(57)【要約】      （修正有）【課題】意図しない領域からの光漏出を防止し、色ムラ及び輝度ムラの少ない優れた発光装置及びその製造方法を提供する。【解決手段】発光装置の製造方法は、支持基板２１の表面に複数の発光素子３０を配置する工程と、複数の発光素子３０の各々上の複数の発光素子３０の各々の素子間の領域に面した周縁に沿って反射層５３、５４を形成する工程と、複数の発光素子３０を支持基板２１上に埋設するように波長変換層６０を形成する工程と、レーザ光を照射して素子間領域５７の波長変換層６０を除去する工程と、を含む。【選択図】図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板の表面に複数の発光素子を配置する工程と、
前記複数の発光素子の各々上の前記複数の発光素子の各々の素子間の領域に面した周縁に沿って反射層を形成する工程と、
前記複数の発光素子を前記支持体上に埋設するように波長変換層を形成する工程と、
レーザ光を照射して前記素子間の領域の前記波長変換層を除去する工程と、
を含むことを特徴とする発光装置の製造方法。
【請求項２】
前記反射層を形成する工程は、前記複数の発光素子の各々上に前記発光層からの出射光を反射する第１の反射層を形成する工程と、前記第１の反射層上に前記レーザ光を反射する第２の反射層を形成する工程と、からなることを特徴とする請求項１に記載の発光装置の製造方法。
【請求項３】
前記反射層を形成する工程は、前記第１の反射層上に前記第１の反射層と前記第２の反射層とを密着させる密着層を形成する工程を含むことを特徴とする請求項２に記載の発光装置の製造方法。
【請求項４】
前記反射層を形成する工程は、前記第２の反射層上に保護層を形成する工程を含むことを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１に記載の発光装置の製造方法。
【請求項５】
基板と、
前記基板上に配列された複数の発光素子と、
前記複数の発光素子の各々を覆うように形成された波長変換層と、
前記複数の発光素子の各々上の前記複数の発光素子の各々の素子間領域に面した周縁に沿って配された反射層と、を有することを特徴とする発光装置。
【請求項６】
前記反射層は、前記発光層からの出射光を反射する第１の反射層と、所定波長のレーザ光を反射する第２の反射層と、を有することを特徴とする請求項５に記載の発光装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、発光装置、特に、発光ダイオード（ＬＥＤ：Light Emitting Diode）を搭載した発光装置及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
ＬＥＤ素子を搭載した発光装置が、照明、バックライト、産業機器等に従来から用いられてきた。特許文献１に記載されている記載の発光装置は、支持基板上に複数配列されたＬＥＤ素子の周囲を覆いかつＬＥＤ素子間の領域を充填するように蛍光体樹脂層を形成することで白色光を得ている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２０１１−１６５８３７号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
特許文献１に記載されている発光装置のように、１の支持基板上に複数の発光素子を配列して、これらを発光させる場合、発光素子間の蛍光体樹脂層を光が伝搬し、本来発光領域としたくない領域から光が漏出してしまうという問題があった。
【０００５】
