(57)【要約】【課題】輝点欠陥に起因した表示品位の低下を抑えることができる表示装置を提供する。【解決手段】ＴＦＴ基板ＳＵＢ１は、ガラス基板ＧＢ１と、ガラス基板ＧＢ１に形成されたゲート線ＧＬ、データ線ＤＬ、画素電極ＰＩＴ及び共通電極ＣＩＴと、を備え、ＣＦ基板ＳＵＢ２は、ガラス基板ＧＢ２と、ガラス基板ＧＢ２に形成されたカラーフィルタＣＦ及びブラックマトリクスＢＭと、を備え、ガラス基板ＧＢ２の内部に、光の透過量を減少させる減光部１０が形成されており、減光部１０は、平面的に見て、輝度欠陥が生じる領域を覆うように形成されている。【選択図】図５
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
背面側に配置された第１基板と、前記第１基板に対向して表示面側に配置された第２基板とを備え、
前記第１基板は、第１ガラス基板と、前記第１ガラス基板に形成された複数の信号線及び表示用電極と、を備え、
前記第２基板は、第２ガラス基板と、前記第２ガラス基板に形成された複数の光透過部及び遮光部と、を備え、
前記第１ガラス基板及び前記第２ガラス基板の少なくとも何れか一方の内部に、光の透過量を減少させる減光部が形成されており、
前記減光部は、平面的に見て、輝度欠陥が生じる領域を覆うように形成されている、
ことを特徴とする表示装置。
【請求項２】
前記減光部の周囲は、前記減光部が形成されるガラス基板のガラス材料で覆われている、
ことを特徴とする請求項１に記載の表示装置。
【請求項３】
前記減光部は、平面的に見て、前記第１基板と前記第２基板との間、前記第１ガラス基板と該第１ガラス基板の表面に形成された第１偏光板との間、及び、前記第２ガラス基板と該第２ガラス基板の表面に形成された第２偏光板との間、の少なくとも何れか一つに混入された、前記輝度欠陥を生じさせる混入物を覆うように形成されている、
ことを特徴とする請求項１に記載の表示装置。
【請求項４】
前記減光部は、前記第１ガラス基板及び前記第２ガラス基板の少なくとも何れか一方の内部において、背面側に形成されている、
ことを特徴とする請求項１に記載の表示装置。
【請求項５】
前記減光部は、前記減光部が形成されるガラス基板のガラス材料と同一材料からなる、
ことを特徴とする請求項１に記載の表示装置。
【請求項６】
前記減光部は、前記第１ガラス基板及び前記第２ガラス基板の少なくとも何れか一方の内部に高エネルギービームが照射されることにより形成される、
ことを特徴とする請求項１に記載の表示装置。
【請求項７】
前記減光部は着色されている、ことを特徴とする請求項１に記載の表示装置。
【請求項８】
前記第１基板は、さらに、マトリクス状に配置された複数の画素を備え、
前記複数の画素は、赤色に対応する赤色画素と、緑色に対応する緑色画素と、青色に対応する青色画素とを含み、
前記減光部は、前記輝度欠陥が生じる領域に対応する画素の色に応じて光の透過率が異なるように形成されている、
ことを特徴とする請求項１に記載の表示装置。
【請求項９】
前記緑色画素に対応する前記輝度欠陥が生じる領域を覆う前記減光部の光の透過率は、他の色の画素に対応する前記輝度欠陥が生じる領域を覆う前記減光部の光の透過率よりも低い、
ことを特徴とする請求項８に記載の表示装置。
【請求項１０】
第１基板を製造する第１基板製造工程と、第２基板を製造する第２基板製造工程と、前記第１基板及び前記第２基板を備える表示パネルの点灯検査を行う検査工程と、前記表示パネルに生じた輝度欠陥を修正する修正工程と、を含む表示装置の製造方法であって、
前記検査工程は、前記輝度欠陥が生じる領域の位置を検出する検出工程を含み、
前記修正工程は、
前記第１基板を構成する第１ガラス基板と、前記第２基板を構成する第２ガラス基板との少なくとも何れか一方における、前記検査工程で検出された前記輝度欠陥が生じる領域に対応する部分に、高エネルギービームを照射する照射工程と、
