(57)【要約】【課題】外部接続端子の防湿が充分ではない場合でも配線層の腐食を抑制することができる、半導体素子、放射線検出器、及び半導体素子の製造方法を提供する。【解決手段】接続部６２では、第２配線層４４と隣接（上または下）して酸化物導電体層５４が設けられており、第２配線層４４及び酸化物導電体層５４上に絶縁膜６０が形成されている。絶縁膜６０上に設けられた保護層３４の開口部に設けられた外部接続端子５０と、酸化物導電体層５４とがコンタクトホール５２により電気的に接続されており、第２配線層４４は、コンタクトホール５２及び外部接続端子５０と直接接しておらず、酸化物導電体層５４を介して電気的に接続されている。【選択図】図４
2015092518.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁膜下に形成された配線層と、
酸化物導電体により前記絶縁膜下に形成され、前記配線層と接続された酸化物導電体層と、
酸化物導電体により前記絶縁膜を貫通するコンタクトホールに形成されたコンタクト部と、
酸化物導電体により前記絶縁膜上に形成され、かつ前記コンタクト部により前記酸化物導電体層と接続された、前記酸化物導電体層を介して前記配線層を外部に接続するための外部接続端子と、
を備えた半導体素子。
【請求項２】
前記配線層は、前記コンタクトホールが設けられたコンタクトエリア以外のエリアに形成した、請求項１に記載の半導体素子。
【請求項３】
前記酸化物導電体層は、前記配線層上に設けられている、請求項１または請求項２に記載の半導体素子。
【請求項４】
前記酸化物導電体層は、前記配線層下に設けられている、請求項１または請求項２に記載の半導体素子。
【請求項５】
前記配線層は、前記コンタクトホールが設けられたコンタクトエリアに開口部を有している、請求項４に記載の半導体素子。
【請求項６】
前記配線層の開口部を貫通するように、当該開口部よりも小さい径の前記コンタクトホールを設けた、請求項５に記載の半導体素子。
【請求項７】
前記外部接続端子は、前記絶縁膜上に形成された保護膜の開口部に形成されている、請求項１から請求項６のいずれか１項に記載の半導体素子。
【請求項８】
前記配線層は、前記保護膜の開口部の下層以外のエリアに形成した、請求項７に記載の半導体素子。
【請求項９】
照射された放射線に応じた電荷を発生する直接変換層、及び照射された放射線を光に変換し、変換した光に応じた電荷を発生する間接変換層の少なくとも一方を含む変換層と、
前記変換層で発生した電荷を、制御信号に応じて読み出して出力するスイッチング素子  を備え、前記配線層は、前記スイッチング素子により読み出された電荷が出力される信号配線、及び前記スイッチング素子に前記制御信号を供給する制御配線の少なくとも一方を形成する、前記請求項１から前記請求項８のいずれか１項に記載の半導体素子と、
を備えた放射線検出器。
【請求項１０】
基板上に配線層を形成する工程と、
前記配線層と接続するように酸化物導電体層を形成する工程と、
前記配線層及び前記酸化物導電体層上に絶縁膜を形成する工程と、
前記絶縁膜を貫通し前記酸化物導電体層に至るコンタクトホールを形成する工程と、
酸化物導電体により前記コンタクトホールを埋めてコンタクト部を形成する工程と、
前記酸化物導電体層を介して前記配線層を外部に接続するための外部接続端子を、酸化物導電体により前記絶縁膜上に、前記コンタクト部により前記酸化物導電体層と接続されるように形成する工程と、
を備えた半導体素子の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体素子、放射線検出器、及び半導体素子の製造方法に係り、特に外部接続端子を有する半導体素子、放射線検出器、及び半導体素子の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
放射線画像撮影装置に用いられる放射線検出器等の半導体素子では、金属からなる配線層を外部の電子部材に接続するための接続部が設けられている。例えば、放射線検出器の場合、各画素から電荷を読み出すために設けられたスイッチング素子をオン／オフさせるための制御信号を供給するための複数の制御配線、及び各画素から読み出された電荷が出力される複数の信号配線の各々が、接続部に設けられた外部接続端子（パッド）を介して外部の回路等に電気的に接続されている。
【０００３】
このような半導体素子の接続部では一般に耐食性の観点から、湿度等の外気（湿気）に強いＩＴＯ（酸化インジウムスズ）等の酸化物導電体が用いられている（例えば、特許文献１及び特許文献２参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００４−３３３６４２号公報
【特許文献２】特開２００５−１７５２０４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
一般的に、接続部において酸化物導電体とコンタクトする配線にはＡｌ等の金属を用いることが行われているが、ＩＴＯとＡｌとの基準電位差により腐食が発生するという問題があった。この問題を回避するため、Ａｌの上層をＭｏ等のバリアメタルでカバーする方法が一般に用いられているが、Ｍｏ等のバリアメタルは湿度に弱く、外部接続端子として用いられるＩＴＯのピンホールやクラックから侵入した外気の湿度により腐食が発生するという問題が生じていた。
【０００６】
特にＩＴＯと金属層とのコンタクトホールでは、テーパ形状や金属層の表面状態によりＩＴＯにクラックやピンホールが発生しやすく、充分にカバーできないという問題があった。
【０００７】
これらの問題を回避するため、一般に端子腐食対策が行われている。例えば、図１６に示すような技術が用いられている。図１６に示した従来の半導体素子１０００の接続部１０６２では、外部電子部材が接続される外部接続端子１０５０が絶縁層１０２３上に設けられた保護層１０３４の開口部に設けられている。外部接続端子１０５０と、配線層１０４４と、は金属層１０７０を介して接続されており、外部接続端子１０５０と保護層１０３４との間から、外気（湿気）等が侵入しないように、防湿材１０７２によるカバーが設けられている。
【０００８】
しかしながら、防湿材１０７２にピンホール等が発生すると防湿が不充分となり、腐食が発生するというさらなる問題があった。腐食が発生すると同層の金属に腐食は進展し、断線等の品質問題を引き起こす懸念がある。
