(57)【要約】【課題】  ベース裏面の実装半田が拡散して上面に達して接続端子や支持電極下層部に溶融するのを防ぎ、耐熱性を向上させて、特性の劣化を防止することができる表面実装水晶振動子を提供する。【解決手段】  ベース１の表面に、ベース１の角部において基板の上面と下面とを接続するスルー端子１１と、ベース１の下面に形成された実装端子１６と、ベース１の上面において、スルー端子１１に接し、スルー端子１１を囲むように、スルー端子１１の材料よりも半田が溶融しにくい材料で形成された半田侵入防止部２０とを設けた表面実装水晶振動子としている。【選択図】        図１
2015233219.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
矩形のセラミック基板上に水晶片が搭載される表面実装水晶振動子であって、
前記基板の角部に形成され、前記基板の上面と下面とを接続するスルー端子と、
前記基板の下面に形成され、実装基板に接続する実装端子と、
前記基板の上面において、前記スルー端子に接し、前記スルー端子を囲むように、前記スルー端子の材料よりも半田が溶融しにくい材料で形成されたパターンから成る半田侵入防止部とを備えたことを特徴とする表面実装水晶振動子。
【請求項２】
半田侵入防止部は、スルー端子の周囲に形成された本体パターンと、前記本体パターンから基板の長辺に沿って張り出した第１の張り出しパターンと、前記本体パターンから前記基板の短辺に沿って張り出した第２の張り出しパターンとを備えたことを特徴とする請求項１記載の表面実装水晶振動子。
【請求項３】
基板の上面に形成され、水晶片を保持する支持電極と、前記支持電極の下層に形成される支持電極下層部と、前記支持電極下層部に接続し、前記基板の角部方向に形成された接続端子とを備え、
半田侵入防止部が、前記角部方向に形成された接続端子と当該角部に形成されたスルー端子との間で、前記スルー端子を囲むように、前記スルー端子及び前記接続端子の材料よりも半田が溶融しにくい材料で形成されていることを特徴とする請求項１又は２記載の表面実装水晶振動子。
【請求項４】
半田侵入防止部が、支持電極に接続されないスルー端子を囲むように、前記スルー端子の材料よりも半田が溶融しにくい材料で形成されていることを特徴とする請求項３記載の表面実装水晶振動子。
【請求項５】
スルー端子と、実装端子と、接続端子と、支持電極下層部とが、銀・パラジウムによって形成され、半田侵入防止部がニッケル又はクロムによって形成されていることを特徴とする請求項３又は４記載の表面実装水晶振動子。
【請求項６】
支持電極に接続されないスルー端子を複数備え、
前記複数のスルー端子の内、特定のスルー端子に一端が接続され、前記特定のスルー端子以外のスルー端子に他端が接続されるよう、基板上に温度センサが搭載されていることを特徴とする請求項３乃至５のいずれか記載の表面実装水晶振動子。
【請求項７】
矩形のセラミック基板上に水晶片が搭載される発振器であって、
前記水晶片の下側で前記基板の上面又は下面に空間が形成され、当該空間に発振回路が収納されたものであり、
前記基板の角部に形成され、前記基板の上面と下面とを接続するスルー端子と、
前記基板の上面に形成され、前記水晶片を保持する支持電極と、
前記支持電極の下層に形成される支持電極下層部と、
前記支持電極下層部に接続する接続端子と、
前記基板の下面に形成され、実装基板に接続する実装端子と、
前記基板の上面において、前記スルー端子と前記接続端子との間で、前記スルー端子を囲むように、前記スルー端子及び前記接続端子の材料よりも半田が溶融しにくい材料で形成されたパターンから成る半田侵入防止部とを備えたことを特徴とする発振器。
【請求項８】
半田侵入防止部は、スルー端子の周囲に形成された本体パターンと、前記本体パターンから基板の長辺に沿って張り出した第１の張り出しパターンと、前記本体パターンから前記基板の短辺に沿って張り出した第２の張り出しパターンとを備えたことを特徴とする請求項７記載の発振器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、表面実装用の水晶振動子に係り、特に実装半田の拡散による特性劣化を防ぎ、耐熱性を向上させて、良好な特性を得ることができる表面実装水晶振動子に関する。
