(57)【要約】【課題】有機ＥＬディスプレイの周辺回路上に接合領域を設けることによって、額縁領域を狭くする。【解決手段】本発明では、有機ＥＬ素子が配置された画素領域と前記画素領域外に設けられた周辺回路を有する有機ＥＬ基板と、封止基板とを備え、前記周辺回路上に配置された第一接合部と、前記封止基板上に配置された第二接合部とが、表面活性化接合法により接合面において接合されていることを特徴とする有機ＥＬディスプレイが提供される。【選択図】図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
有機ＥＬ素子が配置された画素領域と前記画素領域外に設けられた周辺回路を有する有機ＥＬ基板と、
封止基板と、
を備えた有機ＥＬディスプレイであって、
前記周辺回路上に配置された第一接合部と、前記封止基板上に配置された第二接合部とが、表面活性化接合法により接合面において接合されていることを特徴とする有機ＥＬディスプレイ。
【請求項２】
前記第一接合部が、樹脂と無機物の積層構造より構成されていることを特徴とする請求項１記載の有機ＥＬディスプレイ。
【請求項３】
前記第一接合部が、樹脂と金属の積層構造より構成されていることを特徴とする請求項１記載の有機ＥＬディスプレイ。
【請求項４】
前記接合領域が前記周辺回路の少なくとも半分以上の領域上であることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか一項に記載の有機ＥＬディスプレイ
【請求項５】
有機ＥＬ層が形成された画素領域と前記画素領域外に設けられた画素を駆動する周辺回路を少なくとも有する有機ＥＬ基板と、
封止基板と、
を備えた有機ＥＬディスプレイの製造方法であって、
有機ＥＬ基板上の第一接合部と封止基板の第二接合部を活性化成分により活性化する工程と、
活性化された前記第一接合部及び前記第二接合部のそれぞれの接合面を接触させて、前記有機ＥＬ基板と封止基板とを加圧し接合し、有機ＥＬディスプレイを得る工程と、
を備えることを特徴とする有機ＥＬディスプレイの製造方法。
【請求項６】
前記第一接合部及び前記第二接合部を活性化成分により活性化する工程と、
前記有機ＥＬ基板と封止基板とを加圧し接合する間に、
それぞれの接合面を金属粒子を含む放射粒子で照射して表面処理する第２の工程を有することを特徴とする請求項５記載の有機ＥＬディスプレイの製造方法。
【請求項７】
前記活性化の工程が、それぞれの接合面を、エネルギー粒子を含む放射粒子を照射して表面処理を行う工程であることを特徴とする請求項６又は７記載の有機ＥＬディスプレイの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、狭額縁構造を有し、かつ、封止性能に優れた有機ＥＬディスプレイ及びその製造方法の技術に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、有機ＥＬ発光素子が用いられたディスプレイが開発されている。有機ＥＬは、水分や酸素との接触により発光寿命が短くなる等の悪影響を及ぼすことが知られている。そのため、有機ＥＬ発光素子が存在する空間を封止して、外気の影響を受けないようにするための封止が重要であり、一般的にはＵＶ硬化樹脂を用いて、封止基板を張り合わせる手法が採られている（特許文献１）。
【０００３】
また、一般的にＵＶ硬化樹脂を用いた封止方法では、酸素、及び水分の透過を十分に抑えることが不可能であり、様々な対策がなされている。その対策の一つとして、周辺回路を含めて、完全に基板が接合される領域で囲まれた範囲の内側に入れる構造を採用しているものもある（特許文献２）。
【０００４】
さらに、封止性能を高めるために、ガラスフリットを用いたガラス融着方式が実用化されている（特許文献３）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開平５−０３６４７５号公報
【特許文献２】特開２００２−９３５７６号公報
