(57)【要約】【課題】ＥＰＤエラーの発生を抑制する。【解決手段】プラズマ処理装置１は、被処理基板を搬入するための開口部５１を有する円筒状のチャンバ１０と、チャンバ１０の内壁に沿って配置され、開口部５１に対応する位置に開口部７１ａを有するデポシールド７１と、板状に形成され、開口部７１ａを開閉するシャッタ５５とを備え、デポシールド７１の開口部７１ａの上端には、ハステロイで形成された層７１ｂが設けられ、シャッタ５５の上端には、ハステロイで形成されたスパイラル５７が設けられ、シャッタ５５がデポシールド７１の開口部７１ａを閉じた状態において、ハステロイで形成された層７１ｂとハステロイで形成されたスパイラル５７とが当接する。【選択図】図６
2015128110.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
被処理基板を搬入するための第１の開口部を有する円筒状のチャンバと、
前記チャンバの内壁に沿って配置され、前記第１の開口部に対応する位置に第２の開口部を有する保護部材と、
板状に形成され、前記第２の開口部を開閉する開閉部材と
を備え、
前記保護部材の前記第２の開口部の内縁には、ハステロイで形成された第１の部材が設けられ、
前記開閉部材の外縁には、ハステロイで形成された第２の部材が設けられ、
前記開閉部材が前記第２の開口部を閉じた状態において、前記第１の部材と前記第２の部材とが当接することを特徴とする基板処理装置。
【請求項２】
前記第１の部材は、ハステロイで形成された層、または、ハステロイで形成された弾性部材のいずれか一方であり、
前記第２の部材は、ハステロイで形成された層、または、ハステロイで形成された弾性部材のいずれか他方であることを特徴とする請求項１に記載の基板処理装置。
【請求項３】
ハステロイで形成された層は、
ハステロイで形成された部材を、前記保護部材の前記第２の開口部の内縁、または、前記開閉部材の外縁に固定することにより形成されることを特徴とする請求項２に記載の基板処理装置。
【請求項４】
前記第１の部材は、ハステロイで形成された弾性部材であり、
前記第２の部材は、ハステロイにより断面がコの字状に形成され、前記開閉部材の上端にねじ止めされることを特徴とする請求項１から３のいずれか一項に記載の基板処理装置。
【請求項５】
前記第１の部材は、
ハステロイにより螺旋状に形成され、中心軸が前記保護部材の前記第２の開口部の上端に沿うように、当該上端に配置され、
前記第２の部材は、
前記開閉部材が前記第２の開口部を閉じた状態において前記第１の部材に当接する面に、前記第１の部材の外形に沿った窪みが形成されていることを特徴とする請求項４に記載の基板処理装置。
【請求項６】
プラズマ処理装置内の空間に基板を搬入する開口部を遮断するシャッタ機構であって、
プラズマが生成される前記空間を区画する第１の部材と、
前記空間から前記プラズマが外へ拡散しないように前記開口部を遮蔽する遮蔽部材と、
前記遮蔽部材が前記開口部を遮蔽した場合に、前記第１の部材と前記遮蔽部材とを当接させる当接機構と
を備え、
前記当接機構は、
前記第１の部材または前記遮蔽部材の一方に形成された溝と、
ハステロイで形成され、前記溝に嵌め込まれた弾性部材と、
ハステロイで形成され、前記第１の部材または前記遮蔽部材の他方に設けられ、前記遮蔽部材が前記開口部を遮蔽した場合に、前記弾性部材と当接して前記第１の部材と前記遮蔽部材とを導通させる第２の部材と
を有することを特徴とするシャッタ機構。
【請求項７】
前記第１の部材および前記遮蔽部材は、湾曲に形成され、
前記当接機構は、前記湾曲に沿って構成されることを特徴とする請求項６に記載のシャッタ機構。
【請求項８】
前記第２の部材は、
断面が略コの字状に形成され、前記開口部を遮蔽した状態の前記遮蔽部材において、前記空間側に面している面の裏面側に設けられ、上面が前記弾性部材と当接する請求項６または７に記載のシャッタ機構。
【請求項９】
前記第２の部材は、
断面が略Ｌ字状に形成されて前記第１の部材に設けられ、前記遮蔽部材が前記開口部を遮蔽した状態で、下面が前記弾性部材と当接する請求項６または７に記載のシャッタ機構。
【請求項１０】
プラズマ処理装置内に空間を有し、前記空間内に基板が搬入されるチャンバと、
プラズマが生成される前記空間を、前記チャンバ内の側壁に沿って区画する第１の部材と、
前記空間から前記プラズマが外へ拡散しないように前記第１の部材に設けられた開口部を遮蔽する遮蔽部材と、
前記遮蔽部材が前記開口部を遮蔽した場合に、前記第１の部材と前記遮蔽部材とを当接させる当接機構と
を備え、
前記当接機構は、
前記第１の部材または前記遮蔽部材の一方に形成された溝と、
ハステロイで形成され、前記溝に嵌め込まれた弾性部材と、
ハステロイで形成され、前記第１の部材または前記遮蔽部材の他方に設けられ、前記遮蔽部材が前記開口部を遮蔽した場合に、前記弾性部材と当接して前記第１の部材と前記遮蔽部材とを導通させる第２の部材と
を有することを特徴とするプラズマ処理装置。
【請求項１１】
前記第１の部材および前記遮蔽部材は、湾曲に形成され、
前記当接機構は、前記湾曲に沿って構成されることを特徴とする請求項１０に記載のプラズマ処理装置。
【請求項１２】
前記第２の部材は、
断面が略コの字状に形成され、前記開口部を遮蔽した状態の前記遮蔽部材において、前記空間側に面している面の裏面側に設けられ、上面が前記弾性部材と当接する請求項１０または１１に記載のプラズマ処理装置。
【請求項１３】
前記第２の部材は、
断面が略Ｌ字状に形成されて前記第１の部材に設けられ、前記遮蔽部材が前記開口部を遮蔽した状態で、下面が前記弾性部材と当接する請求項１０または１１に記載のプラズマ処理装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明の種々の側面及び実施形態は、基板処理装置、シャッタ機構およびプラズマ処理装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来、半導体デバイス用の被処理基板であるウエハに所望のプラズマ処理を施すプラズマ処理装置が知られている。プラズマ処理装置は、例えばウエハを収容するチャンバを備え、チャンバ内には、ウエハを載置し下部電極として機能する載置台（以下、「サセプタ」）と、サセプタに対向する上部電極とが配置されている。また、載置台および上部電極の少なくとも一方には高周波電源が接続され、載置台および上部電極は処理室内空間に高周波電力を印加する。
【０００３】
プラズマ処理装置では、処理室内空間に供給された処理ガスを高周波電力によってプラズマにしてイオン等を発生させ、発生させたイオン等をウエハに導いて、ウエハに所望のプラズマ処理、例えばエッチング処理を施す。
【０００４】
また、チャンバの側壁には、半導体ウエハの搬入・搬出用の開口部が設けられ、開口部を開閉するゲートバルブが配置される。ゲートバルブの開閉により半導体ウエハの搬入および搬出が行われる。チャンバ内には、エッチング副生物（デポ）が付着することを防止するデポシールドがチャンバの内壁に沿って設けられ、チャンバの開口部の位置に合わせて、デポシールドにも開口部が設けられる。
【０００５】
ゲートバルブはチャンバの外側（大気側）に配置されているので、開口部が大気側に突出した空間が形成される。チャンバ内で生成されたプラズマが開口部の空間まで拡散すると、プラズマの均一性が悪化したり、プラズマによりゲートバルブのシール部材が劣化する。そのため、チャンバおよびデポシールドの開口部によって形成される空間と、プラズマ生成空間とは、シャッタによって遮断される。また、シャッタは、例えばシャッタの駆動部が開口部の下方に配置され、当該駆動部により開閉駆動される。
