(57)【要約】【課題】特にプラス帯電型のトナーと組み合わせて現像ローラとして使用した際に、トナーの付着を抑制して画像濃度の低下等を抑制したり、トナーに対して高いトナー帯電量を付与して画質の良好な画像を形成したりできる上、連続的に画像形成を繰り返してもトナー帯電量が低くなって形成画像にカブリが生じるのを長期に亘って抑制できる半導電性ローラを提供する。【解決手段】半導電性ローラ１を、少なくともエピクロルヒドリンゴムとクロロプレンゴムを含むゴム組成物の架橋物によって形成し、その外周面４に、フッ素ガス処理によってフッ素化膜５を形成した。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
ゴム分としてエピクロルヒドリンゴム、およびクロロプレンゴムを少なくとも含むゴム組成物の架橋物からなり、フッ素ガス処理によって外周面にフッ素化膜が形成されている半導電性ローラ。
【請求項２】
前記ゴム分は、さらにアクリロニトリルブタジエンゴム、およびスチレンブタジエンゴムからなる群より選ばれた少なくとも１種のゴムをも含んでいる請求項１に記載の半導電性ローラ。
【請求項３】
前記ゴム分は、エピクロルヒドリンゴム、クロロプレンゴム、およびアクリロニトリルブタジエンゴムの３種であり、前記エピクロルヒドリンゴムの配合割合は、ゴム分の総量１００質量部中の３０質量部以上、７０質量部以下、クロロプレンゴムの配合割合は、ゴム分の総量１００質量部中の１０質量部以上、３０質量部以下である請求項１または２に記載の半導電性ローラ。
【請求項４】
前記ゴム分は、エピクロルヒドリンゴム、クロロプレンゴム、およびスチレンブタジエンゴムの３種であり、前記エピクロルヒドリンゴムの配合割合は、ゴム分の総量１００質量部中の２０質量部以上、６０質量部以下、クロロプレンゴムの配合割合は、ゴム分の総量１００質量部中の１０質量部以上、３０質量部以下である請求項１または２に記載の半導電性ローラ。
【請求項５】
非多孔質の単層構造を有する請求項１ないし４のいずれか１項に記載の半導電性ローラ。
【請求項６】
電子写真法を利用した画像形成装置に組み込んで、感光体の表面に形成される静電潜像を、プラス帯電型のトナーによってトナー像に現像する現像ローラとして用いる請求項１ないし５のいずれか１項に記載の半導電性ローラ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電子写真法を利用した画像形成装置において現像ローラ等として好適に用いることができる半導電性ローラに関するものである。
【背景技術】
【０００２】
例えばレーザープリンタ、静電式複写機、普通紙ファクシミリ装置、あるいはこれらの複合機等の電子写真法を利用した各種の画像形成装置においては、帯電させた感光体の表面を露光して当該表面に形成される静電潜像を、帯電させたトナーによってトナー像に現像するために現像ローラが用いられる。
かかる現像ローラの外周面を低摩擦化してトナーの付着を抑制し、それによって画像濃度の低下等を抑制するために、例えば当該外周面にフッ素原子を含む有機ポリマからなる最外層を形成することが提案されている。
【０００３】
しかし有機ポリマからなる最外層は、そのもとになる液状のコーティング剤をスプレー法、ディッピング法等の塗布方法によって現像ローラの外周面に塗布したのち乾燥させて形成され、かかる形成過程において埃等の異物の混入、厚みムラの発生等の様々な不良を生じやすいという問題がある。これらの不良は、形成画像の画質に直接に影響する。
また、例えば−ＣＦ＝Ｏ基を含む有機ポリマを用いて最外層にフッ素原子を導入した場合には、かかる基は親水基であるため環境の変化によってローラ抵抗値が大きく変動しやすいという問題もある。
【０００４】
例えば温度２３℃、相対湿度５５％の常温、常湿環境下では問題を生じないものの、温度１０℃、相対湿度３０％の低温低湿環境下で画像形成すると画像濃度が低くなったりするおそれがある。
そこで特許文献１では、ゴム組成物の架橋物からなる現像ローラをフッ素ガス処理して、その外周面にフッ素化膜を形成することが検討されている。
【０００５】
かかるフッ素化膜は、現像ローラの外周面を形成するゴム組成物中のゴム自体をフッ素化反応させて形成されるため、その形成工程においてフッ素化膜中に埃等の異物が混入したりするおそれはない。またフッ素化反応は、現像ローラをフッ素ガスに曝すことによってその外周面で一様に進行させることができるため、フッ素化膜に厚みムラが生じたりするおそれもない。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開２００９−５８６３１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
フッ素ガス処理によって現像ローラの外周面にフッ素化膜を形成すると、先の効果に加えて、フッ素の帯電列が負側にあるため、特にプラス帯電型のトナーと組み合わせた際に、かかるトナーに対して高い帯電量（トナー帯電量）を付与して画質の良好な画像を形成したり、連続的に画像形成を繰り返した際にトナー帯電量が低くなって形成画像にカブリが生じるのを長期に亘って抑制したりできることが期待される。
【０００８】
ところが特許文献２において実際に効果を検証している、ゴム分としてエピクロルヒドリンゴムとアクリロニトリルブタジエンゴムの２種のみを併用したゴム組成物の架橋物からなる現像ローラでは、上記の効果を得ることはできない。
本発明の目的は、特にプラス帯電型のトナーと組み合わせて現像ローラとして使用した際に、トナーの付着を抑制して画像濃度の低下等を抑制したり、トナーに対して高いトナー帯電量を付与して画質の良好な画像を形成したりできる上、連続的に画像形成を繰り返してもトナー帯電量が低くなって形成画像にカブリが生じるのを長期に亘って抑制できる半導電性ローラを提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明は、ゴム分としてエピクロルヒドリンゴム、およびクロロプレンゴム（ＣＲ）を少なくとも含むゴム組成物の架橋物からなり、フッ素ガス処理によって外周面にフッ素化膜が形成されている半導電性ローラである。
