(57)【要約】【課題】  電子デバイス素子の搭載率を向上させた蓋体部、電子デバイス用パッケージ及びそれを備えた電子デバイスを提供する。【解決手段】  底部２Ａと側板部２Ｂとにより空間部４が形成された凹部５と、凹部５の開口部２Ｃ側の外縁部から外部へ伸びるつば部６と、を有する蓋体部２であって、側板部２Ｂのうち凹部５の空間部側４の面である側板内面１０は、空間部４の外側へ傾斜することを特徴とする蓋体部２を提供する。【選択図】  図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
底部と側板部とにより空間部が形成された凹部と、前記凹部の開口部側の外縁部から外部へ伸びるつば部と、を有する蓋体部であって、
前記側板部のうち前記凹部の空間部側の面である側板内面は、前記開口部側から前記底部へ向けて、前記空間部の外側へ傾斜する逆テーパ面であることを特徴とする蓋体部。
【請求項２】
請求項１に記載の蓋体部であって、
前記つば部と、前記側板内面とが交わる角部の半径は、前記つば部の厚さの１／４以下であることを特徴とする蓋体部。
【請求項３】
請求項１又は２に記載の蓋体部であって、
前記側板内面と、前記底部のうち前記空間部側の面である底板内面と、が交わる角部は、前記蓋体部の内部へ埋設するように形成された部材内側形状を含んでいることを特徴とする蓋体部。
【請求項４】
請求項３に記載の蓋体部であって、
前記側板部のうち外周面側である側板外面と、前記底部の外周面側である底板外面とが交わる外側角部の半径は、略前記つば部の厚さと同じ値であり、
他の前記つば部と前記側板部とで交わりそれぞれ形成される角部の半径と、前記側板内面と前記底板内面とで交わり形成される角部の半径の方が小さいことを特徴とする蓋体部。
【請求項５】
請求項１乃至４の何れか一項に記載の蓋体部であって、
前記側板部の厚さは、前記開口部に近い方の側板厚さよりも、前記底部に近い方の側板厚さの方が薄いことを特徴とする蓋体部。
【請求項６】
請求項１乃至５の何れか一項に記載の蓋体部であって、
前記側板部の厚さと前記底部の厚さは、前記つば部の厚さより薄いことを特徴とする蓋体部。
【請求項７】
請求項１乃至６の何れか一項に記載の蓋体部であって、
前記つば部の厚さは、０．０２ｍｍから０．２０ｍｍであることを特徴とする蓋体部。
【請求項８】
請求項１乃至７の何れか一項に記載の蓋体部と、
電極を有するベース部と、を備え、
前記つば部が前記ベース部に接合されることを特徴とする電子デバイス用パッケージ。
【請求項９】
請求項８に記載の電子デバイス用パッケージであって、
前記ベース部の第一の面には内部電極を有し、前記ベース部の他方の第二の面には外部電極を有し、
前記ベース部には貫通孔が形成され、前記貫通孔の内壁面は、金属膜で覆われ、前記金属膜は、前記第二の面側において前記貫通孔の開口部が充填して密封され、
少なくとも一組の前記内部電極と前記外部電極とは、前記ベース部の前記第一の面と他方の前記第二の面とをつなぐ前記貫通孔を経由して、前記第一の面及び前記第二の面に前記金属膜によって互いに接続されていることを特徴とする電子デバイス用パッケージ。
【請求項１０】
請求項８又は９に記載の電子デバイス用パッケージを備えることを特徴とする電子デバイス。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、蓋体部、この蓋体部を用いた電子デバイス用パッケージ及び電子デバイスに関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、電子デバイスでは、小型化及び低背化（薄型化、高さが低いこと）が要求されるとともに、高機能化が要求されている。
一般的に電子デバイスは、所望の機能を発揮する電子デバイス素子が、電子デバイス用パッケージに収納されている。この電子デバイス用パッケージは、電子デバイスが実装された回路基板の一部又は全部が、空間部を有する蓋体で覆われることにより、電子デバイス素子を収納するものである。
かかる電子デバイスの小型化及び低背化の要求により、上記電子デバイス用パッケージの内部における電子デバイス素子を収納することができるスペースが制約されている。
【０００３】
そして、このスペースの制約のもと、電子デバイスの高機能化を実現すべく、多くの機能を持った電子デバイス素子をより多く搭載するため、又は、多くの機能を持つためサイズが大きな電子デバイス素子を搭載するために、電子デバイス素子の搭載率（電子デバイス素子面積／パッケージ面積、即ち、電子デバイス用パッケージ内部における電子デバイス素子が搭載可能な面積に対する電子デバイス素子の面積の割合）を向上させる（高める、上げる）ことが求められている。
そして、電子デバイス用パッケージ内部の搭載率を向上させるために、電子デバイス用パッケージにおいては新たな構造が必要とされている。
【０００４】
従来の電子デバイス用パッケージの構造として、特許文献１の図１では、半導体素子を支持するダイパッドの底面（底部）が露出する樹脂封止型のパッケージタイプが開示されている。
このダイパッドの底面が露出する樹脂封止型のパッケージタイプでは、各辺の大きさが０．８ｍｍ×０．８ｍｍであり、厚さ０．３ｍｍである電子デバイス用パッケージにおいて、各辺の大きさが０．４４ｍｍ×０．４４ｍｍの電子デバイスがダイパッドに支持されており、かかる電子デバイス素子の搭載率は、約３０％程度であった。
