(57)【要約】【課題】トランジスターの光リーク電流を抑制し、高画質化を図ること。【解決手段】Ｚ（＋）方向に順に配置されたトランジスター１２４と容量２４と有機ＥＬ素子３０とを含み、容量２４は電極２４ａと絶縁膜１７と電極２４ｂとを有し、有機ＥＬ素子３０は画素電極３１と発光機能層３２と対向電極３３とを有し、電極２４ｂを覆う第３層間絶縁膜１８と電源線６とが積層され、電源線６は開口６ＣＴを有し、開口６ＣＴの内側に配置されたコンタクトホール１８ＣＴ２と、電源線６で覆われた部分に配置されたコンタクトホール１８ＣＴ１とを有し、コンタクトホール１８ＣＴ２及びコンタクトホール１８ＣＴ１には導電材料が充填され、コンタクトホール１８ＣＴ１は、コンタクトホール１８ＣＴ２の少なくとも一部を囲むように配置されていることを特徴とする。【選択図】図６
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の方向に順に配置されたトランジスターと、容量素子と、発光素子と、を含み、
前記容量素子は、前記第１の方向に順に積層された第１の容量電極と、容量絶縁膜と、第２の容量電極と、を有し、
前記発光素子は、前記第１の方向に順に積層された画素電極と、発光機能層と、対向電極と、を有し、
前記容量素子と前記発光素子との間には、前記第２の容量電極を覆う第１の絶縁膜と、反射層とが積層され、
前記反射層は、前記第１の絶縁膜を露出する第１の開口を有し、
前記第１の開口で露出された部分の前記第１の絶縁膜を貫き前記第１の容量電極に至る第１のコンタクトホールと、前記反射層で覆われた部分の前記第１の絶縁膜を貫き前記第２の容量電極に至る第２のコンタクトホールと、を有し、
前記第１の容量電極及び前記画素電極は、前記第１のコンタクトホールに充填された第１の導電材料を介して電気的に接続され、
前記第２の容量電極及び前記反射層は、前記第２のコンタクトホールに充填された第２の導電材料を介して電気的に接続され、
前記第２のコンタクトホールは、前記第１のコンタクトホールの少なくとも一部を囲むように配置されていることを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス装置。
【請求項２】
第１の方向に順に配置されたトランジスターと、容量素子と、発光素子と、を含み、
前記容量素子は、前記第１の方向に順に積層された第１の容量電極と、容量絶縁膜と、第２の容量電極と、を有し、
前記発光素子は、前記第１の方向に順に積層された画素電極と、発光機能層と、対向電極と、を有し、
前記容量素子と前記発光素子との間には、前記第２の容量電極を覆う第１の絶縁膜と、反射層と、第２の絶縁膜とが順に積層され、
前記第２の絶縁膜及び前記反射層を貫き前記第１の絶縁膜を露出する第１の開口を有し、
前記第１の開口で露出された部分の前記第１の絶縁膜は、第３の絶縁膜で覆われ、
前記第３の絶縁膜、及び前記第１の開口で露出された部分の前記第１の絶縁膜を貫き前記第１の容量電極に至る第１のコンタクトホールと、前記反射層で覆われた部分の前記第１の絶縁膜を貫き前記第２の容量電極に至る第２のコンタクトホールと、を有し、
前記第１の容量電極及び前記画素電極は、前記第１のコンタクトホールに充填された第１の導電材料を介して電気的に接続され、
前記第２の容量電極及び前記反射層は、前記第２のコンタクトホールに充填された第２の導電材料を介して電気的に接続され、
前記第２のコンタクトホールは、前記第１のコンタクトホールの少なくとも一部を囲むように配置されていることを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス装置。
【請求項３】
前記第２の容量電極は、前記容量絶縁膜を露出する第２の開口を有し、
前記第２の開口の少なくとも一部は、平面視で前記第１の開口と重なり、
前記第１のコンタクトホールは、前記第１の開口及び前記第２の開口の内側に配置され、前記第１の絶縁膜及び前記容量絶縁膜を貫いて前記第１の容量電極に至るように形成されていることを特徴とする請求項１または２に記載の有機エレクトロルミネッセンス装置。
【請求項４】
前記第１の導電材料及び前記第２の導電材料は、前記第１の絶縁膜の側に配置されたバリアメタルと、前記バリアメタルの前記第１の絶縁膜と反対側に配置されたタングステンとで構成され、
前記バリアメタルは、窒化チタンを含むことを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載の有機エレクトロルミネッセンス装置。
【請求項５】
前記第１の容量電極及び前記画素電極は、前記トランジスターのソースまたはドレインの一方に電気的に接続され、
前記第２の容量電極及び前記反射層には、第１の電位が供給され、
前記対向電極には、前記第１の電位よりも低電位の第２の電位が供給されていることを特徴とする請求項１乃至４のいずれか１項に記載の有機エレクトロルミネッセンス装置。
【請求項６】
請求項１乃至５のいずれか１項に記載の有機エレクトロルミネッセンス装置を備えていることを特徴とする電子機器。
【請求項７】
第３の絶縁膜と、第１の方向に順に積層された第１の容量電極、容量絶縁膜、第２の容量電極、第１の絶縁膜、反射層、及び第２の絶縁膜と、を含み、
前記第３の絶縁膜及び前記第１の絶縁膜を貫き前記第１の容量電極に至る第１のコンタクトホールと、前記第１のコンタクトホールに充填された第１の導電材料と、を有する有機エレクトロルミネッセンス装置の製造方法であって、
前記第１の絶縁膜の上に前記反射層と前記第２の絶縁膜とを堆積する工程と、
前記第２の絶縁膜と前記反射層とに、前記第２の絶縁膜から前記第１の容量電極に向かう第２の方向の異方性エッチングを施し、前記第２の方向に沿った壁面で囲まれ前記第１の絶縁膜を露出する第１の開口を形成する工程と、
前記壁面を覆う部分と、前記壁面を覆う部分の内側に配置され前記第１の絶縁膜の表面を覆う部分と、を有する第３の絶縁膜を形成する工程と、
前記第３の絶縁膜及び前記第１の絶縁膜に前記第２の方向の異方性エッチングを施し、前記壁面を覆う部分の内側に、前記第１の絶縁膜の表面を覆う部分の前記第３の絶縁膜と前記第１の絶縁膜とを貫き、前記第１の容量電極に至る第１のコンタクトホールを形成する工程と、
前記第１のコンタクトホールに前記第１の導電材料を充填する工程と、
を有することを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス装置の製造方法。
【請求項８】
前記第１の絶縁膜は、酸化シリコンであり、
前記第３の絶縁膜は、窒化シリコンであることを特徴とする請求項７に記載の有機エレクトロルミネッセンス装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、有機エレクトロルミネッセンス装置、当該有機エレクトロルミネッセンス装置の製造方法、及び当該有機エレクトロルミネッセンス装置が搭載された電子機器に関する。
【背景技術】
【０００２】
例えば、有機エレクトロルミネッセンス（以降、有機ＥＬと称す）素子を有する画素がマトリックス状に配置された有機ＥＬ装置が提案されている（特許文献１）。特許文献１に記載の有機ＥＬ装置は、トランジスターを有し、光を発する画素がマトリックス状に配置されたアクティブマトリックス型の発光装置である。
【０００３】
画素の発光領域には、反射層と光学調整層と陽極と発光層と陰極とが順に積層され、発光層で発した光が反射層と陰極との間を往復し、反射層と陰極との間の光学的な距離に応じた共振波長の光が選択的に増幅される。
トランジスターは、反射層を挟んで、発光機能層と反対側に配置されている。反射層は開口を有し、当該開口は光を透過する。当該開口の内側には、トランジスターと陽極とを電気的に接続する画素コンタクトが形成されている。画素コンタクトには、反射層と同じ工程で形成された中継電極と、コンタクト電極と、陽極とが順に積層されている。また、中継電極とコンタクト電極との間には光学調整層が配置され、光学調整層に形成されたコンタクトホールを介して中継電極とコンタクト電極とが電気的に接続されている。
【０００４】
例えば、発光機能層で発した光が反射層の開口を通過してトランジスターの側に入射すると、トランジスターのリーク電流が増加し、画質の劣化を招く恐れがある。このため、特許文献１に記載の有機ＥＬ装置では、反射層の開口よりも広いコンタクト電極を形成し、反射層の開口をコンタクト電極で覆うことによって、トランジスターの側に入射する光を抑制している。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２０１３−２３８７２５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
中継電極とコンタクト電極との間には光学調整層が配置されているので、光学調整層に光が入射すると、中継電極とコンタクト電極との間で反射され反射層の開口の側に向かい、反射層の開口を通過し、トランジスターの側に進行する。すなわち、特許文献１に記載の有機ＥＬ装置では、中継電極とコンタクト電極との間に配置された光学調整層に入射した光が、トランジスターの側に進行し、トランジスターのリーク電流が増加するという課題があった。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明は、上述の課題の少なくとも一部を解決するためになされたものであり、以下の形態または適用例として実現することが可能である。
【０００８】
［適用例１］本適用例に係る有機ＥＬ装置は、第１の方向に順に配置されたトランジスターと、容量素子と、発光素子と、を含み、前記容量素子は、前記第１の方向に順に積層された第１の容量電極と、容量絶縁膜と、第２の容量電極と、を有し、前記発光素子は、前記第１の方向に順に積層された画素電極と、発光機能層と、対向電極と、を有し、前記容量素子と前記発光素子との間には、前記第２の容量電極を覆う第１の絶縁膜と、反射層とが積層され、前記反射層は、前記第１の絶縁膜を露出する第１の開口を有し、前記第１の開口で露出された部分の前記第１の絶縁膜を貫き前記第１の容量電極に至る第１のコンタクトホールと、前記反射層で覆われた部分の前記第１の絶縁膜を貫き前記第２の容量電極に至る第２のコンタクトホールと、を有し、前記第１の容量電極及び前記画素電極は、前記第１のコンタクトホールに充填された第１の導電材料を介して電気的に接続され、前記第２の容量電極及び前記反射層は、前記第２のコンタクトホールに充填された第２の導電材料を介して電気的に接続され、前記第２のコンタクトホールは、前記第１のコンタクトホールの少なくとも一部を囲むように配置されていることを特徴とする。
【０００９】
上方向、つまり第１の方向には、第１の容量電極と、容量絶縁膜と、第２の容量電極と、第１の絶縁膜と、反射層と、画素電極と、発光機能層と、対向電極とが順に配置されている。反射層は第１の開口を有し、第１の開口は光を透過する。第１の開口の内側には、第１のコンタクトホールが配置されている。第１のコンタクトホールには第１の導電材料（遮光材料）が充填されているので、第１のコンタクトホールが形成された領域は光の入射を遮る。よって、第１の開口と第１のコンタクトホールとの間が、光の透過領域となる。発光機能層で発した光の一部は、光の透過領域を通過して、トランジスターの側に進行（入射）する。
【００１０】
下方向、つまり第１の方向と反対方向には、第１の容量電極や第２の容量電極が配置されている。よって、光の透過領域を通過して下方向に進行する光は、第１の容量電極や第２の容量電極で遮られ、トランジスターの側に進行しにくい。
【００１１】
横方向、つまり第１の方向と反対方向と交差する方向には、第１のコンタクトホールの少なくとも一部を囲む第２のコンタクトホールが配置されている。第２のコンタクトホールには第２の導電材料（遮光材料）が充填されているので、第２のコンタクトホールが形成された領域は光の入射を遮る。よって、光の透過領域を通過して横方向に進行する光は、第２のコンタクトホールが形成された領域で遮られ、トランジスターの側に進行しにくい。
【００１２】
このように、本適用例では、反射層とトランジスターとの間に、第１の容量電極、第２の容量電極、及び第２の導電材料が充填された第２のコンタクトホールなどの遮光部が設けられているので、第１の開口と第１のコンタクトホールとの間の光の透過領域を通過した光は、当該遮光部によって遮られて、トランジスターの側に進行しにくい。つまり、本適用例は、反射層とトランジスターとの間に配置された遮光部によって遮光性を高める構成を有している。
【００１３】
