(57)【要約】【課題】電子部品を表面実装する回路基板において、半田付け面積の大きい端子でも半田の量を実装ランド全体で不均一になり難くすると共に、半田ボイドの発生を低減させる。【解決手段】ＩＣ１０２等の電子部品が実装される回路基板１０１は、ＩＣ１０２の補強端子１０６ａと半田１０９ａにより接続される補強端子用実装ランド１０８ａを有する。補強端子用実装ランド１０８ａに、補強端子１０６ａと半田１０９ａにより接続される領域が露出するように、外周から中心に向かう樹脂皮膜からなるレジスト舌片部１１２ａ〜１１２ｄを、補強端子用実装ランド１０８ａを複数の領域に分断しないように設ける。【選択図】図３
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
実装端子を有する電子部品が実装される回路基板であって、
前記回路基板は、前記電子部品の前記実装端子と半田付けにより接続される実装ランドを有し、
前記実装ランドには、絶縁材料が前記実装ランドの外側から前記実装ランドの内側に向けて突出するように形成される突出部が設けられ、
前記突出部が前記実装ランドを複数の領域に分断しないことを特徴とする回路基板。
【請求項２】
前記絶縁材料は、前記回路基板の表層配線上に設けられるソルダーレジストであることを特徴とする請求項１に記載の回路基板。
【請求項３】
前記突出部は、前記実装ランドの略中心に向かって突出するように形成されていることを特徴とする請求項１又は２に記載の回路基板。
【請求項４】
前記実装ランドには、複数の前記突出部が設けられ、
複数の前記突出部は、互いにそれぞれの前記突出部の延長線と交差しないように形成されていることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載の回路基板。
【請求項５】
電子部品が実装された請求項１乃至４に記載の回路基板を有することを特徴とする電子機器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、回路基板及び電子機器に関し、特に電子機器の内部に配置され、半田等により電子部品が実装される回路基板に関する。
【背景技術】
【０００２】
電子機器の内部には、ＩＣをはじめとして、抵抗やコネクタ等の様々な電子部品（電子素子）が回路基板に実装されており、これら電子部品の回路基板への実装には、表面実装と呼ばれる手法が広く用いられている。表面実装では、回路基板上の実装ランドに半田印刷を行い、実装ランド上に電子部品の実装端子が乗るように電子部品を回路基板上に載置した後、リフロー炉で熱を加えて半田を溶融させる。こうして溶融した半田が実装ランドと実装端子との間に流れ込んだ後に、溶融した半田を冷却することにより、回路基板に設けられた実装ランドと電子部品の実装端子を固着させ、電子部品を基板に固定すると同時に電子部品と基板との必要な電気的接続を確保する。
【０００３】
このような表面実装では、リフロー炉で熱を加えた際に回路基板上に印刷された半田が含有するフラックス成分が気化して半田内に気体が発生し、発生した気体が半田の外に排出されずに冷却硬化後の半田中に残ることで、所謂、半田ボイドが生じる場合がある。半田ボイドが発生すると、半田接合部に十分な接合強度が得られず、また、温度変化が加わると半田ボイドに起因して半田接合部にクラックが発生して接合強度が更に低下するという問題が起こりやすくなる。
【０００４】
また、半田ボイドが発生すると、電子部品と回路基板との電気的接続の信頼性の低下も懸念される。特に、半田付け面積が大きい実装端子ほど、半田量が多く、実装ランドの中心から実装ランドの外周までの距離が長いため、フラックス成分が気化して発生した気体が半田の外に排出され難くなり、半田ボイドが発生しやすい傾向にある。
【０００５】
