(57)【要約】【課題】検出精度を向上でき、且つ、製造コストの増加を抑制することができる磁気センサの製造方法を提供する。【解決手段】磁気センサ（１０）は、磁電変換素子（２６）及びその処理回路（２８）を有するセンシング部（２０）と、センシング部の出力特性を調整するためのトリミング用端子（３８）と、磁電変換素子に対してバイアス磁界を付与するバイアス磁石（１２）と、を備える。この磁気センサの製造方法として、バイアス磁石の形成後に、バイアス磁石の磁気特性を測定する測定工程（Ｓ１４）と、所望の磁気特性に対して測定した磁気特性にずれがある場合、バイアス磁界が付与されない状態で、磁気特性のずれをキャンセルするように、センシング部に接続されたトリミング用端子をトリミングするトリミング工程（Ｓ１６）と、トリミング工程後、センシング部とバイアス磁石とを組み付ける組み付け工程（Ｓ１８）と、を備える。【選択図】図４
2015137948.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
磁電変換素子（２６）及び該磁電変換素子の処理回路（２８）を有するセンシング部（２０）と、
前記センシング部と電気的に接続され、前記センシング部の出力特性を調整するためにトリミングされるトリミング用端子（３８）と、
前記磁電変換素子に対してバイアス磁界を付与するバイアス磁石（１２）と、を備え、
前記センシング部と前記バイアス磁石とを組み付けてなる磁気センサの製造方法であって、
前記バイアス磁石の形成後に、前記バイアス磁石の磁気特性を測定する測定工程（Ｓ１４）と、
所望の磁気特性に対して測定した前記磁気特性にずれがある場合、前記バイアス磁界が付与されない状態で、前記磁気特性のずれをキャンセルするように、前記センシング部に接続された前記トリミング用端子をトリミングするトリミング工程（Ｓ１６）と、
前記トリミング工程後、前記センシング部と前記バイアス磁石とを組み付ける組み付け工程（Ｓ１８）と、
を備えることを特徴とする磁気センサの製造方法。
【請求項２】
前記トリミング工程（Ｓ１６）において、前記磁気特性のずれをキャンセルするとともに、前記センシング部（２０）の出力特性を調整することを特徴とする請求項１に記載の磁気センサの製造方法。
【請求項３】
前記バイアス磁石（１２）は中空部（１２ａ）を有し、
前記組み付け工程（Ｓ１８）において、前記センシング部（２０）及び前記トリミング用端子（３８）が前記中空部に配置されるように、前記センシング部と前記バイアス磁石とを組み付けることを特徴とする請求項１又は請求項２に記載の磁気センサの製造方法。
【請求項４】
前記測定工程（Ｓ１４）において、校正済みのプローブとして前記センシング部の基準となる検査用センシング部（４８）を用い、前記磁気特性として前記検査用センシング部の出力値を測定することを特徴とする請求項１〜３いずれか１項に記載の磁気センサの製造方法。
【請求項５】
前記測定工程（Ｓ１４）において、校正済みのプローブを用い、前記磁気特性として前記バイアス磁石（１２）の磁束密度を測定することを特徴とする請求項１〜３いずれか１項に記載の磁気センサの製造方法。
【請求項６】
前記センシング部（２０）として、予め前記トリミング用端子（３８）の一部とともに樹脂封止されたものを用いることを特徴とする請求項１〜５いずれか１項に記載の磁気センサの製造方法。
【請求項７】
前記磁電変換素子（２６）として、磁気抵抗効果素子又はホール素子を用いることを特徴とする請求項１〜６いずれか１項に記載の磁気センサの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、磁電変換素子及びその処理回路を有するセンシング部と、センシング部の出力特性を調整するためにトリミングされるトリミング用端子と、磁電変換素子に対してバイアス磁界を付与するバイアス磁石と、を備える磁気センサの製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来、磁電変換素子及びその処理回路を有するセンシング部と、センシング部の出力特性を調整するためにトリミングされるトリミング用端子と、磁電変換素子に対してバイアス磁界を付与するバイアス磁石と、を備える磁気センサが知られている。
