(57)【要約】【課題】  シンチレータ層が隔壁で区分けされたシンチレータパネルの気泡の発生を防止した製造方法を提供する。【解決手段】  シンチレータパネルの製造方法は、基板の上面上の領域を取り囲む突出部を前記上面上に形成する工程と、シンチレータ粒子を含むシンチレータペーストを前記領域に供給する工程と、隔壁と該隔壁によってそれぞれが包囲された複数の貫通開口とを有する隔壁構造体を前記領域に供給された前記シンチレータペースト内に押し込む押し込み工程と、前記隔壁構造体が押し込まれた前記シンチレータペーストを乾燥して前記隔壁によって区分けされたシンチレータ層を形成するシンチレータ層形成工程と、を含む。【選択図】図４
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板の上面上の領域を取り囲む突出部を前記上面上に形成する工程と、
シンチレータ粒子を含むシンチレータペーストを前記領域に供給する工程と、
隔壁と該隔壁によってそれぞれが包囲された複数の貫通開口とを有する隔壁構造体を前記領域に供給された前記シンチレータペースト内に押し込む押し込み工程と、
前記隔壁構造体が押し込まれた前記シンチレータペーストを乾燥して前記隔壁によって区分けされたシンチレータ層を形成するシンチレータ層形成工程と、
を含むことを特徴とするシンチレータパネルの製造方法。
【請求項２】
前記隔壁の前記基板側の先端は、テーパー状に形成されていることを特徴とする請求項１に記載の製造方法。
【請求項３】
前記複数の貫通開口の前記基板の前記上面に平行な断面は、角が丸まった形状を有していることを特徴とする請求項１または２に記載の製造方法。
【請求項４】
前記隔壁の前記貫通開口に面する表面は、前記シンチレータペーストに対する濡れ性を向上させる処理が施されていることを特徴とする請求項１ないし３のいずれか１項に記載の製造方法。
【請求項５】
前記押し込み工程で、前記シンチレータペースト内に押し込まれた前記隔壁構造体の一部が前記シンチレータペースト内に埋没しないことを特徴とする請求項１ないし４のいずれか１項に記載の製造方法。
【請求項６】
前記押し込み工程の後に、前記複数の貫通開口のそれぞれの中に存在するシンチレータ粒子の量が所定量に達するか否かを検出し、シンチレータ粒子の存在量が所定量未満の貫通開口が検出された場合に、該貫通開口にシンチレータペーストを補填する工程をさらに含むことを特徴とする請求項５に記載の製造方法。
【請求項７】
前記押し込み工程で、前記シンチレータペースト内に押し込まれた前記隔壁構造体の全部が前記シンチレータペースト内に埋没することを特徴とする請求項１ないし４のいずれか１項に記載の製造方法。
【請求項８】
前記押し込み工程の後に、前記隔壁構造体の前記基板側とは反対の側の表面と前記シンチレータペーストの表面とが面一となるように前記隔壁構造体の前記表面を超える前記シンチレータペーストを除去する工程をさらに含むことを特徴とする請求項７記載の製造方法。
【請求項９】
シンチレータ層形成工程で形成された前記シンチレータ層の上に反射層を形成する工程をさらに含むことを特徴とする請求項１ないし８のいずれか１項に記載の製造方法。
【請求項１０】
請求項１ないし９のいずれか１項に記載の製造方法によってシンチレータパネルを製造する工程と、
前記製造されたシンチレータパネルを複数の光電変換素子が形成されたセンサパネルに、前記シンチレータパネルの前記基板側とは反対の側がセンサパネルに近接するように取り付ける工程と、
を含むことを特徴とする放射線撮像装置の製造方法。
【請求項１１】
複数の光電変換素子が形成されたセンサパネルの上面上の領域を取り囲む突出部を前記上面上に形成する工程と、
シンチレータ粒子を含むシンチレータペーストを前記領域に供給する工程と、
隔壁と該隔壁によってそれぞれが包囲された複数の貫通開口とを有する隔壁構造体を前記領域に供給された前記シンチレータペースト内に押し込む押し込み工程と、
