(57)【要約】【課題】マスクを用いたパターニング成膜における、マスク浮きを抑制する表示装置の製造方法を提供する。【解決手段】表示装置の製造方法は、磁性材料からなり、複数の開口部と、複数の開口部を仕切るリブ（３０４，３０６）とを有するマスク（３００）を、成膜対象である基板を挟んで、マグネット（３５０）により固定する工程と、固定されたマスクを介して基板に成膜する工程と、を備え、マグネットは、基板を介した平面視において、リブの幅の中心を通る中心線を挟んで、互いに極性が異なる向きで離間して配置される複数のマグネットを有している。【選択図】図６
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
磁性材料からなり、複数の開口部と、前記複数の開口部を仕切るリブとを有するマスクを、成膜対象である基板を挟んで、マグネットにより固定する工程と、
前記固定されたマスクを介して前記基板に成膜する工程と、を備え、
前記マグネットは、前記基板を介した平面視において、前記リブの幅の中心を通る中心線を挟んで、互いに極性が異なる向きで離間して配置される複数のマグネットを有している、ことを特徴とする表示装置の製造方法。
【請求項２】
請求項１に記載の表示装置に製造方法において、
前記固定する工程において、前記複数のマグネットと前記基板との間には、前記複数のマグネットが収納される複数の凹部を有するマグネットトレーが配置される、ことを特徴とする表示装置の製造方法。
【請求項３】
請求項２に記載の表示装置に製造方法において、
前記マグネットトレーの前記複数の凹部は、前記平面視で、前記中心線を挟んで、前記中心線の延びる方向に複数並んで配置され、
前記固定する工程において、前記中心線の延びる方向に複数並ぶ凹部に配置される前記複数のマグネットのうち、隣接する前記マグネットを互いに極性が異なる向きで配置することにより前記マスクを固定する、ことを特徴とする表示装置の製造方法。
【請求項４】
請求項１乃至３のいずれか一項に記載の表示装置に製造方法において、
前記互いに極性が異なる向きで配置されるマグネットの間隔は、前記中心線を挟んで、１ｍｍより大きく、前記マスクリブの幅より２ｍｍ長い長さより小さい範囲であることを特徴とする表示装置の製造方法。
【請求項５】
請求項１乃至４のいずれか一項に記載の表示装置に製造方法において、
前記基板は、切断されることにより複数の表示パネル基板となる多面取り基板であり、
前記複数の開口部のそれぞれは、前記複数表示パネル基板の各表示領域が露出されるように開口し、
前記成膜する工程は、少なくとも各表示領域を覆う膜を成膜する、ことを特徴とする表示装置の製造方法。
【請求項６】
請求項５に記載の表示装置に製造方法において、
前記表示領域は、長辺と短辺とを有し、
前記長辺に対応する前記リブの前記中心線と、前記短辺に対応する前記リブの前記中心線との両方の前記中心線に関して、それぞれ前記中心線を挟んでマグネットが配置される、ことを特徴とする表示装置の製造方法。
【請求項７】
請求項１乃至６のいずれか一項に記載の表示装置に製造方法において、
前記成膜する工程は、スパッタリングにより行われる、ことを特徴とする表示装置の製造方法。
【請求項８】
請求項１乃至７のいずれか一項に記載の表示装置に製造方法において、
前記成膜される膜は、前記表示領域を覆う透明導電膜である、ことを特徴とする表示装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、表示装置に製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
有機ＥＬ（Electro-luminescent）表示装置は、各画素に有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ：Organic Light Emitting Diode）と呼ばれる自発光体を用い、自発光体が発光する輝度を制御することにより、画像を表示する画像表示装置である。一方、液晶表示装置は、２つの基板の間に封じ込められた液晶組成物の配向を、電界を変化させることにより変え、液晶パネルを通過する光の透過度合いを制御することにより画像を表示させる装置である。
【０００３】
上述のような微細加工を用いて製造される表示装置では、製造過程において真空蒸着、スパッタリング、ＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）等の方法による薄膜を成膜する工程を有することが一般的である。このような成膜においては、開口部を有するマスクを配置し、開口部にのみ成膜されるようなパターンニングが用いられる。
