(57)【要約】【課題】画素間で色の滲みが防止でき、１つの駆動基板を用いて優れたフルカラー表示が可能なエレクトロクロミック表示装置の提供。【解決手段】画素が行方向と列方向とにマトリクスをなして配列し、前記画素がそれぞれ２つ以上の副画素から構成され、前記副画素に電圧を印加する駆動回路と、前記副画素のうち１つに接続された対向電極と、前記副画素のうち他方に接続された表示電極と、前記表示電極に接して設けられたエレクトロクロミック層と、前記表示電極と前記エレクトロクロミック層と前記対向電極に亘って含浸された電解液層と、を備え、前記対向電極、前記表示電極、及び前記エレクトロクロミック層が積層されており、かつ前記エレクトロクロミック層、前記表示電極、及び前記対向電極が、各画素間でそれぞれ離間して設けられているエレクトロクロミック表示装置である。【選択図】図１
2015022107.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
画素が行方向と列方向とにマトリクスをなして配列し、
前記画素がそれぞれ２つ以上の副画素から構成され、
前記副画素に電圧を印加する駆動回路と、
前記副画素のうち１つに接続された対向電極と、
前記副画素のうち他方に接続された表示電極と、
前記表示電極に接して設けられたエレクトロクロミック層と、
前記表示電極と前記エレクトロクロミック層と前記対向電極に亘って含浸された電解液層と、を備え、
前記対向電極、前記表示電極、及び前記エレクトロクロミック層が積層されており、かつ前記エレクトロクロミック層、前記表示電極、及び前記対向電極が、各画素間でそれぞれ離間して設けられていることを特徴とするエレクトロクロミック表示装置。
【請求項２】
画素が行方向と列方向とにマトリクスをなして配列し、
前記画素がそれぞれ３つ以上の複数の副画素から構成され、
前記複数の副画素に電圧を印加する駆動回路と、
前記複数の副画素のうち少なくとも１つに接続された複数の対向電極と、
前記複数の副画素のうち前記対向電極が接続されない副画素にそれぞれ接続された複数の表示電極と、
前記複数の表示電極のそれぞれに接して設けられた複数のエレクトロクロミック層と、
前記複数の表示電極と前記複数のエレクトロクロミック層と前記複数の対向電極に亘って含浸された電解液層と、を備え、
複数組の前記表示電極、前記エレクトロクロミック層、及び前記対向電極は、それぞれ互いに離間して積層され、各表示電極及び前記対向電極は各画素間でそれぞれ離間して設けられていることを特徴とするエレクトロクロミック表示装置。
【請求項３】
前記少なくとも１つの表示電極と前記対向電極との間に絶縁層が設けられている請求項１から２のいずれかに記載のエレクトロクロミック表示装置。
【請求項４】
前記複数の表示電極の間には絶縁層が設けられている請求項２に記載のエレクトロクロミック表示装置。
【請求項５】
前記表示電極、前記エレクトロクロミック層、前記絶縁層及び前記対向電極の少なくともいずれかが、多孔性を有する請求項１から４のいずれかに記載のエレクトロクロミック表示装置。
【請求項６】
前記表示電極、前記エレクトロクロミック層、前記絶縁層及び前記対向電極の少なくともいずれかが、光学透過性を有する請求項１から５のいずれかに記載のエレクトロクロミック表示装置。
【請求項７】
前記対向電極が、前記少なくとも１つの表示電極よりも前記副画素に近い側に設けられている請求項１から６のいずれかに記載のエレクトロクロミック表示装置。
【請求項８】
前記少なくとも１つの表示電極と前記副画素の間に平坦化層が設けられている請求項１から７のいずれかに記載のエレクトロクロミック表示装置。
【請求項９】
前記対向電極と前記少なくとも１つの表示電極が同じ大きさを有し、それぞれがずれなく積層されている請求項１から８のいずれかに記載のエレクトロクロミック表示装置。
【請求項１０】
前記副画素と反対側の最表面に保護層を有し、前記電解液層が、前記平坦化層と前記保護層の間に充填されている請求項８から９のいずれかに記載のエレクトロクロミック表示装置。
【請求項１１】
２つ以上の副画素電極を有するアクティブマトリクス基板上に、平坦化層を形成する工程と、
１つの副画素上の平坦化層に第１の貫通孔を設ける工程と、
対向電極を形成する工程と、
他方の副画素上の対向電極と平坦化層に第２の貫通孔を形成する工程と、
絶縁層を形成する工程と、
第２の貫通孔内の絶縁層に前記第２の貫通孔よりも小さな第３の貫通孔を形成する工程と、
表示電極を形成する工程と、
エレクトロクロミック層を形成する工程と、を含むことを特徴とするエレクトロクロミック表示装置の製造方法。
【請求項１２】
３つ以上の副画素電極を有するアクティブマトリクス基板上に、平坦化層を形成する工程と、
第２の副画素上の前記平坦化層に第１の貫通孔を設ける工程と、
対向電極を形成する工程と、
第２の副画素上の、前記対向電極と前記平坦化層に第２の貫通孔を形成する工程と、
第１の絶縁層を形成する工程と、
前記第２の貫通孔内の前記第１の絶縁層に、前記第２の貫通孔よりも小さな第３の貫通孔を形成する工程と、
第１の表示電極を形成する工程と、
第１のエレクトロクロミック層を形成する工程と、
第３の副画素上の前記平坦化層、前記対向電極、前記第１の絶縁層、前記第１の表示電極、及び前記第１のエレクトロクロミック層に第４の貫通孔を形成する工程と、
第２の絶縁層を形成する工程と、
前記第４の貫通孔内の前記第２の絶縁層に、前記第４の貫通孔よりも小さな第５の貫通孔を形成する工程と、
第２の表示電極を形成する工程と、
第２のエレクトロクロミック層を形成する工程と、を含むことを特徴とするエレクトロクロミック表示装置の製造方法。
【請求項１３】
前記表示電極、前記エレクトロクロミック層、前記絶縁層、及び前記対向電極層を形成した後で、それぞれの層を画素サイズに分断する工程を含む請求項１１から１２のいずれかに記載のエレクトロクロミック表示装置の製造方法。
【請求項１４】
前記表示電極、前記エレクトロクロミック層、前記絶縁層、及び前記対向電極層を形成した後で、それぞれの層内に電解液を充填する工程を含む請求項１１から１３のいずれかに記載のエレクトロクロミック表示装置の製造方法。
【請求項１５】
電解液充填後に保護層を設ける工程を含む請求項１４に記載のエレクトロクロミック表示装置の製造方法。
【請求項１６】
請求項１から１０のいずれかに記載のエレクトロクロミック表示装置の駆動方法であって、
前記対向電極と接続された副画素と、前記複数の表示電極が接続された前記複数の副画素のうちいずれか１つ以上の副画素間に電圧を印加する駆動過程を含むことを特徴とするエレクトロクロミック表示装置の駆動方法。
【請求項１７】
前記少なくとも１つの表示電極が接続された複数の副画素のうち任意の２つの副画素間に電圧を印加する駆動過程を含む請求項１６に記載のエレクトロクロミック表示装置の駆動方法。
【請求項１８】
前記駆動過程において、選択されない副画素は高インピーダンス状態である請求項１６から１７のいずれかに記載のエレクトロクロミック表示装置の駆動方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、多色表示が可能なエレクトロクロミック表示装置及びその製造方法、並びに駆動方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、紙に替わる電子媒体として電子ペーパーへのニーズが高まり、その開発が盛んに行われている。この表示システムを実現する手段として、液晶ディスプレイや有機ＥＬディスプレイなどの自発光表示技術の開発が進み、一部製品化されている。一方で、低消費電力かつ視認性に優れた反射型表示技術が、次世代電子ペーパーの表示技術として有望視されている。
【０００３】
反射型表示技術として、コレステリック液晶を用いた反射型液晶表示技術が考案されている。しかしながら、この表示技術は選択反射を利用していることや基板の数が多いこともあり、反射率やコントラスト、彩度や色再現範囲が乏しく、視認性は「紙」には遠く及ばない。
また、反射型表示技術のうち、高い色再現性と表示メモリ性を兼ね備えた有機エレクトロクロミック材料からなるエレクトロクロミック表示技術が注目を集めている。
電圧を印加することで、可逆的に酸化還元反応が起こり、可逆的に色が変化する現象をエレクトロクロミズムという。このエレクトロクロミズム現象を引き起こすエレクトロクロミック化合物の発色／消色（以下、発消色という）を利用した表示装置がエレクトロクロミック表示装置である。このエレクトロクロミック表示装置については、反射型の表示装置であること、表示メモリ性があること、低電圧で駆動できることから、電子ペーパー用途の表示装置技術の有力な候補として、材料開発からデバイス設計に至るまで、幅広く研究開発が行われている。
【０００４】
エレクトロクロミック表示装置は、エレクトロクロミック化合物の構造によって様々な色を発色できるため、多色表示装置として期待されている。エレクトロクロミック表示装置は、通常は１対の対向した電極間に電流を印加し、それぞれの電極表面における活物質の酸化還元反応による呈色反応を用いた電気化学素子の１つである。即ち、色鮮やかなフルカラー表示を実現するためには、減法混色法を用いたイエロー、シアン、マゼンタの３原色の重ね合せた構造が必須となる。この例として、イエロー、シアン、マゼンタの３つの素子の積層によるフルカラー表示技術が報告されている（非特許文献１参照）。
【０００５】
また、多色表示技術として、１つの表示基板上に複数層の表示電極とエレクトロクロミック発色層を積層する構成が開示されている（例えば、特許文献１〜６参照）。
このうち、特許文献１及び２には、複数の表示電極を同一平面内にマトリクス状に配列した構造が例示されている。しかし、これらの表示素子の対向電極は対向基板上に設けられており、複数の表示電極を形成する際や、電解液を挟んで対向基板と貼り合せる際の位置精度に課題が残っている。
【０００６】
また、特許文献３では、複数の表示電極の外縁を互いに重ならない構造を採用することによって、成膜性の向上や歩留まりの改善することが開示されている。しかし、この開示の技術では、表示電極が重なった領域のみでフルカラー表示が得られるために、フルカラー表示の開口率に課題が残っている。
また、特許文献４及び５では、対向電極として、アクティブマトリクスＴＦＴを使用した例が開示されている。この開示された構造は、複数の表示電極には微細なパターニングが不要であることと、１つのアクティブマトリクスＴＦＴパネルで３つの表示電極を切り替えることで、高い開口率でフルカラー表示画像が得られることに特徴がある。しかし、この開示の技術では、複数の表示電極間でのクロストークの問題や、表示画像の保持性能に課題が残っている。
【０００７】
また、特許文献６では、積層された表示電極間にバイアス電圧を印加することで、画像保持性能を高める技術が開示されている。しかし、この開示の技術では、同一表示電極のエレクトロクロミック層では表示電極で電気的に接続さているために、画素間での色の拡散（色の滲み）の課題が残っていること、表示画像による差異があるために制御の困難さが課題である。
【０００８】
したがって、画素間で色の滲みが防止でき、１つの駆動基板を用いて優れたフルカラー表示が可能なエレクトロクロミック表示装置の提供が強く望まれている。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
本発明は、従来における前記諸問題を解決し、以下の目的を達成することを課題とする。即ち、本発明は、画素間で色の滲みが防止でき、１つの駆動基板を用いて優れたフルカラー表示が可能なエレクトロクロミック表示装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
前記課題を解決するための手段としての本発明のエレクトロクロミック表示装置は、画素が行方向と列方向とにマトリクスをなして配列し、
前記画素がそれぞれ２つ以上の副画素から構成され、
前記副画素に電圧を印加する駆動回路と、
前記副画素のうち１つに接続された対向電極と、
前記副画素のうち他方に接続された表示電極と、
