(57)【要約】【課題】表示品質の低下を抑制できる液晶装置、そのような液晶装置を備えた電子機器、及びそのような液晶装置の製造方法を提供する。【解決手段】本発明の液晶装置の一つの態様は、互いに対向する第１基板及び第２基板と、第１基板と第２基板との間に挟持された液晶層と、第１基板と液晶層との間に設けられた第１配向膜と、第１基板と液晶層との間に設けられた第２配向膜と、を有し、第１配向膜は、第１基板の液晶層側の面に形成された複数の突出部を含む配向膜であり、かつ、第一方向に沿って延在する溝部が形成され、第２配向膜は、溝部と平面視で重なる位置に凹部が形成され、かつ、溝部が形成されない位置において第１配向膜を覆うように形成され、第１配向膜は、第２配向膜で覆われた位置において、複数の突出部のうち隣り合う突出部の間が離間し、かつ、第２配向膜が形成されていない間隙部が設けられていることを特徴とする。【選択図】図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
互いに対向する第１基板及び第２基板と、
前記第１基板と前記第２基板との間に挟持された液晶層と、
前記第１基板と前記液晶層との間に設けられた第１配向膜と、
前記第１基板と前記液晶層との間に設けられた第２配向膜と、を有し、
前記第１配向膜は、前記第１基板の前記液晶層側の面に形成された複数の突出部を含む配向膜であり、かつ、第一方向に沿って延在する溝部が形成され、
前記第２配向膜は、前記溝部と平面視で重なる位置に凹部が形成され、かつ、前記溝部が形成されない位置において前記第１配向膜を覆うように形成され、
前記第１配向膜は、前記第２配向膜で覆われた位置において、前記複数の突出部のうち隣り合う突出部の間が離間し、かつ、前記第２配向膜が形成されていない間隙部が設けられていることを特徴とする液晶装置。
【請求項２】
前記第２配向膜は、前記凹部が形成される位置において前記第１基板と前記第２配向膜とが隙間なく積層されていることを特徴とする請求項１に記載の液晶装置。
【請求項３】
前記第２配向膜は、前記凹部が形成される位置において前記第１基板と前記第２配向膜との間が離間した間隙部が設けられていることを特徴とする請求項１に記載の液晶装置。
【請求項４】
前記複数の突出部は、各々が前記第１基板の法線方向に対して傾斜していることを特徴とする請求項１から３のいずれか一項に記載の液晶装置。
【請求項５】
前記凹部は、前記第一方向に沿って延在し、
前記第一方向は、前記突出部が傾斜する方向と平面視で交差していることを特徴とする請求項４に記載の液晶装置。
【請求項６】
前記第１配向膜の厚みに対する前記間隙部の厚みの割合は、１０％以上、８０％以下であることを特徴とする請求項１から５のいずれか一項に記載の液晶装置。
【請求項７】
前記第１配向膜は、斜方蒸着膜であることを特徴とする請求項１から６のいずれか一項に記載の液晶装置。
【請求項８】
前記第２配向膜は、ポリシロキサン系垂直配向材料で形成されていることを特徴とする請求項１から７のいずれか一項に記載の液晶装置。
【請求項９】
請求項１から８のいずれか一項に記載の液晶装置を備えることを特徴とする電子機器。
【請求項１０】
互いに対向する第１基板及び第２基板と、前記第１基板と前記第２基板との間に挟持された液晶層と、前記第１基板と前記液晶層との間に設けられた第１配向膜と、前記第１基板と前記液晶層との間に設けられた第２配向膜と、を備える液晶装置の製造方法であって、
前記第１基板の前記液晶層側の面に、複数の突出部を含む前記第１配向膜を形成する第１配向膜形成工程と、
前記第１基板の前記液晶層側に、未硬化の前記第２配向膜の形成材料を塗布する塗布工程と、
前記未硬化の前記第２配向膜の形成材料を硬化させ、前記第２配向膜を形成する硬化工程と、
を有し、
前記第１配向膜形成工程、前記塗布工程及び前記硬化工程のうちの少なくとも１つは、配向膜形成情報に基づいて行われ、
前記配向膜形成情報は、ルーカス・ウオッシュバーンの式に所定の補正係数を乗じた式に基づいて設定されることを特徴とする液晶装置の製造方法。
【請求項１１】
前記配向膜形成情報は、前記第２配向膜の形成に関する形成情報を含むことを特徴とする請求項１０に記載の液晶装置の製造方法。
【請求項１２】
前記配向膜形成情報は、前記第２配向膜の形成材料の粘度を含むことを特徴とする請求項１１に記載の液晶装置の製造方法。
【請求項１３】
前記配向膜形成情報は、前記塗布工程が終了した時点から、前記硬化工程を開始するまでの時間を含むことを特徴とする請求項１１または１２に記載の液晶装置の製造方法。
【請求項１４】
前記配向膜形成情報は、前記第１配向膜の形成に関する形成情報を含むことを特徴とする請求項１０から１３のいずれか一項に記載の液晶装置の製造方法。
【請求項１５】
前記第１配向膜は、斜方蒸着膜であり、
前記配向膜形成情報は、前記第１配向膜を形成する際における蒸着源の蒸着角度、及び蒸着圧力のうち少なくともいずれか一方を含むことを特徴とする請求項１４に記載の液晶装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、液晶装置、電子機器、及び液晶装置の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
液晶素子の配向膜として、例えば、ポリシロキサン系垂直配向材料によって形成される垂直配向膜（例えば、特許文献１）や、斜方蒸着法によって形成される無機配向膜（例えば、特許文献２）が提案されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】国際公開第２００７／１０２５１３号
【特許文献２】特開２００７−５２０５０号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
上記のような配向膜を備えた液晶素子（液晶装置）においては、電極から、それぞれ配向膜に、不純物が拡散する場合がある。このような場合においては、不純物が配向膜を通過して、液晶層に到達すると、不純物に起因する明るさムラや、ちらつき等が生じ、液晶装置の表示品質が低下してしまう場合があった。
【０００５】
本発明の一つの態様は、上記問題点に鑑みて成されたものであって、表示品質の低下を抑制できる液晶装置、そのような液晶装置を備えた電子機器、及びそのような液晶装置の製造方法を提供することを目的の一つとする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明の液晶装置の一つの態様は、互いに対向する第１基板及び第２基板と、前記第１基板と前記第２基板との間に挟持された液晶層と、前記第１基板と前記液晶層との間に設けられた第１配向膜と、前記第１基板と前記液晶層との間に設けられた第２配向膜と、を有し、前記第１配向膜は、前記第１基板の前記液晶層側の面に形成された複数の突出部を含む配向膜であり、かつ、第一方向に沿って延在する溝部が形成され、前記第２配向膜は、前記溝部と平面視で重なる位置に凹部が形成され、かつ、前記溝部が形成されない位置において前記第１配向膜を覆うように形成され、前記第１配向膜は、前記第２配向膜で覆われた位置において、前記複数の突出部のうち隣り合う突出部の間が離間し、かつ、前記第２配向膜が形成されていない間隙部が設けられていることを特徴とする。
