(57)【要約】      （修正有）【課題】マルチビームの成形セクションでのドリフト補正を行うことが可能な描画装置を提供する。【解決手段】描画用の複数の第１の開口部と第１の開口部の周囲に非描画用の複数の第２の開口部とが形成され、第１の開口部を荷電粒子ビームの一部がそれぞれ通過することにより描画用マルチビームを形成すると共に、第２の開口部を荷電粒子ビームの一部がそれぞれ通過することにより測定用マルチビームを形成するアパーチャ部材２０３と、クロスオーバーを形成する高さ位置付近に配置されたブランキングアパーチャ部材上に配置された複数のマーク部材２１２と、マーク部材を用いて、測定用マルチビームの位置を測定する測定部６０と、測定されたマルチビームの位置の位置ずれ量を補正するように、複数のブランカーのうち描画用マルチビームのブランキング偏向を行う各ブランカーに印加するビームＯＮの状態にするための電圧を補正する補正部６８と、を備える。【選択図】図１
2015035489.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
荷電粒子ビームを放出する放出部と、
描画用の複数の第１の開口部と前記複数の第１の開口部の周囲に非描画用の複数の第２の開口部とが形成され、前記複数の第１と第２の開口部全体が含まれる領域に前記荷電粒子ビームの照射を受け、前記複数の第１の開口部を前記荷電粒子ビームの一部がそれぞれ通過することにより描画用マルチビームを形成すると共に、前記複数の第２の開口部を前記荷電粒子ビームの一部がそれぞれ通過することにより測定用マルチビームを形成するビーム成形部材と、
前記ビーム成形部材の前記複数の第１と第２の開口部を通過した描画用マルチビームと測定用マルチビームのうち、それぞれ対応するビームのブランキング偏向を行う複数のブランカーが配置されたブランキングプレートと、
前記ブランキングプレートを通過した、前記描画用マルチビームと前記測定用マルチビームとを収束する収束レンズと、
前記描画用マルチビームと前記測定用マルチビームとがクロスオーバーを形成する高さ位置付近に配置され、制限開口部が形成され、前記描画用マルチビームのうち前記複数のブランカーによってビームＯＦＦの状態になるように偏向された各ビームを前記制限開口部から外れた位置にて遮蔽し、ビームＯＮの状態になる各ビームを前記制限開口部から通過させるブランキングアパーチャ部材と、
前記クロスオーバーを形成する高さ位置付近に配置された前記ブランキングアパーチャ部材上に、或いは、前記ブランキングアパーチャ部材と前記ブランキングプレートとの間に、配置された複数のマーク部材と、
前記複数のマーク部材を用いて、前記測定用マルチビームの位置を測定する測定部と、
測定された前記測定用マルチビームの位置の位置ずれ量を補正するように、前記複数のブランカーのうち描画用マルチビームのブランキング偏向を行う各ブランカーに印加するビームＯＮの状態にするための電圧を補正する補正部と、
を備えたことを特徴とするマルチ荷電粒子ビーム描画装置。
【請求項２】
前記補正部は、測定された前記測定用マルチビームの位置の各ビームの位置ずれ量の平均値を用いて、前記電圧を補正することを特徴とする請求項１記載のマルチ荷電粒子ビーム描画装置。
【請求項３】
前記補正部は、測定された前記測定用マルチビームの位置の各ビームの位置ずれ量を用いて、線形補間により前記描画用マルチビームの各ビームの位置に応じた位置ずれ量をそれぞれ演算し、前記描画用マルチビームのビーム毎に、それぞれ演算された位置ずれ量を補正するように前記電圧を個別に補正することを特徴とする請求項１記載のマルチ荷電粒子ビーム描画装置。
【請求項４】
前記複数のブランカーは、平行ではない少なくとも２方向に、それぞれ対応するビームを偏向可能に配置されたことを特徴とする請求項１〜３いずれか記載のマルチ荷電粒子ビーム描画装置。
【請求項５】
前記測定部は、複数のファラディカップを有し、
前記複数のファラディカップは、前記複数のマーク部材下に配置されたことを特徴とする請求項１〜４いずれか記載のマルチ荷電粒子ビーム描画装置。
【請求項６】
荷電粒子ビームを放出する工程と、
描画用の複数の第１の開口部と前記複数の第１の開口部の周囲に非描画用の複数の第２の開口部とが形成されたビーム成形部材を用いて、前記複数の第１と第２の開口部全体が含まれる領域に前記荷電粒子ビームの照射を受け、前記複数の第１の開口部を前記荷電粒子ビームの一部がそれぞれ通過することにより描画用マルチビームを形成すると共に、記複数の第２の開口部を前記荷電粒子ビームの一部がそれぞれ通過することにより測定用マルチビームを形成する工程と、
ブランキングプレートに配置された複数のブランカーを用いて、前記ビーム成形部材の前記複数の第１と第２の開口部を通過した描画用マルチビームと測定用マルチビームのうち、それぞれ対応するビームのブランキング偏向を行う工程と、
前記個別ブランキングプレートを通過した、前記描画用マルチビームと前記測定用マルチビームとを収束する工程と、
前記描画用マルチビームと前記測定用マルチビームとがクロスオーバーを形成する高さ位置付近に配置され、制限開口部が形成されたブランキングアパーチャ部材を用いて、前記描画用マルチビームのうち前記複数のブランカーによってビームＯＦＦの状態になるように偏向された各ビームを前記制限開口部から外れた位置にて遮蔽し、ビームＯＮの状態になる各ビームを前記制限開口部から通過させる工程と、
前記クロスオーバーを形成する高さ位置付近に配置された前記ブランキングアパーチャ部材上に、或いは、前記ブランキングアパーチャ部材と前記ブランキングプレートとの間に、配置された複数のマーク部材を用いて、前記測定用マルチビームの位置を測定する工程と、
測定された前記測定用マルチビームの位置の位置ずれ量を補正するように、前記複数のブランカーのうち描画用マルチビームのブランキング偏向を行う各ブランカーに印加するビームＯＮの状態にするための電圧を補正する工程と、