【０００３】
このような磁気センサは、例えば以下に示す方法によって形成される。バイアス磁石の成形後、個々のバイアス磁石の出来映えについて検査し、良否選別する。その際、各バイアス磁石の磁気特性を測定し、磁気特性が所定範囲に入っているか否かにより良否選別する。また、センシング部の出力特性を測定し、トリミング用端子をトリミングすることでセンシング部の出力特性を調整する。そして、選別されたバイアス磁石と、出力特性が調整されたセンシング部とを組み付けることで、磁気センサを得る。
【０００４】
一方、特許文献１には、バイアス磁石（磁石）とセンシング部（センシングユニット）とを組み付けた状態で、バイアス磁石の磁気特性のばらつきを含めてセンシング部の出力特性の調整を行なう方法が記載されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２００２−１１６０５５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
選別されたバイアス磁石と、出力特性が調整されたセンシング部とを組み付ける方法では、選別されたバイアス磁石の磁気特性のばらつきと、センシング部の出力特性の調整ばらつきとの双方が影響し、磁気センサとしての検出精度が低下する虞がある。また、バイアス磁石を良否選別するため、歩留が低下し、製造コストが高くなるという問題がある。
【０００７】
一方、組み付けた状態で、バイアス磁石の磁気特性のばらつきを含めてセンシング部の出力特性の調整を行なう方法では、磁電変換素子（感磁素子）と同じチップに組み込まれたＥＰＲＯＭなどの記憶手段に、調整用端子を介して外部から調整用データを入力することで、出力特性を調整する。このため、記憶手段が別途必要となり、製造コストが高くなるという問題がある。
【０００８】
本発明は上記問題点に鑑み、検出精度を向上でき、且つ、製造コストの増加を抑制することができる磁気センサの製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
ここに開示される発明は、上記目的を達成するために以下の技術的手段を採用する。なお、特許請求の範囲及びこの項に記載した括弧内の符号は、ひとつの態様として後述する実施形態に記載の具体的手段との対応関係を示すものであって、発明の技術的範囲を限定するものではない。
【００１０】
開示された発明のひとつは、磁電変換素子（２６）及び該磁電変換素子の処理回路（２８）を有するセンシング部（２０）と、センシング部と電気的に接続され、センシング部の出力特性を調整するためにトリミングされるトリミング用端子（３８）と、磁電変換素子に対してバイアス磁界を付与するバイアス磁石（１２）と、を備え、センシング部とバイアス磁石とを組み付けてなる磁気センサの製造方法であって、バイアス磁石の形成後に、バイアス磁石の磁気特性を測定する測定工程（Ｓ１４）と、所望の磁気特性に対して測定した磁気特性にずれがある場合、バイアス磁界が付与されない状態で、磁気特性のずれをキャンセルするように、センシング部に接続されたトリミング用端子をトリミングするトリミング工程（Ｓ１６）と、トリミング工程後、センシング部とバイアス磁石とを組み付ける組み付け工程（Ｓ１８）と、を備えることを特徴とする。
【００１１】
これによれば、バイアス磁石（１２）の磁気特性を測定し、トリミング用端子（３８）をトリミングすることで、磁気特性のずれをキャンセルする。したがって、良否選別されたバイアス磁石よりも、磁気特性のばらつきを小さくすることができる。また、歩留を向上し、ひいては製造コストの増加を抑制することができる。
【００１２】
また、センシング部（２０）の出力特性を調整するためのトリミング用端子（３８）をトリミングすることで、バイアス磁石（１２）の磁気特性のずれをキャンセルする。このため、ＥＰＲＯＭなどの記憶手段を必要とせず、製造コストの増加を抑制することができる。
