(57)【要約】【課題】      本発明は、洗浄剤自身が清浄であり、半導体製造装置に用いられるフッ素樹脂成形品に対する高い洗浄性を有し、環境負荷が少なく、かつ安全性、経済性に優れた半導体洗浄方法を提供するものである。【解決手段】  半導体製造装置に用いられるフッ素樹脂成形品の表面に付着したパーティクルを除去する洗浄方法であって、フッ素置換溶媒を含む洗浄剤を用いて洗浄を行う半導体製造装置に用いられるフッ素樹脂成形品の洗浄方法を提供する。【選択図】なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体製造装置に用いられるフッ素樹脂成形品の表面に付着したパーティクルを除去する洗浄方法であって、フッ素置換溶媒を含む洗浄剤を用いて洗浄を行う半導体製造装置に用いられるフッ素樹脂成形品の洗浄方法。
【請求項２】
前記パーティクルが、炭素及びフッ素を含有するパーティクルである請求項１に記載の洗浄方法。
【請求項３】
前記フッ素置換溶媒が、完全フッ素置換溶媒および部分フッ素置換溶媒から選ばれる少なくとも１種の溶媒である請求項１または２に記載の洗浄方法。
【請求項４】
前記完全フッ素置換溶媒が、パーフルオロカーボン、ハロゲン置換エーテル、硫黄含有パーフルオロ化合物、窒素含有パーフルオロ化合物から選ばれる少なくとも１種の溶媒である請求項１〜３のいずれか１項に記載の洗浄方法。
【請求項５】
前記部分フッ素置換溶媒が、アルコキシフルオロアルケン、ハイドロフルオロカーボン、部分ハロゲン置換エーテルから選択される少なくとも１種である請求項３に記載の洗浄方法。
【請求項６】
前記アルコキシフルオロアルケンが、アルコキシパーフルオロアルケンである請求項５に記載の洗浄方法。
【請求項７】
アルコキシ基が、メトキシ基もしくはエトキシ基である請求項５または６に記載の洗浄方法。
【請求項８】
フルオロアルケンが炭素数５〜１０のフルオロアルケンである請求項５〜７のいずれか１項に記載の洗浄方法。
【請求項９】
アルコキシパーフルオロアルケンが、メトキシパーフルオロペンテン、メトキシパーフルオロへキセン、メトキシパーフルオロヘプテン、メトキシパーフルオロオクテン、エトキシパーフルオロペンテン、エトキシパーフルオロへキセン、エトキシパーフルオロヘプテンおよびエトキシパーフルオロオクテンから選ばれた少なくとも１種である請求項５〜８のいずれか１項に記載の洗浄方法。
【請求項１０】
前記部分フッ素置換溶媒が、デカフルオロペンタンである請求項４または５に記載の洗浄方法。
【請求項１１】
前記半導体製造装置に用いられるフッ素樹脂成形品が、液体移送用成形品または液体接触用成形品である請求項１〜１０のいずれか１項に記載の洗浄方法。
【請求項１２】
前記液体移送用成形品または液体接触用成形品が、チューブ、管、容器、ボトル、タンクである請求項１１に記載の洗浄方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体製造装置に用いられるフッ素樹脂成形品に付着したパーティクルを除去する洗浄方法に関するものである。さらに詳しくは半導体製造装置に用いられる液体移送用成形品及び／または液体接触用成形品などのフッ素樹脂成形品に付着したパーティクルを除去する洗浄方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
