(57)【要約】【課題】樹脂充填時間および離型力を低減させつつ、パターン押印時に均一かつ十分な押印力を確保するのに有効なモールド等を提供する。【解決手段】凹凸パターンを有し、凹凸パターンと基板上のインプリント材とを接触させることにより、インプリント材を成形するモールドであって、凹凸パターンが形成された第１の領域と、凹凸パターンの凹部の底面と凸部の端面との間の位置にモールドの表面を有する第２の領域と、を備える。【選択図】図３
2015204399.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
凹凸パターンを有し、前記凹凸パターンと基板上のインプリント材とを接触させることにより、前記インプリント材を成形するモールドであって、
前記凹凸パターンが形成された第１の領域と、
前記凹凸パターンの凹部の底面と凸部の端面との間の位置に前記モールドの表面を有する第２の領域と、
を備えることを特徴とするモールド。
【請求項２】
前記第１の領域に形成された前記凹凸パターンの凸部の端面と、前記第２の領域の前記モールドの表面に前記インプリント材が接触することを特徴とする、請求項１に記載のモールド。
【請求項３】
前記第１の領域における前記凸部のパターン面積は、前記第１の領域及び前記第２の領域の合計面積に対して３％以下であることを特徴とする、請求項１または２に記載のモールド。
【請求項４】
前記第２の領域には、凹凸パターンが形成されないことを特徴とする、請求項１ないし３のいずれか１項に記載のモールド。
【請求項５】
前記第２の領域に、前記基板との位置合わせに用いるアライメントマークが形成されていることを特徴とする、請求項１ないし３のいずれか１項に記載のモールド。
【請求項６】
前記第１の領域の周囲のモールドの表面に、前記インプリント材を硬化させるための光を遮る遮光膜が形成され、前記第２の領域には前記遮光膜が形成されないことを特徴とする、請求項１ないし５のいずれか１項に記載のモールド。
【請求項７】
基板上のインプリント材をモールドで成形し、基板上に前記インプリント材のパターンを形成するインプリント方法であって、
前記モールドは、
凹凸パターンが形成された第１の領域と、
前記凹凸パターンの凹部の底面と凸部の端面との間の位置に前記モールドの表面を有する第２の領域と、を備え、
前記インプリント材と前記第２の領域のモールドの表面とが接触するまで前記モールドと前記基板とを近づけることを特徴とするインプリント方法。
【請求項８】
前記第２の領域のモールドの表面に前記インプリント材が接触した後に、前記インプリント材を硬化させることを特徴とする、請求項７に記載のインプリント方法。
【請求項９】
基板上のインプリント材をモールドで成形し、基板上に前記インプリント材のパターンを形成するインプリント装置であって、
前記モールドは、
凹凸パターンが形成された第１の領域と、
前記凹凸パターンの凹部の底面と凸部の端面との間の位置に前記モールドの表面を有する第２の領域と、を備えることを特徴とするインプリント装置。
【請求項１０】
請求項７に記載のインプリント方法を用いて基板上にインプリント材のパターンを形成する工程と、
前記工程で前記パターンを形成された基板を加工する工程と、
を含むことを特徴とする物品の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、モールド、インプリント装置、インプリント方法、および物品の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
磁気記憶媒体や半導体デバイス、ＭＥＭＳなどの微細化の要求が進み、従来のフォトリソグラフィー技術に加え、基板（ウエハ）上に供給された未硬化の樹脂（レジスト）、例えば紫外線硬化樹脂などの光硬化性樹脂をモールド（型、マスク）で成形し、基板上にパターンを形成する微細加工技術が注目を集めている。この技術はインプリント技術とも呼ばれ、基板上に数ナノメートルオーダーの微細な構造体を形成することができる。例えば、インプリント技術の１つとして光硬化法がある。この光硬化法を採用したインプリント装置では、まず、基板上のパターン形成領域に未硬化の樹脂を供給する。次に、基板上の樹脂とパターンが形成された型とを接触させる（押印する）。そして、樹脂と型とを接触させた状態で光を照射して樹脂を硬化させる。基板と型との間隔を広げる（硬化した樹脂から型を引き剥がす）ことにより、樹脂のパターンが基板上に形成される。