【００１３】
以上により、本発明によれば、磁気センサの検出精度を向上でき、且つ、製造コストの増加を抑制することができる。
【００１４】
開示された他の発明は、トリミング工程において、磁気特性のずれをキャンセルするとともに、センシング部（２０）の出力特性を調整することを特徴とする。
【００１５】
これによれば、センシング部（２０）の出力特性の調整にあわせて磁気特性のずれのキャンセルを行なうため、製造工程を簡素化することができる。
【００１６】
開示された他の発明は、バイアス磁石（１２）が中空部（１２ａ）を有し、組み付け工程（Ｓ１８）において、センシング部（２０）及びトリミング用端子（３８）が中空部に配置されるように、センシング部とバイアス磁石とを組み付けることを特徴とする。
【００１７】
これによれば、組み付け工程の前にトリミングを行なうため、センシング部（２０）及びトリミング用端子（３８）が中空部（１２ａ）に配置される構成において、磁気特性のずれをキャンセルすることができる。
【図面の簡単な説明】
【００１８】
【図１】第１実施形態に係る磁気センサの概略構成を示す部分断面図である。
【図２】磁気センサのうち、モールドＩＣの概略構成を示す平面図である。
【図３】磁気センサの回路構成を示すブロック図である。
【図４】磁気センサの製造方法を示す図である。
【図５】トリミング工程を説明するための部分断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１９】
以下、本発明の実施形態を図に基づいて説明する。なお、各実施形態において、共通乃至関連する要素には同一の符号を付与するものとする。
【００２０】
（第１実施形態）
先ず、図１及び図２に基づき、磁気センサ１０の概略構成について説明する。この磁気センサは、カム角センサ、クランク角センサ、車輪速センサなどとして使用可能である。なお、図２では、便宜上、封止樹脂体を省略している。
【００２１】
図１及び図２に示すように、磁気センサ１０は、バイアス磁石１２と、モールドＩＣ１４と、を備えている。この磁気センサ１０の構成は、トリミング用端子を備え、トリミングによってセンサチップの出力特性が調整される従来周知の磁気センサと基本的に同じである。したがって、詳細な説明は割愛する。
【００２２】
バイアス磁石１２は、モールドＩＣ１４の磁電変換素子２６に対して、バイアス磁界を付与する。バイアス磁石１２としては、磁粉と樹脂とを混合して成形固化した磁石を用いる。本実施形態では、バイアス磁石１２が、円柱の長手方向（以下、単に長手方向と示す）に沿って中空部１２ａが形成された円筒形状をなしている。
【００２３】
モールドＩＣ１４は、センサチップ２０と、端子２２と、封止樹脂体２４と、を備えている。このうち、センサチップ２０が、特許請求の範囲に記載のセンシング部に相当する。
【００２４】
センサチップ２０には、磁電変換素子２６とその処理回路２８が集積化されている。また、センサチップ２０は、リードフレームのアイランド３０に搭載されている。本実施形態では、磁電変換素子２６が、磁気の印加方向に応じて抵抗値が変化する磁気抵抗効果素子２６ａ（ＭＲＥ）を複数有している。磁気抵抗効果素子２６ａは、Ｎｉ−Ｃｏ、Ｎｉ−Ｆｅ等の材料を用いてセンサチップ２０にパターニングされている。本実施形態では、図２に示すように、２つの磁気抵抗効果素子２６ａが略ハの字をなすようにパターニングされ、これら２つの磁気抵抗効果素子２６ａによってハーフブリッジ回路が形成されている。また、ハーフブリッジ回路が２つ形成されてフルブリッジ回路をなしている。
【００２５】
端子２２は、アイランド３０同様、リードフレームの一部として構成されている。この端子２２は、グランドと電気的に接続されるグランド端子３２（接地端子）と、処理回路２８を介した磁電変換素子２６の出力信号、すなわちセンサチップ２０の出力信号を外部に出力する出力端子３４と、電源と電気的に接続される電源端子３６と、を有している。これら端子３２，３４，３６は、長手方向に沿って延び、封止樹脂体２４の長手方向における一端側から突出するように設けられている。
