(57)【要約】      （修正有）【課題】非常に微細な粒子等を吸着してピックアップできるマイクロプローブであって、異物表面を汚染することなく、非常に微細な粒子を効果的にピックアップでき、粒子のピックアップ後にそのまま分析装置内で分析評価を行うことができ、さらに、プローブ自体が屈曲してしまわないような剛直性を備え、使用に際して、プローブ自体が容易にちぎれて飛散しないようなマイクロプローブを提供する。【解決手段】カーボンナノチューブマイクロプローブは、複数のカーボンナノチューブを備えるカーボンナノチューブ集合体プローブを有し、該カーボンナノチューブ集合体プローブの表面の少なくとも側面部が金属化合物によって被覆されており、該金属化合物の被覆により形成される被覆層の厚みが１ｎｍ〜３０ｎｍである。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数のカーボンナノチューブを備えるカーボンナノチューブ集合体プローブを有し、
該カーボンナノチューブ集合体プローブの表面の少なくとも側面部が金属化合物によって被覆されており、
該金属化合物の被覆により形成される被覆層の厚みが１ｎｍ〜３０ｎｍである、
カーボンナノチューブマイクロプローブ。
【請求項２】
先端部分の室温におけるガラス面に対するせん断接着力が１．０Ｎ／ｃｍ２以上である、請求項１に記載のカーボンナノチューブマイクロプローブ。
【請求項３】
前記カーボンナノチューブ集合体プローブの直径が１０μｍ以下である、請求項１または２に記載のカーボンナノチューブマイクロプローブ。
【請求項４】
前記カーボンナノチューブ集合体プローブの長さが３００μｍ以下である、請求項１から３までのいずれかに記載のカーボンナノチューブマイクロプローブ。
【請求項５】
前記カーボンナノチューブが複数層を有し、該カーボンナノチューブの層数分布の分布幅が１０層以上であり、該層数分布の最頻値の相対頻度が２５％以下である、請求項１から４までのいずれかに記載のカーボンナノチューブマイクロプローブ。
【請求項６】
前記カーボンナノチューブが複数層を有し、該カーボンナノチューブの層数分布の最頻値が層数１０層以下に存在し、該最頻値の相対頻度が３０％以上である、請求項１から４までのいずれかに記載のカーボンナノチューブマイクロプローブ。
【請求項７】
軸状基材上に前記カーボンナノチューブ集合体プローブが設けられている、請求項１から６までのいずれかに記載のカーボンナノチューブマイクロプローブ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、カーボンナノチューブマイクロプローブに関する。詳細には、例えば、分析用途などにおいて、分析対象物の表面に点在する微細粒子をピックアップして分析装置内に運び込んで分析評価するため等に好適に用いられる、カーボンナノチューブを用いたマイクロプローブに関する。
【背景技術】
【０００２】
部材の表面に点在する異物の組成や形状などを分析評価することによって該部材の製造プロセスにおける該異物の混入経路等を解明することは、異物のないクリーンな部材を提供する上で重要である。
【０００３】
部材の表面に点在する異物の組成や形状を評価する手段としては、タングステンプローブやマイクロナイフをサンプリングツールとして用いた粒子吸着プローブが一般的に用いられている。このような粒子吸着プローブを用いることにより、上記サンプリングツールによって部材の表面に点在する異物をピックアップして分析装置内に運び込み、該異物の組成や形状などが分析評価される（例えば、特許文献１参照）。
【０００４】
しかし、タングステンプローブやマイクロナイフをサンプリングツールとして用いた粒子吸着プローブにおいては、異物をピックアップするために、サンプリングツールを異物に刺すなどの物理的応力を加える必要がある。このような物理的応力が加わると、表面被覆材のはがれや表面凹凸・層構造の変化など、表面の生の構造・組成観察が困難となるという問題が生じる。
【０００５】
他方、物理的応力を加えないで異物をピックアップするために、サンプリングツールとしてペーストなどの接着剤や両面テープなどの粘着剤を用いると、それらに含まれる有機成分によって異物表面が汚染されてしまい、該異物の正確な分析評価ができないという問題がある。また、サンプリングツールとして上記のような接着剤や粘着剤を用いた場合、粒径分布の広い粒子群から特定の粒径の粒子を選択的にピックアップすることは困難である。
【０００６】
また、異物のマイクロサンプリングにおいては、非常に微細な粒子を選択的に１個のみピックアップして分析することが要求される場合があるが、サンプリングツールとして上記のような接着剤や粘着剤を用いた場合には、非常に微細な粒子を選択的に１個のみピックアップすることは困難である。
【０００７】
また、従来の粒子吸着プローブを用いてピックアップした異物を分析装置内に運び込んで分析評価する場合、分析装置内に運び込まれた該異物は、分析評価の際に新たにペースト等で固定される必要があり、工程が煩雑である。
【０００８】
さらに、粒子吸着プローブには、ピックアップの際にプローブ自体が屈曲してしまわないような剛直性が備えられていることが求められる。また、使用に際して、プローブ自体が容易にちぎれて飛散しない性質も求められる。
【０００９】
そこで、非常に微細な粒子等を吸着してピックアップできるマイクロプローブであって、異物表面を汚染することなく、非常に微細な粒子を効果的にピックアップでき、粒子のピックアップ後にそのまま分析装置内で分析評価を行うことができ、さらに、プローブ自体が屈曲してしまわないような剛直性を備え、使用に際して、プローブ自体が容易にちぎれて飛散しないようなマイクロプローブが求められている。しかしながら、このような性能を全て満足するようなマイクロプローブは、現時点で見出されていない。
【先行技術文献】
【特許文献】
【００１０】
【特許文献１】特開２００８−５２２３２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１１】
本発明の課題は、非常に微細な粒子等を吸着してピックアップできるマイクロプローブであって、異物表面を汚染することなく、非常に微細な粒子を効果的にピックアップでき、粒子のピックアップ後にそのまま分析装置内で分析評価を行うことができ、さらに、プローブ自体が屈曲してしまわないような剛直性を備え、使用に際して、プローブ自体が容易にちぎれて飛散しないようなマイクロプローブを提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
