(57)【要約】【課題】  光学素子のチルト機構のコンパクト化と、偏心３収差の独立補正との両立を図った構成を提供する。【解決手段】  露光装置に搭載される投影光学系は、第１及び第２光学素子と、第１及び第２光学素子をそれぞれ駆動する第１及び第２駆動機構を有する。第１駆動機構は、投影光学系の光軸上の第１点を中心として光軸に垂直な面に対し傾斜するように第１光学素子を駆動する。第２駆動機構は、光軸上の第２点を中心として光軸に垂直な面に対し傾斜するように第２光学素子を駆動する。前記第２点は、第２駆動機構によって、投影光学系の光軸方向に移動可能であり、制御部は、投影光学系の偏心３収差を補正するように、第１及び第２駆動機構を制御する。【選択図】  図１
2015204312.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
露光装置に搭載され、原版に形成されたパターンを基板上に投影する投影光学系であって、
第１光学素子と、
第２光学素子と、
前記投影光学系の光軸上の第１点を中心として前記光軸に垂直な面に対し傾斜するように前記第１光学素子を駆動する第１駆動機構と、
前記投影光学系の光軸上の第２点を中心として前記光軸に垂直な面に対し傾斜するように前記第２光学素子を駆動する第２駆動機構と、
前記第１駆動機構及び前記第２駆動機構を制御する制御部と、
を備え、
前記第２点は、前記第２駆動機構によって前記投影光学系の光軸方向に移動可能であり、
前記制御部は、前記投影光学系の軸上コマ収差、片ボケアス収差、偏心ディストーションの少なくとも１つを補正するように、前記第１駆動機構及び前記第２駆動機構を制御する
ことを特徴とする投影光学系。
【請求項２】
前記第２駆動機構は、
前記投影光学系の光軸に垂直な方向において、前記第２光学素子の側面を押圧する押圧部材と、
前記投影光学系の光軸方向における前記押圧部材の位置を調整する調整部材と、
を含むことを特徴とする請求項１に記載の投影光学系。
【請求項３】
前記第２光学素子の周囲に設けられ、前記第２光学素子を支持する支持部材を更に有し、
前記押圧部材は、前記支持部材を介して前記第２光学素子の側面を押圧する
ことを特徴とする請求項２に記載の投影光学系。
【請求項４】
前記支持部材と前記押圧部材との間に設けられる弾性部材を更に有し、
前記押圧部材は、前記弾性部材及び前記支持部材を介して前記第２光学素子の側面を押圧する
ことを特徴とする請求項３に記載の投影光学系。
【請求項５】
前記第２駆動機構は、前記第２光学素子の外周部に複数設けられることを特徴とする請求項２乃至４のいずれか１項に記載の投影光学系。
【請求項６】
Ａ１を、前記第１光学素子の単位チルト時の偏心ディストーション変化量[nm/sec]、
Ａ２を、前記第１光学素子の単位チルト時の片ボケアス収差発生量[mλ/sec]、
Ａ３を、前記第１光学素子の単位チルト時の軸上コマ収差発生量[mλ/sec]、
Ｂ１を、前記第２光学素子の前記原版側の面頂点を回転中心とした単位チルト時の偏心ディストーション変化量[nm/sec]、
Ｂ２を、前記第２光学素子の前記原版側の面頂点を回転中心とした単位チルト時の片ボケアス収差発生量[mλ/sec]、
Ｂ３を、前記第２光学素子の前記原版側の面頂点を回転中心とした単位チルト時の軸上コマ収差発生量[mλ/sec]、
Ｂ４を、前記第２光学素子の単位シフト時の偏心ディストーション変化量[nm/μm]、
Ｂ５を、前記第２光学素子の単位シフト時の片ボケアス収差発生量[mλ/μm]、
Ｂ６を、前記第２光学素子の単位シフト時の軸上コマ収差発生量[mλ/μm]、
Ｄ１、Ｄ２、Ｄ３を、片ボケアス収差と軸上コマ収差を発生させずに偏心ディストーションのみ1nm発生させる、前記第１光学素子のチルト[sec]、前記第２光学素子の前記原版側の面頂点を回転中心としたチルト[sec]、前記第２光学素子のシフト[um]との組み合わせ、
