(57)【要約】  【課題】  電流の検出精度を向上させることができる電流反応型発振装置を提供する。  【解決手段】  帯状電極２と、帯状電極２の上面に配された実装用回路３と、基板５、基板５上に配された発振素子６および発振素子６上に配された絶縁層７を有し、絶縁層７の側から実装用回路３上に実装された、電磁波を発生する発振器４とを備え、発振素子６は、基板５上に配された第１電極９、第１電極９上に配された、磁気モーメントが固定された第１磁性体１０、第１磁性体１０上に配された非磁性体１１、非磁性体１１上に配された、磁気モーメントが固定されていない第２磁性体１２、および第２磁性体１２上に配された第２電極１３を有し、発振器４は、第２磁性体１２に直流電流が流れることによって、発振素子６の第２磁性体１２から電磁波を発生するとともに、帯状電極２に流れる電流から生じる磁場を第２磁性体１２に印加することで、発生する電磁波の周波数を変化させる。【選択図】  図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
電流が流れる帯状電極と、
該帯状電極の上面に配された実装用回路と、
基板、該基板上に配された発振素子および該発振素子上に配された絶縁層を有し、該絶縁層の側から前記実装用回路上に実装された、電磁波を発生する発振器とを備え、
前記発振素子は、前記基板上に配された第１電極、該第１電極上に配された、磁気モーメントが一方向に固定された導電性の第１磁性体、該第１磁性体上に配された非磁性体、該非磁性体上に配された、磁気モーメントが固定されていない導電性の第２磁性体、および該第２磁性体上に配された第２電極を有しており、
前記発振器は、前記第１電極と前記第２電極との間の前記第１磁性体、前記非磁性体および前記第２磁性体に直流電流が流れることによって、前記発振素子の前記第２磁性体から電磁波を発生するとともに、前記帯状電極に流れる電流から生じる磁場を前記第２磁性体に印加することによって、発生する前記電磁波の周波数を変化させる、電流反応型発振装置。
【請求項２】
前記実装用回路は、前記帯状電極とは反対の側に開口した凹部をさらに有しており、
前記発振器は、前記凹部内に前記絶縁層が位置するように、前記実装用回路上に実装されている、請求項２に記載の電流反応型発振装置。
【請求項３】
請求項１または２に記載の電流反応型発振装置と、
該電流反応型発振装置の前記第２磁性体が発生する前記電磁波の周波数の変化を検知する検知器とを備える電流センサ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電流反応型発振装置およびその電流反応型発振装置を備える電流センサに関する。
【背景技術】
【０００２】
従来から、例えば、ある対象物に流れる電流の変化または対象物に電流が流れたこと等を検出する電流検出装置が知られている。この電流検出装置として、例えば特許文献１には、環状のコアに設けた間隙部にホール素子を配置し、コアによって囲まれた空間に電流線（対象物）が配された電流検出装置が記載されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００７−１９８９０４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
特許文献１に記載された電流検出装置では、環状のコアを通過する電流線に被検出電流が流れるとコアの間隙部に被検出電流の大きさに応じた磁場が発生し、この磁場がホール素子を通過すると、ホール素子内にホール効果による電圧が生じる。そして、この電圧の変化から被検出電流の変化を検出している。しかしながら、この電流検出装置では、その構造上、被検出電流の変化が小さい場合には、これに伴う微小な磁場の変化の検出が難しいという問題があった。
【０００５】
本発明は、このような事情に鑑みて案出されたものであり、被検出電流の微小な変化の検出を可能とする、電流の検出精度を向上させた電流反応型発振装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明の一実施形態に係る電流反応型発振装置は、電流が流れる帯状電極と、該帯状電極の上面に配された実装用回路と、基板、該基板上に配された発振素子および該発振素子上に配された絶縁層を有し、該絶縁層の側から前記実装用回路上に実装された、電磁波を発生する発振器とを備え、前記発振素子は、前記基板上に配された第１電極、該第１電極上に配された、磁気モーメントが一方向に固定された導電性の第１磁性体、該第１磁性体上に配された非磁性体、該非磁性体上に配された、磁気モーメントが固定されていない導電性の第２磁性体、および該第２磁性体上に配された第２電極を有しており、前記発振器は、前記第１電極と前記第２電極との間の前記第１磁性体、前記非磁性体および前記第２磁性体に直流電流が流れることによって、前記発振素子の前記第２磁性体から電磁波を発生するとともに、前記帯状電極に流れる電流から生じる磁場を前記第２磁性体に印加することによって、発生する前記電磁波の周波数を変化させる。
