(57)【要約】【課題】高い信頼性と優れた熱応答性とを両立する液体吐出ヘッドを提供する。【解決手段】液体吐出ヘッド２０は、液体を吐出するための吐出口６と、吐出口６に連通し、吐出口６に液体を供給するための流路７と、流路７の吐出口６に対向する位置に形成され、液体を吐出するために利用されるエネルギーを発生させるエネルギー発生素子１と、吐出口６とエネルギー発生素子１との間に位置するように形成された耐キャビテーション層１２，１３と、基板２とを有している。基板２の吐出口６に対向する面には、凹部１４が形成され、エネルギー発生素子１は、凹部１４の底面と側面に対応する領域に形成され、耐キャビテーション層１２，１３は、凹部１４の底面における膜厚が凹部１４の側面における膜厚よりも厚くなるように凹部１４の底面と側面に形成されているか、または、凹部１４の底面にのみ形成されている。【選択図】図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
液体を吐出するための吐出口と、前記吐出口に連通し、該吐出口に液体を供給するための流路と、前記流路の前記吐出口に対応する位置に形成され、液体を吐出するために利用されるエネルギーを発生させるエネルギー発生素子と、前記吐出口と前記エネルギー発生素子との間に位置するように形成された耐キャビテーション層と、基板とを有し、
前記基板の前記吐出口に対向する面には、凹部が形成され、前記エネルギー発生素子は、前記凹部の底面と側面に対応する領域に形成され、前記耐キャビテーション層は、前記凹部の底面における膜厚が前記凹部の側面における膜厚よりも厚くなるように前記凹部の底面と側面に形成されているか、または、前記凹部の底面にのみ形成されている、ことを特徴とする液体吐出ヘッド。
【請求項２】
液体を吐出するための吐出口と、前記吐出口に連通し、該吐出口に液体を供給するための流路と、前記流路の前記吐出口に対向する位置に形成され、液体を吐出するために利用されるエネルギーを発生させるエネルギー発生素子と、基板とを有し、
前記基板の前記吐出口に対向する面には、凹部が形成され、前記エネルギー発生素子は、前記凹部の側面に対応する領域にのみ形成されている、ことを特徴とする液体吐出ヘッド。
【請求項３】
前記耐キャビテーション層は、Ｔａで形成されている、請求項１に記載の液体吐出ヘッド。
【請求項４】
前記凹部は、底面に向かって開口径が小さくなるテーパ状に形成されている、請求項１から３のいずれか１項に記載の液体吐出ヘッド。
【請求項５】
前記エネルギー発生素子が設けられた基板と、前記吐出口が形成された流路形成部材とが接合され、前記流路が、前記基板と前記流路形成部材とによって形成されている、請求項１から４のいずれか１項に記載の液体吐出ヘッド。
【請求項６】
前記凹部は、前記基板が表面に有する、開口を備えた蓄熱層によって形成されている、請求項５に記載の液体吐出ヘッド。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、吐出口から液体を吐出する液体吐出ヘッドに関する。
【背景技術】
【０００２】
吐出口からインクなどの液体を吐出する液体吐出ヘッドとして、熱エネルギーによる吐出方式の液体吐出ヘッドが知られている。この方式の液体吐出ヘッドは、電気信号に応じて熱エネルギーを発生させるエネルギー発生素子を備え、この熱エネルギーにより液体中に気泡を発生させ、その気泡を利用して液体を吐出するものである。
このような液体吐出ヘッドでは、液体を連続して吐出する際に気泡の発生と消滅が繰り返されることで、機械的衝撃（キャビテーション）が発生し、それにより、エネルギー発生素子が損傷を受けやすいという問題がある。また、液体が吐出された後で吐出口内に残った液体は、その液体とエネルギー発生素子との間にある気泡が収縮すると、その負圧によってエネルギー発生素子の方向に引き寄せられ、エネルギー発生素子に衝突することがある。この衝突によっても、エネルギー発生素子は損傷を受ける可能性がある。したがって、上述の液体吐出ヘッドでは、このような損傷を回避するための対策が必要となる。この対策の一つとして、エネルギー発生素子を覆うように、エネルギー発生素子を衝撃や衝突から保護するための耐キャビテーション層を形成する技術が知られている（例えば、特許文献１，２参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開平０４−２１４３５７号公報
