(57)【要約】【課題】工程を増加させたり信頼性を低下させたりすることなく基板の表面の平坦性を向上させることができる電気光学装置、電気光学装置の製造方法、およびこれを備えた電子機器を提供する。【解決手段】液晶装置１は、表示領域Ｅと表示領域Ｅを囲むシール領域Ｓとを有し、素子基板２０と、素子基板２０に対向配置された対向基板３０と、素子基板２０と対向基板３０との間に設けられシール領域Ｓに配置された光硬化性樹脂からなるシール材４２と、素子基板２０と対向基板３０とシール材４２とで囲まれた空間に配置された液晶層４０と、を備え、素子基板２０は、表示領域Ｅに設けられた複数のマイクロレンズＭＬ１と、シール領域Ｓに設けられた複数のマイクロレンズＭＬ２と、表示領域Ｅとシール領域Ｓとに亘って設けられた透光層１４とを有し、マイクロレンズＭＬ２の集光度はマイクロレンズＭＬ１の集光度よりも小さいことを特徴とする。【選択図】図３
2015022100.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の基板と、
前記第１の基板に対向配置された第２の基板と、
前記第１の基板と前記第２の基板との間に設けられ、環状に形成された光硬化性樹脂からなるシール材と、
前記第１の基板と前記第２の基板との間における前記シール材で囲まれた空間に配置された電気光学層と、を備え、
前記第１の基板は、表示領域に設けられた複数の第１のマイクロレンズと、前記シール材と重なる領域に設けられた複数の第２のマイクロレンズと、を有し、
前記複数の第２のマイクロレンズの集光度は、前記複数の第１のマイクロレンズの集光度よりも小さいことを特徴とする電気光学装置。
【請求項２】
請求項１に記載の電気光学装置であって、
前記第１のマイクロレンズおよび前記第２のマイクロレンズは平坦部を有しており、
前記第２のマイクロレンズの単位面積当たりの前記平坦部の面積は、前記第１のマイクロレンズの単位面積当たりの前記平坦部の面積よりも大きいことを特徴とする電気光学装置。
【請求項３】
請求項１に記載の電気光学装置であって、
前記第２のマイクロレンズの曲率半径は、前記第１のマイクロレンズの曲率半径よりも大きいことを特徴とする電気光学装置。
【請求項４】
請求項１から３のいずれか一項に記載の電気光学装置であって、
前記シール材と重なる領域における前記複数の第２のマイクロレンズを構成するレンズ材料の単位体積当たりの密度は、前記表示領域における前記複数の第１のマイクロレンズを構成するレンズ材料の単位体積当たりの密度と略同一であることを特徴とする電気光学装置。
【請求項５】
請求項４に記載の電気光学装置であって、
前記第２のマイクロレンズのレンズ径は、前記第１のマイクロレンズのレンズ径よりも大きく、
隣り合う前記第２のマイクロレンズ同士の間隔は、隣り合う前記第１のマイクロレンズのレンズ同士の間隔よりも大きいことを特徴とする電気光学装置。
【請求項６】
請求項１から５のいずれか一項に記載の電気光学装置であって、
前記シール材と重なる領域に、前記表示領域の１辺に沿って複数の前記第２のマイクロレンズが一列に配置された第１の列と、前記第１の列と隣り合うように前記１辺に沿って複数の前記第２のマイクロレンズが一列に配置された第２の列と、を有し、
前記第１の列に含まれる前記第２のマイクロレンズと前記第２の列に含まれる前記第２のマイクロレンズとは、前記１辺に沿った方向に相互にずれて配置されていることを特徴とする電気光学装置。
【請求項７】
請求項１から６のいずれか一項に記載の電気光学装置であって、
前記第２の基板は、前記表示領域に形成された複数の第３のマイクロレンズと、前記シール材と重なる領域に形成され前記第３のマイクロレンズの集光度よりも小さい集光度を有する複数の第４のマイクロレンズと、を有し、
前記第２のマイクロレンズと前記第４のマイクロレンズとは、平面視で少なくとも一方向に相互にずれて配置されていることを特徴とする電気光学装置。
【請求項８】
請求項１から７のいずれ一項に記載の電気光学装置を備えていることを特徴とする電子機器。
【請求項９】
対向配置された第１の基板と第２の基板との間に環状に配置された光硬化性樹脂からなるシール材と、前記第１の基板と前記第２の基板との間における前記シール材で囲まれた空間に配置された電気光学層と、を備えた電気光学装置の製造方法であって、
前記第１の基板の表示領域に第１のマイクロレンズを複数形成するとともに、前記第１の基板の前記シール材と重なる領域に前記第１のマイクロレンズの集光度よりも小さい集光度を有する第２のマイクロレンズを複数形成する工程と、
前記第１のマイクロレンズと前記第２のマイクロレンズとを覆うように平坦化層を形成する工程と、
前記平坦化層の表面を平坦化する工程と、を備えたこと特徴とする電気光学装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電気光学装置、電気光学装置の製造方法、および電子機器に関する。
【背景技術】
【０００２】
素子基板と対向基板との間に電気光学物質（例えば、液晶など）を備えた電気光学装置が知られている。電気光学装置として、例えば、プロジェクターの液晶ライトバルブとして用いられる液晶装置などを挙げることができる。このような液晶装置においては、高い光利用効率を実現することが求められている。
【０００３】
液晶装置は、素子基板および対向基板とこれら２つの基板を接合するシール材とで構成された空間の内部に液晶が封入された構成を有している。そして、素子基板上の画素の領域外に画素を駆動するＴＦＴ素子や配線などが設けられ、これらと平面的に重なるように遮光層が設けられる。そのため、入射する光の一部は遮光層で遮光されて利用されない。そこで、液晶装置の素子基板および対向基板の少なくとも一方にマイクロレンズを備えることにより、入射した光をマイクロレンズで集光して光の利用効率を高める構成が知られている。
【０００４】
素子基板または対向基板にマイクロレンズを形成する方法は、例えば、基板上にフォトリソグラフィ法などを用いてレンズ面を構成する凹部を複数形成する。そして、基板の凹部が形成された面に、凹部を埋めるように基板とは屈折率が異なる透光層を形成して、基板の凹部に起因して凹凸状となった透光層の表面にＣＭＰ処理等の平坦化処理を施すことにより、マイクロレンズが形成される。
【０００５】
ところで、マイクロレンズのレンズ面を構成する凹部は、液晶装置において表示に寄与する表示領域に設けられるが、表示領域の外側のシール材が配置されるシール領域には設けられない。そのため、凹部が設けられた表示領域では透光層が凹部を埋めて形成されるが、凹部が設けられていないシール領域では表示領域に対して透光層が盛り上がるように形成されるため、透光層の表面に大きな段差が生じてしまうこととなる。その結果、透光層の表面を平坦化する工程の工数が増加するという課題がある。また、段差が大きいことにより透光層の表面を平坦化することが困難な場合があるという課題がある。
【０００６】
そこで、基板のシール領域に溝部を形成し、凹部と溝部とを埋めるように透光層（充填層）を塗布することで、透光層における表示領域とシール領域との段差を抑えることにより、透光層の表面を平坦化する工程の工数を低減するとともに、平坦性の向上を図る方法が提案されている（例えば、特許文献１参照）。特許文献１に記載の方法では、基板に凹部を形成するエッチング工程の前に、溝部を形成するエッチング工程が行われる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００７】
【特許文献１】特開２００９−２７１４６８号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
しかしながら、特許文献１の方法では、凹部と溝部とを別々のエッチング工程で形成するため、エッチング工程の増加を招く。また、凹部を形成するエッチング工程において、エッチング用のマスクをパターニングするために、例えばスピンコート法によりレジストを塗布する際に、基板の凹部が形成される面に先に形成された溝部により段差が生じているため、段差の角部でレジストの濡れ広がりが阻害されて塗りムラや塗り残し（十分に塗布されていない部分）ができるおそれがある。
【０００９】
そこで、凹部を形成するエッチング工程において、シール領域にも凹部を形成すれば、エッチング工程の増加が避けられ、表示領域とシール領域との段差によるレジストの塗りムラや塗り残しが回避できるとともに、透光層の表面の平坦性をより向上させることができる。しかしながら、このような方法では、シール領域にもマイクロレンズが配置されるため、素子基板と対向基板とを接合するシール材に光硬化性樹脂を用いる場合、マイクロレンズの集光効果により樹脂を硬化させるための光の照射が強くなる部分と弱くなる部分とができることとなる。そのため、シール材内に硬化が十分でない部分や未硬化部分が生じ、その部分からシール材の内部に水分が侵入して液晶層が劣化し液晶装置の信頼性低下を招いてしまうという課題がある。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本発明は、上述の課題の少なくとも一部を解決するためになされたものであり、以下の形態または適用例として実現することが可能である。
【００１１】
［適用例１］本適用例に係る電気光学装置は、第１の基板と、前記第１の基板に対向配置された第２の基板と、前記第１の基板と前記第２の基板との間に設けられ、環状に形成された光硬化性樹脂からなるシール材と、前記第１の基板と前記第２の基板との間における前記シール材で囲まれた空間に配置された電気光学層と、を備え、前記第１の基板は、表示領域に設けられた複数の第１のマイクロレンズと、前記シール材と重なる領域に設けられた複数の第２のマイクロレンズと、を有し、前記複数の第２のマイクロレンズの集光度は、前記複数の第１のマイクロレンズの集光度よりも小さいことを特徴とする。
【００１２】
本適用例の構成によれば、第１の基板は、表示領域に複数の第１のマイクロレンズを有し、環状に形成されたシール材と重なる領域に複数の第２のマイクロレンズを有している。そのため、第１の基板上の表示領域には複数の第１のマイクロレンズに起因する凹凸が存在し、シール材と重なる領域には複数の第２のマイクロレンズに起因する凹凸が存在する。したがって、シール材と重なる領域に第２のマイクロレンズが設けられていない場合と比べて、表示領域とシール材と重なる領域とに亘って複数の第１のマイクロレンズと複数の第２のマイクロレンズとを覆う平坦化層を形成する場合に、平坦化層の表面に大きな段差が生じることが抑えられるので、平坦化層の表面の平坦性を向上できる。これにより、電気光学層が配置される第１の基板と第２の基板との間のギャップの均一性を向上できるので、電気光学装置の表示品質を向上させることができる。
【００１３】
また、第２のマイクロレンズの集光度は第１のマイクロレンズの集光度よりも小さいので、シール材と重なる領域における単位面積当たりの光が通過する面積は、表示領域における単位面積当たりの光が通過する面積よりも大きくなる。したがって、第２のマイクロレンズの集光度が第１のマイクロレンズの集光度と同じ場合と比べて、光硬化性樹脂からなるシール材を光で硬化させる際に、シール材内に硬化が十分でない部分や未硬化部分が生じにくくなる。これにより、シール材の内部に配置された電気光学層への水分の侵入が抑えられるので、電気光学装置の信頼性を向上させることができる。