【００２６】
加えて、端子２２は、トリミング用端子３８を有している。トリミング用端子３８は、センサチップ２０と電気的に接続されており、センサチップ２０の出力特性、すなわち、処理回路２８を介した磁電変換素子２６の出力特性を調整するためにトリミングされる端子である。本実施形態では、トリミング用端子３８によって、出力特性のうち、傾きを示す感度（ゲイン：増幅率）ではなく、オフセットを調整する。あわせて、バイアス磁石１２の磁気特性についても調整する。
【００２７】
このトリミング用端子３８は、長手方向に直交する短手方向において、モールドＩＣ１４の両側にそれぞれ設けられている。図２に示すように、紙面左側のトリミング用端子３８は、図示しない抵抗Ｒ３に接続された抵抗接続部３８ａと、図示しない抵抗Ｒ４に接続された抵抗接続部３８ｂと、グランドに接続されたグランド接続部３８ｃと、を有している。グランド接続部３８ｃは、長手方向において抵抗接続部３８ａ，３８ｂの間に配置されており、連結部３８ｄによって、グランド接続部３８ｃと抵抗接続部３８ａの一端同士が連結されている。また、連結部３８ｅによって、グランド接続部３８ｃと抵抗接続部３８ｂの一端同士が連結されている。連結部３８ｅは、連結部３８ｄと同一側の端部においてグランド接続部３８ｃに接続されている。
【００２８】
同様に、紙面右側のトリミング用端子３８は、図示しない抵抗Ｒ５に接続された抵抗接続部３８ｆと、図示しない抵抗Ｒ６に接続された抵抗接続部３８ｇと、グランドに接続されたグランド接続部３８ｈと、を有している。グランド接続部３８ｈは、抵抗接続部３８ａ，３８ｂの間に配置されており、連結部３８ｉによって、グランド接続部３８ｈと抵抗接続部３８ｆの一端同士が連結されている。また、連結部３８ｊによって、グランド接続部３８ｈと抵抗接続部３８ｇの一端同士が連結されている。連結部３８ｊは、連結部３８ｉと同一側の端部においてグランド接続部３８ｈに接続されている。
【００２９】
封止樹脂体２４は、センサチップ２０と、該センサチップ２０との電気的な接続部を含む端子２２の一部と、を一体的に封止する。封止樹脂体２４としては、例えばＰＰＳを採用することができる。
【００３０】
次に、図３に基づき、磁気センサ１０の回路構成について説明する。なお、回路構成についても、トリミングによって出力特性が調整される従来周知の磁気センサと基本的に同じであるため、詳細な説明は割愛する。
【００３１】
図３に示すように、磁電変換素子２６は４つの磁気抵抗効果素子２６ａを有している。そして、２つの磁気抵抗効果素子２６ａによりハーフブリッジ回路が形成され、ハーフブリッジ回路が２つ形成されてフルブリッジ回路をなしている。
【００３２】
センサチップ２０に形成された処理回路２８は、アンプ４０と、コンパレータ４２と、出力バッファ４４と、を有している。アンプ４０の入力端子には、２つのハーフブリッジ回路の中点がそれぞれ接続され、アンプ４０の出力端子は、コンパレータ４２の２つの入力端子の一方に接続されている。コンパレータ４２の入力端子の他方には、閾値電圧であるＶｔｈが入力される。コンパレータ４２の出力端子は、出力バッファ４４の入力端子に接続されており、出力バッファ４４の出力端子は、出力端子３４に接続されている。
【００３３】
磁電変換素子２６の出力信号は、アンプ４０にて差動増幅される。そして、差動増幅された出力信号は、コンパレータ４２にて、閾値電圧Ｖｔｈに基づき二値化処理される。二値化処理された信号は、出力バッファ４４を介して出力端子３４に出力される。このようにして、磁気センサ１０の外部に信号が出力されるようになっている。
【００３４】
本実施形態では、閾値電圧生成回路４６によって、閾値電圧Ｖｔｈの値が調整可能に構成されている。閾値電圧生成回路４６は、電源とグランドとの間において直列に接続された抵抗Ｒ１，Ｒ２と、グランド側に配置された抵抗Ｒ２に対して、並列に接続された４つの抵抗Ｒ３，Ｒ４，Ｒ５，Ｒ６と、を有している。加えて、閾値電圧生成回路４６は、トリミング用端子３８を有して構成されている。
