(57)【要約】【課題】制御回路の制御を複雑化することなく、双方向導通型電界効果トランジスタのオフの時リーク電流が低く、安定して動作できる充放電制御回路路及びバッテリ装置を提供すること。【解決手段】双方向導通型電界効果トランジスタのゲートを制御するスイッチ回路と、ドレインが双方向導通型電界効果トランジスタのドレインに接続され、ゲートが双方向導通型電界効果トランジスタのソースに接続され、ソース及びバックゲートがスイッチ回路の第一の端子に接続された第一のトランジスタと、ドレインが双方向導通型電界効果トランジスタのソースに接続され、ゲートが双方向導通型電界効果トランジスタのドレインに接続され、ソース及びバックゲートがスイッチ回路の第一の端子に接続された第二のトランジスタを備え、双方向導通型電界効果トランジスタのバックゲートがスイッチ回路の第一の端子に接続される構成とした。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
一つの双方向導通型電界効果トランジスタによって二次電池の充放電を制御する制御回路を有する充放電制御回路であって、
前記制御回路の出力により前記双方向導通型電界効果トランジスタのゲートを制御するスイッチ回路と、
ドレインが前記双方向導通型電界効果トランジスタのドレインに接続され、ゲートが前記双方向導通型電界効果トランジスタのソースに接続され、ソース及びバックゲートが前記スイッチ回路の第一の端子に接続された第一のトランジスタと、
ドレインが前記双方向導通型電界効果トランジスタのソースに接続され、ゲートが前記双方向導通型電界効果トランジスタのドレインに接続され、ソース及びバックゲートが前記スイッチ回路の前記第一の端子に接続された第二のトランジスタと、を備えたことを特徴とする充放電制御回路。
【請求項２】
前記第一の端子は前記双方向導通型電界効果トランジスタのバックゲートに接続されたことを特徴とする請求項１に記載の充放電制御回路。
【請求項３】
前記スイッチ回路は、
ゲートが前記制御回路の出力端子に接続され、ドレインが前記双方向導通型電界効果トランジスタのゲートに接続された第三のＭＯＳトランジスタと、
ゲートが前記制御回路の前記出力端子に接続され、ドレインが前記双方向導通型電界効果トランジスタのゲートに接続され、ソースが前記第一の端子に接続された第四のＭＯＳトランジスタと、
を備えたことを特徴とする請求項１または２に記載の充放電制御回路。
【請求項４】
充放電が可能な二次電池と、
前記二次電池の電圧を監視し、前記二次電池の充放電を制御する請求項１から３のいずれかに記載の充放電制御回路と、を備えたバッテリ装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、二次電池の電圧や異常を検知する充放電制御回路及びバッテリ装置に関し、特に、１つの充放電制御ＭＯＳＦＥＴで制御することのできる充放電制御回路及びバッテリ装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
図３に、従来の充放電制御回路を備えたバッテリ装置の回路図を示す。従来の充放電制御回路を備えたバッテリ装置は、２次電池１０１の負極側に、双方向に通電遮断可能なエンハンスメント型ＮチャネルＭＯＳＦＥＴ３０６が直列に接続される。Ｖ＋端子１２０及びＶ−端子１２１には充電回路あるいは負荷が接続され、充放電電流はこの端子を通して２次電池１０１に供給あるいは放出される。制御回路１０２は２次電池１０１及びエンハンスメント型ＮチャネルＭＯＳＦＥＴ３０６の電圧を検出し、その値に応じてスイッチ３０１、３０４、３０５のオン、オフを制御する。エンハンスメント型ＮチャネルＭＯＳＦＥＴ３０６は、ゲート端子の電位が正のしきい値電圧以上ではドレイン端子とソース端子間は双方向に通電可能となり、ゲート端子の電位がしきい値電圧以下になるとドレイン端子とソース端子間はオフ状態となる。
【０００３】