前記表示電極に接して設けられたエレクトロクロミック層と、
前記表示電極と前記エレクトロクロミック層と前記対向電極に亘って含浸された電解液層と、を備え、
前記対向電極、前記表示電極、及び前記エレクトロクロミック層が積層されており、かつ前記エレクトロクロミック層、前記表示電極、及び前記対向電極が、各画素間でそれぞれ離間して設けられている。
【発明の効果】
【００１１】
本発明によると、従来における前記諸問題を解決することができ、画素間で色の滲みが防止でき、１つの駆動基板を用いて優れたフルカラー表示が可能なエレクトロクロミック表示装置を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１２】
【図１】図１は、第１の実施形態に係るエレクトロクロミック表示装置の一例を示す図面である。
【図２】図２は、第２の実施形態に係るエレクトロクロミック表示装置の一例を示す図面である。
【図３】図３は、エレクトロクロミック表示装置の製造工程の一例を示すフロー図である。
【図４Ａ】図４Ａは、エレクトロクロミック表示装置の製造工程の一例を示す工程図である（その１）。
【図４Ｂ】図４Ｂは、エレクトロクロミック表示装置の製造工程の一例を示す工程図である（その２）。
【図４Ｃ】図４Ｃは、エレクトロクロミック表示装置の製造工程の一例を示す工程図である（その３）。
【図４Ｄ】図４Ｄは、エレクトロクロミック表示装置の製造工程の一例を示す工程図である（その４）。
【図４Ｅ】図４Ｅは、エレクトロクロミック表示装置の製造工程の一例を示す工程図である（その５）。
【図４Ｆ】図４Ｆは、エレクトロクロミック表示装置の製造工程の一例を示す工程図である（その６）。
【図４Ｇ】図４Ｇは、エレクトロクロミック表示装置の製造工程の一例を示す工程図である（その７）。
【図４Ｈ】図４Ｈは、エレクトロクロミック表示装置の製造工程の一例を示す工程図である（その８）。
【図５】図５は、第５の実施形態に係るエレクトロクロミック表示装置の一例を示す図面である。
【図６】図６は、実施例１のエレクトロクロミック表示装置の画素平面図である。
【図７】図７は、実施例２のエレクトロクロミック表示装置の画素平面図である。
【図８】図８は、比較例１のエレクトロクロミック表示装置を示す図面である。
【図９】図９は、比較例２のエレクトロクロミック表示装置を示す図面である。
【発明を実施するための形態】
【００１３】
（第１の実施形態）
本発明の第１の実施形態のエレクトロクロミック表示装置は、
画素が行方向と列方向とにマトリクスをなして配列し、
前記画素がそれぞれ２つ以上の副画素から構成され、
前記副画素に電圧を印加する駆動回路と、
前記副画素のうち１つに接続された対向電極と、
前記副画素のうち他方に接続された表示電極と、
前記表示電極に接して設けられたエレクトロクロミック層と、
前記表示電極と前記エレクトロクロミック層と前記対向電極に亘って含浸された電解液層と、を備えてなり、更に必要に応じてその他の部材を備えてなる。
前記第１の実施形態のエレクトロクロミック表示装置においては、前記対向電極、前記表示電極、及び前記エレクトロクロミック層が積層されており、かつ前記エレクトロクロミック層、前記表示電極、及び前記対向電極が、各画素間でそれぞれ離間して設けられている。
前記第１の実施形態のエレクトロクロミック表示装置は、前記表示電極と前記対向電極の間には、それぞれを互いに絶縁するための絶縁性多孔質層が設けられており、また前記表示電極、前記エレクトロクロミック層、前記対向電極のいずれか又はすべては電解液浸透性のための多孔性と、光学透過性を有することが好ましい。
【００１４】
ここで、図１は、本発明の第１の実施形態のエレクトロクロミック表示装置の構成について説明するための模式図を示し、本発明のエレクトロクロミック表示装置の各構成要素について具体的に説明する。ただし、以下に記す実施形態は、本発明における好適な実施形態であり、本発明の範囲は以下の説明において本発明を限定する旨の記載がない限り、これらの態様に限定されるものではない。
図１に示すように、本発明の第１の実施形態のエレクトロクロミック表示装置１００は、駆動回路を有する駆動基板１を有し、前記駆動基板１には画素２がマトリクス状に配列しており、画素２は２つの副画素３より構成される。それぞれの副画素３は駆動回路を有し、それぞれの副画素３から貫通孔１１を介して電気的に接続された対向電極４と表示電極５が絶縁層６を介して積層されている。また、表示電極５に接してエレクトロクロミック層７が設けられている。更に、電解液層８は多孔性を有する絶縁層６、エレクトロクロミック層７、表示電極５、対向電極４のいずれか又は全てにわたって含浸され、電解液は保護層９によって封止される。
【００１５】
また、保護層９が形成された側が視認面となるため、表示電極５よりも対向電極４が副画素３に近い側に設けられることが好ましく、更に反射型表示装置として用いる際には副画素３と表示電極５の間に白色反射層（又は平坦化層）１０が設けられることが好ましい。表示電極５と対向電極４は同じ大きさを有して設けられることが好ましく、それぞれが重ね合わせずれなく積層されていることが好ましい。
【００１６】
＜駆動基板＞
前記駆動基板１は、駆動回路と支持基板より構成される。
前記駆動回路は、画素が行列をなして配列していることが必要であり、ドットマトリクス表示に使われるパッシブマトリクス装置やアクティブマトリクス装置などを用いることができる。これらの中でも、ＴＦＴ（Ｔｈｉｎ  Ｆｉｌｍ  Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）を用いたアクティブマトリクスＴＦＴなどを好適に用いることができる。
前記アクティブマトリクスＴＦＴは、アモルファスシリコンやポリシリコンを例としたシリコン半導体や、インジウム−ガリウム−亜鉛酸化物（ＩＧＺＯ）を例とした酸化物半導体、グラフェンやカーボンナノチューブなどのカーボン半導体、ペンタセンを例とした有機半導体などを活性層に用いることができる。これらの中でも、比較的移動度が高い低温ポリシリコンＴＦＴやＩＧＺＯＴＦＴなどを好適に用いることができる。
前記駆動回路としては、１つの画素は複数の副画素を有することが必須条件である。通常の液晶パネルや有機ＥＬ（エレクトロルミネッセンス）パネルでは３つないし４つの副画素を有し、レッド、グリーン、ブルーの３色をそれぞれの副画素を同一平面内配置し、個別にコントロールすることでフルカラーを実現する。本発明における副画素もまた、図１の１点鎖線で示すように複数必要である（図１では２つの副画素３，３を有している。）。
【００１７】
前記支持基板としては、透明な基板であれば、ガラス基板、プラスチックフィルム等の基板が用いられる。前記プラスチックフィルムとしては、例えば、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート、ポリアミド（ナイロン）、ポリイミド、アクリル樹脂等が好ましい。
また、不透明な基板としてシリコン基板、ステンレス等の金属基板、またこれらを積層したものなど、さまざまな基板を用いることができる。
【００１８】
＜表示電極＞
前記表示電極５としては、透明性と導電性を有する材料であれば特に限定されるものではない。
前記表示電極５の材料としては、例えば、酸化インジウム、酸化亜鉛、酸化スズ、インジウムスズ酸化物、インジウム亜鉛酸化物等の金属酸化物が好ましい。また、透明性を有する銀、金、カーボンナノチューブ、金属酸化物等のネットワーク電極やこれらの複合層も有用である。
前記表示電極５の作製方法としては、例えば、真空蒸着法、スパッタリング法、イオンプレーティング法、又は前記表示電極材料が塗布形成できるものであれば、例えば、スピンコート法、キャスティング法、マイクログラビアコート法、グラビアコート法、バーコート法、ロールコート法、ワイアーバーコート法、ディップコート法、スリットコート法、キャピラリーコート法、スプレーコート法、ノズルコート法、グラビア印刷法、スクリーン印刷法、フレキソ印刷法、オフセット印刷法、反転印刷法、インクジェットプリント法等の各種印刷法も用いることができる。
これらの中でも、スパッタリング法を用いて真空蒸着したインジウム錫酸化物（ＩＴＯ）は導電性と透明性に優れており、好適に用いることができる。
前記表示電極の透過率は、６０％以上１００％未満が好ましく、９０％以上１００％未満がより好ましい。前記透過率が、６０％未満であると、表示色が暗くなる（色域が狭くなる）ために表示画像が色鮮やかさに乏しくなることがある。
【００１９】
前記表示電極５は、電解液を浸透するために多孔性を有することが好ましい。前記スパッタリング法を用いて成膜したＩＴＯなどの導電膜はイオン透過性に乏しいため、微細な貫通孔を有することが好ましい。
前記微細貫通孔を設ける方法としては、以下のような公知の形成方法を用いることができる。即ち、前記表示電極を形成する前にあらかじめ下地層として凹凸を持つ層を形成しそのまま凹凸を有する表示電極とする方法。また、該表示電極を形成する前にマイクロピラーなどの凸形状構造体を形成し、該表示電極形成後に該凸形状構造体を取り除く方法。また、前記表示電極を形成する前に発泡性の高分子重合体等を散布し、前記表示電極形成後に加熱や脱気する等の処理を施して発泡させる方法。また、直接該表示電極に各種放射線を輻射して細孔を形成させる方法等が考えられる。
【００２０】
前記表示電極に最も近接する前記表示電極と前記対向電極との間に設けられた前記表示電極に設けられる微細貫通孔の穴径は、例えば、０．０１μｍ〜１００μｍ程度が好適である。前記貫通孔の径が、０．０１μｍ未満であると、イオンの透過が悪くなる不具合が生じることがある。一方、前記貫通孔の径が、１００μｍを超えると、目視できるレベルであり、微細貫通孔直上の表示性能に不具合が生じることになる。このような問題を完全に回避するために、貫通孔の径を０．１μｍ〜５μｍ程度とすることがより好ましい。
【００２１】
前記微細貫通孔の表示電極の表面積に対する孔面積の比率（孔密度）は、特に制限はなく、適宜設定することができるが、例えば、０．０１％〜４０％程度とすることができる。前記孔密度が大きすぎると、孔が繋がってしまうことによる表示電極の導電性が損なわれる（パーコレーション効果）ために表示欠陥が大きくなる不具合が生じることがある。また、穴密度が小さすぎると、電解質イオンの浸透性が悪くなるために同様に発消色表示に問題が生じる不具合が生じることがある。
【００２２】
＜対向電極＞
前記対向電極４としては、導電性を有する材料であれば特に限定されるものではない。
前記対向電極の材料としては、例えば、酸化インジウム、酸化亜鉛、酸化スズ、インジウムスズ酸化物、インジウム亜鉛酸化物等の金属酸化物、あるいは亜鉛、白金等の金属、カーボン、又はそれらの複合膜などを用いることができる。また、前記対向電極が酸化還元反応により不可逆的に腐食されないように前記対向電極を覆うように保護膜が形成されていてもよい。
前記対向電極４の作製方法としては、例えば、真空蒸着法、スパッタリング法、イオンプレーティング法、又は前記対向電極材料が塗布形成できるものであれば、例えば、スピンコート法、キャスティング法、マイクログラビアコート法、グラビアコート法、バーコート法、ロールコート法、ワイアーバーコート法、ディップコート法、スリットコート法、キャピラリーコート法、スプレーコート法、ノズルコート法、グラビア印刷法、スクリーン印刷法、フレキソ印刷法、オフセット印刷法、反転印刷法、インクジェットプリント法等の各種印刷法も用いることができる。
【００２３】
＜＜対向電極を覆う保護膜＞＞
前記対向電極４を覆う保護膜としては、対向電極の不可逆的な酸化還元反応による腐食を防止する役割を担う材料であれば特に限定されるものではなく、例えば、Ａｌ２Ｏ３、ＳｉＯ２又はそれらを含む絶縁体材料や、酸化亜鉛、酸化チタン又はそれらを含む半導体材料、又はポリイミドなどの有機材料など、様々なものを用いることができる。これらの中でも、可逆的な酸化還元反応を示す材料は有用である。例えば、酸化アンチモン錫や酸化ニッケルなどの導電性又は半導体性金属酸化物微粒子を、例えば、アクリル系、アルキド系、イソシアネート系、ウレタン系、エポキシ系、フェノール系などのバインダにより対向電極上に固定化することが知られている。