【０００７】
本発明の一実施形態に係る電流センサは、上記の電流反応型発振装置と、該電流反応型発振装置の前記第２磁性体が発生する前記電磁波の周波数の変化を検知する検知器とを備える。
【発明の効果】
【０００８】
本発明の一実施形態に係る電流反応型発振装置によれば、帯状電極上で実装された発振器は、第２磁性体中の磁気モーメントを歳差運動させることによって、高周波の電磁波を
発生させることができる。そして、発生した電磁波の周波数は、帯状電極に流れる電流から生じる磁場が第２磁性体に印加されることによって変化する。
【０００９】
ここで、磁場印加時における、磁気モーメントの歳差運動に起因した電磁波の周波数の変化の度合は、例えばホール効果による電圧の変化の度合に比較して大きい。その結果、本発明の一実施形態に係る電流反応型発振装置では、帯状電極を流れる電流（被検出電流）の微小な変化を検出することができる。
【００１０】
さらに、本発明の一実施形態に係る電流反応型発振装置では、発振器は、基板の側ではなく絶縁層の側から実装されている。その結果、発振器の第２磁性体と帯状電極との距離を小さくすることができるため、帯状電極を流れる微小な電流でも検出することができる。
【００１１】
したがって、本発明の一実施形態に係る電流反応型発振装置によれば、被検出電流の検出精度を向上させることができる。
【図面の簡単な説明】
【００１２】
【図１】本発明の一実施形態に係る電流反応型発振装置の概略を示した斜視図である。
【図２】本発明の一実施形態に係る電流反応型発振装置の断面を示した断面図である。
【図３】本発明の一実施形態に係る電流反応型発振装置の断面の一部を拡大して示した拡大図である。
【図４】本発明の一実施形態に係る電流センサの概略を示した斜視図である。
【発明を実施するための形態】
【００１３】
＜発振器＞
本発明の一実施形態に係る電流反応型発振装置について、図１〜図３を参照しつつ説明する。なお、本発明は以下の実施形態に限られるものではない。
【００１４】
図１は、本発明の一実施形態に係る電流反応型発振装置の概略を示した斜視図である。図２は、本発明の一実施形態に係る電流反応型発振装置を上下方向に切断した断面を拡大して示しており、電流反応型発振装置の構造を模式的に示している。図３は、図２に示した発振器の断面をさらに拡大して示しており、電流反応型発振装置に含まれる発振素子の構造を模式的に示している。
【００１５】
電流反応型発振装置１は、図１に示すように、帯状電極２、帯状電極２の上面に配された実装用回路３、および実装用回路３上に実装された発振器４を備える。電流反応型発振装置１は、発振器４から電磁波を発生するとともに、帯状電極２に電流（直流電流または交流電流）を流し、帯状電極２を流れる電流から生じる磁場を発振器４に印加することによって、発振器４から発生する電磁波の周波数または位相等を変化させるものである。すなわち、電流反応型発振装置１は、例えば、被検出電流として帯状電極２に電流を流し、帯状電極２に流れる被検出電流の変化を検出したり、または帯状電極２に電流が流れたことを検出したりする機能を有している。電流反応型発振装置１は、例えば自動車またはＦＡ（Factory Automation）機器等に設置されて、電子機器等に流れる電流の変化を検知する電流センサ等に使用される。なお、本実施形態では、発振器４は、実装用回路３にフリップチップ実装されている。
【００１６】
帯状電極２は、例えば被検出電流としての電流が流れ、被検出電流に応じた磁場を発生させるものである。帯状電極２の形状は、一方向に伸びた帯状に形成されている。帯状電
極２は、例えば銅または銅および亜鉛の合金等からなる金属板で形成されている。帯状電極２の厚みは、例えば１ｍｍ以上１００ｍｍ以下に設定されている。
【００１７】
