(57)【要約】【課題】精度よく位置決めが可能なアライメントマークを備えた液晶装置用基板の製造方法、液晶装置用基板、該液晶装置用基板を用いた液晶装置、電子機器を提供すること。【解決手段】液晶装置用基板の製造方法は、アライメントマークを形成する工程（ステップＳ１）と、フィルター層を含むカラーフィルターを形成する工程（ステップＳ２）と、カラーフィルター上に配向膜を形成する工程（ステップＳ５）と、配向膜をラビングして配向処理を施す工程（ステップＳ６）と、を備え、カラーフィルターを形成する工程（ステップＳ２）では、前記フィルター層でアライメントマークを覆うことを特徴とする。【選択図】図６
2015022253.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
アライメントマークを形成する工程と、
フィルター層を含むカラーフィルターを形成する工程と、
前記カラーフィルターの上に配向膜を形成する工程と、
前記配向膜をラビングして配向処理を施す工程と、を備え、
前記カラーフィルターを形成する工程では、前記フィルター層で前記アライメントマークを覆うことを特徴とする液晶装置用基板の製造方法。
【請求項２】
前記カラーフィルターは、赤のフィルター層、緑のフィルター層、及び青のフィルター層を含むことを特徴とする請求項１に記載の液晶装置用基板の製造方法。
【請求項３】
前記カラーフィルターの形成工程では、前記アライメントマークの厚みよりも前記フィルター層の厚みのほうが大きくなるように前記カラーフィルターを形成することを特徴とする請求項１または２に記載の液晶装置用基板の製造方法。
【請求項４】
前記配向膜を形成する工程の前に、前記カラーフィルターを覆うオーバーコート層を形成する工程をさらに備えたことを特徴とする請求項１乃至３のいずれか一項に記載の液晶装置用基板の製造方法。
【請求項５】
前記配向膜を形成する工程の前に、前記カラーフィルター上または前記オーバーコート層上に透明導電膜を形成する工程をさらに備えたことを特徴とする請求項１乃至４のいずれか一項に記載の液晶装置用基板の製造方法。
【請求項６】
前記透明導電膜を形成する工程では、前記アライメントマークの端部に生ずる前記フィルター層の段差の大きさより厚みが大きい前記透明導電膜を形成することを特徴とする請求項５に記載の液晶装置用基板の製造方法。
【請求項７】
前記透明導電膜のうち前記アライメントマークと重なる部分を除去する工程をさらに備えたことを特徴とする請求項５に記載の液晶装置用基板の製造方法。
【請求項８】
前記カラーフィルターを形成する工程では、前記赤のフィルター層で前記アライメントマークを覆うことを特徴とする請求項２に記載の液晶装置用基板の製造方法。
【請求項９】
前記アライメントマークを形成する工程は、液晶層を挟持する一対の基板のうちの一方の基板が複数レイアウトされるマザー基板に前記アライメントマークを形成することを特徴とする請求項１乃至８のいずれか一項に記載の液晶装置用基板の製造方法。
【請求項１０】
基板本体と、
前記基板本体に設けられたアライメントマークと、
前記基板本体に設けられたフィルター層を含むカラーフィルターと、
前記カラーフィルターを覆い、ラビング処理が施された配向膜と、を備え、
前記アライメントマークは、前記フィルター層で覆われていることを特徴とする液晶装置用基板。
【請求項１１】
前記カラーフィルターは、赤のフィルター層、緑のフィルター層、及び青のフィルター層を含むことを特徴とする請求項１０に記載の液晶装置用基板。
【請求項１２】
前記基板本体上における、前記アライメントマークの厚みよりも前記フィルター層の厚みのほうが大きいことを特徴とする請求項１０または１１に記載の液晶装置用基板。
【請求項１３】
前記カラーフィルターと前記配向膜との間に、前記カラーフィルターを覆うオーバーコート層をさらに有することを特徴とする請求項１０乃至１２のいずれか一項に記載の液晶装置用基板。
【請求項１４】
前記カラーフィルターと前記配向膜との間に、前記カラーフィルターまたは前記オーバーコート層を覆う透明導電膜をさらに有することを特徴とする請求項１０乃至１３のいずれか一項に記載の液晶装置用基板。
【請求項１５】
前記透明導電膜の厚みは、前記アライメントマークの端部に生ずる前記フィルター層の段差の大きさより大きいことを特徴とする請求項１４に記載の液晶装置用基板。
【請求項１６】
前記透明導電膜のうち前記アライメントマークと重なる部分が除去されていることを特徴とする請求項１４に記載の液晶装置用基板。
【請求項１７】
前記赤のフィルター層で前記アライメントマークが覆われていることを特徴とする請求項１１に記載の液晶装置用基板。
【請求項１８】
前記基板本体は、液晶装置の一対の基板のうちの一方の基板であって、
前記アライメントマークは、前記一方の基板が複数レイアウトされるマザー基板に設けられていることを特徴とする請求項１０乃至１７のいずれか一項に記載の液晶装置用基板。
【請求項１９】
一対の基板と、前記一対の基板により挟持された液晶層とを有する液晶装置であって、
前記一対の基板のうちの一方の基板に、請求項１０乃至１８のいずれか一項に記載の液晶装置用基板が用いられていることを特徴とする液晶装置。
【請求項２０】
請求項１９に記載の液晶装置を備えたことを特徴とする電子機器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、液晶装置用基板の製造方法、液晶装置用基板、液晶装置、電子機器に関する。
【背景技術】
【０００２】
液晶装置は、一対の基板と、該一対の基板に挟持された液晶層（液晶分子の層）とを有している。該一対の基板のそれぞれには、該一対の基板を液晶層を挟んで所定の位置で対向配置させるために、アライメントマーク（組立用位置合わせマーク）が設けられる。また、光学設計に基づいて液晶分子を配向させる配向膜が形成される。配向膜として例えばポリイミドなどの有機樹脂膜が用いられ、液晶分子が所定の方向に初期配向するように、ラビング部材を用いて有機樹脂膜の表面を該所定の方向に合わせて擦るラビング処理（配向処理）が施される。ラビング部材で有機樹脂膜の表面を擦ると、その表面には該所定の方向に有機樹脂膜の一部が削れてできた細かい溝が形成される。ＴＮ（Twisted  Nematic）の液晶分子は、この溝に沿って配列して配向すると言われている。
一方で、該一対の基板のそれぞれにおいて、液晶層側の表面には、アライメントマークに起因する凹凸が生ずるため、ラビング時に有機樹脂膜が削れて発生したラビングカスやラビング布の繊維クズなどの異物が上記アライメントマークの凹凸部分に付着して留まる現象が生じた。そうすると、上記アライメントマークの形状を認識して該一対の基板を位置決めするときに、上記異物が邪魔をして上記アライメントマークの形状を正確に認識できず、該一対の基板の位置決めを精度よく行うことが困難になるという問題があった。
【０００３】
そこで、例えば、特許文献１には、配向膜を形成する際に、アライメントマークを覆う平坦化保護膜を形成してラビング処理を行う方法が開示されている。
また、例えば、特許文献２には、アライメントマークの周辺に、上記異物をトラップするダミーパターンを設ける方法が開示されている。
これらの方法によれば、アライメントマークに起因する凹凸部分に上記異物が留まり難いので、精度よく位置決めができるとされている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開平４−５８２１７号公報
【特許文献２】特開２００５−１１５０３７号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