前記隔壁構造体が押し込まれた前記シンチレータペーストを乾燥して前記隔壁によって区分けされたシンチレータ層を形成するシンチレータ層形成工程と、
を含むことを特徴とする放射線撮像装置の製造方法。
【請求項１２】
前記隔壁の前記基板側の先端は、テーパー状に形成されていることを特徴とする請求項１１に記載の製造方法。
【請求項１３】
前記複数の貫通開口は、角が無い断面形状を有していることを特徴とする請求項１１または１２に記載の製造方法。
【請求項１４】
前記隔壁の前記貫通開口に面する表面は、前記シンチレータペーストに対する濡れ性を向上させる処理が施されていることを特徴とする請求項１１ないし１３のいずれか１項に記載の製造方法。
【請求項１５】
前記押し込み工程で、前記シンチレータペースト内に押し込まれた前記隔壁構造体の一部が前記シンチレータペースト内に埋没しないことを特徴とする請求項１１ないし１４のいずれか１項に記載の製造方法。
【請求項１６】
前記押し込み工程の後に、前記複数の貫通開口のそれぞれの中に存在するシンチレータ粒子の量が所定量に達するか否かを検出し、シンチレータ粒子の存在量が所定量未満の貫通開口が検出された場合に、該貫通開口にシンチレータペーストを補填する工程をさらに含むことを特徴とする請求項１５に記載の製造方法。
【請求項１７】
前記押し込み工程で、前記シンチレータペースト内に押し込まれた前記隔壁構造体の全部が前記シンチレータペースト内に埋没することを特徴とする請求項１１ないし１４のいずれか１項に記載の製造方法。
【請求項１８】
前記押し込み工程の後に、前記隔壁構造体の前記基板側とは反対の側の表面と前記シンチレータペーストの表面とが面一となるように前記隔壁構造体の前記表面を超える前記シンチレータペーストを除去する工程をさらに含むことを特徴とする請求項１７記載の製造方法。
【請求項１９】
シンチレータ層形成工程で形成された前記シンチレータ層の上に反射層を形成する工程をさらに含むことを特徴とする請求項１１ないし１８のいずれか１項に記載の製造方法。
【請求項２０】
請求項１０ないし１９のいずれか１項に記載の製造方法により製造された放射線撮像装置と、
前記放射線撮像装置からの信号を処理する信号処理部と、
前記信号処理部からの信号を表示するための表示部と、
前記放射線を発生させるための放射線源と、
を備えることを特徴とする放射線撮像システム。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、放射線を検出するシンチレータパネル及び放射線撮像装置の製造方法、並びに放射線撮像システムに関する。
【背景技術】
【０００２】
シンチレータパネルの性能は主にＤＱＥ(Detective Quantum Efficiency)とＭＴＦ(Modulation Transfer Function)の２つの指標によって表現される。ＤＱＥは、シンチレータ層（蛍光体層）中において放射線が可視光に変換される効率を示す指標である。シンチレータ層の膜厚が厚い程、シンチレータ層が多くの放射線を吸収する為、高いＤＱＥを得ることができる。高いＤＱＥのシンチレータパネルは低線量の放射線で画像を得ることができるため、患者の被ばく量を低減することができる。一方、ＭＴＦは、画像の鮮鋭度を表す指標である。放射線がシンチレータ層中で可視光に変換される際、発光点が受光面に近い程、シンチレータ層中での可視光の散乱が抑制される。このため、シンチレータ層の膜厚が薄い程、ボケが少なく高いＭＴＦの画像を得ることができる。
【０００３】
高いＤＱＥを得ようとして、シンチレータ層を厚くすれば、ＭＴＦが低下する。反対に、高いＭＴＦを得ようとして、シンチレータ層を薄くすれば、ＤＱＥが低下する。従来、シンチレータパネルの開発はこのＤＱＥとＭＴＦのトレードオフの関係の上に進められた。
【０００４】