本発明は、上述の点に鑑みてなされたものであり、ＬＥＤ等の発光素子を搭載する発光装置及びその製造において、発光素子を損傷させることなく発光素子間の蛍光体樹脂層を除去し、意図しない領域からの光漏出を防止し、色ムラ及び輝度ムラの少ない優れた発光装置及びその製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明の発光装置の製造方法は、基板の表面に複数の発光素子を配置する工程と、前記複数の発光素子の各々上の前記複数の発光素子の各々の素子間の領域に面した周縁に沿って反射層を形成する工程と、前記複数の発光素子を前記支持体上に埋設するように波長変換層を形成する工程と、レーザ光を照射して前記素子間の領域の前記波長変換層を除去する工程と、を含むことを特徴とする。
【０００７】
本発明の発光装置は、基板と、前記基板上に配列された複数の発光素子と、前記複数の発光素子の各々を覆うように形成された波長変換層と、前記複数の発光素子の各々上の前記複数の発光素子の各々の素子間領域に面した周縁に沿って配された反射層と、を有することを特徴とする。
【図面の簡単な説明】
【０００８】
【図１】本発明の実施例である発光装置の上面図である。
【図２】図１の２−２線に沿った断面図である。
【図３】図２の一部拡大図である。
【図４】図１に示す発光装置の製造工程のうちの一工程を示す断面図である。
【図５】図１に示す発光装置の製造工程のうちの一工程を示す断面図である。
【図６】図１に示す発光装置の製造工程のうちの一工程を示す断面図である。
【図７】図１に示す発光装置の製造工程のうちの一工程を示す断面図である。
【図８】図１に示す発光装置の製造工程のうちの一工程を示す断面図である。
【図９】図１に示す発光装置の製造工程のうちの一工程を示す断面図である。
【図１０】図９の一部拡大図である。
【発明を実施するための形態】
【０００９】
以下に説明する実施例においては、説明及び理解の容易さのため、半導体構造層が第１の半導体層、発光層及び第２の半導体層からなる場合について説明するが、第１の半導体層及び／又は第２の半導体層、並びに発光層はそれぞれ複数の層から構成されていてもよい。例えば、当該半導体層には、キャリア注入層、キャリアオーバーフロー防止のための障壁層、電流拡散層、オーミック接触性向上のためのコンタクト層、バッファ層などが含まれていてもよい。また、第１の半導体層及び第２の半導体層の導電型はそれぞれ下記実施例とは反対の導電型であってもよい。
【００１０】
以下においては、本発明の好適な実施例について説明するが、これらを適宜改変し、組合せてもよい。また、以下の説明及び添付図面において、実質的に同一又は等価な部分には同一の参照符を付して説明する。
【実施例】
【００１１】
以下に、本発明の実施例である発光装置について、図１及び図２を参照しつつ説明する。以下の実施例においては、支持体上に９つの発光素子が３×３のマトリクス状に配置されている発光装置について説明する。
【００１２】
図１は、本発明の実施例である発光装置１０の上面図である。図２は、図１の２−２線に沿った断面図である。
【００１３】
図１及び図２に示すように、発光装置１０は、支持体２０、支持体２０上に３×３のマトリクス状に配列された９つの発光素子３０、及び発光素子３０を覆うように形成されている波長変換層６０（図２）からなっている。また、波長変換層６０は、隣接する発光素子３０の間の領域において除去されており、支持体２０上において断続的に存在している。なお、図１においては、支持体２０及び発光素子３０の上面構造の明瞭化のため波長変換層６０を省略している。
【００１４】
