(57)【要約】【課題】対象物との接続信頼性を向上可能なパッドを備えた配線基板等を提供する。【解決手段】本配線基板は、絶縁層と、前記絶縁層に埋設され、上面が前記絶縁層の上面から露出する第１パッドと、前記第１パッドの上面周縁部を除く中心部に形成された、底面が平滑面である凹部と、前記絶縁層の上面に設けられ、前記凹部を露出する開口部を備えたソルダーレジスト層と、を有し、前記開口部の周縁部の前記ソルダーレジスト層は、前記第１パッドの上面周縁部を被覆し、更に前記上面周縁部から前記第１パッドの中心部に張り出して前記凹部の上方に庇状に突起し、前記絶縁層の上面、前記第１パッドの前記絶縁層と接する面、及び前記第１パッドの上面周縁部は粗化面とされており、前記第１パッドの前記絶縁層と接する面の粗度は、前記絶縁層の上面の粗度及び前記第１パッドの上面周縁部の粗度よりも小さい。【選択図】図１
2015035588.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁層と、
前記絶縁層に埋設され、上面が前記絶縁層の上面から露出する第１パッドと、
前記第１パッドの上面周縁部を除く中心部に形成された、底面が平滑面である凹部と、
前記絶縁層の上面に設けられ、前記凹部を露出する開口部を備えたソルダーレジスト層と、を有し、
前記開口部の周縁部の前記ソルダーレジスト層は、前記第１パッドの上面周縁部を被覆し、更に前記上面周縁部から前記第１パッドの中心部に張り出して前記凹部の上方に庇状に突起し、
前記絶縁層の上面、前記第１パッドの前記絶縁層と接する面、及び前記第１パッドの上面周縁部は粗化面とされており、
前記第１パッドの前記絶縁層と接する面の粗度は、前記絶縁層の上面の粗度及び前記第１パッドの上面周縁部の粗度よりも小さい配線基板。
【請求項２】
前記絶縁層に埋設され、上面が前記絶縁層の上面から露出する第２パッドを有し、
前記第２パッドの上面は、前記絶縁層の上面よりも窪んだ位置にあり、
前記第２パッドの上面と、前記凹部の底面とは同じ高さである請求項１記載の配線基板。
【請求項３】
前記第１パッドの上面は、前記絶縁層の上面より窪んだ位置にある請求項２記載の配線基板。
【請求項４】
前記第２パッドの前記絶縁層と接する面は粗化面とされており、
前記第２パッドの前記絶縁層と接する面の粗度は、前記絶縁層の上面の粗度及び前記第１パッドの上面周縁部の粗度よりも小さい請求項２又は３記載の配線基板。
【請求項５】
前記ソルダーレジスト層は、複数の前記第２パッドを露出する他の開口部を備えている請求項２乃至４の何れか一項記載の配線基板。
【請求項６】
前記凹部の底面及び内壁面を覆う表面処理層が、前記凹部を充填しないように形成されている請求項１乃至５の何れか一項記載の配線基板。
【請求項７】
前記第１パッドの断面形状は、前記絶縁層の上面側より底面側の方が幅の狭いテーパ形状である請求項１乃至６の何れか一項記載の配線基板。
【請求項８】
支持体上に、一方の面が粗化面である金属層を形成する工程と、
前記金属層の一方の面に第１パッドを形成する工程と、
前記第１パッドの前記金属層から露出する面を、前記金属層の一方の面の粗度よりも粗度の小さい粗化面とする工程と、
前記金属層の一方の面に、前記第１パッドの粗化面を被覆する絶縁層を形成する工程と、
前記支持体を前記金属層に対して選択的に除去する工程と、
前記金属層を前記第１パッドに対して選択的に除去して、前記絶縁層の上面となる前記金属層と接していた面、及び前記第１パッドの上面となる前記金属層と接していた面に、前記金属層の粗化面が転写される工程と、
前記絶縁層の上面に前記第１パッドの上面の一部を露出する開口部を備え、前記第１パッドの上面周縁部を被覆するようにソルダーレジスト層を形成する工程と、
前記ソルダーレジスト層の開口部内に露出する前記第１パッドの一部を除去して底面が平滑面である凹部を形成し、前記開口部の周縁部の前記ソルダーレジスト層を前記第１パッドの前記上面周縁部から前記第１パッドの中心部に張り出させて前記凹部の上方に庇状に突起させる工程と、を有する配線基板の製造方法。
【請求項９】
支持体上に、一方の面が粗化面である金属層を形成する工程と、
前記金属層の一方の面に第１パッド及び第２パッドを形成する工程と、
前記第１パッド及び前記第２パッドの前記金属層から露出する面を、前記金属層の一方の面の粗度よりも粗度の小さい粗化面とする工程と、
前記金属層の一方の面に、前記第１パッド及び前記第２パッドの粗化面を被覆する絶縁層を形成する工程と、
前記支持体を前記金属層に対して選択的に除去する工程と、
前記金属層を前記第１パッド及び前記第２パッドに対して選択的に除去して、前記絶縁層の上面となる前記金属層と接していた面、及び前記第１パッド及び前記第２パッドの上面となる前記金属層と接していた面に、前記金属層の粗化面を転写する工程と、
前記絶縁層の上面に前記第１パッドの上面の一部を露出する開口部、及び複数の前記第２パッドを露出する他の開口部を備えたソルダーレジスト層を、前記開口部の周縁部の前記ソルダーレジスト層が前記第１パッドの上面周縁部を被覆するように形成する工程と、
前記ソルダーレジスト層の開口部内に露出する前記第１パッドの一部を除去して底面が平滑面である凹部を形成し、前記開口部の周縁部の前記ソルダーレジスト層を前記第１パッドの前記上面周縁部から前記第１パッドの中心部に張り出させて前記凹部の上方に庇状に突起させると共に、前記第２パッドの一部を除去して前記第２パッドの上面を前記絶縁層の上面よりも窪ませ、前記第２パッドの上面と前記凹部の底面とを同じ高さとする工程と、を有する配線基板の製造方法。
【請求項１０】
前記ソルダーレジスト層を形成する工程の前に、
エッチングにより、前記絶縁層から露出する前記第１パッド及び前記第２パッドの上面の一部を除去する工程を有する請求項９記載の配線基板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、配線基板及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、配線層と絶縁層とが交互に積層され、配線層同士が絶縁層を貫通するビアホールを介して接続された所謂ビルドアップ配線基板が知られている。このようなビルドアップ配線基板は、例えば、支持体上に配線層と絶縁層とを積層後、支持体を除去することにより作製される。
【０００３】
ビルドアップ配線基板の製造工程において、支持体の表面を粗化面とする場合がある。この場合、支持体を除去すると支持体の粗化面が支持体上に形成される絶縁層等に転写される。そのため、支持体を除去後、絶縁層の粗化面上にソルダーレジスト層やアンダーフィル樹脂等を形成する際に、絶縁層とソルダーレジスト層やアンダーフィル樹脂等との密着性を向上できる（例えば、特許文献１参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２０１２−２０９５８０号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、上記のビルドアップ配線基板の製造工程では、支持体の粗化面が、半導体チップの電極等と接続されるパッドの表面にも転写され、パッドの表面まで粗化されてしまう。そのため、パッドの表面のはんだ濡れ性が悪くなり、ビルドアップ配線基板のパッドと半導体チップの電極等との接続信頼性を十分に確保できない問題があった。
【０００６】
本発明は、上記の点に鑑みてなされたものであり、対象物との接続信頼性を向上可能なパッドを備えた配線基板等を提供することを課題とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本配線基板は、絶縁層と、前記絶縁層に埋設され、上面が前記絶縁層の上面から露出する第１パッドと、前記第１パッドの上面周縁部を除く中心部に形成された、底面が平滑面である凹部と、前記絶縁層の上面に設けられ、前記凹部を露出する開口部を備えたソルダーレジスト層と、を有し、前記開口部の周縁部の前記ソルダーレジスト層は、前記第１パッドの上面周縁部を被覆し、更に前記上面周縁部から前記第１パッドの中心部に張り出して前記凹部の上方に庇状に突起し、前記絶縁層の上面、前記第１パッドの前記絶縁層と接する面、及び前記第１パッドの上面周縁部は粗化面とされており、前記第１パッドの前記絶縁層と接する面の粗度は、前記絶縁層の上面の粗度及び前記第１パッドの上面周縁部の粗度よりも小さいことを要件とする。
【発明の効果】
【０００８】
開示の技術によれば、対象物との接続信頼性を向上可能なパッドを備えた配線基板等を提供できる。
【図面の簡単な説明】
【０００９】
【図１】第１の実施の形態に係る配線基板を例示する断面図である。
【図２】第１の実施の形態に係る配線基板を例示する平面図である。
【図３】第１の実施の形態に係る配線基板の製造工程を例示する図（その１）である。
【図４】第１の実施の形態に係る配線基板の製造工程を例示する図（その２）である。
【図５】第１の実施の形態に係る配線基板の製造工程を例示する図（その３）である。
【図６】第１の実施の形態に係る配線基板の製造工程を例示する図（その４）である。
【図７】第１の実施の形態の変形例１に係る配線基板を部分的に例示する斜視図である。
【図８】第１の実施の形態の変形例２に係る配線基板の製造工程を例示する図である。
【図９】支持体の他の構造を例示する図である。
【図１０】第１の実施の形態の変形例５に係る配線基板の製造工程を例示する図である。
【図１１】第２の実施の形態に係る配線基板を例示する断面図である。
【図１２】第２の実施の形態に係る配線基板の製造工程を例示する図である。
【発明を実施するための形態】
【００１０】
以下、図面を参照して発明を実施するための形態について説明する。なお、各図面において、同一構成部分には同一符号を付し、重複した説明を省略する場合がある。
