(57)【要約】【課題】適切な転写を行うことができるインプリント用テンプレート及びその製造方法を提供することである。【解決手段】実施形態に係るインプリント用テンプレートは、インプリントに用いられるテンプレートである。そして、第１の突出部が設けられたパターン領域と、前記パターン領域を囲む周辺領域と、前記周辺領域に設けられ、第２の突出部が設けられた領域と、前記周辺領域に設けられ、前記テンプレートの厚み方向を透過する光の強度を制御する第１の透過率制御部と、前記周辺領域に開口する凹部と、を備えている。    前記テンプレートは、前記テンプレートの中心を通る直線に対して線対称となる平面形状を有している。前記第２の突出部が設けられた領域と、前記第１の透過率制御部と、は、前記テンプレートの中心を通る直線に対して互いに線対称となる位置に設けられている。【選択図】図１
2015146412.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
インプリントに用いられるテンプレートであって、
第１の突出部が設けられたパターン領域と、
前記パターン領域を囲む周辺領域と、
前記周辺領域に設けられ、第２の突出部が設けられた領域と、
前記周辺領域に設けられ、前記テンプレートの厚み方向を透過する光の強度を制御する第１の透過率制御部と、
前記周辺領域に開口する凹部と、
を備え、
前記テンプレートは、前記テンプレートの中心を通る直線に対して線対称となる平面形状を有し、
前記第２の突出部が設けられた領域と、前記第１の透過率制御部と、は、前記テンプレートの中心を通る直線に対して互いに線対称となる位置に設けられ、
前記第１の透過率制御部の厚み寸法は、前記第１の突出部および前記第２の突出部の高さ寸法よりも短く、
前記第１の透過率制御部は、半導体基板の上に設けられた被転写部に転写されないとともに、単純な形状が繰り返えされるパターンを有し、
前記第１の透過率制御部は、前記凹部の底面に設けられた遮光部と、前記遮光部を貫通する透光部と、を有し、
前記遮光部は、クロムを用いた膜、窒化クロムを用いた膜、酸化クロムを用いた膜、及び、これらの膜を組み合わせた積層膜の少なくともいずれかであるインプリント用テンプレート。
【請求項２】
インプリントに用いられるテンプレートであって、
第１の突出部が設けられたパターン領域と、
前記パターン領域を囲む周辺領域と、
前記周辺領域に設けられ、第２の突出部が設けられた領域と、
前記周辺領域に設けられ、前記テンプレートの厚み方向を透過する光の強度を制御する第１の透過率制御部と、
を備え、
前記テンプレートは、前記テンプレートの中心を通る直線に対して線対称となる平面形状を有し、
前記第２の突出部が設けられた領域と、前記第１の透過率制御部と、は、前記テンプレートの中心を通る直線に対して互いに線対称となる位置に設けられているインプリント用テンプレート。
【請求項３】
前記第１の透過率制御部の厚み寸法は、前記第１の突出部および前記第２の突出部の高さ寸法よりも短い請求項２記載のインプリント用テンプレート。
【請求項４】
前記第１の透過率制御部は、半導体基板の上に設けられた被転写部に転写されないとともに、単純な形状が繰り返えされるパターンを有する請求項２または３に記載のインプリント用テンプレート。
【請求項５】
前記周辺領域に開口する凹部をさらに備え、
前記第１の透過率制御部は、前記凹部の底面に設けられた遮光部と、前記遮光部を貫通する透光部と、を有する請求項２〜４のいずれか１つに記載のインプリント用テンプレート。
【請求項６】
前記遮光部は、クロムを用いた膜、窒化クロムを用いた膜、酸化クロムを用いた膜、及び、これらの膜を組み合わせた積層膜の少なくともいずれかである請求項５記載のインプリント用テンプレート。
【請求項７】
前記第１の透過率制御部は、イオン注入されたイオンを含む請求項２〜４のいずれか１つに記載のインプリント用テンプレート。
【請求項８】
基部と、
前記基部から突出し、平面形状が矩形のメサ部と、
をさらに備え、
前記パターン領域と、前記周辺領域と、は、前記メサ部の前記基部側とは反対側の面に設けられている請求項２〜７のいずれか１つに記載のインプリント用テンプレート。