を備えたことを特徴とするマルチ荷電粒子ビーム描画方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、マルチ荷電粒子ビーム描画装置及びマルチ荷電粒子ビーム描画方法に係り、例えば、マルチビームのドリフト補正に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体デバイスの微細化の進展を担うリソグラフィ技術は半導体製造プロセスのなかでも唯一パターンを生成する極めて重要なプロセスである。近年、ＬＳＩの高集積化に伴い、半導体デバイスに要求される回路線幅は年々微細化されてきている。ここで、電子線（電子ビーム）描画技術は本質的に優れた解像性を有しており、ウェハ等へ電子線を使って描画することが行われている。
【０００３】
１本の電子ビームで描画する可変成形（ＶＳＢ）型電子ビーム描画では、パターンが複雑な形状であるほど、パターンを微細なショット図形に分割する必要がある。そして、その分、描画時間が長くなる。ショット数の増加を補うべく、ビームの電流密度を上げて描画時間を短縮することも考えられるが、レジストヒーティング等の影響が大きくなるため、かかる手法にも限界がある。
【０００４】
ここで、マルチビームを使った描画装置がある。１本の電子ビームで描画する場合に比べて、マルチビームを用いることで一度に多くのビームを照射できるのでスループットを大幅に向上させることができる。かかるマルチビーム方式の描画装置では、例えば、電子銃から放出された電子ビームをマトリクス状に配置された複数の穴を持ったマスクに通してマルチビームを形成し、各々、ブランキング制御され、遮蔽されなかった各ビームが試料上の所望の位置へと照射される。
【０００５】
従来のシングルビーム描画装置の場合、試料となる基板上にショット像（パターン）として結像するための成形アパーチャ開口部は１つである。これに対して、マルチビーム描画装置の場合、成形アパーチャ開口部は複数必要となる。そのため、成形アパーチャプレートのサイズが大きくなる。また、マルチビームの各ビームをブランキング制御するブランカーアレイは、成形アパーチャプレートに一体化される場合がある。そのため、構造が複雑になる。このように、マルチビーム描画装置では、成形アパーチャ部が大きく、構造が複雑であるため、シングルビーム描画装置よりもコンタミ（コンタミネーション）の付着による影響を受けやすく、ビームドリフトが生じやすい。例えば、可変成形方式（ＶＳＢ方式）のシングルビーム描画装置の場合、第１の成形アパーチャを通過した第１の成形アパーチャ像は、第２の成形アパーチャ上に偏向器で位置が調整可能である。そのため、第１の成形アパーチャの位置精度は補正が可能となる。しかしながら、マルチビーム描画装置の場合、ビーム成形は１回なので、成形アパーチャ開口部の位置が試料面上に描画された際の位置精度に与える影響も大きい。よって、かかるマルチビームの成形セクションでビームドリフトが生じると各ビームの位置精度が劣化してしまう。そして、ビームドリフトが生じると各ビームの位置がずれるだけでなく、ブランキングアパーチャにＯＮビームの一部が遮蔽されてしまい試料面に到達するビームのドーズ量も変化してしまうといった問題も起こり得る。そのため、かかるマルチビームの成形セクションでのドリフト測定およびその補正が重要となる。
【０００６】
従来、マルチビームの試料面の位置精度を向上させるべく、測定用ビームを成形して、試料面付近で測定用ビームの中間像を検出してビーム位置を補正するといった技術が提案されていた（例えば、特許文献１参照）。しかしながら、かかる技術では、上述したマルチビームの成形セクションでのドリフト量を測定することが困難であるため、その補正が十分とは言えなかった。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００７】
【特許文献１】特開２００８−５２１２２１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
そこで、本発明は、上述した問題点を克服し、マルチビーム描画におけるマルチビームの成形セクションでのドリフト補正を行うことが可能な描画装置および方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明の一態様のマルチ荷電粒子ビーム描画装置は、
荷電粒子ビームを放出する放出部と、
描画用の複数の第１の開口部と複数の第１の開口部の周囲に非描画用の複数の第２の開口部とが形成され、複数の第１と第２の開口部全体が含まれる領域に荷電粒子ビームの照射を受け、複数の第１の開口部を荷電粒子ビームの一部がそれぞれ通過することにより描画用マルチビームを形成すると共に、複数の第２の開口部を荷電粒子ビームの一部がそれぞれ通過することにより測定用マルチビームを形成するビーム成形部材と、
ビーム成形部材の複数の第１と第２の開口部を通過した描画用マルチビームと測定用マルチビームのうち、それぞれ対応するビームのブランキング偏向を行う複数のブランカーが配置されたブランキングプレートと、
ブランキングプレートを通過した、描画用マルチビームと測定用マルチビームとを収束する収束レンズと、
描画用マルチビームと測定用マルチビームとがクロスオーバーを形成する高さ位置付近に配置され、制限開口部が形成され、描画用マルチビームのうち複数のブランカーによってビームＯＦＦの状態になるように偏向された各ビームを制限開口部から外れた位置にて遮蔽し、ビームＯＮの状態になる各ビームを制限開口部から通過させるブランキングアパーチャ部材と、
クロスオーバーを形成する高さ位置付近に配置されたブランキングアパーチャ部材上に、或いは、ブランキングアパーチャ部材とブランキングプレートとの間に、配置された複数のマーク部材と、
複数のマーク部材を用いて、測定用マルチビームの位置を測定する測定部と、
測定された測定用マルチビームの位置の位置ずれ量を補正するように、複数のブランカーのうち描画用マルチビームのブランキング偏向を行う各ブランカーに印加するビームＯＮの状態にするための電圧を補正する補正部と、
を備えたことを特徴とする。
【００１０】
また、補正部は、測定された測定用マルチビームの位置の各ビームの位置ずれ量の平均値を用いて、電圧を補正すると好適である。
【００１１】
或いは、補正部は、測定された測定用マルチビームの位置の各ビームの位置ずれ量を用いて、線形補間により描画用マルチビームの各ビームの位置に応じた位置ずれ量をそれぞれ演算し、描画用マルチビームのビーム毎に、それぞれ演算された位置ずれ量を補正するように電圧を個別に補正するようにしても好適である。
【００１２】