【０００６】
また、シャッタによってデポシールドの開口部が遮断された状態において、デポシールドの開口部に形成されたアルミニウムの無垢面と、シャッタの上部および下部に設けられた導電性のスパイラルとが接触することにより、シャッタとデポシールドとが導通し、シャッタがデポシールドを介して接地される。導電性スパイラルには、素材としてハステロイが用いられる場合がある。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００７】
【特許文献１】特開２０１１−１７１７６３号公報
【特許文献２】特開２００２−１４１４０３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
しかしながら、デポシールドの開口部に形成されたアルミニウムの無垢面と、シャッタに設けられたハステロイのスパイラルとが接触した状態でプラズマ処理を行った場合、プラズマ処理の過程で、アルミニウムの無垢面は、ハステロイのスパイラルとの接触面において腐食し、導電性のない物質に変化する。アルミニウムの無垢面が導電性のない物質に変化した場合、この物質にハステロイのスパイラルが接触しても、デポシールドとシャッタとは導通せず、シャッタが適切に接地されない。そのため、チャンバ内のプラズマの分布に異常が生じ、エッチングレートが低下し、ＥＰＤ（End-Point  Detection）エラーが発生する。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
開示する基板処理装置は、１つの実施態様において、被処理基板を搬入するための第１の開口部を有する円筒状のチャンバと、前記チャンバの内壁に沿って配置され、前記第１の開口部に対応する位置に第２の開口部を有する保護部材と、板状に形成され、前記第２の開口部を開閉する開閉部材とを備え、前記保護部材の前記第２の開口部の内縁には、ハステロイで形成された第１の部材が設けられ、前記開閉部材の外縁には、ハステロイで形成された第２の部材が設けられ、前記開閉部材が前記第２の開口部を閉じた状態において、前記第１の部材と前記第２の部材とが当接する。
【発明の効果】
【００１０】
開示する基板処理装置の１つの態様によれば、ＥＰＤエラーの発生を抑制することが可能となるという効果を奏する。
【図面の簡単な説明】
【００１１】
【図１】図１は、一実施形態に係る基板処理装置の概略構成を示す断面図である。
【図２】図２は、図１における上部電極周辺の概略構成を示す拡大断面図である。
【図３】図３は、デポシールドの概略形状の一例を示す斜視図である。
【図４】図４は、シャッタ付近の構成の一例を示す拡大断面図である。
【図５】図５は、スパイラルの構成の一例を示す図である。
【図６】図６は、シャッタの上部周辺の構成の一例を示す拡大図である。
【図７】図７は、シャッタの下部周辺の構成の一例を示す拡大図である。
【図８】図８は、デポシールドの開口部の上端の位置を示す説明図である。
【図９】図９は、比較例および本願の実施例の実験結果の一例を示す図である。
【図１０Ａ】図１０Ａは、比較例における反応生成物の発光強度の時間変化の一例を示す図である。
【図１０Ｂ】図１０Ｂは、実施例における反応生成物の発光強度の時間変化の一例を示す図である。
【図１１】図１１は、変形例１におけるシャッタ付近の構成の一例を示す拡大断面図である。
【図１２】図１２は、変形例１におけるシャッタの上部周辺の構成の一例を示す拡大図である。
【図１３】図１３は、シャッタが開いた状態をデポシールドの外側から見た図である。
【図１４】図１４は、変形例１におけるシャッタの下部周辺の構成の一例を示す拡大図である。
【図１５】図１５は、変形例２におけるシャッタの上部周辺の構成の一例を示す拡大図である。
【図１６】図１６は、変形例３におけるシャッタの上部周辺の構成の一例を示す拡大図である。
【図１７】図１７は、図１６のＡ−Ａ断面図である。
【図１８】図１８は、変形例４におけるシャッタの上部周辺の構成の一例を示す拡大図である。
【図１９】図１９は、変形例５におけるシャッタの上部周辺の構成の一例を示す拡大図である。
【図２０】図２０は、変形例６におけるシャッタの上部周辺の構成の一例を示す拡大図である。
【図２１】図２１は、変形例７におけるシャッタの上部周辺の構成の一例を示す拡大図である。
【発明を実施するための形態】
【００１２】
開示する基板処理装置は、１つの実施形態において、被処理基板を搬入するための第１の開口部を有する円筒状のチャンバと、チャンバの内壁に沿って配置され、第１の開口部に対応する位置に第２の開口部を有する保護部材と、板状に形成され、第２の開口部を開閉する開閉部材とを備え、保護部材の第２の開口部の内縁には、ハステロイで形成された第１の部材が設けられ、開閉部材の外縁には、ハステロイで形成された第２の部材が設けられ、開閉部材が第２の開口部を閉じた状態において、第１の部材と第２の部材とが当接する。
【００１３】
また、開示する基板処理装置は、１つの実施形態において、第１の部材が、ハステロイで形成された層、または、ハステロイで形成された弾性部材のいずれか一方であり、第２の部材が、ハステロイで形成された層、または、ハステロイで形成された弾性部材のいずれか他方である。
【００１４】
また、開示する基板処理装置は、１つの実施形態において、ハステロイで形成された層が、ハステロイで形成された部材を、保護部材の第２の開口部の内縁、または、開閉部材の外縁に固定することにより形成される。
【００１５】
また、開示する基板処理装置は、１つの実施形態において、第１の部材が、ハステロイで形成された弾性部材であり、第２の部材が、ハステロイにより断面がコの字状に形成され、開閉部材の上端にねじ止めされる。
【００１６】
また、開示する基板処理装置は、１つの実施形態において、第１の部材が、ハステロイにより螺旋状に形成され、中心軸が保護部材の第２の開口部の上端に沿うように、当該上端に配置され、第２の部材が、開閉部材が第２の開口部を閉じた状態において第１の部材に当接する面に、第１の部材の外形に沿った窪みが形成されている。
【００１７】
また、開示するシャッタ機構は、１つの実施形態において、プラズマ処理装置内の空間に基板を搬入する開口部を遮断するシャッタ機構であって、プラズマが生成される空間を区画する第１の部材と、空間からプラズマが外へ拡散しないように開口部を遮蔽する遮蔽部材と、遮蔽部材が開口部を遮蔽した場合に、第１の部材と遮蔽部材とを当接させる当接機構とを備え、当接機構は、第１の部材または遮蔽部材の一方に形成された溝と、ハステロイで形成され、溝に嵌め込まれた弾性部材と、ハステロイで形成され、第１の部材または遮蔽部材の他方に設けられ、遮蔽部材が開口部を遮蔽した場合に、弾性部材と当接して第１の部材と遮蔽部材とを導通させる第２の部材とを有する。
【００１８】
また、開示するシャッタ機構は、１つの実施形態において、第１の部材および遮蔽部材が、湾曲に形成され、当接機構が、湾曲に沿って構成される。
【００１９】
また、開示するシャッタ機構は、１つの実施形態において、第２の部材が、断面が略コの字状に形成され、開口部を遮蔽した状態の遮蔽部材において、空間側に面している面の裏面側に設けられ、上面が弾性部材と当接する。
【００２０】
また、開示するシャッタ機構は、１つの実施形態において、第２の部材が、断面が略Ｌ字状に形成されて第１の部材に設けられ、遮蔽部材が開口部を遮蔽した状態で、下面が弾性部材と当接する。
【００２１】
