(57)【要約】【課題】  本発明は、小型化に対応させ、電気的特性の優れたより信頼性の高い表面実装型圧電デバイスを提供する。【解決手段】  矩形状で一主面のみに収納部が形成されたベース１と、収納部に搭載される矩形圧電振動素子３Ａと音叉型圧電振動素子３Ｂと集積回路素子２とがあり、収納部には内底面と保持台とがベースの平面視長辺方向に隣接して形成される。前記ベースの他主面にはベースの平面視長辺方向に沿って２分する第１領域１１１と第２領域１１２を設け、前記第1領域に第１圧電振動素子のみに関連するメガヘルツ用外部端子群を配置し、前記第２領域に第２圧電振動素子のみに関連するキロヘルツ用外部端子群を配置し、メガヘルツ用外部出力端子ＧＴ２Ａとキロヘルツ用外部出力端子ＧＴ２Ｂとは、前記ベースの他主面の対角位置に配置している。【選択図】  図３
2015226189.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
表面実装型圧電デバイスであって、
平面視矩形状で一主面側のみに一つの収納部が形成され、他主面側に外部端子が形成された絶縁性のベースと、
前記ベースの収納部に搭載され、メガヘルツ帯で振動してなる一つの第１圧電振動素子と、
前記ベースの収納部に搭載され、キロヘルツ帯で振動してなる一つの第２圧電振動素子と、
前記ベースの収納部に搭載され、前記第１圧電振動素子とのみ接続され当該第１圧電振動素子の周波数信号のみを増幅するメガヘルツ用発振回路部と、前記第２圧電振動素子とのみ接続され当該第２圧電振動素子の周波数信号のみを増幅するキロヘルツ用発振回路部とを有する一つの集積回路素子とがあり、
前記集積回路素子は、前記メガヘルツ用発振回路部の接続経路と前記キロヘルツ用発振回路部の接続経路とは一つの集積回路素子の内部で電気的に独立して形成されており、
前記ベースの他主面にはベースの平面視長辺方向に沿って２分する第１領域と第２領域を設け、前記第1領域に第１圧電振動素子のみに関連する外部端子が複数形成されたメガヘルツ用外部端子群を配置し、前記第２領域に第２圧電振動素子のみに関連する外部端子が複数形成されたキロヘルツ用外部端子群を配置し、
前記メガヘルツ用外部端子群の中のメガヘルツ用外部出力端子と前記キロヘルツ用外部端子群の中のキロヘルツ用外部出力端子とは、前記ベースの他主面の平面視長辺方向の対向位置または対角位置に配置している
ことを特徴とする表面実装型圧電デバイス。
【請求項２】
請求項１記載の表面実装型圧電デバイスであって、
前記ベースの他主面側に形成される外部端子には、前記メガヘルツ用外部端子群と前記キロヘルツ用外部端子群以外に、前記いずれの素子にも接続されず接地される少なくとも1つ以上の独立用外部グランド端子が形成されており、
前記ベースの平面視長辺方向では、前記メガヘルツ用外部端子群と前記キロヘルツ用外部端子群との間に前記独立用外部グランド端子が介在した状態で形成され、当該独立用外部グランド端子が前記第１領域と前記第２領域との境界を形成する
ことを特徴とする表面実装型圧電デバイス。
【請求項３】
請求項１、または請求項２記載の表面実装型圧電デバイスであって、
前記ベースの収納部には、前記第１圧電振動素子から前記集積回路素子へと接続する第１圧電振動素子接続配線部と、前記第１圧電振動素子のみに関連するとともに前記集積回路素子から外部端子へと接続する第１圧電振動素子関連配線部とからなる第１配線部と、前記第２圧電振動素子から前記集積回路素子へと接続する第２圧電振動素子接続配線部と、前記第２圧電振動素子のみに関連するとともに前記集積回路素子から外部端子へと接続する第２圧電振動素子関連配線部とからなる第２配線部と、前記いずれの素子にも接続されず接地されるとともに前記第１配線部と第２配線部との境界を形成する独立シールド配線部とが形成されており、
前記ベースでは、前記第１配線部と前記第２配線部と前記独立シールド配線部とは電気的に独立して形成され、
前記ベースの平面視長辺方向では、前記第１配線部と前記第２配線部との間に前記独立シールド配線部が介在した状態で形成される
ことを特徴とする表面実装型圧電デバイス。
【請求項４】
請求項３記載の表面実装型圧電デバイスであって、
前記メガヘルツ用発振回路部から前記第１配線部を経由した前記メガヘルツ用外部端子群の各外部端子に至るまでのメガヘルツ用の電気的な接続経路と、
前記キロヘルツ用発振回路部から前記第２配線部を経由した前記キロヘルツ用外部端子群の各外部端子に至るまでのキロヘルツ用の電気的な接続経路と、
前記独立シールド配線部から前記独立用外部グランド端子に至るまでの独立シールド用の電気的な接続経路とが、
電気的に独立して形成されており、
メガヘルツ用の電気的な接続経路とキロヘルツ用の電気的な接続経路との間には、独立シールド用の電気的な接続経路が介在した状態で形成される
ことを特徴とする表面実装型圧電デバイス。
【請求項５】
請求項１乃至請求項４に記載の表面実装型圧電デバイスであって、
前記第１圧電振動素子が矩形圧電振動素子であり、前記第２圧電振動素子が音叉型圧電振動素子からなり、
前記ベースの収納部には、内底面と当該内底面より高さの高い矩形圧電振動素子搭載用の保持台とがベースの平面視長辺方向に隣接して形成され、
前記内底面には、前記音叉型圧電振動素子と前記集積回路素子とがお互いに接触しない状態でベースの長辺方向に隣接して搭載され、
前記保持台と前記音叉型圧電振動素子との間に前記集積回路素子が介在した状態で、前記保持台と前記集積回路素子と前記音叉型圧電振動素子とがベースの長辺方向に沿って配置されるとともに、前記独立シールド配線部の上部に前記集積回路素子が搭載されており、
前記保持台に前記矩形圧電振動素子の一短辺側のみを固定して搭載するとともに、前記矩形圧電振動素子の他短辺を前記集積回路素子に対して平面視重畳する位置に配置させた
ことを特徴とする表面実装型圧電デバイス。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、絶縁性ベースの一つの収納部の上に圧電振動素子と集積回路素子が実装された表面実装型圧電発振器などの表面実装型圧電デバイスに関するものであって、特に、メガヘルツ（ＭＨz）帯で振動してなる圧電振動素子とキロヘルツ（ＫＨｚ）帯で振動してなる音叉型圧電振動素子と集積回路素子とがベース基板の一つの収納部のみに搭載されたシングルパッケージ構造の表面実装型圧電発振器などの表面実装型圧電デバイスを改善するものである。
【背景技術】
【０００２】
水晶振動板等の圧電振動素子を用いた圧電デバイスは、安定して精度の高い発振周波数を得ることができるため、主としてメガヘルツ帯の圧電振動素子は電子機器等の基準周波数源として多種の分野で使用され、キロヘルツ帯の圧電振動素子は時刻の基準源として多種の分野で使用されている。
【０００３】
表面実装型圧電発振器では、絶縁性のベースとしてセラミック多層基板を用い、当該ベースの収納部に発振回路等の集積回路素子を配置するとともに、当該集積回路素子の上方に圧電振動素子を支持固定し、蓋により気密封止を行ったものである。このような構成はＣ−ＭＯＳ等のインバータ増幅器（発振用増幅器）を内蔵したワンチップの集積回路素子のカスタム化により比較的部品点数が少なく、シンプルな構成であり、低コスト化に寄与している。
【０００４】
ところで、メガヘルツ帯の表面実装型圧電デバイスとキロヘルツ帯の表面実装型圧電デバイスは個別のパッケージで取り扱われることが多いが、近年、回路基板に搭載される部品点数を減らすことが求められており、特許文献１に示すように、これらの表面実装型圧電デバイスを一体化したものが提案されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献２】特開２０１２−１１９８５３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかしながら、表面実装型電子部品の軽薄短小化が求められているなか、特許文献１に記載している表面実装型圧電デバイスでは不十分であり改良できる余地があるのが現状である。また、表面実装型圧電デバイスを小型化する場合には、製造上の制限があったり、従来では問題となり得なかった電気的特性の劣化など小型化特有の新たな問題が生じることがあるのが現状である。
【０００７】
そこで、上記課題を解決するために、本発明は、異なる周波数帯域の複数の圧電振動素子を一つのパッケージに収納してなる表面実装型圧電デバイスについて、小型化に対応させながら、電気的特性の優れたより信頼性の高い表面実装型圧電デバイスを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
上記の目的を達成するために、本発明の特許請求項１に示すように、
