(57)【要約】      （修正有）【課題】基板の表面に機能層が積層されているとともに、基板の裏面には電極となる金属膜が被覆されたデバイスを容易に製造することができるウエーハの加工方法を提供する。【解決手段】基板２０の表面に積層された機能層２１に分割予定ラインによって区画された領域にデバイスが形成されたウエーハを、基板の裏面側から透過性を有する波長のレーザー光線の集光点を分割予定ラインと対応する領域の内部に位置付けて照射し、基板の内部に改質層を形成する改質層形成工程と、機能層の表面に保護部材３を貼着する保護部材貼着工程と、基板の裏面を研削してウエーハを所定の厚みに形成するとともに改質層が形成された分割予定ラインに沿って個々のデバイスに分割する裏面研削兼分割工程と、基板の裏面に金属膜を被覆する金属膜被覆工程と、ウエーハを拡張して金属膜を個々のデバイスに沿って破断する金属膜破断工程とを含む。【選択図】図６
2015023135.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板の表面に積層された機能層に格子状に形成された複数の分割予定ラインによって区画された複数の領域にデバイスが形成されたウエーハを分割予定ラインに沿って個々のデバイスに分割するとともに各デバイスの基板の裏面に金属膜を被覆するウエーハの加工方法であって、
ウエーハを構成する基板の裏面側から基板に対して透過性を有する波長のレーザー光線の集光点を分割予定ラインと対応する領域の内部に位置付けて照射し、基板の内部に分割予定ラインに沿って改質層を形成する改質層形成工程と、
該改質層形成工程の前または後にウエーハを構成する機能層の表面に保護部材を貼着する保護部材貼着工程と、
ウエーハの該保護部材側を研削装置のチャックテーブルに保持し、基板の裏面を研削してウエーハを所定の厚みに形成するとともに改質層が形成された分割予定ラインに沿って個々のデバイスに分割する裏面研削兼分割工程と、
該裏面研削兼分割工程が実施されたウエーハを構成する基板の裏面に金属膜を被覆する金属膜被覆工程と、
該金属膜被覆工程が実施されたウエーハを拡張して該金属膜を個々のデバイスに沿って破断する金属膜破断工程と、を含む、
ことを特徴とするウエーハの加工方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、基板の表面に積層された機能層に格子状に形成された複数の分割予定ラインによって区画された複数の領域にデバイスが形成されたウエーハを分割予定ラインに沿って個々のデバイスに分割するとともに各デバイスの基板の裏面に金属膜を被覆するウエーハの加工方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体デバイス製造工程においては、略円板形状である半導体ウエーハの表面に格子状に配列された分割予定ラインによって複数の領域が区画され、この区画された領域にＩＣ、ＬＳＩ、パワーデバイス、SAWデバイス等のデバイスを形成する。そして、半導体ウエーハを分割予定ラインに沿って切断することによりデバイスが形成された領域を分割して個々のデバイスを製造している。
【０００３】
上述したウエーハの分割予定ラインに沿った切断は、通常、ダイサーと呼ばれている切削装置によって行われている。この切削装置は、被加工物を保持するチャックテーブルと、該チャックテーブルに保持された被加工物を切削するための切削手段と、チャックテーブルと切削手段とを相対的に移動せしめる切削送り手段と、切削すべき領域を検出するための撮像手段を具備している。切削手段は、回転スピンドルと該スピンドルに装着された切削ブレードおよび回転スピンドルを回転駆動する駆動機構を含んでいる。切削ブレードは円盤状の基台と該基台の側面外周部に装着された環状の切れ刃からなっており、切れ刃は例えば粒径３μｍ程度のダイヤモンド砥粒を電鋳によって基台に固定し厚さ２０μｍ程度に形成されている（例えば、特許文献１参照）。
【０００４】
