(57)【要約】【課題】Ａｌ電極をＡｌＧａＮ層にオーミック接続させる。【解決手段】半導体装置ＳＤは、窒化物半導体層ＧＮ２、ＡｌｘＧａ（１−ｘ）Ｎ層ＡＧＮ（以下、ＡｌＧａＮ層ＡＧＮと記載）、及びＡｌ電極ＤＥ，ＳＥを有している。ＡｌＧａＮ層ＡＧＮにおいて、０＜ｘ≦０．２である。また、ＡｌＧａＮ層ＡＧＮにおけるｐ型不純物の濃度及びｎ型不純物の濃度は、いずれも１×１０１６ｃｍ−３以下である。ここで、ｐ型不純物としては、例えばＢｅ、Ｃ、及びＭｇが例示され、ｎ型不純物としては、Ｓｉ、Ｓ、及びＳｅが例示される。また、Ａｌ電極ＤＥ，ＳＥはＡｌＧａＮ層ＡＧＮに接続している。そして、Ａｌの組成比を上記した範囲に限定しているため、Ａｌ電極ＤＥ，ＳＥはＡｌＧａＮ層ＡＧＮにオーミック接続している。【選択図】図１
2015035534.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
窒化物半導体層と、
前記ＧａＮ層上に形成され、ｐ型不純物の濃度及びｎ型不純物の濃度がいずれも１×１０１６ｃｍ−３以下のＡｌｘＧａ（１−ｘ）Ｎ層（ただし、０＜ｘ≦０．２）と、
前記ＡｌｘＧａ（１−ｘ）Ｎ層上に形成されたＡｌ電極と、
を備える半導体装置。
【請求項２】
請求項１に記載の半導体装置において、
前記ＡｌｘＧａ（１−ｘ）Ｎ層にはｐ型不純物が含まれていない半導体装置。
【請求項３】
請求項１に記載の半導体装置において、
前記Ａｌ電極は、前記ＡｌｘＧａ（１−ｘ）Ｎ層にオーミック接続している半導体装置。
【請求項４】
請求項３に記載の半導体装置において、
前記ＧａＮ層はチャネル層であり、
前記ＡｌｘＧａ（１−ｘ）Ｎ層は電子供給層であり、
前記Ａｌ電極は、ソース電極及びドレイン電極の少なくとも一方であり、
さらに、前記ＡｌｘＧａ（１−ｘ）Ｎ層に接していて酸化アルミニウムからなるゲート絶縁膜と、
前記ゲート絶縁膜に接しているゲート電極と、
を備える半導体装置。
【請求項５】
請求項１に記載の半導体装置において、
前記Ａｌ電極は、Ｓｉ、Ｃａ、及びＣｕの少なくとも一種を含んでいる半導体装置。
【請求項６】
Ｐ型不純物の濃度及びＮ型不純物の濃度がいずれも１×１０１６ｃｍ−３以下のＡｌｘＧａ（１−ｘ）Ｎ層（ただし、０＜ｘ≦０．２）の上に、Ａｌ電極を直接形成する工程と、
前記Ａｌ電極を、４７０℃以上でアニールする工程と、
を備える半導体装置の製造方法。
【請求項７】
請求項６に記載の半導体装置の製造方法において、
前記Ａｌ電極をアニールする工程におけるアニール温度を６００℃以下にする半導体装置の製造方法。
【請求項８】
請求項７に記載の半導体装置の製造方法において、
前記Ａｌ電極をアニールする工程において、前記Ａｌ電極を１０分以上アニールする半導体装置の製造方法。
【請求項９】
請求項８に記載の半導体装置の製造方法において、
前記ＡｌｘＧａ（１−ｘ）Ｎ層は、チャネル層となるＧａＮ層の上に形成されており、
前記ＡｌｘＧａ（１−ｘ）Ｎ層は電子供給層であり、
前記Ａｌ電極は、ソース電極及びドレイン電極の少なくとも一方であり、
さらに、前記ＡｌｘＧａ（１−ｘ）Ｎ層に接していて酸化アルミニウムからなるゲート絶縁膜、及び前記ゲート絶縁膜に接しているゲート電極を形成する工程を備える半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体装置及び半導体装置の製造方法に関し、例えばＡｌＧａＮ層を有する半導体装置及び半導体装置の製造方法に適用可能な技術である。
【背景技術】
【０００２】
