(57)【要約】【課題】膜厚が薄い磁気抵抗効果型センサーを用いた磁気ヘッド、磁気ヘッドアセンブリ及び磁気記録再生装置の提供が望まれていた。【解決手段】第１の実施形態の磁気ヘッドは、第１の電極層と、前記第１の電極層に設けられた金属磁性層と、前記金属磁性層に積層され、パイ共役電子構造を備え、かつ前記金属磁性層との界面で一部が磁化を有する有機分子層と、前記有機分子層に設けられた無機層と、前記無機層に設けられた第２の電極層を備える。【選択図】  図１
2015185188.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の電極層と、
前記第１の電極層に設けられた金属磁性層と、
前記金属磁性層に積層され、パイ共役電子構造を備え、かつ前記金属磁性層との界面で
一部が磁化を有する有機分子層と、
前記有機分子層に設けられた無機層と、
前記無機層に設けられた第２の電極層と、を備える磁気ヘッド。
【請求項２】
前記第１の電極と前記金属磁性層との間に設けられた反強磁性層を更に備える請求項１
に記載の磁気ヘッド。
【請求項３】
前記有機分子層は、フェナレニル（Ｐｈｅｎａｌｅｎｙｌ）をベースとした構造を備え
る請求項１または２に記載の磁気ヘッド。
【請求項４】
前記有機分子層の膜厚は３モノレーヤ以下である請求項１または２に記載の磁気ヘッド
。
【請求項５】
前記無機層の膜厚は２ｎｍ未満である請求項１または２に記載の磁気ヘッド。
【請求項６】
前記無機層のバンドギャップエネルギーはＭｇＯのバンドギャップエネルギーよりも低
い材料によって構成される請求項１または２に記載の磁気ヘッド。
【請求項７】
前記金属磁性層は前記金属磁性層と前記有機分子層との界面付近にＣｏまたはＣｏＦｅ
合金を含む請求項１または２に記載の磁気ヘッド。
【請求項８】
請求項１乃至７の何れか１項に記載の磁気ヘッドと、
前記磁気ヘッドを支持するサスペンションと、
前記サスペンションに接続されるアクチュエータアームを備える磁気ヘッドアセンブリ
。
【請求項９】
請求項８に記載の磁気ヘッドアセンブリと、
前記磁気ヘッドによって磁気記録されたデータが読みだされるハードディスクを備え、
磁気記録データの再生が行われる磁気記録再生装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明の実施形態は、磁気ヘッド、磁気ヘッドアセンブリ、及び磁気記録再生装置に関
する。
【背景技術】
【０００２】
ハードディスク装置の磁気記録再生装置においては、磁気記録媒体（ハードディスク）
に記録された情報が、例えば磁気抵抗効果型の磁気ヘッドによって読み出される。
【０００３】
近年、磁気記録媒体への情報の記録密度は増大し、その記録ビットは小さくなっている
。このため、小さな記録ビットで記録された情報の読み出しのためには、できるだけ膜厚
の薄い磁気センサー（信号再生部）を用いた磁気ヘッドの出現が望まれていた。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】米国特許出願公開第２０１３／０１００７２４号明細書
【非特許文献】
【０００５】
【非特許文献１】Ｎａｔｕｒｅ ４９３, （２０１３）５０９
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
膜厚が薄い磁気センサーを用いた磁気ヘッド、磁気ヘッドアセンブリ、及び磁気記録再
生装置の提供が望まれていた。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本実施形態に係る磁気ヘッドは、第１の電極層と、前記第１の電極層に設けられた金属
磁性層と、前記金属磁性層に積層され、パイ共役電子構造を備え、かつ前記金属磁性層と
の界面で一部が磁化を有する有機分子層と、前記有機分子層に設けられた無機層と、前記
無機層に設けられた第２の電極層を備える。
