(57)【要約】【課題】低電圧駆動で、かつ発光効率や素子寿命が向上された有機発光素子を提供する。【解決手段】陽極と陰極と、前記陽極と前記陰極との間に配置されている発光層と、前記陰極と前記発光層との間に配置され、かつ前記陰極に接している有機化合物層と、を有し、前記有機化合物層が、下記一般式［１］に示される錯体を有することを特徴とする、有機発光素子。2015204438.tif 000030【選択図】なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
陽極と陰極と、
前記陽極と前記陰極との間に配置されている発光層と、
前記陰極と前記発光層との間に配置され、かつ前記陰極に接している有機化合物層と、を有し、
前記有機化合物層が、下記一般式［１］に示される錯体を有することを特徴とする、有機発光素子。
【化１】
2015204438.tif 000029
（式［１］において、Ｍは、リチウム、ナトリウム、カリウム、ルビジウム又はセシウムのいずれかを表す。Ｒ1及びＲ5は、それぞれ炭素数１乃至８のアルキル基又はフッ素原子を表す。Ｒ2乃至Ｒ4及びＲ6乃至Ｒ9は、それぞれ水素原子、フッ素原子、炭素数１乃至８のアルキル基又はアリール基を表す。ただし、Ｒ6乃至Ｒ8のうち少なくとも一つはフッ素原子、炭素数１乃至８のアルキル基又はアリール基である。尚、Ｒ2乃至Ｒ4及びＲ6乃至Ｒ9のいずれかがアリール基である場合、当該アリール基は、フッ素原子又は炭素数１乃至８のアルキル基をさらに有していてもよい。またＲ1乃至Ｒ9のいずれかがアルキル基である場合、当該アルキル基に含まれる水素原子の少なくとも一部がフッ素原子に置換されていてもよい。）
【請求項２】
前記Ｍがリチウムであることを特徴とする、請求項１に記載の有機発光素子。
【請求項３】
前記Ｒ1乃至Ｒ9のいずれかで表されるアルキル基のうちの少なくとも一つ又は前記Ｒ2乃至Ｒ4及びＲ6乃至Ｒ9のいずれかで表されるアリール基のうちの少なくとも一つにフッ素原子が含まれることを特徴とする、請求項１又は２に記載の有機発光素子。
【請求項４】
前記Ｒ1乃至Ｒ9のうちの少なくとも一つがフッ素原子であることを特徴とする、請求項１乃至３のいずれか一項に記載の有機発光素子。
【請求項５】
前記Ｒ6乃至Ｒ9のうちの少なくとも一つがアリール基であることを特徴とする、請求項１乃至４のいずれか一項に記載の有機発光素子。
【請求項６】
前記アリール基が、フッ素原子又は炭素数１乃至８のアルキル基をさらに有することを特徴とする、請求項５に記載の有機発光素子。
【請求項７】
複数の画素を有し、
前記複数の画素の少なくともいずれかが、請求項１乃至６のいずれか一項に記載の有機発光素子と、前記有機発光素子に接続されている能動素子と、を有することを特徴とする、表示装置。
【請求項８】
前記能動素子がトランジスタであり、
前記トランジスタが活性領域に酸化物半導体を有することを特徴とする、請求項７に記載の表示装置。
【請求項９】
画像情報を入力する入力部と、画像を表示する表示部とを有し、
前記表示部が、請求項７又は８に記載の表示装置であることを特徴とする、情報処理装置。
【請求項１０】
請求項１乃至６のいずれか一項に記載の有機発光素子と、前記有機発光素子に駆動電圧を供給するためのＡＣ／ＤＣコンバーター回路と、を有することを特徴とする、照明装置。
【請求項１１】
請求項１乃至６のいずれか一項に記載の有機発光素子と、装置内の熱を外部へ放出する放熱部と、を有することを特徴とする、照明装置。
【請求項１２】
感光体と、前記感光体の表面を帯電させる帯電部と、前記感光体を露光する露光部と、前記感光体の表面に形成された静電潜像を現像する現像部と、を有する画像形成装置であって、
前記露光部が、請求項１乃至６のいずれか一項に記載の有機発光素子を有することを特徴とする、画像形成装置。
【請求項１３】
感光体を露光する露光器であって、
請求項１乃至６のいずれか一項に記載の有機発光素子を複数有し、
前記有機発光素子が前記感光体の長軸方向に沿って一列に配置されていることを特徴とする露光器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、有機発光素子、並びにこの有機発光素子を有する表示装置、画像表示装置、照明装置、画像形成装置及び露光器に関する。
【背景技術】
【０００２】
有機発光素子は、一対の電極とこれら電極の間に配置される有機化合物層とを有する電子素子である。これら一対の電極から電子及び正孔を注入することにより、有機化合物層の中で発光性有機化合物の励起子が生成し、この励起子が基底状態に戻る際に、有機発光素子は光を放出する。
【０００３】
ところで、有機発光素子の分野においては、発光効率や素子寿命に直結するという理由から、素子を駆動させるために要する電圧（駆動電圧）を低減させる研究が盛んに行われている。ここで駆動電圧は、有機発光素子そのものの電荷（正孔、電子）の輸送能が良好であれば低減されるため、有機発光素子の分野においては、従来から、電荷を効率よく輸送させるための電荷輸送材料の研究開発が盛んに行われていた。
【０００４】
特許文献１及び非特許文献１には、電子注入材料である下記化合物ａ−１乃至ａ−３及びこれら化合物を用いた有機発光素子が開示されている。
【０００５】
【化１】
2015204438.tif 000002
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】国際公開第２００８／０８１１７８号
【非特許文献】
【０００７】
【非特許文献１】Ｊ．Ｍａｔｅｒ．Ｃｈｅｍ．，２０１２，２２，６１０４−６１１６
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
本発明は、上述した課題を解決するためになされるものであり、その目的は、低電圧駆動で、かつ発光効率や素子寿命が向上された有機発光素子を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明の有機発光素子は、陽極と陰極と、
前記陽極と前記陰極との間に配置されている発光層と、
前記陰極と前記発光層との間に配置され、かつ前記陰極に接している有機化合物層と、を有し、
前記有機化合物層が、下記一般式［１］に示される錯体を有することを特徴とする。
【００１０】
【化２】
2015204438.tif 000003
【００１１】
