(57)【要約】      （修正有）【課題】先ダイシング法によって個々の半導体デバイスに分割された半導体ウエーハの裏面に装着したダイボンディング用の接着フィルムを、分割された半導体デバイスに沿って破断する際に微細に破砕された接着フィルムが半導体デバイスの表面に直接付着するのを防止できる加工方法の提供。【解決手段】ウエーハ２の表面側から分割予定ラインに沿ってデバイス２２の仕上がり厚さに相当する深さの分割溝を形成工程と、表面に水溶性樹脂を被覆して保護膜４００を形成する工程と、保護膜の表面に保護部材を貼着する工程と、裏面を研削して裏面に分割溝を表出させ、ウエーハを個々のデバイスに分割する工程と、裏面に接着フィルム７を装着するとともにダイシングテープＴを貼着し、表面に貼着された保護部材を剥離するウエーハ支持工程と、ダイシングテープを拡張して接着フィルムを個々のデバイスに沿って破断する工程と、洗浄水で保護膜を洗い流す工程とを含む。【選択図】図１０
2015233077.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
表面に複数の分割予定ラインが格子状に形成されているとともに該複数の分割予定ラインによって区画された複数の領域にデバイスが形成されたウエーハを、分割予定ラインに沿って個々のデバイスに分割するとともに、各デバイスの裏面にダイボンディング用の接着フィルムを装着するウエーハの加工方法であって、
ウエーハの表面側から分割予定ラインに沿ってデバイスの仕上がり厚さに相当する深さの分割溝を形成する分割溝形成工程と、
該分割溝形成工程が実施されたウエーハの表面に水溶性樹脂を被覆して保護膜を形成する保護膜形成工程と、
該保護膜形成工程が実施されウエーハの表面に被覆された保護膜の表面に保護部材を貼着する保護部材貼着工程と、
該保護部材貼着工程が実施されたウエーハの裏面を研削して裏面に該分割溝を表出させ、ウエーハを個々のデバイスに分割する裏面研削工程と、
該裏面研削工程が実施されたウエーハの裏面に接着フィルムを装着するとともに接着フィルム側にダイシングテープを貼着しダイシングテープの外周部を環状のフレームによって支持し、ウエーハの表面に貼着された保護部材を剥離するウエーハ支持工程と、
ダイシングテープを拡張して接着フィルムを個々のデバイスに沿って破断する接着フィルム破断工程と、
ウエーハの表面に被覆された保護膜に洗浄水を供給して保護膜を洗い流す保護膜洗浄工程と、を含む、
ことを特徴とするウエーハの加工方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、表面に格子状に形成されたストリートによって区画された複数の領域にデバイスが形成されたウエーハをストリートに沿って個々のデバイスに分割するとともに、各デバイスの裏面にダイボンディング用の接着フィルムを装着するウエーハの加工方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
例えば、半導体デバイス製造工程においては、略円板形状である半導体ウエーハの表面に格子状に形成された分割予定ラインによって区画された複数の領域にＩＣ、ＬＳＩ等のデバイスを形成し、該デバイスが形成された各領域をストリートに沿って分割することにより個々の半導体デバイスを製造している。半導体ウエーハを分割する分割装置としては一般にダイシング装置が用いられており、このダイシング装置は厚さが２０〜３０μｍ程度の切削ブレードによって半導体ウエーハをストリートに沿って切削する。このようにして分割された半導体デバイスは、パッケージングされて携帯電話やパソコン等の電気機器に広く利用されている。
【０００３】
