(57)【要約】【課題】加工変換差の予測精度を向上させることが可能な加工変換差予測装置を提供する。【解決手段】レジスト寸法算出部１１ａは、リソグラフィのパラメータとレジスト寸法の予測値ＣＤｎとの関係をシミュレーションにて算出し、レジスト深さ判別部１１ｂは、レジストパターンＭＲの断面形状のシミュレーション結果に基づいて、リソグラフィのパラメータとレジスト寸法の実測値ＤＲとの関係に適合したレジスト膜厚方向の深さでのレジスト寸法の予測値ＣＤｎを判別し、レジスト形状算出部１１ｃは、レジストパターンＭＲの断面形状のシミュレーション結果に基づいて、レジストパターンＭＲの断面形状を算出する。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
リソグラフィのパラメータとレジスト寸法の予測値との関係をシミュレーションにて算出するレジスト寸法算出部と、
レジストパターンの断面形状のシミュレーション結果に基づいて、前記パラメータとレジスト寸法の実測値との関係に適合したレジスト膜厚方向の深さでのレジスト寸法の予測値を判別するレジスト深さ判別部と、
前記レジストパターンの断面形状のシミュレーション結果に基づいて、前記レジストパターンの断面形状を算出するレジスト形状算出部とを備え、
前記レジストパターンを介して加工された加工後パターンの加工変換差を、前記レジスト寸法の予測値および前記レジストパターンの断面形状に基づいて予測する加工変換差予測装置。
【請求項２】
前記パラメータは、露光量、フォーカス、マスクサイズ、マスクパターンの位置、解像補助パターンのサイズおよび解像補助パターンの位置のうちのいずれか少なくとも一つから選択される請求項１に記載の加工変換差予測装置。
【請求項３】
リソグラフィのパラメータとレジスト寸法の実測値との関係に適合したレジスト寸法の予測値が得られるレジストパターンの断面形状のシミュレーション結果に基づいて、前記レジストパターンを介して加工された加工後パターンの加工変換差を予測する加工変換差予測装置。
【請求項４】
リソグラフィのパラメータとレジスト寸法の実測値との関係に適合したレジスト寸法の予測値が得られるレジストパターンの断面形状をシミュレートするステップと、
前記レジストパターンの断面形状のシミュレーション結果に基づいて、前記レジストパターンを介して加工された加工後パターンの加工変換差を予測するステップとを備える加工変換差予測方法。
【請求項５】
リソグラフィのパラメータとレジスト寸法の実測値との関係に適合したレジスト寸法の予測値が得られるレジストパターンの断面形状をシミュレートするステップと、
前記レジストパターンの断面形状のシミュレーション結果に基づいて、前記レジストパターンを介して加工された加工後パターンの加工変換差を予測するステップとをコンピュータに実行させる加工変換差予測プログラム。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明の実施形態は、加工変換差予測装置、加工変換差予測方法および加工変換差予測プログラムに関する。
【背景技術】
【０００２】
近年の半導体デバイスの微細化に伴って、リソグラフィ工程で使用されるレジストパターンも微細化されている。このため、設計パターン通りに加工後パターンをウェハ上に再現することが困難となり、レジストパターンの寸法に対して加工後パターンの寸法に加工変換差が発生することがある。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００９−２８８４９７号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
本発明の一つの実施形態は、加工変換差の予測精度を向上させることが可能な加工変換差予測装置、加工変換差予測方法および加工変換差予測プログラムを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本発明の一つの実施形態によれば、リソグラフィのパラメータとレジスト寸法の実測値との関係に適合したレジスト寸法の予測値が得られるレジストパターンの断面形状のシミュレーション結果に基づいて、前記レジストパターンを介して加工された加工後パターンの加工変換差を予測する。
