(57)【要約】【課題】本発明は、歪曲による視認性の低下を抑制することができる表示装置を提供することを目的とする。【解決手段】本発明の一実施形態による表示装置は、第１端部から第２端部まで延在する屈曲可能な第１領域と、第１領域よりも厚い第２領域と、が備えられた基板と、基板上に配置され、第１領域と少なくとも一部が重なり、光を放出する発光層と、を有する。ここで、基板は、剛性を有する第１基板と、第１基板上に設けられ、可撓性を有する第２基板と、を有し、第１領域には第２基板のみが設けられ、第２領域には第１基板及び第２基板が設けられてもよい。【選択図】図３
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１面が薄板化され、第１端部から第２端部まで延在する屈曲可能な第１領域と、前記第１領域よりも厚い第２領域と、が備えられた基板と、
前記基板の前記第１面の反対の第２面の側に、画像を表示し、前記第１領域と少なくとも一部が重なる表示領域と、
を有することを特徴とする表示装置。
【請求項２】
前記基板は、剛性を有する第１基板と、前記第１基板上に設けられ、可撓性を有する第２基板と、を有し、
前記第１領域の前記第１基板は除去され、
前記第２領域には前記第１基板及び前記第２基板が設けられることを特徴とする請求項１に記載の表示装置。
【請求項３】
前記基板は、剛性を有する第１基板と、前記第１基板上に設けられ、可撓性を有する第２基板と、を有し、
前記第１領域の前記第１基板は、前記第２領域の前記第１基板よりも薄いことを特徴とする請求項１に記載の表示装置。
【請求項４】
前記基板は可撓性を有し、
前記第１領域の前記基板は、前記第２領域の前記基板よりも薄いことを特徴とする請求項１に記載の表示装置。
【請求項５】
前記第１領域は、前記第１端部と前記第２端部との間の第３端部に沿って設けられていることを特徴とする請求項１乃至４のいずれか一に記載の表示装置。
【請求項６】
前記表示領域に配置された発光層の発光強度を制御する第１トランジスタ及び前記第１トランジスタの動作を制御する第２トランジスタを有し、
前記第１トランジスタは、前記基板の前記第２面の側に配置され、
前記第２トランジスタは、前記基板の前記第１面の側に配置されることを特徴とする請求項５に記載の表示装置。
【請求項７】
前記基板の前記第１面の側において、前記第２トランジスタに接続され、前記第２トランジスタを制御する制御回路をさらに有することを特徴とする請求項６に記載の表示装置。
【請求項８】
前記基板の前記第１面の側において、前記第２トランジスタに接続され、前記第２トランジスタに電力を供給するバッテリーをさらに有することを特徴とする請求項７に記載の表示装置。
【請求項９】
前記第２領域の内側領域に、前記第２領域よりも前記基板が薄い第３領域が設けられ、
前記第３領域には、前記制御回路が配置されていることを特徴とする請求項７に記載の表示装置。
【請求項１０】
前記第２領域の内側領域に、前記第２領域よりも前記基板が薄い第３領域が設けられ、
前記第３領域には、前記制御回路及び前記バッテリーが配置されていることを特徴とする請求項８に記載の表示装置。
【請求項１１】
前記第１領域に配置された樹脂層をさらに有することを特徴とする請求項１０に記載の表示装置。
【請求項１２】
前記基板に装着され、前記第２領域に対応して配置された第１フレームと、前記第１領域に対応して配置され、前記第１フレームより剛性が低い第２フレームと、を含むフレームをさらに有することを特徴とする請求項１１に記載の表示装置。
【請求項１３】
基板を準備し、
前記基板の第１面の側に、光を放出する発光層を形成し、
前記基板の第１端部から第２端部まで延在する第１領域を、前記基板の前記第１面の反対の第２面の側から薄板化することを特徴とする表示装置の製造方法。
【請求項１４】
前記基板の準備は、
第１基板を準備し、
前記第１基板上に、前記第１基板より剛性が低い第２基板を形成することを含み、
前記発光層を形成した後に、前記第１領域の前記第１基板を、前記第１基板の前記第２面の側から薄板化して除去することを特徴とする請求項１３に記載の表示装置の製造方法。
【請求項１５】
前記基板の準備は、
第１基板を準備し、
前記第１基板上に、前記第１基板より剛性が低い第２基板を形成することを含み、
前記発光層を形成した後に、前記第１領域の前記第１基板を、前記第１基板の前記第２面の側から薄板化することを特徴とする請求項１３に記載の表示装置の製造方法。
【請求項１６】
前記基板の準備は、
第１基板を準備し、
前記第１基板上に、前記第１基板より剛性が低い第２基板を形成することを含み、
前記発光層を形成した後に、前記第１基板と前記第２基板とを剥離し、
前記第１領域の前記第２基板を、前記第２基板の前記第２面の側から薄板化することを特徴とする請求項１３に記載の表示装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、表示装置、表示装置形成基板および表示装置の製造方法に関し、開示される一実施形態は基板の構造に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、モバイル用途の発光表示装置において、高精細化や低消費電力化に対する要求が強くなってきている。モバイル用途の表示装置としては、液晶表示装置（ＬＣＤ：Liquid Crystal Display Device）や、有機ＥＬ表示装置等の自発光素子（ＯＬＥＤ：Organic Light-Emitting Diode）を利用した表示装置や、電子ペーパー等が採用されている。
【０００３】
その中でも、有機ＥＬ表示装置や電子ペーパーは液晶表示装置で必要であったバックライトや偏光板が不要であり、さらに発光素子の駆動電圧が低いため、低消費電力かつ薄型発光表示装置として非常に注目を集めている。また、薄膜だけで表示装置を形成することができるため、折り曲げ可能（フレキシブル）な表示装置を実現することができる。
【０００４】
フレキシブル表示装置は、可撓性を有する基板の上にトランジスタ層や表示層などの薄膜層を形成することで、フレキシブル性を得ることができる（例えば、特許文献１）。しかし、上記のようなフレキシブル表示装置は、フレキシブル性が必要ではない部分も変形してしまうため、表示画面が歪曲して視認性を低下させてしまう場合がある。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特許第５１２７１０３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
本発明は、歪曲による視認性の低下を抑制することができる表示装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明の一実施形態による表示装置は、第１端部から第２端部まで延在する屈曲可能な第１領域と、第１領域よりも厚い第２領域と、が備えられた基板と、基板上に配置され、第１領域と少なくとも一部が重なり、光を放出する発光層と、を有する。
【０００８】
また、基板は、剛性を有する第１基板と、第１基板上に設けられ、可撓性を有する第２基板と、を有し、第１領域には第２基板のみが設けられ、第２領域には第１基板及び第２基板が設けられてもよい。
【０００９】
また、基板は、剛性を有する第１基板と、第１基板上に設けられ、可撓性を有する第２基板と、を有し、第１領域の第１基板は、第２領域の第１基板よりも薄くてもよい。
【００１０】
また、基板は可撓性を有し、第１領域の基板は、第２領域の基板よりも薄くてもよい。
【００１１】
また、第１領域は、第１端部と第２端部との間の第３端部に沿って設けられていてもよい。
【００１２】
また、トランジスタ層は、発光層の発光強度を制御する第１トランジスタ及び第１トランジスタの動作を制御する第２トランジスタを有し、第１トランジスタは、基板の発光層の側に配置され、第２トランジスタは、基板の発光層の逆側に配置されてもよい。