前記高エネルギービームを照射することにより、光の透過量を減少させる減光部を形成する形成工程と、を含む、
ことを特徴とする表示装置の製造方法。
【請求項１１】
前記第１基板製造工程は、前記第１ガラス基板の表面に第１偏光板を形成する工程を含み、
前記第２基板製造工程は、前記第２ガラス基板の表面に第２偏光板を形成する工程を含み、
前記照射工程では、前記第１偏光板が形成された前記第１ガラス基板と、前記第２偏光板が形成された前記第２ガラス基板との少なくとも何れか一方における、前記輝度欠陥が生じる領域に対応する部分に、前記高エネルギービームを照射する、
ことを特徴とする請求項１０に記載の表示装置の製造方法。
【請求項１２】
前記第１基板製造工程及び前記第２基板製造工程の少なくとも何れか一方は、対応する前記第１ガラス基板及び前記第２ガラス基板の少なくとも何れか一方に、着色用材料をドープするドープ工程を含み、
前記照射工程では、前記着色用材料がドープされた前記第１ガラス基板及び前記第２ガラス基板の少なくとも何れか一方における、前記検査工程で検出された前記輝度欠陥が生じる領域に対応する部分に、前記高エネルギービームを照射する、
ことを特徴とする請求項１０に記載の表示装置の製造方法。
【請求項１３】
前記第１基板製造工程は、赤色に対応する赤色画素、緑色に対応する緑色画素、及び青色に対応する青色画素を含む画素を形成する画素形成工程を含み、
前記照射工程では、前記輝度欠陥が生じる領域に対応する画素の色に応じて、前記高エネルギービームの強度を調整して照射する、
ことを特徴とする請求項１０に記載の表示装置の製造方法。
【請求項１４】
前記高エネルギービームは、レーザ光、紫外光、Ｘ線、及びガンマ線の何れかである、
ことを特徴とする請求項１０に記載の表示装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、表示装置及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
各種表示装置のうち例えば液晶表示装置は、画素電極と共通電極との間に発生する電界を、一対の基板に挟持される液晶層に印加して液晶を駆動させることにより、画素電極と共通電極との間の領域を透過する光の量を調整して画像表示を行う。
【０００３】
従来、例えば液晶表示装置において、画素の表示輝度が所望の輝度よりも高くなる、所謂、輝点欠陥（画素欠陥ともいう。）の問題が知られている。輝点欠陥は、例えば、液晶表示装置の製造工程において一対の基板間に異物が混入し、この異物によって、液晶の配向が乱されたり、画素電極と共通電極とが短絡したりすることにより生じる。
【０００４】
上記輝点欠陥を修正する方法が、例えば特許文献１に開示されている。特許文献１の方法では、異物の周縁部分の共通電極にレーザを照射して、異物が接触する共通電極を他の回路から分離させている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２００９−８０１６３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかしながら、特許文献１の方法では、レーザを共通電極に照射して共通電極を破壊させているため、破壊時に電極材料が飛散したり、熱エネルギーが他の回路に悪影響を及ぼしたりする問題が生じ得る。このため、従来の方法では、特に高精細化した近年の表示装置において、輝点欠陥に起因した表示品位の低下を抑えることは困難である。
【０００７】
本発明は、上記実情に鑑みてなされたものであり、その目的は、輝点欠陥に起因した表示品位の低下を抑えることができる表示装置及びその製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
