(57)【要約】【課題】物体視野照明の均一性が改善された照明系を提供する。【解決手段】ＥＵＶマイクロリソグラフィ用の照明系は、０．０１ｍｍ2よりも大きいエタンデュを有するＥＵＶ照明光（１０）を生成するＥＵＶ光源（３）を含む。特に、ＥＵＶ光源（３）は、特に、パルスシーケンス周波数を有するＥＵＶ光パルスシーケンスを生成する。照明系の照明光学系は、照明光（１０）を光源（３）から物体視野に誘導するのに用いられる。照明系の少なくとも１つの光学変調構成要素（２５）は、好ましくは、パルスシーケンス周波数と同期して変調させることができる。【選択図】図２
2015111740.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ＥＵＶマイクロリソグラフィ用の照明系（２）であって、
０．０１ｍｍ2よりも大きいエタンデュを有する照明光（１０）が、照明系（２）の下流照明光学系（４）内を通過するように設計された光源（３）、
を含み、
前記照明光学系（４）は、前記照明光（１０）を前記光源（３）から物体視野（５）に誘導するように設計され、
照明系（２）が、少なくとも１つの光学変調構成要素（２５；３５；３７）を含む、
ことを特徴とする照明系（２）。
【請求項２】
前記ＥＵＶ光源（３）は、パルスシーケンス周波数でＥＵＶ光パルスのシーケンスを発生し、前記光学変調構成要素（２５；３５；３７）は、該パルスシーケンス周波数と同期して変調可能であることを特徴とする請求項１に記載の照明系。
【請求項３】
前記照明光学系（４）は、前記光源３を用いて同時に照明される複数の照明チャンネル（Ｉ，ＩＩ）を通じた前記物体視野（５）の照明のための複数のファセット（１９，２１）を含む少なくとも１つのファセットミラー（１３，１４）を含むことを特徴とする請求項１又は請求項２に記載の照明系。
【請求項４】
前記変調構成要素（２５；３５；３７）は、１つの照明チャンネル（Ｉ，ＩＩ）内の前記照明が、該照明チャンネル（Ｉ，ＩＩ）に対するファセット割り当て（１９1，１９2，２１1，２１2）を変更せずに変調されるように設計されることを特徴とする請求項３に記載の照明系。
【請求項５】
前記変調構成要素（２５；３７）は、前記光源（３）に対する変位デバイスによって形成されることを特徴とする請求項１から請求項４のいずれか１項に記載の照明系。
【請求項６】
前記変調構成要素（３７）は、前記光源（３）と前記第１のファセットミラー（１３）との間の変位可能ミラー（１１）のための変位デバイスによって形成されることを特徴とする請求項１から請求項５のいずれか１項に記載の照明系。
【請求項７】
前記変調構成要素（２５）がプラズマ点火点（２４1から２４3）の制御式変位を生じるように設計されたＬＰＰ光源（３）を特徴とする請求項５又は請求項６に記載の照明系。
【請求項８】
前記変調構成要素（３５）は、前記照明がファセット（１９，２１）の前記割り当てを変更することによって変調されるように設計されることを特徴とする請求項１から請求項６のいずれか１項に記載の照明系。
【請求項９】
変調構成要素（３５）として傾斜駆動体を含む傾斜可能ファセット（１９，２１）を特徴とする請求項８に記載の照明系。
【請求項１０】
前記傾斜可能ファセット（１９，２１）は、圧電傾斜駆動体（３５）を含むことを特徴とする請求項９に記載の照明系。
【請求項１１】
前後に配置された２つのファセットミラー（１３，１４）が設けられ、前記照明チャンネル（Ｉ，ＩＩ）を形成するように、第１のファセットミラー（１３）の第１のファセット（１９）が、第２のファセットミラー（１４）の第２のファセット（２１）に割り当てられることを特徴とする請求項１から請求項１０のいずれか１項に記載の照明系。
【請求項１２】
前記第１のファセット（１９）は、傾斜可能であり、変調構成要素（３５）として傾斜駆動体を含むことを特徴とする請求項１１に記載の照明系。
【請求項１３】
前記第２のファセット（２１）は傾斜可能であり、変調構成要素（３５）として傾斜駆動体を含むことを特徴とする請求項１１又は請求項１２のいずれか１項に記載の照明系。
【請求項１４】
前記照明光学系（４）は、前記光源（３）が前記第２のファセット（２１）上に結像されるように設計され、該第２のファセット（２１）は、ファセット面に結像される光源像（３０）よりも大きいファセット面を含むことを特徴とする請求項１１から請求項１３のいずれか１項に記載の照明系。
【請求項１５】
請求項１から請求項１４のいずれか１項に記載の照明系（２）と、
物体視野（５）を像視野（８）内に結像するための投影対物系（７）と、
を含むことを特徴とする投影露光装置（１）。
【請求項１６】
走査投影露光装置として設計され、
少なくとも１つの光学変調構成要素（２５；３５；３７）が、照明光が投影露光走査の走査時間ｔScan中に変調されるように構成される、
ことを特徴とする請求項１５に記載の投影露光装置。
【請求項１７】
微細構造又はナノ構造構成要素を生成する方法であって、
レチクルを準備する段階と、
照明光（１０）に対して感光性であるコーティングを含むウェーハを準備する段階と、
請求項１５又は請求項１６に記載の投影露光装置を用いて、前記レチクルの少なくとも一部分を前記ウェーハ上に投影する段階と、
ウェーハ上の層を前記照明光（１０）へのその露光の後に現像する段階と、
を含むことを特徴とする方法。
【請求項１８】
請求項１７に記載の方法に従って生成された構成要素。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ＥＵＶ光源と、照明光学系によって生成された照明光を物体視野に誘導するための照明光学系とを含むＥＵＶマイクロリソグラフィ用の照明系に関する。更に、本発明は、この種の照明系を含む投影露光装置、物体視野を像視野内に結像するための投影対物系、微細構造構成要素又はナノ構造構成要素の製造の方法、並びに本方法に従って製造された構成要素に関する。
【背景技術】
【０００２】
冒頭で挙げた種類の照明系は、ＷＯ  ２００７／１２８４０７  Ａ１及びＥＰ  １  ２００  ８７９  Ａ１に開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】ＷＯ  ２００７／１２８４０７  Ａ１
【特許文献２】ＥＰ  １  ２００  ８７９  Ａ１
