(57)【要約】【課題】電気抵抗値が従来品以上に低い電気接点として利用可能なロジウムめっき膜を提供すること。【解決手段】本発明のロジウムめっき膜は、基材上に形成されており、電流密度を１０〜５００Ａ／ｄｍ2の範囲内に設定してロジウムを析出させてなる無数の突起が形成された表層部を有する。本発明のロジウムめっき膜は、電流密度を１〜１０Ａ／ｄｍ2の範囲内に設定してロジウムを析出させてなる表面が平坦な基層部が形成されてから、当該基層部上に前記表層部が形成されてなるものであると好ましい。また、前記基材上には、当該基材表面及びロジウムめっき膜の双方に対する密着性が高い金属で下地めっきが施されることによって下地めっき部が形成されており、前記ロジウムめっき膜は、前記下地めっき部上に形成されているものであると好ましい。【選択図】なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
基材上に形成されており、電流密度を１０〜５００Ａ／ｄｍ2の範囲内に設定してロジウムを析出させてなる無数の突起が形成された表層部を有する
ロジウムめっき膜。
【請求項２】
電流密度を１〜１０Ａ／ｄｍ2の範囲内に設定してロジウムを析出させてなる表面が平坦な基層部が形成されてから、当該基層部上に前記表層部が形成されてなる
請求項１に記載のロジウムめっき膜。
【請求項３】
前記基材上には、当該基材表面及びロジウムめっき膜の双方に対する密着性が高い金属で下地めっきが施されることによって下地めっき部が形成されており、
前記ロジウムめっき膜は、前記下地めっき部上に形成されている
請求項１又は請求項２に記載のロジウムめっき膜。
【請求項４】
原子間力顕微鏡法によって測定される面内最大高低差Ｒmaxが３０〜１５００ｎｍである
請求項１〜請求項３のいずれか一項に記載のロジウムめっき膜。
【請求項５】
原子間力顕微鏡法によって測定される平均面粗さＲaが１０〜３００ｎｍである
請求項１〜請求項４のいずれか一項に記載のロジウムめっき膜。
【請求項６】
原子間力顕微鏡法によって測定される自乗平均面粗さＲＭＳが１０〜５００ｎｍである
請求項１〜請求項５のいずれか一項に記載のロジウムめっき膜。
【請求項７】
前記ロジウムめっき膜は、前記基材上の領域のうち、レジスト膜でマスクされた箇所以外の箇所に形成されており、
前記表層部は、電流密度を５０〜５００Ａ／ｄｍ2の範囲内に設定して形成されてなる
請求項１〜請求項６のいずれか一項に記載のロジウムめっき膜。
【請求項８】
前記基材は、シリコンウェハである
請求項１〜請求項７のいずれか一項に記載のロジウムめっき膜。
【請求項９】
前記基材は、少なくとも一部に金めっき膜が形成されたシリコンウェハであり、
前記ロジウムめっき膜は、前記金めっき膜上に形成されている
請求項１〜請求項７のいずれか一項に記載のロジウムめっき膜。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電気接点として利用するのに好適なロジウムめっき膜に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、ＭＥＭＳ（Micro Electro Mechanical Systems）デバイスや高周波リレーなどの電気接点としては、電気めっきによる貴金属のめっき膜が利用されているが、基盤技術の向上に伴って更なる性能の向上が望まれている。
【０００３】
具体的には、この種のめっき膜は、これまでは金めっき膜が主流であったが、金めっき膜の接触抵抗や耐久性等に関してはしばしば問題が発生している。例えば、電気接点のオン・オフの際に発生する微細なスパークにより、金属が飛散、酸化、溶融、凝着し、接点性能が劣化するという問題がある。また、現状の技術では、電気接点上に形成された酸化被膜を破るためには、接圧を５０ｇ／ｃｍ2程度確保しなくてはならず、接点部に金属が付着しやすく、頻繁なメンテナンスを必要とするため、生産性が低下するなどの問題を招いている。こうした問題を考慮すると、今後も各種デバイスのマイクロ化が進む中、更にパターンを微細化してゆく上で、従来の電気接点では支障を来すことが予想されるため、より高性能な電気接点用薄膜の開発が求められている。