このトレードオフを破るために考案されたのが特許文献１に示すシンチレータが隔壁で区分けされたシンチレータパネルである。その特徴は画素ごとにシンチレータ層が区分けされている点にある。図１の（ａ）に示す、シンチレータ層２０２が隔壁で区分けされていない放射線撮像装置１００’では、放射線４００がシンチレータ層２０２に入射することによって発光点４０１で可視光４０２が発生する。そして、可視光４０２は、センサパネル３００のセンサ部３０１の隣接する画素にも入射し得る。図１の（ｂ）に示すシンチレータ層２０２が画素毎に隔壁２０１ａで区分けされた放射線撮像装置１００では、発光点４０１で発光した可視光４０２は、隔壁２０１ａの表面で反射し、発光点４０１の直下の画素にのみ入射する。反射層２０３とシンチレータ層２０２とは、シンチレータパネル２００を構成している。図１の（ｂ）に示すシンチレータパネル２００では、隣接する画素に入射する光が原理上なくなるため、シンチレータ２０２層を厚膜化してもＭＴＦの低下を抑制することが可能である。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２００２-２０２３７３号公報
【特許文献２】特開平８-１８４９３７号公報
【特許文献３】特開２０００-３２１６８９号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
シンチレータ層が隔壁で区分けされたシンチレータパネルの課題の一つにセル中での気泡の発生が挙げられる。気泡が発生することで、シンチレータパネルの感度にばらつきが生じ、歩留まりの低下につながる。気泡の発生を抑制するために様々な方法が提案されている。特許文献２には、シンチレータ粒子のペーストを減圧下で充填する方法や、シンチレータ粒子を充填した後に樹脂を充填する方法が記述されている。しかしながら、特許文献２の方法では、減圧装置が必要な上、シンチレータ粒子を充填した後に樹脂を充填する場合には工数の増加が生じる。
【０００７】
特許文献３には、開口部が貫通口になっている隔壁構造体を、シンチレータを含有する可塑性シートに押し込む方法が紹介されている。しかしながら、特許文献３の方法では、可塑性シート形態のシンチレータ層に隔壁構造体を押し込むので、気泡の除去が確実ではない。
【０００８】
そこで、本発明は、シンチレータ層が隔壁で区分けされたシンチレータパネルの気泡の発生を防止した製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明の１つの側面は、シンチレータパネルの製造方法であって、基板の上面上の領域を取り囲む突出部を前記上面上に形成する工程と、シンチレータ粒子を含むシンチレータペーストを前記領域に供給する工程と、隔壁と該隔壁によってそれぞれが包囲された複数の貫通開口とを有する隔壁構造体を前記領域に供給された前記シンチレータペースト内に押し込む押し込み工程と、前記隔壁構造体が押し込まれた前記シンチレータペーストを乾燥して前記隔壁によって区分けされたシンチレータ層を形成するシンチレータ層形成工程と、を含むことを特徴とする。
【発明の効果】
【００１０】
本発明によれば、シンチレータ層が隔壁で区分けされたシンチレータパネルの気泡の発生を防止した製造方法を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１１】
【図１】隔壁で区画されたシンチレータ層を有する放射線撮像装置を説明する図。
【図２】隔壁構造体の平面図及び断面図。
【図３】隔壁構造体の製造方法の例を説明したフロー図。
【図４】第１実施形態の放射線撮像装置の製造方法を説明する図。
【図５】本発明の脱泡メカニズムを示す図。
【図６】第１実施形態における隔壁の先端と貫通開口の拡大平面図。
【図７】第２実施形態の放射線撮像装置の製造方法を説明する図。
【図８】第３実施形態の放射線撮像装置の製造方法を説明する図。
【図９】第４実施形態の放射線撮像装置の製造方法を説明する図。
【図１０】第５実施形態の放射線撮像装置の製造方法を説明する図。
