(57)【要約】【課題】ＣＺ法によるシリコン単結晶の製造において、丸め工程終了後に、結晶を徐冷するアフターヒート工程において、シリコン単結晶の丸め部にスリップ転位が発生することを抑制し、効率良く高重量、大直径のシリコン単結晶を育成することができるシリコン単結晶育成方法を提供する。【解決手段】アフターヒート工程におけるシリコン単結晶を徐冷する際の、丸め部における相当応力と臨界分解剪断応力の比の値が最大となる直径を予め決定し、丸め工程において、決定した直径の位置の格子間酸素濃度が８．８×１０１７ａｔｏｍｓ／ｃｍ３（ＡＳＴＭ  ’７９）以上となるような条件で丸め部を育成する。【選択図】  図１
2015214460.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
チョクラルスキー法により、種結晶を原料融液に接触させ、コーン工程で拡径部を育成し、直胴工程で前記拡径部に続いて直胴部を育成し、丸め工程で前記直胴部の直径を徐々に縮径して丸め部を形成し、前記融液からシリコン単結晶を切り離した後、アフターヒート工程で前記シリコン単結晶を徐冷して、シリコン単結晶を育成するシリコン単結晶の育成方法であって、
予め前記アフターヒート工程における前記シリコン単結晶を徐冷する際の、前記丸め部における相当応力と臨界分解剪断応力の比の値が最大となる直径を決定し、
前記丸め工程において、前記決定した直径の位置の格子間酸素濃度が８．８×１０１７ａｔｏｍｓ／ｃｍ３（ＡＳＴＭ  ’７９）以上となるような条件で前記丸め部を育成することを特徴とするシリコン単結晶の育成方法。
【請求項２】
前記コーン工程において、
前記シリコン単結晶の前記拡径部の直径が４５０ｍｍ以上となるように育成することを特徴とする請求項１に記載のシリコン単結晶の育成方法。
【請求項３】
前記丸め工程において、
前記シリコン単結晶の前記丸め部の長さが４５０ｍｍ以下となるように育成することを特徴とする請求項１または請求項２に記載のシリコン単結晶の育成方法。
【請求項４】
前記アフターヒート工程において、
前記アフターヒート工程の時間が２．５時間以上であり、
前記アフターヒート工程終了時に前記融液の表面から前記決定した直径の位置までの高さを１８６ｍｍ以上となるようにすることを特徴とする請求項１から請求項３に記載のシリコン単結晶の育成方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、チョクラルスキー法（Ｃｚｏｃｈｒａｌｓｋｉ  ｍｅｔｈｏｄ、以下、ＣＺ法と略称する）によるシリコン単結晶の育成方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、ＣＺ法によるシリコン単結晶の製造においては、シリコン単結晶の小片を種結晶として用い、これを原料融液（シリコン融液）に接触させた後、回転させながらゆっくりと引き上げることでシリコン単結晶棒（インゴット）を育成させている。
【０００３】
この際、種結晶を原料融液に接触（シーディング、種付）させた後に、熱衝撃により種結晶に高密度で発生するスリップ転位（単にスリップとも言う）から伝播により生ずる転位を消滅させるために、種結晶を絞り込むテーパ状の絞り込み部とそれに続く直径を３ｍｍ程度に一旦細くした絞り部（ネック部）を形成するいわゆる種絞り（ネッキング）を行うことが多い（ダッシュネッキング法）。
【０００４】
このように種結晶の原料融液への接触を行い、ネッキングを行った後、所望の直径になるまで単結晶を太らせて拡径部（コーン部とも呼ばれる）を形成する（コーン工程）。次いで直胴部を育成させ（直胴工程）、そして直胴部の直径を徐々に縮径させながら丸め部を育成させる（丸め工程）。育成したシリコン単結晶を融液から切り離し、シリコン単結晶を徐冷する（アフターヒート工程）。このようにして無転位のシリコン単結晶を育成させている。
【０００５】
従来、このような無転位のシリコン単結晶を引き上げるための技術が種々提案されている。
例えば、特許文献１には、シーディング（種付）時の転位の増殖を抑えるために、ネッキング中に取り込まれる好ましい格子間酸素濃度が開示されている。
