(57)【要約】【課題】信頼性品質が高く、振動特性が安定で、高いＱ値を有する振動子を提供する。【解決手段】ＭＥＭＳ振動子１００は、基板１と、基板１上に配置されている基部２２と、基部２２から基板の法線と交わる方向に延出している複数の振動部２４と、を備え、平面視で、前記振動部が前記基部から延出している方向での長さをＬ、前記振動部が前記基部から延出している方向と交わる方向での長さをＷとしたとき、前記振動部の寸法比（Ｌ／Ｗ）が、０．２≦（Ｌ／Ｗ）≦７．０の関係を満たしている。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と、
前記基板上に配置されている基部と、
前記基部から前記基板の法線と交わる方向に延出している複数の振動部と、を備え、
前記基板の平面視で、前記振動部の前記基部から延出している方向での長さをＬ、前記振動部の前記基部から延出している方向と交わる方向での長さをＷとしたとき、
前記振動部の寸法比（Ｌ／Ｗ）が、
０．２≦（Ｌ／Ｗ）≦７．０
の関係を満たしていることを特徴とする振動子。
【請求項２】
前記振動部と対向し、且つ離間して前記基板上に配置されている固定電極を備えていることを特徴とする請求項１に記載の振動子。
【請求項３】
前記寸法比（Ｌ／Ｗ）が、
０．５≦（Ｌ／Ｗ）≦１．０
の関係を満たしていることを特徴とする請求項１又２に記載の振動子。
【請求項４】
前記寸法比（Ｌ／Ｗ）が、
０．６２≦（Ｌ／Ｗ）≦０．８
の関係を満たしていることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか一項に記載の振動子。
【請求項５】
前記振動部の前記Ｌが、５．０μｍ≦Ｌ≦１５．０μｍの範囲内にあり、
且つ、前記振動部の前記基板と交わる方向の長さＴが、１．０μｍ≦Ｔ≦２．０μｍの範囲内にあることを特徴とする請求項１乃至４のいずれか一項に記載の振動子。
【請求項６】
前記基部から４つの前記振動部が放射状に延出していることを特徴とする請求項１乃至５のいずれか一項に記載の振動子。
【請求項７】
隣り合う前記振動部の間に曲面を有していることを特徴とする請求項１乃至６のいずれか一項に記載の振動子。
【請求項８】
前記振動部の前記Ｗが、前記基部側端部よりも前記振動部の先端側端部の方が小さいことを特徴とする請求項１乃至７のいずれか一項に記載の振動子。
【請求項９】
請求項１乃至８のいずれか一項に記載の振動子を備えていることを特徴とする発振器。
【請求項１０】
請求項１乃至８のいずれか一項に記載の振動子を備えていることを特徴とする電子機器。
【請求項１１】
請求項１乃至８のいずれか一項に記載の振動子を備えていることを特徴とする移動体。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、振動子、振動子を備えた発振器、電子機器及び移動体に関する。
【背景技術】
【０００２】
一般に、半導体微細加工技術を利用して形成されたＭＥＭＳ（Micro Electro Mechanical System）デバイスと呼ばれる機械的に可動な構造体を備えた電気機械系構造体（例えば、振動子、フィルター、センサー、モーターなど）が知られている。この中で、ＭＥＭＳ振動子は、これまでの水晶や誘電体を使用した振動子・共振子と比較して、半導体回路を組み込んで製造することが容易であり、微細化、高機能化に対し有利であることから、その利用範囲が広まっている。
【０００３】
従来のＭＥＭＳ振動子の代表例としては、振動子が設けられた基板面と平行な方向に振動する例えば櫛型振動子や基板の厚さ方向に振動する例えば梁型振動子などが知られている。梁型振動子は、基板上に形成された固定電極や基板に遊離して配置された可動電極などからなる振動子であり、可動電極の支持の方法により、片持ち梁型（clamped‐free beam）、両持ち梁型（clamped‐clamped beam）、両端自由梁型（free‐free beam）などが知られている。
【０００４】
特許文献１の片持ち梁型のＭＥＭＳ振動子では、基板の主面上に設けられた第１電極の側面部において、可動する第２電極の支持部側に設けられた側面部の角部が略垂直に形成されているため、電極形状のばらつきに起因する振動特性のばらつきの影響を低減でき、安定な振動特性を得ることができると記載されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２０１２−８５０８５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかしながら、特許文献１に記載のＭＥＭＳ振動子は、支持部が一つのため小型化には有利であるが、片持ち梁を固定する支持部の質量が小さいため、梁の屈曲振動が支持部を伝わり基板全体に漏れてしまうという振動漏れによるＱ値の低下や、屈曲振動の応力が集中する支持部で生じる熱弾性損失によるＱ値の低下によって、高いＱ値が得られず、安定した振動特性や所望の振動特性が得られなくなってしまうという問題があった。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明は、上述の課題の少なくとも一部を解決するためになされたものであり、以下の適用例又は形態として実現することが可能である。
【０００８】
［適用例１］本適用例に係る振動子は、基板と、前記基板上に配置されている基部と、前記基部から前記基板の法線と交わる方向に延出している複数の振動部と、を備え、平面視で、前記振動部が前記基部から延出している方向での長さをＬ、前記振動部が前記基部から延出している方向と交わる方向での長さをＷとしたとき、前記振動部の寸法比（Ｌ／Ｗ）が、０．２≦（Ｌ／Ｗ）≦７．０の関係を満たしていることを特徴とする。
【０００９】
本適用例によれば、振動部の寸法比（Ｌ／Ｗ）を０．２≦（Ｌ／Ｗ）≦７．０とすることで、振動部の先端部で幅方向の中央が板厚方向に変位させる応力が集中することで生じる熱弾性損失や隣り合う振動部の間に応力が集中して生じる熱弾性損失を小さくすることができるため、従来の片持ち梁構造の振動子よりも高いＱ値を有し、安定した振動特性や所望の振動特性を有する振動子を得ることができる。
