(57)【要約】【課題】ウェーハやデバイス、切削ブレードの破損を防ぐことができるウェーハの加工方法を提供する。【解決手段】デバイス領域（１３）に対応するウェーハ（１１）の裏面（１１ｂ）を研削し、所定の仕上げ厚み（Ｔ）へと薄化して、ウェーハの裏面側にデバイス領域に対応する凹部（２３）を形成するとともに外周余剰領域に対応した環状凸部（２５）を形成する研削ステップと、研削ステップを実施する前に、デバイス領域と外周余剰領域（１５）との境界からウェーハの中心に向かう所定の幅を有した環状改質層（２７）を形成する改質層形成ステップと、研削ステップを実施した後、境界を切削ブレード（２０）で環状に切削してデバイス領域と外周余剰領域とを分断する分断溝を形成する切削ステップと、を備える構成とした。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
表面に複数のデバイスが形成されたデバイス領域と、該デバイス領域を囲繞する外周余剰領域とを有するウェーハの加工方法であって、
該デバイス領域に対応するウェーハの裏面を研削砥石で研削し所定の仕上げ厚みへと薄化してウェーハの裏面側に該デバイス領域に対応する凹部を形成するとともに該外周余剰領域に対応した環状凸部を形成する研削ステップと、
該研削ステップを実施する前に、ウェーハに対して透過性を有する波長のレーザービームの集光点を該仕上げ厚みに対応する深さ位置よりウェーハの裏面側に位置付けて該レーザービームを照射し、該デバイス領域と該外周余剰領域との境界からウェーハの中心に向かう所定の幅を有した環状改質層を形成する改質層形成ステップと、
該研削ステップを実施した後、該境界を切削ブレードで環状に切削して該デバイス領域と該外周余剰領域とを分断する分断溝を形成する切削ステップと、を備えたことを特徴とするウェーハの加工方法。
【請求項２】
該環状改質層の該所定の幅は、該研削ステップにおいて該凹部の底面と側面との交差部に該研削砥石で形成されるＲ形状の幅に対応することを特徴とする請求項１に記載のウェーハの加工方法。
【請求項３】
該研削ステップは、粗研削砥石で該デバイス領域に対応するウェーハの裏面を研削し第一の厚みへと薄化することでウェーハの裏面に第一凹部を形成する粗研削ステップと、
該粗研削ステップを実施した後、該粗研削砥石より細かい砥粒を含む仕上げ研削砥石で該第一凹部の中央を研削して該所定の仕上げ厚みへと薄化し、該デバイス領域の直径よりも小さい直径の第二凹部を形成する仕上げ研削ステップと、を含むことを特徴とする請求項１又は請求項２に記載のウェーハの加工方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、シリコン等の材料でなるウェーハを薄く加工する加工方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、小型軽量なデバイスを実現するために、シリコン等の材料でなるウェーハを薄く加工することが求められている。ウェーハは、例えば、表面のストリート（分割予定ライン）で区画される各領域にＩＣ等のデバイスを形成した後、裏面側を研削することで薄化される。
【０００３】
ところで、ウェーハを研削によって薄化すると、剛性は大幅に低下して後工程での取り扱いが難しくなる。そのため、中央のデバイス領域に対応するウェーハの裏面側のみを研削して外周部分の厚みを維持することで、研削後のウェーハに所定の剛性を残す加工方法が提案されている（例えば、特許文献１参照）。
【０００４】
この加工方法では、例えば、ウェーハより小径の研削ホイールを用いてウェーハの裏面側を研削し、デバイス領域に対応する凹部を形成する。ウェーハの剛性は、デバイス領域を囲む外周余剰領域の裏面側に残存する環状の補強部（環状凸部）によって保たれる。なお、環状の補強部は、後工程の終了後に切削等の方法で除去される。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２００７−１９３７９号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