Ｄ４、Ｄ５、Ｄ６を、偏心ディストーションと軸上コマ収差を発生させずに片ボケアス収差のみ1mλ発生させる、前記第１光学素子のチルト[sec]、前記第２光学素子の前記原版側の面頂点を回転中心としたチルト[sec]、前記第２光学素子のシフト[um]との組み合わせ、
Ｄ７、Ｄ８、Ｄ９を、偏心ディストーションと片ボケアス収差を発生させずに軸上コマ収差のみ1mλ発生させる、前記第１光学素子のチルト[sec]、前記第２光学素子の前記原版側の面頂点を回転中心としたチルト[sec]、前記第２光学素子のシフト[um]との組み合わせ、
Ｇを偏心ディストーション[nm]、Ｅを片ボケアス収差[mλ]、Ｆを軸上コマ[mλ]、
とすると、
2015204312.tif 000006
のとき、
前記第１光学素子及び前記第２光学素子の単位チルト時の収差変化が、
|D1*G|+|D4*E|+|D7*F| ＜ 10[sec]
|D2*G|+|D5*E|+|D8*F| ＜ 10[sec]
を満足することを特徴とする請求項１乃至５のいずれか１項に記載の投影光学系。
【請求項７】
Ａ１を、前記第１光学素子の単位チルト時の偏心ディストーション変化量[nm/sec]、
Ａ２を、前記第１光学素子の単位チルト時の片ボケアス収差発生量[mλ/sec]、
Ａ３を、前記第１光学素子の単位チルト時の軸上コマ収差発生量[mλ/sec]、
Ｂ１を、前記第２光学素子の前記原版側の面頂点を回転中心とした単位チルト時の偏心ディストーション変化量[nm/sec]、
Ｂ２を、前記第２光学素子の前記原版側の面頂点を回転中心とした単位チルト時の片ボケアス収差発生量[mλ/sec]、
Ｂ３を、前記第２光学素子の前記原版側の面頂点を回転中心とした単位チルト時の軸上コマ収差発生量[mλ/sec]、
Ｂ４を、前記第２光学素子の単位シフト時の偏心ディストーション変化量[nm/μm]、
Ｂ５を、前記第２光学素子の単位シフト時の片ボケアス収差発生量[mλ/μm]、
Ｂ６を、前記第２光学素子の単位シフト時の軸上コマ収差発生量[mλ/μm]、
Ｄ１、Ｄ２、Ｄ３を、片ボケアス収差と軸上コマ収差を発生させずに偏心ディストーションのみ1nm発生させる、前記第１光学素子のチルト[sec]、前記第２光学素子の前記原版側の面頂点を回転中心としたチルト[sec]、前記第２光学素子のシフト[um]との組み合わせ、
Ｄ４、Ｄ５、Ｄ６を、偏心ディストーションと軸上コマ収差を発生させずに片ボケアス収差のみ1mλ発生させる、前記第１光学素子のチルト[sec]、前記第２光学素子の前記原版側の面頂点を回転中心としたチルト[sec]、前記第２光学素子のシフト[um]との組み合わせ、
Ｄ７、Ｄ８、Ｄ９を、偏心ディストーションと片ボケアス収差を発生させずに軸上コマ収差のみ1mλ発生させる、前記第１光学素子のチルト[sec]、前記第２光学素子の前記原版側の面頂点を回転中心としたチルト[sec]、前記第２光学素子のシフト[um]との組み合わせ、
Ｌ１を、前記第１光学素子のチルトと前記第２光学素子のチルトを組み合わせて行い、片ボケアス収差と軸上コマ収差を発生させずに偏心ディストーションのみ1nm発生させる際の、前記第２光学素子のチルト回転中心位置[mm]、
Ｌ２を、前記第１光学素子のチルトと前記第２光学素子のチルトを組み合わせて行い、偏心ディストーションと軸上コマ収差を発生させずに片ボケアス収差のみ1mλ発生させる際の、前記第２光学素子のチルト回転中心位置[mm]、
Ｌ３を、前記第１光学素子のチルトと前記第２光学素子のチルトを組み合わせて行い、偏心ディストーションと片ボケアス収差を発生させずに軸上コマ収差のみ1mλ発生させる際の、前記第２光学素子のチルト回転中心位置[mm]、
とすると、
2015204312.tif 000007
L1=Ｄ3/tan(Ｄ2)/1000  [mm]
L2=Ｄ6/tan(Ｄ5)/1000  [mm]
L3=Ｄ9/tan(Ｄ8)/1000  [mm]
のとき、
前記第１光学素子及び前記第２光学素子の単位チルト時の収差変化が、
Max(L1,L2,L3)-Min(L1,L2,L3) ＜ 200[mm]
を満足することを特徴とする請求項１乃至５のいずれか１項に記載の投影光学系。