【特許文献２】特開平０６−２９７７１３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
エネルギー発生素子への衝撃や衝突に対して高い耐久性を確保し、信頼性の高い液体吐出ヘッドを実現するためには、耐キャビテーション層の膜厚をできるだけ厚くすることが好ましい。しかしながら、エネルギー発生素子で発生する熱エネルギーは、耐キャビテーション層を介して液体に伝達されるため、耐キャビテーション層の膜厚が厚くなりすぎると、エネルギー発生素子から液体への熱伝導率の低下を招くことになる。このことは、熱応答性の低下、すなわち、エネルギー発生素子に電力が供給されてから液体が吐出されるまでの応答時間の遅延につながり、ひいてはエネルギー効率の低下につながる。
そこで、本発明の目的は、高い信頼性と優れた熱応答性とを両立する液体吐出ヘッドを提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
上述した目的を達成するために、本発明の一態様による液体吐出ヘッドは、液体を吐出するための吐出口と、吐出口に連通し、吐出口に液体を供給するための流路と、流路の吐出口に対応する位置に形成され、液体を吐出するために利用されるエネルギーを発生させるエネルギー発生素子と、吐出口と前記エネルギー発生素子との間に位置するように形成された耐キャビテーション層と、基板とを有し、基板の吐出口に対向する面には、凹部が形成され、エネルギー発生素子は、凹部の底面と側面に対応する領域に形成され、耐キャビテーション層は、凹部の底面における膜厚が凹部の側面における膜厚よりも厚くなるように凹部の底面と側面に形成されているか、または、凹部の底面にのみ形成されている、ことを特徴とする。
また、本発明の他の態様による液体吐出ヘッドは、液体を吐出するための吐出口と、吐出口に連通し、吐出口に液体を供給するための流路と、流路の吐出口に対向する位置に形成され、液体を吐出するために利用されるエネルギーを発生させるエネルギー発生素子と、基板とを有し、基板の吐出口に対向する面には、凹部が形成され、エネルギー発生素子は、凹部の側面に対応する領域にのみ形成されている、ことを特徴とする。
【発明の効果】
【０００６】
本発明によれば、高い信頼性と優れた熱応答性とを両立する液体吐出ヘッドを提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【０００７】
【図１】第１の実施形態に係る液体吐出ヘッドを示す斜視図である。
【図２】図１のＡ−Ａ’線に沿った断面図である。
【図３】液体吐出ヘッドの液体吐出動作を示す断面図である。
【図４】第１の実施形態に係る液体吐出ヘッドの製造方法を示す断面図である。
【図５】第２の実施形態に係る液体吐出ヘッドを示す断面図である。
【図６】第３の実施形態に係る液体吐出ヘッドを示す断面図である。
【図７】第３の実施形態に係る液体吐出ヘッドの製造方法を示す断面図である。
【図８】第４の実施形態に係る液体吐出ヘッドの要部を示す斜視図である。
【図９】第４の実施形態に係る液体吐出ヘッドを示す断面図である。
【図１０】第４の実施形態に係る液体吐出ヘッドの製造方法を示す断面図である。
【発明を実施するための形態】
【０００８】
以下、図面を参照して、本発明の実施の形態について説明する。
【０００９】
（第１の実施形態）
図１は、本発明の第１の実施形態に係る液体吐出ヘッドを概略的に示す斜視図であり、一部を切り欠いて示す斜視図である。図２は、図１のＡ−Ａ’線に沿った断面図である。