【０００６】
また近年，半導体デバイス用シリコンウェーハの大口径化が進み、直径３００ｍｍ以上、さらには直径４５０ｍｍのウェーハの需要が高まっている。それを受けて直径４５０ｍｍのシリコンウェーハ製造用のシリコン単結晶の製造が増加している。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００７】
【特許文献１】特開平１１−３４９３９８号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
従来、このような大口径の、特に直径４５０ｍｍ以上のシリコン単結晶の製造を行うと、丸め工程まではシリコン単結晶を無転位で育成することができるが、丸め工程終了後にシリコン単結晶を徐冷するアフターヒート工程において、育成した丸め部にスリップ転位が後発的に導入され、その導入されたスリップ転位が製品部分である直胴部まで伸張してしまうことがあった。そのため、歩留りを著しく低下させる問題があった。
【０００９】
そこで本発明は、上記問題に鑑みてなされたものであって、ＣＺ法によるシリコン単結晶の製造において、丸め工程終了後に、結晶を徐冷するアフターヒート工程において、シリコン単結晶の丸め部に、スリップ転位が発生することを抑制し、高重量、大直径のシリコン単結晶を歩留り良く育成することができるシリコン単結晶育成方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
上記目的を達成するために、本発明は、チョクラルスキー法により、種結晶を原料融液に接触させ、コーン工程で拡径部を育成し、直胴工程で前記拡径部に続いて直胴部を育成し、丸め工程で前記直胴部の直径を徐々に縮径して丸め部を形成し、前記融液からシリコン単結晶を切り離した後、アフターヒート工程で前記シリコン単結晶を徐冷して、シリコン単結晶を育成するシリコン単結晶育成方法であって、
前記アフターヒート工程における前記シリコン単結晶を徐冷する際の、前記丸め部における相当応力と臨界分解剪断応力の比の値が最大となる直径を予め決定し、
前記丸め工程において、前記決定した直径の位置の格子間酸素濃度が８．８×１０１７ａｔｏｍｓ／ｃｍ３（ＡＳＴＭ  ’７９）以上となるような条件で前記丸め部を育成することを特徴とするシリコン単結晶の育成方法を提供する。
【００１１】
このような方法であれば、格子間酸素濃度を上記のように制御するので、アフターヒート工程においてスリップ転位が丸め部に発生するのを効果的に抑制することが可能である。そのため、高重量、大直径のシリコン単結晶を歩留り良く育成することができる。
なお、本明細書中では、臨界分解剪断応力をＣＲＳＳ（Ｃｒｉｔｉｃａｌ  Ｒｅｓｏｌｖｅｄ  Ｓｈｅａｒ  Ｓｔｒｅｓｓ）と言うことがあり、相当応力と臨界分解剪断応力の比の値（相当応力を臨界分解剪断応力で割った値）をＣＲＳＳ比と言うことがある。
【００１２】
このとき、前記コーン工程において、前記シリコン単結晶の前記拡径部の直径が４５０ｍｍ以上となるように育成することができる。
このように、本発明は、特に４５０ｍｍ以上のような大口径のシリコン単結晶の育成におけるアフターヒート工程において、丸め部に導入されるスリップ転位を効果的に抑制することができる。
【００１３】
また、このとき、前記丸め工程において、前記シリコン単結晶の前記丸め部の長さが４５０ｍｍ以下となるように育成することができる。
このような条件にすることで、アフターヒート工程においてシリコン単結晶の丸め部にに導入されるスリップ転位を効果的に、より確実に抑制することができる。
【００１４】
またこのとき、前記アフターヒート工程において、前記アフターヒート工程の時間が２．５時間以上であり、前記アフターヒート工程終了時に前記融液の表面から前記決定した直径の位置までの高さを１８６ｍｍ以上となるようにすることができる。
このような条件にすることで、アフターヒート工程においてシリコン単結晶の丸め部にに導入されるスリップ転位を効果的に、より確実に抑制することができる。
【発明の効果】
【００１５】