【発明の効果】
【００１０】
発明者の検討によると、ゴム分として、エピクロルヒドリンゴムに加えてＣＲを併用したゴム組成物の架橋物からなる半導電性ローラの外周面に、フッ素ガス処理によってフッ素化膜を形成することで、当該半導電性ローラを特にプラス帯電型のトナーと組み合わせて現像ローラとして使用した際に、トナーに対して高いトナー帯電量を付与して画質の良好な画像を形成できる。その上、連続的に画像形成を繰り返した際にトナー帯電量が大きく低下するのを防止して、形成画像にカブリが生じるのを長期に亘って抑制することも可能となる。
【００１１】
これは、ＣＲの併用によって半導電性ローラの柔軟性を向上して、感光体等とのニップ幅を適度に確保できるためと発明者は考えている。
ちなみに特許文献２には、ゴム分の例としてクロロプレンゴムも記載されている。しかし、かかるクロロプレンをエピクロルヒドリンゴムと併用した際に上記の効果が得られることについて、特許文献２には一切記載されていない。
【図面の簡単な説明】
【００１２】
【図１】本発明の半導電性ローラの、実施の形態の一例を示す斜視図である。
【発明を実施するための形態】
【００１３】
本発明はゴム分としてエピクロルヒドリンゴム、およびクロロプレンゴム（ＣＲ）を少なくとも含むゴム組成物の架橋物からなり、フッ素ガス処理によって外周面にフッ素化膜が形成されている半導電性ローラである。
本発明によれば、ゴム分として少なくとも上記２種のゴムを併用したゴム組成物の架橋物からなる半導電性ローラの外周面に、フッ素ガス処理によってフッ素化膜を形成することで、当該半導電性ローラを特にプラス帯電型のトナーと組み合わせて現像ローラとして使用した際に、トナーの付着を抑制して画像濃度の低下等を抑制したり、トナーに対して高いトナー帯電量を付与して画質の良好な画像を形成したりできる。その上、連続的に画像形成を繰り返した際にトナー帯電量が大きく低下するのを防止して、形成画像にカブリが生じるのを長期に亘って抑制することも可能となる。
【００１４】
本発明の半導電性ローラは、詳細には上記２種のゴムを少なくとも含むゴム分に当該ゴム分を架橋させるための架橋成分等を配合してゴム組成物を調製し、かかるゴム組成物を筒状に成形して架橋させたのち、さらにフッ素ガス処理して製造するのが好ましい。
また、できるだけ生産性良く低コストで製造するとともにその耐久性や圧縮永久ひずみ等を向上するために、上記本発明の半導電性ローラは、非多孔質でかつ単層構造に形成するのが好ましい。
【００１５】
なお、ここでいう単層構造とはゴム組成物からなる層の数が単層であることを指し、フッ素ガス処理によって形成されるフッ素化膜は層数に含まないこととする。
〈ゴム分〉
ゴム分としては、上記のようにエピクロルヒドリンゴムとＣＲの２種を少なくとも併用する。
【００１６】
かかる２種のゴムに加えて、さらにアクリロニトリルブタジエンゴム（ＮＢＲ）、およびスチレンブタジエンゴム（ＳＢＲ）からなる群より選ばれた少なくとも１種のゴムを併用してもよい。
特にエピクロルヒドリンゴム、ＣＲ、およびＮＢＲの３種、またはエピクロルヒドリンゴム、ＣＲ、およびＳＢＲの３種を併用するのが好ましい。
【００１７】
なお上記両併用系においてエピクロルヒドリンゴム、ＣＲ、ＮＢＲ、ＳＢＲはそれぞれ別個に２種以上を併用してもよい。
（エピクロルヒドリンゴム）
エピクロルヒドリンゴムは、半導電性ローラにイオン導電性を付与するための成分である。
【００１８】
かかるエピクロルヒドリンゴムとしては、例えばエピクロルヒドリン単独重合体、エピクロルヒドリン−エチレンオキサイド二元共重合体（ＥＣＯ）、エピクロルヒドリン−プロピレンオキサイド二元共重合体、エピクロルヒドリン−アリルグリシジルエーテル二元共重合体、エピクロルヒドリン−エチレンオキサイド−アリルグリシジルエーテル三元共重合体（ＧＥＣＯ）、エピクロルヒドリン−プロピレンオキサイド−アリルグリシジルエーテル三元共重合体、エピクロルヒドリン−エチレンオキサイド−プロピレンオキサイド−アリルグリシジルエーテル四元共重合体等の１種または２種以上が挙げられる。
【００１９】
エピクロルヒドリンゴムとしては、これらの中でもエチレンオキサイドを含む共重合体、特にＥＣＯおよび／またはＧＥＣＯが好ましい。
かかる両共重合体においてエチレンオキサイド含量はいずれも３０モル％以上、特に６０モル％以上であるのが好ましく、９５モル％以下、特に８０モル％以下であるのが好ましい。
【００２０】
エチレンオキサイドは半導電性ローラのローラ抵抗値を下げる働きをする。しかしエチレンオキサイド含量がこの範囲未満ではかかる働きが十分に得られないため半導電性ローラのローラ抵抗値を十分に低下できないおそれがある。
一方、エチレンオキサイド含量が上記の範囲を超える場合には当該エチレンオキサイドの結晶化が起こり分子鎖のセグメント運動が妨げられるため、逆に半導電性ローラのローラ抵抗値が上昇する傾向がある。
【００２１】
またゴム分その他を混錬して半導電性ローラのもとになるゴム組成物を調製したり、調製した架橋前のゴム組成物を筒状に成形したりするべく加熱溶融させる際の粘度が上昇して、これらの作業の作業性が低下するおそれもある。さらに架橋後の半導電性ローラの硬度が上昇するおそれもある。
ＥＣＯにおいて、エピクロルヒドリン含量はエチレンオキサイド含量の残量である。すなわちエピクロルヒドリン含量は５モル％以上、特に２０モル％以上であるのが好ましく、７０モル％以下、特に４０モル％以下であるのが好ましい。
【００２２】
またＧＥＣＯにおいて、アリルグリシジルエーテル含量は０．５モル％以上、特に２モル％以上であるのが好ましく、１０モル％以下、特に６モル％以下であるのが好ましい。
アリルグリシジルエーテルはそれ自体が側鎖として自由体積を確保するために機能することにより、エチレンオキサイドの結晶化を抑制して半導電性ローラのローラ抵抗値を低下させる働きをする。しかしアリルグリシジルエーテル含量が先の範囲未満ではかかる働きが得られないため半導電性ローラのローラ抵抗値を十分に低下できないおそれがある。
【００２３】
