(57)【要約】【課題】基板上に液状体をムラ無く塗布することが可能な塗布装置及び塗布方法を提供する。【解決手段】先端部分に設けられた吐出部から金属を含む液状体を吐出するノズルを有する塗布部と、先端部分と基板とを対向させた状態で基板とノズルとを相対移動させる相対駆動部と、ノズルのうち少なくとも先端部分を覆い、液状体との間の親和性が液状体同士の親和性よりも弱くなるように形成されたコーティング層とを備える。【選択図】図１２
2015131279.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
先端部分に設けられた吐出部から金属を含む液状体を吐出するノズルを有する塗布部と、
前記先端部分と基板とを対向させた状態で前記基板と前記ノズルとを相対移動させる相対駆動部と、
前記ノズルのうち少なくとも前記先端部分を覆い、前記液状体との間の親和性が前記液状体同士の親和性よりも弱くなるように形成されたコーティング層と
を備える塗布装置。
【請求項２】
前記コーティング層は、前記ノズルのうち、前記先端部分と、前記先端部分に隣接する部分と、を含む部分に設けられている
請求項１に記載の塗布装置。
【請求項３】
前記液状体は、前記金属を分散させる溶媒を含み、
前記コーティング層は、前記溶媒との間の親和性が前記溶媒同士の親和性よりも弱くなるように形成されている
請求項１又は請求項２に記載の塗布装置。
【請求項４】
前記コーティング層は、前記溶媒との間の親和性が前記溶媒と前記基板との間の親和性よりも弱くなるように形成されている
請求項３に記載の塗布装置。
【請求項５】
前記コーティング層は、硬質炭素膜を用いて形成されている
請求項１から請求項４のうちいずれか一項に記載の塗布装置。
【請求項６】
少なくとも前記先端部分は、チタンを用いて形成されている
請求項１から請求項５のうちいずれか一項に記載の塗布装置。
【請求項７】
前記基板は、モリブデンを用いて形成されている
請求項１から請求項６のうちいずれか一項に記載の塗布装置。
【請求項８】
前記塗布部によって前記液状体の塗布される塗布空間及び前記液状体の塗布された前記基板の塗布後移動空間のうち少なくとも一方の空間を囲むチャンバー
を更に備える請求項１から請求項７のうちいずれか一項に記載の塗布装置。
【請求項９】
前記チャンバーで囲まれた前記空間に不活性ガスを供給する不活性ガス供給部を更に備える
請求項８に記載の塗布装置。
【請求項１０】
前記吐出部は、前記先端部分に対向する吐出領域に前記液状体を吐出するように形成されており、
前記相対駆動部は、前記吐出領域を通過するように前記基板を駆動する基板駆動部を有する
請求項１から請求項９のうちいずれか一項に記載の塗布装置。
【請求項１１】
前記吐出部は、前記先端部分に対向する吐出領域に前記液状体を吐出するように形成されており、
前記相対駆動部は、前記吐出領域が前記基板上を走査するように前記ノズルを駆動するノズル駆動部を有する
請求項１から請求項１０のうちいずれか一項に記載の塗布装置。
【請求項１２】
金属を含む液状体を基板に塗布する塗布方法であって、
前記液状体との間の親和性が前記液状体同士の親和性よりも弱くなるように形成されたコーティング層で覆われた先端部分に形成された吐出部から前記液状体を吐出するノズルを有する塗布部の当該先端部分を前記基板に対向させるステップと、
前記先端部分と前記基板との間で前記液状体が挟持されるように、前記吐出部から前記液状体を吐出するステップと、
前記先端部分と前記基板との間で前記液状体を挟持した状態で、前記吐出部から前記液状体を吐出しつつ前記先端部分と前記基板とを相対移動させるステップと
を含む塗布方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、塗布装置及び塗布方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
Ｃｕ、Ｇｅ、Ｓｎ、Ｐｂ、Ｓｂ、Ｂｉ、Ｇａ、Ｉｎ、Ｚｎおよびこれらの組合せなどの金属と、Ｓ、Ｓｅ、Ｔｅ、およびこれらの組合せなどの元素カルコゲンとを含む半導体材料を用いたＣＩＧＳ型太陽電池やＣＺＴＳ型太陽電池は、高い変換効率を有する太陽電池として注目されている（例えば特許文献１〜特許文献３参照）。例えば、ＣＺＴＳ型太陽電池は、光吸収層（光電変換層）として、Ｃｕ、Ｚｎ、Ｓｎ、Ｓｅの４種類の半導体材料からなる膜を用いる構成になっている。
【０００３】
このＣＺＴＳ型太陽電池は、従来型の太陽電池に比べて光吸収層の厚さを薄くすることができるため、曲面への設置や運搬が容易となる。このため、高性能でフレキシブルな太陽電池として、広い分野への応用が期待されている。光吸収層を形成する手法として、従来、例えば蒸着法やスパッタリング法などを用いて形成する手法が知られていた（例えば、特許文献２〜特許文献５参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開平１１−３４０４８２号公報
【特許文献２】特開２００５−５１２２４号公報
【特許文献３】特表２００９−５３７９９７号公報
【特許文献４】特開平１−２３１３１３号公報
【特許文献５】特開平１１−２７３７８３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
これに対して、本発明者は、光吸収層を形成する手法として、上記半導体材料を分散させた液状体をノズルによって基板上に吐出し、当該液状体の膜を基板上に塗布する手法を提案する。光吸収層を液状体の塗布によって形成する場合、基板上に形成される液状体の膜厚が均一になるように基板上に液状体をムラ無く塗布することが求められる。
【０００６】
以上のような事情に鑑み、本発明は、基板上に液状体をムラ無く塗布することが可能な塗布装置及び塗布方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明の一態様に係る塗布装置は、先端部分に設けられた吐出部から金属を含む液状体を吐出するノズルを有する塗布部と、前記先端部分と基板とを対向させた状態で前記基板と前記ノズルとを相対移動させる相対駆動部と、前記ノズルのうち少なくとも前記先端部分を覆い、前記液状体との間の親和性が前記液状体同士の親和性よりも弱くなるように形成されたコーティング層とを備える。
【０００８】
この構成によれば、ノズルの少なくとも先端部分には、液状体との間の親和性が液状体同士の親和性よりも弱くなるようにコーティング層が形成されるため、ノズルの吐出部から吐出された液状体がノズルの先端部分に付着することを抑制することができる。これにより、液状体が基板に定着しやすくなる。よって、基板上に液状体をムラ無く塗布することができる。
特に、ノズルが金属を含む液状体を吐出する構成であると、金属を含む液状体がノズルの先端部分に付着した場合、金属が固着してしまうことがある。この固着物を掻き落とすことは容易ではない。しかしこの構成によれば、金属を含む液状体がノズルの先端部分に付着することが抑制されるため、ノズルの先端部分に金属の固着物が生じることを抑制することができる。
【０００９】
上記の塗布装置において、前記コーティング層は、前記ノズルのうち、前記先端部分と、前記先端部分に隣接する部分と、を含む部分に設けられていてもよい。
この構成によれば、液状体がノズルの先端部分から当該先端部分に隣接する部分へ伝ってしまうことを抑制することができる。
【００１０】
上記の塗布装置において、前記液状体は、前記金属を分散させる溶媒を含み、前記コーティング層は、前記溶媒との間の親和性が前記溶媒同士の親和性よりも弱くなるように形成されていてもよい。
この構成によれば、ノズルの吐出部から吐出された溶媒を含む液状体がノズルの先端部分に付着することを抑制することができる。これにより、溶媒を含む液状体が基板に定着しやすくなる。よって、基板上に液状体をムラ無く塗布することができる。
【００１１】
上記の塗布装置において、前記コーティング層は、前記溶媒との間の親和性が前記溶媒と前記基板との間の親和性よりも弱くなるように形成されていてもよい。
この構成によれば、溶媒を含む液状体がノズルの先端部分のコーティング層よりも基板に定着しやすくなる。よって、基板上に液状体をムラ無く塗布することができる。
【００１２】
上記の塗布装置において、前記コーティング層は、硬質炭素膜を用いて形成されていてもよい。
この構成によれば、液状体がコーティング層に付着しにくくなるため、液状体が基板に定着しやすくなる。よって、基板上に液状体をムラ無く塗布することができる。
【００１３】
上記の塗布装置において、少なくとも前記先端部分は、チタンを用いて形成されていてもよい。
この構成によれば、ノズルの少なくとも先端部分と液状体との間の親和性が液状体同士の親和性よりも弱くなるため、ノズルの吐出部から吐出された液状体がノズルの先端部分に付着することを抑制することができる。これにより、液状体が基板に定着しやすくなる。よって、基板上に液状体をムラ無く塗布することができる。
【００１４】
上記の塗布装置において、前記基板は、モリブデンを用いて形成されていてもよい。
この構成によれば、液状体が基板に定着しやすくなるため、基板上に液状体をムラ無く塗布することができる。
【００１５】
上記の塗布装置は、前記塗布部によって前記液状体の塗布される塗布空間及び前記液状体の塗布された前記基板の塗布後移動空間のうち少なくとも一方の空間を囲むチャンバーを更に備えてもよい。
この構成によれば、チャンバーにより液状体の配置される空間が囲まれるため、液状体の劣化を抑制することができる。
【００１６】
上記の塗布装置において、前記チャンバーで囲まれた前記空間に不活性ガスを供給する不活性ガス供給部を更に備えてもよい。
この構成によれば、チャンバーで囲まれた空間に不活性ガスが供給されるため、チャンバーに囲まれた空間において液状体の劣化をより確実に抑制することができる。
【００１７】
上記の塗布装置において、前記吐出部は、前記先端部分に対向する吐出領域に前記液状体を吐出するように形成されており、前記相対駆動部は、前記吐出領域を通過するように前記基板を駆動する基板駆動部を有してもよい。
この構成によれば、ノズルを定位置に配置した状態で、基板のみを移動させることにより、基板上に液状体をムラ無く塗布することができる。
【００１８】
上記の塗布装置において、前記吐出部は、前記先端部分に対向する吐出領域に前記液状体を吐出するように形成されており、前記相対駆動部は、前記吐出領域が前記基板上を走査するように前記ノズルを駆動するノズル駆動部を有してもよい。
この構成によれば、基板を定位置に配置した状態で、ノズルのみを移動させることにより、基板上に液状体をムラ無く塗布することができる。
また、相対駆動部が、基板駆動部及びノズル駆動部の両方を備える構成としてもよい。この場合、相対駆動としては、例えば基板のみを移動させる、ノズルのみを移動させる、基板及びノズルの両方を移動させる、といった態様を取り得る。
【００１９】