また、複数のブランカーは、平行ではない少なくとも２方向に、それぞれ対応するビームを偏向可能に配置されると好適である。
【００１３】
本発明の一態様のマルチ荷電粒子ビーム描画方法は、
荷電粒子ビームを放出する工程と、
描画用の複数の第１の開口部と複数の第１の開口部の周囲に非描画用の複数の第２の開口部とが形成されたビーム成形部材を用いて、複数の第１と第２の開口部全体が含まれる領域に荷電粒子ビームの照射を受け、複数の第１の開口部を荷電粒子ビームの一部がそれぞれ通過することにより描画用マルチビームを形成すると共に、複数の第２の開口部を荷電粒子ビームの一部がそれぞれ通過することにより測定用マルチビームを形成する工程と、
ブランキングプレートに配置された複数のブランカーを用いて、ビーム成形部材の複数の第１と第２の開口部を通過した描画用マルチビームと測定用マルチビームのうち、それぞれ対応するビームのブランキング偏向を行う工程と、
個別ブランキングプレートを通過した、描画用マルチビームと前記測定用マルチビームとを収束する工程と、
描画用マルチビームと測定用マルチビームとがクロスオーバーを形成する高さ位置付近に配置され、制限開口部が形成されたブランキングアパーチャ部材を用いて、描画用マルチビームのうち複数のブランカーによってビームＯＦＦの状態になるように偏向された各ビームを制限開口部から外れた位置にて遮蔽し、ビームＯＮの状態になる各ビームを制限開口部から通過させる工程と、
クロスオーバーを形成する高さ位置付近に配置されたブランキングアパーチャ部材上に、或いは、ブランキングアパーチャ部材とブランキングプレートとの間に、配置された複数のマーク部材を用いて、測定用マルチビームの位置を測定する工程と、
測定された測定用マルチビームの位置の位置ずれ量を補正するように、複数のブランカーのうち描画用マルチビームのブランキング偏向を行う各ブランカーに印加するビームＯＮの状態にするための電圧を補正する工程と、
を備えたことを特徴とする。
【発明の効果】
【００１４】
本発明の一態様によれば、マルチビーム描画におけるマルチビームの成形セクションでのドリフト補正を行うことができる。
【図面の簡単な説明】
【００１５】
【図１】実施の形態１における描画装置の構成を示す概念図である。
【図２】実施の形態１におけるアパーチャ部材の構成を示す概念図である。
【図３】実施の形態１におけるブランキングプレートの構成を示す断面図である。
【図４】実施の形態１におけるブランキングプレートの１組のブランカーの構成の一例を示す上面図である。
【図５】実施の形態１におけるブランキングプレートの１組のブランカーの構成の他の一例を示す上面図である。
【図６】実施の形態１における制限アパーチャ部材の一例を示す上面図である。
【図７】実施の形態１における測定用マルチビームのビーム照射位置の一例を示す図である。
【図８】実施の形態１における測定用マルチビームのビーム照射位置の他の一例を示す図である。
【図９】実施の形態１における描画動作を説明するための概念図である。
【図１０】実施の形態１における検出器の他の一例を示す図である。
【図１１】実施の形態２における描画装置の構成を示す概念図である。
【発明を実施するための形態】
【００１６】
以下、実施の形態では、荷電粒子ビームの一例として、電子ビームを用いた構成について説明する。但し、荷電粒子ビームは、電子ビームに限るものではなく、イオンビーム等の荷電粒子を用いたビームでも構わない。
【００１７】
実施の形態１．
図１は、実施の形態１における描画装置の構成を示す概念図である。図１において、描画装置１００は、描画部１５０と制御部１６０を備えている。描画装置１００は、マルチ荷電粒子ビーム描画装置の一例である。描画部１５０は、電子鏡筒１０２と描画室１０３を備えている。電子鏡筒１０２内には、電子銃２０１、照明レンズ２０２、ブランキングアパーチャアレイ（ＢＡＡ）部材２１１、収束レンズ２０５、制限アパーチャ部材２０６、対物レンズ２０７、及び偏向器２０８が配置されている。ＢＡＡ部材２１１は、成形アパーチャ部材２０３とブランキングプレート２０４とが、成形アパーチャ部材２０３を上層側にして積層されている。制限アパーチャ部材２０６上には、複数のマーク部材２１２と、マーク部材２１２毎に配置された複数の検出器２１４とが配置される。描画室１０３内には、ＸＹステージ１０５が配置される。ＸＹステージ１０５上には、描画時には描画対象基板となるマスク等の試料１０１が配置される。試料１０１には、半導体装置を製造する際の露光用マスク、或いは、半導体装置が製造される半導体基板（シリコンウェハ）等が含まれる。また、試料１０１には、レジストが塗布された、まだ何も描画されていないマスクブランクスが含まれる。ＸＹステージ１０５上には、さらに、ＸＹステージ１０５の位置測定用のミラー２１０が配置される。
【００１８】
制御部１６０は、制御計算機１１０、メモリ１１２、偏向制御回路１２０、アンプ１３０、ステージ位置検出部１３２及び磁気ディスク装置等の記憶装置１４０を有している。制御計算機１１０、メモリ１１２、偏向制御回路１２０、アンプ１３０、ステージ位置検出部１３２及び記憶装置１４０は、図示しないバスを介して互いに接続されている。記憶装置１４０（記憶部）には、描画データが外部から入力され、格納されている。ＤＡＣアンプ１３０は、検出器２１４に接続される。偏向制御回路１２０は、ブランキングプレート２０４に接続される。
【００１９】
制御計算機１１０内には、測定部６０、位置ずれ量演算部６２、描画データ処理部６４、描画制御部６６、及び補正部６８が配置される。測定部６０、位置ずれ量演算部６２、描画データ処理部６４、描画制御部６６、及び補正部６８といった各機能は、電気回路等のハードウェアで構成されてもよいし、これらの機能を実行するプログラム等のソフトウェアで構成されてもよい。或いは、ハードウェアとソフトウェアの組み合わせにより構成されてもよい。測定部６０、位置ずれ量演算部６２、描画データ処理部６４、描画制御部６６、及び補正部６８に入出力される情報および演算中の情報はメモリ１１２にその都度格納される。
【００２０】
偏向制御回路１２０内には、偏向量演算部７０が配置される。偏向量演算部７０といった機能は、電気回路等のハードウェアで構成されてもよいし、これらの機能を実行するプログラム等のソフトウェアで構成されてもよい。或いは、ハードウェアとソフトウェアの組み合わせにより構成されてもよい。偏向量演算部７０に入出力される情報および演算中の情報は図示しないメモリにその都度格納される。
