(57)【要約】【課題】有機ＥＬ表示装置の設計上の制約を減らし、製造コストを抑えること。【解決手段】表示装置は、基板と、１種類以上の有機発光膜を含む発光層と、前記発光層の上面に接する透明電極と、当該被形成部の上端に設けられるガラス板と、を含み、前記透明電極は、平面的にみて前記ガラス板の外形に応じた外形を有する。【選択図】図３Ｅ
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と、
１種類以上の有機発光膜を含む発光層と、
前記発光層の上面に接する透明電極と、
前記透明電極の上側を覆うガラス板と、
を含み、
前記透明電極は、平面的にみて前記ガラス板の外形に応じた外形を有する、
ことを特徴とする表示装置。
【請求項２】
前記透明電極の側面は前記ガラス板の側面の下にある、
ことを特徴とする請求項１に記載の表示装置。
【請求項３】
前記ガラス板と前記透明電極の間に設けられる封止膜をさらに含む、
ことを特徴とする請求項１または２に記載の表示装置。
【請求項４】
前記透明電極の側面に接する導電部をさらに含む、
ことを特徴とする請求項１から３のいずれかに記載の表示装置。
【請求項５】
基板の上方に発光層を積層するステップと、
前記発光層の上面に接する透明電極を積層するステップと、
前記透明電極の上方にガラス板を設けるステップと、
前記ガラス板をマスクとして前記透明電極をエッチングするステップと、
を含むことを特徴とする表示装置の製造方法。
【請求項６】
前記透明電極を積層するステップの後に前記透明電極の上に封止膜を積層するステップをさらに含み、
前記ガラス板を設けるステップでは、前記封止膜の上に前記ガラス板を固定し、
前記エッチングするステップでは、前記ガラス板をマスクとして前記封止膜と前記透明電極とをエッチングする、
ことを特徴とする請求項５に記載の表示装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は表示装置および表示装置の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
有機ＥＬ（Electro-Luminescence）表示装置では、有機発光層の上に透明電極が成膜され、さらに透明電極の上に封止膜が設けられる。一般的に、その透明電極の成膜工程ではマスクを用いて、端子が形成される領域などには透明電極は成膜されないようにしている。
【０００３】
特許文献１には、有機材料の第１の封止膜の上に酸化シリコンを含む第２の封止膜が設けられる有機ＥＬ表示装置を製造する際に、開口が設けられた第２の封止膜をマスクとして第１の封止膜をドライエッチングし、端子を露出させることが記載されている。
【０００４】
特許文献２には、発光性有機機能層、金属の陰極層、エポキシ樹脂等の保護部材が順に積層される有機ＥＬ装置において、保護部材と陰極層とをマスクとして発光性有機機能層をドライエッチングすることが記載されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２００７−７３３５５号公報
【特許文献２】特開２００７−２４２４３６号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
マスクを用いて透明電極を成膜すると透明電極の位置を正確に制御することが難しく設計上の制約になっていた。また有機ＥＬ表示装置を製造するコストが上昇するという問題があった。
【０００７】
本発明は上記課題を鑑みてなされたものであって、その目的は、有機ＥＬ表示装置の設計上の制約を減らし、製造コストを抑える技術を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本出願において開示される発明のうち、代表的なものの概要を簡単に説明すれば、以下の通りである。