【特許文献３】ＥＰ１  １２０  ６７０  Ａ２
【特許文献４】ＵＳ  ２００６／０１３２７４７  Ａ１
【特許文献５】ＷＯ  ２００４／０９２６９３  Ａ２
【非特許文献】
【０００４】
【非特許文献１】Ｇｕｅｎｔｈｅｒ  Ｄｅｒｒａ及びＷｏｌｆｇａｎｇ  Ｓｉｎｇｅｒ、ＳＰＩＥ会報第５０３７，７２８号（２００３年）
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
本発明の目的は、照明系を用いて得ることができる物体視野の照明の均一性を改善することである。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
上述の目的は、０．０１ｍｍ2よりも大きいエタンデュを有する照明光が、照明系の下流照明光学系に渡されるように設計された光源を含み、照明光学系が、照明光を光源から物体視野に誘導するように設計され、照明系が、少なくとも１つの光学変調構成要素を含むＥＵＶマイクロリソグラフィ用の照明系（２）によって達成される。
【０００７】
本発明によると、これまでシンクロトロンを利用した光源において適用されてきた変調原理が、シンクロトロンを利用した光源と比較して大きいエタンデュを有する他のＥＵＶ光源においても同様に適用可能であることが見出された。これまでシンクロトロンを利用した光源において適用されてきた変調原理では、物体視野全体の照明は、変調による以外は達成することができない。これは、変調がない場合には、物体視野全体の照明が不可能になることを意味する。本発明によると、物体視野全体の照明が、変調がない場合にも可能であるように、本質的に大きいエタンデュを有するＥＵＶ光源において物体視野照明の均一化を改善するためにこの種の変調原理が同様に適用可能であることが見出された。シンクロトロンを利用した光源と比較して本質的に大きいエタンデュを有する光源を含むこの種のＥＵＶ光源は、特に、レーザを用いてプラズマが点火されるＬＰＰ光源である。変調構成要素は、照明光が、照明系を通じて様々な経路に沿って通過し、それによって照明光に対して作用する異なる影響がこれらの経路に沿って互いに相殺されることを保証する。それによってＥＵＶ照明光を照明光を通じて伝達するのに必要とされる光学構成要素の個数を増大する必要なく、物体視野照明の均一化を改善することが可能になる。変調構成要素は、以下に説明する構成要素のうちの１つとすることができる。ミラー面の弾性振動が面変形の結果であるＥＰ１  １２０  ６７０  Ａ２に説明されているようなミラーのような従来技術から公知の他の関連において既に用いられている他の変調構成要素を適用することができる。照明光学系内に渡されるエタンデュは、０．０２ｍｍ2よりも大きく、又は更に０．２ｍｍ2よりも大きいとすることができる。
【０００８】
ＥＵＶ光源は、パルスシーケンス周波数を有するＥＵＶ光パルスシーケンスを生成することができ、光学変調構成要素は、パルスシーケンス周波数と同期して変調させることができる。この種の照明系では、個別光パルスは、物体視野の照明を均一化するように、定められた方式で物体視野への行程中に影響を受ける。この工程では、全ての連続光パルスに対して、いかなる２つの連続光パルスも、照明光学系内を同一経路上で通過しないように影響を与えることができる。代替的に、光パルスに対して、パッケージで影響を与えることができ、この場合この種の光パルスパッケージの全ての光パルスは、照明光学系を同一経路上で通過する。
【０００９】
照明光学系は、光源を用いて同時に照明される複数の照明チャンネルを通じた物体視野の照明に対して複数のファセットを含む少なくとも１つのファセットミラーを含むことができる。例えば、ＥＰ  １  ２００  ８７９  Ａ１の図２に開示されているシンクロトロンを利用した放射線源から公知の走査デバイスの形態にある変調構成要素と比較すると、物体視野のそのようなチャンネル毎の照明において適用される光学変調構成要素の利点は特に明らかである。本発明による照明系では、ファセットによって定められる複数の照明チャンネルが同時に照明される。変調構成要素は、ファセットミラーの前方に配置することができる。
【００１０】
変調構成要素は、照明チャンネル内の照明が、照明チャンネルに対するファセット装置を変更する必要なく変調されるように設計することができる。この種の変調構成要素は、例えば、光源の位置を変調させることを可能にする。照明光が照明チャンネルを通じてもたらされる具合を修正することができる。この場合、部分照明光は、１つの照明チャンネルと別の照明チャンネルの間で変更されずに留まる。それによって遮光効果のようなある一定の効果を補償し、物体視野の下流に配置された投影対物系の入射瞳の充填率を増大することが可能になる。この種の照明系は、単一のファセットミラーを含むことができる。この場合、ＥＵＶ照明光のこれらの照明光束のうちの１つに対するファセットミラーの第１の相対位置におけるファセット割り当ては、光束のうちで、ファセットミラーのそれぞれのファセット上のこの位置に入射する部分によって決められる。ファセットに対する光束のそれぞれの部分の割り当てが、変調構成要素を用いた変調中に維持される場合には、ファセット割り当ては変更されない。照明系は、２つのファセットミラーを含むことができる。この場合、照明チャンネルは、ＥＵＶ照明光束のうちで、ビーム経路内の第１のファセットミラーのファセットを通じて、次に、ビーム経路内のその後のファセットミラーを通じて伝達される部分によって定められる。各照明チャンネルが必ず一方で第１のファセットミラーの同じファセットを介し、他方で第２のファセットミラーの同じファセットを通じて伝達される場合には、ファセット割り当てを変更しない変調が発生する。
【００１１】
変調構成要素は、光源に対する変位デバイスによって形成することができる。光源に対するそのような変位デバイスは、照明系内でいかなる可動下流構成要素も必要としない。
【００１２】
変調構成要素は、光源と第１のファセットミラーの間の変位可能ミラーに対する変位デバイスによって形成することができる。ミラーに対するそのような変位デバイスは、第１のファセットミラーの照明を修正することを可能にする。ミラーは、光源と共に変位可能にすることができる。
【００１３】
