(57)【要約】【課題】液体原料が気化することで液面が降下しても、気化条件を一定に維持する。【解決手段】液体原料を気化させて処理ガスを生成する気化器であって、液体原料を収容する気化容器と、気化容器内に収容される液体原料の液面の上方に上下移動自在に配置され、液面よりも上方の気化容器内の空間を区画することで液面との間に液体原料の気化空間を形成する隔壁と、を備え、液体原料が気化することで降下した液面に追従するように隔壁が移動することで、気化空間内の体積が一定に維持されるように構成されている。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
液体原料を気化させて処理ガスを生成する気化器であって、
液体原料を収容する気化容器と、
前記気化容器内に収容される液体原料の液面の上方に上下移動自在に配置され、前記液面よりも上方の前記気化容器内の空間を区画することで前記液面との間に液体原料の気化空間を形成する隔壁と、を備え、
液体原料が気化することで降下した前記液面に追従するように前記隔壁が移動することで、前記気化空間内の体積が一定に維持されるように構成されている
気化器。
【請求項２】
前記隔壁は、前記気化容器内の液体原料よりも比重が軽い素材で形成されており、
前記隔壁は液体原料に浮くように設けられている
請求項１に記載の気化器。
【請求項３】
前記隔壁は、天板と側壁とを備え、
前記側壁は筒状に形成されており、前記天板の周囲を全周覆うように、又は前記天板の下面に設けられている
請求項１又は２に記載の気化器。
【請求項４】
前記気化空間内にガスを導入する導入口と、前記気化空間内で生成された処理ガスを排出する排出口と、を備え、
前記隔壁には、前記導入口と前記排出口との間のガス流路を蛇行させる仕切部材が設けられている
請求項１ないし３のいずれかに記載の気化器。
【請求項５】
液体原料を気化させることで生成した処理ガスを用いて基板を処理する基板処理装置であって、
液体原料を収容する気化容器と、
前記気化容器内に収容される液体原料の液面の上方に上下移動自在に配置され、前記液面よりも上方の前記気化容器内の空間を区画することで前記液面との間に液体原料の気化空間を形成する隔壁と、を備え、
液体原料が気化することで降下した前記液面に追従するように前記隔壁が移動することで、前記気化空間内の体積が一定に維持されるように構成されている
基板処理装置。
【請求項６】
液体原料を気化させることで生成した処理ガスを用いて基板を処理する基板処理方法であって、
気化容器内に収容される液体原料が気化することで降下した液面に追従するように、前記気化容器内に収容される液体原料の液面の上方に上下移動自在に配置され、前記液面よりも上方の前記気化容器内の空間を区画することで前記液面との間に液体原料の気化空間を形成する隔壁を移動させることで、前記気化空間内の体積を一定に維持する
基板処理方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、気化器、基板処理装置及び基板処理方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来より、気化器を備える基板処理装置を用い、気化器が備える気化容器内に収容された液体原料を気化させて処理ガスを生成し、この処理ガスを基板に対して供給することで、基板を処理する基板処理工程が行われることがある（例えば特許文献１参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２０１３−５８７４１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
上述の基板処理工程では、液体原料が気化することで気化容器内の液面が降下すると、処理ガスの濃度や生成量等が変動してしまうことがある。これにより、基板処理の均一性が低下することがある。
【０００５】
