(57)【要約】【課題】処理室内の圧力制御の応答性および精度を損なうことなく、圧力計に付着する反応生成物を抑制し、圧力計の高寿命化を図ることができる装置を提供する。【解決手段】真空処理装置は、真空処理を行う真空処理室１０１と、真空処理室１０１内に処理対象の被処理基板１０２を載置する処理台１０３と、真空処理室１０１内に処理を行うためのガスを導入するガス導入系１０４と、真空処理室１０１内を減圧する排気系１０５と、排気系１０５により減圧された真空処理室１０１内の圧力を測定する圧力計１０６と、真空処理室１０１と圧力計１０６とを連結する真空配管１０７と、真空配管１０７の内部に真空処理により生成された反応生成物を収集する収集棒１０８と、を有する。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
真空処理を行う真空処理室と、
前記真空処理室内に処理対象の被処理基板を載置する処理台と、
前記真空処理室内に処理を行うためのガスを導入するガス導入系と、
前記真空処理室内を減圧する排気系と、
前記排気系により減圧された前記真空処理室内の圧力を測定する圧力計と、
前記真空処理室と前記圧力計とを連結する真空配管と、
前記真空配管の内部に真空処理により生成された反応生成物を収集する収集棒と、
を有する、真空処理装置。
【請求項２】
請求項１記載の真空処理装置において、
前記収集棒は、表面粗度が第１の粗さになっている、真空処理装置。
【請求項３】
請求項１記載の真空処理装置において、
前記収集棒は、前記反応生成物の組成に基づいた材質の収集棒、または前記反応生成物の組成に基づいた表面処理が施された収集棒である、真空処理装置。
【請求項４】
請求項１記載の真空処理装置において、
前記収集棒は、前記真空配管に交換可能に設置されている、真空処理装置。
【請求項５】
請求項４記載の真空処理装置において、
前記収集棒を交換する際に、前記真空処理室と前記収集棒が設置された前記真空配管とを隔離する隔離機構をさらに有する、真空処理装置。
【請求項６】
請求項５記載の真空処理装置において、
前記隔離機構は、前記真空処理室と前記収集棒との間の前記真空配管に設置された第１の真空弁と、前記圧力計と前記収集棒との間の前記真空配管に設置された第２の真空弁と、を含む、真空処理装置。
【請求項７】
請求項６記載の真空処理装置において、
前記隔離機構は、前記真空配管と前記排気系との間の配管に設置された第３の真空弁をさらに含む、真空処理装置。
【請求項８】
請求項１記載の真空処理装置において、
前記真空配管に設置された前記収集棒の温度を制御する温度制御機構をさらに有する、真空処理装置。
【請求項９】
請求項８記載の真空処理装置において、
前記温度制御機構は、前記収集棒の温度を低温に制御する温度制御ユニットを含む、真空処理装置。
【請求項１０】
請求項８記載の真空処理装置において、
前記温度制御機構は、前記収集棒の温度を高温に制御する温度制御ユニットを含む、真空処理装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、真空処理装置に関し、特に、圧力計を用いた高精度な圧力制御を実施する装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、ますます高精度化が求められる真空処理装置では、ガス導入方法や処理方法などの高精度化が進められてきている。同時に、処理を行う際の圧力制御に関しても高精度な制御が要求されるようになり、例えば特許文献１に示すような真空度によるダイヤフラムの変形を電気容量から読み取る高精度な圧力計などが用いられている。
【０００３】
しかしながら、このような圧力計は、例えば特許文献２に示すような、ダイヤフラムに反応生成物が付着することが原因で起こる経時的な圧力変化が課題である。特許文献２には、圧力校正用の真空室と、ダイヤフラムの経時的な変形を除去するための変形機構を持った圧力計が記載されている。この方法によれば、基準となる真空室と検出された処理室との圧力に差が生じた場合、その差を補正するために変形機構にてダイヤフラムを変形させ、圧力の経時変化を防止することができる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】実開昭５８−１６５６４０号公報
