(57)【要約】【課題】多孔質ＳｉＣ焼結体において、断熱性、軽量性などを飛躍的に推進させることができるものとし、加えて酸素の流通を阻害することで、殊に高温大気雰囲気下などでの耐酸化性をも備えさせ、もって断熱性の維持が図られるようにした。またこのような多孔質ＳｉＣ焼結体を簡単且つ確実に製造できるようにする。【解決手段】多孔質化したＳｉＣ焼結体により形成された本体部１と、この本体部１の少なくとも一面を覆う気密質又は多孔質の保護層２１とを有している。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
多孔質化したＳｉＣ焼結体により形成された本体部と、この本体部の少なくとも一面を覆う気密質又は多孔質の保護層とを有していることを特徴とする保護層を備えた多孔質ＳｉＣ焼結体。
【請求項２】
前記保護層は複数積層されており、各層の保護層は成形素材及び／又は形成条件の違いにより熱伝導率が異なっていることを特徴とする請求項１記載の保護層を備えた多孔質ＳｉＣ焼結体。
【請求項３】
前記本体部は、中空の球状を呈して内部が独立気孔となったセル部と、隣り合うセル部間を保持するマトリクス部とを有して、これらセル部及びマトリクス部がＳｉＣにより焼結一体化されており、前記セル部相互間、前記マトリクス部相互間及びマトリクス部とセル部との相互間で画成される気孔が設けられていることを特徴とする請求項１又は請求項２記載の保護層を備えた多孔質ＳｉＣ焼結体。
【請求項４】
前記本体部は、全気孔率が７０％を超え、嵩密度が０．１ｇ／ｃｍ3以上０．９３ｇ／ｃｍ3以下であることを特徴とする請求項１記載の保護層を備えた多孔質ＳｉＣ焼結体。
【請求項５】
前記本体部は、全気孔率が８５％以上であることを特徴とする請求項２記載の保護層を備えた多孔質ＳｉＣ焼結体。
【請求項６】
前記本体部は、閉気孔率が３０以上であることを特徴とする請求項１乃至請求項５のいずれか１項に記載の保護層を備えた多孔質ＳｉＣ焼結体。
【請求項７】
有機材とシリコンとを含んだ成形素材により成形体を形成し、
前記成形体を非酸化性雰囲気中にて前記有機材料の炭化温度で焼成して炭化骨格体に形成し、
この炭化骨格体とシリコンとが反応焼結を起こす焼成温度まで昇温してＳｉＣ化させることで多孔質ＳｉＣ焼結体を製造し、
この多孔質ＳｉＣ焼結体に対して少なくとも一面を覆う気密質又は多孔質の保護層を設けることにより前記保護層と前記多孔質ＳｉＣ焼結体との界面部を外気から遮断することを特徴とする
保護層を備えた多孔質ＳｉＣ焼結体の製造方法。
【請求項８】
前記保護層を前記多孔質ＳｉＣ焼結体の全面に施すことを特徴とする請求項７記載の保護層を備えた多孔質ＳｉＣ焼結体の製造方法。
【請求項９】
前記保護層はＳｉＣにより形成することを特徴とする請求項７又は請求項８記載の保護層を備えた多孔質ＳｉＣ焼結体の製造方法。
【請求項１０】
前記多孔質ＳｉＣ焼結体を製造する過程において、前記有機材料に有機マイクロバルーンを用いると共に、前記シリコンには前記有機マイクロバルーンよりも粒径が小さなシリコン粉末を用いることを特徴とする請求項７乃至請求項９のいずれか１項に記載の保護層を備えた多孔質ＳｉＣ焼結体の製造方法。
【請求項１１】
前記保護層は、有機マイクロバルーンを含有しない有機材料とシリコンとを混合することによって得た成形材料を用いて形成することを特徴とする請求項１０記載の保護層を備えた多孔質ＳｉＣ焼結体の製造方法。
【請求項１２】
