(57)【要約】【課題】ＣＶＤ装置においてインラインクリーニング等に使用されるガスに対する耐エッチング性に優れたＳｉＣ被覆材及びそれを用いたＣＶＤ装置用治具を提供する。【解決手段】ＳｉＣまたは炭素質材からなる基材と、前記基材上を被覆する、ＣＶＤ法により形成されたβ−ＳｉＣを構成する結晶を有するＳｉＣ膜とを備えるＳｉＣ被覆材であって、前記結晶が、Ｘ線回折におけるＳｉＣ（２２２）面にピークを有し、かつＸ線回折におけるＳｉＣ（１１１）面のピーク強度に対するＳｉＣ（２２０）面のピーク強度が０．７以上であることを特徴としている。【選択図】図１
2015229793.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ＳｉＣまたは炭素質材からなる基材と、前記基材上を被覆する、ＣＶＤ法により形成されたβ−ＳｉＣを構成する結晶を有するＳｉＣ膜とを備えるＳｉＣ被覆材であって、
前記結晶が、
Ｘ線回折におけるＳｉＣ（２２２）面にピークを有し、かつ
Ｘ線回折におけるＳｉＣ（１１１）面のピーク強度に対するＳｉＣ（２２０）面のピーク強度が０．７以上である、ＳｉＣ被覆材。
【請求項２】
請求項１に記載のＳｉＣ被覆材を用いた、ＣＶＤ装置用治具。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体製造工程における各種装置の構成部品や治具等に好適に用いることができるＳｉＣ被覆材及びそれを用いたＣＶＤ装置用治具に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来より、半導体製造工程における各種装置の構成部品や治具等として、黒鉛等の炭素質材料やセラミックス等からなる基材の表面をＳｉＣで被覆したものが用いられている。特許文献１では、ＣＶＤ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｖａｐｏｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ；化学気相成長）法により成膜したＳｉＣ材料であって、成膜方向に対する垂直断面において、結晶面（３１１）／（１１１）のＸ線回折によるピーク強度比が０．８よりも大きい層が、厚さ４０μｍ以上形成されているＳｉＣ材料を用いることが提案されている。
【０００３】
一方、近年、半導体製造工程においては、例えば薄膜形成後、治具等に付着した薄膜を除去するため、ＣｌＦ３、Ｃｌ２などのガスを用いて、インラインクリーニングが行われている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２０１１−７４４３６号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
このようなインラインクリーニングでは、治具等に付着した薄膜が除去されるとともに、被覆したＳｉＣ膜も除去されるという問題があった。このため、インラインクリーニング等に使用されるガスに対する耐エッチング性に優れ、インラインクリーニングなどに好適に用いることが出来るＳｉＣ被覆材が求められている。
【０００６】
本発明の目的は、インラインクリーニング等に使用されるガスに対する耐エッチング性に優れたＳｉＣ被覆材及びそれを用いたＣＶＤ装置用治具を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明のＳｉＣ被覆材は、ＳｉＣまたは炭素質材からなる基材と、前記基材上を被覆する、ＣＶＤ法により形成されたβ−ＳｉＣを構成する結晶を有するＳｉＣ膜とを備えるＳｉＣ被覆材であって、前記結晶が、Ｘ線回折におけるＳｉＣ（２２２）面にピークを有し、かつＸ線回折におけるＳｉＣ（１１１）面のピーク強度に対するＳｉＣ（２２０）面のピーク強度が０．７以上であることを特徴としている。