【請求項９】
インプリントに用いられるテンプレートの製造方法であって、
パターン領域に第１の突出部を形成し、前記パターン領域を囲む周辺領域に設けられた領域に第２の突出部を形成する工程と、
前記周辺領域に前記テンプレートの厚み方向を透過する光の強度を制御する第１の透過率制御部を形成する工程と、
を備え、
前記テンプレートは、前記テンプレートの中心を通る直線に対して線対称となる平面形状を有し、
前記第２の突出部が設けられた領域と、前記第１の透過率制御部と、は、前記テンプレートの中心を通る直線に対して互いに線対称となる位置に設けられるインプリント用テンプレートの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明の実施形態は、インプリント用テンプレート及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体装置の製造においては、インプリント法を用いてパターンを形成する場合がある。
例えば、半導体基板上に液状の樹脂材料を滴下し、パターンが形成されたインプリント用テンプレート（インプリント型、モールドなどとも称される）を樹脂材料に押し当て、紫外線を照射して樹脂材料を硬化させ、半導体基板上にパターンが転写された被転写部を形成するようにしている。  
また、被転写部からインプリント用テンプレートを引き離すのを容易にするために、パターンを形成する突出部が設けられたパターン領域を囲む周辺領域に調整部を設けたインプリント用テンプレートが提案されている。  
この場合、調整部においては、インプリント用テンプレートの外側に向かうに従い光の透過率が小さくなっている。
【０００３】
ここで、生産性を向上させるために、インプリント用テンプレートを所定の距離だけ移動させて、連続的にパターンの転写を行う場合がある。  
この様な場合には、インプリント用テンプレートのパターン領域に対峙する被転写部の領域同士が重ならず、周辺領域に対峙する被転写部の領域同士が重なるようにインプリント用テンプレートを移動している。  
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２０１１−１１４０４６号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
本発明が解決しようとする課題は、適切な転写を行うことができるインプリント用テンプレート及びその製造方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
実施形態に係るインプリント用テンプレートは、インプリントに用いられるテンプレートである。そして、第１の突出部が設けられたパターン領域と、前記パターン領域を囲む周辺領域と、前記周辺領域に設けられ、第２の突出部が設けられた領域と、前記周辺領域に設けられ、前記テンプレートの厚み方向を透過する光の強度を制御する第１の透過率制御部と、前記周辺領域に開口する凹部と、を備えている。  
前記テンプレートは、前記テンプレートの中心を通る直線に対して線対称となる平面形状を有している。前記第２の突出部が設けられた領域と、前記第１の透過率制御部と、は、前記テンプレートの中心を通る直線に対して互いに線対称となる位置に設けられている。
【図面の簡単な説明】
【０００７】
【図１】本実施の形態に係るインプリント用テンプレート１を例示するための模式図である。
【図２】図１におけるＡ−Ａ線断面図である。
【図３】透過率制御部７の他の配設形態を例示するための模式図である。
【図４】（ａ）〜（ｃ）は、比較例に係るインプリント用テンプレート１０２を用いて転写を行う場合を例示するための模式工程断面図である。
【図５】インプリント用テンプレート１を用いた硬化の様子を例示するための模式平面図である。
【図６】他の実施形態に係るインプリント用テンプレート２１を例示するための模式図である。
【図７】図７（ａ）〜（ｃ）は、本実施の形態に係るインプリント用テンプレートの製造方法を例示するための模式工程断面図である。
