(57)【要約】      （修正有）【課題】複数のマークを検出する上で有利な技術を提供する。【解決手段】複数のマークを検出する検出装置は、ミラー１１ｂと、前記マークに前記ミラーを介して光を照射し、当該マークで反射された光を前記ミラーを介して検出するスコープ１１ａとをそれぞれ有する複数の検出部を含み、前記複数の検出部は、互いに異なる前記マークからの光を検出する第１検出部１０ａと第２検出部１０ｂと第３検出部と１０ｃを含み、前記複数のマークが配置された面と平行な面方向において、前記第３検出部における前記ミラーと前記スコープとの間の光軸の方向が、前記第１検出部における前記ミラーと前記スコープとの間の光軸の方向および前記第２検出部における前記ミラーと前記スコープとの間の光軸の方向のうち少なくとも１つと異なる。【選択図】図５
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数のマークを検出する検出装置であって、
ミラーと、前記マークに前記ミラーを介して光を照射し、当該マークで反射された光を前記ミラーを介して検出するスコープとをそれぞれ有する複数の検出部を含み、
前記複数の検出部は、互いに異なる前記マークからの光を検出する第１検出部と第２検出部と第３検出部とを含み、
前記複数のマークが配置された面と平行な面方向において、前記第３検出部における前記ミラーと前記スコープとの間の光軸の方向が、前記第１検出部における前記ミラーと前記スコープとの間の光軸の方向および前記第２検出部における前記ミラーと前記スコープとの間の光軸の方向のうち少なくとも１つと異なる、ことを特徴とする検出装置。
【請求項２】
各検出部は、前記スコープから光が射出される方向と垂直かつ前記面方向と平行な方向において、前記ミラーの幅が前記スコープの幅より狭くなるように構成され、
前記複数の検出部は、前記スコープの幅より狭い間隔で前記複数のマークを検出する、ことを特徴とする請求項１に記載の検出装置。
【請求項３】
前記面方向において、前記第３検出部における前記光軸の方向が、前記第１検出部における前記光軸の方向および前記第２検出部における前記光軸の方向のうち少なくとも１つに対して垂直である、ことを特徴とする請求項１又は２に記載の検出装置。
【請求項４】
前記面方向において、前記第２検出部における前記光軸の方向は、前記第１検出部における前記光軸の方向に対して平行である、ことを特徴とする請求項１乃至３のうちいずれか１項に記載の検出装置。
【請求項５】
前記第１検出部のスコープと前記第２検出部のスコープとは、前記面方向に光を射出し、
前記第２検出部のスコープが光を射出する方向は、前記第１検出部のスコープが光を射出する方向の反対方向である、ことを特徴とする請求項４に記載の検出装置。
【請求項６】
前記複数の検出部は、第４検出部を含み、該第４検出部における前記光軸の方向は、前記第３検出部における前記光軸の方向に対して平行である、ことを特徴とする請求項３乃至５のうちいずれか１項に記載の検出装置。
【請求項７】
前記第３検出部のスコープと前記第４検出部のスコープとは、前記面方向に光を射出し、
前記第４検出部のスコープが光を射出する方向は、前記第３検出部のスコープが光を射出する方向の反対方向である、ことを特徴とする請求項６に記載の検出装置。
【請求項８】
前記複数のマークを前記複数の検出部によって検出する際に、前記面方向において互いに直交する第１方向および第２方向における幅がそれぞれ前記スコープの幅より狭い領域内に、前記複数の検出部の各々における前記ミラーが配置される、ことを特徴とする請求項６又は７に記載の検出装置。
【請求項９】
四角形の頂点の位置に配置された４つのマークを検出する場合、前記４つのマークのうち対角方向に配置された２つのマークを前記第１検出部と前記第２検出部とが検出し、前記４つのマークのうち対角方向に配置され、かつ前記第１検出部と前記第２検出部とによって検出される２つのマークとは異なる２つのマークを前記第３検出部と前記第４検出部とが検出する、ことを特徴とする請求項６乃至８のうちいずれか１項に記載の検出装置。