【００１０】
［適用例２］上記適用例に係る振動子において、前記振動部と対向し、且つ離間して前記基板上に配置されている固定電極を備えていることを特徴とする。
【００１１】
本適用例によれば、振動部と対向した位置に固定電極を設け、振動部と固定電極との間に交流電圧を印加すると、振動部が固定電極に引き寄せられたり、引き離されたりする振動が発生し易くなるため、安定な振動特性を有する振動子を得ることができる。
【００１２】
［適用例３］上記適用例に係る振動子において、前記寸法比（Ｌ／Ｗ）が、０．５≦（Ｌ／Ｗ）≦１．０の関係を満たしていることを特徴とする。
【００１３】
本適用例によれば、振動部２４の寸法比（Ｌ／Ｗ）を０．５≦（Ｌ／Ｗ）≦１．０とすることで、１２００００以上のＱ値を有し、安定した振動特性や所望の振動特性を有する振動子を得ることができる。
【００１４】
［適用例４］上記適用例に係る振動子において、前記寸法比（Ｌ／Ｗ）が、０．６２≦（Ｌ／Ｗ）≦０．８の関係を満たしていることを特徴とする。
【００１５】
本適用例によれば、振動部２４の寸法比（Ｌ／Ｗ）を０．６２≦（Ｌ／Ｗ）≦０．８とすることで、１７５０００以上のＱ値を有し、安定した振動特性や所望の振動特性を有する振動子を得ることができる。
【００１６】
［適用例５］上記適用例に係る振動子において、前記振動部の前記Ｌが、５．０μｍ≦Ｌ≦１５．０μｍの範囲内にあり、且つ、前記振動部の前記基板と交わる方向の長さＴが、１．０μｍ≦Ｔ≦２．０μｍの範囲内にあることを特徴とする。
【００１７】
本適用例によれば、振動部の長さ寸法Ｌを５．０μｍ≦Ｌ≦１５．０μｍの範囲内とし、振動部の板厚寸法Ｔを１．０μｍ≦Ｔ≦２．０μｍの範囲内とすることで、安定な振動特性を有し、且つ低コストが図れ、従来の片持ち梁構造の振動子より高いＱ値を有する振動子を得ることができる。
【００１８】
［適用例６］上記適用例に係る振動子において、前記基部から４つの前記振動部が放射状に延出していることを特徴とする。
【００１９】
本適用例によれば、基部から４つの振動部が放射状に延出しているため、隣り合う振動部が異なる上下方向に変位すると、基部は上下方向の変位が相殺され振動が抑制され、振動変位がほとんど無い状態とすることができる。そのため、基部を支持することで、振動効率がより高く、振動漏れの抑制された振動子を得ることができる。
【００２０】
［適用例７］上記適用例に係る振動子において、隣り合う前記振動部の間に曲面を有していることを特徴とする。
【００２１】
本適用例によれば、隣り合う振動部の間に曲面を設けることで、振動に伴い応力が集中することで生じる温度が高くなる領域と温度が低くなる領域との間の間隔を離すことができるため、熱伝導が生じ難くなり熱弾性損失が低減し、より高いＱ値を有する振動子を提供することができる。
【００２２】
［適用例８］上記適用例に係る振動子において、前記振動部の前記Ｗが、前記基部側端部よりも前記振動部の先端側端部の方が小さいことを特徴とする。
【００２３】
本適用例によれば、振動部の先端側の幅が狭くなることで、振動部の先端側端部で生じる応力集中が抑制され、応力集中に伴う熱弾性損失を低減することができるので、高いＱ値を有する振動子を提供することができる。
【００２４】
［適用例９］本適用例に係る発振器は、上記適用例に係る振動子を備えていることを特徴とする。
【００２５】
本適用例によれば、高いＱ値を有する振動子を備えていることにより、より高性能の発振器を提供することができる。
【００２６】
［適用例１０］本適用例に係る電子機器は、上記適用例に係る振動子を備えていることを特徴とする。
【００２７】
本適用例によれば、電子機器として、高いＱ値を有する振動子が活用されることにより、より高性能の電子機器を提供することができる。
【００２８】
［適用例１１］本適用例に係る移動体は、上記適用例に係る振動子を備えていることを特徴とする。
【００２９】
本適用例によれば、移動体として、高いＱ値を有する振動子が活用されることにより、より高性能の移動体を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００３０】
【図１】（ａ）〜（ｃ）本発明の第１実施形態に係る振動子の平面図及び断面図。
【図２】熱弾性損失に伴うＱTED値の計算に用いる振動子の上部電極の平面図。
【図３】振動部の寸法比（Ｌ／Ｗ）に対する有限要素法で計算した振動子のＱTED値を示す図であり、（ａ）は寸法比（Ｌ／Ｗ）が０〜７．０の範囲を示す図、（ｂ）は寸法比（Ｌ／Ｗ）が０〜２．０の範囲を示す図。
【図４】振動部の長さＬの変化に伴う、振動部の寸法比（Ｌ／Ｗ）に対する有限要素法で計算した振動子のＱTED値を示す図。
【図５】振動部の板厚Ｔの変化に伴う、振動部の寸法比（Ｌ／Ｗ）に対する有限要素法で計算した振動子のＱTED値を示す図。
【図６】（ａ）〜（ｆ）本実施形態に係る振動子の製造工程を順に示す工程図。
【図７】（ｇ）〜（ｋ）本実施形態に係る振動子の製造工程を順に示す工程図。
【図８】（ａ）〜（ｄ）変形例１に係る振動子であり、上部電極のバリエーションの例を示す平面図。
【図９】本発明の第２実施形態に係る振動子の上部電極の平面図。
【図１０】本発明の第３実施形態に係る振動子の上部電極の平面図。
【図１１】本発明の第４実施形態に係る振動子の上部電極の平面図。
【図１２】本実施形態に係る振動子を備える発振器の構成例を示す概略図。
【図１３】（ａ）電子機器の一例としてのモバイル型のパーソナルコンピューターの構成を示す斜視図、（ｂ）電子機器の一例としての携帯電話機の構成を示す斜視図。
【図１４】電子機器の一例としてのデジタルスチールカメラの構成を示す斜視図。
【図１５】移動体の一例としての自動車を概略的に示す斜視図。
【発明を実施するための形態】
【００３１】
