(57)【要約】【課題】基板の開口部に電子部品を配置し、その電子部品を絶縁層で封止する電子部品内蔵基板の製造方法において、不具合が発生しない新規な方法を提供する。【解決手段】開口部２ａが設けられた基板２と、絶縁樹脂層３２の上に絶縁樹脂層３２と同一の樹脂からなる接着用樹脂層３６が形成された第１樹脂基材５とを用意する工程と、基板２の一方の面に第１樹脂基材５の接着用樹脂層３６を配置して、基板２の開口部２ａの一方の開口を閉塞する工程と、基板２の開口部２ａ内の接着用樹脂層３６に電子部品４０を接着する工程と、基板２の他方の面に第２樹脂基材６を配置し、基板２の両側から加熱圧着することにより、基板２の両側に電子部品４０を封止する絶縁層５０を形成する工程とを含む。【選択図】図５
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
開口部が設けられた基板と、絶縁樹脂層の上に前記絶縁樹脂層と同一の樹脂からなる接着用樹脂層が形成された第１樹脂基材とを用意する工程と、
前記基板の一方の面に前記第１樹脂基材の接着用樹脂層を配置して、前記基板の開口部の一方の開口を閉塞する工程と、
前記基板の開口部内の前記接着用樹脂層に電子部品を接着する工程と、
前記基板の他方の面に第２樹脂基材を配置し、前記基板の両側から加熱圧着することにより、前記基板の両側に前記電子部品を封止する絶縁層を形成する工程とを有することを特徴とする電子部品内蔵基板の製造方法。
【請求項２】
前記第１樹脂基材を用意する工程において、
前記第１樹脂基材の接着用樹脂層は、
半硬化状態の前記絶縁樹脂層の上に、前記絶縁樹脂層と同一の樹脂を溶剤に溶かした液状樹脂を塗布することにより得られることを特徴とする請求項１に記載の電子部品内蔵基板の製造方法。
【請求項３】
前記第１樹脂基材を用意する工程において、
前記第１樹脂基材の接着用樹脂層は、
半硬化状態の前記絶縁樹脂層の上に溶剤を塗布して、前記絶縁樹脂層の表面の樹脂を前記溶剤に溶かすことにより得られることを特徴とする請求項１に記載の電子部品内蔵基板の製造方法。
【請求項４】
前記溶剤は、メタノール、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン、ジメチルホルムアミド、ジメチルセルソルブ、アセトン、及び、それらの複合物のいずれかであることを特徴とする請求項２又は３に記載の電子部品内蔵基板の製造方法。
【請求項５】
前記溶剤の沸点は、３５℃以上で１８０℃未満であることを特徴とする請求項２乃至４のいずれか一項に記載の電子部品内蔵基板の製造方法。
【請求項６】
前記第１樹脂基材を用意する工程において、
前記第１樹脂基材の絶縁樹脂層はプリプレグから形成され、前記絶縁樹脂層の前記接着用絶縁層が形成された面と反対面に銅箔が貼付されていることを特徴とする請求項１乃至５のいずれか一項に記載の電子部品内蔵基板の製造方法。
【請求項７】
前記基板は、両側に第１配線層を備えた配線基板であり、
前記電子部品は、チップキャパシタであり、
前記絶縁層を形成する工程の後に、
前記基板の両側の絶縁層に、前記チップキャパシタの接続端子及び前記第１配線層に到達するビアホールをそれぞれ形成する工程と、
前記基板の両側の絶縁層の上に、前記ビアホールを介して前記接続端子及び前記第１配線層に接続される第２配線層をそれぞれ形成する工程とを有することを特徴とする請求項１乃至６のいずれか一項に記載の電子部品内蔵基板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は電子部品内蔵基板の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年の電子機器の発達に伴い、電子機器に使用される電子部品装置の配線基板は、小型化及び高性能化などが要求されている。これに対応するため、配線基板内に電子部品が内蔵された電子部品内蔵基板が実用化されている。
