(57)【要約】      （修正有）【課題】例えば、エッチングによってカンチレバーを形成する場合において、エッチングに用いるマスクの開口率が増大することを抑制できるとともに、カンチレバーの変形特性がばらつくことを抑制できる流量センサ素子、及びそのような流量センサ素子を用いた流量センサモジュールを提供する。【解決手段】流量センサ素子１の一つの態様は、一面側に開口する開口部７０が形成された基板２と、開口部７０に臨んで設けられ、所定方向に弾性変形可能なカンチレバー１０と、を備え、カンチレバー１０は、基板２と接続される接続部と、接続部から一方側に延出する平板部１３と、を備え、開口部７０の平面視形状は、平面視において接続部と交差し、かつ、平板部１３が延出する延出方向と垂直な直線部７１と、直線部７１より平板部１３の延出側に設けられ、延出方向と垂直な幅方向の長さが、直線部の長さより小さい幅狭部と、を含むことを特徴とする。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
一面側に開口する開口部が形成された基板と、
前記開口部に臨んで設けられ、所定方向に弾性変形可能なカンチレバーと、
を備え、
前記カンチレバーは、前記基板と接続される接続部と、前記接続部から一方側に延出する平板部と、を備え、
前記開口部の平面視形状は、
平面視において前記接続部と交差し、かつ、前記平板部が延出する延出方向と垂直な直線部と、
前記直線部より前記平板部の延出側に設けられ、前記延出方向と垂直な幅方向の長さが、前記直線部の長さより小さい幅狭部と、
を含むことを特徴とする流量センサ素子。
【請求項２】
前記開口部の平面視形状は、前記直線部を下底とする台形状である、請求項１に記載の流量センサ素子。
【請求項３】
前記開口部の平面視形状は、前記カンチレバーの前記幅方向の中心を通り、かつ、前記延出方向に平行な延出方向中心線に対して線対称である、請求項１または２に記載の流量センサ素子。
【請求項４】
前記開口部の平面視形状は、前記開口部の前記延出方向の中心を通り、かつ、前記幅方向に平行な幅方向中心線に対して非線対称である、請求項１から３のいずれか一項に記載の流量センサ素子。
【請求項５】
前記基板の平面視面積に対する、前記開口部の平面視面積の占める割合は、２％以下である、請求項１から４のいずれか一項に記載の流量センサ素子。
【請求項６】
前記基板は、支持基板と、前記支持基板上に形成された電気絶縁性を有する絶縁層と、前記絶縁層上に形成された半導体層と、を備え、
前記半導体層上には、電気抵抗を有する抵抗層が形成され、
前記抵抗層上には、導電性を有する導電層が形成され、
前記カンチレバーは、前記半導体層と、前記抵抗層と、前記導電層と、を備える、請求項１から５のいずれか一項に記載の流量センサ素子。
【請求項７】
請求項１から６のいずれか一項に記載の流量センサ素子を備えることを特徴とする流量センサモジュール。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、流量センサ素子、及び流量センサモジュールに関する。
【背景技術】
【０００２】
カンチレバーを用いたセンサが提案されている（例えば、特許文献１）。
特許文献１では、基板と絶縁層とＳｉ層とからなる積層構造のＳＯＩ（Ｓｉｌｉｃｏｎ  Ｏｎ  Ｉｎｓｕｌａｔｏｒ）基板をエッチングすることによってカンチレバーを形成する方法が開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２０１２−１４５３５６号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかし、上記のようなカンチレバーを形成する方法では、ＳＯＩ基板をエッチングする際に、例えば、マスクの開口形状の角部に相当する部分が、丸みを持ってパターニングされてしまう場合がある。このような場合においては、カンチレバーのＳＯＩ基板との接続部が丸みを持った部分と重なり、カンチレバーの変形特性を変化させてしまう場合があった。これにより、形成されるカンチレバーの変形特性がばらついてしまうという問題があった。
【０００５】
この問題に対して、例えば、マスクの開口形状の大きさを、カンチレバーの大きさに比べて十分に大きくすれば、丸みを持って形成される部分がカンチレバーの接続部に重なることを抑制でき、カンチレバーの変形特性のばらつきを抑制できる。しかし、この場合においては、エッチングに用いるマスクの開口率が大きくなるため、同じ条件でエッチングを行う場合、基板の形成材料のエッチングレートが低下してしまうという問題がある。また、基板の形成材料のエッチングレートの低下に伴って、マスクの形成材料（例えば、フォトレジスト）のエッチングレートに対する基板の形成材料のエッチングレートの比である選択比が小さくなり、エッチングの際にマスクが消失してしまう等の問題が生じる虞があった。
【０００６】
本発明の一つの態様は、上記問題点に鑑みて成されたものであって、例えば、エッチングによってカンチレバーを形成する場合において、エッチングに用いるマスクの開口率が増大することを抑制できるとともに、カンチレバーの変形特性がばらつくことを抑制できる流量センサ素子、及びそのような流量センサ素子を用いた流量センサモジュールを提供することを目的の一つとする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明の流量センサ素子の一つの態様は、一面側に開口する開口部が形成された基板と、前記開口部に臨んで設けられ、所定方向に弾性変形可能なカンチレバーと、を備え、前記カンチレバーは、前記基板と接続される接続部と、前記接続部から一方側に延出する平板部と、を備え、前記開口部の平面視形状は、平面視において前記接続部と交差し、かつ、前記平板部が延出する延出方向と垂直な直線部と、前記直線部より前記平板部の延出側に設けられ、前記延出方向と垂直な幅方向の長さが、前記直線部の長さより小さい幅狭部と、を含むことを特徴とする。
【０００８】