平面視矩形状で一主面側のみに一つの収納部が形成され、他主面側に外部端子が形成された絶縁性のベースと、前記ベースの収納部に搭載され、メガヘルツ帯で振動してなる一つの第１圧電振動素子と、前記ベースの収納部に搭載され、キロヘルツ帯で振動してなる一つの第２圧電振動素子と、前記ベースの収納部に搭載され、前記第１圧電振動素子とのみ接続され当該第１圧電振動素子の周波数信号のみを増幅するメガヘルツ用発振回路部と、前記第２圧電振動素子とのみ接続され当該第２圧電振動素子の周波数信号のみを増幅するキロヘルツ用発振回路部とを有する一つの集積回路素子とがあり、前記集積回路素子は、前記メガヘルツ用発振回路部の接続経路と前記キロヘルツ用発振回路部の接続経路とは一つの集積回路素子の内部で電気的に独立して形成されており、前記ベースの他主面にはベースの平面視長辺方向に沿って２分する第１領域と第２領域を設け、前記第1領域に第１圧電振動素子のみに関連する外部端子が複数形成されたメガヘルツ用外部端子群を配置し、前記第２領域に第２圧電振動素子のみに関連する外部端子が複数形成されたキロヘルツ用外部端子群を配置し、前記メガヘルツ用外部端子群の中のメガヘルツ用外部出力端子と前記キロヘルツ用外部端子群の中のキロヘルツ用外部出力端子とは、前記ベースの他主面の平面視長辺方向の対向位置または対角位置に配置している。
【０００９】
上記構成により、
前記集積回路素子は、前記メガヘルツ用発振回路部の接続経路と前記キロヘルツ用発振回路部の接続経路とは一つの集積回路素子の内部で電気的に独立して形成されており、前記ベース他主面の平面視長辺方向では、前記メガヘルツ用外部端子群のみが配置された第１領域と、前記キロヘルツ用外部端子群のみが配置された第２領域とに２分し、前記メガヘルツ用外部端子群の中のメガヘルツ用外部出力端子と前記キロヘルツ用外部端子群の中のキロヘルツ用外部出力端子とは、前記ベースの他主面の平面視長辺方向の対向位置または対角位置に配置しているので、周波数の異なる２つの圧電振動素子（第１圧電振動素子と第２圧電振動素子）の出力電気信号がお互いに干渉しあうことが抑制され、これら２つの素子のうちいずれか一方が他方の疑似信号ノイズとして含まれることが軽減する。また、外部回路基板における出力ラインを流れる高周波信号は、不要な輻射ノイズが発生しているため、この不要な輻射ノイズが圧電振動デバイスとしての電気的な特性に悪影響を与えることがあるが、これらの影響も軽減することができる。
【００１０】
また、上述の構成に加え、
前記ベースの他主面側に形成される外部端子には、前記メガヘルツ用外部端子群と前記キロヘルツ用外部端子群以外に、前記いずれの素子にも接続されず接地される少なくとも1つ以上の独立用外部グランド端子が形成されており、前記ベースの平面視長辺方向では、前記メガヘルツ用外部端子群と前記キロヘルツ用外部端子群との間に前記独立用外部グランド端子が介在した状態で形成され、当該独立用外部グランド端子が前記第１領域と前記第２領域との境界を形成する。
【００１１】
上記構成により、
前記ベースの平面視長辺方向では、前記メガヘルツ用外部端子群と前記キロヘルツ用外部端子群との間に前記独立用外部グランド端子が介在した状態で形成され、前記第１配線部と前記第２配線部と前記独立シールド配線部とは電気的に独立して形成され、当該独立用外部グランド端子が前記第１領域と前記第２領域との境界を形成しているので、周波数の異なる２つの圧電振動素子（第１圧電振動素子と第２圧電振動素子）を近接配置しても、前記第１領域と第２領域との境界を形成した前記独立用外部グランド端子がお互いの電磁気的な信号を吸収して遮蔽することができるので、電気的な相互干渉を抑制する。
【００１２】
また、上述の構成に加え、
前記ベースの収納部には、前記第１圧電振動素子から前記集積回路素子へと接続する第１圧電振動素子接続配線部と、前記第１圧電振動素子のみに関連するとともに前記集積回路素子から外部端子へと接続する第１圧電振動素子関連配線部とからなる第１配線部と、前記第２圧電振動素子から前記集積回路素子へと接続する第２圧電振動素子接続配線部と、前記第２圧電振動素子のみに関連するとともに前記集積回路素子から外部端子へと接続する第２圧電振動素子関連配線部とからなる第２配線部と、前記いずれの素子にも接続されず接地されるとともに前記第１配線部と第２配線部との境界を形成する独立シールド配線部とが形成されており、前記ベースでは、前記第１配線部と前記第２配線部と前記独立シールド配線部とは電気的に独立して形成され、前記ベースの平面視長辺方向では、前記第１配線部と前記第２配線部との間に前記独立シールド配線部が介在した状態で形成させた。
【００１３】
上記構成により、
前記集積回路素子は、前記メガヘルツ用発振回路部の接続経路と前記キロヘルツ用発振回路部の接続経路とは一つの集積回路素子の内部で電気的に独立して形成されており、前記ベースの平面視長辺方向では、前記第１配線部と前記第２配線部との間に前記独立シールド配線部が介在した状態で形成され、前記第１配線部と前記第２配線部と前記独立シールド配線部とは電気的に独立して形成されているので、周波数の異なる２つの圧電振動素子（第１圧電振動素子と第２圧電振動素子）を近接配置しても、前記第１配線部と第２配線部との境界を形成した前記独立シールド配線部がお互いの電磁気的な信号を吸収して遮蔽することができるので、電気的な相互干渉をさらに抑制する。
【００１４】
また、上述の構成に加え、
前記ベースの他主面側に形成される外部端子には、前記第１圧電振動素子のみに関連するメガヘルツ用外部端子群と前記第２圧電振動素子のみに関連するキロヘルツ用外部端子群と前記独立シールド配線部のみに関連する外部グランド端子とを有しており、前記メガヘルツ用発振回路部から前記第１配線部を経由した前記メガヘルツ用外部端子群の各外部端子に至るまでのメガヘルツ用の電気的な接続経路と、前記キロヘルツ用発振回路部から前記第２配線部を経由した前記キロヘルツ用外部端子群の各外部端子に至るまでのキロヘルツ用の電気的な接続経路と、前記独立シールド配線部から前記独立用外部グランド端子に至るまでの独立シールド用の電気的な接続経路とが、電気的に独立して形成されており、メガヘルツ用の電気的な接続経路とキロヘルツ用の電気的な接続経路との間には、独立シールド用の電気的な接続経路が介在している。
【００１５】
上記構成により、
前記メガヘルツ用の電気的な接続経路と前記キロヘルツ用の電気的な接続経路と独立シールド用の電気的な接続経路とが電気的に独立して形成されており、メガヘルツ用の電気的な接続経路とキロヘルツ用の電気的な接続経路との間には独立シールド用の電気的な接続経路が介在しているため、集積回路素子のメガヘルツ用回路部から前記第１配線部を経由した第１配線部を含みメガヘルツ用外部端子群までのメガヘルツ用の電気的な接続経路と、集積回路素子のキロヘルツ用回路部から前記第２配線部を経由した第２配線部を含みキロヘルツ用外部端子群までのキロヘルツ用の電気的な接続経路とが、独立シールド配線部から前記外部グランド端子に至るまでの独立シールド用の電気的な接続経路により完全に分断することができる。このため、各回路部と各外部端子を含めた電気的な接続経路におけるお互いの電磁気的な信号もより効果的に遮蔽されるので、お互いに電気的な干渉を与えることがより一層抑制される。
【００１６】
また、必要に応じて第１圧電振動素子と第２圧電振動素子との駆動を使い分けることができ、必要のない側の圧電振動子の駆動を休止することができるため、省エネルギーに貢献できる。特に、比較的消費電力が小さく時刻の基準源としての第２圧電振動素子のみを常時駆動させる一方で、比較的消費電力が大きく電子機器等の基準周波数源としての第１圧電振動素子の動作を必要な時のみ駆動させるようなことが、お互いに電気的な接続経路が独立しているがゆえに外部回路上の操作により容易に実現できる。
【００１７】
また、上述の構成に加え、
前記第１圧電振動素子が矩形圧電振動素子であり、前記第２圧電振動素子が音叉型圧電振動素子からなり、前記ベースの収納部には、内底面と当該内底面より高さの高い矩形圧電振動素子搭載用の保持台とがベースの平面視長辺方向に隣接して形成され、前記内底面には、前記音叉型圧電振動素子と前記集積回路素子とがお互いに接触しない状態でベースの長辺方向に隣接して搭載され、前記保持台と前記音叉型圧電振動素子との間に前記集積回路素子が介在した状態で、前記保持台と前記集積回路素子と前記音叉型圧電振動素子とがベースの長辺方向に沿って配置されるとともに、前記独立シールド配線部の上部に前記集積回路素子が搭載されており、前記保持台に前記矩形圧電振動素子の一短辺側のみを固定して搭載するとともに、前記矩形圧電振動素子の他短辺を前記集積回路素子に対して平面視重畳する位置に配置させている。
【００１８】
上記構成により、
ベースの一主面側のみに一つの収納部が形成されたシングル封止構成のパッケージ構造とするとともに、一つの収納部に収納される部品を矩形圧電振動素子と音叉型圧電振動素子とこれらと接続される一つの集積回路素子のみとすることで、部品点数を減らしベースの低背化や小型化をさらに実現とすることができる。
【００１９】
