(57)【要約】【課題】  例えば、描画精度の高さと描画データの少なさとの両立の点で有利な描画データの生成方法を提供する。【解決手段】  複数の荷電粒子線で基板に描画を行うための描画データを、前記基板に描画すべきパターンを表すパターンデータから生成する。前記描画データの生成方法は、前記複数の荷電粒子線それぞれの照射位置の目標位置からのずれ量に基づいて前記複数の荷電粒子線を複数のグループに分けるグループ分け工程と、前記複数のグループのそれぞれに関して、前記ずれ量に基づいて前記パターンデータを変更して前記描画データを生成する生成工程と、を含む。【選択図】図４
2015035563.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の荷電粒子線で基板に描画を行うための描画データを、前記基板に描画すべきパターンを表すパターンデータから生成する生成方法であって、
前記複数の荷電粒子線それぞれの照射位置の目標位置からのずれ量に基づいて前記複数の荷電粒子線を複数のグループに分けるグループ分け工程と、
前記複数のグループのそれぞれに関して、前記ずれ量に基づいて前記パターンデータを変更して前記描画データを生成する生成工程と、
を含むことを特徴とする生成方法。
【請求項２】
前記生成工程は、前記複数のグループのそれぞれに関して、前記ずれ量の平均値に基づいて前記パターンデータを変更する、ことを特徴とする請求項１に記載の生成方法。
【請求項３】
前記グループ分け工程は、目標とする描画精度に基づいて、前記複数の荷電粒子線を前記複数のグループに分ける、ことを特徴とする請求項１または２に記載の生成方法。
【請求項４】
前記複数のグループを構成するグループの数は、前記複数の荷電粒子線を構成する荷電粒子線の数の半分以下である、ことを特徴とする請求項１ないし３のいずれか１項に記載の生成方法。
【請求項５】
複数の荷電粒子線で基板に描画を行うための描画データを、前記基板に描画すべきパターンを表すパターンデータから生成する処理装置であって、
前記複数の荷電粒子線それぞれの照射位置の目標位置からのずれ量に基づいて前記複数の荷電粒子線を複数のグループに分けるグループ分け処理と、
前記複数のグループのそれぞれに関して、前記ずれ量に基づいて前記パターンデータを変更して前記描画データを生成する生成処理と、
を実行することを特徴とする処理装置。
【請求項６】
請求項１ないし４のいずれか１項に記載の生成方法をコンピュータに実行させるためのプログラム。
【請求項７】
描画データに基づいて複数の荷電粒子線で基板に描画を行う描画装置であって、
前記描画データを生成する請求項５に記載の処理装置を有することを特徴とする描画装置。
【請求項８】
前記複数の荷電粒子線を個別にブランキングするブランキング部と、
前記複数のグループそれぞれに関する前記描画データに基づいて前記ブランキング部を制御する制御部と、
を有することを特徴とする請求項７に記載の描画装置。
【請求項９】
前記ずれ量を得るための検出器を有することを特徴とする請求項７または８に記載の描画装置。
【請求項１０】
請求項７ないし９のいずれか１項に記載の描画装置を用いて基板に描画を行う工程と、
前記工程で描画を行われた前記基板を現像する工程と、