上記特許文献１では、電極として用いられる透明導電膜を利用してアライメントマークを形成している。したがって、基板表面におけるアライメントマークの厚みはせいぜい１００ｎｍ〜２００ｎｍ程度であり、同じく厚みが１００ｎｍ程度の配向膜を用いた平坦化保護膜でアライメントマークを覆って平坦化することはそれほど困難ではない。ところが、アライメントマークは透明導電膜を用いて形成されることに限定されるものではなく、例えば、厚みがμｍ単位の金属などの膜を用いて形成されることがある。その場合には、厚みが１００ｎｍ程度の平坦化保護膜でアライメントマークを覆っても、アライメントマークに起因する凹凸を上記異物が留まらない程度に平坦化することが難しい。また、配向膜を利用して平坦化保護膜を形成すると、配向膜のラビングカスによるアライメントマークの認識不具合を解決できないという課題があった。
また、上記特許文献２では、ラビング方向に応じたダミーパターンを形成する必要があり、ラビング方向が異なる機種間で該ダミーパターンの共通化ができない。したがって、機種ごとに専用のダミーパターンを有する基板を準備しなければならないという課題があった。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明は、上述の課題の少なくとも一部を解決するためになされたものであり、以下の形態または適用例として実現することが可能である。
【０００７】
［適用例］本適用例に係わる液晶装置用基板の製造方法は、アライメントマークを形成する工程と、フィルター層を含むカラーフィルターを形成する工程と、前記カラーフィルター上に配向膜を形成する工程と、前記配向膜をラビングして配向処理を施す工程と、を備え、前記カラーフィルターを形成する工程では、前記フィルター層で前記アライメントマークを覆うことを特徴とする。
【０００８】
本適用例によれば、アライメントマークをフィルター層で覆うことで、アライメントマークを直に配向膜で覆う場合に比べて、アライメントマークに起因して配向膜の表面に生ずる凹凸を小さくすることができる。したがって、配向膜のラビングに伴って発生する異物がアライメントマークの周辺に留まり難いので、アライメントマークを正確に認識して位置決めが可能な液晶装置用基板を製造することができる。
また、アライメントマークをフィルター層で覆うことで該凹凸を小さくしているので、ラビング方向に関わらないアライメントマーク構造を提供できる。
【０００９】
上記適用例に係わる液晶装置用基板の製造方法において、前記カラーフィルターは、赤のフィルター層、緑のフィルター層、及び青のフィルター層を含むことが好ましい。
この方法によれば、赤、緑、青のフィルター層の中からアライメントマークを覆ったときに視認性のよいフィルター層を選択できる。
【００１０】
上記適用例に係わる液晶装置用基板の製造方法において、前記カラーフィルターの形成工程では、前記アライメントマークの厚みよりも前記フィルター層の厚みのほうが大きくなるように前記カラーフィルターを形成することが好ましい。
この方法によれば、１つのフィルター層によってアライメントマークを十分に被覆することができるので、アライメントマークに起因して配向膜の表面に生ずる凹凸を小さくすることができる。
【００１１】
上記適用例に係わる液晶装置用基板の製造方法において、前記配向膜を形成する工程の前に、前記カラーフィルターを覆うオーバーコート層を形成する工程をさらに備えることが好ましい。
この方法によれば、アライメントマークを覆ったフィルター層の上にさらにオーバーコート層が形成される。したがって、オーバーコート層上に配向膜を形成すると、アライメントマークに起因して配向膜の表面に生ずる凹凸をより小さくすることができる。
【００１２】
上記適用例に係わる液晶装置用基板の製造方法において、前記配向膜を形成する工程の前に、前記カラーフィルター上または前記オーバーコート層上に透明導電膜を形成する工程をさらに備えるとしてもよい。
この方法によれば、電極として利用可能な透明導電膜を備え、アライメントマークを正確に認識して位置決めが可能な液晶装置用基板を製造することができる。
【００１３】
上記適用例に係わる液晶装置用基板の製造方法において、前記透明導電膜を形成する工程では、前記アライメントマークの端部に生ずる前記フィルター層の段差の大きさより厚みが大きい前記透明導電膜を形成することが好ましい。
この方法によれば、透明導電膜でアライメントマークに起因するフィルター層の段差を覆うことになり、透明導電膜自体に平坦化層としての機能を持たせることができるので、アライメントマークに起因して配向膜の表面に生ずる凹凸をより小さくすることができる。
【００１４】
上記適用例に係わる液晶装置用基板の製造方法において、前記透明導電膜のうち前記アライメントマークと重なる部分を除去する工程をさらに備えることが好ましい。
アライメントマークに起因してフィルター層に段差が生じている場合、当該段差を覆う透明導電膜は、フィルター層よりも硬い材料であるため、当該段差を覆う部分にクラックが生ずるおそれがある。透明導電膜にクラックが生じて部分的にフィルター層から透明導電膜が浮いてしまうと、ラビング時の異物が透明導電膜が浮いた部分に留まり易い。
この方法によれば、アライメントマークと重なる部分の透明導電膜が除去されるので、透明導電膜の浮きに起因してラビング時の異物がアライメントマークの近傍に留まることを防止することができる。
【００１５】
上記適用例に係わる液晶装置用基板の製造方法において、前記カラーフィルターを形成する工程では、前記赤のフィルター層で前記アライメントマークを覆うことを特徴とする。
アライメントマークを正確に認識するには、フィルター層を透過する光でアライメントマークを照明することが望ましい。
この方法によれば、アライメントマークは他の色よりも長波長の赤のフィルター層で覆われるので、他の色よりもアライメントマークを認識し易い。また、アライメントマークを照明する手段として、他の色よりも安価な例えば赤色ＬＥＤなどの光源を選択できる利点がある。
【００１６】
上記適用例に係わる液晶装置用基板の製造方法において、液晶装置は、液晶層を挟持する一対の基板を有し、前記アライメントマークを形成する工程は、前記一対の基板のうちの一方の基板が複数レイアウトされるマザー基板に前記アライメントマークを形成するとしてもよい。
この方法によれば、複数の一方の基板を他方の基板に対して同時に位置決めすることが可能な液晶装置用基板を製造することができる。
【００１７】
［適用例］本適用例に係わる液晶装置用基板は、基板本体と、前記基板本体に設けられたアライメントマークと、前記基板本体に設けられたフィルター層を含むカラーフィルターと、前記カラーフィルターを覆い、ラビング処理が施された配向膜と、を備え、前記アライメントマークは、前記フィルター層で覆われていることを特徴とする。
【００１８】
本適用例によれば、アライメントマークがフィルター層で覆われているので、アライメントマークを直に配向膜で覆う場合に比べて、アライメントマークに起因して配向膜の表面に生ずる凹凸を小さくすることができる。したがって、配向膜のラビングに伴う異物がアライメントマークの周辺に留まり難いので、アライメントマークを正確に認識して位置決めが可能な液晶装置用基板を提供することができる。
また、アライメントマークをフィルター層で覆うことで該凹凸を小さくしているので、ラビング方向に寄らないアライメントマーク構造を具備した液晶装置用基板を提供できる。
【００１９】
上記適用例に係わる液晶装置用基板において、前記カラーフィルターは、赤のフィルター層、緑のフィルター層、及び青のフィルター層を含むことを特徴とする。
この構成によれば、赤、緑、青のフィルター層の中からアライメントマークを覆ったときに視認性のよいフィルター層を選択できる。
【００２０】
上記適用例に係わる液晶装置用基板において、前記基板本体上における、前記アライメントマークの厚みよりも前記フィルター層の厚みのほうが大きいことが好ましい。
この構成によれば、１つのフィルター層によってアライメントマークが十分に被覆されるので、アライメントマークに起因して配向膜の表面に生ずる凹凸を小さくすることができる。
【００２１】
上記適用例に係わる液晶装置用基板において、前記カラーフィルターと前記配向膜との間に、前記カラーフィルターを覆うオーバーコート層をさらに有することが好ましい。