以下に本発明を具体化した実施形態について、図面を参照して説明する。以下は、本発明の一実施形態であって、本発明を限定するものではない。なお、以下の各図においては、説明を分かりやすくするため、実際とは異なる尺度で記載している場合がある。
【００３２】
［振動子］
（第１実施形態）
先ず、本発明の第１実施形態に係る振動子としてのＭＥＭＳ振動子１００について説明する。
図１（ａ）は、ＭＥＭＳ振動子１００の平面図、図１（ｂ）は、図１（ａ）のＡ−Ａ線断面図、図１（ｃ）は、図１（ａ）のＢ−Ｂ線断面図である。
ＭＥＭＳ振動子１００は、基板１上に形成された固定電極（下部電極１０）と、基板１及び固定電極から遊離して形成される可動電極（上部電極２０）が備えられた静電型の梁型振動子である。可動電極は、基板１の主面及び固定電極に積層された犠牲層がエッチングされることにより基板１及び固定電極から遊離して形成される。
なお、犠牲層とは、酸化膜などで一旦形成される層であり、その上下や周囲に必要な層を形成した後にエッチングにより除去される。犠牲層が除去されることによって、上下や周囲の各層間に必要な間隙や空洞が形成されたり、必要な構造体が遊離して形成されたりする。
【００３３】
ＭＥＭＳ振動子１００の構成について以下に説明する。ＭＥＭＳ振動子１００の製造方法については、後述する実施形態で説明する。
ＭＥＭＳ振動子１００は、基板１と、基板１の主面上に設けられた下部電極１０（第１下部電極１１、第２下部電極１２）と、基板１上に下部電極１０（第２下部電極１２）を介して接続されている支持部２６と、支持部２６上に接続されている基部２２を有する上部電極２０（基部２２と振動部２４とが一体化したもの）などを含み構成されている。
【００３４】
基板１には、好適例としてシリコン基板を用いている。基板１には、酸化膜２、窒化膜３が順に積層されており、基板１の主面側（窒化膜３の表面）の上部に、下部電極１０（第１下部電極１１、第２下部電極１２）、支持部２６、上部電極２０などが形成されている。
なお、ここでは、基板１の厚み方向において、基板１の主面に順に酸化膜２及び窒化膜３が積層される方向を上方向として説明している。
【００３５】
下部電極１０の内、第２下部電極１２は、支持部２６を基板１の上に固定し、また、支持部２６を介して上部電極２０に電位を与える固定電極であり、窒化膜３上に積層された第１導電体層４をフォトリソグラフィー（エッチング加工を含む。以下同様。）によりパターニングすることで図１（ａ）に示すように、形成されている。また、第２下部電極１２は、配線１２ａによって外部回路（図示省略）と接続されている。
【００３６】
支持部２６は、平面視で矩形であり、上部電極２０の基部２２に重なり、且つ基部２２の基板１と対向する側の面に接続されている。また、支持部２６は、基部２２にある振動の節に重なって配置されている。更に、支持部２６は、第２下部電極１２の中央部に配置されている。支持部２６は、第１導電体層４上に積層された第２導電体層５をフォトリソグラフィーによりパターニングすることで形成されている。なお、第１導電体層４及び第２導電体層５は、それぞれ好適例として導電性のポリシリコンを用いているが、これに限定するものではない。
【００３７】
上部電極２０は、基部２２と、基部２２から基板１の法線と交わる方向に延出している複数の振動部２４と、を含み構成されている。具体的には、上部電極２０は、図１（ａ）に示すように、上部電極２０の基部２２から延出する４つの振動部２４によって十字形状を呈する可動電極であり、基部２２の下に設けられた支持部２６によって支えられ、基板１から遊離されている。
【００３８】
上部電極２０は、支持部２６を構成する第２導電体層５の上層と、第１導電体層４上に積層された犠牲層の上層と、に積層された第３導電体層６をフォトリソグラフィーによりパターニングすることで形成されている。つまり、上部電極２０は、基部２２と４つの振動部２４とが一体に形成されている。また、第２下部電極１２と十字形状の上部電極２０とは、基板１を平面視したときにそれぞれの中心部が略一致するように重なり、上部電極２０の基部２２から横方向（Ｂ−Ｂ方向）に延在する２つの振動部２４が、第２下部電極１２（後述するスリットＳ２の部分を除く）と重なるように配置されている。なお、第３導電体層６は、第１導電体層４及び第２導電体層５と同様に、好適例として導電性のポリシリコンを用いているが、これに限定するものではない。
【００３９】
固定電極である下部電極１０は、振動部２４と対向し離間して基板１上に配置されている。下部電極１０の内、第１下部電極１１は、基板１を平面視したときに重なる上部電極２０との間に交流電圧が印加される固定電極であり、窒化膜３に積層された第１導電体層４をフォトリソグラフィーによりパターニングすることで形成されている。第１下部電極１１は、図１（ａ）を正面視したとき、上部電極２０の基部２２から縦方向（Ａ−Ａ方向）に延在する２つの振動部２４に重なるように２箇所に設けられ、配線１１ａによって外部回路（図示省略）と接続されている。
【００４０】
第１下部電極１１は、第２下部電極１２と同じ層の第１導電体層４により形成されている。従って、第１下部電極１１は、上部電極２０に電位を与える固定電極としての第２下部電極１２との間で電気的に絶縁される必要があり、それぞれのパターン（第１下部電極１１と第２下部電極１２）が分離されている。この分離するための隙間の段差（凹凸）は、第１導電体層４の上層に積層された犠牲層を介して積層された第３導電体層６によって形成される上部電極２０に凹凸形状として転写される。具体的には、図１（ａ），（ｂ）に示すように、パターンの分離部（スリットＳ１）の部分において、上部電極２０に凹凸形状が形成される。
【００４１】
ＭＥＭＳ振動子１００では、上部電極２０の基部２２から縦方向（Ａ−Ａ方向）に延出する振動部２４と、横方向（Ｂ−Ｂ方向）に延出する振動部２４とで、スティフネスに違いが発生しないように、第２下部電極１２にダミーのスリットパターンを設けている。具体的には、スリットＳ１が上部電極２０の縦方向（Ａ−Ａ方向）に延在する２つの振動部２４に反映させている凹凸形状と同じように、上部電極２０の横方向（Ｂ−Ｂ方向）に延在する２つの振動部２４に凹凸形状を生じさせるようなダミーのスリットＳ２を、上部電極２０が重なる領域における横方向（Ｂ−Ｂ方向）に延在する第２下部電極１２に設けている。すなわち、スリットＳ２（Ｂ−Ｂ方向の長さ）の幅は、スリットＳ１の幅（Ａ−Ａ方向の長さ）と略同じであり、平面視したときに、上部電極２０の中心点からスリットＳ２までの距離が、上部電極２０の中心点からスリットＳ１までの距離と略同じとなるように、スリットＳ２を形成している。