【請求項８】
請求項１乃至７のいずれか１項に記載の投影光学系を有する露光装置。
【請求項９】
請求項８に記載の露光装置を用いて基板を露光する工程と、
露光した前記基板を現像する工程と、
を有することを特徴とする物品の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体デバイスや液晶デバイス等を製造するための投影光学系、露光装置、及び物品の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体素子やマイクロデバイスの製造におけるリソグラフィ工程で使用される半導体露光装置は、数多くの異なる種類のパターンを有する原版を基板に転写する。半導体素子の集積度は年々増す一方であり、この高集積度の回路パターンを作成するためには、投影光学系の収差やディストーションの低減が不可欠である。ここで言う投影光学系の収差とは、設計値の収差だけでなく、製造段階で製造誤差等により変化する収差や、露光装置の環境（気圧／温度）、経時変化、露光熱によって変化する収差も含む。
【０００３】
特許文献１は、投影光学系を構成する光学素子をチルトさせることで投影光学系の収差を補正する方法を開示する。また特許文献２は、光学素子をチルトさせるための光学素子の支持方法を開示する。
【０００４】
光学素子をチルトさせることにより、投影光学系の３種類の偏心収差（偏心３収差）、すなわち、軸上コマ収差、片ボケアス収差、偏心ディストーションを補正することが可能である。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開平１１−１９５６０２号公報
【特許文献２】特開２００４−３４７８２１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
従来、上記偏心３収差を各々独立に補正するために、調整自由度から少なくとも３群の光学素子を独立にチルトさせる必要があった。しかし、チルト機構の数が増えるに従い、スペースの観点から光学素子を支持する鏡筒設計が制約を受けたり、コストが増えるという課題がある。
【０００７】
本発明は、光学素子のチルト機構のコンパクト化と、偏心３収差の独立補正との両立を図った構成を提供する。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明の一側面によれば、露光装置に搭載され、原版に形成されたパターンを基板上に投影する投影光学系であって、第１光学素子と、第２光学素子と、前記投影光学系の光軸上の第１点を中心として前記光軸に垂直な面に対し傾斜するように前記第１光学素子を駆動する第１駆動機構と、前記投影光学系の光軸上の第２点を中心として前記光軸に垂直な面に対し傾斜するように前記第２光学素子を駆動する第２駆動機構と、前記第１駆動機構及び前記第２駆動機構を制御する制御部とを備え、前記第２点は、前記第２駆動機構によって前記投影光学系の光軸方向に移動可能であり、前記制御部は、前記投影光学系の軸上コマ収差、片ボケアス収差、偏心ディストーションの少なくとも１つを補正するように、前記第１駆動機構及び前記第２駆動機構を制御することを特徴とする投影光学系が提供される。
【発明の効果】
【０００９】
本発明によれば、光学素子のチルト機構のコンパクト化と、偏心３収差の独立補正の両立が図られる。
【００１０】
本発明の更なる目的又はその他の特徴は、以下の、添付の図面を参照して説明される好ましい実施形態によって明らかにされる。
【図面の簡単な説明】
【００１１】
【図１】実施形態に係る露光装置の概略ブロック図。
【図２】実施形態におけるチルト機構の斜視図。
【図３】実施形態におけるチルト機構による駆動軌跡の概念図。
【図４】実施形態におけるレンズ形状を説明する図。
【発明を実施するための形態】
【００１２】
以下、図面を参照して本発明の好適な実施形態について詳細に説明する。なお、本発明は以下の実施形態に限定されるものではなく、本発明の実施に有利な具体例を示すにすぎない。また、以下の実施形態の中で説明されている特徴の組み合わせの全てが本発明の課題解決のために必須のものであるとは限らない。