この構成によれば、アライメントマークを覆ったフィルター層の上にさらにオーバーコート層が設けられる。したがって、アライメントマークに起因して配向膜の表面に生ずる凹凸をより小さくすることができる。
【００２２】
上記適用例に係わる液晶装置用基板において、前記カラーフィルターと前記配向膜との間に、前記カラーフィルターまたは前記オーバーコート層を覆う透明導電膜をさらに有するとしてもよい。
この構成によれば、電極として利用可能な透明導電膜を備え、アライメントマークを正確に認識して位置決めが可能な液晶装置用基板を提供することができる。
【００２３】
上記適用例に係わる液晶装置用基板において、前記透明導電膜の厚みは、前記アライメントマークの端部に生ずる前記フィルター層の段差の大きさより大きいことが好ましい。
この構成によれば、透明導電膜でアライメントマークに起因するフィルター層の段差を覆うことになり、透明導電膜自体に平坦化層としての機能を持たせることができるので、アライメントマークに起因して配向膜の表面に生ずる凹凸をより小さくすることができる。
【００２４】
上記適用例に係わる液晶装置用基板において、前記透明導電膜のうち前記アライメントマークと重なる部分が除去されていることが好ましい。
この構成によれば、アライメントマークと重なる部分の透明導電膜が除去されるので、透明導電膜を残す場合に比べて、フィルター層の段差を覆う透明導電膜が浮くことに起因して、ラビング時の異物がアライメントマークの近傍に留まることを防止することができる。
【００２５】
上記適用例に係わる液晶装置用基板において、前記赤のフィルター層で前記アライメントマークが覆われていることが好ましい。
この構成によれば、アライメントマークは他の色よりも長波長の赤のフィルター層で覆われるので、赤以外のフィルター層でアライメントマークが覆われる場合に比べて、アライメントマークを認識し易い。また、アライメントマークを照明する手段として、他の色よりも安価な例えば赤色ＬＥＤなどの光源を選択できる利点がある。
【００２６】
上記適用例に係わる液晶装置用基板において、前記基板本体は、液晶装置の一対の基板のうちの一方の基板であって、前記アライメントマークは、前記一方の基板が複数レイアウトされるマザー基板に設けられているとしてもよい。
この構成によれば、複数の一方の基板を他方の基板に対して同時に位置決めすることが可能な液晶装置用基板を提供することができる。
【００２７】
［適用例］本適用例に係わる液晶装置は、一対の基板と、前記一対の基板により挟持された液晶層とを有する液晶装置であって、前記一対の基板のうちの一方の基板に、上記適用例に記載の液晶装置用基板が用いられていることを特徴とする。
本適用例によれば、一対の基板を精度よく位置決めすることができるので、位置ズレによる例えば外形不良や表示不良などの不具合が低減された液晶装置を提供できる。
【００２８】
［適用例］本適用例に係わる電子機器は、上記適用例に記載の液晶装置を備えたことを特徴とする。
本適用例によれば、優れた製品品質を有する電子機器を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００２９】
【図１】（ａ）は液晶装置の構成を示す概略平面図、（ｂ）は同図（ａ）のＨ−Ｈ’線で切った概略断面図。
【図２】液晶装置の電気的な構成を示す等価回路図。
【図３】第１実施形態の対向基板側のマザー基板の構成を示す概略平面図。
【図４】図３のＡ−Ａ’線に沿ったマザー基板の構造を示す概略断面図。
【図５】（ａ）は対向基板側のアライメントマークを示す概略平面図、（ｂ）は素子基板側のアライメントマークと対向基板側のアライメントマークとを位置合わせした状態を示す概略平面図、（ｃ）は（ａ）のＢ−Ｂ’線に沿ったアライメントマークを含む対向基板の概略断面図。
【図６】第１実施形態の対向基板側のマザー基板の製造方法を示すフローチャート。
【図７】（ａ）〜（ｅ）は第１実施形態の対向基板側のマザー基板の製造方法を示す概略断面図。
【図８】（ｆ）〜（ｈ）は第１実施形態の対向基板側のマザー基板の製造方法を示す概略断面図。
【図９】第２実施形態の対向基板側のマザー基板の構造を示す概略断面図。
【図１０】第２実施形態の対向基板側のマザー基板の製造方法を示すフローチャート。
【図１１】（ａ）〜（ｄ）は第２実施形態の対向基板側のマザー基板の製造方法を示す概略断面図。
【図１２】電子機器の一例としてのデジタルカメラを示す図。
【図１３】変形例のアライメントマーク構造を示す概略断面図。
【図１４】変形例の対向基板におけるアライメントマークの位置を示す概略平面図。
【発明を実施するための形態】
【００３０】
以下、本発明を具体化した実施形態について図面に従って説明する。なお、使用する図面は、説明する部分が認識可能な状態となるように、適宜拡大または縮小して表示している。
【００３１】
なお、以下の形態において、例えば「基板上に」と記載された場合、基板の上に接するように配置される場合、または基板の上に他の構成物を介して配置される場合、または基板の上に一部が接するように配置され、一部が他の構成物を介して配置される場合を表すものとする。
【００３２】
（第１実施形態）
本実施形態では、薄膜トランジスター（Thin  Film  Transistor；ＴＦＴ）を画素のスイッチング素子として備えたアクティブマトリクス型の液晶装置を例に挙げて説明する。この液晶装置は、例えば後述するデジタルカメラの電子ビューファインダー（ＥＶＦ；Electronic  View  Finder）として好適に用いることができるものである。
【００３３】
＜液晶装置＞
まず、本実施形態の液晶装置について、図１及び図２を参照して説明する。図１（ａ）は液晶装置の構成を示す概略平面図、図１（ｂ）は同図（ａ）のＨ−Ｈ’線で切った概略断面図、図２は液晶装置の電気的な構成を示す等価回路図である。
【００３４】
図１（ａ）及び（ｂ）に示すように、本実施形態の液晶装置１００は、対向配置された素子基板１０及び対向基板２０と、これら一対の基板によって挟持された液晶層５０とを有する。素子基板１０及び対向基板２０は、透明な例えば石英などのガラス基板が用いられている。
【００３５】
素子基板１０は対向基板２０よりも一回り大きく、両基板は、所定の間隔をおいて対向配置され、対向基板２０の外縁に沿って額縁状に配置されたシール材４０を介して貼り合わされている。上記所定の間隔に正の誘電異方性を有する液晶が封入されて液晶層５０を構成している。上記所定の間隔に液晶を封入する方法として、例えばＯＤＦ（One  Drop  Fill）方式が採用されている。ＯＤＦ方式は、一対の基板のいずれか一方の基板に額縁状にシール材４０を配置する。堤防としてのシール材４０に囲まれた領域に所定量の液晶を滴下して、減圧雰囲気下で液晶が滴下された一方の基板に対して他方の基板を貼り合わせる方式である。
【００３６】
シール材４０は、例えば熱硬化性または紫外線硬化性のエポキシ樹脂などの接着剤が採用されている。シール材４０には、一対の基板の間隔を一定に保持するためのスペーサー（図示省略）が混入されている。
【００３７】
額縁状に配置されたシール材４０の内側には、同じく額縁状に遮光部２２が設けられている。遮光部２２は、例えば遮光性の金属あるいは金属化合物などからなり、遮光部２２の内側が表示領域Ｅとなっている。表示領域Ｅには、複数のサブ画素１７が配置されている。サブ画素１７のそれぞれには、サブ画素１７を透過する光を所望の分光特性を有する光に変換するカラーフィルターが含まれている。カラーフィルターは、赤（Ｒ）、緑（Ｇ）、青（Ｂ）のフィルター層を有し、いずれかの色のフィルター層がサブ画素１７ごとに含まれている。それゆえに、含まれるフィルター層の色に対応して、サブ画素１７をサブ画素１７Ｒ，１７Ｇ，１７Ｂと呼ぶこととする。カラーフィルターの詳しい構成については後述する。
本実施形態では、表示領域Ｅにおける列方向に同色のサブ画素１７が配列し、行方向に異なる色のサブ画素１７が繰り返し配置されている。このようなサブ画素１７の配置は、ストライプ方式と呼ばれている。
【００３８】
