(57)【要約】【課題】正孔輸送層が発光層に溶出することによる特性低下および寿命低下を抑制する。【解決手段】アモルファス膜で構成した低分子正孔輸送層４の上面に架橋性高分子正孔注入材料を含有するインク７を滴下し、低分子正孔輸送層４が溶解、再結晶化、層分離することで、架橋性高分子正孔注入層３および低分子正孔輸送層４を順に形成する。これにより、低分子正孔輸送層４の結晶層を形成することが可能となり、この結晶層の形成により、物理的安定性を向上させることが可能となる。このため、低分子正孔輸送層４の上に高分子発光層５を形成する際の溶媒によって、低分子正孔輸送層３が溶解されることを低減できる。したがって、低分子正孔輸送層３が高分子発光層５に溶出することによる特性低下および寿命低下を抑制することが可能となる。【選択図】図２
2015035370.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
陽極（２）と陰極（６）からなる一対の電極（２、６）に挟まれて、陽極の上に正孔注入層（３）、正孔輸送層（４）および発光層（５）が順に配置された有機ＥＬ素子の製造方法において、
前記陽極の上に、蒸着法によってアモルファス膜にて構成される前記正孔輸送層を形成する工程と、
前記正孔注入層の上に架橋性高分子正孔注入材料を含有するインク（７）を塗布し、層分離により前記陽極側より前記正孔注入層となる架橋性高分子正孔注入層と前記正孔輸送層とが順に積層された積層構造を形成する工程と、
前記正孔輸送層の上に前記発光層を形成する工程と、を含んでいることを特徴とする有機ＥＬ素子の製造方法。
【請求項２】
前記正孔輸送層を構成する正孔輸送材料として、化学式I
【化１】
2015035370.tif 000008
で示される材料を用いることを特徴とする請求項１に記載の有機ＥＬ素子の製造方法。
【請求項３】
前記架橋性高分子正孔注入材料を含有するインクに用いる有機溶媒として、該有機溶媒と前記化学式Iで示した正孔輸送材料との間で、ハンセン法により算出される該有機溶媒の溶解度パラメータδであって、分散項δｄとプロトン項δｐと水素項δｈがδ2＝（δｄ）2＋（δｐ）2＋（δｈ）2の関係となる溶解度パラメータδが、１７．６≦δ≦１８．０の範囲に含まれている有機溶媒であることを特徴とする請求項２に記載の有機ＥＬ素子の製造方法。
【請求項４】
前記陽極の表面粗さＲａが１．０ｎｍ以下であることを特徴とする請求項３に記載の有機ＥＬ素子の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、有機ＥＬ（エレクトロルミネッセンス）素子の製造方法に関し、特に、車載用表示素子として好適に用いると好適である。
【背景技術】
【０００２】
従来より、有機ＥＬ素子の製造方法が種々提案されている。例えば、特許文献１においては、有機ＥＬ素子の寿命向上を図るべく、凝集構造の安定性が低い有機ＥＬ層の表面を有機ＥＬ素子溶剤に暴露する方法が提案されている。具体的には、発光層や正孔輸送層などに対して溶剤暴露工程を行っている。これにより、有機ＥＬ層の表面近傍の有機ＥＬ高分子がよりエネルギー的に安定な凝集構造をとるように高分子鎖が動き（コンフォメーション変化やパッキング密度の上昇など）、凝集構造の安定性を向上させることが可能となる。
【０００３】
また、従来、印刷特性が良好かつ得られる膜の相状態の制御が容易な有機ＥＬ素子も提案されている。例えば、有機半導体材料を含有する半導体薄膜層と、有機半導体材料に対して膜厚方向に相分離した高分子材料によって構成された絶縁性薄膜層と、半導体薄膜層および絶縁性薄膜層の少なくとも一方に分散された微粒子材料とを備えた構造としている。このような構成では、互いに相分離させる有機半導体材料および高分子材料と共に、微粒子材料を分散させている。このため、半導体材料と高分子材料との含有比によって相分離を制御しつつ、微粒子材料の分散量によって膜形成のためのインクの粘度およびチクソトロピー性を良好に制御することができる。
