(57)【要約】      （修正有）【課題】レイアウトの自由度の向上及びノイズの低減の少なくとも一方が可能な半導体装置を提供する。【解決手段】半導体装置は、第１電極板６０又は第２電極板１００と絶縁部材７０とを接着させる接着層９０を備える。絶縁部材７０は、誘電体フィラー１３２が添加された第１樹脂材１３０を含む。接着層９０は、誘電体フィラー１３２よりも平均粒径が小さい導電性フィラー１４２が添加された第２樹脂材１４０を含む。第１電極板６０、第２電極板１００、絶縁部材７０及び接着層９０によりコンデンサ１１０ａが構成される。【選択図】図７
2015023231.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
正極端子及び負極端子の間において第１スイッチング素子及び第２スイッチング素子を直列に接続した１つ又は複数の直列回路を備える半導体装置であって、
前記半導体装置は、
前記正極端子自体若しくは前記負極端子自体又は前記正極端子若しくは前記負極端子に電気的に接続された電極板からなる第１電極板とグラウンド側の第２電極板とにより挟まれた絶縁部材と、
前記第１電極板又は前記第２電極板と前記絶縁部材とを接着させる接着層と
を備え、
前記絶縁部材は、誘電体フィラーが添加された第１樹脂材を含み、
前記接着層は、前記誘電体フィラーよりも平均粒径が小さい導電性フィラーが添加された第２樹脂材を含み、
前記第１電極板、前記第２電極板、前記絶縁部材及び前記接着層によりコンデンサが構成される
ことを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
請求項１記載の半導体装置において、
前記絶縁部材は、平均粒径が異なる第１誘電体フィラー及び第２誘電体フィラーを前記誘電体フィラーとして備え、
前記第２誘電体フィラーの平均粒径は、前記第１誘電体フィラーの平均粒径よりも小さく、
前記導電性フィラーの平均粒径は、前記第２誘電体フィラーの平均粒径よりも小さい
ことを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
請求項１又は２記載の半導体装置において、
前記第１樹脂材と前記第２樹脂材とは、同じ樹脂材によって構成される
ことを特徴とする半導体装置。
【請求項４】
請求項１〜３のいずれか１項に記載の半導体装置において、
前記第２樹脂材の粘度は、前記第１樹脂材の粘度よりも小さい
ことを特徴とする半導体装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、複数のスイッチング素子を直列に接続した１つ又は複数の直列回路を備える半導体装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
複数のスイッチング素子を直列に接続した直列回路を備える半導体装置が開発されている。このような半導体装置として、例えば、インバータ、コンバータ、ＮＡＮＤ型フラッシュメモリが存在する（例えば、特許文献１）。
【０００３】
特許文献１では、コモンモード電流を抑制することによって伝導ノイズ及び放射ノイズを小さくすることができる電力変換装置のインバータモジュールを提供することが目的とされている（要約、［００１０］）。この目的を達成するため、特許文献１では、スイッチング素子と逆並列ダイオードとを１アームとして上下に２アーム５、６を直列に接続した１相分（又は多相分）のスイッチングアーム直列回路を１つのパッケージに含み、このパッケージの外側に冷却用の銅ベース１が配置されてなる電力変換装置のインバータモジュール２５ａにおいて、スイッチングアーム直列回路の下アーム６が実装される銅パターン４の面積を、上アーム５が実装される銅パターン３の面積より小さくする（要約）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００７−１８１３５１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
上記のように、特許文献１では、下アーム６が実装される銅パターン４の面積を、上アーム５が実装される銅パターン３の面積より小さくすることでコモンモード電流を抑制することによって伝導ノイズ及び放射ノイズを小さくすることを企図している。しかしながら、特許文献１の構成では、面積（すなわち、レイアウト）の自由度が低下するおそれがあると共に、ノイズを低減する方法には更なる改善の余地がある。
【０００６】
本発明は、このような課題を考慮してなされたものであり、レイアウトの自由度の向上及びノイズの低減の少なくとも一方が可能な半導体装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明に係る半導体装置は、正極端子及び負極端子の間において第１スイッチング素子及び第２スイッチング素子を直列に接続した１つ又は複数の直列回路を備えるものであって、前記半導体装置は、前記正極端子自体若しくは前記負極端子自体又は前記正極端子若しくは前記負極端子に電気的に接続された電極板からなる第１電極板とグラウンド側の第２電極板とにより挟まれた絶縁部材と、前記第１電極板又は前記第２電極板と前記絶縁部材とを接着させる接着層とを備え、前記絶縁部材は、誘電体フィラーが添加された第１樹脂材を含み、前記接着層は、前記誘電体フィラーよりも平均粒径が小さい導電性フィラーが添加された第２樹脂材を含み、前記第１電極板、前記第２電極板、前記絶縁部材及び前記接着層によりコンデンサが構成されることを特徴とする。
【０００８】
本発明によれば、レイアウトの自由度の向上又は放射ノイズの抑制を実現することが可能となる。
【０００９】
すなわち、本発明によれば、第１電極板又は第２電極板と絶縁部材とを接着させる接着層は、誘電体フィラーよりも平均粒径が小さい導電性フィラーが添加された第２樹脂材を含む。このため、第１電極板又は第２電極板と絶縁部材との間における隙間に導電性フィラー又は第２樹脂材が入り込む。従って、コンデンサに所望の容量特性を与えるために、平均粒径が比較的大きい誘電体フィラーを絶縁部材（第１樹脂材）に添加する場合でも、第１電極板又は第２電極板と絶縁部材との間における隙間の発生を抑制することが可能となる。よって、絶縁部材（第１樹脂材）への誘電体フィラーの添加量を多くした場合でも、上記のような隙間の発生による容量特性の低下を防ぐことができる。その結果、正極端子又は負極端子における浮遊容量を相対的に大きくすることが可能となる。