支持体２０は、支持基板２１、絶縁層２３、配線電極２５及び接続電極２７を含んでいる。支持基板２１は、Ｓｉ等の放熱性の良好な基板からなり、矩形状の上面形状を有している。絶縁層２３は、発光素子３０と対向する表面、すなわち素子搭載面上に形成されたＳｉＯ2からなる層である。
【００１５】
第１の接合層としての配線電極２５は、絶縁層２３上に形成され、支持体２０の両端部に配されているＡｕからなる３組の金属電極である。一組の配線電極２５は、支持体２０の一方の端部に配されているｐ配線電極２５Ａ及び他方の端部に配されているｎ配線電極２５Ｂからなっている。配線電極２５の各々はボンディングワイヤＢＷ（図１）によって外部電源端子（図示せず）に接続されている。
【００１６】
一組のｐ配線電極２５Ａとｎ配線電極２５Ｂとの間の絶縁層２３上には、ｐ配線電極２５Ａ及びｎ配線電極２５Ｂと離間して２つの接続電極２７が並んで配されている。第１の接合層としての接続電極２７は、互いに離間して配されており、各一組のｐ配線電極２５Ａとｎ配線電極２５Ｂとの間に配列されている隣り合う発光素子３０を電気的に直列に接続するように配置されている。
【００１７】
発光素子３０は、支持体２０上の各一組のｐ配線電極２５Ａ及びｎ配線電極２５Ｂとの間に直線上に一列に各３つ配されており、各一組のｐ配線電極２５Ａとｎ配線電極２５Ｂとの間で電気的に直列に接続されている。すなわち、各一組のｐ配線電極２５Ａとｎ配線電極２５Ｂとの間に一列に配されている３つの発光素子毎に点灯及び消灯を行うことが可能になっている。
【００１８】
発光素子３０は、ＧａＮ系（ＡｌxＩｎyＧａ1-x-yＮ（０≦ｘ≦１、０≦ｙ≦１））の発光ダイオード（ＬＥＤ）である。
【００１９】
より詳細には、発光素子３０は、第１の導電型の第１の半導体層３１と、発光層３３と、第１の導電型とは反対導電型の第２の導電型の第２の半導体層３５とが積層されてなる発光機能層である半導体構造層３７を有する。本実施例においては、第１の半導体層３１がｎ型半導体層であり、第２の半導体層３５がｐ型半導体層である場合を例に説明する。
【００２０】
第１の半導体層３１は、Ｓｉのようなｎ型ドーパントが添加されたｎ型半導体層を含む層である。発光層３３は、ＧａＮの層とＩｎxＧａ1-xＮ（０≦ｘ≦１、０≦ｙ≦１）の層が繰り返し積層されることで構成された多重量子井戸構造を有する。第２の半導体層３５は、Ｍｇのようなｐ型ドーパントが添加されたｐ型半導体層である。第１の半導体層３１の表面３１Ｓ（すなわち、半導体構造層３７の上面）が光出射面として機能する。
【００２１】
半導体構造層３７の下面の中央部には、第２の半導体層３５から発光層３３を貫通して第１の半導体層３１内に至る孔部３７Ｈが形成されている。
【００２２】
第２の半導体層３５の下面には、第２の半導体層３５の上に、例えばＴｉ／ＡｇまたはＩＴＯ／Ａｇがこの順に積層されたｐ電極３９が形成されている。キャップ層４１は、第２の半導体層３５の下面にｐ電極３９を埋設するように形成されており、例えば、ＴｉＷ／Ｔｉ／Ｐｔ／Ａｕ／Ｔｉがこの順に積層されてなる層である。なお、キャップ層４１は、ｐ電極３９の材料の拡散を防止可能であるならば、Ｔｉ、Ｗ、Ｐｔ、Ｐｄ、Ｍｏ、Ｒｕ、Ｉｒ、Ａｕ及びこれらの合金等の他の材料からなっていてもよい。また、キャップ層４１の光反射性を高めるために、キャップ層４１をＡｇ／ＴｉＷ／Ｔｉ／Ｐｔ／Ａｕ／Ｔｉをこの順に積層することとしてもよい。
【００２３】
絶縁層４３は、半導体構造層３７が露出する表面及びキャップ層４１を覆うように形成されている絶縁性を有する層であり、例えばＳｉＯ2またはＳｉＮ等からなっている。絶縁層４３は孔部３７Ｈの底面を露出する開口部４３Ａを有し、かつ発光素子３０の端部領域にあるキャップ層４１を露出する２つの開口部４３Ｂを有している。