【００１４】
さらに、第１の基板に第１のマイクロレンズと第２のマイクロレンズとを同一の工程で形成することができるので、第１のマイクロレンズを形成する工程の前にシール材と重なる領域に溝部を形成する工程を有する場合と比べて、工程を少なくすることができる。そして、第１のマイクロレンズを形成する工程では溝部による段差が生じていないので、段差に起因するレジストの塗りムラや塗り残しの発生を抑えることができる。
【００１５】
［適用例２］上記適用例に係る電気光学装置であって、前記第１のマイクロレンズおよび前記第２のマイクロレンズは平坦部を有しており、前記第２のマイクロレンズの単位面積当たりの前記平坦部の面積は、前記第１のマイクロレンズの単位面積当たりの前記平坦部の面積よりも大きいことが好ましい。
【００１６】
本適用例の構成によれば、第２のマイクロレンズの単位面積当たりの平坦部の面積は、第１のマイクロレンズの単位面積当たりの平坦部の面積よりも大きい。マイクロレンズの平坦部は集光効果がないので、第１のマイクロレンズよりも単位面積当たりの平坦部の面積が大きい第２のマイクロレンズの集光度を、第１のマイクロレンズの集光度よりも小さくできる。
【００１７】
［適用例３］上記適用例に係る電気光学装置であって、前記第２のマイクロレンズの曲率半径は、前記第１のマイクロレンズの曲率半径よりも大きいことが好ましい。
【００１８】
本適用例の構成によれば、第２のマイクロレンズの曲率半径は第１のマイクロレンズの曲率半径よりも大きい。曲率半径が大きい程マイクロレンズの焦点距離が長くなるので、第１のマイクロレンズよりも曲率半径が大きい第２のマイクロレンズの集光度を、第１のマイクロレンズの集光度よりも小さくできる。
【００１９】
［適用例４］上記適用例に係る電気光学装置であって、前記シール材と重なる領域における前記複数の第２のマイクロレンズを構成するレンズ材料の単位体積当たりの密度は、前記表示領域における前記複数の第１のマイクロレンズを構成するレンズ材料の単位体積当たりの密度と略同一であることが好ましい。
【００２０】
第１の基板上の表示領域には第１のマイクロレンズに起因する凹凸が存在しシール材と重なる領域には第２のマイクロレンズに起因する凹凸が存在するので、表示領域とシール材と重なる領域とに亘って平坦化層を形成する場合、平坦化層の表面には第１のマイクロレンズに起因する凹凸と第２のマイクロレンズに起因する凹凸とが反映される。本適用例の構成によれば、シール材と重なる領域におけるレンズ材料の単位体積当たりの密度が表示領域におけるレンズ材料の単位体積当たりの密度と略同一である。したがって、平坦化層の表面にＣＭＰ処理等の平坦化処理を施す際に、平坦化層のうち除去される凹凸がある部分の量が表示領域とシール材と重なる領域とで略同一となるので、平坦化層の表面の平坦性をより向上させることができる。
【００２１】
［適用例５］上記適用例に係る電気光学装置であって、前記第２のマイクロレンズのレンズ径は、前記第１のマイクロレンズのレンズ径よりも大きく、隣り合う前記第２のマイクロレンズ同士の間隔は、隣り合う前記第１のマイクロレンズのレンズ同士の間隔よりも大きいことが好ましい。
【００２２】
第２のマイクロレンズのレンズ径が第１のマイクロレンズのレンズ径よりも大きいので、第２のマイクロレンズの平面積は第１のマイクロレンズの平面積よりも大きい。そのため、隣り合う第２のマイクロレンズ同士の間隔が隣り合う第１のマイクロレンズ同士の間隔と同じであると、シール材と重なる領域におけるレンズ材料の単位体積当たりの密度は表示領域におけるレンズ材料の単位体積当たりの密度よりも小さくなる。本適用例の構成によれば、隣り合う第２のマイクロレンズ同士の間隔が隣り合う第１のマイクロレンズ同士の間隔よりも大きいので、レンズ材料の単位体積当たりの密度を表示領域とシール材と重なる領域とで略同一とすることが可能となる。
【００２３】
［適用例６］上記適用例に係る電気光学装置であって、前記シール材と重なる領域に、前記表示領域の１辺に沿って複数の前記第２のマイクロレンズが一列に配置された第１の列と、前記第１の列と隣り合うように前記１辺に沿って複数の前記第２のマイクロレンズが一列に配置された第２の列と、を有し、前記第１の列に含まれる前記第２のマイクロレンズと前記第２の列に含まれる前記第２のマイクロレンズとは、前記１辺に沿った方向に相互にずれて配置されていることが好ましい。
【００２４】
第２のマイクロレンズの集光効果により、万一シール材内に硬化が十分でない部分や未硬化部分が生じてしまった場合、これらの部分では水分が侵入し易くなる。本適用例の構成によれば、第１の列に含まれる第２のマイクロレンズと、第１の列と隣り合う第２の列に含まれる第２のマイクロレンズとが、表示領域の１辺に沿った方向に相互にずれて配置されているので、ずれて配置されていない場合と比べて、シール材の水分が侵入し易い部分も相互にずれて配置される。そのため、シール材の内側への水分の侵入経路を長くできるので、シール材の内側への水分の侵入をより効果的に抑えることができる。
【００２５】
［適用例７］上記適用例に係る電気光学装置であって、前記第２の基板は、前記表示領域に形成された複数の第３のマイクロレンズと、前記シール材と重なる領域に形成され前記第３のマイクロレンズの集光度よりも小さい集光度を有する複数の第４のマイクロレンズと、を有し、前記第２のマイクロレンズと前記第４のマイクロレンズとは、平面視で少なくとも一方向に相互にずれて配置されていることが好ましい。
【００２６】
本適用例の構成によれば、第２の基板は、表示領域に第３のマイクロレンズを有し、環状に形成されたシール材と重なる領域に第３のマイクロレンズの集光度よりも小さい集光度を有する第４のマイクロレンズを有している。そのため、第２の基板においても第１の基板と同様に、表示領域とシール材と重なる領域とに亘って複数の第３のマイクロレンズと複数の第４のマイクロレンズとを覆う平坦化層を形成する場合に、工数を増加させることなく、平坦化層の表面の平坦性を向上させることができる。また、第２のマイクロレンズと第４のマイクロレンズとが平面視で相互にずれて配置されているので、第１の基板および第２の基板の双方の側から光を照射してシール材を硬化させる際に、第２のマイクロレンズの集光効果により通過する光が強くなる部分および弱くなる部分の位置と、第４のマイクロレンズの集光効果により通過する光が強くなる部分および弱くなる部分の位置とが相互にずれる。そのため、第２のマイクロレンズと第４のマイクロレンズとがずれていない場合と比べて、シール材において光が通過する面積が広くなるので、シール材内に生じる硬化が十分でない部分や未硬化部分を少なくすることができる。
【００２７】
［適用例８］本適用例に係る電子機器は、上記適用例の電気光学装置を備えていることを特徴とする。
【００２８】
本適用例の構成によれば、表示品質および信頼性に優れた電気光学装置を備えているので、表示品質および信頼性に優れた電子機器を提供することができる。
【００２９】
［適用例９］本適用例に係る電気光学装置の製造方法は、対向配置された第１の基板と第２の基板との間に環状に配置された光硬化性樹脂からなるシール材と、前記第１の基板と前記第２の基板との間における前記シール材で囲まれた空間に配置された電気光学層と、を備えた電気光学装置の製造方法であって、前記第１の基板の表示領域に第１のマイクロレンズを複数形成するとともに、前記第１の基板の前記シール材と重なる領域に前記第１のマイクロレンズの集光度よりも小さい集光度を有する第２のマイクロレンズを複数形成する工程と、前記第１のマイクロレンズと前記第２のマイクロレンズとを覆うように平坦化層を形成する工程と、前記平坦化層の表面を平坦化する工程と、を備えたこと特徴とする。
【００３０】
本適用例の方法によれば、第１の基板の表示領域に第１のマイクロレンズを形成し、同じ工程で、シール材と重なる領域に第２のマイクロレンズを形成する。そのため、第１の基板上の表示領域には第１のマイクロレンズに起因する凹凸ができ、シール材と重なる領域には第２のマイクロレンズに起因する凹凸ができる。したがって、シール材と重なる領域に第２のマイクロレンズが設けられていない場合と比べて、表示領域とシール材と重なる領域とに亘って平坦化層を形成する工程において、平坦化層の表面に大きな段差が生じることが抑えられるので、平坦化層の表面を平坦化する工程において平坦化層の平坦性を向上できる。これにより、電気光学層が配置される第１の基板と第２の基板との間のギャップの均一性を向上できるので、電気光学装置の表示品質を向上させることができる。
【００３１】
また、第２のマイクロレンズの集光度は第１のマイクロレンズの集光度よりも小さいので、シール材と重なる領域における単位面積当たりの光が通過する面積は、表示領域における単位面積当たりの光が通過する面積よりも大きくなる。したがって、第２のマイクロレンズの集光度が第１のマイクロレンズの集光度と同じ場合と比べて、光硬化性樹脂からなるシール材を光で硬化させる際に、シール材内に硬化が十分でない部分や未硬化部分が生じにくくなる。これにより、シール材の内部に配置された電気光学層への水分の侵入が抑えられるので、電気光学装置の信頼性を向上させることができる。
【００３２】
さらに、第１の基板に第１のマイクロレンズと第２のマイクロレンズとを同一の工程で形成することができるので、第１のマイクロレンズを形成する工程の前にシール材と重なる領域に溝部を形成する工程を有する場合と比べて、工程を少なくすることができる。そして、第１のマイクロレンズを形成する工程では溝部による段差が生じていないので、段差に起因するレジストの塗りムラや塗り残しの発生を抑えることができる。
【図面の簡単な説明】
【００３３】
【図１】第１の実施形態に係る液晶装置の構成を示す概略平面図。
【図２】第１の実施形態に係る液晶装置の電気的な構成を示す等価回路図。
【図３】第１の実施形態に係る液晶装置の構成を示す概略断面図。
【図４】第１の実施形態に係るマイクロレンズの構成を示す概略図。
【図５】第１の実施形態に係るマイクロレンズアレイ基板の製造方法を示す概略断面図。
【図６】第１の実施形態に係るマイクロレンズアレイ基板の製造に用いるマスクの構成を示す概略平面図。
【図７】第２の実施形態に係る液晶装置の構成を示す概略断面図。
【図８】第２の実施形態に係るマイクロレンズの構成を示す概略図。
【図９】第２の実施形態に係るマイクロレンズアレイ基板の製造方法を示す概略断面図。
【図１０】第３の実施形態に係るマイクロレンズアレイ基板の構成を示す概略平面図。
【図１１】第４の実施形態に係る液晶装置の構成を示す概略断面図。
【図１２】第４の実施形態に係る液晶装置のシール領域Ｓを示す部分拡大図。
【図１３】第５の実施形態に係る電子機器としてのプロジェクターの構成を示す概略図。
【図１４】比較例に係る液晶装置の構成を示す概略断面図。
【発明を実施するための形態】
【００３４】
以下、本発明を具体化した実施形態について図面を参照して説明する。使用する図面は、説明する部分が認識可能な状態となるように、適宜拡大、縮小、あるいは誇張して表示している。また、説明に必要な構成要素以外は図示を省略する場合がある。
【００３５】
なお、以下の形態において、例えば「基板上に」と記載された場合、基板の上に接するように配置される場合、または基板の上に他の構成物を介して配置される場合、または基板の上に一部が接するように配置され、一部が他の構成物を介して配置される場合を表すものとする。
