(57)【要約】【課題】良好な切断精度と高い曲げ強度を備えるガラス基板の切断方法を提供すること。【解決手段】板厚方向に対向する２つの透光面を備えるガラス基板にレーザ光を照射し、ガラス基板の切断予定ラインに沿って、ガラス基板の板厚方向内部に切断起点となる異質領域を形成する工程と、異質領域を起点として、切断予定ラインに沿ってガラス基板を切断する工程と、を備えるガラス基板の切断方法であって、レーザ光は、時間幅が４００ピコ秒未満のパルスレーザであり、レーザ光は、切断予定ラインを１回通過することで、ガラス基板のレーザ光が入射する側の透光面から一定距離だけ離間した位置からレーザ光が入射する側と対向する透光面まで異質領域を形成することを特徴とする。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
板厚方向に対向する２つの透光面を備えるガラス基板にレーザ光を照射し、前記ガラス基板の切断予定ラインに沿って、前記ガラス基板の板厚方向内部に切断起点となる異質領域を形成する工程と、
前記異質領域を起点として、前記切断予定ラインに沿って前記ガラス基板を切断する工程と、を備えるガラス基板の切断方法であって、
前記レーザ光は、時間幅が４００ピコ秒未満のパルスレーザであり、
前記レーザ光は、前記切断予定ラインを１回通過することで、前記ガラス基板の前記レーザ光が入射する側の透光面から一定距離だけ離間した位置から前記レーザ光が入射する側と対向する透光面まで異質領域を形成することを特徴とするガラス基板の切断方法。
【請求項２】
板厚方向に対向する２つの透光面を備えるガラス基板にレーザ光を照射し、前記ガラス基板の切断予定ラインに沿って、前記ガラス基板の板厚方向内部に切断起点となる異質領域を形成する工程と、
前記異質領域を起点として、前記切断予定ラインに沿って前記ガラス基板を切断する工程と、を備えるガラス基板の切断方法であって、
前記レーザ光は、時間幅が４００ピコ秒未満のパルスレーザであり、
前記レーザ光は、前記切断予定ラインを１回通過することで、前記ガラス基板の一方の透光面から一定距離だけ離間した位置から他方の透光面から一定距離だけ離間した位置の間に異質領域を形成することを特徴とするガラス基板の切断方法。
【請求項３】
前記異質領域の板厚方向の幅は、
前記レーザ光の時間幅が４０ピコ秒以上であって４００ピコ秒未満のパルスレーザの場合は板厚寸法の５０％〜８０％であって、
前記レーザ光の時間幅が４００フェムト秒以上であって４０ピコ秒未満のパルスレーザの場合は板厚寸法の６０％〜９０％であって、
前記レーザ光の時間幅が４００フェムト秒未満のパルスレーザの場合は板厚寸法の７０％〜９９％であることを特徴とする請求項１または請求項２に記載のガラス基板の切断方法。
【請求項４】
板厚方向に対向する２つの透光面を備えるガラス基板にレーザ光を照射し、前記ガラス基板の切断予定ラインに沿って、前記ガラス基板の板厚方向内部に切断起点となる異質領域を形成する工程と、
前記異質領域を起点として、前記切断予定ラインに沿って前記ガラス基板を切断する工程と、を備えるガラス基板の切断方法であって、
前記レーザ光は、時間幅が４００ピコ秒未満のパルスレーザであり、
前記レーザ光は、前記切断予定ラインを１回通過することで、前記ガラス基板の板厚方向全域に異質領域を形成することを特徴とするガラス基板の切断方法。
【請求項５】
前記レーザ光は、前記ガラス基板の屈折率に起因して得られる集光形状と比較し、ガラス基板の板厚方向の幅が大きい集光形状になるように補正されることを特徴とする請求項１ないし請求項４のいずれか１項に記載のガラス基板の切断方法。
【請求項６】
前記レーザ光は、ガラス基板の板厚方向に複数の集光点を備えることを特徴とする請求項１ないし請求項４のいずれか１項に記載のガラス基板の切断方法。
【請求項７】