【０００３】
そのような電子部品内蔵基板では、コア基板の開口部に電子部品が配置され、コア基板の両側にビルドアップ配線が形成される。
【０００４】
コア基板の開口部に電子部品を固定する第１の方法としては、コア基板の開口部の内壁に突起を設けておき、電子部品を開口部に圧入して突起に固定する方法がある。
【０００５】
また、第２の方法としては、コア基板の開口部の内壁に電子部品の側面を接着剤で固定する方法がある。
【０００６】
また、第３の方法としては、開口部が設けられたコア基板を仮止めテープの上に配置し、開口部内の仮止めテープの上に電子部品を仮固定した後に、開口部に樹脂を充填する方法がある。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００７】
【特許文献１】特開２００１−３３２４３７号公報
【特許文献２】特開２００５−２０３４５７号公報
【特許文献３】特開２００７−２５８５４１号公報
【特許文献４】特開２０１１−２１６７４０号公報
【特許文献５】特開２０１２−７９９９４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
上記したコア基板の開口部に電子部品を固定する第１の方法では、基板の開口部の内壁を変形させるため、基板の絶縁性の信頼性が得らないことがある。また、電子部品の外形のばらつき及びコア基板の開口部の寸法のばらつきが生じることから、電子部品を精度よく安定して基板の開口部に固定することは困難である。
【０００９】
また、上記した第２の方法では、コア基板の開口部の内壁に、電子部品を埋め込む樹脂と材料が異なる接着剤が残留するため、両者の物性の違いによる剥離や残留応力などが発生しやすい。さらには、接着剤がコア基板の表面の電極パッド上に押し出されることがあり、電極パッド上のビア接続の信頼性が低下するおそれがある。
【００１０】
また、上記した第３の方法では、仮止めテープを特別に使用するため、コスト上昇を招くと共に、製造プロセスが煩雑になり、製造効率が低下する問題がある。
【００１１】
基板の開口部に電子部品を配置し、その電子部品を絶縁層で封止する電子部品内蔵基板の製造方法において、不具合が発生しない新規な方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
以下の開示の一観点によれば、開口部が設けられた基板と、絶縁樹脂層の上に前記絶縁樹脂層と同一の樹脂からなる接着用樹脂層が形成された第１樹脂基材とを用意する工程と、前記基板の一方の面に前記第１樹脂基材の接着用樹脂を配置して、前記基板の開口部の一方の開口を閉塞する工程と、前記基板の開口部内の前記接着用樹脂層に電子部品を接着する工程と、前記基板の他方の面に第２樹脂基材を配置し、前記基板の両側から加熱圧着することにより、前記基板の両側に前記電子部品を封止する絶縁層を形成する工程とを有する電子部品内蔵基板の製造方法が提供される。
【発明の効果】
【００１３】
以下の開示によれば、電子部品内蔵基板の製造方法では、層間絶縁材料として、絶縁樹脂層の上にそれと同一の樹脂からなる接着用樹脂層が形成された第１樹脂基材を使用する。そして、開口部が設けられた基板の一方の面に第１樹脂基材の接着用樹脂層を配置する。
【００１４】
