(57)【要約】【課題】長期耐熱性を満足するとともに、生産性の高い方法で製造することができる半導体発光装置、半導体発光装置用部品及びそれらの製造方法等を提供する。【課題手段】基板１４と、光半導体素子１０と、光半導体素子１０が発光する光を反射させる反射体１２とを有し、その反射体１２が電子線硬化性樹脂の硬化物と白色材料とラジカル捕捉剤とを少なくとも含み、ラジカル捕捉剤が前記電子線硬化性樹脂１００質量部に対して０．５質量部以上４質量部以下の範囲内で含まれている半導体発光装置１により上記課題を解決する。反射体１２を形成する反射体形成用組成物には、ラジカル捕捉剤が電子線硬化性樹脂１００質量部に対して３質量部以上１２質量部以下の範囲内で含まれている。【選択図】図１
2015023102.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と、光半導体素子と、前記光半導体素子が発光する光を反射させる反射体とを有し、前記反射体が電子線硬化性樹脂の硬化物と白色材料とラジカル捕捉剤とを少なくとも含み、前記ラジカル捕捉剤が前記電子線硬化性樹脂１００質量部に対して０．５質量部以上４質量部以下の範囲内で含まれていることを特徴とする半導体発光装置。
【請求項２】
基板と、光半導体素子と、前記光半導体素子が発光する光を反射させる反射体とを有する半導体発光装置の製造方法であって、電子線硬化性樹脂と白色材料とラジカル捕捉剤とを少なくとも含み、前記ラジカル捕捉剤が前記電子線硬化性樹脂１００質量部に対して３質量部以上１２質量部以下の範囲内で含まれている反射体形成用組成物を射出成形する工程と、前記射出成形する工程前及び工程後の一方又は両方で電子線を照射する工程とを有することを特徴とする半導体発光装置の製造方法。
【請求項３】
基板と、光半導体素子が発光する光を反射させる反射体とを有し、前記反射体が電子線硬化性樹脂の硬化物と白色材料とラジカル捕捉剤とを少なくとも含み、ラジカル捕捉剤が前記電子線硬化性樹脂１００質量部に対して０．５質量部以上４質量部以下の範囲内で含まれていることを特徴とする半導体発光装置用部品。
【請求項４】
基板と、光半導体素子が発光する光を反射させる反射体とを有する半導体発光装置用部品の製造方法であって、電子線硬化性樹脂と白色材料とラジカル捕捉剤とを少なくとも含み、前記ラジカル捕捉剤が前記電子線硬化性樹脂１００質量部に対して３質量部以上１２質量部以下の範囲内で含まれている反射体形成用組成物を射出成形する工程と、前記射出成形する工程前及び工程後の一方又は両方で電子線を照射する工程とを有することを特徴とする半導体発光装置用部品の製造方法。
【請求項５】
電子線硬化性樹脂の硬化物と白色材料とラジカル捕捉剤とを少なくとも含み、ラジカル捕捉剤が前記電子線硬化性樹脂１００質量部に対して０．５質量部以上４質量部以下の範囲内で含まれていることを特徴とする反射体。
【請求項６】
電子線硬化性樹脂と白色材料とラジカル捕捉剤とを少なくとも含み、前記ラジカル捕捉剤が前記電子線硬化性樹脂１００質量部に対して３質量部以上１２質量部以下の範囲内で含まれている反射体形成用組成物を射出成形する工程と、前記射出成形する工程前及び工程後の一方又は両方で電子線を照射する工程とを有することを特徴とする反射体の製造方法。
【請求項７】
電子線硬化性樹脂と白色材料とラジカル捕捉剤とを少なくとも含み、前記ラジカル捕捉剤が前記電子線硬化性樹脂１００質量部に対して３質量部以上１２質量部以下の範囲内で含まれていることを特徴とする反射体形成用組成物。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、耐熱性に優れる半導体発光装置、半導体発光装置用部品及びそれらの製造方法、並びに反射体、その製造方法及び反射体形成用組成物に関する。
【背景技術】
【０００２】
発光ダイオード（以下「ＬＥＤ」ともいう。）等の光半導体素子は、表示灯等の光源として広く利用されている。こうした光半導体素子は、小型で長寿命であるとともに省電力性に優れているので、地球温暖化防止の対策としてＣＯ２の削減に大いに寄与することができるものとされている。
【０００３】
光半導体素子を光源として用いる半導体発光装置は、高い照度を得るために、通常、基板上に配置された単数又は複数の光半導体素子の周りに反射体を設け、光半導体素子が発光した光を所定方向に反射させている。特に最近は、ＬＥＤの発光強度をより高めるために、光半導体素子に大きな電流が印加される。そのため、光半導体素子が発熱しやすく、反射体にもより高い耐熱性が要求されている。
【０００４】
こうした要求に対し、特許文献１には、炭素−水素結合を有するフッ素樹脂と、所定量の酸化チタンとを含有する樹脂組成物からなる成形体に、電子線を特定量照射してなる白色樹脂成形体及びＬＥＤ用リフレクタが提案されている。この技術によれば、１５０℃以上の高温の環境や光に長時間曝露されても変色しにくい高い耐熱劣化性と耐光劣化性を有し、さらに加工しやすく生産性に優れる等、ＬＥＤのリフレクタ部を構成する材料として好適な特性を有する白色樹脂成形体及びＬＥＤ用リフレクタを提供することができるとされている。
【０００５】
また、特許文献２には、電子線照射によってポリエチレン系樹脂発泡体を製造する技術が提案されている。具体的には、ポリエチレン系樹脂発泡体シートを電子線照射で形成する際に、安定剤のブリードアウトの弊害がなく、また、発泡時の耐熱安定性不足のために発泡温度を一定限界以上に上げることができないという問題に対し、独立気泡を有するオレフィン系樹脂発泡体であって、融点１５０℃以上のヒンダードフェノール系酸化防止剤を０．０５〜１．０重量％、好ましくはさらに分子量５００以上のチオエーテル系酸化防止剤を０．０５〜１．０重量％含有させる技術が提案されている。この技術によれば、着色がなく長期耐熱安定性にも優れたオレフィン系樹脂発泡体を提供できるとされている。
【０００６】
また、特許文献３にも、ポリオレフィン系樹脂に無機難燃剤を分散させた電線被覆材料を電子線照射によって製造する技術が提案されている。具体的には、ポリオレフィン系樹脂と、無機難燃剤と、光安定剤として、特定の式で表される化合物を分子量３００以上の重合体に付加した高分子量安定剤とを配合した耐候性難燃樹脂組成物が提案されている。この技術によれば、ポリオレフィン系樹脂への分散性が良好で、長時間の風雨に曝されるような環境で使用される場合や、電子線架橋処理されるような用途で使用される場合でも耐候性・耐電子線性により長期に樹脂物性を安定に保持できるとされている。
【０００７】
また、特許文献４には、熱可塑性樹脂と充填材と溶融粘度低下剤とを含み、その溶融粘度低下剤は、所定量含有する多官能アルキル化合物または所定量含有するダイマー酸ベース熱可塑性樹脂である樹脂組成物およびそれからなる成形体が提案されている。この技術によれば、加工時の溶融流動性に優れた樹脂組成物およびそれからなる成形体を提供することができるとされている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００８】