【００１１】
〈第１の実施の形態〉
［第１の実施の形態に係る配線基板の構造］
まず、第１の実施の形態に係る配線基板の構造について説明する。図１は、第１の実施の形態に係る配線基板を例示する断面図である。図２は、第１の実施の形態に係る配線基板を例示する平面図である。なお、図１（ａ）は図２のＡ−Ａ線に沿う断面を例示する断面図であり、図１（ｂ）は図１（ａ）のＢ部を拡大して例示する部分断面図である。又、図１（ａ）及び図２において、表面処理層２０の図示は省略されている。
【００１２】
図１及び図２を参照するに、配線基板１０は、第１パッド１１と、絶縁層１２と、配線層１３と、絶縁層１４と、配線層１５と、絶縁層１６と、配線層１７と、ソルダーレジスト層１８及び１９と、表面処理層２０と、第２パッド２１と、配線パターン２２とを有する。配線基板１０は、所謂コアレスのビルドアップ配線基板である。
【００１３】
図２を参照するに、配線基板１０は複数の半導体チップを搭載可能とされている。なお、破線で示した１０１及び１０２は、半導体チップ１０１及び１０２が搭載されるべき位置を示している。第２パッド２１の一部２１ｐは半導体チップ１０１の電極と接続されるパッドであり、第２パッド２１の他部２１ｑは半導体チップ１０２の電極と接続されるパッドである。第２パッド２１の一部２１ｐと第２パッド２１の他部２１ｑとは、配線パターン２２を介して電気的に接続されている。半導体チップ１０１の電極と接続される第２パッド２１の一部２１ｐや、半導体チップ１０２の電極と接続される第２パッド２１の他部２１ｑを夫々複数列に配置してもよい（図２の例では夫々２列）。又、搭載される半導体チップ１０１と半導体チップ１０２とは、同一機能を有するものでもよいし、異なる機能を有するものでもよい。
【００１４】
本実施の形態では、便宜上、ソルダーレジスト層１９側を上側又は他方の側、ソルダーレジスト層１８側を下側又は一方の側とする。又、各部位のソルダーレジスト層１９側の面を上面又は他方の面、ソルダーレジスト層１８側の面を下面又は一方の面とする。又、平面視とは対象物を絶縁層１２の上面１２ａの法線方向から視ることを指し、平面形状とは対象物を絶縁層１２の上面１２ａの法線方向から視た形状を指すものとする。又、配線パターン２２は、第２パッド２１と類似の構成を有して形成されているため、配線パターン２２の構成部分について、図示や符号等の説明が省略されている。
【００１５】
配線基板１０において、絶縁層１２は第１パッド１１、第２パッド２１、及び配線パターン２２が形成される層である。但し、第１パッド１１と第２パッド２１を接続する他の配線パターンや、第１パッド１１同士を接続する他の配線パターンを形成してもよい。絶縁層１２の材料としては、例えば、熱硬化性のエポキシ系樹脂等の絶縁性樹脂を主成分とする材料を用いることができる。絶縁層１２は、シリカ（ＳｉＯ２）等のフィラーを含有しても構わない。絶縁層１２の厚さは、例えば１５〜３５μｍ程度とすることができる。
【００１６】
絶縁層１２の上面１２ａは粗化面とされている。絶縁層１２の上面１２ａの粗度は、例えば、Ｒａ＝０．３μｍ以上０．５μｍ未満程度とすることができる。粗度の測定は、例えば、光干渉式の装置を用いて測定することができる。このように、絶縁層１２の上面１２ａを粗化面とすることにより、絶縁層１２の上面１２ａと上面１２ａに形成されるソルダーレジスト層１９との密着性を向上できる。
【００１７】
第１パッド１１は、絶縁層１２に埋設されている。第１パッド１１は、絶縁層１２の上面１２ａに形成された凹部１２ｙ内に設けられており、第１パッド１１の上面１１ａは、絶縁層１２の上面１２ａから露出している。第１パッド１１の平面形状は、例えば、円形状とすることができる。第１パッド１１の断面形状は、例えば、絶縁層１２の上面１２ａ側より底面側の方が幅の狭いテーパ形状とすることができる。第１パッド１１は、例えば、逆円錐台状とすることができる。
【００１８】
第１パッド１１の上面周縁部１１ｚを除く部分（第１パッド１１の中心部分）には、底面及び内壁面が平滑面である凹部１１ｘが形成されている。凹部１１ｘの底面（平滑面）の粗度は、例えば、Ｒａ＝０．１μｍ以上０．２μｍ未満程度とすることができる。凹部１１ｘの内壁面（平滑面）は、凹部１１ｘの底面と同様の工程により形成される。そのため、凹部１１ｘの内壁面の粗度は、凹部１１ｘの底面の粗度と同じ程度とすることができる。説明の便宜上、底面及び内壁面とペアで記す。第１パッド１１の材料としては、例えば、銅等を用いることができる。第１パッド１１の厚さＴ１は、例えば、１０μｍ程度とすることができる。凹部１１ｘの絶縁層１２の上面１２ａからの深さＤ１は、例えば、１〜２μｍ程度とすることができる。
【００１９】
又、第１パッド１１の上面１１ａと絶縁層１２の上面１２ａは、面一である。
【００２０】
第２パッド２１は、絶縁層１２に埋設されている。第２パッド２１は、絶縁層１２の上面１２ａに形成された凹部１２ｙ内に設けられており、第２パッド２１の上面２１ａは凹部１２ｙ内に露出している。具体的には、第２パッド２１の上面２１ａは、絶縁層１２の上面１２ａよりも窪んだ位置にある。そのため、第２パッド２１の上面２１ａと絶縁層１２の上面１２ａの間には、凹部１２ｙの内壁面が露出する段差部Ｚが設けられている。段差部Ｚにも粗面が形成されている。第２パッド２１の上面２１ａと凹部１１ｘの底面とは、同一の高さ（面一）とすることができる。
【００２１】
配線パターン２２は、絶縁層１２に埋設されている。配線パターン２２は、絶縁層１２の上面１２ａに形成された凹部１２ｙ内に設けられており、配線パターン２２の上面と絶縁層１２の上面１２ａは、面一である。
【００２２】
第２パッド２１は、第１パッド１１よりも平面形状が小さい。第１パッド１１が他の配線基板や半導体パッケージ等と電気的に接続されるパッドであるのに対し、第２パッド２１は半導体チップの電極と接続されるパッドだからである。第２パッド２１の平面形状は、例えば、円形状とすることができる。第２パッド２１及び配線パターン２２の断面形状は、絶縁層１２の上面１２ａ側より下面２１ｃ側の方が幅の狭いテーパ形状とすることができる。第２パッド２１は、例えば、逆円錐台状とすることができる。第２パッド２１の上面２１ａは平滑面であり、第２パッド２１の上面２１ａ（平滑面）の粗度は、例えば、Ｒａ＝０．１μｍ以上０．２μｍ未満程度とすることができる。
【００２３】
第２パッド２１及び配線パターン２２の材料としては、例えば、銅等を用いることができる。第２パッド２１の厚さＴ２は、例えば、８〜９μｍ程度とすることができる。第２パッド２１の絶縁層１２の上面１２ａからの深さＤ２は深さＤ１と略等しく、例えば、１〜２μｍ程度とすることができる。配線パターン２２の厚さは、第１パッド１１の厚さＴ１と略等しく、例えば、１０μｍ程度とすることができる。
【００２４】
第１パッド１１の上面周縁部１１ｚ（ソルダーレジスト層１９の下面の突起部と接する面）は、粗化面とされている。第１パッド１１の上面周縁部１１ｚの粗度は、例えば、Ｒａ＝０．３μｍ以上０．５μｍ未満程度とすることができる。これによりアンカー効果が生じ、第１パッド１１とソルダーレジスト層１９との密着性を向上できる。
【００２５】
第１パッド１１、第２パッド２１の絶縁層１２と接する面である下面１１ｃ、２１ｃ及び側面１１ｂ、２１ｂ及び配線パターン２２の絶縁層１２と接する面である下面及び側面は、粗化面とされている。但し、第１パッド１１の下面１１ｃ、第２パッド２１の下面２１ｃ、及び配線パターン２２の下面の粗度は、絶縁層１２の上面１２ａの粗度や第１パッド１１の上面周縁部１１ｚの粗度よりも小さくされている。第１パッド１１の下面１１ｃ、第２パッド２１の下面２１ｃ、及び配線パターン２２の下面の粗度は、例えば、Ｒａ＝０．２μｍ以上０．３μｍ未満程度とすることができる。これによりアンカー効果が生じ、第１パッド１１、第２パッド２１、及び配線パターン２２と絶縁層１２との密着性を向上できると共に、応力の影響による絶縁層１２と配線層１３との剥離やクラックを防止できる。
【００２６】
第１パッド１１及び第２パッド２１の側面１１ｂ、２１ｂや、配線パターン２２の側面の粗化面は、それぞれの下面と同様の工程により形成される。そのため、第１パッド１１及び第２パッド２１の側面１１ｂ、２１ｂや、配線パターン２２の側面の粗度は、それぞれの下面の粗度と同じ程度とすることができる。説明の便宜上、底面及び側面とペアで記す。
【００２７】
なお、第１パッド１１、第２パッド２１、及び配線パターン２２の下面及び側面の粗度を、絶縁層１２の上面１２ａの粗度や第１パッド１１の上面周縁部１１ｚの粗度よりも小さくしているのは、以下の理由による。すなわち、第１パッド１１、第２パッド２１、及び配線パターン２２の下面及び側面の粗度を大きくすると第１パッド１１、第２パッド２１、及び配線パターン２２が細くなり、伝送信頼性を確保することが困難となるためである。
【００２８】
ソルダーレジスト層１９は、絶縁層１２の上面１２ａに設けられている。ソルダーレジスト層１９は、第１パッド１１の凹部１１ｘを露出する開口部１９ｘを備えている。又、ソルダーレジスト層１９は、複数の第２パッド２１の上面２１ａを露出する開口部１９ｙ（他の開口部）を備えている。開口部１９ｘの平面形状は、例えば、円形状とすることができる。開口部１９ｙの平面形状は、例えば、矩形状とすることができる。
【００２９】
開口部１９ｘの周縁部のソルダーレジスト層１９は、第１パッド１１の上面周縁部１１ｚを被覆している。第１パッド１１の上面周縁部１１ｚを被覆するソルダーレジスト層１９は、更に第１パッド１１の上面周縁部１１ｚから側方（第１パッド１１の中心部に向かって水平方向）に張り出して凹部１１ｘの上方に庇状に突起している。ソルダーレジスト層１９の凹部１１ｘの上方に庇状に突起している部分の幅Ｗは、例えば、１〜２μｍ程度とすることができる。ソルダーレジスト層１９の材料としては、例えば、感光性のエポキシ系絶縁性樹脂等を用いることができる。ソルダーレジスト層１９の厚さは、例えば１５〜３５μｍ程度とすることができる。