続いて、基板の開口部の接着用樹脂層に電子部品を接着する。さらに、基板の他方の面に第２樹脂基材を配置し、基板の両側から加熱圧着することにより、電子部品を封止する絶縁層を形成する。
【００１５】
このように、絶縁層を得るための第１樹脂基材の表面にタック性をもたせて電子部品を接着している。このため、電子部品の周りに絶縁層と異なる材料の接着剤が存在しないため、物性の違いによる剥離や残留応力の発生が抑制される。
【００１６】
また、基板の開口部に電子部品を配置する際に、基板の開口部の内壁を変形させることもないため、基板の絶縁性の信頼性を低下させることもない。
【００１７】
さらには、基板の開口部に電子部品を配置する際に、仮止めテープを使用しないので、コストを削減できると共に、製造工程が簡略化される。
【図面の簡単な説明】
【００１８】
【図１】図１（ａ）〜（ｄ）は実施形態の電子部品内蔵基板の製造方法を示す断面図（その１）である。
【図２】図２（ａ）〜（ｄ）は実施形態の電子部品内蔵基板の製造方法を示す断面図（その２）である。
【図３】図３（ａ）及び（ｂ）は実施形態の電子部品内蔵基板の製造方法を示す断面図（その３）である。
【図４】図４（ａ）及び（ｂ）は実施形態の電子部品内蔵基板の製造方法を示す断面図（その４）である。
【図５】図５（ａ）〜（ｃ）は実施形態の電子部品内蔵基板の製造方法を示す断面図（その５）である。
【図６】図６（ａ）〜（ｃ）は実施形態の電子部品内蔵基板の製造方法を示す断面図（その６）である。
【図７】図７（ａ）〜（ｃ）は実施形態の電子部品内蔵基板の製造方法を示す断面図（その７）である。
【図８】図８は実施形態の電子部品内蔵基板の製造方法を示す断面図（その８）である。
【図９】図９は図８の電子部品内蔵基板に半導体チップが実装された様子を示す断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１９】
以下、実施の形態について、添付の図面を参照して説明する。
【００２０】
図１〜図８は実施形態の電子部品内蔵基板の製造方法を示す図である。
【００２１】
実施形態の電子部品内蔵基板の製造方法では、最初に、ガラスエポキシ樹脂などの絶縁材料から形成されるコア基板１０を用意する。コア基板１０の厚みは、例えば、１００μｍ〜４００μｍ程度である。
【００２２】
次いで、図１（ｂ）に示すように、コア基板１０をレーザやドリルなどによって厚み方向に貫通加工することにより、スルーホールＴＨを形成する。スルーホールＴＨの直径は、例えば、１００μｍ〜２００μｍ程度に設定される。
【００２３】
その後に、図１（ｃ）に示すように、コア基板１０の両側及びスルーホールＴＨの内面に無電解めっき及び電解めっきにより銅などからなるスルーホールめっき層２０ａを形成する。さらに、図１（ｄ）に示すように、スルーホールＴＨの残りの孔にエポキシ樹脂などの樹脂体Ｒを充填する。
【００２４】
続いて、図２（ａ）に示すように、無電解めっき及び電解めっきにより、コア基板１０の両側のスルーホールめっき層２０ａ及び樹脂体Ｒの上に銅などからなる金属めっき層２０ｂをそれぞれ形成する。
【００２５】
次いで、図２（ｂ）に示すように、フォトリソグラフィにより、コア基板１０の両側の金属めっき層２０ｂの上にレジスト層１２をそれぞれパターニングする。さらに、コア基板１０の両側において、レジスト層１２をマスクにして金属めっき層２０ｂ及びスルーホールめっき層２０ａをウェットエッチングして除去する。
【００２６】
これにより、図２（ｃ）に示すように、コア基板１０の両側に第１配線層２０がそれぞれ形成される。第１配線層２０の厚みは、例えば、１８μｍ〜３３μｍ程度に設定される。
【００２７】
