(57)【要約】【課題】銅又は銅合金を含む材料の研磨に安定して使用でき、ディッシングを抑制しつつ研磨後のウェーハの均一性を向上させうる研磨用組成物を提供することを目的とする。【解決手段】砥粒、保護膜形成剤、界面活性剤、及び金属溶解調整剤を含み、前記保護膜形成剤は水５００ｍｌに対して１ｍＭ添加し、さらに３１重量％の過酸化水素水を３８．９ｇ／Ｌを添加し、２５℃で５分間浸漬したときに銅の溶解速度が５Å／ｍｉｎ未満となる化合物であり、前記金属溶解調整剤は水５００ｍｌに対して１ｍＭ添加し、さらに３１重量％の過酸化水素水を３８．９ｇ／Ｌ添加し、２５℃で５分間浸漬したときに銅の溶解速度が５Å／ｍｉｎ以上となる化合物であることを特徴とする研磨用組成物。【選択図】なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
砥粒、保護膜形成剤、界面活性剤、及び金属溶解調整剤を含み、
前記保護膜形成剤は水５００ｍｌに対して１ｍＭ添加し、さらに３１重量％の過酸化水素水を３８．９ｇ／Ｌを添加し、２５℃で５分間浸漬したときに銅の溶解速度が５Å／ｍｉｎ未満となる化合物であり、
前記金属溶解調整剤は水５００ｍｌに対して１ｍＭ添加し、さらに３１重量％の過酸化水素水を３８．９ｇ／Ｌ添加し、２５℃で５分間浸漬したときに銅の溶解速度が５Å／ｍｉｎ以上となる化合物であることを特徴とする研磨用組成物。
【請求項２】
前記保護膜形成剤は、水５００ｍｌに対して１ｍＭ添加し、研磨促進剤としての１０ｇ／Ｌのグリシンと、界面活性剤としての０．２ｇ／Ｌのラウリルエーテル硫酸アンモニウム、０．６ｇ／Ｌのポリオキシエチレンアルキルエーテルと、砥粒として５ｇ／Ｌのコロイダルシリカ（ＢＥＴ法による平均一次粒子径１０ｎｍ）、３ｇ／Ｌのコロイダルシリカ（ＢＥＴ法による平均一次粒子径３０ｎｍ）を添加し、水酸化カリウムと硫酸を用いてｐＨを約７．５に調整し、さらに３１重量％の過酸化水素水を３８．９ｇ／Ｌ添加し、２５℃で５分間浸漬したときに銅の溶解速度が２０００Å／ｍｉｎ以下となる化合物である請求項１に記載の研磨用組成物。
【請求項３】
前記保護膜形成剤は、水５００ｍｌに対して１ｍＭ添加し、研磨促進剤としての１０ｇ／Ｌのグリシンと、界面活性剤としての０．２ｇ／Ｌのラウリルエーテル硫酸アンモニウム、０．６ｇ／Ｌのポリオキシエチレンアルキルエーテルと、砥粒として５ｇ／Ｌのコロイダルシリカ（ＢＥＴ法による平均一次粒子径１０ｎｍ）、３ｇ／Ｌのコロイダルシリカ（ＢＥＴ法による平均一次粒子径３０ｎｍ）を添加し、水酸化カリウムと硫酸を用いてｐＨを約７．５に調整し、さらに３１重量％の過酸化水素水を３８．９ｇ／Ｌ添加し、２５℃で５分間浸漬したときに銅の溶解速度が１００Å／ｍｉｎ以下となる化合物である請求項１又は２に記載の研磨用組成物。
【請求項４】
前記金属溶解調整剤は、水５００ｍｌに対して１ｍＭ添加し、研磨促進剤としての１０ｇ／Ｌのグリシンと、界面活性剤としての０．２ｇ／Ｌのラウリルエーテル硫酸アンモニウム、０．６ｇ／Ｌのポリオキシエチレンアルキルエーテルと、砥粒として５ｇ／Ｌのコロイダルシリカ（ＢＥＴ法による平均一次粒子径１０ｎｍ）、３ｇ／Ｌのコロイダルシリカ（ＢＥＴ法による平均一次粒子径３０ｎｍ）を添加し、水酸化カリウムと硫酸を用いてｐＨを約７．５に調整し、さらに３１重量％の過酸化水素水を３８．９ｇ／Ｌ添加し、２５℃で５分間浸漬したときに銅の溶解速度が、前記金属溶解調整剤を添加しないときと比較して小さくなる化合物である請求項１〜３のいずれか１項に記載の研磨用組成物。
【請求項５】
前記金属溶解調整剤は、水５００ｍｌに対して１ｍＭ添加し、研磨促進剤としての１０ｇ／Ｌのグリシンと、界面活性剤としての０．２ｇ／Ｌのラウリルエーテル硫酸アンモニウム、０．６ｇ／Ｌのポリオキシエチレンアルキルエーテルと、砥粒として５ｇ／Ｌのコロイダルシリカ（ＢＥＴ法による平均一次粒子径１０ｎｍ）、３ｇ／Ｌのコロイダルシリカ（ＢＥＴ法による平均一次粒子径３０ｎｍ）を添加し、水酸化カリウムと硫酸を用いてｐＨを約７．５に調整し、さらに３１重量％の過酸化水素水を３８．９ｇ／Ｌ添加し、２５℃で５分間浸漬したときに銅の溶解速度が３０００Å／ｍｉｎ以下となる化合物である請求項１〜４のいずれか１項に記載の研磨用組成物。
【請求項６】
導電性物質層を有する基板を研磨する用途で使用される、請求項１〜５のいずれか１項に記載の研磨用組成物。
【請求項７】
前記導電性物質層は、銅または銅合金である請求項６に記載の研磨用組成物。
【請求項８】
導電性物質層を有する基板の導電性物質層を請求項１〜７に記載の研磨用組成物で研磨する工程を有し、前記導電性物質層を研磨する際、研磨対象面の端から１０ｍｍを除き直流４探針法にて６ｍｍ間隔で測定すると、隣の点との研磨速度の差が１０００Å／ｍｉｎ以下である研磨方法。
【請求項９】
請求項８に記載の研磨方法で研磨する工程を含む、導電性物質を含む基板の製造方法
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、研磨用組成物に関し、特に金属の研磨に適した研磨用組成物に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、ＬＳＩの高集積化、高性能化に伴って新たな微細加工技術が開発されている。化学機械研磨（以下、単にＣＭＰとも記す）法もその一つであり、ＬＳＩ製造工程、特に多層配線形成工程における層間絶縁膜の平坦化、金属プラグ形成、埋め込み配線（ダマシン配線）形成において頻繁に利用される技術である。