【特許文献１】特開２０１１−１９５７０９号公報
【特許文献２】特開２０００−３４４９２３号公報
【特許文献３】特開２００２−２６５６９４号公報
【特許文献４】国際公開ＷＯ２０１０／０８４８４５号
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
上記のように、ＬＥＤは、その発光強度をより高めるために、光半導体素子に大きな電流を印加するが、そのために光半導体素子が発熱しやすく、反射体にもより高い耐熱性が要求されている。また、本発明者の検討によれば、電子線照射によって生産性を高める生産方式を採用した場合、電子線照射によって形成した反射体は、長期の耐熱性が不十分になり易いという問題があった。
【００１０】
本発明は、上記課題を解決するためになされたものであって、その目的は、長期耐熱性を満足するとともに、生産性の高い方法で製造することができる半導体発光装置、半導体発光装置用部品及びそれらの製造方法を提供することにある。さらに本発明の目的は、反射体、その製造方法及び反射体形成用組成物を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
（１）上記課題を解決するための本発明に係る半導体発光装置は、基板と、光半導体素子と、前記光半導体素子が発光する光を反射させる反射体とを有し、前記反射体が電子線硬化性樹脂の硬化物と白色材料とラジカル捕捉剤とを少なくとも含み、前記ラジカル捕捉剤が前記電子線硬化性樹脂１００質量部に対して０．５質量部以上４質量部以下の範囲内で含まれていることを特徴とする。
【００１２】
本発明に係る半導体発光装置の製造方法は、基板と、光半導体素子と、前記光半導体素子が発光する光を反射させる反射体とを有する半導体発光装置の製造方法であって、電子線硬化性樹脂と白色材料とラジカル捕捉剤とを少なくとも含み、前記ラジカル捕捉剤が前記電子線硬化性樹脂１００質量部に対して３質量部以上１２質量部以下の範囲内で含まれている反射体形成用組成物を射出成形する工程と、前記射出成形する工程前及び工程後の一方又は両方で電子線を照射する工程とを有することを特徴とする。
【００１３】
（２）上記課題を解決するための本発明に係る半導体発光装置用部品は、基板と、光半導体素子が発光する光を反射させる反射体とを有し、前記反射体が電子線硬化性樹脂の硬化物と白色材料とラジカル捕捉剤とを少なくとも含み、前記ラジカル捕捉剤が前記電子線硬化性樹脂１００質量部に対して０．５質量部以上４質量部以下の範囲内で含まれていることを特徴とする。
【００１４】
本発明に係る半導体発光装置用部品の製造方法は、基板と、光半導体素子が発光する光を反射させる反射体とを有する半導体発光装置用部品の製造方法であって、電子線硬化性樹脂と白色材料とラジカル捕捉剤とを少なくとも含み、前記ラジカル捕捉剤が前記電子線硬化性樹脂１００質量部に対して３質量部以上１２質量部以下の範囲内で含まれている反射体形成用組成物を射出成形する工程と、前記射出成形する工程前及び工程後の一方又は両方で電子線を照射する工程とを有することを特徴とする。
【００１５】
（３）上記課題を解決するための本発明に係る反射体は、電子線硬化性樹脂の硬化物と白色材料とラジカル捕捉剤とを少なくとも含み、前記ラジカル捕捉剤が前記電子線硬化性樹脂１００質量部に対して０．５質量部以上４質量部以下の範囲内で含まれていることを特徴とする。
【００１６】
本発明に係る反射体の製造方法は、電子線硬化性樹脂と白色材料とラジカル捕捉剤とを少なくとも含み、前記ラジカル捕捉剤が前記電子線硬化性樹脂１００質量部に対して３質量部以上１２質量部以下の範囲内で含まれている反射体形成用組成物を射出成形する工程と、前記射出成形する工程前及び工程後の一方又は両方で電子線を照射する工程とを有することを特徴とする。
【００１７】
（４）上記課題を解決するための本発明に係る反射体形成用組成物は、電子線硬化性樹脂と白色材料とラジカル捕捉剤とを少なくとも含み、前記ラジカル捕捉剤が前記電子線硬化性樹脂１００質量部に対して３質量部以上１２質量部以下の範囲内で含まれていることを特徴とする。
【発明の効果】
【００１８】
本発明に係る半導体発光装置及びその製造方法によれば、長期耐熱性に優れた反射体を備えた生産性の良い半導体発光装置を提供できる。さらに、本発明に係る反射体、その製造方法及び反射体形成用組成物によれば、長期耐熱性に優れた反射体を生産性よく提供できる。
【図面の簡単な説明】
【００１９】
【図１】本発明に係る半導体発光装置の一例を示す概略断面図である。
【図２】本発明に係る半導体発光装置の他の一例を示す概略断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００２０】
本発明に係る半導体発光装置、半導体発光装置用部品及びそれらの製造方法、並びに反射体、その製造方法及び反射体形成用組成物について、図面を参照して詳しく説明する。なお、本発明は、以下の実施形態に限定されるものではなく、その要旨の範囲内で各種の形態をとることができる。
【００２１】
［半導体発光装置］
本発明に係る半導体発光装置１は、図１及び図２に示すように、基板１４と、光半導体素子１０と、光半導体素子１０が発光する光を反射させる反射体１２とを有している。そして、その反射体１２が、電子線硬化性樹脂の硬化物と白色材料とラジカル捕捉剤とを少なくとも含んでいる。ラジカル捕捉剤が前記電子線硬化性樹脂１００質量部に対して０．５質量部以上４質量部以下の範囲内の割合で含まれている。
【００２２】
こうした半導体発光装置１は、反射体１２が電子線硬化性樹脂の硬化物（以下、単に「硬化物」というときは「電子線硬化性樹脂の硬化物」を意味する。）と白色材料と上記ラジカル捕捉剤とを少なくとも含むので、白色材料を含む硬化物が劣化するのを、ラジカル捕捉剤の存在によって抑制することができる。こうした半導体発光装置１は、長期耐熱性に優れた反射率のよい反射体１２を備えるので、光半導体素子に大きな電流を印加して光半導体素子が発熱しても、製品の長期耐久性に優れる。
【００２３】
以下、各構成について詳しく説明する。なお、半導体発光装置１は、基板１４と光半導体素子１０と反射体１２とを含むものであれば特に限定されず、例えば砲弾型の半導体発光装置であってもよいし、表面実装型ＣＯＢ：Ｃｈｉｐ  Ｏｎ  Ｂｏａｒｄ）の半導体発光装置であってもよい。以下では、表面実装型の半導体発光装置を例にして説明する。
【００２４】
＜基板＞
基板１４は特に限定されず、半導体発光装置１の分野で用いられるものあれば各種の基板を使用できる。基板１４は、リードフレームやリード電極等とも言われており、基板１４上に搭載される光半導体素子１０に電力を供給する導電体（リード電極）として機能したり、ヒートシンクとして機能したりする。基板１４と光半導体素子１０との配置は特に限定されず、図１等に示すように、両者が直接接触していてもよいし、直接接触していなくても電気的に接続されていてもよい。
【００２５】