【背景技術】
【０００２】
［先行技術の説明］
表面実装水晶振動子は、小型・軽量であることから、特に携帯型の電子機器に、周波数や時間の基準源として内蔵される。
従来の表面実装水晶振動子は、セラミック基板上に水晶片を搭載し、凹状のカバーを逆さにして被せて密閉封入したものがある。
【０００３】
特に、従来の表面実装水晶振動子の一般的な構成は、セラミック基板上に例えばＡｇＰｄ（銀・パラジウム）の金属電極のパターンが形成され、更に、水晶片を支持する部分にＡｇＰｄの支持電極が積層され、その支持電極の上に水晶片が搭載されるようになっている。
【０００４】
［従来の表面実装水晶振動子の電極パターン：図３］
従来の表面実装水晶振動子について図３を使って説明する。図３は、従来の表面実装水晶振動子の電極パターンの平面説明図である。
図３に示すように、従来の表面実装水晶振動子の電極パターンは、セラミック基板から成るベース１の四隅に形成されたスルー端子１１，１２と、ベース１の上面に形成された支持電極下層部１４のパターンと、支持電極下層部１４の上に形成され、水晶片に接続する支持電極１５と、支持電極１５とスルー端子１１とを接続する接続端子１３とを基本的に有している。
ここでは、接続端子１３が接続するスルー端子を１１とし、接続端子１３が接続しないスルー端子を１２として区別している。
【０００５】
スルー端子１１，１２は、個々の水晶振動子に分離する前のセラミックシート状態において、個々の水晶振動子の領域を定めるブレイクラインの交点に設けられたスルーホールの壁面に形成されたものであり、ベース１の表面と裏面とを接続する電極である。
そして、スルー端子１１，１２と、接続端子１３と、支持電極下層部１４はＡｇＰｄで形成され、支持電極１５はＡｇで形成されている。
【０００６】
［従来の表面実装水晶振動子の電極パターンの断面：図４］
次に、従来の表面実装水晶振動子の電極パターンの断面について図４を用いて説明する。図４は、図３のＢ−Ｂ′断面説明図である。
図４に示すように、従来の表面実装水晶振動子は、ベース１の上面（表面）に支持電極下層部１４と、接続端子１３とが形成され、更に支持電極下層部１４の上に支持電極１５が形成されている。
【０００７】
また、ベース１の角部の側面部分（角部のスルーホールの壁面）にはスルー端子１１が形成され、ベース１の裏面には、実装基板に接続する実装端子１６が形成されている。
尚、図４では示されないが、スルー端子１２は、スルー端子１１と同様にベース１の角部の側面に形成されているが、接続端子１３には接続されていない。
そして、実装時には、実装基板上の端子と、ベース１の実装端子１６とが半田によって接続されるものである。
【０００８】
［半田の侵入］
ところで、水晶振動子を実装基板に搭載する場合、実装端子１６とベース１の下面に設けられた実装基板の端子とを半田付けするが、その際、接合部分において電極金属（ＡｇＰｄ）と半田とが原子レベルで相互に混ざり合って（溶融して）接合される。
【０００９】
しかし、運用中の加熱等により、半田がベース１の下面だけでなく、スルー端子１１を介してベース１の上面に達して、接続端子１３、支持電極下層部１４にまで侵入し、溶け込んだ半田成分がＡｇＰｄ層に拡散して、水晶振動子の特性が劣化して不良が発生することがある。
ＡｇＰｄ配線パターンでは、侵入した半田に銀が溶け込んで（食われて）しまい（半田溶融）、接触不良となる場合もある。
【００１０】
［関連技術］
尚、表面実装水晶振動子に関する技術としては、特開２０１３−７０３５７号公報「表面実装水晶振動子及びその製造方法」（日本電波工業株式会社、特許文献１）がある。
特許文献１には、支持電極下層部の上に水晶片を保持する支持電極が形成され、基板の周囲内側に形成された絶縁膜上にカバーが搭載されて、気密封止される表面実装水晶振動子が記載されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【００１１】