【００２４】
ｎ電極４５は、孔部３７Ｈの底面において開口部４３Ａから露出した第１の半導体層３１の表面を覆い、かつ孔部３７Ｈの側面上に形成された絶縁層４３の表面を覆うように形成されている。ｎ電極４５は、第１の半導体層３１及び絶縁層４３の表面からＴｉ／ＡｌまたはＴｉ／Ａｇ等をこれらの順に成膜した層である。すなわち、ｎ電極４５は開口部４３Ａにおいて第１の半導体層３１と電気的に接続されている。
【００２５】
第２の接合層としてのｐ給電電極４７は、開口部４３Ｂから露出するキャップ層４１層を覆うようにＴｉ／Ｐｔ／Ａｕがこの順に積層されて形成されている。第２の接合層としてのｎ給電電極４９は、ｐ給電電極４７が形成されている端部領域以外の領域において絶縁層４３及びｎ電極４５を覆うようにＴｉ／Ｐｔ／Ａｕがこの順に積層されて形成されている。ｎ給電電極４９はｐ給電電極４７と離間して形成されており、ｐ給電電極４７とは電気的に絶縁されている。
【００２６】
図１の一番左側に配されている３つの発光素子３０のｐ給電電極４７は支持体２０の接続電極２７と、ｎ給電電極４９はｎ配線電極２５Ｂと接合されている。すなわち、発光素子３０において、半導体構造層３７への電流の供給は、ｐ給電電極４７及びｎ給電電極４９からそれぞれｐ電極３９及びｎ電極４５を介して行われる。なお、図１の左右方向真ん中に配されている３つの発光素子３０のｐ給電電極４７及びｎ給電電極４９は、ともに接続電極２７に接合されている。また、図１の一番右側に配されている３つの発光素子３０においては、ｎ給電電極４９は接続電極２７に、ｐ給電電極４７はｐ配線電極２５Ａにそれぞれ接合されている。
【００２７】
半導体構造層３７の表面３１Ｓ上には、例えばＳｉＯ2からなる膜厚３５０ｎｍの光透過性を有する絶縁層としての絶縁性保護膜５１が形成されている。絶縁性保護膜５１の上面には、第１の反射層５３及び第２の反射層５４がこの順に積層されて形成されている。
【００２８】
第１の反射層５３は、発光素子３０の発光波長（例えば、４５０ｎｍ）の光に対して反射率の高いＡｇからなる層である。また、第２の反射層５４は、後述する波長変換層６０の部分的な除去に用いるレーザ光の発光波長（例えば、３５５ｎｍ）の光に対して反射性が高いＡｌからなる層である。第１の反射層５３及び第２の反射層５４は、発光素子３０の各々の素子間領域５７（図２）に面した周縁に沿って形成されている。すなわち、発光素子３０の上面の周縁に沿った領域（周縁領域）のうち、発光素子３０に隣接していない領域には第１の反射層５３及び第２の反射層５４は形成されていない。
【００２９】
なお、第１の反射層５３は、発光素子３０の発光波長の光に対して反射性が高い材料であればよく、例えば、Ａｌ、Ｒｈ、Ｐｔ等の他の金属からなっていてもよい。また、第２の反射層５４は、波長変換層６０の除去に用いるレーザ光の発光波長の光に対して反射性が高い材料であればよく、例えば、Ａｇ、Ｒｈ、Ｐｔ等の他の金属からなっていてもよい。
【００３０】
波長変換層６０は、硬化されたシリコーン樹脂のバインダー内に蛍光体粒子としてＹＡＧ蛍光体（Ｙ3Ａｌ5Ｏ12：Ｃｅ3+）粒子を包含している部材である。波長変換層６０は、支持体２０の上面及び発光素子３０を覆うように形成されているが、隣接する発光素子３０の間の素子間領域５７において互いに分断され不連続になっている。すなわち、波長変換層６０は、隣接する発光素子３０の間の素子間領域において除去されており、各発光素子３０を覆っている波長変換層６０は、発光素子３０の各々を個別に覆っており互いに離間している。