（式［１］において、Ｍは、リチウム、ナトリウム、カリウム、ルビジウム又はセシウムのいずれかを表す。Ｒ1及びＲ5は、それぞれ炭素数１乃至８のアルキル基又はフッ素原子を表す。Ｒ2乃至Ｒ4及びＲ6乃至Ｒ9は、それぞれ水素原子、フッ素原子、炭素数１乃至８のアルキル基又はアリール基を表す。ただし、Ｒ6乃至Ｒ8のうち少なくとも一つはフッ素原子、炭素数１乃至８のアルキル基又はアリール基である。尚、Ｒ2乃至Ｒ4及びＲ6乃至Ｒ9のいずれかがアリール基である場合、当該アリール基は、フッ素原子又は炭素数１乃至８のアルキル基をさらに有していてもよい。またＲ1乃至Ｒ9のいずれかがアルキル基である場合、当該アルキル基に含まれる水素原子の少なくとも一部がフッ素原子に置換されていてもよい。）
【発明の効果】
【００１２】
本発明によれば、低電圧駆動で、かつ発光効率や素子寿命が向上された有機発光素子を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１３】
【図１】本発明の有機発光素子と、この有機発光素子に接続されている能動素子とを有する表示装置の一例を示す断面模式図である。
【図２】本発明に係る有機発光素子を有する画像形成装置の例を示す模式図である。
【図３】（ａ）及び（ｂ）は、図２の画像形成装置を構成する露光光源の具体例を示す平面概略図であり、（ｃ）は、図２の画像形成装置を構成する感光体の具体例を示す概略図である。
【図４】本発明に係る有機発光素子を有する照明装置の例を示す模式図である。
【発明を実施するための形態】
【００１４】
本発明の有機発光素子は、陽極と陰極と、前記陽極と前記陰極との間に配置されている発光層と、前記陰極と前記発光層との間に配置され、かつ前記陰極に接している有機化合物層と、を有している。
【００１５】
本発明において、有機化合物層は、下記一般式［１］に示される錯体を有している。
【００１６】
【化３】
2015204438.tif 000004
【００１７】
尚、一般式［１］の錯体の詳細については、後述する。
【００１８】
［有機発光素子］
以下、有機発光素子について説明する。
【００１９】
本発明の有機発光素子は、一対の電極である陽極と陰極と、これら電極の間に配置される有機化合物からなる層と、を有する。本発明において、有機化合物からなる層には、後述する発光層と有機化合物層と、を含む。また本発明の有機発光素子は、両電極から正孔及び電子が供給され、発光層に含まれる有機化合物が発光する有機エレクトロルミネッセンス素子である。
【００２０】
本発明において、有機化合物層は、陰極と発光層との間に配置され、かつ陰極に接している層である。このため、有機化合物層は、陰極から注入される電子を発光層へ輸送する役割を果たす層、具体的には、電子注入層、電子輸送層等である。
【００２１】
本発明において、有機発光素子の具体的構成としては、下記（１）乃至（５）に挙げられる構成がある。
（１）（基板／）陽極／発光層／電子注入層／陰極
（２）（基板／）陽極／正孔輸送層／電子輸送層／電子注入層／陰極
（３）（基板／）陽極／正孔輸送層／発光層／電子輸送層／電子注入層／陰極
（４）（基板／）陽極／正孔注入層／正孔輸送層／発光層／電子輸送層／電子注入層／陰極
（５）（基板／）陽極／正孔輸送層／発光層／ブロッキング層／電子輸送層／電子注入層／陰極
【００２２】
ただし本発明において、有機発光素子の構成はこれら５種に限定されるものではない。例えば、基板に近い電極を陰極として、各層の順序が逆である以外は上記５種のいずれかの層構成と同じである構成であってもよい。また上記５種の構成に含まれる層（正孔輸送層、発光層、ブロッキング層、電子輸送層、電子注入層）は、それぞれ、単層であってもよいし複数層からなる積層体であってもよい。
【００２３】
本発明において、一般式［１］の錯体は、電子注入層に含まれることが好ましい。
【００２４】
［錯体］
次に、下記一般式［１］の錯体について説明する。
【００２５】
【化４】
2015204438.tif 000005
【００２６】
式［１］において、Ｍは、リチウム、ナトリウム、カリウム、ルビジウム又はセシウムを表す。好ましくは、リチウムである。
【００２７】
式［１］において、Ｒ1及びＲ5は、それぞれ炭素数１乃至８のアルキル基又はフッ素原子を表す。
【００２８】
Ｒ1及びＲ5で表されるアルキル基として、例えば、メチル基、エチル基、イソプロピル基、ノルマルプロピル基、セカンダリーブチル基、ターシャリーブチル基、ノルマルヘキシル基、シクロヘキシル基、ノルマルヘプチル基、メチルシクロヘキシル基、ノルマルオクチル基、トリフルオロメチル基、ペンタフルオロエチル基等が挙げられる。
【００２９】
式［１］において、Ｒ2乃至Ｒ4及びＲ6乃至Ｒ9は、それぞれ水素原子、フッ素原子、炭素数１乃至８のアルキル基又はアリール基を表す。尚、Ｒ2乃至Ｒ4及びＲ6乃至Ｒ9で表されるアルキル基の具体例は、Ｒ1及びＲ5で表されるアルキル基の具体例と同じである。
【００３０】
Ｒ2乃至Ｒ4及びＲ6乃至Ｒ9で表されるアリール基として、例えば、フェニル基、ナフチル基、ペンタレニル基、インデニル基、アズレニル基、アントリル基、ピレニル基、インダセニル基、アセナフテニル基、フェナントリル基、フェナレニル基、フルオランテニル基、アセフェナントリル基、アセアントリル基、トリフェニレニル基、クリセニル基、ナフタセニル基、ペリレニル基、ペンタセニル基、ビフェニル基、ターフェニル基、フルオレニル基等が挙げられる。
【００３１】
ただし、Ｒ6乃至Ｒ8のうち少なくとも一つはフッ素原子、炭素数１乃至８のアルキル基又はアリール基である。好ましくは、Ｒ6乃至Ｒ8のうち少なくとも一つは炭素数１乃至８のアルキル基である。
【００３２】
ここで、Ｒ2乃至Ｒ4及びＲ6乃至Ｒ9（好ましくは、Ｒ6乃至Ｒ9）のいずれかがアリール基である場合、当該アリール基は、フッ素原子又は炭素数１乃至８のアルキル基をさらに有するのが好ましい。当該アリール基がさらに有していてもよいアルキル基として、例えば、メチル基、エチル基、イソプロピル基、ノルマルプロピル基、セカンダリーブチル基、ターシャリーブチル基、ノルマルヘキシル基、シクロヘキシル基、ノルマルヘプチル基、メチルシクロヘキシル基、ノルマルオクチル基、トリフルオロメチル基、ペンタフルオロエチル基等が挙げられる。
【００３３】
またＲ1乃至Ｒ9のいずれかがアルキル基である場合、当該アルキル基の少なくとも一つが当該アルキル基に含まれる水素原子の少なくとも一部がフッ素原子に置換されているのが好ましい。
【００３４】
さらに、Ｒ1乃至Ｒ9のいずれかにフッ素原子が導入されているのが好ましい。
【００３５】
［錯体の機能］
