(57)【要約】【課題】基板の裏面への塗布材の付着を防止すること。【解決手段】実施形態に係る塗布装置は、保持部と、塗布ノズルと、回転機構と、外カップと、内カップと、周縁吐出機構とを備える。保持部は、基板を水平に保持する。塗布ノズルは、保持部に保持された基板の表面に塗布材を吐出する。回転機構は、保持部を回転させる。外カップは、保持部の外側を囲む外側周壁部を有する。内カップは、基板の裏面周縁部に上端部を近接させて配置された内側周壁部を有する。周縁吐出機構は、内カップ内に配置され、基板の裏面周縁部側へ向けて気体を吐出する。【選択図】図３
2015146337.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板を水平に保持する保持部と、
前記保持部に保持された基板の表面に塗布材を吐出する塗布ノズルと、
前記保持部を回転させる回転機構と、
前記保持部の外側を囲む外側周壁部を有する外カップと、
前記基板の裏面周縁部に上端部を近接させて配置された内側周壁部を有する内カップと、
前記内カップ内に配置され、前記基板の裏面周縁部側へ向けて気体を吐出する周縁吐出機構と
を備えることを特徴とする塗布装置。
【請求項２】
前記周縁吐出機構は、
前記内カップ内において、前記基板の裏面周縁部よりも内側かつ該裏面周縁部の近傍に配置されること
を特徴とする請求項１に記載の塗布装置。
【請求項３】
前記内側周壁部は、
上端側から下端側へ向けて拡径する外壁面と、
上端側から下端側へ向けて縮径する内壁面と
を有し、
前記周縁吐出機構は、
前記内側周壁部の前記内壁面に設けられること
を特徴とする請求項１または２に記載の塗布装置。
【請求項４】
前記周縁吐出機構は、
前記基板の裏面周縁部または前記基板の裏面周縁部と前記内カップの上端部との間の隙間へ向けて前記気体を吐出すること
を特徴とする請求項１〜３のいずれか一つに記載の塗布装置。
【請求項５】
前記周縁吐出機構は、
平面視において円周状に並べて配置される複数の吐出口を備えること
を特徴とする請求項１〜４のいずれか一つに記載の塗布装置。
【請求項６】
前記周縁吐出機構は、
平面視においてリング状の吐出口を備えること
を特徴とする請求項１〜４のいずれか一つに記載の塗布装置。
【請求項７】
前記内カップ内に配置され、前記基板の裏面に液体を吐出するバックリンスノズルと、
前記保持部に保持された基板の表面に対して前記塗布ノズルから塗布材を吐出する吐出工程と、前記基板の裏面に対して前記バックリンスノズルから液体を吐出しつつ、前記保持部を回転させて前記塗布材を前記基板の表面に塗り広げる塗布工程と、前記液体の吐出を停止した後、前記保持部を回転させて前記基板を乾燥させる乾燥工程とを実行する制御部と
を備え、
前記制御部は、
前記乾燥工程において、前記基板の裏面周縁部へ向けて前記周縁吐出機構から気体を吐出すること
を特徴とする請求項１〜６のいずれか一つに記載の塗布装置。
【請求項８】
前記塗布材は、接着剤であること
を特徴とする請求項１〜７のいずれか一つに記載の塗布装置。
【請求項９】
第１基板および第２基板が載置される搬入出ステーションと、
前記第１基板および前記第２基板を搬送する基板搬送装置と、
前記基板搬送装置によって搬送される第１基板に対して接着剤を塗布する塗布装置と、
前記接着剤が塗布された前記第１基板と前記第２基板とを接合する接合装置と
を備え、
前記塗布装置は、
前記第１基板を水平に保持する保持部と、
前記保持部に保持された第１基板の表面に接着剤を吐出する塗布ノズルと、
前記保持部を回転させる回転機構と、
前記保持部の外側を囲む外側周壁部を有する外カップと、
前記第１基板の裏面周縁部に上端部を近接させて配置された内側周壁部を有する内カップと、
前記内カップ内に配置され、前記第１基板の裏面周縁部側へ向けて気体を吐出する周縁吐出機構と
を備えることを特徴とする接合システム。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