【請求項１０】
各検出部は、前記スコープから射出されて前記ミラーで反射された後の光の光軸が前記複数のマークが配置された面に対して垂直になるように構成されている、ことを特徴とする請求項１乃至９のうちいずれか１項に記載の検出装置。
【請求項１１】
前記複数の検出部の各々を、少なくとも前記面方向に個別に駆動する駆動部を含む、ことを特徴とする請求項１乃至１０のうちいずれか１項に記載の検出装置。
【請求項１２】
パターンが形成されたモールドを用いて基板上のインプリント材を成形するインプリント装置であって、
基板上に設けられた複数のマークを検出する、請求項１乃至１１のうちいずれか１項に記載の検出装置を含み、
前記検出装置における各検出部は、前記モールドと前記基板との位置合わせを行う際に、前記モールドに設けられたマークを介して前記基板に設けられたマークを検出する、ことを特徴とするインプリント装置。
【請求項１３】
請求項１２に記載のインプリント装置を用いて基板上のインプリント材にパターンを形成する工程と、
前記工程でパターンを形成された前記基板を加工する工程と、
を含むことを特徴とする物品の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、複数のマークを検出する検出装置、それを有するインプリント装置、および物品の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体デバイスなどの製造工程（リソグラフィ工程）で用いられる装置の１つとしてインプリント装置がある。インプリント装置は、モールドのパターン領域と基板上のインプリント材とを接触させ、その状態でインプリント材を硬化させる。そして、硬化したインプリント材からモールドを剥離することにより、基板上にモールドのパターンを転写することができる。
【０００３】
インプリント装置では、基板上に形成されたショット領域にモールドのパターンを精度よく転写することが求められている。そこで、モールドのパターンをショット領域に転写する際のアライメント方式として、ダイバイダイアライメント方式を採用したインプリント装置が提案されている（特許文献１参照）。ダイバイダイアライメント方式とは、基板上のショット領域ごとに、ショット領域に形成されたマークとモールドに形成されたマークとを検出して、基板とモールドとの位置合わせを行うアライメント方式である。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特許第４１８５９４１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
インプリント装置では、スループットを向上させるため、基板とモールドとの位置合わせの際に、ショット領域に設けられた複数のマークを複数の検出部によって同時に検出することが好ましい。また、近年では、収率を向上させるため、例えば基板の周辺部に配置されたショット領域に１つのチップ領域しか含まれていないときであっても、そのチップ領域にモールドのパターンを精度よく転写することが好ましい。即ち、インプリント装置には、ショット領域よりも小さな領域に設けられた複数のマークを複数の検出部によって同時に検出することが求められている。
【０００６】
そこで、本発明は、複数のマークを検出する上で有利な技術を提供することを例示的目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上記目的を達成するために、本発明の一側面としての検出装置は、複数のマークを検出する検出装置であって、ミラーと、前記マークに前記ミラーを介して光を照射し、当該マークで反射された光を前記ミラーを介して検出するスコープとをそれぞれ有する複数の検出部を含み、前記複数の検出部は、互いに異なる前記マークからの光を検出する第１検出部と第２検出部と第３検出部とを含み、前記複数のマークが配置された面と平行な面方向において、前記第３検出部における前記ミラーと前記スコープとの間の光軸の方向が、前記第１検出部における前記ミラーと前記スコープとの間の光軸の方向および前記第２検出部における前記ミラーと前記スコープとの間の光軸の方向のうち少なくとも１つと異なる、ことを特徴とする。