【０００４】
さらに、従来、低分子正孔輸送層を有機酸にて表面処理することにより、低分子正孔輸送層と高分子発光層との界面に難溶化層を形成することで、有機ＥＬ素子の特性の安定化および寿命向上を図る構造も提案されている。このように、低分子正孔輸送層と高分子発光層との界面に難溶化層を形成することで、低分子ホール輸送層が高分子発光層に溶けることが抑制され、特性の安定化および寿命向上を図っている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２００４−２８１２５１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかしながら、凝集構造の安定性を向上させる手法では、凝集構造を安定化させた層が有機ＥＬ層の表面にしか形成されない。このため、例えば正孔輸送層に対して溶剤暴露工程を行って正孔輸送層の表面に凝集構造を安定化させた層を形成しても、その層に欠陥部が存在した場合、高分子発光層を形成する際の溶媒によって低分子正孔輸送層が溶解され、十分な耐溶解性を得ることができない。このため、正孔輸送層が発光層に溶出することによる特性低下および寿命低下を引き起こすという問題がある。
【０００７】
また、半導体薄膜層および絶縁性薄膜層の少なくとも一方に微粒子材料を分散する手法は、溶解性の高い材料には適用できるが、溶解性の低い材料には適用できない。
【０００８】
また、低分子正孔輸送層と高分子発光層との界面に難溶化層を形成する手法は、難溶化層が低分子正孔輸送層の表層にしか形成されない。このため、難溶化層に欠陥部が存在した場合には、高分子発光層を形成する際の溶媒によって低分子正孔輸送層が溶解され、十分な耐溶解性を得ることができない。このため、上記と同様の問題が発生する。
【０００９】
本発明は上記点に鑑みて、正孔輸送層が発光層に溶出することによる特性低下および寿命低下を抑制することができる有機ＥＬ素子の製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
上記目的を達成するため、請求項１に記載の発明では、陽極（２）と陰極（６）からなる一対の電極（２、６）に挟まれて、陽極の上に正孔注入層（３）、正孔輸送層（４）および発光層（５）が順に配置された有機ＥＬ素子の製造方法において、陽極の上に、蒸着法によってアモルファス膜にて構成される正孔輸送層を形成する工程と、正孔注入層の上に架橋性高分子正孔注入材料を含有するインク（７）を塗布し、層分離により陽極側より正孔注入層となる架橋性高分子正孔注入層と正孔輸送層とが順に積層された積層構造を形成する工程と、正孔輸送層の上に発光層を形成する工程と、を含んでいることを特徴としている。
【００１１】
このように、アモルファス膜で構成した正孔輸送層の上面に架橋性高分子正孔注入材料を含有するインクを滴下し、正孔輸送層が溶解、再結晶化、層分離することで、架橋性高分子正孔注入層および正孔輸送層を順に形成している。これにより、正孔輸送層の結晶層を形成することが可能となり、この結晶層の形成により、物理的安定性を向上させることが可能となる。このため、正孔輸送層の上に発光層を形成する際の溶媒によって、正孔輸送層が溶解されることを低減できる。したがって、正孔輸送層が発光層に溶出することによる特性低下および寿命低下を抑制することが可能となる。
【００１２】
なお、上記各手段の括弧内の符号は、後述する実施形態に記載の具体的手段との対応関係の一例を示すものである。
【図面の簡単な説明】
【００１３】
【図１】本発明の第１実施形態にかかる有機ＥＬ素子１００の断面図である。
