(57)【要約】【課題】回路部と配線部との電気特性の整合が得られた半導体装置を提供する。【解決手段】半導体装置には、回路電極部を有する回路部と、回路部に積層している再配線部と、再配線部の回路部とは反対側の面に設けられている再配線電極部とを備え、再配線部には、回路電極部と再配線電極部とを接続している信号配線部、および回路電極部と接続している整合配線部が設けられている【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
回路電極部を有する回路部と、
前記回路部に積層している再配線部と、
前記再配線部の前記回路部とは反対側の面に設けられている再配線電極部とを備え、
前記再配線部には、前記回路電極部と前記再配線電極部とを接続している信号配線部、および前記回路電極部と接続している整合配線部が設けられていることを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
前記整合配線部は、前記信号配線部から延設されていることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
【請求項３】
前記整合配線部は、前記回路電極部または前記信号配線部と接続されている一端とは異なる他端が電気的に開放されていることを特徴とする請求項１または請求項２に記載の半導体装置。
【請求項４】
前記信号配線部および前記整合配線部は、銅を含む材料で構成されていることを特徴とする請求項１ないし請求項３のいずれか一項に記載の半導体装置。
【請求項５】
回路電極部を有する回路部を形成する工程と、
前記回路部の電気特性を測定する工程と、
前記回路部上に再配線部を形成する工程と、
前記回路電極部から再配線部上に延伸する信号配線部に接続させて再配線電極部を形成する工程と、を含み、
前記電気特性に基づいて前記信号配線部、および前記信号配線部または前記回路電極部から延伸する整合配線部を形成するマスクを選定する工程と、
前記マスクを用いて前記回路電極部と前記再配線電極部とが接続される前記信号配線部、および前記回路電極部と接続される前記整合配線部を形成する工程を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項６】
前記整合配線部を形成する工程では、前記整合配線部を前記信号配線部と接続させて形成することを特徴とする請求項５に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項７】
請求項１ないし請求項４のいずれか一項に記載した半導体装置を備えることを特徴とする電子機器。
【請求項８】
請求項１ないし請求項４のいずれか一項に記載した半導体装置を備えることを特徴とする移動体。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体装置、半導体装置の製造方法、電子機器、および移動体に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、電子機器等の搭載される半導体装置の高集積化、および入出力される信号の高周波化が求められている。この様な要求に対して、半導体回路の外形と略同じ外形にパッケージされたＣＳＰ（Ｃｈｉｐ  Ｓｉｚｅ  Ｐａｋｅｇｅ）技術を用いた半導体装置の開発が進められている。ＣＳＰ技術を用いた半導体装置の中でも、製造工程数の削減等の目的から、ウエハーに半導体回路が形成された状態のまま実装端子まで形成し、半導体回路毎に個片化をおこなう技術であるＷＣＳＰ（Ｗａｆｅｒｌｅｖｅｌ  Ｃｈｉｐ  Ｓｉｚｅ  Ｐａｃｋａｇｅ）技術を用いた半導体装置の開発が進められている。
例えば、特許文献１には、半導体装置に有する半導体回路と、当該半導体回路に電気的に接続される信号線と、の間のインピーダンスの整合が図られたＷＣＳＰ型の半導体装置が開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００４−７９５７９号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、半導体装置の製造工程の経過に伴い、半導体回路部の電気特性が変動し、半導体回路と信号線との間のインピーダンスの整合が図れなくなる虞があった。この場合、信号線の再形成等を要し、半導体装置の生産効率を低下させていた。また、半導体回路と信号線との間のインピーダンスの整合を信号線の線幅の増減等を以ておこなうため、整合の精度や分解能が低下する虞もあった。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本発明は、上述した課題の少なくとも一部を解決するためになされたものであり、以下の形態、または適用例として実現することが可能である。
