(57)【要約】    【課題】  高周波でＱの高いインダク部品を内蔵するプリント配線板の提供。    【解決手段】  磁性材料と巻線から成る空芯コイル１１０を内蔵することで、パッケージを構成するプリント配線板のサイズを小型化することが可能となり、且つ、実装する半導体の電源効率を高く維持しつつ、電源制御の高速化で省電力も可能と成る。巻線から成る空芯コイル１１０は、従来のチップ型インダクタでは不可能なほど薄型化が可能で、コア基板に内蔵することができる。【選択図】  図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
導体層を備え、キャビティの形成されたコア基板と、
前記コア基板上に形成され、導体層と絶縁層とが交互に積層されてなるビルドアップ層と、
前記コア基板の前記キャビティに収容され、導体を巻いて成るコイルと、を有するプリント配線板であって、
前記コイルの周囲で、前記キャビティ内が磁性を有する磁性材料で充填され、
前記コイルの端部に形成された端子に、前記上側の樹脂絶縁層を貫通するビア導体が接続されている。
【請求項２】
請求項１のプリント配線板であって、
前記キャビティは貫通孔である。
【請求項３】
請求項１のプリント配線板であって、
前記キャビティは凹部である。
【請求項４】
請求項１のプリント配線板であって、
前記磁性材料は、磁性金属と有機材料からなる複合部材である。
【請求項５】
請求項４のプリント配線板であって、
前記磁性材料は、前記キャビティに前記コイルの収容後に充填されて成る。
【請求項６】
請求項４のプリント配線板であって、
前記磁性材料及び前記コイルは、前記キャビティに共に収容されて成る。
【請求項７】
請求項５のプリント配線板であって、
前記コイルは、磁性体芯に巻き付けられた状態で前記キャビティに収容されている。
【請求項８】
請求項１のプリント配線板であって、
前記コイルの端子が、導体の端部を平板状に押し潰して成る。
【請求項９】
請求項１のプリント配線板であって、
前記コイルの端子が、導体の端部に設けられた半田を該導体と共に平板状に押し潰して成る。
【請求項１０】
請求項１のプリント配線板であって、
前記コイルの端子が前記キャビティを外側で前記絶縁基板の表面に接することで、前記コイルが前記キャビティ内で位置決めされている。
【請求項１１】
請求項１のプリント配線板であって、
前記コイルの端子が前記キャビティ内に収容されている。
【請求項１２】
請求項１のプリント配線板であって、
前記端子と、前記コア基板上の前記端子と最も近い導体層との距離は１０〜２００μｍである。
【請求項１３】
請求項１のプリント配線板であって、
前記端子の厚みと、前記コア基板上の前記導体層との厚みはほぼ等しい。
【請求項１４】
請求項５のプリント配線板であって、
前記キャビティは、前記コイルの端と対向する側に前記磁性部材導入用の凹部が形成されている。
【請求項１５】
請求項１のプリント配線板であって、
前記コイルを構成する導線は縒り線である。
【請求項１６】
プリント配線板の製造方法であって、
両面に銅箔を備える絶縁基板を用意することと、
導体を巻いて成るコイルを用意することと、
前記銅箔に、形成する開口の周囲に開口部を形成することと、
前記絶縁基板にコイル収容用の開口を形成することと、
前記コイル収容用の開口に前記コイルを収容することと、
前記開口内に、磁性体ペーストを充填することと、
前記磁性体ペーストを熱硬化させることと、
前記絶縁基板上に導体層を形成すると共に、該絶縁基板の両面の前記導体層を接続するスルーホール導体を形成することと、
前記絶縁基板上に、樹脂絶縁層を形成し、該樹脂絶縁層上に導体パターンを形成し、該樹脂絶縁層を貫通し、前記導体層と前記導体パターン、及び、前記コイルと前記導体パターンを接続するビア導体を形成すること、を有する。
【請求項１７】
プリント配線板の製造方法であって、
導体を巻いて成るコイルを用意することと、
前記絶縁基板にコイル収容用の開口を形成することと、
前記コイルの周囲に磁性体を形成することと、