本発明の有機発光素子は、電子注入性を有する有機化合物層に一般式［１］の錯体が含まれていることで、陰極からの電子注入を促進させ、低電圧駆動が可能な有機発光素子を提供することができる。以下、本発明における一般式［１］の錯体の機能・役割について説明する。
【００３６】
一般的に、電子注入層等の電子注入性を有する層に含まれる電子注入材料としては、フッ化リチウムやアルミニウムリチウム等の無機アルカリ金属化合物を使うことが多いが、これらは非常に水に溶解あるいは分解する化合物である。このため、無機アルカリ金属化合物を含む有機発光素子は、耐湿性の確保のために厳重に封止をする必要がある。しかし素子の封止を行ったとしても、長期にわたり水を完全に遮断できるとは限らない。
【００３７】
本発明は、疎水性の高い炭化水素骨格を配位子として用いた有機アルカリ金属錯体、特に、有機リチウム錯体を用いることで、電子注入材料そのものの耐水性を向上させることを可能とした。これにより、従来行われた素子の封止を簡易化することができるだけでなく、封止そのものを省略する（封止レスにする）ことが可能になる。また封止した素子においても、水分を吸収することによる劣化を長期的に防ぐことが可能になる。
【００３８】
ただし、有機リチウム錯体であればすべて、有機発光素子における電子注入性材料として機能するわけではなく、蒸着安定性、電子注入性及び膜の安定性が全て良好である錯体を選択する必要がある。
【００３９】
数多くある有機リチウム錯体の中でも、一般式［１］のリチウム錯体（Ｍ＝Ｌｉ）は、耐水性が良好であり、また上述した蒸着安定性、電子注入性及び膜の安定性がすべて良好な電子注入材料である。
【００４０】
特許文献１及び非特許文献１にはａ−１乃至ａ−３を電子注入材料として用いる開示がある。
【００４１】
【化５】
2015204438.tif 000006
【００４２】
本発明の一般式［１］で示される錯体と以下の点で異なる。本発明の化合物の例として一般式［１］及びＡ−２を用いて説明する。
【００４３】
【化６】
2015204438.tif 000007
【００４４】
（１）一般式［１］においてＲ1及びＲ5にアルキル基又はフッ素で置換されていることで耐水性が向上する。
【００４５】
本発明は一般式［１］においてＲ1及びＲ5にアルキル基又はフッ素で置換されており、水に弱いリチウムをアルキル基又はフッ素で覆うことで耐水性を向上させる構造をとる。ａ−３はＲ5にアルキル基が置換されているが、Ｒ1には置換されていない。この場合、Ｒ1とＲ5の間の炭素と窒素の結合が回転できるため、立体障害の小さいＲ1（水素）がリチウム側にきてしまい、耐水性が確保されない。
【００４６】
【化７】
2015204438.tif 000008
【００４７】
非特許文献１ではａ−１の構造が４量体で縮合した構造をとるとしている。この場合、Ｌｉと酸素の結合が４つ縮合して立方体構造形成し、それを覆うように配位子が４量化して存在する。この場合でも水分子は配位子の隙間を通り抜けＬｉと反応する。従って、４量化した場合でのＲ1及びＲ5にアルキル基又はフッ素で置換することは、リチウムを覆う役割と配位子の炭化水素ネットワークの緻密性をあげ、水分子がリチウムに近づくことを回避する役割を果たす。
【００４８】
（２）一般式［１］においてＲ6乃至Ｒ8は少なくとも一つは炭素数１乃至８のアルキル基、フッ素原子又はアリール基で置換することで耐水性が向上し、さらにアモルファス性が高い膜が形成される。
【００４９】
上述したように、４量化した錯体の配位子による炭化水素ネットワークの緻密性を上げるためには、Ｒ6乃至Ｒ8に少なくとも一つは炭素数１乃至８のアルキル基、フッ素原子又はアリール基を置換することが良い。（１）に加え、さらに水分子がリチウムに近づくことを回避する役割を果たす。Ｒ6乃至Ｒ8に置換する置換基としては、イソプロピル基、セカンダリーブチル基、ターシャリーブチル、シクロヘキシル基等の第２級又は第３級アルキル基で炭素数が３以上のアルキル基やフェニル基、ターフェニル基、フルオレニル基、ナフチル基等のアリール基といった嵩高い置換基の場合、効果が高い。
【００５０】
さらに、Ｒ6乃至Ｒ8は少なくとも一つは炭素数１乃至８のアルキル基、フッ素原子又はアリール基で置換することで長期にわたり、安定したアモルファス膜を形成する。
【００５１】
ａ−１乃至ａ−３は母骨格がフェニル基２つで形成され、空間的に小さい分子であり、膜中で分子が動きやすく、結晶化しやすい。Ｒ6乃至Ｒ8に置換基がある場合、空間的な広がりが大きくなり、膜中で分子が動きにくくなり、長期にわたり、結晶化せず、安定したアモルファス膜を形成する。Ｒ6乃至Ｒ8に置換する置換基としては、イソプロピル基、セカンダリーブチル基、ターシャリーブチル、シクロヘキシル基等の第２級または第３級アルキル基で炭素数が３以上のアルキル基やフェニル基、ターフェニル基、フルオレニル基、ナフチル基等のアリール基といった嵩高い置換基の場合、効果が高い。
【００５２】
以上の内容は、Ｒ2乃至Ｒ4及びＲ9に、アルキル基、フッ素原子又はアリール基で置換する場合も同様であり、耐水性が向上し、さらにアモルファス性が高い膜が形成される。
【００５３】
（３）Ｒ1乃至Ｒ9にアルキル基又はフッ素原子を置換することで真空蒸着時の蒸着温度を低く抑えられ、分解温度より低い温度で蒸着できる。
【００５４】
リチウム錯体等は配位子とリチウムの配位結合は芳香族同士等の共有結合よりも弱いため、共有結合だけで構成された化合物よりも分解温度が低い。そのため、リチウム錯体を真空蒸着する場合は分解温度よりも低く、蒸着温度と分解温度の差を大きくする必要がある。
【００５５】
蒸着温度を低くするためには分子量を小さくする方法があるが、一般式［１］の錯体の場合はこれ以上分子量を小さくすると、アモルファス膜性が悪くなるので、好ましくない。
【００５６】
そこで、Ｒ1乃至Ｒ9にアルキル基又はフッ素原子を置換することで分子間のスタッキングを抑えることで、蒸着温度を抑えることができる。置換基としては、イソプロピル基、セカンダリーブチル基、ターシャリーブチル、シクロヘキシル基等の第２級又は第３級アルキル基で炭素数が３以上のアルキル基やフッ素原子が好ましく、特にフッ素原子は効果が大きい。
【００５７】
（４）Ｒ1及びＲ5及びＲ6乃至Ｒ8に少なくとも一つアルキル基又は、フッ素を置換すると陰極による還元を受けやすく、電子注入性が良くなると考えられる。
【００５８】
一般式［１］の錯体は陰極を構成する金属の還元作用により電子注入性を発現すると考えられ、陰極に接する電子注入層に用いることが好ましい。