【図２】図１に示す有機ＥＬ素子１００の製造工程を示した断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１４】
以下、本発明の実施形態について図に基づいて説明する。なお、以下の各実施形態相互において、互いに同一もしくは均等である部分には、同一符号を付して説明を行う。
【００１５】
（第１実施形態）
図１を参照して、本実施形態に係る有機ＥＬ素子１００の構成について説明する。この図に示されるように、基板１の上に、正孔注入電極２、架橋性高分子正孔注入層３、低分子正孔輸送層４、高分子発光層５、および電子注入電極６が順に積層された構造により、本実施形態にかかる有機ＥＬ素子１００が構成されている。
【００１６】
このような構造の有機ＥＬ素子１００は、例えば図２に示す各工程を行うことにより製造される。まず、図２（ａ）に示すように、基板１の上に正孔注入電極２を形成したのち、図２（ｂ）に示すように、正孔注入電極２の上に低分子正孔輸送層４を真空蒸着法により形成する。続いて、図２（ｃ）に示すように、低分子正孔輸送層４の上面に架橋性高分子正孔注入材料を含有するインク７を滴下し、低分子正孔輸送層４が溶解、再結晶化、層分離することにより、図２（ｄ）に示すように、正孔注入電極２上に架橋性高分子正孔注入層３、低分子正孔輸送層４を上記した順にて形成する。そして、熱処理によって架橋性高分子成功注入材料の架橋を行ったのち、高分子発光層５を塗布法にて形成し、さらに電子注入電極６を真空蒸着法にて形成する。最後に、乾燥窒素雰囲気中にて図示しない金属缶の貼り合わせによる封止を行うことにより、図１に示す有機ＥＬ素子１００が製造される。各工程間の搬送方法は特に限定されるものではないが、乾燥雰囲気中での搬送であることが望ましい。
【００１７】
なお、架橋性高分子正孔注入層３の形成、高分子発光層５の形成及び封止工程は限定されるものではないがグローブボックス等の乾燥不活性ガス雰囲気中で行われることが望ましい。また、封止方法は金属缶による封止以外にも、ガラスもしくはバリア付きフィルムの貼り合わせによる封止やシリコン窒化膜などの薄膜を直接形成する薄膜封止手法など様々な封止手法が適用可能である。
【００１８】
基板１は、例えば、透明なガラス、石英ガラス、バリア膜付きの樹脂基板や金属基板等よりなる電極基板で構成されている。
【００１９】
正孔注入電極２は、透明または半透明の電極を形成することのできる任意の導電性物質にて形成されている。具体的には、酸化物として酸化インジウム錫（ＩＴＯ）、酸化インジウム亜鉛（ＩＺＯ）、酸化錫、酸化亜鉛、酸化インジウム、酸化亜鉛アルミニウム、酸化亜鉛ガリウム、酸化チタンニオブ等を使用することができる。ただし、それらのうちでも特にＩＴＯは、低抵抗であること、耐溶剤性があること、透明性に優れていることなどの利点を有する好適な材料である。更に、アルミニウム、金、銀等の金属材料を蒸着して半透明の層を成膜する方法や、ポリアニリン等の有機半導体を用いる方法もあり、更に、その他の方法を用いることも可能である。ホール注入電極に対しては、必要に応じてエッチングによりパターニングを行っても良いし、ＵＶ処理やプラズマ処理などにより表面の活性化を行ってもよい。
【００２０】
低分子正孔輸送層４は、結晶化した後、高い耐溶剤性を有することが必要であり、即ち高融点を有する材料が望ましい。しかしながら、高い耐溶剤性を有する材料をインク化することは極めて困難であり、直接的に結晶化薄膜を形成することはできない。よって、本実施形態では、蒸着により正孔注入電極２の上にアモルファス膜にて構成される低分子正孔輸送層４を形成した後に、再結晶化、層分離を行うことにより、低分子正孔輸送層４を架橋性高分子正孔注入層３の上に形成することを可能としている。このように、蒸着法によりアモルファス膜が形成でき、更には高融点を有する材料としては、 化学式Iに示す、N,N,N',N',N'',N''-Hexakis(4'-methyl-biphenyl-4-yl)-benzene-1,3,5-triamine（分子量１１１９、ガラス転移点観測されず、融点４０２℃）が好ましい。