本発明の第二の態様に係る塗布方法は、金属を含む液状体を基板に塗布する塗布方法であって、前記液状体との間の親和性が前記液状体同士の親和性よりも弱くなるように形成されたコーティング層で覆われた先端部分に形成された吐出部から前記液状体を吐出するノズルを有する塗布部の当該先端部分を前記基板に対向させるステップと、前記先端部分と前記基板との間で前記液状体が挟持されるように、前記吐出部から前記液状体を吐出するステップと、前記先端部分と前記基板との間で前記液状体を挟持した状態で、前記吐出部から前記液状体を吐出しつつ前記先端部分と前記基板とを相対移動させるステップとを含む。
【００２０】
この方法によれば、液状体との間の親和性が液状体同士の親和性よりも弱くなるようにコーティング層が形成された先端部分を基板に対向させ、先端部分と基板との間で液状体が挟持されるように吐出部から液状体を吐出することで、液状体は先端部分に付着しにくい状態になると共に、液状体同士で接触しやすい状態となる。この状態で吐出部から液状体を吐出しつつ先端部分と基板とを相対移動させると、基板上に配置された液状体が基板上で互いに接触しようとするため、液状体は先端部分からノズル表面を伝って流れてしまうことなく、基板に定着しやすくなる。よって、基板上に液状体をムラ無く塗布することができる。
【発明の効果】
【００２１】
本発明によれば、基板上に液状体をムラ無く塗布することが可能な塗布装置及び塗布方法を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００２２】
【図１】本発明の一実施形態に係る塗布装置の全体構成を示す平面図である。
【図２】本実施形態に係る塗布装置の全体構成を示す側面図である。
【図３】本実施形態に係るノズルの構成を示す図である。
【図４】本実施形態に係るノズルを−Ｚ側から見たときの構成を示す図である。
【図５】本実施形態に係るノズル及びノズル先端管理部の断面形状を示す図である。
【図６】本実施形態に係る減圧乾燥部の構成を示す図である。
【図７】本実施形態に係る加熱チャンバーの構成を示す断面図である。
【図８】本実施形態に係る塗布装置の塗布処理の過程を示す図である。
【図９】本実施形態に係る塗布装置の塗布処理の過程を示す図である。
【図１０】本実施形態に係る塗布装置の塗布処理の過程を示す図である。
【図１１】本実施形態に係る塗布装置の塗布処理の過程を示す図である。
【図１２】本実施形態に係る塗布装置の塗布処理の過程を示す図である。
【図１３】本実施形態に係る塗布装置の塗布処理の過程を示す図である。
【図１４】本実施形態に係る塗布装置の減圧乾燥処理の過程を示す図である。
【図１５】本実施形態に係る塗布装置の減圧乾燥処理の過程を示す図である。
【図１６】本実施形態に係る塗布装置の減圧乾燥処理の過程を示す図である。
【図１７】本実施形態に係る塗布装置の減圧乾燥処理の過程を示す図である。
【図１８】本実施形態に係る塗布装置の焼成処理の過程を示す図である。
【図１９】本実施形態に係る塗布装置の焼成処理の過程を示す図である。
【図２０】本実施形態に係る塗布装置の焼成処理の過程を示す図である。
【図２１】本実施形態に係る塗布装置の焼成処理の過程を示す図である。
【図２２】本実施形態に係る塗布装置の焼成処理の過程を示す図である。
【図２３】変形例に係る塗布装置の焼成処理の過程を示す図である。
【図２４】変形例に係る塗布装置の全体構成を示す平面図である。
【図２５】変形例に係る塗布装置の全体構成を示す模式図である。
【発明を実施するための形態】
【００２３】
以下、図面を参照して、本発明の実施の形態を説明する。
図１は、本実施形態に係る塗布装置ＣＴＲの全体構成を示す平面図である。図２は、本実施形態に係る塗布装置ＣＴＲの全体構成を示す側面図である。
図１及び図２に示すように、塗布装置ＣＴＲは、基板Ｓに液状体を塗布する装置である。塗布装置ＣＴＲは、基板供給回収部ＬＵ、第一チャンバーＣＢ１、第二チャンバーＣＢ２、接続部ＣＮ及び制御部ＣＯＮＴを有している。第一チャンバーＣＢ１は、塗布処理部ＣＴを有している。第二チャンバーＣＢ２は、焼成部ＢＫを有している。接続部ＣＮは、減圧乾燥部ＶＤを有している。
【００２４】
塗布装置ＣＴＲは、例えば工場などの床面ＦＬに載置されて用いられる。塗布装置ＣＴＲは、一つの部屋に収容される構成であっても構わないし、複数の部屋に分割して収容される構成であっても構わない。塗布装置ＣＴＲは、基板供給回収部ＬＵ、塗布処理部ＣＴ、減圧乾燥部ＶＤ及び焼成部ＢＫがこの順で一方向に並んで配置されている。
【００２５】
尚、装置構成について、塗布装置ＣＴＲは、基板供給回収部ＬＵ、塗布処理部ＣＴ、減圧乾燥部ＶＤ及び焼成部ＢＫがこの順で一方向に並んで配置されることに限られることは無い。例えば、基板供給回収部ＬＵが不図示の基板供給部と不図示の基板回収部に分割されても構わない。勿論、基板供給回収部ＬＵ、塗布処理部ＣＴ、減圧乾燥部ＶＤ及び焼成部ＢＫが一方向に並んで配置されていなくてもよく、不図示のロボットを中心とした上下に積層する配置や、左右に配置する構成でもよい。
【００２６】
以下の各図において、本実施形態に係る塗布装置ＣＴＲの構成を説明するにあたり、表記の簡単のため、ＸＹＺ座標系を用いて図中の方向を説明する。当該ＸＹＺ座標系においては、床面に平行な平面をＸＹ平面とする。このＸＹ平面において塗布装置ＣＴＲの各構成要素（基板供給回収部ＬＵ、塗布処理部ＣＴ、減圧乾燥部ＶＤ及び焼成部ＢＫ）が並べられた方向をＸ方向と表記し、ＸＹ平面上でＸ方向に直交する方向をＹ方向と表記する。ＸＹ平面に垂直な方向はＺ方向と表記する。Ｘ方向、Ｙ方向及びＺ方向のそれぞれは、図中の矢印の方向が＋方向であり、矢印の方向とは反対の方向が−方向であるものとして説明する。
【００２７】
本実施形態では、基板Ｓとして、例えばモリブデン等の金属を用いて形成された板状部材を用いる。尚、これに限らず、基板Ｓとして、例えばガラスや樹脂などからなる板状部材を用いてもよい。
【００２８】
本実施形態では、基板Ｓとして、Ｚ方向視における寸法が３３０ｍｍ×３３０ｍｍの基板を例に挙げて説明する。尚、基板Ｓの寸法については、上記のような３３０ｍｍ×３３０ｍｍの基板に限られることは無い。例えば、基板Ｓとして、寸法が１２５ｍｍ×１２５ｍｍの基板を用いても構わないし、寸法が１ｍ×１ｍの基板を用いても構わない。勿論、上記寸法よりも大きい寸法の基板や小さい寸法の基板を適宜用いることができる。
【００２９】
本実施形態では、基板Ｓに塗布する液状体として、例えば所定の溶媒に、銅（Ｃｕ）、インジウム（Ｉｎ）、ガリウム（Ｇａ）、セレン（Ｓｅ）または銅（Ｃｕ）、亜鉛（Ｚｎ）、スズ（Ｓｎ）、セレン（Ｓｅ）といった金属を含有する液状組成物を用いている。この液状組成物は、ＣＩＧＳまたはＣＺＴＳ型太陽電池の光吸収層（光電変換層）を構成する金属材料を含んでいる。
【００３０】
本実施形態では、この液状組成物は、ＣＩＧＳまたはＣＺＴＳ太陽電池の光吸収層のグレインサイズを確保するための物質を含んでいる。勿論、液状体として、他の金属、例えば金属ナノ粒子を分散させた液状体を用いる構成としても構わない。
【００３１】
（基板供給回収部）
基板供給回収部ＬＵは、塗布処理部ＣＴに対して未処理の基板Ｓを供給すると共に、塗布処理部ＣＴからの処理済の基板Ｓを回収する。基板供給回収部ＬＵは、チャンバー１０を有している。チャンバー１０は、直方体の箱状に形成されている。チャンバー１０の内部には、基板Ｓを収容可能な収容室１０ａが形成されている。チャンバー１０は、第一開口部１１、第二開口部１２及び蓋部１４を有している。第一開口部１１及び第二開口部１２は、収容室１０ａとチャンバー１０の外部とを連通する。
【００３２】
第一開口部１１は、チャンバー１０の＋Ｚ側の面に形成されている。第一開口部１１は、Ｚ方向視で基板Ｓの寸法よりも大きく形成されている。チャンバー１０の外部に取り出される基板Ｓや、収容室１０ａへ収容される基板Ｓは、第一開口部１１を介して基板供給回収部ＬＵに出し入れされる。
【００３３】
第二開口部１２は、チャンバー１０の＋Ｘ側の面に形成されている。第二開口部１２は、Ｘ方向視で基板Ｓの寸法よりも大きく形成されている。塗布処理部ＣＴへ供給される基板Ｓや塗布処理部ＣＴから戻される基板Ｓは、第二開口部１２を介して基板供給回収部ＬＵに出し入れされる。
【００３４】
蓋部１４は、第一開口部１１を開放又は閉塞させる。蓋部１４は、矩形の板状に形成されている。蓋部１４は、不図示のヒンジ部を介して第一開口部１１の＋Ｘ側の辺に取り付けられている。このため、蓋部１４は、第一開口部１１の＋Ｘ側の辺を中心としてＹ軸周りに回動する。第一開口部１１は、蓋部１４をＹ軸周りに回動させることで開閉可能となっている。
【００３５】
収容室１０ａには、基板搬送部１５が設けられている。基板搬送部１５は、複数のローラー１７を有している。ローラー１７は、Ｙ方向に一対配置されており、当該一対のローラー１７がＸ方向に複数並んでいる。
【００３６】
各ローラー１７は、Ｙ軸方向を中心軸方向としてＹ軸周りに回転可能に設けられている。複数のローラー１７は、それぞれ等しい径となるように形成されており、複数のローラー１７の＋Ｚ側の端部はＸＹ平面に平行な同一平面上に配置されている。このため、複数のローラー１７は、基板ＳがＸＹ平面に平行な姿勢になるように当該基板Ｓを支持可能である。
【００３７】
各ローラー１７は、例えば不図示のローラー回転制御部によって回転が制御されるようになっている。基板搬送部１５は、複数のローラー１７が基板Ｓを支持した状態で各ローラー１７をＹ軸周りに時計回り又は反時計回りに回転させることにより、基板ＳをＸ方向（＋Ｘ方向又は−Ｘ方向）に搬送する。基板搬送部１５としては、基板を浮上させて搬送する不図示の浮上搬送部を用いても構わない。
【００３８】
（第一チャンバー）  
第一チャンバーＣＢ１は、床面ＦＬに載置された基台ＢＣ上に配置されている。第一チャンバーＣＢ１は、直方体の箱状に形成されている。第一チャンバーＣＢ１の内部には、処理室２０ａが形成されている。塗布処理部ＣＴは、処理室２０ａに設けられている。塗布処理部ＣＴは、基板Ｓに対して液状体の塗布処理を行う。
【００３９】
尚、第一チャンバーＣＢ１は、特許請求の範囲に記載のチャンバーに相当する。第一チャンバーＣＢ１は、塗布部３１によって液状体の塗布される塗布空間Ｋ１を囲む。
【００４０】
第一チャンバーＣＢ１は、第一開口部２１及び第二開口部２２を有している。第一開口部２１及び第二開口部２２は、処理室２０ａと第一チャンバーＣＢ１の外部とを連通する。第一開口部２１は、第一チャンバーＣＢ１の−Ｘ側の面に形成されている。第二開口部２２は、第一チャンバーＣＢ１の＋Ｘ側の面に形成されている。第一開口部２１及び第二開口部２２は、基板Ｓが通過可能な寸法に形成されている。基板Ｓは、第一開口部２１及び第二開口部２２を介して第一チャンバーＣＢ１に出し入れされる。
【００４１】
塗布処理部ＣＴは、塗布部３１、処理ステージ２８、ノズル駆動部ＮＡ、メンテナンス部３２、液状体供給部３３、洗浄液供給部３４、廃液貯留部３５、気体供給排出部３７及び基板搬送部２５（基板駆動部）を有する。
【００４２】
塗布部３１は、ノズルＮＺを有している。  