本実施形態では、異なる色の３つのサブ画素１７Ｒ，１７Ｇ，１７Ｂにより、表示における１つの画素Ｐ（画素単位）が構成されている。
なお、サブ画素１７の配置は、ストライプ方式に限定されず、例えば、モザイク方式やデルタ方式、ダイヤモンド方式であってもよい。また、サブ画素１７の色、言い換えればフィルター層の色は、赤（Ｒ）、緑（Ｇ）、青（Ｂ）の３色に限定されず、Ｒ，Ｇ，Ｂ以外の色（例えば、黄色（Ｙ）や白色（Ｗ）、あるいは透明）を含んでいてもよい。さらには、表示領域Ｅには、表示に寄与する複数の画素Ｐを囲んで配置された複数のダミー画素が設けられていてもよい。
【００３９】
素子基板１０の１辺部には、複数の外部接続用端子１０４が配列している。該１辺部に沿って配置された複数の外部接続用端子１０４とシール材４０との間にデータ線駆動回路１０１が設けられている。また、該１辺部に対向する他の１辺部に沿ったシール材４０と表示領域Ｅとの間に検査回路１０３が設けられている。さらに、該１辺部と直交し互いに対向する他の２辺部に沿ったシール材４０と表示領域Ｅとの間に走査線駆動回路１０２が設けられている。該１辺部と対向する他の１辺部のシール材４０と検査回路１０３との間には、２つの走査線駆動回路１０２を繋ぐ複数の配線１０５が設けられている。これらデータ線駆動回路１０１、走査線駆動回路１０２に繋がる配線は、該１辺部に沿って配列した複数の外部接続用端子１０４に接続されている。
以降、該１辺部に沿った方向（あるいはサブ画素１７Ｒ，１７Ｇ，１７Ｂの配置における行方向）をＸ方向とし、該１辺部と直交し互いに対向する他の２辺部に沿った方向（あるいはサブ画素１７Ｒ，１７Ｇ，１７Ｂの配置における列方向）をＹ方向として、Ｘ方向とＹ方向とに直交する方向、すなわち、液晶装置１００の厚み方向をＺ方向として説明する。本実施形態では、Ｚ方向から見ることを「平面視」と表現する。
なお、検査回路１０３の配置はこれに限定されず、データ線駆動回路１０１と表示領域Ｅとの間のシール材４０の内側に沿った位置に設けてもよい。
【００４０】
図１（ｂ）に示すように、素子基板１０は、透光性の基板本体１１と、基板本体１１の液晶層５０側の表面にサブ画素１７ごとに設けられた光透過性を有する画素電極１５及びスイッチング素子としての薄膜トランジスター（ＴＦＴ；Thin  Film  Transistor）３０と、信号配線と、これらを覆う配向膜１８と、を含んで構成されている。
また、素子基板１０には、ＴＦＴ３０における半導体層に光が入射してスイッチング動作が不安定になることを防ぐ遮光構造が採用されている。素子基板１０の構成及びその製造方法は、公知技術を採用することができる。
【００４１】
対向基板２０は、基板本体２１と、基板本体２１の液晶層５０側の表面に設けられた、遮光部２２と、カラーフィルター２３と、オーバーコート層２４と、画素電極１５に対する対向電極としての共通電極２５と、配向膜２６と、を含んで構成されている。
対向基板２０が、本発明の液晶装置における一対の基板のうちの一方の基板に相当するものである。
【００４２】
遮光部２２は、図１（ａ）に示すように平面的に、データ線駆動回路１０１、走査線駆動回路１０２、検査回路１０３、に重なるように額縁状に設けられている。これにより対向基板２０側から入射する光を遮蔽して、これらの駆動回路を含む周辺回路の光による誤動作を防止する役目を果たしている。また、不必要な迷光が表示領域Ｅに入射しないように遮蔽して、表示領域Ｅの表示における高いコントラストを確保している。
【００４３】
カラーフィルター２３は、赤（Ｒ）のフィルター層２３Ｒ、緑（Ｇ）のフィルター層２３Ｇ、青（Ｂ）のフィルター層２３Ｂを含んでいる。なお、図１（ａ）のＨ−Ｈ’線は、緑（Ｇ）のサブ画素１７ＧをＹ方向に通過しているので、図１（ｂ）の断面図では、カラーフィルター２３は、フィルター層２３Ｇとして示されている。フィルター層２３Ｒ，２３Ｇ，２３Ｂは、例えばアクリル樹脂などの透明樹脂層に、例えば顔料などの色材が分散されたものである。
カラーフィルター２３は、遮光部２２を覆うと共に、図１（ｂ）には図示されていないが、基板本体２１に設けられたアライメントマークを覆っている。アライメントマークについては後述する。
オーバーコート層２４は、例えば酸化シリコンなどの無機材料からなり、光透過性を有してカラーフィルター２３を覆うように設けられている。このようなオーバーコート層２４の形成方法としては、例えばプラズマＣＶＤ法などを用いて成膜する方法が挙げられる。オーバーコート層２４は、説明の都合上、以降、ＯＣ（Over  Coat）層２４と表記する。
【００４４】
共通電極２５は、例えばＩＴＯ（Indium  Tin  Oxide）などの透明導電膜からなり、ＯＣ層２４を覆うと共に、図１（ａ）に示すように対向基板２０の四隅に設けられた上下導通部１０６により素子基板１０側の配線に電気的に接続している。
【００４５】
画素電極１５を覆う配向膜１８及び共通電極２５を覆う配向膜２６は、液晶装置１００の光学設計に基づいて選定される。本実施形態では、例えばポリイミドなどの有機樹脂材料を成膜して、その表面をラビングすることにより、正の誘電異方性を有する液晶分子が配向膜面に対して略水平配向する配向処理（ラビング処理とも言う）が施されている。
【００４６】
本実施形態の液晶装置１００は透過型であって、電圧無印加状態で画素Ｐの透過率が最大となるノーマリーホワイトモードや、電圧無印加状態で画素Ｐの透過率が最小となるノーマリーブラックモードの光学設計が採用される。光の入射側と射出側とにそれぞれ偏光素子が光学設計に応じて配置されて用いられる。
【００４７】
図２に示すように、液晶装置１００は、少なくとも表示領域Ｅにおいて互いに絶縁されて直交する信号線としての複数の走査線３及び複数のデータ線６と、データ線６に沿って平行するように配置された容量線４とを有する。
走査線３が延在する方向がＸ方向であり、データ線６が延在する方向がＹ方向である。
なお、容量線４はデータ線６に沿って並行するように配置されることに限定されず、走査線３と並行するようにＸ方向に延在して配置されていてもよい。
【００４８】
走査線３とデータ線６ならびに容量線４と、これらの信号線類により区分された領域に、画素電極１５と、ＴＦＴ３０と、保持容量１６とが設けられ、これらがサブ画素１７の画素回路を構成している。
【００４９】
走査線３はＴＦＴ３０のゲートに電気的に接続され、データ線６はＴＦＴ３０のソースに電気的に接続されている。画素電極１５はＴＦＴ３０のドレインに電気的に接続されている。
データ線６はデータ線駆動回路１０１（図１参照）に接続されており、データ線駆動回路１０１から供給される画像信号ＤＡ１，ＤＡ２，…，ＤＡｎをサブ画素１７に供給する。走査線３は走査線駆動回路１０２（図１参照）に接続されており、走査線駆動回路１０２から供給される走査信号ＳＣ１，ＳＣ２，…，ＳＣｍを各サブ画素１７に供給する。データ線駆動回路１０１からデータ線６に供給される画像信号ＤＡ１〜ＤＡｎは、この順に線順次で供給してもよく、互いに隣り合う複数のデータ線６同士に対してグループごとに供給してもよい。走査線駆動回路１０２は、走査線３に対して、走査信号ＳＣ１〜ＳＣｍを所定のタイミングでパルス的に線順次で供給する。
【００５０】
液晶装置１００は、スイッチング素子であるＴＦＴ３０が走査信号ＳＣ１〜ＳＣｍの入力により一定期間だけオン状態とされることで、データ線６から供給される画像信号ＤＡ１〜ＤＡｎが所定のタイミングで画素電極１５に書き込まれる構成となっている。そして、画素電極１５を介して液晶層５０に書き込まれた所定レベルの画像信号ＤＡ１〜ＤＡｎは、画素電極１５と液晶層５０を介して対向配置された共通電極２５との間で一定期間保持される。
保持された画像信号ＤＡ１〜ＤＡｎがリークするのを防止するため、画素電極１５と共通電極２５との間に形成される液晶容量と並列に保持容量１６が接続されている。保持容量１６は、ＴＦＴ３０のドレインと容量線４との間に設けられている。容量線４は、固定電位に接続されている。
【００５１】