半導体デバイスの回路パターンの微細化・高密度化・高集積化、及び配線の多層化が進むにつれ、製造プロセスも複雑化し工程数も増え続けている。微細化その結果として、半導体デバイスの回路パターンにおいて欠陥とされるサイズも益々小さくなっている。このため，半導体製造装置で使用する材料やプロセス自体が汚染発生源となっていることがあり、半導体製造現場における，パーティクル（異物微粒子）や、金属不純物，化学汚染物質などの微小（微量）な汚染物質が，半導体製品の歩留まりや信頼性にますます大きな影響を及ぼすようになっている（非特許文献１）。パーティクルの場合、サブミクロンサイズの微細なものであってもウェーハ表面に付着すると不良につながる欠陥の原因となりうるので、サブミクロンのパーティクルの除去までもが必要とされる。そのため、微細な半導体デバイスの回路パターンの欠損発生を抑え、回路パターンサイズよりも大きいパーティクルを減少させるため、ウェーハに対するパーティクルの付着を防止する半導体製造装置で使用する材料やプロセスの清浄化が益々重要になっている。
【０００３】
半導体製造装置では、フッ素樹脂の特定を活かしてフッ素樹脂成形品が使用される機会が多くなった。しかしながら、フッ素樹脂成形品の表面にはパーティクル（異物微粒子）が付着しすく、またウェーハ表面に付着して不良につながる欠陥の原因となりうるサブミクロンサイズの微細なパーティクルまで除去することは容易ではない。通常、半導体製造に際して使用されているフッ素樹脂成形品の洗浄処理は、通常界面活性剤の希水溶液、強酸、超純水などを使用して行なわれているが、これらの方法では洗浄に長時間を要するうえに、半導体製造装置に使用されるフッ素樹脂成形品に求められる要求を満たすほど清浄度のレベルに達することは難しかった。
【０００４】
そのため、半導体製造に際して使用されるフッ素樹脂成形品に付着する微粒子を除去する処理方法が提案されている（特許文献１）。しかしながら、特許文献１で提案されている処理方法では、実施に特別は装置を必要とするなど簡便な手段で実施することができないうえに、なお半導体製造に際して使用されるフッ素樹脂成形品に求められる要求を満たすほど清浄度のレベルに達することは難しかった。
【０００５】
半導体製造装置に使用されるフッ素樹脂成形品の洗浄に使用される薬液はコストおよび環境負荷が高いものなので、コストおよび環境負荷の少ない洗浄薬液が求められている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開平０８−００５１４０号公報
【特許文献２】特表２０１２−５１８０１０号公報
【非特許文献】
【０００７】
【非特許文献１】半導体洗浄技術の最新動向、Semiconductor FPD World 2009.9、服部毅著
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
本発明者は、上記従来技術の問題を解決するため、鋭意研究を行った結果、半導体製造装置に用いられるフッ素樹脂成形品に対し、高い洗浄性を有し、環境負荷が少なく、かつ安全性、経済性に優れた半導体洗浄液を見出し、本発明に至ったものである。
本発明は、洗浄剤自身が清浄であり、半導体製造装置に用いられるフッ素樹脂成形品に対する高い洗浄性を有し、環境負荷が少なく、かつ安全性、経済性に優れた半導体洗浄方法を提供するものである。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明は、半導体製造装置に用いられるフッ素樹脂成形品の表面に付着したパーティクルを除去する洗浄方法であって、フッ素置換溶媒を含む洗浄剤を用いて洗浄を行う半導体製造装置に用いられるフッ素樹脂成形品の洗浄方法を提供する。
【００１０】
前記パーティクルが、炭素及びフッ素を含有するパーティクルである前記した洗浄方法は本発明の好ましい態様である。
【００１１】
前記フッ素置換溶媒が、完全フッ素置換溶媒及び／または部分フッ素置換溶媒から選ばれる少なくとも１種の溶媒である前記した洗浄方法は本発明の好ましい態様である。
前記完全フッ素置換溶媒が、パーフルオロカーボン、ハロゲン置換エーテル、硫黄含有パーフルオロ化合物、窒素含有パーフルオロ化合物から選ばれる少なくとも１種の溶媒である前記した洗浄方法は本発明の好ましい態様である。
【００１２】