半導体ウエーハを個々のデバイスに分割する方法として、所謂先ダイシング法と呼ばれる分割技術が実用化されている。この先ダイシング法は、半導体ウエーハの表面からストリートに沿って所定の深さ（半導体デバイスの仕上がり厚さに相当する深さ）の切削溝を形成し、その後、表面に切削溝が形成された半導体ウエーハの裏面を研削して該裏面に切削溝を表出させ個々の半導体デバイスに分割する技術であり、半導体デバイスの厚さを５０μｍ以下に加工することが可能である。（例えば、特許文献１参照）。
【０００４】
個々に分割された半導体デバイスは、その裏面にポリイミド系樹脂、エポキシ系樹脂、アクリル系樹脂脂等で形成された厚さ２０〜４０μｍのダイアタッチフィルム(DAF)と呼ばれる ダイボンディング用の接着フィルムが装着され、この接着フィルムを介して半導体デバイスを支持するダイボンディングフレームに加熱溶着することによりボンディングされる。
【０００５】
しかるに、ダイボンディング用の接着フィルムを半導体ウエーハの裏面に装着した状態で上述した所謂先ダイシング法によって半導体デバイスとともに分割することはできないことから、所謂先ダイシング法によって個々の半導体デバイスに分割された半導体ウエーハの裏面にダイボンディング用の接着フィルムを装着するとともに、接着フィルム側をダイシングテープに貼着し、該ダイシングテープを拡張することにより接着フィルムを個々に分割された半導体デバイスに沿って破断する技術が提案されている（例えば、特許文献２参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開２００３−７６４８号公報
【特許文献２】特開２００８−２３５６５０号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
而して、個々のデバイスに分割されたウエーハの裏面に接着フィルムを装着するとともにダイシングテープを貼着し、該ダイシングテープを拡張することにより接着フィルムを個々のデバイスに沿って破断すると、接着フィルムはウエーハよりも僅かに大きく形成されているため接着フィルムの外周部が微細に破砕して飛散し、デバイスの表面に付着するという問題がある。
微細に破砕された接着フィルムが半導体デバイスの表面に露出された電極に付着すると、ワイヤーボンディングの妨げになり、導通不良を起こしてデバイスの品質を低下させるという問題がある。
【０００８】
本発明は上記事実に鑑みてなされたものであり、その主たる技術課題は、所謂先ダイシング法によって個々の半導体デバイスに分割された半導体ウエーハの裏面に装着したダイボンディング用の接着フィルムを個々に分割された半導体デバイスに沿って破断するとともに、破断する際に微細に破砕された接着フィルムが半導体デバイスの表面に直接付着するのを防止できるウエーハの加工方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
上記主たる技術課題を解決するため、本発明によれば、表面に複数の分割予定ラインが格子状に形成されているとともに該複数の分割予定ラインによって区画された複数の領域にデバイスが形成されたウエーハを、分割予定ラインに沿って個々のデバイスに分割するとともに、各デバイスの裏面にダイボンディング用の接着フィルムを装着するウエーハの加工方法であって、
ウエーハの表面側から分割予定ラインに沿ってデバイスの仕上がり厚さに相当する深さの分割溝を形成する分割溝形成工程と、
該分割溝形成工程が実施されたウエーハの表面に水溶性樹脂を被覆して保護膜を形成する保護膜形成工程と、
該保護膜形成工程が実施されウエーハの表面に被覆された保護膜の表面に保護部材を貼着する保護部材貼着工程と、
該保護部材貼着工程が実施されたウエーハの裏面を研削して裏面に該分割溝を表出させ、ウエーハを個々のデバイスに分割する裏面研削工程と、
