(57)【要約】【課題】表示品質の低下が抑えられた電気光学装置の駆動方法、電気光学装置、及び電子機器を提供する。【解決手段】素子基板と、対向基板と、素子基板と対向基板との間に配置された液晶層と、を備え、素子基板１０の第１走査線に電気的に接続された複数の第１画素電極に交流信号Ｖ１を印加し、第１走査線の隣りに配置される第２走査線に電気的に接続された複数の第２画素電極に交流信号Ｖ２を印加し、交流信号Ｖ２は、交流信号Ｖ１に対して位相が所定の量遅れている。【選択図】図８
2015111247.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１基板と、
前記第１基板と対向配置された第２基板と、
前記第１基板と前記第２基板との間に配置された電気光学層と、
を備えた電気光学装置の駆動方法であって、
前記第１基板を覆うように配置される第１配線に電気的に接続された第１画素電極に第１信号を印加し、
前記第１配線の隣りに配置される第２配線に電気的に接続された第２画素電極に第２信号を印加し、
前記第２信号は、前記第１信号に対して位相が所定の量遅れていることを特徴とする電気光学装置の駆動方法。
【請求項２】
請求項１に記載の電気光学装置の駆動方法であって、
前記第２配線を挟むように前記第１配線に対して対向配置される第３配線に電気的に接続された第３画素電極に第３信号を印加し、
前記第３信号は、前記第２信号に対して位相が前記所定の量遅れていることを特徴とする電気光学装置の駆動方法。
【請求項３】
請求項１または請求項２に記載の電気光学装置の駆動方法であって、
前記第１信号の周波数は、１０ｍＨｚ〜５０ｍＨｚであることを特徴とする電気光学装置の駆動方法。
【請求項４】
請求項１乃至請求項３のいずれか一項に記載の電気光学装置の駆動方法であって、
前記第１信号の電圧の時間平均と基準電位差が略０Ｖであることを特徴とする電気光学装置の駆動方法。
【請求項５】
請求項１乃至請求項４のいずれか一項に記載の電気光学装置の駆動方法であって、
前記電気光学層の温度に応じて前記第１信号の周波数を変えることを特徴とする電気光学装置の駆動方法。
【請求項６】
請求項１乃至請求項５のいずれか一項に記載の電気光学装置の駆動方法であって、
前記第１配線、及び前記第２配線は、走査線であることを特徴とする電気光学装置の駆動方法。
【請求項７】
請求項６に記載の電気光学装置の駆動方法であって、
前記走査線は、有効画素領域の長辺に沿って配置されており、
前記有効画素領域の中央から外側に向かって、前記第１配線、前記第２配線の順に配置されることを特徴とする電気光学装置の駆動方法。
【請求項８】
請求項１乃至請求項７のいずれか一項に記載の電気光学装置の駆動方法であって、
前記第１信号の波形は、矩形波、正弦波、三角波のいずれかであることを特徴とする電気光学装置の駆動方法。
【請求項９】
第１基板と、
前記第１基板と対向配置された第２基板と、
前記第１基板と前記第２基板との間に配置された電気光学層と、
前記第１基板を覆うように配置された第１配線と、
前記第１配線の隣りに配置された第２配線と、
前記第１配線と第１スイッチング素子を介して電気的に接続された第１画素電極と、
前記第２配線と第２スイッチング素子を介して電気的に接続された第２画素電極と、
前記第１スイッチング素子及び前記第２スイッチング素子に電気的に接続された選択配線と、を備え、
前記選択配線に電圧を印加して前記第１スイッチング素子及び前記第２スイッチング素子を選択したとき、前記第１配線は第１信号が印加され、かつ、前記第２配線は前記第１信号とは異なる位相の第２信号が印加されることを特徴とする電気光学装置の駆動方法。
【請求項１０】
請求項９に記載の電気光学装置の駆動方法であって、
前記第２配線を挟むように前記第１配線に対して対向配置される第３配線と、
前記第３配線と第３スイッチング素子を介して電気的に接続された第３画素電極と、を備え、
前記選択配線に電圧を印加して前記第１スイッチング素子、前記第２スイッチング素子及び前記第３スイッチング素子を選択したとき、前記第３配線は前記第１信号及び前記第２信号とは異なる位相の第３信号が印加されることを特徴とする電気光学装置の駆動方法。
【請求項１１】
第１基板と、前記第１基板と対向配置された第２基板と、
前記第１基板と前記第２基板との間に配置された電気光学層と、
を備え、
前記第１基板を覆うように配置される第１画素電極と、
前記第１画素電極と電気的に接続され第１信号が印加される第１配線と、
第２画素電極と、
前記第１配線の隣りに配置され、前記第２画素電極と電気的に接続され、第２信号が印加される第２配線と、
を備え、
前記第２信号の位相は、前記第１信号の位相に対して所定の量遅れることを特徴とする電気光学装置。
【請求項１２】
請求項１１に記載の電気光学装置であって、
第３画素電極と、
前記第２配線を挟むように前記第１配線に対して対向配置され、前記第３画素電極と電気的に接続され、第３信号が印加される第３配線と、
をさらに備え、
前記第３信号の位相は、前記第２信号の位相に対して、前記所定の量遅れることを特徴とする電気光学装置。
【請求項１３】
請求項１１又は請求項１２に記載の電気光学装置であって、
前記第１信号の周波数は、１０ｍＨｚ〜５０ｍＨｚであることを特徴とする電気光学装置。
【請求項１４】
請求項１１乃至請求項１３のいずれか一項に記載の電気光学装置であって、
前記第１信号の電圧の時間平均と基準電位との電位差が略０Ｖであることを特徴とする電気光学装置。
【請求項１５】
請求項１１乃至請求項１４のいずれか一項に記載の電気光学装置であって、
前記第１配線、及び前記第２配線は、走査線であることを特徴とする電気光学装置。
【請求項１６】
請求項１１乃至請求項１５のいずれか一項に記載の電気光学装置であって、
前記電気光学層は液晶層であり、
前記第１基板及び前記第２基板の前記液晶層の側に無機配向膜が配置されていることを特徴とする電気光学装置。
【請求項１７】
第１基板と、
前記第１基板と対向配置された第２基板と、
前記第１基板と前記第２基板との間に配置された電気光学層と、
前記第１基板を覆うように配置された第１配線と、
前記第１配線の隣りに配置された第２配線と、
前記第１配線と第１スイッチング素子を介して電気的に接続された第１画素電極と、
前記第２配線と第２スイッチング素子を介して電気的に接続された第２画素電極と、
前記第１スイッチング素子及び前記第２スイッチング素子に電気的に接続された選択配線と、を備え、
前記選択配線に電圧を印加して前記第１スイッチング素子及び前記第２スイッチング素子を選択したとき、前記第１配線は第１信号が印加され、かつ、前記第２配線は前記第１信号とは異なる位相の第２信号が印加されることを特徴とする電気光学装置。
【請求項１８】
請求項１７に記載の電気光学装置であって、
前記第２配線を挟むように前記第１配線に対して対向配置される第３配線と、
前記第３配線と第３スイッチング素子を介して電気的に接続された第３画素電極と、を備え、
前記選択配線に電圧を印加して前記第１スイッチング素子、前記第２スイッチング素子及び前記第３スイッチング素子を選択したとき、前記第３配線は前記第１信号及び前記第２信号とは異なる位相の第３信号が印加されることを特徴とする電気光学装置。
【請求項１９】
請求項１１乃至請求項１８のいずれか一項に記載の電気光学装置を備えることを特徴とする電子機器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電気光学装置の駆動方法、電気光学装置、及び電子機器に関する。
【背景技術】
【０００２】
上記電気光学装置として、例えば、画素電極をスイッチング制御する素子としてトランジスターを画素ごとに備えたアクティブ駆動方式の液晶装置が知られている。液晶装置は、例えば、直視型ディスプレイやライトバルブなどにおいて用いられている。
【０００３】
このような液晶装置に光が入射すると、液晶パネルを構成する液晶材料や配向膜などと入射光とが光化学反応を起こし、反応生成物としてイオン性不純物が発生することがある。また、液晶パネルの製造過程で、シール材や封止材などから液晶層に拡散するイオン性不純物もあることが知られている。特に、投射型表示装置（プロジェクター）の光変調手段（ライトバルブ）に用いられる液晶装置では、入射光の光束密度が直視型の液晶装置に比べて高くなるので、イオン性不純物が表示に影響を及ぼすことを抑制する必要がある。
【０００４】
イオン性不純物の表示に対する影響を抑制する手段として、例えば、特許文献１には、有効画素領域を複数に分割し、領域毎に振幅を変える（言い換えれば、領域毎に異なる電位にする）ことによって印加される横電界により、イオン性不純物を有効画素領域より外側の領域に掃引する方法が開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２００８−２９２８６１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかしながら、上記特許文献１の方法では、振幅の違いによって印加される横電界の電圧が小さく、イオン性不純物の掃き出し効率が悪いという課題がある。また、上記特許文献１では、領域毎に電圧値を異ならせる具体的な方法が開示されていないという課題がある。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明の態様は、上記課題の少なくとも一部を解決するためになされたものであり、以下の形態又は適用例として実現することが可能である。
【０００８】
［適用例１］本適用例に係る電気光学装置の駆動方法は、第１基板と、前記第１基板と対向配置された第２基板と、前記第１基板と前記第２基板との間に配置された電気光学層と、を備えた電気光学装置の駆動方法であって、前記第１基板を覆うように配置される第１配線に電気的に接続された第１画素電極に第１信号を印加し、前記第１配線の隣りに配置される第２配線に電気的に接続された第２画素電極に第２信号を印加し、前記第２信号は、前記第１信号に対して位相が所定の量遅れていることを特徴とする。
【０００９】