【特許文献２】特開２００１−１４１５９２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、上記特許文献２の従来技術は、圧力計の示す圧力の経時変化に注目し、圧力計自体の寿命という点に十分に配慮されていなかった。この方法では、圧力の経時的な変化は防止できても、ダイヤフラムに付着した反応生成物が除去されるわけではなく、これらの付着物の影響により圧力計自体の寿命を損なう可能性がある。圧力計に寿命がくれば、処理を続けることは不可能であり、処理を中断し、処理室内を大気開放して圧力計を交換しなければならず、装置の稼働率が著しく低下する。処理の高精度化とともに高生産性が求められる中、装置の稼働率を低下させる処理室の大気開放は、できるだけ実施しない方が好ましい。
【０００６】
例えば、処理室から発生した反応生成物の付着を防ぐには、圧力計自体を処理室から遠ざけて配置するという方法が考えられる。しかしながら、この方法では、ガス供給開始時に処理室と圧力計との間に圧力差が生じ、圧力制御の応答性が悪化し、高精度な圧力制御を実施することが不可能である。
【０００７】
そこで、本発明は上記のような課題に鑑みてなされたものであり、その代表的な目的は、処理室内の圧力制御の応答性および精度を損なうことなく、圧力計に付着する反応生成物を抑制し、圧力計の高寿命化を図ることができる装置を提供することにある。
【０００８】
本発明の前記ならびにその他の目的と新規な特徴は、本明細書の記述および添付図面から明らかになるであろう。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本願において開示される発明のうち、代表的なものの概要を簡単に説明すれば、次のとおりである。
【００１０】
すなわち、代表的な真空処理装置は、真空処理を行う真空処理室と、前記真空処理室内に処理対象の被処理基板を載置する処理台と、前記真空処理室内に処理を行うためのガスを導入するガス導入系と、前記真空処理室内を減圧する排気系と、前記排気系により減圧された前記真空処理室内の圧力を測定する圧力計と、前記真空処理室と前記圧力計とを連結する真空配管と、前記真空配管の内部に真空処理により生成された反応生成物を収集する収集棒と、を有する。
【発明の効果】
【００１１】
本願において開示される発明のうち、代表的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば以下のとおりである。
【００１２】
すなわち、代表的な効果は、処理室内の圧力制御の応答性および精度を損なうことなく、圧力計に付着する反応生成物を抑制し、圧力計の高寿命化を図ることができる。
【図面の簡単な説明】
【００１３】
【図１】本発明の実施の形態１に係わる真空処理装置の構成の一例を示す概略図である。
【図２】図１の真空処理装置において、真空処理中の真空配管内の状態の一例を示す概略図である。
【図３】図１の真空処理装置において、真空処理後の収集棒の保守（交換作業）に関する機構の一例を示す概略図である。
【図４】本発明の実施の形態２に係わる真空処理装置の構成の一例を示す概略図である。
【図５】図４の真空処理装置において、真空処理中の真空配管内の状態の一例を示す概略図である。
【図６】図４の真空処理装置において、クリーニング処理中の真空配管内の状態の一例を示す概略図である。
【発明を実施するための形態】
【００１４】
以下の実施の形態においては、便宜上その必要があるときは、複数のセクションまたは実施の形態に分割して説明するが、特に明示した場合を除き、それらは互いに無関係なものではなく、一方は他方の一部または全部の変形例、詳細、補足説明等の関係にある。また、以下の実施の形態において、要素の数等（個数、数値、量、範囲等を含む）に言及する場合、特に明示した場合および原理的に明らかに特定の数に限定される場合等を除き、その特定の数に限定されるものではなく、特定の数以上でも以下でもよい。
【００１５】
さらに、以下の実施の形態において、その構成要素（要素ステップ等も含む）は、特に明示した場合および原理的に明らかに必須であると考えられる場合等を除き、必ずしも必須のものではないことは言うまでもない。同様に、以下の実施の形態において、構成要素等の形状、位置関係等に言及するときは、特に明示した場合および原理的に明らかにそうでないと考えられる場合等を除き、実質的にその形状等に近似または類似するもの等を含むものとする。このことは、上記数値および範囲についても同様である。
