(57)【要約】【課題】ガラス基板の主表面をエッチング処理した後の端部が欠けにくいガラス基板を提供する。【解決手段】主表面と端部とを有し、前記端部が研削されたガラス基板であって、前記ガラス基板の断面視において、前記端部の最先端から前記主表面に対して平行方向に２５μｍの距離における前記端部の前記主表面に対して直交方向の幅Ｗ１が１６０μｍ以上であることを特徴とするガラス基板が提供される。【選択図】図４
2015124128.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
主表面と端部とを有し、前記端部が研削されたガラス基板であって、
前記ガラス基板の断面視において、
前記端部の最先端から前記主表面に対して平行方向に２５μｍの距離における前記端部の前記主表面に対して直交方向の幅Ｗ１が１６０μｍ以上であることを特徴とするガラス基板。
【請求項２】
前記端部の頂点から２５μｍの距離における前記端部の厚さ方向の幅Ｗ１と、前記ガラス基板の厚さＷ２との比（Ｗ１／Ｗ２）が４０％以上９０％以下であることを特徴とする請求項１に記載のガラス基板。
【請求項３】
主表面と端部とを有し、前記端部が研削されたガラス基板であって、
前記ガラス基板の断面視において、
前記端部の最先端から前記主表面に対して平行方向に５０μｍの距離における前記端部の前記主表面に対して直交方向の幅Ｗ１が２３０μｍ以上であることを特徴とするガラス基板。
【請求項４】
主表面と端部とを有し、前記端部が研削されたガラス基板であって、
前記ガラス基板の断面視において、
前記端部の最先端から前記主表面に対して平行方向に２５μｍの距離における前記端部の前記主表面に対して直交方向の幅Ｗ１が１６０μｍ以上であり、且つ、前記端部の最先端から前記主表面に対して平行方向に５０μｍの距離における前記端部の前記主表面に対して直交方向の幅Ｗ１が２３０μｍ以上であることを特徴とするガラス基板。
【請求項５】
前記端部の最先端から５０μｍの距離における前記端部の厚さ方向の幅Ｗ１と、前記主表面の厚さＷ２との比（Ｗ１／Ｗ２）が５５％以上１００％未満であることを特徴とする請求項３又は４に記載のガラス基板。
【請求項６】
前記端部の端面形状は曲面であり、
前記最先端を含む端面の曲率半径は、１６０μｍ以上であることを特徴とする請求項１〜５の何れかに記載のガラス基板。
【請求項７】
ガラス基板の端部を請求項１〜６の何れかに記載されたガラス基板の端部形状に研削する工程と、
前記ガラス基板の主表面をエッチング処理によりスリミング加工する工程と、
を有するガラス基板の製造方法。
【請求項８】
前記エッチング処理は、前記ガラス基板を垂直状態又は所定角度傾斜させた傾斜状態に保持し、前記ガラス基板の主表面に対し側方からエッチング液を吹き付ける請求項７に記載のガラス基板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明はガラス基板及びガラス基板の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、例えば、液晶ディスプレイ（ＬＣＤ）、有機ＥＬディスプレイ（ＯＬＥＤ）等のフラットパネルディスプレイ（ＦＰＤ）の開発が進められている。また、携帯電話機やスマートフォンにおいては、薄型化、軽量化の促進が重要になっており、特にガラス基板の薄型化の重要性が高まっている。そのため、上記フラットパネルディスプレイ（ＦＰＤ）で使用されるガラス基板を使用したディスプレイパネルの製造工程では、エッチング処理により厚さを薄くするスリミングが行われる（例えば、特許文献１参照）。
【０００３】
