(57)【要約】      （修正有）【課題】汎用Ｓｎめっき端子材を用いた端子に対しても嵌合時の挿入力を低減することができる錫めっき端子材を提供する。【解決手段】Ｃｕ又はＣｕ合金からなる基材５の表面にＳｎ系表面層６が形成され、該Ｓｎ系表面層と基材との間に、Ｓｎ系表面層から順にＣｕＳｎ合金層７／ＮｉＳｎ合金層８／Ｎｉ又はＮｉ合金層９が形成された錫めっき端子材であって、ＣｕＳｎ合金層は、Ｃｕ６Ｓｎ５を主成分とし、該Ｃｕ６Ｓｎ５のＣｕの一部がＮｉに置換した化合物合金層であり、ＮｉＳｎ合金層は、Ｎｉ３Ｓｎ４を主成分とし、該Ｎｉ３Ｓｎ４のＮｉの一部がＣｕに置換した化合物合金層であり、ＣｕＳｎ合金層の局部山頂の平均間隔Ｓが０．８μｍ以上２．０μｍ以下であり、かつＳｎ系表面層の平均厚みが０．２μｍ以上０．６μｍ以下であり、Ｓｎ系表面層の最表面に０．０５μｍ以下の膜厚のＡｇ被覆層１０が形成されてなり、表面の動摩擦係数が０．３以下である。【選択図】図１
2015124433.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
Ｃｕ又はＣｕ合金からなる基材上の表面にＳｎ系表面層が形成され、該Ｓｎ系表面層と前記基材との間に、前記Ｓｎ系表面層から順にＣｕＳｎ合金層／ＮｉＳｎ合金層／Ｎｉ又はＮｉ合金層が形成された錫めっき銅合金端子材であって、前記ＣｕＳｎ合金層は、Ｃｕ６Ｓｎ５を主成分とし、該Ｃｕ６Ｓｎ５のＣｕの一部がＮｉに置換した化合物合金層であり、前記ＮｉＳｎ合金層は、Ｎｉ３Ｓｎ４を主成分とし、該Ｎｉ３Ｓｎ４のＮｉの一部がＣｕに置換した化合物合金層であり、前記ＣｕＳｎ合金層の局部山頂の平均間隔Ｓが０．８μｍ以上２．０μｍ以下であり、かつ前記Ｓｎ系表面層の平均厚みが０．２μｍ以上０．６μｍ以下であり、前記Ｓｎ系表面層の最表面に０．０５μｍ以下の膜厚のＡｇ被覆層が形成されてなり、表面の動摩擦係数が０．３以下であることを特徴とする錫めっき銅合金端子材。
【請求項２】
前記ＣｕＳｎ合金層は、前記Ｃｕ6Ｓｎ5中にＮｉが１ａｔ％以上２５ａｔ％以下含有されていることを特徴とする請求項１記載の錫めっき銅合金端子材。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、自動車や民生機器等の電気配線の接続に使用されるコネクタ用端子、特に多ピンコネクタ用の端子として有用な錫めっき銅合金端子材に関する。
【背景技術】
【０００２】
錫めっき銅合金端子材は、銅合金からなる基材の上にＣｕめっき及びＳｎめっきを施した後にリフロー処理することにより、表層のＳｎ系表面層の下層にＣｕＳｎ合金層が形成されたものであり、端子材として広く用いられている。
近年、例えば自動車においては急速に電装化が進行し、これに伴い電気機器の回路数が増加するため、使用するコネクタの小型・多ピン化が顕著になっている。コネクタが多ピン化すると、単ピンあたりの挿入力は小さくても、コネクタを挿着する際にコネクタ全体では大きな力が必要となり、生産性の低下が懸念されている。そこで、錫めっき銅合金材の摩擦係数を小さくして単ピンあたりの挿入力を低減することが試みられている。
【０００３】
例えば、Ｓｎめっき銅合金材の最表面に錫とは異なる結晶構造を持つ金属層を形成することで挿入力を低減させるもの（特許文献１）があるが、接触抵抗が増大する、ハンダ濡れ性が低下するといった問題があった。
特許文献２では、表面めっき層を、Ｓｎめっき層とＡｇまたはＩｎを含むめっき層とをリフロー処理または熱拡散処理された層としている。
また、特許文献３では、Ｓｎめっき層の上にＡｇめっき層を形成して熱処理することにより、Ｓｎ−Ａｇ合金層を形成することが示されている。
これらの特許文献２、３記載の技術は、いずれも熱処理しＳｎ合金層としたものであり、表面全体が硬いＳｎ合金層で覆われているため、オス、メス両端子に用いた場合には摩擦抵抗の低減効果があるが、片側の端子が汎用のＳｎめっき端子材の場合、アブレシブ摩耗が発生してしまう問題があった。