図３は、ノズルＮＺの構成を示す図である。  
図３に示すように、ノズルＮＺは、長尺状に形成されており、長手方向がＸ方向に平行になるように配置されている。ノズルＮＺは、本体部ＮＺａ及び突出部ＮＺｂを有している。本体部ＮＺａは、内部に液状体を収容可能な筐体である。本体部ＮＺａは、例えばチタン又はチタン合金を含んだ材料を用いて形成されている。突出部ＮＺｂは、本体部ＮＺａに対して＋Ｘ側及び−Ｘ側にそれぞれ突出して形成されている。突出部ＮＺｂは、ノズル駆動部ＮＡの一部に保持される。
【００４３】
図４は、ノズルＮＺを−Ｚ側から見たときの構成を示す図である。  
図４に示すように、ノズルＮＺは、本体部ＮＺａの−Ｚ側の端部（先端部分ＴＰ）に吐出口ＯＰ（吐出部）を有している。吐出口ＯＰは、液状体が吐出される開口部である。吐出口ＯＰは、Ｘ方向に長手となるようにスリット状に形成されている。吐出口ＯＰは、例えば長手方向が基板ＳのＸ方向の寸法とほぼ同一となるように形成されている。吐出口ＯＰは、ノズルＮＺの先端部分ＴＰに対向する吐出領域に液状体を吐出するように形成されている。
【００４４】
ノズルＮＺは、例えば上記のＣｕ、Ｉｎ、Ｇａ、Ｓｅの４種類の金属が所定の組成比で混合された液状体Ｑ（図１２参照）を吐出する。ノズルＮＺは、接続配管（不図示）などを介して、それぞれ液状体供給部３３に接続されている。ノズルＮＺは、内部に液状体を保持する保持部を有している。尚、上記保持部に保持された液状体の温度を調整する温調部が配置されていても構わない。
【００４５】
図５は、ノズルＮＺの断面形状を示す図である。図５においては、便宜上、後述するノズル先端管理部４５の断面形状を合わせて図示している。
図５に示すように、ノズルＮＺは、Ｚ方向の略中央部から先端部分ＴＰにかけてＹ方向の寸法がＹ方向の中央部に向けて徐々に小さくなるように先細りに形成されている。
【００４６】
本実施形態では、ノズルＮＺの先端部分ＴＰを覆うようにコーティング層ＮＺｆが形成されている。コーティング層ＮＺｆは、硬質炭化膜（ダイヤモンドライクカーボン：ＤＬＣともいう。）を用いて形成されている。硬質炭化膜は、上記組成の液状体Ｑとの間の親和性が液状体Ｑ同士の親和性よりも弱い、という性質を有している。より具体的には、硬質炭化膜は、液状体Ｑに含まれる溶媒との間の親和性が溶媒同士の親和性よりも弱い、という性質を有している。このため、硬質炭化膜を用いて形成されたコーティング層ＮＺｆには、液状体Ｑが付着しにくくなる。
【００４７】
本実施形態では、ノズルＮＺの先端部分ＴＰに、硬質炭化膜を用いて形成されたコーティング層ＮＺｆが設けられている。このため、ノズルＮＺの先端部分ＴＰにおいて、液状体Ｑとの間の親和性が液状体Ｑ同士の親和性よりも弱くなるように構成されている。
【００４８】
尚、図５では、コーティング層ＮＺｆが、ノズルＮＺの先端部分ＴＰのみに形成されている例を示しているが、これ限らない。例えば、コーティング層ＮＺｆが、先端部分ＴＰに隣接する隣接部分に形成されていてもよい。例えば、隣接部分としては、図５に示すように、ノズルＮＺの先端部分ＴＰの＋Ｙ側端辺及び−Ｙ側端辺にそれぞれ接続された傾斜部分ＴＳａ及びＴＳｂが挙げられる。また、隣接部分として、傾斜部分ＴＳａ及びＴＳｂの＋Ｚ側にそれぞれ接続された壁部分ＴＳｃ及びＴＳｄを含めても構わない。図５では、コーティング層ＮＺｆが、先端部分ＴＰから傾斜部分ＴＳａ及びＴＳｂの一部まで拡張された構成を一点鎖線で示している。
【００４９】
ノズルＮＺの少なくとも先端部分ＴＰは、チタン又はチタン合金を含んだ材料を用いて形成されている。このような材料として、例えば、以下の表１に示す（１）〜（８）に示す材料のうち少なくとも一種類の材料が用いられる。勿論、（１）〜（８）の材料を複数組み合わせても構わない。
【００５０】
【表１】
2015131279.tif 000003
【００５１】
上記（１）〜（８）に示す材料は、いずれも上記組成の液状体Ｑとの間の親和性が液状体Ｑ同士の親和性よりも弱い、という性質を有している。より具体的には、上記（１）〜（８）に示す材料は、いずれも液状体Ｑに含まれる溶媒との間の親和性が溶媒同士の親和性よりも弱い、という性質を有している。このため、上記（１）〜（８）に示す材料を用いて形成されたノズルＮＺには、液状体Ｑが付着しにくくなる。
【００５２】
本実施形態では、例えばノズルＮＺの全体が、上記材料（１）〜（８）の少なくとも１種類を用いて形成されている。このため、ノズルＮＺの表面全体において、液状体Ｑとの間の親和性が液状体Ｑ同士の親和性よりも弱くなっている。
【００５３】
このノズルＮＺの表面全体には、例えば先端部分ＴＰや、先端部分ＴＰに隣接する隣接部分（傾斜部分ＴＳａ及びＴＳｂ、壁部分ＴＳｃ及びＴＳｄ）が含まれている。
【００５４】
このように、本実施形態のノズルＮＺは、先端部分ＴＰがコーティング層ＮＺｆで覆われると共に、表面全体が上記材料（１）〜（８）の少なくとも１種類を用いて形成されることにより、ノズルＮＺの表面全体、特に先端部分ＴＰにおいて、液状体Ｑが付着しにくくなるように構成されている。
【００５５】
更に、硬質炭化膜と液状体Ｑに含まれる溶媒との間の親和性は、モリブデンと液状体Ｑに含まれる溶媒との間の親和性よりも弱い、という性質がある。本実施形態では、基板Ｓがモリブデンを用いて形成されているため、硬質炭化膜と液状体Ｑに含まれる溶媒との間の親和性は、基板Ｓと液状体Ｑに含まれる溶媒との間の親和性よりも弱い、という性質を有することになる。
【００５６】
また、上記（１）〜（８）に示す材料と液状体Ｑに含まれる溶媒との間の親和性は、モリブデンと液状体Ｑに含まれる溶媒との間の親和性よりも弱い、という性質がある。そのため、上記（１）〜（８）に示す材料と液状体Ｑに含まれる溶媒との間の親和性は、基板Ｓと液状体Ｑに含まれる溶媒との間の親和性よりも弱い、という性質を有することになる。
【００５７】
換言すると、液状体Ｑは、先端部分ＴＰが硬質炭化膜を用いて形成されたコーティング層ＮＺｆで覆われると共に、表面全体が上記材料（１）〜（８）の少なくとも１種類を用いて形成されたノズルＮＺに比べて、モリブデンを用いて形成された基板Ｓに対して、より付着しやすくなる。このように、ノズルＮＺは、吐出口ＯＰから吐出された液状体Ｑが、ノズルＮＺに付着しにくくなり、且つ、基板Ｓに対して付着しやすくなるように構成されている。
【００５８】
図１及び図２に戻って、処理ステージ２８は、塗布処理の対象となる基板Ｓを載置する。処理ステージ２８の＋Ｚ側の面は、基板Ｓを載置する基板載置面となっている。当該基板載置面は、ＸＹ平面に平行に形成されている。処理ステージ２８は、例えばステンレスなどを用いて形成されている。
【００５９】
ノズル駆動部ＮＡは、ノズルＮＺをＸ方向に移動させる。具体的に、ノズル駆動部ＮＡは、ノズルＮＺの先端部分ＴＰ（図４参照）に対向する吐出領域が基板Ｓ上を走査するようにノズルＮＺを駆動する。ノズル駆動部ＮＡは、リニアモータ機構を構成する固定子４０及び可動子４１を有している。尚、ノズル駆動部ＮＡとしては、例えばボールスクリュー機構など、他の駆動機構が用いられた構成であっても構わない。
【００６０】
固定子４０は、Ｙ方向に延在されている。固定子４０は、支持フレーム３８に支持されている。支持フレーム３８は、第一フレーム３８ａ及び第二フレーム３８ｂを有している。第一フレーム３８ａは、処理室２０ａの−Ｙ側端部に配置されている。第二フレーム３８ｂは、処理室２０ａのうち第一フレーム３８ａとの間で処理ステージ２８を挟む位置に配置されている。
【００６１】
可動子４１は、固定子４０の延在方向（Ｙ方向）に沿って移動可能である。可動子４１は、ノズル支持部材４２及び昇降部４３を有する。ノズル支持部材４２は、門型に形成されており、ノズルＮＺの突出部ＮＺｂを保持する保持部４２ａを有している。ノズル支持部材４２は、昇降部４３と共に固定子４０に沿って第一フレーム３８ａと第二フレーム３８ｂとの間をＹ方向に一体的に移動する。このため、ノズル支持部材４２に保持されるノズルＮＺは、処理ステージ２８をＹ方向に跨いで移動する。ノズル支持部材４２は、昇降部４３の昇降ガイド４３ａに沿ってＺ方向に移動する。可動子４１は、ノズル支持部材４２をＹ方向及びＺ方向に移動させる不図示の駆動源を有している。
【００６２】
メンテナンス部３２は、ノズルＮＺのメンテナンスを行う部分である。メンテナンス部３２は、ノズル待機部４４及びノズル先端管理部４５を有している。  
ノズル待機部４４は、ノズルＮＺの先端部分ＴＰが乾燥しないように当該先端部分ＴＰをディップさせる不図示のディップ部と、ノズルＮＺを交換する場合やノズルＮＺに供給する液状体を交換する場合にノズルＮＺ内に保持された液状体を排出する不図示の排出部とを有している。
【００６３】
ノズル先端管理部４５は、ノズルＮＺの先端部分ＴＰ及びその近傍を洗浄したり、ノズルＮＺの吐出口ＯＰから予備的に吐出したりすることで、ノズル先端のコンディションを整える部分である。ノズル先端管理部４５は、ノズルＮＺの先端部分ＴＰを払拭する払拭部４５ａと、当該払拭部４５ａを案内するガイドレール４５ｂと、を有している。ノズル先端管理部４５には、ノズルＮＺから排出された液状体や、ノズルＮＺの洗浄に用いられた洗浄液などを収容する廃液収容部３５ａが設けられている。
【００６４】
図５に示すように、払拭部４５ａは、断面視においてノズルＮＺの先端部分ＴＰ及び先端部分ＴＰ側の斜面の一部を覆う形状に形成されている。
【００６５】
図１及び図５に示すように、ガイドレール４５ｂは、ノズルＮＺの吐出口ＯＰをカバーするようにＸ方向に延びている。払拭部４５ａは、不図示の駆動源などにより、ガイドレール４５ｂに沿ってＸ方向に移動可能に設けられている。払拭部４５ａがノズルＮＺの先端部分ＴＰに接触した状態でＸ方向に移動することで、先端部分ＴＰが払拭されることになる。
【００６６】
液状体供給部３３は、第一液状体収容部３３ａ及び第二液状体収容部３３ｂを有している。第一液状体収容部３３ａ及び第二液状体収容部３３ｂには、基板Ｓに塗布する液状体が収容される。また、第一液状体収容部３３ａ及び第二液状体収容部３３ｂは、それぞれ異なる種類の液状体を収容可能である。
【００６７】
洗浄液供給部３４は、塗布処理部ＣＴの各部、具体的にはノズルＮＺの内部やノズル先端管理部４５などを洗浄する洗浄液が収容されている。洗浄液供給部３４は、不図示の配管やポンプなどを介して、これらノズルＮＺの内部やノズル先端管理部４５などに接続されている。
【００６８】
廃液貯留部３５は、ノズルＮＺから吐出された液体のうち再利用しない分を回収する。尚、ノズル先端管理部４５のうち、予備吐出を行う部分と、ノズルＮＺの先端部分ＴＰを洗浄する部分とが別々に設けられた構成であっても構わない。また、ノズル待機部４４において予備吐出を行う構成であっても構わない。
【００６９】
気体供給排出部３７は、気体供給部３７ａ及び排気部３７ｂを有している。気体供給部３７ａは、処理室２０ａに窒素ガスやアルゴンガスなどの不活性ガスを供給する。排気部３７ｂは、処理室２０ａを吸引し、処理室２０ａの気体を第一チャンバーＣＢ１の外部に排出する。
