(57)【要約】      （修正有）【課題】外部光による反射率を低くし、視認性が向上した表示パネルを提供する。【解決手段】表示パネル１００は第１スイッチング素子ＳＷ１、第１スイッチング素子と電気的に連結され、反射性を有する物質を含む第１画素電極ＰＥ１、第１画素電極上に配置され、第１画素電極に電圧が印加されることにより、第１カラーの光を放出する第１発光層１６１、第１発光層上に配置されて第１発光層を保護する薄型保護フィルム１７０、薄型保護フィルム上に配置された圧力敏感接着層３２０、及び圧力敏感接着層上に配置され、第１発光層に対応して、第１カラーを有する第１カラーフィルタＣＦ１を含む。【選択図】図２
2015035415.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１スイッチング素子と、
前記第１スイッチング素子と電気的に連結され、反射性を有する物質を含む第１画素電極と、
前記第１画素電極上に配置され、前記第１画素電極に電圧が印加されることにより、第１カラーの光を放出する第１発光層と、
前記第１発光層上に配置されて前記第１発光層を保護する薄型保護フィルムと、
前記薄型保護フィルム上に配置された圧力敏感接着層と、
前記圧力敏感接着層上に配置され、前記第１発光層に対応して、前記第１カラーを有する第１カラーフィルタを含む表示パネル。
【請求項２】
前記第１カラーフィルタ上に配置されるベース層をさらに含んで、前記ベース層はガラス、金属及び高分子物質のうちいずれか一つを含むことを特徴とする請求項１に記載の表示パネル。
【請求項３】
前記ベース層が前記高分子物質を含む場合、前記高分子物質はポリイミド（ｐｏｌｙｉｍｉｄｅ）、ポリカーボネート（ｐｏｌｙｃａｒｂｏｎａｔｅ）、ポリエチレンテレフタラート（ＰＥＴ：ｐｏｌｙｅｔｈｙｌｅｎｅｔｅｒｅｐｈｔｈａｌａｔｅ）、ポリウレタン（ｐｏｌｙｕｒｅｔｈａｎｅ）、ポリアクリロニトリル（ＰＡＮ：ｐｏｌｙａｃｒｙｎｉｔｒｉｌ）、ポリエチレン（ＰＥ：ｐｏｌｙｅｔｈｙｌｅｎｅ）、及びポリプロピレン（ＰＰ：ｐｏｌｙｐｒｏｐｙｌｅｎｅ）のうち、いずれか一つを含むことを特徴とする請求項２に記載の表示パネル。
【請求項４】
前記薄型保護フィルムは交代で積層される複数の有機層及び無機層を含むことを特徴とする請求項１に記載の表示パネル。
【請求項５】
前記薄型保護フィルムの前記有機層はアクリレイト（ａｃｒｙｌａｔｅ）系列の物質を含んで、前記無機層は酸化物（ｏｘｉｄｅ）系列の物質を含んで、前記薄型保護フィルムは１００度（Ｃｅｌｓｉｕｓ ｄｅｇｒｅｅ）以下の温度で形成されたことを特徴とする請求項４に記載の表示パネル。
【請求項６】
前記第１電極の光反射率は１００％であることを特徴とする請求項１に記載の表示パネル。
【請求項７】
前記スイッチング素子はアモルファスシリコン薄膜をレーザアニーリング（Ｌａｓｅｒ Ａｎｎｅａｌｉｎｇ）方法で結晶化して形成した低温ポリシリコン（Ｌｏｗ Ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ Ｐｏｌｙ Ｓｉｌｉｃｏｎ）を含むことを特徴とする請求項１に記載の表示パネル。
【請求項８】
前記低温ポリシリコンは１００度（Ｃｅｌｓｉｕｓ ｄｅｇｒｅｅ）以下の工程で形成されることを特徴とする請求項７に記載の表示パネル。
【請求項９】
第２スイッチング素子と、
前記第２スイッチング素子と電気的に連結され、反射性を有する物質を含む第２画素電極と、
前記第２画素電極上に配置され、前記第２画素電極に電圧が印加されることにより、前記第１カラーと異なった第２カラーの光を放出する第２発光層と、
第３スイッチング素子と、
前記第３スイッチング素子と電気的に連結され、反射性を有する物質を含む第３画素電極と、
前記第３画素電極上に配置され、前記第３画素電極に電圧が印加されることにより、前記第１及び第２カラーと他の第３カラーの光を放出する第３発光層と、
前記圧力敏感接着層上に配置され、前記第２発光層に対応して、前記第２カラーを有する第２カラーフィルタと、
前記圧力敏感接着層上に配置され、前記第３発光層に対応して、前記第３カラーを有する第３カラーフィルタをさらに含む請求項１に記載の表示パネル。
【請求項１０】
前記第１カラーは赤（ｒｅｄ）、前記第２カラーは緑（ｇｒｅｅｎ）、前記第３カラーは青（ｂｌｕｅ）であり、
前記第１発光層の高さ（Ｈ１）は次のような条件
「２ｎＲ（Ｈ１）＝ｍλＲまたは、２ｎＲ（Ｈ１）＝（ｍ＋１／２）λＲ
（ここで、ｎＲ、λＲはそれぞれ前記第１発光層の屈折率、入射される赤色光の波長を示し、ｍは整数を意味する）」
を満足して、前記第２発光層の高さ（Ｈ２）は次のような条件
「２ｎＧ（Ｈ２）＝ｍλＧまたは、２ｎＧ（Ｈ２）＝（ｍ＋１／２）λＧ
（ここで、ｎＧ、λＧはそれぞれ前記第２発光層１６２の屈折率、入射される緑色光の波長を示し、ｍは整数を意味する）」
を満足して、前記第３発光層の高さ（Ｈ３）は次のような条件
「２ｎＢＨ３）＝ｍλＢまたは、２ｎＢ（Ｈ３）＝（ｍ＋１／２）λＢ
（ここで、ｎＢ、λＢはそれぞれ前記第３発光層１６３の屈折率、入射される青色光の波長を示し、ｍは整数を意味する）」を満足することを特徴とする請求項９に記載の表示パネル。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は表示パネル及び前記表示パネルの製造方法に関することで、より詳細には有機発光表示装置用表示パネル及び前記表示パネルの製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
最近、技術の発展にともない小型、軽量化されながら性能はより一層優れたディスプレイ製品が生産されている。現在までディスプレイ装置には既存ブラウン管テレビ ＣＲＴ（ｃａｔＨｏｄｅ ｒａｙ ｔｕｂｅ ）が性能や価格面で多くの長所を持って広く使われたが、小型化または、携帯性の側面でＣＲＴの短所を克服し、小型化、軽量化及び低電力消費などの長所を有する有機発光表示装置が注目をあびている。
【０００３】
有機発光表示装置は通常的に赤、緑、青色の光を放出する有機発光層及び画素電極を含み、多様な色を表現することができる。前記有機発光表示装置の画素電極は反射電極で光を反射させるが、外部光が反射して視認性が低下する問題があった。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特許２０１３‐０２０７７４号
【特許文献２】米国公開特許第２００６−２１４５７６号公報
【特許文献３】韓国特開２００７−０１９１４７号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
これに対し、本発明の技術的課題はこのような点で着眼されたことで、本発明の目的は外部光による反射率を低くし、視認性が向上した表示パネルを提供することにある。
【０００６】
本発明の他の目的は前記表示パネルの製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上述した本発明の目的を実現するための一実施例にともなう表示パネルは第１スイッチング素子、前記第１スイッチング素子と電気的に連結され、反射性を有する物質を含む第１画素電極、前記第１画素電極上に配置され、前記第１画素電極に電圧が印加されることにより、第１カラーの光を放出する第１発光層、前記第１発光層上に配置されて前記第１発光層を保護する薄型保護フィルム、前記薄型保護フィルム上に配置された圧力敏感接着層、及び前記圧力敏感接着層上に配置され、前記第１発光層に対応して、前記第１カラーを有する第１カラーフィルタを含む。
【０００８】
本発明の一実施例において、前記表示パネルは前記第１カラーフィルタ上に配置されるベース層をさらに含むことができる。前記ベース層はガラス、金属及び高分子物質のうちいずれか一つを含むことができる。
【０００９】
本発明の一実施例において、前記ベース層が前記高分子物質を含む場合、前記高分子物質はポリイミド（ｐｏｌｙｉｍｉｄｅ）、ポリカーボネート（ｐｏｌｙｃａｒｂｏｎａｔｅ）、ポリエチレンテレフタラートＰＥＴ（ｐｏｌｙｅｔｈｙｌｅｎｅｔｅｒｅｐｈｔｈａｌａｔｅ）、ポリウレタン（ｐｏｌｙｕｒｅｔｈａｎｅ）、ポリアクリロニトリルＰＡＮ（ｐｏｌｙａｃｒｙｎｉｔｒｉｌ）、ポリエチレンＰＥ（ｐｏｌｙｅｔｈｙｌｅｎｅ）、オよびポリプロピレンＰＰ（ｐｏｌｙｐｒｏｐｙｌｅｎｅ）のうち、いずれか一つを含むことができる。