本発明のカーボンナノチューブマイクロプローブは、
複数のカーボンナノチューブを備えるカーボンナノチューブ集合体プローブを有し、
該カーボンナノチューブ集合体プローブの表面の少なくとも側面部が金属化合物によって被覆されており、
該金属化合物の被覆により形成される被覆層の厚みが１ｎｍ〜３０ｎｍである。
【００１３】
好ましい実施形態においては、先端部分の室温におけるガラス面に対するせん断接着力が１．０Ｎ／ｃｍ２以上である。
【００１４】
好ましい実施形態においては、上記カーボンナノチューブ集合体プローブの直径が１０μｍ以下である。
【００１５】
好ましい実施形態においては、上記カーボンナノチューブ集合体プローブの長さが３００μｍ以下である。
【００１６】
好ましい実施形態においては、上記カーボンナノチューブが複数層を有し、該カーボンナノチューブの層数分布の分布幅が１０層以上であり、該層数分布の最頻値の相対頻度が２５％以下である。
【００１７】
好ましい実施形態においては、上記カーボンナノチューブが複数層を有し、該カーボンナノチューブの層数分布の最頻値が層数１０層以下に存在し、該最頻値の相対頻度が３０％以上である。
【００１８】
好ましい実施形態においては、本発明のカーボンナノチューブマイクロプローブは、軸状基材上に上記カーボンナノチューブ集合体プローブが設けられている。
【発明の効果】
【００１９】
本発明によれば、非常に微細な粒子等を吸着してピックアップできるマイクロプローブであって、異物表面を汚染することなく、非常に微細な粒子を効果的にピックアップでき、粒子のピックアップ後にそのまま分析装置内で分析評価を行うことができ、さらに、プローブ自体が屈曲してしまわないような剛直性を備え、使用に際して、プローブ自体が容易にちぎれて飛散しないようなマイクロプローブを提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００２０】
【図１】本発明の好ましい実施形態におけるカーボンナノチューブマイクロプローブの一例の概略断面図である。
【図２】本発明の好ましい実施形態におけるカーボンナノチューブマイクロプローブの別の一例の概略断面図である。
【図３】カーボンナノチューブ集合体プローブの製造装置の概略断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００２１】
≪カーボンナノチューブマイクロプローブ≫
本発明のカーボンナノチューブマイクロプローブは、複数のカーボンナノチューブを備えるカーボンナノチューブ集合体プローブを有し、該カーボンナノチューブ集合体プローブの表面の少なくとも側面部が金属化合物によって被覆されており、該金属化合物の被覆により形成される被覆層の厚みが１ｎｍ〜３０ｎｍである。本発明のカーボンナノチューブマイクロプローブは、このような構成を有することにより、異物表面を汚染することなく、非常に微細な粒子を効果的にピックアップでき、粒子のピックアップ後にそのまま分析装置内で分析評価を行うことができ、さらに、プローブ自体が屈曲してしまわないような剛直性を備え、使用に際して、プローブ自体が容易にちぎれて飛散しない。
【００２２】
本発明のカーボンナノチューブマイクロプローブは、例えば、複数のカーボンナノチューブを備えるカーボンナノチューブ集合体プローブの表面の少なくとも側面部が金属化合物によって被覆されている構成であっても良いし、その構成が軸状基材上に設けられている構成であっても良い。ここで、軸状基材は、軸形状をした基材を意味し、例えば、軸、支柱、金属柱などに言い換えることができる場合もある。軸状基材については、後述する。
【００２３】
本発明のカーボンナノチューブマイクロプローブにおいては、カーボンナノチューブ集合体プローブの表面の少なくとも側面部が金属化合物によって被覆されている。すなわち、本発明のカーボンナノチューブマイクロプローブにおいては、カーボンナノチューブ集合体プローブの表面の側面部が金属化合物によって被覆されており、且つ、カーボンナノチューブ集合体プローブの両先端部の少なくとも一部が金属化合物によって被覆されていても良い。
【００２４】
金属化合物の被覆により形成される被覆層は、単層であっても良いし、多層体であっても良い。
【００２５】
カーボンナノチューブ集合体プローブの両先端部の少なくとも一部が金属化合物で被覆されている場合は、その被覆割合は、片方の先端部について、面積割合で、好ましくは１０％〜１００％であり、より好ましくは３０％〜１００％であり、さらに好ましくは５０％〜１００％であり、特に好ましくは７０％〜１００％であり、最も好ましくは９０％〜１００％である。カーボンナノチューブ集合体プローブの両先端部の少なくとも一部が金属化合物で被覆されている場合、その被覆割合が、片方の先端部について、上記範囲内に収まることにより、本発明のカーボンナノチューブマイクロプローブは、異物表面を一層汚染せず、プローブ自体が屈曲してしまわないような剛直性を一層備え、使用に際して、プローブ自体がちぎれて飛散することを一層抑制し得る。
【００２６】
カーボンナノチューブ集合体プローブの両先端部の一部のみが金属化合物で被覆されている場合は、その被覆形態は、不規則に一部のみが被覆されている形態や、規則的に一部のみが被覆されている形態が挙げられる。規則的に一部のみが被覆されている形態としては、規則的なパターンで被覆部と非被覆部とが存在する形態などが挙げられる。
【００２７】
金属化合物の被覆により形成される被覆層の厚みは、１ｎｍ〜３０ｎｍであり、好ましくは１ｎｍ〜２５ｎｍであり、より好ましくは３ｎｍ〜２０ｎｍであり、さらに好ましくは５ｎｍ〜１５ｎｍであり、特に好ましくは５ｎｍ〜１０ｎｍである。金属化合物の被覆により形成される被覆層の厚みが上記範囲内に収まることにより、本発明のカーボンナノチューブマイクロプローブは、異物表面を汚染することなく、非常に微細な粒子を効果的にピックアップでき、粒子のピックアップ後にそのまま分析装置内で分析評価を行うことができ、さらに、プローブ自体が屈曲してしまわないような剛直性を備え、使用に際して、プローブ自体が容易にちぎれて飛散しない。
【００２８】