本適用例によれば、第１配線に対して第２配線の位相が遅れるように第１信号、及び第２信号をそれぞれの配線に印加するので、第１画素電極と第２画素電極との間に生ずる電界の分布が、第１配線から第２配線の方向に向かって移動する。これにより、電気光学層の中に含まれるイオン性不純物を第１配線から第２配線の方向に掃き寄せることができる。
【００１０】
［適用例２］上記適用例に係る電気光学装置の駆動方法において、前記第２配線を挟むように前記第１配線に対して対向配置される第３配線に電気的に接続された第３画素電極に第３信号を印加し、前記第３信号は、前記第２信号に対して位相が前記所定の量遅れていることが好ましい。
【００１１】
本適用例によれば、第３配線に、第２信号より遅れる位相の第３信号を印加する、言い換えれば、第１配線、第２配線、第３配線の順に位相が遅れるように信号を印加するので、各画素電極間に生ずる電界の分布が、第１配線から第３配線の方向に向かって移動する。これにより、電気光学層の中に含まれるイオン性不純物を第１配線から第３配線の方向に掃き寄せることができる。
【００１２】
［適用例３］上記適用例に係る電気光学装置の駆動方法において、前記第１信号の周波数は、１０ｍＨｚ〜５０ｍＨｚであることが好ましい。
【００１３】
本適用例によれば、上記周波数の信号を画素電極に印加するので、イオン性不純物の移動に追従させることが可能となり、効率よくイオン性不純物を第１配線から第３配線の方向に掃引することができる。
【００１４】
［適用例４］上記適用例に係る電気光学装置の駆動方法において、前記第１信号の電圧の時間平均と基準電位差が略０Ｖであることが好ましい。
【００１５】
本適用例によれば、印加する各信号の電圧の時間平均と基準電位差が略０Ｖ（具体的には、例えば、１００ｍＶ以下）、つまり、基準電位に対して高電位と低電位とに遷移するので（交流信号）、画素電極に（＋）の電位が印加された場合には画素電極に（−）のイオン性不純物が引き寄せられ、画素電極に（−）の電位が印加された場合には画素電極に（＋）のイオン性不純物が引き寄せられる。このような信号を印加することにより、第１配線から第２配線の方向に向かって電界を移動させることが可能となり、（＋）（−）どちらのイオン性不純物であっても、掃き寄せることができる。
【００１６】
［適用例５］上記適用例に係る電気光学装置の駆動方法において、前記電気光学層の温度に応じて前記第１信号の周波数を変えることが好ましい。
【００１７】
本適用例によれば、イオン性不純物の移動度は温度に依存することから、温度に応じて信号の周波数を決める必要がある。これにより、例えば、電気光学層の温度が常温よりも高ければ、周波数を大きくすることにより、早くイオン性不純物を掃引することができる。電気光学層の温度が常温よりも低ければ、周波数を小さくすることにより、イオン性不純物の移動速度に付いていくことが可能となり、確実にイオン性不純物を掃き寄せることができる。
【００１８】
［適用例６］上記適用例に係る電気光学装置の駆動方法において、前記第１配線、及び前記第２配線は、走査線であることが好ましい。
【００１９】
本適用例によれば、第１配線〜第３配線が走査線であるので、行方向のライン反転駆動法を用いることにより、第１配線から第３配線の方向に向かって、位相が遅れた信号を走査線ごとに印加することができる。
【００２０】
［適用例７］上記適用例に係る電気光学装置の駆動方法において、前記走査線は、有効画素領域の長辺に沿って配置されており、前記有効画素領域の中央から外側に向かって、前記第１配線、前記第２配線の順に配置されることが好ましい。
【００２１】
本適用例によれば、有効画素領域の中央にある走査線（第１配線）を境に有効画素領域の外側に向かって第２配線、第３配線を配置し、第１配線から第３配線の方向に向かってイオン性不純物を掃引する、言い換えれば、有効画素領域の短辺と並行の方向にイオン性不純物を掃引するので、長辺に沿うように掃引する方法と比較して、早く掃引することができる。
【００２２】
［適用例８］上記適用例に係る電気光学装置の駆動方法において、前記第１信号の波形は、矩形波、正弦波、三角波のいずれかであることが好ましい。
【００２３】
本適用例によれば、矩形波、正弦波、三角波のいずれかを用いるので、位相が１２０°ずつ遅延した信号を形成できる。よって、第１配線から第３配線の方向に、イオン性不純物を掃引することができる。信号波形を作りやすい順序としては、例えば、矩形波、三角波、正弦波の順である。最適な信号波形としては、正弦波である。
【００２４】
［適用例９］本適用例に係る電気光学装置の駆動方法は、第１基板と、前記第１基板と対向配置された第２基板と、前記第１基板と前記第２基板との間に配置された電気光学層と、前記第１基板を覆うように配置された第１配線と、前記第１配線の隣りに配置された第２配線と、前記第１配線と第１スイッチング素子を介して電気的に接続された第１画素電極と、前記第２配線と第２スイッチング素子を介して電気的に接続された第２画素電極と、前記第１スイッチング素子及び前記第２スイッチング素子に電気的に接続された選択配線と、を備え、前記選択配線に電圧を印加して前記第１スイッチング素子及び前記第２スイッチング素子を選択したとき、前記第１配線は第１信号が印加され、かつ、前記第２配線は前記第１信号とは異なる位相の第２信号が印加されることを特徴とする。
【００２５】
本適用例によれば、複数の第１画素電極に対して複数の第２画素電極の位相が異なる（遅れるように）信号を印加するので、第１画素電極と第２画素電極との間に生ずる電界の分布が、第１配線から第２配線の方向に向かって移動する。これにより、電気光学層の中に含まれるイオン性不純物を第１配線から第２配線の方向に掃き寄せることができる。
【００２６】
［適用例１０］上記適用例に係る電気光学装置の駆動方法において、前記第２配線を挟むように前記第１配線に対して対向配置される第３配線と、前記第３配線と第３スイッチング素子を介して電気的に接続された第３画素電極と、を備え、前記選択配線に電圧を印加して前記第１スイッチング素子、前記第２スイッチング素子及び前記第３スイッチング素子を選択したとき、前記第３配線は前記第１信号及び前記第２信号とは異なる位相の第３信号が印加されることを特徴とする。
【００２７】
本適用例によれば、第３配線に、第２信号より遅れる（第２信号とは異なる）位相の第３信号を印加する、言い換えれば、第１配線、第２配線、第３配線の順に位相が遅れるように信号を印加するので、各画素電極間に生ずる電界の分布が、第１配線から第３配線の方向に向かって移動する。これにより、電気光学層の中に含まれるイオン性不純物を第１配線から第３配線の方向に掃き寄せることができる。
【００２８】
［適用例１１］本適用例に係る電気光学装置は、第１基板と、前記第１基板と対向配置された第２基板と、前記第１基板と前記第２基板との間に配置された電気光学層と、を備え、前記第１基板を覆うように配置される第１画素電極と、前記第１画素電極と電気的に接続され第１信号が印加される第１配線と、第２画素電極と、前記第１配線の隣りに配置され、前記第２画素電極と電気的に接続され、第２信号が印加される第２配線と、を備え、前記第２信号の位相は、前記第１信号の位相に対して所定の量遅れることを特徴とする。
【００２９】
本適用例によれば、第１配線に対して第２配線の位相が遅れるように第１信号、及び第２信号がそれぞれの配線に印加されるので、第１画素電極と第２画素電極との間に生ずる電界の分布が、第１配線から第２配線の方向に向かって移動する。これにより、電気光学層の中に含まれるイオン性不純物を第１配線から第２配線の方向に掃き寄せることができる。
【００３０】
［適用例１２］上記適用例に係る電気光学装置において、第３画素電極と、前記第２配線を挟むように前記第１配線に対して対向配置され、前記第３画素電極と電気的に接続され、第３信号が印加される第３配線と、をさらに備え、前記第３信号の位相は、前記第２信号の位相に対して、前記所定の量遅れることが好ましい。
【００３１】
本適用例によれば、第３配線に、第２信号より遅れる位相の第３信号が印加される、言い換えれば、第１配線、第２配線、第３配線の順に位相が遅れるように信号が印加されるので、各画素電極間に生ずる電界の分布が、第１配線から第３配線の方向に向かって移動する。これにより、電気光学層の中に含まれるイオン性不純物を第１配線から第３配線の方向に掃き寄せることができる。
【００３２】
［適用例１３］上記適用例に係る電気光学装置において、前記第１信号の周波数は、１０ｍＨｚ〜５０ｍＨｚであることが好ましい。
【００３３】
本適用例によれば、上記周波数の信号を画素電極に印加するので、イオン性不純物の移動に追従させることが可能となり、効率よくイオン性不純物を第１配線から第３配線の方向に掃引することができる。
【００３４】
［適用例１４］上記適用例に係る電気光学装置において、前記第１信号の電圧の時間平均と基準電位との電位差が略０Ｖであることが好ましい。
【００３５】
本適用例によれば、印加する各信号の電圧の時間平均と基準電位差が略０Ｖ（具体的には、例えば、１００ｍＶ以下）、つまり、基準電位に対して高電位と低電位とに遷移するので（交流信号）、画素電極に（＋）の電位が印加された場合には画素電極に（−）のイオン性不純物が引き寄せられ、画素電極に（−）の電位が印加された場合には画素電極に（＋）のイオン性不純物が引き寄せられる。このような信号を印加することにより、第１配線から第２配線の方向に向かって電界を移動させることが可能となり、（＋）（−）どちらのイオン性不純物であっても、掃き寄せることができる。
【００３６】
［適用例１５］上記適用例に係る電気光学装置において、前記第１配線、及び前記第２配線は、走査線であることが好ましい。
【００３７】
本適用例によれば、第１配線〜第３配線が走査線であるので、行方向のライン反転駆動法を用いることにより、第１配線から第３配線の方向に向かって、位相が遅れた信号を走査線ごとに印加することができる。
【００３８】
［適用例１６］上記適用例に係る電気光学装置において、前記電気光学層は液晶層であり、前記第１基板及び前記第２基板の前記液晶層の側に無機配向膜が配置されていることが好ましい。
【００３９】
本適用例によれば、液晶を配向させるための無機配向膜にイオン性不純物が付着すると離れにくくなる。しかしながら、上記したように画素電極に信号を印加してイオン性不純物を第１配線から第３配線の方向に掃き寄せるので、有効画素領域にイオン性不純物が留まることによって表示不良になることを抑えることができる。