前記保護層を形成する過程において、保護層形成用の成形素材及び／又は形成条件を異ならせながら多孔質ＳｉＣ焼結体に対する同一面に複数回の保護層形成を行うことを特徴とする請求項請求項７乃至請求項１１のいずれか１項に記載の保護層を備えた多孔質ＳｉＣ焼結体の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、断熱性、軽量性、耐酸化性などを飛躍的に推進させた「保護層を備えた多孔質ＳｉＣ焼結体」とこの「保護層を備えた多孔質ＳｉＣ焼結体」を製造する方法とに関する。
【背景技術】
【０００２】
耐熱性、耐摩耗性などに卓越した特性を有する焼結体の代表例として、ＳｉＣ焼結体を挙げることができる。このＳｉＣ焼結体を製造する方法として、一般に反応焼結法や化学気相反応法（ＣＶＲ）等が知られている。
反応焼結法によりＳｉＣ焼結体を製造するには、まず所望する形体（板状など）に成形した有機ポリマー骨格体を炭化温度で焼成して炭化骨格体（カーボン製の成形体）を製造する。場合によっては、炭素粉を加圧成形して炭化骨格体を製造するようにしてもよい。そして、このようにして得た炭化骨格体に溶融したシリコン（焼結温度に熱したもの）を含浸させることで、含浸と同時進行的にＳｉＣを生成させてゆくようにする（例えば、特許文献１等参照）。
【０００３】
これに対し、化学気相反応法によりＳｉＣ焼結体を製造するには、前記と同様な炭化骨格体を高温雰囲気下に設置してＳｉＯガスを供給し、ＳｉＣを一気呵成に（全体的に）生成させるようにする（例えば、特許文献２等参照）。
ところで、熱移動の３要素（熱伝導、熱放射、熱対流）から考察すれば、ＳｉＣはそもそも熱伝導性が高いので、ＳｉＣ燒結体の断熱性を高めるには気孔率を高める（多孔質化する）ことでより多くの隔壁を生じさせ、空気の対流を阻止することにより伝熱を抑えることが重要と考えられる。
【０００４】
なお、「気孔」には、物体表面で開口しているか閉鎖しているかによって区別する「開気孔」「閉気孔」の分類と、気孔を形成するセルが独立しているか複数のセルが連通しているかによって区別する「独立気孔」「連続気孔（連通気孔）」の分類とがある。従って、開気孔や閉気孔のそれぞれにおいて独立気孔や連続気孔が存在する。ここにおいて、ＳｉＣ焼結体の炭化骨格体として可及的に多く備えるべき気孔は、「閉気孔」であり、更に好ましくは「閉気孔の独立気孔」であると言える。また、閉気孔構造とすることにより高温大気中で使用したときの耐酸化性をより向上させることができる。
【０００５】
本発明者が鋭意検討したところ、ＳｉＣ焼結体において、例えば数百℃、或いは１０００℃を超えるような高温環境下においても十分な断熱性を発揮し、尚かつ、軽量化を維持乃至推進させるためには、全気孔率が７０％を超えるような多孔質構造体に形成し、そのうえで気孔の可及的多くを閉気孔にしておくことで、目標を達成できるのではないか、との結論に達した。
【０００６】
従って、反応焼結の基礎（ベース材）となる炭化骨格体についても、相応の高い気孔率を有した多孔質構造体に形成しておくことが必要になる。因みに、特許文献１において炭化骨格体を多孔質構造体とするには、フェノール樹脂とシリコン粉末とを混合したスラリーをポリウレタンスポンジに含浸させ、これを乾燥及び焼成する方法を採用している。
なお、特許文献２では多孔質構造体にすることに着眼はしていないが、ピッチ等の有機物から製造した数μｍ〜１０数μｍのメソカーボンマイクロビーズをフェノール樹脂粉末と混合して、この混合物から成形した成形体を焼成する方法を採用することで、嵩密度１．５〜１．７３ｇ/ｃｍ3、開気孔率１Ｖｏｌ％以下という構造を得ている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００７】
【特許文献１】特開２０１２−１７１８２４号公報
【特許文献２】特開２０００−１０９３６８号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