【０００９】
本発明は、上記問題点を解決するために成されたものであり、外部接続端子の防湿が充分ではない場合でも配線層の腐食を抑制することができる、半導体素子、放射線検出器、及び半導体素子の製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
上記目的を達成するために、本発明の半導体素子は、絶縁膜下に形成された配線層と、酸化物導電体により前記絶縁膜下に形成され、前記配線層と接続された酸化物導電体層と、酸化物導電体により前記絶縁膜を貫通するコンタクトホールに形成されたコンタクト部と、酸化物導電体により前記絶縁膜上に形成され、かつ前記コンタクト部により前記酸化物導電体層と接続された、前記酸化物導電体層を介して前記配線層を外部に接続するための外部接続端子と、を備えた。
【００１１】
また、本発明の半導体素子の前記配線層は、前記コンタクトホールが設けられたコンタクトエリア以外のエリアに形成することが好ましい。
【００１２】
また、本発明の半導体素子の前記酸化物導電体層は、前記配線層上に設けられていてもよい。
【００１３】
また、本発明の半導体素子の前記酸化物導電体層は、前記配線層下に設けられていてもよい。
【００１４】
本発明の半導体素子の前記配線層は、前記コンタクトホールが設けられたコンタクトエリアに開口部を有していることが好ましい。
【００１５】
本発明の半導体素子は、前記配線層の開口部を貫通するように、当該開口部よりも小さい径の前記コンタクトホールを設けることが好ましい。
【００１６】
また、本発明の半導体素子の前記外部接続端子は、前記絶縁膜上に形成された保護膜の開口部に形成されていてもよい。
【００１７】
本発明の半導体素子の前記配線層は、前記保護膜の開口部の下層以外のエリアに形成することが好ましい。
【００１８】
本発明の放射線検出器は、照射された放射線に応じた電荷を発生する直接変換層、及び照射された放射線を光に変換し、変換した光に応じた電荷を発生する間接変換層の少なくとも一方を含む変換層と、前記変換層で発生した電荷を、制御信号に応じて読み出して出力するスイッチング素子  を備え、前記配線層は、前記スイッチング素子により読み出された電荷が出力される信号配線、及び前記スイッチング素子に前記制御信号を供給する制御配線の少なくとも一方を形成する、本発明の半導体素子と、を備えた。
【００１９】
本発明の半導体素子の製造方法は、基板上に配線層を形成する工程と、前記配線層と接続するように酸化物導電体層を形成する工程と、前記配線層及び前記酸化物導電体層上に絶縁膜を形成する工程と、前記絶縁膜を貫通し前記酸化物導電体層に至るコンタクトホールを形成する工程と、酸化物導電体により前記コンタクトホールを埋めてコンタクト部を形成する工程と、前記酸化物導電体層を介して前記配線層を外部に接続するための外部接続端子を、酸化物導電体により前記絶縁膜上に、前記コンタクト部により前記酸化物導電体層と接続されるように形成する工程と、を備えた。
【発明の効果】
【００２０】
外部接続端子の防湿が充分ではない場合でも配線層の腐食を抑制することができるという効果が得られる。
【図面の簡単な説明】
【００２１】
【図１】本実施の形態に係る放射線画像撮影装置の全体構成の一例を示す構成図である。
【図２】本実施の形態に係る放射線検出器の構成の一例を示す平面図である。
【図３】図２に示した本実施の形態に係る放射線検出器の画素の一例の断面図である。
【図４】実施例１に係る接続部の一例の断面図である。
【図５】図４に示した実施例１に係る外部接続端子の一例を示す平面図である。
【図６】実施例１に係る接続部（外部接続端子）の製造工程を説明する説明図である。
【図７】実施例２に係る接続部の一例の断面図である。
【図８】図７に示した実施例２に係る外部接続端子の一例を示す平面図である。
【図９】実施例２に係る接続部（外部接続端子）の製造工程を説明する説明図である。
【図１０】実施例３に係る接続部の一例の断面図である。
【図１１】図１０に示した実施例３に係る外部接続端子の一例を示す平面図である。
【図１２】実施例３に係る接続部（外部接続端子）の製造工程を説明する説明図である。
【図１３】実施例４に係る接続部の一例の断面図である。
【図１４】図１３に示した実施例４に係る外部接続端子の一例を示す平面図である。
【図１５】実施例４に係る接続部（外部接続端子）の製造工程を説明する説明図である。
【図１６】従来の放射線検出器における接続部の一例の断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００２２】
以下、各図面を参照して本実施の形態の一例について説明する。本実施の形態では、一例として、本発明の半導体素子を放射線画像撮影装置の放射線検出器に適用した場合について説明する。
【００２３】
まず、本実施の形態の放射線画像撮影装置１００の概略構成について説明する。図１に、本実施の形態の放射線画像撮影装置の全体構成の一例を示す。本実施の形態では、Ｘ線等の放射線を一旦光に変換し、変換した光を電荷に変換する間接変換方式の放射線検出器１０に本発明を適用した場合について説明する。本実施の形態では、放射線画像撮影装置１００は、間接変換方式の放射線検出器１０を備えて構成されている。なお、図１では、放射線を光に変換するシンチレータは省略している。
【００２４】
放射線検出器１０には、光を受けて電荷を発生し、発生した電荷を蓄積するセンサ部１０３と、センサ部１０３に蓄積された電荷を読み出すためのスイッチング素子であるＴＦＴスイッチ４と、を含んで構成される画素２０が複数、マトリックス状に配置されている。本実施の形態では、シンチレータによって変換された光が照射されることにより、センサ部１０３で電荷が発生する。
【００２５】
画素２０は、一方向（図１の横方向、以下「行方向」ともいう）及び当該行方向に対する交差方向（図１の縦方向、以下「列方向」ともいう）にマトリックス状に複数配置されている。図１では、画素２０の配列を簡略化して示しているが、例えば、画素２０は行方向及び列方向に１０２４×１０２４個配置されている。
【００２６】
