(57)【要約】【課題】本発明は、従来よりも炭化珪素成膜装置の部品の交換頻度を少なくして、炭化珪素基板上に形成する炭化珪素膜の製造コストを低減することの可能なサセプタ、及びサセプタのクリーニング方法を提供することを目的とする。【解決手段】上面１１ａ側に凹部１４を有するサセプタ本体１１と、凹部１４に対して着脱可能に配置され、かつ表面３０ａに炭化珪素膜が形成される炭化珪素基板３０の外周縁３０Ａとの間に隙間Ｅを介在させて、炭化珪素基板３０を収容する収容部を含む基板収容部材１２と、を有する。【選択図】図３
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
炭化珪素成膜装置の成膜チャンバ内で使用されるサセプタであって、
上面側に凹部を有するサセプタ本体と、
前記凹部に対して着脱可能に配置され、かつ表面に炭化珪素膜が形成される炭化珪素基板の外周縁との間に隙間を介在させて、該炭化珪素基板を収容する収容部を含む基板収容部材と、
を有し、
前記基板収容部材は、前記炭化珪素基板の裏面と接触することで、該炭化珪素基板を支持する支持部材と、
前記支持部材よりも上方に配置された部分が前記収容部を区画すると共に、前記炭化珪素基板の面方向における該炭化珪素基板の位置を規制する位置規制部材と、
を含むことを特徴とするサセプタ。
【請求項２】
前記支持部材は、該支持部材の中央部を貫通する貫通部を有し、
前記支持部材は、前記炭化珪素基板の裏面のうち、前記貫通部の外側に位置する面と接触することを特徴とする請求項１記載のサセプタ。
【請求項３】
前記支持部材と前記位置規制部材とは、別体であり、分離可能であることを特徴とする請求項１または２記載のサセプタ。
【請求項４】
前記基板収容部材及び前記サセプタ本体は、それぞれカーボンよりなる部材を炭化珪素よりなる被膜でコーティングすることで構成されていることを特徴とする請求項１記載のサセプタ。
【請求項５】
前記支持部材、前記位置規制部材、及び前記サセプタ本体は、それぞれカーボンよりなる部材を炭化珪素よりなる被膜でコーティングすることで構成されていることを特徴とする請求項１ないし３のうち、いずれか１項記載のサセプタ。
【請求項６】
炭化珪素成膜装置の成膜チャンバ内で使用されるサセプタであって、
貫通部を有するサセプタ本体と、
前記貫通部に対して着脱可能に配置され、かつ炭化珪素膜が形成される炭化珪素基板の外周縁との間に隙間を介在させて、該炭化珪素基板を収容する収容部を含む基板収容部材と、
を有し、
前記基板収容部材は、前記炭化珪素基板の裏面と接触することで、該炭化珪素基板を支持する支持部材と、
前記支持部材上に配置され、前記炭化珪素基板の外周との間に隙間を介在させて、該炭化珪素基板の面方向における該炭化珪素基板の位置を規制する位置規制部材と、
前記支持部材の下方に配置され、該支持部材を支持すると共に、前記貫通部の一方の端を塞ぐ板状部材と、
を含むことを特徴とするサセプタ。
【請求項７】
前記基板収容部材は、前記支持部材の内壁及び前記板状部材の上面で区画され、前記基板収容部材に収容された前記炭化珪素基板の裏面を露出する凹部を有することを特徴とする請求項６記載のサセプタ。
【請求項８】
前記支持部材、前記位置規制部材、及び前記板状部材は、別体であり、分離可能であることを特徴とする請求項６または７記載のサセプタ。
【請求項９】
前記基板収容部材及び前記サセプタ本体は、それぞれカーボンよりなる部材を炭化珪素よりなる被膜でコーティングすることで構成されていることを特徴とする請求項６記載のサセプタ。
【請求項１０】
請求項１ないし９のうち、いずれか１項記載のサセプタに堆積した炭化珪素よりなる堆積物を除去するサセプタのクリーニング方法であって、
炭化珪素成膜装置の成膜チャンバから前記堆積物が付着した前記サセプタを取り出す工程と、
炭化珪素除去装置のチャンバ内に、前記堆積物が付着した前記サセプタを収容させると共に、前記基板収容部材の前記収容部に前記サセプタを保護するサセプタ保護基板を配置する工程と、
ドライエッチングにより、前記サセプタに堆積した前記堆積物を除去するエッチング工程と、
前記エッチング工程後に、前記基板収容部材が損傷した際、損傷した該基板収容部材を損傷していない他の基板収容部材と交換する交換工程と、
を含むことを特徴とするサセプタのクリーニング方法。
【請求項１１】
前記エッチング工程は、前記チャンバ内にプラズマ化させたフッ素含有ガスを供給することで、前記堆積物に含まれる珪素成分を選択的に除去する第１のステップと、
前記チャンバ内にプラズマ化させた酸素含有ガスを供給することで、前記堆積物に含まれる炭素成分を選択的に除去する第２のステップと、
を含み、
前記第１のステップと前記第２のステップとを交互または同時に行うことを特徴とする請求項１０記載のサセプタのクリーニング方法。
【請求項１２】
前記サセプタ保護基板として、ダミー用の炭化珪素基板または石英基板を用いることを特徴とする請求項１０または１１記載のサセプタのクリーニング方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、炭化珪素成膜装置の成膜チャンバ内で使用するサセプタ、及びサセプタのクリーニング方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
ＣＶＤ装置やエピタキシャル装置等の成膜装置は、所定の基板の表面に薄膜を成長させる装置である。このような成膜装置では、薄膜を形成する際、基板が載置されるサセプタに薄膜前駆体を成分とする固形物が堆積してしまう。以下、この固形物を堆積物という。
このように、サセプタに堆積物が形成されると、該堆積物が剥がれてパーティクルの原因となり、基板の表面に形成される薄膜の膜質低下を招いてしまう。
【０００３】
特許文献１には、堆積物が付着した成膜装置を構成する部材を外部に取り出し、ドライクリーニング専用装置で該部材に付着した堆積物を除去するエクサイチュー方式（Ｅｘ−Ｓｉｔｕ）のドライクリーニングが開示されている。
【０００４】
具体的には、特許文献１には、炭化珪素が付着した炭化珪素成膜装置の部材を収容する処理チャンバ内に、プラズマ化させたフッ素含有ガスを供給することで、炭化珪素に含まれる珪素成分を除去する第１のステップと、処理チャンバ内に、プラズマ化させた酸素含有ガスを供給することで、炭化珪素に含まれる炭素成分を除去する第２のステップと、を含み、第１のステップと、第２のステップと、を交互または同時に行なう炭化珪素の除去方法が開示されている。
【０００５】
上記特許文献１に開示された炭化珪素の除去方法を用いることで、堆積物の主成分である炭化珪素に含まれる炭素成分及び珪素成分を精度よく除去することが可能となる。言い換えれば、炭化珪素成膜装置の部材に付着した堆積物を精度良く除去することが可能となる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開２０１２−１８２３７３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
上記のように、特許文献１に開示された炭化珪素の除去方法を用いることで、炭化珪素成膜装置の部材に堆積した堆積物を精度良く除去することが可能となる。
しかしながら、特許文献１では、後述するような問題が発生してしまう。
【０００８】
図１９は、従来のサセプタの一部を示す図である。図１９（ａ）は、従来のサセプタの斜視図（サセプタの外周部のみ断面図）であり、図１９（ｂ）は、図１９（ａ）に示すサセプタのＸ−Ｘ線方向の断面図である。
【０００９】
図２０は、従来の堆積物の除去方法の問題点を説明するための図である。図２０（ａ）は、炭化珪素成膜装置の成膜チャンバ内に収容され、かつ炭化珪素基板が載置されたサセプタの断面図である。図２０（ｂ）は、炭化珪素成膜装置の成膜チャンバ内に収容され、かつ表面に炭化珪素膜が形成された炭化珪素基板が載置されると共に、堆積物が堆積したサセプタの断面図である。
図２０（ｃ）は、炭化珪素膜が形成された炭化珪素基板を除去後、炭化珪素成膜装置の成膜チャンバの外に取り出され、かつ堆積物が堆積したサセプタの断面図である。図２０（ｄ）は、炭化珪素除去装置のチャンバ内に収容され、かつサセプタ保護基板が載置されたサセプタの断面図である。図２０（ｅ）は、炭化珪素除去装置により、堆積物が除去されたサセプタの断面図である。
【００１０】
次に、図１９、及び図２０（ａ）〜図２０（ｅ）を参照して、従来の堆積物の除去方法の説明をしていく中で、従来の炭化珪素（堆積物）の除去方法の問題点について説明する。
始めに、図１９に示すサセプタ３００を準備する。ここで、サセプタ３００の構成について説明する。
サセプタ３００は、サセプタ本体３０１と、サセプタ本体３０１の表面に配置された基板収容部３０２と、を有する。サセプタ本体３０１は、円盤形状とされており、カーボンよりなる部材を炭化珪素膜よりなる被膜でコーティングされている。
該被膜となる炭化珪素膜の厚さは、例えば、２００μｍとすることができる。
【００１１】
基板収容部３０２は、サセプタ本体３０１の表面側に配置された第１の凹部３０２Ａと、第２の凹部３０２Ｂと、を有する。
第１の凹部３０２Ａは、円盤形状とされた空間であり、炭化珪素基板の裏面のうち、外周部に位置する面と接触することで、炭化珪素基板を支持する。
【００１２】
第１の凹部３０２Ａの内径は、図２０（ａ）に示す炭化珪素基板３０５の外径、及び図２０（ｄ）に示すサセプタ保護基板３１１の外径よりも大きい値とされている。
これにより、炭化珪素基板の外周縁と第１の部分３０３Ａの側壁との間には、隙間Ｙが形成される。
また、図２０（ｄ）に示すように、サセプタ３００のクリーニング処理を実施する際、第１の凹部３０２Ａには、サセプタ保護基板３１１が載置される。
【００１３】
第２の凹部３０２Ｂは、第１の凹部３０２Ａの直下に配置されており、第１の凹部３０２Ａと一体とされている。第２の凹部３０２Ｂは、円盤形状とされている。第２の凹部３０２Ｂの内径は、炭化珪素基板３０５の外径、及び図２０（ｄ）に示すサセプタ保護基板３１１の外径よりも小さい値となるように構成されている。
【００１４】
上記サセプタ３００は、分解可能な複数の部材で構成されている部材ではなく、１つの部材で構成されている。
【００１５】
次いで、図２０（ａ）に示す工程では、炭化珪素成膜装置（図示せず）の成膜チャンバ（図示せず）内に収容されたサセプタ３００の第１の凹部３０２Ａに、炭化珪素基板３０５を載置する。この段階において、炭化珪素基板３０５の外周縁と第１の凹部３０２Ａの側壁との間に隙間Ｙ（例えば、１〜２ｍｍ）が形成される。
【００１６】
次いで、図２０（ｂ）に示す工程では、周知の手法により、炭化珪素基板３０５の表面３０５ａに炭化珪素膜３０７を形成する。このとき、基板収容部３０２が形成されていないサセプタ３００の上面と、隙間Ｙに位置する第１の凹部３０２Ａの底面に、炭化珪素を主成分とする堆積物３０８が堆積してしまう。
なお、ここでの堆積物３０８は、炭化珪素膜の成膜処理を繰り返し行うことで、堆積する堆積物（炭化珪素よりなる堆積物）であり、薄い厚さではなく、例えば、２０〜５０μｍ程度の厚さを有する。
この段階において、第１の凹部３０２Ａの側面には、堆積物３０８が堆積していないため、第１の凹部３０２Ａの側面は、堆積物３０８から露出されている。
【００１７】
次いで、図２０（ｃ）に示す工程では、図２０（ｂ）に示す炭化珪素膜３０７が形成された炭化珪素基板３０５を回収後、炭化珪素成膜装置（図示せず）の成膜チャンバ（図示せず）の外に、堆積物３０８が堆積したサセプタ３００を取り出す。