変調構成要素は、ＬＰＰ光源である光源のプラズマ点火点の制御式変位を実施するのに用いることができる。点火点のそのような変位は、光源に対する特に精巧な種類の変位デバイスである。
【００１４】
変調構成要素は、照明が、ファセットの割り当てを変更することによって変調されるように設計することができる。割り当てのそのような変更は、物体視野にわたって照明の照明角度分布を均一化し、更にまた、任意的に空間分布を均一化することを可能にする。これは、特に、照明角度分布として、環状設定、言い換えればリング形照明角度分布又は多重極設定を有する照明、言い換えれば、照明角度の多重極分布が定められる場合に可能である。この実施形態では、照明光の一部分が、変調構成要素によって影響を受けた場合に、様々な照明チャンネルの間で交替する。
【００１５】
照明系は、傾斜駆動体の形態にある変調構成要素を有する傾斜可能ファセットを含むことができる。このようにして傾斜させることができるファセットは、照明チャンネル内で変調を受ける照明又は変調による照明チャンネル変更を提供するのに用いることができる。
【００１６】
傾斜可能ファセットは、圧電傾斜駆動体を含むことができる。空間要件及び必要な傾斜角に関する限り、この種の圧電傾斜駆動体は、ファセット傾斜への要件に十分に適応する。圧電傾斜駆動体の変調電圧作動は、光源のパルスシーケンス周波数との同期も可能にする。
【００１７】
照明系は、前後に配置された２つのファセットミラーを含むことができ、第１のファセットミラーの第１のファセットは、第２のファセットミラーの第２のファセットに割り当てられ、それによって照明チャンネルが定められる。この種の２つのファセットミラーは、一方で定められた強度分布を有し、他方で物体視野にわたって定められた照明角度分布を有する物体視野照明を提供するのに非常に適切であることが見出された。装置は、第１のファセットミラーが、物体視野の下流に配置することができる投影対物系の物体視野平面と共役な視野平面に配置され、それに対して第２のファセットミラーは、物体視野の下流に配置することができる投影対物系に割り当てられた瞳平面に配置されるようなものとすることができる。代替的に、ＵＳ  ２００６／０１３２７４７  Ａ１に説明されているもののような鏡面反射体の方式でのファセットミラー装置を考えることができる。
【００１８】
第１のファセット及び／又は第２のファセットは傾斜可能にすることができ、傾斜駆動体の形態にある変調構成要素を含む。このようにして傾斜させることができるファセットは、上述した利点を有する均一化を実施することを可能にする。ファセットの傾斜は、圧電手段によって実施することができる。代替的に、傾斜は、ファセットを機械的に回転可能な懸架状態で機械的又は静電的に移動させることによって実施することができる。
【００１９】
照明光学系は、光源が第２のファセット上に結像され、第２のファセットが、その上に結像される光源像よりも大きいファセット面を含むように設計することができる。がそのようなサイズを有する第２のファセットを用いると、照明光を損失することなく、第２のファセットに沿って定められた方式で光源像を移動することができる。第２のファセット上での光源像のそのような移動は、照明光の光路を変調させるために、対応する方式で第１のファセットを傾斜させることによって達成することができる。
【００２０】
本発明による照明系と物体視野を像視野内に結像するための投影対物系とを含む投影露光装置の利点と、レチクルを準備する段階と、照明光に対して感光性を有するコーティングを含むウェーハを準備する段階と、本発明による投影露光装置を用いて、レチクルの少なくとも一部分をウェーハ上に投影する段階と、照明光に対するウェーハ上の層の露光の後に層を現像する段階とを含む製造法の利点と、この種の方法に従って製造された微細構造構成要素又はナノ構造構成要素の利点とは、本発明による照明系を参照して上述したものに対応する。
【００２１】
投影露光装置は、一方で投影露光中にレチクルが連続的に変位され、言い換えれば、照明系及び投影対物系の物体視野によって走査され、それに対して他方でウェーハが連続的に変位され、言い換えれば、投影対物系の像視野によって走査されるスキャナとすることができる。この工程では、本発明による光学変調構成要素の変調は、走査時間の時間スケールで行うことができる。走査時間は、照明されるレチクル又はウェーハそれぞれの上の特定の点が、物体視野又は像視野それぞれを通じたレチクル又はウェーハそれぞれの変位中に照明光に露出される時間である。この走査時間中には、少なくとも１つの光学変調構成要素の照明光影響特性が修正され、言い換えれば、変調構成要素が例えば変位される。投影露光装置は、特定の保持時間にわたって、一方でレチクルが照明系及び投影対物系の物体視野内に保持され、他方でウェーハが投影対物系の像視野内に保持されるステッパ（逐次変位のためのデバイス）とすることができる。この保持時間の後に、レチクル及びウェーハは、物体視野又は像視野それぞれの幅だけ変位される。投影露光装置がステッパとして設計される場合には、少なくとも１つの光学変調構成要素の照明光影響特性は、上述の保持時間中に修正され、言い換えれば、変調構成要素は例えば変位される。
【００２２】
以下では、本発明の実施形態を図面を用いてより詳細に説明する。
【図面の簡単な説明】
【００２３】
【図１】マイクロリソグラフィのための投影露光装置を通る模式的な子午断面の照明系領域内の図である。
【図２】図１に記載の投影露光装置の照明系の光源領域内のこの照明系の拡大抜粋図である。
【図３】図１に記載の投影露光装置の照明光学系の視野ファセットミラーの模式的な平面図である。
【図４】図１に記載の投影露光装置の照明光学系の瞳ファセットミラーの模式的な平面図である。
【図５】図３に記載の視野ファセットミラーの個別視野ファセットの模式的で大幅に拡大した斜視図である。
【図６】２つの視野ファセット及び２つの瞳ファセットが第１の現在位置にある図１に記載の投影露光装置の照明光学系の２つの照明チャンネルの模式図である。
【図７】図６に記載の２つの視野ファセット及び２つの瞳ファセットが別の現在位置にある図１に記載の投影露光装置の照明光学系の２つの照明チャンネルの模式図である。
【図８】２つの視野ファセットが第１の現在位置にある照明光学系の別の実施形態の２つの照明チャンネルの図６と類似の図である。