基板１４の材料としては、金属基板、セラミックス基板、プラスチック基板等のいずれであってもよいが、通常、金属基板が好ましく用いられる。金属基板としては、例えば、銅、鉄、アルミニウム等の金属又は合金を挙げることができる。こうした金属又は合金は、高い熱伝導性を示すので好ましく用いることができる。また、その表面は、電気伝導性と熱伝導性のよい銀、金、アルミニウム等のメッキが施こされていてもよい。セラミックス基板としては、例えば、酸化アルミニウム、窒化アルミニウム、ムライト（酸化アルミニウムと二酸化ケイ素の化合物）、ガラス等のセラミックス等を挙げることができる。また、プラスチック基板としては、例えば、ポリイミド樹脂等のフレキシブル性を有する樹脂材料等を挙げることができる。セラミックス基板やプラスチック基板は、その表面に、光半導体素子１０と電気的に接続してその光半導体素子１０に電力を供給できる金属層が設けられていることが望ましい。そうした金属層としては、電気伝導性と熱伝導性を兼ね備えた銅、銀、金、アルミニウム等が好ましい。こうした材料で構成された基板１４は、光半導体素子１０に大電流を長時間印加することができるので、出力向上を図ることができるとともに信頼性の高い半導体発光装置１にすることができる。
【００２６】
なお、基板１４には、光半導体素子１０が載置されやすいように中央に凹部が設けられたり周縁に壁部が設けられたりしてもよいし、ヒートシンク機能を高めるための凸部が設けられていてもよい。また、基板１４の厚さは特に限定されず、その構成材料や構造形態等に応じて適宜設定することができる。
【００２７】
＜光半導体素子＞
光半導体素子１０は、図１及び図２に示すように、基板１４上に設けられている。この光半導体素子１０は、任意の波長の光を発光する半導体素子であればよく、その種類は特に限定されない。発光波長は特に限定されないが、例えば、２３０ｎｍ〜４００ｎｍの紫外光であってもよいし、紫外光から可視光の範囲の光であってもよいし、可視光の光であってもよい。
【００２８】
光半導体素子１０としては、一例としては、ＡｌＧａＡｓ、ＡｌＧａＩｎＰ、ＧａＰ又はＧａＮからなる活性層を、ｎ型及びｐ型のクラッド層により挟んだダブルヘテロ構造を有するものを挙げることができる。このような光半導体素子１０としては、一辺の長さが０．５ｍｍ程度の六面体の形状の紫外光発光ＬＥＤ等を挙げることができる。
【００２９】
光半導体素子１０の発色光についても特に限定はなく、白色であってもよいし、それ以外の色であってもよい。例えば、光半導体素子１０の表面にそれぞれ赤、緑、青に変換する発光色変換部材を設けてそれぞれの色に変換した光を混合で白色の発光色にすることができる。
【００３０】
特に紫外光を発光する光半導体素子１０を用いた場合、その紫外光を利用して、半導体発光装置１に殺菌効果や消臭効果を付与することができる。また、様々な蛍光体を、例えば上述した発光色変換部材と組合せることで、得られる半導体発光装置１を照明やテレビ等に利用することができ、その演色性を高めることができる。
【００３１】
＜反射体＞
反射体１２は、図１及び図２に示すように、基板１４上に設けられている。この反射体１２は、本発明に係る半導体発光装置１が備える必須の構成であり、光半導体素子１０から発光される光を所定方向、すなわち出光部側へ反射させる役割を果たしている。そのための構造形態は特に限定されないが、通常、図１及び図２に示すように、光を所定方向に反射させる面を備え、その面をテーパー状に傾けた形態に設けられている。
【００３２】
反射体１２は、電子線硬化性樹脂の硬化物と白色材料とラジカル捕捉剤とを少なくとも含んでいる。
【００３３】
（電子線硬化性樹脂の硬化物）
電子線硬化性樹脂の硬化物は、電子線硬化性樹脂に電子線を照射して得られた硬化であればよい。その硬化態様としては、後述するように、反射体形成用組成物を射出成形して反射体１２を形成した後に電子線を照射して硬化させたものであってもよいし、射出成形で形成する前の反射体形成用組成物に電子線を照射して硬化させたものであってもよいし、射出成形して反射体１２を成形する前の反射体形成用組成物に電子線を照射して半硬化させるとともに、半硬化した反射体形成用組成物を射出成形した反射体１２に電子線を照射して硬化させたものであってもよい。
【００３４】
電子線硬化性樹脂は特に限定されない。例えば、オレフィン樹脂、塩化ビニル樹脂、スチレン樹脂、酢酸ビニル樹脂、テトラフルオロエチレン樹脂、アクリロニトリルスチレン樹脂、アクリロニトリルブタジエンスチレン樹脂、アクリル樹脂、アミド樹脂、アセタール樹脂、カーボネート樹脂、変性ポリフェニレンエーテル樹脂、ブチレンテレフタレート樹脂、エチレンテレフタレート樹脂、フェニレンスルファイド樹脂、テトラフロロエチレン樹脂、サルフォン樹脂、エーテルサルフォン樹脂、非晶アリレート樹脂、液晶ポリマー、ポリエーテルエーテルケトン、熱可塑性ポリイミド、ポリアミドイミド等の熱可塑性樹脂をいずれも使用可能である。
【００３５】
なかでもオレフィン樹脂が好ましく用いられる。オレフィン樹脂としては、例えば、ノルボルネン誘導体を開環メタセシス重合させた樹脂、又はその水素添加、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリメチルペンテン等を挙げることができる。特に、ポリメチルペンテンが好ましい。
【００３６】
ポリメチルペンテンは、耐熱性に優れることから、光半導体素子１０からの発熱による反射体１２の変色を防止でき、長期にわたって反射体１２の性能を維持することができるという利点がある。また、こうした耐熱性は、ポリメチルペンテンの高い混練温度（約２４０℃〜２８０℃程度）による悪影響が生じないとう利点もある。また、ポリメチルペンテンは成形性にも優れることから、ポリメチルペンテンを含む反射体形成用組成物は、バリの発生なく反射体１２を成形することができるという利点もある。これにより、バリによって生じ得る半導体発光装置１の電気的な不良の発生を防止することができる。さらに、ポリメチルペンテンは、紫外域の波長の光線透過率にも優れている。こうしたポリメチルペンテンと、紫外光反射性能を有する後述の白色材料との相乗効果によって、光半導体素子１０から発光される紫外光を効果的に出光部側に反射させることができ、殺菌効果及び消臭効果、また演色性等をさらに高めることができる。また、ポリメチルペンテンは、屈折率が１．４６であることから酸化ケイ素材料等の屈折率に近いため、それらを混合した際でも透過率や反射率等の光学特性の阻害を抑えることができる。
【００３７】
ポリメチルペンテンについてさらに詳しく説明する。ポリメチルペンテンとしては、例えば、４−メチルペンテン−１の単独重合体や、４−メチルペンテン−１と他のオレフィンとの共重合体等を挙げることができる。４−メチルペンテン−１と他のオレフィンとの共重合体としては、４−メチルペンテン−１と、α−オレフィン、例えば、エチレン、プロピレン、１−ブテン、１−ペンテン、１−ヘキセン、１−オクテン、１−デセン、１−ドデセン、１−テトラデセン、１−オクタデセン、１−エイコセン、３−メチル−１−ブテン、３−メチル−１−ペンテン等の炭素数２〜２０のα−オレフィンとの共重合体を挙げることができる。４−メチルペンテン−１と他のオレフィンとの共重合体を用いる場合には、その共重合体は、４−メチル−１−ペンテンを９０モル％以上含んでいることが好ましい。