ここで、コネクタの挿入力Ｆは、メス端子がオス端子を圧し付ける力（接圧）をＰ、動摩擦係数をμとすると、通常オス端子は上下２方向からメス端子に挟まれるので、Ｆ＝２×μ×Ｐ  となる。このＦを小さくするには、Ｐを小さくすることが有効だが、コネクタ嵌合時のオス・メス端子の電気的接続信頼性を確保するためにはいたずらに接圧を小さくすることができず、３Ｎ程度は必要とされる。多ピンコネクタでは、５０ピン／コネクタを超えるものもあるが、コネクタ全体の挿入力は１００Ｎ以下、できれば８０Ｎ以下、あるいは７０Ｎ以下が望ましいため、動摩擦係数μとしては、０．３以下が必要とされる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開平１１−１０２７３９号公報
【特許文献２】特開２００７−１７７３２９号公報
【特許文献３】特開２００４−２２５０７０号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
従来、表層の摩擦抵抗を下げたＳｎめっき材が開発されているが、その多くは同種のＳｎめっき材同士での摩擦抵抗の低減に有効である。しかし実際には、オス、メス端子を嵌合する接続端子の場合、両者に同じ材種を用いることが少なく、特にオス端子は、黄銅を基材とした汎用のＳｎめっき付き端子材が広く用いられている。そのため、メス端子のみに低挿入力端子材を用いても、挿入力低減の効果が小さいといった問題があった。
【０００６】
本発明は、前述の課題に鑑みてなされたものであって、汎用のＳｎめっき端子材を用いた端子に対しても嵌合時の挿入力を低減することができる錫めっき銅合金端子材の提供を目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
発明者らは、端子材表層の摩擦抵抗を下げる手段として、ＣｕＳｎ合金層とＳｎ系表面層との界面の形状を制御し、Ｓｎ系表面層の直下に急峻な凹凸形状のＣｕＳｎ合金層を配置することで摩擦係数が小さくなることを見出した。但し、この低挿入力端子材を端子の一方にのみ用い、他方を汎用のＳｎめっき材とした場合、摩擦係数低減の効果が半減した。
いずれも最表面がＳｎめっきであるため、同種のＳｎどうしが接触することでＳｎの凝着が発生して摩擦係数低減の効果が半減する。特に、低挿入力端子材は、Ｓｎ系表面層の直下に硬いＣｕＳｎ合金層が配置されているため、汎用のＳｎめっき端子材の軟らかいＳｎめっき層のＳｎが削れて凝着すると考えられる。
発明者らは鋭意研究した結果、最表面に薄くＡｇ被覆層を形成することで、低挿入力端子材の摩擦係数低減効果を確保しつつ、さらにＳｎの凝着を抑制し、他方の端子に汎用材を用いても摩擦抵抗の低減が可能となることを見出した。
【０００８】
すなわち、本発明の錫めっき銅合金端子材は、Ｃｕ又はＣｕ合金からなる基材上の表面にＳｎ系表面層が形成され、該Ｓｎ系表面層と前記基材との間に、前記Ｓｎ系表面層から順にＣｕＳｎ合金層／ＮｉＳｎ合金層／Ｎｉ又はＮｉ合金層が形成された錫めっき銅合金端子材であって、前記ＣｕＳｎ合金層は、Ｃｕ６Ｓｎ５を主成分とし、該Ｃｕ６Ｓｎ５のＣｕの一部がＮｉに置換した化合物合金層であり、前記ＮｉＳｎ合金層は、Ｎｉ３Ｓｎ４を主成分とし、該Ｎｉ３Ｓｎ４のＮｉの一部がＣｕに置換した化合物合金層であり、前記ＣｕＳｎ合金層の局部山頂の平均間隔Ｓが０．８μｍ以上２．０μｍ以下であり、かつ前記Ｓｎ系表面層の平均厚みが０．２μｍ以上０．６μｍ以下であり、前記Ｓｎ系表面層の最表面に０．０５μｍ以下の膜厚のＡｇ被覆層が形成されてなり、表面の動摩擦係数が０．３以下であることを特徴とする。
【０００９】
