(57)【要約】【課題】本発明は、積層セラミック電子部品及びその製造方法並びに積層セラミック電子部品の実装基板に関する。【解決手段】本発明の一形態は、誘電体層及び内部電極を含むセラミック本体と、上記内部電極と連結される電極層と、上記電極層上に形成され、第１導電体、カーボンナノチューブを含む第２導電体、及びベース樹脂を含む導電性樹脂層と、を含み、常温から９００℃まで１０℃／分の速度で昇温して熱処理したとき、重さが０．３３％〜２．１９％減少する積層セラミックを提供することができる。【選択図】図３
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
誘電体層及び内部電極を含むセラミック本体と、
前記内部電極と連結される電極層と、
前記電極層上に形成され、第１導電体、カーボンナノチューブを含む第２導電体、及びベース樹脂を含む導電性樹脂層と、を含み、
常温から９００℃まで１０℃／分の速度で昇温して熱処理したとき、重さが０．３３％〜２．１９％減少する、積層セラミック電子部品。
【請求項２】
前記積層セラミック電子部品を常温から９００℃まで１０℃／分の速度で昇温して熱処理したときの重さ減少率をＡ、前記積層セラミック電子部品と同一比率で第１導電体及びベース樹脂を含む一方で第２導電体は含まない比較部品を常温から９００℃まで１０℃／分の速度で昇温して熱処理したときの重さ減少率をＢとすると、Ａ／Ｂは１．４３〜９．５２である、請求項１に記載の積層セラミック電子部品。
【請求項３】
前記積層セラミック電子部品の熱処理過程を示す温度−重さグラフは変曲点を有し、前記変曲点は３００℃〜５００℃の区間に存在する、請求項１に記載の積層セラミック電子部品。
【請求項４】
前記導電性樹脂層は、前記カーボンナノチューブを０．５〜１０ｖｏｌ％含む、請求項１に記載の積層セラミック電子部品。
【請求項５】
前記導電性樹脂層は、前記ベース樹脂とカーボンナノチューブを１００：１〜１００：２０の体積率で含む、請求項１に記載の積層セラミック電子部品。
【請求項６】
前記導電性樹脂層は、前記第１導電体を３３〜６０ｖｏｌ％で含む、請求項１に記載の積層セラミック電子部品。
【請求項７】
前記導電性樹脂層は、前記ベース樹脂を３８〜６５ｖｏｌ％で含む、請求項１に記載の積層セラミック電子部品。
【請求項８】
前記カーボンナノチューブの直径をＤ、長さをＬとするとき、Ｌ／Ｄ≧１．０である、請求項１に記載の積層セラミック電子部品。
【請求項９】
前記カーボンナノチューブの直径をＤとするとき、１ｎｍ≦Ｄ≦１００ｎｍである、請求項１に記載の積層セラミック電子部品。
【請求項１０】
前記第１導電体は、銅（Ｃｕ）、銀（Ａｇ）、ニッケル（Ｎｉ）及びこれらの合金のうち一つ以上を含む金属粒子である、請求項１に記載の積層セラミック電子部品。
【請求項１１】
前記第１導電体は、球状またはフレーク状である、請求項１に記載の積層セラミック電子部品。
【請求項１２】
前記ベース樹脂は、熱硬化性樹脂である、請求項１に記載の積層セラミック電子部品。
【請求項１３】
誘電体層及び内部電極を含むセラミック本体と、
前記内部電極と連結される電極層と、
前記電極層上に形成され、金属粒子、カーボンナノチューブ及びベース樹脂を含む導電性樹脂層と、を含み、
前記導電性樹脂層は、前記カーボンナノチューブを０．５〜１０ｖｏｌ％含む、積層セラミック電子部品。
【請求項１４】
前記導電性樹脂層は、前記金属粒子を３３〜６０ｖｏｌ％含む、請求項１３に記載の積層セラミック電子部品。
【請求項１５】
前記導電性樹脂層は、前記ベース樹脂を３８〜６５ｖｏｌ％含む、請求項１３に記載の積層セラミック電子部品。
【請求項１６】
前記カーボンナノチューブの直径をＤ、長さをＬとするとき、Ｌ／Ｄ≧１．０である、請求項１３に記載の積層セラミック電子部品。
【請求項１７】
前記カーボンナノチューブの直径をＤとするとき、１ｎｍ≦Ｄ≦１００ｎｍである、請求項１３に記載の積層セラミック電子部品。
【請求項１８】
誘電体層及び内部電極を含むセラミック本体と、
前記内部電極と連結される電極層と、
前記電極層上に形成され、金属粒子、カーボンナノチューブ及びベース樹脂を含む導電性樹脂層と、を含み、
前記導電性樹脂層は、前記ベース樹脂とカーボンナノチューブを１００：１〜１００：２０の体積率で含む、積層セラミック電子部品。
【請求項１９】
前記導電性樹脂層は、前記金属粒子を３３〜６０ｖｏｌ％含む、請求項１８に記載の積層セラミック電子部品。
【請求項２０】
前記導電性樹脂層は、前記ベース樹脂を３８〜６５ｖｏｌ％含む、請求項１８に記載の積層セラミック電子部品。
【請求項２１】
誘電体層及び内部電極を含むセラミック本体を形成する段階と、
前記内部電極と連結されるように電極層を形成する段階と、
前記電極層上に第１導電体、カーボンナノチューブ及びベース樹脂を含む導電性ペーストを塗布する段階と、
前記導電性ペーストを硬化して導電性樹脂層を形成する段階と、を含み、
前記導電性樹脂層は、前記カーボンナノチューブを０．５〜１０ｖｏｌ％含む、積層セラミック電子部品の製造方法。
【請求項２２】
誘電体層及び内部電極を含むセラミック本体を形成する段階と、
前記内部電極と連結されるように電極層を形成する段階と、
前記電極層上に第１導電体、カーボンナノチューブ及びベース樹脂を含む導電性ペーストを塗布する段階と、
前記導電性ペーストを硬化して導電性樹脂層を形成する段階と、を含み、
前記導電性樹脂層は、前記ベース樹脂とカーボンナノチューブを１００：１〜１００：２０の体積率で含む、積層セラミック電子部品の製造方法。
【請求項２３】
上部に第１及び第２電極パッドを有する印刷回路基板と、
前記印刷回路基板上に設置された積層セラミック電子部品と、を含み、
前記積層セラミック電子部品は、誘電体層及び内部電極を含むセラミック本体、前記内部電極と連結される電極層、及び前記電極層上に形成され、第１導電体、カーボンナノチューブを含む第２導電体及びベース樹脂を含む導電性樹脂層を含み、常温から９００℃まで１０℃／分の速度で昇温して熱処理したとき、重さが０．３３％〜２．１９％減少する、積層セラミック電子部品の実装基板。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、積層セラミック電子部品及びその製造方法並びに積層セラミック電子部品の実装基板に関する。