【０００３】
半導体デバイスの配線を形成する場合には、一般にまず、トレンチを有する絶縁膜の上にバリア層および導電性物質層を順次に形成する。その後、化学機械研磨（ＣＭＰ）により少なくともトレンチの外に位置する導電性物質層の部分（導電性物質層の外側部分）およびトレンチの外に位置するバリア層の部分（バリア層の外側部分）を除去する。この少なくとも導電性物質層の外側部分およびバリア層の外側部分を除去するための研磨は通常、第１研磨工程と第２研磨工程とに分けて行なわれる。第１研磨工程では、バリア層の上面を露出させるべく、導電性物質層の外側部分の一部を除去する。続く第２研磨工程では、絶縁膜を露出させるとともに平坦な表面を得るべく、少なくとも導電性物質層の外側部分の残部およびバリア層の外側部分を除去する。
【０００４】
このような半導体デバイスの配線を形成するためのＣＭＰでは、酸などの研磨促進剤および酸化剤を含有し、さらに必要に応じて砥粒も含有した研磨用組成物を使用することが一般的である。また、研磨後の研磨対象物の平坦性を改善する、すなわち配線部が過研磨されるディッシングを抑制すべく、金属防食剤をさらに添加した研磨用組成物を使用することも提案されている。例えば、特許文献１には、アミノ酢酸および／またはアミド硫酸、酸化剤、ベンゾトリアゾールおよび水を含有する研磨用組成物が開示されている。ただ特許文献１に記載の研磨用組成物では、ディッシングの抑制が不十分であった。そこで特許文献２には特許文献１に開示されている研磨用組成物に更にアニオン界面活性剤とノニオン界面活性剤を加えた研磨用組成物が開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開平８−８３７８０号公報
【特許文献２】特開２００８−０４１７８１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかしながら、特許文献２に記載の研磨用組成物では、研磨後のウェーハの均一性を得るには至っておらず、銅または銅合金に対する有効な研磨方法とはなり得ていない。
【０００７】
そこで本発明は、銅または銅合金を含む材料の研磨に適しており、ディッシングを抑制しつつ研磨後のウェーハの均一性を向上させうる研磨用組成物を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
上記課題を解決すべく、本発明者らは鋭意研究を積み重ねた。その結果、特定条件における銅の溶解速度に特徴のある２種の添加剤を使用することで、上記課題が解決されうることを見出した。そして、上記知見に基づいて、本発明を完成するに至った。
【０００９】
すなわち、本発明は、砥粒、保護膜形成剤、界面活性剤、及び金属溶解調整剤を含み、前記保護膜形成剤は水５００ｍｌに対して１ｍＭ添加し、さらに３１重量％の過酸化水素水を３８．９ｇ／Ｌを添加し、２５℃で５分間浸漬したときに銅の溶解速度が５Å／ｍｉｎ未満となる化合物であり、前記金属溶解調整剤は水５００ｍｌに対して１ｍＭ添加し、さらに３１重量％の過酸化水素水を３８．９ｇ／Ｌ添加し、２５℃で５分間浸漬したときに銅の溶解速度が５Å／ｍｉｎ以上となる化合物であることを特徴とする研磨用組成物である。
【発明の効果】
【００１０】
本発明によれば、銅または銅合金を含む材料の研磨に適しており、ディッシングを抑制しつつ研磨後のウェーハの均一性を向上させうる研磨用組成物が提供されうる。
【発明を実施するための形態】
【００１１】
本発明は、砥粒、保護膜形成剤、界面活性剤、及び金属溶解調整剤を含み、前記保護膜形成剤は水５００ｍｌに対して１ｍＭ添加し、さらに３１重量％の過酸化水素水を３８．９ｇ／Ｌを添加し、２５℃で５分間浸漬したときに銅の溶解速度が５Å／ｍｉｎ未満となる化合物であり、前記金属溶解調整剤は水５００ｍｌに対して１ｍＭ添加し、さらに３１重量％の過酸化水素水を３８．９ｇ／Ｌ添加し、２５℃で５分間浸漬したときに銅の溶解速度が５Å／ｍｉｎ以上となる化合物であることを特徴とする研磨用組成物である。このような構成とすることにより、銅または銅合金を含むウェーハの研磨後のディッシングを抑制しつつ、均一性を向上させることができる。
【００１２】
研磨後の均一性が向上する詳細な理由は不明であるが、金属溶解調整剤は、保護膜形成剤や界面活性剤による溶解抑制作用を、研磨対象に対して均一に働くように調整していると考えられる。
【００１３】
［研磨対象物］
本発明の研磨対象物は導電性物質層を有する基板である。この導電性物質は、特に制限されないが、遷移金属が好ましい。遷移金属としては、例えば、タングステン、銅、ハフニウム、コバルト、ニッケル、チタン、タンタル等が挙げられる。好ましくは銅である。上記の金属は、合金または金属化合物の形態であってもよい。これらの材料は、単独でもまたは２種以上組み合わせて用いてもよい。
【００１４】
次に、本発明の研磨用組成物の構成について、詳細に説明する。
【００１５】
［保護膜形成剤］
