(57)【要約】【課題】複数のセンサー素子が収容される空間の環境を、各々のセンサー素子に最適な環境の空間として得ることができる電子デバイスを提供する。【解決手段】第１基材と、前記第１基材に接合されている第２基材と、前記第１基材と前記第２基材との間に、第１内部空間部と第２内部空間部とが設けられ、前記第１内部空間部に第１機能素子、前記第２内部空間部に第２機能素子が収納され、前記第１基材と前記第２基材との接合部には、前記第１内部空間部から、前記第１基材と前記第２基材の接合領域の外部に連通する第１連通部を備え、前記第１基材と前記第２基材の接合領域の外部には、電極が設けられ、前記第１連通部には、前記第１機能素子と、前記電極と、が電気的に接続された接続配線が設けられ、前記第１連通部の前記第１基材と前記第２基材の接合領域の外部への開口を封止する第１封止部材を備えている電子デバイス。【選択図】図１
2015040812.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１基材と、
前記第１基材に接合されている第２基材と、
前記第１基材と前記第２基材との間に、少なくとも第１内部空間部と第２内部空間部とが設けられ、
前記第１内部空間部に収納されている第１機能素子と、前記第２内部空間部に収納されている第２機能素子と、を備え、
前記第１基材と前記第２基材との接合部には、前記第１内部空間部から、前記第１基材と前記第２基材の接合領域の外部に連通する第１連通部を備え、
前記第１基材と前記第２基材と、の接合領域の外部には、電極が設けられ、
前記第１連通部には、前記第１機能素子と、前記電極と、が電気的に接続された接続配線が設けられ、
前記第１連通部の前記第１基材と前記第２基材と、の接合領域の外部への開口を封止する第１封止部材を備えている、
ことを特徴とする電子デバイス。
【請求項２】
前記第２基材の前記第２内部空間部を形成する領域に、前記第２基材の外部と連通する第２連通部を備え、
前記第２連通部を封止する第２封止部材を備えている、
ことを特徴とする請求項１に記載の電子デバイス。
【請求項３】
前記第１内部空間部と、前記第２内部空間部と、の内部圧力が異なっている、
ことを特徴とする請求項２に記載の電子デバイス。
【請求項４】
前記第１封止部材は、
前記第１連通部の前記第１基材と前記第２基材の接合領域の外部への開口を封止する第１の封止層と、
前記第１の封止層の少なくとも一部を覆うように設けられている第２の封止層と、を少なくとも備えている、
ことを特徴とする請求項１から３のいずれか一項に記載の電子デバイス。
【請求項５】
前記第２の封止層は、前記第２連通部に設けられている下地層から延設されている、
ことを特徴とする請求項２から４のいずれか一項に記載の電子デバイス。
【請求項６】
前記第１機能素子および前記第２機能素子を駆動させる回路部を備えている、
ことを特徴とする請求項１から５のいずれか一項に記載の電子デバイス。
【請求項７】
請求項１から６のいずれか１項に記載の電子デバイスを備えている、
ことを特徴とする電子機器。
【請求項８】
請求項１から７のいずれか一項に記載の電子デバイス、もしくは電子機器を備えている、
ことを特徴とする移動体。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電子デバイス、電子機器および移動体に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、小型センサーデバイスとして精密加工技術の一つとして半導体製造方法を用いたＭＥＭＳ（Ｍｉｃｒｏ  Ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃｓ  Ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ  Ｓｙｓｔｅｍｓ）技術を用いて物理量を検出する機能素子を備えた電子デバイスが開発されている。機能素子としては、例えば、固定配置された固定電極と、固定電極に対して所定の間隔を隔てて対向させるとともに変位可能に設けられた可動電極と、を有し、固定電極と可動電極との間の静電容量に基づいて、加速度あるいは角速度といった物理量を検出する物理量センサー素子が知られている。
【０００３】
これら物理量センサー素子を複合させた複合センサー素子として、加速度センサーと角速度センサーとを複合させたセンサー素子が提案され、運動センサーとして開示されている（特許文献１）。
【０００４】
しかしながら、特許文献１に開示されている複合センサー素子において、複合センサー素子を構成する角速度センサー素子と加速度センサー素子とでは、収納されるパッケージ空間環境がセンサー素子の動作に影響することが知られている。すなわち、減圧環境（真空環境）下において所望の動作が得られる角速度センサーに対して、加速度センサーは非減圧環境、すなわち空気などの気体が存在する環境下において所望の動作が得られる。これら、異なる環境下に角速度センサーと加速度センサーとを複合させた物理量センサー素子を形成させるため、角速度センサーと加速度センサーとが一体化されて成る複合センサー素子であって、角速度センサー用の振動体と加速度センサー用の振動体とをそれぞれ収容封止する空間部が形成される複合センサー素子が特許文献２に開示されている。
【０００５】
特許文献２に開示されている複合センサー素子では、角速度センサー用の振動体を収容封止する空間部は真空状態に、加速度センサー用の振動体を収容封止する空間部は高周波振動抑制用の気圧状態、もしくはダンピング剤が充填されている。このように、角速度センサー用の収容空間部と加速度センサー用の収容空間部との環境を異なるものにして所望の性能を得ることとしている。開示されている収容封止される空間部は、それぞれにスルーホールを備え、加速度センサー用の振動体の収容空間に備えるスルーホールは金属膜によって収容空間は所定環境で封止される。
【０００６】
そして、角速度センサー用の振動体の収容空間に備えるスルーホールは、封止部材、例えば樹脂や半田、を充填し、収容空間は封止される。このとき、真空状態で封止部材をスルーホールに充填することにより角速度センサー用の振動体の収容空間は真空気密封止される。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００７】
【特許文献１】特開平１０−２３９３４７号公報