【特許文献１】特開２０１３−７０３５７号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１２】
上述したように、従来の表面実装水晶振動子では、運用中の加熱等によって実装半田がＡｇＰｄ層に拡散した場合に、スルー端子を介してセラミック基板上面の接続端子や支持電極下層部にまで侵入して、接触不良が発生したり水晶振動子の特性が劣化するという問題点があった。
【００１３】
そのため、従来の表面実装水晶振動子は高温環境で使用する場合、耐熱性が低いという問題点があった。
【００１４】
尚、特許文献１には、スルー端子と接続端子との間に、半田が溶けにくい材料から成る半田侵入防止部を設けて、支持電極下層部への半田の侵入を阻止することは記載されていない。
【００１５】
本発明は上記実状に鑑みて為されたもので、実装半田が拡散して接続端子や支持電極下層部に溶融するのを防ぎ、耐熱性を向上させて、特性の劣化を防止することができる表面実装水晶振動子を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１６】
上記従来例の問題点を解決するための本発明は、矩形のセラミック基板上に水晶片が搭載される表面実装水晶振動子であって、基板の角部に形成され、基板の上面と下面とを接続するスルー端子と、基板の下面に形成され、実装基板に接続する実装端子と、基板の上面において、スルー端子に接し、スルー端子を囲むように、スルー端子の材料よりも半田が溶融しにくい材料で形成されたパターンから成る半田侵入防止部とを備えたことを特徴としている。
【００１７】
また、本発明は、上記表面実装水晶振動子において、半田侵入防止部は、スルー端子の周囲に形成された本体パターンと、本体パターンから基板の長辺に沿って張り出した第１の張り出しパターンと、本体パターンから基板の短辺に沿って張り出した第２の張り出しパターンとを備えたことを特徴としている。
【００１８】
また、本発明は、上記表面実装水晶振動子において、基板の上面に形成され、水晶片を保持する支持電極と、支持電極の下層に形成される支持電極下層部と、支持電極下層部に接続し、基板の角部方向に形成された接続端子とを備え、半田侵入防止部が、角部方向に形成された接続端子と当該角部に形成されたスルー端子との間で、スルー端子を囲むように、スルー端子及び接続端子の材料よりも半田が溶融しにくい材料で形成されていることを特徴としている。
【００１９】
また、本発明は、上記表面実装水晶振動子において、半田侵入防止部が、支持電極に接続されないスルー端子を囲むように、当該スルー端子の材料よりも半田が溶融しにくい材料で形成されていることを特徴としている。
【００２０】
また、本発明は、上記表面実装水晶振動子において、スルー端子と、実装端子と、接続端子と、支持電極下層部とが、銀・パラジウムによって形成され、半田侵入防止部がニッケル又はクロムによって形成されていることを特徴としている。
【００２１】
また、本発明は、上記表面実装水晶振動子において、支持電極に接続されないスルー端子を複数備え、複数のスルー端子の内、特定のスルー端子に一端が接続され、特定のスルー端子以外のスルー端子に他端が接続されるよう、基板上に温度センサが搭載されていることを特徴としている。
【００２２】
また、本発明は、矩形のセラミック基板上に水晶片が搭載される発振器であって、水晶片の下側で基板の上面又は下面に空間が形成され、当該空間に発振回路が収納されたものであり、基板の角部に形成され、基板の上面と下面とを接続するスルー端子と、基板の上面に形成され、水晶片を保持する支持電極と、支持電極の下層に形成される支持電極下層部と、支持電極下層部に接続する接続端子と、基板の下面に形成され、実装基板に接続する実装端子と、基板の上面において、スルー端子と接続端子との間で、スルー端子を囲むように、スルー端子及び接続端子の材料よりも半田が溶融しにくい材料で形成されたパターンから成る半田侵入防止部とを備えたことを特徴としている。
