(57)【要約】      （修正有）【課題】ガス生成に起因する接着層と吸湿層との界面での剥離や接着層の亀裂発生が抑制され、封止構造の破壊がなく、信頼性に優れた電界発光装置を提供する。【解決手段】電界発光素子２が形成された第一の基板４と第二の基板９の間に、空隙８と、珪素含有セラミック前駆体を含む吸湿層５を備えた封止構造において、吸湿層５におけるＳｉＯ2の含有率は接着層１０と接触する部位７が該接着層に囲まれる部位６に対して高い電界発光装置１２。【選択図】図１
2015022971.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基材上に電界発光素子が形成された第一の基板と、該第一の基板に対向する第二の基板と、該電界発光素子と該第二の基板との間に配置される吸湿層と、該第一の基板と第二の基板とを接合する接着層とを備えた電界発光装置であって、
該吸湿層は珪素含有セラミック前駆体を含み、かつ、該吸湿層におけるＳｉＯ2の含有率が該接着層と接触する部位が該接着層に囲まれる部位に対して高いことを特徴とする電界発光装置。
【請求項２】
前記吸湿層が、下記（１）に示される構造単位を有する化合物により形成されていることを特徴とする請求項１に記載の電界発光装置。
【化１】
2015022971.tif 000007
（式のＲ1、Ｒ2及びＲ3はそれぞれ独立に水素原子、アルキル基、アルケニル基、シクロアルキル基、アリール基、もしくはこれらの基以外でフルオロアルキル基の珪素に直結する基が炭素である基、アルキルシリル基、アルキルアミノ基またはアルコキシ基を表す。但し、Ｒ1、Ｒ2およびＲ3の少なくとも１つは水素原子である。ｎは繰り返される構造単位を示す。）
【請求項３】
前記吸湿層が、下記（２）に示される構造単位を有する化合物により形成されていることを特徴とする請求項１に記載の電界発光装置。
【化２】
2015022971.tif 000008
（ｎは繰り返される構造単位を示す。）
【請求項４】
前記吸湿層におけるＳｉＯ2の含有率が、前記接着層と接触する部位が４５％以上であり、前記接着層に囲まれる部位が４５％未満であることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載の電界発光装置。
【請求項５】
基材上に電界発光素子が形成された第一の基板と、該第一の基板に対向する第二の基板と、該電界発光素子と該第二の基板との間に配置される吸湿層と、該第一の基板と第二の基板とを接合する接着層とを備えた電界発光装置の製造方法であって、
該吸湿層は珪素含有セラミック前駆体を含み、
該吸湿層のうち該接着層と接触する部位に対して酸化処理を行うことによって、該接着層と接触する部位のＳｉＯ2の含有率を該接着層に囲まれる部位よりも高く調整することを特徴とする電界発光装置の製造方法。
【請求項６】
前記吸湿層が、下記（１）に示される構造単位を有する化合物により形成されていることを特徴とする請求項５に記載の電界発光装置の製造方法。
【化３】
2015022971.tif 000009
（式のＲ1、Ｒ2及びＲ3はそれぞれ独立に水素原子、アルキル基、アルケニル基、シクロアルキル基、アリール基、もしくはこれらの基以外でフルオロアルキル基の珪素に直結する基が炭素である基、アルキルシリル基、アルキルアミノ基またはアルコキシ基を表す。但し、Ｒ1、Ｒ2およびＲ3の少なくとも１つは水素原子である。ｎは繰り返される構造単位を示す。）
【請求項７】
前記吸湿層が、下記（２）に示される構造単位を有する化合物により形成されていることを特徴とする請求項５に記載の電界発光装置の製造方法。
【化４】
2015022971.tif 000010
（ｎは繰り返される構造単位を示す。）
【請求項８】
前記吸湿層におけるＳｉＯ2の含有率が、前記接着層と接触する部位が４５％以上であり、前記接着層に囲まれる部位が４５％未満であることを特徴とする請求項５乃至７のいずれか１項に記載の電界発光装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は吸湿剤を搭載する電界発光装置及びその製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
