(57)【要約】【課題】反射層の経時劣化が少なく、かつ発光素子の側面からも十分に光取り出し可能な発光装置、及びその製造方法の提供を目的とする。【解決手段】基板と、前記基板の実装領域に実装された発光素子と、前記基板の実装領域の周縁部に形成された撥液層と、前記基板上かつ前記撥液層の外周に形成された反射層とを含む発光装置の製造方法であって、発光素子の実装領域の周縁部の基板面に撥液層を形成する工程と、前記基板上かつ前記撥液層より外側に反射層形成用組成物を塗布し、反射層を形成する工程と、を含む発光装置の製造方法とする。【選択図】図５
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と、前記基板の実装領域に実装された発光素子と、前記基板の実装領域の周縁部に形成された撥液層と、前記基板上かつ前記撥液層の外周に形成された反射層とを含む発光装置の製造方法であって、
発光素子の実装領域の周縁部の基板面に、撥液材料を含む撥液層を形成する工程と、
前記基板上かつ前記撥液層より外側に反射層形成用組成物を塗布し、反射層を形成する工程と、
を含む発光装置の製造方法。
【請求項２】
基板と、前記基板の実装領域に実装された発光素子と、前記基板の実装領域外に形成された撥液層と、前記撥液層を被覆する反射層とを含む発光装置の製造方法であって、
発光素子の実装領域外の基板面に、撥液材料を含む撥液層を形成する工程と、
前記基板上かつ前記撥液層を被覆するように、反射層形成用組成物を塗布し、反射層を形成する工程と、
を含む発光装置の製造方法。
【請求項３】
前記撥液層形成工程が、前記実装領域外の基板面全域に、前記撥液層を形成する工程である、請求項２に記載の発光装置の製造方法。
【請求項４】
前記撥液層形成工程が、前記実装領域外の基板面に、複数のライン状に、前記撥液層を形成する工程である、請求項２に記載の発光装置の製造方法。
【請求項５】
前記反射層形成工程が、厚みが連続的に変化する反射層を形成する工程である、請求項２〜４のいずれか一項に記載の発光装置の製造方法。
【請求項６】
前記撥液層形成工程が、気相成膜法で撥液層を形成する工程である、請求項１〜５のいずれか一項に記載の発光装置の製造方法。
【請求項７】
前記発光素子が、ＬＥＤ素子である、請求項１〜６のいずれか一項に記載の発光装置の製造方法。
【請求項８】
前記発光装置が、前記ＬＥＤ素子を被覆する波長変換層をさらに含み、
前記発光素子上に、蛍光体粒子及びバインダを含む波長変換層用組成物を塗布する工程を含む、請求項７に記載の発光装置の製造方法。
【請求項９】
前記反射層形成用組成物が溶媒を含み、
前記撥液層が、前記溶媒に対して撥液性を有する、請求項１〜８のいずれか一項に記載の発光装置の製造方法。
【請求項１０】
基板と、前記基板の実装領域に実装された発光素子と、前記基板の実装領域の周縁部に形成された撥液層と、前記基板上かつ前記撥液層の外周に形成された反射層とを有する発光装置。
【請求項１１】
基板と、前記基板の実装領域に実装された発光素子と、前記基板の実装領域外に形成された撥液層と、前記撥液層を被覆する反射層と、を含む発光装置。
【請求項１２】
前記反射層の厚みが連続的に変化する、請求項１１に記載の発光装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、発光装置及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、半導体レーザー装置やＬＥＤ装置等が、各種光源や、従来の蛍光灯や白熱電灯等の代替品として広く適用されている。このような発光装置では、さらなる光取り出し効率の向上、及び長寿命化が求められている。
【０００３】
そこで、一般的な発光装置には、発光素子の周囲に、光反射率が高いリフレクタが配置されている。このようなリフレクタは、一般的に金属メッキ等から形成されており、発光素子が発する光を光取り出し面側に反射する。
【０００４】
しかし、発光装置の基板には、通常、リード電極等の配線が含まれるため、電気の導通防止の観点から、金属からなるリフレクタを基板全面に形成することができなかった。そして、リフレクタが形成されていない領域では、基板に光が吸収されてしまい、光取り出し効率が十分に高まり難かった。さらに、金属メッキからなるリフレクタは、発光装置の使用環境中に含まれる硫化水素ガス等によって腐食されやすい。そのため、経時で発光装置からの光取り出し効率が低下するとの問題もあった。
【０００５】
そこで、金属メッキを透明樹脂層で覆うことや（特許文献１）、白色の樹脂層で、金属メッキを覆うことが提案されている（特許文献２）。
【０００６】
一方、ＬＥＤ装置では、ＬＥＤ素子が出射する特定波長の光を、蛍光体によって他の特定波長の光に変換することが一般的である。このようなＬＥＤ装置の製造方法として、平板状の基板の外周部に撥液材料を塗布した後、蛍光体分散液を基板上に塗布することで、所望の領域にのみ波長変換層を形成する方法が提案されている（特許文献３）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００７】
【特許文献１】特開２００５−１３６３７９号公報
【特許文献２】特開２０１１−２３６２１号公報
【特許文献３】特開２０１２−４４０４８号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
前述の特許文献１及び特許文献２に記載の技術では、樹脂が熱や光によって劣化しやすく、樹脂が劣化すると、金属メッキの腐食が進行する。したがって、当該技術では、発光装置からの光取り出し効率の低下を十分に抑制することが困難であった。特に、車載用のヘッドライト等、大光量が必要とされる用途において、樹脂が劣化しやすかった。
【０００９】
そこで、基板上に、光拡散粒子を無機材料に分散させた組成物を塗布して、無機材料からなる反射層を形成することが考えられる。しかし、反射層を得るための組成物が発光素子の発光面に付着すると、発光素子から光を取り出せなくなる。したがって、発光装置からの光取り出し効率を十分に高められない、との問題があった。
【００１０】
本発明は、上述の課題に鑑みてなされたものである。すなわち、反射層の経時劣化が少なく、かつ発光素子の側面からも十分に光取り出し可能な発光装置、及びその製造方法を提供する。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
本発明は、以下の発光装置の製造方法を提供する。
［１］基板と、前記基板の実装領域に実装された発光素子と、前記基板の実装領域の周縁部に形成された撥液層と、前記基板上かつ前記撥液層の外周に形成された反射層とを含む発光装置の製造方法であって、発光素子の実装領域の周縁部の基板面に、撥液材料を含む撥液層を形成する工程と、前記基板上かつ前記撥液層より外側に反射層形成用組成物を塗布し、反射層を形成する工程と、を含む発光装置の製造方法。
【００１２】
［２］基板と、前記基板の実装領域に実装された発光素子と、前記基板の実装領域外に形成された撥液層と、前記撥液層を被覆する反射層とを含む発光装置の製造方法であって、発光素子の実装領域外の基板面に、撥液材料を含む撥液層を形成する工程と、前記基板上かつ前記撥液層を被覆するように、反射層形成用組成物を塗布し、反射層を形成する工程と、を含む発光装置の製造方法。
【００１３】
［３］前記撥液層形成工程が、前記実装領域外の基板面全域に、前記撥液層を形成する工程である、［２］に記載の発光装置の製造方法。
［４］前記撥液層形成工程が、前記実装領域外の基板面に、複数のライン状に、前記撥液層を形成する工程である、［２］に記載の発光装置の製造方法。
［５］前記反射層形成工程が、厚みが連続的に変化する反射層を形成する工程である、［２］〜［４］のいずれかに記載の発光装置の製造方法。
［６］前記撥液層形成工程が、気相成膜法で撥液層を形成する工程である、［１］〜［５］のいずれかに記載の発光装置の製造方法。
【００１４】
［７］前記発光素子が、ＬＥＤ素子である、［１］〜［６］のいずれかに記載の発光装置の製造方法。
［８］前記発光装置が、ＬＥＤ素子を被覆する波長変換層をさらに含み、前記発光素子上に、蛍光体粒子及びバインダを含む波長変換層用組成物を塗布する工程を含む、［７］に記載の発光装置の製造方法。
［９］前記反射層形成用組成物が溶媒を含み、前記撥液層が、前記溶媒に対して撥液性を有する、［１］〜［８］のいずれかに記載の発光装置の製造方法。
【００１５】
また、本発明は、以下の発光装置を提供する。
［１０］基板と、前記基板の実装領域に実装された発光素子と、前記基板の実装領域の周縁部に形成された撥液層と、前記基板上かつ前記撥液層の外周に形成された反射層とを有する発光装置。
［１１］基板と、前記基板の実装領域に実装された発光素子と、前記基板の実装領域外に形成された撥液層と、前記撥液層を被覆する反射層と、を含む発光装置。
［１２］前記反射層の厚みが連続的に変化する、［１１］に記載の発光装置。
【発明の効果】
【００１６】
本発明の方法で得られる発光装置では、発光素子の発光面が反射層によって覆われず、発光素子の発光面から十分に光を取り出すことができる。また、反射層が経時で劣化し難いため、長期間にわたって、高い光取り出し効率が維持される。
【図面の簡単な説明】
【００１７】
【図１】図１（ａ）は、本発明の第一の態様の製造方法で得られる発光装置の一例を示す概略断面図であり、図１（ｂ）は当該発光装置の上面図である。
【図２】図２（ａ）は、本発明の第一の態様の製造方法で得られる発光装置の他の例を示す概略断面図であり、図２（ｂ）は当該発光装置の上面図である。
【図３】本発明の第一の態様の製造方法で得られる発光装置の他の例を示す概略断面図である。
【図４】本発明の第一の態様の製造方法で得られる発光装置の他の例を示す概略断面図である。
【図５】本発明の発光装置の製造方法の第一の態様の工程図の一例である。
【図６】本発明の発光装置の製造方法の第一の態様の工程図の他の例である。
【図７】本発明の第二の態様の製造方法で得られる発光装置の一例を示す概略断面図である。
【図８】本発明の第二の態様の製造方法で得られる発光装置の他の例を示す概略断面図である。
【図９】本発明の第二の態様の製造方法で得られる発光装置の他の例を示す概略断面図である。
【図１０】本発明の発光装置の製造方法の第二の態様の工程図の一例である。
【図１１】本発明の発光装置の製造方法の第二の態様の撥液層形成工程を説明するための説明図であり、図１０（ａ）は概略断面図であり、図１０（ｂ）は上面図である。
【図１２】本発明の実施例で作製した発光装置の一例を示す概略断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１８】