【０００７】
本発明の液晶装置の一つの態様によれば、第１配向膜は、第２配向膜で覆われた位置において、間隙部が設けられているため、電極から第１配向膜に拡散する不純物が、間隙部によって捕えられ、液晶層に拡散することを抑制できる。したがって、本発明の液晶装置の一つの態様によれば、不純物による表示品質の低下を抑制できる液晶装置が得られる。
【０００８】
前記第２配向膜は、前記凹部が形成される位置において前記第１基板と前記第２配向膜とが隙間なく積層されている構成としてもよい。
この構成によれば、第２配向膜によって覆われる突出部の表面積を増加させることができ、耐光性を向上できる。
【０００９】
前記第２配向膜は、前記凹部が形成される位置において前記第１基板と前記第２配向膜との間が離間した間隙部が設けられている構成としてもよい。
この構成によれば、不純物による表示品質の低下をより抑制できる。
【００１０】
前記複数の突出部は、各々が前記第１基板の法線方向に対して傾斜している構成としてもよい。
この構成によれば、液晶にプレチルト角を付与できる。
【００１１】
前記凹部は、前記第一方向に沿って延在し、前記第一方向は、前記突出部が傾斜する方向と平面視で交差している構成としてもよい。
この構成によれば、液晶の配向方向を揃えることができる。
【００１２】
前記第１配向膜の厚みに対する前記間隙部の厚みの割合は、１０％以上、８０％以下である構成としてもよい。
この構成によれば、不純物による表示品質の低下を抑制しつつ、耐光性を向上できる。
【００１３】
前記第１配向膜は、斜方蒸着膜である構成としてもよい。
この構成によれば、第１配向膜が、斜方蒸着膜であるため、液晶のプレチルト角を制御することが容易である。
【００１４】
前記第２配向膜は、ポリシロキサン系垂直配向材料で形成されている構成としてもよい。
この構成によれば、液晶装置の耐光性を向上できる。
【００１５】
本発明の電子機器の一つの態様は、上記の液晶装置を備えることを特徴とする。
【００１６】
本発明の電子機器の一つの態様によれば、上記の液晶装置を備えているため、表示品質の低下を抑制できる電子機器が得られる。
【００１７】
本発明の液晶装置の製造方法の一つの態様は、互いに対向する第１基板及び第２基板と、前記第１基板と前記第２基板との間に挟持された液晶層と、前記第１基板と前記液晶層との間に設けられた第１配向膜と、前記第１基板と前記液晶層との間に設けられた第２配向膜と、を備える液晶装置の製造方法であって、前記第１基板の前記液晶層側の面に、複数の突出部を含む前記第１配向膜を形成する第１配向膜形成工程と、前記第１基板の前記液晶層側に、未硬化の前記第２配向膜の形成材料を塗布する塗布工程と、前記未硬化の前記第２配向膜の形成材料を硬化させ、前記第２配向膜を形成する硬化工程と、を有し、前記第１配向膜形成工程、前記塗布工程及び前記硬化工程のうちの少なくとも１つは、配向膜形成情報に基づいて行われ、前記配向膜形成情報は、ルーカス・ウオッシュバーンの式に所定の補正係数を乗じた式に基づいて設定されることを特徴とする。
【００１８】
本発明の液晶装置の製造方法の一つの態様によれば、第１配向膜及び第２配向膜の形成を制御することができるため、上記の液晶装置を製造することが容易である。
【００１９】
前記配向膜形成情報は、前記第２配向膜の形成に関する形成情報を含む製造方法としてもよい。
この製造方法によれば、第２配向膜の形成を制御できる。
【００２０】
前記配向膜形成情報は、前記第２配向膜の形成材料の粘度を含む製造方法としてもよい。
この製造方法によれば、第２配向膜の形成材料が、第１配向膜における突出部同士の隙間へ浸透する速度を制御できる。
【００２１】
前記配向膜形成情報は、前記塗布工程が終了した時点から、前記硬化工程を開始するまでの時間を含む製造方法としてもよい。
この製造方法によれば、第２配向膜の形成材料が、第１配向膜における突出部同士の隙間へ浸透する深さを制御できる。
【００２２】
前記配向膜形成情報は、前記第１配向膜の形成に関する形成情報を含む製造方法としてもよい。
この製造方法によれば、第１配向膜の形成を制御できる。
【００２３】
前記第１配向膜は、斜方蒸着膜であり、前記配向膜形成情報は、前記第１配向膜を形成する際における蒸着源の蒸着角度、及び蒸着圧力のうち少なくともいずれか一方を含む製造方法としてもよい。
この製造方法によれば、第１配向膜に形成される溝部の幅を制御できる。
【図面の簡単な説明】
【００２４】
【図１】本実施形態の液晶装置を示す断面模式図である。
【図２】本実施形態の配向層を示す断面模式図である。
【図３】本実施形態のカラム構造膜を示す平面図である。
【図４】本実施形態の保護膜を示す平面図である。
【図５】本実施形態の配向層の形成工程を示すフローチャートである。
【図６】本実施形態の配向層の形成工程の手順を示す断面模式図である。
【図７】本実施形態の配向層の他の一例を示す断面模式図である。
【図８】本実施形態の電子機器の一例であるプロジェクターを示す概略構成図である。
【図９】実施例１のカラム構造膜を示す走査型電子顕微鏡写真である。
【図１０】実施例２の結果を示すグラフである。
【図１１】実施例２の結果を示すグラフである。
【図１２】実施例２の結果を示すグラフである。
【図１３】比較例の配向層の一例を示す断面模式図である。
【図１４】比較例の配向層の一例を示す断面模式図である。
【発明を実施するための形態】
【００２５】
以下、図面を参照しながら、本発明の実施形態に係る液晶装置及び液晶装置の製造方法について説明する。
なお、本発明の範囲は、以下の実施の形態に限定されるものではなく、本発明の技術的思想の範囲内で任意に変更可能である。また、以下の図面においては、各構成をわかりやすくするために、実際の構造と各構造における縮尺や数等を異ならせる場合がある。
【００２６】
（液晶装置）
図１は、本実施形態の液晶装置１０を示す断面模式図である。図２は、本実施形態の配向層４０を示す断面模式図である。
本実施形態の液晶装置１０は、図１に示すように、素子基板１１と、対向基板１２と、液晶層５０と、を備える。液晶装置１０は、本実施形態においては、例えば、ＶＡ（Ｖｅｒｔｉｃａｌ  Ａｌｉｇｎｍｅｎｔ）方式の液晶装置である。
【００２７】
素子基板１１は、電極基板（第１基板）１３と、配向層４０と、を備える。
電極基板１３は、支持基板２０と、複数の画素電極３０と、を備える。
