(57)【要約】【課題】圧力の検出精度を悪化させることなく基板間の接合強度を向上させ得るセンサチップおよびその製造方法並びに圧力センサを提供する。【解決手段】第１のシリコン基板５０の接合面５１と第２のシリコン基板６０の接合面６１とを共有結合させて接合することでダイアフラム５３および凹部６２により圧力基準室４１が形成される。そして、凹部６２を構成する壁面と接合面６１との境界となるエッジ部６４の凹部６２の内壁面側には、共有結合を阻害する結合防止膜６３が配置される。【選択図】図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
圧力媒体の圧力と密閉される圧力基準室（４１）の基準圧力との圧力差に基づくダイアフラム（５３）の変位に応じた信号を出力可能な圧力検出部（５４ａ〜５４ｄ）を備えるセンサチップ（４０）であって、
前記圧力検出部および前記ダイアフラムが形成される第１のシリコン基板（５０）と、凹部（６２）が形成される第２のシリコン基板（６０）とを備え、
前記圧力基準室は、前記第１のシリコン基板の接合面（５１）と前記第２のシリコン基板の接合面（６１）とを共有結合させて接合することで前記ダイアフラムおよび前記凹部により形成され、
前記凹部を構成する壁面のうち少なくとも前記接合面との境界（６４）に沿う部位には、共有結合を阻害する結合防止膜（６３）が配置されることを特徴とするセンサチップ。
【請求項２】
前記結合防止膜は、酸化膜であることを特徴とする請求項１に記載のセンサチップ。
【請求項３】
前記結合防止膜は、窒化膜であることを特徴とする請求項１に記載のセンサチップ。
【請求項４】
前記結合防止膜は、オルトケイ酸テトラエチル膜であることを特徴とする請求項１に記載のセンサチップ。
【請求項５】
圧力媒体の圧力と密閉される圧力基準室（４１）の基準圧力との圧力差に基づくダイアフラム（５３）の変位に応じた信号を出力可能な圧力検出部（５４ａ〜５４ｄ）を備えるセンサチップ（４０）の製造方法であって、
前記圧力検出部および前記ダイアフラムが形成される第１のシリコン基板（５０）を用意する第１工程と、
凹部（６２）が形成される第２のシリコン基板（６０）を用意する第２工程と、
前記第１のシリコン基板の接合面（５１）と前記第２のシリコン基板の接合面（６１）とを共有結合させて接合することで前記圧力基準室を形成する第３工程と、を備え、
前記第２工程では、前記凹部を構成する壁面のうち少なくとも前記接合面との境界（６４）に沿う部位に、共有結合を阻害する結合防止膜（６３）が配置されることを特徴とするセンサチップの製造方法。
【請求項６】
前記第２工程では、前記凹部を構成する壁面を酸化することで、前記結合防止膜として機能する酸化膜（６７）が前記接合面との境界に沿う部位に配置されることを特徴とする請求項５に記載のセンサチップの製造方法。
【請求項７】
前記第２工程では、前記凹部内に前記結合防止膜を構成するための材料を堆積させることで、前記結合防止膜が前記接合面との境界に沿う部位に配置されることを特徴とする請求項５に記載のセンサチップの製造方法。
【請求項８】
前記第２工程では、上方に向けた前記凹部内に前記結合防止膜を形成するための材料（６９）を滴下した状態で前記第２のシリコン基板を回転させることで、前記結合防止膜が前記接合面との境界に沿う部位に配置されることを特徴とする請求項５に記載のセンサチップの製造方法。
【請求項９】
請求項１〜４のいずれか一項に記載のセンサチップ又は請求項５〜８のいずれか一項に記載のセンサチップの製造方法にて製造されるセンサチップと、
前記圧力媒体を導入するための圧力導入通路（３２）が形成されて、前記ダイアフラムが前記圧力導入通路内に露出するように前記センサチップが組み付けられる筐体（２０，３０）と、
を備えることを特徴とする圧力センサ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、２つの基板を貼り合せてなるセンサチップおよびその製造方法並びに圧力センサに関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来、２つの基板を貼り合せてなるセンサチップに関する技術として、下記特許文献１に開示されるセンサチップが知られている。このセンサチップは、各歪みゲージがダイアフラムに形成される第１のシリコン基板と第２凹部が形成される第２のシリコン基板とを絶縁層を介して常温接合により貼り合せて構成されている。このセンサチップは、絶縁層を介した両基板の接合により構成される圧力基準室の圧力を基準にダイアフラムに作用する圧力媒体の圧力に応じた信号を出力するように機能する。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２０１０−１５１６１４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