【０００８】
本発明のＣＶＤ装置用治具は、上記本発明のＳｉＣ被覆材を用いたことを特徴としている。
【発明の効果】
【０００９】
本発明によれば、インラインクリーニング等に使用されるガスに対する耐エッチング性に優れたＳｉＣ被覆材及びそれを用いたＣＶＤ装置用治具を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１０】
【図１】本発明の実施例１におけるＸ線回折チャートを示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００１１】
以下、好ましい実施形態について説明する。但し、以下の実施形態は単なる例示であり、本発明は以下の実施形態に限定されるものではない。
【００１２】
本発明におけるＳｉＣ膜は、ＣＶＤ法により形成され、β−ＳｉＣを構成する結晶を有する。ＣＶＤ法により形成されるＳｉＣ膜は、原料ガスより生成されるＳｉＣの核が、基材表面に析出し、析出した核が成長していくことにより形成される非常に緻密な膜である。また、ＳｉＣには六方晶であるα型、立方晶であるβ型の２種類があるが、本発明におけるＣＶＤ法では、β型のＳｉＣ（β−ＳｉＣ）が生成される。
【００１３】
本発明において、β−ＳｉＣを構成する結晶は、Ｘ線回折におけるＳｉＣ（２２２）面にピークを有し、かつＸ線回折におけるＳｉＣ（１１１）面のピーク強度に対するＳｉＣ（２２０）面のピーク強度が０．７以上である。ＳｉＣ（１１１）面のピーク強度に対するＳｉＣ（２２０）面のピーク強度は、好ましくは、０．７〜１．５の範囲内であり、さらに好ましくは０．８〜１．３の範囲内である。また．ＳｉＣ（１１１）面のピーク強度に対するＳｉＣ（２２０）面のピーク強度は、１．０以上であることが好ましい。ＳｉＣ（１１１）面のピーク強度に対するＳｉＣ（２２０）面のピーク強度を、上記範囲内とすることにより、インラインクリーニング等に使用されるガスに対する耐エッチング性をさらに高めることができる。
【００１４】
Ｘ線回折におけるＳｉＣ（２２２）面のピーク強度は、ＳｉＣ（１１１）面のピーク強度に対して、０．０５以上となるのが好ましく、より好ましくは、０．０７〜０．１５の範囲内である。
【００１５】
本発明に従い、Ｘ線回折におけるＳｉＣ（２２２）面にピークを有し、かつＸ線回折におけるＳｉＣ（１１１）面のピーク強度に対するＳｉＣ（２２０）面のピーク強度が０．７以上であるＳｉＣ膜を形成することにより、各種ＣＶＤ装置でインラインクリーニングに使用される、ＣｌＦ、ＣｌＦ３ 、ＣｌＦ５ 、ＮＦ３ 、ＨＣｌ、Ｃｌ２ 、ＨＦなどのガスに対する耐エッチング性を高めることができる。
【００１６】
ＣＶＤ法により、Ｘ線回折におけるＳｉＣ（２２２）面にピークを有し、かつＸ線回折におけるＳｉＣ（１１１）面のピーク強度に対するＳｉＣ（２２０）面のピーク強度が０．７以上であるＳｉＣ膜を形成するには、成膜の際の基材温度を、１５００℃以上にすることが好ましい。さらに好ましい基材温度は、１５００〜１８００℃の範囲内あり、特に好ましくは、１５００〜１７００℃の範囲内である。
【００１７】
本発明のＣＶＤ装置用治具は、上記本発明のＳｉＣ被覆材を用いているので、インラインクリーニングに使用されるガスに対する耐エッチング性に優れている。このため、ピンホール等の発生を抑制することができ、耐用寿命を長期化することができる。具体的なＣＶＤ装置用治具としては、特開２００９−１６１８５８号公報の図６に示されるＬＰＣＶＤ装置（Ｌｏｗ Ｐｒｅｓｓｕｒｅ ＣＶＤ装置）及び図７に示されるＲＴＰＣＶＤ装置（Ｒａｐｉｄ Ｔｈｅｒｍａｌ Ｐｒｏｃｅｓｓｉｎｇ ＣＶＤ装置）において用いられる治具が挙げられる。また、本発明のＳｉＣ被覆材は、ＣＶＤ装置用治具以外でも、単結晶引き上げ装置用の治具としても使用することができる。
