(57)【要約】      （修正有）【課題】マスク費用を増大化させることなくウエハの１枚当たりの有効チップ数最大化が実現できるマスクを提供する。【解決手段】フォトマスク１００は、第１のマスクパターン１１０と、第２のマスクパターン１２０とを含み、前記第１のマスクパターン１１０と前記第２のマスクパターン１２０は、４行×４列のチップ区画が重複するように、１行及び１列分だけチップ区画をずらして配置され、前記第２のマスクパターン１２０は、前記第１のマスクパターン１１０との重複エリア１６０以外の部分のチップ区画１３０にアライメントマークなどのパーツパターン１５０が配置されており、露光時には異なるマスクパターンの打ち分けが出来、有効チップ数の最大化が実現できる。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
チップパターンが配置されるチップ区画がｎ行×ｍ列のマトリクス状に配置された１ショット分のマスクパターンである第１のマスクパターンと、前記第１のマスクパターンと同サイズであり、少なくとも１つの前記チップ区画にプロセス工程で使用するパーツパターンが配置される１ショット分のマスクパターンである第２のマスクパターンとを含み、
前記第１のマスクパターンと前記第２のマスクパターンは、（ｎ−ａ）行×（ｍ−ｂ）列のチップ区画が重複するように、ａ行及びｂ列分だけチップ区画をずらして配置され、
前記第２のマスクパターンは、前記第１のマスクパターンとの重複エリア以外の部分のチップ区画に前記パーツパターンが配置されているフォトマスク。
【請求項２】
請求項１において、
ａ＝１、ｂ＝１であるフォトマスク。
【請求項３】
請求項１又は２において、
前記第１のマスクパターンは、全チップ区画にチップパターンが配置されているフォトマスク。
【請求項４】
請求項１乃至３のいずれか１項に記載のフォトマスクを用いて半導体装置を製造する方法であって、
半導体装置のウエハに前記フォトマスクを露光する露光工程において、
前記パーツパターンを露光しないショットについては、前記フォトマスクの前記第１のマスクパターンを露光し、
前記パーツパターンを露光するショットについては、前記フォトマスクの前記第２のマスクパターンを露光する半導体装置の製造方法。
【請求項５】
請求項４において、
前記露光工程では、
前記フォトマスクを前記ウエハに縮小投影する投影部と、前記ウエハを載置してＸ／Ｙ軸方向に移動自由な載置部を備えた露光装置を用いて前記ウエハに前記フォトマスクを露光する際に、
前記第２のマスクパターンを露光する場合には、前記第１のマスクパターンを露光する場合の前記載置部の位置に対して、前記第１のマスクパターンと前記第２のマスクパターンのずれに対応する前記ウエハ上の距離に応じてＸ軸方向及びＹ軸方向に、前記載置部を移動させて、前記載置部と前記投影部の位置合わせを行う半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、フォトマスク及び半導体装置の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体装置の製造プロセスにおいて、ウエハ上に多数の半導体チップを形成するには、フォトリソグラフィを利用して、ウエハに対し回路パターンの転写、現像、エッチングが行われる。回路パターンの転写には、ステッパ装置などを使用してフォトマスクに形成されているパターンを、ウエハに縮小投影することが行われる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００８−２６８８６４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
このような半導体装置の製造プロセスにおいて、プロセス工程で必要になるパーツ（フォトマスクとウエハとの位置合わせなどを行うためのアライメントマークやＴＥＧ）などが配置されるが、かかるパーツの配置領域が増大するとウエハ上の有効チップ領域が減少し、製造コストの上昇につながることになる。
