(57)【要約】【課題】マイグレーションの発生を抑制して配線間の短絡を防止する配線基板を提供する。【解決手段】第１面２３ａを有するデバイス基板５と、第１面２３ａ上に接着剤膜７を介して重ねられ第１面２３ａと交差する第２面３１ａを有する封止板４と、第１面２３ａ、接着剤膜７及び第２面３１ａの表面に沿って設置された配線４５と、を備え、隣り合う配線４５の間には配線４５と接着剤膜７とが接する第１接着面７ａ及び第２接着面７ｂに対して凹んだ凹部５７を有する。【選択図】図４
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１面を有する第１基板と、
前記第１基板と接着剤を介して接続し第２面を有する第２基板と、
前記第１面、前記接着剤及び前記第２面の表面に沿って設置された第１配線及び第２配線と、を備え、
前記第１配線と前記第２配線との間には前記第１配線と前記接着剤とが接する第１接着面及び前記第２配線と前記接着剤とが接する第２接着面に対して凹んだ凹部を有することを特徴とする配線基板。
【請求項２】
請求項１に記載の配線基板であって、
前記接着剤の表面及び内部に導電性物質を含まないことを特徴とする配線基板。
【請求項３】
請求項２に記載の配線基板であって、
前記凹部の深さは１μｍ以上５０μｍ以下であることを特徴とする配線基板。
【請求項４】
請求項１または２に記載の配線基板であって、
前記凹部の表面は梨地状となっていることを特徴とする配線基板。
【請求項５】
第１面を有する第１基板と、
前記第１基板と接着剤を介して接続し第２面を有する第２基板と、
前記第１面及び前記第２面の表面に沿って設置された第１配線及び第２配線と、を備え、
前記第１配線は前記接着剤と離れていることを特徴とする配線基板。
【請求項６】
第１面を有する第１基板と、
前記第１基板と接着剤を介して接続し第２面を有する第２基板と、
前記第１面、前記接着剤及び前記第２面の表面に沿って設置された第１配線及び第２配線と、を備え、
前記第１配線と前記第２配線との間には前記第１配線と前記接着剤とが接する第１接着面及び前記第２配線と前記接着剤とが接する第２接着面に対して凹んだ凹部を有することを特徴とする液滴吐出ヘッド。
【請求項７】
液滴吐出する液滴吐出ヘッドを備え、
前記液滴吐出ヘッドは、第１面を有する第１基板と、
前記第１基板と接着剤を介して接続し第２面を有する第２基板と、
前記第１面、前記接着剤及び前記第２面の表面に沿って設置された第１配線及び第２配線と、を備え、
前記第１配線と前記第２配線との間には前記第１配線と前記接着剤とが接する第１接着面及び前記第２配線と前記接着剤とが接する第２接着面に対して凹んだ凹部を有することを特徴とする印刷装置。
【請求項８】
第１基板と第２基板とが接着剤により接着され前記接着剤が露出する部分に重ねて犠牲膜を設置し、
前記第１基板、前記犠牲膜及び前記第２基板にわたって配線を設置し、
前記犠牲膜を除去することを特徴とする配線基板の製造方法。
【請求項９】
請求項８に記載の配線基板の製造方法であって、
前記犠牲膜は主に樹脂からなることを特徴とする配線基板の製造方法。
【請求項１０】
請求項８に記載の配線基板の製造方法であって、
前記犠牲膜は主に金属からなることを特徴とする配線基板の製造方法。
【請求項１１】
電子部品を実装した配線基板を備えた電子機器であって、
前記配線基板は請求項１〜４のいずれか一項に記載の配線基板であることを特徴とする電子機器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、配線基板、液滴吐出ヘッド、印刷装置、電子機器および配線基板の製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
印刷用紙等のような記録媒体に印刷を施す際には液滴吐出ヘッドを備えた印刷装置が用いられる。そして、液滴吐出ヘッドを備えた印刷装置が特許文献１に開示されている。それによると、液滴吐出ヘッドは、インクを一旦貯留するキャビティーと、キャビティーに連通しキャビティー内のインクを液滴として吐出する吐出口を有する流路形成基板とを有している。キャビティーに隣接して圧電素子が配置されている。圧電素子は、配線を介して圧電素子の駆動を制御するドライバーＩＣと電気的に接続されている。そして、ドライバーＩＣが圧電素子を駆動させることにより、吐出口からインク滴を吐出させる。
【０００３】
液滴吐出ヘッドには流路形成基板と重ねてリザーバー基板が接着され固定されている。そして、リザーバー基板上にはドライバーＩＣ等の半導体集積回路が設置されている。半導体集積回路から圧電素子にかけて配線が設置されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００６−２８９９４３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
リザーバー基板には斜面が形成され、斜面と流路形成基板との間には複数配線が設置されている。リザーバー基板と流路形成基板との間には接着剤の膜が存在している。そして、配線は接着剤の膜にも設置されている。接着剤には有機物が含まれている。有機物と接触する場所に配線が設置されるとき、配線間にマイグレーションが生じ易くなる。これにより、配線間が短絡する危険性がある。このために、マイグレーションの発生を抑制して配線間の短絡を防止できる配線基板を備えた液滴吐出ヘッドが望まれていた。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明は、上述の課題を解決するためになされたものであり、以下の形態または適用例として実現することが可能である。
【０００７】
［適用例１］
本適用例にかかる配線基板であって、第１面を有する第１基板と、前記第１基板と接着剤を介して接続し第２面を有する第２基板と、前記第１面、前記接着剤及び前記第２面の表面に沿って設置された第１配線及び第２配線と、を備え、前記第１配線と前記第２配線との間には前記第１配線と前記接着剤とが接する第１接着面及び前記第２配線と前記接着剤とが接する第２接着面に対して凹んだ凹部を有することを特徴とする。
【０００８】
本適用例によれば、第１基板と第２基板とが接着剤により接着されている。第１基板の第１面と第２基板の第２面との間には接着剤の膜が位置している。そして、第１面、接着剤及び第２面に沿って第１配線及び第２配線が設置されている。従って、接着剤の表面には第１配線と第２配線とが設置されている。この第１配線と第２配線との間の接着剤には接着剤が凹んだ凹部が設置されている。
【０００９】
第１配線と第２配線との間で接着剤の表面に沿った長さを配線間長さとする。配線間長さが長い程第１配線と第２配線との間でマイグレーションが生じ難くなり配線間の短絡が生じ難くなる。接着剤に凹部がないときに比べて凹部がある方が配線間長さを長くすることができる。従って、凹部がある方がマイグレーションの発生を抑制して配線間の短絡を防止することができる。
【００１０】
［適用例２］
上記適用例にかかる配線基板において、前記接着剤の表面及び内部に導電性物質を含まないことを特徴とする。
【００１１】
本適用例によれば、表面及び内部に導電性物質に含まない接着剤が設置されている。導電性物質は金属や炭素等が含まれる。第１配線と第２配線との間で接着剤の表面に導電性物質が存在しないとき第１配線と第２配線との間にマイグレーションが生じ難くなる。従って、配線間の短絡を防止することができる。
【００１２】
［適用例３］
上記適用例にかかる配線基板において、前記凹部の深さは１μｍ以上５０μｍ以下であることを特徴とする。
【００１３】
本適用例によれば、凹部の深さは１μｍ以上５０μｍ以下となっている。凹部の深さは１μｍ以上のとき配線間長さが長くなることによる効果が表れる為、第１配線と第２配線との間にマイグレーションを生じ難くすることができる。凹部の深さが５０μｍを超えるとき、接着剤が収縮するときに変形する影響が顕著になるので形状精度が悪くなる。従って、凹部の深さは１μｍ以上５０μｍ以下にすることにより、配線間の短絡を防止し形状精度の良い配線基板にすることができる。