図１を参照すると、液体吐出ヘッド２０は、液体を吐出するために利用される複数のエネルギー発生素子１が設けられた基板２と、基板２のエネルギー発生素子１が設けられた面に接合された流路形成部材３とを有している。流路形成部材３には、液体を吐出するための複数の吐出口６が形成され、基板２と流路形成部材３とが接合されることで、それぞれ吐出口６に連通する複数の流路７が形成されている。また、基板２には、流路７を介して吐出口６に液体を供給する供給口４が形成されている。エネルギー発生素子１は、供給口４の両側に配置され、所定のピッチで２列に配列されている。吐出口６は、エネルギー発生素子１に対向する位置に形成され、したがって、２つの吐出口列を構成している。また、基板２には、外部（例えば、液体吐出装置）との電気的接続を行う複数の端子５が設けられている。
【００１０】
図２を参照すると、基板２の吐出口６に対向する面には、凹部１４が形成されている。すなわち、凹部１４は、基板２の表面に形成された凹部によって形成されている。基板２の凹部が形成された面の上には、蓄熱層８が形成され、蓄熱層８の上には、発熱抵抗層９と一対の電極層１０とが形成されている。一対の電極層１０に電圧が印加され、発熱抵抗層９の一対の電極層１０の間に位置する部分が発熱することで、その発熱抵抗層９の部分がエネルギー発生素子１として用いられる。一対の電極層１０は凹部１４の外側に設けられている。そのため、エネルギー発生素子１は、凹部１４の底面に対応する領域に形成された部分（以下、「底面に対応する部分」という）と、凹部１４の側面に対応する領域に形成された部分（以下、「側面に対応する部分」という）とから構成されている。
さらに、発熱抵抗層９および一対の電極層１０の上には、電気絶縁層１１が形成されている。本実施形態の液体吐出ヘッドが液体としてインクを吐出する場合、エネルギー発生素子１および電極層１０がインクと接触することで劣化するのを抑制する必要がある。また、エネルギー発生素子１および電極層１０とインクとの電気的絶縁が確保されている必要もある。電気絶縁層１１は、このような劣化の抑制や電気的絶縁の確保のために設けられている。このため、電気絶縁層１１は、耐インク性および絶縁性に優れた材料で形成されていることが好ましく、例えばＳｉＮ、ＳｉＣ、ＳｉＣＮ等で形成されている。
【００１１】
さらに、電気絶縁層１１の上には、第１の耐キャビテーション層１２と、第２の耐キャビテーション層１３とが形成されている。第１および第２の耐キャビテーション層１２，１３は、気泡の発生および消滅の際のキャビテーションなどによる損傷からエネルギー発生素子１を保護する保護膜として機能する。後述するように、エネルギー発生素子１は、凹部１４の側面に対応する部分に比べて、凹部１４の底面に対応する部分が損傷を受けやすい。そのため、第１の耐キャビテーション層１２は、凹部１４の底面および側面に形成されているのに対し、第２の耐キャビテーション層１３は、凹部１４の底面にのみ形成されている。これにより、エネルギー発生素子１の損傷を受けやすい部分の保護膜の膜厚を厚くすることができ、エネルギー発生素子１の損傷をより確実に回避することができる。この部分の保護膜の膜厚（第１の耐キャビテーション層１２の膜厚と第２の耐キャビテーション層１３の膜厚との合計）は、例えば、０．２〜０．７μｍである。一方、エネルギー発生素子１の損傷を受けにくい部分（凹部１４の側面に対応する部分）には、相対的に膜厚が薄い保護膜（第１の耐キャビテーション層１２）が形成されている。これにより、エネルギー発生素子１から液体への熱伝導率の低下を抑制することができ、エネルギー効率を良好に維持することができる。この部分の保護膜の膜厚（第１の耐キャビテーション層１２の膜厚）は、例えば、０．２μｍ未満である。第１および第２の耐キャビテーション層１２，１３は、機械的強度に優れていることが好ましく、本実施形態の液体吐出ヘッドが液体としてインクを吐出する場合には、耐インク性に優れていることが好ましい。第１および第２の耐キャビテーション層１２，１３は、Ｔａで形成されていることが好ましい。
【００１２】
次に、図３を参照しながら、本実施形態の液体吐出ヘッドにおける耐キャビテーション層の効果について説明する。図３（ａ）から図３（ｄ）は、本実施形態の液体吐出ヘッドの液体吐出動作の各段階を示す概略断面図であり、図２に対応する図である。