【０００５】
またプロセス工程で必要になるパーツはフォトマスクに描画するので、マスクを含めたコストの低減化を図るためには、効率的なマスクパターンの設計が求められている。
【０００６】
本発明は、以上のような技術的課題に鑑みてなされたものである。本発明のいくつかの態様によれば、露光時に異なるマスクパターンの打ち分けが出来るフォトマスクを提供することができるので、マスク費用を増大化させることなくウエアの１枚当たりの有効チップ数最大化が実現できる。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明は前述の課題の少なくとも一部を解決するためになされたものであり、以下の適用例として実現することが可能である。
【０００８】
［適用例１］
本適用例のフォトマスクは、チップパターンが配置されるチップ区画がｎ行×ｍ列のマトリクス状に配置された１ショット分のマスクパターンである第１のマスクパターンと、前記第１のマスクパターンと同サイズであり、少なくとも１つの前記チップ区画にプロセス工程で使用するパーツパターン（アラインメントマークやＴＥＧ）が配置される１ショット分のマスクパターンである第２のマスクパターンとを含み、前記第１のマスクパターンと前記第２のマスクパターンは、（ｎ−ａ）行×（ｍ−ｂ）列のチップ区画が重複するように、ａ行及びｂ列分だけチップ区画をずらして配置され、前記第２のマスクパターンは、前記第１のマスクパターンとの重複エリア以外の部分のチップ区画に前記パーツパターンが配置されている。
【０００９】
本適用例によれば、露光時に第１のマスクパターンと第２のマスクパターンと打ち分けが出来るようなフォトマスクを提供することができるので、マスク費用を増大化させることなくウエアの１枚当たりの有効チップ数最大化が実現できる。
【００１０】
［適用例２］
上記のフォトマスクにおいて、ａ＝１、ｂ＝１としてもよい。
【００１１】
本適用例によれば、フォトマスクの領域を増大させることなく露光時に第１のマスクパターンと第２のマスクパターンと打ち分けが出来るようなフォトマスクを提供することができる
［適用例３］
上記のフォトマスクにおいて、前記第１のマスクパターンは、全チップ区画にチップパターンが配置されていてもよい。
【００１２】
本適用例によれば、露光時に第１のマスクパターンと第２のマスクパターンと打ち分けが出来るようなフォトマスクにおいて第１のマスクパターンをショットした場合の有効チップ数を最大にすることができる。
【００１３】
［適用例４］
本適用例は、上記に記載のフォトマスクを用いて半導体装置を製造する方法であって、半導体装置のウエハに前記フォトマスクを露光する露光工程において、前記パーツパターンを露光しないショットについては、前記フォトマスクの前記第１のマスクパターンを露光し、前記パーツパターンを露光するショットについては、前記フォトマスクの前記第２のマスクパターンを露光する。
【００１４】
本適用例によれば、露光時に第１のマスクパターンと第２のマスクパターンと打ち分けが出来るようなフォトマスクを用いて半導体装置を製造することができるので、マスク費用を増大化させることなくウエアの１枚当たりの有効チップ数最大化が実現できる。
【００１５】
［適用例５］
上記の半導体装置の製造方法において、前記露光工程では、前記フォトマスクを前記ウエハに縮小投影する投影部と、前記ウエハを載置してＸ／Ｙ軸方向に移動自由な載置部を備えた露光装置（例えばステッパ装置）を用いて前記ウエハに前記フォトマスクを露光する際に、前記第２のマスクパターンを露光する場合には、前記第１のマスクパターンを露光する場合の前記載置部の位置に対して、前記第１のマスクパターンと前記第２のマスクパターンのずれに対応する前記ウエハ上の距離に応じてＸ軸方向及びＹ軸方向に、前記載置部を移動させて、前記載置部と前記投影部の位置合わせを行ってもよい。