前記保護膜の形成方法としては、例えば、真空蒸着法、スパッタリング法、イオンプレーティング法、又は前記保護膜材料が塗布形成できるものであれば、例えば、スピンコート法、キャスティング法、マイクログラビアコート法、グラビアコート法、バーコート法、ロールコート法、ワイアーバーコート法、ディップコート法、スリットコート法、キャピラリーコート法、スプレーコート法、ノズルコート法、グラビア印刷法、スクリーン印刷法、フレキソ印刷法、オフセット印刷法、反転印刷法、インクジェットプリント法等の各種印刷法も用いることができる。
【００２４】
＜貫通孔＞
前記対向電極４や前記表示電極５は、貫通孔１１を介して前記複数の副画素と電気的に接続することが必須要件である。
前記貫通孔１１を形成する方法としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、前記平坦化層を形成する前にマイクロピラーなどの凸形状構造体を形成し、前記平坦化層形成後に凸形状構造体を取り除く方法。また、光感光性樹脂を用いてフォトリソグラフィ法により形成する方法。また、直接該表示電極に各種放射線を輻射して細孔を形成させる方法等が考えられる。こられの中でも、パルスレーザなどを用いたレーザ加工法は、レーザ強度や波長などのコントロールが容易であり、細孔を形成する材料に合わせた加工法が選択できるため特に好適に用いることができる。
前記貫通孔を埋める材料としては、導電性があるものであれば特に限定されるものではない。即ち、前記対向電極や前記表示電極を形成する材料と形成方法を用いることができる。また、前記貫通孔の深さによってこれらの複合もまた有用である。例えば、貫通孔を形成した後に銀ナノメタルインクなどの金属ナノインクをインクジェット法で貫通孔中に滴下し、その後に対向電極や表示電極の電極層を形成することで、副画素と電極層の電気的な接触が良好となるために有用である。
【００２５】
＜平坦化層＞
副画素３の駆動回路の凹凸を平坦化するために平坦化層１０を設けることが好ましい。
前記平坦化層１０の材料としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、ウレタン樹脂、ポリイミド樹脂やアクリル樹脂、ポリアミドイミド樹脂などの樹脂材料は平坦化層の作製の容易さにより特に好適に用いることができる。
前記平坦化層１０を形成する方法としては、例えば、スピンコート法、キャスティング法、マイクログラビアコート法、グラビアコート法、バーコート法、ロールコート法、ワイアーバーコート法、ディップコート法、スリットコート法、キャピラリーコート法、スプレーコート法、ノズルコート法、グラビア印刷法、スクリーン印刷法、フレキソ印刷法、オフセット印刷法、反転印刷法、インクジェットプリント法等の各種印刷法を用いることができる。
前記平坦化層１０は透明、不透明を問わずどのような材料でも用いることができるが、特に白色の場合には後述の白色反射層を兼ねることができるので特に有用である。
【００２６】
＜白色反射層＞
前記白色反射層は、エレクトロクロミック表示素子を反射型の表示装置として用いる場合に、白色の反射率を向上させるためのものである。前記白色反射層は前記表示電極と副画素の間に挿入されることが好ましい。つまり、前記表示電極と前記対向電極が透明性を有する場合には白色反射層は前記平坦化層を兼ねて形成される。また、前記対向電極が不透明であれば前記対向電極と前記表示電極の間に設けることが好ましい。
前記白色反射層は白色顔料粒子を分散した樹脂を塗布形成する、等によって作製することができる。前記白色反射層に含まれる白色顔料粒子の材料としては、例えば、酸化チタン、酸化アルミニウム、酸化亜鉛、シリカ、酸化セシウム、酸化イットリウム等が用いられる。白色顔料粒子を分散させる樹脂としては、例えば、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、ウレタン樹脂、ポリイミド樹脂やアクリル樹脂、ポリアミドイミド樹脂などの各種高分子樹脂材料を用いることができる。
前記白色反射層を形成する方法としては、例えば、スピンコート法、キャスティング法、マイクログラビアコート法、グラビアコート法、バーコート法、ロールコート法、ワイアーバーコート法、ディップコート法、スリットコート法、キャピラリーコート法、スプレーコート法、ノズルコート法、グラビア印刷法、スクリーン印刷法、フレキソ印刷法、オフセット印刷法、反転印刷法、インクジェットプリント法等の各種印刷法を用いることができる。
【００２７】
前記白色反射層を前記対向電極と前記表示電極の間に設ける際には、白色反射層は電解液の浸透性を付与するために多孔性であることが好ましい。前記白色顔料粒子と樹脂の混合比を任意に調整することで多孔性は実現できるが、平坦性を付与するために後述の絶縁層と組み合わせて用いることも有用である。
【００２８】
＜絶縁層＞
前記絶縁層６は、前記表示電極と前記対向電極とが電気的に絶縁されるように隔離するためのものである。
前記絶縁層６の材料としては、多孔質であればよく特に限定されるものではないが、絶縁性が高く、耐久性が高く、成膜性に優れた有機材料、無機材料、又はそれらの複合体が好ましい。
前記多孔質膜の形成方法としては、焼結法（高分子微粒子や無機粒子を、バインダ等を添加して部分的に融着させ粒子間に生じた孔を利用する）、抽出法（溶剤に可溶な有機物又は無機物類と溶剤に溶解しないバインダ等で構成層を形成した後に、溶剤で有機物又は無機物類を溶解させ細孔を得る）、高分子重合体等を加熱や脱気する等して発泡させる発泡法、良溶媒と貧溶媒を操作して高分子類の混合物を相分離させる相転換法、各種放射線を輻射して細孔を形成させる放射線照射法等の公知の形成方法を用いることができる。
具体例としては、金属酸化物微粒子（ＳｉＯ２粒子、Ａｌ２Ｏ３粒子など）と樹脂結着剤からなる樹脂混合粒子膜、多孔性有機膜（ポリウレタン樹脂、ポリエチレン樹脂）、多孔質膜上に形成した無機絶縁材料膜などが挙げられる。
前記絶縁層を構成する金属酸化物微粒子の粒径は、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができるが、５ｎｍ〜３００ｎｍが好ましい。前記絶縁層は、電解液浸透性を付与するために多孔性を有することが好ましく、空隙率を大きくするためには大きな粒径の金属酸化物微粒子が好ましいが、絶縁層上に形成される前記表示電極層の導電性のためには小さな粒径の金属酸化物微粒子を用いた平坦な絶縁層を形成することが好ましい。また、球形の金属酸化物微粒子ではなく、針状や数珠状、鎖状の金属酸化物微粒子は空隙率の高さから電解液浸透性に有利である。即ち、これらの金属酸化物微粒子の積層体や複合体により空隙率の高さと平坦性を実現する絶縁層が特に有用である。
また、前記絶縁層は無機膜と組み合わせて用いることが好ましい。これは後に形成される前記表示基板に最も近接する前記表示電極と前記対向電極との間に設けられた前記表示電極をスパッタ法により形成する際に、下層である絶縁層やエレクトロクロミック層の有機物質へのダメージを低減させる効果がある。
前記無機膜としては、少なくともＺｎＳを含む材料が好ましい。ＺｎＳは、スパッタ法によって、エレクトロクロミック層などにダメージを与えることなく高速に成膜できるという特徴を有する。更に、ＺｎＳを主な成分として含む材料として、ＺｎＳ−ＳｉＯ２、ＺｎＳ−ＳｉＣ、ＺｎＳ−Ｓｉ、ＺｎＳ−Ｇｅ等を用いることができる。ここで、ＺｎＳの含有率は、絶縁層を形成した際の結晶性を良好に保つために、約５０ｍｏｌ％〜９０ｍｏｌ％とすることが好ましい。従って、特に好ましい材料は、ＺｎＳ−ＳｉＯ２（８／２）、ＺｎＳ−ＳｉＯ２（７／３）、ＺｎＳ、ＺｎＳ−ＺｎＯ−Ｉｎ２Ｏ３−Ｇａ２Ｏ３（６０／２３／１０／７）である。
このような絶縁層の材料を用いることにより、薄膜で良好な絶縁効果が得られ、多層化による膜強度低下や膜剥離を防止することができる。
【００２９】
＜エレクトロクロミック層＞
前記エレクトロクロミック層７は、エレクトロクロミック材料を含んだものを示し、エレクトロクロミック材料としては、無機エレクトロクロミック化合物及び有機エレクトロクロミック化合物のいずれを用いても構わない。また、エレクトロクロミズムを示すことで知られる導電性高分子も用いることができる。
前記無機エレクトロクロミック化合物としては、例えば、酸化タングステン、酸化モリブデン、酸化イリジウム、酸化チタンなどが挙げられる。
前記有機エレクトロクロミック化合物としては、例えば、ビオロゲン、希土類フタロシアニン、スチリルなどが挙げられる。
前記導電性高分子としては、例えば、ポリピロール、ポリチオフェン、ポリアニリン、又はそれらの誘導体などが挙げられる。
【００３０】
また、前記エレクトロクロミック層としては、導電性又は半導体性微粒子に有機エレクトロクロミック化合物を担持した構造を用いることが特に好ましい。具体的には、電極表面に粒径５ｎｍ〜５０ｎｍ程度の微粒子を焼結し、その微粒子の表面にホスホン酸やカルボキシル基、シラノール基などの極性基を有する有機エレクトロクロミック化合物を吸着した構造である。本構造は、微粒子の大きな表面効果を利用して、効率よく有機エレクトロクロミック化合物に電子が注入されるため、従来のエレクトロクロミック表示素子と比較して高速応答する。更に、微粒子を用いることで表示層として透明な膜を形成することができるため、エレクトロクロミック色素の高い発色濃度を得ることができる。また、複数種類の有機エレクトロクロミック化合物を導電性又は半導体性微粒子に担持することもできる。
具体的には、ポリマー系、色素系のエレクトロクロミック化合物として、例えば、アゾベンゼン系、アントラキノン系、ジアリールエテン系、ジヒドロプレン系、ジピリジン系、スチリル系、スチリルスピロピラン系、スピロオキサジン系、スピロチオピラン系、チオインジゴ系、テトラチアフルバレン系、テレフタル酸系、トリフェニルメタン系、トリフェニルアミン系、ナフトピラン系、ビオロゲン系、ピラゾリン系、フェナジン系、フェニレンジアミン系、フェノキサジン系、フェノチアジン系、フタロシアニン系、フルオラン系、フルギド系、ベンゾピラン系、メタロセン系、等の低分子系有機エレクトロクロミック化合物、ポリアニリン、ポリチオフェン等の導電性高分子化合物が用いられる。これらの中でも、ビオロゲン系化合物又はジピリジン系化合物が好ましい。これらの材料は発消色電位が低く、複数の表示電極構成においても良好な色値を示す。ビオロゲン系については、特許第３９５５６４１号公報、特開２００７−１７１７８１号公報、ジピリジン系については、特開２００７−１７１７８１号公報、特開２００８−１１６７１８号公報などに例示がある。
【００３１】
上記中、特に、好ましくは、下記一般式（１）で表されるジピリジン系化合物を含むことがよい。これらの材料は発消色電位が低いため、複数の表示電極を有するエレクトロクロミック表示装置を構成した場合においても、還元電位により良好な発色の色値を示す。
＜一般式（１）＞
【化１】
2015022107.tif 000003
ただし、前記一般式（１）中、Ｒ１及びＲ２は、それぞれ独立に置換基を有してもよい炭素数１〜８のアルキル基、又はアリール基を表し、Ｒ１又はＲ２の少なくとも一方は、ＣＯＯＨ、ＰＯ（ＯＨ）２、及びＳｉ（ＯＣｋＨ２ｋ＋１）３から選ばれる置換基を有する。Ｘは、１価のアニオンを表す。ｎは、０、１又は２を表す。ｋは、０、１又は２を表す。Ａは、置換基を有してもよい炭素数１〜２０のアルキル基、アリール基、又は複素環基を表す。
【００３２】
一方、金属錯体系又は金属酸化物系のエレクトロクロミック化合物としては、例えば、酸化チタン、酸化バナジウム、酸化タングステン、酸化インジウム、酸化イリジウム、酸化ニッケル、プルシアンブルー等の無機系エレクトロクロミック化合物が用いられる。
【００３３】
＜有機エレクトロクロミック化合物を担持させる導電性又は半導体性微粒子＞