【０００３】
このようなインプリント装置として、半導体デバイス等の量産向け装置を前提としたジェット・アンド・フラッシュ方式インプリントリソグラフィ（以下「ＪＦＩＬ」と称する）を応用した装置が知られている。特許文献１では、このＪＦＩＬ方式によるインプリント方法について開示している。具体的には、紫外線硬化樹脂をインクジェットノズルなどの塗布機構でパターン形成領域ごとに塗布し、その後デバイスパターンが描画されたモールドを押印する。紫外線硬化樹脂がモールド上のパターン内に十分浸透したところで紫外線を照射して紫外線感光樹脂を硬化させ、モールドを引き離して離型する。ＪＦＩＬ方式のインプリント動作は１回の押印するショットの面積が限られているため、光露光装置のようにステップ・アンド・リピート形式で行われる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２０１０−１２３９８５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
ところで、近年、半導体メモリー集積度やコストを向上させるためＢｉＣＳ（Ｂｉｔ  Ｃｏｓｔ  Ｓｃａｌａｂｌｅ）およびＴＣＡＴ（Ｔｅｒａｂｉｔ  Ｃｅｌｌ  Ａｒｒａｙ  Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）に代表される３Ｄ構造のメモリーデバイスの量産化が検討されている。これらのデバイス構造に必要とされるコンタクトホールなどは、あまり小さくできず、密集できないため、積層数を大幅に増やして高集積化する必要がある。
【０００６】
しかしながら、積層数を増やすと、ホールの直径に対する深さの比（アスペクト比）が上昇するため加工が難しくなる。しかも、パターンが形成された領域の面積が小さいため、押印力が小さくなる。量産化のためには樹脂の充填時間および離型力を減少させる必要がある。それと同時に残膜（ＲＬＴ：Ｒｅｓｉｄｕａｌ  Ｌａｙｅｒ  Ｔｈｉｃｋｎｅｓｓ）のむらを抑制し、エッチング後のホール径のばらつきを改善するためには、パターン押印時に均一かつ十分な押印力を確保する必要もある。上述したような従来の技術ではこのようなコンタクトホールなどを形成する際のニーズに対応しきれない。具体的には、押印力を確保できたとしても、従来のＪＦＩＬ方式では離型力が大きくかかってしまう。
【０００７】
本発明は、このような状況を鑑みてなされたものであり、例えば、樹脂充填時間および離型力を低減させつつ、パターン押印時に均一かつ十分な押印力を確保するのに有効なモールド等を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
上記課題を解決するために、本発明は、凹凸パターンを有し、凹凸パターンと基板上のインプリント材とを接触させることにより、インプリント材を成形するモールドであって、凹凸パターンが形成された第１の領域と、凹凸パターンの凹部の底面と凸部の端面との間の位置にモールドの表面を有する第２の領域と、を備えることを特徴とする。
【発明の効果】
【０００９】
本発明によれば、例えば、樹脂充填時間および離型力を低減させつつ、パターン押印時に均一かつ十分な押印力を確保するのに有効なモールド等を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１０】
【図１】本発明の一実施形態に係るインプリント装置の構成を示す図である。
【図２】一実施形態に係るモールドのパターンレイアウトの具体例を示す図である。
【図３】図２に示すモールドのＡ−Ａ’における断面図である。
【図４】一実施形態におけるインプリント方法を示す図である。
【図５】一実施形態に係るモールドを樹脂に押印した際の断面図である。
【図６】一実施形態におけるインプリントヘッドの駆動シーケンスを示す図である。