【００３６】
（第１の実施形態）
＜電気光学装置＞
ここでは、電気光学装置として、薄膜トランジスター（Thin Film Transistor；ＴＦＴ）を画素のスイッチング素子として備えたアクティブマトリックス型の液晶装置を例に挙げて説明する。この液晶装置は、例えば、後述する投射型表示装置（プロジェクター）の光変調素子（液晶ライトバルブ）として好適に用いることができるものである。
【００３７】
まず、第１の実施形態に係る電気光学装置としての液晶装置について、図１、図２、および図３を参照して説明する。図１は、第１の実施形態に係る液晶装置の構成を示す概略平面図である。図２は、第１の実施形態に係る液晶装置の電気的な構成を示す等価回路図である。図３は、第１の実施形態に係る液晶装置の構成を示す概略断面図である。詳しくは、図３は、図１のＡ−Ａ’線に沿った概略断面図である。
【００３８】
図１および図３に示すように、第１の実施形態に係る液晶装置１は、第１の基板としての素子基板２０と、素子基板２０に対向配置された第２の基板としての対向基板３０と、シール材４２と、液晶層４０とを備えている。素子基板２０と対向基板３０とは、対向配置されている。図１に示すように、素子基板２０は対向基板３０よりも大きく、両基板は、対向基板３０の縁部に沿って額縁状に配置されたシール材４２を介して接合されている。
【００３９】
液晶層４０は、素子基板２０と対向基板３０との間におけるシール材４２によって囲まれた空間に封入された、正または負の誘電異方性を有する液晶で構成されている。シール材４２は、例えば光硬化性（紫外線硬化性）のエポキシ樹脂などの接着剤からなる。シール材４２には、素子基板２０と対向基板３０との間隔を一定に保持するためのスペーサー（図示省略）が混入されている。シール材４２は、素子基板２０と対向基板３０とを接合する機能とともに、液晶層４０への水分の侵入を抑止する機能を有する。
【００４０】
シール材４２は、シール領域Ｓに配置されている。シール材４２の内側には、遮光層２２（２６、３２）が設けられている。遮光層２２（２６、３２）は、例えば遮光性の金属あるいは金属酸化物などからなる。遮光層２２（２６、３２）は額縁状の周縁部を有しており、遮光層２２（２６、３２）の周縁部と重なるように、ダミー領域Ｄが配置されている。
【００４１】
ダミー領域Ｄの内側は、複数の画素Ｐが配列された表示領域Ｅとなっている。表示領域Ｅは、液晶装置１において実質的に表示に寄与する領域である。一方、ダミー領域Ｄは実質的に表示に寄与しない領域である。シール領域Ｓは、表示領域Ｅおよびダミー領域Ｄの周囲を囲むように配置されている。
【００４２】
画素Ｐは、例えば、略矩形状を有し、表示領域Ｅ内にマトリックス状に配列されている。遮光層２２（２６、３２）は、表示領域Ｅにおいて、複数の画素Ｐを平面的に区画するように、例えば格子状に設けられている。
【００４３】
素子基板２０の第１辺に沿って形成されたシール材４２の表示領域Ｅと反対側には、第１辺に沿ってデータ線駆動回路５１および複数の外部接続端子５４が設けられている。また、その第１辺に対向する他の第２辺に沿ったシール材４２の表示領域Ｅ側には、検査回路５３が設けられている。さらに、これらの２辺と直交し互いに対向する他の２辺に沿ったシール材４２の内側には、走査線駆動回路５２が設けられている。
【００４４】
検査回路５３が設けられた第１辺のシール材４２の内側には、２つの走査線駆動回路５２を繋ぐ複数の配線５５が設けられている。これらデータ線駆動回路５１、走査線駆動回路５２に繋がる配線は、複数の外部接続端子５４に接続されている。また、対向基板３０の角部には、素子基板２０と対向基板３０との間で電気的導通をとるための上下導通部５６が設けられている。なお、検査回路５３の配置はこれに限定されず、データ線駆動回路５１と表示領域Ｅとの間のシール材４２の内側に沿った位置に設けてもよい。
【００４５】
以下の説明では、データ線駆動回路５１が設けられた第１辺に沿った方向をＸ方向とし、この第１辺と直交し互いに対向する他の２辺に沿った方向をＹ方向とする。Ｘ方向は、図１のＡ−Ａ’線に沿った方向である。遮光層２２（２６、３２）は、Ｘ方向とＹ方向とに沿った格子状に設けられている。画素Ｐは、遮光層２２によって格子状に区画され、Ｘ方向とＹ方向とに沿ったマトリックス状に配列されている。
【００４６】
また、Ｘ方向およびＹ方向と直交し図１における上方に向かう方向をＺ方向とする。なお、本明細書では、液晶装置１の対向基板３０側表面の法線方向（Ｚ方向）から見ることを「平面視」という。
【００４７】
図２に示すように、表示領域Ｅには、走査線２とデータ線３とが互いに交差するように形成され、走査線２とデータ線３との交差に対応して画素Ｐが設けられている。画素Ｐのそれぞれには、画素電極２８と、スイッチング素子としてのＴＦＴ２４（Thin Film Transistor：薄膜トランジスター）とが設けられている。
【００４８】
ＴＦＴ２４のソース電極（図示しない）は、データ線駆動回路５１から延在するデータ線３に電気的に接続されている。データ線３には、データ線駆動回路５１（図１参照）から画像信号（データ信号）Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎが線順次で供給される。ＴＦＴ２４のゲート電極（図示しない）は、走査線駆動回路５２から延在する走査線２の一部である。走査線２には、走査線駆動回路５２から走査信号Ｇ１、Ｇ２、…、Ｇｍが線順次で供給される。ＴＦＴ２４のドレイン電極（図示しない）は、画素電極２８に電気的に接続されている。
【００４９】
画像信号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎは、ＴＦＴ２４を一定期間だけオン状態とすることにより、データ線３を介して画素電極２８に所定のタイミングで書き込まれる。このようにして画素電極２８を介して液晶層４０に書き込まれた所定レベルの画像信号は、対向基板３０に設けられた共通電極３４（図３参照）との間に形成される液晶容量で一定期間保持される。
【００５０】
なお、保持された画像信号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎがリークするのを防止するため、走査線２に沿って形成された容量線４と画素電極２８との間に蓄積容量５が形成され、液晶容量と並列に配置されている。このように、各画素Ｐの液晶に電圧信号が印加されると、印加された電圧レベルにより液晶の配向状態が変化する。これにより、液晶層４０（図３参照）に入射した光が変調されて階調表示が可能となる。
【００５１】
液晶層４０を構成する液晶は、印加される電圧レベルにより分子集合の配向や秩序が変化することにより、光を変調し、階調表示を可能とする。例えば、ノーマリーホワイトモードの場合、各画素Ｐの単位で印加された電圧に応じて入射光に対する透過率が減少する。ノーマリーブラックモードの場合、各画素Ｐの単位で印加された電圧に応じて入射光に対する透過率が増加し、全体として液晶装置１からは画像信号に応じたコントラストをもつ光が射出される。
【００５２】
図３に示すように、素子基板２０は、マイクロレンズアレイ基板１０と、光路長調整層２１と、遮光層２２と、絶縁層２３と、スイッチング素子のＴＦＴ２４と、絶縁層２５と、遮光層２６と、絶縁層２７と、画素電極２８と、配向膜２９とを備えている。
【００５３】
マイクロレンズアレイ基板１０は、基板１１と、透光層１４とを備えている。基板１１は、例えばガラスや石英などの光透過性を有する無機材料からなる。基板１１は、液晶層４０側の面に形成された凹部１２と凹部１３とを有している。凹部１２および凹部１３は、その底部側から液晶層４０側に向かって広がるように形成されている。
【００５４】
凹部１２は、表示領域Ｅとダミー領域Ｄとに配置されている。表示領域Ｅには、複数の凹部１２が画素Ｐに対応して配置されている。また、ダミー領域Ｄには、複数の凹部１２が、表示領域Ｅにおける凹部１２の配置ピッチと略同一の配置ピッチで配置されている。凹部１３は、シール領域Ｓに配置されている。
【００５５】
透光層１４は、基板１１上に表示領域Ｅおよびダミー領域Ｄとシール領域Ｓとに亘って設けられている。透光層１４は、凹部１２および凹部１３を埋め込むように形成されている。透光層１４は、光透過性を有し、基板１１とは異なる屈折率を有する材料からなる。より具体的には、透光層１４は、基板１１よりも光屈折率の高い無機材料からなる。このような無機材料としては、例えばＳｉＯＮ、Ａｌ2Ｏ3などが挙げられる。
【００５６】
透光層１４を形成する材料で凹部１２を埋め込むことにより、第１のマイクロレンズとしての凸状のマイクロレンズＭＬ１が構成される。また、透光層１４を形成する材料で凹部１３を埋め込むことにより、第２のマイクロレンズとしての凸状のマイクロレンズＭＬ２が構成される。マイクロレンズＭＬ２の集光度は、マイクロレンズＭＬ１の集光度よりも小さい。本実施形態では、透光層１４の材料がマイクロレンズＭＬ１，ＭＬ２のレンズ材料となる。
【００５７】
透光層１４は凹部１２および凹部１３の深さよりも厚く形成されており、透光層１４の表面は略平坦な面となっている。すなわち、透光層１４は、凹部１２および凹部１３を埋めてマイクロレンズＭＬ１およびマイクロレンズＭＬ２を構成する部分と、基板１１の上面とマイクロレンズＭＬ１およびマイクロレンズＭＬ２とを覆う平坦化層の役割を果たす部分と有している。
【００５８】
詳細は後述するが、表示領域Ｅの外側に凹部１２が配置されたダミー領域Ｄを設けることで、表示領域Ｅの外縁部において、透光層１４の表面、すなわちマイクロレンズアレイ基板１０の表面の平坦性が向上する。これにより、表示領域Ｅにおいて液晶層４０の層厚をより均一にでき、入射光の屈折などの光学条件を同じにできるので、液晶装置１の画像品質を向上させることができる。
【００５９】
また、シール領域Ｓに凹部１３を設けることで、基板１１上に透光層１４の材料を配置した際に、シール領域Ｓ、ダミー領域Ｄ、および表示領域Ｅに亘って透光層１４の表面の段差が抑えられるので、凹部１３が設けられていない場合と比べて透光層１４の表面をより容易に平坦化することができ、その結果、透光層１４の表面の平坦性も向上する。これにより、マイクロレンズアレイ基板１０の全領域に亘って表面の平坦性を向上させることができる。
【００６０】
光路長調整層２１は、マイクロレンズアレイ基板１０を覆うように設けられている。光路長調整層２１は、光透過性を有し、例えば、基板１１とほぼ同じ屈折率を有する無機材料からなる。光路長調整層２１は、マイクロレンズＭＬ１から遮光層２２までの距離を所望の値に合わせる機能を有する。したがって、光路長調整層２１の層厚は、光の波長に応じたマイクロレンズＭＬ１の焦点距離などの光学条件に基づいて適宜設定される。
【００６１】
遮光層２２は、光路長調整層２１上に設けられている。遮光層２２は、上層の遮光層２６に平面視で重なるように格子状に形成されている。遮光層２２および遮光層２６は、素子基板２０の厚さ方向（Ｚ方向）において、ＴＦＴ２４を間に挟むように配置されている。遮光層２２は、ＴＦＴ２４の少なくともチャネル領域と平面視で重なっている。遮光層２２および遮光層２６が設けられていることにより、ＴＦＴ２４への光の入射が抑制される。遮光層２２に囲まれた領域（開口部２２ａ内）、および、遮光層２６に囲まれた領域（開口部２６ａ内）は、平面視で互いに重なっており光が透過する領域となる。
