(57)【要約】【課題】  小型で低背な外形の圧電デバイスを低コストで提供する。【解決手段】  圧電デバイス（２００）は、所定の周波数で振動する圧電振動片（１０）と、圧電振動片を搭載するための電極パッドを第３面に有するとともに、第３面の反対側の第４面に端子を有し、圧電振動片を発振させる発振回路を含む集積回路素子（２０）と、配線が形成された第５面に集積回路素子を搭載するとともに、第５面の反対側の第６面に外部端子を有し、第５面から第６面方向に見て長方形状配線基板（３０）と、圧電振動片及び集積回路素子を気密封止する箱形状の蓋体（４０）と、を備える。そして集積回路素子は、第４面の端子から第３面の電極パッドに導通する電極を有し、圧電振動片と電極パッドとは導電体で固定されている。【選択図】  図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１面とこの第１面の反対側の第２面とを有し、所定の周波数で振動する圧電振動片と、
前記圧電振動片を搭載するための電極パッドを第３面に有するとともに、前記第３面の反対側の第４面に端子を有し、前記圧電振動片を発振させる発振回路又は前記圧電振動片の周囲の温度を計測するサーミスタを内蔵し絶縁体で覆われた集積回路素子と、
配線が形成された第５面に前記集積回路素子を搭載するとともに、前記第５面の反対側の第６面に外部端子を有し、前記第５面から前記第６面方向に見て長方形状配線基板と、
前記圧電振動片及び前記集積回路素子を気密封止する箱形状の蓋体と、を備え、
前記集積回路素子は、前記第４面の端子から前記第３面の電極パッドに導通する電極を有し、
前記圧電振動片と前記電極パッドとは導電体で固定されている圧電デバイス。
【請求項２】
前記配線基板は、前記第５面と前記第６面とをつなぐ側面に、前記圧電振動片の振動を検査する検査端子を有する請求項１に記載の圧電デバイス。
【請求項３】
前記集積回路素子は、前記第３面から前記第４面方向に見て長方形状であり、前記第３面の電極パッドは、前記長方形の片側に並んで形成される請求項１又は請求項２に記載の圧電デバイス。
【請求項４】
前記蓋体は金属材料で且つ外側に伸びるフランジが形成されており、
前記配線基板はセラミック材料で形成されており、前記第５面の周囲には枠状のシールリングが形成され、
前記フランジと前記シールリングとがシーム溶接により封止されている請求項１から請求項３のいずれか一項に記載の圧電デバイス。
【請求項５】
前記蓋体は金属材料で形成されており、
前記配線基板はセラミック材料で形成されており、
前記金属材料の蓋体の縁部と前記前記セラミック材料の配線基板とがガラス又は樹脂からなる封止材で封止されている請求項１から請求項３のいずれか一項に記載の圧電デバイス。
【請求項６】
前記第５面の前記配線と前記第６面の外部端子とが、貫通配線で接続されている請求項１から請求項４のいずれか一項に記載の圧電デバイス。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電子機器等に用いられる圧電デバイスに関し、特に低コスト、低背及び小型を特徴とする圧電デバイスに関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、圧電デバイスは使用される電子機器の小型化に伴い、小型化及び低背化が求められ、さらには、低価格な製品の需要も増している。このため、圧電デバイスは、圧電振動片と集積素子との配置、配線方法、蓋体、または、基板の構造を変化させている。
【０００３】
特許文献１及び特許文献２の圧電デバイスは、いずれも圧電デバイスに内蔵する集積素子に圧電振動片を導電性接着剤で接続して片持ち支持している。特許文献１においては集積素子の下面（電極成形面）に接続している。特許文献２においては集積素子の上面（電極成形面の反対面）に接続し、その接続部は集積素子の端部と圧電振動片の端部で、互いの主面が離れるように接合されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００７−１８０７０１号公報