【図７】一実施形態に係るモールドにパーティクルを挟み込んだ場合を示す図である。
【図８】図７におけるインプリントヘッドの駆動シーケンスを示す図である。
【図９】その他の実施形態の押印時の基板とモールドの状態を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００１１】
以下、本発明を実施するための形態について図面などを参照して説明する。
【００１２】
まず、本発明の一実施形態に係るモールドを適用可能なインプリント装置について説明する。図１は、本発明の一実施形態に係るモールドを適用したインプリント装置の構成を示す図である。インプリント装置は、モールド１、基板２、本体定盤１０１、基板ステージ１０２、インプリントヘッド１０３、反射ミラー１０４、アライメント照明系１０５、および紫外線光源１０６を備える。インプリントヘッド１０３は、モールド１を基板２に対して近づける（Ｚ軸）方向およびモールド１を基板２に対して傾ける方向（ωｘ（Ｘ軸回りの回転），ωｙ（Ｙ軸回りの回転））に駆動可能であり、モールド１を保持する。紫外線光源１０６は、樹脂（紫外線硬化樹脂、インプリント材）を硬化させるための紫外線を水平方向に照射し、反射ミラー１０４は、照射された光を基板に向かって鉛直方向に反射させる。ここで、反射ミラー１０４は、露光光の波長帯域に対しては反射するが、露光光より波長の長いアライメント計測光の波長帯域に対しては透過させる特性を有する。アライメント照明系１０５は、モールド１および基板２に形成されたアライメントマークを用いてモールド１と基板２との相対位置のずれの誤差を計測する。さらに、その結果を基板ステージ１０２の制御位置に反映し、モールドと基板との相対位置のずれがなくなるように移動させる。基板ステージ１０２は、基板を不図示の基板チャックに吸着保持し、モールド１のパターン転写領域が予め決められた基板２上の領域に位置するように基板２を移動させる。これら基板ステージ１０２、インプリントヘッド１０３、反射ミラー１０４、およびアライメント照明系１０５は、本体定盤１０１上に固定保持されている。
【００１３】
次に、図２、図３を参照して、本実施形態に係るモールドの構成について説明する。図２は、本実施形態に係るモールド１のパターンレイアウトの一例を示す図である。図３は、図２のモールド１のＡ−Ａ’における断面図である。本実施形態に係るモールド１は、パターン面を有し、パターン面の一部には基板に転写する凹凸のパターンが形成されたメサ２０１と呼ばれる領域を有する。メサ２０１は、１回のインプリントによってモールドに形成されたパターンが基板上に転写される領域である。メサ２０１は、その周囲のショット以外の領域に対して数十μｍ基板側に凸になる高さになるよう形成されている。本実施形態のモールド１においては、図２、図３に示すように、メサ２０１領域内に、凹凸を有するパターン領域（第１の領域）Ｓ１の他に、その凹部の底面と凸部の端面の間の高さを有するブランク領域（第２の領域）Ｓ２が設けられている。ブランク領域Ｓ２は、周辺回路部分など本モールドでパターンを転写することのない領域である。このため、ブランク領域Ｓ２には凹凸パターンが形成されていないため、平坦面にすることができる。このようなブランク領域Ｓ２を設けることで、モールド１の押印時に、凸部が陥入してもブランク領域Ｓ２で止まり、凹部の底部までは陥入しない。これにより、樹脂充填時間および離型力を低減することができる。しかもブランク領域Ｓ２を設けることで、メサ領域の大きさに対して少ない数のコンタクトホールを形成する場合などパターンの密度（メサ全体に対する凸部の密度）や押印面積（凸部の面積）が小さくても、モールド１の押印時にブランク領域Ｓ２を十分に押し当てることができる。このため、モールドと基板との間の毛管力を働かせることができ、均一かつ十分な押印力を作用させることができる。
【００１４】