【００２１】
ここで、図１では、実施の形態１を説明する上で必要な構成を記載している。描画装置１００にとって、通常、必要なその他の構成を備えていても構わない。
【００２２】
図２は、実施の形態１におけるアパーチャ部材の構成を示す概念図である。図２において、成形アパーチャ部材２０３（ビーム成形部材の一例）には、中央部の描画用マルチビーム形成領域２１内に縦（ｙ方向）ｍ列×横（ｘ方向）ｎ列（ｍ，ｎ≧２）の穴２２（複数の第１の開口部）が所定の配列ピッチでマトリクス状に形成されている。図２では、例えば、６×６列の穴２２が形成される。各穴２２は、共に同じ寸法形状の矩形、例えば正方形で形成される。或いは、同じ外径の円形であっても構わない。ここでは、ｙ方向の各列について、ｘ方向にＡからＦまでの６つの穴２２がそれぞれ形成される例が示されている。これらの複数の穴２２を電子ビーム２００の一部がそれぞれ通過することで、実際に描画に用いるためのマルチビーム２０が形成されることになる。ここでは、縦横（ｘ，ｙ方向）が共に２列以上の穴２２が配置された例を示したが、これに限るものではない。例えば、縦横（ｘ，ｙ方向）どちらか一方が複数列で他方は１列だけであっても構わない。また、穴２２の配列の仕方は、図２にように、縦横が格子状に配置される場合に限るものではない。例えば、縦方向（ｙ方向）１段目の列と、２段目の列の穴同士が、横方向（ｘ方向）に寸法ａだけずれて配置されてもよい。同様に、縦方向（ｙ方向）２段目の列と、３段目の列の穴同士が、横方向（ｘ方向）に寸法ｂだけずれて配置されてもよい。
【００２３】
また、図２において、複数の穴２２の周囲（描画用マルチビーム形成領域２１の周囲）には、非描画用（測定用）の複数の穴２３（複数の第２の開口部）が形成される。複数の穴２３は、複数の穴２２を取り囲むように形成される。
【００２４】
図３は、実施の形態１におけるブランキングプレートの構成を示す断面図である。図３の例では、ｙ方向断面を示している。
図４は、実施の形態１におけるブランキングプレートの１組のブランカーの構成の一例を示す上面図である。ブランキングプレート２０４には、成形アパーチャ部材２０３の各穴２２，２３の配置位置に合わせて例えば矩形の通過孔２５が形成され、各通過孔２５には、例えば、１セットとなる３つの電極２４，２６，２７の組（ブランカー）が、それぞれ配置される。通過孔２５のサイズは、穴２２，２３のサイズよりも若干大きく形成されると好適である。これにより穴２２，２３によって成形された各ビームの形状及びサイズを維持できる。電極２６は、通過孔２５のｘ方向側面の１つとｙ方向側面の１つとを覆うように配置され、グランド電位に接続される。電極２４は、電極２６に対してｘ方向に向かって電位差を生じさせることが可能なように通過孔２５のｘ方向側面の残りの１つ側に配置される。電極２７は、電極２６に対してｙ方向に向かって電位差を生じさせることが可能なように通過孔２５のｙ方向側面の残りの１つ側に配置される。電極２４は、ｘ方向の電位差を生じさせるための電圧を印加するｘドライバ３１が接続される。電極２７は、ｙ方向の電位差を生じさせるための電圧を印加するｙドライバ２９が接続される。ｘドライバ３１とｙドライバ２９は、偏向制御回路１２０に接続される。各通過孔２５を通過する電子ビーム２０は、それぞれ独立にかかる対となる２つの電極２４，２６に印加される電圧によってｘ方向に偏向される。同様に、各通過孔２５を通過する電子ビーム２０は、それぞれ独立にかかる対となる２つの電極２７，２６に印加される電圧によってｙ方向に偏向される。かかるｘ方向或いは／及びｙ方向への偏向によってブランキング制御される。このように、複数のブランカーは、平行ではない少なくとも２方向、ここでは、ｘ，ｙ方向に、それぞれ対応するビームを偏向可能に配置される。そして、複数のブランカーが、成形アパーチャ部材２０３の複数の穴２２（開口部）を通過したマルチビームのうち、それぞれ対応するビームのブランキング偏向を行う。
【００２５】
以上のように、ブランキングプレート２０４には、成形アパーチャ部材２０３の各穴２２，２３を通過した描画用マルチビーム２０と測定用マルチビーム２８のうち、それぞれ対応するビームのブランキング偏向を行う複数のブランカーが配置される。
【００２６】
図５は、実施の形態１におけるブランキングプレートの１組のブランカーの構成の他の一例を示す上面図である。図４の例では、ｘ方向およびｙ方向に各ビームを偏向可能に形成されているが、これに限るものではない。後述するドリフト補正に対して、一方向の補正に限定されるが、図５に示すように、各通過孔２５には、例えば、１セットとなる２つの電極２４，２６の組（ブランカー）が、それぞれ配置されるようにしても構わない。図５の例では、電極２４は、電極２６に対してｘ方向に向かって電位差を生じさせることが可能なように通過孔２５のｘ方向側面の残りの１つ側に配置される。電極２４は、ｘ方向の電位差を生じさせるための電圧を印加するｘドライバ３１が接続される。ｘドライバ３１は、偏向制御回路１２０に接続される。各通過孔２５には、電極２４の代わりに、ｘ方向に向かって電位差を生じさせる電極２７が配置されても構わないことは言うまでもない。
【００２７】
描画動作は、描画制御部６６によって制御される。電子銃２０１（放出部）から放出された電子ビーム２００は、照明レンズ２０２によりほぼ垂直に成形アパーチャ部材２０３の複数の穴２２，２３全体が含まれる領域を照明する。複数の穴２２の位置に照射された電子ビーム２００の各一部が、かかる成形アパーチャ部材２０３の複数の穴２２をそれぞれ通過することによって、例えば矩形形状の描画用の複数の電子ビーム（マルチビーム）２０ａ〜ｅが形成される。かかる描画用マルチビーム２０ａ〜ｅは、ブランキングプレート２０４のそれぞれ対応するブランカー内を通過する。かかるブランカーは、それぞれ、個別に通過する電子ビーム２０を偏向する（ブランキング偏向を行う）。そして、ブランキングプレート２０４を通過したマルチビーム２０ａ〜ｅは、収束レンズ２０５によって、収束され、制限アパーチャ部材２０６に形成された中心の穴に向かって進む。