また、エッチング処理を行うエッチング装置としては、例えば、ガラス基板を垂直状態に保持し、側方からガラス基板の主表面に対してエッチング液をスプレイにより吹き付けるように構成された装置が用いられている。
【０００４】
ガラス基板の製造方法においては、上記ガラス基板の端面を研削する工程がある。また、前記ガラス基板を用いたディスプレイ用パネル製造工程では、例えば主表面をエッチングする工程と、主表面をエッチングされたガラス基板の反対側の主表面に貼着されたフィルムを、当該ガラス基板の周縁部に沿ってカッタにより切断する工程とを有する。
【０００５】
図１はガラス基板のエッチング処理を説明するための図（ガラス基板Ｇ下端部の図）である。図１（Ａ）に示すように、ガラス基板のエッチング処理では、ガラス基板Ｇを垂直状態に保持し、側方からエッチング液Ｅをスプレイしてガラス基板Ｇの左側面（スリミング面）に吹き付ける。このように、エッチング液Ｅが吹き付けられたガラス基板Ｇは、エッチング液Ｅにより左側面が溶解され、厚さが薄くなる。そして、ガラス基板Ｇの左側面に吹き付けられたエッチング液Ｅは、垂直状態に保持されたガラス基板Ｇの左側面に沿って下方へ滴下される。また、ガラス基板Ｇの端部Ｇ１は、所定の半径を有するＲ形状（曲面形状）に形成されている。
【０００６】
さらに、エッチング処理を行う際、ガラス基板Ｇの右側面（マスク面）には、フィルムＦが貼り付けられている。図２に示されるように、フィルムＦは、周縁部がガラス基板Ｇの端部Ｇ１よりも外側にはみ出すことになり、製造工程によっては、スリミング後はみ出した部分を切断する場合がある。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００７】
【特許文献１】国際公開ＷＯ２００９／０６６６２４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
上記エッチング処理において、垂直状態のガラス基板Ｇに対して側方からガラス基板Ｇに吹き付けられたエッチング液が下方に流れるため、エッチング液がガラス基板Ｇの端部Ｇ１の付近に表面張力により液だまりとなった後、重力により下方に落下する。その際、ガラス基板Ｇの端部Ｇ１の付近では、図１（Ｂ）に示されるように、左側方から吹き付けられたエッチング液が右側面に回り込むことができずに左側面に溜まったエッチング液により左側面側（スリミング側）のみが溶解されて尖った形状となる。すなわち、端部Ｇ１の曲率半径が小さくなるほど尖った形状となってエッチング液が端部Ｇ１から落下する。
【０００９】
図２は、ガラス基板Ｇに貼着されたフィルムＦのはみ出し部分を切断する工程を示す図である。図２に示されるように、ステージＳに支持されたガラス基板Ｇの端部Ｇ１が尖った形状であると、端部Ｇ１からはみ出したフィルムＦをカッタＣで切断する際に、カッタＣの刃先が端部Ｇ１に接触し、端部Ｇ１の尖った部分が欠けるおそれがある。また、上記フィルムＦ切断後に端部Ｇ１が他の部材と接触した場合、尖った部分が欠けやすくなるという問題があった。
【００１０】
そこで、本発明は上記事情に鑑み、上記課題を解決したガラス基板及びガラス基板の製造方法の提供を目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
一つの案では、主表面と端部とを有し、前記端部が研削されたガラス基板であって、
前記ガラス基板の断面視において、
前記端部の最先端から前記主表面に対して平行方向に２５μｍの距離における前記端部の前記主表面に対して直交方向の幅Ｗ１が１６０μｍ以上であることを特徴とするガラス基板が提供される。
【発明の効果】
【００１２】