【特許文献２】特開２００２−５９５９号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
しかし、特許文献２の複合センサー素子では、電子デバイスとして複合センサー素子の外部と電気的に接続させるための基台に形成されるべき電極配線と、蓋部材との接合部での気密封止に関する開示はなく、複合センサー素子の振動体が収容される封止空間部の確実な気密性の保持が不明瞭であった。
【０００９】
そこで、第１機能素子（例えば、角速度センサー素子）と第２機能素子（例えば、加速度センサー素子）を備える電子デバイスにおいて、確実に第１機能素子が収容される最適な空間の環境と、第２機能素子が収容される最適な空間の環境と、を得ることができる電子デバイスを提供する。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本発明は、上述の課題の少なくとも一部を解決するためになされたものであり、以下の形態または適用例として実現することが可能である。
【００１１】
〔適用例１〕本適用例の電子デバイスは、第１基材と、前記第１基材に接合されている第２基材と、前記第１基材と前記第２基材との間に、少なくとも第１内部空間部と第２内部空間部とが設けられ、前記第１内部空間部に収納されている第１機能素子と、前記第２内部空間部に収納されている第２機能素子と、を備え、前記第１基材と前記第２基材との接合部には、前記第１内部空間部から、前記第１基材と前記第２基材と、の接合領域の外部に連通する第１連通部を備え、前記第１基材と前記第２基材の接合領域の外部には、電極が設けられ、前記第１連通部には、前記第１機能素子と、前記電極と、が電気的に接続された接続配線が設けられ、前記第１連通部の前記第１基材と前記第２基材と、の接合領域の外部への開口を封止する第１封止部材を備えていることを特徴とする。
【００１２】
本適用例の電子デバイスによれば、第１基材と第２基材との接合領域の外部に電極を設け、第１内部空間部および第２内部空間部に収容される第１機能素子および第２機能素子から、電極へ繋がる接続配線が形成される第１基材と第２基材との接合部に設けられた第１連通部を介して、第１内部空間部の内部環境、例えば減圧あるいは真空環境、もしくは気体が充填された大気圧あるいは加圧環境、を形成することができる。そして、第１基材と第２基材の接合領域の外部へ連通部の開口を封止部材により封止することにより、容易に第１内部空間部および第２内部空間部を気密封止することができ、第１機能素子および第２機能素子を安定して動作させることができる。
【００１３】
〔適用例２〕上述の適用例において、前記第２基材の前記第２内部空間部を形成する領域に、前記第２基材の外部と連通する第２連通部を備え、前記第２連通部を封止する第２封止部材を備えていることを特徴とする。
【００１４】
上述の適用例によれば、気密封止された第１内部空間部とは異なる内部環境が形成された第２内部空間部を、容易に形成することができる。従って、第１機能素子に対しても、第２機能素子に対しても最適動作環境を形成することができ、安定した動作を得られる複数の機能素子を備える電子デバイスを得ることができる。
【００１５】
〔適用例３〕上述の適用例において、前記第１内部空間部と、前記第２内部空間部と、の内部圧力が異なっていることを特徴とする。
【００１６】
上述の適用例によれば、気密封止された第１内部空間部とは異なる内部環境が形成された第２内部空間部を、容易に形成することができる。従って、第１機能素子に対しても、第２機能素子に対しても最適動作環境を形成することができ、安定した動作を得られる複数の機能素子を備える電子デバイスを得ることができる。
【００１７】
〔適用例４〕上述の適用例において、前記第１封止部材は、前記第１連通部の前記第１基材と前記第２基材の接合領域の外部への開口を封止する第１の封止層と、前記第１の封止層の少なくとも一部を覆うように設けられている第２の封止層と、を少なくとも備えていることを特徴とする。
【００１８】
上述の適用例によれば、第２の封止層は第１の封止層の補強層として機能させることができる。従って、高い強度の第１封止部材を形成することができる。
【００１９】
〔適用例５〕上述の適用例において、前記第２の封止層は、前記第２連通部にもうけられている下地層から延設されていることを特徴とする。
【００２０】
上述の適用例によれば、第２連通部の下地層を形成する一つの工程で、第２の封止層を形成することができる。従って、少ない工程で、高い強度の第１封止部材を形成することができ、電子デバイスの製造工程の合理化、およびコストダウンを実現することができる。
【００２１】
〔適用例６〕上述の適用例において、前記第１機能素子および前記第２機能素子を駆動させる回路部を備えていることを特徴とする。
【００２２】
上述の適用例によれば、異なる物理量を検出する第１機能素子および第２機能素子を安定して駆動させ、高い精度で角速度や加速度などの外的物理量を検出することができる。
【００２３】
〔適用例７〕本適用例の電子機器は、上述に記載の電子デバイスを備えていることを特徴とする。
【００２４】
本適用例の電子機器によれば、異なる物理量を検出する第１機能素子および第２機能素子を安定して駆動させ、高い精度で角速度や加速度などの外的物理量を検出することができ、安定した動作を得ることができる。
【００２５】
〔適用例８〕本適用例の移動体は、上述に記載の電子デバイス、もしくは電子機器を備えていることを特徴とする。
【００２６】
本適用例の移動体によれば、異なる物理量を検出する第１機能素子および第２機能素子を安定して駆動させ、高い精度で角速度や加速度などの外的物理量を検出することができ、安定した動作を得ることができる。
【図面の簡単な説明】
【００２７】
【図１】第１実施形態に係る電子デバイスを示す、（ａ）は平面図、（ｂ）は（ａ）に示すＡ−Ａ´部の断面図、（ｃ）は（ａ）に示すＢ−Ｂ´部の断面図、（ｄ）は（ｃ）に示すＣ部の部分拡大図。
【図２】第１実施形態に係る電子デバイスに備える第１機能素子を示す平面図。
【図３】図２に示すＤ−Ｄ´部の断面図。
【図４】第１実施形態に係る電子デバイスに備える第２機能素子を示す平面図。
【図５】第１実施形態に係る電子デバイスに備える第１機能素子の動作を示す平面模式図。
【図６】第１実施形態に係る電子デバイスに備える第１機能素子の動作を示す平面模式図。
【図７】第１実施形態に係る電子デバイスの製造工程を示す断面図。
【図８】第１実施形態に係る電子デバイスの製造工程を示す断面図。
