(57)【要約】【課題】補正処理時間の短縮を図ること。【解決手段】設計支援装置１００は、関係情報１１２と第１セルデータ１１１−１とに基づいて、マスクパターンｍｐがある位置の各々に光源がある場合における複数の位置の各々の光の強度を示す分布情報１１３を生成する。設計支援装置１００は、マスクパターンｍｐの有無が、分布情報１１３に基づき選択した第１位置ｐ１と異なる第２位置ｐ２であって、第１位置ｐ１との位置関係が所定条件を満たす第２位置ｐ２を特定する。設計支援装置１００は、第２位置ｐ２と第２位置ｐ２と隣接する位置とから、マスクパターンｍｐの有無に基づく第３位置を選択する。設計支援装置１００は、第３位置についてのマスクパターンｍｐの有無が第１セルデータ１１１−１と異なり、第３位置以外の位置についてのマスクパターンｍｐの有無が第１セルデータ１１１−１と同一である第２セルデータ１１１−２を生成する。【選択図】図１
2015187653.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
対象回路における所定間隔の複数の位置の各々について前記対象回路に含まれる所定層のマスクパターンの有無を示す第１セルデータと、光源からの距離と前記光源からの光の強度との関係を示す関係情報を記憶する記憶部にアクセス可能なコンピュータが、
前記記憶部に記憶された前記関係情報と前記第１セルデータとに基づいて、前記複数の位置のうちの前記マスクパターンがある位置の各々に前記光源がある場合における前記複数の位置の各々の前記光の強度を示す分布情報を生成し、
前記複数の位置のうちの生成した前記分布情報に基づき第１位置を選択し、
前記第１セルデータに基づいて、前記複数の位置のうち、前記第１セルデータが示す前記マスクパターンの有無が選択した前記第１位置と異なる第２位置であって、前記第１位置との位置関係が所定条件を満たす第２位置を特定し、
特定した前記第２位置と、前記複数の位置のうちの前記第２位置に隣接する位置と、の各々についての前記第１セルデータが示す前記マスクパターンの有無に基づいて、前記隣接する位置と前記第２位置とのうちのいずれかの第３位置を選択し、
選択した前記第３位置についての前記マスクパターンの有無が前記第１セルデータと異なり、前記複数の位置のうちの前記第３位置以外の位置についての前記マスクパターンの有無が前記第１セルデータと同一である第２セルデータを生成する、
処理を実行することを特徴とする設計支援方法。
【請求項２】
前記所定条件は、前記第１位置と最も近い位置関係であることを特徴とする請求項１に記載の設計支援方法。
【請求項３】
前記第１位置は、前記複数の位置のうちの前記所定層のデザインパターンがない位置のうち、前記分布情報が示す前記光の強度が最も高い位置であることを特徴とする請求項１または２に記載の設計支援方法。
【請求項４】
前記第１位置は、前記複数の位置のうちの前記所定層のデザインパターンがある位置のうち、前記分布情報が示す前記光の強度が最も低い位置であることを特徴とする請求項１または２に記載の設計支援方法。
【請求項５】
対象回路における所定間隔の複数の位置の各々について前記対象回路に含まれる所定層のマスクパターンの有無を示す第１セルデータと、光源からの距離と前記光源からの光の強度との関係を示す関係情報を記憶する記憶部にアクセス可能なコンピュータに、
前記記憶部に記憶された前記関係情報と前記第１セルデータとに基づいて、前記複数の位置のうちの前記マスクパターンがある位置の各々に前記光源がある場合における前記複数の位置の各々の前記光の強度を示す分布情報を生成し、
前記複数の位置のうちの生成した前記分布情報に基づき第１位置を選択し、
前記第１セルデータに基づいて、前記複数の位置のうち、前記第１セルデータが示す前記マスクパターンの有無が選択した前記第１位置と異なる第２位置であって、前記第１位置との位置関係が所定条件を満たす第２位置を特定し、
特定した前記第２位置と、前記複数の位置のうちの前記第２位置に隣接する位置と、の各々についての前記第１セルデータが示す前記マスクパターンの有無に基づいて、前記隣接する位置と前記第２位置とのうちのいずれかの第３位置を選択し、
選択した前記第３位置についての前記マスクパターンの有無が前記第１セルデータと異なり、前記複数の位置のうちの前記第３位置以外の位置についての前記マスクパターンの有無が前記第１セルデータと同一である第２セルデータを生成する、
処理を実行させることを特徴とする設計支援プログラム。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、設計支援方法、および設計支援プログラムに関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、半導体集積回路の製造において、設計パターンと転写パターンとが一致するように、予めマスクパターンを補正しておく光近接効果補正技術が公知である（例えば、以下特許文献１参照。）。また、従来、パターンのコーナー部に特化して光近接効果補正を行う技術が公知である（例えば、以下特許文献２参照。）。
【０００３】
また、従来、光近接効果補正技術を施しても、過補正や補正不足によって転写パターンを設計どおりに形成できないホットスポットと呼ばれる箇所がリソグラフィシミュレーションなどによって検出される。例えば、ホットスポットが検出された場合、光近接効果補正パターンを修正することにより修正したマスクパターンごとにリソグラフィシミュレーションが行われることにより、ホットスポットが未検出となるようなマスクパターンが得られる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特表２００８−５０５３６３号公報
【特許文献２】特開２０００−４７３６１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、例えば修正したマスクパターンごとにリソグラフィシミュレーションが行われると、ホットスポットを解消するためのマスクパターンの補正処理に時間がかかるという問題点がある。
【０００６】