【０００４】
特許文献１は、基板の一方の面に配置されるメタルマスクと、基板の他方の面に配置される磁化部材とを有し、隣合う磁区の磁性が異なることについて開示している。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２００２−０７５６３９号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
図１５には、上述のようなパターニングに用いられるマスクの例であるマスク９００が示されている。マスク９００は１５個の開口部９０２を有し、各開口部９０２はリブ９０４により仕切られている。図１６は、成膜時における図１５のXVI−XVI線における断面を示す図である。例えばスパッタリングによる成膜では、高いエネルギーを持った粒子で膜が形成されるため、着膜後の膜の形状変化によりマスクに応力が加わり、この図に示されるように、マスク、特にリブ９０４を変形させてしまうことがある。このような変形はマスクを繰り返して使用する毎に大きくなる。図１７は、図１５のXVIIに示されるリブ９０４が交差する部分について概略的に示す斜視図である。この図に示されるようにリブ９０４が変形した場合には、リブ９０４の直線部分はたわみが大きく、交差部のたわみが小さくなる傾向にあり、特にこの交差部において、いわゆる「マスク浮き」が発生しやすくなる。マスク浮きが発生したまま、スパッタリング等の成膜を行うと、マスクと基板の隙間に粒子が回り込み、本来の設計領域以外の場所に着膜してしまい、特に成膜される物質が導電材料である場合等には、他の配線部分とショートしてしまう恐れがある。
【０００７】
このような現象に対しては、一つのマスクの成膜処理の回数を少なくし、マスク浮きが発生する前に交換する対策が考えられるが、マスクの交換回数及び使用量が増加するため、コスト高に繋がってしまう。また、マスクの開口を形成するリブの部分を幅広にする、又は厚くすることでリブの部分を強化することも考えられるが、幅広にする場合には隣合う成膜領域との距離が広がるため、製品の設計変更等に繋がり、厚くした場合には、リブ近く膜厚が十分でなくなる恐れがある。
【０００８】
本発明は、上述の事情を鑑みてしたものであり、このようなマスク浮きを抑制する表示装置の製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明の表示装置の製造方法は、磁性材料からなり、複数の開口部と、前記複数の開口部を仕切るリブとを有するマスクを、成膜対象である基板を挟んで、マグネットにより固定する工程と、前記固定されたマスクを介して前記基板に成膜する工程と、を備え、前記マグネットは、前記基板を介した平面視において、前記リブの幅の中心を通る中心線を挟んで、互いに極性が異なる向きで離間して配置される複数のマグネットを有している、ことを特徴とする表示装置の製造方法である。
【００１０】
また、本発明の表示装置の製造方法は、前記固定する工程において、前記複数のマグネットと前記基板との間には、前記複数のマグネットが収納される複数の凹部を有するマグネットトレーが配置される、こととしてもよい。
【００１１】
また、本発明の表示装置の製造方法において、前記マグネットトレーの前記複数の凹部は、前記平面視で、前記中心線を挟んで、前記中心線の延びる方向に複数並んで配置され、前記固定する工程において、前記中心線の延びる方向に複数並ぶ凹部に配置される前記複数のマグネットのうち、隣接する前記マグネットを互いに極性が異なる向きで配置することにより前記マスクを固定する、こととしてもよい。
【００１２】
また、本発明の表示装置の製造方法において、前記互いに極性が異なる向きで配置されるマグネットの間隔は、前記中心線を挟んで、１ｍｍより大きく、前記マスクリブの幅より２ｍｍ長い長さより小さい範囲であってもよい。
【００１３】
また、本発明の表示装置の製造方法において、前記基板は、切断されることにより複数の表示パネル基板となる多面取り基板であり、前記複数の開口部のそれぞれは、前記複数表示パネル基板の各表示領域が露出されるように開口し、前記成膜する工程は、少なくとも各表示領域を覆う膜を成膜する、こととしてもよい。
【００１４】
また、本発明の表示装置の製造方法において、前記表示領域は、長辺と短辺とを有し、前記長辺に対応する前記リブの前記中心線と、前記短辺に対応する前記リブの前記中心線との両方の前記中心線に関して、それぞれ前記中心線を挟んでマグネットが配置される、こととしてもよい。