化合物半導体装置の一つに、ＧａＮ系の半導体層を用いるものがある。ＧａＮ系の半導体装置に電極を接続させる場合、これらの間の接続をオーミック接続にすることが好ましい場合がある。ＧａＮ系の半導体装置に電極を接続させる技術としては、例えば特許文献１，２，３がある。
【０００３】
特許文献１には、ＧａＮ層からなるｉ層にＡｌ電極を接続させることが記載されている。ここで、ｉ層の形成方法の一例として、ＡｌＧａＮ層（ただしＡｌは無くてもよい）にｐ型不純物を添加することが記載されている。また特許文献１には、高濃度のｎ型不純物が添加されたＧａＮ層にＡｌ電極を接続することも記載されている。
【０００４】
特許文献２には、高キャリア層を形成することでＧａＮ層が電極とオーミック接続することが記載されている。なお、電極材料としては、Ａｌ／Ｔｉ、Ａｕ／Ｔｉ、Ｔｉ、及びＡｌが例示されている。
【０００５】
特許文献３には、ノンドープのＡｌ０．２５Ｇａ０．７５Ｎ層の上にオーミック接続した電極を形成することが記載されている。この電極は、Ｔｉ及びＡｌをこの順に積層した構造を有している。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開２０００−３１５４０号公報
【特許文献２】特開２００３−８６８２５号公報
【特許文献３】特開２００５−３５３８１７号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
化合物半導体を有する半導体装置の製造コストを下げる場合、シリコン基板を用いた半導体装置の製造プロセスを流用できるようにすることが好ましい。そこで本発明者は、Ａｌからなる電極をＡｌＧａＮ層にオーミック接続させる方法を検討した。その他の課題と新規な特徴は、本明細書の記述及び添付図面から明らかになるであろう。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
一実施の形態によれば、ＡｌｘＧａ（１−ｘ）Ｎ層（ただし、０＜ｘ≦０．２）上にはＡｌ電極が形成されている。ＡｌｘＧａ（１−ｘ）Ｎ層に含まれているｐ型不純物及びｎ型不純物の濃度は１×１０１６ｃｍ−３以下である。
【発明の効果】
【０００９】
前記一実施の形態によれば、Ａｌ電極をＡｌＧａＮ層にオーミック接続させることができる。
【図面の簡単な説明】
【００１０】
【図１】実施形態にかかる半導体装置の構成の一例を示す断面図である。
【図２】半導体装置の製造方法の一例を説明する図である。
【図３】半導体装置の製造方法の一例を説明する図である。
【図４】半導体装置の製造方法の一例を説明する図である。
【図５】ＡｌＧａＮ層におけるｘの値（Ａｌ含有率）と、Ａｌ電極の間の抵抗の関係を示す図である。
【図６】Ａｌ電極の間の抵抗と熱処理温度との関係を示す図である。
【図７】Ａｌ電極の間の抵抗と熱処理時間との関係を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００１１】
以下、実施の形態について、図面を用いて説明する。尚、すべての図面において、同様な構成要素には同様の符号を付し、適宜説明を省略する。
【００１２】
図１は、実施形態にかかる半導体装置ＳＤの構成の一例を示す断面図である。なお、本図は概念図であるため、各部材の寸法比は本図に示す例に限定されない。
【００１３】
