(57)【要約】【課題】例えば数十ＧＨｚの周波数領域に対応した高速信号伝送を可能とするも、接続の信頼性に優れ、スタブ構造及びランドのない信号伝送特性に優れた生産性の高い配線構造を実現する。【解決手段】第１の絶縁層１２と、第１の絶縁層１２上に形成された第２の絶縁層１３と第１の絶縁層１２上に形成された配線１４と、配線１４と接続された接続部１６とを有しており、第２の絶縁層１３の材料は、第１の絶縁層１２の材料よりもレーザ光による溶発速度が大きく、且つ、配線１４の材料よりもレーザ光による溶発速度が大きいものである。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の絶縁層と、
前記第１の絶縁層上に形成された第２の絶縁層と、
前記第１の絶縁層上に形成された配線と、
前記配線と接続された接続部と
を含み、
前記第２の絶縁層の材料は、前記第１の絶縁層の材料よりもレーザ光による溶発速度が大きく、且つ、前記配線の材料よりもレーザ光による溶発速度が大きいものであることを特徴とする配線構造。
【請求項２】
前記第２の絶縁層上に形成された第３の絶縁層を更に含み、
前記第２の絶縁層は、前記第１の絶縁層と前記第３の絶縁層とを接合する接着層であることを特徴とする請求項１に記載の配線構造。
【請求項３】
前記接続部上に順次積層形成され、当該接続部と接続されてなる少なくとも１つの上層接続部を更に含むことを特徴とする請求項１又は２に記載の配線構造。
【請求項４】
前記配線は、前記接続部との接続部位が平面視で凹凸の輪郭を有するものであることを特徴とする請求項１〜３のいずれか１項に記載の配線構造。
【請求項５】
表面に配線が形成された第１の絶縁層に、前記配線を埋め込む第２の絶縁層を形成する工程と、
前記第２の絶縁層にレーザ光を照射して前記第２の絶縁層を溶発し、前記配線の一部を露出する工程と、
前記配線と接続される接続部を形成する工程と
を含み、
前記第２の絶縁層の材料は、前記第１の絶縁層の材料よりもレーザ光による溶発速度が大きく、且つ、前記配線の材料よりもレーザ光による溶発速度が大きいものであることを特徴とする配線構造の製造方法。
【請求項６】
前記第２の絶縁層上に第３の絶縁層を形成する工程を更に含み、
前記第２の絶縁層は、前記第１の絶縁層と前記第３の絶縁層とを接合する接着層であることを特徴とする請求項５に記載の配線構造の製造方法。
【請求項７】
前記接続部上に、少なくとも１つの上層接続部を順次積層形成することを特徴とする請求項５又は６に記載の配線構造の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、配線構造及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年では、電子機器における半導体装置の性能向上に伴い、半導体装置内を伝送する信号の周波数も、高速化が進んでいる。
搭載部品間の高速信号を伝送させるための伝送線路を有する多層回路基板では、高い信号密度を処理するために、基板表面近傍の表層配線のみならず、基板内部の内層配線も高速信号の伝送経路として用いる場合がある。
【０００３】
多層回路基板において、内層配線と表層配線とを接続する構造としては、多層回路基板に貫通孔（スルーホール）を形成し、貫通孔の内壁をメッキ等した構造（以下、スルーホールビア構造と言う。）が一般的である。
また、内層配線と表層配線とを接続する他の構造として、レーザ光により多層回路基板に非貫通孔を形成し、非貫通孔の内壁をメッキ等した構造（以下、レーザビア構造と言う。）もある。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特許第３７９７２０５号公報
