(57)【要約】【課題】放熱特性および高密度実装における接続信頼性の向上を実現する電子部品パッケージの製造方法を提供すること。【解決手段】キャリア上にて電子部品および上下接続部品の配置ならびに封止樹脂層の形成を行った後でキャリアを剥離除去し、それによって、電子部品の電極が封止樹脂層の一方の主面から露出すると共に、上下接続部品の下側面が封止樹脂層の一方の主面から露出し、上下接続部品の上側面が封止樹脂層の他方の主面から露出するように電子部品および上下接続部品が封止樹脂層に埋設されたパッケージ前駆体を得ており、パッケージ前駆体を得るに際しては上下接続部品をプレス処理により圧縮変形させており、また、キャリアの剥離除去後においては封止樹脂層の一方の主面および他方の主面の双方に対して乾式および湿式のめっき処理を施して金属めっき層を形成する、電子部品パッケージの製造方法。【選択図】図１
2015233092.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
電子部品パッケージを製造するための方法であって、
キャリア上にて電子部品および上下接続部品の配置ならびに封止樹脂層の形成を行った後で該キャリアを剥離除去し、それによって、該電子部品および該上下接続部品が該封止樹脂層に埋設され、該電子部品の電極が該封止樹脂層の一方の主面から露出すると共に、該上下接続部品の下側面が該封止樹脂層の該一方の主面から露出および該上下接続部品の上側面が該封止樹脂層の他方の主面から露出するパッケージ前駆体を得ており、
前記パッケージ前駆体を得るに際しては、前記上下接続部品をプレス処理によって圧縮変形に付しており、また、
前記キャリアの剥離除去後において、前記封止樹脂層の前記一方の主面および前記他方の主面の双方に対して乾式および湿式のめっき処理を施して金属めっき層を形成する、電子部品パッケージの製造方法。
【請求項２】
前記上下接続部品が、前記圧縮変形の前にて前記封止樹脂層の厚み寸法よりも大きい高さ寸法を有し、該圧縮変形によって該上下接続部品の該高さ寸法を減じることを特徴とする、請求項１に記載の電子部品パッケージの製造方法。
【請求項３】
前記圧縮変形によって前記上下接続部品の前記上側面と前記封止樹脂層の前記他方の主面とを面一にすることを特徴とする、請求項１または２に記載の電子部品パッケージの製造方法。
【請求項４】
平板部材を用いて前記上下接続部品を上方から押圧することによって、該上下接続部品の前記圧縮変形を行うことを特徴とする、請求項１〜３のいずれかに記載の電子部品パッケージの製造方法。
【請求項５】
前記上下接続部品として先細り形状の導電性部材を用いることを特徴とする、請求項１〜４のいずれかに記載の電子部品パッケージの製造方法。
【請求項６】
前記上下接続部品として多層基板部材を用い、
前記多層基板部材は、その導体部の一部が外側に突出した突出導体部分を有し、前記プレス処理によって該突出導体部分を圧縮変形に付すことを特徴とする、請求項１〜４のいずれかに記載の電子部品パッケージの製造方法。
【請求項７】
前記封止樹脂層の前記一方および前記他方の主面に形成された前記金属めっき層をパターニング処理に付して、前記電子部品の前記電極および前記上下接続部品の前記下側面と接合する金属めっきパターン層Ａを形成すると共に、前記上下接続部品の前記上側面と接合する金属めっきパターン層Ｂを形成することを特徴とする、請求項１〜６のいずれかに記載の電子部品パッケージの製造方法。
【請求項８】
前記パッケージ前駆体の形成は、
（ａ）前記キャリアとして用いる粘着性キャリアに対して貼り付けられるように前記電子部品および前記上下接続部品を該粘着性キャリアに配置する工程、
（ｂ）前記電子部品および前記上下接続部品を覆うように前記粘着性キャリア上に封止樹脂層前駆体を形成する工程、
（ｃ）平板部材を用いて前記上下接続部品を押圧することによって該上下接続部品を前記圧縮変形に付し、該圧縮変形に用いた該平板部材を除去せず該上下接続部品上に保持する工程、
（ｄ）前記封止樹脂層前駆体を硬化させることによって前記封止樹脂層を得る工程、ならびに
（ｅ）前記封止樹脂層から前記粘着性キャリアを剥離すると共に、前記平板部材を除去することによって、前記電子部品の前記電極を該封止樹脂層の前記一方の主面から露出させると共に、前記上下接続部品の前記下側面を該封止樹脂層の前記一方の主面から露出および該上下接続部品の前記上側面を該封止樹脂層の前記他方の主面から露出させる工程
を含んで成ることを特徴とする、請求項１〜７のいずれかに記載の電子部品パッケージの製造方法。
【請求項９】
前記工程（ｂ）および（ｃ）に代えて、
（ｂ）’平板部材を用いて前記上下接続部品を押圧することによって該上下接続部品を前記圧縮変形に付し、該圧縮変形に用いた該平板部材を除去せず該上下接続部品上に保持する工程、ならびに
（ｃ）’前記電子部品および前記上下接続部品が封止樹脂層前駆体に埋設されるように前記粘着性キャリアと前記平板部材との間に該封止樹脂層前駆体を形成する工程
を含んで成ることを特徴とする、請求項８に記載の電子部品パッケージの製造方法。
【請求項１０】
前記平板部材に粘着層が設けられており、
前記工程（ｃ）または（ｂ）’では、前記粘着層と前記上下接続部品とが相互に接するように前記平板部材によって前記上下接続部品を押圧することを特徴とする、請求項８または９に記載の電子部品パッケージの製造方法。
【請求項１１】
前記押圧に際して前記上下接続部品を前記粘着層へと食い込ませ、該上下接続部品の前記上側面を前記封止樹脂層の前記他方の主面よりも高いレベルに位置付けることを特徴とする、請求項１〜２および４〜７のいずれかに従属する請求項１０に記載の電子部品パッケージの製造方法。
【請求項１２】
電子部品パッケージであって、
封止樹脂層、
前記封止樹脂層に埋設された電子部品および上下接続部品、ならびに
前記封止樹脂層上に設けられた金属めっきパターン層Ａおよび金属めっきパターン層Ｂ
を有して成り、
前記電子部品の電極が前記封止樹脂層の一方の主面から露出し、また、前記上下接続部品の下側面が前記封止樹脂層の前記一方の主面から露出および該上下接続部品の上側面が該封止樹脂層の他方の主面から露出するように上下接続部品が延在しており、
前記金属めっきパターン層Ａが前記電子部品の前記電極および前記上下接続部品の前記下側面と接合している一方、前記金属めっきパターン層Ｂが該上下接続部品の前記上側面と接合しており、また
前記金属めっきパターン層ＡおよびＢが、相対的に内側に位置付けられた乾式めっき層と相対的に外側に位置付けられた湿式めっき層とから成る積層構造を有している、電子部品パッケージ。
【請求項１３】
前記上下接続部品が、前記上側面においてフランジ状に拡大していることを特徴とする、請求項１２に記載の電子部品パッケージ。
【請求項１４】
前記上下接続部品の前記上側面と前記封止樹脂層の前記他方の主面とが面一となっていることを特徴とする、請求項１２または１３に記載の電子部品パッケージ。
【請求項１５】
前記上下接続部品の前記上側面が前記封止樹脂層の前記他方の主面よりも高いレベルに位置付けられていることを特徴とする、請求項１２または１３に記載の電子部品パッケージ。
【請求項１６】
前記上下接続部品が錐台形状の導電性部材を成していることを特徴とする、請求項１２〜１５のいずれかに記載の電子部品パッケージ。
【請求項１７】
前記上下接続部品が多層基板部材を成しており、
前記多層基板部材が、その厚み方向に延在して該多層基板部材の上側主面および下側主面にて露出する導体部を少なくも１つ備えていることを特徴とする、請求項１２に記載の電子部品パッケージ。
【請求項１８】
前記金属めっきパターン層Ａ、前記金属めっきパターン層Ｂ、および、該金属めっきパターン層Ａと該金属めっきパターン層Ｂとを相互に接続する上下接続部品の少なくとも一部が前記電子部品パッケージの放熱部材となっていることを特徴とする、請求項１２〜１７のいずれかに記載の電子部品パッケージ。
【請求項１９】
前記乾式めっき層が１００ｎｍ〜１０００ｎｍの厚さを有する一方、前記湿式めっき層が１８μｍ〜５００μｍの厚さを有することを特徴とする、請求項１２〜１８のいずれかに記載の電子部品パッケージ。
【請求項２０】
前記乾式めっき層がＴｉ、ＣｒおよびＮｉから成る群から選択される少なくとも１種類の金属材料を含んで成る一方、前記湿式めっき層がＣｕおよびＡｌから成る群から選択される少なくとも１種類の金属材料を含んで成ることを特徴とする、請求項１２〜１９のいずれかに記載の電子部品パッケージ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電子部品パッケージの製造方法、およびそれによって得られる電子部品パッケージに関する。より詳細には、本発明はエレクトロニクス分野で用いられる“電子部品を備えたパッケージ”の製造方法に関すると共に、それによって得られる電子部品パッケージにも関する。
【背景技術】
【０００２】
電子機器の進展に伴い、エレクトロニクス分野では様々な実装技術が開発されている。例示すると、ＩＣやインダクタなどの電子部品の実装技術（パッケージング技術）として、回路基板やリードフレームを用いた実装技術が存在する。つまり、一般的な電子部品のパッケージ形態としては「回路基板を用いたパッケージ」および「リードフレームを用いたパッケージ」などが存在する。
【０００３】
「回路基板を用いたパッケージ」（図１１（ａ）参照）は、回路基板上に電子部品が実装された形態を有している。かかるパッケージの種類としてはワイヤーボンディング型（Ｗ／Ｂ型）とフリップチップ型（Ｆ／Ｃ型）とが一般に存在する。「リードフレーム・タイプ」（図１１（ｂ）参照）は、リードやダイパッドなどから成るリードフレームを含んだ形態を有している。回路基板を用いたパッケージ、リードフレーム・タイプのパッケージともに、各種の電子部品がはんだ付けなどでボンディングされている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】米国特許第７９２７９２２号公報
【特許文献２】米国特許第７２０２１０７号公報
