(57)【要約】【課題】光の利用効率を向上させ、表示コントラストが低下する光成分を抑制するマイクロレンズアレイ基板を提供すること。【解決手段】凹部１２が設けられた上面１１ａを備えた基板１１と、上面１１ａを覆い凹部１２の内側に第１の凸部１４を有する上面１３ａと平坦な下面１３ｂとを備えた第１レンズ層１３と、上面１３ａを覆う下面１５ｂと第１の凸部１４に対応する第２の凸部１６を有する上面１５ａとを備えた第２レンズ層１５と、上面１５ａに接する下面７ｂの反対側に配置された平坦な上面７ａを有する透明膜７と、を含み、第１レンズ層１３の屈折率は、基板１１の屈折率よりも高く、第２レンズ層１５の屈折率は、第１レンズ層１３の屈折率と同じ、または第１レンズ層１３の屈折率よりも小さく、透明膜７の屈折率は、第２レンズ層１５の屈折率よりも高いことを特徴とする。【選択図】図３
2015206813.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
凹部が設けられた第１面を備えた透明基板と、
前記第１面を覆い前記凹部の内側に第１の凸部を有する第２面と、前記第２面の反対側に配置された平坦な第３面とを備えた第１レンズ層と、
前記第３面を覆う第４面と、前記第４面の反対側に配置された前記第１の凸部に対応する第２の凸部を有する第５面とを備えた第２レンズ層と、
前記第５面を覆い、前記第５面に接する面の反対側に配置された平坦な面を有する透明膜と、
を含み、
前記第１レンズ層の屈折率は、前記透明基板の屈折率よりも高く、
前記第２レンズ層の屈折率は、前記第１レンズ層の屈折率と同じ、または前記第１レンズ層の屈折率よりも低く、
前記透明膜の屈折率は、前記第２レンズ層の屈折率よりも高いことを特徴とするマイクロレンズアレイ基板。
【請求項２】
前記第２レンズ層の屈折率は、前記第１レンズ層の屈折率と同じであることを特徴とする請求項１に記載のマイクロレンズアレイ基板。
【請求項３】
前記第２レンズ層の屈折率は、前記第１レンズ層の屈折率よりも低いことを特徴とする請求項１に記載のマイクロレンズアレイ基板。
【請求項４】
透明基板の第１面を覆う第２面と、前記第２面の反対側に配置された第１の凸部を有する第３面とを備えた第１レンズ層と、
前記第３面を覆う第４面と、前記第４面の反対側に配置された前記第１の凸部に対応する第２の凸部を有する第５面とを備えた第２レンズ層と、
前記第５面を覆い、前記第５面に接する面の反対側に配置された平坦な面を備えた透明膜と、
を含み、
前記第１レンズ層の屈折率は、前記透明基板の屈折率よりも高く、
前記第２レンズ層の屈折率は、前記第１レンズ層の屈折率よりも低く、
前記透明膜の屈折率は、前記第２レンズ層の屈折率よりも高いことを特徴とするマイクロレンズアレイ基板。
【請求項５】
透明基板の第１面を覆う第２面と、前記第２面の反対側に配置された第１の凸部を有する第３面とを備えた第１レンズ層と、
前記第３面を覆い、前記第３面に接する面の反対側に配置された平坦な面を備えた第１透明膜と、
前記平坦な面を覆い、前記平坦な面に接する面の反対側に配置された前記第１の凸部に対応する凹部が設けられた面を備えた第２透明膜と、
前記凹部が設けられた面を覆い、前記凹部の内側に第２の凸部を有する第４面と、前記第４面の反対側に配置された平坦な第５面とを備えた第２レンズ層と、
を含み、
前記第１レンズ層の屈折率は、前記透明基板の屈折率よりも高く、
前記第１透明膜の屈折率は、前記第１レンズ層の屈折率よりも低く、
前記第２透明膜の屈折率は、前記第１透明膜の屈折率と同じまたは前記第１透明膜の屈折率よりも高く、
前記第２レンズ層の屈折率は、前記第２透明膜の屈折率よりも低いことを特徴とするマイクロレンズアレイ基板。
【請求項６】
前記第２透明膜の屈折率は、前記第１透明膜の屈折率と同じであることを特徴とする請求項５に記載のマイクロレンズアレイ基板。
【請求項７】
前記第２透明膜の屈折率は、前記第１透明膜の屈折率よりも高いことを特徴とする請求項５に記載のマイクロレンズアレイ基板。
【請求項８】
画素電極を有する素子基板と、共通電極を有する対向基板と、前記素子基板と前記対向基板との間に挟持された電気光学物質とを有する電気光学装置であって、
前記素子基板または前記対向基板は、請求項１乃至７のいずれか１項に記載のマイクロレンズアレイ基板を備えていることを特徴とする電気光学装置。
【請求項９】
前記対向基板は、請求項１乃至７のいずれか１項に記載のマイクロレンズアレイ基板を備え、
前記素子基板は、前記対向基板から前記素子基板に向かう方向の光を遮る遮光部を備えていることを特徴とする請求項８に記載の電気光学装置。
【請求項１０】
請求項８または９に記載の電気光学装置を備えていることを特徴とする電子機器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、マイクロレンズアレイ基板、当該マイクロレンズアレイ基板を用いた電気光学装置、及び当該電気光学装置を用いた電子機器に関する。
【背景技術】
【０００２】
電気光学装置として、例えば液晶プロジェクターの光変調素子（ライトバルブ）に用いられるアクティブ駆動型の液晶装置が知られている。当該液晶装置は、画素電極を有する素子基板、素子基板に対向配置され共通電極を有する対向基板、及び素子基板と対向基板とで挟持された液晶層などを有し、より明るい表示が望まれる。
【０００３】
例えば、画素のそれぞれに光の集光部としてのマイクロレンズを設け、マイクロレンズで表示に寄与しない光を集光し、表示光の一部に利用することで光の利用効率を向上させ、より明るい表示を実現する液晶装置が提案されている（特許文献１）。
特許文献１に記載の液晶装置では、凹部を有する対向基板に屈折率の異なる２種類の膜を積層し、凹部に対応する位置に２種類のマイクロレンズを形成している。２種類のマイクロレンズは、凹部に膜を堆積することで形成されるので、例えばフォトリソプロセスやエッチングプロセスなどが省略され、マイクロレンズを製造する手間やコストが抑えられている。さらに、対向基板に入射した光は、２種類のマイクロレンズによって集光され、表示の輝度が高められている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２０１３−５７７８１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
例えば、対向基板から素子基板に向かう方向と交差する方向の光、つまり斜め方向の光が液晶層に入射した場合、液晶層が黒表示の分子配列になっていても、光を完全に遮ることができず表示コントラストが低下するおそれがあった。すなわち、当該斜め方向の光は、黒表示の分子配列となった液晶層に対して理想的な角度で入射しないため偏光をそろえることができず、光漏れ（黒浮き）が生じ、表示コントラストが低下するおそれがあった。
特許文献１に記載の液晶装置では、上述した２種類のマイクロレンズで集光された光が液晶層に対して斜め方向に入射する光成分を含むため、表示コントラストが低下するおそれがあった。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明は、上述の課題の少なくとも一部を解決するためになされたものであり、以下の形態または適用例として実現することが可能である。
【０００７】
［適用例１］本適用例に係るマイクロレンズアレイ基板は、凹部が設けられた第１面を備えた透明基板と、前記第１面を覆い前記凹部の内側に第１の凸部を有する第２面と、前記第２面の反対側に配置された平坦な第３面とを備えた第１レンズ層と、前記第３面を覆う第４面と、前記第４面の反対側に配置された前記第１の凸部に対応する第２の凸部を有する第５面とを備えた第２レンズ層と、前記第５面を覆い、前記第５面に接する面の反対側に配置された平坦な面を有する透明膜と、を含み、前記第１レンズ層の屈折率は、前記透明基板の屈折率よりも高く、前記第２レンズ層の屈折率は、前記第１レンズ層の屈折率と同じ、または前記第１レンズ層の屈折率よりも低く、前記透明膜の屈折率は、前記第２レンズ層の屈折率よりも高いことを特徴とする。
【０００８】
凹部の内側に、凹部よりも高屈折率の第１の凸部を設けることで、第１の凸部は正の屈折力を有するレンズとして機能する。第２の凸部を、第２の凸部よりも高屈折率の透明膜で覆うことで、第２の凸部は負の屈折力を有するレンズとして機能する。
【０００９】
第１の凸部は正の屈折力を有しているので、第１の凸部に入射した第１面の法線方向の光（平行光）は、第１の凸部の焦点に収束（集光）される方向に屈折し、光の輝度が高められ、第１面の法線方向と交差する方向の光となって第２の凸部に入射する。第２の凸部は負の屈折力を有しているので、第２の凸部に入射した光は、第２の凸部の焦点から発散される方向に屈折する。よって、第２の凸部に入射した光は、第１の凸部で屈折される方向と逆方向に屈折する、つまり第１面の法線方向となす角度が小さくなる方向に屈折する。よって、第２の凸部は、第１面の法線方向と交差する方向の光を、第１面の法線方向の光（平行光）に近付けて射出することができる。
従って、第１の凸部によって集光し、第２の凸部によって光の進行方向を元の状態に近付けることによって、第１面の法線方向の光（平行光）の輝度を高めることができる。
【００１０】