【図９】第２実施形態に係る電子デバイスを示す、（ａ）は平面図、（ｂ）は（ａ）に示すＨ−Ｈ´部の断面図。
【図１０】第３実施形態に係る電子機器としてのスマートフォンを示す外観図。
【図１１】第３実施形態に係る電子機器としてのデジタルスチルカメラを示す外観図。
【図１２】第４実施形態に係る移動体としての自動車を示す外観図。
【発明を実施するための形態】
【００２８】
以下、図面を参照して、本発明に係る実施形態を説明する。
【００２９】
（第１実施形態）
図１は第１実施形態に係る電子デバイスを示し、（ａ）は平面外観図、（ｂ）は（ａ）に示すＡ−Ａ´部の概略断面図、（ｃ）は（ａ）に示すＢ−Ｂ´部の概略断面図である。図１（ｃ）に示すように、本実施形態に係る電子デバイス１００は、第１基材１０の主面１０ａと、第２基材２０の主面２０ａと、が接合されて構成されるパッケージ３０と、パッケージ３０の内部に収納される第１機能素子２００と、第２機能素子３００と、を備えている。なお、説明の便宜上、図１では第１機能素子２００および第２機能素子３００の図示は簡略化しているが、詳細は後述する。
【００３０】
パッケージ３０を構成する第１基材１０および第２基材２０としては、例えば、ガラス基板、シリコン基板、水晶基板などを用いることができる。好適には、第１基材１０にはガラス基板を用い、第２基材にはシリコン基材を用いることにより、第１基材１０の主面１０ａと、第２基材２０の主面２０ａと、を陽極接合により接合することができる。本実施形態では、上述した第１基材１０にはガラス基板を用い、第２基材２０にはシリコン基板を用いた電子デバイス１００を例示する。なお、第２基材２０にガラス基板を用い、第１基材１０をガラス基板とした場合、第１基材１０の主面１０ａと第２基材の主面２０ａとはガラス接合により接合することができる。
【００３１】
本実施形態に係る電子デバイス１００において、パッケージ３０の内部に収納される第１機能素子２００および第２機能素子３００は、それぞれ異なる物理量を検出するセンサー素子が用いられている。すなわち、電子デバイス１００は、複数の物理量検出センサーが同一パッケージ３０に実装された複合センサーである。なお、第１機能素子２００および第２機能素子３００が、同じ物理量を検出するセンサー素子であってもよい。
【００３２】
第１基材１０の主面１０ａには、第１機能素子２００を支持し、第１機能素子２００における可動部分を回避するように第１凹部１１が形成され、また、第２機能素子３００を支持し、第２機能素子３００の可動部分を回避するように第２凹部１２が形成されている。言い換えると、第１凹部１１の開口周縁の主面１０ａに第１機能素子２００が載置され、第２凹部１２の開口周縁の主面１０ａに第２機能素子３００が載置されている。
【００３３】
更に、第１基材１０の主面１０ａには、複数の溝１３が形成されている。図１（ｂ），（ｃ）に示すように、複数の溝１３の溝底面１３ａには接続配線４０が形成されている。接続配線４０の一方の端部は、第１機能素子２００および第２機能素子３００の図示しない接続電極と電気的に接続されている。パッケージ３０には、図１（ａ），（ｃ）に示すように、第１基材１０の主面１０ａが、第２基材２０から露出する露出主面１０ｂが構成され、溝１３および溝１３に形成される接続配線４０は、露出主面１０ｂまで延設されている。そして露出主面１０ｂまで延設された接続配線４０の端部には、外部との電気的な接続を行うための電極としての接続端子４１が形成されている。
【００３４】
第２基材２０の主面２０ａには、第１機能素子２００が収容可能な大きさの第１凹部２１と、第２機能素子３００が収容可能な大きさの第２凹部２２と、が形成されている。第２基材２０の第１凹部２１と、第１基材１０の第１凹部１１と、により第１内部空間部としての第１キャビティー３１が構成され、第２基材２０の第２凹部２２と、第１基材１０の第２凹部１２と、により第２内部空間部としての第２キャビティー３２が構成される。
【００３５】
上述したように、第１基材１０に形成された溝１３は、第１機能素子２００および第２機能素子３００の図示しない接続電極から、露出主面１０ｂまで形成されていることにより、第１キャビティー３１から延設される溝１３と、第２キャビティーから延設される溝１３と、は、第１基材１０の主面１０ａと第２基材２０の主面２０ａとの接合面３０ａの領域においては、各キャビティー３１，３２と、パッケージ３０の外部と、を連通する第１連通部３３として形成される。
【００３６】
また、第２基材２０には、第２キャビティー３２を構成する第２凹部２２と、第２基材の主面２０ａの反対の面２０ｃとを貫通する第２連通部２３が、少なくとも１個、形成されている。第２連通部２３は、反対の面２０ｃ側の開口が、第２凹部２２側の開口より大きく形成され、錐状に形成されることが好ましい。
【００３７】
パッケージ３０において、第１基材１０の露出主面１０ｂが露出する第２基材２０の端部２０ｂと、第１連通部３３の外部開口３３ａ（図１（ｃ）に示すＣ部拡大図の図１（ｄ）に示す）と、を覆うように第１の封止層としての封止膜５０が形成されている。封止膜５０としては、ＴＥＯＳ（Ｔｅｔｒａｅｔｈｙｌ  Ｏｒｔｈｏｓｉｌｉｃａｔｅ：オルトケイ酸テトラエチル＜Ｓｉ（ＯＣ2Ｈ5）4＞）をプラズマＣＶＤ法により成膜し、形成することができる。なお、電気的な絶縁性を備える金属酸化膜、例えばＳｉＯ2、Ａｌ2Ｏ3など、であってもよい。
【００３８】
第１連通部３３の外部開口３３ａを封止膜５０により封止することにより、少なくとも第１キャビティー３１は気密封止される。従って、封止膜５０の成膜工程が、減圧環境下、もしくは真空環境下で行われることにより第１キャビティー３１は減圧状態、もしくは真空状態とすることができる。
【００３９】
少なくとも第２基材２０に形成された第２連通部２３と、封止膜５０と、を覆うように下地層としての金属膜６０が成膜される。金属膜６０は第２連通部２３において、第２封止部材７０によって密着封止できるようにする、いわゆるメタライズ膜６０ａとして成膜される。金属膜６０としては、ＴｉＷ、Ａｕ、Ｃｒ、Ｔｉ、Ｐｔなど金属をスパッタリング、ＰＶＤ、あるいはＣＶＤ法などによって成膜されるが、第２基材２０との密着性の高いＴｉＷもしくはＣｒが好適に用いられる。また、金属膜６０は複数金属の積層膜としても良く、後述の第２封止部材７０がＡｕＧｅ半田ボールの場合は、第２封止部材７０との接触面にはＡｕが形成されていることが好ましい。すなわち、金属膜６０はＴｉＷもしくはＣｒとＡｕの２層構成が好ましい。