【００５９】
なぜなら、一般式［１］の錯体は中心金属としてイオン化ポテンシャルの低いリチウムを有する。陰極として例えばアルミニウムが一般式［１］の錯体を含む電子注入層と接することで中心金属のリチウムを遊離させる。
【００６０】
これはアルミニウムの還元性によるもので、還元反応により遊離したリチウムは共存する電子輸送材料と相互作用し、フリーキャリアを生じ、陰極からの電子注入を促進させる効果があると考えられる。
【００６１】
本発明の一般式［１］の錯体は母骨格中の電荷の偏りがより電子不足になる方向なので、陰極からの還元を起こしやすくなると考えられる。ここで、母骨格とは一般式［１］において、Ｒ1乃至Ｒ9を省いた構造とする。この効果は本発明の電子注入層を用いた発光素子の駆動電圧が下がることに寄与すると考えられる。
【００６２】
以下に示すのは、分子軌道計算によりＭｕｌｌｉｋｅｎの原子電荷の和で母骨格中の電荷の偏りを示したものである（表１）。本発明の錯体のほうが、電荷の和が大きく、電子不足になることを表している。
【００６３】
【表１】
2015204438.tif 000009
【００６４】
以上の効果はアルキル基及びフッ素原子の数が多いほど効果が大きいと考えられる。
【００６５】
また、アルキル基よりも電子吸引性の高いフッ素原子を置換することでより効果が大きくなると考えられる。また、置換位置はＲ1及びＲ5及びＲ6乃至Ｒ8以外の置換位置でも効果があると考えられる。
【００６６】
上記に示した分子軌道計算は、現在広く用いられているＧａｕｓｓｉａｎ  ０９（Ｇａｕｓｓｉａｎ  ０９，Ｒｅｖｉｓｉｏｎ  Ｃ．０１，Ｍ．Ｊ．Ｆｒｉｓｃｈ，Ｇ．Ｗ．Ｔｒｕｃｋｓ，Ｈ．Ｂ．Ｓｃｈｌｅｇｅｌ，Ｇ．Ｅ．Ｓｃｕｓｅｒｉａ，Ｍ．Ａ．Ｒｏｂｂ，Ｊ．Ｒ．Ｃｈｅｅｓｅｍａｎ，Ｇ．Ｓｃａｌｍａｎｉ，Ｖ．Ｂａｒｏｎｅ，Ｂ．Ｍｅｎｎｕｃｃｉ，Ｇ．Ａ．Ｐｅｔｅｒｓｓｏｎ，Ｈ．Ｎａｋａｔｓｕｊｉ，Ｍ．Ｃａｒｉｃａｔｏ，Ｘ．Ｌｉ，Ｈ．Ｐ．Ｈｒａｔｃｈｉａｎ，Ａ．Ｆ．Ｉｚｍａｙｌｏｖ，Ｊ．Ｂｌｏｉｎｏ，Ｇ．Ｚｈｅｎｇ，Ｊ．Ｌ．Ｓｏｎｎｅｎｂｅｒｇ，Ｍ．Ｈａｄａ，Ｍ．Ｅｈａｒａ，Ｋ．Ｔｏｙｏｔａ，Ｒ．Ｆｕｋｕｄａ，Ｊ．Ｈａｓｅｇａｗａ，Ｍ．Ｉｓｈｉｄａ，Ｔ．Ｎａｋａｊｉｍａ，Ｙ．Ｈｏｎｄａ，Ｏ．Ｋｉｔａｏ，Ｈ．Ｎａｋａｉ，Ｔ．Ｖｒｅｖｅｎ，Ｊ．Ａ．Ｍｏｎｔｇｏｍｅｒｙ，Ｊｒ．，Ｊ．Ｅ．Ｐｅｒａｌｔａ，Ｆ．Ｏｇｌｉａｒｏ，Ｍ．Ｂｅａｒｐａｒｋ，Ｊ．Ｊ．Ｈｅｙｄ，Ｅ．Ｂｒｏｔｈｅｒｓ，Ｋ．Ｎ．Ｋｕｄｉｎ，Ｖ．Ｎ．Ｓｔａｒｏｖｅｒｏｖ，Ｔ．Ｋｅｉｔｈ，Ｒ．Ｋｏｂａｙａｓｈｉ，Ｊ．Ｎｏｒｍａｎｄ，Ｋ．Ｒａｇｈａｖａｃｈａｒｉ，Ａ．Ｒｅｎｄｅｌｌ，Ｊ．Ｃ．Ｂｕｒａｎｔ，Ｓ．Ｓ．Ｉｙｅｎｇａｒ，Ｊ．Ｔｏｍａｓｉ，Ｍ．Ｃｏｓｓｉ，Ｎ．Ｒｅｇａ，Ｊ．Ｍ．Ｍｉｌｌａｍ，Ｍ．Ｋｌｅｎｅ，Ｊ．Ｅ．Ｋｎｏｘ，Ｊ．Ｂ．Ｃｒｏｓｓ，Ｖ．Ｂａｋｋｅｎ，Ｃ．Ａｄａｍｏ，Ｊ．Ｊａｒａｍｉｌｌｏ，Ｒ．Ｇｏｍｐｅｒｔｓ，Ｒ．Ｅ．Ｓｔｒａｔｍａｎｎ，Ｏ．Ｙａｚｙｅｖ，Ａ．Ｊ．Ａｕｓｔｉｎ，Ｒ．Ｃａｍｍｉ，Ｃ．Ｐｏｍｅｌｌｉ，Ｊ．Ｗ．Ｏｃｈｔｅｒｓｋｉ，Ｒ．Ｌ．Ｍａｒｔｉｎ，Ｋ．Ｍｏｒｏｋｕｍａ，Ｖ．Ｇ．Ｚａｋｒｚｅｗｓｋｉ，Ｇ．Ａ．Ｖｏｔｈ，Ｐ．Ｓａｌｖａｄｏｒ，Ｊ．Ｊ．Ｄａｎｎｅｎｂｅｒｇ，Ｓ．Ｄａｐｐｒｉｃｈ，Ａ．Ｄ．Ｄａｎｉｅｌｓ，Ｏ．Ｆａｒｋａｓ，Ｊ．Ｂ．Ｆｏｒｅｓｍａｎ，Ｊ．Ｖ．Ｏｒｔｉｚ，Ｊ．Ｃｉｏｓｌｏｗｓｋｉ，ａｎｄ  Ｄ．Ｊ．Ｆｏｘ，Ｇａｕｓｓｉａｎ，Ｉｎｃ．，Ｗａｌｌｉｎｇｆｏｒｄ  ＣＴ，２０１０．）により実施した。
【００６７】
計算手法には、密度汎関数法（Ｂ３ＬＹＰ／３−２１Ｇ）を用いた。
【００６８】
［錯体の具体例］
以下に、一般式［１］の錯体の具体例を列挙する。ただし、本発明はこれら具体例に限定されるものではない。
【００６９】
【化８】
2015204438.tif 000010
【００７０】
【化９】
2015204438.tif 000011
【００７１】
【化１０】
2015204438.tif 000012
【００７２】
【化１１】
2015204438.tif 000013
【００７３】
列挙された化合物のうち、Ａ群に属する化合物（Ａ−１乃至Ａ−１０）は、一般式［１］中のＲ1及びＲ5がアルキル基であって、Ｒ6乃至Ｒ8の少なくとも一つがアルキル基である化合物群である。Ｒ1及びＲ5、Ｒ6乃至Ｒ8の少なくとも一つの置換基にアルキル基を導入することで、錯体自体の昇華温度が低くなるため、素子を作製する際の蒸着温度を低くさせることができる。
【００７４】
列挙された化合物のうち、Ｂ群に属する化合物（Ｂ−１乃至Ｂ−１０）は、一般式［１］中のＲ1乃至Ｒ9のうち少なくとも一つがフッ素である化合物群である。化合物中にフッ素を導入することにより昇華温度がさらに低くすることができるため、素子を作製する際の蒸着温度を低下させることができる。また化合物中にフッ素を導入することにより、母骨格中の電荷がより電子不足になるため、陰極から注入された電子により還元されやすくなる。その結果、有機発光素子の駆動電圧を低くさせることができる。
【００７５】
列挙された化合物のうち、Ｃ群に属する化合物（Ｃ−１乃至Ｃ−１２）は、一般式［１］中のＲ1及びＲ5がアルキル基であって、Ｒ6乃至Ｒ8の少なくとも一つがアリール基である化合物群である。Ｒ1及びＲ5がアルキル基であることで化合物自体の昇華温度が低くなるため、素子を作製する際の蒸着温度を低下させることができる。またＲ6乃至Ｒ8の少なくとも一つをアリール基にすることにより、化合物自体が長期にわたり結晶化しないため、安定したアモルファス膜を形成することができる。
【００７６】
列挙された化合物のうち、Ｄ群に属する化合物（Ｄ−１乃至Ｄ−４）は、下記（ｄ１）乃至（ｄ３）の特徴を有する錯体である。
（ｄ１）一般式［１］中のＲ6乃至Ｒ8の少なくとも一つがアリール基であること
（ｄ２）Ｒ1乃至Ｒ9に導入される置換基及び上記（ｄ１）のアリール基が有する置換基のうち少なくとも一つがアルキル基であること
（ｄ３）Ｒ1乃至Ｒ9に導入される置換基及び上記（ｄ１）のアリール基が有する置換基のうち少なくとも一つがフッ素原子又はフッ素原子を有するアルキル基であること
【００７７】
Ｄ群に属する化合物は、（ｄ２）及び（ｄ３）の特徴を有するため、化合物自体の昇華温度が低い。このため、素子を作製する際の蒸着温度を低くさせることができる。またＤ群に属する化合物は、（ｄ１）の特徴を有するため、長期にわたり結晶化せず安定したアモルファス膜を形成することができる。またＤ群に属する化合物は、（ｄ３）の特徴を有するため、母骨格中の電荷がより電子不足になるため、陰極から注入された電子により還元されやすくなる。その結果、有機発光素子の駆動電圧を低下させることができる。