【００２１】
【化１】
2015035370.tif 000003
架橋性高分子正孔注入層３は、架橋により耐溶剤性、耐熱性が向上し、更に正孔注入性を有するものである。具体的には、ＨＯＭＯ値が５．４ｅＶ以下であれば、架橋性高分子正孔注入層３として用いることができるが、例えば特開２０１０−５３３４９号公報に記載のものなどが挙げられる。架橋性高分子正孔注入材料をインク化する溶媒については、蒸着法により形成されたアモルファス低分子正孔輸送材料を、適度に溶解し再結晶化を促進させるものでなければならない。溶解度の不足によっては、層分離が十分に完了せず、低分子正孔輸送材料が架橋性高分子正孔注入層３中に残留する結果、該架橋性高分子正孔注入材料の架橋を阻害する。架橋が不十分であると、未架橋部が電荷のトラップサイトとなり、素子の耐久性を著しく低下させる。逆に溶解度が高すぎても、再結晶化速度が低下する結果、架橋性高分子正孔注入層３中に残留することになる。
【００２２】
これについて、本発明者は、上記した化学式Iの低分子正孔輸送材料の場合、ハンセン法による溶媒の溶解度パラメータ（以下、ハンセン溶解度パラメ−タという）δが、１７．６＜δ＜１８．０の範囲である溶媒を選択することが好ましいことを実験的に見出した。この範囲に該当する有機溶媒としては、例えばｐ−シメン、メシチレンなどが挙げられる。
【００２３】
なお、ハンセン溶解度パラメータδは、次式で定義されるパラメータ示されるものであり、数式１中において、δｄは分散力による寄与項（分散項）、δｐは極性相互作用による寄与項（プロトン項）、δｈは水素結合による寄与項（水素項）を意味している。
【００２４】
（数１）
δ2＝（δｄ）2＋（δｐ）2＋（δｈ）2
また、上記架橋性高分子正孔注入層３の存在により、陽極となる正孔注入電極２と低分子正孔輸送層４との密着性が向上する。低分子正孔輸送層４を蒸着法により形成した後、溶媒のみにより再結晶化を施すと、結晶化に伴う物理的形状変化に伴い、陽極となる正孔注入電極２と低分子正孔輸送層４との密着性が著しく低下する。しかしながら、架橋性高分子正孔注入材料からの層分離を用いることで、陽極となる正孔注入電極２と低分子正孔輸送層４との密着性を低下させることなく、結晶化した低分子正孔輸送層４を形成することが可能となる。
【００２５】
更には、上記層分離が正孔注入電極２の表面粗さにも依存することを、発明者は実験的に見出した。具体的には、正孔注入電極２の表面粗さＲａが１．０ｎｍ以下であることが好ましい。これは正孔注入電極２の表面が荒れていると、アンカー効果により、低分子正孔輸送材料が均一的に架橋性高分子正孔輸送材料を含有するインク７へ溶解することを妨げるためと考えられる。
【００２６】
また、架橋性高分子正孔注入層３及び低分子正孔輸送層４を形成した後、架橋性高分子正孔注入材料の架橋のため熱処理を行っている。この際、この架橋温度が低分子正孔輸送層材料のガラス転移点を超えると、界面での両者の混合により架橋を阻害してしまうため、該低分子正孔輸送材料の耐熱性が、架橋温度よりも高いことが必要である。一般的に架橋性高分子正孔注入材料の架橋温度は２００℃以下であるが、例えば化学式Iに示す低分子正孔輸送材料の耐熱性は、前記架橋温度よりも十分に高く好ましい。また、架橋性高分子正孔注入材料の溶媒が高沸点溶媒であったとしても、該溶媒を除去するに必要な温度を鑑みても、化学式Iに示す低分子正孔輸送材料の適用が好ましい。
【００２７】
