(57)【要約】【課題】  高電圧かつ高密度実装の要求下で用いられる回路基板であって、沿面放電が生じにくい信頼性の高い回路基板および電子装置を提供する。【解決手段】  絶縁基板２と、隣り合って配置され、絶縁基板２上に接合された第１金属板３Ａおよび第２金属板３Ｂと、第１金属板３Ａおよび第２金属板３Ｂの間に設けられており、それぞれ第１金属板３Ａの側面および第２金属板３Ｂの側面に接している第１絶縁材料４Ａおよび第２絶縁材料４Ｂと、を有しており、第１絶縁材料４Ａは、第１金属板３Ａの側面における高さが、第２金属板３Ｂ側の高さよりも高く、第２絶縁材料４Ｂは、第２金属板３Ｂの側面における高さが、第１金属板３Ａ側の高さよりも高くなっている回路基板１。【選択図】図３
2015111643.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁基板と、
隣り合って配置され、前記絶縁基板上に接合された第１金属板および第２金属板と、
前記第１金属板および前記第２金属板の間に設けられており、それぞれ前記第１金属板の側面および前記第２金属板の側面に接している第１絶縁材料および第２絶縁材料と、を有しており、
前記第１絶縁材料は、前記第１金属板の前記側面における高さが、前記第２金属板側の高さよりも高く、
前記第２絶縁材料は、前記第２金属板の前記側面における高さが、前記第１金属板側の高さよりも高い回路基板。
【請求項２】
前記第１絶縁材料と、前記第２絶縁材料とは、互いに離間している請求項１記載の回路基板。
【請求項３】
前記第１絶縁材料と、前記第２絶縁材料とは、互いに接している請求項１記載の回路基板。
【請求項４】
前記第１金属板および前記第２金属板は、前記側面と上面との間の角部が面取りされている請求項１乃至３のいずれかに記載の回路基板。
【請求項５】
前記第１金属板および前記第２金属板は、前記側面の下方部に切り欠き部を有しており、
前記第１絶縁材料および前記第２絶縁材料は、前記切り欠き部に入り込んでいる
請求項１乃至４いずれかに記載の回路基板。
【請求項６】
請求項１乃至５のいずれかに記載の回路基板と、
該回路基板に搭載された電子部品とを含んでいる
電子装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、回路基板および電子装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
例えばパワーモジュールまたはスイッチングモジュール等のＩＧＢＴ（Insulated Gate
Bipolar Transistor）などの電子部品が搭載された電子装置に用いられる回路基板とし
て、セラミック基板に金属板がろう材で接合されたものが用いられる。電子部品は、金属板に搭載され、例えばボンディングワイヤによって他の金属板に電気的に接続される。金属板としては、例えば、電気抵抗（抵抗率）が小さい銅またはアルミニウムを主成分とした箔が用いられている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開2005−116602号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
近年の電子装置には、高電圧の負荷がかかる場合が多い。また、高密度実装の観点から、セラミック基板に金属板を隣り合わせて設けた場合、一方の金属板と、これと隣り合う他方の金属板とは、側面同士の間隔が小さくなりやすい。よって、一方の金属板の側面の下端から、絶縁基板表面を経て、他方の金属板の側面の下端までの区間で沿面放電が起きやすかった。
【０００５】
本発明の目的は、前記の問題を鑑みて、高電圧かつ高密度実装の要求下で用いられる回路基板であって、沿面放電が生じにくい信頼性の高い回路基板および電子装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明の一つの態様の回路基板は、絶縁基板と、隣り合って配置され、前記絶縁基板上に接合された第１金属板および第２金属板と、前記第１金属板および前記第２金属板の間に設けられており、それぞれ前記第１金属板の側面および前記第２金属板の側面に接している第１絶縁材料および第２絶縁材料と、を有しており、前記第１絶縁材料は、前記第１金属板の前記側面における高さが、前記第２金属板側の高さよりも高く、前記第２絶縁材料は、前記第２金属板の前記側面における高さが、前記第１金属板側の高さよりも高い。