【特許文献２】特許第２８６５０４８号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、従来のスルービア構造及びレーザビア構造には、以下のような問題がある。
スルービア構造では、表層から内層に信号伝送する信号経路に、信号伝送に直接寄与しない箇所となるいわゆるスタブが残存する。このスタブの存在は、高周波帯域では信号品質を低下させる要因となる。
【０００６】
スタブに起因する問題を解消する一手法として、いわゆるバックドリル工法を用いる旨が開示されている（特許文献１を参照）。バックドリル工法は、内壁をメッキ処理した貫通孔に基板裏面から貫通孔よりも大きい径のドリルを用いて内層配線の手前まで切削し、貫通孔の内壁のメッキ膜を除去する手法である。
【０００７】
ところがバックドリル工法を用いる場合には、基板裏面から内層配線までのメッキ膜が除去された領域は信号の伝送経路として使用することができない。そのため、この除去領域を避けて配線をレイアウトする必要があり、多層回路基板の小型化が阻害される。また、ドリルの加工精度の観点から、スタブの残存も懸念される。
【０００８】
多層回路基板においては、スタブと共に、いわゆるランドの発生が問題視されている。貫通孔を作製する際の位置合わせ精度の問題から、配線やメッキ膜の余分な部分であるランドが残存する。ランドは、貫通孔を作製する際の位置合わせ精度の問題から必ずできてしまうものであり、２０ＧＨｚ以上の周波数領域では、ランドの存在により信号伝送特性が悪化し、ランドの除去が必要であることが判ってきた。バックドリル工法を用いる手法ではスルーホールの形成が前提となるため、ランド発生の問題を解消することはできない。
【０００９】
レーザビア構造によれば、スタブ構造が形成されないという利点がある。ところが非貫通孔の形成に際して、レーザ光のスポット径よりもランドの径が小さいと、絶縁材料部分と導電材料部分との孔形成の容易性の相違から、絶縁材料部分に過度に開口が形成されてしまう。そのため、ランドをレーザ光のスポット径よりも大きくすることで絶縁材料を保護し、良好な形状の非貫通孔を形成するようにしており、ランドをレーザ光のスポット径より小さくすることができない。即ち、スルービア構造のみならず、レーザビア構造でも、ランド発生の問題を解消することはできない。
【００１０】
更に、レーザビア構造には、以下の問題も生じる。
近時では、高速信号伝送用の多層回路基板として、数十ＧＨｚの周波数領域に対応したものが要求されている。従来の数十ＧＨｚ以下の周波数領域の電気信号を伝送する多層回路基板には、通常、ガラスクロスに樹脂を含侵させたガラスエポキシ系の絶縁材料が用いられる。ところが、上記のような高速信号伝送用の多層回路基板には、アンテナ等で用いられる伝送特性の優れた絶縁材料、例えば液晶ポリマーやポリイミド等、従来の多層回路基板では用いられなかった絶縁材料を使用する必要性も出てきた。しかしながら、このような絶縁材料では、従来の絶縁材料と異なり、そのまま積層しても接着強度が低く、多層回路基板としての信頼性を保持することができない。
【００１１】
上記の伝送特性に優れた絶縁材料を多層回路基板に用いた場合、スルーホールビア構造は形成可能であるが、レーザビア構造を形成しようとした場合、接続の信頼性に劣るという問題がある。即ち、レーザ光で非貫通孔を形成すると、スカムと呼ばれる残滓が配線に付着して残存し、非貫通孔内をメッキしても、メッキ膜と配線との間で断線等が発生するという問題が生じる。そのため、スタブのないビア構造を作製しようとした場合、レーザビア構造の適用は困難であり、化学的なエッチング等で絶縁材料に非貫通孔を形成する必要があり、生産性に問題がある。
【００１２】