支持基板２０は、例えば、ガラス板である。支持基板２０には、図示しない複数のスイッチング素子が設けられている。複数のスイッチング素子は、例えば、薄膜のトランジスターにより構成され、個々の画素電極３０に対応して設けられている。
【００２８】
画素電極３０は、支持基板２０の液晶層５０側の面に、画素ごとに設けられている。画素電極３０は、例えば、インジウム錫酸化物（ＩＴＯ：Ｉｎｄｉｕｍ  Ｔｉｎ  Ｏｘｉｄｅ）等の光透過率の高い導電材料を用いて形成された透明電極である。画素電極３０の液晶層５０側の面には、配向層４０が設けられている。
【００２９】
対向基板１２は、電極基板（第２基板）１４と、配向層４１と、を備える。
電極基板１４は、素子基板１１の電極基板１３と互いに対向して設けられている。電極基板１４は、支持基板２１と、レンズ層７０と、遮光層６０と、共通電極３１と、を備える。
支持基板２１は、例えば、ガラス基板である。支持基板２１の液晶層５０側には、レンズ層７０が設けられている。
【００３０】
レンズ層７０は、複数のマイクロレンズ（図示せず）で構成される層である。各マイクロレンズは、液晶装置１０の各画素に対応するように配置されている。
各マイクロレンズは、支持基板２１側が凸状となっている凸レンズである。マイクロレンズは、支持基板２１よりも屈折率が大きく、かつ、支持基板２１よりも高い光透過率を有する材料によって形成されている。マイクロレンズの形成材料としては、例えば、酸窒化シリコン（ＳｉＯＮ）を選択できる。レンズ層７０の液晶層５０側には、遮光層６０が設けられている。
【００３１】
遮光層６０は、例えば、遮光性を有する金属等から形成されている。遮光層６０は、例えば、格子状等にパターニングされ、各画素領域に対応して開口する領域が設けられている。上述したマイクロレンズは、遮光層６０の開口領域に対応して設けられている。遮光層６０の液晶層５０側には、共通電極３１が形成されている。
【００３２】
共通電極３１は、画素電極３０と同様にして、例えば、ＩＴＯ等で形成された透明電極である。共通電極３１の液晶層５０側の面には、配向層４１が設けられている。すなわち、素子基板１１と対向基板１２とは、それぞれの液晶層５０側に設けられた配向層４０と配向層４１とが、液晶層５０を挟んで対向するようにして設けられている。
【００３３】
液晶層５０は、図１に示すように、液晶５１によって構成されている。液晶５１は、本実施形態においては、負の誘電率異方性を有する垂直配向型の液晶である。液晶５１は、例えば、１種または数種類のネガ型ネマティック液晶を混合した液晶である。液晶５１は、液晶層５０に電圧が印加されていない場合においては、配向層４０及び配向層４１によって、所定の方向に配向された状態となっている。すなわち、液晶５１は、図１に示すように、プレチルト角φ１が所定の値となるように配向される。プレチルト角φ１は、素子基板１１の面の法線方向に対する、液晶５１の長軸方向の傾き角度である。
【００３４】
配向層４０及び配向層４１は、液晶層５０内に含まれる液晶５１を配向させる性質を有する層である。本実施形態においては、配向層４０と配向層４１との構成は、同様の構成であるため、以下の説明においては、代表して配向層４０についてのみ説明する場合がある。
【００３５】
配向層４０は、図２に示すように、複数のカラム構造物（突出部）４２ａからなるカラム構造膜（第１配向膜）４２と、カラム構造膜４２の液晶層５０側に積層された保護膜（第２配向膜）４３と、を備える。
【００３６】
カラム構造膜４２は、電極基板１３と液晶層５０との間に設けられている。カラム構造膜４２を構成する複数のカラム構造物４２ａは、本実施形態においては、例えば、斜方蒸着法によって形成される。すなわち、本実施形態においては、カラム構造膜４２は、斜方蒸着膜である。
【００３７】
複数のカラム構造物４２ａは、各々が電極基板１３の液晶層５０側（図示上側）の上面１３ａから液晶層５０側に向かって、上面１３ａの法線に対して角度φ２で傾いた姿勢で突出している。角度φ２は、所望する液晶５１の配向角度、すなわち、液晶５１のプレチルト角φ１（図１参照）に応じて決定できる。カラム構造物４２ａは、例えば、ＳｉＯ２等の無機材料によって構成されている。なお、図２においては、カラム構造物４２ａの傾斜方向Ｖａ１を矢印で示している。
【００３８】
図３は、本実施形態のカラム構造膜４２の一例を示す平面図である。図３及び後述する図４において、傾斜方向Ｖａ１は、平面視した際のカラム構造物４２ａの傾斜方向を示している。
カラム構造膜４２の表面には、図３に示すように、溝部４６が形成されている。溝部４６は、カラム構造物４２ａの非形成部、すなわち、電極基板１３の上面１３ａにカラム構造物４２ａが形成されていない部分が、カラム構造物４２ａの傾斜方向Ｖａ１と平面視で交差する方向（第一方向）に沿って延在している。溝部４６は、例えば、カラム構造膜４２の表面の一部が裂けたような形状（クラック状）に形成されている。本実施形態においては、溝部４６は、平面視で傾斜方向Ｖａ１と概ね直交する方向に沿って延在している。
【００３９】
カラム構造膜４２における溝部４６を除く部分は、カラム構造物４２ａが密集して形成されている密集部４７である。言い換えると、密集部４７は、カラム構造膜４２における溝部４６が形成されない位置に設けられている。図２に示すように、密集部４７におけるカラム構造膜４２の表面には、隣り合うカラム構造物４２ａ同士の隙間４８が無数に形成されている。すなわち、カラム構造膜４２は、多孔質膜である。
【００４０】
溝部４６の幅Ｗ１と密集部４７に形成された隙間４８の幅Ｗ２としては、例えば、２ｎｍ以上、１００ｎｍ以下が好ましい。幅Ｗ２が２ｎｍ以上であれば、保護膜４３の形成材料の浸透深さを２時間で１０ｎｍ以上とできる。また、幅Ｗ２が１００ｎｍ以下であれば、隙間４８によってカラム構造膜４２に入射する光が回折されることを抑制できる。
【００４１】
密集部４７に形成された隙間４８の幅Ｗ２は、溝部４６の幅Ｗ１に対して十分に小さい。具体的には、例えば、溝部４６の幅Ｗ１が１００ｎｍ程度である場合に、密集部４７に形成された隙間４８の幅Ｗ２は、４ｎｍ程度である。
【００４２】
なお、以下の説明において、カラム構造物４２ａ同士の隙間の幅とは、平面視における各隙間のカラム構造物４２ａが傾斜する傾斜方向Ｖａ１（図３，４において矢印で示す方向，図示左右方向）の長さを意味する。すなわち、幅Ｗ１，Ｗ２は、それぞれ溝部４６及び隙間４８の平面視における傾斜方向Ｖａ１の長さである。
【００４３】
カラム構造膜４２の厚みＤ１３は、例えば、１０ｎｍ以上、１５０ｎｍ以下が好ましい。塗布法によって保護膜４３を形成する場合においては、保護膜４３の厚みＤ１２を１０ｎｍより小さくすることが困難であるため、カラム構造膜４２の厚みＤ１３が１０ｎｍより小さいと、保護膜４３の表面４３ａに後述する凹部４５を形成することが困難である。厚みＤ１３が１５０ｎｍ以下であれば、保護膜４３の形成材料を低粘度にすることで、例えば、２時間程度で浸透させることができる。