電界発光装置において、電界発光を阻害する水分の侵入を防止する目的で、複数の電界発光素子上に吸湿性を持つ珪素含有セラミック前駆体から成る層と防湿性を持つ層を順に堆積した構成が知られている。
【０００３】
特許文献１に開示された構成は、電界発光素子上に防湿層が設けられ、該防湿層は吸湿性を持つ珪素含有セラミック前駆体から成る層の上に保護層で覆う形態を採る。前記の構成では、水分が保護層に存在する微細な欠陥から電界発光素子方向へ侵入する場合、保護層と電界発光素子との間にある、吸湿性を持つ珪素含有セラミック前駆体から成る層（以下吸湿層）によって吸湿される。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００９−２５９７８８号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
上記特許文献１に開示されている吸湿層は、水との化学反応によってガスを副生成物として放出する。このガスは保護層の欠陥部周辺かつ保護層と吸湿層との間に蓄積して界面剥離を生じ、封止構造を破壊する。
【０００６】
電界発光素子上に吸湿層を搭載した基板に対して吸湿層から生じるガスで破壊されない封止構成として、電界発光素子及び吸湿層を搭載した基板と、対向する基板とを空隙を設けて配置して、両基板間の外周部に接着層を配置して封止する構成が考えられる。この構成では接着層を経て、相向かい合う基板間の空隙に侵入した水分は吸湿層に捕われ、かつ吸湿層から生じるガスは空隙に放出できる。
【０００７】
ところが上述の構成を作製する過程で、吸湿層と未硬化状態の接着層とが接触した際にその界面でガスが生じて、ガスを生じた箇所周辺の接着層に電界発光装置の封止空間内外に通じる亀裂を生み、封止構造を作れないという新たな課題が見出された。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
上記背景技術の課題を解決するため、吸湿層に改良を加えた電界発光装置を見いだし本発明に至った。
【０００９】
すなわち、本発明は、基材上に電界発光素子が形成された第一の基板と、該第一の基板に対向する第二の基板と、該電界発光素子と該第二の基板との間に配置される吸湿層と、該第一の基板と第二の基板とを接合する接着層とを備えた電界発光装置であって、
該吸湿層は珪素含有セラミック前駆体を含み、かつ、該吸湿層におけるＳｉＯ2の含有率が該接着層と接触する部位が該接着層に囲まれる部位に対して高いことを特徴とする電界発光装置に関する。
【００１０】
また、本発明は、基材上に電界発光素子が形成された第一の基板と、該第一の基板に対向する第二の基板と、該電界発光素子と該第二の基板との間に配置される吸湿層と、該第一の基板と第二の基板とを接合する接着層とを備えた電界発光装置の製造方法であって、
該吸湿層は珪素含有セラミック前駆体を含み、
該吸湿層のうち該接着層と接触する部位に対して酸化処理を行うことによって、該接着層と接触する部位のＳｉＯ2の含有率を該接着層に囲まれる部位よりも高く調整することを特徴とする電界発光装置の製造方法に関する。
【発明の効果】
【００１１】
本発明の電界発光装置によれば、接着層に接する部位の吸湿層は予め吸湿性を失ったポリシロキサン（ＳｉＯ2）に化学変化されており、作製工程において未硬化状態で反応活性を持つ接着層と吸湿層とが接触する際のガス生成を抑制している。従ってガス生成に起因する接着層と吸湿層との界面での剥離や接着層の亀裂発生も抑制されるため封止構造の破壊がなく、信頼性に優れた発光装置を提供できる。
【図面の簡単な説明】
【００１２】
【図１】本発明の第一の実施形態を示す断面模式図である。
【図２】本発明の第二の実施形態を示す断面模式図である。
【図３】本発明の第一の実施形態の作製工程を示す断面模式図である。
【図４】実施例１、２、３及び比較例１、２での吸湿層の作製条件を模した試料のＩＲスペクトルである。
【図５】本発明の第一の実施形態の作製工程を示す断面模式図である。
