(57)【要約】      （修正有）【課題】平滑性、耐熱性、及び耐硫化性に優れ、導電性及び透過性が良好な半透明Ａｇ合金膜およびこの半透明Ａｇ合金膜を成膜するのに適した半透明Ａｇ合金膜形成用スパッタリングターゲットを提供する。【解決手段】Ｉｎ及びＳｎのいずれか一方又は両方を合計で０．１ａｔ％以上１．５ａｔ％以下、Ｓｂを０．０１０ａｔ％を超え２．０ａｔ％以下含有し、残部がＡｇ及び不可避不純物からなり、膜厚が２０ｎｍ以下であり、波長５５０ｎｍにおける透過率が３０％以上である半透明Ａｇ合金膜。【選択図】なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
Ｉｎ及びＳｎのいずれか一方又は両方を合計で０．１ａｔ％以上１．５ａｔ％以下、Ｓｂを０．０１０ａｔ％を超え２．０ａｔ％以下含有し、残部がＡｇ及び不可避不純物からなり、
膜厚が２０ｎｍ以下であり、波長５５０ｎｍにおける透過率が３０％以上であることを特徴とする半透明Ａｇ合金膜。
【請求項２】
ボトムエミッション型の有機ＥＬ素子のアノードであることを特徴とする請求項１に記載の半透明Ａｇ合金膜。
【請求項３】
ディスプレイあるいはタッチパネル用の透明導電膜であることを特徴とする請求項１に記載の半透明Ａｇ合金膜。
【請求項４】
赤外線カット用透過膜であることを特徴とする請求項１に記載の半透明Ａｇ合金膜。
【請求項５】
請求項１から請求項４のいずれか一項に記載の半透明Ａｇ合金膜を成膜する際に用いられる半透明Ａｇ合金膜形成用スパッタリングターゲット。
【請求項６】
Ｉｎ及びＳｎのいずれか一方又は両方を合計で０．１ａｔ％以上１．５ａｔ％以下、Ｓｂを０．０２ａｔ％以上７．０ａｔ％以下含有し、残部がＡｇ及び不可避不純物からなることを特徴とする請求項５に記載の半透明Ａｇ合金膜形成用スパッタリングターゲット。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、例えば有機エレクトロルミネッセンス（ＥＬ）素子、ディスプレイあるいはタッチパネル用の透明導電膜、及び赤外線カット用透過膜等に用いられる半透明Ａｇ合金膜、および、この半透明Ａｇ合金膜を成膜するのに適した半透明Ａｇ合金膜形成用スパッタリングターゲットに関するものである。
【背景技術】
【０００２】
一般に、有機ＥＬ表示装置では、有機ＥＬ素子が各画素領域に形成された構造とされている。この有機ＥＬ素子は、透明基板にスイッチング素子であるＴＦＴ（薄膜トランジスタ）が配置されたＴＦＴアクティブマトリックス基板上に、有機ＥＬ層を含む電界発光層が配設されている。ここで、電解発光層のうち透明基板側の面にはアノード（陽極）が形成  され、アノードが形成された面と反対側の面にはカソード（陰極）が形成されている。
【０００３】
有機ＥＬ素子の光の取り出し方式として、電界発光層から透明基板側へ光を取り出すボトムエミッション方式が知られている。このボトムエミッション方式の有機ＥＬ素子において、アノードは、可視光に対して透過性を有することが必要であるから、例えばＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ  Ｔｉｎ  Ｏｘｉｃｉｄｅ：酸化インジウムスズ）やＩＺＯ（Ｉｎｄｉｕｍ  Ｚｉｎｃ  Ｏｘｉｃｉｄｅ：酸化インジウム亜鉛）等からなる透明導電膜が用いられている。
【０００４】