【００４４】
保護膜４３は、図２に示すように、電極基板１３と液晶層５０との間に設けられている。保護膜４３は、カラム構造膜４２の表面を覆って形成されている。言い換えると、保護膜４３は、カラム構造膜４２における溝部４６が形成された位置、及びカラム構造膜４２における溝部４６が形成されない位置（密集部４７）において、カラム構造膜４２を覆うように形成されている。
【００４５】
保護膜４３は、本実施形態においては、ポリシロキサン系垂直配向膜である。保護膜４３の形成材料としては、例えば、有機基を含有するアルコキシシランを重縮合して得られる珪素化合物等を用いることができる。保護膜４３の形成材料は、例えば、光硬化性を有していてもよい。保護膜４３の形成材料の粘度は、例えば、２ｍＰａ・ｓ以下であることが好ましい。保護膜４３の形成材料の粘度が２ｍＰａ・ｓ以下であれば、保護膜４３の形成材料がカラム構造膜４２に浸透する時間を好適にできる。
【００４６】
図４は、本実施形態の保護膜４３の一例を示す平面図である。
保護膜４３の表面４３ａには、図４に示すように、凹部４５が形成されている。凹部４５は、溝部４６と平面視で重なる位置に形成されている。凹部４５は、保護膜４３を形成する際に、保護膜４３の形成材料の浸透する速度が、溝部４６の内部と、密集部４７に形成された無数の隙間４８の内部とで、それぞれ異なるために形成される。すなわち、溝部４６の幅Ｗ１が、密集部４７の隙間４８の幅Ｗ２に比べて十分に大きいため、溝部４６においては、保護膜４３の形成材料の浸透速度が、密集部４７の隙間４８よりも大きい。これにより、溝部４６において保護膜４３の形成材料が速く浸透し、凹部４５が形成される。
【００４７】
凹部４５の深さＤ１１は、図２に示すように、溝部４６における保護膜４３の浸透深さＬ１１と、密集部４７における保護膜４３の浸透深さＬ１２と、によって決まる。すなわち、凹部４５の深さＤ１１は、溝部４６における保護膜４３の浸透深さＬ１１から密集部４７における保護膜４３の浸透深さＬ１２を引いた値となる。
【００４８】
ここで、本明細書において、「浸透深さ」とは、電極基板１３の上面１３ａの法線方向（図示上下方向）における、カラム構造物４２ａの頂部から保護膜４３の電極基板１３側（図示下側）の面までの距離を意味する。
【００４９】
凹部４５は、溝部４６において保護膜４３の形成材料が速く浸透することで形成されるため、凹部４５の平面視形状は、溝部４６の平面視形状と概ね同じとなる。すなわち、凹部４５は、溝部４６が延びる方向と同じ方向（第一方向，図示上下方向）に沿って延在している。
凹部４５は、液晶５１にプレチルト角φ１を付与する配向部として機能する。
【００５０】
本実施形態においては、保護膜４３は、溝部４６の底面、すなわち、電極基板１３の上面１３ａまで浸透して形成されている。言い換えると、保護膜４３は、凹部４５が形成される位置において電極基板１３と隙間なく積層されている。これにより、本実施形態においては、溝部４６における保護膜４３の浸透深さＬ１１は、カラム構造膜４２の厚みＤ１３と同じである。
【００５１】
密集部４７においては、電極基板１３と保護膜４３との間に間隙部４４が設けられている。すなわち、間隙部４４は、密集部４７に形成された隙間４８の内部に形成されている。言い換えると、間隙部４４は、複数のカラム構造物４２ａのうち隣り合うカラム構造物４２ａの間が離間し、かつ、保護膜４３が形成されていない部分である。間隙部４４は、カラム構造膜４２と、保護膜４３と、電極基板１３とによって封止されている。間隙部４４の内部には、例えば、ガスが充填されている。充填されるガスは、屈折率が、カラム構造膜４２より小さいものであれば、特に限定されず、例えば、空気、窒素等である。間隙部４４にガスが充填されている場合、間隙部４４を通過する光に生じる位相差を大きくすることができる。
【００５２】
カラム構造膜４２の厚みＤ１３に対する間隙部４４の厚みＤ１４の割合は、例えば、１０％以上、８０％以下である。このような数値に設定することにより、液晶装置１０の耐光性を向上させつつ、コントラストを向上できる。
【００５３】
（液晶装置の製造方法）
次に、本実施形態の液晶装置１０の製造方法について説明する。本実施形態の液晶装置１０の製造方法は、配向層４０を形成する工程以外の工程については、公知の液晶装置の製造方法における製造工程と同様の製造工程を採用できるため、以下の説明においては、配向層４０の形成工程についてのみ説明する。
【００５４】
本実施形態の配向層４０を形成する工程は、配向層形成情報（配向膜形成情報）に基づいて行われる。言い換えると、本実施形態の配向層４０を形成する工程に含まれる工程の少なくとも１つは、配向層形成情報に基づいて行われる。配向層形成情報は、ルーカス・ウオッシュバーンの式に所定の補正係数を乗じた式（１）に基づいて設定される。
【００５５】
【数１】
2015184512.tif 000003
【００５６】
Ｌは、後述する保護膜形成材料８０（保護膜４３）の浸透深さである。Ｗは、毛管半径、すなわち、本実施形態においてはカラム構造物４２ａ同士の隙間の幅である。幅Ｗは、溝部４６の幅Ｗ１と、隙間４８の幅Ｗ２とを含む。γは、保護膜形成材料８０の表面張力である。θは、カラム構造膜４２の接触角である。ηは、保護膜形成材料８０の粘度である。ｔは、浸透時間である。ｋは、実験的に求められた所定の補正係数である。
【００５７】
ルーカス・ウオッシュバーンの式、すなわち、式（１）から補正係数ｋを除いた式は、液体の浸透深さを求めるために用いられる式である。しかし、カラム構造膜４２に浸透する保護膜形成材料８０の浸透深さＬを求める上では、従来のルーカス・ウオッシュバーンの式をそのまま用いることはできないことが、本発明者らによって実験的に明らかとなった。これは、カラム構造膜４２が多孔質膜であり、各孔の大きさである毛管半径がナノオーダーの非常に小さい径であることが原因であるものと考えられる。
【００５８】
そこで、本発明者らは、保護膜形成材料８０がカラム構造膜４２に浸透する浸透深さＬと浸透時間ｔとの関係を測定し、従来のルーカス・ウオッシュバーンの式から求められる浸透深さと比較した。その結果、従来のルーカス・ウオッシュバーンの式に補正係数ｋを乗じることにより、カラム構造膜４２に浸透する保護膜形成材料８０の浸透深さＬを求めることができる式（１）が得られることを見出した。
なお、以下の説明においては、ルーカス・ウオッシュバーンの式に補正係数ｋを乗じた式（１）を、改良したルーカス・ウオッシュバーンの式（１）と称する場合がある。
【００５９】
配向層形成情報は、配向層の形成に関するあらゆる情報を含む。配向層形成情報としては、例えば、カラム構造膜４２（斜方蒸着膜）を形成する際の蒸着源の蒸着角度及び蒸着圧力（第１配向膜の形成に関する形成情報）、保護膜形成材料８０の粘度（第２配向膜の形成に関する形成情報）η、保護膜形成材料８０を浸透させる浸透時間（第２配向膜の形成に関する形成情報）ｔ、保護膜４３の厚みＤ１２、等が挙げられる。