【００１３】
また、基板の発光層の逆側において、第２トランジスタに接続され、第２トランジスタを制御する制御回路をさらに有してもよい。
【００１４】
また、基板の発光層の逆側において、第２トランジスタ層に接続され、第２トランジスタに電力を供給するバッテリーをさらに有してもよい。
【００１５】
また、第２領域の内側領域に、第２領域よりも基板が薄い第３領域が設けられ、第３領域には、制御回路が配置されてもよい。
【００１６】
また、第２領域の内側領域に、第２領域よりも基板が薄い第３領域が設けられ、第３領域には、制御回路及びバッテリーが配置されてもよい。
【００１７】
また、第１領域に配置された樹脂層をさらに有してもよい。
【００１８】
また、基板に装着され、第２領域に対応して配置された第１フレームと、第１領域に対応して配置され、第１フレームより剛性が低い第２フレームと、を含むフレームをさらに有してもよい。
【００１９】
本発明の一実施形態による表示装置の製造方法は、基板を準備し、基板の表面側に、光を放出する発光層を形成し、基板の第１端部から第２端部まで延在する第１領域を、基板の裏面側から薄板化する。
【００２０】
また、基板の準備は、第１基板を準備し、第１基板上に、第１基板より剛性が低い第２基板を形成することを含み、発光層を形成した後に、第１領域の第１基板を、第１基板の裏面側から薄板化して除去してもよい。
【００２１】
また、基板の準備は、第１基板を準備し、第１基板上に、第１基板より剛性が低い第２基板を形成することを含み、発光層を形成した後に、第１領域の第１基板を、第１基板の裏面側から薄板化してもよい。
【００２２】
また、基板の準備は、第１基板を準備し、第１基板上に、第１基板より剛性が低い第２基板を形成することを含み、発光層を形成した後に、第１基板と第２基板とを剥離し、第１領域の第２基板を、第２基板の裏面側から薄板化してもよい。
【図面の簡単な説明】
【００２３】
【図１】本発明の実施形態１における表示装置の斜視図を示す図である。
【図２】本発明の実施形態１における表示装置の平面図を示す図である。
【図３】本発明の実施形態１における表示装置のＡ−Ｂ断面図を示す図である。
【図４】本発明の実施形態１における表示装置の使用状況の一例の斜視図を示す図である。
【図５】本発明の実施形態１における表示装置の使用状況の一例のＡ−Ｂ断面図を示す図である。
【図６】本発明の実施形態１における表示装置の製造方法において、基板上にトランジスタ層、発光層、及び封止層を形成する工程を示す断面図である。
【図７】本発明の実施形態１における表示装置の製造方法において、基板の裏面にレジストパターンを形成する工程を示す断面図である。
【図８】本発明の実施形態１における表示装置の製造方法において、基板の裏面を薄膜化する工程を示す断面図である。
【図９】本発明の実施形態１の変形例における表示装置の平面図を示す図である。
【図１０】本発明の実施形態２における表示装置の断面図を示す図である。
【図１１】本発明の実施形態２における表示装置の製造方法において、第１基板上に第２基板を形成する工程を示す断面図である。
【図１２】本発明の実施形態２における表示装置の製造方法において、積層基板上にトランジスタ層、発光層、及び封止層を形成する工程を示す断面図である。
【図１３】本発明の実施形態２における表示装置の製造方法において、第１基板の裏面にレジストパターンを形成する工程を示す断面図である。
【図１４】本発明の実施形態２における表示装置の製造方法において、第１基板を除去する工程を示す断面図である。
【図１５】本発明の実施形態３における表示装置の断面図を示す図である。
【図１６】本発明の実施形態３における表示装置の製造方法において、支持基板上にプラスチック基板が積層された積層基板上にトランジスタ層、発光層、及び封止層を形成する工程を示す断面図である。
【図１７】本発明の実施形態３における表示装置の製造方法において、支持基板上とプラスチック基板との界面で剥離する工程を示す断面図である。
【図１８】本発明の実施形態３における表示装置の製造方法において、プラスチック基板の裏面にレジストパターンを形成する工程を示す断面図である。
【図１９】本発明の実施形態３における表示装置の製造方法において、プラスチック基板の裏面を薄膜化する工程を示す断面図である。
【図２０】本発明の実施形態４における表示装置の斜視図を示す図である。
【図２１】本発明の実施形態４における表示装置の平面図を示す図である。
【図２２】本発明の実施形態４における表示装置のＡ−Ｂ断面図を示す図である。
【図２３】本発明の実施形態５における表示装置の斜視図を示す図である。
【図２４】本発明の実施形態５における表示装置のアセンブリ前の平面図を示す図である。
【図２５】本発明の実施形態５における表示装置のアセンブリ前のＣ−Ｄ断面図を示す図である。
【図２６】本発明の実施形態５における表示装置のアセンブリ後のＣ−Ｄ断面図を示す図である。
【図２７】本発明の実施形態５の変形例における表示装置のＣ−Ｄ断面図を示す図である。
【図２８】本発明の実施形態６における表示装置の裏面側の平面図を示す図である。
【図２９】本発明の実施形態６における表示装置のＥ−Ｆ断面図を示す図である。
【図３０】本発明の実施形態７における表示装置の裏面側の平面図を示す図である。
【図３１】本発明の実施形態７における表示装置のＥ−Ｆ断面図を示す図である。
【図３２】本発明の実施形態７の変形例における表示装置のＥ−Ｆ断面図を示す図である。
【図３３】本発明の実施形態８における表示装置の裏面側の平面図を示す図である。
【図３４】本発明の実施形態８における表示装置のＧ−Ｈ断面図を示す図である。
【図３５】本発明の実施形態９における表示装置のＡ−Ｂ断面図を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００２４】
以下に、本発明の各実施の形態について、図面を参照しつつ説明する。なお、開示はあくまで一例にすぎず、当業者において、発明の主旨を保っての適宜変更について容易に想到し得るものについては、当然に本発明の範囲に含有されるものである。また、図面は説明をより明確にするため、実際の態様に比べ、各部の幅、厚さ、形状等について模式的に表される場合があるが、あくまで一例であって、本発明の解釈を限定するものではない。また、本明細書と各図において、既出の図に関して前述したものと同様の要素には、同一の符号を付して、詳細な説明を適宜省略することがある。
【００２５】
〈実施形態１〉
［実施形態１における表示装置１０の構成］
図１乃至５を用いて、本発明の実施形態１における表示装置１０の構成を説明する。実施形態１では、表示装置１０のトランジスタ層や発光層を基板上に形成した後に、該基板を裏面から薄板化することで、屈曲可能にした構造について説明する。
【００２６】
図１は、本発明の実施形態１における表示装置１０の斜視図を示す図である。また、図２は、本発明の実施形態１における表示装置１０の平面図を示す図である。また、図３は、本発明の実施形態１における表示装置のＡ−Ｂ断面図を示す図である。図１乃至３に示すように、表示装置１０は、基板１００と、基板１００上に配置されたトランジスタ層１３０と、トランジスタ層１３０上の一部の領域に配置された発光層１４０と、発光層１４０を覆うように配置された封止層１５０と、を有する。基板１００上に配置されたトランジスタ層１３０及び発光層１４０は、画像を表示するためにマトリクス状に配置された複数の画素を構成する。
【００２７】
基板１００は、トランジスタ層１３０、発光層１４０及び封止層１５０を形成するための工程に対して耐久性を有する材料を使用することができる。例えば、耐熱性の高いガラス基板や石英基板、耐熱性を向上するために不純物が混入されたプラスチック基板を使用することができる。また、発光層１４０が基板１００方向に光を放出するボトムエミッション型の発光装置の場合は、基板１００は透明な材料を使用することができる。基板１００としては、ガラス基板、石英基板、一定の剛性を有するプラスチック基板などを使用することができる。プラスチック基板としては、ポリイミド樹脂、アクリル樹脂、エポキシ樹脂などの材料を使用することができる。