前記ガラス基板は、軟化点が３００〜１０００℃、破壊靭性が０．１〜０．７４ＭＰａ・ｍ１／２、５０℃〜３００℃の温度範囲における平均熱膨張係数が６５〜２００×１０−７／Ｋ、のいずれか１つ以上を備えることを特徴とする請求項１ないし請求項６のいずれか１項に記載のガラス基板の切断方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ガラス基板の切断方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体基板等の切断方法として、ステルスダイシング（登録商標）が知られている（例えば、特許文献１参照）。この切断方法は、半導体基板（例えば、シリコン基板）を透過する波長のレーザ光を半導体基板内部に集光させて改質領域（キズ領域）を形成し、その後、テープエキスパンドなど外部応力を加えることにより、改質領域を起点として亀裂を生じさせて半導体基板を切断する技術である。
【０００３】
この切断方法は、半導体基板の表面にダメージを与えずに半導体基板内部に局所的・選択的に改質領域を形成できるため、一般的なブレードダイシングで問題となる半導体基板の表面にチッピング等の不具合の発生を低減することができる。また、切削加工と異なり発塵などの問題も少ない。このため、近年では、半導体基板に限られず、ガラス基板の切断など広く用いられるようになっている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００９−１３５３４２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
上記レーザ光によりガラス基板の内部に形成される改質領域は、レーザ光の照射に伴い熱応力が発生し、これによって多数のクラックが生じる。ガラス基板を切断予定ラインに沿って切断する場合、このクラックを起点としてガラス基板表面にまでクラックを伸長させる。
しかしながら、改質領域のクラックは、全てが一定の方向に揃っているわけではない。そのため、ガラス基板を切断するために外部応力を付与してクラックを伸長した際、クラックの伸長方向が一定とならず、ガラス基板の稜線（ガラス基板の切断面と透光面との交わる線）が蛇行するおそれがある。ガラス基板の用途によっては、ガラス基板を他の部材と組み合わせる際に、ガラス基板の稜線や側面を用いて位置決めすることがある。そのため、ガラス基板の稜線は、ダイシングブレード等の他の切断方法で切断したものと同等の直線性を備えることが好ましい。
【０００６】
本発明は、上記問題点を解消するためになされたものであり、ガラス基板の内部にレーザ光を用いて異質領域を形成し、異質領域を起点に切断することで、良好な切断精度と高い曲げ強度とを備えるガラス基板の切断方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明に係るガラス基板の切断方法は、板厚方向に対向する２つの透光面を備えるガラス基板にレーザ光を照射し、前記ガラス基板の切断予定ラインに沿って、前記ガラス基板の板厚方向内部に切断起点となる異質領域を形成する工程と、前記異質領域を起点として、前記切断予定ラインに沿って前記ガラス基板を切断する工程と、を備えるガラス基板の切断方法であって、前記レーザ光は、時間幅が４００ピコ秒未満のパルスレーザであり、前記レーザ光は、前記切断予定ラインを１回通過することで、前記ガラス基板の前記レーザ光が入射する側の透光面から一定距離だけ離間した位置から前記レーザ光が入射する側と対向する透光面まで異質領域を形成することを特徴とする。
【０００８】
本発明に係るガラス基板の切断方法は、板厚方向に対向する２つの透光面を備えるガラス基板にレーザ光を照射し、前記ガラス基板の切断予定ラインに沿って、前記ガラス基板の板厚方向内部に切断起点となる異質領域を形成する工程と、前記異質領域を起点として、前記切断予定ラインに沿って前記ガラス基板を切断する工程と、を備えるガラス基板の切断方法であって、前記レーザ光は、時間幅が４００ピコ秒未満のパルスレーザであり、前記レーザ光は、前記切断予定ラインを１回通過することで、前記ガラス基板の一方の透光面から一定距離だけ離間した位置から他方の透光面から一定距離だけ離間した位置の間に異質領域を形成することを特徴とする。
【０００９】
本発明に係るガラス基板の切断方法は、板厚方向に対向する２つの透光面を備えるガラス基板にレーザ光を照射し、前記ガラス基板の切断予定ラインに沿って、前記ガラス基板の板厚方向内部に切断起点となる異質領域を形成する工程と、前記異質領域を起点として、前記切断予定ラインに沿って前記ガラス基板を切断する工程と、を備えるガラス基板の切断方法であって、前記レーザ光は、時間幅が４００ピコ秒未満のパルスレーザであり、前記レーザ光は、前記切断予定ラインを１回通過することで、前記ガラス基板の板厚方向全域に異質領域を形成することを特徴とする。