【特許文献２】特開２０１０−２１３２８０号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかし、特許文献１の圧電デバイスは圧電振動片が集積素子の下面（電極成形面）の電極パット間に接続しているため、よい圧電振動を保つには、集積素子の電極パット間の面積を大きくする必要がある。そのため、集積素子の外形が大きくなり、ウェハー単位の取り数が減り、集積素子のコストが高くなる。
【０００６】
特許文献２の圧電デバイスは集積素子の上面（電極成形面の反対面）の電極と基板の電極とをワイヤボンディングで接続するために、集積素子と圧電振動片との主面を離すよう形成する必要がある。このため、圧電デバイスの外形を小さくするのが困難である。
そこで本発明は、小型で低背な外形の圧電デバイスを低コストで提供する。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
第１の観点の圧電デバイスは、第１面とこの第１面の反対側の第２面とを有し、所定の周波数で振動する圧電振動片と、圧電振動片を搭載するための電極パッドを第３面に有するとともに、第３面の反対側の第４面に端子を有し、圧電振動片を発振させる発振回路又は圧電振動片の周囲の温度を計測するサーミスタを内蔵し絶縁体で覆われた集積回路素子と、配線が形成された第５面に集積回路素子を搭載するとともに、第５面の反対側の第６面に外部端子を有し、第５面から第６面方向に見て長方形状配線基板と、圧電振動片及び集積回路素子を気密封止する箱形状の蓋体と、を備える。そして集積回路素子は、第４面の端子から第３面の電極パッドに導通する貫通電極を有し、圧電振動片と電極パッドとは導電体で固定されている。
【０００８】
第２の観点の圧電デバイスは、第１の観点に記載の圧電デバイスにおいて、配線基板が、第５面と第６面とをつなぐ側面に圧電振動片の振動を検査する検査端子を有する。
【０００９】
第３の観点の圧電デバイスは、第１の観点又は第２の観点に記載の圧電デバイスにおいて、集積回路素子が、第３面から第４面方向に見て長方形状であり、第３面の電極パッドは、長方形の片側に並んで形成される。
【００１０】
第４の観点の圧電デバイスは、第１の観点から第３の観点に記載のいずれか一項に記載の圧電デバイスにおいて、蓋体が金属材料で且つ外側に伸びるフランジが形成されている。そして配線基板はセラミック材料で形成されており、第５面の周囲には枠状のシールリングが形成され、フランジとシールリングとがシーム溶接により封止されている。
【００１１】
第５の観点の圧電デバイスは、第１の観点から第３の観点に記載のいずれか一項に記載の圧電デバイスにおいて、蓋体が金属材料で形成されており、配線基板がセラミック材料で形成されており、金属材料の蓋体の縁部と前記セラミック材料の配線基板とがガラス又は樹脂からなる封止材で封止されている。
【００１２】
第６の観点の圧電デバイスは、第１の観点から第４の観点に記載のいずれか一項に記載の圧電デバイスにおいて、第５面の配線と第６面の外部端子とが、貫通配線で接続されている。
【発明の効果】
【００１３】
本発明の圧電デバイスによれば、小型で低背な外形の圧電デバイスを低コストで提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１４】
【図１】圧電デバイス１００の構造を示す分解斜視図である。
【図２】（ａ）は、集積回路素子２０の上面図である。  （ｂ）は、集積回路素子２０の下面図である。
【図３】（ａ）は、基板３０の上面図である。  （ｂ）は、基板３０の下面図である。
【図４】図３（ａ）のＡ−Ａ断面の圧電デバイス１００を示した図である。
【図５】図３（ａ）のＢ−Ｂ断面の圧電デバイス１００を示した図である。
【図６】圧電デバイス２００の分解斜視図である。
【図７】（ａ）は、基板１３０の上面図である。  （ｂ）は、基板１３０の下面図である。
【図８】図７（ａ）のＣ−Ｃ断面の圧電デバイス２００を示した図である。