開示の実施形態は、塗布装置および接合システムに関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、半導体ウェハやガラス基板等の基板に塗布材を塗布する方法として、スピンコート法が知られている。スピンコート法は、回転する基板の表面に塗布材を吐出し、遠心力によって塗布材を基板上に塗り広げる方法である。
【０００３】
たとえば、特許文献１には、上述したスピンコート法を用いて基板の表面にレジスト材を塗布する塗布装置が開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開平５−１０９６１２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、上述した従来技術には、基板の裏面への塗布材の付着を防止するという点でさらなる改善の余地がある。
【０００６】
たとえば、特許文献１に記載の塗布装置は、基板の裏面周縁部に近接するように設けられた整流リングをカップ内に備える。そして、特許文献１に記載の塗布装置は、カップ内を強制排気して、整流リングの内側から整流リングと基板の裏面周縁部との隙間を経由して整流リングの外部へと向かう気流を発生させることで、整流リングの内側へのレジストミストの侵入を抑え、基板の裏面へのレジストミストの付着を防止することとしている。
【０００７】
しかしながら、塗布材が接着剤などのように高粘度である場合、塗布材はミスト化するのではなく、回転に伴って糸状化することがある。このように糸状化した塗布材が基板の裏面に付着するのを防止しようとした場合、特許文献１に記載の塗布装置のように単に気流を発生させるだけでは不十分である。
【０００８】
実施形態の一態様は、基板の裏面への塗布材の付着を防止することのできる塗布装置および接合システムを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
実施形態の一態様に係る塗布装置は、保持部と、塗布ノズルと、回転機構と、外カップと、内カップと、周縁吐出機構とを備える。保持部は、基板を水平に保持する。塗布ノズルは、保持部に保持された基板の表面に塗布材を吐出する。回転機構は、保持部を回転させる。外カップは、保持部の外側を囲む外側周壁部を有する。内カップは、基板の裏面周縁部に上端部を近接させて配置された内側周壁部を有する。周縁吐出機構は、内カップ内に配置され、基板の裏面周縁部側へ向けて気体を吐出する。
【発明の効果】
【００１０】
実施形態の一態様によれば、基板の裏面への塗布材の付着を防止することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１１】
【図１】図１は、第１の実施形態に係る接合システムの構成を示す模式平面図である。
【図２】図２は、被処理基板および支持基板の模式側面図である。
【図３】図３は、塗布装置の構成を示す模式側面図である。
【図４】図４は、周縁吐出機構の構成の一例を示す模式平面図である。
【図５】図５は、周縁吐出機構の構成の他の一例を示す模式平面図である。
【図６】図６は、塗布装置が実行する塗布処理の処理手順の一例を示すチャート図である。
【図７】図７は、吐出工程の説明図である。
【図８】図８は、塗布工程の説明図である。
【図９】図９は、塗布工程の説明図である。
【図１０】図１０は、乾燥工程の説明図である。
【図１１】図１１は、第２の実施形態に係る塗布処理の処理手順を示すチャート図である。
【図１２】図１２は、塗布装置の変形例を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００１２】
以下、添付図面を参照して、本願の開示する塗布装置および接合システムの実施形態を詳細に説明する。なお、以下に示す実施形態によりこの発明が限定されるものではない。
【００１３】
（第１の実施形態）
＜１．接合システムの構成＞