【００１０】
従って、例えば、正極端子とグラウンドの間に絶縁部材及び接着層が設けられている場合、出力端子の面積を正極端子の面積よりも小さくしなくても、正極端子における浮遊容量を大きくすることが可能となる。或いは、出力端子の面積を正極端子の面積よりも小さくする代わりに、正極端子とグラウンドとの間を一定距離未満としなくても、正極端子における浮遊容量を大きくすることが可能となる。よって、レイアウトの自由度を向上することができる。
【００１１】
また、上記のように正極端子又は負極端子における浮遊容量を大きくすることで、第１スイッチング素子と第２スイッチング素子との中点における浮遊容量が充電される際に、正極端子又は負極端子における浮遊容量の電荷が充電されることとなる。このため、中点における浮遊容量に起因するコモンモード電流が流れる経路が短縮され、放射ノイズを抑制することが可能となる。
【００１２】
前記絶縁部材は、平均粒径が異なる第１誘電体フィラー及び第２誘電体フィラーを前記誘電体フィラーとして備え、前記第２誘電体フィラーの平均粒径は、前記第１誘電体フィラーの平均粒径よりも小さく、前記導電性フィラーの平均粒径は、前記第２誘電体フィラーの平均粒径よりも小さくてもよい。
【００１３】
これにより、絶縁部材が、平均粒径が異なる第１誘電体フィラー及び第２誘電体フィラーを誘電体フィラーとして備える場合であっても、第１電極板又は第２電極板と絶縁部材（第１樹脂材、第１誘電体フィラー又は第２誘電体フィラー）との間に導電性フィラーを行き渡らせることが容易になる。このため、第１電極板又は第２電極板と絶縁部材とを良好に接続することができると共に、コンデンサの容量成分が低下してしまうことを抑制することが可能となる。
【００１４】
前記第１樹脂材と前記第２樹脂材とは、同じ樹脂材によって構成してもよい。これにより、より良好な接着性を実現することが可能となる。
【００１５】
前記第２樹脂材の粘度は、前記第１樹脂材の粘度よりも小さくてもよい。これにより、接着層を構成する導電性フィラー及び第２樹脂材を、第１電極板又は第２電極板と絶縁部材（第１樹脂材、第１誘電体フィラー又は第２誘電体フィラー）との間に行き渡らせることが容易になる。このため、第１電極板又は第２電極板と絶縁部材との間における隙間の発生をより効果的に抑制することが可能となる。
【発明の効果】
【００１６】
本発明によれば、レイアウトの自由度の向上又は放射ノイズの抑制を実現することが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【００１７】
【図１】本発明の一実施形態に係る半導体装置としてのインバータを搭載した駆動システムの回路図である。
【図２】前記インバータに含まれる１つのアーム直列回路の一部及びその周辺の簡略的な外観斜視図である。
【図３】図２のＩＩＩ−ＩＩＩ線における断面図である。
【図４】図４Ａは、スイッチング素子の第１の面を簡略的に示す外観構成図であり、図４Ｂは、スイッチング素子の第２の面を簡略的に示す外観構成図である。
【図５】１つの前記アーム直列回路に着目して複数の地点での浮遊容量を示す回路図である。
【図６】第１及び第２絶縁基板を製造する際の様子の一部を簡略的に示す図である。
【図７】図３の一部を２段階で拡大して簡略的に示す図である。
【図８】図８Ａは、第１比較例を示す図であり、図８Ｂは、第２比較例を示す図である。
【図９】ベタパターン、第１絶縁基板及び正極端子を積層させる際のフローチャートである。
【図１０】第１変形例に係る半導体装置としてのインバータを搭載した回路の回路図である。
【図１１】第２変形例に係る半導体装置としてのインバータに含まれる１つのアーム直列回路の一部及びその周辺の簡略的な外観構成図である。
【発明を実施するための形態】
【００１８】
Ｉ．一実施形態
Ａ．構成の説明
１．駆動システム１０の構成
（１−１．全体構成）
図１は、本発明の一実施形態に係る半導体装置としてのインバータ１６を搭載した駆動システム１０の回路構成図である。図１に示すように、駆動システム１０は、インバータ１６に加え、モータ１２と、直流電源１４（以下「電源１４」ともいう。）と、コンデンサ１８と、電子制御装置２０（以下「ＥＣＵ２０」という。）とを有する。
【００１９】
（１−２．モータ１２）
モータ１２は、３相交流ブラシレス式であり、ＥＣＵ２０に制御されるインバータ１６を介して電源１４から電力が供給される。そして、当該電力に応じた駆動力を生成する。モータ１２は、例えば、車両の走行モータ又は電動パワーステアリング装置のアシスト力生成用のモータに用いることができる。或いは、後述するような別の用途に用いることも可能である。
【００２０】
（１−３．直流電源１４）
直流電源１４は、駆動システム１０の用途に応じて適宜選択されるものであり、一次電池又は二次電池のいずれともすることができる。例えば、モータ１２が比較的高出力を要する用途で用いられる場合（例えば、車両の走行用モータとして用いられる場合）、電源１４は、リチウムイオン２次電池、ニッケル水素２次電池又はキャパシタ等の蓄電装置（エネルギストレージ）とすることができる。また、モータ１２が比較的低出力を要する用途で用いられる場合（例えば、車両の電動パワーステアリング装置として用いられる場合）、電源１４は、鉛蓄電池等の蓄電装置とすることができる。
【００２１】
（１−４．インバータ１６）
インバータ１６は、３相ブリッジ型の構成とされて、直流／交流変換を行い、電源１４からの直流を３相の交流に変換してモータ１２に供給する。
【００２２】
図１に示すように、インバータ１６は、３相のアーム直列回路３０ｕ、３０ｖ、３０ｗを有する。Ｕ相のアーム直列回路３０ｕは、スイッチング素子３４ｕ（以下「上ＳＷ素子３４ｕ」という。）及び逆並列ダイオード３６ｕ（以下「上ダイオード３６ｕ」）を有する上アーム３２ｕと、スイッチング素子４０ｕ（以下「下ＳＷ素子４０ｕ」という。）及び逆並列ダイオード４２ｕ（以下「下ダイオード４２ｕ」という。）とを有する下アーム３８ｕとで構成される。
