(57)【要約】【課題】微細化された配線を持つプリント配線基板において、絶縁層の誘電率を調整することなく、なおかつ絶縁層の厚さを調整することもなく、信号配線の特性インピーダンスの調整が可能なプリント配線基板を提供する。【解決手段】少なくとも配線層と、配線層を含む絶縁層（２）と、配線層に積層されている絶縁層（３）と、の何れかを有するプリント配線基板（３０）であって、配線層は、配線層が延在している面に垂直な方向における上端部（６）又は下端部（５）の幅（６ａ），（５ａ）に比べ、中央部の幅（１ａ）を狭くする。また、信号配線（１）の信号伝達方向に対する垂直方向の断面形状は、信号配線（１）の上端部（６）又は下端部（５）の厚さ（６ｂ），（５ｂ）に比べ、中間部分の厚さ（１ｃ）を厚くする。【選択図】図３
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の配線層を有して信号配線を構成するプリント配線基板において、
前記信号配線の信号伝達方向に対する垂直方向の断面形状は、前記信号配線の上辺又は下辺の幅が中間部分の幅よりも広いことを特徴とするプリント配線基板。
【請求項２】
前記断面形状は、前記上辺又は前記下辺の近傍部の厚さに比べ、前記中間部分の厚さが厚いことを特徴とする請求項１に記載のプリント配線基板。
【請求項３】
請求項１又は請求項２に記載のプリント配線基板の製造方法であって、
グラウンド配線及び絶縁層を形成する工程と、
第１のフォトリソグラフィー及びめっきにより、前記絶縁層の上に第１の幅の前記上端部又は下端部の一部を形成する工程と、
第２のフォトリソグラフィー及びめっきにより、前記上端部又は下端部の上に前記第１の幅よりも狭い第２の幅の中央部を形成する工程と、
を有することを特徴とするプリント配線基板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体装置や電子部品を実装して電子機器に利用されるプリント配線基板における金属配線の形状に関し、特に微細化された配線を持つプリント配線基板の構造に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、電子機器の小型化・高機能化の要求に対応するため、半導体製品や電子部品を実装するプリント配線基板において、配線の多層化及び微細化が進んでいる。また、半導体製品の高速化に伴い、プリント配線基板にも高速信号への対応が求められている。一般に、プリント配線基板で高速信号を扱うにあたっては、配線の特性インピーダンスを整合させることが重要とされている。整合させるべき特性インピーダンスの値は配線に接続される半導体チップや電子部品等の信号によって決められている。プリント配線基板では特性インピーダンスを考慮した配線構造を形成し、配線幅、配線膜厚、絶縁膜厚、絶縁膜の誘電率等を変化させることで目的の特性インピーダンスとなるよう調整している。
【０００３】
特性インピーダンスを考慮した配線構造のうち、代表的なものについて、図７を用いて説明する。
図７は、従来技術によるプリント配線基板の配線構造を示すための、信号配線の信号伝達方向に対する垂直方向の断面図である。
図７（ａ）は、ストリップラインと呼ばれる配線構造を示す断面図である。この配線構造では、信号配線１の上下に絶縁層２及び絶縁層３を挟んでグラウンド配線４ａ及び４ｂが配置されている。図７（ａ）に示す信号線１の特性インピーダンスは、信号線１の幅１ａ及び厚さ１ｂ、信号線１の上下の絶縁層の厚さ２ａ及び３ａ、さらに絶縁層２及び３の誘電率によって調整することができる。信号線１及びグラウンド配線４ａ，４ｂは、材料として一般に銅が多く用いられる。一方、絶縁層２，３は、材料としてエポキシ系の樹脂などが用いられることが多い。
【０００４】
図７（ｂ）は、マイクロストリップライン（ｍｉｃｒｏｓｔｒｉｐｌｉｎｅ）と呼ばれる配線構造を示す断面図である。この配線構造では、信号配線１の下に絶縁層３を挟んでグラウンド配線４ａが配置される。図７（ｂ）に示す信号線１の特性インピーダンスは、信号線１の幅１ａと、厚さ１ｂと、絶縁層の厚さ３ａと、絶縁層３の誘電率とを加減することによって調整することができる。ストリップラインと同様に、信号線１及びグラウンド配線４ａの材料には、銅がよく用いられ、絶縁層２，３の材料には、エポキシ系の樹脂などが用いられることが多い。