【００１５】
また、本発明の表示装置の製造方法において、前記成膜する工程は、スパッタリングにより行われることとしてもよい。
【００１６】
また、本発明の表示装置の製造方法において、前記成膜される膜は、前記表示領域を覆う透明導電膜であってもよい。
【図面の簡単な説明】
【００１７】
【図１】本発明の実施形態に係る表示装置について概略的に示す図である。
【図２】表示領域における各画素の層構成について示す概略断面図である。
【図３】本実施形態の表示装置の製造方法について概略的に示すフローチャートである。
【図４】本実施形態の表示装置の製造方法について概略的に示すフローチャートである。
【図５】上部電極のマスクスパッタリングによる形成工程のフローチャートである。
【図６】マスクスパッタリングによる成膜工程において用いられるマスクと、マスクを固定するマグネットの配置について概略的に示す平面図である。
【図７】図６のVII−VII線における断面について示す図である。
【図８】リブをより強い磁力で固定するためのマグネットの配置について説明するための図である。
【図９】表示装置の製造方法の第１の変形例ついて示す図である。
【図１０】図９のＸ−Ｘ線における断面について示す図である。
【図１１】表示装置の製造方法の第２の変形例ついて示す図である。
【図１２】同じ極性が並んで配置されたマグネットにおける互いに引き合う力の様子を矢印で示す図である。
【図１３】交互に極性を異ならせて並べたマグネットにおける互いに引き合う力の様子を矢印で示す図である。
【図１４】表示装置の点灯検査のシミュレーション結果を示す表である。
【図１５】パターニングに用いられるマスクの例を示す図である。
【図１６】成膜時における図１５のXVI−XVI線における断面を示す図である。
【図１７】図１５のXVIIに示されるリブが交差する部分について概略的に示す斜視図である。
【発明を実施するための形態】
【００１８】
以下、本発明の実施形態について、図面を参照しつつ説明する。なお、図面において、同一又は同等の要素には同一の符号を付し、重複する説明を省略する。
【００１９】
図１には、本発明の実施形態に係る表示装置１００が概略的に示されている。本実施形態においては、有機ＥＬ表示装置を例に説明するが液晶表示装置その他の表示装置であってもよい。この図に示されるように、表示装置１００は、ＴＦＴ（Thin Film Transistor：薄膜トランジスタ）基板１２０及び対向基板１５０の２枚の基板を有し、これらの基板の間には透明樹脂の充填剤１５１（図２参照）が封止されている。表示装置１００には、マトリクス状に配置された画素２１０からなる表示領域２０５が形成され、画素２１０はＲ（赤）Ｇ（緑）Ｂ（青）の３色に対応する光が出射される３つの副画素２１２から構成されている。
【００２０】
また、ＴＦＴ基板１２０には、副画素２１２のそれぞれに配置された画素トランジスタの走査信号線に対してソース・ドレイン間を導通させるための電位を印加すると共に、各画素トランジスタのデータ信号線に対して画素の階調値に対応する電圧を印加する駆動回路である駆動ＩＣ（Integrated Circuit）１８２が載置され、外部から画像信号等を入力するためのＦＰＣ（Flexible Printed Circuits）１８１が取付けられている。また、本実施形態においては、図の矢印に示されるように、ＴＦＴ基板１２０の発光層が形成された側に光を出射するトップエミッション型の有機ＥＬ表示装置としているが、ボトムエミッション型の有機ＥＬ表示装置であってもよい。
【００２１】
図２は、表示領域２０５における各画素２１０の層構成について示す概略断面図である。上述したように画素２１０には異なる色の波長領域の光を発光する３つの副画素２１２が含まれるが、この図においては、特に発光する色の違いによる構成の違いについては示していない。この図に示されるように、ＴＦＴ基板１２０上には、副画素２１２毎にＴＦＴを含む回路が形成されたＴＦＴ回路層１２１が形成され、その上には、副画素２１２毎にＴＦＴ回路層１２１の電極と電気的に接続された下部電極１２２と、下部電極１２２の端部を絶縁膜で覆うことにより、副画素２１２間を分離する画素分離膜１２３とが形成されている。更に、下部電極１２２及び画素分離膜１２３上には、発光層を含む複数の有機層からなる発光有機層１２４と、発光有機層１２４上において、表示領域２０５を覆うように各副画素２１２で共通に形成され、ＩＺＯ（Indium Zinc Oxide）等の透明導電膜からなる上部電極１２５とが形成される。ここで上部電極１２５の材料には、ＩＺＯ以外にＭｇ−ＡｇやＡｌ等を用いることができる。また、上部電極１２５上には、上部電極１２５を覆って水分を遮断する封止膜１２６が形成され、その上には、対向基板１５０が、充填剤１５１を介して取付けられている。上述のように、ＴＦＴ基板１２０には、ＴＦＴ回路層１２１から封止膜１２６までの層が形成されるが、以下の説明では、各層が形成されているＴＦＴ基板１２０についても単にＴＦＴ基板１２０として参照する。