【０００８】
本発明の更なる目的又はその他の側面は、以下、添付図面を参照して説明される好ましい実施形態によって明らかにされるであろう。
【発明の効果】
【０００９】
本発明によれば、例えば、複数のマークを検出する上で有利な技術を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１０】
【図１】第１実施形態のインプリント装置を示す概略図である。
【図２】基板上における複数のショット領域の配置を示す図である。
【図３】ショット領域に設けられたマークの配置を示す図である。
【図４】従来のインプリント装置における複数の検出部の配置をＺ方向から見たときの図である。
【図５】第１実施形態のインプリント装置における複数の検出部の配置を示す図である。
【図６】複数の検出部によって基板上のマークを検出する方法を示すフローチャートである。
【図７】第１実施形態のインプリント装置における複数の検出部の配置を示す図である。
【図８】第２実施形態のインプリント装置を示す概略図である。
【発明を実施するための形態】
【００１１】
以下、添付図面を参照して、本発明の好適な実施の形態について説明する。なお、各図において、同一の部材ないし要素については同一の参照番号を付し、重複する説明は省略する。また、以下の実施形態では、基板の面（複数のマークが配置された面）と平行な面方向において互いに直交する第１方向および第２方向をそれぞれＸ方向およびＹ方向とし、基板の面と垂直な方向をＺ方向として説明する。
【００１２】
＜第１実施形態＞
本発明の第１実施形態のインプリント装置１００について、図１を参照しながら説明する。インプリント装置１００は、半導体デバイスなどの製造に使用され、パターンが形成されたモールド４を用いて基板上のインプリント材を成形する。例えば、インプリント装置１００は、パターンが形成されたパターン領域を有するモールド４を基板上のインプリント材（樹脂）に接触させた状態でインプリント材を硬化させる。インプリント装置１００は、モールド４と基板５との間隔を拡げ、硬化したインプリント材からモールド４を剥離するプロセスによって基板上にパターンを転写するインプリント処理を行う。
【００１３】
インプリント技術には、熱を用いる熱サイクル法と光を用いる光硬化法とがある。熱サイクル法では、インプリント材として熱可塑性樹脂が基板上に供給（塗布）される。そして、当該熱可塑性樹脂をガラス転移温度以上の温度に加熱し、樹脂の流動性を高めた状態で当該樹脂を介して基板にモールドを押し付け、冷却した後に樹脂からモールドを剥離することで基板上にパターンを形成することができる。一方で、光硬化法では、例えば、インプリント材として未硬化の紫外線硬化樹脂が基板上に供給される。そして、当該紫外線硬化樹脂を介して基板にモールドを押し付けた状態で当該樹脂に紫外線を照射し、紫外線の照射により当該樹脂が硬化した後、樹脂からモールドを剥離することで基板上にパターンを形成することができる。第１実施形態のインプリント装置１００においては、基板上に紫外線硬化樹脂を供給し、当該樹脂に紫外線（光）を照射する光硬化法を採用している。
【００１４】
図１は、第１実施形態のインプリント装置１００を示す概略図である。第１実施形態のインプリント装置１００は、モールド４を保持するインプリントヘッド３と、基板５を保持する基板ステージ２と、基板上に供給されたインプリント材を硬化させる光（紫外線）を射出する光源８とを含みうる。本実施形態では、紫外線が照射されることで硬化する紫外線硬化樹脂をインプリント材として用いる場合について説明する。また、インプリント装置１００は、基板５に設けられた複数のマークを検出する検出装置と制御部９とを含みうる。
【００１５】