上記課題を解決するために、本発明に係る表示装置は、背面側に配置された第１基板と、前記第１基板に対向して表示面側に配置された第２基板とを備え、前記第１基板は、第１ガラス基板と、前記第１ガラス基板に形成された複数の信号線及び表示用電極と、を備え、前記第２基板は、第２ガラス基板と、前記第２ガラス基板に形成された複数の光透過部及び遮光部と、を備え、前記第１ガラス基板及び前記第２ガラス基板の少なくとも何れか一方の内部に、光の透過量を減少させる減光部が形成されており、前記減光部は、平面的に見て、輝度欠陥が生じる領域を覆うように形成されている、ことを特徴とする。
【０００９】
本発明に係る表示装置では、前記減光部の周囲は、前記減光部が形成されるガラス基板のガラス材料で覆われていてもよい。
【００１０】
本発明に係る表示装置では、前記減光部は、平面的に見て、前記第１基板と前記第２基板との間、前記第１ガラス基板と該第１ガラス基板の表面に形成された第１偏光板との間、及び、前記第２ガラス基板と該第２ガラス基板の表面に形成された第２偏光板との間、の少なくとも何れか一つに混入された、前記輝度欠陥を生じさせる混入物を覆うように形成されていてもよい。
【００１１】
本発明に係る表示装置では、前記減光部は、前記第１ガラス基板及び前記第２ガラス基板の少なくとも何れか一方の内部において、背面側に形成されていてもよい。
【００１２】
本発明に係る表示装置では、前記減光部は、前記減光部が形成されるガラス基板のガラス材料と同一材料からなっていてもよい。
【００１３】
本発明に係る表示装置では、前記減光部は、前記第１ガラス基板及び前記第２ガラス基板の少なくとも何れか一方の内部に高エネルギービームが照射されることにより形成されてもよい。
【００１４】
本発明に係る表示装置では、前記減光部は着色されていてもよい。
【００１５】
本発明に係る表示装置では、前記第１基板は、さらに、マトリクス状に配置された複数の画素を備え、前記複数の画素は、赤色に対応する赤色画素と、緑色に対応する緑色画素と、青色に対応する青色画素とを含み、前記減光部は、前記輝度欠陥が生じる領域に対応する画素の色に応じて光の透過率が異なるように形成されていてもよい。
【００１６】
本発明に係る表示装置では、前記緑色画素に対応する前記輝度欠陥が生じる領域を覆う前記減光部の光の透過率は、他の色の画素に対応する前記輝度欠陥が生じる領域を覆う前記減光部の光の透過率よりも低くてもよい。
【００１７】
また、本発明に係る表示装置の製造方法は、第１基板を製造する第１基板製造工程と、第２基板を製造する第２基板製造工程と、前記第１基板及び前記第２基板を備える表示パネルの点灯検査を行う検査工程と、前記表示パネルに生じた輝度欠陥を修正する修正工程と、を含む表示装置の製造方法であって、前記検査工程は、前記輝度欠陥が生じる領域の位置を検出する検出工程を含み、前記修正工程は、前記第１基板を構成する第１ガラス基板と、前記第２基板を構成する第２ガラス基板との少なくとも何れか一方における、前記検査工程で検出された前記輝度欠陥が生じる領域に対応する部分に、高エネルギービームを照射する照射工程と、前記高エネルギービームを照射することにより、光の透過量を減少させる減光部を形成する形成工程と、を含む、ことを特徴とする。
【００１８】
本発明に係る表示装置の製造方法では、前記第１基板製造工程は、前記第１ガラス基板の表面に第１偏光板を形成する工程を含み、前記第２基板製造工程は、前記第２ガラス基板の表面に第２偏光板を形成する工程を含み、前記照射工程では、前記第１偏光板が形成された前記第１ガラス基板と、前記第２偏光板が形成された前記第２ガラス基板との少なくとも何れか一方における、前記輝度欠陥が生じる領域に対応する部分に、前記高エネルギービームを照射してもよい。
【００１９】
本発明に係る表示装置の製造方法では、前記第１基板製造工程及び前記第２基板製造工程の少なくとも何れか一方は、対応する前記第１ガラス基板及び前記第２ガラス基板の少なくとも何れか一方に、着色用材料をドープするドープ工程を含み、前記照射工程では、前記着色用材料がドープされた前記第１ガラス基板及び前記第２ガラス基板の少なくとも何れか一方における、前記検査工程で検出された前記輝度欠陥が生じる領域に対応する部分に、前記高エネルギービームを照射してもよい。