ところで、２つのシリコン基板の接合面間の絶縁が不要な構成では、絶縁層を介すことなく接合面同士を直接共通結合して接合することで両シリコン基板間の接合強度を向上させることができる。しかし、本願発明者が上記の接合面間の共通結合について考察した結果、接合面同士を共通結合する構成では、接合強度が向上する一方で、その製造過程において接合面以外にも上記共通結合に起因する応力が残留応力として作用する可能性があることが判った。この残留応力のためにダイアフラム部分に歪が生じると、圧力の検出精度が悪化してしまうという問題が生じる。
【０００５】
本発明は、上述した課題を解決するためになされたものであり、その目的とするところは、圧力の検出精度を悪化させることなく基板間の接合強度を向上させ得るセンサチップおよびその製造方法並びに圧力センサを提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
上記目的を達成するため、特許請求の範囲の請求項１に記載の発明は、圧力媒体の圧力と密閉される圧力基準室（４１）の基準圧力との圧力差に基づくダイアフラム（５３）の変位に応じた信号を出力可能な圧力検出部（５４ａ〜５４ｄ）を備えるセンサチップ（４０）であって、前記圧力検出部および前記ダイアフラムが形成される第１のシリコン基板（５０）と、凹部（６２）が形成される第２のシリコン基板（６０）とを備え、前記圧力基準室は、前記第１のシリコン基板の接合面（５１）と前記第２のシリコン基板の接合面（６１）とを共有結合させて接合することで前記ダイアフラムおよび前記凹部により形成され、前記凹部を構成する壁面のうち少なくとも前記接合面との境界（６４）に沿う部位には、共有結合を阻害する結合防止膜（６３）が配置されることを特徴とする。
なお、特許請求の範囲および上記手段の括弧内の符号は、後述する実施形態に記載の具体的手段との対応関係を示すものである。
【発明の効果】
【０００７】
請求項１の発明では、第１のシリコン基板の接合面と第２のシリコン基板の接合面とを共有結合させて接合することでダイアフラムおよび凹部により圧力基準室が形成される。そして、凹部を構成する壁面のうち少なくとも接合面との境界に沿う部位には、共有結合を阻害する結合防止膜が配置される。
【０００８】
このように、第１のシリコン基板の接合面と第２のシリコン基板の接合面とを共有結合させて接合することで、両シリコン基板間の接合強度を向上させることができる。特に、凹部を構成する壁面のうち少なくとも接合面との境界に沿う部位には結合防止膜が配置されるため、接合面との境界に沿う凹部の壁面とダイアフラムのうち圧力基準室の壁面を構成する部位との間に共有結合による結合力が作用することもない。したがって、共有結合に起因する残留応力がダイアフラムに生じないため、圧力の検出精度を悪化させることなく基板間の接合強度を向上させることができる。
【図面の簡単な説明】
【０００９】
【図１】本実施形態に係る圧力センサの概略構成を示す断面図である。
【図２】図１に示すセンサチップを拡大して示す断面図である。
【図３】接合面側から見た第１のシリコン基板の上面図である。
【図４】センサチップの製造方法の工程の一部を示す説明図である。
【図５】センサチップの製造方法の工程の一部を示す説明図である。
【図６】センサチップの製造方法の工程の一部を示す説明図である。
【図７】センサチップの製造方法の工程の一部を示す説明図である。
【図８】エッジ部近傍にて共有結合時に作用する結合力を説明する説明図である。
【図９】スピンオンガラスを用いて結合防止膜を形成する工程を示す説明図である。
【発明を実施するための形態】
【００１０】
以下、本発明に係るセンサチップが組み付けられる圧力センサおよびその製造方法を具現化した一実施形態について、図面を参照して説明する。図１は、本実施形態に係る圧力センサ１０の概略構成を示す断面図である。
