(57)【要約】      （修正有）【課題】貼合基板を、気泡の影響を抑えて、真空中でプロセス処理することを可能とする。【解決手段】フィルムＳｂを基板Ｓａに貼り合わせた貼合基板Ｓに対して、真空中でプロセス処理を行う真空処理装置１００であって、貼合基板Ｓを吸着する静電チャック４２と、貼合基板Ｓにおける静電チャック４２に吸着された面に、気泡の膨張を抑える圧力が加わるようにガスを供給するガス供給装置７と、ガスの圧力に抗して静電チャック４２による貼合基板Ｓの吸着を維持する電圧を、静電チャック４２に印加する給電装置６と、を有する。【選択図】図３
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
フィルムと基板又は基板同士を貼り合わせた貼合基板に対して、真空中でプロセス処理を行う真空処理装置において、
貼合基板を吸着する静電チャックと、
貼合基板における前記静電チャックに吸着された面に、気泡の膨張を抑える圧力が加わるようにガスを供給するガス供給装置と、
ガスの圧力に抗して貼合基板の吸着を維持する電圧を、前記静電チャックに印加する給電装置と、
を有することを特徴とする真空処理装置。
【請求項２】
前記静電チャックにおける貼合基板を吸着する側の面は、
貼合基板にガスが接触することにより圧力を加える加圧部と、
貼合基板に接触することにより吸着する吸着部と、
を有することを特徴とする請求項１記載の真空処理装置。
【請求項３】
前記プロセス処理中に、前記ガスを介して、貼合基板の温度を制御する温度制御装置を有することを特徴とする請求項１又は請求項２記載の真空処理装置。
【請求項４】
貼合基板における気泡の発生を監視する監視手段を有することを特徴とする請求項１〜３のいずれか１項に記載の真空処理装置。
【請求項５】
前記監視手段は、貼合基板を撮像する撮像手段を有することを特徴とする請求項４記載の真空処理装置。
【請求項６】
前記監視手段は、貼合基板に対するガスの圧力を検出する圧力検出手段を有することを特徴とする請求項４又は請求項５記載の真空処理装置。
【請求項７】
前記監視手段は、前記静電チャックに流れる電流を検出する電流検出手段を有することを特徴とする請求項４〜６のいずれか１項に記載の真空処理装置。
【請求項８】
前記監視手段による監視結果を、表示画面に表示する表示装置を有することを特徴とする請求項４〜７のいずれか１項に記載の真空処理装置。
【請求項９】
前記加圧部は、ガスの圧力が異なる複数の領域に区分されていることを特徴とする請求項２記載の真空処理装置。
【請求項１０】
貼合基板は、薄化された基板を含むことを特徴とする請求項１〜９のいずれか１項に記載の真空処理装置。
【請求項１１】
フィルムと基板又は基板同士を貼り合わせた貼合基板に対して、真空中でプロセス処理を行う真空処理方法において、
静電チャックにより吸着された貼合基板を吸着する側の面に、気泡の膨張を抑える圧力が加わるようにガスを供給するとともに、ガスの圧力が貼合基板に加わっても、静電チャックによる貼合基板の吸着を維持する電圧を、静電チャックに印加することを特徴とする真空処理方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、例えば、薄化された基板に樹脂等のフィルム又は基板同士が貼り合わされた状態の貼合基板を、真空中でプロセス処理するための真空処理装置及び真空処理方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、半導体の製造において、ウェーハである基板自体を薄化して、デバイス特性を高めるような試みがなされている。例えば、半導体製造技術において、基板の標準化された厚みは７２５μｍである。しかし、三次元実装技術の進歩により、Ｓｉ（シリコン）パワーＭＯＳＦＥＴにおいては、厚さ２００μｍ以下、さらには５０μｍ以下といった極薄の基板も用いられている。
【０００３】
このような基板の薄化は、基板自体の強度が弱くなり、搬送時の反りや破損の可能性が高くなる。そこで、基板の薄化に伴い、基板に樹脂等の素材で作られたフィルムを貼り合わせることが行われている。基板に貼り合わされるフィルムは、次のような役割を果たす。
【０００４】
(1) 薄化された基板自体の強度を上げる
(2) 薄化された基板搬送を容易にする