エネルギー発生素子１に電力が供給されると、吐出口６および流路７内の液体１５中に気泡１６が発生する（図３（ａ）参照）。このとき、気泡１６は、エネルギー発生素子１から液体１５への熱伝導率が高い部分、すなわち凹部１４の側面側から発生して成長する。その後、気泡１６は、吐出口６に向かって大きく膨張し、最大発泡時（図３（ｂ）参照）には、液体１５が吐出口６から飛び出した状態になる。そして、液体１５が液滴として吐出されると、気泡１６は収縮を開始する（図３（ｃ）参照）。このとき、吐出されずに吐出口６内に残った液体１５は、収縮する気泡１６の負圧によって、凹部１４の方向に引き寄せられ、その中央部が凹部１４の底面に向かって凸状になる。このときの液体１５の動きは、図３（ｃ）中に矢印で示されている。気泡１６の収縮が進み、気泡１６が消滅する前（図３（ｄ）参照）になると、液体１５の凸状になった部分が凹部１４の底面に衝突する。さらに、気泡１６が消滅すると、キャビテーションによる衝撃が凹部１４の底面に発生する。このように、凹部１４の底面には衝撃が発生するが、本実施形態では、第２の耐キャビテーション層１３によって、凹部１４の底面における保護膜の膜厚が厚くされている。これにより、エネルギー発生素子１にかかる衝撃を緩和することができ、エネルギー発生素子１の損傷をより確実に抑制することができる。
【００１３】
次に、図４を参照しながら、本実施形態の液体吐出ヘッドの製造方法について具体的に説明する。図４（ａ）から図４（ｄ）は、本実施形態の製造方法の各工程における液体吐出ヘッドの概略断面図であり、図２に対応する図である。
まず、基板２として、半導体素子が予め作り込まれた、結晶方位が［１００］のＳｉ基板を準備する。そして、そのＳｉ基板上の所定の位置に、フォトリソグラフィ法を用いて、レジストからなるエッチングマスクを形成する。その後、例えば水酸化テトラメチルアンモニウム（ＴＭＡＨ）などの強アルカリ溶液による異方性エッチングにより、図４（ａ）に示すように、基板２の表面に、底面と側面とを有する凹部を形成する。なお、本実施形態では、基板２の凹部は、ウェットエッチングにより、底面に向かって開口径が小さくなるテーパ状に形成されているが、必ずしもテーパ状に形成されている必要はない。そのため、凹部の形成には、ドライエッチングを用いることもできる。
【００１４】
次に、基板２上のレジストを除去した後、図４（ｂ）に示すように、基板２上に、蓄熱層８と、発熱抵抗層９と、一対の電極層１０と、電気絶縁層１１と、第１の耐キャビテーション層１２とを、この順で形成する。
具体的には、まず、化学気相堆積（ＣＶＤ）法を用いて、蓄熱層８として、例えば、５００ｎｍの厚さのＳｉＯ２膜を成膜する。そして、フォトリソグラフィ法を用いて、レジストからなるエッチングマスクを形成し、このエッチングマスクを用いて、ＣＦ４ガスによる反応性イオンエッチング（ＲＩＥ）を行う。これにより、ＳｉＯ２膜を所定の形状にエッチングし、レジストを除去することで、蓄熱層８を形成する。
続いて、スパッタリング法を用いて、発熱抵抗層９として、例えば、１０ｎｍの厚さのＴａＳｉＮ膜を成膜し、電極層１０として、例えば、６００ｎｍの厚さのＡｌ膜を成膜する。そして、フォトリソグラフィ法を用いて、レジストからなるエッチングマスクを形成し、このエッチングマスクを用いて、ＢＣｌ３とＣｌ２の混合ガスによるＲＩＥを行う。これにより、ＴａＳｉＮ膜とＡｌ膜とを所定の形状にエッチングし、レジストを除去することで、まず、発熱抵抗層９を形成する。次に、再びフォトリソグラフィ法を用いて、レジストからなるエッチングマスクを形成し、このエッチングマスクを用いて、ウェットエッチングを行う。これにより、発熱抵抗層９のエネルギー発生素子１として用いられる部分の上に形成されたＡｌ膜を除去し、さらにレジストを除去することで、一対の電極層１０を形成する。
続いて、ＣＶＤ法を用いて、電気絶縁層１１として、例えば、３００ｎｍの厚さのＳｉＮ膜を成膜する。そして、リソグラフィ法を用いて、レジストからなるエッチングマスクを形成し、このエッチングマスクを用いて、ＣＦ４を用いたＲＩＥを行う。これにより、ＳｉＮ膜を所定の形状にエッチングし、レジストを除去することで、電気絶縁層１１を形成する。
