(57)【要約】      （修正有）【課題】室温かつ低磁界で所望の電気磁気効果を発現させることができる酸化物セラミックス、及びこの酸化物セラミックスを使用したセラミック電子部品を実現する。【解決手段】酸化物セラミックスは、一般式［Ｓｒ2-xＢａｘＣｏＺｎＦｅ12-y-zＡｌｙＯ22＋ｎＺｒＯ２］（ただし、０．９≦ｘ≦１．１、０．８≦ｙ≦１．２）で表される。主成分１モルに対するＺｒＯ２の含有モル比ｎとＦｅサイトの欠損モル比ｚとの関係、すなわち（ｎ，ｚ）は、座標軸上でＡ（０．０５，０．０５）、Ｂ（０．１，０．０５）、Ｃ（０．４，０．３５）、Ｄ（０．４，０．４）、Ｅ（０．２，０．４）、Ｆ（０．０５，０．１）で囲まれる領域にある。セラミック電子部品は、部品素体が、この酸化物セラミックスで形成されている。【選択図】図１
2015040152.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
主成分が、少なくともＳｒ、Ｂａ、Ｃｏ、Ｚｎ、及びＦｅを含有した六方晶Ｙ型結晶構造を有すると共に、前記主成分１モルに対しｎモルのＺｒが含有され、
前記Ｂａは、該Ｂａの含有量をｘ／２としたときに、ｘが０．９〜１．１となるように、前記Ｓｒの一部を置換する形態で含有されると共に、
少なくともＡｌが、該Ａｌの含有量をモル比換算でｙ／１２としたときに、ｙは０．８〜１．２の範囲となるように、Ｆｅサイトに含有される前記Ｆｅの一部を置換する形態で含有され、
かつ、前記Ｆｅサイトの化学量論組成に対する欠損量をモル比換算でｚ／１２としたときに、（ｎ，ｚ）が、座標軸上でＡ（０．０５，０．０５）、Ｂ（０．１，０．０５）、Ｃ（０．４，０．３５）、Ｄ（０．４，０．４）、Ｅ（０．２，０．４）、Ｆ（０．０５，０．１）で囲まれる領域にあることを特徴とする酸化物セラミックス。
【請求項２】
一般式［Ｓｒ2-xＢａｘＣｏＺｎＦｅ12-y-zＡｌｙＯ22＋ｎＺｒＯ２］（ただし、０．９≦ｘ≦１．１、０．８≦ｙ≦１．２）で表されることを特徴とする請求項１記載の酸化物セラミックス。
【請求項３】
部品素体の表面に外部電極が形成されたセラミック電子部品であって、
前記部品素体が、請求項１又は請求項２記載の酸化物セラミックスで形成されていることを特徴とするセラミック電子部品。
【請求項４】
コイルが、前記部品素体の透磁率に応じたインダクタンスを有するように配されていることを特徴とする請求項３記載のセラミック電子部品。
【請求項５】
内部電極が、前記部品素体に埋設されていることを特徴とする請求項３又は請求項４記載のセラミック電子部品。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、酸化物セラミックス、及びセラミック電子部品に関し、より詳しくは電気磁気効果を示す強磁性誘電体材料で形成された酸化物セラミックス、及びこの酸化物セラミックスを使用した可変インダクタ等のセラミック電子部品に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、強磁性と強誘電性とが共存して複合的な作用を奏する強磁性誘電体（マルチフェロイックス（Multiferroics））材料が注目され、盛んに研究・開発されている。
【０００３】
この強磁性誘電体材料は、磁界を作用させると螺旋型の磁気秩序を誘起させて強誘電性を発現し、電気分極を生じさせたり、電気分極や誘電率が変化し、電界を作用させると磁化が生じたり、磁化が変化するいわゆる電気磁気効果を示すことが知られている。
【０００４】
強磁性誘電体材料は、上述した電気磁気効果により、電界による磁化の変化や磁界による電気分極の変化を生じさせることができることから、例えば、電界の印加によって磁化が変化する可変インダクタや記憶媒体の書き込みヘッド用の可変磁化デバイス、或いは磁気を検出する磁気センサ、更には不揮発性メモリ等の各種セラミック電子部品への応用が期待されている。
【０００５】
そして、例えば、特許文献１には、強誘電性と、スピンの向きが円錐（円錐の頂点の開き角度αは０度＜α≦９０度の範囲）の外側を沿うように回転しているスピン構造を有する強磁性を合わせ持つマルチフェロイック固体材料に、外部磁場を印加することにより、前記外部磁場とほぼ直交した電気分極の向きを制御するようにしたマルチフェロイック素子が提案されている。
【０００６】
この特許文献１では、強磁性誘電体材料（マルチフェロイック材料）としてＣｏＣｒ２Ｏ４（Ｍ＝Ｍｎ，Ｆｅ，Ｃｏ，Ｎｉ）を使用することにより、２６Ｋ付近の極低温領域で磁界の作用によって電気分極を生じさせることができ、５Ｋ付近で２μＣ／ｍ２の電気分極を得ている。
【０００７】
また、特許文献２には、酸化鉄を主原料として含む強誘電性と強磁性を併せもつマルチフェロイック固体材料で、３００ガウス以下の弱い外部磁場により電流を誘起させるようにしたマルチフェロイック素子が提案されている。
【０００８】
この特許文献２では、強磁性誘電体材料として、Ｂａ２Ｍｇ２Ｆｅ12Ｏ22のフェライト化合物を使用し、３００Ｇ（０．０３Ｔ）の低磁界を作用させた場合に、−２６８℃（５Ｋ）で交流磁場印加に相応して電流が流れ、電気分極も正負が交互に発生していることが記載されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００９】
【特許文献１】国際公開２００７／１３５８１７（請求項１、３、段落番号〔００３１〕、図７等）
【特許文献２】特開２００９−２２４５６３号（請求項１、３、段落番号〔００３２〕、図７等）
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１０】
