(57)【要約】【課題】視野角の低下防止を実現可能な有機エレクトロルミネッセンス表示装置の製造方法の実現を目的とする。【解決手段】本発明の有機エレクトロルミネッセンス表示装置１の製造方法は、複数の画素Ｐがマトリクス状に配置されたＴＦＴ基板１０と、前記ＴＦＴ基板上に形成された画素電極３２と、前記画素電極上に、隣接する前記画素同士の間を区分するように設けられた、前記画素電極の一部を露出させる画素分離膜１４と、露出した前記画素電極上を覆う発光層３３と、前記発光層上と前記画素分離膜上を覆う対向電極３４と、前記対向電極上において、露出した前記画素電極に対応する領域である凹領域と前記画素分離膜上の領域である凸領域とを覆う封止絶縁膜４０と、前記封止絶縁膜の前記凹領域を埋め込むように形成された着色膜Ｒ，Ｇ，Ｂと、を備えることを特徴とする。【選択図】図３
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の画素がマトリクス状に配置されたＴＦＴ基板と、
前記ＴＦＴ基板上に形成された画素電極と、
前記画素電極上に、隣接する前記画素同士の間を区分するように設けられた、前記画素電極の一部を露出させる画素分離膜と、
露出した前記画素電極上を覆う発光層と、
前記発光層上と前記画素分離膜上を覆う対向電極と、
前記対向電極上において、露出した前記画素電極に対応する領域である凹領域と前記画素分離膜上の領域である凸領域とを覆う封止絶縁膜と、
前記封止絶縁膜の前記凹領域を埋め込むように形成された着色膜と、
を備えることを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス表示装置。
【請求項２】
請求項１に記載の有機エレクトロルミネッセンス表示装置であって、
前記封止絶縁膜が無機材料からなることを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス表示装置。
【請求項３】
請求項１に記載の有機エレクトロルミネッセンス表示装置であって、
前記封止絶縁膜が有機材料からなる膜と無機材料からなる膜の多層構造であることを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス表示装置。
【請求項４】
複数の画素がマトリクス状に配置されたＴＦＴ基板上に画素電極を形成する工程と、
前記画素電極上に、前記画素電極の一部を露出するように、隣接する前記画素同士の間を区分する画素分離膜を形成する工程と、
露出した前記画素電極上を覆うように発光層を形成する工程と、
前記発光層上と前記画素分離膜上を覆うように対向電極を形成する工程と、
前記対向電極上に、露出した前記画素電極に対応する領域である凹領域と前記画素分離膜上の領域である凸領域とを覆うように封止絶縁膜を形成する工程と、
前記封止絶縁膜の前記凹領域を埋め込むように着色膜を形成する工程と、
を備えることを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス表示装置の製造方法。
【請求項５】
請求項４に記載の有機エレクトロルミネッセンス表示装置の製造方法であって、
前記着色膜を、印刷法により前記凹領域に埋め込むことを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス表示装置の製造方法。
【請求項６】
請求項５に記載の有機エレクトロルミネッセンス表示装置の製造方法であって、
前記印刷法が、フレキソ印刷法であることを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス表示装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は有機エレクトロルミネッセンス表示装置および有機エレクトロルミネッセンス表示装置の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
薄型で軽量な発光源として、有機エレクトロルミネッセンス発光（organic electro luminescent）素子が注目を集めており、多数の有機エレクトロルミネッセンス発光素子とカラーフィルタとを備える有機エレクトロルミネッセンス表示装置が開発されている。