充電禁止状態について説明する。充電器をＶ＋端子１２０、Ｖ−端子１２１間に接続するとエンハンスメント型ＮチャネルＭＯＳＦＥＴ３０６のドレイン端子−ソース端子間の電圧Ｖｄｓは正の値となる。制御回路１０２はＶｄｓが正であることを検出し、スイッチ３０１をオンし、スイッチ３０５、３０４をオフする。これによりエンハンスメント型ＮチャネルＭＯＳＦＥＴ３０６のゲート端子はソース端子より２次電池１０１の電圧分だけ高電位になり、エンハンスメント型ＮチャネルＭＯＳＦＥＴ３０６は通電状態となる。
【０００４】
２次電池１０１が充電され、電池電圧が設定上限値に達すると制御回路１０２はスイッチ３０１をオフ、スイッチ３０５、３０４をオンする。するとエンハンスメント型ＮチャネルＭＯＳＦＥＴ３０６のゲート端子はソース端子と同電位となり、エンハンスメント型ＮチャネルＭＯＳＦＥＴ３０６はオフ状態となる。その結果充電電流は遮断され、２次電池１０１が過充電されるのを防止する。またこのときダイオード３０２は逆バイアスとなりスイッチ３０４及びスイッチ３０５を通って電流が流れるのを防止している。
【０００５】
充電電流を遮断すると、内部抵抗による電圧降下が無くなるため、２次電池１０１の電圧は低下する。この電圧低下により再度充電が開始されるのを防止するため、充電禁止となった後は、２次電池１０１がある程度放電されて電圧が設定した値以下になるまで充電禁止状態を保持すると良い。充電禁止状態においてＶ＋端子１２０、Ｖ−端子１２１間に負荷が接続されるとＶｄｓは正から負に切り替わる。制御回路１０２はＶｄｓが負の場合は放電し、正の場合には充電電流を遮断するようにスイッチ３０１、３０４、３０５を制御すればよい。
【０００６】
上記説明では、充電停止時にはスイッチ３０４、３０５はともにオンとした。しかしスイッチ３０４はオフしても同様に充電停止可能である。スイッチ３０４のオン、オフに関わらず、スイッチ３０５がオンしているためゲート端子はソース端子と同電位となり、エンハンスメント型ＮチャネルＭＯＳＦＥＴ３０６はオフ状態となる。またダイオード３０２によりスイッチ３０４、３０５を通って流れる電流も遮断されるためである。
【０００７】
但し上で説明した充電時、及び後で述べる放電時にはスイッチ３０４、３０５はともにオフである。そのため充電停止時にスイッチ３０４、３０５はともにオンとし、後で説明するように放電停止時にもスイッチ３０４、３０５はともにオンとすれば、２つのスイッチは常に同時にオンあるいはオフとなる。したがって、スイッチ３０４、３０５を独立して制御する必要がなく、制御回路の構成を簡単に出来る。
【０００８】
次に、放電禁止状態について説明する。負荷をＶ＋端子１２０、Ｖ−端子１２１間に接続するとエンハンスメント型ＮチャネルＭＯＳＦＥＴ３０６のドレイン端子−ソース端子間の電圧Ｖｄｓは負の値となる。制御回路１０２はＶｄｓが負であることを検出し、スイッチ３０１をオンし、スイッチ３０４、３０５をオフする。これによりエンハンスメント型ＮチャネルＭＯＳＦＥＴ３０６のゲート端子はドレイン端子より２次電池１０１の電圧分だけ高電位になりエンハンスメント型ＮチャネルＭＯＳＦＥＴ３０６は通電状態となる。
【０００９】
２次電池１０１の放電が進み電池電圧が設定下限値に達すると制御回路１０２はスイッチ３０１をオフ、スイッチ３０４、３０５をオンする。するとエンハンスメント型ＮチャネルＭＯＳＦＥＴ３０６のゲート端子はドレイン端子と同電位となりエンハンスメント型ＮチャネルＭＯＳＦＥＴ３０６はオフ状態となる。その結果放電電流は遮断され、２次電池１０１が過放電されるのを防止する。またこのときダイオード３０３は逆バイアスとなりスイッチ３０４及びスイッチ３０５を通って電流が流れるのを防止している。
【００１０】
放電電流を遮断すると、内部抵抗による電圧降下が無くなるため、２次電池１０１の電圧は上昇する。この電圧上昇により再度放電が開始されるのを防止するため、放電禁止となった後は、２次電池１０１がある程度充電されて電圧が設定した値以上になるまで、放電禁止状態を保持すると良い。放電禁止状態においてＶ＋端子１２０、Ｖ−端子１２１間に充電回路が接続されるとＶｄｓは負から正に切り替わる。制御回路１０２はＶｄｓが正の場合は充電し、負の場合には放電電流を遮断するようにスイッチ３０１、３０４、３０５を制御すればよい。
【００１１】