【００１６】
本適用例によれば、載置部を移動させることで第１のマスクパターンと第２のマスクパターンと打ち分けにより必要な位置合わせを行うことができる。
【図面の簡単な説明】
【００１７】
【図１】本実施形態に係るフォトマスクの一例を模式的に示す図。
【図２】フォトマスクのウエハへの露光イメージを模式的に示す図。
【図３】図３（Ａ）（Ｂ）は、本実施形態に係るフォトマスクの他の一例を模式的に示す図。
【図４】比較例に係るフォトマスクの一例を模式的に示す図。
【図５】比較例のフォトマスクのウエハへの露光イメージを模式的に示す図。
【図６】本実施の形態で半導体装置の製造方法に用いる露光装置の構成について説明するための図。
【図７】第１のマスクパターンの露光位置と第２のマスクパターンの露光位置の関係を示した図。
【図８】本実施の形態の露光処理の流れを示すフローチャート。
【発明を実施するための形態】
【００１８】
以下、本発明の好適な実施形態について、図面を参照しながら説明する。
【００１９】
１．本実施の形態のフォトマスクの設計手法
図１は、本実施形態に係るフォトマスクの一例を模式的に示す図である。
【００２０】
フォトマスク１００は、第１のマスクパターン１１０と、第２のマスクパターン１２０とを含む。第１のマスクパターン１１０は、半導体装置（デバイス）のチップパターン１４０が配置されるチップ区画１３０が５×５（ｎ行×ｍ列においてｎ＝５、ｍ＝５の場合）のマトリクス状に配置された１ショット分のマスクパターンである。第１のマスクパターン１１０は、全チップ区画１３０にチップパターンを配置してもよい。チップ区画１３０に配置されるチップパターン１４０は、例えばＩＣ回路パターンを形成するためのデバイスパターンである。このようにすると、第１のマスクパターン１１０に対応するウエハ上のショット領域は、すべて有効チップ領域となり潰しチップが出ない。
【００２１】
第２のマスクパターン１２０は、第１のマスクパターン１１０と同サイズの１ショット分のマスクパターンである。第１のマスクパターン１１０と第２のマスクパターン１２０は、４行×４列（（ｎ−ａ）行×（ｍ−ｂ）列において、ｎ＝５、ｍ＝５、ａ＝１、ｂ＝１の場合）のチップ区画１３０が重複するように、ａ行及びｂ列分だけチップ区画１３０をずらして配置されている。図１では重複エリア１６０に配置されている１６個のチップ区画１３０が第１のマスクパターン１１０と第２のマスクパターン１２０で共用されている。
【００２２】
第２のマスクパターン１２０では、少なくとも１つのチップ区画１３０にプロセス工程で使用するパーツのパターン（アラインメントマークやＴＥＧのパターンで、以下「パーツパターン」という）１５０が配置されている。パーツパターン１５０は、第２のマスクパターン１２０と第１のマスクパターン１１０との重複エリア１６０以外の部分のチップ区画１３０に配置されている。
【００２３】
プロセス工程で使用するパーツとは、アラインメントマークやＴＥＧ（test element group）や等である。アラインメントマークとは、位置合わせを容易にするために、基盤上に場所を特定して配置される様式化されたパターンである。ウエハ上に形成されたアライメントマークによって、例えば、露光工程において、フォトマスクウエハとの位置合わせを行うことができる。
【００２４】
またＴＥＧ（test element group）とは、ＬＳＩに発生する設計上や製造上の問題を見つけ出すための評価用素子であり、ＬＳＩのプロセス開発、設計、製造などの各種段階で発生する問題点の要因を究明するため、ＬＳＩを構成する素子や構造の一部を切り出したり、原因の究明に適した専用の回路を構成したりすることで、早期に原因を究明できるようにすることができる。
【００２５】