【００７０】
尚、気体供給部３７ａは、特許請求の範囲に記載の不活性ガス供給部に相当する。気体供給部３７ａは、第一チャンバーＣＢ１で囲まれた空間に不活性ガスを供給する。
【００７１】
基板搬送部２５は、処理室２０ａにおいて基板Ｓを搬送する。具体的に、基板搬送部２５は、ノズルＮＺの先端部分ＴＰ（図４参照）に対向する吐出領域を通過するように基板Ｓを駆動する。基板搬送部２５は、複数のローラー２７を有している。ローラー２７は、処理室２０ａのＹ方向の中央部をＸ方向に横切るように二列に配置されている。各列に配置されるローラー２７は、それぞれ基板Ｓの＋Ｙ側端辺及び−Ｙ側端辺を支持する。
【００７２】
基板Ｓを支持した状態で各ローラー２７をＹ軸周りに時計回り又は反時計回りに回転させることにより、各ローラー２７によって支持される基板ＳがＸ方向（＋Ｘ方向又は−Ｘ方向）に搬送される。尚、基板を浮上させて搬送する不図示の浮上搬送部を用いても構わない。
【００７３】
尚、上述したノズル駆動部ＮＡ及び基板搬送部２５は、特許請求の範囲に記載の相対駆動部に含まれる。相対駆動部は、ノズルＮＺの先端部分ＴＰと基板Ｓとを対向させた状態で、基板ＳとノズルＮＺとを相対移動させる。
【００７４】
（接続部）  
図１及び図２に示すように、接続部ＣＮは、第一チャンバーＣＢ１と第二チャンバーＣＢ２とを接続する。基板Ｓは、接続部ＣＮを経由して、第一チャンバーＣＢ１と第二チャンバーＣＢ２との間を移動するようになっている。接続部ＣＮは、第三チャンバーＣＢ３を有している。
【００７５】
第三チャンバーＣＢ３は、直方体の箱状に形成されている。第三チャンバーＣＢ３の内部には、処理室５０ａが形成されている。本実施形態では、処理室５０ａには、減圧乾燥部ＶＤが設けられている。減圧乾燥部ＶＤは、基板Ｓ上に塗布された液状体を乾燥させる。第三チャンバーＣＢ３には、ゲートバルブＶ２及びＶ３が設けられている。
【００７６】
尚、第三チャンバーＣＢ３は、特許請求の範囲に記載のチャンバーに相当する。第三チャンバーＣＢ３は、塗布部３１によって液状体の塗布された基板Ｓの塗布後移動空間Ｋ２を囲む。
【００７７】
第三チャンバーＣＢ３は、第一開口部５１及び第二開口部５２を有している。第一開口部５１及び第二開口部５２は、処理室５０ａと第三チャンバーＣＢ３の外部とを連通する。第一開口部５１は、第三チャンバーＣＢ３の−Ｘ側の面に形成されている。第二開口部５２は、第三チャンバーＣＢ３の＋Ｘ側の面に形成されている。第一開口部５１及び第二開口部５２は、基板Ｓが通過可能な寸法に形成されている。基板Ｓは、第一開口部５１及び第二開口部５２を介して第三チャンバーＣＢ３に出し入れされる。
【００７８】
（減圧乾燥部）
図６は、減圧乾燥部ＶＤの構成を示す図である。
図６に示すように、減圧乾燥部ＶＤは、基板搬送部５５、気体供給部５８、排気部５９及び加熱部５３を有している。
基板搬送部５５は、複数のローラー５７を有している。ローラー５７は、Ｙ方向に一対配置されており、当該一対のローラー５７がＸ方向に複数並んでいる。複数のローラー５７は、第一開口部５１を介して処理室５０ａに配置された基板Ｓを支持する。
【００７９】
基板Ｓを支持した状態で各ローラー５７をＹ軸周りに時計回り又は反時計回りに回転させることにより、各ローラー５７によって支持される基板ＳがＸ方向（＋Ｘ方向又は−Ｘ方向）に搬送される。尚、基板を浮上させて搬送する不図示の浮上搬送部を用いても構わない。
【００８０】
気体供給部５８は、処理室５０ａに窒素ガスやアルゴンガスなどの不活性ガスを供給する。尚、気体供給部５８は、特許請求の範囲に記載の不活性ガス供給部に相当する。気体供給部５８は、第三チャンバーＣＢ３で囲まれた空間に不活性ガスを供給する。
【００８１】
気体供給部５８は、第一供給部５８ａ及び第二供給部５８ｂを有している。第一供給部５８ａ及び第二供給部５８ｂは、ガスボンベやガス管などのガス供給源５８ｃに接続されている。処理室５０ａへのガスの供給は主として第一供給部５８ａを用いて行われる。第二供給部５８ｂは、第一供給部５８ａによる気体の供給量を微調整する。
【００８２】
排気部５９は、処理室５０ａの気体を吸引し、処理室５０ａの気体を第三チャンバーＣＢ３の外部に排出して、処理室５０ａを減圧させる。処理室５０ａを減圧させることにより、基板Ｓの液状体に含まれる溶媒の蒸発を促進させ、液状体を乾燥させる。排気部５９は、第一吸引部５９ａ及び第二吸引部５９ｂを有している。第一吸引部５９ａ及び第二吸引部５９ｂは、ポンプなどの吸引源５９ｃ及び５９ｄに接続されている。処理室５０ａからの吸引は主として第一吸引部５９ａを用いて行われる。第二吸引部５９ｂは、第一吸引部５９ａによる吸引量を微調整する。
【００８３】
加熱部５３は、処理室５０ａに配置された基板Ｓ上の液状体を加熱する。加熱部５３としては、例えば赤外線装置やホットプレートなどが用いられる。加熱部５３の温度は、例えば室温〜１００℃程度に調整可能である。加熱部５３を用いることにより、基板Ｓ上の液状体に含まれる溶媒の蒸発を促進させ、減圧下での乾燥処理をサポートする。
【００８４】
加熱部５３は、昇降機構５３ａに接続されている。昇降機構５３ａは、加熱部５３をＺ方向に移動させる。昇降機構５３ａとしては、例えばモーター機構やエアシリンダ機構などが用いられている。昇降機構５３ａにより加熱部５３をＺ方向に移動させることにより、加熱部５３と基板Ｓとの間の距離を調整できるようになっている。昇降機構５３ａによる加熱部５３の移動量や移動のタイミングなどは、制御部ＣＯＮＴによって制御されるようになっている。
【００８５】
（第二チャンバー）  
図１及び図２に示すように、第二チャンバーＣＢ２は、床面ＦＬに載置された基台ＢＢ上に配置されている。第二チャンバーＣＢ２は、直方体の箱状に形成されている。第二チャンバーＣＢ２の内部には、処理室６０ａが形成されている。焼成部ＢＫは、処理室６０ａに設けられている。焼成部ＢＫは、基板Ｓ上に塗布された塗布膜を焼成する。
【００８６】
尚、第二チャンバーＣＢ２は、特許請求の範囲に記載のチャンバーに相当する。第二チャンバーＣＢ２は、塗布部３１によって液状体の塗布された基板Ｓの塗布後移動空間Ｋ２を囲む。
【００８７】
第二チャンバーＣＢ２は、開口部６１を有している。開口部６１は、処理室６０ａと第二チャンバーＣＢ２の外部とを連通する。開口部６１は、第二チャンバーＣＢ２の−Ｘ側の面に形成されている。開口部６１は、基板Ｓが通過可能な寸法に形成されている。基板Ｓは、開口部６１を介して第二チャンバーＣＢ２に出し入れされる。
【００８８】
焼成部ＢＫは、基板搬送部６５及び気体供給部６８、排気部６９及び加熱チャンバー７０を有している。  
基板搬送部６５は、複数のローラー６７と、アーム部７１とを有している。ローラー６７は、Ｙ方向に一対配置されており、当該一対のローラー６７がＸ方向に複数並んでいる。複数のローラー６７は、開口部６１を介して処理室６０ａに配置された基板Ｓを支持する。
【００８９】
基板Ｓを支持した状態で各ローラー６７をＹ軸周りに時計回り又は反時計回りに回転させることにより、各ローラー６７によって支持される基板ＳがＸ方向（＋Ｘ方向又は−Ｘ方向）に搬送される。尚、基板を浮上させて搬送する不図示の浮上搬送部を用いても構わない。
【００９０】
アーム部７１及び加熱チャンバー７０は、架台７４上に配置されている。アーム部７１は、複数のローラー６７と加熱チャンバー７０との間で基板Ｓの受け渡しを行う。アーム部７１は、搬送アーム７２及びアーム駆動部７３を有している。搬送アーム７２は、基板支持部７２ａ及び移動部７２ｂを有している。基板支持部７２ａは、基板Ｓの＋Ｙ側及び−Ｙ側の辺を支持する。移動部７２ｂは、基板支持部７２ａに連結されており、Ｘ方向に移動可能であり、かつθＺ方向に回動可能である。
【００９１】
アーム駆動部７３は、移動部７２ｂをＸ方向又はθＺ方向に駆動する。アーム駆動部７３によって移動部７２ｂを＋Ｘ方向に移動させた場合には、基板支持部７２ａが加熱チャンバー７０内に挿入されると共に、基板Ｓが加熱チャンバー７０のＺ方向視中央部に配置されるようになっている。
【００９２】
気体供給部６８は、処理室６０ａに窒素ガスやアルゴンガスなどの不活性ガスを供給する。尚、気体供給部６８は、特許請求の範囲に記載の不活性ガス供給部に相当する。気体供給部６８は、第二チャンバーＣＢ２で囲まれた空間に不活性ガスを供給する。
排気部６９は、処理室６０ａを吸引し、処理室６０ａの気体を第二チャンバーＣＢ２の外部に排出する。
【００９３】
図７は、加熱チャンバー７０の構成を示す断面図である。  
図７に示すように、加熱チャンバー７０は、第一収容部８１、第二収容部８２、第一加熱板８３、第二加熱板８４、リフト部８５、封止部８６、気体供給部８７及び排気部８８を有している。
【００９４】
尚、加熱チャンバー７０は、特許請求の範囲に記載のチャンバーに相当する。加熱チャンバー７０は、塗布部３１によって液状体の塗布された基板Ｓの塗布後移動空間Ｋ２を囲む。
【００９５】
第一収容部８１は、Ｚ方向視において矩形の枡状に形成されており、開口部が＋Ｚ側を向くように加熱チャンバー７０の底部に載置されている。第二収容部８２は、Ｚ方向視において矩形の枡状に形成されており、開口部が第一収容部８１に対向するように配置されている。第二収容部８２は、不図示の昇降機構を用いてＺ方向に移動可能である。第二収容部８２の縁部８２ａを第一収容部８１の縁部８１ａに重ねることにより、当該第一収容部８１及び第二収容部８２の内部が密閉される。この場合、第一収容部８１、第二収容部８２及び封止部８６によって密閉された焼成室８０が形成される。
【００９６】
第一加熱板８３は、第一収容部８１に収容されている。第一加熱板８３は、基板Ｓを載置させた状態で当該基板Ｓを加熱する。第一加熱板８３は、例えば石英などを用いて形成されており、内部には赤外線装置やホットプレートなどの加熱装置が設けられている。第一加熱板８３の温度は、例えば２００℃〜８００℃程度に調整可能である。第一加熱板８３には複数の貫通孔８３ａが形成されている。貫通孔８３ａは、リフト部８５の一部を貫通させる。
【００９７】
第二加熱板８４は、第二収容部８２に収容されている。第二加熱板８４は、例えば金属材料を用いて形成されており、内部には赤外線装置やホットプレートなどの加熱装置が設けられている。第二加熱板８４の温度は、例えば２００℃〜８００℃程度に調整可能である。第二加熱板８４は、不図示の昇降機構によって第二収容部８２とは別個にＺ方向への移動が可能に設けられている。第二加熱板８４をＺ方向へ移動させることにより、第二加熱板８４と基板Ｓとの間隔を調整できるようになっている。
【００９８】
リフト部８５は、アーム部７１（図１及び図２参照）と第一加熱板８３との間で基板Ｓを移動させる。リフト部８５は、複数の支持ピン８５ａと、当該支持ピン８５ａを保持してＺ方向に移動可能な移動部８５ｂとを有している。図示を判別しやすくするため、図７では支持ピン８５ａが２つ設けられた構成が示されているが、実際には例えば１６個配置させることができる。第一加熱板８３に設けられる複数の貫通孔８３ａは、Ｚ方向視で複数の支持ピン８５ａに対応する位置に配置されている。
