(57)【要約】【課題】画素面積の小さい高精細画面のＩＰＳ方式液晶表示装置において、画素におけるドメインの発生を防止し、コントラストの高い液晶表示装置を実現する。【解決手段】第１の絶縁膜１０７の上に平面状に対向電極１０８が形成され、対向電極１０８の周辺部に第２の絶縁膜１０９が形成され、対向電極１０８および第２の絶縁膜１０９を覆って第３の絶縁膜１１０が形成され、第３の絶縁膜１１０の上に画素電極１１１が形成されている。画素の周辺部においては、画素電極１１１と対向電極１０８との間には第２の絶縁膜１０９と第３の絶縁膜１１０が存在し、画素の周辺部以外では、画素電極１１１と対向電極１０８との間には第３の絶縁膜１１０のみが存在する。画素の周辺部においては、画素電極１１１と対向電極１０８との間の電界は、画素の中央付近よりも小さくなるので、画素周辺におけるドメインの発生を抑えることが出来る。【選択図】図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の方向に延在し、第２の方向に配列した走査線と、第２の方向に延在し、第１の方向に配列した映像信号線に囲まれた領域に画素が存在するＴＦＴ基板と、対向基板の間に液晶層が挟持された液晶表示装置であって、
前記画素内には、第１の絶縁膜の上に平面状に対向電極が形成され、
前記対向電極の周辺部分に第２の絶縁膜が形成され、前記対向電極および前記第２の絶縁膜を覆って、第３の絶縁膜が形成され、前記第３の絶縁膜の上に画素電極が形成され、前記画素の前記周辺部においては、前記画素電極と前記対向電極との間には前記第２の絶縁膜と前記第３の絶縁膜が存在し、前記画素の前記周辺部以外においては、前記画素電極と前記対向電極の間には前記第３の絶縁膜のみが存在することを特徴とする液晶表示装置。
【請求項２】
前記第２の絶縁膜は有機膜で形成されていることを特徴とする請求項１に記載の液晶表示装置。
【請求項３】
前記第１の絶縁膜は無機膜で形成されていることを特徴とする請求項２に記載の液晶表示装置。
【請求項４】
前記画素電極は端部において屈曲しており、前記画素電極の前記屈曲した部分において、前記画素電極と前記対向電極との間には、前記第２の絶縁膜と前記第３の絶縁膜が存在していることを特徴とする請求項１に記載の液晶表示装置。
【請求項５】
前記画素電極はスリットを有し、前記スリットの端部を含む前記画素電極の端部は屈曲しており、前記画素電極の前記屈曲した部分において、前記画素電極と前記対向電極との間には、前記第２の絶縁膜と前記第３の絶縁膜が存在していることを特徴とする請求項１に記載の液晶表示装置。
【請求項６】
第１の方向に延在し、第２の方向に配列した走査線と、第２の方向に延在し、第１の方向に配列した映像信号線に囲まれた領域に画素が存在するＴＦＴ基板と、対向基板の間に液晶層が挟持された液晶表示装置であって、
前記画素内には、第１の絶縁膜の上に平面状に画素電極が形成され、
前記画素電極の周辺部分に第２の絶縁膜が形成され、前記画素電極および前記第２の絶縁膜を覆って、第３の絶縁膜が形成され、前記第３の絶縁膜の上にスリットを有する対向電極が形成され、前記スリットの端部は前記画素の周辺部に延在し、
前記画素の前記周辺部においては、前記画素電極と前記対向電極との間には前記第２の絶縁膜と前記第３の絶縁膜が存在し、前記画素の前記周辺部以外においては、前記画素電極と前記対向電極の間には前記第３の絶縁膜のみが存在することを特徴とする液晶表示装置。
【請求項７】
前記第２の絶縁膜は有機膜で形成されていることを特徴とする請求項６に記載の液晶表示装置。
【請求項８】
前記第１の絶縁膜は無機膜で形成されていることを特徴とする請求項７に記載の液晶表示装置。
【請求項９】
前記対向電極に形成された前記スリットは、端部において屈曲し、前記スリットの屈曲した部分は前記画素の前記周辺部に存在していることを特徴とする請求項６に記載の液晶表示装置。
【請求項１０】
前記対向電極の前記スリットは前記画素内に複数形成されていることを特徴とする請求項６に記載の液晶表示装置。
【請求項１１】
第１の方向に延在し、第２の方向に配列した走査線と、第２の方向に延在し、第１の方向に配列した映像信号線に囲まれた領域に画素が存在するＴＦＴ基板と、対向基板の間に液晶層が挟持された液晶表示装置であって、
前記画素内には、第１の絶縁膜の上に平面状に対向電極が形成され、
前記対向電極を覆って第２の絶縁膜が形成され、前記画素の周辺部において、前記第２の絶縁膜の上に有機絶縁膜が形成され、