【００２８】
トランジスタ層１３０は、トランジスタ及び配線を有する。トランジスタはアモルファスシリコントランジスタ、ポリシリコントランジスタ、単結晶シリコントランジスタ、酸化物半導体トランジスタ、有機半導体トランジスタなどを使用することができる。ここで、発光装置は必ずしもトランジスタを有していなくてもよく、例えば、パッシブ型発光装置のように基板１００上に配線だけが配置されていてもよい。
【００２９】
発光層１４０は、有機ＥＬ、無機ＥＬなどを使用することができる。また、上記のような自発光の発光層ではなく、電子ペーパーのような反射型の表示層であってもよい。また、表示方法として、発光層１４０から基板１００の方向（下面）に向けて光を放出するボトムエミッション型の表示方法であってもよく、逆に発光層１４０から基板１００とは逆の上面に向けて光を放出するトップエミッション型の表示方法であってもよい。
【００３０】
封止層１５０は、発光層１４０に水分や酸素が到達することをブロックする材料を使用することができる。また、可撓性を有する固体封止材料を使用することができる。また、発光層１４０と封止層１５０との間に、外部からの水分や酸素が発光層１４０に到達することをブロックする保護層を配置してもよい。保護層としては、窒化シリコン膜（ＳｉＮ膜）、酸化アルミニウム膜（Ａｌ２Ｏ３膜）、窒化アルミニウム膜（ＡｌＮ膜）などを使用することができる。図１乃至３では、封止層１５０が端子領域３１０を除いた全域に配置された構成を例示したが、この構成に限定されず、少なくとも発光層１４０を覆うように配置されていればよい。また、封止層１５０を囲むダム材が配置されていてもよい。
【００３１】
図１及び２に示すように、基板１００は、表示領域１１０と表示領域１１０の周辺に位置する周辺領域１２０とに分けられる。表示領域１１０にはトランジスタ層１３０及び発光層１４０によって構成される画素がマトリクス状に配置されている。周辺領域１２０には、表示領域１１０に配置された各画素を駆動させる駆動回路１６０が配置されている。図１乃至３では、駆動回路１６０は、第１端部１０３及び第２端部１０４に沿って配置された構成を例示したが、この構成に限定されず、第１端部１０３、第２端部１０４に直交する端部に沿って配置されてもよい。
【００３２】
図３に示すように、基板１００の裏面、つまりトランジスタ層１３０が配置された側とは反対の面が薄板化され、周囲よりも薄い第１領域１０１が設けられている。ここで、第１領域１０１以外の領域を第２領域１０２という。詳細は後述するが、第１領域１０１の基板１００の裏面は屈曲可能な厚さまで薄板化されている。さらに図２を参照して換言すると、基板１００には、第１端部１０３から第２端部１０４まで延在する屈曲可能な第１領域と、第１領域よりも厚い第２領域と、が備えられている。また、基板１００の表面にトランジスタ層１３０及び発光層１４０が配置され、画像を表示する表示領域１１０は、第１領域１０１と少なくとも一部が重なる。換言すると、表示領域１１０の一部は屈曲可能である。また、第１領域１０１の基板１００と第２領域１０２の基板１００とは連続している。
【００３３】
図３によると、基板１００の板厚は、第２領域１０２に比べて第１領域１０１の方が薄い。第２領域１０２の板厚は、好ましくは１００μｍ以上５００μｍ以下であるとよい。より好ましくは１００μｍ以上２００μｍ以下であるとよい。また、第１領域１０１の板厚は、好ましくは３μｍ以上５０μｍ以下であると良い。より好ましくは、１０μｍ以上３０μｍ以下であると良い。また、第１領域１０１の平面方向の幅、つまり図２におけるＤ１方向の幅は製品の使用に応じて適宜設計することができる。第２領域１０２の板厚は必ずしも均一である必要はない。基板中央部で薄く、基板端部で厚くなるように、基板の厚さに分布をもたせてもよい。基板の厚さを徐々に変化させることで、基板にかかる応力の集中を防ぎ、基板の破壊を防止できる。
【００３４】
また、図３では、第１領域１０１と第２領域１０２との間の基板１００の段差部が基板面に対して垂直である構造を例示したが、この構造に限定されず、例えば、該段差部が基板１００の裏面に向かって広がるテーパ形状を有していてもよい。
【００３５】
次に、図４及び５を使用して、実施形態１における表示装置１０の使用状況の一例について説明する。図４は、本発明の実施形態１における表示装置１０の使用状況の一例の斜視図を示す図である。第１領域１０１は屈曲可能な厚さまで薄板化されているため、図４及び５に示すように、表示装置１０は第１領域１０１付近で曲げることができる。もちろん、図４及び５に示した方向とは逆の方向に曲げることもできる。
【００３６】
一方で、第２領域１０２は第１領域１０１に比べて基板１００が厚く、剛性が高い。したがって、表示装置１０を折り曲げるように外力を加えても、第２領域１０２は第１領域１０１に比べて基板１００が曲がりにくい。
【００３７】
以上のように、実施形態１における表示装置によると、表示装置１０は第１領域１０１で屈曲可能である。また、表示装置１０を屈曲させるように外力を加えても、第２領域１０２が歪曲することを抑制することができる。したがって、変形させたくない部分に形状保持のための支持部材を設けなくても、歪曲による視認性の低下を抑制することができる表示装置を提供することができる。つまり、従来のフレキシブル表示装置に比べて工程数及び部材数の増加を抑制することができ、製造工程の長期化、コストの上昇、歩留まりの低下、及び材料費の増加などを抑制することができる。
【００３８】
また、第１領域１０１の基板１００と第２領域１０２の基板１００とが連続している、つまり、基板１００の第１領域１０１を薄板化された領域を設けることで、可撓性の基板を形成するなどの工程を追加せずに、短い製造工程、低コストでフレキシブル表示装置を実現することができる。また、第１領域１０１と第２領域１０２との間の基板１００の段差部をテーパ形状にすることで、屈曲させたときの応力を緩和させることができる。
【００３９】
［実施形態１における表示装置１０の製造方法］
次に、図６乃至８を用いて、本発明の実施形態１における表示装置１０の製造方法を説明する。図６乃至８に示す断面図は図２のＡ−Ｂ断面図に相当する。
【００４０】
図６は、本発明の実施形態１における表示装置１０の製造方法において、基板上にトランジスタ層、発光層、及び封止層を形成する工程を示す断面図である。まず、基板１００を準備し、基板１００の表面側にトランジスタ層１３０を形成し、発光層１４０を形成する。そして、発光層１４０を覆うように封止層１５０を形成する。
【００４１】
ここで、基板１００とトランジスタ層１３０との間に、基板１００からの不純物がトランジスタ層１３０に拡散することを抑制するバリア層を形成してもよい。バリア層としては、窒化シリコン膜（ＳｉＮ膜）、酸化アルミニウム膜（Ａｌ２Ｏ３膜）、窒化アルミニウム膜（ＡｌＮ膜）、二酸化ケイ素膜（ＳｉＯ２膜）などを使用することができる。
【００４２】
また、発光層１４０と封止層１５０との間に、外部からの水分や酸素が発光層１４０に到達することをブロックする保護層を形成してもよい。保護層としては、窒化シリコン膜（ＳｉＮ膜）、酸化アルミニウム膜（Ａｌ２Ｏ３膜）、窒化アルミニウム膜（ＡｌＮ膜）、およびこれらの膜に挟まれたアクリルなどの有機物中間層を含む多層膜などを使用することができる。
【００４３】
また、上記の他に、表示装置１０に接触した位置座標を検知するタッチセンサや特定波長の光を透過するカラーフィルタを形成してもよい。タッチセンサは抵抗膜方式、静電容量方式、光学式のセンサを使用することができる。これらのタッチセンサは、トランジスタ層１３０内に形成することもできるが、封止層１５０の上に設けてもよい。カラーフィルタは、封止層１５０の上に各画素に対応して設けることができる。