【図６】本発明の第二の実施形態の作製工程を示す断面模式図である。
【図７】本発明の第二の実施形態の作製工程を示す断面模式図である。
【発明を実施するための形態】
【００１３】
［第一の実施形態］
図１を参照して、本発明に係る電界発光装置の第一の実施形態での構成を説明する。
【００１４】
図１は本発明における第一の実施形態を示す断面模式図である。
【００１５】
第一の基板４は、基材１の上に電界発光素子２、保護層３の順で積層されて形成される。吸湿層５は、第一の基板４の上に成膜される。更にその上部は空隙８を挟んで第二の基板９で覆われる。吸湿層５で覆われた第一の基板４と、第二の基板９との外周部は接着層１０によって貼り合わされる。吸湿層５は接着層１０に囲まれる部位６と、接着層１０に接触する部位７から成る。そして吸湿層５のＳｉＯ2の含有率は接着層１０に囲まれる部位６に対して、接着層１０に接触する部位７での含有率が高い。
【００１６】
各構成要素について説明する。
【００１７】
基材１は、その上に設けられる配線（不図示）、半導体回路（不図示）、電界発光素子２、保護層３、吸湿層５、接着層１０や第二の基板９を支持する機能を持つ。また基材１は電界発光素子２の発光を取り出す基板面側に応じて好ましい材料を選択する。即ち発光を採り出す基板面を第一の基板４の側とする場合は光を透過するガラス、石英、光透過性の高い金属酸化物、金属窒化物、金属炭化物等の金属化合物、前述の金属化合物から成る薄膜とプラスチックとの積層体を用いることができる。そして発光を採り出す基板面を第二の基板９の側に設ける場合は、前述の材料に加えてシリコンウェハ、ステンレス等の金属箔、プラスチックと金属薄膜との積層体を用いることができる。
【００１８】
電界発光素子２は、基材１の上に発光層を含む有機物層（不図示）と、該層を挟む電極対（不図示）を含む構造体から成り、電極対に電界を印加することによって発光層を含む有機物層が発光する。
【００１９】
保護層３は電界発光素子２に対して、水分や、後述する吸湿層５の湿式成膜において吸湿層５を溶解する有機溶媒が侵入することを防ぐ層として機能する。保護層３の構成材料としては欠陥がなく緻密性の高い金属酸化物、金属窒化物、金属炭化物等の金属化合物が好ましい。具体的には酸化珪素、窒化珪素、酸化窒化珪素、炭化珪素等があげられる。保護層３は、ＣＶＤ、スパッタ法、真空蒸着法等の公知の気相成長法による成膜手段を採ることができる。
【００２０】
吸湿層５は水との強い化学反応性を有する珪素含有セラミック前駆体の単量体、オリゴマーあるいはポリマーから成り、例えば下記（１）に示される構造単位を有する化合物である。式のＲ1、Ｒ2及びＲ3はそれぞれ独立に水素原子、アルキル基、アルケニル基、シクロアルキル基、アリール基、もしくはこれらの基以外でフルオロアルキル基等の珪素に直結する基が炭素である基、アルキルシリル基、アルキルアミノ基またはアルコキシ基を表す。但し、Ｒ1、Ｒ2およびＲ3の少なくとも１つは水素原子である。ｎは繰り返される構造単位を示す。
【００２１】
【化１】
2015022971.tif 000003
【００２２】
特に吸湿性が高い材料として、下記（２）に示されるパーヒドロポリシラザンが好ましい。
【００２３】
【化２】
2015022971.tif 000004
【００２４】
この材料から成る薄膜は水との反応の前後で可視光域での屈折率や透過率に顕著な変化がなく、吸湿後に生じるポリシロキサン（ＳｉＯ2）が緻密な膜となることで知られている。従って電界発光素子の発光面上方に配置される吸湿剤として好ましい。吸湿層５は所望の対象物に対して、珪素含有セラミック前駆体の単量体、オリゴマーあるいはポリマーが有機溶媒に溶解された薬液を、スピンコート、ロールコート、スプレーコート、キャスティング、浸漬法等の公知の湿式成膜により形成できる。
【００２５】
吸湿層５は本発明において、接着層１０に囲まれる部位６と、接着層１０に接触する部位７から成り、吸収層５のＳｉＯ2の含有率は接着層１０に囲まれる部位６に対して、接着層１０に接触する部位７での含有率が高い特徴を持つ。
【００２６】
