(57)【要約】【課題】位置検知電極基板の導電体メッシュをなす細線化された導線の線幅ばらつきを抑制する。【解決手段】位置検知電極基板３０は、基材シート３５と、基材シート上に設けられた検知電極４０と、を含む。検知電極は、導線４６が多数の開口領域４４を画成するメッシュパターンにて配置されている導電体メッシュ４４を含む。導線は、銅または銅合金からなる導電性金属層４７と、導電性金属層と積層された窒化銅からなる暗色層４８と、を含む。導電体メッシュをなす導線の平均線幅Ｗａｖｅ、導電性金属層の厚みｔＣｕ及び暗色層の厚みｔＣｕＮが次の条件を満たす。２μｍ≦Ｗａｖｅ≦５μｍ０．１μｍ≦ｔＣｕ≦５μｍ０．０２ｎｍ≦ｔＣｕＮ≦２ｎｍ【選択図】図６
2015184789.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基材シートと、
前記基材シート上に設けられた検知電極と、を備え、
前記検知電極は、導線が多数の開口領域を画成するメッシュパターンにて配置されている導電体メッシュを含み、
前記導線は、銅または銅合金からなる導電性金属層と、前記導線の長手方向に直交する断面において前記導電性金属層と積層された窒化銅からなる暗色層と、を含み、
前記導電体メッシュをなす前記導線の平均線幅Ｗａｖｅ、前記導電性金属層の厚みｔＣｕ、及び、前記暗色層の厚みｔＣｕＮが、次の条件を満たす、タッチパネル装置用の位置検知電極基板。
２μｍ  ≦  Ｗａｖｅ  ≦  ５μｍ
０．１μｍ  ≦  ｔＣｕ  ≦  ５μｍ
１０ｎｍ  ≦  ｔＣｕＮ  ≦  ２００ｎｍ
【請求項２】
前記導電体メッシュをなす前記導線の線幅の標準偏差σが次の条件を満たす、請求項１に記載の位置検知電極基板。
４σ  ≦  ０．５
【請求項３】
前記導電性金属層の厚みｔＣｕ及び前記暗色層の厚みｔＣｕＮが次の条件を満たす、請求項１又は２に記載の位置検知電極基板。
０．０２≦  ｔＣｕＮ／ｔＣｕ  ≦  ２
【請求項４】
前記暗色層は、前記導電性金属層の前記基材シートとは反対側に配置されている、請求項１〜３のいずれか一項に記載の位置検知電極基板。
【請求項５】
前記導線は、前記導電性金属層を両側方から覆う第２暗色層をさらに含む、請求項４に記載の位置検知電極基板。
【請求項６】
前記暗色層は、前記導電性金属層と前記基材シートとの間に配置されている、請求項１〜３のいずれか一項に記載の位置検知電極基板。
【請求項７】
前記導線は、前記導電性金属層を両側方および前記基材シートとは反対の側から覆う暗色層をさらに含む、請求項６に記載の位置検知電極基板。
【請求項８】
請求項１〜７のいずれか一項に記載の位置検知電極基板を備える、タッチパネル装置。
【請求項９】
前記位置検知電極基板と積層された透明カバーを、さらに備える、請求項８に記載のタッチパネル装置。
【請求項１０】
請求項１〜７のいずれか一項に記載の位置検知電極基板、或いは、請求項８又は９に記載のタッチパネル装置を備える、表示装置。
【請求項１１】
基材シート上に、銅または銅合金からなる導電性金属膜および窒化銅からなる暗色膜を、積層する工程と、
塩化第二鉄を用いて前記導電性金属膜および前記暗色膜をパターニングする工程と、を含み、
前記導電性金属膜の厚みｔｌＣｕ及び前記暗色膜の厚みｔｌＣｕＮが、次の条件を満たす、タッチパネル装置用の位置検知電極基板の製造方法。
０．１μｍ  ≦  ｔｌＣｕ  ≦  ５μｍ
１０ｎｍ  ≦  ｔｌＣｕＮ  ≦２００ｎｍ
【請求項１２】
前記パターニングする工程において、前記導電性金属膜および前記暗色膜から、多数の開口領域を画成するメッシュパターンにて配置された導線が形成され、
前記導線の平均線幅Ｗａｖｅが、次の条件を満たす、請求項１１に記載の位置検知電極基板の製造方法。
２μｍ  ≦  Ｗａｖｅ  ≦  ５μｍ
【請求項１３】
前記導線の線幅の標準偏差σが次の条件を満たす、請求項１２に記載の位置検知電極基板の製造方法。
４σ  ≦  ０．５
【請求項１４】
前記導電性金属膜の厚みｔｌＣｕ及び前記暗色膜の厚みｔｌＣｕＮが、次の条件を満たす、請求項１１〜１３のいずれか一項に記載の位置検知電極基板の製造方法。
０．０２  ≦  ｔｌＣｕＮ／ｔｌＣｕ  ≦  ２
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電極を有した位置検知電極基板、位置検知電極基板を含むタッチパネル装置、並びに、位置検知電極基板またはタッチパネル装置を含む表示装置に関する。また、本発明は、位置検知電極基板の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
今日、入力手段として、タッチパネル装置が広く用いられている。タッチパネル装置は、位置検知電極基板、位置検知電極基板を覆う透明カバーと、透明カバー上への接触位置を検出する位置検知回路乃至制御回路、配線およびＦＰＣ（フレキシブルプリント基板）を含んでいる。タッチパネル装置は、多くの場合、液晶ディスプレイやプラズマディスプレイ等の画像表示機構が組み込まれた種々の装置等（例えば、券売機、ＡＴＭ装置、携帯電話、ゲーム機）に対する入力手段として、画像表示機構とともに用いられている。このような装置において、位置検知電極基板は画像表示機構の表示面上に配置され、これにより、タッチパネル装置は表示装置に対する極めて直接的な入力を可能にする。位置検知電極基板のうちの画像表示機構の表示領域に対面する領域は透明になっており、位置検知電極基板のこの領域が、接触位置（接近位置）を検出し得るアクティブエリアを構成するようになる。
【０００３】
タッチパネル装置は、位置検知電極基板に積層された透明カバー上への接触位置（接近位置）を検出する原理に基づいて、種々の形式に区別され得る。昨今では、光学的に明るいこと、意匠性があること、構造が容易であること、機能的にも優れていること等の理由から、投影型の容量結合方式のタッチパネル装置が注目されている。投影型容量結合方式のタッチパネル装置においては、位置を検知されるべき外部導体（典型的には、指）が誘電体を介して位置検知電極基板に積層された透明カバーに接触（接近）することにより、新たに奇生容量が発生し、この静電容量の変化を利用して、透明カバー上における外部導体の位置を検出するようになっている。
【０００４】
投影型の容量結合方式のタッチパネル装置は、アクティブエリア内に配置された一対の検知電極群を含んでいる。一対の検知電極群は、誘電体を挟んで異なる厚さ方向位置に配置される。各検知電極群は、ストライプ状に配列された多数の線状検知電極を含んでいる。一対の検知電極群の間で、検知電極の配列方向は直交している。
【０００５】
これまでの多くの位置検知電極基板において、検知電極は、ＩＴＯ等の透明導電材料を用いて形成されてきた。例えば、特許文献１では、両面露光法を用いてＩＴＯをパターニングすることにより、位置検知電極基板の一対の検知電極群を互いに対して高精度に位置決めすることを開示している。ただし昨今では、特許文献２に開示されているように、表示装置の大型化にともなって検知電極の抵抗値を低下させることが求められており、電気抵抗値の低い金属材料を用いて検知電極を作製した位置検知電極基板も普及しつつある。この位置検知電極基板では、検知電極が幅狭の導線として形成されている。このため、アクティブエリアでの透過率を十分高くすることができる。その一方で、金属材料の導電率が高いことから、金属導線の幅を狭くしても、位置検知電極基板の面抵抗率（単位：Ω／□）を十分小さくすることができる。
【０００６】