【図面の簡単な説明】
【０００８】
【図１】第１の実施形態に係る、磁気ヘッドの磁気センサーの断面図。
【図２】実施形態に係る有機分子層のパイ共役電子構造を例示する模式図。
【図３】第２の実施形態に係る、磁気ヘッドの磁気センサーの断面図。
【図４】実施形態に係る無機層のバンドギャップまたは面積抵抗ＲＡを示す図。
【図５】実施形態に係る磁気センサーにおいて、無機層を備える場合に発現するＭＲ比と面積抵抗を示す図。
【図６】実施形態に係る磁気記録再生装置の構成を示す図。
【図７】実施形態に係る磁気ヘッドアセンブリの構成を示す図。
【発明を実施するための形態】
【０００９】
以下、図面を参照し、実施の形態を説明する。
【００１０】
図１は、この発明の第１の実施形態に係る磁気ヘッドの磁気センサーの断面図である。
【００１１】
（第１の実施の形態）
図１（ａ）、（ｂ）は、この発明の第１の実施形態に係る磁気ヘッド３の磁気センサー
の断面図である。
【００１２】
図１（ａ）は、磁気記録媒体１８０の媒体面に対向する磁気ヘッド３の磁気センサーを
示している。
【００１３】
図１（ｂ）は、図１（ａ）で示されるＡ１−Ａ２の線断面図を示している。
【００１４】
この磁気センサーは、磁気記録媒体１８０に記録されたデータを読み出す。
【００１５】
磁気センサーの上部、または下部には、磁気記録媒体１８０にデータを記録する記録部
が積層されている（図示せず）。磁気ヘッド３は、磁気センサーと記録部を備える。
【００１６】
ここでは、第１の実施の形態に係る磁気センサーの構成と動作の概要について図１（ａ
）及び（ｂ）を用いて説明する。
【００１７】
図１（ａ）及び、図１（ｂ）に示すように、磁気ヘッド３の磁気センサーは、磁気抵抗
効果を発現する積層膜（ＭＲ膜と称する）１０、および磁気シールド機能を兼用する磁性
金属電極層（磁気シールド）２１および２２を備える。
【００１８】
ＭＲ膜１０は、下地層１１、 金属磁性層１２、有機分子層１３、半導体や絶縁特性の
バンドギャップを有する無機非磁性層（無機層）１４、及びキャップ層１５を備える。
【００１９】
下地層１１には、Ｔａ、Ｒｕ、Ｃｕなどの非磁性金属が用いられる。これらの下地層１
１の膜厚は、例えば、数ｎｍ程度である。
【００２０】
下地層１１は、複数の材料を積層した積層膜を用いることができる。下地層１１にはＴ
ａ／Ｃｕ等の積層膜を用いることができる。
【００２１】
金属磁性層１２には、例えばＣｏ、ＦｅＣｏ系合金、ホイスラー規則合金が用いられる
。ホイスラー規則合金は、例えば、ＣｏＦｅＭｎＳｉ， ＣｏＦｅＧａＧｅ, ＣｏＭｎＳ
ｉ,又は ＣｏＦｅＡｌＳｉｎ等である。
【００２２】
金属磁性層１２は、大きなスピン分極の特性を有する。金属磁性層１２は、有機分子層
１３と積層されたときにその界面で磁性を発現させることができる。
【００２３】
こ金属磁性層１２の有機分子層１３と金属磁性層１２の界面には、膜厚が１ｎｍ前後の
Ｃｏの層を設け、金属磁性層１２の下地層１１との界面には、ホイスラー規則合金の層を
設けることができる。
【００２４】
金属磁性層１２は、磁気記録媒体からの信号磁界に応じて磁化方向が変化するので再生
信号出力を得ることができる。
【００２５】
金属磁性層１２は、高ＳＮ比での読み取りに望ましい線形な磁化応答を得るために、低
保磁力Ｈｃ、および低磁気歪を有することが望ましい。そのために、金属磁性層１２をＮ
ｉＦｅ合金と積層してもよい。
【００２６】
金属磁性層１２の膜厚は、例えば、従来の磁気ヘッドの磁化自由層と同程度の厚みにし
ても良い。例えば、金属磁性層１２の膜厚は、５ｎｍ程度とすることができる。
【００２７】
有機分子層１３には、パイ共役電子構造を有する有機分子が用いられる。
【００２８】
図２に、パイ共役電子構造の一例を示す。
【００２９】
ここでは、例えば、有機分子層１３に、米国特許公開番号：ＵＳ２０１３／０１００７