よって、公知技術（特開２０１３−２３８７２５号公報）の課題である反射層の開口を通過してトランジスターの側に向かう光は、反射層とトランジスターとの間に設けられた遮光部によって遮られ、トランジスターの側に進行しにくくなる。従って、本適用の有機ＥＬ装置は、公知技術の有機ＥＬ装置と比べて遮光性が高められ、トランジスターの特性変化や画質の劣化などの光の悪影響が抑制され、高画質の表示を提供することができる。
【００１４】
［適用例２］本適用例に係る有機ＥＬ装置は、第１の方向に順に配置されたトランジスターと、容量素子と、発光素子と、を含み、前記容量素子は、前記第１の方向に順に積層された第１の容量電極と、容量絶縁膜と、第２の容量電極と、を有し、前記発光素子は、前記第１の方向に順に積層された画素電極と、発光機能層と、対向電極と、を有し、前記容量素子と前記発光素子との間には、前記第２の容量電極を覆う第１の絶縁膜と、反射層と、第２の絶縁膜とが順に積層され、前記第２の絶縁膜及び前記反射層を貫き前記第１の絶縁膜を露出する第１の開口を有し、前記第１の開口で露出された部分の前記第１の絶縁膜は、第３の絶縁膜で覆われ、前記第３の絶縁膜、及び前記第１の開口で露出された部分の前記第１の絶縁膜を貫き前記第１の容量電極に至る第１のコンタクトホールと、前記反射層で覆われた部分の前記第１の絶縁膜を貫き前記第２の容量電極に至る第２のコンタクトホールと、を有し、前記第１の容量電極及び前記画素電極は、前記第１のコンタクトホールに充填された第１の導電材料を介して電気的に接続され、前記第２の容量電極及び前記反射層は、前記第２のコンタクトホールに充填された第２の導電材料を介して電気的に接続され、前記第２のコンタクトホールは、前記第１のコンタクトホールの少なくとも一部を囲むように配置されていることを特徴とする。
【００１５】
上方向、つまり第１の方向には、第１の容量電極と、容量絶縁膜と、第２の容量電極と、第１の絶縁膜と、反射層と、第２の絶縁膜と、画素電極と、発光機能層と、対向電極とが順に配置されている。第２の絶縁膜と反射層とを貫き第１の絶縁膜を露出する第１の開口を有し、第１の開口の内側に第３の絶縁膜と第１の絶縁膜とを貫く第１のコンタクトホールが配置されている。第１のコンタクトホールには第１の導電材料（遮光材料）が充填されているので、第１のコンタクトホールが形成された領域は光の入射を遮る。よって、第１の開口と第１のコンタクトホールとの間が、光の透過領域となる。発光機能層で発した光の一部は、光の透過領域を通過して、トランジスターの側に進行（入射）する。
【００１６】
下方向、つまり第１の方向と反対方向には、第１の容量電極や第２の容量電極が配置されている。よって、光の透過領域を通過して下方向に進行する光は、第１の容量電極や第２の容量電極で遮られ、トランジスターの側に進行しにくい。
【００１７】
横方向、つまり第１の方向と反対方向と交差する方向には、第１のコンタクトホールの少なくとも一部を囲む第２のコンタクトホールが配置されている。第２のコンタクトホールには第２の導電材料（遮光材料）が充填されているので、第２のコンタクトホールが形成された領域は光の入射を遮る。よって、光の透過領域を通過して横方向に進行する光は、第２のコンタクトホールが形成された領域で遮られ、トランジスターの側に進行しにくい。
【００１８】
このように、本適用例では、反射層とトランジスターとの間に、第１の容量電極、第２の容量電極、及び第２の導電材料が充填された第２のコンタクトホールなど遮光部が設けられているので、第１の開口と第１のコンタクトホールとの間の光の透過領域を通過した光は、当該遮光部によって遮られて、トランジスターの側に進行しにくい。つまり、本適用例は、反射層とトランジスターとの間に配置された遮光部によって遮光性を高める構成を有している。
【００１９】
よって、公知技術（特開２０１３−２３８７２５号公報）の課題である反射層の開口を通過してトランジスターの側に向かう光は、反射層とトランジスターとの間に設けられた遮光部によって遮られ、トランジスターの側に進行しにくくなる。従って、本適用の有機ＥＬ装置は、公知技術の有機ＥＬ装置と比べて遮光性が高められ、トランジスターの特性変化や画質の劣化などの光の悪影響が抑制され、高画質の表示を提供することができる。
【００２０】
［適用例３］上記適用例に係る有機ＥＬ装置において、前記第２の容量電極は、前記容量絶縁膜を露出する第２の開口を有し、前記第２の開口の少なくとも一部は、平面視で前記第１の開口と重なり、前記第１のコンタクトホールは、前記第１の開口及び前記第２の開口の内側に配置され、前記第１の絶縁膜及び前記容量絶縁膜を貫いて前記第１の容量電極に至るように形成されていることが好ましい。
【００２１】
第１のコンタクトホールは、画素電極と第１の容量電極とを電気的に接続するために形成されている。つまり、第１のコンタクトホールは、画素電極と第１の容量電極とが平面的に重なった領域に形成される。第２のコンタクトホールは、反射層と第２の容量電極とを電気的に接続するために形成されている。つまり、第２のコンタクトホールは、反射層と第２の容量電極とが平面的に重なった領域に形成される。
第２の容量電極に第１の容量電極を露出する第２の開口を設け、第２の開口の内側に第１のコンタクトホールを設けることで、第１のコンタクトホールを囲むように第２のコンタクトホールを形成することができる。
【００２２】
［適用例４］上記適用例に係る有機ＥＬ装置において、前記第１の導電材料及び前記第２の導電材料は、前記第１の絶縁膜の側に配置されたバリアメタルと、前記バリアメタルの前記第１の絶縁膜と反対側に配置されたタングステンとで構成され、前記バリアメタルは、窒化チタンを含むことが好ましい。
【００２３】
タングステンは、加工性、耐熱性、遮光性などに優れ、第１のコンタクトホール及び第２のコンタクトホールの内側にタングステンを充填することで、第１のコンタクトホールが形成された領域及び第２のコンタクトホールが形成された領域は、優れた遮光性を有するようになる。
【００２４】
窒化チタンは、第１の絶縁膜（例えば、酸化シリコン）やタングステンとの密着性や加工性に優れているので、第１の絶縁膜とタングステンとの間に配置するバリアメタルの構成材料として好ましい。さらに、窒化チタンは、タングステンと比べて遮光性に劣るが、光の一部を吸収する性質を有しているので、第１の絶縁膜とタングステンとの間に窒化チタンを含むバリアメタルを配置することで、第１のコンタクトホールや第２のコンタクトホールに充填された導電材料による光の反射を抑制することができる。
【００２５】
［適用例５］上記適用例に係る有機ＥＬ装置において、前記第１の容量電極及び前記画素電極は、前記トランジスターのソースまたはドレインの一方に電気的に接続され、前記第２の容量電極及び前記反射層には、第１の電位が供給され、前記対向電極には、前記第１の電位よりも低電位の第２の電位が供給されていることが好ましい。
【００２６】
発光素子では、画素電極と発光機能層と対向電極とが積層され、画素電極と対向電極との間に第１の容量が形成される。第１の容量電極と容量絶縁膜と第２の容量電極とが積層され、第１の容量電極と第２の容量電極との間に第２の容量（容量素子）が形成される。
【００２７】
第１の容量電極及び画素電極は電気的に接続され、第２の容量電極には第１の電位が供給され、対向電極には第１の電位よりも低電位の第２の電位が供給されている。第１の電位及び第２の電位が一定である場合には、画素電極の電位変化に対して、第１の容量と第２の容量とが並列接続されたことになる。つまり、本適用例は、画素電極と対向電極との間に第１の容量及び第２の容量が並列接続された構成を有する。
【００２８】
発光機能層が非発光である黒表示において、トランジスターのリーク電流（光リーク電流）が発光素子の側に流れ、画素電極と対向電極との間の容量に電荷が蓄積されると、当該電荷によって画素電極と対向電極との間の電圧が大きくなる。本適用例は、第２の容量が形成されていない従来構成と比べて、画素電極と対向電極との間に形成される容量の容量値が大きいので、当該電荷による画素電極と対向電極との間の電圧変化が小さくなる。
【００２９】
例えば、従来構成では、トランジスターのリーク電流によって画素電極と対向電極との間の電圧が大きくなりすぎると、非発光（黒表示）であるべき発光機能層が発光し画質が劣化する恐れがあった。本適用例は、従来構成と比べて、トランジスターのリーク電流による画素電極と対向電極との間の電圧変化を小さくできるので、非発光であるべき発光機能層が発光し画質が劣化するという現象を抑制することができる。
【００３０】
［適用例６］本適用例に係る電子機器は、上記適用例に記載の有機ＥＬ装置を備えていることを特徴とする。
【００３１】
上記適用例に記載の有機ＥＬ装置は、遮光性が高められ、トランジスターの特性変化や画質の劣化などの光の悪影響が抑制され、高画質の表示を提供することができる。従って、上記適用例に記載の有機ＥＬ装置を備えた電子機器は、高画質の表示を提供することができる。例えば、ヘッドマウントディスプレイ、ヘッドアップディスプレイ、デジタルカメラの電子ビューファインダー、携帯型情報端末、ナビゲーターなどの表示部を有する電子機器に、上記適用例に記載の有機ＥＬ装置を適用し、高画質の表示を提供することができる。
【００３２】
［適用例７］本適用例に係る有機ＥＬ装置の製造方法は、第３の絶縁膜と、第１の方向に順に積層された第１の容量電極、容量絶縁膜、第２の容量電極、第１の絶縁膜、反射層、及び第２の絶縁膜と、を含み、前記第３の絶縁膜及び前記第１の絶縁膜を貫き前記第１の容量電極に至る第１のコンタクトホールと、前記第１のコンタクトホールに充填された第１の導電材料と、を有する有機ＥＬ装置の製造方法であって、前記第１の絶縁膜の上に前記反射層と前記第２の絶縁膜とを堆積する工程と、前記第２の絶縁膜と前記反射層とに、前記第２の絶縁膜から前記第１の容量電極に向かう第２の方向の異方性エッチングを施し、前記第２の方向に沿った壁面で囲まれ前記第１の絶縁膜を露出する第１の開口を形成する工程と、前記壁面を覆う部分と、前記壁面を覆う部分の内側に配置され前記第１の絶縁膜の表面を覆う部分と、を有する第３の絶縁膜を形成する工程と、前記第３の絶縁膜及び前記第１の絶縁膜に前記第２の方向の異方性エッチングを施し、前記壁面を覆う部分の内側に、前記第１の絶縁膜の表面を覆う部分の前記第３の絶縁膜と前記第１の絶縁膜とを貫き、前記第１の容量電極に至る第１のコンタクトホールを形成する工程と、前記第１のコンタクトホールに前記第１の導電材料を充填する工程と、を有することを特徴とする。
【００３３】
第２の絶縁膜と反射層とを貫き、第１の絶縁膜を露出し、第２の方向に沿った壁面で囲まれた第１の開口を形成する。次に、第１の開口の壁面と、第１の開口の壁面の内側の第１の絶縁膜の表面とを覆う第３の絶縁膜を形成する。このとき、第３の絶縁膜は、壁面を覆う部分と、第１の絶縁膜の表面を覆う部分とで、第２の方向の寸法が異なる。詳しくは、壁面を覆う部分の第３の絶縁膜の第２の方向の寸法は、第１の絶縁膜の表面を覆う部分の第３の絶縁膜の第２の方向の寸法よりも大きくなる（厚くなる）。
【００３４】
壁面を覆う部分の第３の絶縁膜の第２の方向と交差する方向の寸法は、堆積時の第３の絶縁膜の膜厚に依存する。例えば、段差被覆性に優れた成膜法で第３の絶縁膜を堆積すると、壁面を覆う部分の第３の絶縁膜の第２の方向と交差する方向の寸法は、第１の絶縁膜の表面を覆う部分の第３の絶縁膜の第２の方向の寸法と等しくなる。
【００３５】
かかる構成で、第３の絶縁膜に第２の方向の異方性エッチングを施すと、壁面を覆う部分の第３の絶縁膜をエッチングマスクとして、第１の絶縁膜の表面を覆う部分の第３の絶縁膜及び第１の絶縁膜を第２の方向にエッチングすることができる。第２の方向の異方性エッチングでは、壁面を覆う部分の第３の絶縁膜は第２の方向と交差する方向にエッチングされにくいので、第１の絶縁膜の表面を覆う部分の第３の絶縁膜及び第１の絶縁膜を第２の方向にエッチングしても、壁面を覆う部分の第３の絶縁膜は残存する。
【００３６】
従って、壁面を覆う部分の第３の絶縁膜をエッチングマスクとして、壁面を覆う部分の第３の絶縁膜の内側に、第１の絶縁膜の表面を覆う部分の第３の絶縁膜と第１の絶縁膜とを貫き、第１の容量電極に至る第１のコンタクトホールを形成することができる。つまり、フォトリソプロセスを経ずに、壁面を覆う部分の第３の絶縁膜をエッチングマスクとして、第１の開口の内側に第１のコンタクトホールを自己整合的に形成することができる。
第１のコンタクトホールには、第１の導電材料が充填されているので、第１のコンタクトホールが形成された領域は、光の遮光領域となる。第１の開口と第１のコンタクトホールとの間の領域は、光の透過領域となる。
【００３７】
