(57)【要約】【課題】基材の形状が凹型であっても、均一な反射率を生じさせる。【解決手段】増反射膜１２の形成方法は、凹型形状を有する基材１１上に金属からなる第一層１３を成膜し、第一層１３の上に低屈折率物質から成る第二層１４及び高屈折率物質から成る第三層１５を順に成膜してなる。第一層１３をドライコーティング法によって成膜し、第二層１４及び第三層１５をウェットコーティング法によって成膜する。具体的には、真空蒸着法によりアルミニウム又は銀から成る第一層１３を基材１１上に成膜し、ＳｉＯ２又はＭｇＦ２の原料物質を含む塗布液に第一層が形成された基材を浸漬し引き上げた後に大気圧中で加熱して焼成または乾燥させることにより第一層１３の上に第二層１４を成膜し、ＴｉＯ２又はＮｂ２Ｏ５の原料物質を含む塗布液に第二層が形成された基材１１を浸漬し引き上げた後に大気圧中で加熱して焼成または乾燥させて第二層の上に第三層１５を成膜する。【選択図】  図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
凹型形状を有する基材(11)上に金属から成る第一層(13)を成膜し、前記第一層(13)の上に低屈折率物質から成る第二層(14)及び高屈折率物質から成る第三層(15)を順に成膜してなる増反射膜(12)の形成方法において、
前記第一層(13)をドライコーティング法によって成膜し、
前記第二層(14)及び第三層(15)をウェットコーティング法によって成膜する
ことを特徴とする増反射膜の形成方法。
【請求項２】
真空蒸着法，スパッタリング法又はイオンプレーティング法のいずれかによりアルミニウム又は銀から成る第一層(13)を基材(11)上に成膜し、
ＳｉＯ２又はＭｇＦ２の原料物質を含む塗布液に前記第一層(13)が形成された前記基材(11)を浸漬し引き上げた後に大気圧中で加熱して乾燥させることにより前記第一層(13)の上に第二層(14)を成膜し、
ＴｉＯ２又はＮｂ２Ｏ５の原料物質を含む塗布液に前記第二層(14)が形成された前記基材(11)を浸漬し引き上げた後に大気圧中で加熱して乾燥させて前記第二層(14)の上に第三層(15)を成膜する
請求項１記載の増反射膜の形成方法。
【請求項３】
請求項１又は２に記載の方法により、凹型形状を有する基材(11)の表面に形成された増反射膜。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、立体的形状、特に凹型形状を有する基材上に増反射膜を形成する成膜技術に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来、金属増反射膜の形成方法は、硝子等から成る平らな基板上に周知のドライコーティング法である真空蒸着法やスパッタリング法、イオンプレーティング法などで第一層となる金属膜を成膜し、その表面に屈折率が１．５以下となるような金属酸化物や金属弗化物から成る低屈折率層を、同じく真空蒸着やスパッタリング法、イオンプレーティング法のようなドライコーティング法により第二層として形成し、更にその表面に屈折率が２．０以上となるような金属酸化物等から成る高屈折率層を、同じくドライコーティング法により第三層として形成している。（例えば、引用文献１参照。）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開昭６１−２０９４０１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、近年ではより高い反射率の要求に応えるため、凹型形状を成す基材等の表面に増反射膜を形成する場合もある。このような凹型形状を成す基材の表面に増反射膜を形成したものとしては、例えば、プロジェクターランプの後部ミラーや、ハロゲン電球に用いられる反射ミラーに使用されるようなものが挙げられる。そして、このような凹型形状を成す基材の表面に従来と同様に、ドライコーティング法により少なくとも第一ないし第三層を成膜して増反射膜を形成すると、形成された増反射膜の膜厚にばらつきが生じる不具合があった。
