(57)【要約】      （修正有）【課題】エッチング後の発塵を抑制できるガラス基板ならびにその製造方法を提供する。【解決手段】主表面と端面３とを有するガラス基板１であって、前記端面を０．５μｍ以下のエッチング量でエッチングした場合に、前記端面のコア部のレベル差Ｒｋが、０．８ｍｍのカットオフ値の条件で、１．２０μｍ以下となる、ガラス基板。また予めガラス基板の端面を、所定の表面性状を有するように研磨処理することで、その後の工程でエッチング性を有する薬液で洗浄されて端面がエッチングされた場合においても、微小ガラス片の発塵の発生を抑制する。なおガラス基板は、端面を有していれば良く、例えば、液晶ディスプレイ（ＬＣＤ）、プラズマディスプレイ（ＰＤＰ）、有機ＥＬディスプレイ（ＯＬＥＤ）、フィールドエミッションディスプレイ（ＦＥＤ）などのフラットパネルディスプレイ（ＦＰＤ）、タッチパネル、太陽電池などの各種ガラス基板が対象である。【選択図】図２
2015187042.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
主表面と端面とを有するガラス基板であって、
前記端面を０．５μｍ以下のエッチング量でエッチングした場合に、前記端面のコア部のレベル差Ｒｋが、０．８ｍｍのカットオフ値の条件で、１．２０μｍ以下となる、ガラス基板。
【請求項２】
主表面と端面とを有するガラス基板であって、
前記端面を０．５μｍ以下のエッチング量でエッチングした場合に、前記端面の算術平均傾斜ＲΔａが、０．０２５ｍｍのカットオフ値の条件で、０．１３以下となる、ガラス基板。
【請求項３】
主表面と端面とを有するガラス基板であって、
前記端面を０．５μｍ以下のエッチング量でエッチングした場合に、前記端面の平滑化粗さ曲線の３５％の負荷長さ率と５５％の負荷長さ率との間の切断レベル差Ｒδｃが、０．８ｍｍのカットオフ値の条件で、０．２５μｍ以下となる、ガラス基板。
【請求項４】
主表面と端面とを有するガラス基板であって、
前記端面のコア部のレベル差Ｒｋが、０．８ｍｍのカットオフ値の条件で、１．００μｍ以下である、ガラス基板。
【請求項５】
主表面と端面とを有するガラス基板であって、
前記端面の算術平均傾斜ＲΔａが、０．８ｍｍのカットオフ値の条件で、０．１０以下である、ガラス基板。
【請求項６】
主表面と端面とを有するガラス基板であって、
前記端面の平滑化粗さ曲線の３５％の負荷長さ率と５５％の負荷長さ率との間の切断レベル差Ｒδｃが、０．８ｍｍのカットオフ値の条件で、０．２０μｍ以下である、ガラス基板。
【請求項７】
主表面と端面とを有するガラス基板の製造方法であって、
主表面と端面とを有する複数のガラス基板を用意する工程と、
前記複数のガラス基板の端面を研磨する工程と、
研磨した前記ガラス基板のうちの１枚以上のガラス基板の端面を、０．５μｍ以下のエッチング量でエッチングする工程と、
エッチングした後の前記端面の表面性状を測定する工程と、
前記の測定結果が所定値以下か否かを判定する工程と、
を含む、ガラス基板の製造方法。
【請求項８】
主表面と端面とを有するガラス基板の製造方法であって、
主表面と端面とを有するガラス基板を用意する工程と、
前記ガラス基板の端面を研磨する工程と、
前記端面の表面性状を測定する工程と、
前記の測定結果が所定値以下か否かを判定する工程と、
を含む、ガラス基板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明はガラス基板及びガラス基板の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、液晶ディスプレイ（ＬＣＤ）、プラズマディスプレイ（ＰＤＰ）、有機ＥＬディスプレイ（ＯＬＥＤ）、フィールドエミッションディスプレイ（ＦＥＤ）などのフラットパネルディスプレイ（ＦＰＤ）が、画像表示装置の主流となっている。