以上のように、本発明によれば、ＣＺ法によるシリコン単結晶の育成における、アフターヒート工程において、丸め部に導入されるスリップ転位を抑制することができるので、高重量、大直径のシリコン単結晶を歩留まり良く育成することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１６】
【図１】数値解析により求めたアフターヒート工程におけるＣＲＳＳ比（相当応力と臨界分解剪断応力の比）の、結晶育成方向での分布の一例を示すグラフである。
【図２】丸め部の長さと、ＣＲＳＳ比（相当応力と臨界分解剪断応力の比）ピーク位置での丸め部の直径との関係の一例を示すグラフである。
【発明を実施するための形態】
【００１７】
以下、本発明について、実施態様の一例として、図や表を参照しながら詳細に説明するが、本発明はこれに限定されるものではない。
前述したように、大口径の、特に直径４５０ｍｍのシリコン単結晶の育成を行うと、丸め工程まではシリコン単結晶は無転位で育成するが、丸め終了後にシリコン単結晶を徐冷するアフターヒート工程においてシリコン単結晶の丸め部にスリップ転位が導入され、その導入されたスリップ転位が製品部分である直胴部まで伸張してしまい、歩留まりを著しく低下させる問題があった。
【００１８】
そこで本発明者は、アフターヒート工程で丸め部に導入されるスリップ転位について鋭意研究を行った。その結果、アフターヒート工程においてシリコン単結晶を徐冷する際に、丸め部における相当応力と臨界分解剪断応力の比の値が最大となる直径のところが、スリップ転位が導入される起点（スリップ起点とも称す）になりやすいことを発見した。
そこで、予めアフターヒート工程で相当応力と臨界分解剪断応力の比の値が最大となる直径を決定し、丸め工程において、前記決定した直径の位置の格子間酸素濃度が８．８×１０１７ａｔｏｍｓ／ｃｍ３（ＡＳＴＭ  ’７９）以上となるような条件で丸め部を育成することで、アフターヒート工程において丸め部にスリップ転位が導入されることを防止できることを見出し本発明を完成させた。
【００１９】
以下、本発明のシリコン単結晶の育成方法について詳述する。
本発明のシリコン単結晶の育成方法はチョクラルスキー法によるものである。使用するシリコン単結晶製造装置は特に限定されず、例えば従来から使用されているものと同様のものを使用することができる。なお、例えば、磁界をかけながらシリコン単結晶の引上げを行う、ＭＣＺ法（Ｍａｇｎｅｔｉｃ  Ｆｉｅｌｄ  Ａｐｐｌｉｅｄ  Ｃｚｏｃｈｒａｌｓｋｉ  ｍｅｔｈｏｄ：磁界下引上げ法）に対応した製造装置を採用することもできる。
【００２０】
（原料投入工程）
まず、装置内に収容した石英ルツボ内に原料となるシリコン多結晶原料を投入する。
【００２１】
（種付け工程）
原料をヒーターにより溶融して原料融液を得た後、シリコン単結晶の小片を種結晶として用い、これを原料融液に接触させた後、回転させながらゆっくりと引き上げることでシリコン単結晶を育成する。
この際、種結晶を原料融液に接触させた後に、熱衝撃により種結晶に高密度で発生するスリップ転位から伝播により生ずる転位を消滅させるために、種結晶を絞り込むテーパ状の絞り込み部とそれに続く直径を３ｍｍ程度に一旦細くした絞り部を形成するいわゆる種絞りを行うことができる（ダッシュネッキング法）。
または、このような種絞りを行わず、先端が尖った種結晶を用意して原料融液に静かに接触して所定径まで浸漬させてから引き上げを行う無転位種付け法を適用してシリコン単結晶を引上げることもできる。
【００２２】
（コーン工程）
所望の直径になるまで単結晶を太らせて拡径部を形成する。
なお、本発明において拡径部を太らせて形成する大きさは特に限定されないが、４５０ｍｍ又はそれ以上まで育成することができる。
（直胴部工程）
拡径部に続いて直胴部を育成する。
【００２３】
（丸め工程）
丸め工程を開始する前に、アフターヒート工程におけるシリコン単結晶を徐冷する際の、丸め部における相当応力と臨界分解剪断応力の比の値が最大となる直径を予め決定しておく。この直径の決定は丸め工程の前に行えば良く、上記工程の前後のどこで行っても良い。例えばこの直径を以下に詳述するようにしてシミュレーションによって決定できる。