ＣｕＳｎ合金層の局部山頂の平均間隔Ｓを０．８μｍ以上２．０μｍ以下、Ｓｎ系表面層の平均厚みを０．２μｍ以上０．６μｍ以下とし、Ｓｎ系表面層の最表面に０．０５μｍ以下のＡｇ被覆層を設けることで、汎用のＳｎめっき端子材に対しても動摩擦係数を０．３以下とすることができる。この場合、Ｃｕの一部がＮｉに置換した（Ｃｕ，Ｎｉ）６Ｓｎ５層（ＣｕＳｎ合金層）およびＮｉの一部がＣｕに置換した（Ｎｉ,Ｃｕ）３Ｓｎ４層（ＮｉＳｎ合金層）の存在により、ＣｕＳｎ合金層の局部山頂の平均間隔Ｓが０．８以上２．０μｍ以下の急峻な凹凸形状となる。また、Ｓｎ系表面層の平均厚みが０．２μｍ以上０．６μｍ以下としたのは、０．２μｍ未満でははんだ濡れ性の低下、電気的接続信頼性の低下を招き、０．６μｍを超えると、表層をＳｎとＣｕＳｎ合金の複合構造とすることができず、Ｓｎだけで占められるので動摩擦係数が増大するためである。より好ましいＳｎ系表面層の平均厚みは０．３μｍ以上０．５μｍ以下である。
Ａｇ被覆層の膜厚が０．０５μｍを超えると、Ｓｎ系表面層とＣｕＳｎ合金層との特殊な界面形状による摩擦係数低減効果とＡｇ被覆層によるＳｎ凝着抑制効果とを同時に得ることができず、Ａｇ被覆層による凝着抑制効果のみであるため十分な摩擦係数低減効果が得られず、また、Ａｇ被覆層を厚くするほどコスト高となる。このＡｇ被覆層の膜厚は０．００５μｍ以上とするのが好ましい。
ここで、表面の動摩擦係数は、本発明の錫めっき銅合金端子材同士の間ではもちろんのこと、最表面にＳｎめっき層を有する汎用のＳｎめっき端子材に対しても、０．３以下とされる。最表面にＳｎめっき層を有する汎用のＳｎめっき端子材とは、基材にＣｕめっき、Ｓｎめっきを施してリフロー処理することにより得られるが、ＣｕＳｎ合金層の局部山頂の平均間隔Ｓが０．８μｍ未満あるいは２．０μｍを超え、平均厚み０．２μｍ以上３μｍ以下のＳｎめっき層を最表面に有するＳｎめっき端子材、あるいは、リフロー処理することなく、基材に厚み０．５μｍ以上３μｍ以下のＳｎめっき層を形成したＳｎめっき端子材をいう。
【００１０】
本発明の錫めっき銅合金端子材において、前記ＣｕＳｎ合金層は、前記Ｃｕ6Ｓｎ5中にＮｉが１ａｔ％以上２５ａｔ％以下含有されているとよい。
Ｎｉ含有量を１ａｔ％以上と規定したのは、１ａｔ％未満ではＣｕ６Ｓｎ５のＣｕの一部がＮｉに置換した化合物合金層が形成されず、急峻な凹凸形状とならないためであり、２５ａｔ％以下と規定したのは、２５ａｔ％を超えるとＣｕＳｎ合金層の形状が微細になりすぎる傾向にあり、ＣｕＳｎ合金層が微細になりすぎると動摩擦係数を０．３以下にすることができない場合があるためである。
【発明の効果】
【００１１】
本発明によれば、ＣｕＳｎ金属層とＳｎ系表面層との界面の凹凸形状を制御した低挿入力端子材のＳｎ系表面層の最表面に０．０５μｍ以下の膜厚のＡｇ被覆層を形成したことにより、汎用のＳｎめっき端子材との組み合わせで用いる場合でも、嵌合時の挿入力を低減することが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【００１２】
【図１】本発明の錫めっき銅合金端子材を模式的に示す断面図である。
【図２】本発明の端子材が適用される嵌合型接続端子の例を示す嵌合部の断面図である。
【図３】オス端子に用いられる端子材を模式的に示す断面図である。
【図４】動摩擦係数を測定するための装置を概念的に示す正面図である。
【図５】実施例６の銅合金端子材の断面のＳＴＥＭ像である。
【図６】図５の白線部分に沿うＥＤＳ分析図である。
【図７】比較例７の銅合金端子材の断面のＳＴＥＭ像である。
【図８】図７の白線部分に沿うＥＤＳ分析図である。
【図９】動摩擦係数測定後の実施例２のオス端子試験片表面の顕微鏡写真である。
【図１０】動摩擦係数測定後の比較例１のオス端子試験片表面の顕微鏡写真である。
【図１１】動摩擦係数測定後の比較例３のオス端子試験片表面の顕微鏡写真である。