【０００９】
（１）基板と、１種類以上の有機発光膜を含む発光層と、前記発光層の上面に接する透明電極と、当該透明電極の上側を覆うガラス板と、を含み、前記透明電極は、平面的にみて前記ガラス板の外形に応じた外形を有することを特徴とする表示装置。
【００１０】
（２）（１）において、前記透明電極の側面は前記ガラス板の側面の下方にあることを特徴とする表示装置。
【００１１】
（３）（１）または（２）において、前記ガラス板と前記透明電極の間に設けられる封止膜をさらに含むことを特徴とする表示装置。
【００１２】
（４）（１）から（３）のいずれかにおいて、前記透明電極の側面に接する導電部をさらに含むことを特徴とする表示装置。
【００１３】
（５）基板の上方に発光層を積層するステップと、前記発光層の上面に接する透明電極を積層するステップと、前記透明電極の上方にガラス板を設けるステップと、前記ガラス板をマスクとして前記透明電極をエッチングするステップと、を含むことを特徴とする表示装置の製造方法。
【００１４】
（６）（５）において、前記透明電極を積層するステップの後に前記透明電極の上に封止膜を積層するステップをさらに含み、前記ガラス板を設けるステップでは、前記封止膜の上に前記ガラス板を固定し、前記エッチングするステップでは、前記ガラス板をマスクとして前記封止膜と前記透明電極とをエッチングする、ことを特徴とする表示装置の製造方法。
【発明の効果】
【００１５】
本発明によれば、表示装置の設計上の制約を減らし、製造コストを抑えることができる。
【図面の簡単な説明】
【００１６】
【図１】本発明の実施形態にかかる有機ＥＬ表示パネルの一例を示す平面図である。
【図２】図１に示す有機ＥＬ表示パネルのII−II切断線における断面図の一例を示す図である。
【図３Ａ】図２に示す有機ＥＬ表示パネルの製造工程を説明する図である。
【図３Ｂ】図２に示す有機ＥＬ表示パネルの製造工程を説明する図である。
【図３Ｃ】図２に示す有機ＥＬ表示パネルの製造工程を説明する図である。
【図３Ｄ】図２に示す有機ＥＬ表示パネルの製造工程を説明する図である。
【図３Ｅ】図２に示す有機ＥＬ表示パネルの製造工程を説明する図である。
【図４】図１に示す有機ＥＬ表示パネルのII−II切断線における断面図の他の一例を示す図である。
【図５】有機ＥＬ表示パネルの他の一例を示す斜視図である。
【発明を実施するための形態】
【００１７】
以下では、本発明の実施形態について図面に基づいて説明する。出現する構成要素のうち同一機能を有するものには同じ符号を付し、その説明を省略する。
【００１８】
図１は、本発明の実施形態にかかる有機ＥＬ表示パネルの一例を示す平面図である。この有機ＥＬ表示パネルは、アレイ基板ＡＳと、カバーガラスＣＧとを含む。カバーガラスＣＧはアレイ基板ＡＳと対向する透明ガラス基板である。アレイ基板ＡＳの上には、複数の画素回路が形成される表示領域ＤＡと、端子ＴＳ，ＴＰと、集積回路パッケージＰＫとが配置される。カバーガラスＣＧはアレイ基板ＡＳに対向し、またアレイ基板ＡＳの上面のうち表示領域ＤＡおよびその周りを覆っている。またカバーガラスＣＧは、集積回路パッケージＰＫや端子ＴＳ，ＴＰを覆っていない。端子ＴＰには外部から接地電位が供給され、端子ＴＳには外部から複数の画素回路のそれぞれの表示階調を示す表示データや走査タイミングを示す信号等が入力される。この端子ＴＳは実際には複数の端子で成り立っている。アレイ基板ＡＳ上のカバーガラスＣＧに覆われていない領域のうち、平面的にみて端子ＴＰとカバーガラスＣＧとの間には導電ペーストＣＰが塗られている。なお、カバーガラスＣＧのアレイ基板ＡＳ側には有機ＥＬ素子が出力する光を、赤、青、緑などの色に変換するための、複数の区画を有するカラーフィルタが形成されていてもよい。