【００１３】
本発明の実施例について説明する。ただし、本発明はこれらの実施例に限定するものではなく、本発明の目的が達成される範囲において、各構成要素が代替的に置換されてもよい。
【００１４】
図１は露光装置１０の概略ブロック図である。露光装置１０は、レーザ光源１と、照明光学系２と、投影光学系３とを有する。投影光学系３は、原版に形成されたパターンを基板上に投影する。原版であるレチクルＲは、不図示のレチクルステージによって支持され、基板Ｗ（ウェハ）は不図示のウェハステージによって支持される。露光装置１０は、ステップアンドスキャン方式もしくはステップアンドリピート方式でレチクルＲに形成された回路パターンを基板Ｗに露光する投影露光装置である。かかる露光装置は、サブミクロンやクオーターミクロン以下のリソグラフィ工程に好適である。
【００１５】
ここで、「ステップアンドスキャン方式」は、レチクルに対して基板（ウェハ）を連続的にスキャンしてレチクルパターンを基板ウェハに露光すると共に、１ショットの露光終了後ウェハをステップ移動して次のショットの露光領域に移動する露光方法である。「ステップアンドリピート方式」は、ウェハのショットの一括露光ごとにウェハをステップ移動して次のショットの露光領域に移動する露光方法である。
【００１６】
レーザ光源１は、例えば波長が約193nmのArFエキシマレーザーや約248nmのKrFエキシマレーザーである。本発明は、特定の光原の種類や波長、個数に限定されることはない。照明光学系２はレチクルＲを均一な照度分布で、かつ所定の照明条件にて照明する光学系である。レチクルＲからの光は投影光学系３を通り基板Ｗに投影される。投影光学系３は、光軸を共通にする第１光学素子３ａと第２光学素子３ｂを含む。また、投影光学系３は２群のチルト機構を含む。１つは、投影光学系３の光軸上の第１点を中心としてその光軸に垂直な面に対して傾斜するように第１光学素子３ａを駆動する第１駆動機構４である。もう１つは、上記光軸上の第２点を中心としてその光軸に垂直な面に対し傾斜するように第２光学素子３ｂを駆動する第２駆動機構５である。投影光学系３は更に、第１駆動機構４及び第２駆動機構５を制御する制御部６を備える。ここで、第１駆動機構４によって、第１光学素子３ａは固定の回転中心位置（上記第１点）でチルト駆動する。一方、第２駆動機構５によって、第２光学素子３ｂは回転中心位置可変のチルト駆動が可能である。この第２駆動機構５によって、上記第２点が投影光学系の光軸方向に移動可能である。
【００１７】
光学素子をチルトさせることにより、投影光学系の偏心３収差、すなわち、軸上コマ収差、片ボケアス収差、偏心ディストーションを補正することが可能である。制御部６は、投影光学系の軸上コマ収差、片ボケアス収差、偏心ディストーションの少なくともいずれかを補正するように、第１駆動機構４及び第２駆動機構５を制御する。なお、本明細書では、光学素子またはウェハステージを光軸に対して傾斜させることを「チルト」と呼び、光学素子またはウェハステージを光軸に垂直な面内で平行移動させることを「シフト」と呼ぶ。特に光学素子の原版側の面の面頂点を回転中心としたチルトのことを「Ｒ１面頂点チルト」と呼ぶ。また、画面内一律のゼルニケＣ７項もしくはＣ８項(コマ収差)のことを「軸上コマ収差」と呼び、像高に対し一次のゼルニケＣ５項もしくはＣ６項(アス収差)のことを「片ボケアス収差」と呼ぶ。
【００１８】
図３に、第１光学素子３ａのチルトの概念図を示す。第１光学素子３ａは光軸Ａ上の一点Ｏを中心としてチルト回転する。回転中心位置はＯと第１光学素子３ａのレチクル側の面の面頂点との距離Ｌで定義され、Ｏがレチクル側の面の面頂点よりレチクル側にある場合を正とし、ウェハ側にある場合を負とする。第１光学素子３ａのチルト機構である第１駆動機構４は、例えば特許文献２に記載されている構成と同様のものとすることができる。
【００１９】