また、開示するプラズマ処理装置は、１つの実施形態において、プラズマ処理装置内に空間を有し、空間内に基板が搬入されるチャンバと、プラズマが生成される空間を、チャンバ内の側壁に沿って区画する第１の部材と、空間からプラズマが外へ拡散しないように第１の部材に設けられた開口部を遮蔽する遮蔽部材と、遮蔽部材が開口部を遮蔽した場合に、第１の部材と遮蔽部材とを当接させる当接機構とを備え、当接機構は、第１の部材または遮蔽部材の一方に形成された溝と、ハステロイで形成され、溝に嵌め込まれた弾性部材と、ハステロイで形成され、第１の部材または遮蔽部材の他方に設けられ、遮蔽部材が開口部を遮蔽した場合に、弾性部材と当接して第１の部材と遮蔽部材とを導通させる第２の部材とを有する。
【００２２】
また、開示するプラズマ処理装置は、１つの実施形態において、第１の部材および遮蔽部材が、湾曲に形成され、当接機構が、湾曲に沿って構成される。
【００２３】
また、開示するプラズマ処理装置は、１つの実施形態において、第２の部材が、断面が略コの字状に形成され、開口部を遮蔽した状態の遮蔽部材において、空間側に面している面の裏面側に設けられ、上面が弾性部材と当接する。
【００２４】
また、開示するプラズマ処理装置は、１つの実施形態において、第２の部材が、断面が略Ｌ字状に形成されて第１の部材に設けられ、遮蔽部材が開口部を遮蔽した状態で、下面が弾性部材と当接する。
【００２５】
以下に、開示する基板処理装置の実施形態について、図面に基づいて詳細に説明する。なお、本実施形態により開示する発明が限定されるものではない。各実施形態は、処理内容を矛盾させない範囲で適宜組み合わせることが可能である。
【００２６】
（実施形態）
図１は、一実施形態に係る基板処理装置の概略構成を示す断面図である。図２は、図１における上部電極周辺の概略構成を示す拡大断面図である。なお、以下では、基板処理装置がプラズマ処理装置である場合を例に説明するが、これに限定されるものではなく、シャッタ部材を有する任意の基板処理装置であってもよい。
【００２７】
図１において、プラズマ処理装置１は、容量結合型平行平板プラズマエッチング装置として構成されており、例えば、表面がアルマイト処理（陽極酸化処理）されたアルミニウムからなる円筒形のチャンバ（処理室）１０を備える。チャンバ１０は保安接地されている。ただし、これに限定されるものではなく、プラズマ処理装置１は、容量結合型平行平板プラズマエッチング装置に限られず、誘導結合プラズマＩＣＰ(Inductively  Coupled  Plasma)、マイクロ波プラズマ、マグネトロンプラズマなど、任意の形式のプラズマ処理装置であってよい。
【００２８】
チャンバ１０の底部には、セラミック等の絶縁板１１を介して円柱状のサセプタ支持台１２が配置され、このサセプタ支持台１２の上に、導電性の、例えばアルミニウム等からなるサセプタ１３が配置されている。サセプタ１３は下部電極として機能する構成を有し、エッチング処理が施される基板、例えば半導体ウエハＷを載置する。
【００２９】
サセプタ１３の上面には半導体ウエハＷを静電吸着力で保持するための静電チャック（ＥＳＣ）１４が配置されている。静電チャック１４は、導電膜からなる電極板１５と、電極板１５を狭持する一対の絶縁層、例えば、Ｙ２Ｏ３、Ａｌ２Ｏ３、ＡｌＮ等の誘電体からなり、電極板１５には直流電源１６が接続端子を介して電気的に接続されている。この静電チャック１４は、直流電源１６によって印加された直流電圧に起因するクーロン力またはジョンソン・ラーベック(Johnsen-Rahbek)力によって半導体ウエハＷを吸着保持する。
【００３０】
また、静電チャック１４の上面において半導体ウエハＷが吸着保持される部分には、静電チャック１４の上面から突出自在なリフトピンとしての複数のプッシャーピン（例えば３つ）が配置されている。これらのプッシャーピンは、モータ（図示せず）にボールねじ（図示せず）を介して接続され、ボールねじによって直線運動に変換されたモータの回転運動に起因して静電チャック１４の上面から自在に突出する。これにより、プッシャーピンは、静電チャック１４およびサセプタ１３を貫通して、内側空間において突没上下動する。半導体ウエハＷにエッチング処理を施す場合において静電チャック１４が半導体ウエハＷを吸着保持するときには、プッシャーピンは静電チャック１４に収容され、エッチング処理が施された半導体ウエハＷをプラズマ生成空間Ｓから搬出するときには、プッシャーピンは静電チャック１４から突出して半導体ウエハＷを静電チャック１４から離間させて上方へ持ち上げる。
【００３１】
サセプタ１３の周囲上面には、エッチングの均一性を向上させるための、例えばシリコン（Ｓｉ）からなるフォーカスリング１７が配置され、フォーカスリング１７の周囲には、フォーカスリング１７の側部を保護するカバーリング５４が配置されている。また、サセプタ１３およびサセプタ支持台１２の側面は、例えば石英（ＳｉＯ２）からなる円筒状の部材１８で覆われている。
【００３２】
サセプタ支持台１２の内部には、例えば円周方向に延在する冷媒室１９が配置されている。冷媒室１９には、外付けのチラーユニット（図示しない）から配管２０ａ、２０ｂを介して所定温度の冷媒、例えば冷却水が循環供給される。冷媒室１９は冷媒の温度によってサセプタ１３上の半導体ウエハＷの処理温度を制御する。
【００３３】
また、伝熱ガス供給機構（図示しない）から伝熱ガス、例えばヘリウム（Ｈｅ）ガスがガス供給ライン２１を介して静電チャック１４の上面および半導体ウエハＷの裏面の間に供給することで、ウエハＷとサセプタ１３との熱移動が効率良く均一に制御される。
【００３４】
サセプタ１３の上方には、サセプタ１３と平行且つ対向するように上部電極２２が配置されている。ここで、サセプタ１３および上部電極２２の間に形成される空間はプラズマ生成空間Ｓ（処理室内空間）として機能する。上部電極２２は、サセプタ１３と所定の間隔を置いて対向配置されている環状またはドーナツ形状の外側上部電極２３と、外側上部電極２３の半径方向内側に外側上部電極２３と絶縁して配置されている円板形状の内側上部電極２４とで構成される。また、プラズマ生成に関して、外側上部電極２３が主で、内側上部電極２４が補助となる関係を有している。
【００３５】
図２に示すように、外側上部電極２３と内側上部電極２４との間には、例えば０．２５〜２．０ｍｍの環状ギャップ（隙間）が形成され、ギャップに、例えば石英からなる誘電体２５が配置される。また、このギャップには石英からなる誘電体２５の代わりにセラミック体を配置してもよい。外側上部電極２３と内側上部電極２４とが誘電体２５を挟むことによってコンデンサが形成される。コンデンサのキャパシタンスＣ１は、ギャップの大きさと誘電体２５の誘電率とに応じて所望の値に選定または調整される。また、外側上部電極２３とチャンバ１０の側壁との間には、例えば、アルミナ（Ａｌ２Ｏ３）若しくはイットリア（Ｙ２Ｏ３）からなる環状の絶縁性遮蔽部材２６が気密に配置されている。
【００３６】
外側上部電極２３は、ジュール熱の少ない低抵抗の導電体または半導体、例えばシリコンで構成されることが好ましい。外側上部電極２３には、上部整合器２７、上部給電棒２８、コネクタ２９および給電筒３０を介して上部高周波電源３１が電気的に接続されている。上部高周波電源３１は、１３．５ＭＨｚ以上の周波数、例えば６０ＭＨｚの高周波電圧を出力する。上部整合器２７は、上部高周波電源３１の内部（または出力）インピーダンスに負荷インピーダンスを整合させ、チャンバ１０内にプラズマが生成されているときに、上部高周波電源３１の出力インピーダンスと負荷インピーダンスとが見かけ上一致するように機能する。また、上部整合器２７の出力端子は上部給電棒２８の上端に接続されている。