【０００３】
このような有機エレクトロルミネッセンス発光素子としては、例えば特許文献１において、薄膜トランジスタが形成されたＴＦＴ基板上に、画素を区画するバンクと、各画素に形成された有機層と、複数の画素にわたって形成された陰極と、陰極上に、充填剤を介して配置された対向基板と、を有する構成が開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００８−２０７４６４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
近年の画素の微細化の要求に伴い、画素同士の距離の短縮化が求められている。しかし、画素同士の距離が短くなるほど、発光素子と対向基板との距離の影響を受けやすくなる。このため、特許文献１に記載のような、充填剤を介して対向基板を搭載する構成の場合は、隣接する画素への光漏れが生じやすくなる。
【０００６】
特に対向基板がカラーフィルタ基板である場合、発光素子から生じた光が、隣接する画素に対向するカラーフィルタに漏れるおそれがある。このため、カラーフィルタ基板を有する有機エレクトロルミネッセンス表示装置においては、高微細化に伴う視野角の低下を防ぐことは困難であった。
【０００７】
本発明は、このような事情に鑑みてなされたものであって、視野角の低下防止を実現可能な有機エレクトロルミネッセンス表示装置および有機エレクトロルミネッセンス表示装置の製造方法の実現を目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本出願において開示される発明のうち、代表的なものの概要を簡単に説明すれば、以下の通りである。
【０００９】
（１）本発明の有機エレクトロルミネッセンス表示装置は、複数の画素がマトリクス状に配置されたＴＦＴ基板と、前記ＴＦＴ基板上に形成された画素電極と、前記画素電極上に、隣接する前記画素同士の間を区分するように設けられた、前記画素電極の一部を露出させる画素分離膜と、露出した前記画素電極上を覆う発光層と、前記発光層上と前記画素分離膜上を覆う対向電極と、前記対向電極上において、露出した前記画素電極に対応する領域である凹領域と前記画素分離膜上の領域である凸領域とを覆う封止絶縁膜と、前記封止絶縁膜の前記凹領域を埋め込むように形成された着色膜と、を備えることを特徴とする。
【００１０】
（２）本発明の有機エレクトロルミネッセンス表示装置は、（１）において、前記封止絶縁膜が無機材料であってもよい。
【００１１】
（３）本発明の有機エレクトロルミネッセンス表示装置は、（１）において、前記封止絶縁膜が有機材料からなる膜と無機材料からなる膜の多層構造であってもよい。
【００１２】
（４）本発明の有機エレクトロルミネッセンス表示装置の製造方法は、複数の画素がマトリクス状に配置されたＴＦＴ基板上に画素電極を形成する工程と、前記画素電極上に、前記画素電極の一部を露出するように、隣接する前記画素同士の間を区分する画素分離膜を形成する工程と、露出した前記画素電極上を覆うように発光層を形成する工程と、前記発光層上と前記画素分離膜上を覆うように対向電極を形成する工程と、前記対向電極上に、露出した前記画素電極に対応する領域である凹領域と前記画素分離膜上の領域である凸領域とを覆うように封止絶縁膜を形成する工程と、前記封止絶縁膜の前記凹領域を埋め込むように着色膜を形成する工程と、
を備えることを特徴とする。
【００１３】
（５）本発明の有機エレクトロルミネッセンス表示装置の製造方法は、（４）において、前記着色膜を、印刷法により前記凹領域に埋め込んでもよい。
【００１４】
（６）本発明の有機エレクトロルミネッセンス表示装置の製造方法は、（５）において、前記印刷法が、フレキソ印刷法であってもよい。
【発明の効果】
【００１５】
本発明によれば、本構成を有さない有機エレクトロルミネッセンス表示装置と比べ、発光領域からの発光が画素分離膜に反射して隣接する画素に届くことが抑えられる。これにより、本発明の有機エレクトロルミネッセンス表示装置は、混色の抑制を実現することが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【００１６】