図２（ｃ）の部分拡大断面図に示すように、第１配線層２０は、下から順に、スルーホールめっき層２０ａ及び金属めっき層２０ｂが積層されて形成される。両側の第１配線層２０は、スルーホールめっき層２０ａを介して相互接続される。
【００２８】
以上により、本実施形態で使用されるコア配線基板２が得られる。
【００２９】
図２（ｃ）の例では、スルーホールＴＨ内の孔に樹脂体Ｒが充填されているが、スルーホールＴＨ内の全体が銅などの金属めっき層で埋め込まれていてもよい。
【００３０】
また、コア基板１０の内部に多層配線が内蔵されるようにしてもよい。この場合は、例えば、コア材の両面に銅箔が貼付された銅張積層板を使用し、両側の銅箔をパターニングして配線層を形成し、片面に銅箔が貼付されたプリプレグを両面に積層した後に、基板全体にスルーホールを形成する方法に基づいて製造される。
【００３１】
次に、コア配線基板２に電子部品を内蔵する方法について説明する。図２（ｄ）に示すように、まず、金型を使用するプレス加工により、図２（ｃ）のコア配線基板２の中央部に上面から下面まで貫通する開口部２ａを形成する。金型を使用するプレス加工の代わりに、ルータ加工やレーザ加工などにより開口部２ａを形成してもよい。開口部２ａはキャビティとも呼ばれる。
【００３２】
コア配線基板２の開口部２ａは平面視して例えば四角形状で形成され、後述するように開口部２ａ内に電子部品が配置される。多面取り用の大型のコア配線基板２を使用する場合は、複数で画定された製品領域に開口部２ａがそれぞれ配置される。
【００３３】
コア配線基板２に開口部２ａを形成する前又は後に、第１配線層２０の表面を黒化処理などにより粗化面とする。第１配線層２０の表面を粗化面とすることにより、アンカー効果によって第１配線層２０の上に絶縁樹脂層を密着性よく形成することができる。
【００３４】
以上のようにして、開口部２ａが設けられたコア配線基板２を用意する。
【００３５】
次に、層間絶縁材料として使用される第１樹脂基材を用意する。図３（ａ）及び（ｂ）には、第１樹脂基材の第１の作成方法が示されている。
【００３６】
第１樹脂基材の第１の作成方法では、図３（ａ）に示すように、片面に銅箔３４が貼付された半硬化状態（Ｂステージ）の絶縁樹脂層３２を用意する。絶縁樹脂層３２としては、好適に、プリプレグが使用される。プリプレグは、ガラスクロスなどの繊維補強材にエポキシ樹脂などの熱硬化性樹脂を含侵させた半硬化状態（Ｂステージ）の樹脂からなるシート状の中間材料である。
【００３７】
そして、図３（ｂ）に示すように、絶縁樹脂層３２の樹脂と同一の樹脂を溶剤に溶かした液状樹脂（ワニス）を絶縁樹脂層３２の上に塗布して接着用樹脂層３６を形成する。絶縁樹脂層３２がプリプレグから形成される場合は、プリプレグに含有される樹脂と同一の樹脂からなる接着用樹脂層３６が形成される。
【００３８】
接着用樹脂層３６の厚みは、好適には２μｍ〜３μｍ程度に設定されるが、１５μｍ〜２０μｍ程度まで厚くしてもよい。
【００３９】
以上のように、半硬化状態の絶縁樹脂層３２の上にそれと同一樹脂からなる接着用樹脂層３６を形成することにより、絶縁樹脂層３２の表面にタック性（接着性）をもたせることができる。
【００４０】
このようにして、絶縁樹脂層３２と、その一方の面に形成された銅箔３４と、その他方の面に形成された接着用樹脂層３６とを備えるタック性を有する第１樹脂基材５を作成する。
【００４１】
なお、絶縁樹脂層３２としてプリプレグを例示したが、ガラスクロスなどの繊維補強材を含まないエポキシ樹脂などの半硬化状態（Ｂステージ）の樹脂シートを使用してもよい。絶縁樹脂層３２として樹脂シートを使用する場合は、片面に銅箔が貼付されていなくてもよい。この場合は、樹脂シートと同一の樹脂を溶剤に溶かした液状樹脂（ワニス）を樹脂シートの上に塗布して接着用樹脂層３６を形成する。