ここで、ブランキングプレート２０４のブランカーによってビームＯＦＦの状態に偏向された電子ビーム２０は、制限アパーチャ部材２０６（ブランキングアパーチャ部材）の中心の穴から位置がはずれ、制限アパーチャ部材２０６の中心の穴から外れた位置で制限アパーチャ部材２０６によって遮蔽される。一方、ブランキングプレート２０４のブランカーによって偏向されなかった電子ビーム２０は、制限アパーチャ部材２０６の中心の穴を通過する。かかるブランカーのＯＮ／ＯＦＦによって、ブランキング制御が行われ、ビームのＯＮ／ＯＦＦが制御される。このように、制限アパーチャ部材２０６は、複数のブランカーによってビームＯＦＦの状態になるように偏向された各ビームを遮蔽する。そして、ビームＯＮになってからビームＯＦＦになるまでに形成された、制限アパーチャ部材２０６を通過したビームにより１回分のショットのビームが形成される。制限アパーチャ部材２０６を通過したマルチビーム２０は、対物レンズ２０７により焦点が合わされ、所望の縮小率のパターン像となり、偏向器２０８によって、制限アパーチャ部材２０６を通過した各ビーム（マルチビーム２０全体）が同方向にまとめて一緒に偏向され、各ビームの試料１０１上のそれぞれの照射位置に照射される。収束レンズ２０５と対物レンズ２０７とによって縮小光学系が形成される。
【００２８】
また、例えばＸＹステージ１０５が連続移動している時、ビームの照射位置がＸＹステージ１０５の移動に追従するように偏向器２０８によって制御される。ＸＹステージ１０５の位置は、ステージ位置検出部１３９が、レーザ光を照射し、ミラー２１０で反射された反射光を受光することで測定する。測定されたステージ位置は、描画制御部６０に出力される。一度に照射されるマルチビーム２０は、理想的には成形アパーチャ部材２０３の複数の穴２２の配列ピッチに上述した所望の縮小率を乗じたピッチで並ぶことになる。描画装置１００は、ショットビームを連続して順に照射していくラスタースキャン方式で描画動作を行い、所望のパターンを描画する際、パターンに応じて必要なビームがブランキング制御によりビームＯＮに制御される。
【００２９】
また、複数の穴２３の位置に照射された電子ビーム２００の各一部が、かかる成形アパーチャ部材２０３の複数の穴２３をそれぞれ通過することによって、例えば矩形形状の測定用（非描画用）の複数の電子ビーム（マルチビーム）２８ａ，ｂが形成される。
【００３０】
上述したように、シングルビーム描画装置に対して、マルチビーム描画装置の場合、成形アパーチャ開口部は複数必要となる。そのため、成形アパーチャプレートとなる成形アパーチャ部材２０３のサイズが大きくなる。また、マルチビームの各ビームをブランキング制御するブランカーアレイは、成形アパーチャプレートに一体化される場合がある。そのため、構造が複雑になる。このように、マルチビーム描画装置では、成形アパーチャ部が大きく、構造が複雑であるため、シングルビーム描画装置よりもコンタミ（コンタミネーション）の付着による影響を受けやすく、ビームドリフトが生じやすい。例えば、可変成形方式（ＶＳＢ方式）のシングルビーム描画装置の場合、第１の成形アパーチャを通過した第１の成形アパーチャ像は、第２の成形アパーチャ上に偏向器で位置が調整可能である。そのため、第１の成形アパーチャの位置精度は補正が可能となる。しかしながら、マルチビーム描画装置の場合、ビーム成形は１回なので、成形アパーチャ開口部の位置が試料面上に描画された際の位置精度に与える影響も大きい。よって、かかるマルチビームの成形セクションでビームドリフトが生じると各ビームの位置精度が劣化してしまう。そして、ビームドリフトが生じると各ビームの位置がずれるだけでなく、制限アパーチャ部材２０６にＯＮビームの一部が遮蔽されてしまい試料１０１面に到達するビームのドーズ量も変化してしまうといった問題も起こり得る。そのため、かかるマルチビームの成形セクションでのドリフト測定およびその補正が重要となる。そこで、実施の形態１では、測定用マルチビーム２８ａ，ｂを用いて、マルチビームの成形セクションでのビームドリフト量を測定し、描画用マルチビーム２０の位置を補正する。
【００３１】
図６は、実施の形態１における制限アパーチャ部材の一例を示す上面図である。制限アパーチャ部材２０６（ブランキングアパーチャ部材）の中心部には、ビームＯＮとなる描画用のマルチビーム２０を通過させる例えば円形の穴５０（制限開口部）が形成されている。また、制限アパーチャ部材２０６の上面或いは穴５０の断面中央高さが、描画用マルチビーム２０と測定用マルチビーム２８とがクロスオーバー（ｃ．ｏ．）を形成する高さ位置付近になるように、制限アパーチャ部材２０６は配置される。よって、制限アパーチャ部材２０６上面は、実質的に描画用マルチビーム２０及び測定用マルチビーム２８のクロスオーバー面となる。制限アパーチャ部材２０６上には、穴５０の周囲に、複数のマーク部材２１２が配置される。図６では、検出器２１４の図示は省略している。複数のマーク部材２１２は、測定用マルチビーム２８ａ，ｂの数に合わせて配置される。
【００３２】
ブランキングプレート２０４を通過した測定用（非描画用）マルチビーム２８ａ，ｂは、収束レンズ２０５によって、収束され、制限アパーチャ部材２０６に形成された中心の穴５０に向かって進む。そのままだと、描画用マルチビーム２０と同様、穴５０の位置でクロスオーバーを形成することになる。実施の形態１では、測定用マルチビーム２８ａ，ｂをそれぞれ対応するブランカーによって個別に独立してそれぞれ外側に偏向する。そして、収束レンズ２０５によって収束されても、対応するマーク部材２１２に一部が照射されるように穴５０に対して外側に偏向する。
【００３３】
測定用マルチビーム２８を対応するマーク部材２１２に照射すると、ビーム毎に、その反射電子或いは／及び２次電子が放出される。測定用マルチビーム２８のビーム毎に、かかる反射電子或いは／及び２次電子を対応する検出器２１４で検出して、その結果をアンプ１３０に出力する。図１の例では、アンプ１３０が１つ示されているが、検出器２１４の数に応じて配置されることは言うまでもない。実施の形態１では、各検出器２１４と制限アパーチャ部材２０６との間の空間を、マーク部材２１２を内側にして周囲を囲って遮蔽する。これにより、各検出器２１４と制限アパーチャ部材２０６との間の隙間から反射電子或いは／及び２次電子が漏れて、描画用マルチビーム２０に影響を与えないようにできる。また、各検出器２１４は、測定用マルチビーム２８の対応ビームが入射する領域については入射口を開口すればよい。測定結果は、各アンプ１３０で増幅の上、デジタル信号に変換され、測定部６０に出力される。これにより、測定用マルチビーム２８の位置が測定できる。ビームドリフトが生じていれば、その分だけ位置ずれした位置が測定できる。また、各マーク部材２１２をクロスオーバー面付近に配置することにより、測定用マルチビーム２８の各ビームをシャープな形状で対応するマーク部材２１２に照射することができる。よって、微細な位置ずれであっても測定される電流量の変化を大きくできる。その結果、より高精度に位置を測定できる。