【０００５】
また、他の電子デバイス用パッケージの構造として、ガラスやセラミック系材料が用いられた単層の平板が積層されたパッケージ基体のベース部に、内部電極を設け、この内部電極と、ベース部の底面に設けられた外部電極とが導電線路を介して接続されており、このベース部が蓋体によって覆われる構造もある。
このベース部を覆う蓋体（ベース部を覆う蓋体のパッケージタイプ）の従来例として、特許文献２では、蓋体にガラスやセラミック系の材料が適用されたものが開示されている。
【０００６】
具体的には、図７に示されるように、このガラスやセラミック系材料の蓋体タイプ１０１の構造は、平板状のベース部１０３と、ベース部１０３を覆うガラスやセラミック系材料の蓋体部１０２と、ベース部１０３と蓋体部１０２とを接合する接合材１０８とから構成されている。
【０００７】
蓋体タイプ１０１の構造は、上記のインナーリード、ダイパッド、アウターリードなど構成要素をベース部１０３に集約できる構成であるため、パッケージを構成する要素が少なく、電子デバイス素子を蓋体部１０２の内部空間１０４に効率的に収納できる。
また、ベース部を覆う蓋体の従来例として、特許文献３又は４では、蓋体に、金属性の材料が適用されたものが開示されている。
【０００８】
この従来例の詳細について説明すると、図８に示すように、金属製の蓋体タイプでは、蓋体部１０２の内部空間１０４の構造における寸法関係は、曲率半径をもつ隅部１１４による平面長さＬ１、内側に向けたテーパ面を伴う側板内面１１０による平面長さＬ２、に加え、側板内面１１０と蓋体部１０２のつば部平面１０７と交わるコーナー１１５による平面長さＬ３となっている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００９】
【特許文献１】特開２０１１−６６３２７号公報
【特許文献２】特許第４６３０１１０号公報
【特許文献３】特開平６−１３２７６６号公報
【特許文献４】特開２０１０−２７８４９８号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１０】
しかしながら、特許文献１で開示される樹脂封止型のパッケージタイプでは電子デバイス用パッケージ体積に占有できるデバイス素子の体積が小さくなっていた。特に小型化や低背化が進むにつれてその占有する電子デバイス素子の搭載率が低下してしまう。
具体的には、パッケージ内部に構成要素としてのインナーリード、ダイパッド、アウターリードと、これらの間隔をおいての配置スペースを必要とするため、パッケージ体積に対するこれら構成要素の占める比率が高く、上記パッケージサイズにおける電子デバイス素子の搭載率を低下させていた。
また、特許文献２で開示されるガラスやセラミック系材料の蓋体タイプのパッケージでは、蓋体部１０２の内側の隅部１１４は、蓋体部１０２の内部空間１０４内に曲率半径をもっていた。
【００１１】
そして蓋体部１０２の側板内面１１０が内部空間１０４の内側に向けたテーパ面１１０を伴っていた。従って、隅部１１４と側板内面１１０は、電子デバイス素子と接触するおそれがあり、隅部１１４の平面（方向の）長さＬ１と側板内面１１０の平面長さＬ２とから遠ざける必要があることから、搭載する電子デバイス素子の大きさを拡大できない制約となっていた。
そのため、電子デバイス素子搭載率を向上させるのを困難にしていた。また、ガラスやセラミック系材料の蓋体部１０２の厚さＴ３を均一に薄くして低背化するには限界があった。
【００１２】
また、特許文献３及び４で開示される金属製の蓋体タイプとする構成のパッケージタイプの従来例では、上述した図８に示す寸法関係を有するため、蓋体部１０２の内側（内側に向けたテーパ面を伴う側板内面１１０等）と、電子デバイス素子とが接触するおそれがある。一般的に蓋体部１０２の内側は、電子デバイス素子等から遠ざける必要があることから、搭載する電子デバイス素子の大きさを拡大できない制約となっていた。そのため、電子デバイス素子搭載率を向上させるのを困難にしていた。
【００１３】
本発明は、上記課題に鑑み成されたものであり、電子デバイス素子の搭載率を向上させた電子デバイス用パッケージ及びそれを備えた電子デバイスを提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１４】
上記課題は下記に記した手段により解決することができ、上記の目的を達成することが可能となる。
【００１５】
本発明による蓋体部では、底部と側板部とにより空間部が形成された凹部と、前記凹部の開口部側の外縁部から外部へ伸びるつば部と、を有する蓋体部であって、前記側板部のうち前記凹部の空間部側の面である側板内面は、前記開口部側から前記底部へ向けて、前記空間部の外側へ傾斜する逆テーパ面であることを特徴とする。
また、本発明の構成においては、前記つば部と、前記側板内面とが交わる角部の半径は、前記つば部の厚さの１／４以下であることを特徴とする。
【００１６】
また、本発明の構成においては、前記側板内面と、前記底部のうち前記空間部側の面である底板内面と、が交わる角部は、前記側板部の内部へ埋設するように形成された部材内側形状を含んでいることを特徴とする。