【発明を実施するための形態】
【００１３】
本発明の実施形態の錫めっき銅合金端子材を説明する。
本実施形態の錫めっき銅合金端子材は、図１に模式的に示したように、Ｃｕ又はＣｕ合金からなる基材５上の表面にＳｎ系表面層６が形成され、Ｓｎ系表面層６と基材５との間に、ＣｕＳｎ合金層７／ＮｉＳｎ合金層８／Ｎｉ又はＮｉ合金層９がＳｎ系表面層６から順に形成され、Ｓｎ系表面層６の上に０．０５μｍ以下のＡｇ被覆層１０が形成されており、表面の動摩擦係数が０．３以下である。
【００１４】
基材は、Ｃｕ又はＣｕ合金からなるものであれば、特に、その組成が限定されるものではない。
Ｎｉ又はＮｉ合金層は、純Ｎｉ、Ｎｉ−ＣｏやＮｉ−Ｗ等のＮｉ合金からなる層である。
ＣｕＳｎ合金層は、Ｃｕ６Ｓｎ５を主成分とし、Ｃｕ６Ｓｎ５のＣｕの一部がＮｉに置換した化合物合金層であり、ＮｉＳｎ合金層は、Ｎｉ３Ｓｎ４を主成分とし、Ｎｉ３Ｓｎ４のＮｉの一部がＣｕに置換した化合物合金層である。これら化合物層は、後述するように基材の上にＮｉめっき層、Ｃｕめっき層、Ｓｎめっき層を順に形成してリフロー処理することにより形成されたものであり、Ｎｉ又はＮｉ合金層の上に、ＮｉＳｎ合金層、ＣｕＳｎ合金層の順に形成される。
また、ＣｕＳｎ合金層とＳｎ系表面層との界面は、急峻な凹凸状に形成され、ＣｕＳｕ合金層の局部山頂の平均間隔Ｓが０．８μｍ以上２．０μｍ以下とされる。局部山頂の平均間隔Ｓは、粗さ曲線から、その平均線の方向に基準長さだけ抜き取り、隣合う局部山頂間に対応する平均線の長さを求め、その基準長さの範囲内で求めた多数の局部山頂間の平均値である。Ａｇ被覆層及びＳｎ系表面層をエッチング液にて除去した後のＣｕＳｎ合金層の表面を測定することにより、求められる。
また、Ｓｎ系表面層の平均厚みは０．２μｍ以上０．６μｍ以下であり、このＳｎ系表面層の最表面に０．０５μｍ以下、好ましくは０．００５μｍ以上のＡｇ被覆層が形成されている。
【００１５】
このような構造の端子材は、Ｃｕの一部がＮｉに置換した（Ｃｕ，Ｎｉ）６Ｓｎ５層（ＣｕＳｎ合金層）の下にＮｉの一部がＣｕに置換した（Ｎｉ，Ｃｕ）３Ｓｎ４層（ＮｉＳｎ合金層）が存在することにより、ＣｕＳｎ合金層の局部山頂の平均間隔Ｓが０．８μｍ以上２．０μｍ以下の急峻な凹凸形状となり、Ｓｎ系表面層の表面から数百ｎｍの深さの範囲で、硬いＣｕＳｎ合金層とＳｎ系表面層との複合構造とされる。
この場合、Ｃｕ6Ｓｎ5中へのＮｉ含有量は、１ａｔ％以上２５ａｔ％以下とされる。Ｎｉ含有量を１ａｔ％以上と規定したのは、１ａｔ％未満ではＣｕ６Ｓｎ５のＣｕの一部がＮｉに置換した化合物合金層が形成されず、急峻な凹凸形状とならないためであり、２５ａｔ％以下と規定したのは、２５ａｔ％を超えるとＣｕＳｎ合金層の形状が微細になりすぎる傾向にあり、ＣｕＳｎ合金層が微細になりすぎると動摩擦係数を０．３以下にすることができない場合があるためである。
一方、Ｎｉ３Ｓｎ４合金層中へのＣｕの含有量は、５ａｔ％以上２０ａｔ％以下がよい。Ｃｕ含有量が少ない条件は、すなわちＣｕ６Ｓｎ５中に含有するＮｉ量も少なくなることを意味し（Ｎｉ３Ｓｎ４中にＣｕが置換しない条件では、Ｃｕ６Ｓｎ５中へＮｉが置換することが少ない）、急峻な凹凸形状にならない。上限を設けたのは、事実上２０％を超えるＣｕはＮｉ３Ｓｎ４中には入らないからである。
【００１６】
Ｓｎ系表面層の平均厚みが０．２μｍ以上０．６μｍ以下としたのは、０．２μｍ未満でははんだ濡れ性の低下、電気的接続信頼性の低下を招き、０．６μｍを超えると表層をＳｎとＣｕＳｎ合金の複合構造とすることができず、Ｓｎだけで占められるので動摩擦係数が増大するためである。より好ましいＳｎ系表面層の平均厚みは０．３μｍ以上０．５μｍ以下である。
【００１７】