金属材料からなる検知電極は、透明基材上に、接着剤を介して金属箔を積層し、次に、パターニングされたレジストをマスクとして、金属箔をエッチングすることにより作製されてきた。ただし、工業的に製造されている金属箔の厚みは１０μｍ以上である。このような厚みの金属箔をエッチングすることによって安定して作製され得る金属導線の幅は、少なくとも１０μｍ以上となる。その理由は、エッチング加工で十分な形状及び寸法精度で安定して製造可能となるのは線幅が厚み以上の場合に限られる為である。即ち、厚み未満の線幅にエッチングすると、図１７に示すように、エッチング時に必然的に生じてしまう横方向への浸食（サイドエッチング）により、隣り合う浸食箇所がレジストの下方で繋がってしまうことにある。レジストの下方で浸食箇所が繋がってしまうと、当該レジスト部分はもはや安定して支持され得ない。結果として、当該レジスト部分の下方に形成されるべき金属導線は直線性に欠け、また、高さ（厚み）にばらつきが生じる。加えて、図１７に示すように、得られた金属導線の断面形状は、基材から突出する三角形形状となる。このような金属導線は、幅が狭い上に高さも低いため、十分な導電率を呈することはない。したがって、この位置検知電極基板の面抵抗率は高くなってしまい、位置検出のためのセンシング感度が低下する。さらに、このような位置検知電極基板を、突出した金属導線が観察者側を向くようにしてタッチパネル装置や表示装置に組み込んだ場合、この金属導線が視認されやすくもなる。
【０００７】
特許文献２では、真空蒸着法等の成膜法によって透明基材上に金属薄膜を形成し、次に、パターニングされたレジストをマスクとして、この金属薄膜をエッチングすることによって、十分に細線化された検知電極を形成することを提案している。また、特許文献２では、金属薄膜よりも低反射性の暗色層で検知電極の表面を形成することにより、アクティブエリア内に位置する検知電極の不可視化およびコントラスト改善を図ることも提案している。この暗色層は、金属薄膜に積層された暗色膜を金属薄膜とともにエッチングしてパターニングすることによって、作製され得る。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００８】
【特許文献１】特許第４７７５７２２号
【特許文献２】特許第５２２４２０３号
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
ところで、暗色膜をなす材料および金属薄膜をなす材料は、反射性又は導電性だけでなく、密着性や材料費等も考慮して選択される必要がある。このため、暗色膜および金属薄膜について、材料選択の自由度低く、昨今の多くの工業製品では、窒化銅からなる暗色膜と銅又は銅合金からなる金属薄膜との組み合わせが検討されつつある。
【００１０】
しかしながら、窒化銅からなる暗色膜と銅又は銅合金からなる金属薄膜とを用いた場合でも、パターニングの際に用いるエッチング液、典型的には塩化第二鉄に対する耐性は、両者の間で大きく異なる。したがって、暗色膜および金属薄膜のいずれが表層側（エッチング開始側）に位置している場合でも、暗色膜の面内での浸食速度のばらつきと金属薄膜の面内での浸食速度のばらつきとの相乗的な関連により、作製対象である検知電極をなす導線の線幅が大きく変動してしまう。線幅が大きく変動すると、検知電極の電気抵抗が面内で変化し、さらには、線幅の変動（ばらつき）幅が大きくなると検知電極をなす導線が断線してしまう可能性すらある。すなわち、線幅の変動は、検知感度の安定性に影響をもたらす重大な問題である。このような不具合の回避策として、線幅のばらつきを許容し得るよう、線幅の平均値を太めに設定しておくことが考えられる。しかしながら、線幅が太いと、位置検知電極基板の開口率が低下し、位置検知電極基板を透過して観察する画像の品質を劣化させることになる。
【００１１】
本件発明者は、この点ついて鋭意検討を重ねた結果として、窒化銅からなる暗色膜の厚みと銅又は銅合金からなる導電性金属膜の厚みを調整しておくことにより、言い換えると、作製された位置検知電極基板において窒化銅からなる暗色層と銅又は銅合金からなる導電性金属層がそれぞれ所定範囲内の厚みを有することにより、導電体メッシュを形成する導線を十分に細線化しながら同時に線幅を安定させ得ることを見出した。本発明は、このよう本件発明者の知見に基づくものであり、位置検知電極基板において、導電体メッシュをなす細線化された導線の線幅ばらつきを抑制することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
本発明による位置検知電極基板は、
基材シートと、
前記基材シート上に設けられた検知電極と、を備え、
前記検知電極は、導線が多数の開口領域を画成するメッシュパターンにて配置されている導電体メッシュを含み、
前記導線は、銅または銅合金からなる導電性金属層と、前記導線の長手方向に直交する断面において前記導電性金属層と積層された窒化銅からなる暗色層と、を含み、
前記導電体メッシュをなす前記導線の平均線幅Ｗａｖｅ、前記導電性金属層の厚みｔＣｕ、及び、前記暗色層の厚みｔＣｕＮが、次の条件を満たす。
２μｍ  ≦  Ｗａｖｅ  ≦  ５μｍ
０．１μｍ  ≦  ｔＣｕ  ≦  ５μｍ
１０ｎｍ  ≦  ｔＣｕＮ  ≦  ２００ｎｍ
【００１３】
本発明による位置検知電極基板において、前記導電体メッシュをなす前記導線の線幅の標準偏差σが次の条件を満たすようにしてもよい。
４σ  ≦  ０．５
【００１４】
本発明による位置検知電極基板において、前記導電性金属層の厚みｔＣｕ及び前記暗色層の厚みｔＣｕＮが次の条件を満たすようにしてもよい。
０．０２≦  ｔＣｕＮ／ｔＣｕ  ≦  ０．０２
【００１５】
本発明による位置検知電極基板において、前記暗色層は、前記導電性金属層の前記基材シートとは反対側に配置されていてもよい。
【００１６】
本発明による位置検知電極基板において、前記導線は、前記導電性金属層を両側方から覆う第２暗色層をさらに含むようにしてもよい。
【００１７】
本発明による位置検知電極基板において、前記暗色層は、前記導電性金属層と前記基材シートとの間に配置されていてもよい。
【００１８】
本発明による位置検知電極基板において、前記導線は、前記導電性金属層を両側方および前記基材シートとは反対の側から覆う暗色層をさらに含むようにしてもよい。
【００１９】
本発明によるタッチパネル装置は、上述した本発明による位置検知電極基板のいずれかを備える。
【００２０】
本発明によるタッチパネル装置が、前記位置検知電極基板と積層された透明カバーを、さらに備えるようにしてもよい。
【００２１】
本発明による表示装置は、上述の本発明による位置検知電極基板のいずれか、或いは、上述の本発明によるタッチパネル装置のいずれかを備える。
【００２２】
本発明による位置検知電極基板の製造方法は、
基材シート上に、銅または銅合金からなる導電性金属膜および窒化銅からなる暗色膜を、積層する工程と、
塩化第二鉄を用いて前記導電性金属膜および前記暗色膜をパターニングする工程と、を含み、
前記導電性金属膜の厚みｔｌＣｕ及び前記暗色膜の厚みｔｌＣｕＮが、次の条件を満たす。
０．１μｍ  ≦  ｔｌＣｕ  ≦  ５μｍ
１０ｎｍ  ≦  ｔｌＣｕＮ  ≦  ２００ｎｍ
【００２３】
本発明による位置検知電極基板の製造方法の前記パターニングする工程において、前記導電性金属膜および前記暗色膜から、多数の開口領域を画成するメッシュパターンにて配置された導線が形成され、
前記導線の平均線幅Ｗａｖｅが、次の条件を満たすようにしてもよい。
２μｍ  ≦  Ｗａｖｅ  ≦  ５μｍ
【００２４】
本発明による位置検知電極基板の製造方法において、前記導線の線幅の標準偏差σが次の条件を満たすようにしてもよい。
４σ  ≦  ０．５
【００２５】
本発明による位置検知電極基板の製造方法において、前記導電性金属膜の厚みｔｌＣｕ及び前記暗色膜の厚みｔｌＣｕＮが、次の条件を満たすようにしてもよい。
０．０２≦  ｔｌＣｕＮ／ｔｌＣｕ  ≦  ０．０２
【発明の効果】
【００２６】
本発明によれば、位置検知電極基板において、導電体メッシュをなす細線化された導線の線幅ばらつきを抑制することができる。
【図面の簡単な説明】
【００２７】