【００２２】
図３及び４は、本実施形態の表示装置１００の製造方法について概略的に示すフローチャートである。図３に示されるように、表示装置１００の製造方法では、まず、約０．５ｍｍの厚みを持ったガラス又は樹脂からなる透明基板であるＴＦＴ基板１２０に、公知の成膜工程及びフォトリソグラフィ工程によりＴＦＴ回路層１２１を形成する（Ｓ１１）。次に、ＴＦＴ回路層１２１の上層に、各副画素２１２毎に、ＴＦＴ回路層１２１の電極と電気的に接続された下部電極１２２を形成する（Ｓ１２）。例えば、Ａｒ＋Ｏ２の反応性スパッタリングを用いてＩＴＯを成膜し、成膜後ウェットエッチングによるパタニングを実施することにより下部電極１２２を形成することとしてもよい。
【００２３】
引き続き、絶縁膜で下部電極１２２の端部を覆うことにより、副画素２１２間を分離する画素分離膜１２３を形成する（Ｓ１３）。画素分離膜１２３は、例えば、ポリイミドを成膜し、パタニング露光することにより形成することとしてもよい。次に、下部電極１２２及び画素分離膜１２３上に、発光層を含む複数の有機材料からなる層である発光有機層１２４を形成する（Ｓ１４）。発光有機層１２４の発光層は、表示領域２０５全体で同じ光を発光する発光層であってもよいし、副画素２１２毎に例えばＲＧＢそれぞれの光を発光する発光層であってもよい。なお、発光有機層１２４は、発光層の他いわゆる正孔注入層、正孔輸送層、電子注入層、電子輸送層及び電荷発生層のうちの一又は複数を含むものであってもよい。
【００２４】
引き続き、ＩＺＯ（Indium Zinc Oxide）等の透明導電膜からなる各副画素２１２で共通の上部電極１２５を成膜する（Ｓ１５）。ＩＺＯは約１００ｎｍの膜厚のマスクを用いたスパッタリングにより形成することととしてもよく、詳しい製法については後述する。なお、ＩＺＯ以外にＭｇ−ＡｇやＡｌを用いてもよい。更に上部電極１２５上にＣＶＤ法等によってＳｉＮの封止膜１２６を成膜する（Ｓ１６）。ＳｉＮ成膜時には、ＳｉＨ４、ＮＨ３、Ｎ２を混合ガスとし、プラズマを発生させて成膜することができる。ＳｉＮ膜の膜厚は約５００μｍとすることができ、基板温度を５０℃以下として成膜してもよい。
【００２５】
次に、ガラス又はプラスチックからなる透明基板である対向基板１５０に、シール剤及び充填剤１５１を塗布する。シール剤は表示領域２０５の外側を囲むように塗布し、充填剤１５１は、シール剤にて覆われた表示領域２０５にＯＤＦ（One Drop Filling）塗布により充填される。この対向基板１５０を、上述の各膜が成膜されたＴＦＴ基板１２０と貼り合わせる（Ｓ１７）。この際、対向基板１５０には、カラーフィルタ等が形成されていてもよい。この後、１枚の基板に複数の表示領域２０５が配置されることにより多面取りされたＴＦＴ基板１２０及び対向基板１５０の有機ＥＬパネルがペネットにより切断され、ＦＰＣ１８１がＴＦＴ基板１２０の端子にＡＧＦ（Anisotropic Conductive Film）により取付けられ、表示装置１００となる。
【００２６】
図５は、ステップＳ１５の上部電極１２５のマスクスパッタリングによる形成工程のフローチャートである。このフローチャートに示されるように、上部電極１２５の形成では、まず、ＴＦＴ基板１２０にマスク３００を固定し（Ｓ２１）、その後、マスク３００を介して、ＴＦＴ基板１２０にＩＺＯを約１００ｎｍ成膜する（Ｓ２２）。図５においては、ステップＳ１５のマスクスパッタリングを例にしたが、いずれの工程におけるスパッタリング、蒸着、ＣＶＤ、ＰＶＤ（Physical Vapor Deposition）による成膜においても適用することができる。
【００２７】