【００４０】
［適用例１７］本適用例に係る電気光学装置は、第１基板と、前記第１基板と対向配置された第２基板と、前記第１基板と前記第２基板との間に配置された電気光学層と、前記第１基板を覆うように配置された第１配線と、前記第１配線の隣りに配置された第２配線と、前記第１配線と第１スイッチング素子を介して電気的に接続された第１画素電極と、前記第２配線と第２スイッチング素子を介して電気的に接続された第２画素電極と、前記第１スイッチング素子及び前記第２スイッチング素子に電気的に接続された選択配線と、を備え、前記選択配線に電圧を印加して前記第１スイッチング素子及び前記第２スイッチング素子を選択したとき、前記第１配線は第１信号が印加され、かつ、前記第２配線は前記第１信号とは異なる位相の第２信号が印加されることを特徴とする。
【００４１】
本適用例によれば、第１画素電極に対して第２画素電極の位相が異なる（遅れるように）信号を印加するので、第１画素電極と第２画素電極との間に生ずる電界の分布が、第１配線から第２配線の方向に向かって移動する。これにより、電気光学層の中に含まれるイオン性不純物を第１配線から第２配線の方向に掃き寄せることができる。
【００４２】
［適用例１８］上記適用例に係る電気光学装置において、前記第２配線を挟むように前記第１配線に対して対向配置される第３配線と、前記第３配線と第３スイッチング素子を介して電気的に接続された第３画素電極と、を備え、前記選択配線に電圧を印加して前記第１スイッチング素子、前記第２スイッチング素子及び前記第３スイッチング素子を選択したとき、前記第３配線は前記第１信号及び前記第２信号とは異なる位相の第３信号が印加されることが好ましい。
【００４３】
本適用例によれば、第３配線に、第２信号より遅れる（第２信号とは異なる）位相の第３信号を印加する、言い換えれば、第１配線、第２配線、第３配線の順に位相が遅れるように信号を印加するので、各画素電極間に生ずる電界の分布が、第１配線から第３配線の方向に向かって移動する。これにより、電気光学層の中に含まれるイオン性不純物を第１配線から第３配線の方向に掃き寄せることができる。
【００４４】
［適用例１９］本適用例に係る電子機器は、上記の電気光学装置を備えることを特徴とする。
【００４５】
本適用例によれば、上記電気光学装置を備えているので、表示品質の低下が抑えられた電子機器を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００４６】
【図１】第１実施形態の液晶装置の構成を示す模式平面図。
【図２】図１に示す液晶装置のＨ−Ｈ’線に沿う模式断面図。
【図３】液晶装置の電気的な構成を示す等価回路図。
【図４】液晶装置のうち主に画素の構造を示す模式断面図。
【図５】画素電極に電圧を印加する方法を説明するための液晶装置の模式平面図。
【図６】図５に示す液晶装置のＡ−Ａ’線に沿う模式断面図。
【図７】各走査線に印加する交流信号の種類を示す模式平面図。
【図８】各交流信号を示すタイミングチャート。
【図９】画素電極に印加される交流信号の極性を１画面ごとに示す模式平面図。
【図１０】液晶装置を備えた投射型表示装置の構成を示す概略図。
【図１１】第２実施形態の液晶装置の構造を示す模式断面図。
【図１２】イオン性不純物の移動度μと温度との関係を示すグラフ。
【図１３】第３実施形態の液晶装置の画素電極に電圧を印加する方法を説明するための模式平面図。
【図１４】第４実施形態の液晶装置の電気的な構成を示す等価回路図。
【図１５】液晶装置に電圧を印加する方法を説明するための模式平面図。
【図１６】変形例の交流信号の信号波形を示す模式図。
【図１７】変形例の液晶装置の構成を示す模式平面図。
【図１８】図１７に示す変形例の液晶装置のＢ−Ｂ’線に沿う模式断面図。
【発明を実施するための形態】
【００４７】
以下、本発明を具体化した実施形態について図面に従って説明する。なお、使用する図面は、説明する部分が認識可能な状態となるように、適宜拡大または縮小して表示している。
【００４８】
なお、以下の形態において、例えば「基板上に」と記載された場合、基板の上に接するように配置される場合、または基板の上に他の構成物を介して配置される場合、または基板の上に一部が接するように配置され、一部が他の構成物を介して配置される場合を表すものとする。
【００４９】
（第１実施形態）
本実施形態では、電気光学装置の一例として薄膜トランジスター（ＴＦＴ：Thin Film Transistor）を画素のスイッチング素子として備えたアクティブマトリックス型の液晶装置を例に挙げて説明する。この液晶装置は、例えば、後述する投射型表示装置（液晶プロジェクター）の光変調手段（液晶ライトバルブ）として好適に用いることができるものである。
【００５０】
＜液晶装置の構成＞
図１は、液晶装置の構成を示す模式平面図である。図２は、図１に示す液晶装置のＨ−Ｈ’線に沿う模式断面図である。図３は、液晶装置の電気的な構成を示す等価回路図である。以下、液晶装置の構成を、図１〜図３を参照しながら説明する。
【００５１】
図１及び図２に示すように、本実施形態の液晶装置１００は、対向配置された第１基板としての素子基板１０及び第２基板としての対向基板２０と、これら一対の基板によって挟持された電気光学層としての液晶層５０とを有する。素子基板１０の基材１０ｓは、例えば、ガラス基板、石英基板、シリコン基板などの基板が用いられている。対向基板２０の基材２０ｓは、例えば、ガラス基板、石英基板などの透明基板が用いられている。
【００５２】
素子基板１０は対向基板２０よりも大きく、両基板は、対向基板２０の外縁に沿って配置されたシール材４０を介して接合されている。その隙間に、正または負の誘電異方性を有する液晶が封入されて液晶層５０が構成されている。
【００５３】
シール材４０は、例えば、熱硬化性又は紫外線硬化性のエポキシ樹脂などの接着剤が採用されている。シール材４０には、一対の基板の間隔を一定に保持するためのスペーサー（図示せず）が混入されている。
【００５４】
シール材４０の内側には、マトリックス状に配列した複数の画素Ｐを含む表示領域Ｅが設けられている。また、シール材４０と表示領域Ｅとの間に表示領域Ｅを取り囲んで見切り部２１が設けられている。見切り部２１は、例えば、遮光性の金属あるいは金属酸化物などからなる。
【００５５】
表示領域Ｅの周囲には、表示に寄与しないダミー画素領域（図示せず）が設けられている。また、図１及び図２では図示を省略したが、表示領域Ｅにおいて複数の画素Ｐをそれぞれ平面的に区分する遮光部（ブラックマトリックス：ＢＭ）が対向基板２０に設けられている。
【００５６】
素子基板１０には、複数の外部接続端子１０４が配列した端子部が設けられている。該端子部に沿った第１辺部とシール材４０との間にデータ線駆動回路１０１が設けられている。また、第１辺部に対向する第２辺部に沿ったシール材４０と表示領域Ｅとの間に検査回路１０３が設けられている。
【００５７】
さらに、第１辺部と直交し互いに対向する第３辺部及び第４辺部に沿ったシール材４０と表示領域Ｅとの間に走査線駆動回路１０２が設けられている。また、第２辺部のシール材４０と検査回路１０３との間に、２つの走査線駆動回路１０２を繋ぐ複数の配線１０５が設けられている。
【００５８】
これらデータ線駆動回路１０１、走査線駆動回路１０２に繋がる配線は、第１辺部に沿って配列した複数の外部接続端子１０４に接続されている。以降、該１辺部に沿った方向をＸ方向とし、該１辺部と直交し互いに対向する第３辺部及び第４辺部に沿った方向をＹ方向として説明する。なお、検査回路１０３の配置はこれに限定されず、データ線駆動回路１０１に沿ったシール材４０と表示領域Ｅとの間に設けてもよい。
【００５９】
図２に示すように、基材１０ｓの液晶層５０側の表面には、画素Ｐごとに設けられた透光性の画素電極１５及びスイッチング素子である薄膜トランジスター（ＴＦＴ：Thin Film Transistor、以降、「ＴＦＴ３０」と呼称する）と、信号配線と、これらを覆う配向膜１８とが形成されている。
【００６０】
また、ＴＦＴ３０における半導体層に光が入射してスイッチング動作が不安定になることを防ぐ遮光構造が採用されている。素子基板１０は、基材１０ｓと、基材１０ｓ上に形成された画素電極１５、ＴＦＴ３０、信号配線、配向膜１８を含むものである。
【００６１】
基材２０ｓの液晶層５０側の表面には、見切り部２１と、これを覆うように成膜された絶縁層２２と、絶縁層２２を覆うように設けられた対向電極２３と、対向電極２３を覆う配向膜２４とが設けられている。本発明における対向基板２０は、少なくとも見切り部２１、対向電極２３、配向膜２４を含むものである。
【００６２】
見切り部２１は、図１に示すように、表示領域Ｅを取り囲むと共に、平面的に走査線駆動回路１０２、検査回路１０３と重なる位置に設けられている。これにより対向基板２０側からこれらの回路に入射する光を遮蔽して、回路が光によって誤動作することを防止する役目を果たしている。また、不必要な迷光が表示領域Ｅに入射しないように遮蔽して、表示領域Ｅの表示における高いコントラストを確保している。
【００６３】
絶縁層２２は、例えば、酸化シリコンなどの無機材料からなり、光透過性を有して見切り部２１を覆うように設けられている。このような絶縁層２２の形成方法としては、例えばプラズマＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）法などを用いて成膜する方法が挙げられる。
【００６４】
対向電極２３は、例えばＩＴＯ（Indium Tin Oxide）などの透明導電膜からなり、絶縁層２２を覆うと共に、図１に示すように対向基板２０の隅に設けられた上下導通部１０６に電気的に接続されている。上下導通部１０６は、素子基板１０側の配線に電気的に接続している。
【００６５】
画素電極１５を覆う配向膜１８および対向電極２３を覆う配向膜２４は、液晶装置１００の光学設計に基づいて選定される。配向膜１８，２４としては、気相成長法を用いてＳｉＯｘ（酸化シリコン）などの無機材料を成膜して、負の誘電異方性を有する液晶分子に対して略垂直配向させた配向膜が挙げられる。
【００６６】