【０００３】
ＦＰＤは、ガラス基板の主表面に、各種配線や素子などが配置された構成となっている。ＦＰＤ用のガラス基板の製造工程は、ガラス基板の端面の研磨処理などの工程を経るため、微小のガラス片などの異物がガラス基板に付着することがあり、それらの付着物の除去を目的に、洗浄工程が施されてきた。近年では、強固に付着した付着物の除去を目的に、エッチング性を有する薬液で、ガラス基板が洗浄される。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００７−１０２８４３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、ガラス基板を、エッチング性を有する薬液で洗浄すると、エッチングによりガラス基板のクラックが進展する。特に、ガラス基板の端面においては、クラックが進展すると端面から微小のガラス片（カレット及びガラスパーティクル）の発塵が生じることがある。
【０００６】
そこで、本実施形態では、エッチング後の微小のガラス片の発塵を抑制できるガラス基板を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
主表面と端面とを有するガラス基板であって、
前記端面を０．５μｍ以下のエッチング量でエッチングした場合に、前記端面のコア部のレベル差Ｒｋが、０．８ｍｍのカットオフ値の条件で、１．２０μｍ以下となる、ガラス基板が提供される。
【発明の効果】
【０００８】
本実施の形態によれば、エッチング後の発塵を抑制できるガラス基板を提供できる。
【図面の簡単な説明】
【０００９】
【図１】図１は、本実施形態のガラス基板の例を説明するための概略図である。
【図２】図２は、エッチングによるクラックの進展の様子を説明するための、概略図である。
【図３】図３は、平滑化粗さ曲線及び負荷曲線を説明するための概略図である。
【図４】図４は、本実施形態に係るガラス基板のレーザー顕微鏡写真の例である。
【発明を実施するための形態】
【００１０】
以下、図面を参照することにより、本実施の形態をより詳細に説明する。
【００１１】
（ガラス基板）
本実施の形態のガラス基板は、端面を有していれば良く、例えば、液晶ディスプレイ（ＬＣＤ）、プラズマディスプレイ（ＰＤＰ）、有機ＥＬディスプレイ（ＯＬＥＤ）、フィールドエミッションディスプレイ（ＦＥＤ）などのフラットパネルディスプレイ（ＦＰＤ）、タッチパネル、太陽電池などの各種ガラス基板を対象とする。
【００１２】
また、本実施形態のガラス基板のガラス素板は、フロート法、フュージョン法、リドロー法、プレス成形法、又は引き上げ法などの方法により作製されるが、本実施形態はこの点において限定されない。
【００１３】
図１に、本実施形態のガラス基板の例を説明するための概略図を示す。本実施形態のガラス基板１は、通常、画像を表示するよう構成される主表面２（表面及び裏面）と、面取り仕上げされた端面３と、を有する。端面３は、主表面２に連続し、通常、面取り加工が施されているが、主表面２と端面３との間に図示しない面取り面が形成された構造であっても良い。
【００１４】
従来から、ガラス基板の強度を高める目的などで、ガラス基板の端面３に各種研磨処理が行われてきた。研磨処理後のガラス基板の主表面２及び端面３（以下、ガラス基板表面ともいう。）には、微小のガラス片などの異物が付着残存するため、異物の除去などを目的に、洗浄工程が施されてきた。
【００１５】
洗浄工程としては、ガラス基板表面に洗剤や純水を供給しながら、モータで回転するブラシローラやスポンジローラをガラス基板表面に押し付けて異物を除去するスクラブ洗浄などが、一般的に行われてきた。しかしながら、スクラブ洗浄では、ガラス基板表面に強固に付着した異物を除去できないことがある。そのため、近年では、エッチング性を有する薬液でガラス基板を洗浄して、異物を除去することがある。