次に、第２光学素子３ｂのチルト機構である第２駆動機構５の詳細例を、図２を用いて説明する。第１支持部材としての支持部材２１０は、第２光学素子３ｂの周囲に設けられ、第２光学素子３ｂを支持する。第２支持部材としての鏡筒２４０は、弾性部材２２０を介して支持部材２１０を支えるとともに、押圧部材２３０ａも支持する。押圧部材２３０ａは弾性部材２２０に接続し、第２光学素子３ｂの側面にある押圧箇所２３２にて、弾性部材２２０に対して、投影光学系の光軸に垂直な方向すなわち第２光学素子３ｂの半径方向に、押圧力を印加する。弾性部材２２０は、第１の板バネ２２２と第２の板バネ２２４とを含む。調整部材２３０ｂは押圧部材２３０ａに接続し、押圧部材２３０ａに押圧力を印加する。これら弾性部材２２０、押圧部材２３０ａ、及び調整部材２３０ｂのセットは、支持部材２１０の外周部に複数設けられてもよい。例えば３箇所8、１２０°ピッチの等間隔に設けられてもよい。
【００２０】
第２光学素子３ｂをチルトするため、まず鏡筒２４０の外部から押圧部材２３０ａを押圧することにより、第２の板バネ２２４に押圧力Ｆを印加する。押圧力Ｆが印加された第２の板バネ２２４は、第２光学素子３ｂの半径方向に変形する。しかし、押圧箇所２３２が光軸方向に偏心しているため、押圧力Ｆも偏心して印加され、第２の板バネ２２４は支持部材２１０もしくは第２光学素子３ｂの接線軸周りに回転するように捩れる。従って、第２の板バネ２２４が印加された押圧力Ｆから生成された第２の弾性力Ｆ２も第１の板バネ２２２に対して偏心して印加される。
【００２１】
第２の弾性力Ｆ２が印加された第１の板バネ２２２は、第２光学素子３ｂの半径方向に変形するが、第２の板バネ２２４と同様に、第２の弾性力Ｆ２が偏心して印加されているので、接線軸周りに回転するように捩れる。従って、第１の板バネ２２２が印加された押圧力Ｆ２から生成された第１の弾性力Ｆ１が支持部材２１０に対して斜め方向から印加されることとなり、支持部材２１０に支持された第２光学素子３ｂが傾くことになる。１２０°ピッチの等間隔で３箇所に配置された押圧部材２３０ａの押し込み量を合成することにより、第２光学素子３ｂを任意の方向に所望の傾斜角度を有するように調整することが可能である。
【００２２】
調整部材２３０ｂは、投影光学系の光軸方向における押圧部材２３０ａの位置を調整する。第２光学素子３ｂのチルト回転中心位置を調節するため、押圧部材２３０ａを調整部材２３０ｂで光軸方向に印加し、押圧部材２３０ａの光軸方向の位置を変化させ、それにより押圧箇所２３２を光軸方向（図２のＸ方向）に変化させる。押圧箇所２３２が光軸方向に変化すると、前記の弾性力Ｆ１の支持部材２１０への印加方向が変わる。３箇所に配置された押圧部材２３０ａに対して、各々の押圧箇所２３２を同じ向きに同量変化させることにより、第２光学素子３ｂのチルト回転中心位置（図３（ａ）のＬ）を光軸方向に調節することが可能である。
【００２３】
以上のようにして、制御部６の制御の下、第１光学素子３ａのチルト駆動及び、第２光学素子３ｂの回転中心位置可変のチルト駆動が可能となる。
【００２４】
続いて、投影光学系３を構成する複数の光学素子のうち、チルト機構を搭載するものを選択する方法について説明する。
【００２５】
回転中心位置固定のチルト機構を搭載する光学素子を光学素子Ａ、回転中心位置可変のチルト機構を搭載する光学素子を光学素子Ｂとする。また、これらがシフト・チルトした時の偏心収差の変化量を下記のようにＡ１〜Ｂ６とおく。Ａ１〜Ｂ６はシミュレーションにより求まる。また光学素子Ａのチルト回転中心位置は任意である。
Ａ１：光学素子Ａの単位チルト時の偏心ディストーション変化量[nm/sec]
Ａ２：光学素子Ａの単位チルト時の片ボケアス収差発生量[mλ/sec]
Ａ３：光学素子Ａの単位チルト時の軸上コマ収差発生量[mλ/sec]
Ｂ１：光学素子Ｂの単位R1面頂点チルト時の偏心ディストーション変化量[nm/sec]
Ｂ２：光学素子Ｂの単位R1面頂点チルト時の片ボケアス収差発生量[mλ/sec]
Ｂ３：光学素子Ｂの単位R1面頂点チルト時の軸上コマ収差発生量[mλ/sec]