圧力センサ１０は、たとえば自動車に搭載され、燃料圧力、エンジンや駆動系の潤滑用オイル圧、あるいはエアコンの冷媒圧、さらには排気ガス圧等の圧力媒体の被測定圧力を検出する圧力センサ等に適用できる。
【００１１】
図１に示すように、圧力センサ１０は、主に、被測定圧力に応じた電気信号を出力するセンサチップ４０と、このセンサチップ４０が一端部側に設けられるコネクタケース２０と、センサチップ４０を覆うようにコネクタケース２０に取り付けられてセンサチップ４０に圧力を導入するための圧力導入通路３２が形成されるハウジング３０と、を備えている。すなわち、圧力センサ１０は、コネクタケース２０およびハウジング３０からなる筐体内にセンサチップ４０が組み付けられて構成される。
【００１２】
コネクタケース２０は、例えば、ＰＰＳ（ポリフェニレンサルファイド）やＰＢＴ（ポリブチレンテレフタレート）等の樹脂を型成形することにより略円柱状に形成されている。このコネクタケース２０のハウジング側端部２０ａの下端面中央にはハウジング側開口部２１が形成されている。このハウジング側開口部２１に設けられる凹部２１ａには、圧力検出素子としてのセンサチップ４０が配設されている。
【００１３】
また、コネクタケース２０には、センサチップ４０と外部の回路等とを電気的に接続するための複数個の金属製棒状のターミナル（コネクタピン）２２が設けられている。凹部２１ａに設けられるターミナル２２の一側端部は、センサチップ４０の外部電極と電気的に接続されており、それによって、センサチップ４０は、ターミナル２２を介して外部と電気的に接続可能になっている。当該ターミナル２２は、黄銅にＮｉメッキ、Ａｕメッキ等のメッキ処理を施した材料よりなり、インサート成形によりコネクタケース２０と一体に成形されている。
【００１４】
コネクタケース２０の反ハウジング側端部２０ｂには、反ハウジング側開口部２３が形成されており、この反ハウジング側開口部２３内にターミナル２２の他側端部が突出した形で露出している。このようにコネクタケース２０の反ハウジング側開口部２３に露出するターミナル２２の他側端部は、例えば、ワイヤハーネス等の図略の外部配線部材を介して外部回路（車両のＥＣＵ等）に電気的に接続されるようになっている。
【００１５】
ハウジング３０は、たとえばステンレス（ＳＵＳ）などの金属材料をプレスや切削加工などにより成形して構成されている。このハウジング３０には、コネクタケース側端部３０ａ（図１中の上方端部）に開口部３１が形成されるとともに、反コネクタケース側端部３０ｂ（図１中の下方端部）に外部から圧力媒体が導入される圧力導入通路３２が形成されている。
【００１６】
ハウジング３０の反コネクタケース側端部３０ｂの外面には、圧力センサ１０を自動車の適所、たとえば、エアコンの冷媒配管や自動車の燃料配管などの箇所に固定するためのネジ部３３が形成されている。
【００１７】
ハウジング３０は、その開口部３１にコネクタケース２０のハウジング側端部２０ａを挿入してコネクタケース側端部３０ａをハウジング側端部２０ａにかしめることで、コネクタケース２０のハウジング側開口部２１を覆うようにコネクタケース２０に組み付けられる。
【００１８】
コネクタケース２０のハウジング側開口部２１近傍には、環状の溝（Ｏリング溝）２４が形成され、この溝２４内には、コネクタケース２０とハウジング３０との間を気密に封止するためのＯリング２５が配設されている。このＯリング２５は、たとえばシリコンゴム等の弾性材料よりなる。
【００１９】
次に、センサチップ４０の構造について図２および図３を用いて詳細に説明する。図２は、図１に示すセンサチップ４０を拡大して示す断面図である。図３は、接合面５１側から見た第１のシリコン基板５０の上面図である。なお、図３では、二点鎖線にて接合時の第２のシリコン基板６０の凹部６２の内壁面を示す。
【００２０】
図２に示すように、センサチップ４０は、２つのシリコン基板（以下、第１のシリコン基板５０および第２のシリコン基板６０）と、第１のシリコン基板５０の接合面５１と第２のシリコン基板６０の接合面６１とを直接接合することで密閉されて形成される圧力基準室４１とを備えている。
【００２１】