を含むことを特徴とする物品の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、描画データの生成方法、処理装置、プログラム、描画装置、および物品の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体集積回路等のデバイス製造に用いられる描画装置として、複数の荷電粒子線（荷電粒子線のアレイ）で基板に描画を行う描画装置が特許文献１に開示されている。しかしながら、この描画装置では、アパーチャアレイやレンズアレイや投影光学系の機械的製作誤差および、それに伴う荷電粒子線の理想的な中心軸に対する斜入射等により、複数の荷電粒子線の各々の間隔が設計上想定した所定の値にならないことが起こりうる。荷電粒子線間隔のばらつきは、当然、偏向器を用いて補正することが可能であるが、装置スペースの制約やコスト等の問題から荷電粒子線１本に対して１つの偏向器を構成することは困難である。そこで、複数の荷電粒子線の各々が描くパターンと所望のパターンとのずれを、複数の荷電粒子線の各々が描くパターンのデータを変更することにより補償することが特許文献２で提案されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開平９−７５３８号公報
【特許文献２】特許第３９４０３１０号
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
特許文献２では荷電粒子線の本数を４０００本程度としているが、今後、さらなるスループットの向上のためには荷電粒子線の本数を増大させる（例えば、５０００００本以上とする）ことが想定される。そのため、特許文献２の描画方法では、５０００００本以上の荷電粒子線のそれぞれに対してパターンデータを用意する必要があり、そのパターンデータを保持するために大量のメモリを必要とする。そのため、特許文献２の描画方法では、メモリの増加に伴い、描画装置の容積が問題となりうる。
【０００５】
本発明は、例えば、描画精度の高さと描画データの少なさとの両立の点で有利な描画データの生成方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明の１つの側面は、複数の荷電粒子線で基板に描画を行うための描画データを、前記基板に描画すべきパターンを表すパターンデータから生成する生成方法であって、前記複数の荷電粒子線それぞれの照射位置の目標位置からのずれ量に基づいて前記複数の荷電粒子線を複数のグループに分けるグループ分け工程と、前記複数のグループのそれぞれに関して、前記ずれ量に基づいて前記パターンデータを変更して前記描画データを生成する生成工程と、を含むことを特徴とする。
【発明の効果】
【０００７】
本発明によれば、例えば、描画精度の高さと描画データの少なさとの両立の点で有利な描画データの生成方法を提供することが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【０００８】
【図１】描画装置の構成例を示す図。
【図２】描画方法のフローを示す図。
【図３】電子線の一部に照射位置の調整残差がある場合の照射位置を示す図。
【図４】第１実施形態における描画データの生成方法を示す図。
【図５】照射位置の調整残差を補正した場合としなかった場合との描画結果を示す図。
【図６】照射位置の調整残差が一律ではない電子線群を持つ場合の照射位置を示す図。
【図７】第２実施形態における描画データの生成方法を示す図。
【図８】２つの電子線だけ照射位置の大きな調整残差を持つ場合の照射位置を示す図。
【図９】第３実施形態における描画データの生成方法を示す図。
【図１０】４行４列のアクティブマトリクス駆動方式における基板上での電子線の配列および走査を説明する図。
【図１１】４行４列のアクティブマトリクス駆動方式において４つの描画データを生成した描画方法を示す図。
【図１２】４行４列のアクティブマトリクス駆動方式において電子線群の一部に照射位置の調整残差がある場合の照射位置を示す図。
【図１３】第４実施形態における描画データの生成方法を示す図。
【発明を実施するための形態】
【０００９】
以下に、添付の図面を参照して本発明の実施形態を説明する。
【００１０】
［第１実施形態］