前記部分フッ素置換溶媒が、アルコキシフルオロアルケン、ハイドロフルオロカーボン、部分ハロゲン置換エーテルから選択される少なくとも１種である前記した洗浄方法は本発明の好ましい態様である。
前記部分フッ素置換溶媒が、デカフルオロペンタンである前記した洗浄方法は本発明の好ましい態様である。
前記アルコキシフルオロアルケンが、アルコキシパーフルオロアルケンである前記した洗浄方法は本発明の好ましい態様である。
【００１３】
前記半導体製造装置に用いられるフッ素樹脂成形品が、液体移送用成形品または液体接触用成形品である前記した洗浄方法は本発明の好ましい態様である。
液体移送用成形品及び／または液体接触用成形品がチューブ、管（パイプ）、容器、ボトル、タンク液体移送用成形品及び／または液体接触用成形品の洗浄方法は本発明の好ましい態様である。
【発明の効果】
【００１４】
本発明により、洗浄剤自身が清浄であり、フッ素樹脂成形品に対する高い洗浄性を有し、環境負荷が少なく、かつ安全性、経済性に優れた洗浄方法で、半導体製造装置に用いられるフッ素樹脂成形品の表面に付着したパーティクルを除去することができる洗浄方法が提供される。
本発明により、半導体製造装置に用いられるフッ素樹脂成形品の表面に付着したパーティクルが、粒径が３００ｎｍ以下のパーティクルを除去することができる洗浄方法が提供される。
本発明により、半導体製造装置に用いられる液体移送用成形品または液体接触用成形品であるフッ素樹脂成形品の表面に付着した微細なパーティクルまでも除去することができる洗浄方法が提供されるので、フッ素樹脂成形品製液体移送用成形品または液体接触用成形品を用いた半導体製造装置によって、欠損発生を抑えて半導体デバイスの回路パターンを製造することが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【００１５】
【図１】実施例２におけるＰＦＡ粒子の付着状態を示す写真である。
【図２】実施例２におけるフッ素系溶媒洗浄後の状態を示す写真である
【発明を実施するための形態】
【００１６】
本発明は、半導体製造装置に用いられるフッ素樹脂成形品の表面に付着したパーティクルを除去する洗浄方法であって、フッ素置換溶媒を含む洗浄剤を用いて洗浄を行う半導体製造装置に用いられるフッ素樹脂成形品の洗浄方法を提供するものである。
【００１７】
本発明のフッ素置換溶媒は、完全フッ素置換溶媒及び／または部分フッ素置換溶媒から選ばれる少なくとも１種の溶媒であって、炭素に結合する全原子の少なくとも５０％以上がフッ素原子であるフッ素置換溶媒が好ましい。
【００１８】
完全フッ素置換溶媒としては、パーフルオロカーボン、ハロゲン置換エーテル、硫黄含有パーフルオロ化合物、窒素含有パーフルオロ化合物から選択される少なくとも１種であることが好ましい。この様な完全フッ素置換溶媒の具体例としては、例えば、パーフルオロシクロブタン、パーフルオロデカリン、パーフルオロ（１−メチルデカリン）、パーフルオロ（ジメチルデカリン）、パーフルオロ（テトラデカヒドロフェナントレン）、パーフルオロメチルシクロヘキサン、パーフルオロ（シクロヘキシルメチル）デカリン等のフッ素化されたシクロアルカン；パーフルオロベンゼン、パーフルオロナフタレン、パーフルオロビフェニル等のフッ素化された芳香族化合物；パーフルオロ(２−ｎ−ブチルテトラヒドロフラン)等のハロゲン置換エーテル；パーフルオロ−１，４−ジチアン、パーフルオロチエパン、パーフルオロジエチルスルホン、フッ化パーフルオロオクタンスルホニル等の硫黄含有パーフルオロ化合物；パーフルオロ（ジメチルブチルアミン）等のフッ素化されたアルキルアミン類；パーフルオロ（トリアミルアミン）、パーフルオロ（トリブチルアミン）、パーフルオロ（トリペンチルアミン）等のフッ素化されたトリアルキルアミン類などを挙げることができる。
【００１９】