【図８】図８（ａ）〜（ｃ）は、本実施の形態に係るインプリント用テンプレートの製造方法を例示するための模式工程断面図である。
【発明を実施するための形態】
【０００８】
以下、図面を参照しつつ、実施の形態について例示をする。なお、各図面中、同様の構成要素には同一の符号を付して詳細な説明は適宜省略する。  
図１は、本実施の形態に係るインプリント用テンプレート１を例示するための模式図である。  
図２は、図１におけるＡ−Ａ線断面図である。  
なお、図２は、メサ部３の断面図である。  
図３は、透過率制御部７の他の配設形態を例示するための模式図である。
【０００９】
図１および図２に示すように、インプリント用テンプレート１には、基部２、メサ部３、パターン部４、マークパターン部５、凹部６、および透過率制御部７（第１の透過率制御部の一例に相当する）が設けられている。  
基部２は、平板状を呈している。インプリント用テンプレート１をインプリント装置に取り付ける際には、インプリント装置により基部２が保持される。  
メサ部３は、基部２から突出している。メサ部３の厚み方向と直交する方向の断面積は、基部２の厚み方向と直交する方向の断面積よりも小さい。
【００１０】
インプリント用テンプレート１は、インプリント用テンプレート１の中心１ａを通る直線１ｂに対して線対称となる平面形状を有している。  
例えば、基部２の平面形状は、ほぼ矩形とすることができる。  
また、図２に示すように、メサ部３の平面形状は、ほぼ矩形とすることができる。  
メサ部３の平面形状がほぼ矩形となっていれば、被転写部１００に形成される硬化された領域の形状もほぼ矩形となる。そのため、転写を行う際のスペース効率を向上させることができる。
【００１１】
メサ部３には、パターン領域３ａと周辺領域３ｂが設けられている。パターン領域３ａは、メサ部３の中央側に設けられている。周辺領域３ｂは、パターン領域３ａを囲むように設けられている。周辺領域３ｂは、転写を行う際に、半導体基板（ウェーハ）１０１のスクライブライン（ダイシングライン）上に位置するようになっている。  
パターン領域３ａの平面形状は、例えば、ほぼ矩形とすることができる。
周辺領域３ｂの平面形状は、例えば、ほぼ矩形の枠状とすることができる。
【００１２】
なお、基部２は必ずしも必要ではなく、インプリント用テンプレート１をインプリント装置に取り付ける際には、インプリント装置によりメサ部３が保持されるようにしてもよい。  
ただし、保持部である基部２から突出するメサ部３を設けるようにすれば、転写を行う際にインプリント用テンプレート１が傾いたとしても、パターン部４およびマークパターン部５以外の部分が被転写部１００に接触するのを抑制することができる。
【００１３】
ここで、インプリント用のテンプレートには、マスターテンプレートとレプリカテンプレートがある。  
マスターテンプレートは、レプリカテンプレートを作成するためのテンプレートである。
レプリカテンプレートは、被転写部１００にパターンを転写する際に用いられる。  
パターンの転写を繰り返し行うと、パターン部４およびマークパターン部５が徐々に損傷を受ける。そのため、マスターテンプレートを用いて、消耗品であるレプリカテンプレートを複数作成しておくことが好ましい。
【００１４】
マスターテンプレートは、例えば、電子ビーム描画法を用いて、平板状の基板にパターン部およびマークパターン部を形成することで作成される。マスターテンプレートは、通常、１つ作成される。  
レプリカテンプレートは、マスターテンプレートを用いて、基部２から突出するメサ部３にパターン部４およびマークパターン部５を転写することで作成される。  
この場合、レプリカテンプレートに対するマスターテンプレートの傾きは小さなものとなる。そのため、マスターテンプレートは、転写時における接触を考慮する必要がないので、平板状の基板から突出するメサ構造を有している必要はない。  
本実施形態に係るインプリント用テンプレート１は、例えば、レプリカテンプレートとすることができる。
【００１５】
