(57)【要約】【課題】成膜履歴の異なる治具表面の堆積層を同時にエッチング洗浄しても、オーバーエッチングによる母材へのダメージを抑え、防着治具の長寿命化を実現し、防着治具を繰り返し使用に供する。【解決手段】成膜装置内に設けられる、成膜装置内への膜の付着を防止するための防着治具３の使用方法であって、防着治具３の表面に、所定の厚みに被膜１３を形成し、被膜１３が形成された防着治具３が成膜装置内に配置されて成膜装置が用いられ、被膜１３上に堆積層１４が形成された後、防着治具３を洗浄剤を用いて洗浄し、被膜１３は、少なくともその表層部分が堆積層１４の少なくとも最下層部分よりもエッチングガスに対するエッチング速度が低い材質である。【選択図】図３
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
成膜装置内に設けられる、前記成膜装置内への膜の付着を防止するための防着治具の使用方法であって、
前記防着治具の表面に、所定の厚みに被膜を形成する工程と、
前記被膜が形成された前記防着治具が前記成膜装置内に配置されて前記成膜装置が用いられ、前記被膜上に堆積層が形成された後、前記防着治具を洗浄剤を用いて洗浄する工程と
を含み、
前記被膜は、少なくともその表層部分が、前記堆積層の少なくとも最下層部分と前記洗浄剤に対するエッチング速度が低い材質であることを特徴とする防着治具の使用方法。
【請求項２】
前記防着治具を洗浄する工程は、
前記防着治具の一部で前記被膜が露出するまで第１の温度で前記堆積層を洗浄除去する第１の工程と、
前記第１の工程の後、前記防着治具の全体で前記被膜が露出するまで前記第１の温度よりも低温の第２の温度で前記堆積層を洗浄除去する第２の工程と、
を含むことを特徴とする請求項１に記載の防着治具の使用方法。
【請求項３】
前記第２の工程の後、前記第２の温度よりも高温の第３の温度で前記被膜を洗浄除去する第３の工程を更に含むことを特徴とする請求項２に記載の防着治具の使用方法。
【請求項４】
成膜装置内に設けられる、前記成膜装置内への膜の付着を防止するための防着治具であって、
表面に所定の厚みに被膜が形成されており、前記被膜が形成された状態で前記成膜装置内に配置され、前記被膜上に堆積層が形成されるものであり、
前記被膜は、少なくともその表層部分が、前記堆積層の少なくとも最下層部分と前記洗浄剤に対するエッチング速度が低い材質であることを特徴とする防着治具。
【請求項５】
前記被膜は、０．２μｍ〜１μｍの範囲内の厚みに形成されていることを特徴とする請求項４に記載の防着治具。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、成膜装置内に設けられる、成膜装置内への膜の付着を防止するための防着治具の使用方法及び防着治具に関する。
【背景技術】
【０００２】
窒化物半導体装置は、その物性的特徴から高耐圧で高速動作可能な電子デバイスとして、電源回路等への応用が期待されている。窒化物半導体装置は、ＡｌＮやＧａＮ、ＡｌＧａＮ等の窒化物半導体膜の積層構造を有している。各窒化物半導体膜は、例えば有機金属気相成長法（ＭＯＣＶＤ：Metal Organic Chemical Vapor Deposition）法により、ＭＯＣＶＤ装置等の同一の成膜装置を用いて順次形成している。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特許第４４３９９５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