【００１６】
［実施の形態の概要］
まず、実施の形態の概要について説明する。本実施の形態の概要では、一例として、括弧内に実施の形態の対応する構成要素の符号等を付して説明する。
【００１７】
本実施の形態の代表的な真空処理装置は、真空処理を行う真空処理室（１０１，４０１）と、前記真空処理室内に処理対象の被処理基板（１０２，４０２）を載置する処理台（１０３，４０３）と、前記真空処理室内に処理を行うためのガスを導入するガス導入系（１０４，４０４）と、前記真空処理室内を減圧する排気系（１０５，４０５）と、前記排気系により減圧された前記真空処理室内の圧力を測定する圧力計（１０６，４０６）と、前記真空処理室と前記圧力計とを連結する真空配管（１０７，４０７）と、前記真空配管の内部に真空処理により生成された反応生成物を収集する収集棒（１０８，４０８）と、を有する。
【００１８】
以下、上述した実施の形態の概要に基づいた各実施の形態を図面に基づいて詳細に説明する。なお、各実施の形態を説明するための全図において、同一の部材には原則として同一の符号または関連する符号を付し、その繰り返しの説明は省略する。
【００１９】
［実施の形態１］
本実施の形態１に係わる真空処理装置について、図１〜図３を用いて説明する。
【００２０】
＜真空処理装置の構成＞
まず、図１を用いて、本実施の形態１に係わる真空処理装置の構成について説明する。図１は、この真空処理装置の構成の一例を示す概略図である。
【００２１】
本実施の形態１に係わる真空処理装置は、真空処理室１０１、処理台１０３、ガス導入系１０４、排気系１０５、圧力計１０６、真空配管１０７、収集棒１０８を有する。
【００２２】
真空処理室１０１は、真空処理を行うための処理室である。この真空処理室１０１は、処理対象の被処理基板１０２を真空処理するための空間を有する。
【００２３】
処理台１０３は、真空処理室１０１内に処理対象の被処理基板１０２を載置するための処理台である。被処理基板１０２は、真空処理により処理される基板である。
【００２４】
ガス導入系１０４は、真空処理室１０１内に処理を行うためのガスを導入するための機構である。このガス導入系１０４から導入するガスは、被処理基板１０２に対する真空処理に応じたガスが用いられる。
【００２５】
排気系１０５は、真空処理室１０１内を減圧するための機構である。この排気系１０５は、被処理基板１０２を真空処理する際に、真空処理室１０１内を真空に排気する。
【００２６】
圧力計１０６は、排気系１０５により減圧された真空処理室１０１内の圧力を測定するための計器である。この圧力計１０６は、被処理基板１０２を真空処理する際に、真空処理室１０１内を圧力制御するために、この真空処理室１０１に真空配管１０７を通じて連結されている。
【００２７】
真空配管１０７は、真空処理室１０１と圧力計１０６とを連結するための配管である。この真空配管１０７には、真空配管１０７の内部に生成される反応生成物を収集する収集棒１０８が設置されている。また、真空配管１０７には、図３を用いて後述する真空弁などの隔離機構を設置することも可能である。
【００２８】
収集棒１０８は、真空配管１０７の内部に真空処理により生成された反応生成物を収集するための収集棒である。収集棒１０８は、真空配管１０７の内部に反応生成物を収集する部分を突出させて、真空配管１０７に交換可能に取り付けられる。
【００２９】
本実施の形態１に係わる真空処理装置において、被処理基板１０２に対する真空処理は以下のようにして行われる。
【００３０】
まず、真空処理室１０１内の処理台１０３に被処理基板１０２を載置する。そして、真空処理室１０１内に、ガス導入系１０４から処理を行うためのガスを導入して、処理台１０３に載置された被処理基板１０２を真空処理する。
【００３１】
この真空処理の際に、真空処理室１０１内の圧力は排気系１０５により制御される。すなわち、真空処理室１０１内を排気系１０５により排気する。この排気された真空処理室１０１内の圧力を、圧力計１０６で測定する。これにより、真空処理室１０１内を、真空状態に制御することができる。
【００３２】