【００４４】
図７は、本発明の実施形態１における表示装置１０の製造方法において、基板の裏面にレジストパターンを形成する工程を示す断面図である。図７のように、第１領域１０１に対応した開口パターンを有するレジスト１７０を基板１００の裏面に形成する。レジスト１７０を形成する前に、基板１００の裏面との密着性を向上させるために、前処理を行ってもよい。例えば、基板１００としてガラス基板を使用した場合、ガラス基板の裏面にヘキサメチルジシラザン（ＨＭＤＳ：hexamethyldisilazane）処理などの前処理を行ってもよい。また、レジスト１７０を形成する前に、基板１００の裏面の表面凹凸を大きくする処理を行ってもよい。特に、基板１００をウェットエッチングによって長時間エッチングする場合は、基板１００とレジスト１７０との密着性を向上させる処理を行うとよい。また、図７では、基板１００の裏面のみにレジスト１７０を形成する方法を例示したが、この方法に限定されず、基板１００、トランジスタ層１３０、封止層１５０の側面や表面を覆うようにレジスト１７０を形成してもよい。
【００４５】
図８は、本発明の実施形態１における表示装置１０の製造方法において、基板の裏面を薄板化する工程を示す断面図である。図８のように、裏面側から基板１００をエッチングすることで、第１領域の基板１００を薄板化する。基板１００のエッチングは、ウェットエッチングを使用することができ、例えば、フッ化水素酸、フッ化水素アンモニウム、リン酸、リン酸アンモニウム塩、フッ化水素アンモニウムを含有する薬液を使用することができる。ウェットエッチングする場合は基板１００の裏面側だけを選択的に薬液で処理すれば、薬液による発光層１４０へのダメージを防ぐことができる。基板１００の裏面側だけを選択的にエッチングする方法としては、例えば、基板１００の表面側の全面にレジストを形成してからウェットエッチングする方法を用いることができる。また、上記の薬液を混合して使用することもできる。また、基板１００のエッチングは、ドライエッチングやレーザ加工を使用することもできる。
【００４６】
また、ウェットエッチングを行う前に、レジスト１７０を利用して基板１００に裏面からドーピングを行い、基板１００に薬液でエッチングされやすい変質層を形成してもよい。ドーピングによって変質層を形成することで、ウェットエッチングのエッチング時間制御で第１領域１０１の板厚を制御する方法に比べて、より安定した板厚制御を行うことができる。
【００４７】
図８のレジスト１７０を除去することで、図３の表示装置１０を形成することができる。レジスト１７０の除去は、一般的なレジスト剥離液、Ｏ２プラズマ処理を使用することができる。また、これらを複合して使用することができる。レジスト剥離液を使用する場合は基板１００の裏面側だけを選択的に薬液で処理することで、薬液による発光層１４０へのダメージを防ぐことができる。
【００４８】
以上のように、図６乃至８に示した実施形態１における表示装置１０の製造方法によると、トランジスタ層１３０、発光層１４０及び封止層１５０を形成するための基板の一部を薄板化することでフレキシブル表示装置を得ることができる。したがって、より短い製造工程、低コストで、屈曲させたい部分だけを曲げることができ、歪曲による視認性の低下が抑制されたフレキシブル表示装置を実現することができる。
【００４９】
また、実施形態１における表示装置の製造方法によると、従来の製造方法のように剛性を得るための支持基板と、トランジスタ層、発光層、封止層が形成されたフレキシブル基板と、を剥離させる工程がないため、静電気の発生を抑制することができる。その結果、静電破壊によるトランジスタや配線の破壊を低減することができる。
【００５０】
〈実施形態１の変形例〉
次に、実施形態１の変形例について説明する。図９は、本発明の実施形態１の変形例における表示装置１１の平面図を示す図である。図９は図２と類似しているが、第１領域１０１が第１端部１０５から第２端部１０６まで延在している、つまり、第１領域１０１が表示装置１１の各端部に対して斜めに設けられている点において図２とは異なる。図９に示すように、第１領域１０１を設ける位置は、屈曲させたい形状に合わせて自在に設計することができる。
【００５１】
〈実施形態２〉
［実施形態２における表示装置２０の構成］
図１０を用いて、本発明の実施形態２における表示装置２０の構成を説明する。実施形態２では、表示装置の基板を、剛性を有する基板と可撓性を有する基板との積層構造とし、一部の剛性を有する基板を除去することで、屈曲可能にした構造について説明する。
【００５２】
実施形態２における表示装置２０の平面図は、図２に示す実施形態１における表示装置１０とほぼ同様である。図１０は、本発明の実施形態２における表示装置２０の断面図を示す図である。図１０は図３と類似しているが、基板が、剛性を有する第１基板２１０と、第１基板２１０上に設けられ、可撓性を有する第２基板２２０と、を有する積層構造である点において、図３とは異なる。図１０によると、第１領域１０１には第２基板２２０のみが設けられ、第２領域１０２には第１基板２１０及び第２基板２２０が設けられている。
【００５３】
図１０では、第１領域１０１には第１基板２１０が設けられていない構造を例示したが、この構造に限定されず、第１領域１０１に薄板化された第１基板２１０が設けられていてもよい。つまり、第１領域１０１の第１基板２１０は第２領域１０２の第１基板２１０よりも薄くてもよい。また、図１０では、第１領域１０１の第２基板２２０と第２領域１０２の第２基板２２０とは同じ板厚である構造を例示したが、この構造に限定されず、第１領域１０１の第２基板２２０が薄板化されていてもよい。
【００５４】
以上のように、実施形態２における表示装置２０によると、表示装置２０は第１領域１０１付近で屈曲可能である。また、表示装置２０を屈曲させるように外力を加えても、第２領域１０２が歪曲することを抑制することができる。したがって、歪曲による視認性の低下を抑制することができる表示装置を提供することができる。また、第１領域１０１は可撓性の第２基板２２０のみ存在するので、よりフレキシブル性の高い表示装置を得ることができる。また、第１基板２１０を薄く残す場合であっても、第１領域１０１の強度は第２基板２２０で確保されているため、第１領域１０１の第１基板２１０の板厚を厳密に制御する必要がなく、プロセス設計が容易になる。
【００５５】
また、剛性を有する第１基板２１０と可撓性を有する第２基板２２０とが接した積層構造となっていることで、第１領域１０１で基板を屈曲させたときに、屈曲による応力は第１基板２１０と第２基板２２０との界面付近に集中しやすくなる。その結果、トランジスタ層１３０や発光層１４０のかかる応力が緩和されるため、トランジスタや配線への応力の影響を低減することができる。
【００５６】
［実施形態２における表示装置２０の製造方法］
次に、図１１乃至１４を用いて、本発明の実施形態２における表示装置２０の製造方法を説明する。図１１乃至１４に示す断面図は図２のＡ−Ｂ断面図に相当する。以下の説明では、剛性を有する第１基板としてガラス基板を使用し、可撓性を有する第２基板としてプラスチック基板を使用した例について説明する。
【００５７】
図１１は、本発明の実施形態２における表示装置２０の製造方法において、第１基板上に第２基板を形成する工程を示す断面図である。図１１では、まず第１基板２１０としてガラス基板を準備し、第１基板上に、第１基板よりも剛性が低い第２基板２２０を形成する。ここで、第２基板２２０としてプラスチック基板を使用し、例えばポリイミド樹脂やアクリル樹脂などを使用することができる。この場合、プラスチック基板の厚さは、好ましくは３μｍ以上５０μｍ以下であるとよい。さらに好ましくは、５μｍ以上２０μｍ以下であるとよい。
【００５８】