【００３７】
給電筒３０は、略円筒状または円錐状の導電板、例えばアルミニウム板または銅板からなり、下端が周回方向で連続的に外側上部電極２３に接続され、上端がコネクタ２９を介して上部給電棒２８の下端部に電気的に接続されている。給電筒３０の外側では、チャンバ１０の側壁が上部電極２２の高さ位置よりも上方に延出して円筒状の接地導体１０ａを構成している。円筒状の接地導体１０ａの上端部は筒状の絶縁部材６９によって上部給電棒２８から電気的に絶縁されている。本構成においては、コネクタ２９から見た負荷回路において、給電筒３０、外側上部電極２３および接地導体１０ａによって給電筒３０および外側上部電極２３を導波路とする同軸線路が形成される。
【００３８】
内側上部電極２４は、多数の電極板ガス通気孔３２ａ（第１のガス通気孔）を有する、例えば、シリコンや炭化珪素（ＳｉＣ）等の半導体材料からなる上部電極板３２と、上部電極板３２を着脱可能に支持する導電材料、例えば表面にアルマイト処理が施されたアルミニウムからなる電極支持体３３とを有する。上部電極板３２はボルト（図示しない）によって電極支持体３３に締結される。ボルトの頭部は上部電極板３２の下部に配置された環状のシールドリング５３によって保護される。
【００３９】
上部電極板３２において各電極板ガス通気孔３２ａは上部電極板３２を貫通する。電極支持体３３の内部には、後述する処理ガスが導入されるバッファ室が形成され、バッファ室は、例えばＯリングからなる環状隔壁部材４３で分割された２つのバッファ室、すなわち、中心バッファ室３５および周辺バッファ室３６からなり、下部が開放されている。電極支持体３３の下方には、バッファ室の下部を閉塞するクーリングプレート（以下、「Ｃ／Ｐ」という。）３４（中間部材）が配置されている。Ｃ／Ｐ３４は、表面にアルマイト処理が施されたアルミニウムからなり、多数のＣ／Ｐガス通気孔３４ａ（第２のガス通気孔）を有する。Ｃ／Ｐ３４において各Ｃ／Ｐガス通気孔３４ａはＣ／Ｐ３４を貫通する。
【００４０】
また、上部電極板３２およびＣ／Ｐ３４の間には、シリコンや炭化珪素等の半導体材料からなるスペーサー３７が介在する。スペーサー３７は円板状部材であり、Ｃ／Ｐ３４に対向する表面（以下、単に「上面」という。）において円板と同心に形成された多数の上面環状溝３７ｂと、スペーサー３７を貫通し且つ各上面環状溝３７ｂの底部において開口する多数のスペーサーガス通気孔３７ａ（第３のガス通気孔）を有する。
【００４１】
内側上部電極２４は、後述する処理ガス供給源３８からバッファ室に導入された処理ガスを、Ｃ／Ｐ３４のＣ／Ｐガス通気孔３４ａ、スペーサー３７のスペーサーガス流路および上部電極板３２の電極板ガス通気孔３２ａを介して、プラズマ生成空間Ｓに供給する。ここで、中心バッファ室３５と、その下方に存在する複数のＣ／Ｐガス通気孔３４ａ、スペーサーガス流路および電極板ガス通気孔３２ａとは中心シャワーヘッド（処理ガス供給経路）を構成し、周辺バッファ室３６と、その下方に存在する複数のＣ／Ｐガス通気孔３４ａ、スペーサーガス流路および電極板ガス通気孔３２ａとは周辺シャワーヘッド（処理ガス供給経路）を構成する。
【００４２】
また、図１に示すように、チャンバ１０の外部には処理ガス供給源３８が配置されている。処理ガス供給源３８は、中心バッファ室３５および周辺バッファ室３６に処理ガスを所望の流量比で供給する。具体的には、処理ガス供給源３８からのガス供給管３９が途中で２つの分岐管３９ａおよび３９ｂに分岐して中心バッファ室３５および周辺バッファ室３６にそれぞれ接続される。分岐管３９ａおよび３９ｂはそれぞれ流量制御弁４０ａ、４０ｂ（流量制御装置）を有する。処理ガス供給源３８から中心バッファ室３５および周辺バッファ室３６までの流路のコンダクタンスが等しくなるように設定されているので、流量制御弁４０ａ、４０ｂの調整により、中心バッファ室３５および周辺バッファ室３６に供給する処理ガスの流量比を任意に調整できるようになっている。さらに、ガス供給管３９にはマスフローコントローラ（ＭＦＣ）４１および開閉バルブ４２が配置されている。
【００４３】
以上の構成により、プラズマ処理装置１は、中心バッファ室３５と周辺バッファ室３６とに導入する処理ガスの流量比を調整することで、中心シャワーヘッドより噴出されるガスの流量ＦＣと周辺シャワーヘッドより噴出されるガスの流量ＦＥとの比率（ＦＣ／ＦＥ）を任意に調整する。なお、中心シャワーヘッドおよび周辺シャワーヘッドよりそれぞれ噴出させる処理ガスの単位面積当たりの流量を個別に調整することも可能である。さらに、分岐管３９ａ、３９ｂのそれぞれに対応する２つの処理ガス供給源を配置することによって中心シャワーヘッドおよび周辺シャワーヘッドよりそれぞれ噴出させる処理ガスのガス種またはガス混合比を独立または別個に設定することも可能である。ただし、これに限定されるものではなく、プラズマ処理装置１は、中心シャワーヘッドより噴出されるガスの流量ＦＣと周辺シャワーヘッドより噴出されるガスの流量ＦＥとの比率が調整できないものであってもよい。
【００４４】
また、内側上部電極２４の電極支持体３３には、上部整合器２７、上部給電棒２８、コネクタ２９および上部給電筒４４を介して上部高周波電源３１が電気的に接続されている。上部給電筒４４の途中には、キャパシタンスを可変調整できる可変コンデンサ４５が配置されている。なお、外側上部電極２３および内側上部電極２４にも冷媒室または冷却ジャケット（図示しない）を設けて、外部のチラーユニット（図示しない）から供給される冷媒によって電極の温度を制御してもよい。
【００４５】
チャンバ１０の底部には排気口４６が設けられ、この排気口４６に排気マニフォールド４７を介して可変式バタフライバルブである自動圧力制御弁（Automatic  Pressure  Control  Valve）（以下、「ＡＰＣバルブ」という。）４８およびターボ分子ポンプ（Turbo  Molecular  Pump）（以下、「ＴＭＰ」という。）４９が接続されている。ＡＰＣバルブ４８およびＴＭＰ４９は協働して、チャンバ１０内のプラズマ生成空間Ｓを所望の真空度まで減圧する。また、排気口４６およびプラズマ処理空間Ｓの間には、複数の通気孔を有する環状のバッフル板５０がサセプタ１３を取り巻くように配置され、バッフル板５０はプラズマ生成空間Ｓから排気口４６へのプラズマの漏洩を防止する。
【００４６】
また、チャンバ１０の側壁の外側には、半導体ウエハＷの搬入・搬出用の開口部５１が設けられ、開口部５１を開閉するゲートバルブ５２が配置される。また、チャンバ１０の内側には、略円筒状のデポシールド７１がチャンバ１０の内壁に沿って配置されている。図３は、デポシールドの概略形状の一例を示す斜視図である。デポシールド７１は、図３に示すように側壁に開口部７１ａを有し、開口部７１ａがチャンバ１０の開口部５１と連通するように、チャンバ１０の内壁に沿ってチャンバ１０内に配置される。デポシールド７１は、チャンバ１０の内壁にエッチング副生物（デポ）が付着することを防止する保護部材として機能する。また、略円筒状のデポシールド７１の内壁は、例えばイットリア（Ｙ２Ｏ３）等で溶射によりコーティングされている。
【００４７】
半導体ウエハＷは、ゲートバルブ５２を開閉させて搬入・搬出される。ただし、ゲートバルブ５２はチャンバ１０の外側（大気側）に配置されているため、開口部５１が大気側突出した空間が形成されている。そのため、チャンバ１０内で生成したプラズマがその空間まで拡散して、プラズマの均一性の悪化や、ゲートバルブ５２のシール部材の劣化が起こる。そのため、シャッタ５５がデポシールド７１の開口部７１ａを遮断することにより、チャンバ１０の開口部５１とプラズマ生成空間Ｓとを遮断する。また、シャッタ５５を駆動する駆動部５６が例えばデポシールド７１の下方に配置され、シャッタ５５は、当該駆動部５６により上下に駆動され、デポシールド７１の開口部７１ａを開閉する。なお、デポシールド７１およびシャッタ５５を含めて、シャッタ機構と称してもよい。