【００１８】
次いで、図２０（ｄ）に示す工程では、炭化珪素除去装置（図示せず）のチャンバ（図示せず）内に、堆積物３０８が付着したサセプタ３００を収容する。次いで、サセプタ３００の基板収容部３０２の第１の凹部３０２Ａにサセプタ保護基板３１１を載置する。
サセプタ保護基板３１１としては、炭化珪素基板３０５と同じ形状（言い換えれば、同じ厚さで、かつ同じ外径）とされた基板を用いる。
【００１９】
次いで、図２０（ｅ）に示す工程では、特許文献１に開示された方法により、図２０（ｄ）に示すサセプタ３００に堆積した堆積物３０８を除去する。
このとき、プラズマ化されたフッ素含有ガス（堆積物３０８に含まれる珪素成分を除去するためのガス）、及びプラズマ化された酸素含有ガス（堆積物３０８に含まれる炭素成分を除去するためのガス）は、その方向性が制御されていない。
そのため、プラズマは、成膜チャンバの上方からサセプタ３００の上面に向かう鉛直方向だけでなく、斜め方向や横方向等の様々な方向に進む。
【００２０】
このため、隙間Ｙに入り込み、かつ様々な方向に進むプラズマにより、堆積物３０８が堆積していない第１の凹部３０２Ａの側壁に位置する被膜３０２がエッチングされて（図２０（ｅ）に示す領域Ｚ参照）、サセプタ３００が破損してしまう。
このため、堆積物３０８を除去後のサセプタ３００を炭化珪素成膜装置で再度使用することができない。
【００２１】
また、先に説明したように、サセプタ３００は、着脱可能（或いは、分離可能）な複数の部材で構成されているわけではなく、１つの部材で構成されている。
このため、堆積物３０８が除去され、かつ損傷したサセプタ３００に替えて、新品のサセプタ３００を準備せざるを得なかった。
つまり、サセプタ３００全体を交換する必要があるため、炭化珪素基板上に形成する炭化珪素膜の製造コストが増加してしまうという問題があった。
【００２２】
そこで、本発明は、従来よりも炭化珪素成膜装置の部品の交換頻度を少なくして、炭化珪素基板上に形成する炭化珪素膜の製造コストを低減することの可能なサセプタ、及びサセプタのクリーニング方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００２３】
上記課題を解決するため、請求項１に係る発明によれば、炭化珪素成膜装置の成膜チャンバ内で使用されるサセプタであって、上面側に凹部を有するサセプタ本体と、前記凹部に対して着脱可能に配置され、かつ表面に炭化珪素膜が形成される炭化珪素基板の外周縁との間に隙間を介在させて、該炭化珪素基板を収容する収容部を含む基板収容部材と、を有し、前記基板収容部材は、前記炭化珪素基板の裏面と接触することで、該炭化珪素基板を支持する支持部材と、前記支持部材よりも上方に配置された部分が前記収容部を区画すると共に、前記炭化珪素基板の面方向における該炭化珪素基板の位置を規制する位置規制部材と、を含むことを特徴とするサセプタが提供される。
【００２４】
また、請求項２に係る発明によれば、前記支持部材は、該支持部材の中央部を貫通する貫通部を有し、前記支持部材は、前記炭化珪素基板の裏面のうち、前記貫通部の外側に位置する面と接触することを特徴とする請求項１記載のサセプタが提供される。
【００２５】
また、請求項３に係る発明によれば、前記支持部材と前記位置規制部材とは、別体であり、分離可能であることを特徴とする請求項１または２記載のサセプタが提供される。
【００２６】
また、請求項４に係る発明によれば、前記基板収容部材及び前記サセプタ本体は、それぞれカーボンよりなる部材を炭化珪素よりなる被膜でコーティングすることで構成されていることを特徴とする請求項１記載のサセプタが提供される。
【００２７】
また、請求項５に係る発明によれば、前記支持部材、前記位置規制部材、及び前記サセプタ本体は、それぞれカーボンよりなる部材を炭化珪素よりなる被膜でコーティングすることで構成されていることを特徴とする請求項１ないし３のうち、いずれか１項記載のサセプタが提供される。
【００２８】
また、請求項６に係る発明によれば、炭化珪素成膜装置の成膜チャンバ内で使用されるサセプタであって、貫通部を有するサセプタ本体と、前記貫通部に対して着脱可能に配置され、かつ炭化珪素膜が形成される炭化珪素基板の外周縁との間に隙間を介在させて、該炭化珪素基板を収容する収容部を含む基板収容部材と、を有し、前記基板収容部材は、前記炭化珪素基板の裏面と接触することで、該炭化珪素基板を支持する支持部材と、前記支持部材上に配置され、前記炭化珪素基板の外周との間に隙間を介在させて、該炭化珪素基板の面方向における該炭化珪素基板の位置を規制する位置規制部材と、前記支持部材の下方に配置され、該支持部材を支持すると共に、前記貫通部の一方の端を塞ぐ板状部材と、を含むことを特徴とするサセプタが提供される。
【００２９】
また、請求項７に係る発明によれば、前記基板収容部材は、前記支持部材の内壁及び前記板状部材の上面で区画され、前記基板収容部材に収容された前記炭化珪素基板の裏面を露出する凹部を有することを特徴とする請求項６記載のサセプタが提供される。
【００３０】
また、請求項８に係る発明によれば、前記支持部材、前記位置規制部材、及び前記板状部材は、別体であり、分離可能であることを特徴とする請求項６または７記載のサセプタが提供される。
【００３１】
また、請求項９に係る発明によれば、前記基板収容部材及び前記サセプタ本体は、それぞれカーボンよりなる部材を炭化珪素よりなる被膜でコーティングすることで構成されていることを特徴とする請求項６記載のサセプタが提供される。
【００３２】
また、請求項１０に係る発明によれば、請求項１ないし９のうち、いずれか１項記載のサセプタに堆積した炭化珪素よりなる堆積物を除去するサセプタのクリーニング方法であって、炭化珪素成膜装置の成膜チャンバから前記堆積物が付着した前記サセプタを取り出す工程と、炭化珪素除去装置のチャンバ内に、前記堆積物が付着した前記サセプタを収容させると共に、前記基板収容部材の前記収容部に前記サセプタを保護するサセプタ保護基板を配置する工程と、ドライエッチングにより、前記サセプタに堆積した前記堆積物を除去するエッチング工程と、前記エッチング工程後に、前記基板収容部材が損傷した際、損傷した該基板収容部材を損傷していない他の基板収容部材と交換する交換工程と、を含むことを特徴とするサセプタのクリーニング方法が提供される。
【００３３】
また、請求項１１に係る発明によれば、前記エッチング工程は、前記チャンバ内にプラズマ化させたフッ素含有ガスを供給することで、前記堆積物に含まれる珪素成分を選択的に除去する第１のステップと、前記チャンバ内にプラズマ化させた酸素含有ガスを供給することで、前記堆積物に含まれる炭素成分を選択的に除去する第２のステップと、を含み、前記第１のステップと前記第２のステップとを交互または同時に行うことを特徴とする請求項１０記載のサセプタのクリーニング方法が提供される。
【００３４】
また、請求項１２に係る発明によれば、前記サセプタ保護基板として、ダミー用の炭化珪素基板または石英基板を用いることを特徴とする請求項１０または１１記載のサセプタのクリーニング方法が提供される。
【発明の効果】
【００３５】
本発明のサセプタによれば、サセプタ本体に設けられた凹部に対して着脱可能に配置され、かつ炭化珪素膜が形成される炭化珪素基板の外周縁との間に隙間を介在させて、該炭化珪素基板を収容する収容部を含む基板収容部材を有することにより、例えば、サセプタに堆積した炭化珪素よりなる堆積物を除去する際のドライエッチングにより、基板収容部材が損傷した場合、損傷した基板収容部材のみを交換すればよいため（サセプタの大部分を占めるサセプタ本体を交換しなくてもよいため）、サセプタ全体を新しいサセプタに交換する場合と比較して、炭化珪素基板の表面に形成する炭化珪素膜の製造コストを低減することができる。
特に、エクサイチュー方式（Ｅｘ−Ｓｉｔｕ）のドライクリーニングにより、サセプタに堆積した厚い堆積物を除去する場合に有効である。
【図面の簡単な説明】
【００３６】
【図１】本発明の第１の実施の形態に係るサセプタの平面図である。
【図２】図１に示すサセプタのうち、領域Ａで囲まれた部分を拡大した図であり、（ａ）は領域Ａで囲まれた部分の斜視図（サセプタの外周部のみ断面図）であり、（ｂ）は、（ａ）に示すサセプタのＤ−Ｄ線方向の断面図である。
【図３】炭化珪素基板が載置されたサセプタを拡大した断面図である。
【図４】第１の実施の形態の第１変形例に係るサセプタの一部を拡大した図であり、（ａ）はサセプタの斜視図（サセプタの外周部のみ断面図）であり、（ｂ）は、（ａ）に示すサセプタのＦ−Ｆ線方向の断面図である。
【図５】第１の実施の形態の第２変形例に係るサセプタの一部を拡大した図であり、（ａ）はサセプタの斜視図（サセプタの外周部のみ断面図）であり、（ｂ）は、（ａ）に示すサセプタのＧ−Ｇ線方向の断面図である。
【図６】第１の実施の形態の第３変形例に係るサセプタの一部を拡大した図であり、（ａ）はサセプタの斜視図であり、（ｂ）は、（ａ）に示すサセプタのＨ−Ｈ線方向の断面図である。
【図７】第１の実施の形態のサセプタを使用可能なバッチ式の炭化珪素成膜装置の概略構成を模式的に示す断面図である。
【図８】第１の実施の形態の第３変形例に係るサセプタを使用可能な枚葉式の炭化珪素成膜装置の概略構成を模式的に示す断面図である。
【図９】第１の実施の形態に係るサセプタのクリーニング方法を行う際に使用する炭化珪素除去装置の概略構成を示す図である。
【図１０】図９に示すチャンバ内の構成を説明するためのチャンバの断面図である。
【図１１】本発明の第１の実施の形態に係るサセプタのクリーニング方法を説明するためのフローチャートを示す図である。
【図１２】サセプタのクリーニング方法を構成する各工程を説明するための図である。（ａ）は、炭化珪素膜が成膜された炭化珪素基板を回収後、炭化珪素成膜装置の成膜チャンバから取り出され、かつ炭化珪素よりなる堆積物が堆積したサセプタの断面図である。（ｂ）は、炭化珪素除去装置のチャンバ内に収容され、基板収容部材にサセプタ保護基板が配置され、かつ堆積物が堆積したサセプタ、及びサセプタ保護基板の断面図である。（ｃ）は、堆積物が除去された後のサセプタの断面図である。（ｄ）は、損傷した基板収容部材を損傷していない新品の基板収容部材と交換し、その後、炭化珪素成膜装置の成膜チャンバ内に収容されたサセプタの断面図である。
【図１３】本発明の第２の実施の形態に係るサセプタの一部を拡大した図であり、（ａ）はサセプタの斜視図（サセプタの外周部のみ断面図）であり、（ｂ）は、（ａ）に示すサセプタのＩ−Ｉ線方向の断面図である。
【図１４】本発明の第２の実施の形態の第１変形例に係るサセプタの一部を拡大した図であり、（ａ）はサセプタの斜視図（サセプタの外周部のみ断面図）であり、（ｂ）は、（ａ）に示すサセプタのＩ−Ｉ線方向の断面図である。
【図１５】本発明の第２の実施の形態の第２変形例に係るサセプタの一部を拡大した図であり、（ａ）はサセプタの斜視図（サセプタの外周部のみ断面図）であり、（ｂ）は、（ａ）に示すサセプタのＩ−Ｉ線方向の断面図である。
【図１６】本発明の第２の実施の形態の第３変形例に係るサセプタの一部を拡大した図であり、（ａ）はサセプタの斜視図（サセプタの外周部のみ断面図）であり、（ｂ）は、（ａ）に示すサセプタのＬ−Ｌ線方向の断面図である。
【図１７】比較例で使用したサセプタの概略構成を示す平面図である。
【図１８】図１７に示すサセプタのＭ−Ｍ線方向の断面図である。
【図１９】従来のサセプタの一部を示す図である。（ａ）は、従来のサセプタの斜視図（サセプタの外周部のみ断面図）であり、（ｂ）は、（ａ）に示すサセプタのＸ−Ｘ線方向の断面図である。