半導体装置ＳＤは、窒化物半導体層ＧＮ２、ＡｌｘＧａ（１−ｘ）Ｎ層ＡＧＮ（以下、ＡｌＧａＮ層ＡＧＮと記載）、及びＡｌ電極ＤＥ，ＳＥを有している。ＡｌＧａＮ層ＡＧＮにおいて、０＜ｘ≦０．２である。また、ＡｌＧａＮ層ＡＧＮにおけるｐ型不純物の濃度及びｎ型不純物の濃度は、いずれも１×１０１６ｃｍ−３以下である。ここで、ｐ型不純物としては、例えばＢｅ、Ｃ、及びＭｇが例示され、ｎ型不純物としては、Ｓｉ、Ｓ、及びＳｅが例示される。また、Ａｌ電極ＤＥ，ＳＥはＡｌＧａＮ層ＡＧＮに接続している。そして、Ａｌの組成比を上記した範囲に限定しているため、Ａｌ電極ＤＥ，ＳＥはＡｌＧａＮ層ＡＧＮにオーミック接続している。以下、詳細に説明する。
【００１４】
本実施形態において、半導体装置ＳＤはトランジスタを有している。窒化物半導体層ＧＮ２はチャネル層であり、ＡｌＧａＮ層ＡＧＮは電子供給層である。Ａｌ電極ＤＥはドレイン電極であり、Ａｌ電極ＳＥはソース電極である。そしてＡｌＧａＮ層ＡＧＮには、ゲート絶縁膜ＧＩＮＳが接している。ゲート絶縁膜ＧＩＮＳを構成する材料は、例えばＳｉＮ、ＳｉＯ２、ＳｉＯＮ、ＳｉＯＣ、Ａｌ２Ｏ３、ＨｆＯ２、及びＺｒＯ２の少なくとも一つである。ゲート絶縁膜ＧＩＮＳとしては、特にＡｌ２Ｏ３が好適である。ゲート絶縁膜ＧＩＮＳの厚さは、例えば２０ｎｍ以上８０ｎｍ以下である。
【００１５】
また、ゲート絶縁膜ＧＩＮＳ上には、ゲート電極ＧＥが形成されている。ゲート電極ＧＥは、例えばポリシリコン層や多結晶シリコン層である。この場合、ゲート電極ＧＥには、Ｂ又はＡｓなどの不純物が導入されていても良い。また、ゲート電極ＧＥは、金属層であっても良い。この場合、ゲート電極ＧＥを形成する材料は、例えば、Ｔｉ、Ａｌ、及びＮｉの少なくとも一つ、又は、これらの少なくとも一つのＳｉ化合物若しくはＮ化合物などである。
【００１６】
窒化物半導体層ＧＮ２は、ＡｌＧａＮ層ＡＧＮよりも電子親和力が大きい材料によって形成されている。このため、窒化物半導体層ＧＮ２のうちＡｌＧａＮ層ＡＧＮとの界面の近傍に位置する領域には、２次元電子ガスが発生している。半導体装置ＳＤのトランジスタは、この２次元電子ガスをキャリアとしている。ここで、ＡｌＧａＮ層ＡＧＮが多層構造になっている場合、少なくとも一層の電子親和力が窒化物半導体層ＧＮ２の電子親和力よりも小さければよい。
【００１７】
窒化物半導体層ＧＮ２は、例えば、ＧａＮ層であっても良いし、ＡｌＧａＮ層であってもよいし、ＩｎＡｌＮ層であってもよい。また、窒化物半導体層ＧＮ２には不純物が含まれていても良いし、含まれていなくても良い。ここで、ｐ型不純物としては、例えばＢｅ、Ｃ、及びＭｇが例示され、ｎ型不純物としては、Ｓｉ、Ｓ、及びＳｅが例示される。窒化物半導体層ＧＮ２に不純物が含まれている場合、窒化物半導体層ＧＮ２の不純物濃度は、１×１０１７ｃｍ−３以下であるのが好ましい。その理由は、窒化物半導体層ＧＮ２における不純物濃度が高いと、窒化物半導体層ＧＮ２におけるキャリア（２次元電子ガス）が不純物によって散乱されてしまう（クーロン散乱）ためである。クーロン散乱が生じるとキャリア（２次元電子ガス）の移動度が低下し、窒化物半導体層ＧＮ２のシート抵抗が大きくなってしまう。
【００１８】
ＡｌＧａＮ層ＡＧＮにおけるＡｌの含有率（上記したｘ）は、０＜ｘ≦０．２である。ＡｌＧａＮ層ＡＧＮにおけるＡｌの含有率（上記したｘ）が低いとキャリア（２次元電子ガス）濃度が低くなってしまうことから、０．１≦ｘであるのが好ましい。ＡｌＧａＮ層ＡＧＮの厚さは、例えば２０ｎｍ以上５０ｎｍ以下である。
【００１９】