上述したデバイス領域に対応する凹部は、底面と側面とを曲面で接続した形状に形成されることが多い。このような形状の凹部が形成されるのは、研削ホイールに装着された研削砥石の角部が研削の進行と共に摩耗して丸みを帯びるためである。すなわち、摩耗によって研削砥石の角部に形成される丸みがウェーハに転写され、凹部の底面と側面との接続部分に曲面形状（Ｒ形状）を発生させる。
【０００７】
環状の補強部は、通常、凹部の底面と側面との接続部分に切削ブレードを切り込ませることで除去されている。しかしながら、上述のような曲面形状の接続部分に切削ブレードを切り込ませると、曲面形状に起因する曲げ方向の力が加わって、切削ブレードは湾曲してしまう。
【０００８】
湾曲した切削ブレードでウェーハを切削すると、加工幅が広くなってデバイスを破損させるおそれがある。また、曲げ方向の力によって、ウェーハや切削ブレードが破損してしまうこともある。
【０００９】
本発明はかかる問題点に鑑みてなされたものであり、その目的とするところは、ウェーハやデバイス、切削ブレードの破損を防ぐことができるウェーハの加工方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本発明によれば、表面に複数のデバイスが形成されたデバイス領域と、該デバイス領域を囲繞する外周余剰領域とを有するウェーハの加工方法であって、該デバイス領域に対応するウェーハの裏面を研削砥石で研削し所定の仕上げ厚みへと薄化してウェーハの裏面側に該デバイス領域に対応する凹部を形成するとともに該外周余剰領域に対応した環状凸部を形成する研削ステップと、該研削ステップを実施する前に、ウェーハに対して透過性を有する波長のレーザービームの集光点を該仕上げ厚みに対応する深さ位置よりウェーハの裏面側に位置付けて該レーザービームを照射し、該デバイス領域と該外周余剰領域との境界からウェーハの中心に向かう所定の幅を有した環状改質層を形成する改質層形成ステップと、該研削ステップを実施した後、該境界を切削ブレードで環状に切削して該デバイス領域と該外周余剰領域とを分断する分断溝を形成する切削ステップと、を備えたことを特徴とするウェーハの加工方法が提供される。
【００１１】
本発明において、該環状改質層の該所定の幅は、該研削ステップにおいて該凹部の底面と側面との交差部に該研削砥石で形成されるＲ形状の幅に対応することが好ましい。
【００１２】
また、本発明において、該研削ステップは、粗研削砥石で該デバイス領域に対応するウェーハの裏面を研削し第一の厚みへと薄化することでウェーハの裏面に第一凹部を形成する粗研削ステップと、該粗研削ステップを実施した後、該粗研削砥石より細かい砥粒を含む仕上げ研削砥石で該第一凹部の中央を研削して該所定の仕上げ厚みへと薄化し、該デバイス領域の直径よりも小さい直径の第二凹部を形成する仕上げ研削ステップと、を含むことが好ましい。
【発明の効果】
【００１３】
本発明のウェーハの加工方法は、ウェーハの裏面側に凹部を形成する研削ステップを実施する前に、デバイス領域と外周余剰領域との境界に所定の幅の環状改質層を形成する改質層形成ステップを実施するので、デバイス領域と外周余剰領域とを分断する切削ステップを実施する段階において、デバイス領域と外周余剰領域との境界は環状改質層で脆弱化された状態となる。
【００１４】
そのため、切削ステップにおいてデバイス領域と外周余剰領域との境界に切削ブレードを切り込ませると、研削ステップで形成されるＲ形状は容易に削り取られ、切削ブレードに曲げ方向の力が加わることはない。これにより、ウェーハやデバイス、切削ブレードの破損を防ぐことができる。
【図面の簡単な説明】
【００１５】
【図１】図１（Ａ）は、改質層形成ステップを模式的に示す一部断面側面図であり、図１（Ｂ）は、改質層が形成されたウェーハの断面を模式的に示す断面図である。
【図２】研削ステップを模式的に示す斜視図である。
【図３】切削ステップを模式的に示す一部断面側面図である。
【図４】図４（Ａ）は、粗研削ステップを実施した後のウェーハの断面を模式的に示す断面図であり、図４（Ｂ）は、仕上げ研削ステップを実施した後のウェーハの断面を模式的に示す断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１６】