【００６０】
以下の説明においては、本実施形態の配向層４０を形成する工程の一例として、配向層形成情報として、保護膜形成材料８０を浸透させる浸透時間ｔと、保護膜形成材料８０の粘度ηと、を設定する例について説明する。
【００６１】
図５は、本実施形態の液晶装置１０の製造方法における、配向層４０の形成工程について示すフローチャートである。図６（Ａ）〜図６（Ｄ）は、本実施形態の配向層４０の形成工程の手順について示す断面模式図である。
【００６２】
本実施形態の配向層４０の形成工程は、図５に示すように、カラム構造膜形成工程（第１配向膜形成工程）Ｓ１と、塗布工程Ｓ２と、浸透工程Ｓ３と、硬化工程Ｓ４と、を有する。
カラム構造膜形成工程Ｓ１は、図６（Ａ）に示すように、電極基板１３の上面１３ａに、複数のカラム構造物４２ａを形成する工程である。
【００６３】
カラム構造物４２ａの形成方法としては、本実施形態においては、斜方蒸着法を用いる。斜方蒸着法においては、電極基板１３の上面１３ａに対して斜めに蒸着源を配置し、蒸着源の粒子を電極基板１３の上面１３ａに蒸着させる。このときの蒸着源の配置角度（蒸着角度）に応じて、カラム構造物４２ａの電極基板１３に対する角度φ２（図２参照）が決定される。カラム構造物４２ａは、角度φ２が、例えば、１０°以上、４０°以下となるように、形成される。蒸着源としては、例えば、ＳｉＯ２の粉末や、その成形体等が用いられる。
この工程により、カラム構造物４２ａが電極基板１３の上面１３ａに形成され、カラム構造膜４２が形成される。
【００６４】
次に、塗布工程Ｓ２は、図６（Ｂ）に示すように、カラム構造膜４２の上から、電極基板１３の上面１３ａ側（液晶層５０の側）に、未硬化の保護膜形成材料８０を塗布する工程である。本実施形態においては、保護膜形成材料８０は、例えば、ポリシロキサン系垂直配向材料である。
保護膜形成材料８０の粘度ηは、上記の改良したルーカス・ウオッシュバーンの式（１）に基づいて設定される。詳細については後述する。
【００６５】
保護膜形成材料８０の塗布方法は、特に限定されず、例えば、スピンコート法、インクジェット法、ディップコート法、スプレー法等の液相成膜法を選択できる。
この工程により、未硬化の保護膜形成材料８０からなる膜が形成される。
【００６６】
次に、浸透工程Ｓ３は、図６（Ｃ）に示すように、未硬化の保護膜形成材料８０をカラム構造物４２ａ同士の間に浸透させる工程である。
【００６７】
未硬化の保護膜形成材料８０をカラム構造物４２ａ同士の間に浸透させる方法としては、例えば、未硬化の保護膜形成材料８０を静置する方法を選択できる。これにより、毛細管現象によって、未硬化の保護膜形成材料８０は、カラム構造物４２ａ同士の間に徐々に浸透する。
【００６８】
未硬化の保護膜形成材料８０を静置する時間、すなわち、保護膜形成材料８０の浸透時間ｔは、上記の改良したルーカス・ウオッシュバーンの式（１）に基づいて設定される。詳細については後述する。なお、保護膜形成材料８０の浸透時間ｔとは、浸透工程Ｓ３の時間、すなわち、塗布工程Ｓ２が終了した時点から、硬化工程Ｓ４を開始するまでの時間である。
【００６９】
この工程により、未硬化の保護膜形成材料８０が、カラム構造物４２ａの間に、所望する浸透深さの分だけ、浸透する。
ここで、カラム構造膜４２における溝部４６と密集部４７の隙間４８とでは、カラム構造物４２ａ同士の間の幅Ｗが異なるため、保護膜形成材料８０の浸透深さＬが異なる。そのため、未硬化の保護膜形成材料８０によって構成される膜上に、凹部４５が形成される。
【００７０】
次に、硬化工程Ｓ４は、図６（Ｄ）に示すように、未硬化の保護膜形成材料８０を硬化させる工程である。
未硬化の保護膜形成材料８０を硬化させる方法としては、例えば、未硬化の保護膜形成材料８０が光硬化性の材料である場合には、紫外線等の光を未硬化の保護膜形成材料８０に照射することによって硬化させる方法を選択できる。
この工程により、未硬化の保護膜形成材料８０が硬化され、保護膜４３が形成される。
【００７１】
以上の工程により、配向層４０の形成工程が終了し、配向層４０が形成される。
【００７２】
次に、配向層形成情報の設定ついて詳細に説明する。
改良したルーカス・ウオッシュバーンの式（１）に基づいて、保護膜形成材料８０の粘度ηと浸透時間ｔとをそれぞれ変化させた場合の溝部４６における浸透深さＬ１１と、密集部４７の隙間４８における浸透深さＬ１２との関係を求める。この関係から、所望の配向層４０を形成するために必要な保護膜形成材料８０の粘度ηと浸透時間ｔとを設定する。
【００７３】
本実施形態においては、溝部４６において保護膜形成材料８０の浸透深さＬ１１が、カラム構造膜４２の厚みＤ１３と同じとなり、かつ、密集部４７の隙間４８における保護膜形成材料８０の浸透深さＬ１２が、カラム構造物４２ａを十分に保護できるとともに、保護膜４３と電極基板１３との間に間隙部４４が設けられるように、保護膜形成材料８０の粘度ηと浸透時間ｔとを設定する。このとき、密集部４７の隙間４８における保護膜形成材料８０の浸透深さＬ１２は、保護膜４３の厚みＤ１２よりも小さくなるように設定される。カラム構造物４２ａの頂部が露出し、保護膜４３によって保護されないことを抑制するためである。また、密集部４７の隙間４８における保護膜形成材料８０の浸透深さＬ１２は、凹部４５の深さＤ１１が液晶５１に十分なプレチルト角φ１を与えることができるように設定される。
【００７４】
保護膜形成材料８０の粘度ηを調整する方法としては、例えば、塗布する保護膜形成材料８０に含まれる溶媒の量を調整する方法を選択できる。溶媒としては、例えば、エタノール等を用いることができる。
【００７５】
本実施形態によれば、配向層４０及び配向層４１には、それぞれ間隙部４４が設けられているため、液晶装置１０の表示品質が低下することを抑制できる。以下、詳細に説明する。
【００７６】
液晶装置においては、画素電極及び共通電極から、それぞれ配向層に、不純物が拡散する場合がある。このような場合においては、不純物が配向層を通過して、液晶層に到達すると、不純物に起因する明るさムラや、ちらつき等が生じ、液晶装置の表示品質が低下してしまう場合があった。また、液晶層に光が照射された際に、不純物と液晶とが反応することで液晶が分解されてしまう場合があった。すなわち、液晶装置の耐光性が低下してしまう場合があった。
【００７７】
これに対して、本実施形態によれば、配向層４０及び配向層４１には、それぞれ間隙部４４が設けられているため、画素電極３０及び共通電極３１から配向層４０及び配向層４１に拡散する不純物が、間隙部４４によって捕えられ、液晶層５０に拡散することを抑制できる。したがって、本実施形態によれば、不純物による表示品質の低下及び耐光性の低下を抑制できる液晶装置が得られる。