【００１８】
本発明のＳｉＣ被覆材は、基材の上にＳｉＣ膜を形成した後、基材を除去して用いてもよい。例えば、切削除去、ショットブラスト等による研磨除去、あるいは、空気中での焼失除去等の方法を用いて、基材を除去することができる。
【００１９】
以下に実施例を挙げ、本発明を具体的に説明する。
【実施例】
【００２０】
（実施例１）
基材として嵩密度１．８５ｇ／ｃｍ３ の等方性黒鉛材（東洋炭素（株）社製）を使用し、２０×２０×５ｍｍに加工した。次にこれらをＣＶＤ装置内に設置し、原料ガスにＳｉＣｌ４ ＋Ｃ３Ｈ８を使用し、炉内圧力２５０Ｔｏｒｒ、基材温度１６００℃で、ＣＶＤ法により、基材の表面全面にＳｉＣ膜を形成した。
【００２１】
ＳｉＣ膜を形成した後、その表面をＣｕの管球を使用しＸ線回折分析を行った。図１にＸ線回折チャートを示す。図中に記載しているβ−ＳｉＣ（１１１）等は各結晶面を表している。
【００２２】
（比較例１）
基材温度を１２００℃とする以外は、実施例１と同様にして、ＳｉＣ膜を形成した。したがって、特開２００９−１６１８５８号公報の比較例１と同様にして、ＳｉＣ膜を形成した。このＳｉＣ膜の表面のＸ線回折チャートは、特開２００９−１６１８５８号公報の図４に示されるＸ線回折チャートである。
【００２３】
（比較例２）
基材温度を１４００℃とする以外は、実施例１と同様にして、ＳｉＣ膜を形成した。したがって、特開２００９−１６１８５８号公報の実施例１と同様にして、ＳｉＣ膜を形成した。このＳｉＣ膜の表面のＸ線回折チャートは、特開２００９−１６１８５８号公報の図１に示されるＸ線回折チャートである。
【００２４】
本願明細書に添付の図１に示されるように、実施例１のＳｉＣ膜は、Ｘ線回折におけるＳｉＣ（２２２）面にピークを有し、かつＸ線回折におけるＳｉＣ（１１１）面のピーク強度に対するＳｉＣ（２２０）面のピーク強度が１．２８であった。
【００２５】
また、表面を構成する結晶のうち、（１１１）面の占める比率を、（１１１）面と結晶方位を異にする各結晶面の強度比（各結晶面を表すピークの高さ）を用いて、次式により算出した。すなわち、
比率 = （１１１)／（（１１１）＋（２００）＋（２２０）＋（３１１）)
である。実施例１における（１１１）面の占める比率は０．３１であった。
【００２６】
比較例１では、Ｘ線回折におけるＳｉＣ（２２２）面にピークを有しているが、Ｘ線回折におけるＳｉＣ（１１１）面のピーク強度に対するＳｉＣ（２２０）面のピーク強度はＳｉＣ（２２０）面のピークが検出されないため同定されない。また、比較例１における（１１１）面の占める比率は１．０であった。
【００２７】
比較例２では、Ｘ線回折におけるＳｉＣ（２２２）面にピークを有しているが、Ｘ線回折におけるＳｉＣ（１１１）面のピーク強度に対するＳｉＣ（２２０）面のピーク強度は０．５９であった。また、比較例２における（１１１）面の占める比率は０．３２であった。
【００２８】
本発明において、上記のようにして定義される（１１１）面の占める比率、即ち（１１１）面占有率は、０．２〜０．７の範囲内であることが好ましい。
【００２９】
（耐エッチング性の評価）
実施例１並びに比較例１及び２の試料について、耐エッチング性を評価した。具体的には、各試料を１４００℃のＣｌ２にそれぞれ６０分暴露し、エッチングレートを測定した。評価結果を、表１に示す。なお、表１には、（１１１）面占有率、（１１１）面のピーク強度に対するＳｉＣ（２２０）面のピーク強度比も併せて示す。
【００３０】
【表１】
2015229793.tif 000003
【００３１】
表１に示すように、本発明に従う実施例１のＳｉＣ被覆材は、優れた耐エッチング性を示している。
【図１】
2015229793.tif 000004