一方、アリルグリシジルエーテルはＧＥＣＯの架橋時に架橋点として機能するため、アリルグリシジルエーテル含量が上記の範囲を超える場合には、ＧＥＣＯの架橋密度が高くなり、分子鎖のセグメント運動が妨げられるため却って半導電性ローラのローラ抵抗値が上昇する傾向がある。また半導電性ローラの引張強度や疲労特性、耐屈曲性等が低下するおそれもある。
【００２４】
ＧＥＣＯにおいて、エピクロルヒドリン含量は、エチレンオキサイド含量およびアリルグリシジルエーテル含量の残量である。中でもエピクロルヒドリン含量は４．５モル％以上、特に１５モル％以上であるのが好ましく、６５モル％以下、特に４０モル％以下であるのが好ましい。
ＧＥＣＯとしては、上で説明した３種の単量体を共重合させた狭義の意味での共重合体のほかに、エピクロルヒドリン−エチレンオキサイド共重合体（ＥＣＯ）をアリルグリシジルエーテルで変性した変性物も知られており、本発明ではかかる変性物もＧＥＣＯとして使用可能である。
【００２５】
エピクロルヒドリンゴムの配合割合は、エピクロルヒドリンゴム、ＣＲ、およびＮＢＲの３種のゴムの併用系では、ゴム分の総量１００質量部中の３０質量部以上であるのが好ましく、７０質量部以下であるのが好ましい。
またエピクロルヒドリンゴム、ＣＲ、およびＳＢＲの３種のゴムの併用系では、エピクロルヒドリンゴムの配合割合は、ゴム分の総量１００質量部中の２０質量部以上、６０質量部以下であるのが好ましい。
【００２６】
両併用系において、エピクロルヒドリンゴムの配合割合がそれぞれ上記の範囲未満では、半導電性ローラに良好なイオン導電性を付与できないおそれがある。
一方、エピクロルヒドリンゴムの配合割合が上記の範囲を超える場合には、相対的にＣＲの割合が少なくなって、かかるＣＲを併用することによる、外周面にフッ素化膜を形成した半導電性ローラを現像ローラとして使用して連続的に画像形成を繰り返した際に、トナー帯電量が大きく低下するのを防止して形成画像にカブリが生じるのを長期に亘って抑制する効果が十分に得られないおそれがある。
【００２７】
（ＣＲ）
ＣＲは、例えばクロロプレンを乳化重合させて合成され、その際に用いる分子量調整剤の種類によって硫黄変性タイプと非硫黄変性タイプに分類されるが、本発明ではこのいずれのＣＲも使用可能である。
硫黄変性タイプのＣＲは、クロロプレンと、分子量調整剤としての硫黄とを共重合させたポリマをチウラムジスルフィド等で可塑化し、所定の粘度に調整して得られる。
【００２８】
また非硫黄変性タイプのＣＲは、メルカプタン変性タイプ、キサントゲン変性タイプ等に分類される。
このうちメルカプタン変性タイプのＣＲは、例えばｎ−ドデシルメルカプタン、ｔｅｒｔ−ドデシルメルカプタン、オクチルメルカプタン等のアルキルメルカプタン類を分子量調整剤として使用して、硫黄変性タイプのＣＲと同様にして合成される。またキサントゲン変性タイプのＣＲは、アルキルキサントゲン化合物を分子量調整剤として使用して、硫黄変性タイプのＣＲと同様にして合成される。
【００２９】
またＣＲは、その結晶化速度に基づいて当該結晶化速度が遅いタイプ、中程度であるタイプ、および速いタイプに分類される。
本発明ではいずれのタイプのＣＲを用いてもよいが、中でも非硫黄変性タイプでかつ結晶化速度が遅いタイプのＣＲの１種または２種以上が好ましい。
さらにＣＲとしては、クロロプレンと他の共重合成分との共重合ゴムを用いてもよい。
【００３０】
かかる他の共重合成分としては、例えば２，３−ジクロロ−１，３−ブタジエン、１−クロロ−１，３−ブタジエン、スチレン、アクリロニトリル、メタクリロニトリル、イソプレン、ブタジエン、アクリル酸、アクリル酸エステル、メタクリル酸、およびメタクリル酸エステル等の１種または２種以上が挙げられる。
ＣＲの配合割合は、エピクロルヒドリンゴム、ＣＲ、およびＮＢＲの３種のゴムの併用系、およびエピクロルヒドリンゴム、ＣＲ、およびＳＢＲの３種のゴムの併用系のいずれにおいても、ゴム分の総量１００質量部中の１０質量部以上、３０質量部以下であるのが好ましい。
【００３１】
配合割合がこの範囲未満では、ＣＲを併用することによる、外周面にフッ素膜が形成された半導電性ローラを現像ローラとして使用して連続的に画像形成を繰り返した際に、トナー帯電量が大きく低下するのを防止して形成画像にカブリが生じるのを長期に亘って抑制する効果が十分に得られないおそれがある。
一方、配合割合が上記の範囲を超える場合には、相対的にエピクロルヒドリンゴムの割合が少なくなって、半導電性ローラに良好なイオン導電性を付与できないおそれがある。
【００３２】
（ＮＢＲ）
ＮＢＲとしては、アクリロニトリルとブタジエンの共重合ゴムであって、アクリロニトリル含量が２４％以下である低ニトリルＮＢＲ、２５〜３０％である中ニトリルＮＢＲ、３１〜３５％である中高ニトリルＮＢＲ、３６〜４２％である高ニトリルＮＢＲ、４３％以上である極高ニトリルＮＢＲのいずれを用いてもよい。特に、比重の小さい低ニトリルＮＢＲを用いると、現像ローラの比重を低下させて軽量化をはかることができる。
【００３３】
これらＮＢＲの１種または２種以上を使用できる。
ＮＢＲの配合割合は、エピクロルヒドリンゴム、ＣＲ、およびＮＢＲの３種のゴムの併用系において、エピクロルヒドリンゴム、およびＣＲの配合割合の残量である。
（ＳＢＲ）
ＳＢＲとしては、スチレンと１，３−ブタジエンとを乳化重合法、溶液重合法等の種々の重合法によって共重合させて合成される種々のＳＢＲがいずれも使用可能である。またＳＢＲとしては伸展油を加えて柔軟性を調整した油展タイプのものと、加えない非油展タイプのものとがあるが、このいずれも使用可能である。
【００３４】
さらにＳＢＲとしては、結合スチレン量によって分類される高スチレンタイプ、中スチレンタイプ、および低スチレンタイプのＳＢＲがいずれも使用可能である。結合スチレン量や架橋度を変更することで、半導電性ローラの各種物性を調整できる。
これらＳＢＲの１種または２種以上を使用できる。
ＳＢＲの配合割合は、エピクロルヒドリンゴム、ＣＲ、およびＳＢＲの３種のゴムの併用系において、エピクロルヒドリンゴム、およびＣＲの配合割合の残量である。
【００３５】
〈架橋成分〉
上記ゴム分を架橋させるための架橋成分としては架橋剤、促進剤等が挙げられる。