【００４８】
また、プラズマ処理装置１では、下部電極としてのサセプタ１３に下部整合器６０を介して下部高周波電源（第１高周波電源）６３が電気的に接続されている。この下部高周波電源６３は、２〜２７ＭＨｚの範囲内の周波数、例えば２ＭＨｚの高周波電圧を出力する。下部整合器６０は、下部高周波電源６３の内部（または出力）インピーダンスに負荷インピーダンスを整合させるためのもので、チャンバ１０内のプラズマ生成空間Ｓにプラズマが生成されているときに下部高周波電源６３の内部インピーダンスと負荷インピーダンスが見かけ上一致するように機能する。また、下部電極には、別の第２の下部高周波電源（第２高周波電源）を接続してもよい。この場合、第１高周波電源としては、例えば２ＭＨｚの高周波電圧が印可され、第２高周波電源としては、例えば１３．５６ＭＨｚの高周波電圧が印可される。
【００４９】
また、プラズマ処理装置１では、内側上部電極２４に、上部高周波電源３１からの高周波電力（６０ＭＨｚ）をグランドに通さずに、下部高周波電源６３からの高周波電力（２ＭＨｚ）をグランドへ通すローパスフィルタ（ＬＰＦ）６１が電気的に接続されている。このＬＰＦ６１は、好ましくは、ＬＲフィルタまたはＬＣフィルタで構成されることが好ましい。ただし、１本の導線でも上部高周波電源３１からの高周波電力に対して十分大きなリアクタンスを付与することが可能なので、ＬＲフィルタまたはＬＣフィルタの代わりに１本の導線を内側上部電極２４に電気的に接続するのみでもよい。一方、サセプタ１３には、上部高周波電源３１からの高周波電力をグランドへ通すためのハイパスフィルタ（ＨＰＦ）６２が電気的に接続されている。
【００５０】
次に、プラズマ処理装置１においてエッチングを行う場合には、まずゲートバルブ５２およびシャッタ５５を開状態にして加工対象の半導体ウエハＷをチャンバ１０内に搬入し、サセプタ１３の上に載置する。そして、処理ガス供給源３８より処理ガス、例えばＣ４Ｆ８ガスおよびアルゴン（Ａｒ）ガスの混合ガスを所定の流量および流量比で中心バッファ室３５および周辺バッファ室３６に導入し、ＡＰＣバルブ４８およびＴＭＰ４９によってチャンバ１０内のプラズマ生成空間Ｓの圧力をエッチングに適した値、例えば数ｍTorr〜１Torrの範囲内のいずれかの値に設定する。
【００５１】
さらに、上部高周波電源３１によってプラズマ生成用の例えば６０ＭＨｚ等の高周波電力を所定のパワーで上部電極２２（外側上部電極２３、内側上部電極２４）に印加するとともに、下部高周波電源６３からバイアス用の例えば２ＭＨｚ等の高周波電力を所定のパワーでサセプタ１３の下部電極に印加する。また、直流電源１６より直流電圧を静電チャック１４の電極板１５に印加して、半導体ウエハＷをサセプタ１３に静電吸着する。
【００５２】
そして、シャワーヘッドより噴出された処理ガスによって処理空間Ｓにプラズマが生成され、このとき生成されるラジカルやイオンによって半導体ウエハＷの被処理面が物理的または化学的にエッチングされる。
【００５３】
プラズマ処理装置１では、上部電極２２に対して高い周波数領域（イオンが動けない例えば５〜１０ＭＨｚ以上）の高周波を印加することにより、プラズマを好ましい解離状態で高密度化される。また、より低圧の条件下でも高密度プラズマを形成することができる。
【００５４】
一方、上部電極２２においては、プラズマ生成のための高周波電極として外側上部電極２３を主、内側上部電極２４を副とし、上部高周波電源３１および下部高周波電源６３によって上部電極２２直下の電子に与える電界強度の比率を調整可能にしている。したがって、イオン密度の空間分布を径方向で制御し、反応性イオンエッチングの空間的な特性を任意且つ精細に制御することができる。
【００５５】
次に、本実施形態におけるシャッタ５５付近の構成について説明する。図４は、シャッタ付近の構成の一例を示す拡大図である。シャッタ５５は、デポシールド７１の開口部７１ａを開閉する横長の板状の部材であり、例えばアルミニウム材等によりに断面が略Ｌ字状に形成される。シャッタ５５の表面は、例えばイットリア（Ｙ２Ｏ３）等でコーティングされている。
【００５６】
また、図４の断面図に示すように、シャッタ５５の上端部には、形成された溝に導電性の弾性部材であるスパイラル５７が嵌め込まれている。また、図４に示すように、断面略Ｌ字状のシャッタ５５の下部において、プラズマ生成空間Ｓ側（図４の右側）に延伸している延伸部５５ａの上面にも、形成された溝に導電性のスパイラル５７が嵌め込まれている。本実施形態において、スパイラル５７は、例えばハステロイで形成される。
【００５７】
図５は、スパイラルの構成の一例を示す図である。本実施形態におけるスパイラル５７は、例えば図５に示すように、例えばハステロイで形成された帯状の部材を、螺旋状に巻いて形成される。スパイラル５７は、例えば図５に示す螺旋の巻方向ｂに対する中心軸ａがシャッタ５５の上端に沿うように、シャッタ５５の上端の幅方向に延伸するように配置されている。また、スパイラル５７は、シャッタ５５の延伸部５５ａの上面にも、螺旋の中心軸ａがシャッタ５５の下部の延伸部５５ａの上面に沿うように、シャッタ５５の幅方向に延伸するように配置されている。
【００５８】
本実施形態において、シャッタ５５の上端には、例えば１本のスパイラル５７がシャッタ５５の上端に沿って配置されている。また、シャッタ５５の延伸部５５ａの上面には、所定の長さで、例えば複数のスパイラル５７が、互いに間隔をあけて、それぞれがシャッタ５５の幅方向に延伸するように配置されている。なお、シャッタ５５の上端に、所定の長さの複数のスパイラル５７が、互いに間隔をあけて、それぞれがシャッタ５５の上端に沿って配置されてもよく、１本のスパイラル５７が、シャッタ５５の幅方向に延伸するように配置されてもよい。
【００５９】
シャッタ５５は、図４に示した駆動部５６によって上方に押し上げられることによりデポシールド７１の開口部７１ａを閉じて遮蔽し、また、駆動部５６により下方に引き下げられることによりデポシールド７１の開口部７１ａを開ける。シャッタ５５がデポシールド７１の開口部７１ａを閉じた状態において、シャッタ５５の上部および下部に配置されたスパイラル５７がそれぞれデポシールド７１に当接することにより、シャッタ５５がスパイラル５７を介してデポシールド７１と電気的に接続される。デポシールド７１は、チャンバ１０の接地導体１０ａに接触しているため、シャッタ５５は、デポシールド７１の開口部７１ａを閉じた状態において、デポシールド７１を介して接地される。
【００６０】
図６は、シャッタの上部周辺の構成の一例を示す拡大図である。本実施形態において、シャッタ５５のスパイラル５７が当接するデポシールド７１の面には、図６に例示するように、ハステロイで形成された層７１ｂが設けられる。ハステロイの層７１ｂは、デポシールド７１のアルミニウムの無垢面にハステロイを溶射することにより、例えば数百μｍの厚さに形成される。シャッタ５５がデポシールド７１の開口部７１ａを閉じた状態において、シャッタ５５の上部に設けられたスパイラル５７は、デポシールド７１に形成されたハステロイの層７１ｂに当接する。なお、シャッタ５５の上部に設けられた溝と、当該溝に嵌め込まれたスパイラル５７と、デポシールド７１の下面に形成された層７１ｂとを含めて、当接機構と称してもよい。