パターン部４は、パターン領域３ａに設けられている。パターン部４は、例えば、メサ部３から突出する複数の突出部４ａ(第１の突出部の一例に相当する)を有したものとすることができる。突出部４ａが被転写部１００に押し付けられることで、所望のパターン（例えば、半導体装置の回路パターンなど）が被転写部１００に転写される。  
なお、パターン部４の構成は、例示をした突出部４ａの形態、突出部４ａの配置、突出部４ａの数などに限定されるわけではなく、被転写部１００に転写されるパターンに応じて適宜変更することができる。
【００１６】
マークパターン部５は、周辺領域３ｂ内にあるマーク領域８に設けられている。マークパターン部５は、例えば、メサ部３から突出する複数の突出部５ａ（第２の突出部の一例に相当する）を有したものとすることができる。すなわち、マーク領域８は、周辺領域３ｂに設けられ、突出部５ａが設けられた領域である。  
突出部５ａが被転写部１００に押し付けられることで、所望のマーク（たとえば、アライメントマークなど）が被転写部１００に転写される。  
アライメントマークは、例えば、半導体基板１０１とインプリント用テンプレート１との合わせずれを修正するために用いられる。
【００１７】
なお、マークパターン部５の構成は、例示をした突出部５ａの形態、突出部５ａの配置、突出部５ａの数などに限定されるわけではなく、被転写部１００に転写されるマークに応じて適宜変更することができる。  
また、被転写部１００に転写されるマークは、アライメントマークに限定されるわけではなく、適宜変更することができる。
【００１８】
凹部６は、メサ部３の周辺領域３ｂに設けられている。凹部６は、メサ部３の突出部５ａが突出している側の面に開口している。  
透過率制御部７は、凹部６の底面に設けられている。  
なお、凹部６は、必ずしも必要ではない。  
例えば、図３に例示をしたインプリント用テンプレート１１のように、メサ部３の突出部５ａが突出している側の面に透過率制御部７が設けられるようにしてもよい。  
この場合、透過率制御部７の厚み寸法は、突出部４ａおよび突出部５ａの高さ寸法よりも短くなっている。  
ただし、凹部６の底面に透過率制御部７を設けるようにすれば、転写時に透過率制御部７と被転写部１００が接触するのを抑制することができる。そのため、透過率制御部７が剥がれたり、透過率制御部７や被転写部１００が汚れたりするのを抑制することができる。
【００１９】
透過率制御部７は、インプリント用テンプレート１の厚み方向を透過する光（例えば、紫外線）の強度を制御する。透過率制御部７は、透過する光の強度を制御することで、被転写部１００の対応する領域における硬化の程度を制御する。
【００２０】
透過率制御部７は、被転写部１００に転写されないとともに、単純な形状が繰り返えされるパターンを有するものとすることができる。  
例えば、透過率制御部７は、膜状の遮光部７ｂと、遮光部７ｂを貫通する複数の透光部７ａとを有し、複数の透光部７ａが等間隔で設けられたものとすることができる。この場合、透光部７ａの開口面積や数などにより透過する光の強度を制御することができる。  
また、透光部７ａを設けることなく、遮光部７ｂの厚み寸法を変化させることで透過する光の強度を制御することもできる。  
遮光部７ｂは、クロムを用いた膜、窒化クロムを用いた膜、酸化クロムを用いた膜、あるいは、これらを組み合わせた積層膜などとすることができる。
【００２１】
また、透過率制御部７は、メサ部３の表面または凹部６の底面にイオン注入を行うことで形成されたものとすることもできる。すなわち、透過率制御部７は、イオン注入されたイオンを含むものとすることができる。
【００２２】
透過率制御部７とマーク領域８は、インプリント用テンプレート１の中心１ａを通る直線１ｂに対して互いに線対称となる位置に設けられている。  
また、透過率制御部７の外形は、マーク領域８の外形よりも大きくなっている。
【００２３】
また、周辺領域３ｂの直線１ｂを挟んで対峙する部分に複数の透過率制御部７を設ける場合には、複数の透過率制御部７が直線１ｂに対して互いに線対称とならない位置に設けられている。  
例えば、透過率制御部７は、直線１ｂに対して、透過率制御部７ｃ１および透過率制御部７ｃ２と線対称とならない位置に設けられている。