しかるに、パワーデバイスウエーハやSAWデバイスウエーハは、モース硬度が高いSiC基板、GaN基板の表面に機能層を積層して構成されているため、切削ブレードによる切削が困難である。
【０００５】
一方、ウエーハを分割予定ラインに沿って分割する方法として、ウエーハに対して透過性を有するパルスレーザー光線を用い、分割すべき領域の内部に集光点を合わせてパルスレーザー光線を照射するレーザー加工方法が試みられている。このレーザー加工方法を用いた分割方法は、ウエーハの一方の面側から内部に集光点を合わせてウエーハに対して透過性を有する波長のパルスレーザー光線を分割予定ラインに沿って照射し、ウエーハの内部に分割予定ラインに沿って改質層を連続的に形成し、この改質層が形成されることによって強度が低下した分割予定ラインに沿って外力を加えることにより、ウエーハを個々のデバイスに分割する技術である（例えば、特許文献２参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開２００２−６６８６５号公報
【特許文献２】特開２０１０−５２０１４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
而して、パワーデバイスウエーハやSAWデバイスウエーハは、基板の表面に機能層が積層されているとともに、基板の裏面には電極となる金等の金属膜が被覆されているので、ウエーハの表面または裏面から内部にレーザー光線の集光点を位置付けることが困難であり、ウエーハの内部に分割予定ラインに沿って改質層を形成することができないという問題がある。
【０００８】
本発明は上記事実に鑑みてなされたものであり、その主たる技術課題は、基板の表面に機能層が積層されているとともに、基板の裏面には電極となる金属膜が被覆されたデバイスを容易に製造することができるウエーハの加工方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
上記主たる技術課題を解決するため、本発明によれば、基板の表面に積層された機能層に格子状に形成された複数の分割予定ラインによって区画された複数の領域にデバイスが形成されたウエーハを分割予定ラインに沿って個々のデバイスに分割するとともに各デバイスの基板の裏面に金属膜を被覆するウエーハの加工方法であって、
ウエーハを構成する基板の裏面側から基板に対して透過性を有する波長のレーザー光線の集光点を分割予定ラインと対応する領域の内部に位置付けて照射し、基板の内部に分割予定ラインに沿って改質層を形成する改質層形成工程と、
該改質層形成工程の前または後にウエーハを構成する機能層の表面に保護部材を貼着する保護部材貼着工程と、
ウエーハの該保護部材側を研削装置のチャックテーブルに保持し、基板の裏面を研削してウエーハを所定の厚みに形成するとともに改質層が形成された分割予定ラインに沿って個々のデバイスに分割する裏面研削兼分割工程と、
該裏面研削兼分割工程が実施されたウエーハを構成する基板の裏面に金属膜を被覆する金属膜被覆工程と、
該金属膜被覆工程が実施されたウエーハを拡張して該金属膜を個々のデバイスに沿って破断する金属膜破断工程と、を含む、
ことを特徴とするウエーハの加工方法が提供される。
【発明の効果】
【００１０】
本発明によるウエーハの加工方法は、ウエーハを構成する基板の裏面側から基板に対して透過性を有する波長のレーザー光線の集光点を分割予定ラインと対応する領域の内部に位置付けて照射し、基板の内部に分割予定ラインに沿って改質層を形成する改質層形成工程を実施し、基板の裏面を研削してウエーハを所定の厚みに形成するとともに改質層が形成された分割予定ラインに沿って個々のデバイスに分割する裏面研削兼分割工程を実施した後に、ウエーハを構成する基板の裏面に金属膜を被覆する金属膜被覆工程を実施するので、ウエーハを構成する基板の内部にレーザー光線の集光点を位置付けて改質層を形成してウエーハを個々のデバイスに分割することができるとともに、デバイスの裏面に金属膜を被覆して電極を形成することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１１】