第１のシリコン基板５０には、接合面５１の裏面側に凹部５２が形成されており、この凹部５２により構成される薄肉部がダイアフラム５３として機能する。また、第１のシリコン基板５０は、図３に示すように、４つの歪みゲージ５４ａ〜５４ｄと回路部５５とを備えている。各歪みゲージ５４ａ〜５４ｄは、ダイアフラム５３の変位に応じた信号を出力するため、ブリッジ回路を構成するようにダイアフラム５３上に配置されている。回路部５５は、各歪みゲージ５４ａ〜５４ｄから出力される信号に関する処理を実施するための公知の回路部であって、例えば、定電流源や作動アンプ、オフセット調整や温度補償、出力バッファなどの機能を有するように構成されている。なお、歪みゲージ５４ａ〜５４ｄは、特許請求の範囲に記載の「圧力検出部」の一例に相当する。
【００２２】
第２のシリコン基板６０には、接合面６１の内方に凹部６２が形成されており、この凹部６２の内面にはシリコンを熱酸化させることで形成される熱酸化膜が結合防止膜６３として配置されている。これにより、接合面６１と凹部６２の内壁面との境界を構成するシリコン部分のエッジ部６４では、その凹部６２の内壁面側に配置される結合防止膜６３が、接合面５１との共有結合を阻害するように機能する。また、第２のシリコン基板６０における接合面６１の裏面は、センサチップ４０をコネクタケース２０に取り付ける際の取付面６５として形成される。
【００２３】
そして、圧力基準室４１は、第１のシリコン基板５０の接合面５１と第２のシリコン基板６０の接合面６１とを後述するように共有結合させて直接接合することで、ダイアフラム５３および凹部６２により密閉された空間として形成される。
【００２４】
このように構成されるセンサチップ４０は、回路部５５の各外部電極（図示略）が対応するバンプ等を介してコネクタケース２０のターミナル２２の一側端部に電気的に接続されるとともに、各バンプ接合部および取付面６５が電気的に絶縁性を有した封止材であるアンダーフィル２６により封止されることにより、コネクタケース２０に取り付けられている。
【００２５】
これにより、センサチップ４０では、圧力導入通路３２を介して凹部５２内に導入される圧力媒体の被測定圧力と圧力基準室４１の基準圧力との圧力差に応じてダイアフラム５３が変位する。この変位が各歪みゲージ５４ａ〜５４ｄにより構成されるブリッジ回路の抵抗値変化として検出されて、このブリッジ回路の抵抗値変化に応じた圧力検出信号が回路部５５によりターミナル２２を介して出力される。
【００２６】
次に、圧力センサ１０の製造方法について、その一具体例を述べる。
ターミナル２２がインサート成形されたコネクタケース２０を用意する。次に、センサチップ４０の各外部電極を、コネクタケース２０のハウジング側開口部２１内のターミナル２２にバンプ等を介して電気的に接続する。そして、各バンプ接合部および取付面４０ａをアンダーフィル２６により封止する。なお、センサチップ４０の製造方法については、後述する。
【００２７】
続いて、ハウジング３０を用意し、Ｏリング２５を介してハウジング３０の開口部３１をコネクタケース２０のハウジング側端部２０ａに嵌合させる。次に、ハウジング３０のコネクタケース側端部３０ａをコネクタケース２０のハウジング側端部２０ａにかしめることにより、ハウジング３０とコネクタケース２０と一体化する。
【００２８】
こうして、コネクタケース２０とハウジング３０との組合せ固定がなされ、図１に示す圧力センサ１０が完成する。
【００２９】
次に、上述したセンサチップ４０を製造方法の工程を図４〜図７を用いて詳細に説明する。図４〜図７は、センサチップ４０の製造方法の工程を示す説明図である。
まず、第１のシリコン基板５０を製造する工程を、図４および図５を用いて説明する。なお、図４および図５では、回路部５５等の製造工程については便宜上省略する。
【００３０】
図４（Ａ）に例示するように、厚さが百μｍ〜数百μｍ、不純物濃度が１×１０１６〜１×１０１７ｃｍ−３のｎ型のシリコン基板５０ａを用意する。次に、図４（Ｂ）に例示するように、シリコン基板５０ａに対して凹部５２を形成する予定の部位を除く面にレジスト５６を露光等により塗布する。続いて、図４（Ｃ）に例示するように、エッチング液（ＨＦ，ＫＯＨ等）によるウェットエッチングを行い、所定の厚さ（例えば、数μｍ〜数十μｍ）のダイアフラム５３を構成するように、凹部５２を形成する。そして、図４（Ｄ）に例示するように、レジスト５６を除去する。
【００３１】