反応焼結法によるＳｉＣ焼結体の製造方法では、炭化骨格体に対して溶融シリコンの含浸と反応焼結とが同時進行するというメカニズムがネックとなり、溶融シリコンの含浸を均一化させるのが難しいという問題があった。すなわち、処理の初期段階では含浸及び反応焼結が順調に進行しても、ＳｉＣの生成層が増加するにしたがってこの生成層や未反応シリコンが気孔詰まりに繋がり、故に、溶融シリコンの含浸が部分的に鈍化することで不均一化を引き起こしたり、含浸不良（炭化骨格体の全体にシリコンが行き渡らない状況）となったりするからである。
【０００９】
また化学気相反応法によるＳｉＣ焼結体の製造方法では、反応に時間がかかるうえ、大掛かりな装置が必要であることがネックとなり、製造能率が低く且つ高コストになるという問題があった。その他、炭素骨格体として高気孔率のものの形成が困難であるという技術的事情がある。従って高気孔率のものを得られない以上（炭素骨格体が緻密構造である場合には）、ＳｉＯガスが炭化骨格体の微小な隙間にも入り込んでＳｉＣが隙間無く生成してしまうので、結果として製造されたＳｉＣ焼結体も高気孔率にはならない。
【００１０】
このように従来にあっては、ＳｉＣ焼結体において７０％を超えるような高気孔率にすることは、反応焼結法を採用するにせよ、或いは化学気相反応法を採用するにせよ、克服するうえで非常に困難な課題を有したものであった。
なお、ＳｉＣを製造するための焼結方法には、他に、液相焼結法や常圧焼結法なども知られているが、いずれの方法も原料を加圧して固着させるプロセスを必要とするため、全気孔率はせいぜい３０〜４０％程度にしか到達しない。また、ＳｉＣ焼結体を得るための方法として、余剰カーボンを添加してその後脱炭する方法などが知られているものの、全気孔率を高くした場合、ＳｉＣ粒子同士の連結箇所が過少で且つ弱くなり、保形性を確保できないほどに機械的強度が低く（弱く）なるというデメリットもある。
【００１１】
ところで、ＳｉＣは高温下における形状維持性に優れ、高温下でも微細形状を維持できることから対流防止効果が高いが、酸化されてＳｉＯ2になると高温下で水あめ状、又は液状になり、微細形状を維持することができなくなり（表面張力の作用で収縮）、断熱性が低下する。従って、高温下における高い断熱性を維持するためには酸化の影響を小さくすることが求められる。
【００１２】
本発明は、上記事情に鑑みてなされたものであって、断熱性、軽量性などを飛躍的に推進させることができるものとし、加えて酸素の流通を阻害することで、殊に高温大気雰囲気下などでの耐酸化性をも備えさせ、もって断熱性の維持が図られるようにした保護層を備えた多孔質ＳｉＣ焼結体及び保護層を備えた多孔質ＳｉＣ焼結体の製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１３】
前記目的を達成するために、本発明は次の手段を講じた。
即ち、本発明に係る保護層を備えた多孔質ＳｉＣ焼結体は、多孔質化したＳｉＣ焼結体により形成された本体部と、この本体部の少なくとも一面を覆う気密質又は多孔質の保護層とを有していることを特徴とする。
前記保護層は複数積層されており、各層の保護層は成形素材及び／又は形成条件の違いにより熱伝導率が異なっているものとしてもよい。
【００１４】
前記本体部は、中空の球状を呈して内部が独立気孔となったセル部と、隣り合うセル部間を保持するマトリクス部とを有して、これらセル部及びマトリクス部がＳｉＣにより焼結一体化されており、前記セル部相互間、前記マトリクス部相互間及びマトリクス部とセル部との相互間で画成される気孔が設けられたものとしてもよい。