１つの側面では、本発明は、補正処理時間の短縮を図ることができる設計支援方法、および設計支援プログラムを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明の一側面によれば、対象回路における所定間隔の複数の位置の各々について前記対象回路に含まれる所定層のマスクパターンの有無を示す第１セルデータと、光源からの距離と前記光源からの光の強度との関係を示す関係情報を記憶する記憶部にアクセス可能であって、前記記憶部に記憶された前記関係情報と前記第１セルデータとに基づいて、前記複数の位置のうちの前記マスクパターンがある位置の各々に前記光源がある場合における前記複数の位置の各々の前記光の強度を示す分布情報を生成し、前記複数の位置のうちの生成した前記分布情報に基づき第１位置を選択し、前記第１セルデータに基づいて、前記複数の位置のうち、前記第１セルデータが示す前記マスクパターンの有無が選択した前記第１位置と異なる第２位置であって、前記第１位置との位置関係が所定条件を満たす第２位置を特定し、特定した前記第２位置と、前記複数の位置のうちの前記第２位置に隣接する位置と、の各々についての前記第１セルデータが示す前記マスクパターンの有無に基づいて、前記隣接する位置と前記第２位置とのうちのいずれかの第３位置を選択し、選択した前記第３位置についての前記マスクパターンの有無が前記第１セルデータと異なり、前記複数の位置のうちの前記第３位置以外の位置についての前記マスクパターンの有無が前記第１セルデータと同一である第２セルデータを生成する設計支援方法、および設計支援プログラムが提案される。
【発明の効果】
【０００８】
本発明の一態様によれば、補正処理時間の短縮を図ることができる。
【図面の簡単な説明】
【０００９】
【図１】図１は、本発明にかかる設計支援装置による一動作例を示す説明図である。
【図２】図２は、実施の形態にかかる設計支援装置のハードウェア構成例を示すブロック図である。
【図３】図３は、設計支援装置の機能的構成例を示すブロック図である。
【図４】図４は、デザインパターンのセル化例を示す説明図である。
【図５】図５は、マスクパターンのセル化例を示す説明図である。
【図６】図６は、関係情報例を示す説明図である。
【図７】図７は、分布情報生成例を示す説明図（その１）である。
【図８】図８は、分布情報生成例を示す説明図（その２）である。
【図９】図９は、ブリッジエラー例と補正例を示す説明図である。
【図１０】図１０は、光強度のマスキング例を示す説明図である。
【図１１】図１１は、ブリッジエラーの場合の近接ポイント修正例１を示す説明図である。
【図１２】図１２は、ＣＡルール例を示す説明図である。
【図１３】図１３は、ブリッジエラーの場合の近接ポイント修正例２を示す説明図である。
【図１４】図１４は、ネックエラー例を示す説明図である。
【図１５】図１５は、ネックエラーについてのＯＰＣセルデータ例を示す説明図である。
【図１６】図１６は、ネックエラーについての分布情報例を示す説明図である。
【図１７】図１７は、ネックエラーの場合の近接ポイント修正例を示す説明図である。
【図１８】図１８は、閾値判定例を示す説明図である。
【図１９】図１９は、設計支援装置による設計支援処理手順例を示すフローチャートである。
【図２０】図２０は、図１９で示したリペアＯＰＣ補正処理の詳細な説明を示すフローチャート（その１）である。
【図２１】図２１は、図１９で示したリペアＯＰＣ補正処理の詳細な説明を示すフローチャート（その２）である。
【発明を実施するための形態】
【００１０】
以下に添付図面を参照して、本発明にかかる設計支援方法、および設計支援プログラムの実施の形態を詳細に説明する。
【００１１】
図１は、本発明にかかる設計支援装置による一動作例を示す説明図である。設計支援装置１００は、設計の対象回路に含まれる所定層のマスクパターンｍｐの設計を支援するコンピュータである。例えば、所定層としては、メタル層、アクティブ層などが挙げられる。設計支援方法は、設計支援装置１００が設計支援処理を実行することである。
【００１２】
従来、半導体集積回路の加工寸法が微細化し露光波長に近づくと、マスクパターンの形状や大きさ、隣接パターンの影響によって、マスクパターンを忠実にウェハ上に露光できなくなる現象が生じる。この現象を光近接効果と呼ぶ。そこで、露光時の変形を見越して、デザインパターンの形状に応じて、パターンのエッジに段差が付加されたり、別のパターンが加えられたり、パターン幅が変更されるなどの補正を行う。これを光近接効果補正と呼ぶ。光近接効果補正は、以下ＯＰＣ（Ｏｐｔｉｃａｌ  Ｐｒｏｘｉｍｉｔｙ  Ｃｏｒｒｅｃｔｉｏｎ）と称する。デザインパターンにＯＰＣを施すことによって得られるパターンがマスクパターンｍｐである。ＯＰＣにおいて、過補正や補正不足の箇所はリソグラフィシミュレーションなどによってホットスポットとして検出される。ホットスポットとは、フォーカスのずれやドーズ量（露光量）の変動に対するプロセスマージンが得られない箇所である。ホットスポットとして検出された箇所は条件などを変更してリペアＯＰＣを行い、リソグラフィシミュレーションが再度行われる。このように、ホットスポットが未検出になるまでリペアＯＰＣとリソグラフィシミュレーションとが繰り返し行われる。リペアＯＰＣでは、例えば、マスクパターンｍｐに対してパターンエッジの線分移動などが施される。また、ホットスポット付近のマスクパターンｍｐの形状などによっては、修正後のマスクパターンｍｐ形状候補が多数あり、最適な形状が得られない場合がある。また、リペアＯＰＣとリソグラフィシミュレーションを繰り返し実施すると、補正処理に時間がかかる。
【００１３】
そこで、本実施の形態では、マスクパターンがある位置に光源があるとした場合の各位置の光強度によってホットスポット候補を選択し、選択したホットスポット候補の近傍にあるパターンエッジのマスクパターンの有無を切り替えるセルオートマトンを行う。これにより、擬似的に光近接効果を再現させることができ、リソグラフィシミュレーションを行わずにホットスポット候補が選択可能である。そのため、補正処理時間の短縮を図ることができる。また、セルオートマトンを利用した簡単な処理によって一意に最適な形状が得られる。
【００１４】
まず、設計支援装置１００は、記憶部１０１にアクセス可能である。記憶部１０１としては、例えば、後述する図２に示すような、ＲＡＭ（Ｒａｎｄｏｍ  Ａｃｃｅｓｓ  Ｍｅｍｏｒｙ）、ＲＯＭ（Ｒｅａｄ  Ｏｎｌｙ  Ｍｅｍｏｒｙ）、記録媒体、補助記憶装置などが挙げられる。記憶部１０１は、対象回路における所定間隔の複数の位置の各々について対象回路に含まれる所定層のマスクパターンｍｐの有無を示す第１セルデータ１１１−１を記憶する。所定間隔は、例えば、レイアウト設計におけるレイアウトツール上で定義されたピクセルの間隔である。図１の例では、マスクパターンｍｐの有無が“０”と“１”とによって表されるが、特に限定しない。例えば、第１セルデータ１１１−１においては、マスクパターンｍｐがある位置を“１”で表し、第１セルデータ１１１−１においては、マスクパターンｍｐがない位置を“０”で表す。また、記憶部１０１は、光源からの距離と、光源からの光の強度と、の関係を示す関係情報１１２を記憶する。関係情報１１２の具体例は図６を用いて後述する。
