(57)【要約】      （修正有）【課題】立上がり時間、下降時間及びＲＦパルスの幅の独立調整が可能なＰＩＮダイオード駆動回路を提供する。【解決手段】入力を受信するステップと、複数のパルスの第１のパルスはＲＦインタフェースにより生成されるＲＦエンベロープの立上がり時間を制御し、複数のパルスの第2のパルスはＲＦインタフェースにより生成されるＲＦエンベロープの下降時間を制御する複数のパルスを生成するステップと、ドライブ信号を生成するために複数のパルスを結合するステップと、一つ以上のＰＩＮダイオードを包含しているＲＦインタフェースにドライブ信号を分配するステップと、振幅又は第１のパルスのパルス幅の少なくとも一つは、振幅又は第２のパルスのパルス幅からそれぞれ調節可能なＲＦエンベロープを生成するステップと、を有する。【選択図】図１
2015233277.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
一つ以上のＰ―真性―Ｎ（ＰＩＮ）ダイオードを駆動する方法であって、
入力を受信するステップと、
入力に基づいて複数のパルスを生成するステップであって、複数のパルスの第１のパルスはＲＦインタフェースにより生成されるＲＦエンベロープの立上がり時間を制御し、複数のパルスの第2のパルスはＲＦインタフェースにより生成されるＲＦエンベロープの下降時間を制御することを特徴とする、複数のパルスを生成するステップと、
ドライブ信号を生成するように複数のパルスを結合するステップと、
一つ以上のＰＩＮダイオードを包含しているＲＦインタフェースにドライブ信号を分配するステップと、
駆動信号を有する一つ以上のＰＩＮダイオードを駆動することによって、ＲＦエンベロープを生成するステップであって、振幅または第１のパルスのパルス幅の少なくとも一つは、振幅または第２のパルスのパルス幅からそれぞれ調節可能であることを特徴とするＲＦエンベロープを生成するステップと、
を有することを特徴とする方法。
【請求項２】
一つ以上のＰ―真性―Ｎ（ＰＩＮ）ダイオードを駆動する無線周波数（ＲＦ）モジュレータデバイスであって、
入力を受信して、入力に基づいて複数のパルスを生成するように構成される第１の回路であって、複数のパルスの第１のパルスはＲＦインタフェースにより生成されるＲＦエンベロープの立上がり時間を制御し、複数のパルスの第２のパルスはＲＦインタフェースにより生成されるＲＦエンベロープの下降時間を制御し、振幅の少なくとも一つのまたは第１のパルスのパルス幅は、振幅または第２のパルスのパルス幅からそれぞれに調節可能であることを特徴とする、第１の回路と、
駆動信号を生成するために複数のパルスを受信して、結合するように構成される第２の回路と、
一つ以上のＰＩＮダイオードを包含している第３の回路であって、第２の回路が、一つ以上のＰＩＮダイオードを駆動するために、駆動信号を分配し、一つ以上のＰＩＮダイオードが、ＲＦエンベロープを生成することを特徴とする、第３の回路と、
を有することを特徴とするＲＦモジュレータデバイス。
【請求項３】
複数のパルスが、一つ以上のＰＩＮダイオードにより生成されるＲＦエンベロープのパルス幅を制御する第３のパルスを備え、
振幅の少なくとも一つのまたは第３のパルスのパルス幅が、それぞれに調整可能である、
ことを特徴とする請求項２に記載のＲＦモジュレータデバイス。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
[0001]  本開示は、Ｐ―真性―Ｎ（ＰＩＮ）ダイオードを有するＲＦモジュレータに関する。
【背景技術】
【０００２】
[0002]  Ｐ―真性―Ｎダイオード（ＰＩＮ）ダイオードは、Ｐ型半導体と典型的ＰＮダイオードのＮ型半導体領域の間に真性半導体領域を包含する。真性領域がＰＩＮに速いスイッチングに適しているダイオードをするので、真性領域は通常のＰＮダイオードとは異なる。「Ｐ」および「Ｎ」領域から注入された電荷担体を受信することによって、ＰＩＮダイオードの真性領域は作動すし、ＰＩＮの真性領域の後、平衡は届き、（すなわち、電子の数は、真性領域のホールの数に等しく）ＰＩＮダイオードは、電流を伝導する。他のアプリケーションの中で、ＰＩＮダイオードは、無線周波数（ＲＦ）スイッチ、減衰器および光検出器として共通して使う。
【発明の概要】
【課題を解決するための手段】
【０００３】
[0003]  一般に、この開示のさまざまな例は、ＰＩＮダイオード・ベースのＲＦ振幅変調器に関し多段階駆動信号に向けられる。この開示のさまざまな例は、立上がり時間、下降時間およびＲＦパルスの幅の独立調整を許容できる。この開示のさまざまな例は、所望のＲＦパルスの他の仕様とともに、届いている立ち上がりおよび下降時間仕様能力を強化することもできる。
【０００４】
[0004]  ある例では、開示は、一つ以上のＰ―真性―Ｎ（ＰＩＮ）ダイオードを駆動する方法であって、
入力を受信するステップと、
入力に基づいて複数のパルスを生成するステップであって、複数のパルスの第１のパルスはＲＦインタフェースにより生成されるＲＦエンベロープの立上がり時間を制御し、複数のパルスの第2のパルスはＲＦインタフェースにより生成されるＲＦエンベロープの下降時間を制御することを特徴とする複数のパルスを生成するステップと、
ドライブ信号を生成するために複数のパルスを結合するステップと、
一つ以上のＰＩＮダイオードを包含しているＲＦインタフェースにドライブ信号を分配するステップと、
駆動信号を有する一つ以上のＰＩＮダイオードを駆動することによって、ＲＦエンベロープを生成するステップであって、振幅または第１のパルスのパルス幅の少なくとも一つは、振幅または第２のパルスのパルス幅からそれぞれ調節可能であることを特徴とするＲＦエンベロープを生成するステップと、を有することを特徴とする。
【０００５】
[0005]  更に別の態様では、一つ以上のＰ―真性―Ｎ（ＰＩＮ）ダイオードを駆動する無線周波数（ＲＦ）モジュレータデバイスであって、
入力を受信して、入力に基づいて複数のパルスを生成するように構成される第１の回路であって、複数のパルスの第１のパルスはＲＦインタフェースにより生成されるＲＦエンベロープの立上がり時間を制御し、複数のパルスの第２のパルスはＲＦインタフェースにより生成されるＲＦエンベロープの下降時間を制御し、振幅の少なくとも一つのまたは第１のパルスのパルス幅は、振幅または第２のパルスのパルス幅からそれぞれに調節可能であることを特徴とする、第１の回路と、
駆動信号を生成するために複数のパルスを受信して、結合するように構成される第２の回路と、
一つ以上のＰＩＮダイオードを包含している第３の回路であって、第２の回路が、一つ以上のＰＩＮダイオードを駆動するために、駆動信号を分配し、一つ以上のＰＩＮダイオードが、ＲＦエンベロープを生成することを特徴とする、第３の回路と、
を有することを特徴とする。ＲＦモジュレータデバイスは、複数のパルスが、一つ以上のＰＩＮダイオードにより生成されるＲＦエンベロープのパルス幅を制御する第３のパルスを備え、振幅の少なくとも一つのまたは第３のパルスのパルス幅が、それぞれに調整可能である。
【０００６】
[0006]  本開示の一つ以上の例の詳細は、添付の図面および下記の説明においてセットされる。開示の他の特徴、目的および利点は、説明および図面から、そして、請求項から明らかである。
【図面の簡単な説明】
【０００７】
【図１】[0007]  図１は、マルチ・ステップ・パルス生成モジュール、駆動信号モジュール、ＲＦインタフェースおよび入力を包含するＲＦパルス変調器を例示しているブロック図である。
【図２Ａ】[0008]  図２Ａは、マルチ・ステップ・パルス生成モジュールの例を図示している回路図である。
【図２Ｂ】図２Ｂは、マルチ・ステップ・パルス生成モジュールの例を図示している回路図である。
【図３】[0009]  図３は、電荷担体がＰおよびＮ半導体領域へ／から急速に移動するのを制御するために、ダイオード全体の電流をセットするパルスの重畳を包含している理想的な駆動信号の例を示している概念上の図である。
【図４】[0010]  図４は、駆動信号、反転する駆動信号、ＲＦエンベロープおよび入力の例を示している概念上の図である。
【図５Ａ】[0011]  図５Ａは、マルチ・ステップ・パルス生成モジュールにより生成される複数のパルスから例示パルスを示している概念上の図である。
【図５Ｂ】図５Ｂは、マルチ・ステップ・パルス生成モジュールにより生成される複数のパルスから例示パルスを示している概念上の図である。
【図５Ｃ】図５Ｃは、マルチ・ステップ・パルス生成モジュールにより生成される複数のパルスから例示パルスを示している概念上の図である。
【図５Ｄ】図５Ｄは、マルチ・ステップ・パルス生成モジュールにより生成される複数のパルスから例示パルスを示している概念上の図である。
【図５Ｅ】図５Ｅは、マルチ・ステップ・パルス生成モジュールにより生成される複数のパルスから例示パルスを示している概念上の図である。
【図５Ｆ】図５Ｆは、マルチ・ステップ・パルス生成モジュールにより生成される複数のパルスから例示パルスを示している概念上の図である。
【図５Ｇ】図５Ｇは、マルチ・ステップ・パルス生成モジュールにより生成される複数のパルスから例示パルスを示している概念上の図である。
【図６】[0012]  図６は、駆動信号モジュールの例を示している回路図である。
【図７】[0013]  図７は、ＲＦモジュレータのＲＦエンベロープに関し明細書の例を示している図である。
【図８】[0014]  図８は、ＲＦエンベロープを生成するためにＰＩＮダイオードを駆動するために駆動信号を生成する例示のプロセスを示しているフロー図である。
【発明を実施するための形態】
【０００８】