【００２３】
同様に、Ｖ相のアーム直列回路３０ｖは、上スイッチング素子３４ｖ（以下「上ＳＷ素子３４ｖ」という。）及び逆並列ダイオード３６ｖ（以下「上ダイオード３６ｖ」という。）を有する上アーム３２ｖと、下スイッチング素子４０ｖ（以下「下ＳＷ素子４０ｖ」という。）及び逆並列ダイオード４２ｖ（以下「下ダイオード４２ｖ」という。）を有する下アーム３８ｖとで構成される。Ｗ相のアーム直列回路３０ｗは、上スイッチング素子３４ｗ（以下「上ＳＷ素子３４ｗ」という。）と逆並列ダイオード３６ｗ（以下「上ダイオード３６ｗ」という。）を有する上アーム３２ｗと、下スイッチング素子４０ｗ（以下「下ＳＷ素子４０ｗ」という。）と逆並列ダイオード４２ｗ（以下「下ダイオード４２ｗ」という。）を有する下アーム３８ｗとで構成される。
【００２４】
上ＳＷ素子３４ｕ、３４ｖ、３４ｗと下ＳＷ素子４０ｕ、４０ｖ、４０ｗは、例えば、１つ又は複数のＭＯＳＦＥＴ（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor）又は絶縁ゲートバイポーラトランジスタ（ＩＧＢＴ）等のスイッチング素子から構成することができる。同様に、上ダイオード３６ｕ、３６ｖ、３６ｗ及び下ダイオード４２ｕ、４２ｖ、４２ｗはそれぞれ１つ又は複数のダイオードから構成することができる。
【００２５】
なお、以下では、各アーム直列回路３０ｕ、３０ｖ、３０ｗをアーム直列回路３０と総称し、各上アーム３２ｕ、３２ｖ、３２ｗを上アーム３２と総称し、各下アーム３８ｕ、３８ｖ、３８ｗを下アーム３８と総称し、各上ＳＷ素子３４ｕ、３４ｖ、３４ｗを上ＳＷ素子３４と総称し、各下ＳＷ素子４０ｕ、４０ｖ、４０ｗを下ＳＷ素子４０と総称し、各上ダイオード３６ｕ、３６ｖ、３６ｗを上ダイオード３６と総称し、各下ダイオード４２ｕ、４２ｖ、４２ｗを下ダイオード４２と総称する。
【００２６】
各アーム直列回路３０において、上アーム３２ｕ、３２ｖ、３２ｗと下アーム３８ｕ、３８ｖ、３８ｗの中点４４ｕ、４４ｖ、４４ｗは、モータ１２の巻線４６ｕ、４６ｖ、４６ｗに連結されている。以下では、中点４４ｕ、４４ｖ、４４ｗを中点４４と総称し、巻線４６ｕ、４６ｖ、４６ｗを巻線４６と総称する。
【００２７】
各上ＳＷ素子３４及び各下ＳＷ素子４０は、ＥＣＵ２０からの駆動信号ＵＨ、ＶＨ、ＷＨ、ＵＬ、ＶＬ、ＷＬにより駆動される。
【００２８】
（１−５．ＥＣＵ２０）
ＥＣＵ２０は、図示しない各種センサからの出力値に基づき、モータ１２の出力を制御する。ＥＣＵ２０は、ハードウェアの構成として、入出力部、演算部及び記憶部（いずれも図示せず）を有する。
【００２９】
２．インバータ１６の詳細
（２−１．全体構成）
図２は、１つのアーム直列回路３０の一部及びその周辺の簡略的な外観斜視図である。図３は、図２のＩＩＩ−ＩＩＩ線における断面図である。本実施形態では、図２及び図３に示すアーム直列回路３０を３組並列に配置することによりインバータ１６を構成する（図１参照）。なお、図２及び図３において、「Ｐ」は正極側を示し、「Ｎ」は負極側を示し、「ＯＵＴ」は出力側を示す。
【００３０】
図２及び図３では、アーム直列回路３０の上ＳＷ素子３４及び下ＳＷ素子４０を示している一方、上ダイオード３６及び下ダイオード４２については図示を省略している。
【００３１】
本実施形態において、上ＳＷ素子３４と下ＳＷ素子４０には、同一の仕様のスイッチング素子（例えば、ＭＯＳＦＥＴ又はＩＧＢＴ）が用いられる。また、図４Ａ及び図４Ｂに示すように、本実施形態の上ＳＷ素子３４と下ＳＷ素子４０は、第１の面５０（ドレイン面）に正極電極５２が形成され、第１の面５０と反対側の第２の面５４（ソース面）に負極電極５６及びゲート電極５８（制御電極）が形成される。なお、図４Ａ中の「Ｐ」は正極側を示し、図４Ｂ中の「Ｎ」は負極側を示す。
【００３２】
以下では、上ＳＷ素子３４と下ＳＷ素子４０の構成要素を区別するため、上ＳＷ素子３４の正極電極５２、負極電極５６、ゲート電極５８を、上正極電極５２ｕｐ、上負極電極５６ｕｐ、上ゲート電極５８ｕｐと呼び、下ＳＷ素子４０の正極電極５２、負極電極５６、ゲート電極５８を、下正極電極５２ｌｏｗ、下負極電極５６ｌｏｗ、下ゲート電極５８ｌｏｗと呼ぶ。なお、図２及び図３では、正極電極５２、負極電極５６、ゲート電極５８の図示を省略している。
【００３３】
図２及び図３に示すように、上ＳＷ素子３４と下ＳＷ素子４０の周囲には、インバータ１６の正極端子６０、負極端子６２及び出力端子６４が配置されている。正極端子６０は、第１絶縁基板７０上に形成されている。負極端子６２は、第２絶縁基板７２上に形成されている。出力端子６４は、第３絶縁基板７４上に形成されている。
【００３４】
第１絶縁基板７０は、正極端子６０をヒートシンク８０から絶縁する。第２絶縁基板７２は、負極端子６２をヒートシンク８０から絶縁するものであり、全体として第１絶縁基板７０と組成が同じである。第３絶縁基板７４は、出力端子６４をヒートシンク８０から絶縁するものであり、第１絶縁基板７０及び第２絶縁基板７２と組成が異なる。第１絶縁基板７０、第２絶縁基板７２及び第３絶縁基板７４は、ヒートシンク８０上に形成されている。ヒートシンク８０は、インバータ１６を冷却するものであり、グラウンドＧＮＤ（基準電位）に接続されている。
【００３５】
正極端子６０、負極端子６２及び出力端子６４は、板状の導電部材（例えば、銅板）である。正極端子６０は、アーム直列回路３０の正極側に接続され、負極端子６２は、アーム直列回路３０の負極側に接続され、出力端子６４は、アーム直列回路３０の出力側に接続される（図１参照）。
【００３６】
正極端子６０は、接着層９０を介して第１絶縁基板７０に固定されている。負極端子６２は、接着層９０を介して第２絶縁基板７２に固定されている。出力端子６４は、ＤＢＣ（Direct Bonding Copper）として第３絶縁基板７４に直接形成されている。
【００３７】