本発明の研磨用組成物は、その特徴的な構成成分として、保護膜形成剤を必須に含む。本発明に係る保護膜形成剤は水５００ｍｌに対して１ｍＭ添加し、さらに３１重量％の過酸化水素水を３８．９ｇ／Ｌを添加し、２５℃で５分間浸漬したときに銅の溶解速度が５Å／ｍｉｎ未満となる化合物である。好ましくは、水５００ｍｌに対して１ｍＭ添加し、研磨促進剤としての１０ｇ／Ｌのグリシンと、界面活性剤としての０．２ｇ／Ｌのラウリルエーテル硫酸アンモニウム、０．６ｇ／Ｌのポリオキシエチレンアルキルエーテルと、砥粒として５ｇ／Ｌのコロイダルシリカ（ＢＥＴ法による平均一次粒子径１０ｎｍ）、３ｇ／Ｌのコロイダルシリカ（ＢＥＴ法による平均一次粒子径３０ｎｍ）を添加し、水酸化カリウムと硫酸を用いてｐＨを約７．５に調整し、さらに３１重量％の過酸化水素水を３８．９ｇ／Ｌ添加し、２５℃で５分間浸漬したときに銅の溶解速度が２０００Å／ｍｉｎ以下となる化合物である。さらに好ましくは、水５００ｍｌに対して１ｍＭ添加し、研磨促進剤としての１０ｇ／Ｌのグリシンと、界面活性剤としての０．２ｇ／Ｌのラウリルエーテル硫酸アンモニウム、０．６ｇ／Ｌのポリオキシエチレンアルキルエーテルと、砥粒として５ｇ／Ｌのコロイダルシリカ（ＢＥＴ法による平均一次粒子径１０ｎｍ）、３ｇ／Ｌのコロイダルシリカ（ＢＥＴ法による平均一次粒子径３０ｎｍ）を添加し、水酸化カリウムと硫酸を用いてｐＨを約７．５に調整し、さらに３１重量％の過酸化水素水を３８．９ｇ／Ｌ添加し、２５℃で５分間浸漬したときに銅の溶解速度が１００Å／ｍｉｎ以下となる化合物である。
【００１６】
上記要件を満たせば使用可能な保護膜形成剤は、特に制限されないが、具体例としてはベンゼンスルホン酸等の化合物、１Ｈ−ベンゾトリアゾール、５−メチル−１Ｈ−ベンゾトリアゾール、５，６−ジメチル−１Ｈ−ベンゾトリアゾール、１−［Ｎ，Ｎ−ビス（ヒドロキシエチル）アミノメチル］−５−メチルベンゾトリアゾール、１−［Ｎ，Ｎ−ビス（ヒドロキシエチル）アミノメチル］−４−メチルベンゾトリアゾール、２，２‘−［［（メチル−１Ｈ−ベンゾトリアゾール−１−イル）メチル］イミノ］ビスエタノール、１，２，３−トリアゾール、テトラゾール化合物、ピリジン化合物、ピラジン化合物、ピリダジン化合物、ピリンジン化合物、インドリジン化合物、インドール化合物、イソインドール化合物、インダゾール化合物、プリン化合物、キノリジン化合物、キノリン化合物、イソキノリン化合物、ナフチリジン化合物、フタラジン化合物、キノキサリン化合物、キナゾリン化合物、シンノリン化合物、ブテリジン化合物、チアゾール化合物、イソチアゾール化合物、オキサゾール化合物、イソオキサゾール化合物、フラザン化合物等の含窒素複素環化合物が挙げられる。
【００１７】
さらに具体的な例を挙げると４−ニトロ−３−ピラゾールカルボン酸、３，５−ピラゾールカルボン酸、３−アミノ−５−フェニルピラゾール、５−アミノ−３−フェニルピラゾール、３，４，５−トリブロモピラゾール、３−アミノピラゾール、３，５−ジメチルピラゾール、３，５−ジメチル−１−ヒドロキシメチルピラゾール、３−メチルピラゾール、１−メチルピラゾール、３−アミノ−５−メチルピラゾール、４−アミノ−ピラゾロ［３，４−Ｄ］ピリミジン、アロプリノール、４−クロロ−１Ｈ−ピラゾロ［３，４−Ｄ］ピリミジン、３，４−ジヒドロキシ−６−メチルピラゾロ（３，４−Ｂ）−ピリジン、６−メチル−１Ｈ−ピラゾロ［３，４−Ｂ］ピリジン−３−アミン等が挙げられる。
他にもイミダゾール、１−メチルイミダゾール、２−メチルイミダゾール、４−メチルイミダゾール、１，２−ジメチルピラゾール、２−エチル−４−メチルイミダゾール、２−イソプロピルイミダゾール、ベンゾイミダゾール、５，６−ジメチルベンゾイミダゾール、２−アミノベンゾイミダゾール、２−クロロベンゾイミダゾール、２−メチルベンゾイミダゾール、２−（１−ヒドロキシエチル）ベンズイミダゾール、２−ヒドロキシベンズイミダゾール、２−フェニルベンズイミダゾール、２，５−ジメチルベンズイミダゾール、５−メチルベンゾイミダゾール、５−ニトロベンズイミダゾール、１Ｈ−プリン等が挙げられる。
【００１８】
さらに１−ヒドロキシベンゾトリアゾール、１−アミノベンゾトリアゾール、１−カルボキシベンゾトリアゾール、５−クロロ−１Ｈ−ベンゾトリアゾール、５−ニトロ−１Ｈ−ベンゾトリアゾール、５−カルボキシ−１Ｈ−ベンゾトリアゾール、５−メチル−１Ｈ−ベンゾトリアゾール、５，６−ジメチル−１Ｈ−ベンゾトリアゾール、１−（１’，２’−ジカルボキシエチル）ベンゾトリアゾール、１−［Ｎ，Ｎ−ビス（ヒドロキシエチル）アミノメチル］ベンゾトリアゾール、１−［Ｎ，Ｎ−ビス（ヒドロキシエチル）アミノメチル］−５−メチルベンゾトリアゾール、１−［Ｎ，Ｎ−ビス（ヒドロキシエチル）アミノメチル］−４−メチルベンゾトリアゾール等が挙げられる。
【００１９】
テトラゾール化合物の例としては、例えば、１Ｈ−テトラゾール、５−メチルテトラゾール、５−アミノテトラゾール、および５−フェニルテトラゾール等が挙げられる。
インダゾール化合物の例としては、例えば、１Ｈ−インダゾール、５−アミノ−１Ｈ−インダゾール、５−ニトロ−１Ｈ−インダゾール、５−ヒドロキシ−１Ｈ−インダゾール、６−アミノ−１Ｈ−インダゾール、６−ニトロ−１Ｈ−インダゾール、６−ヒドロキシ−１Ｈ−インダゾール、３−カルボキシ−５−メチル−１Ｈ−インダゾール等が挙げられる。
【００２０】