【００３０】
このように、ソルダーレジスト層１９が第１パッド１１の上面周縁部１１ｚを被覆する。これにより、ソルダーレジスト層１９が第１パッド１１の上面周縁部１１ｚを被覆しない場合と比べて、他の配線基板や半導体パッケージ等を実装する際の応力による第１パッド１１の抜けを防止できる。又、ソルダーレジスト層１９が凹部１１ｘの上方に庇状に突起していることにより、他の配線基板や半導体パッケージ等と接続するために、凹部１１ｘ内にはんだ等が形成された際に、庇が楔の作用をして、はんだ等の抜けを防止できる。
【００３１】
ソルダーレジスト層１９の開口部１９ｘの底部に露出する凹部１１ｘ内には、凹部１１ｘの底面及び内壁面を覆う表面処理層２０が、凹部１１ｘを充填しないように形成されている。言い換えれば、凹部１１ｘに形成される表面処理層２０は、凹部１１ｘの形状に沿って、底面及び内壁面を備えるように形成されている。又、開口部１９ｙの底部に露出する第２パッド２１の上面２１ａには、第１パッド１１の凹部１１ｘの底面及び内壁面と同様の表面処理層２０が形成されている。又、第２パッドおいて、表面処理層２０は、絶縁層１２の上面１２ａよりも窪んだ位置に形成される。
【００３２】
表面処理層２０としては、Ａｕ層や、Ｎｉ／Ａｕ層（Ｎｉ層とＡｕ層をこの順番で積層した金属層）、Ｎｉ／Ｐｄ／Ａｕ層（Ｎｉ層とＰｄ層とＡｕ層をこの順番で積層した金属層）等を形成できる。又、ＯＳＰ（Organic Solderability Preservative）処理等の酸化防止処理を施して表面処理層２０を形成してもよい。表面処理層２０の厚さは、例えば、０．５〜１μｍ程度とすることができる。
【００３３】
第１パッド１１の表面処理層２０が形成された部分は、他の配線基板や半導体パッケージ等と電気的に接続することができる。第２パッド２１の表面処理層２０が形成された部分は、半導体チップ１０１及び１０２等の半導体チップと電気的に接続することができる。従って、第２パッド２１は、第１パッド１１よりも小径及び狭ピッチとすることができる。
【００３４】
前述のように、凹部１１ｘの底面及び第２パッド２１の上面２１ａは、粗化面ではなく平滑面である。そのため、凹部１１ｘの底面及び第２パッド２１の上面２１ａに形成される表面処理層２０の上面も平滑面となる。又、凹部１１ｘの底面及び第２パッド２１の上面２１ａが粗化面であると、その影響により表面処理層２０の厚さのばらつきが生じやすい。しかし、本実施の形態では、凹部１１ｘの底面及び第２パッド２１の上面２１ａが平滑面であるため、表面処理層２０の厚さを均一にできる。
【００３５】
これにより、例えば、表面処理層２０の上にはんだを介して他の配線基板や半導体パッケージ等、或いは半導体チップの電極を接続する際に、はんだの濡れ性が向上するため、配線基板１０と半導体チップ等との接続信頼性を向上できる。
【００３６】
配線層１３は、絶縁層１２の下側に形成されている。配線層１３は、絶縁層１２を貫通し第１パッド１１及び第２パッド２１の夫々の下面１１ｃ、２１ｃを露出するビアホール１２ｘ内に充填されたビア配線、及び絶縁層１２の下面に形成された配線パターンを含んで構成されている。ビアホール１２ｘは、絶縁層１４側に開口されている開口部の径が第１パッド１１及び第２パッド２１の夫々の下面によって形成された開口部の底面の径よりも大となる円錐台状の凹部となっている。言い換えれば、第１パッド１１及び第２パッド２１の夫々の下面と接続されるビア配線の断面形状は、絶縁層１２の上面１２ａ側より上面１２ａとは反対面側の方が幅の広いテーパ形状である。
【００３７】
配線層１３は、ビアホール１２ｘの底部に露出した第１パッド１１及び第２パッド２１と電気的に接続されている。配線層１３の材料としては、例えば銅（Ｃｕ）等を用いることができる。配線層１３を構成する配線パターンの厚さは、例えば１０〜２０μｍ程度とすることができる。なお、配線層１３のビア配線と接続されていない第１パッド１１及び第２パッド２１が存在してもよい。
【００３８】
絶縁層１４は、絶縁層１２の下面に、配線層１３を覆うように形成されている。絶縁層１４の材料としては、絶縁層１２と同様の絶縁性樹脂を用いることができる。絶縁層１４は、シリカ（ＳｉＯ２）等のフィラーを含有しても構わない。絶縁層１４の厚さは、例えば１５〜３５μｍ程度とすることができる。
【００３９】
配線層１５は、絶縁層１４の下側に形成されている。配線層１５は、絶縁層１４を貫通し配線層１３の下面を露出するビアホール１４ｘ内に充填されたビア配線、及び絶縁層１４の下面に形成された配線パターンを含んで構成されている。ビアホール１４ｘは、絶縁層１６側に開口されている開口部の径が配線層１３の下面によって形成された開口部の底面の径よりも大となる円錐台状の凹部とすることができる。
【００４０】
配線層１５は、ビアホール１４ｘの底部に露出した配線層１３と電気的に接続されている。配線層１５の材料としては、例えば銅（Ｃｕ）等を用いることができる。配線層１５を構成する配線パターンの厚さは、例えば１０〜２０μｍ程度とすることができる。
【００４１】
絶縁層１６は、絶縁層１４の下面に、配線層１５を覆うように形成されている。絶縁層１６の材料としては、絶縁層１２と同様の絶縁性樹脂を用いることができる。絶縁層１６は、シリカ（ＳｉＯ２）等のフィラーを含有しても構わない。絶縁層１６の厚さは、例えば１５〜３５μｍ程度とすることができる。
【００４２】
配線層１７は、絶縁層１６の下側に形成されている。配線層１７は、絶縁層１６を貫通し配線層１５の下面を露出するビアホール１６ｘ内に充填されたビア配線、及び絶縁層１６の下面に形成された配線パターンを含んで構成されている。ビアホール１６ｘは、ソルダーレジスト層１８側に開口されている開口部の径が配線層１５の下面によって形成された開口部の底面の径よりも大となる円錐台状の凹部とすることができる。
【００４３】
配線層１７は、ビアホール１６ｘの底部に露出した配線層１５と電気的に接続されている。配線層１７の材料としては、例えば銅（Ｃｕ）等を用いることができる。配線層１７を構成する配線パターンの厚さは、例えば１０〜２０μｍ程度とすることができる。
【００４４】
ソルダーレジスト層１８は、絶縁層１６の下面に、配線層１７を覆うように形成されている。ソルダーレジスト層１８は開口部１８ｘを有し、開口部１８ｘの底部には配線層１７の一部が露出している。開口部１８ｘの底部に露出する配線層１７は、他の配線基板や半導体パッケージ等と電気的に接続されるパッドとして機能する。ソルダーレジスト層１８の材料としては、例えば、感光性のエポキシ系絶縁性樹脂等を用いることができる。ソルダーレジスト層１８の厚さは、例えば１５〜３５μｍ程度とすることができる。
【００４５】
必要に応じ、開口部１８ｘの底部に露出する配線層１７の下面に金属層を形成してもよい。金属層の例としては、前述の通りである。又、開口部１８ｘの底部に露出する配線層１７の下面に、ＯＳＰ処理等の酸化防止処理を施してもよい。
【００４６】
なお、配線基板１０において、配線層１７を構成する配線パターンを絶縁層１６の下面に引き出して形成し、絶縁層１６の下面に引き出された配線パターンをソルダーレジスト層１８の開口部１８ｘから露出させ、パッドとして機能させてもよい。つまり、配線層１７のビアホール１６ｘ以外の部分をパッドとして機能させてもよい。
【００４７】
［第１の実施の形態に係る配線基板の製造方法］
次に、第１の実施の形態に係る配線基板の製造方法について説明する。図３〜図６は、第１の実施の形態に係る配線基板の製造工程を例示する図である。本実施の形態では、支持体上に複数の配線基板となる部分を作製し支持体を除去後個片化して各配線基板とする工程の例を示すが、支持体上に１個ずつ配線基板を作製し支持体を除去する工程としてもよい。
【００４８】
まず、図３（ａ）に示す工程では、支持体３００を準備し、支持体３００上に、一方の面が粗化面３１０ａである金属層３１０を形成する。支持体３００としては、シリコン板、ガラス板、金属板、金属箔等を用いることができるが、本実施の形態では、支持体３００として銅箔を用いる。後述する図３（ｃ）に示す工程等において電解めっきを行う際の給電層として利用でき、後述する図５（ｂ）に示す工程において容易にエッチングで除去可能だからである。支持体３００の厚さは、例えば３５〜１００μｍ程度とすることができる。
【００４９】
金属層３１０の材料としては、エッチングにより、支持体３００に対して選択的に除去可能な材料を用いることができる。本実施の形態では、支持体３００として銅箔を用いているので、金属層３１０の材料としては、例えば、銅に対して選択的に除去可能な材料であるニッケル（Ｎｉ）を用いることができる。或いは、ニッケル（Ｎｉ）に代えて、コバルト（Ｃｏ）、クローム（Ｃｒ）、アルミニウム（Ａｌ）、パラジウム（Ｐｄ）、錫（Ｓｎ）、鉄（Ｆｅ）等を用いてもよい。金属層３１０の厚さは、例えば、１０μｍ程度とすることができる。
【００５０】
本実施の形態では、金属層３１０の材料としてニッケル（Ｎｉ）を用いる場合を例にして説明する。粗化面３１０ａを備えた金属層３１０（ニッケル層）は、例えば、硫酸ニッケル、ホウ酸、塩化ニッケル等を混合しためっき液を用いた電解めっき法により形成できる。この際、支持体３００をめっき給電層として利用できる。この場合、使用するめっき液の組成や電流密度を適切に調整することにより、電解めっき法で形成された金属層３１０（ニッケル層）の一方の側（支持体３００と接していない側）に、微細な凹凸形状を有する粗化面３１０ａが形成される。粗化面３１０ａの粗度は、例えば、Ｒａ＝０．３μｍ以上０．５μｍ未満程度とすることができる。
【００５１】
