２０６が有する発光素子Ｄの発光と発光停止を制御しつつ、同時に発光素子ＤのＶＩ特性をセンシングすること”が可能である。よって、第２の実施形態に係る表示装置２００は、第１の実施形態に係る表示装置１００と同様に、既存の技術が用いられる場合に生じうる、センシング時に発光素子が発光することによる画質劣化を、防止することができる。
【０１３１】
したがって、第２の実施形態に係る表示装置２００は、発光素子のＶＩ特性がセンシングされる際における画質の劣化を防止しつつ、発光素子の発光制御と発光素子のセンシング制御とを行うことができる。
【０１３２】
また、第２の実施形態に係る表示装置２００は、第１の実施形態に係る表示装置１００と同様に定電圧デジタル駆動を用いるので、表示画面の大画面化や高解像度化がさらに進む場合であっても、画質劣化を防止しつつ、低消費電力化を図ることができる。
【０１３３】
また、第２の実施形態に係る表示装置２００では、第１の実施形態に係る信号線ＤＴと信号線ＳＥとが、一つの信号線ＤＴで共有化される。よって、第２の実施形態に係る表示装置２００は、第１の実施形態に係る表示装置１００よりも、画素回路レイアウトサイズをより小さくすることが可能であるので、第１の実施形態に係る表示装置１００よりも、高精細化および高開口率化を図ることができる。
【０１３４】
（第３の実施形態に係る表示装置、制御方法）
［ｉ］第３の実施形態に係る表示装置、制御方法における、第２の実施形態に係る表示装置、制御方法との相違点
第３の実施形態に係る表示装置は、第２の実施形態に係る表示装置２００と同様に、データプログラムに係る期間（第１期間）と、発光（センシング）期間（第２期間）とを分離させ、データ信号ＶＤＡＴＡが供給される信号線ＤＴを、電圧ＶＳＥＮＳＥが供給される信号線ＳＥとして用いる。
【０１３５】
ここで、第２の実施形態に係る表示装置２００は、第２の実施形態に係る制御方法に係る処理として、第１電源の電圧に該当する電圧ＥＬＶＤＤを、ＥＬＶＤＤ（Ｈｉｇｈ）とＥＬＶＤＤ（Ｌｏｗ）との間で変化させることによって、全ての画素の発光と発光停止を制御した。
【０１３６】
これに対して、第３の実施形態に係る表示装置は、エミッションスイッチトランジスタ（後述する）を画素回路にさらに含み、エミッションスイッチトランジスタ（後述する）のオン状態、オフ状態の制御に係る制御信号である発光制御信号によって、全ての画素の発光と発光停止を制御する。本発明の実施形態に係る発光制御信号は、発光素子における発光状態と非発光状態とを制御する信号に該当する。
【０１３７】
よって、第３の実施形態に係る表示装置では、第２の実施形態に係る表示装置２００で行われたような、第１電源の電圧に該当する電圧ＥＬＶＤＤを変化させる必要はない。
【０１３８】
以下、第３の実施形態に係る表示装置、制御方法について、第２の実施形態に係る表示装置、制御方法との相違点を中心に説明する。また、以下では、第２の実施形態に係る表示装置、制御方法と同様の点については、説明を省略する。
【０１３９】
［ｉｉ］第３の実施形態に係る表示装置の構成の一例
図２４、図２５は、第３の実施形態に係る表示装置の構成の一例を説明するための説明図である。図２４は、第３の実施形態に係る表示装置３００の構成の一例を示している。図２５は、図２４に示す画素回路の構成の一例を示している。以下では、第３の実施形態に係る表示装置を、「表示装置３００」と示す場合がある。
【０１４０】
［ｉｉ−１］表示装置３００の構成の一例（図２４）
表示装置３００は、図１６に示す第２の実施形態に係る表示装置２００と基本的に同様の構成を有する。また、表示装置３００と図１６に示す第２の実施形態に係る表示装置２００との違いは、表示装置３００が、第２スイッチ部２０４を備えず、また、各画素回路３０２に、発光制御信号が供給される信号線ＥＭを有する点にある。ここで、図２４では、発光制御信号の一例として、発光制御信号が第１スイッチ部２０２を構成する各スイッチング素子をオン・オフ制御するためのＥＭ信号と共通の信号である例を示している。なお、発光制御信号とＥＭ信号とは、例えば、異なる信号（同様の波形の信号を含む）であってもよい。以下では、発光制御信号がＥＭ信号である場合を例に挙げる。
【０１４１】
［ｉｉ−２］第２の実施形態に係る画素回路３０２の回路構成の一例（図２５）
画素回路３０２は、図１７に示す第２の実施形態に係る画素回路２０６と基本的に同様の構成を有する。画素回路３０２と図１７に示す第２の実施形態に係る画素回路２０６との違いは、画素回路３０２がエミッションスイッチトランジスタＭ４をさらに備えることにある。
【０１４２】
エミッションスイッチトランジスタＭ４は、発光素子Ｄのアノード（第１端子）に第１端子が接続され、スイッチトランジスタＭ１の第１端子に第２端子が接続される。また、エミッションスイッチトランジスタＭ４のゲート（制御端子）には、発光制御信号が供給される信号線（第３の信号線）を介して、発光制御信号であるＥＭ信号が印加される。
【０１４３】