図１は、本発明の好ましい実施形態におけるカーボンナノチューブマイクロプローブの一例の概略断面図である。図１において、本発明のカーボンナノチューブマイクロプローブ１０００は、複数のカーボンナノチューブ１０を備えるカーボンナノチューブ集合体プローブ１００と、カーボンナノチューブ集合体プローブ１００の表面の少なくとも側面部を被覆している金属化合物２０とを有する。なお、図１においては、金属化合物２０は、カーボンナノチューブ集合体プローブ１００の側面部の全部および片方の先端部の全部を被覆している実施形態を示しているが、カーボンナノチューブ集合体プローブ１００の側面部の全部および片方の先端部の一部を被覆している実施形態や、カーボンナノチューブ集合体プローブ１００の側面部の全部および両方の先端部の全部を被覆している実施形態も取り得る。図１において、金属化合物２０は、カーボンナノチューブ集合体プローブ１００の表面に、厚みＴの被覆層を形成する。図１において、複数のカーボンナノチューブ１０は、それぞれ、長さＬの方向に配向しており、束状のカーボンナノチューブ集合体プローブ１００を構成している。
【００２９】
図２は、本発明の好ましい実施形態におけるカーボンナノチューブマイクロプローブの別の一例の概略断面図である。図２において、本発明のカーボンナノチューブマイクロプローブ１０００は、複数のカーボンナノチューブ１０を備えるカーボンナノチューブ集合体プローブ１００と、カーボンナノチューブ集合体プローブ１００の表面の少なくとも側面部を被覆している金属化合物２０とを有する構成が、軸状基材３０上に設けられている。図２において、複数のカーボンナノチューブ１０は、それぞれ、長さＬの方向に配向しており、束状のカーボンナノチューブ集合体１００を構成している。図２において、複数のカーボンナノチューブ１０の片端１０ａは、軸状基材３０に固定されている。図２に示すように、複数のカーボンナノチューブ１０は、好ましくは、軸状基材３０に対して略垂直方向に配向している。ここで、「略垂直方向」とは、軸状基材３０の断面側表面３０ａに対する角度が、好ましくは９０°±２０°の範囲内であり、より好ましくは９０°±１５°の範囲内であり、さらに好ましくは９０°±１０°の範囲内であり、特に好ましくは９０°±５°の範囲内である。
【００３０】
なお、複数のカーボンナノチューブ１０は、互いに、例えば、ファンデルワールス力によって集合体として存在し得る。したがって、本発明のカーボンナノチューブプローブは、容易にばらばらになることなく、集合体として存在し得る。
【００３１】
本発明のカーボンナノチューブマイクロプローブにおいて、カーボンナノチューブ集合体プローブ１００の直径は、好ましくは１０μｍ以下であり、より好ましくは０．３μｍ〜１０μｍであり、さらに好ましくは０．５μｍ〜８μｍであり、特に好ましくは０．５μｍ〜６μｍであり、最も好ましくは０．５μｍ〜５μｍである。本発明のカーボンナノチューブマイクロプローブにおいて、カーボンナノチューブ集合体プローブ１００の直径を上記範囲内に調整することにより、非常に微細な粒子を効果的にピックアップすることが一層可能となる。
【００３２】
本発明のカーボンナノチューブマイクロプローブにおいて、カーボンナノチューブ集合体プローブ１００の長さは、好ましくは３００μｍ以下であり、より好ましくは１μｍ〜２００μｍであり、さらに好ましくは３μｍ〜１００μｍであり、特に好ましくは５μｍ〜５０μｍであり、最も好ましくは１０μｍ〜３０μｍである。本発明のカーボンナノチューブマイクロプローブにおいて、カーボンナノチューブ集合体プローブ１００の長さを上記範囲内に調整することにより、非常に微細な粒子を効果的にピックアップすることが一層可能なものとなる。
【００３３】
本発明のカーボンナノチューブマイクロプローブにおいて、カーボンナノチューブの形状としては、その横断面が任意の適切な形状を有していれば良い。例えば、その横断面が、略円形、楕円形、ｎ角形（ｎは３以上の整数）等が挙げられる。
【００３４】
本発明のカーボンナノチューブマイクロプローブにおいて、カーボンナノチューブの比表面積、密度は、任意の適切な値に設定され得る。
【００３５】
金属化合物としては、本発明の効果を損なわない範囲で任意の適切な金属化合物を採用し得る。このような金属化合物としては、好ましくは、金属単体および金属酸化物から選ばれる少なくとも１つである。
【００３６】
金属単体としては、例えば、Ｃｕ、アルミニウム、白金、金、銀、ニッケル、パラジウム、インジウム、亜鉛、鉛、スズ、タングステンが挙げられる。これらの中でも、導電性の点でＣｕが好ましい。
【００３７】
金属酸化物としては、例えば、ＩＴＯ、Ａｌ２Ｏ３、ＭｇＯ、Ｆｅ２Ｏ３、ＴｉＯ２が挙げられる。これらの中でも、導電性の点でＩＴＯが好ましい。
【００３８】
本発明のカーボンナノチューブプローブは、先端部分の室温におけるガラス面に対するせん断接着力が、好ましくは１．０Ｎ／ｃｍ２以上であり、より好ましくは２．０Ｎ／ｃｍ２〜１００Ｎ／ｃｍ２であり、さらに好ましくは３．０Ｎ／ｃｍ２〜７０Ｎ／ｃｍ２であり、特に好ましくは５．０Ｎ／ｃｍ２〜５０Ｎ／ｃｍ２であり、最も好ましくは１０Ｎ／ｃｍ２〜３０Ｎ／ｃｍ２である。上記せん断接着力が上記範囲内に収まることにより、本発明のカーボンナノチューブプローブは、非常に微細な粒子を一層効果的にピックアップできる。
【００３９】
軸状基材の材料としては、目的に応じて、任意の適切な材料を採用し得る。このような材料としては、例えば、ルビー、サファイアなども挙げられるが、好ましくは、ＳＵＳ、タングステン超硬など導電性の材料が挙げられる。
【００４０】
軸状基材の大きさとしては、目的に応じて、任意の適切な大きさを採用し得る。このような大きさとしては、好ましくは、その断面側表面の面積が、カーボンナノチューブ集合体プローブの直径から算出される面積よりも大きくなるような大きさである。なお、軸状基材の長さ（断面側表面と直交する方向の長さ）は、目的に応じて、任意の適切な長さを採用し得る。
【００４１】
本発明のカーボンナノチューブマイクロプローブが、図２のように、カーボンナノチューブ集合体プローブが軸状基材上に設けられている構成である場合、該カーボンナノチューブを該軸状基材に固定する方法としては、任意の適切な方法を採用し得る。このような固定方法としては、例えば、ペーストなどを用いて接着する方法、両面テープなどを用いて粘着固定する方法、カーボンナノチューブ集合体プローブの製造に使用した基板を軸状基材として用いる方法、カーボンナノチューブ集合体プローブの接着特性を利用して固定する方法などが挙げられる。これらの固定方法の中でも、粒子のピックアップ後にカーボンナノチューブ集合体プローブをそのまま分析装置内で分析評価を行う場合を考慮すると、汚染原因の除去と、帯電防止のために、導電性の材料のみを用いて固定する方法が好ましく、具体的には、例えば、カーボンナノチューブの接着特性を利用して固定する方法などが挙げられる。