このような液晶装置１００は、例えば透過型であって、電圧が印加されない時の画素Ｐの透過率が電圧印加時の透過率よりも大きいノーマリーホワイトや、電圧が印加されない時の画素Ｐの透過率が電圧印加時の透過率よりも小さいノーマリーブラックモードの光学設計が採用される。素子基板１０と対向基板２０とを含む液晶パネル１１０の光の入射側と射出側とにそれぞれ偏光素子が光学設計に応じて配置されて用いられる。
【００６７】
本実施形態では、以降、配向膜１８，２４として前述した配向膜と、負の誘電異方性を有する液晶とを用い、ノーマリーブラックモードの光学設計が適用された例について説明する。
【００６８】
図３に示すように、液晶装置１００は、少なくとも表示領域Ｅにおいて互いに絶縁されて直交する信号配線としての複数の走査線３ａ及び複数のデータ線６ａ（第４配線、第４配線の隣りに配置された第５配線）と、データ線６ａに沿って平行に配置された容量線３ｂとを有する。走査線３ａが延在する方向がＸ方向であり、データ線６ａが延在する方向がＹ方向である。
【００６９】
走査線３ａ、データ線６ａ、及び容量線３ｂと、これらの信号線類により区分された領域に、画素電極１５と、ＴＦＴ３０と、容量素子１６とが設けられ、これらが画素Ｐの画素回路を構成している。
【００７０】
走査線３ａはＴＦＴ３０のゲートに電気的に接続され、データ線６ａはＴＦＴ３０のデータ線側ソースドレイン領域（一方のソースドレイン領域）に電気的に接続されている。画素電極１５は、ＴＦＴ３０の画素電極側ソースドレイン領域（他方のソースドレイン領域）に電気的に接続されている。
【００７１】
データ線６ａは、データ線駆動回路１０１（図１参照）に電気的に接続されており、データ線駆動回路１０１から供給される画像信号Ｄ１，Ｄ２，…，Ｄｎを画素Ｐに供給する。走査線３ａは、走査線駆動回路１０２（図１参照）に接続されており、走査線駆動回路１０２から供給される走査信号ＳＣ１，ＳＣ２，…，ＳＣｍを各画素Ｐに供給する。
【００７２】
データ線駆動回路１０１からデータ線６ａに供給される画像信号Ｄ１〜Ｄｎは、この順に線順次で供給してもよく、互いに隣り合う複数のデータ線６ａ同士に対してグループごとに供給してもよい。走査線駆動回路１０２は、走査線３ａに対して、走査信号ＳＣ１〜ＳＣｍを所定のタイミングでパルス的に線順次で供給する。
【００７３】
液晶装置１００は、スイッチング素子であるＴＦＴ３０が走査信号ＳＣ１〜ＳＣｍの入力により一定期間だけオン状態とされることで、データ線６ａから供給される画像信号Ｄ１〜Ｄｎが所定のタイミングで画素電極１５に書き込まれる構成となっている。そして、画素電極１５を介して液晶層５０に書き込まれた所定レベルの画像信号Ｄ１〜Ｄｎは、画素電極１５と液晶層５０を介して対向配置された対向電極２３との間で一定期間保持される。
【００７４】
保持された画像信号Ｄ１〜Ｄｎがリークするのを防止するため、画素電極１５と対向電極２３との間に形成される液晶容量と並列に容量素子１６が接続されている。容量素子１６は、ＴＦＴ３０の画素電極側ソースドレイン領域と容量線３ｂとの間に設けられている。容量素子１６は、２つの容量電極の間に誘電体層を有するものである。
【００７５】
＜液晶装置を構成する画素の構成＞
図４は、液晶装置のうち主に画素の構造を示す模式断面図である。以下、画素の構造を、図４を参照しながら説明する。なお、図４は、各構成要素の断面的な位置関係を示すものであり、明示可能な尺度で表されている。
【００７６】
図４に示すように、素子基板１０の基材１０ｓ上には、まず走査線３ａが形成される。走査線３ａは、例えばＡｌ（アルミニウム）、Ｔｉ（チタン）、Ｃｒ（クロム）、Ｗ（タングステン）、Ｔａ（タンタル）、Ｍｏ（モリブデン）などの金属のうちの少なくとも１つを含む金属単体、合金、金属シリサイド、ポリシリサイド、ナイトライド、あるいはこれらが積層されたものを用いることができ、遮光性を有している。
【００７７】
走査線３ａを覆うように例えば酸化シリコンなどからなる第１絶縁膜（下地絶縁膜）１１ａが形成され、第１絶縁膜１１ａ上に島状に半導体層３０ａが形成される。半導体層３０ａは例えば多結晶シリコン膜からなり、不純物イオンが注入されて、データ線側ソースドレイン領域、接合領域、チャネル領域、接合領域、画素電極側ソースドレイン領域を有するＬＤＤ（Lightly Doped Drain）構造が形成されている。
【００７８】
半導体層３０ａを覆うように第２絶縁膜（ゲート絶縁膜）１１ｂが形成される。さらに第２絶縁膜１１ｂを挟んでチャネル領域に対向する位置にゲート電極３０ｇが形成される。
【００７９】
ゲート電極３０ｇと第２絶縁膜１１ｂとを覆うようにして第３絶縁膜１１ｃが形成され、半導体層３０ａのそれぞれの端部と重なる位置に第２絶縁膜１１ｂ、第３絶縁膜１１ｃを貫通する２つのコンタクトホールＣＮＴ１，ＣＮＴ２が形成される。
【００８０】
そして、２つのコンタクトホールＣＮＴ１，ＣＮＴ２を埋めると共に第３絶縁膜１１ｃを覆うようにＡｌ（アルミニウム）やその合金などの遮光性の導電材料を用いて導電膜を成膜し、これをパターニングすることにより、コンタクトホールＣＮＴ１を介してデータ線側ソースドレイン領域に繋がるソース電極３１及びデータ線６ａが形成される。同時にコンタクトホールＣＮＴ２を介して画素電極側ソースドレイン領域に繋がるドレイン電極３２（第１中継電極６ｂ）が形成される。
【００８１】
次に、データ線６ａ及び第１中継電極６ｂと第３絶縁膜１１ｃを覆って第１層間絶縁膜１２が形成される。第１層間絶縁膜１２は、例えばシリコンの酸化物や窒化物からなる。そして、ＴＦＴ３０が設けられた領域を覆うことによって生ずる表面の凹凸を平坦化する平坦化処理が施される。平坦化処理の方法としては、例えば化学的機械的研磨処理（Chemical Mechanical Polishing：ＣＭＰ処理）やスピンコート処理などが挙げられる。
【００８２】
第１中継電極６ｂと重なる位置に第１層間絶縁膜１２を貫通するコンタクトホールＣＮＴ３が形成される。このコンタクトホールＣＮＴ３を被覆すると共に第１層間絶縁膜１２を覆うように例えばＡｌ（アルミニウム）やその合金などの遮光性の金属からなる導電膜が成膜され、これをパターニングすることにより、配線７ａと、コンタクトホールＣＮＴ３を介して第１中継電極６ｂに電気的に接続される第２中継電極７ｂとが形成される。
【００８３】
配線７ａは、平面的にＴＦＴ３０の半導体層３０ａやデータ線６ａと重なるように形成され、固定電位が与えられてシールド層として機能するものである。
【００８４】
配線７ａと第２中継電極７ｂとを覆うように第２層間絶縁膜１３ａが形成される。第２層間絶縁膜１３ａも、例えばシリコンの酸化物や窒化物あるいは酸窒化物を用いて形成することができ、ＣＭＰ処理などの平坦化処理が施される。
【００８５】
第２層間絶縁膜１３ａの第２中継電極７ｂと重なる位置にコンタクトホールＣＮＴ４が形成される。このコンタクトホールＣＮＴ４を被覆すると共に第２層間絶縁膜１３ａを覆うように例えばＡｌ（アルミニウム）やその合金などの遮光性の金属からなる導電膜が形成され、これをパターニングすることにより、第１容量電極１６ａと第３中継電極１６ｄとが形成される。
【００８６】
第１容量電極１６ａのうち、後に形成される誘電体層１６ｂを介して第２容量電極１６ｃと対向する部分の外縁を覆うように絶縁膜１３ｂがパターニング形成される。また、第３中継電極１６ｄのうちコンタクトホールＣＮＴ５と重なる部分を除いた外縁を覆うように絶縁膜１３ｂがパターニング形成される。
【００８７】
絶縁膜１３ｂと第１容量電極１６ａを覆って誘電体層１６ｂが成膜される。誘電体層１６ｂとしては、シリコン窒化膜や、酸化ハウニュウム（ＨｆＯ2）、アルミナ（Ａｌ2Ｏ3）、酸化タンタル（Ｔａ2Ｏ5）などの単層膜、又はこれらの単層膜のうち少なくとも２種の単層膜を積層した多層膜を用いてもよい。平面的に第３中継電極１６ｄと重なる部分の誘電体層１６ｂはエッチング等により除かれる。
【００８８】
誘電体層１６ｂを覆うように例えばＴｉＮ（窒化チタン）などの導電膜が形成され、これをパターニングすることにより、第１容量電極１６ａに対向配置され、第３中継電極１６ｄに繋がる第２容量電極１６ｃが形成される。誘電体層１６ｂと、誘電体層１６ｂを挟んで対向配置された第１容量電極１６ａと第２容量電極１６ｃとにより容量素子１６が構成される。
【００８９】
次に、第２容量電極１６ｃと誘電体層１６ｂとを覆う第３層間絶縁膜１４が形成される。第３層間絶縁膜１４も例えばシリコンの酸化物や窒化物からなり、ＣＭＰ処理などの平坦化処理が施される。第２容量電極１６ｃが第３中継電極１６ｄと接するように第３層間絶縁膜１４を貫通するコンタクトホールＣＮＴ５が形成される。
【００９０】
このコンタクトホールＣＮＴ５を被覆し、第３層間絶縁膜１４を覆うようにＩＴＯなどの透明導電膜（電極膜）が成膜される。この透明導電膜（電極膜）をパターニングしてコンタクトホールＣＮＴ５を介して第２容量電極１６ｃ及び第３中継電極１６ｄと電気的に繋がる画素電極１５が形成される。
【００９１】
第２容量電極１６ｃは第３中継電極１６ｄ、コンタクトホールＣＮＴ４、第２中継電極７ｂ、コンタクトホールＣＮＴ３、第１中継電極６ｂを介してＴＦＴ３０のドレイン電極３２と電気的に接続すると共に、コンタクトホールＣＮＴ５を介して画素電極１５と電気的に接続している。
【００９２】
第１容量電極１６ａは複数の画素Ｐに跨るように形成され、等価回路（図３参照）における容量線３ｂとして機能している。第１容量電極１６ａには固定電位が与えられる。これにより、ＴＦＴ３０のドレイン電極３２を介して画素電極１５に与えられた電位を第１容量電極１６ａと第２容量電極１６ｃとの間において保持することができる。
【００９３】
このように素子基板１０の基材１０ｓ上には、複数の配線が形成されており、配線間を絶縁する絶縁膜や層間絶縁膜の符号を用いて配線層を表すこととする。すなわち、第１絶縁膜１１ａ、第２絶縁膜１１ｂ、第３絶縁膜１１ｃを括って配線層１１と呼ぶ。配線層１１の代表的な配線は走査線３ａである。配線層の代表的な配線はデータ線６ａである。
【００９４】
第２層間絶縁膜１３ａ、絶縁膜１３ｂ、誘電体層１６ｂを括って配線層１３と呼び、代表的な配線は配線７ａである。同じく、配線層１３の代表的な配線は、第１容量電極１６ａ（容量線３ｂ）である。
【００９５】