本発明は、上記の課題に鑑みてなされたものであり、例えば数十ＧＨｚの周波数領域に対応した高速信号伝送を可能とするも、接続の信頼性に優れ、スタブ構造及びランドのない信号伝送特性に優れた生産性の高い配線構造及びその製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１３】
配線構造の一態様は、第１の絶縁層と、前記第１の絶縁層上に形成された第２の絶縁層と、前記第１の絶縁層上に形成された配線と、前記配線と接続された接続部とを含み、前記第２の絶縁層の材料は、前記第１の絶縁層の材料よりもレーザ光による溶発速度が大きく、且つ、前記配線の材料よりもレーザ光による溶発速度が大きいものである。
【００１４】
配線構造の製造方法の一態様は、表面に配線が形成された第１の絶縁層に、前記配線を埋め込む第２の絶縁層を形成する工程と、前記第２の絶縁層にレーザ光を照射して前記第２の絶縁層を溶発し、前記配線の一部を露出する工程と、前記配線と接続される接続部を形成する工程とを含み、前記第２の絶縁層の材料は、前記第１の絶縁層の材料よりもレーザ光による溶発速度が大きく、且つ、前記配線の材料よりもレーザ光による溶発速度が大きいものである。
【発明の効果】
【００１５】
上記の諸態様によれば、例えば数十ＧＨｚの周波数領域に対応した高速信号伝送を可能とするも、接続の信頼性に優れ、スタブ構造及びランドのない信号伝送特性に優れた生産性の高い配線構造が実現する。
【図面の簡単な説明】
【００１６】
【図１】第１の実施形態による回路基板の製造方法を工程順に示す概略断面図である。
【図２】図１（ｂ）の状態を示す概略斜視図である。
【図３】第１の実施形態の比較例を示す概略断面図である。
【図４】第１の実施形態による回路基板の信号伝達特性を、比較例３との比較に基づいて示す特性図である。
【図５】第１の実施形態の変形例における、接続部と接続される配線を示す概略平面図である。
【図６】第２の実施形態による多層回路基板の製造方法を工程順に示す概略断面図である。
【図７】図６に引き続き、第２の実施形態による多層回路基板の製造方法を工程順に示す概略断面図である。
【図８】第３の実施形態による半導体装置の製造方法を工程順に示す概略断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１７】
（第１の実施形態）
以下、配線構造及びその製造方法の好適な実施形態について、図面を参照しながら詳細に説明する。本実施形態では、配線構造を備えた回路基板の構成を製造方法と共に説明する。
図１は、第１の実施形態による回路基板の製造方法を工程順に示す概略断面図である。
【００１８】
先ず、図１（ａ）に示すように、回路基板１を形成する。
回路基板１においては、例えば、配線１１上に第１の絶縁層１２が形成され、第１の絶縁層１２上に第２の絶縁膜１３が形成され、第１の絶縁層１２上で第２の絶縁層１３内に配線１４が埋め込み形成され、第２の絶縁層１３上に配線１５が形成される。
【００１９】
ここで、第２の絶縁層１３の材料は、第１の絶縁層１２の材料よりもレーザ光による溶発速度が大きく、且つ、配線１４の材料よりもレーザ光による溶発速度が大きいものである。第１の絶縁層１２の材料は、例えば液晶ポリマー又はポリイミド等である。第２の絶縁層１３の材料は、例えばエポキシ系ボンディングシート（京セラケミカル社製の製品名TFA-860FB）等である。配線１１，１４，１５の材料は、例えば銅（Ｃｕ）又はＣｕ合金である。
【００２０】
続いて、図１（ｂ）及び図２に示すように、配線１５の配線１４の端部上方に位置整合する部位にレーザ光を照射する。図２は、図１（ｂ）の状態を示す概略斜視図である。図２では、配線１１，１５の図示を省略する。
詳細には、例えば波長１０．６μｍの炭酸ガスレーザを用い、レーザ光を配線１５の配線１４の端部上方に位置整合する部位に照射する。このとき、レーザ光の照射部位では、先ず配線１５が溶発し、続いて第２の絶縁層１３が溶発する。配線１４の照射部位が完全に露出した状態でレーザ光の照射を停止する。このとき、回路基板１では、第２の絶縁層１３及び配線１５に、底部で配線１４の端部が露出する非貫通孔１ａが形成される。