【００１４】
［適用例４］
上記適用例にかかる配線基板において、前記凹部の表面は梨地状となっていることを特徴とする。
【００１５】
本適用例によれば、凹部の表面は梨地状となっている。つまり、凹部の表面には凹凸ができている。このとき、凹部の表面が鏡面のときに比べて配線間長さが長くなる。従って、第１配線と第２配線との間にマイグレーションを生じ難くすることができる。
【００１６】
［適用例５］
本適用例にかかる配線基板であって、第１面を有する第１基板と、前記第１基板と接着剤を介して接続し第２面を有する第２基板と、前記第１面及び前記第２面の表面に沿って設置された第１配線及び第２配線と、を備え、前記第１配線は前記接着剤と離れていることを特徴とする。
【００１７】
本適用例によれば、第１基板と第２基板とが接着剤により接着されている。第１基板の第１面と第２基板の第２面との間には接着剤の膜が位置している。第１面、第２面に沿って第１配線及び第２配線が設置されている。そして、第１配線は接着剤と離れている。
【００１８】
接着剤には有機物が含まれており、有機物と配線の金属とが接触するときマイグレーションが誘発される。本適用例では第１配線は接着剤と離れている。従って、第１配線と第２配線との間でマイグレーションが生じ難くなる。従って、マイグレーションの発生を抑制して配線間の短絡を防止することができる。
【００１９】
［適用例６］
本適用例にかかる液滴吐出ヘッドであって、第１面を有する第１基板と、前記第１基板と接着剤を介して接続し第２面を有する第２基板と、前記第１面、前記接着剤及び前記第２面の表面に沿って設置された第１配線及び第２配線と、を備え、前記第１配線と前記第２配線との間には前記第１配線と前記接着剤とが接する第１接着面及び前記第２配線と前記接着剤とが接する第２接着面に対して凹んだ凹部を有することを特徴とする。
【００２０】
本適用例によれば、第１基板と第２基板とが接着剤により接着されている。第１基板の第１面と第２基板の第２面との間には接着剤の膜が位置している。そして、第１面、接着剤及び第２面に沿って第１配線及び第２配線が設置されている。従って、接着剤の表面には第１配線と第２配線とが設置されている。この第１配線と第２配線との間の接着剤には接着剤が凹んだ凹部が設置されている。
【００２１】
第１配線と第２配線との間で接着剤の表面に沿った長さを配線間長さとする。配線間長さが長い程第１配線と第２配線との間でマイグレーションが生じ難くなり配線間の短絡が生じ難くなる。接着剤に凹部がないときに比べて凹部がある方が配線間長さを長くすることができる。従って、凹部がある方がマイグレーションの発生を抑制して配線間の短絡を防止することができる。その結果、液滴吐出ヘッドはマイグレーションの発生を抑制して配線間の短絡を防止することができる。
【００２２】
［適用例７］
本適用例にかかる印刷装置であって、液滴吐出する液滴吐出ヘッドを備え、前記液滴吐出ヘッドは、第１面を有する第１基板と、前記第１基板と接着剤を介して接続し第２面を有する第２基板と、前記第１面、前記接着剤及び前記第２面の表面に沿って設置された第１配線及び第２配線と、を備え、前記第１配線と前記第２配線との間には前記第１配線と前記接着剤とが接する第１接着面及び前記第２配線と前記接着剤とが接する第２接着面に対して凹んだ凹部を有することを特徴とする。
【００２３】
本適用例によれば、印刷装置は液滴吐出ヘッドを備えている。液滴吐出ヘッドでは第１基板と第２基板とが接着剤により接着されている。第１基板の第１面と第２基板の第２面との間には接着剤の膜が位置している。そして、第１面、接着剤及び第２面に沿って第１配線及び第２配線が設置されている。従って、接着剤の表面には第１配線と第２配線とが設置されている。この第１配線と第２配線との間の接着剤には接着剤が凹んだ凹部が設置されている。
【００２４】
第１配線と第２配線との間で接着剤の表面に沿った長さを配線間長さとする。配線間長さが長い程第１配線と第２配線との間でマイグレーションが生じ難くなり配線間の短絡が生じ難くなる。接着剤に凹部がないときに比べて凹部がある方が配線間長さを長くすることができる。従って、凹部がある方がマイグレーションの発生を抑制して配線間の短絡を防止することができる。その結果、印刷装置はマイグレーションの発生を抑制して配線間の短絡を防止することができる液滴吐出ヘッドを備えた装置とすることができる。
【００２５】
［適用例８］
本適用例にかかる配線基板の製造方法であって、第１基板と第２基板とが接着剤により接着され前記接着剤が露出する部分に重ねて犠牲膜を設置し、前記第１基板、前記犠牲膜及び前記第２基板にわたって配線を設置し、前記犠牲膜を除去することを特徴とする。
【００２６】
本適用例によれば、第１基板と第２基板とが接着剤により接着される。第１基板と第２基板との間では接着剤が露出しており、この露出する部分に重ねて犠牲膜が設置される。次に、第１基板、犠牲膜及び第２基板にわたって配線が設置される。続いて、犠牲膜が除去される。その結果、配線は接着剤と離れて設置される為、配線によるマイグレーションの発生を防止することができる。
【００２７】
［適用例９］
上記適用例にかかる配線基板の製造方法において、前記犠牲膜は主に樹脂からなることを特徴とする。
【００２８】
本適用例によれば、犠牲膜は主に樹脂からなっている。樹脂は簡易な装置でエッチングすることにより容易に除去することができる。従って、簡易な製造装置で製造することができる。
【００２９】
［適用例１０］
上記適用例にかかる配線基板の製造方法において、前記犠牲膜は主に金属からなることを特徴とする。
【００３０】
本適用例によれば、犠牲膜は主に金属からなっている。従って、配線に有機成分が残留し難い工程にすることができる。従って、配線によるマイグレーションの発生を防止することができる。
【００３１】
［適用例１１］
本適用例にかかる電子機器は、電子部品を実装した配線基板を備えた電子機器であって、前記配線基板は上記に記載の配線基板であることを特徴とする。
【００３２】
本適用例によれば、電子機器は電子部品を実装した配線基板を備え、配線基板には上記に記載の配線基板が用いられている。従って、配線基板はマイグレーションの発生が抑制されている為、電子機器は配線間の短絡が防止された配線基板を備えた機器とすることができる。
【図面の簡単な説明】
【００３３】
【図１】第１の実施形態にかかわる液滴吐出ヘッドの構造を示す模式側断面図。
【図２】液滴吐出ヘッドの構造を示す模式平面図。
【図３】液滴吐出ヘッドの構造を示す要部模式平面図。
【図４】凹部における配線の構造を説明するための模式図。
【図５】液滴吐出ヘッドの製造方法を説明するための模式図。
【図６】液滴吐出ヘッドの製造方法を説明するための模式図。
【図７】第２の実施形態にかかわり凹部における配線の構造を説明するための模式図。
【図８】第３の実施形態にかかわり凹部における配線の構造を説明するための模式図。
【図９】第４の実施形態にかかわり凹部における配線の構造を説明するための模式図。
【図１０】液滴吐出ヘッドの製造方法を説明するための模式図。
【図１１】液滴吐出ヘッドの製造方法を説明するための模式図。
【図１２】第５の実施形態にかかわり配線基板の構造及び製造方法を説明するための模式図。
【図１３】第６の実施形態にかかわり印刷装置の構造を示す概略斜視図。
【発明を実施するための形態】
【００３４】
本実施形態では、特徴的な液滴吐出ヘッドと、この液滴吐出ヘッドの製造方法の例について、図に従って説明する。尚、各図面における各部材は、各図面上で認識可能な程度の大きさとするため、各部材毎に縮尺を異ならせて図示している。
（第１の実施形態）
第１の実施形態にかかわる液滴吐出ヘッドについて図１〜図６に従って説明する。図１は、液滴吐出ヘッドの構造を示す模式側断面図である。図２は、液滴吐出ヘッドの構造を示す模式平面図であり、図１中の矢印Ａ方向から見た図である。図３は、液滴吐出ヘッドの構造を示す要部模式平面図であり、図２中の一点鎖線で囲まれた領域［Ｂ］の拡大詳細図である。
【００３５】