本適用例の製造方法は、フォトリソプロセスを経て第１の開口の内側に第１のコンタクトホールを形成する従来プロセスと比べて、アライメント誤差の影響がなくなるので、第１の開口と第１のコンタクトホールとの間の寸法をより小さく、より均一に形成することができる。従って、本適用例の製造方法は、従来プロセスと比べて、光の透過領域をより小さくし、遮光性を高めることができる。
【００３８】
［適用例８］上記適用例に係る有機ＥＬ装置の製造方法において、前記第１の絶縁膜は、酸化シリコンであり、前記第３の絶縁膜は、窒化シリコンであることが好ましい。
【００３９】
フッ素系ガスを用いたドライエッチング法によって、第２の方向の異方性エッチングを施すと、酸化シリコンは、窒化シリコンよりも早くエッチングされる。よって、第１の絶縁膜を酸化シリコンで構成し、第３の絶縁膜を窒化シリコンで形成すると、第２の方向の異方性エッチングにおいて、第１の絶縁膜は、第３の絶縁膜よりも早くエッチングされる。よって、壁面を覆う部分の第３の絶縁膜をエッチングマスクとして、壁面を覆う部分の第３の絶縁膜の内側に、第１の絶縁膜の表面を覆う部分の第３の絶縁膜と第１の絶縁膜とを貫く第１のコンタクトホールが形成しやすくなる。
【図面の簡単な説明】
【００４０】
【図１】実施形態１に係る有機ＥＬ装置の概要を示す概略平面図。
【図２】実施形態１に係る有機ＥＬ装置の電気的な構成を示す図。
【図３】画素の電気的な構成を示す図。
【図４】１フレームにおける発光期間の初期からの経過時間と画素電極の電位との関係を示す図。
【図５】発光画素の概要を示す概略平面図。
【図６】図５のＡ─Ａ’における有機ＥＬ装置の概略断面図。
【図７】画素コンタクト領域の概略断面図。
【図８】Ｚ（＋）方向から見た画素コンタクト領域の概略平面図。
【図９】実施形態２に係る有機ＥＬ装置の画素コンタクト領域の概略断面図。
【図１０】画素コンタクト領域の概略平面図。
【図１１】画素コンタクト領域の製造方法を示す工程フロー。
【図１２】各工程を経た後の画素コンタクト領域の状態を示す概略断面図。
【図１３】各工程を経た後の画素コンタクト領域の状態を示す概略断面図。
【図１４】実施形態３に係るヘッドマウントディスプレイの概略図。
【図１５】変形例２に係る有機ＥＬ装置の画素コンタクト領域の概略平面図。
【図１６】変形例３に係る有機ＥＬ装置の画素コンタクト領域の概略平面図。
【発明を実施するための形態】
【００４１】
以下、図面を参照して、本発明の実施形態について説明する。かかる実施形態は、本発明の一態様を示すものであり、この発明を限定するものではなく、本発明の技術的思想の範囲内で任意に変更可能である。また、以下の各図においては、各層や各部位を図面上で認識可能な程度の大きさとするため、各層や各部位の縮尺を実際とは異ならせしめてある。
【００４２】
（実施形態１）
「有機ＥＬ装置の概要」
実施形態１に係る有機ＥＬ装置１００は、発光画素２０がマトリックス状に配列された自発光型の表示装置である。
図１は、実施形態１に係る有機ＥＬ装置の概要を示す概略平面図である。まず、図１を参照して、本実施形態に係る有機ＥＬ装置１００の概要について説明する。
【００４３】
図１に示すように、本実施形態に係る有機ＥＬ装置１００は、素子基板１０と、封止基板７０とを有している。両基板は、後述する樹脂層７１（図６参照）によって接着されている。
【００４４】
素子基板１０は、青色（Ｂ）の発光が得られる発光画素２０Ｂ、緑色（Ｇ）の発光が得られる発光画素２０Ｇ、及び赤色（Ｒ）の発光が得られる発光画素２０Ｒがマトリックス状に配列された表示領域Ｅを有している。有機ＥＬ装置１００では、発光画素２０Ｂと発光画素２０Ｇと発光画素２０Ｒとが表示単位となって、フルカラーの表示が提供される。
以降の説明では、発光画素２０Ｂ、発光画素２０Ｇ、及び発光画素２０Ｒを、発光画素２０と称する場合がある。
【００４５】
表示領域Ｅには、光学的距離調整層２８が設けられている。光学的距離調整層２８の膜厚は、発光画素２０Ｂに設けられた光学的距離調整層２８Ｂ、発光画素２０Ｇに設けられた光学的距離調整層２８Ｇ、発光画素２０Ｒに設けられた光学的距離調整層２８Ｒの順に、大きくなっている。
【００４６】
素子基板１０の第１辺に沿って、複数の外部接続用端子１０３が配列されている。複数の外部接続用端子１０３と表示領域Ｅとの間には、データ線駆動回路１０１が設けられている。該第１辺と直交し互いに対向する他の第２辺、第３辺と表示領域Ｅとの間には、走査線駆動回路１０２が設けられている。
【００４７】
封止基板７０は、素子基板１０よりも小さく、外部接続用端子１０３が露出されるように配置されている。封止基板７０は、透光性の絶縁基板であり、石英基板やガラス基板などを使用することができる。封止基板７０は、表示領域Ｅに配置された後述する有機ＥＬ素子３０（図６参照）が傷つかないように保護する役割を有し、表示領域Ｅよりも広く設けられている。
【００４８】
以降、当該第１辺に沿った方向をＸ方向とする。当該第１辺と直交し互いに対向する他の２辺（第２辺、第３辺）に沿った方向をＹ方向とする。素子基板１０から封止基板７０に向かう方向をＺ（＋）方向とする。
なお、Ｚ（＋）方向は、本発明における「第１の方向」の一例である。
【００４９】
図２は、有機ＥＬ装置の電気的な構成を示す図である。図３は、発光画素の電気的な構成を示す図である。
【００５０】
図２に示すように、素子基板１０には、ｍ行の走査線１２がＸ方向に延在して設けられ、ｎ列のデータ線１４がＹ方向に延在して設けられている。ｍ行の走査線１２とｎ列のデータ線１４との交差部に対応して、画素回路１１０が設けられている。画素回路１１０は、発光画素２０の一部をなす。表示領域Ｅには、ｍ行×ｎ列の画素回路１１０が、マトリックス状に配列されている。
【００５１】
電源線１９は、データ線１４に沿って列毎に設けられている。電源線１９には、初期化用のリセット電位Ｖｏｒｓｔが供給（給電）されている。さらに、図示を省略するが、制御信号Ｇｃｍｐ，Ｇｅｌ，Ｇｏｒｓｔを供給する三本の制御線が、走査線１２に並行して設けられている。
走査線１２は、走査線駆動回路１０２に電気的に接続されている。データ線１４は、データ線駆動回路１０１に電気的に接続されている。走査線駆動回路１０２には、走査線駆動回路１０２を制御するための制御信号Ｃｔｒ１が供給されている。データ線駆動回路１０１には、データ線駆動回路１０１を制御するための制御信号Ｃｔｒ２が供給されている。
【００５２】
走査線駆動回路１０２は、フレームの期間にわたって走査線１２を１行毎に順番に走査するための走査信号Ｇｗｒ（１）、Ｇｗｒ（２）、Ｇｗｒ（３）、…、Ｇｗｒ（ｍ−１）、Ｇｗｒ（ｍ）を、制御信号Ｃｔｒ１に従って生成する。さらに、走査線駆動回路１０２は、走査信号Ｇｗｒの他に、制御信号Ｇｃｍｐ，Ｇｅｌ，Ｇｏｒｓｔを制御線に供給する。
なお、フレームの期間とは、有機ＥＬ装置１００で１カット（コマ）分の画像が表示される期間であり、例えば同期信号に含まれる垂直同期信号の周波数が１２０Ｈｚであれば、１フレームの期間は約８．３ミリ秒となる。
【００５３】
データ線駆動回路１０１は、走査線駆動回路１０２によって選択された行に位置する画素回路１１０に対し、当該画素回路１１０の諧調データに応じた電位のデータ信号Ｖｄ（１）、Ｖｄ（２）、…、Ｖｄ（ｎ）を、１、２、…、ｎ列目のデータ線１４に供給する。
【００５４】
図３に示されるように、画素回路１１０は、ＰチャネルＭＯＳ型のトランジスター１２１，１２２，１２３，１２４、１２５と、有機ＥＬ素子３０と、容量２１と、容量２４とを有している。画素回路１１０には、走査信号Ｇｗｒや制御信号Ｇｃｍｐ，Ｇｅｌ，Ｇｏｒｓｔなどが供給されている。
なお、有機ＥＬ素子３０は、本発明における「発光素子」の一例である。容量２４は、本発明における「容量素子」の一例である。トランジスター１２４は、本発明における「トランジスター」の一例である。
【００５５】
トランジスター１２１は、ソースが電源線６に電気的に接続され、ドレインがトランジスター１２３のソースまたはドレインの他方と、トランジスター１２４のソースとにそれぞれ電気的に接続されている。また、電源線６には、画素回路１１０において電源の高位側となる電位Ｖｅｌが供給されている。トランジスター１２１は、トランジスター１２１のゲート及びソース間の電圧に応じた電流を流す駆動トランジスターとして機能する。
なお、電源線６は、表示領域Ｅの略全面に設けられ（図５参照）、本発明における「反射層」の一例である。電源線６に供給される電位Ｖｅｌは、本発明における「第１の電位」の一例である。
【００５６】
トランジスター１２２は、ゲートが走査線１２に電気的に接続され、ソースまたはドレインの一方がデータ線１４に電気的に接続されている。また、トランジスター１２２は、ソースまたはドレインの他方が、トランジスター１２１のゲートと、容量２１の一端と、トランジスター１２３のソースまたはドレインの一方とに、それぞれ電気的に接続されている。トランジスター１２２は、トランジスター１２１のゲートとデータ線１４との間に電気的に接続され、トランジスター１２１のゲートとデータ線１４との間の電気的な接続を制御する書込トランジスターとして機能する。
なお、トランジスター１２１のゲートと、トランジスター１２２のソースまたはドレインの他方と、トランジスター１２３のソースまたはドレインの一方と、容量２１の一端とを電気的に接続する配線を、ゲートノードｇと称す。
【００５７】
トランジスター１２３は、ゲートが制御線に電気的に接続され、制御信号Ｇｃｍｐが供給される。トランジスター１２３は、トランジスター１２１のゲート及びドレインの間の電気的な接続を制御する、閾値補償トランジスターとして機能する。
【００５８】
トランジスター１２４は、ゲートが制御線に電気的に接続され、制御信号Ｇｅｌが供給される。トランジスター１２４は、ドレインがトランジスター１２５のソースと有機ＥＬ素子３０の画素電極３１とにそれぞれ電気的に接続されている。トランジスター１２４は、トランジスター１２１のドレインと、有機ＥＬ素子３０の画素電極３１との間の電気的な接続を制御する、発光制御トランジスターとして機能する。
なお、画素電極３１に電気的に接続されているトランジスター１２４のドレインは、本発明における「トランジスターのソースまたはドレインの一方」の一例である。
【００５９】
トランジスター１２５は、ゲートが制御線に電気的に接続され、制御信号Ｇｏｒｓｔが供給される。また、トランジスター１２５のドレインは、電源線１９に電気的に接続され、リセット電位Ｖｏｒｓｔが供給されている。トランジスター１２５は、電源線１９と、有機ＥＬ素子３０の画素電極３１との間の電気的な接続を制御する初期化トランジスターとして機能する。
なお、トランジスター１２４のドレインと、トランジスター１２５のソースと、有機ＥＬ素子３０の画素電極３１とを電気的に接続する配線を、中継ノードＮと称する。
【００６０】
有機ＥＬ素子３０は、互いに対向する画素電極３１と対向電極３３とで発光機能層３２を挟持した構造を有している。有機ＥＬ素子３０では、互いに対向する画素電極３１と対向電極３３との間に容量３５が形成されている。つまり、容量３５の一端は、画素電極３１であり、中継ノードＮに電気的に接続されている。容量３５の他端は、対向電極３３であり、電源線８に接続されている。また、容量３５の容量値はＣｅｌである。
【００６１】
画素電極３１は、トランジスター１２４のドレイン及びトランジスター１２５のソースに電気的に接続されている。対向電極３３は、複数の発光画素２０に跨って設けられた共通電極であり、電源線８に電気的に接続されている。電源線８には、画素回路１１０において電源の低位側となる電位Ｖｃｔが供給されている。つまり、対向電極３３（容量３５の他端）には、電源線８を介して電位Ｖｃｔが供給されている。
なお、電位Ｖｃｔは、本発明における「第２の電位」の一例である。
【００６２】
画素電極３１は、発光機能層３２に正孔を供給するアノードである。対向電極３３は、発光機能層３２に電子を供給するカソードである。画素電極３１から供給される正孔と、対向電極３３から供給される電子とが、発光機能層３２の中で結合することによって発光する。発光機能層３２は、発光する閾値電位Ｖｔｈを有し、対向電極３３の電位（電位Ｖｃｔ）に対する画素電極３１の電位Ｖ１が、閾値電位Ｖｔｈよりも高くなると発光する。
以降、対向電極３３の電位に対する画素電極３１の電位Ｖ１を、画素電極３１の電位Ｖ１と称す。
【００６３】
容量２１の一端は、トランジスター１２１のゲートに電気的に接続されている。容量２１の他端は、電源線６に電気的に接続されている。容量２１は、トランジスター１２１のゲート・ソース間の電圧を保持する保持容量として機能する。
【００６４】