次に、図３（ｂ）に示す工程では、金属層３１０の一方の面である粗化面３１０ａに、第１パッド１１形成部、第２パッド２１形成部、及び配線パターン２２形成部に開口部３２０ｘを備えたレジスト層３２０を形成する。第１パッド１１形成部及び第２パッド２１形成部に対応する開口部３２０ｘの平面形状は、例えば、円形状とすることができる。第２パッド２１形成部に対応する開口部３２０ｘは、第１パッド１１形成部に対応する開口部３２０ｘよりも小径及び狭ピッチとすることができる。配線パターン２２形成部に対応する開口部３２０ｘの平面形状は、配線パターン２２の引き回しに合わせて任意に設定できる。
【００５２】
レジスト層３２０を形成するには、金属層３１０の粗化面３１０ａに、例えばエポキシ系樹脂やアクリル系樹脂等を含む感光性樹脂組成物からなる液状又はペースト状のレジストを塗布する。或いは、金属層３１０の粗化面３１０ａに、例えばエポキシ系樹脂やアクリル系樹脂等を含む感光性樹脂組成物からなるフィルム状のレジスト（例えば、ドライフィルムレジスト等）をラミネートする。
【００５３】
そして、塗布又はラミネートしたレジストを露光及び現像することで開口部３２０ｘを形成する。これにより、金属層３１０の粗化面３１０ａに開口部３２０ｘを備えたレジスト層３２０が形成される。なお、予め開口部３２０ｘを形成したフィルム状のレジストを金属層３１０の粗化面３１０ａにラミネートしても構わない。
【００５４】
次に、図３（ｃ）に示す工程では、支持体３００をめっき給電層に利用する電解めっき法等により、開口部３２０ｘ内に露出する金属層３１０の粗化面３１０ａに第１パッド１１、第２パッド２１、及び配線パターン２２（図示せず）を形成する。すなわち、開口部３２０ｘ内に露出する金属層３１０に第１パッド１１、第２パッド２１、及び配線パターン２２を積層する。第１パッド１１、第２パッド２１、及び配線パターン２２の材料としては、例えば、銅（Ｃｕ）等を用いることができる。第１パッド１１、第２パッド２１、及び配線パターン２２の厚さは、例えば、数１０μｍ程度とすることができる。
【００５５】
次に、図３（ｄ）に示す工程では、レジスト層３２０を除去する。これにより、第１パッド１１の一方の面１１ｃ及び側面１１ｂ、第２パッド２１の一方の面２１ｃ及び側面２１ｂ、及び配線パターン２２（図示せず）の表面（一方の面及び側面）が露出する。
【００５６】
次に、図４（ａ）に示す工程では、第１パッド１１、第２パッド２１の金属層３１０から露出する面（一方の面１１ｃ、２１ｃ及び側面１１ｂ、２１ｂ）をエッチングして粗化面とする。又、配線パターン２２（図示せず）の金属層３１０から露出する面（一方の面及び側面）もエッチングして粗化面とする。第１パッド１１の一方の面１１ｃ、第２パッド２１の一方の面２１ｃ、及び配線パターン２２の一方の面の粗度は、金属層３１０の粗化面３１０ａの粗度よりも小さく、例えば、Ｒａ＝０．２μｍ以上０．３μｍ未満程度とすることができる。第１パッド１１及び第２パッド２１の側面１１ｂ、２１ｂや、配線パターン２２の側面の粗化面は、それぞれの一方の面の粗度と同じ程度とすることができる。粗化には、例えば、蟻酸や酢酸系のエッチング液を用いることができる。なお、エッチングにより、第１パッド１１、第２パッド２１、及び配線パターン２２の一方の面及び側面の一部が除去され、第１パッド１１、第２パッド２１、及び配線パターン２２の側面は傾斜面となる。例えば、エッチング前に第１パッド１１及び第２パッド２１の形状が円柱状であれば、第１パッド１１及び第２パッド２１はエッチング後には円錐台状となる。
【００５７】
次に、図４（ｂ）に示す工程では、金属層３１０の粗化面３１０ａに第１パッド１１、第２パッド２１、及び配線パターン２２（図示せず）の夫々の一部（夫々の粗化面である一方の面及び側面）を被覆する絶縁層１２を形成する。この時、絶縁層１２の他方の面１２ａに、第１パッド１１、第２パッド２１、及び配線パターン２２（図示せず）の形状に沿って凹部１２ｙが形成される。絶縁層１２の材料としては、例えば、熱硬化性のエポキシ系樹脂等の絶縁性樹脂を主成分とする材料を用いることができる。絶縁層１２は、シリカ（ＳｉＯ２）等のフィラーを含有しても構わない。絶縁層１２の厚さは、例えば１５〜３５μｍ程度とすることができる。
【００５８】
絶縁層１２の材料として、例えば熱硬化性を有するフィルム状のエポキシ系樹脂等の絶縁性樹脂を用いた場合には次のようにする。まず、第１パッド１１、第２パッド２１、及び配線パターン２２を覆うように金属層３１０の粗化面３１０ａにフィルム状の絶縁性樹脂を半硬化状態でラミネートする。そして、ラミネートした絶縁性樹脂を押圧しつつ、硬化温度以上に加熱して硬化させる。なお、絶縁性樹脂を真空雰囲気中でラミネートすることにより、ボイドの巻き込みを防止できる。
【００５９】
絶縁層１２の材料として、例えば熱硬化性を有する液状又はペースト状のエポキシ系樹脂等の絶縁性樹脂を用いた場合には、以下のようにする。すなわち、第１パッド１１、第２パッド２１、及び配線パターン２２を覆うように金属層３１０の粗化面３１０ａに液状又はペースト状の絶縁性樹脂を例えばスピンコート法等により塗布する。そして、塗布した絶縁性樹脂を硬化温度以上に加熱して硬化させる。
【００６０】
次に、図４（ｃ）に示す工程では、絶縁層１２に、絶縁層１２を貫通し第１パッド１１及び第２パッド２１の夫々の一方の面を露出させるビアホール１２ｘを形成する。ビアホール１２ｘは、例えばＣＯ２レーザ等を用いたレーザ加工法により形成できる。レーザ加工法により形成したビアホール１２ｘは、絶縁層１４が形成される側に開口されている開口部の径が第１パッド１１及び第２パッド２１の夫々の一方の面によって形成された開口部の底面の径よりも大となる逆円錐台状の凹部となる。但し、第１パッド１１の一方の面を露出させるビアホール１２ｘの底面の径と、第２パッド２１の一方の面を露出させるビアホール１２ｘの底面の径は同一としなくてもよい。絶縁層１４が形成される側に開口されている開口部の径についても同様である。
【００６１】
なお、他のビアホールもレーザ加工法により形成すると同様の形状となる。ビアホール１２ｘをレーザ加工法により形成した場合には、デスミア処理を行い、ビアホール１２ｘの底部に露出する第１パッド１１及び第２パッド２１の夫々の一方の面に付着した絶縁層１２の樹脂残渣を除去することが好ましい。
【００６２】
次に、図４（ｄ）に示す工程では、絶縁層１２上に配線層１３を形成する。配線層１３は、ビアホール１２ｘ内に充填されたビア配線、及び絶縁層１２の一方の面に形成された配線パターンを含んで構成される。配線層１３は、ビアホール１２ｘの底部に露出した第１パッド１１及び第２パッド２１と電気的に接続される。配線層１３の材料としては、例えば銅（Ｃｕ）等を用いることができる。配線層１３は、セミアディティブ法やサブトラクティブ法等の各種の配線形成方法を用いて形成できる。
【００６３】
次に、図５（ａ）に示す工程では、上記と同様な工程を繰り返すことにより、絶縁層１２の一方の側に、絶縁層１４、配線層１５、絶縁層１６、配線層１７、及びソルダーレジスト層１８を積層する。すなわち、絶縁層１２の一方の面に配線層１３を被覆する絶縁層１４を形成した後に、絶縁層１４を貫通し配線層１３の一方の面を露出するビアホール１４ｘを形成する。絶縁層１４の材料としては、絶縁層１２と同様の絶縁性樹脂を用いることができる。絶縁層１４は、シリカ（ＳｉＯ２）等のフィラーを含有しても構わない。絶縁層１４の厚さは、例えば１５〜３５μｍ程度とすることができる。
【００６４】
更に、絶縁層１４の一方の側に、ビアホール１４ｘを介して配線層１３に接続される配線層１５を形成する。配線層１５は、ビアホール１４ｘ内を充填するビア配線、及び絶縁層１４の一方の面に形成された配線パターンを含んで構成されている。配線層１５は、ビアホール１４ｘの底部に露出した配線層１３と電気的に接続される。配線層１５の材料としては、例えば銅（Ｃｕ）等を用いることができる。配線層１５は、例えばセミアディティブ法により形成される。配線層１５を構成する配線パターンの厚さは、例えば１０〜２０μｍ程度とすることができる。
【００６５】
更に、絶縁層１４の一方の面に配線層１５を被覆する絶縁層１６を形成した後、絶縁層１６を貫通し配線層１５の一方の面を露出するビアホール１６ｘを形成する。絶縁層１６の材料としては、絶縁層１２と同様の絶縁性樹脂を用いることができる。絶縁層１６は、シリカ（ＳｉＯ２）等のフィラーを含有しても構わない。絶縁層１６の厚さは、例えば１５〜３５μｍ程度とすることができる。
【００６６】
更に、絶縁層１６の一方の側に、ビアホール１６ｘを介して配線層１５に接続される配線層１７を形成する。配線層１７は、ビアホール１６ｘ内に充填されたビア配線、及び絶縁層１６の一方の面に形成された配線パターンを含んで構成されている。配線層１７は、ビアホール１６ｘの底部に露出した配線層１５と電気的に接続される。配線層１７の材料としては、例えば銅（Ｃｕ）等を用いることができる。配線層１７は、例えばセミアディティブ法により形成される。配線層１７を構成する配線パターンの厚さは、例えば１０〜２０μｍ程度とすることができる。
【００６７】
このようにして、支持体３００の一方の面に金属層３１０を介して所定のビルドアップ配線層が形成される。本実施の形態では、３層のビルドアップ配線層（配線層１３、配線層１５、及び配線層１７）を形成したが、ｎ層（ｎは１以上の整数）のビルドアップ配線層を形成してもよい。
【００６８】
次に、絶縁層１６の一方の面に配線層１７を被覆するソルダーレジスト層１８を形成する。ソルダーレジスト層１８は、例えば、液状又はペースト状の感光性のエポキシ系絶縁性樹脂を、配線層１７を被覆するように絶縁層１６の一方の面にスクリーン印刷法、ロールコート法、又は、スピンコート法等で塗布することにより形成できる。或いは、例えば、フィルム状の感光性のエポキシ系絶縁性樹脂を、配線層１７を被覆するように絶縁層１６の一方の面にラミネートすることにより形成してもよい。