また、本発明の構成においては、前記側板部のうち外周面側であるの側板外面と、前記底部の外周面側である底板外面とが交わる外側角部の半径は、略前記つば部の厚さと同じ値であり、他の前記つば部と前記側板部とで交わりそれぞれ形成される角部の半径と、前記側板内面と前記底板内面とで交わり形成される角部の半径の方が小さいことを特徴とする。
【００１７】
また、本発明の構成においては、前記側板部の厚さは、前記開口部に近い方の側板厚さよりも、前記底部に近い方の側板厚さの方が薄いことを特徴とする。
また、本発明の構成においては、前記側板の厚さと前記底部の厚さは、前記つば部の厚さより薄いことを特徴とする。
【００１８】
また、本発明の構成においては、つば部の厚さは、０．０２ｍｍから０．２０ｍｍが好ましい。
また、本発明の構成においては、蓋体部と、電極を有するベース部と、を備え、前記つば部が前記ベース部に接合されることを特徴とする。
【００１９】
また、本発明の構成においては、前記ベース部の第一の面には内部電極を有し、前記ベース部の他方の第二の面には外部電極を有し、前記ベース部には貫通孔が形成され、前記貫通孔の内壁面は、金属膜で覆われ、前記金属膜は、前記第二の面側において前記貫通孔の開口部が充填して密封され、少なくとも一組の前記内部電極と前記外部電極とは、前記ベース部の前記第一の面と他方の前記第二の面とをつなぐ前記貫通孔を経由して、前記第一の面及び前記第二の面に前記金属膜によって互いに接続されていることを特徴とする。
【００２０】
また、本発明の電子デバイスは、上記の電子デバイス用パッケージを備えることを特徴としている。
【発明の効果】
【００２１】
本発明によれば、電子デバイス素子の搭載率を向上させた蓋体部、この蓋体部を用いた電子デバイス用パッケージ及びそれを備えた電子デバイスを提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００２２】
【図１】発明の一実施形態に係る蓋体部を備えた電子デバイス用パッケージの一例を説明するための概略構成を示した断面図である。
【図２】図１における枠線部Ｘの部分拡大図であり、図２（ａ）は、蓋体部２の一例を説明するための部分拡大図であり、図２（ｂ）は、底部２Ａと側板部２Ｂの厚さの関係を模式化した部分拡大図であり、図２（ｃ）は、蓋体部２の角部１４の部分拡大図である。
【図３】本発明の一実施形態に係る電子デバイス用パッケージ１に電子デバイス素子５０を収納した一例を示す断面図である。
【図４】本発明の一実施形態に係るベース部の一例を説明するための断面拡大図である。
【図５】本発明の一実施形態に係る電子デバイスを半導体装置に適用した一例を説明するための図であり、（ａ）は、本発明の一実施形態に係る半導体装置の斜視図であり、（ｂ）は、本発明の一実施形態に係る半導体装置の平面図であり、（ｃ）は、図５（ｂ）のＡ−Ａ線での断面図である。
【図６】本発明の一実施形態に係る電子デバイスを水晶振動子に適用した一例を説明するための図であり、（ａ）は、本発明の一実施形態に係る水晶振動子の斜視図であり、（ｂ）は、本発明の一実施形態に係る平面図であり、（ｃ）は、図６（ｂ）のＢ−Ｂ線での断面図である。
【図７】従来の電子デバイス用パッケージの一例であり、ガラスやセラミック系材料の蓋体タイプの断面図である。
【図８】従来の電子デバイス用パッケージの一例であり、金属製の蓋体タイプの断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００２３】
以下、図面を参照して、本発明の一実施形態について説明する。
なお、以下に説明する実施の形態は、蓋体部、この蓋体部を電子デバイス用パッケージ及びこれを備えた電子デバイスに本発明を適用した場合の実施形態である。
【００２４】
まず、図１に基づいて、本実施例の蓋体部を備えた電子デバイス用パッケージ１について説明する。
図１は、本発明の一実施形態に係る蓋体部を備えた電子デバイス用パッケージ１の一例を説明するための概略構成を示した断面図である。
【００２５】
図１に示すように、電子デバイス用パッケージ１は、基材が平板状のベース部３と、底部２Ａと、底部２Ａから上方（例えば、図１においてはベース３の方向）へ伸びる側板部２Ｂによって開口部２Ｃが形成され空間部４を有する凹部５と、凹部５の開口部２Ｃ側の外縁部から外部へ伸びる平面状のつば部６とを有し、つば部６の平面部であるつば部平面７がベース部３に接合されることにより、凹部５（空間部４）に、ベース３に実装された電子デバイス素子が収納される金属製の蓋体部２等とを備えて構成される。
そして、つば部平面７とベース部３は、つば部平面７の全周がベース部３に接して、接合部材８によって接合される。
【００２６】
ベース部３を構成する材料は主に、セラミックスまたはガラス、あるいはこれらの複合材料が用いられる。セラミックスは、例えばアルミナ（Ａｌ2 Ｏ3 ）等に代表される酸化物系、炭化シリコン（ＳｉＣ）系、窒化アルミニウム（ＡｌＮ）系等であり、ガラスは、例えばソーダ石灰ガラス、石英ガラス、ほうけい酸ガラス等である。また、他の材料、例えば無機質繊維等との複合ガラスでもよい。また、セラミック、ガラス以外のガラスエポキシなどの樹脂ベースの回路基板を用いても良い。