ここで、表１に、特性インピーダンスの値と、信号線の幅と、信号線の厚さと、絶縁層の厚さと、絶縁層の誘電率との相関関係を示す。
【０００５】
【表１】
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【０００６】
上述したように、プリント配線基板においても配線の微細化が進んでおり、配線の幅、厚さとも縮小する傾向にある。一方、要求される特性インピーダンスの値は、従来と変わらず、シングルエンドの信号で５０Ω、差動信号で１００Ωとなることが多い。
【０００７】
従って、信号配線を微細化した上で特性インピーダンスを整合させるためには、絶縁層の誘電率を大きくするか、絶縁層を薄くすることが必要となる。しかし、絶縁層の誘電率を大きくすることは、隣接する信号配線間のクロストークが大きくなるという弊害につながる。クロストークは、隣接する配線間の容量性の結合と誘導性の結合により発生するものであるが、絶縁層の誘電率を大きくすることにより配線間の容量が増大し、容量性の結合が大きくなるためである。さらに、信号配線間のクロストークは高速信号であればあるほど許容できない問題となる。従って、クロストークの観点から、絶縁層の誘電率をできるだけ小さくするほうが望ましい。また、特性インピーダンスの調整方法の１つに、絶縁層を薄くする調整方法がある。しかしながら、絶縁層を薄くすれば、層間の電気的絶縁性の低下を招くという欠点があるため、この方法も望ましくない。
【０００８】
このような問題を解決するため、特許文献１に示す技術が提案されている。特許文献１に記載の技術によれば、隣接する信号配線間の絶縁膜の容量を小さく、層間の絶縁膜の容量を大きく形成することも可能となる。しかしながら、この方法では、少なくとも２種類の絶縁材料が必要となる。しかも、これら２種類の絶縁材料のうち少なくとも１つは、従来と異なる誘電率のものを用意する必要があるため、新規材料が必要となってしまう。
【０００９】
また、実際に新規の絶縁膜を生産に適用するためには多くの評価が必要となり、実用化までに非常に時間がかかるという欠点がある。さらに、現在市販されているプリント配線基板用の絶縁膜材料は、ほぼエポキシ系樹脂に限定されており、比誘電率は３．０〜３．５程度の狭い範囲となっている。従って、誘電率の大きく異なる絶縁膜を作製するには絶縁樹脂の開発から着手する必要があり、さらに実用までの時間を要し、開発費用も増大することになる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【００１０】
【特許文献１】特開２００３−２１８５３５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１１】
本発明は以上のような背景を鑑みてなされたものであり、微細化された配線を有するプリント配線基板において、絶縁層の誘電率を調整することなく、なおかつ絶縁層の厚みを調整することもなく、信号配線の特性インピーダンスの調整が可能なプリント配線基板を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
上記課題を解決するため、本発明に係るプリント配線基板は、少なくとも配線層と、前記配線層を含む絶縁層と、前記配線層に積層されている絶縁層と、の何れかを有するプリント配線基板であって、前記配線層は、前記配線層が延在している面に垂直な方向における上端部又は下端部の幅に比べ、中央部の幅が狭いことを特徴とする。
さらに本発明に係るプリント配線基板は、前記配線層が、前記上端部又は前記下端部の厚さに比べ、前記中央部の厚さが厚いことを特徴とする。
【００１３】
さらに本発明に係るプリント配線基板は、複数の配線層を有して信号配線を構成するプリント配線基板において、前記信号配線の信号伝達方向に対する垂直方向の断面形状は、前記信号配線の上辺又は下辺の幅が中間部分の幅よりも広いことを特徴とする。
さらに本発明に係るプリント配線基板は、前記断面形状は、前記上辺又は前記下辺の近傍部の厚さに比べ、前記中間部分の厚さが厚いことを特徴とする。
【００１４】
また、上述した本発明に係るプリント配線基板の製造方法は、グラウンド配線及び絶縁層を形成する工程と、第１のフォトリソグラフィー及びめっきにより、前記絶縁層の上に第１の幅の前記上端部又は下端部の一部を形成する工程と、第２のフォトリソグラフィー及びめっきにより、前記上端部又は下端部の上に前記第１の幅よりも狭い第２の幅の中央部を形成する工程と、を有することを特徴とする。
