(57)【要約】【課題】本発明は、無収縮セラミック基板及びその製造方法に関する。【解決手段】本発明による無収縮セラミック基板の製造方法は、ビア電極が形成されたセラミック基板を用意する第１段階と、上記セラミック基板にシード層を形成する第２段階と、上記シード層にめっき層を形成する第３段階と、を含むことができる。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
ビア電極が形成されたセラミック積層体を用意する第１段階と、
前記セラミック積層体の少なくとも一面に形成される、前記ビア電極及び前記ビア電極の周りに発生する欠陥部位を覆うシード層を形成する第２段階と、
前記シード層にめっき層を形成する第３段階と
を含む、無収縮セラミック基板の製造方法。
【請求項２】
前記シード層にＰＲ（Ｐｈｏｔｏ  ｒｅｓｉｓｔ）層を形成する第２−１段階と、
前記ＰＲ層を露光及び現像する第２−２段階と
をさらに含む、請求項１に記載の無収縮セラミック基板の製造方法。
【請求項３】
前記第２−２段階は、前記セラミック積層体のビア電極に対応する部分のみを現像する段階である、請求項２に記載の無収縮セラミック基板の製造方法。
【請求項４】
前記シード層は、ＴｉまたはＣｕで形成される、請求項１から３の何れか１項に記載の無収縮セラミック基板の製造方法。
【請求項５】
前記シード層は、薄膜蒸着によって形成される、請求項１から４の何れか１項に記載の無収縮セラミック基板の製造方法。
【請求項６】
前記ビア電極は、Ａｇ、ＣｕあるいはＡｕを含む金属物、または、Ａｇ、Ｃｕ、Ａｕのうちいずれか一つとガラス成分とを含む混合物である、請求項１に記載の無収縮セラミック基板の製造方法。
【請求項７】
前記めっき層は、電解めっきまたは無電解めっきによって形成される、請求項１から６の何れか１項に記載の無収縮セラミック基板の製造方法。
【請求項８】
前記めっき層は、前記ビア電極と異なる種類の金属で形成される、請求項１から７の何れか１項に記載の無収縮セラミック基板の製造方法。
【請求項９】
前記めっき層は、ＣｕまたはＮｉで形成される、請求項７または８に記載の無収縮セラミック基板の製造方法。
【請求項１０】
前記セラミック積層体の一面または両面を研磨する第４段階をさらに含む、請求項１から９の何れか１項に記載の無収縮セラミック基板の製造方法。
【請求項１１】
前記第４段階は、前記シード層が除去されるまで行われる、請求項１０に記載の無収縮セラミック基板の製造方法。
【請求項１２】
前記第４段階は、化学的機械的研磨（ＣＭＰ）によって行われる、請求項１０または１１に記載の無収縮セラミック基板の製造方法。
【請求項１３】
請求項１から１２のいずれか一項に記載の無収縮セラミック基板の製造方法によって製造される、無収縮セラミック基板。
【請求項１４】
複数のセラミックグリーンシートで形成されるセラミック積層体と、
前記セラミック積層体に形成されるビア電極と、
前記ビア電極の付近に発生する欠陥部位と、
前記欠陥部位に充填されるめっき層と
を含む、無収縮セラミック基板。
【請求項１５】
前記ビア電極は、Ａｇ、ＣｕあるいはＡｕを含む金属物、または、Ａｇ、Ｃｕ、Ａｕのうちいずれか一つとガラス成分とを含む混合物である、請求項１４に記載の無収縮セラミック基板。
【請求項１６】
前記めっき層は、前記ビア電極と異なる種類の金属で形成される、請求項１４または１５に記載の無収縮セラミック基板。
【請求項１７】
前記めっき層は、ＣｕまたはＮｉで形成される、請求項１６に記載の無収縮セラミック基板。
【請求項１８】
前記セラミックグリーンシートと前記めっき層との間にシード層が形成される、請求項１４から１７の何れか１項に記載の無収縮セラミック基板。
【請求項１９】
前記シード層は、ＴｉまたはＣｕで形成される、請求項１８に記載の無収縮セラミック基板。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、無収縮セラミック基板及びその製造方法に関するもので、より詳細には、欠陥が修理された無収縮セラミック基板及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
電子機器の小型化に伴い、限られた空間で多様な機能を同時に行うことができ、多様な回路パターンを一体に具備することができる積層型基板に対する需要が増加している。
【０００３】