【０００４】
以上のような背景のもと、電気接点用薄膜の高性能化を検討している本件発明者らは、貴金属の一つであるロジウムに着目するに至った。ロジウムめっき膜を電気接点に利用すること自体は既に提案されており、例えば、バンプ接点表面の導電性被膜として利用する例が知られている（例えば、特許文献１，２参照。）。
【０００５】
特許文献１には、電気めっきの際に電流密度１．０〜４．０Ａ／ｄｍ2でロジウムめっき膜を形成し、ロジウムめっき膜表面に微小突起を形成する点が開示されている（例えば、特許文献１の請求項８参照。）。
【０００６】
特許文献２には、電気めっきの際に電流密度０．１〜１．０Ａ／ｄｍ2でロジウムめっき膜を形成し、ロジウムめっき膜表面に微小なグレインが集合して形成された凹凸層を形成する点が開示されている（例えば、特許文献２の請求項３参照。）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００７】
【特許文献１】特開平９−１３３７１１号公報
【特許文献２】特開２００１−２５０８５１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
しかしながら、上記特許文献１，２に記載の技術では、未だ電気接点の電気的特性を十分に向上させるには至っておらず、特に、電気抵抗値が格段に低い電気接点を得ることは困難であった。
【０００９】
以上のような事情から、電気抵抗値が従来品以上に低い電気接点として利用可能なロジウムめっき膜を提供することが望ましい。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
以下に説明するロジウムめっき膜は、基材上に形成されており、電流密度を１０〜５００Ａ／ｄｍ2の範囲内に設定してロジウムを析出させてなる無数の突起が形成された表層部を有する。
【００１１】
このように構成されたロジウムめっき膜によれば、ロジウムめっき膜を形成するための一般的な手法（例えば、特許文献１，２に記載の手法。）に比べ、格段に高い電流密度でロジウムめっき膜の表層部が形成される。そのため、１０Ａ／ｄｍ2未満の低い電流密度でロジウムめっき膜を形成する場合に比べ、最終的に得られるロジウムめっき膜の体積抵抗率を低下させることができ、より電気抵抗値の低い電気接点を形成することができる。
【００１２】
より具体的には、本件発明者が実験的に確認したところ、本明細書で規定する高い電流密度でロジウムめっき膜を形成すると、ロジウムめっき膜の体積抵抗率はバルクのロジウムよりも低いレベルにまで到達し、十分な電気的接続を行うために必要な接圧も格段に低くなることが判明した。また、本明細書で規定する高い電流密度でロジウムめっき膜を形成すると、硬度の高いロジウムめっき膜を形成することができ、例えば、ビッカース硬さ７００ＨＶ以上のロジウムめっき膜を形成することができる。
【００１３】
本明細書で規定する高い電流密度でロジウムめっき膜を形成することにより、ロジウムめっき膜の体積抵抗率を低下させることができる理由は、現時点では明確に解明されてはいない。ただし、本明細書で規定する高い電流密度でめっき膜を形成すると、より低い電流密度でめっき膜を形成した場合に比べ、ロジウムが急速に析出し、最終的に得られるロジウムめっき膜の表面性状に影響が現れる。
【００１４】
具体的には、本明細書で規定する高い電流密度でロジウムめっき膜を形成した場合、そのロジウムめっき膜を走査型電子顕微鏡で観察すると、ロジウムめっき膜の表層部には特徴的な形状を持つ無数の突起が形成されている。したがって、このような特徴的な突起が形成されること、及び高硬度なめっき膜が形成されることで、例えば、接触対象の表面にある酸化被膜を効果的に突き破ることができるようになり、このことが電気接点の電気抵抗値を低下させることができる一因となっているのかもしれない。
【００１５】
