(57)【要約】【課題】所望の領域に自己組織化パターンを形成する。【解決手段】本実施形態によれば、パターン形成方法は、被加工膜上に、下地層と、互いに平行に設けられた複数のライン部を有する中性化膜とを含むガイド層を形成し、前記ガイド層上に、第１セグメント及び第２セグメントを有するポリマー材料を形成し、前記ポリマー材料をミクロ相分離させ、前記第１セグメントを含み前記ライン部に沿った第１ポリマー部と前記第２セグメントを含み前記ライン部に沿った第２ポリマー部とが交互に配置された自己組織化パターンを形成し、前記第２ポリマー部を選択的に除去する。前記中性化膜の複数のライン部のうち両端のライン部の幅は、前記第１ポリマー部又は前記第２ポリマー部の幅の略２倍である。【選択図】図３
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
被加工膜上に下地層を形成し、
前記下地層上に中性化膜材料を形成し、
前記中性化膜材料上にレジストパターンを形成し、
前記レジストパターンをマスクとしてエッチング処理を行い、前記中性化膜材料を加工して、互いに平行に設けられた複数のライン部を有する中性化膜を形成し、
前記中性化膜及び前記下地層を含むガイド層上に、第１セグメント及び第２セグメントを有するポリマー材料を形成し、
前記ポリマー材料をミクロ相分離させ、前記第１セグメントを含み前記ライン部に沿った第１ポリマー部と前記第２セグメントを含み前記ライン部に沿った第２ポリマー部とが交互に配置された自己組織化パターンを形成し、
前記自己組織化パターンを覆うレジスト膜を形成し、
前記レジスト膜をマスクとしてエッチング処理を行い、前記自己組織化パターンの外側の混合ポリマーを除去し、
前記第２ポリマー部を選択的に除去するパターン形成方法であって、
前記中性化膜の複数のライン部のうち両端のライン部の幅は、前記第１ポリマー部又は前記第２ポリマー部の幅の略２倍であり、
互いに隣接する前記ライン部の間隔は、前記第１ポリマー部又は前記第２ポリマー部の幅の略奇数倍であり、
前記中性化膜の複数のライン部のうち両端以外のライン部の幅は、前記第１ポリマー部又は前記第２ポリマー部の幅の略３倍又は略５倍であり、
前記両端のライン部上には、前記第１ポリマー部と前記第２ポリマー部とが１つずつ形成され、前記第２ポリマー部が前記混合ポリマー側に位置していることを特徴とするパターン形成方法。
【請求項２】
被加工膜上に、下地層と、互いに平行に設けられた複数のライン部を有する中性化膜とを含むガイド層を形成し、
前記ガイド層上に、第１セグメント及び第２セグメントを有するポリマー材料を形成し、
前記ポリマー材料をミクロ相分離させ、前記第１セグメントを含み前記ライン部に沿った第１ポリマー部と前記第２セグメントを含み前記ライン部に沿った第２ポリマー部とが交互に配置された自己組織化パターンを形成し、
前記第２ポリマー部を選択的に除去するパターン形成方法であって、
前記中性化膜の複数のライン部のうち両端のライン部の幅は、前記第１ポリマー部又は前記第２ポリマー部の幅の略２倍であることを特徴とするパターン形成方法。
【請求項３】
互いに隣接する前記ライン部の間隔は、前記第１ポリマー部又は前記第２ポリマー部の幅の略奇数倍であることを特徴とする請求項２に記載のパターン形成方法。
【請求項４】
前記中性化膜の複数のライン部のうち両端以外のライン部の幅は、前記第１ポリマー部又は前記第２ポリマー部の幅の略３倍又は略５倍であることを特徴とする請求項２又は３に記載のパターン形成方法。
【請求項５】
前記自己組織化パターンを覆うレジスト膜を形成し、
前記レジスト膜をマスクとしてエッチング処理を行い、前記自己組織化パターンの外側の混合ポリマーを除去することを特徴とする請求項２乃至４のいずれかに記載のパターン形成方法。
【請求項６】
前記両端のライン部上には、前記第１ポリマー部と前記第２ポリマー部とが１つずつ形成され、
前記第２ポリマー部が前記混合ポリマー側に位置していることを特徴とする請求項５に記載のパターン形成方法。
【請求項７】