【００３８】
ポリメチルペンテンのうち、４−メチルペンテン−１の単独重合体を好ましく使用することができる。なかでも、重合平均分子量（Ｍｗ）が１０００以上、特に５０００以上の４−メチルペンテン−１の単独重合体が好ましい。これらのポリメチルペンテンによれば、反射体１２の耐熱性をさらに向上させることができる。なお、４−メチルペンテン−１の単独重合体の分子量は、ゲルパーミッションクロマトグラフィーで測定したポリスチレン換算の重量平均分子量である。
【００３９】
ポリメチルペンテンは市販品を用いることもでき、例えば、三井化学株式会社製のＴＰＸ（登録商標）等を挙げることができる。
【００４０】
ポリメチルペンテンを電子線硬化性樹脂として用いる場合は、三次元網目構造のポリメチルペンテンを用いてもよい。三次元網目構造のポリメチルペンテンを含む反射体形成用組成物は、耐熱性や反射性能に優れた反射体１２を形成することができる。また、形成した反射体１２から、後述する紫外光反射性能を有する白色材料が脱落することを防止することもできる。三次元網目構造のポリメチルペンテンは、例えば、紫外線硬化剤や電子線硬化剤とポリメチルペンテンとを反応させて、ポリメチルペンテンの分子間を架橋させることで得ることができる。これ以外にも、ポリメチルペンテンと、紫外線硬化剤や電子線硬化剤のモノマーを共重合させた共重合体を用いて三次元網目構造のポリメチルペンテンを得ることもできる。
【００４１】
（架橋処理剤）
架橋処理剤は、電子線硬化性樹脂の硬化物の耐熱性が十分でない場合に、必要に応じて上記した電子線硬化性樹脂とともに反射体形成用組成物に含まれる。
【００４２】
例えば、上記したポリメチルペンテンのように融点が２３２℃と高く、加工温度の２８０℃程度でも分解せずに分解温度が３００℃近辺という高温特性を有するオレフィン樹脂を用いる場合には、このような高温特性を有する有機過酸化物や光重合開始剤は一般にはあまり存在しないので、有機過酸化物による架橋や紫外光による架橋は困難である。また、ポリメチルペンテン等のオレフィン樹脂である電子線硬化性樹脂に対して電子線を照射（例えば、吸収線量：２００ｋＧｙ）しても架橋と同時に分子鎖の切断が進行することがある。そのため、ポリメチルペンテン単体では有効な架橋は起こり難いが、架橋処理剤を含有させることにより、電子線照射によって有効に架橋反応を起こすことができる。こうしたことから、架橋処理剤を上記したポリメチルペンテン等のオレフィン樹脂である電子線硬化性樹脂に含有させて電子線を照射させることにより、例えばリフロー工程のような加熱工程においても十分な耐熱性を発揮し得る反射体形成用組成物にすることができる。これにより、反射体１２を成形した後に加わる熱に対しても、電子線硬化性樹脂の融解による反射体１２の変形を防ぐことができる。
【００４３】
架橋処理剤は、飽和又は不飽和の環構造を有し、少なくとも１つの環を形成する原子のうち少なくとも１つの原子が、アリル基、メタリル基、連結基を介したアリル基、及び連結基を介したメタリル基から選ばれるいずれかのアリル系置換基と結合してなる構造を有する。特に、架橋処理剤の１つの環を形成する原子のうち少なくとも２つの原子が、それぞれ独立に、アリル系置換基と結合していることが好ましい。また、環構造が６員環である場合、その環を形成する原子のうちの少なくとも２つの原子が、それぞれ独立に、アリル系置換基と結合しており、１つのアリル系置換基が結合した原子に対して、他のアリル系置換基がメタ位の原子に結合していることが好ましい。
【００４４】
そうした構造を有する架橋処理剤を含有することで、良好な電子線硬化性を発揮し、優れた耐熱性を有する反射体形成用組成物にすることができる。飽和又は不飽和の環構造としては、シクロ環、ヘテロ環、芳香環等を挙げることができる。環構造を形成する原子の数は、３〜１２であることが好ましく、５〜８であることがより好ましく、６員環であることがさらに好ましい。架橋処理剤が有する連結基としては、エステル結合、エーテル結合、アルキレン基、（ヘテロ）アリーレン基等を挙げることができる。環を形成する原子のうちアリル系置換基と結合しない原子は、水素、酸素、窒素等が結合した状態、又は種々の置換基が結合した状態となっている。
【００４５】
架橋処理剤の分子量は、１０００以下であることが好ましく、５００以下であることがより好ましく、３００以下であることがさらに好ましい。分子量が１０００以下であることで、電子線硬化性樹脂中での分散性が低くなることを防ぎ、電子線照射による有効な架橋反応を起こすことが可能となる。また、環構造の数は１〜３であることが好ましく、１又は２であることがより好ましく、１であることがさらに好ましい。
【００４６】
架橋処理剤の融点は、使用する電子線硬化性樹脂の融点以下であることが好ましく、例えば２００℃以下であることが好ましい。上記のような架橋処理剤であれば、加工時の流動性に優れるため、電子線硬化性樹脂の加工温度を低下させて熱負荷を軽減したり、加工時の摩擦を軽減したり、白色材料や無機材料等の無機成分の充填量を増やすことができる。
【００４７】
具体的な架橋処理剤としては、トリアリルイソシアヌレート、メチルジアリルイソシアヌレート、ジアリルモノグリシジルイソシアヌル酸、モノアリルジグリシジルイソシアヌレート、トリメタリルイソシアヌレート等を挙げることができる。また、オルトフタル酸のジアリルエステル、イソフタル酸のジアリルエステル等を挙げることができる。
【００４８】
架橋処理剤は、電子線硬化性樹脂１００質量部に対して１０質量部以上、４０質量部以下の範囲内で配合されており、１２質量部以上、３０質量部以下の範囲内で配合されていることが好ましい。こうした範囲内で配合されていることにより、架橋処理剤がブリードアウトすることなく架橋を効果的に進行させることができる。
【００４９】
（白色材料）
白色材料は、電子線硬化性樹脂の硬化物とともに反射体１２に含まれている。すなわち、白色材料は、反射体１２を形成するための反射体形成用組成物に含まれ、その反射体形成用組成物で形成した反射体１２に、電子線硬化性樹脂の硬化物及び繊維状材料とともに含まれている。白色材料としては、酸化チタン、硫化亜鉛、酸化亜鉛、硫化バリウム、チタン酸カリウム等の白色顔料を挙げることができる。これらの白色材料は、単独又は２種以上混合して使用することができる。なかでも酸化チタンが好ましい。
【００５０】
白色材料は、電子線硬化性樹脂１００質量部に対し、２００質量部以上、５００質量部以下の範囲内の割合で含まれていることが好ましく、２００質量部以上、４５０質量部以下の範囲内で含まれていることがより好ましい。この範囲内にすることで、製品性能（例えば、反射体の光反射率、強度、成形反り等）を良好に維持することができる。また、白色材料が多くて加工ができない、又は加工できても成形状態が悪く、ボソボソで製品性能（例えば、反射体の光反射率等）が低下してしまったりすることを防ぐことができる。