【００４０】
メタライズ膜６０ａが成膜された第２連通部２３に第２封止部材７０が配置される。第２封止部材７０は、例えば半田ボールを第２連通部２３のメタライズ膜６０ａ上に載置し、半田ボールにレーザーを照射、加熱によって溶融され、第２連通部２３は気密封止される。半田ボールの材料としては、Ａｕ、Ｇｅ、Ｚｎ、Ｓｎ、Ｓｂ、等の金属や合金が用いられ、好適にはＡｕとＧｅの合金が用いられる。従って、第２連通部２３によって連通される第２キャビティー３２は、第２封止部材７０による封止工程が、既に気密封止された第１キャビティー３１と異なる環境下、例えば大気圧環境下で実施された場合、第２キャビティー３２は大気圧状態で気密封止される。すなわち、第１キャビティー３１と第２キャビティー３２と、は異なる内部環境で気密封止することが可能な電子デバイス１００を得ることができる。
【００４１】
更に、金属膜６０は封止膜５０を覆うように成膜され、第２の封止層としての封止部補強膜６０ｂとして形成される。そして、封止膜５０と封止部補強膜６０ｂによって第１封止部材８０が構成される。本実施形態に係る電子デバイス１００では、封止部補強膜６０ｂが封止膜５０を覆うように形成されるが、封止部補強膜６０ｂを形成せず、封止膜５０のみで第１封止部材８０を構成してもよい。また、封止部補強膜６０ｂはメタライズ膜６０ａを形成する金属膜６０の形成によって成膜されるが、これに限定されず、金属膜６０とは異なる材料を１層、もしくは複数層、成膜して封止部補強膜６０ｂとしてもよい。
【００４２】
次に、第１機能素子２００としてジャイロセンサー素子、および第２機能素子３００として加速度センサー素子を説明する。第１機能素子２００（以下、ジャイロセンサー素子２００という）、および第２機能素子３００（以下、加速度センサー素子３００という）は、第１基材１０に接合されたシリコン基板を、ＭＥＭＳ技術を用いて加工することにより得られる。これにより、シリコン半導体デバイスの製造に用いられる微細な加工技術を適用することができ、小型のセンサー素子としてのジャイロセンサー素子２００および加速度センサー素子３００を得ることができる。
【００４３】
次にジャイロセンサー素子を説明する。図２は、ジャイロセンサー素子２００を示す平面図である。図２に示すように、ジャイロセンサー素子２００は、駆動系構造体２１０と、駆動用固定電極部２２０と、検出用固定電極部２３０と、固定部２４０と、を含むことができる。
【００４４】
ジャイロセンサー素子２００は、上述したようにＭＥＭＳ技術により第１基材１０に接合された図示しないシリコン基板から形成され、リン、ボロン等の不純物をドーピングされて導電性が付与されている。そして、駆動系構造体２１０は、平面視（図示Ｚ軸方向）において第１基材１０の第１凹部１１の周縁部を跨ぐように配置されて接合された固定部２４０によって、第１基材１０に支持されている。これにより、駆動系構造体２１０は、第１凹部１１の平面視領域においてＸ軸方向、およびＹ軸方向に移動可能となるように配置される。また、駆動系構造体２１０は、第１振動体２１１と、第２振動体２１２と、を有し、第１振動体２１１と第２振動体２１２とはＸ軸に沿って連結されている。なお、第１振動体２１１と第２振動体２１２とは、第１振動体２１１と第２振動体２１２との境界線Ｌ（Ｙ軸に沿った直線）に対して対称の形状を有しているので、以下では第１振動体２１１の構成を説明し、第２振動体２１２の構成の説明は省略する。
【００４５】
第１振動体２１１は、駆動部２５０と、検出部２６０と、を備え、駆動部２５０は駆動用支持部２５１と、駆動用ばね部２５２と、駆動用可動電極部２５３と、を有している。そして、枠状の形状を有する駆動用支持部２５１の内側に検出部２６０が配置されている。駆動用支持部２５１は、Ｘ軸に沿って延在する第１延在部２５１ａと、Ｙ軸に沿って延在する第２延在部２５１ｂと、が枠状に連結されている。
【００４６】
駆動用ばね部２５２は、駆動用支持部２５１の外側に配置されている。図示の例では、駆動用ばね部２５２の一端は、駆動用支持部２５１における第１延在部２５１ａと第２延在部２５１ｂとの接続部の近傍に接続され、他端は固定部２４０に接続されている。図示の例では、第１振動体２１１において、駆動用ばね部２５２は４箇所設けられ、各駆動用ばね部２５２は、４箇所の固定部２４０に接続され、第１基材１０に対して支持されている。なお、第１振動体２１１と第２振動体２１２との境界線Ｌ上に配置される固定部２４０は、設けられていなくてもよい。
【００４７】
駆動用ばね部２５２は、Ｙ軸方向に延在させながらＸ軸方向に蛇行させて形成され、駆動用支持部２５１に対してＸ軸、Ｙ軸に対称となるように配置されている。このように駆動用ばね部２５２が形成、配置されることにより、駆動用支持部２５１がＹ軸方向、あるいはＺ軸方向に移動する際の駆動用ばね部２５２のたわみ（伸縮）は抑制され、Ｘ軸方向への駆動用ばね部２５２のたわみ（伸縮）が容易になる。すなわち、後述するが、駆動用支持部２５１をＸ軸に沿って振動させることができる。なお、駆動用ばね部２５２は、駆動用支持部２５１をＸ軸方向に振動させることが可能であれば、その数、配置には限定されない。
【００４８】
駆動用可動電極部２５３は、駆動用支持部２５１の外側に、駆動用支持部２５１の第１延在部２５１ａに接続されている。駆動用固定電極部２２０は、駆動用支持部２５１の外側に配置され、第１基材１０の主面１０ａ上に固定されている。駆動用固定電極部２２０は、駆動用可動電極部２５３を挟んで対向配置されている。なお、図示する本例では、駆動用固定電極部２２０は櫛歯状に突出部２２０ａが備えられ、駆動用可動電極部２５３には、駆動用固定電極部２２０の櫛歯の間に配設可能なように突出部２５３ａが備えられている。
【００４９】
駆動用固定電極部２２０と駆動用可動電極部２５３との間に交流電圧を印加し、両電極部間に静電力を発生させることにより、駆動用支持部２５１（駆動部２５０）がＸ軸に沿って振動させることができる。駆動用支持部２５１の振動は、駆動用ばね部２５２がＸ軸方向に伸縮可能に形成されていることにより、駆動部２５０が第１基材１０に保持されながらも振動を維持することができる。そして、駆動用固定電極部２２０の突出部２２０ａと、駆動用可動電極部２５３の突出部２５３ａと、の間隙（ギャップ）を小さくすることにより、駆動用固定電極部２２０と、駆動用可動電極部２５３と、の間に作用する静電力を大きくすることができる。
【００５０】