なお、図１（ａ）に示した検査回路１０３には、データ線６が接続されており、液晶装置１００の製造過程において、上記画像信号を検出することで液晶装置１００の動作欠陥などを確認できる構成となっているが、図２の等価回路では図示を省略している。また、液晶装置１００は、上記画像信号をサンプリングしてデータ線６に供給するサンプリング回路、データ線６に所定電圧レベルのプリチャージ信号を画像信号に先行して供給するプリチャージ回路を含むものとしてもよい。
【００５２】
＜液晶装置用基板＞
次に、本実施形態の液晶装置用基板としての対向基板２０の詳しい構成について、図３〜図５を参照して説明する。図３は対向基板側のマザー基板の構成を示す概略平面図、図４は図３のＡ−Ａ’線に沿ったマザー基板の構造を示す概略断面図、図５（ａ）は対向基板側のアライメントマークを示す概略平面図、図５（ｂ）は素子基板側のアライメントマークと対向基板側のアライメントマークとを位置合わせした状態を示す概略平面図、図５（ｃ）は図５（ａ）のＢ−Ｂ’線に沿ったアライメントマークを含む対向基板の概略断面図である。
【００５３】
液晶装置１００は、複数の素子基板１０がレイアウトされたマザー基板と、複数の対向基板２０がレイアウトされたマザー基板とを用いて製造される。本実施形態では、液晶装置１００における素子基板１０側のＴＦＴ３０が高温ポリシリコンを用いて形成されることから、素子基板１０側のマザー基板は高温プロセスを考慮した石英基板が用いられている。また、半導体製造装置を利用してＴＦＴ３０が形成されるので、素子基板１０側のマザー基板はウェハー状である。よって、素子基板１０側のマザー基板に貼り合わされる対向基板２０側のマザー基板も、同じウェハー状の石英基板が用いられている。双方のマザー基板を所定の位置に対向配置して、シール材４０を用いて貼り合わせるために、双方のマザー基板のそれぞれにアライメントマークが設けられている。以降、本実施形態の液晶装置用基板としての対向基板２０側のマザー基板について、アライメントマークを含めた構成及び構造を説明する。
【００５４】
図３に示すように、対向基板２０の基板本体２１は、ウェハー状のマザー基板２１Ｗにおいて、Ｘ方向とＹ方向とに複数レイアウト（面付け）されている。つまり、マザー基板２１Ｗもまた液晶装置用基板であると言える。基板本体２１のレイアウトは、ウェハー状のマザー基板２１Ｗの一部が切り欠かれたオリフラを基準として行われている。また、素子基板１０側における基板本体１１のマザー基板におけるレイアウトの仕方も、マザー基板２１Ｗと同様にオリフラを基準としている。素子基板１０の基板本体１１は、マザー基板のＸ方向及びＹ方向において互いに密着した状態でレイアウトされる。したがって、素子基板１０の基板本体１１よりもＹ方向のサイズが小さい対向基板２０の基板本体２１は、マザー基板２１ＷのＸ方向において互いに密着レイアウトされ、Ｙ方向においては、素子基板１０の端子部に相当する部分の隙間を空けてレイアウトされる。
【００５５】
マザー基板２１Ｗには、Ｘ方向において、レイアウトされた複数の基板本体２１を挟んだ位置に、一対のアライメントマーク６０が設けられている。また、Ｙ方向において、該一対のアライメントマーク６０に並行してもう一対のアライメントマーク６０が設けられている。つまり、Ｘ方向とＹ方向とに沿ってそれぞれ２つずつ、合計４つのアライメントマーク６０が設けられている。本実施形態では、マザー基板２１Ｗがウェハー状であることから位置合わせにおける傾きを認識させる点で、４つのアライメントマーク６０を設けることが好ましい。
【００５６】
例えば、マザー基板２１Ｗが四角形の基板ならば、レイアウトされた複数の基板本体２１を挟んで少なくとも２つのアライメントマーク６０が配置されていればよい。なお、アライメントマーク６０は実際には、目視で確認することは難しく、図３では、アライメントマーク６０を確認できる程度の大きさで表示している。具体的な形状や大きさについては後述する。
【００５７】
図４に示すように、対向基板２０側のマザー基板２１Ｗの一方の表面に遮光部２２とアライメントマーク６０とが設けられている。本実施形態では、遮光部２２を形成する工程で、遮光部２２と同じ構成材料を用いてアライメントマーク６０が形成されている。遮光部２２及びアライメントマーク６０は、例えば遮光性の金属あるいは金属化合物などの無機材料でできている。具体的には、マザー基板２１Ｗの表面側にまずＡｌ（アルミニウム）の層を形成し、その上にＴｉＮ（窒化チタン）の層が積層された二層構造となっている。ＴｉＮの層は、Ａｌの層の保護層として機能するものである。なお、遮光部２２は、必ずしも異なる金属材料による積層構造である必要はなく、遮光性の有機材料層からなるとしてもよい。
【００５８】
遮光部２２の内側である表示領域Ｅには、赤、緑、青に対応したフィルター層２３Ｒ，２３Ｇ，２３Ｂを含むカラーフィルター２３が形成されている。また、アライメントマーク６０は、カラーフィルター２３の３つのフィルター層２３Ｒ，２３Ｇ，２３Ｂのうちの１つのフィルター層によって覆われている。具体的には、赤のフィルター層２３Ｒによって覆われている。なお、遮光部２２は、表示領域Ｅを囲むように設けられるだけでなく、表示領域Ｅにおいて異なる色のフィルター層２３Ｒ，２３Ｇ，２３Ｂのそれぞれを実質的に区画するように、配置されていてもよい。このような、遮光部２２の配置は、一般的にブラックマトリックス（ＢＭ）と呼ばれている。
【００５９】
マザー基板２１Ｗ上には、カラーフィルター２３を含め、マザー基板２１Ｗのほぼ全面に亘って、ＯＣ層２４が形成されている。さらに、ＯＣ層２４を覆ってマザー基板２１Ｗのほぼ全面に亘って共通電極２５となる透明導電膜が形成され、透明導電膜を覆って配向膜２６が形成されている。
【００６０】
なお、アライメントマーク６０を例えばＣＣＤなどの撮像素子を用いて画像認識するには、アライメントマーク６０を照明する必要がある。その際には、アライメントマーク６０を覆うフィルター層を透過する光を用いる必要がある。アライメントマーク６０を覆うフィルター層は、赤のフィルター層２３Ｒに限定されるものではないが、緑や青に比べて長波長の光を透過する赤のフィルター層２３Ｒを用いたほうがアライメントマーク６０を認識し易い。また、照明用の光源として、例えば緑や青のＬＥＤなどを用いる場合に比べて、赤色のＬＥＤなどの光源を用いたほうが安価である。
また、アライメントマーク６０に加えて、遮光部２２をカラーフィルター２３で覆ってもよい。これにより、ラビング時の異物が遮光部２２と表示領域Ｅ側のカラーフィルター２３との間に生ずる段差部分に留まることを低減できる。つまり、ラビング時の異物が表示領域Ｅ側のカラーフィルター２３部分に付着して表示不具合が生ずることを低減できる。
【００６１】
次に、図５を参照して、具体的なアライメントマーク６０とその周辺を含めた構造について説明する。
図５（ａ）に示すように、本実施形態におけるアライメントマーク６０の平面視における形状は、外形が正方形の枠状である。外形の互いに直交する辺が、Ｘ方向、Ｙ方向に沿うようにアライメントマーク６０が配置されている。アライメントマーク６０の一辺の長さＷ１は、例えば１３０μｍである。アライメントマーク６０の内矩６０ａの部分の一辺の長さＷ２は、例えば９０μｍである。すなわち、枠状のアライメントマーク６０のＸ方向及びＹ方向の幅は２０μｍである。このような形状及び大きさのアライメントマーク６０を覆ってフィルター層２３Ｒ（カラーフィルター２３）が設けられている。アライメントマーク６０を覆うフィルター層２３Ｒの平面視の形状もまた正方形であって、アライメントマーク６０の中心からフィルター層２３Ｒの辺までのＸ方向の長さＬ１及びＹ方向の長さＬ２はそれぞれ、３００μｍである。つまり、正方形のフィルター層２３Ｒにおける一辺の長さは６００μｍである。本実施形態では、アライメントマーク６０を認識する撮像素子の視野の大きさがφ３００μｍであり、該視野の範囲にラビング時の異物を留まらせないように、フィルター層２３Ｒの大きさを規定した。なお、アライメントマーク６０や、アライメントマーク６０を覆うフィルター層２３Ｒの形状や大きさは、これに限定されるものではない。例えば、アライメントマーク６０及びアライメントマーク６０を覆うフィルター層２３Ｒの形状を円形としてもよい。