前記コイル収容用の開口に前記コイル及び前記磁性体を収容することと、
前記絶縁基板上に導体層を形成すると共に、絶縁基板の両面の前記導体層を接続するスルーホール導体を形成することと、
前記絶縁基板上に、樹脂絶縁層を形成し、該樹脂絶縁層上に導体パターンを形成し、該樹脂絶縁層を貫通し、前記導体層と前記導体パターン、及び、前記コイルと前記導体パターンを接続するビア導体を形成すること、を有する。
【請求項１８】
プリント配線板の製造方法であって、
絶縁基板を用意することと、
導体を巻いて成るコイルを用意することと、
前記絶縁基板上に導体層を形成すると共に、該絶縁基板の両面の前記導体層を接続するスルーホール導体を形成することと、
前記絶縁基板にコイル収容用のキャビティを形成することと、
前記コイル収容用のキャビティに前記コイルを収容することと、
前記キャビティ内に、磁性体ペーストを充填することと、
前記磁性体ペーストを熱硬化させることと、
前記絶縁基板上に、樹脂絶縁層を形成し、該樹脂絶縁層上に導体パターンを形成し、該樹脂絶縁層を貫通し、前記導体層と前記導体パターン、及び、前記コイルと前記導体パターンを接続するビア導体を形成すること、を有する。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、インダクタを内蔵するプリント配線板、及び、該プリント配線板の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
特許文献１には、積層基板プロセスで形成されるコイル構造体が開示されている。該コイル構造体は、絶縁性の樹脂材料から成る矩形の基体にコイルを形成して成る。そして、絶縁性の樹脂材料の磁性フィラーを分散させることで電気特性の向上が図られている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００７−５３３１１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
特許文献に記載のインダクタ部品では、磁性体と導体電線の間に樹脂層が入る事があり、この為に、インダクタンス向上、導体電線の低抵抗化、およびインダクタ部品の小型化に制約が出来る。一方、従来からあるチップ部品としてのインダクタ部品は、高周波では磁性背材料が共鳴して使えなくなる事により、非磁性体を使うのが一般化している為に、小型化が、より、困難と成る傾向にある。
【０００５】
本発明の目的は、高周波でＱの高いインダク部品を内蔵するプリント配線板、及び、該プリント配線板の製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本願発明のプリント配線板は、導体層を備え、キャビティの形成されたコア基板と、前記コア基板上に形成され、導体層と絶縁層とが交互に積層されてなるビルドアップ層と、前記コア基板の前記キャビティに収容され、導体を巻いて成るコイルと、を有する。そして、前記コイルの周囲で、前記キャビティ内が磁性を有する磁性材料で充填され、前記コイルの端部に形成された端子に、前記上側の樹脂絶縁層を貫通するビア導体が接続されている。
【発明の効果】
【０００７】
本願発明のプリント配線板では、磁性材料と巻線コイルから成るインダクタ部品を内蔵することで、パッケージを構成するプリント配線板のサイズを小型化することが可能となり、且つ、実装する半導体の電源効率を高く維持しつつ、電源制御の高速化で省電力も可能と成る。巻線コイルから成るインダクタ部品は、従来のチップ型インダクタでは不可能なほど高周波数に対応でき、且つ、薄型化が可能で、コア基板に内蔵することができる。
【図面の簡単な説明】
【０００８】
【図１】本発明の第１実施形態に係るプリント配線板の断面図。
【図２】第１実施形態のプリント配線板の製造方法を示す工程図。
【図３】第１実施形態のプリント配線板の製造方法を示す工程図。
【図４】第１実施形態のプリント配線板の製造方法を示す工程図。
【図５】第１実施形態のプリント配線板の製造方法を示す工程図。