パーツパターン１５０は、第２のマスクパターン１２０の重複エリア１６０以外に位置するチップ区画１３０（図１では９個のチップ区画が該当）に配置されるので、図１では最大９個のチップ区画１３０にパーツパターンを配置することができる。しかも９個のチップ区画には矩形である第２のマスクパターンの領域の４隅に位置する３つのチップ区画を含むので、パーツの配置に適している。なおパーツパターン１５０が配置されていないチップ区画１３０には、チップパターンが配置されている。
【００２６】
図１では、矩形である第２のマスクパターンの四隅のチップ区画うち重複エリア１６０に属さない３つのチップ区画１３０にパーツパターン１５０が配置されている様子を示している。
【００２７】
第１のマスクパターンでは５×５のチップ区画１３０のすべてにチップパターンが配置されているため１ショットで２５個の有効チップ領域（チップパターンが形成された領域）を形成することができる。
【００２８】
第２のマスクパターンでは５×５のチップ区画１３０の３つのチップ区画にパーツパターンが配置され、それ以外の領域にチップパターンが配置されているため１ショットで２２個の有効チップ領域（チップパターンが形成された領域）を形成することができる。
【００２９】
このように本実施の形態では、有効ショット領域（ショット領域に含まれるチップ領域がすべて有効チップ領域であるショット領域）となる第１のショット領域（ウエハ上の領域であって第１のマスクパターンに対応する領域）を露光するための第１のマスクパターン１１０を設計する。そしてこの第１のマスクパターン１１０をＸ・Ｙ方向に１チップ区画分ずらした形で、第１のショット領域と同一サイズの第２のショット領域（ウエハ上の領域であって第２のマスクパターンに対応する領域）を露光するための第２のマスクパターン１２０を設計する。そしてこの第２のマスクパターン１２０の最外周のチップ区画の任意チップ区画（重複エリア１６０に属さないチップ区画）に、プロセスで必要なパーツのパーツパターンを配置する。
【００３０】
１ショットあたりのパーツの個数は一定（例えば１〜３個）とすると、チップサイズが小さくなるほど、１ショットあたりの有効チップ数を増加させるのに有効なフォトマスクの設計手法となる。
【００３１】
チップ区画１３０に配置されるチップパターン１４０は、例えばＩＣ回路パターンを形成するためのデバイスパターンである。ウエハ上では、チップパターン１４０が形成されたチップ領域の外側の領域（隣り合うチップ領域の間の領域）がスクライブラインとなる。半導体装置の製造工程では、例えば、ダイシングによって、ウエハ（図示せず）上のチップ領域の外周であるスクライブ領域に沿ってウエハを切断し、チップ領域（デバイス）を切り分けることができる。本実施の形態のフォトマスクの設計手法は、スクライブライン上にパーツ類を配置できない狭スクライブ構造にも適用可能である。
【００３２】
図２は、フォトマスク１００のウエハ２００への露光イメージを模式的に示す図である。同図は、ウエハ２００上に、１２個のショット領域２１０（ｉ、ｊ）が３行×４列のマトリクス状に露光されている状態を示している。ショット領域２１０（２、２）、２１０（２、４）は、第２のマスクパターン１２０のショット領域であり、それ以外のショット領域２１０（ｉ、ｊ）は、第１のマスクパターン１１０のショット領域２１０（ｉ、ｊ）である。
【００３３】
通常露光時には、フォトマスク１００の第１のマスクパターン１１０をウエハに露光し、プロセスの流動上、必要なマークを露光する場合には、フォトマスク１００の第２のマスクパターン１２０をウエハに露光する。
【００３４】
第２のマスクパターンを露光したショット領域２１０（２、２）、２１０（２、４）では３チップ分の領域がマークに使用されるので１ショットあたりの有効チップ数が３個減少することになる。
【００３５】
図１、図２ではフォトマスクにおいて、第１のマスクパターン１１０と第２のマスクパターン１２０は、1行、1列分だけチップ区画１３０をずらして配置される場合を例にとり説明したがこれに限られない。
【００３６】