【背景技術】
【０００２】
積層セラミック電子部品は、積層された複数の誘電体層、誘電体層を介して対向配置される内部電極及び上記内部電極と電気的に接続された外部電極を含む。
【０００３】
積層セラミック電子部品は、小型でありながら、高容量が保障され、実装が容易であるという長所から、コンピュータ、ＰＤＡ、携帯電話などの移動通信装置の部品として広く用いられている。
【０００４】
最近は、電子製品が小型化及び多機能化されるにつれ、チップ部品も小型化及び高機能化の傾向にあるため、積層セラミック電子部品もサイズが小さく容量が大きい高容量の製品が求められている。
【０００５】
これにより、誘電体層及び内部電極層の厚さを薄くし、多くの数の誘電体層を積層した積層セラミック電子部品が製造されており、外部電極も薄型化されている。
【０００６】
また、自動車や医療機器などのような高信頼性が求められる分野において多くの機能が電子化されていることから、その需要が増加するにつれ、積層セラミック電子部品も高信頼性が求められている。
【０００７】
このような高信頼性化により問題になる要素として、工程時に発生するめっき液の浸透や外部衝撃によるクラック発生などがある。
【０００８】
従って、上記問題点を解決するために、外部電極の電極層上に導電性物質を含む樹脂組成物を塗布して、外部衝撃を吸収するとともにめっき液の浸透を防いで信頼性を向上させている。
【０００９】
しかし、電極層上に導電性樹脂層を適用する場合、等価直列抵抗（ＥＳＲ）が上昇するため、これを改善させた積層セラミック電子部品が求められる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【００１０】
【特許文献１】韓国登録特許  第１０−０５８６９６２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１１】
本発明の課題は、積層セラミック電子部品及びその製造方法並びに積層セラミック電子部品の実装基板を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
本発明の一形態は、誘電体層及び内部電極を含むセラミック本体と、上記内部電極と連結される電極層と、上記電極層上に形成され、第１導電体、カーボンナノチューブを含む第２導電体、及びベース樹脂を含む導電性樹脂層と、を含み、常温から９００℃まで１０℃／分の速度で昇温して熱処理したとき、重さが０．３３％〜２．１９％減少する積層セラミックを提供することができる。
【００１３】
上記積層セラミック電子部品を常温から９００℃まで１０℃／分の速度で昇温して熱処理したときの重さ減少率をＡ、上記積層セラミック電子部品と同一比率で第１導電体及びベース樹脂を含む一方で第２導電体は含まない比較部品を常温から９００℃まで１０℃／分の速度で昇温して熱処理したときの重さ減少率をＢとするとき、Ａ／Ｂは１．４３〜９．５２であることができる。
【００１４】
上記積層セラミック電子部品の熱処理過程を示す温度−重さグラフは変曲点を有し、上記変曲点は３００℃〜５００℃の区間に存在することができる。
【００１５】
上記導電性樹脂層は、上記カーボンナノチューブを０．５〜１０ｖｏｌ％含むことができる。
【００１６】
上記導電性樹脂層は、上記ベース樹脂とカーボンナノチューブを１００：１〜１００：２０の体積率で含むことができる。
【００１７】
上記導電性樹脂層は、上記第１導電体を３３〜６０ｖｏｌ％含むことができる。
【００１８】
上記導電性樹脂層は、上記ベース樹脂を３８〜６５ｖｏｌ％含むことができる。
【００１９】
上記カーボンナノチューブの直径をＤ、長さをＬとするとき、Ｌ／Ｄ≧１．０を満たすことができる。
【００２０】
上記カーボンナノチューブの直径をＤとするとき、１ｎｍ≦Ｄ≦１００ｎｍを満たすことができる。
【００２１】
上記第１導電体は、銅（Ｃｕ）、銀（Ａｇ）、ニッケル（Ｎｉ）及びこれらの合金のうち一つ以上を含む金属粒子であることができる。
【００２２】
上記第１導電体は、球状またはフレーク状であることができる。
【００２３】
上記ベース樹脂は、熱硬化性樹脂であることができる。
【００２４】
本発明の他の形態は、誘電体層及び内部電極を含むセラミック本体と、上記内部電極と連結される電極層と、上記電極層上に形成され、金属粒子、カーボンナノチューブ及びベース樹脂を含む導電性樹脂層と、を含み、上記導電性樹脂層は、上記カーボンナノチューブを０．５〜１０ｖｏｌ％含む積層セラミックを提供することができる。
【００２５】
上記導電性樹脂層は、上記金属粒子を３３〜６０ｖｏｌ％含むことができる。
【００２６】
上記導電性樹脂層は、上記ベース樹脂を３８〜６５ｖｏｌ％含むことができる。
【００２７】
上記カーボンナノチューブの直径をＤ、長さをＬとするとき、Ｌ／Ｄ≧１．０を満たすことができる。
【００２８】
上記カーボンナノチューブの直径をＤとするとき、１ｎｍ≦Ｄ≦１００ｎｍを満たすことができる。
【００２９】
本発明の他の形態は、誘電体層及び内部電極を含むセラミック本体と、上記内部電極と連結される電極層と、上記電極層上に形成され、金属粒子、カーボンナノチューブ及びベース樹脂を含む導電性樹脂層と、を含み、上記導電性樹脂層は、上記ベース樹脂とカーボンナノチューブを１００：１〜１００：２０の体積率で含む積層セラミックを提供することができる。
【００３０】
上記導電性樹脂層は、上記金属粒子を３３〜６０ｖｏｌ％含むことができる。
【００３１】
上記導電性樹脂層は、上記ベース樹脂を３８〜６５ｖｏｌ％含むことができる。
【００３２】
本発明の他の形態は、誘電体層及び内部電極を含むセラミック本体を形成する段階と、上記内部電極と連結されるように電極層を形成する段階と、上記電極層上に第１導電体、カーボンナノチューブ及びベース樹脂を含む導電性ペーストを塗布する段階と、上記導電性ペーストを硬化して導電性樹脂層を形成する段階と、を含み、上記導電性樹脂層は、上記カーボンナノチューブを０．５〜１０ｖｏｌ％含む積層セラミック電子部品の製造方法を提供することができる。
【００３３】