そこで、半田付け面積が大きい実装端子での表面実装による半田接合において半田ボイドの発生を防止し、或いは、低減するための技術が種々、提案されている。例えば、特許文献１に記載された技術では、回路基板上に形成された電極ランドに電気部品の部品電極を半田付けした回路基板デバイスにおいて、電極ランドの部品電極に対応する範囲を、所定幅の半田レジストにより複数のランド区域に分割している。そして、複数のランド区域にそれぞれ配置された半田により、部品電極を各ランド区域に電気的、機械的に接合し、このとき、ランド区域間における半田レジストと部品電極の間に部品電極の外部に通じる間隙を形成している。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開２００６−３０３１７３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
しかしながら、上記特許文献１に記載された技術では、電極ランドが所定幅の半田レジストにより複数の領域に分割されているため、領域毎に半田の量が不均一になるおそれがある。特に、半田付け面積が大きい端子の場合には、半田の表面張力によって周辺部の領域の半田が減少し易くなるため、領域毎の半田の量が不均一になると、領域毎の接合強度にばらつきが発生する。こうして相対的に半田の量が少ない領域の半田接合強度が弱くなることで、電極ランド全体として半田接合部に十分な接合強度が得られなくなるおそれがある。また、半田の量が少ない領域では、電気抵抗値が大きくなり、電気的接続の信頼性が低下することも懸念される。
【０００８】
本発明は、電子部品を回路基板に表面実装する際に、半田付け面積の大きい端子でも実装ランド全体の半田の量が不均一となり難く、半田ボイドの発生を低減させることが可能な回路基板を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明に係る回路基板は、実装端子を有する電子部品が実装される回路基板であって、前記回路基板は、前記電子部品の前記実装端子と半田付けにより接続される実装ランドを有し、前記実装ランドには、絶縁材料が前記実装ランドの外側から前記実装ランドの内側に向けて突出するように形成される突出部が設けられ、前記突出部が前記実装ランドを複数の領域に分断しないことを特徴とする。
【発明の効果】
【００１０】
本発明によれば、実装ランドを複数の領域に分断しないように実装ランドの領域内に延出する樹脂皮膜からなる突出部を設ける。これにより、半田ボイドが発生し難くなり、また、半田付け面積が大きい端子でも、実装ランド全体の半田の量が不均一となり難い。よって、十分な半田接合強度を得ることができると共に、半田による電気的接続の信頼性を高めることができる。
【図面の簡単な説明】
【００１１】
【図１】本発明の実施形態に係る回路基板の全体構成を示す斜視図である。
【図２】図１の回路基板に表面実装される前のＩＣを単体で示す斜視図と、ＩＣが表面実装される前の回路基板においてＩＣが実装される部分の平面図である。
【図３】図１の回路基板に形成された補強端子用実装ランドの拡大平面図と、拡大平面図の矢視Ａ-Ａ断面図である。
【図４】図３の補強端子用実装ランド上での半田の状態を模式的に示す図である。
【図５】参考例に係る補強端子用実装ランドの平面図である。
【図６】図３の補強端子用実装ランドの第１乃至第３の変形例を示す平面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１２】
以下、本発明の実施形態に係る回路基板について、特に回路基板に設けられる実装ランドの形態を中心に、添付図面を参照して詳細に説明する。
【００１３】
図１は、本発明の実施形態に係る回路基板１０１の全体構成を示す斜視図である。回路基板１０１には、ＩＣ１０２とコネクタ１０４が実装されている。ＩＣ１０２は、ここでは、受光面１０３に投影された光から光電変換により画像信号を生成するＣＭＯＳセンサやＣＣＤセンサ等の撮像センサ（光電変換デバイス）であるとする。但し、ＩＣ１０２は撮像センサに限定されるもではなく、例えば、トランジスタや抵抗等の他の電子部品であっても構わない。
【００１４】