【図２０】従来の堆積物の除去方法の問題点を説明するための図である。（ａ）は、炭化珪素成膜装置の成膜チャンバ内に収容され、かつ炭化珪素基板が載置されたサセプタの断面図である。（ｂ）は、炭化珪素成膜装置の成膜チャンバ内に収容され、かつ表面に炭化珪素膜が形成された炭化珪素基板が載置されると共に、堆積物が堆積したサセプタの断面図である。（ｃ）は、炭化珪素膜が形成された炭化珪素基板を除去後、炭化珪素成膜装置の成膜チャンバの外に取り出され、かつ堆積物が堆積したサセプタの断面図である。（ｄ）は、炭化珪素除去装置のチャンバ内に収容され、かつサセプタ保護基板が載置されたサセプタの断面図である。（ｅ）は、炭化珪素除去装置により、堆積物が除去されたサセプタの断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００３７】
以下、図面を参照して本発明を適用した実施の形態について詳細に説明する。なお、以下の説明で用いる図面は、本発明の実施形態の構成を説明するためのものであり、図示される各部の大きさや厚さや寸法等は、実際のサセプタ、炭化珪素成膜装置、及び炭化珪素除去装置の寸法関係とは異なる場合がある。
【００３８】
（第１の実施の形態）
図１は、本発明の第１の実施の形態に係るサセプタの平面図である。図１に示すＣは、サセプタ本体１１の中心（以下、「中心Ｃ」という）を示している。
図２は、図１に示すサセプタのうち、領域Ａで囲まれた部分を拡大した図であり、図２（ａ）は領域Ａで囲まれた部分の斜視図（サセプタの外周部のみ断面図）であり、図２（ｂ）は、図２（ａ）に示すサセプタのＤ−Ｄ線方向の断面図である。
図３は、炭化珪素基板が載置されたサセプタを拡大した断面図である。図３に示すＳは、炭化珪素基板３０の面方向（言い換えれば、炭化珪素基板３０の表面方向）を示している（以下、「面方向Ｓ」という）。
図１、図２（ａ），（ｂ）、及び図３において、同一構成部分には同一符号を付す。
【００３９】
図１、図２（ａ），（ｂ）、及び図３を参照するに、サセプタ１０は、複数の炭化珪素基板に対して同時に炭化珪素膜を成膜するバッチ式の炭化珪素成膜装置の成膜チャンバ内で使用されるサセプタであって、サセプタ本体１１と、複数の基板収容部材１２（図１の場合、８つ）と、を有する。
【００４０】
サセプタ本体１１は、円盤形状とされた部材であり、その外形が円形とされている。  サセプタ本体１１は、その上面１１ａ側に複数の凹部１４（図１の場合、８つ）を有する。複数の凹部１４の形状は、基板収容部材１２を収容可能な円盤形状とされている。複数の凹部１４は、サセプタ本体１１の中心Ｃを中心とする円周Ｂ上に、複数の凹部１４の中心が位置するように等間隔で配置されている。
【００４１】
サセプタ本体１１は、カーボンよりなる部材１６を炭化珪素よりなる被膜１７（例えば、３Ｃ−ＳｉＣ膜）でコーティングすることで構成されている。サセプタ１０に載置する炭化珪素基板３０（表面３０ａに炭化珪素膜が形成される基板）の外径が４インチ（１０２ｍｍ）の場合、サセプタ本体１１のうち、凹部１４が形成されていない部分の厚さは、例えば、４ｍｍとすることができる。
この場合、被膜１７の厚さは、例えば、１００〜２００μｍとすることができる。
【００４２】
基板収容部材１２は、各凹部１４内に配置されている。基板収容部材１２は、支持部材２１と、位置規制部材２２と、収容部２４と、を有する。
支持部材２１は、リング状とされた部材であり、支持部材２１の中央部を貫通する貫通部２１Ａを有する。
支持部材２１は、凹部１４の底面１４ａのうち、凹部１４の外周部に位置する面と接触するように、凹部１４内に配置されている。支持部材２１は、位置規制部材２２よりも凹部１４の中心に向かう方向に突出している。
【００４３】
位置規制部材２２よりも凹部１４の中心に向かう方向に突出した支持部材２１の上面は、炭化珪素基板３０の裏面３０ｂのうち、炭化珪素基板３０の外周部に位置する面（言い換えれば、炭化珪素基板３０の裏面３０ｂのうち、貫通部２１Ａの外側に位置する面）と接触している。これにより、炭化珪素基板３０は、支持部材２１により支持されている。
【００４４】
このように、炭化珪素基板３０を支持する支持部材２１の中央部に貫通部２１Ａを設けることで、加熱により炭化珪素基板３０に反りが発生した場合でも、サセプタ本体１１及び基板収容部材１２からの輻射熱により、炭化珪素基板３０全体を均一に加熱することができる。
【００４５】
また、支持部材２１の中央部に貫通部２１Ａを設けることで、貫通部２１Ａが形成されていない場合と比較して、炭化珪素基板３０の裏面３０ｂと支持部材２１（具体的には、第１の実施の形態の場合、炭化珪素よりなる被膜３２）との接触面積がかなり小さくなるため、被膜３２が炭化珪素基板３０の裏面３０ｂに転写されることを抑制できる。
さらに、炭化珪素基板３０の裏面３０ｂと支持部材２１を構成する被膜３２との接触面積がかなり小さくなることにより、被膜３２に含まれる不純物（例えば、重金属）により炭化珪素基板３０の裏面３０ｂが汚染されることを抑制できる。
【００４６】
支持部材２１は、炭化珪素基板３０の表面３０ａがサセプタ本体１１の上面１１ａに対して面一となるように、炭化珪素基板３０を支持している。
【００４７】
位置規制部材２２は、リング状とされた部材であり、支持部材２１上に配置されている。位置規制部材２２は、凹部１４の内壁に近接するように、凹部１４内に収容されている。位置規制部材２２は、支持部材２１と一体に構成されている。
位置規制部材２２の上面２２ａ（言い換えれば、基板収容部材１２の上面１２ａ）は、サセプタ本体１１の上面１１ａに対して面一となるように構成されている。
【００４８】
これにより、位置規制部材１２の上面１２ａ、及び基板収容部材１２に収容された炭化珪素基板３０の表面３０ａは、サセプタ本体１１の上面１１ａに対して面一となる。
このように、位置規制部材２２の上面２２ａ、及び基板収容部材１２に収容された炭化珪素基板３０の表面３０ａは、サセプタ本体１１の上面１１ａに対して面一とすることにより、横方向から原料ガスを供給する気相成長装置（炭化珪素成膜装置）を用いた際、原料ガスが凸部にぶつかって原料ガスの流れが変化することを抑制可能となるので、複数の炭化珪素基板３０の表面３０ａに良好な炭化珪素膜を形成することができる。
【００４９】
位置規制部材２２は、面方向Ｓにおける収容部２４を区画すると共に、面方向Ｓにおける炭化珪素基板３０の位置を規制している。
位置規制部材２２の内径は、位置規制部材２２の内壁と炭化珪素基板３０の外周縁３０Ａとの間にリング状の隙間Ｅが形成される大きさとされている。隙間Ｅの大きさは、例えば、１〜２ｍｍとすることができる。
【００５０】
上記構成とされた基板収容部材１２は、カーボンよりなる部材３１（支持部材２１及び位置規制部材２２の形状に対応する１つの部材）を炭化珪素（例えば、３Ｃ−ＳｉＣ膜）よりなる被膜３２でコーティングすることで構成されている。
このように、カーボンよりなる部材１６，３１を炭化珪素よりなる被膜１７，３２でコーティングすることで、サセプタ本体１１及び基板収容部材１２を構成することにより、サセプタ１０の下方からサセプタ１０を加熱して、輻射熱により炭化珪素基板３０を加熱する際、サセプタ本体１１及び基板収容部材１２に対する熱伝導の差を小さくすることが可能となるので、炭化珪素基板３０の面内の温度ばらつきを抑制することができる。
【００５１】
収容部２４は、位置規制部材２２の内壁により区画された円盤形状とされた空間である。収容部２４は、炭化珪素基板３０の外周縁３０Ａとの間に隙間Ｅを介在させて、炭化珪素基板３０を収容している。
【００５２】
第１の実施の形態のサセプタによれば、サセプタ本体１１に設けられた凹部１４に対して着脱可能に配置され、かつ炭化珪素膜が形成される炭化珪素基板３０の外周縁３０Ａとの間に隙間Ｅを介在させて、炭化珪素基板３０を収容する収容部２４を含む基板収容部材１２を有することで、サセプタ１０に堆積した炭化珪素よりなる堆積物を除去するときのドライエッチングにより基板収容部材１２が損傷した場合、損傷した基板収容部材１２のみを交換すればよいため（言い換えれば、サセプタ１０の大部分を占めるサセプタ本体１１を交換しなくてもよいため）、サセプタ１０全体を新しいサセプタ１０に交換する場合と比較して、炭化珪素基板３０の表面３０ａに形成する炭化珪素膜の製造コストを低減することができる。
特に、エクサイチュー方式（Ｅｘ−Ｓｉｔｕ）のドライクリーニングにより、サセプタ１０に厚く堆積した堆積物を除去する際に有効である。
【００５３】
図４は、第１の実施の形態の第１変形例に係るサセプタの一部を拡大した図であり、図４（ａ）はサセプタの斜視図（サセプタの外周部のみ断面図）であり、図４（ｂ）は、図４（ａ）に示すサセプタのＦ−Ｆ線方向の断面図である。図４（ａ），（ｂ）において、図２に示す第１の実施の形態のサセプタ１０と同一構成部分には、同一符号を付す。
なお、図４（ａ）では、図４（ｂ）に示す炭化珪素基板３０の図示を省略する。
【００５４】
図４（ａ），（ｂ）を参照するに、第１の実施の形態の第１変形例に係るサセプタ３５は、複数の炭化珪素基板３０に対して同時に炭化珪素膜を成膜するバッチ式の炭化珪素成膜装置の成膜チャンバで使用されるサセプタであり、第１の実施の形態のサセプタ１０を構成する基板収容部１２に替えて、基板収容部３６を有すること以外は、サセプタ１０と同様に構成される。
【００５５】
基板収容部３６は、基板収容部１２を構成する一体化された支持部材２１及び位置規制部材２２に替えて、それぞれ別体とされた支持部材３８及び位置規制部材３９を有すること以外は、基板収容部１２と同様な構成とされている。
【００５６】
支持部材３８は、先に説明した図２（ｂ）に示す支持部材２１と同様な形状とされた部材である。支持部材３８は、凹部１４の底面１４ａのうち、凹部１４の外周部に位置する面と接触するように、凹部１４内に配置されている。
支持部材３８は、炭化珪素基板３０の表面３０ａがサセプタ本体１１の上面１１ａに対して面一となるように、炭化珪素基板３０を支持している。
支持部材３８は、カーボンよりなる部材４１を炭化珪素（例えば、３Ｃ−ＳｉＣ）よりなる被膜４２でコーティングすることで構成されている。
【００５７】
位置規制部３９は、先に説明した図２（ｂ）に示す位置規制部材２２と同様な形状とされた部材である。位置規制部３９は、支持部材３８とは別体とされた部材である。位置規制部３９は、支持部材３８に対して分離可能な部材である。
位置規制部３９は、支持部材３８上に配置されている。位置規制部材３９は、凹部１４の内壁に近接するように、凹部１４内に収容されている。
【００５８】
位置規制部材３９の上面３９ａ（言い換えれば、基板収容部材３６の上面３６ａ）は、サセプタ本体１１の上面１１ａに対して面一となるように構成されている。位置規制部材３９は、カーボンよりなる部材４４を炭化珪素（例えば、３Ｃ−ＳｉＣ）よりなる被膜４５でコーティングすることで構成されている。
位置規制部材３９の上面３９ａ、及び基板収容部材３６に収容された炭化珪素基板３０の表面３０ａは、サセプタ本体１１の上面１１ａに対して面一とされている。
【００５９】
第１の実施の形態の第１変形例に係るサセプタによれば、炭化珪素基板３０の裏面３０ｂの外周部と接触することで炭化珪素基板３０を支持する支持部材３８と、支持部材３８上に配置され、炭化珪素基板３０が収容される収容部２４を区画する位置規制部材３９と、を別体として、分離可能な構成とすることにより、例えば、サセプタ１０に堆積した炭化珪素よりなる堆積物をドライエッチングにより除去する際に位置規制部材３９のみが損傷した場合、損傷した位置規制部材３９のみを交換すればよいため（言い換えれば、基板収容部３６全体を交換しなくてもよいため）、基板収容部３６全体を新しい基板収容部３６に交換する場合と比較して、炭化珪素基板３０の表面３０ａに形成する炭化珪素膜の製造コストを低減することができる。