このうち架橋剤としては、例えば硫黄系架橋剤、チオウレア系架橋剤、トリアジン誘導体系架橋剤、過酸化物系架橋剤、各種モノマー等の１種または２種以上が挙げられる。中でも硫黄系架橋剤が好ましい。
【００３６】
また硫黄系架橋剤としては粉末硫黄や有機含硫黄化合物等が挙げられる。このうち有機含硫黄化合物等としては、例えばテトラメチルチウラムジスルフィド、Ｎ，Ｎ−ジチオビスモルホリン等が挙げられる。特に粉末硫黄等の硫黄が好ましい。
硫黄の配合割合は、ゴム分の総量１００質量部あたり０．２質量部以上、特に１質量部以上であるのが好ましく、５質量部以下、特に３質量部以下であるのが好ましい。
【００３７】
配合割合がこの範囲未満では、ゴム組成物の全体での架橋速度が遅くなり、架橋に要する時間が長くなって半導電性ローラの生産性が低下するおそれがある。また範囲を超える場合には、架橋後の半導電性ローラの圧縮永久ひずみが大きくなったり、過剰の硫黄が半導電性ローラの外周面にブルームしたりするおそれがある。
促進剤としては、例えば消石灰、マグネシア（ＭｇＯ）、リサージ（ＰｂＯ）等の無機促進剤や、あるいは有機促進剤等の１種または２種以上が挙げられる。
【００３８】
また有機促進剤としては、例えば１，３−ジ−ｏ−トリルグアニジン、１，３−ジフェニルグアニジン、１−ｏ−トリルビグアニド、ジカテコールボレートのジ−ｏ−トリルグアニジン塩等のグアニジン系促進剤；２−メルカプトベンゾチアゾール、ジ−２−ベンゾチアジルジスルフィド等のチアゾール系促進剤；Ｎ−シクロへキシル−２−ベンゾチアジルスルフェンアミド等のスルフェンアミド系促進剤；テトラメテルチウラムモノスルフィド、テトラメチルチウラムジスルフィド、テトラエチルチウラムジスルフィド、ジペンタメチレンチウラムテトラスルフィド等のチウラム系促進剤；エチレンチオウレア、テトラメチルチオウレア、トリメチルチオウレア等のチオウレア系促進剤などの１種または２種以上が挙げられる。
【００３９】
促進剤としては、これら種々の促進剤の中から、組み合わせる架橋剤の種類に応じて最適な促進剤の１種または２種以上を選択して使用すればよい。特に促進剤は種類によって架橋促進のメカニズムが異なるため、２種以上を併用するのが好ましい。併用する個々の促進剤の配合割合は任意に設定できるが、ゴム分の総量１００質量部あたり０．１質量部以上であるのが好ましく、２質量部以下であるのが好ましい。
【００４０】
架橋成分としては、さらに促進助剤を配合してもよい。
促進助剤としては、例えば亜鉛華（酸化亜鉛）等の金属化合物；ステアリン酸、オレイン酸、綿実脂肪酸等の脂肪酸、その他従来公知の促進助剤の１種または２種以上が挙げられる。
促進助剤の配合割合は、ゴム分の種類および組み合わせや、架橋剤、促進剤の種類および組み合わせ等に応じて適宜設定できる。
【００４１】
〈その他〉
ゴム組成物には、さらに必要に応じて各種の添加剤を配合してもよい。添加剤としては、例えば受酸剤、可塑剤、加工助剤、劣化防止剤、充填剤、スコーチ防止剤、紫外線吸収剤、滑剤、顔料、帯電防止剤、難燃剤、中和剤、造核剤、共架橋剤等が挙げられる。
このうち受酸剤は、ゴム分の架橋時にエピクロルヒドリンゴムやＣＲから発生する塩素系ガスが半導電性ローラ内に残留したり、それによって架橋阻害や感光体の汚染等を生じたりするのを防止するために機能する。
【００４２】
受酸剤としては、酸受容体として作用する種々の物質を用いることができるが、中でも分散性に優れたハイドロタルサイト類またはマグサラットが好ましく、特にハイドロタルサイト類が好ましい。
また、ハイドロタルサイト類等を酸化マグネシウムや酸化カリウムと併用するとより高い受酸効果を得ることができ、感光体の汚染をより一層確実に防止できる。
【００４３】
受酸剤の配合割合は、ゴム分の総量１００質量部あたり０．２質量部以上、特に０．５質量部以上であるのが好ましく、５質量部以下、特に３質量部以下であるのが好ましい。
配合割合がこの範囲未満では、受酸剤を配合することによる効果が十分に得られないおそれがある。また範囲を超える場合には、架橋後の半導電性ローラの硬さが上昇するおそれがある。
【００４４】
可塑剤としては、例えばジブチルフタレート（ＤＢＰ）、ジオクチルフタレート（ＤＯＰ）、トリクレジルホスフェート等の各種可塑剤や、極性ワックス等の各種ワックス等が挙げられる。また加工助剤としてはステアリン酸等の脂肪酸などが挙げられる。
可塑剤および／または加工助剤の配合割合は、ゴム分の総量１００質量部あたり５質量部以下であるのが好ましい。例えば画像形成装置への装着時や運転時に感光体の汚染を生じたりするのを防止するためである。かかる目的に鑑みると、可塑剤のうち極性ワックスを使用するのが特に好ましい。
【００４５】
劣化防止剤としては、各種の老化防止剤や酸化防止剤等が挙げられる。
このうち酸化防止剤は、半導電性ローラのローラ抵抗値の環境依存性を低減するとともに、連続通電時のローラ抵抗値の上昇を抑制する働きをする。酸化防止剤としては、例えばジエチルジチオカルバミン酸ニッケル〔大内新興化学工業(株)製のノクラック（登録商標）ＮＥＣ−Ｐ〕、ジブチルジチオカルバミン酸ニッケル〔大内新興化学工業(株)製のノクラックＮＢＣ〕等が挙げられる。
【００４６】
充填剤としては、例えば酸化亜鉛、シリカ、カーボン、カーボンブラック、クレー、タルク、炭酸カルシウム、炭酸マグネシウム、水酸化アルミニウム等の１種または２種以上が挙げられる。
充填剤を配合することにより、半導電性ローラの機械的強度等を向上できる。
充填剤の配合割合は、ゴム分の総量１００質量部あたり２質量部以上であるのが好ましく、２５質量部以下、特に２０質量部以下であるのが好ましい。
【００４７】
また充填剤として導電性カーボンブラック配合して、半導電性ローラに電子導電性を付与することもできる。
導電性カーボンブラックとしてはＨＡＦが好ましい。ＨＡＦはゴム組成物中に均一に分散できるため、半導電性ローラにできるだけ均一な電子導電性を付与できる。
導電性カーボンブラックの配合割合は、ゴム分の総量１００質量部あたり１質量部以上であるのが好ましく、３質量部以下であるのが好ましい。
【００４８】