【００６２】
図５（ｂ）に示すように、素子基板１０側には、対向基板２０側のアライメントマーク６０の内矩６０ａに合う、同じく平面視で正方形のアライメントマーク７０が設けられている。素子基板１０側のアライメントマーク７０と対向基板２０側のアライメントマーク６０とを位置合わせすると、設計上では、内矩６０ａとアライメントマーク７０との間に、Ｘ方向においてＷ３の隙間が生じ、Ｙ方向においてＷ４の隙間が生ずるようになっている。これらの隙間Ｗ３，Ｗ４は、マザー基板２１Ｗにおける基板本体２１のレイアウト上の位置精度及び、素子基板１０側のマザー基板との貼り合わせ（組立）の位置精度とを考慮して設けられている。したがって、貼り合わせ（組立）時に、隙間Ｗ３，Ｗ４がそれぞれＸ方向またはＹ方向において均等にならなくても、アライメントマーク６０の内矩６０ａの範囲にアライメントマーク７０が収まっていれば、位置合わせにおける不具合が生じない状態になっている。本実施形態では、液晶装置１００は後述するＥＶＦに用いられるものであり、表示領域Ｅの対角方向の長さが１インチ（２４．５ｍｍ）未満の大きさである。したがって、素子基板１０と対向基板２０とを正確に位置合わせする必要がある。それゆえに、上述した設計上の隙間Ｗ３，Ｗ４の大きさは、２０μｍとなっている。
なお、アライメントマーク６０の内矩６０ａの形状も正方形であることに限定されず、例えば、Ｘ方向及びＹ方向に延びた部分が交差する十字形であってもよい。
【００６３】
図５（ｃ）に示すように、基板本体２１上における、カラーフィルター２３（フィルター層２３Ｒ）の厚みｔ２は、アライメントマーク６０の厚みｔ１よりも厚い（大きい）。具体的には、本実施形態では、アライメントマーク６０の厚みｔ１は、１μｍである。カラーフィルター２３（フィルター層２３Ｒ）の厚みｔ２は、１．５μｍ〜２．０μｍである。カラーフィルター２３（フィルター層２３Ｒ）は、色材を含む感光性樹脂材料を例えばスピンコート法などにより塗布してできた感光性樹脂層をフォトリソグラフィ法によりパターニングして形成されたものである。したがって、基板本体２１を覆う部分のカラーフィルター２３（フィルター層２３Ｒ）の厚みｔ２に対して、アライメントマーク６０を覆う部分のカラーフィルター２３（フィルター層２３Ｒ）の厚みｔ３は、小さくなる傾向にある。よって、アライメントマーク６０の周辺のカラーフィルター２３（フィルター層２３Ｒ）の表面に生ずる段差の大きさは、カラーフィルター２３（フィルター層２３Ｒ）の厚みｔ２よりも小さい。ラビング時の異物がアライメントマーク６０と平面視で重ならないようにすることがアライメントマーク６０を正確に認識させるために重要であって、該段差の大きさをより小さくすることが好ましい。
【００６４】
本実施形態では、カラーフィルター２３（フィルター層２３Ｒ）を覆ってＯＣ層２４を形成している。ＯＣ層２４は、前述したように例えば酸化シリコンなどの無機材料からなり、プラズマＣＶＤ法を用いて形成することで、優れた段差被覆性を有している。ＯＣ層２４の厚みはおよそ１．０μｍ〜１．５μｍである。これにより、アライメントマーク６０の周辺における段差は一段と小さくなっている。
ＯＣ層２４を覆って共通電極２５となる透明導電膜が形成されている。透明導電膜は例えばＩＴＯ膜である。厚みはおよそ１００ｎｍである。なお、以降、共通電極２５となる透明導電膜について符号２５を付与して説明する。
透明導電膜２５を覆って配向膜２６が形成される。配向膜２６は前述したように例えばポリイミドなどの有機樹脂材料を用いて形成された膜であって、厚みはおよそ５０ｎｍ〜１００ｎｍである。配向膜２６によって覆われる透明導電膜２５の平面視でアライメントマーク６０と重なる部分には、段差がほとんど認められない状態となっている。したがって、配向膜２６に配向処理（ラビング処理）を施しても、ラビング時に発生する、例えば配向膜２６がラビング部材によって削れたラビングカスやラビング部材の繊維クズなどの異物がアライメントマーク６０の周辺に留まり難い。
【００６５】
＜液晶装置用基板の製造方法＞
次に、液晶装置用基板としての対向基板２０（本実施形態ではマザー基板２１Ｗ）の製造方法について、図６〜図８を参照して説明する。図６は対向基板側のマザー基板の製造方法を示すフローチャート、図７（ａ）〜（ｅ）及び図８（ｆ）〜（ｈ）は対向基板側のマザー基板の製造方法を示す概略断面図である。なお、図７及び図８は、図４と同様に、図３のＡ−Ａ’線に沿ったマザー基板の構造を示す概略断面図に相当するものである。
【００６６】
図６に示すように、本実施形態のマザー基板２１Ｗの製造方法は、アライメントマーク形成工程（ステップＳ１）と、カラーフィルター形成工程（ステップＳ２）と、オーバーコート層形成工程（ステップＳ３）と、透明導電膜形成工程（ステップＳ４）と、配向膜形成工程（ステップＳ５）と、配向処理工程（ステップＳ６）とを有している。
【００６７】
図６のステップＳ１では、図７（ａ）に示すように、マザー基板２１Ｗ上の対応する位置に、遮光部２２とアライメントマーク６０とを形成する。遮光部２２は、前述したように、平面視では、表示領域Ｅを囲む領域であって、シール材４０と重ならないように形成される（図１（ａ）参照）。アライメントマーク６０は、前述したように、平面視では、外形が正方形であって、内矩６０ａを有するように枠状に形成される（図５（ａ）参照）。遮光部２２及びアライメントマーク６０の形成方法としては、例えば、Ａｌの層と、ＴｉＮの層とをそれぞれスパッタして積層し、積層物をフォトリソグラフィ法によりパターニングする方法が挙げられる。遮光部２２及びアライメントマーク６０の厚みはおよそ１μｍである。そして、ステップＳ２へ進む。
【００６８】
図６のステップＳ２では、マザー基板２１Ｗ上にカラーフィルター２３を形成する。まず、図７（ｂ）に示すように、色材を含む感光性樹脂材料をスピンコートして乾燥することにより、感光性樹脂層８０を形成する。この場合、まず、赤（Ｒ）の感光性樹脂層８０を形成した。スピンコート法により感光性樹脂材料を塗布するので、遮光部２２及びアライメントマーク６０はムラ無く被覆される。そして、感光性樹脂層８０を露光・現像することにより、図７（ｃ）に示すように、表示領域Ｅでは、赤のサブ画素１７Ｒに対応する位置に赤のフィルター層２３Ｒを形成する。また、同時に、アライメントマーク６０を覆うフィルター層２３Ｒを形成する。続いて、赤のフィルター層２３Ｒと同様な形成方法により、図７（ｄ）に示すように、表示領域Ｅにおいて、緑のサブ画素１７Ｇに対応する位置に緑のフィルター層２３Ｇを形成し、青のサブ画素１７Ｂに対応する位置に青のフィルター層２３Ｂを形成する。
本実施形態では、フィルター層２３Ｒ，２３Ｇ，２３Ｂのそれぞれの厚みはほぼ同じ１．５μｍ〜２．０μｍである。フィルター層２３Ｒ，２３Ｇ，２３Ｂの光学特性を考慮して、それぞれに異なる厚みでフィルター層２３Ｒ，２３Ｇ，２３Ｂを形成してもよい。なお、フィルター層２３Ｒ，２３Ｇ，２３Ｂを形成する順番は、これに限定されず、例えば赤のフィルター層２３Ｒを最後に形成してもよい。また、異なる色のフィルター層２３Ｒ，２３Ｇ，２３Ｂの境界部分では、先に形成されたフィルター層に対して後に形成されたフィルター層の一部が重なっていてもよい。また、前述したように、異なる色のフィルター層２３Ｒ，２３Ｇ，２３Ｂのそれぞれを区画するように遮光部２２が形成されていてもよい。そして、ステップＳ３へ進む。
【００６９】
図６のステップＳ３では、図７（ｅ）に示すように、カラーフィルター２３が形成されたマザー基板２１Ｗの表面を覆うＯＣ層２４を形成する。ＯＣ層２４の形成方法としては、被成膜面の凹凸に対して優れた被覆性を有する方法が好ましく、例えばプラズマＣＶＤ法を用いて酸化シリコンの膜を堆積させる方法が挙げられる。ＯＣ層２４の厚みはおよそ１，０μｍ〜１．５μｍである。そして、ステップＳ４へ進む。
【００７０】