そこで、本発明は、上記課題を解決し、液体原料が気化することで液面が降下しても、基板処理の均一性を維持できる技術を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
上記課題を解決するために、本発明は次のように構成されている。
本発明の一態様によれば、液体原料を気化させて処理ガスを生成する気化器であって、液体原料を収容する気化容器と、前記気化容器内に収容される液体原料の液面の上方に上下移動自在に配置され、前記液面よりも上方の前記気化容器内の空間を区画することで前記液面との間に液体原料の気化空間を形成する隔壁と、を備え、液体原料が気化することで降下した前記液面に追従するように前記隔壁が移動することで、前記気化空間内の体積が一定に維持されるように構成されている気化器が提供される。
【０００７】
本発明の他の態様によれば、液体原料を気化させることで生成した処理ガスを用いて基板を処理する基板処理装置であって、液体原料を収容する気化容器と、前記気化容器内に収容される液体原料の液面の上方に上下移動自在に配置され、前記液面よりも上方の前記気化容器内の空間を区画することで前記液面との間に液体原料の気化空間を形成する隔壁と、を備え、液体原料が気化することで降下した前記液面に追従するように前記隔壁が移動することで、前記気化空間内の体積が一定に維持されるように構成されている基板処理装置が提供される。
【０００８】
本発明のさらに他の態様によれば、液体原料を気化させることで生成した処理ガスを用いて基板を処理する基板処理方法であって、気化容器内に収容される液体原料が気化することで降下した液面に追従するように、前記気化容器内に収容される液体原料の液面の上方に上下移動自在に配置され、前記液面よりも上方の前記気化容器内の空間を区画することで前記液面との間に液体原料の気化空間を形成する隔壁を移動させることで、前記気化空間内の体積を一定に維持する基板処理方法が提供される。
【発明の効果】
【０００９】
本発明によれば、液体原料が気化することで液面が降下しても、基板処理の均一性を維持できる。
【図面の簡単な説明】
【００１０】
【図１】本発明の一実施形態にかかる気化器を備える基板処理装置の縦断面概略図である。
【図２】本発明の一実施形態にかかる気化器の縦断面概略図である。
【図３】本発明の一実施形態にかかる気化器が備える隔壁の概略斜視図である。
【図４】本発明の他の実施形態にかかる気化器の縦断面概略図である。
【発明を実施するための形態】
【００１１】
＜本発明の一実施形態＞
（１）基板処理装置及び気化器の構成
以下に、本発明の一実施形態にかかる気化器及びこの気化器を備える基板処理装置について、図１〜図３を参照しながら説明する。図１は、本実施形態にかかる基板処理装置２０の縦断面概略図である。なお、本実施形態では、基板処理装置２０として、ハイドライド気相成長装置（Ｈｙｄｒｉｄｅ  Ｖａｐｏｒ  Ｐｈａｓｅ  Ｅｐｉｔａｘｙ（ＨＶＰＥ）装置）を例に説明する。図２は、本実施形態にかかる気化器の縦断面概略図である。図３は、本実施形態にかかる気化器が備える隔壁の概略斜視図である。
【００１２】
図１に示すように、基板処理装置２０としてのＨＶＰＥ装置は、例えば石英（ＳｉＯ２）等の耐熱性材料により形成される反応容器２１を備えている。反応容器２１内の筒中空部には、処理室２２が形成されている。
【００１３】
基板処理装置２０は、液体原料を気化させて処理ガスを生成する気化器１０を備えている。気化器１０は、処理室２２内に設けられている。例えば、気化器１０は、主に後述の第１のヒータ２８によって加熱される処理室２２内の領域に設けられている。
【００１４】
図２に示すように、気化器１０は、液体原料１２を収容する気化容器１３を備えている。気化容器１３は、平面形状が例えば矩形状に形成されている。気化容器１３は、耐熱性、耐食性を有する非金属材料で形成されている。例えば、気化容器１３は高純度の石英で形成されている。液体原料１２として、例えばガリウム（Ｇａ）融液、インジウム（Ｉｎ）融液、アルミニウム（Ａｌ）融液が用いられる。
【００１５】