前記第２の絶縁膜の上に画素電極が形成され、
前記画素の周辺においては、前記画素電極と前記対向電極との間には、前記第２の絶縁膜と前記有機絶縁膜が存在していることを特徴とする液晶表示装置。
【請求項１２】
前記第１の絶縁膜は有機膜で形成されていることを特徴とする請求項１１に記載の液晶表示装置。
【請求項１３】
第１の方向に延在し、第２の方向に配列した走査線と、第２の方向に延在し、第１の方向に配列した映像信号線に囲まれた領域に画素が存在するＴＦＴ基板と、対向基板の間に液晶層が挟持された液晶表示装置であって、
前記画素内には、第１の絶縁膜の上に平面状に画素電極が形成され、
前記画素電極を覆って第２の絶縁膜が形成され、前記画素の周辺部において、前記第２の絶縁膜の上に有機絶縁膜が形成され、
前記第２の絶縁膜の上にスリットを有する対向電極が形成され、
前記対向電極の前記スリットの端部は前記画素の周辺部に延在し、
前記画素の前記周辺部においては、前記画素電極と前記対向電極との間には前記第２の絶縁膜と前記有機絶縁膜が存在し、前記画素の前記周辺部以外においては、前記画素電極と前記対向電極の間には前記第２の絶縁膜のみが存在することを特徴とする液晶表示装置。
【請求項１４】
前記第１の絶縁膜は有機膜で形成されていることを特徴とする請求項１３に記載の液晶表示装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は表示装置に係り、特に高精細画面であり、かつ、ドメインの発生を抑制した、横電界方式の液晶表示装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
液晶表示装置では画素電極および薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）等を有する画素がマトリクス状に形成されたＴＦＴ基板と、ＴＦＴ基板に対向して、ＴＦＴ基板の画素電極と対応する場所にカラーフィルタ等が形成された対向基板が配置され、ＴＦＴ基板と対向基板の間に液晶が挟持されている。そして液晶分子による光の透過率を画素毎に制御することによって画像を形成している。
【０００３】
液晶表示装置はフラットで軽量であることから、色々な分野で用途が広がっている。携帯電話やＤＳＣ（Ｄｉｇｉｔａｌ Ｓｔｉｌｌ Ｃａｍｅｒａ）等には、小型の液晶表示装置が広く使用されている。液晶表示装置では視野角特性が問題である。視野角特性は、画面を正面から見た場合と、斜め方向から見た場合に、輝度が変化したり、色度が変化したりする現象である。視野角特性は、液晶分子を水平方向の電界によって動作させるＩＰＳ（Ｉｎ  Ｐｌａｎｅ  Ｓｗｉｔｃｈｉｎｇ）方式が優れた特性を有している。
【０００４】
ＩＰＳ方式も種々存在するが、特許文献１には、画素電極、対向電極とも櫛歯状のＩＰＳ方式の液晶表示装置において、映像信号線と上部電極（画素電極の場合と対向電極の場合がある）との寄生容量を低減するために、映像信号線上に有機絶縁膜を形成する構成が記載されている。
【０００５】
特許文献２には、例えば、コモン電極を平面ベタで形成し、その上に、絶縁膜を挟んで櫛歯状の画素電極を配置し、画素電極とコモン電極の間に発生する電界によって液晶分子を回転させる方式が記載されている。この方式は透過率を大きくすることが出来るという特徴を有している。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開２００４−３０２４４８号公報
【特許文献２】特開平０９−１０５９１８号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
図１１は、ＩＰＳ方式でも現在主流になっている方式の画素を示す平面図である、下層に対向電極１０８を平面状に形成し、その上に、絶縁膜を挟んでスリット１１１１を有する画素電極１１１の、スリット部１１１１、あるいは、画素電極１１１の周辺に形成されている横電界によって液晶分子を回転させる構成の画素部の平面図である。図１２は図１１のＤ−Ｄ断面図である。
【０００８】