ところで、強磁性誘電体材料を可変インダクタや不揮発性メモリ等の各種電子部品に応用するためには、室温で電気磁気効果を発現させる必要がある。
【００１１】
しかしながら、上記特許文献１及び２では、室温よりも遥かに低い低温域でのみ電気磁気効果が発現されており、室温で発現させることができないため、電気磁気効果を利用した各種セラミック電子部品の実用化については、未だ実現できていない状況にある。
【００１２】
本発明はこのような事情に鑑みなされたものであって、室温かつ低磁界で所望の電気磁気効果を発現させることができる酸化物セラミックス、及びこの酸化物セラミックスを使用したセラミック電子部品を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１３】
一般式Ａ２Ｍ２Ｆｅ12Ｏ22（ＡはＢａ、Ｓｒ、ＭはＣｏ、Ｚｎ）で表される六方晶Ｙ型結晶構造の酸化物セラミックスは、低磁界での電気分極の生成及び制御が可能であり、しかも、強誘電性の発現が可能な螺旋型の磁気秩序を比較的高温まで安定的に維持できることから、改良を加えることによって室温での電気磁気効果の発現が可能であると考えられる。
【００１４】
本発明者らは、斯かる観点から六方晶Ｙ型結晶構造を主成分とする酸化物セラミックスについて試行錯誤を繰り返し、鋭意研究を行ったところ、ＢａとＳｒとの配合比率を所定範囲に調整しつつ、Ｆｅの一部と置換するような形態でＡｌを所定範囲内で含有させ、かつＺｒを存在形態に依存することなく所定範囲で含有させることにより、絶縁性を大幅に改善することができ、室温かつ低磁界で電気分極を誘起できる強磁性誘電体を得ることができるという知見を得た。
【００１５】
本発明はこのような知見に基づきなされたものであって、本発明に係る酸化物セラミックスは、主成分が、少なくともＳｒ、Ｂａ、Ｃｏ、Ｚｎ、及びＦｅを含有した六方晶Ｙ型結晶構造を有すると共に、前記主成分１モルに対しｎモルのＺｒが含有され、前記Ｂａは、該Ｂａの含有量をＳｒとＢａの総量に対する含有モル比（Ｂａ／（Ｓｒ＋Ｂａ））ｘ／２で表わしたとき、ｘが０．９〜１．１となるように、前記Ｓｒの一部を置換する形態で含有されると共に、少なくともＡｌが、該Ａｌの含有量をＡｌとＦｅ、Ｆｅ欠損量の総量に対する含有モル比（Ａｌ／（Ａｌ＋Ｆｅ＋Ｆｅ欠損）換算でｙ／１２としたときに、ｙは０．８〜１．２の範囲となるように、Ｆｅサイトに含有される前記Ｆｅの一部を置換する形態で含有され、かつ、前記Ｆｅサイトの化学量論組成に対する欠損量をモル比換算でｚ／１２としたときに、（ｎ，ｚ）が、座標軸上でＡ（０．０５，０．０５）、Ｂ（０．１，０．０５）、Ｃ（０．４，０．３５）、Ｄ（０．４，０．４）、Ｅ（０．２，０．４）、Ｆ（０．０５，０．１）で囲まれる領域にあることを特徴としている。
【００１６】
また、本発明の酸化物セラミックスは、一般式［Ｓｒ2-xＢａｘＣｏＺｎＦｅ12-y-zＡｌｙＯ22＋ｎＺｒＯ２］（ただし、０．９≦ｘ≦１．１、０．８≦ｙ≦１．２）で表されるのが好ましい。
【００１７】
また、本発明に係るセラミック電子部品は、部品素体の表面に外部電極が形成されたセラミック電子部品であって、前記部品素体が、上記酸化物セラミックスで形成されていることを特徴としている。
【００１８】
また、本発明のセラミック電子部品は、コイルが、前記部品素体の透磁率に応じたインダクタンスを有するように配されているのが好ましい。
【００１９】
これにより強磁性誘電特性を活用した可変インダクタ等の各種セラミック電子部品を容易に得ることができる。
【００２０】
さらに、本発明のセラミック電子部品は、内部電極が、前記部品素体に埋設されているのも好ましい。
【発明の効果】
【００２１】
本発明の酸化物セラミックスによれば、主成分が、少なくともＳｒ、Ｂａ、Ｃｏ、Ｚｎ、及びＦｅを含有した六方晶Ｙ型結晶構造を有すると共に、前記主成分１モルに対しｎモルのＺｒが含有され、前記Ｂａは、該Ｂａの含有量をｘ／２としたときに、ｘが０．９〜１．１となるように、前記Ｓｒの一部を置換する形態で含有されると共に、少なくともＡｌが、該Ａｌの含有量をモル比換算でｙ／１２としたときに、ｙは０．８〜１．２の範囲となるように、Ｆｅサイトに含有される前記Ｆｅの一部を置換する形態で含有され、かつ、前記Ｆｅサイトの化学量論組成に対する欠損量をモル比換算でｚ／１２としたときに、（ｎ，ｚ）が、座標軸上でＡ（０．０５，０．０５）、Ｂ（０．１，０．０５）、Ｃ（０．４，０．３５）、Ｄ（０．４，０．４）、Ｅ（０．２，０．４）、Ｆ（０．０５，０．１）で囲まれる領域にあるので、絶縁性を大幅に改善することができる上に、室温かつ低磁界で大きな電気磁気効果を発現でき、所望の電気分極が生成可能な強磁性誘電体を得ることができる。
【００２２】
また、本発明のセラミック電子部品によれば、部品素体の表面に外部電極が形成されたセラミック電子部品であって、前記部品素体が、上記いずれかに記載の酸化物セラミックスで形成されるので、良好な絶縁性を有し、室温かつ低磁界で大きな電気磁気効果を発現できる可変インダクタ等の各種セラミック電子部品を実現することができる。
【００２３】
またさらに本発明の酸化物セラミックスでは磁界により電気分極が反転する特徴を有し、その性質のため電気磁気結合係数αがゼロ磁場近傍で極大値をとり、バイアス磁界を必要としない、もしくは小さなバイアス磁界により大きな電気磁気効果を得ることが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【００２４】
【図１】本発明に係る酸化物セラミックスのＺｒＯ２の含有モル比ｎとＦｅサイトの欠損モル比ｚとの関係を示す図である。