本発明の他の形態は、誘電体層及び内部電極を含むセラミック本体を形成する段階と、上記内部電極と連結されるように電極層を形成する段階と、上記電極層上に第１導電体、カーボンナノチューブ及びベース樹脂を含む導電性ペーストを塗布する段階と、上記導電性ペーストを硬化して導電性樹脂層を形成する段階と、を含み、上記導電性樹脂層は、上記ベース樹脂とカーボンナノチューブを１００：１〜１００：２０の体積率で含む積層セラミック電子部品の製造方法を提供することができる。
【００３４】
本発明のさらに他の形態は、上部に第１及び第２電極パッドを有する印刷回路基板と、上記印刷回路基板上に設置された積層セラミック電子部品と、を含み、上記積層セラミック電子部品は、誘電体層及び内部電極を含むセラミック本体、上記内部電極と連結される電極層、及び上記電極層上に形成され、第１導電体、カーボンナノチューブを含む第２導電体及びベース樹脂を含む導電性樹脂層を含み、常温から９００℃まで１０℃／分の速度で昇温して熱処理したとき、重さが０．３３％〜２．１９％減少する積層セラミック電子部品の実装基板を提供することができる。
【発明の効果】
【００３５】
本発明によると、衝撃を吸収するとともにめっき液の浸透を防止する特性を有し、等価直列抵抗（ＥＳＲ）が低い積層セラミック電子部品及びその製造方法並びに積層セラミック電子部品の実装基板を提供することができるようになる。
【図面の簡単な説明】
【００３６】
【図１】本発明の一実施形態による積層セラミック電子部品を示す斜視図である。
【図２】図１のＡ−Ａ’線に沿った断面図である。
【図３】図２のＰ領域の拡大図である。
【図４ａ】本発明の一構成である導電性樹脂層の断面を示す走査電子顕微鏡（ＳＥＭ）の写真である。
【図４ｂ】本発明の一構成である導電性樹脂層の断面を示す走査電子顕微鏡（ＳＥＭ）の写真である。
【図５】本発明の一実施形態による積層セラミック電子部品と比較形態による積層セラミック電子部品との熱処理（熱分解）結果を示すグラフである。
【図６ａ】本発明の一構成であるカーボンナノチューブの構造を示す模式図である。
【図６ｂ】本発明の一構成であるカーボンナノチューブの概略的な形状を示す概略図である。
【図７】本発明の他の実施形態による積層セラミック電子部品の製造方法を示す製造工程図である。
【図８】本発明のさらに他の実施形態による積層セラミック電子部品の実装基板を示す斜視図である。
【図９】図８のＢ−Ｂ’線に沿った断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００３７】
以下では、添付の図面を参照し、本発明の好ましい実施形態について説明する。しかし、本発明の実施形態は様々な他の形態に変形されることができ、本発明の範囲は以下で説明する実施形態に限定されない。また、本発明の実施形態は、当該技術分野で平均的な知識を有する者に本発明をより完全に説明するために提供されるものである。したがって、図面における要素の形状及び大きさなどはより明確な説明のために誇張されることがある。
【００３８】
また、明細書全体において、ある構成要素を「含む」とは、特に反対される記載がない限り、他の構成要素を除外するのではなく、他の構成要素をさらに含むことができることを意味する。
【００３９】
なお、明細書全体において、「上に」形成されるとは、直接的に接触して形成されるのみならず、その間に他の構成要素をさらに含むことができることを意味する。
【００４０】
積層セラミック電子部品１００
【００４１】
図１は本発明の一実施形態による積層セラミック電子部品１００を示す斜視図であり、図２は図１のＡ−Ａ’線に沿った断面図であり、図３は図２のＰ領域の拡大図である。
【００４２】
図１及び図２を参照すると、本発明の一実施形態による積層セラミック電子部品１００は、セラミック本体１１０と、外部電極１３０ａ、１３０ｂと、を含む。
【００４３】
上記セラミック本体１１０は、電子部品の容量形成に寄与する部分である活性層と、上下マージン部として活性層の上下部にそれぞれ形成された上部及び下部カバー層と、を含むことができる。上記活性層は、誘電体層１１１及び内部電極１２１、１２２を含むことができる。
【００４４】
本発明の一実施形態において、セラミック本体１１０は、その形状に特に制限されないが、実質的に六面体状であることができる。セラミック本体１１０は、チップの焼成時にセラミック粉末の焼成収縮、内部電極パターンによる厚さの差異及びセラミック本体の角部の研磨により、完全な六面体状ではないが、実質的に六面体に近い形状を有することができる。
【００４５】
本発明の実施形態を明確に説明するために、六面体の方向を定義すると、図面に示されるＬ、Ｗ及びＴは、それぞれ長さ方向、幅方向及び厚さ方向を示す。ここで、厚さ方向は、誘電体層が積層される積層方向と同一の概念で用いられることができる。
【００４６】
上記内部電極１２１、１２２は、第１内部電極１２１及び第２内部電極１２２からなり、第１及び第２内部電極は、上記誘電体層１１１を介して対向するように配置されることができる。第１及び第２内部電極１２１、１２２は、異なる極性を有する一対の電極であり、誘電体層１１１上に所定の厚さで導電性金属を含む導電性ペーストを印刷して誘電体層１１１の積層方向に沿ってセラミック本体の両端面に交互に露出するように形成されることができ、その間に配置された誘電体層１１１によって電気的に絶縁されることができる。
【００４７】
即ち、第１及び第２内部電極１２１、１２２は、セラミック本体１１０の両端面に交互に露出する部分によって外部電極１３０ａ、１３０ｂとそれぞれ電気的に連結されることができる。より具体的には、上記外部電極は、第１外部電極１３０ａ及び第２外部電極１３０ｂを含み、第１内部電極１２１は第１外部電極１３０ａ、第２内部電極１２２は第２内部電極１３０ｂとそれぞれ電気的に連結されることができる。
【００４８】
これにより、第１及び第２外部電極１３０ａ、１３０ｂに電圧が印加されると、対向する第１及び第２内部電極１２１、１２２の間に電荷が蓄積され、このとき、積層セラミック電子部品１００の静電容量は、第１及び第２内部電極１２１、１２２が重畳する領域の面積と比例するようになる。
【００４９】
このような第１及び第２内部電極１２１、１２２の厚さは、用途に応じて決定されることができる。
【００５０】