全気孔率が７０％を超え、嵩密度が０．１ｇ／ｃｍ3以上０．９３ｇ／ｃｍ3以下であるとするのが好適である。
【００１５】
また、前記全気孔率は８０％以上とすると尚よい。更に好ましくは８５％以上とするとよい。
閉気孔率は３０以上とするのがよい。
一方、本発明に係る保護層を備えた多孔質ＳｉＣ焼結体の製造方法は、有機材とシリコンとを含んだ成形素材により成形体を形成し、前記成形体を非酸化性雰囲気中にて前記有
機材料の炭化温度で焼成して炭化骨格体に形成し、この炭化骨格体とシリコンとが反応焼結を起こす焼成温度まで昇温してＳｉＣ化させることで多孔質ＳｉＣ焼結体を製造し、この多孔質ＳｉＣ焼結体に対して少なくとも一面を覆う気密質又は多孔質の保護層を設けることにより前記保護層と前記多孔質ＳｉＣ焼結体との界面部を外気から遮断することを特徴とする。
【００１６】
前記保護層は、前記多孔質ＳｉＣ焼結体の全面に施すようにするのが好適である。
前記保護層は、ＳｉＣにより形成するのが好適である。
前記多孔質ＳｉＣ焼結体を製造する過程において、前記有機材料に有機マイクロバルーンを用いると共に、前記シリコンには前記有機マイクロバルーンよりも粒径が小さなシリコン粉末を用いるとよい。
【００１７】
前記保護層は、有機マイクロバルーンを含有しない有機材料とシリコンとを混合することによって得た成形材料を用いて形成するとよい。
前記保護層を形成する過程において、保護層形成用の成形素材及び／又は形成条件を異ならせながら多孔質ＳｉＣ焼結体に対する同一面に複数回の保護層形成を行うことができる。
【発明の効果】
【００１８】
本発明に係る保護層を備えた多孔質ＳｉＣ焼結体では、断熱性、軽量性などを飛躍的に推進させることができるものであり、加えて酸素の流通を阻害することで、殊に高温大気雰囲気下などでの耐酸化性をも備えさせ、もって断熱性の維持が図られるようになっている。また本発明に係る保護層を備えた多孔質ＳｉＣ焼結体の製造方法では、断熱性、軽量性などを飛躍的に推進させることができ且つ酸素の流通を阻害することで高温大気雰囲気下などでの耐酸化性をも備えさせ、もって断熱性の維持が図られるようにした多孔質ＳｉＣ焼結体を製造することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１９】
【図１】本発明に係る多孔質ＳｉＣ焼結体においてベースとなる本体部を製造するための第１方法を概念的に説明した模式図であって（ａ）は成形素材であり（ｂ）は成形体であり（ｃ）は炭化骨格体であり（ｄ）は本体部である。
【図２】本体部を製造するための第２方法を概念的に説明した模式図であって（ａ）は成形体であり（ｂ）は炭化骨格体であり（ｃ）は本体部である。
【図３】本体部を製造するための第３方法を概念的に説明した模式図であって（ａ）は成形体であり（ｂ）は炭化骨格体であり（ｃ）は本体部である。
【図４】保護層を形成させる際に採用可能なスパッタ法を説明した模式図である。
【図５】保護層を形成させる際に採用可能なＣＶＤ法を説明した模式図である。
【図６】本発明に係る「保護層を備えた多孔質ＳｉＣ焼結体」の第１実施形態を模式的に示した断面図である。
【図７】図６のＸ部拡大図である。
【図８】本発明に係る「保護層を備えた多孔質ＳｉＣ焼結体」の第２実施形態を模式的に示した断面図である。
【図９】本発明に係る「保護層を備えた多孔質ＳｉＣ焼結体」の第３実施形態を模式的に示した断面図である。
【図１０】第１方法（図１）で製造した半完成焼結体Ａの断面を写した電子顕微鏡写真である。
【図１１】実施例１で製造した多孔質ＳｉＣ焼結体Ｄの断面を写した電子顕微鏡写真である。