【００１６】
洗浄におけるエッチング性を有する薬液としては、通常、フッ酸、珪フッ酸、フッ化アンモニウム又はフッ化ナトリウムのいずれかを主成分とするエッチング溶液が使用される。また、エッチング溶液は、保存性の観点などから、前記エッチング溶液に塩酸、硝酸、硫酸などの他の酸を含む混酸溶液（酸性溶液）であっても良いし、あるいはアルカリ性溶液であっても良い。本発明において、主成分とは、エッチング溶液中に最も多く含まれている成分のことを指す。
【００１７】
上述のエッチング性を有する薬液を使用して、ガラス基板を洗浄する場合、洗浄時間や薬液の種類などに依存して、ガラス基板は、０．０１〜０．１μｍ程度（最大でも０．５μｍ以下）ウェットエッチングされる。しかしながら、ガラス基板を、エッチング性を有する薬液で洗浄すると、エッチングによりガラス基板表面のクラックが進展する。特に、ガラス基板端面においては、研磨処理による傷がガラス基板の主表面より数多く存在しているため、クラックが進展することにより、端面から微小のガラス片が分離して、発塵することがある。
【００１８】
図２に、エッチングによるクラックの進展の様子を説明するための、概略図を示す。より具体的には、図２は、図１のガラス基板１の端面３周辺の拡大図である。なお、図２（ａ）は、エッチング前のガラス基板１の例であり、図２（ｂ）は、エッチング後のガラス基板１の例である。また、図２（ｂ）には、図２（ａ）で示すエッチング前の端面３の概略図を破線で示している。
【００１９】
図２（ａ）より明らかであるように、ガラス基板１の端面３には、研磨処理によって、マイクロオーダーのクラック、傷及び欠陥（合わせてクラック４と称する）が存在する。図２（ａ）のガラス基板１に、引っ張り応力がかかった場合、このクラック４に応力集中が発生し、クラック４が進展してガラス基板１の破壊に至る。
【００２０】
図２（ａ）で示されるガラス基板１が、例えば洗浄液中のエッチング性を有する薬液により、端面３の表面から等方的に数μｍエッチングされると、図２（ｂ）に示すように、クラック４が拡大する。この時、例えばＡの領域において、隣接するクラックに由来して、微小のガラス片の発塵が生じることがある。
【００２１】
本実施形態では、エッチング性を有する薬液でガラス基板の端面を洗浄した場合に、ガラス基板の端面が所定の表面性状を有するように、予めガラス基板の端面を研磨処理することによって、発塵を抑制できることを見出した。具体的には、本実施形態では、フッ酸、珪フッ酸、フッ化アンモニウムまたはフッ化ナトリウムを主成分とするエッチング溶液を使用して、０．５μｍ以下のエッチング量でエッチングした後のガラス基板の端面が、所定の表面性状を有するように、予めガラス基板の端面を研磨処理することによって、クラックの発生を抑制する。なお、エッチング性を有する薬液を用いた洗浄工程でガラス基板の端面がエッチングされる量は、最大でも０．５μｍ以下である。
【００２２】
本実施形態の他の実施形態では、仮にエッチング性を有する薬液によってガラス基板の端面がエッチングされた場合においても発塵を抑制することができる、エッチング前のガラス基板の端面の表面性状の条件についても見出した。したがって、予めガラス基板の端面を、所定の表面性状を有するように研磨処理することで、その後の工程でエッチング性を有する薬液で洗浄されて端面がエッチングされた場合においても、微小ガラス片の発塵の発生を抑制することができる。
【００２３】