第１絶縁基板７０及び第２絶縁基板７２のうちヒートシンク８０側の面は、接着層９０を介して銅製のベタパターン１００、１０２に固定されている。第３絶縁基板７４のうちヒートシンク８０側の面には、銅製のベタパターン１０４（図３）がＤＢＣとして形成されている。後述するように、第３絶縁基板７４と出力端子６４又はベタパターン１０４の接合に、別の接着層を用いてもよい。
【００３８】
さらに、ベタパターン１００、１０２、１０４とヒートシンク８０の間には、半田、銅板及びサーマルグリス（いずれも図示せず）が配置されている。すなわち、ベタパターン１００、１０２、１０４は、前記半田を介して前記銅板に接合され、前記銅板は前記サーマルグリスを介してヒートシンク８０に支持されている。
【００３９】
上記のような構成により、正極端子６０（第１電極板）、第１絶縁基板７０（絶縁部材）、接着層９０及びベタパターン１００（第２電極板）によりコンデンサ１１０ａが構成される。同様に、負極端子６２（第１電極板）、第２絶縁基板７２（絶縁部材）、接着層９０及びベタパターン１０２（第２電極板）によりコンデンサ１１０ｂが構成される。
【００４０】
（２−２．上アーム３２）
各上ＳＷ素子３４の正極電極５２（上正極電極５２ｕｐ）は、半田（図示せず）を介してインバータ１６の正極端子６０に接合されている（図２及び図３参照）。これらの接合はろう付け等の接合方法であってもよい。本実施形態では、上正極電極５２ｕｐと正極端子６０の接合及び上ダイオード３６の正極側と正極端子６０の接合にワイヤボンディングやバスバー等の配線（配電部材）は用いられない。
【００４１】
各上ＳＷ素子３４の負極電極５６は、ワイヤボンディング１２０を介してインバータ１６の出力端子６４に接続されている。
【００４２】
（２−３．下アーム３８）
各下ＳＷ素子４０の正極電極５２（下正極電極５２ｌｏｗ）は、半田（図示せず）を介してインバータ１６の出力端子６４に接合されている（図２及び図３参照）。これらの接合はろう付け等の接合方法であってもよい。本実施形態では、下正極電極５２ｌｏｗと出力端子６４の接合にワイヤボンディングやバスバー等の配線（配線部材）は用いられない。
【００４３】
各下ＳＷ素子４０の負極電極５６（下負極電極５６ｌｏｗ）は、ワイヤボンディング１２２を介してインバータ１６の負極端子６２に接続されている。
【００４４】
Ｂ．浮遊容量
図５は、１つのアーム直列回路３０に着目して複数の地点Ｐ１〜Ｐ３での浮遊容量Ｃ１〜Ｃ３を示す回路図である。以下では、地点Ｐ１〜Ｐ３における浮遊容量Ｃ１〜Ｃ３について説明する。
【００４５】
アーム直列回路３０を動作させると、地点Ｐ１〜Ｐ３とグラウンドＧＮＤ（ヒートシンク８０）間において、浮遊容量Ｃ１〜Ｃ３が発生する可能性がある。これらの浮遊容量Ｃ１〜Ｃ３が存在するため、上ＳＷ素子３４及び下ＳＷ素子４０のスイッチング時にノイズがグラウンドＧＮＤ（ヒートシンク８０）を介してコモン（電源１４側又は他の機器側）に伝わり、伝導ノイズ及び放射ノイズが発生する可能性がある（伝導ノイズ及び放射ノイズの発生の仕組みについては、例えば、特許文献１の段落［０００８］、［０００９］参照）。
【００４６】
一般に、キャパシタのインピーダンスＸｃは、次の式（１）により求められる。
Ｘｃ＝１／（ｊωＣ）      ・・・（１）
【００４７】
上記において、ｊは虚数単位、ωは角周波数［Ｈｚ］、Ｃは静電容量［Ｆ］である。
【００４８】
上記式（１）によれば、アーム直列回路３０の場合、上ＳＷ素子３４及び下ＳＷ素子４０のスイッチング周波数［Ｈｚ］が高くなるほど浮遊容量Ｃ１〜Ｃ３に電流が流れ易くなるが、静電容量Ｃを小さくすることで浮遊容量Ｃ１〜Ｃ３に電流を流れ難くすることができる。特に、スイッチングにより電位変動が起こる地点Ｐ２（中点４４を構成する出力端子６４）とグラウンドＧＮＤ（ヒートシンク８０）との間の浮遊容量Ｃ２からコモン側へ流れるコモンモード電流Ｉｃｏｍの影響が大きいため、浮遊容量Ｃ２のインピーダンスを大きくすることが重要である。
【００４９】
一方、浮遊容量Ｃ１、Ｃ３については、これらの値を大きくしておくと、浮遊容量Ｃ２が充電される際に、浮遊容量Ｃ１、Ｃ３の電荷が充電されることとなる。このため、浮遊容量Ｃ２に起因するコモンモード電流Ｉｃｏｍが流れる経路が短縮され、放射ノイズを抑制することが可能となる。
【００５０】
また、一般に、平行平板（極板）間の静電容量Ｃ［Ｆ］は、次の式（２）により表される。
Ｃ＝ε０・εs・（Ｓ／ｄ）      ・・・（２）
【００５１】
上記式（２）において、ε０は、真空の誘電率［Ｆ／ｍ］、εsは、比誘電率、Ｓは、極板の面積［ｍ2］、ｄは、平行平板（極板）間の間隙［ｍ］を示す。上記式（２）によれば、比誘電率εsが大きくなるほど、静電容量Ｃは大きくなる。
【００５２】
Ｃ．第１絶縁基板７０、第２絶縁基板７２、第３絶縁基板７４及び接着層９０の材料
１．背景
上記のように、浮遊容量Ｃ２を小さくすることが好ましい一方、浮遊容量Ｃ１、Ｃ３は大きくする方が好ましい場合がある。そこで、本実施形態では、第１絶縁基板７０及び第２絶縁基板７２は、絶縁性を有する樹脂材料からなる母材１３０（以下「第１樹脂材１３０」ともいう。）に、誘電率を調整するための第１誘電体フィラー１３２及び第２誘電体フィラー１３４（添加剤）を加え、ミキサ１３６等により混練した後、シート１３８（第１シート）を形成して用いる（図６参照）。そのような樹脂材料としては、例えば、エポキシ樹脂、イミド樹脂、ポリフェニレンエーテル（ＰＰＥ）、ビスマレイミドトリアジン（ＢＴレジン）、フッ素樹脂、シリコーン樹脂、フェノール樹脂等を用いることができる（例えば、特開平１０−１０７４４８号公報、特開２０１１−１００７５７号公報参照）。
【００５３】
第３絶縁基板７４は、絶縁性を有する樹脂材料からなる母材１３０に、誘電率を調整するための図示しない第３誘電体フィラー（添加剤）を加え、ミキサ１３６等により混練した後、図示しないシート（第２シート）を形成して用いる。
【００５４】
２．第１絶縁基板７０
第１絶縁基板７０と一緒に積層している正極端子６０では、浮遊容量Ｃ３（図５）が生じる。このため、第１絶縁基板７０は、浮遊容量Ｃ３を大きくするために誘電率を大きくすることが好ましい。
【００５５】