また、放射線検出器１０には、基板１（図３参照）上に、ＴＦＴスイッチ４をオン／オフするための複数の制御配線である走査配線１０１と、上記センサ部１０３に蓄積された電荷を読み出すための複数の信号配線３と、が互いに交差して設けられている。本実施の形態では、一方向の各画素列に信号配線３が１本ずつ設けられ、交差方向の各画素列に走査配線１０１が１本ずつ設けられており、例えば、画素２０が行向及び列方向に１０２４×１０２４個配置されている場合、信号配線３及び走査配線１０１は１０２４本ずつ設けられている。
【００２７】
さらに、放射線検出器１０には、各信号配線３と並列にバイアス配線２５が設けられている。バイアス配線２５は、一端及び他端が並列に接続されており、一端が所定のバイアス電圧を供給するバイアス電源１１０に接続されている。センサ部１０３はバイアス配線２５に接続されており、バイアス配線２５を介してバイアス電圧が印加されている。
【００２８】
走査配線１０１には、各ＴＦＴスイッチ４をスイッチングするためのスキャン信号が流れる。このようにスキャン信号が各走査配線１０１に流れることによって、各ＴＦＴスイッチ４がスイッチング（オン／オフ）される。
【００２９】
信号配線３には、各画素２０のＴＦＴスイッチ４のスイッチング状態に応じて、各画素２０に蓄積された電荷に応じた電気信号が流れる。より具体的には、各信号配線３には、当該信号配線３に接続された画素２０の何れかのＴＦＴスイッチ４がオンされることにより蓄積された電荷量に応じた電気信号が流れる。
【００３０】
放射線検出器１０の各信号配線３には、外部接続端子５０であるデータパッド５０Ａを介して、各信号配線３に流れ出した電気信号を検出する信号検出回路１０５が接続されている。また、放射線検出器１０の各走査配線１０１には、外部接続端子５０であるゲートパッド５０Ｂを介して、各走査配線１０１にＴＦＴスイッチ４をオン／オフするための制御信号を出力するスキャン信号制御回路１０４が接続されている。図２では、信号検出回路１０５及びスキャン信号制御回路１０４を１つに簡略化して示しているが、例えば、信号検出回路１０５及びスキャン信号制御回路１０４を複数設けて所定本（例えば、２５６本）毎に信号配線３又は走査配線１０１を接続する。例えば、信号配線３及び走査配線１０１が１０２４本ずつ設けられている場合、スキャン信号制御回路１０４を４個設けて２５６本ずつ走査配線１０１を接続し、信号検出回路１０５も４個設けて２５６本ずつ信号配線３を接続する。
【００３１】
信号検出回路１０５は、各信号配線３毎に、入力される電気信号を増幅する増幅回路（図示省略）を内蔵している。信号検出回路１０５では、各信号配線３より入力される電気信号を増幅回路により増幅し、ＡＤＣ（アナログ・デジタル変換器）によりデジタル信号へ変換する。
【００３２】
この信号検出回路１０５及びスキャン信号制御回路１０４には、信号検出回路１０５において変換されたデジタル信号に対してノイズ除去等の所定の処理を施すとともに、信号検出回路１０５に対して信号検出のタイミングを示す制御信号を出力し、スキャン信号制御回路１０４に対してスキャン信号の出力のタイミングを示す制御信号を出力する制御部１０６が接続されている。
【００３３】
本実施の形態の制御部１０６は、マイクロコンピュータによって構成されており、ＣＰＵ（中央処理装置）、ＲＯＭ及びＲＡＭ、フラッシュメモリ等からなる不揮発性の記憶部を備えている。制御部１０６は、信号検出回路１０５から入力された電荷情報を示す電気信号に基づいて、照射された放射線が示す画像を生成して出力する。
【００３４】
次に、本実施の形態の画素２０について説明する。図２に、本実施形態に係る間接変換方式の放射線検出器１０の２画素×２画素分の構造を示す平面図を示す。また、図３には、図２に示した画素２０のＡ−Ａ線断面図を示す。
【００３５】
図３に示すように、画素２０は、無アルカリガラス等からなる絶縁性の基板１上に、走査配線１０１（図２参照）、及びゲート電極２が形成されており、走査配線１０１とゲート電極２は接続されている（図２参照）。この走査配線１０１、及びゲート電極２が形成された配線層（以下、この配線層を「第１配線層４２」ともいう）は、Ａｌ若しくはＣｕ、またはＡｌ若しくはＣｕを主体とした積層膜を用いて形成されているが、これらに限定されるものではない。
【００３６】
この第１配線層４２上には、一面に絶縁膜１５が形成されており、ゲート電極２上に位置する部位がＴＦＴスイッチ４におけるゲート絶縁膜として作用する。この絶縁膜１５は、例えば、ＳｉＮｘ等からなっており、例えば、ＣＶＤ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｖａｐｏｒ  Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）成膜により形成される。
【００３７】
ゲート電極２上の絶縁膜１５上には、半導体活性層８が島状に形成されている。この半導体活性層８は、ＴＦＴスイッチ４のチャネル部であり、例えば、アモルファスシリコン膜からなる。
【００３８】
これらの上層には、ソース電極９、及びドレイン電極１３が形成されている。このソース電極９及びドレイン電極１３が形成された配線層には、ソース電極９、ドレイン電極１３とともに、信号配線３が形成されている。ソース電極９は信号配線３に接続されている（図２参照）。ソース電極９、ドレイン電極１３、及び信号配線３が形成された配線層（以下、この配線層を「第２配線層４４」ともいう）は、Ａｌ若しくはＣｕ、またはＡｌ若しくはＣｕを主体とした積層膜が用いて形成されるが、これらに限定されるものではない。当該ソース電極９及びドレイン電極１３と半導体活性層８との間には不純物添加アモルファスシリコン等による不純物添加半導体層（図示省略）が形成されている。これらによりスイッチング用のＴＦＴスイッチ４が構成される。なお、ＴＦＴスイッチ４は後述する下部電極１１により収集、蓄積される電荷の極性によってソース電極９とドレイン電極１３が逆となる。
【００３９】
これら第２配線層４４を覆い、基板１上の画素２０が設けられた領域のほぼ全面（ほぼ全領域）には、ＴＦＴスイッチ４や信号配線３を保護するために、ＴＦＴ保護膜層３０が形成されている。このＴＦＴ保護膜層３０は、例えば、ＳｉＮｘ等からなっており、例えば、ＣＶＤ成膜により形成される。
【００４０】
このＴＦＴ保護膜層３０上には、塗布型の層間絶縁膜１２が形成されている。この層間絶縁膜１２は、低誘電率（比誘電率εｒ＝２〜４）の感光性の有機材料（例えば、ポジ型感光性アクリル系樹脂：メタクリル酸とグリシジルメタクリレートとの共重合体からなるベースポリマーに、ナフトキノンジアジド系ポジ型感光剤を混合した材料等）により１〜６μｍの膜厚で形成されている。