【図６】第１実施形態のプリント配線板のインダクタ部品の図であり、図６（Ａ１）、（Ａ２）は正面図であり、図６（Ｂ）は側面図であり、図６（Ｃ）は上面図である。
【図７】第１実施形態のインダクタ部品の銅導線の断面図。
【図８】改変例に係るインダクタ部品の端子の配置例を示す平面図である。
【図９】図９（Ａ１）、（Ｂ１）、（Ｃ１）は第１実施形態の第３改変例に係る開口の平面図であり、図９（Ａ２）、（Ｂ２）、（Ｃ２）は第１改変例の開口の平面図であり、図９（Ａ３）は、図９（Ａ２）の断面図である。
【図１０】本発明の第１実施形態の第２改変例に係るプリント配線板の断面図。
【図１１】第１実施形態の第２改変例に係るプリント配線板の製造方法を示す工程図。
【図１２】第１実施形態の第３改変例に係るプリント配線板の製造方法を示す工程図。
【図１３】第１実施形態の第３改変例に係るプリント配線板の製造方法を示す工程図。
【図１４】本発明の第２実施形態に係るプリント配線板の断面図。
【図１５】第２実施形態のプリント配線板の製造方法を示す工程図。
【図１６】第２実施形態のプリント配線板の製造方法を示す工程図。
【図１７】本発明の第３実施形態に係るプリント配線板の断面図。
【図１８】第３実施形態に係るプリント配線板のインダクタ部品の図であり、図１８（Ａ）は平面図であり、図１８（Ｂ）は側面図である。
【発明を実施するための形態】
【０００９】
[第１実施形態]
第１実施形態に係るプリント配線板１０の断面が図１に示される。プリント配線板１０は、第１面（Ｆ）とその第１面と反対側の第２面（Ｓ）とを有するコア基板３０を有している。コア基板３０はキャビティ（貫通孔）２６を有している。本実施形態では、キャビティ２６はコア基板３０を貫通している。キャビティ２６の内部には、インダクタ部品１２０が収容されている。キャビティ２６の側壁と空芯コイル１１０との隙間には磁性材料７８が充填され、空芯コイルと磁性材料から成るインダクタ部品１２０が構成されている。
【００１０】
コア基板３０の第１面Ｆ上には導体パターン３４Ｆが、第２面Ｓ上には導体パターン３４Ｓが形成されている。コア基板３０は、複数の貫通孔２８を有しており、貫通孔２８の内部には、導体パターン３４Ｆ、３４Ｓを接続するスルーホール導体３６が形成されている。スルーホール導体３６は、貫通孔２８内をめっきで充填することにより形成される。貫通孔２８は、コア基板３０の第１面Ｆに開口する第１開口部２８Ｆと、第２面Ｓに開口する第２開口部２８Ｓとで形成されている。第１開口部２８Ｆは第１面から第２面に向かってテーパしているとともに、第２開口部２８Ｓは第２面から第１面に向かってテーパしており、該第１開口部２８Ｆと該第２開口部２８Ｓはコア基板３０の内部で繋がっている。
【００１１】
コア基板３０の第１面Ｆとインダクタ部品１２０上に第１のビルドアップ層が形成されている。第１のビルドアップ層は、コア基板３０の第１面Ｆとインダクタ部品１２０上に形成されている樹脂絶縁層５０Ｆと、その樹脂絶縁層５０Ｆ上の導体パターン５８Ｆと、樹脂絶縁層５０Ｆの内部に設けられ導体パターン５８Ｆと導体パターン３４Ｆとを接続するビア導体６０Ｆとを有する。樹脂絶縁層５０Ｆの内部には、さらに導体パターン５８Ｆと後述する空芯コイル１１０の端子１１２とを接続する接続ビア導体６０Ｆａが設けられている。
第１のビルドアップ層は、さらに樹脂絶縁層５０Ｆ上及び導体パターン５８Ｆ上に設けられている樹脂さ１５０Ｆと、樹脂絶縁層１５０Ｆ上の導体パターン１５８Ｆと、樹脂絶縁層１５０Ｆの内部に設けられ導体パターン５８Ｆと導体パターン１５８Ｆとを接続するビア導体１６０Ｆとを有する。
【００１２】
コア基板３０の第２面Ｓ上とインダクタ部品１２０上とには、第２のビルドアップ層が形成されている。第２のビルドアップ層は、上述した第１のビルドアップ層に対して接続ビア導体６０Ｆａが省略されている。すなわち、この第２のビルドアップ層の構成は、接続ビア導体６０Ｆａの構成以外は第１のビルドアップ層と同様であるので、説明は省略する。
【００１３】
