(57)【要約】      （修正有）【課題】各種電子装置の光源に用いられる半導体レーザー素子における共振端面の保護膜について、放熱性及び水分等による劣化に対する信頼性に優れた保護膜を有する電子装置を提供する。【解決手段】電子装置である半導体レーザは基板１１の上にｎ型クラッド層１２、ｎ型ガイド層１３、活性層１４、ｐ型ガイド層１５、ｐ型クラッド層１６及びｐ型コンタクト層１７を順に積層してなり、軸方向（Ｙ方向）に対して垂直な面（ＸＺ平面）に平行な一対の共振器端面１０Ｔには反射膜としても機能する保護膜３０が形成されている。この保護膜３０は酸化アルミニウム層３１、及び酸化アルミニウム層３１の表面３１Ｓに点在する珪素酸化物３２を有する。前記保護膜３０は、共振器端面１０Ｔと酸化アルミニウム層３１との間に、より高い熱伝導率を有する窒化アルミニウム（ＡｌＮ）を含む中間層３３を更に有するとよい。【選択図】図２
2015023055.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
電子素子と、
前記電子素子を覆う酸化アルミニウム層、および前記酸化アルミニウム層の表面に点在する珪素酸化物を有する保護膜と
を備えた電子装置。
【請求項２】
前記保護膜は、前記電子素子と前記酸化アルミニウム層との間に窒化アルミニウムを含む中間層をさらに有する
請求項１記載の電子装置。
【請求項３】
前記酸化アルミニウム層の表面における前記珪素酸化物の分布密度は、５×１０16 個／ｃｍ2 以下である
請求項１記載の電子装置。
【請求項４】
前記珪素酸化物は、ＳｉＯｘ（０＜ｘ≦２）である
請求項１記載の電子装置。
【請求項５】
前記珪素酸化物は、前記酸化アルミニウム層の表面に酸素および珪素を含むプラズマを照射することで形成されたものである
請求項１記載の電子装置。
【請求項６】
前記電子素子は半導体発光素子であり、
前記保護膜は最上層として前記半導体発光素子の共振器端面を覆っている
請求項１記載の電子装置。
【請求項７】
前記電子素子は有機発光素子であり、
前記保護膜は前記有機発光素子の端面を覆っている
請求項１記載の電子装置。
【請求項８】
前記電子素子は撮像素子であり、
前記保護膜は最上層として前記撮像素子を覆っている
請求項１記載の電子装置。
【請求項９】
記録面を有する光ディスクと、
前記光ディスクの記録面に照射光を照射する光源と、
前記光ディスクの記録面からの反射光を検出する光検出器と、
前記光ディスク、光源および光検出器の動作を制御する制御部と
を備え、
前記光源は、
前記照射光を発する共振器端面を含む半導体発光素子と、
前記半導体発光素子の共振器端面を覆う酸化アルミニウム層、および前記酸化アルミニウム層の表面に点在する珪素酸化物を有する保護膜と
を有する
光ディスク装置。
【請求項１０】
一対の基板と、
前記一対の基板に挟持され、第１の電極、有機層および第２の電極を順に含む有機発光素子と、
前記有機発光素子の端部を覆う酸化アルミニウム層、および前記酸化アルミニウム層の表面に点在する珪素酸化物を有する保護膜と
を備えた表示装置。
【請求項１１】
光電変換素子を含む受光部、および入射光を前記受光部へ集光する集光部を有する撮像素子と、
前記撮像素子を覆う酸化アルミニウム層、および前記酸化アルミニウム層の表面に点在する珪素酸化物を有する保護膜と
を備えた撮像装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本開示は、保護膜を有する電子装置、光ディスク装置、表示装置および撮像装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、光ディスク記録再生装置用の光源として、各種の半導体レーザ素子（半導体発光素子）が広く用いられている。最近では、記録密度の高い次世代高密度光ディスクの光源として、窒化ガリウム（ＧａＮ）等のＩＩＩ−Ｖ族窒化物半導体を用いた青紫色半導体レーザ素子の需要が高まっている。
【０００３】
これらの半導体レーザ素子における共振器端面には、酸化物からなる保護膜が形成される。外部からの水分浸入を防ぎ、半導体レーザ素子の劣化および損傷を防ぐためである。そのような保護膜としては、ＳｉＯ2 ，ＳｉＮ，ＡｌＯあるいはＡｌＮなどが用いられている（例えば特許文献１から５を参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２０１１−０６０９３２号公報
【特許文献２】特開２００７−３２４１９３号公報
【特許文献３】特開２００３−３３２０３２号公報
【特許文献４】特開２００６−０４１４０３号公報
【特許文献５】特開２００７−１８９０９７号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
保護膜に用いられる上記材料のうち、耐水性の点ではＳｉＯ2 が優れるが、熱伝導率が低く、半導体レーザ素子における動作時の熱を効率的に放出することが難しい。また、ＳｉＮおよびＡｌＮなどの窒化物は酸化物と比べて成膜時における膜応力が大きくなりやすいうえ、安定的な成膜条件を維持しにくい。また、窒化飽和度が不十分な場合に特定の波長光に対する吸収が生じるおそれもある。また、ＡｌＯは、外部からの水分や内在する水分により多結晶化が進み、膜の体積変化や屈折率などの光学的性能の変化が生ずることがある。
【０００６】
そこで、例えば特許文献１にあるように、共振器端面を覆うＡｌＯの上に、耐水性を有するＳｉＯ2をさらに設ける方法が考えられる。しかしながら、その場合、ＡｌＯの内部に含まれる水分が外部へ放出されず、ＡｌＯの内部で局在化し、やはり多結晶化による劣化が生ずる可能性が否定できない。したがって、高い熱伝導率を有し、かつ水分による劣化の生じにくい保護膜が望まれる。
【０００７】
本開示はかかる問題点に鑑みてなされたもので、その目的は、放熱性および信頼性に優れた保護膜を有する電子装置、光ディスク装置、表示装置および撮像装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本開示の一実施形態としての電子装置は、電子素子と、その電子素子を覆う酸化アルミニウム層、および酸化アルミニウム層の表面に点在する珪素酸化物を有する保護膜とを備える。
【０００９】