端面の研磨処理における研磨砥石は、通常、研磨砥粒と該研磨砥粒を固定するボンドとを有する。本実施形態では、平均粒径が４０μｍ以下の、粒径が小さいダイヤモンド砥粒を有する軟質砥石を使用して、又は、研磨砥粒として立方晶窒化ホウ素（ＣＢＮ）、炭化シリコン（ＳｉＣ）又はアルミナ（Ａｌ２Ｏ３）を有する研磨砥石を使用して、下記に一例を示す研磨条件で、研磨砥石の側面をガラス基板の端面に当てて、ガラス基板の端面を研磨する。これにより、エッチング性を有する薬液で洗浄されて端面がエッチングされた場合においても、微小ガラス片の発塵の発生を抑制することがわかった。研磨条件としては、例えば、回転数が３０００〜１００００ｒｐｍであり、ガラス基板と研磨砥石との相対送り速度が３〜３０ｍ／分である。
【００２４】
端面の研磨は、公知のガラス基板端面研磨装置（ガラス基板端面研削装置）を使用して実施することができる。ガラス基板端面研磨装置は、通常、円柱形状の研磨砥石を備え、研磨砥石は、側面に円周方向に沿って溝が形成されている。研磨砥石を回転させながら、この溝に端面を押し当てることにより、端面の研磨処理を実施することができる。この際、溝の形状に合わせて、端面の研磨が行われる。溝の断面形状は、通常、溝の底部側から研磨砥石表面側に漸次広がった形状を有しているが、溝のサイズ及び詳細な形状は、ガラス基板の板厚及び所望の端面形状などに応じて、当業者が適宜選択することができる。
【００２５】
また、ガラス基板端面研磨装置は、例えばガラス基板の加工工程における上流側から１次端面研磨部、２次端面研磨部といった、複数の端面研磨部を有していても良い。ガラス基板の加工工程における上流側の端面研磨部では、通常、下流側の端面研磨部で使用される研磨砥石よりも、平均粒径が大きい（研磨砥石の番手が大きい）研磨砥石を使用して、研磨面を滑らかな表面に仕上げる方法が採用されている。本実施形態においても、上述した平均粒径の範囲内において、上流側の端面研磨部で使用される研磨砥石は、下流側の端面研磨部で使用される研磨砥石よりも、平均粒径が大きいことが好ましい。
【００２６】
また、上述の研磨方法により、ガラス研磨時に発生する微小のガラス片の発生が抑制される；ガラス基板への微小のガラス片の付着が抑制される；応力集中が抑制され、ガラス基板が破壊される可能性が低減する；ガラス基板を搬送する場合の、位置決めピンなどが接触する際の圧力が分散され、ガラス基板へのダメージが減少し、かつ、ダメージ部からの発塵が抑制される；などの効果も有する。
【００２７】
（表面性状）
次に、微小ガラス片の発塵の発生を抑制することができる、端面についての好ましい表面性状について、説明する。
【００２８】
先ず、後述する各表面性状を求めるために使用される、断面曲線及び平滑化粗さ曲線の求め方について、簡単に説明する。なお、本実施形態においては、カットオフ値λｃ（基準長さＬｒ）は、０．０２５ｍｍ、０．０８ｍｍ、０．２５ｍｍ、０．８ｍｍとし、評価長さＬｎは、カットオフ値λｃの５倍以上の長さとした。
【００２９】
ガラス基板の端面上を、表面粗さ測定装置の触針を移動させ、触針先端部の中心の軌跡を測定して、測定曲線を取得する。得られた測定曲線をＡ／Ｄ変換し、測定断面曲線を得た。得られた測定断面曲線に、所定のカットオフ値λｃの低域フィルタをかけ、うねりを除去した断面曲線を得た。
【００３０】
また、上述で得られた断面曲線を、以下のフィルタ処理することにより、平滑化粗さ曲線を得た。断面曲線に、位相補償フィルタでフィルタ処理し、第１平均線を算出した。この第１平均線の下の部分を除去して、第２平均線を算出し、この第２の平均線に位相補償フィルタでフィルタ処理し、第３平均線を算出した。最後に、断面曲線から第３平均線を差し引くことで、平滑化粗さ曲線を得た。
【００３１】
図３に、平滑化粗さ曲線１０及び負荷曲線１１を説明するための概略図を示す。図３における平滑化粗さ曲線１０における横軸は、前述の第３平均線の方向における座標であり、縦軸は、端面の深さ方向における座標である。また、負荷曲線１１は、負荷長さ率ｔｐの値を横軸に、平滑化粗さ曲線１０の高さを縦軸に、プロットしたものである。負荷長さ率ｔｐとは、平滑化粗さ曲線１０から、その横軸方向に基準長さＬｎだけ抜き取り、抜き取った平滑化粗さ曲線１０を、横軸に平行な切断線で上端から下端まで切断した際に得られる、各々の切断線での切断長さの和を、基準長さＬｎに対する百分率での比で表したものである。なお、基準長さＬｎは、通常、前述のカットオフ値の５倍以上とする。