このようなシングル封止構成のパッケージでは、小型化や低背化を進めることでベースの収納部に搭載された各部品の搭載位置が近接してお互いに干渉しあうことが懸念される。しかしながら、本発明では、前記保持台に前記矩形圧電振動素子の一短辺側のみを固定して搭載するとともに、前記矩形圧電振動素子の他短辺を前記集積回路素子に対して平面視重畳する位置に配置させているので、矩形圧電振動素子の他短辺が内底面のある下方向に傾くことがあっても、集積回路素子を補助枕としてその傾きを抑制することができる。
【００２０】
特に、保持台上部の高さのある位置で圧電振動素子を片持ち保持により搭載すると、外部衝撃等により圧電振動素子に傾きが生じやすくなることがあるが、音叉型圧電振動素子ではなく矩形圧電振動素子を保持台に固定して集積回路素子の上部に配置することで、圧電振動素子が傾くことにより集積回路素子と接触することがあっても発振停止を招く危険性を低くできる。これは、音叉型圧電振動素子の場合、振動による変位が脚部の先端側で大きく、接触による振動阻害することの影響度が高い。これに対して矩形圧電振動素子の場合、素子の中央に比較して端部側では振動を阻害する影響が低いためである。さらに、矩形圧電振動素子の他短辺が集積回路素子の端部から隣接する前記音叉型圧電振動素子の方へはみ出すことがないため、矩形型圧電振動素子と音叉型圧電振動素子とがお互いに接触することなく、お互いの振動特性に悪影響を与えることもない。
【００２１】
また、周波数調整工程に伴う調整物質（プラズマ粒子や電極屑等）の発生量が比較的少ない矩形圧電振動素子を保持台に固定して集積回路素子の上部に配置することで、下側に配置される音叉型圧電振動素子に対して周波数調整工程に伴う調整物質（プラズマ粒子や電極屑等）が届くことが抑制される。
【００２２】
また、前記第１配線部と第２配線部との境界を形成する独立シールド配線部が形成されている場合、独立シールド配線部の上部に一つの集積回路素子が搭載されているので、集積回路素子で発生した不要な電磁気的な輻射ノイズも近くにある独立シールド配線部に吸収され、他への悪影響を与えることがなくなる。
【発明の効果】
【００２３】
以上のように、本発明は、メガヘルツ帯の第1圧電振動素子とキロヘルツ帯の第２圧電振動素子とこれらと接続される集積回路素子とを一つのパッケージに収納してなる表面実装型圧電デバイスについて、小型化に対応させながら、各圧電振動素子の電気的な干渉をもなくし、特性の優れたより信頼性の高い表面実装型圧電デバイスを提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００２４】
【図１】図１は、本発明の実施形態を示す表面実装型圧電デバイスの断面図である。
【図２】図２は、図１の表面実装型圧電デバイスの蓋をする前の平面図である。
【図３】図３は、図１の表面実装型圧電デバイスの底面図である。
【図４】図４は、図１の表面実装型圧電デバイスの素子を搭載する前の平面図である。
【図５】図５は、本発明の実施形態に適用される発振回路を示した図である。
【図６】図６は、本発明の他の実施形態を示す表面実装型圧電デバイスの底面図である。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２５】
以下、本発明による好ましい実施形態につきセラミック多層基板のベースを用いた表面実装型水晶発振器（表面実装型圧電デバイス）を例にとり図面とともに説明する。
【００２６】
図１乃至図６は本発明の実施形態を示すものである。
【００２７】
表面実装型水晶発振器６は、上部が開口した凹部を有する絶縁性のセラミック多層基板からなるベース１（以下、ベースと称する）と、当該ベースの中に収納される一つの集積回路素子２と、同じく当該ベース中の上部に収納されるメガヘルツ帯で振動してなる一つの矩形水晶振動素子（第1圧電振動素子）３Ａと、キロヘルツ帯で振動してなる一つの音叉型水晶振動素子（第２圧電振動素子）３Ｂと、ベースの開口部に接合される蓋４とからなる。この表面実装型水晶発振器では、ベース１と蓋４とが封止材５を用いて接合されて気密封止され、表面実装型水晶発振器６が構成されている。以下、この表面実装型水晶発振器６の各構成について説明する。
【００２８】
セラミック多層基板のベース１は全体として直方体で、最下層であるアルミナ等のセラミック材料からなる平面視矩形状の一枚板の底部１１と、この底部１１上に積層した中間層のセラミック材料の平面視枠形状の堤部１２と、最上層のセラミック材料の平面視枠形状の堤部１３とから構成され、ベース１の一主面のみに一つの収納部１０を有する断面凹形の箱状体（外装部１４）に形成されている。収納部１０には、内底面１０ａと当該内底面から上部に突き出し、内底面より高さの高い保持台１０ｂとがベース１の平面視長辺方向に隣接して形成されている。
【００２９】
内底面１０ａの上面には後述する集積回路素子２と音叉型水晶振動素子３Ｂとがお互いに接触しない状態でベース１の長辺方向に隣接して搭載される。この時、保持台１０ｂに近接する方に集積回路素子２が配置され、保持台１０ｂに隔離する方に音叉型水晶振動素子３Ｂが配置され、結果として保持台１０ｂと音叉型圧電振動素子３Ｂとの間に集積回路素子２が介在した状態で、保持台１０ｂと集積回路素子２と音叉型圧電振動素子３Ｂとがベース１の長辺方向に沿って配置されている。
【００３０】
また、内底面１０ａの上面には、集積回路素子２と矩形水晶振動素子３Ａと音叉型水晶振動素子３Ｂのいずれの素子にも接続されず、後述する第１外部グランド端子（ＧＮＤ１、メガヘルツ用外部グランド端子）ＧＴ３Ａと第２外部グランド端子（ＧＮＤ２、キロヘルツ用外部グランド端子）ＧＴ３Ｂともベース１では共通接続されていない、独立して接地された配線パターンＨ１３Ｃ（独立シールド配線部の一部）が形成されている。この配線パターンＨ１３Ｃは、ベース１の長辺方向のほぼ中央の位置で、短辺方向に沿って帯状に形成されており、後述する第１配線部と第２配線部との境界を形成している。つまり、ベース１の平面視長辺方向では、後述する第１配線部と第２配線部との間に配線パターンＨ１３Ｃが介在した状態で形成される。また、配線パターンＨ１３Ｃは、引き回し電極ＧＴ３１Ｃと引き回し電極ＧＴ３１Ｄとを介して、第３外部グランド端子（ＧＮＤ３、独立用第１外部グランド端子）ＧＴ３Ｃと第４外部グランド端子（ＧＮＤ３、独立用第２外部グランド端子）ＧＴ３Ｄとにより外部に独立して接地されている。このように構成された配線パターンＨ１３Ｃの上部には集積回路素子２が搭載されている。
【００３１】
保持台１０ｂの上面には矩形水晶振動素子３Ａが搭載される。この時、矩形水晶振動素子３Ａの一短辺３３Ａの方のみを保持台１０ｂに固定して搭載するとともに、矩形水晶振動素子の他短辺３４Ａの方を内底面１０ａの方に延出し、当該他端辺３４Ａの少なくとも中心部３４１Ａが集積回路素子２の上面の領域に対して平面視重畳する位置に配置している。結果として矩形水晶振動素子３Ａの他短辺３４Ａが集積回路素子２の上部稜線のうち音叉型水晶振動素子３Ｂに近接する稜線２１を超えて音叉型水晶振動素子３Ｂの方へはみ出すことがない。なお、セラミック多層基板として本形態のように３層構造のベースに限定されるものではなく、ベースの収納部の構造に応じて４層以上で構成してもよい。
【００３２】
前記セラミック多層基板のベース１の最上層である堤部１３の上面（端面）は平坦であり、後述する蓋４との接合領域（金属膜）１３ａである。この接合領域１３ａは、タングステンあるいはモリブデン等のメタライズ材料からなるメタライズ層と、このメタライズ層に積層されたニッケル層と、このニッケル層に積層された金層とから構成される。タングステンあるいはモリブデンは厚膜印刷技術を活用してメタライズ技術によりセラミック焼成時に一体的に形成され、メタライズ層上にニッケル層、金層の順でメッキ形成される。
【００３３】
ベース１の外周壁の４角には上下方向に伸長するキャスタレーションＣ１，Ｃ２，Ｃ５，Ｃ６がそれぞれ形成され、ベース１の外周壁の一方（ベースの外装部底面の長辺１５側）の長辺中央の一部には上下方向に伸長する半長円状のキャスタレーションＣ３，Ｃ１３，Ｃ４が形成され、ベース１の外周壁の他方（ベースの外装部底面の長辺１６側）の長辺中央の一部には上下方向に伸長する半長円状のキャスタレーションＣ７，Ｃ１４，Ｃ８が形成されている。当該キャスタレーションはベースの外周壁に対して円弧状あるいは半長円状の切り欠きが上下方向に形成された構成である。
【００３４】
なお、前記接合領域１３ａはベースの堤部１２，１３を上下に貫通接続する図示しない導電ビアやキャスタレーション上部に形成された図示しない配線パターンのいずれか少なくとも一方により、ベース底面側に形成された外部グランド端子に電気的に導出してもよい。本発明では、図示しない上記配線パターンにより、後述する金属製の蓋４と接合される接合領域１３ａについて、集積回路素子２と矩形水晶振動素子３Ａと音叉型水晶振動素子３Ｂのいずれの素子にも接続されず、独立して接地されたグランド端子（第３外部グランド端子ＧＴ３Ｃと、第４外部グランド端子ＧＴ３Ｄ）に接続している。このため、表面実装型水晶発振器の電磁気的なシールド効果を得ることができるだけでなく、ベース内部の各素子からも独立しているので、これらの電磁気的なノイズの影響を受けず、ベース外部からの電磁気的なノイズについても平面積の大きな蓋４を用いて効果的に取り除き、ベース内部の各素子に対して悪影響を与えることがなくなる。