前記被加工膜上に前記下地層を形成し、
前記下地層上に中性化膜材料を形成し、
前記中性化膜材料上に、前記複数のライン部に対応するレジストパターンを形成し、
前記レジストパターンをマスクとしてエッチング処理を行い、前記中性化膜材料を加工して、前記複数のライン部を有する中性化膜を形成することを特徴とする請求項２乃至６に記載のパターン形成方法。
【請求項８】
請求項７に記載のレジストパターンを形成するためのリソグラフィプロセスに使用されるフォトマスクを作製するためのマスクパターンデータ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明の実施形態は、パターン形成方法及びマスクパターンデータに関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体素子の製造工程中のリソグラフィ技術として、ＡｒＦ液浸露光によるダブルパターニング技術、ＥＵＶリソグラフィ、ナノインプリント等が知られている。従来のリソグラフィ技術は、パターンの微細化に伴い、コストの増加、スループットの低下など、様々な問題を含んでいた。
【０００３】
このような状況下で、リソグラフィ技術への誘導自己組織化（DSA: Directed Self-assembly）の適用が期待されている。自己組織化は、エネルギー安定化という自発的な挙動によって発生することから、寸法精度の高いパターンを形成できる。特に、高分子ブロック共重合体のミクロ相分離を利用する技術は、簡便な塗布とアニールプロセスで、数〜数百ｎｍの種々の形状の周期構造を形成できる。高分子ブロック共重合体は、ミクロ相分離により、ブロックの組成比に応じて球状（スフィア）、柱状（シリンダー）、層状（ラメラ）等に形態を変え、分子量に応じてサイズを変える。そのため、様々な形状・寸法の自己組織化パターンを形成することができる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２０１２−１０８３６９号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
本発明は、所望の領域に自己組織化パターンを形成できるパターン形成方法及びマスクパターンデータを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本実施形態によれば、パターン形成方法は、被加工膜上に、下地層と、互いに平行に設けられた複数のライン部を有する中性化膜とを含むガイド層を形成し、前記ガイド層上に、第１セグメント及び第２セグメントを有するポリマー材料を形成し、前記ポリマー材料をミクロ相分離させ、前記第１セグメントを含み前記ライン部に沿った第１ポリマー部と前記第２セグメントを含み前記ライン部に沿った第２ポリマー部とが交互に配置された自己組織化パターンを形成し、前記第２ポリマー部を選択的に除去する。前記中性化膜の複数のライン部のうち両端のライン部の幅は、前記第１ポリマー部又は前記第２ポリマー部の幅の略２倍である。
【図面の簡単な説明】
【０００７】
【図１】第１の実施形態によるパターン形成方法を説明する上面図及び断面図である。
【図２】図１に続く工程の上面図及び断面図である。
【図３】図２に続く工程の上面図及び断面図である。
【図４】図３に続く工程の上面図及び断面図である。
【図５】図４に続く工程の上面図及び断面図である。
【図６】図５に続く工程の上面図及び断面図である。
【図７】図６に続く工程の上面図及び断面図である。
【図８】第２の実施形態によるケミカルガイドの上面図である。
【図９】第２の実施形態によるケミカルガイドの上面図である。
【図１０】第２の実施形態によるケミカルガイドの上面図である。
【発明を実施するための形態】
【０００８】
以下、本発明の実施の形態を図面に基づいて説明する。
【０００９】
（第１の実施形態）図１〜図７を用いて第１の実施形態によるパターン形成方法を説明する。図１〜図６において（ａ）は上面を示し、（ｂ）は（ａ）のＡ−Ａ線に沿った縦断面を示している。