図１は、複数の電子線で基板に描画を行う描画装置の構成を示す図である。図１において、電子源１として、電子放出材としてＬａＢ６またはＢａＯ／Ｗ（ディスペンサーカソード）などを含むいわゆる熱電子型の電子源を用いうる。コリメータレンズ２として、電界により電子ビームを収束させる静電型のレンズを用いうる。電子源１から放射された電子線は、コリメータレンズ２によって略平行の電子線となる。なお、以下に示す実施形態の描画装置は、複数の電子線で基板上にパターンを描画するものであるが、イオン線等の電子線以外の荷電粒子線を用いてもよく、複数の荷電粒子線で基板上にパターンを描画する描画装置に一般化しうる。
【００１１】
アパーチャアレイ３は、２次元に配列された開口を有する。コンデンサーレンズアレイ４には、同一の光学的パワーを有する静電型のコンデンサーレンズが２次元に配列されている。パターン開口アレイ５は、電子線の形状を規定する（決める）パターン開口のアレイ（サブアレイ）を各コンデンサーレンズに対応して含む。５ａは、当該サブアレイを上から見た形状を示す。
【００１２】
コリメータレンズ２からの略平行な電子線は、アパーチャアレイ３によって複数の電子線に分割される。分割された電子線は、対応するコンデンサーレンズアレイ４のコンデンサーレンズを介して、対応するパターン開口アレイ５のサブアレイを照射する。ここで、アパーチャアレイ３は、電子線の照射範囲を規定する機能を有している。
【００１３】
ブランキング部（ブランカーアレイ（ＢＬＡ））６には、電子線を個別にブンランキングしうる静電型のブランカー（電極対）が各コンデンサーレンズに対応して配列されている。ブランキングアパーチャアレイ７には、複数の開口が各コンデンサーレンズに対応して配列されている。偏向器アレイ８には、電子線を所定の方向に偏向させる偏向器が各コンデンサーレンズに対応して配列されている。対物レンズアレイ９には、静電型の対物レンズが各コンデンサーレンズに対応して配列されている。ここで、電子源１〜対物レンズアレイ９は、ウエハ（基板）１０に電子線で描画を行う電子光学系（荷電粒子光学系）を構成している。電子光学系は、照射系、投影系とも呼ばれる。
【００１４】
パターン開口アレイ５の各サブアレイからの電子線は、それに対応するブランカー、ブランキングアパーチャ、偏向器、対物レンズを介して、１００分の１の大きさに縮小されてウエハ１０に投影される。ここで、サブアレイにおいてパターン開口の配列されている面が物面であり、かつ、ウエハ１０の上面が像面である、という関係となっている。
【００１５】
パターン開口アレイ５のサブアレイからの電子線は、それに対応するブランカーの制御により、ブランキングアパーチャにより遮断されるか否か、すなわち、ウエハ１０に電子線が入射するか否かが切り替えられる。それと並行して、ウエハ１０に入射する電子線は、偏向器アレイ８により、同一の偏向量でウエハ上を走査される。
【００１６】
電子源１は、コリメータレンズ２とコンデンサーレンズとを介してブランキングアパーチャ上に結像され、その像の大きさは、ブランキングアパーチャの開口より大きくなるように設定されている。このため、ウエハ上の電子線のセミアングル（半角）は、ブランキングアパーチャの開口により規定される。さらに、ブランキングアパーチャの開口は、それに対応する対物レンズの前側焦点位置に配置されているため、サブアレイの複数のパターン開口を通った複数の電子線の主光線は、ウエハ上に略垂直に入射する。このため、ウエハ１０が上下に変位しても、電子線の水平面内での変位は微小となる。
【００１７】
ステージ１１は、ウエハ１０を保持し、光軸と直交するＸ−Ｙ平面（水平面）内で可動である。ステージ１１は、ウエハ１０を保持する（引きつける）ための静電チャックの様なチャック機構（不図示）と、電子線が入射する開口パターンを含み、電子線の位置を検出する検出器（不図示）とを含んでいる。搬送機構１２は、ウエハ１０を搬送し、ステージ１１との間でウエハ１０の受け渡しを行う。