【０００５】
即ち、従来の製法では、平らな基板上に増反射膜を形成する場合には、ドライコーティング法により各層を成膜しても、その膜厚にばらつきは生じにくい。しかし、増反射膜を形成する基材の形状が立体的になると、その形状が複雑化した場合に、ドライコーティング法における蒸発源からの蒸着物質が直接的に蒸着される部分と、蒸着物質の飛来の影になり十分に蒸着されない部分とで膜厚に大幅な差が生じることになる。そして、このような膜厚の差は、得られた増反射膜における反射率に影響を与え、反射率が部分的に異なることになって、反射面全域で必要とする反射率が得られないなどの問題があった。
【０００６】
本発明の目的は、立体的基材の形状が複雑であっても、均一な反射率を生じさせる増反射膜の形成方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明は、立体的形状、特に凹型形状を有する基材上に金属から成る第一層を成膜し、第一層の上に低屈折率物質から成る第二層及び高屈折率物質から成る第三層を順に成膜してなる増反射膜の形成方法の改良である。
【０００８】
その特徴ある点は、第一層をドライコーティング法によって成膜し、第二層及び第三層をウェットコーティング法によって成膜するところにある。
【０００９】
この場合、真空蒸着法，スパッタリング法又はイオンプレーティング法のいずれかによりアルミニウム又は銀から成る第一層を基材上に成膜し、ＳｉＯ２又はＭｇＦ２の原料物質を含む塗布液に第一層が形成された基材を浸漬し引き上げた後に大気圧中で加熱して焼成または乾燥させることにより第一層の上に第二層を成膜し、ＴｉＯ２又はＮｂ２Ｏ５の原料物質を含む塗布液に第二層が形成された基材を浸漬し引き上げた後に大気圧中で加熱して焼成または乾燥させて第二層の上に第三層を成膜することが好ましい。
【発明の効果】
【００１０】
本発明では、基材に第一層である金属膜を成膜するけれども、増反射膜を構成することになる金属膜は、その膜厚にばらつきがあっても得られた増反射膜における反射率に影響を与えない。このため、基材上に従来から用いられているドライコーティング法である真空蒸着法やスパッタリング法、又はイオンプレーティング法によりこの金属膜を成膜しても、得られる増反射膜の反射率が場所により異なるようなことはない。
【００１１】
一方、第二層及び第三層は、光干渉膜を構成するから、その膜厚によって、得られる増反射膜における反射率等の光学特性に影響を与える。けれども、本発明では、第二層及び第三層を構成する金属酸化物や金属弗化物の層をウェットコーティング法により成膜する。このウェットコーティング法では、基材が複雑な形状を持つ場合でも、塗布される液の量が均一であれば，その基材の表面に均一な膜厚分布で成膜できる。
【００１２】
即ち、ドライコーティング法であれば蒸着物質が回り込まないために成膜が困難となるような箇所であっても、ウェットコーティング法であれば、他の箇所と同様な膜厚で成膜でき、基材が複雑な立体的形状を有していても、その表面に成膜材料物質が均一に回り込むので、その基材上に均一な膜厚分布で成膜できる。よって、第二層及び第三層をウェットコーティング法で成膜する本発明にあっては、基材が凹型形状を有していても、その表面に均一な反射率を生じさせる増反射膜を形成することが可能になる。
【図面の簡単な説明】
【００１３】
【図１】本発明実施形態の増反射膜が形成された基材の断面図である。
【図２】ウェットコーティング法により第二及び第三層を成膜する状態を示す図である。
【図３】ドライコーティング法により第一層を成膜する状態を示す図である。
【図４】実施例１における内底部の反射率を示す図である。
【図５】その実施例１における縁部内周の反射率を示す図である。