【図１】本発明の一実施形態に係る有機エレクトロルミネッセンス表示装置の概略平面図である。
【図２】図２は図１に示す有機エレクトロルミネッセンス表示装置のＩＩ−ＩＩ切断線における概略断面図である。
【図３】図３は図２に示す有機エレクトロルミネッセンス表示装置の製造方法を図２と同様の視野において示す概略断面図である。
【図４Ａ】図４Ａは図２に示す有機エレクトロルミネッセンス表示装置の製造方法を示す概略断面図である。
【図４Ｂ】図４Ｂは図２に示す有機エレクトロルミネッセンス表示装置の製造方法を示す概略断面図である。
【図４Ｃ】図４Ｃは図２に示す有機エレクトロルミネッセンス表示装置の製造方法を示す概略断面図である。
【図５】図５は図２に示す有機エレクトロルミネッセンス表示装置の製造方法を図４と同様の視野において示す概略断面図である。
【図６】図６は本実施形態に係る有機エレクトロルミネッセンス表示装置の製造方法の変形例を図４と同様の視野において示す部分拡大図である。
【発明を実施するための形態】
【００１７】
以下、本実施形態に係る有機エレクトロルミネッセンス表示装置について、有機エレクトロルミネッセンス表示装置１を例として図面に基づいて説明する。なお、以下の説明において参照する図面は、特徴をわかりやすくするために便宜上特徴となる部分を拡大して示している場合があり、各構成要素の寸法比率などは実際と同じであるとは限らない。また、以下の説明において例示される材料等は一例であって、各構成要素はそれらと異なっていてもよく、その要旨を変更しない範囲で変更して実施することが可能である。
【００１８】
図１は本発明の一実施形態に係る有機エレクトロルミネッセンス表示装置１の概略平面図であり、図２は図１に示す有機エレクトロルミネッセンス表示装置１のＩＩ−ＩＩ切断線における概略断面図である。なお、本実施形態においては説明の便宜上、各構成の位置関係をＹ軸（Ｙ１方向、Ｙ２方向）、Ｚ軸（Ｚ１方向、Ｚ２方向）の座標を用いて説明する。
【００１９】
図１に示す通り、有機エレクトロルミネッセンス表示装置１は、矩形の表示領域Ｄを有するＴＦＴ基板１０と、対向基板５０と、を有している。ＴＦＴ基板１０の平面視形状は対向基板５０の平面視形状よりも小さく、その一部（Ｙ２方向側の部分）の上面１０ａは、対向基板５０に覆われずに露出している。上面１０ａには、フレキシブル配線基板２やドライバＩＣ（Integrated Circuit）３が接続される。
【００２０】
次に、有機エレクトロルミネッセンス表示装置１の表示領域Ｄの構成について、その詳細を説明する。図２に示すように、表示領域ＤのＴＦＴ基板１０は、複数の画素Ｐがマトリクス状に配置されている。
【００２１】
ＴＦＴ基板１０は、絶縁基板８と、薄膜トランジスタ１１及び図示しない電気配線が形成された回路層１２と、平坦化膜１３と、を有している。また、ＴＦＴ基板１０上には、有機エレクトロルミネッセンス発光素子３０と、封止絶縁膜４０と、カラーフィルタＣＦと、保護膜４５と、対向基板５０とが設けられている。
【００２２】
回路層１２は、絶縁基板８上に形成された、有機エレクトロルミネッセンス発光素子３０を駆動するための層である。回路層１２は、薄膜トランジスタ１１、パッシベーション膜１１ｆ及び図示しない電気配線が形成されている。
【００２３】
薄膜トランジスタ１１は基板１０上に画素Ｐごとに設けられている。薄膜トランジスタ１１は、具体的には例えば、ポリシリコン半導体層１１ａ、ゲート絶縁層１１ｂ、ゲート電極１１ｃ、ソース・ドレイン電極１１ｄ、第１の絶縁膜１１ｅから構成されている。薄膜トランジスタ１１上は、薄膜トランジスタ１１を保護する絶縁膜であるパッシベーション膜１１ｆによって覆われている。
【００２４】
平坦化膜１３は回路層１２上を覆うように形成されている。平坦化膜１３は絶縁材料からなる層であり、回路層１２と有機エレクトロルミネッセンス発光素子３０の間に形成されることにより、隣接する薄膜トランジスタ１１間や、薄膜トランジスタ１１と有機エレクトロルミネッセンス発光素子３０の間が、電気的に絶縁される。平坦化膜１３は、例えばＳｉＯ２やＳｉＮ、アクリル、ポリイミド等の材料からなる。
【００２５】
平坦化膜１３上の各画素Ｐに対応する領域には、金属膜からなる図示しない反射膜が形成されていてもよい。反射膜が設けられることにより、有機エレクトロルミネッセンス発光素子３０から出射した光は対向基板５０側へ向けて反射される。