【００５１】
白色材料の平均粒径は、反射体形成用組成物の成形性を考慮し、かつ高い反射率を得る観点から、一次粒度分布において０．１０μｍ以上、０．５０μｍ以下の範囲内であることが好ましく、０．１０μｍ以上、０．４０μｍ以下の範囲内であることがより好ましく、０．２１μｍ以上、０．２５μｍ以下の範囲内であることがさらに好ましい。平均粒径は、レーザー光回折法による粒度分布測定における質量平均値Ｄ５０として求めることができる。
【００５２】
（ラジカル捕捉剤）
ラジカル捕捉剤は、電子線硬化性樹脂の硬化物とともに反射体１２に含まれている。すなわち、ラジカル捕捉剤は、反射体１２を形成するための反射体形成用組成物に含まれ、その反射体形成用組成物で形成した反射体１２に、電子線硬化性樹脂の硬化物及び白色材料とともに含まれている。ラジカル捕捉剤は、本発明の電子線硬化性樹脂の硬化物の耐熱老化性をより効果的に改良し、反射率、色調、強度等の保持率をより向上させる効果を有する。紫外線等が照射してラジカルが生じた場合も、その反射体１２にラジカル捕捉剤が含まれていることにより、ラジカルを捕捉して樹脂成分の劣化を防ぐことができる。また、電子線の照射より反射体形成用組成物中で生じた過剰なラジカルを捕捉して、樹脂成分がそのラジカルで劣化するのを防ぐように作用する。なお、ラジカル捕捉剤は、酸化防止剤と呼ばれたり、光安定化剤と呼ばれたりすることがある。
【００５３】
ラジカル捕捉剤としては、フェノール系酸化防止剤、イオウ系酸化防止剤、ヒドロキシルアミン系酸化防止剤等を挙げることができる。特にフェノール系酸化防止剤が好ましく適用することができる。フェノール系酸化防止剤としては、例えばヒンダードフェノール系酸化防止剤を挙げることができ、その具体例としては、ペンタエリスリトールテトラキス［３−（３，５−ジ−ｔｅｒｔ−ブチル−４−ヒドロキシフェニル）プロピオネート］、オクタデシル−３−（３，５−ジ−ｔｅｒｔ−ブチル−４−ヒドロキシフェニル）プロピオネート、チオジエチレンビス［３−（３，５−ジ−ｔｅｒｔ−ブチル−４−ヒドロキシフェニル）プロピオネート］、Ｎ，Ｎ’−ヘキサン−１，６−ジイルビス［３−（３，５−ジ−ｔｅｒｔ−ブチル−４−ヒドロキシフェニルプロピオナミド）、２，４−ジメチル−６−（１−メチルペンタデシル）フェノール、ジエチル［［３，５−ビス（１，１−ジメチルエチル）−４−ヒドロキシフェニル］メチル］ホスフォエート、３，３’，３’’，５，５’，５’’−ヘキサ−ｔｅｒｔ−ブチル−ａ，ａ’，ａ’’−（メシチレン−２，４，６−トリイル）トリ−ｐ−クレゾール、４，６−ビス（オクチルチオメチル）−ｏ−クレゾール、エチレンビス（オキシエチレン）ビス［３−（５−ｔｅｒｔ−ブチル−４−ヒドロキシ−ｍ−トリル）プロピオネート］、ヘキサメチレンビス［３−（３，５−ジ−ｔｅｒｔ−ブチル−４−ヒドロキシフェニル）プロピオネート］、１，３，５−トリス（３，５−ジ−ｔｅｒｔ−ブチル−４−ヒドロキシベンジル）−１，３，５−トリアジン−２，４，６（１Ｈ，３Ｈ，５Ｈ）−トリオン，２，６−ジ−ｔｅｒｔ−ブチル−４−（４，６−ビス（オクチルチオ）−１，３，５−トリアジン−２−イルアミノ）フェノール、２−［１−（２−ヒドロキシ−３，５−ジ−ｔｅｒｔ−ペンチルフェニル）エチル］−４，６−ジ−ｔｅｒｔ−ペンチルフェニルアクリレート等を挙げることができる。なかでも、ペンタエリスリトールテトラキス［３−（３，５−ジ−ｔｅｒｔ−ブチル−４−ヒドロキシフェニル）プロピオネート］、オクタデシル−３−（３，５−ジ−ｔｅｒｔ−ブチル−４−ヒドロキシフェニル）プロピオネートが好ましい。
【００５４】
フェノール系酸化防止剤としては、具体的には、例えば、ＢＡＳＦ社製の「イルガノックス１０１０」、「イルガノックス１０７６」、アデカ社製「アデカスタブＡＯ−５０」、「アデカスタブＡＯ−６０」等を挙げることができる。なお、フェノール系酸化防止剤は、１種が含有されていてもよく、２種以上が任意の組み合わせ及び比率で含有されていてもよい。
【００５５】
電子線を照射して硬化させた後の電子線硬化性樹脂の硬化物中のラジカル捕捉剤の含有量は、そ電子線硬化性樹脂１００質量部に対して０．５質量部以上４質量部以下の範囲内の割合であることが好ましい。ラジカル捕捉剤がこの範囲内で含まれることにより、上記した作用を効果的に発揮することができる。特に好ましくは、１質量部以上３質量部以下の範囲内である。一方、ラジカル捕捉剤の含有量が１質量部未満では、ラジカル捕捉剤の作用が十分に発揮されないことがある。また、ラジカル捕捉剤の含有量が４質量部を超えると、ラジカル捕捉剤が過剰になって着色し、輝度が低下することがある。
【００５６】
電子線を照射する前の電子線硬化性樹脂中のラジカル捕捉剤の含有量は、その電子線硬化性樹脂１００質量部に対して３質量部以上１２質量部以下の範囲内の割合であることが好ましい。ラジカル捕捉剤がこの範囲内で含まれることにより、その後に電子線を照射して硬化させたとき、電子線硬化性樹脂の硬化物中のラジカル捕捉剤を、その電子線照射前の電子線硬化性樹脂１００質量部に対して０．５質量部以上４質量部以下の範囲内の割合にすることができる。特に好ましくは、２質量部以上１５質量部以下の範囲内である。一方、ラジカル捕捉剤の含有量が２質量部未満では、その後に電子線を照射して硬化させたときの硬化物中のラジカル捕捉剤を上記範囲内にすることができないことがある。また、ラジカル捕捉剤の含有量が２０質量部を超えた場合も、その後に電子線を照射して硬化させたときの硬化物中のラジカル捕捉剤を上記範囲内にすることができないことがある。
【００５７】
こうしたラジカル捕捉剤の含有量は、電子線の照射量により減少するラジカル捕捉剤が異なるので、電子線を照射する前の電子線硬化性樹脂１００質量部に対する必要量は異なる。本発明では、３２０℃での貯蔵弾性率（Ｅ’）が１．０×１０８以上を確保することができる電子線量３４０ｋＧｙ以上では、電子線を照射する前の段階におけるラジカル捕捉剤の含有量は、電子線硬化性樹脂１００質量部に対して３質量部以上１２質量部以下の範囲内となる。
【００５８】
なお、電子線硬化性樹脂１００質量部に対して０．５質量部以上４質量部以下の範囲内での配合割合は、百分率で約１質量％〜約４質量％程度に見積もることができる。
【００５９】
