(57)【要約】【課題】電極を覆うように保護膜を形成する際に、保護膜の端部の位置を精度よく調整する。【解決手段】電極基板ＥＳは、第２基板３１と、第２基板３１の上面の領域ＡＲ１から、第２基板３１の上面の領域ＡＲ２を経て、第２基板３１の上面の領域ＡＲ３まで、第２基板３１上に連続的に形成された検出電極ＴＤＬと、を有する。また、電極基板ＥＳは、領域ＡＲ２で、検出電極ＴＤＬまたは第２基板３１に形成された凹凸パターンＵＥ１と、領域ＡＲ１および領域ＡＲ２で、検出電極ＴＤＬを覆うように形成された保護膜３３と、を有する。そして、保護膜３３の領域ＡＲ３側の端部が、凹凸パターンＵＥ１上に位置している。【選択図】図１５
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１基板と、
前記第１基板の第１主面の第１領域から、前記第１基板の前記第１主面の第２領域を経て、前記第１基板の前記第１主面の第３領域まで、前記第１基板上に連続的に形成された第１電極と、
前記第２領域で、前記第１電極または前記第１基板に形成された凹凸パターンと、
前記第１領域および前記第２領域で、前記第１電極を覆うように形成された保護膜と、
を有し、
前記保護膜の前記第３領域側の端部が、前記凹凸パターン上に位置している、電極基板。
【請求項２】
請求項１記載の電極基板において、
前記第１領域、前記第２領域および前記第３領域は、平面視において、第１方向に順に配置され、
前記第１電極は、前記第１方向に延在する、電極基板。
【請求項３】
請求項２記載の電極基板において、
前記凹凸パターンは、前記第１電極の上面に形成された凹部を含む、電極基板。
【請求項４】
請求項２記載の電極基板において、
前記凹凸パターンは、前記第１電極の周辺に位置する部分の前記第１基板上に、前記第１電極と離れて形成された凸部を含み、
前記保護膜の前記第３領域側の端部が、前記第１電極のうち前記第２領域に形成された部分上に位置している、電極基板。
【請求項５】
請求項２記載の電極基板において、
前記凹凸パターンは、前記第１電極の側面から突出して形成された突出部を含み、
前記保護膜の前記第３領域側の端部が、前記第１電極のうち前記第２領域に形成された部分上に位置している、電極基板。
【請求項６】
請求項２記載の電極基板において、
前記凹凸パターンは、前記第１電極の側面から切り込まれて形成された切り込み部を含む、電極基板。
【請求項７】
請求項１記載の電極基板において、
前記第２領域および前記第３領域で、前記第１電極を覆うように形成された異方性導電フィルムと、
前記異方性導電フィルム上に配置された配線基板と、
を有し、
前記配線基板は、前記配線基板の第２主面に形成された第２電極を含み、
前記第２電極は、前記第１電極のうち前記第３領域に形成された部分と、前記異方性導電フィルムを介して対向するように配置され、
互いに対向した前記第１電極と前記第２電極とは、前記異方性導電フィルムを介して電気的に接続され、
前記異方性導電フィルムの前記第１領域側の端部が、前記保護膜上に位置している、電極基板。
【請求項８】
請求項２記載の電極基板において、
前記第１電極のうち前記第２領域に形成された部分の、前記第１方向と直交する第２方向における幅は、前記第１電極のうち前記第１領域に形成された部分の、前記第２方向における幅よりも大きい、電極基板。
【請求項９】
請求項２記載の電極基板において、
前記凹凸パターンは、前記第１基板に形成された複数の凸部を含み、
前記複数の凸部は、前記第１方向と交差する第２方向にそれぞれ延在し、かつ、前記第１方向に配列されている、電極基板。
【請求項１０】
請求項２記載の電極基板において、
前記凹凸パターンは、前記第１電極に形成された複数の凹部を含み、
前記複数の凹部は、前記第１方向と交差する第２方向にそれぞれ延在し、かつ、前記第１方向に配列されている、電極基板。
【請求項１１】
請求項２記載の電極基板において、
前記凹凸パターンは、前記第１基板に形成された凸部を含み、
前記凸部は、平面視において、前記第１方向と交差する第２方向に延在し、
前記凸部は、平面視において、前記第１方向の第１の側に位置する第１側面部を含み、
前記第１側面部の上端部は、前記第１方向において、前記第１側面部の下端部よりも、前記第１の側に位置する、電極基板。
【請求項１２】
請求項１記載の電極基板において、
前記凹凸パターンは、前記保護膜の前記第３領域側の端部の位置を調整する位置調整パターンである、電極基板。
【請求項１３】
請求項１記載の電極基板と、
前記電極基板に対向する対向基板と、
前記対向基板と前記電極基板との間に設けられた表示制御部と、
を備える、表示装置。
【請求項１４】
請求項１記載の電極基板を備える入力装置において、
前記電極基板は、複数の前記第１電極を有し、
前記入力装置は、さらに、前記複数の第１電極の各々の静電容量に基づいて入力位置を検出する検出部を備える、入力装置。
【請求項１５】
（ａ）第１基板を準備する工程、
（ｂ）前記第１基板の第１主面の第１領域から、前記第１基板の前記第１主面の第２領域を経て、前記第１基板の前記第１主面の第３領域まで、前記第１基板上に連続的に第１電極を形成する工程、
（ｃ）前記第２領域で、前記第１電極または前記第１基板に、凹凸パターンを形成する工程、
（ｄ）前記（ｃ）工程の後、前記第１領域および前記第２領域で、前記第１電極を覆うように保護膜を形成する工程、
を有し、
前記（ｄ）工程にて形成された前記保護膜の前記第３領域側の端部が、前記凹凸パターン上に位置する、電極基板の製造方法。
【請求項１６】
請求項１５記載の電極基板の製造方法において、
前記（ｄ）工程では、溶液を塗布する印刷方式により、前記第１領域および前記第２領域で、前記第１電極を覆うように塗布液を塗布することにより、前記保護膜を形成する、電極基板の製造方法。
【請求項１７】
請求項１６記載の電極基板の製造方法において、
前記（ｄ）工程は、
（ｄ１）溶液を塗布する印刷方式により、前記第１領域および前記第２領域で、前記第１電極を覆うように前記塗布液を塗布する工程、
（ｄ２）塗布された前記塗布液を硬化させることにより前記保護膜を形成する工程、
を含み、
前記（ｄ１）工程では、塗布された前記塗布液の前記第３領域側の端部が、前記凹凸パターン上に位置するように、前記塗布液を塗布する、電極基板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は電極基板、表示装置、入力装置および電極基板の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、表示装置の表示面側に、タッチパネルあるいはタッチセンサと呼ばれる入力装置を取り付け、タッチパネルに指やタッチペンなどの入力具などを接触させて入力動作を行ったときに、入力位置を検出して出力する技術がある。このようなタッチパネルを有する表示装置は、コンピュータのほか、携帯電話などの携帯情報端末などで、広く使用されている。
【０００３】
タッチパネルに指などが接触した接触位置を検出する検出方式の一つとして、静電容量方式がある。静電容量方式を用いたタッチパネルでは、タッチパネルの面内に、誘電層を挟んで対向配置された一対の電極、すなわち駆動電極および検出電極からなる複数の容量素子が設けられている。そして、指やタッチペンなどの入力具を容量素子に接触させて入力動作を行ったときに、容量素子の静電容量が変化することを利用して、入力位置を検出する。
【０００４】
このようなタッチパネルなどの入力装置が取り付けられた表示装置では、検出性能を向上させるため、検出電極の電気抵抗を低減することが望ましく、検出電極の材料として、金属膜などの導電膜を用いることがある。そのため、表示装置に含まれ、基板と、基板上に形成された検出電極とからなる電極基板において、検出電極が腐食することを防止するために、検出電極を覆うように保護膜が形成される。このとき、例えば基板上に形成された検出電極を覆うように、インクジェット法を用いて塗布液を塗布し、塗布された塗布液からなる塗布膜を硬化させることにより、保護膜が形成される。
【０００５】
上記した、インクジェット法を用いて塗布液を塗布する方法として、例えば特開平８−２２７０１２号公報（特許文献１）および特開平９−２０３８０３号公報（特許文献２）には、液晶表示装置のカラーフィルタをインクジェット法により形成する方法が記載されている。また、特開２００８−１８３４８９号公報（特許文献３）には、基板の表面に、親液領域と撥液領域とを形成し、インクジェット法を用いて基板の表面に液滴を吐出することにより、所望のパターンを形成する方法が記載されている。さらに、特開２０１１−１４５５３５号公報（特許文献４）には、液晶表示装置の配向膜をインクジェット法により形成する方法が記載されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開平８−２２７０１２号公報
【特許文献２】特開平９−２０３８０３号公報
【特許文献３】特開２００８−１８３４８９号公報
【特許文献４】特開２０１１−１４５５３５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
ところが、基板上にインクジェット法により塗布液を塗布した場合、基板上で広がる塗布液の端部の位置を精度よく調整することは困難である。そのため、塗布された塗布膜を硬化させることにより形成される保護膜の端部の位置を精度よく調整することは困難である。したがって、検出電極のうち保護膜から露出した部分の面積が複数の検出電極の間で変動するおそれがある。
【０００８】
上記した、検出電極のうち保護膜から露出した部分は、配線基板と電気的に接続される。したがって、検出電極のうち保護膜から露出した部分の面積が変動することにより、検出電極と配線基板との間の接続抵抗が、複数の検出電極の間で変動し、電極基板としての性能が低下するおそれがある。
【０００９】
本発明は、上述のような従来技術の問題点を解決すべくなされたものであって、電極基板において、電極を覆うように保護膜を形成する際に、保護膜の端部の位置を精度よく調整することができる電極基板を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本願において開示される発明のうち、代表的なものの概要を簡単に説明すれば、次のとおりである。
【００１１】
本発明の一態様としての電極基板は、第１基板と、第１基板の第１主面の第１領域から、第１基板の第１主面の第２領域を経て、第１基板の第１主面の第３領域まで、第１基板上に連続的に形成された第１電極と、を有する。また、当該電極基板は、第２領域で、第１電極または第１基板に形成された凹凸パターンと、第１領域および第２領域で、第１電極を覆うように形成された保護膜と、を有する。そして、保護膜の第３領域側の端部が、凹凸パターン上に位置している。
【００１２】
また、本発明の一態様としての電極基板の製造方法は、（ａ）第１基板を準備する工程、（ｂ）第１基板の第１主面の第１領域から、第１基板の第１主面の第２領域を経て、第１基板の第１主面の第３領域まで、第１基板上に連続的に第１電極を形成する工程、を有する。また、当該電極基板の製造方法は、（ｃ）第２領域で、第１電極または第１基板に、凹凸パターンを形成する工程、（ｄ）（ｃ）工程の後、第１領域および第２領域で、第１電極を覆うように保護膜を形成する工程、を有する。そして、（ｄ）工程にて形成された保護膜の第３領域側の端部が、凹凸パターン上に位置する。
【図面の簡単な説明】
【００１３】
【図１】実施の形態１の表示装置の一構成例を示すブロック図である。
【図２】タッチ検出デバイスに指が接触および近接していない状態を表す説明図である。
【図３】タッチ検出デバイスに指が接触および近接していない状態の等価回路の例を示す説明図である。
【図４】タッチ検出デバイスに指が接触または近接した状態を表す説明図である。
【図５】タッチ検出デバイスに指が接触または近接した状態の等価回路の例を示す説明図である。
【図６】駆動信号および検出信号の波形の一例を示す図である。
【図７】実施の形態１の表示装置を実装したモジュールの一例を示す平面図である。
【図８】実施の形態１の表示装置を実装したモジュールの一例を示す平面図である。
【図９】実施の形態１の表示装置におけるタッチ検出機能付き表示デバイスを示す断面図である。
【図１０】実施の形態１の表示装置におけるタッチ検出機能付き表示デバイスを示す回路図である。
【図１１】実施の形態１の表示装置の駆動電極および検出電極の一構成例を示す斜視図である。
【図１２】実施の形態１の電極基板を示す平面図である。
【図１３】実施の形態１の電極基板を示す断面図である。
【図１４】実施の形態１の電極基板を示す断面図である。
【図１５】実施の形態１の電極基板を示す斜視図である。
【図１６】実施の形態１の電極基板における凹凸パターンを示す平面図である。
【図１７】実施の形態１の電極基板における凹凸パターンの他の例を示す断面図である。
【図１８】実施の形態１の電極基板における凹凸パターンの他の例を示す断面図である。
【図１９】実施の形態１の電極基板における凹凸パターンの第１変形例を示す平面図である。
【図２０】実施の形態１の電極基板における凹凸パターンの第２変形例を示す平面図である。
【図２１】実施の形態１の電極基板における凹凸パターンの第３変形例を示す平面図である。
【図２２】実施の形態１の電極基板における凹凸パターンの第４変形例を示す平面図である。
【図２３】実施の形態１の電極基板における凹凸パターンの第５変形例を示す平面図である。
【図２４】実施の形態１の電極基板における凹凸パターンの第６変形例を示す平面図である。
【図２５】実施の形態１の電極基板における凹凸パターンの第７変形例を示す平面図である。
【図２６】実施の形態１の電極基板における凹凸パターンの第８変形例を示す平面図である。
【図２７】実施の形態１の電極基板における凹凸パターンの第９変形例を示す平面図である。
【図２８】実施の形態１の電極基板の製造工程中の断面図である。
【図２９】実施の形態１の電極基板の製造工程中の断面図である。
【図３０】実施の形態１の電極基板の製造工程中の斜視図である。
【図３１】実施の形態１の電極基板の製造工程中の断面図である。
【図３２】実施の形態１の電極基板の製造工程中の断面図である。
【図３３】比較例の電極基板を示す平面図である。
【図３４】比較例の電極基板を示す斜視図である。
【図３５】ガラス基板上における塗布液の形状を模式的に示す断面図である。
【図３６】ガラス基板上に形成された検出電極の周辺における塗布液の形状を模式的に示す断面図である。
【図３７】実施の形態２の表示装置におけるタッチ検出機能付き表示デバイスを示す断面図である。
【図３８】実施の形態２の第１変形例としての入力装置を示す断面図である。
【図３９】自己容量方式における検出電極の電気的な接続状態を表す説明図である。
【図４０】自己容量方式における検出電極の電気的な接続状態を表す説明図である。
【図４１】実施の形態３の電子機器の一例としてのテレビジョン装置の外観を表す斜視図である。
【図４２】実施の形態３の電子機器の一例としてのデジタルカメラの外観を表す斜視図である。
【図４３】実施の形態３の電子機器の一例としてのノート型パーソナルコンピュータの外観を表す斜視図である。
【図４４】実施の形態３の電子機器の一例としてのビデオカメラの外観を表す斜視図である。
【図４５】実施の形態３の電子機器の一例としての携帯電話機の外観を表す正面図である。
【図４６】実施の形態３の電子機器の一例としての携帯電話機の外観を表す正面図である。
【図４７】実施の形態３の電子機器の一例としてのスマートフォンの外観を表す正面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１４】
以下に、本発明の各実施の形態について、図面を参照しつつ説明する。
【００１５】
なお、開示はあくまで一例にすぎず、当業者において、発明の主旨を保っても適宜変更について容易に想到し得るものについては、当然に本発明の範囲に含有されるものである。また、図面は説明をより明確にするため、実施の態様に比べ、各部の幅、厚さ、形状等について模式的に表される場合があるが、あくまで一例であって、本発明の解釈を限定するものではない。
【００１６】
また本明細書と各図において、既出の図に関して前述したものと同様の要素には、同一の符号を付して、詳細な説明を適宜省略することがある。
【００１７】
さらに、実施の形態で用いる図面においては、構造物を区別するために付したハッチング（網掛け）を図面に応じて省略する場合もある。
【００１８】
また、以下の実施の形態において、Ａ〜Ｂとして範囲を示す場合には、特に明示した場合を除き、Ａ以上Ｂ以下を示すものとする。
【００１９】
（実施の形態１）
初めに、実施の形態１として、入力装置としてのタッチパネルを備えた表示装置を、インセルタイプのタッチ検出機能付き液晶表示装置に適用した例について説明する。なお、本願明細書では、入力装置とは、少なくとも電極に対して近接または接触する物体の容量に応じて変化する静電容量を検出する入力装置である。ここで、静電容量を検出する方式としては、２つの電極の間の静電容量を検出する相互容量方式のみならず、１つの電極の静電容量を検出する自己容量方式も含まれる。また、タッチ検出機能付き液晶表示装置とは、表示部を形成する第１基板および第２基板のいずれか一方にタッチ検出用の検出電極が設けられた液晶表示装置である。また、本実施の形態１においては、さらに、共通電極が、表示部の駆動電極として動作し、かつ、入力装置の駆動電極として動作するように、設けられている、という特徴を持つインセルタイプのタッチ検出機能付き液晶装置について述べる。
【００２０】
＜全体構成＞
初めに、図１を参照し、実施の形態１の表示装置の全体構成について説明する。図１は、実施の形態１の表示装置の一構成例を示すブロック図である。
【００２１】
表示装置１は、タッチ検出機能付き表示デバイス１０と、制御部１１と、ゲートドライバ１２と、ソースドライバ１３と、駆動電極ドライバ１４と、タッチ検出部４０とを備えている。
【００２２】