【００３１】
図３は、図２の破線で囲まれた領域Ａの拡大図である。図３において、発光装置１０に駆動電流を流した場合に発光層３３から出射される光を太線矢印で示す。図３に示すように、発光層３３から出射された光は、第１の反射層５３の表面で反射して下方に、すなわち支持体２０方向に反射される。
【００３２】
［発光装置１０の製造方法］
実施例である発光装置１０の製造方法について、以下に詳細に説明する。図４−図９は、実施例の発光装置１０の各製造工程を示す断面図である。図４−図９は、図２と同様の切断線に沿った断面図である。
【００３３】
［発光素子の形成］
まず、ＭＯＣＶＤ（Metal-Organic Chemical Vapor Deposition）法を用いて結晶成長を行い、半導体構造層３７を形成する。具体的には、サファイア基板等の成長基板６１をＭＯＣＶＤ装置に投入し、サーマルクリーニング後、第１の半導体層３１、発光層３３、及び第２の半導体層３５を順に成膜する。なお、以下、第１の半導体層３１がｎ型半導体層、第２の半導体層３５が第１の半導体層と反対導電型のｐ型半導体層である場合について説明する。
【００３４】
次に、図４に示すように、ｐ電極３９及びキャップ層４１を形成する。ｐ電極３９は、第２の半導体層３５の上に順にＴｉ／ＡｇまたはＩＴＯ／Ａｇ等を、例えばスパッタ法または電子ビーム（ＥＢ）蒸着法で１００−３００ｎｍ程度の厚さで成膜し、孔部３７Ｈを形成する部分において第２の半導体層３５が露出するように所定の形状にパターニングすることで形成する。
【００３５】
キャップ層４１は、ｐ電極３９を埋設するようにＴｉＷ（膜厚２５０ｎｍ）／Ｔｉ（膜厚５０ｎｍ）／Ｐｔ（膜厚１００ｎｍ）／Ａｕ（膜厚１０００ｎｍ）／Ｔｉ（膜厚３０ｎｍ）をこの順に、例えばスパッタ法または電子ビーム（ＥＢ）蒸着法で成膜し、ｐ電極と同様の所定の形状にパターニングすることで形成する。すなわち、キャップ層４１を形成した後に、第２の半導体層が露出する開口部４１Ａが形成される。なお、Ｔｉ、Ｗ、Ｐｔ、Ｐｄ、Ｍｏ、Ｒｕ、Ｉｒ、Ａｕ及びこれらの合金等の他の材料で形成してもよい。また、キャップ層４１の光反射性を高めるために、最下層に最初にＡｇ層を成膜することとしてもよい。
【００３６】
次に、図５に示すように、第１の半導体層３１に孔部３７Ｈを形成する。具体的には、ｐ電極３９及びキャップ層４１から開口部４１Ａを介して露出している第２の半導体層３５及び発光層３３を貫通して第１の半導体層３１を露出するように孔部３７Ｈを形成する。孔部３７Ｈは、例えば第２の半導体層３５及び発光層３３を反応性イオンエッチング（ＲＩＥ）等でドライエッチングすることで形成する。
【００３７】
次に図６に示すように、絶縁層４３及びｎ電極４５を形成する。具体的には、まず、第２の半導体層３５の表面及びキャップ層４１を覆うようにＳｉＯ2またはＳｉＮ等の絶縁性材料を、例えばスパッタ法またはＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）法等で成膜することで第１の半導体層３１を露出する開口部４３Ａを有する絶縁層４３を形成する。
【００３８】
その後、孔部３７Ｈの底部にある開口部４３Ａから露出している第１の半導体層３１の表面を覆い、絶縁層４３の孔部３７Ｈの側面に上に形成された部分を覆うようにｎ電極４５を形成する。ｎ電極４５は、第１の半導体層３１の表面からＴｉ／ＡｌまたはＴｉ／Ａｇの順に、例えば５００ｎｍ以上の厚さに成膜した後にパターニングすることで形成する。
【００３９】