また、第１及び第２内部電極１２１、１２２に含まれる導電性金属は、ニッケル（Ｎｉ）、銅（Ｃｕ）、パラジウム（Ｐｄ）またはこれらの合金であることができるが、本発明はこれに限定されない。
【００５１】
このとき、誘電体層１１１の厚さは、積層セラミック電子部品の容量設計に応じて任意に変更することができる。
【００５２】
また、誘電体層１１１は、高誘電率を有するセラミック粉末、例えば、チタン酸バリウム（ＢａＴｉＯ３）系またはチタン酸ストロンチウム（ＳｒＴｉＯ３）系粉末を含むことができるが、本発明はこれに限定されない。
【００５３】
上部及び下部カバー層は、内部電極を含まないことを除いては、誘電体層１１１と同一の材質及び構成を有することができる。上部及び下部カバー層は、単一または２つ以上の誘電体層を活性層の上下面にそれぞれ上下方向に積層して形成されたものとみなすことができ、基本的に物理的または化学的ストレスによる第１及び第２内部電極１２１、１２２の損傷を防止する役割をすることができる。
【００５４】
上記第１外部電極１３０ａは、第１電極層１３１ａ及び導電性樹脂層１３２を含むことができ、上記第２外部電極１３０ｂは、第２電極層１３１ｂ及び導電性樹脂層１３２を含むことができる。
【００５５】
上記第１及び第２電極層１３１ａ、１３１ｂは、第１及び第２内部電極１２１、１２２と直接的に連結されて外部電極と内部電極との電気的導通を確保する。
【００５６】
上記第１及び第２電極層１３１ａ、１３１ｂは、導電性金属を含むことができる。上記導電性金属は、ニッケル（Ｎｉ）、銅（Ｃｕ）、パラジウム（Ｐｄ）、金（Ａｕ）またはこれらの合金であることができるが、本発明はこれに限定されない。
【００５７】
上記第１及び第２電極層１３１ａ、１３１ｂは、導電性金属を含むペーストを焼成して形成される焼成型電極であることができる。
【００５８】
上記第１及び第２電極層１３１ａ、１３１ｂ上には導電性樹脂層１３２が配置されることができる。
【００５９】
即ち、セラミック本体の外部面に第１及び第２電極層１３１ａ、１３１ｂが配置され、上記第１及び第２電極層の外側に導電性樹脂層１３２が配置されることができる。
【００６０】
本明細書では、外部電極を基準にセラミック本体１１０が存在する方向を内側、セラミック本体１１０が存在しない方向を外側と定義する。
【００６１】
図３は図２のＰ領域の拡大図であり、図４ａ及び図４ｂは本発明の一実施形態によって形成された積層セラミック電子部品の導電性樹脂層の断面を示す走査電子顕微鏡（ＳＥＭ）の写真である。図３、図４ａ及び図４ｂに示されているように、本発明の一実施形態によると、上記導電性樹脂層１３２は、第１導電体３２ａ、第２導電体３２ｂ及びベース樹脂３２ｃを含むことができる。
【００６２】
上記第１導電体３２ａは、これに限定されないが、銅（Ｃｕ）、銀（Ａｇ）、ニッケル（Ｎｉ）及びこれらの合金のうち一つ以上を含む金属粒子であることができ、球状またはフレーク状を有することができる。
【００６３】
上記第２導電体３２ｂは、カーボンナノチューブを含むことができる。
【００６４】
一方、電極層上に形成された導電性樹脂層は、外部電極の表面にめっき層を形成するとき、めっき液が積層セラミック電子部品の内部に浸透することを防止し、積層セラミック電子部品の曲げ強度を増加させる機能をすることができる。
【００６５】
しかし、導電性樹脂層がベース樹脂を含む場合、ベース樹脂が分解されたり、燃える可能性があることから、導電性樹脂層に含まれた金属を高温で焼成することは困難になる。
【００６６】
つまり、導電性樹脂層がベース樹脂を含む場合、電流の流れは内部に含まれた導電体との接触及びトンネル効果によって発生するため、電子の移動が比較的に自由な焼成型電極に比べて等価直列抵抗（ＥＳＲ）が高いという問題点がある。
【００６７】
これに対し、本発明の一実施形態によると、導電性樹脂層にカーボンナノチューブを含ませることで、従来に比べて等価直列抵抗（ＥＳＲ）が減少した積層セラミック電子部品を提供することができるようになる。
【００６８】
例えば、上記カーボンナノチューブは、上記第１導電体粒子の周りに配置されたり、第１導電体間に配置されて導電性樹脂層の伝導度を増加させる役割をすることができる。
【００６９】
一方、本発明とは異なって、導電性樹脂層の伝導性を向上させることを目的に第１導電体よりサイズが小さい第２導電体を金属粒子で形成して導電性樹脂層に含ませる場合、金属粒子の酸化性による第２導電体の粒子サイズの限界により、第２導電体をカーボンナノチューブで形成した本発明に比べて導電性樹脂層の電気伝導性の向上効果及び等価直列抵抗（ＥＳＲ）の改善効果がわずかである。
【００７０】
より具体的には、本発明とは異なって第２導電体を金属粒子で形成する場合、第２導電体の表面には金属粒子の酸化によって薄い酸化膜が生じ、第２導電体が一定水準以下のサイズに形成されると、第２導電体の内部まで全て酸化されるという問題が発生する。
【００７１】
換言すると、金属で形成された第２導電体のサイズを一定水準以下に小さくする場合、第２導電体を添加しても、第２導電体の酸化が原因で導電性樹脂層の伝導性が大きく改善せず、第２導電体の酸化を防ぐために粒子サイズを増加させると、導電体間の接触点の増加効果が小さくなるという問題がある。
【００７２】
しかし、本発明のように第２導電体をカーボンナノチューブで形成する場合、第２導電体を非常に小さいサイズにして添加できるため、導電体間の接触点を大幅に増加させることができる。即ち、カーボンナノチューブは、非常に小さい直径を有するとともに大気中で酸化されないため、第２導電体として微粒の金属粒子が適用された場合に比べて導電性樹脂層の等価直列抵抗（ＥＳＲ）の改善効果に優れる。
【００７３】
また、第２導電体をカーボンナノチューブで形成する場合、第１導電体間に配置されたカーボンナノチューブによって伝導性チャンネル（ｃｈａｎｎｅｌ）が形成され、トンネル効果が増加して等価直列抵抗（ＥＳＲ）を低減させることができる。
【００７４】
本発明の一実施形態によると、上記導電性樹脂層１３２は、第１導電体３２ａ、カーボンナノチューブ及びベース樹脂３２ｃを含むことができる。また、上記導電性樹脂層は、上記第１導電体を全体体積に対して３３〜６０ｖｏｌ％含むことができる。