続いて、スパッタリング法を用いて、第１の耐キャビテーション層１２として、例えば、１００ｎｍの厚さのＴａ膜を成膜する。そして、リソグラフィ法を用いて、レジストからなるエッチングマスクを形成し、このエッチングマスクを用いて、ＣＦ４を用いたＲＩＥを行う。これにより、Ｔａ膜を所定の形状にエッチングし、レジストを除去することで、第１の耐キャビテーション層１２を形成する。
【００１５】
次に、図４（ｃ）に示すように、第２の耐キャビテーション層１３を形成する。具体的には、まず、フォトリソグラフィ法を用いて、第１の耐キャビテーション層１２の、凹部１４の底面に位置する部分が開口するように、レジストパターンを形成する。その後、その上に、スパッタリング法を用いて、例えば、４００ｎｍの厚さのＴａ膜を成膜する。そして、再びフォトリソグラフィ法を用いて、レジストからなるエッチングマスクを形成し、このエッチングマスクを用い、ＣＦ４を用いたＲＩＥを行う。これにより、Ｔａ膜を所定の形状にエッチングし、レジストを除去することで、第２の耐キャビテーション層１３を形成する。
【００１６】
次に、図４（ｄ）に示すように、吐出口６および流路７が形成された流路形成部材３を形成する。具体的には、まず、基板２上にポジ型感光性樹脂層を形成し、フォトリソグラフィ法を用いて、ポジ型感光性樹脂層をパターニングし、流路７のパターンを形成する。そして、その上に、流路形成部材３の部材となるネガ型感光性樹脂層を形成し、ネガ型感光性樹脂層をパターニングすることで、吐出口６を形成する。その後、異方性エッチングにより、基板２に供給口（図示せず）を形成した後、流路７のパターンを形成していたポジ型感光性樹脂層を除去することで、流路形成部材３に流路７が形成される。
以上の工程は、Ｓｉ基板（基板２）がウエハの状態で行われる。Ｓｉ基板をダイシングによりチップ単位に切り出した後、各チップに外部との電気的接続を行う複数の端子を形成することで、図１に示す液体吐出ヘッド２０が完成する。
【００１７】
（第２の実施形態）
図５は、本発明の第２の実施形態に係る液体吐出ヘッドを概略的に示す断面図であり、図２の断面図に対応する図である。
上述したように、エネルギー発生素子１の凹部１４の側面に対応する部分は、キャビテーションなどによる損傷の影響を受けにくい。そのため、この部分には、必ずしも保護膜が形成されている必要はない。したがって、本実施形態では、第１の実施形態で設けられていた第１の耐キャビテーション層１２は設けられておらず、第２の耐キャビテーション層１３のみが設けられている。このような場合にも、第２の耐キャビテーション層１３が、エネルギー発生素子１の損傷を受けやすい部分（凹部１４の底面に対応する部分）の保護膜として機能するため、衝撃や衝突に対して高い耐久性を確保することができる。また、本実施形態では、第１の耐キャビテーション層の成膜工程が必要ないため、液体吐出ヘッドを少ない工程数で安価に製造することができるという利点もある。
【００１８】
（第３の実施形態）
図６は、本発明の第３の実施形態に係る液体吐出ヘッドを概略的に示す断面図であり、図２の断面図に対応する図である。
凹部１４に関して図６に示すように、基板２が、表面側に開口１７ａを備えた蓄熱層１７を有し、蓄熱層１７に凹部１４が形成されていてもよい。蓄熱層１７は基板２の一部である。このような構成により、本実施形態においても、上述した実施形態と同様の効果を得ることができる。
【００１９】
ここで、図７を参照して、本実施形態の液体吐出ヘッドの製造方法について簡単に説明する。図７（ａ）から図７（ｄ）は、本実施形態の製造方法の各工程における液体吐出ヘッドの概略断面図であり、図２に対応する図である。