【図１】本発明によるウエーハの加工方法において使用するウエーハとしての半導体ウエーハの斜視図および要部拡大断面図。
【図２】本発明によるウエーハの加工方法における保護部材貼着工程を示す説明図。
【図３】本発明によるウエーハの加工方法における改質層形成工程を実施するためのレーザー加工装置の要部斜視図。
【図４】本発明によるウエーハの加工方法における改質層形成行程を示す説明図。
【図５】本発明によるウエーハの加工方法における裏面研削兼分割工程の説明図。
【図６】本発明によるウエーハの加工方法における金属膜被覆工程の説明図。
【図７】本発明によるウエーハの加工方法におけるウエーハ支持工程の説明図。
【図８】本発明によるウエーハの加工方法における金属膜破断工程を実施するためのテープ拡張装置の斜視図。
【図９】本発明によるウエーハの加工方法における金属膜破断工程の説明図。
【図１０】本発明によるウエーハの加工方法におけるピックアップ工程の説明図。
【発明を実施するための形態】
【００１２】
以下、本発明によるウエーハの加工方法の好適な実施形態について、添付図面を参照して詳細に説明する。
【００１３】
図１の（a）および(b)には、ウエーハの加工方法において加工されるウエーハとしての半導体ウエーハの斜視図および要部拡大断面図が示されている。図１の（a）および(b)に示す半導体ウエーハ２は、厚みが６００μmのSiC基板やGaN基板からなる基板２０の表面２０aに絶縁膜と回路を形成する機能膜が積層された機能層２１が形成されており、この機能層２１に格子状に形成された複数の分割予定ライン２２によって区画された複数の領域にパワーデバイスやSAWデバイス等のデバイス２３が形成されている。
【００１４】
上述した半導体ウエーハ２を分割予定ライン２２に沿って個々のデバイス２３に分割するとともに各デバイスの基板の裏面に金属膜を被覆するウエーハの加工方法について説明する。
先ず、半導体ウエーハ２を構成する基板２０の表面に積層された機能層２１の表面２１aに、デバイス２３を保護するために図２に示すように保護部材３を貼着する（保護部材貼着工程）。なお、保護部材３は、ポリエチレンフィルム等の樹脂シートやガラス基板等の剛性を有するハードプレートを用いることができる。なお、保護部材貼着工程は、後述する改質層形成工程の後に実施してもよい。
【００１５】
次に、半導体ウエーハ２の保護部材３側をチャックテーブルに保持し、基板２０の裏面側から基板２０に対して透過性を有する波長のレーザー光線の集光点を分割予定ライン２２と対応する領域の内部に位置付けて照射し、基板２０の内部に分割予定ライン２２に沿って改質層を形成する改質層形成工程を実施する。この改質層形成工程は、図３に示すレーザー加工装置４を用いて実施する。図３に示すレーザー加工装置４は、被加工物を保持するチャックテーブル４１と、該チャックテーブル４１上に保持された被加工物にレーザー光線を照射するレーザー光線照射手段４２と、チャックテーブル４１上に保持された被加工物を撮像する撮像手段４３を具備している。チャックテーブル４１は、被加工物を吸引保持するように構成されており、図示しない加工送り手段によって図３において矢印Ｘで示す加工送り方向に移動せしめられるとともに、図示しない割り出し送り手段によって図３において矢印Ｙで示す割り出し送り方向に移動せしめられるようになっている。
【００１６】
上記レーザー光線照射手段４２は、実質上水平に配置された円筒形状のケーシング４２１を含んでいる。ケーシング４２１内には図示しないパルスレーザー光線発振器や繰り返し周波数設定手段を備えたパルスレーザー光線発振手段が配設されている。上記ケーシング４２１の先端部には、パルスレーザー光線発振手段から発振されたパルスレーザー光線を集光するための集光器４２２が装着されている。なお、レーザー光線照射手段４２は、集光器４２２によって集光されるパルスレーザー光線の集光点位置を調整するための集光点位置調整手段（図示せず）を備えている。
【００１７】