【特許文献３】特表２００８−５２２３９６号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、従来の実装技術においては、放熱特性および接続信頼性の点で十分ではないという問題がある。
【０００６】
本発明は、かかる点に鑑みてなされてものである。よって、本発明は放熱特性および接続信頼性の向上を実現する電子部品パッケージおよびその製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上記目的を達成するために、本発明の一態様に係る電子部品パッケージの製造方法は、
キャリア上にて電子部品および上下接続部品の配置ならびに封止樹脂層の形成を行った後でキャリアを剥離除去し、それによって、電子部品および上下接続部品が封止樹脂層に埋設され、電子部品の電極が封止樹脂層の一方の主面から露出すると共に、上下接続部品の下側面が封止樹脂層の一方の主面から露出および上下接続部品の上側面が封止樹脂層の他方の主面から露出するパッケージ前駆体を得ており、
かかるパッケージ前駆体を得るに際しては、上下接続部品をプレス処理によって圧縮変形に付しており、また、
キャリアの剥離除去後において、封止樹脂層の一方の主面および他方の主面の双方に対して乾式および湿式のめっき処理を施して金属めっき層を形成する。
【０００８】
また、本発明の一態様に係る電子部品パッケージは、
電子部品パッケージであって、
封止樹脂層、
封止樹脂層に埋設された電子部品および上下接続部品、ならびに
封止樹脂層上に設けられた金属めっきパターン層Ａおよび金属めっきパターン層Ｂ
を有して成り、
電子部品の電極が封止樹脂層の一方の主面から露出し、また、上下接続部品の下側面が封止樹脂層の一方の主面から露出および上下接続部品の上側面が封止樹脂層の他方の主面から露出するように上下接続部品が延在しており、
金属めっきパターン層Ａが電子部品の電極および上下接続部品の下側面と接合している一方、金属めっきパターン層Ｂが上下接続部品の上側面と接合しており、また
金属めっきパターン層ＡおよびＢが、相対的に内側に位置付けられた乾式めっき層と相対的に外側に位置付けられた湿式めっき層とから成る積層構造を有している。
【発明の効果】
【０００９】
本発明に従えば、パッケージの両面において、金属めっき層を電子部品および上下接続部品に対して直接接合するように形成するので、放熱特性および接続信頼性が向上し得る。
【図面の簡単な説明】
【００１０】
【図１】図１は本発明に係る電子部品パッケージの製造方法の概念を模式的に示した断面図である。
【図２】図２は第１実施形態に従った本発明の電子部品パッケージの製造方法を模式的に示した工程断面図である。
【図３】図３は第１実施形態に従った本発明の電子部品パッケージの製造方法を模式的に示した工程断面図である。
【図４】図４は圧縮変形前における上下接続部品の種々の形態を模式的に示した断面図である（上下接続部品の上下方向に沿って切断した断面図）。
【図５】図５は第２実施形態に従った本発明の電子部品パッケージの製造方法を模式的に示した工程断面図である。
【図６】図６は第３実施形態に従った本発明の電子部品パッケージの製造方法を模式的に示した工程断面図である。
【図７】図７は第４実施形態に従った本発明の電子部品パッケージの製造方法を模式的に示した工程断面図である。
【図８】図８は上下接続部品として用いられる多層基板部材の形態を模式的に示した断面図である（多層基板部材の上下方向に沿って切断した断面図）。
【図９】図９は第５実施形態に従った本発明の電子部品パッケージの製造方法を模式的に示した工程断面図である。
【図１０】図１０は本発明の電子部品パッケージの構成を模式的に示した断面図である。
【図１１】図１１は従来技術の電子部品パッケージの構成態様を模式的に示した断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１１】
（本発明の基礎となった知見）
本発明者は、「背景技術」の欄において記載した従来のパッケージ技術に関し、以下の問題が生じることを見出した。
【００１２】
「回路基板を用いたパッケージ」（図１１（ａ）参照）は、高密度実装を実現できるものの、回路基板を用いているので放熱性の点では課題を残している。また、基板コスト自体も無視できず、コスト的には必ずしも満足のいくものとはいえない。更に、そもそもワイヤーボンディグやフリップチップ実装を行うためのコストも無視できず、更なるコスト低減が望まれている（例えば、フリップチップ実装では高価なマウンターが必要である）。
【００１３】
「リードフレーム・タイプ」（図１１（ｂ）参照）は、リードフレームで微細な加工が困難であるため、高密度な実装には向かない。更にいえば、両タイプともに、はんだ付けがなされているので、全体を樹脂で封止した場合、いわゆる“はんだフラッシュ”の問題が懸念され、接続信頼性の点では必ずしも満足のいくものとはいえない。つまり、モジュール実装はんだ付けにおける加熱に際して、パッケージ内の部品接合に用いられているはんだ材料が、再溶融してしまい、微細な隙間に浸み出たり（フラッシュ）、短絡を起こしたりする虞がある。
【００１４】
また、電極をファイン形成する方法として、レジストにパターンを形成した後、めっきにて回路を形成するセミアディティブ法があるが、めっきの高さを均一にすることが難しい。
【００１５】
本発明はかかる事情に鑑みて為されたものである。即ち、本発明の主たる目的は、好適な放熱特性および高密度実装における接続信頼性を満たすパッケージング技術を提供することである。
【００１６】
このため、本願発明者らは、従来技術の延長線上で対応するのではなく、新たな方向で対処することによって上記目的の達成を試みた。その結果、上記目的が達成された電子部品パッケージおよびその製造方法の発明に至った。具体的には、本発明の一態様では、
キャリア上にて電子部品および上下接続部品の配置ならびに封止樹脂層の形成を行った後でキャリアを剥離除去することによって、電子部品および上下接続部品が封止樹脂層に埋設され、電子部品の電極が封止樹脂層の前記一方の主面から露出すると共に、上下接続部品の下側面が封止樹脂層の一方の主面から露出および上下接続部品の上側面が封止樹脂層の他方の主面から露出するパッケージ前駆体を得ることを行い、
かかるパッケージ前駆体を得るに際しては、上下接続部品をプレス処理によって圧縮変形に付し、また、
キャリアの剥離除去後において、封止樹脂層の一方の主面および他方の主面の双方に対して乾式および湿式のめっき処理法を同様に実施して金属めっき層を形成する、電子部品パッケージの製造方法が提供される。
【００１７】
かかる本発明の一態様に係る電子部品パッケージの製造方法の特徴の１つは、「上下接続部品のプレス処理」と「封止樹脂層の対向する２つの主面に対して行う乾式および湿式の２種類のめっき処理」に存する。つまり、パッケージ前駆体を得るに際して上下接続部品をプレス処理により圧縮変形に付すこと、および、キャリアの剥離除去後に封止樹脂層の対向する２つの主面の双方に対して乾式および湿式のめっき処理法をそれぞれ実施してパッケージの表裏面側に金属めっき層を形成することが本発明の製造方法の特徴の１つといえる。
【００１８】
また、本発明の一態様では、上記製造方法によって得られる電子部品パッケージも提供される。かかる電子部品パッケージは、
封止樹脂層、
封止樹脂層に埋設された電子部品および上下接続部品、ならびに
封止樹脂層上に設けられた金属めっきパターン層Ａおよび金属めっきパターン層Ｂ
を有して成り、
電子部品の電極が封止樹脂層の一方の主面から露出し、また、上下接続部品の下側面が封止樹脂層の前記一方の主面（即ち“電子部品の電極が露出する封止樹脂の主面”）から露出および上下接続部品の上側面が封止樹脂層の他方の主面から露出するように上下接続部品が延在しており、
金属めっきパターン層Ａが電子部品の電極および上下接続部品の下側面と接合している一方、金属めっきパターン層Ｂが上下接続部品の上側面と接合しており、また
金属めっきパターン層ＡおよびＢが、相対的に内側に位置付けられた乾式めっき層と相対的に外側に位置付けられた湿式めっき層とから成る積層構造を有していることを特徴とする。
【００１９】
かかる本発明の一態様に係る電子部品パッケージの特徴の１つは「封止樹脂層の対向する２つの主面から露出するように延在する上下接続部品」および「封止樹脂層の一方および他方の双方の主面にそれぞれ設けられた“乾式めっき層と湿式めっき層とから成る積層構造の金属めっきパターン層”」に存する。つまり、上下接続部品の下側面が封止樹脂層の一方の主面から露出および上下接続部品の上側面が封止樹脂層の他方の主面から露出するような形態でもって上下接続部品が延在していること、ならびに、上下接続部品の下側面と接合している金属めっきパターン層Ａおよび上下接続部品の上側面と接合している金属めっきパターン層Ｂの各々が、相対的に内側に位置付けられた乾式めっき層と相対的に外側に位置付けられた湿式めっき層とから成る積層構造を有していることが本発明の電子部品パッケージの特徴の１つといえる。
【００２０】
上述したように、本発明の一態様に従えば、望ましい放熱特性および接続信頼性を達成できる。
【００２１】
“放熱特性”についていえば、本発明の一態様ではワイヤーボンディングやバンプを介した実装が為されておらず（即ち、パッケージがワイヤーボンディングレス・バンプレスとなっており）、電子部品からの熱が金属めっき層（金属めっきパターン層）を介して効率良く放熱されるようになっている。特に、金属めっき層（金属めっきパターン層）を熱伝導性の高い銅などの材質から形成でき、かつ、“厚みの大きい金属めっき層”として設けることができるので、それを介して効率よく熱を外部へと逃がすことができる。特に、電子部品パッケージの“裏面側”となる下側のみならず、“表面側”となる上側からも放熱させることができるので、特に放熱効率の高い両面放熱型のパッケージを実現できる。尚、表面側に設ける金属めっき層（金属めっきパターン層Ｂ）についていえば、放熱部材として機能させることができるだけでなく、部品実装端子・外部接続端子としても機能させることができる。つまり、本発明に従えば、電子部品パッケージの表層にも部品実装でき、それゆえ、部品の集積度を上げることが可能となる。