【００４２】
この他にも、絶縁樹脂層３２として、各種の熱硬化性樹脂を使用することができる。
【００４３】
液状樹脂（ワニス）を形成するための溶液の好適な例としては、メタノール、メチルエチルケトン（ＭＥＫ）、メチルイソブチルケトン（ＭＢＫ）、ジメチルホルムアミド、ジメチルセルソルブ、アセトン、及びそれらの複合物のいずれかから選択される。
【００４４】
上記した溶剤は、比較的低温の沸点を有し、それらの沸点は３５℃以上で１８０℃未満の範囲である。液状樹脂（ワニス）においては、常温（２５℃）で溶剤が揮発せずに粘着性を有する接着剤として機能し、１８０℃以上の温度でキュアして層間絶縁層を形成する際に溶剤が完全に揮発する特性を有することが好ましいからである。
【００４５】
図４には、第１樹脂基材の第２の作成方法が示されている。第１樹脂基材の第２の作成方法では、図４（ａ）に示すように、まず、上記した図３（ａ）と同様に、片面に銅箔３４が貼付された半硬化状態の絶縁樹脂層３２を用意する。そして、スプレー装置のマルチノズル１４から溶剤Ｓを絶縁樹脂層３２の表面に塗布する。
【００４６】
これにより、図４（ｂ）に示すように、絶縁樹脂層３２の表面の樹脂が溶剤Ｓに溶けて接着用樹脂層３６となる。絶縁樹脂層３２がプリプレグからなる場合は、プリプレグに含有される樹脂が溶剤Ｓに溶けて接着用樹脂層３６が得られる。
【００４７】
第２の作成方法においても、樹脂を溶かす溶剤Ｓは、好適には、上記した第１の作成方法で説明した溶剤と同一のものが使用され、溶剤の沸点においても同様の範囲に設定される。
【００４８】
以上のように、第２の作成方法を使用しても、同様に、絶縁樹脂層３２の上にそれと同一樹脂から形成された接着用樹脂層３６を形成することができる。
【００４９】
このようにして、第２の作成方法により、絶縁樹脂層３２と、その一方の面に形成された銅箔３４と、その他方の面に形成された接着用樹脂層３６とを備えるタック性を有する第１樹脂基材５ａが得られる。
【００５０】
第２の作成方法で作成された図４（ｂ）の第１樹脂部材５ａは、第１の作成方法で作成された図３（ｂ）の第１樹脂基材５と実質的に同じ構造を有する。
【００５１】
次いで、図５（ａ）に示すように、図２（ｄ）の開口部２ａが設けられたコア配線基板２の一方の面に上記した第１樹脂基材５の接着用樹脂層３６を配置する。これによって、コア配線基板２の開口部２ａの一方の開口を閉塞する。
【００５２】
この工程では、ステージ（不図示）上に固定された第１樹脂基材５にコア配線基板２を貼り付けてもよいし、逆に、ステージ上に固定されたコア配線基板５に第１樹脂基材５を貼り付けてもよい。これにより、コア配線基板２の開口部２ａ内に第１樹脂基材５の接着用樹脂層３６が露出した状態となる。
【００５３】
さらに、図５（ｂ）に示すように、コア配線基板２の開口部２内の接着用樹脂層３６にチップキャパシタ４０を接着して配置する。前述したように、接着用樹脂層３６に含まれる溶剤は、その沸点は３５℃以上であるため、常温（２５℃）で粘性を有する接着剤として機能する。
【００５４】
コア配線基板２の開口部２ａの面積は、内蔵されるチップキャパシタ４０の面積より一回り大きな面積で形成されている。
【００５５】
チップキャパシタ４０は、横方向の両端側に一対の接続端子４２を備えており、一対の接続端子４２がコア配線基板２の表面と平行な水平方向に配置される。
【００５６】