【００６１】
図７は、シャッタの下部周辺の構成の一例を示す拡大図である。本実施形態において、シャッタ５５のスパイラル５７が当接するデポシールド７１の面には、図７に例示するように、ハステロイで形成された層７１ｃが設けられる。ハステロイの層７１ｃは、デポシールド７１のアルミニウムの無垢面にハステロイを溶射することにより、例えば数百μｍの厚さで形成される。シャッタ５５がデポシールド７１の開口部７１ａを閉じた状態において、シャッタ５５の下部に設けられたスパイラル５７は、デポシールド７１に形成されたハステロイの層７１ｃに当接する。なお、シャッタ５５の延伸部５５ａの上面に設けられた溝と、当該溝に嵌め込まれたスパイラル５７と、デポシールド７１の下面に形成された層７１ｃとを含めて、当接機構と称してもよい。
【００６２】
本実施形態において、シャッタ５５に配置されたそれぞれのスパイラル５７はハステロイで形成されているため、シャッタ５５がデポシールド７１の開口部７１ａを閉じた状態において、シャッタ５５とデポシールド７１とは、図６および図７に示すように、ハステロイで形成されたスパイラル５７と、ハステロイで形成された層７１ｂおよび７１ｃとを介して、電気的に接続される。なお、ハステロイで形成された層７１ｂおよび７１ｃにおいて、スパイラル５７と当接する面には、スパイラル５７の外形に沿った窪みが設けられてもよい。これにより、ハステロイで形成された層７１ｂおよび７１ｃは、シャッタ５５がデポシールド７１の開口部７１ａを閉じた状態において、より広い面でスパイラル５７と当接することができ、接触抵抗を少なくすることができる。
【００６３】
ここで、シャッタ５５のスパイラル５７が当接するデポシールド７１の面を、ハステロイの層７１ｂおよび７１ｃで構成した実施例と、アルミニウムの無垢面で構成した比較例とにおいて、チャンバ１０内でプラズマ処理をそれぞれ実施した場合の実験結果について説明する。実験では、実施例と比較例のそれぞれにおいて所定のプラズマ処理を繰り返し、プラズマ処理の積算時間（ＲＦ  ＴＩＭＥ）が１００時間程度と４００時間程度のそれぞれの時点における、シャッタ５５上部のスパイラル５７が当接するデポシールド７１の面の状態を調べた。
【００６４】
図８は、デポシールドの開口部の上端の位置を示す説明図である。実験では、図８に示すように、シャッタ５５上部のスパイラル５７が当接するデポシールド７１の面（開口部７１ａの上端の面）における位置Ａ、位置Ｂ、および位置Ｃの状態をそれぞれ調べた。
【００６５】
比較例では、図９に示した実験結果から明らかなように、Ａ、Ｂ、およびＣのそれぞれの位置におけるデポシールド７１のアルミニウムの無垢面は、プラズマ処理の積算時間が１４２時間の時点で、腐食により変質した表面の厚さが７〜１２μｍに達している。また、プラズマ処理の積算時間が３９２．５時間の時点では、アルミニウムの無垢面の表面の腐食がさらに進行し、腐食により変質した表面の厚さが１３〜２２μｍに増加している。
【００６６】
ここで、ハステロイは、ニッケルが主成分であり、アルミニウムは、ニッケルよりもイオン化傾向が高い金属である。そのため、シャッタ５５がデポシールド７１の開口部７１ａを閉じた状態において、ハステロイのスパイラル５７がデポシールド７１に形成されたアルミニウムの無垢面に当接した場合、イオン化傾向の高いアルミニウムの無垢面が選択的に腐食する。また、スパイラル５７の外形は曲面となっているため、スパイラル５７がデポシールド７１の面に当接した場合、その当接面周りには電界が集中しやすい。そのため、プラズマ処理の過程で、処理ガスのフッ素とデポシールド７１の無垢面のアルミニウムとの反応が促進され、デポシールド７１の無垢面の腐食（フッ化物）が加速すると考えられる。
【００６７】
比較例においてアルミニウムの無垢面に発生した腐食部分に含まれている物質を分析したところ、絶縁性のＡｌＯＦおよびＡｌＦｘが多く含まれていた。シャッタ５５のスパイラル５７が当接するデポシールド７１の当接面の間に腐食物（フッ化物）が形成されるので、デポシールド７１とシャッタ５５のスパイラル５７との導通が妨げられ、シャッタ５５の電位が接地電位に落ちない。そのため、処理ガスが当接面に供給され、エッチングレートが低下する。これにより、チャンバ１０内において、エッチングにより半導体ウエハＷから放出される反応生成物の量が減少し、チャンバ１０内で反応生成物が発する光の強度が低下する。これにより、反応生成物がプラズマ中で放出する固有の波長の光の強度を測定する終点検出装置において、発光強度の異常な低下がＥＰＤエラーとして検出されてしまう。
【００６８】
図９は、比較例および本願の実施例の実験結果の一例を示す図である。図９に示した実験結果から明らかなように、本願の実施例では、Ａ、Ｂ、およびＣのそれぞれの位置におけるデポシールド７１のハステロイの面は、プラズマ処理の積算時間が１００時間の時点で、腐食により変質した表面の厚さが１〜２μｍ程度に改善されている。また、プラズマ処理の積算時間が３７７．４時間の時点でも、腐食により変質した表面の厚さは１〜２．５μｍ程度のままとなっており、表面の腐食はほとんど進行していない。
【００６９】
これにより、本実施例では、シャッタ５５のスパイラル５７と、デポシールド７１との導通が維持され、チャンバ１０内に発生したプラズマの均一性の悪化およびエッチングレートの低下が抑制される。これにより、エッチングにより半導体ウエハＷから放出される反応生成物の量が一定量に維持され、チャンバ１０内で反応生成物が発する光の強度も一定値に維持される。そのため、処理対象の膜のエッチングが継続している間、エッチングにより放出された反応生成物の光の強度が安定し、ＥＰＤエラーの発生が抑制される。
【００７０】
図１０Ａは、比較例における反応生成物の発光強度の時間変化の一例を示す図である。図１０Ｂは、実施例における反応生成物の発光強度の時間変化の一例を示す図である。図１０Ａおよび図１０Ｂでは、比較例および実施例のそれぞれの構成において、例えばポリシリコン膜に対して、例えば下記の処理条件においてプラズマ処理を行った場合に放出される反応生成物の発光強度の時間変化が示されている。
（処理条件）
処理圧力；１．３３Ｐａ（１０ｍＴｏｒｒ）
ＲＦパワー；上部＝２００Ｗ、下部＝３００Ｗ
処理ガス；ＨＢｒ＝３６０ｓｃｃｍ
【００７１】
プラズマ処理が設計通りに実施されていれば、プラズマ処理の開始から、例えば約１５秒後に反応生成物の発光強度が急激に落ち込み、終点検出装置によって終点として検出される。これに対し、比較例では、図１０Ａに示すように、７．８秒付近で反応生成物の発光強度の急激な落ち込みが検出された。比較例では発光強度の落ち込みのタイミングが早すぎるため、終点検出装置は、７．８秒付近の発光強度の落ち込みをＥＰＤエラーとして検出する。これは、前述のように、シャッタ５５とデポシールド７１との導通がとれなくなったために、エッチングの途中で半導体ウエハＷから放出された反応生成物の量が減少し、反応生成物の発光強度が急激に低下したためと考えられる。
【００７２】
一方、本実施例では、例えば図１０Ｂに示すように、設計通りの約１５秒で発光強度の急激な落ち込みが検出された。そのため、本実施例では、ＥＰＤエラーは検出されなかった。これは、前述のように、シャッタ５５とデポシールド７１との導通が維持されたために、ポリシリコン膜をエッチングしている間、半導体ウエハＷから放出された反応生成物がチャンバ１０内で一定量に維持され、反応生成物の発光強度が維持されたためと考えられる。
【００７３】