【００１０】
本発明の一実施例において、前記薄型保護フィルムは交代で積層される複数の有機層及び無機層を含むことができる。
【００１１】
本発明の一実施例において、前記薄型保護フィルムの前記有機層はアクリレイト（ａｃｒｙｌａｔｅ）系列の物質を含むことができる。前記無機層は酸化物（ｏｘｉｄｅ）系列の物質を含むことができる。前記薄型保護フィルムは１００度（Ｃｅｌｓｉｕｓ ｄｅｇｒｅｅ）以下の温度で形成されることができる。
【００１２】
本発明の一実施例において、前記第１電極の光反射率は１００％でもよい。
【００１３】
本発明の一実施例において、前記スイッチング素子はアモルファスシリコン薄膜をレーザアニーリング（Ｌａｓｅｒ Ａｎｎｅａｌｉｎｇ）方法で結晶化して形成した低温ポリシリコン（Ｌｏｗ Ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ Ｐｏｌｙ Ｓｉｌｉｃｏｎ）を含むことができる。
【００１４】
本発明の一実施例において、前記低温ポリシリコンは１００度（Ｃｅｌｓｉｕｓ ｄｅｇｒｅｅ）以下の工程で形成されることができる。
【００１５】
本発明の一実施例において、前記表示パネルは第２スイッチング素子、前記第２スイッチング素子と電気的に連結され、反射性を有する物質を含む第２画素電極、前記第２画素電極上に配置され、前記第２画素電極に電圧が印加されることにより、前記第１カラーと異なった第２カラーの光を放出する第２発光層、第３スイッチング素子、前記第３スイッチング素子と電気的に連結され、反射性を有する物質を含む第３画素電極、前記第３画素電極上に配置され、前記第３画素電極に電圧が印加されることにより、前記第１及び第２カラーと他の第３カラーの光を放出する第３発光層、前記圧力敏感接着層上に配置され、前記第２発光層に対応して、前記第２カラーを有する第２カラーフィルタ、及び前記圧力敏感接着層上に配置され、前記第３発光層に対応して、前記第３カラーを有する第３カラーフィルタをさらに含むことができる。
【００１６】
本発明の一実施例において、前記第１カラーは赤（ｒｅｄ）、前記第２カラーは緑（ｇｒｅｅｎ）、前記第３カラーは青（ｂｌｕｅ）であり、前記第１発光層の高さ（Ｈ１）は次のような条件「２ｎＲ（Ｈ１）＝ｍλＲまたは、２ｎＲ（Ｈ１）＝（ｍ＋１／２）λＲ（ここで、ｎＲ、λＲはそれぞれ前記第１発光層の屈折率、入射される赤色光の波長を示し、ｍは整数を意味する）」を満足して、前記第２発光層の高さ（Ｈ２）は次のような条件「２ｎＧ（Ｈ２）＝ｍλＧまたは、２ｎＧ（Ｈ２）＝（ｍ＋１／２）λＧ（ここで、ｎＧ、λＧはそれぞれ前記第２発光層１６２の屈折率、入射される緑色光の波長を示し、ｍは整数を意味する）」を満足して、前記第３発光層の高さ（Ｈ３）は次のような条件「２ｎＢ（Ｈ３）＝ｍλＢまたは、２ｎＢ（Ｈ３）＝（ｍ＋１／２）λＢ（ここで、ｎＢ、λＢはそれぞれ前記第３発光層１６３の屈折率、入射される青色光の波長を示し、ｍは整数を意味する）」を満足することができる。
【００１７】
本発明の一実施例において、前記第１〜第３カラーフィルタ上に配置されるベース層をさらに含むことができる。前記ベース層上に配置されて前記第１カラーフィルタ、前記第２カラーフィルタ及び前記第３カラーフィルタを区切るブラックマトリックスをさらに含むことができる。
【００１８】
本発明の一実施例において、前記ベース層下部に配置される下部保護フィルムをさらに含むことができる。
【００１９】
本発明の一実施例において、前記圧力敏感接着剤はアクリル系重合体を含むことができる。
【００２０】
本発明の一実施例において、前記第１カラーフィルタ及び前記薄型保護フィルムの間に配置されるベース層、及び前記第１カラーフィルタ上に配置されるオーバーコーティング層をさらに含むことができる。
【００２１】
上述した本発明の目的を実現するための一実施例にともなう表示パネルの製造方法は第１スイッチング素子、前記第１スイッチング素子と電気的に連結され、反射性を有する物質を含む第１画素電極、前記第１画素電極上に配置され、前記第１画素電極に電圧が印加されることにより第１カラーの光を放出する第１発光層、前記第１発光層上に配置され、前記第１発光層を保護する薄型保護フィルムを含む表示基板を形成する段階；ベース層上に前記第１カラーを有する第１カラーフィルタを形成する段階及び前記第１カラーフィルタ上に圧力敏感接着層を形成する段階を含む上部保護フィルムを形成する段階；及び前記表示基板の前記薄型保護フィルムと前記上部保護フィルムの前記圧力敏感接着層を接合する段階を含むことができる。
【００２２】
本発明の一実施例において、前記表示基板を形成する段階で、前記スイッチング素子はアモルファスシリコン薄膜をレーザアニーリング（Ｌａｓｅｒ Ａｎｎｅａｌｉｎｇ）方法で結晶化して形成した低温ポリシリコン（Ｌｏｗ Ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ Ｐｏｌｙ Ｓｉｌｉｃｏｎ）を含むことができる。
【００２３】
本発明の一実施例において、前記第１カラーフィルタを形成する段階は、前記ベース基板上にブラックマトリックスを形成する段階；前記ブラックマトリックスが形成された前記ベース基板上に第１カラーレジストが塗布される段階と、前記第１カラーレジストをパターンを有するマスクを用いて、露光する段階；及び前記第１カラーレジストを現像し、前記第１カラーフィルタを形成する段階を含むことができる。
【００２４】
本発明の一実施例において、前記露光する段階前に前記第１カラーレジストを９０度〜１１０度（Ｃｅｌｓｉｕｓ ｄｅｇｒｅｅ）で熱硬化するプリベーク（ｐｒｅ−ｂａｋｅ）段階をさらに含むことができる。
【００２５】
本発明の一実施例において、前記第１カラーレジストを現像し、前記第１カラーフィルタを形成する段階以後に、前記第１カラーフィルタを２２０度〜２３０度（Ｃｅｌｓｉｕｓ ｄｅｇｒｅｅ）で熱硬化させるポストベーク（ｐｏｓｔ−ｂａｋｅ）段階をさらに含むことができる。
【００２６】
本発明の一実施例において、前記表示基板を形成する段階で、前記薄型保護フィルムは複数の有機層及び無機層を交代で積層し、形成されることができる。
【発明の効果】
【００２７】
本発明の実施例によれば、表示パネルは発光層が発光するカラーの光とそれぞれ同じカラーを有するカラーフィルタを含むため、外部光の画素電極での反射率を低くすることができる。したがって、前記表示パネルの表示品質を向上させることができる。
【００２８】
また、前記カラーフィルタを含む外部保護フィルムを前記発光層を含む表示基板に圧力敏感接着層を用いて、接着するため、前記カラーフィルタを高温の工程を用いて、形成しても、前記発光層の熱による損傷を減少させることができる。
【００２９】
また、前記表示パネルがフレキシブルディスプレイである場合において、反射率を低くするために使われる一般的な偏光板に代え、前記カラーフィルタを用いることがあるため、前記表示パネル全体の厚さを減少させることができる。したがって、前記表示パネルの柔軟性が増加することができる。
【図面の簡単な説明】
【００３０】
【図１】本発明の一実施例にともなう表示パネルの平面図である。
【図２】図１のＩ‐Ｉ’線について切断した断面図である。
【図３】本発明の他の実施例にともなう表示パネルの断面図である。
【図４】本発明のまた他の実施例にともなう表示パネルの断面図である。
【図５】図２の表示パネルの上部保護フィルムの製造方法を示した断面図である。
【図６】図２の表示パネルの上部保護フィルムの製造方法を示した断面図である。
【図７】図２の表示パネルの上部保護フィルムの製造方法を示した断面図である。
【図８】図３の表示パネルの上部保護フィルムの製造方法を示した断面図である。
【図９】図３の表示パネルの上部保護フィルムの製造方法を示した断面図である。
【図１０】図３の表示パネルの上部保護フィルムの製造方法を示した断面図である。
【図１１】図２の表示パネルの表示基板の製造方法を示した断面図である。