【発明の効果】
【００１０】
本発明によれば、ガラス基板の内部に形成される異質領域のクラックが非常に小さいもしくは存在しないため、切断後に寸法精度が良好で高い曲げ強度を備えるガラス基板を得ることが可能である。
【図面の簡単な説明】
【００１１】
【図１】本発明の第１の実施形態に係るガラス基板の切断方法の概略説明図である。
【図２】本発明の第２の実施形態に係るガラス基板の切断方法の概略説明図である。
【図３】本発明の第３の実施形態に係るガラス基板の切断方法の概略説明図である。
【発明を実施するための形態】
【００１２】
［第１の実施形態］
本発明の第１の実施形態に係るガラス基板１の切断方法（以下、第１の切断方法という）について、図１を用いて説明する。図１（Ａ）は、第１の切断方法の概略を示す平面図である。また、図１（Ｂ）は、第１の切断方法の概略を示す断面図である。第１の切断方法は、図１に示すように、板厚方向に対向する２つの透光面を備えるガラス基板１の切断に関する。
【００１３】
第１の切断方法は、板厚方向に対向する２つの透光面を備えるガラス基板１にレーザ光２を照射し、ガラス基板１の切断予定ラインＬに沿って、ガラス基板１の板厚方向の内部に切断起点となる異質領域３を形成する工程と、異質領域３を起点として、切断予定ラインＬに沿ってガラス基板１を切断する工程と、を備える。
【００１４】
ガラス基板１の板厚方向の内部に切断起点となる異質領域を形成する工程は、ガラス基板１の内部に集光点を合わせてレーザ光２を照射することにより、ガラス基板１の内部に異質領域３を形成する。そして、切断予定ラインＬに沿ってレーザ光照射装置１０を移動方向Ｄに移動し、レーザ光２の照射位置を変えることで、異質領域３を連続的に形成する。
【００１５】
所定のエネルギー強度を有するレーザ光２を、ガラス基板１の内部に集光するように照射すると、レーザ光２が集光された部分にはレーザ光２により非常に短い時間に高いエネルギーが付与される。そのため、レーザ光２が集光された部分は、熱応力に起因するクラックがほとんど発生しない状態で脆弱化する。この現象については、詳細には確認できていないが、レーザ光２が集光された部分は、レーザ光２によるエネルギーによって、ガラス構造が分子レベルで部分的に切断されていると考えられる。
なお、本願発明における異質領域とは、レーザ光２の照射によりガラス基板１の内部に何らかの性質変化が起きた領域をいう。また、何らかの性質変化が起きた領域とは、レーザ光２の照射前後において、前述の脆弱化が生じた領域や光学的（例えば、屈折率など）に変化が生じた領域をいうものである。
【００１６】
第１の切断方法では、異質領域を形成する工程における異質領域３の範囲に特徴を有する。この工程では、レーザ光２がガラス基板１の切断予定ラインＬを１回通過する際、ガラス基板１のレーザ光２が入射する側の透光面６から一定距離５（ゼロを超える距離）だけ離間した位置からレーザ光２が入射する側と対向する透光面７まで異質領域３を形成する。つまり、ガラス基板１のレーザ光２が入射する側の透光面６には異質領域３は形成されず、該透光面６から一定距離５だけ離間した位置から他方の透光面７までの間に異質領域３が形成される。そのため、切断後のガラス基板１のレーザ光２が入射する側の稜線には、レーザ光２による加工痕が生じない。よって、次の切断工程においてガラス基板１を切断した場合、直線性の高い稜線を得ることができる。
【００１７】
レーザ光２は、時間幅が４００ピコ秒未満のパルスレーザを用いる。理由としては、レーザ光２の時間幅が４００ピコ秒を超えると、レーザ光２によって形成されるガラス基板１の内部に熱応力に起因する複数のクラックが生じるためである。また、レーザ光２としては、ピコ秒レーザやフェムト秒レーザを用いてもよい。
【００１８】
レーザ光２は、ガラス基板１の屈折率に起因して得られる集光形状と比較し、ガラス基板１の板厚方向の幅が大きい集光形状４になるように補正されることが好ましい。通常、レーザ光２の焦光形状を制御しないと、ガラス基板１の屈折率に起因して集光形状が円系から多少変形する。しかしながら、ガラス基板１の板厚寸法がレーザ光２の集光形状よりも十分に厚い場合は、レーザ光２を切断予定ラインＬに沿って板厚方向の位置を変えながら複数回走査する必要がある。これに対し、レーザ光２をガラス基板１の板厚方向に長い集光形状４に制御することで、１回のレーザ光２の走査で、所望の異質領域３を形成することが可能である。