一方、通常の印刷回路基板（Ｐｒｉｎｔｅｄ  Ｃｉｒｃｕｉｔ  Ｂｏａｒｄ、  ＰＣＢ）は、小型化が難しく、高周波領域における信号損失及び高温多湿な環境における信号信頼性の低下をもたらす。そのため、積層型基板としては、通常の印刷回路基板ではないセラミック基板が用いられている。
【０００４】
セラミック基板の主成分は、低温同時焼成が可能なガラス（ｇｌａｓｓ）が多量に含まれたセラミック組成物である。ここで、低温同時焼成セラミック（Ｌｏｗ  Ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ  Ｃｏ−ｆｉｒｅｄ  Ｃｅｒａｍｉｃ、多層セラミック）基板は、収縮工法及び無収縮工法の二つの工法によって製作されることができる。しかしながら、収縮工法によるセラミック基板は、基板の寸法変形をもたらすため、通常的には無収縮工法によってセラミック基板を製造する。
【０００５】
また、無収縮工法とは、セラミック基板の両面に拘束層を形成し焼成する方法である。ここで、拘束層は、セラミック層が焼成工程で収縮しないように支持する役割をするため、無収縮工法によって製作されたセラミック基板（以下では、簡単に無収縮基板とする）は、基板の寸法変形が殆どない。
【０００６】
しかしながら、このような無収縮セラミック基板も基板の外形をなすセラミックグリーンシートとビア電極とが異なる材質で形成されるため、これら部材間の収縮率及び熱膨張係数の差異により、これら部材の境界面において欠陥（俗称、ボイド）が形成される。
【０００７】
しかしながら、このような欠陥は、無収縮セラミック基板の電気的特性を低下させるのみならず、高価の無収縮セラミック基板の使用を不可能にするため、無収縮セラミック基板の生産収率を大幅に低下させる。
【０００８】
従って、欠陥が発生した無収縮セラミック基板を効果的に修理できるような方案が求められる。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
本発明は、上記のような問題点を解決するためのもので、欠陥部位が補強された無収縮セラミック基板及びその製造方法を提供することにその目的がある。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
上記目的を達成するための本発明の一実施例による無収縮セラミック基板の製造方法は、ビア電極が形成されたセラミック積層体を用意する第１段階と、上記セラミック積層体にシード層を形成する第２段階と、上記シード層にめっき層を形成する第３段階と、を含むことができる。
【００１１】
本発明の一実施例による無収縮セラミック基板の製造方法において、上記シード層にＰＲ（Ｐｈｏｔｏ  ｒｅｓｉｓｔ）層を形成する第２−１段階と、上記ＰＲ層を露光及び現像する第２−２段階と、をさらに含むことができる。
【００１２】
本発明の一実施例による無収縮セラミック基板の製造方法において、上記第２−２段階は、上記セラミック基板のビア電極に対応する部分のみを現像する段階であることができる。
【００１３】
本発明の一実施例による無収縮セラミック基板の製造方法において、上記シード層は、ＴｉまたはＣｕで形成されることができる。
【００１４】
本発明の一実施例による無収縮セラミック基板の製造方法において、上記シード層は、薄膜蒸着によって形成されることができる。
【００１５】
本発明の一実施例による無収縮セラミック基板の製造方法において、上記ビア電極は、Ａｇ、ＣｕあるいはＡｕを含む金属物、または、Ａｇ、Ｃｕ、Ａｕのうちいずれか一つとガラス成分とを含む混合物であることができる。
【００１６】
本発明の一実施例による無収縮セラミック基板の製造方法において、上記めっき層は、電解めっきまたは無電解めっきによって形成されることができる。
【００１７】
本発明の一実施例による無収縮セラミック基板の製造方法において、上記めっき層は、上記ビア電極と異なる種類の金属で形成されることができる。
【００１８】
本発明の一実施例による無収縮セラミック基板の製造方法において、上記めっき層は、ＣｕまたはＮｉで形成されることができる。
【００１９】
本発明の一実施例による無収縮セラミック基板の製造方法において、上記セラミック積層体の一面または両面を研磨する第４段階をさらに含むことができる。
【００２０】
本発明の一実施例による無収縮セラミック基板の製造方法において、上記第４段階は、上記シード層が除去されるまで行われることができる。
【００２１】
本発明の一実施例による無収縮セラミック基板の製造方法において、上記第４段階は、化学的機械的研磨（ＣＭＰ）によって行われることができる。
【００２２】