【００１５】
設計支援装置１００は、記憶部１０１に記憶された関係情報１１２と第１セルデータ１１１−１とに基づいて、複数の位置のうちのマスクパターンがある位置の各々に光源がある場合における複数の位置の各々の光の強度を示す分布情報１１３を生成する。
【００１６】
つぎに、設計支援装置１００は、複数の位置のうちの生成した分布情報１１３に基づき複数の位置のうちの第１位置ｐ１を選択する。図１の例では、設計支援装置１００は、デザインパターンがない位置のうち、最も光の強度が高い位置を第１位置ｐ１として選択する。デザインパターンは、ＯＰＣ補正前のデザインデータが示すパターンである。デザインパターンがある位置は、光の強度が高いため選択しない。
【００１７】
設計支援装置１００は、第１セルデータ１１１−１に基づいて、複数の位置のうちの第２位置ｐ２を特定する。第２位置ｐ２は、第１セルデータ１１１−１が示すマスクパターンｍｐの有無が選択した第１位置ｐ１と異なる位置であって、第１位置ｐ１との位置関係が所定条件を満たす位置である。所定条件は、第１位置ｐ１と最も近い位置関係である。
【００１８】
つぎに、設計支援装置１００は、第２位置ｐ２と、第２位置ｐ２と隣接する位置との各々についての第１セルデータ１１１−１が示すマスクパターンｍｐの有無に基づいて、隣接する位置と第２位置ｐ２とのうちのいずれかの第３位置を選択する。第２位置ｐ２と、第２位置ｐ２と隣接する位置とは、点線の四角で囲われた位置である。図１の例では、第３位置は第２位置ｐ２である。
【００１９】
設計支援装置１００は、第３位置についてのマスクパターンｍｐの有無が第１セルデータ１１１−１と異なり、第３位置以外の位置についてのマスクパターンｍｐの有無が第１セルデータ１１１−１と同一である第２セルデータ１１１−２を生成する。
【００２０】
このように、擬似的に光近接効果を再現させることによって、リソグラフィシミュレーションを行わずにホットスポット候補が選択可能である。そのため、補正処理時間の短縮を図ることができる。また、セルオートマトンを利用した簡単な処理によって一意に最適な形状が得られる。
【００２１】
（設計支援装置１００のハードウェア構成例）
図２は、実施の形態にかかる設計支援装置のハードウェア構成例を示すブロック図である。図２において、設計支援装置１００は、例えば、ＰＣ（Ｐｅｒｓｏｎａｌ  Ｃｏｍｐｕｔｅｒ）と周辺機器とを有する。例えば、設計支援装置１００は、ＰＣとして、ＣＰＵ２０１（Ｃｅｎｔｒａｌ  Ｐｒｏｃｅｓｓｉｎｇ  Ｕｎｉｔ）と、ＲＡＭ２０２と、ＲＯＭ２０３と、ドライブ装置２０４と、補助記憶装置２０５と、Ｉ／Ｆ装置２０６と、を有する。また、設計支援装置１００は、周辺機器として、記録媒体２０７と、表示装置２０８と、通信装置２０９と、マウス２１１と、キーボード２１０と、を有する。
【００２２】
ここで、ＣＰＵ２０１は、設計支援装置１００の全体の制御を司る。ＲＯＭ２０３は、ブートプログラムなどのプログラムを記憶している。ＲＡＭ２０２は、ＣＰＵ２０１のワークエリアとして使用される。ディスクドライブは、ＣＰＵ２０１の制御にしたがって記録媒体２０７に対するデータのリード／ライトを制御する。記録媒体２０７は、ディスクドライブの制御で書き込まれたデータを記憶する。記録媒体２０７としては、磁気ディスク、光ディスク、フラッシュメモリなどが挙げられる。Ｉ／Ｆ装置２０６は、ＰＣ本体と周辺機器とを接続する。
【００２３】
表示装置２０８は、ＣＰＵ２０１の指示により、データを出力する。通信装置２０９は、通信回線を通じてＬＡＮ（Ｌｏｃａｌ  Ａｒｅａ  Ｎｅｔｗｏｒｋ）、ＷＡＮ（Ｗｉｄｅ  Ａｒｅａ  Ｎｅｔｗｏｒｋ）、インターネットなどのネットワークＮＥＴに接続され、このネットワークＮＥＴを介して他の装置に接続される。そして、通信装置２０９は、ネットワークＮＥＴと内部のインターフェースを司り、外部装置からのデータの入出力を制御する。通信装置２０９には、例えばモデムやＬＡＮアダプタなどを採用することができる。キーボード２１０とマウス２１１は、利用者の操作により、各種データの入力を行うインターフェースである。
【００２４】
（設計支援装置１００の機能的構成例）
図３は、設計支援装置の機能的構成例を示すブロック図である。設計支援装置１００は、制御部３０１と、記憶部１０１と、を含む。記憶部１０１は、ＲＡＭ２０２、記録媒体２０７、補助記憶装置２０５などによって実現される。制御部３０１の処理は、例えば、ＣＰＵ２０１が記憶部１０１に記憶された設計支援プログラムにコーディングされている。そして、ＣＰＵ２０１が記憶部１０１から設計支援プログラムを読み出して、設計支援プログラムにコーディングされている処理を実行する。これにより、制御部３０１の処理が実現される。制御部３０１の処理結果は、記憶部１０１に記憶される。
【００２５】
記憶部１０１は、デザインデータ３１１と、ＯＰＣデータ３１２と、ルール情報３１３と、関係情報１１２と、を記憶する。また、記憶部１０１は、制御部３０１によって生成されるＯＰＣセルデータ１１１と、デザインセルデータ３１５と、分布情報１１３と、などを記憶する。
【００２６】
図４は、デザインパターンのセル化例を示す説明図である。制御部３０１は、デザインデータ３１１が示すデザインパターンｌｐをセル化する。デザインデータ３１１は、設計の対象回路に含まれる所定層のデザインパターンｌｐを示すレイアウトデータである。例えば、所定層としては、メタル層、アクティブ層などが挙げられる。図４（１）には、デザインパターンｌｐの例を示す。例えば、制御部３０１は、設計の対象回路における所定間隔の複数の位置の各々について、デザインデータ３１１が示すデザインパターンｌｐの有無を示すデザインセルデータ３１５を生成する。複数の位置は、例えば、対象回路における座標値によって表される。また、本実施の形態では、２次元のセルオートマトンによって補正が行われるため、複数の位置は格子状である。複数の位置を含む範囲は、例えば、利用者によって指定されてもよいし、対象回路を囲う範囲であってもよい。図４（２）に示すように、制御部３０１は、例えば、デザインパターンｌｐがある位置には“１”を設定し、デザインパターンｌｐがない位置には“０”を設定したデザインセルデータ３１５を生成する。ここで、デザインセルデータ３１５において、位置とマスクパターンｍｐの有無を示す値との組合せを、セルまたはデザインセルとも称する。
【００２７】