一態様によれば、エッチング液が吹き付けられた側から端部の反対側にまで流れてエッチング処理後の端部の断面形状を湾曲した形状に形成することができ、これにより端部の剛性が向上して端部が欠けることを防止できる。
【図面の簡単な説明】
【００１３】
【図１】ガラス基板のエッチング処理例を説明するための図である。
【図２】ガラス基板に貼着されたフィルムのはみ出し部分を切断する工程を示す図である。
【図３】本発明の第１の実施形態におけるガラス基板端部の加工流れを示す工程図である。
【図４】研削されるガラス基板の端部形状を拡大して示す縦断面図である。
【図５】本発明によるガラス基板のエッチング処理を説明するための図である。
【発明を実施するための形態】
【００１４】
以下、図面を参照して本発明を実施するための形態について説明する。
〔第１の実施形態〕
本実施形態では、先ず本発明に係るガラス基板の加工工程（手順）の一例について説明する。図３は本発明の第１の実施形態におけるガラス基板端部の加工の流れを示す工程図である。
【００１５】
工程Ｓ１１では、ガラス基板の端部を研削する。ガラス基板は、例えば、フラットパネルディスプレイに用いられるガラス基板であり、長形状に形成されており、厚さが０．２ｍｍ〜１．１ｍｍに形成されている。
【００１６】
ここで、ガラス基板の材料、製造方法、厚さについては特に限定されるものではなく、各種ガラス基板を用いることができる。例えば、ガラス基板の材料（材質）としては、アルカリ金属酸化物を実質的に含まない無アルカリガラスや、ソーダライムガラス、石英ガラスなどを用いることができる。
【００１７】
工程Ｓ１２では、ガラス基板の右側面側の主表面にフィルムを貼着する。尚、フィルムは、ガラス基板を保護する樹脂フィルムであり、スリミング加工される主表面と反対側の主表面に貼着される。
【００１８】
工程Ｓ１３では、ガラス基板の主表面をエッチング処理する。ガラス基板は、垂直状態に保持され、側方からエッチング液をスプレイされる。このガラス基板にエッチング液を吹き付ける工程では、ガラス基板を垂直状態に保持して側方からエッチング液を吹き付ける方法、あるいはガラス基板を垂直面より所定角度傾斜させた傾斜状態に保持して斜め上方からエッチング液を吹き付ける方法で行っても良い。
【００１９】
また、ガラス基板のエッチング処理されるスリミング面は、上記フィルムが貼着された保護面側と反対側の主表面である。
【００２０】
工程Ｓ１４では、ガラス基板の周縁部よりはみ出されたフィルムの縁部をカットする。
【００２１】
工程Ｓ１５では、エッチング処理によりスリミング加工されたガラス基板の主表面及び端部を洗浄する。
【００２２】
〔端部研削方法について〕
ガラス基板の端部を研削する際の研削方法としては、例えば以下の方法がある。
（１）研削形状に対応した研削溝を有する総型砥石を用いた研削方法
（２）カップ状に形成されたカップ砥石を用いた研削方法
（３）円盤形状に形成されたマルチ砥石を用いた研削方法
（４）テープの表面に遊離砥粒が塗布されたテープを用いたテープ研磨方法
ここで、上記方法の何れかにより研削されるガラス基板Ｇの端部の形状について説明する。図４は、研削されるガラス基板Ｇの端部形状を拡大して示す縦断面図である。図４に示されるように、砥石等により研削されるガラス基板Ｇの端部形状は、顕微鏡により拡大されたガラス基板Ｇの画像に計測用の規準線を重ねてガラス基板Ｇの各寸法を計測する計測装置を用いて以下の手順により規定される。
【００２３】
手順１Ａでは、顕微鏡により拡大されたガラス基板Ｇの端部の頂点（最先端）に接する位置に第１基準線Ｋ１をセットする。ガラス基板Ｇの端部は、その端面形状が曲面に形成されている。また、第１基準線Ｋ１は、ガラス基板Ｇの主表面に対して直交する方向（図４では水平方向）に延在する直線である。