【００４２】
本発明のカーボンナノチューブマイクロプローブがピックアップし得る粒子の直径は、好ましくは１０μｍ以下であり、より好ましくは８μｍ以下であり、さらに好ましくは６μｍ以下であり、特に好ましくは５μｍ以下である。本発明のカーボンナノチューブマイクロプローブがピックアップし得る粒子の直径の下限値は、好ましくは、０．３μｍ以上である。
【００４３】
≪カーボンナノチューブ集合体プローブ≫
本発明のカーボンナノチューブマイクロプローブが有するカーボンナノチューブ集合体プローブは、下記の２つの好ましい実施形態を採り得る。
【００４４】
＜第１の好ましい実施形態＞
本発明のカーボンナノチューブマイクロプローブが有するカーボンナノチューブ集合体プローブの好ましい実施形態の１つ（以下、第１の好ましい実施形態と称することがある）は、複数のカーボンナノチューブを備え、該カーボンナノチューブが複数層を有し、該カーボンナノチューブの層数分布の分布幅が１０層以上であり、該層数分布の最頻値の相対頻度が２５％以下である。
【００４５】
上記カーボンナノチューブの層数分布の分布幅は１０層以上であり、好ましくは１０層〜３０層であり、より好ましくは１０層〜２５層であり、さらに好ましくは１０層〜２０層である。
【００４６】
上記カーボンナノチューブの層数分布の「分布幅」とは、カーボンナノチューブの層数の最大層数と最小層数との差をいう。
【００４７】
カーボンナノチューブの層数分布の分布幅が上記範囲内にあることにより、該カーボンナノチューブは優れた機械的特性および高い比表面積を兼ね備えることができ、さらには、該カーボンナノチューブは優れた粘着特性を示すカーボンナノチューブ集合体プローブとなり得る。したがって、このようなカーボンナノチューブ集合体プローブを用いたカーボンナノチューブマイクロプローブは、金属化合物の被覆により形成される被覆層を備えることにより、異物表面を一層汚染することなく、非常に微細な粒子を一層効果的にピックアップでき、粒子のピックアップ後にそのまま分析装置内で分析評価を容易に行うことができ、さらに、プローブ自体が屈曲してしまわないような剛直性を一層備え、使用に際して、プローブ自体が容易にちぎれて飛散することを一層抑制し得る。
【００４８】
上記カーボンナノチューブの層数、層数分布は、任意の適切な装置によって測定すれば良い。好ましくは、走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）や透過電子顕微鏡（ＴＥＭ）によって測定される。例えば、カーボンナノチューブ集合体から少なくとも１０本、好ましくは２０本以上のカーボンナノチューブを取り出してＳＥＭあるいはＴＥＭによって測定し、層数および層数分布を評価すれば良い。
【００４９】
上記カーボンナノチューブの層数の最大層数は、好ましくは５層〜３０層であり、より好ましくは１０層〜３０層であり、さらに好ましくは１５層〜３０層であり、特に好ましくは１５層〜２５層である。
【００５０】
上記カーボンナノチューブの層数の最小層数は、好ましくは１層〜１０層であり、より好ましくは１層〜５層である。
【００５１】
上記カーボンナノチューブの層数の最大層数と最小層数が上記範囲内にあることにより、該カーボンナノチューブは一層優れた機械的特性および高い比表面積を兼ね備えることができ、さらには、該カーボンナノチューブは一層優れた粘着特性を示すカーボンナノチューブ集合体プローブとなり得る。したがって、このようなカーボンナノチューブ集合体プローブを用いたカーボンナノチューブマイクロプローブは、金属化合物の被覆により形成される被覆層を備えることにより、異物表面を一層汚染することなく、非常に微細な粒子を一層効果的にピックアップでき、粒子のピックアップ後にそのまま分析装置内で分析評価を容易に行うことができ、さらに、プローブ自体が屈曲してしまわないような剛直性を一層備え、使用に際して、プローブ自体が容易にちぎれて飛散することを一層抑制し得る。
【００５２】
上記層数分布の最頻値の相対頻度は、２５％以下であり、好ましくは１％〜２５％であり、より好ましくは５％〜２５％であり、さらに好ましくは１０％〜２５％であり、特に好ましくは１５％〜２５％である。上記層数分布の最頻値の相対頻度が上記範囲内にあることにより、該カーボンナノチューブは優れた機械的特性および高い比表面積を兼ね備えることができ、さらには、該カーボンナノチューブは優れた粘着特性を示すカーボンナノチューブ集合体プローブとなり得る。したがって、このようなカーボンナノチューブ集合体プローブを用いたカーボンナノチューブマイクロプローブは、金属化合物の被覆により形成される被覆層を備えることにより、異物表面を一層汚染することなく、非常に微細な粒子を一層効果的にピックアップでき、粒子のピックアップ後にそのまま分析装置内で分析評価を容易に行うことができ、さらに、プローブ自体が屈曲してしまわないような剛直性を一層備え、使用に際して、プローブ自体が容易にちぎれて飛散することを一層抑制し得る。
【００５３】
上記層数分布の最頻値は、好ましくは層数２層から層数１０層に存在し、さらに好ましくは層数３層から層数１０層に存在する。上記層数分布の最頻値が上記範囲内にあることにより、該カーボンナノチューブは優れた機械的特性および高い比表面積を兼ね備えることができ、さらには、該カーボンナノチューブは優れた粘着特性を示すカーボンナノチューブ集合体プローブとなり得る。したがって、このようなカーボンナノチューブ集合体プローブを用いたカーボンナノチューブマイクロプローブは、金属化合物の被覆により形成される被覆層を備えることにより、異物表面を一層汚染することなく、非常に微細な粒子を一層効果的にピックアップでき、粒子のピックアップ後にそのまま分析装置内で分析評価を容易に行うことができ、さらに、プローブ自体が屈曲してしまわないような剛直性を一層備え、使用に際して、プローブ自体が容易にちぎれて飛散することを一層抑制し得る。
【００５４】
＜第２の好ましい実施形態＞
本発明のカーボンナノチューブマイクロプローブが有するカーボンナノチューブ集合体プローブの好ましい実施形態の別の１つ（以下、第２の好ましい実施形態と称することがある）は、複数のカーボンナノチューブを備え、該カーボンナノチューブが複数層を有し、該カーボンナノチューブの層数分布の最頻値が層数１０層以下に存在し、該最頻値の相対頻度が３０％以上である。