まず、第１の実施形態に係る接合システムの構成について、図１および図２を参照して説明する。図１は、第１の実施形態に係る接合システムの構成を示す模式平面図である。また、図２は、被処理基板および支持基板の模式側面図である。なお、以下においては、位置関係を明確にするために、互いに直交するＸ軸方向、Ｙ軸方向およびＺ軸方向を規定し、Ｚ軸正方向を鉛直上向き方向とする。
【００１４】
図１に示す第１の実施形態に係る接合システム１は、被処理基板Ｗおよび支持基板Ｓ（図２参照）を、接着剤Ｇを介して接合することによって重合基板Ｔを形成する。
【００１５】
以下では、図２に示すように、被処理基板Ｗの板面のうち、接着剤Ｇを介して支持基板Ｓと接合される側の板面を「接合面Ｗｊ」といい、接合面Ｗｊとは反対側の板面を「非接合面Ｗｎ」という。また、支持基板Ｓの板面のうち、接着剤Ｇを介して被処理基板Ｗと接合される側の板面を「接合面Ｓｊ」といい、接合面Ｓｊとは反対側の板面を「非接合面Ｓｎ」という。
【００１６】
被処理基板Ｗ（第１基板の一例に相当）は、たとえば、シリコンウェハや化合物半導体ウェハなどの半導体基板に複数の電子回路が形成された基板であり、電子回路が形成される側の板面を接合面Ｗｊとしている。かかる被処理基板Ｗは、支持基板Ｓとの接合後、非接合面Ｗｎが研磨処理されることによって薄型化される。
【００１７】
一方、支持基板Ｓ（第２基板の一例に相当）は、被処理基板Ｗと略同径の基板であり、被処理基板Ｗを支持する。支持基板Ｓとしては、たとえばガラス基板の他、シリコンウェハや化合物半導体ウェハなどの半導体基板等を用いることができる。また、接着剤Ｇとしては、たとえば熱可塑性樹脂が用いられる。
【００１８】
図１に示すように、接合システム１は、搬入出ステーション２と、第１搬送領域３と、接合ステーション４とを備える。搬入出ステーション２、第１搬送領域３および接合ステーション４は、Ｘ軸正方向にこの順番で一体的に接続される。
【００１９】
搬入出ステーション２は、複数枚（たとえば、２５枚）の基板を水平状態で収容するカセットＣｗ，Ｃｓ，Ｃｔが載置される場所である。かかる搬入出ステーション２には、たとえば４つのカセット載置台２１が一列に並べて載置される。各カセット載置台２１には、被処理基板Ｗを収容するカセットＣｗ、支持基板Ｓを収容するカセットＣｓおよび重合基板Ｔを収容するカセットＣｔがそれぞれ載置される。
【００２０】
なお、カセット載置台２１の個数は、任意に決定することが可能である。また、ここでは、４つのカセット載置台２１のうち２つにカセットＣｔが載置される場合の例を示したが、このうちの１つに、たとえば不具合が生じた基板を回収するためのカセットを載置してもよい。
【００２１】
第１搬送領域３には、Ｙ軸方向に延在する搬送路３１と、この搬送路３１に沿って移動可能な第１搬送装置３２とが配置される。第１搬送装置３２は、Ｘ軸方向にも移動可能かつＺ軸周りに旋回可能であり、カセット載置台２１に載置されたカセットＣｗ，Ｃｓ，Ｃｔと、後述する接合ステーション４の第１受渡部４１との間で被処理基板Ｗ、支持基板Ｓおよび重合基板Ｔの搬送を行う。
【００２２】
接合ステーション４は、第１受渡部４１と、第２搬送領域４２とを備える。また、接合ステーション４は、塗布・熱処理ブロックＧ１と、接合処理ブロックＧ２とを備える。
【００２３】
第１受渡部４１は、第１搬送領域３と第２搬送領域４２との間に配置される。かかる第１受渡部４１では、第１搬送領域３の第１搬送装置３２と、後述する第２搬送領域４２の第２搬送装置４２０との間で被処理基板Ｗ、支持基板Ｓおよび重合基板Ｔの受け渡しが行われる。
【００２４】
第２搬送領域４２には、第２搬送装置４２０が配置される。第２搬送装置４２０は、Ｘ軸方向およびＹ軸方向に移動可能かつＺ軸周りに旋回可能であり、第１受渡部４１、塗布・熱処理ブロックＧ１および接合処理ブロックＧ２間での被処理基板Ｗ、支持基板Ｓおよび重合基板Ｔの搬送を行う。
【００２５】
塗布・熱処理ブロックＧ１と接合処理ブロックＧ２とは、第２搬送領域４２を挟んで対向配置される。すなわち、第２搬送領域４２、塗布・熱処理ブロックＧ１および接合処理ブロックＧ２は、Ｙ軸正方向に沿って、接合処理ブロックＧ２、第２搬送領域４２および塗布・熱処理ブロックＧ１の順番で並べて配置される。