なお、撮像センサが実装された電子機器としては、デジタルスチルカメラ、デジタルビデオカメラ、カメラ付き移動通信端末、カメラ付きゲーム機等が挙げられるが、これらに限定されるものではない。
【００１５】
ＩＣ１０２は、表面実装によって、半田を介して回路基板１０１に対して電気的に接続されている。ＩＣ１０２で生成された画像信号は、回路基板１０１上の不図示の配線パターンを通して、回路基板１０１上に配置されたコネクタ１０４へ伝送され、更にコネクタ１０４からコネクタ１０４の接続先の不図示の別の回路基板へ伝送される。別の回路基板では、受信した画像信号から画像データの生成等のデータ処理が行われる。
【００１６】
図２（ａ）は、回路基板１０１に表面実装される前のＩＣ１０２を単体で示す斜視図であり、回路基板１０１に実装される際に回路基板１０１と対向する面（下面）側から見た斜視図である。図２（ｂ）は、ＩＣ１０２が表面実装される前の回路基板１０１においてＩＣ１０２が実装される部分を拡大して示す平面図である。
【００１７】
図２（ａ）に示すように、ＩＣ１０２の下面には、実装端子としての多数の信号端子１０５と、補強端子１０６ａ，１０６ｂ，１０６ｃ，１０６ｄが設けられている。信号端子１０５は、ＩＣ１０２で生成された信号やＩＣ１０２を駆動するために供給される電源信号等の種々の信号に対応した実装端子であり、図２（ａ）に示すように、ここでは円形状を有している。一方、ＩＣ１０２の角部に設けられた補強端子１０６ａ〜１０６ｄは、回路基板１０１にＩＣ１０２を表面実装した際の、回路基板１０１とＩＣ１０２との接続信頼性を向上させるために設けられている実装端子である。そのため、補強端子１０６ａ〜１０６ｄの１つの面積は、多数の信号端子１０５の１つの面積よりも大きい。
【００１８】
図２（ｂ）に示すように、回路基板１０１には、信号端子１０５の位置に対応した多数の信号端子用実装ランド１０７と、補強端子１０６ａ〜１０６ｄの位置に対応した補強端子用実装ランド１０８ａ，１０８ｂ，１０８ｃ，１０８ｄが設けられている。信号端子用実装ランド１０７は、信号端子１０５の形状に対応した円形状を有する。また、補強端子用実装ランド１０８ａ〜１０８ｄは、補強端子１０６ａ〜１０６ｄに対応した形状を有する。信号端子１０５と信号端子用実装ランド１０７とが、補強端子１０６ａ〜１０６ｄと補強端子用実装ランド１０８ａ〜１０８ｄとがそれぞれ、半田によって接続される。これにより、ＩＣ１０２が回路基板１０１に機械的に固定されると同時に、必要な電気的な接続が確立される。
【００１９】
前述の通り、補強端子１０６ａ〜１０６ｄの１つの面積は多数の信号端子１０５の１つの面積よりも大きい。そのため、補強端子１０６ａ〜１０６ｄを補強端子用実装ランド１０８ａ〜１０８ｄに接続する半田には、表面実装の際に半田ボイドが発生しやすくなる。この問題を解決するための、補強端子用実装ランド１０８ａ〜１０８ｄの開口形状が、本実施形態の特徴であり、以下に、補強端子用実装ランド１０８ａ〜１０８ｄについて詳細に説明する。
【００２０】
一般に、実装ランドは、配線層である銅箔パッドと、表層配線上に形成されるソルダーレジストとによって構成されている。実装ランドは、銅箔パッド全体を覆うようにソルダーレジストを塗布した後、銅箔パッドの必要な領域だけが露出するようにソルダーレジストを除去することで形成される。なお、実装ランドには、銅箔パッドに代えて他の導電性材料で形成されたパッドが用いられるものもある。また、ソルダーレジストとは、半田付けが必要な部分の銅箔パッド等のパターンだけを露出させ、半田付けが不要な部分に半田が付かないように回路基板上に形成される皮膜であり、絶縁材料の皮膜である。
【００２１】
実装ランドの形成方法には、一般に、ＳＭＤとＮＳＭＤと呼ばれる２種類の方法がある。ＳＭＤは、ソルダーレジストを銅箔パッドの少なくとも一部が露出しないように除去する方法であり、ソルダーレジスト除去部で形成される開口部が実装ランドの形状となる。一方、ＮＳＭＤは、ソルダーレジストを銅箔パッドが全て露出するように除去する方法であり、ソルダーレジスト除去部で形成される開口部は銅箔パッドよりも大きく開口することとなり、よって、銅箔パッドの形状が実装ランドの形状となる。