チップキャパシタ４０の接続端子４２は両側面から上下面の端部まで延在して形成されている。図５（ｂ）の例では、コア配線基板２の全体の厚みは、チップキャパシタ４０の接続端子４２を含む全体の厚みと同一に設定されている。あるいは、コア配線基板２の全体の厚みがチップキャパシタ４０の全体の厚みより厚く設定されるようにしてもよい。
【００５７】
この時点では、コア配線基板２の開口部２ａの内壁と、チップキャパシタ４０の側面との間に隙間Ｃが生じた状態となっている。隙間Ｃの幅は、例えば、４０μｍ〜６０μｍ程度である。
【００５８】
チップキャパシタ４０の一例としては、直方体からなるキャパシタ本体の長手方向の両端に電極が設けられたセラミックチップキャパシタがある。
【００５９】
電子部品として、チップキャパシタ４０を例示するが、半導体チップ、抵抗素子、インダクタ素子などの接続端子を備えた各種の電子部品を使用することができる。また、コア配線基板２の１つの開口部２ａに複数の電子部品を配置してもよい。
【００６０】
次いで、図５（ｃ）に示すように、半硬化状態の絶縁樹脂層３２ａの片面に銅箔３４ａが貼付された第２樹脂基材６を用意する。第２樹脂基材６の絶縁樹脂層３２ａは、第１樹脂基材５の絶縁樹脂層３２と同一の樹脂から形成される。
【００６１】
第１樹脂基材５と同様に、絶縁樹脂層３２ａは、好適には、プリプレグから形成される。
【００６２】
あるいは、絶縁樹脂層３２ａとして、エポキシ樹脂などの半硬化状態の樹脂シートを使用してもよい。この場合は、銅箔３４ａを省略して樹脂シートを単層で使用してもよい。
【００６３】
第２樹脂基材６は、コア配線基板２の上面側に絶縁層を形成するための層間絶縁材料である。このため、第２樹脂基材６は、第１樹脂基材５と違って表面にタック性を有する必要はなく、接着用樹脂層を備えている必要はない。しかし、第２樹脂基材６として、第１樹脂基材５と同一構造のものを使用しても差し支えない。
【００６４】
そして、加熱圧着機能を備えた真空ラミネーターによって、コア配線基板２の上面側に第２樹脂基材６の絶縁樹脂層３２ａの面を対向させて配置する。
【００６５】
このとき、まず、１３０℃〜１５０℃の温度で加熱圧着することにより、コア配線基２の下面側から第１樹脂基材５の接着用樹脂層３６及び絶縁樹脂層３２を流動化させて開口部２ａ内に流入させる。これと同時に、コア配線基２の上面側から第２樹脂基材６の絶縁樹脂層３２ａを流動化させて開口部２ａ内に流入させる。その後に、流入させた樹脂を１８０℃〜２００℃の温度で本キュアする。
【００６６】
これにより、図６（ａ）に示すように、コア配線基板２の両側に、第１配線層２０を被覆してチップキャパシタ４０を封止する第１層間絶縁層５０がそれぞれ形成される。前述したように、第１樹脂基材５の接着用樹脂層３６に含まれる溶剤の沸点は１８０℃未満である。
【００６７】
このため、第１層間絶縁層５０を形成する際のキュアにより接着用樹脂層３６内の溶剤は完全に揮発し、接着用樹脂層３６が第１層間絶縁層５０の一部として形成される。
【００６８】
チップキャパシタ４０の側面とコア配線基板２の開口部２ａの内壁との隙間Ｃ（図５（ｂ））が第１層間絶縁層５０の充填絶縁部５０ｘで埋め込まれる。これにより、チップキャパシタ４０の両面及び全側面にわたってその周り全体が第１層間絶縁層５２によって封止された状態となる。両側の第１層間絶縁層５０は、各外面に銅箔３４，３４ａがそれぞれ貼付された状態で形成される。
【００６９】
本実施形態では、第１樹脂基材５の接着用樹脂層３６と絶縁樹脂層３２とは同一の樹脂から形成される。さらに、第２樹脂基材６においても、第１樹脂基材５の絶縁樹脂層３２と同一の樹脂からされる。このため、チップキャパシタ４０はその側面の隙間を含めて同一の樹脂で封止される。