ＭＯＣＶＤ装置には、その反応室（成膜室）内において、不要な部分に膜が付着しないように防着治具が設けられる。防着治具としては、例えばグラファイト製の基部の表面にＳｉＣ膜が被着されたものが用いられる。防着治具は、数回の成膜の後に取り出され、ＭＯＣＶＤ装置とは別の装置でエッチングガスを用いたエッチング洗浄され、再使用に供される。
【０００５】
防着治具の表面には、反応室内の設置部位により、更に複数のＭＯＣＶＤ装置を用いる場合には装置ごとに、様々な成膜条件で成膜された厚みの異なる窒化物半導体膜が多層に付着する。そのため、防着治具の設置部位或いは装置ごとの防着治具により、最適な除去時間が異なる。最適な洗浄時間を超えてエッチングされると、防着治具にエッチングダメージが加わる場合がある。
【０００６】
図４は、従来の防着治具の洗浄工程における防着治具の様子を示す概略断面図である。ここでは、グラファイト製の基部１１１上にＳｉＣ膜１１２が被着された各防着治具（ここでは３種の防着治具１０１Ａ，１０１Ｂ，１０１Ｃを例示する）を用いる場合を示す。エッチング洗浄の条件としては、洗浄温度を１０３０℃、洗浄時間を６時間に設定し、エッチングガスとしてＨＣｌガスを用い、ガス流量を２ｓｌｍとする。
図４（ａ）に示すように、防着治具１０１Ａ，１０１Ｂ，１０１Ｃの各表面には、それぞれ厚みの異なるＡｌＮ，ＧａＮ，ＡｌＧａＮからなる堆積層１１３Ａ，１１３Ｂ，１１３Ｃが積層される。
【０００７】
図４（ｂ）に示すように、防着治具１０１Ａ，１０１Ｂ，１０１Ｃを同時に洗浄する場合に、トータル膜厚の最も厚い防着治具１０１Ａの堆積層１１３Ａが除去される時間でエッチング処理する。このとき、図４（ｃ）に示すように、防着治具１０１Ｂ，１０１Ｃでは、堆積層１１３Ａよりもトータル膜厚の薄い堆積層１１３Ｂ，１１３Ｃが付着しているため、防着治具１０１Ａの堆積層１１３Ａが除去された後にも、治具表面がエッチングガスに晒される。エッチングガスとしてはＨＣｌガス又はＣｌ2ガスを用いることが多いが、以下の反応式に示すように、これらのエッチングガスは治具表面に形成されたＳｉＣ膜１１２も僅かに分解する。そのため、防着治具１０１Ａの堆積層１１３Ａが除去された後のエッチング時間が長いほど、防着治具１０１Ｂ，１０１ＣのＳｉＣ膜１１２のエッチングダメージが進行する。図示のように、防着治具１０１ＢのＳｉＣ膜１１２にはエッチングダメージＤ１が、防着治具１０１ＢのＳｉＣ膜１１２にはこれよりも甚だしいエッチングダメージＤ２がそれぞれ加わることになる。
ＳｉＣ＋４ＨＣｌ→ＳｉＣｌ4＋Ｃ＋２Ｈ2
ＳｉＣ＋２Ｃｌ2→ＳｉＣｌ4＋Ｃ
【０００８】
ＨＣｌガスでエッチング処理する前のＳｉＣ膜の表面とオーバーエッチングが進んだＳｉＣ膜の表面とをＸＰＳ分析で比較した結果を図５に示す。このように、オーバーエッチングによってＳｉＣ膜の一部が分解されてＳｉＣｌ4ガスとして蒸発し、Ｓｉ強度が低下していることが判る。
【０００９】
以上のように、各防着治具に付着した堆積層の厚みが異なることに起因して、防着治具のエッチング洗浄の際に治具表面にエッチングダメージが加わる。これにより、防着治具の再使用ができなくなるという問題がある。
【００１０】
本発明は、上記の課題に鑑みてなされたものであり、成膜履歴の異なる治具表面の堆積層を同時にエッチング洗浄しても、オーバーエッチングによる母材へのダメージを抑え、防着治具の長寿命化を実現し、防着治具を繰り返し使用に供することができる防着治具の使用方法及び防着治具を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