本発明の流量センサ素子の一つの態様によれば、開口部の平面視形状は、平面視において接続部と交差する直線部と、直線部よりも幅方向の長さが小さい幅狭部とを含む。そのため、開口部の平面視面積は、開口部の平面視形状が矩形状である場合よりも小さくなる。また、接続部は、開口部の直線部と交差しているため、カンチレバーの変形特性が変化することを抑制できる。したがって、本発明の流量センサ素子の一つの態様によれば、例えば、エッチングによってカンチレバーを形成する場合において、マスクの開口率が増大することを抑制できるとともに、カンチレバーの変形特性がばらつくことを抑制できる流量センサ素子が得られる。
【０００９】
前記開口部の平面視形状は、前記直線部を下底とする台形状である構成としてもよい。
この構成によれば、開口部の形成が容易である。
【００１０】
前記開口部の平面視形状は、前記カンチレバーの前記幅方向の中心を通り、かつ、前記延出方向に平行な延出方向中心線に対して線対称である構成としてもよい。
この構成によれば、カンチレバーを介して開口部を流れる流体の流れが乱れることを抑制できる。
【００１１】
前記開口部の平面視形状は、前記開口部の前記延出方向の中心を通り、かつ、前記幅方向に平行な幅方向中心線に対して非線対称である構成としてもよい。
この構成によれば、流量センサ素子の向きを判別しやすい。
【００１２】
前記基板の平面視面積に対する、前記開口部の平面視面積の占める割合は、２％以下である構成としてもよい。
この構成によれば、マスクの開口率が大きくなることをより抑制できる。
【００１３】
前記基板は、支持基板と、前記支持基板上に形成された電気絶縁性を有する絶縁層と、前記絶縁層上に形成された半導体層と、を備え、前記半導体層上には、電気抵抗を有する抵抗層が形成され、前記抵抗層上には、導電性を有する導電層が形成され、前記カンチレバーは、前記半導体層と、前記抵抗層と、前記導電層と、を備える構成としてもよい。
この構成によれば、基板をエッチングすることによって容易にカンチレバーを形成できる。
【００１４】
本発明の流量センサモジュールの一つの態様は、上記の流量センサ素子を備えることを特徴とする。
【００１５】
本発明の流量センサモジュールの一つの態様によれば、上記の流量センサ素子を備えているため、信頼性に優れた流量センサモジュールが得られる。
【発明の効果】
【００１６】
本発明の一つの態様によれば、例えば、エッチングによってカンチレバーを形成する場合において、マスクの開口率が増大することを抑制できるとともに、カンチレバーの変形特性がばらつくことを抑制できる流量センサ素子、及びそのような流量センサ素子を用いた流量センサモジュールが提供される。
【図面の簡単な説明】
【００１７】
【図１】第１実施形態の流量センサ素子を示す平面図である。
【図２】第１実施形態の流量センサ素子を示す図であって、図１におけるII−II断面図である。
【図３】第１実施形態の流量センサ素子を示す底面図である。
【図４】第１実施形態の流量センサ素子に圧力が加えられた状態を示す断面図である。
【図５】第１実施形態の流量センサ素子に圧力が加えられた状態を示す斜視図である。
【図６】第１実施形態の流量センサ素子の製造方法の手順を示す断面図である。
【図７】第１実施形態の流量センサ素子の製造途中を示す底面図である。
【図８】第１実施形態の流量センサ素子の他の一例を示す平面図である。
【図９】第２実施形態の流量センサ素子を示す平面図である。
【図１０】第１実施形態の流量センサ素子を用いた流量センサモジュールの一例を示す断面図である。
【図１１】本実施例の結果を示すグラフである。
【図１２】本実施例の結果を示すグラフである。
【図１３】開口部の平面視形状が矩形状である流量センサ素子を示す平面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１８】
以下、図を参照しながら、本発明の実施形態に係る流量センサ素子及び流量センサモジュールについて説明する。
なお、本発明の範囲は、以下の実施の形態に限定されるものではなく、本発明の技術的思想の範囲内で任意に変更可能である。また、以下の図面においては、各構成をわかりやすくするために、実際の構造と各構造における縮尺や数等を異ならせる場合がある。
【００１９】
＜流量センサ素子＞
（第１実施形態）
図１から図３は、本実施形態の流量センサ素子１を示す図である。図１は、平面図である。図２は、図１におけるII−II断面図である。図３は、底面図である。
図４及び図５は、本実施形態の流量センサ素子１に圧力が加えられた状態を示す図である。図４は、断面図である。図５は、斜視図である。
【００２０】
なお、以下の説明においてはＸＹＺ座標系を設定し、このＸＹＺ座標系を参照しつつ各部材の位置関係を説明する。この際、基板２の積層方向をＺ軸方向（図２参照）、平面視におけるカンチレバー１０の長さ方向をＸ軸方向（図１参照）、平面視におけるカンチレバー１０の幅方向をＹ軸方向とする。
【００２１】
本実施形態の流量センサ素子１は、図１及び図２に示すように、基板２と、カンチレバー１０とを備えている。カンチレバー１０は、基板２と接続される第１接続部１１及び第２接続部１２と、第１接続部１１及び第２接続部１２から一方側（＋Ｘ側）に延出する平板部１３とを備えている。
【００２２】
基板２は、図２に示すように、導電層２０と、抵抗層３０と、半導体層４０と、絶縁層５０と、支持基板６０とを備える積層板である。基板２の支持基板６０上には、絶縁層５０と、半導体層４０と、抵抗層３０と、導電層２０とが、この順で積層されている。
基板２の平面視（ＸＹ面視）形状は、特に限定されず、本実施形態においては、例えば、図１に示すように、矩形状である。基板２は、例えば、平面視において１．５ｍｍ角である。
【００２３】
支持基板６０は、図２に示すように、例えば、シリコン基板である。
絶縁層５０は、電気絶縁性を有する層である。絶縁層５０の材質としては、例えば、ＳｉＯ２である。
半導体層４０は、例えば、単結晶シリコンで構成されている。
抵抗層３０は、電気抵抗特性を有する層である。抵抗層３０の材質としては、例えば、単結晶シリコンに不純物を拡散させたものである。不純物としては、例えば、Ｂ（ホウ素）や、Ｐ（リン）等が用いられる。