【００２４】
手順２Ａでは、上記第１基準線Ｋ１から下方に距離Ｌ（＝２５μｍ）の位置に第１基準線Ｋ１と平行な第２基準線Ｋ２をセットする。
【００２５】
手順３Ａでは、上記第２基準線Ｋ２と交差するガラス基板Ｇの端部の輪郭線Ｊとの交点Ｐ１、Ｐ２間の幅（距離）Ｗ１を計測する。
【００２６】
手順４Ａでは、ガラス基板Ｇの主表面間の幅（厚さ）Ｗ２を計測する。
【００２７】
手順５Ａでは、上記幅Ｗ１とガラス基板Ｇの幅Ｗ２（＝ｔ）との比（Ｗ１／Ｗ２）を演算する。そして、上記幅Ｗ１、Ｗ２の比（Ｗ１／Ｗ２）が４０％〜９０％となることを確認する。この後、曲面により形成されたガラス基板Ｇの端部の曲率半径は、１６０μｍ以上で研削されることを確認するとさらに良い。
【００２８】
すなわち、図４に示すガラス基板Ｇの断面視において、端部の最先端（図４では、上端）から主表面に対して平行方向にＬ＝２５μｍの距離における端部の主表面に対して直交方向（図４中、左右方向）の幅Ｗ１が１６０μｍ以上であると良い。
【００２９】
このように、第１、第２基準線Ｋ１、Ｋ２を所定距離Ｌ（＝２５μｍ）にセットすることで、ガラス基板Ｇの端部の輪郭線Ｊとの交点Ｐ１、Ｐ２間の幅Ｗ１を容易にかつ正確に計測することが可能になる。また、ガラス基板Ｇの端面の曲率半径を計測する際は、研削時に砥石に対して端面の位置がずれると、曲率半径を正確に計測することが難しい。しかしながら、上記のようにガラス基板Ｇの端部の輪郭線Ｊとの交点Ｐ１、Ｐ２間の幅Ｗ１と、ガラス基板Ｇの幅Ｗ２（＝ｔ）との比（Ｗ１／Ｗ２）を求めることで、砥石との位置ずれがあっても端部の尖り具合を定量的に規定することが可能になる。
【００３０】
次に、第１、第２基準線Ｋ１、Ｋ２間の距離をＬ＝５０μｍに設定した場合の手順について説明する。
【００３１】
手順１Ｂは、上記２５μｍの場合と同様に、顕微鏡により拡大されたガラス基板Ｇの端部の最先端に接する位置に第１基準線Ｋ１をセットする。
【００３２】
手順２Ｂでは、上記第１基準線Ｋ１から下方に距離Ｌ（＝５０μｍ）の位置に第１基準線Ｋ１と平行な第２基準線Ｋ２をセットする。
【００３３】
手順３Ｂでは、上記２５μｍの場合と同様に、上記第２基準線Ｋ２と交差するガラス基板Ｇの端部の輪郭線Ｊとの交点Ｐ１、Ｐ２間の幅Ｗ１を計測する。
【００３４】
手順４Ｂでは、ガラス基板Ｇの主表面間の幅Ｗ２を計測する。
【００３５】
手順５Ｂでは、上記幅Ｗ１とガラス基板Ｇの幅Ｗ２（＝ｔ）との比（Ｗ１／Ｗ２）を演算する。そして、上記幅Ｗ１、Ｗ２の比（Ｗ１／Ｗ２）が５０％〜１００％未満となることを確認する。この後、曲面により形成されたガラス基板Ｇの端面（最先端を含む）の曲率半径は、１６０μｍ以上で研削されることを確認するとさらに良い。
【００３６】
すなわち、図４に示すガラス基板Ｇの断面視において、端部の最先端（図４では、上端）から主表面に対して平行方向にＬ＝５０μｍの距離における端部の主表面に対して直交方向（図４中、左右方向）の幅Ｗ１が２３０μｍ以上であると良い。
【００３７】
このように、第１、第２基準線Ｋ１、Ｋ２を所定距離Ｌ（＝５０μｍ）にセットすることで、ガラス基板Ｇの端部の輪郭線Ｊとの交点Ｐ１、Ｐ２間の幅Ｗ１を正確に計測することが可能になる。また、上記のようにガラス基板Ｇの端部の輪郭線Ｊとの交点Ｐ１、Ｐ２間の幅Ｗ１と、ガラス基板Ｇの幅Ｗ２（＝ｔ）との比（Ｗ１／Ｗ２）を求めることで、砥石との位置ずれがあっても端面の尖り具合を定量的に規定することが可能になる。
【００３８】