【図１２】図２の表示パネルの表示基板の製造方法を示した断面図である。
【図１３】図２の表示パネルの表示基板の製造方法を示した断面図である。
【図１４】図２の表示パネルの表示基板の製造方法を示した断面図である。
【図１５】図２の表示パネルの表示基板の製造方法を示した断面図である。
【図１６】図２の表示パネルの表示基板の製造方法を示した断面図である。
【図１７】図２の表示パネルの表示基板の製造方法を示した断面図である。
【図１８】図２の表示パネルを完成するために、上部保護フィルム及び下部保護フィルムを表示基板に接合する段階を示した断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００３１】
以下、図面を参照して本発明の望ましい実施例をより詳細に説明することにする。
【００３２】
図１は本発明の一実施例にともなう表示パネルの平面図である。図２は図１のＩ‐Ｉ’線について切断した断面図である。
【００３３】
図１及び図２を参照すれば、表示パネルは表示基板１００、上部保護フィルム３００及び下部保護フィルム２００を含む。前記表示パネルは複数の単位画素を含む。図面では第１サブ画素ＳＰ１、第２サブ画素ＳＰ２及び第３サブ画素ＳＰ３を含む一つの単位画素に対して説明する。
【００３４】
前記表示基板１００はベース基板１１０、バッファー層１２０、第１絶縁層１３０、第２絶縁層１４０、第１〜第３スイッチング素子ＳＷ１〜ＳＷ３、第３絶縁層１５０、第１〜第３画素電極ＰＥ１〜ＰＥ３、画素の定義膜１６０、第１〜第３発光層１６１〜１６３、共通電極ＣＥ、及び薄型保護フィルム１７０（ｔｈｉｎ ｅｎｃａｐｓｕｌａｔｉｏｎ ｆｉｌｍ）を含む。
【００３５】
前記ベース基板１１０は絶縁基板を含むことができる。また、前記ベース基板１１０はフレキシブル基板を含むことができる。例えば、前記ベース基板１１０はガラス基板、石英基板、樹脂基板などで構成されることができる。例えば、前記樹脂基板はポリイミド系（ｐｏｌｙｉｍｉｄｅ−ｂａｓｅｄ）樹脂、アクリル系（ａｃｒｙｌ‐ｂａｓｅｄ）樹脂、ポリアクリレート系（polyａｃｒｙｌａｔｅ‐ｂａｓｅｄ）樹脂、ポリカーボネート系（ｐｏｌｙｃａｒｂｏｎａｔｅ‐ｂａｓｅｄ）樹脂、ポリエーテル系（ｐｏｌｙｅｔｈｅｒ‐ｂａｓｅｄ）樹脂、スルホン酸系（ｓｕｌｆｏｎｉｃ  ａｃｉｄ‐ｂａｓｅｄ）樹脂、ポリエチレンテレフタラート系（ｐｏｌｙｅｔｈｙｌｅｎｅｔｅｒｅｐｈｔｈａｌａｔｅ‐ｂａｓｅｄ）樹脂などを含むことができる。
【００３６】
前記バッファー層１２０は前記ベース基板１１０上に配置される。前記バッファー層１２０は前記ベース基板１１０から不純物拡散を防止して、前記ベース基板１１０の平坦度を向上して、均一な前記チャネル層ＣＨを形成することができるようにする。前記バッファー層１２０はシリコン化合物を用いて、形成されることができる。例えば、前記バッファー層１２０はシリコン酸化物ＳｉＯｘ、シリコン窒化物ＳｉＮｘ、シリコン酸窒化物ＳｉＯｘＮｙ、シリコン散弾貨物ＳｉＯｘＣｙ、及び／または、シリコン炭質貨物ＳｉＣｘＮｙ等を含むことができる。
【００３７】
前記チャネル層ＣＨは前記バッファー層１２０上に配置される。前記チャネル層ＣＨはアモルファスシリコン薄膜をレーザアニーリング（Ｌａｓｅｒ Ａｎｎｅａｌｉｎｇ）方法で結晶化した低温ポリシリコン（Ｌｏｗ Ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ Ｐｏｌｙ Ｓｉｌｉｃｏｎ）を含むことができる。また、前記チャネル層ＣＨはアモルファスシリコン（ａ−Ｓｉ：Ｈ）からなる半導体層及びｎ＋アモルファスシリコン（ｎ＋ａ−Ｓｉ：Ｈ）からなる抵抗性接触層を含むことができる。また、前記チャネル層ＣＨは酸化物半導体を含むことができる。
【００３８】
前記第１絶縁層１３０は前記チャネル層ＣＨが配置された前記バッファー層１２０上に配置される。前記第１絶縁層１３０はシリコン酸化物、金属酸化物などを含むことができる。
【００３９】
前記ゲート電極ＧＥは前記第１絶縁層１３０上に前記チャネル層ＣＨと重複して配置される。前記ゲート電極ＧＥはゲートラインＧＬと電気的に連結される。前記ゲート電極ＧＥは金属、合金、金属窒化物、導電性金属酸化物、透明導電性物質などを含むことができる。
【００４０】
前記第２絶縁層１４０は前記ゲート電極ＧＥが配置された前記第１絶縁層１３０上に配置される。前記第２絶縁層１４０はシリコン酸化物ＳｉＯｘ、シリコン窒化物ＳｉＮｘ、シリコン酸窒化物ＳｉＯｘＮｙ、酸化炭化ケイ素ＳｉＯｘＣｙ、炭化窒化ケイ素ＳｉＣｘＮｙ等を含むことができる。また、前記第２絶縁層１４０はシリコン酸化物ＳｉＯｘ、シリコン窒化物ＳｉＮｘ、シリコン酸窒化物ＳｉＯｘＮｙ、酸化炭化ケイ素ＳｉＯｘＣｙ及び／または、炭化窒化ケイ素ＳｉＣｘＮｙを含む断層構造または、多層構造を有することができる。
【００４１】
第１コンタクトホールＣ１は前記第１及び第２絶縁層１３０及び１４０を介して形成され、前記チャネル層ＣＨの一部を露出する。前記第２コンタクトホールＣ２は前記第１及び第２絶縁層１３０及び１４０を介して形成され、前記チャネル層ＣＨの一部を露出する。
【００４２】
ソース電極ＳＥ及びドレイン電極ＤＥが前記第２絶縁層１４０上に配置される。前記ソース電極ＳＥは前記第１コンタクトホールＣ１を介して前記チャネル層ＣＨと電気的に連結される。前記ドレイン電極ＤＥは前記第２コンタクトホールＣ２を介して前記チャネル層ＣＨと電気的に連結される。前記ソース電極ＳＥ及び前記ドレイン電極ＤＥは金属、合金、金属窒化物、導電性金属酸化物、透明導電性物質などを含むことができる。
【００４３】
前記チャネル層ＣＨ、前記ゲート電極ＧＥ、前記ソース電極ＳＥ及び前記ドレイン電極ＤＥは前記第１スイッチング素子ＳＷ１を構成する。前記第１スイッチング素子ＳＷ１は前記第１サブ画素ＳＰ１に対応して形成される。同様に、前記第２スイッチング素子ＳＷ２は前記第２サブ画素ＳＰ２に対応して形成され、前記第３スイッチング素子ＳＷ３は前記第３サブ画素ＳＰ３に対応して形成される。
【００４４】
前記第３絶縁層１５０は前記ソース及びドレイン電極ＳＥ及びＤＥが配置された前記第２絶縁膜１４０上に配置される。前記第３絶縁層１５０は有機物質を含むことができる。例えば、第３絶縁層１５０はフォトレジスト、アクリル系樹脂、ポリイミド系樹脂、ポリアミド系樹脂、シロキサン系（ｓｉｌｏｘａｎｅ‐ｂａｓｅｄ）樹脂などを含むことができる。また、前記第３絶縁層１５０はシリコン化合物、金属、金属酸化物などの無機物質を含むことができる。前記第３絶縁層１５０は断層構造で形成されることができるが、少なくとも２以上の絶縁膜を含む多層構造で形成されることもできる。
【００４５】
第３コンタクトホールＣ３は前記第３絶縁層１５０を介して形成され、前記ドレイン電極ＤＥの一部を露出する。
【００４６】
前記第１〜第３画素電極ＰＥ１〜ＰＥ３は前記第３絶縁膜１５０上に配置される。前記第１画素電極ＰＥ１は前記第３コンタクトホールＣ３を介して前記第１スイッチング素子ＳＷ１の前記ドレイン電極ＤＥと電気的に連結される。前記第１画素電極ＰＥ１は前記第１サブ画素ＳＰ１に対応して形成される。同様に、前記第２画素電極ＰＥ２は前記第２サブ画素ＳＰ２に対応して形成され、前記第２スイッチング素子ＳＷ２に電気的に連結される。前記第３画素電極ＰＥ３は前記第３サブ画素ＳＰ３に対応して形成され、前記第３スイッチング素子ＳＷ３に電気的に連結される。
【００４７】
前記第１〜第３画素電極ＰＥ１〜ＰＥ３は反射性を有する物質を含むことができる。前記第１〜第３画素電極ＰＥ１〜ＰＥ３は望ましく約１００％の反射率を有することができる。例えば、前記第１〜第３画素電極ＰＥ１〜ＰＥ３は前記アルミニウム、アルミニウムを含有する合金、アルミニウム窒化物は、銀を含有する合金、タングステン、タングステン窒化物、銅、銅を含有する合金、ニッケル、クロム、クロム窒化物、モリブデン、モリブデンを含有する合金、チタン、チタン窒化物、白金、タンタリウム、タンタリウム窒化物、ネオジム、スカンジウム、ストロンチウムルテニウム酸化物、亜鉛酸化物、インジウムスズ酸化物、スズ酸化物、インジウム酸化物、ガリウム酸化物、インジウム亜鉛酸化物などを含むことができる。
【００４８】