【００１９】
図２は、図１に示す有機ＥＬ表示パネルのII−II切断線における断面図の一例を示す図である。アレイ基板ＡＳの上には、順に、第１の配線ＷＥ１および端子ＴＰ，ＴＳが形成される層と、第１の絶縁層ＩＬ１と、第２の配線ＷＥ２が形成される層と、第２の絶縁層ＩＬ２と、容量電極ＣＥが形成される層と、第３の絶縁層ＩＬ３と、アノード電極ＡＴが形成される層と、バンクＢＮが形成される層と、有機発光層ＯＬと、カソード電極ＣＴがの層と、封止膜ＳＦと、が積層されている。さらに封止膜ＳＦの上面のうち平面的に見てカラーフィルタガラスＣＧの縁に重なる部分にはダムＤＭが設けられ、ダムＤＭの内側には充填剤ＦＬが充填されている。そのダムＤＭや充填剤ＦＬの上にカバーガラスＣＧが固定されている。端子ＴＰと第１の配線ＷＥ１とは離間しており、その間は第１の絶縁層ＩＬ１により絶縁されている。
【００２０】
アノード電極ＡＴ、有機発光層ＯＬ、およびカソード電極ＣＴは有機ＥＬ素子を形成しており、アノード電極ＡＴは画素回路ごとに形成される。有機ＥＬ素子は、アノード電極ＡＴから供給される電流に応じた強さの白色光を出力する。アノード電極ＡＴは第２の配線ＷＥ２とコンタクトホールの底で接しており、第２の配線ＷＥ２は図示しない薄膜トランジスタに接続されている。また平面的にみて有機ＥＬ素子を画素回路ごとに区画するようにバンクＢＮが設けられており、バンクＢＮが存在するエリアでは、アノード電極ＡＴと有機発光層ＯＬとが接することがない。カソード電極ＣＴは複数の画素回路における有機発光層ＯＬを覆う１枚の導電性の膜であり、カソード電極ＣＴの上面を封止膜ＳＦが覆っている。特に限定されないが、有機発光層ＯＬはアノード電極ＡＴ側からカソード電極ＣＴ側にかけてホール注入層、ホール輸送層、発光層、電子輸送層、電子注入層が積層される構造であってよい。発光層は青、赤、緑の発光のために異なる材料が表示領域ＤＡの場所ごとに配置される構造でもよく、表示領域ＤＡの場所によらず同じ材料で配置される構造でもよい。
【００２１】
第２の配線ＷＥ２の層から封止膜ＳＦの層までは、カバーガラスＣＧの下に存在し、それらの層はカバーガラスＣＧの下を除く領域には存在しない。封止膜ＳＦの側面、カソード電極ＣＴの側面および第３の絶縁層ＩＬ３の側面はカバーガラスＣＧの端面の下に存在する。また端子ＴＰとカソード電極ＣＴとを電気的に接続するために、導電ペーストＣＰはカバーガラスＣＧより端子ＴＰ側の領域の一部に塗られている。
【００２２】
封止膜ＳＦおよびカソード電極ＣＴの形状は、カバーガラスＣＧとほぼ同じであり、カバーガラスＣＧの形状に応じたものである。カバーガラスＣＧと封止膜ＳＦおよびカソード電極ＣＴとの形状の差は、製造工程に起因して生じるもののみである。
【００２３】
図３Ａから図３Ｅは、図２に示す有機ＥＬ表示パネルの製造工程を説明する図である。有機ＥＬ表示パネルを製造する際には、はじめに、ガラス基板であるアレイ基板ＡＳの上に金属の膜を成膜し、その膜をパターニングすることで端子ＴＰ，ＴＳ、第１の配線ＷＥ１等を形成する。次に有機絶縁材料などの絶縁性の物質を成膜し、その成膜された膜をパターニングすることで、第１の絶縁層ＩＬ１を形成する。第１の絶縁層ＩＬ１の上には図示しない半導体の膜を成膜し、その膜をパターニングする。次に金属の膜などの成膜とパターニングとにより、第２の配線ＷＥ２などを形成する。そして、有機絶縁材料の膜を成膜し、その膜をパターニングすることで第２の絶縁層ＩＬ２を形成する。第２の絶縁層ＩＬ２は、その下の層の凹凸の影響を抑えるための平坦化膜としての機能も有する。