吸湿層５に含まれる珪素含有セラミック前駆体に対してポリシロキサンへ化学変化させる手段は、酸素存在下での紫外線照射や、酸素ガスを含むプラズマ雰囲気への曝露等の公知の酸化処理手段を適用できる。ここで「珪素含有セラミック前駆体に対してポリシロキサン（ＳｉＯ2）へ化学変化させる」とは、珪素含有セラミック前駆体に含まれる反応活性なＳｉ−Ｎ結合及びＳｉ−Ｈ結合が切断されて、Ｓｉ−Ｏ結合を生じる化学反応を指す。例えば上記（２）に示されるパーヒドロポリシラザンが水と反応してポリシロキサンを生じる化学反応（３）が該当する。
【００２７】
【化３】
2015022971.tif 000005
【００２８】
以降の記述で、珪素含有セラミック前駆体に含まれるＳｉ−Ｎ結合及びＳｉ−Ｈ結合が切断されて、Ｓｉ−Ｏ結合を生じる化学反応を、「ポリシロキサン（ＳｉＯ2）へ化学変化」、「ポリシロキサン（ＳｉＯ2）への化学変化」と略す。
【００２９】
吸湿層５での接着層１０に囲まれる部位６及び接触する部位７におけるＳｉＯ2の含有率は、接着層１０に囲まれる部位６に対しては前記の酸化処理手段に対する隠蔽手段を行い、接着層１０に接する部位７に対して前記の酸化処理手段を行うことで調整できる。例えば酸素存在下での紫外線照射よる酸化処理であれば、吸湿層と紫外線光源の間にフォトマスクを配する。そして接着層１０に接する部位７に対してはフォトマスクの露光域として酸素存在下での紫外線照射よるポリシロキサンへの化学変化を行う。また接着層１０に囲まれる部位６に対してはフォトマスクの遮光域として紫外線への曝露を避けることでＳｉ−Ｎ結合及びＳｉ−Ｈ結合を保って吸湿性を維持する。このようにして吸湿層５での接着層１０に囲まれる部位６及び接触する部位７とのＳｉＯ2の含有率の差異を調整できる。また酸素ガスを含むプラズマ雰囲気への曝露による酸化処理であれば、吸湿層の上方に絶縁性樹脂から成るフィルム等の遮蔽体を配する。その際接着層１０に接する部位７に対しては遮蔽体で隠すことなく酸素ガスを含むプラズマ雰囲気への曝露によるポリシロキサンへの化学変化を行う。また接着層１０に囲まれる部位６に対しては遮蔽体で隠蔽してプラズマ雰囲気への曝露を避けることでＳｉ−Ｎ結合及びＳｉ−Ｈ結合を保って吸湿性を維持する。このように吸湿層５に対する酸素ガスを含むプラズマ雰囲気への曝露によっても接着層１０に囲まれる部位６及び接触する部位７とのＳｉＯ2の含有率の差異を調整できる。
【００３０】
珪素含有セラミック前駆体から成る吸収層中に含まれるＳｉＯ2の含有率は、例えば赤外吸収スペクトルに基づく定量手段により導出できる。上記（２）で示されるパーヒドロポリシラザンの赤外吸収スペクトルを計測するとＳｉ−Ｎ結合に帰属する吸収ピーク（吸収波数帯域８００乃至９００ｃｍ-1）、Ｓｉ−Ｈ結合に帰属する吸収ピーク（吸収波数帯域２１００乃至２３００ｃｍ-1）が観測される。一方、ポリシロキサンの赤外吸収スペクトルではＳｉ−Ｏ結合に帰属する吸収ピーク（吸収波数帯域１０５０乃至１１００ｃｍ-1）が観測される。上記（３）でのパーヒドロポリシラザンからポリシロキサンへの化学変化において、反応系中で反応活性のあるＳｉ−Ｎ結合及びＳｉ−Ｈ結合の存在量は水との反応とともに次第に減少して、反応系中のＳｉ−Ｏ結合の存在量が増大する。この状態を赤外吸収スペクトルで観測すると、Ｓｉ−Ｎ結合及びＳｉ−Ｈ結合に帰属する吸収ピークの減少と、Ｓｉ−Ｏ結合に帰属する吸収ピークの増大として観測される。そして反応系中で反応活性のＳｉ−Ｎ結合及びＳｉ−Ｈ結合を消費し尽くしてＳｉ−Ｏ結合に置き換わると、赤外吸収スペクトルでのＳｉ−Ｎ結合及びＳｉ−Ｈ結合に帰属する吸収ピークは消失して、Ｓｉ−Ｏ結合に帰属する吸収ピークの増大は飽和する。
【００３１】
このパーヒドロポリシラザンの吸湿反応に伴う化学結合の存在量と赤外吸収スペクトルでの吸収ピーク強度との関係から、吸湿層のＳｉＯ2の含有率を以下の通りに規定した。
【００３２】