導電性又は半導体性微粒子としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができるが、金属酸化物が好ましい。前記金属酸化物材料としては、例えば、酸化チタン、酸化亜鉛、酸化スズ、酸化ジルコニウム、酸化セリウム、酸化イットリウム、酸化ホウ素、酸化マグネシウム、チタン酸ストロンチウム、チタン酸カリウム、チタン酸バリウム、チタン酸カルシウム、酸化カルシウム、フェライト、酸化ハフニウム、酸化タングステン、酸化鉄、酸化銅、酸化ニッケル、酸化コバルト、酸化バリウム、酸化ストロンチウム、酸化バナジウム、アルミノケイ酸、リン酸カルシウム、アルミノシリケート等を主成分とする金属酸化物が用いられる。また、これらの金属酸化物は、単独で用いられてもよく、２種以上が混合され用いられてもよい。これらの中でも、電気伝導性等の電気的特性や光学的性質等の物理的特性の観点から、酸化チタン、酸化亜鉛、酸化スズ、酸化ジルコニウム、酸化鉄、酸化マグネシウム、酸化インジウム、酸化タングステン、から選ばれる１種、もしくはそれらの混合物が用いられたとき、発消色の応答速度に優れた多色表示が可能である。とりわけ、酸化チタンが用いられたとき、より発消色の応答速度に優れた多色表示が可能である。
また、導電性又は半導体性微粒子の形状は、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができるが、エレクトロクロミック化合物を効率よく担持するために、単位体積当たりの表面積（以下、比表面積という）が大きい形状が用いられる。例えば、微粒子が、ナノ粒子の集合体であるときは、大きな比表面積を有するため、より効率的にエレクトロクロミック化合物が担持され、発消色の表示コントラスト比に優れた多色表示が可能である。
【００３４】
＜電解液＞
前記電解液は、電解質と、該電解質を溶解させるための溶媒より構成される。前記電解液は、前記対向電極、前記表示電極、及び前記エレクトロクロミック層を形成した後にこれらの層へ含浸させることができる。また、前記表示電極、前記エレクトロクロミック層、前記絶縁層等を作製する段階で電解質を各層内に分布させ、表示基板と対向基板を貼り合わせる際に溶媒のみを含浸させることも可能である。この方法では電解液の浸透圧によって各層への含浸速度を向上させることが望める。
前記電解質の材料としては、例えば、アルカリ金属塩、アルカリ土類金属塩等の無機イオン塩、４級アンモニウム塩や酸類、アルカリ類の支持塩を用いることができる。具体的に、ＬｉＣｌＯ４、ＬｉＢＦ４、ＬｉＡｓＦ６、ＬｉＰＦ６、ＬｉＣＦ３ＳＯ３、ＬｉＣＦ３ＣＯＯ、ＫＣｌ、ＮａＣｌＯ３、ＮａＣｌ、ＮａＢＦ４、ＮａＳＣＮ、ＫＢＦ４、Ｍｇ（ＣｌＯ４）２、Ｍｇ（ＢＦ４）２等を用いることができる。また、イオン液体も用いることができる。
前記イオン液体としては、一般的に研究・報告されている物質ならばどのようなものでも構わない。特に有機のイオン液体は、室温を含む幅広い温度領域で液体を示す分子構造がある。分子構造の例としては、カチオン成分としてＮ，Ｎ−ジメチルイミダゾール塩、Ｎ，Ｎ−メチルエチルイミダゾール塩、Ｎ，Ｎ−メチルプロピルイミダゾール塩などのイミダゾール誘導体、Ｎ，Ｎ−ジメチルピリジニウム塩、Ｎ，Ｎ−メチルプロピルピリジニウム塩などのピリジニウム誘導体など芳香族系の塩、又は、トリメチルプロピルアンモニウム塩、トリメチルヘキシルアンモニウム塩、トリエチルヘキシルアンモニウム塩などのテトラアルキルアンモニウムなど脂肪族４級アンモニウム系が挙げられる。アニオン成分としては大気中の安定性の面でフッ素を含んだ化合物がよく、ＢＦ４−、ＣＦ３ＳＯ３−、ＰＦ４−、（ＣＦ３ＳＯ２）２Ｎ−などが挙げられる。これらのカチオン成分とアニオン成分の組み合わせにより処方したイオン液体を用いることができる。
また、前記溶媒としては、例えば、プロピレンカーボネート、アセトニトリル、γ―ブチロラクトン、エチレンカーボネート、スルホラン、ジオキソラン、テトラヒドロフラン、２−メチルテトラヒドロフラン、ジメチルスルホキシド、１、２−ジメトキシエタン、１、２−エトキシメトキシエタン、ポリエチレングリコール、アルコール類やそれらの混合溶媒などを用いることができる。
また、電解液は低粘性の液体である必要はなく、ゲル状や高分子架橋型、液晶分散型など様々な形態をとることが可能である。特に電解液はゲル状、固体状に形成することが、素子強度向上、信頼性向上、発色拡散の防止から好ましい。固体化手法としては、電解質と溶媒をポリマー樹脂中に保持することがよい。高いイオン伝導度と固体強度が得られるためである。更に、ポリマー樹脂は光硬化可能な樹脂がよい。熱重合や、溶剤を蒸発させることにより薄膜化する方法に比べて、低温かつ短時間で素子を製造できるためである。
【００３５】
＜保護層＞
前記保護層９としては、透明であれば有機材料及び無機材料を問わず用いることができる。例えば、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、ウレタン樹脂、ポリイミド樹脂やアクリル樹脂、ポリアミドイミド樹脂などの樹脂材料や、アルミニウム、シリコン、チタン、亜鉛などを金属元素とした金属酸化物、金属窒化物及びそれらの複合材料などが挙げられる。
前記保護層９の形成方法としては、スピンコート法をはじめとする先述の各種印刷法や、真空蒸着法、化学気相成長法、スパッタリング法などの各種真空成膜法を用いることができる。また、前記保護層としてはプラスチック基板やガラス基板などの基材を用いることもできる。なかでも、電解液を含浸させた後にプラスチック基板でラミネートさせることで簡単に保護層を形成させることが可能である。
【００３６】
次に、第１の実施形態のエレクトロクロミック表示装置の駆動方法について説明する。
前記第１の実施形態のエレクトロクロミック表示装置は、上記説明した構造を有することにより、容易に表示が可能である。即ち、前記表示電極と前記対向電極の間に電位差を生じるように、それぞれに接続された副画素の出力電圧を得られるように駆動回路を動作させ、ある一定時間電流を流すことでその画素の発色応答が得られる。これを複数の画素で行うことで任意の画像を表示することが可能となる。また、前記表示電極と前記対向電極の間に逆バイアスを印加させるようにそれぞれに接続された副画素の出力電圧を調整することで、その画素の消色応答が得られ、これによって画像の消去が可能となる。
【００３７】
また、本発明の第１の実施形態のエレクトロクロミック表示装置は、表示メモリ性を有するため、前記表示電極と前記対向電極が接続された副画素に印加される電圧を高インピーダンス状態にすることで表示した画像を保持させることも可能である。
【００３８】
（第２の実施形態）
本発明の第２の実施形態のエレクトロクロミック表示装置は、
画素が行方向と列方向とにマトリクスをなして配列し、
前記画素がそれぞれ３つ以上の複数の副画素から構成され、
前記複数の副画素に電圧を印加する駆動回路と、
前記複数の副画素のうち少なくとも１つに接続された複数の対向電極と、
前記複数の副画素のうち前記対向電極が接続されない副画素にそれぞれ接続された複数の表示電極と、
前記複数の表示電極のそれぞれに接して設けられた複数のエレクトロクロミック層と、
前記複数の表示電極と前記複数のエレクトロクロミック層と前記複数の対向電極に亘って含浸された電解液層とを備え、更に必要に応じてその他の部材を備えてなる。
前記第２の実施形態のエレクトロクロミック表示装置においては、複数組の前記表示電極、前記エレクトロクロミック層、及び前記対向電極はそれぞれ互いに離間して積層され、各表示電極及び前記対向電極は各画素間でそれぞれ離間して設けられている。
【００３９】
前記第２の実施形態のエレクトロクロミック表示装置は、前記第１の実施形態のエレクトロクロミック表示装置とは異なり、１つの画素は３つ以上の副画素より構成され、副画素の１つは前記対向電極へ、他の副画素はそれぞれ異なる前記複数の表示電極へ接続される。
前記第２の実施形態によって複数のエレクトロクロミック層の発色・消色応答が可能になり、マルチカラー表示が可能になる。
また、１つの画素に副画素を４つ設け、副画素の１つは前記対向電極に、他の副画素はそれぞれイエロー、マゼンタ、及びシアンを発色するエレクトロクロミック層に接して設けられた前記複数の表示電極へ接続させることでフルカラー表示が可能になる。
フルカラー表示を実現するためには、前述のとおりイエロー、マゼンタ、シアンの３原色を重ね合わせることが必要となる。そのためには、それぞれ異なる色に発色するエレクトロクロミック層を積層し、それぞれのエレクトロクロミック層を駆動回路基板（本発明ではアクティブマトリクス基板）に電気的に接続させることが要件となる。
【００４０】
ここで、図２を用いて第２の実施形態について詳細に説明する。
ただし、以下に記す実施形態は、本発明における好適な実施形態であり、本発明の範囲は以下の説明において本発明を限定する旨の記載がない限り、これらの態様に限定されるものではない。
図２に示すように、前記第２の実施形態のエレクトロクロミック表示装置２００では、駆動回路を有する駆動基板１を有し、この駆動基板１には画素２がマトリクス状に配列しており、この画素２は３つの副画素３ａ、３ｂ、３ｃより構成される。それぞれの副画素３は駆動回路を有し、それぞれの副画素３から貫通孔１１を介して電気的に接続された対向電極４と第１の表示電極５ａ及び第２の表示電極５ｂが絶縁層６を介して積層される。また、前記第１の表示電極５ａ及び第２の表示電極５ｂに接してそれぞれ第１のエレクトロクロミック層７ａ及び第２のエレクトロクロミック層７ｂが設けられている。更に、電解液層８は多孔性を有する絶縁層６、前記第１のエレクトロクロミック層７ａ及び前記第２のエレクトロクロミック層７ｂ、前記第１の表示電極５ａ及び前記第２の表示電極５ｂ、並びに前記対向電極４のいずれか又は全てにわたって含浸され、電解液は保護層９で封止される。
【００４１】
前記第１のエレクトロクロミック層７ａ、及び第２のエレクトロクロミック層７ｂは、酸化還元反応により異なる色を呈するエレクトロクロミック分子からなることが好ましい。これによって２色表示が可能となる。
また、複数の表示電極に設けられるエレクトロクロミック化合物は、その分子構造が類似していることが好ましい。このような類似材料構造を採用することで、各表示電極の発消色電位を揃えることができ、同一の電解質で容易に発消色を制御できる。
また、同様に副画素を４つ、５つとして第３、第４のエレクトロクロミック層をそれぞれ増やして設けるにより多色表示が可能となる。
【００４２】
（第３の実施形態）
本発明の第３の実施形態のエレクトロクロミック表示装置の製造方法は、
２つ以上の副画素電極を有するアクティブマトリクス基板上に、平坦化層を形成する工程と、
１つの副画素上の平坦化層に第１の貫通孔を設ける工程と、
対向電極を形成する工程と、
他方の副画素上の対向電極と平坦化層に第２の貫通孔を形成する工程と、
絶縁層を形成する工程と、
第２の貫通孔内の絶縁層に前記第２の貫通孔よりも小さな第３の貫通孔を形成する工程と、
表示電極を形成する工程と、
エレクトロクロミック層を形成する工程とを含み、更に必要に応じてその他の工程を含んでなる。
【００４３】
前記第３の実施形態のエレクトロクロミック表示装置の製造方法は、前記表示電極、前記エレクトロクロミック層、前記絶縁層、及び前記対向電極を形成した後で、それぞれの層を画素サイズに分断する工程と、電解液を充填する工程と、電解液の保護層を設ける工程とを含むことを特徴とする。
前記第３の実施形態のエレクトロクロミック表示装置の製造方法は、前記第１の実施形態のエレクトロクロミック表示装置を製造する方法である。
前記第３の実施形態のエレクトロクロミック表示装置の製造方法は、後述する第４の実施形態のエレクトロクロミック表示装置の製造方法の一部であり、第４の実施形態において詳細に説明する。なお、その際の説明に用いる図４Ａ〜図４Ｈでは、表示電極は第１の表示電極と、エレクトロクロミック層は第１のエレクトロクロミック層と記載される。
【００４４】
（第４の実施形態）
本発明の第４の実施形態のエレクトロクロミック表示装置の製造方法は、