【００２４】
その後、直胴部の直径を徐々に縮径させながら丸め部を育成する。
このときに、前記決定した直径の位置の格子間酸素濃度が８．８×１０１７ａｔｏｍｓ／ｃｍ３（ＡＳＴＭ’７９）以上となるような条件で丸め部を育成する。
このようにすることで、アフターヒート工程においてＣＲＳＳ比が最大となる位置に生じるスリップ転位を効果的に抑制することができるので、高重量、大直径のシリコン単結晶を無転位で効率良く育成することができる。
【００２５】
また、このときに丸め部の長さが４５０ｍｍ以下とすることが好ましい。
このようにすることで、アフターヒート工程においてシリコン単結晶の丸め部にに導入されるスリップ転位を効果的に、より確実に抑制することができる。
【００２６】
丸め部における前記決定した直径の位置の格子間酸素濃度を制御する具体的な方法は特に限定されないが、例えば、引き上げるシリコン単結晶の回転速度（ＳＲ）（すなわち、種結晶の回転速度でもある）を制御することにより、拡径部の格子間酸素濃度を制御することができる。また、その他の、シリコン単結晶中の格子間酸素濃度を高められる方法であればどのような方法でもよく、例えば、ルツボの回転速度（ＣＲ）を高回転にしても良いし、Ａｒガスの流速を低速化しても良いし、引上炉の炉内圧を高くしても良いし、石英ルツボ内に石英材を投入しても良い。また、これらの具体的な条件は実験的に決定することができる。
【００２７】
（アフターヒート工程）
上記のように丸め部を育成し、原料融液からシリコン単結晶を切り離した後、シリコン単結晶を引き上げながら徐々に冷却する。
この際に、アフターヒート工程の設定時間が２．５時間以上であることが好ましい。さらにこの設定時間の場合に、アフターヒート工程終了時に融液の表面から決定した前記直径の位置までの高さを１８６ｍｍ以上となるような引上げ速度とすることが好ましい。
このようにすれば、スリップ転位をより確実に抑制できる。
【００２８】
以下では、実験結果を交えて、アフターヒート工程において、丸め部における相当応力と臨界分解剪断応力の比の値が最大となる直径の位置にスリップ転位が導入されることについて詳述する。
【００２９】
（実験１）
ＣＺ法により、種結晶を原料融液に接触させ、拡径部の直径を４５０ｍｍまで育成させた。拡径部に続いて、直胴部を育成し、その後、丸め部をその長さが３５０ｍｍになるまで育成した。そして、シリコン単結晶を融液から切り離し、その後のアフターヒート工程で引上げ速度を０．５ｍｍ／分、アフターヒート設定時間を５時間とし、複数本のシリコン単結晶の育成を行った。
【００３０】
形成したシリコン単結晶の丸め部にはアフターヒート工程で、スリップ転位が発生した。このとき発生したスリップ転位の位置（スリップ起点と称す）と、スリップ起点におけるシリコン単結晶の格子間酸素濃度、さらにスリップ転位発生率を求め、その結果を表１に示した。ここで、スリップ転位発生率とは、シリコン単結晶の育成本数に対する、スリップ転位が発生したシリコン単結晶の本数の割合を表した値である。
【００３１】
【表１】
2015214460.tif 000003
【００３２】
表１に示すように、スリップ転位の起点は実験１で育成したいずれのシリコン単結晶においても丸め部の直径１８５ｍｍの位置であることが分かった。また、スリップ転位発生率は８５―１００％と極めて高かった。
【００３３】
発明者は丸め工程ではなくアフターヒート工程で、シリコン単結晶の丸め部にスリップ転位が発生したということから、丸め部に導入されたスリップ転位はアフターヒート工程におけるシリコン単結晶を徐冷する過程における熱応力によって生じたものであると推定した。
【００３４】
そこで、発明者はアフターヒート工程において丸め部に導入されたスリップ転位が、アフターヒート工程においてシリコン単結晶を徐冷する際の熱応力によるものであるかを調べるために、以下の実験２を行った。
【００３５】
（実験２）
実験１の条件（丸め部の長さを３５０ｍｍ、引上げ速度を０．５ｍｍ／分、アフターヒート設定時間を５時間）でシリコン単結晶を育成させる場合について、数値解析を行った。