【００６９】
そして、塗布又はラミネートした絶縁性樹脂を露光及び現像することで開口部１８ｘを形成する（フォトリソグラフィ法）。これにより、開口部１８ｘを有するソルダーレジスト層１８が形成される。なお、予め開口部１８ｘを形成したフィルム状の絶縁性樹脂を、配線層１７を被覆するように絶縁層１６の一方の面にラミネートしても構わない。又、ソルダーレジスト層１８の材料として、非感光性の絶縁性樹脂を用いてもよい。この場合には、絶縁層１６の一方の面にソルダーレジスト層１８を形成して硬化させた後、例えばＣＯ２レーザ等を用いたレーザ加工法や、アルミナ砥粒等の研磨剤を用いたブラスト処理により開口部１８ｘを形成できる。
【００７０】
配線層１７の一部が開口部１８ｘ内に露出する。開口部１８ｘ内に露出する配線層１７は、他の配線基板や半導体パッケージ等と電気的に接続されるパッドとして機能する。
【００７１】
必要に応じ、開口部１８ｘの底部に露出する配線層１７の一方の面に、例えば無電解めっき法等により金属層を形成してもよい。金属層の例としては、前述の通りである。又、開口部１８ｘの底部に露出する配線層１７の一方の面に、ＯＳＰ処理等の酸化防止処理を施してもよい。
【００７２】
次に、図５（ｂ）に示す工程では、図５（ａ）に示す支持体３００を除去する。これにより、金属層３１０の他方の面が露出する。銅箔である支持体３００は、例えば、塩化第二鉄水溶液や塩化第二銅水溶液、過硫酸アンモニウム水溶液等を用いたウェットエッチングにより除去できる。金属層３１０の材料として、銅のエッチング液では除去されない金属（ニッケル（Ｎｉ））を用いているため、銅箔である支持体３００のみを金属層３１０に対して選択的にエッチングで除去できる。すなわち、金属層３１０は、エッチング停止層（バリア層）として機能する。
【００７３】
次に、図５（ｃ）に示す工程では、図５（ｂ）に示す金属層３１０を除去する。金属層３１０が、例えば、ニッケル（Ｎｉ）である場合には、例えば、過酸化水素・硝酸系の溶液（過酸化水素及び硝酸を含む溶液）を用いたウェットエッチングにより除去できる。第１パッド１１、第２パッド２１、及び配線パターン２２の材料として、ニッケル（Ｎｉ）のエッチング液では除去されない金属（銅（Ｃｕ）等）を用いている。そのため、ニッケル（Ｎｉ）である金属層３１０のみを第１パッド１１、第２パッド２１、及び配線パターン２２に対して選択的にエッチングで除去できる。すなわち、第１パッド１１、第２パッド２１、及び配線パターン２２は、エッチング停止層として機能する。
【００７４】
金属層３１０を除去することにより、絶縁層１２の他方の面１２ａから第１パッド１１の他方の面１１ａ、第２パッド２１の他方の面２１ａ、及び配線パターン２２の他方の面が露出する。夫々が金属層３１０の粗化面３１０ａと接していた面である絶縁層１２の他方の面１２ａ、第１パッド１１の他方の面１１ａ、第２パッド２１の他方の面２１ａ、及び配線パターン２２の他方の面には、金属層３１０の粗化面３１０ａの微細な凹凸形状が転写される。絶縁層１２の他方の面１２ａ、第１パッド１１の他方の面１１ａ、第２パッド２１の他方の面２１ａ、及び配線パターン２２の他方の面の粗度は、例えば、Ｒａ＝０．３μｍ以上０．５μｍ未満程度とすることができる。絶縁層１２の他方の面１２ａ、第１パッド１１の他方の面１１ａ、第２パッド２１の他方の面１２ａ、及び配線パターン２２の他方の面は、略面一とすることができる。
【００７５】
次に、図６（ａ）に示す工程では、絶縁層１２の他方の面（上面１２ａ）に、開口部１９ｘ及び１９ｙを備えたソルダーレジスト層１９を形成する。具体的には、開口部１９ｘの周縁部のソルダーレジスト層１９が第１パッド１１の上面周縁部１１ｚを被覆し、開口部１９ｙが複数の第２パッド２１を露出するようにソルダーレジスト層１９を形成する。ソルダーレジスト層１９、開口部１９ｘ及び１９ｙは、例えば、ソルダーレジスト層１８及び開口部１８ｘと同様な方法により形成できる。なお、図６は、図３〜図５とは上下が反転した状態で描かれている。
【００７６】
なお、前述のように、第１パッド１１の他方の面、第２パッド２１の他方の面、及び配線パターン２２の他方の面には、金属層３１０の粗化面３１０ａが転写されているが、図６（ａ）に示す工程の前に、粗度を更に高くする工程を設けてもよい。例えば、第１パッド１１の他方の面、第２パッド２１の他方の面、及び配線パターン２２の他方の面をエッチングすることで、夫々の面の粗度を更に高くできる。粗度を更に高くすることにより、対象物との密着性をより向上できる。
【００７７】
次に、図６（ｂ）に示す工程では、表面処理層２０を形成する前処理として、第１パッド１１に凹部１１ｘを、第２パッド２１に凹部１２ｙの内壁面が露出する段差部Ｚを形成する。具体的には、ソルダーレジスト層１９の開口部１９ｘ内に露出する第１パッド１１の一部を除去し、底面が平滑面である凹部１１ｘを形成する。そして、開口部１９ｘの周縁部のソルダーレジスト層１９を第１パッド１１の上面周縁部１１ｚから側方（第１パッド１１の中心部に向かって水平方向）に張り出させて凹部１１ｘの上方に庇状に突起させる。又、ソルダーレジスト層１９の開口部１９ｙ内に露出する第２パッド２１の一部を除去して凹部１２ｙの内壁面が露出する段差部Ｚを形成する。第２パッド２１の上面２１ａは平滑面となる。又、第２パッド２１の上面２１ａは絶縁層１２の他方の面（上面１２ａ）よりも窪み、第２パッド２１の上面２１ａと凹部１１ｘの底面とは同一の高さ（面一）となる。
【００７８】
この工程では、凹部１１ｘ内及び凹部１２ｙ内が粗化面とならないようなエッチング液を選択するため、凹部１１ｘの底面及び内壁面は粗化面とはならず、平滑面となる。又、凹部１２ｙから露出する第２パッド２１の上面２１ａは粗化面とはならず、平滑面となる。平滑面である凹部１１ｘの底面の粗度は、例えば、Ｒａ＝０．１μｍ以上０．２μｍ未満程度とすることができる。又、第２パッド２１の上面２１ａの粗度は、例えば、Ｒａ＝０．１μｍ以上０．２μｍ未満程度とすることができる。又、凹部１１ｘの内壁面の粗度は、凹部１１ｘの底面の粗度と同じ程度とすることができる。
【００７９】
第１パッド１１及び第２パッド２１が銅である場合には、例えば、塩化第二鉄水溶液や塩化第二銅水溶液、過硫酸アンモニウム水溶液等のエッチング液を選択できる。なお、エッチングは垂直方向のみならず水平方向にも進行するため、凹部１１ｘの内壁面は、開口部１９ｘ内からソルダーレジスト層１９に覆われている部分に食い込んで形成される。
【００８０】
つまり、平面形状が開口部１９ｘの外周側に拡大された凹部１１ｘが形成される。例えば、開口部１９ｘの平面形状が円形であれば、平面形状が開口部１９ｘよりも拡径された凹部１１ｘが形成される。なお、エッチングは垂直方向と水平方向に同程度に進行するため、凹部１１ｘの内壁面がソルダーレジスト層１９に食い込む部分の幅は、凹部１１ｘの深さと同程度となり、例えば、各々２μｍ程度とすることができる。
【００８１】
図６（ｂ）に示す工程の後、凹部１１ｘの底面及び内壁面、第２パッド２１の上面に表面処理層２０を形成し、ダイシング等により切断位置Ｃで切断して個片化することにより、複数の配線基板１０（図１参照）が完成する。表面処理層２０としては、例えば、無電解めっき法等により、前述の金属層を形成できる。又、ＯＳＰ処理等の酸化防止処理を施して表面処理層２０を形成してもよい。
【００８２】
このように、第１の実施の形態に係る配線基板１０では、凹部１１ｘの底面及び第２パッド２１の上面が平滑面であるため、凹部１１ｘの底面及び第２パッド２１の上面に形成される表面処理層２０の上面が平滑面となり、かつ、表面処理層２０の厚さを均一にできる。これにより、例えば、表面処理層２０の上にはんだを介して他の配線基板や半導体パッケージ等、或いは半導体チップの電極を接続する際に、はんだの濡れ性が向上するため、配線基板１０と半導体チップ等との接続信頼性を向上できる。
【００８３】
又、第１パッド１１、第２パッド２１、及び配線パターン２２の絶縁層１２と接する面を粗化面としているため、アンカー効果が生じる。これにより、第１パッド１１、第２パッド２１、及び配線パターン２２と絶縁層１２との密着性を向上できると共に、応力の影響による絶縁層１２と配線層１３との剥離やクラックを防止できる。
【００８４】
又、第１パッド１１及び第２パッド２１の絶縁層１２と接する面（下面１１ｃ、２１ｃ及び側面１１ｂ、２１ｂ）や配線パターン２２の絶縁層１２と接する面（下面及び側面）の粗度を、絶縁層１２の上面１２ａの粗度や第１パッド１１の上面周縁部１１ｚの粗度よりも小さくしている。そのため、第１パッド１１、第２パッド２１、及び配線パターン２２が細くなることを防止することが可能となり、伝送信頼性を確保できる。例えば、高周波特性を向上できる。
【００８５】
又、ソルダーレジスト層１９が第１パッド１１の上面周縁部１１ｚを被覆しているため、半導体チップ等を実装する際の応力による第１パッド１１の抜けを防止できる。
【００８６】
又、ソルダーレジスト層１９が凹部１１ｘの上方に庇状に突起していることにより、他の配線基板や半導体パッケージ等を実装する場合に凹部１１ｘ内にはんだ等が形成された際に、庇が楔の作用をして、はんだ等の抜けを防止できる。
【００８７】
又、第１パッド１１の上面周縁部１１ｚを粗化面としているため、アンカー効果が生じ、第１パッド１１とソルダーレジスト層１９との密着性を向上できる。
【００８８】
又、絶縁層１２の上面１２ａを粗化面としているため、アンカー効果が生じ、絶縁層１２とソルダーレジスト層１９との密着性を向上できる。
【００８９】
又、配線基板１０の両面にソルダーレジスト層１８及び１９が形成されているため、配線基板１０の片面のみにソルダーレジスト層が形成されている従来のビルドアップ基板よりも剛性を向上できる。その結果、絶縁層と配線層との境界における剥離やクラック等の発生を防止できる。