【００７８】
本発明において、有機化合物層は、一般式［１］の錯体のみからなる層であってもよいし、一般式［１］の錯体と他の化合物とからなる層であってもよい。
【００７９】
有機化合物層が一般式［１］の錯体と他の化合物とからなる層である場合、有機化合物層の全体に対する一般式［１］の錯体の濃度は、特に限定されないが、好ましくは、５０％以下である。より好ましくは、２０％以下である。
【００８０】
尚、一般式［１］の錯体と共に有機化合物層に含まれる材料として、電子注入材料が挙げられる。この電子注入材料として、例えば、アントラキノン誘導体、オキサジアゾール誘導体、オキサゾール誘導体、ピラジン誘導体、トリアゾール誘導体、トリアジン誘導体、キノリン誘導体、キノキサリン誘導体、フェナントロリン誘導体、有機アルミニウム錯体、縮環化合物（例えば、フルオレン誘導体、ナフタレン誘導体、クリセン誘導体、アントラセン誘導体等）が挙げられる。
【００８１】
以下、有機化合物層に含まれる電子注入材料として用いられる化合物の具体例を示すが、本発明においてはもちろんこれらに限定されるものではない。
【００８２】
【化１２】
2015204438.tif 000014
【００８３】
［有機発光素子の他の構成材料］
本発明の有機発光素子においては、構成材料として、一般式［１］の錯体の他に、公知の材料を使用することができる。
【００８４】
電子注入性材料としては、一般式［１］の錯体以外に、以下の材料をさらに併用してもよい。具体的には、アルカリ金属、アルカリ土類金属、希土類金属、アルカリ金属の酸化物、アルカリ金属のハロゲン化物、アルカリ金属の炭酸塩、アルカリ金属錯体、アルカリ土類金属の酸化物、アルカリ土類金属のハロゲン化物、アルカリ金属土類錯体、希土類金属の酸化物、希土類金属のハロゲン化物、希土類金属錯体等が挙げられる。ただし、上述した金属や金属化合物は、有機発光素子を構成する層の構成材料として用いるよりは、電子注入性の層（例えば、有機化合物層）の機能を向上させる目的で用いるのが好ましい。
【００８５】
正孔注入輸送性材料としては、陽極からの正孔の注入を容易にして、かつ注入された正孔を発光層へ輸送できるように正孔移動度が高い材料が好ましい。また有機発光素子中において結晶化等の膜質の劣化を防ぐために、ガラス転移点温度が高い材料が好ましい。正孔注入輸送性能を有する低分子及び高分子系材料としては、トリアリールアミン誘導体、アリールカルバゾール誘導体、フェニレンジアミン誘導体、スチルベン誘導体、フタロシアニン誘導体、ポルフィリン誘導体、ポリ（ビニルカルバゾール）、ポリ（チオフェン）、その他導電性高分子が挙げられる。さらに上記の正孔注入輸送性材料は、電子阻止層にも好適に使用される。
【００８６】
以下、正孔注入輸送性材料として用いられる化合物の具体例を示すが、本発明においてはもちろんこれらに限定されるものではない。
【００８７】
【化１３】
2015204438.tif 000015
【００８８】
主に発光機能に関わる発光材料としては、縮環化合物（例えばフルオレン誘導体、ナフタレン誘導体、ピレン誘導体、ペリレン誘導体、テトラセン誘導体、アントラセン誘導体、ルブレン等）、キナクリドン誘導体、クマリン誘導体、スチルベン誘導体、トリス（８−キノリノラート）アルミニウム等の有機アルミニウム錯体、イリジウム錯体、白金錯体、レニウム錯体、銅錯体、ユーロピウム錯体、ルテニウム錯体、及びポリ（フェニレンビニレン）誘導体、ポリ（フルオレン）誘導体、ポリ（フェニレン）誘導体等の高分子誘導体が挙げられる。
【００８９】
以下、発光材料として用いられる化合物の具体例を示すが、本発明においてはもちろんこれらに限定されるものではない。
【００９０】
【化１４】
2015204438.tif 000016
【００９１】
本発明において、発光層には、発光層自体が備える発光機能を向上させるための材料、具体的には、ホスト、発光アシスト材料等が含まれていてもよい。ホストや発光アシスト材料として用いられる化合物としては、芳香族炭化水素化合物もしくはその誘導体の他、カルバゾール誘導体、ジベンゾフラン誘導体、ジベンゾチオフェン誘導体、トリス（８−キノリノラート）アルミニウム等の有機アルミニウム錯体、有機ベリリウム錯体等が挙げられる。
【００９２】
以下、発光層に含まれるホストあるいは発光アシスト材料として用いられる化合物の具体例を示すが、本発明においてはもちろんこれらに限定されるものではない。
【００９３】
【化１５】
2015204438.tif 000017
【００９４】
電子輸送性材料としては、陰極から注入された電子を発光層へ輸送することができるものから任意に選ぶことができ、正孔輸送性材料の正孔移動度とのバランス等を考慮して選択される。電子輸送性能を有する材料としては、オキサジアゾール誘導体、オキサゾール誘導体、ピラジン誘導体、トリアゾール誘導体、トリアジン誘導体、キノリン誘導体、キノキサリン誘導体、フェナントロリン誘導体、有機アルミニウム錯体、縮環化合物（例えばフルオレン誘導体、ナフタレン誘導体、クリセン誘導体、アントラセン誘導体等）が挙げられる。さらに上記の電子輸送性材料は、正孔阻止層にも好適に使用される。
【００９５】
以下、電子輸送性材料として用いられる化合物の具体例を示すが、本発明においてはもちろんこれらに限定されるものではない。
【００９６】
【化１６】
2015204438.tif 000018
【００９７】
陽極の構成材料としては仕事関数がなるべく大きなものがよい。例えば、金、白金、銀、銅、ニッケル、パラジウム、コバルト、セレン、バナジウム、タングステン等の金属単体あるいはこれらを組み合わせた合金、酸化錫、酸化亜鉛、酸化インジウム、酸化錫インジウム（ＩＴＯ）、酸化亜鉛インジウム等の金属酸化物が使用できる。またポリアニリン、ポリピロール、ポリチオフェン等の導電性ポリマーも使用できる。
【００９８】
これらの電極物質は一種類を単独で使用してもよいし、二種類以上を併用して使用してもよい。また、陽極は一層で構成されていてもよく、複数の層で構成されていてもよい。
【００９９】