高分子発光層５は、高分子有機発光材料により構成されている。高分子有機発光材料としては、ポリフルオレン（ＰＦＯ）系高分子、ポリフェニレンビニレン（ＰＰＶ）系高分子、ポリビニルカルバゾール（ＰＶＫ）系高分子などを用いることができ、蛍光性色素や燐光性色素を前記高分子やポリスチレン系高分子、ポリチオフェン系高分子、ポリメチルメタクリレート系高分子等に分散させたもの等も用いることができる。これら高分子有機発光材料を、例えば、トルエン、キシレン、アセトン、アニソール、メチルアニソール、ジメチルアニソール、テトラリン、安息香酸エチル、安息香酸メチル、メチルエチルケトン、シクロヘキサノン、メタノール、エタノール、イソプロピルアルコール、酢酸エチル、酢酸ブチル、水などの単独または混合溶媒に溶解させて塗布液を調製し、その塗布液を使用した塗布法により高分子発光層５を形成することができる。それら溶媒のうちでも特に、トルエン、キシレン、アニソール、メチルアニソール、ジメチルアニソール、テトラリン、安息香酸エチル、安息香酸メチル等の芳香族系溶媒は、高分子有機発光材料の溶解性が良く扱いも容易であることから、より好ましい溶媒である。
【００２８】
高分子発光層５を形成する際の塗布法としては、スピンコート法、インクジェット法、印刷法、ディップコート法、スプレー法等の手法を用いることができる。また、高分子発光層５を塗布法で形成する際に溶媒を揮発させるため、高温乾燥処理を行うことが好ましい。この際、溶媒が高沸点溶媒であったとしても、該溶媒を除去するに必要な温度を鑑みても、化学式Iに示す低分子正孔輸送材料の適用が好ましい。
【００２９】
電子注入電極６は、例えば低仕事関数電極構造で構成される。電子注入電極６としては、アルカリ金属もしくはアルカリ土類金属、アルカリ金属もしくはアルカリ土類金属とアルミニウム等の金属電極との積層、アルカリ金属もしくはアルカリ土類金属のハロゲン化物とアルミニウム等の金属電極との積層などを用いることができ、具体的にはＡｌ／Ｃａ、Ａｌ／Ｂａ、Ａｌ／Ｌｉ、Ａｌ／ＬｉＦ、Ａｌ／ＣｓＦ、Ａｌ／Ｃａ／ＬｉＦ、Ａｌ／ＢａＯなどで構成される。
【００３０】
このようにして、本実施形態にかかる有機ＥＬ素子１００が構成、製造される。このように、アモルファス膜で構成した低分子正孔輸送層４の上面に架橋性高分子正孔注入材料を含有するインク７を滴下し、低分子正孔輸送層４が溶解、再結晶化、層分離することで、架橋性高分子正孔注入層３および低分子正孔輸送層４を順に形成している。これにより、低分子正孔輸送層４の再結晶化による結晶層を形成することが可能となり、この結晶層の形成により、物理的安定性を向上させることが可能となる。このため、低分子正孔輸送層４の上に高分子発光層５を形成する際の溶媒によって、低分子正孔輸送層３が溶解されることを低減できる。したがって、低分子正孔輸送層３が高分子発光層５に溶出することによる特性低下および寿命低下を抑制することが可能となる。また、架橋性高分子正孔注入層３の存在により、陽極となる正孔注入電極２と低分子正孔輸送層４との密着性を向上させることが可能となる。
【００３１】
次に、本実施形態にかかる有機ＥＬ素子１００による効果について、本実施形態の以下に示す実施例を参照して、より詳細に述べる。
【実施例】
【００３２】
（実施例１）
ガラス等からなる透明な基板１の一面上に、正孔注入電極２としてのＩＴＯを１５０ｎｍの厚さで形成した。このＩＴＯの表面粗さは、Ｒａ＝１．０ｎｍであった。このＩＴＯの上に、低分子正孔輸送材料として化学式Iで示されたN,N,N',N',N'',N''-Hexakis(4'-methyl- biphenyl-4-yl)-benzene-1,3,5-triamineを真空蒸着法にて厚さ３０ｎｍ形成した。更に、架橋性高分子材料としてのTFB（poly(9,9-dioctyl-fluorene-co-N-(4-butylphenyl)-diphenylamine)（以下、化学式IIという）が０．８ｗｔ％の濃度でｐ−シメン溶媒に分散されたインク７を用い、上記真空蒸着法により形成された化学式I上にスピンコート法により３０００ｒｐｍで塗布することにより、層分離を経由して厚さ２０ｎｍの架橋性高分子正孔注入層３および厚さ３０ｎｍの低分子正孔輸送層４を得た。