【００７０】
このように、チップキャパシタ４０の周りには、充填用の第１層間絶縁層５０と異なる材料の接着剤が存在しないため、物性の違いによる剥離や残留応力の発生が抑制される。さらに、第１層間絶縁層５０と物性の異なる接着剤が第１配線層２０の上に押しだされることもない。
【００７１】
また、コア配線基板２の開口部２ａにチップキャパシタ４０を配置する際に、コア配線基板２の開口部２ａの内壁を変形させることもないため、コア基板１０の絶縁性の信頼性を低下させることもない。
【００７２】
さらには、仮止めテープを使用せずに、第１層間絶縁層５０を得るための第１樹脂基材５にタック性をもたせてチップキャパシタ４０を接着している。このため、仮止めテープのコストを削減できると共に、製造工程が簡略化されるため生産効率を向上させることができる。
【００７３】
さらには、チップキャパシタ４０は第１樹脂基材５の接着用樹脂層３６に十分な接着力で仮固定されるため、コア配線基板２の両側に第１、第２樹脂基材５，６を加熱圧着する際に、チップキャパシタ４０が位置ずれおそれがない。このため、チップキャパシタ４０の全側面が充填樹脂部５０ｘで信頼性よく封止される。
【００７４】
また、コア配線基板２の両側に第１層間絶縁層５０が対称になって配置されるため、加熱処理時に熱応力が発生するとしても、反りの発生が抑制される構造となる。
【００７５】
なお、チップキャパシタ４０の位置ずれを防止するためにチップキャパシタ４０をより強く接着用樹脂層３６に接着する場合は、図５（ｂ）の工程で、１００℃程度の温度で予め加熱して接着してもよい。
【００７６】
次いで、図６（ｂ）に示すように、コア配線基板２の両側において、レーザなどで銅箔３４，３４ａ及び第１層間絶縁層５０を加工する。これにより、コア配線基板２の両側に、チップキャパシタ４０の接続端子４２及び第１配線層２０の接続部に到達する第１ビアホールＶＨ１をそれぞれ形成する。あるいは、第１層間絶縁層５０を感光性樹脂から形成し、フォトリソグラフィによって第１ビアホールＶＨ１を形成してもよい。
【００７７】
前述したように、本実施形態では、チップキャパシタ４０の側面を接着剤でコア配線基板２の開口部２の内壁に固定する手法は使用していない。このため、第１層間絶縁層５０と物性の異なる接着剤が第１配線層２０の上に押しだされることもないため、信頼性よく第１ビアホールＶＨ１を形成することができる。
【００７８】
続いて、図６（ｃ）に示すように、コア配線基板２の両側において、銅箔３４，３４
ａ上及び第１ビアホールＶＨ１の内面に無電解めっきにより銅などならなるシード層２２ａを形成する。
【００７９】
次いで、図７（ａ）に示すように、コア配線基板２の両側において、第２配線層が配置される部分に開口部１６ａが設けられためっきレジスト層１６をフォトリソグラフィによってそれぞれ形成する。さらに、コア配線基板２の両側において、シード層２２ａをめっき給電経路に利用する電解めっきにより、めっきレジスト層１６の開口部１６ａに金属めっき層２２ｂを形成する。
【００８０】
その後に、めっきレジスト層１６が剥離される。続いて、コア配線基板２の両側において、金属めっき層２２ｂをマスクにしてシード層２２ａ及び銅箔３４，３４ａをウェットエッチングして除去する。
【００８１】
これにより、図７（ｂ）に示すように、コア基板１０の両側の第１層間絶縁層５０の上に第２配線層２２がそれぞれ形成される。図７（ｂ）の部分断面図に示すように、上面側の第２配線層２２は、下から順に、銅箔３４ａ、シード層２２ａ及び金属めっき層２２ｂが積層されて形成される。
【００８２】
