(57)【要約】【課題】主に、２次元面発光レーザアレイの全体としての長寿命化を図り得るようにする。【解決手段】  複数の面発光レーザ素子２１を電気的に直列に接続して成る直列接続素子部２２を、複数備えた２次元面発光レーザアレイ２０に対し、  上記各直列接続素子部２２を、それぞれ個別にパルス駆動できるようにした制御回路部５０を備えた２次元面発光レーザアレイ発光装置に関する。  上記制御回路部５０が、上記各直列接続素子部２２の動作電流をモニターし、モニターによって得られた動作電流に応じて、上記各直列接続素子部２２が平均的に劣化するように、各直列接続素子部２２の動作電流のパルスデューティーを個別に調整する。【選択図】図１
2015018981.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の面発光レーザ素子を電気的に直列に接続して成る直列接続素子部を、複数備えた２次元面発光レーザアレイに対し、
前記各直列接続素子部をそれぞれ個別にパルス駆動できるようにした制御回路部を備えた２次元面発光レーザアレイ発光装置において、
前記制御回路部が、前記各直列接続素子部の動作電流をモニターし、モニターによって得られた動作電流に応じて、前記各直列接続素子部が平均的に劣化するように、各直列接続素子部の動作電流のパルスデューティーを個別に調整することを特徴とする２次元面発光レーザアレイ発光装置。
【請求項２】
前記制御回路部が、
モニターの結果、動作電流が大きかった直列接続素子部の動作電流を下げると共に、
モニターの結果、動作電流が小さかった直列接続素子部の動作電流を上げることにより、
動作電流が大きかった直列接続素子部の劣化の進行を抑制する劣化抑制制御部を備えたことを特徴とする請求項１に記載の２次元面発光レーザアレイ発光装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は、例えば、ワットクラスの高出力レーザ光源などとして使用される２次元面発光レーザアレイ発光装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
複数の面発光レーザ素子を電気的に直列に接続して成る直列接続素子部（アレイ素子）を、複数備えた２次元面発光レーザアレイが知られている（例えば、特許文献１参照）。
この２次元面発光レーザアレイでは、中央部に位置する直列接続素子部ほど、動作中の温度が高くなることを利用して、中央部から周辺部へ向かって直列接続素子部の電気抵抗が低くなるように配列している。
そして、温度が高くなる中央部で、直列接続素子部に流れる電流を小さくすることにより、直列接続素子部の寿命の平均化を図るようにしている。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
しかしながら、上記特許文献１に記載された２次元面発光レーザアレイには、以下のような問題があった。
即ち、実際の直列接続素子部の寿命は、温度や駆動する電流値にきれいに依存するものではなく、或る程度のバラツキを持っている。例えば、直列接続素子部の温度特性を決めるキャビティやディチューニング等の様な、各種のパラメータのウェハ面内分布の影響等を受ける。
よって、２次元面発光レーザアレイの温度勾配に応じて、予め直列接続素子部を駆動する動作電圧や動作電流を決めておいたのでは、２次元面発光レーザアレイの中で各直列接続素子部の寿命を均一化することは難しい。
【０００４】
そこで、本発明は、上記した問題点を解決するために、実際の直列接続素子部の劣化状況を見て、各直列接続素子部に対する駆動状態を変えるようにすることにより、２次元面発光レーザアレイの寿命を延ばすことを、主な目的としている。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
