(57)【要約】【課題】  樹脂パッケージ形成の作業効率を向上しつつ、樹脂パッケージ変形が生じにくく信頼性の高い樹脂封止型センサ装置を提供すること。【解決手段】  上記目的を達成すべく、本発明による樹脂封止型センサ装置は、物理量を検出する機能を有するセンサ素子と、前記センサ素子からの信号を処理するとともに外部との信号の入出力を制御する基板と、前記センサ素子と前記基板が搭載されるダイパッドと、リードとをトランスファーモールドによって封止して第一の樹脂封止体を形成する樹脂封止型センサ装置において、前記第一の樹脂封止体の表面にトランスファーモールドによって第二の樹脂封止体を形成したことを特徴とする。【選択図】図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
物理量を検出する機能を有するセンサ素子と、前記センサ素子からの信号を処理するとともに外部との信号の入出力を制御する基板と、前記センサ素子と前記基板が搭載されるダイパッドと、外部導通リードとをトランスファーモールドによって封止して第一の樹脂封止体を形成する樹脂封止型センサ装置において、
前記第一の樹脂封止体の表面にトランスファーモールドによって第二の樹脂封止体を形成したことを特徴とする樹脂封止型センサ装置。
【請求項２】
前記第二の樹脂封止体を形成する樹脂の吸湿率が前記第一の樹脂封止体を形成する樹脂の吸湿率よりも低いことを特徴とする請求項１に記載の樹脂封止型センサ装置。
【請求項３】
前記第一の樹脂封止体を形成する樹脂のガラス転移温度が前記第二の樹脂封止体を形成する樹脂のガラス転移温度よりも高いことを特徴とする請求項２に記載の樹脂封止型センサ。
【請求項４】
前記リードのダムバー切断面は、前記第一の樹脂封止体及び前記第二の樹脂封止体から露出していることを特徴とする請求項１乃至請求項３の何れかに記載の樹脂封止型センサ装置。
【請求項５】
前記第二の樹脂封止体の側面における外部導通リード突出部から上面への傾斜は、前記第一の樹脂封止体の側面における外部導通リード突出部から上面への傾斜よりも急峻であることを特徴とする請求項１乃至４の何れかに記載の樹脂封止型センサ装置。
【請求項６】
前記第二の樹脂封止体は、トランスファーモールド成形時にエジェクタピンにより形成される凹部を有しており、該凹部は前記第一の樹脂封止体まで達していないことを特徴とする請求項１乃至請求項５の何れかに記載の樹脂封止型センサ装置。
【請求項７】
物理量を検出する機能を有するセンサ素子と前記センサ素子からの信号を処理するとともに外部との信号の入出力を制御する基板とをリードフレームのダイパッド上に搭載し、該センサ素子並びに該回路基板とを該リードフレームの外部導通リードと電気的に接続し、回路ユニットを形成する回路ユニット形成工程と、
前記回路ユニットを金型に配置し、該金型内に第一の樹脂を流し込み加圧成形することで第一の樹脂封止体を形成する第１モールド工程と、
前記第一の樹脂封止体を金型に配置し、該金型内に第一の樹脂よりも吸水率の低い第二の樹脂を流し込み加圧成形する第二モールド工程と、を備える樹脂封止型センサ装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、加速度や角速度を検出する1つの慣性力センサ、もしくは複数の加速度や角速度の検出部が複合された慣性力センサ等のセンサ素子とこれを搭載する回路基板をトランスファーモールドによって樹脂封止してパッケージを形成してなる樹脂封止型センサ装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、自動車や農業機械、建設機械などでは車両姿勢の安定制御や安全性向上、あるいは作業性向上ため種々の物理量を検出するセンサ装置が使用されている。特にシリコン（Si）の微細加工技術（MEMS：Micro Electro Mechanical Systems）で製作された加速度センサと角速度センサの適用が拡大している。