【００７５】
上記第１導電体が金属粒子である場合、上記導電性樹脂層は、上記金属粒子を全体体積に対して３３〜６０ｖｏｌ％含むことができる。
【００７６】
第１導電体が３３ｖｏｌ％未満含まれる場合は、導電体間の間隔が大きくなって導電性樹脂層の抵抗が上昇する可能性があり、６０ｖｏｌ％を超過して含まれる場合は、導電性樹脂層内のベース樹脂量が減少して電極層に対する導電性樹脂層の接着力が低下するおそれがある。
【００７７】
本発明の一実施形態によると、上記導電性樹脂層１３２は、上記ベース樹脂３２ｃを３８〜６５ｖｏｌ％含むことができる。ベース樹脂が３８ｖｏｌ％未満含まれる場合は、電極層に対する導電性樹脂層の接着力が減少する可能性があり、６５ｖｏｌ％を超過して含まれる場合は、導電性樹脂層の抵抗が上昇し、導電性樹脂層上へのめっき層の形成時にめっき層が導電性樹脂層の表面に均一に形成できなくなるめっき不良が生じるおそれがある。
【００７８】
本発明の一実施形態によると、上記導電性樹脂層１３２は、上記カーボンナノチューブを０．５〜１０ｖｏｌ％含むことができる。換言すると、導電性樹脂層におけるカーボンナノチューブが占める体積は０．５〜１０％であることができる。
【００７９】
より好ましくは、上記導電性樹脂層１３２は、上記カーボンナノチューブを０．５５〜９．８８ｖｏｌ％含むことができる。
【００８０】
上記実施形態のように、導電性樹脂層１３２が上記カーボンナノチューブを０．５５〜９．８８ｖｏｌ％含む積層セラミック電子部品では、窒素及び水素雰囲気（Ｎ２ ９９ｗｔ％、Ｈ２ １ｗｔ％）において常温から９００℃まで１０℃／分の速度で昇温して熱処理（熱分解）したとき、重さが０．３３〜２．１９ｗｔ％減少する。
【００８１】
上記導電性樹脂層内にカーボンナノチューブが０．５ｖｏｌ％未満含まれる場合は、等価直列抵抗が減少する効果が大きく示されず、１０ｖｏｌ％を超過して含まれる場合は、微細粒子のカーボンナノチューブの分率が高くなって電極層と導電性樹脂層との界面で電極層と接するベース樹脂の面積が減少することにより、電極層と導電性樹脂層との接着力が弱くなるという問題が発生する可能性がある。
【００８２】
本発明の一実施形態によると、上記導電性樹脂層１３２は、上記ベース樹脂３２ｃとカーボンナノチューブを１００：１〜１００：２０の体積率で含むことができる。換言すると、上記導電性樹脂層内に含まれたベース樹脂の体積とカーボンナノチューブの体積は１００：１〜１００：２０の比率（ベース樹脂：カーボンナノチューブ）であることができる。即ち、導電性樹脂層に含まれたベース樹脂に対するカーボンナノチューブの体積比は１／１００〜１／５であることができる。
【００８３】
上記実施形態のように導電性樹脂層１３２が上記ベース樹脂３２ｃとカーボンナノチューブを１００：１〜１００：２０の体積率で含む積層セラミック電子部品を常温から９００℃まで窒素及び水素雰囲気（Ｎ２ ９９ｗｔ％、Ｈ２ １ｗｔ％）において１０℃／分の速度で昇温して熱処理（熱分解）したときの重さ減少率をＡ、上記実施形態の積層セラミック電子部品と同一比率を有する第１導電体及びベース樹脂を含む一方で第２導電体は含まない比較部品を常温から９００℃まで窒素及び水素雰囲気（Ｎ２ ９９ｗｔ％、Ｈ２ １ｗｔ％）において１０℃／分の速度で昇温して熱処理（熱分解）したときの重さ減少率をＢとするとき、Ａ／Ｂは１．４３〜９．５２であることができる。
【００８４】
導電性樹脂層におけるカーボンナノチューブがベース樹脂：カーボンナノチューブの体積比で１００：１より小さく含まれる場合、換言すると、ベース樹脂に対するカーボンナノチューブの体積比が１／１００未満である場合は、伝導性チャンネルの増加効果が小さくて等価直列抵抗（ＥＳＲ）の減少効果が殆どない。
【００８５】
また、導電性樹脂層におけるカーボンナノチューブがベース樹脂：カーボンナノチューブの体積比で１００：２０より大きく含まれる場合、換言すると、ベース樹脂に対するカーボンナノチューブの体積比が１／５を超過すると、サイズが小さいカーボンナノチューブの粒子分率が高くなってカーボンナノチューブを覆うベース樹脂の分率が上昇し、電極層と接するベース樹脂の面積減少によって電極層と導電性樹脂層との界面接合力が弱くなるため、電極層と導電性樹脂層との間で剥離不良またはテープテスト不良が発生する可能性がある。
【００８６】
テープテスト不良とは、導電性樹脂層に一定水準以上の接合力を有するテープを貼って剥がした時に導電性樹脂層が電極層から分離される場合を意味する。
【００８７】
図５は本発明の一実施形態による積層セラミック電子部品と比較形態による積層セラミック電子部品との熱処理（熱分解）結果を示すグラフである。
【００８８】
図５の熱分解と関連し、本発明の一実施形態による積層セラミック電子部品（以下、実施形態、図５には「ＣＮＴ含む」と示される）では、導電性樹脂層が第１導電体の銅粒子、ベース樹脂及びカーボンナノチューブを体積比で銅粒子：ベース樹脂：カーボンナノチューブ＝４４．５：５４．０：１．４８５の比率を有するように含み、比較形態による積層セラミック電子部品（以下、比較形態、図５には「ＣＮＴ含まず」と示される）では、他の構成は本発明の一実施形態による積層セラミック電子部品と同一であるが、導電性樹脂層がカーボンナノチューブを含まず、第１導電体の銅粒子とベース樹脂を体積比で銅粒子：ベース樹脂＝４４．５：５４．０の比率を有するように含む。
【００８９】
上記熱処理（熱分解）は、実施形態及び比較形態による積層セラミック電子部品を常温から９００℃まで窒素及び水素雰囲気（Ｎ２ ９９ｗｔ％、Ｈ２ １ｗｔ％）において１０℃／分の速度で昇温して行われた。
【００９０】
図５に示されているように、上記熱処理（熱分解）後に、実施形態による積層セラミック電子部品は重さが約０．５ｗｔ％、比較形態による積層セラミック電子部品は重さが約０．２３ｗｔ％減少したことが確認できる。
【００９１】
また、図５のように、実施形態による積層セラミック電子部品の熱処理（熱分解）挙動グラフは変曲点（Ｉ．Ｐ）を有し、上記変曲点は約４００℃で現れることが確認できる。
【００９２】
本発明の一実施形態のように、上記導電性樹脂層が上記ベース樹脂とカーボンナノチューブを１００：１〜１００：２０の体積率で含む場合は、積層セラミック電子部品の熱処理（熱分解）挙動グラフにおける変曲点は約３００〜５００℃の区間に存在することができる。
