(57)【要約】【課題】光出射端面の光学損傷（ＣＯＤ）による端面破壊を抑制し、高出力特性を有する半導体レーザを提供する。【解決手段】主面が（０００１）面から＜１-１００＞方向にオフ角を有するｎ型基板の上方に、ｎ型クラッド層ＮＣＬＤと、電流ブロック層ＢＬと、活性層と、ｐ型クラッド層とを設ける。例えば、電流狭窄領域（領域１Ａ）の両側に、電流ブロック層ＢＬを配置する。そして、電流ブロック層ＢＬは、劈開面（線ＣＬ）から後退して配置される。この場合、ｎ型クラッド層ＮＣＬＤおよび電流ブロック層の上方に結晶成長される量子井戸構造を有する活性層において、劈開面（線ＣＬ）から電流ブロック層ＢＬの端部までの窓領域ＷＡの層厚は、電流狭窄領域（電流ブロック層ＢＬ間、領域１Ａ）の層厚より小さくなる。その結果、窓領域ＷＡにおける活性層のバンドギャップが大きくなり、ＣＯＤによる端面破壊を抑制することができる。【選択図】図１２
2015226045.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と、
前記基板の主面の上方に配置された第１窒化物半導体層と、
前記第１窒化物半導体層の上方に配置された第２窒化物半導体層と、
前記第２窒化物半導体層の上方に配置された第３窒化物半導体層と、
前記第１窒化物半導体層と前記第２窒化物半導体層との間に配置された第４窒化物半導体層と、
前記第２窒化物半導体層が露出する側面と、
を有し、
前記側面は、第１方向に延在し、
前記第４窒化物半導体層は、前記第１方向と交差する第２方向に延在する第１領域の両側の第２領域に、前記側面から後退して配置され、
前記第１窒化物半導体層は、前記第２窒化物半導体層よりバンドギャップが大きく、第１導電型であり、
前記第３窒化物半導体層は、前記第２窒化物半導体層よりバンドギャップが大きく、前記第１導電型と逆導電型の第２導電型であり、
前記第４窒化物半導体層は、前記第３窒化物半導体層よりバンドギャップが大きく、Ａｌを含有し、
前記基板の前記主面は、（０００１）面から＜１-１００＞方向にオフ角を有し、
前記第２窒化物半導体層の前記側面から前記第４窒化物半導体層の端部までの第３領域の層厚は、前記第１領域の層厚より小さい、半導体装置。
【請求項２】
請求項１記載の半導体装置において、
前記第２窒化物半導体層と前記第４窒化物半導体層との間に配置された第５窒化物半導体層を有し、
前記第２窒化物半導体層は、前記第５窒化物半導体層上に配置されている、半導体装置。
【請求項３】
請求項２記載の半導体装置において、
前記第５窒化物半導体層の前記第３領域の層厚は、前記第１領域の層厚より小さい、半導体装置。
【請求項４】
請求項１記載の半導体装置において、
前記第２窒化物半導体層と前記第３窒化物半導体層との間に配置された第６窒化物半導体層を有し、
前記第６窒化物半導体層は、前記第２窒化物半導体層上に配置されている、半導体装置。
【請求項５】
請求項１記載の半導体装置において、
前記第２方向は、前記＜１-１００＞方向である、半導体装置。
【請求項６】
請求項５記載の半導体装置において、
前記第４窒化物半導体層の平面形状は、前記＜１-１００＞方向に長辺を有する四角形状である、半導体装置。
【請求項７】
請求項１記載の半導体装置において、
前記第４窒化物半導体層は、窒化アルミニウム層または窒化アルミニウム・ガリウム層である、半導体装置。
【請求項８】
請求項７記載の半導体装置において、
前記第１窒化物半導体層は、ｎ型不純物が導入された窒化アルミニウム・ガリウム層であり、
前記第２窒化物半導体層は、インジウム組成の異なる第１窒化インジウム・ガリウム層と第２窒化インジウム・ガリウム層とを交互に積層した積層体であり、
前記第３窒化物半導体層は、ｐ型不純物が導入された窒化アルミニウム・ガリウム層を有する、半導体装置。
【請求項９】
請求項１記載の半導体装置において、
前記第３領域は、前記側面の全域に沿って配置されている、半導体装置。
【請求項１０】
請求項９記載の半導体装置において、
前記第４窒化物半導体層は、前記第１窒化物半導体層の端部であって、前記第２方向に延在する端部まで延在している、半導体装置。
【請求項１１】
請求項１記載の半導体装置において、
前記第３領域は、前記側面の一部に沿って、前記側面の一部と前記第１領域との間に配置され、
前記第３領域の前記第１方向の幅は、前記第１領域の前記第１方向の幅より大きい、半導体装置。
【請求項１２】
請求項１記載の半導体装置において、
前記第３窒化物半導体層は、前記第１領域上に、前記＜１-１００＞方向にライン状に、前記側面まで延在している、半導体装置。
【請求項１３】
請求項１２記載の半導体装置において、
前記ライン状の前記第３窒化物半導体層の前記第１方向の幅は、前記第１領域の前記第１方向の幅より小さい、半導体装置。
【請求項１４】
（ａ）主面が（０００１）面から＜１-１００＞方向にオフ角を有する基板の上方に、第１窒化物半導体層を形成する工程、
（ｂ）前記第１窒化物半導体層の上方に、第２窒化物半導体層を形成する工程、
（ｃ）前記第２窒化物半導体層をエッチングすることにより、前記第１窒化物半導体層の第１方向に延在する側面線と交差する第２方向に延在する第１領域の両側の第２領域に、前記側面線から後退して配置されるように前記第２窒化物半導体層を残存させる工程、
（ｄ）前記第１窒化物半導体層および前記第２窒化物半導体層の上方に、第３窒化物半導体層を形成する工程、
を有する、半導体装置の製造方法。
【請求項１５】
請求項１４記載の半導体装置の製造方法において、
前記（ｄ）工程は、前記第３窒化物半導体層を結晶成長させる工程で、前記側面線から前記第２窒化物半導体層の端部までの第３領域の層厚が、前記第１領域の層厚より小さい、前記３窒化物半導体層を形成する工程である、半導体装置の製造方法。
【請求項１６】
請求項１５記載の半導体装置の製造方法において、
前記（ｄ）工程の後に、
（ｅ）前記第３窒化物半導体層の上方に、第４窒化物半導体層を形成する工程、を有する、半導体装置の製造方法。
【請求項１７】
請求項１６記載の半導体装置の製造方法において、
前記（ｅ）工程の後に、
（ｆ）前記第４窒化物半導体層をエッチングすることにより、前記第１領域上にライン状の前記第４窒化物半導体層を残存させる工程、を有する、半導体装置の製造方法。
【請求項１８】
請求項１６記載の半導体装置の製造方法において、
前記ライン状の前記第４窒化物半導体層の前記第１方向の幅は、前記第１領域の前記第１方向の幅より小さい、半導体装置の製造方法。
【請求項１９】
請求項１４記載の半導体装置の製造方法において、
前記第２窒化物半導体層の平面形状は、前記＜１-１００＞方向に長辺を有する四角形状である、半導体装置の製造方法。
【請求項２０】
請求項１４記載の半導体装置の製造方法において、
前記第４窒化物半導体層は、窒化アルミニウム層または窒化アルミニウム・ガリウム層である、半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体装置および半導体装置の製造方法に関し、例えば、窒化物半導体を用いた半導体レーザおよび半導体レーザの製造方法に好適に利用できるものである。
【背景技術】
【０００２】
種々の電子機器の光源などとして半導体レーザの開発が進められている。特に、窒化物半導体は、禁制帯幅が充分大きく、バンド間遷移も直接遷移型であるため、窒化物半導体を用いた半導体レーザは、短波長の半導体レーザとして開発が進められている。例えば、高密度光ディスクやプロジェクター等のディスプレイ、センサーや露光装置等の産業用装置の光源として、窒化物半導体を用いた半導体レーザを用いることが検討されている。
【０００３】
例えば、特許文献１（特開２０００−１９６１８８号公報）には、ＩｎＧａＮのＭＱＷ活性層を有する窒化ガリウム系化合物半導体レーザ素子が開示されている。そして、出射端面部のＩｎＧａＮのＭＱＷ活性層は、他の部分より低い位置に配置されている。
【０００４】
また、特許文献２（特開２００３−６０２９８号公報）には、窒化ガリウム系化合物半導体層を有する半導体発光素子が開示されている。そして、この素子の出射側端面は、バンドギャップの大きな単結晶層で被覆されている。
【０００５】
また、特許文献３（特開２０１１−１２４２５３号公報）には、窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体系の半導体レーザが開示されている。そして、この半導体レーザの端面窓構造を形成する部分の活性層のＩｎ組成は他の部分に比べて小さい。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開２０００−１９６１８８号公報