【００２０】
本発明に係る表示装置の製造方法では、前記第１基板製造工程は、赤色に対応する赤色画素、緑色に対応する緑色画素、及び青色に対応する青色画素を含む画素を形成する画素形成工程を含み、前記照射工程では、前記輝度欠陥が生じる領域に対応する画素の色に応じて、前記高エネルギービームの強度を調整して照射してもよい。
【００２１】
本発明に係る表示装置の製造方法では、前記高エネルギービームは、レーザ光、紫外光、Ｘ線、及びガンマ線の何れかであることが好ましい。
【発明の効果】
【００２２】
本発明に係る表示装置及びその製造方法によれば、輝点欠陥に起因した表示品位の低下を抑えることができる。
【図面の簡単な説明】
【００２３】
【図１】本発明の実施形態に係る液晶表示装置の全体構成を示す図である。
【図２】表示パネルの一部の構成を示す平面図である。
【図３】図２のＡ１−Ａ２線で切断した断面図である。
【図４】輝点欠陥の一例を模式的に示す断面図である。
【図５】本実施形態に係る液晶表示装置において、減光部を有する画素の構成を示す断面図である。
【図６】本実施形態に係る液晶表示装置において、減光部を有する画素の他の構成を示す断面図である。
【図７】本実施形態に係る液晶表示装置において、減光部を有する画素の他の構成を示す断面図である。
【図８】輝度欠陥の修正方法を模式的に示した断面図である。
【図９】輝度欠陥の修正方法において高エネルギービームが照射される様子を示す断面図である。
【図１０】本実施形態に係る液晶表示装置において、減光部を有する画素の他の構成を示す断面図である。
【図１１】本実施形態に係る液晶表示装置において、減光部を有する画素の他の構成を示す断面図である。
【図１２】本実施形態に係る液晶表示装置において、減光部を有する画素の他の構成を示す断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００２４】
本発明の実施形態について、図面を用いて以下に説明する。以下の実施形態では、液晶表示装置を例に挙げるが、本発明に係る表示装置は、液晶表示装置に限定されるものではなく、例えば有機ＥＬ表示装置等であってもよい。
【００２５】
図１は、本実施形態に係る液晶表示装置の全体構成を示す平面図である。液晶表示装置ＬＣＤは、画像を表示する表示パネルＤＰと、表示パネルＤＰを駆動する駆動回路（データ線駆動回路、ゲート線駆動回路）と、駆動回路を制御する制御回路（図示せず）と、表示パネルＤＰに背面側から光を照射するバックライト（図示せず）とを含んでいる。
【００２６】
図２は、表示パネルＤＰの一部の構成を示す平面図である。図３は、図２のＡ１−Ａ２線で切断した断面図である。なお、図２及び図３では、１つの画素Ｐを示している。
【００２７】
表示パネルＤＰは、背面側に配置される薄膜トランジスタ基板ＳＵＢ１（以下、ＴＦＴ基板という。）（第１基板）と、表示面側に配置され、ＴＦＴ基板ＳＵＢ１に対向するカラーフィルタ基板ＳＵＢ２（以下、ＣＦ基板という。）（第２基板）と、ＴＦＴ基板ＳＵＢ１及びＣＦ基板ＳＵＢ２の間に挟持される液晶層ＬＣと、を含んでいる。
【００２８】
ＴＦＴ基板ＳＵＢ１には、列方向に延在する複数のデータ線ＤＬと、行方向に延在する複数のゲート線ＧＬとが形成され、複数のデータ線ＤＬと複数のゲート線ＧＬとのそれぞれの交差部近傍に薄膜トランジスタＴＦＴが形成されている。また、隣り合う２本のデータ線ＤＬと隣り合う２本のゲート線ＧＬとにより囲まれる矩形領域が、１つの画素Ｐとして規定される。画素Ｐは、ＴＦＴ基板ＳＵＢ１において、マトリクス状に複数配置されている。
【００２９】