ここで、第２基板２２０を形成する前に第１基板２１０の表面凹凸を増大する処理を行ってもよい。また、例えば、トップエミッション型の表示装置の場合は、第２基板２２０は必ずしも透明である必要はない。例えば、トランジスタ形成工程における熱処理への耐性を高めるために、透明度を低下させてしまうような不純物を第２基板２２０へ混入させてもよい。一方で、トップエミッション型の表示装置の場合は、第２基板２２０は透明度が高い材質が好ましい。
【００５９】
図１２は、本発明の実施形態２における表示装置２０の製造方法において、積層基板上にトランジスタ層、発光層、及び封止層を形成する工程を示す断面図である。図１２では、積層された基板の表面側にトランジスタ層１３０を形成し、発光層１４０を形成する。そして、発光層１４０を覆うように封止層１５０を形成する。
【００６０】
ここで、実施形態１と同様に、第２基板２２０とトランジスタ層１３０との間にバリア層を形成してもよい。バリア層としては、窒化シリコン膜（ＳｉＮ膜）、酸化アルミニウム膜（Ａｌ２Ｏ３膜）、窒化アルミニウム膜（ＡｌＮ膜）、二酸化ケイ素膜（ＳｉＯ２膜）などを使用することができる。
【００６１】
また、封止層１５０は、封止層１５０を形成する前に発光層１４０を囲むようにダム材を形成し、そのダム材の内部に封止層１５０を塗布することで形成してもよい。また、封止層１５０は、第２基板２２０の全体に塗布し、端子領域３１０を除去することで形成してもよい。また、発光層１４０と封止層１５０との間に、外部からの水分や酸素が発光層１４０に到達することをブロックする保護層を形成してもよい。保護層としては、窒化シリコン膜（ＳｉＮ膜）、酸化アルミニウム膜（Ａｌ２Ｏ３膜）、窒化アルミニウム膜（ＡｌＮ膜）などを使用することができる。
【００６２】
また、上記の他に、表示装置２０に接触した位置座標を検知するタッチセンサや特定波長の光を透過するカラーフィルタを形成してもよい。タッチセンサは抵抗膜方式、静電容量方式、光学式のセンサを使用することができる。これらのタッチセンサは、トランジスタ層１３０内に形成することもできるが、封止層１５０の上に設けてもよい。カラーフィルタは、封止層１５０の上に各画素に対応して設けることができる。
【００６３】
図１３は、本発明の実施形態２における表示装置２０の製造方法において、第１基板の裏面にレジストパターンを形成する工程を示す断面図である。図１３のように、第１領域１０１に対応した開口パターンを有するレジスト１７０を第１基板２１０の裏面に形成する。
【００６４】
ここで、実施形態１と同様に、レジスト１７０を形成する前に、第１基板２１０の裏面との密着性を向上させる前処理を行ってもよい。また、第１基板２１０の裏面だけではなく、第１基板２１０、第２基板２２０、トランジスタ層１３０、封止層１５０の側面や表面を覆うようにレジスト１７０を形成してもよい。
【００６５】
図１４は、本発明の実施形態２における表示装置２０の製造方法において、第１基板を除去する工程を示す断面図である。図１４のように、裏面側から第１基板２１０をエッチングすることで、第１領域１０１の第１基板２１０を薄板化して除去する。第１基板２１０のエッチングは、ウェットエッチングを使用することができる。該ウェットエッチングは、第１基板２１０のエッチング速度の方が第２基板２２０のエッチング速度よりも早い条件であることが好ましい。ウェットエッチングに使用する薬液は、フッ化水素酸、フッ化水素アンモニウム、リン酸、リン酸アンモニウム塩、フッ化水素アンモニウムを含有する薬液を使用することができる。
【００６６】
また、上記の薬液を混合して使用することもできる。また、基板１００のエッチングは、ドライエッチング、レーザ加工、ショット・ブラスト処理（ウエット、ドライアイス等を含む）によるエッチング法を使用することもできる。ドライエッチングを使用する場合も、第１基板２１０のエッチング速度の方が第２基板２２０のエッチング速度よりも早い条件であることが好ましい。
【００６７】
図１４のレジスト１７０を除去することで、図１０の表示装置２０を形成することができる。レジスト１７０の除去は、発光層１４０が形成されている表面を保護した状態で、一般的なレジスト剥離液、Ｏ２プラズマ処理を使用することができる。また、これらを複合して使用することができる。
【００６８】
上記の実施形態２における表示装置２０の製造方法では、第１領域１０１の第１基板２１０を裏面から薄板化して除去する製造方法を例示したが、この製造方法に限定されず、第１領域１０１に第１基板２１０を薄く残してもよい。この場合、ウェットエッチングを行う前にレジスト１７０を利用して第１基板２１０の裏面からドーピングを行い、第１基板２１０に薬液でエッチングされやすい変質層を形成してもよい。ドーピングによって変質層を形成することで、ウェットエッチングのエッチング時間制御で第１領域１０１の板厚を制御する方法に比べて、より安定した板厚制御を行うことができる。
【００６９】
以上のように、図１１乃至１４に示した実施形態２における表示装置２０の製造方法によると、基板が、薄板化して除去したい剛性の第１基板２１０と残したい可撓性の第２基板２２０とを有しているため、第１領域１０１の薄板化の工程が制御しやすくなる。その結果、第１領域１０１の基板の板厚が基板面内で均一になり、ムラのない良好なフレキシブル性を有する表示装置を得ることができる。
【００７０】
また、表示装置２０は、表示装置の製造工程中にフレキシブル基板を支持するために設けられていた支持基板である第１基板の一部を薄板化して除去することでフレキシブル表示装置を得ることができる。したがって、より少ない工程数で屈曲させたい部分だけを曲げることができ、歪曲による視認性の低下が抑制されたフレキシブル表示装置を実現することができる。また、支持基板とフレキシブル基板とを剥離する工程が必要ないため、静電気の発生を抑制することができる。その結果、静電破壊によるトランジスタや配線の破壊を低減することができる。また、より構造が単純であり、低コストで軽量なディスプレイが実現できる。
【００７１】
〈実施形態３〉
［実施形態３における表示装置３０の構成］
図１５を用いて、本発明の実施形態３における表示装置３０の構成を説明する。実施形態３では、可撓性を有するフィルム状のプラスチックを基板とし、該プラスチック基板の一部の領域を薄板化することで、一定の剛性を有する領域と屈曲可能な領域とを有する構造について説明する。
【００７２】
実施形態３における表示装置３０の平面図は実施形態１における表示装置１０とほぼ同様なので、図２を参照する。図１５は、本発明の実施形態３における表示装置３０の断面図を示す図である。図１５は、図３と類似しているが、基板として可撓性を有するフィルム状のプラスチック基板を使用している点において、図３とは異なる。図１５によると、第１領域１０１のフィルム状のプラスチック基板２３０は、第２領域１０２のプラスチック基板２３０よりも薄い。
【００７３】
ここで、第２領域１０２のプラスチック基板２３０は可撓性を有しているが、一定以上の剛性を有していることが好ましい。例えば、第２領域１０２のプラスチック基板２３０は、図１５の表示装置３０を屈曲させる外力が加わっても、第２領域１０２が歪曲して視認性が低下しない程度の剛性を有していることが好ましい。または、外力によって第２領域１０２が歪曲しても、使用に影響がない程度の剛性を有していることが好ましい。具体的な剛性の値は使用用途に応じて適宜設計することができる。
【００７４】
以上のように、実施形態３における表示装置によると、表示装置３０は第２領域１０２に比べて第１領域１０１付近で屈曲しやすい。したがって、表示装置３０を屈曲させるように表示装置３０に外力を加えても、第１領域１０１付近が優先的に屈曲するため、第２領域１０２が歪曲することを抑制することができる。したがって、歪曲による視認性の低下を抑制することができる表示装置を提供することができる。また、第２基板２２０にもプラスチック基板２３０を使用することで、軽量で壊れにくい表示装置を得ることができる。
【００７５】
［実施形態３における表示装置３０の製造方法］