第１面の法線方向と交差する方向（斜め方向）の光は、第１の凸部によって、第１の凸部で第１面の法線方向となす角度が大きくなる方向に屈折し、第２の凸部に入射する。第１面の法線方向から見て、第１の凸部で屈折された光（斜め方向の光の屈折光）と第２の凸部との交点と、上述した第１の凸部で屈折された光（第１面の法線方向の光の屈折光）と第２の凸部との交点とが、第２の凸部の焦点に対して反対側に配置された場合、第１の凸部で屈折された光（斜め方向の光の屈折光）は、第２の凸部によって、上述した第１の凸部で屈折された光（第１面の法線方向の光の屈折光）の屈折方向と逆方向に屈折する。つまり、第２の凸部に入射した光は、第２の凸部によって第１面の法線方向となす角度が小さくなる方向に屈折するのでなく、第１面の法線方向となす角度がさらに大きくなる方向に屈折する。
従って、第１の凸部及び第２の凸部によって、第１面の法線方向となす角度が大きくなる方向に、第１面の法線方向と交差する方向（斜め方向）の光の進路を変化させることができる。
【００１１】
［適用例２］上記適用例に記載のマイクロレンズアレイ基板において、前記第２レンズ層の屈折率は、前記第１レンズ層の屈折率と同じであることが好ましい。
【００１２】
第１レンズ層の屈折率と第２レンズ層の屈折率とは同じである、つまり第１レンズ層及び第２レンズ層は同じ材料で形成されているので、第１レンズ層及び第２レンズ層が異なる材料で形成された構成と比べて、第１レンズ層及び第２レンズ層を形成する工程（例えば、成膜工程）が簡素化され、第１の凸部と第２の凸部との間の距離を小さくすることができる。
【００１３】
［適用例３］上記適用例に記載のマイクロレンズアレイ基板において、前記第２レンズ層の屈折率は、前記第１レンズ層の屈折率よりも低いことが好ましい。
【００１４】
第１レンズ層及び第２レンズ層は、異なる屈折率の材料で構成されている。例えば、第１レンズ層を応力の大きな材料（例えば、ＳｉＯＮ）で構成した場合に、第２レンズ層を応力の小さな材料（例えば、ＳｉＯ2）で構成することによって、第１レンズ層の応力が大きいことによる悪影響、例えば反りやクラックなどを抑制することができる。
【００１５】
［適用例４］本適用例に係るマイクロレンズアレイ基板は、透明基板の第１面を覆う第２面と、前記第２面の反対側に配置された第１の凸部を有する第３面とを備えた第１レンズ層と、前記第３面を覆う第４面と、前記第４面の反対側に配置された前記第１の凸部に対応する第２の凸部を有する第５面とを備えた第２レンズ層と、前記第５面を覆い、前記第５面に接する面の反対側に配置された平坦な面を備えた透明膜と、を含み、前記第１レンズ層の屈折率は、前記透明基板の屈折率よりも高く、前記第２レンズ層の屈折率は、前記第１レンズ層の屈折率よりも低く、前記透明膜の屈折率は、前記第２レンズ層の屈折率よりも高いことを特徴とする。
【００１６】
第１の凸部を、第１の凸部よりも低屈折率の第２レンズ層で覆うことによって、第１の凸部は正の屈折力を有するレンズとして機能する。第２の凸部を、第２の凸部よりも高屈折率の透明膜で覆うことで、第２の凸部は負の屈折力を有するレンズとして機能する。
【００１７】
従って、第１の凸部によって集光し、第２の凸部によって光の進行方向を元の状態に近付けることによって、第１面の法線方向の光（平行光）の輝度を高めることができる。
さらに、第１の凸部及び第２の凸部によって、第１面の法線方向となす角度が大きくなる方向に、第１面の法線方向と交差する方向（斜め方向）の光の進路を変化させることができる。
【００１８】
［適用例５］本適用例に係るマイクロレンズアレイ基板は、透明基板の第１面を覆う第２面と、前記第２面の反対側に配置された第１の凸部を有する第３面とを備えた第１レンズ層と、前記第３面を覆い、前記第３面に接する面の反対側に配置された平坦な面を備えた第１透明膜と、前記平坦な面を覆い、前記平坦な面に接する面の反対側に配置された前記第１の凸部に対応する凹部が設けられた面を備えた第２透明膜と、前記凹部が設けられた面を覆い、前記凹部の内側に第２の凸部を有する第４面と、前記第４面の反対側に配置された平坦な第５面とを備えた第２レンズ層と、を含み、前記第１レンズ層の屈折率は、前記透明基板の屈折率よりも高く、前記第１透明膜の屈折率は、前記第１レンズ層の屈折率よりも低く、前記第２透明膜の屈折率は、前記第１透明膜の屈折率と同じまたは前記第１透明膜の屈折率よりも高く、前記第２レンズ層の屈折率は、前記第２透明膜の屈折率よりも低いことを特徴とする。
【００１９】
第１の凸部を、第１の凸部よりも低屈折率の第１透明膜で覆うことによって、第１の凸部は正の屈折力を有するレンズとして機能する。凹部の内側に、凹部よりも低屈折率の第２の凸部を設けることによって、第２の凸部は負の屈折力を有するレンズとして機能する。
【００２０】
従って、第１の凸部によって集光し、第２の凸部によって光の進行方向を元の状態に近付けることによって、第１面の法線方向の光（平行光）の輝度を高めることができる。
さらに、第１の凸部及び第２の凸部によって、第１面の法線方向となす角度が大きくなる方向に、第１面の法線方向と交差する方向（斜め方向）の光の進路を変化させることができる。
【００２１】
［適用例６］上記適用例に記載のマイクロレンズアレイ基板において、前記第２透明膜の屈折率は、前記第１透明膜の屈折率と同じであることが好ましい。
【００２２】
第１透明膜の屈折率と第２透明膜の屈折率とは同じである、つまり第１透明膜及び第２透明膜は同じ材料で形成されているので、第１透明膜及び第２透明膜が異なる材料で形成された構成と比べて、第１透明膜及び第２透明膜を形成する工程（例えば、成膜工程）が簡素化され、透明膜を薄くすることができる。
【００２３】
［適用例７］上記適用例に記載のマイクロレンズアレイ基板において、前記第２透明膜の屈折率は、前記第１透明膜の屈折率よりも高いことが好ましい。
【００２４】
第１透明膜及び第２透明膜は、異なる屈折率の材料で構成されている。例えば、第２透明膜を応力の大きな材料（例えば、ＳｉＯＮ）で構成した場合に、第１透明膜層を応力の小さな材料（例えば、ＳｉＯ2）で構成することによって、第２透明膜層の応力が大きいことによる悪影響、例えば反りやクラックなどを抑制することができる。
【００２５】
［適用例８］本適用例に係る電気光学装置は、画素電極を有する素子基板と、共通電極を有する対向基板と、前記素子基板と前記対向基板との間に挟持された電気光学物質とを有する電気光学装置であって、前記素子基板または前記対向基板は、上記適用例に記載のマイクロレンズアレイ基板を備えていることを特徴とする。
【００２６】
上記適用例に記載のマイクロレンズアレイ基板では、第１の凸部によって集光し、第２の凸部によって光の進行方向を元の状態に近付けることによって、第１面の法線方向の光（平行光）の輝度を高めることができる。従って、素子基板または前記対向基板のいずれかに当該マイクロレンズアレイ基板を適用すると、マイクロレンズアレイ基板が適用されていない場合と比べて、第１面の法線方向の光の利用効率を向上させ、表示の輝度を高めることができる。
【００２７】
さらに、第１の凸部及び第２の凸部によって、第１面の法線方向となす角度が大きくなる方向に、第１面の法線方向と交差する方向（斜め方向）の光の進路を変化させることができる。例えば、マイクロレンズアレイ基板が設けられていない場合に表示光となる斜め方向の光の進路を変更させ、遮光部で遮ることで、斜め方向の光の表示への影響を小さくすることができる。従って、公知技術（特開２０１３−５７７８１号公報）の課題であった斜め方向の光による表示コントラストの低下を抑制し、表示品位を高めることができる。
【００２８】
［適用例９］上記適用例に係る電気光学装置は、前記対向基板は、上記適用例に記載のマイクロレンズアレイ基板を備え、前記素子基板は、前記対向基板から前記素子基板に向かう方向の光を遮る遮光部を備えていることが好ましい。
【００２９】
マイクロレンズアレイ基板を対向基板に適用し、素子基板に遮光部を設けることで、対向基板と素子基板との間に配置された電気光学物質が設けられた層を、所望の光路長に調整する光路長調整層の一部に活用することができる。
【００３０】
［適用例１０］本適用例に係る電子機器は、上記適用例に記載の電気光学装置を備えていることを特徴とする。
【００３１】
上記適用例に記載の電気光学装置では、マイクロレンズアレイ基板によって表示の輝度及び表示品位が高められている、すなわち明るい高品位の表示を提供することができる。従って、上記適用例に記載の電気光学装置を備えた電子機器においても、明るい高品位の表示を提供することができる。
例えば、投写型表示装置、投写型のＨＵＤ（ヘッドアップディスプレイ）、直視型のＨＭＤ（ヘッドマウントディスプレイ）、電子ブック、パーソナルコンピューター、デジタルスチルカメラ、液晶テレビ、ビューファインダー型あるいはモニター直視型のビデオレコーダー、カーナビゲーションシステム、ＰＯＳなどの情報端末機器、及び電子手帳などの電子機器に、上記適用例に記載の電気光学装置を適用することで、明るい高品位の表示を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００３２】
【図１】実施形態１に係る液晶装置の構成を示す概略平面図。
【図２】実施形態１に係る液晶装置の電気的な構成を示す等価回路図。