図６は、図５のマスクスパッタリングによる成膜工程において用いられるマスク３００と、マスク３００をＴＦＴ基板１２０を挟んで固定するマグネット３５０の配置について概略的に示す平面図である。この図に示されるように、マスク３００は、１５個の表示装置１００のＴＦＴ基板１２０を多面取りする１枚のパネル基板に対して成膜するためものであり、１パネル基板辺り１５個の５１ｍｍ×１０１ｍｍの開口部を有している。それぞれの開口部３０２は、ＴＦＴ基板１２０の面積より小さく、かつ表示領域２０５より大きく形成されることにより、表示領域２０５を覆って成膜される大きさとなっており、１５の表示領域２０５を一度に成膜することができる。マスク３００は、開口部３０２の短辺側で互いに隣合う開口部３０２を仕切るリブ３０６と、長辺側で互いに隣合う開口部３０２を仕切るリブ３０４とを有している。短辺側のリブ３０６は約４ｍｍの幅を有し、長辺側のリブ３０４は約２ｍｍの幅を有している。マスクの厚さは約０．１ｍｍであり、成膜時には長辺方向及び短辺方向に引張テンションがかけられる。マグネット３５０は、ネオジム系磁石でネオジム−鉄−ボロン成分のものを用い、マグネット３５０の表面にはニッケルメッキが施されている。しかしながら、ネオジム系に限定するものではなく、サマリウムコバルト系なども使用することができ、発熱が大きい場合などは、キュリー値の高いサマリウムコバルト系の方が適している。
【００２８】
また、マグネット３５０は、平面視で、長辺側のリブ３０４の幅の中心線を挟んで配置される一組のマグネット３５２と、短辺側のリブ３０６の幅の中心線を挟んで配置される一組のマグネット３５４と、を有し、磁性体の材料からなるマスクを固定する。
【００２９】
図７は、図６のVII−VII線における断面について示す図である。この図に示されるように、マグネット３５２は、ステップＳ１４までの工程により成膜されたＴＦＴ基板１２０とアルミからなるタッチプレート３１０とを間に挟んで、リブ３０４を固定する。タッチプレート３１０とマグネット３５２は、２液性のエポキシ系接着剤により接着されている。またマグネット３５０の基板１２０とは反対側にはＳＵＳ４３０からなるヨーク３１６が配置されている。一組のマグネット３５２は、それぞれＮ極とＳ極とがリブ３０４側に向くように、中心線ＣＬを挟んで配置される。ここで、タッチプレート３１０は、アルミに限らず、ＳＵＳその他の材料により形成することができる。
【００３０】
図８は、リブ３０４をより強い磁力で固定するためのマグネットの配置について説明するための図である。この図のＡで示される例は、一組のマグネット３５０がリブ３０４の幅の約５倍の距離を隔てて配置される場合について示しており、Ｂで示される例では、一組のマグネット３５０が間隔をあけて配置されているが、間隔はリブ３０４の幅より狭い場合について示しており、Ｃで示される例は、一組のマグネット３５０が接して配置される場合について示している。
【００３１】
ここでＣの場合には、磁力線が外にほとんど漏れないため、リブ３０４を固定することができず、Ａの場合には、リブ３０４からの距離が離れすぎているため、リブ３０４を固定するための磁力は十分ではない配置となる。したがって、Ｂの場合のように、リブ３０４の中心線を挟んで、所定の間隔で一組のマグネット３５０を配置するのがよく、特に、一組のマグネット３５０の配置の間隔は、リブ３０４の中心線を挟んで、１ｍｍより大きく、リブ３０４の幅より２ｍｍ長い長さ迄の範囲とすることにより、より強力な固定とすることができることがわかった。そこで、図７では、この範囲の位置で配置することとしている。なお、図７では、長辺側のリブ３０４及びマグネット３５２の組合せについて示したが、短辺側のリブ３０６及びマグネット３５４についても同様である。
【００３２】
したがって、本実施形態によれば、より強い力でマスクを固定するため、マスク浮きを抑制することができる。これにより、成膜時の回り込みを防ぎ、特に成膜材料が導電材料の場合には、他の配線と短絡してしまうというような不具合を回避することができる。また、マスクの交換回数を増やすこともなく、マスクの設計変更もなく適用できるため、コストを抑えることができる。
【００３３】
図９は、表示装置１００の製造方法の第１の変形例ついて示す図である。この変形例では、タッチプレート３１０の代りにアルミ製のマグネットトレー３２０を用いることとしている。マグネットトレー３２０は、複数の凹部３２１を有しており、本実施形態においては２４×２５のマトリクス状に配置されている。凹部３２１は、それぞれ１０ｍｍ□で深さを２ｍｍとしている。しかしながら、凹部３２１の数、配置及び大きさは、任意であり、適宜変更することができる。また、マグネット３５０は、これらの凹部３２１に配置される大きさのピースタイプのマグネットであり、マスク３００の開口部３０２及びリブ３０４，３０６の位置に合わせて、実質的に図６と同様の配置となるように、マグネット３５０を配置する。
【００３４】