また、特許文献１に示すように、ボトムエミッション方式の有機ＥＬ素子のアノードとして、膜厚が１０〜２０ｎｍに形成されたＡｇ又はＡｇ合金からなる半透明Ａｇ合金膜が用いられることもある。このＡｇ又はＡｇ合金の半透明Ａｇ合金膜からなるアノードにおいては、電界発光層から発生する光の一部が反射され、反射された光が金属からなるカソードでさらに反射される。このカソードで反射された光には、電界発光層から発生する光と干渉して光の強度を高める効果があり、Ａｇ又はＡｇ合金からなる半透明Ａｇ合金膜をアノードとして用いると、有機ＥＬ素子から取り出される光の強度を高くすることができる。
【０００５】
さらに、上述したようなＡｇ又はＡｇ合金からなる半透明Ａｇ合金膜は、ディスプレイあるいはタッチパネル用の透明導電膜としても使用される。例えば、特許文献２には、ディスプレイの表示面に形成されるＩＴＯ等の透明導電膜の代替として、比較的膜厚が薄く形成されたＡｇ合金からなる半透明Ａｇ合金膜を用いる技術が開示されている。また、特許文献３，４には、タッチパネル用の透明導電膜として、Ａｇ合金からなる半透明Ａｇ合金の薄膜を用いる技術が開示されている。
また、特許文献５には、Ａｇ合金からなる半透明Ａｇ合金膜を赤外線カット用透過膜として用いる技術が開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開２０１１−０６５８３７号公報
【特許文献２】国際公開第９７／４８１０７号
【特許文献３】特開２０１４−０５４７６０号公報
【特許文献４】特開２０１４−０６９５７２号公報
【特許文献５】特開２００６−０９８８５６号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
ところで、特許文献１〜３に示されたＡｇ又はＡｇ合金からなる半透明Ａｇ合金膜は、十分な透過性を確保するためには、膜厚を薄くする必要がある。しかしながら、膜厚が薄いと、耐熱性が低下してＡｇの凝集が生じ易くなり、平滑な膜を維持することが困難である。このように半透明Ａｇ合金膜の凝集が生じると、導電性が低下して問題となる。また、半透明Ａｇ合金膜の平滑性が低下すると、膜の表面に生じた凹凸による光の散乱が生じるため、光の透過性が低下する問題も生じる。特に、有機ＥＬ素子等は、製造工程中に熱処理や、有機ＥＬ層の蒸着等、高温となる工程が含まれるため、Ａｇの凝集が進みやすい。
また、有機ＥＬ素子等の製造工程においては、製造工程の雰囲気中に含まれる硫黄によって、Ａｇ又はＡｇ合金からなる半透明Ａｇ合金膜が硫化し、導電性や透過性が低下する問題もある。
【０００８】
この発明は、前述した事情に鑑みてなされたものであって、平滑性、耐熱性、及び耐硫化性に優れ、導電性及び透過性が良好な半透明Ａｇ合金膜、および、この半透明Ａｇ合金膜を成膜するのに適した半透明Ａｇ合金膜形成用スパッタリングターゲットを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
前述の課題を解決するために、本発明の半透明Ａｇ合金膜は、Ｉｎ及びＳｎのいずれか一方又は両方を合計で０．１ａｔ％以上１．５ａｔ％以下、Ｓｂを０．０１０ａｔ％を超え２．０ａｔ％以下含有し、残部がＡｇ及び不可避不純物からなり、膜厚が２０ｎｍ以下であり、波長５５０ｎｍにおける透過率が３０％以上であることを特徴としている。
【００１０】