【００１９】
レーザ光２の集光形状の制御は、レーザ光２をホログラムレンズを通過させることで制御する方法、レーザ光２を位相変調型液晶空間光変調器（ＬＣＯＳ−ＳＬＭ）を通過させることで制御する方法等の公知の方法を用いてもよい。
【００２０】
レーザ光２は、複数の焦点に分割されたマルチ焦光レーザを用いてもよい。これにより、集光形状を制御した上述の板厚方向に長い集光形状４のレーザ光２と同様に、レーザ光２を切断予定ラインＬに沿って１回走査することで、所望の異質領域３を形成することが可能である。なお、複数の焦点に分割されたマルチ焦光レーザとは、レーザ光２の集光点がガラス基板１の板厚方向に複数存在するように１本のレーザ光を分割したものである。
レーザ光２を複数の焦光点に分割するには、レーザ光２をプリズム等の光学要素を用いる等の公知の方法によって行うことが可能である。
【００２１】
異質領域３は、用いるレーザ光２の時間幅によって、板厚方向の幅を以下のとおりとしてもよい。なお、第１の切断方法は、レーザ光２が入射する側と対向する透光面６に異質領域３を形成する。そのため、異質領域３の板厚方向の幅とは、レーザ光２が入射する側と対向する透光面７からの距離をいうものである。
【００２２】
レーザ光２として、時間幅が４０ピコ秒以上であって４００ピコ秒未満のパルスレーザを用いる場合は、異質領域３の板厚方向の幅は、板厚寸法の５０％〜８０％のであることが好ましい。
レーザ光２として、時間幅が４００フェムト秒以上であって４０ピコ秒未満のパルスレーザを用いる場合は、異質領域３の板厚方向の幅は、板厚寸法の６０％〜９０％であることが好ましい。
レーザ光２として、時間幅が４００フェムト秒未満のパルスレーザを用いる場合は、異質領域３の板厚方向の幅は、板厚寸法の７０％〜９９％であることが好ましい。
【００２３】
異質領域３を起点として、切断予定ラインＬに沿ってガラス基板１を切断する工程は、ガラス基板１の透光面６が凸形状となるように曲げ応力を付与して折り割る方法や、伸縮性のある粘着テープにガラス基板１を貼り付けてガラス基板１の平面方向に粘着テープを引っ張ることで切断する方法等、公知の切断方法を用いることが可能である。
異質領域を形成する工程にて生じた異質領域３は、脆弱化されクラックが小さいもしくは存在しないため、ガラス基板１はクラックの向きに影響を受けず異質領域３が存在する板厚方向に沿って真っ直ぐに切断される。そのため、切断後のガラス基板１の直線性が高く寸法精度が良好である。
【００２４】
第１の切断方法によれば、レーザ光２の入射側の透光面６に異質領域３を形成しないため、レーザ光２の入射側の透光面６の稜線は、直線性が良好である。また、レーザ光２の入射側の透光面６の稜線は、レーザ光２によるダメージが生じない。これにより、ガラス基板１を曲げた際の強度（曲げ強度）が高いガラスが得られる。また、ガラス基板１の切断面（異質領域３が形成された透光面６と透光面７との間の面）には、レーザ光２の照射によるクラックがほとんどなく、清浄性が高いガラス基板１を得ることができる。
【００２５】
［第２の実施形態］
本発明の第２の実施形態に係るガラス基板１の切断方法（以下、第２の切断方法という）について、図２を用いて説明する。図２（Ａ）は、第２の切断方法の概略を示す平面図である。また、図２（Ｂ）は、第２の切断方法の概略を示す断面図である。第２の切断方法は、図２に示すように、板厚方向に対向する２つの透光面を備えるガラス基板１の切断に関する。なお、本実施形態は、第１の実施形態と同一部分には、同一符号を付して、重複説明を省略する。
【００２６】
第２の切断方法では、異質領域を形成する工程における異質領域３の範囲に特徴を有し、第１の切断方法と相違する。