【０００３】
MEMS技術で製作された慣性力センサ（加速度センサや角速度センサ）を備えたセンサ装置の形態として、センサからの信号を処理するとともに外部との信号入出力を制御する回路基板(例えばLSI基板)の上にセンサを搭載し、これらセンサおよび回路基板をダイパッドに搭載し、外部との電気信号の伝達を行うリードをダイパッド周囲に配置した上で、これらをトランスファーモールド法で樹脂封止してパッケージを構成した形態のセンサ装置が知られている。
【０００４】
ところで、このトランスファーモールドによる樹脂封止パッケージでは、パッケージに温度変化（使用時の環境温度変化や信頼性試験として実施する温度サイクル試験）が加えられると、パッケージを構成する部材と封止樹脂の線膨張係数差に依存して発生する熱応力によってパッケージが変形する場合がある。パッケージが変形すると、この変形に応じてパッケージ内部に封止されている慣性力センサも変形し、センサ出力に変動が生じるようになる。
【０００５】
トランスファーモールドによる樹脂封止は通常175℃程度の温度で行うため、温度が低下するに従ってパッケージ構成部材と封止樹脂間の線膨張係数差に依存した熱応力がパッケージ内部に発生する。この内部応力は、線膨張係数と温度幅の積に比例する。封止樹脂に用いられる樹脂材料には、ガラス転移温度と呼称される特性変化点があり、封止樹脂の線膨張係数は、ガラス転移温度を境にして特性が異なり、転移温度より高い温度領域の線膨張係数（α２）は、低い領域における線膨張係数（α1）より高い値となる。一般的なトランスファーモールド樹脂のガラス転移温度は、モールド温度以下に設定されている。ガラス転移温度が低い封止樹脂では、線膨張係数α２の温度範囲が広がるため、α２の影響によってパッケージ内部応力が高くなる。したがって、モールド温度以下におけるパッケージ内部応力を低減するためには、ガラス転移温度の高い材料の使用が望ましい。さらに、封止樹脂の弾性係数もガラス転移温度に依存して変化し、転移温度以上で弾性係数が低くなるため、ガラス転移温度以上の温度域では、線膨張係数が高いことも加わって封止樹脂の変形が増大する。これによって、封止されているセンサの特性が高温でも変動するようになり、耐熱性低下の要因となるため、この観点からもガラス転移温度を高くするのが良い。
【０００６】
また、トランスファーモールドによる樹脂封止パッケージでは、パッケージが高温高湿（例えば85℃、85％RH環境）などの水分の多い環境に晒されると、樹脂が吸湿し、膨潤と呼ばれる樹脂の膨張変形が生じる場合がある。この樹脂の膨張によってパッケージが変形し、温度変化と同様に慣性力センサも変形させるため、センサ出力に変動が発生する場合がある。
【０００７】
環境温度が変化した場合にパッケージ構成部材の線膨張係数差に依存して発生する慣性力センサの出力変動は、温度と出力変動の関係を測定し、この測定データを基に出力を補正することで、温度変動の影響が出力に現れるのを抑制あるいは取り除くことができる。樹脂封止した慣性センサ出力と温度の関係は非線形になることもあり、温度による変動を補正しきれない場合もあるので、温度による出力変動は可能な限り低減するのが望ましい。
【０００８】
一方、封止樹脂の吸湿による出力変動ついては、実際の機器内部に実装された状態では樹脂の吸湿量を把握することが困難であるため、温度変化のような補正によって出力変動の影響を取り除くことが難しい。したがって、樹脂の吸湿によるセンサ出力変動抑制には、樹脂自体の吸湿量を減らすことが必要となる。
【０００９】
このようなトランスファーモールドパッケージでの樹脂の吸湿抑制を考慮したパッケージ構造が特許文献１から特許文献２に開示されている。
【００１０】
特許文献１に開示される加速度センサ素子を実装したフルモールド実装型パッケージ構造では、モールド後にパッケージを構成するプラスチック表面を疎水性の材料でコーティングすることが開示されている。