次に、図５（Ａ）に例示するように、シリコン基板５０ａの接合面５１となる面を酸素雰囲気炉等を用いて熱酸化（例えば、８５０℃・１０min）することで、所定の膜厚（〜１０ｎｍ）の熱酸化膜５７を形成する。続いて、図５（Ｂ）に例示するように、歪みゲージ５４ａ〜５４ｄ等を形成する予定の部位を除く熱酸化膜５７上にレジスト５８を露光等により塗布する。次に、図５（Ｃ）に例示するように、レジスト５８をマスクとしてシリコン基板５０ａにボロン等のｐ型不純物をイオン注入する。そして、レジスト５８を除去した後、図５（Ｄ）に例示するように、窒素雰囲気炉等を用いてアニール処理（例えば、１０００℃・３０min）を施すことで、熱酸化膜５９を形成するとともにｐ型不純物を活性化させて歪みゲージ５４ａ〜５４ｄ等を形成する。そして、熱酸化膜５９をエッチングにより除去することで接合面５１を後述する親水化処理を実施可能な状態にする。これにより、図５（Ｅ）に例示する第１のシリコン基板５０の製造が完了する。
【００３２】
次に、第２のシリコン基板６０を製造する工程を、図６および図７を用いて説明する。
図６（Ａ）に例示するように、厚さが百μｍ〜数百μｍ、不純物濃度が１×１０１６〜１×１０１７ｃｍ−３のｎ型のシリコン基板６０ａを用意する。次に、図６（Ｂ）に例示するように、シリコン基板６０ａに対して凹部６２を形成する予定の部位を除く面にレジスト６６を露光等により塗布する。続いて、図６（Ｃ）に例示するように、エッチング液（ＨＦ等）によるウェットエッチングを行い、所定の深さの凹部６２を形成する。そして、図６（Ｄ）に例示するように、レジスト６６を除去する。
【００３３】
次に、図７（Ａ）に例示するように、シリコン基板６０ａの表面を酸素雰囲気炉等を用いて熱酸化（例えば、８５０℃・１０min）することで、所定の膜厚（〜１０ｎｍ）の熱酸化膜６７を形成する。続いて、図７（Ｂ）に例示するように、凹部６２上にレジスト６８を露光等により塗布する。次に、図７（Ｃ）に例示するように、接合面６１上に熱酸化膜６７がわずかに残るように、エッチング液（ＨＦ等）によるウェットエッチングを行う。続いて、レジスト６８を除去した後に接合面６１上の熱酸化膜６７を除去して接合面６１を後述する親水化処理を実施可能な状態にするため、希フッ酸（１０％ＨＦ＋純水）等のエッチング液による低レートのウェットエッチングを行う。これにより、図７（Ｄ）に例示するように、凹部６２の内面に配置される所定の厚みの熱酸化膜６７が結合防止膜６３として形成されて、第２のシリコン基板６０の製造が完了する。
【００３４】
上述のように製造した第１のシリコン基板５０の接合面５１および第２のシリコン基板６０の接合面６１に対してフッ酸（ＨＦまたは希ＨＦ）中にて親水化処理を行う。これにより、接合面５１および接合面６１のダングリングボンド終端にＯＨ基が結合される。そして、接合面５１および接合面６１を直接接触させた後に、所定の設定基準圧力での窒素雰囲気炉等を用いて熱処理（８００℃〜１１００℃・１Ｈｒ）することで、接合面５１および接合面６１が全面にて共有結合（Ｓｉ−Ｓｉ直接接合）される。これにより、図２に示すように、ダイアフラム５３および凹部６２により密閉された圧力基準室４１を有するセンサチップ４０が完成する。
【００３５】
以上説明したように、本実施形態に係るセンサチップ４０では、第１のシリコン基板５０の接合面５１と第２のシリコン基板６０の接合面６１とを共有結合させて接合することでダイアフラム５３および凹部６２により圧力基準室４１が形成される。そして、凹部６２を構成する壁面と接合面６１との境界となるエッジ部６４の凹部６２の内壁面側には、共有結合を阻害する結合防止膜６３が配置される。
【００３６】
図８は、エッジ部６４近傍にて共有結合時に作用する結合力Ｆを説明する説明図であり、図８（Ａ）は、エッジ部６４の凹部６２の内壁面側に結合防止膜６３が配置される状態を示し、図８（Ｂ）は、エッジ部６４の凹部６２の内壁面側に結合防止膜６３が配置されない状態を示す。
上述のように、第１のシリコン基板５０の接合面５１と第２のシリコン基板６０の接合面６１とを共有結合させて接合することで、両シリコン基板間の接合強度を向上させることができる。特に、エッジ部６４の凹部６２の内壁面側には結合防止膜６３が配置されるため、図８（Ａ）に示すように、エッジ部６４の凹部６２の内壁面側とダイアフラム５３のうち圧力基準室４１の壁面を構成する部位との間には、図８（Ｂ）に示すような共有結合に起因して離れた面同士を引き付ける結合力Ｆが作用することもない。したがって、共有結合に起因する残留応力がダイアフラム５３に生じないため、圧力の検出精度を悪化させることなく基板間の接合強度を向上させることができる。