第１のビルドアップ層上には、開口７１Ｆを有するソルダーレジスト層７０Ｆが形成されている。第２のビルドアップ層上には、開口７１Ｓを有するソルダーレジスト層７０Ｓが形成されている。ソルダーレジスト層７０Ｆ、７０Ｓの開口７１Ｆ、７１Ｓにより露出している導体パターン１５８Ｆ、１５８Ｓは、パッドとして機能する。パッド上には、Ｎｉ／Ａｕ又はＮｉ／Ｐｄ／Ａｕなどの金属膜７２が形成され、その金属膜上に半田バンプ７６Ｆ、７６Ｓが形成されている。第１のビルドアップ層上に形成されている半田バンプ７６Ｆを介してＩＣチップがプリント配線板１０に搭載される。第２のビルドアップ層上に形成されている半田バンプ７６Ｓを介してプリント配線板１０はマザーボードに搭載される。
【００１４】
コア基板に収容されている空芯コイル１１０が図６に示される。
図６（Ａ１）、（Ａ２）は正面図であり、図６（Ｂ）は側面図であり、図６（Ｃ）は上面図である。空芯コイル１１０は、コイル１１４と端子１１２とを備える。空芯コイル１１０は、厚み１０μｍの絶縁被覆の設けられた径０．１mmの銅導線１０８から成る。銅導線１０８は、図６（Ａ１）に示されるようにコイル１１４の高さＨがコア基板の厚みと同程度（０．５mm以内）に成るように楕円形状に、所定の回数巻かれた後、表面の絶縁被覆を熱融着させることで、隣り合う銅導線が固着される。加熱の代わりに、薬剤で絶縁被覆を軟化させ、銅導線が固着されることもできる。コイルを巻く断面は、円筒形状が、やりやすいが、楕円柱状とすることも出来る。
【００１５】
空芯コイル１１０を構成する銅導線の断面が図７に示される。
銅導線１０８の断面形状は、単線から成る場合、図７（Ａ）に示されるように円形、図７（Ｂ）に示されるように楕円形、図７（Ｃ）に示されるように角の取れた方形形状である。銅導線は、図７（Ｄ）に示されるように２本以上の細線１０８ｋをより合わせてなるリッツ線であってもよい。縒り線は、銅導線の表面積を増やすことができるので、１ＭＨｚ以上の高周波で顕著になる表皮効果による高周波抵抗の増加を抑制することができる。
【００１６】
図６（Ａ１）に示されるように、銅導線１０８の端部１０８Ｅは同方向に引き出される。図６（Ａ２）に示されるように、端部は、底端部１０８Ｂと同一平面になるように折り曲げられ、同時に、又は、後から平たく潰されて端子１１２が形成される。なお、図８（Ａ）に示されるように、端子１１２は、コイル１１４の巻き面に重なるように折り曲げられても、コイル１１４に絶縁被覆が施されているため、問題とならない。端子は、端部１０８Ｅを押しつぶすことの他、端部を半田槽に付けて、半田を玉状に乗せて、半田と共に端部が押しつぶされることでも形成可能である。更に、端部に方形の銅箔が半田ペーストで接続されることも可能である。端子１１２の厚みｔ２は、図２（Ｂ）を参照し上述された導体層３４Ａの厚みｔ１（１５μｍ）とほぼ等しいことが、ビア導体６０Ｆａの接続信頼性を高める上で好ましい。
【００１７】
上述されたように、キャビティ２６の側壁と空芯コイル１１０との隙間には磁性材料７８が充填されている。これにより、空芯コイル１１０がキャビティ２６の内部において固定されている。磁性材料は、樹脂と磁性粒子とを含んでいる。磁性材料を構成する樹脂としては、例えばエポキシ樹脂、フェノール樹脂、ポリベンゾオキサゾール樹脂、ポリフェニレン樹脂、ポリベンゾシクロブテン樹脂、ポリアリーレンエーテル樹脂、ポリシロキサン樹脂、ポリウレタン樹脂、ポリエステル樹脂、ポリエステルウレタン樹脂、フッ素樹脂、ポリオレフィン樹脂、ポリシクロオレフィン樹脂、シアネート樹脂、ポリフェニレンエーテル樹脂及びポリスチレン樹脂等、又はこれらの混合物等が挙げられる。磁性材料を構成する磁性粒子としては、軟磁性体であれば任意であり、例えば鉄、軟磁性鉄合金、ニッケル、軟磁性ニッケル合金、コバルト、軟磁性コバルト合金、軟磁性鉄（Ｆｅ）−シリコン（Ｓｉ）系合金、軟磁性鉄（Ｆｅ）−窒素（Ｎ）系合金、軟磁性鉄（Ｆｅ）−炭素（Ｃ）系合金、軟磁性鉄（Ｆｅ）−ホウ素（Ｂ）系合金、軟磁性鉄（Ｆｅ）−リン（Ｐ）系合金、軟磁性鉄（Ｆｅ）−アルミニウム（Ａｌ）系合金、軟磁性鉄（Ｆｅ）−アルミニウム（Ａｌ）−シリコン（Ｓｉ）系合金等が挙げられる。磁性粒子の量は３０〜６０vol％が好適である。