(3) 通常の厚みの状態で基板の表面にデバイスを形成後、その表面側にフィルムを貼り付け、裏面側から基板を薄化していく工程において、フィルムが基板の「支持体」となる
(4) 基板の薄化後に加工を行う際に、既にデバイスが形成されている基板の表面側にフィルムを貼り付けることにより、デバイスを保護する
【０００５】
基板に対するフィルムの貼り付けは、張力を与えたフィルムシートの接着剤側の面を、基板に押し付ける、ローラーでならして貼り合わせる等、種々の方法によることが可能である。但し、この貼り合わせの際に、基板とフィルムとの間に気体が入らないことが望ましいため、一般的には、気体を極力排除した減圧空間での貼り合わせが行われている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開２００９−２９５８５９号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
しかし、減圧空間で貼り合わせたとしても、基板とフィルムとの間の気体を完全に排除することは難しい。貼り合わせ後の基板（以下、貼合基板とする）には、大気中であれば大気圧が加わるので、気泡が膨張しない安定した状態となっている。
【０００８】
ところが、エッチング処理、アッシング処理のように、貼合基板を真空中でプロセス処理する場合、薄化された基板とフィルム間に存在する気体が膨らんで気泡となる。このような気泡が生じると、貼合基板の位置、角度、板面平坦度等に変化が生じる。このため、貼合基板の保持、温度制御、面内均一性等のプロセス性能に問題が生じる可能性がある。
【０００９】
貼合基板における気泡の発生は、貼合基板に対するプロセス処理を、貼り合わせ空間における圧力よりも、低い圧力の空間で行おうとすることが原因の一つとして考えられる。よって、貼り合わせ時における空間の圧力を、プロセス処理時の空間の圧力よりも低くすることで、気泡の発生を回避できる可能性がある。
【００１０】
しかし、所望のプロセス性能を得るために、貼り合わせ時よりも高真空状態でプロセス処理を行う必要がある場合がある。また、逆に、貼り合わせ工程上の制約で、プロセス処理を行う圧力よりも低い圧力で、貼り合わせができない場合もある。さらに、貼り合わせとプロセス処理が別の場所で行われる場合、貼り合わせ時の圧力が不明の場合もある。このため、単純にプロセス処理時の圧力を、貼り合わせ時の圧力よりも高くすることができない。
【００１１】
また、気泡の発生原因としては、貼り合わせ時の圧力とプロセス処理時の圧力差以外にも、以下のようなものが考えられる。
【００１２】
(1) 通常の厚さの基板とフィルムを貼り合わせた後に薄化することで、貼り合わせ時よりも基板自体の強度が落ちて膨らみ易くなる
(2) 貼り合わせ用の接着剤からのデガスによって膨らむ
(3) 大気中に保管されている間に、樹脂であるフィルムが内部に大気や水分を取り込んでしまい、それらが真空中で膨らむ
【００１３】
このような原因によって発生した気泡については、貼り合わせ時やプロセス処理時の圧力を調節することによって対処することはできない。
【００１４】
本発明は、上記のような従来技術の問題点を解決するために提案されたものであり、その目的は、貼合基板を、気泡の影響を抑えて、真空中でプロセス処理することが可能な真空処理装置及び真空処理方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１５】
上記の目的を達成するため、本発明は、フィルムと基板又は基板同士を貼り合わせた貼合基板に対して、真空中でプロセス処理を行う真空処理装置において、貼合基板を吸着する静電チャックと、貼合基板における前記静電チャックに吸着された面に、気泡の膨張を抑える圧力が加わるようにガスを供給するガス供給装置と、ガスの圧力に抗して貼合基板の吸着を維持する電圧を、前記静電チャックに印加する給電装置と、を有することを特徴とする。
【００１６】
前記静電チャックにおける貼合基板を吸着する側の面は、貼合基板にガスが接触することにより圧力を加える加圧部と、貼合基板に接触することにより吸着する吸着部と、を有してもよい。
【００１７】
前記プロセス処理中に、前記ガスを介して、貼合基板の温度を制御する温度制御装置を有してもよい。