以上、一実施形態について説明した。本実施形態のプラズマ処理装置１によれば、ＥＰＤエラーの発生を抑制することができる。
【００７４】
（変形例１）
次に、シャッタ５５およびデポシールド７１の構成の変形例１について説明する。図１１は、変形例１におけるシャッタ付近の構成の一例を示す拡大断面図である。図１２は、変形例１におけるシャッタの上部周辺の構成の一例を示す拡大図である。図１３は、シャッタが開いた状態をデポシールドの外側から見た図である。図１４は、変形例１におけるシャッタの下部周辺の構成の一例を示す拡大図である。なお、以下に説明する点を除き、図１１から図１４において、図４から図７と同じ符号を付した構成は、図４から図７における構成と同一または同様であるため説明を省略する。
【００７５】
変形例１におけるデポシールド７１の開口部７１ａの上端には、例えば図１１および図１２に示すように、ハステロイで形成されたスパイラル５７が設けられる。また、変形例１におけるシャッタ５５の上部には、例えば図１１および図１２の断面図に示すように、ハステロイで形成された断面が略コの字状の部材５８ａが配置される。コの字状の部材５８ａの上部面がハステロイのスパイラル５７と当接する。なお、シャッタ５５の上部に設けられた部材５８ａと、デポシールド７１の下面に形成された溝と、当該溝に嵌め込まれたスパイラル５７とを含めて、当接機構と称してもよい。当該部材５８ａは、例えば、ねじ５８ｂによってシャッタ５５に固定される。ハステロイで形成された部材５８ａは、例えば図１３に示すように、シャッタ５５の上端部に沿って、シャッタ５５の横方向に延伸するように配置される。
【００７６】
シャッタ５５がデポシールド７１の開口部７１ａを閉じた状態において、ハステロイで形成された部材５８ａは、デポシールド７１の開口部７１ａの上端の溝に配置されたスパイラル５７に当接する。また、シャッタ５５がデポシールド７１の開口部７１ａを閉じた状態において、デポシールド７１のスパイラル５７に当接する部材５８ａの面５８ｃには、スパイラル５７の外形に沿った窪みが設けられてもよい。この場合、シャッタ５５がデポシールド７１の開口部７１ａを閉じた状態において、部材５８ａは、デポシールド７１のスパイラル５７に、より広い面で当接することができ、接触抵抗を少なくすることができる。
【００７７】
また、例えば図１４に示すように、シャッタ５５がデポシールド７１の開口部７１ａを閉じた状態において、シャッタ５５の延伸部５５ａに配置されたスパイラル５７が当接するデポシールド７１の面には、ハステロイで形成された部材７３が取り付けられる。シャッタ５５の延伸部５５ａの上面に設けられた溝と、当該溝に嵌め込まれたスパイラル５７と、デポシールド７１の下面に取り付けられた部材７３とを含めて、当接機構と称してもよい。部材７３は、例えばアルミニウム等で形成されたピン７２の一端がデポシールド７１に圧入され、当該ピン７２の他端が部材７３に圧入されることにより、デポシールド７１に取り付けられる。なお、シャッタ５５の延伸部５５ａに配置されたスパイラル５７に当接する部材７３の面には、スパイラル５７の外形に沿った窪みが設けられてもよい。
【００７８】
変形例１のように、ハステロイで形成された部材５８ａを、ねじ５８ｂによりシャッタ５５に取り付け、ハステロイで形成された部材７３を、デポシールド７１に圧入されたピン７２に圧入して取り付けることにより、シャッタ５５やデポシールド７１の表面にハステロイを溶射する場合に比べて、シャッタ５５やデポシールド７１にハステロイの層を設ける場合の作業負担を低減することができる。また、ハステロイの層の機械強度を高めることができるため、ハステロイの層がはがれることによるチャンバ１０内のパーティクル汚染を防止することができる。
【００７９】
（変形例２）
次に、シャッタ５５およびデポシールド７１の構成の変形例２について説明する。図１５は、変形例２におけるシャッタの上部周辺の構成の一例を示す拡大図である。なお、以下に説明する変形例２から７において、それぞれの変形例において説明する点を除き、それぞれの変形例を示す図において、図１１から図１４と同じ符号を付した構成は、図１１から図１４における構成と同一または同様であるため説明を省略する。また、以下に説明する変形例２から７において、シャッタ５５の下部の延伸部５５ａに設けられたスパイラル５７に当接するデポシールド７１の部位については、上記した実施形態または変形例１と同様に構成される。
【００８０】
変形例２におけるシャッタ５５の上部には、例えば図１５の断面図に示すように、ハステロイで形成された部材５９が、シャッタ５５の上端に沿って、シャッタ５５の幅方向に延伸するように配置される。シャッタ５５には、例えば図１５の断面図に示すように、深くなるに従って幅広になるように形成され、シャッタ５５の幅方向に沿って形成されたアリ溝５５ｃが設けられる。ハステロイで形成された部材５９の下面には、断面がアリ溝５５ｃと同形状となるように形成された突条５９ａが設けられる。
【００８１】
部材５９は、シャッタ５５の左端側または右端側から、突条５９ａをシャッタ５５のアリ溝５５ｃに挿入して、部材５９をシャッタ５５のアリ溝５５ｃに沿って移動させることにより、シャッタ５５に取り付けられる。そして、部材５９は、シャッタ５５と接していない面側から、例えば、ねじ等によりシャッタ５５に固定される。なお、デポシールド７１に配置されたスパイラル５７に当接する部材５９の面には、スパイラル５７の外形に沿った窪みが設けられてもよい。また、シャッタ５５の上部に設けられた部材５９と、デポシールド７１の下面に形成された溝と、当該溝に嵌め込まれたスパイラル５７とを含めて、当接機構と称してもよい。
【００８２】
変形例２においても、シャッタ５５がデポシールド７１の開口部７１ａを閉じた状態において、シャッタ５５に設けられたハステロイの部材５９と、デポシールド７１に設けられたハステロイのスパイラル５７とが当接するため、プラズマ処理が実施されてもシャッタ５５とデポシールド７１との導通が維持され、ＥＰＤエラーの発生が抑制される。
【００８３】
（変形例３）
次に、シャッタ５５およびデポシールド７１の構成の変形例３について説明する。図１６は、変形例３におけるシャッタの上部周辺の構成の一例を示す拡大図である。図１７は、図１６のＡ−Ａ断面図である。
【００８４】
変形例３において、シャッタ５５の上端部には、例えば図１６に示すように、ハステロイで形成されたスパイラル５７が配置されている。また、シャッタ５５のスパイラル５７が当接するデポシールド７１の面には、例えば図１７に示すように、ハステロイで形成されたピン７４が所定間隔で圧入されている。シャッタ５５がデポシールド７１の開口部７１ａを閉じた状態において、シャッタ５５のスパイラル５７は、デポシールド７１に圧入されたハステロイのピン７４に当接する。
【００８５】
なお、シャッタ５５がデポシールド７１の開口部７１ａを閉じた状態において、シャッタ５５のスパイラル５７に当接するデポシールド７１の面は、例えばアルマイト処理されていてもよく、イットリア（Ｙ２Ｏ３）等でコーティングされていてもよい。また、ハステロイのピン７４は、デポシールド７１の面からわずかに突出するようにデポシールド７１に圧入され、シャッタ５５がデポシールド７１の開口部７１ａを閉じた状態において、シャッタ５５のスパイラル５７は、デポシールド７１の面には当接せずに、ハステロイのピン７４に当接するようにしてもよい。また、シャッタ５５のスパイラル５７に当接するピン７４の面は、スパイラル５７の外形に沿って窪んでいてもよい。なお、シャッタ５５の上部に設けられた溝と、当該溝に嵌め込まれたスパイラル５７と、デポシールド７１の下面に圧入されたピン７４とを含めて、当接機構と称してもよい。