まず、基板２として、第１の実施形態と同様のＳｉ基板を準備し、その表面を熱酸化して、基板２上に、例えば６００ｎｍの厚さのＳｉＯ２膜を形成する。次に、フォトリソグラフィ法を用いて、レジストからなるエッチングマスクを形成し、このエッチングマスクを用いて、バッファードフッ酸（ＢＨＦ）によるウェットエッチングを行う。これにより、ＳｉＯ２膜を所定の形状にエッチングし、レジストを除去することで、図７（ａ）に示すように、開口１７ａを備えた蓄熱層１７を形成する。なお、本実施形態においても、開口１７ａは、必ずしもテーパ状に形成されている必要はなく、開口１７ａの形成には、ドライエッチングを用いることもできる。また、蓄熱層１７として、基板２の表面を熱酸化することでＳｉＯ２膜を形成する代わりに、基板２上にＰ−ＳｉＮ膜（プラズＣＶＤ法によるＳｉＮ膜）を形成することもできる。
次に、第１の実施形態の図４（ｂ）に示す工程と同様の手順で、図７（ｂ）に示すように、基板２および蓄熱層１７の上に、蓄熱層８と、発熱抵抗層９と、一対の電極層１０と、電気絶縁層１１と、第１の耐キャビテーション層１２とを、この順で形成する。その後、第１の実施形態の図４（ｃ）に示す工程と同様の手順で、図７（ｃ）に示すように、第２の耐キャビテーション層１３を形成する。そして、第１の実施形態の図４（ｄ）に示す工程と同様の手順で、図７（ｄ）に示すように、吐出口６および流路７が形成された流路形成部材３を形成した後、第１の実施形態と同様の工程を行い、液体吐出ヘッド２０が完成する。
【００２０】
（第４の実施形態）
図８は、本発明の第４の実施形態に係る液体吐出ヘッドの要部を概略的に示す斜視図であり、図９は、図８のＢ−Ｂ’に沿った断面図である。なお、図８では、簡単のために、電気絶縁層の図示を省略している。
本実施形態では、図９に示すように、凹部１４の底面に対応する領域に発熱抵抗層９が形成されていない。すなわち、エネルギー発生素子１は、図８に示すように、凹部１４の側面に対応する領域にのみ設けられ、凹部１４の底面には設けられていない。このことは、凹部１４の底面に衝撃や衝突が発生したとしても、それがエネルギー発生素子１に作用することはなく、エネルギー発生素子１が損傷するおそれがないことを意味している。このため、本実施形態では、上述した実施形態で設けられていた第１および第２の耐キャビテーション層１２，１３が共に設けられていない。このような構成により、本実施形態においても、上述した実施形態と同様に、耐久性が高く、信頼性の高い液体吐出ヘッドを実現することができる。また、耐キャビテーション層が設けられていないため、熱応答性の低下を招くこともない。
【００２１】
ここで、図１０を参照して、本実施形態の液体吐出ヘッドの製造方法について簡単に説明する。図１０（ａ）から図１０（ｃ）は、本実施形態の製造方法の各工程における液体吐出ヘッドの概略断面図であり、図２に対応する図である。
まず、第１の実施形態の図４（ａ）および図４（ｂ）に示す工程と同様の手順で、凹部を形成した基板２上に、蓄熱層８を形成し、その上に、発熱抵抗層９としてＴａＳｉＮ膜を成膜する。そして、フォトリソグラフィ法を用いて、レジストからなるエッチングマスクを形成し、このエッチングマスクを用いて、ＢＣｌ３とＣｌ２の混合ガスによるＲＩＥを行う。これにより、凹部１４の底面に対応する部分を除去するなど、ＴａＳｉＮ膜を所定の形状にエッチングし、レジストを除去することで、図１０（ａ）に示すように、発熱抵抗層９を形成する。
次に、第１の実施形態の図４（ｂ）に示す工程と同様の手順で、図１０（ｂ）に示すように、蓄熱層８および発熱抵抗層９の上に、一対の電極層１０と、電気絶縁層１１とを、この順で形成する。このとき、一対の電極層１０は、上述した実施形態とは異なり、図８に示すように、エネルギー発生素子１の同じ側に配置されるように形成される。その後、第１の実施形態の図４（ｄ）に示す工程と同様の手順で、図１０（ｃ）に示すように、吐出口６および流路７が形成された流路形成部材３を形成した後、第１の実施形態と同様の工程を行い、液体吐出ヘッド２０が完成する。
【符号の説明】
【００２２】
１  エネルギー発生素子
１２  第１の耐キャビテーション層
１３  第２の耐キャビテーション層
１４  凹部
２０  液体吐出ヘッド
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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