【００１１】
特許文献２に開示されている半導体パッケージ構造では、封止樹脂によるパッケージの表面に、プラズマ重合によって耐湿性高分子薄膜（厚さ10〜500nm）を設けることが開示されている
【先行技術文献】
【特許文献】
【００１２】
【特許文献１】特開平８−１１４６２２号公報
【特許文献２】特開平６−２４４３１６号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１３】
特許文献１では、モールドプラスチック部の表面を疎水性の材料でコーティングすることで、プラスチック材料部の吸湿を抑制し、吸湿による変形を防止することが可能である。しかし、特許文献１に開示されている疎水性材料をコーティングする方法では、コーティングした材料を均一に塗布することが難しいため、コーティング材表面形状の制御が難しく、コーティング材料の膜厚にばらつきが生じる。このパッケージが、温度変化する環境に晒されると、膜厚ばらつきによってコーティング材料の変形量が場所によって異なるようになり、パッケージに慣性力センサの出力変動を起させる変形（例えば反り変形）が発生する場合がある。
【００１４】
特許文献２では、耐湿性高分子膜をプラズマ重合法により均一にパッケージ表面上に被着することが可能である。しかし、特許文献２に開示されているプラズマ重合法による耐湿性高分子膜の被着では、ミクロンオーダー以上の厚さの樹脂の成膜、および成膜した材料の硬化に長時間を要する場合があり、作業効率を低下させる要因となる。
【００１５】
また、特許文献２では、耐湿性高分子膜をアウターリードのプリント基板表面と対向する部分をはんだ付け部として耐湿性高分子膜から露出させる構造となっている。このようなはんだ接続構造では、温度変化範囲が広い環境でパッケージを使用した場合、接続面積が狭いことに起因してはんだ接続部に高いひずみが発生し、信頼性の確保が難しくなる可能性がある。
【００１６】
本発明は上記する課題に鑑みてなされたものであり、樹脂パッケージ形成の作業効率を向上しつつ、樹脂パッケージ変形が生じにくく信頼性の高い樹脂封止型センサ装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１７】
上記目的を達成すべく、本発明による樹脂封止型センサ装置は、物理量を検出する機能を有するセンサ素子と、前記センサ素子からの信号を処理するとともに外部との信号の入出力を制御する基板と、前記センサ素子と前記基板が搭載されるダイパッドと、リードとをトランスファーモールドによって封止して第一の樹脂封止体を形成する樹脂封止型センサ装置において、前記第一の樹脂封止体の表面にトランスファーモールドによって第二の樹脂封止体を形成したことを特徴とする。
【発明の効果】
【００１８】
本発明によれば、樹脂パッケージ形成の作業効率を向上しつつ、樹脂パッケージ変形が生じにくく信頼性の高い樹脂封止型センサ装置を提供することが可能である。
【図面の簡単な説明】
【００１９】
【図１】本発明の樹脂封止型センサ装置の実施の形態１の部分平面図である。
【図２】図１のII-II矢視図である。
【図３】図１のIII-III矢視図である。
【図４】モールド金型内に設置した回路ユニットの状態を示す部分断面図である。
【図５】第一の樹脂封止体を形成した状態を示す断面図である。
【図６】モールド金型内に設置した第一の樹脂封止体の状態を示す部分断面図である。
【図７】第二の樹脂封止体を形成した状態を示す断面図である。
【図８】図７の平面図である。
【図９】本発明による樹脂封止型センサ装置の第二樹脂封止体の様態を示す断面図である。
【図１０】本発明による樹脂封止型センサ装置のプリント基板への実装状態を示す断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００２０】
以下、図面を参照して本発明の樹脂封止型センサ装置の実施の形態を説明する。
【００２１】