【特許文献２】特開２００３−  ６０２９８号公報
【特許文献３】特開２０１１−１２４２５３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
本発明者は、窒化物半導体を用いた半導体レーザの研究開発に従事しており、その性能の向上について、鋭意検討している。その過程において、窒化物半導体を用いた半導体レーザの性能を向上させるために、その構造や製造方法に関し、更なる改善の余地があることが判明した。
【０００８】
その他の課題と新規な特徴は、本明細書の記述および添付図面から明らかになるであろう。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本願において開示される実施の形態のうち、代表的なものの概要を簡単に説明すれば、次のとおりである。
【００１０】
本願において開示される一実施の形態に示される半導体装置は、窓領域の活性層の層厚を、電流狭窄領域の活性層の層厚より小さくする。
【００１１】
本願において開示される一実施の形態に示される半導体装置の製造方法は、活性領域と窓領域とを有し、その主面が（０００１）面から＜１-１００＞方向にオフ角を有する基板の上方に形成されたクラッド層の上方であって、活性領域中の第１領域の両側に電流ブロック層を形成し、クラッド層および電流ブロック層の上方に、活性層を形成する。そして、この活性層の窓領域の層厚は、第１領域の層厚より小さい。
【発明の効果】
【００１２】
本願において開示される以下に示す代表的な実施の形態に示される半導体装置によれば、半導体装置の特性を向上させることができる。
【００１３】
本願において開示される以下に示す代表的な実施の形態に示される半導体装置の製造方法によれば、特性の良好な半導体装置を製造することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１４】
【図１】実施の形態１の半導体レーザの構成を示す断面図である。
【図２】実施の形態１の半導体レーザの構成を示す断面図である。
【図３】実施の形態１の半導体レーザの構成を示す断面図である。
【図４】実施の形態１の半導体レーザの構成を示す平面図である。
【図５】（ａ）は、ＧａＮの結晶構造を示す図であり、（ｂ）は、オフ角を示す図である。
【図６】実施の形態１の半導体レーザの製造工程を示す断面図である。
【図７】実施の形態１の半導体レーザの製造工程を示す断面図であって、図６に続く製造工程を示す断面図である。
【図８】実施の形態１の半導体レーザの製造工程を示す断面図であって、図７に続く製造工程を示す断面図である。
【図９】実施の形態１の半導体レーザの製造工程を示す断面図であって、図８に続く製造工程を示す断面図である。
【図１０】実施の形態１の半導体レーザの製造工程を示す断面図である。
【図１１】実施の形態１の半導体レーザの製造工程を示す断面図である。
【図１２】実施の形態１の半導体レーザの製造工程を示す平面図である。
【図１３】実施の形態１の半導体レーザの製造工程を示す断面図であって、図９に続く製造工程を示す断面図である。
【図１４】実施の形態１の半導体レーザの製造工程を示す断面図であって、図１０に続く製造工程を示す断面図である。
【図１５】実施の形態１の半導体レーザの製造工程を示す断面図であって、図１１に続く製造工程を示す断面図である。
【図１６】実施の形態１の半導体レーザの製造工程を示す平面図である。
【図１７】電流ブロック層ＢＬ間（領域１Ａ）のｎ型クラッド層上に形成された層の層厚とオフ角度との関係を示した図である。
【図１８】実施の形態１の半導体レーザの製造工程を示す断面図であって、図１３に続く製造工程を示す断面図である。
【図１９】実施の形態１の半導体レーザの製造工程を示す断面図であって、図１４に続く製造工程を示す断面図である。
【図２０】実施の形態１の半導体レーザの製造工程を示す断面図であって、図１５に続く製造工程を示す断面図である。
【図２１】実施の形態１の半導体レーザの製造工程を示す平面図である。
【図２２】実施の形態１の半導体レーザの製造工程を示す断面図であって、図１８に続く製造工程を示す断面図である。
【図２３】実施の形態１の半導体レーザの製造工程を示す断面図であって、図１９に続く製造工程を示す断面図である。
【図２４】実施の形態１の半導体レーザの製造工程を示す断面図であって、図２０に続く製造工程を示す断面図である。
【図２５】実施の形態１の半導体レーザの製造工程を示す平面図である。
【図２６】実施の形態１の半導体レーザの製造工程を示す断面図であって、図２２に続く製造工程を示す断面図である。
【図２７】実施の形態１の半導体レーザの製造工程を示す断面図であって、図２３に続く製造工程を示す断面図である。
【図２８】実施の形態１の半導体レーザの製造工程を示す断面図であって、図２４に続く製造工程を示す断面図である。
【図２９】実施の形態１の半導体レーザの製造工程を示す断面図であって、図２６に続く製造工程を示す断面図である。
【図３０】実施の形態１の半導体レーザの製造工程を示す断面図であって、図２９に続く製造工程を示す断面図である。
【図３１】実施の形態１の半導体レーザの製造工程を示す平面図である。
【図３２】実施の形態１の半導体レーザの製造工程を示す断面図であって、図３０に続く製造工程を示す断面図である。
【図３３】実施の形態２の半導体レーザの構成を示す断面図である。
【図３４】実施の形態２の半導体レーザの構成を示す断面図である。
【図３５】実施の形態２の半導体レーザの構成を示す断面図である。
【図３６】実施の形態２の半導体レーザの構成を示す平面図である。
【図３７】実施の形態２の半導体レーザの製造工程を示す断面図である。
【図３８】実施の形態２の半導体レーザの製造工程を示す断面図であって、図３７に続く製造工程を示す断面図である。
【図３９】実施の形態２の半導体レーザの製造工程を示す断面図であって、図３８に続く製造工程を示す断面図である。
【図４０】実施の形態３の半導体レーザの第１例を示す平面図である。
【図４１】実施の形態３の半導体レーザの第２例を示す平面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１５】
以下の実施の形態においては便宜上その必要があるときは、複数のセクションまたは実施の形態に分割して説明するが、特に明示した場合を除き、それらはお互いに無関係なものではなく、一方は他方の一部または全部の変形例、応用例、詳細説明、補足説明等の関係にある。また、以下の実施の形態において、要素の数等（個数、数値、量、範囲等を含む）に言及する場合、特に明示した場合および原理的に明らかに特定の数に限定される場合等を除き、その特定の数に限定されるものではなく、特定の数以上でも以下でもよい。
【００１６】
さらに、以下の実施の形態において、その構成要素（要素ステップ等も含む）は、特に明示した場合および原理的に明らかに必須であると考えられる場合等を除き、必ずしも必須のものではない。同様に、以下の実施の形態において、構成要素等の形状、位置関係等に言及するときは、特に明示した場合および原理的に明らかにそうでないと考えられる場合等を除き、実質的にその形状等に近似または類似するもの等を含むものとする。このことは、上記数等（個数、数値、量、範囲等を含む）についても同様である。
【００１７】
以下、実施の形態を図面に基づいて詳細に説明する。なお、実施の形態を説明するための全図において、同一の機能を有する部材には同一または関連する符号を付し、その繰り返しの説明は省略する。また、複数の類似の部材（部位）が存在する場合には、総称の符号に記号を追加し個別または特定の部位を示す場合がある。また、以下の実施の形態では、特に必要なとき以外は同一または同様な部分の説明を原則として繰り返さない。
【００１８】
また、実施の形態で用いる図面においては、断面図であっても図面を見易くするためにハッチングを省略する場合もある。また、平面図であっても図面を見易くするためにハッチングを付す場合もある。
【００１９】
また、断面図および平面図において、各部位の大きさは実デバイスと対応するものではなく、図面を分かりやすくするため、特定の部位を相対的に大きく表示する場合がある。また、断面図と平面図が対応する場合においても、図面を分かりやすくするため、特定の部位を相対的に大きく表示する場合がある。
【００２０】
（実施の形態１）
以下、図面を参照しながら本実施の形態の半導体レーザ（半導体装置）について詳細に説明する。図１〜図３は、本実施の形態の半導体レーザの構成を示す断面図であり、図４は、本実施の形態の半導体レーザの構成を示す平面図である。例えば、図１は、図４のＡ−Ａ部に、図２は、図４のＢ−Ｂ部に、図３は、図４のＣ−Ｃ部に対応する。