上記レーザー光線照射手段４２を構成するケーシング４２１の先端部に装着された撮像手段４３は、図示の実施形態においては可視光線によって撮像する通常の撮像素子（ＣＣＤ）の外に、被加工物に赤外線を照射する赤外線照明手段と、該赤外線照明手段によって照射された赤外線を捕らえる光学系と、該光学系によって捕らえられた赤外線に対応した電気信号を出力する撮像素子（赤外線ＣＣＤ）等で構成されており、撮像した画像信号を図示しない制御手段に送る。
【００１８】
上述したレーザー加工装置４を用いて改質層形成工程を実施するには、図３に示すようにチャックテーブル４１上に上記保護部材貼着工程が実施され半導体ウエーハ２に貼着された保護部材３側を載置する。そして、図示しない吸引手段を作動することにより、保護部材３を介して半導体ウエーハ２をチャックテーブル４１上に保持する（ウエーハ保持工程）。従って、チャックテーブル４１に保持された半導体ウエーハ２は、基板２０の裏面２０bが上側となる。このようにして、半導体ウエーハ２を吸引保持したチャックテーブル４１は、図示しない加工送り手段によって撮像手段４３の直下に位置付けられる。
【００１９】
チャックテーブル４１が撮像手段４３の直下に位置付けられると、撮像手段４３および図示しない制御手段によって半導体ウエーハ２のレーザー加工すべき加工領域を検出するアライメント作業を実行する。即ち、撮像手段４３および図示しない制御手段は、半導体ウエーハ２を構成する機能層２１の所定方向に形成されている分割予定ライン２２と、分割予定ライン２２に沿ってレーザー光線を照射するレーザー光線照射手段４２の集光器４２２との位置合わせを行うためのパターンマッチング等の画像処理を実行し、レーザー光線照射位置のアライメントを遂行する。また、半導体ウエーハ２を構成する機能層２１に形成されている上記所定方向に対して直交する方向に延びる分割予定ライン２２に対しても、同様にレーザー光線照射位置のアライメントが遂行される。このとき、分割予定ライン２２が形成されている半導体ウエーハ２を構成する機能層２１は下側に位置しているが、撮像手段４３が上述したように赤外線照明手段と赤外線を捕らえる光学系および赤外線に対応した電気信号を出力する撮像素子（赤外線ＣＣＤ）等で構成された撮像手段を備えているので、ウエーハを構成する基板２０の裏面２０bから透かして分割予定ライン２２を撮像することができる。
【００２０】
以上のようにしてチャックテーブル４１上に保持されている半導体ウエーハ２を構成する機能層２１に形成されている分割予定ライン２２を検出し、レーザー光線照射位置のアライメントが行われたならば、図４の（ａ）で示すようにチャックテーブル４１をレーザー光線を照射するレーザー光線照射手段４２の集光器４２２が位置するレーザー光線照射領域に移動し、所定の分割予定ライン２２の一端（図４の（ａ）において左端）をレーザー光線照射手段４２の集光器４２２の直下に位置付ける。次に、集光器４２２から照射されるパルスレーザー光線LBの集光点Pを半導体ウエーハ２を構成する基板２０の厚み方向中間部に位置付ける。そして、集光器４２２から基板２０に対して透過性を有する波長のパルスレーザー光線を照射しつつチャックテーブル４１を図４の（ａ）において矢印Ｘ１で示す方向に所定の送り速度で移動せしめる。そして、図４の（ｂ）で示すようにレーザー光線照射手段４２の集光器４２２の照射位置が分割予定ライン２２の他端の位置に達したら、パルスレーザー光線の照射を停止するとともにチャックテーブル４１の移動を停止する。この結果、半導体ウエーハ２を構成する基板２０の内部には、分割予定ライン２２に沿って改質層２１０が形成される（改質層形成工程）。
【００２１】
上記改質層形成工程における加工条件は、例えば次のように設定されている。
光源                    ：ＬＤ励起ＱスイッチＮｄ：ＹＶＯ４レーザー
波長                    ：５３２ｎｍのパルスレーザー
繰り返し周波数          ：２５ｋＨｚ
平均出力                ：０．７Ｗ
パルス幅                ：４０ns