【００９０】
又、配線基板１０の両面にソルダーレジスト層１８及び１９が形成されているため、配線基板１０の上下方向（厚さ方向）の熱膨張係数のバランスが向上し、熱履歴に起因する配線基板１０の反りを低減できる。
【００９１】
〈第１の実施の形態の変形例１〉
第１の実施の形態の変形例１では、配線基板１０とは形態の異なる配線基板の例を示す。なお、第１の実施の形態の変形例１において、既に説明した実施の形態と同一構成部品についての説明は省略する。
【００９２】
図７は、第１の実施の形態の変形例１に係る配線基板を部分的に例示する斜視図である。図７（ａ）は配線基板１０Ａを例示し、図７（ｂ）及び図７（ｃ）は配線基板１０Ａに半導体チップ１０１及び１０２を実装した状態を例示している。
【００９３】
図７（ａ）を参照するに、配線基板１０Ａでは、ソルダーレジスト層１９の開口部１９ｙが、第２パッド２１のみではなく、配線パターン２２も露出している点が配線基板１０（図１参照）と相違する。配線パターン２２の一方の端部２２ａ及び他方の端部２２ｂは、半導体チップのバンプと接続されるパッドとして機能する。そのため、第２パッド２１及び配線パターン２２の一方の端部２２ａ及び他方の端部２２ｂを含めて、第２パッドと称する場合がある。
【００９４】
第２パッド２１の上面、一方の端部２２ａ及び他方の端部２２ｂを含む配線パターン２２の上面は平滑面であり、粗度は、例えば、Ｒａ＝０．１μｍ以上０．２μｍ未満程度とすることができる。
【００９５】
なお、図７（ａ）において、図示されている第１パッド１１、絶縁層１２、ソルダーレジスト層１９、第２パッド２１、及び配線パターン２２以外の構成については、図１と同様である。又、図１に示す凹部１１ｘや段差部Ｚは図示が省略されているが、図１と同様に第１パッド１１には凹部１１ｘが設けられており、第２パッド２１及び配線パターン２２には段差部Ｚが設けられている。
【００９６】
図７（ｂ）において、配線基板１０Ａには、半導体チップ１０１及び１０２が実装されている。半導体チップ１０１は、半導体チップ１０２と対向する側の列に形成されたバンプ１０１ｂ（はんだバンプ等）と、その反対側の列に形成されたバンプ１０１ａ（はんだバンプ等）とを有する。半導体チップ１０１のバンプ１０１ａは第２パッド２１と接続され、バンプ１０１ｂは配線パターン２２の一方の端部２２ａと接続されている。
【００９７】
半導体チップ１０２は、半導体チップ１０１と対向する側の列に形成されたバンプ１０２ａ（はんだバンプ等）と、その反対側の列に形成されたバンプ１０２ｂ（はんだバンプ等）とを有する。半導体チップ１０２のバンプ１０２ａは配線パターン２２の他方の端部２２ｂと接続され、バンプ１０２ｂは第２パッド２１と接続されている。
【００９８】
図７（ｃ）に示すように、配線基板１０Ａ上に、半導体チップ１０１のバンプ１０１ａ及び１０１ｂ、半導体チップ１０２のバンプ１０２ａ及び１０２ｂを被覆するアンダーフィル樹脂１１０を設けてもよい。
【００９９】
このように、ソルダーレジスト層１９に第２パッド２１及び配線パターン２２を露出する開口部１９ｙを設け、第２パッド２１と共に配線パターン２２の一方の端部２２ａ及び他方の端部２２ｂを、半導体チップのバンプと接続されるパッドとして用いてもよい。
【０１００】
なお、配線パターン２２の一方の端部２２ａ及び他方の端部２２ｂの平面形状を円形状等にしても構わない。
【０１０１】
〈第１の実施の形態の変形例２〉
第１の実施の形態の変形例２では、配線基板１０の製造工程において、第１の実施の形態で用いた支持体３００に代えて他の支持体を用いる例を示す。なお、第１の実施の形態の変形例２において、既に説明した実施の形態と同一構成部品についての説明は省略する。
【０１０２】
図８は、第１の実施の形態の変形例２に係る配線基板の製造工程を例示する図である。
【０１０３】
まず、図８（ａ）に示す工程では、支持体４００を準備し、支持体４００上に、一方の面が粗化面３１０ａである金属層３１０を形成する。支持体４００は、絶縁層４１０上に、金属箔４２０、剥離層４３０、及び金属箔４４０を順次積層した構造である。絶縁層４１０としては、例えば、ガラスクロス（織布）やガラス不織布又はアラミド繊維等にエポキシ系樹脂等の樹脂を含侵させた層とすることができる。絶縁層４１０の厚さは、例えば、０．３〜０．５ｍｍ程度とすることができる。金属箔４２０としては、例えば、銅箔等を用いることができる。金属箔４２０の厚さは、例えば、２〜５μｍ程度とすることができる。金属箔４２０の下面（絶縁層４１０と接する面）は、粗化面とされている。金属箔４２０の下面の粗度は、例えば、Ｒａ＝０．３μｍ以上０．５μｍ未満程度とすることができる。金属箔４２０の下面を粗化面とすることにより、絶縁層４１０との密着性を確保できる。
【０１０４】
剥離層４３０としては、有機系材料又は無機系材料が好ましい。例えば、有機系材料は、フッ素樹脂（ＥＴＦＥ）等を用いることができる。この場合、例えば、金属箔４２０の上面にフッ素樹脂（ＥＴＦＥ）層を積層することにより剥離層４３０を形成できる。又、剥離層４３０として、シリコーン系樹脂を用いてもよい。又、例えば、無機系材料は、ニッケル又はクローム系の単層或いは合金層が好ましい。
【０１０５】
金属箔４４０としては、例えば、銅箔等を用いることができる。金属箔４４０の厚さは、例えば、１５〜２０μｍ程度とすることができる。金属箔４４０の上面（剥離層４３０と接する面とは反対側の面）は、鏡面とされている。ここで、鏡面とは、粗度がＲａ＝０．１μｍ未満である面を指すものとする。
【０１０６】
支持体４００において、剥離層４３０と金属箔４４０とは、剥離できる状態で仮接着されている。又、剥離層４３０と金属箔４２０とは、比較的強固に接着されている。ここで、仮接着とは、対象物同士が強固に接着されていなく、機械的な力を加えることにより、対象物同士を容易に剥離できる程度の接着力で接着することをいう。剥離層４３０と金属箔４４０との剥離強度としては、５ｇ／ｃｍ以上、６００ｇ／ｃｍ以下程度であることが好ましく、３０ｇ／ｃｍ以上、４００ｇ／ｃｍ以下程度であることが更に好ましい。この剥離強度は、支持体４００を除去する工程において剥離層４３０と金属箔４４０とを容易に剥離でき、他の工程において意図しないときに剥離層４３０と金属箔４４０とが剥離しないことを考慮した値である。
【０１０７】
支持体４００を作製するには、まず、ガラスクロス（織布）やガラス不織布又はアラミド繊維等にエポキシ系樹脂等の樹脂を含侵させたＢ−ステージ（半硬化状態）のプリプレグを準備する。
【０１０８】
次に、下面が粗化面であり上面に剥離層４３０が形成された金属箔４２０を準備し、下面をプリプレグ側に向けてプリプレグ上に積層する。次に、上面が鏡面である金属箔４４０を準備し、金属箔４４０の下面を剥離層４３０側に向けて剥離層４３０上に積層する。そして、プリプレグ上に各部材が積層された構造体を、例えば、真空雰囲気で１９０〜２００℃程度の温度で加熱しながら金属箔４４０側からプリプレグ側に押圧する（熱プレス工程）。これにより、プリプレグが硬化して絶縁層４１０となり、支持体４００が完成する。
【０１０９】
なお、金属箔４４０の上面を鏡面にするには、例えば、金属箔４４０の上面にバフ研磨や化学的エッチング等の処理を施せばよい。或いは、電解銅箔のドラムと接する面とは反対側の面が鏡面であれば、電解銅箔をそのまま金属箔４４０として用いることができる。又、圧延銅箔の少なくとも一方の面が鏡面であれば、圧延銅箔をそのまま金属箔４４０として用いることができる。
【０１１０】
次に、図３（ａ）に示す工程と同様にして、鏡面である金属箔４４０の上面に粗化面３１０ａを備えた金属層３１０を形成する。金属箔４４０の上面が鏡面でない場合には、金属箔４４０の上面に形成される金属層３１０の粗化面３１０ａの粗度にばらつきが生じるおそれがある。例えば、粗化面３１０ａの粗度の目標をＲａ＝０．３μｍ以上０．５μｍ未満程度とした場合でも、目標通りのＲａを実現できず、目標の範囲を超えてしまうおそれがある。
【０１１１】
粗化面３１０ａの粗度にばらつきが生じると、例えば、粗化面３１０ａにレジスト層３２０を形成した際に、粗化面３１０ａとレジスト層３２０との密着力が均一とならず、場所によっては密着力不足となる。この場合、密着力不足となった場所において、レジスト層３２０に欠けが生じるおそれがある。又、粗度の大きな部分に配線パターンの端部がかかると、配線パターンの直線性が低下する場合がある。これらの問題が生じると、狭ピッチの配線パターン（ファインパターン）の形成時等に支障がでる。
【０１１２】
一方、支持体４００では、金属箔４４０の上面が鏡面であるため、粗化面３１０ａの粗度にばらつきが生じ難い。例えば、粗化面３１０ａの粗度の目標をＲａ＝０．３μｍ以上０．５μｍ未満程度とした場合には、目標通りのＲａを容易に実現できる。これにより、例えば、粗化面３１０ａにレジスト層３２０を形成した際に、粗化面３１０ａとレジスト層３２０との密着力が均一となり、レジスト層３２０に欠けが生じるおそれを低減できる。又、配線パターンの直線性を向上できる。その結果、狭ピッチの配線パターン（ファインパターン）の形成時等においても高い歩留まりを維持できる。
【０１１３】
図８（ａ）に示す工程の後、図８（ｂ）に示す工程では、第１の実施の形態の図３（ｂ）〜図５（ａ）と同様の工程を実施する。これにより、支持体４００上に、金属層３１０を介して、第１パッド１１、第２パッド２１、及び配線パターン２２が形成される。そして、更に、絶縁層１２、配線層１３、絶縁層１４、配線層１５、絶縁層１６、配線層１７、及びソルダーレジスト層１８（開口部１８ｘも含む）が積層される。
【０１１４】