【図面の簡単な説明】
【０００６】
【図１】図１（ａ）は、第１実施形態に係る加工変換差予測装置およびその周辺装置の概略構成を示すブロック図、図１（ｂ）は、図１（ａ）の加工変換差予測装置が用いられる露光装置の概略構成を示す断面図、図１（ｃ）は、レジストパターン形成後の工程を示す断面図、図１（ｄ）は、レジスト寸法の実測時の図１（ｃ）のレジストパターンの構成を示す平面図、図１（ｅ）は、加工後パターン形成後の工程を示す断面図、図１（ｆ）は、加工後パターンの寸法の実測時の図１（ｅ）の加工後パターンの構成を示す平面図、図１（ｇ）は、図１（ｃ）のレジストパターンの断面形状のシミュレーション結果を示す図、図１（ｈ）は、図１（ｃ）のレジストパターンの平面形状のシミュレーション結果を示す図、図１（ｉ）は、マスクデータ作成部１３で作成されるマスクデータパターンの一例を示す図である。
【図２】図２（ａ）は、実測により得られるレジスト寸法と加工後寸法との関係を示す図、図２（ｂ）は、レジスト寸法の実測時のレジストパターンの構成を示す平面図、図２（ｃ）は、図２（ａ）の測定点ＰＡにおけるレジストパターンの断面形状を示す断面図、図２（ｄ）は、図２（ａ）の測定点ＰＢにおけるレジストパターンの断面形状を示す断面図である。
【図３】図３は、第１実施形態に係る加工変換差予測に用いられるレジスト寸法の合わせ込み方法の概要を示す図である。
【図４】図４は、シミュレーションにより得られるレジスト寸法と加工後寸法との関係を示す図である。
【図５】図５は、第１実施形態に係る加工変換差予測方法を示すフローチャートである。
【図６】図６は、第１実施形態に係る加工変換差予測に用いられるレジスト寸法の合わせ込み方法の具体例を示す図である。
【図７】図７は、図１の加工変換差予測装置のハードウェア構成を示すブロック図である。
【図８】図８は、第２実施形態に係る加工変換差予測に用いられるレジスト膜厚方向の各深さでの寸法とテーパー角の関係を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【０００７】
以下に添付図面を参照して、実施形態に係る加工変換差予測装置および加工変換差予測方法を詳細に説明する。なお、これらの実施形態により本発明が限定されるものではない。
【０００８】
（第１実施形態）
図１（ａ）は、第１実施形態に係る加工変換差予測装置およびその周辺装置の概略構成を示すブロック図、図１（ｂ）は、図１（ａ）の加工変換差予測装置が用いられる露光装置の概略構成を示す断面図、図１（ｃ）は、レジストパターン形成後の工程を示す断面図、図１（ｄ）は、レジスト寸法の実測時の図１（ｃ）のレジストパターンの構成を示す平面図、図１（ｅ）は、加工後パターン形成後の工程を示す断面図、図１（ｆ）は、加工後パターンの寸法の実測時の図１（ｅ）の加工後パターンの構成を示す平面図、図１（ｇ）は、図１（ｃ）のレジストパターンの断面形状のシミュレーション結果を示す図、図１（ｈ）は、図１（ｃ）のレジストパターンの平面形状のシミュレーション結果を示す図、図１（ｉ）は、マスクデータ作成部１３で作成されるマスクデータパターンの一例を示す図である。
図１（ａ）において、加工変換差予測装置１１は、リソグラフィのパラメータとレジスト寸法の実測値ＤＲとの関係に適合したレジスト寸法の予測値ＣＤｎが得られるレジストパターンＭＲの断面形状のシミュレーション結果に基づいて、レジストパターンＲを介して加工された加工後パターンＴの加工変換差ＫＭを予測する。ここで、加工変換差予測装置１１には、レジスト寸法算出部１１ａ、レジスト深さ判別部１１ｂおよびレジスト形状算出部１１ｃが設けられている。また、加工変換差予測装置１１の周辺装置には、ＣＡＤシステム１２およびマスクデータ作成部１３が設けられている。また、図１（ｂ）において、露光装置１４には、光源Ｇ、絞りＳ、フォトマスクＭおよびレンズＬが設けられている。