次に、図１６乃至１９を用いて、本発明の実施形態３における表示装置３０の製造方法を説明する。図１６乃至１９に示す断面図は図２のＡ−Ｂ断面図に相当する。以下の説明では、剛性を有する支持基板としてガラス基板を使用し、可撓性を有する基板としてプラスチック基板を使用した例について説明する。
【００７６】
図１６は、本発明の実施形態３における表示装置３０の製造方法において、支持基板上にプラスチック基板が積層された積層基板上にトランジスタ層、発光層、及び封止層を形成する工程を示す断面図である。図１６では、まず支持基板２４０としてガラス基板を準備し、支持基板２４０上に、支持基板２４０より剛性が低いプラスチック基板２３０を形成する。そして、プラスチック基板２３０上にトランジスタ層１３０を形成し、発光層１４０を形成する。そして、発光層１４０を覆うように封止層１５０を形成する。
【００７７】
ここで、プラスチック基板２３０としては、ポリイミド樹脂やアクリル樹脂などを使用することができる。この場合、プラスチック基板２３０の厚さは、好ましくは３μｍ以上５０μｍ以下であるとよい。さらに好ましくは、５μｍ以上２０μｍ以下であるとよい。また、例えば、トップエミッション型の表示装置の場合は、プラスチック基板２３０は必ずしも透明である必要はない。例えば、トランジスタ形成工程における熱処理への耐性を高めるために、透明度を低下させてしまうような不純物をプラスチック基板２３０へ混入させてもよい。一方で、トップエミッション型の表示装置の場合は、プラスチック基板２３０は透明度が高い材質が好ましい。
【００７８】
また、実施形態１と同様に、プラスチック基板２３０とトランジスタ層１３０との間にバリア層を形成してもよい。バリア層としては、窒化シリコン膜（ＳｉＮ膜）、酸化アルミニウム膜（Ａｌ２Ｏ３膜）、窒化アルミニウム膜（ＡｌＮ膜）、二酸化ケイ素膜（ＳｉＯ２膜）などを使用することができる。
【００７９】
また、封止層１５０は、プラスチック基板２３０の全体に成膜し、端子領域３１０を除去することで形成してもよい。また、発光層１４０と封止層１５０との間に、外部からの水分や酸素が発光層１４０に到達することをブロックする保護層を形成してもよい。保護層としては、窒化シリコン膜（ＳｉＮ膜）、酸化アルミニウム膜（Ａｌ２Ｏ３膜）、窒化アルミニウム膜（ＡｌＮ膜）、およびこれらの膜に挟まれたアクリルなどの有機物中間層を含む多層膜などを使用することができる。
【００８０】
また、上記の他に、表示装置３０に接触した位置座標を検知するタッチセンサや特定波長の光を透過するカラーフィルタを形成してもよい。タッチセンサは抵抗膜方式、静電容量方式、光学式のセンサを使用することができる。これらのタッチセンサは、トランジスタ層１３０内に形成することもできるが、封止層１５０の上に設けてもよい。カラーフィルタは、封止層１５０の上に各画素に対応して設けることができる。
【００８１】
図１７は、本発明の実施形態３における表示装置３０の製造方法において、支持基板上とプラスチック基板との界面で剥離する工程を示す断面図である。支持基板２４０とプラスチック基板２３０との剥離は、例えば、支持基板２４０の裏面側からレーザ照射を行い、両基板の界面を局所的に加熱することで行うことができる。また、支持基板２４０とプラスチック基板２３０とを接着用樹脂で貼り合せ、図１６に示す構造を形成した後に支持基板２４０の裏面側からＵＶ照射を行い、接着用樹脂を変質させることで剥離することもできる。
【００８２】
図１８は、本発明の実施形態３における表示装置３０の製造方法において、プラスチック基板の裏面にレジストパターンを形成する工程を示す断面図である。図１８のように、第１領域１０１に対応した開口パターンを有するレジスト１７０をプラスチック基板２３０の裏面に形成する。
【００８３】
ここで、実施形態１と同様に、レジスト１７０を形成する前に、プラスチック基板２３０の裏面との密着性を向上させる前処理を行ってもよい。また、プラスチック基板２３０の裏面だけではなく、プラスチック基板２３０、トランジスタ層１３０、封止層１５０の側面や表面を覆うようにレジスト１７０を形成してもよい。
【００８４】
図１９は、本発明の実施形態３における表示装置３０の製造方法において、プラスチック基板の裏面を薄膜化する工程を示す断面図である。図１９のように、裏面側からプラスチック基板２３０を裏面からエッチングすることで、第１領域のプラスチック基板２３０を薄板化する。プラスチック基板２３０のエッチングは、ドライエッチング、Ｏ２プラズマ処理、ウェットホーニング処理を使用することができる。ウェットホーニング処理とは、液体をノズル噴射することで、局所的に機械加工する方法である。
【００８５】
図１９のレジスト１７０を除去することで、図１５の表示装置３０を形成することができる。レジスト１７０の除去は、一般的なレジスト剥離液、Ｏ２プラズマ処理を使用することができる。また、これらを複合して使用することができる。ここで、薬液による発光層１４０へのダメージを防ぐために、例えば、基板１００の表面側の全面にレジストを形成してから薬液処理する方法を用いることができる。
【００８６】
〈実施形態４〉
［実施形態４における表示装置４０の構成］
図２０乃至２２を用いて、本発明の実施形態４における表示装置４０の構成を説明する。表示装置４０は、実施形態１における表示装置１０に対して、ドライバＩＣ３００やＦＰＣ（Flexible Printed Circuits）４００などの外部素子を実装した構造である。ただし、実施形態１の表示装置１０の基板構造に限定されず、実施形態２又は３の基板構造を使用してもよい。
【００８７】
図２０乃至２２に示すように、表示装置４０は、実施形態１における表示装置１０と同様に、基板１００、トランジスタ層１３０、発光層１４０、封止層１５０を有する。ここで、表示装置４０は、トランジスタ層１３０が封止層１５０から露出された端子領域３１０に接続されたドライバＩＣ３００及びＦＰＣ４００などの外部素子をさらに有する。ＦＰＣ４００には、駆動回路を制御するコントローラ回路に接続される端子部４１０が備えられている。
【００８８】
図２２に示すように、表示装置４０のトランジスタ層１３０は端子領域３１０まで延在しており、ドライバＩＣ３００およびＦＰＣ４００などの外部素子がトランジスタ層１３０の配線に接続されている。上記の外部素子と画素のトランジスタとは、トランジスタ層１３０の配線を介して電気的に接続されており、外部素子からの制御信号によってトランジスタの動作が制御される。また、図２０及び２１に示すように、基板１００の周辺領域１２０に配置された駆動回路１６０は、第２領域１０２に配置されてもよい。屈曲しない第２領域１０２に配置することで、屈曲による応力によって駆動回路１６０の動作に影響が発生することを抑制することができる。
【００８９】
〈実施形態５〉
［実施形態５における表示装置５０の構成］
図２３乃至２７を用いて、本発明の実施形態５における表示装置５０の構成を説明する。実施形態５では、実施形態２の基板構造を使用し、表示装置の側部が屈曲した構造について説明する。ただし、実施形態２の基板構造に限定されず、実施形態１又は３の基板構造を使用してもよい。
【００９０】
図２３は、本発明の実施形態５における表示装置５０の斜視図を示す図である。表示装置５０は、最終的な製品状態にアセンブリされた表示装置を示しており、図１に示したドライバＩＣ３００やＦＰＣ４００などの外部素子は筐体内部に格納された状態である。表示装置５０の表示領域１１１及び周辺領域１２１の両側部は屈曲しており、なめらかな流線型を有するデザインとなっている。表示装置５０には、必要に応じて操作ボタン１２２が設けられていてもよい。
【００９１】
図２４は、本発明の実施形態５における表示装置５０のアセンブリ前の平面図を示す図である。図２４に示す表示装置５０は、アセンブリ前の状態を示している。図２４は図２と類似しているが、屈曲可能な第１領域１０１が表示装置５０のＤ２方向の両側部で、図２４のＤ１方向に延びている点において、図２とは異なる。換言すると、表示装置５０では、屈曲可能な第１領域１０１が第１端部１０７と第２端部１０８との間の第３端部１０９に沿って設けられている。