また、ＡｌＧａＮ層ＡＧＮには、ｐ型不純物が添加されていないのが好ましい。さらに、ＡｌＧａＮ層ＡＧＮには、ｎ型不純物が添加されていないのが好ましい。なお、ここで、ＡｌＧａＮ層ＡＧＮに不純物が添加されていない、とは、不純物濃度が分析方法における測定限界より低いことを意味している。
【００２０】
本図に示す例では、ＡｌＧａＮ層ＡＧＮには凹部ＴＲＮが形成されている。凹部ＴＲＮはＡｌＧａＮ層ＡＧＮを貫通しており、底部が窒化物半導体層ＧＮ２に入り込んでいる。窒化物半導体層ＧＮ２とＡｌＧａＮ層ＡＧＮの界面から、凹部ＴＲＮの底部までの距離は、例えば２ｎｍ以上１０ｎｍ以下である。そして、本図に示す半導体装置ＳＤが有するトランジスタは、上記した２次元電子ガスが凹部ＴＲＮによって分断されている。このため、このトランジスタは、ノーマリーオフ型となっている。ただし、半導体装置ＳＤが有するトランジスタは、上記した構造に限定されない。例えば半導体装置ＳＤは、ノーマリーオン型のトランジスタであってもよい。なお、本図に示す例において、ゲート絶縁膜ＧＩＮＳは凹部ＴＲＮを埋めているが、凹部ＴＲＮの底面及び側面に沿って形成されていてもよい。この場合、凹部ＴＲＮの残りの空間は、ゲート電極ＧＥによって埋まる。
【００２１】
また、半導体装置ＳＤは、例えばシリコンからなる基板ＳＵＢを用いて形成されている。詳細には、基板ＳＵＢ上には、第１バッファ層ＢＵＦ１、第２バッファ層ＢＵＦ２、及び下地層ＧＮ１が形成されている。第１バッファ層ＢＵＦ１は、ＡｌＮからなる核形成層であり、第２バッファ層ＢＵＦ２はＡｌＮ層とＧａＮ層を交互に繰り返し積層させた層である。ただし、基板ＳＵＢの種類によっては、第１バッファ層ＢＵＦ１及び第２バッファ層ＢＵＦ２の少なくとも一方は省略されても良い。
【００２２】
また、下地層ＧＮ１は窒化物半導体層ＧＮ２の下地となる層である。下地層ＧＮ１は、ＧａＮ層であっても良いし、ＡｌＧａＮ層であってもよいし、ＩｎＡｌＮ層であってもよい。なお、下地層ＧＮ１と窒化物半導体層ＧＮ２の境界は、組成比が段階的に変化することも可能であるため、明確でない場合もある。また、同様の理由で窒化物半導体層ＧＮ２とＡｌＧａＮ層ＡＧＮの境界が明確でない場合もある。
【００２３】
また、Ａｌ電極ＤＥ及びＡｌ電極ＳＥは、いずれもＡｌ層の単層となっている。ただし、Ａｌ層の上に、他の金属層を有していてもよい。また、このＡｌ層は、添加元素としてＳｉ、Ｃａ、及びＣｕの少なくとも一種を含んでいてもよい。なお、Ａｌ電極ＤＥ，ＳＥの厚さは、例えば２００ｎｍ以上６００ｎｍ以下である。
【００２４】
ＡｌＧａＮ層ＡＧＮのうちＡｌ電極ＤＥ，ＳＥが形成されていない領域の上には、絶縁層ＩＮＳＬが形成されている。絶縁層ＩＮＳＬは、ＡｌＧａＮ層ＡＧＮを保護するために設けられている。本図に示す例では、凹部ＴＲＮは、絶縁層ＩＮＳＬ及びＡｌＧａＮ層ＡＧＮを貫通している。そして、ゲート絶縁膜ＧＩＮＳ及びゲート電極ＧＥは、絶縁層ＩＮＳＬ上に形成されている。絶縁層ＩＮＳＬは、単層膜であってもよいし、積層膜であってもよい。絶縁層ＩＮＳＬを構成する材料には、ＡｌＧａＮ層ＡＧＮの最表層よりもバンドギャップが大きいこと、及び電子親和力がＡｌＧａＮ層ＡＧＮの最表層よりも小さいことが求められる。絶縁層ＩＮＳＬは、例えば、ＳｉＮ、ＳｉＯ２、ＳｉＯＮ、ＳｉＯＣ、Ａｌ２Ｏ３、ＨｆＯ２、及びＺｒＯ２の少なくとも一つにより形成されている。ただし、絶縁層ＩＮＳＬは、電流コラプスを抑制するために、ＡｌＧａＮ層ＡＧＮとの界面に形成される界面順位の密度が低くなる材料で形成されているのが好ましい。
【００２５】
