(57)【要約】【課題】剥離処理の効率化を図ること。【解決手段】実施形態に係る剥離装置は、第１保持部と、第２保持部と、移動部とを備える。第１保持部は、第１基板と第２基板とが接合された重合基板のうち第１基板を保持する。第２保持部は、重合基板のうち第２基板を保持する。移動部は、第１保持部の外周部の一部を第２保持部から離す方向へ移動させる。また、第１保持部は、柔軟性を有し、第１基板の略全面に当接する当接部と、当接部に設けられ、第１基板における当接部との当接面を吸引する第１吸引部とを備える。【選択図】図４
2015035561.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１基板と第２基板とが接合された重合基板のうち前記第１基板を保持する第１保持部と、
前記重合基板のうち前記第２基板を保持する第２保持部と、
前記第１保持部の外周部の一部を前記第２保持部から離す方向へ移動させる移動部と
を備え、
前記第１保持部は、
柔軟性を有し、前記第１基板の略全面に当接する当接部と、
前記当接部に設けられ、前記第１基板における前記当接部との当接面を吸引する吸引部と
を備えることを特徴とする剥離装置。
【請求項２】
前記第１保持部は、
前記当接部における前記第１基板との当接面とは反対側の面に設けられる薄板状の弾性部材
を備えることを特徴とする請求項１に記載の剥離装置。
【請求項３】
前記第１保持部の一部を前記第２保持部から離す方向へ移動させる１または複数の追加移動部
を備えることを特徴とする請求項２に記載の剥離装置。
【請求項４】
前記弾性部材は、
剥離の進行方向に沿って並ぶ複数の弾性部材片に分割され、
前記移動部は、
前記複数の弾性部材片のうち、剥離の最も起点側に配置される弾性部材片に対応して設けられ、
前記追加移動部は、
前記剥離の最も起点側に配置される弾性部材片以外の前記弾性部材片のうちの少なくとも１つに設けられること
を特徴とする請求項３に記載の剥離装置。
【請求項５】
前記移動部および前記追加移動部を剥離の起点側に近いものから順に動作させること
を特徴とする請求項３または４に記載の剥離装置。
【請求項６】
前記当接部の吸着領域は、
複数の個別領域に区画され、
前記吸引部は、
前記個別領域に対応して複数設けられること
を特徴とする請求項１〜５のいずれか一つに記載の剥離装置。
【請求項７】
前記当接部は、
剥離の最も起点側に配置される前記個別領域に対応する部位が他の部位と分割されること
を特徴とする請求項６に記載の剥離装置。
【請求項８】
剥離の終点側に設けられる前記個別領域は、剥離の進行方向と直交する方向に延びる直線状の溝を備え、該個別領域よりも剥離の起点側に設けられる前記個別領域のうちの少なくとも一つは、剥離の進行方向に膨らむ円弧状の溝を備えること
を特徴とする請求項６または７に記載の剥離装置。
【請求項９】
第１基板と第２基板とが接合された重合基板が載置される搬入出ステーションと、
前記搬入出ステーションに載置された重合基板を搬送する基板搬送装置と、
前記基板搬送装置によって搬送された重合基板を前記第１基板と前記第２基板とに剥離する剥離装置が配置される剥離ステーションと
を備え、
前記剥離装置は、
前記重合基板のうち前記第１基板を保持する第１保持部と、
前記重合基板のうち前記第２基板を保持する第２保持部と、
前記第１保持部の外周部の一部を前記第２保持部から離す方向へ移動させる移動部と
を備え、
前記第１保持部は、
柔軟性を有し、前記第１基板の略全面に当接する当接部と、
前記当接部に設けられ、前記第１基板における前記当接部との当接面を吸引する吸引部と
を備えることを特徴とする剥離システム。
【請求項１０】
柔軟性を有し、第１基板と第２基板とが接合された重合基板のうち前記第１基板の略全面に当接する当接部と、前記当接部に設けられ、前記第１基板における前記当接部との当接面を吸引する吸引部とを備える第１保持部の前記当接部を、前記第１基板の略全面に当接させる当接工程と、
前記吸引部によって前記第１基板の前記当接面を吸引して、前記第１基板を吸着保持する第１保持工程と、
前記重合基板のうち前記第２基板を保持する第２保持部によって、前記重合基板のうち前記第２基板を保持する第２保持工程と、
前記第１保持部の外周部の一部を前記第２保持部から離す方向へ移動させる移動部によって、前記第１保持部の外周部の一部を前記第２保持部から離す方向へ移動させる移動工程と
を含むことを特徴とする剥離方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
開示の実施形態は、剥離装置、剥離システムおよび剥離方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、たとえば、半導体デバイスの製造工程において、シリコンウェハや化合物半導体ウェハなどの半導体基板の大口径化および薄型化が進んでいる。大口径で薄い半導体基板は、搬送時や研磨処理時に反りや割れが生じるおそれがある。このため、半導体基板に支持基板を貼り合わせて補強した後に、搬送や研磨処理を行い、その後、支持基板を半導体基板から剥離する処理が行われている。
【０００３】
たとえば、特許文献１には、第１の保持部により半導体基板を吸着保持し、第２の保持部により支持基板を吸着保持した状態で、第２の保持部の外周部を鉛直方向に移動させることにより、支持基板を半導体基板から剥離する技術が開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２０１２−６９９１４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、上述した従来技術には、剥離処理の効率化を図るという点で更なる改善の余地があった。なお、かかる課題は、基板の剥離を伴うＳＯＩ（Silicon  On  Insulator）などの製造工程においても生じ得る課題である。
【０００６】
実施形態の一態様は、剥離処理の効率化を図ることのできる剥離装置、剥離システムおよび剥離方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
実施形態の一態様に係る剥離装置は、第１保持部と、第２保持部と、移動部とを備える。第１保持部は、第１基板と第２基板とが接合された重合基板のうち第１基板を保持する。第２保持部は、重合基板のうち第２基板を保持する。移動部は、第１保持部の外周部の一部を第２保持部から離す方向へ移動させる。また、第１保持部は、柔軟性を有し、第１基板の略全面に当接する当接部と、当接部に設けられ、第１基板における当接部との当接面を吸引する吸引部とを備える。
【発明の効果】
【０００８】
実施形態の一態様によれば、剥離処理の効率化を図ることができる。
【図面の簡単な説明】
【０００９】
【図１】図１は、本実施形態に係る剥離システムの構成を示す模式平面図である。
【図２】図２は、ダイシングフレームに保持された重合基板の模式側面図である。
【図３】図３は、ダイシングフレームに保持された重合基板の模式平面図である。
【図４】図４は、本実施形態に係る剥離装置の構成を示す模式側面図である。
【図５】図５は、第１保持部、移動部、第１追加移動部および第２追加移動部の構成を示す模式側面図である。
【図６】図６は、当接部の模式底面図である。
【図７Ａ】図７Ａは、個別領域に形成される溝の形状を示す模式底面図である。
【図７Ｂ】図７Ｂは、個別領域に形成される溝の形状を示す模式底面図である。
【図８】図８は、弾性部材の模式平面図である。
【図９】図９は、剥離処理の処理手順を示すフローチャートである。
【図１０Ａ】図１０Ａは、剥離動作の説明図である。
【図１０Ｂ】図１０Ｂは、剥離動作の説明図である。
【図１０Ｃ】図１０Ｃは、剥離動作の説明図である。
【図１０Ｄ】図１０Ｄは、剥離動作の説明図である。
【図１０Ｅ】図１０Ｅは、剥離動作の説明図である。
【図１０Ｆ】図１０Ｆは、剥離動作の説明図である。
【図１０Ｇ】図１０Ｇは、剥離動作の説明図である。
【図１１Ａ】図１１Ａは、剥離誘引処理の動作説明図である。
【図１１Ｂ】図１１Ｂは、剥離誘引処理の動作説明図である。
【図１１Ｃ】図１１Ｃは、剥離誘引処理の動作説明図である。
【図１２Ａ】図１２Ａは、鋭利部材の刃先の形状例を示す模式平面図である。
【図１２Ｂ】図１２Ｂは、鋭利部材の刃先の形状例を示す模式平面図である。