【００９２】
図２５は、本発明の実施形態５における表示装置５０のアセンブリ前のＣ−Ｄ断面図を示す図である。図２５によると、表示装置５０の基板は、剛性を有する第１基板２１０と、第１基板２１０上に設けられ、可撓性を有する第２基板２２０と、を有する積層構造である。第１領域１０１には第２基板２２０のみが設けられ、第２領域１０２には第１基板２１０及び第２基板２２０が設けられている。また、第１領域１０１は、第３端部１０９に設けられている。
【００９３】
図２５では、第１領域１０１には第１基板２１０が設けられていない構造を例示したが、この構造に限定されず、薄板化された第１基板２１０が設けられていてもよい。つまり、第１領域１０１の第１基板２１０は第２領域１０２の第１基板２１０よりも薄くてもよい。また、図２５では、第１領域１０１の第２基板２２０と第２領域１０２の第２基板２２０とは同じ板厚である構造を例示したが、この構造に限定されず、第１領域１０１の第２基板２２０が薄板化されていてもよい。
【００９４】
図２６は、本発明の実施形態５における表示装置５０のアセンブリ後のＣ−Ｄ断面図を示す図である。図２３の表示装置５０のように、両側部を屈曲させた状態で固定するために支持部材２５０を配置してもよい。また、屈曲させる領域は表示装置５０の側部（第３端部１０９）に限定されず、上部（第１端部１０７）や下部（第２端部１０８）であってもよい。
【００９５】
以上のように、実施形態５における表示装置によると、端部がなめらかな流線型を有するデザインを実現することができる。したがって、使用者の視野に入る見かけ上の周辺領域の幅を小さくすることができる。また、美的外観が良好な表示装置を実現することができる。
【００９６】
〈実施形態５の変形例〉
次に、実施形態５の変形例について説明する。図２７は、本発明の実施形態５の変形例における表示装置５１のＣ−Ｄ断面図を示す図である。図２７は、図２５の両端部を第１基板２１０の端部で折り返した構造である。図２７に示す表示装置５１では、発光層１４０が第１基板２１０の端部に対応する付近まで配置されている。
【００９７】
トランジスタ層１３０は、表示領域１１０の各々の画素に配置された発光層の発光強度を制御する第１トランジスタ１３１と、第１トランジスタ１３１の動作を制御する第２トランジスタ１３２と、を有している。ここで、第１トランジスタ１３１は第１基板２１０の表面側である発光層１４０の側に配置され、第２トランジスタ１３２は第１基板２１０の裏面側である発光層１４０の逆側に配置されている。第１トランジスタ１３１は、例えば各画素に対して配置された選択トランジスタや駆動トランジスタなどが該当する。第２トランジスタ１３２は、例えば周辺領域１２０に配置された駆動回路１６０を構成する回路トランジスタなどが該当する。
【００９８】
図２７では、第２基板２２０が第１基板２１０の側面及び裏面に接するように折り返された構造を例示したが、折り返し部の曲率半径が小さい場合、特にトランジスタ層１３０のトランジスタや配線が折り返し部の応力に耐えきれずに破壊される可能性がある。そのような問題を抑制するために、曲率半径を大きくする支持部材が第１基板２１０の側面又は裏面に設けられてもよい。
【００９９】
以上のように、実施形態５の変形例における表示装置によると、周辺領域に配置された駆動回路を基板の裏面側に配置することができる。したがって、端部に周辺領域がほとんどなく、表示領域が端部付近まで存在する、いわゆる超狭額縁又は額縁レスの表示装置を実現することができる。
【０１００】
〈実施形態６〉
［実施形態６における表示装置６０の構成］
図２８及び２９を用いて、本発明の実施形態６における表示装置６０の構成を説明する。実施形態６では、実施形態５の変形例の表示装置５１を使用し、ドライバＩＣや駆動回路を制御するコントローラ回路が第１基板２１０の裏面に配置された構造について説明する。実施形態６では、実施形態２の基板構造を使用して説明するが、実施形態２の基板構造に限定されず、実施形態１又は３の基板構造を使用してもよい。
【０１０１】
図２８は、本発明の実施形態６における表示装置６０の裏面側の平面図を示す図である。また、図２９は、本発明の実施形態６における表示装置６０のＥ−Ｆ断面図を示す図である。実施形態６における表示装置６０は、図２７に示す表示装置５１の第１基板２１０の裏面側に制御回路５００及びバッテリー６００が配置された構造を有する。制御回路５００及びバッテリー６００は共にＦＰＣ４００を介してトランジスタ層１３０に接続されている。制御回路５００は、駆動回路１６０の第２トランジスタ１３２に接続され、第２トランジスタ１３２を制御する。また、バッテリー６００は、各画素に配置された第１トランジスタ１３１や駆動回路１６０の第２トランジスタ１３２に接続され、第１トランジスタ１３１や第２トランジスタ１３２に電力を供給する。
【０１０２】
以上のように、実施形態６における表示装置によると、周辺領域に配置された駆動回路を基板の裏面側に配置することができ、さらに制御回路やバッテリーなどの外部素子も基板の裏面側に配置することができる。したがって、端部に周辺領域がほとんどなく、表示領域が端部付近まで存在する、いわゆる超狭額縁又は額縁レスの表示装置を実現することができる。
【０１０３】
〈実施形態７〉
［実施形態７における表示装置７０の構成］
図３０及び３１を用いて、本発明の実施形態７における表示装置７０の構成を説明する。実施形態７では、実施形態６の表示装置６０において、第１基板２１０の一部が除去されて露出した第２基板２２０の裏面側に外部素子が配置された構造について説明する。実施形態７では、実施形態２の基板構造を使用して説明するが、実施形態２の基板構造に限定されず、実施形態１又は３の基板構造を使用してもよい。
【０１０４】
図３０は、本発明の実施形態７における表示装置７０の裏面側の平面図を示す図である。また、図３１は、本発明の実施形態７における表示装置７０のＥ−Ｆ断面図を示す図である。実施形態７の表示装置７０は実施形態６の表示装置６０と類似しているが、第２領域１０２の内側領域に、第１基板２１０が除去された第３領域１１２が設けられ、第３領域１１２で第２基板２２０の裏面側に制御回路５００が配置されている点において、実施形態６の表示装置６０とは異なる。上記のように、第３領域１１２では第１基板２１０が除去されており、第２基板２２０のみが配置されている。ここで、第１基板２１０と第２基板２２０とを併せて基板と定義すると、第３領域１１２は第２領域１０２よりも基板の板厚が薄いということもできる。また、制御回路５００はＦＰＣ４００を介してトランジスタ層１３０に接続されている。
【０１０５】
図３１では、第３領域１１２には第１基板２１０が設けられていない構造を例示したが、この構造に限定されず、薄板化された第１基板２１０が設けられていてもよい。つまり、第３領域１１２の第１基板２１０は第２領域１０２の第１基板２１０よりも薄くてもよい。また、図３１では、第３領域１１２の第２基板２２０と第２領域１０２の第２基板２２０とは同じ板厚である構造を例示したが、この構造に限定されず、第３領域１１２の第２基板２２０が薄板化されていてもよい。
【０１０６】
また、図３０及び３１では、第３領域１１２に制御回路５００だけが配置された構成を例示したが、この構成に限定されず、実施形態６のようにバッテリーが配置されていてもよい。
【０１０７】
以上のように、実施形態７における表示装置によると、周辺領域に配置された駆動回路を基板の裏面側に配置することができ、さらに制御回路やバッテリーなどの外部素子も基板の裏面側に配置することができる。したがって、端部に周辺領域がほとんどなく、表示領域が端部付近まで存在する、いわゆる超狭額縁又は額縁レスの表示装置を実現することができる。また、より薄型の表示装置を実現することができる。
【０１０８】
〈実施形態７の変形例〉