検出装置は、モールド４に設けられたマーク６と、基板上のショット領域１４に設けられたマーク７とを検出する複数の検出部１０を含む。各検出部１０は、基板５に設けられたマーク７に光を照射し、反射された光によってマーク７を検出するスコープ１１ａと、スコープ１１ａから射出された光を基板５に向けて反射するミラー１１ｂとを含みうる。そして、各検出部１０は、スコープ１１ａから光が射出される方向と垂直かつ面方向（ＸＹ方向）と平行な方向において、ミラー１１ｂの幅がスコープ１１ａの幅より狭くなるように構成されている。また、制御部９は、ＣＰＵやメモリなどを有し、インプリント装置１００におけるインプリント処理を制御する（インプリント装置１００の各部を制御する）。例えば、制御部９は、各検出部１０の検出結果を用いて基板上のショット領域１４とモールド４のパターン領域との相対位置を求めて、モールド４と基板５との位置合わせを制御する。ここで、第１実施形態のインプリント装置１００では、インプリントヘッド３、基板ステージ２および複数の検出部１０はそれぞれ、構造体１によって支持されており、構造体１には、各検出部１０からの光と光源８からの光を通すための開口が形成されている。
【００１６】
モールド４は、通常、石英など紫外線を透過させることができる材料で作製されており、基板側の面の一部には、基板上の樹脂に転写する凹凸のパターンを含むパターン領域が設けられている。パターン領域には、基板上のショット領域１４にパターンを精度よく転写するため、基板上のショット領域１４に設けられたマーク７に対応するようにマーク６が設けられている。各検出部１０は、基板上のショット領域１４に設けられたマーク７と、モールド４に設けられたマーク６とを検出する。そして、制御部９は、各検出部１０からの検出結果を用いてモールド４と基板５との相対位置を求め、基板ステージ２やインプリントヘッド３を移動させて、モールド４のマーク６と基板上のマーク７とが重なり合うように位置合わせする。このとき、基板上のショット領域１４にディストーションや倍率誤差などが生じている場合がある。この場合、制御部９は、不図示の変形機構を用いて、モールド４の側面における複数の箇所に力を加えてモールド４のパターン領域が基板上のショット領域１４に重なるようにモールド４を変形させてもよい。変形機構としては、圧電素子などのアクチュエータが用いられる。これにより、基板上のショット領域１４にモールド４のパターン領域を精度よく重ね合わせてインプリント処理を行うことができる。
【００１７】
次に、モールド４のパターン領域と基板上のショット領域１４との位置合わせについて、図２および図３を参照しながら説明する。図２は、基板上における複数のショット領域１４の配置を示す図であり、図３は、ショット領域１４に設けられたマーク７の配置を示す図である。第１実施形態では、図３に示すように、ショット領域１４は９つのチップ領域１２（１２ａ〜１２ｉ）を含み、ショット領域１４上のマーク７は、各チップ領域１２の四隅に配置されている。また、図３における破線の四角形は、１つの検出部１０における観察視野（以下、視野１５）を示している。検出部１０（スコープ）は、一般に、視野１５を狭くする、即ち、検出部１０の倍率を上げると、基板上のマーク７をシャープに検出することができるため、精度よくマーク７の検出を行うことができる。また、検出部１０の視野１５を狭くすると、検出部１０を小型化することができる。一方で、視野１５を広くすると、検出部１０において目標の光学性能を満たすことが困難となり、コストが増大するとともに検出部１０が大型化しうる。即ち、視野１５の広さとマーク７の検出精度はトレードオフの関係にあり、各検出部１０は、視野１５に１つのマーク７が含まれるように構成されることが望ましい。第１実施形態では、各検出部１０は、視野１５に１つのマーク７含まれるように構成されている。
【００１８】