【００２３】
また、本発明は、上記発振器において、半田侵入防止部は、スルー端子の周囲に形成された本体パターンと、本体パターンから基板の長辺に沿って張り出した第１の張り出しパターンと、本体パターンから基板の短辺に沿って張り出した第２の張り出しパターンとを備えたことを特徴としている。
【発明の効果】
【００２４】
本発明によれば、矩形のセラミック基板上に水晶片が搭載される表面実装水晶振動子であって、基板の角部に形成され、基板の上面と下面とを接続するスルー端子と、基板の下面に形成され、実装基板に接続する実装端子と、基板の上面において、スルー端子に接し、スルー端子を囲むように、スルー端子の材料よりも半田が溶融しにくい材料で形成されたパターンから成る半田侵入防止部とを備えた表面実装水晶振動子としているので、基板下面においてＡｇＰｄから成る実装端子に半田が溶融して、スルー端子を介して基板の上面に達した場合でも、半田侵入防止部によって半田が拡散するのを防ぐことができる効果がある。
【００２５】
また、本発明によれば、上記表面実装水晶振動子において、半田侵入防止部は、スルー端子の周囲に形成された本体パターンと、本体パターンから基板の長辺に沿って張り出した第１の張り出しパターンと、本体パターンから基板の短辺に沿って張り出した第２の張り出しパターンとを備えた表面実装水晶振動子としているので、接続端子のＡｇＰｄパターンがベースの端面に露出しないようにして、基板下面からベースの側面を介して半田が接続端子に侵入するのを防ぐことができる効果がある。
【００２６】
また、本発明によれば、上記表面実装水晶振動子において、基板の上面に形成され、水晶片を保持する支持電極と、支持電極の下層に形成される支持電極下層部と、支持電極下層部に接続し、基板の角部方向に形成された接続端子とを備え、半田侵入防止部が、角部方向に形成された接続端子と当該角部に形成されたスルー端子との間で、スルー端子を囲むように、スルー端子及び接続端子の材料よりも半田が溶融しにくい材料で形成されている表面実装水晶振動子としているので、基板下面においてＡｇＰｄから成る実装端子に半田が溶融して、スルー端子を介して基板の上面に達した場合でも、半田侵入防止部において半田が拡散するのを防ぐことができ、支持電極下層部に半田が侵入して水晶振動子の特性が劣化するのを防ぐことができ、水晶振動子の耐熱性を向上させることができる効果がある。
【００２７】
また、本発明によれば、上記表面実装水晶振動子において、半田侵入防止部が、支持電極に接続されないスルー端子を囲むように、当該スルー端子の材料よりも半田が溶融しにくい材料で形成されている表面実装水晶振動子としているので、基板４つの角部の構成を同じにして、製造を容易にすることができる効果がある。
【００２８】
また、本発明によれば、矩形のセラミック基板上に水晶片が搭載される発振器であって、水晶片の下側で基板の上面又は下面に空間が形成され、当該空間に発振回路が収納されたものであり、基板の角部に形成され、基板の上面と下面とを接続するスルー端子と、基板の上面に形成され、水晶片を保持する支持電極と、支持電極の下層に形成される支持電極下層部と、支持電極下層部に接続する接続端子と、基板の下面に形成され、実装基板に接続する実装端子と、基板の上面において、スルー端子と接続端子との間で、スルー端子を囲むように、スルー端子及び接続端子の材料よりも半田が溶融しにくい材料で形成されたパターンから成る半田侵入防止部とを備えた発振器としているので、基板下面においてＡｇＰｄから成る実装端子に半田が溶融して、スルー端子を介して基板の上面に達した場合でも、半田侵入防止部において半田が拡散するのを防ぐことができ、支持電極下層部に半田が侵入して水晶振動子の特性が劣化するのを防ぐことができ、発振器の耐熱性を向上させることができる効果がある。
【図面の簡単な説明】
【００２９】
【図１】本発明の実施の形態に係る表面実装水晶振動子の電極パターンの平面説明図である。
【図２】図１のＡ−Ａ′断面説明図である。
【図３】従来の表面実装水晶振動子の電極パターンの平面説明図である。