Ｂ４：光学素子Ｂの単位シフト時の偏心ディストーション変化量[nm/μm]
Ｂ５：光学素子Ｂの単位シフト時の片ボケアス収差発生量[mλ/μm]
Ｂ６：光学素子Ｂの単位シフト時の軸上コマ収差発生量[mλ/μm]
Ｄ１、Ｄ２、Ｄ３：片ボケアス収差と軸上コマ収差を発生させずに偏心ディストーションのみ1nm発生させるような光学素子Ａのチルト[sec]、光学素子ＢのR1面頂点チルト[sec]、光学素子Ｂのシフト[um]との組み合わせ。
Ｄ４、Ｄ５、Ｄ６：偏心ディストーションと軸上コマ収差を発生させずに片ボケアス収差のみ1mλ発生させるような「光学素子Ａのチルト駆動」と「光学素子ＢのR1面頂点チルト駆動」と「光学素子Ｂのシフト駆動」の組み合わせ。順にD４[sec]、D５[sec]、D６[um]。
Ｄ７、Ｄ８、Ｄ９：偏心ディストーションと片ボケアス収差を発生させずに軸上コマ収差のみ1mλ発生させるような「光学素子Ａのチルト駆動」と「光学素子ＢのR1面頂点チルト駆動」と「光学素子Ｂのシフト駆動」の組み合わせ。順にD７[sec]、D８[sec]、D９[um]。
ただし、上記偏心ディストーション及び片ボケアス収差の量は最軸外での値である。
【００２６】
以上のようにおくと、次式が成り立つ。
【数１】
2015204312.tif 000003
【００２７】
これを変形して、Ｄ1〜Ｄ9は、以下の式で求まる。
【００２８】
【数２】
2015204312.tif 000004
【００２９】
また、偏心ディストーションを独立に補正するために光学素子ＢはＤ2[sec]Ｒ１面頂点チルトとＤ3[μm]シフト駆動をするが、これは図３（ｂ）に示すように、Ｌ１（チルト回転中心位置[mm]）でチルトすることと等価である。図３（ｂ）から、Ｌ１は（式２）の式１を満たす。片ボケアス収差を独立に補正するためのチルト回転中心位置Ｌ２、軸上コマ収差を独立に補正するためのチルト回転中心位置Ｌ３についても同様に、
L1=Ｄ3/tan(Ｄ2)/1000  [mm]
L2=Ｄ6/tan(Ｄ5)/1000  [mm]      （式２）
L3=Ｄ9/tan(Ｄ8)/1000  [mm]
である。
【００３０】
光学素子Ｂのチルト回転中心位置をL1〜L3の範囲で調節可能にすれば、光学素子Ａの回転中心位置固定チルト駆動と、光学素子Ｂの回転中心位置可変チルト駆動の組み合わせにより、偏心３収差を各々独立に補正することができる。
【００３１】
一般に、アクチュエータのストロークが増えるほど駆動精度は悪くなる。そこで、精度よく回転中心位置を調節するために、回転中心位置の調節範囲が例えば200 [mm]程度以下であることが望ましい。
【００３２】
Max(L1,L2,L3)-Min(L1,L2,L3) ＜ 200 [mm]      （式３）
左辺は回転中心位置の調節範囲を表す。また、Max(L1,L2,L3)はL1,L2,L3の最大値を、Min(L1,L2,L3)はL1,L2,L3の最小値を意味する。
【００３３】
また、補正したい偏心収差量の合計をG,E,Fとおく。ここで、Gは偏心ディストーション[nm]、Eは片ボケアス収差[mλ]、Fは軸上コマ[mλ]を表す。また、「補正したい偏心収差量の合計」とは、製造段階で製造誤差等により変化する収差や、露光装置の環境（気圧／温度）、経時変化、露光熱によって変化する収差などをすべて含んだものをいう。このとき、光学素子Ａに必要なストロークは、
|D1*Ｇ|+|D4*E|+|D7*F| [sec]
となり、光学素子Ｂに必要なストロークは、
|D2*Ｇ|+|D5*E|+|D8*F| [sec]
となる。光学素子の高精度チルト駆動を可能にするため、駆動範囲が約10秒以下であることが望ましい。
【００３４】
|D1*Ｇ|+|D4*E|+|D7*F| ＜ 10 [sec]      （式４）
|D2*Ｇ|+|D5*E|+|D8*F| ＜ 10 [sec]      （式５）
すなわち、式３、式４、式５を満足する光学素子にチルト機構を搭載すればよい。
【００３５】