本発明の半透明Ａｇ合金膜によれば、Ｉｎ及びＳｎのいずれか一方又は両方を合計で０．１ａｔ％以上１．５ａｔ％以下含有しているので、耐硫化性が向上する。また、Ｓｂを０．０１０ａｔ％を超え２．０ａｔ％以下含有しているので、膜厚を薄くしてもＡｇの凝集を抑制することができ、高温環境下で使用した場合であっても膜の平滑性を維持することができる。さらに、膜厚が２０ｎｍ以下であり、波長５５０ｎｍにおける透過率が３０％以上であるので、光の透過性が良好である。このように、本発明の半透明Ａｇ合金膜は、膜厚が薄くても平滑性、耐熱性、及び耐硫化性に優れるので、導電性及び透過性が良好であり、電子機器等の半透明Ａｇ合金膜として用いることができる。
【００１１】
また、前述の半透明Ａｇ合金膜は、ボトムエミッション型の有機ＥＬ素子のアノードであっても良い。
本発明の半透明Ａｇ合金膜は、平滑性に優れ、導電性及び透過性が良好であるので、ボトムエミッション型の有機ＥＬ素子のアノードとして好適に用いることができる。また、本発明の半透明Ａｇ合金膜は、耐硫化性及び耐熱性に優れるため、アノードの信頼性を向上させることができる。
【００１２】
また、前述の半透明Ａｇ合金膜は、ディスプレイあるいはタッチパネル用の透明導電膜であっても良い。
本発明の半透明Ａｇ合金膜は、平滑性、耐熱性、及び耐硫化性に優れ、導電性及び透過性が良好であるので、ディスプレイあるいはタッチパネル用の透明導電膜として用いた際に、優れた特性を発揮する。
【００１３】
また、前述の半透明Ａｇ合金膜は、赤外線カット用透過膜であっても良い。
本発明の半透明Ａｇ合金膜は、平滑性に優れ、光の透過性が良好であるので、可視光の透過性を確保しつつ、赤外線を反射することができ、赤外線カット用透過膜として用いることができる。
【００１４】
本発明の半透明Ａｇ合金膜形成用スパッタリングターゲットは、上述の半透明Ａｇ合金膜を成膜する際に用いられるものである。
ここで、本発明の半透明Ａｇ合金膜形成用スパッタリングターゲットにおいては、Ｉｎ及びＳｎのいずれか一方又は両方を合計で０．１ａｔ％以上１．５ａｔ％以下、Ｓｂを０．０２ａｔ％以上７．０ａｔ％以下含有し、残部がＡｇ及び不可避不純物からなることが好ましい。
【発明の効果】
【００１５】
本発明によれば、平滑性、耐熱性、及び耐硫化性に優れ、導電性及び透過性が良好な半透明Ａｇ合金膜、および、この半透明Ａｇ合金膜を成膜するのに適した半透明Ａｇ合金膜形成用スパッタリングターゲットを提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１６】
【図１】本発明の一実施形態に係る半透明Ａｇ合金膜（アノード）を備えた有機ＥＬ素子の概略説明図である。
【発明を実施するための形態】
【００１７】
以下に、本発明の実施の形態について添付した図面を参照して説明する。図１に、本発明の実施形態に係る半透明Ａｇ合金膜（アノード１２）を備えた有機ＥＬ素子１の概略説明図を示す。
有機ＥＬ素子１は、成膜基板１１と、この成膜基板１１上に形成されたアノード１２（陽極）と、アノード１２上に形成された電界発光層１３と、この電界発光層１３上に形成されたカソード１４（陰極）とを備えている。この有機ＥＬ素子１は、ボトムエミッション型の有機ＥＬ素子であり、成膜基板１１側（図１において下側）から光が取り出されるようになっている。
【００１８】
成膜基板１１は、例えばＴＦＴ回路を形成したガラス基板上に、アクリル樹脂等の有機物からなる平坦化層が形成された基板が用いられる。
【００１９】