スコーチ防止剤としては、例えばＮ−シクロへキシルチオフタルイミド、無水フタル酸、Ｎ−ニトロソジフエニルアミン、２，４−ジフエニル−４−メチル−１−ペンテン等の１種または２種以上が挙げられる。特にＮ−シクロへキシルチオフタルイミドが好ましい。
スコーチ防止剤の配合割合は、ゴム分の総量１００質量部あたり０．１質量部以上であるのが好ましく、５質量部以下、特に１質量部以下であるのが好ましい。
【００４９】
共架橋剤とは、それ自体が架橋するとともにゴム分とも架橋反応して全体を高分子化する働きを有する成分を指す。
共架橋剤としては、例えばメタクリル酸エステルや、あるいはメタクリル酸またはアクリル酸の金属塩等に代表されるエチレン性不飽和単量体、１，２−ポリブタジエンの官能基を利用した多官能ポリマ類、あるいはジオキシム等の１種または２種以上が挙げられる。
【００５０】
このうちエチレン性不飽和単量体としては、例えば
(a)  アクリル酸、メタクリル酸、クロトン酸などのモノカルボン酸類、
(b)  マレイン酸、フマル酸、イタコン酸などのジカルボン酸類、
(c)  (a)(b)の不飽和カルボン酸類のエステルまたは無水物、
(d)  (a)〜(c)の金属塩、
(e)  １，３−ブタジエン、イソプレン、２−クロル−１，３−ブタジエンなどの脂肪族共役ジエン、
(f)  スチレン、α−メチルスチレン、ビニルトルエン、エチルビニルベンゼン、ジビニルベンゼンなどの芳香族ビニル化合物、
(g)  トリアリルイソシアヌレート、トリアリルシアヌレート、ビニルピリジンなどの、複素環を有するビニル化合物、
(h)  その他、（メタ）アクリロニトリルもしくはα−クロルアクリロニトリルなどのシアン化ビニル化合物、アクロレイン、ホルミルステロール、ビニルメチルケトン、ビニルエチルケトン、ビニルブチルケトン
等の１種または２種以上が挙げられる。
【００５１】
また(c)の不飽和カルボン酸類のエステルとしては、モノカルボン酸類のエステルが好ましい。
モノカルボン酸類のエステルとしては、例えば
メチル（メタ）アクリレート、エチル（メタ）アクリレート、ｎ−プロピル（メタ）アクリレート、ｉ−プロピル（メタ）アクリレート、ｎ−ブチル（メタ）アクリレート、ｉ−ブチル（メタ）アクリレート、ｎ−ぺンチル（メタ）アクリレート、ｉ−ぺンチル（メタ）アクリレート、ｎ−へキシル（メタ）アクリレート、シクロへキシル（メタ）アクリレート、２−エチルへキシル（メタ）アクリレート、オクチル（メタ）アクリレート、ｉ−ノニル（メタ）アクリレート、ｔｅｒｔ−ブチルシクロヘキシル（メタ）アクリレート、デシル（メタ）アクリレート、ドデシル（メタ）アクリレート、ヒドロキシメチル（メタ）アクリレート、ヒドロキシエチル（メタ）アクリレートなどの、（メタ）アクリル酸のアルキルエステル；
アミノエチル（メタ）アクリレート、ジメチルアミノエチル（メタ）アクリレート、ブチルアミノエチル（メタ）アクリレートなどの、（メタ）アクリル酸のアミノアルキルエステル；
べンジル（メタ）アクリレート、ベンゾイル（メタ）アクリレート、アリル（メタ）アクリレートなどの、芳香族環を有する（メタ）アクリレート；
グリシジル（メタ）アクリレート、メタグリシジル（メタ）アクリレート、エポキシシクロヘキシル（メタ）アクリレートなどの、エポキシ基を有する（メタ）アクリレート；
Ｎ−メチロール（メタ）アクリルアミド、γ−（メタ）アクリルオキシプロピルトリメトキシシラン、テトラハイドロフルフリルメタクリレートなどの、各種官能基を有する（メタ）アクリレート；
エチレングリコールジ（メタ）アクリレート、トリメチロールプロパントリ（メタ）アクリレート、エチレンジメタクリレート（ＥＤＭＡ）、ポリエチレングリコールジメタクリレート、イソブチレンエチレンジメタクリレートなどの多官能（メタ）アクリレート；
等の１種または２種以上が挙げられる。
【００５２】
以上で説明した各成分を含むゴム組成物は従来同様に調製できる。まずゴム分を所定の割合で配合して素練りし、次いで架橋成分以外の各種添加剤を加えて混練した後、最後に架橋成分を加えて混練することでゴム組成物が得られる。混練には、例えばニーダ、バンバリミキサ、押出機等を用いることができる。
《半導電性ローラ》
図１は、本発明の半導電性ローラの、実施の形態の一例を示す斜視図である。
【００５３】
図１を参照して、この例の半導電性ローラ１は、上記ゴム組成物の架橋物によって非多孔質でかつ単層構造の筒状に形成されるとともに、中心の通孔２にシャフト３が挿通されて固定されたものである。
シャフト３は、例えばアルミニウム、アルミニウム合金、ステンレス鋼等の金属によって一体に形成されている。
【００５４】
シャフト３は、例えば導電性を有する接着剤を介して半導電性ローラ１と電気的に接合されるとともに機械的に固定されるか、あるいは通孔２の内径よりも外径の大きいものを通孔２に圧入することで、半導電性ローラ１と電気的に接合されるとともに機械的に固定されて一体に回転される。
半導電性ローラ１の外周面４には、図中に拡大して示すように、フッ素ガス処理によってフッ素化膜５が形成されている。
【００５５】
フッ素化膜５を形成することで、先に説明したように半導電性ローラを特にプラス帯電型のトナーと組み合わせて現像ローラとして使用した際に、トナーの付着を抑制して画像濃度の低下等を抑制したり、トナーに対して高いトナー帯電量を付与して画質の良好な画像を形成したりできる。その上、連続的に画像形成を繰り返した際にトナー帯電量が大きく低下するのを防止して、形成画像にカブリが生じるのを長期に亘って抑制することも可能となる
〈半導電性ローラの製造〉
半導電性ローラ１を製造するには、まず先に調製したゴム組成物を、押出成形機を用いて筒状に押出成形し、次いで所定の長さにカットして加硫缶内で加圧、加熱して架橋させる。
【００５６】
次いで架橋させた筒状体をオーブン等を用いて加熱して二次架橋させ、冷却したのち所定の外径となるように研磨する。
シャフト３は、筒状体のカット後から研磨後までの任意の時点で通孔２に挿通して固定できる。
ただしカット後、まず通孔２にシャフト３を挿通した状態で二次架橋、および研磨をするのが好ましい。これにより二次架橋時の膨張収縮による筒状体→半導電性ローラ１の反りや変形を防止できる。また、シャフト３を中心として回転させながら研磨することで当該研磨の作業性を向上し、なおかつ外周面４のフレを抑制できる。