そこで、第１絶縁基板７０に含まれる第１誘電体フィラー１３２及び第２誘電体フィラー１３４（以下それぞれ「第１フィラー１３２」及び「第２フィラー１３４」ともいう。）は、誘電率が比較的大きい材料から構成する。これにより、浮遊容量Ｃ３を大きくし、放射ノイズを小さくすることが可能となる。
【００５６】
第１フィラー１３２及び第２フィラー１３４は、例えば、チタン酸バリウム（ＢａＴｉＯ3）、チタン酸ストロンチウム（ＳｒＴｉＯ3）等の単体又は混合体からなるフィラーを含む強誘電体コンポジット材料で構成する。そのような強誘電体コンポジット材料としては、例えば、特開２００１−０６８８０３号公報、特開平０６−１７２６１８号公報に記載のものを用いることができる。強誘電体コンポジット材料の比誘電率εsは、例えば、２０以上であることが好ましい。なお、ここでの強誘電体コンポジット材料を高熱伝導材料とすることで、熱伝導性を高めることも可能である。
【００５７】
本実施形態において、第１フィラー１３２は、第２フィラー１３４よりも平均粒径が大きい。第１フィラー１３２の平均粒径は、例えば、３〜７μｍのいずれかであり、第２フィラー１３４の平均粒径は、例えば、０．０５〜０．７μｍのいずれかである。ここにいう「平均粒径」は、例えば、各フィラーの最大粒径又は最小粒径の平均値を示す。或いは、「平均粒径」は、レーザー回折・散乱法によって求めた粒度分布における積算値５０％での粒径を意味してもよい。
【００５８】
第１フィラー１３２及び第２フィラー１３４の合計を１００体積％としたときの第１フィラー１３２の割合は、例えば、７０〜８０体積％とすることができる。
【００５９】
３．第２絶縁基板７２
本実施形態では、第２絶縁基板７２は、上ＳＷ素子３４又は下ＳＷ素子４０のいずれとも積層していない。また、第２絶縁基板７２と一緒に積層している負極端子６２では、浮遊容量Ｃ１（図５）が生じる。このため、第２絶縁基板７２は、浮遊容量Ｃ１を大きくするために誘電率を大きくすることが好ましい。
【００６０】
そこで、第２絶縁基板７２は、第１絶縁基板７０と同じく強誘電体コンポジット材料である第１フィラー１３２及び第２フィラー１３４から構成する。これにより、浮遊容量Ｃ１を大きくし、放射ノイズを小さくすることが可能となる。
【００６１】
４．第３絶縁基板７４
第３絶縁基板７４と一緒に積層している出力端子６４では、浮遊容量Ｃ２（図５）が生じる。このため、浮遊容量Ｃ２を小さくするために誘電率を小さくすることが好ましい。
【００６２】
そこで、第３絶縁基板７４に含まれる第３誘電体フィラー（以下「第３フィラー」ともいう。）は、誘電率が比較的小さい材料から構成する。これにより、浮遊容量Ｃ２を小さくし、コモンモード電流Ｉｃｏｍを小さくすることが可能となる。
【００６３】
第３フィラーは、例えば、シリカ（ＳｉＯ3）、窒化ホウ素（ＢＮ）等の単体又は混合体からなるフィラーを含む低誘電率コンポジット材料で構成する。そのような低誘電率コンポジット材料としては、例えば、特開平１０−１０７４４８号公報、特開２００５−１５９０３９号公報に記載のものを用いることができる。この場合、例えば、低誘電率コンポジット材料の比誘電率εsは、５未満であることが好ましい。
【００６４】
５．接着層９０
図７は、図３の一部（接着層９０及びその周辺）を２段階で拡大して簡略的に示す図である。図７は、正極端子６０及びベタパターン１００と第１絶縁基板７０との間に形成される接着層９０及びその周辺を示しているが、その他の接着層９０についても同様の構成を有する。
【００６５】
図８Ａ及び図８Ｂは、第１及び第２比較例を示す図であり、いずれも図７に対応する。第１比較例及び第２比較例のいずれにおいても、第１絶縁基板１７０（本実施形態の第１絶縁基板７０に対応するもの）には、第１フィラー１３２が用いられるが、第２フィラー１３４及び接着層９０は用いられない。第１比較例では、第１フィラー１３２の添加量が相対的に少なく、第２比較例では、第１フィラー１３２の添加量が相対的に多い。
【００６６】
図８Ａの第１比較例の場合、第１フィラー１３２の添加量が少ないため、第１絶縁基板１７０（絶縁部材）とこれに向かい合う電極板（正極端子６０又はベタパターン１００）との間の密着性を高めることができるが、所望の容量特性を得られない可能性がある。
【００６７】
その一方、図８Ｂの第２比較例の場合、第１フィラー１３２の添加量が多いため、第１フィラー１３２の添加量の観点からすれば、所望の容量特性を得ることができる可能性が高くなる。しかしながら、第１フィラー１３２の密度が高いことから、第１絶縁基板１７０（絶縁部材）とこれに向かい合う電極板（正極端子６０又はベタパターン１００）との間に隙間２００が形成されてしまう。その結果、隙間２００の影響により容量特性が低下してしまう。
【００６８】
また、第１絶縁基板１７０を構成する母材１３０を硬化する前において母材１３０の粘度が高く、シート状に塗布した場合にも隙間２００が生じ易くなる。
【００６９】
さらに、第１フィラー１３２の添加量を増量すると、母材１３０が接着剤として機能する領域が不足し、第１絶縁基板１７０と向かい合う電極板（正極端子６０又はベタパターン１００）との充分な密着が得られない可能性も生じる。
【００７０】
さらにまた、第１絶縁基板１７０と向かい合う電極板（正極端子６０又はベタパターン１００）の面粗さが大きいときも、第１絶縁基板１７０との接合後に隙間２００が生じ易くなる。
【００７１】
そこで、本実施形態では接着層９０を設けることにより、上記のような問題を解決する。
【００７２】
図７に示すように、接着層９０は、母材としての樹脂材（第２樹脂材１４０）と、第２樹脂材１４０に添加された導電性フィラー１４２とを含む。第２樹脂材１４０は、例えば、第１樹脂材１３０と同じ樹脂材とする。但し、第２樹脂材１４０は、第１樹脂材１３０と異なる樹脂材としてもよい。この場合、上述した第１樹脂材１３０として採用し得る材料のうち第１樹脂材１３０と異なるものを用いることができる。
【００７３】
また、第２樹脂材１４０は、例えば、第１樹脂材１３０よりも濃度を低くすることで第１樹脂材１３０よりも粘度を低くする。これにより、第２樹脂材１４０が第１樹脂材１３０又は第１誘電体フィラー１３２若しくは第２誘電体フィラー１３４の間に入り込み易くすることが可能となる。