[0015]  多数のパルス変調器で使用されるPINダイオードは、その特性において、有意な固有のロット及び温度変化を有する。ＰＩＮダイオードを用いてパルス変調器がロット・コードおよび温度全体に一貫して動くことを確実にするために、これらのダイオードのバリエーションを追跡するために、制御信号において、変化がなされなければならない。いくつかのアプリケーション、例えばいくつかの航空機衝突防止システム、ＴＣＡＳにおいて、ＲＦモジュレータの立ち上がり時間、転倒時間、パルス幅、パルスの遅れおよびオン／オフ動作のアイソレーションは、比較的厳しい仕様を満たさなければならない。一貫してこれらの仕様を満たすために、ＰＩＮダイオードに対する制御信号は、自動または手動のプロシージャにより調整される。チャレンジは、ドライブ信号の現在のタイプが同時にこれらのパラメータの全てを調整する（すなわち、ＲＦパルスのエンベロープが所与の立上がり時間を満たすように、ドライブとして、信号は調整される、しかし、下降時間およびパルス幅も変えられる）ということである。それらの最適値に達しているＰＩＮダイオードの代わりに、これは、ターゲティングに仕様の各々の取引の困難な仕様および全般的に結果をする。
【０００９】
[0016]  ＰＩＮダイオードは、半導体上の製造、幾何学およびドーピングのバリエーションを含む。これらのバリエーションのため、制御（すなわち、ドライブ）信号は、正確な同じ方法のいかなる２つのＰＩＮダイオードとも相互作用しない。一般に、無線周波数（ＲＦ）モジュレータのＰＩＮダイオードに対するドライブ信号は、ガウスであるか、台形であるか、矩形のパルス形状を有する。製造および温度関連のバリエーションによって、生じる異なるＰＩＮダイオード特性に関し補償するように、立ち上がるおよび下降時間、振幅、パルスの遅れ、及び／または、ドライブ信号の直流オフセットは、調整される。しかしながら、立ち上がりおよび下降時間にできた調整、振幅および／または駆動信号の直流オフセットは、各々に依存していて、制御されることができなくておよび／またはそれぞれに調整されることができない。
【００１０】
[0017]  一般に、ＲＦ（ＲＦ）インタフェースのＰＩＮダイオードの直列制御および短絡制御を使用するために、ＲＦモジュレータのＲＦ（ＲＦ）インタフェースを、構築できる。いくつかの例において、直列制御は、ＲＦ信号の直列および経路のＰＩＮダイオードを制御するために用いることができる。他の例において、短絡制御は、直列にＰＩＮダイオードの後で接地点に接続しているＰＩＮダイオードを制御するために用いることができて、ＲＦ信号の経路のＰＩＮダイオードによって、ＲＦ信号をいかなる漏出からも分離するために用いることができる。製造からバリエーションに関し調整されるために、直列および短絡制御の直流オフセットを変えることは、ＰＩＮダイオードの立ち上がりおよび下降時間をセットする。直流オフセットを増加させることは、より急速にＰＩＮダイオードをオンにして（すなわち、立上がり時間を減少させる）、よりゆっくりＰＩＮダイオードをオフにする（すなわち、下降時間を増加させる）。反対に、直流オフセットを減少させることは、よりゆっくりＰＩＮダイオードをオンにして（すなわち、立上がり時間を増加させる）、より急速にＰＩＮダイオードをオフにする（すなわち、下降時間を減少させる）。このように、立上がり時間および下降時間は各々に依存している。そして、ＰＩＮダイオードが完全に「オンである」か「オフである」かどうか、直流オフセットも変えることはアイソレーションまたは挿入ロスの量を変える。アイソレーションによって、直列の背側上のひずみが生じることがありえ、制御信号を短絡することがありえる。
【００１１】
[0018]  ドライブ信号のサブセクションを変化させることに関し、この開示は手段を提供する。そして、それは立上がり時間と下降時間の間に依存を取り除くことができる。トラフィック衝突回避システムのような、ＲＦ伝送アプリケーションに関し一貫して立上がり時間および下降時間仕様を満たすために各パルスの振幅および／またはパルス幅をそれぞれに調整することによって、ドライブ信号のサブセクションを変化させる。ドライブ信号のサブセクションを変化させることは、半導体の製造プロセス、幾何学およびドーピングからＰＩＮダイオードにおける変化によって、生じる効果を低減させることもできる。ドライブ（すなわち、「制御」）信号の各サブセクションは、ＰＩＮダイオードに適用するそれ自身の関数を有して、全体の駆動信号を発生させるために結合される。
【００１２】
[0019]  ＰＩＮダイオード・パルス変調器を駆動するためにパルスを結合することによって、駆動信号を生成するパルス「重畳（ｓｕｐｅｒｐｏｓｉｔｉｏｎｅｄ）」の複数の使用のプロセスの一つの潜在的利点は、駆動信号が所望のＲＦエンベロープ（ガウス、台形、矩形など）のように見えるように設計されていなくて、調整されることでむしろ、電荷担体がＲＦエンベロープの形状を制御するためにＰＩＮダイオードの真性領域上に、そして、それから移動するレートに焦点を合わせるということである。
【００１３】
[0020]  図１には、マルチ・ステップ・パルス生成モジュール４、駆動信号モジュール６、ＲＦインタフェース８および入力１０を包含するＲＦパルス変調器２を例示しているブロック図である。図１の例において、例えば所望の立上がり時間および所望の下降時間に基づいて、マルチ・ステップ・パルス生成モジュール４のように第１の回路は、入力（例えば下に記載される入力１０）を受信し、第１の回路は、第３の回路を駆動するために必要な能力を供給し／沈めている電流で全体のドライブ信号をバッファするドライブ信号モジュール６のように第2の回路に送られる複数のパルスを生成し、ＲＦ伝送を生成するために用いる少なくとも一つのＰＩＮダイオードを包含するＲＦインタフェース８および／またはＲＦは、パルス化する。この開示において、用語第１の回路、第2の回路および第３の回路は、異なる回路機能および必ずしも別々の回路でないことが示されていることを目的とする。第1、第2、および、第３の回路中で、いくつかの事例は回路を分離するために一致し、いくつかの実装で、第１、第２、および第３の回路が高く、または、部分的に集積されることができることも考えられる。
【００１４】
[0021]  ＲＦパルス変調器２において、マルチ・ステップ・パルス生成モジュール４は、入力１０を受信して、入力１０に基づいて複数のパルスを生成する。ドライブ信号モジュール６は、ドライブ信号を生成するために、複数のパルスを受信して、結合する。ドライブ信号モジュール６はドライブ信号をＲＦインタフェースモジュール８に分配する。そして、それは一つ以上のＰＩＮダイオードを包含できる。駆動信号を有する一つ以上のＰＩＮダイオードを駆動することによって、ＲＦインタフェース８は、ＲＦエンベロープを生成する。複数のパルスの第１のパルスはＲＦインタフェースモジュール８により生成されるＲＦエンベロープの立ち上がり時間を制御できる。そして、ＲＦのエンベロープがＲＦによって、インタフェースモジュール８を生成した転倒時間を、複数のパルスの第2のパルスは制御できる。振幅の少なくとも一つのまたは第１のパルスおよび第2のパルスのパルス幅は、それぞれに調節可能（すなわち、調整可能）である。
【００１５】
[0022]  多段階生成モジュール４は、互いに所望の立上がり時間および所望の下降時間を独立しているように作るために、複数のパルスを生成する、アナログおよび／またはデジタル・コンポーネントを包含できる。ある例では、後述するように図２Ａおよび、２Ｂにおいて、マルチ・ステップ・パルス生成モジュール４は、別々のデジタル論理コンポーネント（例えばインバータ、ＡＮＤゲートおよびＮＯＲゲート）とともに、アナログ・コンポーネント（例えばレジスタ、電位差計、サーミスタ、コンデンサおよび動作中のアンプ）を包含できる。いくつかの例において、デジタル・コンポーネントは、アナログ‐デジタル変換器またはプログラム可能なロジック・デバイスを包含できる。
【００１６】
[0023]  いくつかの例において、マルチ・ステップ・パルス生成モジュール４は、２つのパルス（ＲＦパルス（すなわち、ＲＦエンベロープ（例えば図４にて説明したように、ＲＦエンベロープ６２）の立上がり時間を制御している第１のパルスおよびＲＦパルスの下降時間を表している第2のパルス）を生成できる。いくつかの例において、所望の立上がり時間およびＲＦエンベロープの所望の下降時間を達成するために、マルチ・ステップ・パルス生成モジュール４により生成される２つのパルスは、マルチ・ステップ・パルス生成モジュール４のアナログ回路および／またはデジタル・コンポーネントによって、振幅および／または幅において、調節される（すなわち、「調整される」）ことができる。いくつかの例において、第１のパルスは第2のパルスに独立していてもよい。そうすると、振幅および幅は振幅と別の第１のパルスおよび第2のパルスの幅に関し各々それぞれに調整されることがありえる。第１のパルスおよび第2のパルスが複数の更なるパルスから成ることができると考えられる。この開示において、用いられているように、用語第1のパルス、第2のパルスなどは、異なるパルスを区別することを目的として、各々と関連する、または、他であると関連するいかなる序数もまたは時間的関係がパルス化することを必ずしも意味するというわけではない。
【００１７】