上記課題を解決するために、本発明は、
複数の面発光レーザ素子を電気的に直列に接続して成る直列接続素子部を、複数備えた２次元面発光レーザアレイに対し、
前記各直列接続素子部をそれぞれ個別にパルス駆動できるようにした制御回路部を備えた２次元面発光レーザアレイ発光装置に関する。
そして、前記制御回路部が、前記各直列接続素子部の動作電流をモニターし、モニターによって得られた動作電流に応じて、前記各直列接続素子部が平均的に劣化するように、前記各直列接続素子部の動作電流のパルスデューティーを個別に調整することを特徴とする。
【発明の効果】
【０００６】
本発明によれば、上記構成によって、以下のような作用効果を得ることができる。
即ち、２次元面発光レーザアレイ発光装置では、制御回路部が、２次元面発光レーザアレイの複数の各直列接続素子部を、それぞれ個別にパルス駆動できるようになっている。
そこで、制御回路部は、各直列接続素子部の動作電流をモニターし、モニターによって得られた動作電流に応じて、各直列接続素子部が平均的に劣化するように、各直列接続素子部の動作電流のパルスデューティーを個別に調整する。
このように、各直列接続素子部ごとに動作電流をモニターし、モニターによって得られた動作電流に応じて、動作電流のパルスデューティーを個別に調整し、各直列接続素子部が平均的に劣化されるように制御することにより、各直列接続素子部がバラ付きを有していても、バラ付きの影響も含めて２次元面発光レーザアレイの劣化状況を管理することが可能となる。その結果、各直列接続素子部を最大限に有効活用することが可能となり、その分、２次元面発光レーザアレイの全体としての長寿命化を図ることができる。
【図面の簡単な説明】
【０００７】
【図１】本発明の実施例にかかる２次元面発光レーザアレイ発光装置の全体系統図である。
【図２】図１の２次元面発光レーザアレイ発光装置を駆動する駆動パルスの基本的な状態を示すタイムチャートである。
【図３】図１の２次元面発光レーザアレイ発光装置の動作電流の基本的な状態を示すタイムチャートである。
【図４】図１の記憶装置に記憶された、駆動装置の各駆動回路ごとの駆動電流の一例を示す表である。
【図５】図１の２次元面発光レーザアレイの構成を示す断面図である。
【図６】図５のｎ電極周辺の部分拡大断面図である。
【図７】動作電流のパルスデューティーが個別に調整された状態を示す、図２と同様のタイムチャートである。
【図８】図１の劣化抑制制御部の作動の状態を示すフローチャートである。
【発明を実施するための形態】
【０００８】
以下、本実施の形態、および、それを具体化した実施例を、図面を用いて詳細に説明する。
図１〜図８は、この実施の形態の実施例およびその変形例を示すものである。
【実施例１】
【０００９】
＜構成＞以下、構成について説明する。
図１に示すように、この実施例の２次元面発光レーザアレイ発光装置１０は、２次元面発光レーザアレイ２０と、この２次元面発光レーザアレイ２０を電気的に駆動する駆動装置３０と、を備えている。また、２次元面発光レーザアレイ２０からの光を受光する受光素子４０（受光手段）と、この受光素子４０の検出値に基いて２次元面発光レーザアレイ２０の光量が所望の値となるように上記駆動装置３０を制御する制御回路部５０（光量制御装置）と、を備えている。更に、この制御回路部５０に接続されて、駆動装置３０の駆動電流などを記憶する記憶装置６０を備えている。
【００１０】
ここで、上記についての補足説明を行う。なお、補足説明については、必要に応じて参照すれば良い。
【００１１】
上記した「２次元面発光レーザアレイ発光装置１０」は、文字通り、２次元面発光レーザアレイ２０を発光させるための装置のことである。
【００１２】
