(57)【要約】      （修正有）【課題】有機ＥＬ素子の正孔注入層に適用した場合に優れた輝度特性を実現できる薄膜を与える電荷輸送性ワニス、電荷輸送性薄膜及び有機ＥＬ素子を提供する。【解決手段】式（１）で表されるチオフェン誘導体からなる電荷輸送性物質を含む電荷輸送性ワニス。2015092561.tif 000021【選択図】なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
式（１）で表されるチオフェン誘導体からなる電荷輸送性物質と、ドーパントと、有機溶媒とを含むことを特徴とする電荷輸送性ワニス。
【化１】
2015092561.tif 000018
（式中、Ｒ1〜Ｒ21は、それぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、ニトロ基、シアノ基、アルデヒド基、ヒドロキシ基、チオール基、カルボン酸基、Ｚ1で置換されていてもよい炭素数１〜２０のアルキル基、Ｚ1で置換されていてもよい炭素数２〜２０のアルケニル基、Ｚ1で置換されていてもよい炭素数２〜２０のアルキニル基、Ｚ2で置換されていてもよい炭素数６〜２０のアリール基、−Ｃ(Ｏ)Ｙ1基、−ＯＹ2基、−ＳＹ3基、−Ｃ(Ｏ)ＯＹ4基、−ＯＣ(Ｏ)Ｙ5基、−Ｃ(Ｏ)ＮＨＹ6基又は−Ｃ(Ｏ)ＮＹ7Ｙ8基を表し、
Ｙ1〜Ｙ8は、それぞれ独立に、Ｚ1で置換されていてもよい炭素数１〜２０のアルキル基、Ｚ1で置換されていてもよい炭素数２〜２０のアルケニル基、Ｚ1で置換されていてもよい炭素数２〜２０のアルキニル基又はＺ2で置換されていてもよい炭素数６〜２０のアリール基を表し、
Ｚ1は、ハロゲン原子、ニトロ基、シアノ基、アルデヒド基、ヒドロキシ基、チオール基、スルホン酸基、カルボン酸基又はＺ3で置換されていてもよい炭素数６〜２０のアリール基を表し、
Ｚ2は、ハロゲン原子、ニトロ基、シアノ基、アルデヒド基、ヒドロキシ基、チオール基、スルホン酸基、カルボン酸基、Ｚ3で置換されていてもよい炭素数１〜２０のアルキル基、Ｚ3で置換されていてもよい炭素数２〜２０のアルケニル基又はＺ3で置換されていてもよい炭素数２〜２０のアルキニル基を表し、
Ｚ3は、ハロゲン原子、ニトロ基、シアノ基、アルデヒド基、ヒドロキシ基、チオール基、スルホン酸基又はカルボン酸基を表し、
ｎ1〜ｎ3は、それぞれ独立に２〜１０の整数を表す。）
【請求項２】
上記ドーパントが、ヘテロポリ酸を含む請求項１記載の電荷輸送性ワニス。
【請求項３】
更に、有機シラン化合物を含む請求項１又は２記載の電荷輸送性ワニス。
【請求項４】
更に、下記式（６）で表されるテトラシアノキノジメタン化合物を含む請求項１〜３のいずれか１項記載の電荷輸送性ワニス。
【化２】
2015092561.tif 000019
（式中、Ｒ101〜Ｒ104は、それぞれ独立に、水素原子又はハロゲン原子を表すが、少なくとも１つはハロゲン原子である。）
【請求項５】
請求項１〜４のいずれか１項記載の電荷輸送性ワニスを用いて作製される電荷輸送性薄膜。
【請求項６】
請求項５記載の電荷輸送性薄膜を有する有機エレクトロルミネッセンス素子。
【請求項７】
上記電荷輸送性薄膜が、正孔注入層又は正孔輸送層である請求項６記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
【請求項８】
請求項１〜４のいずれか１項記載の電荷輸送性ワニスを基材上に塗布して焼成することを特徴とする電荷輸送性薄膜の製造方法。
【請求項９】
請求項４記載の電荷輸送性薄膜を用いることを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法。
【請求項１０】
式（１）で表されるチオフェン誘導体からなる電荷輸送性物質と、ドーパントとを含む電荷輸送性材料。
【化３】
2015092561.tif 000020
（式中、Ｒ1〜Ｒ21は、それぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、ニトロ基、シアノ基、アルデヒド基、ヒドロキシ基、チオール基、カルボン酸基、Ｚ1で置換されていてもよい炭素数１〜２０のアルキル基、Ｚ1で置換されていてもよい炭素数２〜２０のアルケニル基、Ｚ1で置換されていてもよい炭素数２〜２０のアルキニル基、Ｚ2で置換されていてもよい炭素数６〜２０のアリール基、−Ｃ(Ｏ)Ｙ1基、−ＯＹ2基、−ＳＹ3基、−Ｃ(Ｏ)ＯＹ4基、−ＯＣ(Ｏ)Ｙ5基、−Ｃ(Ｏ)ＮＨＹ6基又は−Ｃ(Ｏ)ＮＹ7Ｙ8基を表し、
Ｙ1〜Ｙ8は、それぞれ独立に、Ｚ1で置換されていてもよい炭素数１〜２０のアルキル基、Ｚ1で置換されていてもよい炭素数２〜２０のアルケニル基、Ｚ1で置換されていてもよい炭素数２〜２０のアルキニル基又はＺ2で置換されていてもよい炭素数６〜２０のアリール基を表し、
Ｚ1は、ハロゲン原子、ニトロ基、シアノ基、アルデヒド基、ヒドロキシ基、チオール基、スルホン酸基、カルボン酸基又はＺ3で置換されていてもよい炭素数６〜２０のアリール基を表し、
Ｚ2は、ハロゲン原子、ニトロ基、シアノ基、アルデヒド基、ヒドロキシ基、チオール基、スルホン酸基、カルボン酸基、Ｚ3で置換されていてもよい炭素数１〜２０のアルキル基、Ｚ3で置換されていてもよい炭素数２〜２０のアルケニル基又はＺ3で置換されていてもよい炭素数２〜２０のアルキニル基を表し、
Ｚ3は、ハロゲン原子、ニトロ基、シアノ基、アルデヒド基、ヒドロキシ基、チオール基、スルホン酸基又はカルボン酸基を表し、
ｎ1〜ｎ3は、それぞれ独立に２〜１０の整数を表す。）
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電荷輸送性ワニス、電荷輸送性薄膜及び有機エレクトロルミネッセンス（以下、有機ＥＬという。）素子に関する。
【背景技術】
【０００２】
有機ＥＬ素子には、発光層や電荷注入層として、有機化合物からなる電荷輸送性薄膜が用いられる。特に、正孔注入層は、陽極と、正孔輸送層あるいは発光層との電荷の授受を担い、有機ＥＬ素子の低電圧駆動及び高輝度を達成するために重要な機能を果たす。
【０００３】
正孔注入層の形成方法は、蒸着法に代表されるドライプロセスとスピンコート法に代表されるウェットプロセスとに大別され、これら各プロセスを比べると、ウェットプロセスの方が大面積に平坦性の高い薄膜を効率的に製造できる。それゆえ、有機ＥＬディスプレイの大面積化が進められている現在、ウェットプロセスで形成可能な正孔注入層が望まれている。
【０００４】
このような事情に鑑み、本発明者らは、各種ウェットプロセスに適用可能であるとともに、有機ＥＬ素子の正孔注入層に適用した場合に優れたＥＬ素子特性を実現できる薄膜を与える電荷輸送性材料や、それに用いる有機溶媒に対する溶解性の良好な化合物を開発してきている（例えば特許文献１〜４参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】国際公開第２００８／０３２６１６号
【特許文献２】国際公開第２００８／１２９９４７号
【特許文献３】国際公開第２００６／０２５３４２号
【特許文献４】国際公開第２０１０／０５８７７７号
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
本発明は、これまでに開発してきた上記特許文献の技術と同様に、有機ＥＬ素子の正孔注入層に適用した場合に優れた特性を実現できる薄膜を与える電荷輸送性ワニスを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明者らは、上記目的を達成するために鋭意検討を重ねた結果、所定のチオフェン誘導体からなる電荷輸送性物質と、ドーパントと、有機溶媒とを含むワニスから得られる薄膜が高い電荷輸送性を有し、当該薄膜を有機ＥＬ素子の正孔注入層に適用した場合に、優れた輝度特性及び優れた耐久性を実現できることを見出し、本発明を完成させた。
【０００８】
すなわち、本発明は、下記電荷輸送性ワニス、電荷輸送性薄膜及び有機ＥＬ素子を提供する。
１．式（１）で表されるチオフェン誘導体からなる電荷輸送性物質と、ドーパントと、有機溶媒とを含むことを特徴とする電荷輸送性ワニス。
【化１】
2015092561.tif 000002
（式中、Ｒ1〜Ｒ21は、それぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、ニトロ基、シアノ基、アルデヒド基、ヒドロキシ基、チオール基、カルボン酸基、Ｚ1で置換されていてもよい炭素数１〜２０のアルキル基、Ｚ1で置換されていてもよい炭素数２〜２０のアルケニル基、Ｚ1で置換されていてもよい炭素数２〜２０のアルキニル基、Ｚ2で置換されていてもよい炭素数６〜２０のアリール基、−Ｃ(Ｏ)Ｙ1基、−ＯＹ2基、−ＳＹ3基、−Ｃ(Ｏ)ＯＹ4基、−ＯＣ(Ｏ)Ｙ5基、−Ｃ(Ｏ)ＮＨＹ6基又は−Ｃ(Ｏ)ＮＹ7Ｙ8基を表し、
Ｙ1〜Ｙ8は、それぞれ独立に、Ｚ1で置換されていてもよい炭素数１〜２０のアルキル基、Ｚ1で置換されていてもよい炭素数２〜２０のアルケニル基、Ｚ1で置換されていてもよい炭素数２〜２０のアルキニル基又はＺ2で置換されていてもよい炭素数６〜２０のアリール基を表し、
Ｚ1は、ハロゲン原子、ニトロ基、シアノ基、アルデヒド基、ヒドロキシ基、チオール基、スルホン酸基、カルボン酸基又はＺ3で置換されていてもよい炭素数６〜２０のアリール基を表し、
Ｚ2は、ハロゲン原子、ニトロ基、シアノ基、アルデヒド基、ヒドロキシ基、チオール基、スルホン酸基、カルボン酸基、Ｚ3で置換されていてもよい炭素数１〜２０のアルキル基、Ｚ3で置換されていてもよい炭素数２〜２０のアルケニル基又はＺ3で置換されていてもよい炭素数２〜２０のアルキニル基を表し、
Ｚ3は、ハロゲン原子、ニトロ基、シアノ基、アルデヒド基、ヒドロキシ基、チオール基、スルホン酸基又はカルボン酸基を表し、
ｎ1〜ｎ3は、それぞれ独立に２〜１０の整数を表す。）
２．上記ドーパントが、ヘテロポリ酸を含む１の電荷輸送性ワニス。
３．更に、有機シラン化合物を含む１又は２の電荷輸送性ワニス。
４．更に、下記式（６）で表されるテトラシアノキノジメタン化合物を含む１〜３のいずれかの電荷輸送性ワニス。
【化２】
2015092561.tif 000003
（式中、Ｒ101〜Ｒ104は、それぞれ独立に、水素原子又はハロゲン原子を表すが、少なくとも１つはハロゲン原子である。）
５．１〜４のいずれかの電荷輸送性ワニスを用いて作製される電荷輸送性薄膜。
６．５の電荷輸送性薄膜を有する有機エレクトロルミネッセンス素子。
７．上記電荷輸送性薄膜が、正孔注入層又は正孔輸送層である６の有機エレクトロルミネッセンス素子。
８．１〜４のいずれかの電荷輸送性ワニスを基材上に塗布して焼成することを特徴とする電荷輸送性薄膜の製造方法。
９．４の電荷輸送性薄膜を用いることを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法。
１０．式（１）で表されるチオフェン誘導体からなる電荷輸送性物質と、ドーパントとを含む電荷輸送性材料。