図１１において、画素は映像信号線５０と走査線４０によって囲まれている。図１１において、最下層には、ｐｏｌｙ−Ｓｉによる半導体層１０２が形成されている。半導体層１０２は走査線４０の下を２回交差している。これによって、図１１において、左側、なわち、映像信号線５０の下側に第１のＴＦＴが形成され、その右側に第２のＴＦＴが形成されている。半導体層１０２の幅が大きくなっている部分には、映像信号線５０と接続するための第１のスルーホール１０が形成されており、これが第１のＴＦＴのドレイン電極となっている。第１のＴＦＴのソース部と第２のＴＦＴのドレイン部は共通であり、第２のＴＦＴのソースは幅が大きくなっており、この部分において、第２のスルーホール２０を介してソース電極１０６と接続している。
【０００９】
ソース電極１０６は第３のスルーホール３０によって、画素電極１１１と接続している。画素電極１１１は矩形であるが、内側にスリット１１１１を有している。画素電極１１１に映像信号が印加されると、画素電極１１１の外周およびスリット部１１１１において、下方の対向電極１０８との間に発生する電気力線の横電界成分によって液晶が回転し、画素におけるバックライトからの光の透過を制御する。なお、対向電極１０８は、画素全面に形成されているが、第２スルーホール２０、第３スルーホール３０、ソース電極１０６、画素電極１１１とソース電極１０６の接続領域には形成されていない。この部分は、対向電極除去部１０８２となっている。
【００１０】
図１２は、図１１のＤ−Ｄ断面図である。図１２においてＴＦＴ基板１００には下地膜１０１が形成されている。ガラス基板からの不純物が半導体層１０２を汚染することを防止するためである。下地膜１０１は、通常ＳｉＮ膜とＳｉＯ２膜の２層で形成されるが、図１２では、ＳｉＮ膜とＳｉＯ２膜のいずれか１層としている。下地膜１０１の上に半導体層１０２が形成されている。半導体層は、ｐｏｌｙ−Ｓｉによって形成されている。半導体層の上にＴＥＯＳ（テトラエトキシシラン）等によるゲート絶縁膜１０３が形成され、その上にゲート電極１０４が形成される。ゲート電極１０４は走査線４０で兼用している。
【００１１】
半導体層１０２において、ゲート電極１０４の下側は、チャネルとなっており、ゲート電極１０４以外の部分は不純物をドープすることによって導体となっている。図１２におけるＴＦＴは、図１１における第２のＴＦＴを示している。ゲート電極１０４を覆って、ＳｉＮによる第１層間絶縁膜１０５が形成され、第１層間絶縁膜１０５の上にソース電極１０６が形成されている。ソース電極１０６は映像信号線５０と同時に同層で形成される。
【００１２】
ソース電極１０６は、ゲート絶縁膜１０３および第１層間絶縁膜１０５に形成された第２のスルーホール２０によってＴＦＴのソース部と接続している。第１の層間絶縁膜１０５およびソース電極１０６を覆って、有機パッシベーション膜１０９が形成されている。有機パッシベーション膜１０９は平坦化膜を兼ねているので、１．５乃至２μｍ程度と、厚く形成される。有機パッシベーション膜１０９の上に平面ベタでＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ  Ｔｉｎ  Ｏｘｉｄｅ）による対向電極１０８が形成される。対向電極１０８の上に第２層間絶縁膜１１０がＳｉＮ等によって形成される。
【００１３】
有機パッシベーション膜１０９および第２層間絶縁膜１１０に第３スルーホール３０を形成し、このスルーホール３０を覆って、画素電極１１１が形成される。画素電極１１１は図１１に示すように矩形で内部にスリット１１１１が形成されている。この方式のＩＰＳは、特に、画素電極１１１のエッジ部において、液晶を回転させることによって、透過率を制御するので、スリット１１１１を形成することによって、画素の透過率を向上させることが出来る。なお、画素電極１１１の上には配向膜が形成されるが、図１２では省略されている。
【００１４】
図１１において、画素電極１１１の端部、すなわち、点線で囲んだＰ部において、電界が不規則になるために、液晶の初期配向方向に対する電極間電界方向の異常による液晶の逆回転現象、いわゆるドメインが発生する。また、この部分において、液晶表示パネルが押された時の画素内伝播、いわゆる押しドメインが発生する。このドメインは、画像のコントラストの劣化を生ずる。以後、ドメイン、および押しドメインをまとめてドメインと言う。
【００１５】
また、小型の液晶表示装置は、画素が小さくなり、矩形の画素電極１１１の幅を内部にスリット１１１１を有するように大きく出来なくなるという問題も生ずる。この場合の画素電極１１１は、単純な縦長の矩形となるが、このような形状の画素電極１１１では、ドメインの発生がさらに顕著になる。
【００１６】
本発明の課題は、高精細画面のＩＰＳ方式の液晶表示装置において、ドメインの発生を防止する構成を実現することである。