【特許文献３】特開平１０−７４５８３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかしながら、ガラス融着方式では、ガラス融着時に発生する熱による周辺回路がダメージを受けることや、ガラス融着時に使用するレーザー照射により周辺回路の特性が変化すること等から、表示領域の周辺に位置する周辺回路上に接合領域を設けることが困難であった。そのため、ディスプレイ正面から見て、周辺回路とガラス融着による接合部分が重ならないように、ずらして形成する必要があった。一方、有機ＥＬディスプレイに対しては、小型化や外観などの点から、狭額縁化が求められている。したがって、ガラス融着方式では周辺回路上に封止領域を設けることができないため、狭額縁化の実現という点において妨げとなっていた。
【０００７】
本発明の目的の一つは、周辺回路上に接合領域を設けることによって、額縁領域を狭くすることにある。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明の一実施形態によると、有機ＥＬ素子が配置された画素領域と前記画素領域外に設けられた周辺回路を有する有機ＥＬ基板と、封止基板とを備え、前記周辺回路上に配置された第一接合部と、前記封止基板上に配置された第二接合部とが、表面活性化接合法により接合面において接合されていることを特徴とする有機ＥＬディスプレイが提供される。
【０００９】
この有機ＥＬディスプレイによれば、高熱やレーザー照射を用いない表面活性化接合法により有機ＥＬ基板と封止基板とを接合できるので、接合領域を有機ＥＬ基板の周辺回路上に配置することが可能となるので、額縁領域を狭くすることができる。
【００１０】
また、別の好ましい態様において、第一接合部が、樹脂と無機物の積層構造より構成されている事を特徴とする有機ＥＬディスプレイが提供されてもよい。
【００１１】
この有機ＥＬディスプレイによれば、平坦ではない周辺回路の形状を樹脂の層で吸収しつつ、無機物の層で表面活性化接合法に適した平坦な接合面を形成することが可能となる。
【００１２】
また、別の好ましい態様において、前記第一接合部が、樹脂と金属の積層構造より構成されている事を特徴とする有機ＥＬディスプレイが提供されても良い。
【００１３】
この有機ＥＬディスプレイによれば、平坦ではない周辺回路の形状を樹脂の層で吸収しつつ、金属の層で表面活性化接合法に適した平坦な接合面を形成することが可能となる。
【００１４】
また、別の好ましい態様において、前記接合領域が前記周辺回路の半分以上の領域上であることを特徴とする有機ＥＬディスプレイが提供されてもよい。
【００１５】
この有機ＥＬディスプレイによれば、接合領域と周辺回路の領域とが重なる部分が大きくなり、額縁領域をより狭くした有機ＥＬディスプレイを提供することが可能となる。
【００１６】
本発明の一実施形態によると、有機ＥＬ層が形成された画素領域と前記画素領域外に設けられた画素を駆動する周辺回路を少なくとも有する有機ＥＬ基板と、封止基板とを備えた有機ＥＬディスプレイの製造方法であって、有機ＥＬ基板上の第一接合部と封止基板の第二接合部を活性化成分により活性化する工程と、活性化された前記第一接合部及び前記第二接合部のそれぞれの接合面を接触させて、前記有機ＥＬ基板と封止基板とを加圧し接合し、有機ＥＬディスプレイを得る工程とを備えることを特徴とする有機ＥＬディスプレイの製造方法が提供される。
【００１７】
この製造方法によれば、高熱やレーザー照射を用いない表面活性化接合法により有機ＥＬ基板と封止基板とを接合するので、接合領域を有機ＥＬ基板の周辺回路上に配置することが可能となるので、額縁領域を狭くすることができる。
【００１８】
本発明の一実施形態によると、前記第一接合部及び前記第二接合部を活性化成分により活性化する工程と、前記有機ＥＬ基板と封止基板とを加圧し接合する間に、それぞれの接合面を金属粒子を含む放射粒子で照射して表面処理する第２の工程を有する事を特徴とする有機ＥＬディスプレイの製造方法が提供される。
【００１９】
この製造方法によれば、有機ＥＬ基板と封止基板とを接合する表面活性化接合法の一態様が提供される。
【００２０】