次に、図８（ｃ）に示す工程では、支持体４００の一部を除去する。具体的には、剥離層４３０と金属箔４４０との界面を剥離して、絶縁層４１０、金属箔４２０、及び剥離層４３０の積層体を除去する。なお、前述のように、剥離層４３０と金属箔４４０とは、剥離できる状態で仮接着されているので、機械的な力を加えることにより、容易に剥離できる。その後、第１の実施の形態の図５（ｂ）及び図５（ｃ）と同様の工程を実施することにより、金属箔４４０及び金属層３１０を除去する。これにより、支持体４００は完全に除去される。
【０１１５】
次に、第１の実施の形態の図６（ａ）及び図６（ｂ）と同様の工程を実施する。そして、凹部１１ｘの底面及び内壁面、第２パッド２１の上面に表面処理層２０を形成し、ダイシング等により切断位置Ｃで切断して個片化することにより、複数の配線基板１０（図１参照）が完成する。
【０１１６】
このように、第１の実施の形態の変形例２では、配線基板１０の製造工程において、支持体４００を構成する金属箔４４０の鏡面に金属層３１０を形成するため、粗化面３１０ａの粗度を所望の値に制御できる。これにより、例えば、粗化面３１０ａにレジスト層３２０を形成した際に、粗化面３１０ａとレジスト層３２０との密着力が均一となり、レジスト層３２０に欠けが生じるおそれを低減できる。又、配線パターンの直線性を向上できる。その結果、狭ピッチの配線パターン（ファインパターン）の形成時等においても高い歩留まりを維持できる。
【０１１７】
又、支持体４００として、複数の部材を積層した構造体を用いているため、第１の実施の形態で用いた単体の銅箔である支持体３００よりも強度が高く、製造工程中における取り扱いが容易である。但し、特に強度の高い支持体を用いる必要がない場合には、単体の銅箔である支持体３００の一方の面を鏡面とし、鏡面に金属層３１０を形成すれば、上記と同様の効果が得られる。
【０１１８】
又、支持体の両面に金属層３１０を介して絶縁層や配線層を積層したい場合には、絶縁層４１０に対し、上下対称に金属箔４２０、剥離層４３０、及び金属箔４４０を積層した構造の支持体を用いることができる。そして、支持体の上下に露出する金属箔４４０の各鏡面に金属層３１０形成し、更に絶縁層や配線層を積層することができる。その後、絶縁層４１０の上下両側において、剥離層４３０と金属箔４４０との界面を剥離して、絶縁層４１０、金属箔４２０、及び剥離層４３０の積層体を除去する。これにより、図８（ｃ）上側の構造体が２個作製されるので、以降上記と同様の工程により配線基板１０を作製できる。
【０１１９】
〈第１の実施の形態の変形例３〉
第１の実施の形態の変形例３では、配線基板１０の製造工程において用いることができる他の支持体の例を示す。なお、第１の実施の形態の変形例３において、既に説明した実施の形態と同一構成部品についての説明は省略する。
【０１２０】
図９は、支持体の他の構造を例示する図である。第１の実施の形態の変形例２において、支持体４００に代えて、図９（ａ）に示す支持体４００Ａを用いてもよい。支持体４００Ａは、支持体４００の金属箔４４０の上面に剥離層４５０と保護金属箔４６０とが積層された構造である。支持体４００Ａにおいて、剥離層４５０と金属箔４４０とは、剥離できる状態で仮接着されている。又、剥離層４５０と保護金属箔４６０とは、比較的強固に接着されている。又、剥離層４５０と金属箔４４０との剥離強度は、剥離層４３０と金属箔４４０との剥離強度よりも弱く設定されている。保護金属箔４６０としては、例えば、銅箔等を用いることができる。保護金属箔４６０の厚さは、例えば、２〜１２μｍ程度とすることができる。剥離層４５０の材料や厚さは、例えば、剥離層４３０と同様とすることができる。
【０１２１】
支持体４００Ａを使用する際には、まず、剥離層４５０と金属箔４４０との界面を剥離して、剥離層４５０及び保護金属箔４６０の積層体を除去する。これにより、支持体４００Ａは支持体４００と同様の構造となるため、以降は、第１の実施の形態の変形例２の支持体４００と同様にして使用できる。なお、前述のように、剥離層４５０と金属箔４４０との剥離強度は、剥離層４３０と金属箔４４０との剥離強度よりも弱く設定されている。そのため、剥離層４３０と金属箔４４０とは機械的な力を加えることにより容易に剥離でき、剥離層４３０と金属箔４４０とは仮接着状を維持できる。つまり、剥離層４３０と金属箔４４０とを剥離することなく、剥離層４５０及び保護金属箔４６０の積層体のみを容易に除去できる。
【０１２２】
このように、金属箔４４０の鏡面に剥離層４５０及び保護金属箔４６０を積層することにより、支持体４００Ａの作製時や、支持体４００Ａの作製から使用直前までの間において、金属箔４４０の鏡面を保護できる。具体的には、例えば、金属箔４４０の鏡面に異物が付着すること等を防止できる。
【０１２３】
〈第１の実施の形態の変形例４〉
第１の実施の形態の変形例４では、配線基板１０の製造工程において用いることができる他の支持体の例を示す。なお、第１の実施の形態の変形例４において、既に説明した実施の形態と同一構成部品についての説明は省略する。
【０１２４】
第１の実施の形態の変形例２において、支持体４００に代えて、図９（ｂ）に示す支持体４００Ｂを用いてもよい。支持体４００Ｂは、支持体４００の絶縁層４１０と金属箔４２０との間に密着層４７０を設けた構造である。密着層４７０の材料としては、例えば、エポキシ系樹脂等を用いることができる。
【０１２５】
第１の実施の形態の変形例２では、金属箔４２０の下面を粗化面とすることにより、絶縁層４１０との密着性を確保した。第１の実施の形態の変形例４では、絶縁層４１０と金属箔４２０との間に密着層４７０を設けたため、金属箔４２０の下面を粗化面としなくても絶縁層４１０との密着性を確保できる。
【０１２６】
このように、絶縁層４１０と金属箔４２０との間に密着層４７０を設けることにより、絶縁層４１０と金属箔４２０との密着性を確保してもよい。
【０１２７】
〈第１の実施の形態の変形例５〉
第１の実施の形態の変形例５では、配線基板１０の製造工程において用いることができる他の支持体の例を示す。なお、第１の実施の形態の変形例５において、既に説明した実施の形態と同一構成部品についての説明は省略する。
【０１２８】
図９（ｃ）に示す支持体４００Ｃは、例えば、金属箔４４０の下面（鏡面とは反対側の面）に金属箔４４０よりも平面形状の小さな金属箔４８０（銅箔等）を配置し、金属箔４４０の下面に金属箔４８０の側面及び下面を被覆する絶縁層４１０を設けた構造である。例えば、金属箔４４０が矩形状であれば、金属箔４４０よりも平面形状の小さな矩形状の金属箔４８０を準備する。そして、金属箔４４０の下面に、金属箔４４０の下面の周縁部を露出するように金属箔４８０を配置する。そして、金属箔４４０の下面に金属箔４８０の側面及び下面を被覆する絶縁層４１０を設け、金属箔４４０の下面の周縁部と絶縁層４１０とを接着する。なお、金属箔４８０の側面及び下面と絶縁層４１０とは接着されるが、金属箔４４０と金属箔４８０とは互いに接しているだけで接着されない。
【０１２９】
配線基板１０の製造工程において支持体４００Ｃを用いる場合には、まず、第１の実施の形態の変形例２と同様にして、鏡面である金属箔４４０の上面に粗化面３１０ａを備えた金属層３１０を形成する。その後、第１の実施の形態の図３（ｂ）〜図５（ａ）と同様の工程を実施する。これにより、支持体４００Ｃ上に、金属層３１０を介して、第１パッド１１、第２パッド２１、及び配線パターン２２が形成される。そして、更に、絶縁層１２、配線層１３、絶縁層１４、配線層１５、絶縁層１６、配線層１７、及びソルダーレジスト層１８（開口部１８ｘも含む）が積層される（図１０上側）。
【０１３０】
その後、図１０上側の構造体を切断位置Ｄで切断する。例えば、金属箔４８０が矩形状である場合には、切断位置Ｄは、平面視において、金属箔４８０の周縁部が切断される位置に設定される。これにより、金属箔４４０と絶縁層４１０が接着されている部分が分離されるため、図１０下側に示すように、互いに接しているだけであった金属箔４４０と金属箔４８０も分離される。つまり、絶縁層４１０と金属箔４８０の積層体が除去される。
【０１３１】
次に、第１の実施の形態の図５（ｂ）〜図６（ｂ）と同様の工程を実施する。そして、凹部１１ｘの底面及び内壁面、第２パッド２１の上面に表面処理層２０を形成し、ダイシング等により切断位置Ｃで切断して個片化することにより、複数の配線基板１０（図１参照）が完成する。
【０１３２】
このように、周縁部を切断することにより金属箔４４０と金属箔４８０とが分離される構造の支持体４００Ｃを用いてもよい。
【０１３３】
〈第２の実施の形態〉
第２の実施の形態では、配線基板１０とは形態の異なる配線基板の他の例を示す。なお、第２の実施の形態において、既に説明した実施の形態と同一構成部品についての説明は省略する。
【０１３４】
［第２の実施の形態に係る配線基板の構造］
まず、第２の実施の形態に係る配線基板の構造について説明する。図１１は、第２の実施の形態に係る配線基板を例示する断面図である。なお、図１１（ａ）は図１（ａ）に対応する断面を例示する断面図であり、図１１（ｂ）は図１１（ａ）のＣ部を拡大して例示する部分断面図である。又、図１１（ａ）において、表面処理層２０の図示は省略されている。又、第２の実施の形態に係る配線基板の平面図は、例えば、図２と同様とすることができる。
【０１３５】
図１１を参照するに、配線基板１０Ｂでは、第１パッド１１の上面１１ａが絶縁層１２の上面１２ａよりも窪んだ位置にある。そのため、第１パッド１１の上面１１ａと絶縁層１２の上面１２ａの間には、凹部１２ｙの内壁面が露出する段差部Ｚ１が設けられている。段差部Ｚ１の深さは、例えば、２μｍ程度とすることができる。
【０１３６】