【発明の効果】
【００１５】
本発明に係るプリント配線基板によれば、配線を微細化した場合でも絶縁層の誘電率を従来のものより高くすることなく、なおかつ絶縁層の厚みを薄くすることもなく、信号配線の特性インピーダンスを下げることが可能となる。その結果、隣接配線間のクロストークを抑え、層間絶縁性を確保しつつ、基板の開発期間の短縮、開発コストの削減が可能となる。
【００１６】
さらに本発明に係るプリント配線基板によれば、配線の断面形状における上辺近傍部（上端部）又は下辺近傍部（下端部）は、中間部分よりも隣接配線との間隙を小さく製造することができる。また、製造技術の観点から、通常配線幅と配線間隙の最小値は配線の厚さが厚いほど大きくなる。しかし本発明によれば、上述の上辺近傍部又は下辺近傍部を中間部分よりも薄くするため、上辺近傍部又は下辺近傍部は中間部分よりも配線間隙を狭くすることが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【００１７】
【図１】本発明の第１の実施形態に係るプリント配線基板の配線構造を示す断面図である。
【図２】本発明の第２の実施形態に係るプリント配線基板の配線構造を示す断面図である。
【図３】本発明の第３の実施形態に係るプリント配線基板の配線構造を示す断面図である。
【図４】本発明の実施例１に係るプリント配線基板の製造工程を説明するための断面図である。
【図５】本発明の実施例２に係るプリント配線基板の製造工程を説明するための断面図である。
【図６】本発明の実施例３に係るプリント配線基板の製造工程を説明するための断面図である。
【図７】従来技術によるプリント配線基板の配線構造を示す断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１８】
以下、本発明に係る第１の実施形態〜第３の実施形態について、図１〜図３を用いて詳細に説明する。
＜第１の実施形態＞
図１は、本発明の第１の実施形態に係るプリント配線基板の配線構造を示すための、信号配線の信号伝達方向に対する垂直方向の断面図である。図１に示すプリント配線板１０において、本発明を用いたマイクロストリップライン構造の断面を示している。この構造では信号配線１の下に絶縁層３を挟んでグラウンド配線４ａが配置される。
【００１９】
信号配線１の下端部（下辺近傍部）５は５ａの幅を有し、信号配線１の幅１ａよりも太く構成されている。また、下端部５の厚さ５ｂに比べ、中央部の厚さ１ｃが厚く構成されている。
そして、信号配線１、信号配線１の下端部（下辺近傍部）５、グラウンド配線４ａは銅などの金属が使用可能であり、例えば、絶縁層３はエポキシ系の樹脂が使用できる。これらはごく一般に用いられるプリント配線基板用の材料であり、なんら特別なものは必要としない。
【００２０】
このような形状とすることで、図７（ｂ）で示した従来の形態に比べ信号配線１の特性インピーダンスを小さくすることができる。そのため従来と同じ特性インピーダンス値に調整する場合、絶縁層３の厚さ３ａを従来に比べ厚くすることができ、信号配線１とグラウンド配線４ａの間の層間絶縁性の劣化を防止することができる。
【００２１】
＜第２の実施形態＞
図２は、本発明の第２の実施形態に係るプリント配線基板の配線構造を示すための、信号配線の信号伝達方向に対する垂直方向の断面図である。図２に示すプリント配線板２０において、本発明を用いたストリップライン構造の断面を示している。この構造では信号配線１の上下に絶縁層２及び絶縁層３を挟んでグラウンド配線４ａ及び４ｂが配置される。
【００２２】
信号配線１の下端部（下辺近傍部）５は幅５ａを有し、信号配線１の幅１ａよりも太く構成されている。また、下端部（下辺近傍部）５の厚さ５ｂに比べ、中央部の厚さ１ｃが厚く構成されている。
そして、信号配線１、信号配線１の下端部（下辺近傍部）５、グラウンド配線４ａ、４ｂは銅などの金属が使用可能であり、絶縁層２及び絶縁層３には、例えばエポキシ系の樹脂が使用できる。これらはごく一般に用いられるプリント配線基板用の材料であり、なんら特別なものは必要としない。
【００２３】