タッチ検出機能付き表示デバイス１０は、表示デバイス２０と、タッチ検出デバイス３０とを有する。表示デバイス２０は、本実施例では、表示素子として液晶表示素子を用いた表示デバイスとする。タッチ検出デバイス３０は、静電容量方式のタッチ検出デバイス、すなわち静電容量型のタッチ検出デバイスである。そのため、表示装置１は、タッチ検出機能を有する入力装置を備えた表示装置である。また、タッチ検出機能付き表示デバイス１０は、液晶表示デバイス２０と、タッチ検出デバイス３０とを一体化した表示デバイスであり、タッチ検出機能を内蔵した表示デバイス、すなわちインセルタイプのタッチ検出機能付き表示デバイスである。
【００２３】
なお、タッチ検出機能付き表示デバイス１０は、表示デバイス２０の上に、タッチ検出デバイス３０を装着した表示デバイスであってもよい。また、表示デバイス２０は、液晶表示素子を用いた表示デバイスに代え、例えば、有機ＥＬ（Electroluminescence）表示デバイスが用いられてもよい。
【００２４】
表示デバイス２０は、ゲートドライバ１２から供給される走査信号Ｖｓｃａｎに従って、表示領域において、１水平ラインずつ順次走査を行うことにより表示を行う。タッチ検出デバイス３０は、後述するように、静電容量型タッチ検出の原理に基づいて動作し、検出信号Ｖｄｅｔを出力する。
【００２５】
制御部１１は、外部より供給された映像信号Ｖｄｉｓｐに基づいて、ゲートドライバ１２、ソースドライバ１３、駆動電極ドライバ１４およびタッチ検出部４０に対してそれぞれ制御信号を供給し、これらが互いに同期して動作するように制御する回路である。
【００２６】
ゲートドライバ１２は、制御部１１から供給される制御信号に基づいて、タッチ検出機能付き表示デバイス１０の表示駆動の対象となる１水平ラインを順次選択する機能を有している。
【００２７】
ソースドライバ１３は、制御部１１から供給される画像信号Ｖｓｉｇの制御信号に基づいて、タッチ検出機能付き表示デバイス１０に含まれた副画素ＳＰｉｘ（後述する図１０参照）に、画素信号Ｖｐｉｘを供給する回路である。
【００２８】
駆動電極ドライバ１４は、制御部１１から供給される制御信号に基づいて、タッチ検出機能付き表示デバイス１０に含まれた共通電極ＣＯＭＬ（後述する図７または図８参照）に、駆動信号Ｖｃｏｍを供給する回路である。
【００２９】
タッチ検出部４０は、制御部１１から供給される制御信号と、タッチ検出機能付き表示デバイス１０のタッチ検出デバイス３０から供給された検出信号Ｖｄｅｔに基づいて、タッチ検出デバイス３０に対する指やタッチペンなどの入力具のタッチ、すなわち後述する接触または近接の状態、の有無を検出する回路である。そして、タッチ検出部４０は、タッチがある場合においてタッチ検出領域におけるその座標、すなわち入力位置などを求める回路である。タッチ検出部４０は、タッチ検出信号増幅部４２と、Ａ／Ｄ（Analog/Digital）変換部４３と、信号処理部４４と、座標抽出部４５と、検出タイミング制御部４６とを備えている。
【００３０】
タッチ検出信号増幅部４２は、タッチ検出デバイス３０から供給される検出信号Ｖｄｅｔを増幅する。タッチ検出信号増幅部４２は、検出信号Ｖｄｅｔに含まれる高い周波数成分、すなわちノイズ成分を除去し、タッチ成分を取り出してそれぞれ出力する低域通過アナログフィルタを備えていてもよい。
【００３１】
＜静電容量型タッチ検出の原理＞
次に、図１〜図６を参照し、本実施の形態１の表示装置１におけるタッチ検出の原理について説明する。図２は、タッチ検出デバイスに指が接触および近接していない状態を表す説明図である。図３は、タッチ検出デバイスに指が接触および近接していない状態の等価回路の例を示す説明図である。図４は、タッチ検出デバイスに指が接触または近接した状態を表す説明図である。図５は、タッチ検出デバイスに指が接触または近接した状態の等価回路の例を示す説明図である。図６は、駆動信号および検出信号の波形の一例を示す図である。
【００３２】
図２に示すように、静電容量型タッチ検出においては、タッチパネルあるいはタッチセンサと呼ばれる入力装置は、誘電体Ｄを挟んで互いに対向配置された駆動電極Ｅ１および検出電極Ｅ２を有する。これらの駆動電極Ｅ１および検出電極Ｅ２により容量素子Ｃ１が形成されている。図３に示すように、容量素子Ｃ１の一端は、駆動信号源である交流信号源Ｓに接続され、容量素子Ｃ１の他端は、タッチ検出部である電圧検出器ＤＥＴに接続される。電圧検出器ＤＥＴは、例えば図１に示すタッチ検出信号増幅部４２に含まれる積分回路である。
【００３３】
交流信号源Ｓから容量素子Ｃ１の一端、すなわち駆動電極Ｅ１に、例えば数ｋＨｚ〜数百ｋＨｚ程度の周波数を有する交流矩形波Ｓｇが印加されると、容量素子Ｃ１の他端、すなわち検出電極Ｅ２側に接続された電圧検出器ＤＥＴを介して、出力波形である検出信号Ｖｄｅｔが発生する。なお、この交流矩形波Ｓｇは、例えば図６に示す駆動信号Ｖｃｏｍに相当するものである。
【００３４】
図２に示された、指が接触および近接していない状態、すなわち非接触状態では、図３に示すように、容量素子Ｃ１に対する充放電に伴って、容量素子Ｃ１の容量値に応じた電流Ｉ０が流れる。電圧検出器ＤＥＴは、交流矩形波Ｓｇに応じた電流Ｉ０の変動を、電圧の変動に変換する。この電圧の変動は、図６において、実線の波形Ｖ０で示されている。
【００３５】
一方、図４に示された、指が接触または近接した状態、すなわち接触状態では、指によって形成される静電容量の影響を受け、容量素子Ｃ２が容量素子Ｃ１に直列に追加された形となる。この状態では、容量素子Ｃ１、Ｃ２に対する充放電に伴って、図５に示す等価回路でみると、容量素子Ｃ１に電流Ｉ１が流れる。電圧検出器ＤＥＴは、交流矩形波Ｓｇに応じた電流Ｉ１の変動を電圧の変動に変換する。この電圧の変動は、図６において、破線の波形Ｖ１で示されている。この場合、波形Ｖ１は、上述した波形Ｖ０と比べて振幅が小さくなる。これにより、波形Ｖ０と波形Ｖ１との電圧差分の絶対値｜ΔＶ｜は、指などの外部から近接する物体の影響に応じて変化することになる。なお、電圧検出器ＤＥＴは、波形Ｖ０と波形Ｖ１との電圧差分の絶対値｜ΔＶ｜を精度よく検出するため、回路内のスイッチングにより、交流矩形波Ｓｇの周波数に合わせて、コンデンサの充放電をリセットする期間Ｒｅｓｅｔを設けた動作とすることが好ましい。
【００３６】
図１に示す例では、タッチ検出デバイス３０は、駆動電極ドライバ１４から供給される駆動信号Ｖｃｏｍに従って、１つまたは複数の共通電極ＣＯＭＬに対応した１つの検出ブロックごとにタッチ検出を行う。すなわち、タッチ検出デバイス３０は、１つまたは複数の共通電極ＣＯＭＬの各々に対応した１つの検出ブロックごとに、図３または図５に示す電圧検出器ＤＥＴを介して、検出信号Ｖｄｅｔを出力し、出力した検出信号Ｖｄｅｔを、タッチ検出部４０のタッチ検出信号増幅部４２に供給する。
【００３７】
Ａ／Ｄ変換部４３は、駆動信号Ｖｃｏｍに同期したタイミングで、タッチ検出信号増幅部４２から出力されるアナログ信号をそれぞれサンプリングしてデジタル信号に変換する回路である。
【００３８】
信号処理部４４は、Ａ／Ｄ変換部４３の出力信号に含まれる、駆動信号Ｖｃｏｍをサンプリングした周波数以外の周波数成分、すなわちノイズ成分を低減するデジタルフィルタを備えている。信号処理部４４は、Ａ／Ｄ変換部４３の出力信号に基づいて、タッチ検出デバイス３０に対するタッチの有無を検出する論理回路である。信号処理部４４は、指による差分の電圧のみを取り出す処理を行う。この指による差分の電圧は、上述した波形Ｖ０と波形Ｖ１との差分の絶対値｜ΔＶ｜である。信号処理部４４は、１つの検出ブロック当たりの絶対値｜ΔＶ｜を平均化する演算を行い、絶対値｜ΔＶ｜の平均値を求めてもよい。これにより、信号処理部４４は、ノイズによる影響を低減できる。信号処理部４４は、検出した指による差分の電圧を所定のしきい値電圧と比較し、このしきい値電圧以上であれば、外部から近接する外部近接物体の接触状態と判断し、しきい値電圧未満であれば、外部近接物体の非接触状態と判断する。このようにして、タッチ検出部４０によるタッチ検出が行われる。
【００３９】
座標抽出部４５は、信号処理部４４においてタッチが検出されたときに、タッチが検出された位置の座標、すなわちタッチパネルにおける入力位置を求める論理回路である。検出タイミング制御部４６は、Ａ／Ｄ変換部４３と、信号処理部４４と、座標抽出部４５とが同期して動作するように制御する。座標抽出部４５は、タッチパネル座標を信号出力Ｖｏｕｔとして出力する。
【００４０】
＜モジュール＞
図７および図８は、実施の形態１の表示装置を実装したモジュールの一例を示す平面図である。図７に示す例では、第１基板２１上に、前述した駆動電極ドライバ１４が形成されている。
【００４１】
図７に示すように、表示装置１は、タッチ検出機能付き表示デバイス１０と、駆動電極ドライバ１４と、ＣＯＧ（Chip On Glass）１９Ａと、第１基板２１とを有する。
【００４２】
タッチ検出機能付き表示デバイス１０は、複数の共通電極ＣＯＭＬと、複数の検出電極ＴＤＬとを有する。ここで、第１基板２１の主面としての上面内で、互いに交差、好適には直交する２つの方向を、Ｘ軸方向およびＹ軸方向とする。このとき、複数の共通電極ＣＯＭＬは、平面視において、Ｘ軸方向にそれぞれ延在し、かつ、Ｙ軸方向に配列されている。また、複数の検出電極ＴＤＬは、平面視において、Ｙ軸方向にそれぞれ延在し、かつ、Ｘ軸方向に配列されている。言い換えれば、複数の検出電極ＴＤＬは、平面視において、複数の共通電極ＣＯＭＬとそれぞれ交差し、かつ、Ｘ軸方向に配列されている。したがって、複数の検出電極ＴＤＬの各々は、平面視において、複数の共通電極ＣＯＭＬと交差している。
【００４３】
図９および図１０を用いて後述するように、複数の共通電極ＣＯＭＬの各々は、平面視において、Ｘ軸方向に配列された複数の副画素ＳＰｉｘと重なるように設けられている。すなわち、１つの共通電極ＣＯＭＬは、複数の副画素ＳＰｉｘに対して共通な電極として設けられている。
【００４４】
なお、本願明細書では、「平面視において」とは、第１基板２１または後述する対向基板３に含まれる第２基板３１の主面としての上面に垂直な方向から視た場合を意味する。
【００４５】
図７に示す例では、タッチ検出機能付き表示デバイス１０は、平面視において、Ｘ軸方向にそれぞれ延在し、かつ、互いに対向する２つの辺と、Ｙ軸方向にそれぞれ延在し、かつ、互いに対向する２つの辺とを備え、矩形形状を有する。Ｙ軸方向におけるタッチ検出機能付き表示デバイス１０の一方の側には、配線基板ＷＳ１が設けられている。検出電極ＴＤＬは、配線基板ＷＳ１を介して、このモジュールの外部に実装されたタッチ検出部４０と接続されている。図１２および図１３を用いて後述するが、配線基板ＷＳ１として、フレキシブルプリント配線板を用いることができる。また、検出電極ＴＤＬと配線基板ＷＳ１との接続構造についても、図１２および図１３を用いて後述する。
【００４６】
駆動電極ドライバ１４は、第１基板２１に形成されている。ＣＯＧ１９Ａは、第１基板２１に実装されたチップであり、図１に示した制御部１１、ゲートドライバ１２、ソースドライバ１３など、表示動作に必要な各回路を内蔵したものである。
【００４７】
なお、第１基板２１として、例えば透明性のあるガラス基板、または、例えば樹脂からなるフィルムなど、各種の基板を用いることができる。
【００４８】
一方、表示装置１は、ＣＯＧに駆動電極ドライバ１４を内蔵してもよい。ＣＯＧに駆動電極ドライバ１４が内蔵された例を、図８に示す。図８に示す例では、表示装置１は、モジュールはＣＯＧ１９Ｂを有する。図８に示すＣＯＧ１９Ｂには、上述した表示動作に必要な各回路に加え、駆動電極ドライバ１４がさらに内蔵されている。
【００４９】
なお、図７および図８に示すように、第２基板３１の平面形状を、第１基板２１の平面形状と略同一にすることができる。
【００５０】
＜タッチ検出機能付き表示デバイス＞
次に、タッチ検出機能付き表示デバイス１０の構成例を詳細に説明する。図９は、実施の形態１の表示装置におけるタッチ検出機能付き表示デバイスを示す断面図である。図１０は、実施の形態１の表示装置におけるタッチ検出機能付き表示デバイスを示す回路図である。
【００５１】
タッチ検出機能付き表示デバイス１０は、画素基板２と、対向基板３と、液晶層６とを有する。対向基板３は、画素基板２の主面としての上面と、対向基板３の主面としての下面とが対向するように、配置されている。液晶層６は、画素基板２と対向基板３との間に設けられている。
【００５２】
画素基板２は、第１基板２１を有する。図１０に示すように、表示領域Ａｄで、第１基板２１には、複数の走査線ＧＣＬ、複数の信号線ＳＧＬ、および、複数の薄膜トランジスタ（Thin Film Transistor；ＴＦＴ）であるＴＦＴ素子Ｔｒが形成されている。なお、図９では、走査線ＧＣＬ、信号線ＳＧＬおよびＴＦＴ素子Ｔｒの図示は、省略する。
【００５３】
図１０に示すように、複数の走査線ＧＣＬは、表示領域Ａｄで、Ｘ軸方向にそれぞれ延在し、かつ、Ｙ軸方向に配列されている。複数の信号線ＳＧＬは、表示領域Ａｄで、Ｙ軸方向にそれぞれ延在し、かつ、Ｘ軸方向に配列されている。したがって、複数の信号線ＳＧＬの各々は、平面視において、複数の走査線ＧＣＬと交差する。このように、平面視において、互いに交差する複数の走査線ＧＣＬと複数の信号線ＳＧＬの交点に、副画素ＳＰｉｘが配置され、複数の異なる色の副画素ＳＰｉｘにより１つの画素Ｐｉｘが形成される。すなわち、第１基板２１上で、表示領域Ａｄにおいて、副画素ＳＰｉｘは、Ｘ軸方向およびＹ軸方向にマトリクス状に配列されている。言い換えれば、副画素ＳＰｉｘは、第１基板２１の表面側の表示領域Ａｄで、Ｘ軸方向およびＹ軸方向にマトリクス状に配列されている。
【００５４】
平面視において、複数の走査線ＧＣＬの各々と複数の信号線ＳＧＬの各々とが交差する交差部には、ＴＦＴ素子Ｔｒが形成されている。したがって、表示領域Ａｄで、第１基板２１上には、複数のＴＦＴ素子Ｔｒが形成されており、これらの複数のＴＦＴ素子Ｔｒは、Ｘ軸方向およびＹ軸方向にマトリクス状に配列されている。すなわち、複数の副画素ＳＰｉｘの各々には、ＴＦＴ素子Ｔｒが設けられている。また、複数の副画素ＳＰｉｘの各々には、ＴＦＴ素子Ｔｒに加え、液晶素子ＬＣが設けられている。
【００５５】
ＴＦＴ素子Ｔｒは、例えばｎチャネル型のＭＯＳ（Metal Oxide Semiconductor）としての薄膜トランジスタからなる。ＴＦＴ素子Ｔｒのゲート電極は、走査線ＧＣＬに接続されている。ＴＦＴ素子Ｔｒのソース電極またはドレイン電極の一方は、信号線ＳＧＬに接続されている。ＴＦＴ素子Ｔｒのソース電極またはドレイン電極の他方は、液晶素子ＬＣの一端に接続されている。液晶素子ＬＣは、例えば、一端がＴＦＴ素子Ｔｒのソース電極またはドレイン電極に接続され、他端が共通電極ＣＯＭＬに接続されている。
【００５６】
図９に示すように、画素基板２は、複数の共通電極ＣＯＭＬと、絶縁膜２４と、複数の画素電極２２とを有する。複数の共通電極ＣＯＭＬは、第１基板２１の表面側の表示領域Ａｄ（図７または図８参照）で、第１基板２１上に設けられている。複数の共通電極ＣＯＭＬの各々の表面を含めて第１基板２１上には、絶縁膜２４が形成されている。表示領域Ａｄで、絶縁膜２４上には、複数の画素電極２２が形成されている。したがって、絶縁膜２４は、共通電極ＣＯＭＬと画素電極２２とを、電気的に絶縁する。
【００５７】
図１０に示すように、複数の画素電極２２は、第１基板２１の表面側の表示領域Ａｄで、Ｘ軸方向およびＹ軸方向にマトリクス状に配列された複数の副画素ＳＰｉｘの各々の内部にそれぞれ形成されている。したがって、複数の画素電極２２は、Ｘ軸方向およびＹ軸方向にマトリクス状に配列されている。
【００５８】
図９に示す例では、複数の共通電極ＣＯＭＬの各々は、第１基板２１と画素電極２２との間に形成されている。また、図１０で模式的に示すように、複数の共通電極ＣＯＭＬの各々は、平面視において、複数の画素電極２２と重なるように設けられている。そして、複数の画素電極２２の各々と複数の共通電極ＣＯＭＬの各々との間に電圧が印加され、複数の副画素ＳＰｉｘの各々に設けられた液晶素子ＬＣに電圧が印加されることにより、表示領域Ａｄに画像が表示される。
【００５９】
このように、タッチ検出機能付き表示デバイス１０が液晶表示デバイス２０を含む場合には、液晶素子ＬＣと、複数の画素電極２２と、共通電極ＣＯＭＬと、複数の走査線ＧＣＬと、複数の信号線ＳＧＬとにより、画像の表示を制御する表示制御部が形成される。表示制御部は、画素基板２と対向基板３との間に設けられている。なお、タッチ検出機能付き表示デバイス１０は、液晶表示装置としての液晶表示デバイス２０に代え、有機ＥＬ表示装置など各種の表示装置としての表示デバイスを含んでもよい。
【００６０】
なお、複数の共通電極ＣＯＭＬの各々は、画素電極２２を挟んで第１基板２１と反対側に形成されていてもよい。また、図９に示す例では、共通電極ＣＯＭＬと画素電極２２との配置が、横電界モードとしてのＦＦＳ（Fringe Field Switching）モードにおける配置となっている。しかし、共通電極ＣＯＭＬと画素電極２２との配置は、共通電極ＣＯＭＬと画素電極２２とが平面視で重ならない、横電界モードとしてのＩＰＳ（In Plane Switching）モードにおける配置でもよい。あるいは、共通電極ＣＯＭＬと画素電極２２との配置は、縦電界モードとしてのＴＮ（Twisted Nematic）モードまたはＶＡ（Vertical Alignment）モードにおける配置でもよい。
【００６１】
液晶層６は、電界の状態に応じてそこを通過する光を変調するものであり、例えば、前述のＦＦＳモード、または、ＩＰＳモード等の横電界モードに対応した液晶層が用いられる。すなわち、液晶表示デバイス２０として、ＦＦＳモードまたはＩＰＳモード等の横電界モードによる液晶表示デバイスが用いられる。あるいは、前述したように、ＴＮモードまたはＶＡモード等の縦電界モードによる液晶表示デバイスが用いられてもよい。なお、図９に示す液晶層６と画素基板２との間、および、液晶層６と対向基板３との間には、それぞれ配向膜が設けられていてもよい。
【００６２】