電界発光層１３は、有機ＥＬ層１３Ａと、アノード１２側に形成されたホール（正孔）輸送層１３Ｂと、カソード１４側に形成された電子輸送層１３Ｃとを備えており、これら３つの層からなる３層構造とされている。電界発光層１３の厚さは、１００ｎｍ以上２００ｎｍ以下とされている。
【００２０】
有機ＥＬ層１３Ａに用いる発光材料としては、例えばオレフィン系発光材料、アントラセン系発光材料、スピロ系発光材料、カルバゾール系発光材料、ピレン系発光材料等の低分子発光材料、ポリフェニレンビニレン類、ポリフルオレン類、ポリビニルカルバゾール類等の高分子発光材料等が挙げられる。なお、有機ＥＬ層１３Ａには、蛍光色素をドーピングしてもよく、燐光色素をドーピングしてもよい。
【００２１】
ホール輸送層１３Ｂを構成する有機高分子材料（正孔注入・輸送材料）としては、正孔を輸送する能力と、アノード１２からの正孔注入効果及び有機ＥＬ層１３Ａ又は発光材料に対して優れた正孔注入効果と、を有し、有機ＥＬ層１３Ａで生成した励起子の電子輸送層１３Ｃへの移動を防止し、かつ薄膜形成能力に優れた化合物であることが好ましい。具体的には、例えばフタロシアニン誘導体、オキサゾール等の高分子材料が挙げられる。
【００２２】
電子輸送層１３Ｃに用いる電子注入・輸送材料としては、電子を輸送する能力を持ち、カソード１４からの電子注入効果、有機ＥＬ層１３Ａ又は発光材料に対して優れた電子注入効果を有し、有機ＥＬ層１３Ａで生成した励起子の正孔注入層への移動を防止し、かつ薄膜形成能力の優れた化合物が好ましい。具体的には、例えばフルオレノン、アントラキノジメタン等が挙げられる。
【００２３】
カソード１４は、金属電極であり、例えばＡｌ、Ａｌ合金、Ａｇ、Ａｇ合金等によって構成される。
アノード１２は、本実施形態に係る半透明Ａｇ合金膜によって構成された電極である。
ボトムエミッション型の有機ＥＬ素子１では、電界発光層１３から成膜基板１１側に光を取り出すため、光を透過する半透明Ａｇ合金膜によってアノード１２を構成しているのである。このアノード１２は、ＩＴＯなどの透明導電性酸化物を半透明Ａｇ合金膜の上に積層した２層の構造、あるいは２層の透明導電性酸化物層で半透明Ａｇ合金層を挟み込んだ３層の構造としても良い。
【００２４】
アノード１２を構成する半透明Ａｇ合金膜は、Ｉｎ及びＳｎのいずれか一方又は両方を合計で０．１ａｔ％以上１．５ａｔ％以下、Ｓｂを０．０１０ａｔ％を超え２．０ａｔ％以下含有し、残部がＡｇ及び不可避不純物からなる組成を有している。
以下に、本実施形態に係る半透明Ａｇ合金膜の組成を上述のように規定した理由について説明する。
【００２５】
（Ｉｎ及びＳｎ：いずれか一方又は両方を合計で０．１ａｔ％以上１．５ａｔ％以下）
Ｉｎ及びＳｎは、Ｉｎ及びＳｎのいずれか一方又は両方を合計で０．１ａｔ％以上１．５ａｔ％以下含有することによって、半透明Ａｇ合金膜の耐硫化性を向上させる作用効果を有する元素である。
ここで、Ｉｎ及びＳｎのいずれか一方又は両方の合計含有量が０．１ａｔ％未満の場合、半透明Ａｇ合金膜において耐硫化性の向上の効果が得られなくなるおそれがある。一方、Ｉｎ及びＳｎのいずれか一方又は両方の合計含有量が１．５ａｔ％を超える場合、電気抵抗（比抵抗）が上昇して導電性が低下するとともに透過率が低下してしまうおそれがある。
このような理由から、Ｉｎ及びＳｎのいずれか一方又は両方の合計含有量が０．１ａｔ％以上１．５ａｔ％以下の範囲内に設定されている。