実装用回路３は、発振器４が実装されるものである。実装用回路３は、発振器４に電気的に接続されて、発振器４が動作するための電流を供給する。実装用回路３は、例えば、発振器４が実装される配線、およびこの配線を支持する、単数の絶縁基板または絶縁層あるいは複数の絶縁層の積層体等を有している。
【００１８】
実装用回路３には、例えば発振器４が発振した電磁波を電気信号として外部機器（図示せず）に伝送する伝送路が形成されてもよい。この場合は、例えば実装用回路３の上面には、外部機器（図示せず）に電気的に接続する外部接続部（図示せず）が形成されてもよい。なお、実装用回路３の主面には、例えばコンデンサまたはインダクタ等の電子部品が配されてもよい。また、実装用回路３には、例えばフィルタ回路、バイアス回路またはノイズ除去回路等が配置されてもよい。
【００１９】
発振器４は、電磁波を発生させるものである。発振器４は、図２に示すように、基板５、基板５の一主面上に配された発振素子６および発振素子６の一主面上に配された絶縁層７を有している。また、図２に示すように、発振器４の一主面は、基板５の発振素子６が位置した主面とは異なる主面であり、発振器４の他主面は、絶縁層７の発振素子６が位置した主面とは異なる主面である。発振器４の厚みは、例えば１００μｍ以上５０５μｍ以下に設定されている。なお、発振器４は、マイクロ波を発生させることができる。マイクロ波とは、一般的に周波数が１ＧＨｚ以上３０ＧＨｚ以下の電磁波をいう。
【００２０】
発振器４は、発振素子６に直流電流を流すことによって、または発振素子６に直流電流を流し、かつ磁場を印加することによって発振素子６から電磁波を発生する。本実施形態では、発振器４は、絶縁層７中に配された磁場印加配線８をさらに有しており、磁場印加配線８を使用して、発振素子６が電磁波を発生させるための磁場を加えている。
【００２１】
なお、磁場印加配線８は、導電性の材料からなる。具体的には、磁場印加配線８は、例えば銅、金または白金等の金属材料からなる。磁場印加配線８は、例えば層状に形成されている。なお、電磁波を発生させるための発振素子６への磁場の印加は、帯状電極２を使用して行なってもよい。
【００２２】
基板５は、発振素子６および絶縁層７の形成時には、発振素子６および絶縁層７の土台になる。基板５は、例えばシリコンまたはガリウム砒素等の半導体材料からなる。基板５は、例えば平板状である。基板５の厚みは、例えば９５μｍ以上５００μｍ以下に設定されている。
【００２３】
発振素子６は、直流電流が流れることによって、または直流電流が流れるとともに磁場が加わることによって電磁波を発生するものである。発振素子６は、図３に示すように、基板５上に配された第１電極９、第１電極９上に配されており、かつ磁気モーメントが一方向に固定されている第１磁性体１０、第１磁性体１０上に配された非磁性体１１、非磁性体１１上に配されており、かつ磁気モーメントが固定されていない第２磁性体１２、第２磁性体１２上に配された第２電極１３を有している。
【００２４】
発振素子６を流れる直流電流は、第１電極９および第２電極１３を介して、第１磁性体１０から第２磁性体１２に向かって流れる。磁場印加配線８によって発振素子６に加えられる磁場は、発振素子６を上面透視したときに、例えば第２磁性体１２の磁気モーメントの方向が第１磁性体１０の磁気モーメントの方向と一致するように加えられる。なお、本実施形態では、第２磁性体１２の磁気モーメントの方向が第１磁性体１０の磁気モーメン
トの方向と一致するように加えられているが、第２磁性体１２の磁気モーメントの方向は、第１磁性体１０の磁気モーメントの方向と一致しなくても構わない。また、発振素子６に加えられる磁場は、発振素子６を上下方向に切断した断面において、第２磁性体１２に対して平面方向に沿うように加えてもよいし、平面方向から傾けて加えてもよい。
【００２５】
第１磁性体１０は、第２磁性体１２との相互作用によって、発振素子６に負性抵抗を生じさせるものである。第１磁性体１０は、導電性の強磁性体からなる。具体的には、第１磁性体１０は、例えばコバルト等の金属材料、あるいは鉄とコバルトとの合金またはニッケルとコバルトとの合金等からなる。
【００２６】
第１磁性体１０は、例えば層状に形成されている。第１磁性体１０の厚みは、例えば２０ｎｍ以上４０ｎｍ以下に設定されている。第１磁性体１０は、前記の通り厚く形成されているため、第１磁性体１０の磁気モーメントを一方向に固定することができる。なお、第１磁性体１０の磁気モーメントが固定される方向は、第１磁性体１０の形成時に磁場を印加することで制御することができる。なお、第１磁性体１０の厚みは、例えば第１磁性体１０を上下方向に切断した後に、その切断面をＴＥＭ等で撮影し、撮影した断面写真から求めることができる。