【００１８】
貼合基板における気泡の発生を監視する監視手段を有してもよい。前記監視手段は、貼合基板を撮像する撮像手段を有してもよいし、貼合基板に対するガスの圧力を検出する圧力検出手段を有してもよいし、前記静電チャックに流れる電流を検出する電流検出手段を有してもよい。
【００１９】
前記監視手段による監視結果を、表示画面に表示する表示装置を有してもよい。
【００２０】
前記加圧部は、ガスの圧力が異なる複数の領域に区分されていてもよい。
【００２１】
貼合基板は、薄化された基板を含んでいてもよい。
【００２２】
なお、上記の各態様は、真空処理方法の発明としても捉えることができる。
【発明の効果】
【００２３】
以上のような本発明によれば、貼合基板を、気泡の影響を抑えて、真空中でプロセス処理することが可能な真空処理装置及び真空処理方法を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００２４】
【図１】大気中における貼合基板を示す断面図である。
【図２】真空中における貼合基板を示す断面図である。
【図３】実施形態における真空処理装置の全体構成を示す簡略断面図である。
【図４】実施形態におけるプロセス処理中の貼合基板を示す断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００２５】
本発明の実施の形態（以下、実施形態と呼ぶ）について、図面を参照して具体的に説明する。
【００２６】
［貼合基板］
まず、本実施形態の処理対象となる貼合基板Ｓを説明する。貼合基板Ｓは、図１に示すように、薄化された基板Ｓａの一方の表面に、接着剤（図示省略）を介してフィルムＳｂを貼り合わせたものである。本実施形態の処理対象として有効な貼合基板Ｓの一例としては、フィルムＳｂとして有機フィルムを用いる。また、薄化された基板Ｓａとしては、標準の厚み７２５μｍより薄いものを用いる。特に、強度の問題から有機フィルムの貼り合わせが必要になるのは、一般的に厚さが２００μｍ以下のものである。
【００２７】
このような基板ＳａとフィルムＳｂとの間には、貼り合わせ時に混入した気体、接着剤から発生した気体、外部から取り込まれた気体等が存在する場合がある。但し、このような気体が存在しても、大気中であれば、図１のＶａに示すように、大気圧によって潰されていて、気泡として膨張しない。
【００２８】
一方、真空中では、貼合基板Ｓの表面にかかる圧力は大気圧より小さくなる。このため、図２に示すように、基板ＳａとフィルムＳｂとの間の気体の圧力によって、その気体が存在する空間が膨らみ、気泡Ｖｂが生じる。
【００２９】
［真空処理装置］
次に、本実施形態の真空処理装置として、リモートプラズマ方式のＣＤＥ（ケミカルドライエッチング）装置を、図３及び図４を参照して説明する。この真空処理装置１００は、処理容器１、プラズマ発生部２、導入部３、載置部４、温度制御装置５、給電装置６、ガス供給装置７、制御装置８、表示装置９を有する。
【００３０】
処理容器１は、その内部の空間に処理室（エッチング室）１ａを有する容器である。この処理容器１には、図示はしないが、真空ポンプ等の減圧手段が接続されており、この減圧手段によって処理室内を真空にすることができる。なお、真空とは、一般的な減圧手段により実現可能な減圧状態をいい、その圧力は、低真空から超高真空までの幅を有する。実際には、プロセス処理に応じて適宜最適な真空が選択される。
【００３１】
プラズマ発生部２は、プラズマを発生させる構成部である。このプラズマ発生部２は、放電管２１と、これに接続されたプロセスガス供給手段、マイクロ波発生手段（図示省略）を有する。放電管２１は、プロセスガスＧが導入された内部に、マイクロ波Ｍが放射されることにより、マイクロ波ＭのエネルギーによってプラズマＰを発生させる管である。プロセスガス供給手段は、プロセスガスＧを放電管２１に供給する手段である。マイクロ波発生手段は、放電管２１の内部に、マイクロ波Ｍを放射する手段である。
【００３２】
導入部３は、プラズマＰにより活性化されたプロセスガスＧを、処理容器１内の処理室１ａに導入する構成部である。この導入部３は、導入管３１と分散板３２を有する。導入管３１は、放電管２１と処理容器１内とを接続する管である。分散板３２は、処理容器１内の上部に設けられ、プロセスガスＧが処理室１ａ内に均一に導入されるように、多数の通気孔３２ａが形成された板である。