【００２６】
平坦化膜１３上（ＴＦＴ基板１０上）には、複数の有機エレクトロルミネッセンス発光素子３０が画素Ｐ毎に形成されている。有機エレクトロルミネッセンス発光素子３０は陽極（画素電極）３２と、少なくとも発光層を有する有機層３３と、有機層３３上を覆うように形成された陰極（対向電極）３４とを有している。これら画素電極３２と有機層３３と対向電極３４とが重なる領域は、発光領域Ｌとして機能する。
【００２７】
画素電極３２は、有機層３３に駆動電流を注入する電極である。画素電極３２はコンタクトホール３２ａに接続していることにより、薄膜トランジスタ１１に電気的に接続されて駆動電流を供給される。
【００２８】
画素電極３２は導電性を有する材料からなる。画素電極３２の材料は、具体的には例えば、ＩＴＯ（Indium Tin Oxide）であることが好ましいが、ＩＺＯ（インジウム亜鉛複合酸化物）、酸化錫、酸化亜鉛、酸化インジウム、酸化アルミニウム複合酸化物等の透光性及び導電性を有する材料でもよい。なお、反射膜が銀等の金属からなり、かつ、画素電極３２に接触するものであれば、画素電極３２は透光性を有していてもよい。このような構成の場合、反射膜は画素電極３２の一部となる。
【００２９】
各画素電極３２同士の間には、隣接する画素Ｐ同士の間を区分するように、画素Ｐ同士の境界Ｂに沿って画素分離膜１４が形成されている。画素分離膜１４は、隣接する画素電極３２同士の接触と、画素電極３２と対向電極３４の間の漏れ電流を防止する機能を有する。
【００３０】
本実施形態における画素分離膜１４は画素電極３２の外端３２ｂを覆い、対向基板５０側（図中のＺ１方向側）に突出している。これにより、画素分離膜１４の上面（Ｚ１方向側の面）と、画素電極３２の上面とで、凹凸形状の面が構成されている。
【００３１】
画素分離膜１４は、画素電極３２の外端３２ｂを覆い、画素電極３２の発光領域Ｌに対応する領域を露出している。画素分離膜１４は絶縁材料からなり、具体的には例えば、感光性の樹脂組成物からなる。
【００３２】
なお、本実施形態においては、露出した画素電極３２に対応する領域を凹領域Ｃとし、画素分離膜１４上の領域を凸領域Ｓとする。なお、凹領域Ｃは発光領域Ｌに対応する。
【００３３】
有機層３３は少なくとも発光層を有する、有機材料により形成された層である。有機層３３は、例えば、画素電極３２側から順に、図示しないホール注入層、ホール輸送層、発光層、電子輸送層、電子注入層が積層されてなる。なお、有機層３３の積層構造はここに挙げたものに限られず、少なくとも発光層を含むものであれば、その積層構造は特定されない。
【００３４】
有機層３３（発光層）は、露出した画素電極３２上（画素電極３２の、発光領域Ｌに対応する領域）及び画素分離膜１４上を覆うように形成されている。なお、本実施形態における発光層の発光色は白色であるが、その他の色であってもよい。
【００３５】
発光層は、例えば、正孔と電子とが結合することによって発光する有機エレクトロルミネッセンス物質から構成されている。このような有機エレクトロルミネッセンス物質としては例えば、一般に有機発光材料として用いられているものであってもよい。
【００３６】
対向電極３４は、有機層３３上（発光層上）と画素分離膜１４上を覆うように形成されている。本実施形態における対向電極３４は、画素Ｐ毎に独立しておらず、表示領域Ｄの画素Ｐの配置されている領域全面を覆うように形成される。このような構成を有することにより、対向電極３４は複数の有機エレクトロルミネッセンス発光素子３０の有機層３３に共通に接触する。
【００３７】
対向電極３４は透光性及び導電性を有する材料からなる。対向電極３４の材料は、具体的には例えば、ＩＴＯであることが好ましいが、ＩＴＯやＩｎＺｎＯ等の導電性金属酸化物に銀やマグネシウム等の金属を混入したもの、あるいは銀やマグネシウム等の金属薄膜と導電性金属酸化物を積層したものであってもよい。
【００３８】
対向電極３４の上面は、複数の画素Ｐにわたって封止絶縁膜４０により覆われている。表示領域Ｄに形成された封止絶縁膜４０のうち、凹領域Ｃを覆う部分の上面Ｃ１と、凸領域Ｓを覆う部分の上面Ｓ１は、画素分離膜１４の上面（Ｚ１方向側の面）と、画素電極３２の上面とが成す面の輪郭をなぞるように、凹凸形状の面を構成している。