インドール化合物の例としては、例えば１Ｈ−インドール、１−メチル−１Ｈ−インドール、２−メチル−１Ｈ−インドール、３−メチル−１Ｈ−インドール、４−メチル−１Ｈ−インドール、５−メチル−１Ｈ−インドール、６−メチル−１Ｈ−インドール、７−メチル−１Ｈ−インドール、４−アミノ−１Ｈ−インドール、５−アミノ−１Ｈ−インドール、６−アミノ−１Ｈ−インドール、７−アミノ−１Ｈ−インドール、４−ヒドロキシ−１Ｈ−インドール、５−ヒドロキシ−１Ｈ−インドール、６−ヒドロキシ−１Ｈ−インドール、７−ヒドロキシ−１Ｈ−インドール、４−メトキシ−１Ｈ−インドール、５−メトキシ−１Ｈ−インドール、６−メトキシ−１Ｈ−インドール、７−メトキシ−１Ｈ−インドール、４−クロロ−１Ｈ−インドール、５−クロロ−１Ｈ−インドール、６−クロロ−１Ｈ−インドール、７−クロロ−１Ｈ−インドール、４−カルボキシ−１Ｈ−インドール、５−カルボキシ−１Ｈ−インドール、６−カルボキシ−１Ｈ−インドール、７−カルボキシ−１Ｈ−インドール、４−ニトロ−１Ｈ−インドール、５−ニトロ−１Ｈ−インドール、６−ニトロ−１Ｈ−インドール、７−ニトロ−１Ｈ−インドール、４−ニトリル−１Ｈ−インドール、５−ニトリル−１Ｈ−インドール、６−ニトリル−１Ｈ−インドール、７−ニトリル−１Ｈ−インドール、２，５−ジメチル−１Ｈ−インドール、１，２−ジメチル−１Ｈ−インドール、１，３−ジメチル−１Ｈ−インドール、２，３−ジメチル−１Ｈ−インドール、５−アミノ−２，３−ジメチル−１Ｈ−インドール、７−エチル−１Ｈ−インドール、５−（アミノメチル）インドール、２−メチル−５−アミノ−１Ｈ−インドール、３−ヒドロキシメチル−１Ｈ−インドール、６−イソプロピル−１Ｈ−インドール、５−クロロ−２−メチル−１Ｈ−インドール等が挙げられる。
これらの中でも好ましい第一の保護膜形成剤は１Ｈ−ベンゾトリアゾール、５−メチル−１Ｈ−ベンゾトリアゾール、５，６−ジメチル−１Ｈ−ベンゾトリアゾール、１−［Ｎ，Ｎ−ビス（ヒドロキシエチル）アミノメチル］−５−メチルベンゾトリアゾール、１−［Ｎ，Ｎ−ビス（ヒドロキシエチル）アミノメチル］−４−メチルベンゾトリアゾール、2，2’-［［（メチル-1H-ベンゾトリアゾール-1-イル）メチル］イミノ］ビスエタノール、および１，２，３−トリアゾールが好ましい。  
【００２１】
研磨用組成物中の保護膜形成剤の含有量の下限は、０．００１ｇ／Ｌ以上であることが好ましく、０．０１ｇ／Ｌ以上であることがより好ましく、０．１ｇ／Ｌ以上であることがさらに好ましい。また、研磨用組成物中の保護膜形成剤の含有量の上限は、１０．０ｇ／Ｌ以下であることが好ましく、１．０ｇ／Ｌ以下であることがより好ましく、０．５ｇ／Ｌ以下であることがさらに好ましい。このような範囲であれば、高い銅研磨速度と良好なディッシング性能を両立できる。
【００２２】
［界面活性剤］
本発明の研磨用組成物は、その特徴的な構成成分として、界面活性剤を必須に含む。本発明で使用される界面活性剤は、陰イオン性界面活性剤、陽イオン性界面活性剤、両性界面活性剤、および非イオン性界面活性剤のいずれであってもよい。
【００２３】
陰イオン性界面活性剤の例としては、例えば、ポリオキシエチレンアルキルエーテル酢酸、ポリオキシエチレンアルキル硫酸エステル、アルキル硫酸エステル、ポリオキシエチレンアルキルエーテル硫酸、アルキルエーテル硫酸、アルキルベンゼンスルホン酸、アルキルリン酸エステル、ポリオキシエチレンアルキルリン酸エステル、ポリオキシエチレンスルホコハク酸、アルキルスルホコハク酸、アルキルナフタレンスルホン酸、アルキルジフェニルエーテルジスルホン酸、およびこれらの塩等が挙げられる。
【００２４】
陽イオン性界面活性剤の例としては、例えば、アルキルトリメチルアンモニウム塩、アルキルジメチルアンモニウム塩、アルキルベンジルジメチルアンモニウム塩、アルキルアミン塩等が挙げられる。
【００２５】
両性界面活性剤の例としては、例えば、アルキルベタイン、アルキルアミンオキシド等が挙げられる。
【００２６】
非イオン性界面活性剤の例としては、例えば、ポリオキシエチレンアルキルエーテル、ポリオキシアルキレンアルキルエーテル、ソルビタン脂肪酸エステル、グリセリン脂肪酸エステル、ポリオキシエチレン脂肪酸エステル、ポリオキシエチレンアルキルアミン、およびアルキルアルカノールアミド等が挙げられる。
【００２７】
これらの中でも好ましい界面活性剤は、ポリオキシエチレンアルキルエーテル酢酸塩、ポリオキシエチレンアルキルエーテル硫酸塩、アルキルエーテル硫酸塩、アルキルベンゼンスルホン酸塩、およびポリオキシエチレンアルキルエーテルである。これらの界面活性剤は、研磨対象物表面への化学的または物理的吸着力が高いため、研磨対象物表面により強固な保護膜を形成することができる。このことは、本発明の研磨用組成物を用いて研磨した後の、配線部が過研磨されるディッシングを抑制する上で有利である。
【００２８】
研磨用組成物中の界面活性剤の含有量の下限は、０．００１ｇ／Ｌ以上であることが好ましく、０．０１ｇ／Ｌ以上であることがより好ましく、０．５ｇ／Ｌ以上であることがさらに好ましい。また、研磨用組成物中の界面活性剤の含有量の上限は、１０．０ｇ／Ｌ以下であることが好ましく、１．０ｇ／Ｌ以下であることがより好ましく、０．５ｇ／Ｌ以下であることがさらに好ましい。このような範囲であれば、高い銅研磨速度と良好なディッシング性能を両立できる。
【００２９】
［金属溶解調整剤］