以下、本発明を詳細に説明するが、本発明は以下の実施の形態に限定されるものではなく、その要旨の範囲内であれば種々に変更して実施することができる。
【００１９】
本発明の方法では、基板と、基板上に実装された発光素子と、当該発光素子が出射する光を光取り出し面側に反射するための反射層とを有する発光装置を製造する。本発明では、反射層の形成方法によって、以下の２つの態様がある。
【００２０】
１．第一の態様
第一の態様では、図１に示されるように、基板１と、基板１の実装領域に実装された発光素子２と、発光素子２の周縁部の基板面に形成された撥液層３と、当該撥液層３の外周の基板面に形成された反射層４とを有する発光装置１００を製造する。なお、本態様において、発光素子２の周縁部とは、基板１と発光素子２とが積層されている領域（以下、「実装領域」ともいう）の周囲の領域をいう。また、基板面とは、基板１を構成する面のうち、発光素子２が実装されている面をいう。
【００２１】
本態様では、後述するように、発光素子２の周縁部の基板面に撥液層３を形成してから、反射層４を形成する。その結果、撥液層３によって、反射層形成用組成物の流動性や付着領域が制御され、発光素子２の発光面への付着が抑制される。つまり、発光素子２の発光面が反射層形成用組成物によって覆われず、発光素子２から出射する光が十分に取り出される。
【００２２】
ここで、本態様の方法で得られる発光装置１００では、反射層４のバインダがポリシロキサンであることが好ましい。この場合、反射層４が熱や光によって劣化し難く、経時で反射層４の光反射性が低下することが少なくなる。
【００２３】
なお、本態様の方法で得られる発光装置１００には、図３に示されるように、前述の各部材の他に、発光素子２が出射した特定波長の光を他の特定波長の光に変換する波長変換層１３がさらに含まれてもよい。
【００２４】
１−１．発光装置に含まれる部材
１−１−１．基板
発光装置１００に含まれる基板１は、図１（ａ）に示されるようにキャビティ（凹部）を有していてもよく、平板状であってもよい。キャビティの形状は特に制限されない。例えば図１（ａ）に示されるように円柱状であってもよく、円錐台状や角錐台状、角柱状等であってもよい。また、キャビティの底面は、図１（ａ）に示されるように発光素子２の実装面に対して平行であってもよいが、キャビティの底面の一部が、発光素子２の実装面に対して角度を有してもよい。
【００２５】
基板１は、絶縁性及び耐熱性を有することが好ましく、セラミック樹脂や耐熱性樹脂からなることが好ましい。耐熱性樹脂の例には、液晶ポリマー、ポリフェニレンスルフィド、芳香族ナイロン、エポキシ樹脂、硬質シリコーンレジン、ポリフタル酸アミド等が含まれる。
【００２６】
基板１には、無機フィラーが含まれていてもよい。無機フィラーは、酸化チタン、酸化亜鉛、アルミナ、シリカ、チタン酸バリウム、リン酸カルシウム、炭酸カルシウム、ホワイトカーボン、タルク、炭酸マグネシウム、窒化ホウ素、グラスファイバー等でありうる。
【００２７】
基板１には通常、発光素子２に電気を供給するためのリード電極１１が含まれる。リード電極１１は、銀等の金属からなる。リード電極１１を有する基板１は、一般的な方法で作製され、例えば樹脂とリードフレームとを一体成型して得られる。
【００２８】
１−１−２．発光素子
発光装置１００に含まれる発光素子２は、基板１の実装領域に固定され、かつ基板１に含まれるリード電極１１等と電気的に接続されたものでありうる。当該発光素子２の種類は、特に制限されず、半導体レーザー素子や、ＬＥＤ素子等でありうる。図１に示される発光装置１００には、基板１に１つの発光素子２のみが配置されているが、基板１に複数の発光素子２が配置されていてもよい。
【００２９】
半導体レーザー素子やＬＥＤ素子は、基板１に含まれるリード電極１１と電気的に接続されて、特定の波長の光を発する。半導体レーザー素子やＬＥＤ素子が出射する光の波長は特に制限されない。例えばＬＥＤ素子は、青色光（４２０ｎｍ〜４８５ｎｍ程度の光）を発する素子や、紫外光を発する素子でありうる。
【００３０】
ＬＥＤ素子が、青色光を発する素子である場合、ＬＥＤ素子は、ｎ−ＧａＮ系化合物半導体層（クラッド層）と、ＩｎＧａＮ系化合物半導体層（発光層）と、ｐ−ＧａＮ系化合物半導体層（クラッド層）と、透明電極層との積層体でありうる。ＬＥＤ素子は、例えば２００〜３００μｍ×２００〜３００μｍの発光面（上面）を有するものでありうる。またＬＥＤ素子の高さは、通常５０〜２００μｍ程度である。発光素子は、上面のみから光を取り出すものであってもよく、上面及び側面から光を取り出すものであってもよい。
【００３１】
発光素子２と基板１のリード電極１１との接続方法は特に制限されない。発光素子２がＬＥＤ素子である場合、例えば図１に示されるように、ＬＥＤ素子とリード電極１１とが、金属ワイヤ１２を介して接続され得る。また、ＬＥＤ素子２は、リード電極１１と突起電極を介して接続され得る。ＬＥＤ素子２とリード電極１１とが、金属ワイヤ１２を介して接続される態様をワイヤボンディング型といい、ＬＥＤ素子２とリード電極１１とが、突起電極を介して接続される態様をフリップチップ型という。
【００３２】
１−１−３．撥液層
発光装置１００に含まれる撥液層３は、発光素子２の実装領域の周縁部の基板面に形成された層である。撥液層３に対する反射層形成用組成物の接触角は、基板１に対する反射層形成用組成物の接触角より高い。その結果、反射層形成用組成物の付着領域や厚みが撥液層によって調整され、反射層形成用組成物の発光素子２の発光面への付着が抑制される。なお、撥液層３は、撥液性によって反射層形成用組成物の付着領域を調整するだけでなく、撥液層３の形状によって、物理的にも反射層形成用組成物の付着領域を調整するものであってもよい。
【００３３】
本態様では、撥液層が、発光素子２の実装領域の周縁部、具体的には実装領域の外縁から１０μｍ以内の範囲内に形成されていることが好ましい。
【００３４】
また、撥液層３の形成領域は、反射層形成用組成物と発光素子２の発光面との接触を抑制可能な領域であれば特に制限されないが、図１に示されるように、発光素子２の実装領域を囲むように形成されていることが好ましい。一方、撥液層３は、図１に示されるように、発光素子２の実装領域に隣接して形成されていてもよく、図２（ａ）及び（ｂ）に示されるように、発光素子２の実装領域と間隙をあけて形成されていてもよい。図２（ｂ）に示されるように、撥液層３が、発光素子２の実装領域と間隙をあけて形成されている場合には、撥液層３と発光素子２との間には基板１が露出する。したがって、基板１の露出面積を少なくし、基板１への光の吸収を抑制するとの観点からは、図１（ａ）及び（ｂ）に示されるように、撥液層３が発光素子２に隣接して形成されていることが好ましい。
【００３５】
なお、撥液層３は、発光素子２の実装領域の基板面だけでなく、発光素子２の上面や側面に形成されていてもよい。また、撥液層３は基板１と発光素子２との間に形成されていてもよい。
【００３６】
撥液層３の幅は反射層形成用組成物の粘度等に応じて適宜選択されるが、非常に細くとも、反射層形成用組成物の発光素子２の発光面への付着を抑制可能である。例えば、撥液層３の幅は１０μｍ以下とすることもできる。
【００３７】
一方、撥液層３の厚みは、撥液層３の形成方法に応じて適宜選択される。例えば、撥液層３が気相成膜法で形成される場合には、特に制限されず、例えば撥液層３は単分子膜等でもありうる。一方、撥液層３が塗布法で形成される場合には、通常１００ｎｍ以上であることが好ましい。
【００３８】
撥液層３に含まれる撥液材料の分子量は特に制限されず、低分子量の化合物であってもよく、高分子量の化合物であってもよい。撥液材料の例には、シリコーン樹脂、酸化チタン系撥水剤、フッ素系撥水剤、グリース、ワックス等が含まれる。シリコーン樹脂の例には、ＫＥＲ−６０２０Ｆ、ＫＥＲ−６０７５Ｆ、ＫＥＲ−２５００  Ａ／Ｂ、ＫＥＲ−２６００  Ａ／Ｂ、ＫＥ−１０９Ｅ  Ａ／Ｂ、ＫＥ−１０１１  Ａ／Ｂ、ＫＥ−１２８６Ｔ  Ａ／Ｂ、Ｘ−３３−１９７（プライマー）、ＳＩＭ−２４０、ＫＴ−１２８６Ｔ  Ａ／Ｂ、ＫＰ−９１１、Ｘ−２４−９４８１（いずれも信越シリコーン社製）；ＯＥ６３７０、ＪＣＲ６１０１、ＪＣＲ６１２５Ａ／Ｂ、ＳＨ２００（１ｍｍ２／ｓ）、ＳＨ２００（１０５ｍｍ２／ｓ）、ＳＨ２００（１０６ｍｍ２／ｓ）（いずれも東レ・ダウコーニング社製）；ＸＥ１４−３４４５Ａ／Ｂ（モメンティブ・パフォーマンス社製）；等が含まれる。
【００３９】
酸化チタン系撥水剤の例には、ＮＡＮＯ  ＩＮＤＥＮＴ（ＣＴＣ  ＮＡＮＯＴＥＣＨＮＯＲＯＧＹ社製）が含まれる。
【００４０】
フッ素系撥水剤の例には、パーフルオロアルキルスルホン酸、パーフルオロアルキルカルボン酸、パーフルオロアルキルアルキレンオキシド付加物、パーフルオロアルキルトリアルキルアンモニウム塩、パーフルオロアルキル基と親水基を含むオリゴマー、パーフルオロアルキル基と親油基を含むオリゴマー、パーフルオロアルキル基と親水基と新油基を含むオリゴマー、パーフルオロアルキルと親水基を含むウレタン、パーフルオロアルキルエステル、パーフルオロアルキル燐酸エステル等のフッ素含有有機化合物などが含まれる。フッ素系撥水剤の具体例としては、メガファックＦ１１６、メガファックＦ１２０、メガファックＦ１４２Ｄ、メガファックＦ１４４Ｄ、メガファックＦ１５０、メガファックＦ１６０、メガファックＦ１７１、メガファックＦ１７２、メガファックＦ１７３、メガファックＦ１７７、メガファックＦ１７８Ａ、メガファックＦ１７８Ｋ、メガファックＦ１７９、メガファックＦ１８３、メガファックＦ１８４、メガファックＦ１９１、メガファックＦ８１２、メガファックＦ８１５、メガファックＦ８２４、メガファックＦ８３３、ＤＥＦＥＮＳＡＭＣＦ３００、メガファックＭＣＦ３１０、メガファックＭＣＦ３１２、メガファックＭＣＦ３２３、メガファックＲＳ３０４、メガファックＲＳ２０２、メガファックＲＳ２０１、メガファックＲＳ１０２、メガファックＲＳ１０１、メガファックＲＳ１０５、メガファックＲＳ４０１、メガファックＲＳ４０２、メガファックＲＳ５０１、メガファックＲＳ５０２、メガファックＲＳ３０１、メガファックＲＳ３０３（いずれも大日本インキ化学工業社製）；フロラードＦＣ４３０、メガファックＦＣ４３１（いずれも住友スリーエム社製）；アサヒガードＡＧ７１０、サーフロンＳ−３８２、メガファックＳＣ−１０１、メガファックＳＣ−１０２、メガファックＳＣ−１０３、メガファックＳＣ−１０４、メガファックＳＣ−１０５、メガファックＳＣ−１０６（いずれも住友スリーエム社製）；オブツールＤＡＣ（ダイキン工業社製）、ＦＳ−１０９０、ＦＳ−５０６０（いずれもフロロテクノロジー社製）；ＳＦＥ−Ｇ００１、ＳＦＥ−Ｇ００８、ＳＦＥ−Ｘ１４Ｈ（いずれもＡＧＣセイケミカル社製）、が含まれる。
【００４１】