この工程では、レーザ光２がガラス基板１の切断予定ラインＬを１回通過する際、ガラス基板１の一方の透光面６から一定距離５（ゼロを超える距離）だけ離間した位置から他方の透光面７から一定距離８（ゼロを超える距離）だけ離間した位置の間に異質領域３を形成する。つまり、ガラス基板１のレーザ光２が入射する側の透光面６および対向する透光面７のそれぞれには異質領域３は形成されず、一方の透光面６から一定距離５だけ離間した位置から他方の透光面７から一定距離８だけ離間した位置までの間に異質領域３が形成される。そのため、切断後のガラス基板１の稜線には、レーザ光２による加工痕が生じない。よって、次の切断工程においてガラス基板１を切断した場合、直線性の高い稜線を得ることができる。
【００２７】
異質領域３は、用いるレーザ光２の時間幅によって、板厚方向の幅を以下のとおりとしてもよい。なお、第２の切断方法は、一方の透光面６から一定距離５だけ離間した位置から他方の透光面７から一定距離８だけ離間した位置までの間に異質領域３を形成する。そのため、異質領域３の板厚方向の幅とは、一方の透光面６から一定距離５だけ離間した位置から他方の透光面７から一定距離８だけ離間した位置までの間の距離をいうものである。また、異質領域３の幅は、後述する範囲内であれば、板厚方向の中心にあってもよいし、どちらかの透光面に偏在していてもよい。
【００２８】
レーザ光２として、時間幅が４０ピコ秒以上であって４００ピコ秒未満のパルスレーザを用いる場合は、異質領域３の板厚方向の幅は、板厚寸法の５０％〜８０％のであることが好ましい。
レーザ光２として、時間幅が４００フェムト秒以上であって４０ピコ秒未満のパルスレーザを用いる場合は、異質領域３の板厚方向の幅は、板厚寸法の６０％〜９０％であることが好ましい。
レーザ光２として、時間幅が４００フェムト秒未満のパルスレーザを用いる場合は、異質領域３の板厚方向の幅は、板厚寸法の７０％〜９９％であることが好ましい。
【００２９】
第２の切断方法は、用いるレーザ光２の種類や形状、ガラス基板１を切断する工程は、第１の切断方法と同様である。
【００３０】
第２の切断方法によれば、ガラス基板１の各透光面（透光面６および透光面７）に異質領域３を形成しないため、ガラス基板１の稜線は、直線性が良好である。また、ガラス基板１の稜線は、レーザ光２によるダメージが生じない。これにより、ガラス基板１を曲げた際の強度（曲げ強度）が高いガラスが得られる。また、ガラス基板１の切断面（異質領域３が形成された透光面６と透光面７との間の面）には、レーザ光２の照射によるクラックがほとんどなく、清浄性が高いガラス基板１を得ることができる。
【００３１】
［第３の実施形態］
本発明の第３の実施形態に係るガラス基板の切断方法（第３の切断方法）について、図３を用いて説明する。図３（Ａ）は、第３の切断方法の概略を示す平面図である。また、図３（Ｂ）は、第３の切断方法の概略を示す断面図である。第３の切断方法は、図３に示すように、板厚方向に対向する２つの透光面を備えるガラス基板１の切断に関する。なお、本実施形態は、第１の実施形態と同一部分には、同一符号を付して、重複説明を省略する。
【００３２】
第３の切断方法では、異質領域を形成する工程における異質領域３の範囲に特徴を有し、第１の切断方法と相違する。
この工程では、レーザ光２がガラス基板１の切断予定ラインＬを１回通過する際、ガラス基板１の板厚方向全域に異質領域３が形成される。よって、次の切断工程においてガラス基板１を切断する場合、直線性の高い稜線を得ることができる。
【００３３】
第３の切断方法は、ガラス基板１の板厚方向全域に異質領域３が形成されるようにレーザ光２を照射する。そのため、前述のとおり異質領域３が形成されるのであれば、レーザ光２の板厚方向の幅は、ガラス基板１の板厚方向よりも小さくても、大きくてもよい。ガラス基板１の板厚方向よりも大きい幅を照射するレーザ光２を用いると、レーザ光２の焦点の微調整が不要となるため、生産性を高くすることができる。
第３の切断方法は、用いるレーザ光２の種類、ガラス基板１を切断する工程は、第１の切断方法と同様である。
【００３４】
第３の切断方法によれば、ガラス基板１の板厚方向全域に異質領域３を形成するため、ガラス基板１の稜線は、直線性が良好である。また、ガラス基板１の稜線や切断面（異質領域３が形成された透光面６と透光面７との間の面）には、レーザ光２の照射によるクラックがほとんどない。そのため、清浄性が高く曲げた際の強度（曲げ強度）が高いガラス基板１を得ることができる。
【００３５】