特に、上述の特許文献１，２に記載の技術でも、表面に微小突起や凹凸層が形成される旨は開示されている。しかし、これらの従来技術では、より低い電流密度（特許文献１の場合は上限値４．０Ａ／ｄｍ2、特許文献２の場合は上限値１．０Ａ／ｄｍ2）でめっき膜を形成しているので、最終的に形成される突起の微細な構造、突起の高さ、突起の密度などが、本件技術とは相違する可能性がある。そのため、そのような相違点の存在が、体積抵抗率を測定した際に、電気的特性の違いとなって現れるのではないかと推察される。
【００１６】
その他にも電気的特性が向上する理由は存在するのかもしれないが、いずれにしても、本明細書で規定する高い電流密度でロジウムめっき膜を形成すれば、従来技術では得られなかったような、電気抵抗値が格段に低くて高硬度な電気接点を得ることができる。したがって、電気接点を含むパターンが更に微細化された場合にも、電気接点として良好な性能を確保ないし維持することができる。
【００１７】
以上のようなロジウムめっき膜は、更に以下に挙げるような構成を備えていることが好ましい。
まず、上記ロジウムめっき膜は、電流密度を１〜１０Ａ／ｄｍ2の範囲内に設定してロジウムを析出させてなる表面が平坦な基層部が形成されてから、当該基層部上に前記表層部が形成されてなるものであると好ましい。
【００１８】
このように構成されたロジウムめっき膜によれば、表層部が形成される前に、より低い電流密度で基層部が形成される。そのため、ロジウムめっき膜の形成対象面と表層部との間には、表層部よりも緻密な構造を持つ基層部が形成され、かつ基層部及び表層部は同一金属であるロジウムによって一体的に形成される。したがって、ロジウムとは別種の金属面上に表層部が直接形成される場合に比べ、ロジウムめっき膜の密着性やロジウムめっき膜の硬さを向上させることができ、電気接点としての電気的特性や耐久性を良好なものとすることができる。
【００１９】
また、上記ロジウムめっき膜において、前記基材上には、当該基材表面及びロジウムめっき膜の双方に対する密着性が高い金属で下地めっきが施されることによって下地めっき部が形成されており、前記ロジウムめっき膜は、前記下地めっき部上に形成されている
ものであると好ましい。
【００２０】
このように構成されたロジウムめっき膜によれば、基材表面とロジウムめっき膜との間には下地めっき部が介在しているので、このような下地めっき部が存在しない場合に比べ、ロジウムめっき膜の密着性やロジウムめっき膜の硬さを向上させることができ、電気接点としての電気的特性や耐久性を良好なものとすることができる。
【００２１】
また、上記ロジウムめっき膜は、原子間力顕微鏡法によって測定される面内最大高低差Ｒmaxが３０〜１５００ｎｍであると好ましく、５０〜４００ｎｍであるとより好ましい。
【００２２】
このように構成されたロジウムめっき膜によれば、ロジウムめっき膜の表面は、表層部に形成される無数の突起により、面内最大高低差Ｒmaxが適度数値範囲内に収まる面となるので、電気接点としての電気的特性が良好なものとなり、特にＲmaxが５０〜４００ｎｍであると、導電性や機械的強度といった電気接点に求められる性能が極めて良好なものとなる。なお、面内最大高低差Ｒmaxが３０ｎｍを下回る場合は、ロジウムめっき膜の表面がより平滑になるので、電気接点としての電気的特性を従来品以上に改善することが容易ではなくなる。また、面内最大高低差Ｒmaxが１５００ｎｍを上回る場合は、ロジウムめっき膜の表面がより粗くなるので、電気的な接触対象に対する接触点の数が減少しやすく、これも電気接点としての電気的特性を改善する上では不利に作用する。
【００２３】
また、上記ロジウムめっき膜は、原子間力顕微鏡法によって測定される平均面粗さＲaが１０〜３００ｎｍであると好ましく、２０〜１００ｎｍであるとより好ましい。
このように構成されたロジウムめっき膜によれば、ロジウムめっき膜の表面は、表層部に形成される無数の突起により、平均面粗さＲaが適度数値範囲内に収まる面となるので、電気接点としての電気的特性が良好なものとなり、特にＲaが２０〜１００ｎｍであると、導電性や機械的強度といった電気接点に求められる性能が極めて良好なものとなる。なお、平均面粗さＲaが１０ｎｍを下回る場合は、ロジウムめっき膜の表面がより平滑になるので、電気接点としての電気的特性を従来品以上に改善することが容易ではなくなる。また、平均面粗さＲaが３００ｎｍを上回る場合は、ロジウムめっき膜の表面がより粗くなるので、電気的な接触対象に対する接触点の数が減少しやすく、これも電気接点としての電気的特性を改善する上では不利に作用する。