このような形状とすることで、図７（ａ）で示した従来の形態に比べ信号配線１の特性インピーダンスを小さくすることができる。そのため、従来と同じ特性インピーダンス値に調整する場合、絶縁層３の厚さ３ａ及び信号配線１とグラウンド配線４ｂとの間の絶縁層の厚さ２ａを、従来に比べ厚くすることができ、信号配線１とグラウンド配線４ａ及び４ｂの間の層間絶縁性の劣化を防止することができる。さらに絶縁層２及び絶縁層３の誘電率を高くする必要がないため、信号配線１と隣接配線とのクロストークを増大させることもない。
【００２４】
＜第３の実施形態＞
図３は、本発明の第３の実施形態に係るプリント配線基板の配線構造を示すための、信号配線の信号伝達方向に対する垂直方向の断面図である。図３に示すプリント配線板３０において、本発明を用いたストリップライン構造の断面を示している。この構造では信号配線１の上下に絶縁層２及び絶縁層３を挟んでグラウンド配線４ａ及び４ｂが配置される。
【００２５】
信号配線１の下端部（下辺近傍部）５及び上端部（上辺近傍部）６はそれぞれ５ａ及び６ａの幅を有し、信号配線１の幅１ａよりも太く構成されている。また、信号配線１の信号伝達方向（紙面の奥行方向）に対する垂直方向（紙面と平行な方向）の断面形状は、上端部（上辺近傍部）６又は下端部（下辺近傍部）５の厚さ６ｂ，５ｂに比べ、中央部の厚さ１ｃが厚く構成されている。
【００２６】
そして、信号配線１、信号配線１の下端部（下辺近傍部）５、上端部（上下辺近傍部）６、グラウンド配線４ａ及び４ｂは銅などの金属が使用可能であり、絶縁層２及び絶縁層３はエポキシ系の樹脂が使用可能である。これらはごく一般に用いられるプリント配線基板用の材料であり、なんら特別なものは必要としない。このような形状とすることで、図７（ａ）で示した従来の形態に比べ信号配線１の特性インピーダンスを小さくすることができる。
【００２７】
その結果、図２で示した第２の実施形態よりもさらに特性インピーダンスを小さくすることができる。そのため従来と同じ特性インピーダンス値に調整する場合、絶縁層３の厚さ３ａ及び信号配線１とグラウンド配線４ｂとの間の絶縁層の厚さ２ａを従来に比べ厚くすることができ、信号配線１とグラウンド配線４ａ及び４ｂとの間の層間絶縁性の劣化を防止することができる。
【００２８】
さらに、絶縁層２及び絶縁層３の誘電率を高くする必要がないため、信号配線１と隣接配線とのクロストークを増大させることもない。
なお、本実施形態に係るプリント配線基板３０（図３）は、少なくとも１つの配線層と、配線層を含む絶縁層２と、配線層に積層されている絶縁層３と、の何れかを有し、配線層は、配線層が延在している面に垂直な方向における上端部（上下辺近傍部）６又は下端部（下辺近傍部）５の幅６ａ，５ａに比べ、中央部の幅１ａが狭い。
【００２９】
また、本実施形態に係るプリント配線基板３０（図３）は、配線層が、上端部（上辺近傍部）６又は下端部（下辺近傍部）５の厚さ６ｂ，５ｂに比べ、中央部の厚さ１ｃが厚い。
なお、本実施形態に係る、複数の配線層を有して信号配線を構成するプリント配線基板２０（図２）において、信号配線１の信号伝達方向（紙面の奥行方向）に対する垂直方向（紙面と平行な方向）の断面形状は、信号配線１の上辺又は下辺の幅６ａ，５ａが中間部分１ａの幅よりも広い。
【００３０】
また、本実施形態に係るプリント配線基板３０（図３）は、上述の断面形状が、信号配線１の上辺又は下辺の近傍部６，５の厚さ６ｂ，５ｂに比べ、中間部分の厚さ１ｃが厚い。
配線基板３０は、このような構成であるため、上端部（上辺近傍部）６又は下端部（下辺近傍部）５の部分について、上端部（上辺近傍部）６又は下端部（下辺近傍部）５から離れた中間部分よりも、隣接配線との間隙を小さく製造することができる。製造技術の観点から、通常、配線幅及び配線間隙それぞれの最小値は、配線の厚さが厚いほど大きくなる。しかし実施形態の配線基板３０においては、配線の上端部（上辺近傍部）６又は下端部（下辺近傍部）５を、中間部分よりも薄くするため、上端部（上辺近傍部）６又は下端部（下辺近傍部）５は、中間部分よりも配線間隙を狭くすることが可能となる。従って、プリント配線基板３０の配線密度を犠牲にすることがない。
【００３１】