【図１１】放射線撮像システムを例示する概略構成図。
【発明を実施するための形態】
【００１２】
添付の図面を参照しつつ本発明の実施形態について以下に説明する。様々な実施形態を通じて同様の要素には同一の参照符号を付して重複する説明を省略する。以下では本発明の各実施形態を医療画像診断装置、分析装置等に用いられる放射線撮像装置の文脈で説明する。本発明において、光は可視光及び赤外線を含み、放射線はＸ線、α線、β線及びγ線を含む。
【００１３】
［第１実施例形態］
本発明の本発明の第１実施形態に係る放射線撮像装置１００の概略構成例について説明する。図１の（ｂ）に示されるように、放射線撮像装置１００は、シンチレータパネル２００とセンサパネル３００とを備える。シンチレータパネル２００は、隔壁構造体２０１と、シンチレータ層（蛍光体層）２０２と、反射層２０３とを含む。隔壁構造体２０１は、隔壁２０１ａと、隔壁２０１ａによってそれぞれが包囲された複数の貫通開口２０１ｂとを有する。隔壁構造体２０１の平面図と断面図を図２の（ａ）、（ｂ）として示す。図２の（ａ）に示す平面図では、隔壁構造体２０１の最外周が太線となっている。これは隔壁構造体２０１の強度を確保するためであるが、必ずしも太くする必要はない。
【００１４】
隔壁構造体２０１の製造方法の例を図３に示した。図３の（ａ）は、シリコンウェハをエッチングすることによって隔壁構造体２０１を製造する方法を示している。工程１で、シリコンウェハ１にレジスト２を塗布する。工程２で、マトリクス状のマスク３を当ててレジスト２を露光する。工程３で、レジスト２の現像を行い、露光されなかったレジスト２を除去する。工程４で、レジスト２によって保護されていない箇所のシリコンウェハ１をエッチングする。工程５で、アッシングを行い、残ったレジスト２を除去する。シリコンウェハ１へのエッチングでは、高アスペクト比の貫通した貫通開口２０１ｂを有する隔壁構造体２０１を製造することが可能である。
【００１５】
図３の（ｂ）は、感光性ガラスペーストを用いて隔壁構造体２０１の製造する方法を示している。工程１で、ガラス基台４に感光性ガラスペースト５を塗布する。工程２で、マトリクス状のマスク３を当てて、感光性ガラスペースト５を露光する。工程３で、現像を行い、格子状のガラス５’を得る。工程４で、研磨によりガラス基台４を除去する。感光性ガラスペーストを用いる方法では、得られた隔壁構造体２０１の表面に白金スパッタ等によって反射層を形成する必要がある。
【００１６】
シンチレータ層２０２を形成するために、例えば酸硫化ガドリニウム（ＧＯＳ）にテルビウム（Ｔｂ）をドープしたものに、ポリビニルブチラールなどの樹脂、溶剤を混ぜ込んだペーストが使用される。シンチレータペーストとして、酸硫化ガドリニウムにテルビウムをドープしたものをアクリル系、エポキシ系、シリコン系などの各種接着剤中に撹拌させたものを用いてもよい。反射層２０３は、ＰＥＴなどのシート状のものを貼り合わせてもよいし、酸化チタンを樹脂に混ぜ込んだものを塗布してもよい。センサパネル（撮像パネル）３００は、マトリクス状に配置されたセンサ（光電変換素子）３０１を備えている。光電変換素子３０１は、シンチレータ層２０２で変換された可視光を電気信号に変換する。光電変換素子３０１として、例えば結晶シリコンを用いたＣＭＯＳセンサ、非結晶シリコンを用いたＰＩＮ型センサ、ＭＩＳ型センサなどが挙げられる。
【００１７】
続いて、図４を用いて本発明の第１実施形態に係る放射線撮像装置１００の製造方法を説明する。工程１で、センサパネル３００の上面上の領域を取り囲む突出部３０２をセンサパネル３００の上面上に形成する。突出部３０２は、シンチレータペースト２０２の流出防止を目的として形成され、例えばモメンティブ社製のＴＳＥ３９７６−Ｂが好適に用いられる。工程２では、工程１で形成された突出部３０２で囲まれたセンサパネル３００上の領域にシンチレータペースト２０２を供給する。工程３で、貫通開口２０１ｂを有する隔壁構造体２０１をシンチレータペースト内に押し込む（押し込み工程）。隔壁構造体２０１の貫通開口２０１ｂとセンサパネル３００上の光電変換素子３０１とが一対一で対応するように貼り合わせるために、アライメントマーク等を用いて隔壁構造体２０１をセンサパネル３００に対して位置合わせしてもよい。