本発明の一実施形態によると、前記活性化の工程が、それぞれの接合面を、エネルギー粒子を含む放射粒子を照射して表面処理を行う工程である事を特徴とする有機ＥＬディスプレイの製造方法が提供されてもよい。
【００２１】
この製造方法によれば、有機ＥＬ基板と封止基板とを接合する表面活性化接合法の一態様が提供される。
【発明の効果】
【００２２】
本発明によれば、高い封止性能を実現しつつ、有機ＥＬディスプレイの額縁領域を狭くすることができる。
【図面の簡単な説明】
【００２３】
【図１】本発明の一実施形態における有機ＥＬディスプレイの全体構成を示す概略図である。
【図２】本発明の一実施形態における有機ＥＬディスプレイの第１基板の構成を示す概略図である。
【図３】図１のA−A’線における有機ＥＬディスプレイの断面模式図である。
【図４】図３において接合領域付近を拡大した図である。
【図５】本発明の一実施形態における有機ＥＬディスプレイの全体構成を示す概略図である。
【図６】本発明の一実施形態における有機ＥＬディスプレイの全体構成を示す概略図である。
【発明を実施するための形態】
【００２４】
以下、本発明の実施形態における有機ＥＬディスプレイ及びその製造方法について、図面を参照しながら詳細に説明する。なお、以下に示す実施形態は本発明の実施形態の一例であって、本発明はこれらの実施形態に限定して解釈されるものではなく、種々の変形を行ない実施することが可能である。また、本実施形態で参照する図面において、同一部分または同様な機能を有する部分には同一の符号または類似の符号（数字の後にＡ、Ｂ等を付しただけの符号）を付し、その繰り返しの説明は省略する場合がある。また、図面の寸法比率は説明の都合上実際の比率とは異なったり、構成の一部が図面から省略されたりする場合がある。
【００２５】
＜本発明の実施形態＞
本発明は、基板上に有機ＥＬ素子が形成された表示領域と表示領域外（額縁領域）に設けられた周辺回路を少なくとも有する有機ＥＬ基板（第１基板１００）と、封止基板（第２基板２００）とを接合することによって、有機ＥＬ発光素子が設けられた空間を封止した有機ＥＬディスプレイが提供される。第１基板と第２基板とは、表示領域の周囲に配置された周辺回路上に形成された接合部を介して接合される。この接合は、接合部の表面が活性化されることによる表面活性化接合方法によって実現される。
【００２６】
図１は、本発明の一実施形態における有機ＥＬディスプレイ３００の全体構成を示す概略図である。有機ＥＬディスプレイ３００は、有機ＥＬ基板と封止基板が接合されたものである。なお、以下に説明する本発明の実施形態は、ＴＦＴ（薄膜トランジスタ）が形成された基板上に形成された有機ＥＬ素子からの発光をＴＦＴ基板と逆側から取り出すトップエミッション型の有機ＥＬディスプレイについてであるが、ＴＦＴを形成された基板上に形成された有機ＥＬ素子からの発光をＴＦＴ側から取り出すボトムエミッション型の有機ＥＬディスプレイでもよい。
【００２７】
有機ＥＬディスプレイ３００は、表示領域１０を有する。図１では図示しないが、ＴＦＴで構成された画素ごとの駆動回路と、有機ＥＬ発光素子とを含む画素が、行方向と列方向に二次元マトリクス状に配置されて、矩形状の表示領域１０が画定される。なお、画素の構成としては、ＲＧＢの３色のサブピクセルを並べて１つのピクセルを構成する方式でも、ペンタイル方式でもよい。表示領域１０には、図１の縦方向にデータ線が延び、横方向に走査線が延びており、データ線は列方向の画素に共通に接続され、走査線は行方向の画素を共通に接続される。端子部２２には、有機ＥＬディスプレイと外部回路とを接続し、映像信号、制御信号及び電源を有機ＥＬディスプレイに供給するための端子が複数個配列され設置される。表示領域１０の外側から有機ＥＬディスプレイ３００の外縁までの領域が、額縁領域１２となる。
【００２８】