図1は本発明の樹脂封止型センサ装置の実施の形態１の平面図であり、図２は図1のII-II矢視図であって装置の短手方向断面図であり、図３は図１のIII-III矢視図であって装置の長手方向断面図である。
【００２２】
図１や図２などに示す樹脂封止型センサ装置１００は、慣性力（加速度や角速度）などの物理量検出用のセンサ素子1と、センサ素子1を搭載する回路基板２（半導体素子ともいう）と、回路基板２を搭載するダイパッド３（チップパッド、タブなどともいう）と、ダイパッド３に接続される吊りリード５、外部導通リード４と、からなる回路ユニット１０と、回路ユニット１０をトランスファーモールド法によって樹脂封止する第一樹脂封止体８と、第一樹脂封止体８をトランスファーモールド法によって樹脂封止する第二樹脂封止体９とから構成されている。
【００２３】
センサ素子１と回路基板２、回路基板２とダイパッド３はともに、ペースト状もしくはフィルム状の接合材７で接続されている。
【００２４】
センサ素子１の上面１ａにある電極１４と回路基板２の上面２ａにある電極１５はワイヤ６にて電気的に接続されており、回路基板２の電極１６と外部導通リード４も同様にワイヤ６にて電気的に接続されている。
【００２５】
外部導通リード４は、樹脂封止体８内にあって回路基板２と電気的に接続されるインナーリードと、外部の実装基板や筐体などに接続されるアウターリードが一体に形成されてその全体が構成されている。
【００２６】
センサ素子１では、小型化や多機能化および複合化、さらには量産性向上などを目的として、シリコン（Si）の微細加工技術を用いた検出手段が主流となってきている。センサ素子1は、シリコンを微細加工して形成された櫛歯状の物理量検出部を内蔵しており、それらの周囲がＳｉやガラスなどで積層封止されている。このセンサ素子１としては、加速度センサや角速度センサが単独に存在する形態のほか、これらが複数個複合化（あるいは統合化）された形態が適用される。
【００２７】
回路基板２は、半導体プロセス加工技術によって所定の微細な回路や電極がＳｉ上に形成されたものである。この回路基板２は、センサ素子１の検出動作を制御するとともに、センサ素子１からの検出信号を装置１００の内外に入出力するための制御などもおこなう。
【００２８】
ダイパッド３、外部導通リード４、および吊りリード５は、同素材で一体に形成されており、第一の樹脂封止体８が形成される前段階では全体としてリードフレームを構成している。このリードフレームを構成するダイパッド３、外部導通リード４、および吊りリード５は、銅（Cu）やその合金、鉄-ニッケル合金（Fe-42Niなど）等の金属材料から形成される。ワイヤ６は、たとえば直径20〜25μmの金（Au）素材の細線が使用される。
【００２９】
センサ素子１と回路基板２、および回路基板２とダイパッド３を接続する接合材７には、導電性、非導電性の双方の材料が適用可能であるが、導電性が不要な場合は、シリコーン樹脂やエポキシ樹脂、ポリイミド樹脂などを主成分とするペースト状もしくはフィルム状の接合材が適用される。一方、導電性が必要な場合は、銀（Ag）粒子が充填されたペースト状もしくはフィルム状の接合材が適用される。
【００３０】
第一の樹脂封止体８は、熱硬化性樹脂から成り、トランスファーモールド法によって形成される。第一の樹脂封止体８を形成する樹脂は、ガラス転移温度が高い樹脂を用いるのが好ましく、たとえばシリカ粒子が充填されたエポキシ樹脂などが用いられる。
【００３１】
第二の樹脂封止体９には、第一の樹脂封止体８を形成する樹脂よりも吸水率が低い熱硬化性樹脂が用いられる。たとえば、第一の樹脂封止体８を形成する樹脂よりも吸水率を低減したエポキシ樹脂や、このエポキシ樹脂にシリカ粒子を充填した材料、あるいはシリコーン樹脂やウレタン樹脂などが用いられる。
【００３２】
第二の樹脂封止体９の成形時に第一の樹脂封止体８の熱変形を抑えるため、第一の樹脂封止体８を形成する樹脂は第二の樹脂封止体９を形成する樹脂よりもガラス転移温度が高い樹脂を使用する。