２４に示されるように、Ｚｉｎｃ  Ｍｅｔｈｙｌ  ｐｈｅｎａｌｅｎｙｌ （ＺＭＰ、 Ｃ
ｌ４Ｈ１０Ｏ２Ｚｎ）が用いられる。
【００３０】
有機分子層１３に、ＰｈｅｎａｌｅｎｙｌをベースとしてＺｎを他の金属で置換したパ
イ共役電子構造を用いることができる。
【００３１】
図２（ａ）に示すように、一般に、有機分子層１３は、磁性金属層と積層していない場
合には非磁性である。
【００３２】
しかし、この実施形態のように、有機分子層１３を金属磁性層１２と積層すると、図２
（ｂ）に示すように、有機分子層１３と金属磁性層１２の界面を通した電子交換により、
有機分子層１３の一部がラジカル状態に変化して磁性が発現する。この現象を界面誘起磁
性と呼ぶ。
【００３３】
この有機分子層１３の磁性による磁化は、大きな磁気異方性を有しており、モノレーヤ
（単分子層、Ｍｏｎｏｍｏｌｅｃｕｌａｒ Ｌａｙｅｒ）級の超極薄層でも安定した磁化
を保持することができる。
【００３４】
膜厚が薄く、低抵抗の磁気センサー（２０ｎｍ以下）を実現するために薄い膜厚の有機
分子層１３（１０ｎｍ未満）を用いると、磁気抵抗効果が消失する。しかしながら、酸化
物や窒化物からなる無機層１４を、有機分子層１３とメタル系キャップ層（キャップ層）
１５との間に膜厚が数ｎｍの有機分子層１３を形成すれば、大きな磁気抵抗効果を得るこ
とができる。
【００３５】
無機層１４は、低電気抵抗を実現するために、無機層１４の膜厚を極力薄くすることが
望ましい。無機層１４の膜厚は、例えば、１ｎｍ程度である。無機層１４の膜厚が２ｎｍ
を越えると、低電気抵抗を実現することが難しくなる。小さなバンドギャップエネルギー
、または、小さなバリアーハイトエネルギーの酸化物を無機層１４に用いることができる
。
【００３６】
図４は、この実施形態に係る無機層１４のバンドギャップまたは面積抵抗ＲＡを示す図
である。
【００３７】
ここでは、従来の磁気センサーで用いられるＭｇＯよりもバンドギャップエネルギー、
またはバリアーハイトエネルギーが小さな材料を用いることができる。
【００３８】
無機層１４の材料は、例えば、ＧａＯ, ＺｎＯ, ＭｇＴｉＯ, ＨｆＯ, ＺｒＯ, ＭｇＡ
ｌＯ,又はＳｒＴｉＯ等である。
【００３９】
これらの材料は、ＭｇＯの面積抵抗ＲＡの限界値（０．４μΩｍ２）よりも大幅に小さ
な面積抵抗値を有し、バンドキャップエネルギーが小さい。
【００４０】
従来の磁気センサーは、ＭｇＯ酸化物のスピンフィルタリングにより、高ＭＲ比を発現
している。しかしながら、図４に示した酸化物では、一般に、スピンフィルタリング機能
が小さいので、高ＭＲ比の実現が難しい。
【００４１】
ここで、スピンフィルタリングとは、一般に、強磁性絶縁体のトンネリングを利用して
スピン分極電流を得ることである。
【００４２】
一方、この実施形態においては、金属磁性層１２と有機分子層１３との間で発現するス
ピンフィルタリング機能を利用する。このため、低抵抗の無機層１４を用いても、原理的
に、高ＭＲ比を実現することができる。
【００４３】
有機分子層１３の膜厚が薄い場合には、有機分子層１３のバンドキャップエネルギーは
無機層１４に比べて小さい。このため、主に無機層１４が磁気センサーの抵抗値を増大さ
せる。無機層１４を用いない場合に、安定なトンネル電流を得るためには、膜厚が３０ｎ
ｍ程度の有機分子層１３を用いる。
【００４４】
しかしながら、発明者らは、この実施形態のように無機層１４を用いると、数モノレー
ヤの有機分子層１３で、安定したトンネル電流、大きなＭＲ比を実現できることを見出し
た。
【００４５】
今後、ハードディスクに高密度磁気記録された情報を再生するには、上下磁性シールド
電極（例えば、図１、図３の磁気シールド層２１、２２）を除いた厚さが、２０ｎｍ未満
の、極薄の磁気センサーが必要となることが予想される。
【００４６】
しかし、このような極薄の磁気センサーを実現するには、例えば、この実施形態に示さ