一方、陰極の構成材料としては仕事関数の小さな還元性が強いものがよい。例えばリチウム等のアルカリ金属、カルシウム等のアルカリ土類金属、アルミニウム、チタニウム、マンガン、銀、鉛、クロム等の金属単体が挙げられる。あるいはこれら金属単体を組み合わせた合金も使用することができる。例えばマグネシウム−銀、アルミニウム−リチウム、アルミニウム−マグネシウム等が使用できる。酸化錫インジウム（ＩＴＯ）等の金属酸化物の利用も可能である。これらの電極物質は一種類を単独で使用してもよいし、二種類以上を併用して使用してもよい。また陰極は一層構成でもよく、多層構成でもよい。
【０１００】
本発明の有機発光素子を構成する有機化合物層（正孔注入層、正孔輸送層、電子阻止層、発光層、正孔阻止層、電子輸送層、ブロッキング層、電子注入層等）は、以下に示す方法により形成される。
【０１０１】
発明の有機発光素子を構成する有機化合物層は、真空蒸着法、イオン化蒸着法、スパッタリング、プラズマ等のドライプロセスを用いることができる。またドライプロセスに代えて、適当な溶媒に溶解させて公知の塗布法（例えば、スピンコーティング、ディッピング、キャスト法、ＬＢ法、インクジェット法等）により層を形成するウェットプロセスを用いることもできる。
【０１０２】
ここで真空蒸着法や溶液塗布法等によって層を形成すると、結晶化等が起こりにくく経時安定性に優れる。また塗布法で成膜する場合は、適当なバインダー樹脂と組み合わせて膜を形成することもできる。
【０１０３】
上記バインダー樹脂としては、ポリビニルカルバゾール樹脂、ポリカーボネート樹脂、ポリエステル樹脂、ＡＢＳ樹脂、アクリル樹脂、ポリイミド樹脂、フェノール樹脂、エポキシ樹脂、シリコン樹脂、尿素樹脂等が挙げられるが、これらに限定されるものではない。
【０１０４】
また、これらバインダー樹脂は、ホモポリマー又は共重合体として一種類を単独で使用してもよいし、二種類以上を混合して使用してもよい。さらに必要に応じて、公知の可塑剤、酸化防止剤、紫外線吸収剤等の添加剤を併用してもよい。
【０１０５】
［有機発光素子の用途］
本発明の有機発光素子は、表示装置や照明装置の構成部材として用いることができる。他にも、電子写真方式の画像形成装置の露光光源や液晶表示装置のバックライト、白色光源にカラーフィルターを有する発光装置等の用途がある。カラーフィルターは例えば赤、緑、青の３つの色が透過するフィルターが挙げられる。
【０１０６】
本発明の表示装置は、本発明の有機発光素子を表示部に有する。尚、この表示部は複数の画素を有する。
【０１０７】
そしてこの画素は、本発明の有機発光素子と、発光輝度を制御するための能動素子（スイッチング素子）又は増幅素子の一例であるトランジスタとを有し、この有機発光素子の陽極又は陰極とトランジスタのドレイン電極又はソース電極とが電気接続されている。ここで表示装置は、ＰＣ等の画像表示装置として用いることができる。上記トランジスタとして、例えば、ＴＦＴ素子が挙げられ、このＴＦＴ素子は、例えば、基板の絶縁性表面に設けられている。
【０１０８】
表示装置は、エリアＣＣＤ、リニアＣＣＤ、メモリーカード等からの画像情報を入力する画像入力部を有し、入力された画像を表示部に表示する情報処理装置でもよい。
【０１０９】
また、撮像装置やインクジェットプリンタが有する表示部は、タッチパネル機能を有していてもよい。このタッチパネル機能の駆動方式は特に限定されない。
【０１１０】
また表示装置はマルチファンクションプリンタの表示部に用いられてもよい。
【０１１１】
照明装置は例えば室内を照明する装置である。照明装置は白色（色温度が４２００Ｋ）、昼白色（色温度が５０００Ｋ）、その他青から赤のいずれの色を発光するものであってもよい。
【０１１２】
本発明の照明装置は、本発明の有機発光素子と、この有機発光素子と接続するＡＣ／ＤＣコンバーター回路（交流電圧を直流電圧に変換する回路）とを有している。尚、この照明装置は、カラーフィルターをさらに有してもよい。
【０１１３】
本発明の画像形成装置は、感光体とこの感光体の表面を帯電させる帯電手段と、感光体を露光して靜電潜像を形成するための露光手段と、感光体の表面に形成された静電潜像を現像するための現像器とを有する画像形成装置である。ここで画像形成装置に備える露光手段は、本発明の有機発光素子を含んでいる。
【０１１４】
また本発明の有機発光素子は、感光体を露光するための露光装置の構成部材として使用することができる。本発明の有機発光素子を有する露光装置は、例えば、本発明の有機発光素子を所定の方向に沿って列を形成して配置されている露光装置がある。
【０１１５】
次に、図面を参照しながら本発明の表示装置につい説明する。図１は、有機発光素子とこの有機発光素子に接続されるＴＦＴ素子とを有する表示装置の例を示す断面模式図である。尚、図１の表示装置１を構成する有機発光素子として、本発明の有機発光素子が用いられている。
【０１１６】
図１の表示装置１は、ガラス等の基板１１とその上部にＴＦＴ素子又は有機化合物層を保護するための防湿膜１２が設けられている。また符号１３は金属のゲート電極１３である。符号１４はゲート絶縁膜１４であり、１５は半導体層である。
【０１１７】
ＴＦＴ素子１８は、半導体層１５とドレイン電極１６とソース電極１７とを有している。ＴＦＴ素子１８の上部には絶縁膜１９が設けられている。コンタクトホール２０を介して有機発光素子を構成する陽極２１とソース電極１７とが接続されている。
【０１１８】
尚、有機発光素子に含まれる電極（陽極、陰極）とＴＦＴに含まれる電極（ソース電極、ドレイン電極）との電気接続の方式は、図１に示される態様に限られるものではない。つまり陽極又は陰極のうちいずれか一方とＴＦＴ素子ソース電極またはドレイン電極のいずれか一方とが電気接続されていればよい。
【０１１９】
図１の表示装置１では多層の有機化合物層を１つの層の如く図示をしているが、有機化合物層２２は、複数層であってよい。陰極２３の上には有機発光素子の劣化を抑制するための第一の保護層２４や第二の保護層２５が設けられている。
【０１２０】
図１の表示装置１が白色を発する表示装置の場合、図１中の有機化合物層２２に含まれる発光層は、赤色発光材料、緑色発光材料及び青色発光材料を混合してなる層としてもよい。また赤色発光材料からなる層、緑色発光材料からなる層、青色発光材料からなる層をそれぞれ積層させてなる積層型の発光層としてもよい。さらに別法として、赤色発光材料からなる層、緑色発光材料からなる層、青色発光材料からなる層を横並びにするなりして一の発光層の中にドメインを形成した態様であってもよい。
【０１２１】
図１の表示装置１ではスイッチング素子としてトランジスタを使用しているが、これに代えてＭＩＭ素子をスイッチング素子として用いてもよい。
【０１２２】