【００２４】
次に、第２の絶縁層ＩＬ２の上に、金属の膜を成膜し、その膜をパターニングすることで、容量電極ＣＥを形成する。そして、容量電極ＣＥの上層には、主にＳｉＮを含む無機絶縁材料の膜を成膜し、パターニングすることで第３の絶縁層ＩＬ３を形成する。
【００２５】
第３の絶縁層ＩＬ３の上には例えばＩＴＯ（Indium Tin Oxide）からなる導電性の膜を成膜し、その膜をパターニングすることでアノード電極ＡＴを形成する。そして、主に有機材料を含むバンクＢＮを主に有機ＥＬ素子の間にあたる領域に形成する。
【００２６】
次の工程では、有機発光層ＯＬを形成する（図３Ａ参照）。有機発光層ＯＬを形成する工程では、有機発光材料等の各種材料を蒸着する操作を、材料を変えながら複数回繰り返す。本実施形態ではマスクを用いて画素回路ごとに有機発光層ＯＬを蒸着するが、マスクを用いず全面に有機発光層ＯＬを蒸着してもよい。
【００２７】
次の工程では、カソード電極ＣＴを形成する。この工程では、たとえばＩＺＯ（Indium zinc oxide）からなる透明電極を有機発光層ＯＬが蒸着されたアレイ基板ＡＳにスパッタリング法などにより成膜する。またこの工程ではカソード電極ＣＴの成膜の際にマスクを用いず、カソード電極ＣＴはアレイ基板ＡＳの全面に蒸着される（図３Ｂ参照）。
【００２８】
次の工程では、カソード電極ＣＴの膜の上に封止膜ＳＦを積層する（図３Ｃ参照）。封止膜ＳＦは、例えばＳｉＮを含む１層以上の層、アクリルの層、ＳｉＮの層の３層からなり、この工程ではその３層を順に積層することで封止膜ＳＦを積層する。また封止膜ＳＦのパターニングは現時点では行わない。なお、アクリルは段差のある領域にとどまりやすいため、図３Ｃの左端などの平坦な領域にはあまり存在しない。
【００２９】
次の工程では、封止膜ＳＦの上のうちカバーガラスＣＧの縁の四角の辺に相当する位置にダムＤＭを設け、ダムＤＭの内側に充填剤ＦＬを充填する。そして、カバーガラスＣＧをダムＤＭや充填剤ＦＬの上に固定する（図３Ｄ参照）。
【００３０】
次の工程では、カバーガラスＣＧをマスクとして用い、封止膜ＳＦやカソード電極ＣＴ等をドライエッチング等のエッチング法により除去する（図３Ｅ参照）。これにより、封止膜ＳＦ、カソード電極ＣＴ、第３の絶縁層ＩＬ３のうちカバーガラスＣＧの下にない部分が除去され、端子ＴＰ，ＴＳの上面が露出し、その上にフレキシブルプリント基板などを接続することが可能になる。また、カバーガラスＣＧをマスクとしたエッチングにより、カバーガラスＣＧの下にある封止膜ＳＦ、カソード電極ＣＴ等は除去されずに残る。この後、導電性の導電ペーストＣＰが塗られる。尚、第１の絶縁層ＩＬ１はカバーガラスＣＧをマスクとしたエッチングにおいて、カバーガラスＣＧからの露出部も残るようにする。この第１の絶縁層ＩＬ１は端子ＴＰの端を覆うようになっている。このようにすることで端子ＴＰがカバーガラスＣＧの端に非常に近いような場合でもエッチングのばらつき等でカソード電極ＣＴと端子ＴＰが不所望な電気的接続をすることを防ぐことができる。図３等に表れている断面は導電ペーストＣＰで接続される箇所なので、電気接続されてもよいが、映像信号用の端子ＴＰとカソード電極ＣＴとが接続されるのは問題がある。このような事態はこの第１の絶縁層ＩＬ１の構造で避けることができる。
【００３１】