画素Ｐには、スズ添加酸化インジウム（ＩＴＯ）等の透明導電膜からなる画素電極ＰＩＴ（表示用電極）が形成されている。図２に示すように、画素電極ＰＩＴは、開口部（例えばスリット）を有し、ストライプ状に形成されている。薄膜トランジスタＴＦＴは、ゲート絶縁膜ＧＳＮ（図３参照）上に、非晶質シリコン（ａＳｉ）からなる半導体層ＳＥＭが形成され、半導体層ＳＥＭ上にドレイン電極ＤＭ及びソース電極ＳＭが形成されている（図２参照）。ドレイン電極ＤＭは、データ線ＤＬに電気的に接続されている。ソース電極ＳＭと画素電極ＰＩＴとは、コンタクトホールＣＯＮＴを介して互いに電気的に接続されている。
【００３０】
画素Ｐを構成する各部の積層構造は、図３の構成に限定されるものではなく、周知の構成を適用することができる。例えば図３に示す構成では、ＴＦＴ基板ＳＵＢ１において、ガラス基板ＧＢ１上にゲート線ＧＬ（図２参照）が形成され、ゲート線ＧＬを覆うようにゲート絶縁膜ＧＳＮが形成されている。また、ゲート絶縁膜ＧＳＮ上にデータ線ＤＬが形成され、データ線ＤＬを覆うように絶縁膜ＰＡＳが形成されている。また、絶縁膜ＰＡＳ上に共通電極ＣＩＴ（表示用電極）が形成され、共通電極ＣＩＴを覆うように上層絶縁膜ＵＰＡＳが形成されている。さらに、上層絶縁膜ＵＰＡＳ上に画素電極ＰＩＴが形成され、画素電極ＰＩＴを覆うように配向膜ＡＦが形成されている。ガラス基板ＧＢ１の背面側には、偏光板ＰＯＬ１（第１偏光板）が形成されている。
【００３１】
また、ＣＦ基板ＳＵＢ２において、ガラス基板ＧＢ２上にブラックマトリクスＢＭ（遮光部）及びカラーフィルタＣＦ（例えば、赤色部、緑色部、青色部）（光透過部）が形成され、これらを覆うようにオーバコート層ＯＣが形成されている。ガラス基板ＧＢ２の表示面側には、偏光板ＰＯＬ２（第２偏光板）が形成されている。
【００３２】
図３に示す構成によれば、液晶表示装置ＬＣＤは、いわゆるＩＰＳ（In Plane Switching）方式の構成を有しているが、本実施形態に係る液晶表示装置はこれに限定されない。
【００３３】
次に、液晶表示装置ＬＣＤの駆動方法を簡単に説明する。ゲート線駆動回路から出力された走査用のゲート電圧がゲート線ＧＬに供給され、データ線駆動回路から出力された映像用のデータ電圧がデータ線ＤＬに供給される。ゲート線ＧＬにゲートオン電圧が供給されると、薄膜トランジスタＴＦＴの半導体層ＳＥＭが低抵抗となり、データ線ＤＬに供給されたデータ電圧が、ソース電極ＳＭを介して画素電極ＰＩＴに供給される。また、共通電極駆動回路（図示せず）から出力された共通電圧が、共通電極ＣＩＴに供給される。これにより、画素電極ＰＩＴと共通電極ＣＩＴとの間に電界（駆動用電界）が発生し、該電界により液晶層ＬＣが駆動され、画像が表示される。
【００３４】
ここで、液晶表示装置ＬＣＤは、その製造工程において、画素の表示輝度が所望の輝度よりも高くなる輝点欠陥（画素欠陥）が生じる場合がある。図４には、画素Ｐが輝点欠陥となる場合の一例を示している。図４では、液晶表示装置ＬＣＤの製造工程において、ＴＦＴ基板ＳＵＢ１とＣＦ基板ＳＵＢ２との間に有機物や金属等の異物が混入した場合を例示している。図４に示す画素Ｐでは、異物（混入物）によって液晶の配向が乱されることにより、バックライト光の光漏れが生じて輝点欠陥となる。
【００３５】
本実施形態に係る液晶表示装置ＬＣＤでは、上記輝点欠陥を抑えるための構成を有している。具体的には、図５に示すように、ＣＦ基板ＳＵＢ２のガラス基板ＧＢ２の内部に、バックライト光の透過量を減少させる減光部１０が形成されている。減光部１０は、ガラス基板ＧＢ２の内部に形成されているため、その周囲がガラス基板ＧＢ２のガラス材料に覆われている。
【００３６】