上記説明では、放電停止時にはスイッチ３０４、３０５はともにオンとした。しかしスイッチ３０５はオフしても同様に放電停止可能である。スイッチ３０５のオン、オフに関わらず、スイッチ３０４がオンしているためゲート端子はドレイン端子と同電位となり、エンハンスメント型ＮチャネルＭＯＳＦＥＴ３０６はオフ状態となる。またダイオード３０３によりスイッチ３０５、３０４を通って流れる電流も遮断されるためである。
【００１２】
但し放電停止時にスイッチ３０４、３０５はともにオンとすれば、前に説明したように２つのスイッチは常に同時にオンあるいはオフとなる。したがってスイッチ３０４、３０５を独立して制御する必要がなく、制御回路１０２の構成を簡単に出来る。
【００１３】
エンハンスメント型ＮチャネルＭＯＳＦＥＴ３０６には内蔵のダイオード３２１、３２２が形成される。しかしこれらは逆方向に直列接続されており導通することはなく、上で説明した保護動作に影響することはない。
【００１４】
エンハンスメント型ＮチャネルＭＯＳＦＥＴ３０６は横型構造でも縦型構造でもよい。横型構造とすればエンハンスメント型ＮチャネルＭＯＳＦＥＴ３０６と制御回路１０２を１個のＩＣで構成することが容易である。従って、従来ＩＣ１個とスイッチ２個で構成していた過充電・過放電保護回路をＩＣ１個で構成できるため小型化，低コスト化を図ることが可能である。一方、縦型構造とすれば横型構造に比較して低損失化を図ることが出来る。
【先行技術文献】
【特許文献】
【００１５】
【特許文献１】特開２０００−１０２１８２号公報（図９）
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１６】
しかしながら従来の技術では、スイッチ３０４、３０５を制御する必要があるため、制御回路１０２からの制御が複雑化するという課題があった。また、エンハンスメント型ＮチャネルＭＯＳＦＥＴ３０６のゲート電圧がソースまたはドレイン電圧＋ＶＦ（約０．６Ｖ）までしか下がらず、エンハンスメント型ＮチャネルＭＯＳＦＥＴ３０６がオフのときにリーク電流が大きいという課題があった。更に、エンハンスメント型ＮチャネルＭＯＳＦＥＴ３０６のバックゲートがフローティングとなり、充放電制御回路を備えたバッテリ装置の動作が不安定となるという課題があった。
【００１７】
本発明は、以上のような課題を解決するために考案されたものであり、制御回路からの制御を複雑化することなく、充放電制御回路がオフの時リーク電流を低減することができ、安定して動作できる充放電制御回路路及びバッテリ装置を提供するものである。
【課題を解決するための手段】
【００１８】
従来の課題を解決するために、本発明の充放電制御回路を備えたバッテリ装置は以下のような構成とした。
【００１９】
制御回路の出力により双方向導通型電界効果トランジスタのゲートを制御するスイッチ回路と、ドレインが双方向導通型電界効果トランジスタのドレインに接続され、ゲートが双方向導通型電界効果トランジスタのソースに接続され、ソース及びバックゲートがスイッチ回路の第一の端子に接続された第一のトランジスタと、ドレインが双方向導通型電界効果トランジスタのソースに接続され、ゲートが双方向導通型電界効果トランジスタのドレインに接続され、ソース及びバックゲートがスイッチ回路の第一の端子に接続された第二のトランジスタと、を備えたことを特徴とする充放電制御回路。
【００２０】
二次電池と、上記充放電制御回路を備えたバッテリ装置。
【発明の効果】
【００２１】
本発明の充放電制御回路を備えたバッテリ装置によれば、双方向導通型電界効果トランジスタのゲートをソースまたはドレイン電圧に制御することにより制御回路からの制御を複雑化することなく、充放電制御回路がオフの時リーク電流を低減することができる。また、双方向導通型電界効果トランジスタのバックゲートを制御することで安定して動作出来るという効果がある。
【図面の簡単な説明】
【００２２】
【図１】第一の実施形態の充放電制御回路を備えたバッテリ装置の回路図である。
【図２】第二の実施形態の充放電制御回路を備えたバッテリ装置の回路図である。