防着治具の使用方法の一態様は、成膜装置内に設けられる、前記成膜装置内への膜の付着を防止するための防着治具の使用方法であって、前記防着治具の表面に、所定の厚みに被膜を形成する工程と、前記被膜が形成された前記防着治具が前記成膜装置内に配置されて前記成膜装置が用いられ、前記被膜上に堆積層が形成された後、前記防着治具を洗浄剤を用いて洗浄する工程とを含み、前記被膜は、少なくともその表層部分が、前記堆積層の少なくとも最下層部分と前記洗浄剤に対するエッチング速度の異なる材質である。
【００１２】
防着治具の一態様は、成膜装置内に設けられる、前記成膜装置内への膜の付着を防止するための防着治具であって、表面に所定の厚みに被膜が形成されており、前記被膜が形成された状態で前記成膜装置内に配置され、前記被膜上に堆積層が形成されるものであり、前記被膜は、少なくともその表層部分が、前記堆積層の少なくとも最下層部分と前記洗浄剤に対するエッチング速度の異なる材質である。
【発明の効果】
【００１３】
上記の諸態様によれば、成膜履歴の異なる治具表面の堆積層を同時にエッチング洗浄しても、オーバーエッチングによる母材へのダメージが抑えられ、防着治具の長寿命化が実現し、防着治具を繰り返し使用に供することが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【００１４】
【図１】本実施形態で使用するＭＯＣＶＤ装置の概略構成を示す模式図である。
【図２】本実施形態による防着治具の具体的な構成を示す概略断面図である。
【図３】本実施形態による防着治具の洗浄工程における防着治具の様子を示す概略断面図である。
【図４】従来の防着治具の洗浄工程における防着治具の様子を示す概略断面図である。
【図５】従来の防着治具の表面についてＸＰＳ分析した結果を示す特性図である。
【発明を実施するための形態】
【００１５】
以下、防着治具及びその使用方法の好適な実施形態について説明する。
【００１６】
図１は、本実施形態で使用するＭＯＣＶＤ装置の概略構成を示す模式図である。
このＭＯＣＶＤ装置は、内部に成膜ガスが供給されて成膜が行われる反応室１と、反応室１内に配置され、被成膜対象である半導体基板１０が載置固定される回転自在のサセプタ２と、反応室１内の膜の付着を防止するための防着治具３とを備えている。反応室１は、ガス導入部１ａから成膜ガスが導入され、ガス排気部１ｂから使用済みの成膜ガスが排気される。サセプタ２は、設置された半導体基板１０を所定温度に加熱するためのヒータ２ａを有している。
【００１７】
防着治具３は、反応室１内の半導体基板１０以外の部位を覆うように配置される。防着治具の表面には、反応室内の設置部位により、更に複数のＭＯＣＶＤ装置を用いる場合には装置ごとに、様々な成膜条件で窒化物半導体膜が多層に付着し、堆積層が積層される。そのため、防着治具の設置部位或いは装置ごとの防着治具３により、それぞれ異なる厚みに堆積層が形成される。
【００１８】
本実施形態の防着治具３の具体的な構成を図２に示す。図２では、３種の防着治具３Ａ，３Ｂ，３Ｃを例示する。防着治具３Ａ，３Ｂ，３Ｃは、ＭＯＣＶＤ装置の反応室１内におえる設置部位が異なるため、及び／又は設置するＭＯＣＶＤ装置が異なるため、ＭＯＣＶＤ装置の使用により、それぞれ異なる厚みに堆積層が積層される。防着治具３Ａ，３Ｂ，３Ｃは夫々、グラファイト製の基部１１上にＳｉＣ膜１２が被着されている。各ＳｉＣ膜１２上には、予め規定された同一の厚みに被膜１３が形成されている。被膜１３は、少なくともその表層部分が、堆積層の少なくとも最下層部分と洗浄剤、ここではエッチングガスに対するエッチング速度の異なる材質とされている。
【００１９】