上記した「２次元面発光レーザアレイ２０」は、例えば、ワットクラスの高出力レーザ光源などとして使用されるものである。この２次元面発光レーザアレイ２０は、複数個（例えば、ｎ個）の面発光レーザ素子２１を電気的に直列に接続して成る直列接続素子部２２を、複数個（例えば、ｍ個）備えたものとされる。
【００１３】
この場合、直列接続素子部２２は、例えば、上記した面発光レーザ素子２１を１００個直列に接続したものなどとされる（ｎ＝１００）。具体的には、先頭の面発光レーザ素子２１（００１）のｐ電極（必要な場合には、図５のｐ電極１１１を参照）が、駆動装置３０に接続される。また、２つ目以降の面発光レーザ素子２１のｐ電極が、１つ前の面発光レーザ素子２１のｎ電極（必要な場合には、図５のｎ電極１１２を参照）に接続される。そして、最後の面発光レーザ素子２１（１００）のｎ電極がグラウンドに接続される。但し、直列接続素子部２２における面発光レーザ素子２１の接続個数は、１００個に限るものではない。
【００１４】
また、２次元面発光レーザアレイ２０は、例えば、上記した直列接続素子部２２を１００個並列に接続したものなどとされる（ｍ＝１００）。但し、２次元面発光レーザアレイ２０における、直列接続素子部２２の接続個数は、１００個に限るものではない。
【００１５】
なお、２次元面発光レーザアレイ２０の具体的な構造については、後述する。
【００１６】
上記した「駆動装置３０」は、各直列接続素子部２２をそれぞれ駆動する（動作電流または駆動電流を供給する）ための駆動回路３１を、各直列接続素子部２２の数に応じた数だけ（例えば、ｍ個）有するものとされる。この場合、駆動回路３１は、複数（例えば、ｍ＝１００）設けられている。
【００１７】
駆動装置３０の各駆動回路３１は、各直列接続素子部２２をそれぞれパルス駆動するものである。例えば、瞬間的に高いエネルギーが必要となる場合には、図２に示すように、全ての直列接続素子部２２に対するパルスの位相を合わせて、同時刻に駆動パルスを立ち上げるようにし、以って、全ての直列接続素子部２２を同時に点灯開始させるようにする。この場合、駆動パルスは、２０ｍｓで、駆動パルスのパルスデューティーは、１．０％などとされる。
【００１８】
上記した「受光素子４０」には、例えば、フォトダイオード（ＰＤ）などが用いられる。２次元面発光レーザアレイ発光装置１０と受光素子４０との間には、例えば、図示しないビームスプリッタやＮＤフィルタなどが介在されて、一定の割合で減光されるようになっている。なお、２次元面発光レーザアレイ発光装置１０の光量と、受光素子４０の出力電圧との相関関係は、予め設定されて、記憶されている。
【００１９】
上記した「制御回路部５０」は、モニターした受光素子４０の出力電圧に基いて、２次元面発光レーザアレイ発光装置１０の光量が所望の値となるように、動作電流を決定し、駆動装置３０の各駆動回路３１へ制御信号を送るようになっている。例えば、制御回路部５０は、図３に示すように、１μｓ周期で、各直列接続素子部２２を順次点灯させるようにする。そして、各直列接続素子部２２の動作電流は、受光素子４０の出力電圧に基いて決定される。
【００２０】
上記した「記憶装置６０」は、図４に示すように、駆動装置３０の各駆動回路３１ごとに、上記した動作電流の絶対値や、初期値から現在値までの増加量などを記憶するものである。記憶装置６０は、２次元面発光レーザアレイ発光装置１０の内部記憶装置としても良いし、外部記憶装置としても良い。この場合には、内部記憶装置としている。
【００２１】
以下、上記した２次元面発光レーザアレイ２０（図１）の具体的な構造について、図５を用いて説明する。
【００２２】