【００３５】
抵抗Ｒ３には、そのグランド側に抵抗接続部３８ａが接続されており、抵抗Ｒ３は、抵抗接続部３８ａ、連結部３８ｄ、及びグランド接続部３８ｃを介して、グランドに接続されるようになっている。同様に抵抗Ｒ４には、そのグランド側に抵抗接続部３８ｂが接続されており、抵抗Ｒ４は、抵抗接続部３８ｂ、連結部３８ｅ、及びグランド接続部３８ｃを介して、グランドに接続されるようになっている。同様に抵抗Ｒ５には、そのグランド側に抵抗接続部３８ｆが接続されており、抵抗Ｒ５は、抵抗接続部３８ｆ、連結部３８ｉ、及びグランド接続部３８ｈを介して、グランドに接続されるようになっている。同様に抵抗Ｒ６には、そのグランド側に抵抗接続部３８ｇが接続されており、抵抗Ｒ６は、抵抗接続部３８ｇ、連結部３８ｊ、及びグランド接続部３８ｈを介して、グランドに接続されるようになっている。
【００３６】
トリミング用端子３８のうち、連結部３８ｄを切断すると、抵抗接続部３８ａとグランド接続部３８ｃとの接続が遮断される。すなわち、抵抗Ｒ３とグランドとの接続が解かれる。同様に、連結部３８ｅを切断すると、抵抗接続部３８ｂとグランド接続部３８ｃとの接続が遮断される。すなわち、抵抗Ｒ４とグランドとの接続が解かれる。同様に、連結部３８ｉを切断すると、抵抗接続部３８ｆとグランド接続部３８ｈとの接続が遮断される。すなわち、抵抗Ｒ５とグランドとの接続が解かれる。同様に、連結部３８ｊを切断すると、抵抗接続部３８ｇとグランド接続部３８ｈとの接続が遮断される。すなわち、抵抗Ｒ６とグランドとの接続が解かれる。
【００３７】
このように、本実施形態では、４個の抵抗Ｒ３，Ｒ４，Ｒ５，Ｒ６を用い、連結部３８ｄ，３８ｅ，３８ｉ，３８ｊの切断の有無により、１６段階に抵抗値、ひいては閾値電圧Ｖｔｈを調整することができる。そして、バイアス磁石１２の磁気特性のずれ及びセンサチップ２０のオフセットのずれに応じて閾値電圧Ｖｔｈを調整することで、バイアス磁石１２の磁気特性のずれをキャンセルするとともに、オフセットを調整することができる。
【００３８】
なお、図３では、便宜上、連結部３８ｄ，３８ｅ，３８ｉ，３８ｊを未切断で閉（接続）、切断により開（遮断）となるスイッチとして図示している。また、図３では、一例として、連結部３８ｄ，３８ｅ，３８ｉ，３８ｊを全て切断した状態（開状態）を示している。また、図３では、図示を省略するが、感度を調整する周知の感度調整回路を備えても良い。
【００３９】
次に、図４に基づき、上記した磁気センサ１０の製造方法について説明する。
【００４０】
図４に示すように、先ず、バイアス磁石１２を成形する成形工程を実施する（Ｓ１０）。本実施形態では、磁粉と樹脂とを混合して成形固化することで、バイアス磁石１２を得る。なお、すでに成形されたバイアス磁石１２を用いる場合、成形工程は不要である。
【００４１】
また、モールドＩＣ１４を形成するモールドＩＣ形成工程を実施する（Ｓ１２）。例えばセンサチップ２０と各端子２２を電気的に接続し、その後に、トランスファモールド法などによって封止樹脂体２４を成形する。そして、リードフレームにおいてタイバーなどの不要部分を除去し、各端子２２を電気的に分離して、モールドＩＣ１４を得る。
【００４２】
なお、トリミング用端子３８のうち、少なくとも連結部３８ｄ，３８ｅ，３８ｉ，３８ｊが外部に露出されるように、封止樹脂体２４を成形する。モールドＩＣ１４を形成した時点で、トリミング用端子３８のトリミングは実施されておらず、連結部３８ｄ，３８ｅ，３８ｉ，３８ｊはそれぞれ繋がっている。
【００４３】
次いで、バイアス磁石１２の形成後に、バイアス磁石１２の磁気特性を測定する測定工程を実施する（Ｓ１４）。この測定工程では、校正済みのプローブを、個々のバイアス磁石１２に対して所定の位置に配置し、この状態で、バイアス磁石１２の磁気特性を測定する。本実施形態では、図５に示すように、校正済みのプローブとして、センサチップ２０の基準となる検査用チップ４８を備えた検査用モールドＩＣ５０を用いる。検査用チップ４８は、その出力特性が所望の値に調整されたセンサチップ２０であり、特許請求の範囲に記載の検査用センシング部に相当する。そして、検査用チップ４８がバイアス磁石１２の中空部１２ａに配置されるように、中空部１２ａに検査用モールドＩＣ５０を挿入し、この状態で、検査用チップ４８（検査用モールドＩＣ５０）の出力値を測定する。これにより、個々のバイアス磁石１２について、所望の磁気特性に対するずれが分かる。磁気特性のずれは、バイアス磁石１２の着磁ばらつき、形状のばらつきなどによって生じる。