ここで、パターン領域Ｓ１に配置するパターンの具体例をより詳細に説明する。ここでは、パターン密度が小さい場合の具体例として、図２に示すように、コンタクトホールを形成する場合についての例を挙げる。このようなコンタクトホールパターンは、メサ領域（ショット領域）全体の面積と比較して凸部の押印パターンの面積がきわめて小さい。このようにパターン密度が小さいほど、パターン密度が大きい場合に比して、モールド１の押印時にモールド１と基板との間の毛管力を働かせることが難しい。例えば、パターン領域における凸部のパターン面積（先端面の面積）は、パターン領域およびブランク領域の合計面積に対して３％以下では、モールドと基板との間の毛管力も非常に小さい。このような場合に、本実施形態に係るモールド１を適用すれば、パターン領域Ｓ１だけでなく、ブランク領域Ｓ２を十分に押し当てることができる。このため、パターン領域で不足する毛管力をブランク領域の毛管力によって補うことができ、効果は非常に大きい。
【００１５】
モールド１は、図３に示すようにメサ２０１領域以外のモールド領域（例えば基板側の面）とメサ側面とにクロム膜３０１が形成されている。クロム膜３０１は、パターン転写時にモールドのパターン形成面の反対側から紫外線を照射して基板を露光する際に、対象ショット領域以外の場所（画角外）に塗布された樹脂が硬化しないように遮光するためのものである。なお、ブランク領域にはクロム膜は形成されない。また、紫外線を遮るための遮光膜はクロム膜３０１に限られず、他の物質の膜が形成されていても良い。
【００１６】
図３に示すＳ２ａ〜Ｓ２ｃは、図２で説明したブランク領域面であり、モールド１のメサ２０１領域外からの高さがｈ１になるように形成されている。図３に示すＳ１ａ、Ｓ１ｂはそれぞれ、パターン領域における凸部の端面（先端面）、凹部の底面であり、モールド１のメサ２０１領域外からの高さがｈ２、ｈ３になるように形成されている。ここで、ブランク領域Ｓ２の高さｈ１は、凹部の底面の高さｈ３と凸部の端面（先端面）の高さｈ２との間の高さである。なお、このブランク領域Ｓ２の高さｈ１は、パターン密度やモールドや基板の厚みなどに応じて決定することが好ましい。また、このブランク領域Ｓ２の高さｈ２としてメサ２０１領域外からの高さを用いたが、これに限られるものではない。例えば、パターン領域における凸部の端面や基板からの高さを用いてもよい。
【００１７】
なお、本実施形態ではモールドに形成されたパターンがコンタクトホールパターンとしているが、これに限られるものではない。基板に塗布された樹脂に対する押印面積がショット領域に対して少ない場合には、モールドに形成されたパターンがラインアンドスペースのようなパターンでもよい。例えばショット領域に対してパターン領域が３％を超えず、９７％以上がブランク領域であるようなケースを考える。ブランク領域Ｓ２は、パターン領域Ｓ１の周囲に小刻みに分割するように配置することが押印力を均一化する上で望ましい。パターン領域Ｓ１内のパターン密度やモールドや基板の厚み（かたさ）は、調整可能である。また、ブランク領域Ｓ２は、モールドと基板に塗布された樹脂との間に働く毛管力を得る目的で配置されたものである。このため、基板との位置合わせに用いるアライメントマークなどのパターンをブランク領域Ｓ２に配置してもよい。
【００１８】
次に、図４、図５を参照して、上述したインプリント装置およびモールドを使用したインプリント方法について説明する。図４は、一実施形態におけるインプリント方法を示す図である。モールド１には基板レイヤー間の穴を形成するためのホールパターン４０１が形成されている。なお、基板レイヤー間の穴は、貫通していてもよく、貫通していなくてもよい。本実施形態におけるインプリント方法では、図４（ａ）に示すように基板２にはスピンコーター等で予め樹脂３が塗布されている（手順１）。塗布された未硬化の樹脂３は、数十ｎｍの厚さが一般的である。図４（ｂ）に示すように、モールド１を基板２上の樹脂３と接触させ、ホールパターン４０１と樹脂３を接触させた状態でモールドのパターン面と反対側の面から紫外線を照射し、樹脂３を硬化させる（手順２）。樹脂３を硬化させた後、図４（ｃ）に示すように、モールド１と基板２との間隔を広げることにより、硬化した樹脂３からモールド１を離型（手順３）することができる。
【００１９】