【００３２】
本実施形態では、平滑化粗さ曲線及び／又は負荷曲線を使用して、下記に記載の方法により、コア部のレベル差Ｒｋ、算術平均傾斜ＲΔａ及び切断レベル差Ｒδｃを求めた。
【００３３】
［コア部のレベル差Ｒｋ］
図３に示した負荷曲線において、ＪＩＳ  Ｂ０６７１（２００２）に基づいて、４０％長の等価直線１２を引く。この等価直線と０％の縦線との交点をコア部の上部レベルとし、等価直線と１００％の縦線との交点をコア部の下部レベルとし、上部レベルと下部レベルとの差を求めることにより、コア部のレベル差Ｒｋを求めた。
【００３４】
本実施形態において、ガラス基板の端面を０．５μｍ以下のエッチング量でエッチングした場合に、コア部のレベル差Ｒｋが、カットオフ値λｃ＝０．８ｍｍの条件で１．２０μｍ以下となることが好ましく、１．００μｍ以下となることがより好ましく、カットオフ値λｃ＝０．０２５ｍｍの条件で０．４８μｍ以下となることが好ましく、０．３０μｍ以下となることがより好ましい。
【００３５】
また、本実施形態において、ガラス基板の端面のエッチングする前のコア部のレベル差Ｒｋが、カットオフ値λｃ＝０．８ｍｍの条件で１．００μｍ以下となることが好ましく、０．７０μｍ以下となることがより好ましく、カットオフ値λｃ＝０．０２５ｍｍの条件で０．４０μｍ以下となることが好ましく、０．１３μｍ以下となることがより好ましい。
【００３６】
［算術平均傾斜ＲΔａ］
平滑化粗さ曲線の基準長さＬｒにおける算術平均傾斜を求め、本実施形態の算術平均傾斜ＲΔａとした。
【００３７】
本実施形態において、ガラス基板の端面を０．５μｍ以下のエッチング量でエッチングした場合に、算術平均傾斜ＲΔａが、カットオフ値λｃ＝０．０２５ｍｍの条件で０．１３以下となることが好ましい。
【００３８】
また、本実施形態において、ガラス基板の端面のエッチングする前の算術平均傾斜ＲΔａが、カットオフ値λｃ＝０．８ｍｍの条件で０．１０以下となることが好ましく、０．０７以下となることがより好ましく、カットオフ値λｃ＝０．０２５ｍｍの条件で０．１２以下となることが好ましく、０．０７以下となることがより好ましい。
【００３９】
［切断レベル差Ｒδｃ］
本実施形態における切断レベル差Ｒδｃは、平滑化粗さ曲線の３５％の負荷長さ率と５５％の負荷長さ率との間の切断レベル差と定義した。
【００４０】
本実施形態において、ガラス基板の端面を０．５μｍ以下のエッチング量でエッチングした場合に、切断レベル差Ｒδｃが、カットオフ値λｃ＝０．８ｍｍの条件で０．２５μｍ以下となることが好ましく、０．１９μｍ以下となることがより好ましく、カットオフ値λｃ＝０．０２５ｍｍの条件で０．０９μｍ以下となることが好ましく、０．０６μｍ以下となることがより好ましい。
【００４１】
また、本実施形態において、ガラス基板の端面のエッチングする前の切断レベル差Ｒδｃが、カットオフ値λｃ＝０．８ｍｍの条件で０．２０μｍ以下となることが好ましく、０．１４μｍ以下となることがより好ましく、カットオフ値λｃ＝０．０２５ｍｍの条件で０．０８μｍ以下となることが好ましく、０．０３μｍ以下となることがより好ましい。
【００４２】
（実施例）
次に、ガラス基板の端面を０．５μｍ以下のエッチング量でエッチングした場合に、ガラス基板の端面が所定の表面性状を有することの効果を確認した実施形態について、説明する。
【００４３】