【化３】
2015092561.tif 000004
（式中、Ｒ1〜Ｒ21は、それぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、ニトロ基、シアノ基、アルデヒド基、ヒドロキシ基、チオール基、カルボン酸基、Ｚ1で置換されていてもよい炭素数１〜２０のアルキル基、Ｚ1で置換されていてもよい炭素数２〜２０のアルケニル基、Ｚ1で置換されていてもよい炭素数２〜２０のアルキニル基、Ｚ2で置換されていてもよい炭素数６〜２０のアリール基、−Ｃ(Ｏ)Ｙ1基、−ＯＹ2基、−ＳＹ3基、−Ｃ(Ｏ)ＯＹ4基、−ＯＣ(Ｏ)Ｙ5基、−Ｃ(Ｏ)ＮＨＹ6基又は−Ｃ(Ｏ)ＮＹ7Ｙ8基を表し、
Ｙ1〜Ｙ8は、それぞれ独立に、Ｚ1で置換されていてもよい炭素数１〜２０のアルキル基、Ｚ1で置換されていてもよい炭素数２〜２０のアルケニル基、Ｚ1で置換されていてもよい炭素数２〜２０のアルキニル基又はＺ2で置換されていてもよい炭素数６〜２０のアリール基を表し、
Ｚ1は、ハロゲン原子、ニトロ基、シアノ基、アルデヒド基、ヒドロキシ基、チオール基、スルホン酸基、カルボン酸基又はＺ3で置換されていてもよい炭素数６〜２０のアリール基を表し、
Ｚ2は、ハロゲン原子、ニトロ基、シアノ基、アルデヒド基、ヒドロキシ基、チオール基、スルホン酸基、カルボン酸基、Ｚ3で置換されていてもよい炭素数１〜２０のアルキル基、Ｚ3で置換されていてもよい炭素数２〜２０のアルケニル基又はＺ3で置換されていてもよい炭素数２〜２０のアルキニル基を表し、
Ｚ3は、ハロゲン原子、ニトロ基、シアノ基、アルデヒド基、ヒドロキシ基、チオール基、スルホン酸基又はカルボン酸基を表し、
ｎ1〜ｎ3は、それぞれ独立に２〜１０の整数を表す。）
【発明の効果】
【０００９】
本発明で用いるチオフェン誘導体は有機溶媒に溶けやすく、これをドーパントとともに有機溶媒へ溶解させて容易に電荷輸送性ワニスを調製することができる。
本発明の電荷輸送性ワニスから作製した薄膜は高い電荷輸送性を示すため、有機ＥＬ素子をはじめとした電子デバイス用薄膜として好適に用いることができる。特に、この薄膜を有機ＥＬ素子の正孔注入層に適用することで、輝度特性と耐久性に優れた有機ＥＬ素子を得ることができる。
更に、本発明の電荷輸送性ワニスは有機シラン化合物やテトラシアノキノジメタン化合物を含むことによって、従来のものよりも低温で焼成することができ、その場合でも作製した薄膜が高平坦性及び高電荷輸送性を有する。
また、本発明の電荷輸送性ワニスは、スピンコート法やスリットコート法等、大面積に成膜可能な各種ウェットプロセスを用いた場合でも電荷輸送性に優れた薄膜を再現性よく製造できるため、近年の有機ＥＬ素子の分野における進展にも十分対応できる。
そして、本発明の電荷輸送性ワニスから得られる薄膜は、帯電防止膜や有機薄膜太陽電池の陽極バッファ層等としても使用できる。
【発明を実施するための形態】
【００１０】
［電荷輸送性物質］
本発明の電荷輸送性ワニスは、下記式（１）で表されるチオフェン誘導体からなる電荷輸送性物質を含む。
【００１１】
なお、本発明において、電荷輸送性とは、導電性と同義であり、正孔輸送性と同義である。電荷輸送性物質は、それ自体に電荷輸送性があるものでもよく、電子受容性物質と共に用いた際に電荷輸送性があるものでもよい。電荷輸送性ワニスは、それ自体に電荷輸送性があるものでもよく、それにより得られる固形膜が電荷輸送性を有するものでもよい。
【００１２】
【化４】
2015092561.tif 000005
【００１３】
Ｒ1〜Ｒ21は、それぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、ニトロ基、シアノ基、アルデヒド基、ヒドロキシ基、チオール基、カルボン酸基、Ｚ1で置換されていてもよい炭素数１〜２０のアルキル基、Ｚ1で置換されていてもよい炭素数２〜２０のアルケニル基、Ｚ1で置換されていてもよい炭素数２〜２０のアルキニル基、Ｚ2で置換されていてもよい炭素数６〜２０のアリール基、−Ｃ(Ｏ)Ｙ1基、−ＯＹ2基、−ＳＹ3基、−Ｃ(Ｏ)ＯＹ4基、−ＯＣ(Ｏ)Ｙ5基、−Ｃ(Ｏ)ＮＨＹ6基又は−Ｃ(Ｏ)ＮＹ7Ｙ8基を表す。
【００１４】
Ｙ1〜Ｙ8は、それぞれ独立に、Ｚ1で置換されていてもよい炭素数１〜２０のアルキル基、Ｚ1で置換されていてもよい炭素数２〜２０のアルケニル基、Ｚ1で置換されていてもよい炭素数２〜２０のアルキニル基又はＺ2で置換されていてもよい炭素数６〜２０のアリール基を表す。
【００１５】
Ｚ1は、ハロゲン原子、ニトロ基、シアノ基、アルデヒド基、ヒドロキシ基、チオール基、スルホン酸基、カルボン酸基又はＺ3で置換されていてもよい炭素数６〜２０のアリール基を表す。
【００１６】
Ｚ2は、ハロゲン原子、ニトロ基、シアノ基、アルデヒド基、ヒドロキシ基、チオール基、スルホン酸基、カルボン酸基、Ｚ3で置換されていてもよい炭素数１〜２０のアルキル基、Ｚ3で置換されていてもよい炭素数２〜２０のアルケニル基又はＺ3で置換されていてもよい炭素数２〜２０のアルキニル基を表す。
【００１７】
Ｚ3は、ハロゲン原子、ニトロ基、シアノ基、アルデヒド基、ヒドロキシ基、チオール基、スルホン酸基又はカルボン酸基を表す。
【００１８】
ｎ1〜ｎ3は、それぞれ独立に２〜１０の整数を表す。
【００１９】
ハロゲン原子としては、フッ素、塩素、臭素、ヨウ素原子等が挙げられる。
【００２０】
炭素数１〜２０のアルキル基としては、直鎖状、分岐鎖状、環状のいずれでもよく、例えば、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、イソブチル基、ｓ−ブチル基、ｔ−ブチル基、ｎ−ペンチル基、ｎ−ヘキシル基、ｎ−ヘプチル基、ｎ−オクチル基、ｎ−ノニル基、ｎ−デシル基等の炭素数１〜２０の直鎖又は分岐状アルキル基；シクロプロピル基、シクロブチル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、シクロヘプチル基、シクロオクチル基、シクロノニル基、シクロデシル基、ビシクロブチル基、ビシクロペンチル基、ビシクロヘキシル基、ビシクロヘプチル基、ビシクロオクチル基、ビシクロノニル基、ビシクロデシル基等の炭素数３〜２０の環状アルキル基などが挙げられる。
【００２１】
炭素数２〜２０のアルケニル基の具体例としては、エテニル基、ｎ−１−プロペニル基、ｎ−２−プロペニル基、１−メチルエテニル基、ｎ−１−ブテニル基、ｎ−２−ブテニル基、ｎ−３−ブテニル基、２−メチル−１−プロペニル基、２−メチル−２−プロペニル基、１−エチルエテニル基、１−メチル−１−プロペニル基、１−メチル−２−プロペニル基、ｎ−１−ペンテニル基、ｎ−１−デセニル基、ｎ−１−エイコセニル基等が挙げられる。
【００２２】
炭素数２〜２０のアルキニル基の具体例としては、エチニル基、ｎ−１−プロピニル基、ｎ−２−プロピニル基、ｎ−１−ブチニル基、ｎ−２−ブチニル基、ｎ−３−ブチニル基、１−メチル−２−プロピニル基、ｎ−１−ペンチニル基、ｎ−２−ペンチニル基、ｎ−３−ペンチニル基、ｎ−４−ペンチニル基、１−メチル−ｎ−ブチニル基、２−メチル−ｎ−ブチニル基、３−メチル−ｎ−ブチニル基、１,１−ジメチル−ｎ−プロピニル基、ｎ−１−ヘキシニル基、ｎ−１−デシニル基、ｎ−１−ペンタデシニル基、ｎ−１−エイコシニル基等が挙げられる。
【００２３】
炭素数６〜２０のアリール基の具体例としては、フェニル基、１−ナフチル基、２−ナフチル基、１−アントリル基、２−アントリル基、９−アントリル基、１−フェナントリル基、２−フェナントリル基、３−フェナントリル基、４−フェナントリル基、９−フェナントリル基等が挙げられる。
【００２４】
Ｒ1〜Ｒ21としては、水素原子又はＺ1で置換されていてもよい炭素数１〜２０のアルキル基が好ましく、水素原子が最適である。
【００２５】
なお、Ｒ1〜Ｒ21及びＹ1〜Ｙ8がアルキル基、アルケニル基、アルキニル基又はアリール基である場合、Ｚ1としては、ハロゲン原子又はＺ3で置換されていてもよい炭素数６〜２０のアリール基が好ましく、Ｚ3で置換されていてもよいフェニル基がより好ましく、存在しないこと（すなわち、非置換であること）が最適である。
Ｚ2としては、ハロゲン原子又はＺ3で置換されていてもよい炭素数１〜２０のアルキル基が好ましく、Ｚ3で置換されていてもよい炭素数１〜１０のアルキル基がより好ましく、Ｚ3で置換されていてもよい炭素数１〜８のアルキル基がより一層好ましく、Ｚ3で置換されていてもよい炭素数１〜６のアルキル基が更に好ましく、存在しないこと（すなわち、非置換であること）が最適である。
Ｚ3は、ハロゲン原子が好ましく、フッ素がより好ましく、存在しないこと（すなわち、非置換であること）が最適である。
【００２６】
以下、式（１）で表されるチオフェン誘導体の具体例を挙げるが、これらに限定されない。
【００２７】
【化５】
2015092561.tif 000006
【００２８】
［チオフェン誘導体の製造方法］
本発明で用いるチオフェン誘導体は、例えば、Tetrahedron Letters, 2010, 51(50), pp. 6673-6676、特開２００３−１６７９７２号公報等に記載の方法に従って合成することができるが、これらの方法に限定されない。
【００２９】
具体的には、例えば、トリフェニルアミン又はその誘導体及びチオフェン又はその誘導体を出発原料として、熊田カップリング、右田・小杉・スティルカップリング、根岸カップリング、鈴木・宮浦カップリング、檜山カップリング等のカップリング反応によって合成することができる。
【００３０】
一例を挙げると、式（２）で表されるトリフェニルアミン又はその誘導体をハロゲン化又はスタニル化等し、これとクロスカップリング反応をさせるために、式（３）〜（５）で表されるチオフェン誘導体をスタニル化等又はハロゲン化し、カップリング反応をさせればよい。
【化６】
2015092561.tif 000007
（式中、Ｒ1〜Ｒ21及びｎ1〜ｎ3は上記と同じ。）
【００３１】
この場合、式（３）〜（５）で表されるチオフェン又はその誘導体の仕込み比は、通常、式（２）で表されるトリフェニルアミン又はその誘導体に対し、それぞれ０.５〜１.５当量程度であるが、０.９〜１.３当量程度が好適である。
【００３２】
なお、式（２）〜（５）で表される化合物としては、市販品を使用してもよく、公知の方法で合成してもよい。
【００３３】
［ドーパント］
本発明の電荷輸送性ワニスは、ドーパントを含む。ドーパントとしては、特に限定されるものではなく、有機系のドーパント、無機系のドーパントのいずれも用いることができる。
【００３４】
中でも、最も好ましい態様としては、本発明の電荷輸送性ワニスは、ドーパントとしてヘテロポリ酸を含み、それゆえ、インジウム錫酸化物（ＩＴＯ）、インジウム亜鉛酸化物（ＩＺＯ）に代表される透明電極からの高正孔受容能のみならず、アルミニウムに代表される金属陽極からの高正孔受容能を示す電荷輸送性に優れた薄膜を得ることができる。
【００３５】