【００７８】
また、本実施形態によれば、配向層４０に間隙部４４が形成されているため、配向層４０に入射した光は、間隙部４４を通過する。このとき、間隙部４４を通過する光に位相差が生じる。これにより、本実施形態によれば、間隙部４４において生じる位相差により液晶層５０の位相差を補償することができ、コントラストを向上できる液晶装置が得られる。
【００７９】
カラム構造物４２ａの密集部４７における隙間４８は、電極基板１３の上面１３ａにおけるカラム構造物４２ａの配置に応じて、電極基板１３の上面１３ａに沿った方向に異方性を有する。この隙間４８の異方性によって、隙間４８の内部に形成される間隙部４４も異方性を有し、その結果、間隙部４４の屈折率にも異方性が生じる。これにより、間隙部４４を通過した光には、偏光方向（電場ベクトルの方向）に応じた位相差が生じる。隙間４８の異方性、すなわち、間隙部４４の異方性は、カラム構造物４２ａ同士の各隙間が、それぞれ異方性を有する形状である場合や、電極基板１３の上面１３ａにおいてカラム構造物４２ａの隙間が異方性をもって配置されている場合等に生じる。
【００８０】
また、液晶装置においては、例えば、長時間同じ画像を表示させていた場合に、液晶層と配向層との間に蓄積される電荷が原因で、次の画面に切り替えても、切り替え前の画像の表示が長時間残る場合がある（焼き付き）。
これに対して、本実施形態によれば、間隙部４４に液晶層５０の液晶５１が入り込むことにより、配向層４０の抵抗率を小さくすることができる。そのため、液晶層５０と配向層４０との間に蓄積された電荷が放出されやすくなり、焼き付きの発生を抑制することができる。
【００８１】
また、カラム構造物４２ａの表面には、水酸基等の光活性基が存在している。この光活性基と液晶とが接触した箇所に光が照射されると、カラム構造物４２ａの光活性基が分解し、フリーラジカルが生成される。そして、生成されたフリーラジカルが液晶に作用することで、結果として、液晶が劣化してしまう。そのため、保護膜４３によるカラム構造物４２ａの保護が不十分である場合、液晶装置の耐光性が低下してしまうという問題があった。
【００８２】
これに対して、本実施形態によれば、カラム構造物４２ａの表面が保護膜４３で覆われているため、液晶装置の耐光性が低下することを抑制できる。
また、本実施形態によれば、保護膜４３の表面には凹部４５が形成されているため、液晶５１に十分なプレチルト角φ１を付与することができる。
したがって、本実施形態によれば、カラム構造膜４２による配向機能を保持しつつ、耐光性の低下を抑制できる液晶装置が得られる。
【００８３】
また、本実施形態の液晶装置の製造方法によれば、改良したルーカス・ウオッシュバーンの式（１）に基づいて配向層形成情報を設定するため、上述した本実施形態の液晶装置１０を製造することが容易である。以下、詳細に説明する。
【００８４】
保護膜４３は、カラム構造膜４２を十分に保護しつつ、その表面４３ａに液晶５１にプレチルト角φ１を与えるために十分な凹部４５が形成されるように、形成される必要がある。しかし、溝部４６と密集部４７の隙間４８とにおける保護膜形成材料８０の浸透速度は、保護膜形成材料８０の粘度ηや、カラム構造膜４２の溝部４６の幅Ｗ１等によって、それぞれ変化するため、表面４３ａに適切な凹部４５が形成された保護膜４３を形成することは困難であった。
【００８５】
例えば、浸透時間ｔを長くし過ぎると、図１３に示す配向層２４０のように、保護膜２４３がカラム構造膜４２における密集部４７の隙間４８に浸透し過ぎ、カラム構造物４２ａの上部が露出した状態となる。そのため、保護膜２４３によるカラム構造膜４２の保護が不十分となり、液晶装置の耐光性が低下してしまう。
【００８６】
これに対して、例えば、保護膜の厚みを大きくすることで、カラム構造膜４２の保護が不十分になることを抑制しようとすると、図１４に示す配向層３４０のように、カラム構造膜４２が保護膜３４３に埋まってしまうため、保護膜３４３の表面に凹部が形成されず、液晶５１にプレチルト角φ１を与えることができない。
【００８７】
以上のような問題に対して、本実施形態の液晶装置の製造方法によれば、改良したルーカス・ウオッシュバーンの式（１）を用いることで、カラム構造膜４２の溝部４６と密集部４７の隙間４８とにおける保護膜形成材料８０の浸透深さＬを調整することができる。そのため、本実施形態の液晶装置の製造方法によれば、上述した本実施形態の液晶装置１０を製造することが容易である。
【００８８】
また、本実施形態においては、保護膜４３が、ポリシロキサン系垂直配向材料で形成されているため、配向層４０における液晶５１の配向機能を向上させることができる。
【００８９】
なお、本実施形態においては、以下の構成、及び製造方法を採用してもよい。
【００９０】
本実施形態においては、保護膜４３の保護膜形成材料８０としては、シランカップリング剤を用いてもよい。シランカップリング剤はモノマー材料であるが、液相成膜法で形成した場合、シランカップリング剤同士の縮合反応が生じ、ポリマー化が生じる。このため、ポリシロキサン系垂直配向材料と同様に扱うことができる。
【００９１】
また、上記説明においては、溝部４６においては保護膜４３と電極基板１３とが隙間なく積層されている構成としたが、これに限られない。本実施形態においては、例えば、図７に示す配向層１４０のような構成であってもよい。
【００９２】
配向層１４０は、図７に示すように、カラム構造膜４２と、保護膜１４３と、を備える。保護膜１４３は、カラム構造膜４２を覆うようにして形成されている。
保護膜１４３の表面１４３ａには、カラム構造膜４２の溝部４６と平面視で重なる位置に、凹部１４５が形成されている。凹部１４５の深さＤ２１は、溝部４６における保護膜１４３の浸透深さＬ２１と、密集部４７の隙間４８における保護膜１４３の浸透深さＬ２２とによって決まる。すなわち、凹部１４５の深さＤ２１は、浸透深さＬ２１から浸透深さＬ２２を引いた値と等しい。
【００９３】
密集部４７においては、保護膜１４３と電極基板１３との間に間隙部１４４ａが形成されている。また、カラム構造膜４２の溝部４６においては、保護膜１４３と電極基板１３との間に間隙部１４４ｂが形成されている。言い換えると、保護膜１４３においては、凹部１４５が形成される位置において電極基板１３と保護膜１４３との間が離間した間隙部１４４ｂが設けられている。この構成においては、溝部４６において間隙部１４４ｂが形成されているため、溝部４６における浸透深さＬ２１は、カラム構造膜４２の厚みＤ２２よりも小さい。また、隙間４８における浸透深さＬ２２は、保護膜１４３の厚みＤ２２よりも小さい。
【００９４】
間隙部１４４ａの厚みＤ２４は、カラム構造膜４２の厚みＤ２３から隙間４８における浸透深さＬ２２を引いた値と等しい。間隙部１４４ｂの厚みＤ２５は、カラム構造膜４２の厚みＤ２３から溝部４６における浸透深さＬ２１を引いた値と等しい。