【００２４】
また、上記ロジウムめっき膜は、原子間力顕微鏡法によって測定される自乗平均面粗さＲＭＳが１０〜５００ｎｍであると好ましく、２０〜３００ｎｍであるとより好ましい。い。
【００２５】
このように構成されたロジウムめっき膜によれば、ロジウムめっき膜の表面は、表層部に形成される無数の突起により、自乗平均面粗さＲＭＳが適度数値範囲内に収まる面となるので、電気接点としての電気的特性が良好なものとなり、特にＲＭＳが２０〜３００ｎｍであると、導電性や機械的強度といった電気接点に求められる性能が極めて良好なものとなる。なお、自乗平均面粗さＲＭＳが１０ｎｍを下回る場合は、ロジウムめっき膜の表面がより平滑になるので、電気接点としての電気的特性を従来品以上に改善することが容易ではなくなる。また、自乗平均面粗さＲＭＳが５００ｎｍを上回る場合は、ロジウムめっき膜の表面がより粗くなるので、電気的な接触対象に対する接触点の数が減少しやすく、これも電気接点としての電気的特性を改善する上では不利に作用する。
【００２６】
また、前記ロジウムめっき膜は、前記基材上の領域のうち、レジスト膜でマスクされた箇所以外の箇所に形成されており、前記表層部は、電流密度を５０〜５００Ａ／ｄｍ2の範囲内に設定して形成されてなるものであると好ましい。
【００２７】
このように構成されたロジウムめっき膜によれば、基材上の領域のうち、レジスト膜でマスクされた箇所以外の箇所にロジウムめっき膜が形成されるので、同様のマスクがない場合に比べ、小面積のロジウムめっき膜が形成されることになる。しかし、このロジウムめっき膜の場合、電流密度５０〜５００Ａ／ｄｍ2と、特に高い電流密度でロジウムめっき膜が形成されているので、小面積のロジウムめっき膜であっても表層部には十分な突起を形成することができ、電気接点としての電気的特性が良好なものとなる。
【００２８】
また、上記ロジウムめっき膜において、前記基材は、シリコンウェハであると好ましい。
このように構成されたロジウムめっき膜によれば、シリコンウェハ上に形成される電気接点として好適なものとなり、特に、微小な寸法の電気接点を形成した場合でも、電気接点としての電気的特性が良好なものとなる。
【００２９】
また、上記ロジウムめっき膜において、前記基材は、少なくとも一部に金めっき膜が形成されたシリコンウェハであり、前記ロジウムめっき膜は、前記金めっき膜上に形成されていると好ましい。
【００３０】
このように構成されたロジウムめっき膜によれば、シリコンウェハに形成された金めっき膜上に形成される電気接点として好適なものとなり、特に、微小な寸法の電気接点を形成した場合でも、電気接点としての電気的特性が良好なものとなる。
【発明を実施するための形態】
【００３１】
次に、上述のロジウムめっき膜について、より具体的な例を挙げて説明する。
〔１〕ロジウムめっき膜の製造例（その１）
ロジウムめっき膜の形成対象となる基材としては、２ｃｍ×３ｃｍの金めっきされたシリコンウェハーを使用した。基材上の金めっき領域（めっき対象領域）の表面積は０．０５ｄｍ2である。
【００３２】
このような基材に対し、アルカリ脱脂、酸活性、下地ストライクめっき、下地本めっき、ロジウムめっきの順序で、各工程における処理を施した。なお、各工程の間には、イオン交換水以上の清浄な水での洗浄工程が必要である。この洗浄工程では、オーバーフロー方式の二段洗浄又は三段洗浄を行うことが好ましい。
【００３３】
アルカリ脱脂工程で使用する薬液に関しては、各種めっきメーカーから販売されている市販の薬液を使用することができるが、その他、基材表面に存在する油分が除去できる薬品を任意に使用することができる。例えば、濃度を適切に調整した水酸化ナトリウム水溶液などでもよい。ただし、基材そのものに対して悪影響を及ぼすような成分や濃度は避ける方がよい。
【００３４】