【００３３】
トランスファーモールド法によるパッケージングでは、回路ユニット１０を１７５℃程度に加熱保持されたモールド金型内に設置し、モールド金型の一端から樹脂を注入した後、金型内で樹脂を硬化させて樹脂封止パッケージが形成される。
【００３４】
第一の樹脂封止体８を形成する樹脂のガラス転移温度は、樹脂封止型センサ装置が使用される環境も考慮して設定する。自動車への適用を想定している本発明の樹脂封止型センサ装置１００では、高温環境となるエンジンルームへの実装にも対応するため、樹脂のガラス転移温度を１２０℃以上にするのが望ましい。
【００３５】
ここで、樹脂封止型センサ装置１００の製造方法を概説する。
【００３６】
トランスファーモールドに先行して、センサ素子１、回路基板２、ダイパッド３および吊りリード５、および外部導通リード４を組み付け、ワイヤ６によるセンサ素子１と回路基板２、回路基板２と外部導通リード４をそれぞれの電気的接続をおこなって回路ユニット１０を組み付けておく。
【００３７】
回路ユニット１０を、図４に示すように所定形状のキャビティ２２を具備するモールド金型２０、２１内に載置する。この際に吊りリード５をモールド金型に固定して回路ユニット１０をキャビティ２２内に保持させる。
【００３８】
この状態で、モールド金型２０、２１の一端からキャビティ２２内に樹脂を注入し、これが硬化することで回路ユニット１０を包囲するようにして図５に示す第一の樹脂封止体８が形成される。第一の樹脂封止体８のトランスファーモールド時に外部導通リード４が金型２０、２１に挟まれる領域において、ダムバー１１が外部導通リード４同士の間に形成される。ダムバー１１により封止樹脂が外部導通リード４同士の間を通って金型内から流出することを防止している。
【００３９】
第一の樹脂封止体８が形成された回路ユニット１０を、図６に示すように再び所定形状のキャビティ２５を具備するモールド金型２３、２４内に載置する。このモールド金型２３、２４の一端から樹脂をキャビティ２５内に注入し、これが硬化することで第一の樹脂封止体８を包むように第二の樹脂封止体９が形成され、第一樹脂封止体８および第二樹脂封止体９で封止された図７に示すパッケージが出来上がる。第一の樹脂封止体８をトランスファーモールド法により成形するのと同様に、第二の樹脂封止体９のトランスファーモールド時に外部導通リード４が金型２３、２４に挟まれる領域において、ダムバー１１が形成されている。これにより、第二の樹脂封止体９のトランスファーモールド時においても、ダムバー１１により外部導通リード４の間を通って封止樹脂が金型内から流出することを防止している。
【００４０】
言い換えると、第一の樹脂封止体８および第二の樹脂封止体９をそれぞれ形成するキャビティ２２、２５の外部導通リード４が設けられている側の端部２２ａ、２５ａは、上記したダムバー１１よりも内側になるように設定されている。ダムバー１１によってトランスファーモールド時における封止樹脂の流出を防止することができ、トランスファーモールド法による樹脂封止パッケージ形成が可能となる。
【００４１】
二段階のトランスファーモールドにより封止樹脂によるパッケージが形成された後、図８に示す外部導通リード４以外のダムバー１１、リードフレーム外枠１２などの不要部分が切断除去される。その後外部導通リード４を所定の形状に加工することで樹脂封止型センサ装置１００が製造される。
【００４２】
第一の樹脂封止体８と同様に第二の樹脂封止体９もモールド金型を用いたトランスファーモールド法で形成することによって、第二樹脂封止体の表面が平坦となり、パッケージ主表面における第二樹脂封止体の厚さを均一にすることが可能となる。これによって、樹脂封止体の厚さばらつきに起因した樹脂変形量の違いによるパッケージ変形を低減でき、パッケージングされているセンサ素子１の出力変動を抑制、あるいは解消することが可能となる。
【００４３】