また図１の表示装置１に使用されるトランジスタは、単結晶シリコンウエハを用いたトランジスタに限らず、基板の絶縁性表面上に活性層を有する薄膜トランジスタでもよい。活性層として単結晶シリコンを用いた薄膜トランジスタ、活性層としてアモルファスシリコンや微結晶シリコンなどの非単結晶シリコンを用いた薄膜トランジスタ、活性層としてインジウム亜鉛酸化物やインジウムガリウム亜鉛酸化物等の非単結晶酸化物半導体を用いた薄膜トランジスタであってもよい。尚、薄膜トランジスタはＴＦＴ素子とも呼ばれる。
【０１２３】
本発明の表示装置等で使用されるスイッチング素子は、そのチャネル部（活性領域）に酸化物半導体を有していてもよい。このスイッチング素子が有する酸化物半導体部は、アモルファスであってもよいし結晶であってもよい。あるいはアモルファス部分と結晶部分とが混在させたものであってもよい。酸化物半導体（部）が結晶で構成される場合、結晶の形態としては、単結晶、微結晶、あるいはＣ軸等の特定軸が配向している結晶のいずれかであってもよい。ただしこれら形態に限定されず、これら形態のうち少なくとも２種類が混合された形態であってもよい。
【０１２４】
このようなスイッチング素子を有する有機発光素子は、それぞれの有機発光素子が画素として設けられる画像表示装置に用いられてもよい。あるいは照明装置、レーザービームプリンタ、複写機等の電子写真方式の画像形成装置の感光体を露光する露光部として用いられてもよい。
【０１２５】
図１の表示装置１に含まれるトランジスタは、Ｓｉ基板等の基板内に形成されていてもよい。ここで基板内に形成されるとは、Ｓｉ基板等の基板自体を加工してトランジスタを作製することを意味する。つまり、基板内にトランジスタを有することは、基板とトランジスタとが一体に形成されていると見ることもできる。
【０１２６】
基板内にトランジスタを設けるかどうかについては、精細度によって選択される。例えば１インチでＱＶＧＡ程度の精細度の場合はＳｉ基板内に有機発光素子を設けることが好ましい。
【０１２７】
次に、本発明の有機発光素子の他の用途について説明する。図２は、本発明に係る有機発光素子を有する画像形成装置の例を示す模式図である。図２の画像形成装置２６は、感光体２７と、露光光源２８と、現像器３０と、帯電部３１と、転写器３２と、搬送ローラー３３と、定着器３３と、を有している。
【０１２８】
図２の画像形成装置２６は、露光光源２８から感光体２７へ向けて光２９が照射され、感光体２７の表面に静電潜像が形成される。図２の画像形成装置２６において、露光光源２８は、本発明に係る有機発光素子を複数有している。また図２の画像形成装置２６において、現像部である現像器３０は、上記静電潜像を現像するものであってトナー等を有している。図２の画像形成装置２６において、帯電部３１は、感光体２７を帯電させるために設けられている。図２の画像形成装置２６において、転写器３２は、現像された画像を紙等の記録媒体３４に転写するために設けられている。尚、記録媒体３４は、搬送ローラー３３によって転写器３２へ搬送される。図２の画像形成装置２６において、定着器３５は、記録媒体３４に形成された画像を定着させるために設けられている。
【０１２９】
図３（ａ）及び図３（ｂ）は、図２の画像形成装置２６を構成する露光光源（露光器）の具体例を示す平面概略図であり、図３（ｃ）は、図２の画像形成装置２６を構成する感光体の具体例を示す概略図である。尚、図３（ａ）及び図３（ｂ）は、露光光源２８に有機発光素子を含む発光部３６が長尺状の基板２８ａに複数配置されている点、及びこの発光部３６が感光体の長軸方向に沿って一列に配置されている点で共通している。また符合３７の矢印は、発光部３６が配列されている列方向を表わす。この列方向は、感光体２７が回転する軸の方向と同じである。
【０１３０】
ところで図３（ａ）では、発光部３６は、感光体２７の軸方向に沿って配置した形態である。一方、図３（ｂ）では、第一の列αと第二の列βとのそれぞれにおいて発光部３６が列方向に交互に配置されている形態である。図３（ｂ）において、第一の列α及び第二の列βは、それぞれ行方向に異なる位置に配置されている。
【０１３１】
また図３（ｂ）において、第一の列αは、複数の発光部３６αが一定の間隔を空けて配置される一方で、第二の列βは、第一の列αに含まれる発光部３６α同士の間隔に対応する位置に発光部３６βを有する。即ち、図３（ｂ）の露光光源は、行方向にも、複数の発光部が一定の間隔を空けつつ配置されている。
【０１３２】
尚、図３（ｂ）の露光光源は、露光光源を構成する発光部（３６α、３６β）を、例えば、格子状、千鳥格子、あるいは市松模様に配置されている状態と言い換えることもできる。
【０１３３】
図４は、本発明に係る有機発光素子を有する照明装置の例を示す模式図である。図４の照明装置は、基板（不図示）の上に設けられる有機発光素子３８と、ＡＣ／ＤＣコンバーター回路３９と、を有している。また図４の照明装置は、装置内の熱を外部へ放出する放熱部に相当する放熱板（不図示）を、例えば、有機発光素子３８が載置されている側とは反対側の基板面に有していてもよい。
【実施例】
【０１３４】
以下、実施例により本発明を詳細に説明するが、本発明はこれら実施例に限定されるものではない。
【０１３５】
［リチウム錯体の合成］
本発明の有機発光素子の構成材料として用いられる一般式［１］の錯体は、例えば、下記に示される合成ルートにより合成することができる。
【０１３６】
【化１７】
2015204438.tif 000019
【０１３７】
尚、上記合成スキームは、下記（ｉ）及び（ｉｉ）の工程が含まれる。
（ｉ）芳香族アミン（化合物ｃ−１）及びサリチルアルデヒド誘導体（化合物ｃ−２）を、エタノール中で加熱撹拌して配位子（ｃ−３）を得る工程（配位子合成工程）
（ｉｉ）ターシャリブトキシリチウム及び配位子（ｃ−３）を、アセトニトリル中で加熱撹拌することで一般式［１］の錯体を合成する工程（錯体合成工程）
【０１３８】
［合成例１］例示化合物Ａ−１の合成
以下に示すスキームに従って、化合物Ａ−１を合成した。
【０１３９】
【化１８】
2015204438.tif 000020
【０１４０】
（１）配位子合成工程
１００ｍｌの三ツ口フラスコに、下記に示す試薬、溶媒を入れた。
ｃ−１０：１．３５ｇ（１０．０ｍｍｏｌ）
ｃ−１１：１．７８ｇ（１０．０ｍｍｏｌ）
エタノール：４０ｍｌ
【０１４１】
次に、反応溶液を８０℃に加熱し、この温度（８０℃）で５時間攪拌した。反応終了後、エタノールを留去することで、ｃ−１２を黄色固体として２．８６ｇ得た。
【０１４２】