本実施形態では、具体例としてＡｌＮ，ＧａＮ，ＡｌＧａＮ（更にはＩｎＧａＮ，ＩｎＡｌＧａＮ等：ＡｌＮ以外のものを「Ｇａ含有層」と言う。）の各窒化物半導体層を成膜して窒化物半導体装置を形成する場合を想定する。ＡｌＮの成長には、成膜ガスとしてトリメチルアルミニウム（ＴＭＡｌ）ガス及びＮＨ3ガスの混合ガスを用いる。ＧａＮの成長には、成膜ガスとしてＧａ源であるトリメチルガリウム（ＴＭＧａ）ガス及びアンモニア（ＮＨ3）ガスの混合ガスを用いる。ＡｌＧａＮの成長には、成膜ガスとしてＴＭＡｌガス、ＴＭＧａガス及びＮＨ3ガスの混合ガスを用いる。
【００２０】
以下の表１に、Ｇａ含有層及びＡｌＮのみの単層の各エッチング速度を示す。洗浄温度が１０３０℃の場合と９２０℃の場合とで比較すると、９２０℃の方がＡｌＮとＧａＮとのエッチング速度の差が大きい。これは、ＡｌＮの表面に僅かにＡｌＯｘが形成され、ＡｌＮのエッチングを妨げていることが考えられる。洗浄温度を高くすることで、ＡｌＯｘやＡｌＯｘ以外の部分の洗浄が進行し、ＡｌＯｘが破壊されながら洗浄が進んでＡｌＮとＧａＮとのエッチング速度の差が小さくなる。
【００２１】
【表１】
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【００２２】
本実施形態では、表１の結果に着目し、ＭＯＣＶＤ装置に防着治具３を設置した当初に成長する膜がＡｌＮ以外のものであるという使用状況において、被膜１３としてＡｌＮ膜を形成する。このＡｌＮ膜は、防着治具３Ａ，３Ｂ，３Ｃの各ＳｉＮ膜１２上に同一の厚み、具体的には０．２μｍ程度〜１μｍ程度の範囲内で予め規定された所定厚に形成される。被膜１３を規定の厚みに形成しておくことにより、被膜１３を洗浄除去する際のエッチング条件が定まる。この場合、上記の使用状況下において、堆積層の少なくとも被膜１３の直上部位がＡｌＮ以外のもの（ここでは、ＧａＮ又はＡｌＧａＮ）であることから、被膜１３を堆積層からエッチング速度を基準として峻別することができる。
【００２３】
本実施形態では、ＭＯＣＶＤ装置への設置に先立って、防着治具３のＳｉＣ膜１２上に被膜１３を形成する。表面に被膜１３が形成された防着治具３をＭＯＣＶＤ装置に設置する。この状態でＭＯＣＶＤ装置を用いた成膜を行う。数回の成膜後、防着治具３をエッチング洗浄する際には、被膜１３上の堆積層のうち、厚みが最も薄い堆積層が除去される時間までは、比較的早い条件でエッチング洗浄を行う。厚みが最も薄い堆積層下の被膜１３が一部露出した後には、低温でＡｌＮとＧａ含有層とでエッチング速度差が生じる条件にする。本実施形態の状況においては、Ｇａ含有層はエッチングが速く進行し、これに比べて被膜１３はエッチングが遅く進む。Ｇａ含有層が殆ど除去された後、被膜１３を除去することのできる比較的高温の条件で、被膜１３がエッチングされる時間だけ洗浄処理する。以上により、防着治具３の全体に亘って治具表面に均一に残った被膜１３が丁度全て除去され、防着治具３における堆積層の厚みの違いに起因して生じるＳｉＣ膜１２のオーバーエッチングが抑止される。
【００２４】
一方、ＭＯＣＶＤ装置に防着治具を設置した当初に成長する膜がＡｌＮであるという使用状況においては、被膜１３としてＡｌＮ層とＧａＮ層（又はＡｌＧａＮ層等）との順次の積層膜を形成する。被膜１３のうちのＡｌＮ層は、０．２μｍ程度〜１μｍ程度の範囲内で予め規定された所定厚に形成される。積層膜の厚みを規定の厚みに形成しておくことにより、積層膜を洗浄除去する際のエッチング条件が定まる。この場合、上記の使用状況下において、堆積層の少なくとも被膜１３の直上部位がＡｌＮであることから、被膜１３を堆積層からエッチング速度を基準として峻別することができる。