本発明の切断方法（第１〜第３の切断方法を含む）において、ガラス基板１は、軟化点が３００〜１０００℃、破壊靭性が０．１〜０．７４ＭＰａ・ｍ１／２、５０℃〜３００℃の平均熱膨張係数が６５〜２００×１０−７／Ｋのいずれか１つ以上を備えることが好ましい。
【００３６】
ガラス基板１の破壊靱性が０．７４ＭＰａ・ｍ１／２を超えると、レーザ光２にてガラス基板１に異質領域３を形成する際、異質領域３が生じにくいためガラス基板１の切断が難しい。さらに、異質領域３を起点としてガラス基板１を切断する際に、クラックが板厚方向に伸展しにくいため、無理に切断することになり、ガラス基板１の切断面が粗くなるとともに、寸法精度が悪くなる。
【００３７】
一方、ガラス基板１の破壊靱性が０．１ＭＰａ・ｍ１／２未満であると、レーザ光２にてガラス基板１に異質領域３を形成する際、異質領域３にクラックの発生数が多くなるため、ガラス基板１の異質領域３からガラス基板１の透光面に達するクラックが形成されるおそれがあり、切断されたガラス基板１が欠けたり割れやすくなる問題が生じる。また、異質領域３を起点としてクラックが過度に伸展しやすいため、板厚方向以外の方向にもクラックが伸展してしまい、ガラス基板１の切断面が粗くなる。これにより、ガラス基板１の寸法精度が悪く、曲げ強度が低くなるおそれがある。また、破壊靱性が０．１ＭＰａ・ｍ１／２未満であると、ガラス基板１の切断面に存在するクラックが微小であっても破壊原因になってしまい、切断後のガラス基板１の曲げ強度が実用に満たないおそれがある。
ガラス基板１のの破壊靱性は、０．１５〜０．６５ＭＰａ・ｍ１／２が好ましく、０．２〜０．６ＭＰａ・ｍ１／２がさらに好ましく、０．２〜０．５ＭＰａ・ｍ１／２が一層好ましい。
【００３８】
また、ガラス基板１の５０〜３００℃の温度範囲における平均熱膨張係数が２００×１０−７／Ｋを超えると、レーザ光２にてガラス基板１に異質領域３を形成する際、異質領域３のクラックが過大に形成され、切断後のガラス基板１の寸法精度や曲げ強度が著しく低下する。一方、ガラス基板１の５０〜３００℃の温度範囲における平均熱膨張係数が、６５×１０−７／Ｋ未満であると、レーザ光２にてガラス基板１に異質領域３を形成する際、異質領域３が形成されにくいためガラス基板１の切断が難しい。
ガラス基板１の５０〜３００℃の温度範囲における平均熱膨張係数は、７５〜１８０×１０−７／Ｋが好ましく、９０〜１５０×１０−７／Ｋがさらに好ましく、１１０〜１４０×１０−７／Ｋが一層好ましい。
【００３９】
また、ガラス基板１の軟化点が１０００℃を超えると、レーザ光２にてガラス基板１に異質領域３を形成する際、異質領域３が形成されにくいためガラス基板１の切断が難しくなるおそれがある。一方、ガラス基板１の軟化点が３００℃未満であると、レーザ光２にてガラス基板１に異質領域３を形成する際、異質領域３のクラックが過大となり、切断後のガラス基板１の寸法精度や曲げ強度が著しく低下する。
【００４０】
これらの物性が得られるガラスであれば、どのような組成のガラスをガラス基板１として用いてもよい。例えば、フツリン酸ガラス、リン酸ガラス、ソーダライムガラス、ボロシリケートガラス、アルミノシリケートガラス、アルカリアルミノシリケートガラス等である。
【００４１】
ガラス基板１は、様々な用途のガラスとして用いることができる。本発明の切断方法では、寸法精度および曲げ強度の高いガラス基板１を得ることができるため、比較的サイズの小さい光学要素のガラスに特に好適に用いることができるが、これに限られるものではない。
【産業上の利用可能性】
【００４２】
本発明は、切断後に寸法精度が良好で曲げ強度の高いガラス基板を得ることが可能である。
【符号の説明】
【００４３】
１…ガラス基板、２…レーザ光、３…異質領域、４…レーザ光の集光形状、５…レーザ光の入射側の透光面から異質領域までの距離、６…レーザ光の入射側の透光面、７…レーザ光の入射側の透光面と対向する透光面、８…レーザ光の入射側の透光面と対向する透光面から異質領域までの距離、１０…レーザ光照射装置、Ｌ…切断予定ライン、Ｄ…レーザ光の移動方向。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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