【００５５】
上記カーボンナノチューブの層数分布の分布幅は、好ましくは９層以下であり、より好ましくは１層〜９層であり、さらに好ましくは２層〜８層であり、特に好ましくは３層〜８層である。
【００５６】
上記カーボンナノチューブの層数分布の「分布幅」とは、カーボンナノチューブの層数の最大層数と最小層数との差をいう。
【００５７】
カーボンナノチューブの層数分布の分布幅が上記範囲内にあることにより、該カーボンナノチューブは優れた機械的特性および高い比表面積を兼ね備えることができ、さらには、該カーボンナノチューブは優れた粘着特性を示すカーボンナノチューブ集合体プローブとなり得る。したがって、このようなカーボンナノチューブ集合体プローブを用いたカーボンナノチューブマイクロプローブは、金属化合物の被覆により形成される被覆層を備えることにより、異物表面を一層汚染することなく、非常に微細な粒子を一層効果的にピックアップでき、粒子のピックアップ後にそのまま分析装置内で分析評価を容易に行うことができ、さらに、プローブ自体が屈曲してしまわないような剛直性を一層備え、使用に際して、プローブ自体が容易にちぎれて飛散することを一層抑制し得る。
【００５８】
上記カーボンナノチューブの層数、層数分布は、任意の適切な装置によって測定すれば良い。好ましくは、走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）や透過電子顕微鏡（ＴＥＭ）によって測定される。例えば、カーボンナノチューブ集合体から少なくとも１０本、好ましくは２０本以上のカーボンナノチューブを取り出してＳＥＭあるいはＴＥＭによって測定し、層数および層数分布を評価すれば良い。
【００５９】
上記カーボンナノチューブの層数の最大層数は、好ましくは１層〜２０層であり、より好ましくは２層〜１５層であり、さらに好ましくは３層〜１０層である。
【００６０】
上記カーボンナノチューブの層数の最小層数は、好ましくは１層〜１０層であり、より好ましくは１層〜５層である。
【００６１】
上記カーボンナノチューブの層数の最大層数と最小層数が上記範囲内にあることにより、該カーボンナノチューブは一層優れた機械的特性および高い比表面積を兼ね備えることができ、さらには、該カーボンナノチューブは一層優れた粘着特性を示すカーボンナノチューブ集合体プローブとなり得る。したがって、このようなカーボンナノチューブ集合体プローブを用いたカーボンナノチューブマイクロプローブは、金属化合物の被覆により形成される被覆層を備えることにより、異物表面を一層汚染することなく、非常に微細な粒子を一層効果的にピックアップでき、粒子のピックアップ後にそのまま分析装置内で分析評価を容易に行うことができ、さらに、プローブ自体が屈曲してしまわないような剛直性を一層備え、使用に際して、プローブ自体が容易にちぎれて飛散することを一層抑制し得る。
【００６２】
上記層数分布の最頻値の相対頻度は、３０％以上であり、好ましくは３０％〜１００％であり、より好ましくは３０％〜９０％であり、さらに好ましくは３０％〜８０％であり、特に好ましくは３０％〜７０％である。上記層数分布の最頻値の相対頻度が上記範囲内にあることにより、該カーボンナノチューブは優れた機械的特性および高い比表面積を兼ね備えることができ、さらには、該カーボンナノチューブは優れた粘着特性を示すカーボンナノチューブ集合体プローブとなり得る。したがって、このようなカーボンナノチューブ集合体プローブを用いたカーボンナノチューブマイクロプローブは、金属化合物の被覆により形成される被覆層を備えることにより、異物表面を一層汚染することなく、非常に微細な粒子を一層効果的にピックアップでき、粒子のピックアップ後にそのまま分析装置内で分析評価を容易に行うことができ、さらに、プローブ自体が屈曲してしまわないような剛直性を一層備え、使用に際して、プローブ自体が容易にちぎれて飛散することを一層抑制し得る。
【００６３】
上記層数分布の最頻値は、層数１０層以下に存在し、好ましくは層数１層から層数１０層に存在し、より好ましくは層数２層から層数８層に存在し、さらに好ましくは層数２層から層数６層に存在する。本発明において、上記層数分布の最頻値が上記範囲内にあることにより、該カーボンナノチューブは優れた機械的特性および高い比表面積を兼ね備えることができ、さらには、該カーボンナノチューブは優れた粘着特性を示すカーボンナノチューブ集合体プローブとなり得る。したがって、このようなカーボンナノチューブ集合体プローブを用いたカーボンナノチューブマイクロプローブは、金属化合物の被覆により形成される被覆層を備えることにより、異物表面を一層汚染することなく、非常に微細な粒子を一層効果的にピックアップでき、粒子のピックアップ後にそのまま分析装置内で分析評価を容易に行うことができ、さらに、プローブ自体が屈曲してしまわないような剛直性を一層備え、使用に際して、プローブ自体が容易にちぎれて飛散することを一層抑制し得る。
【００６４】
≪カーボンナノチューブ集合体プローブの製造方法≫
本発明のカーボンナノチューブマイクロプローブが有するカーボンナノチューブ集合体プローブの製造方法としては、任意の適切な方法を採用し得る。
【００６５】
本発明のカーボンナノチューブマイクロプローブが有するカーボンナノチューブ集合体プローブの製造方法としては、例えば、平滑な基板の上に触媒層を構成し、熱、プラズマなどにより触媒を活性化させた状態で炭素源を充填し、カーボンナノチューブを成長させる、化学気相成長法（Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｖａｐｏｒ  Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ：ＣＶＤ法）によって、基板からほぼ垂直に配向したカーボンナノチューブ集合体を製造する方法が挙げられる。この場合、例えば、基板を取り除けば、長さ方向に配向しているカーボンナノチューブ集合体プローブが得られる。
【００６６】
上記基板としては、任意の適切な基板を採用し得る。例えば、平滑性を有し、カーボンナノチューブの製造に耐え得る高温耐熱性を有する材料が挙げられる。このような材料としては、例えば、石英ガラス、シリコン（シリコンウェハなど）、アルミニウムなどの金属板などが挙げられる。上記基板は、そのまま、本発明のカーボンナノチューブマイクロプローブが含み得る軸状基材として用いることができる。
【００６７】