【００３５】
前記セラミック多層基板のベース１の最下層である底部１１の下面（ベースの他主面）には、図３に示すように、４角と長辺中央に実装用の外部端子として外部端子ＧＴ１Ａ，ＧＴ２Ａ，ＧＴ３Ａ，ＧＴ４Ａ，ＧＴ１Ｂ，ＧＴ２Ｂ，ＧＴ３Ｂ，ＧＴ４Ｂ，ＧＴ３Ｃ，ＧＴ３Ｄが構成される。これらの実装用の外部端子のうち、矩形水晶振動素子３Ａのみに関連するメガヘルツ用外部端子群の一部が外部端子ＧＴ１Ａ，ＧＴ２Ａ，ＧＴ３Ａ，ＧＴ４Ａとなり、音叉型水晶振動素子３Ｂのみに関連するキロヘルツ用外部端子群の一部が外部端子ＧＴ１Ｂ，ＧＴ２Ｂ，ＧＴ３Ｂ，ＧＴ４Ｂとなる。外部端子ＧＴ３Ｃ，ＧＴ３Ｄは、集積回路素子２と矩形水晶振動素子３Ａと音叉型水晶振動素子３Ｂのいずれの素子にも関連せず（接続されず）、配線パターンＨ１３Ｃのみに関連する（接続される）。独立用外部グランド端子群となる。
【００３６】
また、ベース１の最下層である底部１１の下面（ベースの他主面）には、ベース１の平面視長辺方向に沿って２分する第１領域と第２領域を設け、前記第１領域にメガヘルツ用外部端子群を配置し、前記第２領域にキロヘルツ用外部端子群とそれぞれ配置している。本発明の形態では、図３に示すように、ベースの長辺方向の中央線１１０に向かって左側の領域を第１領域１１１として設定し、メガヘルツ用外部端子群の一部である外部端子ＧＴ１Ａ，ＧＴ２Ａ，ＧＴ３Ａ，ＧＴ４Ａを配置する。ベースの長辺方向の中央線１１０に向かって右側の領域を第２領域１１２として設定し、キロヘルツ用外部端子群の一部である外部端子ＧＴ１Ｂ，ＧＴ２Ｂ，ＧＴ３Ｂ，ＧＴ４Ｂを配置する。外部端子ＧＴ３Ｃ，ＧＴ３Ｄ（独立用外部グランド端子群）は、ベースの長辺方向の中央線１１０に沿って配置しており、前記メガヘルツ用外部端子群とキロヘルツ用外部端子群の間に介在して前記第１領域と前記第２領域との境界をなすように形成されている。
【００３７】
外部端子ＧＴ１Ａ，ＧＴ２Ａ，ＧＴ３Ａ，ＧＴ４Ａ，ＧＴ１Ｂ，ＧＴ２Ｂ，ＧＴ３Ｂ，ＧＴ４Ｂ，ＧＴ３Ｃ，ＧＴ３Ｄは、それぞれ４角と長辺中央のキャスタレーションＣ８，Ｃ１，Ｃ２，Ｃ３，Ｃ６，Ｃ５，Ｃ４，Ｃ７，Ｃ１３，Ｃ１４を介してベース１の最下層である底部１１の側面（底面層のセラミック基板の側面）にも引き回し電極ＧＴ１１Ａ，ＧＴ２１Ａ，ＧＴ３１Ａ，ＧＴ４１Ａ，ＧＴ１１Ｂ，ＧＴ２１Ｂ，ＧＴ３１Ｂ，ＧＴ４１Ｂ，ＧＴ３1Ｃ，ＧＴ３1Ｄが形成されている。また、外部端子ＧＴ１Ａ，ＧＴ２Ａ，ＧＴ３Ａ，ＧＴ４Ａ，ＧＴ１Ｂ，ＧＴ２Ｂ，ＧＴ３Ｂ，ＧＴ４Ｂ，ＧＴ３Ｃ，ＧＴ３Ｄは、引き回し電極ＧＴ１１Ａ，ＧＴ２１Ａ，ＧＴ３１Ａ，ＧＴ４１Ａ，ＧＴ１１Ｂ，ＧＴ２１Ｂ，ＧＴ３１Ｂ，ＧＴ４１Ｂ，ＧＴ３1Ｃ，ＧＴ３1Ｄを介して、後述する配線パターンＨ１１Ａ，Ｈ１２Ａ，Ｈ１３Ａ，Ｈ１４Ａ，Ｈ１１Ｂ，Ｈ１２Ｂ，Ｈ１３Ｂ，Ｈ１４Ｂ，Ｈ１３Ｃに電気的に導出されている。
【００３８】
例えば、本形態では、外部端子ＧＴ１Ａは矩形水晶振動素子３Ａ用の第１外部電源端子（ＶＣＣ１、メガヘルツ用外部電源端子）、外部端子ＧＴ１Ｂは音叉型水晶振動素子３Ｂ用の第２外部電源端子（ＶＣＣ２、キロヘルツ用外部電源端子）として構成している。
【００３９】
外部端子ＧＴ２Ａは矩形水晶振動素子３Ａ用の第１外部出力端子（ＯＵＴ１、メガヘルツ用外部出力端子）、外部端子ＧＴ２Ｂは音叉型水晶振動素子３Ｂ用の第２外部出力端子（ＯＵＴ２、キロヘルツ用外部出力端子）として構成している。
【００４０】
外部端子ＧＴ３Ａは矩形水晶振動素子３Ａ用の第１外部グランド端子（ＧＮＤ１、メガヘルツ用外部グランド端子）、外部端子ＧＴ３Ｂは音叉型水晶振動素子３Ｂ用の第２外部グランド端子（ＧＮＤ２、キロヘルツ用外部グランド端子）として構成している。
【００４１】
外部端子ＧＴ４Ａは矩形水晶振動素子３Ａ用の第１外部他端子（ＴＡ１、メガヘルツ用外部他端子）、外部端子ＧＴ４Ｂは音叉型水晶振動素子３Ｂ用の第２外部他端子（ＴＡ２、キロヘルツ用外部他端子）として構成しており、外部出力制御端子（ＯＥ）や外部周波数制御端子（ＶＣＯＮＴ）、外部調整端子、外部ＮＣ端子などいずれかとして構成される。
【００４２】
外部端子ＧＴ３Ｃと外部端子ＧＴ３Ｄとは、集積回路素子２と矩形水晶振動素子３Ａと音叉型水晶振動素子３Ｂのいずれの素子にも接続されず、配線パターンＨ１３Ｃのみに共通接続され、第３外部グランド端子（ＧＮＤ３、独立用第１外部グランド端子）ＧＴ３Ｃと、第４外部グランド端子（ＧＮＤ３、独立用第２外部グランド端子）ＧＴ３Ｄとして、独立した外部グランド端子として構成されている。
【００４３】
本発明では、ベース１の底部１１の下面（ベースの他主面）の対角位置に、矩形水晶振動素子３Ａ用の第１外部出力端子（ＯＵＴ１、メガヘルツ用外部出力端子）である外部端子ＧＴ２Ａと、音叉型水晶振動素子３Ｂ用の第２外部出力端子（ＯＵＴ２、キロヘルツ用外部出力端子）である外部端子ＧＴ２Ｂとを配置しており、これらの外部出力端子を隔離した位置に配置していることが特徴点である。このような構成により、周波数の異なる矩形水晶振動素子３Ａの出力電気信号と音叉型水晶振動素子３Ｂの出力電気信号とがお互いに干渉することがなくなり、これら２つの素子のうちいずれか一方が他方の疑似信号ノイズとして含まれることが軽減するうえでより望ましい。さらに、外部回路基板における出力ラインを流れる高周波信号は、不要な輻射ノイズが発生しているため、この不要な輻射ノイズが水晶発振器としての電気的な特性に悪影響を与えることがあるが、これらの影響も軽減することができる。なお、第１外部出力端子ＧＴ２Ａと第２外部出力端子ＧＴ２Ｂとは、対角位置が離隔するうえで最も好ましいが、ベース１の底部１１の平面視長辺方向の対向位置に形成してもよい。
【００４４】
また、本発明では、上述のように２つの外部出力端子をベース１の長辺方向の両端に配置するとともに、外部出力端子に比較して理想グランド（地表や外部回路など外部の理想となる基準電位）からの抵抗が低い外部グランド端子や外部出力制御端子（ＯＥ）、外部周波数制御端子（ＶＣＯＮＴ）、外部調整端子、外部ＮＣ端子などの一部をベース１の長辺方向のほぼ中央の位置に配置することで、出力ラインからの電磁放射による混入をより減少させる効果が高まるうえで望ましい。
【００４５】
セラミック多層基板のベース１の最下層である底部１１の上面（内底面１０ａ）には、図４に示すように、後述する集積回路素子２と接続される複数の配線パターンＨ１１Ａ，Ｈ１２Ａ，Ｈ１３Ａ，Ｈ１４Ａ，Ｈ１５Ａ，Ｈ１６Ａ，Ｈ１１Ｂ，Ｈ１２Ｂ，Ｈ１３Ｂ，Ｈ１４Ｂ，Ｈ１５Ｂ，Ｈ１６Ｂ，Ｈ１３Ｃが並んで形成されている。
【００４６】
セラミック多層基板のベース１の中間層である堤部１２の上面には、後述する矩形水晶振動素子３Ａを搭載する保持台１０ｂが形成されており、その上面には後述する矩形水晶振動素子３Ａと接続される矩形水晶振動素子用の第１の入力側の保持台配線パターンＨ２５Ａと矩形水晶振動素子用の第１の出力側の保持台配線パターンＨ２６Ａとが形成されている。保持台１０ｂは堤部１２の一部が収納部１０の方に突出することで構成されている。この第１の入力側の保持台配線パターンＨ２５Ａは、下部に貫通接続する導電ビアＶ１を介して、矩形水晶振動素子用の第１の入力側の配線パターンＨ１５Ａに電気的に導出されている。第１の出力側の保持台配線パターンＨ２６Ａは、下部に貫通接続する導電ビアＶ２を介して、矩形水晶振動素子用の第１の出力側の配線パターンＨ１６Ａに電気的に導出されている。
【００４７】
セラミック多層基板のベース１の中間層である堤部１２の一対の短辺中央には、キャスタレーションＣ９，Ｃ１０，Ｃ１１，Ｃ１２の一部がそれぞれ形成されている。
【００４８】
堤部１２の一短辺中央のキャスタレーションＣ９の上部には、第１の入力側の保持台配線パターンＨ２５Ａと接続され、後述する集積回路素子２の発振用増幅器の入力側に相当し、後述する矩形水晶振動素子３Ａの他方の励振電極３２Ａと直接接続された矩形水晶振動素子３Ａの特性測定用の第１外部入力側測定端子ＧＴ５Ａ（Ｘ１Ａ、メガヘルツ用第１外部入力側測定端子）が構成される。堤部１２の一短辺中央のキャスタレーションＣ１０の上部には、第１の出力側の保持台配線パターンＨ２６Ａと接続され、後述する集積回路素子２の発振用増幅器の出力側に相当し、後述する矩形水晶振動素子３Ａの一方の励振電極３１Ａと直接接続された矩形水晶振動素子３Ａの特性測定用の第１外部出力側測定端子ＧＴ６Ａ（Ｘ２Ａ、メガヘルツ用第１外部出力側測定端子）が構成される。
【００４９】
つまり、第１外部入力側測定端子ＧＴ５Ａと第１外部出力側測定端子ＧＴ６Ａは、中間層である堤部１２の上面にのみ形成されているので、底部１１の下面（ベースの他主面）と最上層である堤部１３の接合領域（金属膜）１３ａとから離隔した状態で形成されている。なお、第１外部入力側測定端子ＧＴ５Ａと第１外部出力側測定端子ＧＴ６Ａに対して、圧電振動素子特性装置のコンタクトプローブを接触することで、他の回路部品が介在しない発振回路全体としての特性ではなく、後述する矩形水晶振動素子３Ａ単独の特性を測定することができる。