【図１２Ｃ】図１２Ｃは、鋭利部材の刃先の形状例を示す模式平面図である。
【図１３】図１３は、第１の変形例に係る当接部の構成を示す模式底面図である。
【図１４】図１４は、第２の変形例に係る当接部の構成を示す模式底面図である。
【図１５Ａ】図１５Ａは、ＳＯＩ基板の製造工程を示す模式図である。
【図１５Ｂ】図１５Ｂは、ＳＯＩ基板の製造工程を示す模式図である。
【発明を実施するための形態】
【００１０】
以下、添付図面を参照して、本願の開示する剥離装置、剥離システムおよび剥離方法の実施形態を詳細に説明する。なお、以下に示す実施形態によりこの発明が限定されるものではない。
【００１１】
（第１の実施形態）
＜１．剥離システム＞
まず、第１の実施形態に係る剥離システムの構成について、図１〜図３を参照して説明する。図１は、本実施形態に係る剥離システムの構成を示す模式平面図である。また、図２は、ダイシングフレームに保持された重合基板の模式側面図であり、図３は、同重合基板の模式平面図である。
【００１２】
なお、以下においては、位置関係を明確にするために、互いに直交するＸ軸方向、Ｙ軸方向およびＺ軸方向を規定し、Ｚ軸正方向を鉛直上向き方向とする。
【００１３】
図１に示す本実施形態に係る剥離システム１は、被処理基板Ｗと支持基板Ｓとが接着剤Ｇで接合された重合基板Ｔ（図２参照）を、被処理基板Ｗと支持基板Ｓとに剥離する。
【００１４】
以下では、図２に示すように、被処理基板Ｗの板面のうち、接着剤Ｇを介して支持基板Ｓと接合される側の板面を「接合面Ｗｊ」といい、接合面Ｗｊとは反対側の板面を「非接合面Ｗｎ」という。また、支持基板Ｓの板面のうち、接着剤Ｇを介して被処理基板Ｗと接合される側の板面を「接合面Ｓｊ」といい、接合面Ｓｊとは反対側の板面を「非接合面Ｓｎ」という。
【００１５】
被処理基板Ｗは、たとえば、シリコンウェハや化合物半導体ウェハなどの半導体基板に複数の電子回路が形成された基板であり、電子回路が形成される側の板面を接合面Ｗｊとしている。また、被処理基板Ｗは、たとえば非接合面Ｗｎが研磨処理されることによって薄型化されている。具体的には、被処理基板Ｗの厚さは、約２０〜５０μｍである。
【００１６】
一方、支持基板Ｓは、被処理基板Ｗと略同径の基板であり、被処理基板Ｗを支持する。支持基板Ｓの厚みは、約６５０〜７５０μｍである。かかる支持基板Ｓとしては、シリコンウェハの他、ガラス基板などを用いることができる。また、これら被処理基板Ｗおよび支持基板Ｓを接合する接着剤Ｇの厚みは、約４０〜１５０μｍである。
【００１７】
また、図２に示すように、重合基板Ｔは、ダイシングフレームＦに固定される。ダイシングフレームＦは、重合基板Ｔよりも大径の開口部Ｆａを中央に有する略環状の部材であり、ステンレス鋼等の金属で形成される。ダイシングフレームＦの厚みは、たとえば１ｍｍ程度である。
【００１８】
重合基板Ｔは、かかるダイシングフレームＦにダイシングテープＰを介して固定される。具体的には、ダイシングフレームＦの開口部Ｆａに重合基板Ｔを配置し、開口部Ｆａを裏面から塞ぐように被処理基板Ｗの非接合面ＷｎおよびダイシングフレームＦの裏面にダイシングテープＰを貼り付ける。これにより、重合基板Ｔは、ダイシングフレームＦに固定された状態となる。
【００１９】
図１に示すように、剥離システム１は、第１処理ブロック１０および第２処理ブロック２０の２つの処理ブロックを備える。第１処理ブロック１０と第２処理ブロック２０とは、隣接して配置される。
【００２０】
第１処理ブロック１０では、重合基板Ｔの搬入、重合基板Ｔの剥離処理、剥離後の被処理基板Ｗの洗浄および搬出等が行われる。かかる第１処理ブロック１０は、搬入出ステーション１１と、第１搬送領域１２と、待機ステーション１３と、エッジカットステーション１４と、剥離ステーション１５と、第１洗浄ステーション１６とを備える。
【００２１】
搬入出ステーション１１、待機ステーション１３、エッジカットステーション１４、剥離ステーション１５および第１洗浄ステーション１６は、第１搬送領域１２に隣接して配置される。具体的には、搬入出ステーション１１と待機ステーション１３とは、第１搬送領域１２のＹ軸負方向側に並べて配置され、剥離ステーション１５と第１洗浄ステーション１６とは、第１搬送領域１２のＹ軸正方向側に並べて配置される。また、エッジカットステーション１４は、第１搬送領域１２のＸ軸正方向側に配置される。
【００２２】
搬入出ステーション１１には、複数のカセット載置台が設けられており、各カセット載置台には、重合基板Ｔが収容されるカセットＣｔまたは剥離後の被処理基板Ｗが収容されるカセットＣｗが載置される。
【００２３】
第１搬送領域１２には、重合基板Ｔまたは剥離後の被処理基板Ｗの搬送を行う第１搬送装置１２１が配置される。第１搬送装置１２１は、水平方向への移動、鉛直方向への昇降および鉛直方向を中心とする旋回が可能な搬送アーム部と、この搬送アーム部の先端に取り付けられた基板保持部とを備える。第１搬送領域１２では、かかる第１搬送装置１２１により、重合基板Ｔを待機ステーション１３、エッジカットステーション１４および剥離ステーション１５へ搬送する処理や、剥離後の被処理基板Ｗを第１洗浄ステーション１６および搬入出ステーション１１へ搬送する処理が行われる。
【００２４】
待機ステーション１３には、たとえば、ダイシングフレームＦのＩＤ（Identification）の読み取りを行うＩＤ読取装置が配置され、かかるＩＤ読取装置によって、処理中の重合基板Ｔを識別することができる。なお、待機ステーション１３では、上記のＩＤ読取り処理に加え、処理待ちの重合基板Ｔを一時的に待機させておく待機処理が必要に応じて行われる。かかる待機ステーション１３には、第１搬送装置１２１によって搬送された重合基板Ｔが載置される載置台が設けられており、かかる載置台に、ＩＤ読取装置と一時待機部とが載置される。
【００２５】
エッジカットステーション１４には、エッジカット装置が配置される。エッジカット装置は、接着剤Ｇ（図２参照）の周縁部を溶剤により溶解させて除去するエッジカット処理を行う。かかるエッジカット処理により接着剤Ｇの周縁部を除去することで、後述する剥離処理において被処理基板Ｗと支持基板Ｓとを剥離させ易くすることができる。なお、エッジカット装置は、たとえば重合基板Ｔを接着剤Ｇの溶剤に浸漬させることにより、接着剤Ｇの周縁部を溶剤によって溶解させる。
【００２６】
剥離ステーション１５には、剥離装置が配置され、かかる剥離装置によって、重合基板Ｔを被処理基板Ｗと支持基板Ｓとに剥離する剥離処理が行われる。剥離装置の具体的な構成および動作については、後述する。
【００２７】
第１洗浄ステーション１６では、剥離後の被処理基板Ｗの洗浄処理が行われる。第１洗浄ステーション１６には、剥離後の被処理基板ＷをダイシングフレームＦに保持された状態で洗浄する第１洗浄装置が配置される。第１洗浄装置としては、たとえば特開２０１３−０３３９２５号公報に記載の洗浄装置を用いることができる。
【００２８】
また、第２処理ブロック２０では、剥離後の支持基板Ｓの洗浄および搬出等が行われる。かかる第２処理ブロック２０は、受渡ステーション２１と、第２洗浄ステーション２２と、第２搬送領域２３と、搬出ステーション２４とを備える。
【００２９】
受渡ステーション２１、第２洗浄ステーション２２および搬出ステーション２４は、第２搬送領域２３に隣接して配置される。具体的には、受渡ステーション２１と第２洗浄ステーション２２とは、第２搬送領域２３のＹ軸正方向側に並べて配置され、搬出ステーション２４は、第２搬送領域２３のＹ軸負方向側に並べて配置される。
【００３０】
受渡ステーション２１は、第１処理ブロック１０の剥離ステーション１５に隣接して配置される。かかる受渡ステーション２１では、剥離ステーション１５から剥離後の支持基板Ｓを受け取って第２洗浄ステーション２２へ渡す受渡処理が行われる。
【００３１】
受渡ステーション２１には、第２搬送装置２１１が配置される。第２搬送装置２１１は、たとえばベルヌーイチャック等の非接触保持部を有しており、剥離後の支持基板Ｓは、かかる第２搬送装置２１１によって非接触で搬送される。
【００３２】
第２洗浄ステーション２２では、剥離後の支持基板Ｓを洗浄する第２洗浄処理が行われる。かかる第２洗浄ステーション２２には、剥離後の支持基板Ｓを洗浄する第２洗浄装置が配置される。第２洗浄装置としては、たとえば特開２０１３−０３３９２５号公報に記載の洗浄装置を用いることができる。