減光部１０は、ガラス基板ＧＢ２に高エネルギービームを照射することにより形成される。高エネルギービームは、例えば、レーザ光、紫外光、Ｘ線、ガンマ線等である。高エネルギービームを、ガラス基板の所望の位置に焦点を合わせて照射することにより、無色のガラスが着色する。なお、無色ガラスに高エネルギービームを照射して、着色ガラスを生成する技術は、公知の技術を用いることができる。一般的に、着色されたガラス材料は、透明ガラス材料と比較して光の透過量（透過率）が低くなる。よって、高エネルギービームによってガラス基板の着色された領域（着色部）が、上記減光部１０となる。減光部１０が形成されている部分は、該部分の光の透過率が、減光部１０が形成されていない部分の光の透過率に対して例えば７０％以下になるように、ガラス基板に着色されている。
【００３７】
減光部１０の透過率は、高エネルギービームの強度、密度、波長、照射時間等の設定条件を調整することにより可変させることができる。このため、例えば、輝度欠陥となる画素の輝度の大きさに応じて、減光部１０の光の透過率を設定してもよい。具体的には、輝度欠陥となる画素の輝度が大きい程、高エネルギービームの強度を強く設定してガラス基板に照射してもよい。
【００３８】
また、赤色に対応する赤色画素、緑色に対応する緑色画素、及び青色に対応する青色画素ごとに、見た目の輝度が異なるため、対応する色ごとに減光部１０の光の透過率を設定してもよい。例えば、緑色画素は赤色画素及び緑色画素よりも見た目の輝度が高いため、緑色画素が輝度欠陥となる場合は、赤色画素又は緑色画素が輝度欠陥となる場合よりも、減光部１０の光の透過率を低く設定してもよい。
【００３９】
また、減光部１０は、表示パネルＤＰを平面的に見て、異物を覆うように形成されている。また、図５に示すように、減光部１０は、表示パネルＤＰを斜め方向から見たときに、光漏れを防ぐことができる大きさを有していることが好ましい。なお、減光部１０の平面的な形状は、円状であってもよいし矩形状であってもよい。また、減光部１０の大きさは、減光部１０が異物に近い程小さく（図６の幅Ｗ１）、減光部１０が異物から遠い程大きい（図７のＷ２）ことが好ましい（Ｗ１＜Ｗ２）。
【００４０】
減光部１０は、ＴＦＴ基板ＳＵＢ１のガラス基板ＧＢ１に形成されていてもよい。また、減光部１０は、ガラス基板ＧＢ１及びガラス基板ＧＢ２の両方に形成されていてもよい。すなわち、減光部１０は、ＴＦＴ基板ＳＵＢ１のガラス基板ＧＢ１及びＣＦ基板ＳＵＢ２のガラス基板ＧＢ２の少なくとも何れか一方に形成されていればよい。また、ガラス基板ＧＢ１に形成される減光部１０ａのガラス基板ＧＢ１内部の位置と、ガラス基板ＧＢ２に形成される減光部１０ｂのガラス基板ＧＢ２内部の位置とは、同じであってもよいし異なっていてもよい。例えば、減光部１０ａは、ガラス基板ＧＢ１内部のバックライト側に形成され、減光部１０ｂは、ガラス基板ＧＢ２内部の液晶層ＬＣ側に形成されていてもよい。
【００４１】
上記構成によれば、輝度欠陥となる画素の輝度を低くすることができるため、輝度欠陥（光漏れ）を目立たなくすることができる。これにより、輝点欠陥に起因した表示品位の低下を抑えることができるとともに、液晶表示装置ＬＣＤの製造歩留まりを高めることができる。
【００４２】
次に、液晶表示装置ＬＣＤの製造方法について説明する。液晶表示装置ＬＣＤの製造方法は、ＴＦＴ基板ＳＵＢ１の製造工程と、ＣＦ基板ＳＵＢ２の製造工程と、ＴＦＴ基板ＳＵＢ１及びＣＦ基板ＳＵＢ２の貼り合わせ工程と、液晶注入工程と、表示パネルＤＰの点灯検査工程と、輝度欠陥修正工程とを含んでいる。
【００４３】
上記各工程のうち、ＴＦＴ基板ＳＵＢ１の製造工程、ＣＦ基板ＳＵＢ２の製造工程、ＴＦＴ基板ＳＵＢ１及びＣＦ基板ＳＵＢ２の貼り合わせ工程、液晶注入工程、及び点灯検査工程は、周知の方法を適用することができる。
【００４４】
例えば、ＴＦＴ基板ＳＵＢ１の製造工程は、ガラス基板ＧＢ１上に、ゲート線ＧＬ、データ線ＤＬ、画素電極ＰＩＴ、共通電極ＣＩＴ、各種絶縁膜、及び偏光板ＰＯＬ１を形成する工程を含む。ＴＦＴ基板ＳＵＢ１で規定される画素Ｐは、赤色に対応する赤色画素Ｐｒ、緑色に対応する緑色画素Ｐｇ、及び青色に対応する青色画素Ｐｂを含んでもよい。また、ＣＦ基板ＳＵＢ２の製造工程は、ガラス基板ＧＢ２上に、ブラックマトリクスＢＭ、カラーフィルタＣＦ、及び偏光板ＰＯＬ２を形成する工程を含む。