ヘテロポリ酸とは、代表的に式（Ａ１）で示されるＫｅｇｇｉｎ型あるいは式（Ａ２）で示されるＤａｗｓｏｎ型の化学構造で示される、ヘテロ原子が分子の中心に位置する構造を有し、バナジウム（Ｖ）、モリブデン（Ｍｏ）、タングステン（Ｗ）等のオキソ酸であるイソポリ酸と、異種元素のオキソ酸とが縮合してなるポリ酸である。このような異種元素のオキソ酸としては、主にケイ素（Ｓｉ）、リン（Ｐ）、ヒ素（Ａｓ）のオキソ酸が挙げられる。
【００３６】
【化７】
2015092561.tif 000008
【００３７】
ヘテロポリ酸の具体例としては、リンモリブデン酸、ケイモリブデン酸、リンタングステン酸、ケイタングステン酸、リンタングストモリブデン酸等が挙げられる。これらは１種単独で又は２種以上組み合わせて用いてもよい。なお、本発明で用いるヘテロポリ酸は、市販品として入手可能であり、また、公知の方法により合成することもできる。
【００３８】
特に、ドーパントが１種類のヘテロポリ酸からなる場合、その１種類のヘテロポリ酸はリンタングステン酸又はリンモリブデン酸であることが好ましく、リンタングステン酸であることがより好ましい。また、ドーパントが２種類以上のヘテロポリ酸からなる場合、その２種類以上のヘテロポリ酸のうち少なくとも１つはリンタングステン酸又はリンモリブデン酸であることが好ましく、リンタングステン酸であることがより好ましい。
【００３９】
なお、ヘテロポリ酸は、元素分析等の定量分析において、一般式で示される構造から元素の数が多いもの又は少ないものであっても、それが市販品として入手したもの、あるいは、公知の合成方法にしたがって適切に合成したものである限り、本発明において用いることができる。
【００４０】
すなわち、例えば、一般的にリンタングステン酸は化学式Ｈ3(ＰＷ12Ｏ40)・ｎＨ2Ｏで、リンモリブデン酸は化学式Ｈ3(ＰＭｏ12Ｏ40)・ｎＨ2Ｏでそれぞれ表されるが、定量分析において、この式中のＰ（リン）、Ｏ（酸素）又はＷ（タングステン）若しくはＭｏ（モリブデン）の数が多いもの又は少ないものであっても、それが市販品として入手したもの、あるいは公知の合成方法にしたがって適切に合成したものである限り、本発明において用いることができる。この場合、本発明に規定されるヘテロポリ酸の質量とは、合成物や市販品中における純粋なリンタングステン酸の質量（リンタングステン酸含量）ではなく、市販品として入手可能な形態及び公知の合成法にて単離可能な形態において、水和水やその他の不純物等を含んだ状態での全質量を意味する。
【００４１】
本発明の電荷輸送性ワニスに含まれるヘテロポリ酸は、質量比で、電荷輸送性物質１に対して１.０〜７０.０程度とすることができるが、好ましくは２.０〜６０.０程度、より好ましくは２.５〜５５.０程度、より一層好ましくは２.５〜２５.０程度である。
【００４２】
［有機溶媒］
電荷輸送性ワニスを調製する際に用いられる有機溶媒としては、電荷輸送性物質及びドーパントを良好に溶解し得る高溶解性溶媒を用いることができる。
このような高溶解性溶媒としては、例えば、Ｎ,Ｎ−ジメチルホルムアミド、Ｎ,Ｎ−ジメチルアセトアミド、Ｎ−メチルピロリドン、１,３−ジメチル−２−イミダゾリジノン等の有機溶媒を用いることができる。これらの溶媒は１種単独で、又は２種以上混合して用いることができ、その使用量は、ワニスに使用する溶媒全体に対して５〜１００質量％とすることができる。
なお、電荷輸送性物質及びドーパントは、いずれも上記溶媒に完全に溶解していることが好ましい。
【００４３】
また、本発明においては、ワニスに、２５℃で１０〜２００ｍＰａ・ｓ、特に３５〜１５０ｍＰａ・ｓの粘度を有し、常圧（大気圧）で沸点５０〜３００℃、特に１５０〜２５０℃の高粘度有機溶媒を少なくとも１種類含有させることで、ワニスの粘度の調整が容易になり、その結果、平坦性の高い薄膜を再現性よく与える、用いる塗布方法に応じたワニス調製が可能となる。
高粘度有機溶媒としては、特に限定されるものではなく、例えば、シクロヘキサノール、エチレングリコール、エチレングリコールジグリシジルエーテル、１,３−オクチレングリコール、ジエチレングリコール、ジプロピレングリコール、トリエチレングリコール、トリプロピレングリコール、１,３−ブタンジオール、２,３−ブタンジオール、１,４−ブタンジオール、プロピレングリコール、へキシレングリコール等が挙げられる。これらの溶媒は単独で用いてもよく、２種以上混合して用いてもよい。
本発明のワニスに用いられる溶媒全体に対する高粘度有機溶媒の添加割合は、固体が析出しない範囲内であることが好ましく、固体が析出しない限りにおいて、添加割合は、５〜８０質量％が好ましい。
【００４４】
更に、基板に対する濡れ性の向上、溶媒の表面張力の調整、極性の調整、沸点の調整等の目的で、その他の溶媒を、ワニスに使用する溶媒全体に対して１〜９０質量％、好ましくは１〜５０質量％の割合で混合することもできる。
このような溶媒としては、例えば、エチレングリコールモノブチルエーテル、ジエチレングリコールジエチルエーテル、ジエチレングリコールジメチルエーテル、プロピレングリコールモノメチルエーテル、ジエチレングリコールモノエチルエーテルアセテート、ジエチレングリコールモノブチルエーテルアセテート、ジプロピレングリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、ジエチレングリコールモノエチルエーテル、ジアセトンアルコール、γ−ブチロラクトン、エチルラクテート、ｎ−ヘキシルアセテート、ジエチレングリコールモノメチルエーテル等が挙げられるが、これらに限定されるものではない。これらの溶媒は１種単独で又は２種以上混合して用いることができる。
【００４５】
本発明のワニスの粘度は、作製する薄膜の厚み等や固形分濃度に応じて適宜設定されるものではあるが、通常、２５℃で１〜５０ｍＰａ・ｓである。
また、本発明における電荷輸送性ワニスの固形分濃度は、ワニスの粘度及び表面張力等や、作製する薄膜の厚み等を勘案して適宜設定されるものではあるが、通常、０.１〜１０.０質量％程度であり、ワニスの塗布性を向上させることを考慮すると、好ましくは０.５〜５.０質量％程度、より好ましくは１.０〜３.０質量％程度である。
【００４６】
［有機シラン化合物］
本発明の電荷輸送性ワニスは、有機シラン化合物を含むことが好ましい。有機シラン化合物としては、ジアルコキシシラン化合物、トリアルコキシシラン化合物又はテトラアルコキシシラン化合物が挙げられる。これらは１種単独で又は２種以上組み合わせて用いてもよい。
【００４７】
とりわけ、有機シラン化合物は、ジアルコキシシラン化合物及びトリアルコキシシラン化合物から選ばれる１種を含むことが好ましく、トリアルコキシシラン化合物を含むことがより好ましい。
【００４８】
ジアルコキシシラン化合物、トリアルコキシシラン化合物及びテトラアルコキシシラン化合物としては、例えば、式（Ｂ１）〜（Ｂ３）で示されるものが挙げられる。
ＳｉＲ'2(ＯＲ)2              （Ｂ１）
ＳｉＲ'(ＯＲ)3               （Ｂ２）
Ｓｉ(ＯＲ)4                  （Ｂ３）
【００４９】
式中、Ｒは、それぞれ独立に、Ｚ101で置換されていてもよい炭素数１〜２０のアルキル基、Ｚ101で置換されていてもよい炭素数２〜２０のアルケニル基、Ｚ101で置換されていてもよい炭素数２〜２０のアルキニル基、Ｚ102で置換されていてもよい炭素数６〜２０のアリール基又はＺ102で置換されていてもよい炭素数２〜２０のヘテロアリール基を表す。Ｒ'は、それぞれ独立に、Ｚ103で置換されていてもよい炭素数１〜２０のアルキル基、Ｚ103で置換されていてもよい炭素数２〜２０のアルケニル基、Ｚ103で置換されていてもよい炭素数２〜２０のアルキニル基、Ｚ104で置換されていてもよい炭素数６〜２０のアリール基又はＺ104で置換されていてもよい炭素数２〜２０のヘテロアリール基を表す。
【００５０】
Ｚ101は、ハロゲン原子、Ｚ105で置換されていてもよい炭素数６〜２０のアリール基又はＺ105で置換されていてもよい炭素数２〜２０のヘテロアリール基を表す。
Ｚ102は、ハロゲン原子、Ｚ105で置換されていてもよい炭素数１〜２０のアルキル基、Ｚ105で置換されていてもよい炭素数２〜２０のアルケニル基又はＺ105で置換されていてもよい炭素数２〜２０のアルキニル基を表す。
【００５１】
Ｚ103は、ハロゲン原子、Ｚ105で置換されていてもよい炭素数６〜２０のアリール基、Ｚ105で置換されていてもよい炭素数２〜２０のヘテロアリール基、エポキシシクロヘキシル基、グリシドキシ基、メタクリロキシ基、アクリロキシ基、ウレイド基（−ＮＨＣＯＮＨ2）、チオール基、イソシアネート基（−ＮＣＯ）、アミノ基、−ＮＨＹ101基又は−ＮＹ102Ｙ103基を表す。
Ｚ104は、ハロゲン原子、Ｚ105で置換されていてもよい炭素数１〜２０のアルキル基、Ｚ105で置換されていてもよい炭素数２〜２０のアルケニル基、Ｚ105で置換されていてもよい炭素数２〜２０のアルキニル基、エポキシシクロヘキシル基、グリシドキシ基、メタクリロキシ基、アクリロキシ基、ウレイド基（−ＮＨＣＯＮＨ2）、チオール基、イソシアネート基（−ＮＣＯ）、アミノ基、−ＮＨＹ101基又は−ＮＹ102Ｙ103基を表す。
【００５２】
Ｙ101〜Ｙ103は、それぞれ独立に、Ｚ105で置換されていてもよい炭素数１〜２０のアルキル基、Ｚ105で置換されていてもよい炭素数２〜２０のアルケニル基、Ｚ105で置換されていてもよい炭素数２〜２０のアルキニル基、Ｚ105で置換されていてもよい炭素数６〜２０のアリール基又はＺ105で置換されていてもよい炭素数２〜２０のヘテロアリール基を表す。
Ｚ105は、ハロゲン原子、アミノ基、ニトロ基、シアノ基又はチオール基を表す。
【００５３】
式（Ｂ１）〜（Ｂ３）におけるハロゲン原子、炭素数１〜２０のアルキル基、炭素数２〜２０のアルケニル基、炭素数２〜２０のアルキニル基及び炭素数６〜２０のアリール基としては、上記と同様のものが挙げられる。
【００５４】
Ｒとしては、Ｚ101で置換されていてもよい炭素数１〜２０のアルキル基、Ｚ101で置換されていてもよい炭素数２〜２０のアルケニル基又はＺ102で置換されていてもよい炭素数６〜２０のアリール基が好ましく、Ｚ101で置換されていてもよい炭素数１〜６のアルキル基、Ｚ101で置換されていてもよい炭素数２〜６のアルケニル基又はＺ102で置換されていてもよいフェニル基がより好ましく、Ｚ101で置換されていてもよい炭素数１〜４のアルキル基又はＺ102で置換されていてもよいフェニル基がより一層好ましく、Ｚ101で置換されていてもよいメチル基又はエチル基が更に好ましい。
【００５５】
また、Ｒ'としては、Ｚ103で置換されていてもよい炭素数１〜２０のアルキル基又はＺ104で置換されていてもよい炭素数６〜２０のアリール基が好ましく、Ｚ103で置換されていてもよい炭素数１〜１０のアルキル基又はＺ104で置換されていてもよい炭素数６〜１４のアリール基がより好ましく、Ｚ103で置換されていてもよい炭素数１〜６のアルキル基又はＺ104で置換されていてもよい炭素数６〜１０のアリール基がより一層好ましく、Ｚ103で置換されていてもよい炭素数１〜４のアルキル基又はＺ104で置換されていてもよいフェニル基が更に好ましい。