【図２】本発明に係る酸化物セラミックスを使用して形成されたセラミック電子部品の一実施の形態を示す正面図である。
【図３】図１の断面図である。
【図４】実施例１において、ＺｒＯ２の含有モル比ｎと比抵抗ρとの関係を示した図である。
【図５】実施例１で使用した物理特性評価装置の一構成例を模式的に示した斜視図である。
【図６】実施例１で使用した特理特性評価装置の他の構成例を模式的に示した斜視図である。
【図７】実施例１において、ＺｒＯ２の含有モル比ｎとＦｅサイトの欠損モル比ｚとの関係をプロットした図である。
【図８】実施例１における試料番号１９の電流密度特性を示す図である。
【図９】実施例１における試料番号１９の電気分極特性を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００２５】
次に、本発明の実施の形態を詳説する。
【００２６】
本発明の一実施の形態としての酸化物セラミックスは、主成分が、少なくともＳｒ、Ｂａ、Ｃｏ、Ｚｎ、及びＦｅを含有した六方晶Ｙ型結晶構造を有すると共に、前記主成分１モルに対しｎモルのＺｒが含有され、前記Ｂａは、該Ｂａの含有量をＳｒとＢａの総量に対する含有モル比（Ｂａ／（Ｓｒ＋Ｂａ））ｘ／２であらわした時、ｘが０．９〜１．１となるように、前記Ｓｒの一部を置換する形態で含有されると共に、少なくともＡｌが、該Ａｌの含有量をＡｌとＦｅ、Ｆｅ欠損量の総量に対する含有モル比（Ａｌ／（Ａｌ＋Ｆｅ＋Ｆｅ欠損）換算でｙ／１２としたときに、ｙは０．８〜１．２の範囲となるように、Ｆｅサイトに含有される前記Ｆｅの一部を置換する形態で含有されている。
【００２７】
そして、Ｆｅサイトの化学量論組成に対する欠損量をモル比換算でｚ／１２としたときに、（ｎ，ｚ）が、図１に示す点Ａ〜点Ｆで囲まれる領域Ｘの範囲内とされている。
【００２８】
ここで、点Ａ〜点Ｆの各点（ｎ，ｚ）は、以下の値を示している。
【００２９】
Ａ（０．０５，０．０５）、Ｂ（０．１，０．０５）、Ｃ（０．４，０．３５）、Ｄ（０．４，０．４）、Ｅ（０．２，０．４）、Ｆ（０．０５，０．１）
すなわち、本酸化物セラミックスは、六方晶Ｙ型結晶構造を有するＳｒＢａＣｏＺｎＦｅ12Ｏ22｛（Ｓｒ，Ｂａ）Ｏ２・（Ｃｏ,Ｚｎ）Ｏ２・（Ｆｅ２Ｏ３）６｝系化合物を主成分とし、下記一般式（Ａ）で表すことができる。
【００３０】
Ｓｒ2-xＢａｘＣｏＺｎＦｅ12-ｙ-zＡｌｙＯ22＋ｎＺｒＯ２  …（Ａ）
【００３１】
ここで、（Ｓｒ，Ｂａ）サイト中のＳｒ及びＢａの総量に対するＢａの含有モル比（以下、「Ｂａの置換モル比」という）ｘ／２のｘ、及びＦｅサイト中のＦｅ、Ａｌ及び欠損モル比ｚの総量に対するＡｌの含有モル比（以下、「Ａｌの置換モル比」という。）ｙ／１２のｙは数式（１）、（２）を満足している。そして、主成分１モルに対するＺｒＯ２のモル比ｎとＦｅサイトの化学量論組成からの欠損モル比ｚとの関係を示す（ｎ，ｚ）が、図１の斜線部で示す領域Ｘ内となるように配合されている。
【００３２】
０．９≦ｘ≦１．１  …（１）
０．８≦ｙ≦１．２  …（２）
【００３３】
このように本酸化物セラミックスは、一般式（Ａ）が数式（１）、（２）を満足し、（ｎ，ｚ）が図１の領域Ｘ内であるので、良好な絶縁性を有し、室温かつ低磁界で大きな電気分極を得ることができ、所望の電気磁気効果を発現することが可能となる。
【００３４】
すなわち、本発明者らは、ＳｒＢａＣｏＺｎＦｅ12Ｏ22を主成分とする六方晶Ｙ型結晶構造のフェライト化合物を使用して鋭意研究を行なったところ、Ｂａの置換モル比ｘ／２のｘ及びＡｌの置換モル比ｙ／１２のｙを、数式（１）、（２）で示す所定範囲となるように配合し、さらにＺｒを、主成分１モルに対し所定範囲となるように含有させることにより、絶縁性を飛躍的に向上させることができ、これにより室温かつ低磁界で電気分極を誘起でき、室温かつ低磁界で電気磁気効果を発現できる強磁性誘電体を得ることができることが分かった。
【００３５】
この場合、Ｚｒは、ＺｒＯ２の含有モル比ｎと欠損モル比ｚ／１２（主成分１に対するＦｅの欠損モル量）のｚとの関係が、図１の領域Ｘ内となるように、主成分１モルに対し含有していればよく、例えば、欠損モル比ｚ／１２のｚに相当する量のＺｒを含有させてもよく、欠損モル比ｚ／１２のｚを上回るＺｒを含有させてもよい。また、結晶格子に欠損部分が形成されるようにＦｅサイトの欠損モル比ｚ／１２のｚを下回るＺｒを含有させてもよい。
【００３６】
そして、これにより絶縁性が飛躍的に向上するが、その理由は以下のように考えられる。
【００３７】
すなわち、図１の領域Ｘ内で、主成分１モルに対しｎモルの割合で含有されたＺｒは、その一部は主成分に固溶するが、大部分は結晶粒界に偏析して異相を形成し、斯かる異相が結晶粒界に偏析することにより、絶縁性の飛躍的向上が可能になったものと思われる。ただし、結晶粒界のみが高抵抗になっても電圧が結晶粒内に印加されなくなるため、Ｚｒの添加に加え一部Ｆｅ欠損を導入することにより結晶粒内の抵抗も高抵抗になっているものと推察される。
【００３８】
尚、欠損モル比ｚ／１２のｚ及びＺｒの含有モル比ｎが、領域Ｘの範囲外になると絶縁性は向上するものの、電気磁気効果を発現できなくなるおそれが生じたり、絶縁性不足となり、電気磁気効果を発現できなくなるおそれがある。例えば、Ｆｅサイトの欠損モル比ｚ／１２のｚが０．４を超えると、絶縁性は向上するものの電気磁気効果を発現できなくなるおそれがある。これは、上述したように主成分に含有されるＺｒは、大部分は結晶粒界に偏析すると考えられることから、Ｆｅサイトの欠損部分が多くなってバランスが崩れ、このため電気分極を誘起するような螺旋型の磁気秩序を形成するのが困難になるためと思われる。また、Ｚｒの含有モル比ｎが多くてもＦｅサイトの欠損モル比ｚ／１２のｚが少なくなると、絶縁性が不足し、室温かつ低磁界で所望の電気磁気効果を発現するのは困難になるおそれがある。