【００５０】
本発明では、矩形水晶振動素子３Ａ用の第１外部出力端子である外部端子ＧＴ２Ａと、後述する集積回路素子２の発振用増幅器の入力側に相当し、後述する矩形水晶振動素子３Ａの他方の励振電極３２Ａと直接接続された矩形水晶振動素子３Ａの特性測定用の第１外部入力側測定端子ＧＴ５Ａとの形成位置が特定されていることが特徴点の一つでもある。すなわち、後述する集積回路素子２の発振用増幅器の入力側に相当し、後述する矩形水晶振動素子３Ａの他方の励振電極３２Ａと直接接続された矩形水晶振動素子３Ａの特性測定用の第１外部入力側測定端子ＧＴ５Ａは、矩形水晶振動素子３Ａ用の第１外部出力端子に近接する側面の上部よりの位置には形成しない。言い換えると、堤部１２の一短辺のうち、矩形水晶振動素子３Ａ用の第１外部出力端子から遠ざかる側の位置よりに形成することで、不要な輻射ノイズの悪影響を軽減するうえでより望ましい。
【００５１】
これは、Ｃ−ＭＯＳなどのインバータ増幅器（発振用増幅器）を内蔵した発振回路構成では、インバータ増幅器（発振用増幅器）の入力側（ゲート側Ｇ）とその出力側（ドレイン側Ｄ）とで発振回路特性に与える影響度は大きく異なっており、インバータ増幅器（発振用増幅器）の入力側（ゲート側Ｇ）から不要なノイズを拾うと、そのノイズも増幅され、水晶発振器としての電気的な特性に与える影響度も大きくなるためである。また、前記インバータ増幅器（発振用増幅器）の入力側（ゲート側Ｇ）がその出力側（ドレイン側Ｄ）に比較して入力抵抗が高いため、他の外部端子からの干渉を受けやすく、矩形水晶振動素子３Ａに異常な電圧を発生させ、水晶発振器として正常な発振起動を妨げることがあった。これらの悪影響を軽減するため、矩形水晶振動素子３Ａの特性測定用の第１外部入力側測定端子ＧＴ５Ａを、矩形水晶振動素子３Ａ用の第１外部出力端子から遠ざかる側の位置よりに形成することが望ましい。
【００５２】
また、堤部１２の他短辺中央のキャスタレーションＣ１１の上部には、音叉型水晶振動素子３Ｂ用の入力側の配線パターンＨ１５Ｂと接続され、後述する集積回路素子２の発振用増幅器の入力側に相当し、後述する音叉型水晶振動素子３Ｂの他方の励振電極３２Ｂと直接接続された音叉型水晶振動素子３Ｂの特性測定用の第２外部入力側測定端子ＧＴ５Ｂ（Ｘ１Ｂ、キロヘルツ用第２外部入力側測定端子）が構成される。堤部１２の他短辺中央のキャスタレーションＣ１２の上部には、音叉型水晶振動素子３Ｂ用の出力側の配線パターンＨ１６Ｂと接続され、後述する集積回路素子２の発振用増幅器の出力側に相当し、後述する音叉型水晶振動素子３Ｂの一方の励振電極３１Ｂと直接接続された音叉型水晶振動素子３Ｂの特性測定用の第２外部出力側測定端子ＧＴ６Ｂ（Ｘ２Ｂ、キロヘルツ用第２外部出力側測定端子）が構成される。
【００５３】
つまり、第２外部入力側測定端子ＧＴ５Ｂと第２外部出力側測定端子ＧＴ６Ｂは、中間層である堤部１２の上面にのみ形成されているので、底部１１の下面（ベースの他主面）と最上層である堤部１３の接合領域（金属膜）１３ａとから離隔した状態で形成されている。なお、第２外部入力側測定端子ＧＴ５Ｂと第２外部出力側測定端子ＧＴ６Ｂに対して、圧電振動素子特性装置のコンタクトプローブを接触することで、他の回路部品が介在しない発振回路全体としての特性ではなく、後述する音叉型水晶振動素子３Ｂ単独の特性を測定することができる。
【００５４】
本発明では、音叉型水晶振動素子３Ｂ用の第１外部出力端子である外部端子ＧＴ２Ｂと、後述する集積回路素子２の発振用増幅器の入力側に相当し、後述する音叉型水晶振動素子３Ｂの他方の励振電極３２Ｂと直接接続された音叉型水晶振動素子３Ｂの特性測定用の第２外部入力側測定端子ＧＴ５Ｂとの形成位置が特定されていることが特徴点の一つでもある。すなわち、後述する集積回路素子２の発振用増幅器の入力側に相当し、後述する音叉型水晶振動素子３Ｂの他方の励振電極３２Ｂと直接接続された音叉型水晶振動素子３Ｂの特性測定用の第２外部入力側測定端子ＧＴ５Ｂは、音叉型水晶振動素子３Ｂ用の第２外部出力端子に近接する側面の上部よりの位置には形成しない。言い換えると、堤部１２の一短辺のうち、音叉型水晶振動素子３Ｂ用の第２外部出力端子から遠ざかる側の位置よりに形成することで、不要な輻射ノイズの悪影響を軽減するうえでより望ましい。
【００５５】
これは、Ｃ−ＭＯＳなどのインバータ増幅器（発振用増幅器）を内蔵した発振回路構成では、インバータ増幅器（発振用増幅器）の入力側（ゲート側Ｇ）とその出力側（ドレイン側Ｄ）とで発振回路特性に与える影響度は大きく異なっており、インバータ増幅器（発振用増幅器）の入力側（ゲート側Ｇ）から不要なノイズを拾うと、そのノイズも増幅され、水晶発振器としての電気的な特性に与える影響度も大きくなるためである。また、前記インバータ増幅器（発振用増幅器）の入力側（ゲート側Ｇ）がその出力側（ドレイン側Ｄ）に比較して入力抵抗が高いため、他の外部端子からの干渉を受けやすく、音叉型水晶振動素子３Ｂに異常な電圧を発生させ、水晶発振器として正常な発振起動を妨げることがあった。これらの悪影響を軽減するため、音叉型水晶振動素子３Ｂの特性測定用の第２外部入力側測定端子ＧＴ５Ｂを、音叉型水晶振動素子３Ｂ用の第２外部出力端子から遠ざかる側の位置よりに形成することが望ましい。
【００５６】
また、矩形水晶振動素子３Ａから集積回路素子２へと接続する矩形圧電振動素子接続配線部としての保持台配線パターンＨ２５Ａ，Ｈ２６Ａ、導電ビアＶ１，Ｖ２、配線パターンＨ１５Ａ，Ｈ１６Ａと、矩形水晶振動素子３Ａのみに関連するとともに集積回路素子２から外部端子へと接続する矩形圧電振動素子関連配線部としての引き回し電極ＧＴ１１Ａ，ＧＴ２１Ａ，ＧＴ３１Ａ，ＧＴ４１Ａ、配線パターンＨ１１Ａ，Ｈ１２Ａ，Ｈ１３Ａ，Ｈ１４Ａとを第１配線部としている。外部端子ＧＴ１Ａ，ＧＴ２Ａ，ＧＴ３Ａ，ＧＴ４Ａ，ＧＴ５Ａ，ＧＴ６Ａは、第１配線部のみに関連する外部端子となる。
【００５７】
音叉型水晶振動素子３Ｂから集積回路素子２へと接続する音叉型圧電振動素子接続配線部としての配線パターンＨ１５Ｂ，Ｈ１６Ｂと、音叉型水晶振動素子３Ｂのみに関連するとともに集積回路素子２から外部端子へと接続する音叉型圧電振動素子関連配線部としての引き回し電極ＧＴ１１Ｂ，ＧＴ２１Ｂ，ＧＴ３１Ｂ，ＧＴ４１Ｂ、配線パターンＨ１１Ｂ，Ｈ１２Ｂ，Ｈ１３Ｂ，Ｈ１４Ｂとを第２配線部としている。外部端子ＧＴ１Ｂ，ＧＴ２Ｂ，ＧＴ３Ｂ，ＧＴ４Ｂ，ＧＴ５Ｂ，ＧＴ６Ｂは、第２配線部のみに関連する外部端子となる。
【００５８】
集積回路素子２と矩形水晶振動素子３Ａと音叉型水晶振動素子３Ｂのいずれの素子にも関連せず電気的に接続されない配線パターンＨ１３Ｃと、当該配線パターンＨ１３Ｃから外部端子ＧＴ３Ｃ，ＧＴ３Ｄまでを接続する引き回し電極ＧＴ３1Ｃ，ＧＴ３1Ｄとを独立シールド配線部としている。外部端子ＧＴ３Ｃ，ＧＴ３Ｄ（独立用外部グランド端子群）は、独立シールド配線部のみに関連する外部端子となる。
【００５９】
独立シールド配線部のみに関連する独立用外部グランド端子群は、第１外部グランド端子（ＧＮＤ１、メガヘルツ用外部グランド端子）ＧＴ３Ａと第２外部グランド端子（ＧＮＤ２、キロヘルツ用外部グランド端子）ＧＴ３Ｂともベース１では共通接続されず、第３外部グランド端子（ＧＮＤ３、独立用第１外部グランド端子）ＧＴ３Ｃと第４外部グランド端子（ＧＮＤ３、独立用第２外部グランド端子）ＧＴ３Ｄとしてベース外部に独立して接地されている。
【００６０】
本発明では、例えば、独立シールド配線部である配線パターンＨ１３Ｃと引き回し電極ＧＴ３1Ｃ，ＧＴ３1Ｄについて、ベース１の長辺方向のほぼ中央の位置で、ベースの短辺方向全体に沿って帯状に形成されており、第１配線部と第２配線部との領域としての境界を形成している。なお、この境界としての配線パターンＨ１３Ｃについては、帯状のものに限定されるのではないが、配線パターンの省スペース化を考慮すると帯状に形成するのが望ましい。つまり、ベース１の平面視長辺方向では、第１配線部と第２配線部との間に、第１配線部と第２配線部とは電気的に独立して形成された独立シールド配線部が介在した状態で形成されることが本発明の特徴点の一つでもある。
【００６１】
以上のような構成のベース１は周知のセラミック積層技術やメタライズ技術を用いて形成される。各外部端子、各引き回し電極、各測定用外部端子、各配線パターン、接合領域１３ａの形成と同様にタングステンあるいはモリブデン等によるメタライズ層の上面にニッケルメッキ層、金メッキ層の各層が形成された構成である。
【００６２】
内底面１０ａに搭載される集積回路素子２は、Ｃ−ＭＯＳなどのインバータ増幅器（発振用増幅器）を内蔵したワンチップの集積回路素子であり、矩形水晶振動素子３Ａ用の発振回路および音叉型水晶振動素子３Ｂ用の発振回路の２つを構成し、集積回路素子２の底面側には複数のパッドＰ１、Ｐ２が形成されており、集積回路素子２の平面側には電気的に機能しない非有効面として形成されている。