図５は、マスクパターンのセル化例を示す説明図である。制御部３０１は、ＯＰＣデータ３１２が示すマスクパターンｍｐをセル化する。ＯＰＣデータ３１２は、デザインパターンｌｐにＯＰＣを行った後の対象回路に含まれる所定層のマスクパターンｍｐを示すマスクデータである。例えば、所定層としては、メタル層、アクティブ層などが挙げられる。図５（１）には、マスクパターンｍｐの例を示す。例えば、制御部３０１は、対象回路における所定間隔の複数の位置の各々について、マスクデータが示すマスクパターンｍｐの有無を示す第１ＯＰＣセルデータ１１１を生成する。複数の位置は、例えば、対象回路における座標値によって表される。また、本実施の形態では、２次元のセルオートマトンによって補正を行うため、複数の位置は格子状である。複数の位置を含む範囲は、例えば、利用者によって指定されてもよいし、対象回路を囲う範囲であってもよい。図５（２）に示すように、制御部３０１は、例えば、マスクパターンｍｐがある位置には“１”を設定し、マスクパターンｍｐがない位置には“０”を設定した第１ＯＰＣセルデータ１１１を生成する。ここで、第１ＯＰＣセルデータ１１１において、位置とマスクパターンｍｐの有無を示す値との組合せを、セルまたはＯＰＣセルとも称する。
【００２８】
図６は、関係情報例を示す説明図である。関係情報１１２は、光源からの距離と、光源からの光の強度と、の関係を示す。図６（１）に示すグラフ６００は、縦軸が光の強度であり、横軸が距離である光の強度の分布である。例えば、光の強度が最も高い位置が光源からの距離が０の位置である。図６（２）には、光強度分布をセル化した例を示す。関係情報１１２においては、中心位置に光源がある場合に、中心位置からの距離に基づく各位置についての光の強度が設定される。また、関係情報１１２における中心位置からの距離に基づく各位置の間隔は、第１ＯＰＣセルデータ１１１におけるセルの位置の間隔と同一とする。ここで、関係情報１１２において、位置と強度との組み合わせを、セルまたはフィルターセルとも称する。また、図３に示したように、関係情報１１２は、後述するブリッジエラーにて用いる減算用の第１関係情報１１２−１とネックエラーにて用いる加算用の第２関係情報１１２−２とに分けてあってもよい。第１関係情報１１２−１は、図６に示す関係情報１１２が示す強度の各々にマイナスが付された情報である。
【００２９】
まず、制御部３０１は、記憶部１０１に記憶された関係情報１１２と第１ＯＰＣセルデータ１１１とに基づいて、複数の位置のうち、マスクパターンｍｐがある位置の各々に光源がある場合における複数の位置の各々の強度を示す分布情報１１３を生成する。第１ＯＰＣセルデータ１１１は、生成されたＯＰＣセルデータ１１１である。
【００３０】
図７および図８は、分布情報生成例を示す説明図である。まず、図７に示すように、制御部３０１は、関係情報１１２に基づいて、ＯＰＣセルデータ１１１において値が“１”であるセルの位置の各々を光源からの距離が“０”の位置とした場合における光の強度を累積することによって分布情報１１３を生成する。図８の例のように、分布情報１１３において、強度の最大値が７となるように正規化されてあってもよい。分布情報１１３において位置と強度の組み合わせをセルとも称する。
【００３１】
つぎに、制御部３０１は、複数の位置のうちの第１位置を示す位置情報３１４を取得する。第１位置とは、例えば、ＯＰＣデータ３１２に基づくリソグラフィシミュレーションによって得られるホットスポットである。または、制御部３０１は、第１分布情報１１３が示す光の強度に基づくホットスポット候補である第１位置を選択する。また、位置情報３１４とは、例えば、対象回路における座標値である。
【００３２】
つぎに、制御部３０１は、第１ＯＰＣセルデータ１１１に基づいて、複数の位置のうち、第１ＯＰＣセルデータ１１１が示すマスクパターンｍｐの有無が第１位置と異なる第２位置であって、第１位置との位置関係が所定条件を満たす第２位置を特定する。ここでの所定条件は、第１位置と第２位置との位置関係が最も近い位置関係である。そして、制御部３０１は、第２位置と、複数の位置のうちの第２位置と隣接する位置との各々についての第１ＯＰＣセルデータ１１１が示すマスクパターンｍｐの有無に基づいて、隣接する位置と第２位置とのうちのいずれかの第３位置を選択する。つぎに、制御部３０１は、第３位置についてのマスクパターンｍｐの有無が第１ＯＰＣセルデータ１１１と異なり、第３位置以外の位置についてのマスクパターンｍｐの有無が第１ＯＰＣセルデータ１１１と同一である第２ＯＰＣセルデータ１１１を生成する。後述する具体的な補正例においては、第１ＯＰＣセルデータ１１１を更新することによって第２ＯＰＣセルデータ１１１を生成するため、ＯＰＣデータ３１２は１つであるが、これに限らず、異なるデータとして新たに生成してもよい。
【００３３】
つぎに、具体的な補正例について説明するが、ブリッジエラーについての補正例を説明した後に、ネックエラーについての補正例を説明する。まず、図９を用いてブリッジエラーについて簡単に説明する。
【００３４】
図９は、ブリッジエラー例と補正例を示す説明図である。ブリッジエラーとは、図９（１）に示すコンター図のように、例えば、リソグラフィによって配線が太ってしまうことによって配線間が繋がってしまうエラーである。図９（２）に示すコンター図のように、本実施の形態では、セルオートマトンを行うことによってホットスポットの近傍の位置の配線の一部が削られるため、配線間が繋がらないようになる。
【００３５】
図１０は、光強度のマスキング例を示す説明図である。図１０におけるマスキングとは、デザインパターンｌｐがある位置は光の強度が強いため、ブリッジエラーにおいてはデザインパターンｌｐがある位置がホットスポット候補から除外されることを示す。例えば、制御部３０１は、ブリッジエラーにおいて、複数の位置のうち、デザインセルデータ３１５によってデザインパターンｌｐがないことを示す位置からホットスポット候補を選択する。例えば、制御部３０１は、複数の位置のうち、デザインパターンｌｐがない位置から最も光の強度が高い位置をホットスポット候補として選択する。
【００３６】
第２位置の特定例と、第３位置の選択例と、ＯＰＣセルデータ１１１の更新例と、について図１１から図１３を用いて詳細に説明する。
【００３７】
図１１は、ブリッジエラーの場合の近接ポイント修正例１を示す説明図である。図１１の例では、ホットスポットである第１位置Ｐ１にはマスクパターンｍｐがないため、ＯＰＣセルデータ１１１においては、ホットスポットには値は“０”が設定されてある。そのため、制御部３０１は、ホットスポットから最も近い位置であり、ＯＰＣセルデータ１１１において値が“１”である第２セルを特定する。ここで、第２位置Ｐ２は、特定した第２セルの位置である。
【００３８】