【図１２】実施例１で製造した多孔質ＳｉＣ焼結体Ｄの断面（図１１とは異なる部位）を写した電子顕微鏡写真である。
【図１３】実施例３で製造した多孔質ＳｉＣ焼結体Ｆの断面を写した電子顕微鏡写真である。
【図１４】耐酸化性試験を行うに際して作成した供試体の断面図である。
【図１５】参考例１で製造した多孔質ＳｉＣ焼結体Ａについて耐酸化性試験を行った後の断面を写した電子顕微鏡写真である。
【発明を実施するための形態】
【００２０】
以下、本発明の実施の形態を、図面に基づき説明する。
図６及び図７は、本発明に係る「保護層を備えた多孔質ＳｉＣ焼結体」２０の第１実施形態を示している。これら図６及び図７から明らかなように、本発明に係る多孔質ＳｉＣ焼結体２０は、ベースとなる構造部分（以下、「本体部１」と言う）に対してその外面全面を覆うように保護層２１が設けられたものとして構成されている。本体部１は、ＳｉＣ化された多孔質焼結体であり、保護層２１は気密質又は多孔質を持ったものとして形成されている。
【００２１】
まず、本体部１について説明する。この本体部１は、図７（後述する第１の製造方法を説明した図１（ｄ）も合わせて参照）に示すように、中空の球状を呈したセル部２を多数内在しており、また隣り合うセル部２とセル部２との間にはマトリクス部３が介設されるようになっている。
マトリクス部３は、セル部２とセル部２との間を突っ張らせて乖離状態に保持（スペースを形成）させたり、セル部２とセル部２との外周面を僅かに隆起させ又は直接的に接触させた状態として両セル部２同士を固着させたりしている。言い換えれば、マトリクス部３は、隣り合うセル部２の相互間を固定させるための支持部材である。
【００２２】
なお、これらセル部２とマトリクス部３とはＳｉＣにより焼結一体化されているので、両者間に物理的且つ外観的な境界は存在しない。セル部２の形状や大きさ、配置等に規則性はなく、またマトリクス部３の形体や配置（ボリュウム、長さ、本数、方向性など）についても、特に規則性はない。
セル部２の内部には球状の気孔６が形成されている他、セル部２とセル部２との相互間や、マトリクス部３とマトリクス部３との相互間、更にはマトリクス部３とセル部２との相互間にも気孔５が形成されている。
【００２３】
このように、多孔質ＳｉＣ焼結体１は、各セル部２内に形成される気孔６以外にも多数の気孔５をも有したものであって、従来公知のＳｉＣ焼結体などとは比較にならないほどに高い気孔率の多孔質構造体となっている。
具体的には、この多孔質ＳｉＣ焼結体１は全気孔率が７０％を超えるものとされている。必要に応じて、８０％以上、より好ましくは８５％以上に達するものとすることもできる。また、この多孔質ＳｉＣ焼結体１の閉気孔率は３０％以上であるものとするのが好適である。閉気孔率は多ければ多いほどよい。ただ製造の容易さやコストなどとの関連において、８０％程度を上限と設定することが推奨される。
【００２４】
多孔質ＳｉＣ焼結体１の嵩密度は０．１ｇ／ｃｍ3以上０．９３ｇ／ｃｍ3以下とされている。このようにすることで、数百℃を超えるような高温環境下においても高い断熱性を発揮し、尚かつ、水に浮くほどの軽量化を達成できるものとなっている。多孔質を活かした他の用途では、防音性を要求される資材としても採用可能である。
セル部２内に形成される気孔６の平均内径は、１μｍ〜２００μｍ、より好ましくは５μｍ〜１００μｍとするのがよい。この気孔６の平均内径は、セル部２を形成させるために用いる成形素材（後述する有機マイクロバルーンであって図１（ａ）の符号１０）の平均粒径をどの範囲とするかによって決まる。この有機マイクロバルーン１０の粒径については後述する。
【００２５】