【図４】図３のＢ−Ｂ′断面説明図である。
【発明を実施するための形態】
【００３０】
本発明の実施の形態について図面を参照しながら説明する。
［実施の形態の概要］
本発明の実施の形態に係る表面実装水晶振動子は、セラミック基板の上面において、スルー端子のパターンと接続端子のパターンとの間に、半田が溶融しにくいＣｒ（クロム）又はＮｉ（ニッケル）から成る半田侵入防止部を備え、ＡｇＰｄから成る基板下面の実装端子に半田が溶融したとしても、半田侵入防止部によって接続端子や支持電極下層部に半田が拡散して溶け込むのを防ぐことができ、特性の劣化を防止することができるものである。
【００３１】
［実施の形態の表面実装水晶振動子の電極パターン：図１］
本発明の実施の形態に係る表面実装水晶振動子の電極パターンについて図１を用いて説明する。図１は、本発明の実施の形態に係る表面実装水晶振動子の電極パターンを示す平面説明図である。
図１に示すように、本発明の実施の形態に係る表面実装水晶振動子（本水晶振動子）の電極パターンは、図３に示した従来の水晶振動子と同様の部分として、セラミック基板から成るベース１の四隅に形成されたスルー端子１１，１２と、ベース１の表面に形成された支持電極下層部１４と、支持電極下層部１４の上に形成された支持電極１５とを備えている。
【００３２】
スルー端子１１，１２は、四隅の孔の壁面部分だけでなく、ベース１の上面及び下面において他の電極と接続しやすいように、上面及び下面の孔（スルーホール）の周りを取り囲む扇形（扇面形、円弧状）のパターンを備えている。つまり、扇形のパターンは、中心にスルーホールが形成された円形パターンの４分割領域の形状である。
本水晶振動子では、ベース１の上面及び下面のスルー端子１１，１２は、従来に比べて幅が狭く形成されている。
【００３３】
また、上面及び下面のスルー端子の形状を、中心にスルーホールが形成された四角形パターンの４分割領域の形状としてもよい。
尚、ここでは、ベース１の一方の対角線上にあり、後述する接続端子１３ａに接続するスルー端子をスルー端子１１とし、他方の対角線上にあり、接続端子１３ａに接続しないスルー端子をスルー端子１２としている。スルー端子１２は、支持端子１５にも接続しない。
【００３４】
また、ベース１の裏面には、スルー端子１１，１２に接続すると共に、実装基板の端子に接続する実装端子１６が形成されている。
そして、スルー端子１１，１２、接続端子１３ａ，１３ｂ、支持電極下層部１４、実装端子１６は酸化されにくいＡｇＰｄで形成され、支持電極１５はＡｇで形成されている。
【００３５】
［接続端子１３ａ，１３ｂ］
本水晶振動子では、接続端子１３は、後述する半田侵入防止部２０と支持電極下層部１４とを接続するものであり、支持電極下層部１４に接続し、ベースの一方の対角線上の角部に向かって形成された直線状の接続端子１３ａと、半田侵入防止部２０に接続する扇形（扇面形、円弧状）の接続端子１３ｂとで構成されている。
【００３６】
［ダミー端子１３ｂ′］
また、スルー端子１２側には、接続端子１３ｂと同一形状で半田侵入防止部２０に接続して形成されたダミー端子１３ｂ′が設けられている。ダミー端子１３ｂ′は、接続端子１３ａ、支持電極下層部１４及び支持電極１５には接続しない。
【００３７】
［半田侵入防止部２０］
そして、本水晶振動子は、ベース１の上面に半田侵入防止部２０を備えている。
半田侵入防止部２０は、本水晶振動子の特徴部分であり、Ｎｉ（ニッケル）又はＣｒ（クロム）で形成され、ベース１の一方の対角線上のスルー端子１１と接続端子１３ｂとの間を埋めるように、スルー端子１１と接続端子１３ｂの円弧状のパターンに密着して形成されている。
同様に、半田侵入防止部２０は、他方の対角線上のスルー端子１２とダミー端子１３ｂ′との間を埋めるように、スルー端子１２とダミー端子１３ｂ′の円弧状のパターンに密着して形成されている。
【００３８】
更に、半田侵入防止部２０は、３つのパターンから成り、スルー端子１１の周囲に設けられた本体パターン２０ａと、本体パターン２０ａからベース１の長辺に沿って張り出した張り出しパターン２０ｂと、短辺に沿って張り出した張り出しパターン２０ｃとから構成されている。