なお、半透明Ａｇ合金膜において、耐硫化性を確実に向上させるために、Ｉｎ及びＳｎのいずれか一方又は両方の合計含有量を０．３ａｔ％以上に設定することが好ましい。また、半透明Ａｇ合金膜において、透過率を十分に確保するために、Ｉｎ及びＳｎのいずれか一方又は両方の合計含有量を１．１ａｔ％以下に設定することが好ましい。
【００２６】
（Ｓｂ：０．０１０ａｔ％を超え２．０ａｔ％以下）
Ｓｂは、Ａｇの凝集を抑制し、膜厚を薄くしても膜の平滑性を維持する作用効果を有する元素である。
ここで、Ｓｂの含有量が０．０１０ａｔ％以下の場合、Ａｇの凝集を抑制する効果が得られなくなり、膜の平滑性が低下するおそれがある。一方、Ｓｂの含有量が２．０ａｔ％を超える場合、透過率が低下するとともに、電気抵抗が上昇して導電性が低下するおそれがある。
このような理由から、Ｓｂの含有量が０．０１０ａｔ％を超え２．０ａｔ％以下の範囲内に設定されている。
なお、半透明Ａｇ合金膜の透過性を確保するために膜厚を薄くした場合には、Ａｇの凝集がさらに促進されるため、Ｓｂの含有量を０．１ａｔ％以上に設定することが好ましい。また、半透明Ａｇ合金膜において、透過率を十分に確保するために、Ｓｂの含有量を１．０ａｔ％以下の範囲内に設定することが好ましい。
【００２７】
さらに、半透明Ａｇ合金膜（アノード１２）の膜厚が２０ｎｍ以下とされている。半透明Ａｇ合金膜の膜厚が２０ｎｍ超の場合、透過率が低下するため、２０ｎｍ以下に設定されている。本実施形態においては、半透明Ａｇ合金膜の膜厚は、５ｎｍ以上とされている。
【００２８】
また、半透明Ａｇ合金膜は、波長５５０ｎｍにおける透過率が３０％以上とされている。さらに、波長５５０ｎｍにおける透過率が、好ましくは、５０％以上とされている。本実施形態においては、可視光（３８０ｎｍ〜８００ｎｍ）の代表的な波長として波長５５０ｎｍを選択し、この波長５５０ｎｍにおける半透明Ａｇ合金膜の透過率を設定しているのである。
【００２９】
また、半透明Ａｇ合金膜の比抵抗（抵抗率）は、１５μΩ・ｃｍ以下であることが好ましい。
また、半透明Ａｇ合金膜の表面粗さ（Ｒａ）は、０．６ｎｍ以下であることが好ましい。なお、半透明Ａｇ合金膜の表面粗さは、０．３ｎｍ以上であることが実際的である。
【００３０】
次に、本実施形態に係る半透明Ａｇ合金膜の製造方法について説明する。
本実施形態に係る半透明Ａｇ合金膜は、Ｉｎ及びＳｎのいずれか一方又は両方を合計で０．１ａｔ％以上１．５ａｔ％以下、Ｓｂを０．０２ａｔ％以上７．０ａｔ％以下含有し、残部がＡｇ及び不可避不純物からなる組成を有したＡｇ合金で構成された本実施形態である半透明Ａｇ合金膜形成用スパッタリングターゲットを用いてスパッタリングすることにより成膜される。
例えば、以下の工程によって本実施形態に係る半透明Ａｇ合金膜が製造される。
【００３１】
まず、原料として、純度９９．９質量％以上のＡｇと、純度９９．９質量％以上のＩｎ及びＳｎの少なくとも一方と、Ｓｂとを所定の組成となるように秤量する。次に、溶解炉中において、Ａｇを高真空または不活性ガス雰囲気中で溶解し、得られた溶湯に所定の含有量のＩｎ及びＳｎの少なくとも一方とＳｂとを添加する。その後、真空または不活性ガス雰囲気中で溶解して、Ｉｎ及びＳｎのいずれか一方又は両方を合計で０．１ａｔ％以上１．５ａｔ％以下含有するとともにＳｂを０．０２ａｔ％以上７．０ａｔ％以下含有し、残部がＡｇ及び不可避不純物からなるＡｇ合金の溶解鋳造インゴットを作製する。
【００３２】