【課題を解決するための手段】
【００１７】
本発明は上記問題を克服するものであり、具体的な手段は次のとおりである。
【００１８】
（１）第１の方向に延在し、第２の方向に配列した走査線と、第２の方向に延在し、第１の方向に配列した映像信号線に囲まれた領域に画素が存在するＴＦＴ基板と、対向基板の間に液晶層が挟持された液晶表示装置であって、前記画素内には、第１の絶縁膜の上に平面状に対向電極が形成され、前記対向電極の周辺部分に第２の絶縁膜が形成され、前記対向電極および前記第２の絶縁膜を覆って、第３の絶縁膜が形成され、前記第３の絶縁膜の上に画素電極が形成され、前記画素の前記周辺部においては、前記画素電極と前記対向電極との間には前記第２の絶縁膜と前記第３の絶縁膜が存在し、前記画素の前記周辺部以外においては、前記画素電極と前記対向電極の間には前記第３の絶縁膜のみが存在することを特徴とする液晶表示装置。
【００１９】
（２）第１の方向に延在し、第２の方向に配列した走査線と、第２の方向に延在し、第１の方向に配列した映像信号線に囲まれた領域に画素が存在するＴＦＴ基板と、対向基板の間に液晶層が挟持された液晶表示装置であって、前記画素内には、第１の絶縁膜の上に平面状に画素電極が形成され、前記画素電極の周辺部分に第２の絶縁膜が形成され、前記画素電極および前記第２の絶縁膜を覆って、第３の絶縁膜が形成され、前記第３の絶縁膜の上にスリットを有する対向電極が形成され、前記スリットの端部は前記画素の周辺部に延在し、前記画素の前記周辺部においては、前記画素電極と前記対向電極との間には前記第２の絶縁膜と前記第３の絶縁膜が存在し、前記画素の前記周辺部以外においては、前記画素電極と前記対向電極の間には前記第３の絶縁膜のみが存在することを特徴とする液晶表示装置。
【００２０】
（３）第１の方向に延在し、第２の方向に配列した走査線と、第２の方向に延在し、第１の方向に配列した映像信号線に囲まれた領域に画素が存在するＴＦＴ基板と、対向基板の間に液晶層が挟持された液晶表示装置であって、前記画素内には、第１の絶縁膜の上に平面状に対向電極が形成され、前記対向電極を覆って第２の絶縁膜が形成され、前記画素の周辺部において、前記第２の絶縁膜の上に有機絶縁膜が形成され、前記第２の絶縁膜の上に画素電極が形成され、前記画素の周辺においては、前記画素電極と前記対向電極との間には、前記第２の絶縁膜と前記有機絶縁膜が存在していることを特徴とする液晶表示装置。
【００２１】
（４）第１の方向に延在し、第２の方向に配列した走査線と、第２の方向に延在し、第１の方向に配列した映像信号線に囲まれた領域に画素が存在するＴＦＴ基板と、対向基板の間に液晶層が挟持された液晶表示装置であって、前記画素内には、第１の絶縁膜の上に平面状に画素電極が形成され、前記画素電極を覆って第２の絶縁膜が形成され、前記画素の周辺部において、前記第２の絶縁膜の上に有機絶縁膜が形成され、前記第２の絶縁膜の上にスリットを有する対向電極が形成され、前記対向電極の前記スリットの端部は前記画素の周辺部に延在し、前記画素の前記周辺部においては、前記画素電極と前記対向電極との間には前記第２の絶縁膜と前記有機絶縁膜が存在し、前記画素の前記周辺部以外においては、前記画素電極と前記対向電極の間には前記第２の絶縁膜のみが存在することを特徴とする液晶表示装置。
【発明の効果】
【００２２】
本発明によれば、画素の小さい、すなわち、高精細の液晶表示装置において、ドメインの発生を防止することができるので、コントラストの優れた液晶表示装置を実現することが出来る。
【図面の簡単な説明】
【００２３】
【図１】実施例１の平面図である。
【図２】図１のＡ−Ａ断面図である。
【図３】実施例１の他の形態を示す平面図である。
【図４】実施例１のさらに他の形態を示す平面図である。
【図５】実施例２の平面図である。
【図６】図５のＢ−Ｂ断面図である。
【図７】実施例３の平面図である。
【図８】図７のＣ−Ｃ断面図である。
【図９】実施例４の断面図である。
【図１０】実施例５の断面図である。
【図１１】従来例を示す平面図である。
【図１２】図１１のＤ−Ｄ断面図である。
【図１３】本発明が適用される液晶表示装置の例の平面図である。
【発明を実施するための形態】
【００２４】