【０００６】
［適用例１］
本適用例に係る半導体装置は、回路電極部を有する回路部と、回路部に積層している再配線部と、再配線部の回路部とは反対側の面に設けられている再配線電極部とを備え、再配線部には、回路電極部と再配線電極部とを接続している信号配線部、および回路電極部と接続している整合配線部が設けられていることを特徴とする。
【０００７】
この様な半導体装置によれば、回路電極部から延伸する整合配線部によって、回路部と信号配線部との間の電気特性の整合を図ることができる。したがって、整合配線部を設けることで、信号配線部の長さや幅等の形状および信号配線部の電気特性を変化させることなく、回路部と信号配線部との間の電気特性の整合を図ることができる。
よって、この様な半導体装置は、回路部に対する信号の入出力の際に生じる信号損失や、電気特性の不整合に伴う信号配線部へのノイズの重畳を抑制することができる。
【０００８】
［適用例２］
上記適用例に係る半導体装置において、整合配線部は、一端が信号配線部に接続されていることが好ましい。
【０００９】
この様な半導体装置によれば、回路部と信号配線部との間の電気特性の整合を、整合配線部が信号配線部に接続される位置によっても調整することができる。
したがって、回路部と信号配線部との間の電気特性を整合させることができる範囲を拡張するとともに、整合の分解能を高めることができる。
【００１０】
［適用例３］
上記適用例に係る半導体装置において、整合配線部は、回路電極部または信号配線部と接続されている一端とは異なる他端が電気的に開放されていることが好ましい。
【００１１】
この様な半導体装置によれば、整合配線部は、回路電極部もしくは信号配線部と接続されている一端とは異なる他端が電気的に開放されていることで、回路電極部と再配線電極部との間の抵抗値を変化させることなく、回路部と信号配線部との間の電気特性の整合を図ることができる。
【００１２】
［適用例４］
上記適用例に係る半導体装置において、信号配線部および整合配線部は、銅を含む材料で構成されていることが好ましい。
【００１３】
この様な半導体装置によれば、信号配線部および整合配線部を構成する材料として銅を用いることで、信号配線部と、回路電極部および再配線電極部と、の密着性を高めることができる。また、これらの接続部分における電気抵抗の増加を抑制しつつ、整合配線部の線長、および線幅によって整合配線部に対する静電容量を変化させることができる。したがって、信号配線部の電気抵抗を変化させることなく、回路部と信号配線部との間の電気特性の整合を図ることができる。
【００１４】
［適用例５］
本適用例に係る半導体装置の製造方法は、回路電極部を有する回路部を形成する工程と、回路部の電気特性を測定する工程と、回路部上に再配線部を形成する工程と、回路電極部から再配線部上に延伸する信号配線部に接続させて再配線電極部を形成する工程と、を含み、電気特性に基づいて信号配線部、および信号配線部または回路電極部から延伸する整合配線部を形成するマスクを選定する工程と、マスクを用いて回路電極部と再配線電極部とが接続される信号配線部、および回路電極部と接続される整合配線部を形成する工程を含むことを特徴とする。
【００１５】
この様な半導体装置の製造方法は、回路部の電気特性を測定し、その測定結果に基づきマスクを選択し、信号配線部および整合配線部を形成することで、回路部と信号配線部との電気特性の整合を図ることができる整合配線部を形成する。
これにより、半導体装置の製造工程の経過に伴い回路部の電気特性に変化が生じても、測定された回路部の電気特性に応じて、回路部と信号配線部との間の電気特性の整合を整合配線部で図ることができる。したがって、信号配線部の長さや幅等を変更することなく、回路部と信号配線部との間の電気特性の整合を図ることができる。