本開示の一実施形態としての光ディスク装置は、記録面を有する光ディスクと、この光ディスクの記録面に照射光を照射する光源と、光ディスクの記録面からの反射光を検出する光検出器と、光ディスク、光源および光検出器の動作を制御する制御部とを備える。光源は、照射光を発する共振器端面を含む半導体発光素子と、この半導体発光素子の共振器端面を覆う酸化アルミニウム層、および酸化アルミニウム層の表面に点在する珪素酸化物を有する保護膜とを有する。
【００１０】
本開示の一実施形態としての表示装置は、一対の基板と、これら一対の基板に挟持され、第１の電極、有機層および第２の電極を順に含む有機発光素子と、有機発光素子の端部を覆う酸化アルミニウム層、および酸化アルミニウム層の表面に点在する珪素酸化物を有する保護膜とを備える。
【００１１】
本開示の一実施形態としての撮像装置は、光電変換素子を含む受光部、および入射光を前記受光部へ集光する集光部を有する撮像素子と、その撮像素子を覆う酸化アルミニウム層、および酸化アルミニウム層の表面に点在する珪素酸化物を有する保護膜とを備える。
【００１２】
本開示の一実施形態としての電子装置、光ディスク装置、表示装置および撮像装置では、電子素子を覆う酸化アルミニウム層の表面に珪素酸化物が点在するので、酸化アルミニウム層への水分浸入が防止される一方、酸化アルミニウム層に内在する水分は外部へ放出される。また、酸化アルミニウム層の熱伝導率が高いうえ、点在する珪素酸化物の隙間から外部へ熱が効率的に放出される。
【発明の効果】
【００１３】
本開示の一実施形態としての電子装置、光ディスク装置、表示装置および撮像装置によれば、放熱性に優れ、かつ、構造や性能劣化の少ない保護膜を有しているので、高い動作性能を長期に亘って安定的に発揮することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１４】
【図１】本開示における第１の実施の形態に係る半導体発光素子を有する発光装置の概略構成を表す断面図である。
【図２】図１に示した半導体発光装置の他の断面図である。
【図３Ａ】図１に示した半導体発光素子を製造するための一工程を表す断面図である。
【図３Ｂ】図３Ａに続く一工程を表す断面図である。
【図３Ｃ】図３Ｂに続く一工程を表す断面図である。
【図４】図１に示した半導体発光素子を製造に使用するＥＣＲスパッタ装置の模式図である。
【図５】本開示における第２の実施の形態に係る光ディスク装置の概略図である。
【図６】図５に示した光ディスク装置における光ピックアップの構成を表す概略図である。
【図７】本開示における第３の実施の形態に係る表示装置の概略断面図である。
【図８】本開示における第４の実施の形態に係る撮像素子の概略断面図である。
【図９】図８に示した撮像素子を搭載した撮像装置の概略図である。
【発明を実施するための形態】
【００１５】
以下、本開示の実施の形態について図面を参照して詳細に説明する。なお、説明は以下の順序で行う。
１．第１の実施の形態
半導体発光素子の共振器端面に保護膜を設けた発光装置。
２．第２の実施の形態
半導体発光素子の共振器端面に保護膜を設けた光源を備えた光ディスク装置。
３．第３の実施の形態
保護膜に覆われた有機発光素子を備えた表示装置。
４．第４の実施の形態
保護膜に覆われた撮像素子、およびそれを備えた撮像装置。
【００１６】
＜第１の実施の形態＞
［発光装置の構成］
図１は、本開示の一実施の形態に係る半導体発光素子（半導体レーザ素子）１０を備えた発光装置の断面構成を表したものである。図２は、その発光装置における、図１に示した断面と直交する断面を表したものである。具体的には、図１は半導体発光素子１０の共振器端面に平行な断面を表し、図２は半導体発光素子１０の共振器の長手方向に沿った断面を表している。
【００１７】
半導体発光素子１０は、ＧａＮからなる基板１１（窒化物半導体基板）上に例えばＩＩＩ−Ｖ族窒化物半導体層（以下、単に半導体層）２０を成長させたものである。  ここでいうＩＩＩ−Ｖ族窒化物半導体とは、Ｇａ（ガリウム）と（Ｎ）窒素とを含んだ窒化ガリウム系化合物を意味する。例えばＧａＮ，ＡｌＧａＮ（窒化アルミニウム・ガリウム），あるいはＡｌＧａＩｎＮ（窒化アルミニウム・ガリウム・インジウム）などが挙げられる。これらは、必要に応じてＳｉ（珪素），Ｇｅ（ゲルマニウム），Ｏ（酸素），Ｓｅ（セレン）などのＩＶ族およびＶＩ族元素からなるｎ型不純物、または、Ｍｇ（マグネシウム），Ｚｎ（亜鉛），Ｃ（炭素）などのＩＩ族およびＩＶ族元素からなるｐ型不純物を含有している。
【００１８】
半導体層２０は、基板１１の上に、ｎ型クラッド層１２，ｎ型ガイド層１３，活性層１４，ｐ型ガイド層１５、ｐ型クラッド層１６およびｐ型コンタクト層１７を順に積層してなるレーザ構造（発光素子構造）を有する。なお、以下、半導体層２０の積層方向（Ｚ軸方向）を縦方向、レーザ光の射出方向を軸方向（Ｙ軸方向）、軸方向と縦方向とに垂直な方向を横方向（Ｘ軸方向）と称する。
【００１９】
ｎ型クラッド層１２は例えばｎ型ＡｌＧａＮにより構成され、ｎ型ガイド層１３は例えばｎ型ＧａＮにより構成される。活性層１４は例えばアンドープのＧａＩｎＮ多重量子井戸構造を有する。ｐ型ガイド層１５は例えばｐ型ＧａＮ、ｐ型クラッド層１６は例えばＡｌＧａＮ、ｐ型コンタクト層１７は例えばｐ型ＧａＮによりそれぞれ構成される。
【００２０】
また、ｐ型クラッド層１６の一部およびｐ型コンタクト層１７は、軸方向に延在する帯状のリッジ部（突条部）１８を構成している。活性層１４のうち、リッジ部１８に対応する領域が電流注入領域（発光領域）となる。なお、リッジ部１８は、活性層１４の電流注入領域の大きさを制限すると共に、横方向の光モードを基本（０次）モードに安定に制御し、軸方向に導波させる機能を有する。
【００２１】
リッジ部１８の両側面は絶縁層２３により覆われている。リッジ部１８のｐ型コンタクト層１７上には、これとオーミック接続されたｐ側コンタクト電極層２１が形成されている。さらに、ｐ側コンタクト電極層２１および絶縁層２３を覆うようにｐ側パッド電極層２２が設けられている。また、リッジ部１８の延在方向（軸方向）に対して垂直な面（ＸＺ平面）に平行な一対の共振器端面１０Ｔには、図２に示したように、反射膜としても機能する保護膜３０がそれぞれ形成されている。但し、図２では、一方の共振器端面１０Ｔおよびそれを覆う保護膜３０を示し、他方の共振器端面１０Ｔおよびそれを覆う保護膜３０を省略している。これら一対の保護膜３０は、互いに異なる反射率を有する。これにより、活性層１４において発生した光は一対の保護膜３０の間を往復して増幅され、一方の保護膜３０からレーザビームとして出射するようになっている。