特に、エクサイチュー方式（Ｅｘ−Ｓｉｔｕ）のドライクリーニングにより、サセプタ３５に厚く堆積した堆積物を除去する際に有効である。
【００６０】
また、支持部材３８と位置規制部材３９とを別体にすると共に、支持部材３８及び位置規制部材３９の形状を単純なリング状の部材にすることで、支持部材３８及び位置規制部材３９を容易に成形することができる。
【００６１】
図５は、第１の実施の形態の第２変形例に係るサセプタの一部を拡大した図であり、図５（ａ）はサセプタの斜視図（サセプタの外周部のみ断面図）であり、図５（ｂ）は、図５（ａ）に示すサセプタのＧ−Ｇ線方向の断面図である。図５（ａ），（ｂ）において、図２に示す第１の実施の形態のサセプタ１０と同一構成部分には、同一符号を付す。
なお、図５（ａ）では、図５（ｂ）に示す炭化珪素基板３０の図示を省略する。
【００６２】
図５（ａ），（ｂ）を参照するに、第１の実施の形態の第２変形例に係るサセプタ５０は、複数の炭化珪素基板３０に対して同時に炭化珪素膜を成膜するバッチ式の炭化珪素成膜装置の成膜チャンバで使用されるサセプタであり、第１の実施の形態のサセプタ１０を構成する基板収容部１２に替えて、基板収容部５１を有すること以外は、サセプタ１０と同様に構成される。
【００６３】
基板収容部５１は、基板収容部１２を構成する一体化された支持部材２１及び位置規制部材２２に替えて、それぞれ別体とされた支持部材５３及び位置規制部材５４を有すること以外は、基板収容部１２と同様な構成とされている。
【００６４】
支持部材５３は、リング形状とされた位置規制部材５４の内側に配置されたリング状の部材である。支持部材５３は、凹部１４の底面１４ａと接触するように、凹部１４内に配置されている。
支持部材５３は、炭化珪素基板３０の表面３０ａがサセプタ本体１１の上面１１ａに対して面一となるように、炭化珪素基板３０を支持している。
支持部材５３は、カーボンよりなる部材５６を炭化珪素（例えば、３Ｃ−ＳｉＣ）よりなる被膜５７でコーティングすることで構成されている。
【００６５】
位置規制部５４は、支持部材５３の外側に位置する凹部１４の底面１４ａと接触するように、凹部１４内に配置されている。位置規制部５４は、その高さが凹部１４の深さと等しくなるように構成されたリング状の部材である。
位置規制部５４の上面５４ａ（基板収容部５１の上面５１ａ）は、サセプタ本体１１の上面１１ａに対して面一とされている。位置規制部５４の上面５４ａは、支持部材５３とは別体とされた部材であり、支持部材５３に対して分離可能な構成とされている。
【００６６】
このような構成とされた第１の実施の形態の第２変形例に係るサセプタ５０は、先に説明した第１の実施の形態の第１変形例に係るサセプタ３５と同様な効果を得ることができる。
【００６７】
図６は、第１の実施の形態の第３変形例に係るサセプタの一部を拡大した図であり、図６（ａ）はサセプタの斜視図であり、図６（ｂ）は、図６（ａ）に示すサセプタのＨ−Ｈ線方向の断面図である。図６（ａ），（ｂ）において、図２に示す第１の実施の形態のサセプタ１０と同一構成部分には、同一符号を付す。
なお、図６（ａ）では、図６（ｂ）に示す炭化珪素基板３０の図示を省略する。
【００６８】
図６（ａ），（ｂ）を参照するに、第１の実施の形態の第３変形例に係るサセプタ６５は、枚葉式の炭化珪素成膜装置の成膜チャンバで使用されるサセプタであり、第１の実施の形態のサセプタ１０を構成する基板収容部１２及び凹部１４をそれぞれ１つのみ有すること以外は、サセプタ１０と同様な構成とされている。
このような構成とされた第１の実施の形態の第３変形例に係るサセプタ６５は、第１の実施の形態のサセプタ１０と同様な効果を得ることができる。
【００６９】
図７は、第１の実施の形態のサセプタを使用可能なバッチ式の炭化珪素成膜装置の概略構成を模式的に示す断面図である。図７において、図２に示すサセプタ１０と同一構成部分には、同一符号を付す。
【００７０】
図７を参照するに、バッチ式の炭化珪素成膜装置７０は、成膜チャンバ７１と、ステージ７３と、第１の加熱部７５と、第１の断熱部材７７と、排気口７８と、回転軸７９と、回転駆動部８１と、サセプタ受け部材８２と、天井板部材８３と、第２の加熱部８４と、第２の断熱部材８５と、第３の断熱部材８７と、原料ガス導出部８９と、を有する。
【００７１】
成膜チャンバ７１は、ステージ７３、複数の炭化珪素基板３０が載置されたサセプタ１０、及び原料ガス導出部８９の端部を収容している。成膜チャンバ７１は、サセプタ１０と天井板部材８３との間に反応空間７１Ａを有する。ステージ７３は、成膜チャンバ７１の底に配置されている。
第１の加熱部７５は、ステージ７３の下部に内設されている。第１の加熱部７５は、第１の断熱部材７７、サセプタ受け部材８２、及びサセプタ１０を介して、サセプタ１０の輻射熱及び熱伝導により、複数の炭化珪素基板３０を所定の温度に加熱する。
【００７２】
第１の断熱部材７７は、ステージ７３の上部に内設されている。第１の断熱部材７７は、加熱されたサセプタ１０の温度が低下することを抑制するための部材である。第１の断熱部材７７の上面は、ステージ７３の上面から露出されている。
排気口７８は、ステージ７３の外周側面と成膜チャンバ７１の内壁との間に設けられている。排気口７８は、反応空間７１Ａ内に存在する不要なガスを成膜チャンバ７１の外に排気する。
【００７３】
回転軸７９は、ステージ７３の下方に配置されている。回転軸７９は、その上端がステージ７３の中心部と接続されており、下端が回転駆動部８１と接続されている。
回転駆動部８１は、回転軸７９を所定の方向に回転させることで、サセプタ受け部材８２を介して、ステージ７３上に固定されたサセプタ１０をステージ７３とともに回転させる。
サセプタ受け部材８２は、ステージ７３上に固定された部材である。サセプタ受け部材８２は、着脱可能な状態でサセプタ１０を固定するための部材である。
【００７４】
天井板部材８３は、成膜チャンバ７１の上端を塞ぐように配置されている。第２の加熱部８４は、天井板部材８３の上部に内設されている。第２の加熱部８４は、第２及び第３の断熱部材８５，８７を介して、反応空間７１Ａ及び複数の炭化珪素基板３０を加熱する。
第２の断熱部材８５は、天井板部材８３の下部に内設されており、その下面が天井板部材８３から露出されている。第２の断熱部材８５は、第２の加熱部８４により、加熱された天井板部材８３の下部の温度が低下することを抑制する。
【００７５】
第３の断熱部材８７は、天井板部材８３の下面、及び第２の加熱部８４の下面を覆うように配置されている。第３の断熱部材８７の下面は、反応空間７１Ａにより露出されている。第３の断熱部材８７は、反応空間７１Ａの温度が所定の温度から低下することを抑制する。
原料ガス導出部８９は、天井板部材８３の中央部を貫通し、その端部が反応空間７１Ａに配置されている。原料ガス導出部８９は、原料ガス供給源（図示せず）と接続されている。原料ガス導出部８９は、原料ガス供給源（図示せず）から供給された原料ガスを反応空間７１Ａに供給する。
【００７６】
これにより、複数の炭化珪素基板３０の表面３０ａには、炭化珪素膜９０（例えば、４Ｈ−ＳｉＣ膜）が成膜される。このとき、サセプタ本体１１の上面１１ａ、及び隙間Ｅに露出された支持部材２１の上面に、炭化珪素（例えば、３Ｃ−ＳｉＣ）よりなる堆積物９１が堆積する。堆積物９１は、同一のサセプタ１０を用いて、炭化珪素膜９０の成膜処理を繰り返し行うことで、その厚さが増加する。
【００７７】
なお、図７に示す炭化珪素成膜装置７０では、サセプタの一例として、サセプタ１０を例に挙げて図示したが、サセプタ１０に替えて、先に説明した第１の実施の形態の第２及び第３変形例のサセプタ３５，５０を使用してもよい。
【００７８】
図８は、第１の実施の形態の第３変形例に係るサセプタを使用可能な枚葉式の炭化珪素成膜装置の概略構成を模式的に示す断面図である。図８において、図６に示すサセプタ６５と同一構成部分には、同一符号を付す。
【００７９】
図８を参照するに、枚葉式の炭化珪素成膜装置９５は、成膜チャンバ９６と、第１の断熱部材９８と、第２の断熱部材９９と、サセプタ受け部材１０１と、第３の断熱部材１０４と、第１の加熱部１０６と、第２の加熱部１０８と、を有する。
【００８０】
成膜チャンバ９６は、第１の断熱部材９８、第２の断熱部材９９、サセプタ受け部材１０１、及び第３の断熱部材１０４を収容している。成膜チャンバ９６は、サセプタ６５と第３の断熱部材１０４との間に反応空間９７を有する。
また、成膜チャンバ９６は、一方の側壁に配置され、原料ガスを反応空間９７内に導くための原料ガス導入口１１１と、他方の側壁に配置され、反応空間９７内の不要なガスを排出するガス排出口１１２と、を有する。
【００８１】
第１の断熱部材９８は、成膜チャンバ９６の底に内設されている。第１の断熱部材９８は、加熱されたサセプタ６５の温度が低下することを抑制するための部材である。
第２の断熱部材９９は、成膜チャンバ９６の天井に設けられている。第２の断熱部材９９は、第２の加熱部８４により、加熱された第３の断熱部材１０４の温度が低下することを抑制する。
【００８２】
サセプタ受け部材１０１は、第１の断熱部材９８上に固定されている。サセプタ受け部材１０１の上面には、１枚の炭化珪素基板３０が載置されたサセプタ６５が載置されている。サセプタ６５は、サセプタ受け部材１０１に対して着脱可能な状態で固定されている。
第３の断熱部材１０４は、第２の断熱部材９９の下面に設けられている。第３の断熱部材１０４の下面は、反応空間９７により露出されている。第３の断熱部材１０４は、反応空間９７の温度が所定の温度から低下することを抑制するための部材である。
【００８３】
第１の加熱部１０６は、成膜チャンバ９６の下方に配置されている。第１の加熱部１０６は、第１の断熱部材９８、サセプタ受け部材１０１、及びサセプタ６５を介して、炭化珪素基板３０を所定の温度に加熱する。
第２の加熱部１０８は、成膜チャンバ９６の上方に配置されている。第２の加熱部１０８は、第２及び第３の断熱部材９９，１０４を介して、反応空間９７内、及び炭化珪素基板３０が所定の温度となるように加熱する。
【００８４】
図９は、第１の実施の形態に係るサセプタのクリーニング方法を行う際に使用する炭化珪素除去装置の概略構成を示す図である。図１０は、図９に示すチャンバ内の構成を説明するためのチャンバの断面図である。
【００８５】
次に、図９及び図１０を参照して、炭化珪素除去装置１２０について説明する。
炭化珪素除去装置１２０は、チャンバ１２１と、ステージ１２３と、加熱部１２５と、サセプタ受け部材１２７と、フッ素含有ガス供給部１３１と、酸素含有ガス供給部１３２と、プラズマ発生部１３４と、真空ポンプ１３６と、ガス管１３７と、排ガス分析部１３９と、制御部１４１と、を有する。
炭化珪素除去装置１２０は、炭化珪素を成膜する炭化珪素成膜装置７０，９５とは、別の装置である。
【００８６】
チャンバ１２１は、その底部に、ステージ１２３、加熱部１２５、及びサセプタ受け部材１２７を収容している。チャンバ１２１は、サセプタ受け部材１２７とチャンバ１２１の天井との間に、反応空間１２１Ａを有する。