【００２１】
［構造説明］
図１に示すように、本実施の形態の半導体レーザは、基板としてｎ型基板ＮＳを用い、その上に順次積層された、複数の窒化物半導体層を有する。具体的には、ｎ型基板ＮＳ上に、ｎ型クラッド層ＮＣＬＤ、ｎ型光ガイド層ＮＬＧ、活性層ＭＱＷ、ｐ型光ガイド層ＰＬＧ、ｐ型クラッド層ＰＣＬＤおよびｐ型コンタクト層ＰＣＮＴが下から順に配置されている。このように、本実施の形態の半導体レーザは、活性層ＭＱＷが上層および下層に配置された逆導電型の窒化物半導体により挟まれた構造を有している。
【００２２】
そして、最上層のｐ型コンタクト層ＰＣＮＴ上には、ｐ側電極ＰＥＬが配置され、ｎ型基板ＮＳの裏面には、ｎ側電極ＮＥＬが配置されている。ｐ型コンタクト層ＰＣＮＴとｐ側電極ＰＥＬとは、絶縁層（絶縁膜）ＩＬの開口部ＯＡを介して接している。
【００２３】
ここで、本実施の形態の半導体レーザにおいては、ｎ型クラッド層ＮＣＬＤとｎ型光ガイド層ＮＬＧとの間に、電流ブロック層（電流ブロック膜、電流ブロック領域）ＢＬが配置されている。この電流ブロック層ＢＬは、領域１Ａの両側に配置され、電流ブロック層ＢＬ間、即ち、領域１Ａが電流狭窄領域となる。
【００２４】
以下に半導体レーザの動作について簡単に説明する。
【００２５】
まず、ｐ側電極ＰＥＬに正電圧を印加し、ｎ側電極ＮＥＬに負電圧を印加する。これにより、ｐ側電極ＰＥＬからｎ側電極ＮＥＬに向かって順方向電流が流れ、ｐ側電極ＰＥＬからｐ型コンタクト層ＰＣＮＴ、ｐ型クラッド層ＰＣＬＤおよびｐ型光ガイド層ＰＬＧを介して活性層ＭＱＷに正孔が注入される。一方、ｎ側電極ＮＥＬからは、ｎ型基板ＮＳに電子が注入され、注入された電子は、ｎ型クラッド層ＮＣＬＤおよびｎ型光ガイド層ＮＬＧを介して、活性層ＭＱＷに注入される。そして、電流ブロック層ＢＬによりｐ側電極ＰＥＬからｎ側電極ＮＥＬに向かって流れる順方向電流の領域が制約され、電流ブロック層ＢＬ間、即ち、領域１Ａが電流狭窄領域となる。
【００２６】
活性層ＭＱＷでは、注入された正孔と電子によって反転分布が形成され、電子が伝導帯から価電子帯に誘導放出によって遷移することにより、位相の揃った光が発生する。そして、活性層ＭＱＷで発生した光は、活性層ＭＱＷよりも屈折率の低い周囲の半導体層（ｐ型クラッド層ＰＣＬＤおよびｎ型クラッド層ＮＣＬＤ）により、活性層ＭＱＷ内に閉じ込められる。さらに、活性層ＭＱＷ内に閉じ込められている光は、半導体レーザに形成されている劈開面（端面、レーザ端面、光出射端面）ＣＰからなる共振器を往復することにより、誘導放出によって増幅される。その後、活性層ＭＱＷ内でレーザ光Ｌが発振して、レーザ光Ｌが射出される。このとき、電流ブロック層ＢＬ間（領域１Ａ、電流狭窄領域）に対応する窓領域ＷＡの活性層ＭＱＷからレーザ光Ｌが射出される（図４参照）。
【００２７】
ここで、本実施の形態においては、追って詳細に説明するように、電流ブロック層ＢＬが、光出射端面である劈開面ＣＰから後退して配置されている。別の言い方をすれば、劈開面ＣＰから電流ブロック層ＢＬまでの領域である窓領域ＷＡには、電流ブロック層ＢＬが形成されていない（図１２参照）。そして、光出射端面である劈開面ＣＰの近傍に配置される窓領域ＷＡの活性層ＭＱＷの層厚ＴＭＱＷＷは、電流ブロック層ＢＬ間（領域１Ａ、電流狭窄領域）に形成される活性層ＭＱＷの層厚ＴＭＱＷ１Ａより小さい（ＴＭＱＷＷ＜ＴＭＱＷ１Ａ、図３参照）。
【００２８】
このように、窓領域ＷＡの活性層ＭＱＷを電流狭窄領域の活性層ＭＱＷより薄くすることで、量子効果により、窓領域ＷＡにおける活性層ＭＱＷのバンドギャップが大きくなる。このため、光出射端面の光学損傷（Catastrophic Optical Damage：COD）による端面破壊を抑制することができる。詳細は、後述する。
【００２９】
以下に、図１〜図４を参照しながら本実施の形態の半導体レーザの構成を詳細に説明する。図４の平面図に示すように、本実施の形態の半導体レーザは、例えば、Ｘ方向に長辺を有する矩形の外形（チップ領域）を有する。そして、本実施の形態の半導体レーザは、窓領域ＷＡと活性領域ＡＣとを有する。
【００３０】
窓領域ＷＡは、Ｙ方向に延在する矩形（四角形）状の領域であり、矩形の外形（チップ領域）の両側に配置されている。この窓領域ＷＡは、劈開面ＣＰから電流ブロック層ＢＬの端部までの領域である。
【００３１】
活性領域ＡＣは、窓領域ＷＡ間に位置する。そして、この活性領域ＡＣには、２つの電流ブロック層ＢＬが配置されている。電流ブロック層ＢＬは、Ｘ方向に長辺を有する矩形状である。２つの電流ブロック層ＢＬ間は、電流狭窄領域となる。この電流狭窄領域は、Ｘ方向に長辺を有する矩形状である。ここでは、図４に示すように、活性領域ＡＣにおいて、電流狭窄領域に対応する略中央部を領域１Ａとし、領域１Ａの両側の領域のうち、電流ブロック層ＢＬが配置される領域を領域２Ａとし、領域２Ａのさらに外側の領域を領域３Ａとして示してある。
【００３２】
図１は、図４に示す平面図のＡ−Ａ断面部に対応する。また、図２は、図４に示す平面図のＢ−Ｂ断面部に、図３は、図４に示す平面図のＣ−Ｃ断面部に対応する。
【００３３】
前述したように、ｎ型基板ＮＳ上には、ｎ型クラッド層ＮＣＬＤが配置されている。
【００３４】
ｎ型基板ＮＳとしては、例えば、ｎ型不純物が導入された窒化ガリウム（ＧａＮ）からなる基板（ｎ型ＧａＮ基板）を用いる。そして、このｎ型基板ＮＳは、＜１-１００＞方向に傾斜した（０００１）面を主面とする。別の言い方をすれば、ｎ型基板ＮＳは、（０００１）面から＜１-１００＞方向に傾斜している。言い換えれば、ｎ型基板ＮＳは、（０００１）面から＜１-１００＞方向にオフ角を有する。傾斜の角度（オフ角θ）は、例えば、０．１°〜３°の範囲であり、好ましくは、０．２°〜１°の範囲である。
【００３５】
図５（ａ）は、ＧａＮの結晶構造を示す図であり、（ｂ）は、オフ角を示す図である。例えば、図５（ａ）に示す六角柱の上面が（０００１）面であり、＜１-１００＞方向を矢印で示す。この＜１-１００＞方向に対し、上記オフ角θで傾斜する面が主面となる（図５（ｂ））。
【００３６】
このように、（０００１）面から＜１-１００＞方向に傾斜したｎ型基板ＮＳ上に、結晶成長により形成された層は、（０００１）面から＜１-１００＞方向に傾斜する。このように、ｎ型基板ＮＳ上の層にもオフ角が引き継がれる。
【００３７】
ｎ型クラッド層ＮＣＬＤとしては、例えば、ｎ型不純物が導入された窒化アルミニウム・ガリウム層（ｎ型ＡｌＧａＮ層）を用いる。ｎ型クラッド層（ｎ型ＡｌＧａＮ層）ＮＣＬＤの厚さは、例えば、２μｍ程度である。このｎ型クラッド層ＮＣＬＤは、例えば、ｎ型基板ＮＳ上に結晶成長により形成され、ｎ型クラッド層ＮＣＬＤは、（０００１）面から＜１-１００＞方向にオフ角を有する。
【００３８】
また、ｎ型クラッド層ＮＣＬＤ上には、電流ブロック層ＢＬが部分的に配置されている。
【００３９】
電流ブロック層ＢＬとしては、窒化アルミニウム層（ＡｌＮ層）を用いる。なお、電流ブロック層ＢＬとして、窒化アルミニウム・ガリウム層（ＡｌＧａＮ層）を用いてもよい。電流ブロック層（ＡｌＮ層）ＢＬの厚さは、例えば、０．１μｍ程度である。前述したように、電流ブロック層ＢＬは、Ｘ方向に長辺を有する矩形状であり、領域１Ａの両側に配置される（図４参照）。この電流ブロック層ＢＬは、例えば、ｎ型クラッド層ＮＣＬＤ上に比較的低温（例えば、ｎ型クラッド層ＮＣＬＤの成長温度より低い温度）で成長させる。このような形成方法により、アモルファス状の電流ブロック層ＢＬを形成することができ、電流ブロック層ＢＬの加工（エッチング）が容易となる。
【００４０】
前述したとおり、電流ブロック層ＢＬは、Ｘ方向に長辺を有する矩形状である。２つの電流ブロック層ＢＬ間は、電流狭窄領域となる。この電流狭窄領域は、Ｘ方向に長辺を有する矩形状である。言い換えれば、活性領域ＡＣの中央部の領域１Ａ（電流狭窄領域）の両側の領域２Ａに電流ブロック層ＢＬが配置される。この際、電流ブロック層ＢＬは、劈開面ＣＰから後退して配置される（図４、図１２参照）。
【００４１】
また、ｎ型クラッド層ＮＣＬＤおよび電流ブロック層ＢＬ上には、ｎ型光ガイド層ＮＬＧが配置されている。
【００４２】
ｎ型光ガイド層ＮＬＧとしては、ｎ型不純物が導入された窒化ガリウム層（ｎ型ＧａＮ層）を用いる。ｎ型光ガイド層ＮＬＧは、複数の層厚部を有する。ｎ型光ガイド層ＮＬＧの窓領域ＷＡの層厚ＴＮＬＧＷは、活性領域ＡＣの領域１Ａ（電流狭窄領域）の層厚ＴＮＬＧ１Ａより小さい（ＴＮＬＧＷ＜ＴＮＬＧ１Ａ）。