【００６３】
また、一つの集積回路素子２の中には、矩形水晶振動素子３Ａとのみ接続され当該矩形水晶振動素子３Ａの周波数信号のみを増幅するメガヘルツ用発振回路部２Ａを構成する領域と、音叉型水晶振動素子３Ｂとのみ接続され当該音叉型水晶振動素子３Ｂの周波数信号のみを増幅するキロヘルツ用発振回路部２Ｂを構成する領域とを有している。さらに、メガヘルツ用発振回路部２Ａを構成する領域から各パッドＰ１までの接続経路と、キロヘルツ用発振回路部２Ｂを構成する領域から各パッドＰ２までの接続経路についても一つの集積回路素子２の内部で電気的に独立して形成されている。
【００６４】
Ｃ−ＭＯＳインバータの発振回路構成としては、Ｃ−ＭＯＳインバータの入力側（ゲート）と出力側（ドレイン）にそれぞれ容量素子（分割コンデンサＣ１，Ｃ２）が直列で接続されており、このＣ−ＭＯＳインバータと前記容量素子との間に、圧電振動素子と帰還抵抗Ｒとが並列で接続されている。本発明の集積回路素子２では、図５に示すように、このような発振回路構成のものについて、内部に矩形水晶振動素子３Ａのみ関連するメガヘルツ発振回路部２Ａと、音叉型水晶振動素子３Ｂのみ関連するキロ発振回路部２Ｂとで個別に独立した状態で形成されている。なお、これらのメガヘルツ発振回路部２Ａとキロ発振回路部２Ｂの間には独立シールド配線部が存在することになる。
【００６５】
このように形成された集積回路素子２は、配線パターンＨ１３Ｃの上部を跨るように配置され、例えば金などの金属バンプＣを介してＦＣＢにより接続される。集積回路素子２のうちメガヘルツ用（矩形水晶振動素子３Ａに関連する部分）の複数のパッドＰ１とベース１に形成されたメガヘルツ用（矩形水晶振動素子３Ａに関連する部分）の配線パターンＨ１１Ａ，Ｈ１２Ａ，Ｈ１３Ａ，Ｈ１４Ａ，Ｈ１５Ａ，Ｈ１６Ａとを接続し、集積回路素子２の複数のキロヘルツ用（音叉型水晶振動素子３Ｂに関連する部分）の複数のパッドＰ２とベース１に形成されたキロヘルツ用（音叉型水晶振動素子３Ｂに関連する部分）の配線パターンＨ１１Ｂ，Ｈ１２Ｂ，Ｈ１３Ｂ，Ｈ１４Ｂ，Ｈ１５Ｂ，Ｈ１６Ｂとを接続している。
【００６６】
この時、集積回路素子２のうちメガヘルツ用の電源に相当するパッドＰ１を外部端子ＧＴ１Ａと接続される電源用の配線パターンＨ１１Ａに接続する。集積回路素子２のうちキロヘルツ用の電源に相当するパッドＰ２を外部端子ＧＴ１Ｂと接続される電源用の配線パターンＨ１１Ｂに接続する。集積回路素子２のうちメガヘルツ用の出力に相当するパッドＰ１を外部端子ＧＴ２Ａと接続される出力用の配線パターンＨ１２Ａに接続する。集積回路素子２のうちキロヘルツ用の出力に相当するパッドＰ２を外部端子ＧＴ２Ｂと接続される出力用の配線パターンＨ１２Ｂに接続する。集積回路素子２のうちメガヘルツ用のグランド部に相当するパッドＰ１を外部端子ＧＴ３Ａと接続されるグランド用の配線パターンＨ１３Ａに接続する。集積回路素子２のうちキロヘルツ用のグランド部に相当するパッドＰ２を外部端子ＧＴ３Ｂと接続されるグランド用の配線パターンＨ１３Ｂに接続する。集積回路素子２のうちメガヘルツ用の他のパッドＰ１を外部端子ＧＴ４Ａと接続される他の配線パターンＨ１４Ａに接続する。集積回路素子２のうちキロヘルツ用の他のパッドＰ２を外部端子ＧＴ４Ｂと接続される他の配線パターンＨ１４Ｂに接続する。
【００６７】
また、図５における集積回路素子２のうちメガヘルツ用の発振用増幅器の出力側に相当し、後述する矩形水晶振動素子３Ａの一方の励振電極３１Ａに接続されるパッドＰ１を第１外部出力側測定端子ＧＴ６Ａと接続される第１の出力側の配線パターンＨ１６Ａに接続する。集積回路素子２のうちメガヘルツ用の発振用増幅器の入力側に相当し、後述する矩形水晶振動素子３Ａの他方の励振電極３２Ａに接続されるパッドＰ１を第１外部入力側測定端子ＧＴ５Ａと接続される第１の入力側の配線パターンＨ１５Ａに接続する。
【００６８】
また、図５における集積回路素子２のうちキロヘルツ用の発振用増幅器の出力側に相当し、後述する音叉型水晶振動素子３Ｂの一方の励振電極３１Ｂに接続されるパッドＰ２を第２外部出力側測定端子ＧＴ６Ｂと接続される第２の出力側の配線パターンＨ１６Ｂに接続する。集積回路素子２のうちキロヘルツ用の発振用増幅器の入力側に相当し、後述する音叉型水晶振動素子３Ｂの他方の励振電極３２Ｂに接続されるパッドＰ２を第２外部入力側測定端子ＧＴ５Ｂと接続される第２の入力側の配線パターンＨ１５Ｂに接続する。
【００６９】
以上のように各構成要素を接続することで、集積回路素子２のうちメガヘルツ用発振回路部２Ａから前記第１配線部を経由したメガヘルツ用外部端子群の各外部端子（ＧＴ１Ａ，ＧＴ２Ａ，ＧＴ３Ａ，ＧＴ４Ａ，ＧＴ５Ａ，ＧＴ６Ａ）に至るまでのメガヘルツ用の電気的な接続経路と、集積回路素子２のキロヘルツ用発振回路部２Ｂから前記第２配線部を経由したキロヘルツ用外部端子群の各外部端子（ＧＴ１Ｂ，ＧＴ２Ｂ，ＧＴ３Ｂ，ＧＴ４Ｂ，ＧＴ５Ｂ，ＧＴ６Ｂ）に至るまでのキロヘルツ用の電気的な接続経路とが、電気的に独立して形成される。加えて、メガヘルツ用発振回路部２Ａから前記第１配線部を経由したメガヘルツ用外部端子群の各外部端子に至るまでのメガヘルツ用の電気的な接続経路と、キロヘルツ用発振回路部２Ｂから前記第１配線部を経由したキロヘルツ用外部端子群の各外部端子に至るまでのキロヘルツ用の電気的な接続経路との間には、これら電気的な接続経路とは独立し、前記独立シールド配線部から第３外部グランド端子ＧＴ３Ｃと第４外部グランド端子ＧＴ３Ｄとに至るまでの独立シールド用の電気的な接続経路が介在しこれらの境界をなしている。
【００７０】
集積回路素子２の上方で、収納部１０の保持台１０ｂの上面には所定の間隔を持って矩形水晶振動素子３Ａが搭載される。矩形水晶振動素子３Ａは、例えばメガヘルツ（ＭＨz）帯で厚みすべり振動してなるＡＴカット水晶振動板であり、その裏面に一方の矩形状の励振電極３１Ａとこの引出電極が形成され、その表面に他方の矩形状の励振電極３２Ａとこの引出電極が形成されており、これら一対の励振電極３１Ａ，３２Ａが表裏面の中央部分で対向して形成されている。表面に形成される他方の励振電極３２Ａの形成領域については、電極材料を増減することで周波数調整する領域として活用される。これらの電極は、例えば、クロムまたはニッケルの下地電極層と、銀または金の中間電極層と、クロムまたはニッケルの上部電極層とから構成された積層薄膜、クロムやニッケルの下地電極層と、銀または金の上部電極層とから構成された積層薄膜である。これら各電極は真空蒸着法やスパッタリング法等の薄膜形成手段により形成することができる。
【００７１】
矩形水晶振動素子３Ａの一短辺３３Ａの方のみを保持台１０ｂに導電性接合材Ｓにより固定して搭載するとともに、矩形水晶振動素子３Ａの他短辺３４Ａの方を内底面１０ａの方に延出し、当該他端辺３４Ａの少なくとも中心部３４１Ａが集積回路素子２の上面の領域に対して平面視重畳する位置に配置している。導電性接合材Ｓとしては、例えばペースト状であり銀フィラー等の金属微小片を含有するシリコーン系の導電樹脂接着剤を用いている。配線パターンＨ２５Ａ，Ｈ２６Ａのうちの一部の上面に塗布されるとともに、導電性接合材Ｓを矩形水晶振動素子３Ａと保持台１０ｂの間に介在させ硬化させることで、お互いを電気的機械的に接合している。以上により、矩形水晶振動素子３Ａの他短辺３４Ａをベース１の内底面に搭載された集積回路素子２の上面から隙間を設けながら、矩形水晶振動素子３Ａの一短辺３３Ａの方のみをベースの保持台１０ｂに接合して、片持ち保持される。なお、本形態では、シリコーン系の導電樹脂接着剤により接合した構成を例にしているが、この導電性接合材として他の導電性樹脂接着剤や金属バンプ、金属メッキバンプなどを用いてもよい。
【００７２】
この時、矩形水晶振動素子３Ａの一方の励振電極３１Ａに接続される引出電極を、図５における集積回路素子２のうちメガ用の発振用増幅器の出力側に相当し、第１外部出力側測定端子ＧＴ６Ａと接続される第１の出力側の保持台配線パターンＨ２６Ａに接続する。矩形水晶振動素子３Ａの他方の励振電極３２Ａに接続される引出電極を、図５における集積回路素子２のうちメガ用の発振用増幅器の入力側に相当し、第１外部入力側測定端子ＧＴ５Ａと接続される第１の入力側の保持台配線パターンＨ２５Ａに接続する。
【００７３】
収納部１０の内底面１０ａの上面のうち、集積回路素子２に隣接し保持台１０ｂに隔離する方には、音叉型水晶振動素子３Ｂが配置搭載される。音叉型水晶振動素子３Ｂは、例えばキロヘルツ（ＫＨｚ）帯で屈曲振動してなるＸＹ’カットの音叉型水晶振動片であり、基部と当該基部に接続された一対の脚部とを有している。このうち一方の脚部の表裏面と他方の脚部の両側面には少なくとも一方の励振電極３１Ｂ（一部のみ図示）が形成されており、一方の励振電極３１Ｂを基部にまで引き出す引出電極が形成され、このうち他方の脚部の表裏面と一方の脚部の両側面には少なくとも他方の励振電極３２Ｂ（一部のみ図示）が形成されており、他方の励振電極３２Ｂを基部にまで引き出す引出電極が形成されている。また、各脚部の先端部分には、電極材料を増減することで周波数調整する領域としての錘電極３５Ｂが形成されている。これらの電極は、クロムやニッケルの下地電極層と、銀または金の上部電極層とから構成された積層薄膜である。これら各電極は真空蒸着法やスパッタリング法等の薄膜形成手段により形成することができる。