[0024]  いくつかの例において、所望の立上がり時間および所望の下降時間を表している第１のパルスおよび第2のパルスに加えて、マルチ・ステップ・パルス生成モジュール４は、複数の任意のパルスを生成することもできる。いくつかの例において、第１および第２のパルスがそれぞれに調節可能であるとき、複数の任意のパルスは同様にそれぞれに調節可能でもよい。例えば、マルチ・ステップ・パルス生成モジュール４は、所望の立上がり時間および所望の下降時間に関しパルスを生成することに加えてＲＦパルス（例えば、駆動信号の所望のパルス幅）の所望のオンタイムを成し遂げるように他のパルスを生成することができ、生成された所望のオンタイムパルスが、マルチ・ステップ・パルス生成モジュール４のアナログ回路および／またはデジタル・コンポーネントによって、振幅および／または幅において、それぞれに調節され得る（例えば、「調整される」）。他の例では、マルチ・ステップ・パルス生成モジュール４は所望の立上がり時間の生成されたパルスの前に初めのパルスを表しているウォームアップ・パルスを生成することができ、生成された所望のウォームアップ・パルスはマルチ・ステップ・パルス生成モジュール４のアナログ回路および／またはデジタル・コンポーネントによって、振幅および／または幅において、それぞれに調節されることもできる（例えば、「調整される」）。いくつかの例において、ＰＩＮダイオードが十分にオンのことを確実にするためにＰＩＮダイオードを流れるピークの電流を駆動するために、マルチ・ステップ・パルス生成モジュール４は、サージ上のパルスを更に生成することができ、生成された所望のサージ上のパルスは、マルチ・ステップ・パルス生成モジュール４のアナログ回路および／またはデジタル・コンポーネントによって、振幅および／または幅において、それぞれに調節され得る（例えば、「調整される」）。いくつかの例において、ＰＩＮダイオードから所望の下降時間を達成する際に支援するためにできるだけ多くの負担を取りはずすために、マルチ・ステップ・パルス生成モジュール４は、サージを離れたパルスを生成することもでき、生成された所望のサージを離れたパルスは、マルチ・ステップ・パルス生成モジュール４のアナログ回路および／またはデジタル・コンポーネントによって、振幅および／または幅において、それぞれに調節され得る（例えば、「調整される」）。いくつかの例において、ＰＩＮダイオードがそれらの最大のアイソレーション状態に急速に入れられるように、ダイオードが完全にオフのことを確実にするためにＰＩＮダイオードからいかなる残留する負担も取り除くために、マルチ・ステップ・パルス生成モジュール４は、クールダウン・パルスを生成することもできる。生成された所望のクールダウン・パルスは、マルチ・ステップ・パルス生成モジュール４のアナログ回路および／またはデジタル・コンポーネントによって、振幅および／または幅において、それぞれに調整されることもできる（例えば、「調整される」）。任意のパルスのいずれかが複数の更なるパルスから成ることができることは、この開示において、企図される。
【００１８】
[0025]  この開示において、用いられているように、それぞれに調節可能な複数のパルスの各々間の著しく減少した相関があることを意味できる。いくつかの例において、マルチ・ステップ・パルス生成モジュール４は、入力が複数のパルス間の最小の相関を有する複数のパルスを生成することを必要とする別々のデジタル論理コンポーネントを包含できる。いくつかの例において、マルチ・ステップ・パルス生成モジュール４は、入力が複数のパルス間の最小の相関を有する複数のパルスを生成することを必要とするアナログ‐デジタル変換器を包含できる。それは、この開示により企図されるそれぞれに調節可能なその、影響を受けたパルスの関数が上記のように感動的なパルスに依存しているようになる程度でなく、一つのパルスをそれぞれに調整することが他のパルスに影響を及ぼすことができるように、完全に独立していなくて、その代わりに機能的に独立しているということを意味する。
【００１９】
[0026]  信号モジュール６がそうすることができるドライブは、生成モジュール４にマルチ段をつけて、複数のパルスを結合するからドライブ信号を生成するまでの複数のパルスを受信するアナログ回路またはデジタル・コンポーネントを含む。ある例では、後述するように図２Ａ―２Ｂで、マルチ・ステップ・パルス生成モジュール４は、アナログ・コンポーネント（例えばレジスタ、コンデンサおよび動作中のアンプ）を包含できる。いくつかの例において、モジュール６が反転する駆動信号を生成することもできるという信号を駆動する。いくつかの例において、モジュール６がＲＦインタフェース８を駆動する現在の要求を満たすために電流の増加を提供するという信号を駆動する。いくつかの例において、反転する駆動信号は、ＲＦインタフェース８のＰＩＮダイオードに対する短絡制御でもよい。
【００２０】
[0027]  アナログ・コンポーネント（例えばコンデンサ、インダクタンスコイルおよびレジスタ）とともに、ＲＦインタフェースモジュール８は、複数のＰＩＮダイオード（すなわち、ＰＩＮダイオード減衰器）を包含する。所望の立ち上がり時間および所望の転倒時間を有するＲＦエンベロープを生成するために「オン」／「オフ」にＰＩＮダイオードを駆動するために、ＲＦインタフェースモジュール８は、ドライブ信号モジュール６からドライブ信号および／または反転するドライブ信号を受信できる。いくつかの例において、ＲＦエンベロープの立ち上がり時間は、ＰＩＮダイオードが「オフ」から「オン」に行くのにかかる時間である。他の例において、ＲＦエンベロープの下降時間は、ＰＩＮダイオードが「オン」から「オフ」にかかる時間でもよい。いくつかの例において、ＲＦインタフェースモジュール８は無反射スイッチまたは減衰器でもよい。そして、それは負荷（それが熱として大部分は放散する所で）にエネルギーを変更することができ、高電圧定常波比率（ＶＳＷＲ）を表さない。そして、それはコンポーネントに有害でもよいかまたはより高い不必要な放射を放散してもよい。いくつかの例において、ＲＦインタフェースモジュール８は、ＲＦバイパスおよびアイソレーション回路要素を包含することもできる。
【００２１】
[0028]  マルチ・ステップ・パルス生成モジュール４の入力１０は、０―５Ｖ間の補完的な金属酸化物半導体（ＣＭＯＳ）入力信号またはトランジスタ―トランジスタ・ロジック（ＴＴＬ）入力信号でもよい。いくつかの例において、入力１０は、ＰＩＮダイオードをオンにするトリガ入力でもよい。
【００２２】
[0029]  ＲＦインタフェースモジュール８の出力１１は、所望のＲＦパルス（例えば、ＲＦエンベロープ）でもよい。いくつかの例において、出力１１は、オン／オフに回転しているＰＩＮダイオードからのＲＦパルスでもよい。
【００２３】
[0030]  図２Ａ―２Ｂは、マルチ・ステップ・パルス生成モジュール４の例を例示している回路図である。図２Ａは回路の第１の部分がマルチ・ステップ・パルス生成モジュール４から成っていることを表す。その一方で、図２Ｂは回路の第2の部分がマルチ・ステップ・パルス生成モジュール４から成っていることを表す。図２ＢのコネクションＡに接続している図２Ａの接続Ａによって、接続ポイントＡ―Ｇで図２Ｂに示される回路に、図２Ａに示される回路はつながる。そして、図２Ａの接続Ｂが図２ＢなどのコネクションＢに接続する。図２Ａ―２Ｂの例において、別々のデジタル論理コンポーネント（例えばインバータ１２Ａ―１２Ｄ、ＡＮＤゲート１６―１６ＥおよびＮＯＲゲート１８Ａ―１８Ｂ）は、ポジティブなパワー供給ピン（例えば、Ｖｃｃ）により出力されて、接地した。いくつかの例において、Ｖｃｃは、５ボルト（Ｖ）または別々のロジック・ゲートによって、使われることがありえるいかなる電圧でもよい。
【００２４】
[0031]  マルチ・ステップ・パルス生成モジュール４は、図１、インバータ１２Ａ―１２Ｄ、動作中のアンプ１４Ａ―１４Ｃ、レジスタＲ１―Ｒ２７、電位差計Ｐ１―Ｐ２、サーミスタＴ１―Ｔ２、コンデンサＣ１―Ｃ２５、ＡＮＤゲート１６Ａ―１６ＥおよびＮＯＲゲート１８Ａ―１８Ｂにて説明したように、入力１０を包含する。
【００２５】
[0032]  インバータ１２Ａ―１２Ｄ（またはＮＯＴゲートとして知られる）は、論理的否定を実装するロジック・ゲートで、その入力に逆のロジック―レベルを表している電圧を出力する。例えば、そのとき、インバータ１２Ａ―１２Ｄの一つが、論理的１または「ハイ」の入力を受信するとき、それは、論理的０または「ロー」の出力を生成し、インバータ１２Ａ―１２Ｄの一つが、論理的０、または、「ロー」の入力を受信するとき、出力を生じる論理的１または「ハイ」を生成する。いくつかの例において、インバータ１２Ａ―１２Ｄは、「ロー」か「ハイ」状態を提供するために入力１０をフィルタリングするために用いることができる。
【００２６】
[0033]  オペアンプ１４Ａ―１４ＣはそれぞれＶ＋およびＶ―入力を有し、理想的には、オペアンプ（op-amp）は２つの間に電圧の差分だけを増幅し、それはディファレンシャル入力電圧と呼ばれている。入力が５ボルト（Ｖ）のパルスを発送する前にＶ―閾値を交差させるときに、検出するコンパレータ（例えば、電圧しきい検出器）として、オペアンプ１４Ａ―１４Ｃは作用する。図２Ａの例において、Ｖ―は２Ｖを供給されて、接地点にコンデンサＣ４およびＣ５経由で接続される。そして、Ｖｓ＋は６Ｖを供給されて、接地点にコンデンサＣ２およびＣ３経由で接続される。他の実施では、Ｖ―およびＶ＋に関し他の電圧が、使うことができる。図２Ａの例において、オペアンプ１４ＡのＶ＋がレジスタＲ１とＲ２の間に直列にレジスタＲ１およびＲ２によるゲート１２ＡでないおよびコンデンサＣ１から出力を受信して接地し、それは滑らかにするローパスフィルタとして作用し、入力ロジックはパルス化する。滑らかになることによって、入力ロジック・パルス（比較器回路をトリガーするために必要な閾値電圧から遅延回路としてのコンパレータ行為）は、発生するのにより長くかかる。図２Ａの例において、オペアンプ１４ＢのＶ＋は、レジスタＲ３とＲ４の間にオペアンプ１４Ａから直列およびコンデンサＣ６のレジスタＲ３およびＲ４まで出力を受信して、接地し、外に１４Ｂからの出て行くパルスが遅延するように、オペアンプ１４Ｂの入力に達しているパルスを滑らかにするローパスフィルタとして作用する。いくつかの例において、オペアンプ１４Ａ―１４Ｃは、高入力と比較して、高出力の振幅を増加させることができる。いくつかの例において、オペアンプ１４Ａ―１４Ｃは、高出力のパルス幅を高入力と比較して、シフトすることもできる（すなわち、「遅延させる」）。いくつかの例において、パルス部を変化させる複数のパルスを生成するために別々のロジック・コンポーネントを使用することを、外へ高さのシフトは、マルチ・ステップ・パルス生成モジュール４が可能にする。