【００２２】
本発明の一態様では“はんだ付け”を行わずにパッケージングを達成しており、即ち“はんだ材料”を用いないパッケージが実現されている。それゆえ、“はんだフラッシュ”なる不都合は回避されており、その点で“接続信頼性”の向上を図ることができる。
【００２３】
また、本発明の一態様に係る製造方法では、表側および裏側の双方への全面めっき後にサブトラクティブ法でパターンを形成できる。よって、めっき高さのばらつきを防止でき、また、研磨が必要なくなるので低コスト製造も可能となる。
【００２４】
更には、本発明の一態様に係るパッケージは“基板レス構造”となっている。この“基板レス”は、基板を用いていないので、その分だけ低コスト製造に寄与する。また、ワイヤーボンディングやフリップチップ実装などと比べて簡易なプロセスでパッケージングできるので、その点でも低コスト化を図ることができる。
【００２５】
以下にて、本発明の一態様に係る電子部品パッケージおよびその製造方法を詳細に説明する。尚、図面に示す各種の要素は、本発明の理解のために模式的に示したにすぎず、各図における寸法（長さ、幅、厚さ等）、外観・寸法比などは実物と異なり得ることに留意されたい。
【００２６】
本明細書で直接的または間接的に説明される“方向”は、例えば電子部品３０とその電極３５との位置関係を基準とした方向であって、“上下方向”が図中の上下方向に相当する。具体的には、各図における“上下方向”に対応しており、電子部品３０を基準として電極３５が設けられる側を「下方向」とし、その反対側を「上方向」としている。
【００２７】
［本発明の製造方法］
まず、本発明に係る電子部品パッケージの製造方法について説明する。本発明の製造方法では、図１に示されるように、パッケージ前駆体を得るに際して上下接続部品をプレス処理で圧縮変形に付しており、また、キャリアの剥離除去後において封止樹脂層の一方および他方の双方の主面に対して乾式および湿式のめっき処理法を実施してパッケージの両面に金属めっき層を形成している。
【００２８】
具体的には、まず、「電子部品および上下接続部品が封止樹脂層に埋設され、電子部品の電極が封止樹脂層の一方の主面から露出すると共に、上下接続部品の下側面が封止樹脂層の一方の主面から露出および上下接続部品の上側面が封止樹脂層の他方の主面から露出するパッケージ前駆体」を得る。ここで、かかるパッケージ前駆体を得るに際して上下接続部品をプレス処理によってプレス方向に圧縮変形させる。つまり、上下接続部品を押圧して上下接続部品の形状を変える。次いで、封止樹脂層からキャリアを除去した後、封止樹脂層の一方の主面および他方の主面の双方に対して乾式および湿式のめっき処理法を実施して両面金属めっき層を形成する。
【００２９】
本明細書でいう「キャリア」とは、電子部品配置および封止樹脂層形成の支持体として用いられ、最終的には剥離除去される部材を意味している。例示すれば、キャリアはシート状部材であってもよく、例えば粘着性および／または可撓性を有するシート状部材であってよい。
【００３０】
また、本明細書において「上下接続部品」とは、電子部品パッケージの表裏面（より具体的にはその封止樹脂層の表側主面および裏側主面）を互い接続する部品のことを意味している。例えば、後述で使用する図３（ｃ）に示すように、上下接続部品は、封止樹脂層の表面側および裏面側の双方において露出するように延在しており、それによって、“表面側に設けられる上側部品・上側層”と“裏面側に設けられる下側部品・下側層”との相互接続がなされることになる。このような観点に照らすと、上下接続部部品は“表裏面接続部品”と称すこともできる。
【００３１】
図１に示すように、上下接続部品は、圧縮変形の前では封止樹脂層の厚み寸法よりも大きい高さ寸法を有している。そして、圧縮変形に付されることによって上下接続部品の高さ寸法が減じられることになる。尚、上下接続部品の圧縮変形は、平板部材を用いて上下接続部品を上方から押圧することによって実施してよい。平板部材を用いると、複数の上下接続部品を一括して圧縮変形に付すことができると共に、上下接続部品の上側面を平らにすることができるので後刻の金属めっき層形成にとって好適となり得る。
【００３２】
更にいえば、圧縮変形によって“上下接続部品の上側面”と“封止樹脂層の他方の主面”とを実質的に面一にすることが好ましい。これによっても、全体として“面一状態”の平らな面が得られるので、後刻の金属めっき層形成にとって好適となり得る。尚、ここでいう「封止樹脂層の他方の主面」とは、実質的には「封止樹脂層の上側主面」を意味しており、また、封止樹脂層が封止樹脂層前駆体から形成されることに鑑みると「封止樹脂層前駆体の上側主面」を意味している。これに対し、上述または後述で言及する「封止樹脂層の一方の主面」とは、実質的には「封止樹脂層の下側主面」を意味しており、封止樹脂層が封止樹脂層前駆体から形成されることに鑑みると「封止樹脂層前駆体の下側主面」を意味している。
【００３３】
以下では、より具体的なプロセス態様が表された図面を参照しながら、本発明の製造方法を説明する。まず代表的なプロセス例として第１実施形態を挙げ、それに基づいて説明を行う。
【００３４】
（第１実施形態）
第１実施形態に従った本発明の製法プロセスを図２（ａ）〜（ｈ）および図３（ａ）〜（ｃ）に示す。
【００３５】
まず、パッケージ前駆体の形成工程を実施する。かかるパッケージ前駆体の形成は、
（ａ）粘着性キャリアに対して貼り付けられるように電子部品および上下接続部品を粘着性キャリアに配置する工程、
（ｂ）電子部品および上下接続部品を覆うように粘着性キャリア上に封止樹脂層前駆体を形成する工程、
（ｃ）平板部材を用いて上下接続部品を押圧することによって上下接続部品を圧縮変形に付し、その後、圧縮変形に用いた平板部材を除去せず上下接続部品上にそのまま保持しておく工程、
（ｄ）封止樹脂層前駆体を硬化させることによって封止樹脂層を得る工程、ならびに
（ｅ）封止樹脂層から粘着性キャリアを剥離すると共に、平板部材を除去することによって、電子部品の電極を封止樹脂層の一方の主面から露出させると共に、上下接続部品の下側面を封止樹脂層の一方の主面から露出および上下接続部品の上側面を封止樹脂層の他方の主面から露出させる工程
を含んで成ることが好ましい。
【００３６】
具体的に説明すると、まず図２（ａ）および図２（ｂ）に示すように、キャリアとして用いる粘着性キャリア２０上に少なくとも１種類の電子部品３０と少なくとも１つの上下接続部品３１を配置する。つまり、粘着性キャリア２０に対して電子部品３０と上下接続部品３１を実装する。かかる電子部品３０と上下接続部品３１の配置は、その電子部品３０の電極部分３５および上下接続部品３１の下側面３１ａ（即ち、表裏接続部品の裏面部分）が粘着性キャリア２０に接するように行うことが好ましい。これによって、後刻のキャリア剥離によって電子部品３０の電極３５と上下接続部品３１の下側面３１ａとを好適に露出させることができる。
【００３７】
電子部品３０は、エレクトロニクス実装分野で用いられる回路部品・回路素子であれば、いずれの種類のものを用いてよい。あくまでも例示にすぎないが、かかる電子部品の種類としては、ＩＣ（例えばコントロールＩＣ）、インダクタ、半導体素子（例えば、ＭＯＳ（金属酸化物半導体））、コンデンサ、パワー素子、発光素子（例えばＬＥＤ）、チップ抵抗、チップコンデンサ、チップバリスタ、チップサーミスタ、その他チップ状の積層フィルター、接続端子などを挙げることができる。
【００３８】
一方、上下接続部品３１は、後刻の工程（ｃ）で実施する圧縮変形に資するものである。上下接続部品３１は圧縮変形の前では封止樹脂層の厚み寸法よりも大きい高さ寸法を有している。例えば、上下接続部品の高さ寸法Ｈ（図２（ｂ）参照）は、封止樹脂層４０あるいはその前駆体４０’の厚み寸法ｈ（図２（ｃ）参照）よりも好ましくは５％〜６０％程度大きい、より好ましくは８％〜５０％程度大きい、更に好ましくは１０％〜４０％程度大きい。
【００３９】
ある好適な態様では、図２（ｂ）に示すように、上下接続部品３１が全体として先細り形状を有している。より具体的には、上下接続部品３１は、上側に向かって幅寸法が漸次小さくなる形状を有していてよい（１つ例示すると、上下接続部品３１は円錐形状体であってよい）。このような形状を有していると、平板部材によって上方から上下接続部品を押圧する際、押圧力を上下接続部品へと及ぼしやすくなり、圧縮変形が助力される。
【００４０】
上下接続部品３１は、最終的には電子部品パッケージの表裏面の導通に資するものであり、それゆえ、導電性を有していることが好ましい。例えば、上下接続部品３１は、金（Ａｕ）、銀（Ａｇ）、銅（Ｃｕ）、ニッケル（Ｎｉ）、アルミニウム（Ａｌ）およびステンレス（ＳＵＳ）などから成る群から選択される少なくとも１種類の材料から成るものであってよい。容易な圧縮変形となることを特に重視するならば、上下接続部品３１として銅を含んで成るものが好ましい。
【００４１】
導電性を呈する上下接続部品３１が先細り形状を有することは、工程（ａ）の上下接続部品として「先細り形状の導電性部材」を用いることに相当する。上下接続部品３１はプレス成形および／または切削加工などの常套的な手法を利用して形成することができる。尚、上下接続部品の容易な圧縮変形となるように、上下接続部品３１は、その上側部分（例えば、先端部分）のみが軟らかい材質から成ってもよい。つまり、図２（ｂ）の右上側拡大図に示すように上下接続部品３１が少なくとも２層から成る構成を有し、その最上層が比較的軟らかい材質から成っていてよい。
【００４２】
粘着性キャリア２０は、例えば、基板と粘着層とから構成されたキャリアシートであってよい。つまり、図２（ａ）に示すように、支持基材２４上に粘着層２６が設けられた２層構造のキャリアシートを用いてよい。後刻で好適な離型処理を行う点でいえば、支持基材２４は可撓性を有していることが好ましい。