【００４３】
例えば、結晶成長によりｎ型光ガイド層ＮＬＧを形成した場合、活性領域ＡＣの領域１Ａのｎ型クラッド層ＮＣＬＤ上には、比較的厚い層が形成され、電流ブロック層ＢＬ上には、比較的薄い層が形成される。一方、電流ブロック層ＢＬが形成されていない窓領域ＷＡにおいては、上記厚い層と薄い層の間の層厚を有する層が形成される。このように、電流ブロック層ＢＬが形成されていない窓領域ＷＡにおいては、電流ブロック層ＢＬが形成されている活性領域ＡＣの電流ブロック層ＢＬ間に比べ、相対的に層厚が薄くなる。また、電流ブロック層ＢＬとして、Ａｌを含有する層を用いた場合には、層表面のＡｌが酸化し易く、その上部には層が成長し難い。即ち、電流ブロック層ＢＬ上には、選択成長効果によりｎ型ガイド層ＮＬＧが形成されない、または、形成されても薄い層となり、電流ブロック層ＢＬ間の領域１Ａのｎ型クラッド層ＮＣＬＤ上には比較的厚い層が形成される。一方、電流ブロック層ＢＬが形成されていない窓領域ＷＡにおいては、形成される層の厚いまたは薄いの差がないため、これらの層厚の間の層厚を有する層が形成される。このため、上記のように、ＴＮＬＧＷ＜ＴＮＬＧ１Ａの関係が生じる（図３参照）。ｎ型光ガイド層（ｎ型ＧａＮ層）ＮＬＧの領域１Ａ（電流狭窄領域）の層厚ＴＮＬＧ１Ａは、例えば、０．１μｍ程度である。
【００４４】
なお、上記ｎ型基板ＮＳ、ｎ型クラッド層ＮＣＬＤおよびｎ型光ガイド層ＮＬＧのｎ型不純物としては、例えば、シリコン（Ｓｉ）を用いる。また、ｎ型光ガイド層ＮＬＧをアンドープの層としてもよい。
【００４５】
また、ｎ型光ガイド層ＮＬＧ上には、活性層ＭＱＷが配置されている。
【００４６】
活性層ＭＱＷは、例えば、窒化インジウム・ガリウム層（ＩｎＧａＮ層）からなる量子井戸層と、窒化インジウム・ガリウム層（ＩｎＧａＮ層）からなる障壁層とを交互に積層した積層体よりなる。このような積層体の構造を、多重量子井戸構造と言う。そして、量子井戸層を構成する窒化インジウム・ガリウム層（ＩｎＧａＮ井戸層）のインジウム組成と、障壁層を構成する窒化インジウム・ガリウム層（ＩｎＧａＮ障壁層）のインジウム組成とは異なっている。所望の発振波長に応じて、これらの層のインジウム組成比と層厚を調整する。
【００４７】
また、活性層ＭＱＷは、複数の層厚部を有する。活性層ＭＱＷの窓領域ＷＡの層厚ＴＭＱＷＷは、活性領域ＡＣの領域１Ａ（電流狭窄領域）の層厚ＴＭＱＷ１Ａより小さい（ＴＭＱＷＷ＜ＴＭＱＷ１Ａ、図３参照）。
【００４８】
例えば、結晶成長により活性層ＭＱＷを形成した場合、活性領域ＡＣの領域１Ａのｎ型光ガイド層ＮＬＧ上には、比較的厚い層が形成され、電流ブロック層ＢＬの上方には、比較的薄い層が形成される。一方、電流ブロック層ＢＬが形成されていない窓領域ＷＡにおいては、上記厚い層と薄い層の間の層厚を有する層が形成される。このように、活性層ＭＱＷにおいても、ｎ型クラッド層ＮＣＬＤと同様に、電流ブロック層ＢＬが形成されていない窓領域ＷＡにおいては、電流ブロック層ＢＬが形成されている活性領域ＡＣの電流ブロック層ＢＬ間に比べ、相対的に層厚が薄くなる。また、前述したとおり、選択成長効果により電流ブロック層ＢＬ上には、ｎ型クラッド層ＮＣＬＤが形成されない、または、形成されても薄い層となっている。このため、電流ブロック層ＢＬの上方には、活性層ＭＱＷが形成されない、または、形成されても薄い層となる。一方、電流ブロック層ＢＬが形成されていない窓領域ＷＡにおいては、形成される層の厚いまたは薄いの差がないため、これらの層厚の間の層厚を有する層が形成される。よって、上記のように、ＴＭＱＷＷ＜ＴＭＱＷ１Ａの関係が生じる（図３参照）。活性層ＭＱＷを構成する窒化インジウム・ガリウム量子井戸層は、例えば、アンドープのＩｎ０．１Ｇａ０．９Ｎ層であり、３ｎｍから１０ｎｍ程度の層厚で、２層または３層程度から構成される。障壁層を構成する窒化インジウム・ガリウム層は、アンドープのＩｎ０．０１Ｇａ０．９９Ｎ層であり、１０ｎｍから２０ｎｍ程度の層厚を有する。
【００４９】
また、活性層ＭＱＷ上には、ｐ型光ガイド層ＰＬＧが配置されている。
【００５０】
ｐ型光ガイド層ＰＬＧとしては、ｐ型不純物が導入された窒化ガリウム層（ｐ型ＧａＮ層）を用いる。このｐ型光ガイド層ＰＬＧも、ｎ型光ガイド層ＮＬＧや活性層ＭＱＷと同様に、複数の層厚部を有していてもよい。例えば、ｐ型光ガイド層ＰＬＧの窓領域ＷＡの層厚ＴＰＬＧＷは、活性領域ＡＣの領域１Ａ（電流狭窄領域）の層厚ＴＰＬＧ１Ａより小さい（ＴＰＬＧＷ＜ＴＰＬＧ１Ａ、図３参照）。
【００５１】
例えば、結晶成長によりｐ型光ガイド層ＰＬＧを形成した場合、活性領域ＡＣの領域１Ａの活性層ＭＱＷ上には、比較的厚い層が形成され、電流ブロック層ＢＬの上方には、比較的薄い層が形成される。一方、電流ブロック層ＢＬが形成されていない窓領域ＷＡにおいては、上記厚い層と薄い層の間の層厚を有する層が形成される。このように、ｐ型光ガイド層ＰＬＧにおいても、ｎ型ガイド層ＮＬＧや活性層ＭＱＷと同様に、電流ブロック層ＢＬが形成されていない窓領域ＷＡにおいては、電流ブロック層ＢＬが形成されている活性領域ＡＣの電流ブロック層ＢＬ間に比べ、相対的に層厚が薄くなる。また、前述したとおり、電流ブロック層ＢＬ上には、活性層ＭＱＷが形成されない、または、形成されても薄い層となっている。このため、電流ブロック層ＢＬの上方には、ｐ型光ガイド層ＰＬＧが形成されない、または、形成されても薄い層となる。一方、電流ブロック層ＢＬが形成されていない窓領域ＷＡにおいては、形成される層の厚いまたは薄いの差がないため、これらの層厚の間の層厚を有する層が形成される。よって、上記のように、ＴＰＬＧＷ＜ＴＰＬＧ１Ａの関係が生じる（図３参照）。ｐ型光ガイド層ＰＬＧの領域１Ａ（電流狭窄領域）の層厚ＴＰＬＧ１Ａは、例えば、０．１μｍ程度である。
【００５２】
また、ｐ型光ガイド層ＰＬＧ上には、ｐ型クラッド層ＰＣＬＤが配置されている。
【００５３】
ｐ型クラッド層ＰＣＬＤとしては、例えば、ｐ型不純物が導入された窒化アルミニウム・ガリウム層（ｐ型ＡｌＧａＮ層）とｐ型不純物が導入された窒化ガリウム層（ｐ型ＧａＮ層）とを交互に積層した超格子層を用いる。ｐ型クラッド層ＰＣＬＤの厚さは、例えば、０．５μｍ程度である。なお、ｐ型クラッド層ＰＣＬＤにおいても、下層の層と同様に、領域によって層厚差が生じていてもよい。但し、ｐ型クラッド層ＰＣＬＤの層厚は、下層の層（ｐ型光ガイド層ＰＬＧ、活性層ＭＱＷおよびｎ型光ガイド層ＮＬＧ）の層厚（例えば、０．３μｍ以下）より大きく、層厚差が緩和される。
【００５４】
ｐ型コンタクト層ＰＣＮＴとしては、ｐ型不純物が導入された窒化ガリウム層（ｐ型ＧａＮ層）を用いる。ｐ型ＧａＮ層の厚さは、例えば、０．０２μｍ程度である。
【００５５】
上記ｐ型光ガイド層ＰＬＧ、ｐ型クラッド層ＰＣＬＤおよびｐ型コンタクト層ＰＣＮＴのｐ型不純物としては、例えば、マグネシウム（Ｍｇ）を用いる。また、ｐ型光ガイド層ＰＬＧをアンドープの層としてもよい。
【００５６】
なお、活性層ＭＱＷとｐ型光ガイド層ＰＬＧとの間にキャリア閉じ込め層として、ｐ型不純物が導入された窒化アルミニウム・ガリウム層（ｐ型ＡｌＧａＮ層）を設けてもよい。
【００５７】
ここで、活性層ＭＱＷは、ｎ型クラッド層ＮＣＬＤよりバンドギャップが小さい。また、活性層ＭＱＷは、ｐ型クラッド層ＰＣＬＤよりバンドギャップが小さい。より具体的には、ここでは、活性層ＭＱＷの上には、ｐ型の窒化物半導体の積層部が設けられ、活性層ＭＱＷは、ｐ型の窒化物半導体の積層部を構成する各層よりバンドギャップが小さい。また、活性層ＭＱＷの下には、ｎ型の窒化物半導体の積層部が設けられ、活性層ＭＱＷは、ｎ型の窒化物半導体の積層部を構成する各層よりバンドギャップが小さい。また、ｎ型の窒化物半導体の積層部およびｐ型の窒化物半導体の積層部は、活性層ＭＱＷよりも屈折率が低い。
【００５８】
そして、電流ブロック層ＢＬは、Ａｌを含有する窒化物半導体よりなり、活性層ＭＱＷ、ｎ型クラッド層ＮＣＬＤおよびｐ型クラッド層ＰＣＬＤのいずれよりもバンドギャップが大きい。より具体的には、電流ブロック層ＢＬは、活性層ＭＱＷ、その上のｐ型の窒化物半導体の積層部およびその下のｎ型の窒化物半導体の積層部のいずれの層よりもバンドギャップが大きい。
【００５９】
電流狭窄領域（電流ブロック層ＢＬ間、領域１Ａ）の幅は、例えば、１μｍ程度である。この幅（図４のＹ方向の幅）は、例えば、１μｍ〜２０μｍの範囲で調整することができる。また、電流ブロック層ＢＬの幅（図４のＹ方向の幅）に制限はないが、小さすぎると選択成長効果による層厚差が小さくなるため、例えば、電流狭窄領域の幅と同程度、または電流狭窄領域より広い範囲（例えば、１μｍ〜５０μｍの範囲、好ましくは５μｍ〜３０μｍの範囲）で調整することが好ましい。