図２に示すように、基板５の中央部（図２の太線１３内）に配置されたショット領域１４ａは、９つのチップ領域１２のすべてを含む。このように基板５の中央部に配置されたショット領域１４ａでは、例えば、図３（ａ）に示すように、ショット領域１４ａの四隅に配置されたマーク７と、それら対応するモールド４のマーク６とが複数の検出部１０により同時に検出される。これにより、インプリント装置１００（制御部９）は、各検出部１０の検出結果から基板５とモールド４との相対位置を求め、基板上のショット領域１４にモールド４のパターン領域を、シフト補正や倍率補正などを行いながら精度よく重ね合わせることができる。
【００１９】
一方で、基板５の周辺部に配置されたショット領域１４（以下、欠けショット領域１４ｂ）は、基板５の外周を含むため、モールド４のパターン領域の一部が欠けた状態で基板上に形成される。例えば、図３（ｂ）〜（ｄ）に、基板５の周辺部に配置された欠けショット領域１４ｂの一例が示されている。図３（ｂ）〜（ｄ）では、欠けショット領域１４ｂ内に、基板５の外周を含まずに製品として成立するチップとなるチップ領域１２（以下、有効チップ領域）と、基板５の外周を含んで製品として成立しないチップとなるチップ領域１２とが混在している。図３（ｂ）および（ｃ）においては、５つのチップ領域１２（１２ａ、１２ｄ、１２ｅ、１２ｇおよび１２ｈ）が製品として成立する有効チップ領域となる。また、図５（ｄ）においては、チップ領域１２ｇのみが製品として成立する有効チップ領域となる。
【００２０】
近年では、収率を向上させるため、基板５の周辺部に配置された欠けショット領域１４ｂに１つの有効チップ領域しか含まれていないときであっても、その有効チップ領域にモールド４のパターンを転写することが求められている。したがって、欠けショット領域１４ｂに設けられた複数のマーク７を検出し、当該欠けショット領域１４ｂとモールド４のパターン領域とを精度よく位置合わせすることが好ましい。しかしながら、ショット領域１４よりも小さな領域に設けられた複数のマーク７を複数の検出部１０によって同時に検出する際には、検出するマーク７の間隔が狭くなり、検出部１０同士を近づけることができないといった問題が生じうる。
【００２１】
例えば、図３（ｂ）に示すように、欠けショット領域１４ｂに５つのチップ領域１２ａ、１２ｄ、１２ｅ、１２ｇおよび１２ｈが有効チップ領域として含まれる場合を想定する。この場合では、四角形の頂点に配置された４つのマーク７を検出すれば、欠けショット領域１４ｂとモールド４のパターン領域とを精度よく位置合わせすることができる。即ち、チップ領域１２ａの＋Ｙ方向側（上側）に配置された２つのマーク７とチップ領域１２ｇの−Ｙ方向側（下側）に配置された２つのマーク７とを検出すれば、欠けショット領域１４ｂとモールド４のパターン領域とを精度よく位置合わせすることができる。従来のインプリント装置では、図４に示すように、Ｘ方向側と−Ｘ方向側とに検出部１０が２つずつ配置されている。図４は、従来のインプリント装置における複数の検出部１０の配置をＺ方向から見たときの図である。従来のインプリント装置では、Ｘ方向側の２つの検出部１０と−Ｘ方向側の２つの検出部１０との距離を近づけることができる。そのため、図３（ｂ）に示す例では、従来のインプリント装置であっても、チップ領域１２ａの＋Ｙ方向側に配置された２つのマーク７とチップ領域１２ｇの−Ｙ方向側に配置された２つのマーク７とを４つの検出部１０によって同時に検出することができる。
【００２２】
一方で、例えば、図３（ｃ）に示すように、チップ領域１２ａの左上と、チップ領域１２ｅの右上と、チップ領域１２ｇの左下と、チップ領域１２ｈの右下とに配置された４つのマーク７を４つの検出部１０によって検出する場合を想定する。そして、チップ領域１２ｅの右上とチップ領域１２ｈの右下に配置された２つのマーク７がスコープ１１ａのＹ方向における幅より狭い間隔で配置されているとする。この場合、従来のインプリント装置では、＋Ｘ方向側の２つの検出部１０をＹ方向に沿って近づけようとすると、スコープ１１ａのＹ方向における幅によって制限されてしまう。即ち、＋Ｘ方向側の２つの検出部１０をＹ方向に沿って近づけることが困難になりうる。