【００２７】
また、蓋体部２を構成する金属材料は、コバール（Ｆｅ−Ｎｉ−Ｃｏ合金）、４２アロイ（Ｆｅ−Ｎｉ合金）、ＳＵＳ３０４（ステンレス鋼）などの金属が用いられ、接合する低融点ガラス等の接合材８やベース部３と熱膨張係数が同程度のものが好ましい。
蓋体部２は、これらの金属板をプレス加工することによってつくられる。
また、接合材８には、例えば、金（Ａｕ）−錫（Ｓｎ）、金（Ａｕ）−ニッケル（Ｎｉ）系合金、あるいは例えば酸化ホウ素（ＢａＯ）−酸化鉛（ＰｂＯ）系の低融点ガラスや、鉛フリータイプの低融点ガラス等が用いられる。
【００２８】
ベース部３の厚さは０．１ｍｍ程度であり、また金属製の蓋体部２の板厚は０．０２〜０．２０ｍｍとなっている。そして、この電子デバイス用パッケージ１の厚さは、携帯電話等に用いられる水晶振動子用や半導体装置のパッケージの場合、０．６ｍｍ以内で、好ましくは０．３ｍｍ程度に薄型化される。
なお、すでに説明したが、図１に示すように、ベース部３、蓋体部２、及び接合材８等を含んでなる、電子デバイス素子５０を収容する収容部を電子デバイス用パッケージ１という。
【００２９】
そして後述する図３に示すように、電子デバイス素子５０としては、例えば水晶振動片や半導体素子等が使用できる。例えば、電子デバイス素子５０が水晶振動片である場合、電子デバイス５１は水晶振動子となる。また、電子デバイス素子５０が半導体素子である場合、電子デバイス５１は半導体装置となる。この電子デバイス用パッケージ１の蓋体部２内部に水晶振動片、半導体素子等がベース部３上に取り付けられ収納することにより電子デバイス５１を構成している。また、電子デバイス素子５０が、ＭＥＭＳ素子（例えば、加速度センサー素子等）である場合には、電子デバイスは加速度センサー等となる。
【００３０】
次に、図２及び図３に基づいて、本発明の一実施形態に係る電子デバイス用パッケージ１の蓋体部２について説明する。
図２は、図１における枠線部Ｘの部分拡大図であり、さらに、図２（ａ）は、蓋体部２の一例を説明するための部分拡大図であり、図２（ｂ）は、底部２Ａと側板部２Ｂの厚さの関係を模式化した部分拡大図であり、図２（ｃ）は、蓋体部２の角部１４の部分拡大図である。また、図３は、本発明の一実施形態に係る電子デバイス用パッケージ１に電子デバイス素子５０を収納した一例を示す断面図である。
【００３１】
図２（ａ）に示すように、本実施形態に係る側板部２Ｂ（本発明の電子デバイス用パッケージ１の蓋体部２の側板内側の側板内面）のうち空間部４側の面である側板内面１０は、開口部２Ｃから底部２Ａへ向けて、空間部４の外側へ傾斜する逆テーパ面で形成されている。
換言すれば、側板部２Ｂの開口部側１２から、側板部２Ｂの底板２Ａの底板内面１６に向かって広がる角度とする逆テーパ面で形成されている。
【００３２】
従来の蓋体部１０２は、前述の図８に示したように、従来の通常の塑性加工によっては、蓋体部１０２の内部空間１０４内に曲率半径をもつ隅部１１４による平面長さＬ１、内側に向けたテーパ面を伴う側板内面１１０による平面長さＬ２を伴っていたため、電子デバイス素子と接触するおそれがあった。
【００３３】
これに対し、側板内面１０を、開口部２Ｃから底部２Ａへ向けて、空間部４の外側へ傾斜する逆テーパ面とすることによって、蓋体２の側板内面１０と電子デバイス素子５０の側面１１との間に所定の隙間が設けられる結果、空間部４が広がる（拡張される）ようになっている。
【００３４】
さらに具体的には、図３に示すように、蓋体部２の空間部４に収納される電子デバイス素子５０から、蓋体部２の側板内面１０の角部１４を遠ざけることができ、電子デバイス素子５０との接触を防止することができる。
【００３５】
ここで、角部１４とは、蓋体部２の側板内面１０と底部２Ａのうち前記空間部４側の面である底板内面１６とが交わる角部を示す。
側板内面１０の逆テーパ面の角度範囲は、任意に設定することが可能であるが、つば部平面７との垂直角度（底部２Ａに対して鉛直方向）から、側板内面側へ０°から５°傾けた範囲（から側板内面１０までの−５°の範囲）とすることが好ましい。
この構成により、蓋体の側板内面１０から電子デバイス素子５０が遠ざけられるため、電子デバイス素子５０の側面１１との接触防止を図ることができる。
【００３６】
そして、パッケージの蓋体部２の空間部４において、電子デバイス素子を収納できる容積を最大化することができる。
従って、側板内面１０と電子デバイス素子５０側の内側側面１０との間の距離を最小にし、電子デバイス素子のサイズを最大にして電子デバイス素子占有面積（ベース部３における電子デバイス素子を実装することができる面積）を増大させ、電子デバイス素子の搭載率を向上させた電子デバイス用パッケージを提供することができる。
【００３７】
従来の蓋体凹部内壁面の隅部は、相応の曲率半径をもって蓋体凹部内側に存在して電子デバイス素子が接触するおそれがあることに対し、側板部２Ｂを、開口部２Ｃから底部２Ａへ向けて、空間部４の外側へ傾斜する逆テーパ面１０とすることによって、電子デバイス素子を側板内面から遠ざけ、電子デバイス素子との接触を防止できるのである。
【００３８】