【００３９】
また、Ｂａの置換モル比ｘ／２のｘを、上記数式（１）に示すように０．９〜１．１の範囲としたのは以下の理由による。
【００４０】
すなわち、Ｂａの置換モル比ｘ／２のｘが０．９未満又は１．１超になると、絶縁性は十分に確保できるが、室温で螺旋型の磁気秩序を誘起するのが困難となり、電気分極を生成できなくなるおそれがある。
【００４１】
また、Ａｌの置換モル比ｙ／１２のｙを、上記数式（２）に示すように０．８〜１．２の範囲としたのは以下の理由による。
【００４２】
すなわち、Ａｌの置換モル比ｙ／１２のｙが０．８未満になると、上記Ｂａの置換モル比ｘ／２のｘの場合と同様、絶縁性は十分に確保できるものの、室温で螺旋型の磁気秩序を誘起するのが困難となり、電気分極Ｐｒを生成できなくなるおそれがある。
【００４３】
一方、Ａｌの置換モル比ｙ／１２のｙが１．２を超えると、この場合も絶縁性は十分に確保できるものの、Ｚｒが関与しない六方晶Ｙ型結晶相以外の異相が生成されやすくなり、このため斯かる異相が電気磁気特性の発現を阻害し、その結果電気分極を得るのが困難になる。
【００４４】
次に、本酸化物セラミックスの製造方法を詳述する。
【００４５】
まず、セラミック素原料としてＦｅ２Ｏ３等のＦｅ化合物、ＳｒＣＯ３等のＳｒ化合物、ＢａＣＯ３等のＢａ化合物、ＺｎＯ等のＺｎ化合物、Ｃｏ３Ｏ４等のＣｏ化合物、及びＡｌ２Ｏ３等のＡｌ化合物、及びＺｒＯ２等のＺｒ化合物を用意する。
【００４６】
次に、焼成後の組成において、上記一般式（Ａ）が数式（１）、（２）を満足し、かつＺｒＯ２の含有モル比ｎとＦｅサイトの欠損モル比ｚ／１２のｚとが図１の領域Ｘを満たすように、後述する粉砕媒体中の化学成分が焼成後のセラミック焼結体に混入するのを考慮しつつ、各セラミック素原料を秤量する。
【００４７】
すなわち、酸化物セラミックスは、一般に、セラミック素原料を粉砕媒体や溶剤その他の添加物と共に粉砕機に投入し、混合粉砕処理を経て焼成され、これにより作製される。そして、本実施の形態でも、上記酸化物セラミックスは、斯かる工程を経て作製される。
【００４８】
そして、粉砕媒体としては、通常、部分安定化ジルコニウム（以下、「ＰＳＺ」という。）ボールやステンレス製（ＳＵＳ３０４）のスチールボールが使用される。
【００４９】
これら粉砕媒体のうち、ＰＳＺボールは、ＺｒＯ２にＹ２Ｏ３等の安定化剤を添加し、ＺｒＯ２の結晶構造を安定化させている。したがって、ＰＳＺボール中にはＺｒＯ２が含有されるため、粉砕機内での混合粉砕処理によってＰＳＺボール中のＺｒＯ２が酸化物セラミックス中に混入するおそれがある。また、スチールボールを使用した場合も、スチールボール中のＦｅ分が酸化物セラミックス中に混入するおそれがある。
【００５０】
一方、ＳｒＢａＣｏＺｎＦｅ12Ｏ22系の六方晶Ｙ型結晶構造は、非常に複雑であり、僅かな組成ずれが生じても微細構造が変化し、このため強磁性誘電特性や絶縁性に影響を与えるおそれがある。
【００５１】
そこで、本実施の形態では、粉砕媒体中の化学成分が酸化物セラミックス中に混入することを考慮し、前記セラミック素原料を所定量秤量する。具体的には、粉砕媒体としてＰＳＺボールを使用する場合は、酸化物セラミックス中にＰＳＺボールからのＺｒＯ２が混入することを考慮し、また粉砕媒体としてスチールボールを使用する場合は、酸化物セラミックス中にスチールボールからのＦｅ分が混入することを考慮し、各セラミック素原料を秤量する。
【００５２】
次に、これら秤量されたセラミック素原料を部分安定化ジルコニウム（以下、「ＰＳＺ」という。）ボール等の粉砕媒体、分散剤及び純水等の溶媒と共にポットミル等の粉砕機に投入し、十分に混合粉砕し、混合物を得る。
【００５３】
次に、上記混合物を乾燥させ、整粒した後、１０００〜１１００℃の温度で大気雰囲気下、所定時間仮焼し、仮焼物を得る。
【００５４】
次いで、この仮焼物を整粒した後、粉砕媒体、分散剤、及びエタノールやトルエン等の有機溶媒と共に、再度粉砕機に投入し、十分に混合粉砕を行い、その後、バインダ溶液を添加し、十分に混合し、これによりセラミックスラリーを得る。
【００５５】
尚、バインダ溶液は、特に限定されるものではなく、例えばポリビニルブチラール樹脂等の有機バインダをエタノールやトルエン等の有機溶媒に溶解させ、必要に応じて可塑剤等の添加物を添加したものを使用することができる。
【００５６】
次いで、このように形成されたセラミックスラリーをドクターブレード法等の成形加工法を使用してシート状に成形し、所定寸法に切断し、セラミックグリーンシートを得る。そして、このセラミックグリーンシートを所定枚数積層して圧着した後、所定寸法に切断し、セラミック成形体を得る。
【００５７】
次に、このセラミック成形体を、大気雰囲気下、３００〜５００℃で脱バインダ処理し、その後１１５０〜１２５０℃で大気雰囲気下、焼成処理を行ない、セラミック焼結体を得る。
【００５８】
そしてその後、大気雰囲気下で十分に熱処理を行い、これにより酸化物セラミックスが作製される。
【００５９】
このように本酸化物セラミックスによれば、少なくともＳｒ、Ｂａ、Ｃｏ、Ｚｎ、及びＦｅを含有した六方晶Ｙ型結晶構造を有し、一般式（Ａ）が数式（１）及び（２）を満足し、かつＺｒの含有モル比ｎとＦｅサイトの欠損モル比ｚ／１２のｚが図１の領域Ｘの範囲内であるので、絶縁性が大幅に改善され、室温でも低磁場の印加で電気分極を生じさせることができ、強磁性誘電特性を有する酸化物セラミックスを得ることができる。
【００６０】
次に、本酸化物セラミックスを使用したセラミック電子部品を詳述する。