【図１】図１は、本発明による一実施の形態を説明するための図であって、表示装置及びタッチパネル装置を模式的に示す図である。
【図２】図２は、タッチパネル装置の位置検知電極基板を示す平面図である。
【図３】図３は、タッチパネル装置の層構成の一例を示す図である。
【図４】図４は、タッチパネル装置の層構成の他の例を示す図である。
【図５】図５は、位置検知電極基板の拡大平面図である。
【図６】図６は、位置検知電極基板の導電体メッシュをなす導線を示す平面図である。
【図７】図７は、位置検知電極基板の断面図であり、導電体メッシュをなす導線を示している。
【図８】図８は、位置検知電極基板に製造に用いられる積層体の製造方法を説明するための図である。
【図９】図９は、位置検知電極基板に製造に用いられる積層体の製造方法を説明するための図である。
【図１０】図１０は、位置検知電極基板の製造方法を説明するための図である。
【図１１】図１１は、位置検知電極基板の製造方法を説明するための図である。
【図１２】図１２は、位置検知電極基板の製造方法を説明するための図である。
【図１３】図１３は、位置検知電極基板の製造方法を説明するための図である。
【図１４】図１４は、図７に対応する図であって、位置検知電極基板の一変形例を示す図である。
【図１５】図１５は、図７に対応する図であって、位置検知電極基板の他の変形例を示す図である。
【図１６】図１６は、図２に対応する図であって、位置検知電極基板の更に他の変形例を示す図である。
【図１７】図１７は、エッチング時の不具合を説明するための図である。
【発明を実施するための形態】
【００２８】
以下、図面を参照して本発明の一実施の形態について説明する。なお、本明細書に添付する図面においては、図示と理解のしやすさの便宜上、適宜縮尺および縦横の寸法比等を、実物のそれらから変更し誇張してある。
【００２９】
なお、本明細書において、「板（基板）」、「シート」、「フィルム」の用語は、呼称の違いのみに基づいて、互いから区別されるものではない。例えば、「板」はシートやフィルムと呼ばれ得るような部材も含む概念であり、呼称の違いのみにおいて区別され得ない。
【００３０】
さらに、本明細書において用いる、形状や幾何学的条件並びにそれらの程度を特定する、例えば、「平行」、「直交」、「同一」等の用語や長さや角度の値等については、厳密な意味に縛られることなく、同様の機能を期待し得る程度の範囲を含めて解釈することとする。
【００３１】
図１〜図１３は、本発明による一実施の形態を説明するための図である。このうち図１はタッチパネル装置を画像表示機構とともに概略的に示す図であり、図２はタッチパネル装置を示す平面図であり、図３及び図４はタッチパネル装置の層構成を例示する図面である。図５〜７は、主として、位置検知電極基板の導電体メッシュを示す導線を説明するための図であり、図８〜図１３は、位置検知電極基板の製造方法の一例を説明するための図である。
【００３２】
図１に示すように、タッチパネル装置２０は、画像表示機構（例えば液晶表示装置）１２とともに組み合わせられて用いられ、表示装置１０を構成している。画像表示機構１２は、画像を表示することができる表示領域Ａ１と、表示領域Ａ１を取り囲むようにして表示領域Ａ１の外側に配置された非表示領域（額縁領域とも呼ばれる）Ａ２と、を含んでいる。タッチパネル装置２０は、タッチパネルセンサ２５と、タッチパネルセンサ２５の観察者側に配置された透明カバー２２と、タッチパネルセンサ２５に接続された図示しない位置検知回路等の回路と、を含む。透明カバー２２は、タッチパネル装置２０によって外部導体（例えば、指）の接触（接近）位置の検知を実施されるタッチ面を形成する。透明カバー２２は、接合層を介してタッチパネルセンサ２５と接合されている。
【００３３】
タッチパネルセンサ２５は、位置検出に利用される電極を有する位置検知電極基板３０を含んでいる。位置検知電極基板３０は、画像表示機構１２の表示面１２ａに対面する位置に配置され、位置を検知するための電極４０を有している。以下においては、タッチパネル装置２０が、投影型容量結合方式のタッチパネル装置として構成された例について説明する。
【００３４】
図２に示すように、投影型容量結合方式として構成されたタッチパネルセンサ２５は、その法線方向に沿って離間して配置された第１電極４０及び第２電極５０を有している。投影型容量結合方式のタッチパネルセンサ２５は、図３に示すように、各々が電極４０，５０を有した二つの位置検知電極基板３０を有するようにしてもよい。図３に示された例において、第１の位置検知電極基板３０ａは、基材シート３５と、基材シート３５上に設けられた第１の電極４０と、を有している。第２の位置検知電極基板３０ｂも同様に、基材シート３５と、基材シート３５上に設けられた第２の電極５０と、を有している。
【００３５】
その一方で、投影型容量結合方式のタッチパネルセンサ２５は、図４に示すように、単一の位置検知電極基板３０のみを有するようにしてもよい。この位置検知電極基板３０は、単一の基材シート３５と、基材シート３５の両側にそれぞれ設けられた第１電極４０及び第２電極５０と、を有している。
【００３６】
以下においては、図３に示された層構成について説明していく。ただし、第１位置検知電極基板３０ａと第２位置検知電極基板３０ｂは、電極の平面視における配列パターン等は相違するが、材料、層構成、寸法等のその他において同様に構成することができる。したがって、第１位置検知電極基板３０ａと第２位置検知電極基板３０ｂに共通する説明については、「第１」及び「第２」を区別することなく、符号「３０」を用いて説明する。
【００３７】
位置検知電極基板３０に用いられる基材シート３５は、電極４０，５０を支持する基材として機能し、且つ、タッチパネルセンサ２５における誘電体としても機能する。図２に示すように、基材シート３５は、接触（接近）位置を検出され得る領域に対応するアクティブエリアＡａ１と、アクティブエリアＡａ１に隣接する非アクティブエリアＡａ２と、を含んでいる。図１に示すように、位置検知電極基板３０のアクティブエリアＡａ１は、画像表示機構１２の表示領域Ａ１に対面する領域を占めている。一方、非アクティブエリアＡａ２は、矩形状のアクティブエリアＡａ１を四方から周状に取り囲むように、言い換えると、額縁状に形成されている。この非アクティブエリアＡａ２は、画像表示機構１２の非表示領域Ａ２に対面する領域に形成されている。
【００３８】
アクティブエリアＡａ１を介して画像表示機構１２の画像を観察することができるよう、基材シート３５は、透明または半透明となっている。基材シート３５は、可視光領域における透過率が８０％以上であることが好ましく、８４％以上であることがより好ましい。なお、基材シート３５の可視光透過率は、分光光度計（（株）島津製作所製「ＵＶ−３１００ＰＣ」、ＪＩＳＫ０１１５準拠品）を用いて測定波長３８０ｎｍ〜７８０ｎｍの範囲内で測定したときの、各波長における透過率の平均値として特定される。
【００３９】
基材シート３５は、例えば、誘電体として機能し得るガラスや樹脂フィルムから構成され得る。樹脂フィルムとしては、光学部材の基材として使用されている種々の樹脂フィルムを好適に用いることができる。一例として、複屈折性を有さない光学等方性のフィルム、典型的には、トリアセチルセルロースに代表されるセルロースエステルからなるフィルムを、基材シート３５として用いることができる。その一方で、複屈折性を有する光学等方性のフィルムも、基材シート３５として用いることができる。例えば、安価で安定性に優れたポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）等のポリエステルフィルムを、基材シート３５として用いることができる。ポリエステルフィルムは、吸湿性が低く、高温多湿の環境化においても変形等が生じ難いといった利点を、有している。
【００４０】