【図３】図１のＡ−Ａ’線に沿った液晶装置の概略断面図。
【図４】図３の破線で囲まれた領域Ｂにおける液晶装置の概略断面図。
【図５】実施形態２に係る液晶装置の概略断面図。
【図６】図５の破線で囲まれた領域Ｂにおける液晶装置の概略断面図。
【図７】実施形態３に係る液晶装置の概略断面図。
【図８】図７の破線で囲まれた領域Ｂにおける液晶装置の概略断面図。
【図９】実施形態４に係るプロジェクターの構成を示す概略図。
【発明を実施するための形態】
【００３３】
以下、図面を参照して、本発明の実施形態について説明する。かかる実施形態は、本発明の一態様を示すものであり、この発明を限定するものではなく、本発明の技術的思想の範囲内で任意に変更可能である。また、以下の各図においては、各層や各部位を図面上で認識可能な程度の大きさとするため、各層や各部位の縮尺を実際とは異ならせしめてある。
【００３４】
（実施形態１）
「液晶装置の概要」
実施形態１に係る液晶装置７１は、本発明における「電気光学装置」の一例であり、例えば、後述するプロジェクター（投写型表示装置）の光変調素子（液晶ライトバルブ）として好適に用いることができるものである。
【００３５】
図１は、本実施形態に係る液晶装置の構成を示す概略平面図である。図２は、本実施形態に係る液晶装置の電気的な構成を示す等価回路図である。図３は、図１のＡ−Ａ’線に沿った液晶装置の概略断面図である。
最初に、図１乃至図３を参照し、本実施形態に係る液晶装置７１の概要を説明する。
【００３６】
図１及び図３に示すように、本実施形態に係る液晶装置７１は、画素電極２８を有する素子基板２０、素子基板２０に対向配置され共通電極３４を有する対向基板３０、及び素子基板２０と対向基板３０との間に挟持された液晶層４０などを備えている。図１に示すように、素子基板２０は対向基板３０よりも大きく、両基板は、対向基板３０の周縁部に沿って額縁状に配置されたシール材４２を介して接着されている。
なお、液晶層４０は、本発明における「電気光学物質」の一例である。
【００３７】
液晶層４０は、正または負の誘電異方性を有する液晶で構成されている。シール材４２は、例えば熱硬化性または紫外線硬化性のエポキシ樹脂などの接着剤からなる。シール材４２には、素子基板２０と対向基板３０との間隔を一定に保持するためのスペーサー（図示省略）が混入されている。
【００３８】
額縁状に配置されたシール材４２の内側には、素子基板２０に設けられた遮光層２２，２６と、対向基板３０に設けられた遮光層３２とが配置されている。遮光層２２，２６，３２は、額縁状の周縁部を有し、例えば遮光性の金属あるいは金属酸化物などで形成されている。額縁状の遮光層２２，２６，３２の内側は、複数の画素Ｐが配列された表示領域Ｅとなる。画素Ｐは、例えば略矩形状を有し、マトリックス状に配列されている。
なお、液晶装置７１は、表示領域Ｅの周囲を囲むように設けられた、実質的に表示に寄与しないダミー領域を備えていてもよい。
【００３９】
素子基板２０の１辺部に沿ったシール材４２と該１辺部との間に、データ線駆動回路５１が設けられている。また、該１辺部に対向する他の１辺部に沿ったシール材４２と表示領域Ｅとの間に、検査回路５３が設けられている。さらに、該１辺部と直交し互いに対向する他の２辺部に沿ったシール材４２と表示領域Ｅとの間に走査線駆動回路５２が設けられている。該１辺部と対向する他の１辺部に沿ったシール材４２と検査回路５３との間には、２つの走査線駆動回路５２を繋ぐ複数の配線５５が設けられている。
【００４０】
データ線駆動回路５１及び走査線駆動回路５２に繋がる配線は、該１辺部に沿って配列した複数の外部接続端子５４に接続されている。また、対向基板３０の角部には、素子基板２０と対向基板３０との間で電気的導通をとるための上下導通部５６が設けられている。なお、検査回路５３の配置はこれに限定されず、データ線駆動回路５１と表示領域Ｅとの間のシール材４２の内側に沿った位置に設けてもよい。
【００４１】
以下の説明では、該１辺部に沿った方向をＸ方向とし、該１辺部と直交し互いに対向する他の２辺部に沿った方向をＹ方向とする。対向基板３０から素子基板２０に向かう方向を、Ｚ（＋）方向とする。
なお、Ｚ（＋）方向に沿って対向基板３０の側から見ることを平面視と呼ぶ。
【００４２】
図２に示すように、表示領域Ｅには、走査線２とデータ線３とが互いに交差するように形成され、走査線２とデータ線３との交差に対応して画素Ｐが設けられている。画素Ｐのそれぞれには、画素電極２８と、スイッチング素子としての薄膜トランジスター（Thin Film Transistor；以降、ＴＦＴと称す）２４とが設けられている。
【００４３】
ＴＦＴ２４のソース電極（図示省略）は、データ線駆動回路５１から延在するデータ線３に電気的に接続されている。データ線３には、データ線駆動回路５１（図１参照）から画像信号（データ信号）Ｓ１，Ｓ２，…，Ｓｎが線順次で供給される。ＴＦＴ２４のゲート電極（図示省略）は、走査線駆動回路５２から延在する走査線２の一部である。走査線２には、走査線駆動回路５２から走査信号Ｇ１，Ｇ２，…，Ｇｍが線順次で供給される。ＴＦＴ２４のドレイン電極（図示省略）は、画素電極２８に電気的に接続されている。
【００４４】
画像信号Ｓ１，Ｓ２，…，Ｓｎは、ＴＦＴ２４を一定期間だけオン状態とすることにより、データ線３を介して画素電極２８に所定のタイミングで書き込まれる。このようにして画素電極２８を介して液晶層４０に書き込まれた所定レベルの画像信号は、対向基板３０に設けられた共通電極３４（図３参照）との間に形成される液晶容量で一定期間保持される。
【００４５】
なお、保持された画像信号Ｓ１，Ｓ２，…，Ｓｎがリークするのを防止するため、走査線２に沿って形成された容量線４と画素電極２８との間に蓄積容量５が形成され、液晶容量と並列に配置されている。このように、各画素Ｐの液晶に電圧信号が印加されると、印加された電圧レベルにより液晶の配向状態が変化する。これにより、液晶層４０（図３参照）に入射した光が変調されて階調表示が可能となる。
【００４６】
液晶層４０を構成する液晶は、印加される電圧レベルにより分子集合の配向や秩序が変化することにより、光を変調し、階調表示を可能とする。例えば、ノーマリーホワイトモードの場合、各画素Ｐの単位で印加された電圧に応じて入射光に対する透過率が減少する。ノーマリーブラックモードの場合、各画素Ｐの単位で印加された電圧に応じて入射光に対する透過率が増加し、全体として液晶装置７１からは画像信号に応じたコントラストをもつ光が射出される。
【００４７】
「素子基板の概要」
図３に示すように、素子基板２０では、基板２１と、遮光層２２と、絶縁層２３と、ＴＦＴ２４と、絶縁層２５と、遮光層２６と、絶縁層２７と、画素電極２８と、配向膜２９とが、Ｚ（−）方向に順に積層されている。
基板２１は、例えばガラスや石英などの光透過性を有する材料で構成されている。
【００４８】
遮光層２２は、基板２１上に設けられている。遮光層２２は、上層の遮光層２６に平面視で重なるように格子状に形成されている。遮光層２２および遮光層２６は、素子基板２０の厚さ方向において、ＴＦＴ２４を間に挟むように配置されている。遮光層２２は、ＴＦＴ２４の少なくともチャネル領域と平面視で重なっている。
【００４９】
遮光層２２及び遮光層２６を設けることにより、ＴＦＴ２４への光の入射が抑制されるので、ＴＦＴ２４における光リーク電流の増大や光による誤動作を抑えることができる。さらに、遮光層２２及び遮光層２６によって、光を遮る遮光部Ｖ１が形成されている。また、遮光部Ｖ１で囲まれた部分が、光を透過する開口部Ｖ２となる。
【００５０】
絶縁層２３は、基板２１と遮光層２２とを覆うように設けられている。絶縁層２３は、例えば、ＳｉＯ2などの無機材料からなる。
【００５１】
ＴＦＴ２４は、絶縁層２３上に設けられており、遮光層２２及び遮光層２６と平面視で重なる領域（遮光部Ｖ１）に配置されている。ＴＦＴ２４は、画素電極２８を駆動するスイッチング素子である。ＴＦＴ２４は、図示しない半導体層、ゲート電極、ソース電極、及びドレイン電極で構成されている。半導体層には、ソース領域、チャネル領域、及びドレイン領域が形成されている。チャネル領域とソース領域、又は、チャネル領域とドレイン領域との界面にはＬＤＤ（Lightly Doped Drain）領域が形成されていてもよい。
【００５２】
ゲート電極は、素子基板２０において平面視で半導体層のチャネル領域と重なる領域に絶縁層２５の一部（ゲート絶縁膜）を介して形成されている。図示を省略するが、ゲート電極は、下層側に配置された走査線にコンタクトホールを介して電気的に接続されており、走査信号が印加されることによってＴＦＴ２４をオン／オフ制御している。
【００５３】
絶縁層２５は、絶縁層２３とＴＦＴ２４とを覆うように設けられている。絶縁層２５は、例えば、ＳｉＯ2などの無機材料からなる。絶縁層２５は、ＴＦＴ２４の半導体層とゲート電極との間を絶縁するゲート絶縁膜を含む。絶縁層２５により、ＴＦＴ２４によって生じる表面の凹凸が緩和される。絶縁層２５上には、遮光層２６が設けられている。そして、絶縁層２５と遮光層２６とを覆うように、無機材料からなる絶縁層２７が設けられている。
【００５４】