該裏面研削工程が実施されたウエーハの裏面に接着フィルムを装着するとともに接着フィルム側にダイシングテープを貼着しダイシングテープの外周部を環状のフレームによって支持し、ウエーハの表面に貼着された保護部材を剥離するウエーハ支持工程と、
ダイシングテープを拡張して接着フィルムを個々のデバイスに沿って破断する接着フィルム破断工程と、
ウエーハの表面に被覆された保護膜に洗浄水を供給して保護膜を洗い流す保護膜洗浄工程と、を含む、
ことを特徴とするウエーハの加工方法が提供される。
【発明の効果】
【００１０】
本発明におけるウエーハの加工方法は、ウエーハの表面側から分割予定ラインに沿ってデバイスの仕上がり厚さに相当する深さの分割溝を形成する分割溝形成工程と、分割溝形成工程が実施されたウエーハの表面に水溶性樹脂を被覆して保護膜を形成する保護膜形成工程と、保護膜形成工程が実施されウエーハの表面に被覆された保護膜の表面に保護部材を貼着する保護部材貼着工程と、保護部材貼着工程が実施されたウエーハの裏面を研削して裏面に分割溝を表出させ、ウエーハを個々のデバイスに分割する裏面研削工程と、裏面研削工程が実施されたウエーハの裏面に接着フィルムを装着するとともに接着フィルム側にダイシングテープを貼着しダイシングテープの外周部を環状のフレームによって支持し、ウエーハの表面に貼着された保護部材を剥離するウエーハ支持工程と、ダイシングテープを拡張して接着フィルムを個々のデバイスに沿って破断する接着フィルム破断工程と、ウエーハの表面に被覆された保護膜に洗浄水を供給して保護膜を洗い流す保護膜洗浄工程とを含んでいるので、接着フィルム破断工程においてウエーハの外周縁からはみ出している接着フィルムの外周部の一部が破砕して飛散し、デバイスの表面側に落下するが、デバイスの表面には保護膜が被覆されているので、破砕された接着フィルムの外周部の一部はデバイスの表面に被覆された保護膜の表面に付着し、破砕された接着フィルムの外周部の一部がデバイスの表面に直接付着することはない。従って、デバイスの表面に被覆された保護膜を洗浄水を供給して洗い流すことにより、付着した接着フィルムの外周部の一部も除去されるのでデバイスの品質を低下させることはない。
また、上記保護膜形成工程においてウエーハの表面に保護膜を形成する際には水溶性樹脂が分割溝に埋設されるので、裏面研削工程を実施する際にはデバイスの動きが規制されデバイスに欠けが生じないとともに、研削屑が混入した研削水の侵入が妨げられデバイスの表面が汚染されない。
【図面の簡単な説明】
【００１１】
【図１】本発明によるウエーハの加工方法によって分割されるウエーハとしての半導体ウエーハの斜視図。
【図２】本発明によるウエーハの加工方法における分割溝形成工程を示す説明図。
【図３】本発明によるウエーハの加工方法における保護膜形成工程を示す説明図。
【図４】本発明によるウエーハの加工方法における保護部材貼着工程を示す説明図。
【図５】本発明によるウエーハの加工方法における裏面研削工程を示す説明図。
【図６】本発明によるウエーハの加工方法におけるウエーハ支持工程の第１の実施形態を示す説明図。
【図７】本発明によるウエーハの加工方法におけるウエーハ支持工程の第２の実施形態を示す説明図。
【図８】本発明によるウエーハの加工方法における接着フィルム破断工程を実施するためのテープ拡張装置の斜視図。
【図９】本発明によるウエーハの加工方法における接着フィルム破断工程を示す説明図。
【図１０】本発明によるウエーハの加工方法における保護膜洗浄工程を示す説明図。
【発明を実施するための形態】
【００１２】
以下、本発明によるウエーハの加工方法の好適な実施形態について、添付図面を参照して詳細に説明する。
【００１３】