【００５６】
なお、複数のＲは全て同一でも異なっていてもよく、複数のＲ'も全て同一でも異なっていてもよい。
【００５７】
Ｚ101としては、ハロゲン原子又はＺ105で置換されていてもよい炭素数６〜２０のアリール基が好ましく、フッ素原子又はＺ105で置換されていてもよいフェニル基がより好ましく、存在しないこと（すなわち、非置換であること）が最適である。
【００５８】
また、Ｚ102としては、ハロゲン原子又はＺ105で置換されていてもよい炭素数６〜２０のアルキル基が好ましく、フッ素原子又はＺ105で置換されていてもよい炭素数１〜１０のアルキル基がより好ましく、存在しないこと（すなわち、非置換であること）が最適である。
【００５９】
一方、Ｚ103としては、ハロゲン原子、Ｚ105で置換されていてもよいフェニル基、Ｚ105で置換されていてもよいフラニル基、エポキシシクロヘキシル基、グリシドキシ基、メタクリロキシ基、アクリロキシ基、ウレイド基、チオール基、イソシアネート基、アミノ基、Ｚ105で置換されていてもよいフェニルアミノ基又はＺ104で置換されていてもよいジフェニルアミノ基が好ましく、ハロゲン原子がより好ましく、フッ素原子又は存在しないこと（すなわち、非置換であること）がより一層好ましい。
【００６０】
また、Ｚ104としては、ハロゲン原子、Ｚ105で置換されていてもよい炭素数１〜２０のアルキル基、Ｚ105で置換されていてもよいフラニル基、エポキシシクロヘキシル基、グリシドキシ基、メタクリロキシ基、アクリロキシ基、ウレイド基、チオール基、イソシアネート基、アミノ基、Ｚ105で置換されていてもよいフェニルアミノ基又はＺ105で置換されていてもよいジフェニルアミノ基が好ましく、ハロゲン原子がより好ましく、フッ素原子又は存在しないこと（すなわち、非置換であること）がより一層好ましい。
【００６１】
そして、Ｚ105としては、ハロゲン原子が好ましく、フッ素原子又は存在しないこと（すなわち、非置換であること）がより好ましい。
【００６２】
以下、本発明で使用可能な有機シラン化合物の具体例を挙げるが、これらに限定されるものではない。
ジアルコキシシラン化合物の具体例としては、ジメチルジメトキシシラン、ジメチルジエトキシシラン、メチルエチルジメトキシシラン、ジエチルジメトキシシラン、ジエチルジエトキシシラン、メチルプロピルジメトキシシラン、メチルプロピルジエトキシシラン、ジイソプロピルジメトキシシラン、フェニルメチルジメトキシシラン、ビニルメチルジメトキシシラン、３−グリシドキシプロピルメチルジメトキシシシラン、３−グリシドキシプロピルメチルジエトキシシシラン、３−(３,４−エポキシシクロヘキシル)エチルメチルジメトキシシラン、３−メタクリロキシプロピルメチルジメトキシシラン、３−メタクリロキシプロピルメチルジエトキシシラン、３−メルカプトプロピルメチルジメトキシシラン、３−アミノプロピルメチルジエトキシシラン、Ｎ−(２−アミノエチル)アミノプロピルメチルジメトキシシラン、３,３,３−トリフルオロプロピルメチルジメトキシシラン等が挙げられる。
【００６３】
トリアルコキシシラン化合物の具体例としては、メチルトリメトキシシラン、メチルトリエトキシシラン、エチルトリメトキシシラン、エチルトリエトキシシラン、プロピルトリメトキシシラン、プロピルトリエトキシシラン、ブチルトリメトキシシラン、ブチルトリエトキシシラン、ペンチルトリメトキシシラン、ペンチルトリエトキシシラン、ヘプチルトリメトキシシラン、ヘプチルトリエトキシシラン、オクチルトリメトキシシラン、オクチルトリエトキシシラン、ドデシルトリメトキシシラン、ドデシルトリエトキシシラン、ヘキサデシルトリメトキシシラン、ヘキサデシルトリエトキシシラン、オクタデシルトリメトキシシラン、オクタデシルトリエトキシシラン、フェニルトリメトキシシラン、フェニルトリエトキシシラン、ビニルトリメトキシシラン、ビニルトリエトキシシラン、３−アミノプロピルトリメトキシシラン、３−アミノプロピルトリエトキシシラン、３−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、３−グリシドキシプロピルトリエトキシシラン、３−メタクリロキシプロピルトリメトキシシラン、３−メタクリロキシプロピルトリエトキシシラン、トリエトキシ(４−(トリフルオロメチル)フェニル)シラン、ドデシルトリエトキシシラン、３,３,３−トリフルオロプロピルトリメトキシシラン、(トリエトキシシリル)シクロヘキサン、パーフルオロオクチルエチルトリエトキシシラン、トリエトキシフルオロシラン、トリデカフルオロ−１,１,２,２−テトラヒドロオクチルトリエトキシシラン、ペンタフルオロフェニルトリメトキシシラン、ペンタフルオロフェニルトリエトキシシラン、３−(ヘプタフルオロイソプロポキシ)プロピルトリエトキシシラン、ヘプタデカフルオロ−１,１,２,２−テトラヒドロデシルトリエトキシシラン、トリエトキシ−２−チエニルシラン、３−(トリエトキシシリル)フラン等が挙げられる。
【００６４】
テトラアルコキシシラン化合物の具体例としては、テトラメトキシシラン、テトラエトキシシラン、テトラプロポキシシラン等が挙げられる。
【００６５】
これらの中でも、３,３,３−トリフルオロプロピルメチルジメトキシシラン、トリエトキシ(４−(トリフルオロメチル)フェニル)シラン、３,３,３−トリフルオロプロピルトリメトキシシラン、パーフルオロオクチルエチルトリエトキシシラン、ペンタフルオロフェニルトリメトキシシラン、ペンタフルオロフェニルトリエトキシシラン等が好ましい。
【００６６】
本発明の電荷輸送性ワニスにおける有機シラン化合物の含有量は、電荷輸送性物質及びドーパントの総質量に対して、通常０.１〜５０質量％程度であるが、得られる薄膜の電荷輸送性の低下を抑制し、かつ、正孔輸送層や発光層といった陽極とは反対側に正孔注入層に接するように積層される層への正孔注入能を高めることを考慮すると、好ましくは０.５〜４０質量％程度、より好ましくは０.８〜３０質量％程度、より一層好ましくは１〜２０質量％程度である。
【００６７】
［テトラシアノキノジメタン化合物］
本発明の電荷輸送性ワニスは、式（６）で表されるテトラシアノキノジメタン化合物を含むことが好ましい。テトラシアノキノジメタン化合物を含むことで、得られる薄膜を有機ＥＬ素子の正孔注入層として用いた場合に、その輝度等の特性が更に向上する。また、ワニスを低温焼成した場合においても、高平坦性及び高電荷輸送性の薄膜を再現性よく製造できる。
【化８】
2015092561.tif 000009
【００６８】
式中、Ｒ101〜Ｒ104は、それぞれ独立に、水素原子又はハロゲン原子を表すが、少なくとも１つはハロゲン原子である。ハロゲン原子としては上記と同じものが挙げられ、フッ素原子又は塩素原子が好ましく、フッ素原子がより好ましい。また、Ｒ101〜Ｒ104の少なくとも２つがハロゲン原子であることが好ましく、少なくとも３つがハロゲン原子であることがより好ましく、全てがハロゲン原子であることが最も好ましい。
【００６９】
テトラシアノキノジメタン化合物として具体的には、テトラフルオロテトラシアノキノジメタン（Ｆ４ＴＣＮＱ）、テトラクロロテトラシアノキノジメタン、２−フルオロテトラシアノキノジメタン、２−クロロテトラシアノキノジメタン、２,５−ジフルオロテトラシアノキノジメタン、２,５−ジクロロテトラシアノキノジメタン等が挙げられる。テトラシアノキノジメタン化合物として特に好ましくは、Ｆ４ＴＣＮＱである。
【００７０】
本発明の電荷輸送性ワニスにおけるテトラシアノキノジメタン化合物の含有量は、チオフェン誘導体に対して、好ましくは０.０００１〜１当量、より好ましくは０.００１〜０.５当量、更に好ましくは０.０１〜０.２当量である。
【００７１】
［その他の成分］
本発明の電荷輸送性ワニスは、上述したチオフェン誘導体のほかに、本発明の効果を妨げない限り、その他の電荷輸送性物質を含んでもよい。また、本発明の電荷輸送性ワニスは、ドーパントとして、上述したヘテロポリ酸の代わりに、その他の物質を含んでもよい。
【００７２】
その他の電荷輸送性物質としては、例えば、特開２００２−１５１２７２号公報記載のオリゴアニリン誘導体、国際公開第２００４／１０５４４６号記載のオリゴアニリン化合物、国際公開第２００５／０４３９６２号記載の１,４−ジチイン環を有する化合物、国際公開第２００８／０３２６１７号記載のオリゴアニリン化合物、国際公開第２００８／０３２６１６号記載のオリゴアニリン化合物、国際公開第２０１３／０４２６２３号記載のアリールジアミン化合物等が挙げられる。
【００７３】
とりわけ、その他の電荷輸送性物質としては、アニリン誘導体が好ましく、有機溶媒への溶解性を考慮すると、その分子量は、好ましく４,０００以下、より好ましくは３,０００以下、より一層好ましくは２,０００以下である。
【００７４】
本発明において、その他の電荷輸送性物質として好適に用い得るアニリン誘導体としては、例えば、式（７）で表されるものが挙げられる。
【化９】
2015092561.tif 000010
【００７５】
Ｂ1は、単結合、−ＮＨ−、−ＣＨ2−、−Ｓ−又は−Ｏ−を表すが、単結合又は−ＮＨ−が好ましい。
【００７６】
Ｒ201〜Ｒ206は、それぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、Ｚ201で置換されていてもよい炭素数１〜２０のアルキル基、Ｚ201で置換されていてもよい炭素数２〜２０のアルケニル基、Ｚ201で置換されていてもよい炭素数２〜２０のアルキニル基、Ｚ202で置換されていてもよい炭素数６〜２０のアリール基、Ｚ202で置換されていてもよい炭素数２〜２０のヘテロアリール基、−ＯＹ201基、−ＳＹ202基、−ＮＨＹ203、−ＮＹ204Ｙ205基、又は−ＮＨＣ(Ｏ)Ｙ206基を表す。Ｙ201〜Ｙ206は、それぞれ独立に、Ｚ201で置換されていてもよい炭素数１〜２０のアルキル基、Ｚ201で置換されていてもよい炭素数２〜２０のアルケニル基、Ｚ201で置換されていてもよい炭素数２〜２０のアルキニル基、Ｚ202で置換されていてもよい炭素数６〜２０のアリール基又はＺ202で置換されていてもよい炭素数２〜２０のヘテロアリール基を表す。このようなハロゲン原子、アルキル基、アルケニル基、アルケニル基、アリール基及びヘテロアリール基の具体例としては、上記と同様のものが挙げられる。
【００７７】
Ｚ201は、ハロゲン原子、ニトロ基、シアノ基、アルデヒド基、ヒドロキシ基、チオール基、スルホン酸基、カルボン酸基、Ｚ203で置換されていてもよい炭素数６〜２０のアリール基又はＺ203で置換されていてもよい炭素数２〜２０のヘテロアリール基を表す。
Ｚ202は、ハロゲン原子、ニトロ基、シアノ基、アルデヒド基、ヒドロキシ基、チオール基、スルホン酸基、カルボン酸基、Ｚ203で置換されていてもよい炭素数１〜２０のアルキル基、Ｚ203で置換されていてもよい炭素数２〜２０のアルケニル基又はＺ203で置換されていてもよい炭素数２〜２０のアルキニル基を表す。