【００２４】
導電層２０は、例えば、金属で構成される金属層である。導電層２０を金属層とした場合における、導電層２０の材質としては、例えば、Ａｕ（金）、Ａｌ（アルミニウム）、Ｃｒ（クロム）、Ｎｉ（ニッケル）、Ｐｄ（パラジウム）等である。また、導電層２０としては、複数の金属層が積層された構造としてもよい。また、導電層２０として、上述した抵抗層３０のようにして、単結晶シリコンに不純物を高濃度で拡散させたものとすることもできる。
【００２５】
基板２の平面視中央には、図２及び図３に示すように、支持基板６０側（−Ｚ側）の裏面（一面）２ｂに開口する開口部７０が形成されている。開口部７０の平面視（ＸＹ面視）形状は、図３に示すように、角が丸み面取りされた台形状である。開口部７０の平面視形状は、下底（直線部）７１と、上底７２と、脚部７４，７５と、丸み部７３ａ，７３ｂ，７３ｃ，７３ｄと、幅狭部Ｓ１とを含んでいる。
【００２６】
本明細書において、「台形状」及び「矩形状」とは、特に断りのない限り、直線のみで構成される台形状及び矩形状のみを意味するものではなく、角部が丸み面取りされた形状も含むものとする。角部は、４つの角部のすべてが丸み面取りされていてもよいし、４つの角部のうち一部分が丸み面取りされ、他の部分が丸み面取りされていなくてもよい。
【００２７】
開口部７０は、下底７１が、カンチレバー１０の第１接続部１１及び第２接続部１２の設けられている側（−Ｘ側）となり、上底７２が、カンチレバー１０の平板部１３の延出する側（＋Ｘ側）となるように形成されている。下底７１及び上底７２は、カンチレバー１０の幅方向（Ｙ軸方向）と平行である。
【００２８】
なお、以下の説明においては、カンチレバー１０の平板部１３が延出する側（＋Ｘ側）を、単に延出側、カンチレバー１０の平板部１３が延出する方向（Ｘ軸方向）を、単に延出方向と呼称する場合がある。
【００２９】
下底７１は、図１に示すように、平面視（ＸＹ面視）で、カンチレバー１０の第１接続部１１及び第２接続部１２と交差するように設けられている。本実施形態においては、下底７１は、後述する配線領域２１ａ，２１ｂと、後述する抵抗部３１，３２との境よりも延出側（＋Ｘ側）に設けられている。これは、下底７１が、抵抗部３１，３２よりも−Ｘ側に形成されると、カンチレバー１０が積層方向（Ｚ方向）に反ってしまう場合があり、カンチレバー１０の変形特性が変化してしまう場合があるためである。
【００３０】
脚部７４，７５は、図３に示すように、丸み部７３ａ，７３ｂ，７３ｃ，７３ｄを介して、下底７１と上底７２とを接続する直線である。すなわち、脚部７４は、丸み部７３ａを介して下底７１と接続され、丸み部７３ｃを介して上底７２と接続されている。脚部７５は、丸み部７３ｂを介して下底７１と接続され、丸み部７３ｄを介して上底７２と接続されている。
【００３１】
幅狭部Ｓ１は、開口部７０における、下底７１より延出側（＋Ｘ側）に設けられ、カンチレバー１０の幅方向（Ｙ軸方向）の長さが下底７１の長さＷ１よりも小さい部分である。
下底７１の長さＷ１は、例えば、カンチレバー１０の幅方向の長さの１．２倍以上、２．５倍以下に設定される。具体的には、例えば、カンチレバー１０の幅方向の長さが１００μｍである場合には、下底７１の長さＷ１は、１２０μｍ以上、２５０μｍ以下である。下底７１の長さＷ１をこのような数値範囲に設定することにより、開口部７０を、下底７１が第１接続部１１及び第２接続部１２と交差するように形成することが容易である。
【００３２】
開口部７０の平面視形状は、開口部７０におけるカンチレバー１０の延出方向（Ｘ軸方向）の中心を通り、カンチレバー１０の幅方向（Ｙ軸方向）と平行な幅方向中心線Ｐ１に対して非線対称に形成されている。
開口部７０の平面視形状は、カンチレバー１０の幅方向（Ｙ軸方向）の中心を通り、カンチレバー１０の延出方向（Ｘ軸方向）と平行な延出方向中心線Ｑ１に対して線対称に形成されている。
【００３３】
基板２の平面視面積に対する開口部７０の平面視面積の占める割合は、例えば、２％以下である。開口部７０の平面視面積をこのような数値範囲に設定することにより、エッチングによって開口部７０を形成する場合において、マスクの開口率が増大することを好適に抑制できる。
【００３４】
基板２の平面視面積に対する開口部７０の平面視面積の占める割合の下限については、０％より大きい範囲であれば、特に限定されない。本実施形態において基板２の平面視面積に対する開口部７０の平面視面積の占める割合の下限は、一例として、例えば、実設計上の制約等から、０．１％程度に設定される。
【００３５】
なお、例えば、基板２の平面視形状が１．５ｍｍ角で、カンチレバー１０の平面視形状が１００μｍ角である場合には、基板２の平面視面積に対するカンチレバー１０の平面視面積が占める割合は、約０．４４％である。
【００３６】
基板２の導電層２０側（＋Ｚ側）には、図２に示すように、開口部７０に臨んでカンチレバー１０が設けられている。
基板２の導電層２０側（＋Ｚ側）には、図１に示すように、カンチレバー１０の周囲を、第１接続部１１及び第２接続部１２を除いて、囲むようにして、面に垂直な方向（Ｚ軸方向）に貫通する貫通部１５が形成されている。
【００３７】
貫通部１５は、第１接続部１１の第２接続部１２側（＋Ｙ側）に形成された貫通孔１５ａと、第２接続部１２の第１接続部１１側（−Ｙ側）に形成された貫通孔１５ｂと、貫通孔１５ａの＋Ｘ側端部と貫通孔１５ｂの＋Ｘ側端部とを接続する貫通孔１５ｃと、第１接続部１１を挟んで貫通孔１５ａと逆側（−Ｙ側）に形成された貫通孔１５ｄと、第２接続部１２を挟んで貫通孔１５ｂと逆側（＋Ｙ側）に形成された貫通孔１５ｅと、貫通孔１５ｄの＋Ｘ側端部と貫通孔１５ｅの＋Ｘ側端部とを接続する貫通孔１５ｆとを含む。貫通部１５と開口部７０とは、連通している。
【００３８】
基板２の導電層２０側（＋Ｚ側）には、絶縁部５１（絶縁部５１ａ，５１ｂ）が形成されている。絶縁部５１は、導電層２０、抵抗層３０及び半導体層４０が部分的に除去され、絶縁層５０が露出している部分である。すなわち、図５に示すように、絶縁部５１は、基板２の導電層２０側（＋Ｚ側）の上面２ａに溝状に形成されている。