部分フッ素置換溶媒としては、アルコキシ基および二重結合を有するフッ素化オレフィンであるアルコキシフルオロアルケン、ハイドロフルオロカーボン、部分ハロゲン置換エーテルから選択される少なくとも１種であることが好ましい。部分フッ素置換溶媒としては、炭素原子に結合している全原子を基準として約２０原子％までの水素および／または３７．５原子％までの塩素を有する部分フッ素置換溶媒から選ばれる少なくとも１種であることが好ましい。
【００２０】
部分フッ素置換溶媒の具体的な例としては、例えば、アルコキシフルオロアルケンのアルコキシ基が、メトキシ基もしくはエトキシ基であるフルオロアルケンまたはパーフルオロアルケン、すなわち、メトキシフルオロアルケン、エトキシフルオロアルケン、メトキシパーフルオロアルケン、エトキシパーフルオロアルケン、及びアルコキシフルオロアルケンのフルオロアルケンの炭素数が２〜１０のフルオロアルケン、すなわち、フルオロアルケンの炭素数が２〜１０のアルコキシフルオロアルケンもしくはアルコキシパーフルオロアルケンが挙げられる。
【００２１】
好ましくは、炭素数が５〜１０のメトキシフルオロアルケンもしくはエトキシフルオロアルケン、または炭素数が５〜１０のメトキシパーフルオロアルケンもしくはエトキシパーフルオロアルケンが挙げられ、より好ましくは、メトキシパーフルオロペンテン、メトキシパーフルオロへキセン、メトキシパーフルオロヘプテン、およびメトキシパーフルオロオクテンなどのメトキシパーフルオロアルケン、およびエトキシパーフルオロペンテン、エトキシパーフルオロへキセン、エトキシパーフルオロヘプテン、およびエトキシパーフルオロオクテンなどのエトキシパーフルオロアルケンなどを挙げることができる。メトキシパーフルオロペンテンが特に好ましい。パーフルオロアルケンとは、二重結合を１つ有する炭化水素において、水素原子が全てフッ素で置換された化合物を意味する。
アルコキシパーフルオロアルケンは、例えば特許文献２に記載されている方法により、製造することができる。
【００２２】
なお、アルコキシパーフルオロアルケンには複数の構造異性体があるが、構造には特に制限はなく、それらの混合物であってもよく、本発明の目的に合うものを適宜選択することができる。例えば、メトキシパーフルオロヘプテンの構造としては、以下のものが挙げられるが、何れの構造のものでもよく、これらの混合物であってもよい。アルコキシパーフルオロアルケンの構造異性体から選択する場合には、不燃性のより高いものから選択されることが望ましい。
（１）ＣＦ３（ＣＦ２）２ＣＦ＝ＣＦＣＦ（ＯＣＨ３）ＣＦ３
（２）ＣＦ３ＣＦ２ＣＦ＝ＣＦ（ＣＦ２）２（ＯＣＨ３）ＣＦ３
（３）ＣＦ３ＣＦ２ＣＦ＝ＣＦＣＦ（ＯＣＨ３）ＣＦ２ＣＦ３
（４）ＣＦ３ＣＦ＝ＣＦＣＦ（ＯＣＨ３）（ＣＦ２）２ＣＦ３
（５）ＣＦ３ＣＦ＝ＣＦＣＦ２ＣＦ（ＯＣＨ３）ＣＦ２ＣＦ３
（６）ＣＦ３ＣＦ２ＣＦ＝Ｃ（ＯＣＨ３）（ＣＦ２）２ＣＦ３
（７）ＣＦ３ＣＦ２Ｃ（ＯＣＨ３）＝ＣＦＣＦ２ＣＦ２ＣＦ３
【００２３】
部分フッ素置換溶媒の具体的な例としては、更にＣ５Ｈ２Ｆ１０で表されるデカフルオロペンタン（代表例：１，１，１，２，３，４，４，５，５，５−デカフルオロペンタン）などの下記式（８）で表されるＨＦＣアルカン；  下記式（９）で表されるＨＦＣアルケン；  パーフルオロ（プロピル）メチルエーテル、パーフルオロ（ブチル）メチルエーテル、パーフルオロ（ヘキシル）メチルエーテル、パーフルオロ（ブチル）エチルエーテルなどのパーフルオロ（アルキル）アルキルエーテルなどが挙げられる。
ＣｎＦ２ｎ＋２−ｘＨｘ  （ｎ＝６〜１５、ｘ＝１〜３）          （８）
ＣｎＦ２ｎ−ｘＨｘ    （ｎ＝７〜１５、ｘ＝１〜３）          （９）
【００２４】
更に本発明のフッ素置換溶媒として、米国特許第５ ，３２８，９４６号、米国特許第５，３９７，８２９号中に開示されている溶媒を用いることもできる。
【００２５】