【００２４】
基部２、メサ部３、突出部４ａ、および突出部５ａは、一体に形成することができる。基部２、メサ部３、突出部４ａ、および突出部５ａは、石英などの紫外線を透過させる材料から形成することができる。
【００２５】
次に、透過率制御部７の配置、およびマーク領域８の配置についてさらに説明する。  
図４（ａ）〜（ｃ）は、比較例に係るインプリント用テンプレート１０２を用いて転写を行う場合を例示するための模式工程断面図である。  
図４（ａ）に示すように、インプリント用テンプレート１０２は、前述したインプリント用テンプレート１と同様に、パターン領域に設けられた突出部１０２ａと、周辺領域に設けられた突出部１０２ｂとを有する。  
ただし、前述したインプリント用テンプレート１とは異なり、インプリント用テンプレート１０２は、透過率制御部７を有していない。
【００２６】
まず、図４（ａ）に示すように、インプリント装置により、インプリント用テンプレート１０２が半導体基板１０１の上に設けられた被転写部１００に押し付けられる。  
この際、被転写部１００は硬化前の状態（例えば、液状）であるため、突出部１０２ａと突出部１０２ｂが被転写部１００の内部に挿入される。  
続いて、インプリント用テンプレート１０２を介して、紫外線１０３が被転写部１００に照射される。
【００２７】
この際、パターン領域を透過した紫外線１０３ａは、被転写部１００のパターンが転写される領域に照射される。  
周辺領域を透過した紫外線１０３ｂは、被転写部１００のパターンが転写される領域の周囲に照射される。  
また、インプリント用テンプレート１０２の側面を透過した紫外線１０３ｃは、被転写部１００の紫外線１０３ｂが照射される領域の周囲に照射される。
【００２８】
ここで、被転写部１００は、紫外線硬化樹脂を含んでいる。  
そのため、図４（ｂ）に示すように、被転写部１００の紫外線１０３ａ〜１０３ｃが照射された領域が硬化する。  
ここで、紫外線１０３ａの強度と紫外線１０３ｂの強度は、ほぼ同程度である。  
そのため、被転写部１００における紫外線１０３ａが照射された領域と、紫外線１０３ｂが照射された領域が硬化して、硬化部１００ａとなる。
【００２９】
また、被転写部１００における紫外線１０３ｃが照射された領域が硬化して、硬化部１００ｂとなる。  
この場合、紫外線１０３ｃの強度は、紫外線１０３ａの強度または紫外線１０３ｂの強度よりは低い。  
そのため、硬化部１００ｂは、硬化部１００ａよりも柔らかくなる。しかしながら、硬化部１００ｂは、硬化前の被転写部１００よりは硬くなる。
【００３０】
次に、連続的にパターンの転写を行う。  
まず、インプリント装置により、インプリント用テンプレート１０２を上昇させ、インプリント用テンプレート１０２を所定の距離だけ移動させる。  
次に、図４（ｃ）に示すように、インプリント装置により、インプリント用テンプレート１０２が被転写部１００に押し付けられる。
【００３１】
ここで、紫外線１０３ｂが照射される領域（インプリント用テンプレート１０２の周辺領域に対峙する領域）は、半導体基板１０１のスクライブライン上に位置する。すなわち、紫外線１０３ｂが照射される領域と対峙する半導体基板１０１の領域は、半導体装置を個片化する際に除去される領域となる。  
そのため、隣接する紫外線１０３ｂが照射される領域同士が重なるようにすれば、スペース効率を向上させることができる。
【００３２】
ところが、紫外線１０３ｂが照射される領域には、アライメントマークなどのマークが形成される。  
そのため、隣接する紫外線１０３ｂが照射される領域同士が重なるようにすれば、硬化部１００ａに突出部１０２ｂを押し付けることになるので、突出部１０２ｂが破損するおそれがある。  
また、硬化部１００ｂに突出部１０２ａを押し付けることになるので、突出部１０２ａが破損するおそれがある。  
突出部１０２ａおよび突出部１０２ｂの破損が生じないとしても、転写不良が生じるおそれがある。
【００３３】
この場合、隣接する紫外線１０３ｂが照射される領域同士が重ならないようにすれば、突出部１０２ａおよび突出部１０２ｂの破損や転写不良を抑制することができる。しかしながら、スペース効率は悪化することになる。