【図６】比較例１における内底部の反射率を示す図である。
【図７】その比較例１における縁部内周の反射率を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００１４】
次に、本発明を実施するための最良の形態を図面に基づいて説明する。
【００１５】
本発明は、凹型形状を有する基材上に複数の層からなる増反射膜を形成する方法である。ここで、凹型形状とは、凹面を成すような部分を有する立体的形状であり、例えば、プロジェクターランプに使用される後部ミラーや、ハロゲン電球等に使用される反射ミラーが例示され、このようなミラーにあっては、図１に示すように、椀状を成すような形状を有するものが知られている。
【００１６】
図１には、プロジェクターランプに使用される後部ミラー１０の断面図を示し、符号１０ａは、その内部に設けられるバルブを示す。このようなミラー１０は、凹型形状を有する基材１１上に増反射膜１２を形成することにより作られ、図１では、椀状を成す基材１１の内面に増反射膜１２が形成されたものを示す。
【００１７】
凹型形状を有する基材１１は、樹脂であれば金型を用いた射出成型や、切削加工により複雑な形状を有していても得ることができ、金属であれば鋳型を用いた鋳造や、切削加工により複雑な形状を有していても得ることができる。また、基材１１が硝子から成るようであれば、その硝子を加熱成形することにより所望の立体的形状を得ることができる。そして、そのような立体的形状を有する基材１１上に形成される増反射膜１２は、少なくとも、基材１１の表面に成膜される第一層１３と、その第一層１３の上に積層して形成される屈折率が１．５以下である第二層と、その第二層１４の上に積層して形成される屈折率が２．０以上である第三層１５とを有する。
【００１８】
第一層１３は、凹型形状を有する基材１１上に成膜される金属層であって、この第一層１３はドライコーティング法によって成膜される。この第一層１３をドライコーティング法により成膜するのは、金属膜である第一層１３は、その膜厚が異なっていても反射率に影響を与えない。このため、基材１１が凹型形状を有するが故に、この第一層１３を形成する金属膜に厚さのばらつきが生じても、得られる増反射膜１２の反射率に影響を与えないことになるので、従来からの実績があり、信頼性も高いので、この第一層１３の形成にドライコーティング法を採用するものである。
【００１９】
ここで、第一層１３を構成する金属膜は、アルミニウム又は銀からなるものであることが好ましく、その金属膜を成膜するドライコーティング法としては、真空蒸着法，スパッタリング法又はイオンプレーティング法が好ましい。これらは、従来からの実績があり、特に信頼性も高いからである。
【００２０】
その第一層１３の上に次に形成される第二層１４は、金属酸化物又は金属弗化物からなり、この第二層１４はウェットコーティング法によって成膜される。この第二層１４をウェットコーティング法により成膜するのは、基材１１が凹型形状を有するが故に、この第二層１４を従来と同様にドライコーティング法により成膜すると、その膜厚にばらつきが生じるおそれがあるからである。
【００２１】
ここで、ウェットコーティング法とは、原料物質を含む塗布液を第一層１３の上に塗布し、その塗布液を焼成または乾燥させることにより成膜する方法であって、その塗布方法の相違によりロールコート法やスピンコート法や浸漬引上げ法（ディップコーティング法）等がある。その後の乾燥により均一な厚さの膜を形成しうる限り、いずれの方法であっても良い。けれども、基材１１の立体的形状が複雑なものであれば、その表面に確実に塗布液を塗布できる点、及び製造の容易性、量産性、設備の易さ等の面で、浸漬引上げ法（ディップコーティング法）が好ましい。
【００２２】