図１０は、図９のＸ−Ｘ線における断面について示す図である。この図に示されるように、マグネット３５０はそれぞれマグネットトレー３２０の凹部３２１に配置され、ＴＦＴ基板１２０とマグネットトレー３２０を間に挟んで、リブ３０４を固定する。マグネットトレー３２０の凹部３２１にはねじ穴があり、穴の開いているマグネット３５０を使用することにより、ねじ３５３を用いてマグネット３５０をトレーの凹部３２１に固定することができる。一組のマグネット３５０は、それぞれＮ極とＳ極とがリブ３０４側に向くように、中心線ＣＬを挟んで配置される。このように、一つのマグネット３５０を小さくして、配置の変更が可能とすることにより、成膜パターンが変わったとしても、変更後のマスク３００のリブ３０４又は３０６の位置に合わせてマグネット３５０の配置を変更することにより、容易に固定することができる。この第１の変形例においても、一組のマグネット３５０の配置の間隔を、リブ３０４の中心線を挟んで、１ｍｍより大きく、リブ３０４の幅より２ｍｍ長い長さ迄の範囲とすることが望ましい。第１の変形例のような構成とした場合であっても、上述の実施形態と同様の効果を得ることができる。
【００３５】
図１１は、表示装置１００の製造方法の第２の変形例ついて示す図である。この図に示されるように、第２の変形例においても、第１の変形例と同様に、マグネットトレー３２０を用いるが、マグネット３５０のＮ極及びＳ極の向きにおいて異なっており、その他の点は同様である。図１２及び１３は、配置されたマグネット３５０における互いに引き合う力の様子を矢印で示す図である。辺に沿って同じ極性の向きのマグネット３５０が並ぶ図１２の配置では、一方向にのみ引き合う力が発生するのに対し、図１３に示されるように、交互に極性を異ならせて並べることにより、互いに引き合う力が縦横の両方の向きに発生するため、磁場がより強力になり、より強い力でマスク３００を固定することができる。このような構成とした場合であっても、上述の実施形態と同様の効果を得ることができる。なお、図１１では、短辺側に辺に沿って配置されるマグネット３５０の向きは同じであることとしているが、短辺側においてもＮ極及びＳ極の向きを異ならせることとしてもよい。
【００３６】
図１４は、上述の実施形態、第１変形例及び第２変形例を用いて製造された表示装置１００の点灯検査のシミュレーション結果を示す表である。この表では、上部電極１２５の成膜時の回り込みを原因とする電気的な短絡の発生を評価し、不良と判定された製品の発生率を示している。成膜は連続成膜により１００シートまで行った。この結果に示されるように、マグネットなしの場合には、１０シート目から回り込みの影響による不良が発生し、４０シート目以降ではすべてのパネルにおいて不良となった。しかしながら、本実施形態を採用した場合には、６０シート目までは不良は発生せず、７０シート目で１パネルの不良を観測し、１００シート目においても不良は４パネルに留まった。第１の変形例のピースタイプのマグネットを用いる場合においても、５０シート目で不良を観測し、１００シート目で３４％の不良であり、実施形態の結果ほどではないものの、良好な結果となった。第２の変形例では、６０シート目で最初に不良が発生したものの、１００シート目においても２パネルの不良である１３％に留まり、非常に良好な結果となった。
【００３７】
したがって、本実施形態に係る表示装置の製造方法により、より強い力でマスクを固定するため、マスク浮きを抑制することができ、これにより、成膜時の回り込み等を防ぎ、特に成膜材料が導電材料の場合には、他の配線と短絡してしまうというような不具合を回避することができる。また、マスクの交換回数を増やすこともなく、マスクの設計変更もなく適用できるため、コストを抑えることができる。
【符号の説明】
【００３８】
１００  表示装置、１２０  ＴＦＴ基板、１２１  ＴＦＴ回路層、１２２  下部電極、１２３  画素分離膜、１２４  発光有機層、１２５  上部電極、１２６  封止膜、１５０  対向基板、１５１  充填剤、２０５  表示領域、２１０  画素、２１２  副画素、３００  マスク、３０２  開口部、３０４  リブ、３０６  リブ、３１０  タッチプレート、３１６  ヨーク、３２０  マグネットトレー、３２１  凹部、３５０  マグネット、３５２  マグネット、３５４  マグネット。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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