【００９５】
この構成によれば、溝部４６の形成領域においても間隙部１４４ｂが形成されているため、上述したようにして、液晶装置のコントラストをより向上できる。
【００９６】
また、この構成によれば、画素電極３０及び共通電極３１から拡散する不純物を、間隙部１４４ｂによっても捕えることができるため、不純物による表示品質の低下及び耐光性の低下をより抑制できる。
【００９７】
また、この構成によれば、間隙部１４４ｂにも液晶５１が入り込むことにより、配向層１４０の抵抗率をより低下できる。そのため、この構成によれば、液晶装置の焼き付きをより抑制できる。
【００９８】
また、上記説明においては、配向層形成情報として保護膜形成材料８０を浸透させる浸透時間ｔと保護膜形成材料８０の粘度ηとを用いる例、すなわち、配向層４０の形成工程における塗布工程Ｓ２と浸透工程Ｓ３とを配向層形成情報に基づいて行う例について示したが、これに限られない。本実施形態において、配向層形成情報に基づいて行われる工程は、配向層４０の形成工程に含まれる工程のうちの少なくとも１つ以上である範囲内において、特に限定されない。
【００９９】
一例として、本実施形態の液晶装置の製造方法においては、配向層形成情報として、カラム構造膜４２を形成する際の蒸着源の蒸着角度（配置角度）、及び蒸着圧力を設定してもよい。すなわち、配向層４０の形成工程におけるカラム構造膜形成工程Ｓ１を配向層形成情報に基づいて行ってもよい。蒸着源の蒸着角度、及び蒸着圧力を変化させることで、形成されるカラム構造膜４２の溝部４６の幅Ｗ１及び密集部４７の隙間４８の幅Ｗ２を調整できる。
【０１００】
なお、配向層形成情報の一つである浸透時間ｔは、浸透工程Ｓ３の時間の長さを示す情報であるとともに、硬化工程Ｓ４の開始するタイミングを示す情報でもある。すなわち、配向層形成情報として浸透時間ｔを用いることは、浸透工程Ｓ３を配向層形成情報に基づいて行うことであり、かつ、硬化工程Ｓ４を配向層形成情報に基づいて行うことでもある。
【０１０１】
また、本実施形態の液晶装置の製造方法においては、カラム構造膜４２の形成方法として、ナノインプリントや、フォトリソグラフィーを用いてもよい。
【０１０２】
（電子機器）
以下、上述した液晶装置１０を備えた電子機器の一例として、プロジェクターを例示して説明する。
図８は、本実施形態に係るプロジェクター５００の概略構成の一例を示す模式図である。
図８に示すように、プロジェクター５００は、光源装置５０１と、インテグレーター５０４と、偏光変換素子５０５と、色分離導光光学系５０２と、光変調装置としての液晶光変調装置５１０Ｒ，５１０Ｇ，５１０Ｂと、クロスダイクロイックプリズム５１２と、投写光学系５１４と、を備える。
【０１０３】
液晶光変調装置５１０Ｒ，５１０Ｇ，５１０Ｂには、後述するように、液晶装置５２０Ｒ，５２０Ｇ，５２０Ｂが設けられている。この液晶装置５２０Ｒ，５２０Ｇ，５２０Ｂとして、例えば上記説明した本実施形態の液晶装置１０を用いることができる。
【０１０４】
光源装置５０１は、第一色光である赤色光（以下、「Ｒ光」という。）、第二色光である緑色光（以下、「Ｇ光」という。）、及び第三色光である青色光（以下、「Ｂ光」という。）を含む光を供給する。光源装置５０１としては、例えば超高圧水銀ランプを用いることができる。
【０１０５】
インテグレーター５０４は、光源装置５０１からの光の照度分布を均一化する。照度分布を均一化された光は、偏光変換素子５０５にて特定の振動方向を有する偏光光、例えば色分離導光光学系５０２の反射面に対してｓ偏光したｓ偏光光に変換される。ｓ偏光光に変換された光は、色分離導光光学系５０２を構成するＲ光透過ダイクロイックミラー５０６Ｒに入射する。
【０１０６】
色分離導光光学系５０２は、Ｒ光透過ダイクロイックミラー５０６Ｒと、Ｂ光透過ダイクロイックミラー５０６Ｇと、３枚の反射ミラー５０７と、２枚のリレーレンズ５０８と、を備える。
【０１０７】
Ｒ光透過ダイクロイックミラー５０６Ｒは、Ｒ光を透過し、Ｇ光、Ｂ光を反射する。Ｒ光透過ダイクロイックミラー５０６Ｒを透過したＲ光は、反射ミラー５０７に入射する。
【０１０８】
反射ミラー５０７は、Ｒ光の光路を９０度折り曲げる。光路を折り曲げられたＲ光は、Ｒ光用の液晶光変調装置５１０Ｒに入射する。Ｒ光用の液晶光変調装置５１０Ｒは、Ｒ光を画像信号に応じて変調する透過型の液晶光変調装置である。
【０１０９】
Ｒ光用の液晶光変調装置５１０Ｒは、λ／２位相差板５２３Ｒ、ガラス板５２４Ｒ、第一偏光板５２１Ｒ、液晶装置５２０Ｒ、及び第二偏光板５２２Ｒを有する。λ／２位相差板５２３Ｒ及び第一偏光板５２１Ｒは、偏光方向を変換させない透光性のガラス板５２４Ｒに接する状態で配置される。なお、図８において、第二偏光板５２２Ｒは独立して設けられているが、液晶装置５２０Ｒの射出面や、クロスダイクロイックプリズム５１２の入射面に接する状態で配置しても良い。
【０１１０】
Ｒ光透過ダイクロイックミラー５０６Ｒで反射された、Ｇ光とＢ光とは光路を９０度折り曲げられる。光路を折り曲げられたＧ光とＢ光とは、Ｂ光透過ダイクロイックミラー５０６Ｇに入射する。Ｂ光透過ダイクロイックミラー５０６Ｇは、Ｇ光を反射し、Ｂ光を透過する。Ｂ光透過ダイクロイックミラー５０６Ｇで反射されたＧ光は、Ｇ光用の液晶光変調装置５１０Ｇに入射する。Ｇ光用の液晶光変調装置５１０Ｇは、Ｇ光を画像信号に応じて変調する透過型の液晶光変調装置である。Ｇ光用の液晶光変調装置５１０Ｇは、液晶装置５２０Ｇ、第一偏光板５２１Ｇ及び第二偏光板５２２Ｇを有する。
【０１１１】
Ｇ光用の液晶光変調装置５１０Ｇに入射するＧ光は、ｓ偏光光に変換されている。Ｇ光用の液晶光変調装置５１０Ｇに入射したｓ偏光光は、第一偏光板５２１Ｇをそのまま透過し、液晶装置５２０Ｇに入射する。液晶装置５２０Ｇに入射したｓ偏光光は、画像信号に応じた変調により、Ｇ光がｐ偏光光に変換される。液晶装置５２０Ｇの変調により、ｐ偏光光に変換されたＧ光が、第二偏光板５２２Ｇから射出される。このようにして、Ｇ光用の液晶光変調装置５１０Ｇで変調されたＧ光は、クロスダイクロイックプリズム５１２に入射する。
【０１１２】
Ｂ光透過ダイクロイックミラー５０６Ｇを透過したＢ光は、２枚のリレーレンズ５０８と、２枚の反射ミラー５０７とを経由して、Ｂ光用の液晶光変調装置５１０Ｂに入射する。
【０１１３】
Ｂ光用の液晶光変調装置５１０Ｂは、Ｂ光を画像信号に応じて変調する透過型の液晶光変調装置である。Ｂ光用の液晶光変調装置５１０Ｂは、λ／２位相差板５２３Ｂ、ガラス板５２４Ｂ、第一偏光板５２１Ｂ、液晶装置５２０Ｂ、及び第二偏光板５２２Ｂを有する。
【０１１４】