グリースの例には、アポロイル  オートレックスＪ−２（透明タイプ）、アポロイル  オートレックスＡ（淡黄褐色タイプ）、アポロイル  オートレックスＬ（淡緑色タイプ）、アポロイル  グリースリザーバー（黄褐色タイプ）、アポロイル  シャーシーＮｏ．０（褐色、滴点１００度）、アポロイル  シャーシー  Ｎｏ．０００（淡黄色タイプ）、ダフニーエポネクスＳＲ  Ｎｏ．０（白キャップ）、ダフニーエポネクスＳＲ  Ｎｏ．２（青キャップ）（いずれも出光興産社製）；ＨＩＶＡＣ−Ｇ（信越シリコーン社製）；Ｙ  ＶＡＣ３（ＦＯＭＢＬＩＮ社製）；ハイバキュームグリス（東レ・ダウコーニング社製）；ポリブテン  ＨＶ−１９００、ポリブテン  ＬＶ−７、ポリブデン  ＨＶ−３００、シャーシグリース００、タフリックスＲＢ−２（いずれもＪＸ日鉱日石エネルギー社製）、オメガＮｏ．２２、オメガＮｏ．３３、オメガＮｏ．３８、オメガＮｏ．５８、ジータＮｏ．２０１（いずれもオメガ社製）；等が含まれる。
【００４２】
ワックスの例には、アクアワックスＳＥ４４２、アクアワックスＳＥ５６７、アクアワックス５０（いずれも日化精工社製）、パラフィンワックス、マイクロワックス、水溶性ワックス（いずれも日本精蝋社製）；パラフィンワックス（ＪＸ日鉱日石エネルギー社製）；等が含まれる。
【００４３】
また、気相成膜法で撥液層を成膜する場合の撥液材料の例には、ＣＦ４、ＳＦ６、代替フロンガス（ＨＦＣ）等が含まれる。これらの撥液材料で撥液層を成膜すると、基材１表面にフッ化物からなる層が形成される。
【００４４】
１−１−４．反射層
本態様の発光装置１００に含まれる反射層４は、前述の撥液層３の外周の基板面に形成された層であり、撥液層３と接するように形成される。反射層４の発光素子２側の端部は、撥液層３の一部を被覆してもよい。反射層４は、発光素子２が出射する光や、後述する波長変換層１３に含まれる蛍光体粒子が発する蛍光を、発光装置１００の光取り出し面側に反射する層である。反射層４が光を反射することで、発光装置１００からの光取り出し効率が高まる。
【００４５】
反射層４は、発光素子２の発光面を被覆しないように形成される。ここで、発光素子２の側面からも光が取り出される場合、図１（ａ）に示されるように、反射層４の発光素子側端部と発光素子２の側面との間に、隙間が形成されていることが好ましい。当該隙間は１０μｍ以上であることが好ましい。このとき、図１（ａ）に示されるように、反射層４の基板１側において、反射層４の端部と発光素子２の側面とが接していてもよい。
【００４６】
反射層４の厚みは、５〜５０μｍであることが好ましく、より好ましくは５〜３０μｍである。反射層４の厚みが、５０μｍ以下であると、反射層４にクラックが発生し難い。一方、反射層４の厚みが５μｍ以上であると、反射層４の光反射性が十分に高まりやすい。なお、反射層４は、膜内の厚みが一定であってもよいが、連続的にもしくは断続的に厚みが変化していてもよい。
【００４７】
反射層４には、光拡散粒子及びポリシロキサンが含まれることが好ましい。反射層４に含まれる光拡散粒子は、光拡散性の高い粒子であれば、特に制限されない。光拡散粒子の全反射率は、８０％以上であることが好ましく、さらに好ましくは９０％以上である。全反射率は日立ハイテク社製、日立分光光度計Ｕ４１００により測定できる。
【００４８】
光拡散粒子の例には、炭酸カルシウム、炭酸マグネシウム、炭酸バリウム、硫酸マグネシウム、硫酸バリウム、硫酸カルシウム、酸化亜鉛、酸化チタン、酸化マグネシウム、酸化ジルコニウム、硫化亜鉛、水酸化アルミニウム、窒化ホウ素、窒化アルミニウム、チタン酸カリウム、チタン酸バリウム、チタン酸アルミニウム、チタン酸ストロンチウム、チタン酸カルシウム、チタン酸マグネシウム、ヒドロキシアパタイト、等が含まれる。これらの粒子は、全反射率が大きく、取り扱い易い。反射層４には、光拡散粒子が１種のみ含まれてもよく、また２種以上が含まれてもよい。
【００４９】
光拡散粒子の平均一次粒径は、１００ｎｍより大きく、２０μｍ以下であることが好ましく、１００ｎｍより大きく１０μｍ以下であることがより好ましく、さらに好ましくは２００ｎｍ〜２．５μｍである。本発明における平均一次粒径とは、レーザー回折式粒度分布計で測定されるＤ５０の値をいう。レーザー回折式粒度分布測定装置の例には、島津製作所製のレーザー回折式粒度分布測定装置等がある。
【００５０】
反射層４に含まれる光拡散粒子の量は、反射層４の全質量に対して、６０〜９５質量％であることが好ましく、さらに好ましくは７０〜９０質量％である。光拡散粒子の量が６０質量％以上であると、反射層４の光反射性が十分高まりやすい。一方、光拡散粒子の量が９５質量以下であると、相対的にバインダの量が多くなり、反射層４の強度が高まりやすい。
【００５１】
一方、反射層４のバインダであるポリシロキサンは、２官能シラン化合物、３官能シラン化合物、４官能シラン化合物、またはそのオリゴマーの硬化物でありうる。シラン化合物のオリゴマーは、シラン化合物のモノマーを縮合反応させて得られる。
【００５２】
反射層４のバインダであるポリシロキサンは、例えば、３官能シラン化合物及び４官能シラン化合物のモノマーまたはそのオリゴマーの重合体でありうる。３官能シラン化合物及び４官能シラン化合物の重合比率（モル比率）は、３：７〜７：３であることが好ましく、４：６〜６：４であることがより好ましい。重合比率（モル比率）が上記範囲であると、ポリシロキサンの架橋度が過度に高まらず、反射層４のクラックが抑制される。一方で、基板１や撥液層３の表面に存在する水酸基と、ポリシロキサン中のケイ素とが、十分にシロキサン結合するため、反射層４と基板１や撥液層３との密着性が高まりやすい。
【００５３】
反射層４のバインダであるポリシロキサンは、２官能シラン化合物及び３官能シラン化合物のモノマーまたはそのオリゴマーの重合体（ポリシロキサン）でもありうる。２官能シラン化合物及び３官能シラン化合物の重合比率（モル比率）は１：９〜４：６であることが好ましく、１：９〜３：７であることが好ましい。重合比率が上記範囲であると、基板１や撥液層３の表面に存在する水酸基と、ポリシロキサン中のケイ素とが、十分にシロキサン結合するため、反射層４と基材１や撥液層３との密着性が十分に高まる。
【００５４】
反射層４のバインダであるポリシロキサンは、２官能シラン化合物、３官能シラン化合物、及び４官能シラン化合物のモノマーまたはそのオリゴマーの重合体でもありうる。２官能シラン化合物の重合比率は、２官能シラン化合物、３官能シラン化合物、及び４官能シラン化合物の総量（モル）を１００とした場合に、３〜３０（モル）であることが好ましい。３官能シラン化合物の重合比率は、２官能シラン化合物、３官能シラン化合物、及び４官能シラン化合物の総量（モル）を１００とした場合に、４０〜８０（モル）であることが好ましい。４官能シラン化合物の重合比率は、２官能シラン化合物、３官能シラン化合物、及び４官能シラン化合物の総量（モル）を１００とした場合に、１０〜３０（モル）であることが好ましい。
【００５５】
上記４官能シラン化合物の例には、下記一般式（II）で表される化合物が含まれる。
Ｓｉ（ＯＲ４）４      …（II）
上記一般式（II）中、Ｒ４はそれぞれ独立にアルキル基またはフェニル基を表し、好ましくは炭素数１〜５のアルキル基、またはフェニル基を表す。
４官能シラン化合物の具体例には、テトラメトキシシラン、テトラエトキシシラン、テトラプロポキシシランテトラブトキシシラン、テトラペンチルオキシシラン、テトラフェニルオキシシラン、トリメトキシモノエトキシシラン、ジメトキシジエトキシシラン、トリエトキシモノメトキシシラン、トリメトキシモノプロポキシシラン、モノメトキシトリブトキシシラン、モノメトキシトリペンチルオキシシラン、モノメトキシトリフェニルオキシシラン、ジメトキシジプロポキシシラン、トリプロポキシモノメトキシシラン、トリメトキシモノブトキシシラン、ジメトキシジブトキシシラン、トリエトキシモノプロポキシシラン、ジエトキシジプロポキシシラン、トリブトキシモノプロポキシシラン、ジメトキシモノエトキシモノブトキシシラン、ジエトキシモノメトキシモノブトキシシラン、ジエトキシモノプロポキシモノブトキシシラン、ジプロポキシモノメトキシモノエトキシシラン、ジプロポキシモノメトキシモノブトキシシラン、ジプロポキシモノエトキシモノブトキシシラン、ジブトキシモノメトキシモノエトキシシラン、ジブトキシモノエトキシモノプロポキシシラン、モノメトキシモノエトキシモノプロポキシモノブトキシシランなどのアルコキシシラン、またはアリールオキシシラン等が含まれる。これらの中でもテトラメトキシシラン、テトラエトキシシランが好ましい。
【００５６】
上記３官能シラン化合物の例には、下記一般式（III）で表される化合物が含まれる。
Ｒ５Ｓｉ（ＯＲ６）３      …（III）
上記一般式（III）中、Ｒ６は、それぞれ独立にアルキル基またはフェニル基を表し、好ましくは炭素数１〜５のアルキル基、またはフェニル基を表す。また、Ｒ５は、水素原子またはアルキル基を表す。
【００５７】
３官能シラン化合物の具体例には、トリメトキシシラン、トリエトキシシラン、トリプロポキシシラン、トリペンチルオキシシラン、トリフェニルオキシシラン、ジメトキシモノエトキシシラン、ジエトキシモノメトキシシラン、ジプロポキシモノメトキシシラン、ジプロポキシモノエトキシシラン、ジペンチルオキシルモノメトキシシラン、ジペンチルオキシモノエトキシシラン、ジペンチルオキシモノプロポキシシラン、ジフェニルオキシルモノメトキシシラン、ジフェニルオキシモノエトキシシラン、ジフェニルオキシモノプロポキシシラン、メトキシエトキシプロポキシシラン、モノプロポキシジメトキシシラン、モノプロポキシジエトキシシラン、モノブトキシジメトキシシラン、モノペンチルオキシジエトキシシラン、モノフェニルオキシジエトキシシラン等のモノヒドロシラン化合物；メチルトリメトキシシラン、メチルトリエトキシシラン、メチルトリプロポキシシラン、メチルトリペンチルオキシシラン、メチルモノメトキシジエトキシシラン、メチルモノメトキシジプロポキシシラン、メチルモノメトキシジペンチルオキシシラン、メチルモノメトキシジフェニルオキシシラン、メチルメトキシエトキシプロポキシシラン、メチルモノメトキシモノエトキシモノブトキシシラン等のモノメチルシラン化合物；エチルトリメトキシシラン、エチルトリプロポキシシラン、エチルトリペンチルオキシシラン、エチルトリフェニルオキシシラン、エチルモノメトキシジエトキシシラン、エチルモノメトキシジプロポキシシラン、エチルモノメトキシジペンチルオキシシラン、エチルモノメトキシジフェニルオキシシラン、エチルモノメトキシモノエトキシモノブトキシシラン等のモノエチルシラン化合物；プロピルトリメトキシシラン、プロピルトリエトキシシラン、プロピルトリペンチルオキシシラン、プロピルトリフェニルオキシシラン、プロピルモノメトキシジエトキシシラン、プロピルモノメトキシジプロポキシシラン、プロピルモノメトキシジペンチルオキシシラン、プロピルモノメトキシジフェニルオキシシラン、プロピルメトキシエトキシプロポキシシラン、プロピルモノメトキシモノエトキシモノブトキシシラン等のモノプロピルシラン化合物；ブチルトリメトキシシラン、ブチルトリエトキシシラン、ブチルトリプロポキシシラン、ブチルトリペンチルオキシシラン、ブチルトリフェニルオキシシラン、ブチルモノメトキシジエトキシシラン、ブチルモノメトキシジプロポキシシラン、ブチルモノメトキシジペンチルオキシシラン、ブチルモノメトキシジフェニルオキシシラン、ブチルメトキシエトキシプロポキシシラン、ブチルモノメトキシモノエトキシモノブトキシシラン等のモノブチルシラン化合物が含まれる。これらの中でも、メチルトリメトキシシラン、及びメチルトリエトキシシランが好ましく、メチルトリメトキシシランが特に好ましい。