なお、図示の例では駆動用可動電極部２５３は、第１振動体２１１に４つ設けられているが、駆動用支持部２５１をＸ軸に沿って振動させることができれば、駆動用可動電極部２５３の数は特に限定されない。また、駆動用固定電極部２２０は、駆動用可動電極部２５３を挟むように対向配置されているが、駆動用支持部２５１をＸ軸に沿って振動させることができれば、駆動用固定電極部２２０は、駆動用可動電極部２５３のどちらか一方側にのみ配置されていてもよい。
【００５１】
検出部２６０は、駆動用支持部２５１の内側に配置され、駆動部２５０に連結されている。検出部２６０は、検出用支持部２６１と、検出用ばね部２６２と、検出用可動電極部２６３と、を備えている。
【００５２】
検出用支持部２６１は、図示の例のように、Ｘ軸に沿って延在する第３延在部２６１ａと、Ｙ軸に沿って延在する第４延在部２６１ｂと、を枠状に接続した構成となっている。
【００５３】
検出用ばね部２６２は、検出用支持部２６１の外側に配置され、検出用支持部２６１と駆動用支持部２５１と、に接続されている。図示の例では、検出用ばね部２６２の一端は、検出用支持部２６１の第３延在部２６１ａと第４延在部２６１ｂとの接続部（角部）近傍とに接続され、検出用ばね部２６２の他端は、駆動用支持部２５１の第１延在部２５１ａに接続されている。
【００５４】
検出用ばね部２６２は、Ｘ軸方向に延在させながらＹ軸方向に蛇行させて形成され、検出用支持部２６１に対してＸ軸、Ｙ軸に対称となる様に配置されている。このように検出用ばね部２６２が形成、配置されることにより。検出用支持部２６１がＸ軸方向、あるいはＺ軸方向に移動する際の検出用ばね部２６２のたわみ（伸縮）は抑制され、Ｙ軸方向への検出用ばね部２６２のたわみ（伸縮）が容易になる。すなわち、後述するが、検出用支持部２６１のＹ軸に沿って付加される外力、いわゆる駆動部２５０を振動させた状態においてジャイロセンサー素子２００に付加される角速度によって生じるコリオリ力、によって容易に検出用支持部２６１をＹ軸に沿って移動させることができる。なお、検出用ばね部２６２は、検出用支持部２６１をＹ軸に沿って移動可能であれば、その数に限定されない。
【００５５】
検出用可動電極部２６３は、検出用支持部２６１の内側に配置され、Ｘ軸に沿って延在し、第４延在部２６１ｂに接続されている。そして、検出用支持部２６１の内側領域に、第１基材１０に固定された検出用固定電極部２３０が、検出用可動電極部２６３に離間して挟まれるように配置されている。言い換えれば、検出用可動電極部２６３は、検出用固定電極部２３０を挟んで対向配置されている。
【００５６】
そして、検出部２６０のＹ軸方向の移動に伴う、検出用固定電極部２３０と検出用可動電極部２６３と、の間の静電容量の変化によって検出部２６０のＹ軸方向の移動を検出する。なお、検出用可動電極部２６３、および検出用固定電極部２３０の数、形状、および配置は、検出用可動電極部２６３とおよび検出用固定電極部２３０と、の間の静電容量の変化を検出することができれば、特に限定はない。
【００５７】
上述したジャイロセンサー素子２００に備える駆動系構造体２１０と、駆動用固定電極部２２０と、検出用固定電極部２３０と、は接続配線４０によって図示しない接続端子４１（図１参照）に電気的に接続されている。そして、図２に示すＤ−Ｄ´部の断面図である図３に示すように、接続配線４０は、第１基材１０に形成された溝１３内に配置、形成されている。
【００５８】
加速度センサー素子３００を説明する。図４は、加速度センサー素子３００を示し、（ａ）は平面図、（ｂ）は（ａ）に示すＥ−Ｅ´部の断面図である。図４（ａ）に示す加速度センサー素子３００は、第１基材１０の主面１０ａに接合される固定部３１１，３１２と、連結部３２１，３２２と、可動部３３０と、可動電極部３４０と、固定電極部３５１，３５２と、を含むことができる。
【００５９】
固定部３１１，３１２は、第１基材１０の主面１０ａに接合されている。図４（ａ）に図示する例では、固定部３１１，３１２は、平面視（図示Ｚ軸方向）において第１基材１０の第２凹部１２の周縁部を跨ぐように配置されている。また、固定部３１１は、第１基材１０に形成された溝１３に配設された接続配線４０ａと電気的に接続され、図１に示す接続端子４１に接続されている。
【００６０】
可動部３３０は、固定部３１１と固定部３１２との間に設けられ、図４（ａ）に図示する例では、Ｘ軸に沿った長辺を有する矩形の平面形状を有している。
【００６１】
可動部３３０と固定部３１１，３１２は、連結部３２１，３２２によって連結されている。連結部３２１，３２２は、所望のばね定数を持ち、固定部３１１，３１２に対してＸ軸方向に可動部３３０が移動可能となるように連結している。図４（ａ）に図示する例では、連結部３２１は、Ｘ軸方向に形成された複数の梁３２１ａと、Ｙ軸方向に形成された複数の梁３２１ｂと、がＸ軸方向に蛇行するように接続されて構成されている。同様に、連結部３２２は、Ｘ軸方向に形成された複数の梁３２２ａと、Ｙ軸方向に形成された複数の梁３２２ｂと、がＸ軸方向に蛇行するように接続されて構成されている。
【００６２】
また、可動部３３０には、複数の可動電極部３４０が接続されている。可動電極部３４０は、可動部３３０からＹ（＋）方向、およびＹ（−）方向に延出し、いわゆる櫛歯状をなすようにＸ軸方向に配置されている。
【００６３】
固定電極部３５１，３５２は、一方の端部を固定端として第１基材１０の主面１０ａに接合され、他方の端部が自由端として可動部３３０側へ延出するように複数設けられている。固定電極部３５１は、第１基材１０に形成された溝１３に配設された接続配線４０ｂと電気的に接続され、固定電極部３５２は、第１基材１０に形成された溝１３に配設された接続配線４０ｃと電気的に接続され、図１に示す接続端子４１に接続されている。固定電極部３５１，３５２は、可動電極部３４０に対して所定の間隔を隔てて、可動電極部３４０のＸ（−）方向側の一方に固定電極部３５１が配置され、他方のＸ（＋）方向側には固定電極部３５２が配置されるよう、可動電極部３４０に対して固定電極部３５１，３５２は対向配置されている。
【００６４】
上述したように、固定部３１１，３１２と、連結部３２１，３２２と、可動部３３０と、可動電極部３４０と、は一体的に形成されている。また、固定部３１１，３１２と、連結部３２１，３２２と、可動部３３０と、可動電極部３４０と、固定電極部３５１，３５２とを含む加速度センサー素子３００は、上述したようにＭＥＭＳ技術により第１基材１０に接合された図示しないシリコン基板から形成され、リン、ボロン等の不純物をドーピングされて導電性が付与されている。