次に、図７に示すように、ｐ給電電極４７及びｎ給電電極４９を形成し、発光素子３０を個片化する。具体的には、次に、絶縁層４３及びｎ電極４５並びに開口部４３Ｂから露出したキャップ層４１を覆うように、例えばＴｉ／Ｐｔ／Ａｕをこの順にＥＢ蒸着法等で成膜した後に所定形状にパターニングすることでｐ給電電極４７及びｎ給電電極４９を形成する。この際、ｐ給電電極４７とｎ給電電極４９が互いに離間して電気的に絶縁されるようにパターニングする。その後、例えばドライエッチングを行って成長基板に達する溝を形成し、発光素子３０を個片化する。
【００４０】
［支持体の形成及び支持体との接着］
まず、Ｓｉ等の支持基板２１の一方の面に例えばＳｉＯ2またはＳｉＮからなる絶縁層２３を形成する。その後、絶縁層２３上に発光素子３０との接合層としても機能するＡｕからなるｐ配線電極２５Ａ（図１参照）、ｎ配線電極２５Ｂ及び接続電極２７を形成して、支持体２０を完成する。ｐ配線電極２５Ａ、ｎ配線電極２５Ｂ及び接続電極２７の形成には、例えば、抵抗加熱及びＥＢ蒸着法、スパッタ法などから適当な手法を用いることが出来る。
【００４１】
次に、支持体２０と発光素子３０を、たとえば熱圧着により接合させる。より詳細には、発光素子３０のｐ給電電極４７及びｎ給電電極４９の最表層にあるＡｕとｐ配線電極２５Ａ（図１参照）、ｎ配線電極２５Ｂ及び接続電極２７を形成するＡｕとを熱圧着して、いわゆるＡｕ／Ａｕ接合を行った。なお、接合方法及び材料は上記の方法及び材料に限定されるものではなく、例えばＡｕＳｎ等を用いた共晶接合を用いた接合を行ってもよい。
【００４２】
［成長基板の除去］
支持体２０と発光素子３０とを接合した後、成長基板６１を除去する。成長基板６１の除去により第１の半導体層３１の表面３１Ｓが露出し、光出射面となる。成長基板６１の除去は、レーザリフトオフ法を用いて行った。なお、成長基板６１の除去は、レーザリフトオフに限らず、ウエットエッチングドライエッチング、機械研磨法、化学機械研磨（CMP）もしくはそれらのうち少なくとも１つの方法を含む組合せにより行ってもよい。
【００４３】
［絶縁性保護膜形成］
成長基板６１を除去した後、成長基板６１の除去により露出した第１の半導体層３１の表面３１Ｓに透光性を有する絶縁性保護膜５１を形成する。具体的には、表面３１Ｓ上に、例えばＣＶＤ等によりＳｉＯ2を３５０ｎｍ堆積させることで形成を行う。
【００４４】
［反射層の形成］
絶縁性保護膜５１を形成した後、図８に示すように、発光層３３からの出射光を反射する第１反射層及び後述の波長変換層６０の形成時に蛍光体材料の除去に用いられるレーザ光を反射する第２の反射層５４を形成する。具体的には、絶縁性保護膜５１の上面の周縁であって、隣接する発光素子３０の間の領域である素子間領域５７に面した周縁に沿って、例えばＥＢ蒸着法にてＡｇの層を２００ｎｍの層厚で形成し、第１の反射層５３を形成する。すなわち、発光素子３０の上面の周縁に沿った領域（周縁領域）のうち、発光素子３０に隣接していない領域には第１の反射層５３は形成しない。
【００４５】
その後、第１の反射層５３上に、例えばＥＢ蒸着法にてＡｌの層を５００ｎｍ形成し、第２の反射層５４を形成する。なお、第１及び第２の反射層５３、５４の形成にはスパッタ法等他の方法を用いてもよい。また、第１の反射層５３及び第２の反射層５４は、後に行うレーザ光による蛍光体材料の除去において、半導体構造層３７を保護する観点から絶縁性保護膜５１の上面の端縁に接するように、すなわち第１の反射層及び第２の反射層が絶縁性保護膜５１の端縁までを覆うように形成するのが好ましい。また、第２の反射層５４上にさらに絶縁性保護膜を設けてもよい。
【００４６】
［ボンディング］