【００２１】
第２の絶縁層１３は、第１の絶縁層１２よりも当該レーザ光による溶発速度が例えば２倍程度大きく、配線１４よりも当該レーザ光による溶発速度が例えば２０倍程度大きい。そのため、第２の絶縁層１３が開口して配線１４の照射部位が完全に露出しても、第１の絶縁層１２は殆ど溶発することなく元の状態が保持される。即ち、レーザ光の照射を停止した状態において、非貫通孔１ａの底部には、レーザ光照射の影響を殆ど受けていない第１の絶縁層１２の平坦な表面上で上面及び側面のみを完全に露出する、配線１４の端部が位置する。
【００２２】
続いて、図１（ｃ）に示すように、非貫通孔１ａ内に接続部１６を形成する。
詳細には、非貫通孔１ａ内に電解メッキ処理又は無電解メッキ処理し、例えばＣｕのメッキ膜を形成する。メッキ膜は、非貫通孔１ａ内で露出する配線１４の端部を埋め込む厚みに形成される。これにより、非貫通孔１ａの側壁面から底面に架けてメッキ膜で覆い、配線１４と電気的に接続されてなる接続部１６が形成される。接続部１６は、その上端で配線１５と電気的に接続される。以上により、配線１４と配線１５とが非貫通孔１ａ内で接続部１６により接続されてなる配線構造１０が形成される。
しかる後、所定の後処理を行うことにより、回路基板が形成される。
【００２３】
本実施形態は、多層回路基板に適用することができる。多層回路基板において、信号伝達を行う配線、即ち配線構造１０の配線１４が表層部分に存する場合に適用される。
この多層回路基板は、例えば、一括積層された８層板上に、図１（ａ）の回路基板１（２層板）を積層した後に、図１（ｂ）〜（ｃ）の各工程を実行することにより形成される。
本実施形態を多層回路基板に適用することにより、従来のいわゆるビルドアップ工法による多層回路基板よりも簡易で廉価に、例えば１０層板の多層回路基板を得ることができる。
【００２４】
−比較例−
ここで、本実施形態の比較例について説明する。
図３は、第１の実施形態の比較例を示す概略断面図であり、（ａ）が比較例１を、（ｂ）が比較例２をそれぞれ示す。図３の各図は、本実施形態における図１（ｂ）に対応している。図４は、第１の実施形態の信号伝達特性について、比較例３の信号伝達特性と共に示す特性図である。
【００２５】
（比較例１）
本例では、本実施形態の第１の絶縁層１２及び第２の絶縁層１３の積層構成に代わって、第１の絶縁層１２と同じ絶縁材料である第１の絶縁層１０１のみの単層とした。この場合、図３（ａ）に示すように、第１の絶縁層１０１はレーザ光による溶発速度が小さい。そのため、第１の絶縁層１０１の溶発速度は、配線１０２の溶発速度に相対的に近い値となる。第１の絶縁層１０１にレーザ光を照射した場合に、配線１０２の過度の溶発を防ぎつつも、配線１０２の所期の厚みを確保する必要がある。そうすると、例えば非貫通孔１０１ａの底面で配線１０２の上面のみが露出し、その側面が第１の絶縁層１０１で覆われた状態でレーザ光照射を停止させることになる。配線１０２の露出部分がその上面のみでは、続く工程で接続部（メッキ膜）を形成した際に、配線１０２と接続部とで十分な接続を得ることができない。またこの場合、スカムが配線１０２に付着して残存し、接続部に断線等の問題が生じる。
【００２６】
（比較例２）