【発明を実施するための形態】
【００１５】
以下、本発明の実施の形態を図面に基づいて詳細に説明する。なお、各実施形態において、同一の構成要素には同一の符号を付し、重複する説明を省略する。
（第１実施形態）
【００１６】
第１実施形態は図１から図５を使用して説明する。図１は本発明の実施形態にかかる圧電デバイス１００の分解斜視図である。図１では圧電デバイス１００の構成が分かりやすいよう蓋体４０及び圧電振動片１０を離して図示している。図２（ａ）は集積回路素子２０の上面を図示してある。図２（ｂ）は集積回路素子２０の下面を図示してある。図３（ａ）は基板３０の上面を図示してある。図３（ａ）の破線で示した領域は説明し易いように、その上部に載置される圧電振動片１０、集積回路素子２０、及びその接続端子２１の位置を示している。図３（ｂ）は基板３０の下面を図示してある。図４は図３（ａ）の基板３０におけるＡ−Ａ断面の圧電デバイス１００を示した図である。図５は図３（ａ）の基板３０におけるＢ−Ｂ断面の圧電デバイス１００を示した図である。
【００１７】
図１に示されるように、圧電デバイス１００は、圧電振動片１０と集積回路素子２０とを配置して保持する基板３０と、基板３０に配置保持した圧電振動片１０と集積回路素子２０とを気密封止する蓋体４０と、で構成している。
【００１８】
圧電デバイス１００の製造は、例えばシート上に複数の圧電デバイス１００を形成していくシート工法により形成される。シート工法では、まず、セラミック材料等で構成され複数の基板３０が連結して形成されたシート（不図示）の各基板３０上に集積回路素子２０を配置し、さらにその上に圧電振動片１０を重ねて配置して電気的に接続する。その後、圧電デバイス１００は蓋体４０が圧電振動片１０と集積回路素子２０とを覆うように配置し、内部を気密にして封止する。最後に、シートが切断されて、個々の圧電デバイス１００に分割される。
【００１９】
圧電振動片１０は、例えば厚みすべり振動のＡＴカットの水晶片からなり、平面視で矩形状の一枚平板に切りだされている。水晶のみならず、例えばタンタル酸リチウムやニオブ酸リチウムなど又は圧電セラミックを含む圧電材を使用することもできる。この圧電振動片１０の両主面には、それぞれ振動を励振する励振電極１１と、接続電極１２と、励振電極１１から接続電極１２まで引き出す引出電極１３とが成形されている。圧電振動片１０の励振電極１１、接続電極１２及び引出電極１３は、真空蒸着法やスパッタリング法により成形する。
【００２０】
２個の接続電極１２ａ、１２ｂの片面は、その下部に配置した集積回路素子２０の上面に成形された一対の第１貫通電極２２（図２、図４を参照）に対して電気的に接合する。
【００２１】
圧電振動片１０の接続電極１２は、図面の−Ｙ軸方向の端部に成形され、後述する集積回路素子２０の−Ｙ軸方向の端部に成形された第１貫通電極２２に接合する。接続電極１２と第１貫通電極２２との電気的な接続は、第１貫通電極２２に第１導電体Ｄ１としての導電性接着剤（図４を参照）を盛り付け、その上に接続電極１２を載置し、熱処理することで圧電振動片１０を固定する。これにより、圧電振動片１０はＹ軸方向で片持ち支持される。圧電振動片１０は下部に配置した集積回路素子２０の全面を覆う。
【００２２】
また、第１導電体Ｄ１は、導電性シリコン系樹脂、導電性ウレタン系樹脂などである。第１導電体Ｄ１は、Ａｕなどの金属バンプ、ＡｕもしくはＡｕ−Ｓｎ合金、半田等の金属から成るロウ材であってもよい。
【００２３】
集積回路素子２０は、絶縁膜により保護されており、一対の第１貫通電極２２ａ及び第１貫通電極２２ｂのみが導体として上面に現れている。第１貫通電極２２ａ及び第１貫通電極２２ｂは、集積回路素子２０の上面の−Ｙ軸側の端部から、集積回路素子２０の上面の貫通位置２２ｅ及び貫通位置２２ｆを通って−Ｚ軸方向に集積回路素子２０を貫通して伸び、集積回路素子２０の下面に形成される接続端子２１ｅ及び接続端子２１ｆ（図２（ｂ）参照）に電気的に接続されている。集積回路素子２０は、ベアチップの場合には、一対の第１貫通電極２２以外は上面が絶縁シート等で覆われる。集積回路素子２０は、平面視で矩形状の直方体に成形された１チップ素子である。