容量２４の一端は、電源線６に電気的に接続され、電位Ｖｅｌが供給されている。容量２４の他端は、中継ノードＮを介して画素電極３１（容量３５の他端）に電気的に接続されている。電源線６に電気的に接続された容量２４の一端は、後述する容量２４の電極２４ｂ（図６参照）であり、画素電極３１に電気的に接続された容量２４の他端は、後述する容量２４の電極２４ａ（図６参照）である。また、容量２４の容量値はＣａである。
なお、容量２４の他端（電極２４ａ）は、本発明における「第１の容量電極」の一例ある。容量２４の一端（電極２４ｂ）は、本発明における「第２の容量電極」の一例である。
【００６５】
このように、容量２４の一端（電極２４ｂ）は、電源線６に電気的に接続され、電源の高位側となる電位Ｖｅｌが供給されている。容量３５の他端（対向電極３３）は、電源線８に電気的に接続され、電源の低位側となる電位Ｖｃｔが供給されている。容量２４の他端（電極２４ａ）及び容量３５の一端（画素電極３１）は、中継ノードＮを介して電気的に接続されている。容量２４の一端（電極２４ｂ）に供給されている電位Ｖｅｌ、及び容量３５の他端（対向電極３３）に供給されている電位Ｖｃｔは一定であるので、画素電極３１の電位変化に対して、容量２４と容量３５とが電気的に並列接続されたことになる。
【００６６】
「有機ＥＬ装置の動作」
有機ＥＬ装置１００では、１フレームの期間において１〜ｍ行目の走査線１２が１水平走査期間毎に順番に走査される。走査期間を大別すると、初期化期間と、補償期間と、書込期間と、発光期間とに分けられる。１フレームの期間経過後に、再び次の走査期間に至る。このため、（発光期間）→初期化期間→補償期間→書込期間→（発光期間）というサイクルが繰り返される。
【００６７】
初期化期間では、トランジスター１２５がオンし、トランジスター１２２，１２３，１２４がオフする、これによって、有機ＥＬ素子３０に供給される電流の経路が遮断されるとともに、有機ＥＬ素子３０の画素電極３１の電位は、リセット電位Ｖｏｒｓｔにリセットされる。
例えば、高輝度の表示状態から低輝度の表示状態に転じるときに、画素電極３１の電位をリセットしない構成であると、輝度が高い（大電流が流れた）ときの高電圧の状態が保持されてしまうので、次に小電流を流そうとしても、過剰な電流が流れてしまって、低輝度の表示状態にすることが難しくなる。本実施形態では、画素電極３１の電位はリセットされるので、低輝度側の再現性が高められる。
【００６８】
なお、電位Ｖｃｔに対するリセット電位Ｖｏｒｓｔは、発光機能層３２が発光する閾値電位Ｖｔｈを下回るように設定される。初期化期間、補償期間、及び書込期間では、トランジスター１２５がオンし、画素電極３１の電位はリセット電位Ｖｏｒｓｔの状態（発光機能層３２が発光しない電位の状態）を維持する。
【００６９】
補償期間では、トランジスター１２２，１２３，１２５がオンし、トランジスター１２４がオフする。トランジスター１２３がオンするので、トランジスター１２１はダイオード接続となる。補償期間の終了時において、ゲートノードｇの電位は、トランジスター１２１の閾値電圧のばらつきを補償した電位に定められる。これにより、画素回路１１０毎のトランジスター１２１の閾値電圧のばらつきを補償し、表示の一様性を担保した高品位の表示が可能となる。
【００７０】
書込期間では、トランジスター１２２，１２５がオンし、トランジスター１２３，１２４がオフする。トランジスター１２３がオフするので、トランジスター１２１のダイオード接続が解除される。書込期間の終了時において、ゲートノードｇの電位は、有機ＥＬ素子３０の輝度を規定するデータ信号Ｖｄに基づく電位に定められる。
【００７１】
発光期間では、トランジスター１２４がオンし、トランジスター１２２，１２３，１２５がオフする。従って、トランジスター１２１は、ゲート・ソース間の電圧に応じた電流を有機ＥＬ素子３０に供給する。上述した補償期間及び書込期間を経ることによって、有機ＥＬ素子３０には、階調レベルに応じた電流がトランジスター１２１の閾値電圧を補償した状態で供給される。発光機能層３２は、画素電極３１から対向電極３３に向かって流れる電流に応じた輝度にて発光する。
【００７２】
「黒表示における画素電極の電位の状態」
次に、黒表示における画素電極の電位の状態について説明する。
上述したように、発光期間において、トランジスター１２１は、ゲート・ソース間の電圧に応じた電流を有機ＥＬ素子３０に供給する。黒表示では、トランジスター１２１は実質的にオフ状態となり、有機ＥＬ素子３０の側に電流が供給されず、発光機能層３２は発光しない。
【００７３】
つまり、黒表示の発光期間では、トランジスター１２１，１２２，１２３，１２５がオフ状態となる。トランジスター１２１，１２２，１２３，１２５がオフ状態である場合において、トランジスター１２１，１２２，１２３，１２５にオフ電流が流れており、これらオフ電流が、有機ＥＬ素子３０の側に流れる。
詳しくは、トランジスター１２１に流れるオフ電流をＩｏｆｆ１、トランジスター１２２及びトランジスター１２３に流れるオフ電流をＩｏｆｆ２、トランジスター１２５に流れるオフ電流をＩｏｆｆ３とすると、黒表示の発光期間において、これらオフ電流はトランジスター１２４を経由して有機ＥＬ素子３０の側に流れ、有機ＥＬ素子３０の側に形成された容量に電荷Ｑとして蓄積される。
【００７４】
発光期間の初期からの経過時間をＴｆとし、有機ＥＬ素子３０の側に形成された容量に蓄積される電荷Ｑは、以下の式（１）で示される。
【００７５】
【数１】
2015141816.tif 000003
【００７６】
本実施形態は、容量３５と容量２４とが並列接続された容量が有機ＥＬ素子３０の側に形成された構成を有しているので、電荷Ｑは容量３５及び容量２４に蓄積される。従って、経過時間Ｔｆにおける画素電極３１の電位Ｖ１は、以下の式（２）で示される。
【００７７】
【数２】
2015141816.tif 000004
【００７８】
容量２４が形成されていない従来構成、すなわち容量３５が有機ＥＬ素子３０の側に形成された従来構成では、電荷Ｑは容量３５に蓄積される。従って、経過時間Ｔｆにおける画素電極３１の電位Ｖ１は、以下の式（３）で示される。
【００７９】
【数３】
2015141816.tif 000005
【００８０】
図４は、１フレームにおける発光期間の初期からの経過時間と、画素電極の電位との関係を示す図である。同図において、横軸は経過時間Ｔｆであり、縦軸は画素電極の電位Ｖ１である。本実施形態（式（２））は、条件１に対応し、実線で示されている。従来構成（式（３））は、条件２に対応し、破線で示されている。
上述したように、１フレームの初期化期間、補償期間、及び書込期間期間では、画素電極３１の電位Ｖ１にはリセット電位Ｖｒｏｓｔの電位が供給されているので、発光期間の初期における画素電極３１の電位Ｖ１は、Ｖｒｏｓｔである。
【００８１】
図４に示すように、発光期間における画素電極３１の電位Ｖ１は、トランジスター１２１，１２２，１２３，１２５に流れるオフ電流Ｉｏｆｆ１，Ｉｏｆｆ２，Ｉｏｆｆ３によって、条件１（本実施形態）及び条件２（従来構成）共に、経過時間Ｔｆが大きくなると、つまり有機ＥＬ素子３０の側に形成された容量に電荷Ｑが蓄積されると、画素電極３１の電位Ｖ１が高くなる。有機ＥＬ素子３０の側に形成された容量の容量値は、条件２（従来構成）と比べて条件１（本実施形態）のほうが大きいので、画素電極３１の電位Ｖ１の変化は、条件２（従来構成）と比べて条件１（本実施形態）のほうが小さくなる。
【００８２】
条件２（従来構成）において、例えば光の侵入などによってトランジスター１２１，１２２，１２３，１２５に流れるオフ電流Ｉｏｆｆ１，Ｉｏｆｆ２，Ｉｏｆｆ３が大きくなると、画素電極３１の電位Ｖ１の変化が大きくなりすぎる場合がある。画素電極３１の電位Ｖ１の変化が大きくなりすぎると、例えば図中の二点鎖線で囲まれた領域Ｆ、つまり画素電極３１の電位Ｖ１が閾値電位Ｖｔｈより高くなった領域が発生する恐れがある。領域Ｆでは、画素電極３１の電位Ｖ１が閾値電位Ｖｔｈより高いので、発光機能層３２が発光する。つまり、黒表示であるべき発光画素２０が発光するので、コントラストの低下や表示ムラという不具合となり、画質が劣化する。
【００８３】
条件１（本実施形態）は、条件２（従来構成）と比べて画素電極３１の電位Ｖ１の電位の変化が小さい。このため、条件２（従来構成）において画素電極３１の電位Ｖ１が閾値電位Ｖｔｈより高くなった場合であっても、条件１（本実施形態）では、画素電極３１の電位Ｖ１が閾値電位Ｖｔｈよりも低い状態が維持され、黒表示であるべき発光画素２０が発光するという不具合が抑制される。
【００８４】
このように、本実施形態は、画素回路１１０に容量２４を有しているので、トランジスター１２１，１２２，１２３，１２５に流れるオフ電流Ｉｏｆｆ１，Ｉｏｆｆ２，Ｉｏｆｆ３の悪影響（画質の劣化）を抑制することができる。
さらに、本実施形態は、トランジスター１２１，１２２，１２３，１２５に流れるオフ電流Ｉｏｆｆ１，Ｉｏｆｆ２，Ｉｏｆｆ３を小さくする優れた構成を有している。以下に、その詳細を説明する。
【００８５】
「発光画素の概要」
【００８６】
図５は、発光画素の概要を示す概略平面図である。同図には、発光画素２０の構成要素のうち、電源線６、画素電極３１、及び絶縁膜２９が図示され、他の構成要素の図示は省略されている。また、図中の二点鎖線は、発光画素２０の輪郭を示している。
まず、図５を参照して発光画素２０の概要について説明する。
【００８７】
図５に示すように、発光画素２０Ｂ，２０Ｇ，２０Ｒのそれぞれは、平面視で矩形状となっており、長手方向がＹ方向に沿って配置されている。発光画素２０は、電源線６、画素電極３１、及び絶縁膜２９を有している。なお、電源線６、画素電極３１、及び絶縁膜２９は、Ｚ方向に配置されている（図６参照）。
【００８８】
電源線６は、表示領域Ｅの略全面に設けられ、発光画素２０毎に開口６ＣＴを有している。開口６ＣＴの内側に、電源線６と同じ工程で形成された中継電極６−１が設けられている。電源線６は、光反射性の導電材料で構成され、光反射膜としての機能を有する。
【００８９】
さらに、電源線６及び中継電極６−１は、遮光膜としての機能を有する。つまり、発光画素２０において、開口６ＣＴ（電源線６）と中継電極６−１との間の領域が、光の透過領域となる。
なお、開口１６ＣＴは、本発明における「第１の開口」の一例である。
【００９０】
画素電極３１は、例えばＩＴＯ（Indium Tin Oxide）などの光透過性材料で形成され、Ｙ方向に長くなった矩形状を有し、発光画素２０Ｂ，２０Ｇ，２０Ｒのそれぞれに設けられている。
【００９１】
絶縁膜２９は、透光性の絶縁膜で構成され、画素電極３１を覆うように設けられている。絶縁膜２９は、画素電極３１の一部を露出させる開口２９ＣＴを有している。開口２９ＣＴも、画素電極３１と同じく、Ｙ方向に長くなった矩形状を有している。
【００９２】
絶縁膜２９で覆われていない部分の画素電極３１、つまり開口２９ＣＴで露出された画素電極３１は、発光機能層３２に接し、発光機能層３２に電流を供給し、発光機能層３２を発光させる。このため、絶縁膜２９に設けられた開口２９ＣＴが、発光画素２０の発光領域となる。絶縁膜２９は、発光画素２０の発光領域を規定し、隣り合う画素電極３１同士を電気的に絶縁する役割を有している。
【００９３】
「有機ＥＬ装置の断面構造」
図６は、図５のＡ─Ａ’における有機ＥＬ装置の概略断面図である。つまり、図６は、発光画素２０Ｇにおける有機ＥＬ装置１００の概略断面図である。
図６には、画素回路１１０のうちトランジスター１２１，１２４が図示され、トランジスター１２２，１２３，１２５の図示は省略されている。なお、トランジスター１２２，１２３，１２５は、トランジスター１２１，１２４と同じ構成を有している。
以下、図６を参照して、有機ＥＬ装置１００の断面構造を説明する。
【００９４】
図６に示すように、有機ＥＬ装置１００は、素子基板１０、封止基板７０、及び素子基板１０と封止基板７０とで挟持された樹脂層７１などを有している。
樹脂層７１は、素子基板１０と封止基板７０とを接着する役割を有し、例えばエポキシ樹脂やアクリル樹脂などを使用することができる。
【００９５】
素子基板１０には、画素回路１１０、封止層４０、及びカラーフィルター５０などが設けられている。また、画素回路１１０には、トランジスター１２１，１２４や、有機ＥＬ素子３０などが設けられている。
【００９６】
有機ＥＬ素子３０で発せられた光は、素子基板１０のカラーフィルター５０を透過して封止基板７０の側から表示光として射出される。つまり、有機ＥＬ装置１００は、トップエミッション構造を有している。