反射層５３，５４の形成の後、実装基板（図示せず）に支持体２０を搭載して、ボンディングワイヤＢＷ（図１）をもちいて、実装基板の給電端子（図示せず）とｐ配線電極２５Ａ及びｎ配線電極２５Ｂとを接続する。
【００４７】
［波長変換層の形成］
ボンディングの後、図９に示すように、波長変換層６０を形成する。具体的には、まず、支持体２０上において発光素子３０を埋設するように、ＹＡＧ蛍光体粒子を含むシリコーン樹脂からなる蛍光体材料を発光素子３０上から塗布またはポッティングし、その後、シリコーン樹脂を熱硬化させる。シリコーン樹脂を硬化させた後、隣接する発光素子３０の間の領域である素子間領域５７に例えば、波長３３５ｎｍ、出力３Ｗ程度のレーザ光ＬＢ（図中白抜き矢印で示す）を照射し素子間領域にある蛍光体材料を除去することで波長変換層６０を形成する。
【００４８】
図１０は、図９の領域Ｂの一部拡大図である。図１０において、蛍光体材料の除去において照射されるレーザ光ＬＢを白抜き矢印で表す。図１０に示すように、素子間領域に向けて照射されたレーザのうち、素子間領域からはみ出して発光素子３０上に達したレーザ光は、第２の反射層によって反射される。従って、波長変換層６０を形成する際の蛍光体材料の除去工程において、レーザ光が直接半導体構造層３７に照射されることはない。よって、蛍光体材料の除去工程において半導体構造層３７が破壊されることが防止される。
【００４９】
上記実施例の発光装置及びその製造方法によれば、隣接する発光素子３０の間の領域（素子間領域）に波長変換層が存在しないので、発光素子３０の各々から出射した光が波長変換層を伝搬して、各々の発光素子３０の周辺に漏れ広がることを防止し、素子間領域または隣接する発光素子３０の領域まで光が広がってしまう、いわゆるクロストーク現象を防止することが可能である。
【００５０】
また、波長変換層６０の形成時の蛍光体材料の除去において発光素子３０の上面の周縁領域上の蛍光体材料が除去され、波長変換層６０から第２の反射層５４が露出した場合でも、図３に示すように、発光装置１０を駆動した場合の発光層３３からの青色励起光は、第１の反射層５３によって下方に反射される。よって、発光層３３から出射された青色励起光が、波長変換層６０に入射せずに発光素子３０の上面周縁部から直接発光装置１０の外に出射することを防止することができる。これにより、発光素子３０の上面周縁部に発生する色むらを防止することが可能である。
【００５１】
上記実施例において、第１の半導体層３１の表面３１Ｓ（光出射面）に光り取り出し効率向上のための凹凸構造を形成してもよい。このような凹凸構造は、成長基板６１の除去後に、第１の半導体層３１の光取り出し面をＴＭＡＨなどを用いた異方性ウェットエッチングによって形成する。なお、フォトリソグラフィ、ＥＢリソグラフィ、ＥＢ描画、ナノインプリント、レーザ露光などの方法及びリフトオフ法により、人工的周期構造のマスクパターンを形成後にドライエッチングして形成して凹凸構造を形成してもよい。
【００５２】
上述の実施例においては、第１の反射層５３の表面に接して第２の反射層５４を形成することとしたが、第１の反射層５３と第２の反射層５４との間に、密着性の高いＴｉまたはＮｉ等からなる層を形成することとしてもよい。このようにすることで、第１の反射層５３と第２の反射層５４とを密着させこれらが剥離することを防止し、発光装置の製造時の歩留まりを向上させることが可能である。
【００５３】
また、上述のように、第２の反射層５４上に、ＳｉＯ2等からなる絶縁性保護膜を形成することとしてもよい。このようにすることで、第１の反射層５３及び第２の反射層５４の変質を防止し、反射層としての耐久性を向上させることが可能である。
【００５４】