【００４２】
このようにダミーのスリットＳ２を設けることにより、凹凸部も含めて、上部電極２０が構成される。なお、スリットＳ２は、電気的に第２下部電極１２を絶縁する目的で形成するものではないため、平面視したときに、上部電極２０と重ならないスリットＳ２の両端部の領域においては、第２下部電極１２が連続している。
【００４３】
このような構成において、ＭＥＭＳ振動子１００は静電振動子として構成され、外部回路から配線１１ａ，１２ａを介して第１下部電極１１と上部電極２０との間に印加される交流電圧によって、上部電極２０の４つの振動部２４の先端領域が振動の腹として振動する。図１（ａ）において、（＋／−）の記号は振動の腹として上下方向（基板１の厚み方向）に振動する部分を、その振動の位相の関係を含めて示している。また、隣り合う振動部２４の位相は異なっている。例えば、＋の振動部２４が上方向（基板１から離れる方向）への動きの場合に、隣の振動部２４が−の下方向（基板１に近づく方向）への動きになっていることを示している。つまり、可動電極である上部電極２０は、固定電極である下部電極１０（第１下部電極１１、第２下部電極１２）を含む平面と交わる方向に振動している。
【００４４】
ここで、基部２２から放射状に延出している４つの振動部２４において、基部２２を挟み基部２２から異なる方向に延出する２つの振動部２４は、基部２２を含む略矩形状の梁と見做される。そのため、２つの振動部２４の先端が上方向に振動すると基部２２は下方向に振動する振動部２４の厚み方向に変位を有する屈曲振動が生じる。また、隣の振動部２４、基部２２及び基部２２を挟み基部２２から異なる方向に延出する２つ振動部２４で構成される梁については、２つの振動部２４の先端が下方向に振動すると基部２２は上方向に振動する屈曲振動を生じることとなる。そのため、２つの梁が同時に振動すると、基部２２は上下方向の変位が相殺され振動が抑制され、基部２２の中心部やその中心部から隣り合う振動部２４の間で接続する部分に向かう領域は、振動変位がほとんど無い状態となり、この部分を支持することで、振動効率がより高く、振動漏れの抑制された静電型で梁型のＭＥＭＳ振動子１００をより簡便に提供することができる。
【００４５】
次に、振動子のＱ値は、一般的に、支持部への振動エネルギー漏れである振動漏れ、空気粘性に伴う損失及び熱弾性損失である熱による損失等により決定される。また、各損失の大きさは、振動子の形状、振動モード及び環境等により異なり、一概にどの損失が大きく影響するとは言えない。そこで、空気粘性の影響は振動子を真空パッケージすることで無視でき、振動漏れは振動子の構造を最適化することで低減できるものとして、熱弾性損失である熱による損失に着目し、振動子の構造と熱弾性損失との関係を調べることで、熱弾性損失が小さく高いＱ値を有する振動子の構造を検討した。
【００４６】
本実施形態に係る振動子（ＭＥＭＳ振動子１００）の上部電極２０の構造、特に、振動部２４の寸法比（Ｌ／Ｗ）と熱弾性損失のみを考慮したＱ値であるＱTED値との関係について図２〜図５に基づき詳細に説明する。
図２は、ＱTED値を解析する振動子の上部電極の平面図である。また、図３は、振動部の寸法比（Ｌ／Ｗ）に対する有限要素法で計算した振動子のＱTED値を示す図であり、図３（ａ）は寸法比（Ｌ／Ｗ）が０〜７．０の範囲を示す図、図３（ｂ）は図３（ａ）の寸法比（Ｌ／Ｗ）が０〜２．０の範囲を拡大して示す図である。
【００４７】
図２に示す振動子の上部電極２０において、振動部２４の基部２２から延出している方向の長さ寸法Ｌと、振動部２４の基部２２から延出している方向と交わる方向の長さ寸法（幅寸法）Ｗと、の寸法比（Ｌ／Ｗ）に対する振動子のＱTED値を有限要素法で計算した。なお、振動部２４のＬを７．１２μｍ、振動部２４の基板と交わる方向の長さ寸法（板厚寸法）Ｔを１．３μｍ、支持部２６の長さ寸法Ｈ１とＨ２とをそれぞれ１μｍとし、振動部２４のＷを１．０２μｍ〜３５．６μｍ（寸法比（Ｌ／Ｗ）が０．２〜７．０に相当）と変化させてそれぞれのＱTED値を計算し、その解析結果を図３（ａ），（ｂ）に示した。また、従来の片持ち梁構造の振動子についても、振動部２４のＬを１０．０μｍ、Ｗを１４．２９μｍ、Ｔを１．３μｍとし、図２における基部２２に相当する部分の長さ寸法を２０．０μｍ、幅寸法を１４．２９μｍ、板厚寸法を１．３μｍとし、一方の主面の全面を固定している条件で計算し、その振動子のＱTED値は約８０００であった。
【００４８】
図３（ａ）より、計算した寸法比（Ｌ／Ｗ）が０．２〜７．０の範囲全てにおいて、従来の片持ち梁構造の振動子のＱTED値（約８０００）を大幅に上回り、寸法比（Ｌ／Ｗ）が約０．７付近でＱTED値が約１９００００と最大になることが明らかとなった。
従って、図２に示す振動部２４の寸法比（Ｌ／Ｗ）を０．２≦（Ｌ／Ｗ）≦７．０とすることで、従来の片持ち梁構造の振動子のＱTED値（約８０００）を大幅に上回る高いＱ値を有するＭＥＭＳ振動子１００を得ることができる。
【００４９】
図３（ａ）において、ＱTED値が最大となる寸法比（Ｌ／Ｗ）である約０．７より小さい寸法比（Ｌ／Ｗ）の振動子の振動部２４は、Ｌに対してＷが非常に大きい形状となるため、振動部２４の先端部で幅方向の中央が板厚方向に変位させる応力が集中し、その応力の集中により生じる熱弾性損失によって、ＱTED値が低下しているものと考えられる。また、約０．７より大きい寸法比（Ｌ／Ｗ）の振動子の振動部２４は、Ｗに対してＬが非常に大きい形状となるため、隣り合う振動部２４の間に応力が集中し、その応力の集中により生じる熱弾性損失によって、ＱTED値が低下しているものと考えられる。