【００５８】
２官能シラン化合物の例には、下記一般式（IV）で表される化合物が含まれる。
Ｒ７２Ｓｉ（ＯＲ８）２          （IV）
上記一般式（IV）中、Ｒ８はそれぞれ独立にアルキル基またはフェニル基を表し、好ましくは炭素数１〜５のアルキル基、またはフェニル基を表す。また、Ｒ７は水素原子またはアルキル基を表す。
【００５９】
２官能のシラン化合物の具体例には、ジメトキシシラン、ジエトキシシラン、ジプロポキシシラン、ジペンチルオキシシラン、ジフェニルオキシシラン、メトキシエトキシシラン、メトキシプロポキシシラン、メトキシペンチルオキシシラン、メトキシフェニルオキシシラン、エトキシプロポキシシラン、エトキシペンチルオキシシラン、エトキシフェニルオキシシラン、メチルジメトキシシラン、メチルメトキシエトキシシラン、メチルジエトキシシラン、メチルメトキシプロポキシシラン、メチルメトキシペンチルオキシシラン、メチルメトキシフェニルオキシシラン、エチルジプロポキシシラン、エチルメトキシプロポキシシラン、エチルジペンチルオキシシラン、エチルジフェニルオキシシラン、プロピルジメトキシシラン、プロピルメトキシエトキシシラン、プロピルエトキシプロポキシシラン、プロピルジエトキシシラン、プロピルジペンチルオキシシラン、プロピルジフェニルオキシシラン、ブチルジメトキシシラン、ブチルメトキシエトキシシラン、ブチルジエトキシシラン、ブチルエトキシプロポキシシシラン、ブチルジプロポキシシラン、ブチルメチルジペンチルオキシシラン、ブチルメチルジフェニルオキシシラン、ジメチルジメトキシシラン、ジメチルメトキシエトキシシラン、ジメチルジエトキシシラン、ジメチルジペンチルオキシシラン、ジメチルジフェニルオキシシラン、ジメチルエトキシプロポキシシラン、ジメチルジプロポキシシラン、ジエチルジメトキシシラン、ジエチルメトキシプロポキシシラン、ジエチルジエトキシシラン、ジエチルエトキシプロポキシシラン、ジプロピルジメトキシシラン、ジプロピルジエトキシシラン、ジプロピルジペンチルオキシシラン、ジプロピルジフェニルオキシシラン、ジブチルジメトキシシラン、ジブチルジエトキシシラン、ジブチルジプロポキシシラン、ジブチルメトキシペンチルオキシシラン、ジブチルメトキシフェニルオキシシラン、メチルエチルジメトキシシラン、メチルエチルジエトキシシラン、メチルエチルジプロポキシシラン、メチルエチルジペンチルオキシシラン、メチルエチルジフェニルオキシシラン、メチルプロピルジメトキシシラン、メチルプロピルジエトキシシラン、メチルブチルジメトキシシラン、メチルブチルジエトキシシラン、メチルブチルジプロポキシシラン、メチルエチルエトキシプロポキシシラン、エチルプロピルジメトキシシラン、エチルプロピルメトキシエトキシシラン、ジプロピルジメトキシシラン、ジプロピルメトキシエトキシシラン、プロピルブチルジメトキシシラン、プロピルブチルジエトキシシラン、ジブチルメトキシエトキシシラン、ジブチルメトキシプロポキシシラン、ジブチルエトキシプロポキシシラン等が含まれる。これらの中でもジメトキシシラン、ジエトキシシラン、メチルジメトキシシラン、メチルジエトキシシランが好ましい。
【００６０】
反射層４に含まれるポリシロキサンの量は、反射層４の全質量に対して、５〜４０質量％であることが好ましく、さらに好ましくは１０〜３０質量％である。ポリシロキサンの量が５質量％以上であると、反射層４の強度が十分高まりやすい。一方、ポリシロキサンの量が４０質量以下であると、相対的に光拡散粒子の量が多くなり、反射層４の光反射性が高まりやすい。
【００６１】
なお、反射層４には、光拡散粒子及びポリシロキサン以外に、無機微粒子や粘土鉱物粒子等が含まれてもよい。反射層４に無機微粒子が含まれると、反射層４の強度が高まりやすい。無機微粒子の平均一次粒径は、５ｎｍ〜１００ｎｍであることが好ましく、より好ましくは５〜８０ｎｍ、さらに好ましくは５〜５０ｎｍである。無機微粒子の平均一次粒径が、このような範囲であると、光拡散粒子同士の隙間に無機微粒子が入り込み、反射層４の強度が高まりやすい。無機微粒子の平均一次粒径は、コールターカウンター法で測定される。
【００６２】
無機微粒子の例には、酸化ケイ素、酸化チタン、酸化亜鉛、酸化アルミニウム、酸化ジルコニウム等が含まれる。無機微粒子の表面は、シランカップリング剤やチタンカップリング剤で処理されていてもよい。
【００６３】
反射層４に含まれる無機微粒子の量は、反射層４の全質量に対して、０．５〜３０質量％であることが好ましく、より好ましくは０．５〜２０質量％であり、さらに好ましくは１〜１０質量％である。無機微粒子の量が０．５質量％未満であると、反射層４の強度が十分に高まらない。一方、無機微粒子の量が３０質量％を超えると、相対的にポリシロキサンや光拡散粒子の量が少なくなり、膜強度や光反射性が低下するおそれがある。
【００６４】
また、反射層４に粘土鉱物粒子が含まれると、反射層４の強度が高まりやすい。粘土鉱物粒子の例には層状ケイ酸塩鉱物、アロフェン等が含まれる。層状ケイ酸塩鉱物は、雲母構造、カオリナイト構造、またはスメクタイト構造を有する膨潤性粘土鉱物であることが好ましい。
【００６５】
層状ケイ酸塩鉱物の例には、天然または合成の、ヘクトライト、サポナイト、スチブンサイト、ハイデライト、モンモリロナイト、ノントライト、ベントナイト、ラポナイト等のスメクタイト属粘土鉱物や、Ｎａ型テトラシリシックフッ素雲母、Ｌｉ型テトラシリシックフッ素雲母、Ｎａ型フッ素テニオライト、Ｌｉ型フッ素テニオライト等の膨潤性雲母属粘土鉱物、白雲母、金雲母、フッ素金雲母、絹雲母、カリウム四ケイ素雲母等の非膨潤性雲母属粘土鉱物、およびバーミキュラライトやカオリナイト、またはこれらの混合物が含まれる。
【００６６】
反射層４に含まれる粘土鉱物粒子の量は、反射層４の全質量に対して０．１〜５質量％であることが好ましく、０．２〜２質量％であることがより好ましい。
【００６７】
１−１−５．波長変換層
前述のように、本態様の発光装置１００には、図３に示されるように、発光素子２が出射する特定波長の光を、他の特定波長の光に変換する波長変換層１３が含まれてもよい。波長変換層１３は、発光素子２及び反射層４を被覆するように形成された層でありうる。
【００６８】
また、波長変換層１３の厚みは２５μｍ〜５ｍｍ程度であることが好ましい。波長変換層１３の厚みが厚すぎると、波長変換層１３に含まれる蛍光体粒子の濃度にばらつきが生じる場合がある。波長変換層１３の厚みは、発光素子２の発光面上に形成された波長変換層１３の最大厚みを意味する。波長変換層１３の厚みは、レーザホロゲージで測定することができる。
【００６９】
波長変換層１３には、蛍光体粒子及びバインダが含まれる。蛍光体粒子は発光素子２が出射する光（励起光）を受けて、蛍光を発する。励起光と蛍光とが混ざることで、発光装置１００からの光の色が所望の色となる。例えば、発光素子２が発する光が青色であり、波長変換層１３に含まれる蛍光体が発する蛍光が黄色であると、発光装置１００からの光が白色となる。
【００７０】
波長変換層１３に含まれる蛍光体粒子は、発光素子２から出射する光により励起されて、発光素子２からの出射光と異なる波長の蛍光を発するものであればよい。例えば、黄色の蛍光を発する蛍光体粒子の例には、ＹＡＧ（イットリウム・アルミニウム・ガーネット）蛍光体等がある。ＹＡＧ蛍光体は、青色発光素子から出射される青色光（波長４２０ｎｍ〜４８５ｎｍ）を受けて、黄色の蛍光（波長５５０ｎｍ〜６５０ｎｍ）を発する。
【００７１】
蛍光体粒子は、例えば１）所定の組成を有する混合原料に、フラックス（フッ化アンモニウム等のフッ化物）を適量混合して加圧し、これを成形体とする。２）得られた成形体を坩堝に詰め、空気中で１３５０〜１４５０℃の温度範囲で、２〜５時間焼成し、焼結体とすることで得られる。
【００７２】
所定の組成を有する混合原料は、Ｙ、Ｇｄ、Ｃｅ、Ｓｍ、Ａｌ、Ｌａ、Ｇａ等の酸化物、または高温で容易に酸化物となる化合物を、化学両論比で十分に混合して得られる。また、所定の組成を有する混合原料は、１）Ｙ、Ｇｄ、Ｃｅ、Ｓｍの希土類元素を化学両論比で酸に溶解した溶液と、シュウ酸とを混合し、共沈酸化物を得られる。２）この共沈酸化物と、酸化アルミニウム、または酸化ガリウムとを混合しても得られる。
【００７３】
蛍光体の種類は、ＹＡＧ蛍光体に限定されるものではなく、例えばＣｅを含まない非ガーネット系蛍光体等、他の蛍光体であってもよい。
【００７４】
蛍光体粒子の平均粒径は１μｍ〜５０μｍであることが好ましく、１０μｍ以下であることがより好ましい。蛍光体粒子の粒径が大きいほど発光効率（波長変換効率）が高くなる。一方、蛍光体粒子の粒径が大きすぎると、蛍光体粒子とバインダとの界面に生じる隙間が大きくなる。これにより、波長変換層の硬化膜の強度が低下しやすい。蛍光体粒子の平均粒径は、レーザー回折式粒度分布計で測定されるＤ５０の値をいう。レーザー回折式粒度分布測定装置の例には、島津製作所製のレーザー回折式粒度分布測定装置等がある。波長変換層１３中に含まれる蛍光体粒子の量は、通常５〜１５質量％である。
【００７５】
一方、波長変換層１３に含まれるバインダは、透明樹脂等でありうる。透明樹脂は、例えばシリコーン樹脂及びエポキシ樹脂等でありうる。
【００７６】
１−２．発光装置の構成の変形例
本態様の製造方法で得られる発光装置１００は、図４に示されるように、基板１と、基板１に実装された発光素子２と、当該発光素子２を被覆する波長変換層１３’と、波長変換層１３’の外周の基板面に形成された撥液層３と、当該撥液層３の外周の基板面に形成された反射層４とを有する構成でもありうる。
【００７７】
従来、波長変換層の外側の基板面に反射層を形成することも検討されているが、この場合、反射層を形成するための反射層形成用組成物と波長変換層との親和性が高く、当該組成物が波長変換層を被覆しやすい。これに対し、本態様の発光装置１００では、波長変換層１３’の周囲に撥液層３を形成してから、反射層４を形成する。その結果、反射層４を形成するための反射層形成用組成物の波長変換層１３’の側面や上面への付着が、撥液層３によって抑制される。つまり、反射層４による波長変換層等１３’の被覆が抑制され、発光装置１００から十分に光が取り出される。