【００４３】
支持基材２４としては、後刻に行われる“電子部品・上下接続部品の配置”や“封止樹脂層の形成”などのプロセスに支障をきたすものでなければ、いずれのシート状部材であってもよい。例えば、支持基材２４の材質は、樹脂、金属および／またはセラミックなどであってよい。支持基材２４の樹脂としては、例えば、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート等のポリエステル樹脂、ポリメタクリル酸メチルなどのアクリル樹脂、ポリシクロオレフィン樹脂、ポリカーボネートなどを挙げることができる。支持基材２４の金属としては、例えば、鉄、銅、アルミニウムもしくはそれらの合金などを挙げることができる（１つ例示すると、ＳＵＳなどのステンレス材であってよい）。支持基材２４のセラミックスとしては、例えば、アパタイト、アルミナ、シリカ、炭化ケイ素、窒化ケイ素、炭化ホウ素等を挙げることができる。支持基材自体の厚さは、“シート状”ゆえ、好ましくは０．１ｍｍ〜２．０ｍｍ、より好ましくは０．２ｍｍ〜１．０ｍｍ（例えば、０．２ｍｍ）である。
【００４４】
一方、粘着層２６は、電子部品に対して粘着性を有するものであれば特に制限はない。例えば、粘着層自体は、アクリル樹脂系接着剤、ウレタン樹脂系接着剤、シリコーン樹脂系粘着剤およびエポキシ樹脂系接着剤から成る群から選択される少なくとも１種以上の接着性材料を含んで成るものであってよい。粘着層２６の厚さは、好ましくは２μｍ〜５０μｍ、より好ましくは５μｍ〜２０μｍ（例えば１０μｍ）である。尚、粘着層２６としては、粘着両面テープを用いてもよい（例えばＰＥＴフィルムなどの樹脂薄層の両主面に対して接着剤層が形成されたテープを用いてもよい）。
【００４５】
粘着性キャリア２０上に電子部品３０および上下接続部品３１を配置した後、図２（ｃ）に示すように、電子部品３０と上下接続部品３１を覆うように粘着性キャリア２０上に封止樹脂層前駆体４０’を形成し、封止体を得る。封止樹脂層前駆体４０’は、樹脂原料をスピンコート法やドクターブレード法などにより粘着性キャリア２０の粘着面に塗布することによって設けることができる。最終的には、封止樹脂層前駆体４０’を熱硬化または光硬化などに付すことによって封止樹脂層前駆体４０’から封止樹脂層４０を得ることになるが、その前段階であっても形状保持などの観点から半硬化させておいてもよい。尚、樹脂原料を塗布する他に、別法にて粘着性キャリア２０の粘着面に対して半硬化・未硬化の樹脂フィルムなどを貼り合わせることによって封止樹脂層前駆体４０’を設けてもよい。具体的な樹脂原料は、絶縁性を呈するものであればいずれの種類であってもよく、例えば、エポキシ系樹脂やシリコーン系樹脂などであってよい。
【００４６】
封止樹脂層前駆体４０’の厚みは、上下接続部品３１の高さ寸法よりも小さいことが好ましい。つまり、封止樹脂層前駆体４０’は、電子部品３０と上下接続部品３１を全体的に覆うものの、上下接続部品３１の先端部（上側部分）は封止樹脂層前駆体４０’から突出するようにしておくことが好ましい。換言すれば、上下接続部品の最上部（即ち“頂部”）のみは覆わないように、封止樹脂層前駆体４０’を形成することが好ましい。
【００４７】
封止樹脂層前駆体４０’の形成後、図２（ｃ）および２（ｄ）に示すように、平板部材５０を用いて上下接続部品３１をプレス処理に付す。つまり、平板部材５０を用いて上下接続部品３１を押圧することによって上下接続部品３１を圧縮変形に付す。より具体的には、平板部材５０と上下接続部品３１の頂部とが互いに接するような形態で平板部材５０を下方へと移動させることによって上下接続部品に押圧力を加え、上下接続部品（特に、その先端部）を変形させる。特に上下接続部品を塑性変形させることが好ましい。平板部材５０の材質は、金属などであってよく、例えば、鉄、銅、アルミニウムもしくはそれらの合金などを挙げることができる。図２（ｄ）に示すように、圧縮変形に用いた平板部材５０は除去せずに上下接続部品３１上においてそのまま保持しておく。つまり、平板部材５０については、上下接続部品３１の押圧が完了した時点の位置をそのまま保持しておくことが好ましい。
【００４８】
このようなプレス処理に際しては、上下接続部品３１の頂面レベルが封止樹脂層前駆体４０’の上側主面レベルと同じになることが好ましい。つまり、圧縮変形によって上下接続部品３１の上側面と封止樹脂層前駆体４０’の上側主面とを実質的に面一にすることが好ましい。このような“面一状態”が得られると、後刻の金属めっき層形成にとって好適となり得る。具体的には、“面一”ゆえにめっき処理を施す箇所に偏りがなく、全体としてより均一にめっき処理を施すことができる。ちなみに、プレス面となる“上下接続部品の頂面”には封止樹脂前駆体の材料が付着しないことが望ましい。よって、仮に付着した場合、研磨処理によって付着材料を除去することが好ましい。また、プレス処理に際しては、上下接続部品３１の下側面がキャリア表面（例えば粘着性キャリアの粘着層）と密着するので、それらの間へと封止樹脂層前駆体の材料が侵入することは実質的に排除される。
【００４９】
ある好適な態様では、上下接続部品３１は圧縮変形に際して押し潰される。それゆえ、上下接続部品３１は、図２の右下側拡大図に示すように上側面３１ｂにてフランジ状に拡大し得る。
【００５０】
プレス処理は、常温・室温下で行ってよい。しかしながら、圧縮変形を助力すべく、必要に応じて加熱・加温の環境下でプレス処理を行ってもよい。
【００５１】
プレス処理後は、封止樹脂層前駆体４０’を硬化に付す。つまり、封止樹脂層前駆体４０’を硬化処理させて、かかる前駆体から封止樹脂層４０を得る。例えば、封止樹脂層前駆体４０’を熱硬化または光硬化などに付すことによって封止樹脂層前駆体４０’から封止樹脂層４０を得てよい。
【００５２】
封止樹脂層の形成に引き続いて、その封止樹脂層の対向主面を外部へと露出させる。より具体的には、図２（ｅ）に示すように、封止樹脂層４０から粘着性キャリア２０を剥離すると共に、平板部材５０を除去する。これによって、電子部品３０の電極３５を封止樹脂層４０下側主面４０ａから露出させると共に、上下接続部品３１の下側面３１ａを封止樹脂層の下側主面４０ａから露出および上下接続部品３１の上側面３１ｂを封止樹脂層の上側主面４０ｂから露出させ、パッケージ前駆体１００’を得る。
【００５３】
パッケージ前駆体１００’が得られた後、図２（ｆ）および（ｇ）に示すように、電子部品の電極面および上下接続部品３１の下側面・上側面が露出する封止樹脂層の２つの主面（即ち、下側主面４０ａおよび上側主面４０ｂ）に対して乾式めっき法を全面的に実施して乾式めっき層５１を形成し、次いで、乾式めっき層５１の主面に対して湿式めっき法を全面的に実施して湿式めっき層５２を形成する。つまり、封止樹脂層の対向する２つの主面４０ａ，４０ｂのそれぞれに対して乾式めっき法によって乾式めっき層５１を形成し（図２（ｆ）参照）、次いで、乾式めっき層５１の主面に対して湿式めっき法によって湿式めっき層５２を形成する（図２（ｇ）参照）。かかるめっき工程は、「電子部品３０の電極露出面および上下接続部品３１の下側面・上側面に対してダイレクトに金属層を形成する」といったプロセス的特徴を有している。湿式めっき層５２は厚く設けることができる。この点、乾式めっき法を実施するからこそ、後刻の湿式めっき法で厚くかつ密着力良くめっき層を形成できる。特に本発明では、そのような厚い金属めっき層のダイレクト形成を封止樹脂層４０の互い対向する下側主面４０ａおよび上側主面４０ｂ（より具体的にいえば「電子部品３０の電極３５および上下接続部品３１の下側面３１ａ・上側面３１ｂが露出する２つの対向主面」）のそれぞれに対して施す。
【００５４】
乾式めっき法は、真空めっき法（ＰＶＤ法）と化学気相めっき法（ＣＶＤ法）とを含んでおり、真空めっき法（ＰＶＤ法）が更にスパッタリング、真空蒸着およびイオンプレーディングなどを含んで成る。一方、湿式めっき法は、電気めっき法（例えば電解めっき）、化学めっき法および溶融めっき法などを含んで成る。ある好適な一態様として、本発明の製造方法では、乾式めっき法としてスパッタリングを実施し、湿式めっき法として電気めっき法（例えば電解めっき）を実施してよい。
【００５５】
好ましくは、乾式めっき法を実施して１００ｎｍ〜１０００ｎｍ厚さの乾式めっき層５１を形成し（図２（ｆ）参照）、次いで、湿式めっき法を実施して１８μｍ〜５００μｍ厚さの湿式めっき層５２を形成する（図２（ｇ）参照）。つまり、乾式めっき層５１は非常に薄いのに対して、その乾式めっき層５１上に湿式めっき層５２が厚く設けられる。湿式めっき層５２がそのように厚く設けられるので、全体として金属めっき層５０を厚くすることができる。
【００５６】
乾式めっき法によって形成される乾式めっき層５１は、例えば、Ｔｉ（チタン）、Ｃｒ（クロム）およびＮｉ（ニッケル）から成る群から選択される少なくとも１種類の金属材料を含んで成ることが好ましい。また、乾式めっき層５１の材質は、その他の金属材料、例えば、Ａｇ（銀）、Ａｌ（アルミニウム）、Ａｌ合金や、Ａｕ（金）、Ｐｔ（白金）、Ｓｎ（スズ）、Ｃｕ（銅）およびＷ（タングステン）などから成る群から選択される少なくとも１種を含んで成るものであってよい。一方、湿式めっき法によって形成される湿式めっき層５２は、Ｃｕ（銅）およびＡｌ（アルミニウム）から成る群から選択される少なくとも１種類の金属材料を含んで成ることが好ましい。また、湿式めっき層５２の材質は、その他の金属材料、例えば、銀（Ａｇ）、パラジウム（Ｐｄ）、白金（Ｐｔ）およびニッケル（Ｎｉ）から成る群から選択される少なくとも１種を含んで成るものであってよい。
【００５７】