【００６５】
可動部３３０は、図示するＸ軸方向の加速度の変化に応じて、連結部３２１，３２２を弾性変形させながら、Ｘ軸方向（Ｘ（＋）方向またはＸ（−）方向）に変化する。この様な変位に伴って、可動電極部３４０と固定電極部３５１との隙間、および可動電極部３４０と固定電極部３５２との隙間、の大きさが変化する。この隙間の大きさの変化に伴って、可動電極部３４０と固定電極部３５１との間の静電容量、および可動電極部３４０と固定電極部３５２との間の静電容量、の大きさが変化する。電子デバイス１００では、この加速度センサー素子３００における静電容量の変化を接続端子４１によって検出することにより、Ｘ軸方向の加速度を計測することができる。
【００６６】
次にジャイロセンサー素子２００の動作について説明する。図５、図６は本実施形態に係る電子デバイス１００に備えるジャイロセンサー素子（第１機能素子）２００の動作を説明するための図である。なお、説明の便宜上、図５、図６は、ジャイロセンサー素子２００の各構成要素を簡略化して描画している。
【００６７】
駆動用固定電極部２２０および駆動用可動電極部２５３は、図示しない交流電源から電圧が印加されると、駆動用固定電極部２２０と駆動用可動電極部２５３との間に静電力が発生する。これにより、図５（ａ）および図５（ｂ）に示すように、駆動用ばね部２５２がＸ軸に沿って伸縮させられ、駆動部２５０がＸ軸に沿って振動する。すなわち、第１振動体２１１の駆動用可動電極部２５３と駆動用固定電極部２２０と、の間に印加される交番電圧と、第２振動体２１２の駆動用可動電極部２５３と駆動用固定電極部２２０と、の間に印加される交番電圧と、に１８０度の位相のずれを与える。これにより、第１振動体２１１と、第２振動体２１２と、を互いに逆位相、且つ所定の周波数で、Ｘ軸に沿って振動させることができる。
【００６８】
図５（ａ）に示すジャイロセンサー素子２００の状態においては、第１振動体２１１と、第２振動体２１２と、がＸ軸に沿って互いに離間する方向のα１方向に移動し、図５（ｂ）に示すジャイロセンサー素子２００の状態においては、第１振動体２１１と、第２振動体２１２と、がＸ軸に沿って互いに近接する方向のα２方向に移動する。このα１方向と、α２方向と、を所定の周波数で交互に繰り返す振動が励振されている。
【００６９】
上述した、第１振動体２１１および第２振動体２１２が所定の振動数にて振動している状態において、Ｚ軸周りの角速度ωが付加されると、コリオリ力がジャイロセンサー素子２００に働き、検出部２６０は、Ｙ軸に沿って変位する。すなわち、図６（ａ）に示すように第１振動体２１１および第２振動体２１２がα１の方向に励振されている状態において、第１振動体２１１に備える検出部２６０には、Ｙ（＋）方向のβ１方向に変位させる力が生じ、第２振動体２１２に備える検出部２６０には、Ｙ（−）方向のβ２方向に変位させる力が生じる。この変位によって、検出用固定電極部２３０と検出用可動電極部２６３との間隔が変位し、静電容量が変化する。
【００７０】
また図６（ｂ）に示すように第１振動体２１１および第２振動体２１２がα２の方向に励振されている状態において、第１振動体２１１に備える検出部２６０には、Ｙ（−）方向のβ２方向に変位させる力が生じ、第２振動体２１２に備える検出部２６０には、Ｙ（＋）方向のβ１方向に変位させる力が生じる。この変位によって、検出用固定電極部２３０と検出用可動電極部２６３との間隔が変位し、静電容量が変化する。
【００７１】
このように、検出部２６０がＹ軸に沿って変位することによる静電容量の変化を検出することにより、角速度ωを検出することができるジャイロセンサー素子２００が得られる。
【００７２】
上述したジャイロセンサー素子２００および加速度センサー素子３００では、所望の性能を得るために、第１キャビティー３１および第２キャビティー３２（図１参照）の内部を次の環境となるように形成される。
【００７３】
ジャイロセンサー素子２００では、駆動部２５０は高周波数による振動が励振された状態を維持されることで、より正確な角速度を検出することができる。従って、駆動部２５０の高周波振動を妨げないように、ジャイロセンサー素子２００が収納される第１キャビティー３１の内部雰囲気は、減圧（真空）雰囲気にすることで、良好な角速度検出特性を備える電子デバイス１００を得ることができる。
【００７４】
また、加速度センサー素子３００が収容される第２キャビティー３２では、電子デバイス１００に加速度が付加されると、加速度センサー素子３００の可動部３３０が変位し、固定電極部３５１，３５２と可動電極部３４０と、が相対的に近接あるいは離間する（図４参照）。そして、加速度から開放される、図４に示すような定常位置に、短時間に戻すように可動部３３０の変位を減衰させることが必要になる。そこで、第２キャビティー３２の内部雰囲気に気体分子、例えば酸素と窒素とからなる空気、もしくはアルゴンなどの不活性ガスを大気圧環境で充填することにより、充填された気体の気体粘性によって可動部３３０の動作（振動）を減衰させ、短時間で可動部３３０を定常位置に戻すことができる。従って、良好な加速度検出特性を備える電子デバイス１００を得ることができる。
【００７５】
このように、動作環境が異なる素子を、一つのパッケージに収納した電子デバイス１００を得る製造方法の概略を図７により説明する。
【００７６】
〔基板準備〕
先ず、図７（ａ）に示すように、第１基材１０が複数形成された第１基板１０Ａと、第２基材２０が複数形成された第２基板２０Ａと、を準備する。第１基板１０Ａは、予め第１凹部１１と第２凹部１２と、接続配線４０および接続端子４１が配設される溝１３と、溝１３に接続配線４０および接続端子４１と、が形成されている。そして、第１基板１０Ａの主面１０ａには、図示しない、第１機能素子２００および第２機能素子３００に形成されるシリコン基板が固着され、ＭＥＭＳ技術によって第１凹部１１に対応するシリコン基板の領域に第１機能素子としてのジャイロセンサー素子２００と、第２凹部１２に対応するシリコン基板の領域に第２機能素子としての加速度センサー素子３００と、が形成されている。第１機能素子２００と第２機能素子３００を同一基板上に形成するため、フォトリソグラフィー法を用いて寸法精度が高い製法で形成することができる。すなわち、高い軸精度で複数の物理量センサーを形成できるため、多軸感度を抑えた高精度な電子デバイスを実現することができる。
【００７７】