【００１８】
工程４で、センサパネル３００に接するまで隔壁構造体２０１が押し込まれたシンチレータペースト２０２を加熱乾燥してシンチレータ層を形成する（シンチレータ層形成工程）。ただし、厳密にはシンチレータペースト２０２が隔壁２０１ａとセンサパネル３００との間に残るため、隔壁２０１ａとセンサパネル３００とは接しない。第１実施形態では、シンチレータペースト内に押し込まれた隔壁構造体２０１の一部は、シンチレータペースト内に埋没しない。工程５で、隔壁構造体２０１のセンサパネル３００とは逆の側に反射層２０３を形成する。このように貫通開口２０１ｂを有する隔壁構造体２０１を流動性のあるシンチレータペースト２０２に押し込むので、隔壁構造体２０１を押し込むことで発生した気泡は、図５の（ａ）に矢印Ａ，Ｂとして示すように、容易にシンチレータペースト２０２外へ抜け易い。したがって、図５の（ｂ）に示すように、隔壁２０１ａで区分けられた気泡のないシンチレータ層２０２を有するシンチレータパネル２００を形成することが可能である。
【００１９】
図６においては、第１実施形態に用いた隔壁構造体２０１の細部を示している。図６の（ａ）は、隔壁２０１ａのシンチレータペースト２０２に侵入させる基板側の先端の様子を示している。隔壁２０１ａの先端を先細のテーパー状にすることで、隔壁構造体２０１がシンチレータペースト２０２内に侵入する際、空気を巻き込みにくくし、気泡の発生を抑える効果を狙っている。図６の（ｂ）は、隔壁構造体２０１の貫通開口２０１ｂのセンサパネル３００の上面に平行な断面の形状を平面図で示している。セルを構成する貫通開口２０１ｂの断面形状を角が丸まった形状とすることで、シンチレータ粒子２０４の充填率を上げ、ＤＱＥの向上を期待することができる。
【００２０】
隔壁構造体２０１がシンチレータペースト２０２内に侵入する際に、空気を巻き込みにくく気泡の発生を抑えるためのさらなる工夫として、隔壁２０１ａの表面に、シンチレータペースト２０２に対する濡れ性を向上させる処理（親水性処理）を施しておいてもよい。親水性処理としては、隔壁２０１ａの表面にエキシマＵＶや大気圧プラズマを照射する処理が代表的な例として挙げることができる。
【００２１】
［第２実施形態］
図７を用いて、本発明の第２実施形態に係る放射線撮像装置１００の製造方法について説明する。工程１で、センサパネル３００上の周縁に土手となる突出部３０２を形成する。突出部３０２はシンチレータペースト２０２の流出防止を目的として形成される。工程２では、工程１で形成された突出部３０２で囲まれたセンサパネル３００上の領域にシンチレータペースト２０２を流し込む。第２実施形態で流し込むシンチレータペースト２０２の量は第１実施形態よりも多い。
【００２２】
工程３で、貫通開口２０１ｂを有する隔壁構造体２０１をシンチレータペースト２０２内に押し込む。隔壁構造体２０１の貫通開口２０１ｂとセンサパネル３００上の光電変換素子３０１とが一対一で対応するように貼り合わせるために、アライメントマーク等を用いて隔壁構造体２０１をセンサパネル３００に対して位置合わせしてもよい。
【００２３】
工程４で、センサパネル３００に接するまで隔壁構造体２０１が押し込まれたシンチレータペースト２０２を加熱乾燥してシンチレータ層を形成する。ただし、厳密にはシンチレータペースト２０２が隔壁２０１ａとセンサパネル３００との間に残るため、隔壁２０１ａとセンサパネル３００とは接しない。第２実施形態では、シンチレータペースト２０２の量を第１実施形態よりも多くしている為、隔壁構造体２０１の全部がシンチレータ２０２層内に埋没する。
【００２４】