【００２２】
保護膜３０は、反射膜としての機能のほか、外部からの水分浸入を防ぎ、半導体発光素子１０の劣化および損傷を防ぐ機能を有する。また、半導体発光素子１０における動作時の熱を外部へ放出する放熱層としての機能をも有する。
【００２３】
保護膜３０は、共振器端面１０Ｔを覆う酸化アルミニウム層３１と、その酸化アルミニウム層３１の表面３１Ｓに点在する珪素酸化物３２とを有する。ここでいう珪素酸化物３２は、例えばＳｉＯｘ（０＜ｘ≦２）で表され、例えば酸化アルミニウム層３１の表面３１Ｓに酸素（Ｏ）および珪素（Ｓｉ）を含むプラズマを照射することで形成され得るものである。珪素酸化物３２は、外径が例えば１０数ｎｍ以下の微粒子として存在する。その微粒子は、他の微粒子から孤立していてもよいし、他の微粒子と密接した状態（凝集した状態）で存在していてもよい。また、酸化アルミニウム層３１の表面３１Ｓにおける珪素酸化物３２の分布密度は例えば５×１０16 個／ｃｍ2 以下であり、珪素酸化物３２は離散的に設けられており、緻密な膜を形成していない状態で存在する。但し、ブルーレイディスク（Ｂｌｕｅ−ｒａｙ  Ｄｉｓｃ：登録商標）への書き込みや読み出しを行うための光ディスク装置における光源としてこの発光装置を用いる場合、珪素酸化物３２の分布密度は５×１０15 個／ｃｍ2 以下が好ましい。酸化アルミニウム層３１の反射率の変化を抑えるためである。また、耐水性を十分に確保するため、表面３１Ｓにおける珪素酸化物３２の分布密度は例えば３×１０14 個／ｃｍ2 以上であるとよい。但し、酸化アルミニウム層３１の表面３１Ｓに珪素酸化物３２が僅かでも存在すれば、酸化アルミニウム層３１の劣化を抑える効果が得られる。なお、ＸＰＳでの検出限界は本出願時点では５×１０13 個／ｃｍ2 程度である。
【００２４】
保護膜３０は、さらに、共振器端面１０Ｔと酸化アルミニウム層３１との間に、より高い熱伝導率を有する窒化アルミニウム（ＡｌＮ）を含む中間層３３をさらに有するとよい。
【００２５】
絶縁層２３は、例えばＳｉＯ2（二酸化珪素）またはＳｉＮ（窒化珪素）などの絶縁材料により構成される。
【００２６】
ｐ側コンタクト電極層２１は、半導体層２０のｐ側コンタクト層１７と接すると共に、仕事関数の比較的大きな金属元素を含むとよい。また、ｐ側コンタクト電極層２１は、単層構造であってもよいが、多層構造を有するとよい。具体的には、ｐ側コンタクト電極層２１は例えばｐ側コンタクト層１７の上にＰｄ（パラジウム）層とＰｔ（白金）層とがこの順に積層されたものがよい。
【００２７】
ｐ側パッド電極層２２は、例えばＣｕ（銅）などの高導電性材料からなり、ｐ側コンタクト電極層２１の全てを覆うように設けられているとよい。すなわち、ｐ側パッド電極層２２は、ｐ側コンタクト電極層２１の上面と全面的に接しているとよい。なお、ｐ側コンタクト電極層２１とｐ側パッド電極層２２とは電気的に接続されてさえいれば、直接接していなくてもよい。すなわち、ｐ側コンタクト電極層２１とｐ側パッド電極層２２との間に他の導電性材料層を設けてもよい。
【００２８】
ｐ側パッド電極層２２の上には、例えばＡｕからなるめっき層２４が設けられている。このめっき層２４は、半導体発光素子１０が駆動した際の半導体層２０の発した熱を外部へ放出する放熱層として機能する。めっき層２４の形成領域は、ｐ側パッド電極層２２の形成領域と一致していてもよいし、ｐ側パッド電極層２２の一部のみを覆うようにしてもよい。あるいは、ｐ側パッド電極層２２の全てと、その周辺領域とを覆うようにしてもよい。なお、めっき層２４とｐ側パッド電極層２２とは、相互に電気的に接続されてさえいれば直接接していなくてもよい。すなわち、めっき層２４とｐ側パッド電極層２２と他の導電性材料層を設けてもよい。
【００２９】
基板１１の裏面には、ｎ側電極層２５が設けられている。ｎ側電極層２５は、例えば、ＡｕとＧｅ（ゲルマニウム）との合金層と、Ｎｉ層と、Ａｕ層とを基板１１の側から順に積層した構造を有する。
【００３０】
［発光装置の製造方法］
このような構成を有する半導体発光素子１０を備えた発光装置は、例えば次のようにして製造することができる。
【００３１】
図３Ａ〜図３Ｃは、発光装置のうちの半導体発光素子１０の製造方法を工程順に表した断面図である。半導体発光素子１０は、基板１０の上に、例えばＭＯＣＶＤ法により半導体層２０を形成する。この際、ＧａＮ系化合物半導体の原料としては、例えば、トリメチルアルミニウム（ＴＭＡ）、トリメチルガリウム（ＴＭＧ）、トリメチルインジウム（ＴＭＩｎ）、アンモニア (ＮＨ3)を用い、ドナー不純物の原料としては、例えば、例えばセレン化水素（Ｈ2Ｓｅ）を用い、アクセプタ不純物の原料としては、例えばジメチル亜鉛（ＤＭＺｎ）を用いる。
【００３２】
具体的には、まず、図３Ａに示したように、基板１１上に、ｎ型バッファ層１１、ｎ型クラッド層１２、ｎ型ガイド層１３、活性層１４、ｐ型ガイド層１５、ｐ型クラッド層１６およびｐ型コンタクト層１７をこの順に積層する。
【００３３】
次に、例えばｐ型コンタクト層１７の上にマスク層（図示せず）を選択的に形成する。そののち、反応性イオンエッチング（Reactive Ion Etching；ＲＩＥ）法により、そのマスク層により覆われていない露出領域のｐ型コンタクト層１７の全ておよびｐ型クラッド層１６の一部を除去する。そののち、マスク層を除去する。これにより、図３Ｂに示したように、半導体層２０上部に、軸方向に延在する帯状のリッジ部１８が形成される。
【００３４】
次いで、図３Ｃに示したように、半導体層２０の表面に絶縁膜を成膜したのち、その絶縁膜に対しリソグラフィー処理およびエッチング加工を行うことにより、リッジ部１８のｐ型コンタクト層１７上に開口を有する絶縁層２３を形成する。そののち、絶縁層２３の開口を埋めるように、ｐ側コンタクト電極層２１を形成する。さらに、リソグラフィー処理、エッチング加工およびリフトオフ加工を行うことにより、ｐ側コンタクト電極層２１を覆うようにｐ側パッド電極層２２を形成する。さらに、例えば、基板１１の裏面側をラッピングして基板１１の厚さを調整したのち、リソグラフィー処理、エッチング加工およびリフトオフ加工を行うことにより、ｎ側電極層２５を形成する。さらに、電解めっき法などのめっき法を用いて、ｐ側パッド電極層２２を覆うようにめっき層２４を形成する。最後に、軸方向の一対の端面に反射鏡膜（図示せず）を形成するなどして半導体発光素子１０が完成する。