次に、実施形態７の変形例について説明する。図３２は、本発明の実施形態７の変形例における表示装置７１のＥ−Ｆ断面図を示す図である。図３２に示す表示装置７１は、トランジスタ層１３０と制御回路５００とが、第２基板２２０に設けられた貫通電極５１０を介して接続されている。貫通電極５１０は、制御回路５００を第２基板２２０の裏面に装着する前に、第２基板２２０に開口部を形成し、そこに導電性材料を埋め込むことで形成することができる。
【０１０９】
以上のように、実施形態７の変形例における表示装置によると、ＦＰＣを使用せずに制御回路５００を表示装置７１に実装することができる。したがって、ＦＰＣの材料費やＦＰＣ圧着工程を削減することができるため、コスト低減の効果が得られる。
【０１１０】
〈実施形態８〉
［実施形態８における表示装置８０の構成］
図３３及び３４を用いて、本発明の実施形態８における表示装置８０の構成を説明する。実施形態８では、第１領域１０１によって分離されたそれぞれの第２領域１０２の内側領域に、それぞれ第３領域１１２が設けられている。そして、各々の第３領域１１２にそれぞれ外部素子が配置されている構造について説明する。
【０１１１】
図３３は、本発明の実施形態８における表示装置８０の裏面側の平面図を示す図である。また、図３４は、本発明の実施形態８における表示装置８０のＧ−Ｈ断面図を示す図である。図３３及び３４に示す表示装置８０では、２つの第２領域１０２が設けられており、それらの間に第１領域１０１が設けられている。また、各々の第２領域１０２の内側領域に、第１基板２１０が除去された第３領域１１２が設けられている。各々の第３領域１１２には、それぞれ制御回路５００とバッテリー６００とが配置されている。制御回路５００とバッテリー６００とはそれぞれＦＰＣ４００を介してトランジスタ層１３０に接続されている。また、制御回路５００とバッテリー６００とはＦＰＣ４０１によって互いに接続されている。
【０１１２】
図３４では、第１領域１０１及び第３領域１１２には第１基板２１０が設けられていない構造を例示したが、この構造に限定されず、薄板化された第１基板２１０が設けられていてもよい。つまり、第１領域１０１及び第３領域１１２の第１基板２１０は第２領域１０２の第１基板２１０よりも薄くてもよい。また、図３４では、第１領域１０１及び第３領域１１２の第２基板２２０と第２領域１０２の第２基板２２０とは同じ板厚である構造を例示したが、この構造に限定されず、第１領域１０１及び第３領域１１２の第２基板２２０が薄板化されていてもよい。
【０１１３】
以上のように、実施形態８における表示装置によると、周辺領域に配置された駆動回路を基板の裏面側に配置することができ、さらに制御回路やバッテリーなどの外部素子も基板の裏面側に配置することができる。したがって、端部に周辺領域がほとんどなく、表示領域が端部付近まで存在する、いわゆる超狭額縁又は額縁レスの表示装置を実現することができる。また、より薄型の表示装置を実現することができる。また、表示装置８０は第１領域１０１で屈曲可能であるが、表示装置８０を屈曲させるように外力を加えても、第２領域１０２が歪曲することを抑制することができる。したがって、歪曲による視認性の低下を抑制することができる表示装置を提供することができる。
【０１１４】
〈実施形態９〉
［実施形態９における表示装置９０の構成］
図３５を用いて、本発明の実施形態９における表示装置９０の構成を説明する。実施形態９では、実施形態１における表示装置１０にフレームを実装した構造について説明する。実施形態９では、実施形態１の基板構造を使用して説明するが、実施形態１の基板構造に限定されず、実施形態２又は３の基板構造を使用してもよい。
【０１１５】
図３５は、本発明の実施形態９における表示装置９０のＡ−Ｂ断面図を示す図である。図３５では、フレーム７００が基板１００の裏面に装着されている。フレーム７００は、剛性を有する第２領域１０２に対応して配置された第１フレーム７０１と、屈曲可能な第１領域１０１に対応して配置された第２フレーム７０２と、を含む。ここで、第２フレーム７０２は第１フレーム７０１より剛性が低い。
【０１１６】
また、第１領域１０１には補強部材７２０が配置されている。また、第１基板２１０及び第２基板２２０の側面部とフレーム７００との間には緩衝部材７３０が配置されている。補強部材７２０及び緩衝部材７３０はそれぞれ弾力性を有する樹脂材料を使用することができる。補強部材７２０は第２フレーム７０２との間に間隙が設けられるように形成されているが、第１領域１０１の基板１００と第２フレーム７０２との間を充填するように補強部材７２０が形成されていてもよい。
【０１１７】
以上のように、実施形態８における表示装置によると、フレームが実装されているため、外部から基板やトランジスタ層などの内部の構造物への衝撃を緩和することができる。したがって、外部からの衝撃に対する耐久性が向上する。また、補強部材７２０が第１領域１０１に配置されていることで、表示装置を屈曲させたときに第１領域１０１付近で発生する応力を緩和することができる。その結果、第１領域１０１付近のトランジスタ層１３０や発光層１４０への影響を緩和することができる。
【０１１８】
なお、本発明は上記の実施形態に限られたものではなく、趣旨を逸脱しない範囲で適宜変更することが可能である。
【符号の説明】
【０１１９】
１０、１１、２０、３０、４０、４１、５０、６０、６１、７０、８０：表示装置
１００：基板
１０１：第１領域
１０２：第２領域
１０３、１０５、１０７：第１端部
１０４、１０６、１０８：第２端部
１０９：第３端部
１１０、１１１：表示領域
１１２：第３領域
１２０、１２１：周辺領域
１２２：操作ボタン
１３０：トランジスタ層
１３１：第１トランジスタ
１３２：第２トランジスタ
１４０：発光層
１５０：封止層
１６０：駆動回路
１７０：レジスト
２１０：第１基板
２２０：第２基板
２３０：プラスチック基板
２４０：支持基板
２５０：支持部材
３００：ドライバＩＣ
３１０：端子領域
４００、４０１：ＦＰＣ
４１０：端子部
５００：制御回路
５１０：貫通電極
６００：バッテリー
７００：フレーム
７０１：第１フレーム
７０２：第２フレーム
７２０：補強部材
７３０：緩衝部材
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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【図２５】
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【図２６】
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【図２７】
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【図２８】
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【図２９】
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【図３０】
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【図３１】
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【図３２】
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【図３３】
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【図３４】
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【図３５】
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