３つ以上の副画素電極を有するアクティブマトリクス基板上に、平坦化層を形成する工程と、
第２の副画素上の前記平坦化層に第１の貫通孔を設ける工程と、
対向電極を形成する工程と、
第２の副画素上の、前記対向電極と前記平坦化層に第２の貫通孔を形成する工程と、
第１の絶縁層を形成する工程と、
前記第２の貫通孔内の前記第１の絶縁層に、前記第２の貫通孔よりも小さな第３の貫通孔を形成する工程と、
第１の表示電極を形成する工程と、
第１のエレクトロクロミック層を形成する工程と、
第３の副画素上の前記平坦化層、前記対向電極、前記第１の絶縁層、前記第１の表示電極、及び前記第１のエレクトロクロミック層に第４の貫通孔を形成する工程と、
第２の絶縁層を形成する工程と、
前記第４の貫通孔内の前記第２の絶縁層に、前記第４の貫通孔よりも小さな第５の貫通孔を形成する工程と、
第２の表示電極を形成する工程と、
第２のエレクトロクロミック層を形成する工程とを含み、更に必要に応じてその他の工程を含んでなる。
【００４５】
前記第４の実施形態のエレクトロクロミック表示装置の製造方法は、前記第１及び第２の表示電極、前記第１及び第２のエレクトロクロミック層、前記第１及び第２の絶縁層、及び前記対向電極を形成した後で、それぞれの層を画素サイズに分断する工程と、電解液を充填する工程と、電解液の保護層を設ける工程を含むことを特徴とする。
前記第４の実施形態のエレクトロクロミック表示装置の製造方法は、前記第２の実施形態のエレクトロクロミック表示装置を製造する製造方法である。
図３のフロー図、及び図４の工程図を用いて第３及び第４の実施形態について詳細に説明する。
ただし、以下に記す実施形態は、本発明における好適な実施形態であり、本発明の範囲は以下の説明において本発明を限定する旨の記載がない限り、これらの態様に限定されるものではない。
【００４６】
前記第４の実施形態のエレクトロクロミック表示装置の製造方法は、図３に示されるフロー図のように以下の６つに大別される。以下にそれぞれの工程を詳細に説明する。
（１）平坦化層形成と、対向電極と副画素の接続のための貫通孔の形成工程
（２）対向電極形成工程
（３）表示電極と副画素の接続のための貫通孔形成工程と絶縁層形成工程と小さなサイズの貫通孔形成工程
（４）表示電極及びエレクトロクロミック層の形成工程
（５）画素分断工程
（６）電解液充填及び電解液の保護層形成工程
【００４７】
＜平坦化層と貫通孔形成工程＞
図４Ａに示すように、前記平坦化層１０への貫通孔形成工程は、先述のように対向電極と副画素の電気的な接続のための工程である。
前記平坦化層１０は前記副画素の駆動回路の凹凸を緩衝し、平坦な対向電極を得るために必要である。
前記平坦化層１０と第１の貫通孔１１ａの形成工程は、特に制限はなく、公知の技術を用いて簡便に形成することが可能である。例えば、光反応性エポキシなどの樹脂材料を用いてフォトリソグラフィ法によるパターニング形成や、レーザ加工法などを用いて直接貫通孔を形成する方法などである。
【００４８】
＜対向電極形成工程＞
図４Ｂに示すように、前記対向電極形成工程は、前述のように導電性材料を様々な方法で形成することができる。
前記対向電極４の形成は、例えば、各種真空成膜法に適した材料であれば真空蒸着法、スパッタリング法、イオンプレーティング法など、又は塗布形成できるものであれば、スピンコート法をはじめとする各種印刷法によって形成することができる。
また、貫通孔のステップを乗り越えて対向電極と副画素が接続されるため、真空成膜法と各種印刷法を組み合わせた対向電極形成工程も有用である。更に、貫通孔にテーパー角がある場合にはステップが緩和されるため電気的な接続の信頼性が確保できる。
【００４９】
＜貫通孔形成工程と絶縁層形成工程と小さなサイズの貫通孔形成工程＞
図４Ｃに示すように、貫通孔形成工程と絶縁層形成工程と小さなサイズの貫通孔形成工程は、表示電極と副画素を電気的に接続させる工程である。まず、対向電極４と平坦化層１０に大きなサイズの貫通孔１１ｂを形成し、続いて絶縁層６ａを形成し、更に貫通孔内に形成された絶縁層６ａのうち、先に形成した貫通孔よりも小さなサイズの貫通孔を形成する工程である。小さなサイズの貫通孔は対向電極と形成する表示電極との電気的絶縁のために、両者の間に絶縁層を挿入するためでもある。
前記貫通孔１１ｂの形成方法としては、先述の貫通孔形成工程と同様に公知の技術を用いて行うことができる。レーザ加工法などを用いて直接貫通孔を形成する方法などである。
【００５０】
前記レーザ加工法は、対象物にレーザを照射することで、加工対象物の表面を融解又は蒸発させて微細な孔や溝を形成する加工方法である。近年では、超短パルスであるフェムト秒からナノ秒までのパルスレーザや連続発振するＣＷレーザなどが知られている。また発振波長も赤外領域から紫外領域まで様々な種類が知られている。本工程ではエキシマレーザ又はフェムト秒チタンサファイアレーザなどが加工の観点から有用である。エキシマレーザは発振波長が紫外領域にあり、発振出力も高く、紫外領域に吸収のある有機材料や金属酸化物材料などの加工において特に有用である。また、フェムト秒チタンサファイアレーザはパルス幅が非常に短いため、尖頭値が高く加工能力が高いこと、レーザ照射部位周辺部への熱的・化学的ダメージが少なく、きれいな加工ができるという点で特に有用である。
【００５１】
＜表示電極とエレクトロクロミック層形成工程＞
図４Ｄに示す前記表示電極及びエレクトロクロミック層の形成工程は、前述の＜表示電極＞及び＜エレクトロクロミック層＞の項目に記載の方法で形成可能である。
本工程においては、表示電極５ａ及びエレクトロクロミック層７ａのパターニングは不要であるため、前述のとおり各種真空成膜法、及び各種印刷法を用いて形成することができる。
その後、第３の実施形態のエレクトロクロミック表示装置の製造方法においては、図４Ｅに示す＜画素分断工程＞へ移行する。
一方、第４の実施形態のエレクトロクロミック表示装置の製造方法においては、図４Ｆに示す＜貫通孔形成工程と絶縁層形成工程と小さなサイズの貫通孔形成工程＞へと戻る。
第４の実施形態のエレクトロクロミック表示装置の製造方法において、図３に示すように２度目の＜貫通孔形成工程＞は、１度目の＜貫通孔形成工程＞とは異なる副画素上で実施する。
また、前記貫通孔は第１のエレクトロクロミック層及び第１、第２の絶縁層、対向電極及び平坦化層に亘って形成される。
同様に、副画素数を増やすことで第３の表示電極と第３のエレクトロクロミック層を設けるために３度目の＜貫通孔形成工程＞を行うこともできる。この際、図５に示すような３層構造のエレクトロクロミック表示装置３００を作製することができる。
【００５２】
＜画素分断工程＞
図４Ｇに示す前記画素分断工程は、同一平面内で画素ごとに表示電極、エレクトロクロミック層、及び対向電極を離間させるために必要不可欠な工程である。加工方法としては前述のレーザ加工が有用である。前記レーザ加工は、レーザの光軸又は加工対象を走査させることでライン状やドット状の微細加工を施すことができる点で有用である。また、レーザ加工では一度に表示電極、エレクトロクロミック層、及び対向電極を加工できるために、同一画素内での複数の表示電極及び対向電極の形状を揃え、それぞれの重ね合わせずれを抑制することができる。
【００５３】
＜電解液充填、保護層形成工程＞
図４Ｈに示す電解液充填工程及び保護層形成工程は、前記＜電解液＞及び＜保護層＞に記載の材料又は方法により形成することができる。
電解液は、画素を分断することによって前記複数のエレクトロクロミック層や絶縁層への気泡の混入を抑制することができる。
【００５４】
（第５の実施形態）
本発明の第５の実施形態のエレクトロクロミック表示装置の駆動方法は、
前記対向電極と接続された副画素と、前記複数の表示電極が接続された前記複数の副画素のうちいずれか１つ以上の副画素間に電圧を印加する駆動過程を含むことを特徴とする。
また、選択されない副画素は高インピーダンス状態であることを特徴とする。
【００５５】
図５を用いて第５の実施形態におけるエレクトロクロミック表示装置の駆動方法について詳細に説明する。
ただし以下に記す実施形態は、本発明における好適な実施形態であり、本発明の範囲は以下の説明において本発明を限定する旨の記載がない限り、これらの態様に限定されるものではない。
図５に示すように第５の実施形態におけるエレクトロクロミック表示装置３００は、４つの副画素３ａ、３ｂ、３ｃ、３ｄと、３つのエレクトロクロミック層７ａ、７ｂ、７ｃを有する、本発明のエレクトロクロミック表示装置３００の駆動方法を例にして、第５の実施形態を説明する。
第１の副画素３ａは対向電極４に接続され、第２、第３、第４の副画素３ｂ、３ｃ、３ｄは、それぞれ第１、第２、第３の表示電極５ａ、５ｂ、５ｃに接続される。
【００５６】
＜発色・消色駆動＞
対向電極４と第１の表示電極５ａ、又は対向電極４と第２の表示電極５ｂ、又は対向電極４と第３の表示電極５ｃの間に電位差を生じるようにそれぞれの副画素の駆動回路を動作させることで、それぞれ第１のエレクトロクロミック層７ａ、又は第２のエレクトロクロミック層７ｂ、又は第３のエレクトロクロミック層７ｃを個別に発消又は消色させることができる。
また、第１及び第２の表示電極５ａ、５ｂを等電位とし、対向電極４との間に電位差を生じるようにそれぞれの副画素の駆動回路を動作させることで第１及び第２のエレクトロクロミック層７ａ、７ｂを同時に発色又は消色させることも可能である。
更に、第１及び第２及び第３の表示電極５ａ、５ｂ、５ｃを等電位とし、対向電極４との間に電位差を生じるようにそれぞれの副画素の駆動回路を動作させることで第１及び第２及び第３のエレクトロクロミック層７ａ、７ｂ、７ｃを同時に発色又は消色させることもできる。
このことは、一見すると電気的に直列接続されているように思われるが、第５の実施形態においては対向電極と各エレクトロクロミック層は電解液によって並列接続されているためである。
以上のことから任意の数の表示電極と対向電極の間に電位差を生じるようにそれぞれの副画素の駆動回路を動作させることで、所望のエレクトロクロミック層のみを発色又は消色させることができる。このことは、あるエレクトロクロミック層の発色濃度が低下した際に、任意のエレクトロクロミック層で追加の発色駆動を行うことで損なわれた発色濃度を補うことも可能になり、少ない消費電力で表示する画像の補正ができることを示す。
【００５７】
（第６の実施形態）
本発明の第６の実施形態のエレクトロクロミック表示装置の駆動方法は、
前記複数の表示電極が接続された複数の副画素のうち任意の２つの副画素間に電圧を印加する駆動過程を含むことを特徴とする。
また、選択されない副画素は高インピーダンス状態であることを特徴とする。
【００５８】
前記第５の実施形態と同様に図５を用いて第６実施形態に係るエレクトロクロミック表示装置の駆動方法を説明する。
第１の表示電極５ａと第２の表示電極５ｂの間に電位差を生じるようにそれぞれの駆動回路を動作させることで一方のエレクトロクロミック層７ａでは発色応答を、他方のエレクトロクロミック層７ｂでは消色応答を起こすことも可能である。これは、他のエレクトロクロミック層への発色状態の移動できることを示し、表示画像の書き換えに必要な消費電力の低減にもつながる。
これらの駆動過程を組み合わせて一連の駆動過程を構成することで、発消色応答時間を改善するだけでなく、それぞれのエレクトロクロミック層の発色状態を制御可能となり、表示画像の安定性改善につながる。また、消費電力を抑えた画像書き換えも可能となる。
【実施例】
【００５９】
以下、本発明の実施例を説明するが、本発明は、これらの実施例に何ら限定されるものではない。
【００６０】
（実施例１）
＜３．５インチ単層パネルの作製（本発明）＞
前記第３の実施形態に示すエレクトロクロミック表示装置の製造方法に従ってエレクトロクロミック表示装置を作製した。
駆動基板として２４０ピクセル×３２０ピクセル（ＱＶＧＡ：Ｑｕａｒｔｅｒ  Ｖｉｄｅｏ  Ｇｒａｐｈｉｃｓ  Ａｒｒａｙサイズ）の３．５インチ低温ポリシリコンＴＦＴを準備した。画素サイズは２２３．５μｍ×２２３．５μｍであった。