【００１８】
ブランキング制御回路１３は、ブランカーアレイ６を構成する複数のブランカーを個別に制御する。偏向器制御回路１４は、偏向器アレイ８を構成する複数の偏向器を共通の信号で制御する。ステージ制御回路１５は、ステージ１１の位置を計測する不図示のレーザ干渉計と協働してステージ１１の位置決めを制御する。主制御部１６は、上記の複数の制御回路を制御し、描画装置を統括的に制御する。なお、描画装置の制御部１８は、第１実施形態では制御回路１３〜１５および主制御部１６により構成されているが、これは一例に過ぎず、適宜変更が可能である。
【００１９】
図２は、本実施形態の描画方法のフローである。以下、このフローにしたがって説明する。まず、全電子線について照射位置の調整残差の計測を行う。調整残差は、各電子線の基板上における照射位置の目標位置からずれであり、方向と大きさとを持つ。電子線の基板上における照射位置の調整残差の計測は、描画結果や電子線の照射位置を検出する検出器１７等により行われる。次に、主制御部１６は、各電子線に対して、先ほど計測した照射位置のｘ方向の調整残差が任意の値ａ未満か否かを判定する。主制御部１６は、ｘ方向の調整残差がａ未満であるならばｙ方向の残差がα未満か否かを判定し、α未満であるならばその電子線を第１グループに割り当てる。すなわち、第１グループの電子線の照射位置の調整残差は、ｘ方向にａ未満、ｙ方向にα未満である。ｙ方向の残差がα以上の場合には、主制御部１６は、次の判断のブロックに移動し、ｙ方向の残差がβ未満か否かを判定し、β未満であるならばその電子線を第２グループに割り当て、β以上であるならば次の判断ブロックに移動する。
【００２０】
主制御部１６は、上記作業をｙ方向の残差およびｘ方向の残差について順次繰り返し行い、ｎ本すべての電子線（ｎは２以上の自然数）をｍ個のグループ（ｍはｎより小さい２以上の自然数）にグループ分けする（グループ分け工程）。グループ分け工程におけるグループの個数は、目標とする描画精度に応じて調整される。描画精度と描画データの保持負担とから、グループの個数は、例えば電子線の数の半分以下としうる。主制御部１６は、グループ分け処理が終わったら、グループごとに照射位置の調整残差の大きさに応じて調整残差を打ち消すように、目標位置に対応する設計データを補正したｍ個の描画データを生成する（生成工程）。
【００２１】
描画装置は、生成処理でｍ個のグループごとに生成された補正済みのｍ個の描画データを用いて描画を行う（描画工程）。本実施形態では、図２の電子線のグループ分け工程、描画データの生成工程、描画工程のすべてを主制御部１６が行う。しかし、電子線のグループ分け工程、描画データの生成工程を主制御部１６以外の処理装置（コンピュータ）に行わせてもよい。すなわち、電子線のグループ分け工程、描画データの生成工程を含む描画データの生成方法をプログラムで処理装置（コンピュータ）に実行させてもよい。
【００２２】
図３は、電子線の一部に照射位置の調整残差がある場合の照射位置を示す図である。図３に示す３６本の電子線の照射位置をみると、左上の電子線グループＸ１Ｙ１〜Ｘ３Ｙ３は、Ｘ軸方向に−Ｘｅｒｒ１、Ｙ軸方向にＹｅｒｒ１の照射位置の調整残差を有している。同様に、右上の電子線グループＸ４Ｙ１〜Ｘ６Ｙ３は、Ｘ軸方向にＸｅｒｒ２、Ｙ軸方向にＹｅｒｒ２の調整残差を、右下の電子線グループＸ４Ｙ４〜Ｘ６Ｙ６は、Ｘ軸方向にＸｅｒｒ３、Ｙ軸方向に−Ｙｅｒｒ３の調整残渣を有している。一方、左下の電子線グループＸ１Ｙ４〜Ｘ３Ｙ６は、照射位置の調整残差を有していない。主制御部１６は、図２に示すフローに沿って３６本の電子線を４つのグループに分ける。電子線Ｘ１Ｙ１〜Ｘ３Ｙ３は第１グループ、電子線Ｘ４Ｙ１〜Ｘ６Ｙ３は第２グループ、電子線Ｘ１Ｙ４〜Ｘ３Ｙ６は第３グループ、電子線Ｘ４Ｙ４〜Ｘ６Ｙ６は第４グループとなる。