【図９】２つの視野ファセットが更に別の現在位置にある図８に記載の照明光学系の２つの照明チャンネルの図６と類似の図である。
【図１０】光源と共に変位させることができるコレクターミラーを２つの異なる現在位置に示す照明系の抜粋図の図２と類似の図である。
【図１１】物体変位方向に対して垂直な方向の投影露光装置の物体視野照明の図１０に記載の現在位置に割り当てられた強度分布を示す図である。
【図１２】２つの瞳ファセットミラーが第１の現在位置にある照明光学系の別の実施形態の２つの照明チャンネルの図６と類似の図である。
【図１３】２つの瞳ファセットミラーが別の現在位置にある図１２に記載の２つの照明チャンネルの図６と類似の図である。
【図１４】投影露光装置のうちの１つに用いられる場合の投影露光走査の開始時点における投影露光装置の物体視野とレチクルとの模式的な平面図である。
【図１５】投影露光走査の終了時点における図１４に記載の物体視野とレチクルとを示す図である。
【図１６】投影露光装置のうちの１つに用いられる場合の投影露光走査の開始時点おける、言い換えれば、図１４に記載の装置に対応する像視野とウェーハの抜粋部の模式的な平面図である。
【図１７】投影露光走査の終了時点における、言い換えれば、図１５に記載の装置に対応する時点における像視野とウェーハ抜粋部の図である。
【発明を実施するための形態】
【００２４】
図１は、マイクロリソグラフィのための投影露光装置１を通る略子午断面図である。投影露光装置１の照明系２は、物体平面６内の物体視野５の照明に対して放射線源３と照明光学系４とを含む。微細構造又はナノ構造の半導体構成要素を生成するために、投影露光装置１を用いて投影される構造が設けられ、物体視野５に配置されるが、図１には示していないレチクルが照明される。
【００２５】
投影対物系７は、物体視野５を像平面９内の像視野８内に結像するのに用いられる。レチクル上の構造は、像平面９内の像視野８の領域に配置された、図面には示していないウェーハの感光層上に結像される。
【００２６】
放射線源３は、５ｎｍから３０ｎｍの範囲にある照明光１０とも呼ぶ有利放射線を放出するＥＵＶ放射線源である。例示している種類は、ＬＰＰ光源（レーザ生成プラズマ）である。同様に、ＤＰＰ光源（放電生成プラズマ）分離の他の種類のプラズマ光源を適用することができる。
【００２７】
放射線源３は、コレクター１１を用いて中間焦点面１２のいわゆる中間焦点内に結像される。ＬＰＰ光源の中間焦点の位置における一般的な幾何学的エタンデュＥは、０．０１ｍｍ2と１ｍｍ2との間である。
【００２８】
幾何学的エタンデュＥは次式として定められる（Ｇｕｅｎｔｈｅｒ  Ｄｅｒｒａ及びＷｏｌｆｇａｎｇ  Ｓｉｎｇｅｒ、ＳＰＩＥ会報第５０３７，７２８号（２００３年）を参照されたい）。
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Ｆは、いわゆる開口関数である。方向ｐx，ｐy（ｐx及びｐyがそれぞれの方向余弦である場合に）からの光が、エタンデュが計算される平面内の位置ｘ，ｙ上に入射する場合には、関数Ｆ（ｘ，ｙ，ｐx，ｐy）＝１であり、全ての他の場合＝０である。光入射方向が、位置に非依存の開口ＮＡ＝ｓｉｎ（α）を有する角度空間内の円形連続領域から構成される平面内では、幾何学的エタンデュは、簡素化された次式を用いて計算することができる。
Ｅ＝Ｑ0FＮＡ2π
【００２９】
この場合、Ｑ0Fは照明面であり、ＮＡ＝ｓｉｎ（α）であり、αは、この平面内の角度分布の半開口角である。
【００３０】
ＥＵＶ放射線源３は、５０ｋＨｚのパルスシーケンス周波数のＥＵＶ光パルスシーケンスを生成する１ｋＨｚと１００ｋＨｚとの間のような他のパルスシーケンス周波数を考えることができる。
【００３１】
放射線源３によって放出されたＥＵＶ放射線１０は、コレクター１１によって光束にされる。コレクター１１は楕円体ミラーである。放射線源３は、楕円の２つの焦点のうちの第１のものに配置される。コレクター１１の下流では、ＥＵＶ放射線１０は中間焦点面１２を通じて伝播し、その後視野ファセットミラー１３上に入射する。
【００３２】
中間焦点面１２内の中間焦点は、コレクター１１の他方の焦点に配置される。物体視野５と同様に、視野ファセットミラー１３も、照明系２の視野平面に位置する。
【００３３】
以下ではＥＵＶ放射線１０を照明光又は結像光とも呼ぶ。
【００３４】
視野ファセットミラー１３の下流では、ＥＵＶ放射線１０は、瞳ファセットミラー１４によって反射される。瞳ファセットミラー１４は、投影対物系７の瞳平面に配置される。瞳ファセットミラー１４、及びＥＵＶ放射線１０のビーム経路によって定められる順序で１６、１７、及び１８と記したミラーを含む伝達光学系１５の形態にある結像光学アセンブリを用いて、視野ファセットミラー１３の視野ファセット１９（図３を参照されたい）が、互いに重複するように物体視野５内に結像される。伝達光学系１５の最後のミラー１８はかすめ入射ミラーである。伝達光学系１５と瞳ファセットミラー１４は、一緒に視野ファセットミラー１３から物体視野５へとＥＵＶ放射線１０を伝達するための後続光学系とも呼ぶ。
【００３５】
以下では、位置関係の説明を容易にするために、直交ｘｙｚ座標系を用いる。図のｘ軸は、作図面に対して垂直に閲覧者の方向に延びている。図１のｙ軸は右に延びている。図１のｚ軸は上方に延びている。
【００３６】
投影露光装置１の作動中には、レチクルホルダ（図示せず）によって固定されるレチクルと、ウェーハホルダ（図示せず）によって固定されるウェーハとがｙ方向に同期して走査される。これに対しては、図１４及びそれ以降を用いてより詳細に以下に説明する。
【００３７】
物体視野５は、弓形又は矩形とすることができる。物体視野５のｙ広がりに対するｘ広がりのアスペクト比は、視野ファセット１９のアスペクト比に対応する。図３では、局所直交ｘｙ座標系が視野ファセットミラー１３に割り当てられており、この座標系は、それぞれの視野ファセット１９に及んでいる。図３で右に延びるｘ軸は、図１のｘ軸と平行である。図示の実施形態では、視野ファセット１９は矩形である。示していない実施形態では、視野ファセット１９は弓形とすることができ、そのような弓形視野ファセットのｘ方向及びｙ方向の広がりの比は、図示の実施形態の矩形視野ファセット１９のアスペクト比に対応する。