【００９９】
封止部８６は、第一収容部８１の縁部８１ａに形成されている。封止部８６としては、例えば樹脂材料などを用いて形成されたＯリングを用いることができる。封止部８６は、第二収容部８２の縁部８２ａが第一収容部８１の縁部８１ａに重ねられた状態で、当該第一収容部８１と第二収容部８２との間を封止する。このため、第一収容部８１及び第二収容部８２の内部を密閉することができる。
【０１００】
気体供給部８７は、処理室６０ａに窒素ガスなどを供給する。気体供給部８７は、加熱チャンバー７０の＋Ｚ側の面に接続されている。気体供給部８７は、ガスボンベやガス管などの気体供給源８７ａと、当該気体供給源８７ａと第二収容部８２とを接続する接続管８７ｂとを有している。気体供給源８７ａは、窒素ガスの供給源と、カルコゲン元素を含む気体（例、硫化水素、セレン化水素）の供給源とを有している。尚、気体供給源８７ａが他のガスの供給源を有する構成であってもよい。
【０１０１】
尚、気体供給部８７は、特許請求の範囲に記載の不活性ガス供給部に相当する。気体供給部８７は、加熱チャンバー７０で囲まれた空間に不活性ガスを供給する。
【０１０２】
排気部８８は、処理室６０ａを吸引し、処理室６０ａの気体を加熱チャンバー７０の外部に排出する。排気部８８は、加熱チャンバー７０の−Ｚ側の面に接続されている。排気部８８は、ポンプなどの吸引源８８ａと、当該吸引源８８ａと第一収容部８１とを接続する接続管８８ｂとを有している。
【０１０３】
また、本実施形態では、加熱チャンバー７０内には、気体濃度検出部ＳＲ１、ＳＲ２が設けられている。気体濃度検出部ＳＲ１及びＳＲ２は、加熱チャンバー７０に収容される基板の周囲の雰囲気のうちカルコゲン元素を含む気体の濃度を検出する。また、気体濃度検出部ＳＲ１、ＳＲ２は、検出結果を制御部ＣＯＮＴに送信する。
【０１０４】
本実施形態では、気体濃度検出部ＳＲ１、ＳＲ２は、カルコゲン元素として、硫黄及びセレンのうち少なくとも一方を含む気体を検出可能である。このような気体としては、例えば硫化水素やセレン化水素などが挙げられる。気体濃度検出部ＳＲ１、ＳＲ２は、それぞれ、硫化水素を検出するセンサ及びセレン化水素を検出するセンサのうち少なくとも一方を有している。また、気体濃度検出部ＳＲ１は、昇華した単体の硫黄やセレンを検出可能なセンサを有していてもよい。
【０１０５】
気体濃度検出部ＳＲ１は、加熱チャンバー７０のうち第二収容部８２の天井部８２ｂに設けられている。気体濃度検出部ＳＲ１の検出面ＳＲａは、−Ｚ側に向けられており、基板Ｓが載置される第一加熱板８３に対向するように配置されている。この配置により、基板Ｓのうち液状体が塗布された面に対向して気体濃度検出部ＳＲ１が配置されることになる。気体濃度検出部ＳＲ１は、気体供給部８７の接続管８７ｂから供給される気体を直接受ける領域から外れた位置に配置されることが好ましい。したがって、図７に示す位置よりも第二収容部８２の壁部側に配置された構成であってもよい。また、気体濃度検出部ＳＲ１と接続管８７ｂとの間に気体を遮蔽する遮蔽部（不図示）が配置されていてもよい。
【０１０６】
尚、基板Ｓの上記面に対向配置される位置であれば、気体濃度検出部ＳＲ１の位置は第二収容部８２に限られず、他の位置に配置されてもよい。このような他の位置としては、例えば、第二収容部８２の一部から第二加熱板８４の−Ｚ側に不図示の支持部材が引き伸ばされた構成とし、この支持部材に気体濃度検出部ＳＲ１が取り付けられた構成としてもよい。また、気体濃度検出部ＳＲ１が第二収容部８２の天井部８２ｂとは異なる部分（例、壁部など）に配置された構成であってもよい。また、気体濃度検出部ＳＲ１、ＳＲ２に接続される配線部分を熱から保護する保護部（断熱カバー、冷却機構などを含む）が設けられていてもよい。
【０１０７】
一方、気体濃度検出部ＳＲ２は、加熱チャンバー７０のうち第一収容部８１の底部８１ｂに設けられている。気体濃度検出部ＳＲ２は、排気部８８の接続管８８ｂの近傍に配置されている。気体濃度検出部ＳＲ２の検出面ＳＲｂは、＋Ｚ側に向けられている。尚、気体濃度検出部ＳＲ２は、接続管８８ｂの内部に設けられた構成であってもよい。
【０１０８】
また、本実施形態では、加熱チャンバー７０に固体供給部８９が設けられている。固体供給部８９は、加熱チャンバー７０の内部に、カルコゲン元素を含む固体を供給する。このようなカルコゲン元素としては、例えば硫黄、セレンの固体などが挙げられる。図７では、一例として、固体供給部８９が第一収容部８１の側部から底部８１ｂに固体を供給する構成を示しているが、これに限られることはない。例えば、第二収容部８２の天井部８２ｂ側から固体を加熱チャンバー７０内に供給する構成であってもよい。また、第一収容部８１及び第二収容部８２の少なくとも一方に、固体を配置する固体配置部（台状、棚状など）を予め形成しておき、固体供給部８９が当該固体配置部に固体を配置する構成であってもよい。また、開閉可能な蓋を有し上記固体を収容した容器又は収容部を加熱チャンバー７０の内部に配置しておき、加熱チャンバー７０の内部に固体を供給する場合には容器の蓋を開き、固体を供給しない場合には蓋を閉じる構成としてもよい。
【０１０９】
（基板搬送経路）  
図１に示すように、基板供給回収部ＬＵの第二開口部１２、塗布処理部ＣＴの第一開口部２１並びに第二開口部２２、減圧乾燥部ＶＤの第一開口部５１並びに第二開口部５２、焼成部ＢＫの開口部６１は、Ｘ方向に平行な直線上に並んで設けられている。このため、基板Ｓは、Ｘ方向に直線上に移動する。また、図２に示すように、基板Ｓが基板供給回収部ＬＵから焼成部ＢＫの加熱チャンバー７０に収容されるまでの経路においては、Ｚ方向の位置が保持されている。このため、基板Ｓによる周囲の気体の攪拌が抑制される。
【０１１０】
（アンチチャンバー）
図１に示すように、第一チャンバーＣＢ１には、アンチチャンバーＡＬ１〜ＡＬ３が接続されている。  
アンチチャンバーＡＬ１〜ＡＬ３は、第一チャンバーＣＢ１の内外を連通して設けられている。アンチチャンバーＡＬ１〜ＡＬ３は、それぞれ処理室２０ａの構成要素を第一チャンバーＣＢ１の外部へ取り出したり、第一チャンバーＣＢ１の外部から処理室２０ａに当該構成要素を入れ込んだりするための経路である。
【０１１１】
アンチチャンバーＡＬ１は、塗布部３１に接続されている。塗布部３１に設けられるノズルＮＺは、アンチチャンバーＡＬ１を介して処理室２０ａへの出し入れが可能となっている。
【０１１２】
アンチチャンバーＡＬ２は、液状体供給部３３に接続されている。液状体供給部３３では、アンチチャンバーＡＬ２を介して処理室２０ａへの出し入れが可能となっている。
【０１１３】
アンチチャンバーＡＬ３は、廃液貯留部３５に接続されている。廃液貯留部３５では、アンチチャンバーＡＬ３を介して液体を処理室２０ａに出し入れ可能となっている。また、アンチチャンバーＡＬ３は、基板Ｓが通過可能な寸法に形成されている。このため、例えば塗布処理部ＣＴにおいて液状体の試し塗りを行う場合、アンチチャンバーＡＬ３から未処理の基板Ｓを処理室２０ａに供給することが可能である。また、試し塗りを行った後の基板ＳをアンチチャンバーＡＬ３から取り出すことが可能である。また、緊急時などにアンチチャンバーＡＬ３から臨時に基板Ｓを取り出すことも可能である。
【０１１４】
また、第二チャンバーＣＢ２には、アンチチャンバーＡＬ４が接続されている。  
アンチチャンバーＡＬ４は、加熱チャンバー７０に接続されている。アンチチャンバーＡＬ４は、基板Ｓが通過可能な寸法に形成されている。このため、例えば加熱チャンバー７０において基板Ｓの加熱を行う場合、アンチチャンバーＡＬ４から基板Ｓを処理室６０ａに供給することが可能である。また、加熱処理を行った後の基板ＳをアンチチャンバーＡＬ４から取り出すことが可能である。
【０１１５】
（グローブ部）  
図１に示すように、第一チャンバーＣＢ１には、グローブ部ＧＸ１が接続されている。また、第二チャンバーＣＢ２には、グローブ部ＧＸ２が接続されている。  
グローブ部ＧＸ１及びＧＸ２は、作業者が第一チャンバーＣＢ１及び第二チャンバーＣＢ２内にアクセスするための部分である。作業者がグローブ部ＧＸ１及びＧＸ２内に手を挿入することにより、第一チャンバーＣＢ１及び第二チャンバーＣＢ２内のメンテナンス動作などを行うことができるようになっている。グローブ部ＧＸ１及びＧＸ２は、袋状に形成されている。グローブ部ＧＸ１及びＧＸ２は、それぞれ第一チャンバーＣＢ１及び第二チャンバーＣＢ２の複数個所に配置されている。グローブ部ＧＸ１及びＧＸ２内に作業者が手を入れたか否かを検出するセンサなどが第一チャンバーＣＢ１及び第二チャンバーＣＢ２内に配置されていても構わない。
【０１１６】
（ゲートバルブ）  
図１及び図２に示すように、基板供給回収部ＬＵの第二開口部１２と塗布処理部ＣＴの第一開口部２１との間には、ゲートバルブＶ１が設けられている。ゲートバルブＶ１は、不図示の駆動部によってＺ方向に移動可能に設けられている。ゲートバルブＶ１をＺ方向に移動させることで、基板供給回収部ＬＵの第二開口部１２と塗布処理部ＣＴの第一開口部２１とが同時に開放又は閉塞される。第二開口部１２及び第一開口部２１が同時に開放されると、これら第二開口部１２と第一開口部２１との間で基板Ｓの移動が可能となる。
【０１１７】
第一チャンバーＣＢ１の第二開口部２２と第三チャンバーＣＢ３の第一開口部５１との間には、ゲートバルブＶ２が設けられている。ゲートバルブＶ２は、不図示の駆動部によってＺ方向に移動可能に設けられている。ゲートバルブＶ２をＺ方向に移動させることで、第一チャンバーＣＢ１の第二開口部２２と第三チャンバーＣＢ３の第一開口部５１とが同時に開放又は閉塞される。第二開口部２２及び第一開口部５１が同時に開放されると、これら第二開口部２２と第一開口部５１との間で基板Ｓの移動が可能となる。
【０１１８】
第三チャンバーＣＢ３の第二開口部５２と第二チャンバーＣＢ２の開口部６１との間には、ゲートバルブＶ３が設けられている。ゲートバルブＶ３は、不図示の駆動部によってＺ方向に移動可能に設けられている。ゲートバルブＶ３をＺ方向に移動させることで、第三チャンバーＣＢ３の第二開口部５２と第二チャンバーＣＢ２の開口部６１とが同時に開放又は閉塞される。第二開口部５２及び開口部６１が同時に開放されると、これら第二開口部５２と開口部６１との間で基板Ｓの移動が可能となる。
【０１１９】
（制御部）  
制御部ＣＯＮＴは、塗布装置ＣＴＲを統括的に制御する部分である。具体的には、基板供給回収部ＬＵ、塗布処理部ＣＴ、減圧乾燥部ＶＤ、焼成部ＢＫにおける動作、ゲートバルブＶ１〜Ｖ３の動作などを制御する。調整動作の一例として、制御部ＣＯＮＴは、気体濃度検出部ＳＲ１，ＳＲ２による検出結果に基づいて、気体供給部６８の供給量を調整する。制御部ＣＯＮＴは、処理時間の計測等に用いる不図示のタイマーなどを有している。
【０１２０】
（塗布方法）  