上記目的を達成するための本発明の一実施例による無収縮セラミック基板は、前述した無収縮セラミック基板の製造方法によって製造されることができる。
【００２３】
また、上記目的を達成するための本発明の一実施例による無収縮セラミック基板は、複数のセラミックグリーンシートを含むセラミック積層体と、上記セラミック積層体に形成されるビア電極と、上記ビア電極と上記セラミックグリーンシートとの境界面に形成されるめっき層と、を含むことができる。
【００２４】
本発明の一実施例による無収縮セラミック基板の上記ビア電極は、Ａｇ、ＣｕあるいはＡｕを含む金属物、または、Ａｇ、Ｃｕ、Ａｕのうちいずれか一つとガラス成分とを含む混合物であることができる。
【００２５】
本発明の一実施例による無収縮セラミック基板の上記めっき層は、上記ビア電極と異なる種類の金属で形成されることができる。
【００２６】
本発明の一実施例による無収縮セラミック基板の上記めっき層は、ＣｕまたはＮｉで形成されることができる。
【００２７】
本発明の一実施例による無収縮セラミック基板は、上記セラミックグリーンシートと上記めっき層との間にシード層が形成されることができる。
【００２８】
本発明の一実施例による無収縮セラミック基板の上記シード層は、ＴｉまたはＣｕで形成されることができる。
【発明の効果】
【００２９】
本発明による無収縮セラミック基板の製造方法は、無収縮セラミック基板に形成される欠陥を効果的に補完することができる。
【００３０】
従って、本発明によると、無収縮セラミック基板の生産収率を向上させることができ、それにより、無収縮セラミック基板の製作単価を下げることができる。
【００３１】
また、本発明による無収縮セラミック基板は、欠陥がめっき金属で充填されているため、無収縮セラミック基板の電気的特性を向上させることができる。
【００３２】
従って、本発明によると、無収縮セラミック基板からなる電子製品の不良率を低下させることができる。
【図面の簡単な説明】
【００３３】
【図１】本発明の第１実施例による無収縮セラミック基板の製造方法を示す図面である。
【図２】本発明の第２実施例による無収縮セラミック基板の製造方法を示す図面である。
【図３】本発明の第２実施例による無収縮セラミック基板の製造方法を示す図面である。
【図４】本発明の一実施例による無収縮セラミック基板の断面図である
【図５】本発明の一実施例による無収縮セラミック基板の断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００３４】
以下では、本発明の好ましい実施例を添付の例示図面に基づいて詳細に説明する。
【００３５】
以下で本発明を説明するにあたり、本発明の構成要素を称する用語はそれぞれの構成要素の機能を考慮し命名されたものであるため、本発明の技術的構成要素を限定する意味で理解されてはならない。
【００３６】
一般的に、無収縮セラミック基板には、焼成加工の後に金属材質のビア電極とセラミック材質のグリーンシートとの収縮率及び熱膨張率の差異によって欠陥（ｖｏｉｄ）が発生する。
【００３７】
このような欠陥は、欠陥部位に伝導性または非伝導性材質の材料を充填する方法で修理されることができる。しかしながら、前者の場合には伝導性材質の材料（例えば、金属材料）とセラミック基板との接触性が低下するため、伝導性材質の材料が欠陥部位において容易に分離されることができる。それに反して、後者の場合には非伝導性材質の材料（例えば、樹脂）とセラミック基板との接触性はよいが、ビア電極の電気的特性を弱化させることがある。
【００３８】
本発明は、このような問題点を認識し、それを解決するためのもので、無収縮セラミック基板の欠陥部位を効果的に充填すると共に、ビア電極の電気的特性を低下させない方法及びそれによる無収縮セラミック基板を提供する。
【００３９】
図１は本発明の第１実施例による無収縮セラミック基板の製造方法を示す図面であり、図２及び図３は本発明の第２実施例による無収縮セラミック基板の製造方法を示す図面であり、図４及び図５は本発明の一実施例による無収縮セラミック基板を示す断面図である。
【００４０】
まず、本発明による無収縮セラミック基板の製造方法について説明する。
【００４１】
また、本発明による無収縮セラミック基板の製造方法は、通常の無収縮セラミック基板の製造方法を含むことができ、このような通常の製造方法の後に行われることができる。
【００４２】