有機ＥＬ装置１００がトップエミッション構造であることから、素子基板１０の基材１０ｓには、透明な石英基板やガラス基板などに加えて、不透明なセラミック基板や半導体基板などを用いることができる。本実施形態では、基材１０ｓには、シリコン基板（半導体基板）を使用している。
【００９７】
基材１０ｓには、半導体基板にイオンを注入することによって形成されたウェル部１０a、ウェル部１０aと異なる種類のイオンをウェル部１０aに注入することにより形成されたイオン注入部１０ｂ、ウェル部１０aを分離するＳＴＩ（Shallow Trench Isolation）としてのシリコン酸化膜１０ｃなどが形成されている。ウェル部１０aは、発光画素２０におけるトランジスター１２１，１２４のチャネルとして機能する。イオン注入部１０ｂは、トランジスター１２１，１２４のソース・ドレインや配線の一部として機能する。
【００９８】
ウェル部１０aやイオン注入部１０ｂが形成された領域に、トランジスター１２１及びトランジスター１２４が形成される。また、トランジスター１２１及びトランジスター１２４は、シリコン酸化膜１０ｃによって素子分離されている。
【００９９】
基材１０ｓの表面を覆うように、絶縁膜１０ｄが設けられている。絶縁膜１０ｄは、トランジスター１２１，１２４のゲート絶縁膜として機能する。絶縁膜１０ｄの上には、例えばポリシリコンなどの導電膜からなるゲート電極２２ｇが設けられている。ゲート電極２２ｇは、トランジスター１２１，１２４のチャネルとして機能するウェル部１０aに対向するように配置されている。
【０１００】
ゲート電極２２ｇを覆うように、第１層間絶縁膜１５が形成されている。第１層間絶縁膜１５には、例えばトランジスター１２１のゲート、ソース及びドレインに至るコンタクトホールや、トランジスター１２４のソース及びドレインに至るコンタクトホールが形成されている。これらコンタクトホールには、導電材料が充填されている。
【０１０１】
第１層間絶縁膜１５の上には、第１配線層１５−１が形成されている。第１配線層１５−１によって、トランジスター１２１のゲートと電気的に接続される中継電極、トランジスター１２１のソース及びドレインと電気的に接続される中継電極、トランジスター１２４のソースに電気的に接続される中継電極、及びトランジスター１２４のドレインに電気的に接続される中継電極１５−１aなどが形成される。また、第１配線層１５−１で形成された中継電極によって、トランジスター１２１のドレインと、トランジスター１２４のソースとが電気的に接続されている。
【０１０２】
第１配線層１５−１を覆うように、第２層間絶縁膜１６が形成されている。第２層間絶縁膜１６には、中継電極１５−１aに至るコンタクトホールが形成されている。このコンタクトホールには、導電材料が充填されている。
【０１０３】
第２層間絶縁膜１６の上には、第２配線層１６−１が形成されている。第２配線層１６−１によって、容量２１の一方の電極２１a、及び容量２４の一方の電極２４ａが形成されている。容量２１の一方の電極２１aは、第１層間絶縁膜１５の上に形成された中継電極を介して、トランジスター１２１のゲートに電気的に接続されている。容量２４の一方の電極２４ａは、第１層間絶縁膜１５の上に形成された中継電極１５−１aを介して、トランジスター１２４のドレインに電気的に接続されている。
【０１０４】
容量２１の一方の電極２１a及び容量２４の一方の電極２４ａは、例えばチタンとアルミニウムとチタンとの三層膜で構成され、優れた遮光性を有している。
【０１０５】
第２配線層１６−１を覆うように、絶縁膜１７が形成されている。絶縁膜１７は、例えば窒化シリコンで構成され、概略３０〜６０ｎｍの膜厚を有している。絶縁膜１７は、容量２１や容量２４を形成するための容量絶縁膜となる。
なお、絶縁膜１７は、本発明における「容量絶縁膜」の一例である。
【０１０６】
絶縁膜１７の上には、第３配線層１７−１が形成されている。第３配線層１７−１によって、容量２１の他方の電極２１ｂ及び容量２４の他方の電極２４ｂが形成されている。その結果、一方の電極２１aと絶縁膜１７と他方の電極２１ｂとで、容量２１が形成される。一方の電極２４ａと絶縁膜１７と他方の電極２４ｂとで、容量２４が形成される。
【０１０７】
また、容量２４の他方の電極２４ｂは、開口２４ｂＣＴを有している。開口２４ｂＣＴは、平面視で電源線６の開口６ＣＴに重なるように形成されている。容量２１の他方の電極２１ｂ及び容量２４の他方の電極２４ｂは、例えばチタンとアルミニウムとチタンとの三層膜で構成され、優れた遮光性を有している。
なお、開口２４ｂＣＴは、本発明における「第２の開口」の一例である。
【０１０８】
第３配線層１７−１を覆うように、第３層間絶縁膜１８が形成されている。第３層間絶縁膜１８は、例えば酸化シリコンで形成されている。第３層間絶縁膜１８には、容量２１の他方の電極２１ｂに至るコンタクトホールや、容量２４の他方の電極２４ｂに至るコンタクトホール１８ＣＴ１などが形成されている。
さらに、第３層間絶縁膜１８には、容量２４の一方の電極２４ａに至るコンタクトホール１８ＣＴ２が形成されている。詳しくは、コンタクトホール１８ＣＴ２は、開口２４ｂＣＴ及び開口６ＣＴの内側に配置され、第３層間絶縁膜１８及び絶縁膜１７を貫いて容量２４の一方の電極２４ａに至るように形成されている。
なお、第３層間絶縁膜１８は、本発明における「第１の絶縁膜」の一例である。コンタクトホール１８ＣＴ１は、本発明における「第２のコンタクトホール」の一例である。コンタクトホール１８ＣＴ２は、本発明における「第１の開口で露出された部分の第１の絶縁膜を貫き第１の容量電極に至る第１のコンタクトホール」の一例である。
【０１０９】
第３層間絶縁膜１８の上には、第４配線層１８−１が形成されている。第４配線層１８−１は、光反射性の導電材料、例えばアルミニウムやアルミニウム合金などで構成されている。第４配線層１８−１によって、電源線６及び中継電極６−１が形成される。電源線６及び中継電極６−１は、光反射性と遮光性とを有している。
上述したように、開口６ＣＴと中継電極６−１との間の領域は、光を透過する透過領域となる。例えば、発光機能層３２で発した光（迷光Ｌ（図７参照））は、開口６ＣＴと中継電極６−１との間の領域を通過して、トランジスター１２１，１２２，１２３，１２４，１２５の側に入射する。
以降、開口６ＣＴと中継電極６−１との間の領域を、光の透過領域と称す。
【０１１０】
なお、電源線６（開口６ＣＴ）及び中継電極６−１は同じ工程、つまり成膜工程やフォトリソ工程やエッチング工程などを経て形成されている。トランジスター１２１，１２２，１２３，１２４，１２５の側への光の入射を抑制するために、開口６ＣＴと中継電極６−１との間の間隔は小さい方が好ましい。本実施形態では、成膜工程やフォトリソ工程やエッチング工程などの加工精度（例えば、０．１〜０．２μｍ）を考慮して、開口６ＣＴと中継電極６−１との間の間隔を、概略０．２〜０．３μｍとしている。
【０１１１】
電源線６の開口６ＣＴは、容量２４の他方の電極２４ｂの開口２４ｂＣＴと、平面的に重なるように形成されている。中継電極６−１は、平面視でコンタクトホール１８ＣＴ２よりも広く形成されている。
【０１１２】
コンタクトホール１８ＣＴ２は、電源線６の開口６ＣＴで露出された部分の第３層間絶縁膜１８、及び容量２４の他方の電極２４ｂの開口２４ｂＣＴで露出した部分の絶縁膜１７を貫き、容量２４の一方の電極２４ａに至るように形成されている。つまり、コンタクトホール１８ＣＴ２は、開口６ＣＴ及び開口２４ｂＣＴの内側に配置される。一方、コンタクトホール１８ＣＴ１は、電源線６で覆われた部分の第３層間絶縁膜１８を貫き、容量２４の他方の電極２４ｂに至るように形成されている。
【０１１３】
コンタクトホール１８ＣＴ１及びコンタクトホール１８ＣＴ２には、導電材料が充填されている。第３層間絶縁膜１８の容量２１の他方の電極２１ｂに至るコンタクトホールにも、導電材料が充填されている。
【０１１４】
その結果、中継電極６−１は、コンタクトホール１８ＣＴ２に充填された導電材料を介して、容量２４の一方の電極２４ａに電気的に接続されている。電源線６は、コンタクトホール１８ＣＴ１に充填された導電材料を介して、容量２４の他方の電極２４ｂに電気的に接続されている。さらに、電源線６は、コンタクトホールに充填された導電材料を介して、容量２１の他方の電極２１ｂに電気的に接続されている。
【０１１５】
第４配線層１８−１を覆うように、第１絶縁膜１が形成されている。第１絶縁膜１は、例えば窒化シリコンで構成されている。第１絶縁膜１は、電源線６を覆い、表示領域Ｅの略全面に亘って形成されている。第１絶縁膜１には、中継電極６−１に至るコンタクトホール１ＣＴが形成されている。
【０１１６】
第１絶縁膜１の上には、中継電極７が形成されている。中継電極７は、平面視で開口６ＣＴを覆うように開口６ＣＴよりも広く形成されている。中継電極７は、コンタクトホール１ＣＴの内側にも充填され、中継電極６−１と電気的に接続されている。
中継電極７は、例えば窒化チタンで構成されている。窒化チタンは、加工性に優れているが、遮光性が不十分であり、光を完全に遮光することが難しい。
【０１１７】
中継電極７を覆うように、第２絶縁膜２が形成されている。第２絶縁膜２は、例えば酸化シリコンで構成されている。第２絶縁膜２には、中継電極７に至るコンタクトホールが形成されている。
【０１１８】
第２絶縁膜２の上には、画素電極３１が形成されている。画素電極３１は、第２絶縁膜２の中継電極７に至るコンタクトホールの内側にも充填され、中継電極７と電気的に接続されている。つまり、画素電極３１は、中継電極７、中継電極６−１、容量２４の一方の電極２４ａ、及び中継電極１５−１ａなどを介して、トランジスター１２４のドレインに電気的に接続されている。
【０１１９】
画素電極３１を覆うように、絶縁膜２９が形成されている。絶縁膜２９は、画素電極３１の一部を露出させる開口２９ＣＴを有している。上述したように、開口２９ＣＴが発光画素２０の発光領域となる。
【０１２０】
発光領域（開口２９ＣＴ）において、電源線６と画素電極３１との間には、第１絶縁膜１と第２絶縁膜２とがＺ方向に順に積層されている。第１絶縁膜１と第２絶縁膜２とで、発光画素２０Ｇにおける光学的距離調整層２８Ｇが形成される。
【０１２１】
青色（Ｂ）の光を発する発光画素２０Ｂの光学的距離調整層２８Ｂは、第１絶縁膜１で構成されている。赤色（Ｒ）の光を発する発光画素２０Ｒの光学的距離調整層２８Ｒは、第１絶縁膜１と第２絶縁膜２と第３絶縁膜（図示省略）で構成されている。その結果、光学的距離調整層２８の膜厚は、発光画素２０Ｂの光学的距離調整層２８Ｂ、発光画素２０Ｇの光学的距離調整層２８Ｇ、発光画素２０Ｒの光学的距離調整層２８Ｒの順に、大きくなっている。
【０１２２】
有機ＥＬ素子３０は、発光領域（開口２９ＣＴ）において順に積層された、画素電極３１と、発光機能層３２と、対向電極３３とで構成される。
【０１２３】
発光機能層３２は、画素電極３１の側から順に積層された正孔注入層、正孔輸送層、有機発光層、及び電子輸送層などを有している。有機発光層は、赤色、緑色、及び青色の光成分を有する光を発する。有機発光層は、単層で構成してもよいし、複数の層（例えば、青色で発光する青色発光層と、赤色及び緑色を含む光を発する黄色発光層）で構成してもよい。
【０１２４】
対向電極３３は、発光機能層３２に電子を供給するためのカソードである。対向電極３３は、例えばＭｇとＡｇとの合金などで構成され、光透過性と光反射性とを有している。
【０１２５】
対向電極３３の上には、封止層４０が配置されている。封止層４０は、水分や酸素などによる発光機能層３２や対向電極３３の劣化を抑制するパッシベーション膜であり、発光機能層３２や対向電極３３への水分や酸素の侵入を抑制している。
【０１２６】
封止層４０は、対向電極３３の側から順に積層された第１封止層４１と、平坦化層４２と、第２封止層４３とで構成され、有機ＥＬ素子３０を覆い、素子基板１０の略全面に設けられている。なお、封止層４０には、外部接続用端子１０３（図１参照）を露出させる開口（図示省略）が設けられている。
【０１２７】
第１封止層４１及び第２封止層４３は、例えば公知技術のプラズマＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）法などを用いて形成されたシリコン酸窒化物で構成され、水分や酸素に対して高いバリア性を有している。
【０１２８】
平坦化層４２は、熱安定性に優れた例えばエポキシ系樹脂や塗布型の無機材料（シリコン酸化物など）などで構成されている。平坦化層４２は、第１封止層４１の欠陥（ピンホール、クラック）や異物などを被覆し、平坦な面を形成する。
【０１２９】