【００６１】
図２は、本発明に係るセラミック電子部品としての可変インダクタの一実施の形態を示す正面図であり、図３は、その断面図である。
【００６２】
この可変インダクタは、上記酸化物セラミックスで形成された部品素体１と、該部品素体１の両端部に形成された外部電極２ａ、２ｂとを有している。
【００６３】
また、この可変インダクタは、高周波信号が流れた際に部品素体１内を磁束が通過するようにコイルが配されている。具体的には、この実施の形態では、Ｃｕ等の導電性材料で形成されたコイル４が、外部電極２ａと外部電極２ｂとを懸架するように巻回されている。
【００６４】
さらに、部品素体１には、内部電極３ａ〜３ｃが並列状に埋設されている。そして、これら内部電極３ａ〜３ｃのうち、内部電極３ａ、３ｃは一方の外部電極２ａに電気的に接続され、内部電極３ｂは他方の外部電極２ｂに接続されている。このセラミック電子部品は、内部電極３ａと内部電極３ｂ、及び内部電極３ｂと内部電極３ｃとの間で静電容量の取得が可能とされている。
【００６５】
尚、外部電極２ａ、２ｂ及び内部電極３ａ〜３ｃを形成する電極材料としては、良導電性を有するものであれば、特に限定されるものではなく、Ｐｄ、Ｐｔ、Ａｇ、Ｎｉ、Ｃｕ等各種金属材料を使用することができる。
【００６６】
このように構成された可変インダクタでは、部品素体１が、上述した強磁性誘電体からなる酸化物セラミックスで形成され、かつコイル４が外部電極２ａと外部電極２ｂとを懸架するように巻回されているので、コイル４に高周波信号が入力されると、矢印Ａ方向に生じた磁束が部品素体１内を通過し、コイルの巻き数や素子形状、及び部品素体１の透磁率に応じたインダクタンスが得られる。また、外部電極２ａ、２ｂに電圧（電界）が印加されると、電気磁気効果により磁化の変化が生じ、コイルのインダクタンスＬを変化させることが可能となる。そして、電圧を変化させることにより、インダクタンスＬの変化率ΔＬを制御することが可能となる。
【００６７】
そして、部品素体１が、上述した本発明の酸化物セラミックスで形成されているので、絶縁性が良好で、室温かつ低磁界で電気分極を得ることができ、電気磁気効果を発現することができる。
【００６８】
上記可変インダクタは、以下のようにして製造することができる。
【００６９】
まず、上記酸化物セラミックスの製造方法と同様の方法・手順で、セラミックグリーンシートを作製する。
【００７０】
次いで、Ｐｄ等の導電性材料を主成分とする内部電極用導電性ペーストを用意する。そして、内部電極用導電性ペーストをセラミックグリーンシートに塗布し、該セラミックグリーンシートの表面に所定パターンの導電層を形成する。
【００７１】
この後、導電層の形成されたセラミックグリーンシートと導電膜の形成されていないセラミックグリーンシートとを所定順序で積層し、その後、所定寸法に切断し、セラミック成形体を得る。
【００７２】
次に、このセラミック成形体を、大気雰囲気下、３００〜５００℃で脱バインダ処理し、その後１１５０〜１２５０℃で大気雰囲気下、焼成処理を行ない、セラミック焼結体を得、その後、所定の酸素雰囲気中で熱処理を行い、部品素体１を作製する。
【００７３】
次いで、この部品素体１の両端部にＡｇ等を主成分とする外部電極用導電性ペーストを塗布し、焼付処理を行い、その後、分極処理を行う。
【００７４】
まず、１Ｔ以上の磁場を印加して磁場分極を行い、次いで、この磁場を印加した状態で磁界の方向と直交する方向に０．５〜２ｋＶ／ｍｍ程度の電界を印加し、さらにこの電界を印加した状態で磁場の大きさを０．１〜０．５Ｔまで徐々に下げ、これにより電気分極を行い、これにより可変インダクタが作製される。そして、このように磁場中で分極処理を行うことにより、より大きな電気磁気効果を得ることができる。
【００７５】
このように本実施の形態では、電界を印加することにより、磁化（透磁率）を変化させることができ、これによりコイルのインダクタンスＬを変化させることが可能となる。しかも印加される電界を調整することにより、インダクタンスＬの変化率を制御することができ、可変インダクタとして使用することが可能となる。
【００７６】
尚、本発明は、上記実施の形態に限定されるものではない。上記実施の形態では、可変インダクタについて説明したが、本発明の酸化物セラミックスは、室温かつ低磁界で大きな電気磁気効果を発現して所望の強磁性誘電特性を有することから、可変インダクタ以外の各種セラミック電子部品にも適用可能である。すなわち、磁界の大きさに応じて電流を出力する磁気センサ、コイルに流れた電流が形成する磁界の大きさに応じて電流を出力する電流センサ、電界で磁化を制御する不揮発性メモリ、可変容量デバイス等の実現が可能となる。
【００７７】
また、上記実施の形態では、磁界中で磁界方向と直交する方向に電界分極を行なっているが、結晶粒子が多結晶体の場合は、磁界の方向と電界分極の方向は同一方向であっても大きな電気磁気効果を得ることができる。
【００７８】
また、磁界分極後に、磁界を非印加状態とし、電界分極を行なっても大きな電気磁気効果を得ることができ、使用形態や環境等に応じて適宜選択することができる。
【００７９】
また、上記実施の形態では、本酸化物セラミックスの一例として、一般式（Ａ）を挙げたが、本発明の要旨を逸脱しない範囲で添加物を含有してもよく、また、Ｏ（酸素）の含有モル比についても、特性に影響を及ぼさない範囲で理論化学量論比からの若干のズレは許容される。
【００８０】
次に、本発明の実施例を具体的に説明する。
【実施例１】
【００８１】
セラミック素原料としてＦｅ２Ｏ３、ＳｒＣＯ３、ＢａＣＯ３、Ｃｏ３Ｏ４、ＺｎＯ、Ａｌ２Ｏ３、及びＺｒＯ２を用意した。