Ｚ203は、ハロゲン原子、ニトロ基、シアノ基、アルデヒド基、ヒドロキシ基、チオール基、スルホン酸基又はカルボン酸基を表す。
【００７８】
Ｒ201〜Ｒ204としては、水素原子、ハロゲン原子、Ｚ201で置換されていてもよい炭素数１〜２０のアルキル基、Ｚ202で置換されていてもよい炭素数６〜２０のアリール基、Ｚ201で置換されていてもよい炭素数１〜２０のアルコキシ基（すなわち、Ｙ201がＺ201で置換されていてもよい炭素数１〜２０のアルキル基である−ＯＹ201基）が好ましく、水素原子、フッ素原子、Ｚ201で置換されていてもよい炭素数１〜１０のアルキル基、Ｚ202で置換されていてもよい炭素数６〜１４のアリール基、Ｚ201で置換されていてもよい炭素数１〜１０のアルコキシ基がより好ましく、水素原子、フッ素原子、Ｚ201で置換されていてもよい炭素数１〜６のアルキル基、Ｚ202で置換されていてもよい６〜１０のアリール基、Ｚ201で置換されていてもよい炭素数１〜６のアルコキシ基がより一層好ましく、水素原子、フッ素原子、Ｚ201で置換されていてもよい炭素数１〜６のアルキル基、Ｚ201で置換されていてもよい炭素数１〜６のアルコキシ基が更に好ましく、水素原子が最適である。
【００７９】
一方、Ｒ205及びＲ206としては、水素原子、ハロゲン原子、各々のアルキル基がＺ201で置換されていてもよい炭素数１〜２０のアルキル基であるジアルキルアミノ基（すなわち、Ｙ204及びＹ205がＺ201で置換されていてもよい炭素数１〜２０のアルキル基である−ＮＹ204Ｙ205基）、又は各々のアリール基がＺ202で置換されていてもよい炭素数６〜２０のアリール基であるジアリールアミノ基（すなわち、Ｙ204及びＹ205がＺ201で置換されていてもよい炭素数６〜２０のアリール基である−ＮＹ204Ｙ205基）が好ましく、水素原子、フッ素原子、各々のアルキル基がＺ201で置換されていてもよい炭素数１〜２０のアルキル基であるジアルキルアミノ基、又は各々のアリール基がＺ202で置換されていてもよい炭素数６〜２０のアリール基であるジアリールアミノ基がより好ましく、水素原子、各々のアリール基がＺ202で置換されていてもよい炭素数６〜２０のアリール基であるジアリールアミノ基がより一層好ましく、同時に水素原子又は各々のアリール基がＺ202で置換されていてもよい炭素数６〜２０のアリール基であるジアリールアミノ基が更に好ましい。
【００８０】
式（７）において、ｐ及びｑは、それぞれ独立に０以上の整数を表し、２≦ｐ＋ｑ≦２０を満たすが、好ましくは２≦ｐ＋ｑ≦８、より好ましくは２≦ｐ＋ｑ≦６、より一層好ましくは２≦ｐ＋ｑ≦４を満たす。
【００８１】
特に、Ｒ201〜Ｒ206及びＹ201〜Ｙ206において、Ｚ201は、Ｚ202で置換されていてもよい炭素数６〜２０のアリール基が好ましく、Ｚ202で置換されていてもよいフェニル基がより好ましく、存在しないこと（すなわち、非置換であること）が最適である。
また、Ｚ202は、Ｚ201で置換されていてもよい炭素数１〜２０のアルキル基が好ましく、Ｚ201で置換されていてもよい炭素数１〜１０のアルキル基がより好ましく、Ｚ201で置換されていてもよい炭素数１〜８のアルキル基がより一層好ましく、Ｚ201で置換されていてもよい炭素数１〜６のアルキル基が更に好ましく、存在しないこと（すなわち、非置換であること）が最適である。
Ｚ203は、ハロゲン原子が好ましく、フッ素がより好ましく、存在しないこと（すなわち、非置換であること）が最適である。
【００８２】
以下、本発明において、その他の電荷輸送性物質として好適なアニリン誘導体の具体例を挙げるが、これらに限定されない。
【化１０】
2015092561.tif 000011
【００８３】
一方、ドーパントとなるその他の物質としては、例えば、ベンゼンスルホン酸、トシル酸、ｐ−スチレンスルホン酸、２−ナフタレンスルホン酸、４−ヒドロキシベンゼンスルホン酸、５−スルホサリチル酸、ｐ−ドデシルベンゼンスルホン酸、ジヘキシルベンゼンスルホン酸、２,５−ジヘキシルベンゼンスルホン酸、ジブチルナフタレンスルホン酸、６,７−ジブチル−２−ナフタレンスルホン酸、ドデシルナフタレンスルホン酸、３−ドデシル−２−ナフタレンスルホン酸、ヘキシルナフタレンスルホン酸、４−ヘキシル−１−ナフタレンスルホン酸、オクチルナフタレンスルホン酸、２−オクチル−１−ナフタレンスルホン酸、ヘキシルナフタレンスルホン酸、７−へキシル−１−ナフタレンスルホン酸、６−ヘキシル−２−ナフタレンスルホン酸、ジノニルナフタレンスルホン酸、２,７−ジノニル−４−ナフタレンスルホン酸、ジノニルナフタレンジスルホン酸、２,７−ジノニル−４,５−ナフタレンジスルホン酸、国際公開第２００５／０００８３２号に記載されている１,４−ベンゾジオキサンジスルホン酸化合物、国際公開第２００６／０２５３４２号に記載されているアリールスルホン酸化合物、国際公開第２００９／０９６３５２号に記載されているアリールスルホン酸化合物、ポリスチレンスルホン酸等のアリールスルホン化合物；１０−カンファースルホン酸等の非アリールスルホン化合物；７,７,８,８−テトラシアノキノジメタン（ＴＣＮＱ）、２,３−ジクロロ−５,６−ジシアノ−１,４−ベンゾキノン（ＤＤＱ）等の有機酸化剤が挙げられる。
【００８４】
これらの中でも、ドーパントとなるその他の物質としては、アリールスルホン酸化合物が好ましく、有機溶媒への溶解性を考慮すると、その分子量は、好ましく３,０００以下、より好ましくは２,０００以下、より一層好ましくは１,０００以下である。
【００８５】
本発明において、ドーパントとして好適に用い得るアリールスルホン酸化合物としては、例えば、式（８）又は（９）で表されるものが挙げられる。
【化１１】
2015092561.tif 000012
【００８６】
式（８）中、Ａ1は−Ｏ−又は−Ｓ−を表すが、−Ｏ−が好ましい。Ａ2はナフタレン環又はアントラセン環を表すが、ナフタレン環が好ましい。Ａ3は２〜４価のパーフルオロビフェニル基を表し、ｊはＡ1とＡ3との結合数を示し、２≦ｊ≦４を満たす整数であるが、Ａ3が２価のパーフルオロビフェニル基、好ましくはパーフルオロビフェニル−４,４−ジイルであり、かつ、ｊが２であることが好ましい。ｍはＡ2に結合するスルホン酸基数を表し、１≦ｍ≦４を満たす整数であるが、２が好適である。
【００８７】
式（９）中、Ａ4〜Ａ8は、それぞれ独立に水素原子、ハロゲン原子、シアノ基、炭素数１〜２０のアルキル基、炭素数１〜２０のハロゲン化アルキル基又は炭素数２〜２０のハロゲン化アルケニル基を表すが、Ａ4〜Ａ8のうち少なくとも３つはハロゲン原子である。ｋはナフタレン環に結合するスルホン酸基数を表し、１≦ｋ≦４を満たす整数であるが、２〜４が好ましく、２がより好ましい。
【００８８】
炭素数１〜２０のハロゲン化アルキル基としては、トリフルオロメチル基、２,２,２−トリフルオロエチル基、１,１,２,２,２−ペンタフルオロエチル基、３,３,３−トリフルオロプロピル基、２,２,３,３,３−ペンタフルオロプロピル基、１,１,２,２,３,３,３−ヘプタフルオロプロピル基、４,４,４−トリフルオロブチル基、３,３,４,４,４−ペンタフルオロブチル基、２,２,３,３,４,４,４−ヘプタフルオロブチル基、１,１,２,２,３,３,４,４,４−ノナフルオロブチル基等が挙げられる。炭素数２〜２０のハロゲン化アルケニル基としては、パーフルオロビニル基、１−パーフルオロプロペニル基、パーフルオロアリル基、パーフルオロブテニル基等が挙げられる。
【００８９】
ハロゲン原子、炭素数１〜２０のアルキル基の例としては上記と同様のものが挙げられるが、ハロゲン原子としては、フッ素原子が好ましい。
【００９０】
これらの中でも、Ａ4〜Ａ8は、水素原子、ハロゲン原子、シアノ基、炭素数１〜１０のアルキル基、炭素数１〜１０のハロゲン化アルキル基又は炭素数２〜１０のハロゲン化アルケニル基であり、かつＡ4〜Ａ8のうち少なくとも３つはフッ素原子であることが好ましく、水素原子、フッ素原子、シアノ基、炭素数１〜５のアルキル基、炭素数１〜５のフッ化アルキル基又は炭素数２〜５のフッ化アルケニル基であり、かつＡ4〜Ａ8のうち少なくとも３つはフッ素原子であることがより好ましく、水素原子、フッ素原子、シアノ基、炭素数１〜５のパーフルオロアルキル基又は炭素数１〜５のパーフルオロアルケニル基であり、かつＡ4、Ａ5及びＡ8がフッ素原子であることより一層好ましい。
【００９１】
なお、パーフルオロアルキル基とは、アルキル基の水素原子全てがフッ素原子に置換された基であり、パーフルオロアルケニル基とは、アルケニル基の水素原子全てがフッ素原子に置換された基である。
【００９２】
本発明におけるドーパントとして好適なアリールスルホン酸化合物の具体例を挙げるが、これらに限定されない。
【化１２】
2015092561.tif 000013
【００９３】
［電荷輸送性材料］
本発明の電荷輸送性材料は、式（１）で表されるチオフェン誘導体からなる電荷輸送性物質と、ドーパントとを含む。このような電荷輸送性材料は、有機溶媒への良好な溶解性を示し、上述のとおりに、当該電荷輸送性材料を有機溶媒に溶解させることで、容易に電荷輸送性ワニスを製造することができる。
【００９４】
［電荷輸送性薄膜］
本発明の電荷輸送性ワニスを基材上に塗布して焼成することで、基材上に電荷輸送性薄膜を形成させることができる。
【００９５】
ワニスの塗布方法としては、特に限定されるものではなく、ディップ法、スピンコート法、転写印刷法、ロールコート法、刷毛塗り、インクジェット法、スプレー法等が挙げられ、塗布方法に応じてワニスの粘度及び表面張力を調節することが好ましい。
【００９６】
また、本発明のワニスを用いる場合、焼成雰囲気も特に限定されるものではなく、大気雰囲気だけでなく、窒素等の不活性ガスや真空中でも均一な成膜面及び高い電荷輸送性を有する薄膜を得ることができる。
【００９７】
焼成温度は、得られる薄膜の用途、得られる薄膜に付与する電荷輸送性の程度等を勘案して、１００〜２６０℃程度の範囲内で適宜設定されるものではあるが、得られる薄膜を有機ＥＬ素子の正孔注入層として用いる場合、１４０〜２５０℃程度が好ましく、１４５〜２４０℃程度がより好ましい。
【００９８】
本発明のワニスの特徴の一つに、２００℃未満の低温で焼成可能であるという特徴があり、そのような焼成条件下で作製した薄膜でも、高平坦性及び高電荷輸送性を有する。
【００９９】
なお、焼成の際、より高い均一成膜性を発現させたり、基材上で反応を進行させたりする目的で、２段階以上の温度変化をつけてもよい。加熱は、例えば、ホットプレートやオーブン等適当な機器を用いて行えばよい。
【０１００】
電荷輸送性薄膜の膜厚は、特に限定されないが、有機ＥＬ素子の正孔注入層として用いる場合、５〜２００ｎｍが好ましい。膜厚を変化させる方法としては、ワニス中の固形分濃度を変化させたり、塗布時の基板上の溶液量を変化させたりする等の方法がある。