【００２３】
図４は、第１実施形態における描画データの生成方法を示す図である。主制御部１６は、目標描画パターン（パターンデータ）に対して、各グループの照射位置の調整残差を打ち消すように、目標描画パターンをシフトした第１〜４描画パターンを生成している。具体的には、図３における第１グループの電子線に対応した描画データは、目標描画パターンに対応する設計データをＸ軸方向に＋Ｘｅｒｒ１、Ｙ軸方向に−Ｙｅｒｒ１だけシフトした第１描画データとする。同様に、主制御部１６は、第２グループの電子線に対して、目標描画パターンに対応する設計データをＸ軸方向に−Ｘｅｒｒ２、Ｙ軸方向に−Ｙｅｒｒ２だけシフトした第２描画データを生成する。主制御部１６は、第３グループの電子線Ｘ１Ｙ４〜Ｘ３Ｙ６に対しては、目標描画パターンに対応する設計データとおりの第３描画データを生成する。主制御部１６は、第４グループの電子線に対して、目標描画パターンに対応する設計データをＸ軸方向に−Ｘｅｒｒ３、Ｙ軸方向に＋Ｙｅｒｒ３だけシフトした第４描画データを生成する。
【００２４】
図５は、照射位置の調整残差を補正した場合としなかった場合の描画結果を示す図である。図５の（ａ）は、照射位置の調整残差を補正せずに目標描画パターンに対応する１つの描画データを用いて描画した場合の描画結果である。図５の（ｂ）は、図３に示す電子線を４つのグループに分け、グループごとに照射位置の調整を行った４つの描画データを用いて描画した場合の描画結果である。目標描画パターンに対応する１つの描画データを用いる場合には、電子線の照射位置の調整残差が残存するため、図５の（ａ）に示すように目標パターンを描画できない。一方、照射位置の調整残差を補正した場合には、図５の（ｂ）に示すように目標パターンを描画することができる。
【００２５】
［第２実施形態］
第１実施形態では、図３に示すように、同じグループに属する電子線は照射位置の調整残差が同一の値を有していた。第２実施形態では、グループの中で照射位置の残差が複数の値を持つ。図６は、グループ内の照射位置の調整残差が同一の値を持つ図３の電子線群と傾向は同じだが、調整残差の値が同一でないグループが存在する電子線群の照射位置を示す。図６の照射位置をみると、左上の電子線グループＸ１Ｙ１〜Ｘ３Ｙ３はＸ軸方向に−Ｘｅｒｒ１、Ｙ軸方向にＹｅｒｒ１の照射位置の調整残差を有している。右上の電子線グループＸ４Ｙ１〜Ｘ６Ｙ３は、Ｘ軸方向にＸｅｒｒ２、Ｙ軸方向にＹｅｒｒ２の調整残差を有している。
【００２６】
また、左下の電子線グループＸ１Ｙ４〜Ｘ３Ｙ６は、照射位置の調整残差を有していない。ここまでは、図３と同様である。一方、右下の電子線グループＸ４Ｙ４〜Ｘ６Ｙ６は、それぞれＸ軸方向にＸｅｒｒ３、Ｘｅｒｒ４、Ｘｅｒｒ５、Ｙ軸方向に−Ｙｅｒｒ３、−Ｙｅｒｒ４、−Ｙｅｒｒ５の照射位置の調整残差を持っている。ここで、Ｘｅｒｒ３〜Ｘｅｒｒ５、及び、−Ｙｅｒｒ３〜−Ｙｅｒｒ５の調整残差の値は、同じグループに分類される範囲内である。図２に示すフローに沿って各電子線をグループ分けすると、電子線Ｘ１Ｙ１〜Ｘ３Ｙ３は第１グループ、電子線Ｘ４Ｙ１〜Ｘ６Ｙ３は第２グループ、電子線Ｘ１Ｙ４〜Ｘ３Ｙ６は第３グループ、電子線Ｘ４Ｙ４〜Ｘ６Ｙ６は第４グループとなる。
【００２７】
図７は、第２実施形態における描画データの生成方法を示す図である。主制御部１６は、目標描画パターンに対して、各グループの照射位置の調整残差を打ち消すように、目標描画パターンをシフトした第１〜４描画パターンを生成する。第１グループの電子線に対応した描画データは、目標描画パターンに対応する設計データをＸ軸方向に＋Ｘｅｒｒ１、Ｙ軸方向に−Ｙｅｒｒ１だけシフトした第１描画データとする。主制御部１６は、第２グループの電子線に対して、目標描画パターンに対応する設計データをＸ軸方向に−Ｘｅｒｒ２、Ｙ軸方向に−Ｙｅｒｒ２だけシフトした第２描画データを作成する。主制御部１６は、第３グループの電子線Ｘ１Ｙ４〜Ｘ３Ｙ６に対しては、目標描画パターンに対応する設計データ通りの第３描画データを生成する。