Ａｇ被覆層は、Ａｇからなる被覆層であり、後述するように、リフロー処理した後のＳｎ系表面層の上に形成され、膜厚が０．０５μｍ以下とされる。０．０５μｍを超える膜厚では、Ｓｎ系表面層とＣｕＳｎ合金層との特殊な界面形状による摩擦係数低減効果とＡｇ被覆層によるＳｎ凝着抑制効果とを同時に得ることができず、Ａｇ被覆層による凝着抑制効果のみであるため十分な摩擦係数低減効果が得られず、また、Ａｇ被覆層を厚くするほどコスト高となる。このＡｇ被覆層の膜厚は０．００５μｍ以上とするのが好ましい。
【００１８】
次に、この端子材の製造方法について説明する。
基材として、Ｃｕ又はＣｕ−Ｎｉ−Ｓｉ系等のＣｕ合金からなる板材を用意する。この板材に脱脂、酸洗等の処理をすることによって表面を清浄にした後、下地Ｎｉめっき、Ｃｕめっき、Ｓｎめっきをこの順序で施す。
下地Ｎｉめっきは一般的なＮｉめっき浴を用いればよく、例えば硫酸（Ｈ２ＳＯ４）と硫酸ニッケル（ＮｉＳＯ４）を主成分とした硫酸浴を用いることができる。めっき浴の温度は２０℃以上５０℃以下、電流密度は１〜３０Ａ/ｄｍ２以下とされる。この下地Ｎｉめっき層の膜厚は０．０５μｍ以上１．０μｍ以下とされる。０．０５μｍ未満では、（Ｃｕ，Ｎｉ）６Ｓｎ５合金に含有するＮｉ含有量が少なくなり、急峻な凹凸形状のＣｕＳｎ合金層が形成されなくなり、１．０μｍを超えると曲げ加工等が困難となるためである。
Ｃｕめっきは一般的なＣｕめっき浴を用いればよく、例えば硫酸銅（ＣｕＳＯ４）及び硫酸（Ｈ２ＳＯ４）を主成分とした硫酸銅浴等を用いることができる。めっき浴の温度は２０〜５０℃、電流密度は１〜３０Ａ／ｄｍ２とされる。このＣｕめっきにより形成されるＣｕめっき層の膜厚は０．０５μｍ以上０．２０μｍ以下とされる。０．０５μｍ未満では、（Ｃｕ，Ｎｉ）６Ｓｎ５合金に含有するＮｉ含有量が大きくなり、ＣｕＳｎ合金層の形状が微細になりすぎてしまい、０．２０μｍを超えると、（Ｃｕ，Ｎｉ）６Ｓｎ５合金に含有するＮｉ含有量が少なくなり、急峻な凹凸形状のＣｕＳｎ合金層が形成されなくなるためである。
Ｓｎめっき層形成のためのめっき浴としては、一般的なＳｎめっき浴を用いればよく、例えば硫酸（Ｈ２ＳＯ４）と硫酸第一錫（ＳｎＳＯ４）を主成分とした硫酸浴を用いることができる。めっき浴の温度は１５〜３５℃、電流密度は１〜３０Ａ／ｄｍ２とされる。このＳｎめっき層の膜厚は０．５μｍ以上１．０μｍ以下とされる。Ｓｎめっき層の厚みが０．５μｍ未満であると、リフロー後のＳｎ系表面層が薄くなって電気接続特性が損なわれ、１．０μｍを超えると、表層部をＳｎとＣｕＳｎ合金の複合構造とすることができず、摩擦係数を０．３以下にすることが難しい。
【００１９】
リフロー処理条件としては、還元雰囲気中で基材の表面温度が２４０℃以上３６０℃以下となる条件で１秒以上１２秒以下の時間加熱し、急冷とされる。さらに望ましくは２６０℃以上３００℃以下で５秒以上１０秒以下の加熱後急冷である。この場合、保持時間は以下に示すようにＣｕめっき層及びＳｎめっき層のそれぞれの厚みに応じて１秒以上１２秒以下の範囲で適切な時間があり、めっき厚が薄いほど保持時間は少なく、厚くなると長い保持時間が必要になる。
＜基材温度を２４０℃以上３６０℃以下まで昇温後の保持時間＞
（１）Ｓｎめっき層の厚みが０．５μｍ以上０．７μｍ未満に対して、Ｃｕめっき層の厚みが０．０５以上０．１６μｍ未満の場合は１秒以上６秒以下、Ｃｕめっき層の厚みが０．１６μｍ以上０．２０μ以下の場合は３秒以上９秒以下
（２）Ｓｎめっき層の厚みが０．７μｍ以上１．０μｍ以下に対して、Ｃｕめっき層の厚みが０．０５以上０．１６μｍ未満の場合は３秒以上９秒以下、Ｃｕめっき層の厚みが０．１６μｍ以上０．２０μ以下の場合は６秒以上１２秒以下
２４０℃未満の温度、保持時間がこれら（１）（２）に示す時間未満の加熱ではＳｎの溶解が進まず、３６０℃を超える温度、保持時間が（１）（２）に示す時間を超える加熱ではＣｕＳｎ合金層中の結晶が大きく成長してしまい所望の形状を得られず、またＣｕＳｎ合金層が表層にまで達しＳｎ系表面層が残留しなくなるためである。また、加熱条件が高いとＳｎ系表面層の酸化が進行して好ましくない。