【００２２】
以下の説明では、補強端子用実装ランド１０８ａ〜１０８ｄは、ＳＭＤにて形成されているとし、補強端子用実装ランド１０８ａ〜１０８ｄはそれぞれ同じ構造を有することから、補強端子用実装ランド１０８ａを取り上げて説明することとする。
【００２３】
図３（ａ）は、補強端子用実装ランド１０８ａの拡大平面図であり、図３（ｂ）は、図３（ａ）の矢視Ａ-Ａ断面図である。なお、図３（ｂ）には、図３（ａ）には不図示のＩＣ１０２の補強端子１０６ａが補強端子用実装ランド１０８ａに、半田１０９ａにより取り付けられた状態が示されている。
【００２４】
回路基板１０１の基材１０１ａ上に銅箔パッド１１１が形成されており、銅箔パッド１１１においてソルダーレジスト１１０によって覆われていない部分が補強端子用実装ランド１０８ａである。なお、銅箔パッド１１１は、不図示の配線パターンによってグランド信号線と接続されている。補強端子用実装ランド１０８ａは、銅箔パッド１１１上にソルダーレジストが舌片状に除去されずに残っている突出部としてのレジスト舌片部１１２ａ，１１２ｂ，１１２ｃ，１１２ｄを含む。なお、レジスト舌片部１１２ａ〜１１２ｄは、ソルダーレジスト１１０と一体的に形成されており、よって、ソルダーレジスト１１０の一部でもある。レジスト舌片部１１２ａ〜１１２ｄは、補強端子用実装ランド１０８ａの外側から補強端子用実装ランド１０８ａの内側に向けて突出するように形成される。
【００２５】
レジスト舌片部１１２ａ〜１１２ｄの効果について、図３（ｂ）を参照して説明する。銅箔パッド１１１においてソルダーレジスト１１０に覆われていない領域である補強端子用実装ランド１０８ａと補強端子１０６ａとは、半田１０９ａによって機械的に接続、固定されると同時に、電気的な接続が確保されている。図３（ｂ）の断面では、半田１０９ａは、補強端子１０６ａに対して銅箔パッド１１１から連続しては存在せず、レジスト舌片部１１２ａ，１１２ｄの上側にはそれぞれ、空間１１３ａ，１１３ｄが存在する。
【００２６】
空間１１３ａ，１１３ｄは、表面実装によってＩＣ１０２を回路基板１０１に実装する際に、半田に含有されているフラックス成分が気化して発生した気体の逃げ道として機能し、これにより、発生した気体が半田の外に出ることが可能となる。つまり、レジスト舌片部１１２ａ，１１２ｄを設けることによって形成された空間１１３ａ，１１３ｄによって、半田ボイドの発生を低減することができる。図３（ａ）に示すレジスト舌片部１１２ｂ，１１２ｃについても、レジスト舌片部１１２ａ，１１２ｄと同じ役割を果たすことは言うまでもない。
【００２７】
本実施形態では、図３（ａ）に示すように、レジスト舌片部１１２ａ〜１１２ｄのレジスト舌片先端部１１４ａ，１１４ｂ，１１４ｃ，１１４ｄはそれぞれ、互いにつながっていない。その結果、補強端子用実装ランド１０８ａは、分断されずに連続した１つの領域として形成されている。ここで、仮に、レジスト舌片先端部１１４ａ〜１１４ｄが互いに連通しており、補強端子用実装ランド１０８ａが複数の領域に分断されていた場合は、以下の問題が生じる。
【００２８】
即ち、銅箔パッドへの半田印刷の際には、印刷された半田の厚みにばらつきが生じることがある。また、半田印刷後に電子部品を回路基板に載置した際に、電子部品が回路基板と平行でなく、或いは、電子部品の位置が回路基板に対してずれてしまうことがある。このような場合には、半田が補強端子用実装ランド内で一部（片側）に寄ってしまうことが起こり得る。そのときに補強端子用実装ランドが複数のランド領域に分断されていると、分断されたランド領域毎に半田の量が不均一になってしまい、条件によっては半田が存在しないランド領域が発生してしまうおそれがある。その結果、分断されたランド領域毎に接合強度にばらつきが発生し、半田の量が少ないランド領域の接合強度が弱くなり、補強端子用実装ランド全体として十分な接合強度が得られなくなるおそれがある。また、半田の量が少ないランド領域では、補強端子との接続が不十分となって電気抵抗値が大きくなり、電気的接続の信頼性低下も懸念される。