図１には、ウエーハとしての半導体ウエーハの斜視図が示されている。図１に示す半導体ウエーハ２は、例えば厚さが５００μmのシリコンウエーハからなっており、表面２ａには複数の分割予定ライン２１が格子状に形成されている。そして、半導体ウエーハ２の表面２aには、格子状に形成された複数の分割予定ライン２１によって区画された複数の領域にＩＣ、ＬＳＩ等のデバイス２２が形成されている。以下、この半導体ウエーハ２を分割予定ライン２１に沿って個々のデバイス２２に分割するとともに、各デバイス２２の裏面にダイボンディング用の接着フィルムを装着するウエーハの加工方法について説明する。
【００１４】
先ず、半導体ウエーハ２を所謂先ダイシング法によって個々のデバイス２２に分割する方法について説明する。
半導体ウエーハ２を所謂先ダイシング法によって個々のデバイス２２に分割するには、先ず半導体ウエーハ２の表面２ａに形成された分割予定ライン２１に沿って所定深さ（各デバイスの仕上がり厚さに相当する深さ）の分割溝を形成する（分割溝形成工程）。この分割溝形成工程は、図示の実施形態においては図２の(ａ)に示す切削装置３を用いて実施する。図２の(ａ)に示す切削装置３は、被加工物を保持するチャックテーブル３１と、該チャックテーブル３１に保持された被加工物を切削する切削手段３２と、該チャックテーブル３１に保持された被加工物を撮像する撮像手段３３を具備している。チャックテーブル３１は、被加工物を吸引保持するように構成されており、図示しない切削送り機構によって図２の(ａ)において矢印Ｘで示す切削送り方向に移動せしめられるとともに、図示しない割り出し送り機構によって矢印Ｙで示す割り出し送り方向に移動せしめられるようになっている。
【００１５】
上記切削手段３２は、実質上水平に配置されたスピンドルハウジング３２１と、該スピンドルハウジング３２１に回転自在に支持された回転スピンドル３２２と、該回転スピンドル３２２の先端部に装着された切削ブレード３２３を含んでおり、回転スピンドル３２２がスピンドルハウジング３２１内に配設された図示しないサーボモータによって矢印３２２aで示す方向に回転せしめられるようになっている。なお、切削ブレード３２３の厚みは、図示の実施形態においては３０μｍに設定されている。上記撮像手段３３は、スピンドルハウジング３２１の先端部に装着されており、被加工物を照明する照明手段と、該照明手段によって照明された領域を捕らえる光学系と、該光学系によって捕らえられた像を撮像する撮像素子（ＣＣＤ）等を備え、撮像した画像信号を図示しない制御手段に送る。
【００１６】
上述した切削装置３を用いて分割溝形成工程を実施するには、図２の(ａ)に示すようにチャックテーブル３１上に半導体ウエーハ２の裏面２b側を載置し、図示しない吸引手段を作動することにより半導体ウエーハ２をチャックテーブル３１上に保持する。従って、チャックテーブル３１に保持された半導体ウエーハ２は、表面２ａが上側となる。このようにして、半導体ウエーハ２を吸引保持したチャックテーブル３１は、図示しない切削送り機構によって撮像手段３３の直下に位置付けられる。
【００１７】
チャックテーブル３１が撮像手段３３の直下に位置付けられると、撮像手段３３および図示しない制御手段によって半導体ウエーハ２の分割予定ライン２１に沿って分割溝を形成すべき切削領域を検出するアライメント作業を実行する。即ち、撮像手段３３および図示しない制御手段は、半導体ウエーハ２の所定方向に形成されている分割予定ライン２１と、切削ブレード３２３との位置合わせを行うためのパターンマッチング等の画像処理を実行し、切削領域のアライメントを遂行する（アライメント工程）。また、半導体ウエーハ２に形成されている上記所定方向に対して直角に延びる分割予定ライン２１に対しても、同様に切削領域のアライメントが遂行される。
【００１８】