【００３４】
図７は、実施の形態１における測定用マルチビームのビーム照射位置の一例を示す図である。図７において、制限アパーチャ部材２０６の中心の穴５０に対して、−ｘ方向側の測定用マルチビーム２８ａについては、各ビームのそれぞれ対応するマーク部材２１２ａ上から−ｘ方向側に一部がはみ出るように照射される。言い換えれば、各ビームの一部がマーク部材２１２ａに照射されるように測定用マルチビーム２８ａを偏向する。同様に、制限アパーチャ部材２０６の中心の穴５０に対して、−ｙ方向側の測定用マルチビーム２８ｂについては、各ビームのそれぞれ対応するマーク部材２１２ｂ上から−ｙ方向側に一部がはみ出るように照射される。言い換えれば、各ビームの一部がマーク部材２１２ｂに照射されるように測定用マルチビーム２８ｂを偏向する。同様に、制限アパーチャ部材２０６の中心の穴５０に対して、ｘ方向側の測定用マルチビーム２８ｃについては、各ビームのそれぞれ対応するマーク部材２１２ｃ上からｘ方向側に一部がはみ出るように照射される。言い換えれば、各ビームの一部がマーク部材２１２ｃに照射されるように測定用マルチビーム２８ｃを偏向する。同様に、制限アパーチャ部材２０６の中心の穴５０に対して、ｙ方向側の測定用マルチビーム２８ｄについては、各ビームのそれぞれ対応するマーク部材２１２ｄ上からｙ方向側に一部がはみ出るように照射される。言い換えれば、各ビームの一部がマーク部材２１２ｄに照射されるように測定用マルチビーム２８ｄを偏向する。
【００３５】
図８は、実施の形態１における測定用マルチビームのビーム照射位置の他の一例を示す図である。図８において、制限アパーチャ部材２０６の中心の穴５０に対して、−ｘ方向側の測定用マルチビーム２８ａについては、一部のビームのそれぞれ対応するマーク部材２１２ａ上から−ｘ方向側に一部がはみ出るように照射される。−ｘ方向側の測定用マルチビーム２８ａのその他のビームのそれぞれ対応するマーク部材２１２ａ上から例えば−ｙ方向側に一部がはみ出るように照射される。例えば、ｙ方向に向かって交互に、−ｘ方向側、−ｙ方向側にビームの一部がはみ出るように照射される。
【００３６】
同様に、制限アパーチャ部材２０６の中心の穴５０に対して、−ｙ方向側の測定用マルチビーム２８ｂについては、一部のビームのそれぞれ対応するマーク部材２１２ｂ上から−ｙ方向側に一部がはみ出るように照射される。−ｙ方向側の測定用マルチビーム２８ａのその他のビームのそれぞれ対応するマーク部材２１２ｂ上から例えばｘ方向側に一部がはみ出るように照射される。例えば、ｘ方向に向かって交互に、−ｙ方向側、ｘ方向側にビームの一部がはみ出るように照射される。
【００３７】
同様に、制限アパーチャ部材２０６の中心の穴５０に対して、ｘ方向側の測定用マルチビーム２８ｃについては、一部のビームのそれぞれ対応するマーク部材２１２ｃ上からｘ方向側に一部がはみ出るように照射される。ｘ方向側の測定用マルチビーム２８ｃのその他のビームのそれぞれ対応するマーク部材２１２ｃ上から例えばｙ方向側に一部がはみ出るように照射される。例えば、ｙ方向に向かって交互に、ｘ方向側、ｙ方向側にビームの一部がはみ出るように照射される。
【００３８】
同様に、制限アパーチャ部材２０６の中心の穴５０に対して、ｙ方向側の測定用マルチビーム２８ｄについては、一部のビームのそれぞれ対応するマーク部材２１２ｄ上からｙ方向側に一部がはみ出るように照射される。ｙ方向側の測定用マルチビーム２８ｄのその他のビームのそれぞれ対応するマーク部材２１２ｄ上から例えば−ｘ方向側に一部がはみ出るように照射される。例えば、ｘ方向に向かって交互に、−ｘ方向側、ｙ方向側にビームの一部がはみ出るように照射される。
【００３９】
図８に示したように、マーク部材２１２に対してｘ，ｙ方向に交互にはみ出すように測定することで、位置に依存した誤差等を抑制できる。図８の手法では、周囲全体にわたってそれぞれｘ，ｙ方向の位置を測定できる。そのため、得られるデータに位置に依存した偏りを無くすことができる。よって、図７に示した手法よりもドリフト補正の精度を向上させることができる。
【００４０】
以上のようにして測定された測定位置を用いて描画用マルチビーム２０を補正する。以下、描画処理のフローを順に説明する。
【００４１】
まず、データ処理工程として、描画データ処理部６４は、記憶装置１４０から描画データを読み出し、装置固有のショットデータを生成する。ショットデータには、試料１０１面上の位置に応じて、描画用マルチビーム２０の対応ビームが、ビームＯＮなのかビームＯＦＦなのかの情報が含まれる。また、ビームＯＮの場合の照射時間（照射量）の情報が含まれる。生成されたショットデータは偏向制御回路１２０に出力される。
【００４２】
偏向量演算工程として、偏向量演算部７０は、描画用マルチビーム２０の各ビームをビームＯＮにする際の偏向量およびビームＯＦＦにする際の偏向量を演算する。通常、ビームＯＮにする際には０Ｖの電圧を印加する。ビームＯＦＦにする際には、ビームが制限アパーチャ２０６の穴５０から外れる位置まで偏向可能な電圧Ｖ１を印加する。ブランキング用の偏向方向は、ｘ方向でもｙ方向でも構わない。
【００４３】
マルチビームを形成工程として、上述した手法で、描画用マルチビーム２０を形成すると共に、測定用マルチビーム２８を形成する。
【００４４】
偏向工程として、ブランキングプレート２０４に配置された複数のブランカーを用いて、描画用マルチビーム２０と測定用マルチビーム２８のうち、それぞれ対応するビームのブランキング偏向を行う。その際、測定用マルチビーム２８については、上述したように、マーク部材２１２上に一部が重なるように偏向する。
【００４５】
収束工程として、収束レンズ２０５が、個別ブランキングプレート２０４を通過した、描画用マルチビーム２０と測定用マルチビーム２８とをクロスオーバー位置に向かって収束する。