実施例１では、このＴＦＴの４×４ピクセルを１画素としエレクトロクロミック表示装置を作製する。ゆえに実施例１のエレクトロクロミック表示装置の１画素は０．８９ｍｍ×０．８９ｍｍサイズであり、１６ピクセルのうち２ピクセルを副画素として扱う。
【００６１】
−平坦化層と第１の貫通孔の形成−
白色酸化チタン粒子（商品名：ＣＲ５０、石原産業株式会社製、平均粒子径：約２５０ｎｍ）を２０質量％添加した紫外線硬化接着剤（商品名：ＳＤ−１７、ＤＩＣ社製）を、バーコート法を用いて駆動基板上の全面に塗布し、約５μｍの厚みの平坦化層を得た。１００μｍの遮光部をもつフォトマスクを介して非接触で紫外線照射させて平坦化層を硬化させた。照射しなかった領域は洗浄することで除去し、図６に示す画素２の位置に第１の貫通孔１１ａを形成した。貫通孔のテーパー角は約６０度であった。
【００６２】
−対向電極の形成−
次に、スパッタリング法により厚み約１００ｎｍのＩＴＯ膜を全面に形成し、透明な対向電極を得た。表面抵抗は約９０Ω／□であった。
【００６３】
−第２の貫通孔と絶縁層と小さなサイズの第３の貫通孔の形成−
続いて、レーザ加工機（Ｎｄ：ＹＡＧレーザ、波長：２６６ｎｍ、パルス幅：１１ナノ秒、強度：１２ｍＷ）を用いてレーザの光軸をスキャンし、図６に示す画素２の位置に第２の貫通孔１１ｂを１５０μｍ□のサイズで形成した。数回のスキャンでＴＦＴの画素電極が露出した。ＴＦＴの画素電極の露出領域は約１２０μｍ□であり、テーパー角を有する第２の貫通孔１１ｂを得た。
更に、平均一次粒径２０ｎｍのシリカ微粒子分散液〔シリカ固形分濃度１３質量％、ポリビニルアルコール樹脂（ＰＶＡ５００、関東化学株式会社製）２質量％、２，２，３，３−テトラフロロプロパノール８５質量％〕をスピンコートし１２０℃のホットプレートで１０分間アニール処理し、厚み約１μｍの多孔性絶縁層を得た。更に平均粒径４５０ｎｍのシリカ粒子分散液（シリカ固形分濃度約１質量％、２−プロパノール９９質量％）をスピンコートした。
更に、レーザ加工機（Ｎｄ：ＹＡＧレーザ、波長：２６６ｎｍ、パルス幅：１１ナノ秒、強度：１２ｍＷ）を用いてレーザの光軸をスキャンし、図６に示す画素２の位置に第３の貫通孔１１ｃを８０ｎｍ□のサイズで形成した。数回のスキャンでＴＦＴの画素電極が露出した。ＴＦＴの画素電極の露出領域は約６０μｍ□であり、テーパー角を有する第３の貫通孔１１ｃを得た。
【００６４】
−表示電極とエレクトロクロミック層の形成−
スパッタリング法により約１００ｎｍのＩＴＯ透明導電膜を全面に形成した。更に２−プロパノール浴中で３分間超音波照射を行い、先に散布した平均粒径４５０ｎｍのシリカ粒子を除去し、微細貫通孔を有する表示電極を形成した。
次に、表示電極上に酸化チタン微粒子分散液（ＳＰ２１０、昭和タイタニウム社製）をスピンコートし、１２０℃で１５分間のアニール処理により、酸化チタン粒子膜を形成し、更にこの上にマゼンタ色に発色するエレクトロクロミック化合物であるビオロゲン誘導体化合物１質量％の２，２，３，３−テトラフロロプロパノール溶液をスピンコートし、１２０℃で１０分間のアニール処理により、酸化チタン粒子とエレクトロクロミック化合物からなるエレクトロクロミック層を形成した。
【００６５】
−画素分断工程−
レーザ加工機（Ｎｄ：ＹＡＧレーザ、波長：２６６ｎｍ、パルス幅：１１ナノ秒、強度：１２ｍＷ）を用いて図６に示す破線（レーザ加工ライン）２０に沿ってレーザの光軸をスキャンした。数回のスキャンにより約５０μｍ幅で溝を作製することができた。白色干渉膜厚計で測定したところ、平坦化層の途中まで溝を形成していることを確認した。
【００６６】
−電解液充填工程と保護層形成工程−
電解質として過塩素酸テトラブチルアンモニウムを濃度０．５Ｍになるように炭酸ブチレンに溶解させた。これにＵＶ硬化接着剤（商品名：ＰＴＣ１０、十条ケミカル社製）を３０質量％添加した電解液を駆動基板上に滴下し、ガラス基板と重ね合わせた後に紫外光照射し、エレクトロクロミック表示装置を作製した。得られたエレクトロクロミック表示装置の白色反射率は約４５％であった。白色反射率は標準白色板（財団法人日本色彩研究所製）の反射率を１００％として規格化し、波長５５０ｎｍでの相対反射率である。
【００６７】
＜発色試験＞
作製したエレクトロクロミック表示装置を、ＦＰＧＡ（ｆｉｅｌｄ−ｐｒｏｇｒａｍｍａｂｌｅ  ｇａｔｅ  ａｒｒａｙ）を搭載したＴＦＴの駆動装置及びパソコンと接続し、発色試験を実施した。
８．９ｍｍ□の領域を発色するように該当する領域の対向電極及び表示電極に電圧を印加するようにＴＦＴを動作させた。約０．５秒間で該当する領域にマゼンタ色の発色が得られた。更に、その領域と一部を重なるように更に他の領域に８．９ｍｍ□の領域を発色するようにＴＦＴを動作させた。約０．５秒間で該当する領域でマゼンタ色の発色が得られた。重なった領域では濃いマゼンタ色の発色が得られた。このまま２０分間保持し、表示画像の安定性を評価した。６０分間後にも初期と変わらないパターンが残っていたが、発色濃度は多少減衰していた。
【００６８】
（実施例２）
＜３．５インチ積層パネルの作製（本発明）＞
前記第４の実施形態に示すエレクトロクロミック表示装置の製造方法に従ってエレクトロクロミック表示装置を作製した。
駆動基板としては実施例１と同様にＱＶＧＡの３．５インチ低温ポリシリコンＴＦＴを準備した。実施例２でもこのＴＦＴの４×４ピクセルを１画素としエレクトロクロミック表示装置を作製した。ゆえに、実施例２のエレクトロクロミック表示装置の１画素は０．８９ｍｍ×０．８９ｍｍサイズであり、１６ピクセルのうち３ピクセルを副画素として扱った。
【００６９】
−平坦化層と第１の貫通孔の形成−
白色酸化チタン粒子（商品名：ＣＲ５０、石原産業株式会社製、平均粒子径：約２５０ｎｍ）を２０質量％添加した紫外線硬化接着剤（商品名：ＳＤ−１７、ＤＩＣ社製）を、バーコート法を用いて駆動基板上の全面に塗布し、厚み約５μｍの平坦化層を得た。１００μｍの遮光部をもつフォトマスクを介して非接触で紫外線照射させて平坦化層を硬化させた。照射しなかった領域は洗浄することで除去し、図７に示す画素の位置に第１の貫通孔１１ａを形成した。貫通孔のテーパー角は約６０度であった。
【００７０】
−対向電極の形成−
次に、スパッタリング法により厚み約１００ｎｍのＩＴＯ膜を全面に形成し、透明な対向電極を得た。表面抵抗は約９０Ω／□であった。
【００７１】
−第２の貫通孔と絶縁層と小さなサイズの第３の貫通孔の形成−
続いて、レーザ加工機（Ｎｄ：ＹＡＧレーザ、波長：２６６ｎｍ、パルス幅：１１ナノ秒、強度：１２ｍＷ）を用いてレーザの光軸をスキャンし、図７に示す画素の位置に第２の貫通孔１１ｂを１５０μｍ□のサイズで形成した。数回のスキャンでＴＦＴの画素電極が露出した。ＴＦＴの画素電極の露出領域は約１２０μｍ□であり、テーパー角を有する第２の貫通孔１１ｂを得た。
更に、平均一次粒径２０ｎｍのシリカ微粒子分散液〔シリカ固形分濃度１３質量％、ポリビニルアルコール樹脂（ＰＶＡ５００、関東化学株式会社製）２質量％、２，２，３，３−テトラフロロプロパノール８５質量％〕をスピンコートし１２０℃のホットプレートで１０分間アニール処理し、厚み約１μｍの多孔性絶縁層を得た。更に平均粒径４５０ｎｍのシリカ粒子分散液（シリカ固形分濃度約１質量％、２−プロパノール９９質量％）をスピンコートした。
更に、レーザ加工機（Ｎｄ：ＹＡＧレーザ、波長：２６６ｎｍ、パルス幅：１１ナノ秒、強度：１２ｍＷ）を用いてレーザの光軸をスキャンし、図７に示す画素の位置に第３の貫通孔１１ｃを８０ｎｍ□のサイズで形成した。数回のスキャンでＴＦＴの画素電極が露出した。ＴＦＴの画素電極の露出領域は約６０μｍ□であり、テーパー角を有する第３の貫通孔１１ｃを得た。
【００７２】
−第１の表示電極と第１のエレクトロクロミック層の形成−
スパッタリング法により厚み約１００ｎｍのＩＴＯ透明導電膜を全面に形成した。更に２−プロパノール浴中で３分間超音波照射を行い、先に散布した平均粒径４５０ｎｍのシリカ粒子を除去し、微細貫通孔を有する第１の表示電極を形成した。
この第１の表示電極上に酸化チタン微粒子分散液（ＳＰ２１０、昭和タイタニウム社製）をスピンコートし、１２０℃で１５分間のアニール処理により、酸化チタン粒子膜を形成し、更にこの上にイエロー色に発色するエレクトロクロミック化合物であるビオロゲン誘導体化合物１質量％の２，２，３，３−テトラフロロプロパノール溶液をスピンコートし、１２０℃で１０分間のアニール処理により、酸化チタン粒子とエレクトロクロミック化合物からなる第１のエレクトロクロミック層を形成した。
【００７３】
−第４の貫通孔と絶縁層と小さなサイズの第５の貫通孔の形成−
続いてレーザ加工機（Ｎｄ：ＹＡＧレーザ、波長：２６６ｎｍ、パルス幅：１１ナノ秒、強度：１２ｍＷ）を用いてレーザの光軸をスキャンし、図７に示す画素の位置に第４の貫通孔１１ｄを１５０μｍ□のサイズで形成した。数回のスキャンでＴＦＴの画素電極が露出した。ＴＦＴの画素電極の露出領域は約８０μｍ□であり、テーパー角を有する第４の貫通孔１１ｄを得た。
更に、平均一次粒径２０ｎｍのシリカ微粒子分散液〔シリカ固形分濃度１３質量％、ポリビニルアルコール樹脂（ＰＶＡ５００、関東化学株式会社製）２質量％、２，２，３，３−テトラフロロプロパノール８５質量％〕をスピンコートし１２０℃のホットプレートで１０分間アニール処理し、厚み約１μｍの多孔性絶縁層を得た。更に平均粒径４５０ｎｍのシリカ粒子分散液（シリカ固形分濃度約１質量％、２−プロパノール９９質量％）をスピンコートした。
更に、レーザ加工機（Ｎｄ：ＹＡＧレーザ、波長：２６６ｎｍ、パルス幅：１１ナノ秒、強度：１２ｍＷ）を用いてレーザの光軸をスキャンし、図７に示す画素の位置に第５の貫通孔１１ｅを８０ｎｍ□のサイズで形成した。数回のスキャンでＴＦＴの画素電極が露出した。ＴＦＴの画素電極の露出領域は約４０μｍ□であり、テーパー角を有する第５の貫通孔１１ｅを得た。
【００７４】
−第２の表示電極と第２のエレクトロクロミック層の形成−
スパッタリング法により厚み約１００ｎｍのＩＴＯ透明導電膜を全面に形成した。更に２−プロパノール浴中で３分間超音波照射を行い、先に散布した平均粒径４５０ｎｍのシリカ粒子を除去し、微細貫通孔を有する第２の表示電極を形成した。
この第２の表示電極上に酸化チタン微粒子分散液（ＳＰ２１０、昭和タイタニウム社製）をスピンコートし、１２０℃で１５分間のアニール処理により、酸化チタン粒子膜を形成し、更にこの上にマゼンタ色に発色するエレクトロクロミック化合物であるビオロゲン誘導体化合物１質量％の２，２，３，３−テトラフロロプロパノール溶液をスピンコートし、１２０℃で１０分間のアニール処理により、酸化チタン粒子とエレクトロクロミック化合物からなる第２のエレクトロクロミック層を形成した。
【００７５】
−画素分断工程−
レーザ加工機（Ｎｄ：ＹＡＧレーザ、波長：２６６ｎｍ、パルス幅：１１ナノ秒、強度：１２ｍＷ）を用いて図７に示す破線（レーザ加工ライン）２０に沿ってレーザの光軸をスキャンした。数回のスキャンで約６０μｍ幅で溝を作製することができた。白色干渉膜厚計で測定したところ、平坦化層の途中まで溝を形成していることを確認した。
【００７６】
−電解液充填工程及び保護層形成工程−
電解質として過塩素酸テトラブチルアンモニウムを濃度０．５Ｍになるように炭酸ブチレンに溶解させた。これにＵＶ硬化接着剤（商品名：ＰＴＣ１０、十条ケミカル社製）を３０質量％添加した電解液を駆動基板上に滴下し、ガラス基板と重ね合わせた後に紫外光照射し、エレクトロクロミック表示装置を作製した。エレクトロクロミック表示装置の白色反射率は約４０％であった。白色反射率は標準白色板（財団法人日本色彩研究所製）の反射率を１００％として規格化し、波長５５０ｎｍでの相対反射率である。
【００７７】
＜発色試験＞
作製したエレクトロクロミック表示装置を、ＦＰＧＡ（ｆｉｅｌｄ−ｐｒｏｇｒａｍｍａｂｌｅ  ｇａｔｅ  ａｒｒａｙ）を搭載したＴＦＴの駆動装置及びパソコンと接続し、発色試験を実施した。