よって、この様な半導体装置の製造方法は、信号配線部の再形成を伴うことなく回路部と信号配線部との間の電気特性の整合を図ることができ、半導体装置の生産効率を高めることができる。また、回路部に対する信号の入出力の際に生じる信号損失や、電気特性の不整合に伴う信号配線部へのノイズの重畳が抑制された半導体装置を得ることができる。
【００１６】
［適用例６］
上記適用例に係る半導体装置の製造方法において、整合配線部を形成する工程では、整合配線部を信号配線部と接続させて形成することが好ましい。
【００１７】
この様な半導体装置の製造方法によれば、信号配線部に接続させて整合配線部を形成することにより、整合配線部が信号配線部に接続される位置によっても回路部と信号配線部との間の電気特性の整合を図ることができる。
したがって、回路部と信号配線部との間の電気特性を整合させることができる範囲を拡張するとともに、整合の分解能を高めることができる。
【００１８】
［適用例７］
本適用例に係る電子機器は、上述したいずれかの半導体装置を備えることを特徴とする。
【００１９】
この様な電子機器によれば、回路部に対する信号の入出力の際に生じる信号損失や、電気特性の不整合に伴う信号配線部へのノイズの重畳を抑制された半導体装置を備えることで、安定した動作を実現することができる。よって、電子機器の信頼性を高めることができる。
【００２０】
［適用例８］
本適用例に係る移動体は、上述したいずれかの半導体装置を備えることを特徴とする。
【００２１】
この様な移動体によれば、回路部に対する信号の入出力の際に生じる信号損失や、電気特性の不整合に伴う信号配線部へのノイズの重畳を抑制された半導体装置を備えることで、安定した制御を実現することができる。よって、移動体の信頼性を高めることができる。
【図面の簡単な説明】
【００２２】
【図１】第１実施形態に係る半導体装置を模式的に示す平面図。
【図２】第１実施形態に係る半導体装置の一部を拡大して示す断面図。
【図３】第２実施形態に係る半導体装置を模式的に示す平面図。
【図４】第２実施形態に係る半導体装置の一部を拡大して示す断面図。
【図５】実施例に係る電子機器としてのパーソナルコンピューターを模式的に示す図。
【図６】実施例に係る電子機器としての携帯電話機を模式的に示す図。
【図７】実施例に係る電子機器としてのデジタルスチールカメラを模式的に示す図。
【図８】実施例に係る移動体としての自動車を模式的に示す図。
【発明を実施するための形態】
【００２３】
以下、本発明の実施形態について図面を用いて説明する。なお、以下に示す各図においては、各構成要素を図面上で認識され得る程度の大きさとするため、各構成要素の寸法や比率を実際の構成要素とは適宜に異ならせて記載する場合がある。
【００２４】
［第１実施形態］
第１実施形態に係る半導体装置について、図１および図２を用いて説明する。
図１は、第１実施形態に係る半導体装置を模式的に示す平面図である。図２は、図１に示す線分Ａ−Ａ’の部分を矢印の方向から見た断面図である。
【００２５】
本実施形態に係る半導体装置１は、ＷＣＳＰ（Ｗａｆｅｒｌｅｖｅｌ  Ｃｈｉｐ  Ｓｉｚｅ  Ｐａｃｋａｇｅ）技術が用いられている。半導体装置１は、半導体回路チップ（以下、回路部１０と称す。）に設けられた回路電極部２０と、いわゆる再配線としての信号配線部５０によって、回路部１０に設けられた回路電極部２０と、半導体装置１の外部端子となる再配線電極部４０と、が接続されている構造を有する。
【００２６】
＜半導体装置１の構造＞
図１および図２に示す様に半導体装置１は、基板１１０上に設けられた回路部１０と、回路部１０上に設けられた回路電極部２０と、回路部１０上に設けられた再配線部３０と、信号配線部５０に接続して設けられた再配線電極部４０と、を含み構成されている。また、回路電極部２０および再配線電極部４０を接続する信号配線部５０と、回路電極部２０から延設され、その延設された先端が電気的に開放されている整合配線部６０と、を含み構成されている。
【００２７】
（回路部１０）
回路部１０は、半導体回路チップとして基板１１０上に設けられている。回路部１０は、各種電子回路を含み構成され、その電子回路の種類は限定されない。例えば、論理回路を含み構成されている。なお、以下の説明において基板１１０と対面する回路部１０の一方面を第１面１０ａと称し、その反対側で後述する回路電極部２０が設けられる他方面を第２面１０ｂと称する。