画素回路３０２においてエミッションスイッチトランジスタＭ４は、ゲートに印加されるＥＭ信号に応じた電圧に基づいて、発光素子ＤとスイッチトランジスタＭ１とを選択的に接続させる役目を果たす。
【０１４４】
表示装置３００は、発光制御信号が供給される信号線（第３の信号線）を介してＥＭ信号を供給することによって、発光素子Ｄの発光状態と非発光状態とを制御する。
【０１４５】
［ｉｉｉ］第３の実施形態に係る制御方法の一例
次に、上述した第３の実施形態に係る表示装置３００により実現可能な、第３の実施形態に係る制御方法の一例について、説明する。
【０１４６】
図２６〜図３０は、第３の実施形態に係る制御方法の一例を説明するための説明図である。以下、図２６〜図３０を参照しつつ、第３の実施形態に係る制御方法の一例について説明する。
【０１４７】
図２６は、複数の画素回路３０２におけるサブフィールド期間でのタイミングチャートの一例を示している。
【０１４８】
図２６に示す第３の実施形態に係るタイミングチャートと、図１９に示す第２の実施形態に係るタイミングチャートとの違いは、表示装置３００が、電圧ＥＬＶＤＤを固定し、データプログラムに係る期間と発光期間とに応じて、ＥＭ信号を変化させることである。ここで、表示装置３００は、例えば、第２の実施形態に係る表示装置２００における電圧ＥＬＶＤＤを変化させるタイミングと同一のタイミングで、ＥＭ信号を変化させる。
【０１４９】
［ｉｉｉ−１］第３の実施形態に係るセンシング対象画素における基本動作と、サブフィールド期間でのタイミングチャートとの一例（図２７、図２８）
図２７は、センシング対象画素における画素回路３０２の基本動作を示し、図２８は、センシング対象画素におけるサブフィールド期間でのタイミングチャートの一例を示している。
【０１５０】
ここで、図２７のＡ１、Ａ２は、センシングを行うサブフィールド期間に対応する表示データの値が“１”である場合における画素回路３０２の基本動作を示し、図２８のＡは、センシングを行うサブフィールド期間に対応する表示データの値が“１”である場合におけるタイミングチャートの一例を示している。また、図２７のＢ１、Ｂ２は、センシングを行うサブフィールド期間に対応する表示データの値が“０”である場合における画素回路３０２の基本動作を示し、図２８のＢは、センシングを行うサブフィールド期間に対応する表示データの値が“０”である場合におけるタイミングチャートの一例を示している。また、図２７のＡ１、Ｂ１は、図２８のＡ、Ｂに示す“データプログラム”期間に対応する画素回路３０２の基本動作を示している。また、図２７のＡ２は、図２８のＡに示す“発光＋センシング”期間に対応する、発光およびセンシングに係る画素回路３０２の基本動作を示しており、図２７のＢ２は、図２８のＢに示す“発光停止”期間に対応する、発光およびセンシングに係る画素回路３０２の基本動作を示している。
【０１５１】
“図２０、図２１に示す第２の実施形態に係るセンシング対象画素における基本動作、およびサブフィールド期間でのタイミングチャート”と、“図２７、図２８に示す第３の実施形態に係るセンシング対象画素における基本動作、およびサブフィールド期間でのタイミングチャート”との違いは、下記に示す通りである。
・エミッションスイッチトランジスタＭ４を、データプログラムに係る期間ではオフ状態とし、発光（センシング）期間ではオン状態とすること
【０１５２】
［ｉｉｉ−２］第３の実施形態に係る非センシング対象画素における基本動作と、サブフィールド期間でのタイミングチャートとの一例（図２９、図３０）
図２９は、非センシング対象画素における画素回路３０２の基本動作を示し、図３０は、非センシング対象画素におけるサブフィールド期間でのタイミングチャートの一例を示している。
【０１５３】
ここで、図２９のＡ１、Ａ２は、センシングを行うサブフィールド期間に対応する表示データの値が“１”である場合における画素回路３０２の基本動作を示し、図３０のＡは、センシングを行うサブフィールド期間に対応する表示データの値が“１”である場合におけるタイミングチャートの一例を示している。また、図２９のＢ１、Ｂ２は、センシングを行うサブフィールド期間に対応する表示データの値が“０”である場合における画素回路３０２の基本動作を示し、図３０のＢは、センシングを行うサブフィールド期間に対応する表示データの値が“０”である場合におけるタイミングチャートの一例を示している。また、図２９のＡ１、Ｂ１は、図３０のＡ、Ｂに示す“データプログラム”期間に対応する画素回路３０２の基本動作を示している。また、図２９のＡ２は、図３０のＡに示す“発光”期間に対応する画素回路３０２の基本動作を示しており、図２９のＢ２は、図３０のＢに示す“発光停止”期間に対応する画素回路３０２の基本動作を示している。
【０１５４】
“図２２、図２３に示す第２の実施形態に係る非センシング対象画素における基本動作、およびサブフィールド期間でのタイミングチャート”と、“図２９、図３０に示す第３の実施形態に係る非センシング対象画素における基本動作、およびサブフィールド期間でのタイミングチャート”との違いは、下記に示す通りである。