工程５で、隔壁構造体２０１のセンサパネル３００とは逆の側に反射層２０３を形成する。隔壁２０１ａの先端形状及び貫通開口２０１ｂの平面形状については図６のように加工してもよい。隔壁２０１ａの表面処理に関しても、第１実施形態に記載の方法を用いてもよい。
【００２５】
［第３実施形態］
図８を用いて、本発明の第３実施形態に係る放射線撮像装置１００について説明する。工程１で、センサパネル３００の周縁に土手となる突出部３０２を形成する。突出部３０２はシンチレータペースト２０２の流出防止を目的として形成される。工程２では、工程１で形成された突出部３０２で囲まれたセンサパネル３００上の領域にシンチレータペースト２０２を流し込む。第３実施形態で流し込むシンチレータペースト２０２の量は第１実施形態と同程度の量である。工程３で、貫通開口２０１ｂを有する隔壁構造体２０１をシンチレータペースト２０２内に押し込む。隔壁構造体２０１の貫通開口２０１ｂとセンサパネル３００上の光電変換素子３０１とが一対一で対応するように貼り合わせるために、アライメントマーク等を用いて隔壁構造体２０１をセンサパネル３００に対して位置合わせしてもよい。
【００２６】
工程４で、センサパネル３００に接するまで隔壁構造体２０１が押し込まれたシンチレータペースト２０２を加熱乾燥してシンチレータ層を形成する。ただし、厳密にはシンチレータペースト２０２が隔壁２０１ａとセンサパネル３００との間に残るため、隔壁２０１ａとセンサパネル３００とは接しない。第３実施形態では、隔壁構造体２０１をシンチレータペースト２０２内に押し込み、シンチレータペースト２０２を加熱乾燥した後に、その中に存在するシンチレータ粒子の量が所定量未満のセル５００が生じた場合を考慮している。
【００２７】
工程５で、シンチレータパネル２００を発光させて、光量測定を行い、各セルにおけるシンチレータ粒子の存在量が所定量に達しているか否かを検出する。シンチレータ粒子の存在量が所定量未満のセル５００が検出された場合には、当該セル５００に対応する貫通開口２０１ｂにシリンジ等を用いて補填用のシンチレータペースト２０５を補填する。工程６で、隔壁構造体２０１のセンサパネル３００とは逆の側に反射層２０３を形成する。第３実施形態では、セル中のシンチレータ充填量のバラつきをなくし、検出性能の良いシンチレータパネル２００の歩留まりを向上することができる。隔壁２０１ａの先端形状及び貫通開口２０１ｂの平面形状については図６のように加工してもよい。隔壁２０１ａの表面処理に関しても、第１実施形態に記載の方法を用いてもよい。
【００２８】
［第４実施形態］
図９を用いて、本発明の第４実施形態に係る放射線撮像装置１００の製造方法について説明する。工程１で、センサパネル３００の周縁に土手となる突出部３０２を形成する。突出部３０２はシンチレータペースト２０２の流出防止を目的として形成される。工程２では、工程１で形成された突出部３０２で囲まれたセンサパネル３００上の領域にシンチレータペースト２０２を流し込む。第４実施形態で流し込むシンチレータペースト２０２の量は第２実施形態と同程度の量である。工程３で、貫通開口２０１ｂを有する隔壁構造体２０１をシンチレータペースト２０２内に押し込む。隔壁構造体２０１の貫通開口２０１ｂとセンサパネル３００上の光電変換素子３０１とが一対一で対応するように貼り合わせるために、アライメントマーク等を用いて隔壁構造体２０１をセンサパネル３００に対して位置合わせしてもよい。
【００２９】
工程４で、隔壁構造体２０１がセンサパネル３００に接するまで隔壁構造体２０１をシンチレータペースト２０２内に押し込む。ただし、厳密にはシンチレータペースト２０２が隔壁２０１ａとセンサパネル３００との間に残るため、隔壁２０１ａとセンサパネル３００とは接しない。本第４実施形態においては、第２実施形態と同程度の量のシンチレータペーストを使用するため、隔壁構造体２０１をシンチレータペースト２０２内に押し込むと、隔壁構造体２０１は全部シンチレータ層２０２中に埋没する。第４実施形態においては、ヘラ６００等を用いることで隔壁構造体２０１の基板側とは反対の側の表面とシンチレータ層２０２の表面とを面一に揃える。工程６で、隔壁構造体２０１のセンサパネル３００とは逆の側に反射層２０３を形成する。隔壁２０１ａの先端形状及び貫通開口２０１ｂの平面形状については図６のように加工してもよい。隔壁２０１ａの表面処理に関しても、第１実施形態に記載の方法を用いてもよい。