【００２８】
（回路電極部２０）
回路電極部２０は、回路部１０への電気信号の入出力端子として設けられている。回路電極部２０は、回路部１０の第２面１０ｂ上に設けられている。
回路電極部２０は、その材料として例えば、銅（Ｃｕ）、ニッケル（Ｎｉ）、金（Ａｕ）、アルミニウム（Ａｌ）、または、これらを含む合金を用いることができる。
【００２９】
（パッシベーション層１１２）
パッシベーション層１１２は、回路部１０の保護、および回路電極部２０の絶縁のために設けられている。パッシベーション層１１２は、回路電極部２０を露出させるように回路部１０の第２面１０ｂ上に設けられている。パッシベーション層１１２は、その材料として例えば、シリコン窒化膜（ＳｉＮ）を用いることができる。
【００３０】
（再配線部３０）
再配線部３０は、第１樹脂層１３２と、第２樹脂層１３４と、を含み構成されている。第１樹脂層１３２および第２樹脂層１３４は、後述する再配線電極部４０、信号配線部５０、および整合配線部６０を配設するために設けられている。
第１樹脂層１３２は、パッシベーション層１１２に積層させて設けられているとともに、第２面１０ｂに配設されている回路電極部２０を露出させるように設けられている。
また、第２樹脂層１３４は、後述する信号配線部５０および整合配線部６０を覆う様に第１樹脂層１３２に積層させて設けられているとともに、再配線電極部４０が配設されている部分の信号配線部５０が露出する様に設けられている。
第１樹脂層１３２および第２樹脂層１３４は、その材料として例えば、ポリイミド樹脂などを用いることができる。
なお、以下の説明においてパッシベーション層１１２と対面する第１樹脂層１３２の一方面を第１面１３２ａと称し、その反対側で後述する信号配線部５０が延設され再配線電極部４０と接続されている他方面を第２面１３２ｂと称する。
【００３１】
（再配線電極部４０）
再配線電極部４０は、回路部１０への電気信号の入出力のために設けられている。また、再配線電極部４０は、半導体装置１を実装するための外部端子として設けられている。
再配線電極部４０は、信号配線部５０に接続して設けられている。
再配線電極部４０は、その材料として信号配線部５０と、半導体装置１が実装される基材（不図示）と、の密着性が高く、接続（実装）に伴う電気抵抗が低い材料が好ましい。そこで、本実施形態の半導体装置１において再配線電極部４０には、いわゆるハンダボールを用いている。再配線電極部４０は、これに限定されることなく、銅（Ｃｕ）、ニッケル（Ｎｉ）、金（Ａｕ）、アルミニウム（Ａｌ）、または、これらを含む合金を用いることができる。
【００３２】
（信号配線部５０および整合配線部６０）
信号配線部５０は、回路電極部２０および再配線電極部４０を接続する配線である。信号配線部５０は、回路電極部２０から延伸し、第１樹脂層１３２の第２面１３２ｂ上に延設されている。また、信号配線部５０には、再配線電極部４０が接続されている。
信号配線部５０は、回路電極部２０および再配線電極部４０を介して回路部１０に電気信号の入出力をおこなう配線として設けられている。
整合配線部６０は、回路電極部２０から延伸してその先端は他の配線および他の電極と接続されない電気的に開放された状態として設けられている。整合配線部６０は、回路部１０の電気特性であるインピーダンスＺａと、回路電極部２０および再配線電極部４０間の信号配線部５０の電気特性である特性インピーダンスＺｂと、の整合（マッチング）をさせるために設けられている。したがって、整合配線部６０は、回路部１０のインピーダンスＺａと信号配線部５０の特性インピーダンスＺｂと間のマッチング（整合）によって、長さや幅などが決定されているものである。
信号配線部５０および整合配線部６０は、その材料として例えば、銅（Ｃｕ）を用いることができる。なお、これに限定されることなく、ニッケル（Ｎｉ）、金（Ａｕ）、アルミニウム（Ａｌ）、または、これらを含む合金を用いることができる。
また、整合配線部６０が延伸する方向は、回路部１０のインピーダンスＺａと、信号配線部５０の特性インピーダンスＺｂと、の整合を図ることができれば特に限定されることはない。
【００３３】
＜半導体装置１の製造方法＞
本実施形態の半導体装置１の製造方法について工程順に述べる。なお、半導体装置１の製造方法の説明において、周知の技術を用いている工程はその説明を一部省略する。