気化器１０は、隔壁１４を備えている。隔壁１４は、気化容器１３内に収容される液体原料１２の液面よりも上方の気化容器１３内の空間を、液面との間で液体原料１２を気化させる空間（以下では、気化空間１５ともいう。）と、気化空間１５以外の空間とに区画する（仕切る）ように形成されている。
【００１６】
隔壁１４は、気化容器１３内に収容される液体原料１２の液面よりも上方に上下移動自在に配置されている。つまり、隔壁１４は、液体原料１２が気化することで降下した液体原料１２の液面に追従して移動（下降）するように配置されている。
【００１７】
隔壁１４は、液体原料１２の液面と隔壁１４の下面（気化空間１５側の面、液体原料１２の液面と対向する面）との間の距離、つまり気化空間１５の高さｈが所定高さとなるように配置されているとよい。例えば、気化空間１５の高さｈが２０ｍｍ以上４０ｍｍ以下となるように配置されているとよい。
【００１８】
隔壁１４は、液体原料１２よりも比重が軽い素材で形成されているとよい。例えば、液体原料１２としてＧａ融液が用いられる場合、隔壁１４は、石英、カーボン等で形成されているとよい。これにより、隔壁１４を液体原料１２に浮かせることができる。
【００１９】
また、隔壁１４は耐熱性を有する素材で形成されているとより良い。これにより、例えば隔壁１４が高温に加熱された場合、隔壁１４が破損することを抑制できる。
【００２０】
隔壁１４は、外側側面が気化容器１３の内壁と接する大きさに形成されているとよい。これにより、隔壁１４は気化容器１３の蓋体としても機能する。隔壁１４は、例えば図３に示すように、天板１４ａと筒状の側壁１４ｂとを備え、天板１４ａの周囲を全周覆うように側壁１４ｂが設けられて形成されている。隔壁１４は、気化容器１３内の液体原料１２の液面と天板１４ａと側壁１４ｂとで囲われる空間が気化空間１５となるように形成されている。天板１４ａは平面形状が矩形状に形成されている。つまり、天板１４ａは、平面形状が気化容器１３の平面形状（気化容器１３の内壁に囲われた領域の平面形状）と同じ形状となるように形成されている。側壁１４ｂは、平面形状が矩形状であり、内部に中空空間（筒状空間）が形成された角柱形状に形成されている。
【００２１】
気化器１０には、気化空間１５内に後述の反応ガスを導入する導入口（インレットノズル）１６と、気化空間１５内で生成された処理ガスを排出する排出口（アウトレットノズル）１７と、が設けられている。例えば、導入口１６及び排出口１７はそれぞれ、隔壁１４の天板１４ａに設けられている。
【００２２】
隔壁１４には、導入口１６と排出口１７との間でガス流路を蛇行させる仕切部材（整流板）１８が設けられている。仕切部材１８は、隔壁１４と同様に、液体原料１２よりも比重が軽い素材で形成されているとよい。仕切部材１８は、例えば隔壁１４（天板１４ａ）の下面に設けられている。例えば、隔壁１４には、複数の仕切部材１８が交互にかつ千鳥状に設けられている。
【００２３】
図１に示すように、反応容器２１には、反応ガスを気化空間１５内に供給する反応ガス供給管２３が気密に設けられている。反応ガス供給管２３は、水平部と垂直部とを有するＬ字型に形成されている。例えば、水平部が反応容器２１の側部を貫通するように設けられている。また、垂直部が気化器１０の導入口１６を貫通し、隔壁１４の上下移動方向と平行となるように設けられている。これにより、隔壁１４は、反応ガス供給管２３に対して上下移動自在となる。反応ガス供給管２３は、耐熱性、耐食性等を有する非金属材料（例えば高純度の石英）により形成されているとよい。反応ガス供給管２３の反応容器２１の外側には、上流側から順に、反応ガス供給源２３ａ、気化容器１３内への反応ガスの供給・停止を行う弁であるバルブ２３ｂが設けられている。反応ガス供給管２３から、反応ガスが気化空間１５内に供給される。
【００２４】