【００３３】
第２搬送領域２３には、剥離後の支持基板Ｓの搬送を行う第３搬送装置２３１が配置される。第３搬送装置２３１は、水平方向への移動、鉛直方向への昇降および鉛直方向を中心とする旋回が可能な搬送アーム部と、この搬送アーム部の先端に取り付けられた基板保持部とを備える。第２搬送領域２３では、かかる第３搬送装置２３１により、剥離後の支持基板Ｓを搬出ステーション２４へ搬送する処理が行われる。
【００３４】
搬出ステーション２４には、複数のカセット載置台が設けられており、各カセット載置台には、剥離後の支持基板Ｓが収容されるカセットＣｓが載置される。
【００３５】
また、剥離システム１は、制御装置３０を備える。制御装置３０は、剥離システム１の動作を制御する装置である。かかる制御装置３０は、たとえばコンピュータであり、図示しない制御部と記憶部とを備える。記憶部には、剥離処理等の各種の処理を制御するプログラムが格納される。制御部は記憶部に記憶されたプログラムを読み出して実行することによって剥離システム１の動作を制御する。
【００３６】
なお、かかるプログラムは、コンピュータによって読み取り可能な記録媒体に記録されていたものであって、その記録媒体から制御装置３０の記憶部にインストールされたものであってもよい。コンピュータによって読み取り可能な記録媒体としては、たとえばハードディスク（ＨＤ）、フレキシブルディスク（ＦＤ）、コンパクトディスク（ＣＤ）、マグネットオプティカルディスク（ＭＯ）、メモリカードなどがある。
【００３７】
上記のように構成された剥離システム１では、まず、第１処理ブロック１０の第１搬送装置１２１が、搬入出ステーション１１に載置されたカセットＣｔから重合基板Ｔを取り出し、取り出した重合基板Ｔを待機ステーション１３へ搬入する。
【００３８】
つづいて、待機ステーション１３では、ＩＤ読取装置が、ダイシングフレームＦのＩＤを読み取るＩＤ読取処理を行う。ＩＤ読取装置によって読み取られたＩＤは、制御装置３０へ送信される。その後、重合基板Ｔは、第１搬送装置１２１によって待機ステーション１３から取り出されて、エッジカットステーション１４へ搬入される。
【００３９】
エッジカットステーション１４では、エッジカット装置が、重合基板Ｔに対してエッジカット処理を行う。かかるエッジカット処理によって接着剤Ｇの周縁部が除去されることにより、後段の剥離処理において被処理基板Ｗと支持基板Ｓとが剥離し易くなる。したがって、剥離処理に要する時間を短縮させることができる。
【００４０】
このように、本実施形態にかかる剥離システム１では、エッジカットステーション１４が第１処理ブロック１０に組み込まれているため、第１処理ブロック１０へ搬入された重合基板Ｔを第１搬送装置１２１を用いてエッジカットステーション１４へ直接搬入することができる。したがって、一連の基板処理のスループットを向上させることができる。また、エッジカット処理から剥離処理までの時間を容易に管理することができ、剥離性能を安定化させることができる。
【００４１】
なお、たとえば装置間の処理時間差等により処理待ちの重合基板Ｔが生じる場合には、待機ステーション１３に設けられた一時待機部を用いて重合基板Ｔを一時的に待機させておくことができ、一連の工程間でのロス時間を短縮することができる。
【００４２】
つづいて、エッジカット処理後の重合基板Ｔは、第１搬送装置１２１によってエッジカットステーション１４から取り出されて、剥離ステーション１５へ搬入される。そして、剥離ステーション１５に配置された剥離装置が、重合基板Ｔに対して剥離処理を行う。かかる剥離処理により、重合基板Ｔは、被処理基板Ｗと支持基板Ｓとに分離される。
【００４３】
剥離後の被処理基板Ｗは、第１搬送装置１２１によって剥離ステーション１５から取り出されて、第１洗浄ステーション１６へ搬入される。第１洗浄ステーション１６では、第１洗浄装置が、剥離後の被処理基板Ｗに対して第１洗浄処理を行う。かかる第１洗浄処理によって、被処理基板Ｗの接合面Ｗｊに残存する接着剤Ｇが除去される。
【００４４】
第１洗浄処理後の被処理基板Ｗは、第１搬送装置１２１によって第１洗浄ステーション１６から取り出されて、搬入出ステーション１１に載置されたカセットＣｗに収容される。その後、カセットＣｗは、搬入出ステーション１１から取り出され、回収される。こうして、被処理基板Ｗについての処理が終了する。
【００４５】
一方、第２処理ブロック２０では、上述した第１処理ブロック１０における処理と並行して、剥離後の支持基板Ｓに対する処理が行われる。
【００４６】
第２処理ブロック２０では、まず、受渡ステーション２１に配置された第２搬送装置２１１が、剥離後の支持基板Ｓを剥離ステーション１５から取り出して、第２洗浄ステーション２２へ搬入する。
【００４７】
ここで、剥離後の支持基板Ｓは、剥離装置によって上面側すなわち非接合面Ｓｎ側が保持された状態となっており、第２搬送装置２１１は、支持基板Ｓの接合面Ｓｊ側を下方から非接触で保持する。その後、第２搬送装置２１１は、保持した支持基板Ｓを反転させたうえで、第２洗浄ステーション２２の第２洗浄装置へ載置する。これにより、支持基板Ｓは、接着剤Ｇが残存する接合面Ｓｊを上方に向けた状態で第２洗浄装置に載置される。そして、第２洗浄装置は、支持基板Ｓの接合面Ｓｊを洗浄する第２洗浄処理を行う。かかる第２洗浄処理により、支持基板Ｓの接合面Ｓｊに残存する接着剤Ｇが除去される。
【００４８】
第２洗浄処理後の支持基板Ｓは、第２搬送領域２３に配置された第３搬送装置２３１によって第２洗浄ステーション２２から取り出されて、搬出ステーション２４に載置されたカセットＣｓに収容される。その後、カセットＣｓは、搬出ステーション２４から取り出され、回収される。こうして、支持基板Ｓについての処理も終了する。
【００４９】
このように、本実施形態に係る剥離システム１は、ダイシングフレームＦに固定された基板（重合基板Ｔおよび剥離後の被処理基板Ｗ）用のフロントエンド（搬入出ステーション１１および第１搬送装置１２１）と、ダイシングフレームＦに保持されない基板（剥離後の支持基板Ｓ）用のフロントエンド（搬出ステーション２４および第３搬送装置２３１）とを備える構成とした。これにより、被処理基板Ｗを搬入出ステーション１１へ搬送する処理と、支持基板Ｓを搬出ステーション２４へ搬送する処理とを並列に行うことが可能となるため、一連の基板処理を効率的に行うことができる。
【００５０】
また、本実施形態に係る剥離システム１では、剥離ステーション１５と第２洗浄ステーション２２とが受渡ステーション２１を介して接続される。これにより、第１搬送領域１２や第２搬送領域２３を経由することなく、剥離後の支持基板Ｓを剥離ステーション１５から第２洗浄ステーション２２へ直接搬入することが可能となるため、剥離後の支持基板Ｓの搬送をスムーズに行うことができる。
【００５１】
なお、第１処理ブロック１０は、重合基板ＴにダイシングフレームＦを取り付けるためのマウント装置を備えていてもよい。かかる場合、ダイシングフレームＦが取り付けられていない重合基板ＴをカセットＣｔから取り出してマウント装置へ搬入し、マウント装置において重合基板ＴにダイシングフレームＦを取り付けた後、ダイシングフレームＦに固定された重合基板Ｔをエッジカットステーション１４および剥離ステーション１５へ順次搬送することとなる。なお、マウント装置は、たとえば、エッジカットステーション１４を第２処理ブロック２０へ移動し、エッジカットステーション１４が設けられていた場所に配置すればよい。
【００５２】
＜２．剥離装置の構成＞
次に、剥離ステーション１５に設置される剥離装置の構成について図４を参照して説明する。図４は、本実施形態に係る剥離装置の構成を示す模式側面図である。
【００５３】
図４に示すように、剥離装置５は、処理室１００を備える。処理室１００の側面には、搬入出口（図示せず）が設けられる。搬入出口は、第１搬送領域１２側と受渡ステーション２１側とにそれぞれ設けられる。
【００５４】
剥離装置５は、第１保持部５０と、移動部６１と、第１追加移動部６２と、第２追加移動部６３と、第２保持部７０と、フレーム保持部８０と、剥離誘引部９０とを備え、これらは処理室１００の内部に配置される。
【００５５】