【００５０】
図３（ｂ）より、振動部２４の寸法比（Ｌ／Ｗ）を０．５≦（Ｌ／Ｗ）≦１．０とすることで、１２００００以上のＱTED値を有するＭＥＭＳ振動子１００を得ることができ、更に、振動部２４の寸法比（Ｌ／Ｗ）を０．６２≦（Ｌ／Ｗ）≦０．８とすることで、１７５０００以上のＱTED値を有するＭＥＭＳ振動子１００を得ることができる。
【００５１】
次に、振動部２４の長さ寸法Ｌを変えた場合の振動部２４の寸法比（Ｌ／Ｗ）に対する振動子のＱTED値について説明する。図４は、振動部のＬを５．０μｍ〜１５．０μｍの範囲で変化させた場合の寸法比（Ｌ／Ｗ）に対する有限要素法で計算したＱTED値を示す図である。
図４より、振動部２４のＬを変化させても、各ＬにおけるＱTED値の最大値は寸法比（Ｌ／Ｗ）が約０．７であり、Ｌを小さくするとＱTED値が低下する傾向を示している。従って、本実施形態の上部電極２０の形状において、振動部２４のＬを変化させても、振動部２４の寸法比（Ｌ／Ｗ）が約０．７において熱弾性損失を最小とすることができ、最大のＱTED値を得ることができる。
【００５２】
なお、振動部２４のＬが５．０μｍより小さい場合には、ＱTED値が１５００００より小さくなる虞があるので、安定した振動特性を得ることが難しくなる。また、振動部２４のＬが１５．０μｍより大きい場合には、図２における基部２２からの長さが非常に長くなるため、振動部２４と基板との間を遊離するために用いられる犠牲層を除去する際に、犠牲層のエッチャントの表面張力によるメニスカス力が働いて、振動部２４が基板に付着してしまうスティッキング現象を生じてしまうという虞がある。よって、振動部２４のＬを５．０μｍ〜１５．０μｍの範囲内とすることで、ＱTED値の低下を制御し、且つスティッキング現象を低減した高い信頼性品質を有し、前述した従来の片持ち梁構造の振動子のＱTED値（約８０００）より大きいＱTED値を有するＭＥＭＳ振動子１００を得ることができる。
【００５３】
次に、振動部２４の板厚寸法Ｔを変えた場合の振動部２４の寸法比（Ｌ／Ｗ）に対する振動子のＱTED値について説明する。図５は、振動部の板厚寸法Ｔを１．０μｍ〜２．０μｍの範囲で変化させた場合の寸法比（Ｌ／Ｗ）に対する有限要素法で計算したＱTED値を示す図である。
図５より、振動部２４のＴを変化させても、各ＴにおけるＱTED値の最大値は寸法比（Ｌ／Ｗ）が約０．７であり、Ｔを小さくするとＱTED値が低下し、Ｔが１．５μｍで最小となり、その後、ＱTED値は上昇する傾向を示している。従って、振動部２４のＬを変化させた場合と同様に、本実施形態の上部電極２０の形状において、振動部２４のＴを変化させても、振動部２４の寸法比（Ｌ／Ｗ）が約０．７において熱弾性損失を最小とすることができ、最大のＱTED値を得ることができる。
【００５４】
なお、振動部２４のＴが１．０μｍより小さくなると、図１における上部電極２０と基板１に設けられた下部電極１０（第１下部電極１１と第２下部電極１２）との間に印加する交流電圧によって振動部２４を破壊する虞がある。そのため、振動部２４の破壊を回避するためには印加する交流電圧を小さくする必要があり、安定な振動特性を行うための交流電圧を印加することができなくなるため、安定な振動特性を得ることができないという問題がある。また、振動部２４のＴを２．０μｍより大きくすることは、製造上、非常に時間を有し、且つ安定な振動特性を得るために必要な緻密な導電体層とすることが難しくなり、振動特性の安定化や振動子の低コスト化の点で問題がある。よって、振動部２４のＴを１．０μｍ〜２．０μｍの範囲内とすることで、安定な振動特性と高い信頼性品質を有し、且つ低コストが図れ、前述した従来の片持ち梁構造の振動子のＱTED値（約８０００）より大きいＱTED値を有するＭＥＭＳ振動子１００を得ることができる。
【００５５】
以上、図４と図５から、振動部２４の長さ寸法Ｌを５．０μｍ≦Ｌ≦１５．０μｍの範囲内とし、振動部の板厚寸法Ｔを１．０μｍ≦Ｔ≦２．０μｍの範囲内とすることで、安定な振動特性を有し、且つ低コストが図れ、前述した従来の片持ち梁構造の振動子のＱTED値（約８０００）より大きいＱTED値を有するＭＥＭＳ振動子１００を得ることができる。
【００５６】
＜製造方法＞
次に、本実施形態に係る振動子（ＭＥＭＳ振動子１００）の製造方法について説明する。なお、説明にあたり、前述した同一の構成部位については、同一の符号を使用し、重複する説明は省略する。
図６（ａ）〜（ｆ）と図７（ｇ）〜（ｋ）は、ＭＥＭＳ振動子１００の製造工程を順に示す工程図である。それぞれの工程におけるＭＥＭＳ振動子１００の態様を、図１（ａ）のＡ―Ａ線断面図で示している。
【００５７】
図６（ａ）：基板１を準備し、主面に酸化膜２を積層する。酸化膜２は、好適例として、半導体プロセスの素子分離層として一般的なＬＯＣＯＳ（Local Oxidation of Silicon）で形成しているが、半導体プロセスの世代によって、例えば、ＳＴＩ（Shallow Trench Isolation）法による酸化膜であっても良い。
次に絶縁層としての窒化膜３を積層する。窒化膜３としては、窒化シリコン（Ｓｉ3Ｎ4）をＬＰＣＶＤ（Low Pressure Chemical Vapor Deposition）により成膜している。窒化膜３は、後述する犠牲層８（図７（ｇ）参照）をリリースエッチングする際に使用するエッチング液としてのバッファードフッ酸に対して耐性があり、エッチングストッパーとして機能する。
【００５８】
図６（ｂ），（ｃ）：次に、第１層形成工程として、先ず、窒化膜３に第１導電体層４を積層する。第１導電体層４は、下部電極１０（第１下部電極１１、第２下部電極１２）、配線１１ａ，１２ａ（図１（ａ）参照）などを構成するポリシリコン層であり、積層後にボロン（Ｂ）やリン（Ｐ）等のイオンを注入して所定の導電性を持たせる。次に、第１導電体層４にレジスト７を塗布し、フォトリソグラフィーによりパターニングして、第１下部電極１１、第２下部電極１２、配線１１ａ，１２ａを形成する。第１層形成工程では、第３層形成工程の後に基板１を平面視したときに、上部電極２０と重なるように予め下部電極１０、つまり第１下部電極１１及び第２下部電極１２を形成しておく。