気化器１０の排出口１７には、気化空間１５内で生成された処理ガス（以下では第１の処理ガスともいう。）を基板１００に供給する第１の処理ガス供給管２４が設けられている。第１の処理ガス供給管２４は、垂直部と水平部とを有するＬ字型に形成されている。例えば、垂直部が排出口１７に貫通し、隔壁１４の上下移動方向と平行となるように設けられている。これにより、隔壁１４は、第１の処理ガス供給管２４に対して上下移動自在となる。また、水平部が基板１００に第１の処理ガスを供給するように設けられている。。第１の処理ガス供給管２４は、耐熱性、耐食性等を有する材料（例えば高純度の石英）により形成されている。第１の処理ガス供給管２４から、第１の処理ガスが処理室２２内の基板１００に供給される。
【００２５】
反応容器２１には、第２の処理ガス供給管２５が反応容器２１の側部を貫通するように設けられている。第２の処理ガス供給管２５は、耐熱性、耐食性等を有する非金属材料（例えば高純度の石英）により形成されている。第２の処理ガス供給管２５の反応容器２１の外側には、上流側から順に、第２の処理ガス供給源２５ａ、処理室２２内の基板１００に対して第２の処理ガスの供給・停止を行う弁であるバルブ２５ｂが設けられている。第２の処理ガス供給管２５からは、第２の処理ガス等が基板１００に供給される。
【００２６】
基板処理装置２０によって基板１００上に例えば窒化ガリウム（ＧａＮ）膜を成膜する処理が行われる場合、反応ガスとして塩化水素（ＨＣｌ）ガス、第１の処理ガスとして塩化ガリウム（ＧａＣｌ）ガス、第２の処理ガスとしてアンモニア（ＮＨ３）ガスが用いられる。
【００２７】
処理室２２内には、処理室２２内で基板１００を支持する基板支持部としてのサセプタ２６が設けられている。サセプタ２６は、基板処理が行われる面が第１の処理ガス供給管２４及び第２の処理ガス供給管２５のガス供給口に対向するように、基板１００を支持する。サセプタ２６は、例えばカーボンによって構成されており、表面が炭化シリコン（ＳｉＣ）で覆われている。サセプタ２６には、例えば高純度の石英で形成される回転軸２７が設けられている。回転軸２７が回転されることによって、サセプタ２６と共に基板１００が所定の速度（例えば３ｒ／ｍｉｎ〜１００ｒ／ｍｉｎ）で回転するように構成されている。
【００２８】
反応容器２１の外周には、第１のヒータ２８及び第２のヒータ２９が設けられている。主に第１のヒータ２８によって、気化器１０内（気化容器１３内及び気化空間１５内）が所定温度（例えば６００℃〜９００℃）に加熱される。主に第２のヒータ２９によって、処理室２２内の基板１００が所定温度（例えば５００℃〜１２００℃）に加熱される。
【００２９】
処理室２２内には、処理室２２内の雰囲気を排気する排気管３０が設けられている。排気管３０には、排気装置としての真空ポンプ３１が設けられている。
【００３０】
（２）基板処理工程
次に、上述の基板処理装置２０を用いて、基板１００上にＧａＮ膜を成長させて成膜する基板処理を行う工程について説明する。
【００３１】
まず、気化容器１３内に例えばＧａの固体を入れる（補充する）。そして、基板１００として例えばサファイア基板を処理室２２内に搬入し、サセプタ２６上に載置した後、サセプタ２６の回転を開始する。サセプタ２６の回転は、少なくとも後述のＧａＮ膜の成膜が終了するまで継続する。
【００３２】
処理室２２内が所定の圧力（真空度）となるように、真空ポンプ３１によって処理室２２内を真空排気する。また、気化器１０内（気化容器１３内及び気化空間１５内）が所定温度（例えば６００℃〜９００℃）となるように、第１のヒータ２８によって加熱する。これにより、気化容器１３内のＧａの固体が溶融して液体原料１２であるＧａ融液が生成され、そして気化空間１５内でＧａ融液が気化する。第１のヒータ２８による加熱と併行して、処理室２２内の基板１００が所定温度（例えば５００℃〜１２００℃）となるように、第２のヒータ２９によって加熱する。
【００３３】