次に、基材シート３５上に設けられた第１位置検知電極基板３０ａの第１電極４０及び第２位置検知電極基板３０ｂの第２電極５０について説明する。なお、本実施の形態での説明において、第１電極に関連して四十番台の符号を使用し、第２電極に関連して五十番台の符号を使用している。「第１」又は「第２」との用語を用いることなく四十番台及び五十番台の双方の符号を付して行う説明は、第１電極４０及び第２電極５０の双方に当てはまる説明とする。
【００４１】
図３に示された例では、第１位置検知電極基板３０ａ及び第２位置検知電極基板３０ｂの双方に関し、各基材シート３５の観察者側の面上に、電極４０，５０が設けられている。図５〜図１３並びにこれらの図に関連した以下の説明においても、電極４０，５０が基材シート３５の観察者側に設けられていることを前提としている。
【００４２】
図２に示すように、各電極４０，５０は、位置検知に用いられる検知電極４１，５１と、検知電極４１，５１に接続された取出電極（取出配線）４２，５２と、を有している。検知電極４１，５１は、パターンをなすようにしてアクティブエリアＡａ１内に配置されている。一方、取出電極４２，５２は、非アクティブエリアＡａ２内に配置されている。
【００４３】
第１検知電極４１及び第２検知電極５１は、対応する基材シート３５の観察者側の面上に互いに異なる所定のパターンで配置されている。具体的には、図２に示すように、第１検知電極４１は、細長い矩形形状、即ち、長方形の輪郭形状を有して線状に延び、且つ、その長手方向と交差する方向に配列されている。同様に、第２検知電極５１も、長方形の輪郭形状を有して線状に延び、且つ、その長手方向と交差する方向に配列されている。ただし、第１検知電極４１の配列方向と第２検知電極５１の配列方向とは非平行となっている。図示された例において、第１検知電極４１は、ストライプ状となるよう、図２における上下に並べられ且つその配列方向に直交する方向（図２における左右）に直線状に延びている。また、第２検知電極５１も、ストライプ状となるよう、図２における左右に並べられ且つその配列方向に直交する方向（図２における上下）に直線状に延びている。さらに、第１検知電極４１の配列方向と第２検知電極５１の配列方向とは直交している。
【００４４】
検知電極４１，５１は、外部導体がタッチパネルセンサ２５に接触又は接近した際に生じる、電磁的な変化または静電容量の変化を検知するために設けられるものである。従って、検知電極４１，５１には、電磁的な変化または静電容量の変化に起因する電流を検知可能なレベルで流すことができる程度の導電性が求められる。このような検知電極４１，５１を構成するための材料として、優れた導電性を有する金属材料が選択される。
【００４５】
一方、これらの金属材料は、可視光に対して遮光性を有している。そこで、検知電極４１，５１は、導線４６，５６が多数の開口領域４５，５５を画成するメッシュパターンにて配置されている導電体メッシュ４４，５４を含んでいる。とりわけ図５に示された例においては、各検知電極４１，５１が、細長い領域に形成された導電体メッシュ４４，５４から形成されている。図５に示された例においては、アクティブエリアＡａ１の全域に導電体メッシュ４４，５４が形成され、各検知電極４１，５１の輪郭に対応して、導電体メッシュをなす導線４６，５６を断線させることにより、各検知電極４１，５１が形成されている。なお、図５に示された例において、導電体メッシュ４４，５４は、単位格子形状が正方形である正方格子配列状の規則的なメッシュパターンを有している。ただし、導電体メッシュ４４，５４は、格子配列以外の規則的なメッシュパターン、例えば、単位格子形状が３角形である３角格子、単位格子形状が６角形である６角格子（蜂の巣乃至は龜甲）、特開２０１２−１６４６４８号公報開示の如き単位格子形状が特定内角の菱形からなる菱形格子等のパターンを有していてもよいし、或いは特開平４−２１７３９７号公報開示の如き正方格子の格子点位置をある範囲内でランダム変位させたパターン、特開２０１３−６９２６１号公報記載の特定ランダム母点のボロノイ分割図形からなるパターン等の不規則的なメッシュパターンを有していてもよい。
【００４６】
取出電極４２，５２は、検知電極４１，５１の各々に対し、接触位置の検出方法に応じて一つまたは二つ設けられている。各取出電極４２，５２は、対応する検知電極４１，５１に接続されて配線を形成している。取出電極４２，５２は、基材シート３５の非アクティブエリアＡａ２内を、対応する検知電極４１，５１から基材シート３５の端縁まで延びている。そして、取出電極４２，５２の検知電極４１，５１とは反対側の端部に、端子部４２ａ，５２ａが形成されている。取出電極４２，５２は、その端子部４２ａ，５２ａにて、図示しない外部接続配線（例えば、ＦＰＣ）を介し、検出制御部に接続される。
【００４７】
次に、電極４０，５０の断面形状について説明する。図７には、厚さ方向に沿った断面において、位置検知電極基板３０が示されている。とりわけ図７は、導電体メッシュ４４，５４をなす導線４６，５６の断面形状を示している。ここで厚さ方向とは、シート状（フィルム状、板状、パネル状）からなる位置検知電極基板３０のシート面（フィルム面、板面、パネル面）への法線方向に沿った断面のことを指す。ここで、シート面（フィルム面、板面、パネル面）とは、対象となるシート状（フィルム状、板状、パネル状）の部材を全体的かつ大局的に見た場合において対象となるシート状部材の平面方向と一致する面のことを指している。そして、本実施の形態においては、基材シート３５が一対の主面を有するシート状の形状を有している。したがって、本実施の形態では、厚さ方向に沿った断面とは、基材シート３５の面への法線方向に沿った断面と一致する。
【００４８】
図７に示すように、検知電極４１，５１の導電体メッシュ４４，５４をなす導線４６，５６は、基材シート３５側に位置する基端面４６ａ，５６ａと、基端面４６ａ，５６ａに対向して位置する平坦な先端面４６ｂ，５６ｂと、基端面４６ａ，５６ａと先端面４６ｂ，５６ｂとの間を接続する一対の側面４６ｃ，５６ｃと、を含んでいる。基端面４６ａ，５６ａと先端面４６ｂ，５６ｂは互いに平行となっている。
【００４９】
導線４６，５６は、導電性金属層４７，５７と暗色層４８，５８とを有している。暗色層４８，５８は、導線４６，５６の長手方向に直交する断面において導電性金属層４７，５７に積層されている。図７に示すように、暗色層４８，５８は、導電性金属層４７，５７の基材シート３５とは反対側に配置されている。すなわち、暗色層４８，５８は、導電性金属層４７，５７の観察者側に配置され、且つ、導電性金属層４７，５７を観察者側から覆っている。このため、図示された例において、暗色層４８，５８は、導線４６，５６の先端面４６ｂ，５６ｂを形成している。
【００５０】
ここで導電性金属層４７，５７は、高導電率を有した金属材料を用いて形成された層である。本発明では、導電性金属層４７，５７は、銅または銅合金から形成されている。
【００５１】
銅又は銅合金からなる導電性金属層４７，５７は、優れた導電率を有する反面、比較的に高い反射率を呈する。そして、位置検知電極基板３０の検知電極４１，５１をなす導電性金属層４７，５７によって外光が反射されると、タッチパネル装置２０のアクティブエリアＡａ１を介して観察される画像表示機構１２の画像コントラストが低下してしまう。そこで、暗色層４８，５８が、導電性金属層４７，５７の観察者側に配置されている。この暗色層４８，５８によって、画像のコントラストを向上させ、画像表示機構１２によって表示される画像の視認性を改善することができる。すなわち、暗色層４８，５８は、黒色等の暗色の層であり、隣接する導電性金属層４７，５７よりも低反射率の層である。本発明では、暗色層４８，５８は、窒化銅から形成されている。なお、ここで用いる暗色層４８，５８とは、暗色化（黒化）された層のみでなく、粗化された層も含む。
【００５２】