図６のステップＳ４では、図８（ｆ）に示すように、ＯＣ層２４を覆う透明導電膜２５を形成する。透明導電膜２５の形成方法としては、スパッタ法により透明導電膜２５としての例えばＩＴＯ膜を成膜する方法が挙げられる。透明導電膜２５の厚みはおよそ１００ｎｍである。そして、ステップＳ５へ進む。
【００７１】
図６のステップＳ５では、図８（ｇ）に示すように、透明導電膜２５を覆う配向膜２６を形成する。配向膜２６の形成方法としては、例えばポリイミドなどの有機樹脂材料を溶媒に溶かした溶液を、スピンコート法やスリットコート法、あるいはフレキソ法やインクジェット法などの印刷法などで塗布して、所定の温度で乾燥・焼成する方法が挙げられる。焼成後の配向膜２６の厚みはおよそ５０ｎｍ〜１００ｎｍである。そして、ステップＳ６へ進む。
【００７２】
図６のステップＳ６では、図８（ｈ）に示すように、配向膜２６の表面をラビング部材９１を用いて所定の方向に擦る配向処理（ラビング処理）を行う。配向処理の方法としては、例えば綿やレーヨンなどの織物からなるラビング部材９１が捲きつけられたラビング用ローラー９０を回転させながら、ラビング部材９１と配向膜２６とを所定の圧力で接触させ、ラビング用ローラー９０とマザー基板２１Ｗとを所定の方向に相対的に移動させる方法が挙げられる。
【００７３】
以上の工程を経ることによりマザー基板２１Ｗができあがる。できあがったマザー基板２１Ｗは、前述したように、素子基板１０側のマザー基板と、アライメントマーク６０、アライメントマーク７０を利用して所定の位置に対向配置されて貼り合わされる。また、貼り合わせと同じ工程で、前述したＯＤＦ方式によって素子基板１０と対向基板２０との間に液晶が充填される。そして、貼り合わされた双方のマザー基板を切断線に沿って切断することで、個々の液晶装置１００が取り出される。マザー基板の切断方法としては、スジ入れスクライブ法やダイシング法、レーザーカット法などが挙げられる。
【００７４】
上記第１実施形態の効果は、以下の通りである。
（１）液晶装置１００の製造に用いられる対向基板２０側のマザー基板２１Ｗ及びその製造方法によれば、アライメントマーク６０は、フィルター層２３ＲとＯＣ層２４とにより覆われるので、覆われた表面が比較的に平坦となる。したがって、ラビング処理によってラビング部材９１の繊維クズや配向膜２６が削れたラビングカスなどの異物が発生しても、平面視で異物がアライメントマーク６０の周辺（外縁部分など）に留まり難い。
それゆえに、素子基板１０側のマザー基板と対向基板２０側のマザー基板２１Ｗとをアライメントマーク６０を使って位置決めする際に、正確にアライメントマーク６０を認識して、精度よく位置決めを行うことができる。
（２）特に、ＯＣ層２４だけでアライメントマーク６０を覆う場合に比べて、スピンコート法を用いて形成されるフィルター層２３Ｒによって、まずアライメントマーク６０を覆うので、アライメントマーク６０に起因して生ずるマザー基板２１Ｗ上の段差を小さくすることができる。
（３）加えて、緑や青よりも長波長の光を透過する赤のフィルター層２３Ｒによりアライメントマーク６０を覆うので、ＣＣＤなどの撮像素子でアライメントマーク６０を撮像したときに認識し易い。さらに、アライメントマーク６０を照明する際に、他の色よりも比較的に安価な、例えば赤のＬＥＤなどを光源として採用することができるという利点がある。
（４）マザー基板２１Ｗを用いて製造された液晶装置１００は、素子基板１０と対向基板２０とが所定の位置で精度よく位置決めされ対向配置される。したがって、位置ズレに起因する外形不良や表示不具合などがなく、優れた表示品質を有する液晶装置１００を提供あるいは製造することができる。
【００７５】
（第２実施形態）
次に、第２実施形態の液晶装置用基板とその製造方法について、図９〜図１１を参照して説明する。図９は第２実施形態の対向基板側のマザー基板の構造を示す概略断面図、図１０は第２実施形態の対向基板側のマザー基板の製造方法を示すフローチャート、図１１（ａ）〜（ｄ）は第２実施形態の対向基板側のマザー基板の製造方法を示す概略断面図である。なお、図９は第１実施形態における図４に相当する概略断面図である。
第２実施形態の液晶装置用基板としての対向基板２０側のマザー基板は、第１実施形態のマザー基板２１Ｗに対して、ＯＣ層２４、透明導電膜２５の構成を異ならせている。したがって、第１実施形態のマザー基板２１Ｗと同じ構成には同じ符号を付して詳細な説明は省略する。
【００７６】
図９に示すように、本実施形態の対向基板２０Ｂ側のマザー基板２１Ｗは、一方の表面に形成された遮光部２２及びアライメントマーク６０を有している。遮光部２２より内側の表示領域Ｅには、赤（Ｒ）、緑（Ｇ）、青（Ｂ）のそれぞれに対応したフィルター層２３Ｒ，２３Ｇ，２３Ｂを含むカラーフィルター２３が形成されている。また、カラーフィルター２３のうち赤のフィルター層２３Ｒによってアライメントマーク６０が覆われている。
遮光部２２とカラーフィルター２３とを覆って透明導電膜２５が形成されている。ただし、アライメントマーク６０を覆うカラーフィルター２３（フィルター層２３Ｒ）の部分には透明導電膜２５が形成されていない。
そして、透明導電膜２５が形成されたマザー基板２１Ｗのほぼ全面を覆うように配向膜２６が形成されている。
つまり、本実施形態の対向基板２０Ｂに係わるマザー基板２１Ｗは、第１実施形態に対してＯＣ層２４が除かれている。また、平面視でアライメントマーク６０を覆うフィルター層２３Ｒと重なる部分の透明導電膜２５が除去されている。
【００７７】
マザー基板２１Ｗ上における遮光部２２及びアライメントマーク６０の厚みが例えば１．０μｍ未満で、厚みが１．５μｍ〜２．０μｍのカラーフィルター２３で覆うことにより充分にアライメントマーク６０に起因する段差を解消可能ならば、ＯＣ層２４は必須ではない。
その際に、アライメントマーク６０を覆うフィルター層２３Ｒ上に透明導電膜２５を配置しておくと、有機樹脂であるフィルター層２３Ｒに対して密着力が比較的弱く、硬い無機材料の透明導電膜２５が該フィルター層２３Ｒの端部における段差部分で剥離するおそれがある。透明導電膜２５が剥離した状態のままで配向膜２６を形成し、配向処理（ラビング処理）を施すと、ラビング時の異物が剥離した透明導電膜２５の部分に留まり易く、平面視でアライメントマーク６０に掛かるおそれがある。本実施形態では、ＯＣ層２４を無くして工程を簡略化する一方で、アライメントマーク６０と平面視で重なる部分の透明導電膜２５を除去することで、上述した透明導電膜２５の剥離を防止し、ラビング時の異物がアライメントマーク６０に掛かり難くした。
【００７８】
図１０に示すように、本実施形態の対向基板２０Ｂ側のマザー基板２１Ｗの製造方法は、アライメントマーク形成工程（ステップＳ１１）と、カラーフィルター形成工程（ステップＳ１２）と、透明導電膜形成工程（ステップＳ１３）と、透明導電膜パターニング工程（ステップＳ１４）と、配向膜形成工程（ステップＳ１５）と、配向処理工程（ステップＳ１６）とを有している。
本実施形態におけるステップＳ１１及びステップＳ１２は、第１実施形態のステップＳ１及びステップＳ２と同じである。したがって、ステップＳ１３以降について詳しく説明する。
図１０のステップＳ１１及びステップＳ１２を行うことにより、マザー基板２１Ｗ上には、図１１（ａ）に示すように、遮光部２２と、アライメントマーク６０と、カラーフィルター２３とが形成される。カラーフィルター２３のうち赤のフィルター層２３Ｒによってアライメントマーク６０は覆われる。なお、本実施形態では、遮光部２２及びアライメントマーク６０のそれぞれの厚みが１．０μｍよりも小さくなるように、遮光部２２及びアライメントマーク６０が形成されている。カラーフィルター２３の厚みは１．５μｍ〜２．０μｍである。そして、ステップＳ１３へ進む。
【００７９】
図１０のステップＳ１３では、図１１（ｂ）に示すように、カラーフィルター２３が形成されたマザー基板２１Ｗのほぼ全面に亘って透明導電膜２５を成膜する。透明導電膜２５は、例えばＩＴＯ膜からなり、厚みはおよそ１００ｎｍである。そして、ステップＳ１４へ進む。