このチャンバ１２１内に、後述する図１２（ｂ）に示す構造体（具体的には、堆積物９１が付着し、かつサセプタ保護基板１４５が載置されたサセプタ１０）が収容され、堆積物９１と接触するように、プラズマ化されたフッ素含有ガス及び酸素含有ガスが供給されることで、サセプタ１０に堆積した堆積物９１が除去される。
このため、チャンバ１２１は、フッ素含有ガスに対して十分な耐性のある材料により構成するとよい。
【００８７】
ステージ１２３は、チャンバ１２１の底に配置されている。加熱部１２５は、ステージ１２３に上部側に配置されており、その上面がステージ１２３の上面から露出されている。
加熱部１２５は、サセプタ受け部材１２７、及びサセプタ受け部材１２７上に固定されるサセプタ１０を介して、複数の炭化珪素基板３０を所定の温度に加熱する。加熱部１２５としては、例えば、ヒーターを用いることができる。
また、ステージ１２５は、回転可能な構成としてもよい。ステージ１２５を回転させることで、より均一に堆積物９１を除去することができる。
【００８８】
ところで、炭化珪素は化学的に非常に安定しているため、単にプラズマ化したフッ素含有ガス及び酸素含有ガスと接触しただけでは十分な除去能力がない。
そこで、堆積物９１が付着したサセプタ１０を加熱する加熱部１２５を設けることで、プラズマ化したフッ素含有ガス及び酸素含有ガスと炭化珪素よりなる堆積物９１との反応を促進させることができる。
【００８９】
サセプタ１０の加熱温度は、例えば、３００℃以上が好ましい。あまり高い温度（例えば、４００℃よりも高い温度）でサセプタ１０を加熱すると、サセプタ１０との反応が激しくなるため、好ましくない。
また、あまり高い温度でサセプタ１０を加熱すると、チャンバ１２１とフッ素含有ガス及び酸素含有ガス（クリーニングガス）とが反応するため好ましくない。
【００９０】
サセプタ受け部材１２７は、ステージ１２３の上面、及び加熱部１２５の上面に固定されている。サセプタ受け部材１２７は、サセプタ１０が着脱可能な状態で固定される部材である。
【００９１】
フッ素含有ガス供給部１３１は、プラズマ発生部１３４と接続されている。フッ素含有ガス供給部１３１は、プラズマ発生部１３４にフッ素含有ガスを供給する。フッ素含有ガスは、炭化珪素に含まれる珪素（珪素成分）を除去する。
フッ素含有ガスとしては、例えば、フッ素（Ｆ２−ＧＷＰ：０）、フッ化水素（ＨＦ−ＧＷＰ：０）、ハイドロフルオロカーボン（ＣｘＨｙＦｚ（ｘ，ｙ，ｚは１以上の整数）、ＣＨ３Ｆ−ＧＷＰ−９７）のうち、少なくとも１つを含むものを用いることができる。
【００９２】
なお、フッ素含有ガスとしては、例えば、フルオロカーボン（ＣＦ４−ＧＷＰ：７，３９０，Ｃ２Ｆ６−ＧＷＰ：１２，２００）や六フッ化硫黄（ＳＦ６−ＧＷＰ：２２，８００）、三フッ化窒素（ＮＦ３−ＧＷＰ：１７，２００）、三フッ化塩素（ＣｌＦ３−ＧＷＰ：０）、二フッ化カルボニル（ＣＯＦ２−ＧＷＰ：１）等を使用することも可能である。
しかしながら、これらのガスは温暖化係数（ＧＷＰ）の大きなガスであるため、温暖化の観点からあまり好ましくない。ＧＷＰ値の小さいＦ２やＨＦ等の低環境負荷ガスが好ましい。
【００９３】
酸素含有ガス供給部１３２は、プラズマ発生部１３４と接続されている。酸素含有ガス供給部１３２は、プラズマ発生部１３４に酸素含有ガスを供給する。
酸素含有ガス供給部１３２は、酸素含有ガスのみ、或いは、フッ素含有ガス供給部１３１から供給されたフッ素含有ガスと混合された酸素含有ガスを供給可能な状態で、プラズマ発生部１３４と接続されている。酸素含有ガスは、炭化珪素に含まれる炭素（炭素成分）を除去するガスである。
【００９４】
酸素含有ガスとしては、例えば、酸素（Ｏ２）、オゾン（Ｏ３）、窒素酸化物（ＮｘＯｙ（ｘ，ｙは１以上の整数））、水蒸気（Ｈ２Ｏ）、二酸化炭素（ＣＯ２）、及び一酸化炭素（ＣＯ）のうち、少なくとも１つのガスを含むガスを用いることができる。
【００９５】
プラズマ発生部１３４は、フッ素含有ガス供給部１３１、及び酸素含有ガス供給部１３２と接続されている。プラズマ発生部１３４は、上記フッ素含有ガス及び酸素含有ガスをプラズマ化させると共に、プラズマ化したフッ素含有ガス及び酸素含有ガスをチャンバ１２１内（反応空間１２１Ａ）に供給する。
【００９６】
なお、クリーニングガスであるフッ素含有ガス及び酸素含有ガスを効率よくプラズマ化させるために、フッ素含有ガス及び酸素含有ガスにそれぞれ放電ガスとして、Ａｒ，Ｈｅ，Ｎｅ等の不活性ガスを添加してもよい。
【００９７】
真空ポンプ１３６は、チャンバ１２１及びガス管１３７と接続されている。真空ポンプ１３６は、チャンバ１２１内のガスを排気して、ガス管１３７に排ガスを導出させる。ガス管１３７は、真空ポンプ１３６及び排ガス分析部１３９と接続されている。
【００９８】
排ガス分析部１３９は、ガス管１３７と接続されている。排ガス分析部１３９は、排ガスに含まれる四フッ化珪素の濃度及び／または二酸化炭素の濃度を測定するガス分析装置である。排ガス分析部１３９は、制御部１４１と接続されており、測定した四フッ化珪素の濃度または二酸化炭素の濃度を制御部１４１に送信する。
【００９９】
排ガス分析部１３９として、例えば、非分散型赤外線式分析計を用いるとよい。このように、排ガス分析部１３９として非分散型赤外線式分析計を用いることにより、簡便、かつ低コストで四フッ化珪素及び二酸化炭素の濃度を測定することができる。
なお、排ガス分析部１３９として、例えば、フーリエ変換型赤外分光計、紫外線吸収計、質量分析計、ガスクロマトグラフ等の分析計を用いてもよい。
【０１００】
制御部１４１は、加熱部１２５、フッ素含有ガス供給部１３１、酸素含有ガス供給部１３２、プラズマ発生部１３４、及び排ガス分析部１３９と電気的に接続されている。
【０１０１】
制御部１４１は、炭化珪素除去装置１２０の制御全般を行なう。例えば、制御部１４１は、排ガス分析部１３９から送信された四フッ化珪素の濃度または二酸化炭素の濃度に基づいて、プラズマ発生部１３４、加熱部１２５、フッ素含有ガス供給部１３１、及び酸素含有ガス供給部１３２の制御を行なう。
制御部１４１は、図示していない記憶部や演算部を有している。該記憶部には、予め入
力された四フッ化珪素の濃度の閾値、または二酸化炭素の濃度の閾値が格納されている。
【０１０２】
また、演算部（図示せず）では、予め入力された四フッ化珪素の濃度の閾値、または二酸化炭素の濃度の閾値と、後述する第１及び第２のステップにおいて発生する四フッ化珪素の濃度、または二酸化炭素の濃度との比較が行なわれ、濃度が閾値以下になった際、第１及び第２のステップの処理を停止するように、チャンバ１２１、加熱部１２５、フッ素含有ガス供給部１３１、及び酸素含有ガス供給部１３２の制御を行なう。
【０１０３】
図１１は、本発明の第１の実施の形態に係るサセプタのクリーニング方法を説明するためのフローチャートを示す図である。
図１２は、サセプタのクリーニング方法を構成する各工程を説明するための図である。図１２（ａ）は、炭化珪素膜が成膜された炭化珪素基板を回収後、炭化珪素成膜装置の成膜チャンバから取り出され、かつ炭化珪素よりなる堆積物が堆積したサセプタの断面図である。
図１２（ｂ）は、炭化珪素除去装置のチャンバ内に収容され、基板収容部材にサセプタ保護基板が配置され、かつ堆積物が堆積したサセプタ、及びサセプタ保護基板の断面図である。図１２（ｃ）は、堆積物が除去された後のサセプタの断面図である。
図１２（ｄ）は、損傷した基板収容部材を損傷していない新品の基板収容部材と交換し、その後、炭化珪素成膜装置の成膜チャンバ内に収容されたサセプタの断面図である。
なお、図１２（ａ）では、炭化珪素基板３０及び炭化珪素膜９０を点線で示す。また、図１２（ｃ）では、炭化珪素基板３０を点線で示す。
【０１０４】
次に、図１１及び図１２（ａ）〜（ｄ）を参照して、図９に示す炭化珪素除去装置１２０を用いた場合の第１の実施の形態に係るサセプタのクリーニング方法について説明する。
始めに、図１１に示す処理が開始されると、ＳＴＥＰ１（図１２（ａ）に示す工程）では、図７に示す炭化珪素成膜装置７０の成膜チャンバ７１から炭化珪素膜９０が形成された複数の炭化珪素基板３０を回収した後、炭化珪素よりなる堆積物９１が堆積したサセプタ１０を成膜チャンバ７１から取り出す。その後、処理は、ＳＴＥＰ２へと続く。
【０１０５】
この段階では、図１２（ａ）に示すように、サセプタ本体１１の上面１１ａ、及び隙間Ｅに露出された支持部材２１の上面に堆積物９０が堆積している。
ＳＴＥＰ１は、例えば、累積した炭化珪素膜９０の厚さの合計が所定の閾値（例えば、厚さが２００μｍ）を超えた際に行うことができる。
【０１０６】
次いで、ＳＴＥＰ２（図１２（ｂ）に示す工程）では、図９に示す炭化珪素除去装置１２０のチャンバ１２１内に配置されたサセプタ受け部材１２７に堆積物９１が堆積したサセプタ１０を固定する。
次いで、基板収容部材２１のうち、炭化珪素基板３０（図１２）が配置されていた部分に、炭化珪素基板３０と同様な形状とされたサセプタ保護基板１４５を載置する。その後、処理は、ＳＴＥＰ３へと進む。
【０１０７】
このように、炭化珪素基板３０（図１２）が配置されていた基板収容部材２１にサセプタ保護基板１４５を載置することにより、後述するドライエッチング（ＳＴＥＰ３で実施されるプラズマ化させたフッ素含有ガスを用いたエッチング処理、及びＳＴＥＰ４で実施されるプラズマ化させた酸素含有ガスを用いたエッチング処理）により、サセプタ保護基板１４５の下方に位置する炭化珪素よりなる被膜１７がエッチングされることを防止できる。
【０１０８】
したがって、サセプタ保護基板１４５の材料としては、プラズマ化させたフッ素含有ガス、及びプラズマ化させた酸素含有ガスに対して耐性を有する材料を用いることが好ましい。このような材料としては、例えば、炭化珪素、炭化窒素、及びサファイア等を用いることができる。
【０１０９】
また、炭化窒素に含まれる窒素、及びサファイアに含まれるアルミニウムは、炭化珪素膜９０を成膜する際に悪影響を及ぼす不純物であるため、不純物の観点から、サセプタ保護基板１４５の材料としては、高純度（純度が９９．９９９９％以上）とされた単結晶の炭化珪素、多結晶の炭化珪素、及び焼結された炭化珪素がより好ましい。
【０１１０】
なお、サセプタ保護基板１４５の材料として、例えば、安価な石英（具体的には、合成石英や高純度（純度が９９．９９９９％以上）な溶融石英）を用いてもよい。石英は、プラズマ化させたフッ素含有ガス、及びプラズマ化させた酸素含有ガスに対する良好な耐性を有してはいないが、上記説明したような不純物の問題がない。
このため、石英を用いて、十分な厚さでサセプタ保護基板１４５を構成することで、安価なサセプタ保護基板１４５を使用することができる。
【０１１１】
上記サセプタ保護基板１４５は、繰り返し使用することが可能であり、破損した場合には、新しいサセプタ保護基板１４５と交換する。
【０１１２】
次いで、ＳＴＥＰ３では、サセプタ１０に堆積した炭化珪素よりなる堆積物９１に、プラズマ化させたフッ素含有ガスを供給するドライエッチングにより、堆積物９１に含まれる珪素を選択的に除去する第１のステップを行なう。
【０１１３】
このとき、プラズマ化させたフッ素含有ガスは、チャンバ１２１の上方からチャンバ１２１の下方に向かう方向に供給されるが、プラズマ化させたフッ素含有ガスが鉛直方向に進むように誘導してはいない。そのため、プラズマ化させたフッ素含有ガスは、鉛直方向に向かうものもあれば、鉛直方向以外の方向に進むものもある。
ＳＴＥＰ３では、堆積物９１に含まれる珪素がフッ素含有ガスと反応して四フッ化珪素となり、脱離、除去される。
【０１１４】