コントラストの低下を防止する観点から、暗色層４８，５８に関しては、その色味がＬ＊ａ＊ｂ＊表色系（ＣＩＥ１９７６）において、ａ＊が−５．０〜３．０、ｂ＊が−５．０〜４．０であることが好ましい。暗色層４８，５８の色味の測定条件は、Ｃ光源、観測視野２°であり、電極４０，５０の背面に黒色アクリル板を配置した状態で測定するものとする。
【００５３】
なお、図７は、導電体メッシュ４４，５４をなす導線４６，５６の断面形状を示しているが、電極４０，５０の導電体メッシュ４４，５４以外の部分も、幅が異なるだけで、導電体メッシュ４４，５４をなす導線４６，５６と同様の断面形状を有するようにしてもよい。ただし、取出電極４２，５２は、画像表示機構１２の非表示領域Ａ２に対面する非アクティブエリアＡａ２内に配置されている。したがって、取出電極４２，５２は、暗色層４８，５８を有している必要はない。その一方で、暗色層４８，５８のパターニング等の煩雑さを回避するため、取出電極４２，５２が、検知電極４１，５１と同様に暗色層４８，５８を有するようにしてもよい。
【００５４】
なお図示された例において、電極４０，５０は導電性金属層４７，５７と暗色層４８，５８とを有するように構成されているが、これに限れず、電極４０，５０がさらに他の層を含んでいてもよい。電極４０，５０に含まれるべき他の層として、例えば、防錆層が例示される。
【００５５】
このような構成からなる電極４０，５０において、図７に示された導電体メッシュ４４，５４をなす導線４６，５６の平均線幅Ｗａｖｅは、電極４０，５０を極めて効果的に不可視化の観点から、細い方が好ましい。ここで説明する位置検知電極基板３０については、導電体メッシュ４４，５４をなす導線４６，５６の平均線幅Ｗａｖｅは、２μｍ以上５μｍ以下となっている。このような導電体メッシュ４４，５４は、開口領域の面積割合を示す開口率が９０％以上に設定されていれば、十分に不可視化される。
【００５６】
なお従来技術の欄でも言及したように、後述する薄膜をエッチングすることによって導線４６，５６を作製する場合、図６に示すように、導線４６，５６の線幅Ｗａは変動することになる。このため、導線４６，５６の線幅Ｗａを、複数の測定値の平均値である平均線幅Ｗａｖｅで評価する。平均線幅Ｗａｖｅは、導電体メッシュ４４，５４をなす導線４６，５６の線幅を、当該線幅のばらつきの全体的な傾向を反映し得ると期待される複数の箇所にて測定し、測定された線幅Ｗａの平均値として特定される。具体的には、次の方法にて平均線幅Ｗａｖｅを特定する。少なくとも後述する製造方法にて製造される位置検知電極基板３０については、以下の方法にて平均線幅Ｗａｖｅを高精度に特定することが可能となる。
【００５７】
図６に示すように、導電体メッシュ４４，５４をなす導線４６，５６は、分岐点６１間を延びる接続要素６３の集合体と言える。そこで、まず、任意に１５個の接続要素６３を選択する。次に、各接続要素６３を画定する一対の分岐点６１間を結ぶ仮想直線ｖｌ上に位置する三つの中間点６２であって、当該仮想直線ｖｌを四等分する中間点６２を特定する。そして、選択された１５個の接続要素のそれぞれについて、三つの中間点６２での線幅Ｗａを測定する。線幅Ｗａは、中間点６２を通過して仮想直線ｖｌに対して直交する方向における導線４６，５６の両縁部間の長さとして特定され、例えば、光学顕微鏡を用いて測定される。そして、合計４５個の線幅Ｗａの測定値を平均した値を、当該導電体メッシュ４４，５４をなす導線４６，５６の平均線幅Ｗａｖｅとする。
【００５８】
また、後述するように、導電体メッシュ４４，５４をなす導線４６，５６のエッチング液による導電性金屬層と暗色層との侵食速度差に起因する線幅Ｗａのばらつきを抑制する観点から、導電性金属層の厚みｔＣｕ及び暗色層４８，５８の厚みｔＣｕＮが、次の条件を満たすことが好ましい。次の条件が満たされるとともに、導電体メッシュ４４，５４をなす導線４６，５６の平均線幅Ｗａｖｅが２μｍ以上に設定されていると、線幅Ｗａのばらつきにともなった導線４６，５６の断線を極めて効果的に回避することができる。
０．１μｍ  ≦  ｔＣｕ  ≦  ５μｍ
１０ｎｍ  ≦  ｔＣｕＮ  ≦  ２００ｎｍ
０．００２  ≦  ｔＣｕＮ／ｔＣｕ  ≦  ２
【００５９】
あわせて、上述の平均線幅Ｗａｖｅを有した導線４６，５６の高さ（厚さ）Ｈを０．２μｍ以上２μｍ以下とすることが好ましい。このような導電体メッシュ４４，５４によれば、導線４６，５６が十分に細線化される一方で、断面形状において平行となる基端面４６ａ，５６ａおよび先端面４６ｂ，５６ｂの間の高さが十分な高さとなり、すなわち、導線４６，５６の断面形状のアスペクト比（Ｈ／Ｗ）が十分に大きくなり、高い導電性をも有するようになる。結果として、導電体メッシュ５５における面抵抗率を５０Ω／□以下、さらに好ましくは２０Ω／□以下にすることも可能となる。
【００６０】
すなわち、このような断面寸法を有した導線４６，５６によれば、位置検知電極基板３０の電極４０，５０を低抵抗に維持しながら、当該電極４０，５０をなす導線４６，５６を細線化することができる。細線化した導線４６，５６によれば、高精細化された画素との組み合わせにおいて、或いは、タブレットと呼ばれる携帯端末の短ピッチ配列された画素との組み合わせにおいても、十分に検知電極４１，５１を不可視化しながら、高い検出精度を発揮することができる。
【００６１】
なお、導電体メッシュ４４，５４をなす導線４６，５６の高さ（厚さ）Ｈは、電極４０の製造精度を安定させる観点から、２．０μｍ以下であることが好ましく、１．５μｍ以下であることがさらに好ましく、面抵抗率を低下させる観点から、０．１μｍ以上であることが好ましく、０．５μｍ以上であることがさらに好ましい。加えてここで説明した作用効果を確保する観点から、細導線６０の断面形状のアスペクト比（Ｈ／Ｗ）は、０．０４以上２．００以下であることが好ましい。
【００６２】
後述する位置検知電極基板３０の製造方法によれば、電極４０，５０の導線４６，５６以外の部分の高さは、導電体メッシュ４４，５４をなす導線４６，５６の高さと同一となる。その一方で、電極４０，５０の導線４６，５６以外の部分、例えば不可視化が要求されていない取出電極４２，５２の幅を５．０μｍ以上とすることができる。
【００６３】
次に、上述した位置検知電極基板３０の製造方法の一例について説明する。以下の方法により、上述した第１位置検知電極基板３０ａ及び第２位置検知電極基板３０ｂのいずれも作製することができる。以下に説明する製造方法では、まず、図８及び図９に示すようにして積層体７０を準備し、積層体７０から位置検知電極基板３０を作製する。以下、各工程について順に説明していく。
【００６４】
まず、図８及び図９を参照して、積層体７０を準備する工程について説明する。図８に示すように、積層体７０は、基材シート３５、導電性金属膜７１及び暗色膜７４を、この順で含んでいる。積層体７０を作製するにあたり、まず、基材シート３５を準備する。積層体７０の基材シート３５は、位置検知電極基板３０の基材シート３５をなすようになる。したがって、積層体７０の基材シート３５の材料は、位置検知電極基板３０の基材シート３５用の材料として例示した材料を適宜選択して用いることができる。
【００６５】
次に、図８に示すように、基材シート３５の片側の面上に、導電性金属膜７１及び暗色膜７４を順に作製する。導電性金属膜７１及び暗色膜７４は、パターニングされることにより、位置検知電極基板３０の電極４０，５０の少なくとも一部分を形成するようになる。このうち、導電性金属膜７１が、電極４０，５０の導電性金属層４７，５７を形成し、暗色膜７４が、暗色層４８，５８を形成するようになる。したがって、導電性金属膜７１は、銅又は銅合金からなる薄膜として形成され、暗色膜７４は、窒化銅からなる薄膜として形成されている。
【００６６】
作製されるべき電極４０，５０の導線４６，５６の線幅Ｗａの侵食速度に起因するばらつきを抑制する観点から、導電性金属膜７１の厚みｔｌＣｕ及び暗色膜７４の厚みｔｌＣｕＮは、次のように設定される。