即ち、浸漬引上げ法（ディップコーティング法）を用いた成膜であれば、原料物質を含む塗布液に基材１１を浸漬する方法でその塗布液を第一層１３の上に塗布することができ、その後に大気圧中で焼成して第二層１４を形成することができる。そして、その第一層１３の上に塗布された液の厚さを均一にして、均一な厚さの膜を成膜することができる。
【００２３】
このようにウェットコーティング法である浸漬引上げ法（ディップコーティング法）では、基材１１が複雑な立体的形状を有していても、その基材１１を塗布液に浸漬することにより、その液が基材１１のどの表面にも均一に行き渡る。そこで、塗布液を基材１１の外表面に確実に塗布させて、引き上げた後に焼成または乾燥させることにより、得られた膜の厚さを均一化させることができる。このため、この第二層１４の成膜にウェットコーティング法を採用するものである。
【００２４】
ここで、第二層１４を構成する金属酸化物又は金属弗化物は、低屈折率物質であるＳｉＯ２又はＭｇＦ２であることが好ましく、そのウエットコー-ティング法にあっては浸漬引き上げ法、即ち、ＳｉＯ２又はＭｇＦ２を原料物質として含む塗布液に第一層１３が形成された基材１１を浸漬し、その後引き上げた後に大気圧中で加熱して焼成または乾燥させることが好ましい。このようにして、基材１１の表面に成膜された第一層１３である金属層の表面に、金属酸化物や金属弗化物から成る第二層１４を形成する。
【００２５】
その第二層１４の上に次に形成される第三層１５にあっては、金属酸化物からなり、この第三層１５もウェットコーティング法によって成膜される。この第三層１５にあってもウェットコーティング法により成膜するのは、第二層１４と同様の理由であり、基材１１が複雑な立体的形状を有していても、均一な厚さの膜を得ることができるからである。
【００２６】
ここで、第三層１５を構成する金属酸化物又は金属弗化物は、高屈折率物質であるＴｉＯ２又はＮｂ２Ｏ５であることが好ましく、そのウエットコー-ティング法にあっては浸漬引上げ法（ディップコーティング法）、即ち、ＴｉＯ２又はＮｂ２Ｏ５を原料物質として含む塗布液に第二層１４が形成された基材１１を浸漬し、その後引き上げた後に大気圧中で加熱して焼成または乾燥させることが好ましい。
【００２７】
このように、第二及び第三層１４，１５を成膜するに際して、ウェットコーティング法を用いれば、ドライコーティング法では蒸着物質が回り込まないために成膜が困難となるような箇所であっても、他の箇所と同様な膜厚で成膜でき、基材１１が立体的形状を有していても、その基材１１上に均一な膜厚分布で成膜できる。よって、第二層及び第三層１４，１５をウェットコーティング法で成膜する本発明にあっては、基材１１が複雑な立体的形状を有していても、その表面に均一な反射率を生じさせる増反射膜１２を形成することが可能になる。
【００２８】
そして、第二層１４をＳｉＯ２又はＭｇＦ２からなる膜とし、第三層１５をＴｉＯ２又はＮｂ２Ｏ５から成る膜とすると、ＳｉＯ２やＭｇＦ２から成る厚さが６０ｎｍ以上の第二層１４を得ることにより、その第二層１４の屈折率を１．５以下とすることができ、ＴｉＯ２やＮｂ２Ｏ５から成る厚さが３０ｎｍ以上の第三層１５を得ることにより、その第三層１５の屈折率を２．０以上とすることができる。このような組み合わせから成る増反射膜１２では、可視域、特に５００ｎｍ付近で９３％以上の反射率を確保することが可能になる。
【００２９】
なお、このように形成された増反射膜１２には、必要に応じて保護層等を第三層１５の上に更に積層して形成しても良い。このような第三層１５以降の層の形成にあっては、必要な膜厚が得られる限りドライコーティング法により形成しても良い。けれども、目的とする膜厚を均一に形成することが必要である場合には、ウェットコーティング法により形成することが好ましい。
【００３０】
また、本実施形態の説明においては、基材の形状は椀状形状の場合について説明するけれども、本発明は、この基材形状に限定されることはなく、円錐の一部を成すコップ状形状や、円筒体状形状など、凹面を成すような部分を有する立体的形状の基材いずれにも適用できる。