【０００９】
ここで、レジスト寸法算出部１１ａは、リソグラフィのパラメータとレジスト寸法の予測値ＣＤｎとの関係をシミュレーションにて算出する。なお、リソグラフィのパラメータは、そのパラメータを変化させることでレジストパターンＲの断面形状のテーパー角を変化させることができるものを選択することができる。例えば、リソグラフィのパラメータは、露光量、フォーカス、マスクサイズ、マスクパターンの位置、解像補助パターンのサイズおよび解像補助パターンの位置のうちのいずれか少なくとも一つから選択することができる。あるいは、リソグラフィのパラメータは、露光時の照明形状であってもよいし、フォトマスクＭに付加されるアシストパターンのサイズや位置であってもよい。また、レジスト寸法の予測値ＣＤｎは、レジストパターンＭＲの深さごとに求めることができる。例えば、レジスト寸法の予測値ＣＤｎとして、レジストパターンＭＲの開口部ＭＫの頂上のレジスト寸法の予測値ＣＤｔｏｐ、中央のレジスト寸法の予測値ＣＤｃｅｎおよび底部のレジスト寸法の予測値ＣＤｂｔｍを求めることができる。レジスト深さ判別部１１ｂは、レジストパターンＭＲの断面形状のシミュレーション結果に基づいて、リソグラフィのパラメータとレジスト寸法の実測値ＤＲとの関係に適合したレジスト膜厚方向の深さでのレジスト寸法の予測値ＣＤｎを判別する。レジスト形状算出部１１ｃは、レジストパターンＭＲの断面形状のシミュレーション結果に基づいて、レジストパターンＭＲの断面形状を算出する。このレジストパターンＭＲの断面形状には、レジストパターンＭＲの断面形状のテーパー角θを含むことができる。
【００１０】
そして、ＣＡＤシステム１２において、半導体集積回路の設計レイアウトデータＮ１が作成され、加工変換差予測装置１１およびマスクデータ作成部１３に送られる。そして、マスクデータ作成部１３において、設計レイアウトデータＮ１で指定されるレイアウトパターンに対応したマスクデータが作成される。このマスクデータは、例えば、図１（ｉ）に示すように、マスクデータパターンＰＭを示すことができる。そして、フォトマスクＭには、マスクデータ作成部１３にて作成されたマスクデータパターンＰＭに対応したマスクパターンＨが遮光膜にて形成される。
一方、図１（ｂ）に示すように、下地層Ｋ上には被加工膜ＴＢが形成され、被加工膜ＴＢ上にはレジスト膜ＲＢが塗布されている。なお、下地層Ｋおよび被加工膜ＴＢは、半導体基板であってもよいし、シリコン酸化膜またはシリコン窒化膜などの絶縁体膜であってもよいし、アモルファスシリコンまたは多結晶シリコンなどの半導体膜であってもよいし、ＡｌまたはＣｕなどの金属膜であってもよい。
【００１１】
そして、光源Ｇからは紫外光などの露光光が出射され、絞りＳにて絞られた後、フォトマスクＭおよびレンズＬを介してレジスト膜ＲＢに入射することで、レジスト膜ＲＢが露光される。
次に、図１（ｃ）および図１（ｄ）に示すように、レジスト膜ＲＢが露光された後、そのレジスト膜ＲＢが現像されることで、フォトマスクＭのマスクパターンＨに対応したレジストパターンＲが形成される。なお、図１（ｃ）および図１（ｄ）では、レジストパターンＲとして開口部ＲＫが形成された例を示した。
【００１２】
次に、図１（ｅ）および図１（ｆ）に示すように、マスクパターンＨが転写されたレジストパターンＲをマスクとして被加工膜ＴＢを加工することで、フォトマスクＭのマスクパターンＨに対応した加工後パターンＴが形成される。この時、加工後パターンＴとして開口部ＴＫが形成される。なお、被加工膜ＴＢの加工としては、エッチング加工であってもよいし、イオン注入用途であってもよい。
【００１３】
そして、加工変換差予測装置１１にて加工変換差の予測を行わせる場合、レジストパターンＲのレジスト寸法の実測値ＤＲおよび加工後パターンＴの寸法の実測値ＤＴを準備する。すなわち、レジスト膜ＲＢの露光時にフォーカスを変化させる。そして、フォーカスを変化させるごとにレジストパターンＲおよび加工後パターンＴの形成を繰り返し、レジストパターンＲのレジスト寸法の実測値ＤＲおよび加工後パターンＴの寸法の実測値ＤＴをＣＤ−ＳＥＭで計測する。そして、フォーカスを変化させるごとに計測したレジストパターンＲのレジスト寸法の実測値ＤＲおよび加工後パターンＴの寸法の実測値ＤＴを加工変換差予測装置１１に入力する。