【００２６】
塗布・熱処理ブロックＧ１には、２つの塗布装置４３と１つの熱処理装置４４とが、それぞれ第２搬送領域４２に隣接して並べて配置される。塗布装置４３は、被処理基板Ｗの接合面Ｗｊに接着剤Ｇを塗布する装置である。熱処理装置４４は、接着剤Ｇが塗布された被処理基板Ｗを所定の温度に加熱する装置である。
【００２７】
接合処理ブロックＧ２には、４つの接合装置４５が第２搬送領域４２に隣接して並べて配置される。接合装置４５は、被処理基板Ｗと支持基板Ｓとの接合を行う装置である。接合装置４５の具体的な構成については後述する。
【００２８】
また、接合システム１は、制御装置５を備える。制御装置５は、接合システム１の動作を制御する。かかる制御装置５は、たとえばコンピュータであり、制御部６と記憶部７とを備える。記憶部７には、接合処理等の各種処理を制御するプログラムが格納される。制御部６は、たとえばＣＰＵ（Central  Processing  Unit）であり、記憶部７に格納されたプログラムを読み出して実行することによって接合システム１の動作を制御する。
【００２９】
なお、かかるプログラムは、コンピュータによって読み取り可能な記録媒体に記録されていたものであって、その記録媒体から制御装置５の記憶部７にインストールされたものであってもよい。コンピュータによって読み取り可能な記録媒体としては、たとえばハードディスク（ＨＤ）、フレキシブルディスク（ＦＤ）、コンパクトディスク（ＣＤ）、マグネットオプティカルディスク（ＭＯ）、メモリカードなどがある。また、制御部６は、プログラムを用いずにハードウェアのみで構成されてもよい。
【００３０】
上記のように構成された接合システム１では、まず、第１搬送領域３の第１搬送装置３２が、カセット載置台２１に載置されたカセットＣｗから被処理基板Ｗを取り出し、取り出した被処理基板Ｗを第１受渡部４１へ搬送する。このとき、被処理基板Ｗは、非接合面Ｗｎが下方を向いた状態で搬送される。
【００３１】
第１受渡部４１へ搬送された被処理基板Ｗは、第２搬送装置４２０によって第１受渡部４１から取り出され、塗布・熱処理ブロックＧ１の塗布装置４３へ搬入される。塗布装置４３は、たとえばスピンチャックを備え、かかるスピンチャックで被処理基板Ｗの非接合面Ｗｎを吸着保持する。そして、塗布装置４３は、吸着保持した被処理基板Ｗを回転させながら被処理基板Ｗの接合面Ｗｊに液体状の接着剤Ｇを供給する。これにより、被処理基板Ｗの接合面Ｗｊに接着剤Ｇが塗り広げられる。
【００３２】
塗布装置４３によって接着剤Ｇが塗布された後、被処理基板Ｗは、第２搬送装置４２０によって塗布装置４３から搬出されて、熱処理装置４４へ搬入される。熱処理装置４４は、たとえば不活性雰囲気に保たれた内部で被処理基板Ｗを加熱することにより、接着剤Ｇに含まれる有機溶剤等の溶媒を揮発させて接着剤Ｇを塗布時よりも硬くする。その後、被処理基板Ｗは、熱処理装置４４によって所定の温度、たとえば常温に温度調節される。
【００３３】
熱処理装置４４によって熱処理が施された後、被処理基板Ｗは、第２搬送装置４２０によって熱処理装置４４から搬出されて、接合装置４５へ搬入される。
【００３４】
一方、支持基板Ｓは、第１搬送装置３２によってカセットＣｓから取り出されて第１受渡部４１へ搬送され、さらに、第２搬送装置４２０によって第１受渡部４１から取り出されて接合装置４５へ搬入される。
【００３５】
被処理基板Ｗおよび支持基板Ｓが接合装置４５へ搬入されると、接合装置４５によって被処理基板Ｗおよび支持基板Ｓの接合処理が行われる。これにより、重合基板Ｔが形成される。その後、重合基板Ｔは、第２搬送装置４２０によって第１受渡部４１へ搬送され、第１搬送装置３２によってカセットＣｔへ搬送される。こうして、一連の処理が終了する。
【００３６】
＜２．塗布装置の構成＞
次に、上述した塗布装置４３の構成について図３を参照して説明する。図３は、塗布装置４３の構成を示す模式側面図である。