（２）錯体合成工程
次に、１００ｍｌ三ツ口フラスコに、下記に示す試薬、溶媒を入れた。
ｃ−１２：１．００ｇ（３．３８ｍｍｏｌ）
ターシャリブトキシリチウム：０．２４ｇ（３．００ｍｍｏｌ）
アセトニトリル：３０ｍｌ
【０１４３】
次に、反応溶液を７０℃に加熱し、この温度（７０℃）で５時間攪拌した。反応終了後、反応溶液をろ過することで得られた白黄色固体をアセトニトリルでろ過器上洗浄した後、真空乾燥を行った。以上により、化合物Ａ−１を白黄色固体として０．５５ｇ得た。
【０１４４】
質量分析法により、例示化合物Ａ−１のＭ+である３０１を確認した。
【０１４５】
［合成例２乃至５］
合成例１（１）において、使用した芳香族アミン及びサリチルアルデヒド誘導体を、表２に示すように適宜変更したこと以外は、合成例１と同様の方法により錯体を合成した。
【０１４６】
【表２】
2015204438.tif 000021
【０１４７】
［合成例６］例示化合物Ｃ−１の合成
以下に示すスキームに従って、化合物Ｃ−１を合成した。
【０１４８】
【化１９】
2015204438.tif 000022
【０１４９】
（１）配位子合成工程
１００ｍｌ三ツ口フラスコに、下記に示す試薬、溶媒を入れた。
ｃ−２０：２．０１ｇ（１０．０ｍｍｏｌ）
ｃ−２１：１．７８ｇ（１０．０ｍｍｏｌ）
炭酸ナトリウム：１０ｇ
トルエン：２０ｍｌ
水：１０ｍｌ
エタノール：１０ｍｌ
【０１５０】
次に、反応溶液を攪拌した後、反応溶液を８０℃に加熱し、この温度（８０℃）で５時間攪拌した。反応終了後、エタノールを留去することで、ｃ−２２を黄色固体として１．２２ｇ得た。
【０１５１】
次に、１００ｍｌ三ツ口フラスコに、下記に示す試薬、溶媒を入れた。
ｃ−２２：１．２０ｇ（４．７２ｍｍｏｌ）
ｃ−２３：０．８４ｇ（４．８０ｍｍｏｌ）
エタノール：３０ｍｌ
【０１５２】
次に、反応溶液を８０℃に加熱し、この温度（８０℃）で５時間攪拌した。反応終了後、エタノールを留去することで、ｃ−２４を黄色固定として１．２１ｇ得た。
【０１５３】
（２）錯体合成工程
次に、１００ｍｌ三ツ口フラスコに、下記に示す試薬、溶媒を入れた。
ｃ−２４：１．２０ｇ（２．９１ｍｍｏｌ）
ターシャリブトキシリチウム：０．２１６ｇ（２．７０ｍｍｏｌ）
アセトニトリル：３０ｍｌ
【０１５４】
次に、反応溶液を７０℃に加熱し、この温度（７０℃）で５時間攪拌した。反応終了後、反応溶液をろ過することで得られた白黄色固体をアセトニトリルでろ過器上洗浄した後、真空乾燥を行った。以上により、化合物Ｃ−１を白黄色固体として０．５１ｇ得た。
【０１５５】
質量分析法により、例示化合物Ｃ−１のＭ+である４１９を確認した。
【０１５６】
［合成例７乃至１１］
合成例６（１）において、使用したサリチルアルデヒド誘導体、ボロン酸誘導体及び芳香族アミンを、表３に示すように適宜変更したこと以外は、合成例６と同様の方法により錯体を合成した。
【０１５７】
【表３】
2015204438.tif 000023
【０１５８】
［実施例１］
本実施例では、基板の上に、陽極、正孔輸送層、発光層、電子輸送層、電子注入層及び陰極がこの順に形成される有機発光素子を、以下に説明する方法により作製した。ここで、本実施例で使用した材料の一部を以下に示す。
【０１５９】
【化２０】
2015204438.tif 000024
【０１６０】
スパッタ法により、ガラス基板の上に、酸化錫インジウム（ＩＴＯ）を成膜して陽極を形成した。次に、陽極が形成されている基板を、アセトン、イソプロピルアルコール（ＩＰＡ）で順次超音波洗浄し、次いでＩＰＡで煮沸洗浄後乾燥した。さらに、ＵＶ／オゾン洗浄したものを透明導電性支持基板として以下の工程で使用した。
【０１６１】
次に、１０-5Ｐａの真空チャンバー内での抵抗加熱による真空蒸着により、透明導電性支持基板の上に、下記表４に示される有機化合物層及び電極層を連続成膜することで有機発光素子を作製した。
【０１６２】
【表４】
2015204438.tif 000025
【０１６３】
得られた素子について５Ｖの印加電圧をかけたところ、発光効率が５．８ｃｄ／ｍ2であり、ＣＩＥ色度（０．６５，０．３５）の発光ドーパントｈ−３由来の赤色発光が観測された。さらに、湿度７０％の環境下で電流密度を１００ｍＡ／ｃｍ2に保ちながら、電圧を１００時間連続印加したところ、初期輝度に対する２４時間後の輝度劣化率は小さかった。
【０１６４】
［実施例２乃至７］
実施例２乃至７のいずれかで使用した材料の一部を以下に示す。
・リチウム錯体：例示化合物Ａ−２、Ｂ−１、Ｃ−３、Ｄ−３
・電子注入材料：下記に示される化合物のいずれか
【０１６５】
【化２１】
2015204438.tif 000026
【０１６６】
実施例１において、電子注入層の構成材料の組み合わせを下記表  の通りとした。これ以外は実施例１と同様の方法により有機発光素子を作製した。尚、電子注入層を形成する際に、リチウム錯体と電子注入材料（電子注入層に含まれるリチウム錯体以外の化合物）との混合比は、下記に示す通りとした。
［リチウム錯体］；［電子注入材料］＝５０：５０（重量比）
【０１６７】
得られた素子について実施例１と同様の方法により素子の評価を行った。結果を下記表５に示す。
【０１６８】
【表５】
2015204438.tif 000027
【０１６９】
［実施例８］
実施例１において、電子注入層を形成する際に、例示化合物Ａ−１のみを成膜したこと以外は、実施例１と同様の方法により有機発光素子を作製した。
【０１７０】
得られた有機発光素子に５Ｖの印加電圧をかけたところ、効率は４．８ｃｄ／ｍ2のＣＩＥ色度（０．６５，０．３５）の発光ドーパント（化合物ｈ−３）由来の赤色発光が観測された。
【０１７１】
［実施例９乃至１１］
実施例８において、電子注入層の構成材料として例示化合物Ａ−１に代えて下記表  のリチウム錯体を用いた以外は、実施例８と同様の方法により有機発光素子を作製した。得られた有機発光素子について実施例８と同様の方法により評価を行った。評価結果を下記表６に示す。
【０１７２】
【表６】
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【符号の説明】
【０１７３】
１８：ＴＦＴ素子、２１：陽極、２２：有機化合物層、２３：陰極
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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