【００３４】
本実施形態の半導体装置１の製造工程は、回路電極部２０を有する回路部１０を形成する工程と、回路部１０の電気特性を測定する工程と、再配線部３０を形成する工程と、を含む。また、回路部１０の電気特性に基づいてマスクパターンを選定する工程と、選定されたマスクパターンを用いて信号配線部５０および整合配線部６０を形成する工程と、再配線電極部４０を形成する工程と、を含む。
【００３５】
（回路部形成工程）
回路部形成工程は、周知の技術（例えば、「フォトリソグラフィー法」）を用いて回路部１０を基板１１０上に形成するとともに、その回路部１０への電気信号の入出力端子となる回路電極部２０を形成する工程である。また、回路部形成工程は、パッシベーション層１３２の形成をおこなう工程でもある。シリコン窒化膜を含むパッシベーション層１３２の形成は、例えば、回路電極部２０を露出させるため回路電極部２０マスクパターンを一時的に形成し、周知の技術（例えば、「ＣＶＤ法」）を用いて形成することができる。
【００３６】
（電気特性測定工程）
電気特性測定工程は、先の工程で形成された回路部１０の電気特性を測定する工程である。電気特性測定工程は、回路部１０のインピーダンスＺａなどの電気特性を周知の測定方法および周知の測定装置（例えば、パラメトリックテスター）を用いておこなう。
【００３７】
（マスクパターン選定工程）
マスクパターン選定工程は、先の工程で測定された回路部１０のインピーダンスＺａに基づいて後述する信号配線部５０および整合配線部６０を形成するマスクパターン（以下、単に「マスク」と称する。）を選定する工程である。
ここで、半導体装置１は、回路部１０のインピーダンスＺａと、信号配線部５０の特性インピーダンスＺｂと、の整合（マッチング）を図ることが求められる。
そこで、本実施形態の半導体装置１の製造方法は、整合配線部６０の長さや幅などを変えることで、回路部１０のインピーダンスＺａと、信号配線部５０の特性インピーダンスＺｂと、の間の整合を図る。
したがって、マスクパターン選定工程は、測定された回路部１０のインピーダンスＺａに基づいて整合配線部６０を形成するマスクを選定し、予め整合配線部６０の長さや幅などの決定をおこなう。また、マスクパターン選定工程は、信号配線部５０を形成するマスクの選定もおこなう。これにより、回路部１０のインピーダンスＺａと、信号配線部５０のインピーダンスＺｂと、の間のマッチングを図ることができる。
【００３８】
（再配線部形成工程）
再配線部形成工程は、第１樹脂層１３２および第２樹脂層１３４を形成する工程である。
第１樹脂層１３２および第２樹脂層１３４の形成は、例えば、スピンコーティング法を用いて感光性のポリイミド樹脂の塗布をおこなう。次に、回路電極部２０が第１樹脂層１３２から露出する様にマスクパターン（不図示）を一時的に形成する。また、再配線電極部４０が設けられる部分の信号配線部５０が第２樹脂層１３４から露出する様にマスクパターンを一時的に形成する。次に、塗布された感光性のポリイミド樹脂の露光および現像をおこない、ベーク（加熱）をおこなうことで第１樹脂層１３２および第２樹脂層１３４を形成することができる。
なお、本実施形態の半導体装置１の製造方法は、第１樹脂層１３２の形成をおこない、その後に後述する信号配線部５０および整合配線部６０の形成をおこなう。また、信号配線部５０および整合配線部６０の形成後に、第２樹脂層１３４の形成をおこなう。
【００３９】
（信号配線部形成工程および整合配線部形成工程）
信号配線部形成工程および整合配線部形成工程（以下、総括して「配線部形成工程」と称する。）は、回路電極部２０と再配線電極部４０とに接続する信号配線部５０、および回路電極部２０に接続する整合配線部６０を形成する工程である。
配線部形成工程は、例えば、スパッタリング法で第１樹脂層１３２の第２面１３２ｂに銅（Ｃｕ）を含む導電膜（不図示）を形成し、その導電膜の表面にメッキレジスト（不図示）をスピンコート方で塗布する。次に、先の工程で選定されたマスクパターン（不図示）を用いてメッキレジストの露光、および現像をおこない、信号配線部５０および整合配線部６０となる部分にメッキレジスト膜（不図示）を一時的に形成する。さらに、現像によってメッキレジスト膜が剥離され露出した導電膜をウエットエッチング法によって除去をおこない、その後に、信号配線部５０および整合配線部６０となる部分に一時的に形成されているメッキレジスト膜を剥離する。配線部形成工程は、これらの工程により、信号配線部５０および整合配線部６０を形成することができる。