剥離装置５は、重合基板Ｔの支持基板Ｓ側を第１保持部５０によって上方から吸着保持し、重合基板Ｔの被処理基板Ｗ側を第２保持部７０によって下方から吸着保持する。そして、剥離装置５は、移動部６１、第１追加移動部６２および第２追加移動部６３を順次動作させて、支持基板Ｓを被処理基板Ｗの板面から離す方向へ移動させる。これにより、第１保持部に保持された支持基板Ｓが、その一端から他端へ向けて被処理基板Ｗから連続的に剥離する。以下、各構成要素について具体的に説明する。
【００５６】
第１保持部５０は、当接部５１と、弾性部材５２と、第１吸引部５３と、第２吸引部５４と、第３吸引部５５とを備える。
【００５７】
当接部５１は、支持基板Ｓと略同径の円板形状を有する部材であり、支持基板Ｓの非接合面Ｓｎに当接する。当接部５１の支持基板Ｓとの当接面には、複数の吸引口（ここでは、図示せず）が形成される。
【００５８】
弾性部材５２は、当接部５１と略同径の円板形状を有する薄板状の部材であり、当接部５１の支持基板Ｓとの当接面とは反対側の面に設けられる。
【００５９】
第１吸引部５３、第２吸引部５４および第３吸引部５５は、弾性部材５２を介して当接部５１の各吸引口に接続される。また、第１吸引部５３、第２吸引部５４および第３吸引部５５は、吸気管５３１，５４１，５５１を介して真空ポンプなどの吸気装置５３２，５４２，５５２に接続される。
【００６０】
かかる第１保持部５０は、吸気装置５３２，５４２，５５２が発生させる吸引力を用い当接部５１の各吸引口から支持基板Ｓの非接合面Ｓｎ（図２参照）を吸引することによって、重合基板Ｔの支持基板Ｓ側を吸着保持する。
【００６１】
移動部６１、第１追加移動部６２および第２追加移動部６３は、第１保持部５０の第１吸引部５３、第２吸引部５４および第３吸引部５５にそれぞれ接続される。移動部６１は第１吸引部５３を、第１追加移動部６２は第２吸引部５４を、第２追加移動部６３は第３吸引部５５をそれぞれ鉛直上方に移動させる。
【００６２】
なお、移動部６１、第１追加移動部６２および第２追加移動部６３は、上側ベース部１０３に支持され、第１保持部５０は、移動部６１、第１追加移動部６２および第２追加移動部６３を介して上側ベース部１０３に支持される。また、上側ベース部１０３は、処理室１００の天井部に取り付けられた固定部材１０１に支柱１０２を介して支持される。
【００６３】
ここで、上述した第１保持部５０、移動部６１、第１追加移動部６２および第２追加移動部６３の具体的な構成について図５および図６を参照して説明する。図５は、第１保持部５０、移動部６１、第１追加移動部６２および第２追加移動部６３の構成を示す模式側面図である。また、図６は、当接部５１の模式底面図である。
【００６４】
図５に示すように、当接部５１は、支持基板Ｓとの当接面に複数の吸引口５１１，５１２，５１３を備える。
【００６５】
吸引口５１１，５１２，５１３は、剥離の進行方向（ここでは、Ｘ軸正方向）に沿って並べて配置される。具体的には、当接部５１の外周部のうち剥離の起点となる外周部（後述する剥離開始部位Ｍが形成される部分）に対応する位置に吸引口５１１が設けられる。また、吸引口５１２および吸引口５１３は、吸引口５１１よりも剥離の終点側（Ｘ軸正方向側）に配置されるとともに、剥離の進行方向に沿って吸引口５１２および吸引口５１３の順に並べて配置される。
【００６６】
これら吸引口５１１，５１２，５１３には、第１吸引部５３と、第２吸引部５４と、第３吸引部５５とがそれぞれ接続される。
【００６７】
また、図６に示すように、当接部５１が有する吸着領域５１０は、複数の個別領域５１４，５１５，５１６に区画される。個別領域５１４〜５１６は、剥離の進行方向（Ｘ軸正方向）に沿って、個別領域５１４、個別領域５１５および個別領域５１６の順に配置される。個別領域５１４には吸引口５１１が、個別領域５１５には吸引口５１２が、個別領域５１６には吸引口５１３が、それぞれ設けられる。
【００６８】
このように、本実施形態に係る第１保持部５０は、当接部５１の吸着領域５１０が複数の個別領域５１４〜５１６に区画され、第１吸引部５３、第２吸引部５４および第３吸引部５５が、個別領域５１４〜５１６に対応して設けられる。
【００６９】
これにより、第１保持部５０は、支持基板Ｓを個別領域５１４〜５１６ごとに吸着保持することができる。したがって、たとえば個別領域５１４〜５１６のうち何れかにおいて吸着漏れが生じた場合であっても、他の個別領域５１４〜５１６で支持基板Ｓを保持しておくことができる。
【００７０】
当接部５１が有する吸着領域５１０は、剥離の進行方向（Ｘ軸正方向）に膨らむ円弧ａ１，ａ２によって個別領域５１４〜５１６に区画される。
【００７１】
支持基板Ｓの被処理基板Ｗからの剥離は、平面視において円弧状に進行する。したがって、吸着領域５１０を剥離の進行方向（Ｘ軸正方向）に膨らむ円弧ａ１，ａ２で区画することで、剥離途中の支持基板Ｓをより適切に吸着保持しておくことができ、剥離途中で支持基板Ｓが第１保持部５０から外れてしまうことを防止することができる。
【００７２】
支持基板Ｓと被処理基板Ｗとの剥離の境界線は、剥離の初期段階においては上述のように円弧状であるが、剥離が進行するに従って、剥離の進行方向に対して直交する方向（Ｙ軸方向）に延びる直線状に徐々に変化していく。
【００７３】
このため、吸着領域５１０を区画する円弧ａ１，ａ２は、剥離の終点側に近付くにつれて曲率を小さくする（すなわち、直線に近づける）ことが好ましい。本例の場合には、剥離の終点側の円弧ａ２の曲率を、剥離の起点側の円弧ａ１の曲率よりも小さくすることが好ましい。
【００７４】
また、個別領域５１５および個別領域５１６には、それぞれ吸引口５１２および吸引口５１３からの吸引力を行き渡らせるための溝が形成される。ここで、個別領域５１５および個別領域５１６に形成される溝の形状について図７Ａおよび図７Ｂを参照して説明する。図７Ａは、個別領域５１５に形成される溝の形状を示す模式底面図であり、図７Ｂは、個別領域５１６に形成される溝の形状を示す模式底面図である。
【００７５】
図７Ａに示すように、個別領域５１６よりも剥離の起点側に配置される個別領域５１５には、剥離の進行方向に膨らんだ円弧状の溝５１７が複数形成される。これに対し、図７Ｂに示すように、個別領域５１５よりも剥離の終点側に配置される個別領域５１６には、剥離の進行方向と直交する方向（Ｙ軸方向）に延びる直線状の溝５１８が複数形成される。
【００７６】
上述したように、支持基板Ｓと被処理基板Ｗとの剥離の境界線は、剥離が進行するに従って円弧状から直線状に変化していく。したがって、剥離の進行段階に応じて変化する剥離の境界線の形状に合わせて、個別領域５１５および個別領域５１６の溝を形成することで、剥離途中の支持基板Ｓをより適切に吸着保持しておくことができ、剥離処理の途中で支持基板Ｓが第１保持部５０から外れてしまうことを防止することができる。
【００７７】
なお、個別領域５１４は、吸着領域が比較的狭いため、溝を形成しないこととしているが、個別領域５１４にも溝を形成する場合には、個別領域５１５と同様に、剥離の進行方向に膨らむ円弧状の溝を形成すればよい。
【００７８】
また、ここでは、個別領域５１５に円弧状の溝を形成し、個別領域５１６に直線状の溝を形成することとしたが、個別領域５１５および個別領域５１６に、あるいは吸着領域５１０全体に、剥離の進行方向に膨らむ円弧状の溝を形成しても構わない。
【００７９】
また、当接部５１は、後述する移動部６１、第１追加移動部６２および第２追加移動部６３によって引っ張られた際に、その形状を柔軟に変化させることができるように、柔軟性を有する部材で形成される。具体的には、当接部５１は、ゴム等の樹脂で形成される。
【００８０】
すなわち、第１保持部５０は、柔軟性を有する当接部５１を支持基板Ｓの略全面に当接させることにより、支持基板Ｓの略全面を吸着保持する。このため、後述する剥離処理において、被処理基板Ｗに対して大きな負荷をかけることなく、支持基板Ｓを被処理基板Ｗから剥離させることができる。
【００８１】
図５に戻り、弾性部材５２について説明する。弾性部材５２は、たとえば板バネ等で形成される。かかる弾性部材５２を柔軟性を有する当接部５１に設けることで、剥離の進行方向を強制することができ、被処理基板Ｗと支持基板Ｓとをより適切に剥離させることができる。
【００８２】