本発明の研磨用組成物は、その特徴的な構成成分として、金属溶解調整剤を必須に含む。本発明に係る金属溶解調整剤は、水５００ｍｌに対して１ｍＭ添加し、さらに３１重量％の過酸化水素水を３８．９ｇ／Ｌ添加し、２５℃で５分間浸漬したときに銅の溶解速度が５Å／ｍｉｎ以上となる化合物である。好ましくは、水５００ｍｌに対して１ｍＭ添加し、研磨促進剤としての１０ｇ／Ｌのグリシンと、界面活性剤としての０．２ｇ／Ｌのラウリルエーテル硫酸アンモニウム、０．６ｇ／Ｌのポリオキシエチレンアルキルエーテルと、砥粒として５ｇ／Ｌのコロイダルシリカ（ＢＥＴ法による平均一次粒子径１０ｎｍ）、３ｇ／Ｌのコロイダルシリカ（ＢＥＴ法による平均一次粒子径３０ｎｍ）を添加し、水酸化カリウムと硫酸を用いてｐＨを約７．５に調整し、さらに３１重量％の過酸化水素水を３８．９ｇ／Ｌ添加し、２５℃で５分間浸漬したときに銅の溶解速度が、前記金属溶解調整剤を添加しないときと比較して小さくなる化合物である。さらに好ましくは、水５００ｍｌに対して１ｍＭ添加し、研磨促進剤としての１０ｇ／Ｌのグリシンと、界面活性剤としての０．２ｇ／Ｌのラウリルエーテル硫酸アンモニウム、０．６ｇ／Ｌのポリオキシエチレンアルキルエーテルと、砥粒として５ｇ／Ｌのコロイダルシリカ（ＢＥＴ法による平均一次粒子径１０ｎｍ）、３ｇ／Ｌのコロイダルシリカ（ＢＥＴ法による平均一次粒子径３０ｎｍ）を添加し、水酸化カリウムと硫酸を用いてｐＨを約７．５に調整し、さらに３１重量％の過酸化水素水を３８．９ｇ／Ｌ添加し、２５℃で５分間浸漬したときに銅の溶解速度が３０００Å／ｍｉｎ以下となる化合物である。
【００３０】
上記要件を満たせば使用可能な金属溶解調整剤は、特に制限されないが、具体例としては、１，２，４−トリアゾール、ピラゾール等が挙げられる。
【００３１】
研磨用組成物中の金属溶解調整剤の含有量の下限は、０．００１ｇ／Ｌ以上であることが好ましく、０．０１ｇ／Ｌ以上であることがより好ましく、０．１ｇ／Ｌ以上であることがさらに好ましい。また、研磨用組成物中の金属溶解調整剤の含有量の上限は、１０．０ｇ／Ｌ以下であることが好ましく、１．０ｇ／Ｌ以下であることがより好ましく、０．５ｇ／Ｌ以下であることがさらに好ましい。このような範囲であれば、高い銅研磨速度を維持しつつ、研磨後のウェーハの均一性を向上させることができる。  
【００３２】
［砥粒］
本発明の研磨用組成物は、その特徴的な構成成分として、砥粒を必須に含む。砥粒は、研磨対象物を機械的に研磨する作用を有し、研磨用組成物による研磨対象物の研磨速度を向上させる。
【００３３】
使用される砥粒は、無機粒子、有機粒子、および有機無機複合粒子のいずれであってもよい。無機粒子の具体例としては、例えば、シリカ、アルミナ、セリア、チタニア等の金属酸化物からなる粒子、窒化ケイ素粒子、炭化ケイ素粒子、窒化ホウ素粒子が挙げられる。有機粒子の具体例としては、例えば、ポリメタクリル酸メチル（ＰＭＭＡ）粒子が挙げられる。該砥粒は、単独でもまたは２種以上混合して用いてもよい。また、該砥粒は、市販品を用いてもよいし自ら合成したものを用いてもよい。
【００３４】
これら砥粒の中でも、シリカが好ましく、特に好ましいのはコロイダルシリカである。
【００３５】
砥粒は表面修飾されていてもよい。通常のコロイダルシリカは、酸性条件下でゼータ電位の値がゼロに近いために、酸性条件下ではシリカ粒子同士が互いに電気的に反発せず凝集を起こしやすい。これに対し、酸性条件でもゼータ電位が比較的大きな正又は負の値を有するように表面修飾された砥粒は、酸性条件下においても互いに強く反発して良好に分散する結果、研磨用組成物の保存安定性を向上させることになる。このような表面修飾砥粒は、例えば、アルミニウム、チタン又はジルコニウムなどの金属あるいはそれらの酸化物を砥粒と混合して砥粒の表面にドープさせることにより得ることができる。
【００３６】
あるいは、研磨用組成物中の表面修飾砥粒は、有機酸を固定化したシリカであってもよい。中でも有機酸を固定化したコロイダルシリカが好ましい。コロイダルシリカへの有機酸の固定化は、コロイダルシリカの表面に有機酸の官能基を化学的に結合させることにより行われる。コロイダルシリカと有機酸を単に共存させただけではコロイダルシリカへの有機酸の固定化は果たされない。有機酸の一種であるスルホン酸をコロイダルシリカに固定化するのであれば、例えば、”Ｓｕｌｆｏｎｉｃ  ａｃｉｄ−ｆｕｎｃｔｉｏｎａｌｉｚｅｄ  ｓｉｌｉｃａ  ｔｈｒｏｕｇｈ  ｑｕａｎｔｉｔａｔｉｖｅ  ｏｘｉｄａｔｉｏｎ  ｏｆ  ｔｈｉｏｌ  ｇｒｏｕｐｓ“，  Ｃｈｅｍ．  Ｃｏｍｍｕｎ．  ２４６−２４７  （２００３）に記載の方法で行うことができる。具体的には、３−メルカプトプロピルトリメトキシシラン等のチオール基を有するシランカップリング剤をコロイダルシリカにカップリングさせた後に過酸化水素でチオール基を酸化することにより、スルホン酸が表面に固定化されたコロイダルシリカを得ることができる。あるいは、カルボン酸をコロイダルシリカに固定化するのであれば、例えば、“Ｎｏｖｅｌ
Ｓｉｌａｎｅ Ｃｏｕｐｌｉｎｇ Ａｇｅｎｔｓ Ｃｏｎｔａｉｎｉｎｇ ａ Ｐｈｏｔｏ  ｌａｂｉｌｅ ２−Ｎｉｔｒｏｂｅｎｚｙｌ Ｅｓｔｅｒ ｆｏｒ Ｉｎｔｒｏｄｕｃｔｉｏｎ
ｏｆ ａ Ｃａｒｂｏｘｙ Ｇｒｏｕｐ ｏｎ ｔｈｅ Ｓｕｒｆａｃｅ ｏｆ Ｓｉｌｉｃａ Ｇｅｌ”, Ｃｈｅｍｉｓｔｒｙ Ｌｅｔｔｅｒｓ, ３, ２２８−２２９（２０００）に記載の方法で行うことができる。具体的には、光反応性２−ニトロベンジルエステルを含むシランカップリング剤をコロイダルシリカにカップリングさせた後に光照射することにより、カルボン酸が表面に固定化されたコロイダルシリカを得ることができる。
【００３７】