図１及び図２に示すように、液滴吐出ヘッド１は、板状の配線基板としてのベース基板２と、ベース基板２上に配置されたＩＣパッケージ３（Ｉｎｔｅｇｒａｔｅｄ  Ｃｉｒｃｕｉｔ）とを備えている。この液滴吐出ヘッド１は、印刷装置（液滴吐出装置）に搭載され、例えば印刷用紙等のような記録媒体上にインクを液滴にして吐出して、記録媒体に印刷することができる。
【００３６】
ベース基板２の形状は矢印Ａ方向から見た平面視で長方形をなすものである。ベース基板２は、第２基板としての封止板４と、第１基板としてのデバイス基板５と、ノズル基板６とを有し、下側からノズル基板６、デバイス基板５、封止板４の順に積層された積層体となっている。また、封止板４とデバイス基板５とは、接着剤としての接着剤膜７を介して接合されている。この接着剤膜７の厚さとしては、特に限定されず、例えば、１〜１０μｍであるのが好ましく、１〜５μｍであるのがより好ましい。また、デバイス基板５とノズル基板６とも図示しない接着剤層を介して接合されている。
【００３７】
封止板４も積層構造となっている。封止板４は、リザーバー形成基板８と、コンプライアンス基板９とを有し、これらがこの順に下側から積層されたものとなっている。また、デバイス基板５も積層構造となっている。デバイス基板５は、流路形成基板１０と、振動板１１と、複数の圧電素子１２とを有し、これらがこの順に下側から積層されたものとなっている。そして、各積層体では、当該積層体を構成する各層が例えば図示しない接着剤層や熱溶着フィルム等を介して接合されている。
【００３８】
ノズル基板６は吐出口１４を複数有している。吐出口１４はノズル基板６を貫通して形成され、ベース基板２の−Ｚ方向を向く面１３に開口している。吐出口１４からはインク１５が液滴となって吐出される。これらの吐出口１４は行列状に配置されている。吐出口１４の配置は特に限定されないが、本実施形態では例えば、ベース基板２のＹ方向である長手方向に複数行、Ｘ方向である幅方向に２列配置されている。
【００３９】
尚、各吐出口１４には、撥水性を有するコーティング層が設けられている。これにより、各吐出口１４から吐出されたインク１５の液滴は、それぞれ、鉛直下方に向かって落下し、記録媒体上の着弾されるべき位置に確実に液滴を着弾させることができる。また、ノズル基板６の構成材料としては、特に限定されず、例えば、シリコン材料またはステンレス鋼であるのが好ましい。このような材料は、耐薬品性に優れることから、長時間にわたってインク１５に曝されたとしても、ノズル基板６が変質・劣化するのを確実に防止することができる。また、これらの材料は、加工性に優れるため、寸法精度の高いノズル基板６が得られる。このため、信頼性の高い液滴吐出ヘッド１が得られる。
【００４０】
流路形成基板１０には各吐出口１４に向かってインク１５が通過する流路１６が形成されている。この流路１６は、例えばエッチングを施すことにより形成されている。流路１６は、圧力発生室１７、中継室１８、圧力発生室１７と中継室１８とを連通させる連通路２１から構成されている。
【００４１】
圧力発生室１７は各吐出口１４にそれぞれ対応して設けられ、吐出口１４を介して外部と連通している。中継室１８は圧力発生室１７よりも上流側に設けられている。連通路２１は圧力発生室１７と中継室１８との間に設けられている。尚、流路形成基板１０の構成材料としては、特に限定されず、例えば、ノズル基板６の構成材料と同じものを用いることができる。
【００４２】
振動板１１は圧電素子の駆動によりＺ方向に振動されられる。振動板１１の一部は圧力発生室１７に臨んでいる。そして、振動板１１が振動することにより、圧力発生室１７内のインク１５の圧力が変化する。これにより、圧力発生室１７では吐出口１４を介してインク１５が液滴として吐出される。このような振動板１１では流路形成基板１０側から順に弾性膜２２と下電極膜２３とが積層されている。弾性膜２２は、例えば１〜２μｍ程度の厚さの酸化シリコン膜で構成されている。下電極膜２３は、例えば０．２μｍ程度の厚さの金属膜で構成されている。この下電極膜２３は、流路形成基板１０とリザーバー形成基板８との間に配される複数の圧電素子の共通電極として機能する。
【００４３】
リザーバー形成基板８ではインク１５を一時的に貯留するリザーバー２４が流路形成基板１０の流路１６と連通して設置されている。リザーバー２４は、それぞれ、第１室２５、第２室２６、第１室２５と第２室２６とを連通させる連通路２７とにより構成されている。
【００４４】
第１室２５は流路形成基板１０の流路１６の中継室１８と接続している。尚、振動板１１は、第１室２５と中継室１８との間の部分が貫通している。これにより、第１室２５と中継室１８とが連通する。第２室２６は、第１室２５よりも上流側に設けられている。連通路２７は、第１室２５と第２室２６との間に設けられている。
【００４５】
尚、液滴吐出ヘッド１では、中継室１８がリザーバー２４の一部を構成しているということもできる。また、リザーバー形成基板８には圧電素子１２を収納する圧電素子収納室２８が設置されている。圧電素子収納室２８は、リザーバー２４と分離され独立した空間となっている。リザーバー形成基板８の構成材料としては、特に限定されず、例えば、シリコンやガラス等を用いることができる。
【００４６】
各圧電素子１２は、それぞれ、弾性膜２２側から順に下電極膜２３、圧電体膜２９、上電極膜３０を積層してなるものである。圧電体膜２９の種類は特に限定されないが本実施形態では例えば圧電体膜２９にピエゾ素子を用いている。そして、上電極膜３０と下電極膜２３との間に電圧を印加した際、圧電効果により圧電体膜２９が変形する。この変形により、圧電素子１２は振動板１１を上下方向に振動させることができる。振動板１１の振動により圧力発生室１７内の圧力が変化する。そして、圧力発生室１７から吐出口１４を介してインク１５を液滴として吐出する。このように、圧電素子１２及びデバイス基板５は、それぞれ、振動板１１を介して、吐出口１４からインク１５を液滴にして吐出させるように構成されている。
【００４７】
コンプライアンス基板９は、リザーバー形成基板８側から順に封止膜３１と固定板３２とを積層した構造となっている。封止膜３１は、可撓性を有する材料で構成されており、例えば、厚さ６μｍ程度のポリフェニレンスルフィドフィルムが用いられている。封止膜３１の一部はリザーバー２４に臨んでいる。また、固定板３２は金属材料等のような比較的硬質の材料で構成されており、例えば、固定板３２の材料には厚さ３０μｍ程度のステンレス鋼が用いられている。固定板３２には第１室２５と対向する部分が欠損した欠損部３３が設置されている。
【００４８】
さらに、コンプライアンス基板９には、封止膜３１と固定板３２とを一括して貫通する導入口３４が形成されている。導入口３４は、リザーバー２４にそれぞれ連通しており、リザーバー２４にインク１５を導入する部分である。ベース基板２においてＺ方向を向く面３５では中央部にＺ方向に開口する凹部３６が設置されている。この凹部３６は、例えばエッチングで、封止板４をその厚さ方向に貫通するまで除去させることにより形成されている。
【００４９】
凹部３６の形状はベース基板２の長手方向であるＹ方向に沿った溝状になっている。そして、この凹部３６は、底部３７、第１の側壁部３８、第１の側壁部４１、第２の側壁部４２及び第２の側壁部４３の５つの面で構成されている。底部３７は、Ｚ方向を向く平坦な部分である。第１の側壁部３８及び第１の側壁部４１は底部３７のＸ方向の両側に位置し、凹部３６のＸ方向にて対向する。
【００５０】
第１の側壁部３８と第１の側壁部４１とは、それぞれ、底部３７に対し傾斜している。第１の側壁部３８及び第１の側壁部４１の傾斜角度は、特に限定されない。第１の側壁部３８及び第１の側壁部４１の面方位にもよるが、例えば、リザーバー形成基板８をシリコンで構成した場合には第１の側壁部３８及び第１の側壁部４１の傾斜角度は、５４．７度となる。また、第１の側壁部３８と第１の側壁部４１との互いの離間距離は面３５側に向かって漸増している。
【００５１】