【００２５】
被膜１３のうちのＡｌＮ層の厚みが０．２μｍ程度よりも薄いと、ＡｌＮ層によるその上のＧａＮ層のエッチングストッパーとしての十分な機能が得られない懸念がある。当該厚みが１μｍ程度よりも厚いと、ＡｌＮ層の除去に長時間を要する。ＡｌＮ層を０．２μｍ程度〜１μｍ程度の厚みに形成することにより、ＡｌＮ層がＧａＮ層のエッチングストッパーとしての十分な機能を果たすも、ＡｌＮ層の除去に要する時間を短縮することができる。
【００２６】
この場合には、ＭＯＣＶＤ装置への設置に先立って、防着治具３のＳｉＣ膜１２上に上記のように被膜１３を形成する。表面に被膜１３が形成された防着治具３をＭＯＣＶＤ装置に設置する。この状態でＭＯＣＶＤ装置を用いた成膜を行う。数回の成膜後、防着治具３をエッチング洗浄する際には、厚みが最も薄い堆積層が除去され、その下の被膜１３のＧａＮ層が除去される時間までは、高温でエッチング速度が比較的高い条件によりエッチング洗浄を行う。厚みが最も薄い堆積層下の被膜１３のＡｌＮ層が一部露出した後には、低温でＡｌＮとＧａ含有層とでエッチング速度差が生じる条件にする。本実施形態の状況においては、Ｇａ含有層はエッチングが速く進行し、これに比べて被膜１３のＡｌＮ層はエッチングが遅く進む。Ｇａ含有層が殆ど除去された後、被膜１３のＡｌＮ層を除去することのできる比較的高温の条件で、被膜１３のＡｌＮ層がエッチングされる時間だけ洗浄処理する。以上により、防着治具３の全体に亘って治具表面に均一に残った被膜１３のＡｌＮ層が丁度全て除去され、防着治具３における堆積層厚みの違いに起因して生じるＳｉＣ膜１２のオーバーエッチングが抑止される。
【００２７】
本実施形態における防着治具の具体的な洗浄工程について説明する。以下の説明では、防着治具の被膜としてＡｌＮ膜を予め規定された厚みに形成する場合について例示する。図３は、防着治具の洗浄工程における防着治具の様子を示す概略断面図である。
【００２８】
本実施形態では、図２で例示した防着治具３Ａ，３Ｂ，３Ｃを使用後に同時にエッチング洗浄する。図３（ａ）に示すように、ＭＯＣＶＤ装置を用いて複数回の成膜を行った後に、防着治具３Ａ，３Ｂ，３Ｃの被膜１３上には、Ｇａ含有層である堆積層１４Ａ，１４Ｂ，１４Ｃが形成されている。堆積層１４Ａ，１４Ｂ，１４Ｃは、様々な成膜条件で成膜された結果、相異なる厚みに積層されている。被膜１３のＡｌＮ膜は、０．２μｍ程度〜１μｍ程度の範囲内で予め規定された所定厚に形成されている。被膜１３と堆積層１４Ａ、被膜１３と堆積層１４Ｂ、被膜１３と堆積層１４Ｃにより、防着治具３Ａ，３Ｂ，３ＣのＳｉＣ膜１２上には、それぞれ合計で１０μｍ程度〜１３μｍ程度に堆積物が存在する。
【００２９】
先ず、ステップＳ１では、堆積層１４Ａ，１４Ｂ，１４Ｃのエッチング速度が高い条件で洗浄処理を行う。この洗浄処理は、堆積層１４Ａ，１４Ｂ，１４Ｃのうち最も薄い堆積層１４Ｃが除去されて防着治具３Ｃの被膜１３の少なくとも一部が露出するまで、より好適には、図３（ｂ）に示すように防着治具３Ｃの被膜１３の一部が露出する直前まで行われる。エッチング洗浄の条件としては、例えば、洗浄温度を１０００℃〜１０５０℃の範囲内の値、ここでは１０３０℃、洗浄時間を３．５時間に設定し、エッチングガスとしてＨＣｌガスを用い、ガス流量を２ｓｌｍとする。
【００３０】
ステップＳ１における洗浄温度が１０００℃よりも低温であると、堆積層１４Ａ，１４Ｂ，１４Ｃのエッチングに比較的長時間を要することになる。洗浄温度が１０５０℃よりも高温であると、被膜１３へのエッチングの影響が懸念される。洗浄温度を１０００℃〜１０５０℃の範囲内の値とすることにより、被膜１３をエッチングすることなく、比較的短時間で堆積層１４Ａ，１４Ｂ，１４Ｃの洗浄除去を行うことができる。