図３（Ａ）（Ｂ）は、本実施形態に係るフォトマスクの他の一例を模式的に示す図である。図３（Ａ）に示すように、フォトマスク１００に第１のマスクパターン１１０と第２のマスクパターン１２０を２行、２列分のチップ区画だけずらして配置してもよい。また図３（Ｂ）に示すように、フォトマスクに１００に、第１のマスクパターン１１０と第２のマスクパターン１２０を２行、１列分のチップ区画だけずらして配置してもよい。なお上記以外でも任意の行及び列のチップ区画をずらして第２のマスクパターンを配置してもよい。
【００３７】
２．比較例のフォトマスクの設計手法
図４は、比較例に係るフォトマスクの一例を模式的に示す図である。
【００３８】
比較例のフォトマスク３００は、有効ショット領域に対応するマスクパターン３１０とパーツ配置領域に対応するマスクパターン３２０を含む。
【００３９】
有効ショット領域に対応するマスクパターン３１０は、チップパターン１４０が配置されたチップ区画１３０が５×５（ｎ行×ｍ列においてｎ＝５、ｍ＝５の場合）のマトリクス状に配置された１ショット分のマスクパターンである。有効ショット領域に対応するマスクパターン３１０は、全チップ区画１３０にチップパターンが配置されている。このようにすると、図１の第１のマスクパターン１１０と同様に、有効ショット領域に対応するマスクパターン３１０に対応したウエハ上のショット領域は、すべて有効チップ領域となり潰しチップが出ない。
【００４０】
パーツ配置領域に対応するマスクパターン３２０とはプロセス工程で使用するパーツのパターン（アラインメントマークやＴＥＧ（test element group）等のパターンであり、以下「パーツパターン」という）を配置する領域に対応するマスクパターンである。パーツ配置領域に対応するマスクパターン３２０は、５個のチップ区画に相当する領域に配置される。このように比較例ではプロセス工程で必要になるパーツを有効チップリア（つぶしチップがないエリア）の外側に配置していた。
【００４１】
プロセス流動上必要なパーツを配置する場合には、有効ショット領域に対応するマスクパターン３１０とパーツ配置領域に対応するマスクパターン３２０と含む領域（以後、「有効ショット領域とパーツ配置領域を含むマスクパターン３３０」という）を１ショットの領域としてウエハに露光する。有効ショット領域とパーツ配置領域を含むマスクパターン３３０は、有効ショット領域に対応するマスクパターン３１０に比べて、チップ区画が1行分（チップ区画５個分）だけサイズが大きくなり、チップ区画１行分がつぶし領域となる。
【００４２】
図５は、比較例のフォトマスクのウエハへの露光イメージを模式的に示す図である。図５は、ウエハ４００に、１２個のショット領域４１０（ｉ、ｊ）が露光されている状態を示している。ショット領域４１０（２、２）、４１０（２、４）は、有効ショット領域とパーツ配置領域を含むマスクパターン３３０のショット領域であり、それ以外のショット領域は、有効ショット領域に対応するマスクパターン３１０のショット領域である。
【００４３】
比較例では、通常露光時には、フォトマスクの有効ショット領域に対応するマスクパターン３１０を露光し、プロセスの流動上、必要なマークを露光する場合には、フォトマスク３００の有効ショット領域とパーツ配置領域を含むマスクパターン３３０をウエハに露光する。
【００４４】
有効ショット領域とパーツ配置領域を含むマスクパターン３４０を露光したショット領域では５チップ分の領域がマークに使用されるので１ショットあたりの有効チップ数が５個減少することになる。
【００４５】
３．本実施の形態の半導体装置の製造方法
本実施の形態では、縮小投影露光装置であるステッパ装置などで、露光用レチクル（フォトマスクの一例）を用いて半導体ウエハに露光して、複数の半導体装置を製造する。半導体集積回路や固体撮像素子などの半導体装置の製造に際して、製造するチップの大きさの５倍から１０倍ほどの大きさのチップパターンを形成したレチクル（フォトマスク）を用い、このチップパターンが相互に隣接するように位置を変えながら繰り返してステッパ装置で縮小投影露光することによって、フォトレジスト膜が形成されたウエハ上に多数の集積回路パターンを精度よく露光する、所謂、ステッパ露光法が知られている。ステッパ露光法では、図１に示すような複数のチップパターン１４０を有する矩形のマスクパターン（第１のマスクパターン１１０や第２のマスクパターン１２０）が形成されたレチクル（フォトマスク）を用いてフォトレジスト膜が形成されたウエハの表面上に連続的に縮小投影露光を行う。