ここで、Ａｇの溶解は、溶解炉内部の雰囲気を一度真空にした後、Ａｒで置換した雰囲気で行い、溶解後、Ａｒ雰囲気の中でＡｇの溶湯にＩｎ及びＳｎの少なくとも一方とＳｂとを添加することが、ＡｇとＩｎ，Ｓｎ，Ｓｂとの組成比率を安定に得る観点から好ましい。さらに、Ｉｎ，Ｓｎ，Ｓｂは予め作製したＡｇＩｎ，ＡｇＳｎ，ＡｇＳｂ，ＡｇＩｎＳｂ，ＡｇＳｎＳｂまたはＡｇＩｎＳｎＳｂの母合金の形で添加してもよい。
【００３３】
得られたインゴットを冷間圧延した後、大気中で例えば６００℃、２時間保持の熱処理を施し、次いで機械加工することにより、所定寸法のスパッタリングターゲットを作製する。すなわち、このスパッタリングターゲットは、Ａｇ合金の溶解鋳造インゴットを塑性加工し、さらに熱処理して作製される。このスパッタリングターゲットを無酸素銅製のバッキングプレートに半田付けし、これを直流マグネトロンスパッタ装置に装着する。
【００３４】
次に、真空排気装置にて直流マグネトロンスパッタ装置内を５×１０−５Ｐａ以下まで排気した後、Ａｒガスを導入して所定のスパッタガス圧とし、続いて直流電源にてターゲットに例えば５０Ｗの直流スパッタ電力を印加する。さらに、上記ターゲットに対向しかつ所定の間隔を設けて上記ターゲットと平行に配置した成膜基板１１と上記ターゲットとの間にプラズマを発生させることで、半透明Ａｇ合金膜（アノード１２）を成膜基板１１上に成膜する。なお、スパッタリングによる半透明Ａｇ合金膜の成膜時において、膜の平滑性を良好にするためには、Ａｒガスのガス圧及びスパッタ電力を低く設定してスパッタレートを遅くすることが好ましい。
【００３５】
以上のような構成とされた本実施形態に係る半透明Ａｇ合金膜によれば、Ｉｎ及びＳｎのいずれか一方又は両方を合計で０．１ａｔ％以上１．５ａｔ％以下含有しているので、耐硫化性が向上する。また、Ｓｂを０．０１０ａｔ％を超え２．０ａｔ％以下含有しているので、膜厚を薄くしてもＡｇの凝集を抑制することができ、高温環境で使用した場合であっても膜の平滑性を維持することができる。さらに、膜厚が２０ｎｍ以下であり、波長５５０ｎｍにおける透過率が３０％以上であるので、光の透過性が良好である。このように、本実施形態に係る半透明Ａｇ合金膜は、膜厚が薄くても平滑性、耐熱性、及び耐硫化性に優れるので、導電性及び透過性が良好である。
【００３６】
上述したように、本実施形態に係る半透明Ａｇ合金膜は、平滑性に優れ、導電性及び透過性が良好であるので、ボトムエミッション型の有機ＥＬ素子１のアノード１２として好適に用いることができる。また、半透明Ａｇ合金膜は、耐硫化性及び耐熱性にも優れるため、アノード１２の信頼性を向上させることができる。
【００３７】
本実施形態である半透明Ａｇ合金膜形成用スパッタリングターゲットによれば、上述の半透明Ａｇ合金膜を良好に成膜することができる。
特に、本実施形態では、Ｉｎ及びＳｎのいずれか一方又は両方を合計で０．１ａｔ％以上１．５ａｔ％以下、Ｓｂを０．０２ａｔ％以上７．０ａｔ％以下含有し、残部がＡｇ及び不可避不純物からなる組成を有したＡｇ合金で構成されているので、上述の組成の半透明Ａｇ合金膜を確実に成膜することができる。
【００３８】
以上、本発明の実施形態について説明したが、本発明はこれに限定されることはなく、その発明の技術的思想を逸脱しない範囲で適宜変更可能である。
【００３９】