【００９３】
図６ａは本発明の一構成であるカーボンナノチューブの構造を示す模式図であり、図６ｂは本発明の一構成であるカーボンナノチューブの概略的な形状を示す概略図である。
【００９４】
図６ａに示されているように、本発明の一構成であるカーボンナノチューブ（ｃａｒｂｏｎ  ｎａｎｏｔｕｂｅ）は、炭素６個からなる六角形が連結されて管状をなす導電体を意味することができる。
【００９５】
本発明のカーボンナノチューブは柔軟性を有することができる。図６ｂにはカーボンナノチューブが直線になるように配置した形状が概略的に示されている。導電性樹脂層内における上記カーボンナノチューブは、必ず図３のように配置される必要はなく、直線状または曲線状に自由に配置されることができる。
【００９６】
また、上記カーボンナノチューブは、単一壁カーボンナノチューブ（ｓｉｎｇｌｅ−ｗａｌｌｅｄ  ｃａｒｂｏｎ  ｎａｎｏｔｕｂｅ）及び多重壁カーボンナノチューブ（ｍｕｌｔｉ−ｗａｌｌｅｄ  ｃａｒｂｏｎ  ｎａｎｏｔｕｂｅ）のうち少なくとも一つ以上を含むことができる。
【００９７】
上記ベース樹脂３２ｃは、熱硬化性樹脂であることができ、これに限定されないが、エポキシ樹脂を含むことができる。
【００９８】
上記導電性樹脂層は、電極層上に形成されて電極層及びセラミック本体内部へのめっき液の浸透を防止し、外部から加えられる物理的衝撃を吸収することで、積層セラミック電子部品を保護する役割をすることができる。
【００９９】
しかし、導電性樹脂層は、ベース樹脂を含むため、焼成型電極である電極層に比べて電気伝導度が低いという問題がある。
【０１００】
具体的には、導電性樹脂層では、ベース樹脂内に分布された導電体間の接触またはトンネル効果によって電流の流れが発生するため、樹脂の含量が増加するほど等価直列抵抗（ＥＳＲ）が上昇するという問題がある。
【０１０１】
ここで、導電性樹脂層内に含まれたベース樹脂の含量を減少させ、導電体の含量を増加させる場合、等価直列抵抗（ＥＳＲ）値を多少減らすことはできるが、外部衝撃を吸収し、めっき液の浸透を防止する機能は低下する可能性がある。
【０１０２】
これに対し、本発明によると、導電性樹脂層にカーボンナノチューブを含ませることにより、外部衝撃を吸収し、めっき液の浸透を防止するための一定水準のベース樹脂が含まれても、低い等価直列抵抗値を具現できるようになる。
【０１０３】
具体的には、カーボンナノチューブが第１導電体間に分布して第１導電体間の接触数を増加させ、電流が流れる経路を増やすことで、等価直列抵抗を顕著に減少させることができる。
【０１０４】
特に、本発明の一実施形態のようにナノサイズのカーボンナノチューブが含まれる場合、バイモーダルシステム理論によって導電性樹脂層内の粒子の充填率を向上させることができるという長所がある。
【０１０５】
また、上記カーボンナノチューブは、柔軟性を有するため、第１導電体間の接触をさらに容易に形成することができる。
【０１０６】
図６ｂのように、本発明の一実施形態による上記カーボンナノチューブの直径をＤ、長さをＬとするとき、カーボンナノチューブの直径Ｄは１ｎｍ≦Ｄ≦１００ｎｍを満たすことができる。
【０１０７】
上記カーボンナノチューブの直径Ｄが１ｎｍ未満であると、導電性樹脂層の製造時に、導電性樹脂ペーストに含まれているカーボンナノチューブが分散過程で切れて、導電体としての効果を喪失するという問題が発生する可能性がある。また、１００ｎｍを超過すると、粗大な線形の固形分の増加による導電性樹脂ペーストの充填率が低下するため、積層セラミック電子部品の信頼性が低くなるおそれがある。
【０１０８】
本発明の一実施形態によると、Ｌ／Ｄ≧１．０であることができる。上記Ｌ／Ｄが１．０未満である場合は、カーボンナノチューブによる第１導電体粒子間における電流の流れ経路を形成する役割がわずかになり、等価直列抵抗（ＥＳＲ）を改善させる効果が殆どない。
【０１０９】
より好ましくは、本発明の一実施形態によると、Ｌ／Ｄ≧２であることができる。
【０１１０】
カーボンナノチューブはナノ水準の直径を有する繊維状の伝導体であり、その長さに比べて体積が非常に小さいため、小さい体積率で添加されても、第１導電体粒子間の電流の流れ経路（伝導性チャンネル）を増加させて等価直列抵抗（ＥＳＲ）を減少させることができる。
【０１１１】
また、第１導電体と直接接していなくても、第１導電体間に配置されて電子がトンネル効果によって移動経路を増加させることができるため、等価直列抵抗（ＥＳＲ）を効率的に減少させることができる。
【０１１２】
なお、カーボンナノチューブは、柔軟性を有するため、球状及びフレーク状の第１導電体間で効率的に配置されることができる。
【０１１３】
上記導電性樹脂層上にはめっき層（図示せず）が形成されることができる。上記めっき層は、ニッケルめっき層及びすずめっき層を含むことができ、導電性樹脂層上にはニッケルめっき層が配置され、上記ニッケルめっき層上にはすずめっき層が配置されることができる。
【０１１４】
但し、導電性樹脂層上にめっき層が形成される場合であっても、上述した熱処理（熱分解）挙動は、めっき層を研磨やエッチングなどによって除去してから評価されねばならない。
【０１１５】
本発明の導電性樹脂層は、第１導電体及びカーボンナノチューブを含むことにより、衝撃を吸収し、めっき液の浸透を防止する特性を維持しながらも、等価直列抵抗（ＥＳＲ）が低い積層セラミックを提供することができる。
【０１１６】
積層セラミック電子部品の製造方法
【０１１７】
図７は本発明の他の実施形態による積層セラミック電子部品の製造方法を示す製造工程図である。
【０１１８】
図７を参照すると、本実施形態による積層セラミック電子部品の製造方法は、誘電体層及び内部電極を含むセラミック本体を形成する段階Ｓ１と、上記内部電極と連結されるように電極層を形成する段階Ｓ２と、上記電極層上に第１導電体、カーボンナノチューブ及びベース樹脂を含む導電性ペーストを塗布する段階Ｓ３と、上記導電性ペーストを硬化して導電性樹脂層を形成する段階Ｓ４と、を含むことができる。
【０１１９】