れるような無機層１４を用いることが必要となる。
【００４７】
例えば、上記した膜厚が２０ｎｍ未満の磁気センサーにおいて、有機分子層１３、及び
無機層１４を用いると、ＭｇＯを用いた現行の磁気ヘッドの抵抗を下回る抵抗値（例えば
、面積抵抗値は０．５μΩｍ２未満）を実現することができる。
【００４８】
ここでは、例えば、キャップ層１５の膜厚は数ｎｍである。キャップ層１５の材料は、
例えば、Ｔａ、Ｒｕ、又はＣｕ等の非磁性金属を用いることができる。
【００４９】
また、上磁気シールド２２は、図１（ａ）、（ｂ）に示されるように、ＭＲ膜１０の積
層方向及び積層方向に交わる方向において金属磁性層１２を覆うように設ける。
【００５０】
このＭＲ膜１０のまわりには、磁気シールド２２とＭＲ膜１０、および磁気シールド２
１と磁気シールド２２を絶縁するために極薄酸化層３０（アルミナ等）を設ける。
【００５１】
さらに、この実施形態においては、磁気シールド２２の一部に、反強磁性バイアス層２
３(ＩｒＭｎ等)を設ける。
【００５２】
次に、このような構造の磁気抵抗効果素子の磁化方向を、所望の方向に配置する手段に
ついて説明する。
【００５３】
ここでは、所望の方向とは、図１（ａ）、（ｂ）に示すように、有機分子層１３の一部
で発生する界面誘起磁性の磁化方向が媒体信号磁化と同方向（ハイト方向、Ｚ方向）であ
り、金属磁性層１２の磁化方向が記録媒体からの信号磁界と交差する方向（トラック幅方
向、Ｙ方向）である。
【００５４】
先ず、界面誘起磁性の消失温度が、反強磁性層２３のブロッキング温度よりも低い温度
である場合について説明する。
【００５５】
第１の熱処理を、例えば、２００〜３００℃の温度（反強磁性層２３のブロッキング温
度近傍またはそれ以上）で、トラック幅方向（Ｙ方向）の磁界中にて行う。
【００５６】
その結果、ＭＲ膜１０の側壁部を含む磁気シールド２２の磁化はトラック幅方向に固定
され、有機分子層１３の磁化は、磁気シールド２２の側壁部からのバイアス磁界によりト
ラック幅方向に固定される。
【００５７】
次に、第２の熱処理を、第1熱処理よりも低温、且つ、界面誘起磁性の消失温度よりも
高い温度において、ハイト方向に磁界を加えて、熱処理を行う。
【００５８】
その結果、界面誘起磁性の磁化方向は、媒体信号磁界（磁気記録媒体１８０に信号が記
録された磁界）と同方向のハイト方向（Ｚ方向）に固定される。
【００５９】
この実施形態においては、第１の熱処理を、界面誘起磁性が消失する温度よりも高い温
度で、トラック幅方向の磁界中で行う。さらに、金属磁性層１２の磁化をシールドからの
バイアス磁界を利用してトラック幅方向に固定した状態で、第２の熱処理をシールドバイ
アス磁界方向が乱れず（反強磁性膜２３の磁化が安定な熱処理温度）、且つ界面誘起磁性
が消失する温度にて行うことで、界面誘起磁性の磁化をハイト方向に固定する。
【００６０】
このような熱処理を施すことにより、有機分子層１３の一部が変化した界面磁性層の磁
化は一方向に固定される。有機分子層１３の磁化は媒体磁界の方向と同方向または反対方
向に固定されるので媒体磁界に感応しない。このとき、媒体磁界は、有機分子層１２の保
磁力よりも小さい。金属磁性層１２の磁化は、媒体磁界と交わる方向に固定されているの
で、媒体信号磁界に応じて回転することが可能となり変化する。これにより、磁気記録媒
体からの媒体磁界に応じた抵抗変化による再生出力が得られる。
【００６１】
図５は、実施形態に係る磁気センサーにおいて、無機層１４を備える場合に発現するＭ
Ｒ効果と面積抵抗を示す図である（表２）。
【００６２】
ここでは、試作した図１（ａ）、図１（ｂ）に対応するこの実施形態の、磁気抵抗効果
素子のＭＲ比と面積抵抗ＲＡの一例を示している。
【００６３】
比較例として、磁気センサーに無機層１４が構成されない場合の例も示している。
【００６４】
磁気センサーに無機層１４が用いられない場合には、例えば、３モノレーヤの有機分子