集光スポット径          ：φ２μｍ
加工送り速度            ：３５０ｍｍ／秒
【００２２】
上述した改質層形成工程を半導体ウエーハ２に形成された全ての分割予定ライン２２に対応する領域に実施する。
【００２３】
上記改質層形成工程を実施したならば、半導体ウエーハ２の該保護部材３側を研削装置のチャックテーブルに保持し、基板２０の裏面を研削して半導体ウエーハ２を所定の厚みに形成するとともに改質層２１０が形成された分割予定ライン２２に沿って個々のデバイス２３に分割する裏面研削兼分割工程を実施する。この裏面研削兼分割工程は、図５の(a)に示す研削装置５を用いて実施する。図５の(a)に示す研削装置５は、被加工物を保持する保持手段としてのチャックテーブル５１と、該チャックテーブル５１に保持された被加工物を研削する研削手段５２を具備している。チャックテーブル５１は、上面に被加工物を吸引保持するように構成されており、図示しない回転駆動機構によって図５の(a)において矢印５１aで示す方向に回転せしめられる。研削手段５２は、スピンドルハウジング５２１と、該スピンドルハウジング５２１に回転自在に支持され図示しない回転駆動機構によって回転せしめられる回転スピンドル５２２と、該回転スピンドル５２２の下端に装着されたマウンター５２３と、該マウンター５２３の下面に取り付けられた研削ホイール５２４とを具備している。この研削ホイール５２４は、円環状の基台５２５と、該基台５２５の下面に環状に装着された研削砥石５２６とからなっており、基台５２５がマウンター５２３の下面に締結ボルト５２７によって取り付けられている。
【００２４】
上述した研削装置５を用いて上記裏面研削兼分割工程を実施するには、図５の(a)に示すようにチャックテーブル５１の上面（保持面）に半導体ウエーハ２の表面に貼着されている保護部材３側を載置する。そして、図示しない吸引手段によってチャックテーブル５１上に半導体ウエーハ２を保護部材３を介して吸着保持する（ウエーハ保持工程）。従って、チャックテーブル５１上に保持された半導体ウエーハ２は、基板２０の裏面２０bが上側となる。このようにチャックテーブル５１上に半導体ウエーハ２を保護部材３を介して吸引保持したならば、チャックテーブル５１を図５の(a)において矢印５１aで示す方向に例えば３００ｒｐｍで回転しつつ、研削手段５２の研削ホイール５２４を図５の(a)において矢印５２４aで示す方向に例えば６０００ｒｐｍで回転せしめて、図５の(b)に示すように研削砥石５２６を被加工面である半導体ウエーハ２を構成する基板２０の裏面２０bに接触せしめ、研削ホイール５２４を矢印５２４bで示すように例えば１μm／秒の研削送り速度で下方（チャックテーブル５１の保持面に対し垂直な方向）に所定量研削送りする。この結果、半導体ウエーハ２の基板２０の裏面２０bが研削されて半導体ウエーハ２は所定の厚み（例えば１００μm）に形成されるとともに、改質層２１０が形成され強度が低下せしめられている分割予定ライン２２に沿って個々のデバイス２３に分割される。なお、個々に分割された複数のデバイス２３は、その表面に保護部材３が貼着されているので、バラバラにはならず半導体ウエーハ２の形態が維持されている。
【００２５】
上述した裏面研削兼分割工程を実施したならば、半導体ウエーハ２を構成する基板２０の裏面に金属膜を被覆する金属膜被覆工程を実施する。この金属膜被覆工程は、図６の(a)に示すスパッタ装置６を用いて実施する。図６の(a)に示すスパッタ装置６は、スパッタチャンバー６１を形成するハウジング６２と、該ハウジング６２のスパッタチャンバー６１内に配設され被加工物を保持する陽極となる静電吸着式の保持テーブル６３と、該保持テーブル６３と対向して配設され積層する金属（例えば金、銀、アルミニウム等）からなるターゲット６４を取り付ける陰極６５と、ターゲット６４を励磁する励磁手段６６と、陰極６５に高周波電圧を印加する高周波電源６７とからなっている。なお、ハウジング６２には、スパッタチャンバー６１内を図示しない減圧手段に連通する減圧口６２１と、スパッタチャンバー６１内を図示しないスパッタガス供給手段に連通する導入口６２２が設けられている。