酸活性工程で使用する薬液に関しても、基材表面の酸化物を除去して表面の活性化ができる薬品であれば特に限定されない。例えば、濃度を適切に調整した硫酸水溶液などでもよい。ただし、これも基材そのものに対して悪影響を及ぼすような成分や濃度は避ける方がよい。
【００３５】
下地ストライクめっき工程、及び下地本めっき工程で使用されるめっき液に関しては、ロジウムめっきの密着性及び電気特性向上のため、各種めっきメーカー製の金、銀、銅などのめっき液を選択、使用する。下地ストライクめっき液及び下地本めっき液は、それぞれ同種金属のめっき液を使用する。本事例の場合は、銀めっき液を採用した。下地ストライクめっき及び下地本めっきは、密着性や電気特性向上のためにロジウムめっきの前処理として行われるものであり、金、銀、銅などの電気抵抗値が低くて安定した金属であれば、種類及び膜厚は問わない。ただし、膜厚が過度に厚くなるとロジウムめっき後の硬度に影響が出やすいので、目安としては１μｍ以下にしておくことが望ましい。
【００３６】
ロジウムめっき工程は、本事例の場合、電流密度を変更して二段階にわたって実施する。まず、一段階目として、一般的なロジウムめっきにおける標準条件に準拠して電流密度、液温、めっき時間などを設定し、目標の膜厚までめっきをする。これにより、本明細書でいう基層部となるロジウムめっき膜が形成される。次に、二段階目として、標準条件を大きく超える高電流密度の電流を短時間かける。これにより、本明細書でいう表層部となるロジウムめっき膜が形成される。この表層部は、特有の微細な凹凸によって粗面化されたロジウムめっき膜となる。
【００３７】
一段階目のロジウムめっきと二段階目のロジウムめっきは、電流密度の設定を変更するだけで、同じめっき浴で引き続いて実施することができる。ロジウムめっきの膜厚は、過度に厚くなると応力が大きくなり、剥離やクラックが発生する可能性があるため、目安としては２μｍ以下とすることが望ましい。ロジウムめっき工程で使用するロジウムめっき液は、ロジウム濃度２ｇ／Ｌ〜１０ｇ／Ｌ程度、硫酸濃度３％〜１０％（望ましくは４％〜７％）程度のものが好適である。
【００３８】
本事例において、上記各めっき工程では、市販の下地銀ストライクめっき液（品名：ＡＳＰ−ＳＴ、ＡＲＶ技研株式会社製）、市販の下地銀本めっき液（品名：ＡＳＰ−ＰＬ、ＡＲＶ技研株式会社製）、市販のロジウムめっき液（品名：ＲＮＰ−５、ＡＲＶ技研株式会社製）を使用した。めっき条件は、下記表１の通りである。
【００３９】
【表１】
2015127990.tif 000002
【００４０】
めっき後の各種測定データは、以下の通りである。なお、括弧内は測定に使用した機器である。
下地平均膜厚：０．９８μｍ（測定器：ＳＦＴ９２００、ＳＩＩ社製）
ロジウム平均膜厚：１．９７μｍ（測定器：ＳＦＴ９２００、ＳＩＩ社製）
体積抵抗率：３．４μΩ・ｃｍ（測定器：ＭＣＰ−Ｔ６００、三菱化学株式会社製）
平均ビッカース硬度：７１４ＨＶ（測定器：ＤＵＨ−Ｗ２０１、島津製作所製）
また、原子間力顕微鏡法によって面内最大高低差Ｒmax、平均面粗さＲa、自乗平均面粗さＲＭＳを測定したところ、面内最大高低差Ｒmaxは１９３．４ｎｍ、平均面粗さＲaは２２．１０ｎｍ、自乗平均面粗さＲＭＳは２８．１９ｎｍであった。
【００４１】
以上の工程によって作製されたロジウムめっき膜を走査型電子顕微鏡で観察すると、ロジウムめっき膜の表面には、特異な形状の突起が形成されていた。このような突起は、二段階目のロジウムめっきによって形成されたものである。これに対し、一段階目に相当する条件でロジウムめっき膜を形成した後、二段階目に相当する条件ではめっき処理を施さなかった場合、上述のような特異な形状の突起は形成されず、膜厚だけが厚くなる。
【００４２】
換言すれば、上記二段階のロジウムめっきを施す場合でも、一段階目のロジウムめっき工程で基層部となるロジウムめっき膜を形成した時点では、膜厚だけが厚くなる。そして、更に二段階目のロジウムめっき工程で基層部となるロジウムめっき膜を形成すると、基層部に重ねて特異な突起を有する表層部が形成される。基層部と表層部は同じロジウムで形成されるので、最終的に形成されるロジウムめっき膜において、基礎部相当部分と表層部相当部分との境界には明確な界面は存在せず、基礎部相当部分と表層部相当部分とが一体化したロジウムめっき膜となる。