層１３を用いてもＭＲは発現しない（ＭＲ比０％）。
【００６５】
しかし、図５に示すように、磁気センサーに無機層１４が用いられると、ＭＲ効果が発
現することがわかる。
【００６６】
まず、下地層１１にＴａ（２）／Ｃｕ（２）、金属磁性層１２にＣｏＦｅＭｎＳｉ（４
）／Ｃｏ（１）、有機分子層１３にＺＭＰ（３モノレーヤ）、キャップ層１５にＲｕ（２
）／Ｔａ（２）を用いる例を説明する。括弧は、モノレーヤ数を示す。
【００６７】
無機層１４がＭｇＴｉＯ（１）の場合は、ＭＲ比は６６％、ＲＡは０．２２μΩｍ２で
ある。無機層１４がＨｆＯ（１）の場合は、ＭＲ比は５１％、ＲＡは０．３３μΩｍ２で
ある。無機層１４がＧａＯ（１）の場合は、ＭＲ比は５５％、ＲＡは０．１６μΩｍ２で
ある。無機層１４がＭｇＴｉＯ（１．３）の場合は、ＭＲ比は６１％、ＲＡは０．３５μ
Ωｍ２である。無機層１４がＭｇＴｉＯ（２）の場合は、ＭＲ比は６０％、ＲＡは０．３
５μΩｍ２である。
【００６８】
次に、下地層１１にＴａ（２）／Ｃｕ（２）、有機分子層１３にＺＭＰ（３モノレーヤ
）、キャップ層１５にＲｕ（２）／Ｔａ（２）、金属磁性層１２にＣｏ（５）を用いる例
を説明する。
【００６９】
このとき、無機層１４はＭｇＴｉＯ（１）であり、ＭＲ比は１０％、ＲＡは０．２５μ
Ωｍ２である。
【００７０】
また、下地層１１にＴａ（２）／Ｃｕ（２）、有機層１３にＺＭＰ（３モノレーヤ）、
キャップ層１５にＲｕ（２）／Ｔａ（２）、金属磁性層１２にＣｏＦｅ（５）を用いた例
を説明する。このとき、無機層１４はＭｇＴｉＯ（１）であり、ＭＲ比は２０％、ＲＡは
０．１９μΩｍ２である。
【００７１】
また、比較例として、無機層１４は用いずに、下地層１１にＴａ（２）／Ｃｕ（２）、
金属磁性層１２にＣｏＦｅＭｎＳｉ（４）／Ｃｏ（１）、有機層１３にＺＭＰ（３モノレ
ーヤ）、キャップ層１５にＲｕ（２）／Ｔａ（２）を用いる例を説明する。
【００７２】
このとき、ＭＲ比は０％、ＲＡは０．０７μΩｍ２である。
【００７３】
なお、ここでは、無機層１４の膜厚は、例えば、２ｎｍ未満が望ましい。
【００７４】
例えば、無機層１４がＭｇＴｉＯの場合では、無機層１４の膜厚が２ｎｍになるとＲＡ
は０．６μΩｍ２となる。このため、１Ｔｂ／ｉｎ２の記録密度の再生に必要な３０ｎｍ
幅の磁気センサーでは、低ＲＡの実施例に比べてＳＮ比が低下してしまう。
【００７５】
上記のように第１の実施形態によれば、ＭＲ膜の膜厚が薄い磁気ヘッドを提供すること
ができる。
【００７６】
第1の実施形態では、磁気記録媒体からの信号磁界が無い状態で信号磁界と交差する方
向（磁気ヘッド３では、概ねトラック幅方向）に配列させて、金属磁性層１２の磁化を信
号磁界により磁化が変化させる。ここでは、金属磁性層１２は、磁化自由層として機能す
る。
【００７７】
図３（ａ）、（ｂ）は、第２の実施形態に係る、磁気ヘッド３の磁気センサーの構成を
例示する断面図である。
【００７８】
（第２の実施例形態）
上記説明と同様な構成は、同一の符号を付し、説明を省略する。
【００７９】
この実施形態においては、金属磁性層１２と下地層１１の間に、金属磁性層１２に交換結
合磁界（交換バイアス磁界）を付与するための反強磁性バイアス層２６（ＩｒＭｎ等、膜
厚は５〜７ｎｍ程度）を設ける。
【００８０】
なお、この交換バイアス磁界の強度をアップするために、反強磁性バイアス層２６と有
機分子層１３の間に、磁性層２６１と反強磁性結合機能を有する非磁性層２６２（Ｒｕ等
、膜厚は１ｎｍ以下）を設けることができる。
【００８１】
この実施形態においては、金属磁性層１２の磁化は、磁気記録媒体からの信号磁界によ
って変化しないように固定される。
【００８２】
なお、ＭＲ膜１０のその他の構成は、図１（ａ）、図１（ｂ）と基本的に同じである。
また、磁気シールド２２、２１の構成も同じである。
【００８３】