【００６０】
また、窓領域ＷＡのＸ方向の幅、言い換えれば、劈開面ＣＰからの電流ブロック層ＢＬの後退量は、例えば、２μｍ〜５０μｍの範囲、より好ましくは５μｍ〜２０μｍの範囲で調整することができる。
【００６１】
また、半導体レーザの矩形の外形（チップ領域、図４参照）は、例えば、長辺が６００μｍ〜１０００μｍ、短辺が１５０μｍ〜２００μｍである。
【００６２】
図４に示すＸ方向は、光出射方向であり、＜１−１００＞方向となる。よって、電流狭窄領域（領域１Ａ）および電流ブロック層ＢＬは、＜１−１００＞方向に延在している。
【００６３】
ｐ型コンタクト層ＰＣＮＴ上には、絶縁層ＩＬが配置されている。この絶縁層ＩＬとしては、例えば、酸化シリコン膜を用いる。絶縁層ＩＬは、電流狭窄領域（領域１Ａ）上に開口部ＯＡを有する。
【００６４】
ｐ型コンタクト層ＰＣＮＴとｐ側電極ＰＥＬとは、絶縁層（絶縁膜）ＩＬの開口部ＯＡを介して接している。
【００６５】
このように、本実施の形態の半導体レーザによれば、２つの電流ブロック層ＢＬを設けることにより、これらの間（領域１Ａ）が電流狭窄領域となる。また、この電流ブロック層ＢＬにより横方向の光を閉じ込めることができる。
【００６６】
そして、電流狭窄領域（領域１Ａ）の活性層ＭＱＷより窓領域ＷＡの活性層ＭＱＷを薄く形成することで、窓領域ＷＡにおける活性層ＭＱＷのバンドギャップを大きくすることができる。これにより、光出射端面の光学損傷による端面破壊を抑制することができる。
【００６７】
即ち、半導体レーザの光出射端面付近においては、光の吸収に伴い温度が上昇し得る。温度が上昇すると光出射端面付近の半導体層のバンドギャップが小さくなり、レーザ光の吸収が増大する。このように、光の吸収→温度上昇→さらなる光の吸収→さらなる温度上昇という悪循環が起こると、最終的には光出射端面の光学損傷によって端面破壊が発生し、レーザ発振が不可能となる。
【００６８】
これに対し、本実施の形態においては、電流狭窄領域（領域１Ａ）の活性層ＭＱＷより窓領域ＷＡの活性層ＭＱＷを薄く形成することで（ＴＭＱＷＷ＜ＴＭＱＷ１Ａ）、窓領域ＷＡにおける活性層ＭＱＷのバンドギャップを大きくすることができる。よって、光出射端面付近における光の吸収を抑制することができ、光出射端面の光学損傷を抑制することができる。
【００６９】
また、（０００１）面から＜１-１００＞方向に傾斜したオフ角を有する基板を用いることで、電流ブロック層ＢＬ上と電流狭窄領域（領域１Ａ）の層厚差を大きくすることができ、電流ブロック層ＢＬの有無により、電流狭窄領域（領域１Ａ）の活性層ＭＱＷより窓領域ＷＡの活性層ＭＱＷを薄く形成することができる。このように、オフ角を有する基板および電流ブロック層ＢＬにより、窓領域ＷＡの活性層ＭＱＷを電流狭窄領域（領域１Ａ）の活性層ＭＱＷより薄く形成することができる。
【００７０】
また、２つの電流ブロック層ＢＬ間（領域１Ａ）を電流狭窄領域とすることで、この電流ブロック層ＢＬにより横方向の光を閉じ込めることができ、リッジ構造とする必要が無く、リッジ構造を形成する工程（ｐ型コンタクト層ＰＣＮＴおよびｐ型クラッド層ＰＣＬＤのパターニング工程）が不要となる。また、ｐ型クラッド層ＰＣＬＤが広い領域に形成されるため、横方向への放熱性が良好となる。また、ｐ型コンタクト層ＰＣＮＴとｐ側電極ＰＥＬとの接続領域を大きく確保することができ、これらの接続抵抗を低減することができる。そして、これにより、半導体レーザの動作電圧を低減することができる。
【００７１】
［製法説明］
次いで、図６〜図３２を参照しながら、本実施の形態の半導体レーザの製造方法を説明するとともに、当該半導体レーザの構成をより明確にする。図６〜図３２（図１７を除く）は、本実施の形態の半導体レーザの製造工程を示す断面図または平面図である。
【００７２】
図６に示すように、ｎ型基板ＮＳとして、例えばｎ型不純物が導入された窒化ガリウム（ＧａＮ）からなり、（０００１）面から＜１-１００＞方向にオフ角を有する基板を準備する（図５参照）。オフ角θは、例えば、０．１°〜３°程度であり、好ましくは、０．２°〜１°程度である。なお、このｎ型基板ＮＳとしては、フリースタンディング基板を用いることができる。フリースタンディング基板とは、炭化珪素基板やサファイア基板などの支持基板上に窒化ガリウムを成長させ、その後、支持基板上を除去して窒化ガリウム単独とした基板である。
【００７３】
次いで、図７に示すように、上記ｎ型基板ＮＳ上に、ｎ型クラッド層ＮＣＬＤとして、ｎ型ＡｌＧａＮ層を形成する。例えば、ＭＯＶＰＥ（Metal Organic Vapor Phase Epitaxy、有機金属気相成長）装置を用い、キャリアガスと原料ガスを、装置内に導入しながら、ｎ型クラッド層ＮＣＬＤ（ｎ型ＡｌＧａＮ層）を結晶成長させる。キャリアガスには、水素、または窒素、または水素と窒素の混合ガスを用いる。原料ガスには、窒化物半導体の構成元素を含むガスを用いる。例えば、ｎ型クラッド層ＮＣＬＤ（ｎ型ＡｌＧａＮ層）の成膜の際には、Ａｌ、Ｇａ、Ｎ原料として、ＴＭＡｌ（トリメチルアルミニウム）、ＴＭＧａ（トリメチルガリウム）、ＮＨ３（アンモニア）をそれぞれ用い、ｎ型不純物の原料として、ＳｉＨ４（シラン）を用いる。ｎ型基板ＮＳを上記装置にセットし、ＮＨ３を供給しながら基板を昇温し、成長温度に到達後、原料ガスをキャリアガスとともに装置内に導入しながら、２μｍ程度の厚さのｎ型クラッド層ＮＣＬＤ（ｎ型ＡｌＧａＮ層）を結晶成長させる。成長温度は、例えば、１０００℃〜１１００℃程度である。
【００７４】
次いで、図８に示すように、装置内の温度を低下させ、ｎ型クラッド層ＮＣＬＤの成長温度より低い温度で、０．１μｍ程度の厚さの電流ブロック層ＢＬ（ＡｌＮ層）を成長させる。電流ブロック層ＢＬ（ＡｌＮ層）の成膜の際には、Ａｌ、Ｎ原料として、ＴＭＡｌ（トリメチルアルミニウム）、ＮＨ３（アンモニア）をそれぞれ用いる。成長温度は、例えば、２００℃〜６００℃程度である。このように、比較的低温（例えば、ｎ型クラッド層ＮＣＬＤや後述の活性層ＭＱＷより低温）で成膜することにより、アモルファス状態の電流ブロック層ＢＬ（ＡｌＮ層）を形成することができる。
【００７５】
次いで、上記基板をＭＯＶＰＥ装置より取り出し、図９〜図１２に示すように、電流ブロック層ＢＬ（ＡｌＮ層）をパターニングする。例えば、電流ブロック層ＢＬ（ＡｌＮ層）上に、ハードマスク（図示せず）を形成する。例えば、ＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）法などを用いて、電流ブロック層ＢＬ（ＡｌＮ層）上に、酸化シリコン膜を形成する。次いで、酸化シリコン膜上に、フォトレジスト膜を塗布した後、フォトリソグラフィ技術を用いて電流ブロック層ＢＬ（ＡｌＮ層）を残存させる領域にのみフォトレジスト膜を残存させる。次いで、フォトレジスト膜をマスクとして、ハードマスク（酸化シリコン膜）をエッチングする。次いで、フォトレジスト膜をアッシングなどにより除去する。次いで、ハードマスク（酸化シリコン膜）をマスクとして、電流ブロック層ＢＬ（ＡｌＮ層）をエッチングする。エッチング法としては、ドライエッチング法およびウェットエッチング法のいずれを用いてもよい。前述したとおり、電流ブロック層ＢＬ（ＡｌＮ層）を比較的低温で成膜し、アモルファス状態の電流ブロック層ＢＬ（ＡｌＮ層）を形成しておくことにより、ウェットエッチング法を用いた場合でも、容易にエッチングを行うことができる。この後、ハードマスク（酸化シリコン膜）を除去する。なお、アモルファス状態の電流ブロック層ＢＬ（ＡｌＮ層）は、以降の処理の熱負荷により結晶化する。
【００７６】
上記エッチングにより、２つの電流ブロック層ＢＬが活性領域ＡＣに形成される。電流ブロック層ＢＬの上面から見た平面形状は、例えば、矩形状（四角形状）である（図１２）。そして、電流ブロック層ＢＬは、＜１−１００＞方向に長辺を有する。２つの電流ブロック層ＢＬは、所定の間隔（例えば、１μｍ〜２０μｍ程度）をおいて形成される。言い換えれば、電流ブロック層ＢＬは、図１２に示す領域１Ａの両側に形成される。この電流ブロック層ＢＬ間（領域１Ａ）は、電流狭窄領域となる。領域１Ａは、Ｘ方向に長辺を有する矩形状である。
【００７７】
また、電流ブロック層ＢＬは、チップ領域（半導体レーザ形成領域）の端部まで延在していない。別の言い方をすれば、電流ブロック層ＢＬは、チップ領域（半導体レーザ形成領域のＹ方向に延在する辺）から後退して配置される。このため、Ｙ方向に延在する辺（劈開面ＣＬ、端面）から所定の幅の領域には、電流ブロック層ＢＬが形成されていない。この領域が、窓領域ＷＡとなる。窓領域ＷＡのＸ方向の幅は、例えば、２μｍ〜５０μｍ程度、より好ましくは、５μｍ〜２０μｍ程度である。