【００２０】
リフロー処理後の素材に脱脂、酸洗等の処理を行って、表面を洗浄した後、スパッタリング法やめっき法によってＡｇ被覆層を形成する。その膜厚は前述したとおり０．０５μｍ以下とされる。
【００２１】
そして、この端子材は、例えば図２に示すような形状のメス端子２に成形される。
このメス端子２は、図２に示す例では、全体としては角筒状に形成され、その一方端の開口部１５からオス端子１を嵌合することにより、このオス端子１を両側から挟持した状態に保持して接続される。メス端子２の内部には、嵌合されるオス端子１の一方の面に接触される弾性変形可能な接触片１６が設けられるとともに、この接触片１６に対向している側壁１７に、オス端子１の他方の面に接触する半球状の凸部１８がエンボス加工により内方に突出した状態に形成されている。接触片１６にも、凸部１８に対向するように山折り状の折り曲げ部１９が設けられている。これら凸部１８及び折り曲げ部１９は、オス端子１を嵌合したときにオス端子１に向けて凸となるように突出しており、該オス端子１に対する摺動部１１となる。
【００２２】
なお、オス端子１に用いられる端子材は、図３に模式的に示すように、Ｃｕ合金からなる基材２１上表面にＳｎめっき層２２が形成され、Ｓｎめっき層２２とＣｕ合金基材２１との間にＣｕＳｎ合金層２３が形成された、一般的なリフロー処理材から構成される。このオス端子１において、Ｓｎめっき層２２を溶解除去して、ＣｕＳｎ合金層２３を表面に現出させたときに測定されるＣｕＳｎ合金層２３の局部山頂の平均間隔Ｓは０．８μｍ未満あるいは２．０μｍを超えており、かつＳｎめっき層２２の平均厚みは０．２μｍ以上３μｍ以下である。
オス端子１は平板状に形成され、銅合金板にＣｕめっき及びＳｎめっきをこの順に施した後、リフロー処理することにより形成される。この場合、リフロー処理の加熱条件としては、一般には、２４０℃以上４００℃以下の温度で１秒以上２０秒以下の時間保持した後、急冷される。
なお、リフロー処理することなく、Ｃｕ合金からなる基材にＳｎめっきにより平均厚み０．５μｍ以上３μｍ以下のＳｎめっき層を形成した端子材をオス端子材としてもよい。
【００２３】
このようなメス端子材及びオス端子材を用いて形成したコネクタは、メス端子２の開口部１５から接触片１６と側壁１７との間にオス端子１を挿入すると、接触片１６は二点鎖線で示す位置から実線で示す位置に弾性変形し、その折り曲げ部１９と凸部１８との間にオス端子１を挟持した状態に保持する。
前述したように、メス端子２は、ＣｕＳｎ合金層とＳｎ系表面層との界面がＣｕＳｎ合金層の局部山頂の平均間隔Ｓを０．８μｍ以上２．０μｍ以下とする急峻な凹凸形状に形成され、かつＳｎ系表面層の平均厚みが０．１μｍ以上０．６μｍ以下、Ｓｎ系表面層の最表面に０．０５μｍ以下の膜厚のＡｇ被覆層が形成されているので、メス端子２の凸部１８及び折り曲げ部１９の表面にＳｎが凝着することが抑制され、ＣｕＳｎ合金層とＳｎ系表面層との界面が急峻な凹凸形状に形成されていることによる動摩擦係数の低減効果が有効に発揮され、オス端子１が通常のリフロー処理によるＳｎ系表面層のものであっても、動摩擦係数を０．３以下にすることができる。
【実施例】
【００２４】
板厚０．２５ｍｍの無酸素銅板を基材とし、下地Ｎｉめっき、Ｃｕめっき、Ｓｎめっきを順に施した。この場合、Ｃｕめっき及びＳｎめっきのめっき条件は実施例、比較例とも同じである。めっき処理後、実施例、比較例ともリフロー処理して、還元雰囲気中で、基材表面温度が２４０℃以上３６０℃以下の温度になるまで昇温し、１秒以上１２秒以下の時間保持した後、水冷した。リフロー処理後、スパッタリング法によってＡｇ被覆層を形成した。