【００７８】
波長変換層１３’は、発光素子２及びその外周のみを覆うことが好ましい。具体的には、波長変換層１３’が発光素子２と、その周囲１０μｍ以上を覆うことが好ましく、３０〜７０μｍの領域を覆うことがより好ましい。波長変換層１３’の面積が広くなると、相対的に反射層４の面積が少なくなる。したがって、発光素子２が出射する光や、波長変換層１３’中の蛍光体粒子が発する光が、光取り出し面側に反射され難くなる。
【００７９】
なお、当該態様の発光装置１００に含まれる各部材は、前述したものと同様でありうる。
【００８０】
１−３．発光装置の製造方法
第一の態様の製造方法には、以下の２つの工程が含まれる。
（１）発光素子の実装領域の周縁部の基板面に、撥液層を形成する工程
（２）前記撥液層より外側の基板に、反射層形成用組成物を塗布し、反射層を形成する工程
必要に応じて、さらに基板に発光素子を実装する工程や、発光素子上に波長変化層を形成する工程を有してもよい。
【００８１】
本態様の製造方法の一例を図５に示す。本態様では、基板１に発光素子２を実装し（図５（ａ））、発光素子２の実装領域の周縁部の基板面に、撥液層３を形成する（図５（ｂ））。そして、撥液層３の外側の基板面に反射層形成用組成物を塗布し、反射層を形成する（図５（ｃ）及び図５（ｄ））。さらに必要に応じて、発光素子２及び反射層４を被覆する波長変換層１３を形成する（図５（ｅ））。
【００８２】
本態様の方法では、例えば図５（ｃ）に示されるように発光素子２の実装領域の周縁部の基板面に撥液層３を形成する。そのため、反射層形成用組成物の塗布時に、反射層形成用組成物が発光素子２の発光面に付着せず（図５（ｄ））、発光素子２の発光面が反射層４で被覆され難くなる。
【００８３】
なお、本態様では発光素子の実装工程を、撥液層形成工程後に行ってもよい。つまり、撥液層形成工程／発光素子実装工程／反射層形成工程の順に行ってもよい。
【００８４】
１−３−１．発光素子実装工程
発光素子実装工程では、図５（ａ）に示されるように、基板１に発光素子２を実装する。発光素子２の実装方法は、発光素子２を基板１に固定し、発光素子２の電極とリード電極１１とを電気的に接続する方法でありうる。発光素子２を基板１に固定する方法は特に制限されず、例えばダイボンド等で固定する方法でありうる。また、発光素子２とリード電極１１との接続方法は特に制限されず、前述のように、金属ワイヤ１２を介して接続する方法、または突起電極を介して接続する方法等でありうる。
【００８５】
１−３−２．撥液層形成工程
撥液層形成工程では、図５（ｂ）に示されるように、発光素子２の実装領域の周縁部の基板面に、撥液層を形成する。このとき、必要に応じて撥液層を、発光素子２の実装領域の周縁部だけでなく、発光素子２の上面や側面に形成してもよい。さらに必要に応じて、発光素子２の実装領域の周縁部以外、例えば基板１のリード電極１１と金属ワイヤ１２との接続部等に、撥液層を形成してもよい。
【００８６】
また、前述のように撥液層形成工程後に発光素子実装工程を行う場合、必要に応じて発光素子２の実装領域に撥液層を形成してもよい。
【００８７】
撥液層の形成方法は特に制限されず、例えばスピンコート法や転写法、スプレー法、電界スプレー法、電界印加ディップ法等の塗布法；またはプラズマＣＶＤ法、プラズマ重合法、イオンプレーティング法、プラズマアシスト法、蒸着法等の気相成膜法でありうる。
【００８８】
撥液層を塗布法で形成する場合、撥液層形成用組成物の塗布方法は、所望の領域にのみ撥液層形成用組成物を塗布可能な方法であれば特に制限されない。例えば図５（ｂ）に示されるように、撥液層形成用組成物の塗布領域のみに開口部を有するマスク２１を配置し、マスクを介して撥液材料をスプレー装置５００からスプレー塗布する方法等でありうる。また、ディスペンサやインクジェット装置により、撥液層形成用組成物を所望の領域のみに塗布する方法でもありうる。
【００８９】
撥液層形成工程で塗布する撥液層形成用組成物には、前述の撥液材料が含まれ、必要に応じて溶媒が含まれる。撥液層形成用組成物に含まれる溶媒の種類は、前述の撥液材料を均一に分散または溶解可能であれば特に制限されない。
【００９０】
撥液層形成用組成物の塗布後、必要に応じて撥液層形成用組成物を乾燥させる。乾燥方法の例には、加熱乾燥が挙げられる。
【００９１】
一方、撥液層を気相成膜法で形成する場合、撥液層を形成する領域のみに開口部を有する板状マスク等を介して、撥液材料を所望の領域に付着させる。
【００９２】
１−３−３．反射層形成工程
反射層形成工程では、図５（ｃ）に示されるように、撥液層３の外側の基板面に反射層形成用組成物を塗布する。撥液層３の外側から反射層形成用組成物を塗布することで、反射層形成用組成物が撥液層３の撥液性によって流動が制限され、反射層形成用組成物の発光素子２の発光面への付着が抑制される（図５（ｄ））。
【００９３】
反射層形成用組成物の塗布方法は、撥液層３の外側の基板面に反射層形成用組成物を塗布可能であれば特に制限されない。例えば図５（ｃ）に示されるように、ディスペンサ５１０から所定の位置に反射層形成用組成物を滴下する方法でありうる。また、インクジェット装置から反射層形成用組成物を塗布する方法でもありうる。さらに、撥液層３や発光素子２を被覆する板状マスク等を配置し、当該板状マスクを介してスプレー塗布する方法等でもありうる。反射層形成用組成物の塗布位置は、撥液層の外側であれば特に制限されないが、所望の撥液層の厚み等に応じて適宜選択される。
【００９４】
反射層形成工程で塗布する反射層形成用組成物は、前述の光拡散粒子、前述のポリシロキサン前駆体（シラン化合物のモノマーまたはそのオリゴマー）、及び溶媒が含まれる組成物でありうる。反射層形成用組成物に溶媒が含まれると、反射層形成用組成物が所望の領域に濡れ広がり、光拡散粒子や、ポリシロキサン前駆体が所望の領域に付着しやすくなる。反射層形成用組成物には、必要に応じて、前述の無機微粒子や前述の粘土鉱物粒子が含まれてもよい。反射層形成用組成物に粘土鉱物粒子が含まれると、反射層形成用組成物の粘度が高まりやすく、反射層形成用組成物の濡れ広がるスピードが調整されやすい。
【００９５】
反射層形成用組成物に含まれる溶媒は、光拡散粒子やポリシロキサン前駆体を十分に溶解または分散可能なものであれば特に制限されないが、沸点が２５０℃以下の溶媒であることが好ましい。溶媒の沸点が２５０℃以下であると、反射層形成用組成物の乾燥速度が高まりやすい。
【００９６】
反射層形成用組成物に含まれる溶媒の例には、メタノール、エタノール、プロパノール、ブタノール等のモノアルコール；エチレングリコール、プロピレングリコール、ジエチレングリコール、グリセリン、１,３-ブタンジオール、１,４-ブタンジオールなどが挙げられる。反射層形成用組成物には、溶媒が一種のみ含まれてもよく、二種以上含まれてもよい。
【００９７】
反射層形成用組成物に含まれる溶媒の量は、反射層形成用組成物の全質量に対して、１〜１５質量％であることが好ましく、より好ましくは１〜１０質量％であり、さらに好ましくは３〜１０質量％である。
【００９８】
ここで、前述の撥液層は、反射層形成用組成物の溶媒に対して、撥液性を有することが好ましい。撥液性を有するとは、基板１に対する撥液層３との接触角のほうが、基板１に対する反射層形成用組成物の接触角より高いことをいう。
【００９９】
また特に、基板１に対する撥液層３の接触角と、基板１に対する反射層形成用組成物の接触角との差は、３０〜６０°であることが好ましい。上記差が３０°以上であると、撥液層３によって、反射層形成用組成物の流動性が調整されやすく、反射層形成用組成物が発光素子の発光面に付着することが抑制される。上記接触角の差は、撥液層３に含まれる撥液材料、及び反射層形成用組成物に含まれる溶媒の種類によって調整される。
【０１００】
基板１に対する撥液層３の接触角は、基板１と同じ材質からなる試験片に撥液層３を形成し、当該撥液層３と試験片との接触角を接触角計で測定する。ただし、接触角が非常に小さい（３°以下である）場合には、顕微鏡で断面を観察し、接触角を特定する。また、反射層形成用組成物についても同様に基板１と同じ材質からなる試験片との接触角を測定する。そして、上記差を算出する。
【０１０１】
反射層形成用組成物の塗布後、反射層形成用組成物を乾燥・硬化させる。反射層形成用組成物を乾燥・硬化させる際の温度は、２０〜２００℃であることが好ましく、より好ましくは２５〜１５０℃である。温度が２０℃未満であると、反射層形成用組成物中の溶媒が十分に揮発しない可能性がある。一方、温度が２００℃を超えると、基板１や発光素子２に影響を及ぼす可能性がある。また、乾燥・硬化時間は、製造効率の面から、０．１〜３０分であることが好ましく、より好ましくは０．１〜１５分である。
【０１０２】
１−３−４．波長変換層形成工程
本態様の製造方法には、例えば図５（ｅ）に示されるように、発光素子２を被覆する波長変化層１３を形成する工程が含まれてもよい。波長変換層形成工程は、バインダ成分と蛍光体粒子とが含まれる波長変換層用組成物を調製し、これを発光素子２及び反射層４を被覆するように塗布し、硬化させる工程でありうる。
【０１０３】
波長変換層用組成物の塗布方法は、所望の位置に波長変換層用組成物を塗布可能な方法であれば特に制限されず、例えばディスペンサやインクジェット装置からの塗布等であり得る。
【０１０４】
波長変換層用組成物に含まれるバインダ成分は、前述の透明樹脂またはその前駆体でありうる。また、波長変換層用組成物には、必要に応じて溶媒が含まれる。波長変換層用組成物に含まれる溶媒は、バインダ成分を溶解または分散させることが可能なものであれば、特に制限されない。溶媒はトルエン、キシレンなどの炭化水素類；アセトン、メチルエチルケトンなどのケトン類；ジエチルエーテル、テトラヒドロフランなどのエーテル類、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、エチルアセテートなどのエステル類等でありうる。
【０１０５】
波長変換層用組成物の塗布後、これを硬化させる。波長変換層用組成物の硬化方法や硬化条件は、バインダ成分の種類により適宜選択される。硬化方法の一例として、加熱硬化が挙げられる。
【０１０６】
１−４．第一の態様の発光装置の製造方法の変形例
本態様の方法では、撥液層形成工程前に、波長変換層形成工程を行ってもよい。具体的には、図６に示されるように、基板１に発光素子２を実装し（図６（ａ））、当該発光素子２を被覆するように波長変換層１３’を形成する（図６（ｂ））。このとき、波長変換層１３’は、発光素子２の実装領域外の基板面全域を覆わず、発光素子２及びその外周のみを覆うものとする。そして、当該波長変換層１３’の外側の基板面に撥液層３を形成し（図６（ｃ））、さらに撥液層３の外側の基板面に反射層形成用組成物を塗布して反射層４を形成する（図６（ｄ））。