以上のようにしてチャックテーブル３１上に保持されている半導体ウエーハ２の切削領域を検出するアライメントが行われたならば、半導体ウエーハ２を保持したチャックテーブル３１を切削領域の切削開始位置に移動する。そして、切削ブレード３２３を図２の(ａ)において矢印３２２aで示す方向に回転しつつ下方に移動して切り込み送りを実施する。この切り込み送り位置は、切削ブレード３２３の外周縁が半導体ウエーハ２の表面からデバイスの仕上がり厚さに相当する深さ位置（例えば、５０μｍ）に設定されている。このようにして、切削ブレード３２３の切り込み送りを実施したならば、切削ブレード３２３を回転しつつチャックテーブル３１を図２の(ａ)において矢印Ｘで示す方向に切削送りすることによって、図２の（ｂ）に示すように分割予定ライン２１に沿って幅が３０μｍでデバイスの仕上がり厚さに相当する深さ（例えば、５０μｍ）の分割溝２１０が形成される（分割溝形成工程）。
【００１９】
上述した分割溝形成工程を実施したならば、半導体ウエーハ２の表面２aに水溶性樹脂を被覆して保護膜を形成する保護膜形成工程を実施する。この保護膜形成工程は、図３の(a)および(b)に示す保護膜形成装置４を用いて実施する。図３の(a)および(b)に示す保護膜形成装置４は、ウエーハを保持するスピンナーテーブル４１と、該スピンナーテーブル４１の回転中心における上方に配置された樹脂液供給ノズル４２を具備している。このように構成された保護膜形成装置４のスピンナーテーブル４１上に上述した分割溝形成工程が実施された半導体ウエーハ２の裏面２b側を載置する。そして、図示しない吸引手段を作動し、スピンナーテーブル４１上に半導体ウエーハ２を吸引保持する。従って、スピンナーテーブル４１上に保持された半導体ウエーハ２は、表面２ａが上側となる。このようにして、スピンナーテーブル４１上に半導体ウエーハ２を保持したならば、図３の(a)に示すようにスピンナーテーブル４１を矢印で示す方向に所定の回転速度（例えば３００〜１０００rpm）で回転しつつ、スピンナーテーブル４１の上方に配置された樹脂液供給ノズル４２から半導体ウエーハ２の表面２ａの中央領域に所定量の液状の水溶性樹脂４０を滴下する。そして、スピンナーテーブル４１を６０秒間程度回転することにより、図３の(b) および(c)に示すように半導体ウエーハ２の表面２ａに保護膜４００が形成される。この保護膜４００が形成される際には、液状の水溶性樹脂４０が分割溝２１０に埋設される。このようにして半導体ウエーハ２の表面２ａに被覆する保護膜４００の厚さは、上記液状の水溶性樹脂４０の滴下量によって決まるが、５０μm程度でよい。なお、水溶性樹脂４０としては、ポリビニールアルコール(PVA)、水溶性フェノール樹脂、アクリル系水溶性樹脂等を用いることができる。
【００２０】
上述した保護膜形成工程を実施することによって半導体ウエーハ２の表面２ａに被覆された保護膜４００が乾燥され固化したならば、保護膜４００の表面４００aに保護部材を貼着する保護部材貼着工程を実施する。即ち、図４に示すように半導体ウエーハ２の表面に被覆された保護膜４００の表面４００aに保護部材としての保護テープ５を貼着する。なお、保護テープ５は、図示の実施形態においては厚さが１００μｍのポリ塩化ビニル（ＰＶＣ）からなるシート状基材の表面にアクリル樹脂系の糊が厚さ５μｍ程度塗布されている。
【００２１】
上記保護部材貼着工程を実施したならば、半導体ウエーハ２の裏面を研削水を供給しつつ研削して所定の厚みに形成するとともに裏面に分割溝を表出させ、半導体ウエーハ２を個々のデバイスに分割する裏面研削工程を実施する。この裏面研削工程は、図５の(a)に示す研削装置６を用いて実施する。図５の(a)に示す研削装置６は、被加工物を保持する保持手段としてのチャックテーブル６１と、該チャックテーブル６１に保持された被加工物を研削する研削手段６２を具備している。チャックテーブル６１は、上面に被加工物を吸引保持するように構成されており、図示しない回転駆動機構によって図５の(a)において矢印Aで示す方向に回転せしめられる。