添付図面を参照して、本発明の実施の形態について説明する。本実施の形態に係るウェーハの加工方法は、改質層形成ステップ（図１参照）、研削ステップ（図２参照）、切削ステップ（図３参照）を含む。
【００１７】
改質層形成ステップでは、ウェーハに吸収され難い波長のレーザービーム（透過性のレーザービーム）をデバイス領域と外周余剰領域との境界に照射して、環状の改質層（環状改質層）を形成する。
【００１８】
研削ステップでは、ウェーハの裏面側を研削して、デバイス領域に対応する凹部を形成するとともに、環状の補強部（環状凸部）を残存させる。切削ステップでは、デバイス領域と外周余剰領域との境界を切削ブレードで切削し、デバイス領域と外周余剰領域とを分断する。以下、本実施の形態に係るウェーハの加工方法について詳述する。
【００１９】
図１（Ａ）は、改質層形成ステップを模式的に示す一部断面側面図であり、図１（Ｂ）は、改質層が形成されたウェーハの断面を模式的に示す断面図である。図１（Ａ）及び図１（Ｂ）に示すように、ウェーハ１１は、例えば、シリコン等の材料でなる円盤状の半導体ウェーハであり、表面１１ａは、中央のデバイス領域１３と、デバイス領域１３を囲む外周余剰領域１５とに分けられる。
【００２０】
デバイス領域１３は、格子状に配列されたストリート（分割予定ライン）１７でさらに複数の領域に区画されており、各領域にはＩＣ等のデバイス１９が形成されている。ウェーハ１１の外周１１ｃは面取り加工されており、断面形状は円弧状である。本実施の形態のウェーハの加工方法では、このウェーハ１１の裏面１１ｂ側を研削し、所定の仕上げ厚みＴまで薄く加工する。
【００２１】
ここで、デバイス領域１３に対応するウェーハ１１の研削予定領域２１を裏面１１ｂ側から研削して、凹部２３（図２参照）を形成するとともに、外周余剰領域１５に対応する環状の補強部（環状凸部）２５を残存させる従来の加工方法について考察する。
【００２２】
この加工方法でウェーハ１１を加工すると、凹部２３は、底面２３ａ（図３参照）と側面２３ｂ（図３参照）とが曲面で接続された形状に形成される。このように、底面２３ａと側面２３ｂとの接続部分（交差部）２３ｃ（図３参照）が曲面形状（Ｒ形状）になるのは、研削に使用される研削砥石１６ｂ（図２参照）の角部が研削の進行とともに摩耗して丸みを帯びるためである。
【００２３】
底面２３ａと側面２３ｂとの接続部分２３ｃが曲面形状になると、切削ステップで切削ブレード２０（図３参照）を切り込ませる際に切削ブレード２０に曲げ方向（深さ方向と垂直な方向）の力が加わり、切削ブレード２０は湾曲する。このような曲げ方向の力は、ウェーハ１１やデバイス１９、切削ブレード２０に様々な不具合を引き起こす。
【００２４】
そこで、本実施の形態のウェーハの加工方法では、まず、ウェーハ１１に吸収され難い波長のレーザービームＬを、凹部２３の底面２３ａとなる第１境界面２１ａと、凹部の側面２３ｂとなる第２境界面２１ｂとの接続部分（交差部）２１ｃに照射して、環状の改質層（環状改質層）２７を形成する改質層形成ステップを実施する。
【００２５】
改質層２７により、後の研削ステップで形成される接続部分２３ｃが脆弱化されるので、切り込ませた切削ブレード２０で曲面形状は容易に削り取られ、切削ブレード２０に曲げ方向の力が加わるのを防ぐことができる。
【００２６】
この改質層形成ステップは、例えば、図１（Ａ）に示すレーザー加工装置２で実施される。レーザー加工装置２は、ウェーハ１１を吸引保持するチャックテーブル（不図示）を備えている。チャックテーブルは、モータ等の回転機構と連結されており、鉛直方向に伸びる回転軸の周りに回転する。また、チャックテーブルの下方には、移動機構が設けられており、チャックテーブルは、この移動機構で水平方向に移動する。
【００２７】
チャックテーブルの上面は、ウェーハ１１の表面１１ａ側を吸引保持する保持面となっている。この保持面には、チャックテーブルの内部に形成された流路を通じて吸引源の負圧が作用し、ウェーハ１１を吸引する吸引力が発生する。