さらに、上述した手順２の際のモールド１および樹脂３の状態についてより詳細に説明する。図５は、モールド１を樹脂３に押印した際の状態を示す断面図である。本実施形態におけるモールド１によれば、ショットサイズを反映して周辺部よりも数十μｍ隆起したメサ領域には、高さｈ２のパターン領域、およびパターン領域よりも低い（モールドが薄い方向）高さでｈ１のブランク領域が配置されている。このため、樹脂３と接触するホールパターン４０１はパターンの凸部の先端部（ｈ２−ｈ１）のみである。一方、予め基板にスピンコートされた樹脂３の膜厚は、上述したモールドの領域の高低差（ｈ２−ｈ１）と概ね一致するようにしておくことで、基板上の樹脂３に所望の貫通穴をインプリントすることができる。樹脂３は予めスピンコーターで基板に塗布された数十ｎｍレベルのレイヤーであり、その下の不図示の（基板２内の）プロセスレイヤーは、化学的に平面化加工が行われている。インプリントの際にモールド１を基板２に向けて近づけると、僅かな力で一部のパターン領域Ｓ１のパターンの凸部が樹脂３内に陥入する。ブランク領域Ｓ２の一部が基板２上の樹脂３に接触すると、ブランク領域Ｓ２と樹脂間に吸引力が発生し、ブランク領域Ｓ２全面と樹脂３との吸着が達成される。
【００２０】
このように本実施形態に係るモールド１は、凹凸状のパターンを有するパターン領域Ｓ１の他に、パターンの凹部の底面と凸部の端面の間の高さを有するブランク領域Ｓ２を設けることで、パターン領域Ｓ１における凸部の先端部（ｈ２−ｈ１）が樹脂と接触する。そして、凹部の底面までは樹脂が充填されない。これにより、樹脂充填時間および離型力を低減させつつ、パターン押印時に均一かつ十分な押印力を確保することができる。
【００２１】
仮に、本実施形態に係るモールド１のようなブランク領域Ｓ２を設けない場合は、毛管力をモールドと基板の間に十分に働かせることができず、均一かつ十分な押印力を確保することができない可能性がある。このとき、基板のローカルな起伏や、インプリントヘッド側で制御するモールド側の押印力の不均衡があった場合に、ショット内の局所毎における残膜（ＲＬＴ）にむらが発生し、コンタクトホール径のばらつきが発生する可能性がある。ホールパターン形成のために安定した残膜（ＲＬＴ）均一性を維持させるためには、コンタクトホールの押印力を均一化させる必要がある。そして、押印時のモールド表面の形状とインプリント対象となる領域の基板表面の形状（Ｚ軸・（ωｘ，ωｙ）方向）を相互に倣わせる必要がある。これに対して、本発明によれば、パターン領域Ｓ１だけでは不足する毛管力を、ブランク領域Ｓ２で補うことができる。すなわち、本実施形態に係るモールド１では、ブランク領域Ｓ２をモールド１のメサ内に形成し、ブランク領域Ｓ２に働くモールド１と基板２の間の毛管力を使ってパターン領域Ｓ１に均一な押印力をかけることが可能となる。
【００２２】
なお、本実施形態ではモールドのパターンレイアウトをショット毎逐次インプリントに適した形状としたが、図２に示したメサ２０１領域は、実質複数ショット分、基板周辺部を含む一部、もしくは基板全面を含むインプリントに際しても応用が可能である。すなわち、モールド１の離型時にＪＦＩＬ方式であればショットの全領域に樹脂が充填しているのに対してパターン領域における凹部の底面Ｓ１ｂまでは樹脂が充填していない。このため、離型力を大きくせずに離型が可能であり、大画面インプリントに対しても本方法は親和性がよい。したがって、本発明を基板への一括インプリントを行う方式を用いたインプリント装置のモールドに適用してもよい。このようにインプリント装置は、基板上の複数ショット領域に順次インプリントによりパターンを転写するだけでなく、一括でインプリントによりパターンの転写を行うこともできる。
【００２３】