張り出しパターン２０ｂは、請求項に記載した第１の張り出しパターンに相当し、張り出しパターン２０ｃは、請求項に記載した第２の張り出しパターンに相当する。
【００３９】
図１に示すように、半田侵入防止部２０の本体パターン２０ａは、扇形のパターンであり、スルー端子１１，１２を囲むように、スルー端子１１，１２の外周（外側の円弧）全体に接すると共に、接続端子１３ｂ又はダミー端子１３ｂ′の内周（内側の円弧）全体に接するように形成されている。
また、張り出しパターン２０ｂ，２０ｃは矩形のパターンで、接続端子１３ｂ（又はダミー端子１３ｂ′）とベース１の端面との間に設けられ、それぞれベース１の長辺、短辺に接するように形成されている。
【００４０】
つまり、本水晶振動子では、支持電極１５に接続するか否かに関わらず、スルー端子１１，１２、半田侵入防止部２０、接続端子１３ｂ又はダミー端子１３ｂ′をベース１の全ての角部に設けた構成としている。
角部の構成を共通とすることにより、複数のベースがマトリクス状に配列されたシート状で製造する際のパターニングを容易にすることができるものである。
【００４１】
また、半田侵入防止部２０のＮｉ及びＣｒは、導電性を備えると共に、スルー端子１１，１２や接続端子１３ａ，１３ｂ及びダミー端子１３ｂ′に用いられるＡｇＰｄに比べて半田と相互に溶融しにくい材料であり、半田と接しても半田が内部に拡散しにくく、半田溶融が発生しにくい金属である。
【００４２】
すなわち、本水晶振動子の構成は、従来、ＡｇＰｄの同一材料で一体に形成されていたスルー端子と接続端子との間を分断して広げ、その隙間に半田溶融が発生しにくい半田侵入防止部２０を設けた構成とみなすことができ、スルー端子１１から接続端子１３への半田の拡散を阻止する構成としたものである。但し、実際の製造方法はこれとは異なる。
【００４３】
そして、本水晶振動子では、ベース１の裏面においてＡｇＰｄから成る実装端子１６に半田が溶融して、スルー端子１１を介して半田がベース１の上面にまで拡散した場合でも、半田侵入防止部２０によって半田の更なる拡散を防ぎ、接続端子１３ａ，１３ｂ、支持電極下層部１４に侵入しないようにして、特性の劣化を防ぐことができるものである。
【００４４】
また、これにより、従来に比べて高温の環境、つまり半田が拡散し易い環境においても不良が発生するのを防ぐことができ、水晶振動子の耐熱性を向上させることができるものである。
【００４５】
更に、半田侵入防止部２０が、ベース１の端面に沿って張り出しパターン２０ｂ、２０ｃを備えることにより、接続端子１３ｂ及びダミー端子１３ｂ′のＡｇＰｄがベース１の端面に露出しないようにして、裏面からの半田が、ベース１の側面を介して接続端子１３ｂ、ダミー端子１３ｂ′に侵入するのを防ぐことができるものである。
【００４６】
尚、図１の例では、張り出しパターン２０ｂ，２０ｃの形状を矩形状としているが、接続端子１３ｂがベース１の端面に露出するのを防ぐ形状であれば、三角形や台形等の別の形状であってもよい。
【００４７】
半田侵入防止部２０の寸法は適宜調整可能であるが、水晶振動子の小型化等のため、扇形のパターンの幅は半田の侵入を防止できる範囲でなるべく細く形成することが望ましい。
また、ここでは、スルー端子１１，１２の周囲に半田侵入防止部２０を形成しているが、スルー端子１１側のみに半田侵入防止部２０を形成した構成としてもよい。
尚、図１では、発明の特徴を理解しやすいよう、半田侵入防止部２０の寸法をやや大きめに描いている。
【００４８】
更に、従来のベース１の表面におけるスルー端子１１の一部を同心円の扇形に切り取って形成される隙間部分に、半田侵入防止部２０の本体パターン２０ａをはめ込むように形成してもよく、このように形成した場合には、スルー端子１１と本体パターン２０ａと接続パターン１３ｂとを合わせた幅（扇形の直径方向の長さ）が、従来のスルー端子１１とほぼ同等となる。
【００４９】
［本水晶振動子の電極パターンの断面：図２］