【００３４】
図５は、インプリント用テンプレート１を用いた硬化の様子を例示するための模式平面図である。  
本実施の形態に係るインプリント用テンプレート１は、透過率制御部７を有している。  そのため、透過率制御部７に対峙した被転写部１００の領域１００ｃは、硬化が抑制される。  
一方、透過率制御部７が設けられていない領域に対峙した被転写部１００の領域１００ｄは、硬化しており、回路パターン１０４やアライメントマーク１０５が転写されている。
回路パターン１０４は、パターン領域３ａに対峙した領域１０５に転写されている。
アライメントマーク１０５は、マーク領域８に対峙した領域１０６に転写されている。
【００３５】
ここで、透過率制御部７とマーク領域８は、インプリント用テンプレート１の中心１ａを通る直線１ｂに対して互いに線対称となる位置に設けられている。  
そして、透過率制御部７に対峙した被転写部１００の領域は、硬化が抑制される。そのため、隣接する領域における転写を行う際に、透過率制御部７により硬化が抑制された領域に突出部５ａを押し付けることができる。その結果、突出部５ａが破損したり、転写不良が生じたりするのを抑制することができる。
【００３６】
また、周辺領域３ｂの直線１ｂを挟んで対峙する部分に複数の透過率制御部７を設ける場合には、複数の透過率制御部７が直線１ｂに対して互いに線対称とならない位置に設けられている。  
例えば、透過率制御部７は、直線１ｂに対して、透過率制御部７ｃ１および透過率制御部７ｃ２と線対称とならない位置に設けられている。
そのため、周辺領域３ｂの直線１ｂを挟んで対峙する部分に対峙する被転写部１００の領域を段階的に硬化させることができる。
【００３７】
図６は、他の実施形態に係るインプリント用テンプレート２１を例示するための模式図である。  
図６に示すように、インプリント用テンプレート１と同様に、インプリント用テンプレート２１には、基部２、メサ部３、パターン部４、マークパターン部５、凹部６、および透過率制御部７が設けられている。  
また、インプリント用テンプレート２１には、透過率制御部９（第２の透過率制御部の一例に相当する）がさらに設けられている。
【００３８】
透過率制御部９は、メサ部３の側面を覆うように設けられている。  
透過率制御部９の材質や構成は、前述した透過率制御部７の材質や構成と同様とすることができる。  
透過率制御部９を設けるようにすれば、図４（ａ）において例示をしたインプリント用テンプレート２１の側面を透過する紫外線１０３ｃの発生を抑制することができる。  
そのため、被転写部１００における意図しない硬化をさらに抑制することができる。
【００３９】
次に、本実施の形態に係るインプリント用テンプレートの製造方法について説明する。  図７（ａ）〜（ｃ）、および図８（ａ）〜（ｃ）は、本実施の形態に係るインプリント用テンプレートの製造方法を例示するための模式工程断面図である。  
まず、図７（ａ）に示すように、石英などを用いた平板状のブランクを切削して、基部２と凸部３１を形成する。  
凸部３１は、メサ部３、パターン部４、およびマークパターン部５が形成される部分となる。  
続いて、凸部３１の上に窒化クロムを用いた膜３２を形成する。  
膜３２は、突出部４ａおよび突出部５ａを形成する際に用いられるハードマスクとなる膜である。
【００４０】
続いて、基部２と凸部３１を覆うように紫外線硬化樹脂を塗布する。  
続いて、凸部３１の上に形成された紫外線硬化樹脂にマスターテンプレートを押し付ける。マスターテンプレートを押し付けることで、紫外線硬化樹脂がマスターテンプレートに形成された形状に倣うように変形する。  
続いて、マスターテンプレートを押し付けた状態で、マスターテンプレートを介して紫外線を照射する。すると、紫外線硬化樹脂が硬化し、凸部３１の上に所望のパターンを有するエッチングマスクが形成される。  
続いて、マスターテンプレートを紫外線硬化樹脂から引き離す。  
続いて、凸部３１の上に形成されたエッチングマスクを用いてドライエッチング処理を施すことで、ハードマスクを形成する。  