【００３６】
なお、本発明者は、以下のようにして数値解析を行った。
まず、ＦＥＭＡＧ（総合伝熱解析ソフト：Ｆ．Ｄｕｐｒｅｔ，  Ｐ．Ｎｉｃｏｄｅｍｅ，  Ｙ．Ｒｙｃｋｍａｎｓ，  Ｐ．Ｗｏｕｔｅｒｓ，  ａｎｄ  Ｍ．Ｊ．Ｃｒｏｃｈｅｔ，  Ｉｎｔ．Ｊ．Ｈｅａｔ  Ｍａｓｓ  Ｔｒａｎｓｆｅｒ，３３，１８４９（１９９０））を用いた総合伝熱解析によりシリコン単結晶内の温度分布を求め、この温度分布を元にＡＮＳＹＳ（米国ＡＮＳＹＳ  Ｉｎｃ．製）を用いて重力を考慮した応力解析を行うことにより、シリコン単結晶内部の相当応力を求めた。これを、温度依存性を持つ臨界分解剪断応力（ＣＲＳＳ）で割り、この値（ＣＲＳＳ比）の結晶育成方向分布を算出した。このようなシミュレーション解析方法としたのは、引き上げ中のシリコン単結晶は内部に温度分布を持つため、単に相当応力を比較するだけでは、シリコン単結晶の有転位化のし易さを評価できないためである。
【００３７】
上記のようにして数値解析を行った結果、図１を得た。凡例は、アフターヒート設定時間に対して、経過した時間の割合を示したものである。図１から示されるようにアフターヒート工程におけるＣＲＳＳ比の最大となる（ＣＲＳＳ比ピーク値ともいう）丸め部の直径が１８５ｍｍの位置にあることが分かる。この結果は、実験１により求められたスリップ転位の起点が丸め部の直径が１８５ｍｍの位置にあるという結果と整合している。これらのことから、アフターヒート工程において、シリコン単結晶の丸め部のＣＲＳＳ比の値が最大となる直径の位置にスリップ転位が熱応力によって導入されるということが分かる。
【００３８】
そこで本発明では、シリコン単結晶中に不純物として存在する酸素が、シリコン単結晶の強度を上げ、シリコン単結晶にスリップ転位が発生することを抑制するという効果を応用することで、丸め部の無転位育成後のアフターヒート工程で丸め部にスリップ転位が導入されることを抑制することにした。
【実施例】
【００３９】
以下、本発明の実施例及び比較例を示して本発明をより具体的に説明するが、本発明はこれらに限定されるものではない。
【００４０】
（実施例１）
ＣＺ法により、石英ルツボ内の原料融液からコーン工程、直胴工程、丸め工程を行い、その後、アフターヒート工程を行い複数のシリコン単結晶を得た。
なお、直胴工程では直胴直径を４５０ｍｍとなるようにし、丸め工程では丸め部の長さを３５０ｍｍとなるようにし、アフターヒート工程では引上げ速度０．５ｍｍ／分、設定時間を５．０時間としてシリコン単結晶を引上げた。
また、アフターヒート工程で丸め部のＣＲＳＳ比が最大となる丸め部の直径を予め数値解析により求めた。その結果、アフターヒート工程でＣＲＳＳ比が最大となるのは、丸め部の直径が１８５ｍｍの位置であることが求められた。
なお、実施例では、丸め工程の際に、シリコン単結晶と石英ルツボの回転速度を調整することにより、アフターヒート工程で丸め部のＣＲＳＳ比が最大となる丸め部の直径の位置における格子間酸素濃度を調整した。実施例１では具体的には、前記求めた位置の格子間酸素濃度を８．８×１０１７、９．６×１０１７、１１．２×１０１７、１２．８×１０１７と、８．８×１０１７［ａｔｏｍｓ／ｃｍ３（ＡＳＴＭ  ’７９）］以上になるように制御し丸め工程を行った。上記条件によって得られた結果を表２に示す。
【００４１】
【表２】
2015214460.tif 000004
【００４２】
表２に示すように、上記条件で育成したシリコン単結晶のスリップ転位発生率はどの場合も０％と、比較例に比べて非常に良好であった。
【００４３】
（実施例２）
丸め工程で丸め部の長さを３５０から４６０ｍｍの範囲で変化させ、その際にアフターヒート工程で丸め部のＣＲＳＳ比が最大となる丸め部の直径の位置における格子間酸素濃度を８．８×１０１７［ａｔｏｍｓ／ｃｍ３（ＡＳＴＭ  ’７９）］になるように制御し丸め工程を行った以外は、実施例１と同様にしてシリコン単結晶の育成を行った。
また、丸め部の長さと、ＣＲＳＳ比ピーク位置での丸め部の直径との関係を数値解析により求め、図２に示した。図２に示すように丸め部の長さが変化すると、ＣＲＳＳ比ピーク位置の丸め部直径の値が変化することが分かる。