【図３】従来の充放電制御回路を備えたバッテリ装置の回路図である。
【発明を実施するための形態】
【００２３】
＜第一の実施形態＞
図１は、第一の実施形態の充放電制御回路１５１を備えたバッテリ装置の回路図である。
第一の実施形態のバッテリ装置は、二次電池１０１と、充放電制御回路１５１と、充電器１３２と負荷１３１が接続されるＶ＋端子１２０及びＶ−端子１２１と、を備えている。充放電制御回路１５１は、制御回路１０２と、Ｎチャネル双方向導通型電界効果トランジスタ１１４と、スイッチ回路１５２と、ＮＭＯＳトランジスタ１６１、１６２と、を備えている。スイッチ回路１５２は、ＰＭＯＳトランジスタ１１０とＮＭＯＳトランジスタ１１１と端子１２４、１２５、１２６、１２７を備えている。
【００２４】
二次電池１０１は、正極電源端子１２２と負極電源端子１２３に接続される。制御回路１０２は、正極電源が正極電源端子１２２に接続され、負極電源が負極電源端子１２３に接続され、出力端子が端子１２６を介してＰＭＯＳトランジスタ１１０のゲートとＮＭＯＳトランジスタ１１１のゲートに接続される。ＰＭＯＳトランジスタ１１０は、ソース及びバックゲートは端子１２４を介して正極電源端子１２２およびＶ＋端子１２０に接続され、ドレインはＮＭＯＳトランジスタ１１１のドレインと端子１２７に接続される。ＮＭＯＳトランジスタ１１１は、ソース及びバックゲートは端子１２５に接続される。ＮＭＯＳトランジスタ１６１は、ドレインは負極電源端子１２３に接続され、ソース及びバックゲートは端子１２５に接続され、ゲートはＶ−端子１２１に接続される。ＮＭＯＳトランジスタ１６２は、ドレインはＶ−端子１２１に接続され、ソース及びバックゲートは端子１２５に接続され、ゲートは負極電源端子１２３に接続される。Ｎチャネル双方向導通型電界効果トランジスタ１１４は、ドレインは負極電源端子１２３に接続され、ソースはＶ−端子１２１に接続され、ゲートは端子１２７に接続され、バックゲートは端子１２５に接続される。
【００２５】
第一の実施形態のバッテリ装置の動作について説明する。
Ｖ＋端子１２０、Ｖ−端子１２１に充電器１３２が接続され、制御回路１０２は、二次電池１０１が充電可能状態である事を検出すると、出力端子から端子１２６にＬｏｗを出力する。そして、ＰＭＯＳトランジスタ１１０をオン、ＮＭＯＳトランジスタ１１１をオフさせる。Ｎチャネル双方向導通型電界効果トランジスタ１１４は、ゲートが正極電源端子１２２に接続されオン状態となる。このようにして、充放電制御回路１５１は、二次電池１０１の充放電を制御する。
【００２６】
充電器１３２によって二次電池１０１が充電されているとき、制御回路１０２が二次電池１０１の過充電状態を検出すると、制御回路１０２は出力端子から端子１２６にＨｉｇｈを出力する。そして、ＰＭＯＳトランジスタ１１０をオフ、ＮＭＯＳトランジスタ１１１をオンさせる。Ｎチャネル双方向導通型電界効果トランジスタ１１４は、ゲートが端子１２５に接続されるのでオフ状態になる。このようにして、充電電流は遮断され二次電池１０１が過充電となるのを防止する。
【００２７】
ここで、Ｎチャネル双方向導通型電界効果トランジスタ１１４がオフ状態になると、Ｖ−端子１２１は負極電源端子１２３よりも低い電圧になるので、ＮＭＯＳトランジスタ１６１はオフし、ＮＭＯＳトランジスタ１６２はオンする。Ｎチャネル双方向導通型電界効果トランジスタ１１４は、ゲートとバックゲートがＶ−端子１２１に接続されるため、リーク電流を低減することができ、かつ安定して動作することができる。また、オフしているＮＭＯＳトランジスタ１６１の寄生ダイオード１７１は逆バイアスになるので、負極電源端子１２３からＮＭＯＳトランジスタ１６１、１６２を介してＶ−端子１２１へ電流が流れない。
【００２８】
二次電池１０１によって負荷１３１が駆動されているとき、制御回路１０２が二次電池１０１の過放電状態を検出すると、制御回路１０２は出力端子から端子１２６にＨｉｇｈを出力する。そして、ＰＭＯＳトランジスタ１１０をオフ、ＮＭＯＳトランジスタ１１１をオンさせる。Ｎチャネル双方向導通型電界効果トランジスタ１１４は、ゲートが端子１２５に接続されるのでオフ状態となる。このようにして、放電電流は遮断され二次電池１０１が過放電となるのを防止する。