【００４１】
本実施の形態に係る放射線検出器１０では、この層間絶縁膜１２によって層間絶縁膜１２上層と下層に配置される金属間の容量を低く抑えている。また、一般的にこのような材料は平坦化膜としての機能も有しており、下層の段差が平坦化される効果も有する。本実施の形態に係る放射線検出器１０では、この層間絶縁膜１２及びＴＦＴ保護膜層３０のドレイン電極１３と対向する位置にコンタクトホール１７が形成されている。
【００４２】
層間絶縁膜１２上には、コンタクトホール１７を埋めつつ、画素領域を覆うようにセンサ部１０３の下部電極１１が形成されており、この下部電極１１は、ＴＦＴスイッチ４のドレイン電極１３と接続されている。この下部電極１１は、後述する半導体層２１が１μｍ前後と厚い場合には導電性があれば材料に制限がほとんどなく、例えば、Ａｌ系材料等導電性の金属を用いて形成される。
【００４３】
下部電極１１上には、フォトダイオードとして機能する半導体層２１が形成されている。本実施の形態では、半導体層２１として、ｐ＋層、ｉ層、ｎ＋層（ｐ＋アモルファスシリコン、アモルファスシリコン、ｎ＋アモルファスシリコン）を積層したＰＩＮ構造のフォトダイオードを採用しており、下層からｐ＋層２１Ａ、ｉ層２１Ｂ、ｎ＋層２１Ｃを順に積層して形成する。ｉ層２１Ｂは、光が照射されることにより電荷（一対の自由電子と自由正孔）が発生する。ｐ＋層２１Ａ及びｎ＋層２１Ｃは、コンタクト層として機能し、下部電極１１及び後述する上部電極２２とｉ層２１Ｂをと電気的に接続する。
【００４４】
各半導体層２１上には、それぞれ個別に上部電極２２が形成されている。この上部電極２２には、例えば、ＩＴＯやＩＺＯ（酸化亜鉛インジウム）等の光透過性の高い材料を用いている。本実施の形態に係る放射線検出器１０では、上部電極２２や半導体層２１、下部電極１１を含んでセンサ部１０３が構成されている。
【００４５】
層間絶縁膜１２、半導体層２１及び上部電極２２上には、上部電極２２に対応する一部で開口２７Ａを持ち、各半導体層２１を覆うように、層間絶縁膜２３が形成されている。層間絶縁膜２３は、ＳｉＮｘ等からなっており、例えば、０．２〜０．６μｍの膜厚でＣＶＤ成膜により形成されている。
【００４６】
この層間絶縁膜２３上には、バイアス配線２５が形成されている。バイアス配線２５は、透明導電体、ＡｌもしくはＣｕ、またはＡｌもしくはＣｕを主体とした合金、あるいは積層膜が好ましく、特に、透明導電体であることが好ましい。透明導電体としては、例えば、ＩＴＯやＩＺＯ（酸化亜鉛インジウム）等の光透過性の高い導電体が好ましい。バイアス配線２５は、開口２７Ａ付近にコンタクトパッド２７が形成され、層間絶縁膜２３の開口２７Ａを介して上部電極２２と電気的に接続される。
【００４７】
さらに層間絶縁膜２３及びバイアス配線２５（コンタクトパッド２７）の上には、表面を平坦化するための平坦化層３２が形成されている。平坦化層３２は、絶縁層であり、例えば、層間絶縁膜１２と同様に、有機材料により１〜６μｍの膜厚で形成されている。また、平坦化層３２の上には、放射線検出器１０の表面を保護するための保護層３４が形成されている。
【００４８】
このように形成された画素２０上には、必要に応じてさらに光吸収性の低い絶縁性の材料により保護膜が形成されて、その表面に光吸収性の低い接着樹脂を用いてまたは、直接蒸着によりＧＯＳやＣｓＩ等からなるシンチレータが貼り付けられる。
【００４９】
次に、本実施の形態の外部接続端子５０について具体的に実施例を挙げて説明する。なお、本実施の形態の放射線検出器１０では、外部接続端子５０がデータパッド５０Ａの場合は、基板１（基板１及び絶縁膜１５）上に形成された第２配線層４４は、データパッド５０Ａに接続されている。また、外部接続端子５０がゲートパッド５０Ｂの場合は、基板１上に形成された第１配線層４２は、コンタクトホールを介して第２配線層４４と接続されており、第１配線層４２は第２配線層４４を介して、ゲートパッド５０Ｂに接続されている。すなわち本実施の形態では、データパッド５０Ａ及びゲートパッド５０Ｂのいずれの場合も、第２配線層４４が外部接続端子５０（データパッド５０Ａ及びゲートパッド５０Ｂ）を介して外部の電子部材（回路、装置等）に接続されるように構成されている。以下の実施例では、第２配線層４４が外部接続端子５０（データパッド５０Ａ及びゲートパッド５０Ｂ）を介して外部の電子部材に接続される接続部（接続部６２、図４〜図１５参照）について詳細に説明する。
【００５０】
（実施例１）
図４に、本実施例に係る接続部６２の一例の断面図を示す。また、図５には、接続部６２の一例の平面図を示す。
【００５１】
図４に示すように、基板１上には、第２配線層４４（信号配線３、ソース電極９、及びドレイン電極１３を含む配線層）が形成されている。第２配線層４４の上には、直接、酸化物導電体から成る酸化物導電体層５４が形成されている。酸化物導電体層５４は、透明導電体であることが好ましく、例えば、ＩＴＯやＩＺＯ（酸化亜鉛インジウム）等の光透過性の高い導電体が好ましい。
【００５２】
本実施例では、図５に示すように、酸化物導電体層５４は、接続部６２における第２配線層４４の大きさと同等以下の大きさで第２配線層４４上に形成されている。
【００５３】
基板１、第２配線層４４、及び酸化物導電体層５４の上には、ＴＦＴ保護層３０及び層間絶縁膜２３が形成されている。なお、層間絶縁膜２３及びＴＦＴ保護層３０は、上述したように略同一であるため、絶縁膜６０と総称する。以下の実施例においても、同様に層間絶縁膜２３及びＴＦＴ保護層３０を総称する場合は、絶縁膜６０という。
【００５４】
絶縁膜６０の上には、外部接続端子５０が形成される領域に開口部を有するように保護層３４が形成されている。絶縁膜６０上の、保護層３４の開口部には、外部接続端子５０が形成されており、外部接続端子５０と酸化物導電体層５４とは、絶縁膜６０を貫通するコンタクトホール５２により電気的に接続されている。
【００５５】
次に、本実施の形態の放射線検出器１０における本実施例の外部接続端子５０の製造工程について、図６を参照して説明する。なお、図６では、接続部６２について示している。
【００５６】