【００１８】
図１中に示されるように、第１実施形態では、空芯コイル１１０のコイル１１４は、磁性材料７８で覆われ、端子１１２のみ磁性材料７８から露出している。コイル１１４の内側にも磁性材料が充填されている。端子１１２の裏面側はコア基板の第１面Ｆに接している。そして、樹脂絶縁層５０Ｆを貫通する接続ビア導体６０Ｆａが端子１１２に接して、該端子と導体パターン５８Ｆを接続している。
【００１９】
第１実施形態のプリント配線板では、磁性材料と空芯コイル１１０とから成るインダクタ部品１２０を内蔵することで、パッケージを構成するプリント配線板のサイズを小型化することが可能となり、且つ、実装する半導体の電源効率を高く維持しつつ、電源制御の高速化で省電力も可能と成る。巻線コイルから成る空芯コイル１１０は、高周波数に対応でき、且つ、薄型化が可能で、コア基板に内蔵することができる。
【００２０】
第１実施形態のプリント配線板１０の製造方法が図２〜図５に示される。
（１）絶縁基板２０zとその両面に銅箔３２Ｆ、３２Ｓが積層されている両面銅張積層板３０Ａが出発材料である。絶縁基板の厚さは、０．５mmである。絶縁基板は第１面Ｆとその第１面と反対側の第２面Ｓを有する。銅箔３２Ｆ、３２Ｓの表面に図示されない黒化処理が施される（図２（Ａ））。
【００２１】
（２）絶縁基板２０zにスルーホール導体用の貫通孔２８が形成され、導体層３４Ｆ、３４Ｓ及びスルーホール導体３６が形成され、コア基板３０が形成される（図２（Ｂ））。導体層３４Ｆ、３４Ｓの厚みｔ１は１５μｍである。図２（Ｂ）に示されているコア基板３０は、例えば、ＵＳ７７８６３９０に開示されている方法で製造される。ＵＳ７７８６３９０の内容は本明細書に取り込まれる。
（３）コア基板３０の中央部にインダクタ部品を収容するための開口２６がレーザ、ドリル、ルータにより形成される（図２（Ｃ））。開口２６は絶縁基板の表面に沿った水平面に対して矩形形状である。
【００２２】
（４）コア基板３０の第２面Ｓ側に再剥離フィルム９６が貼られ、開口２６は再剥離フィルムで塞がれる。再剥離フィルムの例としてＰＥＴフィルムが挙げられる。コア基板３０は、加工面の基準となる板（ＳＵＳ基板）９８上に置かれる（図２（Ｄ））。
【００２３】
（５）開口２６内に、図６を参照して上述された空芯コイル１１０が置かれる（図２（Ｅ））。空芯コイル１１０の端子１１２は、開口２６の縁の外側でコア基板３０の第１面Ｆに接する。これにより、空芯コイル１１０は開口２６内に仮固定される。なお、空芯コイルの端子１１２と、最も近い導体層３４Ｆとの距離ｄ１は１０〜２００μｍであることが、空芯コイルからの影響を受けないために望ましい。
【００２４】
（６）開口２６のコア基板の第１面側から磁性材料を構成する磁性ペースト７８αが充填される（図２（Ｆ））。このとき、真空充填法が用いられ、空芯コイル１１０のコイル内部の泡残りが避けられる。磁性ペーストは、エポキシ樹脂（ジャパン・エポキシ・レジン社製、商品名：エピコート１００７）８５ｇと酸化鉄（III）などの磁性体粒子が添加され調製される。磁性体粒子の例として、鉄、軟磁性鉄合金、クロム酸化鉄（フェリクロム）、コバルト酸化鉄、バリウムフェライトなどが挙げられる。インダクタ部品の上部も磁性ペースト７８αで覆われる。
【００２５】
（７）磁性ペーストに含まれる樹脂の硬化条件に沿って加熱され、磁性材料７８が硬化される。磁性材料により開口内の空芯コイル１１０が固定される。その後、空芯コイル１１０の端子１１２の露出する銅箔３２Ｆ側が研磨され、開口２６から露出する磁性材料７８の表面が平滑化される。これにより、外層の微細配線を形成することが可能になる。空芯コイル１１０のコイルは開口２６内で完全に磁性材料７８に覆われ、磁性材料７８からは端子１１２のみが露出される。
（８）コア基板から再剥離フィルム９６が剥離される（図３（Ａ））。
【００２６】
（９）コア基板３０の第１面Ｆ、第２面Ｓ上にＢ−ステージのプリプレグが積層される。コア基材の第１面と第２面上のプリプレグが硬化される。コア基材の第１面と第２面上に樹脂絶縁層（層間樹脂層）５０Ｆ、５０Ｓが形成される（図３（Ｂ））。