【００３９】
封止絶縁膜４０は、有機層３３をはじめとする各層への酸素や水分の侵入を防ぐ膜である。封止絶縁膜４０の材料は、絶縁性を有する透明の材料であれば特に限定されない。なお、封止絶縁膜４０は無機材料からなるものであっても、有機材料からなるものであってもどちらでもよい。また、封止絶縁膜４０は、有機材料からなる膜と無機材料からなる膜の多層構造であってもよい。
【００４０】
封止絶縁膜４０上には、カラーフィルタＣＦが形成されている。本実施形態におけるカラーフィルタＣＦは、例えば赤、緑、青などの複数の色に着色された着色膜Ｒ，Ｇ，Ｂを有している。着色膜Ｒ，Ｇ，Ｂは、有機エレクトロルミネッセンス発光素子３０からの光を通す膜であり、例えば、顔料によって着色された樹脂からなる。
【００４１】
本実施形態における着色膜Ｒ，Ｇ，Ｂは、例えばフレキソ印刷法などの印刷法により、それぞれ凹領域Ｃの封止絶縁膜４０（上面Ｃ１）を埋め込むように形成されている。このため、着色膜Ｒ，Ｇ，Ｂはそれぞれ封止絶縁膜４０の各画素Ｐの上面Ｃ１に接触している。なお、着色膜Ｒ，Ｇ，Ｂは少なくとも上面Ｃ１の凹みを埋め込むように形成されていればよく、その一部が凸領域Ｓの上面Ｓ１に形成されていてもよい。
【００４２】
このような構成を有することにより、着色膜Ｒ，Ｇ，Ｂの上面ＣＦ１と、上面Ｓ１のうち着色膜Ｒ，Ｇ，Ｂから露出する面Ｓ２とが成す面は、上面Ｃ１と上面Ｓ１とが成す面の輪郭よりも平坦に近い形状となる。
【００４３】
カラーフィルタＣＦの上面は、例えば保護膜４５を介して対向基板５０によって覆われている。保護膜４５は、絶縁性を有する材料であれば、その材料は限定されない。保護膜４５としては、光硬化性の樹脂や、印刷法により配置された絶縁性のシートを用いることができる。なお、保護膜４５が対向基板５０としての機能を有するのであれば、保護膜４５上に配置する対向基板５０を省略することができる。
【００４４】
本実施形態における有機エレクトロルミネッセンス表示装置１は、着色膜Ｒ，Ｇ，Ｂが、凹領域Ｃを埋め込むように形成されているため、有機エレクトロルミネッセンス発光素子３０の発光領域Ｌ上に封止絶縁膜４０のみを介して配置される。このため、従来の構成の有機エレクトロルミネッセンス表示装置と比べ、発光領域ＬとカラーフィルタＣＦの着色膜Ｒ，Ｇ，Ｂとの間の距離が小さくなる。
【００４５】
このため、本実施形態における有機エレクトロルミネッセンス表示装置１においては、有機エレクトロルミネッセンス発光素子３０から生じた光が隣接する画素Ｐへ漏れることが防がれる。このため、有機エレクトロルミネッセンス表示装置１の高微細化と視野角の低下を実現することができる。
【００４６】
また、本実施形態における有機エレクトロルミネッセンス表示装置１は、本構成を有さない有機エレクトロルミネッセンス表示装置と比べて着色膜Ｒ，Ｇ，Ｂの上面ＣＦ１と、上面Ｓ１のうち着色膜Ｒ，Ｇ，Ｂから露出する面Ｓ２とが成す面は、上面Ｃ１と上面Ｓ１とが成す面の輪郭よりも平坦に近い形状となるため、カラーフィルタＣＦ上を覆う保護膜４５の厚みを薄くすることができる。
【００４７】
また、保護膜４５が対向基板としての機能を有するのであれば、保護膜４５上に配置する対向基板５０を省略することができるため、有機エレクトロルミネッセンス表示装置１の薄型化を実現することができる。
【００４８】
また、本実施形態における有機エレクトロルミネッセンス表示装置１は、封止絶縁膜４０が無機材料からなることにより、上面Ｃ１と上面Ｓ１が成す面を微細な形状とすることができる。このため、上面Ｃ１に埋め込まれる着色膜Ｒ，Ｇ，Ｂの形状も微細となり、有機エレクトロルミネッセンス表示装置１の高微細化を実現することができる。
【００４９】
また、本実施形態における有機エレクトロルミネッセンス表示装置１は、保護膜４５が有機材料からなる膜と無機材料からなる膜の多層構造であることにより、上面Ｃ１と上面Ｓ１が成す面の形状や、上面Ｃ１と上面Ｓ１のＴＦＴ基板１０からの高低差を調整することができる。このため、有機エレクトロルミネッセンス表示装置１の高微細化を実現することができる。
【００５０】