次に、このような本実施形態に係るモールドを用いたインプリント方法の詳細について説明する。図６は、一実施形態に係るインプリント装置のインプリントヘッド１０３のショット毎の駆動シーケンスを示す図である。図６の横軸は時間を示し、横軸はモールド１のパターン面と基板２の表面との間隔（基板２に対するモールド１の高さ）を示している。インプリントヘッド１０３に保持されたモールド１のパターン面の位置は、インプリント前までは基板２との接触を避けるために基板２の樹脂塗布面に対して十分高い位置であるＵｐｐｌａｎｅ位置に位置決めされる。この状態において基板ステージ１０２は、長ストローク移動が可能であり、隣接ショットへのステップ駆動などはこのモールド１の高さ（例えば、基板表面からモールド１のパターン面まで約１００〜２００μｍ）において行われる（ｔ１）。インプリント対象ショットへのステップ駆動が完了するとインプリントヘッド１０３は、基板２に向かって下降する。インプリントヘッド１０３は、アライメント照明系１０５が基板２とモールド１の相対位置のずれを計測可能な高さ（Ｐｒｏｘ  ａｌｉｇｎ、例えば１０〜３０μｍ）に位置決めされる（ｔ１〜ｔ２）。ダイバイダイアライメントやグローバルアライメント等の方法によりアライメント計測が行われ、その計測値に基づいた補正駆動が終了する（ｔ２〜ｔ３）。その後、モールド１は、さらにモールド１のブランク領域面Ｓ２ａ〜Ｓ２ｃと基板２に塗布された樹脂３の表面とが接触する高さ（Ｚｍ＝Ｚｗ）まで下降する。この過程で、モールド１のパターン領域Ｓ１の凸部端面Ｓ１ａと基板２上の樹脂３の表面とが接触し、パターン領域Ｓ１の凹部の一部に樹脂３が充填する。また、モールド１と基板２が平行な関係でなかった場合は、下降過程でブランク領域面Ｓ２ａ〜Ｓ２ｃと樹脂３の表面とが片当たりした状態から平行化していく（ｔ３〜ｔ４）。ｔ５において、モールド１のブランク領域面Ｓ２ａ〜Ｓ２ｃと基板２の樹脂３表面とが一致する。しかし、樹脂３は流体であるためそのまま接触させた状態を維持させていると樹脂３がブランク領域面Ｓ２ａ〜Ｓ２ｃの直下から、パターン領域Ｓ１に向けて流れ始める（ｔ５〜ｔ６）。このため、インプリント時間Ｔｉには最適な押印継続時間の管理が必要である。押印継続時間は、少なくとも樹脂３の粘性、モールド・基板のヤング率、残膜（ＲＬＴ）むら許容値および、パターン領域／ブランク領域のメサ領域の比率に基づいて決定される。ｔ６〜ｔ７は露光時間であり、樹脂の感度に応じた紫外線を紫外線光源１０６より照射し、パターン領域Ｓ１と樹脂３とが接触した状態で樹脂を硬化させ、パターン形状に成形する。紫外線照射が完了すると（ｔ７）、インプリントヘッド１０３をＵｐｐｌａｎｅ位置まで引き離し、基板２からモールド１を離型させる（ｔ７〜ｔ８）。
【００２４】
また、上述した方法において、モールドと基板の間にパーティクルが存在した場合のインプリント装置の動作について図７、８を参照して説明する。図７は、一実施形態に係るインプリント装置において、モールド１と基板２の間にパーティクル（７０１，７０２）を挟み込んだ場合を示す図である。ブランク領域Ｓ２にパーティクル７０２がある場合は、インプリントヘッド１０３を目標の高さ（Ｚｍ＝Ｚｗ）に下降させる前に通常の押印時に比べて多くの駆動推力を必要とするため、これを利用してパーティクルの存在を認識することができる。一方、パターン領域Ｓ１にパーティクル７０１がある場合は、パターンに接触してブランク領域Ｓ２と同様にパーティクルの存在を認識できるケースと、パターンの隙間に入ってしまって認識できないケースとがある。後者の場合には、パーティクルの付着したショットが不良になる可能性はあるが、モールド１に対しては破損するようなダメージを与えるものではない。このような場合には、モールド１の管理に際して定期的なＷｅｔ洗浄等のメンテナンスが必要となる。一方、前者の場合には、モールド１のパターンを破壊する可能性がある。以下では、このような場合に本発明の一実施形態に係るインプリント方法によってモールドを保護する方法について説明する。
【００２５】
図８は、図７のようにパーティクル（７０１，７０２）をモールド１と基板２の間に挟み込んだ場合に、それを認識してモールド１を保護するように動作するインプリントヘッド１０３のショット毎の駆動シーケンスを示す図である。モールド１や基板２に付着するパーティクルの粒径や材質は様々であるが、金属やシリコン化合物によるものは、押印時にモールド１のパターンと干渉した場合にモールド１のパターンを破壊する可能性がある。大半の粒径のパーティクルは、基板とモールドの相対位置のずれを計測する高さ（Ｐｒｏｘ  ａｌｉｇｎ）からモールドを下降させた際にインプリントヘッド１０３の電流値を監視することで異常推力を検出することができる（ｔ３〜ｔ４）。異常推力（基板表面より高い位置で接触）を検出したインプリントヘッド１０３は、直ちにモールド１と基板２の位置的干渉が起こらない十分な高さ（Ｕｐｐｌａｎｅ）まで駆動しモールドを保護する。その際Ｕｐｐｌａｎｅへ戻す途中でＰｒｏｘ  ａｌｉｇｎ位置のような中間的な位置となるような微小ギャップにおいてモールド駆動を一時停止させる。そして当該ショットを露光処理する（ｔ６ｅ〜ｔ７ｅ）ことで、当該ショットは不良ショットとしつつも、基板２のエッチングを安定させるために均一な樹脂膜を基板上に形成することが可能となる。