このように、カバーガラスＣＧをマスクとして有機発光層ＯＬより上層にある封止膜ＳＦやカソード電極ＣＴのうちカバーガラスＣＧの外側にあるものを除去することで、カソード電極ＣＴの成膜にマスクを用いることが不要になる。マスクを利用するとそのマスクの作成、交換などに伴うコストを削減することができ、またマスクに付着した物質が製造途中のアレイ基板ＡＳに異物として混入することもなくなり不良品の発生を抑えることも可能になる。またマスクをもちいる場合は、マスクの位置あわせ精度にあわせて短絡や接続不良等が発生しないように回路配置に余裕を持たせる必要があるが、位置あわせ精度を考慮しなくてもよくなり、設計上の自由度の増大や額縁領域の削減が可能になる。またカバーガラスＣＧはエッチングに用いるガスや薬品等を通さないので、カバーガラスＣＧをマスクとして用いると、画素回路に含まれる有機発光層ＯＬに対するダメージも抑えられる。
【００３２】
また、カソード電極ＣＴの側面が封止膜ＳＦ等で覆われないため、この側面と端子ＴＰとを導電ペーストＣＰにより電気的に接続することができる。すると、カバーガラスＣＧの下で電気的に接続するコンタクトホールを形成する必要がなくなり、回路配置の設計上の自由度が増大する。
【００３３】
なお、画素回路の断面の構造は図２に示すものと異なっていてもよい。例えば、容量電極ＣＥや第３の絶縁層ＩＬ３が設けされていなくてもよい。図４は、図１に示す有機ＥＬ表示パネルのII−II切断線における断面図の他の一例を示す図である。図４の例では、画素回路におけるキャパシタの配置が異なるため、容量電極ＣＥや第３の絶縁層ＩＬ３が設けられていない。このような違いがあってもカソード電極ＣＴおよび封止膜ＳＦとカバーガラスＣＧとの位置関係は図２の例と同じであり、図２の例と同様の効果を得ることができる。
【００３４】
なお、端子ＴＰとカソード電極ＣＴとを接続する導電ペーストＣＰは、平面的にみてカソード電極ＣＴの端子側の辺の部分だけでなく、その辺に接続し直交する辺の部分に設けられてもよい。図５は、有機ＥＬ表示パネルの他の一例を示す斜視図である。平面的にみて矩形のカソード電極ＣＴについて、図５の手前側の側面だけでなく、右側の側面にも接触するように導電ペーストＣＰが配置されている。また、モールドＭＤは、導電ペーストＣＰが配置されたアレイ基板ＡＳ等を囲んでいる。このように、カソード電極ＣＴについて端子側の側面以外の側面にも導電ペーストＣＰを接触させることで、カソード電極ＣＴと端子ＴＰとを確実に接続し、またその間の抵抗を低くすることも可能になる。
【符号の説明】
【００３５】
ＡＳ  アレイ基板、ＣＧ  カバーガラス、ＣＰ  導電ペースト、ＤＡ  表示領域、ＭＤ  モールド、ＴＰ，ＴＳ  端子、ＰＫ  集積回路パッケージ、ＡＴ  アノード電極、ＢＮ  バンク、ＣＥ  容量電極、ＣＴ  カソード電極、ＤＭ  ダム、ＦＬ  充填剤、ＩＬ１  第１の絶縁層、ＩＬ２  第２の絶縁層、ＩＬ３  第３の絶縁層、ＯＬ  有機発光層、ＳＦ  封止膜、ＷＥ１  第１の配線、ＷＥ２  第２の配線。
【図１】
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【図２】
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【図３Ａ】
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【図３Ｂ】
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【図３Ｃ】
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【図３Ｄ】
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【図３Ｅ】
2015176766.tif 000009
【図４】
2015176766.tif 000010
【図５】
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