比較例として、下地Ｎｉめっきの厚さ、Ｃｕめっきの厚さ、Ｓｎめっきの厚さを変量したもの、Ａｇ被覆層を形成しなかったものも作製した。
この場合、各めっきの条件は表１に示す通りとした。表１中、Ｄｋはカソードの電流密度、ＡＳＤはＡ／ｄｍ２の略である。
各めっき層の厚さ、リフロー条件は、表２に示す通りとした。
【００２５】
【表１】
2015124433.tif 000003
【００２６】
これらの試料について、リフロー後のＳｎ系表面層の厚み、ＣｕＳｎ合金層の厚み、（Ｃｕ，Ｎｉ）６Ｓｎ５中のＮｉ含有量、（Ｎｉ，Ｃｕ）３Ｓｎ４層の有無、ＣｕＳｎ合金層の局部山頂の平均間隔Ｓ，Ａｇ被覆層の厚み、動摩擦係数、はんだ濡れ性を評価した。
Ａｇ被覆層の厚み、リフロー後のＳｎ系表面層及びＣｕＳｎ合金層の厚みは、エスアイアイ・ナノテクノロジー株式会社製蛍光Ｘ線膜厚計（ＳＦＴ９４００）にて測定した。リフロー後のＳｎ系表面層及びＣｕＳｎ合金層の厚みは、Ａｇ被覆層を形成する前の試料について、最初にリフロー後の試料の全Ｓｎ系表面層の厚みを測定した後、例えばレイボルド株式会社製のＬ８０等の、純ＳｎをエッチングしＣｕＳｎ合金を腐食しない成分からなるめっき被膜剥離用のエッチング液に５分間浸漬することによりＳｎ系表面層を除去し、その下層のＣｕＳｎ合金層を露出させ純Ｓｎ換算におけるＣｕＳｎ合金層の厚みを測定した後、（全Ｓｎ系表面層の厚み−純Ｓｎ換算におけるＣｕＳｎ合金層の厚み）をＳｎ系表面層の厚みと定義した。
（Ｃｕ，Ｎｉ）６Ｓｎ５層中のＮｉ含有量、（Ｎｉ，Ｃｕ）３Ｓｎ４層の有無は、断面ＳＴＥＭ像及びＥＤＳ線分析により求めた。
ＣｕＳｎ合金層の局部山頂の平均間隔Ｓは、Ｓｎめっき被膜剥離用のエッチング液に浸漬してＳｎ系表面層を除去し、その下層のＣｕＳｎ合金層を露出させた後、株式会社キーエンス製レーザ顕微鏡(ＶＫ−Ｘ２００)を用い、対物レンズ１５０倍（測定視野９６μｍ×７２μｍ）の条件で、長手方向で５点、短手方向で５点、計１０点測定したＳの平均値より求めた。
【００２７】
動摩擦係数については、嵌合型のコネクタのオス端子とメス端子の接点部を模擬するように、各試料について板状のオス端子試験片と内径１．５ｍｍの半球状としたメス試験片とを作成し、株式会社トリニティーラボ製の摩擦測定機（μＶ１０００）を用い、両試験片間の摩擦力を測定して動摩擦係数を求めた。図４により説明すると、水平な台３１上にオス端子試験片３２を固定し、その上にメス試験片３３の半球凸面を置いてめっき面同士を接触させ、メス試験片３３に錘３４によって５００ｇｆの荷重Ｐをかけてオス端子試験片３２を押さえた状態とする。この荷重Ｐをかけた状態で、オス端子試験片３２を摺動速度８０ｍｍ／分で矢印により示した水平方向に１０ｍｍ引っ張ったときの摩擦力Ｆをロードセル３５によって測定した。その摩擦力Ｆの平均値Ｆａｖと荷重Ｐより動摩擦係数（＝Ｆａｖ／Ｐ）を求めた。表２には、荷重を４．９Ｎ（５００ｇｆ）としたときの動摩擦係数を記載した。
オス端子試験片として、板厚０．２５ｍｍの銅合金（Ｃ２６００、Ｃｕ：７０室量％−Ｚｎ：３０質量％）を基材とし、Ｃｕめっき、Ｓｎめっきを順に施し、リフロー処理した。このオス端子材のリフロー条件としては、基材温度２７０℃、保持時間６秒とし、リフロー後のＳｎめっき層の厚みは０．６μｍ、ＣｕＳｎ合金層の厚みは０．５μｍとした。このＣｕＳｎ合金層の局部山頂の平均間隔Ｓは２．１μｍとした。
【００２８】
はんだ濡れ性については、試験片を１０ｍｍ幅に切り出し、活性フラックスを用いてメニスコグラフ法にてゼロクロスタイムを測定した。（はんだ浴温２３０℃のＳｎ−３％Ａｇ−０．５％Ｃｕはんだに浸漬させ、浸漬速度２ｍｍ／ｓｅｃ、浸漬深さ１ｍｍ、浸漬時間１０ｓｅｃの条件にて測定した。）はんだゼロクロスタイムが３秒以下を○と評価し、３秒を超えた場合を×と評価した。