【００１４】
そして、加工変換差予測装置１１にて加工変換差の予測が行われる場合、実際の被加工膜ＴＢおよびレジストパターンＲに対応した仮想的な被加工膜ＭＴおよびレジストパターンＭＲがシミュレーションにてコンピュータ上で模擬される。ここで、シミュレーションにてレジストパターンＭＲを模擬することにより、レジストパターンＭＲの断面形状を再現することができ、レジスト膜厚方向の深さごとにレジスト寸法の予測値ＣＤｎを算出することができる。すなわち、図１（ｄ）に示すように、レジストパターンＲのレジスト寸法の実測値ＤＲをＣＤ−ＳＥＭで計測した場合には、レジスト膜厚方向の深さを特定することができない。一方、シミュレーションにてレジストパターンＭＲを模擬した場合には、例えば、頂上部のレジスト寸法の予測値ＣＤｔｏｐ、中央のレジスト寸法の予測値ＣＤｃｅｎおよび底部のレジスト寸法の予測値ＣＤｂｔｍを求めることができる。
【００１５】
そして、レジスト寸法算出部１１ａにおいて、フォーカスとレジスト寸法の予測値ＣＤｎとの関係がレジストパターンＭＲの深さごとにシミュレーションにて算出される。そして、レジスト深さ判別部１１ｂにおいて、フォーカスとレジスト寸法の実測値ＤＲとの関係に適合したレジスト膜厚方向の深さでのレジスト寸法の予測値ＣＤｎが判別される。例えば、フォーカスを変化させた時のレジスト寸法の実測値ＤＲが、レジスト寸法の予測値ＣＤｔｏｐ、ＣＤｃｅｎ、ＣＤｂｔｍと比較される。そして、フォーカスを変化させた時のレジスト寸法の実測値ＤＲの変化の傾向に最も近いレジスト寸法の予測値ＣＤｔｏｐ、ＣＤｃｅｎ、ＣＤｂｔｍがどれかが判別される。また、レジスト形状算出部１１ｃにおいて、フォーカスを変化させた時のレジスト寸法の実測値ＤＲの変化の傾向に最も近いレジスト寸法の予測値ＣＤｎが得られるテーパー角θが算出される。
【００１６】
そして、加工変換差予測装置１１において、フォーカスを変化させた時のレジスト寸法の実測値ＤＲの変化の傾向に最も近いレジスト寸法の予測値ＣＤｎおよびテーパー角θに基づいて加工後パターンＴの寸法の実測値ＤＴを参照することにより、加工後パターンＴの加工変換差ＫＭを予測する。なお、加工変換差ＫＭは、レジスト寸法の予測値ＣＤｎと加工後パターンＴの寸法の実測値ＤＴとの差分で与えることができる。そして、マスクデータ作成部１３において、加工変換差ＫＭが加工変換差予測装置１１から送られると、加工変換差ＫＭに基づいてマスク補正量ＳＭが算出され、マスクデータパターンＰＭの寸法が補正される。
【００１７】
図２（ａ）は、実測により得られるレジスト寸法と加工後寸法との関係を示す図、図２（ｂ）は、レジスト寸法の実測時のレジストパターンの構成を示す平面図、図２（ｃ）は、図２（ａ）の測定点ＰＡにおけるレジストパターンの断面形状を示す断面図、図２（ｄ）は、図２（ａ）の測定点ＰＢにおけるレジストパターンの断面形状を示す断面図である。
図２（ｂ）において、レジスト寸法の実測値ＤＲを得るために、レジストパターンＲの平面形状がＣＤ−ＳＥＭで計測される。このため、図２（ａ）に示すように、レジスト寸法の実測値ＤＲが等しい場合においても、加工後パターンＴの寸法の実測値ＤＴとして互いに異なる実測値ＤＴ１、ＤＴ２が得られる。これは、図２（ｃ）および図２（ｄ）に示すように、レジスト寸法の実測値ＤＲが等しい場合においても、レジストパターンＲのテーパー角θなどの断面形状が異なると、加工後パターンＴの寸法が異なるからである。このため、加工後パターンＴの寸法の実測値ＤＴを特定するには、レジストパターンＲのテーパー角θなどの断面形状を考慮する必要がある。だたし、レジストパターンＲのテーパー角θなどの断面形状は、レジストパターンＲの平面形状から実測することができない。このため、レジストパターンＲの断面形状をシミュレーションにて模擬することにより、レジストパターンＲのテーパー角θなどの断面形状を予測する。