次に、図２〜図４を用いて、半導体装置ＳＤの製造方法の一例を説明する。なお、Ａｌ電極ＤＥ，ＳＥを形成するタイミングは、図２〜４に示す例に限定されない。
【００２６】
まず、図２に示すように、基板ＳＵＢ上に第１バッファ層ＢＵＦ１、第２バッファ層ＢＵＦ２、及び下地層ＧＮ１を積層したものを準備する。次いで、下地層ＧＮ１上に窒化物半導体層ＧＮ２を形成し、さらに窒化物半導体層ＧＮ２上にＡｌＧａＮ層ＡＧＮを形成する。
【００２７】
次いで、図３に示すように、ＡｌＧａＮ層ＡＧＮ上に絶縁層ＩＮＳＬを形成し、絶縁層ＩＮＳＬ及びＡｌＧａＮ層ＡＧＮに、凹部ＴＲＮを形成する。次いで、凹部ＴＲＮ内にゲート絶縁膜ＧＩＮＳとなる絶縁膜を形成し、この絶縁膜上にゲート電極ＧＥとなる導電層を形成する。次いで、この導電層の上にレジストパターン（図示せず）を形成し、上記した導電層及び絶縁膜をエッチングする。これにより、ゲート絶縁膜ＧＩＮＳ及びゲート電極ＧＥが形成される。その後、レジストパターンを除去する。
【００２８】
次いで、図４に示すように、絶縁層ＩＮＳＬ上にレジストパターン（図示せず）を形成し、このレジストパターンをマスクとして絶縁層ＩＮＳＬをエッチングする。これにより、絶縁層ＩＮＳＬのうちＡｌ電極ＤＥ，ＳＥが形成されるべき領域には開口ＯＰ１，ＯＰ２が形成される。その後、レジストパターンを除去する。
【００２９】
その後、開口ＯＰ１，ＯＰ２内を含む領域にＡｌ膜を、例えば蒸着法やスパッタリング法を用いて形成する。次いで、Ａｌ膜上にレジストパターン（図示せず）を形成し、このレジストパターンをマスクとしてＡｌ膜をエッチングする。これにより、Ａｌ電極ＤＥ，ＳＥが形成される。そして、レジストパターンを除去する。
【００３０】
その後、ＡｌＧａＮ層ＡＧＮ及びＡｌ電極ＤＥ，ＳＥをアニ−ル処理する。このアニール処理は、例えばＲＴＡ（Rapid Thermal Anneal）である。このときの温度は、４５０℃以上である。またこのときの温度の上限は、例えば６００℃、好ましくは５５０℃である。この熱処理の上限値を５５０℃以下にすると、ゲート絶縁膜ＧＩＮＳとしてＡｌ２Ｏ３（酸化アルミニウム膜）を用いている場合、この酸化アルミニウム膜が再結晶化することを抑制できる。またアニ−ル処理の時間は、例えば１０分以上、好ましくは３０分以上である。このようにすると、熱処理の温度が５５０℃以下の場合であっても、Ａｌ電極ＤＥ，ＳＥとＡｌＧａＮ層ＡＧＮの接続をオーミック接続にすることができる。ただし、例えば熱処理の温度が４５０℃の場合は８０分以上の熱処理を加えないと低接触抵抗が均一に実現することが困難である。なお、アニール処理の時間は、例えば８０分以下であるのが好ましいことから、熱処理の温度は４７０℃以上が好ましい。
【００３１】
なお、このアニ−ル処理によって、Ａｌ電極ＤＥ，ＳＥの粒径は大きくなる。そして、Ａｌ電極ＤＥ，ＳＥの厚さ方向で見た場合、Ａｌ電極ＤＥ，ＳＥの結晶粒は、例えば一層となっている領域を有している。
【００３２】
次に、図５〜図７を用いて、本実施形態の効果について説明する。なお、これらの各図に示す例において、ＡｌＧａＮ層ＡＧＮには、ｎ型不純物及びｐ型不純物のいずれも添加されていない。さらに、ＡｌＧａＮ層ＡＧＮの厚さは１８ｎｍである。また、Ａｌ電極ＳＥとＡｌ電極ＤＥの間隔は、２．６μｍである。また、Ａｌ電極ＤＥとＡｌ電極ＳＥの間の電圧は、１Ｖである。
【００３３】