【００２８】
チャックテーブルの上方には、レーザー加工ヘッド４が配置されている。レーザー加工ヘッド４は、レーザー発振器（不図示）で発振されたレーザービームＬを、チャックテーブルに吸引保持されたウェーハ１１の内部に集光させる。レーザー発振器は、ウェーハ１１に吸収され難い波長のレーザービームＬ（透過性を有する波長のレーザービームＬ）を発振できるように構成されている。
【００２９】
改質層形成ステップでは、まず、ウェーハ１１の表面１１ａ側をチャックテーブルに吸引保持させる。これにより、ウェーハ１１の裏面１１ｂ側が上方に露出する。なお、ウェーハ１１をチャックテーブルに載置する前には、ウェーハ１１の表面１１ａ側に保護部材３１（図２参照）を貼着しておくことが好ましい。
【００３０】
次に、チャックテーブルを移動、回転させて、レーザー加工ヘッド４をデバイス領域１３と外周余剰領域１５との境界上に位置付ける。また、レーザービームＬの集光点Ｐがウェーハ１１の仕上げ厚みＴに対応する深さ位置より僅かに上方（ウェーハ１１の裏面１１ｂ側）に位置付けられるように、レーザー加工ヘッド４を調整しておく。
【００３１】
その後、レーザー加工ヘッド４からウェーハ１１の裏面１１ｂに向けてレーザービームＬを照射するとともに、チャックテーブルを回転させる。これにより、デバイス領域１３と外周余剰領域１５との境界にレーザービームＬを照射して、環状の改質層２７を形成できる。
【００３２】
改質層２７は、少なくとも、デバイス領域１３と外周余剰領域１５との境界からウェーハ１１の中心に向かって所定の幅を有するように形成される。つまり、改質層２７は、ウェーハ１１の径方向に所定の幅を有している。この改質層２７の幅は、後の研削ステップにおいて凹部２３の底面２３ａと側面２３ｂとの接続部分２３ｃに形成される曲面形状の幅に対応していることが好ましい。もちろん、改質層２７の幅は、曲面形状の幅より大きくても良い。
【００３３】
このような幅の改質層２７を形成することで、接続部分２３ｃに形成される曲面形状の全体を脆弱化できる。その結果、切削ブレード２０で接続部分２３ｃの曲面形状を適切に削り取って、切削ブレード２０に曲げ方向の力が加わるのを防止できる。
【００３４】
改質層形成ステップの後には、ウェーハ１１の裏面１１ｂ側を研削して、デバイス領域１３に対応する凹部２３を形成するとともに、環状の補強部２５を残存させる研削ステップを実施する。図２は、研削ステップを模式的に示す斜視図である。
【００３５】
研削ステップは、例えば、図２に示す研削装置６で実施される。研削装置６は、ウェーハ１１を吸引保持する保持テーブル８を備えている。保持テーブル８は、モータ等の回転機構（不図示）と連結されており、鉛直方向に伸びる回転軸の周りに回転する。また、保持テーブル８の下方には、移動機構（不図示）が設けられており、保持テーブル８は、この移動機構で水平方向に移動する。
【００３６】
保持テーブル８の表面（上面）は、ウェーハ１１を吸引保持する保持面となっている。この保持面には、保持テーブル８の内部に形成された流路（不図示）を通じて吸引源（不図示）の負圧が作用し、ウェーハ１１を吸引する吸引力が発生する。
【００３７】
保持テーブル８の上方には、研削機構１０が配置されている。研削機構１０は、昇降機構（不図示）に支持されたスピンドルハウジング１２を備えている。スピンドルハウジング１２には、モータ等の回転機構（不図示）と連結されたスピンドル１４が回転可能に支持されている。スピンドル１４は、回転機構から伝達される回転力で鉛直方向に伸びる回転軸の周りに回転し、昇降機構によってスピンドルハウジング１２とともに昇降する。
【００３８】
スピンドル１４の下端側には、ウェーハ１１より小径の研削ホイール１６が装着されている。研削ホイール１６は、アルミニウム、ステンレス等の金属材料で形成されたホイール基台１６ａを備えている。ホイール基台１６ａの円環状の下面には、全周にわたって複数の研削砥石１６ｂが固定されている。
【００３９】
研削ステップでは、まず、ウェーハ１１の表面１１ａ側を保持テーブル８に吸引保持させる。これにより、ウェーハ１１の裏面１１ｂ側が上方に露出する。なお、ウェーハ１１の表面１１ａ側は、保護部材３１で保護されている。