【００１８】
図３は、第１実施形態に係る加工変換差予測に用いられるレジスト寸法の合わせ込み方法の概要を示す図である。
図３において、フォーカスを変化させた時のレジスト寸法の予測値ＣＤｎがレジストパターンＭＲの深さごとにシミュレーションにて算出される。そして、フォーカスを変化させた時のレジスト寸法の実測値ＤＲの変化の傾向に最も近いレジスト寸法の予測値ＣＤＦｉｔが判別される。そして、レジスト寸法の予測値ＣＤＦｉｔが判別されると、その予測値ＣＤＦｉｔが得られるテーパー角θをシミュレーションにて算出することができる。
【００１９】
図４は、シミュレーションにより得られるレジスト寸法と加工後寸法との関係を示す図である。
図４において、レジスト寸法の予測値ＣＤｎが等しい場合においても、レジストパターンＭＲの断面形状のテーパー角θ１〜θ３に応じて互いに異なる加工後寸法が得られる。
【００２０】
図５は、第１実施形態に係る加工変換差予測方法を示すフローチャートである。
図５において、加工変換差予測装置１１にて加工変換差の予測を行わせる場合、ＦＥＭ露光検証を実施する。そして、フォーカスを変化させるごとにレジストパターンＲおよび加工後パターンＴの形成を繰り返し、レジストパターンＲのレジスト寸法の実測値ＤＲおよび加工後パターンＴの寸法の実測値ＤＴをＣＤ−ＳＥＭで計測する（Ｓ１）。
【００２１】
次に、フォーカスを変化させた時のレジスト寸法の予測値ＣＤｎをレジストパターンＭＲの深さごとにシミュレーションにて算出する（Ｓ２）。次に、フォーカスを変化させた時のレジスト寸法の実測値ＤＲの変化の傾向に近いレジスト膜厚方向の深さでのレジスト寸法の予測値ＣＤｎを判別する（Ｓ３）。次に、フォーカスを変化させた時のレジスト寸法の実測値ＤＲの変化の傾向に最も近いレジスト寸法の予測値ＣＤｎが得られるテーパー角θを算出する（Ｓ４）。次に、フォーカスを変化させた時のレジスト寸法の実測値ＤＲの変化の傾向に最も近いレジスト寸法の予測値ＣＤｎおよびテーパー角θに基づいて加工後パターンＴの寸法の実測値ＤＴを参照することにより、加工後パターンＴの加工変換差ＫＭを予測する（Ｓ５）。
【００２２】
ここで、露光後のレジストパターンＲの断面形状をシミュレーションにて模擬することにより、レジストパターンＲの断面形状のテーパー角に対応した加工後パターンＴの寸法の実測値ＤＴを特定することができる。このため、レジスト寸法の実測値ＤＲが等しいにもかかわらず、レジストパターンＲの断面形状のテーパー角に応じて加工後パターンＴの寸法の実測値ＤＴがばらつく場合においても、加工変換差ＫＭの予測精度を向上させることができる。
【００２３】
図６は、第１実施形態に係る加工変換差予測に用いられるレジスト寸法の合わせ込み方法の具体例を示す図である。なお、図６の例では、フォーカスを変化させた時のレジスト寸法の予測値ＣＤｔｏｐ、ＣＤｃｅｎ、ＣＤｂｔｍを示した。
図６において、フォーカスを変化させた時のレジスト寸法の予測値ＣＤｔｏｐ、ＣＤｃｅｎ、ＣＤｂｔｍがシミュレーションにて算出される。そして、例えば、フォーカスを変化させた時のレジスト寸法の予測値ＣＤｃｅｎが実測値ＤＲの変化の傾向に最も近いと判断することができる。そして、レジスト寸法の予測値ＣＤｃｅｎが判別されると、その予測値ＣＤｃｅｎが得られるテーパー角θをシミュレーションにて算出することができる。そして、例えば、ベストフォーカス位置ＢＦにおけるレジスト寸法をレジスト寸法の予測値ＣＤｃｅｎから特定し、そのレジスト寸法およびテーパー角θから加工後寸法を求めることができる。この時、図４に示したように、レジスト寸法およびテーパー角θを特定することにより、加工後寸法を一意に求めることができる。
【００２４】
なお、上述した実施形態では、リソグラフィのパラメータとしてフォーカスを例にとって説明したが、露光量、マスクサイズまたは照明形状などであってもよい。
【００２５】