処理室２２内が所定の圧力となり、気化空間１５内でＧａ融液が気化するとともに、基板１００が所定温度に達したら、反応ガス供給管２３から、反応ガスとしてのＨＣｌガスの気化空間１５内への供給を開始する。つまり、バルブ２３ｂを開けて、ガス供給源２３ａから気化空間１５内へ反応ガスを供給する。これにより、気化空間１５内で第１の処理ガスであるＧａＣｌガスが生成される。このとき、気化容器１３内に収容される液体原料１２が気化することで気化容器１３内の液面が降下する。そして、降下した気化容器１３内の液面に追従して隔壁１４が移動する（降下する）。具体的には、気化容器１３内の液体原料１２に浮いている隔壁１４が、気化容器１３内の液面の降下に追従して自動的に移動する。そして、第１の処理ガス供給管２４から、ＧａＣｌガスを処理室２２内の基板１００に供給する。反応ガス供給管２３からのＨＣｌガスの気化空間１５内への供給と併行して、第２の処理ガス供給管２５から、第２の処理ガスとしてＮＨ３ガスを処理室２２内の基板１００に供給する。つまり、バルブ２５ｂを開けて、第２の処理ガス供給源２５ａから処理室２２内の基板１００へ第２の処理ガスを供給する。そして、基板１００上に所定の厚さのＧａＮ膜を成膜する。
【００３４】
ＧａＮ膜の厚さが所定の厚さに達したら、気化空間１５内へのＨＣｌガスの供給及び基板１００へのＮＨ３ガスの供給を停止する。また、第１のヒータ２８及び第２のヒータ２９による加熱を停止し、気化器１０内、処理室２２内、基板１００を降温させる。また、真空ポンプ３１により処理室２２内を大気圧に復帰させる。そして、サセプタ２６から基板１００を取り外し、基板１００を処理室２２外へ搬出する。
【００３５】
（３）本実施形態にかかる効果
本実施形態によれば、以下に示す１つまたは複数の効果を奏する。
【００３６】
（ａ）本実施形態によれば、液体原料１２が気化することで降下した液面に追従して隔壁１４が移動するように構成している。これにより、気化空間１５内の体積を一定に維持できるため、気化空間１５内の気化条件を一定に維持できる。例えば、気化空間１５内の全圧、気化空間１５内の液体原料１２が気化することで生成されたガスの分圧等の気化条件を一定に維持できる。これにより、液体原料１２が気化することで液面が降下しても、気化空間１５内では、液体原料１２が気化することで生成されたガスの生成量、濃度等を一定に維持できる。その結果、気化器１０の気化空間１５内で生成される処理ガス（第１の処理ガス）の生成量、濃度等を一定に維持でき、基板処理の均一性を向上させることができる。例えば、基板処理として成膜処理が行われる場合、成膜速度を一定にすることができるとともに、基板上に成膜された膜の厚さ方向の膜質を一定にできる、つまり高品質な膜を成膜できる。
【００３７】
（ｂ）本実施形態によれば、隔壁１４を、液体原料１２よりも比重が軽い素材で形成することで、液体原料１２が気化することで降下した気化容器１３内の液面に追従して、隔壁１４を自動的に移動させることができる。例えば、隔壁１４にアクチュエータを設けて制御部により制御することなく、気化容器１３内の液面に追従して隔壁１４を移動させることができる。
【００３８】
（ｃ）本実施形態によれば、気化空間１５が気化容器１３内の液体原料１２の液面と天板１４ａと側壁１４ｂとで囲われる空間となるように、隔壁１４を形成している。これにより、隔壁１４と気化容器１３との間に隙間が形成されていても、気化空間１５内の体積を一定に維持でき、気化空間１５内の気化条件を一定に維持できる。従って、上記（ａ）の効果をより得ることができる。
【００３９】
（ｄ）本実施形態によれば、隔壁１４には、気化器１０に設けられた導入口１６と排出口１７との間で反応ガスの流路を蛇行させる仕切部材１８が設けられている。これにより、導入口１６から排出口１７に向かって気化空間１５内を流れる反応ガスの流路を長くできる。つまり、気化空間１５内での反応ガスの滞留時間を長くできる。これにより、気化空間１５内で、液体原料１２が気化することで生成されたガスと反応ガスとの接触時間を長くできる。その結果、気化空間１５内で生成される処理ガス（第１の処理ガス）の生成量を増加させる（濃度を高くする）ことができる。
【００４０】
（ｅ）本実施形態によれば、複数の仕切部材１８が交互にかつ千鳥状に隔壁１４に設けられている。これにより、気化空間１５内を流れる反応ガスの流路をより長くできる。従って、上記（ｄ）の効果をより得ることができる。