画素電極２８は、絶縁層２７上に、画素Ｐに対応して設けられている。画素電極２８は、遮光層２２及び遮光層２６で囲まれた光を透過する領域、並びに遮光層２２及び遮光層２６の一部に平面視で重なるように配置されている。画素電極２８は、例えば、ＩＴＯ（Indium Tin Oxide）やＩＺＯ（Indium Zinc Oxide）などの透明導電膜からなる。配向膜２９は、画素電極２８を覆うように設けられている。
【００５５】
なお、図示を省略するが、平面視で遮光層２２及び遮光層２６に重なる領域（遮光部Ｖ１）には、ＴＦＴ２４に電気信号を供給するための電極、配線、中継電極や、蓄積容量５（図２参照）を構成する容量電極などが設けられている。また、遮光層２２や遮光層２６がこれらの電極、配線、中継電極、容量電極などを含む構成であってもよい。
【００５６】
「対向基板の概要」
後述するプロジェクター（図９参照）では、光源（偏光照明装置１１０、図９参照）から発せられた光は、対向基板３０の側に入射し、Ｚ（＋）方向に沿って進行し、液晶層４０を通過して素子基板２０の側から射出される。すなわち、本実施形態に係る液晶装置７１では、対向基板３０に光が入射し、素子基板２０から光が射出される。
以降の説明では、光が入射する側の面を下面、光が射出される側の面を上面とする。
【００５７】
本実施形態に係る対向基板３０は、マイクロレンズアレイ基板１０と、遮光層３２と、保護層３３と、共通電極３４と、配向膜３５とが、Ｚ（＋）方向に順に積層されている。
マイクロレンズアレイ基板１０は、Ｚ（＋）方向に順に積層された、基板１１と、第１レンズ層１３と、第２レンズ層１５と、透明膜７とで構成されている。
基板１１は、光が入射する下面１１ｂと、光が射出される上面１１ａとを備えている。第１レンズ層１３は、光が入射する下面１３ｂと、光が射出される上面１３ａとを備えている。第２レンズ層１５は、光が入射する下面１５ｂと、光が射出される上面１５ａとを備えている。透明膜７は、光が入射する下面７ｂと、光が射出される上面７ａとを備えている。
基板１１の下面１１ｂに入射した光は、基板１１の上面１１ａと、第１レンズ層１３の下面１３ｂ及び上面１３ａと、第２レンズ層１５の下面１５ｂ及び上面１５ａと、透明膜７の下面７ｂとを通過し、透明膜７の上面７ａから保護層３３に射出される。
【００５８】
なお、基板１１は、本発明における「透明基板」の一例である。基板１１の上面１１ａは、本発明における「第１面」の一例である。第１レンズ層１３の下面１３ｂは本発明における「第２面」の一例であり、第１レンズ層１３の上面１３ａは本発明における「第３面」の一例である。第２レンズ層１５の下面１５ｂは本発明における「第４面」の一例であり、第２レンズ層１５の上面１５ａは本発明における「第５面」の一例である。
さらに、透明膜７の下面７ｂは本発明における「第５面に接する面」の一例であり、透明膜７の上面７ａは本発明における「平坦な面」の一例である。
【００５９】
基板１１は、光透過性を有し、例えば石英ガラス基板（ＳｉＯ2、屈折率（５８９．３ｎｍ）：１．４６）で構成されている。基板１１の上面１１ａには、複数の凹部１２が設けられている。凹部１２は、画素Ｐ毎に設けられ、光が進行する方向（Ｚ（＋）方向）と逆方向（Ｚ（−）方向）に凹となった形状を有している。
【００６０】
凹部１２は、例えばフォトエッチングやレーザー照射などの方法で小孔が形成されたマスクを基板１１の上面１１ａに形成し、フッ酸を含むエッチング液を用いて、当該小孔を介して基板１１を等方的にエッチングすることで形成されている。
【００６１】
第１レンズ層１３は、基板１１の上面１１ａを覆うように設けられている。つまり、第１レンズ層１３の下面１３ｂは、基板１１の上面１１ａに接している。第１レンズ層１３の下面１３ｂは、凹部１２の内側に配置された第１の凸部１４を有している。第１の凸部１４は、図中で太い破線で示され、光が進行する方向（Ｚ（＋）方向）と逆方向（Ｚ（−）方向）に凸となった形状を有している。第１レンズ層１３の上面１３ａは、例えばＣＭＰ（Chemical Mechanical Polishing、化学的機械的研磨）による平坦化処理が施され、平坦になっている。
【００６２】
第１レンズ層１３は、光透過性を有し、基板１１よりも高い屈折率の材料で構成されている。第１レンズ層１３の構成材料は、例えばプラズマＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）などの方法で形成されたＳｉＯＮである。ＳｉＯＮは、酸素原子（Ｏ）と窒素原子（Ｎ）との組成（比率）を変化させることによって、ＳｉＯ2（屈折率（５８９．３ｎｍ）：ｎ＝１．４６）とＳｉ3Ｎ4（屈折率（５８９．３ｎｍ）：ｎ＝２．００）との間で屈折率を調整する（変化させる）ことができる。つまり、ＳｉＯＮで構成された第１レンズ層１３は、ＳｉＯ2で構成された基板１１よりも高い屈折率を有している。
【００６３】
第１の凸部１４は、基板１１の上面１１ａに形成された凹部１２の中に、ＳｉＯＮを埋め込むことによって形成されている。さらに、第１レンズ層１３（ＳｉＯＮ）は、凹部１２の深さよりも厚く形成され、凹部１２の内側に配置された第１の凸部１４と、第１の凸部１４と第２レンズ層１５との間に配置された平坦部１４ａとを有している。
第１レンズ層１３は、基板１１の上面１１ａを覆い凹部１２の内側に第１の凸部１４を有する下面１３ｂと、下面１３ｂに対向する平坦な上面１３ａとを備えている。
【００６４】
第２レンズ層１５は、第１レンズ層１３の上面１３ａを覆うように設けられている。つまり、第２レンズ層１５の下面１５ｂは、第１レンズ層１３の上面１３ａに接している。第２レンズ層１５の上面１５ａには、第１の凸部１４に対応する第２の凸部１６が設けられている。第２の凸部１６は、光が進行する方向（Ｚ（＋）方向）に凸となった形状を有し、平面視で第１の凸部１４と重なり、画素Ｐ毎に設けられている。
第２レンズ層１５は、光透過性を有し、第１レンズ層１３よりも低い屈折率の材料で構成されている。第２レンズ層１５の構成材料は、例えばプラズマＣＶＤなどの方法で形成されたＳｉＯ2である。
【００６５】
第２の凸部１６は、例えば第１レンズ層１３の上面１３ａを覆うＳｉＯ2を形成（堆積）した後に、第２レンズ層１５の上面１５ａに平面視で第１の凸部１４に重なるフォトレジストを形成し、当該フォトレジストをエッチングマスクとして、異方性ドライエッチングを施すことで形成されている。詳しくは、第２レンズ層１５の上面１５ａに形成したフォトレジストに熱処理を施し、フォトレジストを軟化させ、第２の凸部１６と同じ形状のフォトレジストを形成する。続いて、当該フォトレジストをエッチングマスクとして第２レンズ層１５に異方性ドライエッチングを施すと、フォトレジストの形状（凸形状）が第２レンズ層１５の上面１５ａに転写される。つまり、第２の凸部１６は、第１レンズ層１３の上面１３ａに堆積された膜（ＳｉＯ2）に異方性ドライエッチング処理を施すことで、形成されている。
【００６６】
第２レンズ層１５は、第２の凸部１６と、第２の凸部１６と第１レンズ層１３との間に配置された平坦部１６ａとを有している。第２レンズ層１５は、第１レンズ層１３の上面１３ａを覆う下面１５ｂと、下面１５ｂに対向し第１の凸部１４に対応する第２の凸部１６を有する上面１５ａとを備えている。
【００６７】
透明膜７は、光透過性を有し、第２レンズ層１５よりも高い屈折率の材料で構成されている。透明膜７は、例えばプラズマＣＶＤなどの方法で形成されたＳｉＯＮであり、第２レンズ層１５の上面１５ａを覆うように設けられている。透明膜７の下面７ｂは、第２の凸部１６を覆う凹部８を有している。透明膜７の上面７ａは、例えばＣＭＰによる平坦化処理が施され、平坦になっている。
透明膜７は、第２レンズ層１５の側に配置された凹部８と、凹部８と保護層３３との間に配置された平坦部８ａとを有している。透明膜７は、第２レンズ層１５の上面１５ａを覆い、下面７ｂに対向する側に平坦な上面７ａを有している。
【００６８】
遮光層３２は、透明膜７（マイクロレンズアレイ基板１０）の上で、表示領域Ｅ（図１参照）を囲むように額縁状に設けられている。
なお、遮光層３２は、表示領域Ｅ内に設けてもよい。例えば、表示領域Ｅ内において遮光層３２を、素子基板２０の遮光層２２及び遮光層２６に平面視で重なるように格子状に形成したり、島状またはストライプ状に形成してもよい。
【００６９】
透明膜７と遮光層３２とを覆うように、保護層３３が設けられている。保護層３３は、例えばＳｉＯ2などの無機材料で構成され、共通電極３４が形成される液晶層４０側の面が平坦となるように、遮光層３２を覆って形成されている。
保護層３３を覆うように、共通電極３４が設けられている。共通電極３４は、複数の画素Ｐに跨って形成されている。共通電極３４は、例えば、ＩＴＯやＩＺＯ（Indium Zinc Oxide）などの透明導電材料で構成されている。
なお、保護層３３を設けることなく、導電性の遮光層３２を直接覆うように共通電極３４を設けてもよい。
共通電極３４を覆うように、配向膜３５が設けられている。
【００７０】
「液晶装置を通過する光の状態」
図４は、図３の破線で囲まれた領域Ｂにおける液晶装置の概略断面図であり、液晶装置を通過する光の状態を示している。
図４では、対向基板３０における遮光層３２、保護層３３、共通電極３４、及び配向膜３５の図示が省略され、素子基板２０における絶縁層２７、画素電極２８、及び配向膜２９の図示が省略されている。