また、上記実施例では、第１の反射層５３上に第２の反射層５４を形成することとしたが、第２の反射層５４は形成しなくともよい。この場合、例えば、少なくとも波長変換層６０の形成時の蛍光体材料の除去に用いられるレーザ光に対する反射性が高い材料を用いて第１の反射層５３を形成する。このようにすることで、波長変換層６０の形成時におけるレーザ光による半導体構造層３７の破壊を防止することが可能である。また、第１の反射層５３が発光層３３からの励起光に対して反射率があまり高くなくとも、当該出射光を透過させない材料であれば、発光素子３０の上面の周縁領域から出射する励起光を低減させることができ、発光装置の色むらを防止することが可能である。
【００５５】
また、上記実施例においては、３×３のマトリクス状に整列した９つの発光素子３０からなる発光装置１０を例に挙げたが、発光素子３０の個数または配列パターンは任意である。また、各発光素子の電極配置についても適宜変更可能である。
【００５６】
また、上記実施例においては、マトリクス内で一列に並んだ３つ発光素子３０毎に駆動することが可能としたが、発光素子３０を全て並列に接続し、発光素子３０を素子毎に駆動することを可能としてもよい。
【００５７】
また、上記実施例においては、波長変換層６０の形成において、シリコーン樹脂のバインダー内に蛍光体粒子としてＹＡＧ蛍光体（Ｙ3Ａｌ5Ｏ12：Ｃｅ3+）粒子を包含している蛍光体材料を用いた場合を例に説明したが、これ以外の蛍光体材料を用いてもよい。
【００５８】
例えば、バインダーとしてエポキシ樹脂等の他の樹脂材を用いてもよい。また、蛍光体粒子としては、例えば、オルトシリケート系蛍光体（（Ｓｒ，Ｂａ，Ｃａ）2ＳｉＯ4：Ｅｕ2+）、酸窒化物蛍光体（βサイアロン；（Ｓｉ，Ａｌ）6（Ｏ，Ｎ）8：Ｅｕ2+）を用いてもよい。
【００５９】
また、上記実施例において、成長基板６１上に形成した半導体層構造層３７に溝を形成した後に半導体構造層３７と支持体２０とを接合することで支持体２０上にマトリクス状に発光素子３０を配置する場合を例に説明したが、発光素子３０の配置方法はこれに限られない。例えば、支持体２０上に事前に個片化した発光素子３０の各々をコレット等により搭載し、その後に波長変換層６０を設けることにしてもよい。また、この場合、第１の反射層５３及び第２の反射層５４の形成は、発光素子３０が支持体２０に搭載される前後のどちらにおいて行われてもよい。
【００６０】
また、上記実施例においては、第１の半導体層３１の表面３１Ｓに透光性を有する絶縁性保護膜５１を形成することとしたが、絶縁性保護膜５１を形成せずに、第１の半導体層３１上に第１の反射層５３を形成することとしてもよい。
【００６１】
上述した実施例における種々の数値、寸法、材料等は、例示に過ぎず、用途及び製造される発光装置に応じて、適宜選択することができる。
【符号の説明】
【００６２】
１０  発光装置
２０  支持体
２１  支持基板
２３  絶縁層
２５Ａ  ｐ配線電極
２５Ｂ  ｎ配線電極
２７  接続電極
３０  発光素子
３１  第１の半導体層
３３  発光層
３５  第２の半導体層
３７  半導体構造層
３９  ｐ電極
４１  キャップ層
４３  絶縁層
４５  ｎ電極
４７  ｐ給電電極
４９  ｎ給電電極
５１  絶縁性保護膜
５３  第１の反射層
５４  第２の反射層
５７  素子間領域
６０  波長変換層
６１  成長基板
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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