【００４１】
（ｆ）本実施形態によれば、反応ガス供給管２３及び第１の処理ガス供給管２４の垂直部がそれぞれ、隔壁１４の上下移動方向と平行となるように設けられている。これにより、隔壁１４を、反応ガス供給管２３及び第１の処理ガス供給管２４に対して上下移動自在にできる。
【００４２】
＜他の実施形態＞
以上、本発明の一実施形態を具体的に説明したが、本発明は上述の実施形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能である。
【００４３】
上述の実施形態では、隔壁１４を液体原料１２よりも比重が軽い素材で形成し、隔壁１４を液体原料１２に浮かせることで、上下移動自在に形成した場合について説明したが、これに限定されない。例えば、隔壁１４にアクチュエータを設け、液体原料１２が気化することで降下した液体原料１２の液面に追従するように、制御部によりアクチュエータを制御して隔壁１４を降下させてもよい。
【００４４】
上述の実施形態では、筒形状の側壁１４ｂが天板１４ａの周囲を全周覆うように設けられて、隔壁１４が形成される場合について説明したが、これに限定されない。例えば図４に示すように、筒状の側壁１４ｂの平面積が天板１４ａの平面積よりも小さくなるように、筒状の側壁１４ｂを形成し、このような筒状の側壁１４ｂを天板１４ａの下面に設けてもよい。これによっても、上記（ｃ）と同様の効果を得ることができる。
【００４５】
また、気化容器１３、天板１４ａ、側壁１４ｂの平面形状はそれぞれ、矩形に限られず、例えば円形、楕円形等の種々の形状であってもよい。また、気化容器１３、隔壁１４（つまり天板１４ａ）、側壁１４ｂの平面形状はそれぞれ異なる形状であってもよい。
【００４６】
上述の実施形態では、液体原料１２として、例えば固体のＧａを高温で溶融させたＧａ融液を用いる場合について説明したが、これに限定されない。液体原料１２として、常温で液体である原料を用いてもよい。
【００４７】
上述の実施形態では、仕切部材１８が隔壁１４（天板１４ａ）の下面に設けられる場合について説明したが、これに限定されない。例えば、仕切部材１８は、隔壁１４の内側側面（気化空間１５側の側面）に設けられていてもよい。また、隔壁１４と仕切部材１８とはそれぞれ別個の部材であってもよい。例えば、仕切部材１８を、気化空間１５内の気化容器１３の液体原料１２に浮かせて設けてもよい。これによっても、上記（ｄ）と同様の効果を得ることができる。また、仕切部材１８は設けなくてもよい。これによっても、上記（ａ）（ｂ）と同様の効果を得ることができる。
【００４８】
上述の実施形態では、天板１４ａに導入口１６及び排出口１７が設けられる場合について説明したが、これに限定されない。例えば、導入口１６及び排出口１７はそれぞれ、側壁１４ｂに設けられていてもよい。
【００４９】
また、導入口１６及び排出口１７はそれぞれ、気化容器１３の側壁に設けられていてもよい。この場合は、導入口１６及び排出口１７が隔壁１４によって塞がれることがないように、隔壁１４を形成して配置するとよい。
【００５０】
上述の実施形態では、気化器１０が基板処理装置２０の処理室２２内に設けられる場合について説明したが、これに限定されない。例えば、気化器１０は、基板処理装置２０の反応容器２１外に設けられていてもよい。この場合は、気化器１０の外周に、気化容器１３内を所定温度に加熱するヒータが設けられているとよい。
【００５１】
上述の実施形態では、基板処理装置２０が第１のヒータ２８及び第２のヒータ２９を備える場合について説明したが、これに限定されない。例えば、気化器１０が備える気化容器１３の外壁を囲うようにヒータを設け、基板処理装置２０は第２のヒータ２９のみを備えていてもよい。
【００５２】
上述の実施形態では、反応ガス供給管２３及び第１の処理ガス供給管２４がそれぞれ、水平部及び垂直部を有するＬ字型に形成される場合について説明したが、これに限定されない。例えば、反応ガス供給管２３及び第１の処理ガス供給管２４はそれぞれ、水平部のみを有する直管や、垂直部のみを有する直管で形成されていてもよい。