【００３５】
半導体発光素子１０が完成したのち、図４に示した電子サイクロトロン共鳴（ＥＣＲ）プラズマ成膜装置（以下、単にＥＣＲ装置という。）を用いて、その共振器端面１０Ｔに保護膜３０を以下のようにして製造する。
【００３６】
このＥＣＲ装置は、プラズマ室１０４、成膜室１０５、ターゲット材１１０、および複数の磁気コイル１１２を備えている。プラズマ室１０４は、ＥＣＲプラズマを発生させる部位であり、磁場を生成する磁気コイル１１２がその周囲に設けられている。成膜室１０５は、その内部に設けられた試料台１１１に試料を載置し、その試料に対し成膜を行う部位である。成膜室１０５はプラズマ室１０４と連結されており、プラズマ室１０４で発生したプラズマが導入される。また、成膜室１０５の内部には、ターゲット材１１０が保持されている。ターゲット材１１０は、高周波（Radio Frequency：ＲＦ）電源１１３と接続されており、スパッタ量がＲＦ電源１１３により制御される。本実施形態においては、ターゲット材１１０として高純度のＡｌ（アルミニウム）またはＳｉ（珪素）を用いる。
【００３７】
プラズマ室１０４には、成膜室１０５と反対側に導入窓１０６が設けられており、マイクロ波導入口１０３から導入されたマイクロ波が導入窓１０６を通じてプラズマ室１０４に導入される。プラズマ室１０４において、導入されたマイクロ波と磁気コイル１１２により生成された磁場とによってＥＣＲプラズマが生成されるようになっている。
【００３８】
成膜室１０５は、さらにガス導入口１０１と排気口１０２とを有する。成膜室１０５内部の空気は排気口１０２を通じて排気され、ガス導入口１０１を通じてＡｒ（アルゴン）ガス、Ｎ2 （窒素）ガスおよびＯ2 （酸素）ガスが導入可能となっている。成膜室１０５の内部には、プラズマ室１０４と対向する位置に試料台１１１が配置されている。試料台１１１の上には、一次劈開された半導体発光素子１０が、その共振器端面１０Ｔをプラズマ室１０４と対向する姿勢で保持される。プラズマ室１０４の内壁面は、ＥＣＲプラズマから保護されるように、石英からなる部材で覆われている。すなわち、プラズマ室１０４の内壁面を覆う石英部材として、エンドプレート１０７、インナーチューブ１０８および窓プレート１０９がそれぞれ設けられている。
【００３９】
なお、保護膜３０を形成する前に、Ａｒガスからなるプラズマクリーニングを行うことにより、共振器端面１０Ｔの清浄化処理を実施することが好ましい。清浄化処理は、ＥＣＲ装置においてターゲット材１１０にバイアス電圧を印加しない状態でプラズマ照射のみを行う。すなわち、無バイアス状態でプラズマを発生させることによって、清浄化処理を行うことができる。なお、清浄化処理は、Ａｒガスのみでなく、ＡｒガスとＮ2ガスとの混合ガスで行ってもよい。
【００４０】
次に、ＥＣＲ装置により共振器端面１０Ｔに保護膜３０を製造する方法について詳細に説明する。
【００４１】
まず、高純度のＡｌからなるターゲット材１１０を設置する。次に、ＡｒガスおよびＮ2ガスを成膜室１０５に導入してアルゴンおよび窒素の混合プラズマを発生させる。その状態のまま、ターゲット材１１０に所定のバイアス電圧を印加することにより、半導体発光素子１０の共振器端面１０ＴにＡｌＮ（窒化アルミニウム）からなる中間層３３を堆積させる。
【００４２】
中間層３３の形成ののち、ＡｒガスおよびＯ2ガスを成膜室１０５に導入し、アルゴンおよび酸素の混合プラズマを発生させる。その状態のまま、ターゲット材１１０に所定のバイアス電圧を印加することにより、共振器端面１０Ｔを覆うＡｌＮからなる中間層３３の上に、ＡｌＯからなる酸化アルミニウム層３１を堆積させる。
【００４３】
そののち、高純度のＳｉからなるターゲット材１１０を設置したのち、成膜室１０５の内部にアルゴンおよび酸素の混合プラズマを発生させる。その状態のまま、ターゲット材１１０に所定のバイアス電圧を印加することにより、微量のＳｉを成膜室１０５へ導入させる。これにより所望の照射プラズマが得られるので、この照射プラズマを酸化アルミニウム層３１の表面３１Ｓに対し所定の時間に亘って照射することで、珪素酸化物３２を形成する。その際、表面３１Ｓに対する照射プラズマの照射時間等を変化させることで、所定の分布密度となるように調整する。
【００４４】
［発光装置の作用および効果］
この発光装置における半導体発光素子１０では、リッジ部１８のｐ側コンタクト電極層２１とｎ側電極層２５との間に所定の電圧が印加されると、リッジ部１８により電流狭窄された電流が電流注入領域（発光領域）に注入される。これにより電子と正孔の再結合による発光が生じる。この光は、一対の保護膜３０により反射され、一往復したときの位相の変化が２πの整数倍となる波長でレーザ発振を生じ、ビームとして外部に出射される。
【００４５】
上述したように、半導体発光素子１０の共振器端面１０Ｔは、中間層３３と酸化アルミニウム層３１と珪素酸化物３２とを有する保護膜３０によって覆われている。このため、半導体発光素子１０への外部からの水分浸入を防ぎ、半導体発光素子１０の性能劣化および損傷を回避することができる。
【００４６】
また、酸化アルミニウム層３１の表面３１Ｓに珪素酸化物３２が点在するので、酸化アルミニウム層３１への水分浸入が効果的に防止される一方、酸化アルミニウム層３１に内在する水分は外部へ放出される。よって、酸化アルミニウム層３１の内部において水分が局在化しにくい。さらに、酸化アルミニウム層３１の熱伝導率が例えば珪素酸化物などと比較して高いうえ、点在する珪素酸化物３２に隙間があるので、表面３１Ｓから外部へ熱が効率的に放出される。よって、半導体発光素子１０の、動作時における発熱を緩和することができるうえ、酸化アルミニウム層３１自体の構造劣化を防ぐことができる。さらに、中間層３３としてＡｌＮを用いることで、より効率的に半導体発光素子１０の熱を放散することができる。
【００４７】