【実施例】
【００３１】
次に、本発明の実施例を比較例とともに説明する。
【００３２】
＜実施例１＞
図１に示すように、硝子から成る立体的形状を有する基材１１を準備し、この基材１１上に本発明の方法により増反射膜１２を形成した。準備した基材１１は椀状を成したものを準備し、この基材１１に増反射膜１２を形成することによりハロゲン電球等の反射ミラーとして使用されるものを用いた。
【００３３】
先ず、この基材１１上に金属からなる第一層１３をドライコーティング法により成膜した。具体的な成膜に際しては、ドライコーティング法である真空蒸着法を用いてアルミニウム膜を基材１１上に成膜した。即ち、図３に示すように、真空容器２内の上部ホルダ３に基材１１を設置し、その真空容器２内の下部における蒸着源４に成膜材料５であるアルミニウムを設置した。そして、排気管６から排気して真空容器２内部を減圧し、真空度３．５×１０−３Ｐａまで到達させた。そのような真空中で基材１１を２５０℃まで加熱し、成膜材料５であるアルミニウムは抵抗加熱を用いて溶融・蒸発、昇華させて、蒸発、昇華した粒子（原子・分子）を基材１１の表面に付着・堆積させて薄膜を形成した。その成膜速度は毎秒１０ｎｍとし、３６秒間の成膜を行って、アルミニウムからなる第一層１３を基材１１上に成膜した。
【００３４】
次に、このアルミニウムから成る第一層１３の上に金属酸化膜から成る第二層１４をウェットコーティング法によって成膜した。具体的な成膜に際しては、ウェットコーティング法である浸漬引き上げ法（ディップコーティング法）を用いて、二酸化ケイ素（ＳｉＯ２）膜を第一層１３の上に成膜した。即ち、図２に示すように、有機ケイ素化合物を数ｗｔ％含むゾル状塗布液８を浸漬槽７に貯留して準備した。ここで、溶媒としてはエチルアルコールを用いた。このＳｉＯ２を原料物質として含む塗布液８に第一層１３が形成された基材１１を浸漬し、その後３．７ｍｍ／ｓｅｃの速度で引き上げた。基材１１の全体が引き上げられた後に電気炉を用いて大気圧中で５００℃で加熱し乾燥させて、二酸化ケイ素（ＳｉＯ２）膜を第一層１３の上に成膜した。
【００３５】
更に、この二酸化ケイ素（ＳｉＯ２）から成る第二層１４の上に金属酸化膜から成る第三層１５をウェットコーティング法によって成膜した。具体的な成膜に際しては、ウェットコーティング法である浸漬引き上げ法（ディップコーティング法）を用いて、酸化チタン（ＴｉＯ２）膜を第二層１４の上に成膜した。即ち、図２に示すように、有機チタン化合物を数ｗｔ％含むゾル状塗布液８を浸漬槽７に貯留して準備した。ここで、溶媒としてはエチルアルコールを用いた。この酸化チタン（ＴｉＯ２）を原料物質として含む塗布液８に第二層１４が形成された基材１１を浸漬し、その後１．８ｍｍ／ｓｅｃの速度で引き上げた。基材１１の全体が引き上げられた後に電気炉を用いて大気圧中で５００℃で加熱し乾燥させて、酸化チタン（ＴｉＯ２）膜を第二層１４の上に成膜した。
【００３６】
このようにして、図１に示すように、凹型形状を有する基材１１上に、ドライコーティング法により成膜されたアルミニウムからなる第一層１３と、ウェットコーティング法により成膜された二酸化ケイ素（ＳｉＯ２）から成る第二層１４と、ウェットコーティング法により成膜された酸化チタン（ＴｉＯ２）から成る第三層１５を得て、それらからなる増反射膜１２を実施例１とした。
【００３７】
なお、第二層１４は、ＭｇＦ２膜により構成してもよい。但し、その場でも、ＭｇＦ２膜は、ウェットコーティング法である浸漬引き上げ法（ディップコーティング法）を用いて成膜するのが好ましい。成膜材料には、例えばフッ化マグネシウム（ＭｇＦ２）微粒子を数ｗｔ％含むゾル状塗布液（溶媒はエチルアルコール）を用いる。塗布液からの基材の引上げ速度は数ｍｍ／ｓｅｃの速度を適宜選定し、電気炉を用いて大気圧中で４００℃で加熱し乾燥させる。