【００７１】
さらに、同図では、液晶装置７１の中を通過する光Ｌ１，Ｌ２が、実線の矢印で図示されている。光Ｌ１はＺ（＋）方向に進行する光であり、光Ｌ２はＺ（＋）方向と交差する方向に進行する光である。光Ｌ１は、マイクロレンズアレイ基板１０が設けられていない場合に、図中の破線の矢印で示すように遮光部Ｖ１で遮られ、表示光として利用されない光である。光Ｌ２は、マイクロレンズアレイ基板１０が設けられていない場合に、図中の破線の矢印で示すように開口部Ｖ２から射出され、表示光となる光である。
次に、図４を参照して液晶装置７１の中を通過する光の状態を説明する。
【００７２】
マイクロレンズアレイ基板１０において、第１の凸部１４は高屈折率材料（ＳｉＯＮ）で構成され、第１の凸部１４を覆う凹部１２は低屈折率材料（ＳｉＯ2）で構成されている。その結果、第１の凸部１４は正の屈折力（パワー）を有する。つまり、第１の凸部１４は、正の屈折力（パワー）を有するレンズとして機能する。例えば、Ｚ（＋）方向の平行光線が第１の凸部１４に入射した場合、当該平行光線は、第１の凸部１４の焦点に向けて収束される（集光される）。
【００７３】
第２の凸部１６は低屈折率材料（ＳｉＯ2）で構成され、第２の凸部１６を覆う凹部８は高屈折率材料（ＳｉＯＮ）で構成されている。その結果、第２の凸部１６は負の屈折力（パワー）を有する。つまり、第２の凸部１６は、負の屈折力（パワー）を有するレンズとして機能する。例えば、Ｚ（＋）方向の平行光線が第２の凸部１６に入射した場合、当該平行光線は、第２の凸部１６の焦点から発散される（拡散される）。
【００７４】
このように、マイクロレンズアレイ基板１０は、光が入射する側に正の屈折力のレンズ（第１の凸部１４）が配置され、光が射出される側に負の屈折力のレンズ（第２の凸部１６）が配置された構成を有している。すなわち、マイクロレンズアレイ基板１０は、光Ｌ１が進行するＺ（＋）方向に沿って、正の屈折力のレンズ（第１の凸部１４）と負の屈折力のレンズ（第２の凸部１６）とが、順に配置（積層）された構成を有している。
【００７５】
図中のＰ１は第１の凸部１４の曲面（レンズ面）と光Ｌ１との交点であり、Ｐ
３は第１の凸部１４の曲面（レンズ面）と光Ｌ２との交点である。図中のＰ２は第２の凸部１６の曲面（レンズ面）と光Ｌ１との交点であり、Ｐ４は第２の凸部１６の曲面（レンズ面）と光Ｌ２との交点である。
平面視で、第１の凸部（正の屈折力を有するレンズ）１４の焦点（図示省略）は、Ｐ１及びＰ３に対してＸ（−）方向に配置されている。すなわち、Ｐ１及びＰ３は、平面視で第１の凸部１４の焦点に対して同じ側に配置されている。
平面視で、第２の凸部（負の屈折力を有するレンズ）１６の焦点（図示省略）は、Ｐ２とＰ４との間に配置されている。すなわち、Ｐ２及びＰ４は、平面視で第２の凸部１６の焦点に対して反対側に配置されている。
【００７６】
第１の凸部１４は、正の屈折力（パワー）を有しているので、第１の凸部１４の曲面（レンズ面）のＰ１に入射したＺ（＋）方向の光Ｌ１は、Ｚ（＋）方向となす角度が大きくなる方向に屈折する。すなわち、第１の凸部１４のレンズ面のＰ１に入射したＺ（＋）方向の光Ｌ１は、Ｚ（＋）方向と交差する方向に屈折し、Ｚ（＋）方向と交差する方向の光Ｌ１として第２の凸部１６のレンズ面のＰ２に入射する。
【００７７】
第２の凸部１６は、負の屈折力（パワー）を有しているので、第２の凸部１６のＰ２に入射したＺ（＋）方向と交差する方向の光Ｌ１は、第１の凸部１４で屈折される方向と逆方向に屈折する。よって、Ｚ（＋）方向と交差する方向の光Ｌ１は、第２の凸部１６によって、Ｚ（＋）方向となす角度が小さくなる方向に屈折し、Ｚ（＋）方向の光となり、液晶層４０を通過し、開口部Ｖ２から射出される。
【００７８】
このように、マイクロレンズアレイ基板１０が設けられていない場合に表示光に利用されないＺ（＋）方向の光Ｌ１は、マイクロレンズアレイ基板１０によってＺ（＋）方向の表示光となるので、光の利用効率が向上し、表示の輝度を高めることができる。
【００７９】
さらに、光Ｌ１は、第１の凸部１４によって屈折した後、第２の凸部１６によって第１の凸部１４で屈折される方向と逆方向に屈折するので、第１の凸部１４及び第２の凸部１６の両方で同じ方向に屈折する場合と比べて、色収差の影響を小さくすることができる。
【００８０】
液晶層４０にＺ（＋）方向と交差する方向（斜め方向）の光が入射すると、液晶層４０が黒表示の分子配列になっていても、光を完全に遮ることができず表示コントラストが低下するおそれがあった。つまり、黒表示の分子配列となった液晶層４０に対して、理想的な角度で入射しないので偏光をそろえることができず、正常な黒表示がなされないという不具合（例えば、黒浮き）が生じるおそれがあった。
例えば、Ｚ（＋）方向と交差する方向の光Ｌ２が、開口部Ｖ２から表示光として射出されると、表示コントラストの低下を招くおそれがあった。
【００８１】
マイクロレンズアレイ基板１０によって輝度が高められた光Ｌ１は、液晶層４０に対してＺ（＋）方向に入射するので、すなわち黒表示の分子配列となった液晶層４０に対して理想的な角度で入射するので、黒浮きなどの不具合が抑制され、高い表示コントラストが実現される。
【００８２】
Ｐ３は、平面視で第１の凸部１４の焦点に対してＰ１と同じ側に配置されるので、第１の凸部１４のＰ３に入射したＺ（＋）方向と交差する方向の光Ｌ２は、第１の凸部１４によって光Ｌ１と同じ方向、つまりＺ（＋）方向となす角度が大きくなる方向に屈折し、第２の凸部１６のＰ４に入射する。
【００８３】
Ｐ４は、平面視で第２の凸部１６の焦点に対してＰ２の反対側に配置されるので、第２の凸部１６のＰ４に入射した光Ｌ２は、第２の凸部１６によって光Ｌ１と逆方向に屈折する。よって、第２の凸部１６のＰ４に入射した光Ｌ２は、Ｚ（＋）方向となす角度がさらに大きくなる方向に屈折し、遮光部Ｖ１に入射し、遮光部Ｖ１によって遮られる。
【００８４】
このように、マイクロレンズアレイ基板１０が設けられていない場合に、表示コントラストの低下を招くおそれがある光Ｌ２は、マイクロレンズアレイ基板１０によって光の進行方向が変化し、遮光部Ｖ１に入射し、遮光部Ｖ１で遮られ、表示光として射出されなくなる。従って、液晶層４０に対して斜め方向に入射する光Ｌ２の影響を抑制し、表示コントラストを高めることができる。
【００８５】
また、Ｚ（＋）方向と交差する方向の光Ｌ２は、第１の凸部１４及び第２の凸部１６の両方でＺ（＋）方向となす角度がさらに大きくなる方向に曲げられるので、仮に隣り合う画素Ｐの開口部Ｖ２から表示光として射出された場合、後述するプロジェクター（図９参照）の投写光学系（投写レンズ１１７、図９参照）で蹴られて画像の表示に寄与しにくくなる。すなわち、光Ｌ２のＺ（＋）方向となす角度が、後述するプロジェクターの投写レンズ１１７（図９参照）の飲み込み角よりも大きくなると、光Ｌ２は投写レンズ１１７で蹴られて、画像の表示に寄与しなくなる。従って、Ｚ（＋）方向となす角度がさらに大きくなる方向に光Ｌ２を屈折させることによって、光Ｌ２は後述するプロジェクターにおける画像の表示に寄与しなくなり、プロジェクターにおける表示コントラストを高めることができる。
【００８６】
上述した第１レンズ層１３の平坦部１４ａ、第２レンズ層１５の平坦部１６ａ、及び透明膜７の平坦部８ａは、正の屈折力のレンズ（第１の凸部１４）及び負の屈折力のレンズ（第２の凸部１６）から、遮光層２２，２６（遮光部Ｖ１）までの距離（光路長）を所望の値に合わせる役割を有している。つまり、第１レンズ層１３の平坦部１４ａ、第２レンズ層１５の平坦部１６ａ、及び透明膜７の平坦部８ａは、マイクロレンズアレイ基板１０における光路長調整層の役割を有している。
【００８７】
これら光路長調整層の層厚は、光の波長に応じた正の屈折力のレンズ（第１の凸部１４）及び負の屈折力のレンズ（第２の凸部１６）の焦点距離などの光学条件に基づいて適宜設定される。つまり、マイクロレンズアレイ基板１０の集光能力が最も大きくなるように、これら光路長調整層の層厚が設定されている。
【００８８】
さらに、本実施形態に係る液晶装置７１は、光を集光するマイクロレンズアレイ基板１０が対向基板３０の側に設けられ、光を遮る遮光部Ｖ１が素子基板２０の側に設けられているので、液晶層４０も所望の光路長に調整する光路長調整層の役割を有している。液晶層４０を光路長調整層の一部に活用することで、マイクロレンズアレイ基板１０に設ける光路長調整層（第１レンズ層１３の平坦部１４ａ、第２レンズ層１５の平坦部１６ａ、透明膜７の平坦部８ａ）の層厚を小さくし、例えばマイクロレンズアレイ基板１０の生産性を高めることができる。
【００８９】
なお、マイクロレンズアレイ基板１０において、第１レンズ層１３と第２レンズ層１５との間、及び透明膜７と保護層３３との間の少なくとも一方に、所望の光路長に調整するための新たな透明膜（光路長調整層）を有する構成であってもよい。
【００９０】
さらに、マイクロレンズアレイ基板１０において、基板１１は石英基板（ＳｉＯ2）で構成され、第１レンズ層１３はＳｉＯＮ（高屈折率材料）で構成され、第２レンズ層１５はＳｉＯ2（低屈折率材料）で構成され、透明膜７はＳｉＯＮ（高屈折率材料）で構成されている。第１レンズ層１３を構成するＳｉＯＮ、第２レンズ層１５を構成するＳｉＯ2、及び透明膜７を構成するＳｉＯＮは、例えばプラズマＣＶＤで形成されている。プラズマＣＶＤで形成されたＳｉＯＮは、プラズマＣＶＤで形成されたＳｉＯ2と比べて応力が大きい。