前記画素の定義膜１６０は前記第１〜第３画素電極ＰＥ１〜ＰＥ３が配置された前記第３絶縁層１５０上に配置される。前記画素の定義膜１６０には前記第１〜第３画素電極ＰＥ１〜ＰＥ３を露出する開口が形成される。
【００４９】
前記画素の定義膜１６０は有機物質、無機物質などを含むことができる。例えば、画素の定義膜１６０はフォトレジスト、ポリアクリル系樹脂、ポリイミド系樹脂、アクリル系樹脂、シリコン化合物などを含むことができる。
【００５０】
前記第１〜第３発光層１６１〜１６３はそれぞれ前記画素の定義膜１６０の開口を介して露出する前記第１〜第３画素電極ＰＥ１〜ＰＥ３上に配置される。また、前記第１〜第３発光層１６１〜１６３は前記画素の定義膜１６０の前記開口の側壁上で延びることができる。それぞれの前記第１〜第３発光層１６１〜１６３は互いに異なる色光を発生させることができる発光物質を用いて、形成されることができる。前記第１発光層１６１は前記第１サブ画素ＳＰ１に対応して形成され、第１カラーの光を発生する。例えば、前記第１発光層１６１は赤色光を発光することができる。前記第２発光層１６２は前記第２サブ画素ＳＰ２に対応して形成され、前記第１カラーと異なった第２カラーの光を発生する。例えば、前記第２発光層１６２は緑色光を発光することができる。前記第３発光層１６３は前記第３サブ画素ＳＰ３に対応して形成され、前記第１及び第２カラーと異なった第３カラーの光を発生する。例えば、前記第３発光層１６３は青色光を発光することができる。
【００５１】
前記共通電極ＣＥが前記第１〜第３発光層１６１〜１６３が配置された前記画素の定義膜１６０上に配置される。前記共通電極ＣＥは透光性を有する物質または、反射性を有する物質を含むことができる。例えば、前記共通電極ＣＥはアルミニウム、アルミニウムを含有する合金、アルミニウム窒化物、は、銀を含有する合金、タングステン、タングステン窒化物、銅、銅を含有する合金、ニッケル、クロム、クロム窒化物、モリブデン、モリブデンを含有する合金、チタン、チタン窒化物、白金、タンタリウム、タンタリウム窒化物、ネオジム、スカンジウム、ストロンチウムルテニウム酸化物、亜鉛酸化物、インジウムスズ酸化物、スズ酸化物、インジウム酸化物、ガリウム酸化物、インジウム亜鉛酸化物などを含むことができる。
【００５２】
前記薄型保護フィルム１７０は前記共通電極ＣＥ上に配置される。前記薄型保護フィルム１７０は前記第１〜第３発光層１６１〜１６３等を保護する。
【００５３】
前記薄型保護フィルム１７０は交代で積層される複数の有機及び無機層を含む。例えば、前記薄型保護フィルム１７０は順に積層される第１有機層１７１、第１無機層１７２、第２有機層１７３、第２無機層１７４、及び第３有機層１７５を含むことができる。前記第１有機層１７１、第３有機層１７３、第３有機層１７５はアクリレイト（ａｃｒｙｌａｔｅ）系列の物質を含んで、前記第１及び第２無機層１７２及び１７４は酸化物（ｏｘｉｄｅ）系列の物質を含むことができる。前記薄型保護フィルム１７０は前記第１〜第３発光層１６１〜１６３に損傷を与えないために、低温工程で製造されることができる。例えば、前記薄型保護フィルム１７０は１００度（Ｃｅｌｓｉｕｓ ｄｅｇｒｅｅ）以下の温度で製造されることができる。したがって、前記薄型保護フィルム１７０は前記共通電極ＣＥ上に直接形成されることができる。前記薄型保護フィルム１７０は約１〜１０μm（マイクロメートル）の厚さを有することができる。
【００５４】
前記下部保護フィルム２００は第１ベース層２１０及び第１圧力敏感接着層２２０（ｐｒｅｓｓｕｒｅ ｓｅｎｓｉｔｉｖｅ ａｄｈｅｓｉｖｅ）を含む。前記下部保護フィルム２００は前記表示基板１００の下部を保護する。
【００５５】
前記第１ベース層２１０はガラス、金属、または、高分子物質を含むことができる。前記第１ベース層２１０が高分子物質を含む場合、ポリイミド（ｐｏｌｙｉｍｉｄｅ）、ポリカーボネート（ｐｏｌｙｃａｒｂｏｎａｔｅ）、ポリエチレンテレフタラート（ＰＥＴ：ｐｏｌｙｅｔｈｙｌｅｎｅｔｅｒｅｐｈｔｈａｌａｔｅ）、ポリウレタン（ｐｏｌｙｕｒｅｔｈａｎｅ）、ポリアクリロニトリル（ＰＡＮ：ｐｏｌｙａｃｒｙｎｉｔｒｉｌ）、ポリエチレン（ＰＥ：ｐｏｌｙｅｔｈｙｌｅｎｅ）、ポリプロピレン（ＰＰ：ｐｏｌｙｐｒｏｐｙｌｅｎｅ）等を含むことができる。前記第１ベース層２１０は望ましく７５μm（マイクロメーター）の厚さを有することができる。
【００５６】
前記第１圧力敏感接着層２２０（ｐｒｅｓｓｕｒｅ ｓｅｎｓｉｔｉｖｅ ａｄｈｅｓｉｖｅ）は前記第１ベース層２１０及び前記表示基板１００の前記ベース基板１１０の間に配置される。前記第１圧力敏感接着層２２０は前記下部保護フィルム２００を前記表示基板１００の前記ベース基板１１０上に接着させる。前記第１圧力敏感接着層２２０は圧力が加えられることにより、接着作用が生じる。例えば、前記第１圧力敏感接着層２２０はアクリル系重合体を含むことができる。前記第１圧力敏感接着層２２０は望ましく約２５μm（マイクロメーター）の厚さを有することができる。
【００５７】
前記上部保護フィルム３００は、第２ベース層３１０、ブラックマトリックスＢＭ、第１〜第３カラーフィルタＣＦ１〜ＣＦ３及び第２圧力敏感接着層３２０を含む。前記上部保護フィルム３００は前記表示基板１００の上部を保護する。
【００５８】
前記第２ベース層３１０は、ガラス、金属、または、高分子物質を含むことができる。前記第２ベース層３１０が高分子物質を含む場合、ポリイミド（ｐｏｌｙｉｍｉｄｅ）、ポリカーボネート（ｐｏｌｙｃａｒｂｏｎａｔｅ）、ポリエチレンテレフタラート（ＰＥＴ：ｐｏｌｙｅｔｈｙｌｅｎｅｔｅｒｅｐｈｔｈａｌａｔｅ）、ポリウレタン（ｐｏｌｙｕｒｅｔｈａｎｅ）、ポリアクリロニトリル（ＰＡＮ：ｐｏｌｙａｃｒｙｎｉｔｒｉｌ）、ポリエチレン（ＰＥ：ｐｏｌｙｅｔｈｙｌｅｎｅ）、ポリプロピレン（ＰＰ、：ｐｏｌｙｐｒｏｐｙｌｅｎｅ）等を含むことができる。前記第２ベース層３１０は望ましく１００μm（マイクロメーター）の厚さを有することができる。
【００５９】
前記第２ベース層３１０上には前記ブラックマトリックスＢＭ及び前記第１〜第３カラーフィルタＣＦ１〜ＣＦ３が形成されなければならないため、前記第２ベース層３１０の耐熱温度は前記ブラックマトリックスＢＭ及び前記第１〜第３カラーフィルタＣＦ１〜ＣＦ３の製造工程温度より高い約２００度〜約３００度（Ｃｅｌｓｉｕｓ ｄｅｇｒｅｅ）であることが望ましい。
【００６０】
前記ブラックマトリックスＢＭは前記第１ベース層３１０上に配置される。前記ブラックマトリックスＢＭは前記データラインＤＬ、前記ゲートラインＧＬ及び前記スイッチング素子ＳＷ１〜ＳＷ３等の配線と重複して、光遮断物質を含む。前記ブラックマトリックスＢＭは隣接するサブ画素との境界を定義する。
【００６１】
前記第１〜第３カラーフィルタＣＦ１〜ＣＦ３は、前記ブラックマトリックスＢＭが配置された前記第１ベース層３１０上に配置される。前記第１〜第３カラーフィルタＣＦ１〜ＣＦ３はそれぞれ第１〜第３サブ画素ＳＰ１〜ＳＰ３に対応するように配置される。また、前記第１〜第３カラーフィルタＣＦ１〜ＣＦ３はそれぞれ前記第１〜第３発光層１６１〜１６３と対応するように配置される。前記第１カラーフィルタＣＦ１は前記第１発光層１６１の前記第１カラーの光と同じ色を有する。例えば、前記第１発光層１６１が赤色光を発光する場合、前記第１カラーフィルタＣＦ１は赤色でもよい。前記第２カラーフィルタＣＦ２は前記第２発光層１６２の前記第２カラーの光と同じ色を有する。例えば、前記第２発光層１６２が緑色光を発光する場合、前記第２カラーフィルタＣＦ２は緑色でもよい。前記第３カラーフィルタＣＦ３は前記第３発光層１６３の前記第３カラーの光と同じ色を有する。例えば、前記第３発光層１６３が青色光を発光する場合、前記第３カラーフィルタＣＦ３は青色でもよい。
【００６２】
前記ブラックマトリックスＢＭ及び前記第１〜第３カラーフィルタＣＦ１〜ＣＦ３は該当技術分野の一般的なブラックマトリックス及びカラーフィルタ製造工程により形成されることができる。例えば、液晶表示装置に使われるブラックマトリックス及びカラーフィルタの製造工程で、約９０〜１１０度（Ｃｅｌｓｉｕｓ ｄｅｇｒｅｅ）のプリベーク（ｐｒｅ−ｂａｋｅ）段階及び約２２０〜２３０度（Ｃｅｌｓｉｕｓ ｄｅｇｒｅｅ）のポストベーク（ｐｏｓｔ−ｂａｋｅ）段階を含む工程が使われることができる。