【００２７】
[0034]  レジスタＲ１―Ｒ３３は、例えば、回路エレメントとして電気抵抗を実装する受動的な２つの終端電気的要素でもよい。抵抗器が値の極めて大きいレンジを通じて特定されて、製造されるにつれて、誘導された単位ミリオーム（１ｍΩ＝１０ｅ-３Ω）、そして、キロオーム、（１ｋΩ＝１０ｅ３Ω）が一般的に用いられる。レジスタに加えて、サーミスタＴ１―Ｔ２は、例えば、抵抗が標準レジスタ（例えばレジスタＲ１―Ｒ３３）と比較して著しく温度によって、変化する一種のレジスタでもよい。ＰＩＮダイオードのプロパティが温度を切り替えるにつれて、サーミスタが用いられることが可能である。特に、ドライブ信号は、一貫したＲＦエンベロープを維持するために温度に基づいて調整されることを必要とするかもしれない。サーミスタＴ１―Ｔ２は温度の上のＰＩＮダイオードのプロパティの表示を提供できる。そして、それは増大する振幅を調整して、温度の上のパルスを落すために用いることができる。
【００２８】
[0035]  電位差計Ｐ１―Ｐ２は、例えば、調節可能な分圧器を形成する摺動コンタクトを有する受動的なアナログ３終端レジスタでもよい。いくつかの例において、電位差計Ｐ１―Ｐ２は、アナログ電位差計（例えばデジタル入力による２台の端末の間に抵抗を調整すること）の関数を模倣する電子構成部品であるデジタルポテンショメータでもよい。後で詳しく述べるように、Ｐ１および／またはＰ２の抵抗を変化させることによって、ＲＦインタフェース（例えばＲＦインタフェース８）の一つ以上のＰＩＮダイオードにより生成されるＲＦエンベロープの立上がり時間および下降時間は、それぞれに調整されることができる。いくつかの例において、ＲＦエンベロープの立上がり時間は、ＰＩＮダイオードに「オフ」から「オン」にかかる時間でもよい。他の例において、ＲＦエンベロープの下降時間は、ＰＩＮダイオードが「オン」から「オフ」にかかる時間でもよい。
【００２９】
[0036]  コンデンサＣ１―Ｃ２５は、例えば、静電的に電界のエネルギーを記憶するために用いる受動的な２終端電気的要素でもよい。例えば、フィルムを絶縁することの薄い層により分離される金属フォイルから、一つの一般の構造は、成る。表１―４は、図２Ａおよび２Ｂに図示される各種要素に関する例の値の一つのセットを示す。一般に、コンデンサは、高周波数ＲＦ信号をフィルタリングするために用いる。いくつかの例において、ＲＦ信号は、約１ギガヘルツ（ＧＨｚ）でもよい。図２Ａおよび２Ｂに記載される例として類似の効果を成し遂げるために、他の値を有する他の各種要素が同様の方法で用いられることが可能であると考えられる。
【００３０】
【表１】
2015233277.tif 000003
【００３１】
表１−図２Ａ及び２Ｂ表２の抵抗の値
【００３２】
【表２】
2015233277.tif 000004
【００３３】
表２−図２Ａ及び２Ｂのキャパシタの値
【００３４】
【表３】
2015233277.tif 000005
【００３５】
表３―図２Ａ及び２Ｂのサーミスタの値
【００３６】
【表４】
2015233277.tif 000006
【００３７】
表４―図２Ａ及び２Ｂのポテンショメータの値
[0037]  ＡＮＤゲート１６Ａ―１６Ｅは論理的結合を実装する基本的なデジタル論理ゲートであり、ＡＮＤゲートへの両方の入力がＨＩＧＨ（１）であるならば、ＨＩＧＨ出力（１）と結果としてなる。もし、ＡＮＤゲートへのいずれも又は一つの入力だけ、ＨＩＧＨであるならば、ＬＯＷ出力の結果となる。他のセンスにおいて、ＡＮＤの関数は、２バイナリの桁の間に最低限を効果的に見つける。従って、すべての入力が１ｓである場合を除き、出力は常に０である。
【００３８】
[0038]  ＮＯＲゲート１８Ａ―１８Ｂは論理的ＮＯＲを実装するデジタル論理ゲートである。そうすると、ゲートへの両方の入力がＬＯＷ（０）である場合、ＨＩＧＨ出力（１）の結果となる。ＮＯＲゲートの一つのまたは両方の入力がＨＩＧＨ（１）である場合、ＬＯＷ出力（０）と結果としてなる。ＮＯＲは、ＯＲ演算子の否定の結果である。ＮＯＲゲートは、反転するすべての入力を有するＡＮＤゲートと、みなされることもありえる。
【００３９】
[0039]  図２Ａおよび２Ｂの例の間に、７つの接続Ａ―Ｇがある。そして、図２Ａの多段階生成モジュール４の第１の部分が図２Ｂの多段階生成モジュール４の第2の部分に接続するポイントを表す。上記のように、図２Ａおよび２Ｂは、多段階生成モジュール４の２つの異なる部分を表す。マルチ・ステップ・パルス生成モジュール４は、示される成分数のため、２つの別々の図に分けられる。接続Ａ―Ｇは、２つの部分が実際の回路部品を接続して、表さないかことを示すはずである。
【００４０】
[0040]  図２Ｂの例において、ウォームアップ回路２２Ａは、接続Ａ―Ｂからの入力を有するＡＮＤゲート１６Ａから、出力を受信できる。ＡＮＤゲート１６Ａは、接続Ａ―Ｂからのハイ及びロー信号をマルチプルにする。図２Ａの例において、接続Ａはインバータ１２Ａからのハイ−ロー出力信号であり、入力１０の逆転である。図２Ａの例において、接続Ｂは、動作中のアンプ１４Ａによる。そして、インバータ１２Ｂによるインバータ１２Ａからのハイ−ロー出力信号である。いくつかの例において、接続Ｂのハイ−ロー出力信号は、オペアンプ１４Ａによって、シフトされることができる。いくつかの例において、ＡＮＤゲート１６Ａによる乗算の後、オペアンプ１４Ａによるシフトの量は、ウォームアップ回路２２Ａからのウォームアップ・パルスのパルス幅でもよい。
【００４１】
[0041]  図２Ｂの例において、増大する回の回路２４Ａは、接続Ｃ―Ｄからの入力を有するＡＮＤゲート１６Ｂから、出力を受信できる。ＡＮＤゲート１６Ｂは、接続Ｃ―Ｄからハイ及びロー信号を逓倍する。図２Ａの例において、接続Ｃは、オペアンプ１４Ａによるインバータ１２Ａからのハイ−ロー出力信号である。いくつかの例において、接続Ｃのハイ−ロー出力信号は、オペアンプ１４Ａによって、シフトされることができる。図２Ａの例において、接続Ｄは、オペアンプ１４Ａ、１４Ｂによる。そして、インバータ１２Ｃによるインバータ１２Ａからのハイ−ロー出力信号である。いくつかの例において、接続Ｄのハイ−ロー出力信号は、オペアンプ１４Ａ、１４Ｂによって、シフトされることができる。いくつかの例において、オペアンプ１４Ａ、１４Ｂによるシフトの量は、ＡＮＤゲート１６Ｂによる乗算の後の立上がり時間回路２４Ａからの立上がり時間パルスのパルス幅である。いくつかの例において、ＡＮＤゲート１６Ｂからのハイ−ロー出力信号の振幅は、電位差計Ｐ２によって、増加できる。
【００４２】
[0042]  図２Ｂの例において、オンサージ回路２６Ａは、接続Ｅ―Ｆからの入力を有するＡＮＤゲート１６  Ｃ、インバータ１２ＤおよびＡＮＤゲート１６Ｄから出力を受信できる。図２Ａの例において、接続Ｅはインバータ１２Ａからのハイ−ロー出力信号である。そして、それは入力１０の逆転である。図２Ａの例において、接続Ｆは、オペアンプ１４Ａ、１４Ｂによるインバータ１２Ａからのハイ−ロー出力信号である。いくつかの例において、接続Ｆのハイ−ロー出力信号は、オペアンプ１４Ａ、１４Ｂによって、シフトされることができる。いくつかの例において、ＡＮＤゲート１６Ｃは、インバータ１２ＤおよびＡＮＤゲート１６Ｄからハイ−ロー出力信号に乗算する。インバータ１２Ｄは、ＡＮＤゲート１６Ｄから出力信号を反転させる。ＡＮＤゲート１６Ｄは、接続Ｅ、Ｆから、ハイ−ロー信号を逓倍する。
【００４３】
[0043]  図２Ｂの例において、オンタイムに、上記の通りで、回路２８Ａは、接続Ｅ―Ｆからの入力を有するＡＮＤゲート１６Ｄから、出力を受信できる。いくつかの例において、接続Ｆのハイ−ロー出力信号は、オペアンプ１４Ａ、１４Ｂによって、シフトされることができる。いくつかの例において、動作中のアンプ１４Ａ、１４Ｂによるシフトの量は、パルス幅でもよい時間通りであるＡＮＤゲート１６Ｄによる乗算の後の時間回路２８Ａに、パルス化する。
【００４４】
[0044]  図２Ｂの例において、下降時間回路３０Ａは接続ＧおよびＮＯＲゲート１８Ａからの入力を有するＡＮＤゲート１６Ｅから出力を受信できる。そして、それはＡＮＤゲート１６Ｂ、１６Ｄからのその入力を受信する。ＡＮＤゲート１６Ｅは、接続ＧおよびＮＯＲゲート１８Ａからハイ及びロー信号を逓倍する。図２Ａの例において、接続Ｇは、オペアンプ１４Ａによる。そして、オペアンプ１４Ｃによるインバータ１２Ａからのハイ−ロー出力信号である。図２Ａの例において、接続Ｇのハイ−ロー出力信号は、オペアンプ１４Ａ、１４Ｃによって、シフトされることができる。図２Ａの例において、ＮＯＲゲート１８Ａからのハイ−ロー出力信号は、ＡＮＤゲート１６Ｂ、１６Ｄのハイ−ロー出力信号の逆の追加である。ＡＮＤゲート１６Ｂは、上記の通りに接続Ｃ、Ｄのハイ−ロー信号を逓倍する。ＡＮＤゲート１６Ｃは、上記の通りに接続Ｅ、Ｆのハイ−ロー信号を逓倍する。いくつかの例において、オペアンプ１４Ａ、１４Ｂ、１４Ｃによるシフトの量は、ＡＮＤゲート１６Ｅによる乗算の後の下降時間回路３０Ａからの下降時間パルスのパルス幅でもよい。いくつかの例において、ＡＮＤゲート１６Ｅからのハイ−ロー出力信号の振幅は、電位差計Ｐ１によって、増加できる。