Ｂ光用の液晶光変調装置５１０Ｂに入射するＢ光は、ｓ偏光光に変換されている。Ｂ光用の液晶光変調装置５１０Ｂに入射したｓ偏光光は、λ／２位相差板５２３Ｂによりｐ偏光光に変換される。ｐ偏光光に変換されたＢ光は、ガラス板５２４Ｂ及び第一偏光板５２１Ｂをそのまま透過し、液晶装置５２０Ｂに入射する。液晶装置５２０Ｂに入射したｐ偏光光は、画像信号に応じた変調により、Ｂ光がｓ偏光光に変換される。液晶装置５２０Ｂの変調により、ｓ偏光光に変換されたＢ光が、第二偏光板５２２Ｂから射出される。Ｂ光用の液晶光変調装置５１０Ｂで変調されたＢ光は、クロスダイクロイックプリズム５１２に入射する。
【０１１５】
このように、色分離導光光学系５０２を構成するＲ光透過ダイクロイックミラー５０６ＲとＢ光透過ダイクロイックミラー５０６Ｇとは、光源装置５０１から供給される光を、第一色光であるＲ光と、第二色光であるＧ光と、第三色光であるＢ光とに分離する。
【０１１６】
色合成光学系であるクロスダイクロイックプリズム５１２は、２つのダイクロイック膜５１２ａ，５１２ｂをＸ字型に直交して配置して構成されている。ダイクロイック膜５１２ａは、Ｂ光を反射し、Ｇ光を透過する。ダイクロイック膜５１２ｂは、Ｒ光を反射し、Ｇ光を透過する。このように、クロスダイクロイックプリズム５１２は、Ｒ光用の液晶光変調装置５１０Ｒ、Ｇ光用の液晶光変調装置５１０Ｇ、及びＢ光用の液晶光変調装置５１０Ｂでそれぞれ変調されたＲ光、Ｇ光及びＢ光を合成する。
【０１１７】
投写光学系５１４は、クロスダイクロイックプリズム５１２で合成された光をスクリーン５１６に投射する。これにより、スクリーン５１６上でフルカラー画像を得ることができる。
【０１１８】
本実施形態のプロジェクター５００によれば、本実施形態の液晶装置１０である液晶装置５２０Ｒ，５２０Ｇ，５２０Ｂを備えるため、コントラストを向上できるプロジェクターを得ることができる。
【０１１９】
なお、上記実施形態の液晶装置１０は、上記液晶プロジェクターのライトバルブに限らず、高温ポリシリコンＴＦＴ液晶（ＨＴＰＳ）、反射型高温ポリシリコンＴＦＴ液晶（Ｒ−ＨＴＰＳ）、ＬＣＯＳ（Ｌｉｑｕｉｄ  Ｃｒｙｓｔａｌ  Ｏｎ  Ｓｉｌｉｃｏｎ）、デジタルサイネージ、ＥＶＦ（Ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃ  Ｖｉｅｗ  Ｆｉｎｄｅｒ）として用いることができる。
【０１２０】
また、上記実施形態の液晶装置１０は、他の電子機器として、例えば、携帯電話、電子ブック、パーソナルコンピューター、ディジタルスチルカメラ、テレビジョン受像機、ビューファインダー型あるいはモニタ直視型のビデオテープレコーダー、カーナビゲーション装置、ページャー、電子手帳、電卓、ワードプロセッサー、ワークステーション、テレビ電話、ＰＯＳ端末、タッチパネル等に用いることができる。
【実施例】
【０１２１】
（実施例１）
カラム構造膜を形成し、その表面を走査型電子顕微鏡で観察した。
カラム構造膜（斜方蒸着膜）は、斜方蒸着法を用いて、蒸着時の圧力を３．０×１０−２Ｐａ、蒸着角度を６５°とし、厚みが８５ｎｍとなるように形成した。カラム構造膜（斜方蒸着膜）の蒸着材料は、ＵＳＴＲＯＮ（株）製のＳｉＯ２タブレットとした。
【０１２２】
図９は、形成したカラム構造膜の表面を示す走査型電子顕微鏡写真である。
図９に示すように、カラム構造膜の表面に、カラム構造物が密集した密集部と、溝部とが形成されていることが確かめられた。また、溝部は、カラム構造物の傾斜方向Ｖａ１と交差する方向に延びて形成されることが確かめられた。
【０１２３】
（実施例２）
改良したルーカス・ウオッシュバーンの式（１）を用いて、カラム構造膜における保護膜形成材料の浸透深さＬと、浸透時間ｔとの関係について求めた。カラム構造膜としては、密集部におけるカラム構造物同士の隙間の幅Ｗが４ｎｍ、接触角θが４０°であるものを用いた。
【０１２４】
まず、補正係数ｋを求めた。粘度ηが６ｍＰａ・ｓ、表面張力γが３０ｍＮ／ｍの保護膜形成材料をスピンコート法によってカラム構造膜上に塗布し、密集部における保護膜形成材料の浸透深さを所定時間毎に計測した。計測した浸透深さと、従来のルーカス・ウオッシュバーンの式から求められる値とを比較することにより、補正係数ｋを求めた。その結果求められた補正係数ｋは、１０−５であった。これにより、本実施例における改良したルーカス・ウオッシュバーンの式（１）を求めることができた。なお、保護膜形成材料は、ポリシロキサン系垂直配向材料とした。
【０１２５】
次に、この改良したルーカス・ウオッシュバーンの式（１）を用いて、粘度η、カラム構造物同士の隙間の幅Ｗ、浸透時間ｔを変化させたときの、浸透深さＬについて求めた。粘度ηが１ｍＰａ・ｓ、１０ｍＰａ・ｓ、４０ｍＰａ・ｓのそれぞれの場合について、カラム構造物同士の隙間の幅Ｗを、４ｎｍ、４０ｎｍ、１００ｎｍと変化させた際の浸透時間ｔに対する浸透深さＬについて求めた。結果を、図１０から図１２に示す。
【０１２６】
図１０は、粘度ηを１ｍＰａ・ｓとした場合を示すグラフである。図１１は、粘度ηを１０ｍＰａ・ｓとした場合を示すグラフである。図１２は、粘度ηを４０ｍＰａ・ｓとした場合を示すグラフである。図１０から図１２において、縦軸は、浸透深さＬ（ｎｍ）を示しており、横軸は、浸透時間ｔ（秒、ｓｅｃ）を示している。
【０１２７】
図１０から図１２に示すように、粘度ηが大きくなる程、また、隙間の幅Ｗが小さくなる程、浸透時間ｔに対する浸透深さＬは小さくなることが確かめられた。
例えば、これらの結果を用いて、配向層形成情報を設定することができる。具体的には、例えば、密集部におけるカラム構造物同士の隙間の幅が４ｎｍで、溝部の幅が１００ｎｍであった場合には、幅Ｗが４ｎｍと１００ｎｍとのそれぞれの浸透深さＬの差から凹部の深さを決めることができ、また、幅Ｗが４ｎｍの場合における浸透深さＬから密集部における保護膜の浸透深さ、すなわち、カラム構造物を保護する程度及び空隙部の厚みを決めることができる。したがって、これらの値が所望の値となるように各パラメーター（配向層形成情報）を設定することにより、本実施形態の液晶装置を容易に製造することができる。
【符号の説明】
【０１２８】
１０，５２０Ｂ，５２０Ｇ，５２０Ｒ…液晶装置、１３…電極基板（第１基板）、１４…電極基板（第２基板）、４２…カラム構造膜（第１配向膜）、４２ａ…カラム構造物（突出部）、４３，１４３，２４３，３４３…保護膜（第２配向膜）、４４，１４４ａ，１４４ｂ…間隙部、４５，１４５…凹部、４６…溝部、５０…液晶層、５１…液晶、８０…保護膜形成材料（第２配向膜の形成材料）、ｋ…補正係数、Ｓ１…カラム構造膜形成工程（第１配向膜形成工程）、Ｓ２…塗布工程、Ｓ４…硬化工程、ｔ…浸透時間（第２配向膜の形成に関する形成情報）、η…粘度（第２配向膜の形成に関する形成情報）
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図９】
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