【０１０１】
［有機ＥＬ素子］
本発明の電荷輸送性ワニスを用いてＯＬＥＤ素子を作製する場合の使用材料や、作製方法としては、下記のようなものが挙げられるが、これらに限定されない。
【０１０２】
使用する電極基板は、洗剤、アルコール、純水等による液体洗浄を予め行って浄化しておくことが好ましく、例えば、陽極基板では使用直前にＵＶオゾン処理、酸素−プラズマ処理等の表面処理を行うことが好ましい。ただし陽極材料が有機物を主成分とする場合、表面処理を行わなくともよい。
【０１０３】
本発明の電荷輸送性ワニスから得られる薄膜からなる正孔注入層を有するＯＬＥＤ素子の作製方法の例は、以下のとおりである。
【０１０４】
上記の方法により、陽極基板上に本発明の電荷輸送性ワニスを塗布して焼成し、電極上に正孔注入層を作製する。これを真空蒸着装置内に導入し、正孔輸送層、発光層、電子輸送層、電子輸送層／ホールブロック層、電子注入層、陰極金属を順次蒸着してＯＬＥＤ素子とする。なお、必要に応じて、発光層と正孔輸送層との間に電子ブロック層を設けてよい。
【０１０５】
陽極材料としては、インジウム錫酸化物（ＩＴＯ）、インジウム亜鉛酸化物（ＩＺＯ）に代表される透明電極や、アルミニウムに代表される金属やこれらの合金等から構成される金属陽極が挙げられ、平坦化処理を行ったものが好ましい。高電荷輸送性を有するポリチオフェン誘導体やポリアニリン誘導体を用いることもできる。
【０１０６】
なお、金属陽極を構成するその他の金属としては、スカンジウム、チタン、バナジウム、クロム、マンガン、鉄、コバルト、ニッケル、銅、亜鉛、ガリウム、イットリウム、ジルコニウム、ニオブ、モリブデン、ルテニウム、ロジウム、パラジウム、カドミウム、インジウム、スカンジウム、ランタン、セリウム、プラセオジム、ネオジム、プロメチウム、サマリウム、ユウロピウム、ガドリニウム、テルビウム、ジスプロシウム、ホルミウム、エルビウム、ツリウム、イッテルビウム、ハフニウム、タリウム、タングステン、レニウム、オスミウム、イリジウム、プラチナ、金、チタン、鉛、ビスマスやこれらの合金等が挙げられるが、これらに限定されない。
【０１０７】
正孔輸送層を形成する材料としては、(トリフェニルアミン)ダイマー誘導体、[(トリフェニルアミン)ダイマー]スピロダイマー、Ｎ,Ｎ'−ビス(ナフタレン−１−イル)−Ｎ,Ｎ'−ビス(フェニル)−ベンジジン（α−ＮＰＤ）、Ｎ,Ｎ'−ビス(ナフタレン−２−イル)−Ｎ,Ｎ'−ビス(フェニル)−ベンジジン、Ｎ,Ｎ'−ビス(３−メチルフェニル)−Ｎ,Ｎ'−ビス(フェニル)−ベンジジン、Ｎ,Ｎ'−ビス(３−メチルフェニル)−Ｎ,Ｎ'−ビス(フェニル)−９,９−スピロビフルオレン、Ｎ,Ｎ'−ビス(ナフタレン−１−イル)−Ｎ,Ｎ'−ビス(フェニル)−９,９−スピロビフルオレン、Ｎ,Ｎ'−ビス(３−メチルフェニル)−Ｎ,Ｎ'−ビス(フェニル)−９,９−ジメチル−フルオレン、Ｎ,Ｎ'−ビス(ナフタレン−１−イル)−Ｎ,Ｎ'−ビス(フェニル)−９,９−ジメチル−フルオレン、Ｎ,Ｎ'−ビス(３−メチルフェニル)−Ｎ,Ｎ'−ビス(フェニル)−９,９−ジフェニル−フルオレン、Ｎ,Ｎ'−ビス(ナフタレン−１−イル)−Ｎ,Ｎ'−ビス(フェニル)−９,９−ジフェニル−フルオレン、Ｎ,Ｎ'−ビス(ナフタレン−１−イル)−Ｎ,Ｎ'−ビス(フェニル)−２,２'−ジメチルベンジジン、２,２',７,７'−テトラキス(Ｎ,Ｎ−ジフェニルアミノ)−９,９−スピロビフルオレン、９,９−ビス[４−(Ｎ,Ｎ−ビス−ビフェニル−４−イル−アミノ)フェニル]−９Ｈ−フルオレン、９,９−ビス[４−(Ｎ,Ｎ−ビス−ナフタレン−２−イル−アミノ)フェニル]−９Ｈ−フルオレン、９,９−ビス[４−(Ｎ−ナフタレン−１−イル−Ｎ−フェニルアミノ)−フェニル]−９Ｈ−フルオレン、２,２',７,７'−テトラキス[Ｎ−ナフタレニル(フェニル)−アミノ]−９,９−スピロビフルオレン、Ｎ,Ｎ'−ビス(フェナントレン−９−イル)−Ｎ,Ｎ'−ビス(フェニル)−ベンジジン、２,２'−ビス[Ｎ,Ｎ−ビス(ビフェニル−４−イル)アミノ]−９,９−スピロビフルオレン、２,２'−ビス(Ｎ,Ｎ−ジフェニルアミノ)−９,９−スピロビフルオレン、ジ−[４−(Ｎ,Ｎ−ジ(ｐ−トリル)アミノ)−フェニル]シクロヘキサン、２,２',７,７'−テトラ(Ｎ,Ｎ−ジ(ｐ−トリル)アミノ)−９,９−スピロビフルオレン、Ｎ,Ｎ,Ｎ',Ｎ'−テトラ−ナフタレン−２−イル−ベンジジン、Ｎ,Ｎ,Ｎ',Ｎ'−テトラ−(３−メチルフェニル)−３,３'−ジメチルベンジジン、Ｎ,Ｎ'−ジ(ナフタレニル)−Ｎ,Ｎ'−ジ(ナフタレン−２−イル)−ベンジジン、Ｎ,Ｎ,Ｎ',Ｎ'−テトラ(ナフタレニル)−ベンジジン、Ｎ,Ｎ'−ジ(ナフタレン−２−イル)−Ｎ,Ｎ'−ジフェニルベンジジン−１,４−ジアミン、Ｎ1,Ｎ4−ジフェニル−Ｎ1,Ｎ4−ジ(ｍ−トリル)ベンゼン−１,４−ジアミン、Ｎ2,Ｎ2,Ｎ6,Ｎ6−テトラフェニルナフタレン−２,６−ジアミン、トリス(４−(キノリン−８−イル)フェニル)アミン、２,２'−ビス(３−(Ｎ,Ｎ−ジ(ｐ−トリル)アミノ)フェニル)ビフェニル、４,４',４''−トリス[３−メチルフェニル(フェニル)アミノ]トリフェニルアミン（ｍ−ＭＴＤＡＴＡ）、４,４',４''−トリス[１−ナフチル(フェニル)アミノ]トリフェニルアミン（１−ＴＮＡＴＡ）等のトリアリールアミン類、５,５''−ビス−{４−[ビス(４−メチルフェニル)アミノ]フェニル}−２,２':５',２''−ターチオフェン（ＢＭＡ−３Ｔ）等のオリゴチオフェン類等が挙げられる。
【０１０８】
発光層を形成する材料としては、トリス(８−キノリノラート)アルミニウム(III)（Ａｌｑ3）、ビス(８−キノリノラート)亜鉛(II)（Ｚｎｑ2）、ビス(２−メチル−８−キノリノラート)−４−(ｐ−フェニルフェノラート)アルミニウム(III)（ＢＡｌｑ）、４,４'−ビス(２,２−ジフェニルビニル)ビフェニル、９,１０−ジ(ナフタレン−２−イル)アントラセン、２−ｔ−ブチル−９,１０−ジ(ナフタレン−２−イル)アントラセン、２,７−ビス[９,９−ジ(４−メチルフェニル)−フルオレン−２−イル]−９,９−ジ(４−メチルフェニル)フルオレン、２−メチル−９,１０−ビス(ナフタレン−２−イル)アントラセン、２−(９,９−スピロビフルオレン−２−イル)−９,９−スピロビフルオレン、２,７−ビス(９,９−スピロビフルオレン−２−イル)−９,９−スピロビフルオレン、２−[９,９−ジ(４−メチルフェニル)−フルオレン−２−イル]−９,９−ジ(４−メチルフェニル)フルオレン、２,２'−ジピレニル−９,９−スピロビフルオレン、１,３,５−トリス(ピレン−１−イル)ベンゼン、９,９−ビス[４−(ピレニル)フェニル]−９Ｈ−フルオレン、２,２'−ビ(９,１０−ジフェニルアントラセン)、２,７−ジピレニル−９,９−スピロビフルオレン、１,４−ジ(ピレン−１−イル)ベンゼン、１,３−ジ(ピレン−１−イル)ベンゼン、６,１３−ジ(ビフェニル−４−イル)ペンタセン、３,９−ジ(ナフタレン−２−イル)ペリレン、３,１０−ジ(ナフタレン−２−イル)ペリレン、トリス[４−(ピレニル)−フェニル]アミン、１０,１０'−ジ(ビフェニル−４−イル)−９,９'−ビアントラセン、Ｎ,Ｎ'−ジ(ナフタレン−１−イル)−Ｎ,Ｎ'−ジフェニル−[１,１':４',１'':４'',１'''−クォーターフェニル]−４,４'''−ジアミン、４,４'−ジ[１０−(ナフタレン−１−イル)アントラセン−９−イル]ビフェニル、ジベンゾ{[ｆ,ｆ']−４,４',７,７'−テトラフェニル}ジインデノ[１,２,３−ｃｄ:１',２',３'−ｌｍ]ペリレン、１−(７−(９,９'−ビアントラセン−１０−イル)−９,９−ジメチル−９Ｈ−フルオレン−２−イル)ピレン、１−(７−(９,９'−ビアントラセン−１０−イル)−９,９−ジヘキシル−９Ｈ−フルオレン−２−イル)ピレン、１,３−ビス(カルバゾール−９−イル)ベンゼン、１,３,５−トリス(カルバゾール−９−イル)ベンゼン、４,４',４''−トリス(カルバゾール−９−イル)トリフェニルアミン、４,４'−ビス(カルバゾール−９−イル)ビフェニル（ＣＢＰ）、４,４'−ビス(カルバゾール−９−イル)−２,２'−ジメチルビフェニル、２,７−ビス(カルバゾール−９−イル)−９,９−ジメチルフルオレン、２,２',７,７'−テトラキス(カルバゾール−９−イル)−９,９−スピロビフルオレン、２,７−ビス(カルバゾール−９−イル)−９,９−ジ(ｐ−トリル)フルオレン、９,９−ビス[４−(カルバゾール−９−イル)−フェニル]フルオレン、２,７−ビス(カルバゾール−９−イル)−９,９−スピロビフルオレン、１,４−ビス(トリフェニルシリル)ベンゼン、１,３−ビス(トリフェニルシリル)ベンゼン、ビス(４−Ｎ,Ｎ−ジエチルアミノ−２−メチルフェニル)−４−メチルフェニルメタン、２,７−ビス(カルバゾール−９−イル)−９,９−ジオクチルフルオレン、４,４''−ジ(トリフェニルシリル)−ｐ−ターフェニル、４,４'−ジ(トリフェニルシリル)ビフェニル、９−(４−ｔ−ブチルフェニル)−３,６−ビス(トリフェニルシリル)−９Ｈ−カルバゾール、９−(４−ｔ−ブチルフェニル)−３,６−ジトリチル−９Ｈ−カルバゾール、９−(４−ｔ−ブチルフェニル)−３,６−ビス(９−(４−メトキシフェニル)−９Ｈ−フルオレン−９−イル)−９Ｈ−カルバゾール、２,６−ビス(３−(９Ｈ−カルバゾール−９−イル)フェニル)ピリジン、トリフェニル(４−(９−フェニル−９Ｈ−フルオレン−９−イル)フェニル)シラン、９,９−ジメチル−Ｎ,Ｎ−ジフェニル−７−(４−(１−フェニル−１Ｈ−ベンゾ[ｄ]イミダゾール−２−イル)フェニル)−９Ｈ−フルオレン−２−アミン、３,５−ビス(３−(９Ｈ−カルバゾール−９−イル)フェニル)ピリジン、９,９−スピロビフルオレン−２−イル−ジフェニル−ホスフィンオキサイド、９,９'−(５−(トリフェニルシリル)−１,３−フェニレン)ビス(９Ｈ−カルバゾール)、３−(２,７−ビス(ジフェニルホスホリル)−９−フェニル−９Ｈ−フルオレン−９−イル)−９−フェニル−９Ｈ−カルバゾール、４,４,８,８,１２,１２−ヘキサ(ｐ−トリル)−４Ｈ−８Ｈ−１２Ｈ−１２Ｃ−アザジベンゾ[ｃｄ,ｍｎ]ピレン、４,７−ジ(９Ｈ−カルバゾール−９−イル)−１,１０−フェナントロリン、２,２'−ビス(４−(カルバゾール−９−イル)フェニル)ビフェニル、２,８−ビス(ジフェニルホスホリル)ジベンゾ[ｂ,ｄ]チオフェン、ビス(２−メチルフェニル)ジフェニルシラン、ビス[３,５−ジ(９Ｈ−カルバゾール−９−イル)フェニル]ジフェニルシラン、３,６−ビス(カルバゾール−９−イル)−９−(２−エチル−ヘキシル)−９Ｈ−カルバゾール、３−(ジフェニルホスホリル)−９−(４−(ジフェニルホスホリル)フェニル)−９Ｈ−カルバゾール、３,６−ビス[(３,５−ジフェニル)フェニル]−９−フェニルカルバゾール等が挙げられ、発光性ドーパントと共蒸着することによって、発光層を形成してもよい。
【０１０９】