図１３は、本発明が適用される製品の例である、携帯電話等に使用される小型の液晶表示装置の平面図である。図１３において、ＴＦＴ基板１００の上に対向基板２００が配置されている。ＴＦＴ基板１００と対向基板２００の間に図示しない液晶層が挟持されている。ＴＦＴ基板１００と対向基板２００とは額縁部に形成されたシール材２０によって接着している。図１においては、液晶は滴下方式によって封入されるので、封入孔は形成されていない。
【００２５】
ＴＦＴ基板１００は対向基板２００よりも大きく形成されており、ＴＦＴ基板１００が対向基板２００よりも大きくなっている部分には、液晶セル１に電源、映像信号、走査信号等を供給するための端子部１５０が形成されている。
【００２６】
また、端子部１５０には、走査信号線４０、映像信号線５０等を駆動するためのＩＣドライバ７０が設置されている。ＩＣドライバ７０は３つの領域に分かれており、中央には映像信号駆動回路７２が設置され、両脇には走査信号駆動回路７１が設置されている。
【００２７】
図１の表示領域３００において、横方向には走査信号線４０が延在し、縦方向に配列している。また、縦方向には映像信号線５０が延在し、横方向に配列している。走査信号線４０と映像信号線５０とで囲まれた領域が画素を構成する。走査線は表示領域３００の両側から走査線引出し線４１によって、ＩＣドライバ７０の走査信号駆動回路７１と接続している。映像信号線５０とＩＣドライバ７０を接続する映像信号線引出し線５１は画面下側に集められ、ＩＣドライバ７０の中央部に配置されている映像信号駆動回路７２と接続する。
【００２８】
本発明は、走査線と映像信号線によって囲まれた画素部の構造に関連する。以下に本発明の内容を実施例を用いて詳細に説明する。
【実施例１】
【００２９】
図１は実施例１の画素構造を示す平面図であり、図２は図１のＡ−Ａ断面図である。図１において、映像信号線５０とソース電極１０６との間にｐｏｌｙ−Ｓｉによる半導体層１０２が形成され、走査線４０をゲート電極として第１のＴＦＴが左側の映像信号線５０の下に形成され、第２のＴＦＴが右側に第１のＴＦＴと直列に接続して形成されていることは図１１と同様である。半導体層１０２において走査線４０の下がチャネル部であり、その他の部分は、不純物がドープされて導体となっている。映像信号線５０が第１のスルーホール１０を介して第１のＴＦＴに接続し、ソース電極１０６が第２のスルーホール２０を介して第２のＴＦＴと接続している。
【００３０】
画素電極１１１は第３のスルーホール３０を介してソース電極１０６と接続している。本実施例における画素電極１１１は細長い矩形であり、内側にはスリットは存在していない。すなわち、画素が小さくなるにつれて、画素電極１１１の占める面積も限りがあり、内側にスリット１１１１を有する画素電極１１１あるいは櫛歯状の画素電極を形成するスペースをとることが困難になり、図１のような画素電極１１１となる。画素電極１１１の下には、図示しない第２層間絶縁膜を介して平面状に対向電極１０８が形成されている。画素電極１１１および対向電極１０８はＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ  Ｔｉｎ  Ｏｘｉｄｅ）等の透明導電膜によって形成されている。以下の実施例においても同様である。
【００３１】
図１に示すような細長い矩形の画素電極１１１の周囲において、横電界によって液晶分子が回転し、画素の透過率を制御する。このような画素電極１１１の形状では、画素電極１１１の先端部、すなわち、図１の点線で囲んだＰ部においてドメインが発生しやすくなる。
【００３２】
本発明では、これを防止するために、有機パッシベーション膜１０９を画素の周辺部を残して、内側を除去する構成とし、画素電極１１１は先端において有機パッシベーション膜１０９と第２の層間絶縁膜１１０の上に形成し、対向電極１０８は、有機パッシベーション膜１０９の下側に形成する。このような構成によって、画素電極１１１の先端においては、画素電極１１１と対向電極１０８の間隔が大きくなって、画素電極１１１と対向電極１０８の間の電界が小さくなり、初期配向の方向に逆らって液晶分子を逆回転させようとする力が小さくなる。これによって、ドメインの発生を防止することが出来る。
【００３３】
図２は、図１のＡ−Ａ断面図である。図２において、ゲート絶縁膜１０３と第１層間絶縁膜１０５に第２のスルーホール２０を形成して、ソース電極１０６と第２のＴＦＴのソース部を接続するまでは図１２で説明したのと同じである。図２において、ソース電極１０６および第１層間絶縁膜１０５を覆ってＳｉＮ等による無機パッシベーション膜１０７がＳｉＮ等によって形成されている。無機パッシベーション膜１０７の上に、平面状にＩＴＯによる対向電極１０８が形成されている。