封止層４０の上には、緑色の着色層５０Ｇが形成されている。なお、発光画素２０Ｂには青色の着色層が形成され、発光画素２０Ｒには赤色の着色層が形成されている。これら緑色の着色層５０Ｇと、青色の着色層と、赤色の着色層とで、カラーフィルター５０が形成されている。
【０１３０】
このように、有機ＥＬ装置１００では、トランジスター１２１，１２２，１２３，１２４，１２５と、容量２１，２４と、有機ＥＬ素子３０とが、Ｚ（＋）方向に順に積層されている。容量２４では、一方の電極２４ａと絶縁膜１７と他方の電極２４ｂとが、Ｚ（＋）方向に順に積層されている。有機ＥＬ素子３０では、画素電極３１と発光機能層３２と対向電極３３とが、Ｚ（＋）方向に順に積層されている。
【０１３１】
さらに、容量２４と有機ＥＬ素子３０との間には、容量２４の他方の電極２４ｂを覆う第３層間絶縁膜１８と電源線６とが積層され、電源線６は、第３層間絶縁膜１８を露出する開口６ＣＴを有している。開口６ＣＴで露出された部分の第３層間絶縁膜１８及び絶縁膜１７を貫き一方の電極２４ａに至るコンタクトホール１８ＣＴ２と、電源線６で覆われた部分の第３層間絶縁膜１８を貫き他方の電極２４ｂに至るコンタクトホール１８ＣＴ１とが、形成されている。容量２４の一方の電極２４ａ及び画素電極３１は、コンタクトホール１８ＣＴ２に充填された導電材料や、中継電極６１を介して、電気的に接続されている。容量２４の他方の電極２４ｂ及び電源線６は、コンタクトホール１８ＣＴ１に充填された導電材料を介して電気的に接続されている。
【０１３２】
「光共振構造」
発光領域（開口２９ＣＴ）では、光反射層としての電源線６と、光学的距離調整層２８と、画素電極３１と、発光機能層３２と、光反射性と光透過性とを有する対向電極３３とが、Ｚ（＋）方向に沿って順に積層されている。かかる構成によって、発光機能層３２で発した光を電源線６と対向電極３３との間で往復させ（反射させ）、特定波長の光を共振（増幅）させる。特定波長の光は、封止基板７０から表示光としてＺ（＋）方向に射出される。このように、有機ＥＬ装置１００は、特定波長の光を選択的に増幅させる光共振構造を有している。
【０１３３】
発光画素２０Ｂでは、共振波長（輝度が最大となるピーク波長）が４７０ｎｍとなるように、光学的距離調整層２８Ｂの膜厚が設定されている。発光画素２０Ｇでは、共振波長が５４０ｎｍとなるように、光学的距離調整層２８Ｇの膜厚が設定されている。発光画素２０Ｒでは、共振波長が６１０ｎｍとなるように、光学的距離調整層２８Ｒの膜厚が設定されている。
【０１３４】
その結果、発光画素２０Ｒから６１０ｎｍをピーク波長とする赤色（Ｒ）の光が発せられ、発光画素２０Ｇから５４０ｎｍをピーク波長とする緑色（Ｇ）の光が発せられ、発光画素２０Ｂから４７０ｎｍをピーク波長とする青色（Ｂ）の光が発せられる。このように、本実施形態に係る有機ＥＬ装置１００は、光共振構造を有し、発光画素２０から発する光の色純度を高めている。
【０１３５】
「画素コンタクト領域」
図７は、図６の破線で囲まれた領域Ｂの拡大図である。つまり、図７は、画素電極３１と中継電極７と中継電極６−１と容量２４の一方の電極２４ａとが電気的に接続された領域、つまり画素コンタクト領域の概略断面図である。同図における破線の矢印は、中継電極７を透過した迷光Ｌの状態を、模式的に示している。
図７において、斜線の網掛けが施された部分は、光を遮光する領域である。丸ドットの網掛けが施された部分は、遮光性が不十分な領域である。網掛けが施されていない部分（背景が白の部分）は、光を透過する透過領域である。
【０１３６】
図８は、Ｚ（＋）方向から見た画素コンタクト領域の概略平面図である。図８には、コンタクトホール１８ＣＴ１、コンタクトホール１８ＣＴ２、中継電極６−１の輪郭、及び開口２４ｂＣＴ及び開口６ＣＴの輪郭が図示され、他の構成要素の図示は省略されている。
図８において、コンタクトホール１８ＣＴ１及びコンタクトホール１８ＣＴ２が形成された領域には、網掛けが施されている。中継電極６−１の輪郭は実線で示され、開口２４ｂＣＴ及び開口６ＣＴの輪郭は破線で示されている。
以降、図７及び図８を参照して、画素コンタクト領域の状態を説明する。
【０１３７】
図７に示すように、容量２４の一方の電極２４ａ及び他方の電極２４ｂと、第１の導電材料４と、第２の導電材料５と、電源線６と、中継電極６−１とは、優れた遮光性を有しているので、これら構成要素が設けられた領域は、遮光領域となる。中継電極７は、窒化チタンで構成され遮光性に劣るので、中継電極７が形成された領域は、光の一部を透過する。絶縁膜１７と、第３層間絶縁膜１８と、第１絶縁膜１と、第２絶縁膜２と、画素電極３１と、絶縁膜２９とは透光性材料で構成されているので、これら構成要素が設けられた領域は、光を透過する透過領域となる。
【０１３８】
コンタクトホール１８ＣＴ２には、第１の導電材料４が充填されている。第１の導電材料４は、第３層間絶縁膜１８の側に配置されたバリアメタル４ｂと、バリアメタル４ｂの第３層間絶縁膜１８と反対側に配置されたタングステン４ａとで構成される。コンタクトホール１８ＣＴ１には、第２の導電材料５が充填されている。第２の導電材料５は、第３層間絶縁膜１８の側に配置されたバリアメタル５ｂと、バリアメタル５ｂの第３層間絶縁膜１８と反対側に配置されたタングステン５ａとで構成される。
【０１３９】
第１の導電材料４と第２の導電材料５とは、同じ工程で形成されている。バリアメタル４ｂ及びバリアメタル５ｂは、窒化チタンを含んでいる。例えば、バリアメタル４ｂ及びバリアメタル５ｂは、窒化チタン、またはチタンと窒化チタンとを積層した２層膜などで構成される。
【０１４０】
タングステン４ａ，５ａは、遮光性や加工性（成膜やエッチングのし易さ）に優れているので、コンタクトホール１８ＣＴ１やコンタクトホール１８ＣＴ２の内側に充填する導電材料として好ましい。
【０１４１】
窒化チタンは、加工性（成膜やエッチングのし易さ）や密着性に優れている。さらに、窒化チタンは、光を吸収する性質を有しているので、タングステン４ａ，５ａの表面を窒化チタンで覆うことによって、光の反射を低減することができる。よって、タングステン４ａ，５ａと第３層間絶縁膜１８の間（タングステン４ａ，５ａの表面）に、窒化チタンを含むバリアメタル４ｂ，５ｂを配置することが好ましい。
第１の導電材料４が充填されたコンタクトホール１８ＣＴ２が形成された領域、及び第２の導電材料５が充填されたコンタクトホール１８ＣＴ１が形成された領域は、遮光領域となり、さらに光の反射も低減されている。
【０１４２】
図８に示すように、Ｚ（＋）方向から見た場合に、開口２４ｂＣＴ，６ＣＴの輪郭、中継電極６−１の輪郭、コンタクトホール１８ＣＴ１の輪郭、コンタクトホール１８ＣＴ２の輪郭は正方形である。
なお、これら輪郭は、正方形に限定されず、長方形、円形、楕円形、直線と曲線とを有する形であってもよい。
【０１４３】
コンタクトホール１８ＣＴ２は、開口２４ｂＣＴ及び開口６ＣＴの内側に配置される。ここで、コンタクトホール１８ＣＴ２の一辺の長さはＤ１であり、開口２４ｂＣＴ，６ＣＴとコンタクトホール１８ＣＴ２との間の間隔はＤ１２である。開口６ＣＴの一辺の長さは、Ｄ２である。以降、開口６ＣＴの一辺の長さＤ２を、開口寸法Ｄ２と称す。
コンタクトホール１８ＣＴ１は、コンタクトホール１８ＣＴ２及び開口２４ｂＣＴ，６ＣＴを囲むように配置されている。
【０１４４】
上述したように、電源線６の開口６ＣＴ（開口６ＣＴの輪郭）と中継電極６−１（中継電極６−１の輪郭）との間の領域は、光の透過領域である。光の透過領域の寸法（開口６ＣＴと中継電極６−１との間の間隔）はＷ１である。上述したように、光の透過領域の寸法Ｗ１は、加工精度（例えば、概略０．１〜０．２μｍ）を考慮して、概略０．２〜０．３μｍとなっている。
【０１４５】
図７に示すように、迷光Ｌの一部は、中継電極７を透過して開口６ＣＴと中継電極６−１との間の透過領域の側に向かう。さらに、図示を省略するが、迷光Ｌの一部は、第１絶縁膜１の中を通過し、電源線６及び中継電極７との間で反射され、開口６ＣＴと中継電極６−１との間の透過領域の側に向かう。これら迷光Ｌの一部は、開口６ＣＴと中継電極６−１との間の透過領域を透過し、トランジスター１２１，１２２，１２３，１２４，１２５の側に進行する。
【０１４６】
例えば、黒表示の発光画素２０では、隣り合う発光画素２０で発した光の一部が迷光Ｌとなって、当該黒表示の発光画素２０に影響を及ぼす。つまり、複数配列されたうちの一の発光画素２０が発した光だけでなく、他の発光画素２０が発した光も、当該一の発光画素２０に影響を及ぼす迷光Ｌとなる。
【０１４７】
光の透過領域を通過し、Ｚ（−）方向に進行する光は、容量２４の一方の電極２４ａ及び他方の電極２４ｂで遮光され、トランジスター１２１，１２２，１２３，１２４，１２５の側に進行しにくくなる。
【０１４８】
光の透過領域を通過し、Ｚ（−）方向と交差する方向に進行する光は、第２の導電材料５が充填されたコンタクトホール１８ＣＴ１によって遮光され、トランジスター１２１，１２２，１２３，１２４，１２５の側に進行しにくくなる。
【０１４９】
すなわち、光の透過領域に対してＺ（−）方向に遮光性に優れた容量２４の一方の電極２４ａ及び他方の電極２４ｂを設け、且つ光の透過領域を囲むように第２の導電材料５が充填されたコンタクトホール１８ＣＴ１（遮光領域）を設けることによって、迷光Ｌをトランジスター１２１，１２２，１２３，１２４，１２５の側に進行しにくくすることができる。従って、迷光Ｌによるトランジスター１２１，１２２，１２３，１２４，１２５のリーク電流（光リーク電流）の増加を小さくすることができる。
【０１５０】
以上述べたように、本実施形態に係る有機ＥＬ装置１００では、画素回路１１０に容量２４が形成されているので、トランジスター１２１，１２２，１２３，１２４，１２５のリーク電流が大きくなっても、画素電極３１の電位Ｖ１の変化が小さくなり、例えば本来黒表示であるべき発光画素２０が発光するという画質の劣化が抑制されるという効果を得ることができる。
【０１５１】
さらに、本実施形態に係る有機ＥＬ装置１００では、容量２４の一方の電極２４ａ、他方の電極２４ｂ、第２の導電材料５が充填されたコンタクトホール１８ＣＴ１などの遮光部を、光の透過領域の周囲に設けることによって、トランジスター１２１，１２２，１２３，１２４，１２５の側に迷光Ｌが進行しにくくなり、迷光Ｌによるトランジスター１２１，１２２，１２３，１２４，１２５のリーク電流（光リーク電流）を小さくすることができるという効果を得ることができる。
【０１５２】
従って、本実施形態に係る有機ＥＬ装置１００では、トランジスター１２１，１２２，１２３，１２４，１２５のリーク電流の増加（特性の変化）による画質の劣化が抑制され、高画質の表示を提供することができる。
【０１５３】
（実施形態２）
「有機ＥＬ装置の概要」
図９は、図７に対応し、実施形態２に係る有機ＥＬ装置の画素コンタクト領域の概略断面図である。図１０は、図８に対応し、画素コンタクト領域の概略平面図である。図１１は、画素コンタクト領域の製造方法を示す工程フローである。図１２及び図１３は、図７に対応し、図１０に示す各工程を経た後の画素コンタクト領域の状態を示す概略断面図である。
【０１５４】
本実施形態は、実施形態１と比べて光の透過領域が小さくなっている。この点が、本実施形態と実施形態１との主な相違点である。さらに、本実施形態は、実施形態１と比べて小さな光の透過領域を形成することができる製造方法を有している。
以下、図９乃至図１３を参照して、本実施形態に係る有機ＥＬ装置２００及び有機ＥＬ装置２００の製造方法の概要を、実施形態１との相違点を中心に説明する。なお、実施形態１と同一の構成部位については、同一の符号を附し、重複する説明を省略する。
【０１５５】
図９に示すように、第３層間絶縁膜１８には、第３層間絶縁膜１８を貫き、容量２４の他方の電極２４ｂに至るコンタクトホール１８ＣＴ１が形成されている。コンタクトホール１８ＣＴ１には、第２の導電材料５が充填されている。
【０１５６】
第３層間絶縁膜１８の上には、第４配線層１８−１によって電源線６が形成されている。電源線６は第１絶縁膜１で覆われ、第１絶縁膜１及び電源線６を貫き第３層間絶縁膜１８を露出する開口６ＣＴａが、発光画素２０毎に形成されている。
なお、第１絶縁膜１は、本発明における「第２の絶縁膜」の一例である。第１絶縁膜１及び電源線６を貫く開口６ＣＴａが形成されている点や、開口６ＣＴａの内側に中継電極が形成されていない点も、実施形態１と異なる。
【０１５７】
開口６ＣＴａで露出された第３層間絶縁膜１８は、側壁絶縁膜３で覆われている。
なお、側壁絶縁膜３は、本発明における「第３の絶縁膜」の一例である。側壁絶縁膜３が形成されている点も、実施形態１と異なる。
【０１５８】