【００２６】
上記のように構成されたスパッタ装置６を用いて上述した金属膜被覆工程を実施するには、保持テーブル６３上に上述した裏面研削兼分割工程が実施された半導体ウエーハ２を構成する基板２０の表面に貼着された保護部材３側を載置し、静電吸着保持する。従って、保持テーブル３上に静電吸着保持された半導体ウエーハ２は、基板２０の裏面２０bが上側となる。次に、励磁手段６６を作動してターゲット６４を励磁するとともに、陰極６５に高周波電源６７から例えば４０kHzの高周波電圧を印加する。そして、図示しない減圧手段を作動してスパッタチャンバー６１内を１０−２Pa〜１０−4Pa程度に減圧するとともに、図示しないスパッタガス供給手段を作動してスパッタチャンバー６１内にアルゴンガスを導入してプラズマを発生させる。従って、プラズマ中のアルゴンガスが陰極６５に取り付けられた金、銀、アルミニウム等の金属からなるターゲット６４に衝突し、この衝突によって飛散する金属粒子は半導体ウエーハ２を構成する基板２０の裏面２０bに金属層が堆積する。この結果、図６の(ｂ)に示すように基板２０の裏面２０bには、金属膜２２０が被覆される。この金属膜２２０は、厚みが３０〜６０nmに設定されている。
【００２７】
上述した金属膜被覆工程を実施したならば、基板２０の裏面２０bに金属膜２２０が被覆された半導体ウエーハ２を拡張して金属膜２２０を個々のデバイスに沿って破断する金属膜破断工程を実施する。この金属膜破断工程を実施するために、図示の実施形態においては先ず半導体ウエーハ２を構成する基板２０の裏面２０bにダイシングテープを貼着しダイシングテープの外周部を環状のフレームによって支持するとともに、保護部材３を剥離するウエーハ支持工程を実施する。即ち、図7に示すように環状のフレームFの開口部を覆うように外周部が装着されたダイシングテープTの表面に半導体ウエーハ２を構成する基板２０の裏面２０bに被覆された金属膜２２０側を貼着する。そして、基板２０の表面に積層された機能層２１の表面２１aに貼着されている保護部材３を剥離する（ウエーハ支持工程）。
【００２８】
次に、ウエーハ支持工程が実施されたダイシングテープTを拡張して金属膜２２０を個々のデバイス２３に沿って破断する金属膜破断工程を実施する。この金属膜破断工程は、図８に示すテープ拡張装置７を用いて実施する。図8に示すテープ拡張装置７は、上記環状のフレームFを保持するフレーム保持手段７１と、該フレーム保持手段７１に保持された環状のフレームFに装着されたダイシングテープTを拡張するテープ拡張手段７２を具備している。フレーム保持手段７１は、環状のフレーム保持部材７１１と、該フレーム保持部材７１１の外周に配設された固定手段としての複数のクランプ７１２とからなっている。フレーム保持部材７１１の上面は環状のフレームFを載置する載置面７１１ａを形成しており、この載置面７１１ａ上に環状のフレームFが載置される。そして、載置面７１１ａ上に載置された環状のフレームFは、クランプ７１２によってフレーム保持部材７１１に固定される。このように構成されたフレーム保持手段７１は、テープ拡張手段７２によって上下方向に進退可能に支持されている。
【００２９】
上記テープ拡張手段７２は、上記環状のフレーム保持部材７１１の内側に配設される押圧部材としての円筒状の拡張ドラム７２１を具備している。この拡張ドラム７２１は、環状のフレームFの内径より小さく該環状のフレームFに装着されたダイシングテープTに貼着される半導体ウエーハ２の外径より大きい内径および外径を有している。また、拡張ドラム７２１は、下端に支持フランジ７２２を備えている。図示の実施形態におけるテープ拡張手段７２は、上記環状のフレーム保持部材７１１を上下方向に進退可能な支持手段７３を具備している。この支持手段７３は、上記支持フランジ７２２上に配設された複数のエアシリンダ７３１からなっており、そのピストンロッド７３２が上記環状のフレーム保持部材７１１の下面に連結される。このように複数のエアシリンダ７３１からなる支持手段７３は、環状のフレーム保持部材７１１を載置面７１１ａが拡張ドラム７２１の上端と略同一高さとなる基準位置と、拡張ドラム７２１の上端より所定量下方の拡張位置の間を上下方向に移動せしめる。従って、複数のエアシリンダ７３１からなる支持手段７３は、拡張ドラム７２１とフレーム保持部材７１１とを上下方向に相対移動する拡張移動手段として機能する。