図５に示すように、弾性部材５２は、当接部５１の個別領域５１４〜５１６に対応して、複数（ここでは、３個）の弾性部材片５２１，５２２，５２３に分割される。
【００８３】
図８は、弾性部材５２の模式平面図である。図８に示すように、弾性部材５２は、剥離の進行方向（Ｘ軸方向）に直交する方向（Ｙ軸方向）に延びる直線によって、３つの弾性部材片５２１，５２２，５２３に分割される。これら弾性部材片５２１，５２２，５２３は、剥離の進行方向に沿って、弾性部材片５２１、弾性部材片５２２および弾性部材片５２３の順に並べて配置される。
【００８４】
移動部６１は、水平部材６１１と、支柱部材６１２と、移動機構６１３と、ロードセル６１４とを備える。
【００８５】
水平部材６１１は、剥離の進行方向（Ｘ軸方向）に沿って延在する板状の部材であり、第１吸引部５３の上部にＸ軸正方向側の一端部が固定される。
【００８６】
支柱部材６１２は、鉛直方向（Ｚ軸方向）に延在する部材であり、水平部材６１１の他端部に一端部が接続され、上側ベース部１０３を介して移動機構６１３に他端部が接続される。
【００８７】
移動機構６１３は、上側ベース部１０３の上部に固定され、下部に接続される支柱部材６１２を鉛直方向に移動させる。
【００８８】
かかる移動部６１は、移動機構６１３によって支柱部材６１２および水平部材６１１を鉛直上方に移動させることにより、第１保持部５０の外周部の一部、具体的には、当接部５１の個別領域５１４（図６参照）を弾性部材片５２１および第１吸引部５３を介して引っ張り上げる。
【００８９】
図５に示すように、引き上げの力点となる支柱部材６１２は、引き上げの支点となる第１吸引部５３よりも剥離の進行方向の反対側に配置される。このため、引き上げの作用点となる重合基板Ｔの外縁部（剥離の開始位置であり、後述する「剥離開始部位Ｍ」に相当）には、図５において時計回りの回転力（モーメント）が発生する。これにより、移動部６１は、支持基板Ｓをその外縁部からめくり上げるようにして引っ張ることができるため、支持基板Ｓを被処理基板Ｗから効率的に剥離させることができる。
【００９０】
また、移動部６１は、支柱部材６１２にかかる負荷をロードセル６１４によって検出することができる。したがって、移動部６１は、ロードセル６１４による検出結果に基づき、支持基板Ｓにかかる力を制御しながら、当接部５１の個別領域５１４を引っ張ることができる。
【００９１】
第１追加移動部６２および第２追加移動部６３も移動部６１とほぼ同様の構成を有する。具体的には、第１追加移動部６２は、水平部材６２１と、支柱部材６２２と、移動機構６２３と、ロードセル６２４とを備える。かかる第１追加移動部６２は、移動機構６２３によって支柱部材６２２および水平部材６２１を鉛直上方に移動させることにより、当接部５１の個別領域５１５（図６参照）を弾性部材片５２２および第２吸引部５４を介して引っ張り上げる。
【００９２】
また、第２追加移動部６３は、水平部材６３１と、支柱部材６３２と、移動機構６３３と、ロードセル６３４とを備える。かかる第２追加移動部６３は、移動機構６３３によって支柱部材６３２および水平部材６３１を鉛直上方に移動させることにより、当接部５１の個別領域５１６（図６参照）を弾性部材片５２３および第３吸引部５５を介して引っ張り上げる。
【００９３】
これら第１追加移動部６２および第２追加移動部６３も、移動部６１と同様に、引き上げの力点となる支柱部材６２２，６３２が、引き上げの支点となる第２吸引部５４，第３吸引部５５よりも剥離の起点側に配置されている。したがって、第１追加移動部６２および第２追加移動部６３は、それぞれ第２吸引部５４および第３吸引部５５をめくり上げるようにして引っ張ることができるため、支持基板Ｓを被処理基板Ｗから効率的に剥離させることができる。
【００９４】
なお、支持基板Ｓを被処理基板Ｗから剥離する場合、剥離の最も起点側の領域、すなわち、後述する剥離開始部位Ｍに対応する支持基板Ｓの外周部を剥離するのに最も大きな力を要する。したがって、水平部材６１１，６２１，６３１は、起点側に配置される水平部材６１１を最も長く形成することが好ましい。
【００９５】
図４に戻り、剥離装置５のその他の構成について説明する。第２保持部７０は、第１保持部５０の下方に配置される。
【００９６】
第２保持部７０は、重合基板Ｔの被処理基板Ｗ側をダイシングテープＰを介して吸着保持する。かかる第２保持部７０は、円板形状の本体部７１と、本体部７１を支持する支柱部材７２とを備える。
【００９７】
本体部７１は、たとえばアルミニウムなどの金属部材で形成される。かかる本体部７１の上面には、吸着面７３が設けられる。吸着面７３は、多孔質体であり、たとえばＰＣＴＦＥ（ポリクロロトリフルオロエチレン）等の樹脂部材で形成される。
【００９８】
本体部７１の内部には、吸着面７３を介して外部と連通する吸引空間７４が形成される。吸引空間７４は、吸気管７１１を介して真空ポンプなどの吸気装置７１２と接続される。かかる第２保持部７０は、吸気装置７１２の吸気によって発生する負圧を利用し、被処理基板Ｗの非接合面ＷｎをダイシングテープＰを介して吸着面７３に吸着させることによって、重合基板Ｔを吸着保持する。
【００９９】
本体部７１の吸着面７３は、被処理基板Ｗよりも僅かに径が大きく形成される。これにより、被処理基板Ｗの周縁部での吸引漏れを防止することができるため、重合基板Ｔをより確実に吸着保持することができる。
【０１００】
また、被処理基板Ｗとの吸着面に溝などの非吸着部が形成されていると、かかる非吸着部において被処理基板Ｗにクラックが発生するおそれがある。そこで、本体部７１の吸着面７３は、溝などの非吸着部を有しない平坦面とした。これにより、被処理基板Ｗにクラックが発生することを防止することができる。さらに、吸着面７３をＰＣＴＦＥ等の樹脂部材で形成することとしたため、被処理基板Ｗへのダメージを更に抑えることができる。
【０１０１】
第２保持部７０の外方には、ダイシングフレームＦを下方から保持するフレーム保持部８０が配置される。フレーム保持部８０は、ダイシングフレームＦを吸着保持する複数の吸着パッド８１と、吸着パッド８１を支持する支持部材８２と、支持部材８２を鉛直方向に移動させる移動機構８３とを備える。
【０１０２】
吸着パッド８１は、ゴムなどの弾性部材によって形成され、たとえば図３に示すダイシングフレームＦの４隅に対応する位置にそれぞれ設けられる。この吸着パッド８１には、吸引口（図示せず）が形成され、真空ポンプなどの吸気装置８２２が支持部材８２および吸気管８２１を介して上記の吸引口に接続される。
【０１０３】
フレーム保持部８０は、吸気装置８２２の吸気によって発生する負圧を利用し、ダイシングフレームＦを吸着することによってダイシングフレームＦを保持する。また、フレーム保持部８０は、移動機構８３によって支持部材８２および吸着パッド８１を鉛直方向に移動させることにより、吸着パッド８１に吸着保持されたダイシングフレームＦを鉛直方向に移動させる。
【０１０４】
第２保持部７０およびフレーム保持部８０は、下側ベース部１０４によって下方から支持される。また、下側ベース部１０４は、処理室１００の床面に固定された回転昇降機構１０５によって支持される。
【０１０５】
回転昇降機構１０５は、下側ベース部１０４を鉛直軸回りに回転させることにより、下側ベース部１０４に支持された第２保持部７０およびフレーム保持部８０を一体的に回転させる。また、回転昇降機構１０５は、下側ベース部１０４を鉛直方向に移動させることにより、下側ベース部１０４に支持された第２保持部７０およびフレーム保持部８０を一体的に昇降させる。
【０１０６】
第２保持部７０の外方には、剥離誘引部９０が配置される。かかる剥離誘引部９０は、支持基板Ｓが被処理基板Ｗから剥がれるきっかけとなる部位を重合基板Ｔの側面に形成する。
【０１０７】
剥離誘引部９０は、鋭利部材９１と、移動機構９２と、昇降機構９３とを備える。鋭利部材９１は、たとえば平刃であり、刃先が重合基板Ｔへ向けて突出するように移動機構９２に支持される。
【０１０８】
移動機構９２は、Ｘ軸方向に延在するレールに沿って鋭利部材９１を移動させる。昇降機構９３は、たとえば上側ベース部１０３に固定され、移動機構９２を鉛直方向に移動させる。これにより、鋭利部材９１の高さ位置、すなわち、重合基板Ｔの側面への当接位置が調節される。
【０１０９】