さらに具体的には、この構成によって増加した空間部４を、電子デバイス素子５０の占める面積に分け与え、蓋体２の側板内面１０と電子デバイス素子５０の側面１１間の距離を最小に、電子デバイス素子５０のサイズを最大にして電子デバイス素子５０の占める面積比を高め、電子デバイス素子５０の搭載率（電子デバイス素子面積／パッケージ面積）を高くすることができる。
【００３９】
すなわち、電子デバイス素子収納容積が増加し、側板内面１０と電子デバイス素子５０の側面１１間の距離を最小に電子デバイス素子のサイズを最大にして電子デバイス素子占有面積を高め、搭載率を向上させることができるのである。
さらに、空間部４の方向へ、つば部平面７の面積を広く設けることができる。従って、ベース部３とつば部平面７の接触面積が増加するため、ベース部３と蓋体部２との接続信頼性の確保することができ、電子デバイスの更なる小型化及び低背化を実現することができる。
【００４０】
この点について詳細に説明する。
上述した特許文献３及び４で開示される金属製の蓋体タイプとする構成のパッケージタイプの従来例では、第一の課題として電子デバイス素子の搭載率低下すること、第二の課題としてベース部と蓋体部との接続信頼性の（面積）確保が困難となること、第三の課題として１辺が１ｍｍを下回り、高さが０．４ｍｍを下回るパッケージになるほど、電子デバイス用パッケージの小型化や低背化が困難になるといった課題が、それぞれある。
【００４１】
具体的には、図８に示すように、従来例のつば部１０６を有して蓋体部１０２を接合するパッケージ１０１では、側板内面１１０と蓋体部１０２のつば部平面１０７と交わるコーナー１１５は、従来の通常の塑性加工では、素材厚さ同等のつば部厚さＴ１０１又はそれ以上の半径の大きさを伴うものであった。これは、電子デバイス素子との接触防止と、必要な接合面積と接合強度の確保とには機能していない不要の長さとなっている。必要な接合面積と接合強度の確保は、蓋体部１０２に用意されるつば部平面１０７の長さＬ４でのみであった。
【００４２】
そのため従来では、電子デバイス素子との接触防止と、必要な接合面積と接合強度の確保とには、隅部１１４による長さＬ１、側板内面１１０による長さＬ２、コーナー１１５による長さＬ３、つば部平面１０７による長さＬ４とを必要としていた。小型パッケージになるほど長さ（Ｌ１＋Ｌ２＋Ｌ３＋Ｌ４）の占める比率が顕著となって、長さＬ４に割り当てるための必要な接合面積と接合強度を確保するのが難しくしていた。
【００４３】
しかし、側板部２Ｂを、開口部２Ｃから底部２Ａへ向けて、空間部４の外側へ傾斜する逆テーパ面１０とすることによって、ベース部と蓋体部との接続信頼性の確保することができ、電子デバイスの更なる小型化及び低背化を実現することができるのである。
また、図２（ｂ）に示すように、つば部平面７と側板内面１０が交わる角部１５の半径は、つば部の厚さであるつば部厚さＴ１の１／４以下の大きさとしてもよい。
【００４４】
つば部平面７と側板内面１０とが交わる角部１５の半径（の大きさ）は、従来ではつば部厚さＴ１と同じ、又はそれ以上の大きさであった。前述の図８に示したように、従来のコーナー１１５の半径は、平面長さＬ３であった。
これに対し、側板内面１０と交わる角部１５の半径を、つば部厚さＴ１の１／４以下とすることによって、つば部厚さＴ１の略３／４以上の接合幅が出現することになる。この接合幅を接合面積として活用できる。
【００４５】
つば部平面７の面積の大きさ確保は、つば部６でベース部３を覆う接合拡大面積として、接合強度を担うベース部３と蓋体部２との重要な接続信頼性向上と直結する。
ベース部３を覆うつば部開口側１２のつば部平面７の接合幅は、つば部厚さＴ１の１／４以下のコーナー半径部を除いて、つば部厚さＴ１の略３／４以上の接合幅増加として活用することができる。
【００４６】
これにより、ベース部３と蓋体部２との接合幅は、つば部厚さＴ１の略３／４以上の接合幅がつば部平面７に加わり、必要な接合面積を確保していくことができる。確実な接合面積と接合強度の確保によって、ベース部３と蓋体部２との接続信頼性を高くすることができる。
【００４７】
また、図２（ｃ）に示すように、蓋体部２の側板内面１０と、底板内面１６とが交わる角部１４は、蓋体部２の内部へ埋設されるように形成された部内内側形状１７を含むようにしてもよい（換言すれば、部内内側形状１７は、蓋体部２を構成する部材（側板部２Ｂ及び底部２Ａ等）に対してめり込むように形成されている）。
換言すれば蓋体部２の側板内面１０と底板内面１６とが交わる角部１４は、蓋体部２の部材内側に向かって入り込んだ状態で交わる部材内側形状１７を含んでいる。
【００４８】
ここで、蓋体部２の部材内側に向かって入り込んだ状態で交わる部材内側形状１７とは、角部１４が蓋体２（蓋体凹部内側）の空間部４内に形成された従来の形状ではなく、角部１４が蓋体２（蓋体凹部内側）の空間部４４とは反対側に、蓋体部２の部材内側に向かって形成された形状のことである。
【００４９】
蓋体部２の凹部５を形成するための塑性加工時における側板内面１０と底板内面１６と交わる角部１４は、加工方法によっては、側板内面１０と底板内面１６の隣接する蓋体材料組成が圧縮され、蓋体部２の部材内側に向かって入り込んだ状態で部材内側形状１７が形成される。部材内側形状１７は、蓋体材料のクラックや破断などで生ずる形状ではなく、隣接する蓋体材料組成が連続して圧縮されて形成されるため、強度、気密性などは確保されている。