第１のステップでは、チャンバ１２１から排出される排ガスである四フッ化珪素の濃度の時間変化を排ガス分析部１３９で測定し、四フッ化珪素の濃度が最大値に到達後、５〜１０測定時間区間で連続して四フッ化珪素の濃度がマイナスの変化となった段階で終了させる。その後、処理は、ＳＴＥＰ４へと続く。
なお、四フッ化珪素の濃度が徐々に減少する理由としては、堆積物９１の表面の珪素が減少し、炭素が増加することで、その反応が妨げられるからである。
【０１１５】
次いで、ＳＴＥＰ４では、サセプタ１０に堆積した炭化珪素よりなる堆積物９１に、プラズマ化させた酸素含有ガスを供給することで、ドライエッチングにより、堆積物９１に含まれる炭素を選択的に除去する第２のステップを行なう。
【０１１６】
このとき、プラズマ化させた酸素含有ガスは、チャンバ１２１の上方からチャンバ１２１の下方に向かう方向に供給されるが、プラズマ化させた酸素含有ガスが鉛直方向に進むように誘導してはいない。そのため、プラズマ化させた酸素含有ガスは、鉛直方向に向かうものもあれば、鉛直方向以外の方向に進むものもある。
ＳＴＥＰ４では、堆積物９１に含まれる炭素は、酸素含有ガスと反応して二酸化炭素となり、脱離、除去される。
【０１１７】
また、第２のステップでは、チャンバ１２１から排出される二酸化炭素の濃度の時間変化を排ガス分析部１３９で測定し、二酸化炭素の濃度が最大値となった時点から５〜１０測定時間区間で連続して二酸化炭素の濃度がマイナスの変化となった段階で終了させる。次いで、処理は、ＳＴＥＰ５へと続く。
【０１１８】
なお、二酸化炭素の濃度が徐々に減少してくる理由としては、堆積物９１の表面の炭素が減少し、珪素が増加することで、その反応が妨げられるからである。
また、上記四フッ化珪素の濃度、及び二酸化炭素の濃度としては、移動平均等の算術処理を加えた値を用いるとよい。これにより、安定した濃度の挙動変化を掴むことが可能となる。
【０１１９】
次いで、ＳＴＥＰ５では、排ガスに含まれる四フッ化珪素の濃度が、予め設定した閾値以下になったか否かの判定が行なわれる。
ＳＴＥＰ５において、四フッ化珪素の濃度が、予め設定した閾値以下になったと肯定判定（Ｙｅｓと判定）された場合、処理は、ＳＴＥＰ６へと進む。
また、ＳＴＥＰ５において、四フッ化珪素の濃度が、予め設定した閾値以下になっていない否定判定（Ｎｏと判定）された場合、処理は、ＳＴＥＰ３に戻り、第１及び第２のステップの処理（ＳＴＥＰ３，４の処理）が行なわれ、再度、ＳＴＥＰ５へと処理が進む。
【０１２０】
つまり、ＳＴＥＰ５において、肯定判定されるまで、第１及び第２のステップの処理を繰り返し行なうことで、炭化珪素よりなる堆積物９１に含まれる珪素の除去、及び堆積物９１に含まれる炭素の除去を繰り返し行う。
言い換えれば、第１及び第２のステップを繰り返し行うことで、サセプタ１０に堆積した炭化珪素よりなる堆積物９１の除去を行なう。これにより、サセプタ本体１１の上面１１ａ（言い換えれば、被膜１７）が露出される。
【０１２１】
先に説明したように、プラズマ化させたフッ素含有ガス及び酸素含有ガスは、その方向性を制御していないため、図１２（ｃ）に示すように、サセプタ保護基板１４５により保護されていなくて、かつ堆積物９１が堆積していない位置規制部材２２の内壁がエッチングにより、損傷してしまう。
【０１２２】
ところで、堆積物９１の除去が終了に近づくと、第１のステップで発生する四フッ化珪素の濃度、及び第２のステップで発生する二酸化炭素の濃度が徐々に減少する。
そこで、上記ＳＴＥＰ５で説明したように、四フッ化珪素の濃度が予め設定した閾値以下になった際に、第１及び第２のステップの処理を終了することで、サセプタ１０のうち、堆積物９１に覆われていた部分にダメージを与えることなく、サセプタ１０に堆積した堆積物９１を精度よく除去することができる。
【０１２３】
また、四フッ化珪素の濃度の上記閾値（予め設定した閾値）としては、例えば、第１のステップで検出される四フッ化珪素の濃度の最大値に対して、四フッ化珪素の濃度が１／１０以下の値を用いることができる。
【０１２４】
また、四フッ化珪素の濃度の上記閾値は、予め、一定量の炭化珪素量と除去処理速度の関係（第１のステップの四フッ化珪素の濃度の最大値と、第１及び第２のステップを繰り返し行った際の四フッ化珪素の濃度の関係）を把握した上で、初期段階の炭化珪素の量と目標とする炭化珪素の除去処理量に応じて任意に設定することができる。
【０１２５】
また、上記四フッ化珪素の濃度の閾値は、予め図９に示す制御部１４１（具体的には、記憶部（図示せず））に格納されており、制御部１４１内において、排ガス分析部１３９が検出する四フッ化珪素の濃度と、上記四フッ化珪素の濃度の閾値との比較が行なわれ、この結果に基づいて、制御部１４１はチャンバ１２１、フッ素含有ガス供給部１３１、酸素含有ガス供給部１３２、及びプラズマ発生部１３４の制御を行なう。
【０１２６】
なお、図１１では、ＳＴＥＰ５において、四フッ化珪素の濃度が閾値以下になったか否かの判定を行なう場合を例に挙げて説明したが、ＳＴＥＰ５において、二酸化炭素の濃度が閾値以下になったか否かの判定を行なってもよい。この場合、ＳＴＥＰ５において、四フッ化珪素の濃度が閾値以下になったか否かの判定を行なう場合と同様な効果を得ることができる。
【０１２７】
また、上記四フッ化珪素及び二酸化炭素の濃度を測定する排ガス分析部１３９としては、非分散式赤外線式分析計を用いるとよい。
このように、四フッ化珪素及び二酸化炭素の濃度を測定する排ガス分析部１３９として非分散式赤外線式分析計を用いることで、１つのデータの採取に要する時間が、短い場合には数秒、長くても数十秒となるため、データの採取時間が短い場合には１０測定時間区間、データの採取時間が長い場合には５測定区間の応答時間を設けることで効率よく堆積物９１の除去処理を行なうことができる。
【０１２８】
なお、本実施の形態では、炭化珪素よりなる堆積物９１から発生する成分を四フッ化珪素と二酸化炭素とに特定したが、これは、１つには、四フッ化珪素及び二酸化炭素が、その発生物の大部分を占めるからである。
また、もう１つの理由としては、四フッ化珪素及び二酸化炭素が、主に発生するための除去反応条件が、フッ素含有ガス成分の濃度が低く、加熱温度も低く設定でき、かつ良好な除去性能を得ることができるからである。
【０１２９】
但し、例えば、炭化珪素よりなる堆積物９１とフッ素含有ガスとの反応により、四フッ化炭素も相当量発生する場合は、炭化珪素起因の炭素として、二酸化炭素に四フッ化珪素も加えて終点検出、及び終点検出の制御機構を調整することで、より高精度な堆積物９１の除去を行なうことができる。
【０１３０】
次いで、ＳＴＥＰ６では、サセプタ１０に堆積した堆積物９１のクリーニング処理（除去処理）を停止し、サセプタ１０に載置された複数のサセプタ保護基板１４５を回収する。
その後、図９に示す炭化珪素除去装置１２０のチャンバ１２１内から堆積物９１が除去されたサセプタ１０（図１２（ｃ）に示すサセプタ１０）を取り出す。その後、処理は、ＳＴＥＰ７へと進む。
【０１３１】
次いで、ＳＴＥＰ７では、複数の基板収容部材１２のうち、ＳＴＥＰ３，４で行うドライエッチングにより損傷した基板収容部材１２を特定する。その後、損傷した基板収容部材１２を新品の基板収容部材１２−１（基板収容部材１２と同様な構成とされた損傷していない部材（新品））と交換する（図１２（ｄ）参照）。
【０１３２】
次いで、炭化珪素成膜装置７０の成膜チャンバ７１内に水素を供給し、サセプタ１０を所定の温度（例えば、１５００℃）の温度に加熱することで、加熱パージ処理を行う。その後、処理は、ＳＴＥＰ８へと進む。
上記加熱パージ処理は、クリーニング時にサセプタ１０に付着した微量なクリーニングガス成分（具体的には、Ｆ、Ｎ、及びＯ）を除去するために行う。
【０１３３】
上記加熱パージ処理後の処理としては、上記方法以外に、下記２つの後処理方法がある。
１つ目の後処理方法としては、ＳＴＥＰ７ではなく、ＳＴＥＰ５とＳＴＥＰ６との間において、炭化珪素成膜装置７０の成膜チャンバ７１内に水素を供給し、サセプタ１０を所定の温度（例えば、１５００℃）の温度に加熱する方法がある。
２つ目の後処理方法としては、ＳＴＥＰ７において、別途準備した加熱パージ炉（図示せず）内にサセプタ１０を配置させ、該加熱パージ炉内に水素を供給し、サセプタ１０を所定の温度（例えば、１５００℃）の温度に加熱する方法がある。
【０１３４】
次いで、ＳＴＥＰ８では、損傷した基板収容部材１２が交換されたサセプタ１０（図１２（ｄ）に示すサセプタ１０）を図７に示す炭化珪素成膜装置７０の成膜チャンバ７１内に位置するサセプタ受け部材８２上に取り付ける。これにより、図１１に示す処理が終了する。
【０１３５】
第１の実施の形態のサセプタのクリーニング方法によれば、炭化珪素成膜装置７０の成膜チャンバ７１から堆積物９１が付着したサセプタ１０を取り出す工程と、炭化珪素除去装置１２０のチャンバ１２１内に、堆積物９１が堆積したサセプタ１０を収容させると共に、サセプタ１０を構成する基板収容部材１２の収容部２４にサセプタ１０を保護するサセプタ保護基板１４５を配置する工程と、ドライエッチングにより、サセプタ１０に堆積した堆積物９１を除去するエッチング工程と、エッチング工程（ＳＴＥＰ３，４に対応する工程）後に、基板収容部材２１が損傷した際、損傷した基板収容部材１２を損傷していない他の基板収容部材１２−１と交換する交換工程と、を含むことにより、上記ドライエッチングにより、堆積物９１が堆積していない部分の基板収容部材１２が損傷した際、損傷した基板収容部材１２のみを損傷していない基板収容部材１２−１と交換すればよいため（言い換えれば、サセプタ１０の大部分を占めるサセプタ本体１１を交換しなくてもよいため）、サセプタ１０全体を新しいサセプタ１０に交換する場合と比較して、炭化珪素基板３０上に形成する炭化珪素膜９０の製造コストを低減することができる。
特に、エクサイチュー方式（Ｅｘ−Ｓｉｔｕ）のドライクリーニングにより、サセプタ１０に厚く堆積した堆積物を除去する際に有効である。
【０１３６】
なお、第１の実施の形態のサセプタのクリーニング方法では、図１１に示すように、第１のステップと、第２のステップと、を交互に行うことで、堆積物９１を除去する場合を例に挙げて説明したが、第１及び第２のステップを同時に行うことで、堆積物９１を除去してもよい。この場合、第１及び第２のステップの開始から連続して、排ガスに含まれる四フッ化珪素の濃度が測定され、該四フッ化珪素の濃度が所定の閾値以下になったかどうかの判定が行われる。
【０１３７】
このように、第１及び第２のステップを同時に行うことで、堆積物９１を除去する場合、先に説明した第１の実施の形態のサセプタのクリーニング方法（図１１に示す処理よりなるクリーニング方法）と同様な効果を得ることができる。
つまり、本実施の形態のサセプタのクリーニング方法において、第１及び第２のステップは、交互または同時に行えばよい。
【０１３８】
図１１及び図１２では、図１及び図２に示すサセプタ１０に堆積した堆積物９１を除去する場合を例に挙げて説明したが、サセプタ１０に替えて、図４に示す支持部材３８及び位置規制部材３９が別体とされたサセプタ３５、図５に示す支持部材５３及び位置規制部材５４が別体とされたサセプタ５０、及び図６に示すサセプタ６５のうち、いずれかのサセプタを用いた場合も上記説明した第１の実施の形態のサセプタのクリーニング方法と同様な手法により、堆積物９１の除去を行うことができる。
【０１３９】
また、サセプタ３５，５０を用いる場合、損傷した基板収容部材３６，５１全体を交換するのではなく、例えば、損傷した位置規制部材３９，５４のみを交換すればよいため（言い換えれば、この場合、支持部材３８，５３を交換する必要がないため）、炭化珪素基板３０の表面３０ａに形成する炭化珪素膜９０の製造コストをさらに低減することができる。