【００３１】
続くステップＳ２では、被膜１３と堆積層１４Ａ，１４Ｂ，１４Ｃとでエッチング速度が異なる、ここでは被膜１３の方が堆積層１４Ａ，１４Ｂ，１４Ｃよりもエッチング速度が低い低温の条件で洗浄処理を行う。この洗浄処理は、図３（ｂ）に示すように、堆積層１４Ａ，１４Ｂ，１４Ｃが全て洗浄除去されるまで行われる。エッチング洗浄の条件としては、例えば、洗浄温度を８８０℃〜９５０℃の範囲内の値、ここでは９２０℃、洗浄時間を１時間に設定し、エッチングガスとしてＨＣｌガスを用い、ガス流量を２ｓｌｍとする。
【００３２】
ステップＳ２における洗浄温度が８８０℃よりも低温であると、残存する堆積層１４Ａ，１４Ｂ（１４Ｃ）のエッチングに比較的長時間を要することになる。洗浄温度が９５０℃よりも高温であると、エッチング選択比が十分に確保されず、被膜１３へのエッチングの影響が懸念される。洗浄温度を１０００℃〜１０５０℃の範囲内の値とすることにより、被膜１３をエッチングすることなく、比較的短時間で残存する堆積層１４Ａ，１４Ｂ（１４Ｃ）の洗浄除去を行うことができる。ステップＳ２の終了時点において、防着治具３Ａ，３Ｂ，３Ｃでは堆積層１４Ａ，１４Ｂ，１４Ｃの除去が完了し、各表面に被膜１３が露出した状態となる。
【００３３】
続くステップＳ３では、防着治具３Ａ，３Ｂ，３Ｃの各表面の被膜１３を、ステップＳ２よりもエッチング速度が高い高温の条件で洗浄処理する。この洗浄処理は、被膜１３が規定された既知の厚みとされていることから、被膜１３が丁度除去される条件で行われる。例えば、洗浄温度を所定値に定めることにより、被膜１３の規定膜厚に応じて洗浄時間を設定する。エッチング洗浄の条件としては、例えば、洗浄温度を１０００℃〜１０５０℃の範囲内の値、ここでは１０３０℃、洗浄時間を０．４時間に設定し、エッチングガスとしてＨＣｌガスを用い、ガス流量を２ｓｌｍとする。
【００３４】
ステップＳ１における洗浄温度が１０００℃よりも低温であると、被膜１３のエッチングに比較的長時間を費やすことになる。洗浄温度が１０５０℃よりも高温であると、被膜１３下のＳｉＣ膜１２へのエッチングの影響が懸念される。洗浄温度を１０００℃〜１０５０℃の範囲内の値とすることにより、ＳｉＣ膜１２にエッチングダメージを及ぼすことなく、比較的短時間で被膜１３の洗浄除去を行うことができる。なおこの場合、ＳｉＣ膜１２へのエッチングダメージを可及的に抑止する観点を重視して、１０００℃よりも低温、例えばステップＳ２の温度範囲の値で洗浄処理を行うようにしても良い。
【００３５】
上述した防着治具の洗浄工程では、各ステップＳ１〜Ｓ３において、エッチングガスとしてＨＣｌガスを用いる場合を例示したが、これに限定されることなく、ＨＣｌガスの代わりに例えばＣｌ2ガスを用いても良い。Ｃｌ2ガスは反応性が高いため、ＨＣｌガスよりも低い洗浄温度で各ステップＳ１〜Ｓ３を行う。例えばステップＳ２では、被膜１３と堆積層１４Ａ，１４Ｂ（１４Ｃ）とで十分なエッチング速度差を生ぜしめるべく、６５０℃程度〜７５０℃程度の範囲内の値で処理することが望ましい。
【００３６】
なお、本実施形態では、防着治具の洗浄工程においてステップＳ３で被膜１３を除去する場合を説明したが、この構成に限定されるものではない。ステップＳ３を行うことなく、即ち防着治具３Ａ，３Ｂ，３Ｃの各表面に被膜１３が形成された状態で洗浄工程を終了し、防着治具３Ａ，３Ｂ，３ＣをＭＯＣＶＤ法に設置して使用に供するようにしても良い。但しこの場合、洗浄工程（ステップＳ１＋Ｓ２）を複数回行うことにより、被膜１３に劣化が生じることが懸念される。従ってこの場合、洗浄工程（ステップＳ１＋Ｓ２）を所定回数行った後には、その次回にはステップＳ３を含む洗浄工程を行うようにすることが考えられる。