【００８２】
そして、焼成後のＢａの置換モル比ｘ／２のｘ、Ａｌの置換モル比ｙ／１２のｙ、Ｆｅサイトの欠損モル比ｚ／１２のｚ、及び主成分１モルに対するＺｒＯ２の含有モル比ｎが、表１に示す組成となるように、粉砕媒体の化学成分が酸化物セラミックに混入することを考慮しつつ、セラミック素原料を秤量した。
【００８３】
すなわち、本実施例では、後述する粉砕機内での混合粉砕処理で、粉砕媒体としてＰＳＺボール又はステンレス（ＳＵＳ３０４）製のスチールボールを使用したが、〔発明を実施するための形態〕で述べたように、酸化物セラミックスには、ＰＳＺボールからはＺｒＯ２が混入するおそれがあり、スチールボールからはＦｅが混入するおそれがある。
【００８４】
そこで、本実施例では、焼成後に所望組成の酸化物セラミックスが得られるようにセラミック素原料の秤量調整を行なった。
【００８５】
具体的には、本発明者らが、別途実験を行なったところ、粉砕媒体としてＰＳＺボールを使用した場合、定量分析の結果、０．３５wt％のＺｒ成分が混入し、粉砕媒体としてスチールボールを使用した場合、組成分析の結果、１．５wt％のＦｅ成分が混入することが分かった。
【００８６】
そこで、ＺｒＯ２を含有した試料番号２〜１９については、粉砕媒体としてＰＳＺボールを使用することを前提に、ＰＳＺボールから混入するＺｒＯ２を考慮してセラミック素原料を秤量した。また、ＺｒＯ２を含有しない試料番号１については、粉砕媒体にスチールボールを使用することを前提にスチールボールから混入するＦｅ成分を考慮し、各セラミック素原料を秤量した。
【００８７】
次に、このようにして秤量されたセラミック素原料を水系高分子分散剤（花王社に製、カオーセラ２２１０）及び純水をＰＳＺボール又はスチールボールと共にポリエチレン製のポットミルに投入し、１６時間混合粉砕し、混合物を得た。
【００８８】
次に、上記混合物を乾燥させ、整粒した後、大気雰囲気下、１１００℃の温度で４時間仮焼し、仮焼物を得た。
【００８９】
一方、別途、ポリビニルブチラール系バインダ樹脂（積水化学工業社製、エスレックＢ「ＢＭ−２」）をエタノールとトルエンの混合溶媒に溶解させ、可塑剤を添加してバインダ溶液を作製した。
【００９０】
次いで、上記仮焼物を整粒した後、溶剤系分散剤（花王社製、カオーセラ８０００）、及びエタノールとトルエンの混合溶媒をＰＳＺボール又はスチールボールと共にポットミルに投入し、２４時間混合粉砕し、その後、上記バインダ溶液を添加し、再度１２時間混合し、これによりセラミックスラリーを得た。
【００９１】
次いで、このように作製されたセラミックスラリーをドクターブレード法を使用し、厚みが約５０μｍのシート状に成形し、金型を使用して所定寸法に切断し、セラミックグリーンシートを得た。そして、このセラミックグリーンシートを所定枚数積層し、１９６ＭＰａの圧力で圧着し、切断して長さ：１２ｍｍ、幅：１２ｍｍ、厚み：０．６ｍｍの試料番号１〜１９のセラミック成形体を作製した。
【００９２】
次に、これら試料番号１〜１９のセラミック成形体を、大気雰囲気下、５００℃で脱バインダ処理を行った後、１２００℃で大気雰囲気下、１８時間焼成処理を行ない、試料番号１〜１９のセラミック焼結体を作製した。
【００９３】
次いで、試料番号１〜１９のセラミック焼結体を０．１ＭＰａ（１気圧）の酸素雰囲気中、１０９０℃の温度で１０時間熱処理を行ない、これにより試料番号１〜１９の部品素体を作製した。
【００９４】
部品素体の寸法は、長さ：１０ｍｍ、幅：１０ｍｍ、厚み：０．５ｍｍであった。
【００９５】
次に、試料番号１〜１９の各部品素体については、両主面にＰｔをターゲット物質にしてＤＣスパッタリングを行い、厚みが約３００ｎｍの表面電極を作製し、試料番号１〜１９の各試料を得た。尚、ＤＣスパッタリングは、５ｍｍＴに調整された真空容器中にＡｒガスを供給し、１５０Ｗの電力を供給して行った。
【００９６】
そして、試料番号１〜１９の各試料について、誘導結合プラズマ発光分光（ＩＣＰ）法及び蛍光Ｘ線分析（ＸＲＦ）法を使用して組成分析したところ、各試料は表１で示された組成を有することが確認された。また、各試料について、Ｘ線回折（ＸＲＤ）法で結晶構造を調べたところ、六方晶Ｙ型結晶構造を有していることが確認された。
【００９７】
〔試料の評価〕
（絶縁性の評価）
上記試料番号１〜１９のうち、Ｆｅサイトの欠損量ｚとＺｒＯ２の含有量ｎが同一モル比（ｎ＝ｚ）の試料番号１〜５の各試料について、高抵抗測定計（米国ケースレー・インスツルメント社製、６４８７）を使用し、比抵抗ρを求めた。
【００９８】
図４は、ＺｒＯ２の含有モル比ｎと比抵抗ρとの関係を示す図であり、横軸はＺｒＯ２の含有モル比ｎ、縦軸は比抵抗ρを示している。
【００９９】
この図４から明らかなように、試料番号１は、ＺｒＯ２が含有されていないため、比抵抗ρが７．２ＭΩ・cmと極めて低く、絶縁性に劣ることが分かった。
【０１００】
これに対し試料番号２〜５は、比抵抗ρが５０ＭΩ・ｃｍ以上の良好な絶縁性を有することが分かった。
【０１０１】
以上より、六方晶Ｙ型結晶構造を有する主成分にＺｒＯ２を含有させることにより、絶縁性の向上を図ることができることが分かる。
【０１０２】
（電気磁気効果の評価）
次に、試料番号１〜１９の各試料に分極処理を施した。
【０１０３】
図５は、分極処理装置を模式的に示した斜視図である。
【０１０４】
すなわち、この分極処理装置は、部品素体２１の両主面に表面電極２２ａ、２２ｂが形成された試料２３に信号線２４ａ、２４ｂが接続され、該信号線２４ａと信号線２４ｂとの間には直流電源２５が介装されている。
【０１０５】