【００４５】
[0045]  図２Ｂの例において、上記の通りで、サージを離れた／クールダウン回路３２Ａは、ＮＯＲゲート１８Ｂから出力および接続Ｇからの入力およびＡＮＤゲート１６Ｂおよび１６Ｄからの入力を有するＮＯＲゲート１８Ａを有するＡＮＤゲート１６Ｅを受信できる。ＡＮＤゲート１６Ｅは、接続ＧおよびＮＯＲゲート１８Ａからハイ及びロー信号を逓倍する。図２Ａの例において、接続Ｇは、オペアンプ１４Ａによる。そして、オペアンプ１４Ｃによるインバータ１２Ａからのハイ−ロー出力信号である。図２Ａの例において、接続Ｇのハイ−ロー出力信号は、オペアンプ１４Ａ、１４Ｃによって、シフトされることができる。図２Ａの例において、ＮＯＲゲート１８Ａからのハイ−ロー出力信号は、ＡＮＤゲート１６Ｂ、１６Ｄのハイ−ロー出力信号の逆の追加である。ＡＮＤゲート１６Ｂは、上記の通りに接続Ｃ、Ｄのハイ−ロー信号を逓倍する。ＡＮＤゲート１６Ｃは、上記の通りに接続Ｅ、Ｆのハイ−ロー信号を逓倍する。いくつかの例において、オペアンプ１４Ａ、１４Ｂ、１４Ｃによる量のシフトは、ＡＮＤゲート１６Ｅのハイ−ロー出力信号のＮＯＲゲート１８Ｂによる逆の追加の後のオフのサージ／クールダウン回路３２Ａからのオフのサージ／クールダウン・パルスのパルス幅でもよい。
【００４６】
[0046]  図２Ｂの一つの例において、立上がり時間回路２４Ａおよび下降時間回路３０Ａの複数のパルスが、出力２０として信号モジュール６を駆動するために出力できる。図２Ｂのいくつかの例において、また、任意の回路（例えばウォームアップ回路２２Ａ、サージ上の回路２６Ａ、オンタイム回路２８Ａおよびオフのサージ／クールダウン回路３２Ａ）からの複数のパルスは、出力２０として信号モジュール６を駆動するために出力され得る。別々のロジック・コンポーネントが出力２０の複数のパルスを生成するために入力１０を操作（すなわち、「重畳」）することは、この開示により企図される。別々のロジックによる操作（すなわち、「重畳」）がデジタル／アナログ変換器またはプログラム可能なロジック・デバイスと置き換えられることが可能であることは、この開示により企図される。
【００４７】
[0047]  図３は、急速に電荷担体がＰおよびＮ半導体領域へ／から移動する制御に、ダイオード全体の電流をセットするパルスの重畳を包含している理想的な駆動信号４０の例を示す概念上の図である。図３の例において、アイソレーションからｏｎ‐を変えないと共に、複合理想的な駆動信号４０はサージ・パルス２６Ｂ、オンであるパルス２８Ｂ、下降時間パルス３０Ｂ、オフのサージ・パルス３２Ｂおよびクールダウン・パルス３２Ｃ上のＲＦエンベロープ（例えば立上がり時間パルス２４Ｂ）の精密制御を提供する。図３の例において、この開示の各パルスは、単一のパルスでもよい。各パルスがパルスの組合せから成ることができることは、この開示の一部として企図される。加えて、この、そして、開示の一部として、それも、企図される「ハイ」パルスがＰから充電キャリアを動かす真性領域および「ロー」パルスに対するＮ半導体領域が、ＰおよびＮ半導体領域へ、真性領域から電荷担体を移動する。
【００４８】
[0048]  図３の一つの例において、理想的な駆動信号４０は、２つのパルスの組合せでもよい。ユーザによって、または、例えば、制御回路で、図１―２Ｂにて説明したように、対応する立ち上がり時間回路２４Ａのようなオートメーション化した手段によって、それぞれに調節可能でもよくて、ＲＦエンベロープの立ち上がり時間をセットする第１のパルス（例えば立ち上がり時間パルス２４Ｂ）。ユーザによって、または、例えば、制御回路（例えば図１―２Ｂにて説明したように、対応する下降時間回路３０Ａ）で、オートメーション化した手段によって、第2のパルス（例えば下降時間パルス３２Ｂ）は、それぞれに調節可能でもよく、ＲＦエンベロープの下降時間をセットする。
【００４９】
[0049]  いくつかの例において、ユーザによって、または、例えば、制御回路で、オートメーション化した手段によって、４０が任意の第３のパルスを有することができるという理想的なドライブ信号は、例えばパルス２８Ｂに、それぞれに調節可能でもよい。例えば、一つ以上のパルスおよび別々のロジックを遅延させている動作中のアンプは、特定のパルス幅（例えば図１―２Ｂにて説明したように、時間回路２８Ａに対応するもの）である一つ以上のパルスを操作して、ＲＦエンベロープのパルス幅をセットする。いくつかの例において、理想的な駆動信号は、例えばユーザによる、または、例に関しオートメーション化した手段によるサージ・パルス２６Ｂ（それぞれに調節可能でもよい）に、制御回路（例えば図１―２Ｂにて説明したように、サージ回路２６Ａに対応するもの）を有する任意の第４のパルスを有することができ、ＰＩＮダイオードが十分にオンのことを確実にするために、ＰＩＮダイオードを流れるピークの電流を駆動する。いくつかの例において、理想的な駆動信号４０は、ユーザによる、または、例に関しオートメーション化した手段による外れたサージ・パルス３２Ａ（それぞれに調節可能でもよい）のような、制御回路（例えば図１―２Ｂにて説明したように、回路３２Ａの下のサージ／涼しさから対応するもの）を有する任意の第５のパルスを有することができ、ＲＦエンベロープのより短いパルス幅が理解されることがありえるように、格納された負担の一部を取りはずすことによって、急速に低下する短い期間を有する。いくつかの例において、理想的な駆動信号４０は任意の第６のパルス（例えばクールダウン・パルス３２Ｃ）を有することができる。そして、ユーザによって、または、例えば、制御回路（例えばサージ／クールダウン回路３２Ａを離れて対応するものおよびＰＩＮダイオードがハイ‐アイソレーション状態において、あることを確実にする真性領域からいかなる残留する負担を離れた牽引も）で、オートメーション化した手段によって、それはそれぞれに調節可能でもよい。
【００５０】
[0050]  増大する回のパルス２４Ｂは、オンにするＰＩＮダイオードを駆動するドライブ信号シーケンスにおいて、第１のパルスでもよい。いくつかの例において、ユーザによって、または、例えば、アナログ回路またはデジタル・コンポーネント（例えば図２Ａ―２Ｂにて説明したように、電位差計Ｐ１―Ｐ２）を用いてコントロール回路で、オートメーション化した手段によって、このパルスの振幅および／またはパルス幅は、それぞれに調節可能でもよい。増大する振幅はより高くパルス２４Ｂを計時する、ＰＩＮダイオードに対する初めの流がよりハイであるほど、ホールおよび電子はより急速にＩ‐領域およびより速いものにダイオード・ターンを噴射される。そして、ＲＦエンベロープに関し立ち上がり時間の増加に結果としてなる。
【００５１】
[0051]  オンサージパルス２６Ｂが立上がり時間パルス２４Ｂの直後に巡ってくることができて、後述するように、オンパルス２８Ｂより高い振幅を有することができる。いくつかの例において、サージ・パルスに、ＰＩＮダイオードが完全にオンにされることを確実にするために追加料金を適用することによって、２６Ｂは、「高」パルスでもよい。いくつかの例において、サージ・パルスに、２６Ｂは穴のその完全な組換えを確実にするためにＰＩＮダイオードに電流の余分の後押しを提供できる。そして、電子は発生した。いくつかの例において、パルスは、任意であるが、ＲＦエンベロープ上の段階的な立ち上がりエッジを除去する。
【００５２】
[0052]  ユーザによって、または、例に関しオートメーション化した手段によって、オンパルス２８Ｂはそれぞれに調節可能でもよい。そして、ＲＦエンベロープ（例えば図４にて説明したように、ＲＦエンベロープ６２）の所望のパルス幅を成し遂げることを必要とするのと同程度狭いか同程度広い。いくつかの例において、オンパルス２８Ｂは、任意でもよい。いくつかの例において、オンパルス２８Ｂは「ハイ」パルスでもよい。そして、ダイオードが特定のパルス幅に関し十分に向けられておよび／または計時するＰＩＮを、それは確実にする。いくつかの例において、オンパルス２８Ｂの振幅は、特定のアプリケーション（例えば車両トラフィック衝突システムに関しＲＦ伝送）に関しダイオードを順バイアスに保つように設計されていてもよい。
【００５３】
[0053]  オフサージパルス３２Ｂは、下降時間パルス３０Ｂを助けるためにできるだけ多くの負担から引くように、逆に設計されていなくてもよいオンサージパルス２６Ｂに対する類似の機能を有し、ＲＦエンベロープのターン自由時間を改善するを有し得る。いくつかの例において、オフサージパルス３２Ｂは、任意でもよい。いくつかの例において、ＰＩＮダイオードから充電を取り除くことによって、オフサージパルス３２Ｂは、「ロー」パルスでもよい。
【００５４】
[0054]  ホールおよび電子がＰＩＮダイオードのＩ‐領域を残すレートを、下降時間パルス３０Ｂは、セットすることができる。いくつかの例において、ユーザによって、または、例えば、アナログ回路またはデジタル・コンポーネント（例えば図２Ａ―２Ｂにて説明したように、電位差計Ｐ１―Ｐ２）を用いて制御回路で、オートメーション化した手段によって、下降時間パルス３０Ｂの振幅またはパルス幅は、それぞれに調節可能でもよい。下降時間の振幅は３０Ｂ、より低くパルス化する、ＲＦエンベロープに関しより速い下降時間に結果としてなって、ホールおよび電子はより急速にＩ‐領域およびより速いものからダイオード・ターンを取り除かれる。かくして、電位差計の抵抗を増加させることによって、Ｐ１は下降時間パルス８２の振幅を増加させることができる。そして、それはよりゆっくりＰＩＮダイオードをオフにして、ＲＦエンベロープ（例えばＲＦエンベロープ６２）の下降時間を増加させる。いくつかの例において、電位差計Ｐ１の抵抗を減少させることは下降時間パルス８２の振幅を減少させることができる。そして、それはより急速にＰＩＮダイオードをオフにして、ＲＦエンベロープ（例えばＲＦエンベロープ６２）の下降時間を減少させる。