第２の側壁部４２及び第２の側壁部４３は底部３７のＹ方向の両側に位置し、凹部３６のＹ方向にて対向する。第２の側壁部４２及び第２の側壁部４３も、それぞれ、第１の側壁部３８及び第１の側壁部４１と同様に底部３７に対し傾斜している。また、第２の側壁部４２と第２の側壁部４３との互いの離間距離は面３５側に向かって漸増している。このように第１の側壁部３８、第１の側壁部４１、第２の側壁部４２及び第２の側壁部４３がそれぞれ傾斜していることにより、凹部３６を例えばエッチングにより形成する際に、その形成を容易かつ確実に行なうことができる。
【００５２】
図１及び図３に示すように、凹部３６には、配線パターン４４が設けられている。この配線パターン４４は、線状をなす多数本の配線４５で構成されている。これらの配線４５は、第１の側壁部３８側と第１の側壁部４１側とにそれぞれ分散配置され、傾斜した面に沿って設置されている。第１の側壁部３８側にある多数の配線４５と、第１の側壁部４１側にある多数の配線４５とは、底部３７のＸ方向において互いに離間する。
【００５３】
配線パターン４４における配線４５の寸法は特に限定されない。本実施形態では例えば、配線４５の幅が２０μｍであり、隣り合う配線４５の間隔が狭い場所で２０μｍとなっている。
【００５４】
第１の側壁部３８側にある隣接する配線４５は、凹部３６のＹ方向において互いに離間している、すなわち、凹部３６の長手方向に沿って間隔を置いて配置されている。さらに、隣接する配線４５の間隔は、凹部３６の底部３７側に向かって漸増している。このような間隙が形成されていることにより、第１の側壁部３８側では、隣接する配線４５が短絡することが抑制される。
【００５５】
同様に、第１の側壁部４１側にある隣接する配線４５も、凹部３６のＹ方向に沿って間隔を置いて配置されている。そして、隣接する配線４５の間隔も、凹部３６の底部３７側に向かって漸増している。このような間隙が形成されていることにより、第１の側壁部４１側でも、隣接する配線４５が短絡することが抑制される。
【００５６】
各配線４５はベース基板２の面３５から凹部３６の底部３７にわたって形成され、それぞれ、１本の連続した線状になっている。そして、各配線４５は、それぞれ、上部４６、中間部４７及び下部４８とに分けることができる。上部４６は面３５上に形成された部分である。中間部４７は第１の側壁部３８または第１の側壁部４１上に形成された部分である。下部４８は底部３７上に形成された部分である。さらに下部４８は上電極膜３０または下電極膜２３に接続されている。
【００５７】
各配線４５は、それぞれ、第１層及び第２層が積層されたものである。第１層及び第２層は導電性を有する材料で構成されている。例えば、第１層は、Ｎｉ−ＣｒやＴｉ−Ｗを含む合金で構成され、第２層は、Ａｕで構成されている。このような構成材料は、電気抵抗が比較的小さい金属材料であり、配線パターン４４の構成材料として好ましい。また、配線４５が２層で構成されていることにより、配線４５を容易に設置することができる。
【００５８】
尚、各配線４５は、それぞれ、本実施形態では２つの層で構成されているが、これに限定されず、例えば、３つ以上の層で構成されていてもよい。この場合、各層の構成材料として、Ｎｉ、Ｐｄ、Ａｕ、Ｔｉ、Ｔｉ−Ｗ、Ｃｕ等の導電性を有する材料も用いることができる。ＩＣパッケージ３は半導体素子等からなる電子回路４９と、電子回路４９を収納するケーシング５０と、ケーシング５０から露出し電子回路４９と電気的に接続された複数の端子５１とを有している。電子回路４９は例えば半導体で構成されている。
【００５９】
ケーシング５０は直方体の容器であり内部に電子回路４９を収納する。ケーシング５０の構成材料としては、特に限定されず、例えば、各種樹脂材料、各種半導体材料、各種金属材料またはセラミックス等が挙げられる。ケーシング５０の−Ｚ方向を向く表側の面５２及び＋Ｚ方向を向く裏側の面５３のうちの表側の面５２に端子５１が露出している。ここで、「表側の面」とは、例えば素子が形成された面のことである。
【００６０】
端子５１の配置数は、配線パターン４４を構成する配線４５の本数と同数である。そして、各端子５１は、それぞれ、当該端子５１に対応する配線４５の上部４６に接触する。これにより、接続部材５４及び各端子５１を介して電子回路４９は配線パターン４４と電気的に接続される。尚、端子５１の構成材料は特に限定されず、例えば、金や銅等のように電気抵抗が比較的小さい金属材料を用いることができる。
【００６１】
接続部材５４は、それぞれ、ＩＣパッケージ３をベース基板２に対して固定する機能も有している。これにより、ＩＣパッケージ３をベース基板２に対して固定するための固定用部材を別途設けるのを省略することができる。ＩＣパッケージ３は配線パターン４４を介して各圧電素子１２と電気的に接続されている。そして、このＩＣパッケージ３は各圧電素子１２の作動を制御してインク１５を吐出させる。ＩＣパッケージ３の表側の面５２がベース基板２の面３５側から凹部３６に臨むように、１つのベース基板２には１つのＩＣパッケージ３が配置されている。また、ＩＣパッケージ３の幅は凹部３６の幅よりも大きいものであり、ＩＣパッケージ３は凹部３６をＸ方向にまたぐように設置されている。
【００６２】
また、凹部３６の形成によりベース基板２の薄肉となった部分の補強をＩＣパッケージ３が担うこともできる。ＩＣパッケージ３のＹ方向の長さは、凹部３６の長さよりも短い。これにより、凹部３６内が外部と連通するので、凹部３６内の熱を放熱することができる。
【００６３】
ＩＣパッケージ３の各端子５１と配線パターン４４の上部４６との間には、それぞれ、接続部材５４が配置されている。各接続部材５４は、Ａｕ、Ｃｕ、Ｎｉ等の金属突起（バンプ）であり、この接続部材５４と図示しない例えば、ＡＣＦ（Ａｎｉｓｏｔｒｏｐｉｃ  Ｃｏｎｄａｃｔｉｖｅ  Ｆｉｌｍ）やＡＣＰ（Ａｎｉｓｏｔｒｏｐｉｃ  Ｃｏｎｄｕｃｔｉｖｅ  Ｐａｓｔｅ）を介在させ圧着しても良い。他にも、ＮＣＰ（Ｎｏｎ−Ｃｏｎｄｕｃｔｉｖｅ  Ｐａｓｔｅ）を用いることができる。この場合、接続部材５４と上部４６とは電気的に接続される。これにより、端子５１と上部４６とが接続部材５４を介して確実に電気的に接続される。
【００６４】
これにより、ＩＣパッケージ３と配線パターン４４を構成する配線４５とが電気的に接続される。そして、配線４５は第１の側壁部３８及び第１の側壁部４１の双方に分散され、凹部３６の長手方向に沿って多数配置される。よって、ＩＣパッケージ３をベース基板２に搭載し、各配線４５を介して多量の情報をＩＣパッケージ３と圧電素子１２との間で送受信することができる。
【００６５】
図４は、凹部における配線の構造を説明するための模式図である。図４（ａ）は、凹部３６における要部模式側断面図であり、図４（ｂ）は接着剤膜７における要部模式側断面図である。図４（ｃ）は凹部３６における要部概略斜視図である。
【００６６】
図４に示すように、凹部３６では配線４５を覆って、封止膜５５が設置されている。封止膜５５により配線４５に水分が付着してマイグレーションが発生することが防止されている。封止膜５５は水分の進入を防止する膜であり、透湿性が低く絶縁性の高い材質が用いられる。本実施形態では、封止膜５５の材料にシリカ充填材等を加えた熱硬化性成形材料が用いられている。図４（ｃ）は、図を見やすくするために封止膜５５を除いた図となっている。
【００６７】
各下電極膜２３には接着剤膜７が位置する場所に被膜５６が設置されている。被膜５６は接着剤膜７が下電極膜２３に接触しないように覆っている。被膜５６の材質は絶縁性のある材質であれば良く、本実施形態では例えば酸化シリコンを主成分とする材質となっている。下電極膜２３の金属と接着剤膜７の有機成分とが触れるとき金属が溶出してマイグレーションが発生しやすくなる。下電極膜２３は被膜５６に覆われることにより接着剤膜７と接触しなくなる。これにより、隣り合う下電極膜２３の間でマイグレーションが発生することを防止することができる。
【００６８】
下電極膜２３のＺ方向を向く面を第１面２３ａとする。リザーバー形成基板８は接着剤膜７を介して下電極膜２３に重ねられている。そして、リザーバー形成基板８の凹部３６側には封止膜３１が設置されている。封止膜３１の凹部３６側の面を第２面３１ａとする。第１面２３ａと第２面３１ａとは交差する。配線４５は第１面２３ａ、接着剤膜７、第２面３１ａに沿って設置されている。隣り合う配線４５のうち一方の配線４５が接着剤膜７と接する面を第１接着面７ａとし、他方の配線４５が接着剤膜７と接する面を第２接着面７ｂとする。