【００５９】
図６（ｄ）：次に、第２層形成工程として、下部電極１０、配線１１ａ，１２ａを覆うように第２導電体層５を積層する。第２導電体層５は、支持部２６を構成するポリシリコン層であり、積層後にボロン（Ｂ）やリン（Ｐ）等のイオンを注入して所定の導電性を持たせる。
【００６０】
図６（ｅ），（ｆ）：次に、第２導電体層５にレジスト７を塗布し、フォトリソグラフィーによりパターニングして、支持部２６を形成する。支持部２６は、第１下部電極１１及び第２下部電極１２と、上部電極２０と、の間隙を形成し、上部電極２０を遊離させるためのものであり、第２下部電極１２の中央部に重なるように形成しておく。
【００６１】
図７（ｇ），（ｈ）：次に、下部電極１０、配線１１ａ，１２ａ及び支持部２６を覆うように犠牲層８を積層する。犠牲層８は、第１下部電極１１及び第２下部電極１２と上部電極２０との間隙を形成し、上部電極２０を遊離させるための犠牲層であり、ＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）法により成膜している。積層された犠牲層８には、パターニングされた第１下部電極１１と第２下部電極１２などの段差による凹凸が現れている。次に、犠牲層８にレジスト７を塗布し、フォトリソグラフィーによりパターニング後、支持部２６上の犠牲層８を除去する。
【００６２】
図７（ｉ），（ｊ）：次に、第３層形成工程として、先ず、犠牲層８及び支持部２６を覆うように第３導電体層６を積層する。第３導電体層６は、第１導電体層４や第２導電体層５と同じポリシリコン層であり、積層後にボロン（Ｂ）やリン（Ｐ）等のイオンを注入して所定の導電性を持たせる。その後、フォトリソグラフィーによりパターニングして、上部電極２０（基部２２、振動部２４）を形成する。上部電極２０は、図１（ａ）に示すように、基板１を平面視したときに第１下部電極１１及び第２下部電極１２と重なる領域を有する電極として、上部電極２０の形状を上部電極２０の中央の基部２２から振動部２４が放射状に延出するように形成する。
【００６３】
図７（ｋ）：次に、基板１をエッチング液（バッファードフッ酸）に晒し、犠牲層８をエッチング除去（リリースエッチング）することで、第１下部電極１１及び第２下部電極１２と上部電極２０との間隙を形成し、上部電極２０を遊離させる。
以上によりＭＥＭＳ振動子１００が形成される。
【００６４】
なお、ＭＥＭＳ振動子１００は、減圧状態に封止された空洞部に設置されることが好ましい。そのため、ＭＥＭＳ振動子１００の製造に当たっては、空洞部を形成するための犠牲層や、この犠牲層を囲む側壁部、空洞部の蓋を形成する封止層などを合わせて形成しているが、ここでは説明を省略している。
【００６５】
なお、本発明は、上述した実施形態に限定されず、上述した実施形態に種々の変更や改良などを加えることが可能である。変形例を以下に述べる。ここで、上述した実施形態と同一の構成部位については、同一の符号を使用し、重複する説明は省略している。
【００６６】
（変形例１）
次に、図８（ａ）〜（ｄ）は、変形例１に係る振動子（ＭＥＭＳ振動子１００）であり、上部電極のバリエーションの例を示す平面図である。
本実施形態では、図１（ａ）に示すように、上部電極２０は、基部２２から延出する４つの振動部２４によって十字形状を呈する上部電極２０であるとして説明したが、この構成に限定するものではない。振動部２４の数は、偶数や奇数であっても構わず、４つ以上となるように上部電極２０が形成されていれば良い。
【００６７】
図８（ａ）は、円板状に構成した上部電極２０ａを示す例である。互いに隣り合う振動部２４ａの振動の位相が逆になるように振動する場合において、振動効率の低下が抑制され、また振動漏れが抑制された、高いＱ値を有するＭＥＭＳ振動子１００を提供することができる。
【００６８】
図８（ｂ）は、６つの振動部２４ｂを有する上部電極２０ｂを示す例である。互いに隣り合う振動部２４ｂの振動の位相が逆になるように振動する場合において、振動効率の低下が抑制され、また振動漏れが抑制された、高いＱ値を有するＭＥＭＳ振動子１００を提供することができる。
【００６９】
図８（ｃ）は、８つの振動部２４ｃを有する上部電極２０ｃを示す例である。互いに隣り合う振動部２４ｃの振動の位相が逆になるように振動する場合や、図８（ｃ）に示すように互いに隣り合う２つの振動部２４ｃが１つの組として同相で振動し、また隣り合う組の振動の位相が逆になるように振動する場合において、振動効率の低下が抑制され、また振動漏れが抑制された、高いＱ値を有するＭＥＭＳ振動子１００を提供することができる。
【００７０】
図８（ｄ）は、５つの振動部２４ｄ１〜２４ｄ３を有する上部電極２０ｄを示す例である。振動部２４ｄ２と基部２２を挟み対向する２つの振動部２４ｄ３は、基部２２から延出する方向と交わる方向の長さ（幅方向の長さ）が異なっており、振動部２４ｄ２の幅方向の長さは、２つの振動部２４ｄ３の幅方向の長さに比べ大きい。これは、振動の節において基部２２と振動部２４ｄ１，２４ｄ２，２４ｄ３とが一体化した上部電極２０ｄの全体の振動が釣り合うようにするためである。このような構成とすることで、振動部２４ｄ１，２４ｄ２，２４ｄ３の合計の数が奇数であっても、振動効率の低下が抑制され、また振動漏れが抑制された、高いＱ値を有するＭＥＭＳ振動子１００を提供することができる。
【００７１】
（第２実施形態）
次に、本発明の第２実施形態に係る振動子について、図９を参照して説明する。
図９は、本発明の第２実施形態に係る振動子の上部電極の平面図である。
以下、第２実施形態に係る振動子の上部電極２０ｅについて、前述した第１実施形態との相違点を中心に説明する。また、同様の構成には、同一符号を付してあり、同様の事項については、その説明を省略する。
【００７２】