しかし、この実施形態においては、熱処理により制御される磁界方向が図１（ａ）、図１
（ｂ）とは異なっている。
【００８４】
ここでは、金属磁性層１２の磁化をハイト方向（Ｚ）、有機分子層１３の一部で発生す
る界面誘起磁性の磁化をトラック幅方向（Ｙ）に規定する。
【００８５】
界面誘起磁性の消失温度が反強磁性バイアス層２６のブロッキング温度よりも高い場合
には、有機分子層１３をトラック幅方向に向ける熱処理を行う（第１の熱処理）。
【００８６】
次に、反強磁性バイアス層２６のバイアス方向をハイト方向（Ｚ）に向ける熱処理を行
なう（第２の熱処理）。
【００８７】
この場合、反強磁性膜２３のブロッキング温度は、界面誘起磁性の消失温度よりも低い
温度が望ましい。
【００８８】
反対に、界面誘起磁性の消失温度が、反強磁性バイアス層２６のブロッキング温度より
も低い場合には、第１の熱処理で反強磁性バイアス層２６のバイアス方向をハイト方向（
Ｚ）に向ける熱処理を行う。そして、第２の熱処理で第１の熱処理より低い温度にてトラ
ック幅方向（Ｙ）に有機分子層１３の磁化を向ける熱処理を行う。
【００８９】
この場合には、反強磁性膜２３のブロッキング温度は、界面誘起磁性の消失温度よりも
高い温度が望ましい。
【００９０】
このような磁化配列により、金属磁性層１２の磁化は媒体信号磁界によって変化せず、
有機分子層１３の磁化が記録媒体からの信号磁界に応じて変化するように構成することが
できる。
【００９１】
このように構成することにより、この実施形態におけるセンサーにおいて、良好なＳＮ
比の信号読み取りが実現可能になる。
【００９２】
このように、第２の実施形態においては、バイアス磁界を付与するバイアス付与手段を
備え、磁気記録媒体からの信号磁界が加わる方向に金属磁性層１２の磁化を固定するよう
に構成している。また、バイアス付与手段は、金属磁性層１２に反強磁性層２３を積層し
て、金属磁性層１２の磁化を固定するように構成することが望ましい。バイアス付与手段
とは、例えば反強磁性層２３を示す。
【００９３】
このような構成することで、磁気センサーの膜厚を薄くすることができる。これにより
、ＭＲ膜の膜厚が薄い磁気ヘッドを提供することができる。
【００９４】
図６は、実施形態に係る磁気記録再生装置の構成を示す図である。
【００９５】
図６に示すように、この実施形態に係る磁気記録再生装置１５０は、ロータリーアクチ
ュエータを用いた形式の装置である。
【００９６】
同図において、記録用媒体（ハードディスク）１８０は、スピンドルモータ４に装着さ
れ、駆動装置制御部（図示せず）からの制御信号に応答するモータ（図示せず）により矢
印Ａの方向に回転する。
【００９７】
なお、本実施形態に係る磁気記録再生装置１５０は、複数の記録用媒体（ハードディス
ク）１８０を備えたものとしても良い。
【００９８】
そして、記録用媒体（ハードディスク）１８０が回転すると、サスペンション１５４に
よる押付け圧力とヘッドスライダーの媒体対向面（ＡＢＳともいう）で発生する圧力とが
つりあい、ヘッドスライダーの媒体対向面は、記録用媒体（ハードディスク）１８０の表
面から所定の浮上量をもって保持される。
【００９９】
図７（ａ）、図７（ｂ）は、この実施形態に係る磁気ヘッドアセンブリの構成の一例を
示す図である。
【０１００】
図に示すように、磁気ヘッド３は、サスペンション１５４に設けられる。
【０１０１】
サスペンション１５４は、駆動コイル（図示せず）を保持するボビン部などを有するア
クチュエータアーム１５５の一端に接続されている。
【０１０２】
アクチュエータアーム１５５の他端には、リニアモータの一種であるボイスコイルモー
タ１５６が設けられている。
【０１０３】
ボイスコイルモータ１５６は、アクチュエータアーム１５５のボビン部に巻き上げられ
た駆動コイル（図示せず）と、このコイルを挟み込むように対向して配置された永久磁石
及び対向ヨークからなる磁気回路とから構成することができる。