【００３３】
この後、露点温度が−６０℃以下の窒素雰囲気にて、１９０℃、１時間の熱処理を施すことにより、架橋性高分子を架橋させた。
【００３４】
次に、アメリカンダイソース社製のPoly[(9,9-dioctylfluorenyl-2,7-diyl)-co-(1,4-benzo-[2,1',3] -thiadiazole)](ADS233YE)を精製して重量平均分子量４００００とした高分子発光材料を、メシチレン溶媒に溶解させて塗布液を作製し、この塗布液を低分子正孔輸送層４の上にスピンコートで塗布した。そして、これを１２０℃で乾燥させることにより、厚さ１００ｎｍの高分子発光層５とした。
【００３５】
次に、真空蒸着法により、厚さ１ｎｍのＬｉＦを形成した後、厚さ２ｎｍのＣａ、更には厚さ１００ｎｍのＡｌを形成することにより、電子注入電極６とした。
【００３６】
そして、最後に、グローブボックス中で金属缶（図示略）と素子が形成された基板１とを、光硬化性樹脂で貼り合わせることにより、素子を封止した。こうして、本実施形態の具体例としての有機ＥＬ素子１００を作製した。
【００３７】
（実施例２）
上記した化学式IIに示す架橋性高分子材料のインク溶媒をメシチレンに変更した以外は、実施例１と同様にして有機ＥＬ素子１００を作製した。
【００３８】
（比較例１）
上記した化学式IIに示す架橋性高分子材料のインク溶媒を１フェニルヘプタンに変更した以外は、実施例１と同様にして有機ＥＬ素子１００を作製した。
【００３９】
（比較例２）
上記した化学式IIに示す架橋性高分子材料のインク溶媒をアニソ−ルに変更した以外は、実施例１と同様にして有機ＥＬ素子１００を作製した。
【００４０】
（比較例３）
上記した化学式IIに示す架橋性高分子材料のインク溶媒をテトラリンに変更した以外は、実施例１と同様にして有機ＥＬ素子１００を作製した。
【００４１】
（比較例４）
正孔注入電極２としてのＩＴＯの表面粗さが、Ｒａ１．５ｎｍであること以外は、実施例１と同様にして有機ＥＬ素子１００を作製した。
【００４２】
以上のような実施例及び比較例において作製した有機ＥＬ素子１００について、輝度耐久性として、初期輝度を１０００ｃｄ／ｍ2に設定し、これを８５℃環境下で２００時間、ＤＣ駆動させた後の輝度を求め、１０００ｃｄ／ｍ2の初期輝度からの輝度低下を百分率で表した。表１は、この結果をまとめたものである。
【００４３】
【表１】
2015035370.tif 000004
また、実施例及び比較例に対し、架橋性高分子材料の塗布後の表面を走査電子顕微鏡で観察した結果、実施例１及び２については、表面に結晶化した低分子正孔輸送層４を確認することができた。このことから、本発明で狙うところの効果が得られていると判断できる。
【００４４】
一方、比較例１においては、結晶化した低分子正孔輸送材料が架橋性高分子材料に埋もれた形状が観察された。即ち、架橋性高分子材料と低分子正孔輸送材料が層分離せず、混在した層になっていると考えられる。更には、露点温度が−６０℃以下の窒素雰囲気にて、１９０℃、１時間の熱処理後に、高分子発光層５の形成に用いる溶媒であるメシチレンを滴下したところ、一部溶解することがわかった。
【００４５】
以上の実験事実から、比較例１においては層分離が十分に進行せず、低分子正孔輸送材料が架橋性高分子材料中に残留することにより、該架橋性高分子材料の架橋が妨げられると解釈できる。架橋性高分子材料における未架橋部は電気的なトラップサイトになりうるため、輝度耐久性に著しく影響すると考えられ、更には発光層中に溶出しうることを考慮すると、その影響度は著しく大きいと考えられる。
【００４６】