ラジカル捕捉剤としてヒンダードフェノール系酸化防止剤を用いた場合、単独でも十分に効果が発現されるが、亜リン酸エステル、リン酸エステル等のリン系酸化防止安定剤や、硫黄系酸化防止安定剤と併用することにより、長期熱安定性をさらに高めることができる。亜リン酸エステルとしては、例えば、トリフェニルホスファイト、トリスノニルフェニルホスファイト、トリス（２，４−ジ−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）ホスファイト、トリノリルホスアァイト、トリデシルホスファイト、トリオクチルホスファイト、トリオクタデシルホスファイト、ジステアリルペンタエリスリトールジホスファイト、トリシクロヘキシルホスファイト、モノブチルジフエニルホスファイト、モノオクチルジフエニルホスファイト、ジステアリルペンタエリスリトールジホスファイト、ビス（２，４−ジ−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）ペンタエリスリトールホスファイト、ビス（２．６−ジ−ｔｅｒｔ−ブチル−４−メチルフェニル）ペンタエリスリトールホスファイト、２，２−メチレンビス（４，６−ジ−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）オクチルホスファイト、テトラキス（２，４−ジ−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）−４，４−ジフエニレンホスフォナイト等の亜リン酸のトリエステル、ジエステル、モノエステル等を挙げることができる。リン酸エステルとしては、トリメチルホスフェート、トリエチルホスフェート、トリブチルホスフェート、トリオクチルホスフェート、トリフェニルホスフェート、トリクレジルホスフェート、トリス（ノニルフェニル）ホスフェート、２−エチルフェニルジフェニルホスフェート等を挙げることができる。これらリン系酸化防止剤は単独で用いてもよく、二種以上を組み合わせて用いてもよい。このときのリン系酸化防止安定剤は、電子線硬化性樹脂１００質量部に対して１質量部（約１質量％）を超えると、反射体１２の形成時に加わる工程中に、ブリードアウトしやすくなるので好ましくない。なお、ヒンダードフェノール系酸化防止剤（Ａ）とリン系酸化防止安定剤（Ｂ）との配合割合は（Ｂ）／（Ａ）としては、０．０１〜２．０の範囲が好ましい。
【００６０】
こうしたラジカル捕捉剤の所定量を電子線硬化性樹脂に含ませることにより、電子線を照射した後の硬化物の酸化を防ぐことができ、反射体１２を長期間使用することができる。
【００６１】
（無機材料）
無機材料は、反射体１２に任意に含まれている、すなわち、電子線硬化性樹脂の硬化物及び白色材料とともに反射体１２を構成するが、任意成分として含まれる。なお、無機材料を含む反射体形成用組成物は、より強度の高い反射体１２を形成することができる。
【００６２】
無機材料としては、粒子状又は繊維状の無機材料が用いられる。繊維状の無機材料としては、ガラス繊維を好ましく挙げることができるが、それ以外の材質からなる繊維であってもよい。繊維状の材料は無機でも有機でもよく、例えば、ウォラストナイト、針状酸化チタン、針状チタン酸カリウム、タルク、メラミンシアヌレート、窒化ホウ素、炭素繊維、ボロン繊維、アラミド繊維、ポリエチレン繊維、繊維状のザイロン等であってもよい。球状の無機材料としては、球状粒子又は球状に近似する不定形粒子、球状に近似する鱗片状粒子、扁平状粒子、円錐形状粒子、楕円形状粒子等を挙げることができる。具体的には、水酸化ナトリウム、セリサイト、炭酸カルシウム、硫酸バリウム、水酸化アルミニウム、炭酸マグネシウム、チタン酸バリウム等の球状粒子を挙げることができる。これらの無機材料は、単独又は２種以上混合して使用することができる。
【００６３】
無機材料の大きさは特に限定されず、繊維状の無機材料の場合は、その平均長さ（繊維長）が４０μｍ以上、１００μｍ以下の範囲内であり、断面の平均直径も特に限定されないが５μｍ以上、５０μｍ以下の範囲内であることが好ましい。球状の無機材料の場合は、その体積平均粒径が０．１μｍ以上、３００μｍ以下の範囲内であることが好ましい。こうした大きさにすることにより、無機材料が硬化物中に多く充填され、得られた反射体１２の強度を高めることができる。また、従来のような長いガラス繊維が反射体表面から飛び出して光の反射性を阻害することも少ない。さらに、従来のような長いガラス繊維は反射体形成用組成物の調製時の機械的混合手段で折れてメカノラジカルを発生させ、そのメカノラジカルが電子線硬化性樹脂を劣化させ易いが、この大きさの無機材料は、そのようなメカノラジカルの発生が起こりにくく、電子線硬化性樹脂の劣化を抑制できる。
【００６４】
無機材料は、電子線硬化性樹脂１００質量部に対して６０質量部以上２００質量部以下の範囲内の割合で含まれていることが好ましい。この範囲の無機材料が含まれていることにより、得られた反射体１２の強度を高めることができる。その量が６０質量部未満では、配合量が少なくて、反射体１２に十分な強度を付与できないことがあり、その量が２００質量部を超えると、配合量が多すぎて、反射体形成用組成物を射出成形して反射体１２を形成できないことがある。
【００６５】
なお、後述する実施例に記載のように、多量の白色材料を含む反射体１２は脆くなりやすいが、上記した大きさの繊維状材料が反射体１２に含まれていることにより、反射体１２の骨組みが堅固なものになり、強度が増して脆さを低減することができるという特徴がある。また、多くの白色材料を含む反射体１２を電子線で硬化させるので、後述の実施例に記載の例えば加速電圧８００ｋＶで４００ｋＧｙのような大きな吸収線量で電子線を照射することが望ましい。しかし、大きな吸収線量で照射した場合であっても、白色材料を多く含むことから表面近傍と内部とでは硬化の程度が不均一になり易く、各部での内部応力に差が生じ易い。本発明では、表面近傍と内部とでは内部応力が不均一な場合であっても、繊維状材料を含ませることにより、反射体１２の骨組みを堅固にし、各部の強度をならして比較的均一にすることができる。
【００６６】
（その他）
反射体形成用組成物の硬化物は、本発明の効果を阻害しない範囲内で、その他の添加材料を含んでいてもよい。添加材料としては、例えば、得られた反射体１２の性質を改善する目的で、種々のウィスカー、シリコーンパウダー、熱可塑性エラストマー、有機合成ゴム、脂肪酸エステル、グリセリン酸エステル、ステアリン酸亜鉛、ステアリン酸カルシウム等の内部離型剤や、ヒンダードアミン系、ベンゾエート系等の光安定剤等を挙げることができる。
【００６７】
白色材料や無機材料等の分散性を高めるための疎水化処理剤が含まれていてもよい。疎水化処理剤としては、例えば、シランカップリング剤、シリコーンオイル、脂肪酸、及び脂肪酸金属塩等を挙げることができる。これらの中でも、分散性を向上させる効果が高いことから、シランカップリング剤、及びシリコーンオイルが好ましく用いられる。
【００６８】
また、難燃剤、基板密着助剤としてのシランカップリング剤やチタンカップリング剤等が含まれていてもよい。
【００６９】
こうした材料を含む反射体形成用組成物の混合方法としては、２本又は３本ロール、ホモジナイザー、プラネタリーミキサー等の撹拌機、ポリラボシステムやラボプラストミル等の溶融混練機等の公知の手段を適用することができる。これらは、常温、冷却状態、加熱状態、常圧、減圧状態、加圧状態のいずれで行ってもよい。混合された後の反射体形成用組成物は、その後に射出成形及び電子線硬化されて反射体１２が形成される。
【００７０】
（反射体の形態）
反射体１２の形状は、図１及び図２に示すように、レンズ１８の端部、すなわち接合部の形状に準じており、特に限定はない。通常は、角形、円形、楕円形等の筒状又は輪状である。図１で例示する形態では、反射体１２は、筒状体、換言すれば輪状体であり、反射体１２のすべての端面が基板１４の表面に接触し、固定されている。