酸化アルミニウムは、内在する水分や外部から浸入した水分によりアモルファス状態から多結晶へ変化するなどの反応を生じ、その結果、種種の劣化を引き起こす場合がある。また、その劣化は温度が高いほど顕著である。具体的にはボイドの発生、屈折率の変化、体積変化による局所的な応力発生に伴う構造的破壊、消衰係数の変化、熱伝導率の低下などの現象が現れる。しかしながら本実施の形態では、上述した保護膜３０を設けることで効果的に水分を除去し、これらの劣化現象を抑制することができる。その結果、本実施の形態の発光装置は、高い動作性能を長期に亘って安定的に発揮することができる。
【００４８】
＜第２の実施の形態＞
［光ディスク装置の構成］
図５は、本開示の第２の実施の形態に係る光ディスク装置の概略図である。
【００４９】
この光ディスク装置は、上記第１の実施の形態で説明した半導体発光素子１０を有する発光装置を光源として備えている。具体的には、光ディスク５０、送りモータ５１、スピンドルモータ５２、光ピックアップ６０と、制御部７０とを備える。
【００５０】
光ディスク５０は、ブルーレイディスク（Ｂｌｕｅ−ｒａｙ  Ｄｉｓｃ：登録商標）その他の光学ディスクであり、音声情報や画像情報等の各種情報が記録された記録面５０Ｓを有する。
【００５１】
光ピックアップ６０は、光ディスク５０に光ビームを照射して、光ディスク５０に記録された音声情報、画像情報等の各種情報の読み取りを行う。この光ピックアップ１には、ＣＤ用光ビーム、ＤＶＤ用光ビーム、ブルーレイディスク用光ビームが設けられている。なお、光ピックアップ６０の詳細については後述する。
【００５２】
制御部７０は、信号生成回路２１、ＤＳＰ（Digital Signal Processor）７２、再生処理回路７３、出力回路７４、システムコントローラ７５、ドライバ７６、操作部７７、表示部７８および記録部７９を有している。
【００５３】
信号生成回路７１は、光ピックアップ６０が含む光検出器６９（後出）により得られた信号をもとに演算処理を行う。その演算処理により、例えばＲＦ信号、フォーカスエラー信号、トラッキングエラー信号、メインプッシュプル信号、および全反射信号等の各種信号を生成し、得られた各種信号をＤＳＰ７２へ出力する。
【００５４】
ＤＳＰ７２は、信号生成回路７１より入力したＲＦ信号をもとに画像処理を行うことにより画像信号を生成し、再生処理回路７３へ与える。再生処理回路７３は、画像信号を不図示のモニタへ出力するためにＤ／Ａ変換処理を行う。変換処理により得られた信号は、出力回路７４により外部装置へ出力される。
【００５５】
またＤＳＰ７２は、信号生成回路７１より入力したフォーカスエラー信号やトラッキングエラー信号に基づいてサーボ信号を生成する。例えばトラッキングサーボを行うためのトラッキングサーボ信号や、フォーカスサーボを行うためのフォーカスサーボ信号を生成する。生成されたサーボ信号はドライバ７６へ与えられる。これにより例えば、光ピックアップ６０に含まれる対物レンズ６７（後出）のフォーカス制御やトラッキング制御等が実施される。
【００５６】
システムコントローラ７５は、ＤＳＰ７２を介して、光ピックアップ６０、送りモータ５１およびスピンドルモータ５２などの動作の制御を行う。
【００５７】
システムコントローラ７５は、操作部７７からの情報を受け付け、その情報をＤＳＰ７２に伝送すると共に、ＤＳＰ７２から受けた情報を表示部７８に伝送する。またシステムコントローラ７５は、各種演算に用いる情報を、半導体記録媒体等からなる記録部７９に記録する。
【００５８】
ドライバ７６は、ＤＳＰ７２から与えられるサーボ信号等に基づいて、光ピックアップ６０、送りモータ５１およびスピンドルモータ５２の駆動を制御する。送りモータ５１は、光ピックアップ６０を光ディスク５０の径方向に駆動する。スピンドルモータ５２は、光ディスク５０を、その回転方向に駆動する。
【００５９】
［光ピックアップの構成］
図６は、光ピックアップ６０の光学系を示す概略図である。
【００６０】
光ピックアップ６０は、光ディスク５０の記録面５０Ｓに対してレーザ光を照射し、記録面５０Ｓからの反射光を受光する。これにより、光ディスク５０の記録面５０Ｓに記録されている各種情報を読み取る。
【００６１】
光ピックアップ６０は、第１の光源６１Ａ、第２の光源６１Ｂ、ダイクロイックプリズム６２、コリメートレンズ６３、ビームスプリッタ６４、ミラー６５、液晶光学素子６６、対物レンズ６７、検出レンズ６８、光検出器６９およびアクチュエータ５３を備えている。
【００６２】
第１の光源６１Ａおよび第２の光源６１Ｂは、いずれも、上記第１の実施の形態で説明した半導体発光素子１０が適用される。第１の光源６１Ａは、例えばＤＶＤに対応する６５０ｎｍ帯の光ビームと、ＣＤに対応する７８０ｎｍ帯の光ビームとを出射できるレーザダイオードである。第２の光源６１Ｂは、ブルーレイディスクに対応する４０５ｎｍ帯の光ビームを出射できるレーザダイオードである。
【００６３】
ダイクロイックプリズム６２は、ＤＶＤ用の光ビームを出射する第１の光源６１Ａから出射される光ビームを透過し、ブルーレイディスク用の光ビームを出射する第２の光源６１Ｂから出射される光ビームを反射する。そして、第１の光源６１Ａおよび第２の光源６１Ｂからそれぞれ出射される光ビームの光軸を一致させる。ダイクロイックプリズム６２において透過し、または反射された光ビームは、コリメートレンズ６３に送られる。
【００６４】
コリメートレンズ６３は、ダイクロイックプリズム６２を透過した光ビームを平行光に変換する。ここで、平行光とは、第１の光源６１Ａおよび第２の光源６１Ｂからそれぞれ出射された光ビームにおける全ての光路が光軸とほぼ平行である光をいう。コリメートレンズ６３で平行光とされた光ビームは、ビームスプリッタ６４に送られる。
【００６５】
ビームスプリッタ６４は、入射する光ビームを分離する光分離素子として機能する。具体的には、コリメートレンズ６３から送られてきた光ビームを透過して光ディスク５０へ向けて導くとともに、光ディスク５０の記録面５０Ｓで反射された反射光を反射して光検出器６９へ導く。ビームスプリッタ６４を透過した光ビームは、ミラー６５へ送られる。
【００６６】
ミラー６５は、ビームスプリッタ６４を透過してきた光ビームを反射して光ディスク５０へと導く。ミラー６５は、ビームスプリッタ６４からの光ビームの光軸に対して４５°傾いた状態となっており、ミラー６５で反射された光ビームの光軸は、光ディスク５０の記録面とおおよそ直交する。ミラー６５で反射された光ビームは、液晶光学素子６６に送られる。
【００６７】