【００６９】
配線４５と対向しない場所では接着剤膜７は第１接着面７ａ及び第２接着面７ｂに対して中間部４７の厚み方向に凹んだ凹部５７が設置されている。第１接着面７ａ及び第２接着面７ｂに対して凹部５７が凹んでいる深さを凹部深さ５７ａとする。凹部深さ５７ａは１μｍから５０μｍの間に設定するのが好ましい。隣り合う配線４５の間で接着剤膜７の表面に沿った長さを配線間長さとする。配線間長さが長い程隣り合う配線４５間でマイグレーションが生じ難くなり配線４５間の短絡が生じ難くなる。凹部深さ５７ａが１μｍ以上のときマイグレーションを生じ難くすることができる。凹部深さ５７ａが５０μｍを超えるとき、接着剤膜７を形成する過程で収縮するときに変形する影響が顕著になるので、ベース基板２の形状精度が低下する。従って、凹部深さ５７ａを５０μｍ以下にすることにより精度良くベース基板２を形成することができる。
【００７０】
隣り合う配線４５の間隔は５μｍ以上が好ましく、７μｍ以上がさらに好ましい。隣り合う配線４５の間隔は５μｍ以上のとき凹部５７の効果が発揮される。隣り合う配線４５の間隔が７μｍ以上のとき凹部５７の効果が確実に発揮され、配線４５間の短絡が生じ難くなる。例えば、隣り合う配線４５間に２０μｍあたりに６０ボルトの電圧を加え温度が４５℃で湿度９０％の加速試験にて１０００時間以上の間にマイグレーションが発生しないことが確認されている。
【００７１】
凹部５７の表面はプラズマにてエッチングされ削られている。従って、凹部５７の表面に金属が付着しても除去されているので、凹部５７の表面は金属を含まない表面となっている。また、接着剤膜７には金属や炭素等の導電性物質が含まれていない接着剤により形成されている。従って、接着剤膜７は表面及び内部に導電性物質を含まない為、隣り合う配線４５の間にマイグレーションが発生し難くなっている。
【００７２】
凹部５７の表面は梨地状となっている。つまり、凹部５７の表面には凹凸ができている。このとき、凹部５７の表面が鏡面のときに比べて配線間長さが長くなる。従って、隣り合う配線４５の間にマイグレーションが生じ難くすることができる。
【００７３】
次に、液滴吐出ヘッド１を製造する方法について、図５及び図６に従って説明する。尚、図５及び図６は、液滴吐出ヘッドの製造方法を説明するための模式図である。まず、図５（ａ）に示すように、封止板４及びデバイス基板５を用意する。デバイス基板５には弾性膜２２、下電極膜２３等が設置されている。下電極膜２３にはリザーバー形成基板８と接合される場所に被膜５６が設置されている。被膜５６は低温ＣＶＤ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｖａｐｏｒ  Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）にてＳiＯを膜付した後でパターニングすることにより設置される。
【００７４】
封止板４ではリザーバー形成基板８に圧電素子収納室２８が形成され、コンプライアンス基板９等が設置されている。尚、封止板４及びデバイス基板５の製造方法は公知の方法を用いて製造されており、説明を省略する。次に、リザーバー形成基板８においてデバイス基板５と接合する面に接着剤５８を塗布する。接着剤５８の塗布方法は特に限定されず、例えば、スクリーン印刷やオフセット印刷の他シリンジを用いて塗布しても良い。接着剤５８は接着強度がありインク１５に対する耐性があれば良く特に限定されない。本実施形態では、例えば、接着剤５８にエポキシ系の接着剤を用いている。
【００７５】
図５（ｂ）に示すように、続いて、デバイス基板５と封止板４とを接着して固定する。接着後乾燥させる。接着剤５８が熱硬化性のときには、さらに、加熱して硬化させる。接着剤５８は固化して接着剤膜７となる。
【００７６】
図５（ｃ）に示すように、下電極膜２３から封止板４上にかけて配線４５を設置する。まず、封止板４及び振動板１１のＺ方向を向く面全体に金属膜をスパッタにより形成する。尚、この金属膜は、例えば厚さが５０ｎｍのＮｉ−Ｃｒからなる第１層と、第１層上に厚さが７００ｎｍのＡｕからなる第２層とが積層されたものである。次いで、金属膜上にレジストを形成する。次いで、フォトリソグラフィー法を用いて露光、現像することにより、レジストに対しパターニングを行なう。次いで、Ａｕ層、Ｎｉ−Ｃｒ層に順次ウェットエッチングを施す。Ａｕ層用のエッチング液としては、ヨウ素系のものを用い、Ｎｉ−Ｃｒ層用のエッチング液としては、硝酸系もしくは塩酸系のものを用いる。次いで、レジストを剥離する。これにより、配線パターン４４が形成される。また、第１層が形成された後第２層は無電解めっきにて積層させても良い。
【００７７】
図６（ａ）に示すように、接着剤膜７に凹部５７を形成する。まず、封止板４及び振動板１１のＺ方向を向く面全体にレジストを塗布し乾燥させる。次いで、フォトリソグラフィー法を用いて露光、現像することにより、レジストに対しパターニングを行なう。レジストは凹部５７の形状に開口させる。
【００７８】
次に、Ｏ2プラズマの短波長光を照射してエッチングする。短波長光の波長は１００ｎｍ〜２５４ｎｍの範囲が好ましい。波長が２５４ｎｍより長いとエッチングに時間がかかるので作業性が悪くなる。波長が１００ｎｍより短いとエネルギーが高いので装置を製造することが難しくなる。Ｏ2プラズマは接着剤膜７の成分を酸化させて除去し易くする。従って、不活性ガスのプラズマを用いてエッチングするときに比べて効率良くエッチングすることができる。エッチングした後でレジストを除去する。これにより、凹部５７が完成する。
【００７９】
配線パターン４４を形成する工程では接着剤膜７に金属粒子や金属イオンが付着し残留する。この金属は配線４５間にマイグレーションが発生することを助長する。Ｏ2プラズマにてエッチングするとき接着剤膜７に付着した金属粒子や金属イオンが除去される。その結果、凹部５７の表面は金属を含まない面になり、配線４５間にマイグレーションが発生することが抑制される。
【００８０】
図６（ｂ）に示すように、凹部３６に封止膜５５を塗布してパターニングする。封止膜５５の塗布はオフセット印刷やスクリーン印刷の他スピンコート法を用いることができる。その後、フォトリソグラフィー法を用いて露光、現像することにより、封止膜５５に対しパターニングを行なう。
【００８１】
次に、流路形成基板１０に流路１６を形成する。流路１６の形成方法は公知であり詳細な説明は省略する。シリコンからなる流路形成基板１０を加熱して熱酸化膜を形成する。レジストを塗布しパターニングした後、フッ酸にて熱酸化膜を所定のパターンに除去する。レジストを剥離した後でＫＯＨ溶液にて異方性エッチングを行って流路１６を形成する。
【００８２】
続いて、吐出口１４が形成されたノズル基板６を流路形成基板１０に接着する。次に、配線４５の上部４６に接続部材５４を設置し、ＩＣパッケージ３を設置する。接続部材５４はＡｕバンプである。ＩＣパッケージ３を凹部３６に臨むように設置し、ＩＣパッケージ３の端子５１を接続部材５４に当接させる。続いて、接続部材５４を１７０℃以下の温度で加熱しＩＣパッケージ３を封止板４に実装する。以上の工程により液滴吐出ヘッド１が完成する。
【００８３】
上述したように、本実施形態によれば、以下の効果を有する。
（１）本実施形態によれば、隣り合う配線４５の間の接着剤膜７には接着剤膜７が凹んだ凹部５７が設置されている。隣り合う配線４５の間で接着剤膜７の表面に沿った長さを配線間長さとする。配線間長さが長い程隣り合う配線４５の間でマイグレーションが生じ難くなり配線４５間の短絡が生じ難くなる。接着剤膜７に凹部５７がないときに比べて凹部５７がある方が配線間長さを長くすることができる。従って、凹部５７がある方がマイグレーションの発生を抑制して配線４５間の短絡を防止することができる。
【００８４】