【００３３】
載置部４は、処理対象である貼合基板Ｓを載置する構成部である。この載置部４は、載置台４１、静電チャック４２を有する。載置台４１は、処理室１ａの底部に設けられ、その上面は、静電チャック４２を搭載した水平な平坦面となっている。
【００３４】
載置台４１の内部における上面近傍には、複数の環状の空隙が連通された温調室４１ａが形成されている。この温調室４１ａは、載置台４１の内部に形成された複数の媒体流路４１ｂを介して、後述する温度制御装置５に接続されている。これにより、温調室４１ａには、温度制御装置５からの温度調整用の媒体が、媒体流路４１ｂを介して循環供給される。また、載置台４１には、ガスが循環流通する複数のガス流路４１ｃが形成されている。本実施形態では、このガスは、貼合基板Ｓの背面側に供給されることから、バックガスと呼ぶ。
【００３５】
静電チャック４２は、載置台４１の上面に搭載され、通電されることにより、貼合基板Ｓを静電吸着力で吸着する装置である。この静電チャック４２は、静電チャックベース４２１、載置板４２２を有する。静電チャックベース４２１は、誘電体により形成された平板状の部材であり、載置台４１の上面に配設されている。この静電チャックベース４２１の内部には、電極４２１ａが埋め込まれている。また、静電チャックベース４２１には、載置台４１のガス流路４１ｃに連通した複数の通気孔４２１ｂが形成されている。
【００３６】
載置板４２２は、誘電体により形成された平板状の部材であり、静電チャックベース４２１の上面に取り付けられている。この載置板４２２の上面には、貼合基板Ｓにバックガスが接触することにより気泡の膨張を抑える圧力を加える加圧部と、貼合基板Ｓに接触することにより吸着する吸着部とが設けられている。本実施形態においては、図４に示すように、加圧部は溝４２２ａによって構成され、吸着部は凸部４２２ｂによって構成されている。
【００３７】
載置板４２２の上面には、断面が矩形で、複数の同心円状の溝４２２ａが等間隔で形成されている。これらの溝４２２ａによって、載置板４２２の上面には、複数の同心円状の凸部４２２ｂが構成される。凸部４２２ｂの上面は、貼合基板Ｓに接する平坦面となっている。一部の溝４２２ａの底面には、静電チャックベース４２１の通気孔４２１ｂに連通した通気孔４２２ｃが形成されている。なお、図示はしないが、凸部４２２ｂには、隣接する溝４２２ａの間でバックガスが流通して、全ての溝４２２ａにバックガスが行き渡るように、段差、破断、切欠又は孔等の通気路が形成されている。
【００３８】
図３に戻り、温度制御装置５は、配管を介して媒体流路４１ｂに接続され、温調室４１ａに所定の温度の媒体を循環供給する装置である。温度制御装置５は、媒体を冷却又は加熱し、この媒体の温度によって、載置台４１の上面を冷却又は加熱する。温度制御装置５としては、例えば、冷却をするチラー機構や加熱をするヒータの一方若しくは双方を含む装置とすることができる。媒体としては、例えば、水とすることができるが、これには限定されない。
【００３９】
給電装置６は、静電チャックベース４２１の電極４２１ａに、配線により電気的に接続され、給電により静電チャックベース４２１に吸着力を発生させる装置である。つまり、電極４２１ａに、給電装置６により電圧が印加されると、静電チャックベース４２１及び載置板４２２に、クーロン力又はジョンソン・ラーベック力によって貼合基板Ｓに対する吸着力を発生させる。
【００４０】
ガス供給装置７は、配管を介して載置台４１のガス流路４１ｃに接続され、載置板４２２の溝４２２ａにバックガスを循環供給する装置である。なお、ガス供給装置７に接続された配管には、図示はしないが、圧力センサが設けられている。
【００４１】
このバックガスは、例えば、ヘリウム等の不活性ガスである。ガス供給装置７は、バックガス自体の温度を調節することはない。ただし、載置台４１内を通過して、載置板４２２の溝４２２ａを流通することにより、温度制御装置５により調節された載置台４１の温度を、貼合基板Ｓに伝達する。
【００４２】