【００４３】
比較のため、二段階目のロジウムめっき以外は上記表１と同条件で、二段階目のロジウムめっきを施さなかった場合、めっき後の各種測定データは、以下の通りであった。なお、括弧内は測定に使用した機器である。
下地平均膜厚：０．９８μｍ（測定器：ＳＦＴ９２００、ＳＩＩ社製）
ロジウム平均膜厚：１．８８μｍ（測定器：ＳＦＴ９２００、ＳＩＩ社製）
体積抵抗率：５．３μΩ・ｃｍ（測定器：ＭＣＰ−Ｔ６００、三菱化学株式会社製）
平均ビッカース硬度：７５４ＨＶ（測定器：ＤＵＨーＷ２０１、島津製作所製）
以上の測定結果から明らかなように、二段階目のロジウムめっきを施さない場合は、ロジウムめっき膜の体積抵抗率が５．３μΩ・ｃｍとなるのに対し、二段階目のロジウムめっきを施すと、ロジウムめっき膜の体積抵抗率は３．４μΩ・ｃｍまで低下する。
【００４４】
これらの測定値はいずれも常温環境での測定値である。バルクのロジウムの体積抵抗率は、常温（２０℃）において５．１μΩ・ｃｍである。したがって、二段階目のロジウムめっきを施さない場合、ロジウムめっき膜の体積抵抗率はバルクのロジウムとほぼ同等（ロジウムめっき膜の方が僅かに高抵抗。）となるが、二段階目のロジウムめっきを施した場合、ロジウムめっき膜の体積抵抗率はバルクのロジウムを大幅に下回り、極めて低抵抗となることがわかる。
【００４５】
ちなみに、先に説明した特許文献１，２記載の技術の場合、電気めっきの際には、電流密度１．０〜４．０Ａ／ｄｍ2、０．１〜１．０Ａ／ｄｍ2でロジウムめっき膜を形成する旨が開示されているが、これは上述の一段階目と同程度の電流密度（１．０Ａ／ｄｍ2）である。したがって、これらの従来技術では、二段階目のロジウムめっきを施さない場合と同程度の体積抵抗率しか実現できない可能性がある。これに対し、本明細書で開示する技術では、従来は実施されていないような高い電流密度で二段階目のロジウムめっきを施しているので、上述のような低い体積抵抗率を実現できるのである。
【００４６】
したがって、このような低抵抗のロジウムめっき膜であれば、従来技術では得られなかったような、電気抵抗値が格段に低くて高硬度な電気接点を得ることができる。よって、電気接点を含むパターンが更に微細化された場合にも、電気接点として良好な性能を確保ないし維持することができる。
【００４７】
このようなロジウムめっき膜による電気接点の形成対象としては、例えば、シリコンウェハ、プローブ、ガラスウェハ、高周波リレー接点、ＭＥＭＳ、バンプ接点、コネクタ接点、リードリレースイッチなどを挙げることができる。
【００４８】
〔２〕ロジウムめっき膜の製造例（その２）
めっき条件を下記表２の通りに変更し、それ以外は、上記製造例（その１）と同様の手順でロジウムめっき膜を作製した。なお、上記製造例（その１）と同様に、めっき対象領域の表面積は０．０５ｄｍ2である。
【００４９】
【表２】
2015127990.tif 000003
【００５０】
めっき後の各種測定データは、以下の通りである。なお、測定に使用した機器は製造例（その１）と同様である。
下地平均膜厚：０．９１μｍ
ロジウム平均膜厚：１．６２μｍ
体積抵抗率：４．１μΩ・ｃｍ
平均ビッカース硬度：７４４ＨＶ
〔３〕ロジウムめっき膜の製造例（その３）
めっき条件を下記表３の通りに変更し、それ以外は、上記製造例（その１）と同様の手順でロジウムめっき膜を作製した。なお、上述の製造例（その１，その２）とは異なり、基材上の金めっき領域のうち、めっき対象領域以外の領域はレジスト膜でマスクされている。そのため、めっき対象領域の表面積は、上述の製造例（その１，その２）よりも小さく、０．００２４５ｄｍ2となっている。
【００５１】
【表３】
2015127990.tif 000004
【００５２】
めっき後の各種測定データは、以下の通りである。なお、測定に使用した機器は製造例（その１）と同様である。
下地平均膜厚：０．８４μｍ
ロジウム平均膜厚：１．７１μｍ
体積抵抗率：４．２μΩ・ｃｍ
平均ビッカース硬度：７７１ＨＶ