【００３８】
視野ファセット１９及び物体視野５のｘ／ｙアスペクト比は、例えば、１３／１である。１よりも大きい他のアスペクト比を考えることができる。これらのアスペクト比に起因して、ｘ軸を長手視野軸とも呼び、それに対してｙ軸を短手視野軸とも呼ぶ。物体視野５内の特定のｘ座標を視野高さとも呼ぶ。
【００３９】
視野ファセットミラー１３の視野ファセット１９は、各々が複数の視野ファセット１９を含む視野ファセットブロック２０内に組み合わされる。図３に記載の視野ファセットミラー１３の模式的な図は、各場合に４つ又は６つの視野ファセット１９を含む合計で４つの視野ファセットブロック２０を示している。実際の用途では、非常に多数のそのような視野ファセットブロック２０が存在し、視野ファセットブロック２０の１つは非常に多数の視野ファセット１９を含む。視野ファセットミラー１３は、実際には数百個の視野ファセット１９を含む。視野ファセットブロック２０は、実際の用途では数個の自由度で調節可能な視野ファセット支持体上に配置される。視野ファセットミラー１３の設計によっては、視野ファセットブロック２０は、視野ファセット支持体に対して調節可能にすることができる。
【００４０】
瞳ファセットミラー１４（図４と比較されたい）は、例えば、瞳ファセット支持体２２上に六方最密充填で配置された複数の円形瞳ファセット２１を含む。図４は、互いからある距離の位置に配置された瞳ファセット２１のうちの９つの模式的な図であり、正確な縮尺のものではない。
【００４１】
視野ファセット１９及び瞳ファセット２１は、例えば、結像効果及び球面凹形状を有することができる。
【００４２】
視野ファセット支持体に対応して、瞳ファセット支持体２２を調節可能にすることができる。ファセット１９、２１上の高反射コーティングは、実際の用途ではモリブデンとシリコンとの交替層を含む多層コーティングによって形成される。ファセット１９、２１は、ＥＵＶ放射線１０のためのミラーファセットである。
【００４３】
視野ファセット１９は、ＥＵＶ放射線１０の照明光束のうちで、各場合に視野ファセット１９のうちの１つの上に入射する部分が、関連付けられた瞳ファセット２１を通じて物体視野５に伝達されるように、各場合に瞳ファセット２１に個別に割り当てられる。従って、２つのファセットミラー１３、１４は、各々が、各場合にＥＵＶ放射線１０の一部分を物体視野に伝達する複数の照明チャンネルを定める。放射線源３は、照明チャンネルの各々を通じて瞳ファセット２２上に結像される。
【００４４】
投影対物系７は、その入口側で０．０６２５という開口数ＮＡを有し、物体視野５をｘ方向に１００ｍｍ、ｙ方向に８ｍｍの広がりを有する像視野８上に結像する。
【００４５】
ＥＵＶ放射線源３は、パルスシーケンスのうちの単一の光パルスを用いて、照明光学系４の複数の照明チャンネルを同時に照明するように機能する。
【００４６】
投影露光装置１は、放射線源３のパルスシーケンス周波数と同期して変調可能な光学変調構成要素を含む。放射線源３は、一方で錫液滴２４のシーケンスと、他方で点火レーザビーム２４ａとを供給する媒体源２３を含む。媒体源２３と信号接続される変調構成要素２５は、錫液滴２４が、連続パルス又は連続パルスパッケージ中の異なる点で点火され、それによって照明光１０を生成するプラズマが形成されるように、放射線源３のパルスシーケンスと同期化される。定義される点火点２４1から２４3によっては、変調構成要素２５は、錫液滴２４が、この特定の点において点火レーザビーム２４ａと空間的かつ時間的に重なることを保証する。図２には、点火レーザビーム２４ａが媒体源２３の方向から到着することを模式的に略示している。これは、実際の用途における事例ではない。ＬＰＰ光源における現実的な状態の例は、ＷＯ  ２００４／０９２６９３  Ａ２に得ることができる。図２に例示しているものは、上から下に２４1、２４2、及び２４3と番号を振った３つのそのような異なる点である。図２は、錫液滴点２４1から２４3で始まり、中間焦点面１２の僅かに後方まで延びる照明光１０の様々な縁部ビーム経路を示している。中間焦点面１２の位置には、点火点２４1から２４3に関係なく照明光１０が通過することを可能にする中間焦点絞り２６が配置される。
【００４７】
図３は、点火点２４1から２４3に依存して視野ファセットミラー１３上で変位した照明光１０の遠視野光分布２７1、２７2、２７3を示している。これらの３つの遠視野光分布２７1から２７3は、合わさって視野ファセットミラー１３の全ての視野ファセット１９を照明する。遠視野光分布２７1から２７3の各々は、複数の視野ファセット１９を照明する。視野ファセットミラー１３の全ての視野ファセット１９のうちのほぼ半分は、全ての３つの遠視野光分布２７1から２７3により、すなわち、点火点２４1から２４3とは関係なく照明される。コレクター１１と中間焦点面１２の間の照明光１０のビーム経路内にある図２に模式的に略示している保持構造２９の遠視野遮光２８は、図３に視野ファセット遮光２８1から２８3の対応するシーケンスによって示しているように、点火点２４1から２４3の変位に従って移動する。遠視野遮光２８1を受ける視野ファセット１９は、例えば、遠視野光分布２７3による遮光なしに照明され、これはこの場合、遠視野遮光２８3が、他の視野ファセット１９に対して移動されているからである。従って、視野ファセット１９の各々は、１つの点火点シーケンス２４１から２４３中に物体視野５の照明へと少なくとも１つの完全に遮光のない寄与を発生させる。
【００４８】
代替的に、遠視野光分布は、非常に小さい範囲で変化させることができ、その結果、全ての視野ファセットは、あらゆる時点で完全に照明されるが、遠視野変位に起因して時間と共に変化する強度分布に露出される。視野ファセットにわたる強度分布のこの変化は、レチクル照明の時間均一化ももたらされる。
【００４９】
点火点は、光源のパルスシーケンス周波数で修正することができる。代替的に、点火点は、より低い周波数で修正することができる。例えば、１０個のＥＵＶ光パルスのシーケンスを点火点２４1において点火することができ、その後、点火点２４2において１０個の光パルスの別のシーケンスが点火され、最後に点火点２４3において１０個の光パルスの別のシーケンスが点火される。この場合、変調構成要素２５は、ＥＵＶ光源３のパルスシーケンス周波数と比較して１０倍だけ低減された周波数で作動される。