【００２７】
非磁性体１１は、第１磁性体１０と第２磁性体１２との磁気的結合を抑制する機能を有する。非磁性体１１は、非磁性体、すなわち強磁性体以外の材料からなる。具体的には、非磁性体１１は、例えば銅または酸化マグネシウム等の非磁性体からなる。非磁性体１１は、例えば層状に形成されている。非磁性体１１の厚みは、例えば１ｎｍ以上１０ｎｍ以下に設定されている。非磁性体１１は、前記の通り薄く形成されているため、例えば非磁性体１１が絶縁材料からなる場合でも、トンネル効果によって発振素子６に電流が流れる。
【００２８】
第２磁性体１２は、電磁波を発生するものである。すなわち、電磁波は発振素子６のうち第２磁性体１２から発生する。本実施形態では、磁場印加配線８の磁場によって第２磁性体１２の磁気モーメントを第１磁性体１０の磁気モーメントと一致する方向に向け、かつ電流中のスピン偏極電子を第２磁性体１２から第１磁性体１０に向かって流す。このとき、第２磁性体１２のスピン偏極電子には、電流中のスピン偏極電子のうち磁気モーメントの方向が第２磁性体１２の磁気モーメントの方向と異なるスピン偏極電子によって、第２磁性体１２の磁気モーメントの方向を反転させる力（スピントランスファートルク）が働く。そして、このスピントランスファートルクが要因となり、第２磁性体１２の磁気モーメントが歳差運動を始め、また発振素子６内に負性抵抗が生じる。その結果、第２磁性体１２の磁気モーメントの歳差運動によって、磁気モーメントの周囲の磁場が連続的に変化し続けることで、電磁波が発生する。
【００２９】
第２磁性体１２から発生する電磁波の周波数は、第１電極９および第２電極１３によって第２磁性体１２に流れる電流や、磁場印加配線８によって第２磁性体１２に印加される磁場を大きくすることによって、高周波にすることができる。また、第２磁性体１２から発生する電磁波の周波数は、帯状電極２に流れる電流から生じる磁場が第２磁性体１２に印加されることによって変化する。ここで、磁場印加時における、磁気モーメントの歳差運動に起因した電磁波の周波数の変化の度合は、例えばホール効果による電圧の変化の度合に比較して大きい。その結果、電流反応型発振装置１は、帯状電極を流れる電流（被検出電流）の微小な変化を検出することができる。したがって、電流反応型発振装置１は、被検出電流の微小な変化を検出することができる。
【００３０】
第２磁性体１２は、導電性の強磁性体からなる。具体的には、第２磁性体１２は、例えばコバルト等の金属材料、あるいは鉄とコバルトとの合金または鉄とニッケルとの合金等
からなる。第２磁性体１２は、例えば層状に形成されている。第２磁性体１２の厚みは、例えば２ｎｍ以上５ｎｍ以下に設定されている。
【００３１】
第１電極９および第２電極１３は、第１磁性体１０、非磁性体１１および第２磁性体１２に直流電流を流して、第２磁性体１２に電磁波を発生させたり、発生した電磁波の周波数等を制御したりするものである。本実施形態では、第１電極９および第２電極１３は、端部の実装用回路３に対向する面が露出するように、平面方向に突出している。そして、突出した端部に配された半田ボール等を介して実装用回路３に電気的に接続されている。その結果、発振器４の発振素子６は、実装用回路３に電気的に接続され、第１磁性体１０、非磁性体１１および第２磁性体１２に電流を流すことが可能になる。
【００３２】
なお、上述した通り、本実施形態では、第１磁性体１０から第２磁性体１２に向かって直流電流を流すため、第１電極９が正極となり第２電極１３が負極となる。また、本実施形態では、第１電極９および第２電極１３が第１磁性体１０および第２磁性体１２に直接接続されているが、第１電極９および第２電極１３は、第１磁性体１０および第２磁性体１２に電気的に接続されていればよい。
【００３３】
第１電極９は、導電性の材料からなる。具体的には、第１電極９は、例えば銅、金、白金またはコバルト等の金属材料、あるいは鉄とコバルトとの合金またはニッケルとコバルトとの合金等からなる。また、第１電極９は、第１磁性体１０と同様の材料で形成されてもよい。この場合に、第１電極９は、さらに第１磁性体１０と一体的に形成してもよい。第１電極９の厚みは、例えば０．１μｍ以上１μｍ以下に設定されている。
【００３４】