制御部３０１は、ＣＡ（Ｃｅｌｌ  Ａｕｔｏｍａｔｏｎ）ルールに基づいて、第２セルと、第２セルに隣接するセルとのうちの少なくともいずれかの第３セルを選択する。第３位置Ｐ３は、第３セルの位置である。
【００３９】
図１２は、ＣＡルール例を示す説明図である。図３に示したルール情報３１３は、ＣＡルールを示す。例えば光の当たり方が均一になるように、ＣＡルールでは、制御部３０１は、第２セルと、値が第２セルと同一の隣接するセルとの数に基づいて、第３位置Ｐ３を選択する。
【００４０】
まず、例えば、図１２（１）に示すように、第２位置Ｐ２と、第２位置Ｐ２と隣接する位置とのうち、値が“１”であるセルの数が５または６の場合、制御部３０１は、第２位置Ｐ２を第３位置Ｐ３として選択する。ここでは、値が“１”であるセルの数を合算値とも称する。図１２（１）に示すように、制御部３０１は、ＯＰＣセルデータ１１１において、選択した第３位置Ｐ３についてのマスクパターンｍｐの有を示す“１”からマスクパターンｍｐの無を示す“０”に変更する。
【００４１】
つぎに、例えば、図１２（２）に示すように、第２位置Ｐ２と、第２位置Ｐ２と隣接する位置と、のうち、合算値が７または８の場合、制御部３０１は、隣接する位置のいずれかを第３位置Ｐ３として選択する。例えば、合算値が７の場合、制御部３０１は、値が“０”であるセルの並びにある値が“１”であるセルを選択する。ここで、選択されたセルの位置が第３位置Ｐ３である。これにより、光の当たり方が均一となる。図１２（２）に示すように、制御部３０１は、ＯＰＣセルデータ１１１において、選択したセルの値をマスクパターンｍｐがあることを示す“１”からマスクパターンｍｐがないことを示す“０”に変更する。
【００４２】
つぎに、例えば、図１２（３）に示すように、第２位置Ｐ２と、第２位置Ｐ２と隣接する位置と、のうち、“１”が設定されてあるセルの数が４以下の場合、制御部３０１は、隣接するセルのいずれかのセルの位置を第３位置Ｐ３として選択する。
【００４３】
図１１の説明に戻って、例えば、制御部３０１は、ＯＰＣセルデータ１１１において、選択した第３位置Ｐ３についてのマスクパターンｍｐの有を示す“１”からマスクパターンｍｐの無を示す“０”に変更する。
【００４４】
また、制御部３０１は、関係情報１１２と、ＯＰＣセルデータ１１１と、に基づいて、複数の位置のうち、マスクパターンｍｐがある位置の各々に光源がある場合における複数の位置の各々の光の強度を示す第２分布情報１１３を生成する。図１１の例では、第３位置Ｐ３であるセルの値を“１”から“０”に変更したため、第３位置Ｐ３に光源がないことになる。そこで、制御部３０１は、分布情報１１３が示す強度から関係情報１１２によって、光の強度を減算することにより、分布情報１１３を更新する。このように、第１分布情報１１３と第２分布情報１１３とが同一の情報であってもよいし、異なるデータであってもよい。
【００４５】
制御部３０１は、第１位置Ｐ１についての更新後の分布情報１１３が示す光の強度と、閾値と、を比較することによってセルオートマトンを用いた設計支援処理を継続するか否かを判定する。判定例については後述する図１８において説明する。継続すると判断された場合、制御部３０１は、更新後の分布情報１１３に基づきあらたなホットスポット候補である第１位置Ｐ１を示す位置情報３１４を取得する。ネックエラーにおいては、制御部３０１は、例えば、複数の位置のうち、デザインセルデータ３１５において値が“１”であるセルの位置以外の位置から、分布情報１１３が示す強度が最も高い位置を第１位置Ｐ１として検出する。デザインセルデータ３１５において値が“１”であるセルの位置とは、デザインパターンｌｐがある位置である。図１０を用いて説明したように、デザインパターンｌｐがある位置は、光の強度が高い位置であるため、ホットスポット候補からは除外される。
【００４６】
図１３は、ブリッジエラーの場合の近接ポイント修正例２を示す説明図である。図１３の例では、ホットスポット候補として、第１位置Ｐ１−ｉと、第１位置Ｐ１−ｊと、がある。例えば、制御部３０１は、第１位置Ｐ１−ｊから最も近い位置であり、ＯＰＣセルデータ１１１において値が“１”であるセルの位置として、第２位置Ｐ２−ｊを特定する。
【００４７】
つぎに、制御部３０１は、上述したＣＡルールに基づいて、第２位置Ｐ２−ｊと、第２位置Ｐ２−ｊと隣接する位置と、のいずれかの第３位置Ｐ３を選択する。そして、制御部３０１は、ＯＰＣセルデータ１１１において、第３位置Ｐ３−ｊについてのセルの値を“１”から“０”に変更する。
【００４８】
また、制御部３０１は、上述したように、分布情報１１３を更新し、更新後の分布情報１１３における第１位置Ｐ１の強度と、閾値と、の判定を行う。
【００４９】
図１４は、ネックエラー例を示す説明図である。つぎに、ネックエラーを例に挙げて説明する。ネックエラーとは、図１４（１）に示すコンター図のように、例えば、リソグラフィによって配線が細くなりすぎてしまうエラーである。図１４（２）に示すコンター図のように、本実施の形態では、配線パターンを太くすることによってネックエラーが解消される。
【００５０】
図１５は、ネックエラーについてのＯＰＣセルデータ例を示す説明図である。制御部３０１は、上述したように、関係情報１１２と、ＯＰＣデータ３１２と、に基づいて、ＯＰＣセルデータ１１１を生成する。
【００５１】
図１６は、ネックエラーについての分布情報例を示す説明図である。制御部３０１は、上述したように、ＯＰＣセルデータ１１１と関係情報１１２とに基づいて分布情報１１３を生成する。
【００５２】
図１７は、ネックエラーの場合の近接ポイント修正例を示す説明図である。図１７の例では、ホットスポットまたはホットスポット候補である第１位置Ｐ１にはマスクパターンｍｐがあるため、ＯＰＣセルデータ１１１において、第１位置Ｐ１についてのセルの値は“１”である。図１７の例では、第１位置Ｐ１として、第１位置Ｐ１−ｉと第１位置Ｐ１−ｊとを示す。
【００５３】
そのため、制御部３０１は、ホットスポットから最も近い位置であり、ＯＰＣセルデータ１１１において“１”が設定されてあるセルの第２位置Ｐ２を特定する。
【００５４】
制御部３０１は、ＣＡルールに基づいて、第２位置Ｐ２と、第２位置Ｐ２に隣接する位置とのうちの少なくともいずれかの第３位置Ｐ３を選択する。ＣＡルールについては、図１２に示した例においてマスクパターンｍｐがあることを示す“１”とマスクパターンｍｐがないことを示す“０”とが反転した例である。
【００５５】