【００２８】
第４グループに分類された電子線群については、照射位置の調整残差が同一ではないので、主制御部１６は、例えば、次式１、２に示すように調整残差の平均値から目標描画パターンに対応する設計データからの補正量を決定する。
Ｘｅｒｒ＿ａｖｅ＝（Ｘｅｒｒ３＋Ｘｅｒｒ４＋Ｘｅｒｒ５）×３／９・・・（１）
Ｙｅｒｒ＿ａｖｅ＝（Ｙｅｒｒ３＋Ｙｅｒｒ４＋Ｙｅｒｒ５）×３／９・・・（２）
主制御部１６は、第４グループの電子線に対しては、目標描画パターンに対応する設計データをＸ軸方向に−Ｘｅｒｒ＿ａｖｅ、Ｙ軸方向にＹｅｒｒ＿ａｖｅだけシフトした第４描画データを生成する。生成した第１〜４描画データを用いて描画を行うことにより目標パターンを描画することが可能となる。上記のようにグループ内で調整残差にバラツキがあるような場合には調整残差の平均値からシフト量を決定することにより、各電子線に対して描画データを生成するよりも少ない処理量で描画結果を得ることが可能となる。また、第２実施形態では、照射位置の調整残差の平均値を用いて描画データの生成を行ったが、最小二乗法等の手法を用いて描画データの生成を行っても良い。
【００２９】
［第３実施形態］
第３実施形態では、電子線が飛び飛びに大きな照射位置の調整残差を持つ実施形態を示す。図８は、３６本の電子線のうち２つの電子線だけが照射位置の大きな調整残差を持つ場合の照射位置を示す。電子線Ｘ２Ｙ１は、Ｘ軸方向にＸｅｒｒ１、Ｙ軸方向に−Ｙｅｒｒ１、電子線Ｘ５Ｙ５は、Ｘ軸方向にＸｅｒｒ２、Ｙ軸方向にＹｅｒｒ２の照射位置の調整残差を持っている。その他の電子線は、照射位置の調整残差を持たない。この場合、図２に示すフローによると、電子線Ｘ２Ｙ１を第１グループ、電子線Ｘ５Ｙ５を第２グループ、それ他の電子線を第３グループにグループ分けすることができる。
【００３０】
図９は、第３実施形態における描画データの生成方法を示す図である。主制御部１６は、目標描画パターンに対して、各グループの照射位置の調整残差を打ち消すように、目標描画パターンをシフトした第１〜３描画パターンを生成する。主制御部１６は、第１グループの電子線に対して、目標描画パターンに対応する設計データをＸ軸方向に−Ｘｅｒｒ１、Ｙ軸方向に＋Ｙｅｒｒ１だけシフトした第１描画データを生成する。主制御部１６は、第２グループの電子線に対して、目標描画パターンに対応する設計データをＸ軸方向に−Ｘｅｒｒ２、Ｙ軸方向に−Ｙｅｒｒ２だけシフトした第２描画データを生成する。主制御部１６は、第３グループの電子線に対しては、目標描画パターンに対応する設計データ通りの第３描画データを生成する。主制御部１６は、生成された第１〜３描画データを用いて描画を行うことにより目標パターンを描画することが可能となる。
【００３１】
［第４実施形態］
第４実施形態では、アクティブマトリクス駆動方式のブランカーを持つ描画装置に本発明を適用する場合について示す。図１０は、４行４列のアクティブマトリクス駆動方式における基板上に照射された電子線の配列と走査を説明する図である。図１１は、４行４列のアクティブマトリクス駆動方式において４つの描画データを生成した描画方法を示す図である。
【００３２】
図１０に示す４行４列のアクティブマトリクス駆動方式の場合、Ｙ軸方向に沿う各ブランカーに対して、同一のタイミングでブランカー制御データがセットされる。ここで、同一タイミングでブランカー制御データがセットされるＹ軸方向の４つのブランカー１−１〜１−４を第１ブランカー群とし、Ｘ軸方向に隣の４つのブランカー２−１〜２−４を第２ブランカー群とし、順次、第３ブランカー群、第４ブランカー群とする。アクティブマトリクス駆動方式の場合、図１０に示すようにブランキング状態を順次時分割で設定している間も電子線は走査グリッド方向に走査される。