次に、本実施形態に係る塗布方法を説明する。本実施形態では、上記のように構成された塗布装置ＣＴＲを用いて基板Ｓ上に、金属を含む塗布膜を形成する。塗布装置ＣＴＲの各部で行われる動作は、制御部ＣＯＮＴによって制御される。
【０１２１】
制御部ＣＯＮＴは、まず、外部から基板供給回収部ＬＵに基板Ｓを搬入させる。この場合、制御部ＣＯＮＴは、ゲートバルブＶ１を閉塞された状態として、蓋部１４を開けて基板Ｓをチャンバー１０の収容室１０ａに収容させる。基板Ｓが収容室１０ａに収容された後、制御部ＣＯＮＴは、蓋部１４を閉じさせる。
【０１２２】
蓋部１４が閉じられた後、制御部ＣＯＮＴは、ゲートバルブＶ１を開放させ、チャンバー１０の収容室１０ａと塗布処理部ＣＴの第一チャンバーＣＢ１の処理室２０ａとを連通させる。ゲートバルブＶ１を開放させた後、制御部ＣＯＮＴは、基板搬送部１５を用いて基板ＳをＸ方向へ搬送する。
【０１２３】
第一チャンバーＣＢ１の処理室２０ａに基板Ｓの一部が挿入された後、制御部ＣＯＮＴは、基板搬送部２５を用いて基板Ｓを処理室２０ａに完全に搬入させる。基板Ｓが搬入された後、制御部ＣＯＮＴは、ゲートバルブＶ１を閉塞させる。制御部ＣＯＮＴは、ゲートバルブＶ１を閉塞させた後、基板Ｓを処理ステージ２８へと搬送する。
【０１２４】
図８〜図１３は、本実施形態に係る塗布装置ＣＴＲの塗布処理の過程を示す図である。尚、図１２においては、ノズルＮＺの吐出口ＯＰから基板Ｓに対し液状体Ｑが吐出される様子を拡大して示している。
【０１２５】
図８に示すように、基板Ｓが処理ステージ２８上に載置されると、塗布処理部ＣＴにおいて塗布処理が行われる。当該塗布処理に先立って、制御部ＣＯＮＴは、ゲートバルブＶ１及びＶ２が閉塞された状態とし、気体供給部３７ａ及び排気部３７ｂ（図１及び図２参照）を用いて不活性ガスの供給及び吸引を行わせる。
【０１２６】
この動作により、処理室２０ａの雰囲気及び圧力が調整される。処理室２０ａの雰囲気及び圧力の調整後、制御部ＣＯＮＴは、ノズル駆動部ＮＡ（図８では不図示）を用いてノズルＮＺをノズル待機部４４からノズル先端管理部４５へと移動させる。制御部ＣＯＮＴは、以後塗布処理の間、処理室２０ａの雰囲気及び圧力の調整動作を継続して行わせる。
【０１２７】
ノズルＮＺがノズル先端管理部４５に到達した後、制御部ＣＯＮＴは、図９に示すように、ノズルＮＺに対して予備吐出動作を行わせる。予備吐出動作では、制御部ＣＯＮＴは、吐出口ＯＰから液状体Ｑを吐出させる。予備吐出動作の後、制御部ＣＯＮＴは、図１０に示すように、払拭部４５ａをガイドレール４５ｂに沿ってＸ方向に移動させ、ノズルＮＺの先端部分ＴＰ及びその近傍の傾斜部を払拭させる。
【０１２８】
ノズルＮＺの先端部分ＴＰを払拭させた後、制御部ＣＯＮＴは、ノズルＮＺを処理ステージ２８へ移動させる。ノズルＮＺの吐出口ＯＰが基板Ｓの−Ｙ側端部に到達した後、制御部ＣＯＮＴは、図１１に示すように、ノズルＮＺを＋Ｙ方向に所定速度で移動させつつ、吐出口ＯＰから基板Ｓへ向けて液状体Ｑを吐出させる。この動作により、基板Ｓ上には液状体Ｑの塗布膜Ｆが形成される。
【０１２９】
この場合、制御部ＣＯＮＴは、ノズルＮＺと基板Ｓとを相対移動させてノズルＮＺの先端部分ＴＰを基板Ｓに対向させる。本実施形態では、基板Ｓを定位置に配置し、ノズルＮＺのみを＋Ｙ方向に移動させてノズルＮＺの先端部分ＴＰを基板Ｓに対向させる。
先端部分ＴＰと基板Ｓとを対向させた後、制御部ＣＯＮＴは、図１２に示すように、先端部分ＴＰ（具体的には先端部分ＴＰを覆うコーティング層ＮＺｆ）と基板Ｓとの間で液状体Ｑが挟持されるように、吐出口ＯＰから液状体Ｑを吐出させる。
【０１３０】
ここで、仮に、先端部分ＴＰにおける液状体Ｑとの親和性が、液状体Ｑ同士の親和性よりも強い場合、液状体Ｑは、液状体Ｑ同士で接触するよりも先端部分ＴＰに接触しようとする。このため、液状体Ｑが先端部分ＴＰに付着した状態となってしまい、基板Ｓに対する定着性が低下してしまう。また、先端部分ＴＰのみならず、隣接部分である傾斜部分ＴＳａ，ＴＳｂにおける液状体Ｑとの親和性が、液状体Ｑ同士の親和性よりも強い場合、液状体Ｑは先端部分ＴＰから傾斜部分ＴＳａ，ＴＳｂへと伝わってしまい、基板Ｓへの定着性が低下してしまう。更に、先端部分ＴＰ（及び隣接部分）における液状体Ｑとの親和性が液状体Ｑと基板Ｓとの親和性よりも強い場合、液状体Ｑは基板Ｓよりも先端部分ＴＰ（及び隣接部分）に付着しようとするため、この場合も基板Ｓへの定着性が低下してしまう。
【０１３１】
これに対して、本実施形態においては、ノズルＮＺは、先端部分ＴＰがコーティング層ＮＺｆで覆われると共に、表面全体が上記材料（１）〜（８）の少なくとも１種類を用いて形成されているため、ノズルＮＺの特に先端部分ＴＰにおける液状体Ｑとの親和性は、液状体Ｑ同士の親和性よりも弱くなっている。また、先端部分ＴＰにおける液状体Ｑとの親和性は、基板Ｓと液状体Ｑとの間の親和性よりも弱くなっている。
【０１３２】
したがって、上記のようにノズルＮＺの先端部分ＴＰと基板Ｓとで液状体Ｑを挟むことにより、液状体Ｑが先端部分ＴＰに付着しにくい状態になると共に、液状体Ｑ同士で接触しやすい状態となる。また、液状体Ｑは先端部分ＴＰよりも基板Ｓに付着しやすい状態になる。
【０１３３】
制御部ＣＯＮＴは、先端部分ＴＰと基板Ｓとの間で液状体Ｑを保持した状態で、吐出口ＯＰから液状体Ｑを吐出しつつ先端部分ＴＰと基板Ｓとを相対移動させる。本実施形態では、基板Ｓを定位置に配置し、先端部分ＴＰのみを＋Ｙ方向に移動させる。この動作により、液状体Ｑは先端部分ＴＰから傾斜部分ＴＳａや傾斜部分ＴＳｂなどに流れてしまうことなく、基板Ｓ上に配置されて定着することになる。
【０１３４】
また、基板Ｓに配置された液状体Ｑ同士の親和性により、基板ＳがノズルＮＺの吐出口ＯＰから遠ざかると、基板Ｓ上に塗布された液状体Ｑが先端部分ＴＰの液状体Ｑを引っ張るように作用する。このような結果、図１３に示すように、基板Ｓの所定領域上に液状体Ｑの塗布膜Ｆがほぼ均一の膜厚で形成される。塗布膜Ｆの形成後、制御部ＣＯＮＴは、吐出口ＯＰからの液状体Ｑの吐出動作を停止させる。
【０１３５】
基板Ｓの所定領域に液状体Ｑの塗布膜Ｆを形成した後、制御部ＣＯＮＴは、図１３に示すように、基板搬送部２５を用いて基板Ｓを処理ステージ２８から第二チャンバーＣＢ２へと＋Ｘ方向に移動させる。また、制御部ＣＯＮＴは、ノズルＮＺを−Ｙ方向へ移動させ、ノズル待機部４４へと戻す。
【０１３６】
図１４〜図１７は、本実施形態に係る塗布装置ＣＴＲの減圧乾燥処理の過程を示す図である。
基板Ｓが第一チャンバーＣＢ１の第二開口部２２に到達した後、制御部ＣＯＮＴは、図１４に示すように、ゲートバルブＶ２を開放させ、基板Ｓを第一チャンバーＣＢ１から第二チャンバーＣＢ２へと搬送させる。尚、当該搬送ステップを行う際、基板Ｓは接続部ＣＮに配置される第三チャンバーＣＢ３を経由する。制御部ＣＯＮＴは、基板Ｓが第三チャンバーＣＢ３を通過する際に、当該基板Ｓに対して減圧乾燥部ＶＤを用いて乾燥処理を行わせる。具体的には、第三チャンバーＣＢ３の処理室５０ａに基板Ｓが収容された後、制御部ＣＯＮＴは、図１５に示すように、ゲートバルブＶ２を閉塞させる。
【０１３７】
ゲートバルブＶ２を閉塞させた後、制御部ＣＯＮＴは、昇降機構５３ａを用いて加熱部５３のＺ方向の位置を調整させる。その後、制御部ＣＯＮＴは、図１６に示すように、気体供給部５８を用いて処理室５０ａの雰囲気を調整させると共に、排気部５９を用いて処理室５０ａを減圧させる。この動作により処理室５０ａが減圧すると、基板Ｓに形成された塗布膜Ｆに含まれる溶媒の蒸発が促進され、塗布膜Ｆが乾燥する。尚、制御部ＣＯＮＴは、排気部５９を用いて処理室５０ａを減圧する減圧動作を行わせる間に、昇降機構５３ａを用いて加熱部５３のＺ方向の位置を調整させても構わない。
【０１３８】
また、制御部ＣＯＮＴは、図１６に示すように、加熱部５３を用いて基板Ｓ上の塗布膜Ｆを加熱する。この動作により、基板Ｓ上の塗布膜Ｆに含まれる溶媒の蒸発が促進され、減圧下での乾燥処理を短時間で行うことができる。制御部ＣＯＮＴは、加熱部５３によって加熱動作を行う間に、昇降機構５３ａを用いて加熱部５３のＺ方向の位置を調整させても構わない。
【０１３９】
減圧乾燥処理が行われた後、制御部ＣＯＮＴは、図１７に示すように、ゲートバルブＶ３を開放させ、基板Ｓを接続部ＣＮから第二チャンバーＣＢ２へと搬送させる。基板Ｓが第二チャンバーＣＢ２の処理室６０ａに収容された後、制御部ＣＯＮＴはゲートバルブＶ３を閉塞させる。
【０１４０】
図１８〜図２２は、本実施形態に係る塗布装置ＣＴＲの焼成処理の過程を示す図である。
基板支持部７２ａの移動により、図１８に示すように、基板Ｓが第一加熱板８３上の中央部に配置される。その後、制御部ＣＯＮＴは、図１９に示すように、リフト部８５を＋Ｚ方向に移動させる。この動作により、基板Ｓは搬送アーム７２の基板支持部７２ａから離れ、リフト部８５の複数の支持ピン８５ａに支持される。このようにして基板Ｓが基板支持部７２ａからリフト部８５へと渡される。基板Ｓがリフト部８５の支持ピン８５ａによって支持された後、制御部ＣＯＮＴは、基板支持部７２ａを加熱チャンバー７０の外部へ−Ｘ方向に退避させる。
【０１４１】
基板支持部７２ａを退避させた後、制御部ＣＯＮＴは、図２０に示すように、リフト部８５を−Ｚ方向に移動させると共に、第二収容部８２を−Ｚ方向に移動させる。この動作により、第二収容部８２の縁部８２ａが第一収容部８１の縁部８１ａに重なり、縁部８２ａと縁部８１ａとの間で封止部８６が挟まれた状態となる。このため、第一収容部８１、第二収容部８２及び封止部８６によって密閉された焼成室８０が形成される（収容ステップ）。
【０１４２】
焼成室８０を形成した後、制御部ＣＯＮＴは、図２１に示すように、リフト部８５を−Ｚ方向へ移動させて基板Ｓを第一加熱板８３上に載置させる。基板Ｓが第一加熱板８３上に載置された後、制御部ＣＯＮＴは、第二加熱板８４を−Ｚ方向に移動させ、第二加熱板８４と基板Ｓとを近づける。制御部ＣＯＮＴは、適宜第二加熱板８４のＺ方向の位置を調整させる。
【０１４３】
第二加熱板８４のＺ方向の位置を調整させた後、制御部ＣＯＮＴは、図２２に示すように、気体供給部８７を用いて焼成室８０に窒素ガスや硫化水素ガス、セレン化水素ガスを供給すると共に、排気部８８を用いて焼成室８０を吸引させる。この動作により、焼成室８０の雰囲気及び圧力が調整されると共に、第二収容部８２から第一収容部８１にかけて窒素ガス、硫化水素ガス、セレン化水素ガスの気流が形成される。窒素ガス、硫化水素ガス、セレン化水素ガスの気流が形成された状態で、制御部ＣＯＮＴは、第一加熱板８３及び第二加熱板８４を作動させ、基板Ｓの焼成動作を行わせる（加熱ステップ）。この動作により、基板Ｓの塗布膜Ｆから溶媒成分が蒸発すると共に、塗布膜Ｆに含まれる気泡などが除去される。また、窒素ガス、硫化水素ガス、セレン化水素ガスの気流により、塗布膜Ｆから蒸発した溶媒成分や気泡などが押し流され、排気部８８から吸引される。
【０１４４】