【００４６】
このように第１のマスクパターン１１０や第２のマスクパターン１２０を有するレチクル（フォトマスク１００）を用いて、フォトレジスト膜が形成されたウエハ２００上に連続的にマスクパターンを縮小投影露光することにより、図２に示すようなウエハへの露光イメージで露光することができる。
【００４７】
図６は、本実施の形態で半導体装置の製造方法に用いる露光装置（縮小投影露光装置であるステッパ装置）の構成について説明するための図である。
【００４８】
露光装置１０は、露光用の光を下方に照射する投光装置１と、投光装置１の下側に設けられ、縮小投影露光を行うための露光用原版（フォトマスク）である露光用レチクル２と、露光用レチクル２を通したマスクパターンを縮小投影する縮小投影装置３と、半導体基板としてのウエハ４を搭載してＸ・Ｙ軸方向に移動自在なテーブル５とを備え、フォトレジスト膜が形成されたウエハ４上に、露光用レチクル２を通したマスクパターンを順次、テーブル５によりウエハ４を移動させて露光する。
【００４９】
露光の際には、フォトレジスト膜が形成されたウエハ４上に、マスクパターンを隣接して繰り返し縮小露光する。かかる露光時に、アライメントマーク（パーツの一例）を用いて位置決めを行う。従って通常露光時には第１のマスクパターンを用いて露光し、必要に応じて、アライメントマークを含む第２のマスクパターンを順次露光する。
【００５０】
図１に示すフォトマスクを用いて第１のマスクパターンを露光する場合には、第１のマスクパターン以外の部分をマスクして露光を行い、第２のマスクパターンを露光する場合には、第２のマスクパターン以外の部分をマスクして露光を行う。
【００５１】
投光装置１と、露光用レチクル２と、縮小投影装置３は、投影部として機能し、テーブル５は載置部として機能する。本実施の形態では投影部を固定して載置部（テーブル５）をＸ軸Ｙ軸方向に移動させてウエハ上のショット位置を決定する。
【００５２】
第１のマスクパターンを連続して使用する場合には、先のショット位置と同じ行で列を移動させる場合にはウエハのＸ座標値が１ショット領域分変位するようにウエハを搭載した載置部（テーブル５）の位置を移動させる。ところが第１のマスクパターンの後に第２のマスクパターンを露光する場合には、第１のマスクパターンを露光する場合の移動とは異なる移動が必要となる。
【００５３】
図７は、ウエハ２００を固定して、第１のマスクパターンと第２のマスクパターンを露光した場合の、第１のマスクパターンの露光領域２１２の一と第２のマスクパターンの露光領域２２２の位置の関係を示した図である。
【００５４】
チップ領域の縦横のサイズｗ×ｌであるとすると、第１のマスクパターンの露光領域２１２と第２のマスクパターンの露光領域２２２は、第１のマスクパターンと第２のマスクパターンのずれに対応して、ウエハ上でＸ軸方向にｗ、Ｙ軸方向にｌだけずれている。
【００５５】
従って第１のマスクパターンを露光する場合と第２のマスクパターンを露光する場合では、露光位置が、Ｘ軸方向にｗ、Ｙ軸方向にｌだけずれてくるため、その分ウエハを移動させて位置合わせを行う。
【００５６】
図８は、本実施の形態の露光処理の流れを示すフローチャートである。
【００５７】
以下の露光処理は、例えば図２のウエハへの露光イメージに示すように、Ｎ×Ｍのショット領域が定義されたショットマップにしたがって行われるものとする。
【００５８】
露光対象となるショット領域（ｉ、ｊ）のマトリクスの縦横を示す変数ｉ、ｊを初期設定（ｉ＝１、ｊ＝１）する（ステップＳ１０）。