乾式めっき層５１および湿式めっき層５２から成る金属めっき層５０が得られた後では、かかる金属めっき層５０に対してパターニング処理を施すことが好ましい。つまり、図２（ｇ）および２（ｈ）に示すように、封止樹脂層の対向する下側主面４０ａおよび下側主面４０ｂ（より具体的にいえば「電子部品３０の電極３５および上下接続部品３１の下側面３１ａ・上側面３１ｂが露出する２つの対向する主面」）にそれぞれ形成された金属めっき層５０にパターニング処理を施すことが好ましい。換言すれば、封止樹脂層の一方および他方の主面に形成された金属めっき層をパターニング処理に付して、電子部品の電極３５および上下接続部品の下側面３１ａと接合する金属めっきパターン層Ａ（５０Ａ／金属めっきパターン層回路Ａ）を形成すると共に、上下接続部品３１の上側面３１ｂと接合する金属めっきパターン層Ｂ（５０Ｂ／金属めっきパターン層回路Ｂ）を形成することが好ましい。
【００５８】
パターニング処理は、所定パターンのレジストの形成を通じて実施できる。かかるパターンニング処理自体は、エレクトロニクス実装分野で用いられている処理であれば特に制限はない。例えば、レジスト形成〜露光・現像〜エッチングなどを実施するフォトリソグラフィーを利用することによって所望のパターニング処理を実施してよい。具体的にいえば、まず金属めっき層上にレジストを全面に形成した後、レジストを所定のパターン形状にパターニングする。その後、かかる所定パターンのレジストを介してエッチング処理などを施して金属めっき層を局所的に除去することによって、金属めっきパターン層ＡおよびＢを形成することができる。尚、レジストは最終的には剥離除去することになる。
【００５９】
金属めっきパターン層が得られた後においては、かかる金属めっきパターン層に対してレジスト層を形成することが好ましい。例えば、図３（ａ）に示すように、金属めっきパターン層Ａ（５０Ａ）を部分的に覆うように封止樹脂層の表面（粘着性キャリア２０の剥離によって露出した表面）上にソルダーレジスト層６０を形成することが好ましい。かかるレジスト層６０の形成は、エレクトロニクス実装分野で一般に用いられているソルダーレジスト形成と同様であってよい。
【００６０】
以上の如くの工程を経ることによって（例えば図３（ｂ）に示すようなダイシング処理なども付加的に経ることによって）、最終的には図３（ｃ）に示すような表裏面が“上下接続部品３１”によって接続された電子部品パッケージ１００を得ることができる。
【００６１】
ここで、本発明の特徴的要素となる“上下接続部品”の形態について詳述しておく。本発明において、上下接続部品３１は、その上側がプレス時に押し込まれる構造になっていることが望ましい。例えば、先細り形状の上下接続部品３１は、図２（ｂ）に示す形態に限定されない。即ち、図４（ａ）に示す形態に限定されず、先細り形状の上下接続部品３１は図４（ｂ）および（ｃ）に示すような形態であってもよい。また、上下接続部品３１は、全体としてクッション構造あるいはバネ特性を有するものであってもよく、例えば図４（ｄ）〜（ｇ）に示すような形態であってもよい。また、上下接続部品３１の形態は、図４（ｈ）〜（ｊ）に示すように内部に空孔・空洞（即ち、中空構造）を有する略球状または楕円状であってもよい。更にいえば、上下接続部品３１の全体的な形態としては、図４（ｋ）に示すような鞍形態も考えられる。いずれの形態であっても、上下接続部品３１はプレス処理によって圧縮変形に資することが求められる。圧縮変形に資するのであれば、材質などの他の部品条件如何によって図４（ｌ）および（ｍ）に示すような上下接続部品３１の形態も可能である。
【００６２】
本発明の製造方法は、種々の具体的な実施形態で実現することができる。以下それについて説明する。
【００６３】
（第２実施形態）
第２実施形態に従った本発明の主たる製法プロセスを図５（ａ）〜（ｈ）に示す。かかる第２実施形態は、パッケージ前駆体の形成工程の一部が第１実施形態と異なっていることに特徴を有する。特に、上下接続部品の圧縮変形・封止樹脂層前駆体の形成に関連した工程順序が異なっている。
【００６４】
第２実施形態に従ったパッケージ前駆体の形成は、
（ａ）粘着性キャリアに対して貼り付けられるように電子部品および上下接続部品を粘着性キャリアに配置する工程、
（ｂ）’平板部材を用いて上下接続部品を押圧することによって上下接続部品を圧縮変形させ、その後、圧縮変形に用いた平板部材を除去せず上下接続部品上にそのまま保持する工程、
（ｃ）’電子部品および上下接続部品が封止樹脂層前駆体に埋設されるように粘着性キャリアと平板部材との間に封止樹脂層前駆体を形成する工程、
（ｄ）封止樹脂層前駆体を硬化させることによって封止樹脂層を得る工程、ならびに
（ｅ）封止樹脂層から粘着性キャリアを剥離すると共に、平板部材を除去することによって、電子部品の電極を封止樹脂層の一方の主面から露出させると共に、上下接続部品の下側面を封止樹脂層の一方の主面から露出および上下接続部品の上側面を封止樹脂層の他方の主面から露出させる工程
を含んで成る。
【００６５】
図面を用いてより具体的に説明すると、図５（ａ）および図５（ｂ）に示すように、粘着性キャリア２０上に少なくとも１種類の電子部品３０と少なくとも１つの上下接続部品３１を配置する。つまり、第１実施形態と同様、粘着性キャリア２０に対して電子部品３０と上下接続部品３１を実装する。粘着性キャリア２０上への電子部品３０と上下接続部品３１の配置に引き続いて、図５（ｃ）に示すように、上下接続部品３１上に平板部材５０を配置し、プレスにより上下接続部品３１を圧縮変形させる。圧縮変形後、上下接続部品３１の上側面３１ｂと平板部材５０との密着状態を維持する。つまり、圧縮変形に用いた平板部材を除去せずにそのまま維持しておく。尚、上下接続部品の圧縮変形量の制御および／または平板部材の維持のためには例えばスペーサー部材を用いてよい。具体的には、圧縮変形の実施に際して、平板部材５０と粘着性キャリア２０との間にスペーサー部材を設けておいてよい。
【００６６】
上下接続部品の圧縮変形後、樹脂原料を粘着性キャリア２０と平板部材５０との間に注入して封止樹脂層前駆体４０’を形成し、それを硬化させて封止樹脂層４０を得る（図５（ｄ）参照）。かかる封止樹脂層の形成工程においては、一般的なトランスファー形成方法などを利用することができる。封止樹脂層４０の形成に引き続いて、図５（ｅ）に示すように「電子部品３０および上下接続部品３１が埋め込まれた封止樹脂層４０」から粘着性キャリア２０を剥離すると共に、平板部材５０を取り除く。これによって、電子部品３０の電極３５を封止樹脂層４０下側主面４０ａから露出させると共に、上下接続部品３１の下側面３１ａを封止樹脂層の下側主面４０ａから露出および上下接続部品３１の上側面３１ｂを封止樹脂層の上側主面４０ｂから露出させることができ、パッケージ前駆体１００’を得ることができる。
【００６７】
パッケージ前駆体が得られた以降の工程は、上記の第１実施形態と同様のプロセス処理が施され（例えば、図２（ｆ）〜（ｈ）、図３（ａ）〜（ｃ））、最終的な電子部品パッケージを得ることができる。
【００６８】
（第３実施形態）
第３実施形態に従った本発明の主たる製法プロセスを図６（ａ）〜（ｈ）に示す。かかる第３実施形態は、パッケージ前駆体の形成工程の一部が第１実施形態・第２実施形態と異なっていることに特徴を有する。特に、上下接続部品の圧縮変形の具体的態様が異なっている。
【００６９】
第３実施形態では、上下接続部品の圧縮変形に用いる平板部材として「粘着層が設けられた平板部材」を用いる。そして、上記の工程（ｃ）または（ｂ）’の圧縮変形に際しては、平板部材の粘着層と上下接続部品とが相互に接するように平板部材で上下接続部品を押圧する。特に、かかる押圧に際して、平板部材の粘着層に上下接続部品を食い込ませ、上下接続部品の上側面を封止樹脂層の主面（即ち、電子部品の電極面が露出する“一方の主面”に対向する“他方の主面”）よりも高いレベルに位置付けることが好ましい。
【００７０】
図面を用いてより具体的に説明すると、図６（ａ）および図６（ｂ）に示すように、粘着性キャリア２０上に少なくとも１種類の電子部品３０と少なくとも１つの上下接続部品３１を配置する。つまり、第１実施形態と同様に、粘着性キャリア２０に対して電子部品３０と上下接続部品３１を実装する。粘着性キャリア２０上への電子部品３０および上下接続部品３１の配置に引き続いて、図６（ｃ）に示すように、上下接続部品３１上に「粘着層５１を備えた平板部材５０」を配置し、プレス処理により上下接続部品３１を圧縮変形させる。かかる圧縮変形に際しては、平板部材５０の粘着層５１が上下接続部品３１よりも一般に軟らかいことに起因して、上下接続部品３１が平板部材の粘着層５１に食い込むことになり、その結果、最終的には上下接続部品３１の上側面３１ｂが封止樹脂層４０の上側主面４０ｂよりも高いレベルに位置付けられることになる（図６（ｄ）参照）。つまり、この場合、上下接続部品３１の上側面３１ｂを封止樹脂層４０（封止樹脂層前駆体）から突出させることができる。尚、圧縮変形に伴う平板部材の移動自体は、例えば“スペーサー部材”を用いて制御することができる。即ち、平板部材５０と粘着性キャリア２０との間に配置されるスペーサー部材を用いて平板部材５０の移動を制御できる。また、電子部品の厚みが大きい場合には、それによっても制御することができる。例えば、複数の電子部品を用いた場合において一番厚みの大きい電子部品３０の上面に接するまで平板部材を下方へと押し込むことによって、上下接続部品の圧縮変形を行ってもよい。上下接続部品の圧縮変形後、樹脂原料を粘着性キャリア２０と平板部材５０との間に注入して封止樹脂層前駆体４０’を形成し、それを硬化させて封止樹脂層４０を得る（図６（ｄ）参照）。封止樹脂層４０の形成に引き続いて、図６（ｅ）に示すように、電子部品３０および上下接続部品３１が埋め込まれた封止樹脂層４０から粘着性キャリア２０を剥離すると共に、平板部材５０（粘着層５１をも含めた平板部材５０）を取り除く。これによって、電子部品３０の電極３５を封止樹脂層４０の下側主面４０ａから露出させると共に、上下接続部品３１の下側面３１ａを封止樹脂層の下側主面４０ａから露出および上下接続部品３１の上側面３１ｂを封止樹脂層の上側主面４０ｂから露出させることができ、パッケージ前駆体１００’が得られる。
【００７１】
パッケージ前駆体が得られた以降の工程は、上記の第１実施形態と同様のプロセス処理が施され（例えば、図２（ｆ）〜（ｈ）、図３（ａ）〜（ｃ））、最終的な電子部品パッケージを得ることができる。