また、図３（ｄ）に示すように、欠けショット領域１４ｂにチップ領域１２ｇのみが有効チップ領域として含まれる場合を想定する。この場合では、チップ領域１２ｇの四隅に設けられた４つのマーク７を検出すれば、欠けショット領域１４ｂとモールド４のパターン領域とを精度よく位置合わせすることができる。しかしながら、この場合では、図３（ｃ）に比べて更にマーク７の間隔が狭いため、検出部１０同士を近づけることが更に困難になりうる。即ち、従来のインプリント装置では、スコープ１１ａの幅より狭い間隔で複数のマーク７が配置されている場合では、当該複数のマークを複数の検出部１０によって同時に検出することができない。ここで、スコープ１１ａの幅とは、スコープ１１ａから光が射出される方向と直交し且つ基板５の面と平行な方向におけるスコープ１１ａの長さをいう。
【００２３】
そこで、第１実施形態のインプリント装置１００では、複数（４つ）の検出部１０を図５に示すように配置することにより、検出部１０同士が干渉し合うことを低減している。図５（ａ）は、第１実施形態のインプリント装置１００における複数の検出部１０の配置をＺ方向から見たときの図であり、図５（ｂ）は、複数の検出部１０の配置をＹ方向から見たときの図である。例えば、複数の検出部１０が、図５（ａ）に示すように、第１検出部１０ａと、第２検出部１０ｂと、第３検出部１０ｃと、第４検出部１０ｄとを含む場合を想定する。この場合、第１検出部１０ａと第２検出部１０ｂとは、第１検出部１０ａにおけるミラー１１ｂとスコープ１１ａとの間の光軸の方向と、第２検出部１０ｂにおけるミラー１１ｂとスコープ１１ａとの間の光軸の方向とが平行になるように配置される。そして、第１検出部１０ａと第２検出部１０ｂとは、スコープ１１ａが光を射出する方向が互いに反対方向になるように配置される。また、第３検出部１０ｃと第４検出部１０ｄとは、第３検出部１０ｃにおけるミラー１１ｂとスコープ１１ａとの間の光軸の方向と、第２検出部１０ｂにおけるミラー１１ｂとスコープ１１ａとの間の光軸の方向とが平行になるように配置される。そして、第３検出部１０ｃと第４検出部１０ｄとは、スコープ１１ａが光を射出する方向が互いに反対方向になるように配置される。さらに、第３検出部１０ｃ（第４検出部１０ｄ）は、ミラー１１ｂとスコープ１１ａとの間の光軸の方向が第１検出部１０ａ（第２検出部１０ｂ）におけるミラー１１ｂとスコープ１１ａとの間の光軸の方向に対して垂直になるように配置される。ここで、「平行」は、厳密な意味での平行に限られるものではなく、ほぼ平行としての意味を含むものとする。同様に、「垂直」は、厳密な意味での垂直に限られるものではなく、ほぼ垂直としての意味を含むものとし、「反対方向」は、厳密な意味での反対方向に限られるものではなく、ほぼ反対方向としての意味を含むものとする。また、検出装置は、複数の検出部１０の各々を、少なくともＸＹ方向（基板５と平行な面方向）に個別に駆動する駆動部２０を含みうる。そして、各検出部１０の駆動は、制御部９によって制御される。
【００２４】
例えば、図３（ｄ）に示すように１つのチップ領域１２ｇの四隅に配置された４つのマーク７ａ〜７ｄを検出する場合を想定する。この場合、Ｘ方向およびＹ方向における幅がスコープ１１ａの幅より狭い領域内に、各検出部１０におけるミラー１１ｂが配置される。そして、第１検出部１０ａおよび第２検出部１０ｂは、４つのマーク７ａ〜７ｄのうち対角方向に配置されたマーク７ａおよび７ｂをそれぞれ検出するように配置される。また、第３検出部１０ｃおよび第４検出部１０ｄは、４つのマーク７ａ〜７ｄのうち対角方向に配置されたマーク７ｃおよび７ｄをそれぞれ検出するように配置される。このように複数の検出部１０を配置することにより、狭い間隔で基板上に配置されたマーク７を検出するときであっても、検出部１０同士が干渉することを低減することができる。ここで、第１実施形態における複数の検出部１０では、狭い間隔で基板上に配置されたマーク７を検出する際にミラー１１ｂ同士が衝突する可能性がある。そのため、各検出部１０におけるミラー１１ｂの周辺に、ミラー１１ｂ同士が衝突したときの衝撃を緩和させるための部材を設けるとよい。当該部材としては、例えば、バネなど弾性を有するものを用いるとよい。