【００２９】
ここで、半田ボイドを低減させるために、所謂、シフト実装と言われる手法が用いられることがある。シフト実装では、表面実装の際に半田印刷後に電子部品を回路基板に搭置する位置を故意にずらし、半田の表面張力を利用した電子部品のセルフアライメントにより、電子部品が正しい実装位置にくるようにする。
【００３０】
しかし、シフト実装には、半田の偏りが生じやすいという問題がある。そのため、補強端子用実装ランドが複数のランド領域に分断されていた場合は、一旦偏った半田はソルダーレジストの壁を乗り越えて戻ることができずに、ランド領域毎に半田の量が不均一となる現象が特に顕著に現れるおそれがある。したがって、補強端子用実装ランドが複数のランド領域に分断されている場合は、シフト実装を行うことは、却って、接続信頼性を低下させる結果となってしまうことがある。
【００３１】
これに対して、本実施形態では、補強端子用実装ランド１０８ａは分断されずに１つのランド領域として形成されているため、上述の問題を回避することができる。その理由について、図４を参照してより詳しく説明する。
【００３２】
図４（ａ），（ｂ）はそれぞれ、補強端子用実装ランド１０８ａ上での半田１０９ａの状態を模式的に示す図である。図４（ａ）では、半田１０９ａ（図４（ａ）に斜線ハッチングで示す）が、補強端子用実装ランド１０８ａ内で、一旦、片側に寄ってしまった状態を示している。しかし、補強端子用実装ランド１０８ａは、複数のランド領域に分断されていない。そのため、半田１０９ａの表面張力によって、補強端子用実装ランド１０８ａ全体に均一に塗れ広がることができ、図４（ｂ）に示すように、補強端子用実装ランド１０８ａ全体に均一に半田１０９ａが分布する状態になることができる。
【００３３】
よって、本実施形態によれば、補強端子用実装ランド１０８ａ内で半田１０９ａの量が不均一になることを抑制することができ、これにより、半田接合の信頼性低下を防止することができる。また、シフト実装を適用することも可能になり、レジスト舌片部１１２ａ〜１１２ｄの効果とシフト実装の効果により、効果的に半田ボイドを低減することも可能になる。
【００３４】
ところで、レジスト舌片部１１２ａ〜１１２ｄは、他のレジスト舌片部の延長線のいずれとも交差することのないように形成されていることが望ましい。この理由について、図５を参照して説明する。
【００３５】
図５は、参考例に係る補強端子用実装ランド９０８の平面図である。補強端子用実装ランド９０８のソルダーレジスト及び銅箔パッドの構成は、本実施形態に係る補強端子用実装ランド１０８ａのソルダーレジスト１１０と銅箔パッド１１１の構成と同じであるため、図５において同じ符号を付している。銅箔パッド１１１においてソルダーレジスト１１０で覆われていない部分が、補強端子用実装ランド９０８である。
【００３６】
補強端子用実装ランド９０８は、銅箔パッド１１１上にソルダーレジスト１１０が除去されずに舌片状に残ることで形成されたレジスト舌片部９１２ａ，９１２ｂ，９１２ｃ，９１２ｄを含む。なお、レジスト舌片部９１２ａ〜９１２ｄは、ソルダーレジスト１１０と一体的に形成されており、よって、ソルダーレジスト１１０の一部でもある。図４と同様に、図５において、半田９０９は斜線ハッチングで示されている。
【００３７】
レジスト舌片部９１２ａは、補強端子用実装ランド９０８の外周部から補強端子用実装ランド９０８の領域内へ延出するように設けられる。本実施形態では、レジスト舌片部９１２ａは、補強端子用実装ランド９０８の１つの角部から補強端子用実装ランド９０８の中心を通り、対角に位置するレジスト舌片部９１２ｃに向かって延出するように設けられている。そして、レジスト舌片部９１２ａは、補強端子用実装ランド９０８の他の対角に位置するレジスト舌片部９１２ｂ，９１２ｄの長手方向と平行な延長線９１５と交差している。