【００４４】
そして、磁気特性の測定結果をフィードフォワードし、トリミング用端子３８をトリミングするトリミング工程を実施する（Ｓ１６）。このトリミング工程では、磁気特性にずれがある場合、磁電変換素子２６にバイアス磁界が付与されない状態で、磁気特性のずれをキャンセルするように、トリミング用端子３８をトリミングする。本実施形態では、トリミング用端子３８をトリミングすることで、磁気特性のずれをキャンセルするとともに、センサチップ２０のオフセットも調整する。
【００４５】
具体的には、磁電変換素子２６にバイアス磁界が付与されない状態で、センサチップ２０（モールドＩＣ１４）の出力特性を測定する。そして、所望の値に対するセンサチップ２０のオフセットと、該センサチップ２０とともに磁気センサ１０を構成するバイアス磁石１２の磁気特性のずれ量（電圧変動量）とを加算した値が所望の値となるように、必要に応じて、トリミング用端子３８の連結部３８ｄ，３８ｅ，３８ｉ，３８ｊの少なくとも一つを切断する。換言すれば、磁気特性のずれ量をオフセットの調整量に反映させて、トリミングを行なう。これにより、バイアス磁石１２の磁気特性にずれがあっても、そのずれをキャンセルすることができる。あわせて、センサチップ２０のオフセットについても調整することができる。
【００４６】
次いで、モールドＩＣ１４とバイアス磁石１２とを組み付ける組み付け工程を実施する（Ｓ１８）。この組み付け工程では、磁気特性が測定されたバイアス磁石１２と、該バイアス磁石１２の磁気特性のずれのキャンセルを含めてセンサチップ２０のオフセット調整がなされたモールドＩＣ１４とを組み付ける。本実施形態では、センサチップ２０側を先頭にして、モールドＩＣ１４をバイアス磁石１２の中空部１２ａ内に挿入する。そして、所定の位置関係を保った状態で、接着材等により、モールドＩＣ１４をバイアス磁石１２に固定する。以上により、上記した磁気センサ１０を得ることができる。
【００４７】
次に、本実施形態に係る磁気センサ１０の製造方法の効果について説明する。
【００４８】
本実施形態では、バイアス磁石１２の磁気特性を測定し、磁気特性にずれがある場合には、そのずれをキャンセルするようにトリミング用端子３８をトリミングする。したがって、良否選別されたバイアス磁石よりも、センサチップ２０の出力特性に影響を及ぼす磁気特性のばらつきを小さくすることができる。また、歩留を向上し、ひいては製造コストの増加を抑制することができる。
【００４９】
また、センサチップ２０（モールドＩＣ１４）のオフセットを調整するためのトリミング用端子３８をトリミングすることで、バイアス磁石１２の磁気特性のずれをキャンセルする。このため、ＥＰＲＯＭなどの記憶手段を必要とせず、製造コストの増加を抑制することができる。
【００５０】
以上により、本実施形態の製造方法によれば、磁気センサ１０の検出精度を向上でき、且つ、製造コストの増加を抑制することができる。
【００５１】
特に本実施形態では、トリミング工程において、磁気特性のずれをキャンセルするとともに、センサチップ２０の出力のオフセットを調整する。このように、オフセットの調整にあわせて磁気特性のずれのキャンセルを行なうため、製造工程を簡素化することができる。
【００５２】
また本実施形態では、バイアス磁石１２の中空部１２ａにセンサチップ２０が配置される構成でありながら、組み付け工程の前にトリミングを行なうため、磁気特性のずれをキャンセルすることができる。また、センサチップ２０のオフセット調整も行なうことができる。
【００５３】