【００２５】
次に、複数の検出部１０によって基板上のマーク７を検出する方法について、図６および図７を参照しながら説明する。図６は、複数の検出部１０によって基板上のマーク７を検出する方法を示すフローチャートであり、図７は、図６に示すフローチャートの各工程における複数の検出部１０の配置をＺ方向から見たときの図である。ここで、複数の検出部１０によるマーク７の検出は、基板上のインプリント材とモールド４のパターン領域とが接触している状態で行われてもよいし、接触していない状態で行われてもよい。
【００２６】
Ｓ６１では、制御部９は、複数の検出部１０によって検出されるべきマーク７の座標情報を取得し、取得したマーク７の座標情報に基づいて各検出部１０を配置すべき目標座標（目標位置）を決定する。複数の検出部１０によって検出されるべきマークの座標情報は、インプリント装置１００の外部の測定装置によって事前に測定されて取得されてもよいし、設計データに基づいて取得されてもよい。Ｓ６２では、制御部９は、Ｓ６１の工程で決定した目標座標におけるＹ方向の位置に各検出部１０が配置されるように、各検出部１０を１つの軸方向（例えばＹ方向）に沿って駆動する。この際、制御部９は、検出部１０同士が干渉することを低減するため、検出部１０の形状（特にミラー１１ｂの形状）を考慮しながら複数の検出部１０を駆動する。例えば、Ｓ６１の工程において複数の検出部１０が図７（ａ）のように配置されている場合、制御部９は、第２検出部１０ｂと第３検出部１０ｃとを−Ｙ方向に駆動し、第１検出部１０ａと第４検出部１０ｄとを＋Ｙ方向に駆動する。これにより、複数の検出部１０を図７（ｂ）のように配置することができる。Ｓ６３では、制御部９は、Ｓ６１の工程で決定した目標座標におけるＸ方向の位置に各検出部１０が配置されるように、各検出部１０を、Ｓ６２とは異なる１つの軸方向（例えばＸ方向）に沿って駆動する。この際、制御部９は、検出部１０同士が干渉することを低減するため、検出部１０の形状（特にミラー１１ｂの形状）を考慮しながら複数の検出部１０を駆動する。例えば、制御部９は、第２検出部１０ｂと第４検出部１０ｄとを−Ｘ方向に駆動し、第１検出部１０ａと第３検出部１０ｃとを＋Ｘ方向駆動する。これらＳ６２とＳ６３の工程により、図７（ｃ）に示すように、複数の検出部１０をＳ６１の工程で決定した目標座標に配置することができる。Ｓ６４では、制御部９は、各検出部１０によって基板上のマーク７の検出を行う。
【００２７】
上述したように、第１実施形態のインプリント装置１００は、スコープ１１ａとミラー１１ｂとをそれぞれ有する複数の検出部１０（第１検出部１０ａ、第２検出部１０ｂ、第３検出部１０ｃおよび第４検出部１０ｄ）を含む。そして、第１検出部１０ａと第２検出部１０ｂとは、それらにおけるスコープ１１ａとミラー１１ｂとの間の光軸の方向が平行になるように配置される。第３検出部１０ｃと第４検出部１０ｄとは、それらにおけるスコープ１１ａとミラー１１ｂとの間の光軸の方向が平行になるように配置される。また、第３検出部１０ｃ（第４検出部１０ｄ）は、スコープ１１ａとミラー１１ｂとの間の光軸の方向が第１検出部１０ａ（第２検出部１０ｂ）におけるスコープ１１ａとミラー１１ｂとの間の光軸の方向に対して垂直になるように配置される。このように複数の検出部１０を構成することにより、狭い間隔で基板上に配置されたマーク７を検出するときであっても、検出部１０同士が干渉することを低減することができる。
【００２８】