上記Ｓ１１〜Ｓ１５手順１Ａ〜５Ａにより規定されたＬ＝２５μｍにおけるＷ１とＷ１／Ｗ２及び上記手順１Ｂ〜５Ｂにより規定されたＬ＝５０μｍにおけるＷ１とＷ１／Ｗ２は、それぞれ何れか一方の方法で規定しても良いし、あるいは両方を併せ持つように規定しても良い。
【００３９】
次に、第１、第２基準線Ｋ１、Ｋ２間の距離をＬ＝２５μｍに設定し、上記幅Ｗ１、Ｗ２の比（Ｗ１／Ｗ２）が５０％〜１００％未満となるように端部を研削されたガラス基板Ｇをエッチング処理する際のエッチング液の流れについて図５を参照して説明する。尚、このエッチング処理では、例えば、ガラス基板Ｇの厚さを０．５ｍｍから０．３ｍｍ、あるいは０．４ｍｍから０．３ｍｍにエッチングする場合について説明する。
【００４０】
図５（Ａ）に示されるように、エッチング処理においては、上記研削方法の何れかにより研削されるガラス基板Ｇの端部の最先端が下端に位置するようにガラス基板Ｇを垂直状態に保持する。ガラス基板Ｇの一方の側面（図５（Ａ）では右側面）には、フィルムＦが貼着されている。また、エッチング液は、ガラス基板Ｇの他方の側面（図５（Ｂ）では左側面）に対向する位置からスプレイされる。従って、ガラス基板ＧのフィルムＦにマスクされたマスク側と反対側の主表面がエッチング処理される。
【００４１】
エッチング処理では、例えばフッ酸（ＨＦ）及び塩酸（ＨＣｌ）を所定の割合で含有するエッチング液などを用いてガラス基板Ｇの主表面をエッチングする。また、ガラス基板Ｇをエッチング処理する際は、フッ化水素酸、ケイフッ化水素酸などのフッ酸系酸を含み、フッ酸系液と他の酸（例えば、塩酸、硫酸、リン酸、又は硝酸など）との混酸であることが望ましい。
【００４２】
ガラス基板Ｇの端部形状が前述した研削方法により研削されると、図４に示す幅Ｗ１、Ｗ２の比（Ｗ１／Ｗ２）が５０％〜１００％未満となるガラス基板Ｇが得られる。また、ガラス基板Ｇの端面（最先端を含む）の曲率半径Ｒは、１６０μｍ以上で研削されており、この端面形状におけるエッチング液の流れを検証する。また、ガラス基板Ｇの端部を研削する際、図４に示すガラス基板Ｇの断面視において、端部の最先端（図４では、上端）から主表面に対して平行方向にＬ＝２５μｍの距離における端部の主表面に対して直交方向（図４中、左右方向）の幅Ｗ１が１６０μｍ以上であることが研削加工の条件となる。さらには、ガラス基板Ｇの端部を研削する際、図４に示すガラス基板Ｇの断面視において、端部の最先端（図４では、上端）から主表面に対して平行方向にＬ＝５０μｍの距離における端部の主表面に対して直交方向（図４中、左右方向）の幅Ｗ１が２３０μｍ以上であることが研削加工の別の条件となる。
【００４３】
上記手順１Ａ〜５Ａ、手順１Ｂ〜５Ｂエッチング処理において、エッチング液が左側方からガラス基板Ｇの左側面に吹き付けられると、ガラス基板Ｇの左側（マスク側と反対側）の主表面がエッチングされる。その際、エッチング液は、重力によりガラス基板の主表面を伝わって下方に流れる。そして、ガラス基板Ｇの最先端（図５（Ａ）ではガラス基板Ｇの端部Ｇ１）においては、エッチング液は表面張力と粘性との作用（ティーポット現象とも言う。）によりガラス基板Ｇの左側面（左側の主表面）から所定の曲率半径Ｒに研削された曲面に沿ってガラス基板Ｇの右側面（右側の主表面）に向かう流れとなる。
【００４４】
また、ガラス基板Ｇの右側面（右側の主表面）に貼着されたフィルムＦの下端がガラス基板Ｇの端部Ｇ１の最先端より下方に突出している。そのため、ガラス基板Ｇの端部Ｇ１より右側面（右側の主表面）に回り込んだエッチング液は、ガラス基板Ｇの右側面（右側の主表面）より下方にはみ出したフィルムＦにより流れが堰き止められる。その結果、ガラス基板Ｇの端部Ｇ１に流れたエッチング液は、ガラス基板Ｇの幅方向（厚さ方向）の略中心から下方に落下する。