本実施形態の数値実施例を図４に示す。構成諸元は例えば特開平１１−０９５０９５号公報の図４に示されたものと同一とする。屈折投影光学系は、第１物体面から順に光路に沿って、光学素子Ｌ１０１〜Ｌ１２９から構成されている。回転中心位置固定のチルト機構を光学素子Ｌ１０４に搭載し、回転中心位置可変のチルト機構は光学素子Ｌ１２４に搭載する。
【００３６】
シミュレーションにより、光学素子Ｌ１０４及び光学素子Ｌ１２４のチルト・シフト時の収差変化を求めた結果を以下に示す。
光学素子Ｌ１０４の単位R1面頂点チルト時の偏心ディストーション変化量：-4.1[nm/sec]
光学素子Ｌ１０４の単位R1面頂点チルト時の片ボケアス収差発生量：-0.3[mλ/sec]
光学素子Ｌ１０４の単位R1面頂点チルト時の軸上コマ収差発生量：1.0[mλ/sec]
光学素子Ｌ１２４の単位R1面頂点チルト時の偏心ディストーション変化量：0.6[nm/sec]
光学素子Ｌ１２４のの単位R1面頂点チルト時の片ボケアス収差発生量：1.1[mλ/sec]
光学素子Ｌ１２４の単位R1面頂点チルト時の軸上コマ収差発生量：-11.5[mλ/sec]
光学素子Ｌ１２４の単位シフト時の偏心ディストーション変化量：0.2[nm/μm]
光学素子Ｌ１２４の単位シフト時の片ボケアス収差発生量：6.1[mλ/μm]
光学素子Ｌ１２４の単位シフト時の軸上コマ収差発生量：17.3[mλ/μm]
【００３７】
これを式１に代入して、
【数３】
2015204312.tif 000005
【００３８】
これを式２に代入すると、L1 = 36、L2 = 134、L3 = -36 [mm]となり、これから
Max(L1,L2,L3)-Min(L1,L2,L3)=170[mm]
であるので、式３を満足している。
【００３９】
また、補正したい偏心収差の総量を、偏心ディストーションG=30[nm]、片ボケアス収差E=25[mλ]、軸上コマF=50[mλ]として、これと式１’から、
|D1*G|+|D4*E|+|D7*F| = 8.9 [sec]
|D2*G|+|D5*E|+|D8*F| = 9.4 [sec]
となり、式４、式５を満足している。
【００４０】
上記説明は光学素子Ｌ１０４、Ｌ１２４が採用された前提で行ったが、実際は、式３、式４、式５の左辺を駆動機構を搭載可能な全光学素子の組み合わせについて計算し、式３、式４、式５を満足しているものを採用する。
【００４１】
以上、本発明の一実施形態を説明した。本実施形態によれば、光学素子のチルト機構のコンパクト化と、偏心３収差の独立補正との両立が図られる。なお、回転中心位置は変えずに光学素子Ｌ１２４そのもののＺ方向位置を光軸方向に変更する方法だと、対称収差が発生してしまい、所望の偏心収差制御に適さない。この点においても、本実施形態による、光学素子Ａの回転中心位置固定チルト駆動と、光学素子Ｂの回転中心位置可変チルト駆動の組み合わせの利点がある。
【００４２】
＜物品の製造方法の実施形態＞
本発明の実施形態にかかる物品の製造方法は、例えば、半導体デバイス等の電子デバイスや微細構造を有する素子等の物品を製造するのに好適である。本実施形態の物品の製造方法は、基板に供給された樹脂に上記の露光装置を用いてパターンを形成する工程（基板に露光処理を行う工程）と、かかる工程でパターンを形成された基板を現像する工程とを含む。更に、かかる製造方法は、他の周知の工程（酸化、成膜、蒸着、ドーピング、平坦化、エッチング、レジスト剥離、ダイシング、ボンディング、パッケージング等）を含む。本実施形態の物品の製造方法は、従来の方法に比べて、物品の性能・品質・生産性・生産コストの少なくとも１つにおいて有利である。
【符号の説明】
【００４３】
１０：露光装置、１：レーザ光源、２：照明光学系、３：投影光学系、３ａ，３ｂ：光学素子
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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