【００３９】
絶縁部５１ａは、図１に示すように、貫通孔１５ｄと貫通孔１５ｆとの接続箇所から基板２の＋Ｘ側の端縁までを繋ぐようにして形成されている。絶縁部５１ｂは、貫通孔１５ｂの−Ｘ側端部から基板２の−Ｘ側端縁までを繋ぐようにして形成されている。
【００４０】
絶縁部５１と貫通部１５とによって絶縁層５０上に積層する半導体層４０、抵抗層３０及び導電層２０が分割され、基板２の上面２ａには、配線領域２１ａ，２１ｂがそれぞれ形成されている。
【００４１】
カンチレバー１０は、基板２に接続された平板状の部材である。カンチレバー１０は、図２に示すように、半導体層４０と、抵抗層３０とが積層されて構成されている。カンチレバー１０は、開口部７０に臨んで設けられている。
【００４２】
図１に示すように、カンチレバー１０の第１接続部１１及び第２接続部１２は、平板部１３に対して−Ｘ側に設けられている。第１接続部１１は、抵抗層３０で構成された抵抗部３１を備えている。第２接続部１２は、抵抗層３０で構成された抵抗部３２を備えている。
【００４３】
カンチレバー１０の平板部１３は、第１接続部１１と第２接続部１２とを接続する導電部２２を備えている。導電部２２は、平板部１３における第１接続部１１及び第２接続部１２の側（−Ｘ側）の端部に設けられている。導電部２２は、第１接続部１１の抵抗部３１と第２接続部１２の抵抗部３２とを、電気的に接続している。導電部２２の材質は、導電性を有する範囲において、特に限定されない。導電部２２の材質は、例えば、本実施形態においては、導電層２０と同一の材質により構成されている。
なお、以下の説明においては、第１接続部１１及び第２接続部１２が設けられている側を、単に接続部側と称する場合がある。
【００４４】
カンチレバー１０は、基板２の上面２ａと平行に延在している。カンチレバー１０は、図４に示すように、圧力を受けることにより、第１接続部１１及び第２接続部１２を支点とし、基板２の上面２ａと交差する方向（Ｚ軸方向）に弾性変形可能となっている。より詳細には、カンチレバー１０は、第１接続部１１及び第２接続部１２における開口部７０の縁と交差する部分を軸として弾性変形する。本実施形態においては、開口部７０の下底７１が第１接続部１１及び第２接続部１２と交差するように設けられているため、開口部７０の下底７１に沿った線を軸として、カンチレバー１０が弾性変形する。
【００４５】
カンチレバー１０が弾性変形することにより、第１接続部１１の抵抗部３１及び第２接続部１２の抵抗部３２の抵抗値は、ピエゾ抵抗効果によって上昇、あるいは降下する。
ピエゾ抵抗効果とは、物体に応力が加えられた際に電気抵抗が変化する現象のことである。ピエゾ抵抗効果は、ゲルマニウムやシリコン等の半導体において効果が大きい。半導体のピエゾ抵抗効果においては、半導体結晶の結晶方向によって電気抵抗特性が異なる。すなわち、この結晶方向の違いにより、抵抗変化率や、半導体に応力がかけられたときに、抵抗値が上昇するか降下するか等が決定される。例えば、本実施形態のように半導体層４０と抵抗層３０とが積層されたような構造において、半導体層４０がＮ型で、抵抗層３０がＰ型であるような場合には、結晶方向＜１００＞方向の抵抗変化率が最大となる。
【００４６】
次に、本実施形態の流量センサ素子１の製造方法について説明する。
本実施形態の流量センサ素子１の製造方法は、ＳＯＩ基板形成工程と、抵抗層形成工程と、導電層形成工程と、第１パターニング工程と、第２パターニング工程と、凹部形成工程と、絶縁層除去工程とを有する。
図６（Ａ）〜（Ｅ）は、本実施形態の流量センサ素子１の製造方法の手順を示した断面図である。図７は、凹部形成工程を示す底面図である。
【００４７】
まず、ＳＯＩ基板形成工程は、図６（Ａ）に示すように、支持基板６０上に絶縁層５０と半導体層４０とを、この順に積層する工程である。このような構成、すなわち、支持基板６０（例えば、シリコン基板）と半導体層４０との間に絶縁層５０が挟まれている構成を有する基板を一般にＳＯＩ基板という。この工程により、流量センサ素子１のベースとなるＳＯＩ基板が形成される。
【００４８】
なお、ＳＯＩ基板形成工程の代わりに、予め上記のように積層されたＳＯＩ基板を用意する準備工程を設けてもよい。
【００４９】
次に、抵抗層形成工程は、図６（Ｂ）に示すように、半導体層４０上に抵抗層３０を形成する工程である。抵抗層３０は、半導体層４０に不純物を加えることで形成される。不純物としては、半導体層４０がＰ型である場合には、例えば、Ｂ（ホウ素）を用いることができる。また、半導体層４０がＮ型である場合には、例えば、不純物としてＰ（リン）を用いることができる。
【００５０】
半導体層４０に不純物を加える方法としては、例えば、不純物を含む薄膜を半導体層４０の表面に塗布し、加熱することにより半導体層４０内に不純物を拡散させる熱拡散法や、不純物のイオンを半導体層４０に直接ぶつけて、半導体層４０内に打ち込むイオン注入法等を選択できる。この工程により、半導体層４０の絶縁層５０とは逆側（＋Ｚ側）の一部に不純物が拡散し、抵抗層３０が形成される。
【００５１】
次に、導電層形成工程は、抵抗層３０の上に導電層２０を形成する工程である。この工程により、支持基板６０上に、絶縁層５０と、半導体層４０と、抵抗層３０と、導電層２０とが積層された基板２が形成される。
【００５２】
次に、第１パターニング工程は、図６（Ｃ）に示すように、導電層２０をパターニングする工程である。本工程においては、例えば、フォトリソグラフィ等によって導電層２０を部分的に除去し、導電層２０をパターニングする。導電層２０において除去される箇所は、カンチレバー１０における抵抗層３０が露出した部分となる箇所、及び絶縁部５１が形成される箇所である。この工程により、導電部２２及び配線領域２１ａ，２１ｂ（図６（Ｃ）においては図示省略）が形成される。
【００５３】