【００２７】
（１０）第１面側からＣＯ２ガスレーザにて樹脂絶縁層５０Ｆに空芯コイル１１０の端子１１２に至る接続ビア導体用の開口５１Ｆａが形成される。同時に、導体層３４Ｆやスルーホール導体３６に至るビア導体用の開口５１Ｆが形成される。第２面側から樹脂絶縁層５０Ｓに導体層３４Ｓやスルーホール導体３６に至るビア導体用の開口５１Ｓが形成される（図３（Ｃ））。樹脂絶縁層５０Ｆ、５０Ｓに粗面が形成される（図示せず）。
【００２８】
（１１）無電解めっき処理により、ビア導体用の開口５１Ｆ、５１Ｓの内壁と樹脂絶縁層５０Ｆ、５０Ｓ上に無電解めっき膜５２が形成される（図３（Ｄ））。
【００２９】
（１２）無電解めっき膜５２上にめっきレジスト５４が形成される（図４（Ａ））。
【００３０】
（１３）次に、電解めっき処理により、めっきレジストから露出する無電解めっき膜上に電解めっき膜５６が形成される（図４（Ｂ））。
【００３１】
（１４）続いて、アミン溶液を用いてめっきレジスト５４が除去される。その後、電解銅めっき膜から露出する無電解めっき膜５２がエッチングにて除去され、無電解めっき膜５２と電解めっき膜５６からなる導体パターン５８Ｆ、５８Ｓが形成される。導体パターン５８Ｆ、５８Ｓは複数の導体回路やビア導体のランドを含む。同時に、ビア導体６０Ｆ、６０Ｓや接続ビア導体６０Ｆａが形成される（図４（Ｃ））。ビア導体６０Ｆ、６０Ｓはコア基材の導体層やスルーホール導体と樹脂絶縁層上の導体パターン５８Ｆ、５８Ｓを接続している。接続ビア導体６０Ｆａは空芯コイル１１０の端子（入力電極、出力電極）１１２と樹脂絶縁層上の導体パターン５８Ｆを接続している。
【００３２】
（１５）図３（Ａ）〜図４（Ｃ）の処理が繰り返され、樹脂絶縁層５０Ｆ、５０Ｓ上に最上と最下の樹脂絶縁層１５０Ｆ、１５０Ｓが形成される。最上と最下の樹脂絶縁層１５０Ｆ、１５０Ｓ上に導体パターン１５８Ｆ、１５８Ｓが形成される。最上と最下の樹脂絶縁層１５０Ｆ、１５０Ｓにビア導体１６０Ｆ、１６０Ｓが形成され、導体パターン５８Ｆ、５８Ｓと導体パターン１５８Ｆ、１５８Ｓはそれらのビア導体１６０Ｆ、１６０Ｓで接続される（図４（Ｄ））。コア基材の第１面上に第１のビルドアップ層が形成され、コア基材の第２面下に第２のビルドアップ層が形成される。各ビルドアップ層は樹脂絶縁層と導体層と異なる導体層を接続するためのビア導体を有する。第１実施形態では、第１のビルドアップ層はさらに接続ビア導体を有する。
【００３３】
（１６）第１と第２のビルドアップ層上に開口７１Ｆ、７１Ｓを有するソルダーレジスト層７０Ｆ、７０Ｓが形成される（図５（Ａ））。開口７１Ｆ、７１Ｓは導体層やビア導体の上面を露出する。その部分はパッドとして機能する。
【００３４】
（１７）パッド上にニッケル層とニッケル層上の金層で形成される金属膜７２が形成される（図５（Ｂ））。ニッケル−金層以外にニッケル−パラジウム−金層からなる金属膜が挙げられる。図１に示されるプリント配線板では、空芯コイル１１０の直下の領域に導体パターンが形成されていない。この場合、第１のビルドアップ層における導体の割合と、第２のビルドアップ層における導体の割合との差が大きくなり、プリント配線板に反りが生じ易くなる可能性が有る。このため、空芯コイル１１０の直下の領域には、両ビルドアップ層における導体の割合の差を小さくするため、所定の導体パターンが形成されていてもよい。別の例として、第１のビルドアップ層の樹脂絶縁層は補強材を有さず、第２のビルドアップ層は補強材を有することが好ましい。これにより、プリント配線板の反りが減少する。
【００３５】
（１８）この後、第１のビルドアップ層のパッドに半田バンプ７６Ｆが形成され、第２のビルドアップ層のパッドに半田バンプ７６Ｓが形成される。半田バンプを有するプリント配線板１０が完成する（図１）。
【００３６】
半田バンプ７６Ｆを介してＩＣチップがプリント配線板１０へ実装される（図示せず）。その後、半田バンプ７６Ｓを介してプリント配線板がマザーボードに搭載される。
【００３７】
[第１実施形態の第１改変例]