【００２４】
集積回路素子２０内には、周囲の温度状態を検知する感温素子、圧電振動片１０の温度特性を補償する温度補償データを格納するとともに該温度補償データに基づいて圧電振動片１０の振動特性を温度変化に応じて補正する温度補償回路、又は圧電振動片１０を発振させる発振回路の少なくとも１つの電子回路が設けられている。
【００２５】
集積回路素子２０の上面は図２（ａ）に示されるように、２個の第１貫通電極２２ａ、２２ｂが−Ｙ軸方向の端部に並んで配置する。端部に配置されることで、平面視で面積が大きな圧電振動片１０を配置することができる。第１貫通電極２２ａ、２２ｂは、図４に示されるように、集積回路素子２０の上面から下面まで貫通するシリコン貫通電極（ＴＳＶ電極：through-silicon via電極）である。そして第１貫通電極２２ａ、２２ｂは、集積回路素子２０の下面にある接続端子２１e、２１ｆに電気的に接続されている。
【００２６】
集積回路素子２０の下面は図２（ｂ）に示されるように、６個の接続端子２１ａ〜２１ｆと、が成形されている。
【００２７】
集積回路素子２０の上面に成形された第１貫通電極２２には、第１導電体Ｄ１を盛り付け、その上に圧電振動片１０の接続電極１２を載置して電気的に接続する。具体的に第１貫通電極２２ａは第１導電体Ｄ１を介して接続電極１２ａと接合し、第１貫通電極２２ｂは第１導電体Ｄ１を介して接続電極１２ｂと接合する。これにより、圧電振動片１０は集積回路素子２０の上面の−Ｙ軸方向で片持ち支持される。
【００２８】
集積回路素子２０の下面に成形された接続端子２１は、下方に配置された基板３０の上面にフリップチップボンディングの手法で接続する。具体的な接続経路は後述する。
【００２９】
基板３０の主構造材は、例えば、ガラス−セラミック、アルミナセラミックス等のセラミック材料や樹脂等の有機材料から成形されている。図１及び図３に示されるように、基板３０は単一平面に成形し、その表面等に電極パッド３３、電極パターン３５、メタライズ層３９ａ、及びシールリング３９ｂが成形され、さらに、基板３０の上面から下面を貫通する第２貫通電極３２が成形されている。
【００３０】
基板３０の上面は、図３（ａ）に示されるように、５個の第２貫通電極３２ａ〜３２ｅ、６個の電極パッド３３ａ〜３３ｆ、電極パターン３５を成形する。また、基板３０の外周にはメタライズ層３９ａが形成され、メタライズ層３９ａ上にはシールリング３９ｂが配置される。さらに、基板３０の四隅の側面には基板３０の内側に凹むようにキャスタレーション３８ａが形成され、＋Ｙ軸側、−Ｙ軸側の側面の中央の側面には基板３０の内側に凹むようにキャスタレーション３８ｂが形成されている。キャスタレーション３８ｂには側面電極３７ａ、３７ｂが形成され、−Ｘ軸側の＋Ｙ軸側のキャスタレーション３８ａには側面電極３７ｃが形成されている。
【００３１】
６個の電極パッド３３は、第２導電体Ｄ２を用いて、図４で示されるように、その上部に載置する集積回路素子２０の６個の接続端子２１と接合する。例えば、フリップチップボンディングは金バンプを用いたＡｕ−Ａｕ接合方式で電極パッド３３と接続端子２１及び第１貫通電極２２とを融着・接合する。なお、フリップチップボンディングに用いられる金属はＡｕが代表的であるが、用いられる金属はＡｕに限られない。図４の断面図は、図３におけるＡ−Ａ断面であり、第１貫通電極２２ｂ、及び電極パッド３３ｃ、３３ｄの断面と３３ｆ外形が示されている。
【００３２】
５個の第２貫通電極３２ａ〜３２ｅは、図５で示されるように、基板３０の上面から下面を貫通し、基板３０の上面の電極パターン３５と基板３０の下面の電極パターン３５とを接続する。なお、図５の断面図は、図３におけるＢ−Ｂ断面であり、第２貫通電極３２ｄ、３２ｅの断面が示されている。
【００３３】