【００６３】
前記第２圧力敏感接着層３２０は前記ブラックマトリックスＢＭ及び前記第１〜第３カラーフィルタＣＦ１〜ＣＦ３上に配置される。前記第２圧力敏感接着層３２０は前記上部保護フィルム３００を前記表示基板１００の前記薄型保護フィルム１７０上に接着させる。前記第２圧力敏感接着層３２０は圧力が加えられることにより、接着作用が生じる。例えば、前記第２圧力敏感接着層３２０はアクリル系重合体を含むことができる。前記第２圧力敏感接着層３２０は望ましく約１００μm（マイクロメーター）の厚さを有することができる。
【００６４】
図３は本発明の他の実施例にともなう表示パネルの断面図である。
【００６５】
図３を参照すれば、表示パネルは上部保護フィルム４００を除いて図２の表示パネルと実質的に同一である。したがって、重複する説明は簡略化するか、省略する。
【００６６】
前記表示パネルは表示基板１００、上部保護フィルム４００及び下部保護フィルム２００を含む。前記表示パネルは複数の単位画素を含む。図面では第１サブ画素ＳＰ１、第２サブ画素ＳＰ２及び第３サブ画素ＳＰ３を含む一つの単位画素に対して説明する。
【００６７】
前記表示基板１００はベース基板１１０、バッファー層１２０、第１絶縁層１３０、第２絶縁層１４０、第１〜第３スイッチング素子ＳＷ１〜ＳＷ３、第３絶縁層１５０、第１〜第３画素電極ＰＥ１〜ＰＥ３、画素の定義膜１６０、第１〜第３発光層１６１〜１６３、共通電極ＣＥ、及び薄型保護フィルム１７を含む。前記下部保護フィルム２００は第１ベース層２１０及び第１圧力敏感接着層２２０を含む。（図２参照）前記上部保護フィルム４００は第２ベース層４１０、ブラックマトリックスＢＭ、第１〜第３カラーフィルタＣＦ１〜ＣＦ３、第２圧力敏感接着層４２０及びオーバーコーティング層４３０を含む。前記上部保護フィルム４００は前記表示基板１００の上部を保護する。
【００６８】
前記第２ベース層４１０はガラス、金属、または、高分子物質を含むことができる。前記第２ベース層４１０が高分子物質を含む場合、ポリイミド（ｐｏｌｙｉｍｉｄｅ）、ポリカーボネート（ｐｏｌｙｃａｒｂｏｎａｔｅ）、ポリエチレンテレフタラート（ＰＥＴ：ｐｏｌｙｅｔｈｙｌｅｎｅｔｅｒｅｐｈｔｈａｌａｔｅ）、ポリウレタン（ｐｏｌｙｕｒｅｔｈａｎｅ）、ポリアクリロニトリル（ＰＡＮ：ｐｏｌｙａｃｒｙｎｉｔｒｉｌ）、ポリエチレン（ＰＥ：ｐｏｌｙｅｔｈｙｌｅｎｅ）、ポリプロピレン（ＰＰ：ｐｏｌｙｐｒｏｐｙｌｅｎｅ）等を含むことができる。前記第２ベース層４１０は望ましく１００μm（マイクロメーター）の厚さを有することができる。
【００６９】
前記第２ベース層４１０上には前記ブラックマトリックスＢＭ及び前記第１〜第３カラーフィルタＣＦ１〜ＣＦ３が形成されなければならないため、前記第２ベース層４１０の耐熱温度は前記ブラックマトリックスＢＭ及び前記第１〜第３カラーフィルタＣＦ１〜ＣＦ３の製造工程温度より高い約２００度〜約３００度（Ｃｅｌｓｉｕｓ ｄｅｇｒｅｅ）であることが望ましい。
【００７０】
前記ブラックマトリックスＢＭは前記第１ベース層４１０上に配置される。前記ブラックマトリックスＢＭはデータライン、ゲートライン及びスイッチング素子などの配線と重複して（図２参照）、光遮断物質を含む。前記ブラックマトリックスＢＭは隣接するサブ画素との境界を定義する。
【００７１】
前記第１〜第３カラーフィルタＣＦ１〜ＣＦ３は前記ブラックマトリックスＢＭが配置された前記第１ベース層４１０上に配置される。前記第１〜第３カラーフィルタＣＦ１〜ＣＦ３はそれぞれ第１〜第３サブ画素ＳＰ１〜ＳＰ３に対応するように配置される。また、前記第１〜第３カラーフィルタＣＦ１〜ＣＦ３はそれぞれ第１〜第３発光層１６１〜１６３と対応するように配置される。前記第１カラーフィルタＣＦ１は前記第１発光層１６１の前記第１カラーの光と同じ色を有する。例えば、前記第１発光層１６１が赤色光を発光する場合、前記第１カラーフィルタＣＦ１は赤色でもよい。前記第２カラーフィルタＣＦ２は前記第２発光層１６２の前記第２カラーの光と同じ色を有する。例えば、前記第２発光層１６２が緑色光を発光する場合、前記第２カラーフィルタＣＦ２は緑色でもよい。前記第３カラーフィルタＣＦ３は前記第３発光層１６３の前記第３カラーの光と同じ色を有する。例えば、前記第３発光層１６３が青色光を発光する場合、前記第３カラーフィルタＣＦ３は青色でもよい。
【００７２】
前記第１〜第３カラーフィルタ１６１〜１６３は前記第１〜第３発光層１６１〜１６３の第１〜第３カラーの光とそれぞれ同じ色を有するため、表示パネル内部を通過し、前記第１〜第３画素電極ＰＥ１〜ＰＥ３で反射する外部光の特定の波長帯の光のみが前記カラーフィルタを通過することになる。したがって、外部光が前記第１〜第３画素電極ＰＥ１〜ＰＥ３で反射して、表示品質が低下するのを防止して、前記表示パネルの表示品質を向上させることができる。
【００７３】
前記ブラックマトリックスＢＭ及び前記第１〜第３カラーフィルタＣＦ１〜ＣＦ３は当該技術分野の一般的なブラックマトリックス及びカラーフィルタ製造工程により形成されることができる。例えば、液晶表示装置に使われるブラックマトリックス及びカラーフィルタの製造工程で、約９０〜１１０度（Ｃｅｌｓｉｕｓ ｄｅｇｒｅｅ）のプリベーク（ｐｒｅ−ｂａｋｅ）段階及び約２２０〜２３０度（Ｃｅｌｓｉｕｓ ｄｅｇｒｅｅ）のポストベーク（ｐｏｓｔ−ｂａｋｅ）段階を含む工程が使われることができる。
【００７４】
前記オーバーコーティング層４３０は前記ブラックマトリックスＢＭ及び前記第１〜第３カラーフィルタＣＦ１〜ＣＦ３上に配置される。前記オーバーコーティング層４３０は前記第１〜第３カラーフィルタＣＦ１〜ＣＦ３を平坦化しながら保護する役割及び絶縁する役割をし、アクリル系エポキシ材料を用いて、形成されることができる。
【００７５】
前記第２圧力敏感接着層４２０は前記第２ベース層４１０下部に配置される。すなわち、前記第２圧力敏感接着層４２０は前記第２ベース層４１０を基準とし、前記ブラックマトリックスＢＭ及び前記第１〜第３カラーフィルタＣＦ１〜ＣＦ３の反対方向に配置される。前記第２圧力敏感接着層４２０は前記上部保護フィルム４００を前記表示基板１００の前記薄型保護フィルム１７０上に接着させる。前記第２圧力敏感接着層４２０は圧力が加えられることにより、接着作用が生じる。例えば、前記第２圧力敏感接着層４２０はアクリル系重合体を含むことができる。前記第２圧力敏感接着層４２０は望ましく、約１００μm（マイクロメーター）の厚さを有することができる。
【００７６】
図４は本発明のまた他の実施例にともなう表示パネルの断面図である。
【００７７】
図４を参照すれば、表示パネルは第１〜第３発光層１６１〜１６３及び画素の定義膜１６０を除き、図２の表示パネルと実質的に同一であるため、重複する説明は簡略にしたり省略する。
【００７８】
前記表示パネルは表示基板１００、上部保護フィルム３００及び下部保護フィルム２００を含む。前記表示パネルは複数の単位画素を含む。図面では第１サブ画素ＳＰ１、第２サブ画素ＳＰ２及び第３サブ画素ＳＰ３を含む一つの単位画素に対して説明する。
【００７９】
前記表示基板１００はベース基板１１０、バッファー層１２０、第１絶縁層１３０、第２絶縁層１４０、第１〜第３スイッチング素子ＳＷ１〜ＳＷ３、第３絶縁層１５０、第１〜第３画素電極ＰＥ１〜ＰＥ３、画素の定義膜１６０、第１〜第３発光層１６１〜１６３、共通電極ＣＥ、及び薄型保護フィルム１７０（ｔｈｉｎ ｅｎｃａｐｓｕｌａｔｉｏｎ ｆｉｌｍ）を含む。
【００８０】
前記画素の定義膜１６０は前記第１〜第３画素電極ＰＥ１〜ＰＥ３が配置された前記第３絶縁層１５０上に配置される。前記画素の定義膜１６０には前記第１〜第３画素電極ＰＥ１〜ＰＥ３を露出する開口が形成される。前記画素の定義膜１６０の高さは前記第１〜第３発光層１６１〜１６３の高さにより各サブ画素に異なるように形成されることができる。
【００８１】
前記画素の定義膜１６０は有機物質、無機物質などを含むことができる。例えば、画素の定義膜１６０はフォトレジスト、ポリアクリル系樹脂、ポリイミド系樹脂、アクリル系樹脂、シリコン化合物などを含むことができる。