図１０に示すように、Ｘ軸方向に配列された複数の副画素ＳＰｉｘ、すなわち液晶表示デバイス２０の同一の行に属する複数の副画素ＳＰｉｘは、走査線ＧＣＬにより互いに接続されている。走査線ＧＣＬは、ゲートドライバ１２（図１参照）と接続され、ゲートドライバ１２により走査信号Ｖｓｃａｎ（図１参照）が供給される。また、Ｙ軸方向に配列された複数の副画素ＳＰｉｘ、すなわち液晶表示デバイス２０の同一の列に属する複数の副画素ＳＰｉｘは、信号線ＳＧＬにより互いに接続されている。信号線ＳＧＬは、ソースドライバ１３（図１参照）と接続され、ソースドライバ１３により画素信号Ｖｐｉｘ（図１参照）が供給される。さらに、Ｘ軸方向に配列された複数の副画素ＳＰｉｘ、すなわち液晶表示デバイス２０の同一の行に属する複数の副画素ＳＰｉｘは、共通電極ＣＯＭＬにより互いに接続されている。
【００６３】
共通電極ＣＯＭＬは、駆動電極ドライバ１４（図１参照）と接続され、駆動電極ドライバ１４により駆動信号Ｖｃｏｍ（図１参照）が供給される。つまり、図１０に示す例では、同一の行に属する複数の副画素ＳＰｉｘが１つの共通電極ＣＯＭＬを共有するようになっている。複数の共通電極ＣＯＭＬは、表示領域Ａｄで、Ｘ軸方向にそれぞれ延在し、かつ、Ｙ軸方向に配列されている。前述したように、複数の走査線ＧＣＬは、表示領域Ａｄで、Ｘ軸方向にそれぞれ延在し、かつ、Ｙ軸方向に配列されているため、複数の共通電極ＣＯＭＬの各々が延在する方向は、複数の走査線ＧＣＬの各々が延在する方向と平行である。ただし、複数の共通電極ＣＯＭＬの各々が延在する方向は限定されず、例えば、複数の共通電極ＣＯＭＬの各々が延在する方向は、複数の信号線ＳＧＬの各々が延在する方向と平行な方向であってもよい。
【００６４】
図１に示すゲートドライバ１２は、走査信号Ｖｓｃａｎを、図１０に示す走査線ＧＣＬを介して、各副画素ＳＰｉｘのＴＦＴ素子Ｔｒのゲート電極に印加することにより、液晶表示デバイス２０においてマトリクス状に形成された副画素ＳＰｉｘのうちの１行、すなわち１水平ラインを表示駆動の対象として順次選択する。図１に示すソースドライバ１３は、画素信号Ｖｐｉｘを、図１０に示す信号線ＳＧＬを介して、ゲートドライバ１２により順次選択される１水平ラインを構成する複数の副画素ＳＰｉｘにそれぞれ供給する。そして、１水平ラインを構成する複数の副画素ＳＰｉｘにおいて、供給される画素信号Ｖｐｉｘに応じた表示が行われる。
【００６５】
図１に示す駆動電極ドライバ１４は、駆動信号Ｖｃｏｍを印加し、１つまたは複数の共通電極ＣＯＭＬに対応した１つの検出ブロックごとに共通電極ＣＯＭＬを駆動する。
【００６６】
液晶表示デバイス２０においては、ゲートドライバ１２が走査線ＧＣＬを時分割的に順次走査するように駆動することにより、副画素ＳＰｉｘが、１水平ラインずつ順次選択される。また、液晶表示デバイス２０においては、１水平ラインに属する副画素ＳＰｉｘに対して、ソースドライバ１３が画素信号Ｖｐｉｘを供給することにより、１水平ラインずつ表示が行われる。この表示動作を行う際、駆動電極ドライバ１４は、その１水平ラインに対応した共通電極ＣＯＭＬを含む検出ブロックに対して、駆動信号Ｖｃｏｍを印加する。
【００６７】
本実施の形態１の表示装置１における共通電極ＣＯＭＬは、液晶表示デバイス２０の駆動電極として動作し、かつ、タッチ検出デバイス３０の駆動電極として動作する。図１１は、実施の形態１の表示装置の駆動電極および検出電極の一構成例を示す斜視図である。
【００６８】
タッチ検出デバイス３０は、画素基板２に設けられた複数の共通電極ＣＯＭＬと、対向基板３に設けられた複数の検出電極ＴＤＬとを有する。複数の検出電極ＴＤＬは、平面視において、複数の共通電極ＣＯＭＬの各々が延在する方向と交差する方向にそれぞれ延在する。言い換えれば、複数の検出電極ＴＤＬは、平面視において複数の共通電極ＣＯＭＬとそれぞれ重なるように、互いに間隔を空けて設けられている。そして、複数の検出電極ＴＤＬの各々は、画素基板２に含まれる第１基板２１の表面に垂直な方向において、共通電極ＣＯＭＬと対向している。複数の検出電極ＴＤＬの各々は、タッチ検出部４０のタッチ検出信号増幅部４２（図１参照）にそれぞれ接続されている。複数の共通電極ＣＯＭＬの各々と複数の検出電極ＴＤＬの各々との平面視における交差部には、静電容量が発生する。そして、複数の共通電極ＣＯＭＬの各々と複数の検出電極ＴＤＬの各々との間の静電容量に基づいて、入力位置が検出される。すなわち、検出電極ＴＤＬが形成された第２基板３１（図９参照）のような電極基板と、共通電極ＣＯＭＬとにより、入力位置を検出する検出部、すなわち入力装置が形成される。  
【００６９】
なお、本実施の形態１における電極基板は、対向基板３として用いられる場合に限られず、例えば図３８を用いて後述するように、入力装置単体を形成することができる。
【００７０】
このような構成により、タッチ検出デバイス３０では、タッチ検出動作を行う際、駆動電極ドライバ１４により、スキャン方向Ｓｃａｎに１つまたは複数の共通電極ＣＯＭＬに対応した１つの検出ブロックが順次選択される。そして、選択された検出ブロックにおいて、共通電極ＣＯＭＬには、共通電極ＣＯＭＬと検出電極ＴＤＬとの間の静電容量を測定するための駆動信号Ｖｃｏｍが入力され、検出電極ＴＤＬから、入力位置を検出するための検出信号Ｖｄｅｔが出力される。このようにタッチ検出デバイス３０は、１検出ブロックごとにタッチ検出が行われるようになっている。つまり、１つの検出ブロックは、前述したタッチ検出の原理における駆動電極Ｅ１に対応し、検出電極ＴＤＬは、検出電極Ｅ２に対応している。
【００７１】
なお、表示動作の際の検出ブロックの範囲と、タッチ検出動作の際の検出ブロックの範囲とは、共通であってもよく、異なっていてもよい。
【００７２】
図１１に示すように、平面視において、互いに交差した複数の共通電極ＣＯＭＬと複数の検出電極ＴＤＬは、マトリクス状に配列された静電容量式タッチセンサを形成する。よって、タッチ検出デバイス３０のタッチ検出面全体を走査することにより、指などが接触または近接した位置を検出することが可能である。
【００７３】
図９に示すように、対向基板３は、第２基板３１と、カラーフィルタ３２と、検出電極ＴＤＬと、保護膜３３とを有する。第２基板３１は、主面としての上面と、上面と反対側の主面としての下面とを有している。カラーフィルタ３２は、第２基板３１の一方の主面としての下面に形成されている。検出電極ＴＤＬは、タッチ検出デバイス３０の検出電極であり、第２基板３１の他方の主面としての上面上に形成されている。保護膜３３は、第２基板３１の上面上に、検出電極ＴＤＬを覆うように形成されている。なお、電極としての検出電極ＴＤＬ、および、保護膜３３の形状については、後述する。
【００７４】
カラーフィルタ３２として、例えば赤（Ｒ）、緑（Ｇ）および青（Ｂ）の３色に着色されたカラーフィルタがＸ軸方向に配列される。これにより、図１０に示すように、Ｒ、ＧおよびＢの３色の色領域３２Ｒ、３２Ｇおよび３２Ｂの各々にそれぞれ対応した複数の副画素ＳＰｉｘが形成され、１組の色領域３２Ｒ、３２Ｇおよび３２Ｂの各々にそれぞれ対応した複数の副画素ＳＰｉｘにより１つの画素Ｐｉｘが形成される。画素Ｐｉｘは、走査線ＧＣＬが延在する方向（Ｘ軸方向）、および、信号線ＳＧＬが延在する方向（Ｙ軸方向）に沿って、マトリクス状に配列されている。また、画素Ｐｉｘがマトリクス状に配列された領域が、例えば前述した表示領域Ａｄである。なお、表示領域Ａｄの周辺に、ダミー画素が設けられたダミー領域が設けられていてもよい。
【００７５】
カラーフィルタ３２の色の組み合わせとして、Ｒ、ＧおよびＢ以外の他の色を含む複数の色の組み合わせでもよい。また、カラーフィルタ３２は、設けられていなくてもよい。あるいは、１つの画素Ｐｉｘが、カラーフィルタ３２が設けられていない副画素ＳＰｉｘ、すなわち白色の副画素ＳＰｉｘを含んでもよい。また、ＣＯＡ（Color filter On Array）技術により、カラーフィルタが画素基板２に設けられていてもよい。
【００７６】
なお、図９に示すように、画素基板２を挟んで対向基板３と反対側には、偏光板２５が設けられていてもよい。また、対向基板３を挟んで画素基板２と反対側には、偏光板３４が設けられていてもよい。
【００７７】
＜電極基板の構成＞
次に、図１２〜図１５を参照し、電極基板の構成について説明する。なお、本実施の形態１では、電極基板として、入力装置付き表示装置において検出電極が形成される対向基板として用いられる電極基板を例示して説明する。
【００７８】
図１２は、実施の形態１の電極基板を示す平面図である。図１３および図１４は、実施の形態１の電極基板を示す断面図である。図１５は、実施の形態１の電極基板を示す斜視図である。図１３は、図１２のＡ−Ａ線に沿った断面図であり、図１４は、図１２のＢ−Ｂ線に沿った断面図である。なお、図１２では、配線基板ＷＳ１および異方性導電フィルムＣＦ１を除去して透視した状態を示しており、配線基板ＷＳ１および異方性導電フィルムＣＦ１の外周を二点鎖線で示している。また、図１５では、配線基板ＷＳ１の図示を省略している。さらに、図１５では、図１９を用いて後述する凹凸パターンＵＥ１の第１変形例と類似した例を示している。
【００７９】
対向基板３としての電極基板ＥＳは、第２基板３１と、検出電極ＴＤＬと、保護膜３３と、凹凸パターンＵＥ１とを有する。
【００８０】
なお、本願明細書では、「凹凸パターン」とは、凹部からなるパターン、凸部からなるパターン、または、凹部および凸部からなるパターンを意味する。
【００８１】
第２基板３１は、第２基板３１の主面としての上面の領域として、領域ＡＲ１、ＡＲ２およびＡＲ３を有する。以下では、第２基板３１の主面としての上面内で、互いに交差、好適には直交する２つの方向を、Ｘ軸方向およびＹ軸方向とする。このとき、領域ＡＲ１、ＡＲ２およびＡＲ３は、平面視において、Ｙ軸方向に順に配置されている。
【００８２】
なお、前述したように、本願明細書では、「平面視において」とは、第１基板２１（図９参照）または第２基板３１の主面としての上面に垂直な方向から視た場合を意味する。
【００８３】
また、第２基板３１として、例えば透明性のあるガラス基板、または、例えば樹脂からなるフィルムなど、各種の基板を用いることができる。
【００８４】
検出電極ＴＤＬは、第２基板３１の上面の領域ＡＲ１から、第２基板３１の上面の領域ＡＲ２を経て、第２基板３１の上面の領域ＡＲ３にかけて、第２基板３１上に連続的に形成されている。好適には、検出電極ＴＤＬは、平面視において、Ｙ軸方向に延在している。
【００８５】
検出電極ＴＤＬのうち領域ＡＲ１に形成された部分を部分ＰＲ１とする。部分ＰＲ１は、検出電極ＴＤＬの本体部ＭＰ１である。また、検出電極ＴＤＬのうち領域ＡＲ２に形成された部分を部分ＰＲ２とする。さらに、検出電極ＴＤＬのうち領域ＡＲ３に形成された部分を部分ＰＲ３とする。部分ＰＲ３は、配線基板ＷＳ１と電気的に接続される電極端子ＥＴ１である。言い換えれば、部分ＰＲ３は、配線基板ＷＳ１と電気的に接続される電極パッドである。検出電極ＴＤＬは、導電膜からなる。
【００８６】
好適には、検出電極ＴＤＬは、アルミニウム（Ａｌ）、銅（Ｃｕ）、銀（Ａｇ）、モリブデン（Ｍｏ）、クロム（Ｃｒ）およびタングステン（Ｗ）からなる群から選ばれた１種以上の金属からなる金属層または合金層を含む導電膜の単層または複数層の膜からなる。これにより、検出電極ＴＤＬの導電性を向上させることができるので、検出電極ＴＤＬによる検出感度または検出速度を向上させることができる。
【００８７】
なお、本実施の形態１では、部分ＰＲ２が、電極端子ＥＴ１のうち本体部ＭＰ１側の部分として、電極端子ＥＴ１に含まれている例について示す。しかし、部分ＰＲ２は、本体部ＭＰ１のうち電極端子ＥＴ１側の部分として、本体部ＭＰ１に含まれていてもよい。
【００８８】
また、図１２に示す例では、電極端子ＥＴ１の平面形状は、矩形形状であるが、電極端子ＥＴ１の平面形状は、例えば円形形状など、各種の形状であってもよい。
【００８９】
検出電極ＴＤＬは、領域ＡＲ１において、Ｘ軸方向に配列された複数の導電線を含んでもよい。このとき、複数の導電線の各々は、平面視において、交互に逆方向に屈曲しながら全体としてＹ軸方向に延在するジグザグ形状を有していてもよい。あるいは、検出電極ＴＤＬは、平面視において、複数の導電線により形成されたメッシュ形状を有していてもよい。
【００９０】
対向基板３は、複数の検出電極ＴＤＬを有する。複数の検出電極ＴＤＬは、例えばＸ軸方向に配列されている。
【００９１】
保護膜３３は、領域ＡＲ１およびＡＲ２で、検出電極ＴＤＬを覆うように形成されている。保護膜３３は、検出電極ＴＤＬに例えば空気中の水分や酸性の有機物などが接触しないようにすることにより、導電膜からなる検出電極ＴＤＬが腐食しないように保護する。保護膜３３として、例えばアクリル樹脂、エポキシ樹脂またはポリイミド樹脂などからなる、紫外線（Ultraviolet；ＵＶ）硬化性樹脂もしくは熱硬化性樹脂またはその両方を含む樹脂からなる樹脂膜を用いることができる。なお、保護膜３３は、検出電極ＴＤＬが形成された第２基板３１の上面を平坦化する機能も有する。
【００９２】
凹凸パターンＵＥ１は、部分ＰＲ２の表面に形成されるか、または、領域ＡＲ２のうち検出電極ＴＤＬの周辺に位置する部分で第２基板３１上に形成されている。言い換えれば、凹凸パターンＵＥ１は、領域ＡＲ２で、検出電極ＴＤＬまたは第２基板３１に形成されている。
【００９３】
また、保護膜３３の領域ＡＲ３側の端部は、凹凸パターンＵＥ１上で、終端している。言い換えれば、保護膜３３の領域ＡＲ３側の端部ＥＰ１が、凹凸パターンＵＥ１上に位置している。
【００９４】
前述したように、凹凸パターンＵＥ１は、例えば凹部または凸部などを含む。すなわち、凹凸パターンＵＥ１は、高位部と低位部とからなる段差部を含む。領域ＡＲ１およびＡＲ２に保護膜形成用の塗布液が塗布される際に、塗布液は、段差部に沿って広がりやすいものの、段差部と交差する方向には広がりにくい。そのため、凹凸パターンＵＥ１の形状を調整することにより、段差部の長さを調整することができ、領域ＡＲ２に塗布された塗布液の端部の位置を精度よく調整することができる。すなわち、凹凸パターンＵＥ１は、保護膜３３の端部の位置を調整する位置調整パターンである。
【００９５】
図１４に示すように、保護膜３３の厚さＴＨ１を検出電極ＴＤＬの厚さＴＨ２よりも厚くすることができ、例えば、検出電極ＴＤＬの厚さＴＨ２を１０〜２０００ｎｍとし、保護膜３３の厚さＴＨ１を５００〜１００００ｎｍとすることができる。また、保護膜３３の厚さＴＨ１、すなわち保護膜形成用の塗布液の厚さが、検出電極ＴＤＬの厚さＴＨ２の２倍以上であるときは、凹凸パターンＵＥ１が設けられることにより、領域ＡＲ２に塗布された塗布液の端部の位置を精度よく調整することができる効果が大きくなる。
【００９６】
なお、図１２に示す例では、凹凸パターンＵＥ１は、領域ＡＲ２のうち検出電極ＴＤＬの周辺に位置する部分で第２基板３１上に形成されている。また、保護膜３３は、凹凸パターンＵＥ１上、および、部分ＰＲ２上で、終端している。言い換えれば、保護膜３３の領域ＡＲ３側の端部ＥＰ１が、凹凸パターンＵＥ１上、および、部分ＰＲ２上に位置している。
【００９７】
ここで、Ｘ軸方向とＹ軸方向とは互いに直交するものとし、部分ＰＲ１のＸ軸方向における幅を幅ＷＤ１とし、部分ＰＲ２のＸ軸方向における幅を幅ＷＤ２とし、部分ＰＲ３のＸ軸方向における幅を幅ＷＤ３とする。このとき、好適には、部分ＰＲ２のＸ軸方向における幅ＷＤ２は、部分ＰＲ１のＸ軸方向における幅ＷＤ１よりも大きい。これにより、部分ＰＲ２は肩部ＳＨ１を有し、肩部ＳＨ１により、領域ＡＲ１に塗布された保護膜形成用の塗布液が領域ＡＲ２に広がることを防止または抑制することができる。そのため、領域ＡＲ２に塗布された塗布液の端部の位置を精度よく調整することができる。
【００９８】
なお、図１２では、部分ＰＲ２のＸ軸方向における幅ＷＤ２が、部分ＰＲ１のＸ軸方向における幅ＷＤ１よりも大きい例を示し、図１５では、部分ＰＲ２のＸ軸方向における幅ＷＤ２が、部分ＰＲ１のＸ軸方向における幅ＷＤ１と等しい例を示している。また、図１２では、部分ＰＲ３のＸ軸方向における幅ＷＤ３が、部分ＰＲ２のＸ軸方向における幅ＷＤ２と等しい例を示し、図１５では、部分ＰＲ３のＸ軸方向における幅が、部分ＰＲ２のＸ軸方向における幅と等しい例を示している。
【００９９】
例えば図１２に示す場合、すなわち幅ＷＤ２が、幅ＷＤ１よりも大きく、かつ、幅ＷＤ３と等しい場合、幅ＷＤ２およびＷＤ３は、例えば５０〜１０００μｍである。また、例えば図１２に示す場合、互いに隣り合う２つの電極端子ＥＴ１の間隔ＤＳ１は、例えば５０〜１０００μｍである。間隔ＤＳ１がこのような範囲内にあることにより、互いに隣り合う２つの電極端子ＥＴ１が、後述する異方性導電フィルムＣＦ１により短絡されることを、防止または抑制することができる。
【０１００】
また、対向基板３としての電極基板ＥＳは、異方性導電フィルム（Anisotropic Conductive Film；ＡＣＦ）ＣＦ１と、配線基板ＷＳ１とを有してもよい。異方性導電フィルムＣＦ１は、領域ＡＲ２およびＡＲ３で、検出電極ＴＤＬを覆うように配置されている。配線基板ＷＳ１は、異方性導電フィルムＣＦ１上に配置されている。配線基板ＷＳ１として、例えばフレキシブルプリント回路基板（Flexible Printed Circuits；ＦＰＣ）とも称されるフレキシブルプリント配線板を用いることができる。以下では、配線基板ＷＳ１としてＦＰＣを用いた例について説明する。
【０１０１】
配線基板ＷＳ１の主面としての下面には、複数の電極端子ＥＴ２が形成されている。すなわち、配線基板ＷＳ１は、配線基板ＷＳ１の主面としての下面に形成された複数の電極端子ＥＴ２を含む。複数の電極端子ＥＴ２の各々は、複数の検出電極ＴＤＬの各々の電極端子ＥＴ１にそれぞれ対応して配置されている。配線基板ＷＳ１は、複数の電極端子ＥＴ２の各々が、複数の検出電極ＴＤＬのうち領域ＡＲ３に形成された部分である各々の電極端子ＥＴ１のそれぞれと異方性導電フィルムＣＦ１を介して対向するように、異方性導電フィルムＣＦ１上に配置されている。
【０１０２】
異方性導電フィルムＣＦ１は、熱硬化性樹脂に導電性を持つ微細な金属粒子を混ぜ合わせたものを、膜状に成型したフィルムである。検出電極ＴＤＬの電極端子ＥＴ１と配線基板ＷＳ１の電極端子ＥＴ２との間に異方性導電フィルムＣＦ１を挟んだ状態で、例えば熱処理しながら配線基板ＷＳ１を第２基板３１に押し付ける。これにより、異方性導電フィルムＣＦ１内の金属粒子が異方性導電フィルムＣＦ１の厚さ方向に接触して、異方性導電フィルムＣＦ１の厚さ方向に導電経路が形成される。そして、互いに対向した電極端子ＥＴ１と電極端子ＥＴ２とは、異方性導電フィルムＣＦ１を介して電気的に接続される。