放射線検出器１０では、接続部６２には第１配線層４２が設けられていないため図６では図示されていないが、まず、基板１上に、第１配線層４２として、ゲート電極２、走査配線１０１を形成する。この第１配線層４２は、Ａｌ、Ａｌ合金、Ｃｕ、Ｃｕ合金等の低抵抗金属、もしくは高融点金属からなるバリアメタル層との積層膜からなり、膜厚が１００〜６００ｎｍ前後でスパッタリング法にて基板１上に堆積される。その後、フォトリソグラフィー技術にてレジスト膜のパターンニングを行う。その後、メタル用のエッチャントによるウェットエッチ法か、ドライエッチ法にて金属膜をパターンニングする。その後、レジストを除去することにより第１配線層４２が完成する。次に、第１配線層４２上に、絶縁膜１５、半導体活性層８、コンタクト層を順次堆積する。絶縁膜１５はＳｉＮｘからなり膜厚は２００〜６００ｎｍ、半導体活性層８はアモルファスシリコンからなり膜厚２０〜２００ｎｍ前後、コンタクト層は不純物添加アモルファスシリコンからなり膜厚１０〜１００ｎｍ前後で、Ｐ−ＣＶＤ（Ｐｌａｓｍａ−Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｖａｐｏｒ  Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法にて堆積する。その後、第１配線層４２と同様に、フォトリソグラフィー技術によりレジストのパターンニングを行う。その後、半導体活性層８と不純物添加半導体によるコンタクト層を絶縁膜１５に対し選択的にドライエッチングすることにより半導体活性領域を形成する。
【００５７】
次に、図６（Ａ）に示すように、第２配線層４４として、信号配線３、ソース電極９、及びドレイン電極１３を形成する。接続部６２においては、基板１上、または基板１上に設けられた絶縁膜１５上に第２配線層４４を形成する。この第２配線層４４は、第１配線層４２と同様に、Ａｌ、Ａｌ合金、Ｃｕ、Ｃｕ合金等の低抵抗金属、もしくは高融点金属からなるバリアメタル層との積層膜、またはＭｏ等の高融点金属膜単層からなり、膜厚が１００〜６００ｎｍ前後である。第１配線層４２と同様に、フォトリソグラフィー技術にてパターンニングを行い、メタル用のエッチャントによるウェットエッチ法か、ドライエッチ法にて金属膜をパターンニングする。
【００５８】
また、放射線検出器１０の画素２０では、ドライエッチ法にて、コンタクト層と半導体活性層８の一部を除去しＴＦＴスイッチ４のチャネル領域を形成する。
【００５９】
次に、図６（Ｂ）に示すように、接続部６２の第２配線層４４上に酸化物導電体層５４を形成する。ＩＴＯ等の酸化物導電体材料をスパッタリング法により堆積させ、フォトリソグラフィー技術にて図５に示した形状となるようにパターンニングを行い、エッチャント等によるウェットエッチ法か、ドライエッチ法にて酸化物導電体層５４を形成する。酸化物導電体層５４の膜厚は、１０μｍ〜１００μｍが好ましい。
【００６０】
次に、図６（Ｃ）に示すように、基板１、及び上記のように形成された第２配線層４４及び酸化物導電体層５４の上に、ＴＦＴ保護層３０及び層間絶縁膜２３を順次形成して、絶縁膜６０を形成する。
【００６１】
本実施の形態の放射線検出器１０では、まず、ＴＦＴ保護層３０及び、層間絶縁膜１２を順次形成する。なお、接続部６２においては、層間絶縁膜１２が設けられていないため、図６では、図示を省略している。層間絶縁膜１２及びＴＦＴ保護層３０は無機材料単体の場合や、無機材料からなるＴＦＴ保護層３０と有機系材料からなる層間絶縁膜１２の積層により形成する場合や、有機系からなる絶縁膜単層により形成する場合がある。本実施の形態では、例えば、ＣＶＤ成膜によりＴＦＴ保護膜層３０を形成し、塗布系材料である感光性の層間絶縁膜１２材料を塗布、プリベーク後、露光、現像のステップを通過後、焼成を行なって各層を形成する。
【００６２】
さらに、本実施の形態の放射線検出器１０では、いずれも接続部６２には設けられていないため、図６中には図示されていないが、層間絶縁膜１２及びＴＦＴ保護層３０の上に下部電極１１、半導体層２１、及び上部電極２２を形成する。下部電極は、Ａｌ系やＭｏ系、ＩＴＯ等の導電体材料をスパッタリング法により膜厚が２０〜５００ｎｍ前後になるように堆積し、フォトリソグラフィー技術にてパターンニングを行い、メタル用のエッチャント等によるウェットエッチ法か、ドライエッチ法にてパターンニングして形成する。光電変換層である半導体層２１は、有機光電変換材料である場合は、例えば、ＣＶＤ法により形成すればよい。膜厚は３０ｎｍ以上、３００ｎｍ以下が好ましく、より好ましくは、５０ｎｍ以上、２５０ｎｍ以下、特に好ましくは８０ｎｍ以上、２００ｎｍ以下である。また、無機光電変換材料である場合は、ＣＶＤ法で下層より順にｐ＋層２１Ａ、ｉ層２１Ｂ、ｎ＋層２１Ｃの各層を堆積して半導体層２１を形成する。膜厚は、例えばそれぞれｎ＋層１０〜５００ｎｍ、ｉ層０．２〜２μｍ、ｐ＋層１０〜５００ｎｍである。半導体層２１は各層を順に積層してフォトリソグラフィー技術により、半導体層２１をパターンニングし、ドライエッチ、もしくはウェットエッチによる下層の層間絶縁膜１２との選択エッチすることにより完成する。なお、ｐ＋層２１Ａ、ｉ層２１Ｂ、ｎ＋層２１Ｃの順で積層するのではなく、ｎ＋層２１Ｃ、ｉ層２１Ｂ、ｐ＋層２１Ａの順で積層し、ＮＩＰダイオードとしてもかまわない。上部電極２２は、ＩＴＯ等の透明電極材料をスパッタリング法により膜厚が２０〜２００ｎｍ前後になるように堆積し、フォトリソグラフィー技術にてパターンニングを行い、ＩＴＯ用のエッチャント等によるウェットエッチ法か、ドライエッチ法にてパターンニングして形成する。また、ＭＩＳダイオードとしてもかまわない。
【００６３】
次に、層間絶縁膜１２及び半導体層２１上に、ＳｉＮｘ膜からなる層間絶縁膜２３を堆積する。ここでは、一例としてＣＶＤ成膜のＳｉＮｘを記載したが、絶縁材料であれば適用でき、ＳｉＮｘに限定するものではない。このようにして、図６（Ｃ）に示すように、絶縁膜６０が形成される。
【００６４】
さらに、図６（Ｃ）に示すように、絶縁膜用のウェットエッチ法か、ドライエッチ法にて絶縁膜６０を貫通して酸化物導電体層５４に至るコンタクトホール５２をコンタクトエリアに形成する。
【００６５】
次に、図６（Ｄ）に示すように、絶縁膜６０上に、ＩＴＯ等の酸化物導電体材料をスパッタリング法によりコンタクトホール５２を埋めつつ堆積させ、フォトリソグラフィー技術にてパターンニングを行い、エッチャント等によるウェットエッチ法か、ドライエッチ法にてパターンニングして外部接続端子５０を形成する。