なお、この製造例（その３）のように、めっき対象領域以外の領域がレジスト膜でマスクされている場合、所期のロジウムめっき膜を形成するには、電流密度を５０〜５００Ａ／ｄｍ2の範囲内に設定すると好適である。電流密度が５０Ａ／ｄｍ2を下回った場合でも、ロジウムめっき膜を形成することはできるが、表層部の突起を形成しにくくなる傾向が現れ、その傾向は電流密度が低下するほど強まる。したがって、めっき対象領域以外の領域がレジスト膜でマスクされている場合でも、確実かつ容易に所期のロジウムめっき膜を形成するには、電流密度を５０〜５００Ａ／ｄｍ2の範囲内とすることが推奨される。
【００５３】
〔４〕ロジウムめっき膜の製造例（その４）
めっき条件を下記表４の通りに変更し、それ以外は、上記製造例（その１）と同様の手順でロジウムめっき膜を作製した。なお、上述の製造例（その３）と同様に、基材上の金めっき領域のうち、めっき対象領域以外の領域はレジスト膜でマスクされており、めっき対象領域の表面積は０．００２４５ｄｍ2となっている。
【００５４】
【表４】
2015127990.tif 000005
【００５５】
めっき後の各種測定データは、以下の通りである。なお、測定に使用した機器は製造例（その１）と同様である。
下地平均膜厚：０．９２μｍ
ロジウム平均膜厚：１．９１μｍ
体積抵抗率：３．１μΩ・ｃｍ
平均ビッカース硬度：８４３ＨＶ
〔５〕ロジウムめっき膜の製造例（その５）
めっき条件を下記表５の通りに変更し、それ以外は、上記製造例（その１）と同様の手順でロジウムめっき膜を作製した。なお、上述の製造例（その３，その４）と同様に、基材上の金めっき領域のうち、めっき対象領域以外の領域はレジスト膜でマスクされており、めっき対象領域の表面積は０．００２４５ｄｍ2となっている。
【００５６】
【表５】
2015127990.tif 000006
【００５７】
めっき後の各種測定データは、以下の通りである。なお、測定に使用した機器は製造例（その１）と同様である。
下地平均膜厚：０．７６μｍ
ロジウム平均膜厚：２．７９μｍ
体積抵抗率：４．５μΩ・ｃｍ
平均ビッカース硬度：９２３ＨＶ
〔６〕ロジウムめっき膜の製造例（その６）
めっき条件を下記表６の通りに変更し、それ以外は、上記製造例（その１）と同様の手順でロジウムめっき膜を作製した。なお、上述の製造例（その３〜その５）と同様に、基材上の金めっき領域のうち、めっき対象領域以外の領域はレジスト膜でマスクされており、めっき対象領域の表面積は０．００２４５ｄｍ2となっている。
【００５８】
【表６】
2015127990.tif 000007
【００５９】
めっき後の各種測定データは、以下の通りである。なお、測定に使用した機器は製造例（その１）と同様である。
下地平均膜厚：０．８８μｍ
ロジウム平均膜厚：３．２３μｍ
体積抵抗率：５．０μΩ・ｃｍ
平均ビッカース硬度：９８４ＨＶ
〔７〕その他の事例
以上、ロジウムめっき膜について、具体的な事例を挙げて説明したが、本発明は、上述の事例に限定されるものではなく、本発明の技術的思想を逸脱しない範囲内において、様々な形態で実施することができる。
【００６０】
例えば、上述のロジウムめっき膜の製造例（その１）では、原子間力顕微鏡法によって面内最大高低差Ｒmax、平均面粗さＲa、自乗平均面粗さＲＭＳの測定結果を例示したが、これらの測定結果は一例にすぎない。例えば、面内最大高低差Ｒmaxの場合、実験的には、３０〜１５００ｎｍ程度であれば所期の性能を発揮することが確認されており、その中でも５０〜４００ｎｍ程度であれば良好な性能を発揮する。また、平均面粗さＲaの場合、実験的には、１０〜３００ｎｍ程度であれば所期の性能を発揮することが確認されており、その中でも２０〜１００ｎｍ程度であれば良好な性能を発揮する。自乗平均面粗さＲＭＳの場合、１０〜５００ｎｍ程度であれば所期の性能を発揮することが確認されており、その中でも２０〜３００ｎｍ程度であれば良好な性能を発揮する。
【００６１】
したがって、上記パラメータも参照しつつ、電流密度を１０〜５００Ａ／ｄｍ2の範囲内で増減調整することで、ロジウムめっき膜の特性を制御することも可能である。