なお、上記実施の形態では、半透明Ａｇ合金膜を有機ＥＬ素子のアノードとして用いる場合について説明したが、半透明Ａｇ合金膜をディスプレイあるいはタッチパネル用の透明導電膜として用いても良い。この場合、半透明Ａｇ合金膜は、平滑性、耐熱性、及び耐硫化性に優れ、導電性及び透過性が良好であるので、ディスプレイあるいはタッチパネルの透過性と電磁遮蔽性を両立することができる。
【００４０】
また、半透明Ａｇ合金膜を赤外線カット用透過膜として用いても良い。半透明Ａｇ合金膜は、平滑性に優れ、光の透過性が良好であるので、可視光の透過性を確保しつつ、赤外線を反射することができ、赤外線カット用透過膜として好適に用いられる。
【実施例】
【００４１】
以下に、本発明の有効性を確認するために行った確認実験の結果について説明する。
まず、原料として、純度９９．９質量％以上のＡｇと、純度９９．９質量％以上のＩｎ及びＳｎの少なくとも一方とＳｂとを所定の組成となるように秤量する。次に、溶解炉中において、Ａｇを高真空または不活性ガス雰囲気中で溶解し、得られた溶湯に所定の含有量のＩｎ及びＳｎの少なくとも一方とＳｂとを添加する。その後、真空または不活性ガス雰囲気中で溶解して、Ｉｎ及びＳｎのいずれか一方又は両方を合計で０．１ａｔ％以上１．５ａｔ％以下含んでいるとともにＳｂを０．０２ａｔ％以上７．０ａｔ％以下含有し、残部がＡｇ及び不可避不純物からなるＡｇ合金の溶解鋳造インゴットを作製する。
【００４２】
ここで、Ａｇの溶解は、溶解炉内部の雰囲気を一度真空にした後、Ａｒで置換した雰囲気で行い、溶解後、Ａｒ雰囲気の中でＡｇの溶湯にＩｎ及びＳｎの少なくとも一方とＳｂとを添加した。
得られたインゴットを冷間圧延した後、大気中で例えば６００℃、２時間保持の熱処理を施し、次いで機械加工することにより、直径１５２．４ｍｍ、厚さ６ｍｍの寸法を有する円板状に作製した。
以上のようにして、本発明例１〜２０、比較例１〜９の半透明Ａｇ合金膜を製造するためのスパッタリングターゲット（半透明Ａｇ合金膜形成用スパッタリングターゲット）を製造した。このスパッタリングターゲットを無酸素銅製のバッキングプレートに半田付けし、これを直流マグネトロンスパッタ装置に装着した。
【００４３】
次に、真空排気装置にて直流マグネトロンスパッタ装置内を５×１０−５Ｐａ以下まで排気した後、Ａｒガスを導入して０．３Ｐａのスパッタガス圧とし、続いて直流電源にてターゲットに例えば５０Ｗの直流スパッタ電力を印加する。さらに、上記ターゲットに対向しかつ７０ｍｍの間隔を設けて上記ターゲットと平行に配置した直径４インチ（１０．１６ｃｍ）の洗浄済みのガラス基板（コーニング社製イーグルＸＧ）と上記ターゲットとの間にプラズマを発生させることで、表１に示す膜厚を有する半透明Ａｇ合金膜をガラス基板上に成膜した。
以上のようにして、表１に示す組成を有する本発明例１〜２０、比較例１〜９の半透明Ａｇ合金膜を製造した。
【００４４】
【表１】
2015035419.tif 000002
【００４５】
なお、本発明例１〜２０、比較例１〜９の半透明Ａｇ合金膜においては、ＡｇＩｎＳｂ合金製スパッタリングターゲット材及びＡｇＳｎＳｂ合金製スパッタリングターゲット材を用いて成膜した。
その膜組成をＩＣＰ発光分光法（ＩＣＰ−ＯＥＳ）および、ＩＣＰ質量分析法（ＩＣＰ−ＭＳ）により分析することで求めた。その際、膜中のＡｇの組成はＩＣＰ−ＯＥＳにより分析を行った。ＩｎおよびＳｂについては、Ｓｂ濃度が０．１５質量%以上の場合はＩＣＰ−ＯＥＳにより、０．１５％より少ない場合にはＩＣＰ−ＭＳにより分析を行った。