【０１０７】
当該方法によれば、反射層形成用組成物の塗布時に、反射層形成用組成物が波長変換層１３’に付着し難い。当該変形例における、発光素子２の実装方法、波長変換層１３’の形成方法、撥液層３の形成方法、及び反射層４の形成方法は前述の方法と同様でありうる。
【０１０８】
２．第二の態様
第二の態様の方法では、図７に示されるように、基板１と、基板１に実装された発光素子２と、発光素子２の実装領域の外側の基板面に形成された撥液層３と、当該撥液層３を被覆する反射層４とを有する発光装置２００を製造する。
【０１０９】
本態様では、後述するように、発光素子２の実装領域の外側の基板面に撥液層３を形成してから、当該撥液層３を覆うように反射層４を形成する。その結果、反射層４を形成するための組成物の濡れ広がるスピードや、濡れ広がる領域が制御され、発光素子２の側面に当該組成物が付着しない。つまり、発光素子２の側面と、反射層４との間に隙間が生じ、発光素子２の側面から出射する光が十分に取り出される。
【０１１０】
さらに、本態様の製造方法で得られる発光装置２００では、反射層４のバインダがポリシロキサンである。そのため、反射層４が熱や光によって劣化し難く、経時で反射層４の光反射性が低下することが少ない。
【０１１１】
なお、本態様の発光装置２００には、前述の各部材の他に、発光素子２が出射した特定波長の光を他の特定波長の光に変換する波長変換層１３がさらに含まれてもよい。
【０１１２】
２−１．発光装置に含まれる部材
本態様の発光装置２００に含まれる基板１、発光素子２、及び波長変換層は、第一の態様の基板１、発光素子２、及び波長変換層１３と同様でありうる。
【０１１３】
２−１−１．撥液層
本態様の発光装置２００に含まれる撥液層３は、図７に示されるように、発光素子２の実装領域外の基板面に形成された層である。撥液層３に対する反射層形成用組成物の接触角は、基板１に対する反射層形成用組成物の接触角より高い。撥液層３に対する反射層形成用組成物の接触角が高いため、反射層形成用組成物の濡れ広がるスピードが抑制され、反射層形成用組成物の濡れ広がる領域が制御される。その結果、反射層形成用組成物の発光素子２の発光面への付着が抑制される。
【０１１４】
本態様の撥液層３は、図７に示されるように、発光素子２の実装領域外の基板面全域に形成された層でありうる。このような撥液層３が形成されていると、後述する反射層４を形成するための反射層形成用組成物の塗布時に、反射層形成用組成物の濡れ広がるスピードが調整されやすい。その結果、所望の領域にのみ反射層４が形成される。
【０１１５】
一方、本態様の撥液層３は、図８に示されるように、発光素子２の実装領域を多重に囲む複数のライン状の層でもありうる。このような撥液層３が形成されていると、後述する反射層４を形成する際に、撥液層３の密度によって、反射層形成用組成物の濡れ広がるスピードが調整される。例えば、撥液層３が密に形成されている領域では、反射層形成用組成物が濡れ広がり難くなる。一方、撥液層が疎に形成されている領域では、反射層形成用組成物が濡れ広がりやすくなる。したがって、撥液層のパターンによって、図８に示されるような厚みが連続的に変化する反射層４も形成される。
【０１１６】
ライン状の撥液層３の線幅は、所望の波長変換層４の形状や、波長変換層４の厚みに応じて適宜選択される。また複数のライン状の撥液層３どうしの間隔も、所望の波長変換層４の形状や、波長変換層４の厚みに応じて適宜選択される。
【０１１７】
なお、本態様においても、撥液層３は、発光素子２の実装領域の基板面だけでなく、発光素子２の上面や側面に形成されていてもよい。さらに、撥液層３は基板１と発光素子２との間に形成されてもよい。
【０１１８】
当該撥液層３の厚みは、撥液層の形成方法に応じて適宜選択される。例えば、撥液層３が気相成膜法で形成される場合には特に制限されず、例えば撥液層３は単分子膜等でもありうる。一方、撥液層３が塗布法で形成される場合には、通常１００ｎｍ以上である。
【０１１９】
上記撥液層３には、撥液材料が含まれる。撥液材料の例には、シリコーン樹脂、酸化チタン系撥水剤、フッ素系撥水剤、グリース、ワックス、ＣＦ４、ＳＦ６、代替フロンガス（ＨＦＣ）等が含まれ、これらは第一の態様の撥液層に含まれる撥液材料と同様でありうる。
【０１２０】
２−１−２．反射層
本態様の発光装置２００に含まれる反射層４は、前述の撥液層３を被覆する。反射層４は、発光素子２が出射する光や、後述する波長変換層１３に含まれる蛍光体粒子が発する蛍光を、発光装置２００の光取り出し面側に反射する層である。反射層４が光を反射することで、発光装置２００からの光取り出し効率が高まる。
【０１２１】
本態様においても、反射層４は、発光素子２の発光面を被覆しないように形成される。ここで、発光素子２の側面からも光が取り出される場合には、図７に示されるように、反射層４と発光素子２の発光面（例えば側面）との間に、隙間が形成されることが好ましい。当該隙間は１０μｍ以上であることが好ましい。このとき、図７に示されるように、反射層４の基板１側において、反射層４の端部と発光素子２の側面とが接していてもよい。
【０１２２】
反射層４の厚みは、５〜５０μｍであることが好ましく、より好ましくは５〜３０μｍである。反射層４の厚みが、５０μｍ以下であると、反射層４にクラックが発生し難い。一方、反射層４の厚みが５μｍ以上であると、反射層４の光反射性が十分に高まりやすい。なお、反射層４は、膜内の厚みが一定であってもよいが、連続的に、もしくは断続的に厚みが変化していてもよい。例えば図８に示されるように、反射層４の厚みが基板１の外周側に向かって厚くなる；つまり反射層４に囲まれた空間がすり鉢状になると、発光素子２からの光が、外部に取り出されやすくなる。
【０１２３】
上記反射層４には、光拡散粒子及びポリシロキサンが含まれ、必要に応じて無機微粒子や粘土鉱物粒子が含まれてもよい。これらは第一の態様の反射層４に含まれる各材料と同様でありうる。
【０１２４】
２−２．第二の態様の発光装置の変形例
本態様の製造方法で得られる発光装置２００は、図９に示されるように、基板１と、基板１に実装された発光素子２と、当該発光素子２を被覆する波長変換層１３’と、波長変換層１３’の外周の基板面に形成された撥液層３と、当該撥液層３の外周の基板面形成された反射層４とを有する構成でもありうる。
【０１２５】
前述のように、波長変換層の外側の基板面に反射層を形成する場合、反射層を形成するための反射層形成用組成物と波長変換層との親和性が高く、当該組成物が波長変換層を被覆しやすい。これに対し、本態様の発光装置２００では、波長変換層１３’の周囲に撥液層３を形成してから、反射層４を形成する。その結果、反射層４を形成するための反射層形成用組成物の波長変換層１３’の側面や上面への付着が、撥液層３によって抑制される。つまり、波長変換層等１３’が反射層４に覆われることが抑制され、発光装置２００から十分に光が取り出される。
【０１２６】
波長変換層１３’は、発光素子２及びその外周のみを覆うことが好ましい。具体的には、波長変換層１３’が発光素子２と、その周囲１０μｍ以上を覆うことが好ましく、３０〜７０μｍの領域を覆うことがより好ましい。波長変換層１３’の面積が広くなると、相対的に反射層４の面積が少なくなる。したがって、発光素子２が出射する光や、波長変換層１３’中の蛍光体粒子が発する光が、光取り出し面側に反射され難くなる。
【０１２７】
当該態様の発光装置２００に含まれる各部材は、前述したものと同様でありうる。
【０１２８】
２−３．発光装置の製造方法
第二の態様の製造方法には、以下の２つの工程が含まれる。
（１）発光素子の実装領域外の基板面に撥液層を形成する工程
（２）撥液層を被覆するように反射層形成用組成物を塗布し、反射層を形成する工程
必要に応じて、さらに基板の実装領域に発光素子を実装する工程や、発光素子上に波長変化層を形成する工程を有してもよい。
【０１２９】
本態様の製造方法の一例を図１０に示す。本態様では、基板１に発光素子２を実装し（図１０（ａ））、当該基板１の発光素子２の実装領域外側の基板面に、撥液層３を形成する（図１０（ｂ））。そして、撥液層３を覆うように反射層形成用組成物を塗布し、反射層４を形成する（図１０（ｃ）及び図１０（ｄ））。さらに必要に応じて、発光素子２及び反射層４を被覆する波長変換層１３を形成する（図示せず）。
【０１３０】
本態様の方法では、例えば図１０（ｂ）に示されるように発光素子２の実装領域の外側に撥液層３を形成する。そのため、反射層形成工程において、図１０（ｃ）に示されるように、反射層形成用組成物を基板１の外縁側から塗布すると、反射層形成用組成物の濡れ広がるスピードが、発光素子２近づくにしたがって遅くなる。その結果、反射層形成用組成物が発光素子２の発光面に接触する前に濡れ広がらなくなり、図１０（ｄ）に示されるように、例えば発光素子２の側面と反射層４との間に隙間を形成することができる。
【０１３１】
なお、本態様では発光素子の実装工程を、撥液層形成工程後に行ってもよい。つまり、撥液層形成工程／発光素子実装工程／反射層形成工程の順に行ってもよい。
【０１３２】
本態様における、発光素子実装工程、及び波長変換層形成工程は、第一の態様と同様でありうる。そこで以下、上記撥液層形成工程と反射層形成工程を説明する。
【０１３３】
２−３−１．撥液層形成工程
撥液層形成工程は、図１０（ｂ）に示されるように、発光素子２の実装領域外の基板面に撥液層３を形成する工程である。撥液層３の形成方法は特に制限されず、例えばスピンコート法や転写法、スプレー法、電界スプレー法、電界印加ディップ法等の塗布法；またはプラズマＣＶＤ法、プラズマ重合法、イオンプレーティング法、プラズマアシスト法、蒸着法等の気相成膜法でありうる。
【０１３４】
塗布法は、発光素子２の実装領域外の基板面全域に撥液層形成用組成物を塗布し、撥液層３を形成する工程でありうる。このとき、必要に応じて撥液層形成用組成物を、発光素子２の実装領域の周縁部の基板面だけでなく、発光素子２の上面や側面に塗布してもよい。また、撥液層形成工程後に発光素子実装工程を行う場合、必要に応じて発光素子２の実装領域の基板面に撥液層形成用組成物を塗布してもよい。
【０１３５】
一方、撥液層形成工程は、図１１に示されるように、撥液層形成用組成物を発光素子２の実装領域を多重に囲む複数のライン状に塗布し、撥液層３を形成する工程でもありうる。この場合、後述の反射層形成工程において反射層形成用組成物の濡れ広がるスピードが、隣接する撥液層３どうしの間隔で調整される。例えば図１１に示されるように、３本のライン状に撥液層３Ａ、３Ｂ、及び３Ｃを形成した場合、撥液層同士の間隔が狭い領域（３Ａ〜３Ｂ）では、撥液層の撥液性によって、反射層形成用組成物が濡れ広がり難くなる。一方、撥液層同士の間隔が広い領域（３Ｂ〜３Ｃ）では、反射層形成用組成物が濡れ広がり易くなる。