このバックガスの流通は、静電チャック４２側の温度を、貼合基板Ｓに伝える機能を有している。例えば、ウェーハは、プラズマに晒されるので、容易に１００℃以上に上昇してしまうが、静電チャック４２に吸着させて、バックガスを流通させることにより、２５℃程度に温調することができる。
【００４３】
制御装置８は、減圧手段、ガス供給手段、マイクロ波発生手段、温度制御装置５、給電装置６、ガス供給装置７を制御する装置である。この制御装置８は、ＣＰＵを含むコンピュータにより構成され、所定のプログラムにより、後述の作用で示すように各手段、各装置を動作させる。なお、この制御装置８は、各手段、各装置に個別に組み込まれた制御部であってもよい。
【００４４】
特に、本実施形態においては、ガス供給装置７が載置板４２２の溝４２２ａに流通させるバックガスの量及び速度を、制御装置８が制御することにより、貼合基板Ｓが吸着される側の面に加わる圧力を、気泡の膨張を抑える圧力にする。つまり、少なくとも既に存在する気泡のさらなる膨張、未だ発生していない気泡の膨張を防ぐ圧力とする。この場合、通常の温調用のバックガスよりも、圧力は高くなる。既に発生していた気泡は、少なくとも一倍以上にならなければよく、より好ましくは、発生した気泡を潰す圧力とすることが望ましい。
【００４５】
このとき、貼合基板Ｓにバックガスが加える圧力によって、貼合基板Ｓが載置板４２２から剥がれてしまうことがないように、制御装置８は、給電装置６による印加電圧を上げて、吸着力を高める。つまり、貼合基板Ｓが吸着された面のバックガスの圧力は、吸着力を上回らない。
【００４６】
例えば、制御装置８に設定するバックガスの圧力を、通常の温調時の圧力の２倍にすることを想定する。通常の圧力が１０００Ｐａの場合、設定圧力は２０００Ｐａとする。これに合わせて、制御装置８に設定する給電装置６の印加電圧を、通常の印加電圧の２倍にする。通常の印加電圧が１ｋＶの場合、印加電圧を２ｋＶとする。印加電圧が２倍になると、吸着力はその２乗分増大するので、４倍になる。
【００４７】
表示装置９は、制御装置８に接続され、真空処理装置１００の制御に関する各種の情報を表示する装置である。例えば、表示装置９は、減圧手段、ガス供給手段、マイクロ波発生手段、温度制御装置５、給電装置６、ガス供給装置７の各種のパラメータを表示できる。
【００４８】
特に、圧力センサにより検出される貼合基板Ｓが吸着される側の面に加わる圧力を、表示装置９の表示画面に表示し、作業員がその変化を監視することにより、貼合基板Ｓの載置板４２２からの剥がれを検出できる。つまり、貼合基板Ｓが載置板４２２から剥がれると、圧力センサの値が急激に低下するので、これを検出できる。
【００４９】
［作用］
以上のような本実施形態の動作を、以下に説明する。まず、減圧手段により真空となっている処理室１ａ内に、ロードロック室等を介して、搬送手段により貼合基板Ｓを搬入し、載置板４２２の上に、フィルムＳｂを下にしてセットする。薄化された基板Ｓａには、給電装置６から電極４２１ａへの印加電圧により吸着力が働くので、載置板４２２に貼合基板Ｓが吸着される。
【００５０】
この状態で、プラズマ発生部２によりプロセスガスＧにプラズマを発生させて、生成されたイオンやラジカルなどのプラズマ生成物を含むプロセスガスＧを処理室１ａに導入することにより、イオンやラジカルによるエッチング処理が行われる。
【００５１】
このようなプロセス処理中には、温度制御装置５による温度調節が行われる。例えば、温度制御装置５により冷却された媒体が、温調室４１ａを循環することにより、載置台４１が冷却される。冷却された載置台４１の温度は、載置板４２２の溝４２２ａを流通するバックガスによって、貼合基板ＳのフィルムＳｂ側に伝達される。
【００５２】
真空中では、載置台４１により静電チャック４２自体が温調されていたとしても、貼合基板Ｓが載置板４２２に吸着されて接触しても、ほとんど温度が伝わらない。このため、バックガスを流通させることによって、温度を下げることを可能としている。このバックガスの循環は、プロセス処理中は絶えず行われている。
【００５３】
ガス供給装置７により制御されるバックガスの圧力は、上記のように、気泡の膨張を抑える圧力であり、通常の温調用のバックガスよりも高い圧力となっている。この圧力は、静電チャック４２の吸着力に抗して、剥がそうとする力として働く。このため、給電装置６は、静電チャック４２の吸着力が、バックガスの圧力に押し負けない位の力で働くように電圧を印加している。