本例では、本実施形態の第１の絶縁層１２及び第２の絶縁層１３の積層構成に代わって、第２の絶縁層１３と同じ絶縁材料である第２の絶縁層１１１のみの単層とした。この場合、図３（ｂ）に示すように、第２の絶縁層１１１はレーザ光による溶発速度が大きい。そのため、第２の絶縁層１１１にレーザ光を照射した場合に、配線１０２の露出部分を十分に確保しようとすれば、配線１０２の周囲で第２の絶縁層１１１が過度に溶発し、非貫通孔１１１ａの底面に凹凸１１１ｂが生じる。そうすると、続く工程で接続部（メッキ膜）を形成した際に、当該底面の凹凸１１１ｂの存在により接続部の第２の絶縁層１１１の被覆が不十分となり、第２の絶縁層１１１との間にボイドが発生し、接続が悪くなる。この場合、ボイドが発生しないように工夫してメッキできたとしても、スタブと類似する効果がある。そのため、配線１０２と接続部とで十分な接続を得ることができず、信号伝達特性も悪化する。
【００２７】
比較例１，２に対して、本実施形態では、第２の絶縁層１３の溶発速度が大きいため、配線１４にスカムが残存する懸念がない。第１の絶縁層１２の溶発速度が小さいため、非貫通孔１ａの形成時における第１の絶縁層１２の溶発が殆どなく、ランドが不要となる。接続部１６は、配線１４の上面及び側面の広い接触面積で確実な接続が得られる。しかも、第１の絶縁層１２の表面（非貫通孔１ａの底面）が略平坦であるために、接続部１６は第１の絶縁層１２の表面の露出部分を確実に覆い、第１の絶縁層１２との間でボイド等が発生する懸念がない。そのため、配線１４と接続部１６とで確実な接続を得て優れた信号伝達特性が確保される。
【００２８】
（比較例３）
本例では、比較例３（多層回路基板にスルーホールを形成し、貫通孔の内壁をメッキ等したスルーホールビア構造を有する回路基板）の信号伝達特性について、本実施形態による回路基板の信号伝達特性との比較に基づいて調べた。
図４に示すように、比較例３では、２０ＧＨｚ以上の周波数領域では、損失（ｄＢ）が極めて大きく、使用に耐えるものではない。これに対して本実施形態では、周波数領域が２０ＧＨｚを越えても、損失（ｄＢ）が極めて小さく、優れた信号伝達特性が実現することが判る。
【００２９】
以上説明したように、本実施形態によれば、数十ＧＨｚ、例えば２０ＧＨｚ以上の周波数領域に対応した高速信号伝送を可能とするも、接続の信頼性に優れ、スタブ構造及びランドのない信号伝送特性に優れた生産性の高い配線構造１０を備えた回路基板が実現する。
【００３０】
（変形例）
以下、本実施形態の変形例について説明する。
図５は、第１の実施形態の変形例における、接続部と接続される配線を示す概略平面図である。
【００３１】
本例では、第１の実施形態における配線１４の代わりに、接続部１６との接続部位である端部１７ａが平面視で凹凸の輪郭を有してなる配線１７を形成する。配線１７は、例えば、配線１４を形成する際に、その端部がリソグラフィー及びドライエッチングにより平面視で凹凸の輪郭となるようにパターニングすることで形成される。
この構成により、上記した第１の実施形態の諸効果に加え、接続部１６とのより確実な接続が得られることになる。
【００３２】
（第２の実施形態）
以下、配線構造及びその製造方法の好適な実施形態について、図面を参照しながら詳細に説明する。本実施形態では、配線構造を備えた多層回路基板の構成を製造方法と共に説明する。
図６及び図７は、第２の実施形態による多層回路基板の製造方法を工程順に示す概略断面図である。
【００３３】
先ず、図６（ａ）に示すように、多層回路基板の下層部２を形成する。
下層部２においては、例えば、配線２１上に第１の絶縁層２２ａが形成され、第１の絶縁層２２ａ上に第２の絶縁膜２３ａを介して第１の絶縁層２２ｂが形成される。第１の絶縁層２２ａ上で第２の絶縁層２３ａ内に配線２４が埋め込み形成され、第１の絶縁層２２ｂ上に配線２５が形成される。
【００３４】
第２の絶縁層２３ａは、第１の絶縁層２２ａ，２２ｂ間を接合する接着層として機能する。ここで、第２の絶縁層２３ａの材料は、第１の絶縁層２２ａ，２２ｂの材料よりもレーザ光による溶発速度が大きく、且つ、配線２４の材料よりもレーザ光による溶発速度が大きいものである。第１の絶縁層２２ａ，２２ｂの材料は、例えば液晶ポリマー又はポリイミド等である。第２の絶縁層２３ａの材料は、例えばエポキシ系ボンディングシート等である。配線２１，２４，２５の材料は、例えば銅（Ｃｕ）又はＣｕ合金である。