つぎに、例えば、制御部３０１は、選択した第３位置Ｐ３であるセルの値をマスクパターンｍｐがないことを示す“０”からマスクパターンｍｐがあることを示す“１”に変更した第２ＯＰＣセルデータ１１１を生成する。変更する処理としては、制御部３０１は、選択した第３位置Ｐ３であるセルのマスクパターンｍｐの有無を示す値に“１”を加算した第２ＯＰＣセルデータ１１１を生成する。
【００５６】
そして、例えば、制御部３０１は、関係情報１１２が示す中央位置と第３位置Ｐ３とを重ねた場合における第１分布情報１１３が示す強度に、関係情報１１２が示す強度を加算することによって、第２分布情報１１３を生成する。
【００５７】
そして、制御部３０１は、第１位置Ｐ１についての第２分布情報１１３が示す光の強度と、閾値と、を比較することによって設計支援処理を継続するか否かを判定する。判定例については後述する図１８において説明する。継続すると判定された場合、制御部３０１は、分布情報１１３に基づきあらたなホットスポット候補である第１位置Ｐ１を示す位置情報３１４を取得する。ネックエラーにおいては、制御部３０１は、例えば、複数の位置のうち、デザインセルデータ３１５において値が“０”であるセルの位置以外の位置から、更新後の分布情報１１３が示す強度が最も低い位置を第１位置Ｐ１として検出する。
【００５８】
図１８は、閾値判定例を示す説明図である。ブリッジエラーにおいて、制御部３０１は、ＣＡルールによって第１位置Ｐ１の近傍にあるエッジを削った後に、第１位置Ｐ１についての第２分布情報１１３が示す光の強度と、閾値と、を比較する。制御部３０１は、第１位置Ｐ１についての第２分布情報１１３が示す光の強度が閾値以上であれば、セルオートマトンによる設計支援処理を継続する。閾値については、設計者などによって定められる値であり、記憶部１０１などに予め記憶されてある。図１８の例では、閾値は４である。一方、制御部３０１は、第１位置Ｐ１についての第２分布情報１１３が示す光の強度が閾値未満であれば、セルオートマトンによる設計支援処理を終了する。
【００５９】
また、ネックエラーにおいて、制御部３０１は、ＣＡルールによって第１位置Ｐ１の近傍にあるエッジを追加した後に、第１位置Ｐ１についての第２分布情報１１３が示す光の強度と、閾値と、を比較する。制御部３０１は、第１位置Ｐ１についての第２分布情報１１３が示す光の強度が閾値未満であれば、ＣＡによる設計支援処理を継続する。図１８の例では、閾値は８である。一方、制御部３０１は、第１位置Ｐ１についての第２分布情報１１３が示す光の強度が閾値以上であれば、ＣＡによる設計支援処理を終了する。
【００６０】
また、第１位置Ｐ１についての第２分布情報１１３が示す光の強度と閾値との比較によって設計支援処理を継続しないと判定された場合、制御部３０１は、第２ＯＰＣセルデータ１１１に基づき図形化を行う。これにより、制御部３０１は、マスクパターンｍｐを示すＯＰＣデータ３１２を生成する。
【００６１】
（設計支援装置１００による設計支援処理手順例）
図１９は、設計支援装置による設計支援処理手順例を示すフローチャートである。設計支援装置１００は、デザインデータ３１１を取得する（ステップＳ１９０１）。つぎに、設計支援装置１００は、モデル１９００に基づいて、ＯＰＣ補正を行う（ステップＳ１９０２）。これにより、ＯＰＣデータ３１２が生成される。モデル１９００は、マスク設計に関するルールを示す。そして、設計支援装置１００は、リソグラフィシミュレーションを行う（ステップＳ１９０３）。これにより、ホットスポットが検出され、位置情報３１４が生成される。
【００６２】
つぎに、設計支援装置１００は、エラーがあるか否かを判断する（ステップＳ１９０４）。エラーがあると判断された場合（ステップＳ１９０４：Ｙｅｓ）、設計支援装置１００は、セルオートマトンによるリペアＯＰＣ補正処理を行う（ステップＳ１９０５）。ステップＳ１９０５においては、マスクパターンｍｐのうちのエラーの発生した一部の領域に対してだけリペアＯＰＣ補正処理を行う。つぎに、設計支援装置１００は、合成を行い（ステップＳ１９０６）、一連の処理を終了する。ここでの合成とは、例えば、ステップＳ１９０５においてホットスポット周辺のマスクパターンを切り出して補正をおこなった場合に、設計支援装置１００がリペアＯＰＣ補正後のマスクパターンと補正を行っていないマスクパターンとを組み合わせたマスクパターンを示すＯＰＣデータ３１２を生成することである。また、ステップＳ１９０４において、エラーがないと判断された場合（ステップＳ１９０４：Ｎｏ）、設計支援装置１００は、一連の処理を終了する。
【００６３】
図２０および図２１は、図１９で示したリペアＯＰＣ補正処理の詳細な説明を示すフローチャートである。設計支援装置１００は、ＯＰＣデータ３１２に基づき、ＯＰＣセルデータ１１１を生成する（ステップＳ２００１）。ここでのＯＰＣデータ３１２は、例えば、第１位置Ｐ１を含む周辺のデザインパターンを示すデータである。つぎに、設計支援装置１００は、デザインデータ３１１に基づき、デザインセルデータ３１５を生成する（ステップＳ２００２）。
【００６４】
設計支援装置１００は、関係情報１１２に基づいて、複数のセルのうち、値が“１”であるセルの位置の各々に光源がある場合における光の強度の累積値により分布情報１１３を生成する（ステップＳ２００３）。設計支援装置１００は、デザインセルデータ３１５に基づいて、分布情報１１３が示す光の強度をマスキングする（ステップＳ２００４）。設計支援装置１００は、ホットスポット（第１位置Ｐ１）を示す位置情報３１４を取得する（ステップＳ２００５）。
【００６５】
つぎに、設計支援装置１００は、ＯＰＣセルデータ１１１に基づき、第１位置Ｐ１である第１セルの値と反対の値が設定され、第１位置Ｐ１と最も近い第２位置Ｐ２の第２セルを特定する（ステップＳ２１０１）。設計支援装置１００は、エラーに基づき、関係情報１１２を選択する（ステップＳ２１０２）。ブリッジエラーであれば、設計支援装置１００は、第１関係情報１１２−１を選択し、ネックエラーであれば、設計支援装置１００は、第２関係情報１１２−２を選択する。
【００６６】
設計支援装置１００は、ＣＡルールに基づき、第２セルと第２セルに隣接するセルとから第３セルを選択する（ステップＳ２１０３）。設計支援装置１００は、第３セルのみの値が反対の値となるようにＯＰＣセルデータ１１１を更新する（ステップＳ２１０４）。設計支援装置１００は、第３セルの第３位置Ｐ３と選択した関係情報１１２とに基づき分布情報１１３を更新する（ステップＳ２１０５）。
【００６７】