【００３４】
図２が図１２と異なる点は、対向電極１０８の上に有機パッシベーション膜１０９が形成されていることである。また、本実施例の重要な特徴は、有機パッシベーション膜１０９は画素の周辺を除いて画素内の大部分において除去されていることである。図１２において、有機パッシベーション膜１０９および対向電極１０８を覆って第２層間絶縁膜１１０がＳｉＮ等によって形成されている。第２層間絶縁膜１１０および無機パッシベーション膜１０７に形成された第３スルーホール３０を介して画素電極１１１がソース電極１０６に接続している。なお、配向膜が画素電極の上に形成されるが、図２では省略されている。以下の図６、８、９、１０等についても同様である。
【００３５】
このような構成によって、画素電極１１１の先端付近において、画素電極１１１と対向電極１０８との間隔が他の部分よりも、有機パッシベーション膜１０９の膜厚分だけ大きくなっている。したがって、この分、画素電極１１１と対向電極１０８の間の電界が小さくなり、液晶分子が初期配向の方向とは逆方向に回転する、いわゆるドメインの発生を防止することが出来る。図２において、画素電極先端部は、有機パッシベーション膜１０９の平坦部に乗り上げているが、画素の大きさ等によっては、平坦部に乗り上げずに傾斜部のみに形成してもよい。なお、有機パッシベーション膜１０９の端部における傾斜角は４０度乃至８０度である。
【００３６】
図３は、本実施例の変形例を示す平面図である。図３のＡ−Ａ断面は、図１のＡ−Ａ断面と同じである。図３が図１と異なる点は、画素電極１１１が先端において、右側に曲がっていることである。このように、画素電極１１１の先端を曲げることによってもドメインの発生を抑えることが出来る。さらに、図３の構成では、図２に示すように、画素電極１１１の先端付近において、有機パッシベーション膜１０９を介することによって画素電極１１１と対向電極１０８との間隔を大きくしている。これによって、図２において説明したように、画素電極１１１と対向電極１０８との間の電界を小さくし、ドメインの発生を抑えることが出来る。
【００３７】
図４は、本実施例の他の変形例を示す平面図である。図４のＡ−Ａ断面は図２と同じである。図４が図３と異なる点は、画素電極１１１の幅が大きく、画素電極１１１の内側にスリット１１１１を有することである。このような画素電極１１１は、図１あるいは図３等に示す画素よりも幅の大きい画素の場合に使用される。
【００３８】
図４に示すような画素電極１１１の場合であっても、図４のＡ−Ａ断面を示す図２に示すように、画素電極１１１の先端付近において、有機パッシベーション膜１０９を介することによって画素電極１１１と対向電極１０８との間隔を大きくしている。これによって、画素電極１１１と対向電極１０８との間の電界を小さくし、ドメインの発生を抑えることが出来る。
【実施例２】
【００３９】
図５は本発明の第２の実施例を示す画素部の平面図であり、図６は、図５のＢ−Ｂ断面図である。本実施例は、下層の平面状に形成した第１の電極を画素電極１１１とし、第２層間絶縁膜１１０を挟んで上層の第２の電極を、スリット１０８１を有する対向電極１０８とした点で実施例１と異なる。
【００４０】
図５において、走査線４０と映像信号線５０で囲まれた画素内において、有機パッシベーション膜１０９は周辺を残して除去されている点は実施例１と同様である。図５において、斜線を施した画素電極１１１は、画素内に平面状に形成され、対向電極１０８の周辺は、画素周辺に形成されて斜線で示した有機パッシベーション膜１０９の上に乗り上げている。図５において、第２のＴＦＴのソース部は、第２スルーホール２０を介してソース電極１０６に接続し、ソース電極１０６は、第３スルーホール３０を介して画素電極１１１と接続している。
【００４１】
図５において、スリット１０８１を有する対向電極１０８は、図示しない第２層間絶縁膜１１０を介して画素電極１１１、走査線４０、映像信号線５０等を覆っている。すなわち、対向電極１０８は、スリット部１０８１を除いて全面を覆っている。下層の画素電極１１１に映像信号が印加されると、対向電極１０８との間にスリット１０８１を介して電気力線が発生し、この電気力線の横成分によって液晶分子を回転させて画素の透過率を制御する。
【００４２】