【００５４】
これにより、貼合基板Ｓを、気泡が膨らもうとする力よりも大きな力で挟み込むことができる。つまり、静電チャック４２の吸着力によって貼合基板Ｓが静電チャック４２側に押さえつけられる力と、バックガスの圧力によって静電チャック４２側から押し上げる力を使って、真空中で膨らもうとする気泡を押し潰す。載置板４２２における加圧部である溝４２２ａにおいては、バックガスによって直接的に気泡の膨張を抑えられる。吸着部である凸部４２２ｂにおいては、貼合基板Ｓとの接触面において気泡の膨張を抑えられる。
【００５５】
なお、貼合基板Ｓの両面から挟み込む力が働くので、フィルムＳｂ側に膨らもうとする気泡も、基板Ｓａ側に膨らもうとする気泡も抑制することができる。また、貼合基板Ｓが吸着される側の面と、載置板４２２の溝４２２ａとによって形成される空間におけるバックガスの圧力を高くすることにより、熱の伝達効率も向上させることができる。
【００５６】
［効果］
以上のような本実施形態によれば、静電チャック４２による吸着固定のための力とバックガスの圧力を用いて、真空中で貼合基板Ｓの気泡が膨らもうとすることを防ぐことができる。
【００５７】
従って、たとえプロセス処理の前の搬送中等に気泡が発生していたとしても、バックガスの圧力制御により、気泡を潰すことができる。また、貼合基板Ｓの吸着を維持しつつ、気泡の膨張を抑えるので、貼合基板Ｓの位置、角度、板面平坦度が維持され、安定したプロセス処理を行うことができる。
【００５８】
また、貼り合わせ時の圧力、プロセス処理中の圧力、気泡の発生原因にかかわらず、気泡の膨張を抑えることができる。特に、プロセス処理中の処理室１ａ内の圧力の自由度が高いので、幅広い圧力帯での処理が可能となり、プロセス処理の制御範囲が広がる。さらに、様々な種類のプロセス処理にも対応できる。
【００５９】
静電チャック４２は、バックガスの圧力とともに、加圧部である溝４２２ａにおいても、吸着部である凸部４２２ｂにおいても、気泡の膨張を抑えるように機能するので、貼合基板Ｓの全面に亘って、均一に気泡の膨張を防止できる。
【００６０】
特に、バックガスによる温度制御と同時並行に、新たにバックガスの圧力による気泡抑制を実現している。従って、プロセス処理中に気泡が膨らんでしまうことにより、温度が制御できない状態となることを防止できる。このため、貼合基板Ｓの保持、温度制御、処理特性の面内均一性等に悪影響を及ぼすことを防ぎ、良好な状態を維持してプロセス処理を行なうことが可能となる。圧力付与のためのバックガスと、温度制御用のバックガスとを兼用させることができるので、構成の簡素化を実現できる。
【００６１】
［他の実施形態］
上記の実施形態では、真空処理装置として、リモートプラズマ装置を用いて説明した。しかし、これは一例に過ぎず、静電チャックによる基板固定とバックガスによる貼合基板の温度制御を行う全ての真空処理装置に適用可能である。例えば、エッチング処理、アッシング処理、ＣＶＤ等の成膜処理、インプラ（イオン注入）処理等の現在又は将来において実現可能な様々なプロセス処理を行う装置に適用できる。
【００６２】
また、貼合基板Ｓの気泡の発生を監視する監視手段を設けてもよい。プロセス処理を、通常のバックガスの圧力で行っている際に、監視手段によって気泡が発生したことが監視された場合にのみ、上記のように、バックガスの圧力及び印加電圧を高めて、気泡の膨張を抑制することができる。これにより、一律にバックガスの圧力を高める場合に比べて、ヘリウム等の高価なガスの使用量を節約して、コスト削減が可能となる。
【００６３】
さらに、制御装置８は、監視手段による監視結果を、表示装置９の表示画面に表示して、気泡の発生が監視された場合には、これを報知する画面表示をさせてもよい。
【００６４】
このような監視手段としては、例えば、撮像手段、圧力検出手段、電流検出手段とすることが可能である。撮像手段としては、例えば、ＣＣＤカメラやＩＲ（赤外線）カメラを用いることができる。撮像手段は、例えば、処理容器１に設けられた窓部を介して、貼合基板Ｓの上面を撮像可能な位置に設置する。撮像手段を制御装置８に接続することで、撮像画像を表示装置９に表示させることができ、貼合基板Ｓの画像を作業員が視認できる。
【００６５】