８．９ｍｍ□の領域をマゼンタ発色するように該当する領域の対向電極及び第２の表示電極に電圧を印加するようにＴＦＴを動作させた。約０．７秒間で該当する領域にマゼンタ色の発色が得られた。更に、その領域と一部を重なるように更に他の領域に８．９ｍｍ□の領域をイエロー発色するように、対向電極及び第１の表示電極に電圧が印加するようＴＦＴを動作させた。約０．５秒間で該当する領域でイエロー発色が得られた。重なった領域ではレッドの発色が得られた。
【００７８】
（比較例１）
＜３．５インチ単層パネルの作製（従来技術）＞
特願２０１２−０８２２４０号明細書に従って、図８に示すエレクトロクロミック表示装置４００を作製した。なお、図８中４０１は駆動基板、４０２は画素電極、４０３は白色反射層、４０４は電解液層、４０５はエレクトロクロミック層、４０６は表示電極、４０７は表示基板をそれぞれ表す。
使用した駆動基板４０１は実施例１と同様にＱＶＧＡの３．５インチ低温ポリシリコンＴＦＴを用いた。画素サイズは２２３．６μｍ×２２３．６μｍであった。
【００７９】
−表示電極及びエレクトロクロミック層の形成−
表示基板として９０ｍｍ×９０ｍｍのガラス基板を用いて、表示基板上にスパッタリング法により厚み約１００ｎｍのＩＴＯ膜を７５ｍｍ×６０ｍｍの領域及び引き出し部分にメタルマスクを介して形成し、表示電極を作製した。次に、この表示電極上に酸化チタン微粒子分散液（ＳＰ２１０、昭和タイタニウム社製）をスピンコートし、１２０℃で１５分間のアニール処理により、酸化チタン粒子膜を形成し、更にこの上にマゼンタ色に発色するエレクトロクロミック化合物であるビオロゲン化合物１質量％の２，２，３，３−テトラフロロプロパノール溶液をスピンコートし、１２０℃で１０分間のアニール処理により、酸化チタン粒子とエレクトロクロミック化合物からなるエレクトロクロミック層を形成した。
【００８０】
−エレクトロクロミック表示装置の作製−
電解質として過塩素酸テトラブチルアンモニウム、溶媒としてジメチルスルホキシド及びポリエチレングリコール（分子量：２００）、更にＵＶ硬化接着剤（商品名：ＰＴＣ１０、十条ケミカル社製）を１．２対５．４対６対１６で混合した溶液に白色酸化チタン粒子（商品名：ＣＲ５０、石原産業株式会社製、平均粒子径：約２５０ｎｍ）を２０質量％添加した電解液を用意し、駆動基板側に滴下塗布した後、表示基板と重ね合わせ、表示基板側よりＵＶ光照射硬化させて貼り合せ、比較例１のエレクトロクロミック表示装置を作製した。なお、電解質層の厚みはビーズスペーサを電解質層に０．２質量％混合することにより１．０μｍに設定した。作製したエレクトロクロミック表示装置の白色反射率は５５％であった。白色反射率は標準白色板（財団法人日本色彩研究所製）の反射率を１００％として規格化し、波長５５０ｎｍでの相対反射率である。
【００８１】
＜発色試験＞
作製したエレクトロクロミック表示装置を、ＦＰＧＡ（ｆｉｅｌｄ−ｐｒｏｇｒａｍｍａｂｌｅ  ｇａｔｅ  ａｒｒａｙ）を搭載したＴＦＴの駆動装置及びパソコンと接続し、発色試験を実施した。
８．９ｍｍ□の領域を発色するように、表示電極及び該当する領域の画素電極間に電圧を印加するようにＴＦＴを動作させた。約１．２秒間で該当する領域にマゼンタの発色が得られた。更に、その領域と一部を重なるように更に他の領域に８．９ｍｍ□の領域を発色するようにＴＦＴを動作させた。約０．５秒間で該当する領域でマゼンタの発色が得られた。重なった領域では濃いマゼンタの発色が得られた。このまま２０分間保持し、表示画像の安定性を評価した。６０分間後には隣接する画素上でも発色が確認され、表示画像は滲みのために劣化していた。
【００８２】
前記実施例１のエレクトロクロミック表示装置は、前記比較例１のエレクトロクロミック表示装置と比較して応答速度が優れていた。また、表示画像の滲みについても改善することができる結果が得られた。
【００８３】
（比較例２）
＜３．５インチ積層パネルの作製（従来技術）＞
特願２０１２−０８２２４０号明細書にしたがって、図９に示すエレクトロクロミック表示装置５００を作製した。なお、図９中５０１は駆動基板、５０２は画素電極、５０３は白色反射層、５０４は電解液層、５０５は第２のエレクトロクロミック層、５０６は第２の表示電極、５０７は絶縁層、５０８は第１のエレクトロクロミック層、５０９は第１の表示電極、５１０は表示基板をそれぞれ表す。
使用した駆動基板は実施例１と同様にＱＶＧＡの３．５インチ低温ポリシリコンＴＦＴを用いた。画素サイズは２２３．６μｍ×２２３．６μｍであった。
【００８４】
−第１の表示電極及び第１のエレクトロクロミック層の形成−
表示基板として９０ｍｍ×９０ｍｍのガラス基板を用いて、表示基板上にスパッタリング法により厚み約１００ｎｍのＩＴＯ膜を、７５ｍｍ×６０ｍｍの領域及び引き出し部分にメタルマスクを介して形成し、第１の表示電極を作製した。この第１の表示電極上に酸化チタン微粒子分散液（ＳＰ２１０、昭和タイタニウム社製）をスピンコートし、１２０℃で１５分間のアニール処理により、酸化チタン粒子膜を形成し、更にこの上にマゼンタ色発色するエレクトロクロミック化合物であるビオロゲン化合物１質量％の２，２，３，３−テトラフロロプロパノール溶液をスピンコートし、１２０℃で１０分間のアニール処理により、酸化チタン粒子とエレクトロクロミック化合物からなる第１のエレクトロクロミック層を形成した。
【００８５】
−絶縁層の形成−
平均一次粒径２０ｎｍのシリカ微粒子分散液〔シリカ固形分濃度１３質量％、ポリビニルアルコール樹脂（ＰＶＡ５００、関東化学株式会社製）２質量％、２，２，３，３−テトラフロロプロパノール８５質量％〕をスピンコートし１２０℃ホットプレートで１０分間アニール処理し、厚み約１μｍの多孔性絶縁層を得た。更に平均粒径４５０ｎｍのシリカ粒子分散液（シリカ固形分濃度約１質量％、２−プロパノール９９質量％）をスピンコートした。
【００８６】
−第２の表示電極及び第２のエレクトロクロミック層の形成−
次に、スパッタリング法により厚み約１００ｎｍのＩＴＯ透明導電膜を、７５ｍｍ×６０ｍｍの領域及び第１の表示電極とは異なる領域の引き出し部分にメタルマスクを介して形成した。更に２−プロパノール浴中で３分間超音波照射を行い、先に散布した平均粒径４５０ｎｍのシリカ粒子を除去し、微細貫通孔を有する第２の表示電極を形成した。
この上に酸化チタン微粒子分散液（ＳＰ２１０、昭和タイタニウム社製）をスピンコートし、１２０℃で１５分間のアニール処理により、酸化チタン粒子膜を形成し、更にこの上にイエロー色に発色するエレクトロクロミック化合物であるビオロゲン誘導体化合物１質量％の２，２，３，３−テトラフロロプロパノール溶液をスピンコートし、１２０℃で１０分間のアニール処理により、酸化チタン粒子とエレクトロクロミック化合物からなる第２のエレクトロクロミック層を形成した。
【００８７】
−エレクトロクロミック表示装置の作製−
電解質として過塩素酸テトラブチルアンモニウム、溶媒としてジメチルスルホキシド及びポリエチレングリコール（分子量：２００）、更にＵＶ硬化接着剤（商品名：ＰＴＣ１０、十条ケミカル社製）を１．２対５．４対６対１６で混合した溶液に白色酸化チタン粒子（商品名：ＣＲ５０、石原産業株式会社製、平均粒子径：約２５０ｎｍ）を２０質量％添加したＵＶ電解液を用意し、駆動基板側に滴下塗布した後、表示基板と重ね合わせ、対向基板側よりＵＶ光照射硬化させて貼り合せ、比較例２のエレクトロクロミック表示装置５００を作製した。なお、電解質層の厚みはビーズスペーサを電解質層に０．２質量％混合することにより１０μｍに設定した。作製したエレクトロクロミック表示装置の白色反射率は５３％であった。白色反射率は標準白色板（財団法人日本色彩研究所製）の反射率を１００％として規格化し、波長５５０ｎｍでの相対反射率である。
【００８８】
＜発色試験＞
作製したエレクトロクロミック表示装置を、ＦＰＧＡ（ｆｉｅｌｄ−ｐｒｏｇｒａｍｍａｂｌｅ  ｇａｔｅ  ａｒｒａｙ）を搭載したＴＦＴの駆動装置及びパソコンと接続し、発色試験を実施した。
８．９ｍｍ□の領域をマゼンタ発色するように該当する領域の画素電極及び表示電極に電圧を印加するようにＴＦＴを動作させた。約１．５秒間で該当する領域にマゼンタの発色が得られた。更に、その領域と一部を重なるように更に他の領域に８．９ｍｍ□の領域をイエロー発色するようにＴＦＴを動作させた。約０．７秒間で該当する領域でイエロー発色が得られた。重なった領域ではレッドの発色が得られた。
【００８９】
実施例２のエレクトロクロミック表示装置は、比較例２のエレクトロクロミック表示装置と比較して応答速度の点で優れていた。これは比較例２のエレクトロクロミック表示装置における表示電極の表面抵抗による電圧降下によって、電極取り出しパッドからの距離に応じて応答性が損なわれる課題が解決できるためであると考えられる。
【００９０】
（実施例３）
＜発色駆動試験＞
実施例２で作製したエレクトロクロミック表示装置を用いて発色駆動試験を実施した。
８．９ｍｍ□の領域をマゼンタ発色するように、該当する画素領域の対向電極を接地し、第２の表示電極に負極性の電圧が印加するようにＴＦＴを動作させた。約０．５秒間でマゼンタの発色が得られた。
続いて、別の領域に８．９ｍｍ□の領域をレッド発色するように、該当する画素領域の対向電極を接地し、第１の表示電極及び第２の表示電極に同じ負極性の電圧を印加するようにＴＦＴを動作させた。約１．７秒間で該当する領域にレッドの発色が得られた。
更に続いて別の領域に８．９ｍｍ□の領域をイエロー発色するように、該当する画素領域の対向電極を接地し、第１の表示電極に負極性の電圧が印加するようにＴＦＴを動作させた。約０．５秒間でイエローの発色が得られた。
【００９１】
（比較例３）
＜発色駆動試験＞
比較例２で作製したエレクトロクロミック表示装置を用いて発色駆動試験を実施した。
８．９ｍｍ□の領域をマゼンタ発色するように、第１の表示電極を接地し、該当するＴＦＴの画素電極に正極性の電圧が印加されるようにＴＦＴを動作させた。約１．５秒間で該当する領域にマゼンタの発色が確認できた。
続いて別の領域に８．９ｍｍ□の領域をレッド発色するように、第１及び第２の表示電極を接地し、該当するＴＦＴの画素電極に正極性の電圧を印加するようにＴＦＴを動作させた。約４秒間で該当する領域にレッドの発色が確認できた。
更に続いて別の領域に８．９ｍｍ□の領域をイエロー発色するように、第２の表示電極を接地し、該当するＴＦＴの画素電極に正極性の電圧が印加されるようにＴＦＴを動作させた。
【００９２】
実施例３のエレクトロクロミック表示装置は、比較例３のエレクトロクロミック表示装置と比較して多色発色の応答性能が改善する結果が得られた。
【００９３】
（実施例４）
＜発色駆動試験＞
実施例２で作製したエレクトロクロミック表示装置を用いて発色駆動試験を実施した。
８．９ｍｍ□の領域をマゼンタ発色するように該当する領域の対向電極及び第２の表示電極に電圧を印加するようにＴＦＴを動作させた。約０．７秒間で該当する領域にマゼンタの発色が得られた。
そのあと、同じ領域でイエロー発色、マゼンタ消色するように第１の表示電極を負極性に、第２の表示電極を接地するようＴＦＴを動作させた。約０．５秒間後には該当する領域でマゼンタが消色し、イエロー発色した。
【００９４】
（比較例４）
＜発色駆動試験＞
比較例２で作製したエレクトロクロミック表示装置を用いて発色駆動試験を実施した。
８．９ｍｍ□の領域をマゼンタ発色するように該当する領域の対向電極及び表示電極に電圧を印加するようにＴＦＴを動作させた。約１．５秒間で該当する領域にマゼンタの発色が得られた。
そのあと、同じ領域でイエロー発色、マゼンタ消色するように第１の表示電極及び第２の表示電極の間に、イエロー発色する方向に電圧を印加した。マゼンタ発色していた領域は消色し、マゼンタを発色しなかった領域はイエローに発色した。
【００９５】
（実施例５）
＜維持試験＞
実施例２で作製したエレクトロクロミック表示装置を用いて表示画像の維持試験を実施した。