【００３７】
なお、図８（Ｂ）に示すように結合防止膜６３を配置することなく接合面５１および接合面６１を共有結合させて接合すると、その際にエッジ部６４近傍にて生じる結合力Ｆによっては、歪の発生やクラックによるシリコンの欠けおよびその欠けの飛散等によりセンサ機能が消失または低下してしまう恐れがあるが、本発明では、このような問題も解消することができる。
【００３８】
図９は、スピンオンガラス６９を用いて結合防止膜６３を形成する工程を示す説明図である。
上記実施形態の変形例として、結合防止膜６３は、凹部６２の内面のシリコンを熱酸化させることで形成される熱酸化膜により形成されることに限らず、他の部材、例えば、スピンオンガラス（ＳＯＧ）６９を用いて結合防止膜６３を形成してもよい。具体的には、図９に例示するように、ウエハ状態での各凹部６２内に液量調整した液状のスピンオンガラス６９を滴下した後でウエハ７０を回転させることで、エッジ部６４の凹部６２の内壁面側にスピンオンガラス６９を残留させて熱処理・乾燥工程を実施する。これにより、エッジ部６４の凹部６２の内壁面側に残留したスピンオンガラス６９により結合防止膜６３を形成することができる。
【００３９】
この結合防止膜６３の形成方法では、シリコン基板６０ａの取付面６５に相当する面に熱酸化膜６７が形成されることもないので、製造工程の簡素化を図ることができる。また、結合防止膜６３により覆われる凹部６２の面積が小さくなるため、圧力基準室４１部分の残留応力をより小さくすることができる。さらに、スピンオンガラス６９の塗布条件によってはレジスト６８の塗布工程を省略することができる。例えば、スピンオンガラス６９の不要部分をエッチング液（ＨＦ等）による全面ライトエッチングにより除去することもできる。
【００４０】
また、結合防止膜６３は、凹部６２内に、プラズマ酸化膜（酸化シリコン）、プラズマ窒化膜（窒化シリコン）、ＴＥＯＳ（オルトケイ酸テトラエチル）を所定の厚さ堆積させることで形成されてもよい。この場合には、熱酸化膜６７を形成する場合よりも低温度で結合防止膜６３を形成することができ、圧力基準室４１部分の残留応力をより小さくすることができることから、センサ高精度化や構造強靭化等を図ることができる。また、シリコン基板６０ａの取付面６５に相当する面に堆積することもないので、不要な堆積部分の除去条件がより広く選択でき、製造工程の簡素化を図ることができる。
【００４１】
また、結合防止膜６３は、凹部６２の全内面を覆うように配置されることに限らず、少なくともエッジ部６４の凹部６２の内壁面側に配置されてもよい。
【００４２】
なお、本発明は上記実施形態および変形例に限定されるものではなく、例えば、以下のように具体化してもよい。
（１）センサチップ４０は、コネクタケース２０およびハウジング３０からなる筐体内に組み付けられることで圧力センサ１０を構成することに限らず、圧力導入通路が形成される他の筐体に対してダイアフラム５３が上記圧力導入通路内に露出するように組み付けられることで圧力センサを構成してもよい。また、圧力媒体によっては、センサチップ４０自体を圧力センサとして用いることもできる。
【００４３】
（２）第１のシリコン基板５０の接合面５１および第２のシリコン基板６０の接合面６１の共有結合によるＳｉ−Ｓｉ直接接合は、上述のような親水化処理を経た熱処理（窒素雰囲気中にて８００℃〜１１００℃・１Ｈｒ）を行うことでなされることに限らず、共有結合可能な表面処理がなされた状態で熱処理等を行うことでなされてもよい。
【００４４】
（３）上述したウェットエッチングに代えて、他の除去工程、例えば、エッチングガス（ＣＦ４等）をプラズマ化させたドライエッチング等を採用してもよい。
【符号の説明】
【００４５】
１０…圧力センサ
４０…センサチップ
４１…圧力基準室
５０…第１のシリコン基板
５１…接合面
５３…ダイアフラム
５４ａ〜５４ｄ…歪みゲージ（圧力検出部）
６０…第２のシリコン基板
６１…接合面
６２…凹部
６３…結合防止膜
６４…エッジ部（境界）
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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