この基板Ｓの焼成動作において、制御部ＣＯＮＴは、加熱チャンバー７０内の気体のうち硫黄元素、セレン元素を含む所定気体（例、硫化水素ガス、セレン化水素ガス）の濃度を検出させる（検出ステップ）。制御部ＣＯＮＴは、この検出に際して、気体濃度検出部ＳＲ１、ＳＲ２を用いる。制御部ＣＯＮＴは、気体供給部８７から焼成室８０に硫化水素ガス、セレン化水素ガスが供給された後、気体濃度検出部ＳＲ１、ＳＲ２を作動させ、この硫化水素ガス、セレン化水素ガスの濃度を検出させる。気体濃度検出部ＳＲ１、ＳＲ２では、硫化水素ガス、セレン化水素ガスの濃度を検出し、検出結果が制御部ＣＯＮＴに送信される。
【０１４５】
気体濃度検出部ＳＲ１により、基板Ｓのうち液状体Ｆが塗布された面に対向する位置で検出が行われるため、基板Ｓの周囲における硫化水素ガス、セレン化水素ガスの濃度が効率的に検出される。また、気体濃度検出部ＳＲ２により、接続管８８ｂから排気される気体に含まれる硫化水素ガス、セレン化水素ガスの濃度が検出されることとなる。
【０１４６】
制御部ＣＯＮＴは、検出結果に基づいて、加熱チャンバー７０内（焼成室８０内）の硫化水素ガス、セレン化水素ガスの濃度を調整する（調整ステップ）。この調整において、制御部ＣＯＮＴは、制御部ＣＯＮＴは、検出結果が予め設定された下限側の第一閾値を超えており、予め設定された上限側の第二閾値を下回る場合、上記のように硫化水素ガス、セレン化水素ガスの供給を継続しつつ、加熱動作を行わせる。
【０１４７】
一方、検出結果が第一閾値（下限側閾値）を下回る場合、制御部ＣＯＮＴは、気体供給部８７を用いて、加熱チャンバー７０内に硫化水素ガス、セレン化水素ガスを供給する（供給ステップ）。この供給ステップは、加熱チャンバー７０に供給されている硫化水素ガス、セレン化水素ガスの供給量を増加させることを含む。制御部ＣＯＮＴは、検出結果が当該第一閾値を超えるまで、硫化水素ガス、セレン化水素ガスの供給量を増加させたまま維持する。
【０１４８】
また、検出結果が第二閾値（上限側閾値）を超える場合には、気体供給部８７による硫化水素ガス、セレン化水素ガスの供給量を低下させる動作、硫化水素ガス、セレン化水素ガスの供給を停止させる動作、及び、排気部８８を用いて加熱チャンバー７０内の気体を排気させる動作、のいずれかを行わせることで、加熱チャンバー７０内の硫化水素ガス、セレン化水素ガスの濃度を低下させる。制御部ＣＯＮＴは、検出結果が当該第二閾値を下回るまで、硫化水素ガス、セレン化水素ガスの供給量の低下、供給の停止、排気（排気ステップ）の少なくとも１つを行わせる。
【０１４９】
尚、上記焼成動作においては、塗布膜Ｆに含まれる金属成分のうち少なくとも一種類の成分を融点以上まで加熱し、塗布膜Ｆの少なくとも一部を溶解させる。例えば、塗布膜ＦがＣＺＴＳ型の太陽電池に用いられる場合であれば、塗布膜Ｆを構成する成分のうち、Ｓｎ、Ｓ、Ｓｅについて融点以上まで加熱し、これらの物質を液状化させて塗布膜Ｆを凝集させる。その後、塗布膜Ｆが固形化する温度まで当該塗布膜Ｆを冷却する。塗布膜Ｆを固形化することで、当該塗布膜Ｆの強度が高められることになる。
【０１５０】
このような焼成動作が完了した後、制御部ＣＯＮＴは、基板Ｓを−Ｘ方向へ搬送させる。具体的には、加熱チャンバー７０から基板搬送部６５を経て焼成部ＢＫから搬出され、減圧乾燥部ＶＤ、塗布処理部ＣＴを経て基板供給回収部ＬＵへ戻される。基板Ｓが基板供給回収部ＬＵへ戻された後、制御部ＣＯＮＴは、ゲートバルブＶ１を閉塞させた状態で蓋部１４を開放させる。その後、作業者は、チャンバー１０内の基板Ｓを回収し、新たな基板Ｓをチャンバー１０の収容室１０ａに収容させる。
【０１５１】
尚、基板Ｓが基板供給回収部ＬＵへ戻された後、基板Ｓに形成された塗布膜Ｆ上に更に別の塗布膜を重ねて形成する場合、制御部ＣＯＮＴは、再度基板Ｓを塗布処理部ＣＴへ搬送させ、塗布処理、減圧乾燥処理及び焼成処理を繰り返して行わせる。このようにして基板Ｓ上に塗布膜Ｆが積層される。
【０１５２】
以上のように、本実施形態によれば、ノズルＮＺの先端部分ＴＰには、液状体Ｑとの間の親和性が液状体Ｑ同士の親和性よりも弱くなるようにコーティング層ＮＺｆが形成されるため、ノズルＮＺの吐出口ＯＰから吐出された液状体ＱがノズルＮＺの先端部分ＴＰに付着することを抑制することができる。これにより、液状体Ｑが基板Ｓに定着しやすくなる。よって、基板Ｓ上に液状体Ｑをムラ無く塗布することができる。
特に、ノズルＮＺが金属を含む液状体Ｑを吐出する構成であると、金属を含む液状体ＱがノズルＮＺの先端部分ＴＰに付着した場合、金属が固着してしまうことがある。この固着物を掻き落とすことは容易ではない。しかし本実施形態によれば、金属を含む液状体ＱがノズルＮＺの先端部分ＴＰに付着することが抑制されるため、ノズルＮＺの先端部分ＴＰに金属の固着物が生じることを抑制することができる。
【０１５３】
また、コーティング層ＮＺｆが、ノズルＮＺのうち、先端部分ＴＰと、先端部分ＴＰに隣接する部分と、を含む部分に設けられることで、液状体ＱがノズルＮＺの先端部分ＴＰから当該先端部分ＴＰに隣接する部分（傾斜部分ＴＳａ，ＴＳｂ、壁部分ＴＳｃ，ＴＳｄ）へ伝ってしまうことを抑制することができる。
【０１５４】
また、液状体Ｑが、金属を分散させる溶媒を含み、コーティング層ＮＺｆが、溶媒との間の親和性が溶媒同士の親和性よりも弱くなるように形成されることで、ノズルＮＺの吐出口ＯＰから吐出された溶媒を含む液状体ＱがノズルＮＺの先端部分ＴＰに付着することを抑制することができる。これにより、溶媒を含む液状体Ｑが基板Ｓに定着しやすくなる。よって、基板Ｓ上に液状体Ｑをムラ無く塗布することができる。
【０１５５】
また、コーティング層ＮＺｆが、溶媒との間の親和性が溶媒と基板Ｓとの間の親和性よりも弱くなるように形成されることで、溶媒を含む液状体ＱがノズルＮＺの先端部分ＴＰのコーティング層ＮＺｆよりも基板Ｓに定着しやすくなる。よって、基板Ｓ上に液状体Ｑをムラ無く塗布することができる。
【０１５６】
また、コーティング層ＮＺｆが、硬質炭素膜を用いて形成されることで、液状体Ｑがコーティング層ＮＺｆに付着しにくくなるため、液状体Ｑが基板Ｓに定着しやすくなる。よって、基板Ｓ上に液状体Ｑをムラ無く塗布することができる。
【０１５７】
また、ノズルＮＺの少なくとも先端部分ＴＰが、チタンを用いて形成されることで、ノズルＮＺの先端部分ＴＰと液状体Ｑとの間の親和性が液状体Ｑ同士の親和性よりも弱くなるため、ノズルＮＺの吐出口ＯＰから吐出された液状体ＱがノズルＮＺの先端部分ＴＰに付着することを抑制することができる。これにより、液状体Ｑが基板Ｓに定着しやすくなる。よって、基板Ｓ上に液状体Ｑをムラ無く塗布することができる。
【０１５８】
また、基板Ｓが、モリブデンを用いて形成されることで、液状体Ｑが基板Ｓに定着しやすくなるため、基板Ｓ上に液状体Ｑをムラ無く塗布することができる。
【０１５９】
また、塗布部３１によって液状体Ｑの塗布される塗布空間Ｋ１を囲む第一チャンバーＣＢ１を備えると共に、液状体Ｑの塗布された基板Ｓの塗布後移動空間Ｋ２を囲む第三チャンバーＣＢ３、第二チャンバーＣＢ２及び加熱チャンバー７０を備えることで、チャンバーＣＢ１，ＣＢ３，ＣＢ２，７０により液状体Ｑの配置される空間が囲まれるため、液状体Ｑの劣化を抑制することができる。
【０１６０】
また、第一チャンバーＣＢ１で囲まれた空間に不活性ガスを供給する気体供給部３７ａ、第三チャンバーＣＢ３で囲まれた空間に不活性ガスを供給する気体供給部５８、第二チャンバーＣＢ２で囲まれた空間に不活性ガスを供給する気体供給部６８及び加熱チャンバー７０で囲まれた空間に不活性ガスを供給する気体供給部８７を備えることで、チャンバーＣＢ１，ＣＢ３，ＣＢ２，７０で囲まれた空間に不活性ガスが供給されるため、チャンバーＣＢ１，ＣＢ３，ＣＢ２，７０に囲まれた空間において液状体Ｑの劣化をより確実に抑制することができる。
【０１６１】
また、吐出口ＯＰが、先端部分ＴＰに対向する吐出領域に液状体Ｑを吐出するように形成されており、相対駆動部が、吐出領域を通過するように基板Ｓを駆動する基板搬送部２５を有することで、ノズルＮＺを定位置に配置した状態で、基板Ｓのみを移動させることにより、基板Ｓ上に液状体Ｑをムラ無く塗布することができる。
【０１６２】
また、相対駆動部が、吐出領域が基板Ｓ上を走査するようにノズルＮＺを駆動するノズル駆動部ＮＡを有することで、基板Ｓを定位置に配置した状態で、ノズルＮＺのみを移動させることにより、基板Ｓ上に液状体Ｑをムラ無く塗布することができる。
【０１６３】
また、相対駆動部が、基板搬送部２５及びノズル駆動部ＮＡの両方を備えることで、相対駆動としては、例えば基板Ｓのみを移動させる、ノズルＮＺのみを移動させる、基板Ｓ及びノズルＮＺの両方を移動させる、といった態様を取り得る。
【０１６４】
また、この方法によれば、液状体Ｑとの間の親和性が液状体Ｑ同士の親和性よりも弱くなるようにコーティング層ＮＺｆが形成された先端部分ＴＰを基板Ｓに対向させ、先端部分ＡＴＰと基板Ｓとの間で液状体Ｑが挟持されるように吐出口ＯＰから液状体Ｑを吐出することで、液状体Ｑは先端部分ＴＰに付着しにくい状態になると共に、液状体Ｑ同士で接触しやすい状態となる。この状態で吐出口ＯＰから液状体Ｑを吐出しつつ先端部分ＴＰと基板Ｓとを相対移動させると、基板Ｓ上に配置された液状体Ｑが基板Ｓ上で互いに接触しようとするため、液状体Ｑは先端部分ＴＰからノズルＮＺ表面を伝って流れてしまうことなく、基板Ｓに定着しやすくなる。よって、基板Ｓ上に液状体Ｑをムラ無く塗布することができる。
【０１６５】
尚、本実施形態では、ノズルＮＺの少なくとも先端部分ＴＰがチタンを用いて形成される例を挙げて説明したが、これに限らない。例えば、ノズルＮＺの少なくとも先端部分ＴＰがＳＵＳを用いて形成されていてもよい。また、ノズルＮＺの少なくとも先端部分ＴＰがチタンやＳＵＳとは異なる材料を用いて形成されていてもよい。この構成においても、ノズルＮＺのうち少なくとも先端部分ＴＰがコーティング層ＮＺｆで覆われることで、ノズルＮＺの吐出口ＯＰから吐出された液状体ＱがノズルＮＺの先端部分ＴＰに付着することを抑制することができる。これにより、液状体Ｑが基板Ｓに定着しやすくなる。よって、基板Ｓ上に液状体Ｑをムラ無く塗布することができる。
【０１６６】
また、本実施形態では、コーティング層ＮＺｆが硬質炭化膜を用いて形成される例を挙げて説明したが、これに限らない。例えば、コーティング層ＮＺｆが、フッ素系樹脂、有機シリコン化合物（例えば、スピン・オン・ガラス：ＳＯＧともいう。）、無機シリコン化合物、炭化珪素（ＳｉＣ）を用いて形成されていてもよい。この構成においても、液状体Ｑがコーティング層ＮＺｆに付着しにくくなるため、液状体Ｑが基板Ｓに定着しやすくなる。よって、基板Ｓ上に液状体Ｑをムラ無く塗布することができる。
【０１６７】
また、本実施形態では、塗布動作を行う際、基板Ｓを定位置に配置した状態で、ノズルＮＺを移動させることで液状体Ｑを基板Ｓに塗布する例を挙げて説明したが、これに限らない。例えば、ノズルＮＺを定位置に配置した状態で、基板Ｓを移動させることで液状体Ｑを基板Ｓに塗布するようにしても構わない。また、ノズルＮＺと基板Ｓとを両方移動させるようにしても構わない。
【０１６８】