画素電極１５を覆うように配向膜１８が形成され、液晶層５０を介して素子基板１０に対向配置される対向基板２０の対向電極２３を覆うように配向膜２４が形成される。前述したように、配向膜１８，２４は無機配向膜であって、酸化シリコンなどの無機材料を所定の方向から例えば斜め蒸着して柱状に成長させたカラム１８ａ，２４ａの集合体からなる。
【００９６】
このような配向膜１８，２４に対して負の誘電異方性を有する液晶分子ＬＣは、配向膜面の法線方向に対してカラム１８ａ，２４ａの傾斜方向に３°〜５°のプレチルト角度θｐを有して略垂直配向（ＶＡ；Vertical Alignment）する。画素電極１５と対向電極２３との間に交流電圧（駆動信号、交流信号）を印加して液晶層５０を駆動することによって液晶分子ＬＣは画素電極１５と対向電極２３との間に生ずる電界方向に傾くように挙動（振動）する。
【００９７】
図５は、画素電極に電圧を印加する方法を説明するための液晶装置の模式平面図である。図６は、図５に示す液晶装置のＡ−Ａ’線に沿う模式断面図である。以下、液晶装置の画素電極に電圧を印加する方法を、図５及び図６を参照しながら説明する。
【００９８】
図５に示すように、液晶装置１００は、表示に寄与する画素Ｐが配置された表示領域Ｅと、表示領域Ｅを囲むように配置された見切り部２１と、を有している。見切り部２１の周囲には、額縁状にシール材４０が配置されている。表示領域Ｅには、複数の画素電極１５がマトリックス状に配置されている。
【００９９】
液晶装置１００の素子基板１０には、例えば、表示領域Ｅにおける長辺（Ｘ方向）に沿って、走査線駆動回路１０２（図１参照）に電気的に接続された複数の走査線３ａが延在して形成されている。上記したように、各走査線３ａには、走査線３ａの延在方向に沿って配列された複数の画素電極１５（１５ａ，１５ｂ，１５ｃ）が電気的に接続されている。そして、走査線駆動回路１０２から、各画素電極１５に交流信号が供給される。
【０１００】
本実施形態では、各走査線３ａにライン反転駆動法を用いて交流信号を印加するので、ドット反転駆動法の場合と比較して、ドメインが発生しにくい。また、従来から利用している印加方法を用いることができる。
【０１０１】
例えば、第１配線としての第１走査線３ａ１には、複数の第１画素電極１５ａが電気的に接続されている。第２配線としての第２走査線３ａ２には、複数の第２画素電極１５ｂが電気的に接続されている。第３配線としての第３走査線３ａ３には、複数の第３画素電極１５ｃが電気的に接続されている。
【０１０２】
ここで、第１走査線３ａ１と電気的に接続された複数の第１画素電極１５ａを囲む領域を、第１画素電極領域１５ａ１とする。また、第２走査線３ａ２と電気的に接続された複数の第２画素電極１５ｂを囲む領域を、第２画素電極領域１５ｂ２とする。また、第３走査線３ａ３と電気的に接続された複数の第３画素電極１５ｃを囲む領域を、第３画素電極領域１５ｃ３とする。
【０１０３】
図６に示すように、液晶装置１００の素子基板１０は、基材１０ｓ上に複数の配線層を有している。第３層間絶縁膜１４の上には、複数の画素電極１５が設けられている。各画素電極１５は、下層の層間絶縁膜及び配線層に設けられた中継電極などを介して走査線３ａに電気的に接続されている。
【０１０４】
画素電極１５の幅は、例えば、７．５μｍである。隣り合う画素電極１５と画素電極１５との間の隙間は、例えば、０．５μｍである。
【０１０５】
表示領域Ｅに滞留するイオン性不純物６０を、表示領域Ｅから表示領域Ｅの外側に掃引する際、画素電極１５（１５ａ，１５ｂ，１５ｃ）には、隣り合う画素電極１５間に生ずる電界（電気力線）の方向が表示領域Ｅの中央から表示領域Ｅの外側（シール材４０側）の方向に移動するように交流信号が与えられる。
【０１０６】
交流信号は、対向電極２３に与えられる共通電位（ＬＣＣＯＭ）を基準電位として、高電位と低電位とに遷移する信号である。正極性（＋）又は負極性（−）のイオン性不純物６０は、上記電界方向の画素電極１５（例えば、第１画素電極１５ａ）から画素電極１５（例えば、第２画素電極１５ｂ）への移動に伴って表示領域Ｅの外側に掃き寄せられる。以下、具体的な駆動方法を、図７〜図９を参照しながら説明する。
【０１０７】
＜液晶装置の駆動方法＞
図７は、各走査線に印加する交流信号の種類を示す模式平面図である。図８は、各交流信号を示すタイミングチャートである。図９は、表示領域における画素電極に印加される交流信号の極性を１画面ごとに示す模式平面図である。以下、交流信号の印加方法、及びタイミングチャートについて、図７〜図９を参照しながら説明する。
【０１０８】
上記したように、１本の走査線３ａに電気的に接続された複数の画素電極１５の領域を画素電極領域とする。表示領域Ｅの中央の画素電極領域を、第１画素電極領域１５ａ１とする。表示領域Ｅには、中央の第１画素電極領域１５ａ１を中心としてシール材４０の長辺方向に向かって、第２画素電極領域１５ｂ２、第３画素電極領域１５ｃ３の順に繰り返し配置されている。
【０１０９】
例えば、表示領域Ｅの中央の第１画素電極領域１５ａ１の一方の方向（例えば、図７における下方）には、第２画素電極領域１５ｂ２、第３画素電極領域１５ｃ３、引き続き第１画素電極領域１５ａ１の順に配置されている。
【０１１０】
中央の第１画素電極領域１５ａ１の他方の方向（例えば、図７における上方）にも同様に、第２画素電極領域１５ｂ２、第３画素電極領域１５ｃ３、続いて第１画素電極領域１５ａ１の順に配置されている。
【０１１１】
第１画素電極領域１５ａ１（第１走査線３ａ１）には、第１信号としての交流信号Ｖ１を印加する。第２画素電極領域１５ｂ２（第２走査線３ａ２）には、第２信号としての交流信号Ｖ２を印加する。第３画素電極領域１５ｃ３（第３走査線３ａ３）には、第３信号としての交流信号Ｖ３を印加する。
【０１１２】
図８に示す図は、交流信号Ｖ１，Ｖ２，Ｖ３のタイミングチャートを示している。各画素電極領域１５ａ１，１５ｂ２，１５ｃ３の画素電極１５ａ，１５ｂ，１５ｃには、５Ｖの矩形波交流信号を印加する。周波数は、例えば、１０ｍＨｚ〜５０ｍＨｚである。５０ｍＨｚの場合、交流信号の１周期の時間は、２０秒である。
【０１１３】
上記周波数の前提条件としては、まず、室温において、画素電極１５と対向する位置に対向電極２３が配置されている。画素電極１５間には、５Ｖの交流信号（５Ｖ〜−５Ｖ）を印加する。画素電極１５の幅は、例えば、上記したように、平面視で７．５μｍである。画素電極１５間の隙間は、例えば、０．５μｍである。セルギャップは、例えば、２．５μｍである。
【０１１４】
なお、周波数は、１０ｍＨｚ〜５０ｍＨｚであることが好ましいが、低すぎると、画素電極１５と対向電極２３との間で直流が印加されるのと同様の状態となり、液晶の分解、焼き付き、シミなど、表示不良が発生する恐れがある。
【０１１５】
また、上記範囲より周波数が高くなると、電界のスクロール（移動速度）にイオン性不純物６０が追従できなくなり、イオン性不純物６０が掃引できなくなる恐れがある。
【０１１６】
第２画素電極領域１５ｂ２の画素電極１５ｂには、第１画素電極領域１５ａ１に印加した交流信号Ｖ１に対して位相が１２０°遅延した交流信号Ｖ２を印加する。第３画素電極領域１５ｃ３の画素電極１５ｃには、第２画素電極領域１５ｂ２に印加した交流信号Ｖ２に対して位相が１２０°遅延した交流信号Ｖ３を印加する。
【０１１７】
つまり、表示領域Ｅの中央にある第１画素電極領域１５ａ１から表示領域Ｅの外側（シール材４０の長辺側）に向かって位相が１２０°ずつ遅れるように交流信号Ｖ１，Ｖ２，Ｖ３を印加する。
【０１１８】
また、第３画素電極領域１５ｃ３より外側の第１画素電極領域１５ａ１には、再び交流信号Ｖ１が印加される。同様に、第２画素電極領域１５ｂ２には、交流信号Ｖ２が印加される。つまり、走査線の３ライン毎に同様の交流信号が繰り返し印加される。
【０１１９】
具体的には、図９（ａ）に示すように、中央の第１画素電極領域１５ａ１の画素電極１５ａの電位を正極性（＋）、隣りの第２画素電極領域１５ｂ２の画素電極１５ｂの電位を負極性（−）、その隣りの第３画素電極領域１５ｃ３の画素電極１５ｃの電位を負極性（−）、その後、同様に繰り返し、第１画素電極領域１５ａ１の画素電極１５ａの電位を正極性（＋）、第２画素電極領域１５ｂ２の画素電極１５ｂの電位を負極性（−）、及び第３画素電極領域１５ｃ３の画素電極１５ｃの電位を負極性（−）となるように、交流信号Ｖ１，Ｖ２，Ｖ３を印加する。
【０１２０】
正極性（＋）の電位は、上記したように、５Ｖの交流信号を印加すれば、例えば、５Ｖである。負極性（−）の電位は、例えば、−５Ｖである。
【０１２１】
なお、図８に示した矩形波の交流信号Ｖ１，Ｖ２，Ｖ３は、基準電位を０Ｖとして、高電位（５Ｖ）と低電位（−５Ｖ）とに遷移するものであるが、基準電位、高電位、低電位の設定は、これに限定されるものではない。
【０１２２】
また、印加する交流信号Ｖ１，Ｖ２，Ｖ３の電圧の時間平均と基準電位差は略０Ｖである。具体的には、１００ｍＶ以下であることが好ましい。１００ｍＶ以上ある場合は、焼き付きが発生する恐れがある。１００ｍＶ以下では、焼き付きが発生しにくい。
【０１２３】
イオン性不純物６０は、正極性（＋）を有するものと、負極性（−）を有するものとが存在する可能性がある。したがって、第１画素電極領域１５ａ１の画素電極１５ａに交流信号Ｖ１、第２画素電極領域１５ｂ２の画素電極１５ｂに交流信号Ｖ２、第３画素電極領域１５ｃ３の画素電極１５ｃに交流信号Ｖ３を印加していくことにより、正極性及び負極性のイオン性不純物６０を、表示領域Ｅの中央から表示領域Ｅの外側に順に移動させることができる。
【０１２４】
具体的には、図８に示すように、正極性（＋）の電位にはマイナスのイオン性不純物６
０が引き寄せられることから、表示領域Ｅに滞留するマイナスのイオン性不純物６０を表示領域Ｅの外側に向かって掃引することができる。同様に、負極性（−）の電位にはプラスのイオン性不純物６０が引き寄せられることから、表示領域Ｅに滞留するプラスのイオン性不純物６０を表示領域Ｅの外側に向かって掃引することができる。
【０１２５】