【００３８】
このような構成において図５に示すように右側に半田９０９が偏った場合、表面張力により半田９０９が左側に広がって行こうとしても、レジスト舌片部９１２ａが障害となって、半田９０９は十分且つ均一に濡れ広がらないおそれがある。
【００３９】
したがって、図３（ａ）に示したように、補強端子用実装ランド１０８ａに設けるレジスト舌片部１１２ａ〜１１２ｄは、他のレジスト舌片部の延長線のいずれとも交差することのないように形成されていることが望ましく、これにより、半田１０９を十分且つ均一に濡れ広がり易くすることができる。但し、レジスト舌片部９１２ａ〜９１２ｄのような形状設定がなされた補強端子用実装ランド９０８は、半田ボイドを低減させるという目的に対しては有効である。
【００４０】
なお、補強端子用実装ランド１０８ａにおいて、半田１０９ａの内部で発生した気体が最も逃げ難いのは、補強端子用実装ランド１０８ａにおいて外周から最も遠い部位、つまり、補強端子用実装ランド１０８ａの中心付近である。そのため、補強端子用実装ランド１０８ａの中心付近で発生した気体を逃がす経路として、レジスト舌片部１１２ａ〜１１２ｄがそれぞれ補強端子用実装ランド１０８ａの略中心を向かうように設けられていると、効果的に発生した気体を逃がすことができる。つまり、補強端子用実装ランド１０８ａのように、レジスト舌片部１１２ａ〜１１２ｄは、補強端子用実装ランド１０８ａの略中心に向かうように設計することが望ましい。
【００４１】
上記説明の通り、本実施形態に係る回路基板１０１に設けられた補強端子用実装ランド１０８ａ〜１０８ｄによれば、補強端子用実装ランド１０８ａ〜１０８ｄにおける半田ボイドの発生を抑制することができる。また、補強端子用実装ランド１０８ａ〜１０８ｄのそれぞれにおいて、半田１０９ａの分布が不均一になることを抑制することができる。こうして、補強端子１０６ａ〜１０６ｄと補強端子用実装ランド１０８ａ〜１０８ｄとの機械的接続及び電気的接続の信頼性を向上させることができる。
【００４２】
次に、補強端子用実装ランド１０８ａの変形例について説明する。図６（ａ），（ｂ），（ｃ）はそれぞれ、補強端子用実装ランド１０８ａの第１、第２、第３の変形例に係る補強端子用実装ランド２０８ａ，３０８ａ，４０８ａの平面図である。補強端子用実装ランド２０８ａ，３０８ａ，４０８ａを構成するソルダーレジスト１１０及び銅箔パッド２１１，３１１，４１１の構成（図３（ｂ）に示す構成）は、上述した補強端子用実装ランド１０８ａのソルダーレジスト１１０及び銅箔パッド１１１の構成と同等である。
【００４３】
図６（ａ）において、銅箔パッド２１１においてソルダーレジスト１１０で覆われていない部分が、補強端子用実装ランド２０８ａである。補強端子用実装ランド２０８ａは、銅箔パッド２１１上にソルダーレジスト１１０が除去されずに舌片状に残ることで形成されたレジスト舌片部２１２ａ，２１２ｂ，２１２ｃ，２１２ｄを含む。なお、レジスト舌片部２１２ａ〜２１２ｄは、ソルダーレジスト１１０と一体的に形成されており、よって、ソルダーレジスト１１０の一部でもある。
【００４４】
先に説明した補強端子用実装ランド１０８ａ（図３参照）では、レジスト舌片部１１２ａ〜１１２ｄを補強端子用実装ランド１０８ａの角部から補強端子用実装ランド１０８ａ中心へ向かって延出させた。これに対して、図６（ａ）に示す補強端子用実装ランド２０８ａでは、補強端子用実装ランド２０８の辺部の略中心から補強端子用実装ランド１０８ａの中心へ向かって延出させている。
【００４５】
図６（ｂ）において、銅箔パッド３１１においてソルダーレジスト１１０で覆われていない部分が、補強端子用実装ランド３０８ａである。補強端子用実装ランド３０８ａは、銅箔パッド３１１上にソルダーレジスト１１０が除去されずに舌片状に残ることで形成されたレジスト舌片部３１２ａ，３１２ｂ，３１２ｃを含む。なお、レジスト舌片部３１２ａ〜３１２ｃは、ソルダーレジスト１１０と一体的に形成されており、よって、ソルダーレジスト１１０の一部でもある。