まず直径１００ｍｍ、厚さ５２５μｍのシリコンウェハ上に吸湿層を成膜した。吸湿層は後述する実施例及び比較例での吸湿剤と同材料であるパーヒドロポリシラザン（ＡＺエレクトロニックマテリアルズ（株）製のアクアミカＮＡＸ１２０−２０）をジブチルエーテルで希釈し、スピンコート法により塗布した。その後、真空乾燥炉に基板を搬送して、炉内温度を２５℃、炉内圧力を１００Ｐａにて１０分間保持して吸湿層に残留するジブチルエーテルを除去した。このときの吸湿層の膜厚は後述する実施例及び比較例で作製した吸湿層の膜厚と等しく、５００ｎｍであった。この吸湿層を塗布したシリコンウェハを温度８５℃湿度８５％の環境に１昼夜投入してパーヒドロポリシラザンからポリシロキサンへの化学変化を行い、同試料を回収した。同試料の赤外吸収スペクトルを観測したところ、Ｓｉ−Ｎ結合及びＳｉ−Ｈ結合に帰属する吸収ピークは消失して、Ｓｉ−Ｏ結合に帰属する吸収ピークのみ観測された。この試料を吸湿層中の反応活性のＳｉ−Ｎ結合及びＳｉ−Ｈ結合を消費し尽くしてＳｉ−Ｏ結合に置き換わった試料とみなして「Ｒｅｆ試料」と呼称した。そしてこの試料の赤外吸収スペクトルでのＳｉ−Ｏ結合に帰属する吸収ピーク（波数１０８０ｃｍ-1）の吸光度をＡrefとした。厚さ５００ｎｍの吸湿層をポリシロキサン（ＳｉＯ2）へ化学変化した「Ｒｅｆ試料」での吸光度Ａrefは０．４０であった。
【００３３】
後述する実施例及び比較例では、シリコンウェハ上に各例と同じ吸湿層厚及び吸湿層に対するポリシロキサンへの化学変化を施した赤外吸収スペクトル計測用の吸湿層試料を並行して作製した。その吸湿層試料で観測される赤外吸収スペクトルでのＳｉ−Ｏ結合に帰属する吸収ピーク（波数１０８０ｃｍ-1）の吸光度をＡとして、対応する実施例及び比較例での吸湿層試料でのＳｉＯ2の含有率Ｘ（％）とした（式１）。
Ｘ＝Ａ／Ａref×１００      （式１）
【００３４】
上記の定義に基づいて、吸収層５での接着層１０に接触する部位７におけるＳｉＯ2の含有率Ｘは４５％以上であることが好ましい。これ以上のＳｉＯ2の含有率の吸湿層５においては、第一の基板４と第二の基板９とを接着層１０で貼り合わせて接着層１０の硬化に至る工程中に、接着層１０に亀裂を生じる急激なガスの発生を抑制できる。
【００３５】
また吸湿層５はＳｉＯ2の含有率Ｘが低いほどより多量の水分を吸収できる。接着層１０に囲われる部位６におけるＳｉＯ2の含有率Ｘは接着層１０に接触する部位７より吸湿する必要があるから少なくとも４５％未満であり、より好ましくは３０％以下である。
【００３６】
空隙８は吸収層５が水と反応して生成するガスを逃がす空間として機能する。
【００３７】
第二の基板９は、第一の基板４に形成された配線（不図示）、半導体回路（不図示）、電界発光素子２、保護層３、そして吸湿層５に対して、物理的な接触や押圧、異物の付着から守る機能を持つ。さらに第一の基板４と、接着層１０とともに囲いこんだ空隙８を形成する構造体として機能する。第二の基板９は物理的な接触や押圧に抗して空隙８の空間を維持し得る剛性を持つ材料が望ましい。第二の基板９は空隙８が電界発光素子２の発光に必要十分な低水分雰囲気に保ち続けられるよう、高い防湿性を持つ材料が望ましい。第二の基板９は電界発光素子２の発光を取り出す基板面側に応じて好ましい材料を選択する。即ち発光を採り出す基板面を第二の基板９の側に設ける場合はガラスや石英、光透過性の高い金属酸化物、金属窒化物、金属炭化物等の金属化合物、前述の金属化合物から成る薄膜とプラスチックとの積層体を用いることができる。そして発光を採り出す基板面を第一の基板４の側に設ける場合は前述の材料に加えて、プラスチックと金属薄膜との積層体、金属缶等の光透過性の低い材料を用いることができる。
【００３８】
接着層１０は第一の基板４と第二の基板９とを貼り合わせるとともに、空隙８を形成する構造体として機能する。第二の基板９に加わる外力は第一の基板４上の接着層１０によって支えられるが、第一の基板４と第二の基板９との空隙８の厚みを保つために、接着層１０の中に空隙８の厚みに相当する直径の微粒子やファイバーを混和してもよい。接着層１０は、空隙８が電界発光素子２の発光に必要十分な低水分雰囲気に保つ機能を持つ材料が望ましい。従って接着層１０は、エポキシ樹脂、シリコン樹脂などの水や酸素等のガス透過性の低い樹脂が好ましく用いられる。