【００３７】
以上説明したように、本実施形態によれば、成膜履歴の異なる治具表面の堆積層を同時にエッチング洗浄しても、オーバーエッチングによる母材へのダメージが抑えられ、防着治具３の長寿命化が実現し、防着治具３を繰り返し使用に供することが可能となる。
【００３８】
以下、防着治具の使用方法及び防着治具の諸態様を付記としてまとめて記載する。
【００３９】
（付記１）成膜装置内に設けられる、前記成膜装置内への膜の付着を防止するための防着治具の使用方法であって、
前記防着治具の表面に、所定の厚みに被膜を形成する工程と、
前記被膜が形成された前記防着治具が前記成膜装置内に配置されて前記成膜装置が用いられ、前記被膜上に堆積層が形成された後、前記防着治具を洗浄剤を用いて洗浄する工程と
を含み、
前記被膜は、少なくともその表層部分が、前記堆積層の少なくとも最下層部分と前記洗浄剤に対するエッチング速度が低い材質であることを特徴とする防着治具の使用方法。
【００４０】
（付記２）前記防着治具を洗浄する工程は、
前記防着治具の一部で前記被膜が露出するまで第１の温度で前記堆積層を洗浄除去する第１の工程と、
前記第１の工程の後、前記防着治具の全体で前記被膜が露出するまで前記第１の温度よりも低温の第２の温度で前記堆積層を洗浄除去する第２の工程と、
を含むことを特徴とする付記１に記載の防着治具の使用方法。
【００４１】
（付記３）前記第２の工程の後、前記第２の温度よりも高温の第３の温度で前記被膜を洗浄除去する第３の工程を更に含むことを特徴とする付記２に記載の防着治具の使用方法。
【００４２】
（付記４）前記第１の温度は１０００℃〜１０５０℃の範囲内の値、前記第２の温度は８８０℃〜９５０℃の範囲内の値であることを特徴とする付記２に記載の防着治具の使用方法。
【００４３】
（付記５）前記第３の温度は１０００℃〜１０５０℃の範囲内の値であることを特徴とする付記３に記載の防着治具の使用方法。
【００４４】
（付記６）前記被膜は、０．２μｍ〜１μｍの範囲内の厚みに形成されることを特徴とする付記１〜５のいずれか１項に記載の防着治具の使用方法。
【００４５】
（付記７）成膜装置内に設けられる、前記成膜装置内への膜の付着を防止するための防着治具であって、
表面に所定の厚みに被膜が形成されており、前記被膜が形成された状態で前記成膜装置内に配置され、前記被膜上に堆積層が形成されるものであり、
前記被膜は、少なくともその表層部分が、前記堆積層の少なくとも最下層部分と前記洗浄剤に対するエッチング速度が低い材質であることを特徴とする防着治具。
【００４６】
（付記８）前記被膜は、０．２μｍ〜１μｍの範囲内の厚みに形成されていることを特徴とする付記７に記載の防着治具。
【符号の説明】
【００４７】
１  反応室
１ａ  ガス導入部
１ｂ  ガス排気部
２  サセプタ
２ａ  ヒータ
３，３Ａ，３Ｂ，３Ｃ，１０１Ａ，１０１Ｂ，１０１Ｃ  防着治具
１０  半導体基板
１１，１１１  基部
１２，１１２  ＳｉＣ膜
１３  被膜
１４Ａ，１４Ｂ，１４Ｃ，１１３Ａ，１１３Ｂ，１１３Ｃ  堆積層
【図１】
2015073036.tif 000004
【図２】
2015073036.tif 000005
【図３】
2015073036.tif 000006
【図４】
2015073036.tif 000007
【図５】
2015073036.tif 000008