次いで、本発明の一実施形態に係る有機エレクトロルミネッセンス表示装置１の製造方法について図を用いて説明する。図３は図２に示す有機エレクトロルミネッセンス表示装置１の製造方法を図２と同様の視野において示す概略断面図であり、図４Ａ、４Ｂ、４Ｃは図２に示す有機エレクトロルミネッセンス表示装置１の製造方法を示す概略断面図であり、図５は図２に示す有機エレクトロルミネッセンス表示装置１の製造方法を図４と同様の視野において示す概略断面図である。
【００５１】
有機エレクトロルミネッセンス表示装置１の製造方法は、ＴＦＴ基板１０を用意する工程と、ＴＦＴ基板１０上に有機エレクトロルミネッセンス発光素子３０を形成する工程と、封止絶縁膜４０を形成する工程と、着色膜Ｒ，Ｇ，Ｂを形成する工程と、保護膜４５を形成する工程と、を有している。以下、これら各工程について詳細を説明する。
【００５２】
まず、複数の画素Ｐがマトリクス状に配置されたＴＦＴ基板１０を用意する。なお、ＴＦＴ基板１０の構成は先述したとおりであり、その構成や製造方法については詳細な説明を省略する。
【００５３】
次いで、ＴＦＴ基板１０上に有機エレクトロルミネッセンス発光素子３０を形成する。有機エレクトロルミネッセンス発光素子３０を形成する工程は、画素電極３２を形成する工程と、画素分離膜１４を形成する工程と、発光層（有機層３３）を形成する工程と、対向電極３４を形成する工程と、を有している。
【００５４】
まず、ＴＦＴ基板１０上（平坦化膜１３上）に画素電極３２を形成する。次いで、画素電極３２上に、画素電極３２の一部（発光領域Ｌに対応する部分）を露出するように、隣接する画素Ｐ同士の間を区分する画素分離膜１４を、対向基板５０側（図中のＺ１方向側）に突出するように形成する。
【００５５】
画素分離膜１４は絶縁材料であればよく、たとえば感光の樹脂組成物を用いることができる。これにより、画素分離膜１４の上面（Ｚ１方向側の面）と、画素電極３２の上面とで、凹凸形状の面が構成される。なお、本実施形態においては、露出した画素電極３２に対応する領域を凹領域Ｃとし、画素分離膜１４上の領域を凸領域Ｓとする。
【００５６】
次いで、露出した画素電極３２上（発光領域Ｌにおける画素電極３２の上面）を覆うように発光層（有機層３３）を形成し、次いで、発光層上（有機層３３上）と画素分離膜１４上を覆うように対向電極３４を形成する。これにより、対向電極３４は複数の有機エレクトロルミネッセンス発光素子３０の有機層３３に共通に接触する。
【００５７】
次いで、凹領域Ｃと凸領域Ｓとを覆うように、対向電極３４上に封止絶縁膜４０を形成する。これにより、封止絶縁膜４０は、画素分離膜１４の上面（Ｚ１方向側の面）と、画素電極３２の上面とが成す面の輪郭をなぞるように形成される。以下、封止絶縁膜４０の上面のうち、凹領域Ｃを覆う部分を上面Ｃ１とし、凸領域Ｓを覆う部分を上面Ｓ１とする。
【００５８】
なお、封止絶縁膜４０は無機材料からなるものであっても、有機材料からなるものであってもどちらでもよい。また、封止絶縁膜４０は、有機材料からなる膜と無機材料からなる膜の多層構造であってもよい。
【００５９】
次いで、封止絶縁膜４０が形成されたＴＦＴ基板１０を、基板設置ベース１００上に配置する。次いで、図３に示すように、封止絶縁膜４０の凹領域Ｃ（上面Ｃ１）を埋め込むように着色膜Ｒ，Ｇ，Ｂを形成する。着色膜Ｒ，Ｇ，Ｂを形成する方法は、周知の方法を用いることができるが、印刷法、特にフレキソ印刷法を用いることが好ましい。
【００６０】
本実施形態における有機エレクトロルミネッセンス表示装置１の製造方法においては、着色膜Ｒ，Ｇ，Ｂを形成する方法として印刷法を用いることにより、従来の有機エレクトロルミネッセンス表示装置の製造方法と比べて着色膜Ｒ，Ｇ，Ｂ（カラーフィルタＣＦ）の形成工程を簡略化することができる。
【００６１】
フレキソ印刷法により着色膜Ｒ，Ｇ，Ｂを形成する場合は、図３に示されるように、フレキソ刷版２１２の表面の、凹領域Ｃ（上面Ｃ１）に対応する位置に着色膜Ｒ，Ｇ，Ｂ材料（液状化した樹脂）を付着させる。そしてフレキソ刷版２１２を封止絶縁膜４０の上面に押し付けて回転させることにより、着色膜Ｒ，Ｇ，Ｂの材料が上面Ｃ１を埋め込むように転写される。その後、着色膜Ｒ，Ｇ，Ｂの材料を硬化することにより、上面Ｃ１を埋め込む着色膜Ｒ，Ｇ，Ｂが形成される。
【００６２】