【０００７】
本発明の一つの態様の電子装置は、上述の回路基板と、該回路基板に搭載された電子部品とを含んでいる電子装置。
【発明の効果】
【０００８】
本発明の一つの態様による回路基板によれば、第１絶縁材料は、第１金属板の側面における高さが、第２金属板側の高さよりも高く、第２絶縁材料は、第２金属板の側面における高さが、第１金属板側の高さよりも高いので、第１金属板および第２金属板それぞれの側面上であって絶縁材料に覆われていない部分同士の間の沿面上の距離が、金属板の側面の下端同士の間における絶縁基板上の距離より大きくなる。よって、沿面放電の発生起点同士の間における沿面上の距離が大きくなるので沿面放電が起こりにくくなる。
【０００９】
本発明の一つの態様による電子装置によれば、上述の回路基板を有することから、沿面
放電が発生する可能性を低減することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１０】
【図１】本発明の第１の実施形態の電子装置を示す上面図である。
【図２】図１の電子装置を示すＸ−Ｘ線における断面図である。
【図３】図２のＡ部の拡大図である。
【図４】本発明の第２の実施形態の回路基板を示す拡大断面図である。
【図５】本発明の第３の実施形態の回路基板を示す拡大断面図である。
【図６】本発明の第４の実施形態の回路基板を示す拡大断面図である。
【図７】本発明の第５の実施形態の回路基板を示す上面図である。
【図８】図７の電子装置を示すＸ−Ｘ線における拡大断面図である。
【図９】本発明の第５の実施形態の他の例の回路基板を示す上面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１１】
以下、本発明のいくつかの例示的な実施形態について図面を参照して説明する。図面において、回路基板は、仮想のｘｙｚ空間内に設けられており、ｘｙ平面上に載置されている。また、本実施形態における上方、上面、上部とは仮想のｚ軸の正方向を示しており、下方、下面、下部とは仮想のｚ軸の負方向を示している。
（第１の実施形態）
図１〜図３を参照して本発明の第１の実施形態における回路基板１について説明する。回路基板１は、絶縁基板２と、金属板３（第１金属板３Ａおよび第２金属板３Ｂ）と、絶縁材料４（第１絶縁材料４Ａおよび第２絶縁材料４Ｂ）とを備えている。また、図１〜図３に示す例において、電子装置１０は、回路基板１と、電子部品５とを備えている。
【００１２】
絶縁基板２は、電気絶縁材料からなり、例えば、酸化アルミニウム質セラミックス，ムライト質セラミックス，炭化ケイ素質セラミックス，窒化アルミニウム質セラミックス，または窒化ケイ素質セラミックス等のセラミックスからなる。これらセラミック材料の中では放熱性に影響する熱伝導性の点に関して、炭化ケイ素質セラミックス，窒化アルミニウム質セラミックス，または窒化ケイ素質セラミックスが好ましく、強度の点に関して、窒化ケイ素質セラミックスまたは炭化ケイ素質セラミックスが好ましい。
【００１３】
絶縁基板２が窒化ケイ素質セラミックスのように比較的強度の高いセラミック材料からなる場合、より厚みの大きい金属板３を用いたとしても絶縁基板２にクラックが入る可能性が低減されるので、小型化を図りつつより大きな電流を流すことができる回路基板を実現することができる。
【００１４】
絶縁基板２の厚みは、薄い方が熱伝導性の点ではよく、例えば約0.1ｍｍ〜１ｍｍであ
り、回路基板１の大きさまたは用いる材料の熱伝導率または強度に応じて選択すればよい。絶縁基板２の大きさは、平面視で、例えば、縦が30〜50ｍｍ程度であり、横が40〜60ｍｍ程度である。
【００１５】