第１実施形態の第１改変例に係るプリント配線板の製造方法が図９（Ａ２）、（Ａ３）、（Ｂ２）、（Ｃ２）中に示される。
第１実施形態の第１改変例では、図９（Ａ２）に示されるように、絶縁基板に形成されるインダクタ部品収容用の開口２６Ｄは、インダクタ部品のコイル１１４の端と対向する側に磁性ペースト導入用の凹部２８ｄが形成されている。図９（Ａ３）は、図９（Ａ２）中のＸ１−Ｘ１断面を示す。
【００３８】
図９（Ｂ２）に示されるように、開口２６Ｄに空芯コイル１１０が収容される。その後、図９（Ｃ２）に示されるように、開口２６Ｄ内に磁性材料を構成する磁性ペースト７８αが充填される。この際に、開口２６Ｄに、コイル１１４の端と対向する側に磁性ペースト導入用の凹部２８ｄが形成されているため、磁性ペースト７８αがコイル内に充填され易く、コイル内部の泡残りが避けられる。
【００３９】
図８は、改変例に係るインダクタ部品の端子の配置例を示す平面図である。
図８（Ａ）は、端子１１２がコイル１１４の中側に設けられた例を示す。図８（Ｂ）は、端子１１２が、コイル１１４の外側であって、コイルの端側に設けられた例を示す。図８（Ｃ）は、端子１１２が、コイル１１４の内側であって、コイルの端側に設けられた例を示す。図８（Ｄ）の例では、端子１１２が、コイル１１４の外側であって、コイルの横側に設けられた例を示す。図８（Ｅ）の例では、端子１１２が、コイル１１４の外側であって、コイルの横側全面に設けられた例を示す。図８（Ｆ）の例では、端子１１２が、コイル１１４の内側であって、コイルの横側全面に設けられた例を示す。
【００４０】
[第１実施形態の第２改変例]
図１０は、第１実施形態の第２改変例に係るプリント配線板を示す。
第１実施形態の第２改変例では、空芯コイル１１０は、コア基板３０に形成された凹部から成るキャビティ２７に収容されている。
【００４１】
図１１に、第１実施形態の第２改変例に係るプリント配線板の製造方法が示される。
第１実施形態と同様に、図１１（Ａ）に示される絶縁基板２０ｚから第１導体パターン３４Ｆ、３４Ｓ、スルーホール導体３６を備えるコア基板３０が製造される（図１１（Ｂ））。コア基板３０に凹部から成るキャビティ２７が形成される（図１１（Ｃ））。以降の製造方法は、第１実施形態と同様であるため、説明が省略される。
【００４２】
[第１実施形態の第３改変例]
第１実施形態の第３改変例に係るプリント配線板１０の製造方法が図１２、図１３に示される。
（１）絶縁基板２０zとその両面に銅箔３２Ｆ、３２Ｓが積層されている両面銅張積層板３０Ａが出発材料である。絶縁基板の厚さは、０．５mmである。絶縁基板は第１面Ｆとその第１面と反対側の第２面Ｓを有する。銅箔３２Ｆ、３２Ｓの表面に図示されない黒化処理が施される（図１２（Ａ））。
【００４３】
（２）開口（キャビティ）形成位置の周囲にエッチングで、銅箔３２Ｆに開口３２ｆが、銅箔３２Ｓに開口３２ｓが形成される（図１２（Ｂ））。
【００４４】
（３）絶縁基板２０zの中央部にインダクタ部品を収容するための開口２６がレーザ、ドリル、ルータにより形成される（図２（Ｃ））。開口２６の平面図が図９（Ａ１）に示される。
【００４５】
（４）絶縁基板２０zの第２面Ｓ側に再剥離フィルム９６が貼られ、開口２６は再剥離フィルムで塞がれる。再剥離フィルムの例としてＰＥＴフィルムが挙げられる。絶縁基板２０ｚは、加工面の基準となる板（ＳＵＳ基板）９８上に置かれる（図１２（Ｄ））。
【００４６】
（５）開口２６内に、図６を参照して上述された空芯コイル１１０が置かれる（図１３（Ａ））。空芯コイルの平面図が図９（Ｂ１）に示される。空芯コイル１１０の端子１１２は、開口２６の縁の外側で絶縁基板２０ｚの第１面Ｆに接する。これにより、空芯コイル１１０は開口２６内に仮固定される。
【００４７】
（６）開口２６の絶縁基板２０ｚの第１面側から磁性材料を構成する磁性ペースト７８αが充填される（図１３（Ｂ））。開口２６の平面図が図９（Ｃ１）に示される。空芯コイル１１０の上部も磁性ペースト７８αで覆われる。
【００４８】