【００３５】
続いて、図６（ｂ）に示すように、配線２５の配線２４の端部上方に位置整合する部位にレーザ光を照射する。
詳細には、例えば波長１０．６μｍの炭酸ガスレーザを用い、レーザ光を配線２５の配線２４の端部上方に位置整合する部位に照射する。このとき、レーザ光の照射部位では、先ず配線２５が溶発し、続いて第１の絶縁層２２ｂ及び第２の絶縁層２３ａが順次溶発する。配線２４の照射部位が完全に露出した状態でレーザ光の照射を停止する。このとき、下層部２０では、第２の絶縁層２３ａ、第１の絶縁層２２ｂ及び配線２５に、底部で配線２４の端部が露出する非貫通孔２ａが形成される。
【００３６】
続いて、図６（ｃ）に示すように、非貫通孔２ａ内に接続部２６を形成する。
詳細には、非貫通孔２ａ内に電解メッキ処理又は無電解メッキ処理し、例えばＣｕのメッキ膜を形成する。メッキ膜は、非貫通孔２ａ内で露出する配線２４の端部を埋め込む厚みに形成される。これにより、非貫通孔１ａの側壁面から底面に架けてメッキ膜で覆い、配線２４と電気的に接続されてなる接続部２６が形成される。接続部２６は、その上端で配線２５と電気的に接続される。以上により、配線２４と配線２５とが非貫通孔２ａ内で接続部２６により接続されてなる配線構造２０が形成される。
【００３７】
続いて、図７（ａ）に示すように、多層回路基板の上層部を形成する。
詳細には、図７（ｂ）に示すように、配線２５を埋め込むように第１の絶縁層２２ｂ上に第２の絶縁層２３ｂを積層し、続いて第２の絶縁層２３ｂ上に、表面に配線２７を有する第１の絶縁層２２ｃを積層する。第２の絶縁層２３ｂは、第２の絶縁層２３ａと同一材料からなり、第１の絶縁層２２ｂ，２２ｃ間を接合する接着層として機能する。
【００３８】
続いて、図７（ｃ）に示すように、非貫通孔３ａ及び接続部を形成する。
詳細には、先ず図６（ｂ）と同様にレーザ光を配線２７の配線２５の端部上方に位置整合する部位に照射する。これにより、第２の絶縁層２３ｂ、第１の絶縁層２２ｃ及び配線２７に、底部で配線２４の表面が露出する非貫通孔３ａが形成される。
次に、図６（ｃ）と同様に非貫通孔３ａ内にメッキ膜を形成し、配線２５と電気的に接続されてなる上層の接続部を形成する。接続部は、その上端で配線２７と電気的に接続される。以上により、配線２５と配線２７とが非貫通孔３ａ内で接続部により接続されてなる配線構造３０が形成される。
【００３９】
しかる後、図７（ａ）〜（ｃ）の諸工程を所期の回数だけ繰り返し実行して配線構造を積層形成する。以上により、本実施形態による多層回路基板が形成される。
【００４０】
以上説明したように、本実施形態によれば、数十ＧＨｚ、例えば２０ＧＨｚ以上の周波数領域に対応した高速信号伝送を可能とするも、接続の信頼性に優れ、スタブ構造及びランドのない信号伝送特性に優れた生産性の高い配線構造２０，３０等を備えた多層回路基板が実現する。
【００４１】
（第３の実施形態）
以下、半導体装置の好適な実施形態について、図面を参照しながら詳細に説明する。本実施形態では、第２の実施形態による多層回路基板に、電子部品としてＬＳＩを有するパッケージ基板を搭載してなる半導体装置を開示し、その構成を製造方法と共に説明する。
図８は、第３の実施形態による半導体装置の製造方法を工程順に示す概略断面図である。
【００４２】
本実施形態では、２の実施形態と同様に、図６〜図７の諸工程により、多層回路基板を形成する。ここでは、図７（ｃ）に相当する多層回路基板４０を図８（ａ）に例示する。
【００４３】
続いて、図８（ｂ）に示すように、多層配線基板４０の接続部２８上にハンダバンプ４１を付与する。