【００６６】
次に、図６（Ｅ）に示すように、外部接続端子５０をマスキングして、接続部６２の外部接続端子５０が形成される領域に開口部を有するように、絶縁膜である保護層３４を例えば、ＣＶＤ成膜により形成する。本実施の形態の放射線検出器１０では、このようにして、外部接続端子５０が形成される。
【００６７】
このように本実施例の接続部６２では、第２配線層４４の上に酸化物導電体層５４が形成されており、酸化物導電体層５４と外部接続端子５０とがコンタクトホール５２を介して電気的に接続されている。これにより、第２配線層４４の上を酸化物導電体層５４によりカバーすることで、外部接続端子５０のピンホール等をカバーすることができる。従って、本実施例の接続部６２を備えた半導体素子を適用した放射線検出器１０では、外部接続端子５０にピンホール等が有り、防湿が充分ではない場合でも第２配線層４４や第１配線層４２の腐食を抑制することができる。
【００６８】
（実施例２）
図７に、本実施例に係る接続部６２の一例の断面図を示す。また、図８には、接続部６２の一例の平面図を示す。なお、実施例２は、実施例１と略同一であるため、同一部分については詳細な説明を省略する。
【００６９】
図７に示すように、基板１上には、第２配線層４４（信号配線３、ソース電極９、及びドレイン電極１３を含む配線層）が形成されている。第２配線層４４の端部をカバーするように、第２配線層４４上から基板１上にかけて、酸化物導電体から成る酸化物導電体層５４が形成されている。
【００７０】
基板１、第２配線層４４、及び酸化物導電体層５４の上には、絶縁膜６０（ＴＦＴ保護層３０及び層間絶縁膜２３）が形成されている。絶縁膜６０の上には、開口部を有する保護層３４が形成されている。保護層３４の開口部には、外部接続端子５０が形成されており、外部接続端子５０と酸化物導電体層５４とは、絶縁膜６０を貫通するコンタクトホール５２により電気的に接続されている。
【００７１】
本実施例では、図８に示すように、外部接続端子５０の下部には、第２配線層４４が設けられておらず、第２配線層４４の端部と、外部接続端子５０の端部との間は、間隔が空くように配置されている。また、本実施例では、図７に示すように第２配線層４４は、保護層３４の下部に設けられており、保護層３４の開口部の下部には、設けられていない。酸化物導電体層５４は、第２配線層４４上から外部接続端子５０の下部領域（コンタクトホール５２が設けられたコンタクトエリア）にかけて設けられている。
【００７２】
図７及び図８に示すように、本実施例では、外部接続端子５０と酸化物導電体層５４とが電気的に接続されるコンタクトホール５２が設けられたコンタクトエリアには、第２配線層４４が設けられていない。
【００７３】
次に、放射線検出器１０における本実施例の外部接続端子５０の製造工程について、図９を参照して説明する。なお、図９では、接続部６２について示している。
【００７４】
放射線検出器１０では、実施例１と同様にまず、基板１上に、第１配線層４２、絶縁膜１５、半導体活性層８、コンタクト層、及び半導体活性領域を形成する。
【００７５】
次に、図９（Ａ）に示すように、実施例１と同様（図６(Ａ）参照)に、第２配線層４４として、信号配線３、ソース電極９、及びドレイン電極１３を形成する。次に、図９（Ｂ）に示すように、接続部６２の第２配線層４４上から基板１上のコンタクトエリアにかかる領域に酸化物導電体層５４を形成する。
【００７６】
次に、図９（Ｃ）に示すように、基板１及び上記のように形成された第２配線層４４及び酸化物導電体層５４の上に、実施例１と同様に絶縁膜６０を形成する。さらに、図９（Ｃ）に示すように、コンタクトエリアに絶縁膜６０を貫通して酸化物導電体層５４に至るコンタクトホール５２を形成する。次に、図９（Ｄ）に示すように、絶縁膜６０上に、コンタクトホール５２を埋めつつ外部接続端子５０を形成する。次に、図９（Ｅ）に示すように、外部接続端子５０をマスキングして、開口部を有する、絶縁膜である保護層３４を形成する。
【００７７】
本実施の形態の放射線検出器１０では、このようにして、外部接続端子５０が形成される。
【００７８】
このように本実施例の接続部６２では、第２配線層４４の端部をカバーするように第２配線層４４の上から基板１上のコンタクトエリアにかけて酸化物導電体層５４が形成されており、酸化物導電体層５４と外部接続端子５０とがコンタクトホール５２を介して電気的に接続されている。コンタクトエリアには第２配線層４４が設けられていないため、外部接続端子５０のピンホール等により外気（湿気・水分）等が侵入した場合でも、第２配線層４４に至るのを抑制することができる。また、本実施例では、第２配線層４４が保護層３４の下層に設けられており、保護層３４の開口部の下層には設けられていないため、保護層３４の開口部から侵入する外気（湿気・水分）等による腐食を抑制することができる。従って、本実施例の接続部６２を備えた半導体素子を適用した放射線検出器１０では、外部接続端子５０にピンホール等が有り、防湿が充分ではない場合でも第２配線層４４や第１配線層４２の腐食を抑制することができる。
【００７９】
（実施例３）
図１０に、本実施例に係る接続部６２の一例の断面図を示す。また、図１１には、接続部６２の一例の平面図を示す。なお、実施例３は、実施例１及び実施例２と略同一であるため、同一部分については詳細な説明を省略する。
【００８０】
図１０に示すように、基板１上には、第２配線層４４（信号配線３、ソース電極９、及びドレイン電極１３を含む配線層）及び酸化物導電体層５４が形成されている。また、本実施例では、酸化物導電体層５４は、第２配線層４４の下層（基板１と第２配線層４４との間）に設けられている。
【００８１】
基板１、第２配線層４４、及び酸化物導電体層５４の上には、絶縁膜６０（ＴＦＴ保護層３０及び層間絶縁膜２３）が形成されている。絶縁膜６０の上には、開口部を有する保護層３４が形成されている。保護層３４の開口部には、外部接続端子５０が形成されており、外部接続端子５０と酸化物導電体層５４とは、絶縁膜６０を貫通するコンタクトホール５２により電気的に接続されている。
【００８２】