即ち、本発明は、複数のセラミックグリーンシートを積層してセラミック積層体を形成する段階と、セラミック積層体にビア電極を形成する段階と、セラミック積層体の上部及び下部に拘束用シートを形成する段階と、セラミック積層体を焼成加工する段階と、を含むことができ、このような段階が完了した後に行われることができる。
【００４３】
セラミックグリーンシートは、８００〜１０００℃の焼成温度を有することができ、拘束用シートはそれより高い１５００℃以上の焼成温度を有することができる。拘束用シートとしては、アルミナ（Ａｌ２Ｏ３）が用いられることができる。
【００４４】
セラミックグリーンシートの焼成加工は、セラミックグリーンシートの焼成温度と同一温度範囲（８００〜１０００℃）で行われるか、または、それより高い温度範囲で行われることができる。
【００４５】
ビア電極は、セラミックグリーンシートにビアを形成し、ビアに伝導体を充填する方式で形成されることができる。
【００４６】
ここで、ビア電極は、Ａｇ、ＣｕあるいはＡｕの単一成分からなることができる。または、Ａｇ、ＣｕあるいはＡｕを含む混合成分からなるか、または、Ａｇ、Ｃｕ、Ａｕのうち少なくとも二つ以上の成分を含む混合成分からなることができる。
【００４７】
但し、無収縮セラミック基板の焼成温度及び電気的特性効率等を考慮する際、列挙された成分のうちＡｇをビア電極として用いることが好ましい。
【００４８】
本発明の第１実施例による無収縮セラミック基板の製造方法について図１を参照して説明する。また、本明細書において図面符号１０で示されるセラミック積層体は、無収縮セラミック基板においてビア電極を除外した残りの部分を示す意味として用いられることができる。
【００４９】
第１実施例による無収縮セラミック基板１００の製造方法は、セラミック積層体１０を用意する段階と、シード層３０を形成する段階と、めっき層６０を形成する段階と、を含むことができる。また、選択的にめっき層６０を研磨する段階をさらに含むことができる。
【００５０】
セラミック基板の用意段階
【００５１】
本段階は、焼成加工されたセラミック積層体１０を用意する段階であることができる。具体的には、本段階は、ビア電極２０が形成されたセラミック積層体１０を焼成加工した後に連続的に行われることができる。
【００５２】
さらに、本段階は、セラミック積層体１０の外観検査の後に行われることができる。
【００５３】
前述したように、セラミック積層体１０を焼成加工すると、セラミックグリーンシート１２とビア電極２０との境界部位に欠陥が発生することができる。しかしながら、焼成加工された全部のセラミック積層体１０に欠陥が発生するわけではないため、本段階に先立って焼成加工されたセラミック積層体１０における欠陥の有無を検査することができる。
【００５４】
しかしながら、セラミック積層体１０の電気的信頼性を向上させるためには、微細な欠陥であっても修理または補完することが好ましいことから、セラミック積層体１０の検査段階を省略することができる。
【００５５】
シード層の形成段階
【００５６】
本段階は、焼成加工されたセラミック積層体１０の表面にシード層３０を形成する段階であることができる。
【００５７】
焼成加工されたセラミック積層体１０の表面状態は、他の材質が付着されにく可能性がある。そのため、焼成加工されたセラミック積層体１０及び欠陥部位１４にはめっき層６０が形成されにくいことがある。
【００５８】
従って、セラミック積層体１０及び欠陥部位１４に、めっき層６０を含む他の付加的な層が容易に付着されるようにセラミック積層体１０にシード層３０を形成することができる。
【００５９】
シード層３０は、ＴｉまたはＣｕの単一成分からなることができる。または、ＴｉまたはＣｕを含む混合成分からなるか、または、Ｔｉ及びＣｕを全部含む混合成分からなることができる。
【００６０】
このような成分を含むシード層３０は、薄膜蒸着（ｓｐｕｔｔｅｒｉｎｇ）によって形成されることができる。さらに、ＰＶＤ（Ｐｈｙｓｉｃａｌ  Ｖａｐｏｒ  Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）、ＣＶＤ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｖａｐｏｒ  Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）等によっても形成されることができる。
【００６１】
また、図１にはシード層３０がセラミック積層体１０の全表面にわたって形成されるように示されているが、必要に応じて、欠陥部位１４のみに形成されることができる。