【００５７】
シャフト３は、先に説明したように通孔２の内径よりも外径の大きいものを通孔２に圧入するか、あるいは導電性を有する熱硬化性接着剤を介して、二次架橋前の筒状体の通孔２に挿通すればよい。
後者の場合は、オーブン中での加熱によって筒状体が二次架橋されるのと同時に熱硬化性接着剤が硬化して、当該シャフト３が筒状体→半導電性ローラ１に電気的に接合されるとともに機械的に固定される。
【００５８】
また前者の場合は、圧入と同時に電気的な接合と機械的な固定が完了する。
（フッ素ガス処理）
フッ素化膜５は、半導電性ローラ１をフッ素ガス処理することで形成される。
フッ素ガス処理としては、例えばフッ素ガス単体、またはフッ素ガスと窒素ガス等の不活性ガスとの混合ガスを用いた直接フッ素化法や、あるいはこれらのガスやＣＦ４、ＮＦ３、ＳＦ６といったフッ素化合物のガスなどを用いたプラズマフッ素化法等が挙げられる。
【００５９】
このうち直接フッ素化法では、例えば密閉式のチャンバ内にシャフト３を支軸として半導電性ローラ１をセットし、真空ポンプを用いてチャンバ内を真空引きし、窒素ガス等の不活性ガスのパージを数回実施した後、フッ素ガス単体、または混合ガスを導入して半導電性ローラ１と接触させる。そして所定時間経過後に、未反応のフッ素ガスや反応副生成物を除去するために真空引きと窒素ガス等の不活性ガスのパージを数回実施したのち、チャンバ内から半導電性ローラ１を取り出す。
【００６０】
そうするとチャンバ内に導入されたフッ素ガスを構成するフッ素分子はフッ素原子に解離しやすい上、解離したフッ素原子は高い反応性を示すため、半導電性ローラ１の外周面４を構成するゴム組成物中のゴム分とフッ素化反応し、それによって上記外周面４にフッ素化膜５が形成される。
かかる直接フッ素化法では、チャンバ内にフッ素ガスと酸素ガスが共存しているとゴム表面に−ＣＦ＝Ｏが形成されてフッ素化膜が適正に形成されない。
【００６１】
処理前に真空引きと不活性ガスのパージを実施するのは、チャンバ内の酸素ガスを極力除去するためであり、かかる操作に代えて、窒素ガス等の不活性ガスの吹込み等の任意の操作を実施して酸素ガスを除去するようにしてもよい。
処理後の未反応のフッ素ガスや反応副生成物の除去についても、同様に真空引き以外の操作を実施してもよい。
【００６２】
かかる直接フッ素化法等のフッ素ガス処理によって形成されるフッ素化膜５は、先に説明したように半導電性ローラ１の外周面４を形成するゴム組成物中のゴム自体をフッ素化反応させて形成されるため、従来の有機ポリマからなる最外層のような問題を生じることがなく、厚み等の均一性に優れている。
なお半導電性ローラ１を形成するゴム組成物の架橋物の特性に影響を及ぼすことなしに、当該半導電性ローラ１の外周面４をできるだけ効率よくフッ素化処理してフッ素化膜５を形成することを考慮すると、直接フッ素化法の場合、処理の温度は０℃以上、特に１０℃以上であるのが好ましく、１６０℃以下、特に８０℃以下であるのが好ましい。またフッ素ガス処理の時間は１分以上であるのが好ましく、８０分以下であるのが好ましい。
【００６３】
ガスとしては混合ガスを用いるのが好ましい。また混合ガス中のフッ素ガスの濃度は０．１体積％以上、特に４体積％以上であるのが好ましく、４０体積％以下、特に２０体積％以下であるのが好ましい。
フッ素ガスの濃度は製品の表面積に影響を受け、チャンバ内の製品の表面積が大きければフッ素ガスの反応消費量が多くなるため、一定のフッ素化膜を形成するためには濃度を高くする必要を生じる。
【００６４】
そのためフッ素ガスの濃度は上記の範囲に限定されるものではない。しかしフッ素ガス単体で使用したり、あるいはフッ素ガスの濃度が上記の範囲より高い混合ガスを使用したりする場合には、フッ素ガスの強い腐食性や反応性の面で設備に特殊な材料や機器、制御を加える必要を生じて装置コストの増加や生産性低下が発生するおそれがある。またゴム表面との反応熱が過大に発生するおそれもある。
【００６５】
一方、混合ガス中のフッ素ガスの濃度が上記の範囲未満では、フッ素化膜の生成速度が遅すぎてフッ素ガス処理に時間がかかりすぎるため、半導電性ローラの生産性が低下するおそれがある。
またフッ素ガス処理においては、上記処理の温度や時間の他、フッ素ガスを用いるか混合ガスを用いるかの違い、混合ガスを用いる場合はそのうちフッ素ガスの割合等に応じてフッ素化の強度、ひいてはフッ素化膜５の厚み等を任意に調整できる。
【００６６】
〈その他〉
本発明の半導電性ローラ１は、例えばレーザープリンタ等の電子写真法を利用した画像形成装置に組み込んで、感光体の表面に形成される静電潜像を、帯電させたトナー、特にプラス帯電型のトナーによってトナー像に現像するための現像ローラとして好適に使用できる。
【００６７】
半導電性ローラ１の厚みは、例えば現像ローラとして使用する場合、その小型化、軽量化を図りながら適度なニップ幅を確保するために、０．５ｍｍ以上、中でも１ｍｍ以上、特に２ｍｍ以上であるのが好ましく、１０ｍｍ以下、中でも７ｍｍ以下、特に５ｍｍ以下であるのが好ましい。
本発明の半導電性ローラは、上記現像ローラ等として、例えばレーザープリンタ、静電式複写機、普通紙ファクシミリ装置、あるいはこれらの複合機等の、電子写真法を利用した画像形成装置組み込んで好適に使用できる他、当該画像形成装置において帯電ローラ、転写ローラ、クリーニングローラ等として用いることもできる。
【実施例】
【００６８】
〈実施例１〉
（ゴム組成物の調製）
ゴム分としてＧＥＣＯ〔ダイソー(株)製のエピオン（登録商標）−３０１、ＥＯ／ＥＰ／ＡＧＥ＝７３／２３／４（モル比）〕５０質量部、ＣＲ〔昭和電工(株)製のショウプレン（登録商標）ＷＲＴ〕２０質量部、およびＮＢＲ〔ＪＳＲ(株)製のＪＳＲ  Ｎ２５０ＳＬ、低ニトリルＮＢＲ、アクリロニトリル含量：２０％〕３０質量部を配合した。
【００６９】
上記ゴム分の合計１００質量部をバンバリミキサを用いて素練りしながら、下記表１に示す各成分のうち架橋成分以外を加えて混練した後、最後に架橋成分を加えてさらに混練してゴム組成物を調製した。