応力が大きいＳｉＯＮで構成された第１レンズ層１３と透明膜７との間に、応力が小さいＳｉＯ2で構成された第２レンズ層１５を介在させることで、応力が大きいことの悪影響（例えば、基板の反りや膜剥がれなど）、すなわち応力のミスマッチを小さくすることができる。
【００９１】
以上述べたように、本実施形態に係る液晶装置７１では、以下に示す効果を得ることができる。
（１）マイクロレンズアレイ基板１０を設けていない場合に表示に利用されないＺ（＋）方向の光Ｌ１を、Ｚ（＋）方向の光として液晶層４０に入射させ表示光として利用するので、表示コントラストの低下を招くことなく表示の輝度を高めることができる。
【００９２】
（２）マイクロレンズアレイ基板１０に入射する光（例えば、光Ｌ１）を、第１の凸部１４及び第２の凸部１６のそれぞれで逆方向に屈折させて表示光に利用するので、第１の凸部１４及び第２の凸部１６のそれぞれで同じ方向に屈折させて表示光に利用する場合と比べて、色収差の影響を小さくすることができる。
【００９３】
（３）マイクロレンズアレイ基板１０を設けていない場合に表示コントラストの低下を招くおそれがある光Ｌ２は、遮光部Ｖ１によって遮られるので、表示コントラストを高めることができる。
【００９４】
（４）マイクロレンズアレイ基板１０を設けていない場合に表示コントラストの低下を招くおそれがある光Ｌ２は、第１の凸部１４及び第２の凸部１６によってＺ（＋）方向となす角度がさらに大きくなる方向に屈折されるので、仮に開口部Ｖ２から表示光として射出された場合でも、後述するプロジェクターの投写レンズ１１７で蹴られ画像の表示に寄与しなくなり、プロジェクターにおける表示コントラストを高めることができる。
【００９５】
（５）光を集光するマイクロレンズアレイ基板１０を対向基板３０の側に設け、光を遮る遮光部Ｖ１を素子基板２０の側に設け、液晶層４０を光路長調整層の一部に活用しているので、マイクロレンズアレイ基板１０の側に設ける光路長調整層を薄くし、例えばマイクロレンズアレイ基板１０の生産性を高めることができる。
【００９６】
（６）応力が大きいＳｉＯＮで構成された構成要素（第１レンズ層１３、透明膜７）の間に、応力が小さいＳｉＯ2で構成された構成要素（第２レンズ層１５）を介在させているので、応力が大きいことの悪影響（応力のミスマッチ）を小さくすることができる。
【００９７】
（実施形態２）
図５は、図３に対応する図であり、実施形態２に係る液晶装置の概略断面図である。図６は、図４に対応する図であり、図５の破線で囲まれた領域Ｂにおける液晶装置の概略断面図である。
【００９８】
本実施形態に係る液晶装置７２は、マイクロレンズアレイ基板１０の構成が実施形態１に係る液晶装置７１と異なり、他の構成は実施形態１に係る液晶装置７１と同じである。詳しくは、以下に示す内容が、本実施形態のマイクロレンズアレイ基板１０と、実施形態１のマイクロレンズアレイ基板１０との主な相違点である。
【００９９】
（１）基板１１の上面１１ａには、凹部１２が設けられていない。
（２）第１の凸部１４は、第１レンズ層１３の上面１３ａに設けられている。
（３）実施形態１と異なる方法で、第１の凸部１４及び第２の凸部１６が形成されている。
以下に、図５及び図６を参照して、本実施形態に係る液晶装置７２の概要を、実施形態１との相違点を中心に説明する。なお、実施形態１と同一の構成部位については、同一の符号を附し、重複する説明を省略する。
【０１００】
「マイクロレンズアレイ基板の概要」
図５に示すように、本実施形態に係るマイクロレンズアレイ基板１０は、Ｚ（＋）方向に順に積層された、基板１１と、第１レンズ層１３と、第２レンズ層１５、透明膜７とで構成されている。すなわち、本実施形態に係るマイクロレンズアレイ基板１０は、実施形態１に係るマイクロレンズアレイ基板１０と同じ構造を有している。
【０１０１】
基板１１は、例えば石英ガラス基板（ＳｉＯ2）で構成され、基板１１の上面１１ａ及び下面１１ｂは共に平坦である。
第１レンズ層１３は、基板１１よりも高い屈折率の材料（例えば、ＳｉＯＮ）で構成されている。第１レンズ層１３は、基板１１の上面１１ａを覆うように設けられている。つまり、第１レンズ層１３の下面１３ｂは、基板１１の上面１１ａに接し、平坦である。第１レンズ層１３の上面１３ａには、第１の凸部１４が、画素Ｐ毎に設けられている。
【０１０２】
第１の凸部１４は、例えばプラズマＣＶＤで基板１１の上面１１ａを覆うＳｉＯＮを形成（堆積）した後に、第１レンズ層１３の上面１３ａにフォトレジストを形成し、当該フォトレジストをエッチングマスクとして、異方性ドライエッチングを施すことで形成されている。詳しくは、第１レンズ層１３の上面１３ａに形成したフォトレジストに熱処理を施し、フォトレジストを軟化させ、第１の凸部１４と同じ形状のフォトレジストを形成する。続いて、当該フォトレジストをエッチングマスクとして第１レンズ層１３に異方性ドライエッチングを施すと、フォトレジストの形状（凸形状）が第１レンズ層１３の上面１３ａに転写される。つまり、第１の凸部１４は、堆積された膜（ＳｉＯＮ）に異方性ドライエッチング処理を施すことで、形成されている。
【０１０３】
第２レンズ層１５は、光透過性を有し、第１レンズ層１３よりも低い屈折率の材料（ＳｉＯ2）で構成されている。第２レンズ層１５の下面１５ｂは、第１レンズ層１３の上面１３ａに接し、第１の凸部１４を覆う凹部１６ｂを有している。第２レンズ層１５の上面１５ａには、第１の凸部１４に対応する第２の凸部１６が設けられている。第２の凸部１６は、平面視で第１の凸部１４と重なり、画素Ｐ毎に設けられている。
【０１０４】
第２の凸部１６は、第１の凸部１４が設けられた第１レンズ層１３の上面１３ａに、例えばプラズマＣＶＤなどの方法でＳｉＯ2を堆積することで形成されている。詳しくは、第１の凸部１４にＳｉＯ2を堆積すると、第１の凸部１４の形状が第２レンズ層１５の上面１５ａに反映され、第１の凸部１４に対応する第２の凸部１６が自己整合的に形成される。さらに、第２レンズ層１５の下面１５ｂには、第１の凸部１４を覆う凹部１６ｂが形成される。
【０１０５】
実施形態１の第２の凸部１６は、第１レンズ層１３の上面１３ａに堆積された膜（ＳｉＯ2）にエッチング処理を施すことで形成されていた。本実施形態の第２の凸部１６は、第１レンズ層１３の上面１３ａ（第１の凸部１４）にＳｉＯ2を堆積することだけで自己整合的に形成されているので、実施形態１におけるＳｉＯ2のエッチング工程が簡略化され、第２の凸部１６の生産性を高めることができる。
【０１０６】
透明膜７は、光透過性を有し、第２レンズ層１５よりも高い屈折率の材料（ＳｉＯＮ）で構成されている。透明膜７の下面７ｂは、第２の凸部１６を覆う凹部８を有している。透明膜７の上面７ａは、例えばＣＭＰによる平坦化処理が施され、平坦になっている。つまり、透明膜７は、第２レンズ層１５の側に配置された凹部８と、凹部８と保護層３３との間に配置された平坦部８ａとを有している。
【０１０７】
なお、透明膜７と保護層３３との間に、光路長に調整するための新たな透明膜（光路長調整層）を有する構成であってもよい。つまり、マイクロレンズアレイ基板１０のＺ（＋）方向側の表面（上面７ａ）に光路長に調整するための新たな透明膜（光路長調整層）を設ける構成であってもよい。
【０１０８】
「液晶装置を通過する光の状態」
図６に示すように、第１の凸部１４は、光が進行する方向（Ｚ（＋）方向）に凸となった形状を有している。第１の凸部１４は高屈折率材料（ＳｉＯＮ）で構成され、第１の凸部１４を覆う凹部１６ｂは低屈折率材料（ＳｉＯ2）で構成されている。その結果、第１の凸部１４は正の屈折力（パワー）を有する。つまり、第１の凸部１４は、正の屈折力（パワー）を有するレンズとして機能する。
【０１０９】
第２の凸部１６は、光が進行する方向（Ｚ（＋）方向）に凸となった形状を有している。第２の凸部１６は低屈折率材料（ＳｉＯ2）で構成され、第２の凸部１６を覆う凹部８は高屈折率材料（ＳｉＯＮ）で構成されている。その結果、第２の凸部１６は負の屈折力（パワー）を有する。
【０１１０】
本実施形態に係るマイクロレンズアレイ基板１０は、光が入射する側に正の屈折力のレンズ（第１の凸部１４）が配置され、光が射出される側に負の屈折力のレンズ（第２の凸部１６）が配置された構成を有している。よって、本実施形態に係るマイクロレンズアレイ基板１０は、光Ｌ１が進行するＺ（＋）方向に沿って、正の屈折力のレンズ（第１の凸部１４）と負の屈折力のレンズ（第２の凸部１６）とが順に配置（積層）された構成、すなわち実施形態１に係るマイクロレンズアレイ基板１０と同じ構成を有している。
【０１１１】
従って、マイクロレンズアレイ基板１０を設けていない場合に表示に利用されないＺ（＋）方向の光Ｌ１は、表示光として利用され、マイクロレンズアレイ基板１０を設けていない場合に表示コントラストの低下を招くおそれがある液晶層４０に斜め方向に入射する光Ｌ２は、遮光部Ｖ１によって遮られる。すなわち、本実施形態においても実施形態１と同じ効果を得ることができる。
【０１１２】
以上述べたように、本実施形態に係る液晶装置７２は、上述した実施形態１に係る液晶装置７１で得られる効果（１）〜（６）と同じ効果を有している。加えて、以下に示す新たな効果を得ることができる。