設計支援装置１００は、閾値判定によってセルオートマトンによるリペアＯＰＣ補正処理を継続するか否かを判断する（ステップＳ２１０６）。ブリッジエラーにおいては、設計支援装置１００は、第１位置Ｐ１についての更新後の分布情報１１３が示す強度が閾値以上であれば、継続すると判断し、第１位置Ｐ１についての更新後の分布情報１１３が示す強度が閾値未満であれば、継続しないと判断する。一方、ネックエラーにおいては、設計支援装置１００は、第１位置Ｐ１の強度が閾値未満であれば、継続すると判断し、第１位置Ｐ１の強度が閾値以上であれば、継続しないと判断する。継続すると判断された場合（ステップＳ２１０６：継続）、あらたなホットスポット候補（第１位置Ｐ１）を検索して選択し（ステップＳ２１０７）、ステップＳ２１０１へ戻る。例えば、ブリッジエラーにおいては、設計支援装置１００は、複数の位置のうち、デザインパターンｌｐがない位置の中で、更新後の分布情報１１３が示す強度が最も高い位置を第１位置Ｐ１として選択する。ここでは強度が高いとはより大きな値が設定されていることである。一方、例えば、ネックエラーにおいては、設計支援装置１００は、複数の位置のうち、デザインパターンｌｐがある位置の中で、更新後の分布情報１１３が示す強度が最も低い位置を第１位置Ｐ１として選択する。ここでは強度が低いとはより小さな値が設定されていることである。これによって、光近接効果が再現された強度分布に基づく第１位置Ｐ１が選択される。
【００６８】
継続しないと判断された場合（ステップＳ２１０６：終了）、設計支援装置１００は、最適化後のＯＰＣデータ３１２を出力する（ステップＳ２１０８）。設計支援装置１００は、ＯＰＣデータ３１２に基づいて、図形化を行い（ステップＳ２１０９）、一連の処理を終了する。
【００６９】
以上説明したように、設計支援装置１００は、マスクパターンがある位置に光源があるとした場合の各位置の光強度によってホットスポット候補を選択し、選択したホットスポット候補の近傍にあるパターンエッジのマスクパターンの有無を切り替えるセルオートマトンを行う。これにより、光近接効果を再現させることができ、リソグラフィシミュレーションを行わずにホットスポット候補が選択可能である。したがって、ホットスポットを解消するためのマスクパターンの補正処理にかかる時間の短縮を図ることができる。また、セルオートマトンを利用した簡単な処理によって一意に最適な形状を得ることができる。
【００７０】
また、設計支援装置１００は、ホットスポット候補の最も近くにある位置であって、パターンの有無がホットスポット候補と異なる位置を特定する。これにより、ホットスポットの最近傍にあるパターンエッジが特定される。したがって、簡単な処理によって最適な形状を得ることができる。
【００７１】
また、設計支援装置１００は、ブリッジエラーである場合、複数の位置のうちのデザインパターンがない位置から、光の強度が最も高い位置をホットスポット候補として選択する。これにより、最もホットスポットらしい位置がホットスポット候補となるため、最適な形状を得ることができる。
【００７２】
また、設計支援装置１００は、ネックエラーである場合、複数の位置のうちのデザインパターンがある位置から、光の強度が最も低い位置をホットスポット候補として選択する。これにより、最適な形状を得ることができる。
【００７３】
また、設計支援装置１００は、光強度と閾値との比較結果に基づいて、再度選択したホットスポット候補の近傍にあるパターンエッジのパターンの有無を切り替える処理を行う。これにより、ホットスポットが解消されると推定されるまで補正が繰り返されるため、一意に最適な形状を得ることができる。
【００７４】
なお、本実施の形態で説明した設計支援方法は、予め用意された設計支援プログラムをパーソナル・コンピュータやワークステーション等のコンピュータで実行することにより実現することができる。本設計支援プログラムは、磁気ディスク、光ディスク、ＵＳＢ（Ｕｎｉｖｅｒｓａｌ  Ｓｅｒｉａｌ  Ｂｕｓ）フラッシュメモリなどのコンピュータで読み取り可能な記録媒体２０７に記録され、コンピュータによって記録媒体２０７から読み出されることによって実行される。また、設計支援プログラムは、インターネット等のネットワークＮＥＴを介して配布してもよい。
【００７５】
上述した実施の形態に関し、さらに以下の付記を開示する。
【００７６】
（付記１）対象回路における所定間隔の複数の位置の各々について前記対象回路に含まれる所定層のマスクパターンの有無を示す第１セルデータと、光源からの距離と前記光源からの光の強度との関係を示す関係情報を記憶する記憶部にアクセス可能なコンピュータが、
前記記憶部に記憶された前記関係情報と前記第１セルデータとに基づいて、前記複数の位置のうちの前記マスクパターンがある位置の各々に前記光源がある場合における前記複数の位置の各々の前記光の強度を示す分布情報を生成し、
前記複数の位置のうちの生成した前記分布情報に基づき第１位置を選択し、
前記第１セルデータに基づいて、前記複数の位置のうち、前記第１セルデータが示す前記マスクパターンの有無が選択した前記第１位置と異なる第２位置であって、前記第１位置との位置関係が所定条件を満たす第２位置を特定し、
特定した前記第２位置と、前記複数の位置のうちの前記第２位置に隣接する位置と、の各々についての前記第１セルデータが示す前記マスクパターンの有無に基づいて、前記隣接する位置と前記第２位置とのうちのいずれかの第３位置を選択し、
選択した前記第３位置についての前記マスクパターンの有無が前記第１セルデータと異なり、前記複数の位置のうちの前記第３位置以外の位置についての前記マスクパターンの有無が前記第１セルデータと同一である第２セルデータを生成する、
処理を実行することを特徴とする設計支援方法。
【００７７】
（付記２）前記所定条件は、前記第１位置と最も近い位置関係であることを特徴とする付記１に記載の設計支援方法。
【００７８】
（付記３）前記第１位置は、前記複数の位置のうちの前記所定層のデザインパターンがない位置のうち、前記分布情報が示す前記光の強度が最も高い位置であることを特徴とする付記１または２に記載の設計支援方法。
【００７９】
（付記４）前記第１位置は、前記複数の位置のうちの前記所定層のデザインパターンがある位置のうち、前記分布情報が示す前記光の強度が最も低い位置であることを特徴とする付記１または２に記載の設計支援方法。
【００８０】
（付記５）前記コンピュータが、
前記関係情報と前記第２セルデータとに基づいて、前記複数の位置のうちの前記マスクパターンがある位置の各々に前記光源がある場合における前記複数の位置の各々の前記光の強度を示す第２分布情報を生成し、
前記第１位置について生成した前記第２分布情報が示す前記光の強度と閾値とを比較し、
比較結果に応じて、前記複数の位置のうちの、前記第２分布情報に基づく第４位置を選択し、