この２次元面発光レーザアレイ２０は、基板１０１の上に、バッファ層１０２、下部半導体ＤＢＲ１０３、下部スペーサ層１０４、活性層１０５を形成したものとされている。そして、活性層１０５の上に、上部スペーサ層１０６、上部半導体ＤＢＲ１０７、コンタクト層１０９、誘電体膜１１０、ｐ電極１１１等を形成したものとされている。また、上部半導体ＤＢＲ１０７には、被選択酸化層１０８が形成されている。被選択酸化層１０８は、メサ１２０（面発光レーザ素子２１）の周辺部において選択酸化がなされている電流狭窄領域１０８ａと、中心部において酸化がされていない電流通過領域１０８ｂと、を有している。隣接する面発光レーザ素子２１は素子分離領域１２１で電気的に絶縁され、ｎ電極１１２は下部半導体ＤＢＲ１０３に導通を取っている。面発光レーザ素子を直列に接続する場合には、電極配線１２２によってｐ電極１１１とｎ電極１１２とが接続される。
【００２３】
ここで、「基板１０１」は、ｎ−ＧａＡｓ基板により形成されている。「バッファ層１０２」は、基板１０１の上に形成されており、ノンドープＧａＡｓ層により形成されている。
【００２４】
「下部半導体ＤＢＲ１０３」は、バッファ層１０２の上に形成されている。発振波長をλとした場合、光学的厚さがλ／４となる膜厚のノンドープＡｌ０．９Ｇａ０．１Ａｓからなる低屈折率層と、光学的厚さがλ／４となる膜厚のノンドープＡｌ０．３Ｇａ０．７Ａｓからなる高屈折率層と、をペアにしたものが、４０．５ペア分、積層形成されている。この場合、下層側から、ノンドープＡｌ０．９Ｇａ０．１Ａｓから始まるように積層形成されている。最上層の１ペアはコンタクト層を含んでいるが、これについては後述する。
【００２５】
「下部スペーサ層１０４」は、下部半導体ＤＢＲ１０３の上に形成されており、ノンドープのＡｌ０．６Ｇａ０．４Ａｓにより形成されている。
「活性層１０５」は、下部スペーサ層１０４の上に形成されており、Ａｌ０．１５Ｇａ０．８５Ａｓ／Ａｌ０．３Ｇａ０．７Ａｓからなる３重量子井戸構造の活性層により形成されている。
「上部スペーサ層１０６」は、活性層１０５の上に形成されており、ノンドープのＡｌ０．６Ｇａ０．４Ａｓにより形成されている。
なお、下部スペーサ層１０４、活性層１０５及び上部スペーサ層１０６からなる部分は、共振器構造体とも呼ばれており、その厚さが１波長の光学的厚さとなるように形成されている。また、活性層１０５は、高い誘導放出確率が得られるように、電界の定在波分布における腹に対応する位置となる共振器構造体の中央に設けられている。
【００２６】
「上部半導体ＤＢＲ１０７」は、上部スペーサ層１０６の上に形成されており、ｐ−Ａｌ０．９Ｇａ０．１Ａｓからなる低屈折率層と、ｐ−Ａｌ０．３Ｇａ０．７Ａｓからなる高屈折率層と、をペアとするものが、２５ペア分、積層形成されている。また、高屈折率層と低屈折率層との間には、電気抵抗を低減するため、一方の組成から他方の組成へ向かって組成を徐々に変化させた組成傾斜層が設けられている。尚、高屈折率層及び低屈折率層の膜厚は、いずれも隣接する組成傾斜層の１／２を含み、光学的厚さがλ／４となるように形成されている。
【００２７】
また、上部半導体ＤＢＲ１０７における低屈折率層の１つには、厚さ３０ｎｍのＡｌＡｓにより形成された「被選択酸化層１０８」が形成されている。
「コンタクト層１０９」は、上部半導体ＤＢＲ１０７の上に形成されており、ｐ−ＧａＡｓにより形成されている。
【００２８】
次に、図６に、図５の丸印の部分（ｎ電極１１２周辺）を拡大したものを示す。符号１２１は水素イオン注入で高抵抗化された素子分離領域である。イオン注入はノンドープＤＢＲに達するまで行われ、隣接する面発光レーザ素子同士を電気的に絶縁している。下部半導体ＤＢＲ１０３の１層目はｎ−Ａｌ０．９Ｇａ０．１Ａｓ層１０３−１−１とノンドープＡｌ０．３Ｇａ０．７Ａｓ層１０３−１−２とから成る。そして、２つの層の間に、ｎ電極１１２のコンタクト層としてｎ＋＋ＧａＡｓ層１０３−１−３を２０〜３０ｎｍ形成している。ｎ−Ａｌ０．９Ｇａ０．１Ａｓ層１０３−１−１は電気抵抗を下げるため、λ／４の奇数倍に厚く形成しても良い。下部半導体ＤＢＲ１０３の２層目以降はノンドープＡｌ０．９Ｇａ０．１Ａｓ層１０３−２−１とノンドープＡｌ０．３Ｇａ０．７Ａｓ層１０３−２−２とから構成される。