【００１０】
図１（ａ）、（ｂ）に示すように、半導体基板（図示せず）上に被加工膜１０１を形成し、被加工膜１０１上にハードマスク材１０２を形成する。さらに、ハードマスク材１０２上に下地ガイド層１０３及び中性化膜１０４を順に形成する。被加工膜１０１は例えば膜厚３００ｎｍ程度のＴＥＯＳ膜等の酸化膜を用いることができる。
【００１１】
ハードマスク材１０２は、後工程において形成されるブロックコポリマーのミクロ相分離パターンを被加工膜１０１に転写するためのものである。ハードマスク材１０２は、例えば、ＣＶＤ（化学気相成長）法により膜厚１００ｎｍ程度の炭素膜を堆積することで形成できる。
【００１２】
下地ガイド層１０３及び中性化膜１０４は、後工程においてブロックコポリマーのミクロ相分離パターンを形成するためのガイドとなるものである。下地ガイド層１０３は、例えば、ＣＶＤ法により膜厚１５ｎｍ程度のシリコン酸化膜を堆積することで形成できる。
【００１３】
中性化膜１０４は、後工程において使用されるブロックコポリマーの２つのセグメントに対し中性の性質を持つ。例えば、ポリスチレン（ＰＳ）とポリメチルメタクリレート（ＰＭＭＡ）のランダム共重合体（ＰＳ−ｒ−ＰＭＭＡ）を、ポリエチレングリコールモノメチルエーテルアセテート（ＰＧＭＥＡ）に１．０ｗｔ％の濃度で溶解させたものを、回転数２０００ｒｐｍで回転塗布し、ホットプレート上において１１０℃で９０秒間ベーク、２４０℃で３分間ベークすることで、中性化膜１０４を形成できる。
【００１４】
次に、図２（ａ）、（ｂ）に示すように、レジストを回転塗布し、露光・現像を行い、ラインアンドスペース形状のレジストパターン１１０を形成する。塗布するレジストの膜厚は例えば１００ｎｍである。また、例えば、ＡｒＦエキシマレーザにより露光量２０ｍＪ／ｃｍ２で露光を行う。
【００１５】
レジストパターン１１０のピッチＰ１は、後の工程で使用されるブロックコポリマーの分子量や成分比から決定され、ブロックコポリマーがラメラ状にミクロ相分離して形成される自己組織化パターンのピッチ（図５（ｂ）のピッチＰ２）の略３倍になっている。また、レジストパターン１１０のうち、両端のライン部１１０ｂの幅Ｌ１は、自己組織化パターンのピッチ（図５（ｂ）のピッチＰ２）と同じになっている。レジストパターン１１０のうち、両端以外の中央領域のライン部１１０ａの幅Ｌ２、及びスペース部の幅Ｌ３は、それぞれ自己組織化パターンのピッチ（図５（ｂ）のピッチＰ２）の略１．５倍になっている。
【００１６】
例えば、自己組織化パターンのピッチ（ピッチＰ２）が３０ｎｍである場合、両端のライン部１１０ｂの幅Ｌ１は３０ｎｍ、中央領域のライン部１１０ａの幅Ｌ２及びスペース部の幅Ｌ３は４５ｎｍ（＝３０ｎｍ×１．５）、レジスト１１０のラインアンドスペースパターンのピッチＰ１は９０ｎｍ（＝３０ｎｍ×３）となる。
【００１７】
このようなレジストパターン１１０を形成するために、まず、自己組織化パターンのピッチを用いて、マスクパターンデータを生成する。そして、マスクパターンデータに基づいて露光用マスクを作製する。そして、この露光用マスクを用いて露光処理を行うことで、レジストパターン１１０を形成することができる。
【００１８】
次に、図３（ａ）、（ｂ）に示すように、レジストパターン１１０をマスクにして中性化膜１０４を加工し、中性化膜１０４をラインアンドスペース形状に加工する。中性化膜１０４の加工は、例えば、酸素ＲＩＥ（反応性イオンエッチング）により行われる。中性化膜１０４の加工後、シンナー等を用いてレジストパターン１１０を剥離する。中性化膜１０４は、所定方向に沿って平行に設けられた複数のライン状の中性化膜１０４ａ、１０４ｂを有し、中性化膜１０４ｂは、ライン部１１０ｂに対応して両端に位置し、中性化膜１０４ａは、ライン部１１０ａに対応して両端以外の中央領域に位置する。
【００１９】
次に、図４（ａ）、（ｂ）に示すように、下地ガイド層１０３及び中性化膜１０４上に、第１ポリマーブロック鎖及び第２ポリマーブロック鎖が結合したブロックコポリマー１０５を塗布する。