【００８２】
前記第１〜第３発光層１６１〜１６３はそれぞれ前記画素の定義膜１６０の開口を介して露出する前記第１〜第３画素電極ＰＥ１〜ＰＥ３上に配置される。また、前記第１〜第３発光層１６１〜１６３は前記画素の定義膜１６０の前記開口の側壁上に延びることができる。それぞれの前記第１〜第３発光層１６１〜１６３は互いに異なる色光を発生させることができる発光物質を用いて、形成されることができる。前記第１発光層１６１は前記第１サブ画素ＳＰ１に対応して形成され、第１カラーの光を発生する。例えば、前記第１発光層１６１は赤色光を発光することができる。前記第２発光層１６２は前記第２サブ画素ＳＰ２に対応して形成され、前記第１カラーと異なった第２カラーの光を発生する。例えば、前記第２発光層１６２は緑色光を発光することができる。前記第３発光層１６３は前記第３サブ画素ＳＰ３に対応して形成され、前記第１及び第２カラーと異なった第３カラーの光を発生する。例えば、前記第３発光層１６３は青色光を発光することができる。
【００８３】
前記第１〜第３発光層１６１〜１６３はそれぞれ異なる高さを有することができる。前記第１〜第３発光層１６１〜１６３はそれぞれ適切な高さを持って、外部光による反射を最小化するために、前記第１〜第３画素電極ＰＥ１〜ＰＥ３と前記共通電極ＣＥでの前記外部光の反射による相殺干渉が用いられることができる。前記第１〜第３発光層１６１〜１６３は色波長及び屈折率に依存する厚さを有する。
【００８４】
例えば、前記第１発光層１６１が赤色光を発光して、前記第２発光層１６２が緑色光を発光して、前記第３発光層１６３が青色光を発光することができる。この際、外部光は前記共通電極ＣＥの反透過性（ｓｅｍｉ‐ｔｒａｎｓｐａｒｅｎｔ ｐｒｏｐｅｒｔｙ）によりその一部が前記共通電極ＣＥで反射し、他の一部は前記共通電極ＣＥを透過することになる。前記共通電極ＣＥを透過する前記外部光の赤色光は前記第１発光層１６１を通過し、前記第１画素電極ＰＥ１で反射した後、前記第１発光層１６１及び前記共通電極ＣＥを透過していくことになる。ここで、前記共通電極ＣＥで反射していく前記外部光の赤色光と前記共通電極ＣＥを透過した後前記第１画素電極ＰＥ１で反射していく前記外部光の赤色光が相殺干渉を起こすことになれば、外部から入射された赤色光の反射率を減らすことができるようになる。
【００８５】
前記第１発光層１６１の高さ（Ｈ１）が次のような条件、
２ｎＲ（Ｈ１）＝ｍλＲまたは、２ｎＲ（Ｈ１）＝（ｍ＋１／２）λＲ
（ここで、ｎＲ、λＲはそれぞれ前記第１発光層１６１の屈折率、入射される赤色光の波長を示し、ｍは整数を意味する）
を満足することになれば前記共通電極ＣＥで反射していく赤色光と前記共通電極ＣＥを透過した後前記第１画素電極ＰＥ１で反射していく赤色光が相殺干渉を起こすことができる。これに伴い、外部から入射される赤色光の反射率を減らすことができる。
【００８６】
同様に前記第２発光層１６２の高さ（Ｈ２）が次のような条件、
２ｎＧ（Ｈ２）＝ｍλＧまたは、２ｎＧ（Ｈ２）＝（ｍ＋１／２）λＧ
（ここで、ｎＧ、λＧはそれぞれ前記第２発光層１６２の屈折率、入射される緑色光の波長を示し、ｍは整数を意味する）
また、同様に前記第３発光層１６３の高さ（Ｈ３）が次のような条件、
２ｎＢ（Ｈ３）＝ｍλＢまたは、２ｎＢ（Ｈ３）＝（ｍ＋１／２）λＢ
（ここで、ｎＢ、λＢはそれぞれ前記第３発光層１６３の屈折率、入射される青色光の波長を示し、ｍは整数を意味する）
図５〜図７は図２の表示パネルの上部保護フィルムの製造方法を示した断面図である。前記上部保護フィルムの製造方法はブラックマトリックスＢＭを形成する段階、第１〜第３カラーフィルタＣＦ１〜ＣＦ３を形成する段階、及び第２圧力敏感接着層３２０を形成する段階を含む。
【００８７】
図５を参照すれば、前記ブラックマトリックスＢＭを形成する段階では、第２ベース層３１０上にブラックマトリックスＢＭを形成する。
【００８８】
前記第２ベース層３１０上に光遮断物質をスパッタリング方式で塗布し、パターンを有するマスクを用いて、露光（ｅｘｐｏｓｕｒｅ）後、現像（ｄｅｖｅｌｏｐ）し、前記ブラックマトリックスＢＭを形成する。前記第２ベース層３１０はガラス、金属、または、高分子物質を含むことができる。前記第２ベース層３１０が高分子物質を含む場合、ポリイミド（ｐｏｌｙｉｍｉｄｅ）、ポリカーボネート（ｐｏｌｙｃａｒｂｏｎａｔｅ）、ポリエチレンテレフタラート（ＰＥＴ：ｐｏｌｙｅｔｈｙｌｅｎｅｔｅｒｅｐｈｔｈａｌａｔｅ）、ポリウレタン（ｐｏｌｙｕｒｅｔｈａｎｅ）、ポリアクリロニトリル（ＰＡＮ：ｐｏｌｙａｃｒｙｎｉｔｒｉｌ）、ポリエチレン（ＰＥ：ｐｏｌｙｅｔｈｙｌｅｎｅ）、ポリプロピレン（ＰＰ：ｐｏｌｙｐｒｏｐｙｌｅｎｅ）等を含むことができる。前記第２ベース層３１０は望ましく１００μｍ（マイクロメーター）の厚さを有することができる。前記光遮断物質はクロムＣｒ等の金属、炭素系の有機材料などを含むことができる。
【００８９】
図６を参照すれば、前記第１〜第３カラーフィルタＣＦ１〜ＣＦ３を形成する段階では、前記ブラックマトリックスＢＭが形成された前記第２ベース層３１０上に第１〜第３カラーフィルタＣＦ１〜ＣＦ３を形成する。前記第１〜第３カラーフィルタＣＦ１〜ＣＦ３はそれぞれ第１〜第３サブ画素（図７のSP１〜SP３参照）に対応して形成され、隣接するカラーフィルタと前記ブラックマトリックスＢＭ上で一部重なることができる。前記第１〜第３カラーフィルタＣＦ１〜ＣＦ３は次々と形成されることができる。
【００９０】
前記第１カラーフィルタＣＦ１を形成する段階は、第１カラーレジストが前記ブラックマトリックスＢＭが形成された前記第２ベース層３１０上に塗布される段階、パターンを有するマスクを用いて、露光する段階、前記第１カラーレジストを現像し、第１カラーフィルタＣＦ１を形成する段階を含むことができる。
【００９１】
この際、前記露光する段階前に真空乾燥段階及び／または、プリベーク（ｐｒｅ−ｂａｋｅ）段階をさらに含むことができる。前記プリベーク段階では前記第１カラーレジストを約９０度〜約１１０度（Ｃｅｌｓｉｕｓ ｄｅｇｒｅｅ）で熱硬化することができる。また、前記現像する段階の後で前記第１カラーフィルタＣＦ１を熱硬化させるポストベーク（ｐｏｓｔ−ｂａｋｅ）段階をさらに含むことができる。前記ポストベーク段階では前記第１カラーフィルタＣＦ１を約２２０〜約２３０度（Ｃｅｌｓｉｕｓ ｄｅｇｒｅｅ）で熱硬化することができる。
【００９２】
前記第２カラーフィルタＣＦ２を形成する段階は、第２カラーレジストが前記第１カラーフィルタＣＦ１が形成された前記第２ベース層３１０上に塗布される段階、パターンを有するマスクを用いて、露光する段階、前記第２カラーレジストを現像し、第２カラーフィルタＣＦ２を形成する段階を含むことができる。
【００９３】
この際、前記露光する段階前に真空乾燥段階及び／または、プリベーク（ｐｒｅ−ｂａｋｅ）段階をさらに含むことができる。前記プリベーク段階では前記第２カラーレジストを約９０度〜約１１０度（Ｃｅｌｓｉｕｓ ｄｅｇｒｅｅ）で熱硬化することができる。また、前記現像する段階の後で前記第２カラーフィルタＣＦ２を熱硬化させるポストベーク（ｐｏｓｔ−ｂａｋｅ）段階をさらに含むことができる。前記ポストベーク段階では前記第２カラーフィルタＣＦ２を約２２０〜約２３０度（Ｃｅｌｓｉｕｓ ｄｅｇｒｅｅ）で熱硬化することができる。
【００９４】
前記第３カラーフィルタＣＦ３を形成する段階は第３カラーレジストが前記第１及び第２カラーフィルタＣＦ１及びＣＦ２が形成された前記第２ベース層３１０上に塗布される段階、パターンを有するマスクを用いて、露光する段階、前記第３カラーレジストを現像し、第３カラーフィルタＣＦ３を形成する段階を含むことができる。
【００９５】
この際、前記露光する段階前に真空乾燥段階及び／または、プリベーク（ｐｒｅ−ｂａｋｅ）段階をさらに含むことができる。前記プリベーク段階では前記第３カラーレジストを約９０度〜約１１０度（Ｃｅｌｓｉｕｓ ｄｅｇｒｅｅ）で熱硬化することができる。また、前記現像する段階の後で前記第３カラーフィルタＣＦ３を熱硬化させるポストベーク（ｐｏｓｔ−ｂａｋｅ）段階をさらに含むことができる。前記ポストベーク段階では前記第３カラーフィルタＣＦ３を約２２０〜約２３０度（Ｃｅｌｓｉｕｓ ｄｅｇｒｅｅ）で熱硬化することができる。