【００２９】
そして、以上のような、複数の面発光レーザ素子２１を電気的に直列に接続して成る直列接続素子部２２を、複数備えた２次元面発光レーザアレイ２０に対し、
上記各直列接続素子部２２をそれぞれ個別にパルス駆動できるようにした制御回路部５０を備えた２次元面発光レーザアレイ発光装置において、
この実施例のものでは、以下のような構成を備えるようにしている。
【００３０】
（構成その１）
上記制御回路部５０が、上記各直列接続素子部２２の動作電流をモニターし、
モニターによって得られた動作電流に応じて、上記各直列接続素子部２２が平均的に劣化するように、上記各直列接続素子部２２の動作電流のパルスデューティーを個別に調整するものとされる。
【００３１】
（補足説明その１）
ここで、上記した「モニターによって得られた動作電流」は、例えば、図４に示したようなものである。なお、図４については、後述する。
【００３２】
上記した「平均的に劣化」は、各直列接続素子部２２の劣化の進行具合が、それぞれほぼ等しくなるようにすることである。あるいは、各直列接続素子部２２がほぼ同時に劣化し切るように使用されることである。
【００３３】
上記した「パルスデューティー」は、例えば、図７に示すようなものである。なお、図７については、後述する。
【００３４】
（構成その２）
そして、上記制御回路部５０が、
モニターの結果、動作電流が大きかった直列接続素子部２２の動作電流を下げると共に、
モニターの結果、動作電流が小さかった直列接続素子部２２の動作電流を上げることにより、
動作電流が大きかった直列接続素子部２２の劣化の進行を抑制する劣化抑制制御部５１を備えるようにする。
【００３５】
（補足説明その２）
ここで、上記した「動作電流が大きかった直列接続素子部２２」は、最も動作電流が大きい１個の直列接続素子部２２（ワースト１）、または、複数個の直列接続素子部２２（例えば、ワースト１０）などとすることができる。但し、複数個の直列接続素子部２２は、１０個に限るものではない。
【００３６】
上記した「動作電流を下げる」は、例えば、パルスデューティーを１．０％から０．５％に下げることなどである。但し、パルスデューティーの下げ幅は、０．５％に限るものではない。
【００３７】
上記した「動作電流が小さかった直列接続素子部２２」は、最も動作電流が小さい１個の直列接続素子部２２（ベスト１位）、または、複数個の直列接続素子部２２（例えば、ベスト１０位のもの）などとすることができる。但し、複数個の直列接続素子部２２は、１０個に限るものではない。
【００３８】
上記した「動作電流を上げる」は、例えば、パルスデューティーを１．０％から１．５％に上げることなどである。但し、パルスデューティーの上げ幅は、０．５％に限るものではない。
【００３９】
例えば、図４の場合には、最も動作電流が大きい直列接続素子部２２（００２）のパルスデューティーを１．０％から０．５％に下げる。また、最も動作電流が小さい１個の直列接続素子部２２（０８８）のパルスデューティーを１．０％から１．５％に上げる。そして、図７のように制御し、１パルス時間（この場合には、２０ｍｓ）当たりの積算エネルギーが一定になるようにする。
【００４０】
なお、動作電流を上げる直列接続素子部２２と動作電流を下げる直列接続素子部２２とは、上記したように、１対１としても良いし、１対多としても良いし、多対多としても良い。そして、動作電流は、概ね下げた分だけ上がるようにして、２次元面発光レーザアレイ２０の光量が所望範囲内に保持されるようにする。
【００４１】
このような、各直列接続素子部２２に対する動作電流の個別の制御は、２次元面発光レーザアレイ発光装置１０に対する電源投入時や、または、予めタイマーなどに設定した一定の期間ごとに行わせるようにする。なお、タイマーは、制御回路部５０の内部に備えられたものを使用する。