以下、フレキソ印刷法により、３種類の着色膜Ｒ，Ｇ，Ｂを形成する方法の例について図４Ａ，Ｂ，Ｃを用いて説明する。なお、図４Ａ，Ｂ，Ｃにおいては、説明の便宜上、ＴＦＴ基板１０、有機エレクトロルミネッセンス発光素子３０及び封止絶縁膜４０の構成を簡略化している。
【００６３】
図４Ａに示すフレキソ印刷機２００は、例えば、インキタンク２０２と、インキチャンバー２０４と、アニロックスロール２０６と、フレキソ刷版２１２が取り付けられた版胴２１０と、を有している。インキタンク２０２には、着色膜Ｒ，Ｇ，Ｂ形成用の着色された液状化樹脂が収容されており、インキチャンバー２０４には、インキタンク２０２より液状化樹脂が送り込まれるようになっている。
【００６４】
また、アニロックスロール２０６は、インキチャンバー２０４のインキ供給部およびフレキソ刷版２１２に接して回転するように構成されている。ＴＦＴ基板１０は摺動可能な基板設置ベース１００上に固定されており、印刷開始位置（図中のＹ１側）から印刷終了位置（図中のＹ２側）へ向けて、位置を調整されながら移動する。
【００６５】
これにより、封止絶縁膜４０の凹領域Ｃ（上面Ｃ１）は、フレキソ刷版２１２に接しながら移動する。そして、アニロックスロール２０６の回転にともない、インキチャンバー２０４から供給された液状化樹脂はアニロックスロール２０６の表面に均一に保持されたあと、凹領域Ｃ（上面Ｃ１）に均一な膜厚で転移される。
【００６６】
このようにして、まず、図４Ａに示すように、第１の着色膜Ｒの材料である液状化樹脂を、所定の箇所の凹領域Ｃ（上面Ｃ１）に印刷する。なお、液状化樹脂（着色膜Ｒ）の厚みは、凹領域Ｃの深さ（凹領域Ｃと凸領域Ｓとの、ＴＦＴ基板１０の上面からの高低差）に応じて適宜設定すればよい。
【００６７】
同様にして、図４Ｂに示すように、第２の着色膜Ｇの材料である液状化樹脂を所定の箇所の凹領域Ｃ（上面Ｃ１）を埋め込むように印刷し、次いで、図４Ｃに示すように、第３の着色膜Ｂの材料である液状化樹脂を所定の箇所に印刷する。その後、これらの液状化樹脂を硬化することにより、封止絶縁膜４０の上面Ｃ１を埋め込む着色膜Ｒ，Ｇ，Ｂが形成される。
【００６８】
なお、本実施形態においては、３種類の着色膜Ｒ，Ｇ，Ｂを形成する方法を例として説明したが、着色膜の種類はＲ、Ｇ、Ｂの三色に限られず、単色であってもよい。また、図４Ａ乃至４Ｃに示したように、異なる色ごとに着色膜の材料を印刷してもよいが、複数種類の色の着色膜を同時に印刷してもよい。
【００６９】
この後、カラーフィルタＣＦの上面を覆うように、絶縁性を有する保護膜４５を形成する。保護膜４５の形成する方法としては例えば、図５に示すように印刷法を用いることができる。また、保護膜４５の形成方法は印刷法に限られず、例えばシート状の保護膜４５を、カラーフィルタＣＦの上面を覆うように配置してもよい。
【００７０】
その後、保護膜４５上に対向基板５０を配置する。以上により、図２に示す有機エレクトロルミネッセンス表示装置１が製造される。
【００７１】
本実施形態における有機エレクトロルミネッセンス表示装置１の製造方法においては、封止絶縁膜４０のみを介して封止絶縁膜４０の凹領域Ｃ（上面Ｃ１）に着色膜Ｒ，Ｇ，Ｂ（カラーフィルタＣＦ）を埋め込むことにより、従来の有機エレクトロルミネッセンス表示装置の製造方法と比べ、有機エレクトロルミネッセンス発光素子３０の発光領域ＬとカラーフィルタＣＦとの間の距離を小さくすることができる。
【００７２】
このため、有機エレクトロルミネッセンス発光素子３０から生じた光が隣接する画素Ｐへ漏れることが抑止された、高微細化と視野角低下を実現する有機エレクトロルミネッセンス表示装置１を製造することができる。
【００７３】
また、本実施形態においては、封止絶縁膜４０の凹領域Ｃ（上面Ｃ１）に着色膜Ｒ，Ｇ，Ｂ（カラーフィルタＣＦ）を埋め込むことにより、図２に示すように、着色膜Ｒ，Ｇ，Ｂの上面ＣＦ１と、上面Ｓ１のうち着色膜Ｒ，Ｇ，Ｂから露出する面Ｓ２とが成す面を、上面Ｃ１と上面Ｓ１とが成す面の輪郭よりも平坦に近い形状とすることができる。このため、本実施形態においては、カラーフィルタＣＦ上を覆う保護膜４５の厚みを薄くすることができ、薄型の有機エレクトロルミネッセンス表示装置１を製造することができる。
【００７４】