研削手段６２は、スピンドルハウジング６３１と、該スピンドルハウジング６３１に回転自在に支持され図示しない回転駆動機構によって回転せしめられる回転スピンドル６３２と、該回転スピンドル６３２の下端に装着されたマウンター６３３と、該マウンター６３３の下面に取り付けられた研削ホイール６３４とを具備している。この研削ホイール６３４は、円環状の基台６３５と、該基台６３５の下面に環状に装着された研削砥石６３６とからなっており、基台６３５がマウンター６３３の下面に締結ボルト６３７によって取り付けられている。なお、上述した研削装置６を構成する回転スピンドル６３２には軸心に沿って形成された研削水供給通路が設けられており、該研削水供給通路を通して研削水を研削砥石６３６による研削領域に供給するようになっている。
【００２２】
上述した研削装置６を用いて上記ウエーハ分割工程を実施するには、図５の(a)に示すようにチャックテーブル６１の上面（保持面）に半導体ウエーハ２の表面に貼着されている保護テープ５側を載置する。そして、図示しない吸引手段によってチャックテーブル６１上に半導体ウエーハ２を保護テープ５を介して吸着保持する（ウエーハ保持工程）。従って、チャックテーブル６１上に保持された半導体ウエーハ２は、裏面２bが上側となる。このようにチャックテーブル６１上に半導体ウエーハ２を保護テープ５を介して吸引保持したならば、チャックテーブル６１を図５の(a)において矢印Aで示す方向に例えば３００ｒｐｍで回転しつつ、研削手段６２の研削ホイール６３４を図５の(a)において矢印Bで示す方向に例えば６０００ｒｐｍで回転せしめて、図５の(b)に示すように研削砥石６３６を被加工面である半導体ウエーハ２の裏面２bに接触せしめ、研削ホイール６３４を矢印Cで示すように例えば１μm／秒の研削送り速度で下方（チャックテーブル６１の保持面に対し垂直な方向）に所定量研削送りする。そして、分割溝２１０が表出するまで研削することによって、図５の(b)および(c)に示すように半導体ウエーハ２は個々のデバイス２２に分割される。なお、分割された複数のデバイス２２は、その表面に保護テープ5が貼着されているので、バラバラにはならず半導体ウエーハ２の形態が維持されている。なお、上記保護膜形成工程において半導体ウエーハ２の表面２ａに保護膜４００を形成する際には液状の水溶性樹脂４０が分割溝２１０に埋設されるので、ウエーハ分割工程を実施する際にはデバイス２２の動きが規制されデバイス２２に欠けが生じないとともに、研削屑が混入した研削水の侵入が妨げられデバイス２２の表面が汚染されない。
【００２３】
次に、上記ウエーハ分割工程が実施された半導体ウエーハ２の裏面に接着フィルムを装着するとともに接着フィルム側にダイシングテープを貼着し該ダイシングテープの外周部を環状のフレームによって支持するウエーハ支持工程を実施する。このウエーハ支持工程における実施形態においては、図６の（ａ）および（ｂ）に示すように半導体ウエーハ２の裏面２ｂに接着フィルム７を装着する（接着フィルム装着工程）。なお、接着フィルム７は、半導体ウエーハ２の裏面全面に確実に装着するために、半導体ウエーハ２より僅かに大きく形成されている。このようにして半導体ウエーハ２の裏面２ｂに接着フィルム７を装着したならば、図６の（ｃ）に示すように接着フィルム７が装着された半導体ウエーハ２の接着フィルム７側を環状のフレームFに装着された伸張可能なダイシングテープTに貼着する。そして、半導体ウエーハ２の表面２ａに被覆された保護膜４００の表面に貼着されている保護テープ５を剥離する（保護部材剥離工程）。なお、図６の（ａ）乃至（c）に示す実施形態においては、環状のフレームFに装着されたダイシングテープTに接着フィルム７が装着された半導体ウエーハ２の接着フィルム７側を貼着する例を示したが、接着フィルム７が装着された半導体ウエーハ２の接着フィルム７側にダイシングテープTを貼着するとともにダイシングテープTの外周部を環状のフレームFに同時に装着してもよい。