【０１０３】
好適には、異方性導電フィルムＣＦ１の領域ＡＲ１側の端部ＥＰ２は、保護膜３３上に乗り上げており、保護膜３３上で終端している。言い換えれば、異方性導電フィルムＣＦ１の領域ＡＲ１側の端部ＥＰ２が、保護膜３３上に位置している。
【０１０４】
これにより、部分ＰＲ２のいずれの部分も、保護膜３３または異方性導電フィルムＣＦ１のいずれかにより覆われることになり、部分ＰＲ２のいずれの部分にも空気中の水分が接触しないようにすることができるので、導電膜からなる検出電極ＴＤＬが腐食しないように確実に保護することができる。
【０１０５】
＜凹凸パターン＞
図１６は、実施の形態１の電極基板における凹凸パターンを示す平面図である。
【０１０６】
図１６に示すように、本実施の形態１では、凹凸パターンＵＥ１は、突出部ＰＪ１を含む。突出部ＰＪ１は、平面視において、Ｙ軸方向に延在する検出電極ＴＤＬのうち領域ＡＲ２に形成された部分ＰＲ２の側面からＸ軸方向に突出して延在するように形成されている。したがって、凹凸パターンＵＥ１は、部分ＰＲ２の側面に形成されており、図１２および図１３に示したように、保護膜３３は、凹凸パターンＵＥ１上、および、部分ＰＲ２上で終端している。言い換えれば、保護膜３３の領域ＡＲ３側の端部ＥＰ１が、凹凸パターンＵＥ１上、および、部分ＰＲ２上に位置している。なお、突出部ＰＪ１は、第２基板３１上に形成された凸部でもある。
【０１０７】
このように、段差部としての突出部ＰＪ１によって検出電極ＴＤＬのうち領域ＡＲ２に形成された部分ＰＲ２の外周の長さを長くすることができ、段差部の側壁としての突出部ＰＪ１によって検出電極ＴＤＬのうち領域ＡＲ２に形成された部分ＰＲ２の側面の面積を大きくすることができる。すなわち、段差部の長さを長くすることができる。そのため、領域ＡＲ２に塗布された保護膜形成用の塗布液が領域ＡＲ３側に広がることを防止または抑制することができ、領域ＡＲ２に塗布された塗布液の端部の位置を精度よく調整することができる。
【０１０８】
好適には、凹凸パターンＵＥ１は、複数の突出部ＰＪ１を含む。複数の突出部ＰＪ１は、領域ＡＲ２で、平面視において、Ｙ軸方向に延在する検出電極ＴＤＬのうち領域ＡＲ２に形成された部分ＰＲ２の側面からＸ軸方向にそれぞれ突出して延在するように形成され、かつ、Ｙ軸方向に配列されている。これにより、領域ＡＲ２に塗布された保護膜形成用の塗布液が領域ＡＲ３側に広がることを、容易に防止または抑制することができる。そのため、領域ＡＲ２に塗布された塗布液の端部の位置を、容易に精度よく調整することができる。
【０１０９】
また、本実施の形態１では、平面視において、Ｘ軸方向にそれぞれ延在し、かつ、Ｙ軸方向に隣り合う２つの検出電極ＴＤＬとして、検出電極ＴＤＬ１およびＴＤＬ２が設けられている。図１２および図１３に示したように、保護膜３３は、領域ＡＲ１およびＡＲ２で、２つの検出電極ＴＤＬを覆うように、かつ、２つの検出電極ＴＤＬの間に位置する部分の第２基板３１を覆うように、形成されている。
【０１１０】
検出電極ＴＤＬ１に対応して設けられた凹凸パターンＵＥ１としての凹凸パターンＵＥ１１１は、突出部ＰＪ１としての突出部ＰＪ１１１を複数個含み、検出電極ＴＤＬ１に対応して設けられた凹凸パターンＵＥ１としての凹凸パターンＵＥ１１２は、突出部ＰＪ１としての突出部ＰＪ１１２を複数個含む。複数の突出部ＰＪ１１１は、検出電極ＴＤＬ１のうち領域ＡＲ２に形成された部分ＰＲ２としての部分ＰＲ２１の検出電極ＴＤＬ２側と反対側の側面から検出電極ＴＤＬ２側と反対側にそれぞれ突出してＸ軸方向に延在し、かつ、Ｙ軸方向に配列されている。複数の突出部ＰＪ１１２は、部分ＰＲ２１の検出電極ＴＤＬ２側の側面から検出電極ＴＤＬ２側にそれぞれ突出してＸ軸方向に延在し、かつ、Ｙ軸方向に配列されている。
【０１１１】
また、検出電極ＴＤＬ２に対応して設けられた凹凸パターンＵＥ１としての凹凸パターンＵＥ１２１は、突出部ＰＪ１としての突出部ＰＪ１２１を複数個含み、検出電極ＴＤＬ２に対応して設けられた凹凸パターンＵＥ１としての凹凸パターンＵＥ１２２は、突出部ＰＪ１としての突出部ＰＪ１２２を複数個含む。複数の突出部ＰＪ１２１は、検出電極ＴＤＬ２のうち領域ＡＲ２に形成された部分ＰＲ２としての部分ＰＲ２２の検出電極ＴＤＬ１側の側面から検出電極ＴＤＬ１側にそれぞれ突出してＸ軸方向に延在し、かつ、Ｙ軸方向に配列されている。複数の突出部ＰＪ１２２は、部分ＰＲ２２の検出電極ＴＤＬ１側と反対側の側面から検出電極ＴＤＬ１側と反対側にそれぞれ突出してＸ軸方向に延在し、かつ、Ｙ軸方向に配列されている。なお、図１９を用いて後述する例と同様に、複数の突出部ＰＪ１１２と複数の突出部ＰＪ１２１とが、Ｙ軸方向に千鳥状に配置されていてもよい。
【０１１２】
図１６に示すように、突出部ＰＪ１１２と突出部ＰＪ１２１とが設けられる場合には、隣り合う２つの検出電極ＴＤＬ１およびＴＤＬ２の最短距離は、Ｘ軸方向における突出部ＰＪ１１２と突出部ＰＪ１２１との最短距離ＤＳ２に等しい。このような場合、好適には、Ｘ軸方向における突出部ＰＪ１１２と突出部ＰＪ１２１との最短距離ＤＳ２は、異方性導電フィルムＣＦ１（図１２および図１３参照）に含有される導電粒子の平均粒径よりも大きい。これにより、突出部ＰＪ１１２と突出部ＰＪ１２１とが、異方性導電フィルムＣＦ１（図１２および図１３参照）に含有される導電粒子により短絡されることを防止または抑制することができる。
【０１１３】
より好適には、Ｘ軸方向における突出部ＰＪ１１２と突出部ＰＪ１２１との最短距離ＤＳ２は、異方性導電フィルムＣＦ１（図１２および図１３参照）に含有される導電粒子の平均粒径の３倍以上である。あるいは、導電粒子の平均粒径が、例えば５０００ｎｍ未満であるとき、好適には、Ｘ軸方向における突出部ＰＪ１１２と突出部ＰＪ１２１との最短距離ＤＳ２は、例えば１５０００〜５００００ｎｍである。これにより、突出部ＰＪ１１２と突出部ＰＪ１２１とが、異方性導電フィルムＣＦ１（図１２および図１３参照）に含有される導電粒子により短絡されることを、容易に防止または抑制することができる。
【０１１４】
なお、例えば複数の突出部ＰＪ１１２が設けられるものの、複数の突出部ＰＪ１２１が設けられない場合には、隣り合う２つの検出電極ＴＤＬ１およびＴＤＬ２の最短距離は、検出電極ＴＤＬ２の検出電極ＴＤＬ１側の側面と、突出部ＰＪ１１２との、Ｘ軸方向における最短距離に等しくなる。このような場合も、好適には、検出電極ＴＤＬ２の検出電極ＴＤＬ１側の側面と、突出部ＰＪ１１２とのＸ軸方向における最短距離は、異方性導電フィルムＣＦ１（図１２および図１３参照）に含有される導電粒子の平均粒径よりも大きい。また、より好適には、検出電極ＴＤＬ２の検出電極ＴＤＬ１側の側面と、突出部ＰＪ１１２とのＸ軸方向における最短距離は、異方性導電フィルムＣＦ１（図１２および図１３参照）に含有される導電粒子の平均粒径の３倍以上である。
【０１１５】
このように、隣り合う検出電極ＴＤＬ１およびＴＤＬ２について、Ｘ軸方向およびＹ軸方向に限らず、いずれの方向におけるいずれの部分同士の最短距離も、同様な距離が空くように、配置されることが好ましい。
【０１１６】
なお、図１２を用いて説明したのと同様に、部分ＰＲ２のＸ軸方向における幅ＷＤ２は、部分ＰＲ１のＸ軸方向における幅ＷＤ１よりも大きい。これにより、肩部ＳＨ１により、領域ＡＲ１に塗布された保護膜形成用の塗布液が領域ＡＲ２に広がることを防止または抑制することができる。
【０１１７】
図１７および図１８は、実施の形態１の電極基板における凹凸パターンの他の例を示す断面図である。図１７および図１８は、突出部ＰＪ１が延在する方向から視た場合の断面図である。また、図１７および図１８では、保護膜３３の図示を省略している。
【０１１８】
図１７および図１８に示すように、凸部としての突出部ＰＪ１は、平面視において、例えばＸ軸方向と直交するＹ軸方向の一方の側（図１７中左側）に位置する側面部ＳＳ１を含み、側面部ＳＳ１の上端部ＨＥ１は、Ｙ軸方向において、側面部ＳＳ１の下端部ＬＥ１よりも、一方の側（図１７中左側）に位置する。また、突出部ＰＪ１は、平面視において、例えばＸ軸方向と直交するＹ軸方向の他方の側（図１７中右側）に位置する側面部ＳＳ２を含み、側面部ＳＳ２の上端部ＨＥ２は、Ｙ軸方向において、側面部ＳＳ２の下端部ＬＥ２よりも、他方の側（図１７中右側）に位置する。
【０１１９】
図１７に示す例では、突出部ＰＪ１は、第２基板３１上に形成された下層部ＬＬ１と、下層部ＬＬ１上に形成された上層部ＨＬ１と、を有する。下層部ＬＬ１のＹ軸方向の一方の側（図１７中左側）の側面部ＬＳ１は、Ｙ軸方向において、上層部ＨＬ１のＹ軸方向の一方の側（図１７中左側）の側面部ＨＳ１よりも、一方の側（図１７中左側）と反対側に後退している。また、下層部ＬＬ１のＹ軸方向の他方の側（図１７中右側）の側面部ＬＳ２は、Ｙ軸方向において、上層部ＨＬ１のＹ軸方向の他方の側（図１７中右側）の側面部ＨＳ２よりも、他方の側（図１７中右側）と反対側に後退している。これにより、側面部ＳＳ１の上端部ＨＥ１が、Ｙ軸方向において、側面部ＳＳ１の下端部ＬＥ１よりも、一方の側（図１７中左側）に位置し、側面部ＳＳ２の上端部ＨＥ２が、Ｙ軸方向において、側面部ＳＳ２の下端部ＬＥ２よりも、他方の側（図１７中右側）に位置することになる。
【０１２０】
また、図１８に示す例では、突出部ＰＪ１の延在する方向に垂直な断面形状は、逆台形形状である。すなわち、突出部ＰＪ１の延在する方向に垂直な断面において、突出部ＰＪ１の幅が、突出部ＰＪ１の上面から突出部ＰＪ１の下面に向かって減少するように、突出部ＰＪ１の両側面のうちいずれかまたは両方が傾斜している。
【０１２１】
凸部としての突出部ＰＪ１がこのような断面形状を有することにより、図３１を用いて後述する段差部ＳＴ１の上側で塗布液が止められる効果が大きくなる。そのため、塗布液の端部の位置を、さらに精度よく調整することができる。
【０１２２】
図１７に示す例では、例えばあるエッチャントに対する下層部ＬＬ１のエッチング速度が、そのエッチャントに対する上層部ＨＬ１のエッチング速度よりも大きくなるように、下層部ＬＬ１および上層部ＨＬ１が積層された後、そのエッチャントを用いてエッチングを行う。これにより、側面部ＳＳ１の上端部ＨＥ１が、Ｙ軸方向において、側面部ＳＳ１の下端部ＬＥ１よりも、一方の側（図１７中左側）に位置し、側面部ＳＳ２の上端部ＨＥ２が、Ｙ軸方向において、側面部ＳＳ２の下端部ＬＥ２よりも、他方の側（図１７中右側）に位置するように、突出部ＰＪ１を形成することができる（以下の各変形例においても同様）。
【０１２３】
あるいは、突出部ＰＪ１の側面のうち、上端部以外の部分の一部に、括れた部分があってもよい（以下の各変形例においても同様）。
【０１２４】
＜凹凸パターンの第１変形例＞
図１９は、実施の形態１の電極基板における凹凸パターンの第１変形例を示す平面図である。
【０１２５】
図１９に示すように、本第１変形例では、凹凸パターンＵＥ１は、突出部ＰＪ２を含む。突出部ＰＪ２は、平面視において、Ｙ軸方向に延在する検出電極ＴＤＬのうち領域ＡＲ２に形成された部分ＰＲ２の側面からＸ軸方向に突出して延在するように形成されている。したがって、凹凸パターンＵＥ１は、部分ＰＲ２の側面に形成されており、図１２、図１３および図１５に示したように、保護膜３３は、凹凸パターンＵＥ１上、および、部分ＰＲ２上で終端している。言い換えれば、保護膜３３の領域ＡＲ３側の端部ＥＰ１が、凹凸パターンＵＥ１上、および、部分ＰＲ２上に位置している。なお、突出部ＰＪ２は、第２基板３１上に形成された凸部でもある。
【０１２６】
このように、段差部としての突出部ＰＪ２によって検出電極ＴＤＬのうち領域ＡＲ２に形成された部分ＰＲ２の外周の長さを長くすることができ、段差部の側壁としての突出部ＰＪ２によって検出電極ＴＤＬのうち領域ＡＲ２に形成された部分ＰＲ２の側面の面積を大きくすることができる。すなわち、段差部の長さを長くすることができる。そのため、領域ＡＲ２に塗布された保護膜形成用の塗布液が領域ＡＲ３側に広がることを防止または抑制することができ、領域ＡＲ２に塗布された塗布液の端部の位置を精度よく調整することができる。
【０１２７】
好適には、凹凸パターンＵＥ１は、複数の突出部ＰＪ２を含む。複数の突出部ＰＪ２は、領域ＡＲ２で、平面視において、Ｙ軸方向に延在する検出電極ＴＤＬのうち領域ＡＲ２に形成された部分ＰＲ２の側面からＸ軸方向にそれぞれ突出して延在するように形成され、かつ、Ｙ軸方向に配列されている。これにより、領域ＡＲ２に塗布された保護膜形成用の塗布液が領域ＡＲ３側に広がることを、容易に防止または抑制することができる。そのため、領域ＡＲ２に塗布された塗布液の端部の位置を、容易に精度よく調整することができる。
【０１２８】
また、本第１変形例では、平面視において、Ｘ軸方向にそれぞれ延在し、かつ、Ｙ軸方向に隣り合う２つの検出電極ＴＤＬとして、検出電極ＴＤＬ１およびＴＤＬ２が設けられている。図１２、図１３および図１５に示したように、保護膜３３は、領域ＡＲ１およびＡＲ２で、２つの検出電極ＴＤＬを覆うように、かつ、２つの検出電極ＴＤＬの間に位置する部分の第２基板３１を覆うように、形成されている。
【０１２９】
検出電極ＴＤＬ１に対応して設けられた凹凸パターンＵＥ１としての凹凸パターンＵＥ１１１は、突出部ＰＪ２としての突出部ＰＪ２１１を複数個含み、検出電極ＴＤＬ１に対応して設けられた凹凸パターンＵＥ１としての凹凸パターンＵＥ１１２は、突出部ＰＪ２としての突出部ＰＪ２１２を複数個含む。複数の突出部ＰＪ２１１は、検出電極ＴＤＬ１のうち領域ＡＲ２に形成された部分ＰＲ２としての部分ＰＲ２１の検出電極ＴＤＬ２側と反対側の側面から検出電極ＴＤＬ２側と反対側にそれぞれ突出してＸ軸方向に延在し、かつ、Ｙ軸方向に配列されている。複数の突出部ＰＪ２１２は、部分ＰＲ２１の検出電極ＴＤＬ２側の側面から検出電極ＴＤＬ２側にそれぞれ突出してＸ軸方向に延在し、かつ、Ｙ軸方向に配列されている。
【０１３０】
また、検出電極ＴＤＬ２に対応して設けられた凹凸パターンＵＥ１としての凹凸パターンＵＥ１２１は、突出部ＰＪ２としての突出部ＰＪ２２１を複数個含み、検出電極ＴＤＬ２に対応して設けられた凹凸パターンＵＥ１としての凹凸パターンＵＥ１２２は、突出部ＰＪ２としての突出部ＰＪ２２２を複数個含む。複数の突出部ＰＪ２２１は、検出電極ＴＤＬ２のうち領域ＡＲ２に形成された部分ＰＲ２としての部分ＰＲ２２の検出電極ＴＤＬ１側の側面から検出電極ＴＤＬ１側にそれぞれ突出してＸ軸方向に延在し、かつ、Ｙ軸方向に配列されている。複数の突出部ＰＪ２２２は、部分ＰＲ２２の検出電極ＴＤＬ１側と反対側の側面から検出電極ＴＤＬ１側と反対側にそれぞれ突出してＸ軸方向に延在し、かつ、Ｙ軸方向に配列されている。
【０１３１】
本第１変形例では、図１９に示すように、突出部ＰＪ２１２の検出電極ＴＤＬ２側の端部ＥＧ１２は、Ｘ軸方向において、突出部ＰＪ２２１の検出電極ＴＤＬ１側の端部ＥＧ２１よりも検出電極ＴＤＬ２側に配置されている。また、複数の突出部ＰＪ２１２の各々と、複数の突出部ＰＪ２２１の各々とは、Ｙ軸方向に沿って交互に配置されている。したがって、複数の突出部ＰＪ２１２および複数の突出部ＰＪ２２１は、Ｙ軸方向に千鳥状に配置されている。
【０１３２】
これにより、領域ＡＲ２のうち互いに隣り合う２つの検出電極ＴＤＬの間に位置する部分の第２基板３１に塗布された保護膜形成用の塗布液が領域ＡＲ３側に広がる際に、交差する段差部の数が増加する。これにより、領域ＡＲ２に塗布された保護膜形成用の塗布液が領域ＡＲ３側に広がることを、容易に防止または抑制することができる。そのため、領域ＡＲ２に塗布された塗布液の端部の位置を、容易に精度よく調整することができる。
【０１３３】
図１９に示すように、突出部ＰＪ２１２と突出部ＰＪ２２１とが設けられる場合には、隣り合う２つの検出電極ＴＤＬ１およびＴＤＬ２の最短距離は、Ｙ軸方向における突出部ＰＪ２１２と突出部ＰＪ２２１との最短距離ＤＳ３に等しい。このような場合、好適には、Ｙ軸方向における突出部ＰＪ２１２と突出部ＰＪ２２１との最短距離ＤＳ３は、異方性導電フィルムＣＦ１（図１２および図１３参照）に含有される導電粒子の平均粒径よりも大きい。これにより、突出部ＰＪ２１２と突出部ＰＪ２２１とが、異方性導電フィルムＣＦ１（図１２および図１３参照）に含有される導電粒子により短絡されることを防止または抑制することができる。
【０１３４】
より好適には、Ｙ軸方向における突出部ＰＪ２１２と突出部ＰＪ２２１との最短距離ＤＳ３は、異方性導電フィルムＣＦ１（図１２および図１３参照）に含有される導電粒子の平均粒径の３倍以上である。あるいは、導電粒子の平均粒径が、例えば５０００ｎｍ未満であるとき、好適には、Ｙ軸方向における突出部ＰＪ２１２と突出部ＰＪ２２１との最短距離ＤＳ３は、例えば１５０００〜５００００ｎｍである。これにより、突出部ＰＪ２１２と突出部ＰＪ２２１とが、異方性導電フィルムＣＦ１（図１２および図１３参照）に含有される導電粒子により短絡されることを、容易に防止または抑制することができる。
【０１３５】
なお、例えば複数の突出部ＰＪ２１２が設けられるものの、複数の突出部ＰＪ２２１が設けられない場合には、隣り合う２つの検出電極ＴＤＬ１およびＴＤＬ２の最短距離は、検出電極ＴＤＬ２の検出電極ＴＤＬ１側の側面と、突出部ＰＪ２１２との、Ｘ軸方向における最短距離に等しくなる。このような場合も、好適には、検出電極ＴＤＬ２の検出電極ＴＤＬ１側の側面と、突出部ＰＪ２１２とのＸ軸方向における最短距離は、異方性導電フィルムＣＦ１（図１２および図１３参照）に含有される導電粒子の平均粒径よりも大きい。また、より好適には、検出電極ＴＤＬ２の検出電極ＴＤＬ１側の側面と、突出部ＰＪ２１２とのＸ軸方向における最短距離が、異方性導電フィルムＣＦ１（図１２および図１３参照）に含有される導電粒子の平均粒径の３倍以上である。
【０１３６】
このように、隣り合う検出電極ＴＤＬ１およびＴＤＬ２について、Ｘ軸方向およびＹ軸方向に限らず、いずれの方向におけるいずれの部分同士の最短距離も、同様な距離が空くように配置されることが好ましい。
【０１３７】