第２基板２０Ａには第１凹部２１と、第２凹部２２と、第２連通部２３と、が形成されている。更に、第１連通部３３の外部開口３３ａ（図１参照）を構成する貫通部２４と、電子デバイス１００に個片化した際に接続端子４１を露出させるための第３凹部２５と、が形成されている。なお、本実施形態の電子デバイス１００は、第１基材１０となる第１基板１０Ａはガラスから形成され、第２基材２０となる第２基板２０Ａはシリコンから形成され、共にウエハー基板に形成されている。
【００７８】
〔基板接合〕
図７（ａ）に示す、準備された第１基板１０Ａおよび第２基板２０Ａを、図７（ｂ）に示すように接合しパッケージ基板３０Ａを得る。接合は、第１基板１０Ａの主面１０ａと、第２基板２０Ａの主面２０ａと、を合わせるように接合する。接合は、陽極接合装置を用い、接合温度３００℃〜５００℃、印加電圧４００Ｖ〜１０００Ｖの加工条件にて行うことで、好適な接合強度を備えるパッケージ基板３０Ａを得ることができる。
【００７９】
〔第１封止〕
次に、図７（ｂ）に示す基板接合によって生じた第１連通部３３の外部開口３３ａを封止する。図７（ｃ）に示すように、第２基板２０Ａの貫通部２４が露出する開口部４００ａが形成されたマスク４００を、パッケージ基板３０Ａの第２基板２０Ａ側に載置、固定し、プラズマＣＶＤ装置によって、マスク４００の開口部４００ａに露出した貫通部２４の面に封止膜５０（図１（ｃ）参照）となる絶縁膜５０Ａを形成する。絶縁膜５０Ａの形成は、プラズマＣＶＤは減圧もしくは真空環境下で処理される。従って、パッケージ基板３０Ａに形成された第１キャビティー３１の内部は、外部開口３３ａを介して減圧もしくは真空状態となる。そして、外部開口３３ａが封止膜５０によって気密封止されることにより、第１キャビティー３１は減圧もしくは真空状態に維持される。
【００８０】
絶縁膜５０Ａとしては、ＴＥＯＳ（Ｔｅｔｒａｅｔｈｙｌ  Ｏｒｔｈｏｓｉｌｉｃａｔｅ：オルトケイ酸テトラエチル＜Ｓｉ（ＯＣ2Ｈ5）4＞）をプラズマＣＶＤ法により成膜し、形成することができる。なお、電気的な絶縁性を備える金属酸化膜、例えばＳｉＯ2、Ａｌ2Ｏ3など、であってもよい。なお、マスク４００は、本実施形態ではシリコン基板から形成されているが、これに限定されず、例えばステンレスなどの金属マスク、あるいは樹脂マスクであってもよい。
【００８１】
なお、第２キャビティー３２の内部も、絶縁膜５０Ａの形成時には減圧もしくは真空状態となるが、第２連通部２３が未封止であることから、絶縁膜５０Ａの形成が終了すると、外部気圧の環境に戻ることとなる。
【００８２】
〔金属膜成膜（メタライズ膜成膜）〕
次に、図７（ｄ）に示すように。第２基板２０Ａの表面に、金属層６０Ａが形成される。金属層６０Ａは、電子デバイス１００における、第２連通部２３のメタライズ膜６０ａ、および第１封止部材８０を構成する封止部補強膜６０ｂを含む層である（図１（ｃ）参照）。金属層６０Ａとしては、ＴｉＷ、Ａｕ、Ｃｒ、Ｔｉ、Ｐｔなど金属をスパッタリング、ＰＶＤ、あるいはＣＶＤ法などによって成膜されるが、第２基材２０との密着性の高いＴｉＷもしくはＣｒが好適に用いられる。また、後述の第２封止部材７０にＡｕＧｅ半田ボールを用いる場合、金属層６０Ａは最表面にＡｕを成膜した２層構造にすることが好ましい。
【００８３】
〔第２封止〕
次に、図７（ｅ）に示すように、金属層６０Ａに含むメタライズ膜６０ａが成膜された第２連通部２３を、第２封止部材７０によって気密封止される。第２封止部材７０は、本実施形態では、半田ボールにレーザーを照射、溶融させ第２連通部２３を気密封止する。半田ボールの材料としては、Ａｕ、Ｇｅ、Ｚｎ、Ｓｎ、Ｓｂ、等の金属や合金が用いられ、好適にはＡｕとＧｅの合金が用いられる。このとき、大気圧での不活性ガス雰囲気中でＡｕＧｅ半田ボールを溶融させることが好ましく、メタライズ膜６０ａとＡｕＧｅとの高い密着性を得ることができる。なお、不活性ガスとして、窒素、アルゴンなどが好適に用いられる。
【００８４】
このように、図７（ｃ）に示す第１封止によって第１キャビティー３１が減圧もしくは真空環境に気密封止された後に、第２キャビティー３２の第２連通部２３を大気圧での不活性ガス雰囲気中で気密封止することにより、第２キャビティー３２の内部には大気圧で不活性ガスが充填された状態となっている。すなわち、第１キャビティー３１と第２キャビティー３２と、は異なる内部環境で気密封止することが可能な電子デバイス１００を得ることができる。
【００８５】
〔第１ダイシング（ハーフダイシング）〕
図７（ｅ）に示す第２封止の後、図８（ｆ）に示すように第１ダイシングとしてハーフダイシングが行われる。ハーフダイシングは、図８（ｆ）に示すように、ダイシングカッター５００を、第２基板２０Ａの第３凹部２５が形成されている領域において、第３凹部２５まで貫通するように金属層６０Ａと、絶縁膜５０Ａと、第２基板２０Ａと、に切断部ダイシング（切断）する。
【００８６】
図８（ｆ）におけるＦ部の概略拡大図である図８（ｇ）に示すように、このとき第１基板１０Ａの主面１０ａにダイシングカッター５００の先端５００ａを到達させない、いわゆるハーフダイシングによって、切込部２６が形成される。
【００８７】
〔第２ダイシング〕
次に、パッケージ基板３０Ａから電子デバイス１００に個片化する第２ダイシングが行われる。第２ダイシングは図８（ｈ）に示すように、ダイシングカッター５１０によって、パッケージ基板３０Ａは個片化され、電子デバイス１００が得られる。このとき、第２基板２０Ａに形成された第３凹部２５を構成していた部分が切断片２７となって、パッケージ基板３０Ａより離脱し、露出主面１０ｂおよび接続端子４１が露出される。
【００８８】
このように形成される電子デバイス１００は、図８（ｈ）に示すＧ部の拡大図である図８（ｊ）に示すように、第１封止部材８０には、図８（ｆ）に示す第１ダイシング（ハーフダイシング）によって残留する残留封止部８０ａを有していてもよい。
【００８９】
上述したように、図７（ｃ）に示す第１封止によって、第１キャビティー３１内部が減圧もしくは真空環境で気密封止された後、図７（ｅ）に示す第２封止によって、第２キャビティー３２内部が大気圧で不活性気体が気密封止される。本実施形態に係る電子デバイス１００では、減圧もしくは真空環境で維持される第１キャビティー３１内部にはジャイロセンサー素子２００が収容され、大気圧気体環境で維持される第２キャビティー３２内部には加速度センサー素子３００が収容されているので、安定した角速度検出および加速度検出が可能となる内部環境の異なる複数のキャビティーを備える電子デバイスを、容易に得ることができる。