【００３０】
［第５実施形態］
図１０を用いて、本発明の第５実施形態に係る放射線撮像装置１００の製造方法について説明する。工程１で、基板２０６の周縁に土手となる突出部２０７を形成する。突出部２０７はシンチレータペースト２０２の流出防止を目的として形成される。基板２０６の材料としては、アルミやＣＦＲＰ（炭素繊維強化プラスチック）などが求める特性に応じて選ばれる。これらの材料に表面処理を施して反射率を上げたものも好適に用いることができる。
【００３１】
工程２では、工程１で形成された突出部２０７で囲まれた基板２０６上の領域にシンチレータペースト２０２を流し込む。第５実施形態で流し込むシンチレータペースト２０２の量は第１実施形態と同程度の量である。工程３で、貫通開口２０１ｂを有する隔壁構造体２０１をシンチレータペースト２０２内に押し込む。工程４で、隔壁構造体２０１が基板２０６に接するまで隔壁構造体２０１をシンチレータペースト２０２内に押し込み、その後、シンチレータペースト２０２を加熱乾燥して、シンチレータパネル２００を形成する。ただし、厳密にはシンチレータペースト２０２が隔壁２０１ａと基板２０６との間に残るため、隔壁２０１ａと基板２０６とは接しない。
【００３２】
工程５では、工程４で形成されたシンチレータパネル２００をセンサパネル３００に、シンチレータパネル２００の基板側とは反対の側がセンサパネル３００に近接するように取り付ける。シンチレータパネル２００のセルとセンサパネル３００の光電変換素子３０１とが一対一対応となるようにアライメントマークを用いて位置合わせしながら取り付けを行ってもよい。第１〜第４実施形態は、センサパネル３００上にシンチレータパネル２００を直接形成する。これに対して、第５実施形態は、シンチレータパネル２００を作成した後、作成したシンチレータパネル２００をセンサパネル３００に取り付ける点が特徴である。隔壁２０１ａの先端形状及び貫通開口２０１ｂの平面形状については図６のように加工してもよい。隔壁２０１ａの表面処理に関しても、第１実施形態に記載の方法を用いてもよい。
【００３３】
［第６実施形態］
図１１を参照しつつ、本発明に係る放射線撮像装置のＸ線診断システム（放射線撮像システム）への応用例を示す第６実施形態について説明する。Ｘ線チューブ７０２（放射線源）で発生したＸ線（放射線）７０３は、被験者又は患者７００の胸部７０１を透過し、放射線撮像装置１００に入射する。この入射したＸ線には患者７００の体内部の情報が含まれている。Ｘ線の入射に対応してシンチレータが発光し、これを光電変換して、電気的情報を得る。この電気的情報は、デジタル信号に変換されイメージプロセッサ（信号処理部）７０４により画像処理されＸ線ルームのディスプレイ（表示部）７０５により観察できる。なお、放射線撮像システムは、放射線撮像装置１００と、放射線撮像装置１００からの信号を処理する信号処理部７０４とを少なくとも有する。
【００３４】
また、この電気的情報は電話回線７０６等の伝送処理部により遠隔地へ転送でき、別の場所のドクタールームなどのディスプレイ７０７に表示もしくは光ディスク等に保存することができ、遠隔地の医師が診断することも可能である。また、電気的情報は、フィルムプロセッサ７０８により記録媒体（フィルム）７０９に記録することもできる。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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