本実施例では、図１１に示すように、外部接続端子５０の下部には、第２配線層４４が設けられておらず、第２配線層４４の端部と、外部接続端子５０の端部との間は、間隔が空くように配置されている。また、本実施例では、図１０に示すように第２配線層４４は、保護層３４の下部に設けられており、保護層３４の開口部の下部には、設けられていない。酸化物導電体層５４は、基板１上の、第２配線層４４の下から外部接続端子５０の下部領域（コンタクトホール５２が設けられたコンタクトエリア）にかけて設けられている。
【００８３】
このように、本実施例では、外部接続端子５０と酸化物導電体層５４とが電気的に接続されるコンタクトホール５２が設けられたコンタクトエリアには、第２配線層４４が設けられていない。
【００８４】
次に、放射線検出器１０における本実施例の外部接続端子５０の製造工程について、図１２を参照して説明する。なお、図１２では、接続部６２について示している。
【００８５】
放射線検出器１０では、実施例１と同様にまず、基板１上に、第１配線層４２、絶縁膜１５、半導体活性層８、コンタクト層、及び半導体活性領域を形成する。
【００８６】
次に、図１２（Ａ）に示すように、接続部６２において、基板１上の第２配線層４４下部からコンタクトエリアにかかる領域に酸化物導電体層５４を形成する。次に、図１２（Ｂ）に示すように、第２配線層４４として、信号配線３、ソース電極９、及びドレイン電極１３を形成する。
【００８７】
次に、図１２（Ｃ）に示すように、基板１、及び上記のように形成された第２配線層４４及び酸化物導電体層５４の上に、実施例１と同様に絶縁膜６０を形成する。さらに、図１２（Ｃ）に示すように、コンタクトエリアに絶縁膜６０を貫通して酸化物導電体層５４に至るコンタクトホール５２を形成する。次に、図１２（Ｄ）に示すように、絶縁膜６０上に、コンタクトホール５２を埋めつつ外部接続端子５０を形成する。次に、図１２（Ｅ）に示すように、外部接続端子５０をマスキングして、開口部を有する、絶縁膜である保護層３４を形成する。
【００８８】
本実施の形態の放射線検出器１０では、このようにして、外部接続端子５０が形成される。
【００８９】
このように本実施例の接続部６２では、第２配線層４４の下部からコンタクトエリアにかけて酸化物導電体層５４が形成されており、酸化物導電体層５４と外部接続端子５０とがコンタクトホール５２を介して電気的に接続されている。コンタクトエリアには第２配線層４４が設けられていないため、外部接続端子５０のピンホール等により外気（湿気・水分）等が侵入した場合でも、第２配線層４４に至るのを抑制することができる。また、本実施例では、第２配線層４４が保護層３４の下層に設けられており、保護層３４の開口部の下層には設けられていないため、保護層３４の開口部から侵入する外気（湿気・水分）等による腐食を抑制することができる。従って、本実施例の接続部６２を備えた半導体素子である放射線検出器１０では、外部接続端子５０にピンホール等が有り、防湿が充分ではない場合でも第２配線層４４や第１配線層４２の腐食を抑制することができる。
【００９０】
（実施例４）
図１３に、本実施例に係る接続部６２の一例の断面図を示す。また、図１４には、接続部６２の一例の平面図を示す。なお、実施例４は、実施例１〜実施例３と略同一であるため、同一部分については詳細な説明を省略する。
【００９１】
図１３に示すように、基板１上には、第２配線層４４（信号配線３、ソース電極９、及びドレイン電極１３を含む配線層）及び酸化物導電体層５４が形成されている。また、本実施例では、酸化物導電体層５４は、第２配線層４４の下層（基板１と第２配線層４４との間）に設けられている。第２配線層４４は、酸化物導電体層５４を覆うように設けられており、コンタクトホール５２が設けられるコンタクトエリアには、開口部５６を有している。
【００９２】
基板１、第２配線層４４、及び酸化物導電体層５４の上には、絶縁膜６０（ＴＦＴ保護層３０及び層間絶縁膜２３）が形成されている。絶縁膜６０の上には、開口部を有する保護層３４が形成されている。保護層３４の開口部には、外部接続端子５０が形成されており、外部接続端子５０と酸化物導電体層５４とは、絶縁膜６０及び第２配線層４４の開口部５６を貫通するコンタクトホール５２により電気的に接続されている。
【００９３】
本実施例では、図１４に示すように、第２配線層４４の開口部５６は、コンタクトホール５２（絶縁膜６０の開口）よりも大きな径で設けられている。なお、開口部５６の形状は、図１４に示したような矩形に限らず、円形や、その他の多角形でもよく、特に限定されない。また、図１４に示したようにコンタクトホール５２（絶縁膜６０の開口）の形状と同一形状であってもよいし、異なる形状であってもよい。また、本実施例では、開口部５６を設けるようにしているが、開口部５６を設けるのではなく、酸化物導電体層５４上に設けられた第２配線層４４をコンタクトエリアにおいて断線させるように構成してもよい。
【００９４】
このように、本実施例では、外部接続端子５０と酸化物導電体層５４とが電気的に接続されるコンタクトホール５２が設けられたコンタクトエリアには、第２配線層４４が設けられていない。
【００９５】
次に、放射線検出器１０における本実施例の外部接続端子５０の製造工程について、図１５を参照して説明する。なお、図１５では、接続部６２について示している。
【００９６】
放射線検出器１０では、実施例１と同様にまず、基板１上に、第１配線層４２、絶縁膜１５、半導体活性層８、コンタクト層、及び半導体活性領域を形成する。
【００９７】
次に、図１５（Ａ）に示すように、第３実施例と同様（図１２（Ａ）参照）に、接続部６２において、基板１上の第２配線層４４下部からコンタクトエリアにかかる領域に酸化物導電体層５４を形成する。次に、図１５（Ｂ）に示すように、第２配線層４４として、信号配線３、ソース電極９、及びドレイン電極１３を形成する。本実施例では、酸化物導電体層５４を覆い、かつ、開口部５６を有するように第２配線層４４を形成する。
【００９８】
次に、図１５（Ｃ）に示すように、基板１、及び上記のように形成された第２配線層４４及び酸化物導電体層５４の上に、実施例１と同様に絶縁膜６０を形成する。さらに、図１５（Ｃ）に示すように、コンタクトエリアに、第２配線層４４の開口部５６及び絶縁膜６０を貫通して酸化物導電体層５４に至るコンタクトホール５２を形成する。次に、図１５（Ｄ）に示すように、絶縁膜６０上に、コンタクトホール５２を埋めつつ外部接続端子５０を形成する。次に、図１２（Ｅ）に示すように、外部接続端子５０をマスキングして、開口部を有する、絶縁膜である保護層３４を形成する。