上記条件によって得られた結果を表３に示す。
【００４４】
【表３】
2015214460.tif 000005
【００４５】
表３に示したようにＣＲＳＳ比が最大となる丸め部の直径の位置の格子間酸素濃度を、８．８×１０１７ａｔｏｍｓ／ｃｍ３（ＡＳＴＭ  ’７９）としたことにより、スリップ発生率を低く抑えることができた。このときさらに、丸め部の長さが４５０ｍｍ以下にすることで、アフターヒート工程において丸め部にスリップ転位が導入されることをより確実に抑制することができる。ただし、丸め部の長さが４６０ｍｍのように４５０ｍｍを上回るような条件で育成を行ったとしても、従来に比べて良好な結果が得られることは言うまでもない。
【００４６】
（実施例３）
丸め工程において丸め部の長さを３５０から４５０ｍｍの範囲で変化させ、その際にアフターヒート工程で丸め部のＣＲＳＳ比が最大となる丸め部の直径の位置における格子間酸素濃度を８．８×１０１７［ａｔｏｍｓ／ｃｍ３（ＡＳＴＭ  ’７９）］になるように制御し丸め工程を行った。アフターヒート工程においては、アフターヒート設定時間を１．０から４．０時間の範囲で変化させ、アフターヒート工程終了時の融液からＣＲＳＳ比ピーク位置の丸め部直径の位置までの高さを変化させた。上記の条件以外は、実施例１と同様にしてシリコン単結晶の育成を行った。
上記条件によって得られた結果を表４に示す。
【００４７】
【表４】
2015214460.tif 000006
【００４８】
表４に示したように、アフターヒート工程設定時間を２．５時間以上でさらに、アフターヒート工程終了時の、ＣＲＳＳ比の最大となる直径の位置のメルトからの距離が１８６．０ｍｍ以上となるようにすれば、アフターヒート工程においてスリップ転位が丸め部に導入されることをより確実に抑制することができる。ただし、アフターヒート工程設定時間を２．５時間を下回る（例えば表４の１．０時間）、あるいはＣＲＳＳ比の最大となる直径の位置の融液からの距離が１８６．０ｍｍ未満となるような条件（例えば表４の１７２．０ｍｍなど）で育成を行ったとしても、従来に比べて良好な結果が得られることは言うまでもない。
【００４９】
（比較例）
【００５０】
一方、比較例では、実施例１のような丸め部における格子間酸素濃度は特に考慮しなかったこと以外は、実施例１と同様にしてＣＺ法にてシリコン単結晶の育成を複数行った。なお、丸め部の長さを３５０ｍｍ、アフターヒート引上げ速度を０．５ｍｍ／分、アフターヒート設定時間を５．０時間としてシリコン単結晶の育成を行った。その結果を表５に示す。
【００５１】
【表５】
2015214460.tif 000007
【００５２】
表５に示すように、上記条件にてシリコン単結晶の育成を行った結果、アフターヒート工程においてスリップ転位が導入された。その位置は丸め部の直径１８５ｍｍの位置であった。
この丸め部のスリップ転位が導入された位置における格子間酸素濃度は、表５に示すように、実施例１と異なり、いずれも８．８×１０１７ａｔｏｍｓ／ｃｍ３（ＡＳＴＭ  ’７９）未満であった。その結果、表５に示すように、スリップ発生率が８５％から１００％と実施例１と比べて悪かった。
【００５３】
丸め工程では、石英ルツボ中のシリコン融液の量が少なく、石英ルツボとシリコン融液との接触面積が小さくなることに加え、結晶直径の減少に伴い、自由メルト表面積が拡大し、融液中の酸素の蒸発が増大するため、融液中の酸素濃度が低下する。従って、通常、単結晶の丸め部の酸素濃度は直胴部より大幅に低い。本発明では、これを改善し、丸め部の酸素濃度を高めることによって、スリップ転位の発生を抑制できた。
【００５４】
なお、本発明は、上記実施形態に限定されるものではない。上記実施形態は例示であり、本発明の特許請求の範囲に記載された技術的思想と実質的に同一な構成を有し、同様な作用効果を奏するものは、いかなるものであっても本発明の技術的範囲に包含される。
【図１】
2015214460.tif 000008
【図２】
2015214460.tif 000009