このように、第１走査線３ａ１に対して第２走査線３ａ２、第２走査線３ａ２に対して第３走査線３ａ３の位相が遅れるように交流信号Ｖ１，Ｖ２，Ｖ３を印加するので、各画素電極１５間に生ずる電界の分布が、第１走査線３ａ１から第３走査線３ａ３の方向に向かって移動する。これにより、液晶層５０の中に含まれるイオン性不純物６０を第１走査線３ａ１から第３走査線３ａ３の方向に掃き寄せることができる。
【０１２６】
また、図９（ａ）〜（ｃ）に示すように、互いに異なる位相をもつ信号の数は３である。位相を制御する交流信号は、６つのシーケンス（（Ｖ１，Ｖ２，Ｖ３）：ｔ１（＋，−，−）、ｔ２（＋，＋，−）、ｔ３（−，＋，−）、ｔ４（−，＋，＋）、ｔ５（−，−，＋）、ｔ６（＋，−，＋））を繰り返す。これにより、正極性（＋）及び負極性（−）が次々に、表示領域Ｅの外側にシフトしていく。なお、表示領域Ｅの最外周の２本の走査線３ａのところで無限ループになり、イオン性不純物６０をトラップする。
【０１２７】
また、例えば、５Ｖの中で振幅を変えて電位差をつくる方法に比べて、本実施形態では位相を変えて電位差をつくるので、電界強度を大きくすることが可能となり、イオン性不純物６０をより効率的に掃引することができる。
【０１２８】
＜電子機器の構成＞
次に、本実施形態の電子機器としての投射型表示装置について、図１０を参照しながら説明する。図１０は、上記した液晶装置を備えた投射型表示装置の構成を示す概略図である。
【０１２９】
図１０に示すように、本実施形態の投射型表示装置１０００は、システム光軸Ｌに沿って配置された偏光照明装置１１００と、光分離素子としての２つのダイクロイックミラー１１０４，１１０５と、３つの反射ミラー１１０６，１１０７，１１０８と、５つのリレーレンズ１２０１，１２０２，１２０３，１２０４，１２０５と、３つの光変調手段としての透過型の液晶ライトバルブ１２１０，１２２０，１２３０と、光合成素子としてのクロスダイクロイックプリズム１２０６と、投射レンズ１２０７とを備えている。
【０１３０】
偏光照明装置１１００は、超高圧水銀灯やハロゲンランプなどの白色光源からなる光源としてのランプユニット１１０１と、インテグレーターレンズ１１０２と、偏光変換素子１１０３とから概略構成されている。
【０１３１】
ダイクロイックミラー１１０４は、偏光照明装置１１００から射出された偏光光束のうち、赤色光（Ｒ）を反射させ、緑色光（Ｇ）と青色光（Ｂ）とを透過させる。もう１つのダイクロイックミラー１１０５は、ダイクロイックミラー１１０４を透過した緑色光（Ｇ）を反射させ、青色光（Ｂ）を透過させる。
【０１３２】
ダイクロイックミラー１１０４で反射した赤色光（Ｒ）は、反射ミラー１１０６で反射した後にリレーレンズ１２０５を経由して液晶ライトバルブ１２１０に入射する。ダイクロイックミラー１１０５で反射した緑色光（Ｇ）は、リレーレンズ１２０４を経由して液晶ライトバルブ１２２０に入射する。ダイクロイックミラー１１０５を透過した青色光（Ｂ）は、３つのリレーレンズ１２０１，１２０２，１２０３と２つの反射ミラー１１０７，１１０８とからなる導光系を経由して液晶ライトバルブ１２３０に入射する。
【０１３３】
液晶ライトバルブ１２１０，１２２０，１２３０は、クロスダイクロイックプリズム１２０６の色光ごとの入射面に対してそれぞれ対向配置されている。液晶ライトバルブ１２１０，１２２０，１２３０に入射した色光は、映像情報（映像信号）に基づいて変調されクロスダイクロイックプリズム１２０６に向けて射出される。
【０１３４】
このプリズムは、４つの直角プリズムが貼り合わされ、その内面に赤色光を反射する誘電体多層膜と青色光を反射する誘電体多層膜とが十字状に形成されている。これらの誘電体多層膜によって３つの色光が合成されて、カラー画像を表す光が合成される。合成された光は、投射光学系である投射レンズ１２０７によってスクリーン１３００上に投射され、画像が拡大されて表示される。
【０１３５】
液晶ライトバルブ１２１０は、上述した液晶装置１００が適用されたものである。液晶装置１００は、色光の入射側と射出側とにおいてクロスニコルに配置された一対の偏光素子の間に隙間を置いて配置されている。他の液晶ライトバルブ１２２０，１２３０も同様である。
【０１３６】
このような投射型表示装置１０００によれば、液晶ライトバルブ１２１０，１２２０，１２３０を用いているので、高い電気的な信頼性を得ることができる。
【０１３７】
なお、液晶装置１００が搭載される電子機器としては、投射型表示装置１０００の他、ＥＶＦ（Electrical View Finder）、モバイルミニプロジェクター、ヘッドアップディスプレイ、スマートフォン、携帯電話、モバイルコンピューター、デジタルカメラ、デジタルビデオカメラ、ディスプレイ、車載機器、オーディオ機器、露光装置や照明機器など各種電子機器に用いることができる。
【０１３８】
以上詳述したように、第１実施形態の液晶装置１００の駆動方法、液晶装置１００、及び電子機器によれば、以下に示す効果が得られる。
【０１３９】
（１）第１実施形態の液晶装置１００の駆動方法、及び液晶装置１００によれば、第１走査線３ａ１に交流信号Ｖ１を印加し、第２走査線３ａ２に交流信号Ｖ１より位相が遅延した交流信号Ｖ２を印加し、第３走査線３ａ３に交流信号Ｖ２より位相が遅延した交流信号Ｖ３を印加するので、第１画素電極１５ａと第２画素電極１５ｂとの間、第２画素電極１５ｂと第３画素電極１５ｃとの間に生ずる電界の分布が、第１走査線３ａ１から第３走査線３ａ３の方向に向かって移動する。これにより、液晶層５０の中に含まれるイオン性不純物６０を第１走査線３ａ１から第３走査線３ａ３の方向に掃き寄せることができる。また、基準電位に対して高電位と低電位とに遷移するので、画素電極１５に（＋）の電位が印加された場合には（−）のイオン性不純物６０が引き寄せられ、画素電極１５に（−）の電位が印加された場合には（＋）のイオン性不純物６０が引き寄せられる。このような信号を印加することにより、第１走査線３ａ１から第３走査線３ａ３の方向に向かって電界が移動するので、（＋）（−）どちらのイオン性不純物６０であっても、掃き寄せることができる。
【０１４０】
（２）第１実施形態の液晶装置１００の駆動方法、及び液晶装置１００によれば、各走査線３ａに、１０ｍＨｚ〜５０ｍＨｚの交流信号を印加するので、イオン性不純物６０の移動に追従させることが可能となり、効率よくイオン性不純物６０を表示領域Ｅの中央から表示領域Ｅの外周方向に掃引することができる。
【０１４１】
（３）第１実施形態の液晶装置１００の駆動方法、及び液晶装置１００によれば、表示領域Ｅの中央にある第１走査線３ａ１を境に表示領域Ｅの外側に向かって第２走査線３ａ２、第３走査線３ａ３を配置し、第１走査線３ａ１から第３走査線３ａ３の方向に向かってイオン性不純物６０を掃引する、言い換えれば、表示領域Ｅの短辺に沿うようにイオン性不純物６０を掃引するので、長辺に沿うように掃引する方法と比較して、早く掃引することができる。
【０１４２】
（４）第１実施形態の液晶装置１００の駆動方法、及び液晶装置１００によれば、素子基板１０及び対向基板２０に無機材料からなる配向膜１８，２４が設けられており、配向膜１８，２４がイオン性不純物６０を吸収しやすいので、表示ムラや焼き付きなどの表示不良が発生しやすい。しかしながら、各走査線３ａに位相の異なる交流信号を印加してイオン性不純物６０を掃引するので、表示不良が発生することを抑えることができる。
【０１４３】
（５）第１実施形態の電子機器によれば、上記液晶装置１００を備えているので、表示品質の低下が抑えられた電子機器を提供することができる。
【０１４４】
（第２実施形態）
＜液晶装置の構成、及び液晶装置の駆動方法＞
図１１は、第２実施形態の液晶装置の構造を示す模式断面図である。図１２は、イオン性不純物の移動度μと温度との関係を示すグラフである。以下、液晶装置の構成、及びイオン性不純物の移動度μと温度との関係について、図１１及び図１２を参照しながら説明する。
【０１４５】
第２実施形態の液晶装置２００は、上述の第１実施形態の液晶装置１００と比べて、液晶パネル１１０の温度を測定するための温度センサー７１を備えている部分が異なり、その他の部分については概ね同様である。このため第２実施形態では、第１実施形態と異なる部分について詳細に説明し、その他の重複する部分については適宜説明を省略する。
【０１４６】
図１１に示すように、第２実施形態の液晶装置２００は、液晶パネル１１０の温度を測定するための温度センサー７１と、温度センサー７１によって得られた情報から液晶パネル１１０の温度に換算するＣＰＵと、温度によって最適な周波数を演算する演算回路と、演算回路の情報に基づいて液晶パネル１１０を駆動する駆動部と、を備えている。
【０１４７】
温度センサー７１は、液晶パネル１１０の表面（特に、液晶層５０の温度に近い部分）に接して取り付けられている。温度センサー７１としては、例えば、熱電対が用いられる。
【０１４８】
図１２に示すグラフは、横軸がイオン性不純物６０の温度であり、右側にいくに従って温度が高くなっている。縦軸はイオン性不純物６０の移動度であり、ｌｏｇμの値で示している。
【０１４９】
イオン性不純物６０の移動度μ（移動速度ｖ）は温度に依存する。よって、液晶装置２００が実際に駆動されるときの温度が常温よりも高ければ、周波数（１０ｍＨｚ〜５０ｍＨｚ）を大きく設定してもイオン性不純物６０を掃き寄せる効果が得られる。
【０１５０】
ｌｏｇμは、以下の式によって求めることができる。なお、Ｔは、温度℃である。
ｌｏｇμ＝０．０２８２Ｔ−１０．３５７
【０１５１】
温度が室温（例えば、２５℃）のときのイオン性不純物６０の移動度μの値は、ｌｏｇμの値で凡そ、−９．６となる。これに対し、温度が６０℃のときのイオン性不純物６０の移動度μの値は、ｌｏｇμの値で−８．７となる。つまり、２５℃に対して６０℃のイオン性不純物６０の移動度μはおよそ１０倍になる。６０℃の温度に着目するのは、液晶装置２００を投射型表示装置１０００のライトバルブとして使用するときの温度を考慮したものである。
【０１５２】
上記したように、投射型表示装置１０００の温度が上がれば、イオン性不純物６０の移動度も上がる。具体的には、室温で５０ｍＨｚの交流信号を印加していたものを、例えば、５００ｍＨｚの交流信号を印加しても掃引することができる。
【０１５３】