【００６２】
絶縁層２３は、光路長調整層２１と遮光層２２とを覆うように設けられている。絶縁層２３は、例えば、ＳｉＯ2などの無機材料からなる。
【００６３】
ＴＦＴ２４は、絶縁層２３上に設けられている。ＴＦＴ２４は、画素電極２８を駆動するスイッチング素子である。ＴＦＴ２４は、図示しない半導体層、ゲート電極、ソース電極、およびドレイン電極で構成されている。半導体層には、ソース領域、チャネル領域、およびドレイン領域が形成されている。チャネル領域とソース領域、又は、チャネル領域とドレイン領域との界面にはＬＤＤ（Lightly Doped Drain）領域が形成されていてもよい。
【００６４】
ゲート電極は、素子基板２０において平面視で半導体層のチャネル領域と重なる領域に絶縁層２５の一部（ゲート絶縁膜）を介して形成されている。図示を省略するが、ゲート電極は、下層側に配置された走査線にコンタクトホールを介して電気的に接続されており、走査信号が印加されることによってＴＦＴ２４をオン／オフ制御している。
【００６５】
絶縁層２５は、絶縁層２３とＴＦＴ２４とを覆うように設けられている。絶縁層２５は、例えば、ＳｉＯ2などの無機材料からなる。絶縁層２５は、ＴＦＴ２４の半導体層とゲート電極との間を絶縁するゲート絶縁膜を含む。絶縁層２５により、ＴＦＴ２４によって生じる表面の凹凸が緩和される。絶縁層２５上には、遮光層２６が設けられている。そして、絶縁層２５と遮光層２６とを覆うように、無機材料からなる絶縁層２７が設けられている。
【００６６】
画素電極２８は、絶縁層２７上に、画素Ｐに対応して設けられている。画素電極２８は、遮光層２２の開口部２２ａおよび遮光層２６の開口部２６ａに平面視で重なる領域に配置されている。画素電極２８は、例えば、ＩＴＯ（Indium Tin Oxide）やＩＺＯ（Indium Zinc Oxide）などの透明導電膜からなる。配向膜２９は、画素電極２８を覆うように設けられている。
【００６７】
なお、ＴＦＴ２４と、ＴＦＴ２４に電気信号を供給する電極や配線など（図示しない）とは、平面視で遮光層２２および遮光層２６に重なる領域に設けられている。これらの電極や配線などが遮光層２２および遮光層２６を兼ねる構成であってもよい。
【００６８】
対向基板３０は、基板３１と、遮光層３２と、保護層３３と、共通電極３４と、配向膜３５とを備えている。基板３１は、例えばガラスや石英などの光透過性を有する材料からなる。遮光層３２は、素子基板２０の遮光層２２および遮光層２６に平面視で重なるように格子状に形成されている。遮光層３２に囲まれた領域（開口部３２ａ内）は、光が透過する領域となる。
【００６９】
保護層３３は、基板３１と遮光層３２とを覆うように設けられている。共通電極３４は、保護層３３を覆うように設けられている。共通電極３４は、複数の画素Ｐに跨って形成されている。共通電極３４は、例えば、ＩＴＯ（Indium Tin Oxide）やＩＺＯ（Indium Zinc Oxide）などの透明導電膜からなる。配向膜３５は、共通電極３４を覆うように設けられている。液晶層４０は、素子基板２０側の配向膜２９と対向基板３０側の配向膜３５との間に封入されている。
【００７０】
なお、保護層３３は共通電極３４の液晶層４０に面する表面が平坦となるように、遮光層３２を覆うものであって、必須な構成要素ではなく、例えば、導電性の遮光層３２を直接覆うように共通電極３４を形成してもよい。
【００７１】
第１の実施形態に係る液晶装置１では、例えば光源などから発せられた光は、マイクロレンズＭＬ１，ＭＬ２を備える素子基板２０（基板１１）側から入射し、マイクロレンズＭＬ１，ＭＬ２によって集光される。例えば、基板１１側から表示領域Ｅ内のマイクロレンズＭＬ１に入射する光のうち、画素Ｐの平面的な中心を通過する光軸に沿って入射した入射光Ｌ１は、マイクロレンズＭＬ１をそのまま直進し、液晶層４０を通過して対向基板３０側に射出される。
【００７２】
表示領域Ｅ内で入射光Ｌ１よりも外側の平面視で遮光層２２と重なる領域からマイクロレンズＭＬ１の周縁部に入射した入射光Ｌ２は、仮にそのまま直進した場合、破線で示すように遮光層２２で遮光されてしまうが、基板１１と透光層１４との間の光屈折率の差により、画素Ｐの平面的な中心側へ屈折する。液晶装置１では、このように直進した場合に遮光層２２で遮光されてしまう入射光Ｌ２も、マイクロレンズＭＬ１の集光作用により遮光層２２の開口部２２ａ内に入射させて液晶層４０を通過させることができる。この結果、対向基板３０側から射出される光の量を多くできるので、光の利用効率を高めることができる。
【００７３】
一方、シール領域Ｓ内のマイクロレンズＭＬ２は、凹部１３の平面的な中心に平坦部１３ｂ（図４（ａ）参照）を有しており、この平坦部１３ｂに入射した入射光Ｌ１は、マイクロレンズＭＬ２をそのまま直進し、シール材４２を通過して対向基板３０側に射出される。また、マイクロレンズＭＬ２の曲面部１３ａ（図４（ａ）参照）に入射した入射光Ｌ２は、基板１１と透光層１４との間の光屈折率の差により、凹部１３の平面的な中心側へ屈折する。なお、ダミー領域Ｄ内のマイクロレンズＭＬ１に入射する光（図示省略）は、遮光層２２，２６，３２により遮光される。
【００７４】
＜マイクロレンズ＞
続いて、第１の実施形態に係るマイクロレンズアレイ基板１０が有するマイクロレンズＭＬ１，ＭＬ２の構成について、図４を参照して説明する。図４は、第１の実施形態に係るマイクロレンズの構成を示す概略図である。詳しくは、図４（ａ）はマイクロレンズＭＬ１およびマイクロレンズＭＬ２の模式平面図であり、図４（ｂ）はマイクロレンズＭＬ１とマイクロレンズＭＬ２とを比較して示す模式断面図である。
【００７５】
図４（ａ）に示すように、表示領域Ｅおよびダミー領域Ｄにおいては、マイクロレンズＭＬ１（凹部１２）がマトリックス状に配列されている。シール領域Ｓにおいては、マイクロレンズＭＬ２（凹部１３）が、表示領域ＥのＸ方向に沿った１辺および表示領域ＥのＹ方向に沿った１辺に沿って配列されている。凹部１２および凹部１３は、平面視で略円形である。平面視した凹部１３の面積は、凹部１２の面積よりも大きい。したがって、マイクロレンズＭＬ２のレンズ径は、マイクロレンズＭＬ１のレンズ径よりも大きい。
【００７６】
Ｘ方向およびＹ方向において隣り合う凹部１２同士および隣り合う凹部１３同士は、図４（ａ）に示すように互いに接していてもよいし、離間されていてもよい。Ｘ方向およびＹ方向で構成される表示領域Ｅの対角線方向であるＷ方向において隣り合う凹部１２同士および隣り合う凹部１３同士の間は離間されている。
【００７７】
Ｗ方向において隣り合う凹部１２同士の間、すなわち各凹部１２の四隅は基板１１の上面であり、この部分を１１ａとする。また、Ｗ方向において隣り合う凹部１３同士の間、すなわち各凹部１３の四隅も基板１１の上面であり、この部分を１１ｂとする。遮光層２２、２６、３２（図３参照）は、Ｘ方向およびＹ方向において隣り合うマイクロレンズＭＬ１（凹部１２）同士の境界と重なるように配置される。
【００７８】
なお、図３および図４（ａ）では、マイクロレンズアレイ基板１０の構成をわかりやすく示すため、シール領域ＳにマイクロレンズＭＬ２を２列しか図示していないが、実際にはシール領域ＳにマイクロレンズＭＬ２が配列された多数の列を有しているものとする。
【００７９】
図４（ｂ）では、表示領域ＥにおけるマイクロレンズＭＬ１のＷ方向に沿った断面とシール領域ＳにおけるマイクロレンズＭＬ２のＷ方向に沿った断面とを比較して示している。図４（ｂ）に示すように、マイクロレンズＭＬ１（凹部１２）は、曲面部１２ａと平坦部１２ｂとを有している。平坦部１２ｂは、凹部１２の平面的な中心に位置する部分である。平坦部１２ｂは、Ｘ方向とＹ方向とで構成される平面に略平行で略平坦な部分であり、集光作用を有していない。曲面部１２ａは、平坦部１２ｂの周囲を囲む球面等の曲面で構成される部分であり、集光作用を有している。
【００８０】
Ｚ方向に沿って平坦部１２ｂに入射する光は、光Ｌ１のようにマイクロレンズＭＬ１をそのまま直進する。Ｚ方向に沿って曲面部１２ａに入射する光は、集光作用により、光Ｌ２のようにマイクロレンズＭＬ１の平面的な中心に向かって集光される。なお、凹部１２の形状は、後述するレンズ面形成工程におけるマスク層６０の開口部６１（図６参照）の大きさやエッチングを施す時間等によって異なる場合があり、凹部１２が平坦部１２ｂを有しておらず曲面部１２ａのみで構成されていてもよい。
【００８１】
マイクロレンズＭＬ２（凹部１３）は、曲面部１３ａと平坦部１３ｂとを有している。平坦部１３ｂは、凹部１３の平面的な中心に位置する部分である。平坦部１３ｂは、Ｘ方向とＹ方向とで構成される平面に略平行で略平坦な部分であり、集光作用を有していない。曲面部１３ａは、平坦部１３ｂの周囲を囲む球面等の曲面で構成される部分であり、集光作用を有している。曲面部１３ａの断面を球面に近似した時の曲率半径は、曲面部１２ａの断面を球面に近似した時の曲率半径と略同一である。なお、対角線方向（Ｗ方向）において隣り合う凹部１３同士の間の部分は平坦な上面である部分１１ｂとなっているので、この部分に入射する光は光Ｌ１と同様にそのまま直進する。
【００８２】
凹部１３における単位面積当たりの平坦部１３ｂの面積は、凹部１２における単位面積当たりの平坦部１２ｂの面積よりも大きい。したがって、マイクロレンズＭＬ２では、マイクロレンズＭＬ１と比べて、入射する光のうちマイクロレンズＭＬ２をそのまま直進する光Ｌ１の量が多い。すなわち、シール材４２（図３参照）が配置されたシール領域Ｓにおける単位面積当たりの光が通過する面積は、液晶層４０（図３参照）が配置された表示領域Ｅにおける単位面積当たりの光が通過する面積よりも大きい。換言すれば、マイクロレンズＭＬ２の集光度は、マイクロレンズＭＬ１の集光度よりも小さい。
【００８３】
基板１１のうち、基板１１の上面から凹部１２および凹部１３の底部までの厚さに対応する部分１１ｃには、凹部１２および凹部１３を埋め込む透光層１４の材料（レンズ材料）と、隣り合う凹部１２同士の間および隣り合う凹部１３同士の間に残された基板１１の材料とが存在する。この基板１１の部分１１ｃにおいて、凹部１２が形成された表示領域Ｅにおける基板１１の材料の単位体積当たりの密度と、凹部１３が形成されシール領域Ｓにおける基板１１の材料の単位体積当たりの密度とが略同一であることが好ましい。換言すれば、表示領域Ｅにおけるレンズ材料の単位体積当たりの密度と、シール領域Ｓにおけるレンズ材料の単位体積当たりの密度とが略同一であることが好ましい。また、そのため、シール領域Ｓにおいて隣り合う凹部１３同士の間の距離１３ｄは、表示領域Ｅにおいて隣り合う凹部１２同士の間の距離１２ｄよりも大きいことが好ましい。
【００８４】
上述した通り、マイクロレンズＭＬ２のレンズ径（凹部１３の径）はマイクロレンズＭＬ１のレンズ径（凹部１２の径）よりも大きい。したがって、隣り合う凹部１３同士の間の部分１１ｂの面積を隣り合う凹部１２同士の間の部分１１ａの面積よりも大きくすることで、シール領域Ｓにおける基板１１の単位体積当たりの密度と表示領域Ｅにおける基板１１の単位体積当たりの密度とを略同一にすることができる。なお、凹部１２が形成されたダミー領域Ｄにおける基板１１の単位体積当たりの密度は、表示領域Ｅにおける基板１１の単位体積当たりの密度と略同一となる。