【００７０】
【表１】
2015212763.tif 000003
【００７１】
表１中の各成分は下記のとおり。
硫黄系架橋剤：５％オイル入り硫黄〔鶴見化学工業(株)製〕
チウラム系促進剤：テトラメチルチウラムモノスルフィド〔三新化学工業(株)製のサンセラー（登録商標）ＴＳ〕
チアゾール系促進剤：ジ−２−ベンゾチアジルジスルフィド〔Ｓｈａｎｄｏｎｇ  Ｓｈａｎｘｉａｎ  Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｃｏ．  Ｌｔｄ．製の商品名ＳＵＮＳＩＮＥ  ＭＢＴＳ〕
チオウレア系促進剤：エチレンチオウレア〔２−メルカプトイミダゾリン、川口化学工業(株)製のアクセル（登録商標）２２−Ｓ〕
グアニジン系促進剤：１，３−ジ−ｏ−トリルグアニジン〔三新化学工業(株)製のサンセラーＤＴ〕
促進助剤：酸化亜鉛２種〔三井金属鉱業(株)製〕
充填剤Ｉ：カーボンブラックＦＴ〔旭カーボン(株)製の旭＃１５〕
充填剤II：導電性カーボンブラック〔電気化学工業(株)製のデンカブラック（登録商標）粒状〕
受酸剤：ハイドロタルサイト類〔協和化学工業(株)製のＤＨＴ−４Ａ（登録商標）−２〕
表中の質量部は、ゴム分の総量１００質量部あたりの質量部である。
【００７２】
（半導電性ローラの製造）
調製したゴム組成物を押出成形機に供給して外径φ２０ｍｍ、内径φ７．０ｍｍの筒状に押出成形した後、この筒状体を架橋用の仮のシャフトに装着して加硫缶内で１６０℃×１時間架橋させた。
次いで架橋させた筒状体を、外周面に導電性の熱硬化性接着剤を塗布した外径φ７．５ｍｍのシャフトに装着し直して、オーブン中で１６０℃に加熱してシャフトに接着したのち両端をカットし、外周面を、円筒研磨機を用いてトラバース研磨したのち仕上げとして鏡面研磨をして外径φ１６．００ｍｍ（公差０．０５）になるように仕上げて、シャフトと一体化された半導電性ローラを形成した。
【００７３】
（フッ素化処理）
次いで研磨後の半導電性ローラの外周面を水洗いして乾燥させたのち、密閉式のチャンバ内に、シャフトを支軸としてセットし、真空ポンプを用いてチャンバ内を脱気後、乾燥窒素ガスを導入して再度脱気した。
そして２３℃の温度でフッ素ガス４．４体積％と窒素ガス９５．６体積％の混合ガスをチャンバ内に導入して半導電性ローラ１と１時間接触させるフッ素ガス処理をして、外周面にフッ素化膜が形成された半導電性ローラを作製した。
【００７４】
〈実施例２〉
フッ素ガス処理の条件を、温度：６０℃、時間：１時間としたこと以外は実施例１と同様にして、外周面にフッ素化膜が形成された半導電性ローラを作製した。
〈実施例３〉
フッ素ガス処理の条件を、温度：９０℃、時間：１時間としたこと以外は実施例１と同様にして、外周面にフッ素化膜が形成された半導電性ローラを作製した。
【００７５】
〈実施例４〉
フッ素ガス処理の条件を、温度１２０℃、時間：１時間としたこと以外は実施例１と同様にして、外周面にフッ素化膜が形成された半導電性ローラを作製した。
〈比較例１〉
実施例１で形成した、フッ素ガス処理前の、外周面にフッ素化膜が形成されていない半導電性ローラを比較例１とした。
【００７６】
〈実施例５〉
エピクロルヒドリンゴムの量を３０質量部、ＣＲの量を１０質量部、ＮＢＲの量を６０質量部としたこと以外は実施例１と同様にしてゴム組成物を調製し、半導電性ローラを形成するとともに、実施例１と同じ条件でフッ素ガス処理して外周面にフッ素化膜が形成された半導電性ローラを作製した。
【００７７】
〈実施例６〉
エピクロルヒドリンゴムの量を３０質量部、ＣＲの量を２０質量部、ＮＢＲの量を５０質量部としたこと以外は実施例１と同様にしてゴム組成物を調製し、半導電性ローラを形成するとともに、実施例１と同じ条件でフッ素ガス処理して外周面にフッ素化膜が形成された半導電性ローラを作製した。
【００７８】
〈実施例７〉
エピクロルヒドリンゴムの量を４０質量部、ＣＲの量を２０質量部、ＮＢＲの量を４０質量部としたこと以外は実施例１と同様にしてゴム組成物を調製し、半導電性ローラを形成するとともに、実施例１と同じ条件でフッ素ガス処理して外周面にフッ素化膜が形成された半導電性ローラを作製した。
【００７９】
〈実施例８〉
エピクロルヒドリンゴムの量を６０質量部、ＣＲの量を２０質量部、ＮＢＲの量を２０質量部としたこと以外は実施例１と同様にしてゴム組成物を調製し、半導電性ローラを形成するとともに、実施例１と同じ条件でフッ素ガス処理して外周面にフッ素化膜が形成された半導電性ローラを作製した。
【００８０】
〈比較例２〉
実施例５で形成した、フッ素ガス処理前の、外周面にフッ素化膜が形成されていない半導電性ローラを比較例２とした。
〈従来例１〉
エピクロルヒドリンゴムの量を４０質量部、ＮＢＲの量を６０質量部としてＣＲを配合しなかったこと以外は実施例１と同様にしてゴム組成物を調製し、半導電性ローラを形成するとともに、実施例４と同じ条件でフッ素ガス処理して外周面にフッ素化膜が形成された半導電性ローラを作製した。
【００８１】
〈トナー帯電量評価〉
上記実施例、比較例、従来例で作製した半導電性ローラを、市販のレーザープリンタ用の新品のカートリッジ（トナーを収容したトナー容器、感光体、および現像ローラが一体になったもの）の既設の現像ローラと交換した。なおレーザープリンタは、プラス帯電の粉砕タイプの非磁性１成分トナーを使用するもので、トナー推奨印刷枚数は８０００枚〔Ａ４サイズ、日本工業規格ＪＩＳ  Ｘ６９３２：２００８公表値〕である。
【００８２】
そして上記カートリッジを該当のレーザープリンタに装着して温度３０℃、相対湿度８０％の高温高湿環境下、５％濃度の画像を１５秒間に１枚画像形成する間欠通紙、すなわち先の画像形成工程が完全に終了した後に一旦停止時間を設けたのち再び画像形成する操作を１日に１５００回実施し、トナー切れで停止した際の画像を観察して下記の基準でトナー帯電量の低下度合いを評価した。
【００８３】
レベル１：紙面の全面において全くカブリなし。もしくは紙面の端部に目視では見分けにくい程度のごくわずかなカブリあり。→トナー帯電量の低下殆どなし。極めて良好（◎）。