絶縁基板２は、例えば窒化ケイ素質セラミックスからなる場合であれば、窒化ケイ素，酸化アルミニウム，酸化マグネシウム，および酸化イットリウム等の原料粉末に適当な有機バインダー，可塑剤，および溶剤を添加混合した泥漿物に従来周知のドクターブレード法またはカレンダーロール法を採用することによってセラミックグリーンシート（セラミック生シート）を形成し、次にこのセラミックグリーンシートに適当な打ち抜き加工等を施して所定形状となすとともに、必要に応じて複数枚を積層して成形体となし、しかる後、これを窒素雰囲気等の非酸化性雰囲気にて1600〜2000℃の温度で焼成することによって製作される。
【００１６】
図１〜図３に示すように、第１金属板３Ａおよび第２金属板３Ｂは、隣り合って配置され、絶縁基板２上に接合されている。第１金属板３Ａおよび第２金属板３Ｂの厚みは、例えば、0.1〜１ｍｍ程度である。
【００１７】
また、図２に示す例のように、絶縁基板２の裏面にも金属板が設けられていることが好ましい。この場合には、絶縁基板２の上面と下面との間において、金属板から受ける熱膨張の影響が等しくなるので、絶縁基板２の反りを抑えることができる。
【００１８】
第１金属板３Ａおよび第２金属板３Ｂは、例えば、銅ペーストを絶縁基板２に焼き付けたものでも良いし、ろう付けによって絶縁基板２に貼り付けた金属箔でも良い。
【００１９】
第１金属板３Ａおよび第２金属板３Ｂを、銅ペーストの焼結により作製する場合、この銅ペーストは、主成分となる銅粉末にアクリル樹脂若しくはニトロセルロース樹脂等の有機バインダー、テルピネオール若しくはＤＢＰ等の有機溶剤、又は必要に応じて分散剤等を加えて、ボールミル、三本ロールミル、プラネタリーミキサー等の混練手段により均質混合および混練することで作製する。
【００２０】
銅粉末は、アトマイズ法で球状にした微細粉末が望ましく、平均粒径０．１μｍ〜１０μｍ程度の粒径が好適に用いられる。これにより、銅ペーストの焼結体は緻密になり、かつ、焼結の進行を早めることができる。
【００２１】
また、銅ペーストは、有機バインダーや有機溶剤の種類や添加量を少なくすることで、一般的な配線導体層用のメタライズペーストよりも高い粘度に調整してもよい。これにより、銅ペーストは、放熱用金属板としての第１金属板３Ａおよび第２金属板３Ｂの成形に適した粘度になる。
【００２２】
また、銅ペーストは、絶縁基板２と接合するために活性金属として、チタン、ハフニウムおよびジルコニウムのうち少なくとも１種の金属材料を含有している。
【００２３】
この銅ペーストを絶縁基板２上にスクリーン印刷等により所定の形状に印刷した後、窒素雰囲気等の非酸化性雰囲気中で、例えば８００〜９００℃で１時間程度焼成することにより金属板３が構成される。
【００２４】
第１金属板３Ａおよび第２金属板３Ｂを金属箔とする場合、この金属箔の材料としては、電気抵抗と熱抵抗の観点で銅またはアルミニウムを主成分として用いたものが望ましい。
【００２５】
また、第１金属板３Ａおよび第２金属板３Ｂとなる金属箔は、絶縁基板２にろう付けして形成される。ろう付け用のろう材は、銅と銀を主成分とし、接合のための活性金属として、チタン、ハフニウムおよびジルコニウムのうち少なくとも１種の金属材料をさらに含有する。活性金属材料であるチタン等の金属材料によって、ろう材は、金属板３を絶縁基板２に対して強固に接合させることができる。
【００２６】
このろう材の組成の例としては、銅が15〜75質量％、銀が20〜65質量％、チタンが１〜２０質量％程度である。より具体的な例としては、銅が71質量％、銀が28質量％、チタンが１質量％のものが挙げられる。
【００２７】
図１、図２に示すように、左側の第１金属板３Ａの上面には接合材６を介して電子部品５が実装されており、この電子部品５は、右側の第２金属板３Ｂに不図示の導電性接続材（ボンディングワイヤ）によって接続されている。このように、図１、図２に示す例にお
いて、金属板３は、回路導体として機能している。また、金属板３は、回路導体に限らず、回路基板１に搭載される電子部品５のマウント用の金属部材、接地導体用の金属部材または放熱板等としても用いることができる。また、このように、金属板３は、例えば数十Ａ程度の比較的大きな電流を通電するための導電路、または放熱材として、セラミックス等からなる絶縁基板２に接合されて用いられる。