図２は、本発明の一実施形態における有機ＥＬディスプレイの第１基板１００の構成を示す概略図である。第１基板１００は、例えば、ガラス基板等である。第１基板１００の額縁領域１２には、データ線にデータ信号を供給するデータ線駆動回路１４と、走査線に制御信号を供給する走査線駆動回路１６が形成される。以下、データ線駆動回路１４と走査線駆動回路１６をあわせて周辺回路４０とする。なお、周辺回路４０は額縁領域１２に配置される画素回路を制御するための回路を指し、必ずしもデータ線駆動回路１４と走査線駆動回路１６に限られるものではない。また、図２では、データ線駆動回路１４と走査線駆動回路１６が、それぞれ１つのブロックとして構成されているが、複数に分かれていてもよい。
【００２９】
電源配線１８は、表示領域１０の外側に沿って配置され、その一端で引き出し配線を経由して端子部２２に接続される。データ線駆動回路１４、走査線駆動回路１６、電源配線１８及び端子部２２の配置については、特に制限はない。図２では、データ線駆動回路１４は第１基板１００の上側、走査線駆動回路１６は第１基板１００の右側、端子部２２は第１基板の下側に配置されており、電源配線１８は第１基板１００の左側から下側の一部にかけ、表示領域１０に沿って配置され、端子部２２まで延びて接続されている。
【００３０】
図３は、本発明の一実施形態における有機ＥＬディスプレイの断面模式図であり、図１のA−A’線ににおける断面を模式的に表した図である。
【００３１】
第１基板１００上に、上述の画素ごとの駆動回路によって構成される画素回路群３０と、周辺回路４０（ここではデータ線駆動回路１４）が配置される。画素回路群３０は表示領域１０と額縁領域１２の一部にかけて形成され、周辺回路４０は額縁領域１２に形成される。画素回路群３０及び周辺回路４０の一部の上に、平坦化膜３２が形成され、さらに画素電極３４、コンタクト配線４２が形成される。画素電極３４上に有機ＥＬ層３６が形成され、それぞれが一つの画素を構成する。バンク角を有するエッジカバー３８は、それぞれの画素を区切るように形成される。対向電極４４は連続した一枚の透明電極で構成され、有機ＥＬ層３６及びエッジカバー３８を覆い、表示領域１０の外側まで延長して設けられ、平坦化膜３２上を通ってコンタクト配線４２に接続されるよう形成される。画素電極３４は画素回路群３０の画素回路を介して電源に接続され、電源から供給される電流が有機ＥＬ層３６に流れて発光し、対向電極４４に流れ出る。
【００３２】
第１基板１００上に、上述の有機ＥＬ層３６等で構成される表示部１０、周辺回路４０、第１接合部１１０等が配置されて、有機ＥＬ基板が形成されている。また、第２基板上２００上に第２接合部２１０が配置され、封止基板が形成されている。なお、画素回路群３０、周辺回路４０、平坦化膜３２、画素電極３４、コンタクト配線４２、エッジカバー３８、対向電極４４、有機ＥＬ層３６及びコンタクト配線４２は、既存の材料及びプロセスにより形成することが可能であり、本発明において特に限定されるものではない。
【００３３】
第１基板１００上には、第１接合部１１０が配置される。また、第２基板２００上には、第２接合部２１０が配置される。なお、第２基板２００は、例えば、ガラス基板等である。第１基板１００と第２基板２００とは、第１接合部１１０と第２接合部２２０を介し、接合面Ｓで接合される。接合面Ｓを有機ＥＬディスプレイの表示パネル正面から見たときに形成される領域が、接合領域２０となる。この接合は、接合部の表面が活性化されることによる表面活性化接合によって実現される。具体的な接合方法については、後述する。
【００３４】
再び図２を参照すると、接合領域２０は周辺回路４０上に形成される。ここで、周辺回路上に形成されるとは、有機ＥＬディスプレイを表示パネル正面から見たときに、接合領域２０と、周辺回路４０が形成される領域の一部又は全部が、重なることをいう。
【００３５】
周辺回路４０上に接合領域２０を形成するには、様々な形態が考えられる。  例えば、図２では、矩形状のデータ線駆動回路１４上の第１基板１００外縁側に接合領域２０が形成され、矩形状の走査線駆動回路１６上の第１基板１００外縁側に接合領域２０が形成されるが、データ線駆動回路１４上及び走査線駆動回路１６上の表示領域１０側には接合領域２０が形成されていない。また、図５では、矩形状のデータ線駆動回路１４上の第１基板１００表示領域１０側に接合領域２０が形成され、矩形状の走査線駆動回路１６上の第１基板１００表示領域１０側に接合領域２０が形成されるが、データ線駆動回路１４上及び走査線駆動回路１６上の外縁側には接合領域２０が形成されていない。さらに、図６では、データ線駆動回路１４及び走査線駆動回路１６が形成される領域を完全に覆うように、接合領域２０が形成されている。