図９に示すように、第２実施形態の上部電極２０ｅは、隣り合う振動部２４の間に曲面４０が設けられている。このような構成とすることで、振動に伴い応力が集中することで生じる温度が高くなる領域と温度が低くなる領域との間の間隔を離すことができるため、熱伝導が生じ難くなり熱弾性損失が低減し、高いＱ値を有するＭＥＭＳ振動子１００を提供することができる。
【００７３】
（第３実施形態）
次に、本発明の第３実施形態に係る振動子について、図１０を参照して説明する。
図１０は、本発明の第３実施形態に係る振動子の上部電極の平面図である。
以下、第３実施形態に係る振動子の上部電極２０ｆについて、前述した第１実施形態との相違点を中心に説明する。また、同様の構成には、同一符号を付してあり、同様の事項については、その説明を省略する。
【００７４】
図１０に示すように、第３実施形態に係る上部電極２０ｆは、幅が基部２２側端部よりも先端側端部の方が小さい形状、つまり台形でその底辺が基部２２に接続している振動部２４ｆが設けられている。振動部２４ｆの先端側の幅が狭くなることで、振動部２４ｆの先端側端部で生じる応力集中が抑制され、応力集中に伴う熱弾性損失を低減することができるので、高いＱ値を有するＭＥＭＳ振動子１００を提供することができる。
【００７５】
以上、図１（ａ）の第１実施形態に係る振動子、図８（ａ）〜（ｄ）の変形例１に係る振動子、図９の第２実施形態に係る振動子及び図１０の第３実施形態に係る振動子では、基部２２の中央部に設けられた支持部２６の形状が矩形で構成されているが、この構成に限定するものではなく、多角形、円形、十字形状等でも良い。また、１つの支持部２６が設けられているが、これに限定されることはなく、複数の支持部２６を設けても良い。
【００７６】
（第４実施形態）
次に、本発明の第４実施形態に係る振動子について、図１１を参照して説明する。
図１１は、本発明の第４実施形態に係る振動子の上部電極の平面図である。
以下、第４実施形態に係る振動子の上部電極２０ｇについて、前述した第１実施形態との相違点を中心に説明する。また、同様の構成には、同一符号を付してあり、同様の事項については、その説明を省略する。
【００７７】
図１１に示すように、第４実施形態に係る上部電極２０ｇは、振動の節となる隣り合う振動部２４の間に、基部２２と反対方向の端部に固定部３２が設けられた支持部２６ｇが接続されている。このような構成とすることで、基板上に固定部３２を固定し、支持部２６ｇにより基板から上部電極２０ｇの振動部２４を遊離することができる。また、振動の節となる隣り合う振動部２４の間に支持部２６ｇを接続することで、振動漏れによるＱ値の低下を低減することができ、高いＱ値を有するＭＥＭＳ振動子１００を提供することができる。また、支持部２６ｇを複数とすることで、耐衝撃性を向上することができ、耐衝撃特性に優れ、且つ高いＱ値を有するＭＥＭＳ振動子１００を提供することができる。
【００７８】
［発振器］
次いで、本発明の一実施形態に係る発振器としてのＭＥＭＳ振動子１００を適用した発振器２００について、図１２に基づき説明する。
【００７９】
図１２は、本発明の一実施形態に係るＭＥＭＳ振動子１００を備える発振器の構成の例を示す概略図である。発振器２００は、ＭＥＭＳ振動子１００、バイアス回路７０、アンプ７１，７２などから構成される。
バイアス回路７０は、ＭＥＭＳ振動子１００の配線１１ａ，１２ａに接続され、ＭＥＭＳ振動子１００に所定の電位がバイアスされた交流電圧を印加する回路である。
アンプ７１は、バイアス回路７０と並列に、ＭＥＭＳ振動子１００の配線１１ａ，１２ａに接続される帰還増幅器である。帰還増幅することで、ＭＥＭＳ振動子１００を発振器２００として構成している。
アンプ７２は、発振波形を出力するバッファー増幅器である。
【００８０】
本実施形態によれば、発振器２００として、高いＱ値を有する振動子（ＭＥＭＳ振動子１００）を備えていることにより、より高性能の発振器２００を提供することができる。
【００８１】
［電子機器］
次いで、本発明の一実施形態に係る電子部品としてのＭＥＭＳ振動子１００を適用した電子機器について、図１３（ａ），（ｂ）、図１４に基づき説明する。
【００８２】
図１３（ａ）は、本発明の一実施形態に係る電子部品を備える電子機器としてのモバイル型（又はノート型）のパーソナルコンピューターの構成の概略を示す斜視図である。この図において、パーソナルコンピューター１１００は、キーボード１１０２を備えた本体部１１０４と、表示部１０００を備えた表示ユニット１１０６とにより構成され、表示ユニット１１０６は、本体部１１０４に対しヒンジ構造部を介して回動可能に支持されている。このようなパーソナルコンピューター１１００には、フィルター、共振器、基準クロック等として機能する電子部品としてのＭＥＭＳ振動子１００が内蔵されている。
【００８３】
図１３（ｂ）は、本発明の一実施形態に係る電子部品を備える電子機器としての携帯電話機（ＰＨＳも含む）の構成の概略を示す斜視図である。この図において、携帯電話機１２００は、複数の操作ボタン１２０２、受話口１２０４及び送話口１２０６を備え、操作ボタン１２０２と受話口１２０４との間には、表示部１０００が配置されている。このような携帯電話機１２００には、フィルター、共振器、角速度センサー等として機能する電子部品（タイミングデバイス）としてのＭＥＭＳ振動子１００が内蔵されている。
【００８４】
図１４は、本発明の一実施形態に係る電子部品を備える電子機器としてのデジタルスチールカメラの構成の概略を示す斜視図である。なお、この図には、外部機器との接続についても簡易的に示されている。デジタルスチールカメラ１３００は、被写体の光像をＣＣＤ（Charge Coupled Device）等の撮像素子により光電変換して撮像信号（画像信号）を生成する。
デジタルスチールカメラ１３００におけるケース（ボディー）１３０２の背面には、表示部１０００が設けられ、ＣＣＤによる撮像信号に基づいて表示を行なう構成になっており、表示部１０００は、被写体を電子画像として表示するファインダーとして機能する。また、ケース１３０２の正面側（図中裏面側）には、光学レンズ（撮像光学系）やＣＣＤ等を含む受光ユニット１３０４が設けられている。