液晶光学素子６６は、透明電極に挟まれた液晶（いずれも図示せず）に電圧を印加することで、液晶分子がその配向方向を変える性質を利用して、屈折率の変化を制御し、液晶光学素子６６を透過する光ビームの位相の制御を可能とする素子である。
【００６８】
液晶光学素子６６を配置することによって、光ディスク５０の記録面５０Ｓを保護する樹脂層の厚みの違い等によって生じる球面収差の補正が可能となる。液晶光学素子６６を通過した光ビームは対物レンズ６７へと送られる。
【００６９】
対物レンズ６７は、液晶光学素子６６を透過した光ビームを光ディスク５０の記録面５０Ｓ上に集光させる。また、対物レンズ６７はアクチュエータ５３によって、例えば、図６の上下方向および左右方向に移動可能とされており、フォーカスサーボ信号及びトラッキングサーボ信号に基づいてその位置が制御される。
【００７０】
光ディスク５０で反射された反射光は、対物レンズ６７と液晶光学素子６６とを順に通過し、ミラー６５で反射されたのち、さらにビームスプリッタ６４で反射されて検出レンズ６８によって光検出器６９上に設けられる受光素子（図示せず）へと集光される。
【００７１】
光検出器６９は、フォトダイオード等の受光素子を用いて受光した光を、電気信号に変換して信号生成回路７１へ出力する。光検出器６９は例えば四分割された受光領域を備えており、領域毎に個別に光電変換を行って電気信号を出力することが可能である。
【００７２】
アクチュエータ５３は、ドライバ７６で生成され出力された対物レンズ駆動信号に従って、対物レンズ６７を例えば光ディスク５０の径方向に移動させる。
【００７３】
［光ディスク装置の作用および効果］
この光ディスク装置では、光ピックアップ６０における第１および第２の光源６１Ａ，６１Ｂとして、半導体発光素子１０を用いるようにした。このため、この光ディスク装置は、高い動作性能を長期に亘って安定的に発揮することができる。
【００７４】
＜第３の実施の形態＞
［表示装置の構成］
図７は、本開示の第３の実施の形態に係る有機発光素子２０２を用いた表示装置の断面構成を表す。この表示装置は、極薄型の有機発光カラーディスプレイ装置などとして用いられる。この表示装置は、基板２１１の上にマトリクス状に二次元配置された複数の有機発光素子２０２と、それらを駆動するための画素駆動回路（図示せず）とが形成されている。画素駆動回路は、基板２１１と有機発光素子１０との間の階層である画素駆動回路形成層２１２）に設けられている。
【００７５】
図７に示したように、この表示装置では、基板２１１に画素駆動回路形成層２１２が設けられてなる基体２１０の上に、複数の有機発光素子２０２を含む発光素子形成層２２０が形成されている。有機発光素子２０２の上には、保護膜２１８と封止基板２１９とが順に設けられている。有機発光素子２０２は、基板２１１の側から、アノード電極としての第１電極層２１３、発光層（図示せず）を含む有機層２１４、およびカソード電極としての第２電極層２１６が各々順に積層されたものである。有機層２１４および第１電極層２１３は、開口規定絶縁膜２２４によって有機発光素子２０２ごとに分離されている。一方、第２電極層２１６は、全ての有機発光素子２０２に共通して設けられている。
【００７６】
開口規定絶縁膜２２４は、隣り合う有機発光素子２０２における第１電極層２１３および有機層２１４同士の隙間、すなわち、発光部２２１同士の隙間である間隙部２２２を埋めるように設けられている。開口規定絶縁膜２２４は、例えばポリイミドなどの有機材料からなり、第１電極層２１３と、第２電極層２１６との絶縁性を確保すると共に、有機発光素子２０２の発光部２２１を正確に画定するものでもある。
【００７７】
有機発光素子２０２を覆う保護膜２１８は、窒化ケイ素（ＳｉＮx ）などの絶縁材料からなる。また、その上に設けられた封止基板２１９は、保護膜２１８や接着層（図示せず）などと共に有機発光素子２０２を封止するものであり、発光層において発生した光を透過する透明なガラスなどの材料により構成されている。
【００７８】
基板２１１は、ガラス，シリコン（Ｓｉ）ウェハあるいは樹脂などよりなる。基板２１１の表面には、例えば駆動トランジスタ（図示せず）のゲート電極である金属層２１１Ｇが設けられている。金属層２１２Ｇは、窒化ケイ素や酸化ケイ素などからなるゲート絶縁膜２１２Ａによって覆われている。ゲート絶縁膜２１２Ａ上の、金属層２１２Ｇに対応する領域には、ドレイン配線としての金属層（図示せず）やソース配線としての金属層２１２Ｓが設けられている。画素駆動回路は、窒化ケイ素などからなる保護膜（パッシベーション膜）２１２Ｂによって全体的に覆われており、その上には、さらに絶縁性の平坦化膜２１２Ｃが設けられている。平坦化膜２１２Ｃは、その表面が極めて高い平坦性を有するものであることが望まれる。また、平坦化膜２１２Ｃおよび保護膜２１２Ｂの一部領域には、微細なコンタクト部２２４Ｈが設けられている。平坦化膜２１２Ｃは、特に保護膜２１２Ｂに比べて厚みが大きいので、例えばポリイミド等の有機材料など、パターン精度が良い材料により構成されていることが好ましい。コンタクト部２２４Ｈには第１電極層２１３が充填されており、駆動トランジスタのソース電極を構成する金属層２１２Ｓとの導通がなされている。
【００７９】
第２電極層２１６は、例えば全ての有機発光素子２０２に共通に設けられており、有機層２１４における発光層で発生した光に対して十分な透光性を有する導電性材料により構成された透明電極である。その構成材料としては、例えば、ＩＴＯまたはインジウムと亜鉛（Ｚｎ）と酸素とを含む化合物が好ましい。
【００８０】
［表示装置の作用および効果］
この表示装置では、有機発光素子２０２の端部を覆うように上記第１の実施の形態で説明した保護膜３０が設けられている。このため、有機発光素子２０２への水分浸入が効果的に防止される一方、酸化アルミニウム層３１や有機発光素子２０２に内在する水分は外部へ放出される。よって、水分による有機発光素子２０２の劣化を抑えることができる。また、表面３１Ｓから外部へ熱が効率的に放出される。よって、有機発光素子２０２の動作時における発熱を緩和することができるうえ、酸化アルミニウム層３１自体の構造劣化を防ぐことができる。その結果、本実施の形態の表示装置は、高い動作性能を長期に亘って安定的に発揮することができる。
【００８１】
［表示装置の適用例］