【００５０】
蓋体部２の部材内側に向かって入り込んだ状態で交わる部材内側形状１７を含んだ角部１４を形成することによって、蓋体凹部内側の空間部４側に隅部半径形状を作ることなく、電子デバイス素子５０との接触を確実に防止できる形状（接触防止を確実な形状）とすることができる。
【００５１】
前述の側板内面１０を逆テーパ面で形成することによる接触防止効果（電子デバイス素子５０との接触を確実に防止する効果）と合わせ、電子デバイス素子５０収納容積を減らすことなく、電子デバイス素子５０のコーナーと接触しない形状の確実さを得て、蓋体部２の側板内面１０と電子デバイス素子５０との接触を防止することができる。
また、図２（ａ）に示すように、蓋体部２の側板２Ｂの厚さＴ２は、つば部６の開口部２Ｃに近い方の側板厚さＴ２−１よりも底部側に近い方の側板厚さＴ２−２の方を薄くしてもよい。
【００５２】
蓋体部２の開口部２Ｃに近い方の側板厚さＴ２−１の方をつば部厚さＴ１に近い厚い状態にすると、蓋体部２の接合幅が増加する。底板内側１３に近い方の側板厚さＴ２−２の方を薄くすると、電子デバイス素子５０から側板内面１０のコーナー隅部１４が遠ざかる。よって、蓋体部２（側板内面１０等）と電子デバイス素子５０との接触防止と、蓋体部２とベース部３とのの接合面積増加の双方の形状機能効率化（双方の効果）が図れることになる。
【００５３】
このことにより、蓋体部２とベース部３とのの接合面積を確保するとともに、蓋体部２と電子デバイス素子５０との接触防止と、蓋体部２の凹部５に形成される空間部４における電子デバイス素子５０を収容できる範囲（電子デバイス素子５０収納容積）として最大化することができるため、ベース部と蓋体部との接続信頼性と電子デバイス素子搭載率を向上させた電子デバイス用パッケージとすることができる。
また、図２（ｂ）に示すように、蓋体部２の側板２Ｂの厚さＴ２と、底板２Ａの厚さＴ３は、つば部６の厚さＴ１より薄くしてもよい。
【００５４】
蓋体部２の側板２Ｂの厚さＴ２と底板の厚さＴ３を共につば部厚さＴ１より薄くすることによって、電子デバイス素子５０から側板内面１０の角部１４が遠ざかるため、蓋体部２のつば部平面７方向に電子デバイス素子５０を収納することができる空間が増加する。  また、電子デバイス素子５０から底板内面１６が遠ざかるため、底板の厚さＴ３方向に、電子デバイス素子５０を収納することができる空間が増加する。
【００５５】
これによって、空間部４において、つば部平面７の方向の空間部４の増加分と、底板の厚さＴ３方向の空間部４の増加分だけ、蓋体部２を小さくすることができる。
従って、同じ種類の電子デバイス素子５０が適用された電子デバイスにおいて、蓋体部２を小さくすることができるため、小型及び低背化の電子デバイス用パッケージ１を提供することができる。
【００５６】
また、図２（ｂ）に示すように、側板部２Ｂのうち外周面側である側板外面１８と、底板２Ａのうち外周面側である底板外面１９とが交わる外側角部３０の半径は、つば部６の厚さである略つば部厚さＴ１の厚さと同じ値であり、他のつば部６と側板２Ｂとで交わりそれぞれ形成されるコーナーの半径と、側板内面１０と底板内面１６とで交わり形成されるコーナーの半径の方が小さくしている。
ここで、他のコーナーとは、側板内面１０と底板内面１６と交わる角部１４と、接合するつば部平面７と側板内面１０と交わる角部１５と、つば部平面７の反対面（つば部平面７の接合面と対向する面）と側板外面１９と交わるコーナー３０をいう。
【００５７】
蓋体部２の側板外面１８と底板外面１９と交わるコーナー３０の外側半径（半径の値？）は、略つば部厚さＴ１の値と同じ（最大の外側半径）としている。そして、側板内面１０と底板内面１６と交わる角部１４と、接合するつば部平面７と側板内面１０と交わる角部１５と、つば部平面７の反対面と側板外面１９と交わる角部２０との半径の値を、略つば部厚さＴ１の値より小さく、好ましくは最小の値（最小半径）としている。
ここで、最小の値とは、例えば、板金加工において最小の曲げ角度が適用される。
【００５８】
側板内面１０と底板内面１６と交わる角部１４の半径の値を最小にすることは、蓋体部２の側板内面１０と、電子デバイス素子５０との接触防止と、収納容積増加（内部空間４へ電子デバイス素子５０を収納することができる空間が増加）として作用する。
【００５９】
接合するつば部平面７と側板内面１０と交わる角部１５の半径の値を最小にすることは、ベース部３とベース部３を覆う蓋体部２の接合面積増加として作用する。つば部平面７の反対面と側板外面１９と交わる角部２０との半径の値を最小にすることは、ベース部３と蓋体部２との接合時に必要な加圧部の平面面積増加として作用する。
【００６０】
このことにより、ベース部３とベース部３を覆う蓋体部２の接合面積を確保するとともに、電子デバイス素子５０との接触防止と、蓋体部２の凹部５の電子デバイス素子５０収納容積を最大化することができる。そして、ベース部３と蓋体部２との接続信頼性と電子デバイス素子５０搭載率を向上させた電子デバイス用パッケージ１とすることができる。