【００３７】
図３に示すように、塗布装置４３は、チャンバ１０と、ＦＦＵ（Fan  Filter  Unit）２０と、スピンチャック３０と、塗布ノズル４０と、カップ５０と、バックリンスノズル６０と、周縁吐出機構７０とを備える。
【００３８】
チャンバ１０は、スピンチャック３０、塗布ノズル４０、カップ５０、バックリンスノズル６０および周縁吐出機構７０を収容する。チャンバ１０の天井には、ＦＦＵ２０が設けられる。ＦＦＵ２０は、バルブ２０１を介してダウンフローガス供給源２０２に接続されており、ダウンフローガス供給源２０２から供給されるＮ２等のダウンフローガスをチャンバ１０内へ供給することにより、チャンバ１０内にダウンフローを形成する。
【００３９】
スピンチャック３０は、保持部３０１と、支柱部３０２と、回転機構３０３とを備える。保持部３０１は、被処理基板Ｗを水平に保持する。支柱部３０２は、基端部が回転機構３０３に回転可能に支持され、先端部において保持部３０１を支持する。回転機構３０３は、支柱部３０２を鉛直軸まわりに回転させる。かかるスピンチャック３０は、回転機構３０３を用いて支柱部３０２を回転させることにより、支柱部３０２に支持された保持部３０１を回転させ、これにより、保持部３０１に保持された被処理基板Ｗを回転させる。
【００４０】
塗布ノズル４０は、被処理基板Ｗに対して塗布材である接着剤Ｇを供給する。塗布ノズル４０は、バルブ４０１を介して接着剤供給源４０２に接続される。
【００４１】
カップ５０は、外カップ５１と、内カップ５２とを備える。外カップ５１は、保持部３０１の外側を囲む外側周壁部５１０を有し、スピンチャック３０の回転によって被処理基板Ｗから飛散する接着剤Ｇを捕集する。外カップ５１の底部には、排気口５３と排液口５４とが形成される。
【００４２】
内カップ５２は、外カップ５１の内側に配置される。内カップ５２は、内側周壁部５２０を有する。内側周壁部５２０は、スピンチャック３０に保持された被処理基板Ｗの裏面周縁部に上端部を接近させて配置される。かかる内側周壁部５２０は、上端側から下端側へ向けて漸次拡径する外周面５２１と、上端側から下端側へ向けて漸次縮径する内周面５２２を有する。
【００４３】
ＦＦＵ２０から供給されるダウンフローガスは、外側周壁部５１０の内周面と内側周壁部５２０の外周面５２１とで形成される通路を通って排気口５３から外部へ排出される。また、スピンチャック３０の回転によって被処理基板Ｗから飛散した接着剤Ｇは、外側周壁部５１０の内周面と内側周壁部５２０の外周面５２１とで形成される通路を通って排液口５４から外部へ排出される。
【００４４】
バックリンスノズル６０は、内カップ５２の内側においてスピンチャック３０の近傍に複数配置される。バックリンスノズル６０は、先端を外方へ傾斜させた状態で設けられる。各バックリンスノズル６０は、バルブ６０１を介して薬液供給源６０２に接続されており、薬液供給源６０２から供給される薬液を被処理基板Ｗの裏面へ向けて吐出する。薬液としては、たとえばシンナーなどの有機溶剤や純水などが用いられる。
【００４５】
周縁吐出機構７０は、内カップ５２の内側においてバックリンスノズル６０よりも被処理基板Ｗの裏面周縁部に近い場所に設けられる。具体的には、周縁吐出機構７０は、被処理基板Ｗの裏面周縁部よりも内側かつ裏面周縁部の近傍に配置される。周縁吐出機構７０は、バルブ７０１を介して気体供給源７０２に接続されており、気体供給源７０２から供給されるＮ２を、被処理基板Ｗの裏面周縁部と内カップ５２の上端部との隙間へ向けて吐出する。なお、周縁吐出機構７０から吐出される気体は、Ｎ２に限らず、たとえば乾燥空気等であってもよい。
【００４６】
ここで、周縁吐出機構７０の構成について図４および図５を参照して説明する。図４は、周縁吐出機構７０の構成の一例を示す模式平面図である。また、図５は、周縁吐出機構７０の構成の他の一例を示す模式平面図である。
【００４７】