【００４５】
図５（Ｂ）に示されるように、ガラス基板Ｇの端部Ｇ１におけるエッチング液の流れがガラス基板Ｇの端部Ｇ１の全体に生じることにより、曲面形状に研削された端面は、全体的にほぼ同じエッチング量でスリミング加工される。そのため、スリミング加工されたガラス基板Ｇの端部Ｇ１は、エッチング液が吹き付けられた左側面のみがエッチングされて端面が尖った形状（図１（Ｂ）参照）にならず、端部Ｇ１全体が均等にエッチングされて曲面形状となる。
【００４６】
このように、エッチング処理が終了した後のガラス基板Ｇの端部Ｇ１の形状が曲面形状になるため、ガラス基板Ｇの端部Ｇ１の剛性が高まり、フィルムＦのはみ出し部分を切断する工程では、ガラス基板Ｇの端部Ｇ１が欠けにくくなる。
【００４７】
ここで、ガラス基板Ｇの端部形状によるエッチング処理の試験結果について表１〜表３を参照して説明する。
【００４８】
【表１】
2015124128.tif 000003
表１は、第１、第２基準線Ｋ１、Ｋ２間の距離をＬ＝２５μｍ（図４参照）に設定した場合の比較例１及び実施例１〜９の各サンプルＮｏ．１〜８についてエッチング処理後の工程でガラス基板Ｇの端部Ｇ１が欠けるか否かを試験した結果を示す。尚、実施例１〜９は、それぞれ研削条件（例えば、砥石の圧力、砥石の回転数、砥石の材質など）が異なる場合の一例であり、任意の研削条件に基づいて加工される。
【００４９】
上記表１において、実施例１〜９は、図４に示した幅Ｗ１、Ｗ２の比（Ｗ１／Ｗ２）が４０％〜９０％であり、且つ、ガラス基板Ｇの端面（最先端を含む）の曲率半径Ｒが１６０μｍ以上で研削されたガラス基板Ｇについて試験したものである。また、表１に示す比較例１は、幅Ｗ１、Ｗ２の比（Ｗ１／Ｗ２）が３４％以下であり、且つ、曲率半径Ｒが１３０μｍ以下のものである。エッチング処理後の試験結果は、比較例１はガラス基板Ｇの端部が欠けるなどしてＮＧ（不良）であった。これに対し、実施例１〜９はガラス基板Ｇの端部が欠けことがなく、ＯＫ（合格）であった。
【００５０】
上記表１において、比較例１と実施例１〜９の各サンプルＮｏ．１〜８の端面曲率半径Ｒを計測した結果から、ガラス基板Ｇのエッチング処理後ＯＫとなる曲率半径Ｒの最小値は１６０μｍであり、多くはＷ１＝１９４μｍ以上であった。この結果より、エッチング処理前のガラス基板Ｇの端面形状は、曲率半径Ｒの最小値が、１６０μｍ以上あることが好ましく、さらには、１９０μｍ以上あることが望ましいことがわかる。また、エッチング処理前のガラス基板Ｇの端部形状は、曲率半径Ｒの最大値が４４３μｍ以下の実績となっている。
【００５１】
【表２】
2015124128.tif 000004
表２は、第１、第２基準線Ｋ１、Ｋ２間の距離をＬ＝２５μｍ（図４参照）に設定した場合の比較例１及び実施例１〜９の各サンプルＮｏ．１〜８についてエッチング処理後の工程で幅Ｗ１及び幅Ｗ１、Ｗ２の比Ｗ１／Ｗ２との関係からガラス基板Ｇの端部が欠けるか否かを試験した結果を示す。上記表２において、比較例１と実施例１〜９の各サンプルＮｏ．１〜８のガラス基板Ｇの頂点（最先端）からＬ＝２５μｍの位置における幅Ｗ１を計測した結果から、エッチング処理後の工程でＮＧ（不良）となった比較例１の幅Ｗ１の最大値は１３６μｍで、エッチング処理後の工程でＯＫ（合格）となった実施例１〜９の幅Ｗ１の最小値は１５８μｍであった。また、表２において、比較例１と実施例１〜９の各サンプルＮｏ．１〜８のガラス基板Ｇの幅Ｗ１、Ｗ２の比（Ｗ１／Ｗ２）は、エッチング処理後の工程でＮＧ（不良）となった比較例１の最大値が３４％、エッチング処理後の工程でＯＫ（合格）となった最小値が３８％であった。これらの結果から、幅Ｗ１、Ｗ２の比（Ｗ１／Ｗ２）は、少なくとも３８％以上必要で、好ましくは４０％以上が好ましいことがわかる。