【００８５】
＜電気光学装置の製造方法＞
次に、第１の実施形態に係るマイクロレンズアレイ基板１０の製造方法を含む液晶装置１の製造方法について説明する。図５は、第１の実施形態に係るマイクロレンズアレイ基板の製造方法を示す概略断面図である。詳しくは、図５の各図は、図１のＡ−Ａ’線に沿った断面図に相当する。図６は、第１の実施形態に係るマイクロレンズアレイ基板の製造に用いるマスクの構成を示す概略平面図である。
【００８６】
なお、図示しないが、マイクロレンズアレイ基板１０の製造工程では、マイクロレンズアレイ基板１０を複数枚取りできる大型の基板（マザー基板）で加工が行われ、最終的にそのマザー基板を切断して個片化することにより、複数のマイクロレンズアレイ基板１０が得られる。したがって、以下に説明する各工程では個片化する前のマザー基板の状態で加工が行われるが、ここでは、マザー基板の中の個別のマイクロレンズアレイ基板１０に対する加工について説明する。
【００８７】
まず、図５（ａ）に示すように、石英などからなる光透過性を有する基板１１の上面に、例えば、多結晶シリコンなどで、マスク層６０を形成する。マスク層６０は、例えば、化学気相成膜法（ＣＶＤ：Chemical Vapor Deposition）、スパッタリング法などを用いて形成できる。続いて、例えば、スピンコート法によりマスク層６０上にレジストを塗布してレジスト層６４を形成する。そして、フォトリソグラフィ法によりレジスト層６４をパターニングして、レジスト層６４に開口部６５と開口部６６とを形成する。開口部６５と開口部６６とは、図６に示すマスク層６０の開口部６１と開口部６２とのそれぞれに対応して形成される。
【００８８】
次に、図５（ｂ）に示すように、レジスト層６４をエッチング用マスクとしてマスク層６０にドライエッチング処理を施す。これにより、マスク層６０の開口部６５と重なる領域に開口部６１が形成され、開口部６６と重なる領域に開口部６２が形成される。ドライエッチング処理が終了した後、マスク層６０からレジスト層６４を除去する。
【００８９】
図６は、基板１１上に形成されたマスク層６０を上方から見た平面図である。図６において、後の工程で凹部１２および凹部１３が形成される位置を破線で示す。図６に示すように、マスク層６０において、開口部６１は、凹部１２が形成される位置に対応して表示領域Ｅとダミー領域Ｄとに設けられる。開口部６１は、凹部１２の平面的な中心となる位置に配置される。したがって、表示領域Ｅにおいては、開口部６１は画素Ｐの平面的な中心となる位置に配置される。開口部６２は、凹部１３が形成される位置に対応してシール領域Ｓに設けられる。開口部６２は、凹部１３の平面的な中心となる位置に配置される。開口部６２の開口面積は、開口部６１の開口面積よりも大きい。
【００９０】
次に、図５（ｃ）に示すように、基板１１に凹部１２および凹部１３を形成する。第１の実施形態では、図５（ｂ）に示すマスク層６０を介して基板１１に、例えばフッ酸溶液などのエッチング液を用いた、ウエットエッチングなどの等方性エッチング処理を施す。このエッチング処理により、基板１１が上面側から開口部６１および開口部６２を中心として等方的にエッチングされる。この結果、図５（ｃ）に示すように、表示領域Ｅとダミー領域Ｄとに開口部６１に対応して凹部１２が形成され、基板１１のシール領域Ｓに開口部６２に対応して凹部１３が形成される。
【００９１】
このエッチング処理において、凹部１２は平面視で開口部６１を中心として同心円状に形成され、凹部１３は開口部６２を中心として同心円状に形成される。開口部６１の端部からの平面方向（Ｘ方向およびＹ方向）におけるエッチング量Ｈ１と、開口部６２の端部からの平面方向におけるエッチング量Ｈ２とは略同一である（図６参照）。したがって、平面視した凹部１３の面積は凹部１２の面積よりも大きくなり、凹部１３の平坦部１３ｂの面積は凹部１２の平坦部１２ｂの面積よりも大きくなる（図４（ｂ）参照）。なお、凹部１２は、平坦部１２ｂがなく曲面部１２ａのみの状態で形成されていてもよい。
【００９２】
また、エッチング処理において、開口部６１における基板１１の上面からの厚さ方向（Ｚ方向）のエッチング量と、開口部６２における基板１１の上面からの厚さ方向のエッチング量とは略同一である。したがって、凹部１２の深さと凹部１３の深さとは略同一となる。エッチング処理が終了した後、基板１１からマスク層６０を除去する。
【００９３】
なお、エッチング処理においては、表示領域Ｅにおいて隣り合う凹部１２同士の間に基板１１の部分１１ａが残り、シール領域Ｓにおいて隣り合う凹部１３同士の間に基板１１の部分１１ｂが残っている状態でエッチング処理を停止する。基板１１の上面である部分１１ａ，１１ｂがなくなるまでエッチング処理を行ってしまうと、エッチング処理中にマスク層６０の浮きが生じて基板１１からマスク層６０が剥がれてしまうおそれがある。
【００９４】
また、エッチング処理が終了した状態で、基板１１の上面から凹部１２および凹部１３の底部までの厚さに対応する部分１１ｃ（図４（ｂ）参照）において、凹部１２が形成された表示領域Ｅにおける基板１１の単位体積当たりの密度と、凹部１３が形成されシール領域Ｓにおける基板１１の単位体積当たりの密度とが略同一であることが好ましい。この理由については、次の平坦化処理の工程で説明する。なお、凹部１２が形成されたダミー領域Ｄにおける基板１１の単位体積当たりの密度は、表示領域Ｅにおける基板１１の単位体積当たりの密度と略同一となる。
【００９５】
次に、図５（ｄ）に示すように、基板１１の全領域を覆い凹部１２と凹部１３とを埋め込むように、光透過性を有し、基板１１よりも高い屈折率を有する無機材料からなる透光層１４を形成する。透光層１４は、例えばＣＶＤ法を用いて形成することができる。透光層１４は基板１１の上面に堆積するように形成されるため、透光層１４の上層の部分１４ａは基板１１の凹部１２および凹部１３に起因する凹凸が反映された凹凸形状となる。
【００９６】
ここで、基板１１のシール領域Ｓに凹部１３が形成されていない場合、シール領域Ｓでは透光層１４が表示領域Ｅおよびダミー領域Ｄよりも高く盛り上がるように形成されるため、透光層１４の上面に大きな段差が生じることとなる。シール領域Ｓに凹部１３が形成されておらず、かつ、ダミー領域Ｄが設けられていない場合は、表示領域Ｅとシール領域Ｓとの間に大きな段差が生じることとなる。本実施形態では、表示領域Ｅとシール領域Ｓとの間に凹部１２が形成されたダミー領域Ｄが設けられ、シール領域Ｓに凹部１３が形成されているので、このような透光層１４の上面の大きな段差が抑えられる。
【００９７】
また、上述したように、表示領域Ｅおよびダミー領域Ｄとシール領域Ｓとで基板１１の単位体積当たりの密度が略同一であると、基板１１の凹凸が反映された透光層１４の上層の部分１４ａにおいても、表示領域Ｅおよびダミー領域Ｄとシール領域Ｓとで透光層１４の単位体積当たりの密度が略同一となる。なお、ダミー領域Ｄおよび表示領域Ｅには凹部１２が形成されるため、ダミー領域Ｄと表示領域Ｅとにおける透光層１４の単位体積当たりの密度は略同一となる。
【００９８】
次に、図５（ｄ）に示す透光層１４に対して平坦化処理を施す。平坦化処理では、例えば、ＣＭＰ（Chemical Mechanical Polishing）処理などを用いて、透光層１４の上層の凹凸が形成された部分１４ａを研磨して除去することにより、透光層１４の上面を平坦化する。
【００９９】
このとき、シール領域Ｓに凹部１３が形成されていない場合、透光層１４の上面に大きな段差ができてしまい、透光層１４の上面の平坦化処理の工数が増加するとともに、十分な平坦性を得ることが困難であるという課題がある。本実施形態では、このような透光層１４の上面の大きな段差が抑えられるので、平坦化処理の工数を低減できるとともに、透光層１４の上面の平坦性を向上できる。
【０１００】
さらに、表示領域Ｅおよびダミー領域Ｄとシール領域Ｓとで透光層１４の上層の部分１４ａにおける単位体積当たりの密度が略同一であると、ＣＭＰ処理で研磨して除去される透光層１４の単位体積当たりの密度が、表示領域Ｅおよびダミー領域Ｄとシール領域Ｓとで略同一となる。そのため、表示領域Ｅおよびダミー領域Ｄとシール領域Ｓとで透光層１４の単位体積当たりの密度が異なる場合と比べて、透光層１４の上面の平坦性をより向上させることができる。
【０１０１】
透光層１４に平坦化処理を施した結果、図５（ｅ）に示すように、透光層１４の上面が平坦化されて、マイクロレンズアレイ基板１０が完成する。マイクロレンズアレイ基板１０において、凹部１２に透光層１４が埋め込まれてマイクロレンズＭＬ１が構成され、凹部１３に透光層１４が埋め込まれてマイクロレンズＭＬ２が構成される。
【０１０２】
以降の工程は、詳細な図示を省略し、図３を参照して説明する。次に、公知の技術を用いて、マイクロレンズアレイ基板１０上に、光路長調整層２１と、遮光層２２と、絶縁層２３と、ＴＦＴ２４と、絶縁層２５と、遮光層２６と、絶縁層２７と、画素電極２８と、配向膜２９とを順に形成して素子基板２０を得る。また、基板３１上に、遮光層３２と、保護層３３と、共通電極３４と、配向膜３５とを順に形成して対向基板３０を得る。
【０１０３】
次に、素子基板２０と対向基板３０との間のシール領域Ｓに、例えば紫外線硬化性のエポキシ樹脂などの接着剤をシール材４２として配置して、シール材４２に、例えば素子基板２０側から紫外光を照射する。マイクロレンズＭＬ２を通過する紫外光の一部は、図３に示すＬ１のように直進してシール材４２を通過し、一部はＬ２のように集光されてシール材４２を通過する。紫外光の照射により、シール材４２が硬化して素子基板２０と対向基板３０とが接合されて、液晶装置１が完成する。
【０１０４】
以上述べたように、本実施形態に係る液晶装置１では、シール領域Ｓにも凹部１３を設けることにより、マイクロレンズアレイ基板１０（透光層１４）の上面の平坦性を向上させている。
【０１０５】
透光層１４の表面の平坦性を向上させる方法としては、特許文献１に記載のようにシール領域Ｓに溝部を設ける方法が提案されているが、この方法では、シール領域Ｓに溝部を形成するエッチング工程と、表示領域Ｅに凹部１２を形成するエッチング工程とが別々の工程となるため、エッチング工程が増加してしまう。また、凹部１２を形成する工程において、エッチング用のマスク層６０をパターニングするために、例えばスピンコート法によりマスク層６０上にレジストを塗布する際に、基板１１の凹部１２が形成される面に先に形成された溝部により段差が生じているため、段差の角部でレジストの濡れ広がりが阻害されて塗りムラや塗り残し（十分に塗布されていない部分）ができるおそれがある。
【０１０６】
さらに、特許文献１に記載の方法では、基板１１上に透光層１４を形成した際の上面の段差を抑えることはできるが、透光層１４の上面に平坦化処理を施す際に、凹部１２が形成された表示領域Ｅと溝部が形成されたシール領域Ｓとでは単位体積当たりの透光層１４の密度が異なるため、十分な平坦性が得られにくいと考えられる。
【０１０７】