また、本実施形態における有機エレクトロルミネッセンス表示装置１の製造方法においては、着色膜Ｒ，Ｇ，Ｂを形成する方法としてフレキソ印刷法を用いることにより、従来の有機エレクトロルミネッセンス表示装置の製造方法と比べて着色膜Ｒ，Ｇ，Ｂ（カラーフィルタＣＦ）の形成工程を簡略化することができる。
【００７５】
また、フレキソ印刷法を用いることにより、微細な画素Ｐに着色膜Ｒ，Ｇ，Ｂを埋め込むことができるため、高精細なカラーフィルタＣＦを形成することができる。このため、高精細な有機エレクトロルミネッセンス表示装置１を製造することができる。
【００７６】
また、フレキソ印刷法を用いることにより、図２に示すように、着色膜Ｒ，Ｇ，Ｂの上面ＣＦ１と、上面Ｓ１のうち着色膜Ｒ，Ｇ，Ｂから露出する面Ｓ２とが成す面を、上面Ｃ１と上面Ｓ１とが成す面の輪郭よりも平坦に近い形状とすることができる。
【００７７】
なお、本実施形態における有機エレクトロルミネッセンス表示装置１の製造方法は上述したものに限られず、その他の方法を用いてもよい。図６は本実施形態に係る有機エレクトロルミネッセンス表示装置１の製造方法の変形例を図４と同様の視野において示す部分拡大図である。なお、図６においては、説明の便宜上、有機エレクトロルミネッセンス発光素子３０と封止絶縁膜４０の記載を省略する。
【００７８】
例えば、図６に示す例のように、ＴＦＴ基板１０の、表示領域Ｄに対応する領域に、光硬化性の樹脂を配置することにより、対向基板としての機能を有する保護膜４５を形成してもよい。
【００７９】
具体的には、ＴＦＴ基板１０（母基板１１０）の表示領域Ｄに塗布した樹脂にＵＶ光を照射することで、このような保護膜４５を形成することができる。本実施形態においては、発光領域Ｌの上方（図中のＺ１方向）を覆うように着色膜（カラーフィルタＣＦ）が形成されているため、このようにＵＶ光を照射する方法であっても、ＵＶ光の照射による有機層３３の劣化を抑えることができる。
【００８０】
本実施形態においては、このように、対向基板としての機能を有する保護膜４５を製造することにより、保護膜４５上に配置する対向基板５０を省略することができる。このため、より薄型の有機エレクトロルミネッセンス表示装置１を製造することができる。
【００８１】
また、保護膜４５上に対向基板を貼り合せる工程や、その後、個片化する必要がないため、対向基板とＴＦＴ基板１０との間への異物の挟み込みが抑制される。このため、信頼性の高い有機エレクトロルミネッセンス表示装置１を製造することができる。
【００８２】
以上、本発明の実施形態を説明してきたが、本発明は、上述した実施形態には限られない。例えば、上述した実施形態で説明した構成は、実質的に同一の構成、同一の作用効果を奏する構成、又は同一の目的を達成することができる構成により置き換えてもよい。
【符号の説明】
【００８３】
１  有機エレクトロルミネッセンス表示装置、２  フレキシブル回路基板、３  ドライバＩＣ、１０  ＴＦＴ基板、１０ａ  上面、１１  薄膜トランジスタ、１２  回路層、１３  平坦化膜、１４  画素分離膜、３０  有機エレクトロルミネッセンス発光素子、３２  画素電極、３２ａ  コンタクトホール、３３  有機層、３４  対向電極、４０  封止絶縁膜、４５  保護膜、５０  対向基板、Ｂ  境界、Ｃ  凹領域、Ｃ１  上面、ＣＦ  カラーフィルタ、ＣＦ１  上面、Ｄ  表示領域、Ｅ  非表示領域、Ｌ  発光領域、Ｐ  画素、Ｓ  凸領域、Ｓ１  上面、Ｓ２  面、Ｒ，Ｇ，Ｂ  着色膜。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４Ａ】
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【図４Ｂ】
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【図４Ｃ】
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【図５】
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【図６】
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