本発明のカーボンナノチューブマイクロプローブが有するカーボンナノチューブ集合体プローブを製造するための装置としては、任意の適切な装置を採用し得る。例えば、熱ＣＶＤ装置としては、図３に示すような、筒型の反応容器を抵抗加熱式の電気管状炉で囲んで構成されたホットウォール型などが挙げられる。その場合、反応容器としては、例えば、耐熱性の石英管などが好ましく用いられる。
【００６８】
本発明のカーボンナノチューブマイクロプローブが有するカーボンナノチューブ集合体プローブの製造に用い得る触媒（触媒層の材料）としては、任意の適切な触媒を用い得る。例えば、鉄、コバルト、ニッケル、金、白金、銀、銅などの金属触媒が挙げられる。
【００６９】
本発明のカーボンナノチューブマイクロプローブが有するカーボンナノチューブ集合体プローブを製造する際、必要に応じて、基板と触媒層の中間にアルミナ／親水性膜を設けても良い。
【００７０】
アルミナ／親水性膜の作製方法としては、任意の適切な方法を採用し得る。例えば、基板の上にＳｉＯ２膜を作製し、Ａｌを蒸着後、４５０℃まで昇温して酸化させることにより得られる。このような作製方法によれば、Ａｌ２Ｏ３が親水性のＳｉＯ２膜と相互作用し、Ａｌ２Ｏ３を直接蒸着したものよりも粒子径の異なるＡｌ２Ｏ３面が形成される。基板の上に、親水性膜を作製することを行わずに、Ａｌを蒸着後に４５０℃まで昇温して酸化させても、粒子径の異なるＡｌ２Ｏ３面が形成され難いおそれがある。また、基板の上に、親水性膜を作製し、Ａｌ２Ｏ３を直接蒸着しても、粒子径の異なるＡｌ２Ｏ３面が形成され難いおそれがある。
【００７１】
本発明のカーボンナノチューブマイクロプローブが有するカーボンナノチューブ集合体プローブの製造に用い得る触媒層の厚みは、微粒子を形成させるため、好ましくは０．０１ｎｍ〜２０ｎｍであり、より好ましくは０．１ｎｍ〜１０ｎｍである。本発明のカーボンナノチューブマイクロプローブが有するカーボンナノチューブ集合体プローブの製造に用い得る触媒層の厚みが上記範囲内にあることによって、該カーボンナノチューブ集合体プローブは優れた機械的特性および高い比表面積を兼ね備えることができ、さらには、該カーボンナノチューブ集合体プローブは優れた粘着特性を示し得る。したがって、このようなカーボンナノチューブ集合体プローブを用いたカーボンナノチューブマイクロプローブは、粒子をピックアップする際に物理的応力を加える必要が一層なく、粒子のピックアップにあたって異物表面を汚染することが一層なく、非常に微細な粒子を効果的にピックアップすることが一層可能となり、粒子のピックアップ後にそのまま分析装置内で分析評価を行うことが一層容易にできる。
【００７２】
触媒層の形成方法は、任意の適切な方法を採用し得る。例えば、金属触媒をＥＢ（電子ビーム）、スパッタなどにより蒸着する方法、金属触媒微粒子の懸濁液を基板上に塗布する方法などが挙げられる。
【００７３】
触媒層は、好ましくは、その形成後に、フォトリソグラフィ加工によって、任意の適切な直径のパターンに加工しても良い。このようなフォトリソグラフィ加工により、最終的に、所望の直径を有するカーボンナノチューブ集合体プローブを製造することができる。
【００７４】
本発明のカーボンナノチューブマイクロプローブが有するカーボンナノチューブ集合体プローブの製造に用い得る炭素源としては、任意の適切な炭素源を用い得る。例えば、メタン、エチレン、アセチレン、ベンゼンなどの炭化水素；メタノール、エタノールなどのアルコール；などが挙げられる。
【００７５】
本発明のカーボンナノチューブマイクロプローブが有するカーボンナノチューブ集合体プローブの製造における製造温度としては、任意の適切な温度を採用し得る。たとえば、本発明の効果を十分に発現し得る触媒粒子を形成させるため、好ましくは４００℃〜１０００℃であり、より好ましくは５００℃〜９００℃であり、さらに好ましくは６００℃〜８００℃である。
【００７６】
≪カーボンナノチューブマイクロプローブの製造方法≫
本発明のカーボンナノチューブマイクロプローブは、カーボンナノチューブ集合体プローブの表面の少なくとも側面部を金属化合物によって被覆して製造される。
【００７７】
カーボンナノチューブ集合体プローブの表面の少なくとも側面部を金属化合物によって被覆する方法としては、例えば、蒸着法、スパッタなどが挙げられる。被覆膜の粒子の微細さの点で、好ましくはスパッタである。
【００７８】
蒸着法によってカーボンナノチューブ集合体プローブの表面の少なくとも側面部を金属化合物によって被覆する方法としては、具体的には、例えば、上述のような方法によって任意の適切な基板上に形成させた複数のカーボンナノチューブ集合体プローブの片面側（基板と反対側の面側）から、蒸着法によって、金属化合物をスパッタによって蒸着させる。蒸着条件は、形成させたい被覆層の厚み等によって適宜設定すれば良い。このようにして、カーボンナノチューブ集合体プローブの表面の少なくとも側面部に、被覆層が形成される。その後、基板からカーボンナノチューブ集合体プローブ（被覆層が形成されたもの）を剥離することにより、本発明のカーボンナノチューブマイクロプローブを得ることができる。
【実施例】
【００７９】
以下、本発明を実施例に基づいて説明するが、本発明はこれらに限定されるものではない。なお、各種評価や測定は、以下の方法により行った。また、特記しない限り、％は重量％を意味する。
【００８０】
＜カーボンナノチューブの長さおよび直径の測定＞
カーボンナノチューブの長さおよび直径は、走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）によって測定した。
【００８１】
＜カーボンナノチューブの層数・層数分布の評価＞
カーボンナノチューブの層数および層数分布は、走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）および／または透過電子顕微鏡（ＴＥＭ）によって測定した。得られたカーボンナノチューブ集合体シートの中から少なくとも１０本以上、好ましくは２０本以上のカーボンナノチューブをＳＥＭおよび／またはＴＥＭにより観察し、各カーボンナノチューブの層数を調べ、層数分布を作成した。
【００８２】
＜せん断接着力の測定＞
ガラス（ＭＡＴＳＵＮＡＭＩ  スライドガラス２７ｍｍ×５６ｍｍ）に、１０ｍｍ単位面積に切り出したマイクロプローブ（カーボンナノチューブマイクロプローブなど）の先端（金属化合物の被覆により形成される被覆層を有する場合は、該被覆層を有する部分）の集合体に相当するシートが接触するように載置し、５ｋｇのローラーを一往復させて飛行時間型二次イオン質量分析装置用試料固定部材の先端をガラスに圧着した。その後、３０分間放置した。引張り試験機（Ｉｎｓｔｒｏ  Ｔｅｎｓｉｌ  Ｔｅｓｔｅｒ）で引張速度５０ｍｍ／ｍｉｎにて、室温（２５℃）にてせん断試験を行い、得られたピークをせん断接着力とした。