次に、本水晶振動子の電極パターンの断面について図２を用いて説明する。図２は、図１のＡ−Ａ′断面説明図である。
図２に示すように、本水晶振動子の電極パターンは、従来と同様に、ベース１の上面にＡｇＰｄから成る支持電極下層部１４と接続端子１３（１３ａ，１３ｂ）とが形成され、支持電極下層部１４の上にＡｇから成る支持電極１５が形成されている。支持電極１５の上に水晶片が搭載される。
更に、ベース１の側面にはスルー端子１１が形成され、裏面には実装端子１６が形成されている。
【００５０】
そして、ベース１の上面において、スルー端子１１と接続端子１３（接続端子１３ａ，１３ｂ）との間に、Ｎｉ又はＣｒから成る半田侵入防止部２０が形成されている。
半田侵入防止部２０は、スルー端子１１や接続端子１３、支持電極下層部１４と同じ厚さに形成され、スルー端子１１、半田侵入防止部２０、接続端子１３の表面はほぼ平坦になっている。
【００５１】
［実施の形態の効果］
本発明の実施の形態に係る表面実装水晶振動子によれば、ベース１の上面において、スルー端子１１と接続端子１３ｂとの間に、スルー端子１１を囲むように、半田と相互に溶融しにくいＮｉ又はＣｒから成る半田侵入防止部２０のパターンを形成した構成としているので、ベース１の下面にある実装端子１６の半田付け部分から拡散した半田が、スルー端子１１を介してベース１の上面に達した場合でも、半田侵入防止部２０で拡散を阻止して、半田が接続端子１３、支持電極下層部１４に侵入してＡｇが溶融するのを防ぐことができ、水晶振動子の特性の劣化を防ぐことができる効果がある。
【００５２】
また、本発明の実施の形態に係る表面実装水晶振動子によれば、半田侵入防止部２０は、スルー端子１１の周囲に設けられた本体パターン２０ａから、ベース１の短辺及び長辺に沿って張り出して形成された張り出しパターン２０ｂ，２０ｃを備えているので、接続端子１３ｂ及びダミー端子１３ｂ′のＡｇＰｄパターンがベース１の端面に露出するのを防ぎ、ベース１の側面から半田が接続端子１３ｂ，１３ａ、支持電極下層部１４、及びダミー端子１３ｂ′に侵入するのを防ぐことができる効果がある。
【００５３】
また、本発明の実施の形態に係る表面実装水晶振動子によれば、半田侵入防止部２０を設けたことにより、従来よりも高温の環境で使用した場合でも、不良の発生を抑えることができ、製品の耐熱性を向上させることができる効果がある。
【００５４】
［発振器への応用］
ここまでは、水晶振動子について説明したが、水晶片の下側にキャビティ（空間）を形成して、そのキャビティに発振回路ＩＣを収納した発振器に適用してもよい。
また、基板の裏面（下面）にキャビティを形成し、そのキャビティに発振回路ＩＣを搭載して、基板に形成されたスルーホールを介して表面の水晶片と電気的に接続する構成としてもよい。
【００５５】
［サーミスタ付き水晶振動子への応用］
また、別の応用例として、カバー内でベース上に水晶片と温度センサ（サーミスタ）を搭載したサーミスタ一体型の構造がある。
具体的には、ベース１上において、支持電極下層部１４及び支持電極１５に電気的に接続しないスルー端子１２の内、一方のスルー端子１２にサーミスタの一端を接続し、他方のスルー端子１２にサーミスタの他端を接続したものである。
この場合、いずれか一方のスルー端子１２に電源電圧を印加し、他方のスルー端子１２をグランドレベルに接続する。
【産業上の利用可能性】
【００５６】
本発明は、実装半田の拡散による特性劣化を防ぎ、耐熱性を向上させて、良好な特性を得ることができる表面実装水晶振動子に適している。
【符号の説明】
【００５７】
１...ベース、  １１，１２...スルー端子、  １３...接続端子、  １３ｂ′...ダミー端子、  １４...支持電極下層部、  １５...支持電極、  １６...実装端子、  ２０...半田侵入防止部
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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