０．１μｍ  ≦  ｔｌＣｕ  ≦  ５μｍ
１０ｎｍ  ≦  ｔｌＣｕＮ  ≦  ２００ｎｍ
【００６７】
まず、図８に示すように、基材シート３５上に電極４０，５０の導電性金属層４７，５７を構成するようになる導電性金属膜７１を成膜する。導電性金属膜７１は、銅又は銅合金の箔を接着層により基材シート３５にラミネートしたものから形成するのではなく、接着層を介さずに基材シート３５上に直接的に形成する。すなわち、入手可能な特定の厚みを有した金属箔を積層するのではなく、基材シート３５上に所望の厚みを有した導電性金属膜７１を成膜する。導電性金属膜７１の成膜方法としては、スパッタリング法、真空蒸着法、電解めっき法及び無電解めっき法を含むめっき法、ＣＶＤ法、イオンプレーティング法又はこれらの二以上を組み合わせた方法を採用することができる。
【００６８】
上述したように、導電性金属層４７，５７の厚みｔＣｕを０．１〜５μｍ程度とするため、０．１〜５μｍの厚みｔｌＣｕで導電性金属膜７１を成膜しようとすると、真空蒸着法を採用することが好ましい。蒸着によれば、０．１〜２μｍの厚みの導電性金属膜７１、とりわけ０．５μｍ以上の厚みの導電性金属膜７１を比較的に短時間で安価に製造することができる。
【００６９】
また、別の方法として、図８に点線を用いて示すように、スパッタリングと他の方法、例えばスパッタリングと電解めっきとを含む複数工程にて、導電性金属膜７１を成膜することも有効である。スパッタリングによれば、密着性に優れた下地層としての基材側導電性金属膜７１ａを形成することができる。また、その後の電解メッキによって、追加層としての表層側導電性金属膜７１ｂを迅速に形成することができる。結果として、導電性金属膜７１の厚みを比較的迅速に所望の厚みまで増加させることができる。
【００７０】
基材シート３５上に導電性金属膜７１を形成した後、図９に示すように、導電性金属膜７１上に、暗色層４８，５８を構成するようになる暗色膜７４を成膜する。スパッタリング法、真空蒸着法、電解めっき法及び無電解めっき法を含むめっき法、ＣＶＤ法、イオンプレーティング法、又は、これらの二以上を組み合わせた方法により、基材シート３５上に窒化銅からなる暗色膜７４を成膜することができる
【００７１】
以上のようにして、基材シート３５、導電性金属膜７１及び暗色膜７４を、この順で含んだ積層体７０が準備される。
【００７２】
次に、図１０〜図１３を参照して、フォトリソグラフィー技術を用いたパターニングにより、基材シート３５上の導電性金属膜７１及び暗色膜７４を所望のパターンにて、パターニングする。パターニングされた導電性金属膜７１及び暗色膜７４の積層部分によって、電極４０，５０が形成される。
【００７３】
まず、図１０に示すように、暗色膜７４によって形成されている積層体７０の一方の面上に、感光膜８１を設ける。感光膜８１は、特定波長域の光、例えば紫外線に対する感光性を有している。ただし、感光膜８１の具体的な感光特性は特に限られることはない。例えば、感光膜８１として、光硬化型の感光材が用いられてもよく、若しくは、光溶解型の感光材が用いられてもよい。ここでは、感光膜８１として光硬化型の感光材が用いられる例を説明する。
【００７４】
次に、図１１に示すように、感光膜８１上にマスク８３を配置する。マスク８３は各々、後に形成される第１電極４０又は第２電極５０に対応したパターンで露光光を透過させる透過部８３ａと、露光光を遮蔽する遮光部８３ｂと、を含んでいる。その後、図１１に示すように、露光光を、マスク８３を介して感光膜８１に照射する。この結果、感光膜８１が露光される。
【００７５】
次に、露光された感光膜８１を現像する。具体的には、感光膜８１に対応した現像液を用意し、この現像液を用いて、感光膜８１を現像する。これにより、感光膜８１が光溶解型のものである場合は露光光が照射された部分が除去される。図１２に示すように、感光膜８１のうち露光光が照射されていない部分が除去され、感光膜８１が所定のパターンにパターニングされる。この結果、感光膜８１が所定のパターンにパターニングされてなるレジストパターン８２が、暗色膜７４によって形成されている積層体７０の一方の面上に形成される。
【００７６】
その後、図１３に示すように、レジストパターン８２をマスクとして、暗色膜７４及び導電性金属膜７１をエッチングする。このエッチングにより、暗色膜７４及び導電性金属膜７１が、レジストパターン８２と略同一のパターンにパターニングされる。ここで説明する製造方法では、塩化第二鉄（塩化鉄（ＩＩＩ））水溶液をエッチング液として用いたウェットエッチングが実施される。この工程で、暗色膜７４がパターニングされることにより、暗色膜７４から電極４０，５０の暗色層４８，５８が形成され、導電性金属膜７１がパターニングされることにより、導電性金属膜７１から電極４０，５０の導電性金属層４７，５７が形成される。
【００７７】
次に、レジストパターン８２を除去する。これによって、図７に示された位置検知電極基板３０が得られる。
【００７８】
ところで、位置検知電極基板３０における暗色膜４８，５８をなす材料および導電性金属層４７，５７をなす材料は、反射性又は導電性だけでなく、密着性や材料費等も考慮して選択され必要がある。このため、暗色層４８，５８および導電性金属層４７，５７をそれぞれなす二つの材料について、材料選択の自由度は低くなる。そして、上述した製造方法のように、導電性金属膜７１及び暗色膜７４をエッチングすることによって導線４６，５６を作製する場合、現実的に選択され得る材料の組み合わせでは、いずれの組み合わせにおいても、エッチング液に対する耐性が二つの材料の間で大きく異なる。本発明では、暗色層４８，５８(暗色膜７４)をなす窒化銅と導電性金属層４７，５７（導電性金属膜７１）をなす銅又は銅合金との組み合わせが採用されるが、この材料の組み合わせであっても、塩化第二鉄（塩化鉄（ＩＩＩ））からなるエッチング液に対する耐性が大きく異なる。具体的には、暗色層４８，５８(暗色膜７４)をなす窒化銅は、導電性金属層４７，５７（導電性金属膜７１）をなす銅又は銅合金と比較して、塩化第二鉄（塩化鉄（ＩＩＩ））に対する耐性が高く、エッチングによる浸食が進みにくい。
【００７９】
そして、平均線幅Ｗａｖｅが５μｍ以下となる細線化された導線を、金属薄膜をエッチングによってパターニングして作製しようとすると、従来、作製されるべき細線化された導線の線幅が大きくばらついていた。線幅のばらつきは、導電体メッシュの導電性のばらつきとなる。すなわち、アクティブ領域内Ａａ１内に検出感度が低下した領域が生じるといった不具合を引き起こす。
【００８０】
線幅Ｗａにばらつきが生じる原因は、次のことにあると考えられる。すなわち、二つの膜を連続してエッチングする場合、まず、エッチングによる浸食がエッチング開始側となる表層側膜（上述の実施形態では暗色膜７４）を貫通するタイミングのずれが面内の位置によって必然的に生じてしまう。そして、表層側膜に積層された深層側膜（上述の実施形態では導電性金属膜７１）の浸食は、表層側膜を貫通した領域から開始される。ここで、エッチングによる浸食は、深さ方向（縦方向）だけでなく、所謂サイドエッチングと呼ばれる現象により横方向にも進む。其の結果、最後に表層側膜が貫通した領域に於いて深層側膜迄のエッチングが完了した時点で、当該領域のサイドエッチングは殆ど未進行なのに対して、最初に表層側膜が貫通された領域に於いては最も多くサイドエッチングが進行してしまっている。即ち、両領域間のサイドエッチングの進行量の差は大きくなる。この現象により、表層側膜及び深層側膜の両方をパターニングして細線を作製する際の線幅ばらつきがより顕著となる。
【００８１】