（２）本実施形態によれば、凹部５７では接着剤膜７の表面がＯ2プラズマにより除去されている。従って、表面に金属を含まない接着剤膜７が隣り合う配線４５の間に設置されている。隣り合う配線４５の間で接着剤膜７の表面に金属が存在しないとき隣り合う配線４５の間にマイグレーションが生じ難くなる。従って、隣り合う配線４５間の短絡を防止することができる。
【００８５】
（３）本実施形態によれば、凹部５７の深さは１μｍ以上５０μｍ以下となっている。凹部５７の深さは１μｍのとき隣り合う配線４５間長さが長くなることによる効果が表れる為、隣り合う配線４５との間でマイグレーションを生じ難くすることができる。凹部５７の深さが５０μｍを超えるとき、接着剤５８が収縮するときに変形する影響が顕著になるのでベース基板２の形状精度が悪くなる。従って、凹部５７の深さは１μｍ以上５０μｍ以下にすることにより、配線４５間の短絡を防止し形状精度の良いベース基板２を製造することができる。
【００８６】
（４）本実施形態によれば、凹部５７の表面は梨地状となっている。つまり、凹部５７の表面には凹凸ができている。このとき、凹部５７の表面が鏡面のときに比べて配線間長さが長くなる。従って、隣り合う配線４５の間にマイグレーションが生じ難くすることができる。
【００８７】
（第２の実施形態）
次に、液滴吐出ヘッドの一実施形態について図７の凹部における配線の構造を説明するための模式図を用いて説明する。図７（ａ）は、凹部３６における要部模式側断面図であり、図７（ｂ）は接着剤膜における要部模式側断面図である。図７（ｃ）は凹部における要部概略斜視図であり、封止膜５５が省略された図である。本実施形態が第１の実施形態と異なるところは、図４に示した被膜５６が省かれ、凹部５７の形状が異なっている点にある。尚、第１の実施形態と同じ点については説明を省略する。
【００８８】
すなわち、本実施形態では、図７に示すように液滴吐出ヘッド６１はベース基板６２を備えている。ベース基板６２では振動板１１とリザーバー形成基板８とが接着剤膜６３により接着されている。接着剤膜６３には第１凹部６４及び第２凹部６５の２つの凹部が設置されている。
【００８９】
隣り合う配線４５のうち一方の配線４５が接着剤膜６３と接する面を第１接着面６３ａとし、他方の配線４５が接着剤膜６３と接する面を第２接着面６３ｂとする。第１凹部６４は第１接着面６３ａ及び第２接着面６３ｂに対して凹んでいる。そして、第２凹部６５は第１凹部６４に対して凹んでいる。下電極膜２３は第１凹部６４において接着剤膜６３に挿入された形態となっている。従って、隣り合う下電極膜２３の間では接着剤膜６３の表面に第２凹部６５が設置されている。接着剤膜６３の表面にそう隣り合う下電極膜２３の間の距離を下電極間長さとする。下電極間長さは第２凹部６５がないときに比べて長くなっている。従って、隣り合う下電極膜２３の間にはマイグレーションが発生し難くなっている。
【００９０】
中間部４７において配線４５は封止膜３１と接している。そして、配線４５が封止膜３１と接する面と配線４５が接着剤膜６３と接する第１接着面６３ａ及び第２接着面６３ｂは同一平面上に位置している。そして、第１凹部６４は配線４５が接着剤膜６３と接する第１接着面６３ａ及び第２接着面６３ｂに対して凹んでいる。さらに、第２凹部６５は第１凹部６４に対して凹んでいる。接着剤膜６３の表面に沿う隣り合う配線４５の間の距離を配線間長さとする。配線間長さは第２凹部６５がないときに比べて長くなっている。従って、隣り合う配線４５の間に第１凹部６４だけが設置されたときより、さらに、マイグレーションが発生し難くすることができる。
【００９１】
上述したように、本実施形態によれば、以下の効果を有する。
（１）本実施形態によれば、隣り合う配線４５の間の接着剤膜６３には接着剤膜６３が凹んだ第１凹部６４及び第２凹部６５が設置されている。接着剤膜６３に第２凹部６５がないときに比べて第２凹部６５がある方が下電極間長さを長くすることができる。従って、第２凹部６５がある方がマイグレーションの発生を抑制して下電極膜２３間の短絡を防止することができる。
【００９２】
また、接着剤膜６３に第１凹部６４及び第２凹部６５がないときに比べて第１凹部６４及び第２凹部６５がある方が配線間長さを長くすることができる。従って、第１凹部６４及び第２凹部６５がある方がマイグレーションの発生を抑制して配線４５間の短絡を防止することができる。
【００９３】
（第３の実施形態）
次に、液滴吐出ヘッドの一実施形態について図８の凹部における配線の構造を説明するための模式図を用いて説明する。図８（ａ）は、凹部３６における要部模式側断面図であり、図８（ｂ）は接着剤膜における要部模式側断面図である。図８（ｃ）は凹部３６における要部概略斜視図であり、封止膜５５を省略した図となっている。本実施形態が第１の実施形態と異なるところは、図４に示した凹部５７の形状が異なっている点にある。尚、第１の実施形態と同じ点については説明を省略する。
【００９４】
すなわち、本実施形態では、図８に示すように液滴吐出ヘッド６８はベース基板６９を備えている。ベース基板６９では振動板１１とリザーバー形成基板８とが接着剤膜７０により接着されている。中間部４７において配線４５が封止膜３１と接する面より配線４５が接着剤膜７０と接する面は緩い面となっている。隣り合う配線４５のうち一方の配線４５が接着剤膜７０と接する面を第１接着面７１ａとし、他方の配線４５が接着剤膜７０と接する面を第２接着面７１ｂとする。隣り合う配線４５の間の接着剤膜７０の面を底面７１ｃとする。第１接着面７１ａ及び第２接着面７１ｂに対して底面７１ｃは配線４５の厚み方向に凹んでおり凹部７１となっている。
【００９５】
従って、隣り合う配線４５の間では接着剤膜７０の表面に凹部７１が設置されている。接着剤膜７０の表面にそう隣り合う配線４５の間の距離を配線間長さとする。配線間長さは凹部７１がないときに比べて長くなっている。従って、隣り合う配線４５の間にはマイグレーションが発生し難くなっている。
【００９６】
上述したように、本実施形態によれば、以下の効果を有する。
（１）本実施形態によれば、隣り合う配線４５の間の接着剤膜７０には接着剤膜７０が第１接着面７１ａ及び第２接着面７１ｂに対して凹んだ凹部７１が設置されている。隣り合う配線４５の間で配線４５の表面に沿った長さを配線間長さとする。接着剤膜７０に凹部７１がないときに比べて凹部７１がある方が配線間長さを長くすることができる。従って、凹部７１がある方がマイグレーションの発生を抑制して配線４５間の短絡を防止することができる。
【００９７】
（第４の実施形態）
次に、液滴吐出ヘッドの一実施形態について図９〜図１１を用いて説明する。図９は凹部における配線の構造を説明するための模式図である。図９（ａ）は、凹部３６における要部模式側断面図であり、図９（ｂ）は接着剤膜における要部模式側断面図である。図９（ｃ）は凹部３６における要部概略斜視図であり、封止膜５５を省略した図である。図１０及び図１１は液滴吐出ヘッドの製造方法を説明するための模式図である。本実施形態が第１の実施形態と異なるところは、図４に示した凹部５７の形状が異なっている点にある。尚、第１の実施形態と同じ点については説明を省略する。
【００９８】
すなわち、本実施形態では、図９に示すように液滴吐出ヘッド７４はベース基板７５を備えている。ベース基板７５では振動板１１とリザーバー形成基板８とが接着剤膜７により接着されている。中間部４７において配線４５は封止膜３１に設置され、下部４８において配線４５は下電極膜２３に設置されている。中間部４７と下部４８との間では、配線４５と接着剤膜７との間に空洞７６が設置されている。従って、配線４５は接着剤膜７と離れている。被膜５６における配線４５と接着剤膜７との最大間隔は１μｍ〜１０μｍとなっている。
【００９９】
下電極膜２３のＺ方向を向く面を第１面２３ａとする。リザーバー形成基板８は接着剤膜７を介して下電極膜２３に重ねられている。そして、リザーバー形成基板８の凹部３６側には封止膜３１が設置されている。封止膜３１の凹部３６側の面を第２面３１ａとする。第１面２３ａと第２面３１ａとは隔てた面となっている。配線４５は下部４８において第１面２３ａに沿って設置され、中間部４７において第２面３１ａに沿って設置されている。そして、配線４５と接着剤膜７との間には空洞７６が位置しているので、配線４５と接着剤膜７とは離れている。