本第１変形例１では、突出部ＰＪ２１２の検出電極ＴＤＬ２側の端部ＥＧ１２が、Ｘ軸方向において、突出部ＰＪ２２１の検出電極ＴＤＬ１側の端部ＥＧ２１よりも検出電極ＴＤＬ２側に配置されている。そのため、突出部ＰＪ１１２の検出電極ＴＤＬ２側の端部ＥＧ１２が、Ｘ軸方向において、突出部ＰＪ１２１の検出電極ＴＤＬ１側の端部ＥＧ２１よりも検出電極ＴＤＬ１側に配置された実施の形態１（図１６参照）に比べ、領域ＡＲ２に塗布された保護膜形成用の塗布液が領域ＡＲ３側に広がることを防止または抑制する効果がさらに大きくなる。
【０１３８】
なお、本第１変形例でも、図１２を用いて説明した実施の形態１と同様に、部分ＰＲ２のＸ軸方向における幅ＷＤ２は、部分ＰＲ１のＸ軸方向における幅ＷＤ１よりも大きい。これにより、肩部ＳＨ１により、領域ＡＲ１に塗布された保護膜形成用の塗布液が領域ＡＲ２に広がることを防止または抑制することができる（幅ＷＤ１およびＷＤ２の図示は省略するが、以下の各変形例においても同様）。
【０１３９】
＜凹凸パターンの第２変形例＞
図２０は、実施の形態１の電極基板における凹凸パターンの第２変形例を示す平面図である。
【０１４０】
図２０に示すように、本第２変形例では、凹凸パターンＵＥ１は、平面視において、Ｙ軸方向に延在する検出電極ＴＤＬのうち領域ＡＲ２に形成された部分ＰＲ２の側面から突出して形成された突出部ＰＪ３を含む。したがって、凹凸パターンＵＥ１は、部分ＰＲ２の側面に形成されており、図１２、図１３および図１５に示したように、保護膜３３は、凹凸パターンＵＥ１上、および、部分ＰＲ２上で終端している。言い換えれば、保護膜３３の領域ＡＲ３側の端部ＥＰ１が、凹凸パターンＵＥ１上、および、部分ＰＲ２上に位置している。なお、突出部ＰＪ３は、第１基板２１上に形成された凸部でもある。
【０１４１】
このように、段差部としての突出部ＰＪ３により部分ＰＲ２の外周の長さを長くすることができ、段差部としての突出部ＰＪ３の側面の面積により部分ＰＲ２の側面の面積を大きくすることができる。すなわち、段差部の長さを長くすることができる。そのため、領域ＡＲ２に塗布された保護膜形成用の塗布液が領域ＡＲ３側に広がることを防止または抑制することができ、領域ＡＲ２に塗布された塗布液の端部の位置を精度よく調整することができる。
【０１４２】
好適には、凹凸パターンＵＥ１は、複数の突出部ＰＪ３を含む。複数の突出部ＰＪ３は、領域ＡＲ２で、平面視において、Ｙ軸方向に延在する検出電極ＴＤＬのうち領域ＡＲ２に形成された部分ＰＲ２の側面からそれぞれ突出して形成され、かつ、Ｙ軸方向に配列されている。これにより、領域ＡＲ２に塗布された保護膜形成用の塗布液が領域ＡＲ３側に広がることを、容易に防止または抑制することができる。そのため、領域ＡＲ２に塗布された塗布液の端部の位置を、容易に精度よく調整することができる。
【０１４３】
本第２変形例では、凹凸パターンＵＥ１としての凹凸パターンＵＥ１１は、突出部ＰＪ３としての突出部ＰＪ３１を複数個含み、凹凸パターンＵＥ１としての凹凸パターンＵＥ１２は、突出部ＰＪ３としての突出部ＰＪ３２を複数個含む。複数の突出部ＰＪ３１の各々は、平面視において、交互に逆方向に屈曲しながら全体としてＸ軸方向に延在してもよい。あるいは、複数の突出部ＰＪ３１の各々は、途中で１回屈曲するだけであってもよい。また、複数の突出部ＰＪ３２の各々は、平面視において、Ｘ軸方向およびＹ軸方向のいずれとも交差する方向に延在してもよい。
【０１４４】
＜凹凸パターンの第３変形例＞
図２１は、実施の形態１の電極基板における凹凸パターンの第３変形例を示す平面図である。
【０１４５】
図２１に示すように、本第３変形例では、凹凸パターンＵＥ１としての凹凸パターンＵＥ１１は、複数の凹部ＣＣ１を有する。複数の凹部ＣＣ１は、平面視において、Ｙ軸方向に延在する検出電極ＴＤＬのうち領域ＡＲ２に形成された部分ＰＲ２の側面に形成されている。複数の凹部ＣＣ１は、Ｙ軸方向に配列されている。
【０１４６】
また、本第３変形例では、凹凸パターンＵＥ１としての凹凸パターンＵＥ１２は、複数の凸部ＣＶ１を有する。複数の凸部ＣＶ１は、平面視において、Ｙ軸方向に延在する検出電極ＴＤＬのうち領域ＡＲ２に形成された部分ＰＲ２の側面に形成され、かつ、Ｙ軸方向に配列されている。
【０１４７】
このように、段差部としての凹部ＣＣ１により部分ＰＲ２の外周の長さを長くすることができ、段差部としての凹部ＣＣ１の側面の面積により部分ＰＲ２の側面の面積を大きくすることができる。すなわち、段差部の長さを長くすることができる。そのため、領域ＡＲ２に塗布された保護膜形成用の塗布液が領域ＡＲ３側に広がることを防止または抑制することができ、領域ＡＲ２に塗布された塗布液の端部の位置を、容易に精度よく調整することができる。
【０１４８】
＜凹凸パターンの第４変形例＞
図２２は、実施の形態１の電極基板における凹凸パターンの第４変形例を示す平面図である。
【０１４９】
図２２に示すように、本第４変形例では、凹凸パターンＵＥ１は、切り込み部ＮＣ１を含む。切り込み部ＮＣ１は、平面視において、Ｙ軸方向に延在する検出電極ＴＤＬのうち領域ＡＲ２に形成された部分ＰＲ２の側面から切り込まれて形成されている。したがって、凹凸パターンＵＥ１は、部分ＰＲ２の側面および上面に形成されており、図１２、図１３および図１５に示したように、保護膜３３は、凹凸パターンＵＥ１上、および、部分ＰＲ２上で終端している。言い換えれば、保護膜３３の領域ＡＲ３側の端部ＥＰ１が、凹凸パターンＵＥ１上、および、部分ＰＲ２上に位置している。なお、切り込み部ＮＣ１は、検出電極ＴＤＬの上面に形成された凹部でもある。
【０１５０】
このように、段差部としての切り込み部ＮＣ１により部分ＰＲ２の外周の長さを長くすることができ、段差部としての切り込み部ＮＣ１の側面の面積により部分ＰＲ２の側面の面積を大きくすることができる。すなわち、段差部の長さを長くすることができる。そのため、領域ＡＲ２に塗布された保護膜形成用の塗布液が領域ＡＲ３側に広がることを防止または抑制することができ、領域ＡＲ２に塗布された塗布液の端部の位置を精度よく調整することができる。
【０１５１】
好適には、凹凸パターンＵＥ１は、複数の切り込み部ＮＣ１を含む。複数の切り込み部ＮＣ１は、平面視において、Ｙ軸方向に延在する検出電極ＴＤＬのうち領域ＡＲ２に形成された部分ＰＲ２の側面から切り込まれて形成され、かつ、Ｙ軸方向に配列されている。これにより、段差部としての部分ＰＲ２の外周の長さをさらに長くすることができる。そのため、領域ＡＲ２に塗布された保護膜形成用の塗布液が領域ＡＲ３側に広がることを、容易に防止または抑制することができ、領域ＡＲ２に塗布された塗布液の端部の位置を、容易に精度よく調整することができる。
【０１５２】
なお、本第４変形例では、凹凸パターンＵＥ１としての凹凸パターンＵＥ１１は、切り込み部ＮＣ１としての切り込み部ＮＣ１１を複数個含み、凹凸パターンＵＥ１としての凹凸パターンＵＥ１２は、切り込み部ＮＣ１としての切り込み部ＮＣ１２を複数個含む。複数の切り込み部ＮＣ１１の各々は、平面視において、Ｘ軸方向およびＹ軸方向のいずれとも交差する方向に延在してもよい。また、複数の切り込み部ＮＣ１２の各々は、平面視において、交互に逆方向に屈曲しながら全体としてＸ軸方向に延在してもよい。あるいは、複数の切り込み部ＮＣ１２の各々は、途中で１回屈曲するだけであってもよい。
【０１５３】
＜凹凸パターンの第５変形例および第６変形例＞
図２３は、実施の形態１の電極基板における凹凸パターンの第５変形例を示す平面図である。図２４は、実施の形態１の電極基板における凹凸パターンの第６変形例を示す平面図である。なお、図２３では、保護膜３３の端部を二点鎖線により示している。
【０１５４】
図２３および図２４に示すように、本第５変形例および本第６変形例では、凹凸パターンＵＥ１は、凹部ＣＣ２を含む。凹部ＣＣ２は、平面視において、Ｙ軸方向に延在する検出電極ＴＤＬのうち領域ＡＲ２に形成された部分ＰＲ２の上面に形成されている。したがって、凹凸パターンＵＥ１は、部分ＰＲ２の上面に形成されており、図２３に示すように、保護膜３３は、凹凸パターンＵＥ１上で終端している。言い換えれば、保護膜３３の領域ＡＲ３側の端部ＥＰ１が、凹凸パターンＵＥ１上に位置している。
【０１５５】
このように、凹部ＣＣ２により、凹凸パターンＵＥ１に含まれる段差部の長さを長くすることができる。そのため、領域ＡＲ２に塗布された保護膜形成用の塗布液が領域ＡＲ３側に広がることを防止または抑制することができ、領域ＡＲ２に塗布された塗布液の端部の位置を精度よく調整することができる。
【０１５６】
なお、凹部ＣＣ２として、部分ＰＲ２の厚さ方向の途中まで達する凹部が形成されてもよく、部分ＰＲ２を貫通して第２基板３１の表面に達する凹部が形成されてもよい。
【０１５７】
好適には、凹凸パターンＵＥ１は、複数の凹部ＣＣ２を含む。複数の凹部ＣＣ２は、Ｙ軸方向に延在する検出電極ＴＤＬのうち領域ＡＲ２に形成された部分ＰＲ２の上面にそれぞれ形成されている。また、複数の凹部ＣＣ２は、Ｘ軸方向に千鳥状に配置されている。言い換えれば、複数の凹部ＣＣ２により、平面視において、Ｘ軸方向に配列された凹部群ＣＣＧ２が形成され、この凹部群ＣＣＧ２が、Ｘ軸方向およびＹ軸方向のいずれとも交差する方向に複数個配列されている。つまり、複数の凹部群ＣＣＧ２は、Ｙ軸方向で互いに隣り合う２つの凹部群ＣＣＧ２の間で、Ｘ軸方向における凹部ＣＣ２の位置が異なるように、配列されている。
【０１５８】
これにより、部分ＰＲ２の上面のうち、ある凹部群ＣＣＧ２に含まれ、Ｘ軸方向で互いに隣り合う２つの凹部ＣＣ２の間の部分を通ってＹ軸方向における領域ＡＲ３側に広がる塗布液が、その凹部群ＣＣＧ２よりもＹ軸方向において領域ＡＲ３側に位置する凹部群ＣＣＧ２に含まれる凹部ＣＣ２により止められる。そのため、領域ＡＲ２に塗布された保護膜形成用の塗布液が領域ＡＲ３側に広がることを、容易に防止または抑制することができ、領域ＡＲ２に塗布された塗布液の端部の位置を、容易に精度よく調整することができる。また、複数の凹部ＣＣ２がＸ軸方向にそれぞれ連続的に延在する場合に比べ、Ｘ軸方向で互いに隣り合う２つの凹部ＣＣ２の間の部分を通って、電流がＹ軸方向に流れやすい。
【０１５９】
なお、図２３に示すように、本第５変形例では、複数の凹部ＣＣ２の各々は、平面視において、矩形形状を有している。一方、図２４に示すように、本第６変形例では、複数の凹部ＣＣ２の各々は、平面視において、円形形状を有している。ただし、図２４に示す第６変形例に比べ、図２３に示す第５変形例の方が、凹凸パターンＵＥ１に含まれる段差部のうち、Ｘ軸方向に延在する部分の長さが長くなる。領域ＡＲ２に塗布された保護膜形成用の塗布液が領域ＡＲ３側に、すなわちＹ軸方向に広がることを防止または抑制する観点からは、凹凸パターンＵＥ１に含まれる段差部のうち、Ｘ軸方向に延在する部分の長さが長い方が好ましい。したがって、図２４に示す第６変形例に比べ、図２３に示す第５変形例において、領域ＡＲ２に塗布された塗布液が領域ＡＲ３側に広がることを防止または抑制する効果がより大きくなる。
【０１６０】
なお、複数の凹部ＣＣ２の各々の平面視における形状は、円形形状の他、例えば楕円形状または多角形形状など各種の形状であってもよい。
【０１６１】
また、図２３の一部に凹部ＣＣ２１として示すように、複数の凹部ＣＣ２は、平面視において、Ｘ軸方向にそれぞれ連続的に延在し、かつ、Ｙ軸方向に配列されているだけであってもよい。ただし、複数の凹部ＣＣ２がＸ軸方向に千鳥状に配置されている方が、Ｙ軸方向に沿って電流が流れやすいという観点で、電極基板の性能を向上させる効果が大きい。
【０１６２】
＜凹凸パターンの第７変形例＞
図２５は、実施の形態１の電極基板における凹凸パターンの第７変形例を示す平面図である。
【０１６３】
図２５に示すように、本第７変形例では、凹凸パターンＵＥ１は、凹部ＣＣ３および凹部ＣＣ４を含む。凹部ＣＣ３および凹部ＣＣ４は、検出電極ＴＤＬのうち領域ＡＲ２に形成された部分ＰＲ２の上面に形成されている。したがって、凹凸パターンＵＥ１は、部分ＰＲ２の上面に形成されており、図２３に示したように、保護膜３３は、凹凸パターンＵＥ１上で終端している。言い換えれば、保護膜３３の領域ＡＲ３側の端部ＥＰ１が、凹凸パターンＵＥ１上に位置している。
【０１６４】
なお、凹部ＣＣ３および凹部ＣＣ４の各々として、部分ＰＲ２の厚さ方向の途中まで達する凹部が形成されてもよく、部分ＰＲ２を貫通して第２基板３１の表面に達する凹部が形成されてもよい。
【０１６５】
凹部ＣＣ３は、延在部ＣＣ３１と、複数の延在部ＣＣ３２とを含む。延在部ＣＣ３１は、部分ＰＲ２のＸ軸方向における一方の側（図２５中左側）の上面に形成され、かつ、Ｙ軸方向に延在する凹部である。複数の延在部ＣＣ３２は、Ｘ軸方向にそれぞれ延在し、かつ、Ｙ軸方向に配列された凹部である。複数の延在部ＣＣ３２は、延在部ＣＣ３１のＸ軸方向における他方の側（図２５中右側）に配置されており、複数の延在部ＣＣ３２の各々のＸ軸方向における一方の側（図２５中左側）の端部は、延在部ＣＣ３１と接続されている。
【０１６６】
凹部ＣＣ４は、延在部ＣＣ４１と、複数の延在部ＣＣ４２とを含む。延在部ＣＣ４１は、部分ＰＲ２のＸ軸方向における他方の側（図２５中右側）の上面に形成され、かつ、Ｙ軸方向に延在する凹部である。複数の延在部ＣＣ４２は、Ｘ軸方向にそれぞれ延在し、かつ、Ｙ軸方向に配列された凹部である。複数の延在部ＣＣ４２は、延在部ＣＣ４１のＸ軸方向における一方の側（図２５中左側）に配置されており、複数の延在部ＣＣ４２の各々のＸ軸方向における他方の側（図２５中右側）の端部は、延在部ＣＣ４１と接続されている。
【０１６７】
延在部ＣＣ３２と延在部ＣＣ４２とは、Ｙ軸方向に沿って交互に配置されている。また、延在部ＣＣ３２のＸ軸方向における他方の側（図２５中右側）の端部ＥＧ３は、延在部ＣＣ４２のＸ軸方向における一方の側（図２５中左側）の端部ＥＧ４よりも、Ｘ軸方向における他方の側（図２５中右側）に配置されている。
【０１６８】
複数の延在部ＣＣ３２および複数の延在部ＣＣ４２により、凹凸パターンＵＥ１に含まれる段差部の長さを長くすることができる。そのため、領域ＡＲ２に塗布された塗布液が領域ＡＲ３側に広がることを防止または抑制することができる。
【０１６９】
一方、延在部ＣＣ３１およびＣＣ４１により、領域ＡＲ２のうち検出電極ＴＤＬの周辺に位置する部分の第２基板３１上に塗布された塗布液が、検出電極ＴＤＬのうち部分ＰＲ２上に乗り上げることを防止または抑制することができる。
【０１７０】
なお、図２５に示すように、延在部ＣＣ３１およびＣＣ４１が、領域ＡＲ２から領域ＡＲ３にかけて形成されていてもよい。すなわち、延在部ＣＣ３１およびＣＣ４１が、検出電極ＴＤＬのうち領域ＡＲ２に形成された部分ＰＲ２の上面から、検出電極ＴＤＬのうち領域ＡＲ３に形成された部分ＰＲ３の上面にかけて形成されていてもよい。
【０１７１】
＜凹凸パターンの第８変形例＞
図２６は、実施の形態１の電極基板における凹凸パターンの第８変形例を示す平面図である。なお、図２６では、保護膜３３の端部を二点鎖線により示している。
【０１７２】
図２６に示す例では、凹凸パターンＵＥ１は、凸部ＣＶ２を含む。凸部ＣＶ２は、領域ＡＲ２のうち、平面視においてＹ軸方向に延在する検出電極ＴＤＬの周辺に位置する部分で、第２基板３１上に、検出電極ＴＤＬと離れて形成されている。言い換えれば、凸部ＣＶ２は、領域ＡＲ２のうち互いに隣り合う２つの検出電極ＴＤＬの間に位置する部分で、第２基板３１上に、これらの２つの検出電極ＴＤＬのいずれからも離れて形成されている。したがって、凹凸パターンＵＥ１は、領域ＡＲ２のうち検出電極ＴＤＬの周辺に位置する部分で第２基板３１上に形成されており、図２６に示すように、保護膜３３は、凹凸パターンＵＥ１上、および、検出電極ＴＤＬのうち領域ＡＲ２に形成された部分ＰＲ２上で、終端している。言い換えれば、保護膜３３の領域ＡＲ３側の端部ＥＰ１が、凹凸パターンＵＥ１上、および、部分ＰＲ２上に位置している。
【０１７３】
このように、凸部ＣＶ２により、凹凸パターンＵＥ１に含まれる段差部の長さを長くすることができる。そのため、領域ＡＲ２に塗布された保護膜形成用の塗布液が領域ＡＲ３側に広がることを防止または抑制することができ、領域ＡＲ２に塗布された塗布液の端部の位置を精度よく調整することができる。
【０１７４】
好適には、凹凸パターンＵＥ１は、複数の凸部ＣＶ２を含む。複数の凸部ＣＶ２は、領域ＡＲ２のうち、平面視においてＹ軸方向に延在する検出電極ＴＤＬの周辺に位置する部分で、第２基板３１上に、検出電極ＴＤＬと離れてそれぞれ形成されている。また、複数の凸部ＣＶ２は、Ｘ軸方向に千鳥状に配置されている。言い換えれば、複数の凸部ＣＶ２により、平面視において、Ｘ軸方向に配列された凸部群ＣＶＧ２が形成され、この凸部群ＣＶＧ２が、Ｘ軸方向およびＹ軸方向のいずれとも交差する方向に複数個配列されている。つまり、複数の凸部群ＣＶＧ２は、Ｙ軸方向で互いに隣り合う２つの凸部群ＣＶＧ２の間で、Ｘ軸方向における凸部ＣＶ２の位置が異なるように、配列されている。
【０１７５】
これにより、第２基板３１の上面のうち、ある凸部群ＣＶＧ２に含まれ、Ｘ軸方向で互いに隣り合う２つの凸部ＣＶ２の間の部分を通ってＹ軸方向における領域ＡＲ３側に広がる塗布液が、その凸部群ＣＶＧ２よりもＹ軸方向において領域ＡＲ３側に位置する凸部群ＣＶＧ２に含まれる凸部ＣＶ２により止められる。そのため、領域ＡＲ２に塗布された保護膜形成用の塗布液が領域ＡＲ３側に広がることを、容易に防止または抑制することができ、領域ＡＲ２に塗布された塗布液の端部の位置を、容易に精度よく調整することができる。また、複数の凸部ＣＶ２がＸ軸方向にそれぞれ連続的に延在する場合に比べ、互いに隣り合う２つの検出電極ＴＤＬが、凸部ＣＶ２を介して短絡しにくい。
【０１７６】
好適には、隣り合う２つの検出電極ＴＤＬが短絡しないように、凸部ＣＶ２が、凸部ＣＶ２を通して電流が流れないような、導電性の低い物質により形成される。あるいは、隣り合う２つの検出電極ＴＤＬが短絡しないように、好適には、凸部ＣＶ２同士の間の最短距離、または、検出電極ＴＤＬと凸部ＣＶ２との間の最短距離は、異方性導電フィルムＣＦ１（図１２および図１３参照）に含有される導電粒子の平均粒径の３倍以上とする。
【０１７７】
なお、図２６の一部に凸部ＣＶ２１として示すように、複数の凸部ＣＶ２は、平面視において、Ｘ軸方向にそれぞれ連続的に延在し、かつ、Ｙ軸方向に配列されているだけであってもよい。ただし、複数の凸部ＣＶ２がＸ軸方向に千鳥状に配置されている方が、互いに隣り合う２つの検出電極ＴＤＬが短絡しにくいという観点で、電極基板の性能を向上させる効果が大きい。