【００３８】
また、第三層１５は、酸化ニオブ（Ｎｂ２Ｏ５）膜により構成してもよい。但し、その場合でも、Ｎｂ２Ｏ５膜は、ウェットコーティング法である浸漬引き上げ法（ディップコーティング法）を用いて成膜するのが好ましい。成膜材料には、例えばＮｂ２Ｏ５微粒子を数ｗｔ％含むゾル状塗布液（溶媒はエチルアルコール）を用いる。塗布液からの基材の引上げ速度は数ｍｍ／ｓｅｃの速度を適宜選定し、電気炉を用いて大気圧中で４００℃で加熱し乾燥させる。
【００３９】
＜比較例１＞
実施例１と同一の凹型形状を有する基材１１を準備した。この基材１１上に実施例１と同一の手順及び材料から成る真空蒸着法によりアルミニウムからなる第一層１３を成膜した。
【００４０】
次に、このアルミニウムから成る第一層１３の上に、ドライコーティング法である真空蒸着法を用いて二酸化ケイ素（ＳｉＯ２）膜を成膜した。即ち、図３に示すように、真空容器２内の上部ホルダ３に第一層１３が形成された基材１１を設置し、その真空容器２内の下部における蒸着源４に成膜材料５である二酸化ケイ素を設置した。そして、排気管６から排気して真空容器２内部を減圧し、真空度３．５×１０−３Ｐａまで到達させた。そのような真空中で基材１１を２５０℃まで加熱し、成膜材料である二酸化ケイ素は電子銃を用いて溶融・蒸発、昇華させて、蒸発、昇華した粒子（原子・分子）を第一層１３の表面に付着・堆積させて薄膜を形成した。その成膜速度は毎秒１ｎｍとし、８６秒間の成膜を行って、二酸化ケイ素からなる第二層１４を第一層１３上に成膜した。
【００４１】
更に、この二酸化ケイ素（ＳｉＯ２）から成る第二層１４の上に、ドライコーティング法である真空蒸着法を用いて酸化チタン（ＴｉＯ２）膜を成膜した。即ち、図３に示すように、真空容器２内の上部ホルダ３に第一及び第二層１３，１４が形成された基材１１を設置し、その真空容器２内の下部における蒸着源４に成膜材料５である酸化チタン（ＴｉＯ２）を設置した。そして、排気管６から排気して真空容器２内部を減圧し、真空度３．５×１０−３Ｐａまで到達させた。そのような真空中で基材１１を２５０℃まで加熱し、導入ガスは酸素を用いて真空度を１．８×１０−２Ｐａ一定にし、成膜材料である酸化チタン（ＴｉＯ２）は電子銃を用いて溶融・蒸発、昇華させて、蒸発、昇華した粒子（原子・分子）を第二層１４の表面に付着・堆積させて薄膜を形成した。その成膜速度は毎秒１．４ｎｍとし、４３秒間の成膜を行って、酸化チタン（ＴｉＯ２）から成る第三層１５を第二層１４上に成膜した。
【００４２】
このようにして、凹型形状を有する基材１１上に、アルミニウムからなる第一層１３と、二酸化ケイ素（ＳｉＯ２）から成る第二層１４と、酸化チタン（ＴｉＯ２）から成る第三層１５を、ドライコーティング法である真空蒸着法を用いて形成して、それらからなる増反射膜１２を比較例１とした。
【００４３】
なお、上記説明で第二層１４はフッ化マグネシウム（ＭｇＦ２）膜に、第三層１５は酸化ニオブ（Ｎｂ２Ｏ５）膜にそれぞれ置き換えてもよい。但し、その場合でも、第二層１４および第三層１５は、いずれもドライコーティング法である真空蒸着法を用いて成膜する。
【００４４】
＜比較試験及び結果＞
基材１１の内面に形成された実施例１及び比較例１における増反射膜１２の、図１の矢視Ａで示すように、椀状を成す内底部近傍における反射率と、図１の矢視Ｂで示すように、その椀状を成す縁部内周における反射率を、分光光度計を用いてそれぞれ測定した。
【００４５】
その結果、実施例１の内底部近傍における反射率を図４に示し、その椀状を成す縁部内周における反射率を図５に示す。また、比較例１の内底部近傍における反射率を図６に示し、その椀状を成す縁部内周における反射率を図７に示す。
【００４６】
＜評価＞