本発明の洗浄剤は、フッ素置換溶媒を含むものである。洗浄剤中のフッ素置換溶媒の濃度が高いほど洗浄効果も高くなる為、フッ素置換溶媒の濃度は１００％であっても良いが、求める清浄度に応じて適宜水などを用いて洗浄剤中のフッ素置換溶媒の濃度を調整して用いても良い。また、本発明の洗浄剤は、本発明の目的を損なわない範囲で他の成分が含まれていてもよい。
【００２６】
本発明の洗浄剤に用いてもよい水は、超純水と呼ばれるものが好ましい。超純水としては、室温における電気抵抗率が１５ＭΩ以上、好ましくは１８ＭΩ以上であることが好ましい。フッ素置換溶媒と超純水を含む洗浄剤は、本発明の洗浄剤の好ましい態様である。また、本発明に用いてもよい超純水は、２５℃における表面張力が７２ｍＮ／ｍであることが好ましい。
【００２７】
前記フッ素置換溶媒および超純水を含む洗浄剤は、フッ素置換溶媒、超純水、必要に応じ他の成分を、従来公知の方法から適宜選択して混合して得ることができる。
【００２８】
本発明の半導体製造装置に用いられるフッ素樹脂成形品に用いられるフッ素樹脂としては、テトラフルオロエチレン（ＴＦＥ）の単独重合体、またはテトラフルオロエチレン（ＴＦＥ）と、共重合可能なコモノマーから成る共重合体であることが好ましい。コモノマーとして、エテン、プロペン、イソブチレン、クロロエテン、ジクロロエテン、フルオロエテン、ジフロロエテン、ペルフルオロブチルエチレン（３，３，４，４，５，５，６，６，６，−ノナフルオロ−１−ヘキセン）、クロロトリフルオロエテン、炭素数３以上のパーフルオロアルケン、パーフルオロ（アルキルビニルエーテル）などが挙げられる。中でもフッ素含有コモノマーが好ましく、より好ましくは、炭素数３〜６個のパーフルオロアルケン、アルキル基の炭素数が１〜６個のパーフルオロ（アルキルビニルエーテル）などが挙げられる。
【００２９】
フッ素樹脂の例としては、ポリテトラフルオロエチレン、テトラフルオロエチレンとパーフルオロ（アルキルビニルエーテル）との共重合体、テトラフルオロエチレン／パーフルオロ（ブテニルビニルエーテル）共重合体、テトラフルオロエチレン／パーフルオロジメチルジオキソール共重合体、テトラフルオロエチレン／ＣＦ２＝ＣＦＯＣＦ２ＣＦ（ＣＦ３）ＯＣＦ２ＣＦ２ＳＯ２Ｆ共重合体などを挙げることができる。  加えて、ポリクロロトリフルオロエチレン（ＰＣＴＦＥ）、ポリフッ化ビニリデン（ＰＶＤＦ）、ポリフッ化ビニル（ＰＶＦ）、エチレン／クロロトリフルオロエチレン共重合体（ＥＣＴＦＥ）、フッ素ゴムなどもフッ素樹脂として挙げることができる。
【００３０】
この中でも好ましいフッ素樹脂として、テトラフルオロエチレンとパーフルオロ（アルキルビニルエーテル）との共重合体（ＰＦＡ）を挙げることができる。
【００３１】
半導体製造装置に用いられるフッ素樹脂成形品に使用されるフッ素樹脂の大半はテトラフルオロエチレン・パーフルオロアルキルビニルエーテル共重合体（ＰＦＡ）であるが、このＰＦＡとして、分子鎖末端構造を安定化し、不純物の溶出を極限まで低減させたＰＦＡを用いることもできる。
【００３２】
半導体製造装置に用いられるフッ素樹脂成形品は、液体移送用成形品、液体接触用成形品などとして用いられる。液体移送用成形品とは配管、配管用の継ぎ手、ポンプ、フィルターハウジングなど液体移送装置に使用される成形品であり、液体接触用成形品とは、搬送容器、貯蔵容器などの容器類など液体移送以外の液体と接触する用具および装置に使用される成形品である。
【００３３】
本発明におけるパーティクルとは、半導体製造装置に用いられるフッ素樹脂成形品の表面に付着した異物微粒子である。
本発明の半導体製造装置に用いられるフッ素樹脂成形品の洗浄方法によって、粒径の大きなパーティクルはもちろん除去することができるが、本発明が除去したいのは粒径が３００ｎｍ以下、好ましくは５０ｎｍ以下のパーティクルである。このように微細なパーティクルは、ウェーハ表面に付着すると欠陥の原因となり、不良につながる微細な異物となるからである。