仮に、表層側膜が浸食され易い膜（エッチング耐性が低い膜）であったとすると、深層側膜のエッチングが進行している間に、早期に表層側膜が貫通された領域において表層側膜のサイドエッチングが進行している。この際、当該領域においては、深層側膜の表面が露出し、この深層側膜は、側方および上方からエッチングされることになる。すなわち、表層側膜のエッチング進行速度の面内ばらつきと、深層側膜のエッチング進行速度の面内ばらつきとが、単に足し合わされるのではなく、それ以上の面内ばらつきが生じてしまうことになる。
【００８２】
また、上述した実施の形態のように、表層側膜が浸食され難い膜（エッチング耐性が高い膜）であったとすると、早期に表層側膜が貫通された領域では、深層側膜の横方向への浸食が進むことにより、表層側膜が下方からも露出する。したがって、当該領域においては、表層側膜は、上方及び側方だけでなく、下方からも侵食される。やはり、表層側膜のエッチング進行速度の面内ばらつきと、深層側膜のエッチング進行速度の面内ばらつきとが、単に足し合わされるのではなく、それ以上の面内ばらつきが生じてしまうことになる。
【００８３】
以上のことから、エッチング耐性の異なる二つの膜を連続してエッチングして細線
パターンを作製する場合、面内でのエッチング進行速度のばらつきが顕著となり、結果として線幅を大きく変動していたと推測される。
【００８４】
本件発明者は、この点ついて鋭意検討を重ねた結果として、目標とする平均線幅Ｗａｖｅに対して、二つの膜をなす材料の組み合わせとともに、当該膜の厚みを調整しておくことにより、線幅Ｗａのばらつきを効果的に抑制し得ることを知見した。具体的には、平均線幅Ｗａｖｅを５μｍ以下にする場合、窒化銅からなる暗色膜７４の厚みｔｌＣｕＮと銅又は銅合金からなる導電性金属膜７１の厚みｔｌＣｕが、次の範囲にある場合、作製された導電体メッシュ４４，５４をなす線幅Ｗａのばらつきを効果的に抑制することができた。
０．１μｍ  ≦  ｔｌＣｕ  ≦  ５μｍ
１０ｎｍ  ≦  ｔｌＣｕＮ  ≦  ２００ｎｍ
この条件に加えて、導電性（位置検知感度及び応答速度）、電極の不可視性、及び線幅ばらつきの低減化の綜合的特性が最も良好となる平均線幅Ｗａｖｅが２μｍ以上５μｍとなる場合には、図６を参照して説明したように１５個の接続要素６３のそれぞれについて三つの中間点６２で測定された合計４５箇所での線幅Ｗａの測定値の標準偏差σが次の条件を満たすことができた。
０  ＜  ４σ  ≦  ０．５
【００８５】
加えて、平均線幅Ｗａｖｅを２μｍ以上５μｍとする場合には、窒化銅からなる暗色膜７４の厚みｔｌＣｕＮと銅又は銅合金からなる導電性金属膜７１の厚みｔｌＣｕに関する上述の条件とともに、次の条件が満たされることが有効であることが知見された。
０．００４  ≦  ｔｌＣｕＮ／ｔｌＣｕ  ≦  ０．６
この条件が満たされる場合、導電体メッシュ４４，５４をなす線幅Ｗａのばらつきを効果的に抑制することができた。
【００８６】
また、上記のように厚みが設定された窒化銅からなる暗色膜７４及び銅又は銅合金からなる導電性金属膜７１を用いて、平均線幅Ｗａｖｅが２μｍ以上の導線４６，５６をエッチングによるパターニングで作製する場合、図１７を参照して説明した厚みの厚い膜をエッチングでパターニングする場合とは異なり、エッチングによる浸食箇所が、レジスト膜の下方で繋がってしまうことはない。したがって、作製された位置検知電極基板３０において、導電体メッシュ４４，５４をなす導線４６，５６の導電性金属層の厚みｔＣｕ及び暗色層の厚みｔＣｕＮは、次の条件を満たすようになる。
０．１μｍ  ≦  ｔＣｕ  ≦  ５μｍ
２０ｎｍ  ≦  ｔＣｕＮ  ≦  ６０ｎｍ
０．００４  ≦  ｔＣｕＮ／ｔＣｕ  ≦  ０．６
逆に言えば、これらの厚みｔＣｕ，ｔＣｕＮに関する条件を満たす位置検知電極基板３０では、平均線幅Ｗａｖｅが２μｍ以上５μｍ以下まで細線化された導線４６，５６の線幅ばらつきが抑制され得る。したがって、位置検知電極基板３０は、アクティブエリアＡａ１の全域において優れた感知精度を安定して発揮することができるとともに、濃淡むら等の不具合を効果的に目立たなくさせることができる。
【００８７】
なお、上述した実施の形態に対して様々な変更を加えることが可能である。以下、適宜図面を参照しながら、変形の一例について説明する。以下の説明および以下の説明で用いる図面では、上述した実施の形態と同様に構成され得る部分について、上述の実施の形態における対応する部分に対して用いた符号と同一の符号を用いることとし、重複する説明を省略する。
【００８８】
上述した実施の形態では、暗色層４８，５８が、導電性金属層４７，５７の基材シート３５とは反対側に配置されている例を示した。上述の実施の形態では、基材シート３５の観察者側に、電極４０，５０が形成され、暗色層４８，５８が導電性金属層４７，５７を観察者側から覆うようになっていた。しかしながらこの例に限られず、図１４に示すように、タッチパネルセンサ２５に含まれる一以上の位置検知電極基板３０について、暗色層４８，５８が、導電性金属層４７，５７と基材シート３５との間に配置されていてもよい。図１４に示された例では、基材シート３５の観察者側とは反対側となる画像表示機構１２側に、電極４０，５０が位置するよう、位置検知電極基板３０が配置される。この変形例による暗色層４８，５８は、導線４６，５６の基端面４６ａ，５６ａを形成し、導電性金属層４７，５７を観察者側から覆う。図１４に示された位置検知電極基板３０は、上述した位置検知電極基板の製造方法において、導電性金属膜７１と暗色膜７４との基材シート３５上への積層順を変更することにより、作製され得る。
【００８９】
また上述した実施の形態において、エッチングによるパターニングで導電性金属層４７，５７とともに形成される暗色層４８，５８が導線４６，５６に設けられている例を示した。この暗色層４８，５８は、上述した実施の形態において、導電性金属層４７，５７を観察者側から覆っていた。この暗色層４８，５８に加えて、図７に二点鎖線で示すように、導電性金属層４７，５７を側方から覆う第２の暗色層４９，５９を有するようにしてもよい。同様に、図１４に示された例において、導電性金属層４７，５７を観察者側から覆う暗色層４８，５８に加えて、図１４に二点鎖線で示すように、導電性金属層４７，５７を両側方および基材シート３５とは反対の側（画像表示機構１２側）から覆う第２の暗色層４９，５９をさらに含むようにしてもよい。
【００９０】
第２暗色層４９，５９は、上述した位置検知電極基板の製造方法の感光膜除去工程の後に、暗色化処理工程を設けることによって、形成され得る。暗色化工程としては、特開２００８−１４７３５６号公報等に開示の如きテルルが溶解された塩酸溶液を利用したテルル黒化（テルル暗色化）処理を例示することができる。このような暗色化処理によれば、導電性金属層４７，５７の露出した面上に第２暗色層４９，５９を形成することができる。斯かる形態の場合、第２暗色層４９、５９を有する形態の場合、導電性金屬層４７、５７の外側（露出面観察者側及び画像表示機構側に対面する面）に加えて更に其の側面に於ける光（外光及び画像光）の反射も抑制出來る為、第２暗色層４９、５９が無い形態に比べて、導電体メッシュ４４、５４の不可視性を高め、且つ導電体メッシュの光反射による画像の白化やコントラスト低下を低減することが出來る。
【００９１】
また、既に説明したように、位置検知電極基板３０の基材シート３５の両側の面上に、第１電極４０及び第２電極５０がそれぞれ形成されるようにしてもよい。図１５に示された位置検知電極基板３０では、基材シート３５の画像表示機構１２側の面上に第１電極４０が形成され、基材シート３５の観察者側の面上に第２電極５０が形成されている。図１５に示された位置検知電極基板３０の変形例において、第１電極４０は、図１４に示された第２暗色層４９，５９を含む電極４０，５０と同様の構成を有している。一方、図１５に示された位置検知電極基板３０の変形例において、第１電極４０は、導電性金属膜７１をエッチングでパターニングすることにより形成された導電性金属層４７と、形成された導電性金属層４７に対して暗色化処理を施すことによって形成された第２暗色層４９と、を有している。図１５に示された例において、第２電極５０の導電性金属層５７は、第１電極４０の導電性金属層４７及び暗色層４８との間での同時両面露光を用いたフォトリソグラフィー技術により、パターニングすることができる。