【０１００】
接着剤膜７には有機物が含まれており、有機物と配線４５の金属とが接触するときマイグレーションが誘発される。本実施形態では配線４５は接着剤膜７と離れている。従って、隣り合う配線４５の間でマイグレーションが生じ難くなる。従って、マイグレーションの発生を抑制して隣り合う配線４５間の短絡を防止することができる。
【０１０１】
次に、液滴吐出ヘッド７４を製造する方法について、図１０及び図１１に従って説明する。まず、図１０（ａ）に示すように、封止板４及びデバイス基板５を用意する。デバイス基板５には弾性膜２２、下電極膜２３等が設置されている。下電極膜２３にはリザーバー形成基板８と接合される場所に被膜５６が設置されている。封止板４ではリザーバー形成基板８に圧電素子収納室２８が形成され、コンプライアンス基板９等が設置されている。次に、リザーバー形成基板８においてデバイス基板５と接合する面に接着剤５８を塗布する。
【０１０２】
図１０（ｂ）に示すように、続いて、デバイス基板５と封止板４とを接着して固定する。接着後接着剤５８を乾燥させる。接着剤５８が熱硬化性のときには、さらに、加熱して硬化させる。接着剤５８は固化して接着剤膜７となる。
【０１０３】
図１０（ｃ）に示すように、凹部３６側に露出する接着剤膜７を覆うように犠牲膜７７を配置する。犠牲膜７７により凹部３６側に接着剤膜７が露出しないようにする。犠牲膜７７には金属または樹脂を用いることができる。次に、犠牲膜７７に銅を主成分とする金属を用いる場合の説明をする。犠牲膜７７の配置は次の手順にて行われる。まず、凹部３６を覆って第１レジストを成膜しフォトリソグラフィー法を用いてパターニングする。パターニングでは、犠牲膜７７を設置する予定の場所を露出するように第１レジストを形成する。
【０１０４】
次に、設置した第１レジスト、被膜５６、接着剤膜７及び封止膜３１を覆って銅を主成分とする金属の膜を設置する。銅の膜はスパッタ法を用いて成膜する。続いて、犠牲膜７７を配置する予定の場所に第２レジストを配置する。第２レジストは成膜した後フォトリソグラフィー法を用いてパターニングする。続いて、銅を主成分とする金属の膜をエッチングし、さらに、第２レジストを剥離することにより犠牲膜７７を形成する。銅の膜をエッチングするエッチング液にはペルオキソ二硫酸アンモニウム水溶液を用いることができる。他にも、銅を主成分とする金属の膜を成膜した後で第１レジストを剥離するリフトオフ法を用いても良い。
【０１０５】
次に、図１１（ａ）に示すように、配線４５を配置する。配線４５の配置は次にように行われる。まず、チタンからなる第１層の金属膜をスパッタにより形成する。第１層の金属膜上にレジストの膜を形成する。次いで、フォトリソグラフィー法を用いて露光、現像することにより、レジストの膜に対しパターニングを行なう。パターニングは配線４５の形状に第１層の金属膜が覆われるように行われる。続いて、エッチング液を用いて第１層の金属膜をエッチングする。次に、レジストを剥離して除去する。第１層にはＮｉ−Ｃｒをスパッタにより形成しても良い。このとき、硝酸系もしくは塩酸系のエッチング液を用いて第１層の金属膜をエッチングする。続いて、金の膜からなる第２層を無電解めっき法により設置する。これにより、第１層の上に第２層が積層される。
【０１０６】
次に、図１１（ｂ）に示すように、犠牲膜７７をエッチングして除去する。銅を主成分とする金属からなる犠牲膜７７をエッチングするエッチング液にはペルオキソ二硫酸アンモニウム水溶液を用いることができる。
【０１０７】
次に、図１１（ｃ）に示すように、凹部３６に位置する配線４５を覆って封止膜５５を設置する。まず、凹部３６に封止膜５５を塗布してパターニングする。封止膜５５の塗布はオフセット印刷、スクリーン印刷、スピンコート法を用いることができる。その後、フォトリソグラフィー法を用いて露光、現像することにより、封止膜５５に対しパターニングを行なう。以降の工程は第１の実施形態と同様に行われ、液滴吐出ヘッド７４が完成する。
【０１０８】
上述したように、本実施形態によれば、以下の効果を有する。
（１）本実施形態によれば、配線４５は接着剤膜７と離れている。接着剤膜７には有機物が含まれており、有機物と配線４５の金属とが接触するときマイグレーションが誘発される。本実施形態では配線４５は接着剤膜７と離れている。従って、隣り合う配線４５の間でマイグレーションが生じ難くなる。従って、マイグレーションの発生を抑制して隣り合う配線４５間の短絡を防止することができる。
【０１０９】
（２）本実施形態によれば、犠牲膜７７は主に金属からなっている。従って、配線４５に有機成分が残留し難い工程にすることができる。従って、配線４５によるマイグレーションの発生を防止することができる。
【０１１０】
（第５の実施形態）
次に、配線の設置方法の一実施形態について図１２を用いて説明する。図１２は配線基板の構造及び製造方法を説明するための模式図である。本実施形態が第１の実施形態と異なるところは、２つの板が平面方向に接続されている点にある。尚、第１の実施形態と同じ点については説明を省略する。
【０１１１】
図１２（ａ）は、配線基板８０の構造を示す模式平面図である。図１２（ｂ）は、配線基板８０の構造を示す模式側断面図であり、図１２（ａ）のＢ−Ｂ線に沿う断面図である。図１２（ａ）及び図１２（ｂ）に示すように、すなわち、本実施形態では、第１基板８１の側面と第２基板８２の側面とが接着剤８３により平面方向に接着されている。
【０１１２】
第１基板８１の上面を第１面８１ａとし、第２基板８２の上面を第２面８２ａとする。第１面８１ａから第２面８２ａの表面に沿って第１配線８４及び第２配線８５が設置されている。第１配線８４及び第２配線８５は接着剤８３をまたいでおり、接着剤８３と離れて設置されている。接着剤８３と第１配線８４及び第２配線８５との間には空洞部８６が設置されている。
【０１１３】
接着剤８３には有機物が含まれており、有機物と第１配線８４及び第２配線８５の金属とが接触するときマイグレーションが誘発される。本実施形態では第１配線８４及び第２配線８５は接着剤８３と離れている。従って、第１配線８４と第２配線８５との間でマイグレーションが生じ難くなる。従って、マイグレーションの発生を抑制して第１配線８４及び第２配線８５の短絡を防止することができる。
【０１１４】
第１配線８４は第１層８４ａと第２層８４ｂとが積層された構造となっている。第１層８４ａと第２層８４ｂとの材質は特に限定されないが本実施形態では例えば第１層８４ａは例えば銅からなり、第２層８４ｂは金からなっている。
【０１１５】
次に、図に従って、配線基板８０の製造方法を説明する。図１２（ｃ）に示すように、第１基板８１と第２基板８２とに接着剤８３を塗布して接合する。次に、接着剤８３を乾燥し、加熱して固化する。
【０１１６】
次に、図１２（ｄ）に示すように、接着剤８３を覆うようにパラジウムの膜を触媒膜８７として設置する。触媒膜８７は例えば次の手順で設置する。まず、第１面８１ａ、第２面８２ａ及び接着剤８３を覆ってレジストを塗布し成膜する。次に、フォトリソグラフィー法を用いてレジストの膜をパターニングする。このとき、触媒膜８７を設置予定の場所を開口する。続いて、配線基板８０をＳｎＣｌ2の塩酸性水溶液で処理した後ＰｄＣｌ2の水溶液に浸漬処理して配線基板８０にパラジウムを吸着させる。他にもカップリング剤を用いて配線基板８０にパラジウムを吸着させても良い。次に、レジストを剥離してレジスト上のパラジウムも除去する。
【０１１７】
次に、図１２（ｅ）に示すように、触媒膜８７を設置した場所に犠牲膜８８を設置する。犠牲膜８８はニッケルの膜である。配線基板８０を無電界ニッケル浴に浸漬し触媒膜８７にニッケルを付着させることにより犠牲膜８８を形成させる。
【０１１８】
次に、図１２（ｆ）に示すように、金属膜８９を設置する。金属膜８９は第１層８４ａに加工される銅の膜である。金属膜８９はスパッタ法を用いて形成される。
【０１１９】