【００７８】
次いで、図１３〜図１６に示すように、電流ブロック層ＢＬ（ＡｌＮ層）およびｎ型クラッド層ＮＣＬＤ（ｎ型ＡｌＧａＮ層）上に、ｎ型光ガイド層ＮＬＧとして、ｎ型ＧａＮ層を形成する。例えば、ＭＯＶＰＥ装置を用い、キャリアガスと原料ガスを、装置内に導入しながら、ｎ型光ガイド層ＮＬＧ（ｎ型ＧａＮ層）を結晶成長させる。原料ガスとしては、Ｇａ、Ｎ原料として、ＴＭＧａ（トリメチルガリウム）、ＮＨ３（アンモニア）をそれぞれ用い、ｎ型不純物の原料として、ＳｉＨ４（シラン）を用いる。成長温度は、例えば、１０００℃〜１１００℃程度である。
【００７９】
図１７は、電流ブロック層ＢＬ間（領域１Ａ）のｎ型クラッド層上に形成された層の層厚とオフ角度との関係を示した図である。縦軸は、電流ブロック層ＢＬ間に形成された層の層厚を示し、横軸は、＜１−１００＞方向の傾斜角度（オフ角度）［ｄｅｇ］を示す。図１７に示すように、オフ角度が大きくなるほど選択成長効果が大きく、電流ブロック層ＢＬ間（領域１Ａ）に形成される層の厚さが大きくなっている。
【００８０】
一方、窓領域ＷＡにおいては、電流ブロック層ＢＬが形成されていないため、電流ブロック層ＢＬ間のｎ型光ガイド層ＮＬＧより薄いｎ型光ガイド層ＮＬＧが形成される。また、電流ブロック層ＢＬとして、ＡｌＮ層のようなＡｌを含有する層を用いた場合には、層表面のＡｌが酸化し易く、その上部には層が成長し難いので、電流ブロック層ＢＬ上には、ｎ型クラッド層ＮＣＬＤが形成されない、または、形成されても薄い層となる。よって、ｎ型光ガイド層ＮＬＧの層厚において、領域１Ａの層厚ＴＮＬＧ１Ａおよび窓領域ＷＡの層厚ＴＮＬＧＷについて、ＴＮＬＧ１Ａ＞ＴＮＬＧＷの関係が生じることとなる（図１３〜図１６参照）。より詳しくは、ｎ型光ガイド層ＮＬＧの層厚において、領域１Ａの層厚ＴＮＬＧ１Ａ、領域２Ａの層厚（ここでは、ＴＮＬＧ２Ａとする）および窓領域ＷＡの層厚ＴＮＬＧＷについて、ＴＮＬＧ１Ａ＞ＴＮＬＧＷ＞ＴＮＬＧ２Ａの関係が生じることとなる。ｎ型光ガイド層ＮＬＧ（ｎ型ＧａＮ層）の層厚は、領域１Ａにおいて、例えば、０．１μｍ程度である。
【００８１】
次いで、図１８〜図２１に示すように、原料ガスを切り替え、ｎ型光ガイド層ＮＬＧ上に活性層ＭＱＷ（インジウム組成の異なるＩｎＧａＮ井戸層とＩｎＧａＮ障壁層を交互に積層した多重量子井戸構造体）を結晶成長させる。活性層ＭＱＷ（ＩｎＧａＮ井戸層とＩｎＧａＮ障壁層）の成膜の際には、Ｉｎ、Ｇａ、Ｎ原料として、ＴＭＩｎ（トリメチルインジウム）、ＴＭＧａ（トリメチルガリウム）、ＮＨ３（アンモニア）をそれぞれ用いる。Ｉｎ原料であるＴＭＩｎ（トリメチルインジウム）の流量を切り替えることにより、インジウム組成の異なるＩｎＧａＮ井戸層とＩｎＧａＮ障壁層を交互に積層することができる。成長温度は、例えば、８００℃〜９００℃程度である。
【００８２】
この活性層ＭＱＷにおいても、ｎ型光ガイド層ＮＬＧと同様に、電流ブロック層ＢＬ間（領域１Ａ）に形成される層の厚さが大きくなる。また、窓領域ＷＡにおいては、電流ブロック層ＢＬが形成されていないため、電流ブロック層ＢＬ間（領域１Ａ）の活性層ＭＱＷより薄い活性層ＭＱＷが形成される。また、電流ブロック層ＢＬ上またはその上部の薄いｎ型クラッド層ＮＣＬＤ上には、活性層ＭＱＷが形成されない、または、形成されても薄い層となる。よって、活性層ＭＱＷの層厚において、領域１Ａの層厚ＴＭＱＷ１Ａおよび窓領域ＷＡの層厚ＴＭＱＷＷについて、ＴＭＱＷ１Ａ＞ＴＭＱＷＷの関係が生じる（図１８〜図２１参照）。より詳しくは、活性層ＭＱＷの層厚において、領域１Ａの層厚ＴＭＱＷ１Ａ、領域２Ａの層厚（ここでは、ＴＭＱＷ２Ａとする）および窓領域ＷＡの層厚ＴＭＱＷＷについて、ＴＭＱＷ１Ａ＞ＴＭＱＷＷ＞ＴＭＱＷ２Ａの関係が生じる。
【００８３】
領域１Ａにおいて、活性層ＭＱＷを構成するＩｎＧａＮ井戸層の厚さは３ｎｍから１０ｎｍ程度で、２層または３層程度から構成され、ＩｎＧａＮ障壁層の厚さは１０ｎｍから２０ｎｍ程度積層する。
【００８４】
次いで、図２２〜図２５に示すように、原料ガスを切り替え、活性層ＭＱＷ上に、ｐ型光ガイド層ＰＬＧ（ｐ型ＧａＮ層）を結晶成長させる。ｐ型光ガイド層ＰＬＧ（ｐ型ＧａＮ層）の成膜の際には、Ｇａ、Ｎ原料として、ＴＭＧａ（トリメチルガリウム）、ＮＨ３（アンモニア）をそれぞれ用い、ｐ型不純物の原料として、Ｃｐ２Ｍｇ（ビスシクロペンタジエニルマグネシウム）を用いる。成長温度は、例えば、１０００℃〜１１００℃程度である。
【００８５】
このｐ型光ガイド層ＰＬＧ（ｐ型ＧａＮ層）においても、活性層ＭＱＷやｎ型光ガイド層ＮＬＧと同様に、複数の層厚部が形成されていてもよい。例えば、領域１Ａの層厚ＴＰＬＧ１Ａおよび窓領域ＷＡの層厚ＴＰＬＧＷについて、ＴＰＬＧ１Ａ＞ＴＰＬＧＷの関係が生じていてもよい（図２２〜図２５参照）。より詳しくは、領域１Ａの層厚ＴＰＬＧ１Ａ、領域２Ａの層厚（ここでは、ＴＰＬＧ２Ａとする）および窓領域ＷＡの層厚ＴＰＬＧＷについて、ＴＰＬＧ１Ａ＞ＴＰＬＧＷ＞ＴＰＬＧ２Ａの関係が生じていてもよい。
【００８６】
なお、本実施の形態においては、電流ブロック層ＢＬ間（領域１Ａ）と窓領域ＷＡとにおける活性層ＭＱＷの層厚差が重要で有り、活性層ＭＱＷより上層の層においては、領域によって層厚差が生じることが必ずしも必要ではなく、層厚差が緩和されていてもよい。領域１Ａにおいて、ｐ型光ガイド層ＰＬＧ（ｐ型ＧａＮ層）の層厚は、例えば、０．１μｍ程度である。
【００８７】
次いで、図２６〜図２８に示すように、原料ガスを切り替え、ｐ型光ガイド層ＰＬＧ上に、ｐ型クラッド層ＰＣＬＤを結晶成長させる。ｐ型クラッド層ＰＣＬＤとして、ｐ型光ガイド層ＰＬＧ（ｐ型ＧａＮ層）上に、例えば、ｐ型不純物が導入された窒化アルミニウム・ガリウム層（ｐ型ＡｌＧａＮ層）とｐ型不純物が導入された窒化ガリウム層（ｐ型ＧａＮ層）とを交互に積層した超格子層を形成する。ｐ型ＡｌＧａＮ層の成膜の際には、Ａｌ、Ｇａ、Ｎ原料として、ＴＭＡｌ（トリメチルアルミニウム）、ＴＭＧａ（トリメチルガリウム）、ＮＨ３（アンモニア）をそれぞれ用い、ｐ型不純物の原料として、Ｃｐ２Ｍｇ（ビスシクロペンタジエニルマグネシウム）を用いる。ｐ型ＧａＮ層の成膜の際には、上記原料ガスのうち、ＴＭＡｌ（トリメチルアルミニウム）の供給を停止する。このように、原料ガスのうち、Ａｌ原料であるＴＭＡｌ（トリメチルアルミニウム）の供給と停止を繰り返すことにより、ｐ型ＡｌＧａＮ層とｐ型ＧａＮ層とを交互に積層した超格子層よりなるｐ型クラッド層ＰＣＬＤを形成することができる。成長温度は、例えば、１０００℃〜１１００℃程度である。なお、このｐ型クラッド層ＰＣＬＤにおいても、下層の層と同様に、領域によって層厚差が生じていてもよいが、ここでは、ｐ型クラッド層ＰＣＬＤの層厚が下層のｐ型光ガイド層ＰＬＧ、活性層ＭＱＷおよびｎ型光ガイド層ＮＬＧより大きく、層厚差が緩和されている。
【００８８】
次いで、図２９に示すように、原料ガスを切り替え、ｐ型クラッド層ＰＣＬＤ上にｐ型コンタクト層ＰＣＮＴ（ｐ型ＧａＮ層）を結晶成長させる。ｐ型コンタクト層ＰＣＮＴ（ｐ型ＧａＮ層）の成膜の際には、Ｇａ、Ｎ原料として、ＴＭＧａ（トリメチルガリウム）、ＮＨ３（アンモニア）をそれぞれ用い、ｐ型不純物の原料として、Ｃｐ２Ｍｇ（ビスシクロペンタジエニルマグネシウム）を用いる。成長温度は、例えば、１０００℃〜１１００℃程度である。
【００８９】
次いで、図３０および図３１に示すように、ｐ型コンタクト層ＰＣＮＴ上に、絶縁層ＩＬとして、例えば、酸化シリコン膜をＣＶＤ法などを用いて形成する。次いで、領域１Ａ（電流狭窄領域）上の絶縁層ＩＬを除去する。例えば、領域１Ａ（電流狭窄領域）に開口部を有するフォトレジスト膜（図示せず）をマスクとして、絶縁層ＩＬをエッチングする。次いで、フォトレジスト膜をアッシングなどにより除去する。これにより、領域１Ａ（電流狭窄領域）上の絶縁層ＩＬが除去され、開口部ＯＡが形成される。この開口部ＯＡの底面には、ｐ型コンタクト層ＰＣＮＴが露出している。
【００９０】
次いで、図３２に示すように、ｐ型コンタクト層ＰＣＮＴおよび絶縁層ＩＬ上に、ｐ側電極ＰＥＬを形成する。
【００９１】
次いで、ｎ型基板ＮＳの裏面側を上面とし、ｎ型基板ＮＳの裏面を研磨することにより、ｎ型基板ＮＳを薄膜化する。例えば、ｎ型基板ＮＳを１００μｍ程度の厚さとする。次いで、ｎ型基板ＮＳの裏面に、ｎ側電極ＮＥＬを形成する（図３２）。
【００９２】