【００３４】
半導体製造装置に用いられるフッ素樹脂成形品の表面に付着した微細なパーティクルの多くは炭素及びフッ素を含有するものである。フッ素樹脂が炭素とフッ素を含む化合物であることと、半導体製造プロセスには炭素およびフッ素を含む化合物が多く用いられることから、このような炭素及びフッ素を含有するパーティクルの由来を特定することは難しい。しかしながら本発明により、半導体製造装置に用いられる液体移送用成形品または液体接触用成形品であるフッ素樹脂成形品の表面に付着した微細なパーティクルまでも除去することができる洗浄方法が提供されるので、フッ素樹脂成形品製液体移送用成形品または液体接触用成形品を用いた半導体製造装置によって、欠損発生を抑えて半導体デバイスの回路パターンを製造することが可能となる。
【００３５】
本発明により、半導体製造装置に用いられるフッ素樹脂成形品の表面に付着したパーティクルの粒径とその数については、フッ素樹脂成形品を経過後の工程において、検出されるパーティクルの粒径とその数を、例えばパーティクルカウンターなどによって測定して知ることができる。
【００３６】
フッ素樹脂成形品を経過後の工程にフィルターを設けることによって、ある程度以上の粒径を有するパーティクルを除去することはできるが、このような手段では３００ｎｍ以下といった微細なパーティクルを除去することは難しい。
本発明の洗浄方法により、半導体製造装置に用いられるフッ素樹脂成形品から発生する粒径が３００ｎｍ以下といった微細なパーティクルを減少させることができる。
本発明の洗浄方法により、半導体製造装置に用いられるフッ素樹脂成形品から発生する粒径が５０ｎｍ以下といった微細なパーティクルをも減少させることができる。
【００３７】
本発明の洗浄方法において、半導体製造装置に用いられるフッ素樹脂成形品の表面に残留したパーティクルの除去は、本発明の洗浄剤を、該内表面に接触させることにより行う。接触の具体例としては、例えば、本発明の洗浄剤に該成形品を浸漬（及び撹拌）する方法、或いは本発明の洗浄剤を該成形品内表面上に流動させる（ポンプを用いて本発明の洗浄剤を循環する）方法などが挙げられる。
該洗浄に際しては、経済的な観点から、洗浄剤の温度は、室温〜飽和蒸気圧が７０ｋＰａ程度、或いは用いるフッ素置換溶媒の沸点よりおよそ１０℃低い温度であることが好ましい。
【００３８】
以下、実施例を挙げて本発明を更に詳しく説明するが、本発明はこれらの実施例に限定されるものではない。
なお、実施例に用いた材料および測定方法は以下のとおりである。
（材料）
１．ＰＦＡチューブ
外径６．３５ｍｍ×内径４．３５ｍｍ×長さ２０ｃｍ
ＴＯＭＢＯ  Ｎｏ．９００３−ＰＦＡ・ＨＧ（商品名、ニチアス株式会社製）
２．ＰＦＡディスパージョン
ＰＦＡディスパージョン  ９５１（三井・デユポンフロロケミカル社製、固形分濃度１０重量％、ＰＦＡ：平均粒径  ０．２μｍおよびＭＦＲ  ２g／１０分）
【００３９】
３．フッ素置換溶媒
（１）１，１，１，２，３，４，４，５，５，５−デカフルオロペンタン
バートレル（登録商標）ＸＦ（三井・デュポンフロロケミカル株式会社製、沸点５５℃、２５℃における表面張力１４．１ｍＮ／ｍ  ）
（２）メトキシパーフルオロヘプテン
バートレル（登録商標）スープリオンＴＭ（三井・デュポンフロロケミカル株式会社製、沸点１１０℃、２５℃における表面張力１６．４ｍＮ／ｍ）
（３）ノナフルオロブチルメチルエーテル
ノベック（登録商標）ＨＦＥ−７１００（スリーエムカンパニー製、沸点６１℃、２５℃における表面張力１３．６ｍＮ／ｍ）
（４）パーフルオロヘキサン
ＰＦ−５０６０（スリーエムカンパニー製、沸点５７℃、２５℃における表面張力１１．７ｍＮ／ｍ）
４．超純水
室温における電気抵抗率が１８ＭΩ以上、２５℃における表面張力７２ｍＮ／ｍ