【００４５】
以下では、点灯検査工程及び輝度欠陥修正工程について説明する。
【００４６】
先ず、点灯検査工程では、検査装置（図示せず）により、輝度欠陥を検出する。例えば、検査装置は、表示パネルＤＰを全点灯又は１ラインごとに点灯させて各画素の輝度を測定する。そして、検査装置は、閾値を超える輝度が測定された画素を輝度欠陥（画素欠陥）として検出する。検査装置は、輝度欠陥として検出した画素の位置情報を、後述の輝度欠陥修正装置１００に出力する。輝度欠陥の検出は、作業者による目視で行ってもよい。
【００４７】
輝度欠陥が検出されると、輝度欠陥修正工程に移行する。図８は、輝度欠陥の修正方法を模式的に示した断面図である。図８には、輝度欠陥修正装置１００の概略構成を示している。輝度欠陥修正装置１００は、高エネルギービーム発信器１０１と、スリット１０２と、集光レンズ１０３とを含んでいる。
【００４８】
輝度欠陥修正工程では、先ず、輝度欠陥修正装置１００が、検査装置から輝度欠陥の画素の位置情報を取得する。次に、取得した位置情報に基づいて、輝度欠陥修正装置１００の光学系を位置合わせする。次に、輝度欠陥修正装置１００は、高エネルギービームの焦点Ｆが、ガラス基板ＧＢ２内部の所望の位置に合うように調整する。焦点Ｆの位置は、例えば、輝度欠陥の原因となる異物の大きさや、測定された輝度値に基づいて調整される。例えば、図９に示すように、ガラス基板ＧＢ２内部において、異物の近傍側に高エネルギービームの焦点Ｆが合うように調整する。次に、輝度欠陥修正装置１００は、高エネルギービーム発信器１０１から高エネルギービームを出射させる。これにより、高エネルギービーム発信器１０１から出射された高エネルギービームは、スリット１０２を通り、集光レンズ１０３により、ガラス基板ＧＢ２内部の焦点Ｆに集光されて照射される。次に、高エネルギービームの照射位置を移動させつつ、高エネルギービームを連続的に照射することにより、減光部１０を形成する。図６は、減光部１０が形成された表示パネルＤＰの構成を模式的に示している。
【００４９】
なお、上述したように、減光部１０はガラス基板ＧＢ１に形成されてもよいし、ガラス基板ＧＢ１及びガラス基板ＧＢ２の両方に形成されてもよい。ガラス基板ＧＢ２に減光部１０を形成する場合は、背面側からガラス基板ＧＢ２に高エネルギービームを照射すればよい。
【００５０】
輝度欠陥修正工程では、ガラス基板に焦点を合わせて高エネルギービームを照射することにより、ガラス材料を着色させているため、ガラス基板自体の形状変化は起こらない。例えば、ガラス基板の内部や表面が破壊されて外形が変化することはない。そのため、例えばＴＦＴ基板ＳＵＢ１及びＣＦ基板ＳＵＢ２に偏光板ＰＯＬ１、ＰＯＬ２を形成した状態で、すなわち、表示パネルＤＰの完成後に、上記輝度欠陥修正工程を実行することができる。また、減光部１０は、ガラス基板と同一材料からなるため、屈折率が変化することもない。
【００５１】
輝度欠陥修正工程では、輝度欠陥となる部分に対応する画素の色に応じて、高エネルギービームの強度を調整して照射してもよい。これにより、減光部１０は、輝度欠陥となる部分に対応する画素の色に応じて光の透過率が異なるように形成される。例えば、緑色画素に対応する輝度欠陥が生じる領域を覆う減光部１０は、該減光部１０の光の透過率が、他の色の画素（例えば、赤色画素、青色画素）に対応する輝度欠陥が生じる領域を覆う減光部１０の光の透過率よりも低くなるように、形成されていてもよい。
【００５２】