【００８３】
＜剛直性の評価＞
プローブ形状の長さが８０％相当になるまで高さ方向からマイクロプローブ（カーボンナノチューブマイクロプローブなど）を圧縮し、除荷した際のプローブの復元が９０％以上であるかどうかを評価した。
評価は以下の基準で行った。
○：圧縮に対する復元が９０％以上。
×：圧縮に対する復元が９０％未満。
【００８４】
＜耐ちぎれ性の評価＞
１対のタングステンプローブでマイクロプローブ（カーボンナノチューブマイクロプローブなど）を側面方向から圧着し、除荷した際にマイクロプローブ（カーボンナノチューブマイクロプローブなど）が裂けないかどうかを評価した。
評価は以下の基準で行った。
○：タングステンプローブを除荷した際にマイクロプローブ（カーボンナノチューブマイクロプローブなど）が裂けない。
×：タングステンプローブを除荷した際にマイクロプローブ（カーボンナノチューブマイクロプローブなど）が裂ける。
【００８５】
＜粒子吸着性＞
下記タングステンプローブ、プロービングシステムを用いて、タングステンプローブ先端にマイクロプローブ（カーボンナノチューブマイクロプローブなど）を固定した後、マイクロプローブ（カーボンナノチューブマイクロプローブなど）の先端に各粒径の粒子を接触させ、各粒径の粒子の吸着の可否を評価した。
タングステン針：株式会社マイクロサポート製「ＴＰ−０１０」
プロービング：株式会社マイクロサポート製「アクシスプロ（標準セット）」
マニピュレータ本体部：ストローク  Ｘ＝２０ｍｍ、Ｙ＝２０ｍｍ、Ｚ＝２９ｍｍ
ツールホルダー取付部：φ４ｍｍ、軸３６０°、回転可
セカンドステージ：ストローク  Ｘ＝４ｍｍ、Ｙ＝４ｍｍ
制御部：専用コントローラー・専用ソフトウェア「Ａｘｉｓ  Ｐｒｏ  Ｖｅｒ．１．００
制御部専用ＰＣ  ＯＳ：Ｗｉｎｄｏｗｓ（登録商標）  ＸＰ  Ｐｒｏ  ＳＰ２
制御部モニタ：１７型ＴＦＴカラーモニタ１６７７色
評価は以下の基準で行った。
○：マイクロプローブ（カーボンナノチューブマイクロプローブなど）に接触させた際に粒子をピックアップすることが可能。
×：マイクロプローブ（カーボンナノチューブマイクロプローブなど）に接触させた際に粒子をピックアップすることが不可。
【００８６】
〔実施例１〕
基板としてのシリコンウェハ（シリコンテクノロジー製）上に、スパッタ装置（ＵＬＶＡＣ製、ＲＦＳ−２００）により、アルミ薄膜（厚み１０ｎｍ）を形成した。このアルミナ薄膜上に、さらにスパッタ装置（ＵＬＶＡＣ製、ＲＦＳ−２００）にてＦｅ薄膜（厚み０．３５ｎｍ）を蒸着した。その後、フォトリソグラフィ加工により、直径５μｍにパターン化した。
その後、この基板を３０ｍｍφの石英管内に載置し、水分６００ｐｐｍに保ったヘリウム／水素（９０／５０ｓｃｃｍ）混合ガスを石英管内に３０分間流して、管内を置換した。その後、電気管状炉を用いて管内を７６５℃まで昇温させ、７６５℃にて安定させた。７６５℃にて温度を保持したまま、ヘリウム／水素／エチレン（８５／５０／５ｓｃｃｍ、水分率６００ｐｐｍ）混合ガスを管内に充填させ、３０秒間放置してカーボンナノチューブを基板上に成長させ、複数のカーボンナノチューブを備え、該カーボンナノチューブが長さ方向に配向しているカーボンナノチューブ集合体プローブ（１）を該基板上に複数得た。
カーボンナノチューブ集合体プローブ（１）の長さは１５μｍであり、直径は５μｍであった。
カーボンナノチューブ集合体プローブ（１）が備えるカーボンナノチューブの層数分布において、最頻値は１層に存在し、相対頻度は６１％であった。
基板上に形成させた複数のカーボンナノチューブ集合体プローブ（１）の基板とは反対側の面から、スパッタすることによって、厚みが５ｎｍのＩＴＯの被覆層をカーボンナノチューブ集合体プローブの側面と表面に形成させた。その後、基板を剥離して、ＩＴＯの被覆層を有するカーボンナノチューブ集合体プローブ（１）を得た。
タングステン針（株式会社マイクロサポート製、ＴＰ−０１０、先端直径＝１０μｍ）の平滑断面に、銀ペースト（ドータイトＤ３６２、藤倉化成株式会社製）を用いて、得られたカーボンナノチューブ集合体プローブ（１）の基板を剥離した側と反対側を接着し、カーボンナノチューブマイクロプローブ（１）を作成した。
評価結果を表１に示す。
【００８７】
〔実施例２〕
基板としてのシリコンウェハ（シリコンテクノロジー製）上に、スパッタ装置（ＵＬＶＡＣ製、ＲＦＳ−２００）により、アルミナ薄膜（厚み２０ｎｍ）を形成した。このアルミナ薄膜上に、さらにスパッタ装置（ＵＬＶＡＣ製、ＲＦＳ−２００）にてＦｅ薄膜（厚み１．０ｎｍ）を蒸着した。その後、フォトリソグラフィ加工により、直径５μｍにパターン化した。
その後、この基板を３０ｍｍφの石英管内に載置し、水分６００ｐｐｍに保ったヘリウム／水素（９０／５０ｓｃｃｍ）混合ガスを石英管内に３０分間流して、管内を置換した。その後、電気管状炉を用いて管内を７６５℃まで昇温させ、７６５℃にて安定させた。７６５℃にて温度を保持したまま、ヘリウム／水素／エチレン（８５／５０／５ｓｃｃｍ、水分率６００ｐｐｍ）混合ガスを管内に充填させ、３０秒間放置してカーボンナノチューブを基板上に成長させ、複数のカーボンナノチューブを備え、該カーボンナノチューブが長さ方向に配向しているカーボンナノチューブ集合体プローブ（２）を該基板上に複数得た。
カーボンナノチューブ集合体プローブ（２）の長さは１５μｍであり、直径は５μｍであった。
カーボンナノチューブ集合体プローブ（２）が備えるカーボンナノチューブの層数分布において、最頻値は２層に存在し、相対頻度は７５％であった。
基板上に形成させた複数のカーボンナノチューブ集合体プローブ（２）の基板とは反対側の面から、スパッタすることによって、厚みが１０ｎｍのＩＴＯの被覆層をカーボンナノチューブ集合体プローブの側面と表面に形成させた。その後、基板を剥離して、ＩＴＯの被覆層を有するカーボンナノチューブ集合体プローブ（２）を得た。
タングステン針（株式会社マイクロサポート製、ＴＰ−０１０、先端直径＝１０μｍ）の平滑断面に、銀ペースト（ドータイトＤ３６２、藤倉化成株式会社製）を用いて、得られたカーボンナノチューブ集合体プローブ（２）の基板を剥離した側と反対側を接着し、カーボンナノチューブマイクロプローブ（２）を作成した。