【００５０】
図４は、点火点２４1から２４3が修正された場合の瞳ファセットミラー２１上の光源３の結像に対する効果を示している。点火点２４1から２４3によっては、瞳ファセット２１上で互いに対して変位した光源像３０1、３０2、３０3が、個別瞳ファセット２１上で得られる。瞳ファセット２１は、光源像３０1から３０3が、これらの光源像３０1から３０3の位置に関係なく瞳ファセット２１上に完全に配置され、それによって照明光１０が、点火点２４1から２４3に関係なく瞳ファセット２１によって完全に反射されるようなサイズを有し、その結果、光源像３０1から３０3は、瞳ファセット２１の縁部において切除されない。
【００５１】
照明系２に変調構成要素２５が装備される場合には、照明チャンネル内の照明は、照明チャンネルに対するファセット１９、２１の割り当てを変更する必要なく変調される。
【００５２】
変調構成要素２５は、点火点の変位を誘導し、従って、光源３の変位をもたらす。従って、変調構成要素２５は、光源３に対する変位デバイスである。
【００５３】
変調構成要素２５に対して代替的又は追加的に、傾斜可能ファセット１９、２１の形態にある他の変調構成要素を設けることができる。この種の傾斜可能ファセットを図５に視野ファセット１９のうちの一例によって模式的に示している。視野ファセット１９の視野ファセット支持体３１は、少なくとも部分的に圧電結晶３２で形成される。この結晶３２は、線３３、３４を通じて交流電圧供給源３５と電気的に接続される。この交流電圧は、視野ファセット１９の反射面、言い換えればファセット面３６の図５に実線で示しているゼロ電位位置から、図５に破線で示している値ΔＬだけ変位した傾斜変位位置への変位をもたらす。圧電結晶３２の全高Ｌに対するこの変位ΔＬの比は、１／１０００の範囲にある。
【００５４】
交流電圧供給源３５は、変調構成要素の別の例である。交流電圧供給源３５は、ここでもまた、光源３のパルスシーケンス周波数と同期化される。
【００５５】
以下は、図６から図９を用いた圧電傾斜可能ファセットの適用の説明である。図１から図５に記載の実施形態とは対照的に、これらの実施形態では光源３は静止している。
【００５６】
図６は、物体平面６内の物体視野５の照明のための２つの照明チャンネルＩ、ＩＩの模式的な図である。この図は、これらの２つの照明チャンネルＩ、ＩＩに割り当てられた２つの視野ファセット１９1、１９2、及びこれらの照明チャンネルに割り当てられた２つの瞳ファセット２１1、２１2を示している。第１の照明チャンネルＩは照明光１０のうちのある部分によって定められ、この第１の照明チャンネルＩは光源３から発して、最初に視野ファセット１９1により、次に、瞳ファセット２１2によって反射され、その後、物体視野５上に入射する。第２の照明チャンネルＩＩは照明光１０のうちの別の部分によって定められ、この第２の照明チャンネルＩＩは光源３から発して、最初に視野ファセット１９2により、次に、瞳ファセット２１1によって反射され、その後物体視野５上に入射する。
【００５７】
例えば、照明チャンネルＩＩ内に遮光が存在する場合には、照明チャンネルＩＩを通じてよりも、照明チャンネルＩを通じて多くの照明１０が伝達される。図６は、物体平面６の後方のビーム経路内での物体視野５の縁部における視野点照明の角度分布の模式的な図である。照明チャンネルＩは、照明チャンネルＩＩよりも多くの照明光１０を伝達するので、この物体視野点は、照明チャンネルＩの方向から高い照明強度＋＋を受け、照明チャンネルＩＩの方向から低い照明強度＋を受ける。
【００５８】
図７は、一方では視野ファセット１９1、１９2に割り当てられ、他方では瞳ファセット２１1、２１2に割り当てられた交流電圧供給源３５（図６及び図７には示していない）を用いて、図７に示している４つのファセットの圧電傾斜が実施される状況を示している。２つの視野ファセット１９1、１９2が傾斜されると、照明チャンネルＩは、瞳ファセット１９1が、今度は下流の瞳ファセット２１1に割り当てられるように修正される。照明チャンネルＩＩは、視野ファセット１９2が、今度は下流の瞳ファセット２１2に割り当てられるように修正される。２つの瞳ファセット２１1、２１2が傾斜されると、両方の照明チャンネルＩ、ＩＩが前と同様に物体視野５内で重ね合わされる。照明チャンネルＩは、照明チャンネルＩＩよりも多くの照明光１０を伝達するので、図７に物体平面６の背後に示しているように、この場合、照明角度分布は全く逆転する。
【００５９】
図６及び図７に記載の照明状況の比較は、平均すると、物体視野５が同じ照明強度、すなわち、各場合に瞳ファセット２１1及び２１2の位置によって定められる２つの照明方向からの照明強度＋と＋＋との和を受けることを示している。
【００６０】
ファセットの圧電傾斜の代替として、例えば、図７に記載の装置にある瞳ファセット２１、視野ファセット１９、又は瞳ファセット２１を機械的に回転可能な懸架状態で機械的又は静電的に移動させることができる。
【００６１】
以下は、図８及び図９を用いた物体視野５を結像する投影対物系７の高いエタンデュに対して光源３のエタンデュを調節するための傾斜可能ファセットの適用の説明である。
【００６２】
図８及び図９に記載の実施形態では、視野ファセット１９1、１９2は、図５に例示している方式で圧電的に傾斜させることができる。図６及び図７に記載の実施形態における傾斜角と比較すると、視野ファセット１９1、１９2の傾斜角は非常に小さく、圧電結晶３２に印加される電圧によって視野ファセット１９1、１９2が傾斜された場合であっても、傾斜された視野ファセット１９によって照明光１０で照明されるのは依然として同じ瞳ファセット２１である。
【００６３】
図８は、２つの視野ファセット１９1、１９2が、各場合に瞳ファセット２１1、２１2の中心を照明する状況を示している。
【００６４】