砥粒の平均一次粒子径の下限は、５ｎｍ以上であることが好ましく、７ｎｍ以上であることがより好ましく、１０ｎｍ以上であることがさらに好ましい。また、砥粒の平均一次粒子径の上限は、５００ｎｍ以下であることが好ましく、１００ｎｍ以下であることがより好ましく、７０ｎｍ以下であることがさらに好ましい。このような範囲であれば、研磨用組成物による研磨対象物の研磨速度は向上し、また、研磨用組成物を用いて研磨した後の研磨対象物の表面にディッシングが生じるのをより抑えることができる。なお、砥粒の平均一次粒子径は、例えば、ＢＥＴ法で測定される砥粒の比表面積に基づいて算出される。
【００３８】
研磨用組成物中の砥粒の含有量の下限は、組成物の全量１００質量％に対して、０．０００１重量％以上であることが好ましく、０．００５重量％以上であることがより好ましく、０．０１重量％以上であることがさらに好ましく、０．１重量％以上であることが最も好ましい。また、研磨用組成物中の砥粒の含有量の上限は、組成物の全量１００質量％に対して、５０重量％以下であることが好ましく、３０重量％以下であることがより好ましく、１５重量％以下であることがさらに好ましい。このような範囲であれば、研磨対象物の研磨速度が向上し、また、研磨用組成物のコストを抑えることができ、研磨用組成物を用いて研磨した後の研磨対象物の表面にスクラッチが生じるのをより抑えることができる。
【００３９】
［他の成分］
本発明の研磨用組成物は、必要に応じて、酸化剤、ｐＨ調整剤、水、研磨促進剤、防腐剤、防カビ剤、還元剤、高分子、難溶性の有機物を溶解するための有機溶媒等の他の成分をさらに含んでもよい。以下、他の成分である、酸化剤、ｐＨ調整剤、水、研磨促進剤、防腐剤および防カビ剤について説明する。
【００４０】
［酸化剤］
本発明に係る研磨用組成物は、酸化剤を含んでもよい。研磨用組成物中に含まれる酸化剤は、金属基板の表面を酸化する作用を有し、研磨用組成物による金属基板の研磨速度を向上させる。
【００４１】
使用可能な酸化剤は、例えば過酸化物である。過酸化物の具体例としては、過酸化水素、過酢酸、過炭酸塩、過酸化尿素および過塩素酸、ならびに過硫酸ナトリウム、過硫酸カリウム、過硫酸アンモニウム等の過硫酸塩が挙げられる。これら酸化剤は、単独でもまたは２種以上混合して用いてもよい。中でも過硫酸塩および過酸化水素が好ましく、特に好ましいのは過酸化水素である。
【００４２】
研磨用組成物中の酸化剤の含有量は０．１ｇ／Ｌ以上であることが好ましく、より好ましくは１ｇ／Ｌ以上であり、さらに好ましくは３ｇ／Ｌ以上である。酸化剤の含有量が多くになるにつれて、研磨用組成物による金属基板の研磨速度は向上する。
【００４３】
研磨用組成物中の酸化剤の含有量はまた、２００ｇ／Ｌ以下であることが好ましく、より好ましくは１００ｇ／Ｌ以下であり、さらに好ましくは５０ｇ／Ｌ以下である。酸化剤の含有量が少なくなるにつれて、研磨用組成物の材料コストを抑えることができるのに加え、研磨使用後の研磨用組成物の処理、すなわち廃液処理の負荷を軽減することができる。また、酸化剤による金属基板表面の過剰な酸化が起こる虞を少なくすることもできる。  
【００４４】
［ｐＨ調整剤］
本発明の研磨用組成物に使用されるｐＨ調整剤は、酸およびアルカリのいずれであってもよく、また、無機化合物および有機化合物のいずれであってもよい。酸の具体例としては、例えば、硫酸、硝酸、ホウ酸、炭酸等の無機酸；ギ酸、酢酸、プロピオン酸、酪酸、吉草酸、２−メチル酪酸、Ｎ−ヘキサン酸、３，３−ジメチル酪酸、２−エチル酪酸、４−メチルペンタン酸、Ｎ−ヘプタン酸、２−メチルヘキサン酸、Ｎ−オクタン酸、２−エチルヘキサン酸、安息香酸、グリコール酸、サリチル酸、グリセリン酸、シュウ酸、マロン酸、コハク酸、グルタル酸、アジピン酸、ピメリン酸、マレイン酸、フタル酸、リンゴ酸、酒石酸、クエン酸および乳酸などのカルボン酸、ならびにメタンスルホン酸、エタンスルホン酸およびイセチオン酸等の有機硫酸等の有機酸等が挙げられる。アルカリの具体例としては、アンモニア、エチレンジアミンおよびピペラジンなどのアミン、ならびにテトラメチルアンモニウムおよびテトラエチルアンモニウムなどの第４級アンモニウム塩が挙げられる。これらｐＨ調節剤は、単独でもまたは２種以上混合しても用いることができる。
【００４５】
本発明の研磨用組成物のｐＨは、上記ｐＨ調整剤により調整される。本発明の研磨用組成物のｐＨの下限は、特に制限されないが、安全性の観点から、１以上であることが好ましく、１．５以上であることがより好ましく、２以上であることがさらに好ましい。また、本発明の研磨用組成物のｐＨの上限も特に制限されないが、砥粒の溶解を防ぐため、１３以下であることが好ましく、１２．５以下であることがより好ましく、１２以下であることがさらに好ましい。
【００４６】
［水］
本発明の研磨用組成物は、各成分を分散または溶解するための分散媒または溶媒として水を含んでもよい。他の成分の作用を阻害することを抑制するという観点から、不純物をできる限り含有しない水が好ましく、具体的には、イオン交換樹脂にて不純物イオンを除去した後、フィルタを通して異物を除去した純水や超純水、または蒸留水が好ましい。
【００４７】
〔研磨促進剤〕
本発明に係る研磨用組成物は、研磨促進剤を含むことができる。研磨促進剤は、金属基板の表面に錯形成して結合し、不溶性の脆性膜を金属基板の表面に形成することによって研磨用組成物による金属基板の研磨速度を向上させる働きをする。また、研磨促進剤が有するエッチング作用により、研磨用組成物による金属基板の研磨速度が向上するという有利な効果がある。
【００４８】