第２電極１３は、導電性の材料からなる。具体的には、第２電極１３は、例えば銅、金、白金またはコバルト等の金属材料、あるいは鉄とコバルトとの合金または鉄とニッケルとの合金等からなる。また、第２電極１３は、第２磁性体１２と同様の材料で形成されてもよい。この場合、さらに第２電極１３は、第２磁性体１２と一体的に形成してもよい。第２電極１３の厚みは、例えば０．１μｍ以上１μｍ以下に設定されている。
【００３５】
本実施形態の発振器４では、図３に示すように、第２電極１３は、層状に形成された、第１磁性体１０、非磁性体１１および第２磁性体１２を含む積層体１４の一部を発振素子６の一部として機能させている。そのため、第２電極１３は、層状の基部１５と、層状の基部１５から突出して第２磁性体１２に接した突出部１６とを有している。言い換えれば、第２電極１３と第２磁性体１２との間には第２絶縁層１８が介在しており、第２電極１３と第２磁性体１２との接触は特定の範囲のみに制限されている。その結果、積層体１４のうち電流が流れる領域が制限され、第２磁性体１２の一部に電流の密度を集中させることができる。したがって、第２磁性体１２の磁気モーメントを安定して歳差運動させることができるため、積層体１４の電流が流れる領域を発振素子６の一部として機能させることが可能となる。すなわち、上面透視にて、第２電極１３と第２磁性体１２との接触領域Ｒ内に位置した積層体１４の一部が、発振素子６の一部となる。接触領域Ｒの面積は、積層体１４の一部を発振素子６の一部とするために、例えば１μｍ２以下に設定されている。なお、図３において、上面透視したときに接触領域Ｒに位置することとなる積層体１４の一部の領域を点線によって示している。
【００３６】
絶縁層７は、発振素子６を保護する機能を有する。絶縁層７は、例えば層状に形成されている。絶縁層７は、例えば酸化珪素または窒化珪素等の材料からなる。絶縁層７の厚みは、例えば２００ｎｍ以上３００ｎｍ以下に設定されている。
【００３７】
ここで、発振器４は、実装用回路３に絶縁層７の側から実装されている。これにより、発振器４が基板５の側から実装用回路３に実装される場合と比較して、発振素子６の第２
磁性体１２と帯状電極２との距離を小さくすることができる。その結果、発振器４は、帯状電極２を流れる微小な電流でも検出することができる。したがって、電流反応型発振装置１の帯状電極２に流れる被検出電流の検出精度を向上させることができる。
【００３８】
また、図２に示すように、実装用回路３は、帯状電極２とは反対の側に開口した凹部１７を有していてもよい。そして、発振器４は、凹部１７内に絶縁層７が位置するように、実装用回路３上に実装されていてもよい。これにより、発振器４における発振素子６の第２磁性体１２をさらに帯状電極２に近付けることができる。その結果、発振器４は、帯状電極２を流れる微小な電流を効果的に検出することができる。なお、この場合には、実装用回路３の凹部１７の底面には配線が形成されて、発振器４が実装用回路３に対してフリップチップ実装されてもよい。
【００３９】
実装用回路３は、凹部１７の底面に形成された第２凹部（図示せず）をさらに有してもよい。そして、発振器４は、第２凹部内に絶縁層７が位置するように、実装用回路３上に実装されてもよい。これにより、発振器４における発振素子６の第２磁性体１２をさらに帯状電極２に近付けることができる。その結果、発振器４は、帯状電極２を流れる微小な電流を効果的に検出することができる。なお、この場合には、実装用回路３の凹部１７の底面には配線が形成されて、発振器４が実装用回路３に対してフリップチップ実装されてもよい。
【００４０】
実装用回路３は、凹部１７の底面から実装用回路３の下面に至る貫通部（図示せず）をさらに有してもよい。そして、発振器４は、貫通部を通じて絶縁層７が帯状電極２に接触するように、実装用回路３上に実装されてもよい。その結果、発振器４は、帯状電極２を流れる微小な電流を効果的に検出することができる。
【００４１】
実装用回路３に貫通部が形成されている場合には、帯状電極２には、開口が貫通部の下側の開口に重なった第３凹部（図示せず）をさらに有していてもよい。そして、発振器４は、第３凹部内に絶縁層７が位置するように、実装用回路３上に実装されてもよい。これより、発振器４における発振素子６の第２磁性体１２をさらに帯状電極２に近付けることができる。その結果、発振器４は、帯状電極２を流れる微小な電流を効果的に検出することができる。
【００４２】