図７は、図１の加工変換差予測装置のハードウェア構成を示すブロック図である。
図７において、加工変換差予測装置１１には、ＣＰＵなどを含むプロセッサ１、固定的なデータを記憶するＲＯＭ２、プロセッサ１に対してワークエリアなどを提供するＲＡＭ３、人間とコンピュータとの間の仲介を行うヒューマンインターフェース４、外部との通信手段を提供する通信インターフェース５、プロセッサ１を動作させるためのプログラムや各種データを記憶する外部記憶装置６を設けることができ、プロセッサ１、ＲＯＭ２、ＲＡＭ３、ヒューマンインターフェース４、通信インターフェース５および外部記憶装置６は、バス７を介して接続されている。
【００２６】
なお、外部記憶装置６としては、例えば、ハードディスクなどの磁気ディスク、ＤＶＤなどの光ディスク、ＵＳＢメモリやメモリカードなどの可搬性半導体記憶装置などを用いることができる。また、ヒューマンインターフェース４としては、例えば、入力インターフェースとしてキーボードやマウスやタッチパネル、出力インターフェースとしてディスプレイやプリンタなどを用いることができる。また、通信インターフェース５としては、例えば、インターネットやＬＡＮなどに接続するためのＬＡＮカードやモデムやルータなどを用いることができる。ここで、外部記憶装置６には、レジストパターンを介して加工された加工後パターンの加工変換差を予測する加工変換差予測プログラム６ａがインストールされている。
【００２７】
そして、加工変換差予測プログラム６ａがプロセッサ１にて実行されると、リソグラフィのパラメータとレジスト寸法の実測値との関係に適合したレジスト寸法の予測値が得られるレジストパターンの断面形状がシミュレートされ、そのシミュレーション結果に基づいて加工後パターンの加工変換差が予測される。
【００２８】
なお、プロセッサ１に実行させる加工変換差予測プログラム６ａは、外部記憶装置６に格納しておき、プログラムの実行時にＲＡＭ３に読み込むようにしてもよいし、加工変換差予測プログラム６ａをＲＯＭ２に予め格納しておくようにしてもよいし、通信インターフェース５を介して加工変換差予測プログラム６ａを取得するようにしてもよい。また、加工変換差予測プログラム６ａは、スタンドアロンコンピュータに実行させてもよいし、クラウドコンピュータに実行させてもよい。
【００２９】
（第２実施形態）
図９は、第２実施形態に係る加工変換差予測に用いられるレジスト膜厚方向の各深さでの寸法とテーパー角の関係を示す図である。
図９において、上述した第１実施形態では、レジストパターンＲとして開口部を形成した場合を例にとったが、ライン状のレジストパターンＲ´に適用してもよい。この場合でも、レジストパターンＲ´の断面形状のテーパー角θをシミュレーションにて算出することにより、加工変換差の予測精度を向上させることができる。
【００３０】
本発明のいくつかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これら新規な実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これら実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれるとともに、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる。
【符号の説明】
【００３１】
１  プロセッサ、２  ＲＯＭ、３  ＲＡＭ、４  ヒューマンインターフェース、５  通信インターフェース、６  外部記憶装置、６ａ  加工変換差予測プログラム、７  バス、１１  加工変換差予測装置、１１ａ  レジスト寸法算出部、１１ｂ  レジスト深さ判別部、１１ｃ  レジスト形状算出部、１２  ＣＡＤシステム、１３  マスクデータ作成部、１４  露光装置
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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