【０１３６】
撥液層形成用組成物の塗布方法は、所望の領域にのみ撥液層形成用組成物を塗布可能な方法であれば特に制限されない。例えば発光素子２を保護するマスクを配置し、当該マスクを介して撥液材料をスプレー装置からスプレー塗布する方法等でありうる。また、ディスペンサやインクジェット装置により、撥液層形成用組成物を所望の領域に塗布する方法でもありうる。
【０１３７】
本態様で塗布する撥液層形成用組成物は、第一の態様の撥液層形成用組成物と同様でありうる。当該撥液層形成用組成物の塗布後、撥液層形成用組成物を必要に応じて乾燥させる。
【０１３８】
一方、撥液層を気相成膜法で形成する場合、撥液層を形成する領域のみに開口部を有する板状マスク等を介して、撥液層の形成材料を付着させる。
【０１３９】
２−３−２．反射層形成工程
反射層形成工程では、図１０（ｃ）に示されるように、撥液層３を覆うように反射層形成用組成物を塗布し、反射層４を形成する。撥液層３を覆うように反射層形成用組成物を塗布することで、反射層形成用組成物の濡れ広がりスピードが調整され、反射層形成用組成物の厚みや形状が調整される。さらに、反射層４と発光素子の発光面との接触が抑制される（図１０（ｄ））。
【０１４０】
本態様における反射層形成用組成物の塗布方法は特に制限されないが、所望の方向に反射層形成用組成物が濡れ広がるように、所定の位置から反射層形成用組成物を滴下する方法であることが好ましい。反射層形成用組成物を滴下する位置は、基板１の形状、撥液層３のパターン、所望の反射層４の形状等に応じて適宜選択される。例えば図１０（ｃ）に示されるように、キャビティを有する基板１の壁面側から反射層形成用組成物を塗布すると、反射層形成用組成物が発光素子２方向に濡れ広がる。反射層形成用組成物の滴下方法は特に制限されず、ディスペンサ塗布やインクジェット塗布等でありうる。
【０１４１】
本態様においても、前述の撥液層３は、反射層形成用組成物の溶媒に対して、撥液性を有することが好ましい。また、基板１に対する撥液層３の接触角と、基板１に対する反射層形成用組成物の接触角との差は、３０〜６０°であることが好ましい。上記差が３０°以上であると、撥液層によって、反射層形成用組成物の流動性が調整されやすく、反射層形成用組成物が発光素子の発光面に付着することが抑制される。上記接触角の差は、撥液層３に含まれる撥液材料、及び反射層形成用組成物に含まれる溶媒の種類によって調整される。当該接触角の測定方法は、第一の態様の接触角の測定方法と同様でありうる。
【０１４２】
本態様では、反射層形成用組成物を所望の領域に十分濡れ広がった後、反射層形成用組成物を乾燥・硬化させる。反射層形成用組成物を乾燥・硬化させる際の温度は、２０〜２００℃であることが好ましく、より好ましくは２５〜１５０℃である。温度が２０℃未満であると、反射層形成用組成物中の溶媒が十分に揮発しない可能性がある。一方、温度が２００℃を超えると、基板１や発光素子２に影響を及ぼす可能性がある。また、乾燥・硬化時間は、製造効率の面から、０．１〜３０分であることが好ましく、より好ましくは０．１〜１５分である。
【０１４３】
２−４．第二の態様の発光装置の製造方法の変形例
本態様の方法においても、撥液層形成工程前に、波長変換層形成工程を行ってもよい。具体的には、基板１に発光素子２を実装し、当該発光素子２を被覆するように波長変換層１３’を形成する。このとき、波長変換層１３’は、発光素子２の実装領域外の基板面全域を覆わず、発光素子２及びその外周のみを覆うものとする。そして、当該波長変換層１３’の外側の基板面に撥液層３を形成し、撥液層３の外側の基板面に反射層形成用組成物を塗布し、反射層を形成する。
【０１４４】
当該方法によれば、反射層形成用組成物の塗布時に、反射層形成用組成物が波長変換層１３’に付着し難く、反射層４の発光素子側端部と、例えば波長変換層１３’との間に隙間が形成される。当該変形例における、発光素子２の実装方法、波長変換層１３’の形成方法、撥液層３の形成方法、及び反射層４の形成方法は前述の方法と同様でありうる。
【実施例】
【０１４５】
以下、本発明を実施例により更に詳細に説明する。しかしながら、本発明の範囲はこれによって何ら制限を受けない。
【０１４６】
［実施例１］
（基板の準備）
図１に示される、キャビティを有する基板を準備した。基板は、ポリフタル酸アミド（ＰＰＡ）樹脂からなり、３．２ｍｍ×２．８ｍｍ×１．８ｍｍの直方体に、開口径２．４ｍｍ、壁面角度９０°、深さ０．８５ｍｍの円錐台状のキャビティが形成されたものとした。この基板に含まれるリード電極とＬＥＤ素子とをワイヤで接続してパッケージを得た。ＬＥＤ素子の外形は、３０５μｍ×３３０μｍ×１００μｍとした。また、ＬＥＤ素子の出射光のピーク波長は４７５ｎｍであり、側面からも発光するＬＥＤ素子とした。
【０１４７】
（撥液層の形成）
前述のパッケージのＬＥＤ素子の実装領域の周縁部（ＬＥＤ素子の外縁から幅１００μｍの領域）のみに開口部を有するマスクを、パッケージ上に配置した。そして、撥液層形成用組成物（フッ素系撥液材料、ＫＰ−９１１：信越化学社製）をマスクの上からスプレー塗布した。その後、３０秒間自然乾燥させて、撥液層を形成した。撥液層の幅は、１００μｍであり、撥液層の厚みは０．５９２μｍであった。
【０１４８】
（反射層の形成）
テトラメトキシシラン７．５質量％と、メチルトリメトキシシラン２．５質量％とメタノール３５質量％とアセトン３５質量％と水１９．９９質量％と硝酸０．０１質量％とを混合して、２３℃で３時間撹拌した。その後、２６℃で３日間撹拌しながら反応させた。そして、ポリシロキサン前駆体（ポリシロキサンオリゴマー）の固形分値が１０質量％となるように溶媒量を調整し、シラン化合物溶液を得た。
その後、上記シラン化合物溶液５８ｇ、光拡散粒子（酸化チタンＣＲ−９３：石原産業社製）３３ｇ、無機微粒子（サイリシア４７０：富士シリシア化学製、平均粒径１４μｍ）０．５ｇ、及び１，３−ブタンジオール８．５ｇを混合して反射層形成用組成物を得た。反射層形成用組成物の粘度は２０ｍＰａ・ｓであった。反射層形成用組成物の粘度は、振動式粘度計ＶＩＳＣＯＭＡＴＥＭＯＤＥＬ ＶＭ−１０Ａ（セコニック社製）を用いて測定した。測定温度は２５℃とし、振動子を反射層形成用組成物に浸漬してから、１分後の測定値を計測した。
【０１４９】
上記反射層形成用組成物を、ディスペンサで、撥液層の外側の基板上に塗布した。反射層形成用組成物が撥液層の外側に均一に濡れ広がったのを確認し、１５０℃で１時間焼成して、反射層を得た。得られた反射層の厚みは２０μｍであった。反射層の厚みは、レーザホロゲージ（ミツトヨ社製）で測定した。また、反射層と撥液層との重なり幅は平均５２μｍであり、反射層のＬＥＤ素子側端部とＬＥＤ素子の側面との間隙は、平均４８μｍであった。
【０１５０】
［実施例２］
反射層形成用組成物の調製時の組成を、上記シラン化合物溶液５０ｇ、光拡散粒子（酸化チタンＣＲ−９３：石原産業社製）３３ｇ、及び１，３−ブタンジオール９ｇとした以外は、実施例１と同様にＬＥＤ装置を得た。反射層形成用組成物の粘度は５ｍＰａ・ｓであった。
得られた反射層の厚みは２０μｍであった。反射層の厚み（ＬＥＤ素子の中心から２ｍｍ離れた位置の反射層の厚み）は、レーザ顕微鏡（キーエンス社製）で測定した。また、反射層と撥液層との重なり幅は平均５２μｍであり、反射層のＬＥＤ素子側端部とＬＥＤ素子の側面との間隙は、平均４８μｍであった。
【０１５１】
［実施例３］
反射層形成用組成物の調製時の組成を、上記シラン化合物溶液５８ｇ、光拡散粒子（酸化チタンＣＲ−９３：石原産業社製）３３ｇ、無機微粒子（サイリシア４７０：富士シリシア化学製、平均粒径１４μｍ）１ｇ、粘土鉱物粒子（ミクロマイカＭＫ−１００（合成雲母）：コープケミカル製）０．４ｇ、及び１，３−ブタンジオール７．６ｇとした以外は、実施例１と同様にＬＥＤ装置を得た。反射層形成用組成物の粘度は８０ｍＰａ・ｓであった。
得られた反射層の厚みは２０μｍであった。反射層の厚みは、レーザホロゲージ（ミツトヨ社製）で測定した。また、反射層と撥液層との重なり幅は平均５２μｍであり、反射層の端部とＬＥＤ素子の側面との間隙は、平均４８μｍであった。
【０１５２】
［比較例１］
撥液層を形成しなかった以外は、実施例１と同様にＬＥＤ装置を作製した。得られた反射層の厚みは２０μｍであった。反射層の厚みは、レーザホロゲージ（ミツトヨ社製）で測定した。また、反射層の端部は、ＬＥＤ素子の側面と接していた。
【０１５３】
（評価）
各実施例及び比較例で得られたＬＥＤ装置や、反射層形成用組成物について、以下の評価を行った。結果を表１に示す。
【０１５４】
＜撥液層に対する反射層形成用組成物の接触角の測定＞
ガラス基板を準備し、これを十分に洗浄した。そして、ガラス基板の一部に、各実施例で使用した撥液層形成用組成物を塗布し、撥液層と同じ厚みの膜（撥液膜）を形成した。その後、当該撥液膜上に、各実施例で調製した反射層形成用組成物をそれぞれ滴下し、１２０℃で３０分間加熱硬化させた。そして、撥液層とガラス基板との接触角、及び反射層形成用組成物とガラス基板との接触角を接触角計で測定した。なお、接触角が非常に小さい場合には、顕微鏡で観察した。上記接触角の差を、撥液層に対する反射層形成用組成の接触角とした。
【０１５５】
＜光取り出し効率の測定＞
各実施例及び比較例で作製したＬＥＤ装置について、全光束を測定した。全光束は、分光放射輝度計（ＣＳ−２０００、コニカミノルタセンシング社製）により測定した。光取り出し効率は、比較例１のＬＥＤ装置の全光束を１００とし、当該全光束に対する相対値で評価した。
【０１５６】
＜反射率の測定＞
透明な１ｍｍのガラス板に反射層形成用組成物を塗布し、１２０℃、３０分間の熱処理により、硬化させて、厚さ２０μｍの反射層を備えた測定サンプルを作製した。そして、分光光度計Ｖ−６７０（日本分光株式会社製）により、各サンプルの反射率を測定した。
評価結果の判断は、以下のように行った。
○：波長５００ｎｍにおける反射率が９５％以上であった
△：波長５００ｎｍにおける反射率が９０％以上、９５％未満であった
×： 波長５００ｎｍにおける反射率が９０％未満であった
【０１５７】
＜テープ剥離実験＞
銀板上に反射層形成用組成物を塗布し、１２０℃、３０分間の熱処理により、硬化させて、厚さ２０μｍの反射層を備えた測定サンプルを作製した。形成された反射層にニチバン製セロテープ（登録商標）（２４ｍｍ）を貼り付け、直ちに剥がす作業を２０回繰り返して行った。そして、各回の作業毎に反射層の状態を顕微鏡により観察し、以下のように判断した。
◎：２０回作業後も反射層の剥離がみられず、テープの表面に何も付着しなかった