本実施形態によれば、プリント配線基板３０（１０，２０）の配線１の断面形状において、上端部（上辺近傍部）６又は下端部（下辺近傍部）５の幅６ａ，５ａが中間部分の幅１ａよりも広くなっているので、配線１を微細化した場合でも、絶縁層３の誘電率を従来より高くすることなく、なおかつ絶縁層３の厚さ３ａを薄くすることもなく、信号配線１の特性インピーダンスを下げることが可能となる。その結果、隣接配線間のクロストークを抑え、層間絶縁性を確保しつつ、プリント配線基板３０（１０，２０）の開発期間の短縮、開発コストの削減が可能となる。
【００３２】
このように、本実施形態によれば、微細化された配線を有するプリント配線基板において、以下（１）〜（４）に示すことを実現する。
（１）信号配線の特性インピーダンスを調整するために、絶縁層の厚さ調整と、誘電率の調整と、いずれの調整も必要としない。
（２）微細化された配線であっても層間絶縁性を確保しながら、信号配線の特性インピーダンスを下げて隣接配線間のクロストークを抑えられる。
【００３３】
（３）信号配線の特性インピーダンスを下げるため、絶縁樹脂等で構成された絶縁層に対し、厚さを薄くする変更と、誘電率の高い絶縁膜材料に取り換える変更と、いずれの変更に係る設計開発等の手数も必要としない。その結果、プリント配線基板の設計開発に係る期間の短縮と、コストの削減とを可能にする。
【００３４】
（４）製造技術の観点から、配線間隙を狭く、配線密度を向上する。
続いて本発明の実施例１〜３に係るプリント配線基板について、図４〜図６を用いて説明する。実施例１〜３は、図１〜図３で示した本発明の第１〜３の実施形態に係るプリント配線基板を形成する方法を詳細に示している。
【実施例１】
【００３５】
図４は、本発明の実施例１に係るプリント配線基板の製造工程を説明するための断面図である。実施例１は、図１で示した第１の実施形態に係るプリント配線基板１０を形成する方法を詳細に示している。
図４（ａ）は、プリント配線基板上にグラウンド配線４ａ及び絶縁層３を形成した状態を示す断面図である。グラウンド配線４ａの下面にはエポキシ系樹脂などによる絶縁層があるが、ここでは図示しない。グラウンド配線４ａは銅めっきなどで形成し、絶縁層３はエポキシ系のフィルム状樹脂をラミネート等により形成することができる。
【００３６】
図４（ｂ）は、絶縁層３の上に電解めっき用のシード層７と配線パターン用の感光性レジスト８を形成し、フォトリソグラフィー（Ｐｈｏｔｏｌｉｔｈｏｇｒａｐｈｙ）により幅５ａで示す不要部分を除去した状態を示す断面図である。幅５ａで示す不要部分は、のちに信号配線の下端部（下辺近傍部）５を形成する箇所なので、信号配線の中間部分の幅よりも大きく形成する。シード層７は無電解銅めっき、感光性レジスト８はフィルム状のものをラミネート等で形成でき、その後露光・現像を行う。
【００３７】
図４（ｃ）は、幅５ａで示す不要部分に信号配線の下端部（下辺近傍部）５を形成した状態を示す断面図である。下端部（下辺近傍部）５は電解銅めっきにより形成することができる。
図４（ｄ）は感光性レジスト８を剥離した状態を示す。
図４（ｅ）は、新たに感光性レジスト９を形成し幅１ａで示す不要部分を除去した状態を示す断面図である。感光性レジスト９はフィルム状のものをラミネート等で形成でき、その後露光・現像を行う。
【００３８】
図４（ｆ）は、図４（ｅ）において、幅１ａで示した部分に信号配線１を形成した状態を示す断面図である。信号配線１は電解銅めっきにより形成することができる。
図４（ｇ）は、感光性レジスト９を剥離し、シード層７の不要部分を除去した状態を示す断面図である。シード層７の不要部分はウェットエッチング等の方法により除去する。
以上の方法により、図１で示した本発明の第１の実施形態に係るプリント配線基板１０を形成することができる。
【００３９】
ここで、第１の実施形態に係るプリント配線基板１０を製造する方法の要点を以下に示す。
まず、図４（ａ）に示す工程では、グラウンド配線４ａ及び絶縁層３を形成する。
つぎに、図４（ｂ）、図４（ｃ）に示す工程では、第１のフォトリソグラフィー及びめっきにより、前記絶縁層の上絶縁層３の上に第１の幅５ａの上端部６又は下端部５の一部を形成する。
【００４０】
つぎに、図４（ｅ）、図４（ｆ）に示す工程では、第２のフォトリソグラフィー及びめっきにより、上端部６又は下端部５の上に第１の幅５ａよりも狭い第２の幅１ａの中央部を形成する。
【実施例２】
【００４１】