発光性ドーパントとしては、３−(２−ベンゾチアゾリル)−７−(ジエチルアミノ)クマリン、２,３,６,７−テトラヒドロ−１,１,７,７−テトラメチル−１Ｈ,５Ｈ,１１Ｈ−１０−(２−ベンゾチアゾリル)キノリジノ[９,９ａ,１ｇｈ]クマリン、キナクリドン、Ｎ,Ｎ'−ジメチル−キナクリドン、トリス(２−フェニルピリジン)イリジウム(III)（Ir(ppy)3）、ビス(２−フェニルピリジン)(アセチルアセトネート)イリジウム(III)（Ir(ppy)2(acac)）、トリス[２−(ｐ−トリル)ピリジン]イリジウム(III)（Ir(mppy)3）、９,１０−ビス[Ｎ,Ｎ−ジ(ｐ−トリル)アミノ]アントラセン、９,１０−ビス[フェニル(ｍ−トリル)アミノ]アントラセン、ビス[２−(２−ヒドロキシフェニル)ベンゾチアゾラト]亜鉛(II)、Ｎ10,Ｎ10,Ｎ10,Ｎ10−テトラ(ｐ−トリル)−９,９'−ビアントラセン−１０,１０'−ジアミン、Ｎ10,Ｎ10,Ｎ10,Ｎ10−テトラフェニル−９,９'−ビアントラセン−１０,１０'−ジアミン、Ｎ10,Ｎ10−ジフェニル−Ｎ10,Ｎ10−ジナフタレニル−９,９'−ビアントラセン−１０,１０'−ジアミン、４,４'−ビス(９−エチル−３−カルバゾビニレン)−１,１'−ビフェニル、ペリレン、２,５,８,１１−テトラ−ｔ−ブチルペリレン、１,４−ビス[２−(３−Ｎ−エチルカルバゾリル)ビニル]ベンゼン、４,４'−ビス[４−(ジ−ｐ−トリルアミノ)スチリル]ビフェニル、４−(ジ−ｐ−トリルアミノ)−４'−[(ジ−ｐ−トリルアミノ)スチリル]スチルベン、ビス[３,５−ジフルオロ−２−(２−ピリジル)フェニル−(２−カルボキシピリジル)]イリジウム(III)、４,４'−ビス[４−(ジフェニルアミノ)スチリル]ビフェニル、ビス(２,４−ジフルオロフェニルピリジナト)テトラキス(１−ピラゾリル)ボレートイリジウム(III)、Ｎ,Ｎ'−ビス(ナフタレン−２−イル)−Ｎ,Ｎ'−ビス(フェニル)−トリス(９,９−ジメチルフルオレニレン)、２,７−ビス{２−[フェニル(ｍ−トリル)アミノ]−９,９−ジメチル−フルオレン−７−イル}−９,９−ジメチル−フルオレン、Ｎ−(４−((Ｅ)−２−(６((Ｅ)−４−(ジフェニルアミノ)スチリル)ナフタレン−２−イル)ビニル)フェニル)−Ｎ−フェニルベンゼンアミン、ｆａｃ−イリジウム(III)トリス(１−フェニル−３−メチルベンズイミダゾリン−２−イリデン−Ｃ,Ｃ2)、ｍｅｒ−イリジウム(III)トリス(１−フェニル−３−メチルベンズイミダゾリン−２−イリデン−Ｃ,Ｃ2)、２,７−ビス[４−(ジフェニルアミノ)スチリル]−９,９−スピロビフルオレン、６−メチル−２−(４−(９−(４−(６−メチルベンゾ[ｄ]チアゾール−２−イル)フェニル)アントラセン−１０−イル)フェニル)ベンゾ[ｄ]チアゾール、１,４−ジ[４−(Ｎ,Ｎ−ジフェニル)アミノ]スチリルベンゼン、１,４−ビス(４−(９Ｈ−カルバゾール−９−イル)スチリル)ベンゼン、(Ｅ)−６−(４−(ジフェニルアミノ)スチリル)−Ｎ,Ｎ−ジフェニルナフタレン−２−アミン、ビス(２,４−ジフルオロフェニルピリジナト)(５−(ピリジン−２−イル)−１Ｈ−テトラゾレート)イリジウム(III)、ビス(３−トリフルオロメチル−５−(２−ピリジル)ピラゾール)((２,４−ジフルオロベンジル)ジフェニルホスフィネート)イリジウム(III)、ビス(３−トリフルオロメチル−５−(２−ピリジル)ピラゾレート)(ベンジルジフェニルホスフィネート)イリジウム(III)、ビス(１−(２,４−ジフルオロベンジル)−３−メチルベンズイミダゾリウム)(３−(トリフルオロメチル)−５−(２−ピリジル)−１,２,４−トリアゾレート)イリジウム(III)、ビス(３−トリフルオロメチル−５−(２−ピリジル)ピラゾレート)(４',６'−ジフルオロフェニルピリジネート)イリジウム(III)、ビス(４',６'−ジフルオロフェニルピリジナト)(３,５−ビス(トリフルオロメチル)−２−(２'−ピリジル)ピロレート)イリジウム(III)、ビス(４',６'−ジフルオロフェニルピリジナト)(３−(トリフルオロメチル)−５−(２−ピリジル)−１,２,４−トリアゾレート)イリジウム(III)、(Ｚ)−６−メシチル−Ｎ−(６−メシチルキノリン−２(１Ｈ)−イリデン)キノリン−２−アミン−ＢＦ2、(Ｅ)−２−(２−(４−(ジメチルアミノ)スチリル)−６−メチル−４Ｈ−ピラン−４−イリデン)マロノニトリル、４−(ジシアノメチレン)−２−メチル−６−ジュロリジル−９−エニル−４Ｈ−ピラン、４−(ジシアノメチレン)−２−メチル−６−(１,１,７,７−テトラメチルジュロリジル−９−エニル)−４Ｈ−ピラン、４−(ジシアノメチレン)−２−ｔ−ブチル−６−(１,１,７,７−テトラメチルジュロリジン−４−イル−ビニル)−４Ｈ−ピラン、トリス(ジベンゾイルメタン)フェナントロリンユーロピウム(III)、５,６,１１,１２−テトラフェニルナフタセン、ビス(２−ベンゾ[ｂ]チオフェン−２−イル−ピリジン)(アセチルアセトネート)イリジウム(III)、トリス(１−フェニルイソキノリン)イリジウム(III)、ビス(１−フェニルイソキノリン)(アセチルアセトネート)イリジウム(III)、ビス[１−(９,９−ジメチル−９Ｈ−フルオレン−２−イル)−イソキノリン](アセチルアセトネート)イリジウム(III)、ビス[２−(９,９−ジメチル−９Ｈ−フルオレン−２−イル)キノリン](アセチルアセトネート)イリジウム(III)、トリス[４,４'−ジ−ｔ−ブチル−(２,２')−ビピリジン]ルテニウム(III)・ビス(ヘキサフルオロホスフェート)、トリス(２−フェニルキノリン)イリジウム(III)、ビス(２−フェニルキノリン)(アセチルアセトネート)イリジウム(III)、２,８−ジ−ｔ−ブチル−５,１１−ビス(４−ｔ−ブチルフェニル)−６,１２−ジフェニルテトラセン、ビス(２−フェニルベンゾチアゾラト)(アセチルアセトネート)イリジウム(III)、５,１０,１５,２０−テトラフェニルテトラベンゾポルフィリン白金、オスミウム(II)ビス(３−トリフルオロメチル−５−(２−ピリジン)−ピラゾレート)ジメチルフェニルホスフィン、オスミウム(II)ビス(３−(トリフルオロメチル)−５−(４−ｔ−ブチルピリジル)−１,２,４−トリアゾレート)ジフェニルメチルホスフィン、オスミウム(II)ビス(３−(トリフルオロメチル)−５−(２−ピリジル)−１,２,４−トリアゾール)ジメチルフェニルホスフィン、オスミウム(II)ビス(３−(トリフルオロメチル)−５−(４−ｔ−ブチルピリジル)−１,２,４−トリアゾレート)ジメチルフェニルホスフィン、ビス[２−(４−ｎ−ヘキシルフェニル)キノリン](アセチルアセトネート)イリジウム(III)、トリス[２−(４−ｎ−ヘキシルフェニル)キノリン]イリジウム(III)、トリス[２−フェニル−４−メチルキノリン]イリジウム(III)、ビス(２−フェニルキノリン)(２−(３−メチルフェニル)ピリジネート)イリジウム(III)、ビス(２−(９,９−ジエチル−フルオレン−２−イル)−１−フェニル−１Ｈ−ベンゾ[ｄ]イミダゾラト)(アセチルアセトネート)イリジウム(III)、ビス(２−フェニ���ピリジン)(３−(ピリジン−２−イル)−２Ｈ−クロメン−２−オネート)イリジウム(III)、ビス(２−フェニルキノリン)(２,２,６,６−テトラメチルヘプタン−３,５−ジオネート)イリジウム(III)、ビス(フェニルイソキノリン)(２,２,６,６−テトラメチルヘプタン−３,５−ジオネート)イリジウム(III)、イリジウム(III)ビス(４−フェニルチエノ[３,２−ｃ]ピリジナト−Ｎ,Ｃ2)アセチルアセトネート、(Ｅ)−２−(２−ｔ−ブチル−６−(２−(２,６,６−トリメチル−２,４,５,６−テトラヒドロ−１Ｈ−ピローロ[３,２,１−ｉｊ]キノリン−８−イル)ビニル)−４Ｈ−ピラン−４−イリデン)マロノニトリル、ビス(３−トリフルオロメチル−５−(１−イソキノリル)ピラゾレート)(メチルジフェニルホスフィン)ルテニウム、ビス[(４−ｎ−ヘキシルフェニル)イソキノリン](アセチルアセトネート)イリジウム(III)、白金(II)オクタエチルポルフィン、ビス(２−メチルジベンゾ[ｆ,ｈ]キノキサリン)(アセチルアセトネート)イリジウム(III)、トリス[(４−ｎ−ヘキシルフェニル)キソキノリン]イリジウム(III)等が挙げられる。
【０１１０】
電子輸送層／ホールブロック層を形成する材料としては、８−ヒドロキシキノリノレート−リチウム、２,２',２''−(１,３,５−ベンジントリル)−トリス(１−フェニル−１−Ｈ−ベンズイミダゾール)、２−(４−ビフェニル)５−(４−ｔ−ブチルフェニル)−１,３,４−オキサジアゾール、２,９−ジメチル−４,７−ジフェニル−１,１０−フェナントロリン、４,７−ジフェニル−１,１０−フェナントロリン、ビス(２−メチル−８−キノリノレート)−４−(フェニルフェノラト)アルミニウム、１,３−ビス[２−(２,２'−ビピリジン−６−イル)−１,３,４−オキサジアゾ−５−イル]ベンゼン、６,６'−ビス[５−(ビフェニル−４−イル)−１,３,４−オキサジアゾ−２−イル]−２,２'−ビピリジン、３−(４−ビフェニル)−４−フェニル−５−ｔ−ブチルフェニル−１,２,４−トリアゾール、４−(ナフタレン−１−イル)−３,５−ジフェニル−４Ｈ−１,２,４−トリアゾール、２,９−ビス(ナフタレン−２−イル)−４,７−ジフェニル−１,１０−フェナントロリン、２,７−ビス[２−(２,２'−ビピリジン−６−イル)−１,３,４−オキサジアゾ−５−イル]−９,９−ジメチルフルオレン、１,３−ビス[２−(４−ｔ−ブチルフェニル)−１,３,４−オキサジアゾ−５−イル]ベンゼン、トリス(２,４,６−トリメチル−３−(ピリジン−３−イル)フェニル)ボラン、１−メチル−２−(４−(ナフタレン−２−イル)フェニル)−１Ｈ−イミダゾ[４,５ｆ][１,１０]フェナントロリン、２−(ナフタレン−２−イル)−４,７−ジフェニル−１,１０−フェナントロリン、フェニル−ジピレニルホスフィンオキサイド、３,３',５,５'−テトラ[(ｍ−ピリジル)−フェン−３−イル]ビフェニル、１,３,５−トリス[(３−ピリジル)−フェン−３−イル]ベンゼン、４,４'−ビス(４,６−ジフェニル−１,３,５−トリアジン−２−イル)ビフェニル、１,３−ビス[３,５−ジ(ピリジン−３−イル)フェニル]ベンゼン、ビス(１０−ヒドロキシベンゾ[ｈ]キノリナト)ベリリウム、ジフェニルビス(４−(ピリジン−３−イル)フェニル)シラン、３,５−ジ(ピレン−１−イル)ピリジン等が挙げられる。
【０１１１】
電子注入層を形成する材料としては、酸化リチウム（Li2O）、酸化マグネシウム（MgO）、アルミナ（Al2O3）、フッ化リチウム（LiF）、フッ化ナトリウム（NaF）、フッ化マグネシウム（MgF2）、フッ化セシウム（CsF）、フッ化ストロンチウム（SrF2）、三酸化モリブデン（MoO3）、アルミニウム、Li(acac)、酢酸リチウム、安息香酸リチウム等が挙げられる。
【０１１２】