【００７４】
音叉型水晶振動素子３Ｂの基部を内底面１０ａの配線パターンＨ１５Ｂ，Ｈ１６Ｂの端部に導電性接合材Ｓにより固定して搭載するとともに、音叉型水晶振動素子３Ｂの脚部をベースの長辺方向の堤部１２の方に延出して配置している。このため、ベース１に搭載された矩形水晶振動素子３Ａの他方の励振電極３２Ａと、音叉型水晶振動素子３Ｂの錘電極３５Ｂとは、ベースの短辺方向に沿ってお互いにずれた位置に配置されてなる。導電性接合材Ｓとしては、例えばペースト状であり銀フィラー等の金属微小片を含有するシリコーン系の導電樹脂接着剤を用いている。配線パターンＨ１５Ｂ，Ｈ１６Ｂのうちの一部の上面に塗布されるとともに、導電性接合材Ｓを音叉型水晶振動素子３Ｂと内底面１０ａの間に介在させ硬化させることで、お互いを電気的機械的に接合している。以上により、音叉型水晶振動素子３Ｂの脚部側をベース１の内底面１０ａから隙間を設けながら、音叉型水晶振動素子３Ｂの基部のみをベースの内底面１０ａに接合して、片持ち保持される。なお、本形態では、シリコーン系の導電樹脂接着剤により接合した構成を例にしているが、この導電性接合材として他の導電性樹脂接着剤や金属バンプ、金属メッキバンプなどを用いてもよい。
【００７５】
この時、音叉型水晶振動素子３Ｂの一方の励振電極３１Ｂに接続される引出電極を、図５における集積回路素子２のうちキロ用の発振用増幅器の出力側に相当し、第２外部出力側測定端子ＧＴ６Ｂと接続される第１の出力側の配線パターンＨ１６Ｂに接続する。音叉型水晶振動素子３Ｂの他方の励振電極３２Ｂに接続される引出電極を、図５における集積回路素子２のうちキロ用の発振用増幅器の入力側に相当し、第２外部入力側測定端子ＧＴ５Ｂと接続される第１の入力側の配線パターンＨ１５Ｂに接続する。
【００７６】
なお、本形態では、図１に示すように、集積回路素子２の厚みに対して音叉型水晶振動素子３Ｂの厚みの方が薄く形成されており、内底面１０ａに搭載された集積回路素子２の高さに対して内底面１０ａに搭載された音叉型水晶振動素子３Ｂの高さの方が低く形成されている。このため、矩形水晶振動素子３Ａの他短辺３４Ａが音叉型水晶振動素子３Ｂに接触することがより一層なくなる構成とできる。
【００７７】
しかしながら、音叉型水晶振動素子３Ｂの厚みに対して集積回路素子２の厚みの方を薄く形成してもよい（内底面１０ａに搭載された集積回路素子２の高さに対して内底面１０ａに搭載された音叉型水晶振動素子３Ｂの高さの方が高く形成される。）。この構成では、保持台１０ｂの高さを低く設定することができるため、パッケージ全体としての低背化に有利なものとできる。
【００７８】
ベース１を気密封止する蓋４は、例えば、コバール等からなるコア材に金属ろう材（封止材）が形成された構成である。この金属ろう材からなる封止材５がベース１の接合領域（金属膜）１３ａと接合される構成となる。金属製の蓋４の平面視外形はセラミックベースの当該外形とほぼ同じであるか、若干小さい構成となっている。
【００７９】
収納部１０に集積回路素子２と矩形水晶振動素子３Ａと音叉型水晶振動素子３Ｂとが格納されたベース１の接合領域１３ａに対して金属製の蓋４にて被覆し、金属製の蓋４の封止材５とベースの接合領域１３ａを溶融硬化させ、気密封止を行うことで表面実装型水晶発振器６の完成となる。
【００８０】
このように構成された表面実装型水晶発振器６は、図１に示すように、回路基板７の配線パターン７１に対してはんだなどの接合材７２を用いて接合される。つまり、各外部端子に接合材を用いて回路基板の配線パターンへ接合する。
【００８１】
なお、上記実施形態では、独立シールド配線部とこれに関連する独立用外部グランド端子群を形成したものを示しているが、これらの独立シールド配線部と独立用外部グランド端子群とを割愛した構成であってもよい。つまり、図６の他の実施形態に示すように、ベース１の最下層である底部１１の下面（ベースの他主面）には、ベースの長辺方向の中央線１１０に向かって左側の領域を第１領域１１１として設定し、メガヘルツ用外部端子群の一部である外部端子ＧＴ１Ａ，ＧＴ２Ａ，ＧＴ３Ａ，ＧＴ４Ａを配置する。ベースの長辺方向の中央線１１０に向かって右側の領域を第２領域１１２として設定し、キロヘルツ用外部端子群の一部である外部端子ＧＴ１Ｂ，ＧＴ２Ｂ，ＧＴ３Ｂ，ＧＴ４Ｂを配置する。このような各外部端子群のみが配置された状態で、ベース１の底部１１の下面（ベースの他主面）の対角位置に、矩形水晶振動素子３Ａ用の第１外部出力端子（ＯＵＴ１、メガヘルツ用外部出力端子）である外部端子ＧＴ２Ａと、音叉型水晶振動素子３Ｂ用の第２外部出力端子（ＯＵＴ２、キロヘルツ用外部出力端子）である外部端子ＧＴ２Ｂとを配置しており、これらの外部出力端子を隔離した位置に配置している。
【００８２】
上記実施形態と他の実施形態により、周波数の異なる２つの圧電振動素子（矩形水晶振動素子３Ａと音叉型水晶振動素子３Ｂ）の出力電気信号がお互いに干渉しあうことが抑制され、これら２つの素子のうちいずれか一方が他方の疑似信号ノイズとして含まれることが軽減する。また、外部回路基板における出力ラインを流れる高周波信号は、不要な輻射ノイズが発生しているため、この不要な輻射ノイズが圧電振動デバイスとしての電気的な特性に悪影響を与えることがあるが、これらの影響も軽減することができる。
【００８３】
また、上記実施形態では、メガヘルツ用発振回路部２Ａの接続経路とキロヘルツ用発振回路部２Ｂの接続経路とは一つの集積回路素子２の内部で電気的に独立して形成されており、かつ、集積回路素子２のうちメガヘルツ用発振回路部２Ａから前記第１配線部を経由したメガヘルツ用外部端子群の各外部端子（ＧＴ１Ａ，ＧＴ２Ａ，ＧＴ３Ａ，ＧＴ４Ａ，ＧＴ５Ａ，ＧＴ６Ａ）に至るまでのメガヘルツ用の電気的な接続経路と、集積回路素子２のキロヘルツ用発振回路部２Ｂから前記第２配線部を経由したキロヘルツ用外部端子群の各外部端子（ＧＴ１Ｂ，ＧＴ２Ｂ，ＧＴ３Ｂ，ＧＴ４Ｂ，ＧＴ５Ｂ，ＧＴ６Ｂ）に至るまでのキロヘルツ用の電気的な接続経路とが、電気的に独立して形成しており、メガヘルツ用の電気的な接続経路とキロヘルツ用の電気的な接続経路との間には、独立シールド配線部（配線パターンＨ１３Ｃ、引き回し電極ＧＴ３1Ｃ，ＧＴ３1Ｄ）から独立用外部グランド端子群（外部端子ＧＴ３Ｃ，ＧＴ３Ｄ）に至るまでの独立シールド用の電気的な接続経路が介在している。このため、独立シールド配線部から前記独立用外部グランド端子に至るまでの独立シールド用の電気的な接続経路により完全に分断することができる。電気的な接続経路におけるお互いの電磁気的な信号もより効果的に遮蔽されるので、周波数の異なる２つの圧電振動素子（メガヘルツ帯の矩形水晶振動素子３Ａとキロヘルツ帯の音叉型水晶振動素子３Ｂ）を近接配置してもお互いに電気的な相互干渉を与えることがさらに抑制される。
【００８４】
特に、本発明では、上記接続経路のうち、ベース１に形成されて比較的面積を占有し電磁気的な影響度の高い外部端子と配線部に工夫を施している。つまり、外部端子としては、ベース１の平面視長辺方向では、メガヘルツ用外部端子群の一部である外部端子ＧＴ１Ａ，ＧＴ２Ａ，ＧＴ３Ａ，ＧＴ４Ａと、キロヘルツ用外部端子群の一部である外部端子ＧＴ１Ｂ，ＧＴ２Ｂ，ＧＴ３Ｂ，ＧＴ４Ｂとの間に独立用外部グランド端子群としての外部端子ＧＴ３Ｃ，ＧＴ３Ｄが介在した状態で形成され、第１領域１１１と第２領域１１２との境界をなすように形成されている。このため、周波数の異なる２つの圧電振動素子（メガヘルツ帯の矩形水晶振動素子３Ａとキロヘルツ帯の音叉型水晶振動素子３Ｂ）を近接配置しても、前記第１領域と第２領域との境界を形成した前記独立用外部グランド端子がお互いの電磁気的な信号を吸収して遮蔽することができるので、電気的な相互干渉を抑制する。また、配線部としても、ベース１の平面視長辺方向では、矩形水晶振動素子３Ａのみに関連する第１配線部（保持台配線パターンＨ２５Ａ，Ｈ２６Ａ、導電ビアＶ、配線パターンＨ１５Ａ，Ｈ１６Ａ、引き回し電極ＧＴ１１Ａ，ＧＴ２１Ａ，ＧＴ３１Ａ，ＧＴ４１Ａ、配線パターンＨ１１Ａ，Ｈ１２Ａ，Ｈ１３Ａ，Ｈ１４Ａ）と、音叉型水晶振動素子３Ｂのみに関連する前記第２配線部（配線パターンＨ１５Ｂ，Ｈ１６Ｂと、引き回し電極ＧＴ１１Ｂ，ＧＴ２１Ｂ，ＧＴ３１Ｂ，ＧＴ４１Ｂ、配線パターンＨ１１Ｂ，Ｈ１２Ｂ，Ｈ１３Ｂ，Ｈ１４Ｂ）との間に前記独立シールド配線部（配線パターンＨ１３Ｃ、引き回し電極ＧＴ３1Ｃ，ＧＴ３1Ｄ）が介在した状態で形成され、前記第１配線部と前記第２配線部と前記独立シールド配線部とは電気的に独立して形成している。このため、周波数の異なる２つの圧電振動素子（メガヘルツ帯の矩形水晶振動素子３Ａとキロヘルツ帯の音叉型水晶振動素子３Ｂ）を近接配置しても、前記第１配線部と第２配線部との境界を形成した前記独立シールド配線部がお互いの電磁気的な信号を吸収して遮蔽することができるので、電気的な相互干渉をさらに抑制する。