センサ素子１を樹脂封止してパッケージを形成した樹脂封止型のセンサ装置では、封止樹脂の変形に対応した曲げがセンサ素子１にも加わるようになる。この曲げによって、センサ素子１内部に形成されている微細なくし歯状構造物にも変位が生じ、変位に応じた出力が発生するため、これが出力誤差となる。一方で、本実施例では、センサ素子１を直接封止している第一の樹脂封止体８を、第二の樹脂封止体９を形成する樹脂よりガラス転移温度が高い樹脂で形成することによって、温度変化によるパッケージ変形を低減することができ、センサ素子１の出力変動を抑制することができる。
【００４４】
また、第一の樹脂封止体８は線膨張係数が３×１０-6/℃程度のシリコンで形成されたセンサ素子１や回路基板２を直接封止する構成になっている。第一の樹脂封止体８を形成する樹脂のガラス転移温度を高くすると、樹脂封止温度（１７５℃程度）に対して線膨張係数が高くなるガラス転移温度以上の温度幅(α２の領域)が狭くなる。これによって、低温時にセンサ素子１や回路基板２と封止樹脂の線膨張係数差に応じて樹脂界面に発生する応力を低減でき、樹脂界面のはく離発生を防止することができる。樹脂界面はく離による温度変化時の樹脂変形量増加によるパッケージ変形を抑え、センサ素子１の出力変動を抑制することが可能となる。
【００４５】
さらに、線膨張係数α２の領域が狭くなることで、封止樹脂の弾性率低下が少なくなり、それによるガラス転移温度近傍もしくはそれ以上の温度における樹脂変形の増加も抑えることができ、高温域においても樹脂封止型センサ装置の出力変動抑制ができる。
【００４６】
そして、第二の樹脂封止体９を形成する樹脂の吸水率を第一の樹脂封止体８を形成する樹脂の吸水率より低くすることで、第一の封止樹脂体８の吸水による変形を抑制でき、封止樹脂の吸湿によるパッケージ変形を低減し、センサ素子１の出力変動を抑制することが可能となる。
【００４７】
トランスファーモールド法による樹脂封止体形成では、モールド金型に樹脂注入後、金型内で90〜120秒程度保持することで硬化が完了し、パッケージが形成されるため、パッケージング工程の短縮を図ることができる。
【００４８】
なお、モールド金型２３、２４のキャビティ２５から樹脂封止したパッケージを離型させて取り出すため、モールド金型２３、２４にはエジェクタピン（図示せず）が設けられている。エジェクタピンは所定の長さキャビティ２５内に突出しており、キャビティ２５内に封止樹脂が注入されて硬化すると、エジェクタピンの突出長に対応した凹部１３が第二の樹脂封止体９の主表面に形成される。封止樹脂が硬化した後のパッケージをキャビティ２５から取り出す場合は、エジャクタピンが初期状態からさらに押し出されてパッケージをキャビティ２５から離型させる。
【００４９】
エジェクタピンによってパッケージ表面に形成される凹部１３の深さを考慮し、図９に示すように、第二の樹脂封止体９の厚さt1は、第二の樹脂封止体９の上面９ａ側に形成されている凹部１３の深さt３以上に設定する。これによって、第一の樹脂封止体８の露出する部分をなくし第一の樹脂封止体８の表面を第二の樹脂封止体９で覆うことができ、第一の封止樹脂８の吸湿を第二封止樹脂９によって抑制することが可能となる。なお、エジェクタピンにより形成される凹部１３は、第二樹脂封止体９の上面９ａだけでなく、下面９ｂにも形成しても良い。
【００５０】
ここで、第一の樹脂封止体８の上面８ａを覆う第二樹脂封止体９の厚さt1と、下面８ｂを覆う第二樹脂封止体９の厚さt2は同じ（t1＝t2）であっても良いし、異なっていても（t1≠t2）良い。
【００５１】
第一の樹脂封止体８を形成する樹脂と、回路ユニット１０を構成する部材の材料物性や、部材サイズ、上下方向（厚さ方向）の位置関係に依存して、第一樹脂封止体８形成後のパッケージには変形(反り)が生じる場合がある。このパッケージ変形を、第二樹脂封止体の厚さｔ１およびｔ２をそれぞれ調整することによって低減あるいは解消することができる。