【０１１３】
（１）本実施形態の第２の凸部１６は、第１レンズ層１３の上面１３ａ（第１の凸部１４）にＳｉＯ2を堆積することだけで自己整合的に形成されているので、実施形態１におけるＳｉＯ2のエッチング工程が簡略化され、第２の凸部１６の生産性を高めることができる。
【０１１４】
（実施形態３）
図７は、図３に対応する図であり、実施形態３に係る液晶装置の概略断面図である。図８は、図４に対応する図であり、図７の破線で囲まれた領域Ｂにおける液晶装置の概略断面図である。
【０１１５】
本実施形態に係る液晶装置７３は、マイクロレンズアレイ基板１０の構成が実施形態１に係る液晶装置７１と異なり、他の構成は実施形態１に係る液晶装置７１と同じである。詳しくは、以下に示す内容が、本実施形態のマイクロレンズアレイ基板１０と、実施形態１のマイクロレンズアレイ基板１０との主な相違点である。
【０１１６】
（１）基板１１の上面１１ａには、凹部１２が設けられていない。
（２）第１の凸部１４は、第１レンズ層１３の上面１３ａに設けられている。
（３）第１レンズ層１３と第２レンズ層１５との間に、透明膜７と透明膜１７とが配置され、透明膜７の上面７ａに凹部８が設けられている。つまり、新たな透明膜１７と、上面７ａに凹部８が設けられた透明膜７とを有している。
（４）第２の凸部１６は、第２レンズ層１５の下面１５ｂに設けられている。
以下に、図７及び図８を参照して、本実施形態に係る液晶装置７３の概要を、実施形態１との相違点を中心に説明する。なお、実施形態１と同一の構成部位については、同一の符号を附し、重複する説明を省略する。
【０１１７】
「マイクロレンズアレイ基板の概要」
図７に示すように、マイクロレンズアレイ基板１０は、Ｚ（＋）方向に順に積層された、基板１１と、第１レンズ層１３と、透明膜１７と、透明膜７と、第２レンズ層１５とで構成されている。透明膜１７は、光が入射する下面１７ｂと光が射出される上面１７ａとを有している。透明膜７は、光が入射する下面７ｂと光が射出される上面７ａとを有している。
なお、透明膜１７は本発明における「第１透明膜」の一例であり、透明膜１７の下面１７ｂは本発明における「第３面に接する面」の一例であり、透明膜１７の上面１７ａは本発明における「平坦な面」の一例である。透明膜７は本発明における「第２透明膜」の一例であり、透明膜７の下面７ｂは本発明における「平坦な面に接する面」の一例であり、透明膜７の上面７ａは本発明における「凹部が設けられた面」の一例である。
【０１１８】
基板１１は、例えば石英ガラス基板（ＳｉＯ2）で構成され、基板１１の上面１１ａ及び下面１１ｂは共に平坦である。
第１レンズ層１３は、基板１１よりも高い屈折率の材料（ＳｉＯＮ）で構成されている。第１レンズ層１３は、基板１１の上面１１ａを覆うように設けられ、第１レンズ層１３の下面１３ｂは、基板１１の上面１１ａに接し、平坦である。第１レンズ層１３の上面１３ａには、第１の凸部１４が、画素Ｐ毎に設けられている。第１の凸部１４は、基板１１の上面１１ａにＳｉＯＮを堆積し、堆積された膜（ＳｉＯＮ）に異方性ドライエッチング処理を施すことで、形成されている。つまり、本実施形態に係る第１の凸部１４は、上述した実施形態２に係る第１の凸部１４と同じ方法で形成されている。
【０１１９】
透明膜１７は、光透過性を有し、第１レンズ層１３よりも低い屈折率の材料で構成されている。透明膜１７は、例えばプラズマＣＶＤなどの方法で形成されたＳｉＯ2であり、基板１１の上面１１ａを覆うように設けられている。透明膜１７の下面１７ｂは、第１の凸部１４部を覆う凹部１８を有している。透明膜１７の上面１７ａは、例えばＣＭＰによる平坦化処理が施され、平坦になっている。つまり、透明膜１７は、第１レンズ層１３の側に配置された凹部１８と、凹部１８と透明膜７との間に配置された平坦部１８ａとを有している。
透明膜１７は、第１レンズ層１３の上面１３ａを覆い、下面１７ｂに対向する側に平坦な上面１７ａを有している。さらに、透明膜１７の平坦部１８ａは、光路長を調整する光路長調整層の一部をなす。
【０１２０】
透明膜７は、光透過性を有し、透明膜１７よりも高い屈折率の材料で構成されている。透明膜７は、例えばプラズマＣＶＤなどの方法で形成されたＳｉＯＮであり、透明膜１７の上面１７ａを覆うように設けられている。透明膜７の下面７ｂは、透明膜１７の上面１７ａに接し、平坦である。透明膜７の上面７ａには、平面視で第１の凸部１４と重なる凹部８が設けられている。
【０１２１】
凹部８は、フォトエッチングやレーザー照射などの方法で小孔が形成されたマスクを透明膜７の上面７ａに形成し、例えばフッ酸を含むエッチング液を用いて、当該小孔を介して透明膜７を等方的にエッチングすることで形成されている。すなわち、透明膜７の上面７ａに設けられた凹部８は、実施形態１に係る基板１１の上面１１ａに設けられた凹部１２と同じ方法で形成されている。
【０１２２】
第２レンズ層１５は、光透過性を有し、透明膜７よりも低い屈折率の材料で構成されている。第２レンズ層１５は、例えばプラズマＣＶＤなどの方法で形成されたＳｉＯ2であり、透明膜７の上面７ａを覆うように設けられている。第２レンズ層１５の下面１５ｂは、透明膜７の上面７ａに接し、第１の凸部１４に対応する第２の凸部１６が設けられている。第２レンズ層１５の上面１５ａは、例えばＣＭＰによる平坦化処理が施され、平坦になっている。
【０１２３】
第２の凸部１６は、透明膜７の上面７ａに形成された凹部８の中に、ＳｉＯ2を埋め込むことで形成されている。さらに、第２レンズ層１５は、凹部８の深さよりも厚く形成され、凹部８の内側に配置された第２の凸部１６と、第２の凸部１６と保護層３３との間に配置された平坦部１６ａとを有している。
第２レンズ層１５の上面１５ａは、マイクロレンズアレイ基板１０のＺ（＋）方向側の表面をなし、額縁状の遮光層３２が設けられ、保護層３３で覆われている。
【０１２４】
本実施形態では、透明膜１７の平坦部１８ａ、透明膜７の平坦部８ａ、及び第２レンズ層１５の平坦部１６ａが、所望の光路長に調整する光路長調整層となる。
【０１２５】
なお、透明膜１７と透明膜７との間、及び第２レンズ層１５と保護層３３との間の少なくとも一方に、所望の光路長に調整するための新たな透明膜（光路長調整層）を有する構成であってもよい。
【０１２６】
マイクロレンズアレイ基板１０において、基板１１は石英基板（ＳｉＯ2）で構成され、第１レンズ層１３はＳｉＯＮ（高屈折率材料）で構成され、透明膜１７はＳｉＯ2（低屈折率材料）で構成され、透明膜７はＳｉＯＮ（高屈折率材料）で構成され、第２レンズ層１５はＳｉＯ2（低屈折率材料）で構成されている。第１レンズ層１３を構成するＳｉＯＮ、透明膜１７を構成するＳｉＯ2、透明膜７を構成するＳｉＯＮ、及び第２レンズ層１５を構成するＳｉＯ2は、例えばプラズマＣＶＤで形成されている。プラズマＣＶＤで形成されたＳｉＯＮは、プラズマＣＶＤで形成されたＳｉＯ2と比べて応力が大きい。応力が大きいＳｉＯＮで構成された第１レンズ層１３と透明膜７との間に、応力が小さいＳｉＯ2で構成された透明膜１７を介在させることで、応力が大きいことの悪影響（例えば、基板の反りや膜剥がれなど）、すなわち応力のミスマッチを小さくすることができる。
【０１２７】
すなわち、本実施形態は、応力が大きいＳｉＯＮで構成された構成要素（第１レンズ層１３、透明膜７）の間に、応力が小さいＳｉＯ2で構成された構成要素（透明膜１７）を介在させた実施形態１と同じ構成を有しているので、応力が大きいことの悪影響（応力のミスマッチ）を小さくするという実施形態１と同じ効果を得ることができる。
【０１２８】
「液晶装置を通過する光の状態」
図８に示すように、第１の凸部１４は、光が進行する方向（Ｚ（＋）方向）に凸となった形状を有している。第１の凸部１４は高屈折率材料（ＳｉＯＮ）で構成され、第１の凸部１４を覆う凹部１８は低屈折率材料（ＳｉＯ2）で構成されている。その結果、第１の凸部１４は正の屈折力（パワー）を有する。つまり、第１の凸部１４は、正の屈折力（パワー）を有するレンズとして機能する。
【０１２９】
第２の凸部１６は、光が進行する方向（Ｚ（＋）方向）と逆方向（Ｚ（−）方向）に凸となった形状を有している。第２の凸部１６は低屈折率材料（ＳｉＯ2）で構成され、第２の凸部１６を覆う凹部８は高屈折率材料（ＳｉＯＮ）で構成されている。その結果、第２の凸部１６は負の屈折力（パワー）を有する。つまり、第２の凸部１６は、負の屈折力（パワー）を有するレンズとして機能する。
【０１３０】
本実施形態に係るマイクロレンズアレイ基板１０は、光が入射する側に正の屈折力のレンズ（第１の凸部１４）が配置され、光が射出される側に負の屈折力のレンズ（第２の凸部１６）が配置された構成を有している。よって、本実施形態に係るマイクロレンズアレイ基板１０は、光Ｌ１が進行するＺ（＋）方向に沿って、正の屈折力のレンズ（第１の凸部１４）と負の屈折力のレンズ（第２の凸部１６）とが順に配置（積層）された構成、すなわち実施形態１に係るマイクロレンズアレイ基板１０と同じ構成を有している。
【０１３１】
従って、マイクロレンズアレイ基板１０を設けていない場合に表示に利用されないＺ（＋）方向の光Ｌ１は、表示光として利用され、マイクロレンズアレイ基板１０を設けていない場合に表示コントラストの低下を招くおそれがある液晶層４０に斜め方向に入射する光Ｌ２は、遮光部Ｖ１によって遮られる。すなわち、本実施形態においても実施形態１と同じ効果を得ることができる。