この後、複数のチップ領域を有するｎ型基板ＮＳをチップ領域ごとに切り出す。まず、チップ領域間を劈開する。即ち、あるチップ領域とその隣のチップ領域との間に位置する（窓領域ＷＡ）において、線ＣＬに沿って劈開する（図３１等参照）。劈開面ＣＰは線ＣＬに対応する。これにより、図４に示す半導体レーザの共振器のミラー面となる劈開面（Ｙ方向に延在する面）ＣＰが形成される。さらに、チップ領域のＸ方向に延在する辺に沿って切断することにより、チップ片が切り出される。
【００９３】
以上の工程により、本実施の形態の半導体レーザを形成することができる。
【００９４】
このように、本実施の形態によれば、（０００１）面から＜１-１００＞方向にオフ角を有するｎ型基板ＮＳ上に、劈開面ＣＰから後退して電流ブロック層ＢＬを形成し、その上方に活性層ＭＱＷを結晶成長することで、劈開面ＣＰ近傍の窓領域ＷＡの活性層ＭＱＷを電流狭窄領域の活性層ＭＱＷより薄く形成することができる。電流ブロック層ＢＬは、電流狭窄領域を区画する層であり、新たな層の形成工程や加工工程を追加することなく、活性層ＭＱＷに層厚差を設けることができる。
【００９５】
別の言い方をすれば、前述の特許文献１〜３に記載のように、活性層が他の部分より低い位置に配置されるような段差、出射側端面に別途形成する単結晶層および半導体レーザの端面に形成する溝と言った、特殊構成部を設けることなく、窓領域ＷＡの活性層ＭＱＷの層厚を薄くすることができる。
【００９６】
このように、本実施の形態によれば、活性層ＭＱＷの量子効果により窓領域ＷＡでのバンドギャップエネルギーが大きくなり、レーザ発振光に対して窓領域ＷＡが透明となるため、光出射端面の光学損傷を抑制することができる。
【００９７】
（実施の形態２）
実施の形態１においては、ｐ型コンタクト層ＰＣＮＴおよびｐ型クラッド層ＰＣＬＤをパターニングせず、プレーナ構造の半導体レーザとしたが、ｐ型コンタクト層ＰＣＮＴおよびｐ型クラッド層ＰＣＬＤをライン状にパターニングして、リッジ構造の半導体レーザとしてもよい。なお、実施の形態１の場合と同様の箇所には同一の符号を付し、その詳細な説明を省略する。
【００９８】
［構造説明］
図３３〜図３５は、本実施の形態の半導体レーザの構成を示す断面図であり、図３６は、本実施の形態の半導体レーザの構成を示す平面図である。例えば、図３３は、図３６のＡ−Ａ部に、図３４は、図３６のＢ−Ｂ部に、図３５は、図３６のＣ−Ｃ部に対応する。
【００９９】
図３３〜図３６に示すように、本実施の形態の半導体レーザは、ｐ型コンタクト層ＰＣＮＴおよびｐ型クラッド層ＰＣＬＤがライン状の積層部となっている。このようなライン状の積層部をリッジストライプ構造という場合がある。
【０１００】
本実施の形態の半導体レーザにおいて、ｎ側電極ＮＥＬ上のｐ型ガイド層ＰＬＧまでの構成は実施の形態１と同様である。
【０１０１】
例えば、本実施の形態の半導体レーザは、実施の形態１と同様に、基板として（０００１）面から＜１-１００＞方向に傾斜したオフ角を有するｎ型基板ＮＳを用い、その上に順次積層された、複数の窒化物半導体層を有する。具体的には、実施の形態１の場合と同様に、ｎ型基板ＮＳ上に、ｎ型クラッド層ＮＣＬＤが配置されている。ｎ型基板ＮＳおよびｎ型クラッド層ＮＣＬＤの構成材料としては、実施の形態１と同様の材料を用いることができる。
【０１０２】
そして、ｎ型クラッド層ＮＣＬＤ上には、電流ブロック層ＢＬが配置されている。電流ブロック層ＢＬの構成材料としては、実施の形態１と同様の材料を用いることができる。また、電流ブロック層ＢＬの上面から見た平面形状は、実施の形態１と同様である（図１２参照）。即ち、＜１−１００＞方向に長辺を有する矩形状（四角形状）の２つの電流ブロック層ＢＬが活性領域ＡＣに形成される。２つの電流ブロック層ＢＬは、電流狭窄領域となる領域１Ａの両側にそれぞれ配置されている。電流ブロック層ＢＬ間には、ｎ型クラッド層ＮＣＬＤが露出している。
【０１０３】
さらに、実施の形態１と同様に、電流ブロック層ＢＬおよびｎ型クラッド層ＮＣＬＤ上に、ｎ型光ガイド層ＮＬＧ、活性層ＭＱＷおよびｐ型光ガイド層ＰＬＧが順次配置されている。これらの層は、実施の形態１の場合と同様に、それぞれ複数の層厚部を有する。例えば、活性層ＭＱＷの窓領域ＷＡの層厚ＴＭＱＷＷは、活性領域ＡＣの領域１Ａ（電流狭窄領域）の層厚ＴＭＱＷ１Ａより小さい（ＴＭＱＷＷ＜ＴＭＱＷ１Ａ）。また、これらの層の構成材料としては、実施の形態１と同様の材料を用いることができる。
【０１０４】
ここで、ｐ型光ガイド層ＰＬＧ上には、ｐ型クラッド層ＰＣＬＤおよびｐ型コンタクト層ＰＣＮＴが配置されているが、これらの層は主として領域１Ａに配置されている。このように、ｐ型クラッド層ＰＣＬＤおよびｐ型コンタクト層ＰＣＮＴの積層部がライン状（図３６のＸ方向に長辺を有する矩形状）に電流ブロック層ＢＬ間（領域１Ａ）上に延在している（図３３、図３６参照）。
【０１０５】
そして、このライン状の積層部（リッジストライプ部）の側壁は、絶縁層（絶縁膜）ＩＬで覆われている。この絶縁層ＩＬは、リッジストライプ部の側壁からその両側のｐ型クラッド層ＰＣＬＤ上に配置されている。そして、最上層のｐ型コンタクト層ＰＣＮＴ上には、ｐ側電極ＰＥＬが配置され、ｎ型基板ＮＳの裏面には、ｎ側電極ＮＥＬが配置されている。これらの構成材料としては、実施の形態１と同様の材料を用いることができる。
【０１０６】
また、（０００１）面から＜１-１００＞方向に傾斜したオフ角を有する基板を用いることで、電流ブロック層ＢＬの有無により、電流狭窄領域（領域１Ａ）の活性層ＭＱＷより窓領域ＷＡの活性層ＭＱＷを薄く形成することができる。これにより、光出射端面（ＣＰ）の光学損傷による端面破壊を抑制することができる。
【０１０７】
さらに、本実施の形態においては、電流ブロック層ＢＬが形成されていない窓領域ＷＡにおいても、リッジストライプ部により、横方向の光を閉じ込めることができ、窓領域ＷＡでの導波路損失を低減することができる。これにより、ファーフィールドパターン（ＦＦＰ：遠視野像）を良好にすることができる。
【０１０８】
特に、ブロードストライプ型(領域１Ａの幅が約５μｍ以上)のマルチモードのレーザ素子では導波路損失の影響は小さいが、ナローストライプ型(領域１Ａの幅が約１μｍ〜２μｍ)のシングルモードのレーザ素子では導波路損失の影響が大きくなる恐れがあるため、本実施の形態のようなリッジストライプ構造を採用することが好ましい。
【０１０９】
［製法説明］
次いで、図３７〜図３９を参照しながら、本実施の形態の半導体レーザの製造方法を説明するとともに、当該半導体レーザの構成をより明確にする。図３７〜図３９は、本実施の形態の半導体レーザの製造工程を示す断面図である。
【０１１０】
実施の形態１と同様にして、ｎ型基板ＮＳ上に、ｎ型クラッド層ＮＣＬＤ、電流ブロック層ＢＬ、ｎ型光ガイド層ＮＬＧ、活性層ＭＱＷ、ｐ型光ガイド層ＰＬＧ、ｐ型クラッド層ＰＣＬＤおよびｐ型コンタクト層ＰＣＮＴを順次形成する（図２９参照）。
【０１１１】
次いで、図３７に示すように、ｐ型コンタクト層ＰＣＮＴ（ｐ型ＧａＮ層）およびｐ型クラッド層ＰＣＬＤをパターニングすることにより、リッジストライプ部を形成する。例えば、ｐ型コンタクト層ＰＣＮＴ（ｐ型ＧａＮ層）上に、ハードマスク（図示せず）を形成する。例えば、ＣＶＤ法などを用いて、ｐ型コンタクト層ＰＣＮＴ（ｐ型ＧａＮ層）上に、酸化シリコン膜を、０．３μｍ程度の層厚で形成する。次いで、酸化シリコン膜上に、フォトレジスト膜（図示せず）を塗布した後、フォトリソグラフィ技術を用いてリッジストライプ部の形成領域にフォトレジスト膜を残存させる。次いで、フォトレジスト膜をマスクとして、ハードマスク（酸化シリコン膜）をエッチングする。エッチング法としては、ドライエッチング法およびウェットエッチング法のいずれを用いてもよい。次いで、フォトレジスト膜をアッシングなどにより除去し、ハードマスク（酸化シリコン膜）をマスクとして、ｐ型コンタクト層ＰＣＮＴ（ｐ型ＧａＮ層）およびｐ型クラッド層ＰＣＬＤをドライエッチング法によりエッチングする（図３７）。次いで、ハードマスクを除去する。これにより、幅約１μｍ〜２μｍのリッジストライプ部（ｐ型クラッド層ＰＣＬＤおよびｐ型コンタクト層ＰＣＮＴの積層部）を形成する。ここで言う幅は、例えば、図３６におけるＹ方向の幅である。ここで、図３７においては、ｐ型クラッド層ＰＣＬＤの途中までしかエッチングしていないが、ｐ型光ガイド層ＰＬＧが露出するまでエッチングしてもよい。
【０１１２】