本実施形態においては、下記の研磨砥石を備える公知のガラス基板端面研磨装置を使用して、ガラス基板の端面の研磨を行った。本実施例においては、平均粒径が４０μｍ以下のダイヤモンド砥粒を有する軟質砥石、又は、研磨砥粒として炭化シリコンを有する研磨砥石を用いて、研磨を行った。また、比較例として、平均粒径が約５０μｍのダイヤモンド砥粒を有する研磨砥石を用いて、研磨を行った。
【００４４】
各実施例又は比較例の研磨後のガラス基板について、上述した方法により、コア部のレベル差Ｒｋ、算術平均傾斜ＲΔａ及び切断レベル差Ｒδｃを求めた。その後、研磨後のガラス基板を、所定の濃度のフッ酸を含むエッチング液に所定の時間浸漬することで、約０．１μｍエッチングした。エッチング後のガラス基板についても、上述の表面性状を求めた。
【００４５】
各実施例又は比較例で得られたガラス基板における、各表面性状のパラメータを表１及び表２に示す。
【００４６】
なお、表１には、カットオフ値λｃが０．０２５ｍｍの場合の表面性状のパラメータを示し、表２には、カットオフ値λｃが０．８ｍｍの場合における表面性状のパラメータを示している。なお、表１及び表２における速度とは、研磨時における、ガラス基板と研磨砥石との相対送り速度を指す。
【００４７】
【表１】
2015187042.tif 000003
【００４８】
【表２】
2015187042.tif 000004
（評価）
各実施例及び比較例で得られたガラス基板の評価は、レーザー顕微鏡を用いたガラス基板端面の表面観察により行った。
【００４９】
図４に、本実施形態に係るガラス基板のレーザー顕微鏡写真例を示す。図４（ａ）は、表１における実施例３のガラス基板の端面における、エッチングした後のレーザー顕微鏡写真であり、図４（ｂ）は、表１における比較例１のガラス基板の端面における、エッチングした後のレーザー顕微鏡写真である。
【００５０】
図４（ａ）に示した写真は、図４（ｂ）に示した写真よりも、白色の面積が大きい。白色の箇所は、レーザー顕微鏡からガラス基板端面に到達した光が反射して表示されているためで、これは、ガラス基板端面が平坦であることを示している。これに対して黒色の箇所は、レーザー顕微鏡からガラス基板端面に到達した光が散乱して表示されているためで、これは、ガラス基板端面が平坦ではないことを示している。したがって、エッチング後においても、ガラス基板端面が平坦であることがわかる。即ち、本実施形態のガラス基板は、エッチングした場合においても、発塵を抑制することができる。一方、図４（ｂ）に示した比較例のガラス基板は、エッチング後の表面が平坦でなく、凹凸が大きい。そのため、比較例のガラス基板をエッチングした場合、発塵が発生することがあり、また、後の工程において、他の構造体との接触などにより破壊される可能性が高い。
【００５１】
また、各実施例及び比較例で得られたガラス基板について、ガラス基板の端面における占有率を測定することにより、評価を行った。
【００５２】
占有率とは、ガラス端面に押しつけた粘着テープに付着したガラスパーティクルの面積比率（粘着テープの単位面積あたりのガラスパーティクル面積の割合＝ガラスパーティクル面積／粘着テープの単位面積×１００％）である。
【００５３】
本実施形態において、占有率の測定は、粘着テープにガラス端面を押しつけた後、粘着テープ表面をレーザー顕微鏡で観察および画像を保存し、ガラスパーティクルの面積比率を、画像を二値化処理することにより行った。
【００５４】
なお、占有率の判定基準としては、
Ａ：占有率が４％未満
Ｂ：占有率が４％以上８％未満
Ｃ：占有率が８％以上
とした。
【００５５】
端面の占有率がＡ又はＢを満たすガラス基板は、端面に付着するガラスパーティクルが少ない。即ち、端面が平坦であり、微小ガラス片の発塵の発生を抑制できるガラス基板であると言える。
【００５６】