【００６２】
なお、本明細書において欠陥部位１４は、セラミックグリーンシート１２に形成された欠陥及び当該欠陥によって外部に露出したビア電極２０の表面を含む意味として用いられることができる。
【００６３】
めっき層の形成段階
【００６４】
本段階は、シード層３０にめっき層６０を形成する段階であることができる。
【００６５】
セラミック積層体１０にシード層３０が形成されると、セラミック積層体１０の表面に他の材質（特に、金属材質）が容易に付着されることができる。従って、本段階においては、このようなシード層３０の特性を用いて欠陥部位１４にめっき層６０を形成することができる。
【００６６】
めっき層６０は、電解めっきまたは無電解めっきによって形成されることができる。
【００６７】
めっき層６０は、Ｎｉの単一成分からなることができる。しかしながら、必要に応じて、Ｎｉを含む混合成分からなることができる。または、ビア電極２０と異なる成分からなることができる。
【００６８】
例えば、ビア電極２０がＡｇを主成分とする材質で形成された場合、めっき層６０は、Ｎｉ、Ｎｉ／Ｃｕ、Ｃｕのうちいずれか一つを主成分とする材質で形成されることができる。
【００６９】
このように、めっき層６０をビア電極２０と異なる成分で形成すると、セラミック積層体１０の研磨加工の後、セラミック積層体１０における欠陥が発生した部位（即ち、欠陥部位１４）を容易に把握することができる。
【００７０】
また、本実施例においては、めっき層６０がセラミック積層体１０の全表面に形成されることができるが、必要に応じて、欠陥部位１４のみにめっき層６０を形成することができる（この場合、シード層３０は欠陥部位１４のみに形成される）。
【００７１】
なお、めっき層６０は、セラミック積層体１０の欠陥部位１４を完全に覆うまで行われることができる。そのため、めっき層６０の形成工程（即ち、電解めっき工程または無電解めっき工程）は、１回以上繰り返されて行われることことができる。
【００７２】
研磨段階
【００７３】
本段階は、めっき層６０を研磨する段階であることができる。
【００７４】
セラミック積層体１０の全表面にめっき層６０が形成されると、セラミック積層体１０の欠陥部位１４が補完されるため、セラミック積層体１０の電気的特性を向上させることができる。
【００７５】
しかしながら、このようなめっき層６０は、設計されためっきパターンとは関係なく、全部のビア電極２０と連結されることができる。従って、セラミック積層体１０の表面が外部に露出するようにめっき層６０を研磨する必要がある。
【００７６】
研磨段階は、機械的な研磨工程によって行われることができる。または、化学的機械的研磨工程（ＣＭＰ）によって行われることができる。
【００７７】
研磨段階は、前述したように、セラミック積層体１０の表面が露出するまで行われることができる。但し、欠陥部位１４のみにめっき層６０が形成された場合は、ビア電極２０の表面が露出するまで行われることができる。
【００７８】
研磨段階が完了すると、欠陥部位１４が修理された無収縮セラミック基板１００を得ることができる。
【００７９】
上のように行われた本実施例は、シード層３０が形成された後、めっき層６０が形成されるため、無収縮セラミック基板１００の電気的特性を向上させることができる。
【００８０】
また、本実施例によると、無収縮セラミック基板１００の欠陥部位１４が完璧に修理されることができるため、高価の無収縮セラミック基板１００の生産収率を向上させることができる。
【００８１】
本発明の第２実施例による無収縮セラミック基板の製造方法について図２及び図３を参照して説明する。
【００８２】
第２実施例による無収縮セラミック基板の製造方法は、セラミック積層体１０を用意する段階と、シード層３０を形成する段階と、めっき層６０を形成する段階と、を含み、ＰＲ層を形成する段階と、ＰＲ層を露光及び現像する段階と、をさらに含むことができる。
【００８３】
即ち、第２実施例は、ＰＲ層を形成する段階と、ＰＲ層を露光及び現像する段階と、をさらに行う点において、第１実施例と区別されることができる。
【００８４】
また、本実施例において、セラミック積層体１０を用意する段階、シード層３０を形成する段階、めっき層６０を形成する段階は、前述した第１実施例と同一であるため、それら段階に対する詳細な説明は省略する。
【００８５】
ＰＲ層の形成段階
【００８６】