以下では、本発明の一実施形態による積層セラミック電子部品の製造方法について説明するが、本発明はこれに制限されない。
【０１２０】
本発明の一実施形態による積層セラミック電子部品の製造方法は、まず、チタン酸バリウム（ＢａＴｉＯ３）などの粉末を含んで形成されたスラリーをキャリアフィルム（ｃａｒｒｉｅｒ  ｆｉｌｍ）上に塗布及び乾燥して複数枚のセラミックグリーンシートを設ける。これにより、誘電体層及びカバー層を形成することができる。
【０１２１】
上記セラミックグリーンシートは、セラミック粉末、バインダー及び溶剤を混合してスラリーを製造し、上記スラリーをドクターブレード法で設計した厚さを有するシート（ｓｈｅｅｔ）状に製作することができる。
【０１２２】
次に、金属粉末を含む内部電極用伝導性ペーストを設けることができる。
【０１２３】
続いて、上記グリーンシート上に上記内部電極用導電性ペーストをスクリーン印刷工法で塗布して内部電極を形成した後、内部電極が印刷されたグリーンシートを複数層積層し、積層体の上下面に内部電極が印刷されていないグリーンシートを複数積層してから焼成することでセラミック本体１１０を製作することができる。上記セラミック本体は、内部電極１２１、１２２、誘電体層１１１及びカバー層を含む。ここで、上記誘電体層は、内部電極が印刷されたグリーンシートが焼成されて形成されたもので、上記カバー層は、内部電極が印刷されていないグリーンシートが焼成されて形成されたものである。
【０１２４】
上記内部電極は、第１及び第２内部電極１２１、１２２で形成されることができる。
【０１２５】
また、上記内部電極と電気的に連結されるように電極層が形成されることができる。
【０１２６】
具体的には、上記第１及び第２内部電極１２１、１２２とそれぞれ電気的に連結されるようにセラミック本体の外部面に第１及び第２電極層１３１ａ、１３１ｂが形成されることができる。上記第１及び第２電極層は、導電性金属及びガラスを含むペーストの焼成によって形成されることができる。
【０１２７】
上記導電性金属は、特に制限されないが、例えば、銅（Ｃｕ）、銀（Ａｇ）、ニッケル（Ｎｉ）及びこれらの合金からなる群より選択される一つ以上であることができる。また、上記の通り、銅（Ｃｕ）を含むことが好ましい。
【０１２８】
上記ガラスとしては、特に制限されないが、積層セラミック電子部品の外部電極の製作に一般的に使用されるガラスと同一組成を有する物質が用いられることができる。
【０１２９】
上記第１及び第２電極層の外側に第１導電体、カーボンナノチューブ及びベース樹脂を含む導電性ペーストを塗布することができる。上記第１導電性粉末は、球状またはフレーク状であることができ、これに制限されないが、銅、銀、ニッケル及びこれらの合金のうち少なくとも一つ以上を含むことができる。
【０１３０】
上記ベース樹脂は、熱硬化性樹脂であるエポキシ樹脂であることができる。
【０１３１】
その後、上記導電性ペーストを熱硬化して導電性樹脂層を形成することができる。
【０１３２】
次に、導電性樹脂層上にめっき層を形成することができる。
【０１３３】
ここで、積層セラミック電子部品の製造方法に関する説明のうち上述した本発明の一実施形態による積層セラミック電子部品と重複される説明は省略する。
【０１３４】
積層セラミック電子部品の実装基板
【０１３５】
図８は本発明のさらに他の実施形態による積層セラミック電子部品の実装基板を示す斜視図であり、図９は図８のＢ−Ｂ’線に沿った断面図である。
【０１３６】
図８及び図９を参照すると、本実施形態による積層セラミック電子部品が実装された基板２００は、上部に第１及び第２電極パッド２２１、２２２を有する印刷回路基板２１０と、上記印刷回路基板上に設置された積層セラミック電子部品１００と、を含み、上記積層セラミック電子部品は、誘電体層１１１及び内部電極１２１、１２２を含むセラミック本体１１０、上記内部電極と連結される電極層１３１ａ、１３１ｂ、及び上記電極層上に形成され、第１導電体、カーボンナノチューブを含む第２導電体及びベース樹脂を含む導電性樹脂層１３２を含み、常温から９００℃まで１０℃／分の速度で昇温して熱処理したとき、重さが０．３３％〜２．１９％減少する。
【０１３７】
本実施形態による積層セラミック電子部品は、その表面に形成されためっき層１４０をさらに含むことができる。上記めっき層は、実装時にはんだとの接合力を向上させて積層セラミック電子部品の実装力を向上させることができる。
【０１３８】
上記めっき層１４０は、導電性樹脂層１３２上に形成されることができる。また、上記積層セラミック電子部品の熱処理（熱分解）は、上記めっき層を研磨やエッチングなどの方法で除去してから行われることができる。
【０１３９】
ここで、積層セラミック電子部品の実装基板に関する説明のうち上述した本発明の一実施形態による積層セラミック電子部品と重複される説明は省略する。
【０１４０】
実験例
【０１４１】
下記表１は、積層セラミック電子部品の導電性樹脂層に含まれたカーボンナノチューブの体積比による等価直列抵抗、接着力不良率を評価し、熱処理（熱分解）結果を示したデータである。
【０１４２】
本実験例による積層セラミック電子部品の製作過程について説明すると、まず、チタン酸バリウム（ＢａＴｉＯ３）などの粉末を含んで形成されたスラリーをキャリアフィルム（ｃａｒｒｉｅｒ  ｆｉｌｍ）上に塗布及び乾燥して複数枚のセラミックグリーンシートを製作した。これにより、誘電体層及びカバー層を形成することができる。
【０１４３】
次に、ニッケル粉末を含む内部電極用導電性ペーストを製造した。上記グリーンシート上に上記内部電極用導電性ペーストをスクリーン印刷工法で塗布して内部電極を形成した後、１００層以上積層して積層体を複数個製作した。
【０１４４】
その後、上記内部電極が相対する端面に交互に露出するように積層体を圧着、切断してから焼成して長さ×幅×厚さが約１．６ｍｍ×０．８ｍｍ×０．８ｍｍの六面体状のセラミック本体を形成して研磨した後、内部電極と連結されるようにセラミック本体の端面に焼成型電極層を形成した。
【０１４５】
上記焼成型電極層は、銅粉末及びガラスを含むペーストを焼成して形成された。
【０１４６】