ＴＦＴ基板ＳＵＢ１の製造工程は、ガラス基板ＧＢ１に着色用材料をドープするドープ工程を含んでもよい。同様に、ＣＦ基板ＳＵＢ２の製造工程は、ガラス基板ＧＢ２に着色用材料をドープするドープ工程を含んでもよい。ドープ工程では、例えば、着色用材料をガラス材料に混入させてもよいし、着色用材料をガラス基板の表面に被覆させてもよい。着色用材料としては、金、銀、銅、アルミニウム、鉛、白金等の微粒子、およびこれら金属の合金の微粒子を用いることができる。着色用材料がドープされたガラス基板に高エネルギービームを照射することにより、減光部１０は、着色用材料に応じた色に着色される。よって、輝度欠陥となる部分を所望の色に着色して、光漏れを目立たなくすることができる。
【００５３】
上記の説明では、ＴＦＴ基板ＳＵＢ１とＣＦ基板ＳＵＢ２との間に異物が混入した場合の輝度欠陥を示したが、輝度欠陥の原因はこれに限定されない。例えば、薄膜トランジスタＴＦＴの不具合による光漏れや、基板間に配置されるスペーサに起因した光漏れ等が起こり得る。本実施形態に係る輝度欠陥修正方法は、これらの輝度欠陥にも適用することができる。
【００５４】
また、輝度欠陥が生じ得る異物の混入位置は、ＴＦＴ基板ＳＵＢ１とＣＦ基板ＳＵＢ２との間に限定されない。例えば、ガラス基板ＧＢ１と偏光板ＰＯＬ１との間に異物が混入した場合も輝度欠陥が生じ得る。この場合は、図１０に示すように、減光部１０が、ガラス基板ＧＢ１内部における異物の近傍に形成されていてもよい。また、ガラス基板ＧＢ２と偏光板ＰＯＬ２との間に異物が混入した場合も輝度欠陥が生じ得る。この場合は、図１１に示すように、減光部１０が、ガラス基板ＧＢ２内部における異物の近傍に形成されていてもよい。このように、異物は、表示パネルＤＰの不特定の位置に混入し得る。そのため、例えば、１枚の表示パネルＤＰにおいて、輝度欠陥を生じさせる異物が、ガラス基板ＧＢ１及び偏光板ＰＯＬ１の間（第１位置）と、ガラス基板ＧＢ２及び偏光板ＰＯＬ２の間（第２位置）とに混入した場合、第１減光部１０が、第１位置の異物に対応して、ガラス基板ＧＢ１内部における異物の近傍に形成され（図１０参照）、第２減光部１０が、第２位置の異物に対応して、ガラス基板ＧＢ２内部における異物の近傍に形成されていてもよい（図１１参照）。なお、この場合に、輝度欠陥修正工程の作業効率を考慮して、第１減光部１０及び第２減光部１０の両方が、ガラス基板ＧＢ２の表示面側に形成されていてもよい。また、図１０の第１減光部１０と、図１１の第２減光部１０とは、互いに透過率が異なるように形成されていてもよい。
【００５５】
また、減光部１０は、ガラス基板の内部に限定されず、ガラス基板の表面に形成されていてもよい。例えば、図１２に示すように、減光部１０は、ガラス基板ＧＢ１の表示面側の表面と、ガラス基板ＧＢ２の背面側の表面とに形成されていてもよい。また、減光部１０は、ガラス基板ＧＢ１の背面側の表面と、ガラス基板ＧＢ２の表示面側の表面とに形成されていてもよい。
【００５６】
以上、本発明の一実施形態について説明したが、本発明は上記各実施形態に限定されるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲内で上記各実施形態から当業者が適宜変更した形態も本発明の技術的範囲に含まれることは言うまでもない。
【符号の説明】
【００５７】
ＬＣＤ  液晶表示装置、ＤＰ  表示パネル、ＳＵＢ１  ＴＦＴ基板、ＳＵＢ２  ＣＦ基板、ＬＣ  液晶層、ＧＢ１，ＧＢ２  ガラス基板、ＧＳＮ，ＰＡＳ，ＵＰＡＳ  絶縁膜、ＧＬ  ゲート線、ＤＬ  データ線、ＳＭ  ソース電極、ＤＭ  ドレイン電極、ＳＥＭ  半導体層、ＣＩＴ  共通電極、ＰＩＴ  画素電極、ＡＦ  配向膜、ＣＦ  カラーフィルタ、ＢＭ  ブラックマトリクス、ＯＣ  オーバコート層、ＰＯＬ１，ＰＯＬ２  偏光板、ＣＯＮＴ  コンタクトホール、１０  減光部、１００  輝度欠陥修正装置、１０１  高エネルギービーム発信器、１０２  スリット、１０３  集光レンズ、Ｆ  焦点。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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