次に、第２パターニング工程は、抵抗層３０及び半導体層４０をパターニングする工程である。本工程においては、抵抗層３０及び半導体層４０をエッチングによって部分的に除去し、パターニングする。抵抗層３０及び半導体層４０において除去される箇所は、貫通部１５が形成される箇所、及び絶縁部５１が形成される箇所である。エッチング方法としては、特に限定されず、例えば、ドライエッチング法を用いることができる。
【００５４】
この工程により、図７に示すように、溝部１９が形成され、その結果、絶縁部５１が形成される。溝部１９は、溝部１９ａと、溝部１９ｂとを含む。溝部１９ａは、絶縁部５１ａと、貫通孔１５ｄ，１５ｅ，１５ｆになる箇所とを含む。溝部１９ｂは、絶縁部５１ｂと、貫通孔１５ａ，１５ｂ，１５ｃとなる箇所とを含む。
【００５５】
上述した第１パターニング工程及び第２パターニング工程におけるアライメントとしては、例えば、基板２の上面２ａにアライメントマークを形成し、このアライメントマークを基準とする方法を選択できる。
【００５６】
次に、凹部形成工程は、図６（Ｄ）に示すように、凹部１６を形成する工程である。支持基板６０を基板２の裏面２ｂ側からエッチングによって部分的に除去し、凹部１６を形成する。本実施形態においては、エッチング方法として、ＤＲＩＥ（Ｄｅｅｐ  Ｒｅａｃｔｉｖｅ  Ｉｏｎ  Ｅｔｃｈｉｎｇ）法を用いる。
【００５７】
まず、図６（Ｃ）に示すように、基板２の裏面２ｂにレジスト層８０を形成する。レジスト層８０には、図７に示すように、基板２の裏面２ｂ、すなわち、支持基板６０が露出する開口パターン８１が形成されている。開口パターン８１が形成されたレジスト層８０の形成方法としては、例えば、基板２の裏面２ｂの全体にレジストを塗布した後に、露光・現像してパターニングする方法としてもよいし、スクリーン印刷法によって開口パターン８１が形成されるようにレジストを塗布する方法としてもよい。
【００５８】
開口パターン８１の平面視（ＸＹ面視）形状は、角部が丸み面取りされていない台形状である。開口パターン８１は、下底８２がカンチレバー１０の第１接続部１１及び第２接続部１２が形成される側（−Ｘ側）となるように形成されている。下底８２は、カンチレバー１０の幅方向（Ｙ軸方向）と平行である。開口パターン８１の平面視形状において、下底８２よりカンチレバー１０となる部分の延出側（＋Ｘ側）には、下底８２よりも幅方向（Ｙ軸方向）の長さが狭い部分が設けられている。本実施形態においては、開口パターン８１の平面視形状は、角部が丸み面取りされていない台形状であるため、開口パターン８１における下底８２を除く部分全体が、下底８２よりも幅方向（Ｙ軸方向）の長さが狭い部分となっている。
【００５９】
開口パターン８１の下底８２は、溝部１９ａにおける第１接続部１１及び第２接続部１２が形成される側（−Ｘ側）の端部よりも、わずかに平板部１３が形成される側（＋Ｘ側）となるように設けられている。
開口パターン８１の上底８３は、溝部１９ａよりも＋Ｘ側に設けられている。上底８３は、カンチレバー１０の幅方向（Ｙ軸方向）と平行である。
【００６０】
レジスト層８０をマスクとして、支持基板６０を、ＤＲＩＥを用いてエッチングする。ＤＲＩＥは、エッチングする工程と、エッチングにより形成された側壁部分に保護膜を形成する工程とを交互に繰り返すボッシュプロセスを用いてもよいし、エッチングと側壁を保護する保護膜の形成とを同時に行う方法を用いてもよい。
【００６１】
エッチングが終了した後に、不要となったレジスト層８０を除去する。除去する方法としては、例えば、薬液を用いたウエット法や、減圧チャンバー内でプラズマ処理するドライ法を選択できる。なお、エッチングが終了した後においては、図６（Ｄ）に示すように、レジスト層８０の厚み（Ｚ軸方向長さ）は、エッチング前（図６（Ｃ）参照）と比べて小さくなっている。
【００６２】
この工程により、図６（Ｄ）に示すように、裏面２ｂに開口する凹部１６が形成される。ここで、理想的には、エッチングが支持基板６０の面、すなわち、裏面２ｂに対して垂直方向の絶縁層５０側（＋Ｚ側）に進行し、凹部１６の平面視形状は、レジスト層８０の開口パターン８１の平面視形状と同一となるように形成される。しかし、実際には、垂直エッチングの実現は容易ではなく、凹部１６の平面視形状は、図７の２点鎖線で示すように、角部が丸みを持った台形状となってしまう場合がある。本実施形態は、凹部１６の角部が丸みを持って形成された場合について説明するものである。
【００６３】
凹部形成工程においては、第１パターニング工程及び第２パターニング工程と反対側（−Ｚ側，裏面２ｂ）を部分的に除去する。そのため、凹部形成工程におけるアライメントとしては、例えば、第１パターニング工程及び第２パターニング工程において用いた上面２ａに形成されたアライメントマークを用いて両面アライメントを行う方法が選択できる。
【００６４】
次に、絶縁層除去工程は、図６（Ｅ）に示すように、絶縁層５０を部分的に除去する工程である。本工程においては、凹部１６の底部を形成する絶縁層５０をエッチングにより除去する。エッチング方法としては、例えば、ドライエッチング法やウエットエッチング法等を選択できる。この工程により、基板２を上面２ａに垂直な方向（Ｚ軸方向）に貫通する貫通部１５と、貫通部１５と連通する開口部７０とが形成される。また、この工程により、カンチレバー１０が、開口部７０に臨んで形成される。
【００６５】
以上の工程により、製造工程は終了し、本実施形態の流量センサ素子１が製造される。
【００６６】
なお、第１パターニング工程において、導電層２０における絶縁部５１が形成される部分のみを除去し、パターニングされた導電層２０を第２パターニング工程におけるマスクとして用いてもよい。この場合には、第２パターニング工程の後に、さらに導電層２０の一部を除去してパターニングする工程を設ける。
【００６７】
本実施形態によれば、開口部７０の平面視（ＸＹ面視）形状が、下底７１と、下底７１より幅方向（Ｙ軸方向）の長さが小さい幅狭部Ｓ１とを含んでいるため、例えば、エッチングによってカンチレバーを形成する場合において、マスクの開口率が増大することを抑制できるとともに、カンチレバーの変形特性がばらつくことを抑制できる流量センサ素子が得られる。以下、詳細に説明する。
【００６８】