この被処理基板１０２の真空処理中には、真空処理室１０１内に真空処理により反応生成物が生成されるが、図２を用いて後述するように、真空配管１０７の内部で収集棒１０８により収集する。これにより、反応生成物が圧力計１０６に付着することを抑制することができる。
【００３３】
＜真空処理中の真空配管内の状態＞
次に、図２を用いて、前述した図１に示した真空処理装置において、真空処理中の真空配管内の状態について説明する。図２は、この真空処理中の真空配管内の状態の一例を示す概略図である。
【００３４】
被処理基板１０２に対する真空処理中には、真空処理により生じた反応生成物などのデポ（デポジション）雰囲気２０１は真空処理室１０１内に広がり、この真空処理室１０１内と同様に真空配管１０７内にも侵入する。
【００３５】
本実施の形態１においては、真空処理室１０１側から真空配管１０７内へ侵入したデポ雰囲気２０１は、圧力計１０６側へ到達する前に収集棒１０８に付着させ、圧力計１０６側に到達しないようにする。この時、収集棒１０８の表面粗さ、すなわち表面粗度を第１の粗さにすることで、収集棒１０８の表面積が大きくなり、デポ雰囲気２０１の収集率を向上させることができる。ここでの第１の粗さとは、反応生成物を収集することを目的に、意図的に粗くした粗度（例えば真空配管の内壁の粗度に比べて粗い粗度等）を意味する。
【００３６】
また、真空処理で使用するガスや被処理基板１０２の材質から発生する反応生成物の組成が明確な場合は、反応生成物と密着性の良い材質（例えばシリコン（Ｓｉ）等）で収集棒１０８を製作する。あるいは、収集棒１０８の表面に表面処理を施す。これにより、反応生成物を収集することを目的に、この反応生成物の組成に応じて、収集棒１０８によるデポ雰囲気２０１の収集率をさらに向上させることができる。
【００３７】
このようにして、デポ雰囲気２０１を収集して表面にデポ（反応生成物）を付着させた収集棒１０８は、図３を用いて後述するように、ある一定の周期で交換される。収集棒１０８を交換することで、デポ雰囲気２０１の収集率を一定に保ったまま、被処理基板１０２に対する真空処理を継続することができる。
【００３８】
＜真空処理後の収集棒の保守（交換作業）に関する機構＞
次に、図３を用いて、前述した図１に示した真空処理装置において、真空処理後の収集棒の保守（交換作業）に関する機構について説明する。図３は、この真空処理後の収集棒の保守（交換作業）に関する機構の一例を示す概略図である。
【００３９】
真空処理の合間に収集棒１０８を交換する際、真空処理室１０１内の雰囲気を変化させないために、収集棒１０８を取り付けた真空配管１０７に、真空処理室１０１と真空配管１０７とを隔離する隔離機構を取り付ける。この隔離機構として、真空処理室１０１と収集棒１０８との間の真空配管１０７に真空弁３０１を取り付け、圧力計１０６と収集棒１０８との間の真空配管１０７に真空弁３０２を取り付ける。
【００４０】
収集棒１０８の交換の際は、両方の真空弁３０１，３０２を閉じ、真空処理室１０１と真空配管１０７内の雰囲気を隔離した状態で作業を行う。これにより、収集棒１０８の交換作業の際に、真空処理室１０１内を大気圧にする必要がないため、真空処理装置の稼働率低下を防ぐことができる。
【００４１】
また、収集棒１０８を取り付けてある真空配管１０７に真空弁３０３を取り付け、この真空弁３０３を介して排気系１０５を真空配管１０７に接続してもよい。すなわち、真空配管１０７と排気系１０５との間の配管に真空弁３０３を取り付ける。収集棒１０８の交換後、真空弁３０１，３０２を開く前に真空弁３０３を開くことで、真空処理室１０１と接続する前に真空配管１０７内を真空にすることができる。これにより、より一層、真空処理室１０１内の雰囲気を乱すことなく、真空処理装置の再稼働が可能となる。
【００４２】
＜実施の形態１の効果＞
以上説明した本実施の形態１に係わる真空処理装置によれば、以下のような効果を得ることができる。
【００４３】
（１）真空処理装置は、真空処理室１０１と圧力計１０６とを連結する真空配管１０７の内部に真空処理により生成された反応生成物を収集する収集棒１０８を有する。これにより、圧力計１０６への反応生成物の付着を抑制することができる。この結果、圧力計１０６を真空処理室１０１の近傍に取り付けることができ、圧力制御の応答性を損なうことなく、高精度な圧力制御を実施することができる。
【００４４】
（２）収集棒１０８は、表面粗度が第１の粗さになっている。これにより、収集棒１０８による反応生成物の収集率を向上させることができる。