本発明の技術範囲は上記実施形態に限定されるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲で適宜変更を加えることができる。  
例えば、上記実施形態では、加熱チャンバー７０内（焼成室８０内）の硫化水素ガス、セレン化水素ガスの濃度の調整において、制御部ＣＯＮＴは、検出結果が第一閾値を下回る場合に、加熱チャンバー７０内に供給する硫化水素ガス、セレン化水素ガスの供給量を増加させる動作を例に挙げて説明したが、これに限られることはない。
【０１６９】
図２３は、焼成処理の一工程を示す図である。図２３に示すように、制御部ＣＯＮＴは、固体供給部８９を用いて、加熱チャンバー７０の内部に硫黄、セレンの単体を含む固体を供給させてもよい（供給ステップ）。この場合、加熱チャンバー７０の内部に供給された固体に含まれる硫黄、セレンは、加熱チャンバー７０内の熱によって昇華し、雰囲気中の硫黄元素濃度、セレン元素濃度の向上に寄与することとなる。
【０１７０】
また、例えば、上記実施形態では、加熱チャンバー７０の内部に気体濃度検出部ＳＲ１、ＳＲ２が配置された構成を例に挙げて説明したが、これに限られることはない。例えば、加熱チャンバー７０のうち所定位置の気体を加熱チャンバー７０の外部に排気し、排気された気体に含まれる硫化水素やセレン化水素の濃度を検出する構成であってもよい。
【０１７１】
また、例えば、上記実施形態では、焼成部ＢＫに配置された加熱チャンバー７０に気体濃度検出部ＳＲ１、ＳＲ２が配置された構成を例に挙げて説明したが、これに限られることはない。例えば、第一チャンバーＣＢ１と第二チャンバーＣＢ２とを接続する第三チャンバーＣＢ３に、上記気体濃度検出部ＳＲ１、ＳＲ２と同一構成の気体濃度検出部が配置された構成であってもよい。この場合、減圧乾燥部ＶＤによる加熱時に雰囲気中の硫化水素ガス、セレン化水素ガスの濃度の検出、当該濃度の調整を行うようにすればよい。
【０１７２】
また、例えば、気体濃度検出部ＳＲ１、ＳＲ２と同一構成の気体濃度検出部が、第一チャンバーＣＢ１の内部に配置された構成であってもよい。塗布処理部ＣＴによって塗布処理を行う際、カルコゲン元素を含む気体（例、硫化水素ガス、セレン化水素ガスなど）が発生する場合がある。したがって、塗布処理時においても、基板周囲の環境の変化を検知することが望ましい。
【０１７３】
この場合、気体濃度検出部は、基板Ｓが第一チャンバーＣＢ１に収容され（第一収容ステップ）、塗布処理部ＣＴによって基板Ｓに対して液状体の塗布処理が行われる（第一処理ステップ）場合において、塗布処理時に雰囲気中の硫化水素ガス、セレン化水素ガスの濃度を検出（検出ステップ）することが可能である。
【０１７４】
気体濃度検出部の位置は、例えばノズルＮＺの移動経路に沿った位置や、不図示の排気口を設けることで当該排気口又はその近傍の位置とすることができる。また、例えば、気体濃度検出部の位置が、液状体供給部３３と廃液貯留部３５との間の位置や、ノズル待機部４４の＋Ｘ側又は−Ｘ側の位置であってもよい。また、気体濃度検出部は、第一チャンバーＣＢ１の外部（例、外壁）に配置されていてもよい。
【０１７５】
尚、気体濃度検出部は、第一チャンバーＣＢ１、第二チャンバーＣＢ２（加熱チャンバー７０）及び第三チャンバーＣＢ３の内部のうち、少なくとも一つのチャンバー内に設けられた構成としてもよい。この場合、塗布処理、減圧乾燥処理及び加熱処理のうち少なくとも一つの処理時において、雰囲気中の硫化水素ガス、セレン化水素ガスの濃度の検出（検出ステップ）を行うことができ、当該濃度の調整を行うことができる。
【０１７６】
また、上記実施形態においては、第二チャンバーＣＢ２の焼成部ＢＫにおいて焼成動作を行わせる構成を例に挙げて説明したが、これに限られることは無い。例えば、図２４に示すように、第二チャンバーＣＢ２とは異なる位置に別途第四チャンバーＣＢ４が設けられ、当該第四チャンバーＣＢ４に設けられる加熱部ＨＴによって基板Ｓを加熱する構成であっても構わない。
【０１７７】
この場合、例えば基板Ｓに塗布膜Ｆを積層させた後、第四チャンバーＣＢ４の加熱部ＨＴにおいて、積層された塗布膜Ｆを焼成するための加熱処理（第二加熱ステップ）を行うようにすることができる。第二加熱ステップにおける加熱処理では、焼成部ＢＫによる加熱処理よりも高い加熱温度で塗布膜Ｆを加熱する。この加熱処理により、積層された塗布膜Ｆの固形分（金属成分）を結晶化させることができるので、塗布膜Ｆの膜質を更に高めることができる。
【０１７８】
尚、基板Ｓに塗布膜Ｆを積層させた後の加熱については、第二チャンバーＣＢ２の焼成部ＢＫにおいて行うようにしても構わない。この場合、焼成部ＢＫでは、塗布膜Ｆの各層を焼成する場合の加熱温度よりも、積層させた後の塗布膜Ｆを焼成する場合の加熱温度の方が高くなるように制御すれば良い。
【０１７９】
ここで、第四チャンバーＣＢ４内に上記実施形態に記載の気体濃度検出部ＳＲ１、ＳＲ２と同一構成の気体濃度検出部ＳＲ３が設けられた構成とすることができる。この場合、第四チャンバーＣＢ４内における加熱時に気体濃度検出部ＳＲ３によって硫化水素、セレン化水素の濃度を検出させることができる。また、気体濃度検出部ＳＲ３の検出結果に基づいて、第四チャンバーＣＢ４の雰囲気を調整することもできる。
【０１８０】
また、上記実施形態では、第三チャンバーＣＢ３内において基板Ｓと加熱部５３との距離を調整する昇降機構５３ａが加熱部５３を移動させる構成を例に挙げて説明したが、これに限られることは無い。例えば、昇降機構５３ａが加熱部５３のみならず、基板ＳをＺ方向に移動可能な構成であっても構わない。また、昇降機構５３ａが基板ＳのみをＺ方向に移動させる構成であっても構わない。
【０１８１】
また、上記実施形態では、減圧乾燥部ＶＤにおいて、基板Ｓの−Ｚ側（鉛直方向下側）に加熱部５３が配置された構成を例に挙げて説明したが、これに限られることは無く、例えば加熱部５３が基板Ｓの＋Ｚ側（鉛直方向上側）に配置された構成であっても構わない。また、昇降機構５３ａを用いて、基板Ｓの−Ｚ側の位置と基板Ｓの＋Ｚ側の位置との間を移動可能な構成としても構わない。この場合、加熱部５３の形状として、基板搬送部５５を構成する複数のローラー５７を通過可能な構成（例えば、加熱部５３に開口部が設けられている、など）となっていれば良い。
【０１８２】
また、塗布装置ＣＴＲの構成として、例えば図２５に示すように、基板供給回収部ＬＵの＋Ｘ側に、塗布処理部ＣＴを有する第一チャンバーＣＢ１、減圧乾燥部ＶＤを有する接続部ＣＮ及び焼成部ＢＫを有する第二チャンバーＣＢ２が繰り返して配置された構成であっても構わない。
【０１８３】
図２５では、第一チャンバーＣＢ１、接続部ＣＮ及び第二チャンバーＣＢ２が３回繰り返して配置された構成が示されているが、これに限られることは無く、第一チャンバーＣＢ１、接続部ＣＮ及び第二チャンバーＣＢ２が２回繰り返して配置された構成や、第一チャンバーＣＢ１、接続部ＣＮ及び第二チャンバーＣＢ２が４回以上繰り返して配置された構成であっても構わない。
【０１８４】
このような構成によれば、第一チャンバーＣＢ１、接続部ＣＮ及び第二チャンバーＣＢ２がＸ方向に直列に繰り返し設けられているため、基板Ｓを一方向（＋Ｘ方向）に搬送すれば良く、基板ＳをＸ方向に往復させる必要が無いため、基板Ｓに対して塗布膜を積層する工程を連続して行うことができる。これにより、基板Ｓに対して効率的に塗布膜を形成することができる。
【０１８５】
尚、上述した例において示した各構成部材の諸形状や組み合わせ等は一例であって、設計要求等に基づき種々変更可能である。例えば、上記実施形態においては、塗布処理部ＣＴの構成として、スリット型のノズルＮＺを用いた構成としたが、これに限られることは無く、例えば中央滴下型の塗布部を用いても構わないし、インクジェット型の塗布部を用いても構わない。また、例えば基板Ｓ上に配置される液状体をスキージなどを用いて拡散させて塗布する構成であっても構わない。
【０１８６】
また、例えば、上記塗布装置ＣＴＲを用いた処理を行う場合、第一チャンバーＣＢ１、第二チャンバーＣＢ２、第三チャンバーＣＢ３、加熱チャンバー７０を含むチャンバー装置の少なくとも１つにおいて、動作時の所定のタイミング（例えば、チャンバー装置への基板Ｓの搬入前、搬出後、ノズルＮＺによる液状体Ｑの吐出前、吐出後、加熱部５３による加熱前、加熱後、第一加熱板８３、第二加熱板８４による加熱前、加熱後など、各チャンバーにおける処理の前後を含む）又は非動作時に、必要に応じてメンテナンス処理や、チャンバー装置の周囲又は内部の状態を所定状態（例えば、初期状態、所定の雰囲気の状態、所定の温度状態など）にするための処理（例えば、構造物の移動、クリーニング、雰囲気調整、温度調整など）を適宜行ってもよい。
【０１８７】
また、上記メンテナンス処理、上記所定状態にするための各処理等を行う場合には、例えば洗浄液などを用いた洗浄を行ってもよいし、気体供給部５８、気体供給部８７あるいはこれらに対応する構成を用いて、窒素ガス、酸素ガス、アルゴンガス、空気、水蒸気などの各種ガスのうち少なくとも１つのガスあるいは他の種類のガスを適宜各チャンバー装置の周囲又は内部に供給してもよい。また、必要に応じて搬送系（例えば、ローラー、アームなど）を適宜作動させるようにしてもよい。
【０１８８】
また、上記実施形態において、塗布装置ＣＴＲが一つの部屋に収容される構成である場合、当該部屋の雰囲気を調整する気体供給排出部が設けられた構成であっても構わない。この場合、当該気体供給排出部を用いて部屋の雰囲気中のヒドラジンなどを排出することができるため、部屋全体の雰囲気の清浄化を行うことができ、より確実に塗布環境の変化を抑制することができる。
【０１８９】
尚、上記において実施形態又はその変形例として記載した各構成要素は、本発明の趣旨を逸脱しない範囲で適宜組み合わせることができるし、また、組み合わされた複数の構成要素のうち一部の構成要素を適宜用いないようにすることもできる。
【符号の説明】
【０１９０】
ＣＴＲ…塗布装置  Ｓ…基板  Ｑ…液状体  ＯＰ…吐出口（吐出部）  ＴＰ…先端部分  ＴＳａ，ＴＳｂ…傾斜部分（先端部分に隣接する部分）  ＴＳｃ，ＴＳｄ…壁部分（先端部分に隣接する部分）  ＮＡ…ノズル駆動部  ＮＺ…ノズル  ＮＺｆ…コーティング層  ＣＢ１…第一チャンバー（チャンバー）  ＣＢ２…第二チャンバー（チャンバー）  ＣＢ３…第三チャンバー（チャンバー）  Ｋ１…塗布空間  Ｋ２…塗布後移動空間  ２５…基板搬送部（基板駆動部）  ３１…塗布部  ３７ａ…気体供給部（不活性ガス供給部）  ５８…気体供給部（不活性ガス供給部）  ６８…気体供給部（不活性ガス供給部）  ７０…加熱チャンバー（チャンバー）  ８７…気体供給部（不活性ガス供給部）
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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【図２５】
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