図１３は、開口部の平面視形状が、角部が丸み面取りされた矩形状である流量センサ素子５００を示す平面図である。
流量センサ素子５００は、図１３に示すように、基板２と、カンチレバー５１０とを備えている。基板２には、裏側（−Ｚ側）に開口する開口部５７０が形成されている。開口部５７０の平面視（ＸＹ面視）形状は、角部が丸み面取りされた矩形状である。すなわち、開口部５７０は、４角に丸み部５７２ａ，５７２ｂ，５７２ｃ，５７２ｄが設けられている。開口部５７０の幅方向（Ｙ軸方向）の長さは、直線部５７１の長さＷ４以上となっている。すなわち、開口部５７０には、幅方向の長さが、直線部５７１の長さＷ４より小さい幅狭部が設けられていない。
【００６９】
開口部は、図１３の開口部５７０のようにカンチレバーの大きさと同程度の大きさとなるように形成される場合が多い。このような場合において、上述した凹部形成工程において角部に丸みが形成されると、第１接続部５１１及び第２接続部５１２と交差する開口部５７０の外縁形状が直線でなくなり、カンチレバー５１０の変形特性が変化する場合がある。これにより、カンチレバー５１０の変形特性にばらつきが生じる場合があった。
【００７０】
一方、図１３において２点鎖線で示すような開口部６７０が形成されている場合においては、開口部６７０の平面視（ＸＹ面視）面積は、カンチレバー５１０に対して十分に大きく、すなわち、直線部６７１の幅方向（Ｙ軸方向）長さは、カンチレバー５１０の幅方向長さよりも十分に大きく、角部に丸みが形成されても、丸み部が第１接続部５１１及び第２接続部５１２と交差することが抑制される。これにより、カンチレバー５１０の変形特性の変化を抑制でき、その結果、カンチレバー５１０の変形特性のばらつきを抑制できる。
【００７１】
しかしながら、この場合においては、形成される開口部６７０の平面視面積が大きいため、エッチングにより開口部６７０を形成する際に用いるマスクの開口率が大きくなる。これにより、同じ条件下でのエッチングでは、エッチングガスの不足等のため、支持基板６０の形成材料のエッチングレートが低下してしまうという問題があった。また、支持基板６０の形成材料のエッチングレートが低下することにより、マスクの形成材料のエッチングレートに対する支持基板６０の形成材料のエッチングレートの比である選択比が低下し、エッチングの途中でマスクが消失してしまう虞もあった。
【００７２】
なお、エッチングの条件、例えば、単位時間あたりに導入するエッチングガスの量等は、基板やレジストの形成材料等に応じて最適な条件が調整されており、マスクの開口率に応じて適宜再調整することは困難である。そのため、エッチングの条件を変化させない範囲で、好適にエッチングできることが好ましい。
【００７３】
上記問題に対して、本実施形態によれば、下底７１が第１接続部１１及び第２接続部１２と交差するように設けられているため、カンチレバー１０は、下底７１に沿った線を軸として弾性変形するように設けられる。その結果、カンチレバー１０の変形特性が変化することを抑制できる。
【００７４】
また、本実施形態によれば、下底７１よりも幅方向（Ｙ軸方向）の長さが小さい幅狭部Ｓ１が設けられているため、開口部７０の平面視（ＸＹ面視）面積は、開口部が下底７１を直線部とするような矩形状である場合、すなわち、図１３に示す開口部６７０のような形状である場合に比べて、小さくなる。これにより、開口部７０をエッチングによって形成する際に用いるマスクの開口率を小さくすることができる。
【００７５】
以上により、本実施形態によれば、カンチレバーの変形特性のばらつきを抑制するとともに、マスクの開口率が増大することを抑制できる。これにより、本実施形態によれば、支持基板６０の形成材料のエッチングレートの低下や、エッチング途中でマスクが消失してしまうことを抑制できる。
【００７６】
また、図１３に示すように、開口部５７０が幅方向中心線Ｐ４に対して線対称に設けられていると、基板２の向き、すなわち、カンチレバー１０の向きを判別することが困難な場合があった。
これに対して、本実施形態によれば、開口部７０が、幅方向中心線Ｐ１に対して非線対称となるように形成されているため、製造途中や、製造後の実装時において、開口部７０の形状によって、基板２の向き、すなわち、カンチレバー１０の向きがどちらであるかを判別することが容易である。
【００７７】
また、本実施形態によれば、開口部７０は、延出方向中心線Ｑ１に対して線対称となるように形成されているため、開口部７０を通過する流体の流れが乱れることを抑制でき、流量センサ素子１を用いた圧力センサの計測精度の低下を抑制できる。
【００７８】
また、本実施形態においては、開口部７０が台形状であるため、開口部７０の形成が容易である。
【００７９】
また、本実施形態によれば、支持基板６０をパターニングする際に、マスクとして台形状の開口パターン８１が設けられたレジスト層８０を用いる。開口パターン８１は、接続部側の下底８２と、下底８２よりも幅方向（Ｙ軸方向）の長さが狭い部分、すなわち、本実施形態の形状においては下底８２を除く部分全体とを備えている。開口パターン８１をこのような形状とすることにより、形成されるカンチレバーの幅方向（Ｙ軸方向）の長さに比べて、下底８２の幅方向（Ｙ軸方向）の長さを十分に大きくすることが容易である。そのため、本実施形態によれば、エッチングの際に角部が丸みを持って形成されてしまうような場合であっても、形成されるカンチレバーの接続部に開口部の丸み部が交差することを抑制できる。
【００８０】
また、本実施形態によれば、上記の通り、形成されるカンチレバーの幅方向（Ｙ軸方向）の長さに比べて、下底８２の幅方向（Ｙ軸方向）の長さを十分に大きくすることが容易であるため、開口パターン８１が、カンチレバーの形成される箇所に対して幅方向（Ｙ軸方向）に多少ずれて形成された場合であっても、カンチレバーの接続部が丸み部と交差することを抑制できる。
【００８１】
なお、本実施形態においては、以下の構成を採用することもできる。
【００８２】
本実施形態においては、開口部７０の平面視形状は、幅方向中心線Ｐ１に対して、線対称であってもよい。
また、本実施形態においては、開口部７０の平面視形状は、延出方向中心線Ｑ１に対して、非線対称であってもよい。