また、電気的信頼性を評価するため、大気中で１５０℃×５００時間加熱し、接触抵抗を測定した。測定方法はＪＩＳ−Ｃ―５４０２に準拠し、４端子接触抵抗試験機（山崎精機研究所製：ＣＲＳ―１１３−ＡＵ）により、摺動式（１ｍｍ）で０から５０ｇまでの荷重変化−接触抵抗を測定し、荷重を５０ｇとしたときの接触抵抗値で評価した。
これらの測定結果、評価結果を表２に示す。
【００２９】
【表２】
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【００３０】
この表２から明らかなように、実施例はいずれも動摩擦係数が０．３以下と小さく、はんだ濡れ性が良好で、接触抵抗も１０ｍΩ以下を示した。特に実施例１から８及び１０から１９のＮｉめっき厚みが０．１μｍ以上あるものは、全て４ｍΩ以下の低い接触抵抗を示した。
これに対して、各比較例は以下のような不具合が認められた。比較例１、３はいずれもＡｇ被覆層がないので、動摩擦係数が大きい。比較例２は、（Ｎｉ，Ｃｕ）３Ｓｎ４層が無く、Ａｇ被覆層を形成するだけでは低減効果はあるものの大きな効果は得られない。比較例４は、Ａｇ被覆層の膜厚が大きいため、ＣｕＳｎ合金層による動摩擦係数の低減効果を十分に得られず動摩擦係数が０．３を超えている。比較例５はＣｕめっき厚が薄すぎるためＣｕＳｎ合金層の局部山頂の平均間隔Ｓ が下限を下回ってしまい動摩擦係数が０．３を超えている。比較例６，８，９はＣｕＳｎ合金層が大きく成長しすぎてしまい、表面に残留するＳｎ系表面層が少なくなり過ぎるため、はんだ濡れ性が悪くなる。動摩擦係数が０．３を超えている比較例７は、Ｃｕめっき厚が厚すぎるため、（Ｎｉ，Ｃｕ）３Ｓｎ４層が無く、Ｃｕ６Ｓｎ５中にＮｉを含有していないため大きな効果が得られない。
図５，６は実施例６の断面ＳＴＥＭ像とＥＤＳ線分析結果であり、図７，８は比較例７の断面ＳＴＥＭ像とＥＤＳ線分析結果である。図５及び図６の（ｉ）が基板、（ｉｉ）がＮｉ層、（ｉｉｉ）が（Ｎｉ，Ｃｕ）３Ｓｎ４層、（ｉｖ）が（Ｃｕ，Ｎｉ）６Ｓｎ５層である。図７及び図８では、（ｉ´）がＮｉ層、（ｉｉ´）がＣｕ３Ｓｎ層、（ｉｉｉ´）がＣｕ６Ｓｎ５層である。
これらの写真を比較してわかるように、実施例のものは、図６に示されるようにＣｕ６Ｓｎ５中にＮｉが含有されていること及びＮｉ層とＣｕ６Ｓｎ５層との界面にＣｕを含むＮｉ３Ｓｎ４層が形成されていることがわかる。実施例の端子材におけるＮｉ３Ｓｎ４層中のＣｕ含有量は、５〜２０ａｔ％の範囲内と想定される。例えば実施例２では１１ａｔ％であった。
比較例のものは、図８に示されるようにＮｉ３Ｓｎ４層が形成されず、Ｃｕ６Ｓｎ５中にもＮｉを含有していないことがわかる。
図９は実施例２の動摩擦係数測定後のオス端子試験片の摺動面の顕微鏡写真であり、図１０は比較例１の顕微鏡写真であり、図１１は比較例７の顕微鏡写真である。これらの写真を比較してわかるように、実施例のものは、Ｓｎの凝着が抑制され摺動面が滑らかなのに対し、比較例はＳｎの凝着のため摺動面が粗い。メス側の局部山頂の平均間隔Ｓが大きい比較例７は、Ａｇ被覆層があってもＳｎの凝着が発生し摺動面が粗くなっている。
【符号の説明】
【００３１】
１  オス端子
２  メス端子
５  基材
６  Ｓｎ系表面層
７  ＣｕＳｎ合金層
８  ＮｉＳｎ合金層
９  Ｎｉ又はＮｉ合金層
１０  Ａｇ被覆層
１１  摺動部
１５  開口部
１６  接触片
１７  側壁
１８  凸部
１９  折り曲げ部
２１  基材
２２  Ｓｎめっき層
２３  ＣｕＳｎ合金層
３１  台
３２  オス端子試験片
３３  メス試験片
３４  錘
３５  ロードセル
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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