また本実施形態では、測定工程において、検査用チップ４８を備えた検査用モールドＩＣ５０を用い、バイアス磁石１２の磁気特性として検査用チップ４８の出力値を測定する。検査用チップ４８は、出力特性が所望の値に調整されたセンサチップ２０であるので、磁気特性のずれをより精度良くキャンセルすることができる。
【００５４】
なお、本実施形態では、プローブとして、検査用チップ４８を備えた検査用モールドＩＣ５０を用いる例を示した。しかしながら、検査用チップ４８をプローブとする構成としては、封止樹脂体によって封止されたものに限定されない。例えば、基板上に検査用チップ４８が配置され、検査用チップ４８が封止樹脂体によって封止されないものをプローブとしても良い。
【００５５】
以上、本発明の好ましい実施形態について説明したが、本発明は上記した実施形態になんら制限されることなく、本発明の主旨を逸脱しない範囲において、種々変形して実施することが可能である。
【００５６】
本実施形態では、磁電変換素子２６と処理回路２８が同一のセンサチップ２０に構成され、センサチップ２０が特許請求の範囲に記載のセンシング部をなす例を示した。しかしながら、磁電変換素子２６と処理回路２８を別チップとしても良い。この場合、磁電変換素子２６が形成されたチップと、処理回路２８が形成されたチップとにより、センシング部が構成されることとなる。
【００５７】
端子２２の構成は本実施形態に示した例に限定されるものではない。例えば複数本の導体が接続されて、グランド端子３２が構成されても良い。その他の端子２２についても同様である。端子２２の形状も、特に限定されるものではない。トリミング用端子３８の連結部の個数も特に限定されるものではない。
【００５８】
本実施形態では、センサチップ２０のオフセットを調整するためのトリミング用端子３８をトリミングすることで、バイアス磁石１２の磁気特性のずれをキャンセルする例を示した。しかしながら、センサチップ２０の出力の感度を調整するためのトリミング用端子をトリミングすることで、磁気特性のずれをキャンセルするようにしても良い。さらには、センサチップ２０の感度を調整するためのトリミング用端子をトリミングすることで、感度の調整にあわせて磁気特性のずれのキャンセルを行なっても良い。
【００５９】
本実施形態では、検査用チップ４８をプローブとして用いる例を示したが、バイアス磁石１２の磁気特性を測定するための校正済みのプローブとしては、上記例に限定されるものではない。例えば、バイアス磁石１２の磁束密度を磁気特性として測定するプローブを用いても良い。
【００６０】
本実施形態では、センサチップ２０が、トリミング用端子３８などの端子２２とともに、封止樹脂体２４によって樹脂封止されたもの、すなわちモールドＩＣ１４を用いる例を示した。しかしながら、樹脂封止されないセンサチップ２０にも適用することができる。
【００６１】
本実施形態では、磁電変換素子２６が磁気抵抗効果素子２６ａを有する例を示した。しかしながら、磁気抵抗効果素子２６ａ以外の磁電変換素子を用いることもできる。例えばホール素子を用いても良い。
【符号の説明】
【００６２】
１０・・・磁気センサ、１２・・・バイアス磁石、１２ａ・・・中空部、１４・・・モールドＩＣ、２０・・・センサチップ、２２・・・端子、２４・・・封止樹脂体、２６・・・磁電変換素子、２８・・・処理回路、３０・・・アイランド、３２・・・グランド端子、３４・・・出力端子、３６・・・電源端子、３８・・・トリミング用端子、３８ａ，３８ｂ，３８ｆ，３８ｇ・・・抵抗接続部、３８ｃ，３８ｈ・・・グランド接続部、３８ｄ，３８ｅ，３８ｉ，３８ｊ・・・連結部、４０・・・アンプ、４２・・・コンパレータ、４４・・・出力バッファ、４６・・・閾値電圧生成回路、４８・・・検査用チップ、５０・・・検査用モールドＩＣ、Ｒ１〜Ｒ６・・・抵抗
【図１】
2015137948.tif 000003
【図２】
2015137948.tif 000004
【図３】
2015137948.tif 000005
【図４】
2015137948.tif 000006
【図５】
2015137948.tif 000007