【００４２】
上記した「劣化の進行を抑制する」は、劣化が最も進んだ直列接続素子部２２が、他の直列接続素子部２２に先行して劣化し切ってしまわないようにすることである。
【００４３】
上記した「劣化抑制制御部５１」は、上記したように、各直列接続素子部２２が平均的に劣化されるように、各直列接続素子部２２の動作電流を制御・調整するものであり、２次元面発光レーザアレイ２０の寿命を長くするもの（長寿命化回路部）である。劣化抑制制御部５１は、制御回路部５０の内部に、ソフトウェア的に、または、ハードウェア的に設けられる。
【００４４】
図８は、劣化抑制制御部５１の作動の状態を示すフローチャートである。このフローチャートでは、制御が開始されると、まず、ステップＳ１で、タイマーに劣化抑制制御部５１が作動する期間がセットされる。
【００４５】
次に、ステップＳ２で、タイマーのカウントダウンが行われると共に、タイマーが０になったかどうかが判断される。
【００４６】
タイマーが０になっていない場合には、タイマーが０になるまでステップＳ２を繰り返し（カウントダウンを行い）、待機する。
【００４７】
タイマーが０になると、ステップＳ３で、駆動装置３０における駆動回路３１の番号のうち一番若いもの（００１）をセットする。そして、ステップＳ４で、セットされた番号を有する駆動回路３１の動作電流をモニターし、記憶装置６０に記憶し、番号に１を加えて繰り上げを行う（カウントアップ）。
【００４８】
次に、ステップＳ５で、繰り上げられた番号が、駆動回路３１の総数（ｍ＝１００）を越えたかどうかが判断される。
【００４９】
越えていない場合には、越えるまでステップＳ４（動作電流のモニターと、記憶装置６０への記憶と、駆動回路３１の番号のカウントアップと）を繰り返す。
【００５０】
上記した番号が駆動回路３１の総数を越えると、ステップＳ６で、全ての駆動回路３１の動作電流をソートし、例えば、最も動作電流が大きい１個の直列接続素子部２２（ワースト１）の動作電流のパルスデューティーを１．０％から０．５％に下げる。そして、最も動作電流が小さい１個の直列接続素子部２２（ベスト１位）の動作電流のパルスデューティーを１．０％から１．５％に上げる。以上により、１つの（作動）期間の動作が終了する。
【００５１】
最後に、ステップＳ７で、２次元面発光レーザアレイ発光装置１０の動作が終了したかどうかが判断され、動作が終了していない場合には、ステップＳ１へ戻って、新たな期間を立ち上げて、上記を繰り返し行う。
【００５２】
そして、２次元面発光レーザアレイ発光装置１０の動作が終了した場合には、制御を終了する。
【００５３】
＜作用＞以下、この実施例の作用について説明する。
２次元面発光レーザアレイ発光装置では、制御回路部５０が、駆動装置３０に制御信号を送って、２次元面発光レーザアレイ２０へ動作電流を出力させ、２次元面発光レーザアレイ２０を発光させる。
【００５４】
そして、２次元面発光レーザアレイ２０が発光した光は、受光素子４０が受光して、制御回路部５０に検出値を送る。制御回路部５０は、受光素子４０からの検出値に基いて、駆動装置３０へ送る制御信号を調整する。これにより、２次元面発光レーザアレイ２０の光量が所望の範囲に保持されるように制御が行われる。
【００５５】
この際、２次元面発光レーザアレイ発光装置では、制御回路部５０が、２次元面発光レーザアレイ２０の複数の各直列接続素子部２２を、それぞれ個別にパルス駆動できるようになっている。また、制御回路部５０は、記憶装置６０に制御回路部５０の各駆動回路３１の動作電流を記憶させるようにする。
【００５６】
＜効果＞この実施例によれば、以下のような効果を得ることができる。
（効果その１）
制御回路部５０は、各直列接続素子部２２の動作電流をモニターし、モニターによって得られた動作電流に応じて、各直列接続素子部２２が平均的に劣化するように、上記各直列接続素子部２２の動作電流のパルスデューティーを個別に調整する。