なお、本実施形態の半導体装置１の製造方法は、配線部形成工程の後に、信号配線部５０および整合配線部６０を覆う様に前述した第２樹脂層１３４を形成する。
【００４０】
（再配線電極部形成工程）
再配線電極部形成工程は、信号配線部５０に接続させて再配線電極部４０を形成する工程である。
再配線電極部形成工程は、第２樹脂層１３４から露出した信号配線部５０に再配線電極部４０となるハンダ層（ハンダ端子）を形成する。再配線電極部４０となるハンダ層は、周知の技術である電解メッキ法や印刷法等によって信号配線部５０上に形成することができる。
半導体装置１の製造方法は、上述の再配線電極部形成工程が終了することで一連の製造工程が完了する。
【００４１】
上述した第１実施形態によれば、以下の効果が得られる。
この様な半導体装置１によれば、回路電極部２０から延伸する整合配線部６０によって、回路部１０と信号配線部５０との間の電気特性（インピーダンス）の整合を図ることができる。したがって、整合配線部６０を設けることで、信号配線部５０の長さや幅等の形状および信号配線部５０の抵抗値などの電気特性を変化させることなく、回路部１０と信号配線部５０との間のインピーダンスの整合を図ることができる。
よって、この様な半導体装置１は、回路部１０に対する信号の入出力の際に生じる信号損失や、インピーダンスの不整合に伴う信号配線部５０へのノイズの重畳を抑制することができる。
【００４２】
また、この様な半導体装置１の製造方法は、半導体装置１の製造工程の経過に伴い回路部１０の電気特性に変化が生じても、測定された回路部１０の電気特性に応じて、回路部１０と信号配線部５０との間のインピーダンスの整合を整合配線部６０で図ることができる。したがって、信号配線部５０の長さや幅等を変更することなく、回路部１０と信号配線部５０との間のインピーダンスの整合を図ることができる。
よって、この様な半導体装置１の製造方法は、信号配線部５０の再形成を伴うことなく回路部１０と信号配線部５０との間のインピーダンスの整合を図ることができ、半導体装置１の生産効率を高めることができる。
【００４３】
［第２実施形態］
第２実施形態に係る半導体装置１ａについて、図３および図４を用いて説明する。
図３は、第２実施形態に係る半導体装置を模式的に示す平面図である。図４は、図３に示す線分Ｂ−Ｂ’の部分を矢印の方向から見た断面図である。
【００４４】
第２実施形態に係る半導体装置１ａは、整合配線部６０が信号配線部５０から延設されている点が、第１実施形態に係る半導体装置１とは異なる。その他の半導体装置１ａの構成、および製造方法は上述した半導体装置１と同様のため、同様の構成には同じ符号および符番を付して説明を一部省略して説明する。
【００４５】
＜半導体装置１ａの構造＞
図３および図４に示す様に半導体装置１ａは、基板１１０上に設けられた回路部１０と、回路部１０上に設けられた回路電極部２０と、回路部１０上に設けられた再配線部３０と、信号配線部５０に接続して設けられた再配線電極部４０と、を含み構成されている。また、回路電極部２０および再配線電極部４０を接続する信号配線部５０と、信号配線部５０から延伸し、延設された先端が電気的に開放されている整合配線部６０と、を含み構成されている。
【００４６】
（信号配線部５０および整合配線部６０）
半導体装置１ａにおいて信号配線部５０は、回路電極部２０から再配線電極部４０に向かって延設されている。また、整合配線部６０は、信号配線部５０に接続して設けられている。
【００４７】
＜半導体装置１ａの製造方法＞
本実施形態の半導体装置１ａの製造工程は、回路電極部２０を有する回路部１０を形成する工程と、回路部１０の電気特性を測定する工程と、再配線部３０を形成する工程と、を含む。また、回路部１０の電気特性に基づいてマスクパターンを選定する工程と、選定されたマスクパターンを用いて信号配線部５０および整合配線部６０を形成する工程と、再配線電極部４０を形成する工程と、を含む。
【００４８】
（信号配線部形成工程および整合配線部形成工程）