【００４０】
次に、保持テーブル８を移動させて、研削砥石１６ｂの外周縁をデバイス領域１３と外周余剰領域１５との境界上に位置付ける。その後、研削ホイール１６と保持テーブル８とを回転させて、スピンドル１４を下降させる。スピンドル１４の下降量は、ウェーハ１１の裏面１１ｂに研削砥石１６ｂの下面が押し付けられる程度とする。
【００４１】
以上により、デバイス領域１３に対応するウェーハ１１の研削予定領域２１を裏面１１ｂ側から研削して、凹部２３を形成するとともに、外周余剰領域１５に対応する環状の補強部（環状凸部）２５を残存させることができる。すなわち、研削ステップでは、ウェーハ１１の裏面１１ｂ側に凹部２３及び環状の補強部２５が形成される。
【００４２】
この研削ステップは、ウェーハ１１（ウェーハ１１のデバイス領域１３に対応する部分）が仕上げ厚みＴまで研削されると終了する。ウェーハ１１を仕上げ厚みＴまで研削した後には、ウェーハ１１を保持テーブル８から搬出して、表面１１ａ側に貼着された保護部材３１を除去すると良い。
【００４３】
研削ステップの後には、デバイス領域１３と外周余剰領域１５との境界を切削ブレード２０で切削し、デバイス領域１３と外周余剰領域１５とを分断する切削ステップを実施する。図３は、切削ステップを模式的に示す一部断面側面図である。
【００４４】
切削ステップは、例えば、図３に示す切削装置１８で実施される。切削装置１８は、ウェーハ１１を吸引保持するチャックテーブル（不図示）を備えている。チャックテーブルは、モータ等の回転機構と連結されており、鉛直方向に伸びる回転軸の周りに回転する。また、チャックテーブルの下方には、加工送り機構（不図示）が設けられており、チャックテーブルは、この加工送り機構で加工送り方向に移動する。
【００４５】
チャックテーブルの上面は、ウェーハ１１の表面１１ａ側を吸引保持する保持面となっている。この保持面には、チャックテーブルの内部に形成された流路を通じて吸引源の負圧が作用し、ウェーハ１１を吸引する吸引力が発生する。
【００４６】
チャックテーブルの上方には、ウェーハ１１を切削する円環状の切削ブレード２０が配置されている。この切削ブレード２０は、水平方向に伸びる回転軸の周りに回転するスピンドル２２の一端側に装着されている。
【００４７】
切削ブレード２０は、例えば、金属や樹脂等のボンド材（結合材）に、ダイヤモンドやＣＢＮ（Cubic  Boron  Nitride）等の砥粒を混合して所定厚みの環状に形成されている。スピンドル２２の他端側にはモータ（不図示）が連結されており、スピンドル２２に装着された切削ブレード２０は、このモータの回転力で回転する。
【００４８】
スピンドル２２及び切削ブレード２０は、昇降機構（不図示）で支持されており、鉛直方向に移動（昇降）する。また、昇降機構の下方には、割り出し送り機構（不図示）が設けられており、切削ブレード２０は、この割り出し送り機構で割り出し送り方向に移動する。
【００４９】
切削ステップでは、まず、ウェーハ１１より大径のダイシングテープ３３をウェーハ１１の表面１１ａ側に貼着する。ダイシングテープ３３の外周部分には、環状のフレーム３５を固定しておく。次に、ウェーハ１１の表面１１ａ側をチャックテーブルに吸引保持させる。これにより、ウェーハ１１の裏面１１ｂ側が上方に露出する。
【００５０】
次に、チャックテーブルを移動、回転させて、切削ブレード２０をデバイス領域１３と外周余剰領域１５との境界上に位置付ける。その後、切削ブレード２０を回転させて、ウェーハ１１に切り込ませるとともに、チャックテーブルを回転させる。これにより、デバイス領域１３と外周余剰領域１５とを分断する環状の分断溝を形成できる。デバイス領域１３と外周余剰領域１５とが分断されると、切削ステップは終了する。
【００５１】
上述のように、本実施の形態に係るウェーハの加工方法では、ウェーハ１１の裏面１１ｂ側に凹部２３を形成する研削ステップを実施する前に、デバイス領域１３と外周余剰領域１５との境界に所定の幅の環状の改質層（環状改質層）２７を形成する改質層形成ステップを実施している。よって、デバイス領域１３と外周余剰領域１５とを分断する切削ステップを実施する段階において、デバイス領域１３と外周余剰領域１５との境界は改質層２７で脆弱化された状態となる。