図９は、視野ファセット１９1、１９2の圧電結晶３２に電圧を印加することにより、視野ファセット１９1、１９2が、関連付けられた瞳ファセット２１1、２１2の図８及び図９による下側縁部を照明する状況を示している。一方、視野ファセット１９1、１９2が、図８に記載の状況と比較して全く反対方向に傾斜された図９と類似の視野ファセット１９1、１９2の位置（図示せず）では、これらの視野ファセット１９1、１９2は、瞳ファセット２１1、２１2の図８及び図９における上側縁部を照明する。従って、視野ファセット１９1、１９2が傾斜されると、光源像３０が瞳ファセット２１1、２１2に沿って移動され、それによって図８に記載の静止状況と比較してより大きな角度帯域幅を有する物体視野５の照明がもたらされる。それによって物体視野５の下流の投影対物系７の照明可能入射瞳のより完全な使用がもたらされる。これは、２つの瞳ファセット２１1、２１2の方向からの物体視野点照明の角度分布を比較する場合に明らかになり、これらの角度分布を各場合に図８及び図９の物体平面６の下流のビーム経路内に略示している。
【００６５】
図１０は、変調構成要素がコレクター１１に対する変位デバイス３７である照明系２の実施形態を示している。変位デバイス３７は、このコレクター１１に機械的に結合される。変位デバイス３７は、光源３のパルスシーケンス周波数と同期して変調させることができる。光源３は、コレクター１１と共に変位される。
【００６６】
図１０には、コレクター１１の第１の現在位置を実線で示している。図１０には、変位したコレクター１１及び光源３の別の現在位置、並びにその得られる３つの視野ファセット１９1、１９2、１９3の修正された照明を破線で示している。コレクター１１の変位は、視野ファセット１９1から１９3上で遠視野光分布２７を相応に重なる。
【００６７】
図１１は、遠視野光分布２７が変位した場合のレチクルの変位方向ｙに対して垂直な方向、言い換えればｘ方向の照明光１０による物体視野５の照明の強度分布の効果を示している。遠視野光分布２７の変位は、相応に重なるｘ方向の照明光分布の最大値及び最小値をもたらす。従って、この変位は、物体視野照明のｘ方向の時間均一化をもたらす。
【００６８】
以下は、物体視野の照明を均一化するための図５に従って傾斜可能なファセット１９、２１の別の適用の図１２及び図１３を用いた説明である。
【００６９】
図１２及び図１３に記載の実施形態では、瞳ファセット２１、すなわち、図１２及び図１３に記載の図では瞳ファセット２１1、２１2のみをｘｚ平面内で傾斜させることができる。視野ファセット１９は、図１２及び図１３に記載の実施形態では傾斜させることができない。
【００７０】
図１２は、ｘ方向に見た時に２つの照明チャンネルＩ、ＩＩが照明される物体視野５のほぼ中心で重なる瞳ファセット２１1、２１2の現在位置を示している。図１３は、２つの照明チャンネルＩ、ＩＩが、物体視野５内で正のｘ方向に変位した位置で重なるように、２つのファセットミラー２１1、２１2が、交流電圧供給源３５によって実施される対応する電圧作動を用いて傾斜された位置にある状況を示している。それによってレチクル変位方向ｙに対して垂直な強度分布Ｉ（ｘ）の均一化がもたらされ、この均一化は、図１２及び図１３に示している様々な現在位置における強度分布Ｉ1（ｘ）、Ｉ2（ｘ）の時間平均である。
【００７１】
微細構造構成要素、特にマイクロチップのような半導体構成要素を生成するために、第１の段階でレチクル及びウェーハが準備される。ウェーハには、照明光１０に対して感光性を有するコーティングが設けられる。その後、レチクルの少なくとも一部分が、投影露光装置１を用いてウェーハ上に投影される。上述の光学変調構成要素２５、３５、３７のうちの少なくとも１つは、この工程に用いられる。次に、照明光１０に露出されたウェーハ上の感光層は、現像されて望ましい構造が得られる。投影露光中には、レチクルは、物体変位方向、すなわち、図１のｙ方向に変位される。
【００７２】
変位工程、言い換えればレチクル及びウェーハの走査処理を図１４から図１７に例示している。
【００７３】
図１４は、以下の説明において参照番号３８で表すレチクルと合わせての物体視野５の模式的な平面図である。図１４では照明される面３９を破線で示している。レチクル３８は、部分的に示しているレチクルホルダ４０によって固定される。レチクル３８は、照明光に対して反射性又は透過性を有するレチクルとすることができる。反射レチクル３８が用いられる場合には、その後面全体をレチクルホルダ４０によって支持することができる。
【００７４】
図１４は、レチクル３８を投影露光走査の開始時点における物体視野５に対する位置に示している。この位置では、図１４では照明されるレチクル面３９の下部に位置する縦方向の辺が、図１４では物体視野５の上部に位置する縦方向の辺に一致する。
【００７５】
投影露光中に、レチクル３８は、速度ｖScan,Obでｙ方向に走査される。
【００７６】
図１５は、投影露光走査の終了時点における物体視野５に対するレチクル３８の相対位置を示している。図１４に記載の位置と比較して、レチクル３８は、物体視野の高さＨObの２倍だけｙ方向に変位される。図１５では照明されるレチクル面３９の上部に示している縦方向の辺は、図１５では物体視野の下部に位置する縦方向の辺に一致する。
【００７７】
レチクル３８が、図１４及び図１５に記載の２つの相対位置の間に変位した時には、レチクル３８上の各点は、変位中に物体視野５のｙ方向の高さＨObの１倍だけ照明光に露出される。
【００７８】
投影露光走査の走査時間ｔScan、言い換えれば、レチクル３８の変位中に物体視野点が照明光に露出される時間は、次式である。
ＴScan＝ＨOb／ｖScan,Ob
ＴScanは、通常は、１００ｍｓよりも小さい範囲、特に１ｍｓと２０ｍｓの間の範囲にある。
【００７９】
ウェーハは、レチクル３８と同期して像視野８を通じて移動される。これを参照番号４１で表したウェーハの位置が示されている図１６及び図１７に例示している。ウェーハは、詳細には示していないウェーハホルダ又はウェーハ台それぞれによって固定される。
【００８０】
図１６は、個々の投影露光走査中に照明されるウェーハ４１の面４２の相対位置を示しており、この場合この相対位置は、図１４に記載の相対位置と同期化される。言い換えれば、図１６は、投影露光走査の開始時点におけるウェーハの近くの状況を示している。図１６に記載の位置では、図１６では照明されるウェーハ面４２の下部に示している縦方向の辺が、図１６では像視野８の上部に示している縦方向の辺に一致する。
【００８１】
投影露光走査中に、ウェーハ４１は、ウェーハホルダを用いて速度ＶScan,imでｙ方向に変位される。