レベル２：紙面の端部にわずかなカブリあり。→トナー帯電量の低下ごくわずかにあるも良好（○）。
【００８４】
レベル３：紙面の端部に明確なカブリあり。→トナー帯電量の低下あり。不良（×）。
レベル４：紙面の全面にわずかなカブリ有。→トナー帯電量の低下あり。不良（×）。
レベル５：紙面の全面に明確なカブリ有。→トナー帯電量の低下大。不良（×）。
以上の結果を表２、表３に示す。
【００８５】
【表２】
2015212763.tif 000004
【００８６】
【表３】
2015212763.tif 000005
【００８７】
表２、表３の実施例１〜８、比較例１、２の結果より、半導電性ローラの外周面に、フッ素ガス処理によってフッ素化膜を形成することで、連続的に画像形成を繰り返した際にトナー帯電量が大きく低下するのを防止して、形成画像にカブリが生じるのを長期に亘って抑制できることが判った。
また実施例１〜８、ならびに特許文献２を再現した従来例１の結果より、かかる効果を得るためには、半導電性ローラのもとになるゴム分として、エピクロルヒドリンゴムおよびＮＢＲに加えてＣＲを併用する必要があることが判った。
【００８８】
実施例１〜４の結果より、上記効果をさらに向上するためには、フッ素ガス処理の温度を高くしたりするのが好ましいことが判った。
さらに実施例１〜８の結果より、上記３種のゴムの併用系では、エピクロルヒドリンゴムの配合割合を、ゴム分の総量１００質量部中の３０質量部以上、７０質量部以下とするのが好ましいこと、ＣＲの配合割合を、ゴム分の総量１００質量部中の１０質量部以上、３０質量部以下とするのが好ましいことが判った。
【００８９】
〈実施例９〉
ゴム分としてＧＥＣＯ〔ダイソー(株)製のエピオン（登録商標）−３０１、ＥＯ／ＥＰ／ＡＧＥ＝７３／２３／４（モル比）〕２０質量部、ＣＲ〔昭和電工(株)製のショウプレン（登録商標）ＷＲＴ〕１０質量部、およびＳＢＲ〔ＪＳＲ(株)製のＪＳＲ１５０２、非油展、結合スチレン量：２３．５％〕７０質量部を配合した。
【００９０】
上記ゴム分の合計１００質量部をバンバリミキサを用いて素練りしながら、下記表４に示す各成分のうち架橋成分以外を加えて混練した後、最後に架橋成分を加えてさらに混練してゴム組成物を調製した。
【００９１】
【表４】
2015212763.tif 000006
【００９２】
表４中の各成分は表１と同じ。
上記ゴム組成物を使用したこと以外は実施例１と同様にして半導電性ローラを形成するとともに、実施例１と同じ条件でフッ素ガス処理して外周面にフッ素化膜が形成された半導電性ローラを作製した。
〈実施例１０〉
フッ素ガス処理の条件を実施例２と同じとしたこと以外は実施例９と同様にして、外周面にフッ素化膜が形成された半導電性ローラを作製した。
【００９３】
〈実施例１１〉
フッ素ガス処理の条件を実施例３と同じとしたこと以外は実施例９と同様にして、外周面にフッ素化膜が形成された半導電性ローラを作製した。
〈実施例１２〉
フッ素ガス処理の条件を実施例４と同じとしたこと以外は実施例９と同様にして、外周面にフッ素化膜が形成された半導電性ローラを作製した。
【００９４】
〈比較例３〉
実施例９で形成した、フッ素ガス処理前の、外周面にフッ素化膜が形成されていない半導電性ローラを比較例３とした。
〈実施例１３〉
エピクロルヒドリンゴムの量を４０質量部、ＣＲの量を２０質量部、ＳＢＲの量を４０質量部としたこと以外は実施例９と同様にしてゴム組成物を調製し、半導電性ローラを形成するとともに、実施例１と同じ条件でフッ素ガス処理して外周面にフッ素化膜が形成された半導電性ローラを作製した。
【００９５】
〈実施例１４〉
エピクロルヒドリンゴムの量を５０質量部、ＣＲの量を１０質量部、ＳＢＲの量を４０質量部としたこと以外は実施例９と同様にしてゴム組成物を調製し、半導電性ローラを形成するとともに、実施例１と同じ条件でフッ素ガス処理して外周面にフッ素化膜が形成された半導電性ローラを作製した。
【００９６】
〈実施例１５〉
エピクロルヒドリンゴムの量を４０質量部、ＣＲの量を１０質量部、ＳＢＲの量を５０質量部としたこと以外は実施例９と同様にしてゴム組成物を調製し、半導電性ローラを形成するとともに、実施例１と同じ条件でフッ素ガス処理して外周面にフッ素化膜が形成された半導電性ローラを作製した。
【００９７】
〈比較例４〉
エピクロルヒドリンゴムの量を３０質量部、ＳＢＲの量を７０質量部としてＣＲを配合しなかったこと以外は実施例９と同様にしてゴム組成物を調製し、半導電性ローラを形成するとともに、実施例４と同じ条件でフッ素ガス処理して外周面にフッ素化膜が形成された半導電性ローラを作製した。
【００９８】
上記実施例、比較例で作製した半導電性ローラについて、先のトナー帯電量評価を実施した。結果を表５、表６に示す。
【００９９】
【表５】
2015212763.tif 000007
【０１００】
【表６】
2015212763.tif 000008
【０１０１】
表５、表６の実施例９〜１５、比較例３の結果より、ＳＢＲを含む系でも同様に、半導電性ローラの外周面に、フッ素ガス処理によってフッ素化膜を形成することで、連続的に画像形成を繰り返した際にトナー帯電量が大きく低下するのを防止して、形成画像にカブリが生じるのを長期に亘って抑制できることが判った。
また実施例９〜１５、比較例４の結果より、かかる効果を得るためには、半導電性ローラのもとになるゴム分として、エピクロルヒドリンゴムおよびＳＢＲに加えてＣＲを併用する必要があることが判った。
【０１０２】
実施例９〜１２の結果より、上記効果をさらに向上するためには、フッ素ガス処理の温度を高くしたりするのが好ましいことが判った。
さらに実施例９〜１５の結果より、上記３種のゴムの併用系では、エピクロルヒドリンゴムの配合割合を、ゴム分の総量１００質量部中の２０質量部以上、６０質量部以下とするのが好ましいこと、ＣＲの配合割合を、ゴム分の総量１００質量部中の１０質量部以上、３０質量部以下とするのが好ましいことが判った。
【符号の説明】
【０１０３】
１     半導電性ローラ
２     通孔
３     シャフト
４     外周面
【図１】
2015212763.tif 000009