○：１５回作業後は剥離がみられなかったが、２０回作業後には、僅かに剥離がみられた
△：剥離は生じなかったが、１回目の作業後に、テープの表面に、白色顔料の粉が僅かに付着した
×：１５回作業時点で反射層の剥離が発生していた
【０１５８】
【表１】
2015153856.tif 000003
【０１５９】
上記表１に示されるように、撥液層を形成しない場合（比較例１）には、反射層がＬＥＤ素子の側面（発光面の一部）を覆ってしまい、ＬＥＤ装置からの光取り出し効率が十分でなかった。これに対し、撥液層を形成した場合（実施例１〜３）には、反射層端部とＬＥＤ素子の側面との間に隙間ができ、光取り出し効率が高まった。
【０１６０】
［実施例４］
（撥液層の形成）
実施例１と同様のパッケージを準備した。当該パッケージのＬＥＤ素子の実装領域外全面に、撥液層形成用組成物（フッ素系撥液材料、ＫＰ−９１１：信越化学社製）を塗布した。具体的には、撥液層形成用組成物をＬＥＤ素子の側面近傍（４箇所）に２０μｌ、さらにＬＥＤ素子の中心から２ｍｍ離れた位置（４箇所）に６０μｌ塗布した。撥液層形成用組成物が、ＬＥＤ素子の実装領域外の基板面全域に濡れ広がったのを確認した後、自然乾燥で３０秒間乾燥させて、撥液層を形成した。撥液層の平均厚みは０．５９２μｍであった。
【０１６１】
（反射層の形成）
実施例１と同様に反射層形成用組成物を調製した。当該反射層形成用組成物を、パッケージのキャビティの壁面側からディスペンサで塗布した。反射層形成用組成物は、ＬＥＤ素子側に徐々に濡れ広がったものの、ＬＥＤ素子に接触する前に組成物が移動しなくなった。その後、１２０℃で３０分間焼成して、反射層を得た。反射層の厚みは、レーザホロゲージ（ミツトヨ社製）で測定した。
【０１６２】
（評価）
得られたＬＥＤ装置について、実施例１と同様に評価した。結果を表２に示す。
【０１６３】
【表２】
2015153856.tif 000004
【０１６４】
上記表２に示されるように、撥液層を形成しない場合（比較例１）には、反射層がＬＥＤ素子の側面を覆ってしまい、ＬＥＤ装置からの光取り出し効率が十分でなかった。これに対し、撥液層をＬＥＤ素子の実装領域外全面に形成した場合（実施例４）には、反射層端部とＬＥＤ素子の発光面（側面）との間に隙間ができ、光取り出し効率が高まった。
【０１６５】
［実施例５］
（基板の準備）
図１に示される、キャビティを有する基板を準備した。基板は、ポリフタル酸アミド（ＰＰＡ）樹脂からなり、５ｍｍ×５ｍｍ×１ｍｍの直方体に、開口径４．５ｍｍ、開口深さ０．７ｍｍの円錐台状のキャビティが形成されたものとした。この基板に含まれるリード電極とＬＥＤ素子とをワイヤで接続してパッケージを得た。ＬＥＤ素子の外形は、３０５μｍ×３３０μｍ×１００μｍとした。また、ＬＥＤ素子の出射光のピーク波長は４７５ｎｍとした。
【０１６６】
（撥液層の形成）
ＬＥＤ素子の実装領域外に、図１１（ｂ）に示すように、ＬＥＤ素子を囲むように、撥液層形成用組成物（フッ素系撥液材料、ＫＰ−９１１：信越化学社製）を３本のライン状にディスペンサで塗布し、３０秒間自然乾燥させた。各撥液層の幅は１００μｍとした。撥液層３Ａと撥液層３Ｂとの間隔は２００μｍ、撥液層３Ｂと３Ｃとの間隔は５００μｍとした。各撥液層の平均厚みは０．５９２μｍであった。
【０１６７】
（反射層の形成）
実施例１と同様に反射層形成用組成物を調製した。当該反射層形成用組成物を、撥液層３Ａから１０００μｍ外側の位置にライン状にディスペンサで塗布した。反射層形成用組成物の塗布量は、３０μＬとした。当該反射層形成用組成物が十分に濡れ広がったのを確認した後、１２０℃で３０分間焼成して、反射層を得た。得られた反射層は、厚みが連続的に変化するものであった。
【０１６８】
［実施例６］
反射層形成用組成物の塗布量を１０μＬとした以外は、実施例５と同様にＬＥＤ装置を作製した。
［実施例７］
撥液層をＬＥＤ素子の実装領域外全面に形成した以外は、実施例５と同様にＬＥＤ装置を作製した。
［実施例８］
撥液層をＬＥＤ素子の実装領域外全面に形成した以外は、実施例６と同様にＬＥＤ装置を作製した。
［比較例２］
撥液層を形成しなかった以外は、実施例５と同様にＬＥＤ装置を作製した。
［比較例３］
撥液層を形成しなかった以外は、実施例６と同様にＬＥＤ装置を作製した。
【０１６９】
【表３】
2015153856.tif 000005
【０１７０】
表３に示されるように、複数のライン状に撥液層を形成した場合、厚みが連続的に変化する反射層が形成された（実施例５及び６）。これに対し、ＬＥＤ素子の実装領域外全面に撥液層を形成した場合、均一な厚みの反射層が得られた（実施例７及び８）。いずれの場合においても、反射層の端部がＬＥＤ素子の側面に接触せず、光取り出し効率が高かった。
【０１７１】
一方、撥液層を形成しなかった場合には、ＬＥＤ素子の側面に反射層が接触し、光取り出し効率が十分でなかった。
【０１７２】
［実施例９］
（基板の準備）
図１２に示される、キャビティを有する基板を準備した。基板１は、ポリフタル酸アミド（ＰＰＡ）樹脂からなり、５ｍｍ×５ｍｍ×１ｍｍの直方体に、開口径４．５ｍｍ、開口深さ０．７ｍｍの円錐台状のキャビティが形成されたものとした。また、当該基板のキャビティの底面の壁面側に、ＬＥＤ素子の実装面に対して角度が４５°の領域を設けた。この基板に含まれるリード電極とＬＥＤ素子とをワイヤで接続してパッケージを得た。ＬＥＤ素子の外形は、３０５μｍ×３３０μｍ×１００μｍとした。また、ＬＥＤ素子の出射光のピーク波長は４７５ｎｍとした。
【０１７３】
（撥液層の形成）
ＬＥＤ素子の実装領域外のキャビティ底面に、撥液層形成用組成物（フッ素系撥液材料、ＫＰ−９１１：信越化学社製）をディスペンサで塗布し、３０秒間自然乾燥させた。
【０１７４】
（反射層の形成）
実施例１と同様に反射層形成用組成物を調製した。当該反射層形成用組成物を、パッケージのキャビティの壁面側からディスペンサで８０μＬ塗布した。反射層形成用組成物は、ＬＥＤ素子側に徐々に濡れ広がったものの、反射層形成用組成物がＬＥＤ素子に接触する前に組成物が流動しなくなった。その後、１２０℃で３０分間焼成して、反射層を得た。
【０１７５】
（評価）
得られたＬＥＤ装置の反射層の厚みを、レーザホロゲージ（ミツトヨ社製）で測定したところ、基板の傾斜面上に形成された反射層の厚みは４５μｍであった。また、反射層のＬＥＤ素子側端部とＬＥＤ素子の側面との距離は２００μｍであった。さらに、反射層表面と基板のＬＥＤ素子の実装面とが成す角度は４５°であった。
【０１７６】
［実施例１０］
反射層形成用組成物の塗布量を５０μＬとした以外は、実施例９と同様にＬＥＤ装置を作製した。
【０１７７】
（評価）
得られたＬＥＤ装置の反射層の厚みを、レーザホロゲージ（ミツトヨ社製）で測定したところ、基板の傾斜面に形成された反射層の厚みは２５μｍであった。また、反射層のＬＥＤ素子側端部とＬＥＤ素子の側面との距離は３５０μｍであった。さらに、反射層表面と基板のＬＥＤ素子の実装面とが成す角度は４５°であった。
【０１７８】
［実施例１１］
（基板の準備）
実施例１１と同様の、キャビティを有する基板を準備した。この基板に含まれるリード電極とＬＥＤ素子６個を、それぞれワイヤで接続してパッケージを得た。ＬＥＤ素子の外形は、２００μｍ×８０μｍ×１００μｍとした。また、ＬＥＤ素子の出射光のピーク波長は４７５ｎｍとした。さらに、ＬＥＤ素子は、側面からも発光するものとし、各ＬＥＤ素子は、ＬＥＤ素子同士の隙間が４５０μｍとなるように配置した。
【０１７９】
（撥液層の形成）
前述のパッケージの各ＬＥＤ素子の実装領域の周縁部（ＬＥＤ素子の外縁から幅１００μｍの領域）のみに開口部を有するマスクを、パッケージ上に配置した。そして、撥液層形成用組成物（フッ素系撥液材料、ＫＰ−９１１：信越化学社製）をマスクの上からスプレー塗布した。その後、３０秒間自然乾燥させて、撥液層を形成した。撥液層の幅は、１００μｍであり、撥液層の厚みは０．５９２μｍであった。
【０１８０】
（反射層の形成）
実施例１と同様に反射層形成用組成物を調製した。当該反射層形成用組成物を、パッケージのキャビティの外周側に滴下したところ、各撥液層端部まで濡れ広がった。その後、１２０℃で３０分間焼成して、反射層を得た。
【０１８１】
（評価）
得られたＬＥＤ装置では、いずれのＬＥＤ素子の発光面（上面及び側面）と反射層とが接していなかった。また、各ＬＥＤ素子からの光取り出し効率は、７０％以上であった。
【０１８２】
［実施例１２］
反射層形成用組成物を、パッケージのキャビティの中央部に滴下した以外は、実施例１１と同様にＬＥＤ装置を作製した。
【０１８３】
（評価）
得られたＬＥＤ装置では、いずれのＬＥＤ素子の発光面（上面及び側面）とも反射層が接していなかった。また、各ＬＥＤ素子からの光取り出し効率は、７０％以上であった。
【０１８４】
［実施例１３］
撥液層の形成を、以下のプラズマＣＶＤ法で作製した以外は、実施例１と同様にＬＥＤ装置を作製した。前述のパッケージのＬＥＤ素子の実装領域の周縁部（ＬＥＤ素子の外縁から幅１００μｍの領域）のみに開口部を有するシリコーン製のマスクを、パッケージ上に配置した。撥液層は、サムコ社製ＮＩＥ−２００にて、ＣＦ４ガスを５０ｓｃｃｍ導入しながら、圧力０．６Ｐａ、４０Ｗで４０秒間プラズマ重合させて、平均厚み１２００ｎｍのフッ化物からなる膜を作製した。
【０１８５】
（評価）
得られたＬＥＤ装置では、ＬＥＤ素子の発光面（上面及び側面）と反射層とが接していなかった。また、各ＬＥＤ素子からの光取り出し効率は、８５％であった。
【産業上の利用可能性】
【０１８６】
本発明の方法で得られる発光装置は、光取り出し性に優れ、経時で光取り出し効率の低下がない。よって、屋外や屋内で使用される照明などに有用である。
【符号の説明】
【０１８７】
１  基板
２  発光素子（ＬＥＤ素子）
３  撥液層
４  反射層
１１  リード電極
１２  金属ワイヤ
１３  波長変換層
１００、２００  発光装置（ＬＥＤ装置）
【図１】
2015153856.tif 000006
【図２】
2015153856.tif 000007
【図３】
2015153856.tif 000008
【図４】
2015153856.tif 000009
【図５】
2015153856.tif 000010
【図６】
2015153856.tif 000011
【図７】
2015153856.tif 000012
【図８】
2015153856.tif 000013
【図９】
2015153856.tif 000014
【図１０】
2015153856.tif 000015
【図１１】
2015153856.tif 000016
【図１２】
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