研磨促進剤としては、例えば、無機酸、有機酸、アミノ酸、ニトリル化合物およびキレート剤などが用いられうる。無機酸の具体例としては、硫酸、硝酸、ホウ酸、炭酸、次亜リン酸、亜リン酸、リン酸などが挙げられる。有機酸の具体例としては、ギ酸、酢酸、プロピオン酸、酪酸、吉草酸、２−メチル酪酸、ｎ−ヘキサン酸、３，３−ジメチル酪酸、２−エチル酪酸、４−メチルペンタン酸、ｎ−ヘプタン酸、２−メチルヘキサン酸、ｎ−オクタン酸、２−エチルヘキサン酸、安息香酸、グリコール酸、サリチル酸、グリセリン酸、シュウ酸、マロン酸、コハク酸、グルタル酸、アジピン酸、ピメリン酸、マレイン酸、フタル酸、リンゴ酸、酒石酸、クエン酸、乳酸などが挙げられる。メタンスルホン酸、エタンスルホン酸およびイセチオン酸などの有機硫酸も使用可能である。無機酸または有機酸の代わりにあるいは無機酸または有機酸と組み合わせて、無機酸または有機酸のアルカリ金属塩などの塩を用いてもよい。
【００４９】
アミノ酸の具体例としては、グリシン、α−アラニン、β−アラニン、Ｎ−メチルグリシン、Ｎ，Ｎ−ジメチルグリシン、２−アミノ酪酸、ノルバリン、バリン、ロイシン、ノルロイシン、イソロイシン、フェニルアラニン、プロリン、サルコシン、オルニチン、リシン、タウリン、セリン、トレオニン、ホモセリン、チロシン、ビシン、トリシン、３，５−ジヨード−チロシン、β−（３，４−ジヒドロキシフェニル）−アラニン、チロキシン、４−ヒドロキシ−プロリン、システイン、メチオニン、エチオニン、ランチオニン、シスタチオニン、シスチン、システイン酸、アスパラギン酸、グルタミン酸、Ｓ−（カルボキシメチル）−システイン、４−アミノ酪酸、アスパラギン、グルタミン、アザセリン、アルギニン、カナバニン、シトルリン、δ−ヒドロキシ−リシン、クレアチン、ヒスチジン、１−メチル−ヒスチジン、３−メチル−ヒスチジン、トリプトファンなどが挙げられる。中でもグリシン、アラニン、リンゴ酸、酒石酸、クエン酸、グリコール酸、イセチオン酸またはそれらの塩が好ましい。
【００５０】
ニトリル化合物の具体例としては、例えば、アセトニトリル、アミノアセトニトリル、プロピオニトリル、ブチロニトリル、イソブチロニトリル、ベンゾニトリル、グルタロジニトリル、メトキシアセトニトリル等が挙げられる。
キレート剤の具体例としては、ニトリロ三酢酸、ジエチレントリアミン五酢酸、エチレンジアミン四酢酸、Ｎ，Ｎ，Ｎ−トリメチレンホスホン酸、エチレンジアミン−Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−テトラメチレンスルホン酸、トランスシクロヘキサンジアミン四酢酸、１，２−ジアミノプロパン四酢酸、グリコールエーテルジアミン四酢酸、エチレンジアミンオルトヒドロキシフェニル酢酸、エチレンジアミンジ琥珀酸（ＳＳ体）、Ｎ−（２−カルボキシラートエチル）−Ｌ−アスパラギン酸、β−アラニンジ酢酸、２−ホスホノブタン−１，２，４−トリカルボン酸、１−ヒドロキシエチリデン−１，１−ジホスホン酸、Ｎ，Ｎ’−ビス（２−ヒドロキシベンジル）エチレンジアミン−Ｎ，Ｎ’−ジ酢酸、１，２−ジヒドロキシベンゼン−４，６−ジスルホン酸等が挙げられる。
【００５１】
研磨用組成物中の研磨促進剤の含有量の下限は、０．０１ｇ／Ｌ以上であることが好ましく、より好ましくは０．１ｇ／Ｌ以上であり、さらに好ましくは１ｇ／Ｌ以上である。研磨促進剤の含有量が多くなるにつれて、研磨用組成物による金属基板の研磨速度が向上する。一方、研磨用組成物中の研磨促進剤の含有量の上限は、５０ｇ／Ｌ以下であることが好ましく、より好ましくは３０ｇ／Ｌ以下であり、さらに好ましくは１５ｇ／Ｌ以下である。研磨促進剤の含有量が少なくなるにつれて、研磨用組成物の材料コストを抑えることができる。
【００５２】
［防腐剤および防カビ剤］
本発明で用いられる防腐剤および防カビ剤としては、例えば、２−メチル−４−イソチアゾリン−３−オンや５−クロロ−２−メチル−４−イソチアゾリン−３−オン等のイソチアゾリン系防腐剤、パラオキシ安息香酸エステル類、およびフェノキシエタノール等が挙げられる。これら防腐剤および防カビ剤は、単独でもまたは２種以上混合して用いてもよい。
【００５３】
［研磨用組成物の製造方法］
本発明の研磨用組成物の製造方法は、特に制限されず、例えば、添加化合物、ｐＨ調整剤、および必要に応じて他の成分を、水等の溶媒または分散媒中で攪拌混合することにより得ることができる。
【００５４】
添加順については特に制限されないが、界面活性剤、保護膜形成剤、砥粒、金属溶解調整剤の順で添加することが好ましい。
【００５５】
各成分を混合する際の温度は特に制限されないが、１０〜４０℃が好ましく、溶解速度を上げるために加熱してもよい。また、混合時間も特に制限されない。
【００５６】
［研磨方法および基板の製造方法］
上述のように、本発明の研磨用組成物は、金属特に銅を含む層を有する研磨対象物の研磨に好適に用いられる。よって、本発明は、金属特に銅を含む層を有する研磨対象物を本発明の研磨用組成物で研磨する研磨方法を提供する。また、本発明は、金属特に銅を含む層を有する研磨対象物を前記研磨方法で研磨する工程を含む基板の製造方法を提供する。
【００５７】
研磨装置としては、研磨対象物を有する基板等を保持するホルダーと回転数を変更可能なモータ等とが取り付けてあり、研磨パッド（研磨布）を貼り付け可能な研磨定盤を有する一般的な研磨装置を使用することができる。
【００５８】
前記研磨パッドとしては、一般的な不織布、ポリウレタン、および多孔質フッ素樹脂等を特に制限なく使用することができる。研磨パッドには、研磨液が溜まるような溝加工が施されていることが好ましい。