また、比較例２及び３については、低分子正孔輸送材料の存在を全く確認することができなかった。この原因として、架橋性高分子材料の塗布時において、溶媒への溶解度が高すぎるため、滴下したインク７中に全て溶出し希釈される結果、膜として残らないと解釈できる。即ち実験事実によれば、化学式Iの各溶媒に対する溶解度は、１フェニルヘプタン＜ｐ−シメン≒メシチレン＜アニソ−ル≒テトラリンという関係になると言える。
【００４７】
表２、３に各溶媒および化学式Iのハンセン溶解度パラメータδを示す。
【００４８】
【表２】
2015035370.tif 000005
【００４９】
【表３】
2015035370.tif 000006
通常２材料間（例えば材料Ａと材料Ｂ）の相溶解性を判断する場合、溶解度パラメータとしてΔδを判断指標として用い、Δδが小さい方が相溶性が高いと判断する。Δδの算出式は以下の通りである
（数２）
Δδ2＝（δｄＡ−δｄＢ）2 + （δｐＡ−δｐＢ）2＋（δｈＡ−δｄＢ）2
ただし、δｄＡ、δｐＡ、δｈＡは、それぞれ、材料Ａの分散項、プロトン項、水素項であり、δｄＢ、δｐＢ、δｈＢは、それぞれ、材料Ｂの分散項、プロトン項、水素項である。
【００５０】
上記数式に従って、化学式Iと各溶媒とのΔδを計算した結果を表４に示す。
【００５１】
【表４】
2015035370.tif 000007
この計算結果によれば、化学式Iの各溶媒に対する溶解度は、アニソ−ル＜メシチレン＜1フェニルヘプタン＜ｐ−シメン＜テトラリンの順になるはずであるが、上記した実験事実と全く整合しない。
【００５２】
一方では、各溶媒のδのみに着目すると実験事実を支持する順になっていることがわかった。
【００５３】
この実験事実が各溶媒のδのみに依存している原因は明確には判らないが、本発明で用いている低分子正孔輸送材料が、蒸着法により形成されたアモルファス膜であることが一要因であると推定する。即ち、相分離の出発膜として、化合物Iの蒸着法によるアモルファス膜を用いた本発明においては、一般的に相溶性の判断として用いられるハンセン法のΔδにはよらず、溶媒のδにのみに依存することは、本検討結果により始めて見出された事実である。
【００５４】
比較例４においては、表面に結晶化した低分子正孔輸送層４を確認することができたが、比較例１と同様に露点温度が−６０℃以下の窒素雰囲気にて、１９０℃、１時間の熱処理後に、高分子発光層５に用いる溶媒であるメシチレンを滴下したところ、僅かに溶解することがわかった。このことから、電極表面の凹凸がアンカー効果として働き、相分離を若干妨げるためと解釈できる。
【００５５】
（他の実施形態）
本発明は上記した実施形態に限定されるものではなく、特許請求の範囲に記載した範囲内において適宜変更が可能である。例えば、有機ＥＬ素子として、基板１の上に、正孔注入電極２、架橋性高分子正孔注入層３、低分子正孔輸送層４、および電子注入電極６が順に積層された構造を例に挙げた。しかしながら、これは単なる一例を示したに過ぎず、少なくとも陽極と陰極からなる一対の電極に挟まれて正孔注入層、正孔輸送層および発光層が順に積層された構造の有機ＥＬ素子に対して本発明を適用できる。また、正孔輸送層を構成する正孔輸送材料として、低分子正孔輸送材料となる化学式Iで示したものを用いたが、他の材料のものを用いても良い。また、架橋性高分子正孔注入材料を含有するインク７に用いる有機溶剤として、ｐ−シメン、メシチレンを例に挙げたが、ハンセン溶解度パラメータδが１７．６≦δ≦１８．０の範囲に含まれる有機溶剤であれば、他の有機溶剤であっても良い。
【符号の説明】
【００５６】
１      基板
２      正孔注入電極
３      架橋性高分子正孔注入層
４      低分子正孔輸送層
５      高分子発光層
６      電子注入電極
１００  有機ＥＬ素子
【図１】
2015035370.tif 000009
【図２】
2015035370.tif 000010