【００５５】
[0055]  クールダウン・パルス３２Ｃは、ＰＩＮダイオードが十分にオフのことを確実にするために、Ｉ‐領域でオフのいかなる残留する負担も取り除くことができる。任意であるにもかかわらず、パルスが完了していた直後に、クールダウン・パルス３２ＣはＰＩＮダイオードのアイソレーションから改善されることができる。いくつかの例において、クールダウン・パルス３２Ｃは、任意でもよい。いくつかの例において、クールダウン・パルス３２Ｃは、ＰＩＮダイオードが十分にオフにされることを確実にするためにいかなる残留する負担も取り除くことによる「ロー」パルスでもよい。
【００５６】
[0056]  図１にて説明したように、ＲＦモジュレータ２の『オフ』アイソレーションを改良するために、図３に示される全ての複合パルス波形４０は、ネガティブな直流オフセット電圧に偏ることができる。このネガティブなオフセットは、ダイオードの電圧による「パンチスルー」より、ダイオードがそれらの任意のアイソレーション状態において、あることを確実にすることであるべきである。
【００５７】
[0057]  図４は、駆動信号６６、反転する駆動信号６８、ＲＦエンベロープ６２および入力６４の例を例示している概念上の図である。図４の例において、６８が出力である駆動信号６６および反転する駆動信号は信号モジュール６を駆動する。そして、図６において、下に記載される。そして、マルチ・ステップ・パルス生成モジュール４からパルスの合わせた複数を包含する。図４の例において、入力６４はＲＦモジュレータ２への一つの入力でもよい、そして、ＲＦエンベロープ６２はＲＦモジュレータ２の出力でもよい。
【００５８】
[0058]  ドライブ信号６６は、ＲＦインタフェース８のＰＩＮダイオードに連続規制を提供するためにマルチ・ステップ・パルス生成モジュール４により生成される複数のパルスの組合せに基づいている。いくつかの例において、ドライブ信号６６は、立上がり時間回路２４Ａおよび下降時間回路３０Ａを包含している出力の組合せに基づいている。いくつかの例において、ドライブ信号６６は、オンタイム回路２８Ａを包含している出力の組合せに基づいている。いくつかの例において、ドライブ信号６６は、ウォームアップ回路２２Ａを包含している出力の組合せに基づいている。いくつかの例において、ドライブ信号６６は、サージ上の回路２６Ａを包含している出力の組合せに基づいている。いくつかの例において、ドライブ信号６６は、オフのサージ／クールダウン回路３２Ａを包含している出力の組合せに基づいている。反転するドライブ信号６８は、ドライブ信号６６の逆転で、ＲＦインタフェース８のＰＩＮダイオードに、短絡制御を提供する。ＲＦエンベロープ６２はＲＦエンベロープがＰＩＮダイオード（図示せず）により生成されることを表す。そして、それは図１にて説明したように、出力１１でＲＦエンベロープに対応できる。いくつかの例において、ＲＦエンベロープ６２は、駆動信号６６のため、生成されて、反転するＲＦエンベロープが信号６８を駆動することを表す。ＲＦモジュレータ２に提供されて、マルチ・ステップ・パルス生成モジュール４により受信されることを、入力６４は、入力電圧が表す。
【００５９】
[0059]  図５Ａ―５Ｇは、マルチ・ステップ・パルス生成モジュール４により生成される複数のパルスから例示のパルスを示している概念上の図である。図５Ａ―５Ｇの各図は図４にて説明したように、ドライブ信号６６、ＲＦエンベロープ６２および入力６４を包含する。そして、図５Ａ―５Ｇの複数のパルスから各パルスにコンテキストを提供する。更に、図それぞれ５Ａ―５Ｇは、ドライブ信号６６のそれぞれの部分を包含する。断面２２―３２はドライブ信号６６の各断面を例示するために提供される。そして、それは記載された図２Ｂとして回路２２Ａ―３２Ａにより生成される出力７２―８２の組合せから成る信号である。いくつかの例において、断面２２―３２は、出力７２―８２からそれぞれの出力から成ることができる。いくつかの例において、一つ以上の出力（すなわち、回路２２Ａ―３２Ａからの出力は特定の断面において、重複できる）から、断面２２―３２は、出力７２―８２から成ることができる。例えば、図５Ｆの駆動信号６６の部分３０は、回路２２Ａ―３２Ａからの一つの出力より多くのものの組合せから成る。図５Ｆの例において、部分３０は、回路３０Ａ（例えば、出力８２）および回路３２Ａ（例えば、図５Ｅおよび５Ｇで示す一部の出力８０）から出力の組合せから成ることができる。換言すれば、部分３０は、重なり合う出力（例えば回路３０Ａの出力８２および図５Ｅおよび５Ｇにて説明したように、部分３２に関する回路３２Ａの出力８０（例えば、８０Ａおよび８０Ｂ）の部分）の組合せから成ることができる。
【００６０】
[0060]  図５Ａの例において、ウォームアップ・パルス７２は、図１にて説明したように、ウォームアップ・パルスを表すことができて、一定のパルス幅でもよい。ウォームアップ・パルス７２は、図２Ａ―２Ｂにて説明したように、マルチ・ステップ・パルス生成モジュール４のウォームアップ回路２２Ａにより生成される。いくつかの例において、ユーザによって、または、例えば、立上がり時間回路２４Ａを調整することによって、オートメーション化した手段によって、ウォームアップ・パルス７２のパルス幅または振幅は、それぞれに調節可能でもよい。いくつかの例において、ウォームアップ・パルス７２は、「ハイ・パルス」でもよい。
【００６１】
[0061]  図５Ｂの例において、立上がり時間パルス７４は、立上がり時間パルス（例えば図１および３にて説明したように、立上がり時間パルス２４Ｂ（すなわち、「立上がり時間」）に対応することができて、一定のパルス幅でもよい。立上がり時間パルス７４は、図２Ａ―２Ｂにて説明したように、マルチ・ステップ・パルス生成モジュール４の立上がり時間回路２４Ａにより生成される。図５Ａの例において、図２Ａ―２Ｂにて説明したように、マルチ・ステップ・パルス生成モジュール４の立上がり時間回路２４Ａの電位差計Ｐ２を調整することによって、ユーザによって、または、例に関しオートメーション化した手段によって、立上がり時間パルス７４の振幅は、それぞれに調節可能（すなわち、「調整可能」）でもよい。いくつかの例において、電位差計Ｐ２の抵抗を増加させることは立上がり時間パルス２４Ｂの振幅を増加させることができる。そして、それはオンＰＩＮダイオードをより急速にして、ＲＦエンベロープ（例えばＲＦエンベロープ６２）の立上がり時間を減少させる。いくつかの例において、電位差計Ｐ２の抵抗を減少させることは立上がり時間パルス２４Ｂの振幅を減少させることができる。そして、それはオンＰＩＮダイオードをより遅くして、ＲＦエンベロープ（例えばＲＦエンベロープ６２）の立上がり時間を増加させる。いくつかの例において、立上がり時間回路２４Ａを調整することによって、ユーザによって、または、例に関しオートメーション化した手段によって、立上がり時間パルス７４のパルス幅または振幅は、それぞれに調節可能（すなわち、「調整可能」）でもよい。
【００６２】
[0062]  図５Ｃの例において、オンサージパルス７６は、オンサージパルス（例えば図１および３にて説明したように、オンサージパルス２６Ｂ（すなわち、「オンアイソレーション」）に対応することができ、一定のパルス幅でもよい。オンサージパルス７６は、図２Ａ―２Ｂにて説明したように、マルチ・ステップ・パルス生成モジュール４のオンサージ回路２６Ａにより生成される。いくつかの例において、オンサージパルス７６は、すべてのホールおよび電子が結合したことを確実にする。いくつかの例において、オンサージ回路２６Ａを調整することによって、ユーザによって、または、例に関しオートメーション化した手段によって、オンサージパルス７６の振幅は、それぞれに調節可能（すなわち、「調整可能」）でもよい。いくつかの例において、オンサージ回路２６Ａを調整することによって、ユーザによって、または、例に関しオートメーション化した手段によって、オンサージパルス７６のパルス幅または振幅は、それぞれに調節可能（すなわち、「調整可能」）でもよい。いくつかの例において、オンサージパルス７６は、「ハイ」パルスでもよい。
【００６３】
[0063]  図５Ｄの例において、オンパルス７８は、オンパルス（例えば図１および３にて説明したように、オンパルス２８Ｂ（すなわち、「パルス幅」）に対応できる。オンパルス７８は、図２Ａ―２Ｂにて説明したように、マルチ・ステップ・パルス生成モジュール４のオンタイム回路２８Ａにより生成される。図５Ｄの例において、オンサージパルス７６のパルス幅は、ＰＩＮダイオードの所望のオンタイムに応じて必要なものをの長さに（例えば２００ナノ秒および２ミリ秒（ｍｓ）に対する、または、それ間の同等）調整されることができる。いくつかの例において、オンタイム回路２８Ａを調整することによって、ユーザによって、または、例に関しオートメーション化した手段によって、オンパルス７８の振幅は、それぞれに調節可能（すなわち、「調整可能」）でもよい。いくつかの例において、オンパルス７８は、「ハイ」パルスでもよい。
【００６４】
[0064]  図５Ｅの例において、オフサージパルス８０Ａは、一部のオフのサージ／クールダウン・パルス８０で、図１および３にて説明したように、オフサージパルス（例えばオフサージパルス３２Ｂ）（すなわち、「オフ−アイソレーション」）に対応することができて、一定のパルス幅でもよい。オフサージパルス８０Ａは、図２Ａ―２Ｂにて説明したように、マルチ・ステップ・パルス生成モジュール４のオフ−サージ／クールダウン回路３２Ａにより生成される一部のオフのサージ／クールダウン・パルス８０である。いくつかの例において、オフサージパルス８０Ａは、ＰＩＮダイオードの真性領域から、負担の中で急速に少し削除する。いくつかの例において、オフのサージ／クールダウン回路３２Ａを調整することによって、ユーザによって、または、例に関しオートメーション化した手段によって、オフサージパルス８０Ａのパルス幅または振幅は、それぞれに調節可能（すなわち、「調整可能」）でもよい。いくつかの例において、オフサージパルス８０Ａは、「低い」パルスでもよい。