例えば、気泡が発生した部分は、貼合基板Ｓの画像において、正常な接着面と異なる色となる。このため、そのような部分を視認した作業員は、制御装置８を操作することにより、ガス供給装置７、給電装置６を制御して、上記のようにガスの圧力及び電圧を高めることにより、気泡の膨張を抑制できる。さらに、気泡の発生領域を示す色の面積が所定のしきい値以上となった場合に、表示装置９が、これを報知する画面表示を行ってもよく、制御装置８が、ガスの圧力及び電圧を高めて気泡の膨張を抑制する制御を、自動的に実行するように設定してもよい。
【００６６】
圧力検出手段としては、例えば、上記の圧力センサを用いることが可能である。制御装置８は、圧力検出手段の検出値を表示装置９に表示させることができる。これにより、作業員は、気泡の発生による圧力値の低下を視認できる。気泡の発生による圧力値の低下のしきい値を設定しておき、圧力値がしきい値以下となった場合に、表示装置９が、これを報知する画面表示を行ってもよく、制御装置８が、ガスの圧力及び電圧を高めて気泡の膨張を抑制する制御を、自動的に実行するように設定してもよい。
【００６７】
電流検出手段は、例えば、給電装置６若しくは制御装置８に設けることができる。制御装置８は、電流検出手段の検出値を表示装置９に表示させて、気泡の発生による貼合基板Ｓの吸着状態の変化により生じた漏れ電流を、作業員が視認できる。漏れ電流が検出された場合に、表示装置９が、気泡の発生を報知する表示をすることもできるし、制御装置８が、ガスの圧力及び電圧を高めて気泡の膨張を抑制する制御を、自動的に実行するように設定してもよい。
【００６８】
静電チャック４２の形状は、上記の実施形態で例示したものには限定されない。載置板と静電チャックベースとは、一体であってもよい。また、ガス流通部と接触部の配置、形状も、上記の実施形態で例示したものには限定されない。同心円状、放射状、渦巻き状、アレイ状、これらの組み合わせとすることも可能である。
【００６９】
さらに、静電チャック４２におけるバックガスが流通する領域を、複数に区分することによって、静電チャック４２の吸着側の面の圧力分布を変えることもできる。これにより、例えば、気泡の発生しやすい個所について、バックガスの圧力及び吸着力を大きくすることにより、気泡を低減させることができる。例えば、外周と内周とで区切り、外周の方が気泡が多い場合に、外周のみの圧力を上げることが可能である。
【００７０】
また、本発明の処理対象となる基板や貼り合わされるフィルムは、その大きさ、形状、材質等は自由である。例えば、半導体用のウェーハのみならず、記録媒体用のディスク、ディスプレイ用の基板等、真空中でのプロセス処理を行うあらゆる基板に適用することができる。つまり、基板は、円盤状等には限定されず、平面状の製品を広く含む概念である。
【００７１】
また、基板は、全面が薄化された状態のもの、若しくは基板の一部が薄化されたような状態のものも含む。さらに、基板は、必ずしも薄化されたものでなくてもよい。フィルムの貼り合わせ方法、使用する接着剤も、それぞれの用途に適したものを選択すればよい。
【００７２】
基板同士を貼り合わせたものも、貼合基板として本発明の処理対象とすることができる。貼り合わされた基板やフィルムの枚数も、２枚より多くてもよい。
【符号の説明】
【００７３】
１  処理容器
１ａ  処理室
２  プラズマ発生部
３  導入部
４  載置部
５  温度制御装置
６  給電装置
７  ガス供給装置
８  制御装置
９  表示装置
２１  放電管
３１  導入管
３２  分散板
３２ａ  通気孔
４１  載置台
４１ａ  温調室
４１ｂ  媒体流路
４１ｃ  ガス流路
４２    静電チャック
４２１  静電チャックベース
４２１ａ  電極
４２１ｂ  通気孔
４２２  載置板
４２２ａ  溝
４２２ｂ  凸部
４２２ｃ  通気孔
【図１】
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【図２】
2015070069.tif 000004
【図３】
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【図４】
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