このように、例えば、投射型表示装置１０００の投射光によってイオン性不純物６０の温度が高くなると、イオン性不純物６０の移動度μが大きくなるので、画素電極１５に印加する交流信号Ｖ１，Ｖ２，Ｖ３の周波数を高くすることが望ましい。これにより、より効果的にイオン性不純物６０を掃き寄せることができる。また、焼き付きリスクを低減することができる。
【０１５４】
以上詳述したように、第２実施形態の液晶装置２００の駆動方法、及び液晶装置２００によれば、上記した（１）〜（４）の効果に加えて、以下に示す効果が得られる。
【０１５５】
（６）第２実施形態の液晶装置２００の駆動方法、及び液晶装置２００によれば、液晶パネル１１０の温度に応じて交流信号Ｖ１、交流信号Ｖ２、交流信号Ｖ３の周波数を変えるので、イオン性不純物６０の温度によって移動度が変わったとしても、電界の分布を、イオン性不純物６０の移動に追従させることができる。温度が高い場合は、早く掃引することができる。また、焼き付きリスクを低減することができる。
【０１５６】
（第３実施形態）
＜液晶装置の構成、及び液晶装置の駆動方法＞
図１３は、第３実施形態の液晶装置の画素電極に電圧を印加する方法を説明するための模式平面図である。以下、液晶装置の構成、及び液晶装置の駆動方法について、図１３を主に参照しながら説明する。
【０１５７】
第３実施形態の液晶装置４００は、上述の第１実施形態の液晶装置１００と比べて、駆動方法の一部が異なっており、その他の部分については概ね同様である。このため第３実施形態では、第１実施形態と異なる部分について詳細に説明し、その他の重複する部分については適宜説明を省略する。
【０１５８】
第３実施形態の液晶装置４００は、図３に示す等価回路図のように、少なくとも表示領域Ｅにおいて互いに絶縁されて直交する複数の走査線３ａ及び複数のデータ線６ａと、データ線６ａに沿って平行に配置された容量線３ｂとを有する。
【０１５９】
走査線３ａはＴＦＴ３０のゲートに電気的に接続され、データ線６ａはＴＦＴ３０のデータ線側ソースドレイン領域（一方のソースドレイン領域）に電気的に接続されている。画素電極１５は、ＴＦＴ３０の画素電極側ソースドレイン領域（他方のソースドレイン領域）に電気的に接続されている。
【０１６０】
次に、第３実施形態の液晶装置４００の駆動方法を説明する。第１走査線３ａ１とＴＦＴ３０を介して電気的に接続された複数の画素電極１５ａの領域を第１画素電極領域１５ａ１と称する。第２走査線３ａ２とＴＦＴ３０を介して電気的に接続された複数の画素電極１５ｂの領域を第２画素電極領域１５ｂ２と称する。第３走査線３ａ３とＴＦＴ３０を介して電気的に接続された複数の画素電極１５ｃの領域を第３画素電極領域１５ｃ３と称する。
【０１６１】
表示領域Ｅには、中央の第１画素電極領域１５ａ１を中心としてシール材４０の長辺方向に向かって、第２画素電極領域１５ｂ２、第３画素電極領域１５ｃ３の順に繰り返し配列されている。
【０１６２】
まず、走査線駆動回路１０２から第１走査線３ａ１に走査信号（第１信号）を供給して一定期間ＴＦＴ３０をオン状態とする。そして、データ線駆動回路１０１から全てのデータ線６ａに同時にデータ信号を供給し、複数の第１画素電極１５ａに同時に書き込みを行う。次に、第１走査線３ａ１への走査信号の供給を停止して第１走査線３ａ１を閉じる。
【０１６３】
次に、走査線駆動回路１０２から、第１信号に対して位相が所定の量遅れた第２信号（走査信号）を第２走査線３ａ２に供給して一定期間ＴＦＴ３０をオン状態にする。そして、データ線駆動回路１０１から全てのデータ線６ａに同時にデータ信号を供給し、複数の第２画素電極１５ｂに同時に書き込みを行う。
【０１６４】
次に、走査線駆動回路１０２から、第２信号に対して位相が所定の量遅れた第３信号（走査信号）を第３走査線３ａ３に供給して一定期間ＴＦＴ３０をオン状態にする。そして、データ線駆動回路１０１から全てのデータ線６ａに同時にデータ信号を供給し、複数の第３画素電極１５ｃに同時に書き込みを行う。
【０１６５】
第１信号、第２信号、第３信号は、例えば、図８に示す交流信号Ｖ１，Ｖ２，Ｖ３である。なお、周波数も同様に、１０ｍＨｚ〜５０ｍＨｚである。
【０１６６】
このように、第１走査線３ａ１に対して第２走査線３ａ２、第２走査線３ａ２に対して第３走査線３ａ３の位相が遅れるように交流信号Ｖ１，Ｖ２，Ｖ３を印加するので、各画素電極１５間に生ずる電界の分布が、第１走査線３ａ１から第３走査線３ａ３の方向に向かって移動する。これにより、液晶層５０の中に含まれるイオン性不純物６０を第１走査線３ａ１から第３走査線３ａ３の方向に掃き寄せることができる。
【０１６７】
以上詳述したように、第３実施形態の液晶装置４００の駆動方法、及び液晶装置４００によれば、以下に示す効果が得られる。
【０１６８】
（７）第３実施形態の液晶装置４００の駆動方法、及び液晶装置４００によれば、第１走査線３ａ１に対して第２走査線３ａ２、第２走査線３ａ２に対して第３走査線３ａ３の位相が遅れるように交流信号Ｖ１，Ｖ２，Ｖ３を印加するので、各画素電極１５間に生ずる電界の分布が、第１走査線３ａ１から第３走査線３ａ３の方向に向かって移動する。これにより、液晶層５０の中に含まれるイオン性不純物６０を第１走査線３ａ１から第３走査線３ａ３の方向に掃き寄せることができる。言い換えれば、特定の走査線３ａを同時に選択して、第１画素電極領域１５ａ１、第２画素電極領域１５ｂ２、第３画素電極領域１５ｃ３の順に同時に書き込むので、液晶層５０の中に含まれるイオン性不純物６０を表示領域Ｅの外側に掃き寄せることができる。加えて、通常の液晶装置４００の回路構成で、駆動方法を異ならせることによって、イオン性不純物６０を掃き寄せることができる。
【０１６９】
（第４実施形態）
＜液晶装置の構成、及び液晶装置の駆動方法＞
図１４は、第４実施形態の液晶装置の電気的な構成を示す等価回路図である。図１５は、第４実施形態の液晶装置に電圧を印加する方法を説明するための模式平面図である。以下、液晶装置の構成、及び電圧の印加方法を、図１４及び図１５を参照しながら説明する。
【０１７０】
第４実施形態の液晶装置５００は、上述の第３実施形態の液晶装置４００と比べて、データ線駆動回路１０１及び走査線駆動回路１０２を用いることなく、第１画素電極１５ａ、第２画素電極１５ｂ、第３画素電極１５ｃの順に電圧を印加してイオン性不純物６０を外側に掃き寄せる部分が部分が異なり、その他の部分については概ね同様である。このため第４実施形態では、第３実施形態と異なる部分について詳細に説明し、その他の重複する部分については適宜説明を省略する。
【０１７１】
液晶装置５００は、図１４に示す等価回路図のように、少なくとも表示領域Ｅにおいて互いに絶縁されて直交する複数の走査線３ａ及び複数のデータ線６ａと、データ線６ａに沿って平行に配置された容量線３ｂとを有する。
【０１７２】
更に、第４実施形態の液晶装置５００は、少なくとも表示領域Ｅにおいて互いに絶縁されて直交する複数の選択配線８０及び複数の書き込み配線８１，８２，８３と、ＴＦＴ３３とを有する。
【０１７３】
選択配線８０は、スイッチング素子の一つであるトランジスター（ＴＦＴ３３）のゲートに電気的に接続されている。選択配線８０は、選択端子９０と電気的に接続されている。選択端子９０に電圧を印加することにより、複数の選択配線８０と接続された全てのＴＦＴ３３（３３ａ，３３ｂ，３３ｃ）を選択することができる。
【０１７４】
第１書き込み配線８１は、ＴＦＴ３３ａのデータ線側ソースドレイン領域（一方のソースドレイン領域）に電気的に接続されている。第１画素電極１５ａは、ＴＦＴ３３の画素電極側ソースドレイン領域（他方のソースドレイン領域）に電気的に接続されている。なお、第１書き込み配線８１は、第１書き込み端子９１と電気的に接続されている。
【０１７５】
また、第２書き込み配線８２は、ＴＦＴ３３ｂのデータ線側ソースドレイン領域（一方のソースドレイン領域）に電気的に接続されている。第２画素電極１５ｂは、ＴＦＴ３３の画素電極側ソースドレイン領域（他方のソースドレイン領域）に電気的に接続されている。なお、第２書き込み配線８２は、第２書き込み端子９２と電気的に接続されている。
【０１７６】
また、第３書き込み配線８３は、ＴＦＴ３３ｃのデータ線側ソースドレイン領域（一方のソースドレイン領域）に電気的に接続されている。第３画素電極１５ｃは、ＴＦＴ３３の画素電極側ソースドレイン領域（他方のソースドレイン領域）に電気的に接続されている。なお、第３書き込み配線８３は、第３書き込み端子９３と電気的に接続されている。
【０１７７】
次に、図１５を参照しながら、第４実施形態の液晶装置５００の駆動方法を説明する。第１書き込み配線８１とＴＦＴ３３ａを介して電気的に接続された複数の第１画素電極１５ａの領域を第１画素電極領域１５ａ１と称する。第２書き込み配線８２とＴＦＴ３３ｂを介して電気的に接続された複数の第２画素電極１５ｂの領域を第２画素電極領域１５ｂ２と称する。第３書き込み配線８３とＴＦＴ３３ｃを介して電気的に接続された複数の第３画素電極１５ｃの領域を第３画素電極領域１５ｃ３と称する。
【０１７８】
表示領域Ｅには、第３実施形態と同様に、中央の第１画素電極領域１５ａ１を中心としてシール材４０の長辺方向に向かって、第２画素電極領域１５ｂ２、第３画素電極領域１５ｃ３の順に繰り返し配列されている。
【０１７９】
まず、選択端子９０から全ての選択配線８０に信号を供給して全てのＴＦＴ３３をオン状態とする。そして、第１書き込み端子９１から第１書き込み配線８１に第１信号を供給し、複数の第１画素電極１５ａに同時に書き込みを行う。
【０１８０】
次に、第２書き込み端子９２から第２書き込み配線８２に、第１信号に対して位相が所定の量遅れた第２信号を供給し、複数の第２画素電極１５ｂに同時に書き込みを行う。
【０１８１】
次に、第３書き込み端子９３から第３書き込み配線８３に、第２信号に対して位相が所定の量遅れた第３信号を供給し、複数の第３画素電極１５ｃに同時に書き込みを行う。
【０１８２】
第１信号、第２信号、第３信号は、例えば、図８に示す交流信号Ｖ１，Ｖ２，Ｖ３である。なお、周波数も同様に、１０ｍＨｚ〜５０ｍＨｚである。
【０１８３】
このように、第１書き込み配線８１に対して第２書き込み配線８２、第２書き込み配線８２に対して第３書き込み配線８３の位相が遅れるように交流信号Ｖ１，Ｖ２，Ｖ３を印加するので、各画素電極１５間に生ずる電界の分布が、第１画素電極領域１５ａ１から第３画素電極領域１５ｃ３の方向に向かって移動する。これにより、液晶層５０の中に含まれるイオン性不純物６０を第１画素電極領域１５ａ１から第３画素電極領域１５ｃ３の方向に掃き寄せることができる。