【００６５】
[0065]  図５Ｆの例において、下降時間パルス８２は、下降時間パルス（例えば図１および３にて説明したように、下降時間パルス３０Ｂ（すなわち、「下降時間」）に対応することができ、一定のパルス幅でもよい。下降時間パルス８２は、図２Ａ―２Ｂにて説明したように、マルチ・ステップ・パルス生成モジュール４の下降時間回路３０Ａにより生成される。図５Ｄの例において、図２Ａ―２Ｂにて説明したように、マルチ・ステップ・パルス生成モジュール４の下降時間回路３０Ａの電位差計Ｐ１を調整することによって、ユーザによって、または、例に関しオートメーション化した手段によって、下降時間パルス８２の振幅は、それぞれに調節可能（すなわち、「調整可能」）でもよい。いくつかの例において、ユーザによって、または、例えば、下降時間回路３０Ａを調整することによって、オートメーション化した手段によって、下降時間パルス８２のパルス幅は、それぞれに調節可能でもよい。いくつかの例において、電位差計Ｐ１の抵抗を増加させることは下降時間パルス８２の振幅を増加させることができる。そして、それはよりゆっくりＰＩＮダイオードをオフにして、ＲＦエンベロープ（例えばＲＦエンベロープ６２）の下降時間を増加させる。いくつかの例において、電位差計Ｐ１の抵抗を減少させることは下降時間パルス８２の振幅を減少させることができる。そして、それはより急速にＰＩＮダイオードをオフにして、ＲＦエンベロープ（例えばＲＦエンベロープ６２）の下降時間を減少させる。
【００６６】
[0066]  図５Ｇの例において、クールダウン・パルス８０Ｂは、一部のオフのサージ／クールダウン・パルス８０で、図１および３にて説明したように、クールダウン・パルス（例えばクールダウン・パルス３２Ｃ）（すなわち、「オフのアイソレーション」）に対応することができて、一定のパルス幅でもよい。クールダウン・パルス８０Ｂは、図２Ａ―２Ｂにて説明したように、マルチ・ステップ・パルス生成モジュール４のオフのサージ／クールダウン回路３２Ａにより生成される一部のオフのサージ／クールダウン・パルス８０である。いくつかの例において、クールダウン・パルス８０Ｂは、ＰＩＮダイオードの真性領域から、いかなる残留する負担も取り除くことができる。いくつかの例において、ユーザによって、または、例えば、オフのサージ／クールダウン回路３２Ａを調整することによって、オートメーション化した手段によって、クールダウン・パルス８０Ｂのパルス幅または振幅は、それぞれに調節可能でもよい。いくつかの例において、クールダウン・パルス８０Ｂは、「ロー」パルスでもよい。
【００６７】
[0067]  図６は、駆動信号モジュール６の例を示している回路図である。図６の例において、複数のパルスを包含しているマルチ・ステップ・パルス生成モジュール４から、モジュール６が出力２０を受信するというドライブ信号は、駆動信号を生成するために、複数のパルスを結合する。いくつかの例において、モジュール６が電流を増加させることによって、駆動信号を増幅するという信号を駆動する。そうすると、駆動信号はＰＩＮダイオードを駆動することがありえる。いくつかの例において、電圧の急激なスパイクを防止して、電圧のより段階的な変化を提供するために、モジュール６が一つ以上の低域フィルタを有する駆動信号をフィルタリングするという信号を駆動する。図６の例において、マルチ・ステップ・パルス生成モジュール４からの出力２０は、複数のパルスを包含して、複数のパルスを結合して、図１について述べたようにＲＦインタフェース８のＰＩＮダイオードを駆動するために電流を増加させるために、駆動信号モジュール６のまとめているオペアンプ５４Ａに分配される。
【００６８】
[0068]  加算オペアンプ５４Ａ―５４Ｂは、いくつかの加重電圧を結合するために用いることができる。各々はＶ＋およびＶ―入力を有することができる。そして、一つの例で、抵抗が各電圧に関し同じことである所で、加算オペアンプは電圧の逆の合計を出力する。
【００６９】
[0069]  図６の一つの例において、Ｖ＋はマルチ・ステップ・パルス生成モジュール４から出力２０を供給される。そして、Ｖｓ＋は６Ｖを供給されて、接地点にコンデンサＣ２６（Ｃ２７）経由で接続される。図６の例において、Ｒ２８とＲ２９の間に（Ｒ２８が接地点に接続している。そして、Ｒ２９が加算オペアンプ５４Ａの出力に接続している）、加算オペアンプ５４ＡのＶ―は、接続される。図６の例において、加算オペアンプ５４ＡのＶｓ―は、ネガティブなパワー供給ピン（すなわち、ＶＥＥ）により出力されて、コンデンサＣ２８（Ｃ２９）によって、接地点に接続している。
【００７０】
[0070]  図６の例において、加算オペアンプ５４ＢのＶ―は加算オペアンプ５４ＡからレジスタＲ３２まで出力を受信して、レジスタＲ３１に接続している。そして、それは加算オペアンプ５４Ｂの出力に接続している。図６の例において、加算オペアンプ５４Ｂに反転させている加算オペアンプをする根拠に、加算オペアンプ５４ＢのＶ＋は、接続している。図６の例において、加算オペアンプ５４ＡのＶｓ―は、ネガティブなパワー供給ピン（すなわち、ＶＥＥ）により出力されて、コンデンサＣ３１（Ｃ３２）によって、接地点に接続している。図６の例において、加算オペアンプ５４ＢのＶｓ＋は、６  Ｖ出力されて、コンデンサＣ３３（Ｃ３４）によって、接地点に接続している。いくつかの例において、加算オペアンプ５４Ａ―５４Ｂは、外へ駆動信号６６の電流（すなわち、駆動信号の「バッファ」）を出力２０と比較して、増加させることができる。
【００７１】
[0071]  図６の例において、図１および４にて説明したように、オペアンプ５４Ａは、駆動信号６６を生成して、ＲＦインタフェース８に直列制御を提供するために複数のパルスを結合している非反転させている加算オペアンプでもよい。図６の例において、図１および４にて説明したように、オペアンプ５４Ｂは、反転する駆動信号６８を生成して、ＲＦインタフェース８に短絡制御を提供するために複数のパルスを結合している反転させている加算オペアンプでもよい。いくつかの例において、Ｒ３０およびＣ３０および／またはＲ３３およびＣ３５は、ハイ周波数ノイズがＲＦインタフェース８に分配されるのを防止するローパスフィルタでもよい。
【００７２】
【表５】
2015233277.tif 000007
【００７３】
表５−図６の抵抗の値
【００７４】
【表６】
2015233277.tif 000008
【００７５】
表６−図６のキャパシタの値
[0072]  ある例では、加算オペアンプ５４Ａは駆動信号を生成するためにマルチ・ステップ・パルス生成モジュール４から受信される複数のパルスを包含している出力２０を結合する。そして、例えば、それは図４―５Ｇにて説明したように、信号６６を駆動する。他の例では、図１にて説明したように、ＲＦインタフェース８のＰＩＮダイオードを駆動するために、加算オペアンプ５４Ａは、出力２０の電流レベルを増加させることもできる。いくつかの例、第2のオペアンプ、加算オペアンプを反転させたかかるものにおいて、５４Ｂは、駆動信号モジュール６のオペアンプ５４Ａから生成された駆動信号を受信して、反転する駆動信号（例えば図４―５  Ｇにて説明したように、反転する駆動信号６８）を生成するために、駆動信号６６を反転させる。いくつかの例において、図１にて説明したように、駆動信号モジュール６のうちの６６台がＲＦインタフェース８に届けられるという信号を駆動する。いくつかの例において、図１にて説明したように、駆動信号モジュール６の反転する駆動信号６８は、ＲＦインタフェース８に分配される。いくつかの例において、モジュール６が出力２０からハイ周波数ノイズを取り除くために任意の低域フィルタを包含することもできるという信号を駆動する。いくつかの例において、ＲＦインタフェース８は駆動信号６６および反転する駆動信号６８を受信することができて、出力８４でＲＦエンベロープ（例えば、図４にて説明したように、ＲＦエンベロープ６２）を生成できる。そして、それは図１にて説明したように、出力１１に対応できる。
【００７６】
[0073]  図７は、ＲＦモジュレータ２のＲＦエンベロープ６２に関し仕様９０の例を示している図である。図７の例において、立上がり時間パルス２４Ｂに対応する立上がり時間９２、図３にて説明したように、７４およびＲＦ出力（例えば図４にて説明したように、ＲＦエンベロープ６２）の５Ｂは、５０〜１００ナノ秒（ｎｓ）でもよい。図７の例において、図３および５  ＦのＲＦ出力（例えばＲＦエンベロープ６２）にて説明したように、下降時間パルス３０Ｂ、８２に対応する下降時間９４は、５０ナノ秒と２００ナノ秒の間にあることができる。図７の例において、オンパルス２８Ｂに対応するパルス幅９６（すなわち、オンパルス）、図３にて説明したように、７８およびＲＦ出力（例えばＲＦエンベロープ６２）の５Ｄは、７００ナノ秒と９００ナノ秒の間にあることができる。いくつかの例において、図１にて説明したように、入力１０とＲＦ出力（例えば図４にて説明したように、ＲＦエンベロープ６２）間のパルスの遅れ９８は、１５０ナノ秒以下でもよい。いくつかの例において、ＲＦ出力（例えばＲＦエンベロープ６２）の最大垂下１００は、プラスマイナス０．５デシベル（ｄＢ）でもよい。いくつかの例において、オンパルス２８Ｂに対応する最大パルス幅１０２、図３にて説明したように、７８およびＲＦ出力（例えばＲＦエンベロープ６２）の５Ｄは、３０マイクロ秒（μｓ）でもよい。いくつかの例において、オンパルス２８Ｂに対応する最小限のパルス幅１０４、図３にて説明したように、７８およびＲＦ出力（例えば図４にて説明したように、ＲＦエンベロープ６２）の５Ｄは、.45μｓでもよい。いくつかの例において、図１にて説明したように、ＲＦモジュレータ２の温度レンジ１０６は、摂氏マイナス５５度と８５度の間にある。いくつかの例において、ＲＦ出力（例えば図４にて説明したように、ＲＦエンベロープ６２）の周波数レンジ１０８は、１０３０〜１０９０メガヘルツ（ＭＨｚ）でもよい。いくつかの例において、開示の駆動信号は、極めてハイ・アイソレーション、例えば７５デシベル、ｄＢを有することができる。