【００８５】
また、集積回路素子２と第１外部出力端子ＧＴ２Ａとを接続するメガヘルツ用出力ライン（メガヘルツ用の第１外部出力端子ＧＴ２Ａから第１配線部の一部でメガヘルツ用の出力配線部の配線パターン１２Ａ）と集積回路素子と第２外部出力端子ＧＴ２Ｂとを接続するキロヘルツ用出力ライン（キロヘルツ用の第２外部出力端子ＧＴ２Ｂから第２配線部の一部でキロヘルツ用の出力配線部の配線パターン１２Ｂ）とでそれぞれ生じる外部ノイズは、第１領域１１１と第２領域１１２との境界に形成された前記独立用外部グランド端子と前記第１配線部と第２配線部との境界を形成した前記独立シールド配線部とが吸収しお互いの電磁気的な信号が遮蔽されるので、他方の外部ノイズ信号として悪影響を与えることがより一層なくなる。
【００８６】
また、外部電源端子と外部グランド端子とは、メガヘルツ用外部電源端子ＧＴ１Ａとメガヘルツ用外部グランド端子ＧＴ３Ａ、キロヘルツ用外部電源端子ＧＴ１Ｂとキロヘルツ用外部グランド端子ＧＴ３Ｂとしてそれぞれベース１の配線パターンとしても独立しており、パッケージ内部（ベース１）で共通接続されることがないので、お互いの周波数信号に疑似信号として混入することがなくなるため、電気的な特性の劣化につながることがない。
【００８７】
特に、地表や外部回路など外部の理想となる基準電位（以下、理想グランドと称する）は、一切の信号が存在しないフラットな電位状態を示している。しかしながら、メガヘルツ用発振回路を駆動して出力信号電圧を発生させるとメガヘルツ用外部グランド端子からも出力信号に応じた電流が流れるようになり、この流れた電流は理想グランドに接続されるメガヘルツ用外部グランド端子との間の抵抗により電圧を発生させる。同様に、キロヘルツ用発振回路を駆動して出力信号電圧が発生させるとキロヘルツ用外部グランド端子からも出力信号に応じた電流が流れるようになり、この流れた電流は理想グランドに接続されるキロヘルツ用外部グランド端子との間の抵抗により電圧を発生させる。このように発生した不要電圧は発生源以外の他方の発振回路に対しては各周波数のノイズ信号として影響することになる。本発明では、同様のパッケージ内部（ベース）で同じ外部グランド端子として共通接続せず、それぞれ独立した外部グランド端子とすることで、他の周波数成分の電流を電気的に遠ざけることができるため、不要電圧によるノイズ信号の発生を減少させることができる。
【００８８】
また、他の周波数成分の電流を電気的に遠ざけることによる作用は、理想グランドと対極にある外部の理想となる電源（以下、理想電源と称する）でも同様である。本発明では、同様のパッケージ内部（ベース１）で同じ外部電源端子として共通接続せず、それぞれ独立した外部電源端子とすることで、他の周波数成分の電流を電気的に遠ざけることができるため、理想電源に対して不要電圧によるノイズ信号の発生を減少させることができる。
【００８９】
また、理想グランドと外部グランド端子との間の抵抗は、ベース１に形成された外部グランド端子の数で割っただけ案分することができるので、発生する不要電圧の値も同様に案分することができ、不要電圧によるノイズ信号の影響を抑えることができる。
【００９０】
また、必要に応じてメガヘルツ帯の矩形水晶振動素子３Ａとキロヘルツ帯の音叉型水晶振動素子３Ｂとの駆動を使い分けることができ、必要のない側の圧電振動子の駆動を休止することができるため、省エネルギーに貢献できる。特に、比較的消費電力が小さく時刻の基準源としてのキロヘルツ帯の音叉型水晶振動素子３Ｂのみを常時駆動させる一方で、比較的消費電力が大きく電子機器等の基準周波数源としてのメガヘルツ帯の矩形水晶振動素子３Ａの動作を必要な時のみ駆動させるようなことが、お互いに電気的な接続経路が独立しているがゆえに外部回路上の操作により容易に実現できる。
【００９１】
また、ベース１の一主面側のみに一つの収納部１０が形成されたシングル封止構成のパッケージ構造とするとともに、一つの収納部１０に収納される部品を一つの集積回路素子２と一つの矩形水晶振動素子３Ａと一つの音叉型水晶振動素子３Ｂのみとすることで、部品点数を減らしベース１の低背化や小型化をさらに実現とすることができる。
【００９２】
このようなシングル封止構成のパッケージでは、小型化や低背化を進めることでベースの収納部１０に搭載された各部品の搭載位置が近接してお互いに干渉しあうことが懸念される。しかしながら、本発明では、保持台１０ｂに矩形水晶振動素子３Ａの一短辺３３Ａのみを固定して搭載するとともに、矩形水晶振動素子３Ａの他短辺３４Ａの少なくとも中心部３４１Ａが集積回路素子２の上面の領域に対して平面視重畳する位置に配置しているので、矩形水晶振動素子３Ａの他短辺３４Ａが内底面１０ａのある下方向に傾くことがあっても、集積回路素子２を補助枕としてその傾きを抑制することができる。
【００９３】
特に、内底面１０ａに対して高さのある保持台１０ｂの位置で水晶振動素子を片持ち保持により搭載すると、外部衝撃等により水晶振動素子に傾きが生じやすくなることがあるが、音叉型水晶振動素子３Ｂではなく矩形水晶振動素子３Ａを保持台１０ｂに固定して集積回路素子２の上部に配置することで、矩形水晶振動素子３Ａが傾くことにより集積回路素素子２と接触することがあっても発振停止を招く危険性を低くできる。さらに、矩形水晶振動素子３Ａの他短辺３４Ａが集積回路素子２の上部稜線のうち音叉型水晶振動素子３Ｂに近接する稜線２１を超えて音叉型水晶振動素子３Ｂの方へはみ出すことがないため、矩形水晶振動素子３Ａと音叉型水晶振動素子３Ｂとがお互いに接触することなく、お互いの振動特性に悪影響を与えることもない。
【００９４】
また、周波数調整工程に伴う調整物質（プラズマ粒子や電極屑等）の発生量が比較的少ない矩形水晶振動素子３Ａを保持台１０ｂに固定して集積回路素子２の上部に配置することで、下側に配置される音叉型水晶振動素子３Ｂに対して周波数調整工程に伴う調整物質（プラズマ粒子や電極屑等）が届くことが抑制される。
【００９５】
さらに、周波数調整領域としての矩形水晶振動素子３Ａの他方の励振電極３２Ａと音叉型水晶振動素子３Ｂの錘電極３５Ｂとは、ベース１の短辺方向に沿ってお互いにずれた位置、つまりベースの長辺方向において矩形水晶振動素子３Ａの励振電極３２Ａと音叉型水晶振動素子３Ｂの錘電極３５Ｂとが同一直線上から外れる位置に配置されているため、お互いに独立した領域とするだけでなく離隔して配置することができる。結果として、各電極を周波数調整する際には個別に行うことができ、お互いに干渉されることがない。特に、先端に錘電極３５Ｂを有する音叉型水晶振動素子３Ｂではなく、中央に周波数調整領域でもある励振電極を有する矩形水晶振動素子３Ａを保持台１０ｂに固定して集積回路素子２の上部に配置することで、お互いの周波数調整領域を離隔させることができ、下側に配置される音叉型水晶振動素子３Ｂに対して周波数調整工程に伴う調整物質（プラズマ粒子や電極屑等）が届くことが抑制されるので、周波数調整する場合にお互いの干渉をなくすうえでより望ましい構成とすることができる。
【００９６】
また、前記第１配線部と第２配線部との境界を形成する独立シールド配線部の上部に一つの集積回路素子２が搭載されているので、集積回路素子２で発生した不要な電磁気的な輻射ノイズも近くにある独立シールド配線部に吸収され、他への悪影響を与えることが一切なくなる。
【００９７】
なお、上記した本実施例では、圧電振動素子として水晶を材料としているが、これに限定されるものではなく、圧電セラミックスやＬｉＮｂＯ3等の圧電単結晶材料を用いてもよい。すなわち、任意の圧電振動素子が適用可能である。
【００９８】
また、本実施例では、金属ろう材による封止を例にしたが、これに限定されるものではなく、シーム封止、ビーム封止（例えば、レーザビーム、電子ビーム）やガラス封止等でも適用することができる。
【００９９】
本発明は、その思想または主要な特徴から逸脱することなく、他のいろいろな形で実施することができる。そのため、上述の実施例はあらゆる点で単なる例示にすぎず、限定的に解釈してはならない。本発明の範囲は特許請求の範囲によって示すものであって、明細書本文には、なんら拘束されない。さらに、特許請求の範囲の均等範囲に属する変形や変更は、全て本発明の範囲内のものである。
【産業上の利用可能性】
【０１００】
本発明は、表面実装型圧電振動発振器に適用できる。
【符号の説明】
【０１０１】
１  ベース
２  集積回路素子
３Ａ  矩形水晶振動素子
３Ｂ  音叉型水晶振動素子
４  蓋
５  封止材
６  表面実装型水晶発振器
７  表面実装型水晶発振器
Ｓ  導電樹脂接着剤（導電性接合材）
Ｃ  金属バンプ
Ｖ  導電ビア
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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