電極パターン３５は、シールリング３９ｂ内の電極パッド３３と第２貫通電極３２とを電気的に接続するための内部接続用のパターンと、電極パッド３３からシールリング３９ｂ外の基板３０のキャスタレーション３８ａの側面に形成した側面電極３７ｃ（図１を参照）に接続するための外部接続用のパターンとが成形されている。
【００３４】
上述した電極パッド３３、電極パターン３５、側面電極３７、及び外部接続用電極端子は、例えばタングステンやモリブデンのメタライズ層の上部にニッケルメッキと金メッキで成形する。
【００３５】
シールリング３９ｂは、電極パッド３３及び電極パターン３５の成形時に同時、又は別工程で成形する。シールリング３９ｂは、基板３０の外周に設けられたメタライズ層３９ａに銀ろう付けした後、シームウエルド法によって金属製のリッド（金属蓋）をシールリング３９ｂにシーム溶接する。
【００３６】
基板３０の下面は、図３（ｂ）で示されるように、上述した５個の第２貫通電極３２ａ〜３２ｅ、４個の外部接続用電極端子及び電極パターン３５を成形する。外部接続用電極端子の四隅の４個の外部接続用電極端子は、それぞれ電源電圧端子３４ａ、発振出力端子３４ｂ、発振制御端子３４ｃ、アース端子３４ｄ、として機能する。気密封止された圧電デバイス１００の側面に形成される側面電極３７ａ、３７ｂでは圧電振動片１０の振動特性を検査することが可能となっている。
【００３７】
基板３０のキャスタレーション３８ａ又はキャスタレーション３８ｂの側面には、図１に示されるように、基板３０の外周に３個の側面電極３７ａ〜３７ｃが形成される。側面電極３７ｃは基板３０の上面のシールリング３９ｂと接続し、図３（ｂ）に示された基板３０の下面のアース端子３４ｄと接続する。図５に示されるように、側面電極３７ａ、３７ｂは基板３０の下面の電極パターン３５とそれぞれ接続し、基板３０の上面のシールリング３９ｂと接続しないよう成形する。
【００３８】
基板３０の上面の接続経路は次の通りである。接続端子２１ａが電極パッド３３ａ、電極パターン３５を通り第２貫通電極３２ａへ接続する。接続端子２１ｂが電極パッド３３ｂ及び電極パターン３５を通り第２貫通電極３２ｂへ接続し、接続端子２１ｃが電極パッド３３ｃ及び電極パターン３５を通り第２貫通電極３２ｃへ接続する。接続端子２１ｄが、電極パッド３３ｄ及び電極パターン３５を通りシールリング３９ｂ及び側面電極３７ｃに接続する。接続端子２１ｅは、電極パッド３３ｅ及び電極パターン３５を通り、第２貫通電極３２ｄへ接続する。接続端子２１ｆが、電極パッド３３ｆ及び電極パターン３５を通り第２貫通電極３２ｅへ接続する。
【００３９】
基板３０の下面の接続経路は次の通りである。第２貫通電極３２ａが電源電圧端子３４ａへ直接接続する。第２貫通電極３２ｂは発振出力端子３４ｂへ直接接続する。第２貫通電極３２ｃも発振制御端子３４ｃへ直接接続する。第２貫通電極３２ｄは電極パターン３５を通り側面電極３７ａへ接続する。第２貫通電極３２ｅは電極パターン３５を通り側面電極３７ｂへ接続する。側面電極３７ｃは電極パターン３５を通りアース端子３４ｄへ接続する。
【００４０】
図１、図４及び図５で示されるように、蓋体４０は金属平板をプレス加工等によって箱形状の凹状に成形され、開口面を下にして配置する。蓋体４０は、例えば、４２アロイやコバール、リン青銅等の金属から成る厚さ０．１ｍｍ以下の金属平板を材料である。
【００４１】
蓋体４０はシールリング３９ｂに載置され気密封止する。蓋体４０は気密封止の際にシールリング３９ｂと電気的に接続する。シールリング３９ｂは、メタライズ層３９ａ及び側面電極３７ｃを介してアース端子３４ｄと接続するため蓋体４０に発生した電位はアース電位に保持され、蓋体４０の電磁シールド効果によって圧電振動片１０が外部からの不要な電気的作用、例えばノイズ等から良好に保護する。
【００４２】
蓋体４０は、基板３０に圧電振動片１０及び集積回路素子２０が接合された後、窒素雰囲気、または真空中でシールリング３９ｂに蓋体４０を載置して気密封止する。蓋体４０の気密封止はパラレルシーム接合等のシーム溶接をする。なお、気密封止はその他のビーム溶接、雰囲気加熱等の手法を用いてもよい。すなわち、シーム溶接の代わりに、シールリングを用いないダイレクトシーム、又はレーザ、高周波加熱等を用いたＡｕ−Ｓｎなどのロウ材による封止が行われても良い。