【０１４０】
なお、図２、及び図４〜図６では、サセプタ本体１１及び基板収容部材１２，３６，５１を、それぞれカーボンよりなる部材を炭化珪素よりなる被膜でコーティングすることで構成した場合を例に挙げて説明したが、サセプタ本体１１及び基板収容部材１２，３６，５１を炭化珪素のみで構成してもよい。
【０１４１】
このように、基板収容部材１２，３６，５１を炭化珪素のみで構成することで、ＳＴＥＰ３，４でのドライエッチングにより、基板収容部材１２，３６，５１が損傷した際、カーボンが露出することがなくなるため、カーボンに含まれる不純物が炭化珪素膜９０に悪影響を及ぼすことを防止できる。
【０１４２】
（第２の実施の形態）
図１３は、本発明の第２の実施の形態に係るサセプタの一部を拡大した図であり、図１３（ａ）はサセプタの斜視図（サセプタの外周部のみ断面図）であり、図１３（ｂ）は、図１３（ａ）に示すサセプタのＩ−Ｉ線方向の断面図である。
図１３（ａ），（ｂ）において、図２及び図３に示す構造体と同一構成部分には、同一符号を付す。また、図１３（ｂ）には、説明の便宜上、炭化珪素基板３０を点で示す。
【０１４３】
図１３（ａ），（ｂ）を参照するに、第２の実施の形態のサセプタ１５０は、複数の炭化珪素基板に対して同時に炭化珪素膜を成膜する図７に示すバッチ式の炭化珪素成膜装置７０の成膜チャンバ７１内で使用されるサセプタであって、サセプタ本体１５１と、複数の基板収容部材１５２と、を有する。
【０１４４】
サセプタ本体１５１は、第１の実施の形態で説明した図１及び図２に示すサセプタ本体１１に設けられた複数の凹部１４に替えて、複数の貫通部１５４を有すること以外は、サセプタ１０と同様に構成される。
複数の貫通部１５４の形状は、基板収容部材１５２を収容可能な円盤形状とされている。複数の貫通部１５４は、サセプタ本体１５１の中心を中心とする円周上に、複数の貫通部１５４の中心が位置するように等間隔で配置されている。
【０１４５】
サセプタ１０に載置する炭化珪素基板の外径が４インチ（１０２ｍｍ）の場合、貫通部１５４の深さは、例えば、２ｍｍとすることができる。この場合、貫通部１５４の開口径は、例えば、１１０ｍｍとすることができる。
サセプタ本体１５１は、カーボンよりなる部材を炭化珪素（例えば、３Ｃ−ＳｉＣ）よりなる被膜でコーティングすることで構成されている。
【０１４６】
基板収容部材１５２は、着脱可能な状態で各貫通部１５４内に配置されている。基板収容部材１５２は、板状部材１６１と、支持部材１６２と、位置規制部材１６３と、収容部２４と、を有する。
【０１４７】
板状部材１６１は、貫通部１５４の底部に、貫通部１５４の下端（一方の端部）を塞ぐように配置されている。板状部材１６１は、円盤状の板材である。
板状部材１６１は、支持部材１６２の下方に配置されており、支持部材１６２を支持している。板状部材１６１の下面は、サセプタ本体１５１の下面１５１ｂに対して面一とされている。
板状部材１６１の厚さは、例えば、図２に示す凹部１４の下方に位置するサセプタ本体１１の厚さと等しくすることができる。
【０１４８】
支持部材１６２は、リング状とされた部材であり、板状部材１６１の上面の外周部に配置されている。支持部材１６２の下端は、板状部材１６１と一体とされている。支持部材１６２の中央部に配置され、支持部材１６２の内壁及び板状部材１６１の上面で区画された凹部１６８を有する。凹部１６８は、基板収容部材１５２に載置される炭化珪素基板３０の裏面３０ｂを露出する。
【０１４９】
凹部１６８の外側に位置する支持部材１６２の上面は、炭化珪素基板３０の裏面３０ｂ（図３参照）のうち、炭化珪素基板３０の外周部に位置する面と接触している。
これにより、支持部材１６２は、炭化珪素基板３０の表面３０ａがサセプタ本体１５１の上面１５１ａに対して面一となるように、炭化珪素基板３０を支持する。
【０１５０】
位置規制部材１６３は、リング状とされた部材であり、炭化珪素基板３０の面方向Ｓにおける収容部２４を区画する。位置規制部材１６３は、支持部材１６２の上面の外周部に配置されている。位置規制部材１６３は、貫通部１５４の内壁に近接するように、貫通部１５４内に収容されている。位置規制部材１６３の下端は、支持部材１６２と一体に構成されている。
【０１５１】
位置規制部材１６３は、炭化珪素基板３０の外周縁３０Ａとの間に隙間Ｅを介在させて、面方向Ｓにおける炭化珪素基板３０の位置を規制する。
位置規制部材１６３の上面１６３ａ（言い換えれば、基板収容部材１５２の上面１５２ａ）は、サセプタ本体１５１の上面１５１ａに対して面一となるように構成されている。
これにより、位置規制部材１６３の上面１６３ａは、サセプタ本体１５１の上面１５１ａに対して面一となる。
【０１５２】
位置規制部材１６３の内径は、位置規制部材１６３の内壁と炭化珪素基板３０の外周縁３０Ａとの間にリング状の隙間Ｅが形成される大きさとされている。隙間Ｅの大きさは、例えば、１〜２ｍｍとすることができる。
【０１５３】
収容部２４は、位置規制部材１６３の内壁により区画された円盤形状とされた空間である。収容部２４は、炭化珪素基板３０の外周縁３０Ａとの間に隙間Ｅを介在させて、炭化珪素基板３０を収容している。
【０１５４】
上記構成とされた基板収容部材１５２は、カーボンよりなる部材（板状部材１６１、支持部材１６２、及び位置規制部材１６３の形状に対応する１つの部材）を炭化珪素（例えば、３Ｃ−ＳｉＣ）よりなる被膜でコーティングすることで構成されている。
【０１５５】
第２の実施の形態のサセプタによれば、貫通部１５４を有するサセプタ本体１５１と、炭化珪素膜が形成される炭化珪素基板３０の外周縁３０Ａとの間に隙間Ｅを介在させて、炭化珪素基板３０を収容する収容部２４、炭化珪素基板３０の裏面３０ｂと接触することで、炭化珪素基板３０を支持する支持部材１６２、支持部材１６２上に配置され、かつ炭化珪素基板３０の外周縁３０Ａとの間に隙間Ｅを介在させて、炭化珪素基板３０の面方向Ｓにおける炭化珪素基板３０の位置を規制する位置規制部材１６３、及び支持部材１６２の下方に配置され、支持部材１６２を支持すると共に、貫通部１５４の一方の端を塞ぐ板状部材１６１を含み、かつ貫通部１５４に対して着脱可能に配置される基板収容部材１５２と、を有することにより、サセプタ１５０に堆積した炭化珪素よりなる堆積物を除去するときに基板収容部材１５２が損傷した場合だけでなく、例えば、炭化珪素除去装置１２０の加熱部１２５（図９及び図１０参照）による加熱により、板状部材１６１が損傷した場合に、基板収容部材１５２を損傷していない他の基板収容部材１５２と交換することで、炭化珪素基板３０を均一に加熱することが可能となる。
これにより、炭化珪素基板３０の表面３０ａに形成される炭化珪素膜の膜質を向上させることができる。
【０１５６】
特に、エクサイチュー方式（Ｅｘ−Ｓｉｔｕ）のドライクリーニングにより、サセプタ１５０に堆積した厚さの厚い堆積物を除去する際に有効である。
なお、第２の実施の形態のサセプタ１５０は、第１の実施の形態のサセプタ１０と同様な効果を得ることができる。
【０１５７】
また、第２の実施の形態のサセプタ１５０に堆積した堆積物のクリーニング方法は、第１の実施の形態で説明したサセプタのクリーニング方法と同様な手法により行うことができ、第１の実施の形態のサセプタのクリーニング方法と同様な効果を得ることができる。
【０１５８】
図１４は、本発明の第２の実施の形態の第１変形例に係るサセプタの一部を拡大した図であり、図１４（ａ）はサセプタの斜視図（サセプタの外周部のみ断面図）であり、図１４（ｂ）は、図１４（ａ）に示すサセプタのＪ−Ｊ線方向の断面図である。
図１４（ａ），（ｂ）において、図１３（ａ），（ｂ）に示す構造体と同一構成部分には、同一符号を付す。
【０１５９】
図１４（ａ），（ｂ）を参照するに、第２の実施の形態の第１変形例に係るサセプタ１７０は、複数の炭化珪素基板に対して同時に炭化珪素膜を成膜する図７に示すバッチ式の炭化珪素成膜装置７０の成膜チャンバ７１内で使用されるサセプタであって、サセプタ本体１５１と、複数の基板収容部材１７１と、を有する。
つまり、第２の実施の形態の第１変形例に係るサセプタ１７０は、第２の実施の形態の第１変形例に係るサセプタ１５０を構成する基板収容部材１５２に替えて、基板収容部材１７１を有すること以外は、サセプタ１５０と同様に構成されている。
【０１６０】
基板収容部材１７１は、図１３に示す支持部材１６２と位置規制部材１６３を一体にすると共に、支持部材１６２と板状部材１６１とを別体にしたこと以外は、第２の実施の形態で説明した基板収容部材１５２と同様な構成とされている。
【０１６１】
第２の実施の形態の第１変形例に係るサセプタ１７１によれば、支持部材１６２と位置規制部材１６３を一体にすると共に、支持部材１６２と板状部材１６１とを別体にすることで、ドライエッチングによりサセプタ１７１に堆積した堆積物を除去後において、支持部材１６２または位置規制部材１６３が損傷した場合には、一体とされた支持部材１６２及び位置規制部材１６３を損傷していない支持部材１６２及び位置規制部材１６３と交換し、炭化珪素除去装置１２０の加熱部１２５（図９及び図１０参照）の加熱により、板状部材１６１が損傷した場合には、損傷した板状部材１６１を損傷していない板状部材１６１と交換することが可能となるので、炭化珪素膜の製造コストを低減することができる。
特に、エクサイチュー方式（Ｅｘ−Ｓｉｔｕ）のドライクリーニングにより、サセプタ１７０に堆積した厚さの厚い堆積物を除去する際に有効である。
【０１６２】
図１５は、本発明の第２の実施の形態の第２変形例に係るサセプタの一部を拡大した図であり、図１５（ａ）はサセプタの斜視図（サセプタの外周部のみ断面図）であり、図１５（ｂ）は、図１５（ａ）に示すサセプタのＫ−Ｋ線方向の断面図である。
図１５（ａ），（ｂ）において、図１４（ａ），（ｂ）に示す構造体と同一構成部分には、同一符号を付す。
【０１６３】
図１５（ａ），（ｂ）を参照するに、第２の実施の形態の第２変形例に係るサセプタ１８０は、第２の実施の形態の第１変形例に係るサセプタ１７０を構成する支持部材１６２と位置規制部材１６３とを別体としたこと以外は、サセプタ１７０と同様に構成される。
【０１６４】
このような構成とされた第２の実施の形態の第２変形例に係るサセプタ１８０は、基板収容部材１８１を３つの部材に分割しているため、第２の実施の形態の第１変形例に係るサセプタ１７０よりも細かく部材の交換を行うことが可能となるので、さらなる製造コストの低減を実現できる。
【０１６５】
また、支持部材１６２と位置規制部材１６３とを別体とし、かつ支持部材１６２及び位置規制部材１６３の形状を単純なリング形状とすることで、支持部材１６２及び位置規制部材１６３を容易に成形することができる。
【０１６６】
図１６は、本発明の第２の実施の形態の第３変形例に係るサセプタの一部を拡大した図であり、図１６（ａ）はサセプタの斜視図（サセプタの外周部のみ断面図）であり、図１６（ｂ）は、図１６（ａ）に示すサセプタのＬ−Ｌ線方向の断面図である。
図１６（ａ），（ｂ）において、図５（ａ），（ｂ）及び図１５（ａ），（ｂ）に示す構造体と同一構成部分には、同一符号を付す。
【０１６７】
図１６（ａ），（ｂ）を参照するに、第２の実施の形態の第３変形例に係るサセプタ１９０は、第２の実施の形態の第２変形例に係るサセプタ１８０を構成する支持部材１６２及び位置規制部材１６３に替えて、図５（ａ），（ｂ）に示す支持部材５３及び位置規制部材５４を有すること以外は、サセプタ１８０と同様に構成される。