【００２６】
なお、本実施形態では、モールド１が撓んで基板チャックに吸着固定された基板２の表面形状に倣わせることにより両者の平行性を維持しているが、これに限られるものではない。基板チャックに吸着圧（吸着力）を弱める機構を備えることにより、基板がモールドの表面形状に倣うようにしてもよい。具体的には、図９に示すような吸着圧調整部９０２を設けてもよい。この構成によれば、押印時の押印対象領域の基板チャック９０１の吸着圧（吸着力）を緩め、基板２を浮かせてモールド１の形状に倣わせることが可能で、両者の平行性を維持することができる。ブランク領域Ｓ２に基板上の樹脂が充填した後に紫外線照射を行い、樹脂３が硬化した後は再び基板チャック９０１の吸着圧を高め、で基板２を吸着して、モールド１を硬化した樹脂３から引き離す（離型する）。この方法によれば、たとえコンタクトホール毎の押印力の不均一や、モールドの平面度、基板の平面度が残っていて、コンタクトホール毎の残膜（ＲＬＴ）均一性が維持できなかったとしても、結果的にエッチング後のホール径のばらつきの発生を抑制できる。
【００２７】
なお、インプリント装置のモールドと基板間の位置の制御（Ｚ軸・（ωｘ，ωｙ）方向の制御）を行う機能が提供されれば、コンタクトホールレイヤーを一例とするインプリント押印面積の小さいパターンの残膜（ＲＬＴ）均一性を容易に確保することができる。
また、本実施形態に係るモールドは、上述したインプリント方式に限られるものではなく、基板上のインプリント対象ショットに対して紫外線硬化樹脂をショットごとに塗布する場合にも用いることが可能である。
上記実施形態では、モールド１に形成されたパターン領域以外の領域に、クロム膜３０１を形成することで、対象ショット領域以外の領域に塗布された樹脂が硬化しないように遮光している。しかし、インプリント装置内に樹脂を硬化させるための光を遮光する遮光部材を設けても良い。インプリント装置内の遮光部材を用いて、基板上の所定の領域が照射されるように照明領域を決めればよい。
【００２８】
（物品の製造方法）
なお、上述した物品としてのデバイス（半導体集積回路素子、液晶表示素子等）の製造方法は、上述したインプリント装置を用いて基板上（ウエハ、ガラスプレート、フィルム状基板）にパターンを形成する工程を含む。更に、該製造方法は、パターンが形成された基板をエッチングする工程を含みうる。なお、パターンドメディア（記録媒体）や光学素子等の他の物品を製造する場合には、該製造方法は、エッチングの代わりに、パターンが形成された基板を加工する他の処理を含みうる。本実施形態の物品の製造方法は、従来の方法に比べて、物品の性能・品質・生産性・生産コストの少なくとも１つにおいて有利である。
【００２９】
以上、本発明の好ましい実施形態について説明したが、本発明は、これらの実施形態に限定されず、その要旨の範囲内で種々の変形および変更が可能である。
【符号の説明】
【００３０】
１    モールド
Ｓ１  パターン領域（第１の領域）
Ｓ２  ブランク領域（第２の領域）
【図１】
2015204399.tif 000003
【図２】
2015204399.tif 000004
【図３】
2015204399.tif 000005
【図４】
2015204399.tif 000006
【図５】
2015204399.tif 000007
【図６】
2015204399.tif 000008
【図７】
2015204399.tif 000009
【図８】
2015204399.tif 000010
【図９】
2015204399.tif 000011