【００５３】
また、例えば、反応ガス供給管２３、第２の処理ガス供給管２５からそれぞれ、反応ガス又は第２の処理ガスと併行して、例えばキャリアガスとしての窒素（Ｎ２）ガス、水素（Ｈ２）ガス、Ｈ２ガスとＮ２ガスとの混合ガスを供給してもよい。
【００５４】
上述の実施形態では、基板処理装置２０としてＨＶＰＥ装置を用いる場合について説明したが、これに限定されない。つまり、本発明は、液体原料１２を気化させて処理ガスを生成して基板処理する基板処理装置であれば、種々の基板処理装置に適用できる。また、上述の実施形態では、基板処理として、ＧａＮ膜を成膜する処理について説明したが、これに限定されない。この他、例えば、基板処理として、酸化膜、金属膜等の種々の膜を成膜する成膜処理、エッチング処理等を行う基板処理装置や、上記の基板処理を行って、基板を製造する基板処理装置にも適用できる。
【００５５】
＜本発明の好ましい態様＞
以下に、本発明の好ましい態様について付記する。
【００５６】
［付記１］
本発明の一態様によれば、
液体原料を気化させて処理ガスを生成する気化器であって、
液体原料を収容する気化容器と、
前記気化容器内に収容される液体原料の液面の上方に上下移動自在に配置され、前記液面よりも上方の前記気化容器内の空間を区画することで前記液面との間に液体原料の気化空間を形成する隔壁と、を備え、
液体原料が気化することで降下した前記液面に追従するように前記隔壁が移動することで、前記気化空間内の体積が一定に維持されるように構成されている気化器が提供される。
【００５７】
［付記２］
付記１の気化器であって、好ましくは、
前記隔壁は、前記気化容器内の液体原料よりも比重が軽い素材で形成されており、
前記隔壁は液体原料に浮くように設けられている。
【００５８】
［付記３］
付記１又は２の気化器であって、好ましくは、
前記隔壁は、天板と側壁とを備え、
前記側壁は筒形状に形成されており、前記天板の周囲を全周覆うように、又は前記天板の下面に設けられている。
【００５９】
［付記４］
付記１ないし３のいずれかの気化器であって、好ましくは、
前記気化空間内にガスを導入する導入口と、前記気化空間内で生成された処理ガスを排出する排出口と、を備え、
前記隔壁には、前記導入口と前記排出口との間のガス流路を蛇行させる仕切部材が設けられている。
【００６０】
［付記５］
本発明の他の態様によれば、
液体原料を気化させることで生成した処理ガスを用いて基板を処理する基板処理装置であって、
液体原料を収容する気化容器と、
前記気化容器内に収容される液体原料の液面の上方に上下移動自在に配置され、前記液面よりも上方の前記気化容器内の空間を区画することで前記液面との間に液体原料の気化空間を形成する隔壁と、を備え、
液体原料が気化することで降下した前記液面に追従するように前記隔壁が移動することで、前記気化空間内の体積が一定に維持されるように構成されている基板処理装置が提供される。
【００６１】
［付記６］
本発明のさらに他の態様によれば、
液体原料を気化させることで生成した処理ガスを用いて基板を処理する基板処理方法であって、
気化容器内に収容される液体原料が気化することで降下した液面に追従するように、前記気化容器内に収容される液体原料の液面の上方に上下移動自在に配置され、前記液面よりも上方の前記気化容器内の空間を区画することで前記液面との間に液体原料の気化空間を形成する隔壁を移動させることで、前記気化空間内の体積を一定に維持する基板処理方法が提供される。
【符号の説明】
【００６２】
１０          気化器
１２          液体原料
１３          気化容器
１４          隔壁
１５          気化空間
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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