なお、本実施形態では、図３に示すように、発振素子６の第１電極９、第１磁性体１０、非磁性体１１、第２磁性体１２、第２電極１３および絶縁層７のそれぞれは、層状に形成されている。そして、発振器４は、例えばスパッタリング法等によって、基板５上に第１電極９、第１磁性体１０、非磁性体１１、第２磁性体１２、第２電極１３および絶縁層７を順次積層することによって形成されている。なお、磁場印加配線８は、絶縁層７の形成途中において、例えばスパッタリング法等によって形成する。
【００４３】
上述した本発明の実施形態では、第２電極１３と第２磁性体１２との接触を特定の範囲に制限することで、積層体１４の一部を発振素子６の一部とした例を示したが、積層体１４を柱状に形成して発振素子６の一部としてもよい。すなわち、第２電極１３と第２磁性体１２との接触を特定の範囲に限定するのではなく、積層体１４の形状を接触領域Ｒと同等の大きさの平面形状を有する柱状にすることによって、積層体１４自体を発振素子６の一部としてもよい。
【００４４】
上述した本発明の実施形態では、発振素子６は、第１磁性体１０、非磁性体１１、第２磁性体１２および一対の電極９，１３から構成されている例を示したが、第２磁性体１２と第２電極１３との間にキャップ層（図示せず）を設けてもよい。キャップ層は、第２絶縁層１８または第２電極１３の形成時に第２磁性体１２の表面を保護する効果がある。
【００４５】
上述した本発明の実施形態では、第１電極９の上面に第１磁性体１０が配されている構成を例に示したが、第１電極９と第１磁性体１０との間には、第３磁性体（図示せず）を介在させてもよい。第３磁性体は、第１磁性体１０の磁気モーメントの固定の強度を向上させることができる。なお、第３磁性体は、反強磁性体の材料からなる。具体的には、第３磁性体は、例えば鉄とマンガンとの合金または白金とマンガンとの合金等からなる。
【００４６】
上述した本発明の実施形態では、第２磁性体１２に電流を流しつつ磁場を加えることで第２磁性体１２の磁気モーメントの歳差運動を開始させているが、第２磁性体１２に電流を流すことのみで第２磁性体１２の磁気モーメントの歳差運動を開始させても構わない。
【００４７】
＜電流センサ＞
本発明の一実施形態に係る電流センサについて、図４を参照しつつ説明する。図４は、本発明の一実施形態に係る電流センサの概略を示した斜視図である。なお、本発明は、以下の実施形態に限られるものではない。
【００４８】
電流センサ１９は、電流反応型発振装置１と、電流反応型発振装置１の第２磁性体１２から発生している電磁波の変化を検知する検知器２０とを備えている。
【００４９】
検知器２０は、電流反応型発振装置１が発振する電磁波を電気信号として伝送する伝送部（図示せず）と、伝送部から伝送された電気信号を処理する演算部（図示せず）とを備えている。この構成を有することによって、随時伝送部から伝送される電磁波を演算部にて処理することによって、電磁波の変化を検知することができる。なお、本実施形態では、１つの筐体内に伝送部および演算部を備えているが、伝送部および演算部は別々の筐体内に配されていても構わない。
【００５０】
伝送部は、例えば同軸ケーブルまたはボンディングワイヤ等が使用される。伝送部は、例えば実装用回路３に形成された外部接続部に接続されることによって、電流反応型発振装置１から電気信号を受け取ることができる。
【００５１】
演算部は、例えば伝送部から電気信号を受け取り、受け取った電気信号から電流反応型発振装置１が発振する電磁波を随時分析する。
【００５２】
検知器２０は、報知器（図示せず）を備えていてもよい。報知器は、随時演算部で分析される電磁波の変化が予め定めた条件を満たすときに、その変化を異常と判定して外部に報知するものである。なお、「予め定めた条件」とは、例えば分析した電磁波の周波数が任意に定める値から変化した場合、または電磁波の位相が任意に定めた位相から変化した場合等、種々の条件に設定することができる。
【符号の説明】
【００５３】
１    電流反応型発振装置
２    帯状電極
３    実装用回路
４    発振器
５    基板
６    発振素子
７    絶縁層
８    磁場印加配線
９    第１電極
１０  第１磁性体
１１  非磁性体
１２  第２磁性体
１３  第２電極       
１４  積層体
１５  基部
１６  突出部
１７  凹部
１８  第２絶縁層
１９  電流センサ
２０  検知器
Ｒ    接触領域
【図１】
2015187547.tif 000003
【図２】
2015187547.tif 000004
【図３】
2015187547.tif 000005
【図４】
2015187547.tif 000006