【００２４】
上述したウエーハ支持工程の他の実施形態について、図７を参照して説明する。
図７に示す実施形態は、ダイシングテープTの表面に予め接着フィルム７が貼着された接着フィルム付きのダイシングテープを使用する。即ち、図７の（ａ）、（ｂ）に示すように環状のフレームFの内側開口部を覆うように外周部が装着されたダイシングテープTの表面に貼着された接着フィルム７に、半導体ウエーハ２の裏面２ｂを装着する。このように接着フィルム付きのダイシングテープを使用する場合には、ダイシングテープTの表面に貼着された接着フィルム７に半導体ウエーハ２の裏面２ｂを装着することにより、接着フィルム７が装着された半導体ウエーハ２が環状のフレームFに装着されたダイシングテープTによって支持される。なお、ダイシングテープTの表面に予め貼着されている接着フィルム７も、半導体ウエーハ２の裏面全面に確実に装着するために、半導体ウエーハ２より僅かに大きく形成されている。そして、図７の（ｂ）に示すように半導体ウエーハ２の表面２ａに被覆された保護膜４００の表面に貼着されている保護テープ５を剥離する（保護部材剥離工程）。なお、図７の（ａ）、（ｂ）に示す実施形態においては、環状のフレームFに外周部が装着されたダイシングテープTの表面に貼着された接着フィルム７に半導体ウエーハ２の裏面２ｂを装着する例を示したが、半導体ウエーハ２の裏面２ｂにダイシングテープTに貼着された接着フィルム７を装着するとともにダイシングテープTの外周部を環状のフレームFに同時に装着してもよい。
【００２５】
以上のようにしてウエーハ支持工程を実施したならば、ダイシングテープTを拡張することにより接着フィルム７を個々のデバイス２２に沿って破断する接着フィルム破断工程を実施する。この接着フィルム破断工程は、図８に示すテープ拡張装置８を用いて実施する。図８に示すテープ拡張装置８は、上記環状のフレームFを保持するフレーム保持手段８１と、該フレーム保持手段８１に保持された環状のフレームFに装着されたダイシングテープTを拡張するテープ拡張手段８２を具備している。フレーム保持手段８１は、環状のフレーム保持部材８１１と、該フレーム保持部材８１１の外周に配設された固定手段としての複数のクランプ８１２とからなっている。フレーム保持部材８１１の上面は環状のフレームFを載置する載置面８１１ａを形成しており、この載置面８１１ａ上に環状のフレームFが載置される。そして、載置面８１１ａ上に載置された環状のフレームFは、クランプ８１２によってフレーム保持部材８１１に固定される。このように構成されたフレーム保持手段８１は、テープ拡張手段８２によって上下方向に進退可能に支持されている。
【００２６】
テープ拡張手段８２は、上記環状のフレーム保持部材８１１の内側に配設される拡張ドラム８２１を具備している。この拡張ドラム８２１は、環状のフレームFの内径より小さく該環状のフレームFに装着されたダイシングテープTに貼着される半導体ウエーハ２の外径より大きい内径および外径を有している。また、拡張ドラム８２１は、下端に支持フランジ８２２を備えている。図示の実施形態におけるテープ拡張手段８２は、上記環状のフレーム保持部材８１１を上下方向に進退可能な支持手段８２３を具備している。この支持手段８２３は、上記支持フランジ８２２上に配設された複数のエアシリンダ８２３aからなっており、そのピストンロッド８２３bが上記環状のフレーム保持部材８１１の下面に連結される。このように複数のエアシリンダ８２３aからなる支持手段８２３は、図９の（ａ）に示すように環状のフレーム保持部材８１１を載置面８１１ａが拡張ドラム８２１の上端と略同一高さとなる基準位置と、図９の（ｂ）に示すように拡張ドラム８２１の上端より所定量下方の拡張位置の間を上下方向に移動せしめる。
【００２７】