【００４６】
以上により、描画用マルチビーム２０のうち複数のブランカーによってビームＯＦＦの状態になるように偏向された各ビームを穴５０から外れた位置にて遮蔽し、ビームＯＮの状態になる各ビームを穴５０から通過させる。
【００４７】
同時に、測定工程として、測定部６０は、複数のマーク部材２１２を用いて、上述した手法を用いて測定用マルチビーム２８の位置を測定する。
【００４８】
補正工程として、補正部６８は、測定された測定用マルチビーム２８の位置の位置ずれ量を補正するように、複数のブランカーのうち描画用マルチビーム２０のブランキング偏向を行う各ブランカーに印加するビームＯＮの状態にするための電圧を補正する。具体的には、以下のように動作する。位置ずれ量演算部６２は、測定された測定用マルチビーム２８の各ビームの位置情報を入力して、設計位置（ビームドリフトが生じていない位置）からの位置ずれ量を演算する。補正部６８は、測定用マルチビーム２８の各ビームの位置ずれ量を入力して、測定された測定用マルチビーム２８の位置の各ビームの位置ずれ量の平均値を演算する。そして、補正部６８は、平均値データを用いて、描画用マルチビーム２０の各ビームをビームＯＮにする際の偏向量データ（偏向電圧データ）を補正する。偏向量データは、偏向制御回路１２０に出力される。そして、偏向量演算部７０は、ビームＯＮにする際の偏向量を演算する際に、補正された偏向量データに沿って、偏向量（偏向電圧）を演算する。これにより、ビームＯＮにする際の偏向電圧が補正される。位置ずれ量は、ｘ方向とｙ方向とのデータが存在するため、ｘ方向の平均値とｙ方向の平均値をそれぞれ用いればよい。偏向制御回路１２０は、描画用マルチビーム２０の各ビーム用のｘドライバ３１には、ｘ方向の位置ずれ量の平均値を加算（オフセット）したデータを出力する。偏向制御回路１２０は、描画用マルチビーム２０の各ビーム用のｙドライバ２９には、ｙ方向の位置ずれ量の平均値を加算（オフセット）したデータを出力する。
【００４９】
補正値は、上述した平均値に限るものではない。例えば、補正部６８は、測定された測定用マルチビーム２８の位置の各ビームの位置ずれ量を用いて、線形補間により描画用マルチビーム２０の各ビームの位置に応じた位置ずれ量をそれぞれ演算してもよい。そして、描画用マルチビーム２０のビーム毎に、それぞれ演算された位置ずれ量を補正するように、描画用マルチビーム２０の各ビームをビームＯＮにする際の偏向量データ（偏向電圧データ）を補正しても好適である。そして、偏向量演算部７０は、ビームＯＮにする際の偏向量を演算する際に、補正された偏向量データに沿って、偏向量（偏向電圧）を演算する。これにより、描画用マルチビーム２０のビーム毎に、個別に、ビームＯＮにする際の偏向電圧が補正できる。よって、平均値を用いる場合よりも、ドリフト補正の精度を向上させることができる。
【００５０】
オフセット後の偏向工程では、ショットする描画用マルチビーム２０の各ビームをビームＯＮの状態にする際に、対応するブランカーは、ドリフト位置が補正された位置に描画用マルチビーム２０の各ビームを偏向する。
【００５１】
測定用マルチビームは、常時、或いは、描画用マルチビーム２０のショット毎に、各ビームの位置を測定可能である。よって、描画処理を進めるにあたってリアルタイムにビームドリフトを補正できる。例えば、描画用マルチビーム２０のショット毎にビームドリフトを補正できる。
【００５２】
図９は、実施の形態１における描画動作を説明するための概念図である。図９（ａ）に示すように、試料１０１の描画領域３０は、例えば、ｙ方向に向かって所定の幅で短冊状の複数のストライプ領域３２に仮想分割される。かかる各ストライプ領域３２は、描画単位領域となる。まず、ＸＹステージ１０５を移動させて、第１番目のストライプ領域３２の左端、或いはさらに左側の位置に一回のマルチビーム２０の照射で照射可能な照射領域３４が位置するように調整し、描画が開始される。第１番目のストライプ領域３２を描画する際には、ＸＹステージ１０５を例えば−ｘ方向に移動させることにより、相対的にｘ方向へと描画を進めていく。ＸＹステージ１０５は所定の速度で例えば連続移動させる。第１番目のストライプ領域３２の描画終了後、ステージ位置を−ｙ方向に移動させて、第２番目のストライプ領域３２の右端、或いはさらに右側の位置に照射領域３４が相対的にｙ方向に位置するように調整し、今度は、図９（ｂ）に示すように、ＸＹステージ１０５を例えばｘ方向に移動させることにより、−ｘ方向にむかって同様に描画を行う。第３番目のストライプ領域３２では、ｘ方向に向かって描画し、第４番目のストライプ領域３２では、−ｘ方向に向かって描画するといったように、交互に向きを変えながら描画することで描画時間を短縮できる。但し、かかる交互に向きを変えながら描画する場合に限らず、各ストライプ領域３２を描画する際、同じ方向に向かって描画を進めるようにしても構わない。１回のショットでは、図９（ｃ）に示すように、成形アパーチャ部材２０３の各穴２２を通過することによって形成されたマルチビームによって、各穴２２と同数の複数のショットパターン３６が一度に形成される。例えば、成形アパーチャ部材２０３の１つの穴Ａを通過したビームは、図９（ｃ）で示す「Ａ」の位置に照射され、その位置にショットパターン３６を形成する。同様に、例えば、成形アパーチャ部材２０３の１つの穴Ｂを通過したビームは、図９（ｃ）で示す「Ｂ」の位置に照射され、その位置にショットパターン３６を形成する。以下、Ｃ〜Ｈについても同様である。そして、各ストライプ３２を描画する際、ｘ方向に向かってＸＹステージ１０５が移動する中、偏向器２０８によってｙ方向或いはｘ，ｙ方向に各ショットが順に移動する（スキャンする）ように偏向し、ショットビームを連続して順に照射していくラスタースキャン方式で描画する。
【００５３】
上述した例では、測定用マルチビームを用いたビームドリフト補正をリアルタイムに実施するように説明したが、これに限るものではない。例えば、ストライプ領域３２毎に補正するようにしても好適である。或いは、複数の試料１０１を順に描画する場合には、試料毎に補正するようにしても好適である。
【００５４】