【００４５】
（３）収集棒１０８は、反応生成物の組成に基づいた材質の収集棒、または反応生成物の組成に基づいた表面処理が施された収集棒である。これにより、反応生成物の組成に応じて収集棒１０８による反応生成物の収集率を向上させることができる。
【００４６】
（４）収集棒１０８は、真空配管１０７に交換可能に設置されている。これにより、反応生成物を収集した収集棒１０８を、一定の期間の後に容易に交換することができる。この結果、収集棒１０８を交換することで、反応生成物の収集率を一定に保ったまま、被処理基板１０２に対する真空処理を継続することができる。
【００４７】
（５）収集棒１０８を交換する際に、真空処理室１０１と収集棒１０８が設置された真空配管１０７とを隔離する隔離機構を有する。これにより、真空処理室１０１内の雰囲気を変化させることがないので、被処理基板１０２に対する真空処理の合間に収集棒１０８を交換することができる。
【００４８】
（６）隔離機構は、真空処理室１０１と収集棒１０８との間の真空配管１０７に設置された真空弁３０１と、圧力計１０６と収集棒１０８との間の真空配管１０７に設置された真空弁３０２とを含む。これにより、収集棒１０８の交換作業の際に、真空処理室１０１内を大気圧にする必要がないため、真空処理装置の稼働率低下を防ぐことができる。
【００４９】
（７）隔離機構は、真空配管１０７と排気系１０５との間の配管に設置された真空弁３０３を含む。これにより、真空処理室１０１内の雰囲気を乱すことなく、真空処理装置を再稼働することができる。
【００５０】
（８）上記（１）〜（７）により、真空処理室１０１内の圧力制御の応答性および精度を損なうことなく、圧力計１０６に付着する反応生成物を抑制し、反応生成物による圧力計１０６の経時変化や故障を防ぐことができる。この結果、圧力計１０６の寿命が向上するので、この圧力計１０６の高寿命化を図ることができる。
【００５１】
［実施の形態２］
本実施の形態２に係わる真空処理装置について、図４〜図６を用いて説明する。
【００５２】
＜真空処理装置の構成＞
まず、図４を用いて、本実施の形態２に係わる真空処理装置の構成について説明する。図４は、この真空処理装置の構成の一例を示す概略図である。
【００５３】
本実施の形態２に係わる真空処理装置は、真空処理室４０１、処理台４０３、ガス導入系４０４、排気系４０５、圧力計４０６、真空配管４０７、収集棒４０８、温度制御ユニット４０９を有する。この真空処理装置による真空処理の対象は、被処理基板４０２である。
【００５４】
本実施の形態２に係わる真空処理装置が、前述した実施の形態１に係わる真空処理装置と異なる点は、温度制御ユニット４０９が追加されている点である。以下においては、主に、前述した実施の形態１に係わる真空処理装置と異なる点を説明する。
【００５５】
温度制御ユニット４０９は、収集棒４０８に接続され、この収集棒４０８の温度を制御するための温度制御機構である。この温度制御ユニット４０９は、図５を用いて後述するように、収集棒４０８の反応生成物の収集率を向上させることを目的に、この収集棒４０８の温度を低温（例えば真空処理時の温度に比べて低い温度等）に制御する温度制御ユニットとして機能する。また、この温度制御ユニット４０９は、図６を用いて後述するように、収集棒４０８に付着した反応生成物を除去することを目的に、この収集棒４０８の温度を高温（例えば真空処理時の温度に比べて高い温度等）に制御する温度制御ユニットとして機能する。
【００５６】
＜真空処理中の真空配管内の状態＞
次に、図５を用いて、前述した図４に示した真空処理装置において、真空処理中の真空配管内の状態について説明する。図５は、この真空処理中の真空配管内の状態の一例を示す概略図である。
【００５７】
被処理基板４０２に対する真空処理により生じた反応生成物などのデポ雰囲気５０１は、前述した実施の形態１と同様、真空配管４０７内に侵入し、収集棒４０８に付着する。この時、本実施の形態２においては、収集棒４０８に接続された温度制御ユニット４０９により収集棒４０８を冷却することで、デポ雰囲気５０１の収集率を向上させることができる。特に、高融点材料（例えばタングステン（Ｗ）等）の被処理基板４０２を真空処理した際のデポ雰囲気５０１は、真空処理室４０１や真空配管４０７などの温度により冷却され、凝固して付着するため、高融点材料のデポ収集に有効である。