評価結果を表１に示す。
【００８８】
〔実施例３〕
基板としての酸化膜付シリコンウェハ（シリコンテクノロジー製）上に、スパッタ装置（ＵＬＶＡＣ製、ＲＦＳ−２００）により、アルミ薄膜（厚み１０ｎｍ）を形成した。アルミを４５０℃×３０ｍｉｎで酸化させアルミナ薄膜とした。このアルミナ薄膜上に、さらにスパッタ装置（ＵＬＶＡＣ製、ＲＦＳ−２００）にてＦｅ薄膜（厚み２．０ｎｍ）を蒸着した。その後、フォトリソグラフィ加工により、直径５μｍにパターン化した。
その後、この基板を３０ｍｍφの石英管内に載置し、水分６００ｐｐｍに保ったヘリウム／水素（９０／５０ｓｃｃｍ）混合ガスを石英管内に３０分間流して、管内を置換した。その後、電気管状炉を用いて管内を７６５℃まで昇温させ、７６５℃にて安定させた。７６５℃にて温度を保持したまま、ヘリウム／水素／エチレン（８５／５０／５ｓｃｃｍ、水分率６００ｐｐｍ）混合ガスを管内に充填させ、３０秒間放置してカーボンナノチューブを基板上に成長させ、複数のカーボンナノチューブを備え、該カーボンナノチューブが長さ方向に配向しているカーボンナノチューブ集合体プローブ（３）を該基板上に複数得た。
カーボンナノチューブ集合体プローブ（３）の長さは１５μｍであり、直径は５μｍであった。
カーボンナノチューブ集合体プローブ（３）が備えるカーボンナノチューブの層数分布において層数分布の分布幅は１７層（４層〜２０層）であり、最頻値は４層と８層に存在し、相対頻度はそれぞれ２０％と２０％であった。
基板上に形成させた複数のカーボンナノチューブ集合体プローブ（３）の基板とは反対側の面から、スパッタすることによって、厚みが３０ｎｍのＩＴＯの被覆層をカーボンナノチューブ集合体プローブの側面と表面に形成させた。その後、基板を剥離して、ＩＴＯの被覆層を有するカーボンナノチューブ集合体プローブ（３）を得た。
タングステン針（株式会社マイクロサポート製、ＴＰ−０１０、先端直径＝１０μｍ）の平滑断面に、銀ペースト（ドータイトＤ３６２、藤倉化成株式会社製）を用いて、得られたカーボンナノチューブ集合体プローブ（３）の基板を剥離した側と反対側を接着し、カーボンナノチューブマイクロプローブ（３）を作成した。
評価結果を表１に示す。
【００８９】
〔実施例４〕
基板としてのシリコンウェハ（シリコンテクノロジー製）上に、スパッタ装置（ＵＬＶＡＣ製、ＲＦＳ−２００）により、アルミナ薄膜（厚み２０ｎｍ）を形成した。このアルミナ薄膜上に、さらにスパッタ装置（ＵＬＶＡＣ製、ＲＦＳ−２００）にてＦｅ薄膜（厚み２．０ｎｍ）を蒸着した。その後、フォトリソグラフィ加工により、直径５μｍにパターン化した。
その後、この基板を３０ｍｍφの石英管内に載置し、水分６００ｐｐｍに保ったヘリウム／水素（９０／５０ｓｃｃｍ）混合ガスを石英管内に３０分間流して、管内を置換した。その後、電気管状炉を用いて管内を７６５℃まで昇温させ、７６５℃にて安定させた。７６５℃にて温度を保持したまま、ヘリウム／水素／エチレン（８５／５０／５ｓｃｃｍ、水分率６００ｐｐｍ）混合ガスを管内に充填させ、３０秒間放置してカーボンナノチューブを基板上に成長させ、複数のカーボンナノチューブを備え、該カーボンナノチューブが長さ方向に配向しているカーボンナノチューブ集合体プローブ（４）を該基板上に複数得た。
カーボンナノチューブ集合体プローブ（４）の長さは１５μｍであり、直径は５μｍであった。
カーボンナノチューブ集合体プローブ（４）が備えるカーボンナノチューブの層数分布において、最頻値は３層に存在し、相対頻度は７２であった。
基板上に形成させた複数のカーボンナノチューブ集合体プローブ（４）の基板とは反対側の面から、スパッタすることによって、厚みが３０ｎｍのＣｕの被覆層をカーボンナノチューブ集合体プローブの側面と表面に形成させた。その後、基板を剥離して、Ｃｕの被覆層を有するカーボンナノチューブ集合体プローブ（４）を得た。
タングステン針（株式会社マイクロサポート製、ＴＰ−０１０、先端直径＝１０μｍ）の平滑断面に、銀ペースト（ドータイトＤ３６２、藤倉化成株式会社製）を用いて、得られたカーボンナノチューブ集合体プローブ（４）の基板を剥離した側と反対側を接着し、カーボンナノチューブマイクロプローブ（４）を作成した。
評価結果を表１に示す。
【００９０】
〔比較例１〕
スパッタ蒸着を行わない以外は、実施例１と同様に行い、カーボンナノチューブマイクロプローブ（Ｃ１）を作成した。
評価結果を表１に示す。
【００９１】
〔比較例２〕
タングステン針（株式会社マイクロサポート製「ＴＰ−０１０」）をマイクロプローブ（Ｃ２）とした。
評価結果を表１に示す。
【００９２】
〔比較例３〕
ガラスマイクロサンプリングツール（株式会社マイクロサポート製「ＭＳＴ−００５」）をマイクロプローブ（Ｃ３）とした。
評価結果を表１に示す。
【００９３】
【表１】
2015040141.tif 000003
【００９４】
表１に示すように、本発明によれば、非常に微細な粒子等を吸着してピックアップできるマイクロプローブであって、異物表面を汚染することなく、非常に微細な粒子を効果的にピックアップでき、粒子のピックアップ後にそのまま分析装置内で分析評価を行うことができ、さらに、プローブ自体が屈曲してしまわないような剛直性を備え、使用に際して、プローブ自体が容易にちぎれて飛散しないようなマイクロプローブを提供することができる。
【００９５】
［実施例５］
実施例１で得られたカーボンナノチューブマイクロプローブは、粒子のピックアップ後に、そのまま分析装置内において同じ状態を維持することができた。
このことにより、実施例で得られたカーボンナノチューブマイクロプローブは、粒子のピックアップ後にそのまま分析装置内で分析評価を行うことができることが判る。
【産業上の利用可能性】
【００９６】
本発明のカーボンナノチューブマイクロプローブは、例えば、分析用途などにおいて、分析対象物の表面に点在する微細粒子を効果的にピックアップして分析装置内に運び込んで分析評価するため等に好適に用いられる。
【符号の説明】
【００９７】
１０００  カーボンナノチューブマイクロプローブ
１００    カーボンナノチューブ集合体プローブ
１０      カーボンナノチューブ
１０ａ    カーボンナノチューブの片端
２０      金属化合物
３０      軸状基材
３０ａ    軸状基材の断面側表面
【図１】
2015040141.tif 000004
【図２】
2015040141.tif 000005
【図３】
2015040141.tif 000006