【０１７８】
また、上記した実施の形態１および第１変形例〜第８変形例の各種の凹凸パターンのうち、複数種を組み合わせて用いることもできる。これにより、組み合わされた各種の凹凸パターンによる効果が重畳し、領域ＡＲ２に塗布された保護膜形成用の塗布液が領域ＡＲ３側に広がることを、さらに容易に防止または抑制することができる。
【０１７９】
＜凹凸パターンの第９変形例＞
図２７は、実施の形態１の電極基板における凹凸パターンの第９変形例を示す平面図である。
【０１８０】
図２７に示すように、本第９変形例でも、図２６に示す第８変形例と同様に、凹凸パターンＵＥ１は、複数の凸部ＣＶ３を含む。複数の凸部ＣＶ３は、領域ＡＲ２のうち、平面視においてＹ軸方向に延在する検出電極ＴＤＬの周辺に位置する部分で、第２基板３１上に、検出電極ＴＤＬと離れて形成されている。
【０１８１】
一方、図２７に示す第９変形例では、図２６に示す第８変形例と異なり、複数の凸部ＣＶ３は、平面視において、Ｙ軸方向にそれぞれ延在し、かつ、Ｘ軸方向に配列されている。
【０１８２】
保護膜形成用の塗布液として、極めて流動性が小さいものもある。このような場合、領域ＡＲ１およびＡＲ２において検出電極ＴＤＬを覆うように第２基板３１上に塗布された塗布液が、Ｙ軸方向における所望の位置まで広がらず、保護膜３３の端部が、領域ＡＲ２においてＹ軸方向における所望の位置よりも領域ＡＲ１側に位置するおそれがある。そのため、領域ＡＲ２において、検出電極ＴＤＬのうち必要以上の部分が保護膜３３から露出するおそれがある。
【０１８３】
一方、図２７に示す第９変形例では、Ｙ軸方向にそれぞれ延在し、かつ、Ｘ軸方向に配列された複数の凸部ＣＶ３からなる凹凸パターンＵＥ１が、領域ＡＲ２において、Ｘ軸方向に隣り合う２つの検出電極ＴＤＬの間に形成されている。これにより、凹凸パターンＵＥ１が形成されない場合に比べ、Ｙ軸方向における塗布液の流動性を増加させることができる。そのため、領域ＡＲ１およびＡＲ２において検出電極ＴＤＬを覆うように第２基板３１上に塗布された塗布液が、Ｙ軸方向における所望の位置まで広がりやすくなるので、領域ＡＲ２に塗布された塗布液の端部の位置を精度よく調整することができる。
【０１８４】
好適には、隣り合う２つの検出電極ＴＤＬが短絡しないように、凸部ＣＶ３が、凸部ＣＶ３を通して電流が流れないような、導電性の低い物質により形成される。あるいは、隣り合う２つの検出電極ＴＤＬが短絡しないように、好適には、凸部ＣＶ３同士の間の最短距離、または、検出電極ＴＤＬと凸部ＣＶ３との間の最短距離は、異方性導電フィルムＣＦ１（図１２および図１３参照）に含有される導電粒子の平均粒径の３倍以上とする。
【０１８５】
なお、図２７の一部に凸部ＣＶ３１として示すように、複数の凸部ＣＶ３は、平面視において、Ｙ軸方向に連続的に形成されていなくてもよく、Ｙ軸方向に沿って例えば２つに分割されていてもよい。
【０１８６】
また、図１６、図１９、図２０、図２２、図２３および図２５〜図２７では、凹凸パターンＵＥ１が、平面視において、矩形形状を有する場合を例示して説明した。しかし、図１６、図１９、図２０、図２２、図２３および図２５〜図２７を用いて説明した、実施の形態１および実施の形態１の各変形例では、凹凸パターンＵＥ１は、一部または全部の辺が湾曲していてもよい。
【０１８７】
＜電極基板の製造方法＞
次に、図２８〜図３２を参照し、電極基板の製造方法について説明する。
【０１８８】
図２８、図２９、図３１および図３２は、実施の形態１の電極基板の製造工程中の断面図である。図３０は、実施の形態１の電極基板の製造工程中の斜視図である。図３１および図３２では、凹凸パターンに含まれる段差部の周辺を拡大して示している。
【０１８９】
まず、図２８の（ａ）に示すように、第２基板３１を準備する。第２基板３１は、第２基板３１の主面としての上面の領域として、領域ＡＲ１、ＡＲ２およびＡＲ３を有する。領域ＡＲ１、ＡＲ２およびＡＲ３は、平面視において、Ｙ軸方向に順に配置されている。
【０１９０】
なお、前述したように、第２基板３１として、例えば透明性のあるガラス基板、または、例えば樹脂からなるフィルムなど、各種の基板を用いることができる。
【０１９１】
次に、図２８の（ｂ）〜図２９の（ｇ）に示すように、検出電極ＴＤＬを形成する。この検出電極ＴＤＬを形成する工程では、まず、図２８の（ｂ）に示すように、第２基板３１上に、導電膜ＣＦ２を成膜する。この導電膜ＣＦ２を成膜する工程では、例えば金属膜からなる導電膜を、例えばスパッタリング法または化学気相成長（Chemical Vapor Deposition；ＣＶＤ）法により成膜することができる。好適には、導電膜ＣＦ２として、アルミニウム（Ａｌ）、銅（Ｃｕ）、銀（Ａｇ）、モリブデン（Ｍｏ）、クロム（Ｃｒ）およびタングステン（Ｗ）からなる群から選ばれた１種以上の金属からなる金属層または合金層を含む導電膜であって、単層または複数層の膜からなる導電膜を成膜することができる。
【０１９２】
なお、導電膜を成膜する工程を行った後、後述するパターン処理を行う前に、インクジェット法または電界ジェット法により塗布される塗布液の濡れ性を均一にするために、導電膜が成膜された基板に対して表面処理を行うこともできる。このような表面処理として、ＵＶ光による表面処理、大気圧（Atmospheric Pressure；ＡＰ）プラズマによる表面処理、または、ヘキサメチルジシロキサン（Hexamethyldisiloxane；ＨＭＤＳ）による表面処理などを行うことができる。
【０１９３】
次に、導電膜ＣＦ２をパターニングする。この導電膜ＣＦ２をパターニングする工程では、例えばフォトリソグラフィ技術およびエッチング技術を用いて導電膜ＣＦ２をパターニングすることができる。なお、以下では、図２４に示した実施の形態１の第６変形例の凹部ＣＣ２を含む凹凸パターンＵＥ１を形成する場合であって、かつ、検出電極ＴＤＬを形成する工程と同一の工程により、凹部ＣＣ２を含む凹凸パターンＵＥ１を形成する場合を例示して説明する。また、以下では、凹部ＣＣ２が、導電膜ＣＦ２を貫通して第２基板３１の表面に達する場合を例示して説明する。
【０１９４】
具体的には、まず、図２８の（ｃ）に示すように、導電膜ＣＦ２上にレジスト膜ＲＦ１を塗布する。次に、図２８の（ｄ）に示すように、例えば検出電極ＴＤＬが形成される領域であって、凹部ＣＣ２が形成される領域以外の領域に遮光パターンＳＰ１が形成されたフォトマスクを用いて、レジスト膜ＲＦ１を露光光ＥＬ１によりパターン露光する。なお、図２８の（ｄ）では、フォトマスクのうち、遮光パターンＳＰ１のみを図示している。
【０１９５】
次に、図２９の（ｅ）に示すように、パターン露光されたレジスト膜ＲＦ１を現像することにより、検出電極ＴＤＬが形成される領域であって、凹部ＣＣ２が形成される領域以外の領域に残されたレジスト膜ＲＦ１からなるレジストパターンＲＰ１を形成する。次に、図２９の（ｆ）に示すように、レジストパターンＲＰ１をエッチングマスクとして用いて導電膜ＣＦ２をエッチングし、その後、図２９の（ｇ）に示すように、例えばアッシングを行うことにより、レジストパターンＲＰ１を除去する。これにより、導電膜ＣＦ２からなる検出電極ＴＤＬと、検出電極ＴＤＬの上面に設けられた凹部ＣＣ２とを、形成する。
【０１９６】
検出電極ＴＤＬは、第２基板３１の上面の領域ＡＲ１から、第２基板３１の上面の領域ＡＲ２を経て、第２基板３１の上面の領域ＡＲ３にかけて、第２基板３１上に連続的に形成される。好適には、検出電極ＴＤＬは、平面視において、Ｙ軸方向に延在する。
【０１９７】
検出電極ＴＤＬのうち領域ＡＲ１に形成された部分を部分ＰＲ１とする。部分ＰＲ１は、検出電極ＴＤＬの本体部ＭＰ１（図１２参照）である。また、検出電極ＴＤＬのうち領域ＡＲ２に形成された部分を部分ＰＲ２とする。検出電極ＴＤＬのうち領域ＡＲ２に形成された部分ＰＲ２の上面には、凹部ＣＣ２が形成される。さらに、検出電極ＴＤＬのうち領域ＡＲ３に形成された部分を部分ＰＲ３とする。部分ＰＲ３は、配線基板ＷＳ１（図１２参照）と電気的に接続される電極端子ＥＴ１である。なお、図２９の（ｇ）に示す例では、部分ＰＲ２も、電極端子ＥＴ１の一部に含まれている。
【０１９８】
また、図２８の（ｂ）〜図２９の（ｇ）に示す例では、検出電極ＴＤＬを形成する工程と同一の工程により、図２４に示した凹部ＣＣ２を含む凹凸パターンＵＥ１を形成する。あるいは、図２４に示した凹凸パターンに代え、図１６、図１９〜図２３および図２５〜図２７のいずれかに示した凹凸パターンＵＥ１を形成することもできる。この凹凸パターンＵＥ１を形成する工程では、検出電極ＴＤＬのうち領域ＡＲ２に形成された部分ＰＲ２の表面に、凹凸パターンＵＥ１を形成するか、または、領域ＡＲ２のうち検出電極ＴＤＬの周辺に位置する部分で、第２基板３１上に、凹凸パターンＵＥ１を形成する。言い換えれば、領域ＡＲ２で、検出電極ＴＤＬまたは第２基板３１に、凹凸パターンＵＥ１を形成する。
【０１９９】
このとき、凹凸パターンＵＥ１として、検出電極ＴＤＬに含まれる導電膜ＣＦ２と同層に形成された導電膜からなる凹凸パターンＵＥ１を形成することになる。また、検出電極ＴＤＬを形成する工程と同一の工程で、凹凸パターンＵＥ１を形成することにより、製造工程数を削減することができる。なお、検出電極ＴＤＬを形成する工程と同一の工程でなくても、検出電極ＴＤＬを形成する工程と同様の工程を行って導電膜ＣＦ２をパターニングすることにより、図１６および図１９〜図２７のいずれかに示した凹凸パターンＵＥ１を形成することもできる。
【０２００】
また、図２８の（ｂ）〜図２９の（ｇ）に示す例では、凹凸パターンＵＥ１として、検出電極ＴＤＬに含まれる導電膜と同層に形成された導電膜からなる凹凸パターンＵＥ１を形成する例を示したが、検出電極ＴＤＬに含まれる導電膜と異なる種類の膜からなる凹凸パターンＵＥ１を形成することもできる。
【０２０１】
次に、図２９の（ｈ）に示すように、保護膜３３を形成する。この保護膜３３を形成する工程では、まず、保護膜形成用の塗布液を塗布する。この塗布液を塗布する工程では、塗布法により塗布液を塗布する。好適には、溶剤を含む塗布液を部分的に塗布する印刷方法により塗布液を塗布する。言い換えれば、溶液を部分的に塗布する印刷方式により、保護膜３３を形成する。すなわち、保護膜３３を形成する方法として、溶剤を含み部分的に成膜する印刷方法全般を適用することができる。このような印刷方法として、インクジェット法、電界ジェット法、スクリーン印刷、フレキソ印刷、オフセット印刷またはグラビア印刷等の各種の印刷方法を用いることができる。また、以下では、保護膜形成用の塗布液を、インクジェット法または電界ジェット法により塗布する場合を例示して説明する。
【０２０２】
保護膜３３として、例えばアクリル樹脂、エポキシ樹脂またはポリイミド樹脂などからなる、ＵＶ硬化性樹脂または熱硬化性樹脂からなる樹脂膜を形成することができる。したがって、保護膜形成用の塗布液として、上記したＵＶ硬化性樹脂または熱硬化性樹脂を含有した塗布液を用いることができる。
【０２０３】
インクジェット法または電界ジェット法により塗布液を塗布する場合、図３０に示すように、第２基板３１に対して相対移動可能に設けられたノズルヘッド５１を第２基板３１に対して相対移動させながら、ノズルヘッド５１に設けられたノズルから塗布液５２を吐出する。これにより、領域ＡＲ１およびＡＲ２で、検出電極ＴＤＬを覆うように、塗布液５２を塗布する。
【０２０４】
また、図３０に示すように、ある方向に配列された複数のノズルを有するノズルヘッド５１を用いて、同時に複数のノズルから塗布液５２を吐出することにより、塗布液５２を塗布する工程に要する時間を短縮することができる。
【０２０５】
すなわち、検出電極ＴＤＬを覆うように、第２基板３１上に塗布液５２をインクジェット法または電界ジェット法を用いて塗布して塗布膜５３を形成した後、形成された塗布膜５３を硬化させることにより、製造工程数を増加させることなく、所望のパターンを有する保護膜を形成することができる。
【０２０６】
また、インクジェット法または電界ジェット法等の印刷方法を用いて塗布液を塗布する場合、塗布液が塗布されて形成される塗布膜からなるパターンを例えばフォトリソグラフィおよびエッチングを用いて形成するためにフォトマスクを用意する必要がなく、所望のパターンをその都度形成することができる。また、インクジェット法または電界ジェット法等の印刷方法を用いて塗布液を塗布する場合、塗布液を効率よく利用することができるため、製造コストを低減することができる。さらには、インクジェット法または電界ジェット法等の印刷方法を用いる場合、大気圧下での成膜が可能であり、真空チャンバを備えた成膜装置を用いる必要がないので、成膜装置を小型化することができる。
【０２０７】
本実施の形態１では、検出電極ＴＤＬのうち領域ＡＲ２に形成された部分ＰＲ２の表面に凹凸パターンＵＥ１が形成されるか、または、領域ＡＲ２のうち検出電極ＴＤＬの周辺に位置する部分で、第２基板３１上に、凹凸パターンＵＥ１が形成される。言い換えれば、領域ＡＲ２で、検出電極ＴＤＬまたは第２基板３１に、凹凸パターンＵＥ１が形成される。これにより、領域ＡＲ２に形成される段差部の長さを長くすることができる。そのため、領域ＡＲ２に塗布された保護膜形成用の塗布液が領域ＡＲ３側に広がることを防止または抑制することができ、領域ＡＲ２に塗布された塗布液の端部の位置を、容易に精度よく調整することができる。
【０２０８】
図３１に示すように、凹凸パターンＵＥ１に含まれ、例えば突出部ＰＪ１などからなる高位部ＨＰ１と低位部ＬＰ１とにより形成される段差部ＳＴ１が、塗布液５２が広がる方向ＤＲ１と交差する方向ＤＲ２に延在する場合を考える。このような場合、高位部ＨＰ１を方向ＤＲ１に広がってきた塗布液５２は、例えば高位部ＨＰ１の周縁、すなわち段差部ＳＴ１の上側で止められ、低位部ＬＰ１にまで広がらない。したがって、塗布液５２が段差部ＳＴ１を超えてさらに方向ＤＲ１に広がることを防止または抑制することができる。
【０２０９】
すなわち、塗布液５２を塗布する工程では、塗布された塗布液５２が、凹凸パターンＵＥ１上で終端するように、塗布液５２を塗布する。言い換えれば、塗布液５２を塗布する工程では、塗布された塗布液５２の領域ＡＲ３側の端部が、凹凸パターンＵＥ１上に位置するように、塗布液５２を塗布する。
【０２１０】
ここで、凹凸パターンＵＥ１に含まれる凸部としての突出部ＰＪ１の断面形状が、図１７および図１８を用いて前述したような断面形状である場合を考える。すなわち、側面部ＳＳ１の上端部ＨＥ１が、Ｙ軸方向において、側面部ＳＳ１の下端部ＬＥ１よりも、一方の側に位置し、側面部ＳＳ２の上端部ＨＥ２が、Ｙ軸方向において、側面部ＳＳ２の下端部ＬＥ２よりも、他方の側に位置するような断面形状である場合を考える。図３２では、例えば突出部ＰＪ１の延在する方向ＤＲ２に垂直な断面形状が、逆台形形状である場合を示している。このような場合、高位部ＨＰ１を方向ＤＲ１に広がってきた塗布液５２が、段差部ＳＴ１の上側で止められる効果が大きくなる。そのため、塗布液５２の端部の位置を、さらに精度よく調整することができる。
【０２１１】
なお、このような断面形状を有する突出部ＰＪ１を形成する場合、図２８の（ｂ）を用いて説明した導電膜ＣＦ２を成膜する工程において、下層部ＬＬ１（図１７参照）と上層部ＨＬ１（図１７参照）とを有する導電膜ＣＦ２を成膜する。このとき、図１７を用いて説明したように、例えばあるエッチャントに対する下層部ＬＬ１のエッチング速度が、そのエッチャントに対する上層部ＨＬ１のエッチング速度よりも大きくなるように、下層部ＬＬ１および上層部ＨＬ１を積層する。その後、図２９の（ｆ）を用いて説明した導電膜ＣＦ２をエッチングする工程において、そのエッチャントを用いてエッチングを行う。これにより、側面部ＳＳ１の上端部ＨＥ１が、Ｙ軸方向において、側面部ＳＳ１の下端部ＬＥ１よりも、一方の側（図１７中左側）に位置し、側面部ＳＳ２の上端部ＨＥ２が、Ｙ軸方向において、側面部ＳＳ２の下端部ＬＥ２よりも、他方の側（図１７中右側）に位置するように、突出部ＰＪ１を形成することができる。
【０２１２】
次に、塗布された塗布液５２からなる塗布膜５３を硬化させることにより保護膜３３を形成する。塗布液５２としてＵＶ硬化性樹脂を含有した塗布液を用いた場合、形成された塗布膜５３にＵＶからなる光、すなわちＵＶ光を照射することにより、塗布膜５３を硬化させる。あるいは、塗布液５２として熱硬化性樹脂を含有した塗布液を用いた場合、形成された塗布膜５３を熱処理することにより、塗布膜５３を硬化させる。これにより、図２９の（ｈ）に示すように、硬化された塗布膜５３からなる保護膜３３が形成される。
【０２１３】
ここで、前述したように、塗布された塗布液５２が、凹凸パターンＵＥ１上で終端している場合、すなわち、形成された塗布膜５３が凹凸パターンＵＥ１上で終端している場合には、硬化された塗布膜５３からなる保護膜３３も凹凸パターンＵＥ１上で終端することになる。言い換えれば、塗布膜５３の領域ＡＲ３側の端部が凹凸パターンＵＥ１上に位置している場合には、保護膜３３の領域ＡＲ３側の端部ＥＰ１も凹凸パターンＵＥ１上に位置することになる。
【０２１４】
次に、配線基板ＷＳ１（図１３参照）を電気的に接続する。この配線基板ＷＳ１を電気的に接続する工程では、第２基板３１上に、異方性導電フィルム（ＡＣＦ）ＣＦ１（図１３参照）を介して配線基板ＷＳ１を配置する。配線基板ＷＳ１の主面としての下面には、複数の電極端子ＥＴ２（図１３参照）が形成されている。複数の電極端子ＥＴ２（図１３参照）の各々は、複数の検出電極ＴＤＬの各々の電極端子ＥＴ１にそれぞれ対応して配置されている。前述したように、配線基板ＷＳ１として、例えばフレキシブルプリント回路基板（ＦＰＣ）とも称されるフレキシブルプリント配線板を用いることができる。
【０２１５】
異方性導電フィルムＣＦ１は、領域ＡＲ２およびＡＲ３で、検出電極ＴＤＬを覆うように配置される。また、配線基板ＷＳ１は、複数の電極端子ＥＴ２の各々が、複数の電極端子ＥＴ１のそれぞれと異方性導電フィルムＣＦ１を介して対向するように、異方性導電フィルムＣＦ１を介して第２基板３１上に配置される。
【０２１６】