【００７７】
[0074]  図８は、ＲＦエンベロープを生成するためにＰＩＮダイオードを駆動するために駆動信号を生成する例のプロセス１２０を示しているフロー図である。図８は、図１―３のコンテキストの範囲内で記載される。図８の例において、ＲＦモジュレータ２のマルチ・ステップ・パルス生成モジュール４が入力１０（１２２）を受信することができ、入力１０に基づいてパルス２４―３２の複数を生成し、複数のパルスの第１のパルス２４ＢはＲＦインタフェース８により生成されるＲＦエンベロープの立上がり時間を制御する。そして、複数のパルスの第2のパルス３０ＢはＲＦインタフェース８（１２４）により生成されるＲＦエンベロープの下降時間を制御する。図８の例において、ＲＦモジュレータ２のモジュール８が駆動信号４０（１２６）を生成するためにパルス２４―３２の複数を結合できるという信号および一つ以上のＰＩＮダイオード（１２８）を包含しているＲＦインタフェース８に対する非肝臓駆動信号４０を駆動する。図８の例において、駆動信号を有する一つ以上のＰＩＮダイオードを駆動することによって、ＲＦモジュレータ２のＲＦインタフェース８はＲＦエンベロープを生成できる。そして、少なくとも一つの振幅または第１のパルス２４Ｂのパルス幅は振幅または第2のパルス３０Ｂのパルス幅からそれぞれに調節可能である。
【００７８】
[0075]  いくつかの例において、ＲＦエンベロープのパルス幅が一つ以上のＰＩＮダイオードによって、生成した制御に、複数のパルスは第３のパルスを包含できる。そして、振幅の少なくとも一つのまたは第４のパルスのパルス幅はそれぞれに調整可能である。いくつかの例において、第３のパルスは、ＲＦエンベロープのパルス幅を７００―９００ナノ秒（ｎｓ）の間にあるために制御できる。いくつかの例において、複数のパルスの振幅は一つ以上の電位差計により調整されることができる。そして、複数のパルスのパルス幅は一つ以上のオペアンプにより調整されることができる。いくつかの例において、複数のパルスは制御に一つ以上のハイ・パルスを更に含むことができるオンである、一つ以上のＰＩＮダイオードおよび振幅または一つ以上のハイ・パルスのパルス幅の少なくとも一つであるのアイソレーションはそれぞれに調整可能である。いくつかの例において、一つ以上のＰＩＮダイオードのオフのアイソレーションを制御するために、複数のパルスは一つ以上のロー・パルスを更に含むことができる。そして、少なくとも一つの振幅または一つ以上のロー・パルスのパルス幅はそれぞれに調整可能である。いくつかの例において、複数のパルスを生成することは、アナログ‐デジタル変換器によって、複数のパルスを生成することを包含できる。いくつかの例において、第１のパルスは、ＲＦエンベロープの立上がり時間を５０―１００ナノ秒（ｎｓ）の間にあるために制御できる。いくつかの例において、第2のパルスは、ＲＦエンベロープの下降時間を５０―２００ナノ秒（ｎｓ）の間にあるために制御できる。いくつかの例において、ＲＦエンベロープの周波数は、１０３０―１０９０メガヘルツ（ＭＨｚ）の間にあることができる。いくつかの例において、入力とＲＦインタフェースによるＲＦエンベロープの生成間のパルスの遅れは、１５０ナノ秒（ｎｓ）でもよいかまたはより少なくてもよい。
【００７９】
[0076]  一つ以上の例において、記載される機能は、ハードウェア、ソフトウェア、ファームウェアまたはいかなるそれらの組み合わせでも実装されることができる。ソフトウェアで実装される場合、機能はオン記憶されることができるかまたは終わっていて、一つ以上の命令またはコードとして、コンピュータ可読媒体で、ハードウェア・ベースの処理ユニットにより実行されて伝導されることができる。コンピュータ可読媒体はコンピュータ可読記憶媒体メディアを包含できる。そして、有形の媒体（例えばデータ記憶媒体またはあちこち転転とコンピュータプログラムの移転を容易にするいかなる媒体も包含している通信メディア）に、それは対応する（例えば、通信プロトコルに従って）。このように、非一時的である（１）有形のコンピュータ可読記憶媒体または通信媒体（２）（例えば信号または搬送波）に、コンピュータ可読媒体は、全般的に対応できる。データ記憶媒体は、この開示に記載される技術の実装に関し命令、コードおよび／またはデータ構造を検索するために、一つ以上のコンピュータまたは一つ以上のプロセッサによって、アクセスされることがありえるいかなる利用できるメディアでもあってもよい。コンピュータ・プログラム製品は、コンピュータ可読媒体を包含できる。
【００８０】
[0077]  例えば、この例に限らないが、かかるコンピュータ可読記憶媒体はＲＡＭ、ＲＯＭ、ＥＥＰＲＯＭ、ＣＤ―ＲＯＭまたは他の光学的ディスク記憶装置（磁気ディスク・ストレージ）を含むことがありえる、または、他の磁気記憶デバイス、フラッシュ・メモリまたは命令またはデータ構造およびそれの形で所望のプログラムコードを記憶するために用いることがありえる他のいかなる媒体もコンピュータによって、アクセスされることがありえる。また、いかなる接続も、コンピュータ可読媒体と適切に称される。例えば、命令が同軸ケーブル、ファイバー光学のケーブル、ツイスト・ペア、デジタル加入者回線（ＤＳＬ）または無線技術（例えば赤外線、ラジオおよびマイクロ波）を用いてウェブサイト、サーバまたは他のリモート・ソースから送信される場合、同軸ケーブル（ファイバー光学のケーブル）は一対（ＤＳＬ）をねじった、または、無線技術（例えば赤外線）、ラジオおよびマイクロ波は媒体の定義において、包含される。しかしながら、コンピュータ可読記憶媒体メディアおよびデータ記憶媒体が接続、搬送波、信号または他の一時的なメディアを包含しなくて、その代わりに非一時的な、有形のストレージ媒体に向けられることを理解すべきである。コンパクトディスク（ＣＤ）、レーザーディスク（登録商標）、光ディスク、デジタル多用途ディスク（ＤＶＤ）、フロッピー（登録商標）ディスクおよびブルーレイ・ディスクを（ディスクが通常磁気的にデータを再生する）、ディスクおよびディスク（本明細書で用いられる）は包含する。その一方で、ディスクは光学的にレーザーを有するデータを再生する。上記の組合せは、コンピュータ可読媒体の範囲内にも包含されるべきである。
【００８１】
[0078]  命令は、一つ以上のプロセッサ（例えば一つ以上のデジタル信号プロセッサ（ＤＳＰ）、一般的な目的マイクロプロセッサ、特定用途向け集積回路（ＡＳＩＣ）、フィールド・プログラム可能論理アレイ（ＦＰＧＡｓ）または他の等価な集積であるか別々のロジック回路）により実行されることができる。したがって、用語「プロセッサ」、本明細書で用いられる本願明細書において、記載される技術の実装に関し、前述の構造または適切な他のいかなる構造のもいずれかに称することができる。更に、いくつかの態様で、本願明細書において、記載される機能は、エンコードおよびデコードに関し構成される専用のハードウェアおよび／またはソフトウェア・モジュールの範囲内で提供されることができるか、または複合コーデックに取り入れられることが可能である。また、技術は、一つ以上の回路またはロジック・エレメントで十分に実装されることができる。
【００８２】
[0079]  この開示の技術は、多種多様なデバイスまたは装置、集積回路（ＩＣ）または一組のＩＣ（例えば、チップ・セット）において、実装されることができる。各種要素、モジュールまたはユニットは、開示された技術を実行するために構成されるデバイスの機能的な態様を強調するためにこの開示に記載されるが、異なるハードウェアユニットによって、実現を必ずしも必要とするというわけではない。むしろ、上記の通りに、適切なソフトウェアおよび／またはファームウェアと連動して、さまざまなユニットは、コーデック・ハードウェアユニットに組み込まれることができるかまたは上記の通りに一つ以上のプロセッサを含む一まとまりのインター作用するハードウェアユニットにより提供されることができる。
【００８３】
[0080]  開示のさまざまな例を記載してきた。これらおよび他の例は、以下の請求項の範囲内である。
【図１】
2015233277.tif 000009
【図２Ａ】
2015233277.tif 000010
【図２Ｂ】
2015233277.tif 000011
【図３】
2015233277.tif 000012
【図４】
2015233277.tif 000013
【図５Ａ】
2015233277.tif 000014
【図５Ｂ】
2015233277.tif 000015
【図５Ｃ】
2015233277.tif 000016
【図５Ｄ】
2015233277.tif 000017
【図５Ｅ】
2015233277.tif 000018
【図５Ｆ】
2015233277.tif 000019
【図５Ｇ】
2015233277.tif 000020
【図６】
2015233277.tif 000021
【図７】
2015233277.tif 000022
【図８】
2015233277.tif 000023
【外国語明細書】
2015233277000001.pdf