なお、前記のように、マトリクス部３の長さ（セル部２とセル部２との固着間隔）は一定ではないが、おおよそセル部２の内径と同等以下とするのが好適である。このセル部２の固着間隔は、成形素材に用いる原料（有機マイクロバルーン１０と共に使用するシリコン粉末など）の平均粒径や充填率、混合率などに起因するところが大きい。
次に、保護層２１について説明する。前記したように、この保護層２１は気密質又は多孔質に形成されている。気密質とは、気体が流通しないか又は減圧した内部に気体が流入しない構造を言うものとする。また多孔質とは、気孔率が５０％程度以下である構造を言うものとする。保護層２１を多孔質とする場合において、気孔は開気孔の占有率が高い場
合や反対に閉気孔の占有率が高い場合、或いは開気孔と閉気孔との混合率が特定されることなく混合されている場合など、いずれを選択することも可能である。
【００２６】
すなわち、保護層２１において開気孔の占有率が高い場合であっても、ＳｉＣが高温下で酸化してＳｉＯ2になることで体積膨張が起これば、気孔が小さくなったり塞がったりすることに伴って空気の流通が困難になる。それ故、本体部１に対して酸素の影響を防止できることになる。
このような保護層２１を備えていることで、この多孔質ＳｉＣ焼結体２０は、耐熱性や断熱性、耐摩耗性、気密性、防音性等において高性能を発揮できるものである。のみならず、保護層２１は、本体部１の外面に配置された気孔５，６を覆って平坦化していることになるので、保護層２１が無い場合（本体部１が外部に曝されている場合）に比べて表面積の抑制に繋がり、高温及び酸化の環境による侵蝕の影響を最小限に抑制できるという利点を有したものとなっている。
【００２７】
本体部１に対して保護層２１を形成する面は、全面とすることが好ましいが、多孔質ＳｉＣ焼結体２０の使用面として一面だけに限定されるような場合であれば、本体部１の少なくとも一面に保護層２１を形成させるものでもよいとする。また、保護層２１の層厚は特に限定されるものではないが、重量的な配慮から重くなりすぎない範囲（５ｍｍ以下）とするのが好適である。実用的には、０．５〜１ｍｍ程度の範囲で適宜選択すればよい。
【００２８】
保護層２１は、本体部１と同様にＳｉＣにより形成されたものとすると、層自体の機械的強度が高まって好適であると共に、本体部１との物性（熱膨張率など）が一致乃至近似することによって保護層２１と本体部１との耐熱衝撃性も高まり、好適と言える。
次に、この多孔質ＳｉＣ焼結体１の製造方法を説明する。
この多孔質ＳｉＣ焼結体１は、予め本体部１を完成させた後、この本体部１に対して保護層２１を形成させる手順となっている。本体部１を製造する方法には、大きく分けて３通りある。図１は、そのうちの第１の製造方法を概念的に説明した模式図であって（ａ）は成形素材１２であり（ｂ）は成形体１４であり（ｃ）は炭化骨格体１７であり（ｄ）は本体部１である。
【００２９】
まず、図１（ａ）に示すように、有機マイクロバルーン１０と、シリコン１１の粉末とを最初の段階で混合することによって成形素材１２を準備する。またこの第１の製造方法では、次の工程での成形を容易にさせるために更にスラリー状態としたバインダー１３をも加えて、これら三者を一緒に混合させるようにしている。このように、混合させる手順は、反応焼結法を採用する場合の溶融シリコンの含浸手順や、化学気相反応法（ＣＶＲ）を採用する場合のＳｉＯガス供給とは、シリコン１１の供給手順が全く異なっている。
【００３０】
有機マイクロバルーン１０は中空の球形状（完全球である必要はなく卵形状や膨れ気味の円盤状等といった多少の異形化は含む）を呈したものであって、その殻の部分の材質は、安定したバルーン形状を保持でき、非酸化性雰囲気中にて焼成した際に炭化するものであれば特に限定されないが、炭化させた際の残炭率（炭素残留率）が高いものがより好ましい。具体的には、フェノール樹脂やポリイミド樹脂、などである（分子中に芳香環を含むものが特に好ましいと思われる）。