【００２８】
電子部品５は、例えば、トランジスタ、ＣＰＵ（Central Processing Unit）用のＬＳ
Ｉ（Large Scale Integrated circuit）、ＩＧＢＴ（Insulated Gate Bipolar Transistor）、またはＭＯＳ−ＦＥＴ（Metal Oxide Semiconductor - Field Effect Transistor）等の半導体素子である。
【００２９】
接合材６は、例えば、金属または導電性樹脂等からなる。接合材６は、例えば、半田、金−スズ（Ａｕ−Ｓｎ）合金、またはスズ−銀−銅（Ｓｎ−Ａｇ−Ｃｕ）合金等である。
【００３０】
なお、金属板３の表面に、めっき法によってめっき膜を形成しても良い。この構成によれば、接合材６との濡れ性が良好となるので電子部品５を金属板３の表面に強固に接合することができる。めっき膜は、導電性および耐食性が高い金属を用いれば良く、例えば、ニッケル、コバルト、銅、若しくは金、またはこれらの金属材料を主成分とする合金材料が挙げられる。めっき膜の厚みは、例えば1.5〜10μｍであれば良い。
【００３１】
また、めっき膜の材料としてニッケルが用いられた場合、例えば、ニッケル内部にリンを８〜15質量％程度含有するニッケル−リンのアモルファス合金のめっき膜であることが好ましい。この場合、ニッケルめっき膜の表面酸化を抑制して、電子部品５の接合材６等との濡れ性を長く維持することができる。さらに、ニッケルに対するリンの含有量が８〜15質量％程度であると、ニッケル−リンのアモルファス合金が形成されやすくなって、めっき膜に対する接合材６等の接着強度を向上させることができる。
【００３２】
図１〜図３に示す例のように、第１絶縁材料４Ａおよび第２絶縁材料４Ｂは、第１金属板３Ａおよび第２金属板３Ｂの間に設けられており、それぞれ第１金属板３Ａの側面および第２金属板３Ｂの側面に接している。
【００３３】
また、第１絶縁材料４Ａは、第１金属板３Ａの側面における高さが、第２金属板３Ｂ側の高さよりも高く、第２絶縁材料４Ｂは、第２金属板３Ｂの側面における高さが、第１金属板３Ａ側の高さよりも高い。
【００３４】
この構成によって、第１金属板３Ａおよび第２金属板３Ｂそれぞれの側面上であって絶縁材料に覆われていない部分同士の間の沿面上の距離が、金属板３の側面の下端同士の間における絶縁基板２上の距離より大きくなる。よって、沿面放電の発生起点同士の間における沿面上の距離が大きくなるので沿面放電が起こりにくくなる。
【００３５】
また、図１に示す例のように、第１絶縁材料４Ａおよび第２絶縁材料４Ｂは、第１金属板３Ａおよび第２金属板３Ｂの間隙の全領域において位置していることが好ましい。この場合には、金属板３間の全領域において放電を抑制することができる。
【００３６】
第１絶縁材料４Ａおよび第２絶縁材料４Ｂの材料は、絶縁性を有していれば良い。例えば、その材料は、酸化アルミニウム、酸化ジルコニウム、酸化クロム、酸化チタン、酸化マグネシウム、酸化シリコン、若しくは酸化カルシウム等の高融点セラミックス、又は、エポキシ樹脂，ポリイミド樹脂，アクリル樹脂，フェノール樹脂，若しくはポリエステル樹脂等の樹脂が使用される。特に、高融点セラミックスは絶縁抵抗が高く、金属板３どうし間の沿面放電を効果的に抑制できるので好ましい。
【００３７】
金属板３を銅ペーストの焼結で作製する場合には、第１絶縁材料４Ａおよび第２絶縁材料４Ｂに高融点セラミックスを使用することが好ましい。後述するが、絶縁材料４となるセラミックペーストと銅ペーストは、同時に焼成できる。その際、焼成温度の調整により、銅ペーストは完全に焼結させ、セラミックペーストは焼結させないで止めておくことができる。これにより、ウエットブラスト等によって完全に緻密化していない絶縁材料４の一部を除去することで所望の形状を得ることができる。
【００３８】