【００８３】
また、上記説明した実施形態においては、開口部７０として角部が丸みを持った台形状である場合について説明したが、これに限られない。開口部７０は、カンチレバー１０の第１接続部１１及び第２接続部１２と交差する直線部と、その直線部よりカンチレバー１０の延出側（＋Ｘ側）に設けられ、直線部より幅方向（Ｙ軸方向）の長さが小さい幅狭部とを含む範囲内において、特に限定されない。本実施形態においては、開口部７０は、例えば、直線部を弦とする弓形状であってもよいし、直線部を一辺とする多角形状であってもよい。
【００８４】
図８は、本実施形態の他の一例である流量センサ素子１００を示す平面図である。
流量センサ素子１００は、上記説明した流量センサ素子１に対して、開口部の平面視（ＸＹ面視）形状が、丸み部を含まない点において異なる。
なお、以下の説明においては、上記説明した実施形態と同様の構成については、適宜同一の符号を付すことによって、説明を省略する場合がある。
【００８５】
図８に示すように、流量センサ素子１００の基板２には、開口部１７０が形成されている。開口部１７０の平面視（ＸＹ面視）形状は、角部に丸み部が形成されていない台形状である。開口部１７０は、下底１７１が、接続部側（−Ｘ側）となり、上底１７２が、延出側（＋Ｘ側）となるように形成されている。下底１７１及び上底１７２は、カンチレバー１０の幅方向（Ｙ軸方向）と平行である。
【００８６】
開口部１７０の平面視形状は、幅方向中心線Ｐ２に対して非線対称に設けられている。
開口部１７０の平面視形状は、延出方向中心線Ｑ２に対して線対称に設けられている。
この構成においては、下底１７１の幅方向（Ｙ軸方向）の長さＷ２よりも幅方向の長さが小さい幅狭部Ｓ２は、開口部１７０の平面視形状における下底１７１を除くすべての部分である。
【００８７】
開口部１７０は、例えば、凹部形成工程において、開口パターン８１が形成されたレジスト層８０をマスクとして用いてＤＲＩＥを行った場合に、理想的な垂直エッチングが実現されること等によって形成される。
【００８８】
（第２実施形態）
第２実施形態は、第１実施形態に対して、開口部の平面視形状が異なる。
なお、以下の説明においては、上記説明した実施形態と同様の構成については、適宜同一の符号を付すことによって、説明を省略する場合がある。
【００８９】
図９は、本実施形態の流量センサ素子２００を示す平面図である。
図９に示すように、流量センサ素子２００には、開口部２７０が形成されている。開口部２７０の平面視形状は、直線部２７１を含む細長の第１矩形状部２７２と、直線部２７１におけるカンチレバー１０の延出側（＋Ｘ側）に設けられた第２矩形状部２７３とが組み合わされた形状である。
【００９０】
第１矩形状部２７２は、直線部２７１と、丸み部２７４ａ，２７４ｂ，２７４ｃ，２７４ｄとを含んでいる。直線部２７１は、カンチレバー１０の第１接続部１１及び第２接続部１２と交差するように設けられている。丸み部２７４ａ〜２７４ｄは、第１矩形状部２７２の４角に設けられている。
【００９１】
第２矩形状部２７３は、丸み部２７５ａ，２７５ｂ，２７５ｃ，２７５ｄを含んでいる。丸み部２７５ａ〜２７５ｄは、第２矩形状部２７３の４角に形成されている。第２矩形状部２７３の幅方向（Ｙ軸方向）長さは、第１矩形状部２７２の幅方向長さよりも小さい。
第１矩形状部２７２と第２矩形状部２７３とは、丸み部２７５ａ及び丸み部２７５ｃによって接続されている。
【００９２】
開口部２７０の平面視形状は、幅方向中心線Ｐ３に対して非線対称に設けられている。
開口部２７０の平面視形状は、延出方向中心線Ｑ３に対して線対称に設けられている。
この構成においては、直線部２７１におけるカンチレバー１０の幅方向（Ｙ軸方向）の長さが、長さＷ３よりも小さい幅狭部Ｓ３は、第２矩形状部２７３の全体となる。
【００９３】
本実施形態によれば、開口部の平面視（ＸＹ面視）形状が台形状である場合と比べて、開口部の平面視面積を小さくできる。そのため、本実施形態によれば、開口部をエッチングによって形成する際に用いるマスクの開口率を、より小さくすることができる。
【００９４】
なお、本実施形態においては、第１矩形状部２７２及び第２矩形状部２７３共に、４角に丸み部が形成されていない構成であってもよい。
【００９５】
＜流量センサモジュール＞
図１０は、第１実施形態の流量センサ素子１を用いた流量センサモジュールの実施形態の一例である流量センサモジュール３００を示す断面図である。
流量センサモジュール３００は、図１０に示すように、配管４００にバイパス路３３０を形成するように設けられている。流量センサモジュール３００は、筐体３１０と、流量センサ素子１と、固定基板１７と、温度センサ３２０とを備える。配管４００の管路４１０内には、矢印で示す向きＦＤの向き（−Ｘの向き）に流体が流れている。流体としては、例えば、気体であっても、液体であってもよい。
【００９６】
筐体３１０は、第１部材３１１と、第２部材３１４とを備える。
第１部材３１１は、配管４００に接続される側の部材である。第１部材３１１には、上流側接続部３１２と、下流側接続部３１３とが設けられている。上流側接続部３１２及び下流側接続部３１３は、第１部材３１１の配管４００側の面から配管４００に向かって突出して設けられ、第１部材３１１と配管４００とを接続している。
【００９７】
上流側接続部３１２は、第１部材３１１の上流側（＋Ｘ側）に設けられている。上流側接続部３１２には、上流側接続部３１２及び第１部材３１１を流体の流れと垂直な方向（Ｚ軸方向）に貫通する貫通孔３１５が形成されている。上流側接続部３１２は、貫通孔３１５が配管４００に形成された孔部Ｋ１を介して管路４１０と連通するように、配管４００に接続されている。
【００９８】
下流側接続部３１３は、第１部材３１１の下流側（−Ｘ側）に設けられている。下流側接続部３１３には、下流側接続部３１３及び第１部材３１１を流体の流れと垂直な方向（Ｚ軸方向）に貫通する貫通孔３１６が形成されている。下流側接続部３１３は、貫通孔３１６が配管４００に形成された孔部Ｋ２を介して管路４１０と連通するように、配管４００に接続されている。