【００４０】
（測定方法）
１．電気抵抗率（比抵抗値）
電気抵抗率とは、水中に１平方ｃｍの電極２枚を１ｃｍの距離に向かい合わせて通電した時の、２極間の電気抵抗を測定するものである。超純水の電気抵抗率は、メルク株式会社Synergy UV（超純水製造装置）に搭載されている比抵抗計を用いて測定した。なお、電気抵抗率は水温が変化すると変化するため、水温を測定して、水温２５℃での値に補償した。
２．ＭＦＲ
ＡＳＴＭ  Ｄ−１２３８−９５に準拠し、３７２±１℃の温度、５ｋｇの荷重（ピストン及び重り）で測定した。
３．粒径
試験に用いたPFA粒子の粒径は日機装株式会社製（型番：Microtrac UPA）を用いて室温にて５回測定し、メジアン径ｄ５０の平均値を粒径とした。
【００４１】
（実施例１〜４）
ＰＦＡチューブの重量をメトラー・トレド社製電子天秤（ＭＳ２０４Ｓ）を用いて測定後、該チューブに１００ｍｌ／ｍｉｎの一定流量で超純水を３分間流しチューブの前洗浄を行った。
前洗浄後のチューブの一方をシールテープで塞ぎ、ＰＦＡディスパージョン１ｍｌを注入した後、５０℃のオーブンエスペック株式会社製 ＰＨＨ−１０１中に、シールテープで塞いだ側を下に１５度傾けて置き、３時間乾燥した。その後、３０分かけて室温まで冷却し、０．２ＭＰａＧの圧縮空気によるエアブローを１分間行い、チューブ内表面にＰＦＡ粒子が付着し白濁していることを確認後、チューブの重量を測定し、ＰＦＡ粒子の付着量を算出した。
【００４２】
その後、該チューブに、１００ｍｌ／ｍｉｎの一定流量で、洗浄剤として表１に示すフッ素系溶媒を３分間流しチューブの洗浄を行った。洗浄後のチューブを５０℃のオーブンエスペック株式会社製  ＰＨＨ−１０１中に３時間静置し乾燥した後、チューブの重量を測定し、ＰＦＡ粒子の付着残量を算出した。結果を表１に示す。
【００４３】
（比較例１）
洗浄剤として、フッ素系溶媒に代えて、超純水を用いた以外は実施例１と同様にして、ＰＦＡ粒子の付着残量を算出した。結果を表１に示す。
【００４４】
【表１】
2015040279.tif 000002
【００４５】
実施例２におけるＰＦＡ粒子付着状態を図１に、フッ素系溶媒洗浄後のチューブの状態を図２に示す。
【００４６】
半導体製造装置に用いられるフッ素樹脂成形品の表面に付着したパーティクルを除去する洗浄剤として本発明のフッ素置換溶媒使用した場合、パーティクルの除去率が７５％以上という極めて顕著な効果が認められた。
本発明の洗浄方法に用いられる洗浄剤は、沸点も室温に比して比較的高いので、環境にやさしく、蒸発ロスが少ないという特徴を有するものである。
【産業上の利用可能性】
【００４７】
本発明により、洗浄剤自身が清浄であり、フッ素樹脂成形品に対する高い洗浄性を有し、環境負荷が少なく、かつ安全性、経済性に優れた洗浄方法で、半導体製造装置に用いられるフッ素樹脂成形品の表面に付着したパーティクルを除去することができる洗浄方法が提供される。
本発明により提供される洗浄方法は、半導体製造装置に用いられるフッ素樹脂成形品の表面に付着した粒径が３００ｎｍ以下のパーティクルを除去することができる洗浄方法である。
本発明により提供される洗浄方法は、半導体製造装置に用いられるフッ素樹脂成形品の表面に付着したパーティクルが、粒径が５０ｎｍ以下のパーティクルをも除去することができる洗浄方法である。
本発明により、半導体製造装置に用いられる液体移送用成形品または液体接触用成形品であるフッ素樹脂成形品の表面に付着した微細なパーティクルまでも除去することができる洗浄方法が提供されるので、フッ素樹脂成形品製液体移送用成形品または液体接触用成形品を用いた半導体製造装置によって、欠損発生を抑えて半導体デバイスの回路パターンを製造することが可能となる。
【図１】
2015040279.tif 000003
【図２】
2015040279.tif 000004