【００２９】
ここで、Ｎチャネル双方向導通型電界効果トランジスタ１１４がオフ状態になると、負極電源端子１２３はＶ−端子１２１よりも低い電圧になるので、ＮＭＯＳトランジスタ１６１はオンし、ＮＭＯＳトランジスタ１６２はオフする。Ｎチャネル双方向導通型電界効果トランジスタ１１４は、ゲートとバックゲートが負極電源端子１２３に接続されるため、リーク電流を低減することができ、かつ安定して動作することができる。また、オフしているＮＭＯＳトランジスタ１６２の寄生ダイオード１７２は逆バイアスになるので、Ｖ−端子１２１からＮＭＯＳトランジスタ１６２、１６１を介して負極電源端子１２３へ電流が流れない。
【００３０】
以上に説明したように、本実施形態の充放電制御回路１５１を備えたバッテリ装置によれば、制御回路１０２の制御を複雑化することなく、Ｎチャネル双方向導通型電界効果トランジスタ１１４に流れるリーク電流を低減させることができる。そして、Ｎチャネル双方向導通型電界効果トランジスタ１１４のバックゲートをＶ−端子１２１または負極電源端子１２３に接続することで、充放電制御回路１５１を安定して動作させることができる。
【００３１】
なお、本実施形態の制御回路１０２は、電源端子を正極電源端子１２２と負極電源端子１２３に接続されるようにしたが、さらに端子１２５と接続しても良い。この場合は、負極電源として負極電源端子１２３と端子１２５のどちらか低い電圧を選択して、出力端子からＬｏｗを出力するように構成する。このように構成すると、スイッチ回路１５２がより安定して動作することが出来る。
【００３２】
＜第二の実施形態＞
図２は、第二の実施形態の充放電制御回路２５１を備えたバッテリ装置の回路図である。
第二の実施形態のバッテリ装置は、二次電池１０１と、充放電制御回路２５１と、充電器１３２と負荷１３１が接続されるＶ＋端子１２０及びＶ−端子１２１と、を備えている。充放電制御回路２５１は、制御回路１０２と、Ｐチャネル双方向導通型電界効果トランジスタ２１４と、スイッチ回路１５２と、ＰＭＯＳトランジスタ２６１、２６２と、を備えている。スイッチ回路１５２は、ＰＭＯＳトランジスタ１１０とＮＭＯＳトランジスタ１１１と端子１２４、１２５、１２６、１２７を備えている。
【００３３】
二次電池１０１は、正極電源端子１２２と負極電源端子１２３に接続される。制御回路１０２は、正極電源が正極電源端子１２２に接続され、負極電源が負極電源端子１２３に接続され、出力端子が端子１２６を介してＰＭＯＳトランジスタ１１０のゲートとＮＭＯＳトランジスタ１１１のゲートに接続される。ＰＭＯＳトランジスタ１１０は、ソースおよびバックゲートは端子１２４に接続され、ドレインはＮＭＯＳトランジスタ１１１のドレインと端子１２７に接続される。ＮＭＯＳトランジスタ１１１は、ソース及びバックゲートは端子１２５を介して負極電源端子１２３及びＶ−端子１２１に接続される。ＰＭＯＳトランジスタ２６１は、ドレインは正極電源端子１２２に接続され、ソース及びバックゲートは端子１２４に接続され、ゲートはＶ＋端子１２０に接続される。ＰＭＯＳトランジスタ２６２は、ドレインはＶ＋端子１２０に接続され、ソース及びバックゲートは端子１２４に接続され、ゲートは正極電源端子１２２に接続される。Ｐチャネル双方向導通型電界効果トランジスタ２１４は、ドレインは正極電源端子１２２に接続され、ソースはＶ＋端子１２０に接続され、ゲートは端子１２７に接続され、バックゲートは端子１２４に接続される。
【００３４】
次に第二の実施形態のバッテリ装置の動作について説明する。
Ｖ＋端子１２０、Ｖ−端子１２１に充電器１３２が接続され、制御回路１０２は、二次電池１０１が充電可能状態である事を検出すると、出力端子から端子１２６にＨｉｇｈを出力する。そして、ＰＭＯＳトランジスタ１１０をオフ、ＮＭＯＳトランジスタ１１１をオンさせる。Ｐチャネル双方向導通型電界効果トランジスタ２１４は、ゲートが負極電源端子１２３に接続されオン状態となる。Ｐチャネル双方向導通型電界効果トランジスタ２１４がオン状態となると、ＰＭＯＳトランジスタ２６１、２６２はゲート、ソース、ドレインの電圧が同じになるので、オフする。このようにして、充放電制御回路２５１は、二次電池１０１の充電を制御する。