以上述べたように、本実施形態に係る液晶装置７３は、上述した実施形態１に係る液晶装置７１で得られる効果（１）〜（６）と同じ効果を有している。
【０１３２】
（実施形態４）
「電子機器」
図９は、電子機器の一例としてのプロジェクター（投写型表示装置）の構成を示す概略図である。
図９に示すように、本実施形態に係るプロジェクター（投写型表示装置）１００は、偏光照明装置１１０と、２つのダイクロイックミラー１０４，１０５と、３つの反射ミラー１０６，１０７，１０８と、５つのリレーレンズ１１１，１１２，１１３，１１４，１１５と、３つの液晶ライトバルブ１２１，１２２，１２３と、クロスダイクロイックプリズム１１６と、投写レンズ１１７とを備えている。
【０１３３】
偏光照明装置１１０は、例えば超高圧水銀灯やハロゲンランプなどの白色光源からなる光源としてのランプユニット１０１と、インテグレーターレンズ１０２と、偏光変換素子１０３とを備えている。ランプユニット１０１と、インテグレーターレンズ１０２と、偏光変換素子１０３とは、システム光軸Ｌｘに沿って配置されている。
【０１３４】
ダイクロイックミラー１０４は、偏光照明装置１１０から射出された偏光光束のうち、赤色光（Ｒ）を反射させ、緑色光（Ｇ）と青色光（Ｂ）とを透過させる。もう１つのダイクロイックミラー１０５は、ダイクロイックミラー１０４を透過した緑色光（Ｇ）を反射させ、青色光（Ｂ）を透過させる。
【０１３５】
ダイクロイックミラー１０４で反射した赤色光（Ｒ）は、反射ミラー１０６で反射した後にリレーレンズ１１５を経由して液晶ライトバルブ１２１に入射する。ダイクロイックミラー１０５で反射した緑色光（Ｇ）は、リレーレンズ１１４を経由して液晶ライトバルブ１２２に入射する。ダイクロイックミラー１０５を透過した青色光（Ｂ）は、３つのリレーレンズ１１１，１１２，１１３と２つの反射ミラー１０７，１０８とで構成される導光系を経由して液晶ライトバルブ１２３に入射する。
【０１３６】
光変調素子としての透過型の液晶ライトバルブ１２１，１２２，１２３は、クロスダイクロイックプリズム１１６の色光ごとの入射面に対してそれぞれ対向配置されている。液晶ライトバルブ１２１，１２２，１２３に入射した色光は、映像情報（映像信号）に基づいて変調され、クロスダイクロイックプリズム１１６に向けて射出される。
【０１３７】
クロスダイクロイックプリズム１１６は、４つの直角プリズムが貼り合わされて構成されており、その内面には赤色光を反射する誘電体多層膜と青色光を反射する誘電体多層膜とが十字状に形成されている。これらの誘電体多層膜によって３つの色光が合成されて、カラー画像を表す光が合成される。合成された光は、投写光学系である投写レンズ１１７によってスクリーン１３０上に投写され、画像が拡大されて表示される。
【０１３８】
液晶ライトバルブ１２１は、上述した実施形態のマイクロレンズアレイ基板１０を備える液晶装置７１，７２，７３のいずれかが適用されたものである。液晶ライトバルブ１２１は、色光の入射側と射出側とにおいてクロスニコルに配置された一対の偏光素子の間に隙間を置いて配置されている。他の液晶ライトバルブ１２２，１２３も同様である。
【０１３９】
なお、上述したように液晶ライトバルブ１２１，１２２，１２３に適用された液晶装置７１，７２，７３において、第１の凸部１４及び第２の凸部１６の両方でＺ（＋）方向となす角度がさらに大きくなる方向に曲げられた光Ｌ２は、投写レンズ１１７（投写光学系）によってけられ、スクリーン１３０上に投写されにくくなる（表示として認識されにくくなる）。
【０１４０】
上述した実施形態に係る液晶装置７１，７２，７３は、マイクロレンズアレイ基板１０を備えていない液晶装置と比べて、表示の輝度及び表示コントラストが高められ、明るい高品位の表示が提供される。従って、液晶装置７１，７２，７３が搭載されたプロジェクター１００においても、明るい高品位の表示が提供される。
【０１４１】
本発明は、上記実施形態に限られるものではなく、請求の範囲及び明細書全体から読み取れる発明の要旨あるいは思想に反しない範囲で適宜変更可能であり、そのような変更を伴う液晶装置、及び当該液晶装置が搭載された光学ユニットや電子機器もまた本発明の技術的範囲に含まれる。
上記実施形態以外にも様々な変形例が考えられる。以下、変形例を挙げて説明する。
【０１４２】
（変形例１）
液晶装置７１，７２，７３では、光を集光するマイクロレンズアレイ基板１０が対向基板３０の側に設けられ、対向基板３０の側に光が入射し、素子基板２０の側から光が射出されていたが、これに限定されない。例えば、光を集光するマイクロレンズアレイ基板１０を素子基板２０の側に設け、素子基板２０の側に光が入射し、対向基板３０の側から光が射出される構成であってもよい。
【０１４３】
（変形例２）
実施形態１に係る液晶装置７１では、第１レンズ層１３はＳｉＯＮ（高屈折率材料）で構成され、第２レンズ層１５はＳｉＯ2（低屈折率材料）で構成されていたが、これに限定されない。例えば、第１レンズ層１３及び第２レンズ層１５を同じ材料（ＳｉＯＮ）で構成してもよい。第１レンズ層１３及び第２レンズ層１５を同じ材料（ＳｉＯＮ）で構成すると、第１レンズ層１３及び第２レンズ層１５を異なる材料で構成する場合と比べて、第１レンズ層１３及び第２レンズ層１５の層厚の合計値を小さくし、第１レンズ層１３及び第２レンズ層１５を薄くすることができる。第１レンズ層１３及び第２レンズ層１５を薄くすると、第１レンズ層１３及び第２レンズ層１５の応力が小さくなり、応力が大きいことの悪影響を小さくすることができる。
【０１４４】
なお、第１レンズ層１３及び第２レンズ層１５を同じ材料（ＳｉＯＮ）で構成する場合、透明膜７を構成するＳｉＯＮのＮ含有量を、第１レンズ層１３及び第２レンズ層１５を構成するＳｉＯＮのＮ含有量よりも大きくし、透明膜７を構成するＳｉＯＮの屈折率を、第１レンズ層１３及び第２レンズ層１５を構成するＳｉＯＮの屈折率よりも高くする必要がある。
【０１４５】
（変形例３）
実施形態３に係る液晶装置７３では、透明膜１７はＳｉＯ2（低屈折率材料）で構成され、透明膜７はＳｉＯＮ（高屈折率材料）で構成されていたが、これに限定されない。例えば、透明膜１７及び透明膜７を同じ材料（ＳｉＯＮ）で構成してもよい。透明膜１７及び透明膜７を同じ材料（ＳｉＯＮ）で構成すると、透明膜１７及び透明膜７を異なる材料で構成する場合と比べて、透明膜１７及び透明膜７の膜厚の合計値を小さくし、透明膜１７及び透明膜７を薄くすることができる。透明膜１７及び透明膜７を薄くすると、透明膜１７及び透明膜７の応力が小さくなり、応力が大きいことの悪影響を小さくすることができる。
【０１４６】
なお、透明膜１７及び透明膜７を同じ材料（ＳｉＯＮ）で構成する場合、第１レンズ層１３を構成するＳｉＯＮのＮ含有量を、透明膜１７及び透明膜７を構成するＳｉＯＮのＮ含有量よりも大きくし、第１レンズ層１３を構成するＳｉＯＮの屈折率を、透明膜１７及び透明膜７を構成するＳｉＯＮの屈折率よりも高くする必要がある。
【０１４７】
（変形例４）
本実施形態に係る液晶装置７１，７２，７３が適用される電子機器は、実施形態４に係るプロジェクター（投写型表示装置）１００に限定されない。例えば、プロジェクター（投写型表示装置）１００の他に、投写型のＨＵＤ（ヘッドアップディスプレイ）、直視型のＨＭＤ（ヘッドマウントディスプレイ）、電子ブック、パーソナルコンピューター、デジタルスチルカメラ、液晶テレビ、ビューファインダー型あるいはモニター直視型のビデオレコーダー、カーナビゲーションシステム、ＰＯＳなどの情報端末機器、及び電子手帳などの電子機器に、本実施形態に係る液晶装置７１，７２，７３を適用させることができる。
【符号の説明】
【０１４８】
７１，７２，７３…液晶装置、２…走査線、３…データ線、４…容量線、５…蓄積容量、１０…マイクロレンズアレイ基板、１１…基板、１１ａ…基板の上面、１１ｂ…基板の下面、１２…凹部、１３…第１レンズ層、１３ａ…第１レンズ層の上面、１３ｂ…第１レンズ層の下面、１４…第１の凸部、１４ａ…平坦部、１５…第２レンズ層、１５ａ…第２レンズ層の上面、１５ｂ…第２レンズ層の下面、１６…第２の凸部、１６ａ…平坦部、７…透明膜、７ａ…透明膜の上面、７ｂ…透明膜の下面、８…凹部、８ａ…平坦部、１７…透明膜、１７ａ…透明膜の上面、１７ｂ…透明膜の下面、１８…凹部、１８ａ…平坦部、２０…素子基板、２１…基板、２２…遮光層、２３…絶縁層、２４…ＴＦＴ、２５…絶縁層、２６…遮光層、２７…絶縁層、２８…画素電極、２９…配向膜、３０…対向基板、３２…遮光層、３３…保護層、３４…共通電極、３５…配向膜、４０…液晶層、Ｖ１…遮光部、Ｖ２…開口部。
【図１】
2015206813.tif 000003
【図２】
2015206813.tif 000004
【図３】
2015206813.tif 000005
【図４】
2015206813.tif 000006
【図５】
2015206813.tif 000007
【図６】
2015206813.tif 000008
【図７】
2015206813.tif 000009
【図８】
2015206813.tif 000010
【図９】
2015206813.tif 000011