異方性導電フィルムＣＦ１は、熱硬化性樹脂に導電性を持つ微細な金属粒子を混ぜ合わせたものを、膜状に成型したフィルムである。検出電極ＴＤＬの電極端子ＥＴ１と配線基板ＷＳ１の電極端子ＥＴ２との間に異方性導電フィルムＣＦ１を挟んだ状態で、例えば熱処理しながら配線基板ＷＳ１を第２基板３１に押し付ける。これにより、異方性導電フィルムＣＦ１内の金属粒子が異方性導電フィルムＣＦ１の厚さ方向に接触して、異方性導電フィルムＣＦ１の厚さ方向に導電経路が形成される。そして、互いに対向した電極端子ＥＴ１と電極端子ＥＴ２とは、異方性導電フィルムＣＦ１を介して電気的に接続される。
【０２１７】
＜保護膜の端部の位置の調整について＞
次に、保護膜の端部の位置の調整について、比較例における保護膜の端部の位置の調整と対比しながら説明する。
【０２１８】
図３３は、比較例の電極基板を示す平面図である。図３４は、比較例の電極基板を示す斜視図である。図３５は、ガラス基板上における塗布液の形状を模式的に示す断面図である。図３６は、ガラス基板上に形成された検出電極の周辺における塗布液の形状を模式的に示す断面図である。
【０２１９】
比較例では、対向基板１０３としての電極基板ＥＳ１００は、第２基板３１と、検出電極ＴＤＬと、保護膜３３とを有する。また、第２基板３１は、第２基板３１の主面としての上面の領域として、領域ＡＲ１、ＡＲ２およびＡＲ３を有する。領域ＡＲ１、ＡＲ２およびＡＲ３は、平面視において、Ｙ軸方向に順に配置されている。
【０２２０】
比較例でも、検出電極ＴＤＬは、第２基板３１の上面の領域ＡＲ１から、第２基板３１の上面の領域ＡＲ２を経て、第２基板３１の上面の領域ＡＲ３にかけて、第２基板３１上に連続的に形成されている。あるいは、検出電極ＴＤＬは、平面視において、Ｙ軸方向に延在している。
【０２２１】
比較例でも、検出電極ＴＤＬのうち領域ＡＲ１に形成された部分を部分ＰＲ１とする。部分ＰＲ１は、検出電極ＴＤＬの本体部ＭＰ１である。また、検出電極ＴＤＬのうち領域ＡＲ２に形成された部分を部分ＰＲ２とする。さらに、検出電極ＴＤＬのうち領域ＡＲ３に形成された部分を部分ＰＲ３とする。部分ＰＲ３および部分ＰＲ２は、配線基板ＷＳ１に形成された電極端子ＥＴ２と電気的に接続される電極端子ＥＴ１である。
【０２２２】
保護膜３３は、領域ＡＲ１およびＡＲ２で、検出電極ＴＤＬを覆うように形成されている。また、比較例でも、インクジェット法または電界ジェット法により塗布液を塗布することにより、第２基板３１上に保護膜３３を形成する。
【０２２３】
一方、比較例では、検出電極ＴＤＬのうち領域ＡＲ２に形成された部分ＰＲ２の表面には、凹凸パターンは形成されていない。また、領域ＡＲ２のうち検出電極ＴＤＬの周辺に位置する部分で、第２基板３１上にも、凹凸パターンは形成されていない。
【０２２４】
ところが、第２基板３１上にインクジェット法または電界ジェット法により塗布液を塗布した場合、第２基板３１上で広がる塗布液の端部の位置を精度よく調整することは困難である。
【０２２５】
例えば、第２基板３１の表面にインクジェット法または電界ジェット法により塗布液を塗布する場合であって、第２基板３１の表面が塗布液に対してある程度の親液性を有するときは、第２基板３１の表面に塗布された塗布液は広がるので、塗布液の端部の位置を精度よく調整することは困難である。このような第２基板３１上に塗布された塗布液の広がりやすさは、塗布液に働く表面張力に依存して変化する。
【０２２６】
例えば液相と気相との間、または、液相と固相との間などの界面で働く力として界面張力が存在する。例えば、平坦な基板の表面に滴下した水滴が半球状態となって留まるのは、水滴内の水分子同士がファンデルワールス力によって内側に引っ張られることにより、水滴の表面積を小さくするように界面張力が働くためである。また、界面としての表面の面積を小さくするように働く界面張力が液体に作用している場合には、この界面張力のことを、その液体の表面張力とも称する。
【０２２７】
このような液体の表面張力は、液体のファンデルワールス力が大きいほど大きくなるので、その液体に含まれる物質の原子量や分子量が大きいほど大きくなる。したがって、第２基板３１上に塗布された塗布液の表面張力は、塗布液の種類に依存して変化する。
【０２２８】
一方、第２基板３１上に塗布された塗布液の広がりやすさは、塗布液の種類以外にも、第２基板３１の表面の形状にも依存して変化する。
【０２２９】
例えば検出電極ＴＤＬから離れた部分の第２基板３１上に塗布された塗布液５２には、図３５の断面図に示すように、塗布液５２の周囲から一様に表面張力が加わるため、塗布液５２は相対的に広がりにくくなる。一方、検出電極ＴＤＬの周辺に位置する部分の第２基板３１上に塗布され、検出電極ＴＤＬの側面に接する塗布液５２には、図３６の断面図に示すように、塗布液５２の片側から表面張力が加わるだけであるため、塗布液５２は検出電極ＴＤＬの側面に沿って広がりやすくなる。
【０２３０】
このように、検出電極ＴＤＬの側面に沿って塗布液５２が広がりやすくなると、検出電極ＴＤＬの上面のうち側面に近い部分上でも塗布液５２が広がりやすくなる。
【０２３１】
そのため、塗布された塗布液５２からなる塗布膜が硬化されて形成された保護膜３３は、部分ＰＲ２上で終端せず、部分ＰＲ１上から、部分ＰＲ２上を経て、部分ＰＲ３上にかけて、形成される。
【０２３２】
すなわち、比較例では、領域ＡＲ２に塗布された塗布液５２の端部の位置を精度よく調整することができない。そのため、塗布された塗布液５２からなる塗布膜を硬化させることにより形成される保護膜３３の端部ＥＰ１の位置を精度よく調整することは困難である。したがって、形成された保護膜３３の端部ＥＰ１が、所望の位置を超えるか、または、所望の位置に達しないおそれがある。つまり、検出電極ＴＤＬの電極端子ＥＴ１のうち保護膜３３から露出した部分の面積が、複数の検出電極ＴＤＬの間で変動するおそれがある。
【０２３３】
比較例でも、実施の形態１と同様に、検出電極ＴＤＬのうち領域ＡＲ３に形成された部分ＰＲ３は、配線基板ＷＳ１に形成された電極端子ＥＴ２と、異方性導電フィルムＣＦ１を介して電気的に接続される。すなわち、検出電極ＴＤＬの電極端子ＥＴ１のうち保護膜３３から露出した部分は、配線基板ＷＳ１と電気的に接続される。
【０２３４】
したがって、前述したように、検出電極ＴＤＬの電極端子ＥＴ１のうち保護膜３３から露出した部分の面積が、複数の検出電極ＴＤＬの間で変動すると、検出電極ＴＤＬと配線基板ＷＳ１との間の接続抵抗が、複数の検出電極ＴＤＬの間で変動し、電極基板としての性能が低下するおそれがある。
【０２３５】
例えば、保護膜３３の端部ＥＰ１が、所望の位置を超えた場合、検出電極ＴＤＬのうち領域ＡＲ３に形成された部分ＰＲ３上に保護膜３３が形成され、検出電極ＴＤＬの電極端子ＥＴ１のうち保護膜３３から露出した部分の面積が小さくなる。このような場合、検出電極ＴＤＬと配線基板ＷＳ１との間の接続抵抗が大きくなり、電極基板としての性能が低下するおそれがある。
【０２３６】
一方、塗布液の種類によっては、塗布液が流動しにくい場合、保護膜３３の端部ＥＰ１が、検出電極ＴＤＬのうち領域ＡＲ２に形成された部分ＰＲ２の所望の位置に達しないおそれがある。このような場合、検出電極ＴＤＬのうち領域ＡＲ２に形成された部分ＰＲ２の一部が、配線基板ＷＳ１および保護膜３３のいずれからも露出するため、露出した部分の検出電極ＴＤＬに例えば空気中の水分が侵入することにより、検出電極ＴＤＬが腐食するおそれがある。
【０２３７】
上記特許文献１〜特許文献３に記載された技術では、塗布された塗布液の広がりを調整するために、基板の表面に親液領域と撥液領域とを形成する必要があり、これらの親液領域と撥液領域とを形成するための工程を行うことにより、製造工程数が増加するおそれがある。また、基板上に形成された電極の表面に親液領域と撥液領域とを容易に形成することができないため、基板上に形成された電極の表面に塗布された塗布液の広がりを精度よく調整することができない。
【０２３８】
上記特許文献４に記載された技術では、乾燥の速い膜をストッパーとして枠状に塗布し、その後、乾燥は遅いがレベリング効果が優れた膜を塗布するので、製造工程数が増加するおそれがある。また、所望の乾燥速度を得るために塗布液の材料が制約されるため、実際の製造工程に広く適用することができない。
【０２３９】
なお、例えば共通電極ＣＯＭＬが形成される第１基板２１を含め、基板上に形成された電極の一部を覆うように、インクジェット法または電界ジェット法により塗布液を塗布することにより、保護膜が形成される各種の電極基板においても、塗布された塗布液の端部の位置を調整することは、困難である。
【０２４０】
＜本実施の形態の主要な特徴と効果＞
一方、本実施の形態１では、電極基板ＥＳは、凹凸パターンＵＥ１を有する。凹凸パターンＵＥ１は、検出電極ＴＤＬのうち領域ＡＲ２に形成された部分ＰＲ２の表面に形成されるか、または、領域ＡＲ２のうち検出電極ＴＤＬの周辺に位置する部分で第２基板３１上に形成されている。すなわち、凹凸パターンＵＥ１は、領域ＡＲ２で、検出電極ＴＤＬまたは第２基板３１に形成されている。また、領域ＡＲ１およびＡＲ２で、検出電極ＴＤＬを覆うように形成された保護膜３３の領域ＡＲ３側の端部ＥＰ１が、凹凸パターンＵＥ１上に位置している。
【０２４１】
これにより、検出電極ＴＤＬを覆うように保護膜３３を形成する際に、保護膜３３の端部ＥＰ１の位置を精度よく調整することができる。したがって、検出電極ＴＤＬの電極端子ＥＴ１のうち保護膜３３から露出した部分の面積が、複数の検出電極ＴＤＬの間で変動することを防止または抑制することができる。そのため、検出電極ＴＤＬと配線基板ＷＳ１との間の接続抵抗が、複数の検出電極ＴＤＬの間で変動することを防止または抑制することができ、電極基板としての性能を向上させることができる。そして、このような電極基板を備えた表示装置の性能を向上させることができる。
【０２４２】
例えば、検出電極ＴＤＬのうち領域ＡＲ３に形成された部分ＰＲ３上に保護膜３３が形成されることを防止または抑制することができ、検出電極ＴＤＬの電極端子ＥＴ１のうち保護膜３３から露出した部分の面積が小さくなることを防止または抑制することができる。そのため、検出電極ＴＤＬと電極端子ＥＴ２との間の接続抵抗が大きくなることを防止または抑制することができ、電極基板としての性能を向上させることができる。
【０２４３】
一方、塗布液が流動しにくい場合でも、凹凸パターンＵＥ１が形成されることにより、保護膜３３の端部ＥＰ１の位置が、検出電極ＴＤＬのうち領域ＡＲ２に形成された部分ＰＲ２の所望の位置に達するように、保護膜３３を形成することができる。したがって、検出電極ＴＤＬのうち領域ＡＲ２に形成された部分ＰＲ２の一部が、配線基板ＷＳ１および保護膜３３のいずれからも露出することを防止または抑制することができ、露出した部分の検出電極ＴＤＬに例えば空気中の水分が侵入することにより、検出電極ＴＤＬが腐食することを防止または抑制することができる。
【０２４４】
また、本実施の形態１では、塗布された塗布液の広がりを調整するために、第２基板３１の表面に親液領域と撥液領域とを形成する必要がない。そのため、親液領域と撥液領域とを形成するための工程を行う必要がなく、製造工程数を削減することができる。
【０２４５】
さらに、本実施の形態１では、乾燥の速い膜をストッパーとして枠状に塗布し、その後、乾燥は遅いがレベリング効果が優れた膜を塗布する必要がないので、製造工程数を削減することができる。また、所望の乾燥速度を得るために塗布液の材料が制約されることがなく、実際の製造工程に広く適用することができる。
【０２４６】
なお、上記実施の形態１では、電極基板ＥＳとして、入力装置付き表示装置において検出電極ＴＤＬが形成される対向基板３として用いられる電極基板を例示して説明した。しかし、上記実施の形態１における電極基板ＥＳは、例えば共通電極ＣＯＭＬが形成される第１基板２１を含め、基板上に形成された電極の一部を覆うように、インクジェット法または電界ジェット法等の印刷方法により塗布液を塗布することにより、保護膜が形成される各種の電極基板にも適用可能である（以下の各実施の形態においても同様）。
【０２４７】
（実施の形態２）
実施の形態１では、入力装置としてのタッチパネルを備えた表示装置を、表示装置の共通電極ＣＯＭＬが入力装置の駆動電極を兼ねた、インセルタイプのタッチ検出機能付き液晶表示装置に適用した例について説明した。それに対して、実施の形態２では、入力装置としてのタッチパネルを備えた表示装置を、表示装置の共通電極ＣＯＭＬと入力装置の駆動電極とが別々に形成された、インセルタイプのタッチ検出機能付き液晶表示装置に適用した例について説明する。
【０２４８】
なお、本実施の形態２の表示装置は、液晶表示装置を始めとして、有機ＥＬ表示装置などの各種の表示装置に一体として入力装置が備えられたインセルタイプの表示装置に適用することができる。
【０２４９】
＜タッチ検出機能付き表示デバイス＞
図３７は、実施の形態２の表示装置におけるタッチ検出機能付き表示デバイスを示す断面図である。
【０２５０】
本実施の形態２の表示装置のうち、対向基板３の断面構造以外の各部分、例えば平面視における凹凸パターンＵＥ１（図１２参照）の形状および配置など、については、実施の形態１の表示装置のうち、対向基板３の断面構造以外の各部分と同様であるため、それらの説明を省略する。したがって、以下では、図３７を参照し、実施の形態１で図９および図１０を用いて説明した部分と異なる部分を、主として説明する。
【０２５１】
タッチ検出機能付き表示デバイス１０は、画素基板２と、対向基板３と、液晶層６とを有する。対向基板３は、画素基板２の主面としての上面と、対向基板３の主面としての下面とが対向するように、配置されている。液晶層６は、画素基板２と対向基板３との間に設けられている。
【０２５２】
本実施の形態２では、画素基板２は、共通電極ＣＯＭＬ１を有する。共通電極ＣＯＭＬ１は、液晶表示デバイス２０（図１参照）の駆動電極としては動作するが、タッチ検出デバイス３０（図１参照）の駆動電極としては動作しない。したがって、実施の形態１と異なり、共通電極ＣＯＭＬ１として、複数の共通電極が設けられていなくてもよく、例えば実施の形態１の共通電極ＣＯＭＬが結合して一体化した１つの共通電極が設けられていてもよい。
【０２５３】
本実施の形態２の表示装置における画素基板２および液晶層６のうち共通電極ＣＯＭＬ１以外の部分については、実施の形態１の表示装置における画素基板２および液晶層６の各部分と同様であり、それらの説明を省略する。また、本実施の形態２の表示装置の複数の画素に対応した回路図については、共通電極ＣＯＭＬに代え、共通電極ＣＯＭＬ１が設けられている点を除き、図１０に示した実施の形態１の表示装置の複数の画素に対応した回路図と同様である。そのため、本実施の形態２の表示装置のうち、実施の形態１において図１０を用いて説明した部分と同様の部分の説明を省略する。
【０２５４】
本実施の形態２では、対向基板３は、第２基板３１と、カラーフィルタ３２と、駆動電極ＤＲＶＬと、絶縁膜３５と、検出電極ＴＤＬと、保護膜３３とを有する。第２基板３１は、主面としての上面と、上面と反対側の主面としての下面とを有している。カラーフィルタ３２は、第２基板３１の一方の主面としての下面に形成されている。駆動電極ＤＲＶＬは、タッチ検出デバイス３０の駆動電極であり、第２基板３１の他方の主面としての上面に形成されている。絶縁膜３５は、第２基板３１の上面上に、駆動電極ＤＲＶＬを覆うように形成されている。検出電極ＴＤＬは、タッチ検出デバイス３０の検出電極であり、絶縁膜３５上に形成されている。すなわち、検出電極ＴＤＬは、第２基板３１の他方の主面としての上面上に、駆動電極ＤＲＶＬおよび絶縁膜３５を介して形成されている。保護膜３３は、絶縁膜３５上に、検出電極ＴＤＬを覆うように形成されている。
【０２５５】
本実施の形態２における、検出電極ＴＤＬおよび凹凸パターンＵＥ１（図１２参照）については、検出電極ＴＤＬおよび凹凸パターンＵＥ１が絶縁膜３５上に形成されている点を除き、実施の形態１における検出電極ＴＤＬおよび凹凸パターンＵＥ１と同様にすることができる。また、本実施の形態２における保護膜３３についても、保護膜３３が絶縁膜３５上に形成されている点を除き、実施の形態１における保護膜３３と同様にすることができる。
【０２５６】
本実施の形態２では、共通電極ＣＯＭＬ１は、液晶表示デバイス２０の駆動電極として動作するが、タッチ検出デバイス３０の駆動電極としては動作しない。駆動電極ＤＲＶＬは、タッチ検出デバイス３０の駆動電極として動作するが、液晶表示デバイス２０の駆動電極としては動作しない。このため、共通電極ＣＯＭＬ１による表示動作と、駆動電極ＤＲＶＬによるタッチ検出動作とを、独立に並行して行うことができる。
【０２５７】
なお、凹凸パターンが、駆動電極ＤＲＶＬの電極端子のうち、駆動電極ＤＲＶＬの本体部側の部分の表面に形成されていてもよい。または、凹凸パターンが、駆動電極ＤＲＶＬの電極端子のうち、駆動電極ＤＲＶＬの本体部側の部分の周辺に位置する部分の第２基板３１上に形成されていてもよい。このとき、保護膜としての絶縁膜３５の端部が、凹凸パターン上に位置する。このように、凹凸パターンが設けられることにより、絶縁膜３５を形成する際に、絶縁膜３５の端部の位置を精度よく調整することができる。
【０２５８】
＜本実施の形態の主要な特徴と効果＞
本実施の形態２でも、実施の形態１と同様に、電極基板ＥＳは、凹凸パターンＵＥ１を有する。凹凸パターンＵＥ１は、検出電極ＴＤＬのうち領域ＡＲ２に形成された部分ＰＲ２の表面に形成されるか、または、領域ＡＲ２のうち検出電極ＴＤＬの周辺に位置する部分で第２基板３１上に形成されている。すなわち、凹凸パターンＵＥ１は、領域ＡＲ２で、検出電極ＴＤＬまたは第２基板３１に形成されている。また、領域ＡＲ１およびＡＲ２で、検出電極ＴＤＬを覆うように形成された保護膜３３の領域ＡＲ３側の端部ＥＰ１が、凹凸パターンＵＥ１上に位置している。
【０２５９】
これにより、検出電極ＴＤＬを覆うように保護膜３３を形成する際に、保護膜３３の端部ＥＰ１の位置を精度よく調整することができ、検出電極ＴＤＬと電極端子ＥＴ２との間の接続抵抗が、複数の検出電極ＴＤＬの間で変動することを防止または抑制することができるなど、実施の形態１と同様の効果が得られる。そして、実施の形態１と同様に、このような電極基板を備えた表示装置の性能を向上させることができる。