本段階は、シード層３０にＰＲ層４０を形成する段階であることができ、シード層３０を形成する段階以後に行われることができる。ここで、ＰＲ層４０は、紫外線によって硬化される材質で形成されることができる。例えば、樹脂材質で形成されることができる。
【００８７】
ＰＲ層４０は、プリンティング、噴射、スクリーン印刷等の方法で形成されることができる。しかしながら、それ以外の方法によっても形成されることができる。
【００８８】
ＰＲ層の露光及び現像段階
【００８９】
本段階は、ＰＲ層４０を露光及び現像する段階であることができる。
【００９０】
シード層３０にＰＲ層４０が形成されると、ＰＲ層４０にマスク５０を形成し、ＰＲ層４０の一部分を露光及び現像することができる。即ち、本段階においては、ビア電極２０が形成された部分を含む所定の領域のみが露光されるようにマスク５０を形成し、ビア電極２０を含む所定の領域に形成されたＰＲ層４０を除去することができる。ここで、ビア電極２０を含む所定の領域とは、ビア電極２０とセラミックグリーンシート１２との境界に欠陥が形成された場合に、欠陥が形成された領域をカバーすることのできる領域である。
【００９１】
ここで、ＰＲ層４０の除去は、欠陥部位１４が形成されたビア電極２０を含む所定の領域のみに行われることができる。しかしながら、作業の便宜性を図るため、全部のビア電極２０の、ビア電極２０を含む所定の領域のＰＲパターン４０が除去されることができる。
【００９２】
このように行われた本実施例は、ＰＲ層４０により、めっき層６０が必要な部分のみが露出するため、めっき層６０の形成段階が迅速に行われることができる。
【００９３】
また、本実施例によると、めっき層６０が欠陥部位１４を含むビア電極２０のみに形成されるため、めっき層６０を形成するために必要な原資材費用を減少させることができる。
【００９４】
一方、欠陥部位１４を覆ってから残りの部分（図１から図３を基準に上の方へ盛り上がった部分）及びＰＲ層４０は、無収縮セラミック基板１００において不要な部分であることができるため、研磨段階によって除去されることができる。
【００９５】
また、研磨段階は、第１実施例において既に説明したため、それに対する詳細な説明を省略する。
【００９６】
以下では、本発明による無収縮セラミック基板について説明する。
【００９７】
本発明の一実施例による無収縮セラミック基板について図４及び図５を参照して説明する。
【００９８】
本実施例による無収縮セラミック基板１００は、セラミック積層体１０と、ビア電極２０と、シード層３０と、ＰＲ層４０と、めっき層６０と、を含むことができる。
【００９９】
セラミック積層体１０は、複数のセラミックグリーンシート１２を含むことができる。さらに、セラミック積層体１０は、複数のセラミックグリーンシート１２を上下方向（図４を基準にした方向である）に積層し形成されることができる。
【０１００】
また、添付の図面には５枚のセラミックグリーンシート１２が積層されてセラミック積層体１０を形成するように示されているが、それより少ないまたは多いセラミックグリーンシート１２を積層してセラミック積層体１０を形成することができる。
【０１０１】
ビア電極２０は、セラミック積層体１０に形成されることができる。ビア電極２０は、セラミックグリーンシート１２にビアを形成し、ビアに伝導体を充填する方式で形成されることができる。
【０１０２】
ここで、ビア電極２０は、Ａｇ、ＣｕあるいはＡｕの単一成分からなることができる。または、Ａｇ、ＣｕあるいはＡｕを含む混合成分からなるか、または、Ａｇ、Ｃｕ、Ａｕのうち少なくとも二つ以上の成分を含む混合成分からなることができる。
【０１０３】
但し、無収縮セラミック基板の焼成温度及び電気的特性効率等を考慮する際、列挙された成分のうちＡｇをビア電極２０として用いることが好ましい。
【０１０４】
シード層３０は、ＴｉまたはＣｕの単一成分からなることができる。または、ＴｉまたはＣｕを含む混合成分からなるか、または、Ｔｉ及びＣｕを全部含む混合成分からなることができる。このように形成されたシード層３０は、研磨段階で除去されることができる。
【０１０５】
ＰＲ層４０は、シード層３０に形成されることができる。ＰＲ層４０は、紫外線によって硬化される材質で形成されることができ、研磨段階で除去されることができる。
【０１０６】
ＰＲ層４０は、プリンティング、噴射、スクリーン印刷等の方法で形成されることができる。しかしながら、それ以外の方法によっても形成されることができる。
【０１０７】