図６から明らかなように、比較例１では、基材１１の内底部近傍における増反射膜１２において、可視光の波長域の全てに亘って山形を示す反射率となっており、その極大値は図６の矢印で示すように４５０ｎｍ付近にて生じていることが判る。しかし、図７から明らかなように、比較例１では、その縁部内周における反射率において、可視光の波長域の中央部分で反射率が最低値を示し、短波長側と長波長側において山形を示す反射率となっていることが判る。そして、長波長側における極大値は、図７の矢印で示すように７５０ｎｍ付近で生じていることが判る。
【００４７】
従って、この比較例１にあっては、その内底部近傍における反射率の極大値を示す波長と、その縁部内周における反射率の極大値を示す波長との差は３００ｎｍとなり、反射面全域における反射率があまり均一でないことが判る。
【００４８】
これは、基材１１の形状が立体的であるにもかかわらず、比較例１では、ドライコーティング法により第一ないし第三層１５を成膜して増反射膜１２を形成したことによるものと考えられる。即ち、比較例１では、形成された増反射膜１２の膜厚が、その内底部では所望の厚さで形成されて、所望の反射率を得たけれども、蒸着物質が回り込む必要のある縁部内周では、所望の膜厚に達せずに、その内底部との間に膜厚のばらつきが生じ、それにより反射率の極大値がずれたものと考えられる。
【００４９】
これに対して、実施例１では、図４から明らかなように、基材１１の内底部近傍における増反射膜１２において、比較例１と同様に可視光の波長域の全てに亘って山形を示す反射率となっている。けれども、その極大値は図４の矢印で示すように５００ｎｍ付近にて生じていることが判る。
【００５０】
一方、実施例１では、図５から明らかなように、基材１１の縁部内周における増反射膜１２において、比較例１と同様に、短波長側と長波長側において山形を示す反射率となっていることが判る。けれども、短波長側における山は４００ｎｍ未満の範囲であり、可視光範囲の大部分を示す４００ｎｍ以上の長波長側において極大値を示し、その極大値は図５の矢印で示すように５５０ｎｍ付近で生じていることが判る。
【００５１】
従って、この実施例１にあっては、その内底部近傍における反射率の極大値を示す波長と、その縁部内周における反射率の極大値を示す波長との差は５０ｎｍとなり、その差が比較的小さなことから、反射面全域における反射率は少なくとも比較例１のものよりも均一であることが判る。よって、本発明にあっては、立体的基材１１の形状が複雑であっても、均一な反射率を生じさせる増反射膜１２を形成することが可能になることが判る。
【００５２】
これは、基材１１の形状が立体的であるので、実施例１では、ウェットコーティングにより第二層１４及び第三層１５を成膜して増反射膜１２を形成したことによるものと考えられる。即ち、実施例１では、第二層１４及び第三層１５をウェットコーティング法により成膜したので、比較例１で行ったドライコーティング法に比較して、第二層１４及び第三層１５を略均一な膜厚分布で成膜できたことによるものと考えられる。
【００５３】
なお、増反射膜１２において、第二層１４を、ウェットコーティング法を用いて形成したＭｇＦ２膜により構成し、第三層１５を、ウェットコーティング法を用いて形成した酸化ニオブ（Ｎｂ２Ｏ５）膜により構成した場合でも実施例１と同様の効果が確認できた。
【符号の説明】
【００５４】
１１  基材
１２  増反射膜
１３  第一層
１４  第二層
１５  第三層
【図１】
2015175864.tif 000003
【図２】
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【図３】
2015175864.tif 000005
【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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