また、図２（ｂ）に示すように、つば部厚さＴ１は、０．０２ｍｍから０．２０ｍｍである。
【００６１】
従来のパッケージでは、電子デバイス用パッケージ体積に占めるデバイスの占有する体積が低く、その要因は占める蓋体部の形状と厚さであった。
これに対し、小型化するにつれ、蓋体部２の形状と厚さの占める比率が高くなることから、電子デバイスの小型化及び低背化に向けた蓋体部厚さは０．０２ｍｍから０．２０ｍｍとするのが好ましい。
【００６２】
これにより、電子デバイス用パッケージ１の大きさにおける電子デバイス素子５０の容積率をこの範囲で効率最大にして極めて有利な小型の電子デバイス用パッケージ１を提供することができる。０．２０ｍｍ以上では電子デバイス素子５０の容積率を高める効果が薄くなり、０．０２ｍｍ以下では、蓋体強度が低下して実用的ではなくなる。
【００６３】
次に、本発明の実施例であるベース部３について図面に基づいて説明する。
図４は、本発明の一実施形態に係るベース部３の一例を説明するための断面拡大図である。
【００６４】
図４に示すように、ベース部３の第一の面２１には内部電極２３を有し、ベース部３の他方の第二の面２２には外部電極２４を有し、ベース部３には貫通孔２５が形成されている。
貫通孔２５の径は、第一の面２１側の貫通孔２５の開口径４０〜１５０μｍ程度の範囲であり、第二の面２２側の貫通孔２５の開口径１０〜４０μｍ程度の範囲である。
【００６５】
貫通孔２５の内壁面は、金属膜２６で覆われ、金属膜２６は、第二の面２２側において貫通孔２５の開口部２７が充填して密封されている。
金属膜２６の部材には、例えば金、銅等の金属材料からなるものが使用できる。この金属膜２６の部材が貫通孔２５に充填されているため、内部の気密性を良好に維持することができる。
【００６６】
第一の面２１側の内部電極２３には、導電性接着剤、ハンダ、金バンプなどの接合部材２８により電子デバイス素子５０が接続される。
第一の面２１側の内部電極２３は、電子デバイス素子５０に合わせた再配置配線として、第一の面２１側の貫通孔２５と接続されている。
【００６７】
内部電極２３と外部電極２４とは、ベース部３の第一の面２１と他方の第二の面２２とをつなぐ貫通孔２５を経由して、第一の面２１及び第二の面２２に金属膜２６によって互いに少なくとも一組が接続されている。
電子デバイス５１（図４では蓋体部２と接合材８は図示せず）は、電子デバイス素子５０から接合部材２８、内部電極２３、貫通孔２５の金属膜２６、外部電極２４を経由して外部に出力する。
【００６８】
図４では、ベース３は単層としての材料に貫通孔２５を形成し、第一の面２１及び第二の面２２に配線や電極が形成されているが、ベース３は例えば、セラミックや樹脂ベースの多層基板を用い、上下面及び中間層の配線層と層間の電気的接続手段を持っている構成などを用いても良い。
このことにより、電子デバイス素子５０に合わせた再配置配線を配線自由度をもつ第一の面２１の内部電極２３に、基板実装側への配線を第二の面２２の外部電極２４に接続されたベース部３とすることができる。
【００６９】
次に、本発明の実施例である半導体デバイスの一例としての半導体装置５２について説明する。
図５は、本発明の一実施形態に係る電子デバイスを半導体装置５２に適用した一例を説明するための図であり、（ａ）は、本発明の一実施形態に係る半導体装置の斜視図であり、（ｂ）は、本発明の一実施形態に係る半導体装置の平面図であり、（ｃ）は、図５（ｂ）のＡ−Ａ線での断面図である。
【００７０】
上記実施形態との共通部分には同一符号を付して詳細な説明を省略し、上記実施形態と異なる部分を中心に説明する。
図５（ｃ）に示すように、半導体装置５２は、ベース部３と、金属製の蓋体部２と、接合材８と、を備え、ベース部３の第一の面２１側の内部電極２３には、金バンプなどの接合部材２８により蓋体凹部内側の内部空間４の中において半導体素子５３が接続される。
【００７１】
第一の面２１側の内部電極２３は、半導体素子５３に合わせた再配置配線として、貫通孔２５の金属膜２６、そして外部電極２４へと接続されている。
半導体装置５２は、半導体素子５３から接合部材２８、内部電極２３、貫通孔２５の金属膜２６、外部電極２４を経由して外部に出力する。
【００７２】
半導体素子５３から蓋体部２の凹部側内壁面１０から遠ざけた半導体素子５３側面接触防止と、パッケージ蓋体部２の凹部内部空間４を形成する半導体素子５３収納容積を最大化している。側板内面１０と半導体素子５３側面間の距離を最小に半導体素子５３のサイズを最大にして半導体素子５３の占有面積を増大させ、半導体素子５３の搭載率を向上させた半導体装置５２としている。
【００７３】
また、ベース部３とベース部３を覆う蓋体部２との接合面積と接合強度を確保したベース部３と蓋体部２との接続信頼性を高めた半導体装置５２としている。
また、０．０２ｍｍから０．２０ｍｍのつば部厚さＴ１として、半導体素子５３収納容積の増加をパッケージの小型化とパッケージ低背に振り向け、より小型化及び低背化の半導体装置５２としている。
また、半導体素子５３に合わせた再配置配線の配線自由度をもつベース部３の第一の面２１の内部電極２３にして、基板実装側への配線を第二の面２２の外部電極２４に接続された半導体装置５２としている。
【００７４】