めっき層６０は、欠陥部位１４またはビア電極２０に形成されることができる。または、欠陥部位１４及びビア電極２０に全部形成されることができる。このようなめっき層６０は、電解めっきまたは無電解めっきによって形成されることができる。
【０１０８】
めっき層６０は、Ｎｉの単一成分からなることができる。しかしながら、必要に応じて、Ｎｉを含む混合成分からなることができる。または、ビア電極２０と異なる成分からなることができる。
【０１０９】
例えば、ビア電極２０がＡｇを主成分とする材質で形成された場合、めっき層６０は、Ｎｉ、Ｎｉ／Ｃｕ、Ｃｕのうちいずれか一つを主成分とする材質で形成されることができる。
【０１１０】
このように形成されためっき層６０は、ビア電極２０と異なる成分で形成されるため、無収縮セラミック基板１００において肉眼で識別されることができる。
【０１１１】
また、本実施例による無収縮セラミック基板１００は、研磨工程によってシード層３０及びＰＲ層４０が除去された形状を有することができる（図５を参照）。
【０１１２】
なお、図４に示された無収縮セラミック基板１００におけるセラミック積層体１０の表面は、ＰＲ層４０が残っている形態であるため、無収縮セラミック基板１００の運搬及び保管の際に発生しうる外部衝撃から無収縮セラミック基板１００を効果的に保護することができる。
【０１１３】
それとは異なり、図５に示された無収縮セラミック基板１００は、セラミック積層体１０の表面に他の回路パターンや電子部品を搭載することができる形態であるため、無収縮セラミック基板１００を用いた第２加工が容易である。
【０１１４】
本発明は以上で説明した実施例のみに限定されず、本発明が属する技術分野で通常の知識を有する者であれば、以下の特許請求の範囲に記載の技術的思想の要旨から外れない範囲内において、多様に変更して実施することができる。
［項目１］
ビア電極が形成されたセラミック積層体を用意する第１段階と、
上記セラミック積層体にシード層を形成する第２段階と、
上記シード層にめっき層を形成する第３段階とを含む、無収縮セラミック基板の製造方法。
［項目２］
上記シード層にＰＲ（Ｐｈｏｔｏ  ｒｅｓｉｓｔ）層を形成する第２−１段階と、
上記ＰＲ層を露光及び現像する第２−２段階とをさらに含む、項目１に記載の無収縮セラミック基板の製造方法。
［項目３］
上記第２−２段階は、上記セラミック積層体のビア電極に対応する部分のみを現像する段階である、項目２に記載の無収縮セラミック基板の製造方法。
［項目４］
上記シード層は、ＴｉまたはＣｕで形成される、項目１から３の何れか１項に記載の無収縮セラミック基板の製造方法。
［項目５］
上記シード層は、薄膜蒸着によって形成される、項目１から４の何れか１項に記載の無収縮セラミック基板の製造方法。
［項目６］
上記ビア電極は、Ａｇ、ＣｕあるいはＡｕを含む金属物、または、Ａｇ、Ｃｕ、Ａｕのうちいずれか一つとガラス成分とを含む混合物である、項目１に記載の無収縮セラミック基板の製造方法。
［項目７］
上記めっき層は、電解めっきまたは無電解めっきによって形成される、項目１から６の何れか１項に記載の無収縮セラミック基板の製造方法。
［項目８］
上記めっき層は、上記ビア電極と異なる種類の金属で形成される、項目１から７の何れか１項に記載の無収縮セラミック基板の製造方法。
［項目９］
上記めっき層は、ＣｕまたはＮｉで形成される、項目７または８に記載の無収縮セラミック基板の製造方法。
［項目１０］
上記セラミック積層体の一面または両面を研磨する第４段階をさらに含む、項目１から９の何れか１項に記載の無収縮セラミック基板の製造方法。
［項目１１］
上記第４段階は、上記シード層が除去されるまで行われる、項目１０に記載の無収縮セラミック基板の製造方法。
［項目１２］
上記第４段階は、化学的機械的研磨（ＣＭＰ）によって行われる、項目１０または１１に記載の無収縮セラミック基板の製造方法。
［項目１３］
項目１から１２のいずれか一項に記載の無収縮セラミック基板の製造方法によって製造される、無収縮セラミック基板。
［項目１４］
複数のセラミックグリーンシートで形成されるセラミック積層体と、
上記セラミック積層体に形成されるビア電極と、
上記ビア電極と上記セラミックグリーンシートとの境界面に形成されるめっき層とを含む、無収縮セラミック基板。
［項目１５］
上記ビア電極は、Ａｇ、ＣｕあるいはＡｕを含む金属物、または、Ａｇ、Ｃｕ、Ａｕのうちいずれか一つとガラス成分とを含む混合物である、項目１４に記載の無収縮セラミック基板。
［項目１６］
上記めっき層は、上記ビア電極と異なる種類の金属で形成される、項目１４または１５に記載の無収縮セラミック基板。