撮影者が表示部１０００に表示された被写体像を確認し、シャッターボタン１３０６を押下すると、その時点におけるＣＣＤの撮像信号が、メモリー１３０８に転送・格納される。また、このデジタルスチールカメラ１３００においては、ケース１３０２の側面に、ビデオ信号出力端子１３１２と、データ通信用の入出力端子１３１４とが設けられている。そして、図示されるように、ビデオ信号出力端子１３１２にはテレビモニター１３３０が、データ通信用の入出力端子１３１４にはパーソナルコンピューター１３４０が、それぞれ必要に応じて接続される。更に、所定の操作により、メモリー１３０８に格納された撮像信号が、テレビモニター１３３０や、パーソナルコンピューター１３４０に出力される構成になっている。このようなデジタルスチールカメラ１３００には、フィルター、共振器、角速度センサー等として機能する電子部品としてのＭＥＭＳ振動子１００が内蔵されている。
【００８５】
上述したように、電子機器として、高いＱ値を有する振動子（ＭＥＭＳ振動子１００）が活用されることにより、より高性能の電子機器を提供することができる。
【００８６】
なお、本発明の一実施形態に係る電子部品としてのＭＥＭＳ振動子１００は、図１３（ａ）のパーソナルコンピューター（モバイル型パーソナルコンピューター）、図１３（ｂ）の携帯電話機、図１４のデジタルスチールカメラの他にも、例えば、インクジェット式吐出装置（例えばインクジェットプリンター）、ラップトップ型パーソナルコンピューター、テレビ、ビデオカメラ、カーナビゲーション装置、ページャー、電子手帳（通信機能付も含む）、電子辞書、電卓、電子ゲーム機器、ワークステーション、テレビ電話、防犯用テレビモニター、電子双眼鏡、ＰＯＳ端末、医療機器（例えば電子体温計、血圧計、血糖計、心電図計測装置、超音波診断装置、電子内視鏡）、魚群探知機、各種測定機器、計器類（例えば、車両、航空機、船舶の計器類）、フライトシミュレーター等の電子機器に適用することができる。
【００８７】
［移動体］
次いで、本発明の一実施形態に係る振動子としてのＭＥＭＳ振動子１００を適用した移動体について、図１５に基づき説明する。
図１５は、ＭＥＭＳ振動子１００を備える移動体としての自動車１４００を概略的に示す斜視図である。自動車１４００には本発明に係るＭＥＭＳ振動子１００を含んで構成されたジャイロセンサーが搭載されている。例えば、同図に示すように、移動体としての自動車１４００には、タイヤ１４０１を制御する該ジャイロセンサーを内蔵した電子制御ユニット１４０２が搭載されている。また、他の例としては、ＭＥＭＳ振動子１００は、キーレスエントリー、イモビライザー、カーナビゲーションシステム、カーエアコン、アンチロックブレーキシステム（ＡＢＳ）、エアバック、タイヤ・プレッシャー・モニタリング・システム（ＴＰＭＳ：Tire Pressure Monitoring System）、エンジンコントロール、ハイブリッド自動車や電気自動車の電池モニター、車体姿勢制御システム、等の電子制御ユニット（ＥＣＵ：electronic control unit）に広く適用できる。
【００８８】
上述したように、移動体として、高いＱ値を有する振動子（ＭＥＭＳ振動子１００）が活用されることにより、より高性能の移動体を提供することができる。
【００８９】
以上、本発明の振動子（ＭＥＭＳ振動子１００）、発振器２００、電子機器及び移動体について、図示の実施形態に基づいて説明したが、本発明は、これに限定されるものではなく、各部の構成は、同様の機能を有する任意の構成のものに置換することができる。また、本発明に、他の任意の構成物が付加されていてもよい。また、前述した各実施形態を適宜組み合わせてもよい。
【符号の説明】
【００９０】
１…基板、２…酸化膜、３…窒化膜、４…第１導電体層、５…第２導電体層、６…第３導電体層、７…レジスト、８…犠牲層、１０…下部電極、１１…第１下部電極、１１ａ…配線、１２…第２下部電極、１２ａ…配線、２０…上部電極、２２…基部、２４…振動部、２６…支持部、３２…固定部、４０…曲面、７０…バイアス回路、７１，７２…アンプ、１００…ＭＥＭＳ振動子、２００…発振器、１０００…表示部、１１００…パーソナルコンピューター、１１０２…キーボード、１１０４…本体部、１１０６…表示ユニット、１２００…携帯電話機、１２０２…操作ボタン、１２０４…受話口、１２０６…送話口、１３００…デジタルスチールカメラ、１３０２…ケース、１３０４…受光ユニット、１３０６…シャッターボタン、１３０８…メモリー、１３１２…ビデオ信号出力端子、１３１４…入出力端子、１３３０…テレビモニター、１３４０…パーソナルコンピューター、１４００…自動車、１４０１…タイヤ、１４０２…電子制御ユニット。
【図１】
2015080013.tif 000003
【図２】
2015080013.tif 000004
【図３】
2015080013.tif 000005
【図４】
2015080013.tif 000006
【図５】
2015080013.tif 000007
【図６】
2015080013.tif 000008
【図７】
2015080013.tif 000009
【図８】
2015080013.tif 000010
【図９】
2015080013.tif 000011
【図１０】
2015080013.tif 000012
【図１１】
2015080013.tif 000013
【図１２】
2015080013.tif 000014
【図１３】
2015080013.tif 000015
【図１４】
2015080013.tif 000016
【図１５】
2015080013.tif 000017
【手続補正書】
【提出日】平成26年10月1日(2014.10.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００７８】
［発振器］
次いで、本発明の一実施形態に係る振動子としてのＭＥＭＳ振動子１００を適用した発
振器２００について、図１２に基づき説明する。