図４に示すように、周縁吐出機構７０は、複数の吐出口７１を備える。複数の吐出口７１は、内側周壁部５２０の内周面５２２に対し、平面視円周状に並べて配置されている。周縁吐出機構７０は、被処理基板Ｗの裏面周縁部と内カップ５２の上端部との隙間に対して各吐出口７１からＮ２を吐出する。
【００４８】
なお、図５に示すように、周縁吐出機構７０は、円周状に並べて配置される複数の吐出口７１に代えて、平面視においてリング状の吐出口７２を内側周壁部５２０の内周面５２２に備えていてもよい。
【００４９】
このように、第１の実施形態に係る塗布装置４３は、周縁吐出機構７０を用いて被処理基板Ｗの裏面周縁部と内カップ５２の上端部との隙間へ向けてＮ２を吐出する。これにより、第１の実施形態に係る塗布装置４３は、被処理基板Ｗの回転によって糸状化した接着剤Ｇが、被処理基板Ｗの裏面周縁部と内カップ５２の上端部との隙間から内カップ５２の内側へ侵入することを防止することができる。
【００５０】
また、周縁吐出機構７０は、平面視において円周状に並べて配置される複数の吐出口７１または平面視においてリング状の吐出口７２を備えるため、糸状化した接着剤Ｇの内カップ５２内への侵入を被処理基板Ｗの全周にわたって防止することができる。
【００５１】
＜３．塗布装置の具体的動作＞
次に、第１の実施形態に係る塗布装置４３の具体的動作について図６〜図１０を参照して説明する。図６は、塗布装置４３が実行する塗布処理の処理手順の一例を示すチャート図である。また、図７は、吐出工程の説明図であり、図８および図９は、塗布工程の説明図であり、図１０は、乾燥工程の説明図である。
【００５２】
図６に示すように、塗布装置４３は、制御部６の制御に従って吐出工程（ステップ１〜５）、塗布工程（ステップ６）および乾燥工程（ステップ７，８）をこの順番で実行する。
【００５３】
ここで、吐出工程は、スピンチャック３０に保持された被処理基板Ｗの表面に対して塗布ノズル４０から接着剤Ｇを吐出する工程である。また、塗布工程は、スピンチャック３０を回転させて被処理基板Ｗの表面に接着剤Ｇを塗り広げる工程である。また、乾燥工程は、スピンチャック３０を回転させて被処理基板Ｗを乾燥させる工程である。
【００５４】
まず、吐出工程について説明する。塗布装置４３は、スピンチャック３０で被処理基板Ｗを保持した後、スピンチャック３０を１００ｒｐｍで回転させつつ、塗布ノズル４０から被処理基板Ｗの表面に接着剤Ｇを吐出する（ステップ１および図７参照）。この処理時間は、２０秒である。
【００５５】
つづいて、塗布装置４３は、塗布ノズル４０から被処理基板Ｗの表面に接着剤Ｇを吐出しつつ、スピンチャック３０を２００ｒｐｍで回転させる（ステップ２）。この処理時間は、１０秒である。また、塗布装置４３は、塗布ノズル４０から被処理基板Ｗの表面に接着剤Ｇを吐出しつつ、スピンチャック３０を３００ｒｐｍで回転させ（ステップ３）、さらにその後、スピンチャック３０を５００ｒｐｍで回転させる（ステップ４）。ステップ３および４の処理時間は、それぞれ５秒である。
【００５６】
このように、塗布装置４３は、被処理基板Ｗの表面に接着剤Ｇを吐出する際に、スピンチャック３０の回転数を段階的に増加させることで、高粘度の接着剤Ｇを被処理基板Ｗの外周側へ効率よく押し広げることができる。その後、塗布装置４３は、塗布ノズル４０からの接着剤Ｇの吐出を停止し、スピンチャック３０を１００ｒｐｍで５秒間回転させて、吐出工程を終える（ステップ５）。なお、接着剤Ｇは高粘度であるため、吐出工程の終了時点では、まだ被処理基板Ｗの中央部に溜まった状態となっている。
【００５７】
つづいて、塗布工程について説明する。塗布装置４３は、バックリンスノズル６０から被処理基板Ｗの裏面に薬液を吐出しつつ、スピンチャック３０を１０００ｒｐｍで回転させる（ステップ６）。この処理時間は、１５秒である。図８に示すように、バックリンスノズル６０から吐出された薬液は、被処理基板Ｗの裏面周縁部よりも中央部寄りの位置に当たった後、被処理基板Ｗの裏面をつたって被処理基板Ｗの外方へ飛散する。
【００５８】