開口６ＣＴａで露出された部分では、側壁絶縁膜３と第３層間絶縁膜１８と絶縁膜１７とを貫き容量２４の一方の電極２４ａに至るコンタクトホール１８ＣＴ２ａが形成されている。
なお、コンタクトホール１８ＣＴ２ａは、本発明における「第３の絶縁膜、及び第１の開口で露出された部分の第１の絶縁膜を貫き第１の容量電極に至る第１のコンタクトホール」の一例である。側壁絶縁膜３と第３層間絶縁膜１８と絶縁膜１７とを貫くコンタクトホール１８ＣＴ２ａが形成されている点も、実施形態１と異なる。
【０１５９】
コンタクトホール１８ＣＴ２ａ及び開口６ＣＴａを覆うように、中継電極７が形成されている。本実施形態に係る中継電極７は、コンタクトホール１８ＣＴ２ａの内側にも充填されており、この点も実施形態１と異なる。
なお、中継電極７は、本発明における「第２の導電材料」の一例である。
【０１６０】
中継電極７は、バリアメタル７ｂとタングステン７ａとで構成される。バリアメタル７ｂは、窒化チタンで構成され、コンタクトホール１８ＣＴ２ａの内側（第３の絶縁膜の側）と、第１絶縁膜１及び側壁絶縁膜３の表面とに配置されている。つまり、バリアメタル７ｂは、平面視で開口６ＣＴａよりも広く形成されている。
【０１６１】
バリアメタル７ｂには、コンタクトホール１８ＣＴ２ａの形状を反映した凹部が形成される。タングステン７ａは、当該凹部の中に充填されている。
【０１６２】
タングステン７ａが充填された部分の中継電極７は、優れた遮光性を有している。タングステン７ａが充填されていない部分の中継電極７（バリアメタル７ｂ）は、遮光性に劣り、有機ＥＬ素子３０の発光機能層３２で発せられた迷光Ｌの一部を透過する。
よって、コンタクトホール１８ＣＴ２ａが形成された領域が、遮光領域となる。そして、開口６ＣＴａとコンタクトホール１８ＣＴ２ａとの間の領域が、光が透過する透過領域になる。つまり、本実施形態における開口６ＣＴａとコンタクトホール１８ＣＴ２ａとの間の領域は、実施形態１における開口６ＣＴと中継電極６−１との間の領域に対応し、迷光Ｌが透過する透過領域になる。
以降、開口６ＣＴａとコンタクトホール１８ＣＴ２ａとの間の領域を、光の透過領域と称す。
なお、開口６ＣＴと中継電極６−１との間には、側壁絶縁膜３が配置されている。
【０１６３】
中継電極７を覆うように、第２絶縁膜２が形成されている。第２絶縁膜２には、中継電極７に至るコンタクトホールが形成されている。第２絶縁膜２の上には、画素電極３１が形成されている。画素電極３１は、中継電極７に至るコンタクトホールの内側にも充填され、中継電極７に電気的に接続されている。つまり、画素電極３１は、中継電極７、容量２４の一方の電極２４ａ、及び中継電極１５−１ａなどを介して、トランジスター１２４のドレインに電気的に接続されている。
【０１６４】
このように、有機ＥＬ装置２００では、トランジスター１２１，１２２，１２３，１２４，１２５と、容量２１，２４と、有機ＥＬ素子３０とが、Ｚ（＋）方向に順に積層されている。容量２４では、一方の電極２４ａと絶縁膜１７と他方の電極２４ｂとが、Ｚ（＋）方向に順に積層されている。有機ＥＬ素子３０では、画素電極３１と発光機能層３２と対向電極３３とが、Ｚ（＋）方向に順に積層されている。
【０１６５】
容量２４と有機ＥＬ素子３０との間には、容量２４の他方の電極２４ｂを覆う第３層間絶縁膜１８と電源線６と第１絶縁膜１とが順に積層されている。第１絶縁膜１及び電源線６を貫き、第３層間絶縁膜１８を露出する開口６ＣＴａが形成され、開口６ＣＴａで露出された第３層間絶縁膜１８は側壁絶縁膜３で覆われている。
【０１６６】
側壁絶縁膜３と、開口６ＣＴａで露出された第３層間絶縁膜１８と、絶縁膜１７とを貫き、容量２４の一方の電極２４ａに至るコンタクトホール１８ＣＴ２ａが形成されている。電源線６で覆われた部分の第３層間絶縁膜１８を貫き、容量２４の他方の電極２４ｂに至るコンタクトホール１８ＣＴ１が形成されている。
【０１６７】
容量２４の一方の電極２４ａ及び画素電極３１は、コンタクトホール１８ＣＴ２ａに充填された中継電極７を介して電気的に接続されている。容量２４の他方の電極２４ｂ及び電源線６は、コンタクトホール１８ＣＴ１に充填された第２の導電材料５を介して電気的に接続されている。
【０１６８】
図１０に示すように、コンタクトホール１８ＣＴ２ａは、開口６ＣＴａの内側に配置される。ここで、コンタクトホール１８ＣＴ２ａの一辺の長さはＤ１であり、実施形態１のコンタクトホール１８ＣＴ２と同じ長さである。光の透過領域の寸法（開口６ＣＴａとコンタクトホール１８ＣＴ２ａとの間の間隔）は、Ｄ１３である。開口６ＣＴａの開口寸法は、Ｄ３である。
コンタクトホール１８ＣＴ１は、コンタクトホール１８ＣＴ２ａ及び開口２４ｂＣＴを囲むように配置されている。
【０１６９】
詳細は後述するが、開口６ＣＴａの開口寸法Ｄ３は、実施形態１の開口寸法Ｄ２と比べて小さくなっている。さらに、光の透過領域の寸法Ｄ１３は、実施形態１の光の透過領域の寸法Ｗ１と比べて小さくなっている。
本実施形態は、実施形態１の光の透過領域の寸法Ｗ１と比べて、小さな寸法Ｄ１３の光の透過領域を安定して形成することができる製造方法を有している。次に、本実施形態に係る製造方法の概要を説明する。
【０１７０】
「製造方法の概要」
図１１に示すように、画素コンタクト領域を形成する工程は、電源線６及び第１絶縁膜１を形成する工程（ステップＳ１）と、開口６ＣＴａを形成する工程（ステップＳ２）と、側壁絶縁膜３を形成する工程（ステップＳ３）と、コンタクトホール１８ＣＴ２ａを形成する工程（ステップＳ４）と、バリアメタル７ｂを形成する工程（ステップＳ５）と、タングステン７ａを充填する工程（ステップＳ６）と、を含んでいる。
【０１７１】
ステップＳ１では、図１２（ａ）に示すように、酸化シリコンで構成された第３層間絶縁膜１８の上に、例えばスパッタ法を用いて概略１００ｎｍの膜厚のアルミニウムを堆積し、電源線６を形成する。次に、例えばプラズマＣＶＤ法を用いて概略２００ｎｍの窒化シリコンを堆積し、第１絶縁膜１を形成する。つまり、ステップＳ１では、Ｚ（−）方向の寸法（膜厚）が概略１００ｎｍである電源線６と、第１絶縁膜１のＺ（−）方向の寸法が概略２００ｎｍである第１絶縁膜１とを形成する。
なお、第３層間絶縁膜１８には、あらかじめ第２の導電材料５が充填されたコンタクトホール１８ＣＴ１が形成されている。
Ｚ（−）方向は、本発明における「第２の方向」の一例である。
【０１７２】
ステップＳ２では、図１２（ｂ）に示すように、例えばＲＩＥ（Reactive Ionic Etching）装置などの容量結合型ドライエッチング装置を用いたドライエッチング法によって、第１絶縁膜１及び電源線６にＺ（−）方向の異方性エッチングを施し、Ｚ（−）方向に沿った壁面で囲まれた開口６ＣＴａを形成する。詳しくは、フッ素系ガスを用いたドライエッチング法によって第１絶縁膜１（窒化シリコン）をＺ（−）方向にエッチングした後に、塩素系ガスを用いたドライエッチング法によって電源線６（アルミニウム）をＺ（−）方向にエッチングして、第１絶縁膜１及び電源線６を貫き第３層間絶縁膜１８を露出する開口６ＣＴａを形成する。
【０１７３】
開口６ＣＴａのＺ（−）方向と交差する方向の寸法（開口寸法）は、Ｄ３である。ステップＳ２では、実施形態１の開口６ＣＴの開口寸法Ｄ２よりも小さな開口寸法Ｄ３の開口６ＣＴａを、第１絶縁膜１及び電源線６をＺ（−）方向に貫いて形成する。開口６ＣＴａの深さ（Ｚ（−）方向の長さ）Ｈは、電源線６の膜厚（概略１００ｎｍ）と第１絶縁膜１の膜厚（概略２００ｎｍ）とを足した寸法（概略３００ｎｍ）になる。
【０１７４】
ステップＳ３では、図１２（ｃ）に示すように、例えばプラズマＣＶＤ法を用いて膜厚が概略１００ｎｍの窒化シリコンを成膜して、側壁絶縁膜３を形成する。
【０１７５】
側壁絶縁膜３は、第３層間絶縁膜１８の表面を覆う第１の部分３−１と、開口６ＣＴａの壁面を覆う第２の部分３−２と、第１絶縁膜１の表面を覆う第３の部分３−３とで構成される。プラズマＣＶＤ法を用いた窒化シリコンは段差被覆性に優れているので、第１の部分３−１の側壁絶縁膜３のＺ（−）方向の寸法、第２の部分３−２の側壁絶縁膜３のＺ（−）方向と交差する方向の寸法、及び第３の部分３−３の側壁絶縁膜３のＺ（−）方向の寸法はＤ１３であり、概略１００ｎｍである。
なお、寸法Ｄ１３は、ステップＳ３において形成する窒化シリコンの成膜条件によって調整することができる。
【０１７６】
また、第２の部分３−２の側壁絶縁膜３のＺ（−）方向の寸法は、寸法Ｄ１３（概略１００ｎｍ）と深さＨ（概略３００ｎｍ）とを足した長さ（概略４００ｎｍ）となる。つまり、第２の部分３−２の側壁絶縁膜３では、Ｚ（−）方向の寸法（概略４００ｎｍ）と、Ｚ（−）方向と交差する方向の寸法（概略１００ｎｍ）とが異なる。
このように、ステップＳ３によって、Ｚ（−）方向の寸法が概略１００ｎｍである第１の部分３−１と、Ｚ（−）方向の寸法が概略４００ｎｍでありＺ（−）方向と交差する方向の寸法が概略１００ｎｍ（Ｄ１３）である第２の部分３−２と、を形成する。
【０１７７】
ステップＳ４では、図１３（ａ）に示すように、例えばＲＩＥ装置などの容量結合型ドライエッチング装置とフッ素系ガスとを用いたドライエッチング法によって、側壁絶縁膜３と第３層間絶縁膜１８と絶縁膜１７とにＺ（−）方向の異方性エッチングを施して、コンタクトホール１８ＣＴ２ａを形成する。
【０１７８】
側壁絶縁膜３や絶縁膜１７は窒化シリコンで構成され、第３層間絶縁膜１８は酸化シリコンで構成されている。フッ素ガスを用いたドライエッチング（異方性エッチング）では、例えば窒化シリコンのエッチングレートを１とすると、酸化シリコンのエッチングレートは１０以上であり、高いエッチングの選択性が実現される。つまり、Ｚ（−）方向の異方性エッチングでは、第３層間絶縁膜１８を、側壁絶縁膜３や絶縁膜１７と比べて、早くエッチングすることができる。
【０１７９】
最初に、側壁絶縁膜３（概略１００ｎｍの窒化シリコン）に、第１のＺ（−）方向の異方性エッチングを施す。第１の部分３−１では、側壁絶縁膜３が除去され第３層間絶縁膜１８が露出する。つまり、第２の部分３−２の側壁絶縁膜３（窒化シリコン）をエッチングマスクとして、第１の部分３−１の側壁絶縁膜３を貫き第３層間絶縁膜１８を露出させるコンタクトホールを形成する。第２の部分３−２において、側壁絶縁膜３はＺ（−）方向に概略１００ｎｍエッチングされるので、側壁絶縁膜３のＺ（−）方向の寸法は概略４００ｎｍから概略３００ｎｍに変化する（減少する）。
【０１８０】
次に、第３層間絶縁膜１８（酸化シリコン）に、第２のＺ（−）方向の異方性エッチングを施す。上述したように、第３層間絶縁膜１８（酸化シリコン）のエッチングレートは、側壁絶縁膜３（窒化シリコン）のエッチングレートと比べて大きいので、実質的に第３層間絶縁膜１８（酸化シリコン）が選択的にエッチングされ、絶縁膜１７が露出する。つまり、第２の部分３−２の側壁絶縁膜３（窒化シリコン）をエッチングマスクとして、第１の部分３−１の第３層間絶縁膜１８を貫き絶縁膜１７を露出させるコンタクトホールを形成する。
【０１８１】
次に、絶縁膜１７に、第３のＺ（−）方向の異方性エッチングを施す。つまり、第３のＺ（−）方向の異方性エッチングでは、第２の部分３−２の側壁絶縁膜３（窒化シリコン）をエッチングマスクとして、絶縁膜１７を貫き容量２４の一方の電極２４ａを露出させるコンタクトホールを形成する。絶縁膜１７の膜厚（Ｚ（−）方向の寸法）は概略３０〜６０ｎｍであるので、第２の部分３−２の側壁絶縁膜３（窒化シリコン）は、Ｚ（−）方向に概略３０〜６０ｎｍエッチングされる。つまり、第２の部分３−２の側壁絶縁膜３（窒化シリコン）は、概略２４０〜２７０ｎｍとなる。
【０１８２】
第１のＺ（−）方向の異方性エッチング、第２のＺ（−）方向の異方性エッチング、及び第３のＺ（−）方向の異方性エッチングは、同じ条件で連続的に処理されている。つまり、第１のＺ（−）方向の異方性エッチング、第２のＺ（−）方向の異方性エッチング、及び第３のＺ（−）方向の異方性エッチングによって、開口６ＣＴａの壁面を覆う第２の部分３−２の側壁絶縁膜３の内側に、側壁絶縁膜３と第３層間絶縁膜１８と絶縁膜１７とを貫き、容量２４の一方の電極２４ａに至るコンタクホール１８ＣＴ２ａを形成する。コンタクホール１８ＣＴ２ａの開口寸法は、Ｄ１である。
【０１８３】
開口６ＣＴａとコンタクホール１８ＣＴ２ａとの間には、側壁絶縁膜３が配置される。第１のＺ（−）方向の異方性エッチング、第２のＺ（−）方向の異方性エッチング、及び第３のＺ（−）方向の異方性エッチングでは、Ｚ（−）方向と交差する方向のエッチングが抑制されているので、第２の部分３−２の側壁絶縁膜３のＺ（−）方向と交差する方向の寸法は、Ｄ１３（概略１００ｎｍ）の状態を維持する。よって、開口６ＣＴａとコンタクホール１８ＣＴ２ａとの間の寸法は、寸法Ｄ１３（概略１００ｎｍ）となる。