陰極材料としては、アルミニウム、マグネシウム−銀合金、アルミニウム−リチウム合金、リチウム、ナトリウム、カリウム、セシウム等が挙げられる。
【０１１３】
電子ブロック層を形成する材料としては、トリス(フェニルピラゾール)イリジウム等が挙げられる。
【０１１４】
本発明の電荷輸送性ワニスを用いたＰＬＥＤ素子の作製方法は、特に限定されないが、以下の方法が挙げられる。
【０１１５】
上記ＯＬＥＤ素子作製において、正孔輸送層、発光層、電子輸送層、電子注入層の真空蒸着操作を行う代わりに、正孔輸送性高分子層、発光性高分子層を順次形成することによって本発明の電荷輸送性ワニスによって形成される電荷輸送性薄膜を有するＰＬＥＤ素子を作製することができる。
【０１１６】
具体的には、陽極基板上に本発明の電荷輸送性ワニスを塗布して上記の方法により正孔注入層を作製し、その上に正孔輸送性高分子層、発光性高分子層を順次形成し、更に陰極電極を蒸着してＰＬＥＤ素子とする。
【０１１７】
使用する陰極及び陽極材料としては、上記ＯＬＥＤ素子作製時と同様のものが使用でき、同様の洗浄処理、表面処理を行うことができる。
【０１１８】
正孔輸送性高分子層及び発光性高分子層の形成法としては、正孔輸送性高分子材料若しくは発光性高分子材料、又はこれらにドーパントを加えた材料に溶媒を加えて溶解するか、均一に分散し、正孔注入層又は正孔輸送性高分子層の上に塗布した後、それぞれ焼成することで成膜する方法が挙げられる。
【０１１９】
正孔輸送性高分子材料としては、ポリ[(９,９−ジヘキシルフルオレニル−２,７−ジイル)−ｃｏ−(Ｎ,Ｎ'−ビス{ｐ−ブチルフェニル}−１,４−ジアミノフェニレン)]、ポリ[(９,９−ジオクチルフルオレニル−２,７−ジイル)−ｃｏ−(Ｎ,Ｎ'−ビス{ｐ−ブチルフェニル}−１,１'−ビフェニレン−４,４−ジアミン)]、ポリ[(９,９−ビス{１'−ペンテン−５'−イル}フルオレニル−２,７−ジイル)−ｃｏ−(Ｎ,Ｎ'−ビス{ｐ−ブチルフェニル}−１,４−ジアミノフェニレン)]、ポリ[Ｎ,Ｎ'−ビス(４−ブチルフェニル)−Ｎ,Ｎ'−ビス(フェニル)−ベンジジン]−エンドキャップド ウィズ ポリシルセスキオキサン、ポリ[(９,９−ジジオクチルフルオレニル−２,７−ジイル)−ｃｏ−(４,４'−(Ｎ−(ｐ−ブチルフェニル))ジフェニルアミン)]等が挙げられる。
【０１２０】
発光性高分子材料としては、ポリ(９,９−ジアルキルフルオレン)（ＰＤＡＦ）等のポリフルオレン誘導体、ポリ(２−メトキシ−５−(２'−エチルヘキソキシ)−１,４−フェニレンビニレン)（ＭＥＨ−ＰＰＶ）等のポリフェニレンビニレン誘導体、ポリ(３−アルキルチオフェン)（ＰＡＴ）等のポリチオフェン誘導体、ポリビニルカルバゾール（ＰＶＣｚ）等が挙げられる。
【０１２１】
溶媒としては、トルエン、キシレン、クロロホルム等を挙げることができる。溶解又は均一分散法としては攪拌、加熱攪拌、超音波分散等の方法が挙げられる。
【０１２２】
塗布方法としては、特に限定されるものではなく、インクジェット法、スプレー法、ディップ法、スピンコート法、転写印刷法、ロールコート法、刷毛塗り等が挙げられる。なお、塗布は、窒素、アルゴン等の不活性ガス下で行うことが好ましい。
【０１２３】
焼成方法としては、不活性ガス下又は真空中、オーブン又はホットプレートで加熱する方法が挙げられる。
【実施例】
【０１２４】
以下、合成例及び実施例を挙げて本発明をより具体的に説明するが、本発明は下記の実施例に限定されるものではない。なお、使用した装置は以下のとおりである。 
（１）基板洗浄：長州産業（株）製  基板洗浄装置（減圧プラズマ方式）
（２）ワニスの塗布：ミカサ（株）製  スピンコーターMS-A100
（３）膜厚測定：（株）小坂研究所製  微細形状測定機サーフコーダET-4000
（４）ＥＬ素子の作製：長州産業（株）製  多機能蒸着装置システムC-E2L1G1-N
（５）ＥＬ素子の輝度等の測定：（有）テック・ワールド製  I-V-L測定システム
（６）ＥＬ素子の寿命測定（耐久性試験）：（株）イーエッチシー製  有機ＥＬ輝度寿命評価システムPEL-105S
（７）ＮＭＲ測定：日本電子（株）製  JNM-ECX300 FT NMR SYSTEM
（８）ＭＳ測定：ブルカー（株）製  autoflex III smartbem
【０１２５】
［合成例１］チオフェン誘導体１（式（１−１））の合成
［１］５−トリブチルスタニル−２,２'−ビチオフェンの合成
【化１３】
2015092561.tif 000014
【０１２６】
２,２'−ビチオフェン（東京化成工業（株）製）４.０ｇを反応容器に入れ、窒素置換をした後、テトラヒドロフラン１２０ｍＬを入れ、−７８℃に冷却した。−７８℃に保ちながらｎ−ブチルリチウムのｎ−ヘキサン溶液（濃度１.６４ｍｏｌ／Ｌ）１４.７ｍＬを滴下し、３０分攪拌した。更にそこへ、トリ−ｎ−ブチルクロロスタナン７.８ｍＬ（ｄ １.２０）を滴下し、１０分攪拌した後、室温まで昇温させ攪拌した。６時間後に反応液を濃縮し、得られた残渣にｎ−ヘキサン５０ｍＬを加え、ろ過により不溶物を除去した（ケーキ洗浄：ｎ−ヘキサン３０ｍＬ）。得られたろ液を濃縮・乾燥し、５−トリブチルスタニル−２,２'−ビチオフェンを含む暗赤色のオイルを１２.６４ｇ得た。なお、精製はこれ以上行わず、本工程の収率を１００％（理論収量：１０.９６ｇ）として、純度を算出し（１０.９６／１２.６４×１００＝８６.７％）、次工程の原料として使用した。
【０１２７】
［２］チオフェン誘導体１の合成
【化１４】
2015092561.tif 000015
【０１２８】
トリブチルフェニルアミン（東京化成工業（株）製）２.０ｇ及びPd(PPh3)4 ０.２４ｇを反応容器に入れ、窒素置換した後、別途予め調製した、［１］で合成した５−トリブチルスタニル−２,２'−ビチオフェン７.８ｇ（純度８６.７％）のジメチルホルムアミド（ＤＭＦ）溶液１００ｍＬを加えた。１１０℃で２.５時間攪拌した後、反応液を１.５Ｌのメタノールで再沈殿させた。スラリーを室温にて１５時間攪拌した後、ろ過を行い、得られたろ物にトルエン９０ｍＬ、エタノール１０ｍＬ及び活性炭０.７５ｇを加え還流条件下１時間攪拌した。熱時ろ過を行い、得られたろ液を攪拌しながら０℃まで冷却し、０℃で２時間攪拌を続けた。スラリーをろ過し、ろ物を乾燥（８０℃、２時間）し、目的とするチオフェン誘導体１を１.４ｇ得た（収率４７％）。1Ｈ−ＮＭＲ及びＴＯＦ−ＭＳの測定結果を以下に示す。
1H-NMR (300MHz, CDCl3) δ[ppm]：7.51(d, J=8.4Hz, 6H), 7.13-7.22(m, 18H), 7.01-7.04(m, 3H).
MALDI-TOF-MS m/Z found：737.29 ([M]+ calcd：737.05)
【０１２９】
［実施例１−１］
チオフェン誘導体１ ０.０７７ｇ及びリンタングステン酸（ＰＴＡ、関東化学（株）製）０.３８７ｇを、Ｎ,Ｎ−ジメチルアセトアミド７.５ｇに溶解させた。得られた溶液にジエチレングリコールジメチルエーテル７.５ｇを加えて攪拌し、そこへペンタフルオロフェニルトリエトキシシラン０.０１４ｇを加えて攪拌し、電荷輸送性ワニスを調製した。
【０１３０】
［実施例１−２及び１−３］
チオフェン誘導体１及びＰＴＡの使用量を、それぞれ０.０４２ｇ及び０.４２２ｇ（実施例１−２）、０.０２２ｇ及び０.３５３ｇ（実施例１−３）とした以外は、実施例１−１と同様の方法で電荷輸送性ワニスを調製した。
【０１３１】
［実施例１−４］
チオフェン誘導体１ ０.０６２ｇ及びＰＴＡ０.３０９ｇを、１,３−ジメチル−２−イミダゾリジノン３.６ｇに溶解させた。得られた溶液に１,３−ブタンジオール２.４ｇ及びジエチレングリコールジメチルエーテル６.０ｇを加えて攪拌し、そこへＦ４ＴＣＮＱ（東京化成工業（株）製）０.０２６ｇを加えて攪拌し、電荷輸送性ワニスを調製した。
【０１３２】
［実施例１−５］
チオフェン誘導体１及びＰＴＡの使用量を、０.０３４ｇ及び０.３３７ｇとした以外は、実施例１−４と同様の方法で電荷輸送性ワニスを調製した。
【０１３３】
［実施例１−６］
チオフェン誘導体１ ０.０５２ｇ及びＰＴＡ０.２５８ｇを、１,３−ジメチル−２−イミダゾリジノン３ｇに溶解させた。得られた溶液に１,３−ブタンジオール３ｇ及びジエチレングリコールジメチルエーテル４ｇを加えて攪拌し、そこへＦ４ＴＣＮＱ０.０３１ｇを加えて攪拌し、電荷輸送性ワニスを調製した。
【０１３４】
［実施例２−１］
実施例１−１で得られたワニスを、スピンコーターを用いてＩＴＯ基板に塗布した後、５０℃で５分間乾燥し、更に、大気雰囲気下、１５０℃で１０分間焼成し、ＩＴＯ基板上に３０ｎｍの均一な薄膜を形成した。ＩＴＯ基板として、インジウム錫酸化物（ＩＴＯ）が表面上に膜厚１５０ｎｍでパターニングされた２５ｍｍ×２５ｍｍ×０.７ｔのガラス基板を用い、使用前にＯ2プラズマ洗浄装置（１５０Ｗ、３０秒間）によって表面上の不純物を除却した。
次いで、薄膜を形成したＩＴＯ基板に対し、蒸着装置（真空度１.０×１０-5Ｐａ）を用いてＮ,Ｎ'−ジ(１−ナフチル)−Ｎ,Ｎ'−ジフェニルベンジジン（α−ＮＰＤ）、トリス(８−キノリノラート)アルミニウム(III)（Ａｌｑ3）、フッ化リチウム、及びアルミニウムの薄膜を順次積層し、有機ＥＬ素子を得た。この際、蒸着レートは、α−ＮＰＤ、Ａｌｑ3及びアルミニウムについては０.２ｎｍ／秒、フッ化リチウムについては０.０２ｎｍ／秒の条件でそれぞれ行い、膜厚は、それぞれ３０ｎｍ、４０ｎｍ、０.５ｎｍ及び１２０ｎｍとした。
なお、空気中の酸素、水等の影響による特性劣化を防止するため、有機ＥＬ素子は封止基板により封止した後、その特性を評価した。封止は、以下の手順で行った。
酸素濃度２ｐｐｍ以下、露点−８５℃以下の窒素雰囲気中で、有機ＥＬ素子を封止基板の間に収め、封止基板を接着材（ナガセケムテックス（株）製、XNR5516Z-B1）により貼り合わせた。この際、捕水剤（ダイニック（株）製、HD-071010W-40）を有機ＥＬ素子と共に封止基板内に収めた。
貼り合わせた封止基板に対し、ＵＶ光を照射（波長：３６５ｎｍ、照射量：６,０００ｍＪ／ｃｍ2）した後、８０℃で１時間、アニーリング処理して接着材を硬化させた。
【０１３５】
［実施例２−２〜２−６］
実施例１−１で得られたワニスの代わりに、実施例１−２〜１−６で得られたワニスを用いた以外は、実施例２−１と同様の方法で有機ＥＬ素子を作製した。
【０１３６】
各素子の駆動電圧５Ｖにおける電流密度及び輝度を測定した。結果を表１に示す。
【０１３７】
【表１】
2015092561.tif 000016
【０１３８】
表１に示したように、本発明のワニスによって、優れた輝度特性を有する有機ＥＬ素子を実現することができた。
【０１３９】
実施例２−１〜２−６で作製した素子の耐久性試験を行った。輝度の半減期（初期輝度５,０００ｃｄ／ｍ2）を表２に示す。
【０１４０】
【表２】
2015092561.tif 000017
【０１４１】
表２に示したように、本発明のワニスによって、優れた耐久性を有する有機ＥＬ素子を実現することができた。