【００５８】
なお、温度制御ユニット４０９による温度制御は、図５で説明したデポ雰囲気５０１の収集だけではなく、図６を用いて後述するように、収集棒４０８のクリーニング処理にも有効である。
【００５９】
＜クリーニング処理中の真空配管内の状態＞
次に、図６を用いて、前述した図４に示した真空処理装置において、クリーニング処理中の真空配管内の状態について説明する。図６は、このクリーニング処理中の真空配管内の状態の一例を示す概略図である。
【００６０】
真空処理を行う真空処理装置は、真空処理室４０１内を大気に開放することで装置の稼働率が著しく低下する。そのため、本実施の形態２においては、真空処理装置を真空に保ったまま真空処理とは別のクリーニング用ガス（例えばフッ素系ガス等）を使用し、真空処理室４０１内をクリーニングするクリーニング処理を行う手法が採用されている。
【００６１】
クリーニング処理を行う際、通常の真空処理と同様、真空配管４０７内にクリーニング雰囲気６０１が侵入し、収集棒４０８および真空配管４０７内がクリーニングされる。このクリーニングを行う際、収集棒４０８に接続された温度制御ユニット４０９により収集棒４０８の温度を昇温することで、収集棒４０８に付着したデポをクリーニング雰囲気６０１により除去しやすくすることができる。
【００６２】
特に、収集棒４０８を高融点、耐熱性材料で製作することで、温度制御ユニット４０９により十分加熱できるため、収集棒４０８に付着したデポを除去しやすくすることができる。さらに、収集棒４０８に付着したデポをクリーニングすることで、収集棒４０８の交換周期を長くすることができるため、装置の稼働率への影響を、さらに少なくすることができる。
【００６３】
＜実施の形態２の効果＞
以上説明した本実施の形態２に係わる真空処理装置によれば、前述した実施の形態１に係わる真空処理装置と同様の効果（（１）〜（８））に加えて、温度制御ユニット４０９が追加されていることで、以下のような異なる効果を得ることができる。
【００６４】
（１１）真空処理装置は、真空配管４０７に設置された収集棒４０８の温度を制御する温度制御ユニット４０９を有する。これにより、被処理基板４０２に対する真空処理に応じて温度を制御し、収集棒４０８による反応生成物の収集率を向上させることができる。
【００６５】
（１２）温度制御ユニット４０９は、収集棒４０８の温度を低温に制御する機能を含む。これにより、収集棒４０８を冷却して反応生成物の収集率を向上させることができ、特に、高融点材料の被処理基板４０２を真空処理する際に有効に適用することができる。
【００６６】
（１３）温度制御ユニット４０９は、収集棒４０８の温度を高温に制御する機能を含む。これにより、収集棒４０８の温度を昇温して収集棒４０８に付着した反応生成物を除去することができる。
【００６７】
以上、本発明者によってなされた発明を実施の形態に基づき具体的に説明したが、本発明は前記実施の形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能であることはいうまでもない。例えば、上記した実施の形態は、本発明を分かり易く説明するために詳細に説明したものであり、必ずしも説明した全ての構成を備えるものに限定されるものではない。また、ある実施の形態の構成の一部を他の実施の形態の構成に置き換えることが可能であり、また、ある実施の形態の構成に他の実施の形態の構成を加えることも可能である。また、各実施の形態の構成の一部について、他の構成の追加・削除・置換をすることが可能である。
【符号の説明】
【００６８】
１０１…真空処理室、１０２…被処理基板、１０３…処理台、１０４…ガス導入系、１０５…排気系、１０６…圧力計、１０７…真空配管、１０８…収集棒、２０１…デポ雰囲気、３０１〜３０３…真空弁、
４０１…真空処理室、４０２…被処理基板、４０３…処理台、４０４…ガス導入系、４０５…排気系、４０６…圧力計、４０７…真空配管、４０８…収集棒、４０９…温度制御ユニット、５０１…デポ雰囲気、６０１…クリーニング雰囲気。
【図１】
2015131994.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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