図５は、本発明の実施例２に係るプリント配線基板の製造工程を説明するための断面図である。実施例２は、図２で示した第１の実施形態に係るプリント配線基板２０を形成する方法を詳細に示している。なお、この実施例２の工程の前半は、実施例１における図４（ｇ）までの工程と同じであるため、該当する工程の重複する説明は省略する。
図５（ａ）は、図４（ｇ）の状態から絶縁層２を形成した状態を示す断面図である。絶縁層２はエポキシ系のフィルム状樹脂をラミネート等により形成することができる。
【００４２】
図５（ｂ）は、絶縁層２の上に電解めっき用のシード層１０を形成し、その上にグラウンド配線４ｂを形成した状態を示す断面図である。シード層１０は無電解銅めっき、グラウンド配線４ｂは電解銅めっきにより形成することができる。
以上の方法により、図２で示した本発明の第２の実施形態に係るプリント配線基板２０を形成することができる。
【実施例３】
【００４３】
図６は、本発明の実施例３に係るプリント配線基板の製造工程を説明するための断面図である。実施例３は、図３で示した第３の実施形態に係るプリント配線基板３０を形成する方法を詳細に示している。なお、この実施例３の工程の前半は、実施例１における図４（ｇ）までの工程と同じであるため、該当する工程の重複する説明は省略する。
図６（ａ）は、図４（ｇ）の状態から絶縁層２を形成した状態を示す断面図である。絶縁層２はエポキシ系のフィルム状樹脂をラミネート等により形成することができる。このとき絶縁層２は、形成後に信号配線１の上辺が露出するような厚さを選択する。
【００４４】
図６（ｂ）は、絶縁層２及び信号配線１の上にシード層１１と感光性レジスト１２を形成し、フォトリソグラフィーにより不要部分６ａを除去した状態を示す断面図である。６ａはのちに信号配線の上辺近傍部を形成する箇所なので、信号配線の中間部分の幅１ａよりも大きく形成する。シード層１１は、無電解銅めっき、感光性レジスト１２はフィルム状のものをラミネート等で形成でき、その後露光・現像を行う。
【００４５】
図６（ｃ）は、６ａの部分に信号配線の上辺近傍部６を形成した状態を示す断面図である。上辺近傍部６は電解銅めっきにより形成することができる。
図６（ｄ）は、感光性レジスト１２を剥離し、シード層１１の不要部分を除去した状態を示す断面図である。シード層１１の不要部分はウェットエッチング等の方法により除去する。
【００４６】
図６（ｅ）は、絶縁層１３を形成した状態を示す断面図である。絶縁層１３はエポキシ系のフィルム状樹脂をラミネート等により形成することができる。
図６（ｆ）は、絶縁層１３上に電解めっき用のシード層１４を形成し、その上にグラウンド配線４ｂを形成した状態を示す断面図である。シード層１４は無電解銅めっき、グラウンド配線４ｂは電解銅めっきにより形成することができる。
【００４７】
以上の方法により、図３で示した本発明の第３の実施形態に係るプリント配線基板３０を形成することができる。
【産業上の利用可能性】
【００４８】
本発明は、半導体装置や電子部品を実装して構成される電子機器の多くに利用される可能性がある。特に、電子機器の小型化・高機能化の要求、あるいは半導体製品の高速化に対応するため、配線の多層化及び微細化が進められている電子機器において、より効果的に利用される可能性がある。
【符号の説明】
【００４９】
１・・・信号配線、１ａ・・・信号配線１の幅（第２の幅）、１ｂ・・・信号配線１の厚さ、１ｃ・・・信号配線1の中間部分の厚さ、２・・・絶縁層、２ａ・・・信号配線１とグラウンド配線４ｂの間の絶縁層の厚さ、３・・・絶縁層、３ａ・・・絶縁層３の厚さ、４ａ，４ｂ・・・グラウンド配線、５・・・信号配線１の下端部（下辺近傍部）、５ａ・・・信号配線１の下端部（下辺近傍部）５の幅、５ｂ・・・信号配線の下端部（下辺近傍部）５の厚さ、６・・・信号配線１の上端部（上辺近傍部）、６ａ・・・信号配線１の上端部（上辺近傍部）６の幅（第１の幅）、６ｂ・・・信号配線の上端部（上辺近傍部）６の厚さ、７・・・シード層、８・・・（第１の）感光性レジスト、９・・・（第２の）感光性レジスト、１０・・・シード層、１１・・・シード層、１２・・・感光性レジスト、１３・・・絶縁層、１４・・・シード層、１０，２０，３０・・・プリント配線基板
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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