【００８０】
図１０のステップＳ１４では、図１１（ｃ）に示すように、透明導電膜２５をフォトリフグラフィ法によりパターニングして、平面視でアライメントマーク６０を覆うフィルター層２３Ｒと重なる部分をエッチングして除去する。具体的には、除去する部分を除いて透明導電膜２５をエッチング用レジストで覆い、例えば塩酸と硝酸とが混合されたエッチング液を用いてエッチング用レジストで被覆されていない透明導電膜２５の部分をウェットエッチングする。なお、透明導電膜２５のエッチング方法は、ウェットエッチングに限らず、ドライエッチングを用いてもよい。そして、ステップＳ１５へ進む。
【００８１】
図１０のステップＳ１５では、図１１（ｄ）に示すように、マザー基板２１Ｗのほぼ全面に亘って配向膜２６を形成する。配向膜２６の形成方法は、第１実施形態のステップＳ５で説明したとおりである。そして、ステップＳ１６へ進む。
【００８２】
図１０のステップＳ１６では、配向膜２６に配向処理（ラビング処理）を施す。ラビング処理の仕方は、第１実施形態のステップＳ６と同じである。
【００８３】
上記第２実施形態のマザー基板２１Ｗとその製造方法によれば、第１実施形態に比べて、ＯＣ層２４が削除されているので、製造工程が簡略化される。その一方で、アライメントマーク６０を覆うフィルター層２３Ｒと重なる部分の透明導電膜２５がエッチングされて除去されている。したがって、透明導電膜２５の該フィルター層２３Ｒからの浮きによりクラックが生じ、そのクラック部分にラビング時の異物が引っかかって留まるような不具合が防止される。よって、ラビング時の異物がアライメントマーク６０の認識に邪魔にならず、正確にアライメントマーク６０が認識され、精度よく位置決めが可能なマザー基板２１Ｗを提供及び製造することができる。
【００８４】
（第３実施形態）
次に、本実施形態の電子機器について、図１２を参照して説明する。図１２は電子機器の一例としてのデジタルカメラを示す図である。
図１２に示すように、本実施形態の電子機器としてのデジタルカメラ１０００は、撮影用のレンズや該レンズを通して被写体を撮影可能な撮像素子を有するカメラ本体１００１を備えている。また、カメラ本体１００１には、撮影した画像や撮影情報などを表示可能な表示部１００２が設けられている。表示部１００２は、例えば液晶ディスプレイを採用することができる。また、カメラ本体１００１には、電子ビューファインダー（ＥＶＦ）１００３が内蔵されている。ＥＶＦ１００３は、光学ファインダーに代えて被写体を捉えた撮像素子の映像を左右の眼のいずれかで確認が可能となっている。本実施形態のデジタルカメラ１０００では、ＥＶＦ１００３として、上記第１実施形態の液晶装置１００が用いられている。したがって、撮像素子によって撮影された被写体の映像を忠実に再現可能なＥＶＦ１００３を備えたデジタルカメラ１０００を提供することができる。
【００８５】
本発明は、上記した実施形態に限られるものではなく、請求の範囲及び明細書全体から読み取れる発明の要旨あるいは思想に反しない範囲で適宜変更可能であり、そのような変更を伴う液晶装置用基板の製造方法及び該液晶装置用基板並びに該液晶装置用基板を適用する液晶装置や、該液晶装置を適用する電子機器もまた本発明の技術的範囲に含まれるものである。上記実施形態以外にも様々な変形例が考えられる。以下、変形例を挙げて説明する。
【００８６】
（変形例１）上記第２実施形態では、アライメントマーク６０を覆うフィルター層２３Ｒと重なる部分の透明導電膜２５をエッチングして除去したが、透明導電膜２５は必ずしも除去しなくてもよい。図１３は変形例のアライメントマーク構造を示す概略断面図である。なお、図１３は第１実施形態の図５（ｃ）に相当する断面図である。図１３に示すように、マザー基板２１Ｗ上のカラーフィルター２３の厚みｔ２は、アライメントマーク６０の厚みｔ１よりも大きい。また、カラーフィルター２３は前述したようにスピンコート法などの方法で形成されるため、アライメントマーク６０上におけるカラーフィルター２３の厚みｔ３は、マザー基板２１Ｗ上のカラーフィルター２３の厚みｔ２よりも小さくなる。したがって、アライメントマーク６０の周辺に生ずるカラーフィルター２３の段差の大きさをｔ４とすると、ｔ４よりも大きな厚みｔ５の透明導電膜２５でカラーフィルター２３を覆うことが好ましい。これによれば、透明導電膜２５自体に平坦化層の機能を持たせることができ、平面視でアライメントマーク６０の周辺の段差が緩和される。すなわち、アライメントマーク６０に起因する段差が緩和されるのでラビング時の異物が留まり難くなる。これによれば、透明導電膜２５をパターニングする工程を不要とすることができる。
なお、上記第２実施形態では、ＯＣ層２４を削除したが、ＯＣ層２４を残し、さらにアライメントマーク６０を覆うフィルター層２３Ｒと重なる部分の透明導電膜２５を除去してもよい。これによれば、上記第２実施形態と同様な作用・効果が得られる。
【００８７】
（変形例２）対向基板２０側においてアライメントマーク６０は、マザー基板２１Ｗに設けられることに限定されない。図１４は変形例の対向基板におけるアライメントマークの位置を示す概略平面図である。例えば、図１４に示すように、変形例の対向基板２０Ｃでは、アライメントマーク６０は、基板本体２１の四隅に配置された上下導通部１０６の近傍に配置されている。上下導通部１０６とその近傍は素子基板１０との貼り合わせにおいてシール材４０が配置されない部分となる。それゆえに、上下導通部１０６の近傍にアライメントマーク６０を配置すれば、シール材４０によって邪魔されることなく、外部からアライメントマーク６０を認識させることができる。そして、素子基板１０と対向基板２０Ｃとを１対１の関係で精度よく位置決めができる。
【００８８】
（変形例３）液晶装置１００において、フィルター層２３Ｒ，２３Ｇ，２３Ｂの厚みｔ２がアライメントマーク６０の厚みｔ１よりも厚い（大きい）ことに限定されない。例えば、厚みｔ２が厚みｔ１よりも小さい場合には、アライメントマーク６０を覆うフィルター層の数を増やして、アライメントマーク６０を覆う。これによれば、アライメントマーク６０を色が異なる複数のフィルター層で被覆することで、アライメントマーク６０の周辺に生ずる段差を小さくできる。
【００８９】
（変形例４）液晶装置１００は透過型であることに限定されず、反射型であっても、本発明の液晶装置用基板とその製造方法を適用することができる。また、液晶装置１００は、液晶層５０を挟んで画素電極１５と共通電極２５とが対向する方式に限定されず、例えば、ＩＰＳ（In  Plane  Switching）方式やＦＦＳ（Fringe  Field  Switching）方式の液晶装置にも本発明を適用できる。その際には、対向基板２０には、透明導電膜２５を形成する必要はない。
【００９０】
（変形例５）上記液晶装置１００が適用される電子機器は、デジタルカメラ１０００に限定されない。例えば、投射型のＨＵＤ（ヘッドアップディスプレイ）や、ＨＭＤ（ヘッドマウントディスプレイ）、電子ブック、パーソナルコンピューター、液晶テレビ、ビューファインダー型あるいはモニター直視型のビデオレコーダー、カーナビゲーションシステム、電子手帳、ＰＯＳなどの情報端末機器の表示部として好適に用いることができる。
【符号の説明】
【００９１】
１０…素子基板、１１…素子基板の基板本体、１７，１７Ｒ，１７Ｇ，１７Ｂ…サブ画素、２０…対向基板、２１…対向基板の基板本体、２１Ｗ…液晶装置用基板としてのマザー基板、２２…遮光部、２３…カラーフィルター、２３Ｒ…赤のフィルター層、２３Ｇ…緑のフィルター層、２３Ｂ…青のフィルター層、２４…オーバーコート層、２５…共通電極及び透明導電膜、４０…シール材、５０…液晶層、６０…アライメントマーク、１００…液晶装置、１０００…電子機器としてのデジタルカメラ、Ｅ…表示領域、Ｐ…画素。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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