続いて、上記電極層上に下記表１に記載されている含量（体積基準）で第１導電体の銅粉末、ベース樹脂のエポキシ樹脂及びカーボンナノチューブを含む導電性樹脂層を形成し、導電性樹脂層上にめっき層を形成してから導電性樹脂層内におけるカーボンナノチューブの体積比による等価直列抵抗及び接着力不良率を評価した。
【０１４７】
下記表１の実験例において、第１導電体として１〜２μｍの銅粒子、ベース樹脂としてエポキシ樹脂を用いた。また、上記導電性樹脂層は、３０μｍの厚さを有するように形成した。
【０１４８】
表１の実験例において、導電性樹脂層は、第１導電体とベース樹脂を４４．５：５４．０の体積率で含むようにした。
【０１４９】
上記等価直列抵抗はＥＳＲ測定設備を用いて評価しており、接着力不良率は導電性樹脂層に接着力が約１６００ｇｆのテープを着脱して導電性樹脂層が電極層から分離される比率を調べる方法で行われた。具体的には、導電性樹脂層に接着力が約１６００ｇｆのテープを着脱したときに導電性樹脂層が電極層から分離される場合を不良、分離されない場合を良好と評価した。
【０１５０】
熱処理（熱分解）結果は、表１の積層セラミック電子部品を常温から９００℃まで窒素及び水素雰囲気（Ｎ２ ９９ｗｔ％、Ｈ２ １ｗｔ％）において１０℃／分の速度で昇温した後、積層セラミック電子部品の重さ減少率を測定して行われた。但し、正確な熱処理（熱分解）結果を得るために、導電性樹脂層にめっき層が形成されている場合、これを除去してから重さ減少率を測定した。
【０１５１】
【表１】
2015128130.tif 000003
【０１５２】
上記表１を参照すると、導電性樹脂層内のカーボンナノチューブの体積比が０．５ｖｏｌ％未満である場合は、等価直列抵抗の低減効果がわずかであるが、０．５ｖｏｌ％以上含まれる場合は、等価直列抵抗が大きく減少する効果があることが確認できた。
【０１５３】
また、導電性樹脂層内のカーボンナノチューブの体積比が１０ｖｏｌ％を超過すると、電極層に対する導電性樹脂層の接着力が減少するため接着力不良率が高くなることが確認できた。
【０１５４】
したがって、カーボンナノチューブは、上記導電性樹脂層内において０．５〜１０ｖｏｌ％含まれることが好ましい。
【０１５５】
また、上記導電性樹脂層は、カーボンナノチューブを０．５５〜９．８８ｖｏｌ％含むことがより好ましく、０．５５〜９．４３ｖｏｌ％含むことがさらに好ましい。
【０１５６】
下記表２は積層セラミック電子部品の導電性樹脂層に含まれたベース樹脂とカーボンナノチューブの体積比による等価直列抵抗（ＥＳＲ）、導電性樹脂層の接着力特性を評価し、熱処理（熱分解）結果を示したデータである。
【０１５７】
下記表２の積層セラミック電子部品は、上記表１の実験例に用いられた積層セラミック電子部品と同一方法で形成された。また、下記表２の実験例における導電性樹脂層は、第１導電体とベース樹脂を４４．５：５４．０の体積率で含むようにした。
【０１５８】
なお、下記表２の等価直列抵抗及び接着力不良率は、上記表１と同一方法で測定された。
【０１５９】
下記表２の熱分解結果は、カーボンナノチューブが添加されなかった実験例のサンプル１３を基準に、サンプル１３に対する残りのサンプル１４から２４の熱処理後の重さ減少率の比で示した。
【０１６０】
換言すると、サンプル１３の熱処理後の重さ減少率をＡ’、サンプル１４から２４の熱処理後の重さ減少率をＢ’とするとき、Ｂ’／Ａ’を評価した。
【０１６１】
【表２】
2015128130.tif 000004
【０１６２】
上記表２を参照すると、導電性樹脂層内のベース樹脂に対するカーボンナノチューブの体積比が１００：１未満である場合は等価直列抵抗の低減効果がわずかであるが、１００：１以上含まれる場合は等価直列抵抗が大きく減少する効果があることが確認できた。
【０１６３】
また、導電性樹脂層内のベース樹脂に対するカーボンナノチューブの体積比が１００：２０を超過すると、電極層に対する導電性樹脂層の接着力が減少して接着力不良率が高くなることが確認できた。
【０１６４】
したがって、上記導電性樹脂層内におけるベース樹脂：カーボンナノチューブの体積比は１００：１〜１００：２０を満たすことが好ましい。
【０１６５】
下記表３は積層セラミック電子部品の導電性樹脂層に含まれた第２導電体の直径に対する長さの比（Ｌ／Ｄ）の変化による等価直列抵抗（ＥＳＲ）の変化を示したものである。下記表３の実験例は、上記表１と同一の材料、方法及びサイズに形成しており、導電性樹脂層内に含まれた第１導電体：ベース樹脂：カーボンナノチューブの体積比が４３．９７：５０．８３：５．２０になるようにして評価した。
【０１６６】
【表３】
2015128130.tif 000005
【０１６７】
上記表３に示されているように、Ｌ／Ｄが１未満である場合は等価直列抵抗が７０ｍΩ以上であるが、Ｌ／Ｄが１以上である場合は等価直列抵抗が５０ｍΩ未満と大きく減少することが分かる。
【０１６８】
また、Ｌ／Ｄが２以上である場合、等価直列抵抗がさらに大きく減少する傾向を示す。
【０１６９】
以上、本発明の実施形態について詳細に説明したが、本発明の権利範囲はこれに限定されず、特許請求の範囲に記載された本発明の技術的思想から外れない範囲内で多様な修正及び変形が可能であるということは、当技術分野の通常の知識を有するものには明らかである。
【符号の説明】
【０１７０】
１００  積層セラミック電子部品
１１０  セラミック本体
１１１  誘電体層
１２１、１２２  内部電極
１３０ａ、１３０ｂ  外部電極
１４０  めっき層
２００  積層セラミック電子部品の実装基板
２１０  印刷回路基板
２２１、２２２  第１及び第２電極パッド
２３０  はんだ
【図１】
2015128130.tif 000006
【図２】
2015128130.tif 000007
【図３】
2015128130.tif 000008
【図４ａ】
2015128130.tif 000009
【図４ｂ】
2015128130.tif 000010
【図５】
2015128130.tif 000011
【図６ａ】
2015128130.tif 000012
【図６ｂ】
2015128130.tif 000013
【図７】
2015128130.tif 000014
【図８】
2015128130.tif 000015
【図９】
2015128130.tif 000016