【００３９】
［第二の実施形態］
図２を参照して、本発明に係る電界発光表示装置の第二の実施形態での構成について説明する。
【００４０】
図２は本発明における第二の実施形態を模式的に示す概略断面図である。第一の基板１１は基材１の上に電界発光素子２が積層されて形成される。さらにその上部は空隙８と、空隙８の側に吸湿層５が設けられた第二の基板９で覆われる。図２の構成は、図１との比較において、電界発光素子２の上の保護層３が省略され、吸湿層５は第二の基板９の側に設けられた構成となっている。
【００４１】
吸湿層５は第一の実施形態と同様に、接着層１０に囲まれる部位６と、接着層１０に接触する部位７から成る。吸湿層５の成膜方法とポリシロキサンへの化学変化を行う方法、部位６及び７に含まれるＳｉＯ2の含有率の調整は第一の実施形態と同じ方法を採って作製することができる。
【００４２】
第一の基板１１と第二の基板９との外周部は接着層１０によって貼り合わされる。この際に、吸収層５での接着層１０に接触する部位７が、接着層１０に囲まれる部位６に対してＳｉＯ2の含有率が高い領域となって、第一の基板１１に描線された接着層１０と接触している。
【００４３】
空隙８は第一の基板１１と、接着層１０と、第二の基板９との構造体によって囲われており、第一の実施形態と同様に、吸湿層５が水と反応して生成するガスを逃がす空間として機能する。
【実施例】
【００４４】
以下、本発明によって製造される電界発光装置の具体的な様態について詳細に説明する。
【００４５】
＜実施例１＞
実施例１は第一の実施形態にあたる図１の構成を作製した。
【００４６】
ガラス基板からなる基材１上に低温ポリシリコン薄膜トランジスタで画素回路を形成し、その上にＳｉＮからなる半導体保護層とポリイミド樹脂からなる平坦化膜を形成した。この基材１上にＡｌＮｄ膜とＩＴＯ膜をスパッタリング法にて１００ｎｍと３８ｎｍの厚さで形成し、続いて、これらの膜を画素毎にパターニングして第一電極（不図示）を形成した。第一電極（不図示）を形成した基材１をイソプロピルアルコールで超音波洗浄して、次いで煮沸洗浄後に乾燥した。次いで大気環境下で基材１へ紫外線及び紫外線照射によって生じたオゾンによる曝露を行って基材の表面を洗浄してから、発光層を含む有機物層（不図示）を真空蒸着により成膜した。発光層を含む有機物層（不図示）は、はじめに正孔輸送層として下記（４）に示す構造の材料を８７ｎｍの膜厚で成膜した。
【００４７】
【化４】
2015022971.tif 000006
【００４８】
次に、アルミキレート錯体であるＢＡｌｑをホストとしてペリレンを３質量％添加した発光層を２５ｎｍの厚さで成膜した。続いて、発光層上に電子輸送層としてフェナントロリン化合物であるＢｐｈｅｎを１０ｎｍの膜厚で成膜した。その後、電子輸送層上に、Ｂｐｈｅｎと炭酸セシウム（Ｃｓ2ＣＯ3）とを共蒸着（重量比で９０：１０）して電子注入層を４０ｎｍの膜厚で形成した。このようにして、発光層を含む有機物層（不図示）を形成した。
【００４９】
なお本実施例では発光層として青色発光する材料を用いているが、シャドーマスク等の手段を用いて発光領域ごとに発光色が異なるように、発光層を含む有機化合物層を塗り分けて成膜してもよい。このとき各発光領域における発光層から発する光の発光色が、色の三原色（赤、緑及び青の組あるいはシアン、マゼンタ及びイエローの組）であると、フルカラーの電界発光表示装置を製造することが可能となる。
【００５０】
次に、この発光層を含む有機化合物層（不図示）まで成膜した基板を、真空を破ることなくスパッタ装置に移動し、第二電極（不図示）として厚さ１０ｎｍの極薄Ａｇおよび厚さ５０ｎｍの透明電極ＩＺＯを成膜した。このように基材１の上に、発光層を含む有機物層（不図示）と、該層を挟む第一及び第二電極（不図示）から成る電界発光素子２を得た。
【００５１】
次に、真空を破ることなくＳｉＮからなる保護層３をＳｉＨ4ガス、Ｎ2ガス、Ｈ2ガスを用いたプラズマＣＶＤ法で１．０μｍの厚みで成膜した。
【００５２】
このようにして、基材１上に電界発光素子２、次いで保護層３を順に堆積した第一の基板４を得た。