尚、試料２３は、上述したよう内部電極を有しており、該試料２３に印加される磁界の方向（矢印Ｂで示す。）と電気分極が行われる電界の方向（矢印Ｃで示す。）とが直交するように配されている。
【０１０６】
そして、まず、電磁石（図示せず。）を使用し、室温で１．５Ｔの直流磁場を１分間印加し、矢印Ｂ方向に磁場分極を行った。次いで、表面電極２２ａ、２２ｂ間に８００Ｖ／ｍｍの電界を印加しつつ、磁場の大きさを１．５Ｔから０．５Ｔまで徐々に低下させ、０．５Ｔの磁場中で３分間、矢印Ｃ方向に電界分極を行った。このように磁場中で分極処理を行うことにより、より大きな電気磁気効果を得ることが可能となる。
【０１０７】
次に、電界及び磁界を非印加状態とし、評価試料を１時間程度放置した。このように分極処理を行った後、所定時間放置することにより、更に大きな電気磁気効果を得ることが可能となる。
【０１０８】
次に、各試料の電気磁気電流を測定し、特性を評価した。
【０１０９】
図６は、試料２３の特性評価装置を模式的に示した斜視図である。
【０１１０】
この特性評価装置は、図５の直流電源２５に代えてピアコンメータ（米国ケースレー・インスツルメント社製、６４８７）２６が設けられており、評価試料は、図５と同様、印加する磁界の方向と電気分極時の電界の方向とが直交するように配されている。
【０１１１】
そして、低温クライオスタット（東陽テクニカ製社製、ＬＮ−Ｚ型）で２５℃の温度に制御しながら、電磁石を使用し、０〜０．２１Ｔの磁場範囲で、１．７Ｔ／分の速度で複数回往復掃引し、その時に試料から吐き出される電荷、すなわち電気磁気電流をピアコンメータ２６で計測した。
【０１１２】
また、上記各試料のうち、試料番号１６、１７及び１９については、電気磁気特性の挙動をより詳細に評価するため、物理特性測定装置（カンタム・デザイン社製、ＰＰＭＳ）を使用し、以下の方法で分極処理及び電気磁気電流の測定を行った。
【０１１３】
すなわち、図５と同様に配された試料２３について、超電導磁石（図示せず。）を使用し、３００Ｋの温度で−５Ｔの直流磁界を１分間印加し、矢印Ｂ方向に磁界分極を行った。次いで、この状態で表面電極２２ａ、２２ｂ間に４〜８ｋＶ／ｃｍの電界を印加しつつ、＋１８ｍＴ／ｓの速度で−５Ｔから−０．５Ｔまで変化させ、測定試料を単分域化した後、電界及び磁界を非印加状態とした。
【０１１４】
次に、図５の直流電源２５に代えてエレクトロメータ（米国ケースレー・インスツルメント社製、６５１７Ａ）を信号線２４ａと信号線２４ｂとの間に介装し、約１Ｔ／minの速度で磁界を掃引しながら、その時に試料から吐き出される電荷、すなわち電気磁気電流をエレクトロメータで計測した。
【０１１５】
次いで、これら計測された電気磁気電流の電流密度Ｊを時間で積分し、強誘電体の指標となる電気分極Ｐｒを求めた。
【０１１６】
すなわち、電気磁気電流の電流密度Ｊは、数式（３）で表わすことができる。
【０１１７】
Ｊ＝ｄＰｒ／ｄｔ  …（３）
【０１１８】
したがって、電気磁気電流の電流密度Ｊを時間ｔで積分することにより、電気分極Ｐを求めることができる。
【０１１９】
ここで、電気分極Ｐｒが強磁性誘電体特性の指標となる理由を説明する。
【０１２０】
強磁性誘電特性の指標として数式（４）で定義される電気磁気結合係数αが知られている。
【０１２１】
α＝μ０（ｄＰｒ/ｄＢ）…（４）
【０１２２】
μ０は真空の透磁率（＝４π×１０-7Ｈ／ｍ）である。
【０１２３】
したがって、磁界Ｂの変化に対する電気分極Ｐｒの変化は、数式（５）で表わされる。
【０１２４】
ｄＰｒ／ｄＢ＝（ｄＰｒ／ｄｔ）／（ｄＢ／ｄｔ）＝Ｊ／（ｄＢ／ｄｔ）…（５）
ｄＢ／ｄｔは磁場の掃引速度を示している。
【０１２５】
そして、数式（５）に上記数式（４）を代入すると電気磁気結合係数αは数式（８）で表わすことができる。
【０１２６】
α＝（μ０・Ｊ）／（ｄＢ／ｄｔ）…（８）
【０１２７】
したがって、電気磁気結合係数αは、真空の透磁率μ０と電流密度Ｊとの積を磁界の掃引速度（ｄＢ／ｄｔ）で除算することにより求めることができる。
【０１２８】
そして、数式（８）から明らかなように、電気磁気結合係数αは、電気磁気電流の電流密度Ｊが大きい試料ほど大きくなり、したがって電気分極Ｐｒが大きいほど大きな電気磁気効果を得ることができ、強磁性誘電体となる。
【０１２９】
表１は、試料番号１〜１９の各試料について、その組成、及び電気分極Ｐｒを示している。
【０１３０】
【表１】
2015040152.tif 000003
【０１３１】
また、図７は、試料番号１〜１９について、ＺｒＯ２の含有モル比ｎとＦｅサイトの欠損モル比ｚ／１２のｚとの関係をプロットした図である。横軸はＺｒＯ２の含有モル比ｎであり、縦軸はＦｅサイトの欠損モル比ｚ／１２のｚを示している。図中，斜線部が本発明の領域Ｘである。
【０１３２】
試料番号１は、ＺｒＯ２が含有されず、Ｆｅサイトに欠損も存在しないことから、上述したように比抵抗ρが７．２ＭΩ・ｃｍと低く（図４参照）、このため絶縁性に劣り、電界分極を行うことができなかった。
【０１３３】
試料番号１５は、ＺｒＯ２の含有モル比ｎは０．２であるが、Ｆｅサイトの欠損モル比ｚ／１２のｚが０．０５であり、ＺｒＯ２の含有モル比ｎに比べて小さすぎるため、比抵抗ρが小さく、十分な絶縁性を確保できず、電界分極を行うことができなかった。
【０１３４】
試料番号５は、ＺｒＯ２の含有モル比ｎ及びＦｅサイトの欠損モル比ｚ／１２のｚがいずれも０．５であり、上述したように十分な比抵抗ρが得られていることから、絶縁性は良好であるが（図４参照）、室温では電気磁気電流を測定できず、電気分極Ｐｒを得ることができなかった。これは、絶縁性は良好であるものの、電気分極Ｐｒを誘起するのに必要な螺旋型の磁気秩序が形成されなかったためと思われる。