【００２０】
次に、図５（ａ）、（ｂ）に示すように、ブロックコポリマー１０５を加熱し、ミクロ相分離により薄板状の第１ポリマーブロック鎖（第１セグメント）を含む第１ポリマー部１０６ａと第２ポリマーブロック鎖（第２セグメント）を含む第２ポリマー部１０６ｂとが交互に配置されたラメラ状のミクロ相分離構造膜（自己組織化パターン１０６）を形成する。下地ガイド層１０３及び中性化膜１０４がいわゆるケミカルガイドとして機能し、ラメラ状の第１ポリマー部１０６ａ及び第２ポリマー部１０６ｂは、中性化膜１０４に合わせて配列される。すなわち、自己組織化パターン１０６では、第１セグメントを含み、図５（ａ）の上下方向に沿った第１ポリマー部１０６ａと、第２セグメントを含み、図５（ａ）の上下方向に沿った第２ポリマー部１０６ｂとが、図５（ａ）の左右方向に交互に配置されている。
【００２１】
中性化膜１０４のラインアンドスペースパターンのピッチＰ１は、自己組織化パターン１０６のピッチＰ２の略３倍になっている。下地ガイド層１０３（ラインアンドスペースパターンのスペース部）がピンニング領域となり、下地ガイド層１０３表面の中心に第１ポリマー部１０６ａが形成される。また、ラメラ状ミクロ相分離の特性から、第１ポリマー部１０６ａと第２ポリマー部１０６ｂとが交互に形成される。
【００２２】
図５（ａ）、（ｂ）に示すように、両端以外の中央領域の中性化膜１０４ａ上では、第２ポリマー部１０６ｂを挟んで第１ポリマー部１０６ａが形成される。また、両端の中性化膜１０４ｂ上では、第１ポリマー部１０６ｂが内側（中央側）に形成され、第２ポリマー部１０６ａが外側に形成される。
【００２３】
なお、両端の中性化膜１０４ｂよりも外側の領域では、ブロックコポリマー１０５の規則的な相分離は発生せず、第１ポリマーブロック鎖及び第２ポリマーブロック鎖が混合した混合ポリマー１０７になっている。
【００２４】
ブロックコポリマー１０５には、例えば、ポリスチレン（ＰＳ）とポリメチルメタクリレート（ＰＭＭＡ）のブロック共重合体を使用することができる。ＰＳブロック／ＰＭＭＡブロックの平均分子量は例えば２１０００／２１０００である。このようなブロック共重合体を１．０ｗｔ％程度の濃度となるようにＰＧＭＥＡに溶解させ、この溶液を回転数２０００ｒｐｍで回転塗布する。そして、１１０℃、９０秒間ベークし、さらに、窒素雰囲気で２２０℃、３分間アニール処理を行うことで、ハーフピッチ１５ｎｍのラメラ状ドメインに分離させることができる。この場合、第１ポリマー部１０６ａがＰＳ相となり、第２ポリマー部１０６ｂがＰＭＭＡ相となる。
【００２５】
次に、図６（ａ）（ｂ）に示すように、自己組織化パターン１０６を覆い、両端の中性化膜１０４ｂよりも外側の領域の混合ポリマー１０７を露出するレジスト１１２を形成する。そして、レジスト１１２をマスクとしてＲＩＥを行い、混合ポリマー１０７を除去する。混合ポリマー１０７の除去後、レジスト１１２を剥離する。
【００２６】
次に、図７（ａ）（ｂ）に示すように、ウェット現像処理を行い、第１ポリマー部１０６ａを残存させ、第２ポリマー部１０６ｂを選択的に除去する。例えば、自己組織化パターン１０６に対し紫外光を照射し、その後、現像液を供給する。紫外光が照射されると、雰囲気中の酸素及び／又は水とによりＰＭＭＡが酸化されて現像液に対する可溶性が生じる。現像液としては、フォトリソグラフィ技術において露光されたフォトレジスト膜の現像に使用され得る現像液を用いることができ、例えば水酸化テトラメチルアンモニウム（ＴＭＡＨ）が用いられる。
【００２７】
図示は省略するが、その後、第１ポリマー部１０６ａをマスクに下地ガイド層１０３を加工する。これにより、下地ガイド層１０３にラインアンドスペース形状が転写される。そして、下地ガイド層１０３をマスクにしてハードマスク材１０２をＲＩＥ等により加工する。これにより、ハードマスク材１０２にラインアンドスペース形状が転写される。そして、ハードマスク材１０２をマスクとして被加工膜１０１をＲＩＥ等により加工する。これにより、被加工膜１０１にラインアンドスペース形状を転写することができる。