詳細には、多層回路基板４０において、接続部２８上にバンプ、ここではハンダバンプ４１を付与する。
【００４４】
続いて、図８（ｃ）に示すように、多層回路基板４０にパッケージ基板５０を接合する。
詳細には、多層回路基板４０の表面に、所定のパッケージ基板５０の表面を対向させる。多層回路基板４０の接続部２８と、パッケージ基板５０の接続パッド５１とをハンダバンプ４１により電気的に接続する。
しかる後、所定の後工程を経て、多層回路基板４０にパッケージ基板５０が接合されてなる半導体装置が形成される。
【００４５】
本実施形態によれば、数十ＧＨｚ、例えば２０ＧＨｚ以上の周波数領域に対応した高速信号伝送を可能とするも、接続の信頼性に優れ、スタブ構造及びランドのない信号伝送特性に優れた生産性の高い配線構造を有する多層回路基板４０を備えた、信頼性の高い半導体装置が実現する。
【００４６】
以下、本発明の諸態様を付記としてまとめて記載する。
【００４７】
（付記１）第１の絶縁層と、
前記第１の絶縁層上に形成された第２の絶縁層と、
前記第１の絶縁層上に形成された配線と、
前記配線と接続された接続部と
を含み、
前記第２の絶縁層の材料は、前記第１の絶縁層の材料よりもレーザ光による溶発速度が大きく、且つ、前記配線の材料よりもレーザ光による溶発速度が大きいものであることを特徴とする配線構造。
【００４８】
（付記２）前記第２の絶縁層上に形成された第３の絶縁層を更に含み、
前記第２の絶縁層は、前記第１の絶縁層と前記第３の絶縁層とを接合する接着層であることを特徴とする付記１に記載の配線構造。
【００４９】
（付記３）前記接続部上に順次積層形成され、当該接続部と接続されてなる少なくとも１つの上層接続部を更に含むことを特徴とする付記１又は２に記載の配線構造。
【００５０】
（付記４）前記配線は、前記接続部との接続部位が平面視で凹凸の輪郭を有するものであることを特徴とする付記１〜３のいずれか１項に記載の配線構造。
【００５１】
（付記５）表面に配線が形成された第１の絶縁層に、前記配線を埋め込む第２の絶縁層を形成する工程と、
前記第２の絶縁層にレーザ光を照射して前記第２の絶縁層を溶発し、前記配線の一部を露出する工程と、
前記配線と接続される接続部を形成する工程と
を含み、
前記第２の絶縁層の材料は、前記第１の絶縁層の材料よりもレーザ光による溶発速度が大きく、且つ、前記配線の材料よりもレーザ光による溶発速度が大きいものであることを特徴とする配線構造の製造方法。
【００５２】
（付記６）前記第２の絶縁層上に第３の絶縁層を形成する工程を更に含み、
前記第２の絶縁層は、前記第１の絶縁層と前記第３の絶縁層とを接合する接着層であることを特徴とする付記５に記載の配線構造の製造方法。
【００５３】
（付記７）前記接続部上に、少なくとも１つの上層接続部を順次積層形成することを特徴とする付記５又は６に記載の配線構造の製造方法。
【００５４】
（付記８）前記配線は、前記接続部との接続部位が平面視で凹凸の輪郭を有するものであることを特徴とする付記５〜７のいずれか１項に記載の配線構造の製造方法。
【符号の説明】
【００５５】
１  回路基板
１ａ，２ａ，３ａ，１０１ａ，１１１ａ  非貫通孔
２  下層部
３  上層部
１１，１４，１５，１７，２１，２４，２５，２７，１０２  配線
１２，２２ａ，２２ｂ，２２ｃ，１０１  第１の絶縁層
１３，２３ａ，２３ｂ，１１１  第２の絶縁膜
１６，２６，２８  接続部
１０，２０，３０  配線構造
１７ａ  端部
４０  多層回路基板
４１  ハンダバンプ
５０  パッケージ基板
５１  接続パッド
１１１ｂ  凹凸
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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