【００３０】
以上のように構成されたテープ拡張装置７を用いて実施する金属膜破断工程について図９を参照して説明する。即ち、半導体ウエーハ２を構成する基板２０裏面２０ｂが貼着されているダイシングテープTが装着された環状のフレームFを、図９の（ａ）に示すようにフレーム保持手段７１を構成するフレーム保持部材７１１の載置面７１１ａ上に載置し、クランプ７１２によってフレーム保持部材７１１に固定する。このとき、フレーム保持部材７１１は図９の（ａ）に示す基準位置に位置付けられている。次に、テープ拡張手段７２を構成する支持手段７３としての複数のエアシリンダ７３１を作動して、環状のフレーム保持部材７１１を図９の（ｂ）に示す拡張位置に下降せしめる。従って、フレーム保持部材７１１の載置面７１１a上に固定されている環状のフレームFも下降するため、図９の（b）に示すように環状のフレームFに装着されたダイシングテープTは拡張ドラム７２１の上端縁に当接して拡張せしめられる（テープ拡張工程）。この結果、ダイシングテープTに貼着されている金属膜２２０には放射状に引張力が作用する。このようにして、ダイシングテープTに貼着されている金属膜２２０に放射状の引張力が作用すると、半導体ウエーハ２が個々のデバイス２３に分割されているので、金属膜２２０が装着された個々のデバイス２３間の間隔が広げられ、金属膜２２０はデバイス２３の外周に沿って破断される。
【００３１】
上述したように金属膜破断工程を実施したならば、図１０に示すようにピックアップ機構８を作動しピックアップコレット８１によって所定位置に位置付けられたデバイス２３（基板２０に裏面に金属膜２２０が被覆されている）をピックアップ（ピックアップ工程）し、図示しないトレーまたはダイボンディング工程に搬送する。
【００３２】
以上、本発明を図示の実施形態に基づいて説明したが、本発明は実施形態のみに限定されるものではなく、本発明の趣旨の範囲で種々の変形は可能である。例えば、上述した実施形態においては金属膜被覆工程が実施されたウエーハを拡張して金属膜を個々のデバイスに沿って破断する金属膜破断工程として、半導体ウエーハ２を構成する基板２０の裏面２０bにダイシングテープTを貼着しダイシングテープTの外周部を環状のフレームによって支持するとともに保護部材３を剥離するウエーハ支持工程と、ウエーハ支持工程が実施されたダイシングテープTを拡張して金属膜２２０を個々のデバイス２３に沿って破断する金属膜破断工程とを含む例を示したが、金属膜被覆工程が実施された半導体ウエーハ２の表面に保護部材３が貼着されている状態で保護部材３および半導体ウエーハ２を拡張して金属膜２２０を個々のデバイスに沿って破断してもよい。
【符号の説明】
【００３３】
２：半導体ウエーハ
２０：基板
２１：機能層
２２：分割予定ライン
２３：デバイス
２１０：改質層
２２０：金属膜
３：保護部材
４：レーザー加工装置
４２：レーザー光線照射手段
４２２：集光器
５：研削装置
５２：研削手段
５２４：研削ホイール
６：スパッタ装置
６１：スパッタチャンバー
６３：保持テーブル
７：テープ拡張装置
７２：テープ拡張手段
Ｆ：環状のフレーム
Ｔ：ダイシングテープ
【図１】
2015023135.tif 000003
【図２】
2015023135.tif 000004
【図３】
2015023135.tif 000005
【図４】
2015023135.tif 000006
【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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