【００９６】
一方、前記第１〜第３カラーフィルタＣＦ１〜ＣＦ３はインクジェット方式で形成されることができる。
【００９７】
図７を参照すれば、前記第２圧力敏感接着層３２０を形成する段階では前記第１〜第３カラーフィルタＣＦ１〜ＣＦ３及び前記ブラックマトリックスＢＭ上に第２圧力敏感接着層３２０を形成する。前記第２圧力敏感接着層３２０は別途の接着テープを前記第１〜第３カラーフィルタＣＦ１〜ＣＦ３及び前記ブラックマトリックスＢＭ上に接着させて形成することができる。例えば、前記第２圧力敏感接着層３２０はアクリル系重合体を含むテープ（ｔａｐｅ）でもよい。前記第２圧力敏感接着層３２０は望ましく約１００μｍ（マイクロメーター）の厚さを有することができる。
【００９８】
図８〜図１０は図３の表示パネルの上部保護フィルムの製造方法を示した断面図である。前記上部保護フィルムの製造方法はオーバーコーティング層４３０を形成する段階及び第２圧力敏感接着層４２０を形成する段階を除いて、図５〜図７の上部保護フィルムの製造方法と同一であるため、重複する説明は簡略にしたり省略する。
【００９９】
前記上部保護フィルムの製造方法はブラックマトリックスＢＭを形成する段階、第１〜第３カラーフィルタＣＦ１〜ＣＦ３を形成する段階、オーバーコーティング層４３０を形成する段階及び第２圧力敏感接着層４２０を形成する段階を含む。
【０１００】
図８を参照すれば、前記ブラックマトリックスＢＭを形成する段階では、第２ベース層４１０上にブラックマトリックスＢＭを形成する。前記第２ベース層４１０上に光遮断物質をスパッタリング方式で塗布し、パターンを有するマスクを用いて、露光（ｅｘｐｏｓｕｒｅ）後、現像（ｄｅｖｅｌｏｐ）し、前記ブラックマトリックスＢＭを形成する。
【０１０１】
図８を再び参照すれば、前記第１〜第３カラーフィルタＣＦ１〜ＣＦ３を形成する段階では、前記ブラックマトリックスＢＭが形成された前記第２ベース層４１０上に第１〜第３カラーフィルタＣＦ１〜ＣＦ３を形成する。前記第１〜第３カラーフィルタＣＦ１〜ＣＦ３はそれぞれ第１〜第３サブ画素（図１０のSP１〜SP３参照）に対応して形成され、隣接するカラーフィルタと前記ブラックマトリックスＢＭ上で一部重なることができる。前記第１〜第３カラーフィルタＣＦ１〜ＣＦ３は次々と形成されることができる。
【０１０２】
前記第１カラーフィルタＣＦ１を形成する段階は第１カラーレジストが前記ブラックマトリックスＢＭが形成された前記第２ベース層４１０上に塗布される段階、パターンを有するマスクを用いて、露光する段階、前記第１カラーレジストを現像し、第１カラーフィルタＣＦ１を形成する段階を含むことができる。
【０１０３】
この際、前記露光する段階前に真空乾燥段階及び／または、プリベーク（ｐｒｅ−ｂａｋｅ）段階をさらに含むことができる。前記プリベーク段階では前記第１カラーレジストを約９０度〜約１１０度（Ｃｅｌｓｉｕｓ ｄｅｇｒｅｅ）で熱硬化することができる。また、前記現像する段階の後で前記第１カラーフィルタＣＦ１を熱硬化させるポストベーク（ｐｏｓｔ−ｂａｋｅ）段階をさらに含むことができる。前記ポストベーク段階では前記第１カラーフィルタＣＦ１を約２２０〜約２３０度（Ｃｅｌｓｉｕｓ ｄｅｇｒｅｅ）で熱硬化することができる。
【０１０４】
前記第２カラーフィルタＣＦ２を形成する段階は第２カラーレジストが前記第１カラーフィルタＣＦ１が形成された前記第２ベース層４１０上に塗布される段階、パターンを有するマスクを用いて、露光する段階、前記第２カラーレジストを現像し、第２カラーフィルタＣＦ２を形成する段階を含むことができる。
【０１０５】
この際、前記露光する段階前に真空乾燥段階及び／または、プリベーク（ｐｒｅ−ｂａｋｅ）段階をさらに含むことができる。前記プリベーク段階では前記第２カラーレジストを約９０度〜約１１０度（Ｃｅｌｓｉｕｓ ｄｅｇｒｅｅ）で熱硬化することができる。また、前記現像する段階の後で前記第２カラーフィルタＣＦ２を熱硬化させるポストベーク（ｐｏｓｔ−ｂａｋｅ）段階をさらに含むことができる。前記ポストベーク段階では前記第２カラーフィルタＣＦ２を約２２０〜約２３０度（Ｃｅｌｓｉｕｓ ｄｅｇｒｅｅ）で熱硬化することができる。
【０１０６】
前記第３カラーフィルタＣＦ３を形成する段階は第３カラーレジストが前記第１及び第２カラーフィルタＣＦ１及びＣＦ２が形成された前記第２ベース層４１０上に塗布される段階、パターンを有するマスクを用いて、露光する段階、前記第３カラーレジストを現像し、第３カラーフィルタＣＦ３を形成する段階を含むことができる。
【０１０７】
この際、前記露光する段階前に真空乾燥段階及び／または、プリベーク（ｐｒｅ−ｂａｋｅ）段階をさらに含むことができる。前記プリベーク段階では前記第３カラーレジストを約９０度〜約１１０度（Ｃｅｌｓｉｕｓ ｄｅｇｒｅｅ）で熱硬化することができる。また、前記現像する段階の後で前記第３カラーフィルタＣＦ３を熱硬化させるポストベーク（ｐｏｓｔ−ｂａｋｅ）段階をさらに含むことができる。前記ポストベーク段階では前記第３カラーフィルタＣＦ３を約２２０〜約２３０度（Ｃｅｌｓｉｕｓ ｄｅｇｒｅｅ）で熱硬化することができる。
【０１０８】
一方、前記第１〜第３カラーフィルタＣＦ１〜ＣＦ３はインクジェット方式で形成されることができる。
【０１０９】
図９を参照すれば、前記オーバーコーティング層４３０を形成する段階では、前記ブラックマトリックスＢＭ及び前記第１〜第３カラーフィルタＣＦ１〜ＣＦ３上にオーバーコーティング層４３０を形成する。前記オーバーコーティング層４３０は前記第１〜第３カラーフィルタＣＦ１〜ＣＦ３を平坦化しながら保護する役割及び絶縁する役割をして、アクリル系エポキシ材料を用いて、形成されることができる。
【０１１０】
図１０を参照すれば、第２圧力敏感接着層４２０を形成する段階では、前記第２ベース層４１０下部に第２圧力敏感接着層４２０を形成する。すなわち、前記第２圧力敏感接着層４２０は前記第２ベース層４１０を基準とし、前記ブラックマトリックスＢＭ及び前記第１〜第３カラーフィルタＣＦ１〜ＣＦ３の反対方向に形成される。前記第２圧力敏感接着層３２０は別途の接着テープを前記第２ベース層４１０上に接着させて形成することができる。例えば、前記第２圧力敏感接着層４２０はアクリル系重合体を含むテープ（ｔａｐｅ）でもよい。前記第２圧力敏感接着層４２０は望ましく約１００μｍ（マイクロメーター）の厚さを有することができる。
【０１１１】
図１１〜図１７は図２の表示パネルの表示基板の製造方法を示した断面図である。図面では一つのサブ画素に対して説明する。
【０１１２】
図１１を参照すれば、ベース基板１１０上にバッファー層１２０を形成する。前記バッファー層１２０はスピンコーティング（ｓｐｉｎ  ｃｏａｔｉｎｇ）工程、化学気相蒸着ＣＶＤ工程、プラズマ増大化学気相蒸着ＰＥＣＶＤ工程、高密度プラズマ‐化学気相蒸着ＨＤＰ−ＣＶＤ工程、プリンティング（ｐｒｉｎｔｉｎｇ）工程などを用いて、形成されることができる。
【０１１３】
前記バッファー層１２０上にチャネル層ＣＨが形成される。前記バッファー層１２０上に半導体層を形成した後、前記半導体層をパターニングして前記チャネル層ＣＨを形成する。前記チャネル層ＣＨは化学気相蒸着工程、プラズマ増大化学気相蒸着工程、低圧化学気相蒸着工程、スパッタリング工程などを用いて、形成されることができる。また、前記チャネル層ＣＨはアモルファスシリコン薄膜をレーザアニーリング（Ｌａｓｅｒ Ａｎｎｅａｌｉｎｇ）方法で結晶化して形成した低温ポリシリコン（Ｌｏｗ Ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ Ｐｏｌｙ Ｓｉｌｉｃｏｎ）でもよい。
【０１１４】
図１２を参照すれば、前記チャネル層ＣＨが形成された前記バッファー層１２０上に第１絶縁層１３０を形成する。前記第１絶縁層１３０は化学気相蒸着工程、スピンコーティング工程、プラズマ増大化学気相蒸着工程、スパッタリング工程、真空蒸着工程、高密度プラズマ‐化学気相蒸着工程、プリンティング工程などを用いて、形成することができる。
【０１１５】