本実施例の半導体装置５２の小型化高搭載率への具体的な実施例を説明すると、電子デバイス用パッケージ１の各辺の大きさは０．６ｍｍ×０．６ｍｍ、半導体素子５３の各辺の大きさは０．４５ｍｍ×０．４５ｍｍ、半導体素子５３の搭載率５６％以上として、厚さ０．３ｍｍにして極めて小型化高搭載率の半導体装置５２を実現することができる。
上述したように、本実施例の半導体装置５２は、小型化及び低背化で半導体素子５３搭載率と、ベース部３と蓋体部２との接続信頼性の高い効果を奏する半導体装置５２を提供することができる。
【００７５】
次に、本発明の実施例である水晶デバイスの一例としての水晶振動子５４について説明する。
図６は、本発明の一実施形態に係る電子デバイスを水晶振動子５４に適用した一例を説明するための図であり、ａ）は、本発明の一実施形態に係る水晶振動子の斜視図であり、（ｂ）は、本発明の一実施形態に係る平面図であり、（ｃ）は、図６（ｂ）のＢ−Ｂ線での断面図である。
【００７６】
図６（ｃ）に示すように、水晶振動子５４は、ベース部３と、金属製の蓋体部２と、接合材８と、を備え、ベース部３の第一の面２１側の内部電極２３には、金バンプなどの接合部材２８により蓋体凹部内側の内部空間４の中において水晶振動片５５が接続される。
【００７７】
第一の面２１側の内部電極２３は、水晶振動片５５に合わせた再配置配線として、貫通孔２５の金属膜２６、そして外部電極２４へと接続されている。
水晶振動子５４は、水晶振動片５５から接合部材２８、内部電極２３、貫通孔２５の金属膜２６、外部電極２４を経由して外部に出力する。
【００７８】
蓋体部２の側板内面１０から遠ざけた水晶振動片５５の側面接触防止と、パッケージ蓋体部２の凹部内部空間４を形成する水晶振動片５５収納容積を最大化している。側板内面１０と水晶振動片５５側面間の距離を最小に水晶振動片５５のサイズを最大にして水晶振動片５５占有面積を増大させ、水晶振動片５５の搭載率を向上させた水晶振動子５４としている。
【００７９】
また、ベース部３とベース部３を覆う蓋体部２との接合面積と接合強度を確保したベース部３と蓋体部２との接続信頼性を高めた水晶振動子５４としている。
また、０．０２ｍｍから０．２０ｍｍのつば部厚さＴ１として、水晶振動片５５収納容積の増加をパッケージの小型化とパッケージ低背に振り向け、より小型化及び低背化の水晶振動子５４としている。
また、水晶振動片５５に合わせた再配置配線の配線自由度をもつベース部３第一の面２１の内部電極２３にして、基板実装側への配線を第二の面２２の外部電極２４に接続された水晶振動子５４としている。
【００８０】
本実施例の水晶振動子５４小型化高搭載率への具体的な実施例を説明すると、２０１２タイプと称されている従来の電子デバイス用パッケージの各辺の大きさは２．０ｍｍ×１．２ｍｍとする水晶振動片５５の搭載率は３２％であったのに対し、電子デバイス用パッケージ１の搭載率は５４％以上として、厚さ０．３ｍｍにして極めて小型化高搭載率の水晶振動子５４を実現することができる。
【００８１】
なお、本実施形態に係る蓋体部２の製造方法としては、絞り加工や、スライド構造を有する金型によるいわゆるダイキャスト等を適用することができる。
また、本実施形態に係る蓋体部２の材質は金属製のものを適用したが、これに限定されず、例えば、ＡＢＳ（アクリロニトリル （Ａｃｒｙｌｏｎｉｔｒｉｌｅ）、ブタジエン （Ｂｕｔａｄｉｅｎｅ）、スチレン （Ｓｔｙｒｅｎｅ）共重合合成樹脂）、ＰＣ（ポリカーボネート）等の樹脂を適用するようにしてもよい。
【００８２】
なお、以上説明した実施形態は特許請求の範囲に係る発明を限定するものではない。
そして、上記実施形態の中で説明されている構成の組合せ全てが発明の課題解決に必須の手段であるとは限らない。また、上記実施携帯の中で説明されている構成は、適宜組合わせて実施することが可能である。
【符号の説明】
【００８３】
１    電子デバイス用パッケージ
２    蓋体部
２Ａ  底部
２Ｂ  側板部
２Ｃ  開口部
３    ベース部
４    内部空間
５    凹部
６    つば部
７    つば部平面
８    接合材
１０  側板内面（逆テーパ面）
１１  側板内面
１２  つば部開口側
１３  底板内側
１４  角部
１５  角部
１６  底板内面
１７  部材内側形状
１８  側板外面
１９  底板外面
２０  角部
２１  第一の面
２２  第二の面
２３  内部電極
２４  外部電極
２５  貫通孔
２６  金属膜
２７  開口部
２８  接合部材
３０  外側角部
５０  電子デバイス素子
５１  電子デバイス
５２  半導体装置
５３  半導体素子
５４  水晶振動子
５５  水晶振動片
Ｔ１  つば部厚さ
Ｔ２、Ｔ２−１、Ｔ２−２、Ｔ３  側板厚さ
【図１】
2015023052.tif 000003
【図２】
2015023052.tif 000004
【図３】
2015023052.tif 000005
【図４】
2015023052.tif 000006
【図５】
2015023052.tif 000007
【図６】
2015023052.tif 000008
【図７】
2015023052.tif 000009
【図８】
2015023052.tif 000010