このような有機発光素子２０２を備えた表示装置は、各種の電子機器へ搭載され得る。電子機器としては、例えばテレビジョン装置，デジタルカメラ，ノート型パーソナルコンピュータ、携帯電話等の携帯端末装置あるいはビデオカメラ等が挙げられる。すなわち、上記表示装置は、外部から入力された映像信号あるいは内部で生成した映像信号を、画像あるいは映像として表示するあらゆる分野の電子機器に適用することが可能である。
【００８２】
＜第４の実施の形態＞
［撮像素子の構成］
図８は、本開示の第４の実施の形態に係る撮像素子（イメージセンサ）３０１の断面構成を表したものである。撮像素子３０１は、例えば裏面照射型（裏面受光型）の固体撮像素子（ＣＣＤ，ＣＭＯＳ）であり、Ｓｉ基板３２１（図３参照）上に複数の画素３０２が２次元配列されている。
【００８３】
画素３０２は、例えば撮像画素３０２Ａと像面位相差画素３０２Ｂとから構成されている。撮像画素３０２Ａおよび像面位相差画素３０２Ｂは、それぞれ、光電変換素子（フォトダイオード３２３）を含む受光部３２０と、入射光を受光部３２０へ向けて集光させる集光部３１０とを備えている。撮像画素３０２Ａは、撮影レンズによって結像された被写体像をフォトダイオード３２３において光電変換して画像生成用の信号を生成するものである。像面位相差画素３０２Ｂは、撮影レンズの瞳領域を分割して、分割された瞳領域からの被写体像を光電変換して位相差検出用の信号を生成するものである。
【００８４】
以下に各画素３０２を構成する各部材について説明する。
【００８５】
（集光部３１０）
集光部３１０は、受光部３２０の受光面上に設けられている。集光部３１０は、光入射側に、光学機能層として各画素３０２の受光部３２０にそれぞれ対向配置されたオンチップレンズ３１１を有する。さらに、オンチップレンズ３１１と受光部３２０との間にカラーフィルタ３１２を有する。
【００８６】
オンチップレンズ３１１は、受光部３２０（具体的には受光部３２０のフォトダイオード３２３）に向かって光を集光させる機能を有するものである。オンチップレンズ３１１の屈折率は、例えば１．１〜１．４である。レンズ材料としては、例えばシリコン酸化膜（ＳｉＯ2）等が挙げられる。
【００８７】
カラーフィルタ３１２は、例えば赤色（Ｒ）フィルタ、緑色（Ｇ）フィルタ、青色（Ｂ）フィルタおよび白色フィルタ（Ｗ）のいずれかであり、例えば画素３０２ごとに設けられている。これらのカラーフィルタ３１２は、規則的な色配列（例えばベイヤー配列）で設けられている。このようなカラーフィルタ３１２を設けることにより、撮像素子３０１では、その色配列に対応したカラーの受光データが得られる。なお、像面位相差画素３０２Ｂにおけるカラーフィルタ３１２の配色は特に限定されないが、光量の少ない暗所でもオートフォーカス（ＡＦ）機能を使用できるように緑色（Ｇ）フィルタまたは白色（Ｗ）フィルタを用いることが好ましい。また、白色（Ｗ）フィルタを用いることによって、より高精度な位相差検出情報が得られる。
【００８８】
（受光部３２０）
受光部３２０は、フォトダイオード３２３が埋設されたＳｉ基板３２１と、Ｓｉ基板３２１の表面（受光面３２０Ｓとは反対側）に設けられた配線層３２２とによって構成されている。なお、配線層３２２には、転送トランジスタ，リセットトランジスタ，増幅トランジスタ等のトランジスタおよび各種配線が設けられている。
【００８９】
フォトダイオード３２３は、Ｓｉ基板３２１の厚み方向に形成された、例えばｎ型半導体領域であり、Ｓｉ基板２１の表面および裏面近傍に設けられたｐ型半導体領域と共にｐｎ接合を構成している。
【００９０】
この撮像素子３０１では、全てのオンチップレンズ３１１を覆うように、例えばポリイミド等の有機材料などのパターン精度が良い透明材料により形成された平坦化膜３３０が設けられている。さらに、平坦化膜３３０を全面的に覆うように、上記第１の実施の形態で説明した保護膜３０が設けられている。
【００９１】
［撮像素子の適用例］
次に、撮像素子３０１の適用例について説明する。撮像素子３０１は様々な分野における電子機器に適用可能である。ここではその一例として、図９を参照し、撮像素子３０１を搭載した撮像装置（カメラ）３について説明する。なお、図示はしないが、この他にも撮像素子３０１は、内視鏡カメラ、ビジョンチップ（人工網膜）、生体センサまたは車載用センサなどにも搭載可能である。
【００９２】
（撮像装置の構成）
図９は、撮像装置３の全体構成を表した機能ブロック図である。撮像装置３は、例えばデジタルス散るカメラまたはデジタルビデオカメラであり、光学系３３１と、シャッタ装置３３２と、撮像素子３０１と、信号処理回路３３３（画像処理回路３３４，ＡＦ処理回路３３５）と、駆動回路３３６と、制御部３３７とを備えている。
【００９３】
光学系３３１は、被写体からの像光（入射光）を撮像素子３０１の撮像面上に結像させる１または複数の撮像レンズを含む。シャッタ装置３３２は、撮像素子３０１への光照射期間（露光期間）および遮光期間を制御するものである。駆動回路３３６は、シャッタ装置３３２の開閉駆動を行うと共に、撮像素子３０１における露光動作および信号読み出し動作を駆動するものである。信号処理回路３３３は、撮像素子３０１からの出力信号（ＳＧ１，ＳＧ２）に対して、所定の信号処理、例えばデモザイク処理やホワイトバランス調整処理等の各種補正処理を施すものである。制御部３３７は、例えばマイクロコンピュータから構成され、駆動回路３３６におけるシャッタ駆動動作およびイメージセンサ駆動動作を制御すると共に、信号処理回路３３３における信号処理動作を制御するものである。
【００９４】
撮像装置３では、入射光が、光学系３３１およびシャッタ装置３３２を介して撮像素子３０１において受光されると、撮像素子３０１にはその受光量に基づく信号電荷が蓄積される。駆動回路３３６により、撮像素子３０１の各画素３０２に蓄積された信号電荷（撮像画素２Ａから得られた電気信号ＳＧ１および像面位相差画素２Ｂから得られた電気信号ＳＧ２）の読み出しがなされる。読み出された電気信号ＳＧ１，ＳＧ２は画像処理回路３３４およびＡＦ処理回路３３５へ出力される。撮像素子３０１から出力された出力信号は、信号処理回路３３３において所定の信号処理が施され、映像信号Ｄoutとして外部（モニタ等）へ出力されるが、あるいは、図示しないメモリ等の記憶部（記憶媒体）に保持される。
【００９５】
［撮像素子および撮像装置の作用効果］