被処理基板Ｗの表面に吐出された接着剤Ｇは、ステップ６の処理中に被処理基板Ｗの周縁部に到達して、被処理基板Ｗの周縁部から落下する。このとき、被処理基板Ｗの裏面にはバックリンスノズル６０から薬液が吐出されているため、被処理基板Ｗの周縁部に到達した接着剤Ｇが被処理基板Ｗの裏面に回り込んで付着するのを防止することができる（図９参照）。
【００５９】
つづいて、乾燥工程について説明する。塗布装置４３は、バックリンスノズル６０からの薬液の吐出を停止した後、周縁吐出機構７０からＮ２を吐出しながら、スピンチャック３０を１５００ｒｐｍで回転させて被処理基板Ｗを乾燥させる（ステップ７）。この処理時間は、５秒である。
【００６０】
このように、塗布装置４３は、乾燥工程において、バックリンスノズル６０からの薬液の吐出を停止した後に、周縁吐出機構７０からのＮ２の吐出を開始する。
【００６１】
すなわち、塗布工程においては、上述したようにバックリンスノズル６０から吐出される薬液によって接着剤Ｇの内カップ５２内への侵入が防止される。しかし、乾燥工程においては、被処理基板Ｗの裏面を乾燥させるためにバックリンスノズル６０からの薬液の吐出を停止させる必要があるため、糸状化した接着剤Ｇが内カップ５２内に侵入するおそれがある。そこで、第１の実施形態に係る塗布装置４３では、バックリンスノズル６０を停止させた後に周縁吐出機構７０からのＮ２の吐出を開始することにより、Ｎ２の使用量を抑えつつ、糸状化した接着剤Ｇが上記隙間に侵入するのを引き続き防止することができる（図１０参照）。
【００６２】
また、第１の実施形態に係る塗布装置４３では、周縁吐出機構７０を被処理基板Ｗの裏面周縁部の近傍に配置し、被処理基板Ｗの裏面周縁部と内カップ５２の上端部との隙間に対してＮ２を直接的に吐出する。このため、第１の実施形態に係る塗布装置４３によれば、従来のように単に気流を生じさせるのみでは十分に防ぐことのできない糸状化した接着剤Ｇの上記隙間への侵入を確実に防ぐことができる。
【００６３】
その後、塗布装置４３は、スピンチャック３０の回転を停止し（ステップ８）、その後、周縁吐出機構７０からのＮ２の吐出も停止したうえで、一連の処理手順を終了する。
【００６４】
上述してきたように、第１の実施形態に係る塗布装置４３は、保持部３０１と、塗布ノズル４０と、回転機構３０３と、外カップ５１と、内カップ５２と、周縁吐出機構７０とを備える。保持部３０１は、被処理基板Ｗを水平に保持する。塗布ノズル４０は、保持部３０１に保持された被処理基板Ｗの表面に接着剤Ｇを吐出する。回転機構３０３は、保持部３０１を回転させる。外カップ５１は、保持部３０１の外側を囲む外側周壁部５１０を有する。内カップ５２は、被処理基板Ｗの裏面周縁部に上端部を近接させて配置された内側周壁部５２０を有する。周縁吐出機構７０は、内カップ５２内に配置され、被処理基板Ｗの裏面周縁部側へ向けてＮ２を吐出する。したがって、第１の実施形態に係る塗布装置４３によれば、被処理基板Ｗの裏面への接着剤Ｇの付着を防止することができる。
【００６５】
なお、上述した第１の実施形態では、ステップ７においてバックリンスノズル６０からの薬液の吐出を停止した後で、周縁吐出機構７０からのＮ２の吐出を開始することとしたが、塗布装置４３は、バックリンスノズル６０を停止する前に、周縁吐出機構７０からのＮ２の吐出を開始することとしてもよい。たとえば、塗布装置４３は、周縁吐出機構７０からのＮ２の吐出をステップ６から開始してもよい。
【００６６】
（第２の実施形態）
上述した第１の実施形態では、周縁吐出機構７０がＮ２を吐出する場合の例について説明したが、塗布装置４３は、周縁吐出機構７０から薬液を吐出させて、被処理基板Ｗのべベル洗浄を行ってもよい。以下、かかる場合の例について図１１を参照して説明する。図１１は、第２の実施形態に係る塗布処理の処理手順を示すチャート図である。なお、図１１に示すステップ１〜５の処理およびステップ８，９の処理は、図６に示すステップ１〜５の処理およびステップ７，８の処理と同様であるため、ここでの説明は省略する。
【００６７】