【００５２】
そのため、切削ステップにおいてデバイス領域１３と外周余剰領域１５との境界に切削ブレード２０を切り込ませると、研削ステップで接続部分２３ｃに形成される曲面形状（Ｒ形状）は容易に粉砕され、切削ブレード２０に曲げ方向の力が加わることはない。これにより、ウェーハ１１やデバイス１９、切削ブレード２０の破損を防ぐことができる。
【００５３】
なお、本発明は上記実施の形態の記載に限定されず、種々変更して実施可能である。例えば、研削ステップは、ウェーハ１１を研削する複数の工程を含んでも良い。以下の変形例では、粗研削ステップ及び仕上げ研削ステップの２つのステップを含む研削ステップについて説明する。
【００５４】
図４（Ａ）は、粗研削ステップを実施した後のウェーハ１１の断面を模式的に示す断面図であり、図４（Ｂ）は、仕上げ研削ステップを実施した後のウェーハ１１の断面を模式的に示す断面図である。
【００５５】
変形例に係る研削ステップでは、まず、ウェーハ１１の裏面１１ｂ側を粗研削する粗研削ステップを実施する。この粗研削ステップは、上述した研削装置６と同様の研削装置で実施できる。ただし、研削砥石１６ｂとしては、粗い砥粒を含む粗研削砥石（不図示）を用いる。
【００５６】
粗研削ステップでは、上述した粗研削砥石でウェーハ１１の裏面１１ｂ側を研削し、デバイス領域１３に対応する領域を仕上げ厚みＴより厚い第一の厚みまで加工する。これにより、デバイス領域１３に対応する領域に第一凹部４１が形成されるとともに、外周余剰領域１５に対応する領域には、環状の補強部（環状凸部）４３が残存する。
【００５７】
粗研削ステップの後には、第一凹部４１の中央を研削する仕上げ研削ステップを実施する。この仕上げ研削ステップも、上述した研削装置６と同様の研削装置で実施できる。ただし、研削砥石１６ｂとしては、粗研削ステップで使用される粗研削砥石より細かい砥粒を含む仕上げ研削砥石（不図示）を用いる。
【００５８】
仕上げ研削ステップでは、上述した仕上げ研削砥石で第一凹部４１の底面の中央を研削し、仕上げ厚みＴまで加工する。これにより、デバイス領域１３より僅かに径の小さい第二凹部４５を形成できる。
【００５９】
上述した研削ステップの後には、デバイス領域１３と外周余剰領域１５とを分断する切削ステップを実施すれば良い。なお、この変形例では、ウェーハ１１を第二凹部４５の内側領域と外側領域とに分断することも可能である。この場合には、環状の改質層２７を、第二凹部４５の輪郭に対応する領域に形成することが好ましい。
【００６０】
その他、上記実施の形態に係る構成、方法などは、本発明の目的を逸脱しない限りにおいて適宜変更して実施できる。
【符号の説明】
【００６１】
２  レーザー加工装置
４  レーザー加工ヘッド
６  研削装置
８  保持テーブル
１０  研削機構
１２  スピンドルハウジング
１４  スピンドル
１６  研削ホイール
１６ａ  ホイール基台
１６ｂ  研削砥石
１８  切削装置
２０  切削ブレード
２２  スピンドル
１１  ウェーハ
１１ａ  表面
１１ｂ  裏面
１１ｃ  外周
１３  デバイス領域
１５  外周余剰領域
１７  ストリート（分割予定ライン）
１９  デバイス
２１  研削予定領域
２１ａ  第１境界面
２１ｂ  第２境界面
２１ｃ  接続部分（交差部）
２３  凹部
２３ａ  底面
２３ｂ  側面
２３ｃ  接続部分（交差部）
２５  補強部（環状凸部）
２７  改質層（環状改質層）
３１  保護部材
３３  ダイシングテープ
３５  フレーム
４１  第一凹部
４３  補強部（環状凸部）
４５  第二凹部
Ｌ  レーザービーム
Ｐ  集光点
Ｔ  仕上げ厚み
【図１】
2015138951.tif 000003
【図２】
2015138951.tif 000004
【図３】
2015138951.tif 000005
【図４】
2015138951.tif 000006