図５は、ＡｌＧａＮ層ＡＧＮにおけるｘの値（Ａｌ含有率）と、Ａｌ電極ＤＥとＡｌ電極ＳＥの間の抵抗の関係を示す図である。本図は、シミュレーションによって得られている。この図から、ｘが０．２５から下がるにつれて、接触抵抗が急激に低下することがわかる。この理由は、Ａｌ電極ＳＥ（又はＡｌ電極ＤＥ）の仕事関数とＡｌＧａＮ層ＡＧＮの仕事関数の差から生じるポテンシャルバリア（ショットキーバリア）が、ｘが低くなるにつれて小さくなり、Ａｌ電極ＳＥ（又はＡｌ電極ＤＥ）とＡｌＧａＮ層ＡＧＮの間を流れるトンネル電流が急激に増大するため、と考えられる。そして、ｘが０．２０以下になると、接触抵抗は十分に下がる。そしてｘ＝０．１８，０．１６，０．１５，０．１２，０．１０のそれぞれにおいて接触抵抗は十分に低い。例えば、Ａｌ電極ＤＥとＡｌ電極ＳＥの間のシート抵抗は、１．０Ω・ｍｍ以下になる。
【００３４】
従って、０＜ｘ≦０．２０において、Ａｌ電極ＤＥ，ＳＥはＡｌＧａＮ層ＡＧＮにオーミック接続する。なお、ＡｌＧａＮ層ＡＧＮにおいて、ｎ型不純物の濃度及びｐ型不純物の濃度を低くするとオーミック接続する理由の一つは、ＡｌＧａＮ層ＡＧＮにおいて、不純物イオンによる電荷の散乱が生じにくくなるため、と考えられる。
【００３５】
また、ＡｌＧａＮ層ＡＧＮにおいて、ｎ型不純物の濃度及びｐ型不純物の濃度を高くしてＡｌ電極ＤＥ，ＳＥとＡｌＧａＮ層ＡＧＮをオーミック接触することも考えられる。しかしこの場合、ドレイン電極（Ａｌ電極ＤＥ）に加わる電位の変化がＡｌＧａＮ層ＡＧＮ内を伝播しやすくなるため、トランジスタの耐圧が低下してしまう。これに対して本実施形態では、ＡｌＧａＮ層ＡＧＮにおけるｐ型不純物の濃度及びｎ型不純物の濃度がいずれも１×１０１６ｃｍ−３以下である。従って、トランジスタの耐圧も高くなる。
【００３６】
図６は、Ａｌ電極ＤＥとＡｌ電極ＳＥの間の抵抗と、熱処理温度との関係を示す図である。なお、熱処理時間は３０分である。この図から、熱処理温度が４７０℃以上の場合、十分にコンタクト抵抗を下げられることがわかる。具体的には、熱処理温度が４７０℃の場合、Ａｌ電極ＤＥとＡｌ電極ＳＥの間のシート抵抗は０．６Ω・ｍｍになり、熱処理温度が５００℃以上の場合、Ａｌ電極ＤＥとＡｌ電極ＳＥの間のシート抵抗は０．４Ω・ｍｍ以下になる。
【００３７】
図７は、熱処理時間と、Ａｌ電極ＤＥとＡｌ電極ＳＥの間の抵抗との関係を示す図である。処理温度が４５０℃の場合、熱処理時間が３０分ではコンタクト抵抗は十分低くならない。これに対して処理温度を５００℃の場合、熱処理時間が１０分でもコンタクト抵抗は十分低くなる。このことから、熱処理温度が５００℃以上の場合、処理時間が短くても、コンタクト抵抗を十分低くすることができる。
【００３８】
以上、本発明者によってなされた発明を実施の形態に基づき具体的に説明したが、本発明は前記実施の形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能であることはいうまでもない。
【符号の説明】
【００３９】
ＡＧＮ ＡｌＧａＮ層
ＢＵＦ１ 第１バッファ層
ＢＵＦ２ 第２バッファ層
ＤＥ Ａｌ電極
ＧＥ ゲート電極
ＧＩＮＳ ゲート絶縁膜
ＧＮ１ 下地層
ＧＮ２ 窒化物半導体層
ＩＮＳＬ 絶縁層
ＯＰ１ 開口
ＯＰ２ 開口
ＳＤ 半導体装置
ＳＥ Ａｌ電極
ＳＵＢ 基板
ＴＲＮ 凹部
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
2015035534.tif 000007
【図６】
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【図７】
2015035534.tif 000009