【００３６】
以上説明した形態に限られず、本発明の実施形態における有機ＥＬディスプレイでは、様々な形態で周辺回路４０上に接合領域２０を形成することができる。ただし、狭額縁化を実現する観点からは、接合領域２０を周辺回路４０の少なくとも半分以上の領域上で形成することが、より望ましい。
【００３７】
図４は、本発明の一実施形態における有機ＥＬディスプレイの断面模式図であり、図３の接合領域付近を拡大した図である。第１基板１００と第２基板２００との接合においては、密着性を高める観点から、接合面の平滑性が重要となる。特に、第１基板１００の接合領域２０は、周辺回路４０上に形成し、周辺回路４０の表面に凹凸があり、また、周辺回路４０と第１基板１００等で段差も形成されるために、接合面が平坦になるように第１接合部１１０を形成することが重要となる。そこで、第１接合部１１０は、周辺回路４０側に樹脂層１１２が形成され、接合面Ｓ側には接合膜１１４を有する構成をとる。第１接合部１１０と同様に、第２接合部２１０が、第２基板２００側に樹脂層２１２が形成され、接合面Ｓ側に接合膜２１４を有する構成をとってもよい。
【００３８】
樹脂層１１２及び２１２の材料としては、ポリイミド、ポリアミド、アクリル樹脂、ベンゾシクロブテン及およびフェノール樹脂等を用いても良い。例えばポリイミドを用いた場合、ポリイミド膜の膜厚としては１〜１００μｍが好ましく、更に１〜５μｍが好ましい。樹脂層１１２，２１２の厚みが厚いと第１基板１００と第２基板２００の間にある空間が大きくなり第１基板１００と第２基板２００との間の真空圧と外部の大気圧によって生じる圧力差により基板の変形度合いが大きくなり、接合の剥がれ、基板の破損の原因となる。このため、ポリイミド膜の膜厚は、上記範囲であることが好ましい。
【００３９】
接合膜１１４及び接合膜２１４としては、樹脂層１１２及び２１２を形成した後に、ＳｉＯ２やＳｉ３Ｎ４などの無機膜が形成される。例えばスパッタでＳｉＯ２などの酸化膜を形成してもよい。ここで、ＳｉＯ２の膜厚としては、１０〜１０００ｎｍが好ましく、更に５０〜３００ｎｍが好ましい。あるいは、接合膜１１４及び接合膜２１４として、樹脂層１１２及び２１２を形成した後に、例えばスパッタでＡｕなどの金属膜を形成してもよい。ここで、Ａｕの膜厚としては、１〜１０００ｎｍが好ましく、更に１０〜１００ｎｍが好ましい。
樹脂層１１２，２１２と接合膜１１４，２１２の強度・密着性の観点から、樹脂層１１２，２１２の厚みは、接合層１１４，２１２の厚みより薄い方が好ましい。
【００４０】
なお、接合領域２０の幅ｄを広くしすぎると、接合力が落ちることがある。これは、接合領域２０の幅ｄが広くなると、第１基板１００または第２基板２００のうねりの影響が出ることが原因と考えられる。このようなうねりの影響を抑え、かつ、接合力を保つために、接合領域２０の幅ｄの長さは１〜０．２ｍｍが好ましいと考えられる。ただし、本発明の実施形態における接合領域２０の幅ｄの長さは、上記範囲の長さに限定されるものではない。
本発明の有機ＥＬおよび周辺回路は、既存の材料、プロセス、装置を用いて作製することが出来き、特に限定されるものではない。
【００４１】
次に、本発明の実施形態における第１基板１００と第２基板２００との接合方法について説明する。但し、接合前に有機ＥＬ部（有機ＥＬ素子）、有機ＥＬ駆動回路及び周辺回路が形成されている必要がある。
【００４２】
［第１の接合方法］
以下、本発明の第１の接合方法について説明する。まず、接合する第１基板１００と第２基板２００を、真空チャンバー内に設置し、一対の基板保持部材に取り付ける。次に、真空チャンバー内を減圧する。減圧の程度は、１０−２Ｐａ以上である。後述する表面活性処理をした接合面の再汚染を防止するために、高真空下で行うことが望ましい。
【００４３】