図１１に示すように、このように、第２の実施形態に係る塗布処理は、図６に示す塗布工程（ステップ６）の後半部分を、周縁吐出機構７０から被処理基板Ｗの裏面周縁部に薬液を吐出する処理に変更したものである。
【００６８】
具体的には、塗布装置４３は、塗布工程において、バックリンスノズル６０から被処理基板Ｗの裏面に薬液を吐出しつつ、スピンチャック３０を１０００ｒｐｍで回転させる（ステップ６）。この処理時間は、１０秒である。つづいて、塗布装置４３は、バックリンスノズル６０からの薬液の吐出を停止した後、周縁吐出機構７０から被処理基板Ｗの裏面周縁部に薬液を吐出しつつ、スピンチャック３０を１０００ｒｐｍで回転させる（ステップ７）。この処理時間は、５秒である。なお、第２の実施形態に係る周縁吐出機構７０は、たとえば気体供給源７０２および薬液供給源６０２に接続されているものとする。
【００６９】
これにより、第１の実施形態に係る塗布処理と比較して、被処理基板Ｗの裏面の乾燥に要する時間が短縮するため、乾燥工程の時間を短縮することができる。糸状化した接着剤Ｇは、乾燥工程の時間が長くなるほど発生量が多くなる。したがって、乾燥工程の時間を短縮することで、被処理基板Ｗの裏面への接着剤Ｇの付着をより確実に防止することができる。
【００７０】
（その他の実施形態）
次に、塗布装置４３の変形例について図１２を参照して説明する。図１２は、塗布装置４３の変形例を示す図である。なお、以下の説明では、既に説明した部分と同様の部分については、既に説明した部分と同一の符号を付し、重複する説明を省略する。
【００７１】
図１２に示すように、塗布装置４３は、スピンチャック３０の保持部３０１の外周に複数のフィン８０を備えていてもよい。フィン８０は、スピンチャック３０の回転に伴って回転し、内カップ５２の内側から被処理基板Ｗの裏面周縁部と内カップ５２の上端部との隙間を経由して内カップ５２の外部へと向かう気流を生じさせる。
【００７２】
これにより、たとえば図６のステップ７において、仮に、バックリンスノズル６０からの薬液の吐出を停止してから周縁吐出機構７０からのＮ２の吐出を開始するまでにタイムラグが存在したとしても、フィン８０が形成する気流によって、このタイムラグ中における糸状化した接着剤Ｇの侵入を抑えることができる。
【００７３】
このように、スピンチャック３０の保持部３０１にフィン８０を設けることで、糸状化した接着剤Ｇの内カップ５２内への侵入をより確実に防止することができる。
【００７４】
また、上述してきた各実施形態では、周縁吐出機構７０が、被処理基板Ｗの裏面周縁部と内カップ５２の上端部との隙間へ向けてＮ２を吐出する場合の例について説明したが、周縁吐出機構７０は、被処理基板Ｗの裏面周縁部へ向けてＮ２を吐出してもよい。
【００７５】
また、上述してきた各実施形態では、塗布装置４３が被処理基板Ｗに対して接着剤Ｇを塗布する場合の例について説明したが、塗布装置４３は、被処理基板Ｗではなく支持基板Ｓに対して接着剤Ｇを塗布してもよい。
【００７６】
さらなる効果や変形例は、当業者によって容易に導き出すことができる。このため、本発明のより広範な態様は、以上のように表しかつ記述した特定の詳細および代表的な実施形態に限定されるものではない。したがって、添付の特許請求の範囲およびその均等物によって定義される総括的な発明の概念の精神または範囲から逸脱することなく、様々な変更が可能である。
【符号の説明】
【００７７】
Ｗ  被処理基板
Ｓ  支持基板
Ｇ  接着剤
Ｔ  重合基板
５  制御装置
６  制御部
３０  スピンチャック
４０  塗布ノズル
４３  塗布装置
５１  外カップ
５２  内カップ
６０  バックリンスノズル
７０  周縁吐出機構
７１，７２  吐出口
３０１  保持部
３０３  回転機構
５１０  外側周壁部
５２０  内側周壁部
５２１  外周面
５２２  内周面
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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