また、金属板３を金属箔で作製する場合、第１絶縁材料４Ａおよび第２絶縁材料４Ｂに樹脂を使用することが好ましい。この場合には、金属板３を絶縁基板２にろう付けした後、樹脂ペーストを回路基板の表面全面に印刷し、セラミックスよりも低温で硬化させることができるので金属板３への影響は少ない。なお、金属板３表面における硬化した樹脂はエッチング、またはウエットブラスト等により除去することで、第１絶縁材料４Ａおよび第２絶縁材料４Ｂを、図１〜図３に示す例のような所定の形状にして残すことができる。なお、樹脂ペーストの塗布は、印刷ではなく、ディスペンサーを使用しても良い。液状の樹脂ペーストを金属板３の側面下方に塗布した場合、表面張力によって、絶縁樹脂４は金属板３側面から絶縁基板２表面へと自然に傾斜する形状となる。このように、ディスペンサー塗布の場合、後でウエットブラスト等を行う必要が無い。
【００３９】
また、金属板３を金属箔で作製する場合であって、第１絶縁材料４Ａおよび第２絶縁材料４Ｂに樹脂を使用する場合、金属板３の接合前に予め所定の場所に樹脂ペーストを印刷・固化させ、その後、その両側に金属箔を接合しても良い。この場合、金属板３の接合をろう付けで行うと、ろう付けの際の高温度で樹脂が過度に熱せられてしまうので、ろう付けの代わりに冷間圧延法を用いて金属板３を絶縁基板２に接合する。
【００４０】
なお、金属板３を銅ペーストの焼結で作製する場合であっても、第１絶縁材料４Ａおよび第２絶縁材料４Ｂとして樹脂を使用して良い。この場合は、銅ペーストを焼結させた後、前述した金属箔の場合と同様、樹脂ペーストを印刷し、エッチング、またはウエットブラスト等で樹脂の一部を除去すれば良い。この場合も、印刷ではなく、ディスペンサーによる塗布を用いて良い。
【００４１】
次に、本発明の回路基板１の製造方法について説明する。なお、ここでは、図１〜図３に示す例の回路基板１であって、絶縁基板２の材料として窒化ケイ素を使用し、金属板３の材料として銅を使用し、絶縁材料４として酸化アルミニウムを使用した回路基板１の製造方法について説明する。
【００４２】
（１）絶縁基板２は窒素雰囲気等の非酸化性雰囲気にて約1600〜2000℃の温度で焼成されて製作される。
【００４３】
（２）次に、絶縁基板２上に、絶縁材料４となるセラミックペーストを印刷し、乾燥させる。なお、セラミックペーストは、第１金属板３Ａおよび第２金属板３Ｂが配置される領域の間に印刷される。次に、銅ペーストを、セラミックペーストの両側に、金属板３の形状となるように印刷し、その後乾燥させる。銅ペーストとしては、例えば、融点が約800℃のものを用いる。なお、セラミックペーストの印刷前に、銅ペーストを印刷しても良
い。
【００４４】
（３）次に、前述した銅ペースト、セラミックペーストが塗布された絶縁基板２を、窒素雰囲気等の非酸化性雰囲気炉で仮焼する。仮焼は例えば４００℃で３０分〜４時間行われる。非酸化性雰囲気炉を用いる理由は銅ペースト中の銅の酸化を抑制するためである。
【００４５】
（４）次に、本焼成を行う。この本焼成は、非酸化性雰囲気炉において、銅ペーストの融点より０℃〜１００℃程度高い温度にて１分〜３時間程度行う。焼成時間は銅ペーストの厚みにより調整する。また、焼成温度は、セラミックペーストの焼結温度よりも低く設定する。本セラミックペーストは酸化アルミニウムを使用しているので、焼成温度は、約１５００度以下とすれば良い。このような焼成温度に調整することによって、銅ペーストは完全に焼結させることができる一方で、セラミックペーストは完全に焼結し終わる前の状態で止めておくことができる。
【００４６】
（５）次に、絶縁基板２の表面に、例えばウエットブラストにより絶縁材料の中央部を除去する。前述したように、セラミックペーストは完全に焼結し終わる前の状態なので、完全に緻密化しておらず、ウエットブラスト等で容易に一部を除去することができる。このウエットブラストを施した際、金属板３同士の中央部、又は、金属板３側面の上方にはブラストによる噴射が良く当たるが、金属板３側面の下方にはブラストによる噴射が届かない。よって、図２に示す例のように、絶縁材料４は、金属板３側面の下方のみに残るような構成となる。
【００４７】