両側の第２配線層２２は、第１ビアホールＶＨ１内のビア導体を介してチップキャパシタ４０の接続端子４２及び第１配線層２０にそれぞれ接続される。本実施形態では、第１ビアホールＶＨ１内に接着剤が残存するおそれがないため、チップキャパシタ４０の接続端子４２と第２配線層２２とを信頼よく電気的に接続することができる。
【００８３】
次いで、図７（ｃ）に示すように、両側の第１層間絶縁層５０の上に、第２配線層２２を被覆する第２層間絶縁層５２をそれぞれ形成する。第２層間絶縁層５２は、例えば、エポキシ樹脂などの半硬化状態の樹脂シートを加熱圧着することによって形成される。さらに、両側の第２層間絶縁層５２に、レーザ加工などにより第２配線層２２に到達する第２ビアホールＶＨ２をそれぞれ形成する。
【００８４】
その後に、両側の第２層間絶縁層５２の上に、第２ビアホールＶＨ２内のビア導体を介して第２配線層２２に接続される第３配線層２４をそれぞれ形成する。第３配線層２４は、例えば、セミアディティブ法によって形成される。
【００８５】
次いで、図８に示すように、両側の第２層間絶縁層５２の上に、第３配線層２４の接続部上に開口部５４ａが設けられたソルダレジスト層５４をそれぞれ形成する。さらに、第３配線層２４の接続部にニッケル／金めっき層を形成するなどしてコンタクト層（不図示）を形成する。
【００８６】
以上により、実施形態の電子部品内蔵基板１が得られる。なお、多面取り用の大型のコア配線基板２を使用する場合は、各製品領域から個々の電子部品内蔵基板１が得られるように分割される。
【００８７】
図９には、図８の電子部品内蔵基板１に半導体チップが実装された様子が示されている。図９に示すように、図８の電子部品内蔵基板１の上面側の第３配線層２４に、半導体チップ６０の接続部がはんだなどのバンプ電極６２を介してフリップチップ接続される。
【００８８】
その後に、半導体チップ６０と電子部品内蔵基板１との隙間にアンダーフィル樹脂６４が充填される。
【００８９】
さらに、電子部品内蔵基板１の下面側の第３配線層２４の接続部にはんだボールを搭載するなどして外部接続端子６６を形成する。
【００９０】
図９の例では、電子部品内蔵基板１のチップキャパシタ４０は、半導体チップ６０の電源電圧を安定させ、かつ高周波ノイズを低減させる目的で電源ラインとグランドラインとの間にデカップリングキャパシタとして配置される。
【００９１】
本実施形態では、コア配線基板２にチップキャパシタ４０を内蔵させ、表面に半導体チップ６０を実装する組み合わせを例示したが、各種の電子部品の組み合わせに適用することができる。
【符号の説明】
【００９２】
１…電子部品内蔵基板、２…コア配線基板、２ａ，１６ａ，５４ａ…開口部、５，５ａ…第１樹脂基材、６…第２樹脂基材、１０…コア基板、１２…レジスト層、１４…マルチノズル、１６…めっきレジスト層、２０…第１配線層、２０ａ…スルーホールめっき層、２０ｂ，２２ｂ…金属めっき層、２２…第２配線層、２２ａ…シード層、２４…第３配線層、３２…絶縁樹脂層、３４，３４ａ…銅箔、３６…接着用樹脂層、４０…チップキャパシタ、４２…接続端子、５０…第１層間絶縁層、５０ｘ…充填樹脂部、５２…第２層間絶縁層、５４…ソルダレジスト層、６０…半導体チップ、６２…バンプ電極、６４…アンダーフィル樹脂、６６…外部接続端子、Ｃ…隙間、Ｒ…樹脂体、Ｓ…溶剤、ＴＨ…スルーホール。ＶＨ１…第１ビアホール、ＶＨ２…第２ビアホール。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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