信号配線部形成工程および整合配線部形成工程（以下、総括して「配線部形成工程」と称する。）は、第１実施形態で上述した半導体装置１の製造方法と同様に、回路電極部２０および再配線電極部４０に接続する信号配線部５０と、信号配線部５０に接続する整合配線部６０と、を形成する工程である。本実施形態の半導体装置１ａの製造方法において配線部形成工程は、先の工程で選定されたマスクパターンを用いて信号配線部５０に接続させて整合配線部６０を形成する。
【００４９】
半導体装置１ａのその他の構成および製造方法は、第１実施形態で述べた半導体装置１と略同様のため、説明を省略する。
【００５０】
上述した第２実施形態によれば、以下の効果が得られる。
この様な半導体装置１ａによれば、回路部１０と信号配線部５０との間のインピーダンス（電気特性）の整合は、整合配線部６０が信号配線部５０に接続される位置によっても調整することができる。したがって、整合配線部６０の線長や線幅を変化させて回路部１０と信号配線部５０との間のインピーダンスの整合を図るとともに、整合配線部６０が接続される位置によっても当該インピーダンスの整合を図ることができる。よって、回路部１０と信号配線部５０との間のインピーダンスを整合させることができる範囲を拡張するとともに、整合の分解能を高めることができる。
【００５１】
（実施例）
本発明の一実施形態に係る半導体装置１および半導体装置１ａ（以下、総括して「半導体装置１」と称す）を適用した実施例について、図５から図８を参照しながら説明する。
【００５２】
［電子機器］
本発明の一実施形態に係る半導体装置１を適用した電子機器について、図５から図７を参照しながら説明する。
【００５３】
図５は、本発明の一実施形態に係る半導体装置１を備える電子機器としてのラップトップ型（またはモバイル型）のパーソナルコンピューターの構成の概略を示す斜視図である。この図において、ラップトップ型パーソナルコンピューター１１００は、キーボード１１０２を備えた本体部１１０４と、表示部１００８を備えた表示ユニット１１０６とにより構成され、表示ユニット１１０６は、本体部１１０４に対しヒンジ構造部を介して回動可能に支持されている。この様なラップトップ型パーソナルコンピューター１１００には、種々の信号処理を行う半導体装置１が搭載されている。この様な半導体装置１は、回路部１０のインピーダンスＺａと、ラップトップ型パーソナルコンピューター１１００に実装される際の端子となる再配線電極部４０および回路電極部２０との間を接続する信号配線部５０の特性インピーダンスＺｂと、の整合が図られている。したがって、回路部１０に入出力される電気信号の損失や、不整合に伴う信号配線部５０へのノイズの重畳が抑制されている。よって、上述した半導体装置１が搭載されることで信頼性の高いラップトップ型パーソナルコンピューター１１００を得ることができる。
【００５４】
図６は、本発明の一実施形態に係る半導体装置１を備える電子機器としての携帯電話機（ＰＨＳも含む）の構成の概略を示す斜視図である。この図において、携帯電話機１２００は、複数の操作ボタン１２０２、受話口１２０４および送話口１２０６を備え、操作ボタン１２０２と受話口１２０４との間には、表示部１２０８が配置されている。この様な携帯電話機１２００には、通信の信号処理を行う半導体装置１が搭載されている。この様な半導体装置１は、回路部１０のインピーダンスＺａと、ラップトップ型パーソナルコンピューター１１００に実装される際の端子となる再配線電極部４０および回路電極部２０との間を接続する信号配線部５０の特性インピーダンスＺｂと、の整合が図られている。したがって、回路部１０に入出力される電気信号の損失や、不整合に伴う信号配線部５０へのノイズの重畳が抑制されている。よって、上述した半導体装置１が搭載されることで信頼性の高い携帯電話機１２００を得ることができる。
【００５５】
図７は、本発明の一実施形態に係る半導体装置１を備える電子機器としてのデジタルスチールカメラの構成の概略を示す斜視図である。なお、この図には、外部機器との接続についても簡易的に示されている。ここで、通常のカメラは、被写体の光像により銀塩写真フィルムを感光するのに対し、デジタルスチールカメラ１３００は、被写体の光像をＣＣＤ（Charge  Coupled  Device）等の撮像素子により光電変換して撮像信号（画像信号）を生成する。