【００９９】
第１部材３１１の第２部材３１４側（＋Ｚ側）の面には、第２部材３１４側に開口する凹部３１８が形成されている。凹部３１８の平面視（ＸＹ面視）形状は、固定基板１７の平面視形状に応じて設定される。
【０１００】
第２部材３１４は、第１部材３１１側（−Ｚ側）に開口する凹部３１７が形成された部材である。凹部３１７は、上流側接続部３１２及び下流側接続部３１３が形成された位置を平面視（ＸＹ面視）で含むように形成されている。第２部材３１４は、封止材３４０によって、第１部材３１１と固定基板１７とに接着されている。
【０１０１】
固定基板１７は、流量センサ素子１を固定する部材である。固定基板１７は、第１部材３１１の凹部３１８に嵌合され、封止材３４０によって第１部材３１１と接着されている。固定基板１７には、厚み方向（Ｚ軸方向）に貫通する貫通孔１７ａ及び貫通孔１７ｂが形成されている。貫通孔１７ａは、上流側接続部３１２に形成された貫通孔３１５及び凹部３１７と連通している。また、貫通孔１７ｂは、下流側接続部３１３に形成された貫通孔３１６及び凹部３１７と連通している。
【０１０２】
固定基板１７の第２部材３１４側（＋Ｚ側）の面における貫通孔１７ａが形成された位置には、流量センサ素子１が設けられている。流量センサ素子１は、支持基板６０側が配管４００側となる向きで、支持基板６０と固定基板１７とが接着剤１８で接着されることによって固定されている。流量センサ素子１は、開口部７０が、固定基板１７の貫通孔１７ａ及び第１部材３１１の貫通孔３１５と、平面視（ＸＹ面視）で重なるようにして設けられている。
また、図示は省略するが、流量センサ素子１は、例えば、ブリッジ回路を構成して設けられている。
【０１０３】
上流側接続部３１２の貫通孔３１５と、固定基板１７の貫通孔１７ａと、流量センサ素子１の開口部７０と、流量センサ素子１の貫通部１５と、第２部材３１４の凹部３１７と、固定基板１７の貫通孔１７ｂと、下流側接続部３１３の貫通孔３１６とが連通してバイパス路３３０を形成している。管路４１０を流れる流体は、孔部Ｋ１を介して上流側接続部３１２の貫通孔３１５からバイパス路３３０に流入し、矢印で示す流れの向きＦＤ１に沿ってバイパス路３３０内を通り、下流側接続部３１３の貫通孔３１６から孔部Ｋ２を介して管路４１０に流出する。
【０１０４】
固定基板１７の第２部材３１４側（＋Ｚ側）の面上における、貫通孔１７ａと貫通孔１７ｂとの間の位置には、温度センサ３２０が設けられている。図示は省略するが、温度センサ３２０は、例えば、流量センサ素子１を含んで構成されるブリッジ回路と接続されている。温度センサ３２０は、バイパス路３３０内を流れる流体の温度を計測し、温度変化による流量センサ素子１の特性変化を補償する。
【０１０５】
本実施形態の流量センサモジュール３００によれば、第１実施形態の流量センサ素子１を備えているため、信頼性に優れた流量センサモジュールが得られる。
【０１０６】
なお、上記説明した実施形態においては、第１実施形態の流量センサ素子１を用いた流量センサモジュールについて説明したが、これに限られない。本実施形態においては、流量センサ素子として、例えば、図８及び図９に示した、流量センサ素子１００及び流量センサ素子２００を用いてもよい。
【実施例】
【０１０７】
本実施例においては、基板をエッチングする際のマスクの開口率に対する、基板の形成材料及びマスクの形成材料のエッチングレートの変化について計測した。
シリコン基板に開口パターンが形成されたレジスト層を形成し、シリコン基板の平面視面積に対するマスクの開口パターンの平面視面積の占める割合、すなわち、マスクの開口率を変化させ、シリコン基板とレジスト層とのエッチングレートについて計測を行った。エッチングレートに関わる条件、例えば、エッチングガスの種類、導入量、プロセス圧力、ＲＦパワー等、については、標準的な条件に固定して計測を行った。
【０１０８】
レジスト層の形成材料としては、ノボラック系レジストを用いた。
基板のエッチングは、エッチングガスとして六フッ化硫黄を用いたＤＲＩＥとした。
エッチングレートは、５分間エッチングを行った際のシリコン基板とレジスト層との厚みの変化を計測した結果から算出した。計測は、それぞれ５点ずつ行い、その平均値を計測結果とした。結果を図１１に示す。
【０１０９】
図１１において、横軸は、開口率（％）を示している。図示左側の縦軸は、シリコン基板におけるシリコンエッチングレートＲｓ（μｍ／ｍｉｎ）を示している。図示右側の縦軸は、レジスト層におけるレジストエッチングレートＲｒ（μｍ／ｍｉｎ）を示している。
図１１から、レジストエッチングレートＲｒは、開口率が変化した場合にも、数値の変動が小さいのに対して、シリコンエッチングレートＲｓは、開口率が大きくなるのにしたがって、小さくなっていくことが分かる。
【０１１０】
図１１に示した計測結果から、レジストエッチングレートＲｒに対するシリコンエッチングレートＲｓの比である選択比Ｒｓ／Ｒｒを求めた。結果を図１２に示す。
図１２において、横軸は、開口率（％）を示し、縦軸は、選択比Ｒｓ／Ｒｒを示している。
図１２から、開口率が大きくなるのにしたがって、選択比Ｒｓ／Ｒｒは、小さくなっていくことが確かめられた。
【０１１１】
また、開口率が２％以下であると、選択比Ｒｓ／Ｒｒが２０以上となり、好適にエッチングを行えることが分かった。
【符号の説明】
【０１１２】
１，１００，２００…流量センサ素子、２…基板、２ｂ…裏面（一面）、１０…カンチレバー、１３…平板部、２０…導電層、３０…抵抗層、４０…半導体層、５０…絶縁層、６０…支持基板、７０，１７０，２７０…開口部、７１，１７１…下底（直線部）、Ｐ１，Ｐ２，Ｐ３…幅方向中心線、Ｑ１，Ｑ２，Ｑ３…延出方向中心線、Ｓ１，Ｓ２，Ｓ３…幅狭部、Ｗ１，Ｗ２，Ｗ３…長さ（直線部の長さ）、２７１…直線部、３００…流量センサモジュール
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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