【００７２】
（第４実施形態）
第４実施形態に従った本発明の主たる製法プロセスを図７（ａ）〜（ｈ）に示す。かかる第４実施形態は、パッケージ前駆体の形成工程の一部が第１実施形態〜第３実施形態と異なっていることに特徴を有する。特に、上下接続部品の具体的な形態が異なっている。
【００７３】
第４実施形態では、上下接続部品３１として多層基板部材３２を用いる。図８（ａ）および（ｂ）に示すように、かかる多層基板部材３２は、その導体部３２’の一部が外側に突出した突出導体部分３２”を有しており、プレス処理によって突出導体部分３２”を圧縮変形に付す。
【００７４】
多層基板部材３２は、図８（ａ）および（ｂ）に示すように、回路基板、特に多層回路基板の表面にて複数のサブ上下接続部品が配置された形態を有している。換言すれば、多層基板部材３２では、絶縁性の基板ボディ部の内部において金属層およびビアから成るサブ導体部３２’が複数設けられている。複数のサブ導体部３２’はそれぞれ多層基板部材の上面および下面から露出するように延在している。多層基板部材の上面からは複数のサブ導体部がそれぞれ外側へと突出して複数のサブ突出導体部分３２”を構成している。
【００７５】
具体的に説明すると、図７（ａ）および図７（ｂ）に示すように、粘着性キャリア２０上に少なくとも１種類の電子部品３０と少なくとも１種類の多層基板部材３２を配置する。つまり、粘着性キャリア２０に対して電子部品３０と多層基板部材３２を実装する。かかる電子部品３０と多層基板部材３２の配置は、その電子部品３０の電極部分３５と多層基板部材３２の下側面３２ａ（即ち、表裏接続部品の裏面部分）が粘着性キャリア２０に接するように行う。粘着性キャリア２０上への電子部品３０と多層基板部材３２の配置に引き続いて、電子部品３０と多層基板部材３２を覆うように粘着性キャリア２０上に封止樹脂層前駆体４０’を形成する。より具体的には、封止樹脂層前駆体４０’は、電子部品３０と多層基板部材３２を全体的に覆うものの、多層基板部材３２のサブ突出導体部分３２”のみが封止樹脂層前駆体４０’から突出するようにしておく（図７（ｃ）参照）。次いで、多層基板部材３２に平板部材５０（例えば、実施形態３の“粘着層を備えた平板部材”であってもよい）を配置し、図７（ｃ）および（ｄ）に示すようにプレス処理により多層基板部材のサブ突出導体部分３２”を圧縮変形させる。好ましくは、かかる圧縮変形によって、多層基板部材のサブ突出導体部分３２”の上面レベルを封止樹脂層前駆体４０’の上側主面のレベルと同じにする。多層基板部材の突出導体部分の圧縮変形後においては、封止樹脂層前駆体を硬化させて封止樹脂層４０を得る。封止樹脂層４０の形成に引き続いて、図７（ｅ）に示すように、電子部品３０および多層基板部材３２が埋め込まれた封止体から粘着性キャリア２０を剥離すると共に、平板部材５０を取り除く。これによって、電子部品３０の電極３５を封止樹脂層４０下側主面４０ａから露出させると共に、多層基板部材３２の下側面３２ａを封止樹脂層の下側主面４０ａから露出および多層基板部材３２の上側面３２ｂ（より具体的には「サブ突出導体部分の上面」）を封止樹脂層の上側主面４０ｂから露出させることができ、パッケージ前駆体１００’が得られる。
【００７６】
パッケージ前駆体が得られた以降の工程は、上記の第１実施形態と同様のプロセス処理が施され（例えば、図２（ｆ）〜（ｈ）、図３（ａ）〜（ｃ））、最終的な電子部品パッケージを得ることができる。
【００７７】
本実施形態の特徴である「多層基板部材３２」について詳述しておくと、かかる多層基板部材３２を用いると、複数の狭ピッチ接続を一括で行うことができるので、結果として、放熱性の優れた高密度パッケージが実現され得る。多層基板部材３２は、圧縮変形の前にて封止樹脂層の厚み寸法よりも大きい高さ寸法を有している。具体的には、複数の突出導体部分３２”も含めた多層基板部材３２の高さ寸法は、封止樹脂層４０の厚み寸法よりも大きい高さ寸法を有しており、圧縮変形に付されることによって複数の突出導体部分３２”の高さ・厚みが一括して減じられる。このような多層基板部材３２は、上下接続に供する回路基板と捉えることができ、「上下接続回路基板」と称すこともできる。
【００７８】
（第５実施形態）
第５実施形態に従った本発明の主たる製法プロセスを図９（ａ）〜（ｈ）に示す。かかる第５実施形態は、パッケージ前駆体の形成工程の一部が第１実施形態〜第４実施形態と異なっていることに特徴を有する。特に、粘着性キャリア上に配置する部品・部材の種類が付加されている点で異なっている。
【００７９】
第５実施形態では「本発明の封止樹脂４０および一般の電子機器に使用するＦＲ４基板に対して誘電率および誘電損失の異なる基板」を用いる。このような付加的な基板を用いることによって、最終的に高周波特性および放熱性の優れた電子部品パッケージを実現することができる。例えば、誘電率および誘電損失の異なる基板としてテフロン（登録商標）基板を用いると、放熱性に優れるだけでなく、高周波域での誘電損失がＦＲ４基板に対して１桁以上小さいため、数１０ＧＨｚの高周波特性に優れたパッケージを提供できる。
【００８０】
図面を用いてより具体的に説明すると、図９（ａ）および図９（ｂ）に示すように、粘着性キャリア２０上に少なくとも１種類の電子部品３０と少なくとも１種類の上下接続部品３１（図示する態様では多層基板部材３２）と「誘電率および誘電損失の異なる基板３３」とを配置する。つまり、粘着性キャリア２０に対して電子部品３０と上下接続部品と「誘電率および誘電損失の異なる基板３３」とを実装する。かかる実装に引き続いて、図９（ｃ）に示すように、電子部品３０と上下接続部品３１（多層基板部材３２）と「誘電率および誘電損失の異なる基板３３」を全体的に覆うように粘着性キャリア２０上に封止樹脂層前駆体４０’を形成する。次いで、図９（ｃ）および９（ｄ）に示すように、平板部材５０を用いて上下接続部品をプレス処理に付す。つまり、平板部材５０を用いて上下接続部品を押圧することによって上下接続部品を圧縮変形に付す。図示する態様では、プレス処理により多層基板部材３２の突出導体部分３２”を圧縮変形させる。圧縮変形後、封止樹脂層前駆体４０’を硬化に付して封止樹脂層４０を得る。封止樹脂層４０の形成に引き続いて、図９（ｅ）に示すように、電子部品３０、上下接続部品（多層基板部材３２）および「誘電率および誘電損失の異なる基板３３」が埋め込まれた封止樹脂層４０から粘着性キャリア２０を剥離すると共に、平板部材５０を取り除く。これによって、電子部品３０の電極３５を封止樹脂層４０下側主面４０ａから露出させると共に、多層基板部材３２の下側面３２ａを封止樹脂層の下側主面４０ａから露出および多層基板部材３２の上側面３２ｂを封止樹脂層の上側主面４０ｂから露出させることができ、パッケージ前駆体１００’が得られる。図示する態様から分かるように、この際「誘電率および誘電損失の異なる基板３３」の下側面３３ａも同様に封止樹脂層４０下側主面４０ａから露出することになる。
【００８１】
パッケージ前駆体が得られた以降の工程は、上記の第１実施形態と同様のプロセス処理が施され（例えば、図２（ｆ）〜（ｈ）、図３（ａ）〜（ｃ））、最終的な電子部品パッケージを得ることができる。
【００８２】
本実施形態に従ったパッケージは、誘電率および誘電損失の異なる基板上にアンテナパターンを形成することで、伝送損失の少ない、かつ放熱性の優れた高密度パッケージとなり得る。
【００８３】
［本発明の電子部品パッケージ］
次に、本発明の電子部品パッケージについて説明する。本発明の電子部品パッケージは、上記の本発明の製造方法で得られるパッケージである。
【００８４】
図１０に示すように、本発明の電子部品パッケージ１００は、電子部品３０、上下接続部品３１、封止樹脂層４０、金属めっきパターン層Ａ（５０Ａ）および金属めっきパターン層Ｂ（５０Ｂ）を有して成る。電子部品３０および上下接続部品３１は封止樹脂層４０に埋設されており、金属めっきパターン層Ａ（５０Ａ）および金属めっきパターン層Ｂ（５０Ｂ）は封止樹脂層４０上に設けられている。
【００８５】
封止樹脂層４０に埋設されている電子部品３０は、その電極３５（より具体的にいえば“裏面電極”）が封止樹脂層４０から露出している。また、封止樹脂層４０に埋設されている上下接続部品３１は、その下側面３１ａが封止樹脂層の一方の主面４０ａから露出すると共に、その上側面３１ｂが封止樹脂層の他方の主面４０ｂから露出するように延在している。封止樹脂層４０上に設けられている金属めっきパターン層Ａ（５０Ａ）は電子部品３０の電極３５および上下接続部品の下側面３１ａと接合している一方、金属めっきパターン層Ｂ（５０Ｂ）は上下接続部品の上側面３１ｂと接合している。また、金属めっきパターン層ＡおよびＢはそれぞれ積層構造を有しており、金属めっきパターン層Ａ（５０Ａ）およびＢ（５０Ｂ）の各々が相対的に内側に位置付けられた乾式めっき層（５１Ａ，５１Ｂ）と相対的に外側に位置付けられた湿式めっき層（５２Ａ，５２Ｂ）とから成っている。
【００８６】
尚、電子部品パッケージに関連して用いる『露出する』といった用語は、電子部品の電極面ならびに上下接続部品３１の下側面３１ａおよび上側面３１ｂが封止樹脂層表面と同一レベルまたはそれより外側レベルに位置付けられていることを実質的に意味している。換言すれば、電子部品パッケージに関連して用いる『露出する』といった用語は、電子部品パッケージから金属めっきパターン層ＡおよびＢを取り除いた際に「電子部品の電極面ならびに上下接続部品３１の下側面３１ａおよび上側面３１ｂ」を外側から目視確認できることを意味している。
【００８７】
本発明の電子部品パッケージ１００の構成要素の各々について詳述しておく。封止樹脂層４０は、絶縁性の樹脂層である。絶縁性を呈するのであれば、その樹脂材質は特に制限されない。あくまでも１つの例示にすぎないが、封止樹脂層４０はエポキシ系樹脂やシリコーン系樹脂などを含んで成るものであってよい。かかる封止樹脂層の厚さは、好ましくは０．５ｍｍ〜５．０ｍｍ程度、より好ましくは１．２ｍｍ〜１．８ｍｍ程度である。
【００８８】