【００９９】
本実施の形態の放射線検出器１０では、このようにして、外部接続端子５０が形成される。
【０１００】
このように本実施例の接続部６２では、コンタクトエリアに設けられた酸化物導電体層５４上に、開口部５６を有する第２配線層４４が形成されており、酸化物導電体層５４と外部接続端子５０とが絶縁膜６０及び第２配線層４４の開口部５６を貫通するコンタクトホール５２を介して電気的に接続されている。開口部５６の径は、コンタクトホール５２の径よりも大きく、第２配線層４４は絶縁膜６０に覆われており、コンタクトホール５２及び酸化物導電体層５４に接していないため、外部接続端子５０のピンホール等により外気（湿気・水分）等が侵入した場合でも、第２配線層４４に至るのを抑制することができる。従って、本実施例の接続部６２を備えた半導体素子を適用した放射線検出器１０では、外部接続端子５０にピンホール等が有り、防湿が充分ではない場合でも第２配線層４４や第１配線層４２の腐食を抑制することができる。
【０１０１】
以上説明したように、本実施の形態の放射線検出器１０の接続部６２では、第２配線層４４と隣接（上または下）して酸化物導電体層５４が設けられており、第２配線層４４及び酸化物導電体層５４上に絶縁膜６０が形成されている。絶縁膜６０上に設けられた保護層３４の開口部に設けられた外部接続端子５０と、酸化物導電体層５４とがコンタクトホール５２により電気的に接続されており、第２配線層４４は、コンタクトホール５２及び外部接続端子５０と直接接しておらず、酸化物導電体層５４を介して電気的に接続されている。
【０１０２】
これにより、第２配線層４４は、コンタクトホール５２及び外部接続端子５０と直接接していないため、外部接続端子５０のピンホール等をカバーすることができる。従って、本実施例の接続部６２を備えた半導体素子を適用した放射線検出器１０では、外部接続端子５０にピンホール等が有り、防湿が充分ではない場合でも第２配線層４４や第１配線層４２の腐食を抑制することができる。
【０１０３】
なお、本実施の形態で説明した放射線画像撮影装置１００、放射線検出器１０、外部接続端子５０（データパッド５０Ａ及びゲートパッド５０Ｂ）等の構成、製造方法等は一例であり、外部接続端子５０と、酸化物導電体層５４とがコンタクトホール５２により電気的に接続されており、第１配線層４２及び第２配線層４４が、コンタクトホール５２及び外部接続端子５０と直接接しておらず、酸化物導電体層５４を介して電気的に接続されており、コンタクトホール５２と接する部分は腐食に強い酸化物導電体で形成するという、本発明の主旨を逸脱しない範囲内において状況に応じて変更可能であることは言うまでもない。
【０１０４】
また、本実施の形態では、ＴＦＴスイッチ４がゲート絶縁膜の下側にゲート電極が配置され、ゲート絶縁膜の上側に活性層が形成されたボトムゲート構造である放射線検出器１０について説明したがこれに限らず、ゲート絶縁膜の上側にゲート電極が配置され、ゲート絶縁膜の下側に活性層が形成されたトップゲート構造等、他のＴＦＴ構造を有する外部接続端子に適用できることはいうまでもない。
【０１０５】
また、本実施の形態では、ソース電極９及びドレイン電極が形成された配線層と信号配線３とを同層として形成しているがこれに限らず、別層であってもよい。
【０１０６】
また、本実施の形態では、第１配線層４２を第２配線層４４を介して外部接続端子５０（酸化物導電体層５４）に接続させるよう構成しているがこれに限らない。例えば、第１配線層４２及び第２配線層４４各々を外部接続端子５０に本発明を適用して接続させるように構成してもよいし、一方の配線層に本発明を適用して外部接続端子５０に接続せるように構成してよい。また例えば、第１配線層４２及び第２配線層４４とは別に、本発明を適用した外部接続端子５０と接続される別層を設け、当該別層を介して、第１配線層４２及び第２配線層４４が外部接続端子と接続されるように構成してもよい。なお、第１配線層４２及び第２配線層４４と、酸化物導電体層５４との接続方法は特に限定されないが、両者を同層として扱えるように接続（形成）することが好ましい。
【０１０７】
また、本実施の形態では、変換した光を電荷に変換する間接変換方式の放射線検出器１０に本発明を適用した場合について説明したが、これに限定されない。例えば、放射線を吸収して電荷に変換する光電変換層としてアモルファスセレン等の放射線を直接電荷に変換する材料を使用した直接変換方式の放射線検出器に本発明を適用してもよい。
【０１０８】
また、本実施の形態では、保護層３４を設け、保護層３４の開口部に外部接続端子５０を設けるように構成しているが、これに限定されない。例えば、本実施の形態のように保護層３４を設ける方が好ましいが、保護層３４を設けないように構成してもよい。
【０１０９】
また、本実施の形態の放射線画像撮影装置１００（放射線検出器１０）において、放射線は、特に限定されるものではなく、Ｘ線やγ線等を適用することができる。
【０１１０】
また、本実施の形態では、具体的一例として放射線検出器１０の外部接続端子５０（データパッド５０Ａ及びゲートパッド５０Ｂ）として適用した場合について詳細に説明したがこれに限らず、他の半導体素子の配線や電極を外部に接続するための外部接続端子に本発明が適用できることは言うまでもない。
【符号の説明】
【０１１１】
１０  放射線検出器
２０  画素
４２  第１配線層
４４  第２配線層
５０  外部接続端子、（５０Ａ  データパッド、５０Ｂ  ゲートパッド）
５２  コンタクトホール
５４  酸化物導電体層
５６  開口部
６０  絶縁膜
６２  接続部
１００  放射線画像撮影装置
【図１】
2015092518.tif 000003
【図２】
2015092518.tif 000004
【図３】
2015092518.tif 000005
【図４】
2015092518.tif 000006
【図５】
2015092518.tif 000007
【図６】
2015092518.tif 000008
【図７】
2015092518.tif 000009
【図８】
2015092518.tif 000010
【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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