次に、図１２（ｇ）に示すように、金属膜８９をパターニングして第１層８４ａの形状にする。まず、金属膜８９を覆ってレジストを塗布し成膜してフォトリソグラフィー法を用いてパターニングする。続いて、金属膜８９をエッチングしてレジストを剥離し除去する。金属膜８９は銅であり、エッチング液にはペルオキソ二硫酸アンモニウム水溶液を用いてエッチングする。
【０１２０】
次に、図１２（ｈ）に示すように、犠牲膜８８をエッチングして除去し空洞部８６にする。犠牲膜８８はニッケルであり、エッチング液はニッケルを選択的にエッチング可能であれば良く特に限定されない。例えば、エッチング液には過酸化水素系のエッチング液を用いることができる。
【０１２１】
次に、図１２（ｂ）に示すように、第１層８４ａの表面に重ねて第２層８４ｂを設置する。第２層８４ｂは金を無電解めっきにて設置する。以上の工程により、配線基板８０が完成する。
【０１２２】
上述したように、本実施形態によれば、以下の効果を有する。
（１）本実施形態によれば、第１基板８１及び第２基板８２が同一平面上に接着剤８３にて接合されているときにも、第１配線８４及び第２配線８５は接着剤８３と離れている。従って、第１配線８４と第２配線８５との間でマイグレーションが生じ難くなる。従って、マイグレーションの発生を抑制して第１配線８４及び第２配線８５の短絡を防止することができる。
【０１２３】
（第６の実施形態）
次に、上記の液滴吐出ヘッドが搭載された印刷装置の一実施形態について図１３を用いて説明する。図１３は印刷装置の構造を示す概略斜視図である。尚、第１の実施形態と同じ点については説明を省略する。
【０１２４】
図１３に示すように、印刷装置９１は、記録媒体９２にインクジェット方式で印刷する印刷装置である。この印刷装置９１は、装置本体９３と、液滴吐出ヘッド１等が搭載された記録ヘッドユニット９４及び記録ヘッドユニット９５とを備えている。さらに、印刷装置９１は、記録ヘッドユニット９４にインク１５を供給するインクカートリッジ９６及び記録ヘッドユニット９５にインク１５を供給するインクカートリッジ９７を備えている。さらに、印刷装置９１は記録ヘッドユニット９４及び記録ヘッドユニット９５を搬送するキャリッジ９８と、キャリッジ９８を移動させる移動機構９９とを備えている。さらに、印刷装置９１はキャリッジ９８を移動可能に支持し案内するキャリッジ軸１００を備えている。
【０１２５】
インクカートリッジ９６は記録ヘッドユニット９４に着脱可能に装着される。装着された状態でインクカートリッジ９６は記録ヘッドユニット９４にインク１５（ブラックインク組成物）を供給する。同様に、インクカートリッジ９７は記録ヘッドユニット９５に着脱可能に装着される。装着された状態でインクカートリッジ９７は記録ヘッドユニット９５にインク１５（カラーインク組成物）を供給する。
【０１２６】
移動機構９９は、駆動モーター１０１と、駆動モーター１０１に連結されたタイミングベルト１０２とを有している。駆動モーター１０１の駆動力がタイミングベルト１０２を介してキャリッジ９８に伝達される。移動機構９９によりキャリッジ９８を記録ヘッドユニット９４及び記録ヘッドユニット９５ごとキャリッジ軸１００方向に沿って移動させることができる。
【０１２７】
装置本体９３にはキャリッジ軸１００の下側にプラテン１０３が設けられている。プラテン１０３はキャリッジ軸１００の軸方向に沿って設けられている。図示しない給紙ローラー等により給紙された記録媒体９２がプラテン１０３上に搬送されるようになっている。そして、プラテン１０３上で記録媒体９２に対してインク１５が吐出されて所定の図形が印刷される。
【０１２８】
記録ヘッドユニット９４及び記録ヘッドユニット９５には上記の液滴吐出ヘッド１、液滴吐出ヘッド６１、液滴吐出ヘッド６８及び液滴吐出ヘッド７４の何れかが設置される。そして、液滴吐出ヘッド１、液滴吐出ヘッド６１、液滴吐出ヘッド６８及び液滴吐出ヘッド７４では隣り合う配線４５にてマイグレーションが発生し難い構造となっている。従って、印刷装置９１は隣り合う配線４５がマイグレーションにて短絡し難い構造の液滴吐出ヘッドを搭載した装置とすることができる。
【０１２９】
尚、本実施形態は上述した実施形態に限定されるものではなく、本発明の技術的思想内で当分野において通常の知識を有する者により種々の変更や改良を加えることも可能である。変形例を以下に述べる。
【０１３０】
（変形例１）
前記第４の実施形態では、犠牲膜７７に銅を主成分とする金属を用いた。犠牲膜７７に金を主成分とする金属を用いても良い。このときにはヨウ素系のＡｕエッチング液を用いて犠牲膜７７をエッチングすることができる。犠牲膜７７には製造しやすい金属を選択しても良い。このとき、配線４５は第１層にチタンタングステン合金を用いて、第２層に銅を用いるのが好ましい。チタンタングステン合金はスパッタ法にて成膜し、銅は無電解めっきにて成膜する。他にも、第２層に無電解めっきにてニッケルを成膜し、第３層に無電解めっきにて金を成膜しても良い。製造し易く電気抵抗値の低い配線４５にすることができる。
【０１３１】
他にも、接着剤５８にエポキシ系の樹脂やポリイミド系の樹脂を用いて、犠牲膜７７にアクリル系の樹脂を用いても良い。犠牲膜７７のエッチングには水酸化ナトリウム溶液等のアルカリ水溶液やＮ−メチル−２−ピロリドン等の有機溶剤を用いることができる。犠牲膜７７の材料を樹脂材料にすることにより簡易な装置でエッチングして容易に除去することができる。従って、簡易な製造装置で液滴吐出ヘッド７４を製造することができる。
【０１３２】
（変形例２）
前記第５の実施形態では、第２層８４ｂに無電解の金めっきを行った。他にも、無電解のニッケルめっきを行っても良い。さらに、無電解のニッケルめっきにより成膜した膜に重ねて無電解の金めっきを行っても良い。製造のし易さと第１配線８４及び第２配線８５の抵抗値とのバランスを考慮して選択しても良い。
【０１３３】
（変形例３）
前記第１の実施形態では、デバイス基板５上に封止板４が接着され、接着剤膜７に凹部５７が設置された。第５の実施形態にしめすように第１基板８１と第２基板８２とに挟まれた接着剤８３に凹部５７のような凹部を設置しても良い。このとき、空洞部８６を省略して良い。他にも、第５の実施形態における空洞部８６に接着剤８３を配置しても良い。第３の実施形態における凹部７１と同様な形態にすることができる。このときにも、第１配線８４と第２配線８５との間でマイグレーションが発生し難い構造となる。従って、配線基板８０は隣り合う第１配線８４と第２配線８５とがマイグレーションにて短絡し難い基板にすることができる。
【０１３４】
（変形例４）
前記第１の実施形態では、液滴吐出ヘッド１における接着剤膜７に凹部５７が設置された構造が用いられた。接着剤膜７に凹部５７が設置された構造は他の配線基板に用いられても良い。電子部品を実装した配線基板を備えた電子機器において、配線基板は接着剤膜７に凹部５７が設置された構造となっていても良い。さらに、配線基板には第２の実施形態〜第５の実施形態に加え、上記の変形例の形態を適用してもよい。配線基板はマイグレーションの発生が抑制されている為、電子機器は配線間の短絡が防止された配線基板を備えた機器とすることができる。例えば、センサーユニット、ジャイロセンサー、加速度センサー、圧力センサー、ミラースキャナー等の電子機器に適用しても良い。配線基板では隣り合う配線４５間の短絡を防止できるので、この配線基板を備えた電子機器は長期信頼性の高い配線基板を備えた機器とすることができる。
【符号の説明】
【０１３５】
２…配線基板としてのベース基板、４…第２基板としての封止板、５…第１基板としてのデバイス基板、７…接着剤としての接着剤膜、７ａ，６３ａ，７１ａ…第１接着面、７ｂ，６３ｂ，７１ｂ…第２接着面、２３ａ…第１面、３１ａ…第２面、５７…凹部、７７，８８…犠牲膜、８０…配線基板、８１…第１基板、８２…第２基板、８３…接着剤、９１…印刷装置。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
2015128863.tif 000012
【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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