本実施形態に係る液晶装置１の製造方法では、表示領域Ｅに凹部１２を形成する工程で、同一のマスク層６０を用いたエッチング処理によりシール領域Ｓに凹部１３を形成するので、特許文献１に記載の方法と比べて工数を低減できる。また、基板１１上にマスク層６０を形成する際に、基板１１に先に形成された溝部による段差が生じていないので、段差に起因するレジストの塗りムラや塗り残しの発生が抑えられる。さらに、透光層１４の上面に平坦化処理を施す際に、凹部１２が形成された表示領域Ｅと凹部１３が形成されたシール領域Ｓとで単位体積当たりの透光層１４の密度が略同一であるため、平坦性を向上させることができる。
【０１０８】
ところで、透光層１４の表面の平坦性を向上させるためだけであれば、基板１１のシール領域Ｓにも表示領域Ｅと同様の凹部１２を形成する方法が考えられる。そうすれば、容易に基板１１の単位面積当たりの密度を表示領域Ｅ、ダミー領域Ｄ、およびシール領域Ｓに亘って略同一にでき、透光層１４の単位体積当たりの密度もダミー領域Ｄ、およびシール領域Ｓに亘って略同一にできる。しかしながら、シール領域Ｓにも表示領域Ｅと同様の凹部１２を形成すると、以下に述べるように別の課題が生じてしまうこととなる。
【０１０９】
図１４を参照して、基板１１のシール領域Ｓに表示領域Ｅと同様の凹部１２を形成した場合と、本実施形態とを比較して説明する。図１４は、比較例に係る液晶装置の構成を示す概略断面図である。図１４に示す液晶装置９は、本実施形態に係る液晶装置１に対して、基板１１のシール領域Ｓに凹部１２が形成されている点、すなわちシール領域ＳにマイクロレンズＭＬ１を備えている点が異なるが、それ以外の構成は同じである。
【０１１０】
図１４に示すように、比較例に係る液晶装置９は、素子基板２０にマイクロレンズアレイ基板１０Ｃを備えている。マイクロレンズアレイ基板１０Ｃは、表示領域Ｅおよびダミー領域Ｄとシール領域ＳとにマイクロレンズＭＬ１を備えている。シール領域ＳにもマイクロレンズＭＬ１を備えているので、素子基板２０側からシール領域Ｓに入射する光は表示領域Ｅに入射する光と同様に集光される。そのため、シール材４２を硬化させる工程でシール領域Ｓに紫外光を照射すると、紫外光はマイクロレンズＭＬ１により集光されてシール材４２を通過する。
【０１１１】
マイクロレンズＭＬ１で集光された場合のシール材４２における単位面積当たりの紫外光が通過する面積は、本実施形態に係る液晶装置１におけるマイクロレンズＭＬ２で集光された場合のシール材４２における単位面積当たりの紫外光が通過する面積よりも小さい。したがって、液晶装置９においてシール材４２のうち紫外光が照射されないため硬化しない部分の面積は、液晶装置１においてシール材４２のうち紫外光が照射されないため硬化しない部分の面積よりも大きくなる。そのため、シール材４２内の硬化が十分でない部分や未硬化部分から、シール材４２の内部に配置された液晶層４０に水分が侵入して液晶層４０が劣化し、液晶装置９の信頼性低下を招いてしまうという課題がある。
【０１１２】
これに対して、本実施形態に係る液晶装置１の構成によれば、比較例に係る液晶装置９と比べて、シール材４２内に硬化が十分でない部分や未硬化部分が生じにくくなる。その結果、シール材４２の内部に配置された液晶層４０への水分の侵入が抑えられるので、液晶装置１の信頼性を向上させることができる。
【０１１３】
（第２の実施形態）
第２の実施形態に係る液晶装置は、マイクロレンズアレイ基板の構成が異なる点以外は、第１の実施形態とほぼ同様の構成を有している。ここでは、主にマイクロレンズアレイ基板の構成および製造方法について、第１の実施形態に対する相違点を説明する。図７は、第２の実施形態に係る液晶装置の構成を示す概略断面図である。図８は、第２の実施形態に係るマイクロレンズの構成を示す概略図である。詳しくは、図８は第２の実施形態に係るマイクロレンズＭＬ１のＷ方向に沿った断面とマイクロレンズＭＬ２のＷ方向に沿った断面とを比較して示す模式断面図である。第１の実施形態と共通する構成要素については、同一の符号を付しその説明を省略する。
【０１１４】
＜マイクロレンズアレイ基板＞
図７に示すように、第２の実施形態に係る液晶装置１Ａは、素子基板２０と、対向基板３０と、シール材４２と液晶層４０とを備えている。第２の実施形態に係る素子基板２０は、マイクロレンズアレイ基板１０Ａを備えている。第２の実施形態に係るマイクロレンズアレイ基板１０Ａは、第１の実施形態に係るマイクロレンズアレイ基板１０に対して、凸部１６からなるマイクロレンズＭＬ１および凸部１７からなるマイクロレンズＭＬ２を有している点が異なっている。
【０１１５】
第２の実施形態に係るマイクロレンズアレイ基板１０Ａは、基板１５と透光層１８とを備えている。基板１５は、例えばＳｉＯＮなどの光透過性を有する無機材料からなる。基板１５の液晶層４０側の面には、凸部１６と凸部１７とが基板１５と一体で設けられている。
【０１１６】
第２の実施形態では、凸部１６が第１のマイクロレンズとしてのマイクロレンズＭＬ１であり、凸部１７が第２のマイクロレンズとしてのマイクロレンズＭＬ２である。したがって、本実施形態では、基板１５の材料がマイクロレンズＭＬ１，ＭＬ２のレンズ材料となる。
【０１１７】
マイクロレンズＭＬ１（凸部１６）は、表示領域Ｅとダミー領域Ｄとに配置されている。マイクロレンズＭＬ２（凸部１７）は、シール領域Ｓに配置されている。マイクロレンズＭＬ２の集光度は、マイクロレンズＭＬ１の集光度よりも小さい。マイクロレンズＭＬ１の厚さ（凸部１６の高さ）とマイクロレンズＭＬ２の厚さ（凸部１７の高さ）とは略同一であることが好ましいが、マイクロレンズＭＬ２がマイクロレンズＭＬ１よりも厚く形成されていてもよい。
【０１１８】
図示は省略するが、マイクロレンズＭＬ１（凸部１６）およびマイクロレンズＭＬ２（凸部１７）は、平面視で略矩形である。平面視した凸部１７の面積は、凸部１６の面積よりも大きい。したがって、マイクロレンズＭＬ２のレンズ径（矩形状の対角線の長さ）はマイクロレンズＭＬ１のレンズ径（矩形状の対角線の長さ）よりも大きい。なお、マイクロレンズＭＬ１およびマイクロレンズＭＬ２の平面的な配置は、第１の実施形態と同じである。
【０１１９】
透光層１８は、基板１５上に表示領域Ｅおよびダミー領域Ｄとシール領域Ｓとに亘って設けられている。透光層１８は、基板１５を覆い、凸部１６同士の間および凸部１７同士の間を埋め込むように形成されている。透光層１８は、光透過性を有し、凸部１６および凸部１７よりも光屈折率の低いＳｉＯ2などの無機材料からなる。透光層１８の表面は、略平坦な面となっている。透光層１８は、マイクロレンズアレイ基板１０Ａにおける平坦化層の役割も有している。
【０１２０】
図８に示すように、マイクロレンズＭＬ１（凸部１６）およびマイクロレンズＭＬ２（凸部１７）は略球面状に形成されている。マイクロレンズＭＬ２の曲率半径Ｒ２はマイクロレンズＭＬ１の曲率半径Ｒ１よりも大きい。したがって、マイクロレンズＭＬ２の焦点距離はマイクロレンズＭＬ１の焦点距離よりも長い。
【０１２１】
図７に示すように、第２の実施形態に係るマイクロレンズＭＬ１は、第１の実施形態に係るマイクロレンズＭＬ１と同様に、マイクロレンズＭＬ１の周縁部に入射し遮光層２２で遮光されてしまう光Ｌ２を開口部２２ａ内に入射させて、光の利用効率を高める役割を果たす。また、第２の実施形態に係るマイクロレンズＭＬ２は、第１の実施形態に係るマイクロレンズＭＬ２と同様に、マイクロレンズアレイ基板１０Ａ（透光層１８）の表面の平坦性を向上させる役割を果たす。
【０１２２】
マイクロレンズＭＬ２の焦点位置はマイクロレンズＭＬ１の焦点位置よりも遠くなるので、マイクロレンズＭＬ２の周縁部に入射した入射光Ｌ２が凸部１７の平面的な中心側へ屈折する角度は、マイクロレンズＭＬ１の周縁部に入射した入射光Ｌ２が凸部１６の平面的な中心側へ屈折する角度よりも小さい。これにより、シール材４２が配置されたシール領域Ｓにおける単位面積当たりの光が通過する面積は、液晶層４０が配置された表示領域Ｅにおける単位面積当たりの光が通過する面積よりも大きくなる。
【０１２３】
なお、図７では、シール領域ＳにマイクロレンズＭＬ２を２列しか図示していないが、実際にはシール領域ＳにマイクロレンズＭＬ２が配列された多数の列を有しているものとする。
【０１２４】
図８に示すように、透光層１８のうち凸部１６および凸部１７の高さに対応する部分１８ａには、凸部１６および凸部１７のレンズ材料（基板１５の材料）と、隣り合う凸部１６同士の間および隣り合う凸部１７同士の間を埋め込む透光層１８の材料とが存在する。この透光層１８の部分１８ａにおいて、表示領域Ｅにおける凸部１６のレンズ材料の単位体積当たりの密度と、シール領域Ｓにおける凸部１７のレンズ材料の単位体積当たりの密度とが略同一であることが好ましい。また、そのため、シール領域Ｓにおいて隣り合う凸部１７同士の間の距離１７ｄは、表示領域Ｅにおいて隣り合う凸部１６同士の間の距離１６ｄよりも大きいことが好ましい。なお、ダミー領域Ｄ（図７参照）における凸部１６のレンズ材料の単位体積当たりの密度は、表示領域Ｅにおける凸部１６のレンズ材料の単位体積当たりの密度と略同一となる。
【０１２５】
＜電気光学装置の製造方法＞
次に、第２の実施形態に係るマイクロレンズアレイ基板１０Ａの製造方法を含む液晶装置１Ａの製造方法について説明する。図９は、第２の実施形態に係るマイクロレンズアレイ基板の製造方法を示す概略断面図である。図９の各図は、図１のＡ−Ａ’線に沿った断面図に相当する。
【０１２６】
まず、図９（ａ）に示すように、ＳｉＯＮなどからなる光透過性を有する基板１５の上面に、レジスト層７５を形成する。レジスト層７５は、例えば、露光部分が現像により除去されるポジ型の感光性レジストで形成される。レジスト層７５は、例えば、スピンコート法やロールコート法などで形成することができる。
【０１２７】
続いて、遮光部７１と遮光部７２とを有するマスク７０を介して、レジスト層７５を露光する。遮光部７１は、凸部１６が形成される位置に対応して、表示領域Ｅとダミー領域Ｄとに設けられる。遮光部７２は、凸部１７が形成される位置に対応して、シール領域Ｓに設けられる。レジスト層７５のうち、マスク７０の遮光部７１と重なる領域および遮光部７２と重なる領域以外の領域が露光される。
【０１２８】
次に、図９（ｂ）に示すように、レジスト層７５のうち露光された部分を現像して除去する。これにより、レジスト層７５のうち、マスク７０の遮光部７１と重なった第１の部分７６ａと、マスク７０の遮光部７２と重なった第２の部分７７ａとが基板１５上に残留する。第１の部分７６ａおよび第２の部分７７ａの平面形状は略矩形である。
【０１２９】
なお、第１の部分７６ａおよび第２の部分７７ａの平面形状を円形など他の形状としてもよい。このようにすると、後の工程で形成されるマイクロレンズＭＬ１（凸部１６）およびマイクロレンズＭＬ２（凸部１７）の平面形状も、第１の部分７６ａおよび第２の部分７７ａの平面形状と同様となる。
【０１３０】
次に、第１の部分７６ａと第２の部分７７ａとを、リフロー処理して加熱することにより軟化（溶融）させる。溶融した第１の部分７６ａと第２の部分７７ａとは、流動状態となり、表面張力の作用で表面が曲面状に変形する。これにより、図９（ｃ）に示すように、基板１５上に残留した第１の部分７６ａから略球面状の凸部７６が形成され、同様に基板１５上に残留した第２の部分７７ａから略球面状の凸部７７が形成される。なお、曲面状に形成された凸部７６および凸部７７の厚さ（高さ）は、図９（ａ）に示す工程において形成されたレジスト層７５の厚さよりも厚くなる場合がある。