【００４３】
（第２実施形態）
本実施形態の圧電デバイス２００は基板１３０に貫通した電極を用いない。以下に、図６から図８を使用して説明する。
【００４４】
図６は第２実施形態にかかる圧電デバイス２００の分解斜視図である。図６では圧電デバイス２００の構成が分かりやすいよう蓋体１４０及び圧電振動片１０を離して図示している。図７（ａ）は基板１３０の上面を図示してある。図７（ａ）の破線で示した領域は、その上部に載置する圧電振動片１０、集積回路素子１２０、及びその接続端子２１の位置を示している。図７（ｂ）は基板１３０の下面を図示してある。図８は図７（ａ）のＣ−Ｃ断面の圧電デバイス２００を示した図である。
【００４５】
図６に示されるように、圧電デバイス２００は、圧電振動片１０と集積回路素子１２０とを配置して保持する基板１３０と、基板１３０に配置保持した圧電振動片１０と集積回路素子１２０とを気密封止する蓋体１４０と、で構成している。また、基板１３０は、第２貫通電極を有さない点で、第１実施形態の集積回路素子２０と異なる。
【００４６】
圧電デバイス２００は、本体筐体の基板１３０上に集積回路素子１２０を配置し、さらにその上に圧電振動片１０を重ねて配置して電気的に接続する。その後、圧電デバイス２００は蓋体１４０が圧電振動片１０及び集積回路素子１２０を覆うように配置される。
【００４７】
集積回路素子１２０は、第１実施形態と同様に接続端子２１を下向き（基板１３０側）にして基板１３０にフリップチップボンディングの手法で接続する。具体的に、集積回路素子１２０の６個の接続端子２１ａ〜２１ｆは基板１３０に成形された６個の電極パッド１３３ａ〜１３３ｆ（図７（ａ）を参照）に対応する。
【００４８】
基板１３０の主な構造材は、例えば、ガラス−セラミック、アルミナセラミックス等のセラミック材料やガラス又は水晶等である。
【００４９】
基板１３０の上面は、図７（ａ）に示されるように、６個の電極パッド１３３ａ〜１３３ｆ、電極パターン１３５を成形する。また、基板１３０の上面の外周には第１封止材１３９ａを塗布する。
【００５０】
６個の電極パッド１３３は、図８で示されるように、その上部に載置する集積回路素子１２０の６個の接続端子２１と第２導電体Ｄ２を用いて接合する。第２実施形態の第２導電体Ｄ２は、第１実施形態と同様に金バンプを用いてフリップチップボンディングの手法で電気的に接続する。図８の断面図は、図７（ａ）におけるＣ−Ｃ断面であり、電極パターン１３５、電極パッド１３３ｃ、１３３ｄ、１３３ｆ、及び第１封止材１３９ａ等の断面が示されている。
【００５１】
第１封止材１３９ａは、基板１３０の外周を帯状の矩形形状で成形されている。図８で示されたように、第１封止材１３９ａは非導電性のポリイミド系樹脂、エポキシ系樹脂、または低融点ガラスを塗布することで、その下層を通過する電極パターン１３５を絶縁処理する。
【００５２】
電極パターン１３５は、電極パッド１３３から第１封止材１３９ａ外の基板３０のキャスタレーション３８ａ又はキャスタレーション３８ｂの側面に形成した側面電極１３７ａ〜１３７ｆ（図６及び図７を参照）に接続するための外部接続用のパターンとして成形されている。
【００５３】
基板１３０の下面は、図７（ｂ）で示されるように、６個の側面電極１３７、６個の外部接続用電極端子及び電極パターン１３５を成形する。外部接続用電極端子のうち四隅の４個の外部接続用電極端子は、それぞれ電源電圧端子１３４ａ、発振出力端子１３４ｂ、発振制御端子１３４ｃ、アース端子１３４ｄ、として機能する。短辺の両端中央部の外部接続用電極端子は、検査用端子１３６ａ、１３６ｂとして機能する。気密封止後の圧電振動片１０の振動特性の検査は、検査用端子１３６に接続する側面電極１３７ｅ、１３７ｆで検査する。上述した電極パッド１３３、電極パターン１３５、側面電極１３７及び外部接続用電極端子は、例えばタングステンやモリブデンのメタライズ層の上部にニッケルメッキと金メッキで成形する。