【００２８】
図５（ａ）、（ｂ）に示すように、両端の中性化膜１０４ｂ上では、ウェット現像処理で除去される第２ポリマー部１０６ｂが外側に形成されている。そのため、図６（ａ）（ｂ）に示す工程でレジスト１１２を形成する際、この第２ポリマー部１０６ｂの幅の分だけ位置合わせのマージンをとることができる。このことにより、後工程で必要な第１ポリマー部１０６ａは残存させつつ、混合ポリマー１０７を容易に除去することができる。
【００２９】
このように本実施形態によれば、所望の領域に自己組織化パターンを形成することができる。
【００３０】
上記実施形態では、ブロックコポリマーとして、ポリスチレン（ＰＳ）とポリメチルメタクリレート（ＰＭＭＡ）のブロック共重合体を使用する例について説明したが、ポリスチレン（ＰＳ）とポリジメチルシロキサン（ＰＤＭＳ）のブロック共重合体など、他の材料を用いてもよい。
【００３１】
（第２の実施形態）上記第１の実施形態において、ケミカルガイドは、中性化膜１０４及びピンニング領域（下地ガイド層）１０３により構成され、両端以外の中央領域の中性化膜１０４ａの幅は、自己組織化パターン１０６のピッチＰ２の略１．５倍、言い換えれば、第１ポリマー部１０６ａ又は第２ポリマー部１０６ｂの幅の略３倍になっている。また、両端の中性化膜１０４ｂの幅は、自己組織化パターン１０６のピッチＰ２と同じ、言い換えれば、第１ポリマー部１０６ａ又は第２ポリマー部１０６ｂの幅の略２倍になっている。また、ピンニング領域１０３の幅は、自己組織化パターン１０６のピッチＰ２の略１．５倍、言い換えれば、第１ポリマー部１０６ａ又は第２ポリマー部１０６ｂの幅の略３倍になっている（図８（ａ）参照）。
【００３２】
そのため、ウェット現像処理を行い、第２ポリマー部１０６ｂを選択的に除去した後に残存する第１ポリマー部１０６ａの本数は３ｎ（ｎは１以上の整数）となる。
【００３３】
ウェット現像処理後に残存する第１ポリマー部１０６ａの本数は、両端の中性化膜１０４ｂの幅を調整することで、変更することができる。
【００３４】
例えば、両端の中性化膜１０４ｂのうち一方の幅を、自己組織化パターン１０６のピッチＰ２の略１．５倍又は略２倍、言い換えれば、第１ポリマー部１０６ａ又は第２ポリマー部１０６ｂの幅の略３倍又は略４倍にすることで、ウェット現像処理後に残存する第１ポリマー部１０６ａの本数は３ｎ＋１となる。図８（ｂ）は、両端の中性化膜１０４ｂのうち一方の幅を、自己組織化パターン１０６のピッチＰ２の略２倍、言い換えれば、第１ポリマー部１０６ａ又は第２ポリマー部１０６ｂの幅の略４倍にした場合を示している。
【００３５】
また、両端の中性化膜１０４ｂの幅を、自己組織化パターン１０６のピッチＰ２の１．略５倍又は略２倍、言い換えれば、第１ポリマー部１０６ａ又は第２ポリマー部１０６ｂの幅の略３倍又は略４倍にすることで、ウェット現像処理後に残存する第１ポリマー部１０６ａの本数は３ｎ＋２となる。図８（ｃ）は、両端の中性化膜１０４ｂの幅を、自己組織化パターン１０６のピッチＰ２の略２倍、言い換えれば、第１ポリマー部１０６ａ又は第２ポリマー部１０６ｂの幅の略４倍にした場合を示している。
【００３６】
上述の例はピンニング領域１０３が親水性の場合についてのものであるが、ピンニング領域１０３が疎水性である場合、第１ポリマー部（ＰＳ相）１０６ａと第２ポリマー部（ＰＭＭＡ相）１０６ｂの形成位置が逆になる。この場合、両端の中性化膜１０４ｂの幅を、自己組織化パターン１０６のピッチＰ２の半分、言い換えれば、第１ポリマー部１０６ａ又は第２ポリマー部１０６ｂの幅と同じにすると（図９（ａ）参照）、ウェット現像処理後に残存する第１ポリマー部１０６ａの本数は３ｎ＋２となる。
【００３７】