【００７４】
導電性フィラー１４２は、例えば、銀、ニッケル等の金属粒子とすることができる。或いは、導電性フィラー１４２は、カーボン粒子としてもよい。
【００７５】
本実施形態の導電性フィラー１４２は、第１フィラー１３２及び第２フィラー１３４よりも平均粒径が小さい。これにより、導電性フィラー１４２は、第１樹脂材１３０又は第１フィラー１３２若しくは第２フィラー１３４の間に入り込み易くなる。その結果、隙間２００の発生を抑制することが可能となる。これにより、コンデンサ１１０ａ、１１０ｂにおける電荷の分布が均一になるため、絶縁信頼性の向上が期待できる。
【００７６】
加えて、第１フィラー１３２及び第２フィラー１３４よりも導電性フィラー１４２の平均粒径が小さい場合、第１絶縁基板７０及び第２絶縁基板７２（絶縁部材）に向かい合う電極板（正極端子６０、負極端子６２、ベタパターン１００、１０２）との電気的な接触面積が増す。これにより、有効な強誘電体層が増え、コンデンサ１１０ａ、１１０ｂの静電容量を増加させることができる。
【００７７】
導電性フィラー１４２の平均粒径は、例えば、０．０１〜０．３μｍのいずれかとすることができる。導電性フィラー１４２の最大粒径は、少なくとも第１フィラー１３２の最小粒径よりも小さいことが好ましく、さらには第２フィラー１３４の最小粒径よりも小さいことが好ましい。
【００７８】
Ｄ．製造方法
図９は、ベタパターン１００、第１絶縁基板７０及び正極端子６０を積層させる際のフローチャートである。ベタパターン１０２、第２絶縁基板７２及び負極端子６２を積層させる場合も同様である。
【００７９】
ステップＳ１において、接着層９０の材料（導電性フィラー１４２を添加した第２樹脂材１４０）をベタパターン１００に塗り、接着層９０を形成する。ステップＳ２において、半硬化した第１絶縁基板７０（第１樹脂材１３０、第１フィラー１３２及び第２フィラー１３４）をベタパターン１００に塗る。ステップＳ３において、接着層９０の材料（導電性フィラー１４２を添加した第２樹脂材１４０）を第１絶縁基板７０に塗り、接着層９０を形成する。
【００８０】
ステップＳ４において、正極端子６０を第１絶縁基板７０上に配置する。本実施形態の正極端子６０は、板状部材であるが、シート状（箔状）であってもよい。或いは、スパッタリング又はめっきにより第１絶縁基板７０上に正極端子６０を形成することもできる。但し、板状部材としての正極端子６０を用いた場合の方が、正極端子６０の寸法を大きくし易いため、より大きな電流を流すこと又は放熱性を向上させることが容易となる。
【００８１】
ステップＳ５において、第１絶縁基板７０（第１樹脂材１３０）及び接着層９０（第２樹脂材１４０）を熱硬化させる。本実施形態において第１樹脂材１３０及び第２樹脂材１４０を熱硬化させる温度は、半田を用いて正極端子６０と第１絶縁基板７０を接合する場合の温度よりも低い。
【００８２】
Ｅ．本実施形態の効果
以上のように、本実施形態によれば、コンデンサ１１０ａ、１１０ｂの構成により、レイアウトの自由度の向上又は放射ノイズの抑制を実現することが可能となる。
【００８３】
すなわち、本実施形態によれば、正極端子６０（第１電極板）又はベタパターン１００（第２電極板）と第１絶縁基板７０（絶縁部材）とを接着させる接着層９０は、第１誘電体フィラー１３２及び第２誘電体フィラー１３４よりも平均粒径が小さい導電性フィラー１４２が添加された第２樹脂材１４０を含む。このため、正極端子６０又はベタパターン１００と第１絶縁基板７０との間における隙間２００に導電性フィラー１４２又は第２樹脂材１４０が入り込む。従って、コンデンサ１１０ａに所望の容量特性を与えるために、平均粒径が比較的大きい誘電体フィラー（第１フィラー１３２）を第１絶縁基板７０（第１樹脂材１３０）に添加する場合でも、正極端子６０又はベタパターン１００と第１絶縁基板７０との間における隙間２００の発生を抑制することが可能となる。よって、第１絶縁基板７０（第１樹脂材１３０）への第１フィラー１３２の添加量を多くした場合でも、隙間２００の発生による容量特性の低下を防ぐことができる。その結果、正極端子６０における浮遊容量Ｃ３を相対的に大きくすることが可能となる。
【００８４】
コンデンサ１１０ｂ（負極端子６２、第２絶縁基板７２、接着層９０及びベタパターン１０２）についても同様であり、負極端子６２における浮遊容量Ｃ１を相対的に大きくすることが可能となる。
【００８５】
以上より、例えば、正極端子６０とヒートシンク８０（グラウンド）の間に第１絶縁基板７０及び接着層９０が設けられている場合、出力端子６４の面積を正極端子６０の面積よりも小さくしなくても、正極端子６０における浮遊容量Ｃ３を大きくすることが可能となる。或いは、出力端子６４の面積を正極端子６０の面積よりも小さくする代わりに、正極端子６０とヒートシンク８０（グラウンド）との間を一定距離未満としなくても、正極端子６０における浮遊容量Ｃ３を大きくすることが可能となる。よって、レイアウトの自由度を向上することができる。
【００８６】
また、上記のように正極端子６０又は負極端子６２における浮遊容量Ｃ３、Ｃ１を大きくすることで、上ＳＷ素子３４（第１スイッチング素子）と下ＳＷ素子４０（第２スイッチング素子）との中点４４における浮遊容量Ｃ２が充電される際に、正極端子６０又は負極端子６２における浮遊容量Ｃ３、Ｃ１の電荷が充電されることとなる。このため、中点４４における浮遊容量Ｃ２に起因するコモンモード電流が流れる経路が短縮され、放射ノイズを抑制することが可能となる。
【００８７】
なお、本実施形態において第１樹脂材１３０及び第２樹脂材１４０を熱硬化させる温度は、半田を用いて正極端子６０と第１絶縁基板７０を接合する場合の温度よりも低い。接着層９０の代わりに半田を用いて正極端子６０と第１絶縁基板７０を接合する場合、半田を溶融させるための加熱時に、第１樹脂材１３０又は第１フィラー１３２若しくは第２フィラー１３４の特性に悪影響を与えてしまうおそれがある。しかしながら、本実施形態では、そのような悪影響のおそれを低減することが可能となる。
【００８８】