図６は、図５のＢ−Ｂ断面図である。図６において、ソース電極１０６の形成までは実施例１の図２と同様である。図６において、第１層間絶縁膜１０５およびソース電極１０６を覆って無機パッシベーション膜１０７が形成され、無機パッシベーション膜１０７の上に第１の電極である画素電極１１１が平面状に形成されている。無機パッシベーション膜１０７に形成された第３スルーホール３０を介して画素電極１１１とソース電極１０６が接続している。
【００４３】
図６において、画素電極１１１および無機パッシベーション膜１０７の上に有機パッシベーション膜１０９が形成されているが、有機パッシベーション膜１０９は画素の周辺部を除いて除去されている。有機パッシベーション膜１０９および画素電極１１１を覆って第２層間絶縁膜１１０が形成されている。図６においては、第２層間絶縁膜１１０にはスルーホールは形成されていない。対向電極１０８は図６に示す画素とは別な場所において、コモン配線と接続している。
【００４４】
本実施例においても、画素の周辺において、画素電極１１１と対向電極１０８との間隔を大きくすることが出来、図５の点線で示す領域Ｐである対向電極１０８のスリット１０８１の端部におけるドメインの発生を抑制することが出来る。さらに図５においては、全面に形成された対向電極１０８と映像信号線５０とは、第２層間絶縁膜１１０に加えて有機パッシベーション膜１０９を介して積層されているために、映像信号線５０と対向電極１０８間の距離を大きくすることが出来、映像信号線５０と対向電極１０８との容量を低減することが出来るという特徴を有する。
【００４５】
図５に示す対向電極１０８に形成されたスリット１０８１は細長い矩形であるが、スリット１０８１の先端部は、図３に示す画素電極１１１のように、１方向に屈曲してもよい。この場合、スリット１０８１が屈曲している部分における対向電極１０８と画素電極１１１の間には、有機パッシベーション膜１０９と第２層間絶縁膜１１０が存在している。また、図５においては、対向電極１０８に形成されたスリット１０８１は１個であるが、複数個形成されていてもよい。
【実施例３】
【００４６】
図７は、本発明の第３の実施例を示す平面図であり、図８は、図７のＣ−Ｃ断面図である。実施例３が実施例２と異なる点は、実施例２の図６に示す無機パッシベーション膜１０７が存在せず、画素電極１１１とソース電極１０６とが同じ第１層間絶縁膜１０５の上に形成されていることである。したがって、図７および図８には第３スルーホールは存在せず、ソース電極１０６と画素電極１１１の一部がオーバーラップすることによって電気的導通を取っている。その他の構成は実施例２と同様である。
【００４７】
すなわち、図７において、斜線で示す矩形状の画素電極１１１の周辺には斜線で示す有機パッシベーション膜１０９が存在している。そして、画素全体をスリット１０８１を有する対向電極１０８によって覆っている。図８は図７のＣ−Ｃ断面図である。図８において、第２スルーホール２０によってソース電極１０６と半導体層１０２のソース部を接続するまでは実施例２と同様である。本実施例においては、ソース電極１０６の上に無機パッシベーション膜１０７を形成せず、ソース電極１０６と画素電極１１１を同じ層間絶縁膜１０５上に形成し、ソース電極１０６と画素電極１１１の一部をオーバーラップさせることによって接続している。したがって、本実施例では、第３のスルーホールは存在しない。
【００４８】
図８に示すように、画素電極１１１の端部においては、対向電極１０８は有機パッシベーション膜１０９および第２層間絶縁膜１１０を介して画素電極１１１と対向しているので、画素電極１１１と対向電極１０８の間の電界を小さくできる。したがって、図７の点線で囲まれた領域Ｐにおけるドメインの発生を抑えることが出来る。
【００４９】
また、本実施例においても、全面に形成された対向電極１０８は、映像信号線５０とは有機パッシベーション膜１０９および第２層間絶縁膜１１０を介して積層されるため、映像信号線５０と対向電極１０８との容量を小さくすることが出来るという特徴を有する。なお、図８では、画素電極１１１がソース電極１０６の上に形成された形となっているが、逆に、画素電極１１１を先に形成し、ソース電極１０６の一部を画素電極１１１の上に積層してもよい。
【実施例４】
【００５０】
図９は本発明の第４の実施例を示す断面図である。図９の構成は、第２層間絶縁膜１１０を形成するまでは、従来例を示す図１２と同様である。図９の特徴は、第２層間絶縁膜１１０の上に有機絶縁膜１１２を画素の周辺部分にのみ形成することである。有機絶縁膜１１２は有機パッシベーション膜１０９と同じ材料形成することが出来、膜厚も有機パッシベーション膜１０９と同様に形成することが出来る。しかし、膜厚は必要に応じて任意に設定することが出来る。