【００９２】
上述した実施の形態の図２に示されたタッチパネルセンサ２５では、各検知電極４１，５１がアクティブエリアＡａ１内に配置された輪郭形状が細長い矩形状の導電体メッシュ４４，５４として形成されているが、これに限られない。検知電極４１，５１の構成は、種々の変更が可能である。図１６に示された例では、各第１検知電極４１が、その長手方向に間隔を明けて配列された輪郭形状が正方形又は菱形をなす多数の導電体メッシュ４４，５４と、隣り合う二つの導電体メッシュ４４，５４の間を接続する接続部４３，５３と、を有している。各検知電極４１，５１は、導電体メッシュ４４，５４および接続部４３，５３により、アクティブエリアＡａ１内を直線状に延びている。各検知電極４１，５１が配置されている領域の幅は、導電体メッシュ４４，５４が設けられている部分において太くなっている。第１電極４０に含まれる各第１検知電極４１は、第２電極５０に含まれる多数の第２検知電極５１と交差している。そして、図１６に示すように、第１電極４０の第１検知電極４１は、その接続部４３において、第２電極５０の第２検知電極５１の接続部５３と交差している。したがって、第１検知電極４１の導電体メッシュ４４は、隣り合う二つの第２検知電極５１の間に配置され、第２検知電極５１の導電体メッシュ５５は、隣り合う二つの第１検知電極４１の間に配置されている。
【００９３】
なお、以上において上述した実施の形態に対するいくつかの変形例を説明してきたが、当然に、複数の変形例を適宜組み合わせて適用することも可能である。
【符号の説明】
【００９４】
１０   表示装置
１２   画像表示機構
１２ａ 表示面
２０   タッチパネル装置
２２   透明カバー
２５   タッチパネルセンサ
３０   位置検知電極基板
３０ａ 第１位置検知電極基板
３０ｂ 第２位置検知電極基板
３５   基材シート
４０   電極
４１   検知電極
４２   取出電極
４２ａ 端子部
４３   接続部４３
４４   導電体メッシュ４４
４５   開口領域 
４６   導線
４６ａ 基端面
４６ｂ 先端面
４６ｃ 側面
４７   導電性金属層４７
４８   暗色層
４９   第２暗色層
５０   第２電極
５１   第２検知電極
５２   第２取出電極
５２ａ 端子部
５３   接続部
５４   導電体メッシュ
５５   開口領域
５６   導線
５６ａ 基端面
５６ｂ 先端面
５６ｃ 側面
５７   導電性金属層
５８   暗色層
５９   第２暗色層
６１   分岐点
６２   中間点
６３   接続要素
７０   積層体
７１   導電性金属膜
７１ａ 基材側導電性金属膜
７１ｂ 表層側導電性金属膜
７４   暗色膜
８１   感光膜
８２   レジストパターン
８３   マスク
８３ａ 透過部
８３ｂ 遮光部
【図１】
2015184789.tif 000003
【図２】
2015184789.tif 000004
【図３】
2015184789.tif 000005
【図４】
2015184789.tif 000006
【図５】
2015184789.tif 000007
【図６】
2015184789.tif 000008
【図７】
2015184789.tif 000009
【図８】
2015184789.tif 000010
【図９】
2015184789.tif 000011
【図１０】
2015184789.tif 000012
【図１１】
2015184789.tif 000013
【図１２】
2015184789.tif 000014
【図１３】
2015184789.tif 000015
【図１４】
2015184789.tif 000016
【図１５】
2015184789.tif 000017
【図１６】
2015184789.tif 000018
【図１７】
2015184789.tif 000019
【手続補正書】
【提出日】平成27年4月20日(2015.4.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
本発明による位置検知電極基板において、前記導電性金属層の厚みｔＣｕ及び前記暗色層の厚みｔＣｕＮが次の条件を満たすようにしてもよい。
０．００２≦  ｔＣｕＮ／ｔＣｕ  ≦  ２
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２５】
本発明による位置検知電極基板の製造方法において、前記導電性金属膜の厚みｔｌＣｕ及び前記暗色膜の厚みｔｌＣｕＮが、次の条件を満たすようにしてもよい。
０．００２≦  ｔｌＣｕＮ／ｔｌＣｕ  ≦  ２
【手続補正３】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基材シートと、
前記基材シート上に設けられた検知電極と、を備え、
前記検知電極は、導線が多数の開口領域を画成するメッシュパターンにて配置されている導電体メッシュを含み、
前記導線は、銅または銅合金からなる導電性金属層と、前記導線の長手方向に直交する断面において前記導電性金属層と積層された窒化銅からなる暗色層と、を含み、
前記導電体メッシュをなす前記導線の平均線幅Ｗａｖｅ、前記導電性金属層の厚みｔＣｕ、及び、前記暗色層の厚みｔＣｕＮが、次の条件を満たす、タッチパネル装置用の位置検知電極基板。
２μｍ  ≦  Ｗａｖｅ  ≦  ５μｍ
０．１μｍ  ≦  ｔＣｕ  ≦  ５μｍ
１０ｎｍ  ≦  ｔＣｕＮ  ≦  ２００ｎｍ
０．００２≦  ｔＣｕＮ／ｔＣｕ  ≦  ２
【請求項２】
前記導電体メッシュをなす前記導線の線幅の標準偏差σが次の条件を満たす、請求項１に記載の位置検知電極基板。
４σ  ≦  ０．５μｍ
【請求項３】
前記暗色層は、前記導電性金属層の前記基材シートとは反対側に配置されている、請求項１又は２に記載の位置検知電極基板。
【請求項４】
前記導線は、前記導電性金属層を両側方から覆う第２暗色層をさらに含む、請求項３に記載の位置検知電極基板。
【請求項５】
前記暗色層は、前記導電性金属層と前記基材シートとの間に配置されている、請求項１又は２に記載の位置検知電極基板。
【請求項６】
前記導線は、前記導電性金属層を両側方および前記基材シートとは反対の側から覆う暗色層をさらに含む、請求項５に記載の位置検知電極基板。
【請求項７】
請求項１〜６のいずれか一項に記載の位置検知電極基板を備える、タッチパネル装置。
【請求項８】
前記位置検知電極基板と積層された透明カバーを、さらに備える、請求項７に記載のタッチパネル装置。
【請求項９】
請求項１〜６のいずれか一項に記載の位置検知電極基板、或いは、請求項７又は８に記載のタッチパネル装置を備える、表示装置。
【請求項１０】
基材シート上に、銅または銅合金からなる導電性金属膜および窒化銅からなる暗色膜を、積層する工程と、
塩化第二鉄水溶液からなるエッチング液を用いて前記導電性金属膜および前記暗色膜をパターニングする工程と、を含み、
前記パターニングする工程において、前記導電性金属膜および前記暗色膜から、多数の開口領域を画成するメッシュパターンにて配置された導線が形成され、
前記導線の平均線幅Ｗａｖｅ、前記導電性金属膜の厚みｔｌＣｕ及び前記暗色膜の厚みｔｌＣｕＮが、次の条件を満たす、タッチパネル装置用の位置検知電極基板の製造方法。
０．１μｍ  ≦  ｔｌＣｕ  ≦  ５μｍ
１０ｎｍ  ≦  ｔｌＣｕＮ  ≦２００ｎｍ
０．００２  ≦  ｔｌＣｕＮ／ｔｌＣｕ  ≦  ２
２μｍ  ≦  Ｗａｖｅ  ≦  ５μｍ
【請求項１１】
前記導線の線幅の標準偏差σが次の条件を満たす、請求項１０に記載の位置検知電極基板の製造方法。
４σ  ≦  ０．５μｍ