かかる剥離誘引部９０は、昇降機構９３を用いて鋭利部材９１の高さ位置を調節した後、移動機構９２を用いて鋭利部材９１を水平方向（ここでは、Ｘ軸正方向）へ移動させることにより、鋭利部材９１を支持基板Ｓにおける接着剤Ｇ寄りの側面に当接させる。これにより、重合基板Ｔに、支持基板Ｓが被処理基板Ｗから剥がれるきっかけとなる部位（以下、「剥離開始部位」と記載する）が形成される。
【０１１０】
＜３．剥離装置の動作＞
次に、剥離装置５の具体的な動作について図９および図１０Ａ〜図１０Ｇを参照して説明する。図９は、剥離処理の処理手順を示すフローチャートである。また、図１０Ａ〜図１０Ｇは、剥離動作の説明図である。なお、剥離装置５は、制御装置３０の制御に基づき、図９に示す各処理手順を実行する。
【０１１１】
ダイシングフレームＦに固定された重合基板Ｔが処理室１００内へ搬入されると、剥離装置５は、まず、重合基板Ｔの被処理基板Ｗ側とダイシングフレームＦとをそれぞれ第２保持部７０およびフレーム保持部８０を用いて下方から吸着保持する（ステップＳ１０１）。このとき、図１０Ａに示すように、被処理基板ＷおよびダイシングフレームＦは、ダイシングテープＰが水平に張られた状態で、第２保持部７０およびフレーム保持部８０に保持される。
【０１１２】
つづいて、剥離装置５は、フレーム保持部８０の移動機構８３（図４参照）を用いてフレーム保持部８０を降下させて、フレーム保持部８０に保持されたダイシングフレームＦを降下させる（ステップＳ１０２）。これにより、剥離誘引部９０の鋭利部材９１を重合基板Ｔへ向けて進出させるためのスペースが確保される（図１０Ｂ参照）。
【０１１３】
つづいて、剥離装置５は、剥離誘引部９０を用いて剥離誘引処理を行う（ステップＳ１０３）。剥離誘引処理は、支持基板Ｓが被処理基板Ｗから剥離するきっかけとなる部位（剥離開始部位）を重合基板Ｔに形成する（図１０Ｃ参照）。
【０１１４】
ここで、剥離誘引処理の内容について図１１Ａ〜図１１Ｃを参照して具体的に説明する。図１１Ａ〜図１１Ｃは、剥離誘引処理の動作説明図である。
【０１１５】
なお、この剥離誘引処理は、重合基板Ｔのうちの被処理基板Ｗが第２保持部７０によって保持され、ダイシングフレームＦがフレーム保持部８０によって保持された後、かつ、重合基板Ｔのうちの支持基板Ｓが第１保持部５０によって保持される前に行われる。すなわち、剥離誘引処理は、支持基板Ｓがフリーな状態で行われる。
【０１１６】
剥離装置５は、昇降機構９３（図４参照）を用いて鋭利部材９１の高さ位置を調整した後、移動機構９２を用いて鋭利部材９１を重合基板Ｔの側面へ向けて移動させる。具体的には、図１１Ａに示すように、重合基板Ｔの側面のうち、支持基板Ｓの接着剤Ｇ寄りの側面に向けて鋭利部材９１を略水平に移動させる。
【０１１７】
ここで、「支持基板Ｓの接着剤Ｇ寄りの側面」とは、支持基板Ｓの側面のうち、支持基板Ｓの厚みの半分の位置ｈよりも接合面Ｓｊ寄りの側面のことである。具体的には、支持基板Ｓの側面は断面視において略円弧状に形成されており、「支持基板Ｓの接着剤Ｇ寄りの側面」は、鋭利部材９１の刃先の傾斜面９１ａとのなす角度θが０度以上９０度未満の側面である。
【０１１８】
鋭利部材９１は、片平刃であり、傾斜面９１ａを上方に向けた状態で移動機構９２に支持される。このように、傾斜面９１ａを支持基板Ｓ側に向けた片平刃を鋭利部材９１として用いることで、両平刃を用いた場合と比べて、鋭利部材９１を重合基板Ｔ内に進入させた際に被処理基板Ｗが受ける負荷を抑えることができる。
【０１１９】
剥離装置５は、まず、鋭利部材９１を予め決められた位置まで前進させる（予備前進）。その後、剥離装置５は、鋭利部材９１をさらに前進させて鋭利部材９１を支持基板Ｓの接着剤Ｇ寄りの側面に当接させる。なお、剥離誘引部９０には、たとえばロードセル（図示せず）が設けられており、剥離装置５は、このロードセルを用いて鋭利部材９１にかかる負荷を検出することによって、鋭利部材９１が支持基板Ｓに当接したことを検出する。
【０１２０】
上述したように支持基板Ｓの側面は断面視において略円弧状に形成されている。したがって、鋭利部材９１が支持基板Ｓの接着剤Ｇ寄りの側面に当接することにより、支持基板Ｓには、上方向きの力が加わることとなる。
【０１２１】
つづいて、図１１Ｂに示すように、剥離装置５は、鋭利部材９１をさらに前進させる。これにより、支持基板Ｓは、側面の湾曲に沿って上方へ押し上げられる。この結果、支持基板Ｓの一部が接着剤Ｇから剥離して剥離開始部位Ｍが形成される。
【０１２２】
なお、支持基板Ｓは第１保持部５０には未だ保持されておらずフリーな状態であるため、支持基板Ｓの上方への移動が阻害されることがない。図１１Ｂに示す処理において、鋭利部材９１を前進させる距離ｄ１は、たとえば２ｍｍ程度である。
【０１２３】
剥離装置５は、剥離開始部位Ｍが形成されたことを確認する確認装置を備えていてもよい。たとえば、支持基板Ｓの上方に設置されるＩＲ(Infrared)カメラを確認装置として用いることができる。
【０１２４】
赤外線は、支持基板Ｓにおいて被処理基板Ｗから剥離した部位と剥離していない部位とでその反射率が変化する。そこで、先ずＩＲカメラで支持基板Ｓを撮像することで、支持基板Ｓにおける赤外線の反射率の違い等が示された画像データが得られる。かかる画像データは制御装置３０へ送信され、制御装置３０では、この画像データに基づき、支持基板Ｓにおいて被処理基板Ｗから剥離した部位、すなわち剥離開始部位Ｍを検出することができる。
【０１２５】
剥離開始部位Ｍが検出された場合、剥離装置５は、後述する次の処理へ移行する。一方、制御装置３０において剥離開始部位Ｍが検出されない場合、剥離装置５は、たとえば鋭利部材９１をさらに前進させる、または鋭利部材９１を一旦後退させて支持基板Ｓから離し、その後、図１１Ａ，図１１Ｂに示す動作を再度実行するなどして、剥離開始部位Ｍを形成するようにする。このように、支持基板Ｓの剥離状態を確認する確認装置を設け、剥離状態に応じて剥離装置５を動作させることで、剥離開始部位Ｍを確実に形成することができる。
【０１２６】
剥離開始部位Ｍが形成されると、剥離装置５は、図１１Ｃに示すように、回転昇降機構１０５（図４参照）を用いて第２保持部７０およびフレーム保持部８０を降下させつつ、鋭利部材９１をさらに前進させる。これにより、被処理基板Ｗおよび接着剤Ｇには下方向きの力が加わり、鋭利部材９１によって支持された支持基板Ｓには上方向きの力が加わる。これにより、剥離開始部位Ｍが拡大する。
【０１２７】
なお、図１１Ｃに示す処理において、鋭利部材９１を前進させる距離ｄ２は、たとえば１ｍｍ程度である。
【０１２８】
このように、剥離装置５は、支持基板Ｓの接着剤Ｇ寄りの側面に鋭利部材９１を突き当てることにより、支持基板Ｓが被処理基板Ｗから剥がれるきっかけとなる剥離開始部位Ｍを重合基板Ｔの側面に形成することができる。
【０１２９】
支持基板Ｓは、接着剤Ｇの約５〜１５倍程度の厚みを有する。したがって、鋭利部材９１を接着剤Ｇに当接させて剥離開始部位を形成する場合と比較して、鋭利部材９１の鉛直方向の位置制御が容易である。
【０１３０】
また、支持基板Ｓの接着剤Ｇ寄りの側面に鋭利部材９１を当接させることによって、支持基板Ｓを被処理基板Ｗから引き剥がす方向の力（すなわち、上向きの力）を支持基板Ｓに加えることができる。しかも、支持基板Ｓの最外縁部に近い部位を持ち上げるため、支持基板Ｓを被処理基板Ｗから引き剥がす方向の力を支持基板Ｓに対して効率的に加えることができる。
【０１３１】
また、鋭利部材９１を接着剤Ｇに突き当てる場合と比較して、鋭利部材９１が被処理基板Ｗに接触する可能性を低下させることができる。したがって、鋭利部材９１による被処理基板Ｗの損傷を防止することができる。
【０１３２】
なお、「支持基板Ｓの接着剤Ｇ寄りの側面」は、より好ましくは、支持基板Ｓの接合面Ｓｊから支持基板Ｓの厚みの１／４の位置までの側面、すなわち、鋭利部材９１とのなす角度θが０度以上４５度以下の側面であるのが好ましい。鋭利部材９１とのなす角度θが小さいほど、支持基板Ｓを持ち上げる力を大きくすることができるためである。
【０１３３】
また、支持基板Ｓと接着剤Ｇとの接着力が比較的弱い場合には、図１１Ａに示すように、鋭利部材９１を支持基板Ｓの接着剤Ｇ寄りの側面に当接させるだけで剥離開始部位Ｍを形成することが可能である。この場合、図１１Ｂおよび図１１Ｃに示す動作を省略することができる。