以上のように構成されたテープ拡張装置８を用いて実施する接着フィルム破断工程について図９を参照して説明する。即ち、半導体ウエーハ２が貼着されているダイシングテープTが装着された環状のフレームFを、図９の（ａ）に示すようにフレーム保持手段８１を構成するフレーム保持部材８１１の載置面８１１ａ上に載置し、クランプ８１２によってフレーム保持部材８１１に固定する（フレーム保持工程）。このとき、フレーム保持部材８１１は図９の（ａ）に示す基準位置に位置付けられている。次に、テープ拡張手段８２を構成する支持手段８２３としての複数のエアシリンダ８２３ａを作動して、環状のフレーム保持部材８１１を図９の（ｂ）に示す拡張位置に下降せしめる。従って、フレーム保持部材８１１の載置面９１１ａ上に固定されている環状のフレームFも下降するため、図９の（ｂ）に示すように環状のフレームFに装着されたダイシングテープTは拡張ドラム８２１の上端縁に接して拡張せしめられる（テープ拡張工程）。従って、ダイシングテープTに接着フィルム７を介して貼着されている半導体ウエーハ２（分割予定ライン２１に沿って分割されている）は、デバイス２２間に隙間(s)が形成される。この結果、半導体ウエーハ２の裏面に装着された接着フィルム７は、各デバイス２２に沿って破断され分離される。このようにして接着フィルム７が各デバイス２２に沿って破断される際に、図９の(b)に示すように半導体ウエーハ２の外周縁からはみ出している接着フィルム７の外周部７１の一部７１aが破砕して飛散し、デバイス２２の表面側に落下するが、デバイス２２の表面には保護膜４００が被覆されているので、破砕された接着フィルム７の外周部７１の一部７１aがデバイス２２の表面に直接付着することはない。従って、デバイス２２の表面に被覆された保護膜４００を除去することにより、付着した接着フィルム７の外周部７１の一部７１aも除去されるのでデバイス２２の品質を低下させることはない。
【００２８】
上述した接着フィルム破断工程を実施したならば、個々のデバイス２２の表面に洗浄液を供給して保護膜４００を除去する保護膜除去工程を実施する。この保護膜除去工程は、上記接着フィルム破断工程を実施した図９の（ｂ）に示す状態から図１０の（ａ）に示すようにテープ拡張装置８を洗浄水供給ノズル９の直下に位置付け、洗浄水供給ノズル９から洗浄液としての洗浄水を環状のフレームFに装着されたダイシングテープTに貼着されている個々のデバイス２２の表面に被覆された保護膜４００の表面に供給する。この結果、図１０の（ｂ）に示すように保護膜４００は水溶性樹脂からなっているので洗浄水によって容易に除去されるとともに保護膜４００の表面に付着した接着フィルム７の一部も除去される。従って、デバイス２２の表面に接着フィルムの一部が付着することがないので、デバイス２２の品質を低下させることはない。
【００２９】
以上のようにして保護膜除去工程を実施したならば、裏面に接着フィルム７が装着されたデバイス２２をダイシングテープTから剥離してピックアップするピックアップ工程に搬送される。
【符号の説明】
【００３０】
２：半導体ウエーハ
２１：分割予定ライン
２２：デバイス
２１０：分割溝
３：切削装置
３１：切削装置のチャックテーブル
３２：切削手段
３２３：切削ブレード
４：保護膜形成装置
４１：スピンナーテーブル
４２：樹脂液供給ノズル
４００：保護膜
５：保護テープ
６：研削装置
６１：研削装置のチャックテーブル
６２：研削手段
６３４：研削ホイール
７：接着フィルム
８：テープ拡張装置
８１：フレーム保持手段
８２：テープ拡張手段
９：洗浄水供給ノズル
Ｆ：環状のフレーム
Ｔ：ダイシングテープ
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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