本実施形態において、第１絶縁基板７０（絶縁部材）は、平均粒径が異なる第１フィラー１３２及び第２フィラー１３４を誘電体フィラーとして備え、第２フィラー１３４の平均粒径は、第１フィラー１３２の平均粒径よりも小さく、導電性フィラー１４２の平均粒径は、第２フィラー１３４の平均粒径よりも小さい（図７参照）。
【００８９】
これにより、第１絶縁基板７０が、平均粒径が異なる第１フィラー１３２及び第２フィラー１３４を誘電体フィラーとして備える場合であっても、正極端子６０（第１電極板）又はベタパターン１００（第２電極板）と第１絶縁基板７０（第１樹脂材１３０、第１フィラー１３２又は第２フィラー１３４）との間に導電性フィラー１４２を行き渡らせることが容易になる。このため、正極端子６０又はベタパターン１００と第１絶縁基板７０とを良好に接続することができると共に、コンデンサ１１０ａの容量成分が低下してしまうことを抑制することが可能となる。コンデンサ１１０ｂについても同様である。
【００９０】
本実施形態において、第１樹脂材１３０と第２樹脂材１４０とは、同じ樹脂材によって構成される。これにより、より良好な接着性を実現することが可能となる。
【００９１】
本実施形態のコンデンサ１１０ａにおいて、第２樹脂材１４０の粘度は、第１樹脂材１３０の粘度よりも小さい。これにより、接着層９０を構成する導電性フィラー１４２及び第２樹脂材１４０を、正極端子６０又はベタパターン１００と第１絶縁基板７０（第１樹脂材１３０、第１フィラー１３２又は第２フィラー１３４）との間に行き渡らせることが容易になる。このため、正極端子６０又はベタパターン１００と第１絶縁基板７０との間における隙間２００の発生をより効果的に抑制することが可能となる。コンデンサ１１０ｂについても同様である。
【００９２】
ＩＩ．変形例
なお、本発明は、上記実施形態に限らず、本明細書の記載内容に基づき、種々の構成を採り得ることはもちろんである。例えば、以下の構成を採用することができる。
【００９３】
Ａ．インバータ１６及び駆動システム１０
上記実施形態では、３相ブリッジ型のインバータ１６を用いたが、スイッチング素子と逆並列ダイオードとを有する上アーム及び下アームを直列に接続した単相又は多相のアーム直列回路を備えるインバータであれば、これに限らない。例えば、図１０に示すように、単相ブリッジ型のインバータ１６ａに適用することもできる。図１０のインバータ１６ａは、直流電源１４からの直流を交流に変換して巻線４６ａ（負荷）及び抵抗１８０に供給する。
【００９４】
インバータ１６ａは、２つのアーム直列回路３０ａ、３０ｂを有する。アーム直列回路３０ａは、スイッチング素子３４ａ（以下「上ＳＷ素子３４ａ」という。）及び逆並列ダイオード３６ａ（以下「上ダイオード３６ａ」という。）を有する上アーム３２ａと、スイッチング素子４０ａ（以下「下ＳＷ素子４０ａ」という。）及び逆並列ダイオード４２ａ（以下「下ダイオード４２ａ」という。）とを有する下アーム３８ａとで構成される。同様に、アーム直列回路３０ｂは、スイッチング素子３４ｂ（以下「上ＳＷ素子３４ｂ」という。）及び逆並列ダイオード３６ｂ（以下「上ダイオード３６ｂ」という。）を有する上アーム３２ｂと、スイッチング素子４０ｂ（以下「下ＳＷ素子４０ｂ」という。）及び逆並列ダイオード４２ｂ（以下「下ダイオード４２ｂ」という。）とを有する下アーム３８ｂとで構成される。
【００９５】
インバータ１６ａにおいても、正極端子６０又はベタパターン１００と第１絶縁基板７０との間に接着層９０を設け、負極端子６２又はベタパターン１０２と第２絶縁基板７２との間に接着層９０を設けることができる。これにより、レイアウトの自由度の向上又は伝導ノイズ及び放射ノイズの抑制を実現することが可能となる。
【００９６】
上記実施形態及び図１０の変形例では、インバータ１６、１６ａに本発明を適用した事例について説明したが、スイッチング素子と逆並列ダイオードとを有する上アーム及び下アームを直列に接続した単相又は多相のアーム直列回路を備える半導体装置であれば、これに限らない。例えば、昇降圧式且つチョッパ型のＤＣ／ＤＣコンバータ（例えば、特開２００９−１５３３４３号公報の図１及び図９参照）に適用することもできる。
【００９７】
上記実施形態では、図２及び図３の左側から順に、正極端子６０、出力端子６４及び負極端子６２の順に配置したが、インバータ１６における配置は、これに限らない。例えば、図１１に示すような配置のインバータ１６ｂに適用することもできる。図１１のインバータ１６ｂのアーム直列回路３０ｃでは、図１１の左から順に、出力端子６４、正極端子６０及び負極端子６２の順に配置する。このような構成においても、正極端子６０又はベタパターン１００と第１絶縁基板７０との間に接着層９０を設け、負極端子６２又はベタパターン１０２と第２絶縁基板７２との間に接着層９０を設けることで、上記実施形態と同様の効果を得ることが可能となる。
【００９８】
或いは、上記実施形態及び図１１の変形例では、正極端子６０、負極端子６２及び出力端子６４のそれぞれは、共通のヒートシンク８０上に配置したが、例えば、図３の上側と下側にヒートシンク８０を１つずつ設け、正極端子６０及び負極端子６２は、上側のヒートシンク８０に対応させて配置し、出力端子６４は、下側のヒートシンク８０に対応させて配置してもよい。
【００９９】
或いは、複数のスイッチング素子を直列に接続した直列回路を備える半導体装置であれば、逆並列ダイオードを有さないものであってもよい。例えば、ＮＡＮＤ型のフラッシュメモリに適用することもできる。
【０１００】
上記実施形態では、駆動システム１０のモータ１２は、例えば、車両の駆動用又は電動パワーステアリング用のものとしたが、例えば、浮遊容量Ｃ１、Ｃ３の増加に着目すれば、これに限らない。例えば、洗濯機、掃除機、エアコンディショナ、冷蔵庫、電磁調理器、交流（ＡＣ）サーボ、鉄道車両及びエレベータにおけるモータに用いるものであってもよい。
【０１０１】
上記実施形態では、駆動システム１０は、モータ１２を駆動するものであったが、例えば、浮遊容量Ｃ１、Ｃ３の増加に着目すれば、これに限らない。例えば、駆動システム１０は、無停電電源装置、太陽光発電又は風力発電用のパワーコンディショナにおけるインバータ（例えば、特開２０１１−１０３４９７号公報の図４参照）に用いることも可能である。