【０１０４】
アクチュエータアーム１５５は、軸受部１５７の上下２箇所に設けられたボールベアリ
ング（図示せず）によって保持され、ボイスコイルモータ１５６により回転摺動が自在に
できるようになっている。
【０１０５】
これらにより、磁気ヘッド３を記録用媒体（ハードディスク）１８０の任意の位置に移
動することが可能になる。
【０１０６】
また、上記磁気ヘッドの有機分子層１３は、フェナレニル（Ｐｈｅｎａｌｅｎｙｌ）を
ベースとした構造を備えている。
【０１０７】
また、上記磁気ヘッドの有機分子層１３の膜厚は３モノレーヤ以下であることが望まし
い。
【０１０８】
また、上記磁気ヘッドの無機層１４はＭｇＯよりも低いギャップエネルギの材料によって
構成されることが望ましい。
【０１０９】
また、上記磁気ヘッドは、金属磁性層１２に積層された反強磁性層を備えることでバイ
アス磁界を付与するようにしても良い。
【０１１０】
また、上記磁気ヘッドの金属磁性層１２はホイスラー合金とＣｏまたはＣｏＦｅ合金の
積層構造を備える。金属磁性層１２と有機分子層との界面付近側でホイスラー合金の他元
素成分（例えば、ＳｉやＭｎ）が除かれるので、界面誘起磁性の低下を抑えることができ
る。
【０１１１】
上記のように構成することによって、この発明の実施形態においては、その膜厚が薄い
磁気センサーを用いた磁気ヘッド、磁気ヘッドアセンブリ及び磁気記録再生装置を提供す
ることができる。
【０１１２】
本発明のいくつかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は、例として提示したも
のであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これら新規な実施形態は、その
他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の
省略、置き換え、変更を行うことができる。これら実施形態やその変形は、発明の範囲や
要旨に含まれるとともに、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる
。
【符号の説明】
【０１１３】
３…磁気ヘッド、４…スピンドルモータ、１０…ＭＲ膜、１１…下地層、１２…金属磁
性層、１３…有機分子層、１４…無機非磁性層（無機層）、１５…キャップ層、２１…磁
性金属電極層（下部）、２２…磁性金属電極層（上部）、２３…反強磁性バイアス層、１
５０…磁気記録再生装置、１５４…サスペンション、１５５…アクチュエータアーム、１
５６…ボイスコイルモータ、１５７…軸受部１８０…記録用媒体（ハードディスク）。
【図１】
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【図２】
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【図３】
2015185188.tif 000005
【図４】
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【図５】
2015185188.tif 000007
【図６】
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【図７】
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【手続補正書】
【提出日】平成26年4月4日(2014.4.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】全図
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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