前記第２セルデータに基づいて、前記複数の位置のうちの、前記第２セルデータが示す前記マスクパターンの有無が選択した前記第４位置と異なる第５位置であって、前記第４位置との位置関係が前記所定条件を満たす第５位置を特定し、
特定した前記第５位置と、前記複数の位置のうちの前記第５位置と隣接する位置との各々についての前記第２セルデータが示す前記マスクパターンの有無に基づいて、前記第５位置と隣接する位置と、前記第５位置と、のうちのいずれかの第６位置を選択し、
選択した前記第６位置についての前記マスクパターンの有無が前記第２セルデータと異なり、前記複数の位置のうちの前記第５位置以外の位置についての前記マスクパターンの有無が前記第２セルデータと同一である第３セルデータを生成する、
ことを特徴とする付記１〜３のいずれか一つに記載の設計支援方法。
【００８１】
（付記６）対象回路における所定間隔の複数の位置の各々について前記対象回路に含まれる所定層のマスクパターンの有無を示す第１セルデータと、光源からの距離と前記光源からの光の強度との関係を示す関係情報を記憶する記憶部にアクセス可能なコンピュータに、
前記記憶部に記憶された前記関係情報と前記第１セルデータとに基づいて、前記複数の位置のうちの前記マスクパターンがある位置の各々に前記光源がある場合における前記複数の位置の各々の前記光の強度を示す分布情報を生成し、
前記複数の位置のうちの生成した前記分布情報に基づき第１位置を選択し、
前記第１セルデータに基づいて、前記複数の位置のうち、前記第１セルデータが示す前記マスクパターンの有無が選択した前記第１位置と異なる第２位置であって、前記第１位置との位置関係が所定条件を満たす第２位置を特定し、
特定した前記第２位置と、前記複数の位置のうちの前記第２位置に隣接する位置と、の各々についての前記第１セルデータが示す前記マスクパターンの有無に基づいて、前記隣接する位置と前記第２位置とのうちのいずれかの第３位置を選択し、
選択した前記第３位置についての前記マスクパターンの有無が前記第１セルデータと異なり、前記複数の位置のうちの前記第３位置以外の位置についての前記マスクパターンの有無が前記第１セルデータと同一である第２セルデータを生成する、
処理を実行させることを特徴とする設計支援プログラム。
【００８２】
（付記７）対象回路における所定間隔の複数の位置の各々について前記対象回路に含まれる所定層のマスクパターンの有無を示す第１セルデータと、光源からの距離と前記光源からの光の強度との関係を示す関係情報を記憶する記憶部と、
前記記憶部に記憶された前記関係情報と前記第１セルデータとに基づいて、前記複数の位置のうちの前記マスクパターンがある位置の各々に前記光源がある場合における前記複数の位置の各々の前記光の強度を示す分布情報を生成し、前記複数の位置のうちの生成した前記分布情報に基づき第１位置を選択し、前記第１セルデータに基づいて、前記複数の位置のうち、前記第１セルデータが示す前記マスクパターンの有無が選択した前記第１位置と異なる第２位置であって、前記第１位置との位置関係が所定条件を満たす第２位置を特定し、
特定した前記第２位置と、前記複数の位置のうちの前記第２位置に隣接する位置と、の各々についての前記第１セルデータが示す前記マスクパターンの有無に基づいて、前記隣接する位置と前記第２位置とのうちのいずれかの第３位置を選択し、選択した前記第３位置についての前記マスクパターンの有無が前記第１セルデータと異なり、前記複数の位置のうちの前記第３位置以外の位置についての前記マスクパターンの有無が前記第１セルデータと同一である第２セルデータを生成する制御部と、
を有することを特徴とする設計支援装置。
【００８３】
（付記８）対象回路における所定間隔の複数の位置の各々について前記対象回路に含まれる所定層のマスクパターンの有無を示す第１セルデータと、光源からの距離と前記光源からの光の強度との関係を示す関係情報を記憶する記憶部にアクセス可能なコンピュータに、
前記記憶部に記憶された前記関係情報と前記第１セルデータとに基づいて、前記複数の位置のうちの前記マスクパターンがある位置の各々に前記光源がある場合における前記複数の位置の各々の前記光の強度を示す分布情報を生成し、
前記複数の位置のうちの生成した前記分布情報に基づき第１位置を選択し、
前記第１セルデータに基づいて、前記複数の位置のうち、前記第１セルデータが示す前記マスクパターンの有無が選択した前記第１位置と異なる第２位置であって、前記第１位置との位置関係が所定条件を満たす第２位置を特定し、
特定した前記第２位置と、前記複数の位置のうちの前記第２位置に隣接する位置と、の各々についての前記第１セルデータが示す前記マスクパターンの有無に基づいて、前記隣接する位置と前記第２位置とのうちのいずれかの第３位置を選択し、
選択した前記第３位置についての前記マスクパターンの有無が前記第１セルデータと異なり、前記複数の位置のうちの前記第３位置以外の位置についての前記マスクパターンの有無が前記第１セルデータと同一である第２セルデータを生成する、
処理を実行させる設計支援プログラムを記録したことを特徴とする記録媒体。
【符号の説明】
【００８４】
１００  設計支援装置
１０１  記憶部
１１１  セルデータ，ＯＰＣセルデータ
１１２  関係情報
１１３  分布情報
３１４  位置情報
ｐ１，Ｐ１  第１位置
ｐ２，Ｐ２  第２位置
Ｐ３  第３位置
ｍｐ  マスクパターン
ｌｐ  デザインパターン
【図１】
2015187653.tif 000003
【図２】
2015187653.tif 000004
【図３】
2015187653.tif 000005
【図４】
2015187653.tif 000006
【図５】
2015187653.tif 000007
【図６】
2015187653.tif 000008
【図７】
2015187653.tif 000009
【図８】
2015187653.tif 000010
【図９】
2015187653.tif 000011
【図１０】
2015187653.tif 000012
【図１１】
2015187653.tif 000013
【図１２】
2015187653.tif 000014
【図１３】
2015187653.tif 000015
【図１４】
2015187653.tif 000016
【図１５】
2015187653.tif 000017
【図１６】
2015187653.tif 000018
【図１７】
2015187653.tif 000019
【図１８】
2015187653.tif 000020
【図１９】
2015187653.tif 000021
【図２０】
2015187653.tif 000022
【図２１】
2015187653.tif 000023