次いで、図３８に示すように、リッジストライプ部（ｐ型クラッド層ＰＣＬＤおよびｐ型コンタクト層ＰＣＮＴの積層部）およびｐ型クラッド層ＰＣＬＤ上に、絶縁層ＩＬとして、例えば、酸化シリコン膜をＣＶＤ法などを用いて形成する。これにより、リッジストライプ部の上面および側面は、絶縁層ＩＬ（酸化シリコン膜）で覆われる。また、リッジストライプ部の両側のｐ型クラッド層ＰＣＬＤが、絶縁層ＩＬ（酸化シリコン膜）で覆われる。
【０１１３】
次いで、リッジストライプ部（ｐ型クラッド層ＰＣＬＤおよびｐ型コンタクト層ＰＣＮＴの積層部）の上面の絶縁層ＩＬを除去する。例えば、リッジストライプ部上に開口部を有するフォトレジスト膜（図示せず）をマスクとして、絶縁層ＩＬをエッチングする。次いで、フォトレジスト膜をアッシングなどにより除去する。
【０１１４】
次いで、リッジストライプ部（ｐ型コンタクト層ＰＣＮＴ）の上面にｐ側電極ＰＥＬを形成する（図３９）。
【０１１５】
次いで、ｎ型基板ＮＳの裏面側を上面とし、ｎ型基板ＮＳの裏面を研磨することにより、ｎ型基板ＮＳを薄膜化する。例えば、ｎ型基板ＮＳを１００μｍ程度の厚さとする。次いで、ｎ型基板ＮＳの裏面に、ｎ側電極ＮＥＬを形成する（図３９）。この後、実施の形態１の場合と同様にして、チップ片を切り出す。
【０１１６】
以上の工程により、本実施の形態の半導体レーザを形成することができる。
【０１１７】
このように、本実施の形態においても、実施の形態１と同様に、（０００１）面から＜１-１００＞方向に傾斜したオフ角を有する基板を用いることで、電流ブロック層ＢＬの有無により、電流狭窄領域の活性層ＭＱＷより窓領域ＷＡの活性層ＭＱＷを薄く形成することができ、光出射端面の光学損傷による端面破壊を抑制することができる。
【０１１８】
さらに、本実施の形態においては、電流ブロック層ＢＬが形成されていない窓領域ＷＡにおいても、リッジストライプ部により、横方向の光を閉じ込めることができ、窓領域ＷＡでの導波路損失を低減することができる。
【０１１９】
このように、特性の良好な半導体レーザを製造することができる。
【０１２０】
（実施の形態３）
実施の形態１においては、領域３Ａに電流ブロック層ＢＬを形成していないが（図１２参照）、電流ブロック層ＢＬを領域２Ａから領域３Ａまで延在させてもよい。
【０１２１】
また、実施の形態１においては、窓領域ＷＡを劈開面ＣＰに沿って、チップ領域のＹ方向全域に延在させたが（図４参照）、窓領域ＷＡは、光出射部を含み、領域１Ａの幅より広い幅を有する領域であればよく、チップ領域のＹ方向全域に延在させる必要はない。
【０１２２】
（第１例）
図４０は、本実施の形態の半導体レーザの第１例を示す平面図である。図４０に示すように、本実施の形態においては、電流ブロック層ＢＬが図１２に示す領域２Ａおよび領域３Ａに形成されている。電流ブロック層ＢＬ以外の構成は、実施の形態１の場合と同様であるためその説明を省略する。また、本実施の形態の半導体レーザの製造工程は、電流ブロック層ＢＬを図４０に示す形状にエッチングする以外は、実施の形態１と同様である。
【０１２３】
このように、電流ブロック層ＢＬを、チップ領域（ｎ型クラッド層ＮＣＬＤ）のＸ方向に延在する端部（辺、図中の横の辺）まで、Ｙ方向に伸ばしてもよい。
【０１２４】
（第２例）
図４１は、本実施の形態の半導体レーザの第２例を示す平面図である。図４１に示すように、本実施の形態においては、窓領域ＷＡが、電流ブロック層ＢＬ間の中心線部（光出射部）を含み、Ｙ方向に領域１Ａの幅より広い幅Ｗを有する領域となっている。そして、チップ領域のＹ方向に延在する辺（線ＣＬ、劈開面ＣＰ）の両端部には、電流ブロック層ＢＬが配置されている。
【０１２５】
このように、窓領域ＷＡのＹ方向の幅Ｗを、電流ブロック層ＢＬ間（第１領域１Ａ）のＹ方向の幅より大きくしつつ、窓領域ＷＡを、チップ領域のＹ方向に延在する辺（線ＣＬ、劈開面ＣＰ）の一部に沿って配置してもよい。
【０１２６】
本実施の形態の第１例および第２例においても、実施の形態１と同様の効果を奏する。また、実施の形態２の構成に、上記第１例または第２例で示した電流ブロック層ＢＬの構成を適用してもよい。
【０１２７】
（応用例）
上記実施の形態において説明した半導体レーザの適用範囲に制限はないが、例えば、光ディスク装置に適用することができる。光ディスク装置は、ＢＤ（Blu-lay）などの光ディスクから情報を読み取る装置である。光ディスクに記録されている信号の読み出し動作は、光ピックアップで行われる。光ピックアップは、光ディスクのデータの読み出しを行うための光源および受光部を有する。この光ピックアップの光源として、上記実施の形態において説明した半導体レーザを用いることで、光出射端面の光学損傷を抑制でき、光源の特性を向上させることができる。
【０１２８】
以上、本発明者によってなされた発明を実施の形態に基づき具体的に説明したが、本発明は上記実施の形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能であることはいうまでもない。
【０１２９】
例えば、上記実施の形態１〜３においては、ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体のうち、窒化物半導体を用いた半導体レーザの場合について説明したが、上記実施の形態１〜３を他のＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体を用いた半導体レーザに適用してもよい。
【符号の説明】
【０１３０】
１Ａ  領域
２Ａ  領域
３Ａ  領域
ＡＣ  活性領域
ＢＬ  電流ブロック層
ＣＬ  線
ＣＰ  劈開面
ＩＬ  絶縁層
Ｌ  レーザ光
ＭＱＷ  活性層
ＮＣＬＤ  ｎ型クラッド層
ＮＥＬ  ｎ側電極
ＮＬＧ  ｎ型光ガイド層
ＮＳ  ｎ型基板
ＯＡ  開口部
ＰＣＬＤ  ｐ型クラッド層
ＰＣＮＴ  ｐ型コンタクト層
ＰＥＬ  ｐ側電極
ＰＬＧ  ｐ型光ガイド層
ＴＭＱＷ１Ａ  層厚
ＴＭＱＷ２Ａ  層厚
ＴＭＱＷＷ  層厚
ＴＮＬＧ１Ａ  層厚
ＴＮＬＧ２Ａ  層厚
ＴＮＬＧＷ  層厚
ＴＰＬＧ１Ａ  層厚
ＴＰＬＧ２Ａ  層厚
ＴＰＬＧＷ  層厚
ＷＡ  窓領域
Ｗ  幅
【図１】
2015226045.tif 000003
【図２】
2015226045.tif 000004
【図３】
2015226045.tif 000005
【図４】
2015226045.tif 000006
【図５】
2015226045.tif 000007
【図６】
2015226045.tif 000008
【図７】
2015226045.tif 000009
【図８】
2015226045.tif 000010
【図９】
2015226045.tif 000011
【図１０】
2015226045.tif 000012
【図１１】
2015226045.tif 000013
【図１２】
2015226045.tif 000014
【図１３】
2015226045.tif 000015
【図１４】
2015226045.tif 000016
【図１５】
2015226045.tif 000017
【図１６】
2015226045.tif 000018
【図１７】
2015226045.tif 000019
【図１８】
2015226045.tif 000020
【図１９】
2015226045.tif 000021
【図２０】
2015226045.tif 000022
【図２１】
2015226045.tif 000023
【図２２】
2015226045.tif 000024
【図２３】
2015226045.tif 000025
【図２４】
2015226045.tif 000026
【図２５】
2015226045.tif 000027
【図２６】
2015226045.tif 000028
【図２７】
2015226045.tif 000029
【図２８】
2015226045.tif 000030
【図２９】
2015226045.tif 000031
【図３０】
2015226045.tif 000032
【図３１】
2015226045.tif 000033
【図３２】
2015226045.tif 000034
【図３３】
2015226045.tif 000035
【図３４】
2015226045.tif 000036
【図３５】
2015226045.tif 000037
【図３６】
2015226045.tif 000038
【図３７】
2015226045.tif 000039
【図３８】
2015226045.tif 000040
【図３９】
2015226045.tif 000041
【図４０】
2015226045.tif 000042
【図４１】
2015226045.tif 000043