【００５９】
研磨条件にも特に制限はなく、例えば、研磨定盤の回転速度は、１０〜５００ｒｐｍが好ましく、研磨対象物を有する基板にかける圧力（研磨圧力）は、０．５〜１０ｐｓｉが好ましい。研磨パッドに研磨用組成物を供給する方法も特に制限されず、例えば、ポンプ等で連続的に供給する方法が採用される。この供給量に制限はないが、研磨パッドの表面が常に本発明の研磨用組成物で覆われていることが好ましい。
【００６０】
研磨終了後、基板を流水中で洗浄し、スピンドライヤ等により基板上に付着した水滴を払い落として乾燥させることにより、金属を含む層を有する基板が得られる。
【００６１】
本発明を、以下の実施例および比較例を用いてさらに詳細に説明する。ただし、本発明の技術的範囲が以下の実施例のみに制限されるものではない。
【００６２】
（参考例１〜７）
表１に示す金属溶解調整剤を用いて、銅の溶解速度を測定した。サンプル溶液として２種類準備した。１種類目として水５００ｍｌに対して表１記載の金属溶解調整剤を１ｍＭ添加し、さらに３１重量％の過酸化水素水を３８．９ｇ／Ｌ添加したものを用意した。（以下、単体系と示す。）
【００６３】
２種類目として、研磨促進剤としての１０ｇ／Ｌのグリシンと、界面活性剤としての０．２ｇ／Ｌのラウリルエーテル硫酸アンモニウム、０．６ｇ／Ｌのポリオキシエチレンアルキルエーテルと、砥粒として５ｇ／Ｌのコロイダルシリカ（ＢＥＴ法による平均一次粒子径１０ｎｍ）、３ｇ／Ｌのコロイダルシリカ（ＢＥＴ法による平均一次粒子径３０ｎｍ）を添加し、表１記載の金属溶解調整剤を１ｍＭ添加し、水酸化カリウムと硫酸を用いてｐＨを約７．５に調整し、さらに３１重量％の過酸化水素水を３８．９ｇ／Ｌ添加したものを用意した。研磨用組成物のｐＨは、ｐＨメータにより確認した。（以下スラリー系と示す。）
【００６４】
それぞれのサンプル溶液に２５℃で５分間、銅板を浸漬したときの銅の溶解速度を表１に示す。銅の溶解速度は、以下の式で計算した。
銅の溶解速度［Å／ｍｉｎ］＝１分間浸漬した時の銅の重さの変化
【００６５】
【表１】
2015018996.tif 000002
【００６６】
参考例１，２は金属溶解調整剤であり、水５００ｍｌに対して１ｍＭ添加し、さらに３１重量％の過酸化水素水を３８．９ｇ／Ｌ添加し、２５℃で５分間浸漬したときに銅の溶解速度が５Å／ｍｉｎ以上である。
【００６７】
表２に示す保護膜形成剤を用いて、銅の溶解速度を測定した。サンプル溶液として、単体系の金属溶解調整剤を保護膜形成剤に置き換えたサンプル溶液（表中は単体系と表記。）と、スラリー系の金属溶解調整剤を保護膜形成剤に置き換えたサンプル溶液（表中はサンプル系と表記。）を準備した。それぞれのサンプル溶液に２５℃で５分間、銅板を浸漬したときの銅の溶解速度を表２に示す。
【００６８】
【表２】
2015018996.tif 000003
【００６９】
参考例４〜７の添加剤は保護膜形成剤であり、水５００ｍｌに対して１ｍＭ添加し、さらに３１重量％の過酸化水素水を３８．９ｇ／Ｌを添加し、２５℃で５分間浸漬したときに銅の溶解速度が５Å／ｍｉｎ未満である。
【００７０】
（実施例１〜２、比較例１〜４）
研磨用組成物は、  研磨促進剤としての１０ｇ／Ｌのグリシンと、界面活性剤としての０．２ｇ／Ｌのラウリルエーテル硫酸アンモニウム、０．６ｇ／Ｌのポリオキシエチレンアルキルエーテルと、砥粒として５ｇ／Ｌのコロイダルシリカ（ＢＥＴ法による平均一次粒子径１０ｎｍ）、３ｇ／Ｌのコロイダルシリカ（ＢＥＴ法による平均一次粒子径３０ｎｍ）を添加し、表３に示す２種の添加剤を混合した。また、これらの研磨用組成物はいずれも、水酸化カリウムと硫酸を用いてｐＨを約７．５に調整し、さらにこれらの研磨用組成物１００ｍＬに対し、酸化剤として３１重量％の過酸化水素水を３８．９ｇ添加した。研磨用組成物のｐＨは、ｐＨメータにより確認した。
【００７１】
得られた研磨用組成物を用い、研磨対象物を以下の研磨条件で研磨した。
【００７２】
＜研磨条件＞
（１）研磨機：  ３００ｍｍ用片面ＣＭＰ研磨機
（２）パッド：  ポリウレタン製パッド
（３）圧力：  ２．８５ｐｓｉ（約１８．２ｋＰａ）
（４）定盤回転数：  ９０ｒｐｍ
（５）キャリア回転数：  ８５ｒｐｍ
（６）研磨用組成物の流量：  ３００ｍｌ／ｍｉｎ
（７）研磨時間：１分
（８）研磨対象物：銅（３００ｍｍウェーハ）
【００７３】
研磨速度は、以下の式により計算した。
研磨速度［Å／ｍｉｎ］＝１分間研磨した時の膜厚の変化量
ここで膜厚は直流４探針法を原理とするシート抵抗測定器により測定した。
【００７４】
研磨速度を研磨対象物の両端から１０ｍｍを除き直流４探針法にて６ｍｍ間隔で金属膜を測定したとき、両隣の点との研磨速度の差が１０００Å／ｍｉｎ以下の場合を○、隣の点との研磨速度の差が１０００Å／ｍｉｎを超える場合を×としたときの結果を表２に示す。
【００７５】
【表３】
2015018996.tif 000004
【００７６】
上記表２の結果から明らかなように、実施例１〜２の本発明の研磨用組成物を用いた場合、両隣の点との研磨速度の差が１０００Å／ｍｉｎ以下になることが確認された。
【００７７】
一方、比較例１〜４の研磨用組成物では、隣の点との研磨速度の差が１０００Å／ｍｉｎ以上となり研磨後のウェーハの均一性が不十分であった。。
よって本発明である研磨用組成物は、研磨後の銅膜の均一性を改善できることがわかる。