【０２６０】
さらに、本実施の形態２では、表示装置の共通電極ＣＯＭＬ１と入力装置の駆動電極ＤＲＶＬとが別々に形成されている。これにより、共通電極ＣＯＭＬ１により表示動作を行う表示期間と、駆動電極ＤＲＶＬによりタッチ検出動作を行うタッチ検出期間とを分割する必要がなくなるので、見かけ上タッチ検出の検出速度を向上させることができるなど、タッチ検出の検出性能を向上させることができる。
【０２６１】
なお、実施の形態１および実施の形態２では、入力装置としてのタッチパネルを備えた表示装置を、インセルタイプのタッチ検出機能付き液晶表示装置に適用した例について説明した。しかし、入力装置としてのタッチパネルを備えた表示装置を、オンセルタイプのタッチ検出機能付き液晶表示装置に適用することもできる。オンセルタイプのタッチ検出機能付き液晶表示装置とは、タッチパネルに含まれる駆動電極および検出電極のいずれもが、液晶表示装置に内蔵されていないタッチ検出機能付き液晶表示装置を意味する。
【０２６２】
＜入力装置＞
図３８は、実施の形態２の第１変形例としての入力装置を示す断面図である。図３８に示す例では、入力装置は、図３７に示したタッチ検出機能付き表示デバイスのうち、第２基板３１、および、第２基板３１よりも上方に位置する部分と略同様の構成を有する。
【０２６３】
図３８に示すように、実施の形態２の第１変形例としての入力装置は、第２基板３１と、駆動電極ＤＲＶＬと、絶縁膜３５と、検出電極ＴＤＬと、保護膜３３とを有する。また、図３８では、図３７に示す偏光板３４に代え、カバーガラスからなる第３基板３４ａが設けられている。また、図３８では図示は省略するが、検出電極ＴＤＬとは、例えば図１に示すタッチ検出部４０に接続されている。したがって、実施の形態２の第１変形例としての入力装置は、第２基板３１と、駆動電極ＤＲＶＬと、検出電極ＴＤＬと、例えば図１に示すタッチ検出部４０のような検出回路と、保護膜３３と、第３基板３４ａと、を有する。
【０２６４】
このような入力装置でも、検出電極ＴＤＬを覆うように保護膜３３を形成する際に、保護膜３３の端部ＥＰ１の位置を精度よく調整することができるので、実施の形態２の表示装置が有する効果と同様の効果を有する。
【０２６５】
＜自己容量方式のタッチ検出機能＞
実施の形態１、実施の形態２、および、実施の形態２の第１変形例では、タッチパネルとして、駆動電極として動作する共通電極と、検出電極とが設けられた、相互容量方式のタッチパネルを適用した例について説明した。しかし、タッチパネルとして、検出電極のみが設けられた、自己容量方式のタッチパネルを適用することもできる。
【０２６６】
図３９および図４０は、自己容量方式における検出電極の電気的な接続状態を表す説明図である。
【０２６７】
自己容量方式におけるタッチパネルでは、図３９に示すように、静電容量Ｃｘを有する検出電極ＴＤＬが、静電容量Ｃｒ１を有する検出回路ＳＣ１から切り離され、電源Ｖｄｄと電気的に接続された時に、静電容量Ｃｘを有する検出電極ＴＤＬに電荷量Ｑ１が蓄積される。次に、図４０に示すように、静電容量Ｃｘを有する検出電極ＴＤＬが電源Ｖｄｄから切り離され、静電容量Ｃｒ１を有する検出回路ＳＣ１と電気的に接続された時に、検出回路ＳＣ１に流れ出る電荷量Ｑ２を検出する。
【０２６８】
ここで、検出電極ＴＤＬに指が接触または近接した場合、指による容量により、検出電極ＴＤＬの静電容量Ｃｘが変化し、検出電極ＴＤＬが検出回路ＳＣ１と接続された時に、検出回路ＳＣ１に流れ出る電荷量Ｑ２も変化する。したがって、流れ出る電荷量Ｑ２を検出回路ＳＣ１により測定して検出電極ＴＤＬの静電容量Ｃｘの変化を検出することにより、検出電極ＴＤＬに指が接触または近接したか否かを判定することができる。
【０２６９】
図３８を用いて説明した入力装置が、自己容量方式のタッチ検出機能を備えた入力装置である場合、駆動電極ＤＲＶＬに代え、検出電極ＴＤＬが設けられる。このような自己容量方式のタッチ検出機能を備えた入力装置を、実施の形態２の第２変形例の入力装置とすると、実施の形態２の第２変形例の入力装置は、第２基板３１と、検出電極ＴＤＬと、例えば図１に示すタッチ検出部４０のような検出回路と、保護膜３３と、第３基板３４ａと、を有する。また、実施の形態２の第２変形例の入力装置では、Ｘ軸方向（図７参照）にそれぞれ延在し、かつ、Ｙ軸方向（図７参照）に間隔を空けて配列された複数の検出電極ＴＤＬと、Ｙ軸方向にそれぞれ延在し、かつ、Ｘ軸方向に間隔を空けて配列された複数の検出電極ＴＤＬとを有してもよい。このような場合、各方向に延在する複数の検出電極ＴＤＬの静電容量Ｃｘの変化を検出することにより、入力位置を二次元的に検出することができる。
【０２７０】
このような入力装置でも、検出電極ＴＤＬを覆うように保護膜３３を形成する際に、保護膜３３の端部ＥＰ１の位置を精度よく調整することができるので、実施の形態２の表示装置が有する効果と同様の効果を有する。
【０２７１】
（実施の形態３）
次に、図４１〜図４７を参照して、実施の形態１および実施の形態２で説明した表示装置の適用例としての電子機器について説明する。実施の形態１および実施の形態２の各々の表示装置は、ＨＵＤ(Ｈｅａｄ  Ｕｐ  Ｄｉｓｐｌａｙ)やナビゲーション装置のような車載用装置、テレビジョン装置、デジタルカメラ、ノート型パーソナルコンピュータ、携帯電話機等の携帯端末装置またはビデオカメラなどのあらゆる分野の電子機器に適用することが可能である。言い換えると、実施の形態１および実施の形態２の各々の表示装置は、外部から入力された映像信号あるいは内部で生成した映像信号を、画像あるいは映像として表示するあらゆる分野の電子機器に適用することが可能である。
【０２７２】
＜テレビジョン装置＞
図４１は、実施の形態３の電子機器の一例としてのテレビジョン装置の外観を表す斜視図である。このテレビジョン装置は、例えば、フロントパネル５１１およびフィルターガラス５１２を含む映像表示画面部５１３を有している。そして、映像表示画面部５１３は、実施の形態１および実施の形態２で説明した、インセルタイプのタッチ検出機能付き表示装置またはオンセルタイプのタッチ検出機能付き表示装置からなる。
【０２７３】
＜デジタルカメラ＞
図４２は、実施の形態３の電子機器の一例としてのデジタルカメラの外観を表す斜視図である。このデジタルカメラは、例えば、表示部５２２、メニュースイッチ５２３およびシャッターボタン５２４を有している。そして、表示部５２２は、実施の形態１および実施の形態２で説明した、インセルタイプのタッチ検出機能付き表示装置またはオンセルタイプのタッチ検出機能付き表示装置からなる。
【０２７４】
＜ノート型パーソナルコンピュータ＞
図４３は、実施の形態３の電子機器の一例としてのノート型パーソナルコンピュータの外観を表す斜視図である。このノート型パーソナルコンピュータは、例えば、本体５３１、文字等の入力操作のためのキーボード５３２および画像を表示する表示部５３３を有している。そして、表示部５３３は、実施の形態１および実施の形態２で説明した、インセルタイプのタッチ検出機能付き表示装置またはオンセルタイプのタッチ検出機能付き表示装置からなる。
【０２７５】
＜ビデオカメラ＞
図４４は、実施の形態３の電子機器の一例としてのビデオカメラの外観を表す斜視図である。このビデオカメラは、例えば、本体部５４１、この本体部５４１の前面に設けられた被写体撮影用のレンズ５４２、撮影時のスタート／ストップスイッチ５４３および表示部５４４を有している。そして、表示部５４４は、実施の形態１および実施の形態２で説明した、インセルタイプのタッチ検出機能付き表示装置またはオンセルタイプのタッチ検出機能付き表示装置からなる。
【０２７６】
＜携帯電話機＞
図４５および図４６は、実施の形態３の電子機器の一例としての携帯電話機の外観を表す正面図である。図４６は、図４５に示す携帯電話機が折りたたまれた状態を示す。この携帯電話機は、例えば、上側筐体５５１と下側筐体５５２とを連結部（ヒンジ部）５５３で連結したものであり、ディスプレイ５５４、サブディスプレイ５５５、ピクチャーライト５５６およびカメラ５５７を有している。そして、ディスプレイ５５４またはサブディスプレイ５５５は、実施の形態１および実施の形態２の各々のタッチ検出機能付き表示装置等により構成されている。
【０２７７】
＜スマートフォン＞
図４７は、実施の形態３の電子機器の一例としてのスマートフォンの外観を表す正面図である。このスマートフォンは、例えば、筐体５６１とタッチスクリーン５６２とを有している。タッチスクリーン５６２は、例えば入力装置としてのタッチパネルと表示部としての液晶パネルとで構成されており、実施の形態１および実施の形態２で説明した、インセルタイプのタッチ検出機能付き表示装置またはオンセルタイプのタッチ検出機能付き表示装置からなる。
【０２７８】
タッチスクリーン５６２のタッチパネルは、例えば図１を用いて説明した表示装置１のタッチ検出機能付き表示デバイス１０に設けられたタッチ検出デバイス３０である。ユーザが指又はタッチペンを用いてタッチパネルにタッチ操作やドラッグ操作などのジェスチャー操作をすると、タッチスクリーン５６２のタッチパネルは、このジェスチャー操作に対応する位置の座標を検出して図示しない制御部に出力する。
【０２７９】
タッチスクリーン５６２の液晶パネルは、例えば図１を用いて説明した表示装置１のタッチ検出機能付き表示デバイス１０に設けられた液晶表示デバイス２０である。また、表示装置１からなるタッチスクリーン５６２の液晶パネルは、例えば図１を用いて説明した表示装置１の駆動電極ドライバ１４を有する。駆動電極ドライバ１４は、例えばマトリクス状に配列された複数の副画素ＳＰｉｘ（図１０参照）の各々の内部に設けられた画素電極２２（図９参照）に、それぞれ一定のタイミングで画像信号としての電圧を印加することで、表示を実行させる。
【０２８０】
＜本実施の形態の主要な特徴と効果＞
本実施の形態３では、上記した各種の電子機器に備えられる表示装置として、実施の形態１および実施の形態２の各々の表示装置を用いることができる。これにより、上記した各種の電子機器に備えられた表示装置において、検出電極ＴＤＬを覆うように保護膜３３を形成する際に、保護膜３３の端部ＥＰ１の位置を精度よく調整することができることなど、実施の形態１および実施の形態２で説明したそれぞれの効果と同様の効果が得られる。したがって、上記した各種の電子機器の性能を向上させることができるか、または、上記した各種の電子機器の製造工程数を削減することができる。
【０２８１】
以上、本発明者によってなされた発明をその実施の形態に基づき具体的に説明したが、本発明は前記実施の形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能であることはいうまでもない。
【０２８２】
また、前記実施の形態においては、開示例として液晶表示装置の場合を例示したが、その他の適用例として、有機ＥＬ表示装置、その他の自発光型表示装置、あるいは電気泳動素子等を有する電子ペーパー型表示装置等、あらゆるフラットパネル型の表示装置が挙げられる。また、中小型から大型まで、特に限定することなく適用が可能であることはいうまでもない。
【０２８３】
本発明の思想の範疇において、当業者であれば、各種の変更例および修正例に想到し得るものであり、それら変更例および修正例についても本発明の範囲に属するものと了解される。
【０２８４】
例えば、前述の各実施の形態に対して、当業者が適宜、構成要素の追加、削除もしくは設計変更を行ったもの、または、工程の追加、省略もしくは条件変更を行ったものも、本発明の要旨を備えている限り、本発明の範囲に含まれる。
【産業上の利用可能性】
【０２８５】
本発明は、電極基板、表示装置、入力装置および電極基板の製造方法に適用して有効である。
【符号の説明】
【０２８６】
１  表示装置
２  画素基板
３  対向基板
６  液晶層
１０  タッチ検出機能付き表示デバイス
１１  制御部
１２  ゲートドライバ
１３  ソースドライバ
１４  駆動電極ドライバ
１９Ａ、１９Ｂ  ＣＯＧ
２０  液晶表示デバイス（表示デバイス）
２１  第１基板
２２  画素電極
２４  絶縁膜
２５  偏光板
３０  タッチ検出デバイス
３１  第２基板
３２  カラーフィルタ
３２Ｂ、３２Ｇ、３２Ｒ  色領域
３３  保護膜
３４  偏光板
３４ａ  第３基板
３５  絶縁膜
４０  タッチ検出部
４２  タッチ検出信号増幅部
４３  Ａ／Ｄ変換部
４４  信号処理部
４５  座標抽出部
４６  検出タイミング制御部
５１  ノズルヘッド
５２  塗布液
５３  塗布膜
５１１  フロントパネル
５１２  フィルターガラス
５１３  映像表示画面部
５２２  表示部
５２３  メニュースイッチ
５２４  シャッターボタン
５３１  本体
５３２  キーボード
５３３  表示部
５４１  本体部
５４２  レンズ
５４３  スタート／ストップスイッチ
５４４  表示部
５５１  上側筐体
５５２  下側筐体
５５３  連結部（ヒンジ部）
５５４  ディスプレイ
５５５  サブディスプレイ
５５６  ピクチャーライト
５５７  カメラ
５６１  筐体
５６２  タッチスクリーン
Ａｄ  表示領域
ＡＲ１、ＡＲ２、ＡＲ３  領域
Ｃ１、Ｃ２  容量素子
ＣＣ１、ＣＣ２、ＣＣ２１、ＣＣ３、ＣＣ４  凹部
ＣＣ３１、ＣＣ３２、ＣＣ４１、ＣＣ４２  延在部
ＣＣＧ２  凹部群
ＣＦ１  異方性導電フィルム
ＣＦ２  導電膜
ＣＯＭＬ、ＣＯＭＬ１  共通電極
Ｃｒ１、Ｃｘ  静電容量
ＣＶ１、ＣＶ２、ＣＶ２１、ＣＶ３、ＣＶ３１  凸部
ＣＶＧ２  凸部群
Ｄ  誘電体
ＤＥＴ  電圧検出器
ＤＲ１、ＤＲ２  方向
ＤＲＶＬ  駆動電極
ＤＳ１  間隔
ＤＳ２、ＤＳ３  最短距離
Ｅ１  駆動電極
Ｅ２  検出電極
ＥＧ１２、ＥＧ２１、ＥＧ３、ＥＧ４、ＥＰ１、ＥＰ２  端部
ＥＬ１  露光光
ＥＳ  電極基板
ＥＴ１、ＥＴ２  電極端子
ＧＣＬ  走査線
ＨＥ１、ＨＥ２  上端部
ＨＬ１  上層部
ＨＰ１  高位部
ＨＳ１、ＨＳ２、ＬＳ１、ＬＳ２  側面部
ＬＣ  液晶素子
ＬＥ１、ＬＥ２  下端部
ＬＬ１  下層部
ＬＰ１  低位部
ＭＰ１  本体部
ＮＣ１、ＮＣ１１、ＮＣ１２  切り込み部
Ｐｉｘ  画素
ＰＪ１、ＰＪ１１１、ＰＪ１１２、ＰＪ１２１、ＰＪ１２２  突出部
ＰＪ２、ＰＪ２１１、ＰＪ２１２、ＰＪ２２１、ＰＪ２２２  突出部
ＰＪ３、ＰＪ３１、ＰＪ３２  突出部
ＰＲ１、ＰＲ２、ＰＲ２１、ＰＲ２２、ＰＲ３  部分
Ｑ１、Ｑ２  電荷量
Ｒｅｓｅｔ  期間
ＲＦ１  レジスト膜
ＲＰ１  レジストパターン
Ｓ  交流信号源
ＳＣ１  検出回路
Ｓｃａｎ  スキャン方向
Ｓｇ  交流矩形波
ＳＧＬ  信号線
ＳＨ１  肩部
ＳＰ１  遮光パターン
ＳＰｉｘ  副画素
ＳＳ１、ＳＳ２  側面部
ＳＴ１  段差部
ＴＤＬ、ＴＤＬ１、ＴＤＬ２  検出電極
ＴＨ１、ＴＨ２  厚さ
Ｔｒ  ＴＦＴ素子
ＵＥ１、ＵＥ１１、ＵＥ１１１、ＵＥ１１２  凹凸パターン
ＵＥ１２、ＵＥ１２１、ＵＥ１２２  凹凸パターン
Ｖｃｏｍ  駆動信号
Ｖｄｄ  電源
Ｖｄｅｔ  検出信号
Ｖｄｉｓｐ  映像信号
Ｖｏｕｔ  信号出力
Ｖｐｉｘ  画素信号
Ｖｓｃａｎ  走査信号
Ｖｓｉｇ  画像信号
ＷＤ１、ＷＤ２、ＷＤ３  幅
ＷＳ１  配線基板
【図１】
2015204032.tif 000003
【図２】
2015204032.tif 000004
【図３】
2015204032.tif 000005
【図４】
2015204032.tif 000006
【図５】
2015204032.tif 000007
【図６】
2015204032.tif 000008
【図７】
2015204032.tif 000009
【図８】
2015204032.tif 000010
【図９】
2015204032.tif 000011
【図１０】
2015204032.tif 000012
【図１１】
2015204032.tif 000013
【図１２】
2015204032.tif 000014
【図１３】
2015204032.tif 000015
【図１４】
2015204032.tif 000016
【図１５】
2015204032.tif 000017
【図１６】
2015204032.tif 000018
【図１７】
2015204032.tif 000019
【図１８】
2015204032.tif 000020
【図１９】
2015204032.tif 000021
【図２０】
2015204032.tif 000022
【図２１】
2015204032.tif 000023
【図２２】
2015204032.tif 000024
【図２３】
2015204032.tif 000025
【図２４】
2015204032.tif 000026
【図２５】
2015204032.tif 000027
【図２６】
2015204032.tif 000028
【図２７】
2015204032.tif 000029
【図２８】
2015204032.tif 000030
【図２９】
2015204032.tif 000031
【図３０】
2015204032.tif 000032
【図３１】
2015204032.tif 000033
【図３２】
2015204032.tif 000034
【図３３】
2015204032.tif 000035
【図３４】
2015204032.tif 000036
【図３５】
2015204032.tif 000037
【図３６】
2015204032.tif 000038
【図３７】
2015204032.tif 000039
【図３８】
2015204032.tif 000040
【図３９】
2015204032.tif 000041
【図４０】
2015204032.tif 000042
【図４１】
2015204032.tif 000043
【図４２】
2015204032.tif 000044
【図４３】
2015204032.tif 000045
【図４４】
2015204032.tif 000046
【図４５】
2015204032.tif 000047
【図４６】
2015204032.tif 000048
【図４７】
2015204032.tif 000049