真空チャンバー内を減圧した後に、第１基板１００及び第２基板２００の接合面を、室温で、不活性ガスイオンビームまたは不活性ガス高速原子ビーム（エネルギー粒子）で１０秒から１８００秒、特に好ましくは１０秒から３０秒照射して、スパッタエッチングし、表面活性化を行う。表面活性化を行うことによって、元素イオンあるいは元素の中性原子で接合面に照射して衝突させて接合面の表面皮膜を取り除き、接合面が清浄化され、化学結合が形成されやすい状態となる。ここで、表面活性処理時に第１基板１００をシャドーマスクにより保護することで、表面活性化処理時における有機ＥＬ素子へのダメージを、防止する事が好ましい。この不活性ガスイオンビームまたは不活性ガス高速原子ビームのビームソースの印加電圧とプラズマ電流はビーム源に大きく依存するが、例えば０．１〜３．０ｋＶ及び１〜５０ｍＡである。
【００４４】
照射した後に、第１基板１００及び第２基板２００の接合面を重ね合わせる。ここで、重ね合わせた第１基板１００及び第２基板２００を加圧することが好ましい。加圧条件としては、１〜１００ｋＮが好ましく、更には５〜２０ｋＮがより好ましい。これによって第１基板１００と第２基板２００との接合は完了する。
【００４５】
［第２の接合方法］
以下、本発明の第２の接合方法について説明する。第１基板１００及び第２基板２００の接合面の活性化までは第１の接合方法と同様である。
【００４６】
第１基板１００及び第２基板２００の接合面を活性化処理した後、不活性ガスイオンビームまたは不活性ガス高速原子ビームがエネルギー粒子や金属粒子を含む放射粒子を、第１基板１００及び第２基板２００上に照射する。この金属粒子は、好ましくは遷移金属であり、さらに好ましくは鉄である。エネルギー粒子および金属粒子の両方を放射する粒子源（エネルギー粒子源兼金属粒子源）は、いくつかの構成を取り得る。例えば、エネルギー粒子および金属粒子の両方を放出する、この種の粒子源は、不活性粒子（アルゴン）のプラズマを発生し、このプラズマに電界Ｅを掛けることで、プラズマ不活性粒子を電界方向へ加速し、不活性粒子を含むエネルギー粒子の放射を生成する。粒子源内において、不活性粒子（アルゴン）のプラズマが発生する領域に、所望の金属を含む、出没自在な金属体を配置することで、当該プラズマ由来のエネルギー粒子により金属体から金属粒子が放出され、放射粒子の一部となる。この構成の粒子源は、動作モードの選択により、金属体が退却位置にあるときは、主としてエネルギー粒子を放射する粒子源として機能し、金属体が進出位置（プラズマ空間内の位置）にあるときは、エネルギー粒子とともに金属粒子を放射する粒子源として機能する。
【００４７】
次に、第１基板１００及び第２基板２００上の接合面の金属表面を、室温で不活性ガスイオンビームまたは不活性ガス高速原子ビーム（エネルギー粒子）でスパッタエッチングし、表面活性化を行う。照射した後、第１基板１００及び第２基板２００の接合面を重ね合わせる。ここで、重ね合わせた第１基板１００及び第２基板２００を加圧することが好ましい。これによって第１基板１００と第２基板２００との接合は完了する。
【００４８】
以上、本発明の実施形態について説明した。本発明の実施形態においては、室温下で、レーザーを使用せずに接合が行われるので、周辺回路への影響が無く、接合を行うことが出来るため、周辺回路上に封止領域を設けることが可能となり、額縁領域を狭くすることが可能となる。さらに、これらの接合方法は、常温（熱がかからない）での接合であるため、加熱による熱膨張係数の材料間での違いに起因する残留応力による接合体の剥がれ等の問題も解決することができる。
【符号の説明】
【００４９】
１０…表示領域、１２…額縁領域、１４…データ線駆動回路、１６…走査線駆動回路、１８…電源配線、２０…接合領域、２２…端子部、４０…周辺回路、１１０…第１接合部、１１２、２１２…樹脂層、１１４、２１４…接合膜、１００…第１基板、２００…第２基板、３００…有機ＥＬディスプレイ
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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