【０１３１】
なお、レジスト層７５から凸部７６および凸部７７の形状に加工する方法として、上記のリフロー処理する方法以外の方法を用いてもよい。例えば、グレイスケールマスクや面積階調マスクを用いて露光する方法、多段露光する方法などを用いて、レジスト層７５から凸部７６および凸部７７の形状に加工することができる。
【０１３２】
次に、図９（ｄ）に示すように、凸部７６および凸部７７と基板１５とに上方側から、例えば、ドライエッチングなどの異方性エッチングを施す。これにより、レジストからなる凸部７６および凸部７７が徐々に除去され、凸部７６および凸部７７の除去に伴って基板１５の露出する部分がエッチングされる。この結果、凸部７６および凸部７７の形状が基板１５に転写されて、基板１５に凸部１６と凸部１７とが形成される。なお、異方性エッチングにおいて、凸部７６および凸部７７（レジスト層７５）と基板１５とを略同一のレートでエッチングできる条件とすることで、凸部７６および凸部７７と凸部１６および凸部１７とをそれぞれ略同一の形状とすることができる。
【０１３３】
次に、図９（ｅ）に示すように、凸部１６および凸部１７が形成された基板１５を覆うように、光透過性を有し、凸部１６および凸部１７のレンズ材料（基板１５の材料）よりも低い屈折率を有する無機材料からなる透光層１８を形成する。透光層１８は、例えばＣＶＤ法を用いて形成することができる。透光層１８は凸部１６および凸部１７が形成された基板１５の上に堆積するように形成されるため、透光層１８の上層の部分１８ｂは凸部１６および凸部１７に起因する凹凸が反映された凹凸形状となる。
【０１３４】
ここでは、上述したように、表示領域Ｅおよびダミー領域Ｄとシール領域Ｓとで凸部１６および凸部１７のレンズ材料の単位体積当たりの密度が略同一であると、透光層１８の上層の部分１８ｂにおいても、表示領域Ｅおよびダミー領域Ｄとシール領域Ｓとで透光層１８の材料の単位体積当たりの密度が略同一となる。
【０１３５】
次に、図９（ｅ）に示す透光層１８に対してＣＭＰ処理などの平坦化処理を施し、透光層１８の上層の凹凸が形成された部分１８ｂを研磨して除去することにより、透光層１８の上面を平坦化する。
【０１３６】
このとき、シール領域Ｓに凸部１７が形成されているため、凸部１７が形成されていない場合に生じるような透光層１８の上面の大きな段差が抑えられるので、平坦化処理の工数を低減できるとともに、透光層１８の上面の平坦性を向上できる。
【０１３７】
さらに、表示領域Ｅおよびダミー領域Ｄとシール領域Ｓとで凸部１６および凸部１７のレンズ材料の単位体積当たりの密度が略同一であると、ＣＭＰ処理で研磨して除去される透光層１８の上層の部分１８ｂにおける透光層１８の材料の単位体積当たりの密度が、表示領域Ｅおよびダミー領域Ｄとシール領域Ｓとで略同一となる。そのため、透光層１８の上面の平坦性をより向上させることができる。
【０１３８】
透光層１８に平坦化処理を施した結果、図７に示すように、透光層１８の上面が平坦化されて、マイクロレンズアレイ基板１０Ａが完成する。以降の工程は、第１の実施形態と同様であり、素子基板２０と対向基板３０との間のシール領域Ｓに、紫外線硬化性のエポキシ樹脂などの接着剤をシール材４２として配置して、シール材４２に素子基板２０側から紫外光を照射して硬化させる。
【０１３９】
第２の実施形態に係る液晶装置１Ａにおいても、シール材４２が配置されたシール領域Ｓにおける単位面積当たりの光が通過する面積は、液晶層４０が配置された表示領域Ｅにおける単位面積当たりの光が通過する面積よりも大きい。そのため、シール材４２内に硬化が十分でない部分や未硬化部分が生じにくくなり、シール材４２の内部に配置された液晶層４０への水分の侵入が抑えられるので、液晶装置１Ａの信頼性を向上させることができる。
【０１４０】
（第３の実施形態）
第３の実施形態に係る液晶装置は、シール領域ＳにおけるマイクロレンズＭＬ２の配置が異なる点以外は、第１の実施形態とほぼ同様の構成を有している。図１０は、第３の実施形態に係るマイクロレンズアレイ基板の構成を示す概略平面図である。第１の実施形態と共通する構成要素については、同一の符号を付しその説明を省略する。
【０１４１】
＜マイクロレンズアレイ基板＞
図１０に示すように、第３の実施形態に係る液晶装置１Ｂは、マイクロレンズアレイ基板１０Ｂを備えている。マイクロレンズアレイ基板１０Ｂは、第１の実施形態に係るマイクロレンズアレイ基板１０と同様に、表示領域Ｅおよびダミー領域Ｄに設けられたマイクロレンズＭＬ１（凹部１２）と、シール領域Ｓに設けられたマイクロレンズＭＬ２（凹部１３）とを有している。
【０１４２】
マイクロレンズアレイ基板１０Ｂは、シール領域Ｓにおいて、表示領域ＥのＹ方向に沿った１辺に沿って、複数のマイクロレンズＭＬ２が一列に配置された第１の列Ｍ１と、第１の列Ｍ１と隣り合うように表示領域ＥのＹ方向に沿った１辺に沿って複数のマイクロレンズＭＬ２が一列に配置された第２の列Ｍ２と、を有している。表示領域Ｅ側に位置する第１の列Ｍ１に含まれるマイクロレンズＭＬ２と、第１の列Ｍ１の表示領域Ｅとは反対側に位置する第２の列Ｍ２に含まれるマイクロレンズＭＬ２とは、Ｙ方向に相互にずれて配置されている。
【０１４３】
また、マイクロレンズアレイ基板１０Ｂは、表示領域ＥのＸ方向に沿った１辺に沿って、複数のマイクロレンズＭＬ２が一列に配置された第１の列Ｎ１と、第１の列Ｎ１と隣り合うように表示領域ＥのＸ方向に沿った１辺に沿って複数のマイクロレンズＭＬ２が一列に配置された第２の列Ｎ２と、を有している。表示領域Ｅ側に位置する第１の列Ｎ１に含まれるマイクロレンズＭＬ２と、第１の列Ｎ１の表示領域Ｅとは反対側に位置する第２の列Ｎ２に含まれるマイクロレンズＭＬ２とは、Ｘ方向に相互にずれて配置されている。第１の列Ｍ１と第２の列Ｍ２とのずれ量、および第１の列Ｎ１と第２の列Ｎ２とのずれ量は、例えば、マイクロレンズＭＬ２の配置ピッチの略１／２程度である。
【０１４４】
マイクロレンズＭＬ２の集光度はマイクロレンズＭＬ１の集光度よりも小さいとはいえ、シール材４２に紫外光を照射して硬化させる際に、マイクロレンズＭＬ２の集光効果によりシール領域Ｓ内に通過する光が強くなる部分と弱くなる部分とが生じてしまう。通過する光が強くなる部分と弱くなる部分とは、シール領域Ｓ内においてマイクロレンズＭＬ２毎に同じように分布する。通過する光が弱くなる部分ができることで、シール材４２内に硬化が十分でない部分や未硬化部分が生じるおそれがあり、このような場合これらの部分では水分が侵入し易くなる。
【０１４５】
第３の実施形態に係るマイクロレンズアレイ基板１０Ｂでは、Ｙ方向に沿った第１の列Ｍ１と第２の列Ｍ２とが相互にずれて配置され、Ｘ方向に沿った第１の列Ｎ１と第２の列Ｎ２とが相互にずれて配置されている。そのため、万一シール材４２内に硬化が十分でない部分や未硬化部分が生じてしまった場合でも、第１の列Ｍ１，Ｎ１と第２の列Ｍ２，Ｎ２とを相互にずらすことで、これらの未硬化部分も相互にずれて配置される。
【０１４６】
したがって、これらの未硬化部分から水分が侵入した場合、シール材４２内の水分が侵入し易い部分が相互にずれて配置されていることで、第１の実施形態のように列がずれて配置されていない場合と比べて、水分の侵入経路を複雑にして長くできるので、シール材４２の内側への水分の侵入をより効果的に抑えることができる。
【０１４７】
第３の実施形態に係るマイクロレンズアレイ基板１０Ｂは、第１の実施形態で用いたマスク層６０（図６参照）において、開口部６２の列の配置を上述の第１の列Ｍ１，Ｎ１、第２の列Ｍ２，Ｎ２と同様に相互にずらすことで、製造できる。
【０１４８】
なお、図１０では、マイクロレンズＭＬ２の列として、第１の列Ｍ１，Ｎ１および第２の列Ｍ２，Ｎ２のみを図示しているが、実際にはシール領域ＳにマイクロレンズＭＬ２が配列された多数の列を有しており、互いに隣り合う列同士でマイクロレンズＭＬ２が相互にずれて配置されているものとする。
【０１４９】
第３の実施形態に係るマイクロレンズアレイ基板１０Ｂの構成は、第２の実施形態のマイクロレンズＭＬ１（凸部１６）およびマイクロレンズＭＬ２（凸部１７）にも適用でき、同様の効果を得ることができる。
【０１５０】
（第４の実施形態）
第４の実施形態に係る液晶装置は、対向基板３０にもマイクロレンズが設けられている以外は、第１の実施形態とほぼ同様の構成を有している。図１１は、第４の実施形態に係る液晶装置の構成を示す概略断面図である。図１１は、図１のＡ−Ａ’線に沿った断面図に相当する。図１２は、第４の実施形態に係る液晶装置のシール領域Ｓを示す部分拡大図である。詳しくは、図１２（ａ）は液晶装置のシール領域Ｓを示す部分断面図であり、図１２（ｂ）は液晶装置のシール領域Ｓを示す部分平面図である。第１の実施形態と共通する構成要素については、同一の符号を付しその説明を省略する。
【０１５１】
＜電気光学装置＞
図１１に示すように、第４の実施形態に係る液晶装置１Ｃは、素子基板２０と、対向基板３０Ａと、シール材４２と、液晶層４０とを備えている。素子基板２０は、第１の実施形態と同様のマイクロレンズアレイ基板１０を有している。第４の実施形態に係る対向基板３０Ａは、マイクロレンズアレイ基板３１Ａを有している。
【０１５２】
マイクロレンズアレイ基板３１Ａは、凹部１２と凹部１３Ａとが設けられた基板１１と透光層１４とを有しており、これらにより構成された第３のマイクロレンズとしてのマイクロレンズＭＬ１と、第４のマイクロレンズとしてのマイクロレンズＭＬ２Ａとを有している。マイクロレンズアレイ基板１０のマイクロレンズＭＬ１（凹部１２）とマイクロレンズアレイ基板３１ＡのマイクロレンズＭＬ１（凹部１２）とは、平面形状および断面形状が略同一であり、表示領域Ｅおよびダミー領域Ｄにおいて平面視で互いに重なるように配置されている。
【０１５３】
第４の実施形態に係る液晶装置１Ｃでは、対向基板３０Ａにもマイクロレンズアレイ基板３１Ａを備えているので、素子基板２０側から入射しマイクロレンズアレイ基板１０のマイクロレンズＭＬ１で屈折した光が、マイクロレンズアレイ基板３１ＡのマイクロレンズＭＬ１で再び屈折する。これにより、マイクロレンズアレイ基板１０のマイクロレンズＭＬ１で集光された光の光軸をマイクロレンズアレイ基板３１ＡのマイクロレンズＭＬ１で揃えて対向基板３０Ａ側へ射出することができる。
【０１５４】
マイクロレンズアレイ基板３１ＡのマイクロレンズＭＬ２Ａ（凹部１３Ａ）の平面形状および断面形状は、マイクロレンズアレイ基板１０のマイクロレンズＭＬ２（凹部１３）と略同一である。マイクロレンズアレイ基板３１ＡのマイクロレンズＭＬ２Ａ（凹部１３Ａ）は、マイクロレンズアレイ基板１０のマイクロレンズＭＬ２（凹部１３）に対して、平面的な配置が異なっており、少なくとも一方向にずれて配置されている。
【０１５５】
図１２（ａ），（ｂ）に示すように、本実施形態では、マイクロレンズアレイ基板３１ＡのマイクロレンズＭＬ２Ａは、マイクロレンズアレイ基板１０のマイクロレンズＭＬ２に対して、Ｘ方向およびＹ方向の２方向にずれて配置されている。マイクロレンズＭＬ２ＡとマイクロレンズＭＬ２とが相互にずれて配置されることで、マイクロレンズＭＬ２Ａの平面的な中心位置とマイクロレンズＭＬ２の平面的な中心位置とがずれて配置される。
【０１５６】