デジタルスチールカメラ１３００におけるケース（ボディー）１３０２の背面には、表示部１３０８が設けられ、ＣＣＤによる撮像信号に基づいて表示を行う構成になっており、表示部１３０８は、被写体を電子画像として表示するファインダーとして機能する。また、ケース１３０２の正面側（図中裏面側）には、光学レンズ（撮像光学系）やＣＣＤ等を含む受光ユニット１３０４が設けられている。
撮影者が表示部１３０８に表示された被写体像を確認し、シャッターボタン１３０６を押下すると、その時点におけるＣＣＤの撮像信号が、メモリー１３１０に転送・格納される。また、このデジタルスチールカメラ１３００においては、ケース１３０２の側面に、ビデオ信号出力端子１３１２と、データ通信用の入出力端子１３１４とが設けられている。そして、図示される様に、ビデオ信号出力端子１３１２には液晶ディスプレイ１４３０が、データ通信用の入出力端子１３１４にはパーソナルコンピューター１４４０が、それぞれ必要に応じて接続される。さらに、所定の操作により、メモリー１３１０に格納された撮像信号が、液晶ディスプレイ１４３０や、パーソナルコンピューター１４４０に出力される構成になっている。この様なデジタルスチールカメラ１３００には、画像信号の処理を行う半導体装置１が搭載されている。この様な半導体装置１は、回路部１０のインピーダンスＺａと、ラップトップ型パーソナルコンピューター１１００に実装される際の端子となる再配線電極部４０および回路電極部２０との間を接続する信号配線部５０の特性インピーダンスＺｂと、の整合が図られている。したがって、回路部１０に入出力される電気信号の損失や、不整合に伴う信号配線部５０へのノイズの重畳が抑制されている。よって、上述した半導体装置１が搭載されることで信頼性の高いデジタルスチールカメラ１３００を得ることができる。
【００５６】
なお、本発明の一実施形態に係る半導体装置１は、図５のラップトップ型パーソナルコンピューター（モバイル型パーソナルコンピューター）、図６の携帯電話機、図７のデジタルスチールカメラの他にも、例えば、インクジェット式吐出装置（例えばインクジェットプリンター）、テレビ、ビデオカメラ、ビデオテープレコーダー、カーナビゲーション装置、ページャー、電子手帳（通信機能付も含む）、電子辞書、電卓、電子ゲーム機器、ワードプロセッサー、ワークステーション、テレビ電話、防犯用テレビモニター、電子双眼鏡、ＰＯＳ端末、医療機器（例えば電子体温計、血圧計、血糖計、心電図計測装置、超音波診断装置、電子内視鏡）、魚群探知機、各種測定機器、計器類（例えば、車両、航空機、船舶の計器類）、フライトシミュレーター等の電子機器に適用することができる。
【００５７】
［移動体］
図８は、移動体の一例としての自動車を概略的に示す斜視図である。自動車１５００は、種々の制御信号を処理する半導体装置１を備えた各種制御ユニットが搭載されている。例えば、同図に示す様に、移動体としての自動車１５００には、当該自動車１５００の加速度を検知するセンサーを内蔵してエンジンの出力を制御する電子制御ユニット（ＥＣＵ：electronic  Control  Unit）１５０８が車体１５０７に搭載されている。信号損失が抑制された半導体装置１が電子制御ユニット１５０８に搭載されることで、車体１５０７の姿勢に応じた適切なエンジン出力制御を高精度に実行し、燃料等の消費を抑制した効率的な移動体としての自動車１５００を得ることができる。
また、半導体装置１は、他にも、車体姿勢制御ユニット、アンチロックブレーキシステム（ＡＢＳ）、エアバック、タイヤ・プレッシャー・モニタリング・システム（ＴＰＭＳ：Tire  Pressure  Monitoring  System）、に広く適用できる。
【符号の説明】
【００５８】
１…半導体装置、１ａ…半導体装置、１０…回路部、２０…回路電極部、３０…再配線部、４０…再配線電極部、５０…信号配線部、６０…整合配線部、１１０…基板、１３２…パッシベーション層、１３４…樹脂層、１１００…ラップトップ型パーソナルコンピューター、１２００…携帯電話機、１３００…デジタルスチールカメラ、１５００…自動車。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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