なお、ウエットブラストは、例えば、液体として水を用い、砥粒として酸化アルミニウム粉末を用いて行うことができる。水に対し平均粒径10μｍから200μｍの酸化アルミニ
ウム粉末を10体積％程度加えてスラリーとし、このスラリーを圧力0.2ＭＰａから１ＭＰ
ａ程度の圧縮空気で絶縁基板に向けて噴射することで、絶縁材料の一部を除去することができる。また、図２に示す例の絶縁材料４とするためには、スラリー噴射領域に対して、絶縁基板を５ｍｍ／ｓの速度で１０回程度走査させると良い。また、空気の圧力、走査速度、走査回数などのブラストの条件を調節することで、絶縁材料４を所望の形状とすることができる。
【００４８】
また、絶縁材料の一部を除去する方法は、ウエットブラスト以外にも、スラリーをポンプ圧で噴射するタイプのブラスト、又は、水を用いず砥粒を圧縮空気により噴射するサンドブラストであっても良い。
【００４９】
以上の（１）〜（５）の工程を行うことによって、図１〜図３に示す本発明の回路基板１を得ることができる。
【００５０】
また、図１〜図３に示す例のように、第１絶縁材料４Ａと、第２絶縁材料４Ｂとは、互いに離間していることが好ましい。後述する図４に示す例のように、両絶縁材料４Ａ、４Ｂが互いに接している場合と比較すると、金属板３の側面における絶縁材料４の高さが同じである場合、図３のように両絶縁材料４Ａ、４Ｂが離間している場合の方が、金属板３側面から絶縁基板２上面までの傾斜面の傾斜が大きくなる。結果として、沿面上の距離を大きくすることができ、放電抑制の効果を向上させることができる。
（第２の実施形態）
図４を参照して本発明の第２の実施形態における回路基板１について説明する。この第２の実施形態における、第１の実施形態との違いは、第１絶縁材料４Ａと、第２絶縁材料４Ｂとが、互いに接していることである。その他の部分については、第１の実施形態と同様である。
【００５１】
図４に示す例のように、第１絶縁材料４Ａと、第２絶縁材料４Ｂとは、互いに接していることが好ましい。このような絶縁材料４は、前述したものと同様のウエットブラストにより形成することができる。例えば、上述した、図３に示す例の絶縁材料４へのウエットブラストと同じ条件のブラスト走査であれば、５回程度行えば良い。このように、図４に示す構成であれば、絶縁材料を除去する量は少ないので、ブラストの回数を減らすことができ、経済的に好ましい。または、走査の回数を図３に示す例のブラストと同様にするの
であれば、空気の圧力を小さくするか、走査速度を速めれば良い。
【００５２】
（第３の実施形態）
図５を参照して本発明の第３の実施形態における回路基板１について説明する。この第３の実施形態における、第１の実施形態との違いは、第１金属板３Ａおよび第２金属板３Ｂの形状である。その他の部分については、第１の実施形態と同様である。
【００５３】
図５に示す例において、第１金属板３Ａおよび第２金属板３Ｂは、その側面と上面との間の角部が面取りされている。本構成によれば、金属板３同士の間隔を小さくして配置したとしても、第１絶縁材料４Ａ、第２絶縁材料４Ｂを設けているので沿面放電を抑制できるとともに、金属板３同士の間隔を小さくすることによって起こりやすくなる金属板３の角部同士の放電も抑制することができる。
【００５４】
なお、図５に示す実施形態の回路基板１を作製する際にも、上記と同様にブラストを用いる。ここで、図２に示す実施形態においては、金属板３同士の間の領域のみにブラストを行うことによって絶縁材料４のみを加工したが、本実施形態を作製する際には、金属板３の側面と上面との間の角部にもブラストによる噴射が当たるようにすれば良い。これによって、絶縁材料４の一部の除去と同時に金属板の角部の面取りを行うことができる。
【００５５】
なお、金属板３の上面においてブラストの噴射を当てることを望まない領域には、予めマスクを設けておけばよい。
【００５６】
また、図５に示す例においては、第１絶縁材料４Ａと、第２絶縁材料４Ｂとは、互いに離間しているが、第１絶縁材料４Ａと、第２絶縁材料４Ｂとは、互いに接していても良い。
【００５７】