８．９ｍｍ□の領域にマゼンタ発色、別の８．９ｍｍ□の領域にイエロー発色、更に別の８．９ｍｍ□の領域にレッド発色するようにそれぞれ該当の領域の対向電極及び第１の表示電極、第２の表示電極に電圧を印加するようにＴＦＴを動作させた。約１．５秒間でそれぞれイエロー、マゼンタ、レッドの領域が表示できた。その後、間欠的にそれぞれのＴＦＴを動作させ、画像の維持特性を評価した。ＴＦＴを動作させる周期を検討した結果、１時間後でも初期と全く遜色ない画像を表示することができた。
【００９６】
（比較例５）
＜維持試験＞
比較例２で作製したエレクトロクロミック表示装置を用いて表示画像の維持試験を実施した。
８．９ｍｍ□の領域２か所にマゼンタ発色を得るため、第１の表示電極を接地し、該当する画素電極に正極性を印加するようＴＦＴを動作させた。その後、一方の８．９ｍｍ□の領域と、別の８．９ｍｍ□の領域にイエロー発色を得るために、第２の表示電極を接地し、該当する画素電極に正極性を印加するようＴＦＴを動作させた。約４秒間でそれぞれイエロー、マゼンタ、レッドの領域が表示できた。
その後、間欠的に第１の表示電極を接地し第２の表示電極に−０．１Ｖの電圧を印加した。約１０分間後から表示している画像が消色し始め、１時間後には全ての色が消色していた。
【００９７】
実施例５のエレクトロクロミック表示装置は、各画素が発色駆動を行ったことによって発色濃度が減衰しなかったのに対し、比較例５のエレクトロクロミック表示装置では表示電極間の電位差のみを保持していたために、発色濃度が減衰したと考えられる。
【００９８】
以上、好ましい実施形態及び実施例について詳説したが、上述した実施形態及び実施例に制限されることはなく、特許請求の範囲に記載された範囲を逸脱することなく、上述した実施形態及び実施例に種々の変形及び置換を加えることができる。例えば、上記各実施形態は適宜組み合わせることができる。
【００９９】
本発明の態様としては、例えば、以下のとおりである。
＜１＞  画素が行方向と列方向とにマトリクスをなして配列し、
前記画素がそれぞれ２つ以上の副画素から構成され、
前記副画素に電圧を印加する駆動回路と、
前記副画素のうち１つに接続された対向電極と、
前記副画素のうち他方に接続された表示電極と、
前記表示電極に接して設けられたエレクトロクロミック層と、
前記表示電極と前記エレクトロクロミック層と前記対向電極に亘って含浸された電解液層と、を備え、
前記対向電極、前記表示電極、及び前記エレクトロクロミック層が積層されており、かつ前記エレクトロクロミック層、前記表示電極、及び前記対向電極が、各画素間でそれぞれ離間して設けられていることを特徴とするエレクトロクロミック表示装置である。
前記＜１＞に記載のエレクトロクロミック表示装置においては、隣接画素間で色の滲みが起こらず、解像性に優れたエレクトロクロミック表示装置が提供可能となる。
＜２＞  画素が行方向と列方向とにマトリクスをなして配列し、
前記画素がそれぞれ３つ以上の複数の副画素から構成され、
前記複数の副画素に電圧を印加する駆動回路と、
前記複数の副画素のうち少なくとも１つに接続された複数の対向電極と、
前記複数の副画素のうち前記対向電極が接続されない副画素にそれぞれ接続された複数の表示電極と、
前記複数の表示電極のそれぞれに接して設けられた複数のエレクトロクロミック層と、
前記複数の表示電極と前記複数のエレクトロクロミック層と前記複数の対向電極に亘って含浸された電解液層と、を備え、
複数組の前記表示電極、前記エレクトロクロミック層、及び前記対向電極は、それぞれ互いに離間して積層され、各表示電極及び前記対向電極は各画素間でそれぞれ離間して設けられていることを特徴とするエレクトロクロミック表示装置である。
前記＜２＞に記載のエレクトロクロミック表示装置においては、多色表示が可能なエレクトロクロミック表示装置が提供される。また、同一画素内で複数の副画素電極を有するために、画素単位での表示電極間の保持電圧制御が可能となり、フルカラー表示の画像保持性能に優れたエレクトロクロミック表示装置が提供可能となる。
＜３＞  前記少なくとも１つの表示電極と前記対向電極との間に絶縁層が設けられている前記＜１＞から＜２＞のいずれかに記載のエレクトロクロミック表示装置である。
＜４＞  前記複数の表示電極の間には絶縁層が設けられている前記＜２＞に記載のエレクトロクロミック表示装置である。
＜５＞  前記表示電極、前記エレクトロクロミック層、前記絶縁層及び前記対向電極の少なくともいずれかが、多孔性を有する前記＜１＞から＜４＞のいずれかに記載のエレクトロクロミック表示装置である。
＜６＞  前記表示電極、前記エレクトロクロミック層、前記絶縁層及び前記対向電極の少なくともいずれかが、光学透過性を有する前記＜１＞から＜５＞のいずれかに記載のエレクトロクロミック表示装置である。
＜７＞  前記対向電極が、前記少なくとも１つの表示電極よりも前記副画素に近い側に設けられている前記＜１＞から＜６＞のいずれかに記載のエレクトロクロミック表示装置である。
＜８＞  前記少なくとも１つの表示電極と前記副画素の間に平坦化層が設けられている前記＜１＞から＜７＞のいずれかに記載のエレクトロクロミック表示装置である。
＜９＞  前記対向電極と前記少なくとも１つの表示電極が同じ大きさを有し、それぞれがずれなく積層されている前記＜１＞から＜８＞のいずれかに記載のエレクトロクロミック表示装置である。
＜１０＞  前記副画素と反対側の最表面に保護層を有し、前記電解液層が、前記平坦化層と前記保護層の間に充填されている前記＜８＞から＜９＞のいずれかに記載のエレクトロクロミック表示装置である。
前記＜３＞から＜１０＞のいずれかに記載のエレクトロクロミック表示装置においては、高品質で色鮮やか、かつ明るいフルカラー画像を表示可能なエレクトロクロミック表示装置が提供可能となる。
＜１１＞  ２つ以上の副画素電極を有するアクティブマトリクス基板上に、平坦化層を形成する工程と、
１つの副画素上の平坦化層に第１の貫通孔を設ける工程と、
対向電極を形成する工程と、
他方の副画素上の対向電極と平坦化層に第２の貫通孔を形成する工程と、
絶縁層を形成する工程と、
第２の貫通孔内の絶縁層に前記第２の貫通孔よりも小さな第３の貫通孔を形成する工程と、
表示電極を形成する工程と、
エレクトロクロミック層を形成する工程と、を含むことを特徴とするエレクトロクロミック表示装置の製造方法である。
＜１２＞  ３つ以上の副画素電極を有するアクティブマトリクス基板上に、平坦化層を形成する工程と、
第２の副画素上の前記平坦化層に第１の貫通孔を設ける工程と、
対向電極を形成する工程と、
第２の副画素上の、前記対向電極と前記平坦化層に第２の貫通孔を形成する工程と、
第１の絶縁層を形成する工程と、
前記第２の貫通孔内の前記第１の絶縁層に、前記第２の貫通孔よりも小さな第３の貫通孔を形成する工程と、
第１の表示電極を形成する工程と、
第１のエレクトロクロミック層を形成する工程と、
第３の副画素上の前記平坦化層、前記対向電極、前記第１の絶縁層、前記第１の表示電極、及び前記第１のエレクトロクロミック層に第４の貫通孔を形成する工程と、
第２の絶縁層を形成する工程と、
前記第４の貫通孔内の前記第２の絶縁層に、前記第４の貫通孔よりも小さな第５の貫通孔を形成する工程と、
第２の表示電極を形成する工程と、
第２のエレクトロクロミック層を形成する工程と、を含むことを特徴とするエレクトロクロミック表示装置の製造方法である。
＜１３＞  前記表示電極、前記エレクトロクロミック層、前記絶縁層、及び前記対向電極層を形成した後で、それぞれの層を画素サイズに分断する工程を含む前記＜１１＞から＜１２＞のいずれかに記載のエレクトロクロミック表示装置の製造方法である。
＜１４＞  前記表示電極、前記エレクトロクロミック層、前記絶縁層、及び前記対向電極層を形成した後で、それぞれの層内に電解液を充填する工程を含む前記＜１１＞から＜１３＞のいずれかに記載のエレクトロクロミック表示装置の製造方法である。
＜１５＞  電解液充填後に保護層を設ける工程を含む前記＜１４＞に記載のエレクトロクロミック表示装置の製造方法である。
前記＜１１＞から＜１５＞のいずれかに記載のエレクトロクロミック表示装置の製造方法においては、簡便な手法で、安価なコストでエレクトロクロミック表示装置が製造可能となる。
＜１６＞  前記＜１＞から＜１０＞のいずれかに記載のエレクトロクロミック表示装置の駆動方法であって、
前記対向電極と接続された副画素と、前記複数の表示電極が接続された前記複数の副画素のうちいずれか１つ以上の副画素間に電圧を印加する駆動過程を含むことを特徴とするエレクトロクロミック表示装置の駆動方法である。
＜１７＞  前記少なくとも１つの表示電極が接続された複数の副画素のうち任意の２つの副画素間に電圧を印加する駆動過程を含む前記＜１６＞に記載のエレクトロクロミック表示装置の駆動方法である。
＜１８＞  前記駆動過程において、選択されない副画素は高インピーダンス状態である前記＜１６＞から＜１７＞のいずれかに記載のエレクトロクロミック表示装置の駆動方法である。
前記＜１６＞から＜１８＞のいずれかに記載のエレクトロクロミック表示装置の駆動方法においては、画素内の各表示電極と対向電極間、任意の表示電極間の電位が調節可能となり、それぞれのエレクトロクロミック層を個別または同時に発消色させることができ、任意表示画像を得られ、発消色応答に優れたエレクトロクロミック表示装置が提供される。そればかりでなく、画像保持のために各表示電極間の電位調整も可能なことから、表示画像安定性に優れたエレクトロクロミック表示装置が提供される。
【符号の説明】
【０１００】
１      駆動基板
２      画素
３      副画素
３ａ      第１の副画素
３ｂ      第２の副画素
３ｃ      第３の副画素
３ｄ      第４の副画素
４      対向電極
５      表示電極
５ａ      第１の表示電極
５ｂ      第２の表示電極
５ｃ      第３の表示電極
６      絶縁層
６ａ      第１の絶縁層
６ｂ      第２の絶縁層
７      エレクトロクロミック層
７ａ      第１のエレクトロクロミック層
７ｂ      第２のエレクトロクロミック層
７ｃ      第３のエレクトロクロミック層
８      電解液層
９      保護層
１０      平坦化層
１１      貫通孔
１１ａ      第１の貫通孔
１１ｂ      第２の貫通孔
１１ｃ      第３の貫通孔
１１ｄ      第４の貫通孔
１００      エレクトロクロミック表示装置
２００      エレクトロクロミック表示装置
３００      エレクトロクロミック表示装置
４００      エレクトロクロミック表示装置
５００      エレクトロクロミック表示装置
【先行技術文献】
【特許文献】
【０１０１】
【特許文献１】特開２００９−１６３００５号公報
【特許文献２】特開２０１０−０３３０１６号公報
【特許文献３】特開２０１１−２２７２４８号公報
【特許文献４】特開２０１２−１２８２１７号公報
【特許文献５】特開２０１２−１３７７３６号公報
【特許文献６】特開２０１２−１３７７３７号公報
【非特許文献】
【０１０２】
【非特許文献１】Ｎ．Ｋｏｂａｙａｓｈｉ  ｅｔ  ａｌ．,Ｐｒｏｃｅｅｄｉｎｇ  ｏｆ  ＩＤＷ‘０４,１７５３（２００４）
【図１】
2015022107.tif 000004
【図２】
2015022107.tif 000005
【図３】
2015022107.tif 000006
【図４Ａ】
2015022107.tif 000007
【図４Ｂ】
2015022107.tif 000008
【図４Ｃ】
2015022107.tif 000009
【図４Ｄ】
2015022107.tif 000010
【図４Ｅ】
2015022107.tif 000011
【図４Ｆ】
2015022107.tif 000012
【図４Ｇ】
2015022107.tif 000013
【図４Ｈ】
2015022107.tif 000014
【図５】
2015022107.tif 000015
【図６】
2015022107.tif 000016
【図７】
2015022107.tif 000017
【図８】
2015022107.tif 000018
【図９】
2015022107.tif 000019