【００５１】
その後、画素電極１１１を形成する。画素電極１１１の先端は画素周辺に形成された有機絶縁膜１１２の上に乗り上げており、この部分において、対向電極１０８との距離が大きくなる。したがって、画素電極１１１と対向電極１０８間の距離が大きくなって、画素電極１１１と対向電極１０８間の電界が小さくなる。これによって、実施例１等で説明したように、画素電極１１１先端におけるドメインの発生を防止することが出来る。なお、画素電極１１１は第３スルーホール３０を介してソース電極１０６と接続していることは図１２と同様である。画素電極１１１の平面形状は実施例１における図１、図３、図４等に示すいずれの形状もとることが出来る。
【実施例５】
【００５２】
図１０は本発明の第５の実施例を示す断面図である。図１０は、有機パッシベーション膜１０９の上に形成された第１の透明電極が画素電極１１１であり、第２の層間絶縁膜１１０の上に形成された第２の透明電極が対向電極１０８である点で、実施例４の図９と異なる。図１０において、有機パッシベーション膜１０９を形成するまでは図９と同様である。
【００５３】
図１０において、有機パッシベーション膜１０９の上に画素電極１１１を形成する。画素電極１１１は有機パッシベーション膜１０９に形成された第３のスルーホール３０を介してソース電極１０６と接続する。その後、第２層間絶縁膜１１０を画素電極１１１の上に形成する。その後、実施例４と同様に、画素の周辺部の第２層間絶縁膜１１０の上に有機絶縁膜１１２を形成する。有機絶縁膜１１２は有機パッシベーション膜１０９と同様な材料で形成し、膜厚も同様としてもよい。ただし、有機絶縁膜１１２の膜厚は、必要に応じて決めることが出来る。
【００５４】
その後、スリット１０８１を有する対向電極１０８を形成する。対向電極１０８と画素電極１１１は、画素の周辺部分を除いて第２層間絶縁膜１１０を介して対向している。しかし、スリット１０８１の先端部分を含む対向電極１０８は画素周辺においては、第２層間絶縁膜１１０と有機絶縁膜１０９を介して画素電極１１１と対向している。したがって、対向電極１０８のスリット１０８１の先端を含む画素の周辺においては、対向電極１０８と画素電極１１１の間隔が大きくなり、対向電極１０８と画素電極１１１の間の電界が小さくなるので、ドメインの発生を防止することが出来る。
【００５５】
図１０における対向電極１０８に形成されたスリット１０８１の平面形状は、実施例２で説明したスリット１０８１と同じ形状とすることが出来る。すなわち、図５、図７に示すような細長い矩形でもよいし、先端が屈曲した形状でもよい。この場合、先端が屈曲したスリット部分での対向電極と画素電極１１１の間には、第２層間絶縁膜１１０と有機絶縁膜１０９が存在することになる。また、対向電極１０８に形成されるスリットは画素内に複数個形成してもよい。
【００５６】
以上の実施例では、ＴＦＴはゲート電極が半導体の上方に存在するいわゆるトップゲートタイプのＴＦＴであるが、本発明は、ゲート電極が半導体の下方に存在するいわゆるボトムゲートタイプのＴＦＴの場合についても本発明を適用することが出来る。
【符号の説明】
【００５７】
１０…第１スルーホール、  ２０…第２スルーホール、  ３０…第３スルーホール、  ４０…走査線、  ４１…走査線引き出し線、  ５０…映像信号線、５１…映像信号線引き出し線、６０…シール部、７０…ＩＣドライバ、７１…走査信号駆動回路、７２…映像信号駆動回路、  １００…ＴＦＴ基板、  １０１…下地膜、  １０２…半導体層、  １０３…ゲート絶縁膜、  １０４…ゲート電極、  １０５…第１層間絶縁膜、  １０６…ソース電極、  １０７…無機パッシベーション膜、  １０８…対向電極、  １０９…有機パッシベーション膜、  １１０…第２層間絶縁膜、  １１１…画素電極、  １１２…有機絶縁膜、  １５０…端子部、  ２００…対向基板、  ３００…表示領域、  １０８１…対向電極スリット、  １０８２…対向電極除去部、  １１１１…画素電極スリット
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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