【０１０２】
Ｂ．ゲート電極５８
上記実施形態では、上ＳＷ素子３４及び下ＳＷ素子４０では、ゲート電極５８を負極電極５６と同じ面（第２の面５４）に形成したが（図４Ｂ）、ゲート電極５８の位置はこれに限らない。
【０１０３】
例えば、ゲート電極５８を正極電極５２と同じ面（第１の面５０）に形成し、負極電極５６と同じ面（第２の面５４）にはゲート電極５８を形成しない構成も可能である。この場合、上ＳＷ素子３４の負極電極５６を出力端子６４に接合させ、下ＳＷ素子４０の負極電極５６を負極端子６２に接合させることが好ましい。
【０１０４】
Ｃ．第１絶縁基板７０、第２絶縁基板７２及び接着層９０の母材１３０
上記実施形態では、第１絶縁基板７０、第２絶縁基板７２及び接着層９０の母材１３０を共通の材料（樹脂材）から構成したが、第１絶縁基板７０及び第２絶縁基板７２及び接着層９０毎に母材１３０の材料を変えることも可能である。
【０１０５】
Ｄ．接着層９０
上記実施形態では、接着層９０を４箇所に設けた。すなわち、正極端子６０と第１絶縁基板７０との間、第１絶縁基板７０とベタパターン１００（ヒートシンク８０）の間、負極端子６２と第２絶縁基板７２との間及び第２絶縁基板７２とベタパターン１０２（ヒートシンク８０）の間に接着層９０を設けた。しかしながら、いずれか１箇所、２箇所又は３箇所にのみ接着層９０を設けることも可能である。
【０１０６】
また、浮遊容量Ｃ１、Ｃ３を増加させる観点からすれば、板状部材としての正極端子６０又は負極端子６２自体に接着層９０が直に接していることは必ずしも必要ない。例えば、正極端子６０と電気的に接続された電極板と第１絶縁基板７０との間に接着層９０を設けてもよい。換言すると、第１絶縁基板７０と共にコンデンサ１１０ａを形成する電極板は、正極端子６０自体でなくてもよい。この場合、接着層９０は、上スイッチング素子３４の下方以外の場所に設けることも可能である。同様に、負極端子６２と電気的に接続された電極板と第２絶縁基板７２との間に接着層９０を設けることも可能である。
【０１０７】
上記実施形態では、導電性フィラー１４２の平均粒径を、第１フィラー１３２及び第２フィラー１３４それぞれの平均粒径よりも小さくした。しかしながら、例えば、より大きい（又は最も大きい）平均粒径の第１フィラー１３２に起因して形成される隙間２００の発生を防止する観点からすれば、導電性フィラー１４２の平均粒径を第１フィラー１３２よりも小さくし、第２フィラー１３４と同等又はそれよりも大きくしてもよい。
【０１０８】
上記実施形態では、第１樹脂材１３０に添加する誘電体フィラーとして、第１フィラー１３２及び第２フィラー１３４の２種類を用いた。しかしながら、例えば、第１絶縁基板７０及び第２絶縁基板７２の誘電率の観点からすれば、第１フィラー１３２及び第２フィラー１３４のいずれか一方のみを用いてもよい。或いは、第１フィラー１３２及び第２フィラー１３４とは異なる平均粒径を有する別の誘電体フィラーを併せて用いることもできる。
【０１０９】
上記実施形態では、第１フィラー１３２及び第２フィラー１３４は同一材料のものとした。しかしながら、例えば、第１絶縁基板７０及び第２絶縁基板７２の誘電率の観点からすれば、第１フィラー１３２及び第２フィラー１３４の材料は異なるものとしてもよい。
【０１１０】
上記実施形態では、第２樹脂材１４０の粘度を第１樹脂材１３０の粘度よりも小さくした。しかしながら、例えば、隙間２００に入り込む導電性フィラー１４２の存在に着目した場合、第２樹脂材１４０の粘度は、第１樹脂材１３０の粘度と同等又は大きくすることも可能である。
【０１１１】
上記実施形態では、正極端子６０と第１絶縁基板７０との間に配置する層を接着層９０としたが、隙間２００を埋める部材としての観点からすれば、接着性能を発揮しない介在層を設けてもよい。正極端子６０と第１絶縁基板７０との間以外に配置される接着層９０についても同様である。
【０１１２】
Ｅ．その他
上記実施形態では、図９に示す方法により、ベタパターン１００、第１絶縁基板７０及び正極端子６０を積層させたが、例えば、コンデンサ１１０ａの構成に着目すれば、その他の方法によりこれらを積層させてもよい。コンデンサ１１０ｂについても同様である。
【０１１３】
上記実施形態では、第１絶縁基板７０及び第２絶縁基板７２に対応させて接着層９０を設けたが、例えば、絶縁部材に向かい合う電極板と絶縁部材との密着性の向上又は誘電率の調整の観点からすれば、出力端子６４又はベタパターン１０４と第３絶縁基板７４との間に別の接着層を設けることも可能である。この場合、浮遊容量Ｃ２を低下させるため、当該接着層には、低誘電率のフィラーを添加することができる。
【符号の説明】
【０１１４】
１６、１６ａ、１６ｂ…インバータ（半導体装置）
３０、３０ａ、３０ｂ、３０ｃ、３０ｕ、３０ｖ、３０ｗ…アーム直列回路（直列回路）
３４…上スイッチング素子（第１スイッチング素子）
４０…下スイッチング素子（第２スイッチング素子）
６０…正極端子（第１電極板）        ６２…負極端子（第１電極板）
７０…第１絶縁基板（絶縁部材）      ７２…第２絶縁基板（絶縁部材）
８０…ヒートシンク（グラウンド）    ９０…接着層
１００、１０２…ベタパターン（第２電極板）
１１０ａ、１１０ｂ…コンデンサ      １３０…母材（第１樹脂材）
１３２…第１フィラー（第１誘電体フィラー）
１３４…第２フィラー（第２誘電体フィラー）
１４０…第２樹脂材                  １４２…導電性フィラー
【図１】
2015023231.tif 000003
【図２】
2015023231.tif 000004
【図３】
2015023231.tif 000005
【図４】
2015023231.tif 000006
【図５】
2015023231.tif 000007
【図６】
2015023231.tif 000008
【図７】
2015023231.tif 000009
【図８】
2015023231.tif 000010
【図９】
2015023231.tif 000011
【図１０】
2015023231.tif 000012
【図１１】
2015023231.tif 000013