【０１３４】
また、支持基板Ｓと接着剤Ｇとの接着力が比較的強い場合には、剥離装置５は、たとえば図１１Ｃに示す状態からさらに回転昇降機構１０５を用いて重合基板Ｔを鉛直軸周りに回転させてもよい。これにより、剥離開始部位Ｍが重合基板Ｔの周方向に拡大するため、支持基板Ｓを被処理基板Ｗから剥がし易くすることができる。
【０１３５】
ここで、鋭利部材９１の刃先の形状について図１２Ａ〜図１２Ｃを参照して説明する。図１２Ａ〜図１２Ｃは、鋭利部材９１の刃先の形状例を示す模式平面図である。
【０１３６】
図１２Ａに示すように、鋭利部材９１の刃先９１１は、平面視において直線状に形成されていてもよい。しかし、図１２Ａに示すように、支持基板Ｓ（重合基板Ｔ）の周縁部は円弧状である。このため、鋭利部材９１の刃先が平面視において直線状に形成されていると、平面視において支持基板Ｓと交わる刃先の２点（図１２ＡのＰ１，Ｐ２）に対して負荷が集中し易く、刃こぼれ等が生じるおそれがある。
【０１３７】
そこで、たとえば図１２Ｂに示すように、鋭利部材９１の刃先９１１は、支持基板Ｓの外周部の形状に沿って円弧状に窪んだ形状としてもよい。これにより、刃先９１１全体が均等に支持基板Ｓに接触するため、刃先９１１の特定箇所に負荷が集中することを防止することができる。
【０１３８】
また、図１２Ｃに示すように、鋭利部材９１の刃先９１１は、その中心部が支持基板Ｓに向けて円弧状に突出した形状としてもよい。これにより、刃先９１１を直線状に形成した場合と比較して、刃先９１１のより多くの部分を重合基板Ｔ内に進入させることができるため、支持基板Ｓに上方向きの力を加えた際に鋭利部材９１にかかる負荷をより広い面積で受けることができ、負荷の集中を防止することができる。
【０１３９】
なお、刃先９１１の形状を図１２Ｂに示す形状とした場合、支持基板Ｓは、鋭利部材９１から均等な向きの力を受ける。一方、刃先９１１の形状を図１２Ｃに示す形状とした場合には、支持基板Ｓは、鋭利部材９１の刃先９１１の中心部を始点として拡散する向きの力を受けることとなる。
【０１４０】
ステップＳ１０３の剥離誘引処理を終えると、剥離装置５は、回転昇降機構１０５（図４参照）を用いて第２保持部７０およびフレーム保持部８０を上昇させて、重合基板Ｔの支持基板Ｓ側を第１保持部５０の当接部５１に当接させる（図１０Ｄ参照）。そして、剥離装置５は、吸気装置５３２，５４２，５５２による吸気動作を開始させて、支持基板Ｓを第１保持部５０で吸着保持する（ステップＳ１０４）。
【０１４１】
つづいて、剥離装置５は、移動部６１（図４参照）を動作させて（ステップＳ１０５）、剥離開始部位Ｍに対応する第１保持部５０の外周部の一部、すなわち、個別領域５１４（図６参照）を第２保持部７０から離す方向に移動させる。これにより、支持基板Ｓの外周部の一部が被処理基板Ｗから剥離する（図１０Ｅ参照）。
【０１４２】
このとき、第１追加移動部６２および第２追加移動部６３はまだ動作していないため、支持基板Ｓは、第１追加移動部６２および第２追加移動部６３によって上方から押さえ付けられた状態で、移動部６１によって外周部の一部が引っ張られることとなる。したがって、支持基板Ｓの外周部の一部を被処理基板Ｗから効率良く剥離させることができる。
【０１４３】
また、弾性部材５２は、弾性部材片５２１〜５２３に分割されているため、移動部６１によって弾性部材片５２１が引っ張られた場合でも、弾性部材片５２２や弾性部材片５２３には上向きの力がかかり難い。したがって、第１追加移動部６２および第２追加移動部６３によって支持基板Ｓが押さえ付けられた状態を維持し易いため、支持基板Ｓの外周部の一部を被処理基板Ｗからより効率良く剥離させることができる。
【０１４４】
また、第１保持部５０の当接部５１は、柔軟性を有する樹脂部材で形成されるため、移動部６１が第１保持部５０を引っ張った際に、かかる引っ張りに伴って柔軟に変形する。このため、被処理基板Ｗに対して大きな負荷をかけることなく、支持基板Ｓを被処理基板Ｗから剥離させることができる。しかも、当接部５１が柔軟性を有することで、支持基板Ｓを被処理基板Ｗから剥離させる力に「粘り」を加えることができるため、支持基板Ｓを被処理基板Ｗから効率良く剥離させることができる。
【０１４５】
つづいて、剥離装置５は、第１追加移動部６２（図４参照）を動作させて（ステップＳ１０６）、第１保持部５０の個別領域５１５（図６参照）を第２保持部７０から離す方向に移動させる。これにより、移動部６１によって被処理基板Ｗから剥離された支持基板Ｓの外周部に引き続き、支持基板Ｓにおける個別領域５１５に吸着保持された部分が被処理基板Ｗから剥離する（図１０Ｆ参照）。
【０１４６】
このとき、第２追加移動部６３はまだ動作していないため、支持基板Ｓは、第２追加移動部６３によって上方から押さえ付けられた状態で、第１追加移動部６２によって引っ張られることとなる。したがって、支持基板Ｓにおける個別領域５１５に吸着保持された部分を被処理基板Ｗから効率良く剥離させることができる。
【０１４７】
また、上述したように、弾性部材５２は、弾性部材片５２１〜５２３に分割されているため、第１追加移動部６２によって弾性部材片５２２が引っ張られた場合でも、弾性部材片５２３には上向きの力がかかり難い。したがって、第２追加移動部６３によって支持基板Ｓが押さえ付けられた状態を維持し易いため、支持基板Ｓにおける個別領域５１５に吸着保持された部分を被処理基板Ｗからより効率良く剥離させることができる。
【０１４８】
つづいて、剥離装置５は、第２追加移動部６３（図４参照）を動作させて（ステップＳ１０７）、第１保持部５０の個別領域５１６（図６参照）を第２保持部７０から離す方向に移動させる。これにより、第１追加移動部６２によって被処理基板Ｗから剥離された支持基板Ｓの部分に引き続き、支持基板Ｓにおける個別領域５１６に吸着保持された部分が被処理基板Ｗから剥離する。
【０１４９】
このように、剥離装置５は、移動部６１を動作させた後、第１追加移動部６２および第２追加移動部６３を剥離の起点側に近い第１追加移動部６２から順に段階的に動作させる。これにより、支持基板Ｓをその一端から他端へ向けて被処理基板Ｗから連続的に剥離させることができる。
【０１５０】
その後、剥離装置５は、第１追加移動部６２および第２追加移動部６３を用いて第１保持部５０の個別領域５１５，５１６を上昇させ、あるいは、移動部６１および第１追加移動部６２を用いて個別領域５１４，５１５を降下させるなどして支持基板Ｓを水平にした上で、剥離処理を終了する（図１０Ｇ参照）。
【０１５１】
上述してきたように、本実施形態に係る剥離装置５は、第１保持部５０と、第２保持部７０と、移動部６１とを備える。第１保持部５０は、支持基板Ｓ（第１基板の一例に相当）と被処理基板Ｗ（第２基板の一例に相当）とが接合された重合基板Ｔのうち支持基板Ｓを保持する。第２保持部７０は、重合基板Ｔのうち被処理基板Ｗを保持する。移動部６１は、第１保持部５０の外周部の一部を第２保持部７０から離す方向へ移動させる。また、第１保持部５０は、柔軟性を有し、支持基板Ｓの略全面に当接する当接部５１と、当接部５１に設けられ、支持基板Ｓにおける当接部５１との当接面を吸引する第１吸引部５３（吸引部の一例に相当）とを備える。したがって、本実施形態に係る剥離装置５によれば、剥離処理の効率化を図ることができる。
【０１５２】
＜４．その他の実施形態＞
ところで、上述してきた実施形態では、弾性部材５２を分割することで、第１追加移動部６２や第２追加移動部６３によって支持基板Ｓが押さえ付けられた状態を維持し易くすることとしたが、さらに、当接部５１自体を分割してもよい。図１３は、第１の変形例に係る当接部の構成を示す模式底面図である。なお、以下の説明では、既に説明した部分と同様の部分については、既に説明した部分と同一の符号を付し、重複する説明を省略する。
【０１５３】
図１３に示すように、第１の変形例に係る当接部５１Ａは、個別領域５１４に対応する部位が他の部位と分割されている。
【０１５４】
ここで、上述したように、支持基板Ｓを被処理基板Ｗから剥離する場合、剥離の最も起点側の領域を剥離するのに最も大きな力を要する。したがって、剥離の最も起点側に設けられる個別領域５１４に対応する当接部５１Ａの部位を分割することで、移動部６１を用いて個別領域５１４を引っ張った際に、第１追加移動部６２および第２追加移動部６３によって個別領域５１５，５１６が押さえ付けられた状態をより確実に維持することができ、支持基板Ｓの外周部の一部を被処理基板Ｗからより確実に剥離させることができる。