第１パッド１１の上面周縁部１１ｚを除く部分（第１パッド１１の中心部分）には、配線基板１０と同様に、底面及び内壁面が平滑面である凹部１１ｘが形成されている。凹部１１ｘの底面（平滑面）の粗度は、例えば、Ｒａ＝０．１μｍ以上０．２μｍ未満程度とすることができる。又、凹部１１ｘの内壁面の粗度は、凹部１１ｘの底面の粗度と同じ程度とすることができる。第１パッド１１の厚さＴ３は、例えば、８μｍ程度とすることができる。凹部１１ｘの第１パッド１１の上面１１ａからの深さＤ３は、例えば、１〜２μｍ程度とすることができる。
【０１３７】
配線基板１０では、第１パッド１１の上面周縁部１１ｚの粗度は、絶縁層１２の上面１２ａの粗度（例えば、Ｒａ＝０．３μｍ以上０．５μｍ未満程度）と同程度とされていた。これに対して、配線基板１０Ｂでは、第１パッド１１の上面周縁部１１ｚの粗度は、絶縁層１２の上面１２ａの粗度（例えば、Ｒａ＝０．３μｍ以上０．５μｍ未満程度）よりも小さくされている。第１パッド１１の上面周縁部１１ｚの粗度（第１パッド１１の上面１１ａの粗度）は、例えば、第１パッド１１の下面１１ｃの粗度と同じ程度とすることができ、具体的には、Ｒａ＝０．２μｍ以上０．３μｍ未満程度とすることができる。
【０１３８】
第２パッド２１の上面２１ａは、絶縁層１２の上面１２ａよりも窪んだ位置にある。そのため、第２パッド２１の上面２１ａと絶縁層１２の上面１２ａの間には、凹部１２ｙの内壁面が露出する段差部Ｚ２が設けられている。段差部Ｚ２は、段差部Ｚ１よりも段差が大きい。段差部Ｚ２にも粗面が形成されている。第２パッド２１の上面２１ａと凹部１１ｘの底面とは、同一の高さ（面一）とすることができる。
【０１３９】
第２パッド２１の厚さＴ４は、例えば、６〜７μｍ程度とすることができる。第２パッド２１の絶縁層１２の上面１２ａからの深さＤ４は深さＤ３と段差部Ｚ１の深さとを加算した値に略等しく、例えば、３〜４μｍ程度とすることができる。
【０１４０】
開口部１９ｘの周縁部のソルダーレジスト層１９は、絶縁層１２の上面１２ａから凹部１２ｙ内に延在して凹部１２ｙの内壁面（段差部Ｚ１）及び第１パッド１１の上面周縁部１１ｚを被覆している。第１パッド１１の上面周縁部１１ｚを被覆するソルダーレジスト層１９は、更に第１パッド１１の上面周縁部１１ｚから側方（水平方向。第１パッド１１の中心方向）に張り出して凹部１１ｘの上方に庇状に突起している。ソルダーレジスト層１９の凹部１１ｘの上方に庇状に突起している部分の幅Ｗは、配線基板１０と同様に、例えば、１〜２μｍ程度とすることができる。
【０１４１】
［第２の実施の形態に係る配線基板の製造方法］
次に、第２の実施の形態に係る配線基板の製造方法について説明する。図１２は、第２の実施の形態に係る配線基板の製造工程を例示する図である。本実施の形態では、支持体上に複数の配線基板となる部分を作製し支持体を除去後個片化して各配線基板とする工程の例を示すが、支持体上に１個ずつ配線基板を作製し支持体を除去する工程としてもよい。
【０１４２】
まず、第２の実施の形態の図３（ａ）〜図５（ｃ）と同様の工程を実行する。次に、図１２（ａ）に示す工程では、エッチングにより、絶縁層１２から露出する第１パッド１１の一部を除去すると共に、第１パッド１１の他方の面（上面１１ａ）を粗化面とする。同時に、エッチングにより、絶縁層１２から露出する第２パッド２１及び配線パターン２２の一部を除去すると共に、第２パッド２１及び配線パターン２２の他方の面を粗化面とする。
【０１４３】
第１パッド１１の上面１１ａは、絶縁層１２の上面１２ａよりも低い位置で凹部１２ｙ内に露出するようにエッチングされる。そのため、第１パッド１１の上面１１ａと絶縁層１２の上面１２ａの間には、凹部１２ｙの内壁面が露出する段差部Ｚ１が設けられる。同様に、第２パッド２１の上面２１ａ及び配線パターン２２の上面（図示せず）は、絶縁層１２の上面１２ａよりも低い位置で凹部１２ｙ内に露出するようにエッチングされる。そのため、第２パッド２１の上面２１ａと絶縁層１２の上面１２ａの間には、凹部１２ｙの内壁面が露出する段差部Ｚ１が設けられる。又、配線パターン２２の上面（図示せず）と絶縁層１２の上面１２ａの間には、凹部１２ｙの内壁面が露出する段差部Ｚ１が設けられる。
【０１４４】
第１パッド１１の上面１１ａ、第２パッド２１の上面２１ａ、及び配線パターン２２の上面（図示せず）の粗度は、例えば、第１パッド１１の下面１１ｃの粗度と同じ程度のＲａ＝０．２μｍ以上０．３μｍ未満程度とすることができる。なお、段差部Ｚ１の部分の凹部１２ｙの内壁面も、第１パッド１１の上面１１ａと同程度か、それよりも小さい程度の粗度に粗化される。
【０１４５】
段差部Ｚ１の形成及び、第１パッド１１の上面１１ａ、第２パッド２１の上面２１ａ、及び配線パターン２２の上面（図示せず）の粗化には、例えば、蟻酸や酢酸系のエッチング液を用いることができる。段差部Ｚ１の深さは、例えば、２μｍ程度とすることができる。なお、図１２は、図２〜図５とは上下が反転した状態で描かれている。
【０１４６】
次に、図１２（ｂ）に示す工程では、絶縁層１２の他方の面（上面１２ａ）に、開口部１９ｘ及び１９ｙを備えたソルダーレジスト層１９を形成する。具体的には、開口部１９ｘの周縁部のソルダーレジスト層１９が、凹部１２ｙ内に延在して凹部１２ｙの内壁面（段差部Ｚ１）及び第１パッド１１の上面周縁部１１ｚを被覆するようにソルダーレジスト層１９及び開口部１９ｘを形成する。ソルダーレジスト層１９、開口部１９ｘ及び１９ｙは、例えば、ソルダーレジスト層１８及び開口部１８ｘと同様な方法により形成できる。
【０１４７】
次に、図１２（ｃ）に示す工程では、表面処理層２０を形成する前処理として、第１パッド１１に凹部１１ｘを形成すると共に、第２パッド２１上に凹部１２ｙの内壁面の上部を露出する段差部Ｚ２を形成する。具体的には、ソルダーレジスト層１９の開口部１９ｘ内に露出する第１パッド１１の一部を除去し、底面が平滑面である凹部１１ｘを形成する。そして、開口部１９ｘの周縁部のソルダーレジスト層１９を第１パッド１１の上面周縁部１１ｚから側方（第１パッド１１の中心方向に向かって水平方向）に張り出させて凹部１１ｘの上方に庇状に突起させる。
【０１４８】
又、ソルダーレジスト層１９の開口部１９ｙ内に露出する第２パッド２１の一部を除去し、凹部１２ｙの内壁面を露出する段差部Ｚ１を更に深くして段差部Ｚ２を形成する。第２パッド２１の上面２１ａは平滑面となる。又、第２パッド２１の上面２１ａは絶縁層１２の他方の面（上面１２ａ）よりも窪み、第２パッド２１の上面２１ａと凹部１１ｘの底面とは同一の高さ（面一）となる。なお、平滑面である凹部１１ｘの内壁面及び底面、第２パッド２１の上面の粗度については、第１の実施の形態と同様とすることができる。又、使用するエッチング液については、第１の実施の形態と同様とすることができる。
【０１４９】
図１２（ｃ）に示す工程の後、凹部１１ｘの底面及び内壁面、第２パッド２１の上面２１ａに表面処理層２０を形成し、ダイシング等により切断位置Ｃで切断して個片化することにより、複数の配線基板１０Ｂ（図１１参照）が完成する。
【０１５０】
このように、配線基板１０Ｂでは、第１パッド１１の上面１１ａが絶縁層１２の上面１２ａよりも窪んだ位置にあり、第１パッド１１の上面１１ａと絶縁層１２の上面１２ａの間に凹部１２ｙの内壁面が露出する段差部Ｚ１が設けられている。そして、開口部１９ｘの周縁部のソルダーレジスト層１９が、絶縁層１２の上面１２ａから凹部１２ｙ内に延在して凹部１２ｙの内壁面（段差部Ｚ１）及び第１パッド１１の上面周縁部１１ｚを被覆している。
【０１５１】
これにより、配線基板１０Ｂでは、第１の実施の形態の効果に加えて、更に以下の効果を奏する。すなわち、ソルダーレジスト層１９が凹部１２ｙの内壁面（段差部Ｚ１）を被覆しているため、ソルダーレジスト層１９と絶縁層１２との接触面積を大きくでき、第１パッド１１の抜けを防止する効果が更に大きくなる。
【０１５２】
以上、好ましい実施の形態及びその変形例について詳説した。しかし、上述した実施の形態及びその変形例に制限されることはなく、特許請求の範囲に記載された範囲を逸脱することなく、上述した実施の形態及びその変形例に種々の変形及び置換を加えることができる。
【符号の説明】
【０１５３】
１０、１０Ａ、１０Ｂ  配線基板
１１  第１パッド
１１ｘ、１２ｙ  凹部
１２、１４、１６、４１０  絶縁層
１１ａ、１２ａ、２１ａ  上面
１１ｂ、２１ｂ  側面
１１ｃ、２１ｃ  下面（一方の面）
１１ｚ  周縁部
１２ｘ、１４ｘ、１６ｘ  ビアホール
１３、１５、１７  配線層
１８、１９  ソルダーレジスト層
１８ｘ、１９ｘ、１９ｙ、３２０ｘ  開口部
２０  表面処理層
２１  第２パッド
２１ｐ  第２パッドの一部
２１ｑ  第２パッドの他部
２２  配線パターン
２２ａ  配線パターンの一方の端部
２２ｂ  配線パターンの他方の端部
１０１、１０２  半導体チップ
１０１ａ、１０１ｂ、１０２ａ、１０２ｂ  バンプ
１１０  アンダーフィル樹脂
３００、４００、４００Ａ、４００Ｂ、４００Ｃ  支持体
３１０  金属層
３１０ａ  粗化面
３００ｘ  凹部
３２０  レジスト層
４２０、４４０、４８０  金属箔
４３０、４５０  剥離層
４６０  保護金属箔
４７０  密着層
Ｚ、Ｚ１、Ｚ２  段差部
【図１】
2015035588.tif 000003
【図２】
2015035588.tif 000004
【図３】
2015035588.tif 000005
【図４】
2015035588.tif 000006
【図５】
2015035588.tif 000007
【図６】
2015035588.tif 000008
【図７】
2015035588.tif 000009
【図８】
2015035588.tif 000010
【図９】
2015035588.tif 000011
【図１０】
2015035588.tif 000012
【図１１】
2015035588.tif 000013
【図１２】
2015035588.tif 000014