ドライエッチング処理は、例えば、塩素を含むエッチングガスを用いたプラズマエッチング処理とすることができる。  
続いて、ドライアッシング処理やウェットアッシング処理を行うことで、紫外線硬化樹脂を除去する。
【００４１】
続いて、凸部３１の上に形成されたハードマスクを用いてドライエッチング処理を施すことで、メサ部３、突出部４ａおよび突出部５ａを形成する。  
ドライエッチング処理は、例えば、フッ素を含むエッチングガスを用いたプラズマエッチング処理とすることができる。  
次に、ハードマスクを除去する。  
この様にして、図７（ｂ）に示すように、メサ部３のパターン領域３ａに複数の突出部４ａを有するパターン部４と、メサ部３の周辺領域３ｂに複数の突出部５ａを有するマークパターン部５を形成することができる。  
ハードマスクの除去は、例えば、硝酸セリウムを用いたウェットエッチング処理により行うことができる。
【００４２】
次に、図７（ｃ）に示すように、基部２、メサ部３、パターン部４、およびマークパターン部５を覆うように紫外線硬化樹脂３３を塗布する。  
続いて、紫外線硬化樹脂３３の一部を選択的に除去して、エッチングマスクを形成する。
次に、図８（ａ）に示すように、形成されたエッチングマスクを用いてドライエッチング処理を施すことで、凹部６を形成する。  
次に、図８（ｂ）に示すように、凹部６の底面に透過率制御部７を形成する。  
透過率制御部７は、例えば、ＣＶＤ(Chemical Vapor Deposition)法などを用いて形成することができる。  
またさらに、遮光部７ｂを選択的に除去することで、遮光部７ｂを貫通する複数の透光部７ａを形成することもできる。  
また、透過率制御部７は、イオン注入を行うことで形成することもできる。  
なお、凹部６は、ハードマスクを用いたエッチング処理により形成することもできる。
【００４３】
次に、図８（ｃ）に示すように、紫外線硬化樹脂３３を除去する。  
以上の様にして、インプリント用テンプレート１を製造することができる。  
インプリント用テンプレート１１を形成する場合には、凹部６の形成を省略して、メサ部３の突出部５ａが突出している側の面に透過率制御部７を形成する。  
インプリント用テンプレート２１を形成する場合には、メサ部３の側面を覆うように透過率制御部９を形成する。  
透過率制御部９の形成は、透過率制御部７と同様とすることができる。  
以上に説明したように、本実施の形態によれば、適切な転写を行うことができるインプリント用テンプレート及びその製造方法を提供することができる。
【００４４】
以上、本発明のいくつかの実施形態を例示したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これら新規な実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更などを行うことができる。これら実施形態やその変形例は、発明の範囲や要旨に含まれるとともに、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる。また、前述の各実施形態は、相互に組み合わせて実施することができる。
【符号の説明】
【００４５】
１  インプリント用テンプレート、１ａ  中心、２  基部、３  メサ部、３ａ  パターン領域、３ｂ  周辺領域、４  パターン部、４ａ  突出部、５  マークパターン部、５ａ  突出部、６  凹部、７  透過率制御部、７ａ  透光部、７ｂ  遮光部、７ｃ１  透過率制御部、７ｃ２  透過率制御部、８  マーク領域、９  透過率制御部、１１  インプリント用テンプレート、２１  インプリント用テンプレート、３１  凸部、１００  被転写部、１００ａ  硬化部、１００ｂ  硬化部、１０１  半導体基板、１０３  紫外線、１０３ａ〜１０３ｃ  紫外線
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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