上記したように、撮像素子３０１の上部に保護膜３０を設けるようにしたので、撮像素子３０１内部への水分浸入が効果的に防止される一方、酸化アルミニウム層３１や撮像素子３０１に内在する水分は外部へ放出される。よって、水分による撮像素子３０１の劣化を抑えることができる。また、表面３１Ｓから外部へ熱が効率的に放出される。よって、撮像素子３０１の動作時における発熱を緩和することができるうえ、酸化アルミニウム層３１自体の構造劣化を防ぐことができる。酸化アルミニウム層３１自体の構造劣化を防ぐことで、良好な集光特性を維持することもできる。これらの結果、本実施の形態の撮像装置３は、高い動作性能を長期に亘って安定的に発揮することができる。
【００９６】
以上、いくつかの実施の形態を挙げて本開示を説明したが、本開示は上記実施の形態に限定されるものではなく、種々の変形が可能である。例えば、上記実施の形態において説明した各層の材料および厚みなどは限定されるものではなく、他の材料および厚みとしてもよい。
【００９７】
また、上記実施の形態では、電子素子として半導体発光素子、有機発光素子または撮像素子を例示し、それらを備えた電子装置として発光装置、光ディスク装置、表示装置および撮像装置を例示して説明したが、本技術はこれに限定されるものではない。本技術は他の電子素子や電子装置に適用可能である。
【００９８】
また、上記実施の形態では、保護膜３０の珪素酸化物３２を形成するにあたり、ＥＣＲ装置により共振器端面１０Ｔに対しＥＣＲプラズマを照射するようにしたが、本技術はこれに限定されない。ＲＦプラズマやＩＣＰプラズマを照射するようにしてもよい。また、珪素酸化物の代わりに、Ｂ（硼素），Ｇｅ（ゲルマニウム），Ａｓ（ヒ素），Ｓｂ（アンチモン），Ｔｅ（テルル）もしくはＰｏ（ポロニウム）の各酸化物を用いてもよい。
【００９９】
また、上記第３の実施の形態の表示装置では、画素駆動回路が設けられた基体２１０と対向するように封止基板２１９を設けるようにしたが、本技術はこれに限定されるものではない。例えば封止基板２１９の代わりに、第１の実施の形態で説明した保護膜３０を全面的に形成することで封止してもよい。これにより、耐水性向上と共に表示装置全体の薄型化、軽量化を図ることができる。
【０１００】
また、本技術は以下のような構成を取り得るものである。
（１）
電子素子と、
前記電子素子を覆う酸化アルミニウム層、および前記酸化アルミニウム層の表面に点在する珪素酸化物を有する保護膜と
を備えた電子装置。
（２）
前記保護膜は、前記電子素子と前記酸化アルミニウム層との間に窒化アルミニウムを含む中間層をさらに有する
上記（１）記載の電子装置。
（３）
前記酸化アルミニウム層の表面における前記珪素酸化物の分布密度は、５×１０16 個／ｃｍ2 以下である
上記（１）または（２）記載の電子装置。
（４）
前記珪素酸化物は、ＳｉＯｘ（０＜ｘ≦２）である
上記（１）から（３）のいずれか１つに記載の電子装置。
（５）
前記珪素酸化物は、前記酸化アルミニウム層の表面に酸素および珪素を含むプラズマを照射することで形成されたものである
上記（１）から（４）のいずれか１つに記載の電子装置。
（６）
前記電子素子は半導体発光素子であり、
前記保護膜は最上層として前記半導体発光素子の共振器端面を覆っている
上記（１）から（５）のいずれか１つに記載の電子装置。
（７）
前記電子素子は有機発光素子であり、
前記保護膜は前記有機発光素子の端面を覆っている
上記（１）から（５）のいずれか１つに記載の電子装置。
（８）
前記電子素子は撮像素子であり、
前記保護膜は最上層として前記撮像素子を覆っている
上記（１）から（５）のいずれか１つに記載の電子装置。
（９）
記録面を有する光ディスクと、
前記光ディスクの記録面に照射光を照射する光源と、
前記光ディスクの記録面からの反射光を検出する光検出器と、
前記光ディスク、光源および光検出器の動作を制御する制御部と
を備え、
前記光源は、
前記照射光を発する共振器端面を含む半導体発光素子と、
前記半導体発光素子の共振器端面を覆う酸化アルミニウム層、および前記酸化アルミニウム層の表面に点在する珪素酸化物を有する保護膜と
を有する
光ディスク装置。
（１０）
一対の基板と、
前記一対の基板に挟持され、第１の電極、有機層および第２の電極を順に含む有機発光素子と、
前記有機発光素子の端部を覆う酸化アルミニウム層、および前記酸化アルミニウム層の表面に点在する珪素酸化物を有する保護膜と
を備えた表示装置。
（１１）
光電変換素子を含む受光部、および入射光を前記受光部へ集光する集光部を有する撮像素子と、
前記撮像素子を覆う酸化アルミニウム層、および前記酸化アルミニウム層の表面に点在する珪素酸化物を有する保護膜と
を備えた撮像装置。
【符号の説明】
【０１０１】
１０…半導体発光素子、１０Ｔ…共振器端面、１１…基板、１２…ｎ型クラッド層、１３…ｎ型ガイド層、１４…活性層、１５…ｐ型ガイド層、１６…ｐ型クラッド層、１７…ｐ型コンタクト層、２０…半導体層、２１…ｐ側コンタクト電極層、２２…ｐ側パッド電極層、２３…絶縁層、２４…めっき層、２５…ｎ側電極層、３０…保護膜、５０…光ディスク、５０Ｓ…記録面、６０…光ピックアップ、７０…制御部、１０１…ガス導入口、１０２…排気口、１０４…プラズマ室、１０５…成膜室、１１０…ターゲット材、１１１…試料台、１１２…磁気コイル、１１３…高周波電源、２０２…有機発光素子、２１０…基体、２１１…基板、２１２…画素駆動回路形成層、２１３…第１電極層、２１４…有機層、２１６…第２電極層、２２０…発光素子形成層、２１８…保護膜、２１９…封止基板、３…撮像装置（カメラ）、３０１…撮像素子（イメージセンサ）、３０２…画素、３１０…集光部、３２０…受光部。
【図１】
2015023055.tif 000003
【図２】
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【図３Ａ】
2015023055.tif 000005
【図３Ｂ】
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【図３Ｃ】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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