第４の実施形態に係る液晶装置１Ｃでは、図１２（ａ）に示すように、シール材４２を硬化させる際に、素子基板２０側と対向基板３０Ａ側との双方の側から紫外光を照射すると、マイクロレンズＭＬ２（凹部１３）の平坦部１３ｂ（図４（ｂ）参照）に入射する紫外光Ｌ１とマイクロレンズＭＬ２Ａの平坦部１３ｂに入射する紫外光Ｌ１とは、シール材４２における異なる位置に入射する。換言すれば、マイクロレンズＭＬ２ＡとマイクロレンズＭＬ２とで、それぞれの集光効果により光が通過しない領域あるいは光量が少ない領域が平面的にずれることとなる。
【０１５７】
そのため、マイクロレンズＭＬ２ＡとマイクロレンズＭＬ２とがずれて配置されていない場合と比べて、シール材４２において紫外光が通過する領域を大きくし、光が通過しない領域あるいは光量が少ない領域を小さくすることができる。これにより、シール材４２内に硬化が十分でない部分や未硬化部分が生じることをより効果的に抑えることができる。
【０１５８】
なお、マイクロレンズＭＬ２ＡとマイクロレンズＭＬ２とは、少なくとも１方向にずれて配置されていればよいが、２方向にずれて配置されていることが好ましい。また、マイクロレンズＭＬ２ＡとマイクロレンズＭＬ２とをずらす量は、マイクロレンズＭＬ２ＡおよびマイクロレンズＭＬ２の配置ピッチの１／２程度であることが好ましい。このようにずらすことで、万一シール材４２内に硬化が十分でない部分や未硬化部分が生じてしまった場合でも、Ｘ方向およびＹ方向の双方からの水分の侵入経路を長くできるので、シール材４２の内側への水分の侵入をより効果的に抑えることができる。
【０１５９】
第４の実施形態に係るマイクロレンズアレイ基板３１Ａは、第１の実施形態で用いたマスク層６０（図６参照）において、開口部６２の列の配置をずらすことで製造できる。
【０１６０】
なお、本実施形態では、マイクロレンズアレイ基板１０のマイクロレンズＭＬ１とマイクロレンズアレイ基板３１ＡのマイクロレンズＭＬ１とが同じ形状であり、マイクロレンズアレイ基板１０のマイクロレンズＭＬ２とマイクロレンズアレイ基板３１ＡのマイクロレンズＭＬ２Ａとが同じ形状であるとしたが、このような構成に限定されない。マイクロレンズアレイ基板１０のマイクロレンズＭＬ１とマイクロレンズアレイ基板３１ＡのマイクロレンズＭＬ１とが異なる形状であってもよいし、マイクロレンズアレイ基板１０のマイクロレンズＭＬ２とマイクロレンズアレイ基板３１ＡのマイクロレンズＭＬ２Ａとが異なる形状であってもよい。
【０１６１】
（第５の実施形態）
＜電子機器＞
次に、第５の実施形態に係る電子機器について図１３を参照して説明する。図１３は、第５の実施形態に係る電子機器としてのプロジェクターの構成を示す概略図である。
【０１６２】
図１３に示すように、第５の実施形態に係る電子機器としてのプロジェクター（投射型表示装置）１００は、偏光照明装置１１０と、２つのダイクロイックミラー１０４，１０５と、３つの反射ミラー１０６，１０７，１０８と、５つのリレーレンズ１１１，１１２，１１３，１１４，１１５と、３つの液晶ライトバルブ１２１，１２２，１２３と、クロスダイクロイックプリズム１１６と、投射レンズ１１７とを備えている。
【０１６３】
偏光照明装置１１０は、例えば超高圧水銀灯やハロゲンランプなどの白色光源からなる光源としてのランプユニット１０１と、インテグレーターレンズ１０２と、偏光変換素子１０３とを備えている。ランプユニット１０１と、インテグレーターレンズ１０２と、偏光変換素子１０３とは、システム光軸Ｌに沿って配置されている。
【０１６４】
ダイクロイックミラー１０４は、偏光照明装置１１０から射出された偏光光束のうち、赤色光（Ｒ）を反射させ、緑色光（Ｇ）と青色光（Ｂ）とを透過させる。もう１つのダイクロイックミラー１０５は、ダイクロイックミラー１０４を透過した緑色光（Ｇ）を反射させ、青色光（Ｂ）を透過させる。
【０１６５】
ダイクロイックミラー１０４で反射した赤色光（Ｒ）は、反射ミラー１０６で反射した後にリレーレンズ１１５を経由して液晶ライトバルブ１２１に入射する。ダイクロイックミラー１０５で反射した緑色光（Ｇ）は、リレーレンズ１１４を経由して液晶ライトバルブ１２２に入射する。ダイクロイックミラー１０５を透過した青色光（Ｂ）は、３つのリレーレンズ１１１，１１２，１１３と２つの反射ミラー１０７，１０８とで構成される導光系を経由して液晶ライトバルブ１２３に入射する。
【０１６６】
光変調素子としての透過型の液晶ライトバルブ１２１，１２２，１２３は、クロスダイクロイックプリズム１１６の色光ごとの入射面に対してそれぞれ対向配置されている。液晶ライトバルブ１２１，１２２，１２３に入射した色光は、映像情報（映像信号）に基づいて変調され、クロスダイクロイックプリズム１１６に向けて射出される。
【０１６７】
クロスダイクロイックプリズム１１６は、４つの直角プリズムが貼り合わされて構成されており、その内面には赤色光を反射する誘電体多層膜と青色光を反射する誘電体多層膜とが十字状に形成されている。これらの誘電体多層膜によって３つの色光が合成されて、カラー画像を表す光が合成される。合成された光は、投射光学系である投射レンズ１１７によってスクリーン１３０上に投射され、画像が拡大されて表示される。
【０１６８】
液晶ライトバルブ１２１は、上述した各実施形態の液晶装置１，１Ａ，１Ｂ，１Ｃのいずれかが適用されたものである。液晶ライトバルブ１２１は、色光の入射側と射出側とにおいてクロスニコルに配置された一対の偏光素子の間に隙間を置いて配置されている。他の液晶ライトバルブ１２２，１２３も同様である。
【０１６９】
第５の実施形態に係るプロジェクター１００の構成によれば、複数の画素Ｐが高精細に配置されていても、入射した色光を効率よく利用可能な液晶装置１，１Ａ，１Ｂ，１Ｃを備えているので、品質が高く明るいプロジェクター１００を提供することができる。
【０１７０】
上述した実施形態は、あくまでも本発明の一態様を示すものであり、本発明の範囲内で任意に変形および応用が可能である。変形例としては、例えば、以下のようなものが考えられる。
【０１７１】
（変形例１）
上記の実施形態に係る液晶装置１，１Ａ，１Ｂ，１Ｃは、マイクロレンズＭＬ２，ＭＬ２Ａを構成する凹部１３，１３Ａが曲面部１３ａと平坦部１３ｂとを有する構成、またはマイクロレンズＭＬ２を構成する凸部１７が略球面状である構成を有していたが、本発明はこのような形態に限定されない。例えば、凹部１３，１３Ａや凸部１７が楕円球面などの他の形状であっても、マイクロレンズＭＬ２，ＭＬ２Ａの集光度がマイクロレンズＭＬ１の集光度よりも小さくなる形状であれば、上記の実施形態と同様の効果が得られる。
【０１７２】
（変形例２）
第４の実施形態に係る液晶装置１Ｃは、マイクロレンズアレイ基板１０およびマイクロレンズアレイ基板３１Ａに、第１の実施形態に係るマイクロレンズＭＬ１（凹部１２），ＭＬ２（凹部１３），ＭＬ２Ａ（凹部１３Ａ）を備えた構成であったが、本発明はこのような形態に限定されない。例えば、マイクロレンズアレイ基板１０およびマイクロレンズアレイ基板３１Ａに、第２の実施形態に係るマイクロレンズＭＬ１（凸部１６），ＭＬ２（凸部１７），ＭＬ２Ａ（凸部１７）を備えた構成であってもよい。このような構成であっても、上記の実施形態と同様の効果が得られる。
【０１７３】
（変形例３）
上記の実施形態に係る液晶装置１，１Ａ，１Ｂ，１Ｃは、表示領域Ｅとダミー領域ＤとにマイクロレンズＭＬ１を備え、シール領域ＳにマイクロレンズＭＬ２，ＭＬ２Ａを備えた構成であったが、本発明はこのような形態に限定されない。例えば、シール領域Ｓの外側にも、表示領域Ｅと同様にマイクロレンズＭＬ１を備えていてもよい。このような構成にすれば、マイクロレンズアレイ基板の平坦性をより向上させることができる。
【０１７４】
（変形例４）
上記の実施形態に係る液晶装置１，１Ａ，１Ｂ，１Ｃは、表示領域Ｅとシール領域Ｓとの間にダミー領域Ｄを有していたが、本発明はこのような形態に限定されず、ダミー領域Ｄを有していない構成であってもよい。液晶装置１，１Ａ，１Ｂ，１Ｃがダミー領域Ｄを有していない場合でも、シール領域ＳにマイクロレンズＭＬ２，ＭＬ２Ａが設けられているため、透光層１４，１８を形成した際の表面の段差が抑えられるので、平坦性を向上できる。しかしながら、ダミー領域Ｄを有していると、表示領域Ｅにおける外縁部と中央部との平坦性をより向上できる。
【０１７５】
（変形例５）
上記の実施形態に係る液晶装置１，１Ａ，１Ｂ，１Ｃでは、表示領域ＥにおいてマイクロレンズＭＬ１がマトリックス状に配列された構成であったが、本発明はこのような形態に限定されない。マイクロレンズＭＬ１の配列は、画素Ｐの配列に対応して、例えば、ハニカム状の配列など異なる配列であってもよい。
【０１７６】
（変形例６）
上記の実施形態に係る液晶装置１，１Ａ，１Ｂ，１Ｃでは、表示領域Ｅにおいて一つのマイクロレンズＭＬ１が一つの画素Ｐに対応して設けられた構成であったが、本発明はこのような形態に限定されない。例えば、赤色（Ｒ）、緑色（Ｇ）、青色（Ｂ）の３つの画素Ｐが画像を形成する際の一つの単位となる場合などに、一つのマイクロレンズＭＬ１が赤色（Ｒ）、緑色（Ｇ）、青色（Ｂ）の３つの画素Ｐに対応して設けられた構成としてもよい。
【０１７７】
（変形例７）
上記の実施形態に係るマイクロレンズアレイ基板１０，１０Ａ，１０Ｂ，３１Ａを適用可能な電気光学装置は、液晶装置に限定されない。マイクロレンズアレイ基板１０，１０Ａ，１０Ｂ，３１Ａは、液晶装置以外の電気光学装置にも応用することができ、例えば、撮像素子（イメージセンサー）を有する撮像装置に応用することができる。マイクロレンズアレイ基板１０，１０Ａ，１０Ｂ，３１Ａを備えた撮像装置では、撮像素子に入射する光をマイクロレンズＭＬ１によって集光することができる。撮像素子としては、ＣＣＤ（Charge Coupled Device）型が挙げられる。
【０１７８】
（変形例８）
上記の実施形態に係る液晶装置１，１Ａ，１Ｂ，１Ｃは、入射する光の利用効率を高める手段としてマイクロレンズを備えていたが、本発明はこのような形態に限定されない。本発明は、入射する光の利用効率を高める手段として、基板に形成された溝部で構成されるプリズムを備えている場合にも適用可能である。
【０１７９】
（変形例９）
上記の実施形態に係る液晶装置１，１Ａ，１Ｂ，１Ｃを適用可能な電子機器は、プロジェクター１００に限定されない。液晶装置１，１Ａ，１Ｂ，１Ｃは、例えば、投射型のＨＵＤ（ヘッドアップディスプレイ）や直視型のＨＭＤ（ヘッドマウントディスプレイ）、または電子ブック、パーソナルコンピューター、デジタルスチルカメラ、液晶テレビ、ビューファインダー型あるいはモニター直視型のビデオレコーダー、カーナビゲーションシステム、電子手帳、ＰＯＳなどの情報端末機器の表示部として好適に用いることができる。
【符号の説明】
【０１８０】
１，１Ａ，１Ｂ，１Ｃ…液晶装置（電気光学装置）、１２ｂ…平坦部、１３ｂ…平坦部、１４，１８…透光層、２０…素子基板（第１の基板）、３０，３０Ａ…対向基板（第２の基板）、４０…液晶層（電気光学層）、４２…シール材、１００…プロジェクター（電子機器）、Ｅ…表示領域、ＭＬ１…第１のマイクロレンズ，第３のマイクロレンズ、ＭＬ２…第２のマイクロレンズ、ＭＬ２Ａ…第４のマイクロレンズ、Ｓ…シール領域。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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