【００５３】
次に第一の基板４は露点−８０℃の乾燥空気雰囲気下のグローブボックスに移動して、該基板４上の保護層３の上に吸湿層５を形成した。吸湿層５はポリシラザンとしてＡＺエレクトロニックマテリアルズ（株）製のアクアミカＮＡＸ１２０−２０をジブチルエーテルで希釈し、スピンコート法により塗布した。その後、真空乾燥炉に基板を搬送して、炉内温度を２５℃、炉内圧力を１００Ｐａにて１０分間保持して吸湿層５に残留するジブチルエーテルを除去した。なお、このときの吸湿層５の膜厚は５００ｎｍであった。
【００５４】
次に吸湿層５まで形成した第一の基板４の上方にフォトマスク１３を配置して、吸湿層５に対してフォトマスクの上方から低圧水銀ランプを光源とする主波長２５４ｎｍ、照度２０ｍＷ／ｃｍ2の紫外線１６を１０分間照射した（図３）。ここでフォトマスク１３の遮光域１４及び露光域１５に対応する紫外線量で露光された吸収層５に倣って作製した赤外吸収スペクトルの計測用試料に対して、Ｓｉ−Ｏ結合に帰属する吸収ピーク（波数１０８０ｃｍ-1）での吸光度とＳｉＯ2の含有率を求めた。遮光域１４及び露光域１５に対応する吸収層の赤外吸収スペクトルは各々図４（ａ）及び（ｂ）となり、吸光度Ａは各々０．１１及び０．３８、ＳｉＯ2の含有率Ｘは各々２８％及び９５％であった。
【００５５】
次に第二の基板９の外周に紫外線硬化性のエポキシ樹脂として（株）スリーボンド製のスリーボンド３１２４Ｍから成る接着層１０をディスペンサにより線幅２ｍｍ、高さ２０μｍで描線した（図５）。
【００５６】
次に吸湿層５の形成と紫外線照射を終えた第一の基板４と、接着層１０が描線された第二の基板９とを貼り合わせた。この際に、吸収層５の紫外線照射量を多い領域と、第二の基板９に描線された接着層１０とが接触している。
【００５７】
最後に接着層１０に主波長３５６ｎｍ、照度５０ｍＷ／ｃｍ2の紫外線を５分間照射して接着層の硬化を行い、図１に示す電界発光装置１２を作製した。
【００５８】
＜実施例２＞
実施例２は第二の実施形態にあたる図２の構成を作製した。実施例２において、基材１の上に電界発光素子２を設ける作製工程までは実施例１の作製工程を踏襲して、第一の基板１１を得た。
【００５９】
次に第二の基板９を露点−８０℃の乾燥空気雰囲気下のグローブボックスに移して、該基板９の上に吸湿層５を形成した。吸湿層５の成膜材料、成膜方法、成膜後の乾燥条件は実施例１を踏襲した。また吸湿層５の膜厚は５００ｎｍであった。
【００６０】
次に吸湿層５まで形成した第二の基板９の上方にフォトマスク１３を配置して、フォトマスク１３の上方から低圧水銀ランプを光源とする主波長２５４ｎｍ、照度２０ｍＷ／ｃｍ2の紫外線１６を１０分間照射した（図６（ａ））。フォトマスク１３の遮光域１４及び露光域１５に対応する紫外線量で露光された吸収層５のＳｉＯ2の含有率Ｘは、実施例１で作製した赤外吸収スペクトルの計測用試料の測定結果が再現された。
【００６１】
次に第一の基板１１の外周に実施例１で用いた紫外線硬化性のエポキシ樹脂から成る接着層１０をディスペンサにより線幅２ｍｍ、高さ２０μｍで描線した（図６（ｂ））。
【００６２】
次に吸湿層５を形成して紫外線照射を終えた第二の基板９と、接着層１０が描線された第一の基板１１とを貼り合わせた。
【００６３】
最後に接着層１０に実施例１の条件を踏襲して接着層の硬化を行い、図２に示す電界発光装置１２を作製した。
【００６４】
＜実施例３＞
実施例３は第二の実施形態にあたる図２の構成に関して、吸湿層５のポリシロキサンへの化学変化処理としてプラズマ処理を採って作製した。
【００６５】
第一の基板１１及び第二の基板９に吸湿層５を作製する工程は実施例２に倣った。
【００６６】
次に吸湿層５まで形成した第二の基板９を露点−８０℃の乾燥空気雰囲気下のグローブボックス内に戻し、吸湿層５の上に厚さ１００μｍのＰＥＴフィルム１７を配置した。ＰＥＴフィルム１７の端部は第二の基板９の端部より３ｍｍ内側に配置した。
【００６７】