【０１８４】
また、イオン性不純物６０を掃き寄せるための専用の配線（８０，８１，８２，８３）を設けるので、上記投射型表示装置１０００の立ち下げの数分間、また立ち上げの数分間のときに、外部電源を使用することなく駆動することができる。具体的には、例えば、投射型表示装置１０００の中にあるバッテリーで駆動ができる。また、バッテリーで駆動ができるので、ＡＣ電源をつなぐことなく、長時間この駆動を行うことができる。また、スキャン動作をすることなく、各信号を書き込むことができる。
【０１８５】
以上詳述したように、第４実施形態の液晶装置５００の駆動方法、及び液晶装置５００によれば、以下に示す効果が得られる。
【０１８６】
（８）第４実施形態の液晶装置５００の駆動方法、及び液晶装置５００によれば、第１書き込み配線８１に対して第２書き込み配線８２、第２書き込み配線８２に対して第３書き込み配線８３の位相が遅れるように交流信号Ｖ１，Ｖ２，Ｖ３を印加するので、各画素電極１５間に生ずる電界の分布が、第１画素電極領域１５ａ１から第３画素電極領域１５ｃ３の方向に向かって移動する。これにより、液晶層５０の中に含まれるイオン性不純物６０を第１画素電極領域１５ａ１から第３画素電極領域１５ｃ３の方向に掃き寄せることができる。加えて、イオン性不純物６０を掃き寄せるための専用の配線（８０，８１，８２，８３）を設けるので、上記投射型表示装置１０００の立ち下げの数分間とか、立ち上げの数分間のときに、外部電源を使用することなく駆動できる。具体的には、例えば、投射型表示装置１０００の中にあるバッテリーで駆動ができる。また、バッテリーで駆動ができるので、ＡＣ電源をつなぐことなく、長時間この駆動を行うことができる。また、スキャン動作をすることなく、各信号を書き込むことができる。
【０１８７】
なお、本発明の態様は、上記した実施形態に限られるものではなく、請求の範囲及び明細書全体から読み取れる発明の要旨あるいは思想に反しない範囲で適宜変更可能であり、本発明の態様の技術範囲に含まれるものである。また、以下のような形態で実施することもできる。
【０１８８】
（変形例１）
上記したように、交流信号Ｖ１，Ｖ２，Ｖ３の信号波形は、矩形波であることに限定されず、例えば、図１６に示すような信号波形でもよい。図１６は、正弦波の場合である。
【０１８９】
図１６に示すように、交流信号Ｖ１，Ｖ２，Ｖ３が正弦波の場合も同様に、交流信号Ｖ１に対して交流信号Ｖ２の位相が１２０°遅延している。また、交流信号Ｖ２に対して交流信号Ｖ３の位相が１２０°遅延している。また、矩形波や正弦波に限定されず、三角波でもよい。
【０１９０】
なお、正弦波のようなアナログ信号を生成するアナログ回路に比べて、矩形波（及び三角波）を生成するデジタル回路の方が回路構成を簡略化できる。つまり、波形生成の難易度からすると、正弦波より矩形波の方が作りやすい。信号波形を作りやすい順序としては、例えば、矩形波、三角波、正弦波の順である。最適な信号波形としては、信号発生の難易度を除けば、正弦波である。
【０１９１】
（変形例２）
上記したように、画素電極１５を用いてイオン性不純物６０を表示領域Ｅの外側に掃き出すことに加えて、図１７に示すように、表示領域Ｅの周囲に周辺電極１３０を設けて掃き出すようにしてもよい。図１７は、変形例２の液晶装置３００の構成を示す模式平面図である。図１８は、図１７に示す変形例２の液晶装置３００のＢ−Ｂ’線に沿う模式断面図である。
【０１９２】
図１７に示す液晶装置３００は、例えば、表示に寄与する実表示領域Ｅ１と、実表示領域Ｅ１を囲むように配置されたダミー画素領域Ｅ２と、ダミー画素領域Ｅ２を囲む額縁状のシール材４０と、が設けられている。また、シール材４０とダミー画素領域Ｅ２との間に見切り領域Ｅ３が設けられている。
【０１９３】
第３層間絶縁膜１４上における見切り領域Ｅ３と平面視で重なる領域には、イオン性不純物６０を見切り領域Ｅ３に掃き出すための周辺電極１３０が設けられている。周辺電極１３０は、第１電極１３１と、第２電極１３２と、第３電極１３３とを有しており、それぞれ平面視で四角形の枠状をなしている。
【０１９４】
第１電極１３１、第２電極１３２、第３電極１３３には、隣り合う電極間に生ずる電界（電気力線）の方向が、表示領域Ｅに近い第１電極１３１から第３電極１３３の方向に移動するように交流信号が与えられる。
【０１９５】
本変形例の対向基板２０において、対向電極２３は、例えば、実表示領域Ｅ１及びダミー画素領域Ｅ２と平面視で重なって設けられており、見切り領域Ｅ３とは平面視で重なって設けられていない。具体的には、液晶層５０を介して第１電極１３１、第２電極１３２、第３電極１３３のそれぞれに対向する部分には対向電極２３が設けられていない。
【０１９６】
したがって、第１電極１３１、第２電極１３２、第３電極１３３のそれぞれと対向電極２３との間で電界が生じ難い。つまり、第１電極１３１、第２電極１３２、第３電極１３３のそれぞれと対向電極２３との間で生じる電界によってイオン性不純物６０の移動が妨げられることなく、イオン性不純物６０が見切り領域Ｅ３へ効率よく掃き寄せられる。
【０１９７】
また、図１８に示すように、ダミー画素領域Ｅ２のダミー画素電極１２１，１２２を用いてイオン性不純物６０を掃引するようにしてもよい。
【０１９８】
具体的には、第１実施形態のような表示領域Ｅの画素電極１５と、本変形例のダミー画素領域Ｅ２のダミー画素電極１２１，１２２と、を含めた画素電極によって、イオン性不純物６０を掃引するようにしてもよい。
【０１９９】
ダミー画素領域Ｅ２には、実表示領域Ｅ１の画素電極１５と同様な構成のダミー画素電極１２１，１２２が設けられている。ダミー画素電極１２１，１２２を用いることにより、イオン性不純物６０を実表示領域Ｅ１の外周より遠くに離れた領域まで（例えば、周辺電極１３０まで）掃引する（受け渡す）ことができる。これにより、例えば、投射型表示装置１０００の電源をＯＦＦにしている間に、イオン性不純物６０が拡散して実表示領域Ｅ１に戻ることを抑えることができる。その結果、表示特性に影響を及ぼすことを抑えることができる。
【０２００】
なお、ダミー画素電極１２１，１２２は、イオン性不純物６０をより遠くまで掃引するために更に増やすように設けてもよい。また、周辺電極１３０は、第１電極１３１〜第３電極１３３の３本であることに限定されず、領域の広さに応じて、本数を増やすようにしてもよい。
【０２０１】
また、掃引効率は若干低下するものの、対向電極２３を対向基板２０の全体に亘って設けるようにしてもよい。これによれば、対向電極２３をパターニングしないので、工程数が増えることを抑えることができる。
【０２０２】
（変形例３）
上記したように、走査線３ａを用いて各画素電極１５に交流信号を印加することに変えて、データ線６ａを用いて各画素電極１５に交流信号を印加するようにしてもよい。また、ライン反転駆動法に限定されず、ドット反転駆動法を用いるようにしてもよい。
【０２０３】
（変形例４）
上記した第４実施形態のように、Ｘ方向に延在して各書き込み配線８１，８２，８３を配置することに限定されず、Ｙ方向に延在して各書き込み配線８１，８２，８３を配置するようにしてもよい。また、Ｙ方向に延在して選択配線８０を配置することに限定されず、Ｘ方向に延在するように配置してもよい。また、液晶装置の表示領域Ｅの縦横の長さに応じて配置するようにしてもよい。
【０２０４】
（変形例５）
上記したように、電気光学装置として液晶装置１００に適用することに限定されず、例えば、有機ＥＬ装置、プラズマディスプレイ、電子ペーパー（ＥＰＤ）等に適用するようにしてもよい。例えば、液晶装置の場合であれば、電気光学材料は液晶である。電子ペーパーの場合であれば、電気光学材料は電気泳動材料である。
【符号の説明】
【０２０５】
３ａ…走査線、３ａ１…第１配線としての第１走査線、３ａ２…第２配線としての第２走査線、３ａ３…第３配線としての第３走査線、３ｂ…容量線、ＣＮＴ１〜ＣＮＴ５…コンタクトホール、６ａ…データ線（第４配線、第５配線）、６ｂ…第１中継電極、７ａ…配線、７ｂ…第２中継電極、１０…第１基板としての素子基板、１０ｓ…基材、１１ａ…第１絶縁膜、１１ｂ…第２絶縁膜、１１ｃ…第３絶縁膜、１２…配線層、１３ａ…第２層間絶縁膜、１３ｂ…絶縁膜、１４…第３層間絶縁膜、１５…画素電極、１５ａ…第１画素電極、１５ｂ…第２画素電極、１５ｃ…第３画素電極、１６…容量素子、１６ａ…第１容量電極、１６ｂ…誘電体層、１６ｃ…第２容量電極、１６ｄ…第３中継電極、１８，２４…配向膜、１８ａ…カラム、２０…第２基板としての対向基板、２０ｓ…基材、２１…見切り部、２２…絶縁層、２３…対向電極、３０…ＴＦＴ、３０ａ…半導体層、３０ｇ…ゲート電極、３１…ソース電極、３２…ドレイン電極、３３，３３ａ，３３ｂ，３３ｃ…ＴＦＴ、４０…シール材、５０…電気光学層としての液晶層、６０…イオン性不純物、７１…温度センサー、８０…選択配線、８１…第１書き込み配線、８２…第２書き込み配線、８３…第３書き込み配線、９０…選択端子、９１…第１書き込み端子、９２…第２書き込み端子、９３…第３書き込み端子、１００，２００，３００，４００，５００…液晶装置、１０１…データ線駆動回路、１０２…走査線駆動回路、１０３…検査回路、１０４…外部接続端子、１０５…配線、１０６…上下導通部、１１０…液晶パネル、１２１，１２２…ダミー画素電極、１３０…周辺電極、１３１…第１電極、１３２…第２電極、１３３…第３電極、１０００…投射型表示装置、１１００…偏光照明装置、１１０１…ランプユニット、１１０２…インテグレーターレンズ、１１０３…偏光変換素子、１１０４，１１０５…ダイクロイックミラー、１１０６，１１０７，１１０８…反射ミラー、１２０１，１２０２，１２０３，１２０４，１２０５…リレーレンズ、１２０６…クロスダイクロイックプリズム、１２０７…投射レンズ、１２１０，１２２０，１２３０…液晶ライトバルブ、１３００…スクリーン。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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