以上、本実施形態のガラス基板は、主表面と端面とを有するガラス基板であって、０．５μｍ以下のエッチング量でエッチングした場合に、前記端面の表面性状が所定値以下となるガラス基板であることによって、発塵の発生を抑制することができる。
【００５７】
（ガラス基板の製造方法）
ガラス基板の製造方法の一工程として、ガラス基板を検査する実施形態について、説明する。
【００５８】
先ず、予め主表面及び端面が形成された複数のＦＰＤ用ガラス基板を用意する。前述した通り、例えばフロート法で製造されたガラス素板を、切断工程及び端面形成工程を経て、複数（例えば、５０枚）のガラス基板を得ることができる。用意された複数のガラス基板の端面を、研磨装置により研磨する。研磨は、例えば、平均粒径が４０μｍ以下のダイヤモンド砥粒を有する軟質砥石又は研磨砥粒として炭化シリコン又はアルミナを有する研磨砥石を使用して、研磨砥石の回転数３０００ｒｐｍ、ガラス基板と研磨砥石との相対送り速度６〜１２ｍ／分で実行することができる。次に、研磨されたガラス基板のうちの１枚以上のガラス基板の端面について、０．５μｍ以下のエッチング量で、ウェットエッチングする。エッチングされたガラス基板の端面について、表面性状、例えば、コア部のレベル差Ｒｋを測定する。測定された表面性状に関する測定結果が所定値以下であれば、複数のガラス基板の残りのガラス基板が良品であると判定する。
【００５９】
本実施形態のガラス基板の製造方法によると、主表面と端面とを有するガラス基板であって、０．５μｍ以下のエッチング量でエッチングした場合に、前記端面の表面性状が所定値以下か否かを判定する工程を含んでいる。所定値以下であると判定されたガラス基板を除く、残りのガラス基板は、後の洗浄工程でエッチング性を有する薬液で洗浄された場合においても、端面の表面性状が所定値以下になるため、良品のガラス基板、即ち、発塵が少ない若しくは後の工程に影響を及ぼさないガラス基板となる。
【００６０】
また、他の実施形態のガラス基板の製造方法の変形例として、エッチング前のガラス基板の端面について、同様に表面性状を測定することにより、ガラス基板の判定を行っても良い。具体的には、先ず、予め主表面及び端面が形成された複数のＦＰＤ用ガラス基板を用意する。前述した通り、例えばフロート法で製造されたガラス素板を、切断工程及び端面形成工程を経て、複数（例えば、５０枚）のガラス基板を得ることができる。用意された複数のガラス基板の端面を、研磨装置により研磨する。研磨は、例えば、平均粒径が４０μｍ以下のダイヤモンド砥粒を有する軟質砥石又は研磨砥粒として炭化シリコン又はアルミナを有する研磨砥石を使用して、研磨砥石の回転数３０００ｒｐｍ、ガラス基板と研磨砥石との相対送り速度６〜１２ｍ／分で実行することができる。次に、研磨後のガラス基板の端面について、表面性状、例えば、コア部のレベル差Ｒｋを測定する。測定された表面性状に関する測定結果が所定値以下であれば、複数のガラス基板が全て良品であると判定する。
【００６１】
本実施形態のガラス基板の製造方法によると、主表面と端面とを有するガラス基板であって、エッチング前に、前記端面の表面性状が所定値以下か否かを判定する工程を含んでいる。所定値以下であると判定されたガラス基板を含む、全てのガラス基板は、後の洗浄工程でエッチング性を有する薬液で洗浄された場合においても、端面の表面性状が所定値以下になるため、良品のガラス基板、即ち、発塵が少ない若しくは後の工程に影響を及ぼさないガラス基板となる。
【符号の説明】
【００６２】
１      ガラス基板
２      主表面
３      端面
４      クラック
１０    平滑化粗さ曲線
１１    負荷曲線
１２    等価直線
【図１】
2015187042.tif 000005
【図２】
2015187042.tif 000006
【図３】
2015187042.tif 000007
【図４】
2015187042.tif 000008