図１３を参照すれば、前記第１絶縁層１３０上に前記チャネル層ＣＨと重複するゲート電極ＧＥを形成する。前記第１絶縁層１３０上に導電膜を形成した後、写真フォトリソグラフィ工程または、追加的なエッチングマスクを利用するエッチング工程などを用いて、前記導電膜をパターニングして前記ゲート電極ＧＥを形成することができる。
【０１１６】
前記ゲート電極ＧＥが形成された前記第１絶縁層１３０上に第２絶縁層１４０を形成する。前記第２絶縁層１４０はスピンコーティング工程、化学気相蒸着工程、プラズマ増大化学気相蒸着工程、高密度プラズマ‐化学気相蒸着工程などを用いて、形成されることができる。
【０１１７】
図１４を参照すれば、前記チャネル層ＣＨの一部を露出する第１及び第２コンタクトホール（図１のＣ１、Ｃ２参照）が前記第１及び第２絶縁層１３０及び１４０を介して形成される。前記第１及び第２コンタクトホールは写真フォトリソグラフィ工程や追加的なマスクを用いるエッチング工程を介して形成されることができる。
【０１１８】
前記第１及び第２コンタクトホールが形成された前記第２絶縁層１４０上にソース電極ＳＥ及びドレイン電極ＤＥが形成される。前記ソース電極ＳＥは前記第１コンタクトホールＣ１を介して前記チャネル層ＣＨと電気的に連結される。前記ドレイン電極ＤＥは前記第２コンタクトホールＣ２を介して前記チャネル層ＣＨと電気的に連結される。前記第２絶縁層１４０上に導電膜を形成した後、写真フォトリソグラフィ工程または、追加的なエッチングマスクを利用するエッチング工程などを用いて、前記導電膜をパターニングして前記ソース電極ＳＥ及び前記ドレイン電極ＤＥを形成することができる。
【０１１９】
前記ソース電極ＳＥ及び前記ドレイン電極ＤＥが形成された前記第２絶縁層１４０上に第３絶縁層１５０を形成する。前記第３絶縁層１５０は構成物質により、スピンコーティング工程、プリンティング工程、スパッタリング工程、化学気相蒸着工程、原子層積層工程、プラズマ増大化学気相蒸着工程、高密度プラズマ‐化学気相蒸着工程、真空蒸着工程などを用いて、形成されることができる。
【０１２０】
図１５を参照すれば、前記ドレイン電極ＤＥの一部を露出する第３コンタクトホール（図１のＣ３参照）前記第３絶縁層１５０を貫いて形成される。前記第３コンタクトホールは写真フォトリソグラフィ工程や追加的なマスクを用いるエッチング工程を介して形成されることができる。
【０１２１】
前記第３コンタクトホールが形成された前記第３絶縁層１５０上に第１画素電極１６１を形成する。前記第１画素電極ＰＥ１は前記第３コンタクトホールを介して前記ドレイン電極ＤＥと電気的に連結される。前記第１画素電極ＰＥ１はプリンティング工程、スパッタリング工程、化学気相蒸着工程、原子層積層工程、真空蒸着工程、パルスレーザ蒸着工程などを用いて、形成されることができる。
【０１２２】
前記第１画素電極ＰＥ１が形成された前記第３絶縁層１５０上には画素の定義膜１６０が形成されることができる。前記画素の定義膜１６０はスピンコーティング工程、スプレー工程、プリンティング工程、化学気相蒸着工程などを用いて、形成されることができる。
【０１２３】
図１６を参照すれば、前記画素の定義膜１６０により区切られる前記第１画素電極ＰＥ１上には第１発光層１６１が形成される。前記第１発光層１６１はレーザ転写工程、プリンティング工程などを用いて、形成されることができる。
【０１２４】
前記画素の定義膜１６０及び前記第１画素電極ＰＥ１上に共通電極ＣＥが形成される。前記共通電極ＣＥはプリンティング工程、スパッタリング工程、化学気相蒸着工程、原子層積層工程、真空蒸着工程、パルスレーザ蒸着工程などを用いて、形成されることができる。
【０１２５】
図１７を参照すれば、前記共通電極ＣＥ上に薄型保護フィルム１７０が形成される。前記薄型保護フィルム１７０は複数の有機及び無機層を交代で積層し、形成する。前記薄型保護フィルム１７０は約１００度（Ｃｅｌｓｉｕｓ ｄｅｇｒｅｅ）以下の低温工程で形成されることができる。このような低温工程によって前記薄型保護膜１７０は前記第１発光層１６１の損傷なしに前記共通電極ＣＥ上に直接形成されることができる。例えば、前記薄型保護フィルム１７０は順に積層される第１有機層１７１、第１無機層１７２、第２有機層１７３、第２無機層１７４、及び第３有機層１７５を含むことができる。前記第１有機層１７１が前記共通電極ＣＥ上に形成され、前記第１無機層１７２が前記第１有機層１７１上に形成される。前記第２有機層１７３が前記第１無機層１７２上に形成され、前記第２無機層１７４が前記第２有機層１７３上に形成される。前記第３有機層１７５が前記第２無機層１７４上に形成される。
【０１２６】
図１８は図２の表示パネルを完成するために、上部保護フィルム及び下部保護フィルムを表示基板に接合する段階を示した断面図である。
【０１２７】
表示基板１００を完成して、上部保護フィルム３００及び下部保護フィルム２００を別途の工程で完成することができる。以後、前記表示基板１００のベース基板１１０上に前記下部保護フィルム２００の第１圧力敏感接着層２２０に圧力をかけて接着させて、前記表示基板１００の薄型保護フィルム１７０上に前記上部保護フィルム３００の第２圧力敏感接着層３２０に圧力をかけて接着させて、前記表示パネルを完成することができる。
【０１２８】
本発明の実施例によれば、表示パネルは発光層が発光するカラーの光とそれぞれ同じカラーを有するカラーフィルタを含むため、外部光の画素電極での反射率を低くすることができる。したがって、前記表示パネルの表示品質を向上させることができる。
【０１２９】
また、前記カラーフィルタを含む外部保護フィルムを、前記発光層を含む表示基板に圧力敏感接着層を用いて接着するため、前記カラーフィルタを高温の工程を用いて形成しても、前記発光層の熱による損傷を減少させることができる。
【０１３０】
また、前記表示パネルがフレキシブルディスプレイである場合において、反射率を低くするために使われる一般的な偏光板に代え、前記カラーフィルタを用いるため、前記表示パネル全体の厚さを減少させることができる。したがって、前記表示パネルの柔軟性が増加することができる。
【０１３１】
以上実施例を参照して説明したが、当該技術分野の熟練した当業者は下記の特許請求の範囲に記載された本発明の思想及び領域から抜け出さない範囲内で本発明を多様に修正及び変更させる可能性があることを理解できるはずだ。
【符号の説明】
【０１３２】
１００：表示パネル          
１１０：ベース基板
１２０：バッファー層        
１３０：第１絶縁層
１４０：第２絶縁層          
１５０：第３絶縁層
１６０：画素の定義膜        
１６１：第１発光層
１６２：第２発光層          
１６３：第３発光層
１７０：薄型保護フィルム    
２００：下部保護フィルム
２１０：第１ベース層        
２２０：第１圧力敏感接着層
３００：上部保護フィルム    
３１０：第２ベース層
３２０：第２圧力敏感接着層
ＢＭ：ブラックマトリックス
ＣＦ１、ＣＦ２、ＣＦ３：第１‐３カラーフィルタ
ＰＥ１、ＰＥ２、ＰＥ３：第１‐３画素電極
ＳＷ１、ＳＷ２、ＳＷ３：第１‐３スイッチング素子
【図１】
2015035415.tif 000003
【図２】
2015035415.tif 000004
【図３】
2015035415.tif 000005
【図４】
2015035415.tif 000006
【図５】
2015035415.tif 000007
【図６】
2015035415.tif 000008
【図７】
2015035415.tif 000009
【図８】
2015035415.tif 000010
【図９】
2015035415.tif 000011
【図１０】
2015035415.tif 000012
【図１１】
2015035415.tif 000013
【図１２】
2015035415.tif 000014
【図１３】
2015035415.tif 000015
【図１４】
2015035415.tif 000016
【図１５】
2015035415.tif 000017
【図１６】
2015035415.tif 000018
【図１７】
2015035415.tif 000019
【図１８】
2015035415.tif 000020