図１０は、実施の形態１における検出器の他の一例を示す図である。図１では、測定用マルチビーム２８がマーク部材２１２及び制限アパーチャ部材２０６に照射された際に生じる反射電子或いは２次電子を検出器２１４で検出した例を説明したが、これに限るものではない。図１０に示すように、マーク部材２１２の下側にファラディカップ２１３を配置してもよい。ファラディカップ２１３は、マーク部材２１２の一部と重なるように配置されると好適である。マーク部材２１２で遮蔽されなかった測定用マルチビーム２８の一部がファラディカップ２１３に入射される。ファラディカップ２１３に入射されたビームの電流量を測定することで、電流量に応じたビーム位置が演算できる。よって、ファラディカップ２１３に入射された電流量を測定することでビーム位置を測定できる。
【００５５】
以上のように、実施の形態１によれば、マルチビーム描画におけるマルチビームの成形セクションでのドリフト補正を行うことができる。その結果、ビームドリフトによって、描画用マルチビーム２０のＯＮビームの一部が制限アパーチャ部材２０６によって遮蔽されてしまうことを防止できる。よって、試料１０１面に到達するビームのドーズ量の変化を低減或いは抑制できる。
【００５６】
実施の形態２．
実施の形態１では、測定用マルチビーム２８の位置をクロスオーバー面高さ位置付近で測定する場合を説明したが、これに限るものではない。実施の形態２では、クロスオーバー位置に向かう途中で測定用マルチビーム２８の位置を測定する場合について説明する。
【００５７】
図１１は、実施の形態２における描画装置の構成を示す概念図である。図１１において、複数のマーク部材２１２が、ブランキングプレート２０４と制限アパーチャ部材２０６との間に配置された点、複数のマーク部材２１２を支持する測定プレート２１５が配置された点、以外は、図１と同様である。また、以下、特に説明する点以外の内容は実施の形態１と同様である。
【００５８】
図１１の例では、複数のマーク部材２１２は、収束レンズ２０５と制限アパーチャ部材２０６との間に配置される。また、測定プレート２１５上には、複数のマーク部材２１２と、マーク部材２１２毎に配置された複数の検出器２１４とが配置される。実施の形態２では、図１１に示すように、測定用マルチビーム２８の各ビームを、ブランキングプレート２０４のブランカーで偏向せずにそれぞれ通過させる。そして、収束レンズ２０５によって、制限アパーチャ部材２０６の穴５０にクロスオーバーするように収束させる。各マーク部材２１２は、ブランキングプレート２０４のブランカーで偏向されないでそれぞれ通過した測定用マルチビーム２８の対応ビームが収束させられてクロスオーバー位置に向かう途中の軌道上に配置される。これにより、測定用マルチビーム２８についてはブランキングプレート２０４のブランカーでの偏向を不要にできる。さらに言えば、測定用マルチビーム２８についてはブランキングプレート２０４のブランカーを無くすこともできる。
【００５９】
なお、複数のマーク部材２１２は、ブランキングプレート２０４と収束レンズ２０５との間に配置されても構わない。
【００６０】
かかる実施の形態２によれば、実施の形態１と同様、マルチビーム描画におけるマルチビームの成形セクションでのドリフト補正を行うことができる。その結果、ビームドリフトによって、描画用マルチビーム２０のＯＮビームの一部が制限アパーチャ部材２０６によって遮蔽されてしまうことを防止できる。よって、試料１０１面に到達するビームのドーズ量の変化を低減或いは抑制できる。
【００６１】
ここで、測定用マルチビーム２８の各ビームは、成形アパーチャ部材２０３の穴２３で矩形に成形した場合でも、クロスオーバー面高さ位置では、各ビームが円形状になる。これに対して、図１１に示すように、収束途中では、各ビームを矩形に近い形状に維持できる。よって、実施の形態２では、矩形ビームを用いて位置を測定できる。その結果、円形状のビームで位置を測定するよりも、容易に位置を特定（演算）できる。
【００６２】
以上、具体例を参照しつつ実施の形態について説明した。しかし、本発明は、これらの具体例に限定されるものではない。上述したラスタースキャン動作は一例であって、マルチビームを用いたラスタースキャン動作はその他の動作方法であってもよい。また、上述した例では、ＢＡＡ部材２１１により、成形アパーチャ部材２０４とブランキングプレート２０４を一体構造としたが、これに限るものではない。成形アパーチャ部材２０４とブランキングプレート２０４とが、それぞれ離れて配置されてもよい。
【００６３】
また、装置構成や制御手法等、本発明の説明に直接必要しない部分等については記載を省略したが、必要とされる装置構成や制御手法を適宜選択して用いることができる。例えば、描画装置１００を制御する制御部構成については、記載を省略したが、必要とされる制御部構成を適宜選択して用いることは言うまでもない。
【００６４】
その他、本発明の要素を具備し、当業者が適宜設計変更しうる全てのマルチ荷電粒子ビーム描画装置及び方法は、本発明の範囲に包含される。
【符号の説明】
【００６５】
２０  描画用マルチビーム
２１  描画用マルチビーム形成領域
２２，２３  穴
２４，２６，２７  電極
２８  測定用マルチビーム
２９  ｙドライバ
３０  描画領域
３１  ｘドライバ
３２  ストライプ領域
３４  照射領域
３６  ショットパターン
６０  測定部
６２  位置ずれ量演算部
６４  描画データ処理部
６６  描画制御部
６８  補正部
７０  偏向量演算部
１００  描画装置
１０１，３４０  試料
１０２  電子鏡筒
１０３  描画室
１０５  ＸＹステージ
１１０  制御計算機
１１２  メモリ
１２０  偏向制御回路
１３０  アンプ
１３２  ステージ位置測定部
１４０  記憶装置
１５０  描画部
１６０  制御部
２００  電子ビーム
２０１  電子銃
２０２  照明レンズ
２０３  成形アパーチャ部材
２０４  ブランキングプレート
２０５  収束レンズ
２０６  制限アパーチャ部材
２０７  対物レンズ
２０８  偏向器
２１０  ミラー
２１１  ＢＡＡ部材
２１２  マーク部材
２１３  ファラディカップ
２１４  検出器
２１５  測定プレート
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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