【００３５】
充電器１３２によって二次電池１０１が充電されているとき、制御回路１０２が二次電池１０１の過充電状態を検出すると、制御回路１０２は出力端子から端子１２６にＬｏｗを出力する。そして、ＰＭＯＳトランジスタ１１０をオン、ＮＭＯＳトランジスタ１１１をオフさせる。Ｐチャネル双方向導通型電界効果トランジスタ２１４は、ゲートが端子１２４に接続されるのでオフ状態となる。このようにして、充電電流は遮断され二次電池１０１が過充電となるのを防止する。
【００３６】
ここで、Ｐチャネル双方向導通型電界効果トランジスタ２１４がオフ状態になると、Ｖ＋端子１２０は正極電源端子１２２よりも高い電圧になるので、ＰＭＯＳトランジスタ２６１はオフし、ＰＭＯＳトランジスタ２６２がオンする。Ｐチャネル双方向導通型電界効果トランジスタ２１４は、ゲートとバックゲートがＶ＋端子１２０に接続されるため、リーク電流を低減することができ、かつ安定して動作することができる。また、オフしているＰＭＯＳトランジスタ２６１の寄生ダイオード２７１は逆バイアスになるので、Ｖ＋端子１２０からＰＭＯＳトランジスタ２６２、２６１を介して正極電源端子１２２へ電流が流れない。
【００３７】
二次電池１０１によって負荷１３１が駆動されているとき、制御回路１０２が二次電池１０１の過放電状態を検出すると、制御回路１０２は出力端子から端子１２６にＬｏｗを出力する。そして、ＰＭＯＳトランジスタ１１０をオン、ＮＭＯＳトランジスタ１１１をオフさせる。Ｐチャネル双方向導通型電界効果トランジスタ２１４は、ゲートが端子１２４に接続されるのでオフ状態となる。このようにして、放電電流は遮断され二次電池１０１が過放電となるのを防止する。
【００３８】
ここで、Ｐチャネル双方向導通型電界効果トランジスタ２１４がオフ状態となると、Ｖ＋端子１２０は正極電源端子１２２よりも低い電圧になるので、ＰＭＯＳトランジスタ２６１がオンし、ＰＭＯＳトランジスタ２６２がオフする。Ｐチャネル双方向導通型電界効果トランジスタ２１４のゲートとバックゲートが正極電源端子１２２に接続されるため、リーク電流を低減することができ、かつ安定して動作することができる。また、オフしているＰＭＯＳトランジスタ２６２の寄生ダイオード２７２は逆バイアスになるので、正極電源端子１２２からＰＭＯＳトランジスタ２６１、ＰＭＯＳトランジスタ２６２を介してＶ＋端子１２０へ電流が流れない。
【００３９】
以上に説明したように、第二の実施形態の充放電制御回路２５１を備えたバッテリ装置によれば、制御回路１０２の制御を複雑化することなく、Ｐチャネル双方向導通型電界効果トランジスタ２１４に流れるリーク電流を低減させることができる。そして、Ｐチャネル双方向導通型電界効果トランジスタ２１４のバックゲートをＶ＋端子１２０または正極電源端子１２２に接続することで、充放電制御回路２５１を安定して動作させることができる。
【００４０】
なお、本実施形態の制御回路１０２は、電源端子を正極電源端子１２２と負極電源端子１２３に接続されるようにしたが、さらに端子１２４と接続しても良い。この場合は、正極電源として正極電源端子１２２と端子１２４のどちらか高い電圧を選択して、出力端子からＨｉｇｈを出力するように構成する。このように構成すると、スイッチ回路１５２がより安定して動作することが出来る。
【符号の説明】
【００４１】
１０１  二次電池
１０２  制御回路
１１４  Ｎチャネル双方向導通型電界効果トランジスタ
１５１、２５１  充放電制御回路
１３１  負荷
１３２  充電器
１５２  スイッチ回路
１７１、１７２、２７１、２７２  寄生ダイオード
２１４  Ｐチャネル双方向導通型電界効果トランジスタ
【図１】
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【図２】
2015061490.tif 000004
【図３】
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