【０１５５】
なお、当接部５１Ａは、さらに、個別領域５１５に対応する部位が個別領域５１６に対応する部位から分割されていてもよい。すなわち、当接部５１Ａは、個別領域５１４〜５１６ごとに分割されていてもよい。
【０１５６】
また、上述してきた実施形態では、当接部５１の各個別領域５１４〜５１６に吸引口５１１〜５１３がそれぞれ１つずつ設けられる場合の例について説明したが、１つの個別領域５１４〜５１６に複数の吸引口が形成されてもよい。図１４は、第２の変形例に係る当接部の構成を示す模式底面図である。
【０１５７】
たとえば、図１４に示すように、第２の変形例に係る当接部５１Ｂは、剥離の進行方向に沿って配置された３つの吸引口５１１〜５１３に加え、個別領域５１５に対してさらに２つの吸引口５１２Ａ，５１２Ｂを備える。吸引口５１２および吸引口５１２Ａ，５１２Ｂは、個別領域５１５に対して円弧状に並べて配置される。また、吸引口５１２および吸引口５１２Ａ，５１２Ｂは、１つの吸気装置５４２（図４参照）に接続されてもよいし、それぞれ個別の吸気装置に接続されてもよい。
【０１５８】
このように、１つの個別領域５１５に対して複数の吸引口５１２，５１２Ａ，５１２Ｂを設けることにより、支持基板Ｓをより強力に保持しておくことができる。
【０１５９】
なお、ここでは、個別領域５１５に対して合計３個の吸引口５１２，５１２Ａ，５１２Ｂを設ける場合の例を示したが、個別領域５１５に対して４個以上の吸引口を設けてもよい。同様に、個別領域５１４や個別領域５１６にも複数の吸引口を設けてもよい。
【０１６０】
また、上述してきた実施形態では、剥離対象となる重合基板が、被処理基板Ｗと支持基板Ｓとが接着剤Ｇによって接合された重合基板Ｔである場合の例について説明した。しかし、剥離装置の剥離対象となる重合基板は、この重合基板Ｔに限定されない。たとえば、剥離装置５では、ＳＯＩ基板を生成するために、絶縁膜が形成されたドナー基板と被処理基板とが張り合わされた重合基板を剥離対象とすることも可能である。
【０１６１】
ここで、ＳＯＩ基板の製造方法について図１５Ａおよび図１５Ｂを参照して説明する。図１５Ａおよび図１５Ｂは、ＳＯＩ基板の製造工程を示す模式図である。図１５Ａに示すように、ＳＯＩ基板を形成するための重合基板Ｔａは、ドナー基板Ｋとハンドル基板Ｈとを接合することによって形成される。
【０１６２】
ドナー基板Ｋは、表面に絶縁膜６が形成されるとともに、ハンドル基板Ｈと接合する方の表面近傍の所定深さに水素イオン注入層７が形成された基板である。また、ハンドル基板Ｈとしては、たとえばシリコンウェハ、ガラス基板、サファイア基板等を用いることができる。
【０１６３】
剥離装置５では、たとえば、第１保持部５０でドナー基板Ｋを保持し、第２保持部７０でハンドル基板Ｈを保持した状態で、移動部６１を用いて重合基板Ｔａの外周部の一部を引っ張ることで、ドナー基板Ｋに形成された水素イオン注入層７に対して機械的衝撃を与える。これにより、図１５Ｂに示すように、水素イオン注入層７内のシリコン−シリコン結合が切断され、ドナー基板Ｋからシリコン層８が剥離する。その結果、ハンドル基板Ｈの上面に絶縁膜６とシリコン層８とが転写され、ＳＯＩ基板Ｗａが形成される。なお、第１保持部５０でハンドル基板Ｈを保持し、第２保持部７０でドナー基板Ｋを保持してもよい。
【０１６４】
また、上述してきた実施形態では、被処理基板Ｗと支持基板Ｓとを接着剤Ｇを用いて接合する場合の例について説明したが、接合面Ｗｊ，Ｓｊを複数の領域に分け、領域ごとに異なる接着力の接着剤を塗布してもよい。
【０１６５】
また、上述した実施形態では、重合基板Ｔが、ダイシングフレームＦに保持される場合の例について説明したが、重合基板Ｔは、必ずしもダイシングフレームＦに保持されることを要しない。
【０１６６】
また、上述した実施形態では、剥離誘引部９０が備える鋭利部材９１が平刃である場合の例について説明したが、鋭利部材９１は、たとえばカミソリ刃やローラ刃あるいは超音波カッター等を用いてもよい。
【０１６７】
また、上述した実施形態では、第１追加移動部６２が当接部５１の個別領域５１５に対応する部位に設けられ、第２追加移動部６３が当接部５１の個別領域５１６に対応する部位に設けられる場合について説明したが、追加移動部は、個別領域５１５に対応する部位または個別領域５１６に対応する部位のいずれか一方にのみ設けられてもよい。また、剥離装置５は、必ずしも追加移動部を備えることを要しない。
【０１６８】
さらなる効果や変形例は、当業者によって容易に導き出すことができる。このため、本発明のより広範な態様は、以上のように表しかつ記述した特定の詳細および代表的な実施形態に限定されるものではない。したがって、添付の特許請求の範囲およびその均等物によって定義される総括的な発明の概念の精神または範囲から逸脱することなく、様々な変更が可能である。
【符号の説明】
【０１６９】
Ｆ  ダイシングフレーム
Ｐ  ダイシングテープ
Ｓ  支持基板
Ｔ  重合基板
Ｗ  被処理基板
１  剥離システム
５  剥離装置
１０  第１処理ブロック
１５  剥離ステーション
２０  第２処理ブロック
３０  制御装置
５０  第１保持部
５１  当接部
５２  弾性部材
５３  第１吸引部
５４  第２吸引部
５５  第３吸引部
６１  移動部
６２  第１追加移動部
６３  第２追加移動部
７０  第２保持部
８０  フレーム保持部
９０  剥離誘引部
９１  鋭利部材
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７Ａ】
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【図７Ｂ】
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【図８】
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【図９】
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【図１０Ａ】
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【図１０Ｂ】
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【図１０Ｃ】
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【図１０Ｄ】
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【図１０Ｅ】
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【図１０Ｆ】
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【図１０Ｇ】
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【図１１Ａ】
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【図１１Ｂ】
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【図１１Ｃ】
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【図１２Ａ】
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【図１２Ｂ】
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【図１２Ｃ】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５Ａ】
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【図１５Ｂ】
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