また、半透明Ａｇ合金膜の膜厚の測定は、透過電子顕微鏡（ＴＥＭ）により膜の断面を観察することによって求めた。ＴＥＭによる断面を観察するための試料作製は、例えばクロスセクションポリッシャー（ＣＰ）や集積イオンビーム法（ＦＩＢ）などを用いることができる。
【００４６】
以上のようにして製造された本発明例１〜２０、比較例１〜９の半透明Ａｇ合金膜に対して、比抵抗測定、表面粗さ（Ｒａ）測定、透過率測定、耐熱試験、耐硫化試験を行った。
なお、比抵抗測定、表面粗さ（Ｒａ）測定は、成膜直後及び耐熱試験後の半透明Ａｇ合金膜に対して行った。また、透過率測定は、成膜直後、耐熱試験後、及び耐硫化試験後の半透明Ａｇ合金膜に対して行った。
以下に各測定及び各試験の詳細を説明する。
【００４７】
（比抵抗測定）
表面抵抗測定器（三菱油化社製、Ｌｏｒｅｓｔａ  ＡＰ  ＭＣＰ−Ｔ４００）を用いて、四探針法により、半透明Ａｇ合金膜の比抵抗を測定した。
（表面粗さ測定）
原子間力顕微鏡（セイコーインスツルメンツ社製ＳＰＩ−３８００Ｎ）により半透明Ａｇ合金膜の表面粗さ（Ｒａ）を測定した。なお、表面粗さ（Ｒａ）は、ＪＩＳ  Ｂ  ０６０１に準拠して測定した。
（透過率測定）
分光光度計（日立ハイテクノロジーズ社製  Ｕ−４１００）により波長３８０ｎｍ〜８００ｎｍの範囲で半透明Ａｇ合金膜の透過率を測定した。透過率測定の際には、最初に基板をセットしない中空の状態で測定を行って、分光光度計のキャリブレーションを行った。続いて半透明Ａｇ合金膜が成膜されていないガラス基板の透過率Ｔｓを測定し、その後、半透明Ａｇ合金膜が成膜されたガラス基板の透過率Ｔｔを測定し、半透明Ａｇ合金膜の透過率Ｔｆを  Ｔｆ=Ｔｔ／Ｔｓ  として計算した。
【００４８】
（耐熱試験）
耐熱試験は、半透明Ａｇ合金膜を大気中において２５０℃で１時間の熱処理をすることにより行った。
（耐硫化試験）
耐硫化試験は、半透明Ａｇ合金膜をＮａ２Ｓ（硫化ナトリウム）０．０１ｗｔ％水溶液に１時間浸漬することにより行った。
上記の評価の結果を表２に示す。
【００４９】
【表２】
2015035419.tif 000003
【００５０】
本発明例１〜２０は、表２に示すように、平滑性、耐熱性、及び耐硫化性に優れ、導電性及び透過性が良好な半透明Ａｇ合金膜であることが確認された。
一方、比較例１、３は、Ｉｎ又はＳｎの含有量が少なすぎるために、本発明例と比較して、耐硫化試験後の透過率が著しく低下した。
比較例２、４は、Ｉｎ又はＳｎの含有量が多すぎるために、本発明例と比較して、成膜直後の比抵抗が大きくなった。
比較例５は、Ｉｎ及びＳｎの含有量が少なすぎるために、本発明例と比較して、耐硫化試験後の透過率が著しく低下した。
比較例６は、Ｉｎ及びＳｎの含有量が多すぎるために、本発明例と比較して、成膜直後の比抵抗が大きくなった。
【００５１】
比較例７は、Ｓｂの含有量が少なすぎるために、本発明例と比較して、成膜直後の表面粗さが大きくなるとともに、耐熱試験後の比抵抗及び表面粗さが著しく上昇した。なお、表２中の「オーバーレンジ」とは、比抵抗が大きすぎて測定不可であったことを意味している。
比較例８は、Ｓｂの含有量が多すぎるために、本発明例と比較して、成膜直後の比抵抗が大きくなった。
比較例９は、膜厚が厚すぎるために、本発明例と比較して、透過率が低下した。
供できることが確認された。
【符号の説明】
【００５２】
１  有機ＥＬ素子
１２  アノード（半透明Ａｇ合金膜）
【図１】
2015035419.tif 000004