【００５２】
またガラス基板Ｇの幅Ｗ１、Ｗ２の比（Ｗ１／Ｗ２）の上限は、ハンドリングなどによる端部エッジの欠けなどの問題から、曲率半径Ｒが５０μｍ程度以上に研削加工されることが望ましく、ガラス基板Ｇの幅Ｗ１、Ｗ２の比（Ｗ１／Ｗ２）が９０％以下であることが望ましいと判断できる。
【００５３】
よって、図４に示した幅Ｗ１、Ｗ２の比（Ｗ１／Ｗ２）が４０％〜９０％であり、且つ、ガラス基板Ｇの幅Ｗ１が１６０μｍ以上で研削されたガラス基板Ｇであれば、エッチング処理後の工程で端部が欠けることがない。
【００５４】
【表３】
2015124128.tif 000005
表３は、第１、第２基準線Ｋ１、Ｋ２間の距離をＬ＝５０μｍ（図４参照）に設定した場合の比較例１及び実施例１〜９の各サンプルＮｏ．１〜８についてエッチング処理後の工程で幅Ｗ１及び幅Ｗ１、Ｗ２の比Ｗ１／Ｗ２との関係からガラス基板Ｇの端部が欠けるか否かを試験した結果を示す。
【００５５】
上記表３において、比較例１と実施例１〜９の各サンプルＮｏ．１〜８のガラス基板Ｇの頂点（最先端）からＬ＝５０μｍの位置における幅Ｗ１を計測した結果から、エッチング処理後の工程でＮＧ（不良）となった比較例１の距離（幅）Ｗ１の最大値は１８６μｍで、エッチング処理後の工程でＯＫ（合格）となった実施例１〜９の幅Ｗ１の最小値は２２７μｍであった。また、表３において、比較例１と実施例１〜９の各サンプルＮｏ．１〜８のガラス基板Ｇの幅Ｗ１、Ｗ２の比（Ｗ１／Ｗ２）は、エッチング処理後の工程でＮＧ（不良）となった最大値が４６％、エッチング処理後の工程でＯＫ（合格）となった最小値が５５％であった。これらの結果から、ガラス基板Ｇの幅Ｗ１、Ｗ２の比（Ｗ１／Ｗ２）は、少なくとも４６％以上必要で、好ましくは５５％以上が好ましいことがわかる。
【００５６】
またガラス基板Ｇの幅Ｗ１、Ｗ２の比（Ｗ１／Ｗ２）の上限は、ハンドリングなどによる端部エッジの欠けなどの問題から、曲率半径Ｒが５０μｍ程度以上に研削加工されることが望ましく、ガラス基板Ｇの幅Ｗ１、Ｗ２の比（Ｗ１／Ｗ２）が７０％以下であることが望ましいと判断できる。
【００５７】
よって、図４に示した幅Ｗ１、Ｗ２の比（Ｗ１／Ｗ２）が５５％〜７０％であり、且つ、ガラス基板Ｇの幅Ｗ１が２５９μｍ以上で研削されたガラス基板Ｇであれば、エッチング処理後の工程で端部が欠けることがない。
【００５８】
このような計測結果に基づいて、第１、第２基準線Ｋ１、Ｋ２間の距離をＬ＝５０μｍ（図４参照）に設定した場合の上記幅Ｗ１、Ｗ２の比（Ｗ１／Ｗ２）が５５％〜７０％となることが好ましい。また、ガラス基板Ｇの端部の距離（幅）Ｗ１は、２３０μｍ〜２８０μｍに研削されることが好ましい。
【００５９】
尚、エッチング処理における、エッチング液の吹き付け時間、あるいはエッチング液の供給量などの条件は、ガラス基板Ｇの基材から削減されるエッチング量に応じて適宜選択されるものである。
【符号の説明】
【００６０】
Ｆ  フィルム
Ｇ  ガラス基板
Ｋ１  第１基準線
Ｋ２  第２基準線
Ｊ  輪郭線
Ｌ  距離
Ｒ  曲率半径
Ｗ１  幅（距離）
Ｗ２  幅（厚さ）
【図１】
2015124128.tif 000006
【図２】
2015124128.tif 000007
【図３】
2015124128.tif 000008
【図４】
2015124128.tif 000009
【図５】
2015124128.tif 000010