ここで、第１実施形態の各検出部１０において、スコープ１１ａは、基板５の面と平行な面方向に光を射出するように構成されているが、それに限られるものではなく、当該面方向とは異なる方向に光を射出するように構成されてもよい。この場合であっても、スコープ１１ａから射出されてミラー１１ｂで反射された後の光の光軸が基板５の面に垂直になるように検出部１０（ミラー１１ｂの角度）を構成するとよい。また、第１実施形態のインプリント装置１００において、基板上のインプリント材に光源８からの光を照射する際には、光源８からの光を妨げないように複数の検出部１０を退避させるとよい。さらに、第１実施形態のインプリント装置１００は、４つの検出部１０を含むように構成されているが、それに限られるものではなく、例えば、３つの検出部１０を含むように構成されてもよいし、５つ以上の検出部１０を含むように構成されてもよい。例えば、インプリント装置が３つの検出部１０を含む場合では、１つの検出部１０におけるミラー１１ｂとスコープ１１ａとの間の光軸の方向が、他の１つの検出部１０におけるミラー１１ｂとスコープ１１ａとの間の光軸の方向と異なっていればよい。
【００２９】
＜第２実施形態＞
図８は、第２実施形態のインプリント装置１０１を示す概略図である。第２実施形態のインプリント装置１０１は、モールド４を保持するインプリントヘッド３と、基板５を保持する基板ステージ２と、基板上に供給されたインプリント材を硬化させる光を射出する光源８とを含みうる。また、インプリント装置１０１は、基板５に設けられた複数のマークを検出する検出装置と制御部９とを含みうる。検出装置には、第１実施形態と同様にモールド４に設けられたマーク６と基板５上のショット領域に設けられたマーク７とを検出する複数の検出部１０を含む。
【００３０】
本実施形態のインプリント装置１０１は、インプリントヘッド３の直上にモールドのマーク６や基板のマーク７が形成されている面と共役な共役面１８を作り出すことができるリレー光学系１６を備える。リレー光学系１６には、レンズなどの光学素子が構成されており、モールド４のマーク６や基板５のマーク７をインプリントヘッド３の上部に結像させることができる（結像面を作り出すことができる）。
【００３１】
検出部１０は、リレー光学系１６によって結像され、共役面１８に形成されたマーク６およびマーク７を検出することで、モールド４と基板５の相対位置を検出する。複数の検出部１０は、駆動範囲のいかなる位置にあるアライメントマークも検出することができるように、駆動システム（駆動部２０）により、それぞれ独立して駆動範囲の平面上を平行に駆動されうる。
【００３２】
リレー光学系１６は、光源８からの光が通過する光路と、検出部１０が検出するマークからの光が通過する光路を分けるためのビームスプリッタ１７を有する。そのため、基板上のインプリント材に光源８からの光を照射する際には、検出部１０が光源８からの光を妨げないので、複数の検出部１０を退避させなくてよい。
【００３３】
＜物品の製造方法の実施形態＞
本発明の実施形態における物品の製造方法は、例えば、半導体デバイス等のマイクロデバイスや微細構造を有する素子等の物品を製造するのに好適である。本実施形態の物品の製造方法は、基板に塗布された樹脂に上記のインプリント装置を用いてパターンを形成する工程（基板にインプリント処理を行う工程）と、かかる工程でパターンが形成された基板を加工する工程とを含む。更に、かかる製造方法は、他の周知の工程（酸化、成膜、蒸着、ドーピング、平坦化、エッチング、レジスト剥離、ダイシング、ボンディング、パッケージング等）を含む。本実施形態の物品の製造方法は、従来の方法に比べて、物品の性能・品質・生産性・生産コストの少なくとも１つにおいて有利である。
【００３４】
以上、本発明の好ましい実施形態について説明したが、本発明はこれらの実施形態に限定されないことはいうまでもなく、その要旨の範囲内で種々の変形および変更が可能である。
【符号の説明】
【００３５】
２：基板ステージ、３：インプリントヘッド、８：光源、９：制御部、１０：検出部、１１ａ：スコープ、１１ｂ：ミラー、１００：インプリント装置
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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