【００８６】
変形例３においても、シャッタ５５がデポシールド７１の開口部７１ａを閉じた状態において、シャッタ５５に設けられたハステロイのスパイラル５７と、デポシールド７１に設けられたハステロイのピン７４とが当接するため、プラズマ処理が実施されてもシャッタ５５とポシールド７１との導通が維持され、ＥＰＤエラーの発生が抑制される。
【００８７】
（変形例４）
次に、シャッタ５５およびデポシールド７１の構成の変形例４について説明する。図１８は、変形例４におけるシャッタの上部周辺の構成の一例を示す拡大図である。
【００８８】
変形例４において、シャッタ５５の上端部には、例えば図１８に示すように、ハステロイで形成されたスパイラル５７が配置されている。また、例えば図１８に示すように、シャッタ５５のスパイラル５７が当接するデポシールド７１の面には、ハステロイで形成された部材７６が、デポシールド７１の開口部７１ａにおいてシャッタ５５と対向する上端に、当該上端に沿って延伸するように取り付けられる。また、部材７６は、例えばアルミニウム等で形成されたピン７５の一方がデポシールド７１に圧入され、当該ピン７５の他方部材７６に圧入されることにより、デポシールド７１に取り付けられる。なお、シャッタ５５のスパイラル５７に当接する部材７６の面には、スパイラル５７の外形に沿った窪みが設けられてもよい。また、シャッタ５５の上部に設けられた溝と、当該溝に嵌め込まれたスパイラル５７と、デポシールド７１の下面に取り付けられた部材７６とを含めて、当接機構と称してもよい。
【００８９】
変形例４においても、シャッタ５５がデポシールド７１の開口部７１ａを閉じた状態において、シャッタ５５に設けられたハステロイのスパイラル５７と、デポシールド７１に設けられたハステロイの部材７６とが当接するため、プラズマ処理が実施されてもシャッタ５５とデポシールド７１との導通が維持され、ＥＰＤエラーの発生が抑制される。
【００９０】
（変形例５）
次に、シャッタ５５およびデポシールド７１の構成の変形例５について説明する。図１９は、変形例５におけるシャッタの上部周辺の構成の一例を示す拡大図である。
【００９１】
変形例５において、シャッタ５５の上端部には、例えば図１９に示すように、ハステロイで形成されたスパイラル５７が配置されている。また、例えば図１９に示すように、シャッタ５５のスパイラル５７が当接するデポシールド７１の面には、ハステロイで形成された部材７７が、デポシールド７１の開口部７１ａにおいてシャッタ５５と対向する上端に、当該上端に沿って延伸するように取り付けられる。部材７７は、例えばデポシールド７１に圧入されることにより、デポシールド７１に取り付けられる。なお、シャッタ５５のスパイラル５７に当接する部材７７の面には、スパイラル５７の外形に沿った窪みが設けられてもよい。また、シャッタ５５の上部に設けられた溝と、当該溝に嵌め込まれたスパイラル５７と、デポシールド７１の下面に圧入された部材７７とを含めて、当接機構と称してもよい。
【００９２】
変形例５においても、シャッタ５５がデポシールド７１の開口部７１ａを閉じた状態において、シャッタ５５に設けられたハステロイのスパイラル５７と、デポシールド７１に設けられたハステロイの部材７７とが当接するため、プラズマ処理が実施されてもシャッタ５５とデポシールド７１との導通が維持され、ＥＰＤエラーの発生が抑制される。
【００９３】
（変形例６）
次に、シャッタ５５およびデポシールド７１の構成の変形例６について説明する。図２０は、変形例６におけるシャッタの上部周辺の構成の一例を示す拡大図である。
【００９４】
変形例６において、シャッタ５５の上端部には、例えば図２０に示すように、ハステロイで形成されたスパイラル５７が配置されている。また、例えば図２０に示すように、シャッタ５５のスパイラル５７が当接するデポシールド７１の面には、ハステロイで形成された部材７８が、デポシールド７１の開口部７１ａにおいてシャッタ５５と対向する上端に、当該上端に沿って延伸するように取り付けられる。部材７８は、例えばデポシールド７１を挟んで上方からねじ７９によってデポシールド７１に固定される。ねじ７９の頭は、キャップ８０で覆われる。なお、シャッタ５５のスパイラル５７に当接する部材７８の面には、スパイラル５７の外形に沿った窪みが設けられてもよい。また、シャッタ５５の上部に設けられた溝と、当該溝に嵌め込まれたスパイラル５７と、デポシールド７１の下面に取り付けられた部材７８とを含めて、当接機構と称してもよい。
【００９５】
変形例６においても、シャッタ５５がデポシールド７１の開口部７１ａを閉じた状態において、シャッタ５５に設けられたハステロイのスパイラル５７と、デポシールド７１に設けられたハステロイの部材７８とが当接するため、プラズマ処理が実施されてもシャッタ５５とデポシールド７１との導通が維持され、ＥＰＤエラーの発生が抑制される。
【００９６】
（変形例７）
次に、シャッタ５５およびデポシールド７１の構成の変形例７について説明する。図２１は、変形例７におけるシャッタの上部周辺の構成の一例を示す拡大図である。
【００９７】
変形例７において、シャッタ５５の上端部には、例えば図２１に示すように、ハステロイで形成されたスパイラル５７が配置されている。また、例えば図２１に示すように、シャッタ５５のスパイラル５７が当接するデポシールド７１の面には、ハステロイで形成された断面が略Ｌ字状の部材８２が、デポシールド７１の開口部７１ａにおいてシャッタ５５と対向する上端に、当該上端に沿って延伸するように取り付けられる。部材８２は、下方から挿入された複数のねじ８１によりデポシールド７１に固定される。なお、シャッタ５５のスパイラル５７に当接する部材８２の面には、スパイラル５７の外形に沿った窪みが設けられてもよい。また、ハステロイの部材８１がねじ８１によりデポシールド７１に固定された状態において、ねじ８１の頭は、ハステロイの部材８１の下面よりも上方に埋没していてもよい。また、シャッタ５５の上部に設けられた溝と、当該溝に嵌め込まれたスパイラル５７と、デポシールド７１の下面に取り付けられた部材８２とを含めて、当接機構と称してもよい。
【００９８】
変形例７においても、シャッタ５５がデポシールド７１の開口部７１ａを閉じた状態において、シャッタ５５に設けられたハステロイのスパイラル５７と、デポシールド７１に設けられたハステロイの部材８２とが当接するため、プラズマ処理が実施されてもシャッタ５５とデポシールド７１との導通が維持され、ＥＰＤエラーの発生が抑制される。
【００９９】
以上、本発明を実施の形態を用いて説明したが、本発明の技術的範囲は上記実施の形態に記載の範囲には限定されない。上記実施の形態に多様な変更または改良を加えることが可能であることが当業者には明らかである。また、そのような変更または改良を加えた形態も本発明の技術的範囲に含まれ得ることが、特許請求の範囲の記載から明らかである。
【符号の説明】
【０１００】
１  プラズマ処理装置
１０  チャンバ
５１  開口部
５５  シャッタ
５７  スパイラル
７１  デポシールド
７１ａ  開口部
７１ｂ  層
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図１０Ａ】
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【図１０Ｂ】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図９】
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