【００９０】
（第２実施形態）
図９は、第２実施形態に係る電子デバイスを示し、（ａ）はモールド部材を省略した平面図、（ｂ）は（ａ）に示すＨ−Ｈ´部の断面図である。図９に示す電子デバイス１０００（以下、電子モジュール１０００という）は、ベース基板１１００に接合された、第１実施形態に係る第１機能素子としてのジャイロセンサー素子２００と第２機能素子としての加速度センサー素子３００と、を含む電子デバイス１００を備える。
【００９１】
更に電子デバイス１００の第２基材２０表面に成膜された金属膜６０上に、半導体素子１２００が接合されている。電子デバイス１００と半導体素子１２００の接合には主にエポキシ系の樹脂接着剤等が用いられる。半導体素子１２００は、図示しない電子デバイス１００のジャイロセンサー素子２００を駆動させる駆動回路部と、ジャイロセンサー素子２００からの検出信号から角速度を演算する角速度演算回路部と、加速度センサー素子３００からの検出信号から加速度を演算する加速度演算回路部と、を少なくとも備えている。そして、ベース基板１１００に備える電子デバイス１００と、半導体素子１２００と、を覆うようにモールド部材１３００が形成されている。
【００９２】
ベース基板１１００は、図９（ａ）に示すように、矩形形状の平面形状を有する板状の電気絶縁性の材料、例えばセラミックス基板、エポキシ樹脂基板、などが好ましい。本実施形態に係る電子モジュール１０００では、セラミックス基板を用いたベース基板１１００を例に説明する。
【００９３】
ベース基板１１００の電子デバイス１００が載置され接合される面１１００ａ（以下、載置面１１００ａという）に、電子デバイス１００がエポキシ系の樹脂接着剤などを用いて接合されている。また、載置面１１００ａには、複数の基板接続端子１１１０が形成され、載置面１１００ａの反対の面となる外面１１００ｂには、図示しない外部基板に備える電極と接続するための外部接続端子１１２０が形成され、基板接続端子１１１０と外部接続端子１１２０と、は図示しないベース基板１１００内部に形成された配線により電気的に繋がっている。
【００９４】
半導体素子１２００には、電子デバイス１００に備える複数の接続端子４１と、ボンディングワイヤー１４１０によって接続される複数の接続パッド１２００ａを備えている。更に、半導体素子１２００には、ベース基板１１００の載置面１１００ａに形成された基板接続端子１１１０と、ボンディングワイヤー１４２０によって接続される複数の接続パッド１２００ｂと、を備えている。
【００９５】
上述した電子モジュール１０００によれば、複数の機能素子を備える第１実施形態に係る電子デバイス１００を備え、電子デバイス１００を駆動し、更に電子デバイス１００からの検出信号を演算する、各回路部を備える半導体素子１２００を備えることにより、複数の物理量を検出する小型の電子デバイスとしての電子モジュールを得ることができる。
【００９６】
（第３実施形態）
第３実施形態に係る電子機器として、第１実施形態および第２実施形態に係る電子デバイス１００、もしくは第２実施形態に係る電子デバイス１０００を備えるスマートフォンおよびデジタルスチルカメラについて説明する。なお、本実施形態では第２実施形態に係る電子デバイス１０００を例示して説明するが、第１実施形態にかかる電子デバイス１００が組み込まれた電子回路基板を備える形態のスマートフォンおよびデジタルスチルカメラであってもよい。
【００９７】
図１０はスマートフォン２０００を示す外観図である。スマートフォン２０００には、スマートフォン２０００の姿勢を検出する電子デバイス１０００が組み込まれている。電子デバイス１０００が組み込まれることにより、いわゆるモーションセンシングが実施され、スマートフォン２０００の姿勢を検出することができる。電子デバイス１０００の検出信号は、例えばマイクロコンピューターチップ２１００（以下、ＭＰＵ２１００という）に供給され、ＭＰＵ２１００はモーションセンシングに応じてさまざまな処理を実行することができる。その他、モーションセンシングは、携帯電話機、携帯型ゲーム機、ゲームコントローラー、カーナビゲーションシステム、ポインティングシステム、ヘッドマウンティングディスプレイ、タブレットパソコンなどの電子機器で電子デバイス１０００を組み込むことにより、利用することができる。
【００９８】
図１１はデジタルスチルカメラ３０００（以下、カメラ３０００という）を示す外観図である。カメラ３０００には、カメラ３０００の姿勢を検出する電子デバイス１０００が組み込まれている。組み込まれた電子デバイス１０００の検出信号は手ぶれ補正装置３１００に供給される。手ぶれ補正装置３１００は電子デバイス１０００の検出信号に応じて、例えばレンズセット３２００内の特定のレンズを移動させ、手ぶれによる画像不良を抑制することができる。また、デジタルビデオカメラへ電子デバイス１０００および手ぶれ補正装置３１００を組み込むことによりカメラ３０００と同様に手ぶれの補正をすることができる。
【００９９】
（第４実施形態）
第１実施形態に係る電子デバイス１００、もしくは第２実施形態に係る電子デバイス１０００を備える第４実施形態としての移動体の具体例として、自動車について説明する。図１２は、第４実施形態に係る自動車４０００の外観図である。図１２に示すように、自動車４０００には電子デバイス１０００が組み込まれている。電子デバイス１０００は車体４１００の姿勢を検出する。電子デバイス１０００の検出信号は車体姿勢制御装置４２００に供給される。車体姿勢制御装置４２００は供給された信号に基づき車体４１００の姿勢状態を演算し、例えば車体４１００の姿勢に応じた緩衝装置（いわゆるサスペンション）の硬軟を制御したり、個々の車輪４３００の制動力を制御したりすることができる。このような電子デバイス１０００を用いた姿勢制御は、二足歩行ロボット、航空機、あるいはラジコンヘリコプターなどの玩具に利用することができる。
【符号の説明】
【０１００】
１０…第１基材、２０…第２基材、３０…パッケージ、４０…接続配線、５０…封止膜、６０…金属膜、７０…第２封止部材、８０…第１封止部材、１００…電子デバイス、２００第１機能素子、３００…第２機能素子。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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