【００８２】
図１７は、個々の投影露光走査の終了時点における像視野８に対する照明されるウェーハ面４２の相対位置を示しており、この相対位置は、図１５に記載の相対位置と同期化される。図１７に記載の相対位置では、図１７では照明されるウェーハ面４２の上部に示している縦方向の辺は、図１７では像視野８の下部に示している縦方向の辺に一致する。レチクル３８が、図１４及び図１５に記載の２つの相対位置の間で変位した時には、ウェーハ上の各点は、変位中に像視野８のｙ方向の高さＨImの１倍だけ照明光に露出される。投影露光走査の走査時間ｔScan、言い換えれば、レチクル３８の変位中に像視野点が照明光に露出される時間は、代替的に、以下の通りに得られる。
ｔScan＝ＨIm／Ｖscan,Im
ここで、ＨImは、ｙ方向の像視野高さである。
【００８３】
以上の変調構成要素２５、３５、及び３７は、これらの構成要素２５、３５、３７の変調が走査時間ｔScanの時間スケールで発生し、従って、個々の投影露光走査中に変調構成要素を修正することを可能にするように構成される。
【符号の説明】
【００８４】
３  ＥＵＶ光源
１０  ＥＵＶ照明光
２５  光学変調構成要素
【図１】
2015111740.tif 000004
【図２】
2015111740.tif 000005
【図３】
2015111740.tif 000006
【図４】
2015111740.tif 000007
【図５】
2015111740.tif 000008
【図６】
2015111740.tif 000009
【図７】
2015111740.tif 000010
【図８】
2015111740.tif 000011
【図９】
2015111740.tif 000012
【図１０】
2015111740.tif 000013
【図１１】
2015111740.tif 000014
【図１２】
2015111740.tif 000015
【図１３】
2015111740.tif 000016
【図１４】
2015111740.tif 000017
【図１５】
2015111740.tif 000018
【図１６】
2015111740.tif 000019
【図１７】
2015111740.tif 000020
【手続補正書】
【提出日】平成27年3月13日(2015.3.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ＥＵＶマイクロリソグラフィ用の照明系（２）であって、
０．０１ｍｍ2よりも大きいエタンデュを有する照明光（１０）が、照明系（２）の下流照明光学系（４）内を通過するように設計された光源（３）、
を含み、
前記照明光学系（４）は、前記照明光（１０）を前記光源（３）から物体視野（５）に誘導するように設計され、
照明系（２）が、少なくとも１つの光学変調構成要素（２５；３５；３７）を含み、
前記照明光学系（４）は、前記光源（３）を用いて同時に照明される複数の照明チャンネル（Ｉ，ＩＩ）を通じた前記物体視野（５）の照明のための複数のファセット（１９，２１）を含む少なくとも１つのファセットミラー（１３，１４）を含み、
前記変調構成要素（２５；３５；３７）は、１つの照明チャンネル（Ｉ，ＩＩ）内の前記照明が、該照明チャンネル（Ｉ，ＩＩ）に対するファセット割り当て（１９1，１９2，２１1，２１2）を変更せずに変調されるように設計され、
前後に配置された２つのファセットミラー（１３，１４）が設けられ、前記照明チャンネル（Ｉ，ＩＩ）を形成するように、第１のファセットミラー（１３）の第１のファセット（１９）が、第２のファセットミラー（１４）の第２のファセット（２１）に割り当てられる
ことを特徴とする、照明系（２）。
【請求項２】
前記ＥＵＶ光源（３）は、パルスシーケンス周波数でＥＵＶ光パルスのシーケンスを発生し、前記光学変調構成要素（２５；３５；３７）は、該パルスシーケンス周波数と同期して変調可能であることを特徴とする請求項１に記載の照明系。
【請求項３】
前記第１のファセット（１９）は、傾斜可能であり、変調構成要素（３５）として傾斜駆動体を含むことを特徴とする請求項１又は２に記載の照明系。
【請求項４】
前記照明光学系（４）は、前記光源（３）が前記第２のファセット（２１）上に結像されるように設計され、該第２のファセット（２１）は、ファセット面に結像される光源像（３０）よりも大きいファセット面を含むことを特徴とする請求項１から請求項３のいずれか１項に記載の照明系。
【請求項５】
前記第１のファセット（１９）は、前記物体視野（５）の下流に配置された投影対物系（７）の入射瞳の充填率を増大するように傾斜可能であることを特徴とする請求項４に記載の照明系。
【請求項６】
前記第２のファセット（２１）は傾斜可能であり、変調構成要素（３５）として傾斜駆動体を含むことを特徴とする請求項１から請求項５のいずれか１項に記載の照明系。
【請求項７】
前記第２のファセット（２１）のうち少なくとも２つが、これら２つの第２のファセット（２１）によって形成される前記照明チャンネル（Ｉ，ＩＩ）の重なりが、変位した位置において前記物体視野（５）内で重なるように傾斜可能であることを特徴とする請求項６に記載の照明系。
【請求項８】
変位方向（ｘ）が、物体変位方向（ｙ）に対して垂直であることを特徴とする請求項７に記載の照明系。
【請求項９】
請求項１から請求項８のいずれか１項に記載の照明系（２）と、
物体視野（５）を像視野（８）内に結像するための投影対物系（７）と、
を含むことを特徴とする投影露光装置（１）。
【請求項１０】
走査投影露光装置として設計され、
少なくとも１つの光学変調構成要素（２５；３５；３７）が、照明光が投影露光走査の走査時間ｔScan中に変調されるように構成される、
ことを特徴とする請求項９に記載の投影露光装置。
【請求項１１】
微細構造又はナノ構造構成要素を生成する方法であって、
レチクルを準備する段階と、
照明光（１０）に対して感光性であるコーティングを含むウェーハを準備する段階と、
請求項９又は請求項１０に記載の投影露光装置を用いて、前記レチクルの少なくとも一部分を前記ウェーハ上に投影する段階と、
ウェーハ上の層を前記照明光（１０）へのその露光の後に現像する段階と、
を含むことを特徴とする方法。
【外国語明細書】
2015111740000001.pdf