【００４６】
先に説明した補強端子用実装ランド１０８ａ（図３参照）は、４本のレジスト舌片部１１２ａ〜１１２ｄを有する構成とした。これに対して、図６（ｂ）に示す補強端子用実装ランド３０８ａでは、３本のレジスト舌片部３１２ａ〜３１２ｃを有する構成としている。本発明において、補強端子用実装ランドに設けるレジスト舌片部の数は、半田ボイドを低減させるという効果を得るためには少なくとも１本あればよく、その数に制限はない。但し、レジスト舌片部の数が多くなると、実際に半田が乗る補強端子用実装ランドの面積が小さくなり、機械的な接続強度の低下や電気抵抗の増加が懸念されるため、このような問題が生じない範囲で、レジスト舌片部の数や幅、長さを設定することが望ましい。
【００４７】
図６（ｃ）において、銅箔パッド４１１においてソルダーレジスト１１０で覆われていない部分が、補強端子用実装ランド４０８ａである。補強端子用実装ランド４０８ａは、銅箔パッド４１１上にソルダーレジスト１１０が除去されずに舌片状に残ることで形成されたレジスト舌片部４１２ａ，４１２ｂを含む。なお、レジスト舌片部４１２ａ，４１２ｂは、ソルダーレジスト１１０と一体的に形成されており、よって、ソルダーレジスト１１０の一部でもある。
【００４８】
先に説明した補強端子用実装ランド１０８ａ（図３参照）は、略四角形の形状を有し、４本のレジスト舌片部１１２ａ〜１１２ｄを有している。これに対して、補強端子用実装ランド４０８ａでは、銅箔パッド４１１が略円形の形状を有し、２本のレジスト舌片部４１２ａ，４１２ｂが設けられている。本発明において、補強端子用実装ランドの形状は、特に限定されるものではなく、回路基板に実装される電子部品の補強端子の形状等に合わせて、任意に設定することができ、例えば、三角形やその他の多角形、楕円形や長円形等であってもよい。なお、補強端子用実装ランド４０８ａに設けるレジスト舌片部の数は、勿論、２本に限定されるものではなく、３本以上であってもよいし、逆に１本であってもよい。図６（ａ）〜（ｃ）に示した補強端子用実装ランド２０８ａ，３０８ａ，４０８ａでも、補強端子用実装ランド１０８ａと同等の効果が得られる。
【００４９】
＜その他の実施形態＞
以上、本発明をその好適な実施形態に基づいて詳述してきたが、本発明はこれら特定の実施形態に限られるものではなく、この発明の要旨を逸脱しない範囲の様々な形態も本発明に含まれる。さらに、上述した各実施形態は本発明の一実施形態を示すものにすぎず、各実施形態を適宜組み合わせることも可能である。
【００５０】
例えば、上記実施形態では、ＳＭＤにて実装ランドが形成されているものとして説明を行ったが、実装ランドはＮＳＭＤにて形成されていてもよく、ＮＳＭＤにより形成された実装ランドでも、レジスト舌片部に対応した部分の銅箔パッドは露出しない。また、上記実施形態では、銅箔パッドは不図示の配線パターンによってグランド信号線と接続されているとしたが、銅箔パッドはグランド信号線の銅箔の面と連続的かつ一体的に形成されていてもよい。更に、銅箔パッドが他のどの信号線とも接続されていない構成であっても構わないし、グランド信号線以外の他の信号線と接続されていても構わない。更に、上記実施形態では、回路基板に設けられた補強端子用実装ランドを例に取り上げたが、本発明の特徴である実装ランドの形態は、信号端子用実装ランドにも適用することができる。
【符号の説明】
【００５１】
１０１    回路基板
１０２    ＩＣ
１０６ａ    補強端子
１０８ａ    補強端子用実装ランド
１０９ａ    半田
１１０    ソルダーレジスト
１１１    銅箔パッド
１１２    レジスト舌片部
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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