【００７１】
反射体１２の内面は、図示するように、光半導体素子１０から発光される光の指向性を高めるために、テーパー状に上方に広げられていることが好ましい。また、反射体１２は、レンズ１８側の端部を、そのレンズ１８の形状に応じた形に加工されていてもよく、その場合にはレンズホルダーとしても機能させることができる。
【００７２】
反射体１２は、これ以外の種々の形態であってもよい。例えば、図２に示すように、上記で説明した反射体１２の必須の成分を含む反射層１２ａが部材１２ｂの光反射面側に設けられた反射体１２を用いることもできる。図１に示す反射体と、図２に示す反射体とを比べると、図１に示す形態の反射体１２は、反射体１２の全体が上記で説明した反射体１２の必須の成分を含む材料から構成されているのに対し、図２に示す形態の反射体１２は、上記で説明した反射体１２の必須の成分を含まない部材１２ｂと、反射体１２の必須の成分を含む反射層１２ａとが組み合わされた構成である点で、両者は相違する。図２に示す形態では、部材１２ｂの光反射面側にのみ反射層１２ａが形成された反射体１２となっているが、部材１２ｂの全面に反射層１２ａが形成されていてもよい。反射層１２ａの厚さは、熱抵抗を低くする等の観点から、５００μｍ以下にすることが好ましく、３００μｍ以下にすることがより好ましい。
【００７３】
図１に示す形態では、反射体１２上にはレンズ１８が設けられている。レンズ１８は従来公知のものを適宜選択して用いることができる。なお、レンズ１８は、通常、樹脂から構成され、着色されていてもよい。
【００７４】
基板１４と反射体１２とレンズ１８とで形成される空間部２０は、透明なシリコーン樹脂等が充填された透明封止部であってもよく、空隙部であってもよい。なお、この空間部２０は、通常、透光性及び絶縁性を与える材料等が充填された透明封止部であり、ワイヤーボンディング実装において、リード線１６に直接接触することにより加わる力、及び、間接的に加わる振動、衝撃等により、光半導体素子１０との接続部、及び／又は、電極との接続部からリード線１６が外れたり、切断したり、短絡したりすることによって生じる電気的な不具合を防止することができる。また、同時に、湿気、塵埃等から光半導体素子１０を保護し、長期間に渡って信頼性を維持することができる。
【００７５】
この透光性及び絶縁性を与える材料（透明封止剤組成物）としては、通常、シリコーン樹脂、エポキシシリコーン樹脂、エポキシ系樹脂、アクリル系樹脂、ポリイミド系樹脂、ポリカーボネート樹脂等を挙げることができる。これらのうち、耐熱性、耐候性、低収縮性及び耐変色性の観点から、シリコーン樹脂が好ましい。
【００７６】
こうして構成された半導体発光装置１は、図１及び図２に示すように、光半導体素子（ＬＥＤ素子）１０と、この光半導体素子１０の周りに設けられ、光半導体素子１０からの光を所定方向に反射させる反射体（リフレクター）１２とを基板１４上に有している。そして、反射体１２の光反射面の少なくとも一部（図１の場合は全部）が上記した反射体形成用組成物の硬化物（反射体１２）で構成されている。反射体形成用組成物の硬化物である反射体１２は、電子線硬化性樹脂の硬化物を少なくとも含み、さらに所定量のラジカル捕捉剤を含み、好ましくは白色材料と無機材料とをさらに含んでいる。
【００７７】
（成形）
本発明に係る半導体発光装置１の製造方法は、基板１４と、光半導体素子１０と、光半導体素子１０が発光する光を反射させる反射体１２とを有する製造方法であって、電子線硬化性樹脂と白色材料とラジカル捕捉剤とを少なくとも含み、そのラジカル捕捉剤が電子線硬化性樹脂１００質量部に対して３質量部以上１２質量部以下の範囲内で含まれている反射体形成用組成物を射出成形する工程と、その射出成形する工程前及び工程後の一方又は両方で電子線を照射する工程とを有する。
【００７８】
図１に例示した半導体発光装置１ａにおいては、例えば、所定形状のキャビティ空間を備える金型を用いた成形手段により、上記本発明の反射体形成用組成物から所定形状の反射体１２を成形する。その後、別途、準備した光半導体素子１０、電極及びリード線１６を、接着剤又は接合部材により基板１４に固定し、さらに反射体１２に基板１４上に固定する。次いで、基板１４及び反射体１２により形成された凹部に、シリコーン樹脂等を含む透明封止剤組成物を注入し、加熱、乾燥等により硬化させて透明封止部にする。その後、透明封止部上にレンズ１８を配設することで、図１に示す半導体発光装置１ａが得られる。なお、透明封止剤組成物が未硬化の状態でレンズ１８を載置してから、透明封止剤組成物を硬化させてもよい。
【００７９】
上記本発明の反射体形成用組成物は、通常の成形法により最終的な形状の製品に加工できる。成形方法としては、プレス成形、トランスファー成形、射出成形や、これらの組合せ等を挙げることができる。特に射出成形が好ましい。射出成形法では、反射体形成用組成物をシリンダーに投入し、その反射体形成用組成物に含まれるオレフィン樹脂（ポリメチルペンテン等）を溶融させる。次いで、スクリューを回転させて、所定の射出圧で上記反射体形成用組成物を、金型に嵌められた基板１４上に所定の射出圧で射出する。そして、保圧ないし背圧をかけて保持した後に、金型から取出すことで反射体１２を得ることができる。このときの各種条件についても特に限定はないが、シリンダー温度；２００℃〜４００℃、金型温度；２０℃〜１５０℃、射出成形圧；１０ＭＰａ〜２００ＭＰａの条件下で製造を行うことが好ましい。この条件下で製造することにより、成形性の特に高い反射体１２を製造することができる。
【００８０】
射出成形装置としては、例えば、株式会社ソディックプラステック製の射出成形装置（ＬＡ４０、最大型締力３９２ｋＮ）等を用いることができる。加工温度は、反射体形成用組成物が可塑化し、金型内の空間に射出充填できるシリンダー温度であればよく、好ましくは２００〜３００℃であり、さらに好ましくは２３０〜２７０℃である。加工温度が３００℃を超えると、反射体形成用組成物の流動性は向上するが樹脂組成物の熱劣化等が起こる場合がある。また、加工温度が２００℃未満では、反射体形成用組成物の流動性が不十分で、成形が困難かつ各成分が充分に分散しないことがある。
【００８１】
射出成形法において、繊維状材料であるガラス繊維等は、流動性を阻害することがある。そのため、本発明製品のような薄肉成形が要求される成形品（反射体１２）の厚さが０．１ｍｍ〜２ｍｍといった薄肉の成形品の製造には、ガラス繊維等の繊維状材料の配合量は、電子線硬化性樹脂１００質量部に対して６０質量部以上２００質量部以下の範囲内であることが好ましい。
【００８２】