【０１３５】
また、試料番号７、１１〜１３、１５及び１８は、いずれも領域Ｘの範囲外であり、絶縁性は良好であるが、試料番号５と同様の理由から、室温では電気磁気電流を測定できず、電気分極Ｐｒを得ることができなかった。
【０１３６】
これに対し試料番号２〜４、６、８〜１０、１４、１６、１７、及び１９は、Ｂａの置換モル比ｘ／２のｘ及びＡｌの置換モル比ｙ／１２のｙがいずれも１．０であり、かつＺｒＯ２の含有モル比ｎとＦｅサイトの欠損モル比ｚ／１２のｚとの関係が領域Ｘの範囲内にあるので、絶縁性が良好で、かつ室温で０．５μＣ／ｍ２以上の良好な電気分極Ｐｒを有する電気磁気効果を発現する強磁性誘電体が得られることが分かった。
【０１３７】
図８及び図９は試料番号１９の電気磁気特性を示している。
【０１３８】
図８は、試料番号１９の電流密度特性を示し、横軸は磁界（Ｔ）、縦軸は電流密度Ｊ（μＡ／ｍ２）である。
【０１３９】
また、図９は試料番号１９の磁界と電気分極Ｐｒとの関係を示し、横軸は磁界（Ｔ）、縦軸は電気分極Ｐｒ（μＣ／ｍ２）である。
【０１４０】
この図８に示すように、磁界を−０．５Ｔから０．１Ｔ／ｓの速度で掃引すると、磁界が負の領域からゼロ磁界近傍までは、ほぼ正の電気磁気電流が流れ、ゼロ磁界近傍から磁界の極性が反転して正の磁界が印加されても、電気磁気電流は負側には殆ど流れないことが分かる。
【０１４１】
この電気磁気電流の電流密度Ｊを積分すると、電気分極Ｐｒが求まり、図９のような電気分極特性が得られる。
【０１４２】
そして、この電気分極Ｐｒは、磁界が−０．５Ｔからゼロ磁界近傍域までは正の電気分極Ｐｒが得られるが、印加磁界の極性が反転すると、電気分極Ｐｒも反転して負の方向に発生し、約２Ｔの磁界で電気分極Ｐｒはほぼゼロになっている。そしてこの試料番号１９では、磁界が０〜１．２Ｔの範囲で強誘電性が誘起され、電気分極Ｐｒも負の磁界側で３．１μＣ/ｍ２と大きな値を示すことが分かった。また式（８）から電気磁気結合係数αを算出すると、ゼロ磁場で極大値を取り、αは５０ｐｓ／ｍであった。
【実施例２】
【０１４３】
焼成後のＢａの置換モル比ｘ／２のｘ、Ａｌの置換モル比ｙ／１２のｙ、Ｆｅサイトの欠損モル比ｚ／１２のｚ、及び主成分１モルに対するＺｒＯ２の含有モル比ｎが、表２及び表３に示す組成となるように、粉砕媒体の化学成分が酸化物セラミックスに混入することを考慮しつつ、セラミック素原料を秤量した。
【０１４４】
そしてその後は、実施例１と同様の方法・手順で、試料番号２１〜６６の試料を作製した。
【０１４５】
そして、試料番号２１〜６６の各試料の組成分析は、実施例１と同様、ＩＣＰ法及びＸＲＦ法を使用して行い、結晶構造はＸＲＤ法で確認したところ、各試料は表２及び表３に示す組成を有し、六方晶Ｙ型結晶構造を有していることを確認した。
【０１４６】
次に、試料番号２１〜６６の各試料について、実施例１と同様の方法・手順で
分極処理を行った後、電気磁気電流を測定し、該電気磁気電流から電気分極Ｐｒを求めた。
【０１４７】
表２及び表３は、試料番号２１〜６６の各試料について、その組成、及び電気分極Ｐｒを示している。
【０１４８】
【表２】
2015040152.tif 000004
【０１４９】
【表３】
2015040152.tif 000005
【０１５０】
試料番号３５は、Ａｌの置換モル比ｙ／１２のｙが０．７と少なく、このため室温では電気分極Ｐｒを生じる螺旋型の磁気構造が誘起されず、電気磁気電流を測定することができなかった。
【０１５１】
試料番号３６は、Ａｌの置換モル比ｙ／１２のｙが１．３と多く、絶縁性は良好であるが、異相が生成した。そして、この異相の生成によって電気磁気特性の発現が阻害され、このため室温では電気磁気電流を測定できず、電気分極Ｐｒが得られなかった。
【０１５２】
試料番号６５は、Ｂａの置換モル比ｘ／２のｘが０．８であり、Ｂａに対するＳｒのモル比が相対的に多くなり、このため絶縁性は十分であるが、室温では電気磁気電流を測定することができず、電気分極Ｐｒが得られなかった。
【０１５３】
試料番号６６は、Ｂａの置換モル比ｘ／２のｘが１．２であり、Ｂａに対するＳｒのモル比が相対的に少なくなり、この場合も絶縁性は十分であるが、室温では電気磁気電流を測定することができず、電気分極Ｐｒが得られなかった。
【０１５４】
これに対し試料番号２１〜３４、３７〜６４は、Ｂａの置換モル比ｘ／２のｘが０．９〜１．１であり、Ａｌの置換モル比ｙ／１２のｙが０．８〜１．２であり、ＺｒＯ２の含有モル比ｎとＦｅサイトの欠損モル比ｚ／１２のｚとの関係が領域Ｘの範囲内にあるので、実用的には十分な絶縁性を確保でき、かつ電気分極Ｐｒも室温で０．５μＣ／ｍ２以上の良好な結果が得られることが確認された。
【産業上の利用可能性】
【０１５５】
絶縁性が良好で３００Ｋ程度の室温かつ低磁界で強磁性誘電特性を発現できる酸化物セラミックスを得ることができ、この酸化物セラミックスを使用して可変インダクタや磁気センサ、不揮発性メモリ等の各種セラミック電子部品の実現が可能となる。
【符号の説明】
【０１５６】
１  部品素体
２ａ、２ｂ  外部電極
３ａ〜３ｃ  内部電極
【図１】
2015040152.tif 000006
【図２】
2015040152.tif 000007
【図３】
2015040152.tif 000008
【図４】
2015040152.tif 000009
【図５】
2015040152.tif 000010
【図６】
2015040152.tif 000011
【図７】
2015040152.tif 000012
【図８】
2015040152.tif 000013
【図９】
2015040152.tif 000014