ピンニング領域１０３が疎水性の場合、両端の中性化膜１０４ｂのうち、一方の幅を、自己組織化パターン１０６のピッチＰ２の半分、言い換えれば、第１ポリマー部１０６ａ又は第２ポリマー部１０６ｂの幅と同じにし、他方を、自己組織化パターン１０６のピッチＰ２の１倍又は略１．５倍、言い換えれば、第１ポリマー部１０６ａ又は第２ポリマー部１０６ｂの幅の略２倍又は略３倍にすることで、ウェット現像処理後に残存する第１ポリマー部１０６ａの本数は３ｎとなる。図９（ｂ）は、両端の中性化膜１０４ｂのうちの一方の幅を、第１ポリマー部１０６ａの幅と同じにし、他方の幅を第１ポリマー部１０６ａの幅の略３倍にした場合を示している。
【００３８】
また、ピンニング領域１０３が疎水性の場合、両端の中性化膜１０４ｂの幅を、自己組織化パターン１０６のピッチＰ２の１倍又は略１．５倍、言い換えれば、第１ポリマー部１０６ａ又は第２ポリマー部１０６ｂの幅の略２倍又は略３倍にすることで、ウェット現像処理後に残存する第１ポリマー部１０６ａの本数は３ｎ＋１となる。図９（ｃ）は、両端の中性化膜１０４ｂの幅を、第１ポリマー部１０６ａの幅の略３倍にした場合を示している。
【００３９】
両端の中性化膜１０４ｂの幅だけでなく、両端以外の中央領域の中性化膜１０４ａの幅や、ピンニング領域１０３の幅を調整してもよい。ラメラ状ミクロ相分離の特性から、中性化膜１０４ａ及びピンニング領域１０３の幅は、第１ポリマー部１０６ａ（又は第２ポリマー部１０６ｂ）の幅の略奇数倍にする。
【００４０】
例えば、図１０（ａ）に示すように、両端の中性化膜１０４ｂの幅を第１ポリマー部１０６ａ又は第２ポリマー部１０６ｂの幅の略２倍、中央領域の中性化膜１０４ａの幅を第１ポリマー部１０６ａ又は第２ポリマー部１０６ｂの幅の略３倍、ピンニング領域１０３の幅を第１ポリマー部１０６ａ又は第２ポリマー部１０６ｂの幅の１倍にしてもよい。
【００４１】
また、図１０（ｂ）に示すように、両端の中性化膜１０４ｂの幅を第１ポリマー部１０６ａ又は第２ポリマー部１０６ｂの幅の略２倍、中央領域の中性化膜１０４ａの幅を第１ポリマー部１０６ａ又は第２ポリマー部１０６ｂの幅の略５倍、ピンニング領域１０３の幅を第１ポリマー部１０６ａ又は第２ポリマー部１０６ｂの幅の１倍にしてもよい。
【００４２】
また、図１０（ｃ）に示すように、両端の中性化膜１０４ｂの幅を第１ポリマー部１０６ａ又は第２ポリマー部１０６ｂの幅の略２倍、中央領域の中性化膜１０４ａの幅を第１ポリマー部１０６ａ又は第２ポリマー部１０６ｂの幅の略５倍、ピンニング領域１０３の幅を第１ポリマー部１０６ａ又は第２ポリマー部１０６ｂの幅の略３倍にしてもよい。
【００４３】
このように、両端以外の中央領域の中性化膜１０４ａの幅や、ピンニング領域１０３の幅を調整することで、ウェット現像処理後に残存する第１ポリマー部１０６ａの本数を所望の値にすることができる。そのため、所望の領域に必要な分のラインアンドスペースパターンを形成することができる。
【００４４】
なお、本発明は上記実施形態そのままに限定されるものではなく、実施段階ではその要旨を逸脱しない範囲で構成要素を変形して具体化できる。また、上記実施形態に開示されている複数の構成要素の適宜な組み合わせにより、種々の発明を形成できる。例えば、実施形態に示される全構成要素から幾つかの構成要素を削除してもよい。さらに、異なる実施形態にわたる構成要素を適宜組み合わせてもよい。
【符号の説明】
【００４５】
１０１  被加工膜
１０２  ハードマスク材
１０３  下地ガイド層
１０４  中性化膜
１０４  レジスト
１０５  ブロックコポリマー
１０６  自己組織化パターン
１１０  レジストパターン
【図１】
2015023063.tif 000003
【図２】
2015023063.tif 000004
【図３】
2015023063.tif 000005
【図４】
2015023063.tif 000006
【図５】
2015023063.tif 000007
【図６】
2015023063.tif 000008
【図７】
2015023063.tif 000009
【図８】
2015023063.tif 000010
【図９】
2015023063.tif 000011
【図１０】
2015023063.tif 000012