【００５９】
露光対象となるウエハ上のショット領域（ｉ、ｊ）が基準露光位置に来るようにテーブルの位置を移動制御する（ステップＳ２０）。ここで基準露光位置は、ウエハ上の露光対象となるエリアが図６の露光領域２０と重なる位置であるとする。なお第１のマスクパターン１１０と第２のマスクパターン１２０を打ち分ける場合には、図７に示すように第１のマスクパターン１１０の露光領域２１２と第２のマスクパターン１２０の露光領域２２２がずれるので、ここではウエハ上の第１のマスクパターン１１０の露光領域２１２となるエリアが図６の露光領域２０と重なる位置であるとする。
【００６０】
露光装置では、ウエハをショット領域単位で移動させて、マスクパターンを露光する処理を、すべてのショット領域について終了するまで繰り返して行う。ウエハ上のチップ領域の縦横のサイズｗ×ｌで、ショット領域がｎ×ｍのマトリクス状に配列されたチップ領域で構成される場合、ショット領域の縦横のサイズは横がｎｗ＋α、縦がｍｌ＋βとなる。従って、１ショット分だけ行方向にずらす場合には、Ｘ軸正方向にｎｗ＋αだテーブルを移動させればよい。すなわちｉが１つカウントアップすると、Ｘ軸正方向にｎｗ＋αだけテーブルを移動させればよい。またを１ショット分だけ列方向にずらす場合には、Ｙ軸正方向にｍｌ＋βだけテーブルを移動させればよい。すなわちｊが１つカウントアップすると、Ｙ軸正方向にｍｌ＋βだけテーブルを移動させ、Ｘ軸方向にはｉ＝１の位置まで移動させることになる。例えばＸ軸方向のショット領域の個数（列数）が４である場合には（４−１）×（ｍｌ＋α）だけＸ軸負方向にテーブルを移動させることになる。
【００６１】
露光対象となるショット領域（ｉ、ｊ）に、パーツパターンを露光しない場合には（ステップＳ３０でＮ）、第１のパターンを露光する（ステップＳ４０）。
【００６２】
露光対象となるショット領域（ｉ、ｊ）に、パーツパターンを露光する場合には（ステップＳ３０でＹ）、さらに第１のマスクパターン１１０と第２のマスクパターン１２０のずれに対応する分だけテーブルをＸ軸方向、Ｙ軸方向に移動制御する（ステップＳ５０）。第１のマスクパターン１１０と第２のマスクパターン１２０は、Ｘ軸方向に１チップ領域分（１チップ領域の横の長さｗ）、Ｙ軸方向に１チップ領域分（１チップ領域の縦の長さｌ）だけずれているので、その分だけテーブルを移動させる。そして第２のパターンを露光する（ステップＳ６０）。次に変数ｉをカウントアップ（ｉ＝ｉ＋１）し（ステップＳ７０）、ｉ＞Ｎであれば（ステップＳ８０でＹ）、変数ｉを初期設定（ｉ＝１）し、変数ｊをカウントアップ（ｊ＝ｊ＋１）する（ステップＳ９０）。そして、ｊ＞Ｍでなければ（ステップＳ１００でＮ）、ステップＳ２０に戻ってステップＳ２０〜Ｓ１００の処理を繰り返す。
【００６３】
上記のように、本発明の実施形態について詳細に説明したが、本発明の新規事項および効果から実体的に逸脱しない多くの変形が可能であることは当業者には容易に理解できよう。従って、このような変形例はすべて本発明の範囲に含まれるものとする。
【符号の説明】
【００６４】
１  投光装置１、２  露光用レチクル、３  縮小投影装置、４  ウエハ、５  テーブル、１０  露光装置、１００  フォトマスク、１１０  第１のマスクパターン、１２０  第２のマスクパターン、１３０  チップ区画、１４０  チップパターン、１５０  パーツパターン、２００  ウエハ、２１０（ｉ、ｊ）  ショット区画、３００  比較例のフォトマスク、３１０  有効ショット領域に対応するマスクパターン、３２０  パーツ配置領域に対応するマスクパターン、３３０有効ショット領域とパーツ配置領域を含むマスクパターン３３０、４００  比較例のウエハ
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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