【００５２】
樹脂封止型センサ装置１００では、パッケージ形成後、封止樹脂表面に型式や製造ロット番号などの製品情報をレーザーマーカーによって刻印する場合がある。レーザーマーカーでは、印字部の樹脂を溶融、除去することで刻印しており、その深さは樹脂材料や表面性状、およびレーザー出力によって違いはあるが、おおよそ１０μｍ〜３０μｍとなる。したがって、本発明の樹脂封止型センサ装置１００の構成では、第二の樹脂封止体９の厚さｔ１が３０μｍ以下であると、刻印した部分で第一の樹脂封止体８の表面が露出することになる。第一の樹脂封止体８が露出していると、そこから樹脂封止体内部に水分が浸入するため、第一の樹脂封止体８の吸湿抑制が難しくなることがある。
【００５３】
ここで、エジャクタピンによってパッケージ表面に形成される凹部１３の深さｔ３は、３０μｍ〜１００μｍになるので、第二の樹脂封止体９の厚さｔ１はこれらを考慮して設定する。上記したレーザーマーカーによる刻印が凹部１３の表面に及ぶ場合もあるので、第二の樹脂封止体９の厚さｔ１は、凹部１３の深さｔ３にレーザーマーカーによる刻印深さを加えて少なくとも４０μｍ以上にするのが望ましい。
【００５４】
本発明の樹脂封止型センサ装置１００は、外部接続リード４の所定箇所をはんだ接続することでプリント基板表面に実装され、プリント基板実装状態で各種装置や機器に搭載させる。樹脂封止型センサ装置１００は、パッケージ上側表面を吸着してピックアップし、センサ装置を梱包したトレイからプリント基板の実装箇所まで搬送される。この際、吸着用治具の接触によってパッケージ表面に傷が生じる場合もあるため、第二の樹脂封止体９の厚さは上記した４０μｍ以上の確保が必要である。
【００５５】
樹脂封止型センサ装置１００をプリント基板１７の表面に実装した状態を図１０を用いて説明する。本発明の樹脂封止型センサ装置１００は、図４、図６に示したように第一の樹脂封止体８および第二の樹脂封止体９それぞれでトランスファーモールドにて樹脂封止する際、樹脂封止体８、９の外部にある外部導通リード４の上下表面はモールド金型２０、２１によって覆われている。これによって、樹脂封止体形成後、樹脂封止体外部の外部導通リード４の上下表面は封止樹脂から露出する。また、外部導通リード４の側面もダムバー１１によって樹脂封止から露出した状態を維持することができる。樹脂封止型センサ装置１００のプリント基板１７への実装は、プリント基板表面のパッド１８に、対応する外部導通リード４の下面４ａを合わせて載置し、はんだ１９によって接続することでなされる。樹脂封止体８、９の外部にある外部導通リード４は封止樹脂から露出しているため、はんだ１９は外部導通リードの下面４ａだけでなく側面４ｂなどにも濡れ広がり、はんだ１９による接続面積を拡大することができる。これによって、樹脂封止型センサ装置１００とプリント基板１７との線膨張係数差に起因してはんだ１９に生じるひずみを低減することが可能となり、信頼性の高い樹脂封止型センサ装置実装を実現できる。
【符号の説明】
【００５６】
１・・・センサ素子、２・・・回路基板、３・・・ダイパッド、４・・・外部導通リード、５・・・吊りリード、６・・・ワイヤ、７・・・接合材、８・・・第一の樹脂封止体、９・・・第二の樹脂封止体、１０・・・回路ユニット、１１・・・ダムバー、１２・・・リードフレーム外枠、１３・・・エジャクタピンに対応する樹脂表面凹部、１４・・・センサ素子上面の電極、１５、１６・・・回路基板の電極、１７・・・プリント基板、１８・・・プリント基板のパッド、１９・・・はんだ、２０、２１・・・モールド金型、２２・・・キャビティ、２３、２４・・・モールド金型、２５・・・キャビティ、１００・・・樹脂封止型センサ装置
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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