封止樹脂層４０に埋設されている電子部品３０としては、例えば、ＩＣ（例えばコントロールＩＣ）、インダクタ、半導体素子（例えば、ＭＯＳ（金属酸化物半導体））、コンデンサ、パワー素子、発光素子（例えばＬＥＤ）チップ抵抗、チップコンデンサ、チップバリスタ、チップサーミスタ、その他チップ状の積層フィルター、接続端子などを挙げることができる。
【００８９】
封止樹脂層４０に埋設されている上下接続部品３１は、電子部品パッケージの表裏面を互い接続する部品に相当し、より具体的にはその封止樹脂層の表裏面を互い接続する部品であるといえる。特に、上下接続部品３１は、封止樹脂層４０の表面側および裏面側の双方において露出するように延在し、それによって、“表面側に設けられた金属めっきパターン層Ｂ（５０Ｂ）”と“裏面側に設けられた金属めっきパターン層Ａ（５０Ａ）”との相互接続に供する。
【００９０】
電子部品パッケージの上下接続部品３１は“圧縮変形”を経て得られたものであるので、圧縮変形に付された部分がフラット面を成し得る。好ましくは、上下接続部品３１は、圧縮変形に付された部分だけでなく、それと対向する側もフラット面を成し得る。それゆえ、例えば、上下接続部品３１は上側面３１ｂと下側面３１ａとの双方がフラット面を成し得る。これは、図１０に示すように、上下接続部品３１の対向する表裏面が共にフラット面を成していることを意味している。
【００９１】
ある好適な態様では、上下接続部品３１の上側面３１ｂと封止樹脂層の他方の主面４０ｂとが実質的に面一となっている。換言すれば、上下接続部品３１の上側面３１ｂを成すフラット面（即ち、圧縮変形によって得られたフラット面）が封止樹脂層４０の表面側の主面４０ｂとが実質的に同一平面上に存在し得る。
【００９２】
上下接続部品３１は導電性を呈するものであり、例えば、金（Ａｕ）、銀（Ａｇ）、銅（Ｃｕ）、ニッケル（Ｎｉ）、アルミニウム（Ａｌ）およびステンレス（ＳＵＳ）などから成る群から選択される少なくとも１種類の材料から成るものである。電子部品パッケージの製造方法において“圧縮変形”が特に重視された場合、上下接続部品３１は銅を含んで成り得る。
【００９３】
電子部品パッケージの製造方法において、先細り形状の導電性部材を用いた場合、上下接続部品３１が錐台形状の導電性部材を成し得る。これにつき１つ例示すれば、製造時において円錐形状の導電性部材を用いた場合では、円錐台形状の導電性部材を成し得ることになる。
【００９４】
ここで、上下接続部品３１は、“圧縮変形”に起因して押し潰された形状を有し得る。例えば、上下接続部品３１は、図１０の下側拡大図に示すように上側面３１ｂにてフランジ状に拡大している。つまり、上下接続部品３１の最上部（即ち上下接続部品の“頂部”）は幅方向に拡がるように拡大している。ここでいう「幅方向」とは、圧縮変形時の圧縮方向に直交する方向、即ち、封止樹脂層の厚み方向に対して直交する方向を実質的に指している。
【００９５】
上下接続部品３１につき付言しておけば、製造時において図４に示すような形状の上下接続部品３１を用いた場合では、それに応じた形状の上下接続部品３１を電子部品パッケージが有することになる。つまり、封止樹脂層４０に埋設されている上下接続部品３１は、全体として図４に示すような形状を維持するものの、“圧縮変形”に起因して部分的または局所的に変形した形状を有し得る。
【００９６】
以上の如くであるので、電子部品パッケージに関連して用いる『上下接続部品』は、あくまでもパッケージ前駆体を得るに際して“圧縮変形”を経て設けられたものであって、「封止樹脂層に形成した開口部」に導電性材料を充填して得られたものではない。
【００９７】
本発明の電子部品パッケージでは、図１０に示されるように、金属めっきパターン層Ａ（５０Ａ）および金属めっきパターン層Ｂ（５０Ｂ）の各々が「相対的に外側に位置付けられた湿式めっき層（５２Ａ，５２Ｂ）」と「相対的に内側に位置付けられた乾式めっき層（５１Ａ，５１Ｂ）」とから成る積層構造を有している。金属パターン層Ａ（５０Ａ）についていえば、電子部品３０（特にその電極３５）および上下接続部品３１の下側面３１ａと直接的に接合するように乾式めっき層（５１Ａ）が設けられており、その乾式めっき層上に湿式めっき層（５２Ａ）が設けられている。同様にして、金属パターン層Ｂ（５０Ｂ）においては、上下接続部品３１の上側面３１ｂと直接的に接合するように乾式めっき層（５１Ｂ）が設けられており、その乾式めっき層上に湿式めっき層（５２Ｂ）が設けられている。これから分かるように、本発明でいう「相対的に外側に位置付けられた」といった表現は「封止樹脂層の主面」（金属めっきパターン層Ａの場合は“一方の主面”であり、金属めっきパターン層Ｂの場合は“他方の主面”である）に対してより遠位に位置していることを実質的に意味する一方、「相対的に内側に位置付けられた」といった表現は、「封止樹脂層の主面」（金属めっきパターン層Ａの場合は“一方の主面”であり、金属めっきパターン層Ｂの場合は“他方の主面”である）に対してより近位に位置していることを実質的に意味している。
【００９８】
本発明の電子部品パッケージにおいて、乾式めっき層５１Ａ、５１Ｂは、乾式めっき法によって形成されたものであり、それゆえ、Ｔｉ（チタン）、Ｃｒ（クロム）およびＮｉ（ニッケル）から成る群から選択される少なくとも１種類の金属材料を含んで成ることが好ましい。また、乾式めっき層５１Ａ、５１Ｂの材質は、その他の金属材料、例えば、Ａｇ（銀）、Ａｌ（アルミニウム）、Ａｌ合金や、Ａｕ（金）、Ｐｔ（白金）、Ｓｎ（スズ）、Ｃｕ（銅）およびＷ（タングステン）などから成る群から選択される少なくとも１種を含んで成るものであってよい。尚、乾式めっき層は、一層構造に限定されず、必要に応じて複数層構造（例えば二層構造）から成るものであってもよい。また、乾式めっき層は、金属めっきパターン層５０Ａおよび５０Ｂの各々において、応力緩和層としても機能し得るので、その点でも本発明のパッケージは接続信頼性が向上し得る。一方、湿式めっき層５２Ａ、５２Ｂは、湿式めっき法によって形成されたものであり、それゆえ、Ｃｕ（銅）およびＡｌ（アルミニウム）から成る群から選択される少なくとも１種類の金属材料を含んで成ることが好ましい。また、湿式めっき層５２Ａ、５２Ｂの材質は、その他の金属材料、例えば、銀（Ａｇ）、パラジウム（Ｐｄ）、白金（Ｐｔ）およびニッケル（Ｎｉ）から成る群から選択される少なくとも１種を含んで成るものであってよい。しかしながら“放熱特性”を特に重視する場合では、湿式めっき層５２Ａ、５２Ｂの材質は熱伝導性が高く放熱特性に効果的に寄与するものが好ましく、それゆえ銅（Ｃｕ）が特に好ましい。
【００９９】
乾式めっき層５１Ａ、５１Ｂは非常に薄いものであるのに対して（好ましくはナノオーダーの厚さを有し得る）、湿式めっき層５２Ａ、５２Ｂは厚く（好ましくはミクロンオーダーの厚さを有し得る）、金属めっきパターン層ＡおよびＢ（５０Ａおよび５０Ｂ）の大部分は湿式めっき層が占めている。例示すると、乾式めっき層５１Ａ、５１Ｂの各々の厚さが好ましくは１００ｎｍ〜１０００ｎｍ（例えば３００ｎｍのＴｉ層及び１０００ｎｍのＣｕ層の厚さ）を有する一方、湿式めっき層５２Ａ、５２Ｂの各々の厚さが好ましくは１８〜５００μｍ程度、より好ましくは１８〜２５０μｍ程度、更に好ましくは１８〜１２５μｍ程度である。このように本発明では湿式めっき層５２Ａ、５２Ｂが厚いので、厚い金属めっきパターン層ＡおよびＢ（５０Ａおよび５０Ｂ）が実現されている。
【０１００】
図１０に示す態様から分かるように、本発明の電子部品パッケージ１００では、金属めっきパターン層Ａ（５０Ａ）と、電子部品３０（特にその電極３５）および上下接続部品３１の下側面３１ａとは相互にダイクレクトに（直接的に）面接触（特に“直接接合”もしくは“面接合”）しており、それによって、電気的に相互接続されている。同様にして、金属めっきパターン層Ｂ（５０Ｂ）と、上下接続部品３１の上側面３１ｂとは相互にダイクレクトに（直接的に）面接触（特に“直接接合”もしくは“面接合”）しており、それによって、電気的に相互接続されている。
【０１０１】
ここで、本発明では金属めっきパターン層ＡまたはＢ（５０Ａまたは５０Ｂ）の乾式めっき層５１Ａ、５１Ｂは非常に薄いので（例えば熱抵抗・電気抵抗が実質的に無視できるほど非常に薄いので）、金属めっきパターン層Ａ（５０Ａ）の厚い湿式めっき層５２Ａが、電子部品３０（特にその電極部分３５）および上下接続部品３１の下側面３１ａとダイクレクトに（直接的に）面接触（直接接合もしくは面接合）しているとみなすことができ、同様にして、金属めっきパターン層Ｂ（５０Ｂ）の厚い湿式めっき層５２Ｂが上下接続部品３１の上側面３１ｂとダイクレクトに（直接的に）面接触（直接接合もしくは面接合）しているとみなすことができる。ここでいう『面接触（直接接合もしくは面接合）』とは、各要素の主面同士が相互に接触する態様、特に、各要素の主面同士（上側面・下側面）が相互に重なり合う範囲で全て接触する態様を実質的に意味している。具体的には、“電子部品（特にその電極部分）の主面（封止樹脂層から露出する下側主面）”および“上下接続部品３１の下側面３１ａ”と、“金属めっきパターン層Ａの主面（上側主面）”とが相互に重なり合う範囲で全て接触する態様を意味しており、同様にして“上下接続部品３１の上側面３１ｂ”と、“金属めっきパターン層Ｂの主面（下側主面）”とが相互に重なり合う範囲で全て接触する態様を意味している。換言すれば、本明細書で用いる『面接触（直接接合もしくは面接合）』とは、金属めっきパターン層および電子部品（特にその電極部分）の主面領域および上下接続部材の露出面のうち相互に重なる領域同士が全接触する態様を意味している。
【０１０２】
このような“直接接合もしくは面接合”を介した形成された厚い金属めっきパターン層を利用すると、電子部品からの熱を効率よく外部へと逃がすことができる。つまり、厚い金属めっきパターン層ＡおよびＢ（５０Ａ，５０Ｂ）は、ヒートシンクとして機能させることができ、パッケージの放熱対策に特に効果的に寄与し得る。特に、金属めっきパターン層Ａ（５０Ａ）、金属めっきパターン層Ｂ（５０Ｂ）、および、それらを相互に接続している上下接続部品３１の少なくとも一部を電子部品パッケージの放熱部材として用いることができる。換言すれば、本発明においては、電子部品の電極部に直接的又は間接的に接続されている「金属めっきパターン層Ａ（５０Ａ）」、「金属めっきパターン層Ｂ（５０Ｂ）」および「上下接続部品３１」が放熱部材として機能し、両面放熱型パッケージの実現に寄与している。