【００３３】
そのため、図１１に示すように、主制御部１６は、走査速度と制御データのセットタイミングの時間差から走査開始位置の差分Ｄｅｌａｙを算出する。そうすれば、主制御部１６は、第１ブランカー群の第１描画データに対してそれぞれ左にＤｅｌａｙ×１、Ｄｅｌａｙ×２、Ｄｅｌａｙ×３の量だけシフトすることにより、第２〜４描画データを生成しうる。第１〜４描画データは、それぞれ、第１〜４ブランカー群に対応している。そして、ブランキング制御回路１３は、Ｙ方向の位置に応じて各描画データの一部分を抜き出し、ブランカー制御データを生成することにより、アクティブマトリクス駆動方式による制御データのセットタイミングの時間差を補正している。
【００３４】
図１２は、４行４列のアクティブマトリクス駆動方式において電子線群の一部に照射位置の調整残差がある場合の電子線の照射位置を示す。図１２の照射位置をみると、照射位置の調整残差は、ブランカー群２に対応する電子線Ｘ２Ｙ１〜Ｘ２Ｙ４は、Ｘ軸方向に−Ｘｅｒｒ１、Ｙ軸方向にＹｅｒｒ１の照射位置の調整残差を持っており、それ以外の電子線は調整残差を持っていない。
【００３５】
図１３は、図１２に示した電子線群における描画データの生成方法を示す図である。電子線Ｘ２Ｙ１〜Ｘ２Ｙ４はＸ軸方向にＸｅｒｒ１、Ｙ軸方向にＹｅｒｒ１の照射位置の調整残差を持っている。そこで、主制御部１６は、図１２の第２描画データをＸ軸方向に＋Ｘｅｒｒ１、Ｙ軸方向に−Ｙｅｒｒ１だけシフトした補正第２描画データを生成している。そして、生成された第１描画パターン、補正第２描画パターン、第３〜４描画パターンを用いて描画を行うことにより目標パターンを描画することが可能となる。本実施形態では、電子光学系による照射位置の調整残差を補正するとしたが、調整残差の補正範囲が大きくとれる場合、電子線の照射位置を補正する機構、例えば偏向器等が不要となり、電子光学系の簡略化、コストダウンが望める。
【００３６】
［第５実施形態］
本発明の実施形態に係る物品の製造方法は、例えば、半導体デバイス等のマイクロデバイスや微細構造を有する素子等の物品を製造するのに好適である。該製造方法は、感光剤が塗布された基板の該感光剤に上記の描画装置を用いて潜像パターンを形成する工程（基板に描画を行う工程）と、当該工程で潜像パターンが形成された基板を現像する工程とを含みうる。さらに、該製造方法は、他の周知の工程（酸化、成膜、蒸着、ドーピング、平坦化、エッチング、レジスト剥離、ダイシング、ボンディング、パッケージング等）を含みうる。本実施形態の物品の製造方法は、従来の方法に比べて、物品の性能・品質・生産性・生産コストの少なくとも１つにおいて有利である。
【００３７】
以上、本発明の実施形態について説明したが、本発明はこれらの実施形態に限定されず、その要旨の範囲内で種々の変形および変更が可能である。
【図１】
2015035563.tif 000003
【図２】
2015035563.tif 000004
【図３】
2015035563.tif 000005
【図４】
2015035563.tif 000006
【図５】
2015035563.tif 000007
【図６】
2015035563.tif 000008
【図７】
2015035563.tif 000009
【図８】
2015035563.tif 000010
【図９】
2015035563.tif 000011
【図１０】
2015035563.tif 000012
【図１１】
2015035563.tif 000013
【図１２】
2015035563.tif 000014
【図１３】
2015035563.tif 000015