（７）磁性ペーストに含まれる樹脂の硬化条件に沿って加熱され、磁性材料７８が硬化される。磁性材料により開口内の空芯コイル１１０が固定される。図１２（Ｂ）の絶縁基板２０ｚの平面図が図１２（Ｃ）に示される。空芯コイル１１０のコイルは開口２６内で完全に磁性材料７８に覆われ、磁性材料７８からは端子１１２のみが露出される。
【００４９】
（８）絶縁基板２０ｚから再剥離フィルムが剥離された後、絶縁基板２０zにスルーホール導体用の貫通孔２８が形成され、導体層３４Ｆ、３４Ｓ及びスルーホール導体３６が形成され、コア基板３０が形成される（図３（Ａ））。図３（Ａ）に示されているコア基板３０は、例えば、ＵＳ７７８６３９０に開示されている方法で製造される。ＵＳ７７８６３９０の内容は本明細書に取り込まれる。以降の工程は第１実施形態と同様である。
【００５０】
[第２実施形態]
図１４は、第２実施形態に係るプリント配線板の断面を示す。
第２実施形態のプリント配線板では、空芯コイル１１０と磁性材料７９とが一体化されインダクタ部品１２０が構成され、絶縁基板２０ｚに形成された開口２６内にインダクタ部品１２０が収容されている。
【００５１】
図１５、図１６に第２実施形態のプリント配線板の製造方法が示される。
インダクタ部品の磁性材料との一体形成用の型２２０が用意される。図１５（Ａ１）は型の断面図であり図１５（Ａ２）は平面図である。図１５（Ａ１）は図１５（Ａ２）のＸ２−Ｘ２断面に対応する。貫通孔２２６の外部には、端子を収容することでインダクタ部品の位置決めを行う凹部２２６ｄが２箇所設けられている。貫通孔２２６は、大きさがインダクタ部品を収容する開口よりも僅かに小さく形成されている。
【００５２】
型２２０の貫通孔２２６内に空芯コイル１１０を収容する。図１５（Ｂ１）は型の断面図であり、図１５（Ｂ２）は平面図である。図１５（Ｂ１）は図１５（Ｂ２）のＸ３−Ｘ３断面に対応する。凹部２２６ｄにインダクタ部品の端子１１２が填め入れられることで、インダクタ部品が貫通孔２２６内で位置決めされる。
【００５３】
貫通孔２２６内に磁性材料を構成する磁性ペーストが充填され、加熱され、磁性材料７９が硬化される。磁性材料７９により空芯コイル１１０が固定される（図１５（Ｃ））。その後、空芯コイル１１０を固定した磁性材料７９が型から外され、インダクタ部品１２０が完成する（図１５（Ｄ））。
【００５４】
第１実施形態の図２を参照して上述された工程を経て、コア基板３０が用意される（図１６（Ａ））。コア基板２０に開口２６が形成される（図１６（Ｂ））。コア基板の開口２６内に、空芯コイルを内蔵する磁性材料から成るインダクタ部品１２０が収容される（図１６（Ｃ））。以降の工程は、図２（Ｂ）〜図５を参照して上述された第１実施形態と同様である。
【００５５】
[第３実施形態]
図１７は、インダクタ部品２１０を絶縁基板２０ｚに収容する第３実施形態のプリント配線板の断面図である。絶縁基板２０ｚの開口２６にインダクタ部品２１０が収容されている。第３実施形態では、インダクタ部品２１０は、磁性体コア（磁性体芯）２１６にコイル２１４が巻かれ、磁性材料７８が充填されて成る。
【００５６】
図１８（Ａ）は、第３実施形態に係るプリント配線板のインダクタ部品の平面図であり、図１８（Ｂ）は側面図である。スリット２１６ｄを備えるＣ字形状の異形の磁性体コア２１６にコイル２１４が巻かれている。スリット２１６ｄ近傍には端子２１２が取り付けられている。
【００５７】
第３実施形態では、磁性体コアによりインダクタ部品のインダクタンスを高めることができる。
【符号の説明】
【００５８】
１０  プリント配線板
２０ｚ  絶縁基板
２６  開口
３０  コア基板
３６  スルーホール導体
５０Ｆ、５０Ｓ  樹脂絶縁層
５８Ｆ、５８Ｓ  導体パターン
６０Ｆ  ビア導体
６０Ｆａ  接続ビア導体
７８  磁性材料
１１０  空芯コイル
１１２  端子
１１４  コイル
１２０  インダクタ部品
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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