【０１８４】
なお、上述したステップＳ２では、当該ステップで形成する開口６ＣＴａの開口寸法Ｄ３が、開口寸法Ｄ１に寸法Ｄ１３（概略１００ｎｍ）の２倍の寸法（概略２００ｎｍ）を足した寸法となるように調整されている。
【０１８５】
このように、ステップＳ４では、第２の部分３−２の側壁絶縁膜３をエッチングマスクとして、第２の部分３−２の側壁絶縁膜３の内側に、側壁絶縁膜３と第３層間絶縁膜１８と絶縁膜１７とを貫き、容量２４の一方の電極２４ａに至るコンタクホール１８ＣＴ２ａを形成する。つまり、ステップＳ４では、フォトリソプロセスを経て形成されたエッチングマスクを使用せず、既存パターン（第２の部分３−２の側壁絶縁膜３）をエッチングマスクに使用して、自己整合的にコンタクホール１８ＣＴ２ａを形成する。
【０１８６】
ステップＳ５では、図１３（ｂ）に示すように、例えばスパッタ法で概略５０ｎｍの窒化チタンを成膜し、第１絶縁膜１の表面、側壁絶縁膜３の表面と壁面、及びコンタクトホール１８ＣＴ２ａの内側を覆うバリアメタル７ｂを形成する。このとき、バリアメタル７ｂには、コンタクトホール１８ＣＴ２ａの凹形状を反映した凹部が、コンタクトホール１８ＣＴ２ａの内側に形成される。
【０１８７】
ステップＳ６では、図１３（ｃ）に示すように、ＣＶＤ法によってタングステンを成膜し、上述したバリアメタル７ｂの凹部にタングステンを充填する。タングステンは、バリｂアメタル７ｂの平坦部（表面）など、バリアメタル７ｂの凹部以外にも形成されるので、公知技術（例えば、フッ素系ガスを用いたドライエッチング法）で不要なタングステンを除去して、コンタクトホール１８ＣＴ２ａの内側にタングステン７ａを充填する。
【０１８８】
ステップＳ５及びステップＳ６を経て、中継電極７が形成される。コンタクホール１８ＣＴ２ａの中には、バリアメタル７ｂ及びタングステン７ａが充填され、タングステン７ａは優れた遮光性を有しているので、コンタクホール１８ＣＴ２ａ形成された領域が遮光領域となる。そして、開口６ＣＴａとコンタクホール１８ＣＴ２ａと間が、光の透過領域となる。光の透過領域のＺ（−）方向と交差する方向の寸法、つまり開口６ＣＴａとコンタクホール１８ＣＴ２ａと間隔は、寸法Ｄ１３（概略１００ｎｍ）である。
このように、ステップＳ１〜ステップＳ６経て、開口６ＣＴａとコンタクホール１８ＣＴ２ａと間に、寸法がＤ１３（概略１００ｎｍ）の光の透過領域が形成される。
【０１８９】
上述したように、実施形態１では、成膜工程やフォトリソ工程やエッチング工程を経て、寸法Ｗ１の光の透過領域が形成されている。また、光の透過領域の寸法Ｗ１は、これら工程の加工精度（例えば、概略０．１〜０．２μｍ）を考慮して、概略０．２〜０．３μｍとなっている。
【０１９０】
一方、本実施形態の光の透過領域の寸法Ｄ１３は、主に成膜工程（ステップＳ３における側壁絶縁膜３の成膜）に依存し、概略１００ｎｍ（概略０．１μｍ）となっている。つまり、本実施形態の光の透過領域の寸法Ｄ１３は、主に成膜工程に依存して形成されるので、成膜工程やフォトリソ工程やエッチング工程を経て形成される実施形態１の光の透過領域の寸法Ｗ１と比べて、小さくすることができる。
【０１９１】
本実施形態の製造方法によれば、実施形態１の光の透過領域と比べて、小さな光の透過領域を形成することができるので、トランジスター１２１，１２２，１２３，１２４，１２５の側に迷光Ｌがさらに入射しにくくなり、迷光Ｌによるトランジスター１２１，１２２，１２３，１２４，１２５のリーク電流（光リーク電流）をさらに小さくすることができる。
【０１９２】
さらに、本実施形態の製造方法では、フォトリソプロセスを経ずに自己整合的に、開口６ＣＴａの内側にコンタクホール１８ＣＴ２ａを形成しているので、アライメント誤差の影響がなくなり、開口６ＣＴａの内側にコンタクホール１８ＣＴ２ａを、安定して高精度に形成することができる。例えば、工程限界に相当する小さな開口６ＣＴａを形成した場合、小さな開口６ＣＴａの内側に小さなコンタクホール１８ＣＴ２ａを、安定して高精度に形成することができる。
【０１９３】
開口６ＣＴａを形成する領域は、画素電極３１とトランジスター１２４のドレインとを電気的に接続するためのコンタクトを形成する領域である。つまり、本実施形態の製造方法によって画素電極３１とトランジスター１２４のドレインとを電気的に接続するコンタクトの領域を小さくすることができる。さらに、画素電極３１は、トランジスター１２４のドレインとを電気的に接続されるコンタクトの領域の他に、発光機能層３２を発行させる発光領域（絶縁膜２９の開口２９ＣＴ）を有しており、コンタクトの領域を小さくすることで、発光領域を大きくすることができる。
【０１９４】
従って、本実施形態の製造方法によれば、画素電極３１に形成するトランジスター１２４のドレインとが電気的に接続するコンタクトの領域を小さくし、発光機能層３２が発光する発光領域を大きくし、表示の輝度を高めるという効果も得ることができる。
【０１９５】
（実施形態３）
「電子機器」
図１４は、電子機器の一例としてのヘッドマウントディスプレイの概略図である。
図１４に示すように、ヘッドマウントディスプレイ１０００は、左右の目に対応して設けられた２つの表示部１００１を有している。観察者Ｍはヘッドマウントディスプレイ１０００を眼鏡のように頭部に装着することにより、表示部１００１に表示された文字や画像などを見ることができる。例えば、左右の表示部１００１に視差を考慮した画像を表示すれば、立体的な映像を見て楽しむこともできる。
【０１９６】
表示部１００１には、上記実施形態に係る有機ＥＬ装置１００，２００のいずれかが搭載されている。有機ＥＬ装置１００，２００では、有機ＥＬ素子３０の発光機能層３２で発した迷光Ｌがトランジスター１２１，１２２，１２３，１２４，１２５の側に入射にくく、トランジスター１２１，１２２，１２３，１２４，１２５のリーク電流（光リーク電流）の増加が抑制され、例えば黒表示であるべき発光画素２０が発光してコントラストの低下や表示ムラという画質の劣化が抑制され、高画質の表示が提供される。従って、表示部１００１に当該有機ＥＬ装置１００，２００のいずれかを搭載することで、高画質の表示のヘッドマウントディスプレイ１０００を提供することができる。
【０１９７】
なお、当該有機ＥＬ装置が搭載される電子機器は、ヘッドマウントディスプレイ１０００に限定されない。例えば、ヘッドアップディスプレイや、デジタルカメラの電子ビューファインダー、携帯型情報端末、ナビゲーターなどの表示部を有する電子機器に搭載してもよい。
【０１９８】
本発明は、上記実施形態に限られるものではなく、請求の範囲及び明細書全体から読み取れる発明の要旨あるいは思想に反しない範囲で適宜変更可能であり、そのような変更を伴う有機ＥＬ装置及び該有機ＥＬ装置が搭載された電子機器もまた本発明の技術的範囲に含まれる。
上記実施形態以外にも様々な変形例が考えられる。以下、変形例を挙げて説明する。
【０１９９】
（変形例１）
図１５は、図８に対応し、変形例２に係る有機ＥＬ装置の画素コンタクト領域の概略平面図である。なお、同図には、コンタクトホール１８ＣＴ１とコンタクトホール１８ＣＴ２とが図示され、他の構成要素の図示が省略されている。
本変形例は、コンタクトホール１８ＣＴ２の形状が実施形態１と異なり、他の構成は実施形態１と同じである。
【０２００】
図１５（ａ）に示すように、コンタクトホール１８ＣＴ１は、コンタクトホール１８ＣＴ１の全体を囲むように形成されていなく、コンタクトホール１８ＣＴ２の一部を囲むように配置されている。つまり、コンタクトホール１８ＣＴ１の一方の端部と、コンタクトホール１８ＣＴ１の他方の端部との間に、コンタクトホール１８ＣＴ１が形成されていない部分（第３層間絶縁膜１８がエッチングされていない部分）Ｇを有する。
【０２０１】
図１５（ｂ）に示すように、コンタクトホール１８ＣＴ１は、Ｌ字形状を有し、コンタクトホール１８ＣＴ２の一部を囲むように配置されている。
【０２０２】
かかる構成によっても、Ｚ（−）方向と交差する方向に進行する迷光Ｌ（トランジスター１２１，１２２，１２３，１２４，１２５の側に向かう迷光Ｌ）を遮光することができる。すなわち、コンタクトホール１８ＣＴ１は、コンタクトホール１８ＣＴ２の少なくとも一部を囲むように配置されていればよい。
【０２０３】
（変形例２）
図１６は、図８に対応し、変形例３に係る有機ＥＬ装置の画素コンタクト領域の概略平面図である。なお、同図には、コンタクトホール１８ＣＴ１とコンタクトホール１８ＣＴ２とが図示され、他の構成要素の図示が省略されている。
本変形例は、コンタクトホール１８ＣＴ２の形状が実施形態１と異なり、他の構成は実施形態１と同じである。
【０２０４】
図１６（ａ）に示すように、コンタクトホール１８ＣＴ１は、第１コンタクトホール１８ＣＴ１−１と第２コンタクトホール１８ＣＴ１−２とで構成される。また、第１コンタクトホール１８ＣＴ１−１は、図１５（ａ）に示す変形例２のコンタクトホール１８ＣＴ１と同じ形状を有している。第１コンタクトホール１８ＣＴ１−１及び第２コンタクトホール１８ＣＴ１−２は、コンタクトホール１８ＣＴ２を囲むように配置されている。
【０２０５】
図１６（ｂ）に示すように、コンタクトホール１８ＣＴ１は、第１コンタクトホール１８ＣＴ１−１と、第２コンタクトホール１８ＣＴ１−２と、第３コンタクトホール１８ＣＴ１−３と、第４コンタクトホール１８ＣＴ１−４とで構成される。第１コンタクトホール１８ＣＴ１−１、第２コンタクトホール１８ＣＴ１−２、第３コンタクトホール１８ＣＴ１−３、及び第４コンタクトホール１８ＣＴ１−４は、コンタクトホール１８ＣＴ２を囲むように配置されている。
【０２０６】
かかる構成によっても、Ｚ（−）方向と交差する方向に進行する迷光Ｌ（トランジスター１２１，１２２，１２３，１２４，１２５の側に向かう迷光Ｌ）を遮光することができる。すなわち、コンタクトホール１８ＣＴ１を複数のコンタクトホールで構成し、これら複数のコンタクトホールによって、コンタクトホール１８ＣＴ２の少なくとも一部を囲むように配置する構成であってもよい。
【０２０７】
（変形例３）
実施形態１に係る画素コンタクト領域の構成によって、開口６ＣＴ（開口６ＣＴの輪郭）と中継電極６−１（中継電極６−１の輪郭）との間の光の透過領域から、トランジスターの側に入射する光を強く遮ることができる。従って、遮光性を高め、トランジスターの光リーク電流を抑制することができる。
【０２０８】
実施形態２に係る製造方法では、開口６ＣＴａの内側にコンタクホール１８ＣＴ２ａを、フォトリソプロセスを経ずに自己整合的に形成しているので、アライメント誤差の影響がなくなり、小さな開口６ＣＴａの内側により小さなコンタクホール１８ＣＴ２ａを、安定して高精度に形成することができる。従って、フォトリソプロセスを使用して形成する場合と比べて、より小さな画素コンタクトを形成することができる。
実施形態１に係る画素コンタクト領域の構成や、実施形態２に係る製造方法は、有機ＥＬ装置への適用に限定されず、他の電気光学装置、例えば液晶装置に適用させることができる。
【符号の説明】
【０２０９】
１…第１絶縁膜、２…第２絶縁膜、３…側壁絶縁膜、４…第１の導電材料、５…第２の導電材料、６…電源線、６−１…中継電極、６ＣＴ…開口、７…中継電極、８…電源線、１０…素子基板、１０ａ…ウェル部、１０ｂ…イオン注入部、１０ｃ…シリコン酸化膜、１０ｄ…絶縁膜、１０ｓ…基材、１２…走査線、１４…データ線、１５…第１層間絶縁膜、１５−１…第１配線層、１６…第２層間絶縁膜、１６−１…第２配線層、１７…絶縁膜、１７−１第３配線層、１８…第３層間絶縁膜、１８ＣＴ１…コンタクトホール、１８ＣＴ２…コンタクトホール、１８−１…第４配線層、１９…初期化用の電源線、２０，２０Ｂ，２０Ｇ，２０Ｒ…発光画素、２１…容量、２１ａ…一方の電極、２１ｂ…他方の電極、２４…容量、２４ａ…一方の電極、２４ｂ…他方の電極、２４ｂＣＴ…開口、２８，２８Ｇ…光学的距離調整層、２９…絶縁膜、２９ＣＴ…開口、３０…有機ＥＬ素子、３１…画素電極、３２…発光機能層、３３…対向電極、４０…封止層、４１…第１封止層、４２…平坦化層、４３…第２封止層、５０…カラーフィルター、５０Ｇ…着色層、７１…樹脂層、７０…封止基板、１００…有機ＥＬ装置、１１０…画素回路、１２１，１２２，１２３，１２４，１２５…トランジスター。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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