電子線の加速電圧については、用いる電子線硬化性樹脂や層の厚さに応じて適宜選定することができる。例えば、厚さが１ｍｍ程度の成形物の場合は、通常、加速電圧２５０ｋＶ〜３０００ｋＶ程度で未硬化の成形体を硬化させることが好ましい。なお、電子線の照射においては、加速電圧が高いほど透過能力が増加するため、電子線で劣化する基板１４を使用する場合には、電子線の透過深さと反射体１２の厚さとが実質的に等しくなるように、加速電圧を選定することにより、基板１４への余分の電子線の照射を抑制することができ、過剰電子線による基板１４の劣化を最小限にとどめることができる。また、電子線を照射する際の吸収線量は、反射体形成用組成物の組成により適宜設定されるが、反射体１２の架橋密度が飽和する量が好ましく、照射線量は５０ｋＧｙ〜６００ｋＧｙであることが好ましい。
【００８３】
電子線源としては、特に制限はなく、例えばコックロフトワルトン型、バンデグラフト型、共振変圧器型、絶縁コア変圧器型、又は直線型、ダイナミトロン型、高周波型等の各種電子線加速器を用いることができる。
【００８４】
［半導体発光装置用部品及びその製造方法］
本発明に係る半導体発光装置用部品は、基板１４と、光半導体素子１０が発光する光を反射させる反射体１２とを有し、その反射体１２が電子線硬化性樹脂の硬化物と白色材料とラジカル捕捉剤とを少なくとも含み、ラジカル捕捉剤が前記電子線硬化性樹脂１００質量部に対して０．５質量部以上４質量部以下の範囲内で含まれている。また、本発明に係る半導体発光装置用部品の製造方法は、そうした半導体発光装置用部品の製造方法であって、上記同様、電子線硬化性樹脂と白色材料とラジカル捕捉剤とを少なくとも含み、前記ラジカル捕捉剤が前記電子線硬化性樹脂１００質量部に対して３質量部以上１２質量部以下の範囲内で含まれている反射体形成用組成物を射出成形する工程と、その射出成形する工程前及び工程後の一方又は両方で電子線を照射する工程とを有している。
【００８５】
基板１４、反射体１２、反射体形成用組成物は、上記本発明の半導体発光装置１で説明したものをそのまま用いることができ、ここでの詳細な説明は省略する。本発明の半導体発光装置用部品によれば、この部品を用いて、紫外光等の光に対する反射性に優れ、かつ長期耐熱性を確保することができる。
【００８６】
［反射体及び反射体形成用組成物］
本発明に係る反射体１２、その製造方法及び反射体形成用組成物は、上記した半導体発光装置及びその製造方法の欄で説明した反射体及び反射体形成用組成物と同様であるので、ここではその説明を省略する。
【００８７】
こうした反射体１２及び反射体形成用組成物は、基板上に塗布し硬化させた複合材料や反射体形成用組成物の硬化物として種々の用途に適用することができる。例えば、耐熱性絶縁膜、耐熱性離型シート、耐熱性透明基板、太陽電池の光反射シートやＬＥＤを始めとした照明やテレビ用の光源の反射体（リフレクター）等として適用することができる。
【実施例】
【００８８】
以下に実施例と比較例を挙げて本発明を説明する。なお、文中の「部」は「質量部」である。実施例１〜６及び比較例１で使用した材料は以下のとおりである。
【００８９】
［各種材料］
・電子線硬化性樹脂；ポリメチルペンテン樹脂（ＴＰＸ  ＲＴ−１８、三井化学株式会社製）
・白色材料；酸化チタン粒子（ＰＦ−６９１、ルチル型構造、平均粒径０．２１μｍ、石原産業株式会社製）
・無機材料；ガラス繊維（ＰＦ７０Ｅ−００１、繊維長７０μｍ、日東紡株式会社製）
・架橋処理剤；ＴＡＩＣ（トリアリルイソシアヌレート、融点：２３℃、日本化成株式会社製）
・ラジカル捕捉剤；酸化防止剤（ＩＲＧＡＮＯＸ１０１０、ＢＡＳＦ・ジャパン株式会社製）
・添加剤ａ；酸化防止剤（アデカスタブＰＥＰ−３６、ＡＤＥＫＡ株式会社製）
・添加剤ｂ：離型剤（ＳＺ−２０００、堺化学工業株式会社製）
【００９０】
［実施例１〜６及び比較例１］
下記表１に示すように、各種材料を配合した。実施例１〜６及び比較例１は、ラジカル捕捉剤の添加量を表１に示すように順に増した反射体形成用組成物を調製した。その後にスクリュー温度２５０〜２７０℃で混練し、反射体形成用組成物を得た。得られた反射体形成用組成物を押出機（日本プラコン株式会社、ＭＡＸ３０：ダイス径３．０ｍｍ）とペレタイザー（株式会社東洋精機製作所、ＭＰＥＴＣ１）とを用いてペレット化した。
【００９１】
ペレット化した反射体形成用組成物を、射出成形機（ソディックＴＲ４０ＥＲ、プリプラ式、株式会社ソディック）を用いて、銀メッキフレーム（厚さ２５０μｍ）上に厚さ７００μｍ、外形寸法３５ｍｍ×３５ｍｍ、開口部２．９ｍｍ×２．９ｍｍとなるよう成形して反射体を得た。射出成形機条件は、シリンダー温度：２６０℃、金型温度：７０℃、射出速度：２００ｍｍ／秒、保圧力：１００ＭＰａ、保圧時間：１秒、冷却時間：１５秒とした。これらの成形体の３２０℃での貯蔵弾性率（Ｅ’）が１。０×１０８以上になるように、加速電圧８００ｋＶで４００ｋＧｙの吸収線量にて電子線を照射した。これらの下記諸特性を評価した。結果を表１に示した。
【００９２】
［評価］
（ラジカル捕捉剤の含有量の測定）
ラジカル捕捉剤を添加した反射体形成用組成物を成形し、電子線を照射する前の含有量と、電子線を照射した後の含有量を測定した。ラジカル捕捉剤の測定は、反射体形成用組成物からラジカル捕捉剤をアセトニトリルで抽出し、抽出液よりＨＰＬＣシステム（株式会社島津製作所製、システムコントローラ：ＳＣＬ−１０Ａｖｐ、ポンプ：ＬＣ−１０Ａｖｐ）を用いて求めた。なお、測定にはカラム（株式会社島津製作所製製、ＶＰ−ＯＤＳ、１５０ｍｍ×４．６ｍｍ）を用い、測定条件はカラム温度４０℃、移動相：アセトニトリル１００％、流量０．５ｍＬ／分、測定波長２１０ｎｍ、保持時間１７分とし、検量線よりラジカル捕捉剤量を算出した。
【００９３】
（流動性）
反射体形成用組成物の流動性は、メルトボリュームレート（ＭＶＲ）の測定で評価した。反射体形成用組成物のＭＶＲは、ＪＩＳ  Ｋ  ７２１０：１９９９で規定された熱可塑性プラスチックのメルトフローレート（ＭＦＲ）に記載の方法に準拠した方法で測定した。具体的には、試験温度２８０℃、試験荷重２．１６ｋｇ、標準移動距離２．５ｃｍで行った。測定装置としては、メルトフローテスター（チアスト社製）を用いた。
【００９４】
（反射率）
成形後の反射体試料を加熱処理しない初期段階での反射率を測定して「初期反射率」として表１に示した。また、成形後の反射体試料を２００℃で１０時間、３５時間、４５時間、５０時間、６５時間それぞれ加熱した後に測定して、それぞれの反射率として表１に示した。反射率の測定は、波長２３０〜７８０ｎｍにおける光反射率を分光光度計（ＵＶ−２５５０、株式会社島津製作所製）を使用して行った。表１には、波長４５０ｎｍでの反射率（％）の結果を示した。
【００９５】
【表１】
2015023102.tif 000003
【００９６】
表１の結果からも明らかなとおり、本発明の要件を全て充足する反射体形成用組成物を用いて形成された実施例１〜６の反射体は、耐熱性が良く、良好な反射率を示した。
【符号の説明】
【００９７】
１，１ａ，１ｂ  半導体発光装置
１０  光半導体素子
１２  反射体
１２ａ  反射層
１２ｂ  部材
１４  基板
１６  リード線
１８  レンズ
２０  空間部
【図１】
2015023102.tif 000004
【図２】
2015023102.tif 000005