次に吸湿層５、ＰＥＴフィルム１７を配置した第二の基板９をグローブボックスより取り出して大気圧プラズマ表面処理装置（積水化学工業（株）ＡＰ−Ｔ０２）のプラズマ処理室に置いた。そして大気雰囲気（２５℃５０％ＲＨ）、放電圧１５０Ｖ、放電時間６０秒にてプラズマ処理を行った（図７）。
【００６８】
第二の基板９はプラズマ処理後、直ちに露点−８０℃の乾燥空気雰囲気下のグローブボックス内に戻し、吸湿層５上に配置したＰＥＴフィルムを剥した。
【００６９】
ここでＰＥＴフィルム１７での隠蔽域及び露出域に対応するプラズマ処理を施された吸湿層を模して作製した赤外スペクトルの計測用試料に対して、Ｓｉ−Ｏ結合に帰属する吸収ピーク（波数１０８０ｃｍ-1）での吸光度とＳｉＯ2の含有率を求めた。ＰＥＴフィルム１７での隠蔽域及び露出域に対応する吸収層の赤外吸収スペクトルは各々図４（ａ）及び（ｃ）となり、吸光度Ａは各々０．１１及び０．１８、ＳｉＯ2の含有率Ｘは各々２８％及び４５％であった。
【００７０】
次に実施例２に倣って、第一の基板１１の外周へ接着層１０を描線した。
【００７１】
次に吸湿層５の形成とプラズマ処理とを施した第二の基板９と、接着層１０が描線された第一の基板１１とを貼り合わせた。
【００７２】
最後に接着層１０に実施例２の条件を踏襲して接着層の硬化を行い、図２に示す電界発光装置１２を作製した。
【００７３】
＜比較例１＞
実施例１での吸湿層５に対する紫外線照射工程のみを省略して、実施例１の工程を踏襲した作製方法で比較例１の電界発光装置を作製した。
【００７４】
また比較例１の工程を踏襲して作製した赤外スペクトルの計測用試料に対して、Ｓｉ−Ｏ結合に帰属する吸収ピーク（波数１０８０ｃｍ-1）での吸光度とＳｉＯ2の含有率を求めた。吸収層の赤外吸収スペクトルは図４（ａ）となり、吸光度Ａは０．１１、ＳｉＯ2の含有率は２８％であった。
【００７５】
＜比較例２＞
実施例２での吸湿層５に対する紫外線照射、及び実施例３での吸湿層５上へのＰＥＴフィルム配置と吸湿層５に対するプラズマ処理に対応する工程を省略して、実施例２及び３の工程を踏襲した作製方法で比較例２の電界発光装置を作製した。
【００７６】
また比較例２の工程を踏襲して作製した赤外スペクトルの計測用試料に対して、Ｓｉ−Ｏ結合に帰属する吸収ピーク（波数１０８０ｃｍ-1）での吸光度とＳｉＯ2の含有率を求めた。吸収層の赤外吸収スペクトルは図４（ａ）となり、吸光度Ａは０．１１、ＳｉＯ2の含有率は２８％であった。
【００７７】
（評価）
上記実施例１、２及び３の電界発光装置１２は、温度８５℃湿度８５％の環境に投入して５００時間経過後、正常な発光挙動を示した。
【００７８】
一方、比較例１及び２の電界発光装置は第一の基板と第二の基板を接着層で貼り合わせする際に、吸湿層と未硬化状態の接着層とが接触した界面でガスを生成した。ガス生成が落ち着いた状態で接着層の硬化を行ったが、ガスが生じた箇所周辺の接着層に電界発光装置の封止空間内外に通じる亀裂を生じていた。比較例１及び２の電界発光装置は温度８５℃湿度８５％の環境に投入６時間後に電界発光素子に非発光領域を生じた。
【００７９】
このように接着層に囲われた部位の吸湿層は吸湿反応活性を有し、接着層に接する部位の吸湿層は予め化学的に安定なポリシロキサン（ＳｉＯ2）に化学変化することにより、吸湿層のガス生成による封止構造の破壊がなく、信頼性に優れた発光装置を提供できる。
【符号の説明】
【００８０】
１  基材、２  電界発光素子、３  保護層、４、１１  第一の基板、５  吸湿層、６  接着層に取り囲まれる吸湿層、７  接着層に接する吸湿層、８  空隙、９  第二の基板、１０  接着部、１２  電界発光装置、１３  フォトマスク、１４  フォトマスクの減光域、１５  フォトマスクの露光域、１６  紫外線、１７  ＰＥＴフィルム、１８  プラズマ
【図１】
2015022971.tif 000011
【図２】
2015022971.tif 000012
【図３】
2015022971.tif 000013
【図４】
2015022971.tif 000014
【図５】
2015022971.tif 000015
【図６】
2015022971.tif 000016
【図７】
2015022971.tif 000017