これにより、各直列接続素子部２２がバラ付きを有していても、バラ付きの影響も含めて２次元面発光レーザアレイ２０の劣化状況を管理することが可能となる。その結果、各直列接続素子部２２を最大限に有効活用することが可能となり、その分、２次元面発光レーザアレイ２０の全体としての長寿命化を図ることができる。
これに対し、各直列接続素子部２２のバラ付きの影響を考慮しない場合には、劣化し切っていない直列接続素子部２２を多数残した状態で、２次元面発光レーザアレイ２０の寿命が尽きてしまう可能性が高い。
【００５７】
（効果その２）
２次元面発光レーザアレイ２０は、劣化が進むに連れて動作電流が上がることが分かっている。そこで、各直列接続素子部２２の動作電流をモニターすることで、各直列接続素子部２２の劣化の進行具合が分かることになる。劣化が進行した直列接続素子部２２は、そのまま使い続けると、さらに劣化の進行が進み、最終的に、その直列接続素子部２２が劣化し切った時点で、２次元面発光レーザアレイ２０が機能しなくなってしまう。よって、他の直列接続素子部２２と比べて動作電流が高くなった直列接続素子部２２については、できるだけ劣化が進行しないように、動作電流を下げることが、２次元面発光レーザアレイ２０の寿命を延ばすためには効果的である。
【００５８】
そこで、制御回路部５０に備えられた劣化抑制制御部５１が、モニターの結果、動作電流が大きかった直列接続素子部２２の動作電流を下げると共に、下げた分だけ、動作電流が小さかった直列接続素子部２２の動作電流を上げるようにする。これにより、動作電流が大きかった直列接続素子部２２の劣化の進行を抑制すると共に、動作電流が小さく劣化の進行が少ない直列接続素子部２２を使用して、必要な光量を確保させることができる。その結果、直列接続素子部２２の劣化を平均化して、２次元面発光レーザアレイ２０全体としての長寿命化を具体的に図ることが可能となる。
【００５９】
以上、この発明の実施例を図面により詳述してきたが、実施例はこの発明の例示にしか過ぎないものである。よって、この発明は実施例の構成にのみ限定されるものではなく、この発明の要旨を逸脱しない範囲の設計の変更等があってもこの発明に含まれることは勿論である。また、例えば、各実施例に複数の構成が含まれている場合には、特に記載がなくとも、これらの構成の可能な組合せが含まれることは勿論である。また、複数の実施例や変形例がこの発明のものとして開示されている場合には、特に記載がなくとも、これらに跨がった構成の組合せのうちの可能なものが含まれることは勿論である。また、図面に描かれている構成については、特に記載がなくとも、含まれることは勿論である。更に、「等」の用語がある場合には、同等のものを含むという意味で用いられている。また、「ほぼ」「約」「程度」などの用語がある場合には、常識的に認められる範囲や精度のものを含むという意味で用いられている。
【符号の説明】
【００６０】
１０   ２次元面発光レーザアレイ発光装置
２０   ２次元面発光レーザアレイ
２１   面発光レーザ素子
２２   直列接続素子部
３０   駆動装置
３１   駆動回路
４０   受光素子
５０   制御回路部
５１   劣化抑制制御部
６０   記憶装置
【先行技術文献】
【特許文献】
【００６１】
【特許文献１】特開２０１２−２８４１２号公報
【図１】
2015018981.tif 000003
【図２】
2015018981.tif 000004
【図３】
2015018981.tif 000005
【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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