【００５４】
基板１３０の側面は、図６及び図７に示されるように、基板１３０の外周に６個の側面電極１３７ａ〜１３７ｆを成形する。６個の側面電極１３７は基板１３０の上面の電極パターン１３５から下面の電極パターン１３５を接続する電極として機能する。
【００５５】
基板１３０の上面の接続経路は次の通りである。接続端子２１ａが、電極パッド１３３ａ及び電極パターン１３５を通り側面電極１３７ａへ接続する。接続端子２１ｂが電極パッド１３３ｂ及び電極パターン１３５を通り側面電極１３７ｂに接続する。接続端子２１ｃが、電極パッド１３３ｃを通り側面電極１３７ｃに接続する。接続端子２１ｄが、電極パッド１３３ｄ及び電極パターン１３５を通り側面電極１３７ｄに接続する。接続端子２１ｅは、電極パッド１３３ｅ及び電極パターン１３５を通り、側面電極１３７ｅに接続する。接続端子２１ｆは、電極パッド１３３ｆ及び電極パターン１３５を通り、側面電極１３７ｆに接続する。
【００５６】
基板１３０の下面の接続経路は次の通りである。側面電極１３７ａが電極パターン１３５を通り電源電圧端子１３４ａへ接続する。側面電極１３７ｂが、電極パターン１３５を通り発振出力端子１３４ｂに接続する。側面電極１３７ｃが電極パターン１３５を通り発振制御端子１３４ｃに接続する。側面電極１３７ｄが、電極パターン１３５を通りアース端子１３４ｄに接続する。側面電極１３７ｅが検査用端子１３６ａに、及び側面電極１３７ｆが検査用端子１３６ｂに接続する。
【００５７】
基板１３０の上面に成形した電極パターン１３５は、集積回路素子１２０の上面に搭載された圧電振動片１０の励振電極１１が成形された領域の下をできるだけ通過しない状態で引き出されている。
【００５８】
蓋体１４０は、金属平板をプレス加工等によって箱状の凹状に成形され、開口面を下にして配置する。蓋体１４０は、例えば、４２アロイやコバール、リン青銅等の金属から成る厚さ０．１ｍｍ以下の金属平板を材料である。開口面の断端は金属平板の厚さと同じ又は、フランジを成形してもよい。フランジがないと、蓋体１４０は基板１３０の利用面積を増やすことができる。
【００５９】
図８に示されるように、基板１３０の第１封止材１３９ａの上部にペースト状の第２封止材１３９ｂを塗布する。そして、窒素雰囲気、または真空中で蓋体１４０を載置して押圧して、気密封止する。
【００６０】
第２封止材１３９ｂは、非導電性のポリイミド系樹脂、エポキシ系樹脂、又は低融点ガラスを使用し、ホットプレートや赤外線ランプ、各種レーザ等の光源による加熱により接合する。
【符号の説明】
【００６１】
１０      …  圧電振動片
１１      …  励振電極
１２(１２ａ、１２ｂ）      …  接続電極
１３      …  引出電極
２０，１２０      …  集積回路素子
２１      …  接続端子
２２      …  第１貫通電極
３０、１３０      …  基板
３２      …  第２貫通電極
３３、１３３      …  電極パッド
３４ａ、１３４ａ  …  電源電圧端子
３４ｂ、１３４ｂ  …  発振出力端子
３４ｃ、１３４ｃ  …  発振制御端子
３４ｄ、１３４ｄ  …  アース端子
３５、１３５      …  電極パターン
３７、１３７      …  側面電極
３８ａ、３８ｂ      …  キャスタレーション
３９ａ      …  メタライズ層
３９ｂ      …  シールリング
４０、１４０      …  蓋体
４１      …  フランジ
１００、２００    …  圧電デバイス
１３６      …  検査用端子
１３９ａ  …  第１封止材
１３９ｂ  …  第２封止材
Ｄ１      …  第１導電体
Ｄ２      …  第２導電体
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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