また、図５に示す例においては、角部はＣ面となるよう面取りされているが、Ｒ面となるよう面取りされていても良い。
【００５８】
また、図５に示す例においては、金属板３における側面とＣ面との間の角部が、絶縁材料４の端部の位置と一致しており、Ｃ面と絶縁材料４の斜面とが面一になっている。これに限られず、金属板３における側面とＣ面との間の角部が、絶縁材料４の端部より上方に位置していても良い。このような構成によりＣ面の面積は、図５に示す例より小さくても良い。
【００５９】
金属板３における側面とＣ面との間の角部が、絶縁材料４の端部より上方に位置しており、Ｃ面の面積を図５に示す例より小さくするためには、ブラストの時間を図５の場合より短くすれば良い。
【００６０】
（第４の実施形態）
図６を参照して本発明の第４の実施形態における回路基板１について説明する。この第４の実施形態における、第３の実施形態との違いは、絶縁材料４の形状である。その他の部分については、第３の実施形態と同様である。
【００６１】
図６に示す例において、絶縁材料４は、その一部が、金属板３における側面とＣ面との間の角部を覆っている。これにより、金属板３の当該角部同士の間で空中放電が起きることを抑制することができる。
【００６２】
（第５の実施形態）
図７、８を参照して本発明の第５の実施形態における回路基板１について説明する。こ
の第５の実施形態における、第３の実施形態との違いは、金属板３および絶縁材料４の形状である。その他の部分については、第３の実施形態と同様である。
【００６３】
図７、８に示す例において、第１金属板３Ａおよび第２金属板３Ｂは、その側面の下方部に切り欠き部７を有しており、第１絶縁材料４Ａおよび第２絶縁材料４Ｂは、切り欠き部７に入り込んでいる。これにより、絶縁材料４が切り欠き部７に挟まって取れにくくなるので、回路基板１の使用時に安定して沿面放電を抑制することができる。
【００６４】
なお、図７、８に示す実施形態の回路基板１を作製する際には、絶縁材料４となるセラミックペーストの一部を覆うように、銅ペーストを印刷すれば良い。
【００６５】
また、図７、８に示す例においては、第１絶縁材料４Ａと、第２絶縁材料４Ｂとは、互いに離間しているが、第１絶縁材料４Ａと、第２絶縁材料４Ｂとは、互いに接していても良い。
【００６６】
また、図７、８に示す例においては、図５に示す例と同様、金属板３の側面と上面との間の角部が面取りされているが、図１に示す例と同様に面取りされてなくてもよい。
【００６７】
また、図７、８に示す例においては、角部はＣ面取りされているが、Ｒ面取りされていても良い。
【００６８】
また、図７、８に示す例においては、金属板３における側面とＣ面との間の角部が、絶縁材料４の端部の位置と一致しており、Ｃ面と絶縁材料４の斜面とが面一になっている。これに限られず、金属板３における側面とＣ面との間の角部が、絶縁材料４の端部より上方に位置していても良い。このような構成によりＣ面の面積は、図８に示す例より小さくても良い。
【００６９】
また、図７に示す例においては、側面方向に延びる切り欠き部７が各金属板３に一つずつ設けられているが、図９に示す例のように、側面方向に並ぶ複数の切り欠き部７が各金属板３に設けられていても良い。
【００７０】
なお、本発明の金属板等は上記実施の形態の例に限定されるものではなく、本発明の要旨の範囲内であれば種々の変更は可能である。
【００７１】
例えば、前述した実施形態において、面取りされている部分は、互いに向き合っている金属板３同士の側面と、金属板３の上面との間の角部の少なくとも一部であるが、他の側面における角部が面取りされていても良い。
【符号の説明】
【００７２】
１・・・回路基板
２・・・絶縁基板
３・・・金属板
３Ａ・・第１金属板
３Ｂ・・第２金属板
４・・・絶縁材料
４Ａ・・第１絶縁材料
４Ｂ・・第２絶縁材料
５・・・電子部品
６・・・接合材
７・・・切り欠き部
１０・・電子装置
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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