［項目１７］
上記めっき層は、ＣｕまたはＮｉで形成される、項目１６に記載の無収縮セラミック基板。
［項目１８］
上記セラミックグリーンシートと上記めっき層との間にシード層が形成される、項目１４から１７の何れか１項に記載の無収縮セラミック基板。
［項目１９］
上記シード層は、ＴｉまたはＣｕで形成される、項目１８に記載の無収縮セラミック基板。
【符号の説明】
【０１１５】
１００  無収縮セラミック基板
１０  セラミック積層体
１２  （セラミック）グリーンシート
１４  欠陥部位
２０  ビア電極
３０  シード層
４０  ＰＲ層
５０  マスク
６０  めっき層
【図１】
2015092629.tif 000003
【図２】
2015092629.tif 000004
【図３】
2015092629.tif 000005
【図４】
2015092629.tif 000006
【図５】
2015092629.tif 000007
【手続補正書】
【提出日】平成27年1月29日(2015.1.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ビア電極が形成されたセラミック積層体を用意する第１段階と、
前記ビア電極と前記セラミック積層体との境界面に発生する欠陥部位を覆うシード層を形成する第２段階と、
前記シード層にめっき層を形成する第３段階と
を含む、無収縮セラミック基板の製造方法。
【請求項２】
前記シード層にＰＲ（Ｐｈｏｔｏ  ｒｅｓｉｓｔ）層を形成する第２−１段階と、
前記ＰＲ層を露光及び現像する第２−２段階と
をさらに含む、請求項１に記載の無収縮セラミック基板の製造方法。
【請求項３】
前記第２−２段階は、前記セラミック積層体のビア電極に対応する部分のみを現像する段階である、請求項２に記載の無収縮セラミック基板の製造方法。
【請求項４】
前記シード層は、ＴｉまたはＣｕで形成される、請求項１から３の何れか１項に記載の無収縮セラミック基板の製造方法。
【請求項５】
前記シード層は、薄膜蒸着によって形成される、請求項１から４の何れか１項に記載の無収縮セラミック基板の製造方法。
【請求項６】
前記ビア電極は、Ａｇ、ＣｕあるいはＡｕを含む金属物、または、Ａｇ、Ｃｕ、Ａｕのうちいずれか一つとガラス成分とを含む混合物である、請求項１に記載の無収縮セラミック基板の製造方法。
【請求項７】
前記めっき層は、電解めっきまたは無電解めっきによって形成される、請求項１から６の何れか１項に記載の無収縮セラミック基板の製造方法。
【請求項８】
前記めっき層は、前記ビア電極と異なる種類の金属で形成される、請求項１から７の何れか１項に記載の無収縮セラミック基板の製造方法。
【請求項９】
前記めっき層は、ＣｕまたはＮｉで形成される、請求項７または８に記載の無収縮セラミック基板の製造方法。
【請求項１０】
前記セラミック積層体の一面または両面を研磨する第４段階をさらに含む、請求項１から９の何れか１項に記載の無収縮セラミック基板の製造方法。
【請求項１１】
前記第４段階は、前記シード層が除去されるまで行われる、請求項１０に記載の無収縮セラミック基板の製造方法。
【請求項１２】
前記第４段階は、化学的機械的研磨（ＣＭＰ）によって行われる、請求項１０または１１に記載の無収縮セラミック基板の製造方法。
【請求項１３】
請求項１から１２のいずれか一項に記載の無収縮セラミック基板の製造方法によって製造される、無収縮セラミック基板。
【請求項１４】
複数のセラミックグリーンシートで形成されるセラミック積層体と、
前記セラミック積層体に形成されるビア電極と、
前記ビア電極と前記セラミックグリーンシートとの境界面に発生する欠陥部位と、
前記欠陥部位に充填されるめっき層と
を含む、無収縮セラミック基板。
【請求項１５】
前記ビア電極は、Ａｇ、ＣｕあるいはＡｕを含む金属物、または、Ａｇ、Ｃｕ、Ａｕのうちいずれか一つとガラス成分とを含む混合物である、請求項１４に記載の無収縮セラミック基板。
【請求項１６】
前記めっき層は、前記ビア電極と異なる種類の金属で形成される、請求項１４または１５に記載の無収縮セラミック基板。
【請求項１７】
前記めっき層は、ＣｕまたはＮｉで形成される、請求項１６に記載の無収縮セラミック基板。
【請求項１８】
前記セラミックグリーンシートと前記めっき層との間にシード層が形成される、請求項１４から１７の何れか１項に記載の無収縮セラミック基板。
【請求項１９】
前記シード層は、ＴｉまたはＣｕで形成される、請求項１８に記載の無収縮セラミック基板。