・エミッションスイッチトランジスタＭ４を、データプログラムに係る期間ではオフ状態とし、発光（センシング）期間ではオン状態とすること
【０１５５】
［ｉｖ］第３の実施形態に係る表示装置、制御方法の効果
第３の実施形態に係る表示装置３００は、第３の実施形態に係る制御方法に係る処理を行うことによって、“表示データにあわせて、画素回路２０６が有する発光素子Ｄの発光と発光停止を制御しつつ、同時に発光素子ＤのＶＩ特性をセンシングすること”が可能である。よって、第３の実施形態に係る表示装置３００は、第１の実施形態に係る表示装置１００および第２の実施形態に係る表示装置２００と同様に、既存の技術が用いられる場合に生じうる、センシング時に発光素子が発光することによる画質劣化を、防止することができる。
【０１５６】
したがって、第３の実施形態に係る表示装置３００は、発光素子のＶＩ特性がセンシングされる際における画質の劣化を防止しつつ、発光素子の発光制御と発光素子のセンシング制御とを行うことができる。
【０１５７】
また、第３の実施形態に係る表示装置３００は、第１の実施形態に係る表示装置１００および第２の実施形態に係る表示装置２００と同様に、定電圧デジタル駆動を用いるので、表示画面の大画面化や高解像度化がさらに進む場合であっても、画質劣化を防止しつつ、低消費電力化を図ることができる。
【０１５８】
また、第３の実施形態に係る表示装置３００では、第２の実施形態に係る表示装置２００と同様に、第１の実施形態に係る信号線ＤＴと信号線ＳＥとが、一つの信号線ＤＴで共有化される。よって、第３の実施形態に係る表示装置３００は、第２の実施形態に係る表示装置２００と同様に、第１の実施形態に係る表示装置１００よりも、高精細化および高開口率化を図ることができる。
【０１５９】
また、第３の実施形態に係る表示装置３００では、第２の実施形態に係る表示装置２００で行われたような、第１電源の電圧に該当する電圧ＥＬＶＤＤを変化させる必要はない。ここで、電圧ＥＬＶＤＤを変化させる場合、例えば、電圧ＥＬＶＤＤが電圧ＥＬＶＤＤ（Ｈｉｇｈ）に変化すると同時に発光素子Ｄに電流が流れることによって、画素回路の位置によっては、電圧ＥＬＶＤＤの波形鈍りが生じる恐れがある。また、電圧ＥＬＶＤＤの波形鈍りが生じた場合には、対応する画素回路が含む発光素子の発光量に影響する可能性はゼロではない。
【０１６０】
よって、第３の実施形態に係る表示装置３００は、電圧ＥＬＶＤＤを変化させないので、例えば、上記のような電圧ＥＬＶＤＤの波形鈍りによる発光量への影響を無くすことができる。
【０１６１】
以上、本発明の実施形態として、表示装置を挙げて説明したが、本発明の実施形態は、かかる形態に限られない。本発明の実施形態は、例えば、テレビ受像機や、タブレット型の装置、携帯電話やスマートフォンなどの通信装置、映像／音楽再生装置（または映像／音楽記録再生装置）、ゲーム機、ＰＣ（Personal  Computer）などのコンピュータなど、様々な機器に適用することができる。
【０１６２】
また、上記では、添付図面を参照しながら本発明の好適な実施形態について説明したが、本発明は係る例に限定されないことは言うまでもない。当業者であれば、特許請求の範囲に記載された範疇内において、各種の変更例または修正例に想到し得ることは明らかであり、それらについても当然に本発明の技術的範囲に属するものと了解される。
【符号の説明】
【０１６３】
１００、２００、３００    表示装置
１０２    表示部
１０４    スキャンドライバ
１０６    センスドライバ
１０８    データドライバ
１１０    電流検出ドライバ
１１２、２０６、３０２    画素回路
２０２    第１スイッチ部
２０４    第２スイッチ部
【図１】
2015102804.tif 000003
【図２】
2015102804.tif 000004
【図３】
2015102804.tif 000005
【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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【図２５】
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【図２６】
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【図２７】
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【図２８】
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【図２９】
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【図３０】
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