つまり、サセプタ１８０を構成する支持部材５３及び位置規制部材５４は、別体とされ、かつ形状が単純なリング形状とされた部材である。
【０１６８】
このような構成とされた第２の実施の形態の第３変形例に係るサセプタ１９０は、基板収容部材１９１を３つの部材（支持部材５３、位置規制部材５４、及び板状部材１６１）に分割しているため、第２の実施の形態の第２変形例に係るサセプタ１８０と同様な効果を得ることができる。
【０１６９】
なお、上記説明した第２の実施の形態の第１乃至第３変形例に係るサセプタ１７０，１８０，１９０に堆積した炭化珪素よりなる堆積物のクリーニングは、第１の実施の形態で説明したサセプタのクリーニング方法と同様な手法により行うことができ、第１の実施の形態のサセプタのクリーニング方法と同様な効果を得ることができる。
【０１７０】
以上、本発明の好ましい実施の形態について詳述したが、本発明はかかる特定の実施の形態に限定されるものではなく、特許請求の範囲内に記載された本発明の要旨の範囲内において、種々の変形・変更が可能である。
【０１７１】
（実施例）
＜サセプタの準備工程＞
実施例では、複数の炭化珪素基板３０が載置されるサセプタとして、図１及び図２に示す第１の実施の形態のサセプタ１０を用いた。
炭化珪素基板３０としては、口径が３インチ（７．６２ｃｍ）、厚さが３５０μｍの単結晶炭化珪素ウェハを用いた。
【０１７２】
サセプタ１０としては、カーボンよりなる部材１６を厚さ２００μｍの炭化珪素膜（３Ｃ−ＳｉＣ膜（被膜１７））でコーティングしたものを用いた。
また、サセプタ本体１１の外径を３００ｃｍ、サセプタ本体１１の厚さを３ｍｍ、収容部２４の径を７．８２ｃｍ（言い換えれば、リング状の隙間Ｅの幅が１ｍｍ）、収容部２４の深さを炭化珪素基板３０と同じ３５０μｍ、貫通部２１Ａの深さを１ｍｍとした。
【０１７３】
上記構成とされたサセプタ１０の収容部２４に、炭化珪素基板３０の裏面３０ｂのうち、炭化珪素基板３０の最外周から内側１ｍｍまでの面と支持部材２１の上面とを接触させることで、サセプタ１０に設けられた複数の基板収容部材１２（具体的には、収容部２４）に炭化珪素基板３０を載置した。
このとき、複数の収容部２４に配置された炭化珪素基板３０の表面３０ａがサセプタ本体１１の上面１１ａに対して面一となるようにした。
【０１７４】
＜複数の炭化珪素基板に対する炭化珪素膜の成膜工程＞
次に、図７に示す炭化珪素成膜装置７０（大陽日酸株式会社製）の成膜チャンバ７１内にサセプタ１０を収容し、複数の炭化珪素基板３０の表面３０ａに炭化珪素膜９０として、厚さ１０μｍとされた４Ｈ−ＳｉＣ膜を成膜する（エピタキシャル成長させる）工程を１５回繰り返し行った。
【０１７５】
このとき、原料ガスとしては、ＳｉＨ４（供給量が２４０ｓｃｃｍ）、及びＣ３Ｈ８（供給量が１８０ｓｃｃｍ）を用いた。また、キャリアガスとしては、Ｈ２（供給量が１０００ｓｃｃｍ）を用いた。エピタキシャル成長時の成膜チャンバ７１内の温度は、１６００℃とした。
【０１７６】
上記４Ｈ−ＳｉＣ膜を成膜する工程を実施することで、隙間Ｅに炭化珪素よりなる堆積物９１（図１２（ａ）参照）が堆積したことを確認すると共に、サセプタ本体１１の上面１１ａに厚さ２００μｍの堆積物９１（炭化珪素（３Ｃ−ＳｉＣ）よりなる堆積物）が堆積したことを確認した。
【０１７７】
＜サセプタに堆積した堆積物を除去するクリーニング工程＞
次に、図７に示す炭化珪素成膜装置７０から堆積物９１が堆積したサセプタ１０を取り出した。次いで、図９に示す炭化珪素除去装置１２０（大陽日酸株式会社製）のチャンバ１２１内に配置されたサセプタ受け部材１２７（図１０参照）上に、堆積物９１が堆積したサセプタ１０を固定し、堆積物９１を除去するクリーニング処理を実施した。
【０１７８】
該クリーニング処理としては、先に図１１及び図１２を参照して説明したクリーニング方法を用いて、チャンバ１２１内にプラズマ化させたフッ素含有ガスを供給することで、炭化珪素よりなる堆積物９１に含まれる珪素成分を選択的に除去する第１のステップと、チャンバ１２１内にプラズマ化させた酸素含有ガスを供給することで、堆積物９１に含まれる炭素成分を選択的に除去する第２のステップと、順次繰り返し行うことで、サセプタ１０に堆積した堆積物９１を除去した。
【０１７９】
このとき、フッ素含有ガスとしては、ＮＦ３（供給量が１００ｓｃｃｍ）を用い、酸素含有ガスとしては、Ｏ２（供給量が５００ｓｃｃｍ）を用いた。また、上記クリーニング処理を実施中のチャンバ１２１内の温度は、３００℃とした。
【０１８０】
堆積物９１の除去が完了後、サセプタ１０の位置規制部材２２がエッチングされて、位置規制部材２２の厚さが薄くなっていることが確認できた。
【０１８１】
＜損傷した基板収容部材の交換、及び加熱パージ工程＞
次いで、図１２（ｄ）に示すように、損傷した基板収容部材１２を損傷していない新品の基板収容部材１２−１と交換した。その後、炭化珪素成膜装置７０の成膜チャンバ７１に水素（供給量１００ｓｃｃｍ）を供給し、サセプタ１０を１５００℃の温度に加熱することで、３０分間の加熱パージを行った。
【０１８２】
＜損傷した基板収容部材の交換後における複数の炭化珪素基板に対する炭化珪素膜の成膜工程＞
次いで、損傷した基板収容部材１２を交換済みのサセプタ１０に複数の炭化珪素基板３０を載置して、複数の炭化珪素基板３０の表面３０ａに、先に説明した炭化珪素膜９１の成膜工程と同様な処理（具体的には、１０μｍの４Ｈ−ＳｉＣ膜を１５回成膜する処理）を行った。
実施例では、上記１５回の成膜処理において、４Ｈ−ＳｉＣ膜のエピ不良は、確認されなかった。このことから、損傷した基板収容部材１２を交換し、サセプタ本体１１を再利用することで、良好な４Ｈ−ＳｉＣ膜を形成できることが確認できた。
【０１８３】
（比較例）
＜サセプタの準備工程＞
図１７は、比較例で使用したサセプタの概略構成を示す平面図である。図１８は、図１７に示すサセプタのＭ−Ｍ線方向の断面図である。図１８では、説明の便宜上、図１７には図示していない炭化珪素基板３０を点線で図示する。
【０１８４】
比較例では、複数の炭化珪素基板３０が載置されるサセプタとして、図１７及び図１８に示すサセプタ２５０を用いた。
ここで、図１７及び図１８を参照して、比較例で使用するサセプタ２５０の構成について説明する。
サセプタ２５０は、サセプタ本体２５１と、複数の基板収容部２５２と、を有する。複数の基板収容部２５２は、サセプタ本体２５１の中心Ｎを中心とする円周上に各基板収容部２５２の中心が位置するように、等間隔で配置した。
【０１８５】
基板収容部２５２は、炭化珪素基板３０が配置される空間である第１の部分２５２−１と、第１の部分２５２−１の下方に配置され、第１の部分２５２−１よりも開口径が小さく、かつ第１の部分２５２−１と一体とされた空間である第２の部分２５２−２と、を有する構成とした。
【０１８６】
炭化珪素基板３０は、その外周縁３０Ａと第１の部分２５２−１の側壁との隙間Ｐが１ｍｍとなるように載置した。
第１の部分２５２−１は、その外計を７．８２ｃｍ（言い換えれば、隙間Ｐが１ｍｍ）、深さを炭化珪素基板３０の厚さと同じ３５０μｍとした。また、第２の部分２５２−２の深さは、１ｍｍとした。
上記サセプタ２５０としては、カーボンよりなる部材を被膜である厚さ２００μｍの炭化珪素膜でコーティングしたものを用いた。
【０１８７】
＜複数の炭化珪素基板に対する炭化珪素膜の成膜工程＞
次に、図７に示す炭化珪素成膜装置７０（大陽日酸株式会社製）の成膜チャンバ７１内にサセプタ２５０を収容し、複数の炭化珪素基板３０の表面３０ａに炭化珪素膜として、厚さ１０μｍとされた４Ｈ−ＳｉＣ膜を成膜する（エピタキシャル成長させる）工程を１５回繰り返し行った。
このときの４Ｈ−ＳｉＣ膜の成膜条件は、実施例と同じ条件を用いた。
【０１８８】
上記４Ｈ−ＳｉＣ膜を成膜する工程を実施することで、隙間Ｐに炭化珪素よりなる堆積物が堆積したことを確認すると共に、サセプタ本体２５１の上面２５１ａに厚さ４２μｍの堆積物（炭化珪素よりなる堆積物）が堆積したことを確認した。
【０１８９】
＜サセプタに堆積した堆積物を除去するクリーニング工程＞
次に、図７に示す炭化珪素成膜装置７０から堆積物が堆積したサセプタ２５０を取り出した。次いで、図９に示す炭化珪素除去装置１２０（大陽日酸株式会社製）のチャンバ１２１内に配置されたサセプタ受け部材１２７（図１０参照）上に、炭化珪素よりなる堆積物が堆積したサセプタ２５０を固定し、該堆積物を除去するクリーニング処理を実施した。
このときのクリーニング条件としては、実施例と同じ条件を用いた。
【０１９０】
堆積物の除去が完了後、サセプタ２５０を構成する第１の部分２５２−１の側壁がエッチングされて厚さが薄くなっていることが確認できた。
【０１９１】
＜加熱パージ工程＞
次いで、炭化珪素成膜装置７０の成膜チャンバ７１に水素（供給量１００ｓｃｃｍ）を供給し、損傷したサセプタ２５０を１５００℃の温度に加熱することで、３０分間の加熱パージを行った。
【０１９２】
＜加熱パージ後における複数の炭化珪素基板に対する炭化珪素膜の成膜工程＞
次いで、損傷したサセプタ２５０に複数の炭化珪素基板３０を載置して、複数の炭化珪素基板３０の表面３０ａに、先に説明した炭化珪素膜の成膜工程と同様な処理（具体的には、１０μｍの４Ｈ−ＳｉＣ膜を１５回成膜する処理）を行った。
比較例では、５回目以降に、４Ｈ−ＳｉＣ膜のエピ不良が確認された。これは、損傷したサセプタ２５０を用いて、４Ｈ−ＳｉＣ膜を形成したためであると考えられる。
【産業上の利用可能性】
【０１９３】
本発明は、炭化珪素成膜装置の成膜チャンバ内で使用するサセプタ、及びサセプタのクリーニング方法に適用できる。
【符号の説明】
【０１９４】
１０，３５，５０，６５，１５０，１７０，１８０，１９０，２５０…サセプタ、１１，１５１，２５１…サセプタ本体、１１ａ，１２ａ，２２ａ，３６ａ，３９ａ，５１ａ，５４ａ，１５１ａ，１５２ａ，１６３ａ，２５１ａ…上面、１２，１２−１，３６，５１，１５２，１７１，１８１，１９１…基板収容部材、１４，１６８…凹部、１４ａ…底面、１６，３１，４１，４４，５６…部材、１７，３２，４２，４５，５７…被膜、２１，３８，５３，１６２…支持部材、２１Ａ…貫通部、２２，３９，５４，１６３…位置規制部材、２４…収容部、３０…炭化珪素基板、３０ａ…表面、３０ｂ…裏面、３０Ａ…外周縁、７０，９５…炭化珪素成膜装置、７１，９６…成膜チャンバ、７１Ａ，９７，１２１Ａ…反応空間、７３，１２３…ステージ、７５，１０６…第１の加熱部、７７，９８…第１の断熱部材、７８…排気口、７９…回転軸、８１…回転駆動部、８２，１０１，１２７…サセプタ受け部材、８３…天井板部材、８４，１０８…第２の加熱部、８５，９９…第２の断熱部材、８７，１０４…第３の断熱部材、８９…原料ガス導出部、９０…炭化珪素膜、９１…堆積物、１１１…原料ガス導入口、１１２…ガス排出口、１２０…炭化珪素除去装置、１２１…チャンバ、１２５…加熱部、１３１…フッ素含有ガス供給部、１３２…酸素含有ガス供給部、１３４…プラズマ発生部、１３６…真空ポンプ、１３７…ガス管、１３９…排ガス分析部、１４１…制御部、１４５…サセプタ保護基板、１５１ｂ…下面、１５４…貫通部、１６１…板状部材、２５２…基板収容部、２５２−１…第１の部分、２５２−１…第２の部分、Ａ…領域、Ｂ…円周、Ｃ，Ｎ…中心、Ｅ，Ｐ…隙間、Ｓ…面方向
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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