【０１０３】
このように、本発明のパッケージは、優れた放熱特性を有し得るので、電子部品の特性や動作寿命が増す効果がもたらされ得、また、熱に起因した“電子部品や封止樹脂の変性・変色”なども効果的に防止され得る。また、“面接触（即ち、直接接合もしくは面接合）”ゆえ、ワイヤーやバンプを介した電気接続の場合と比較して電気抵抗にも優れている。そのため、本発明のパッケージでは、より大きな電流を流すことができる効果なども奏され得る。例えば、ＬＥＤパッケージなどの発光素子パッケージの場合を例にとると、高放熱特性や大電流などに起因して、より高輝度な発光素子パッケージを本発明で実現できる。
【０１０４】
更にいえば、“面接触（即ち、直接接合もしくは面接合）”であるがゆえ、本発明の電子部品パッケージでは、全体として機械的強度が増したものとなり得る。つまり、金属めっきパターン層ＡおよびＢ（５０Ａ，５０Ｂ）は、電子部品パッケージ１００の支持層としても用いることができる。
【０１０５】
本発明においてはパッケージ品としてより好適な態様となるようにレジスト層が設けられていてもよい。つまり、「金属めっきパターン層Ａ」および／または「金属めっきパターン層Ｂ」に対してレジスト層が設けられていてよい。例えば図１０に示すように、金属めっきパターン層Ａ（５０Ａ）を少なくとも部分的に覆うようソルダーレジスト層６０が設けられていてよい。かかるレジスト層６０は、エレクトロニクス実装分野で一般に用いられているソルダーレジストと同様であってよい。
【０１０６】
このような本発明の一態様に係る電子部品パッケージ１００は種々の態様で実現することができる。図１０に示した電子部品パッケージ１００は「第１および第２の実施形態の製造方法から得られる電子部品パッケージ」に相当し得るが、第３〜第５の実施形態の製造方法から得られるパッケージ態様は以下の特徴を有している。
【０１０７】
（第３実施形態の製造方法から得られる電子部品パッケージ）
図６（ｈ）に、第３実施形態の製造方法から得られる電子部品パッケージ１００の構成を模式的に示す。図示されるように、かかる電子部品パッケージ１００は「第１実施形態または第２実施形態の製造方法から得られる電子部品パッケージ１００」と同様の構成を有している（従って、重複する説明は省略する）。
【０１０８】
相違点は、上下接続部品３１の上側面３１ｂが封止樹脂層４０の他方の主面４０ｂよりも高いレベルに位置付けられていることである。つまり、上下接続部品３１の最上部（即ち上下接続部品の“頂部”）は、封止樹脂層４０から突出している。例えば、封止樹脂層４０から好ましくは１μｍ〜２５μｍ、より好ましくは２．５μｍ〜１０μｍ上方へと突出した部分を上下接続部品３１が有している。
【０１０９】
第３実施形態に従った電子部品パッケージでは、上下接続部品３１に接続する金属めっきパターン層Ｂ（５０Ｂ）は上下接続部品３１の“突出部分”において屈曲した形態を有し得る。換言すれば、金属めっきパターン層Ｂ（５０Ｂ）は“突出部分”の輪郭に沿って形成されており、上下接続部品３１の上側面３１ｂと接続している部分にて局所的に外側へと突出した形態を有している。
【０１１０】
金属めっきパターン層Ｂ（５０Ｂ）の突出した部分は、例えば部品実装端子・外部接続端子として用いることができる。あくまでも例示にすぎないが、金属めっきパターン層Ｂ（５０Ｂ）の突出した部分に対してインダクタなどの比較的大きい電子部品を接続させてもよい。従来技術のパッケージでは「インダクタなどの比較的大きい電子部品」を封止樹脂層内に設けることが多いところ、本発明においては封止樹脂層内ではなくパッケージの表側に設けることができるので、パッケージの設計自由度が高くなっている。
【０１１１】
（第４実施形態の製造方法から得られる電子部品パッケージ）
図７（ｈ）に、第４実施形態の製造方法から得られる電子部品パッケージ１００の構成を模式的に示す。図示されるように、かかる電子部品パッケージ１００は「第１実施形態の製造方法から得られる電子部品パッケージ１００」と同様の構成を有している（従って、重複する説明は省略する）。
【０１１２】
相違点は、上下接続部品３１が多層基板部材３２を成していることである。つまり、封止樹脂層４０に埋設されている上下接続部品３１として、厚み方向に延在して上側主面および下側主面において露出する導体部３２’を少なくも１つ備えた多層基板部材３２が設けられている。
【０１１３】
多層基板部材３２においては、絶縁性基板ボディ部内において金属層およびビアから成るサブ導体部３２’が複数設けられており、かかる複数のサブ導体部がそれぞれ多層基板部材の上面および下面から露出するように延在している。従って、上下接続部品３１として多層基板部材３２を用いた場合では、電子部品パッケージの表裏接続の点で特に狭ピッチな高密度接続が実現され得る。
【０１１４】
多層基板部材３２自体は“圧縮変形”を経て得られたものであるので、それに起因して“フラット面”を有し得る。例えば、複数のサブ導体部の各々は、圧縮変形に付された部分（つまり、複数のサブ導体部の各々の“最上部”ないしは“頂部”）がフラット面を有している。
【０１１５】
尚、製造方法に関連して説明したことであるが、多層基板部材３２は上下接続に供する回路基板と捉えることができるので、本発明の電子部品パッケージにおいては「上下接続回路基板」が封止樹脂層に“面一状態”で埋設されていると捉えることができる。
【０１１６】
（第５実施形態の製造方法から得られる電子部品パッケージ）
図９（ｈ）に、第５実施形態の製造方法から得られる電子部品パッケージ１００の構成を模式的に示す。図示されるように、かかる電子部品パッケージ１００は「第１実施形態の製造方法から得られる電子部品パッケージ１００」と同様の構成を有している（従って、重複する説明は省略する）。
【０１１７】
主たる相違点は「電子機器に用いられるＦＲ４基板や本発明の封止樹脂に対して誘電率および誘電損失の異なる基板３３」が封止樹脂層４０に埋設されていることである。つまり、図示されるように「誘電率および誘電損失の異なる基板３３」がパッケージの裏面側の一部に内蔵されている。このような基板３３が内蔵されていることによって、高周波特性および放熱性の優れた電子部品パッケージとなっている。例えば、「誘電率および誘電損失の異なる基板３３」としてテフロン（登録商標）基板が埋設されている場合、本発明の電子部品パッケージ１００は、数１０ＧＨｚの高周波特性に優れ、かつ、放熱性の優れた高密度パッケージとなり得る。
【０１１８】
「誘電率および誘電損失の異なる基板３３」の下側面３３ａは、上述したパッケージ前駆体の製造プロセスに起因して、封止樹脂層４０の一方の主面（即ち、封止樹脂層の下側主面）と実質的に面一となり得る。そして、封止樹脂層４０の一方の主面から“面一状態”で露出する基板３３の下側面３３ａに対しては金属めっきパターン層Ａ（５０Ａ）が接合されている。より具体的には、基板３３の下側面３３ａと金属めっきパターン層Ａ（５０Ａ）の乾式めっき層とが直接的に接合するように基板３３と金属めっきパターン層Ａ（５０Ａ）とが互いに接続されている。
【０１１９】
以上、本発明の実施形態について説明してきたが、あくまでも典型例を例示したに過ぎない。従って、本発明はこれに限定されず、種々の態様が考えられることを当業者は容易に理解されよう。
【０１２０】
例えば、本発明の製造方法では、剥離した粘着性キャリアを再利用してもよい。つまり、本発明では、後刻に行われる別の電子部品パッケージ製造にて「一旦使用した粘着性キャリア」を用いることができる。
【０１２１】
また、上述の実施形態では、封止樹脂層を得るに際して封止樹脂層前駆体から大きな体積変化が生じないものと仮定したが、大きな体積変化が生じる場合では、それを考慮して“上下接続部材の圧縮変形”を実施してよい。つまり、かかる体積変化を考慮して、硬化前の圧縮変形においては上限接続部材の高さ低減をより大きく又はより小さくしておいてもよい。
【産業上の利用可能性】
【０１２２】
本発明は、エレクトロニクス実装分野の各種用途に好適に用いることができる。例えば、本発明は、電源パッケージ（ＰＯＬコンバータ、例えば降圧型ＤＣ-ＤＣコンバータ）、高周波アンテナパッケージや部品内蔵モジュールなどに好適に適用することができる。
【符号の説明】
【０１２３】
２０  粘着性キャリア
２４  粘着性キャリアの支持基板
２６  粘着性キャリアの粘着層
３０  電子部品
３１  上下接続部品
３１ａ  上下接続部品の下側面（上下接続部品の裏面電極）
３１ｂ  上下接続部品の上側面（上下接続部品の表面電極）
３２  多層基板部材
３２’  多層基板部材の導体部／サブ導体部
３２”  突出導体部分／サブ突出導体部分
３２ａ  多層基板部材の下側面
３２ｂ  多層基板部材の上側面
３３  誘電率および誘電損失の異なる基板
３３ａ  誘電率および誘電損失の異なる基板の下側面
３５  電子部品の電極
４０  封止樹脂層
４０ａ  封止樹脂層の下側主面
４０ｂ  封止樹脂層の上側主面
５０  金属めっき層
５０Ａ  金属めっきパターン層Ａ
５０Ｂ  金属めっきパターン層Ｂ
５１  乾式めっき層
５１Ａ  金属めっきパターン層Ａにおける乾式めっき層
５１Ｂ  金属めっきパターン層Ｂにおける乾式めっき層
５２  湿式めっき層
５２Ａ  金属めっきパターン層Ａにおける湿式めっき層
５２Ｂ  金属めっきパターン層Ｂにおける湿式めっき層
６０  レジスト層
１００’  電子部品パッケージ前駆体
１００  電子部品パッケージ
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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