【００３１】
また、有機マイクロバルーン１０は、その平均粒径が１μｍ以上２００μｍ以下とするのが好適である。平均粒径が１μｍより小さいものでは、有機マイクロバルーン１０全体に対する殻の占有割合が高くなることに伴って、多孔質ＳｉＣ焼結体１としたときの嵩密度を高めてしまう。そのため、多孔質ＳｉＣ焼結体１の全気孔率が小さくなる不具合となる。反対に、平均粒径が２００μｍを超えるものでは、空気の対流を抑える効果が小さくなり、結果的に多孔質ＳｉＣ焼結体１の断熱性を十分に高められなくなる。また、強度的にも低下傾向を示すような不具合となる。より好ましくは、有機マイクロバルーン１０の平均粒径は５μｍ以上１００μｍ以下とするのがよい。
【００３２】
シリコン１１の粉末は、有機マイクロバルーン１０よりも粒径が小さなものを用いるのが好適であり、平均粒径が１μｍ以上２０μｍ以下とするのがよい。なかでも、５μｍ前後とするのが一層好適であることが実験により確かめられている。平均粒径が１μｍより小さくすることにはメリットが殆どなく、寧ろ、入手の難しさや高コスト化等を招来する
ことになるので好適ではない。また、平均粒径が２０μｍを超えると有機マイクロバルーン１０とシリコン１１との密度差を原因として、シリコン粉末の沈降と分離とが顕著に起こるようになり、有機マイクロバルーン１０とシリコン１１とを均一に混合させるうえで障害となる。
【００３３】
有機マイクロバルーン１０とシリコン１１との混合割合は、有機マイクロバルーン１０を炭化温度で焼成して得られるカーボンを基準として、このカーボンとシリコン１１とのモル比を等量にすることを目安として決定する。ここにおいて等量は完全一致という意味ではなく、略対等となる量とおく。おおよそ、有機マイクロバルーン１０を「１」とおいて、シリコン１１を「１．２」（バインダーを加えない場合）前後となるように設定するとよい。
【００３４】
この成形素材１２の準備過程では、有機マイクロバルーン１０とシリコン１１の粉末とが均一に分散するように混合（攪拌）することが重要となる。この第１の製造方法では、前記したようにスラリー状態のバインダー１３を加えているため、このバインダー１３が有機マイクロバルーン１０とシリコン１１の粉末とを均一分散させるうえで有益に作用する。とはいえ、シリコン１１は有機マイクロバルーン１０よりも粒径が小さな粉末であるから、乾燥状況下にあっても均一分散は比較的容易に実現できる。すなわち、バインダー１３をスラリー状態にすることは殊更限定されるものではない。また、そもそもバインダー１３を加えること自体、限定されるものではない。
【００３５】
バインダー１３としては、特に限定はされないが、非酸化性雰囲気中にて焼成した際に炭化するものが好ましい。なお、バインダー１３はスラリー状態でもドライ状態でもよい。このバインダー１３の混合比は、有機マイクロバルーン１０の重量に対して５０重量部以下となるようにしておくのが好適である。５０重量部を超えると、多孔質ＳｉＣ焼結体１としたときのマトリクス部３が過密になって全気孔率が低下する不具合に繋がる。
【００３６】
そして、次に図１（ｂ）に示すように、この成形素材１２を流し込み成型法などにより、例えば板状などの所望形状を呈する成形体１４に成形する。なお、成形しようとする成形体１４が複雑な形状や肉厚の薄い形状等である場合、或いは成形体１４にした後の取り扱いで破損が予測される場合などでは、有機マイクロバルーン１０とシリコン１１との固着強度を高める理由から、バインダー１３の混合は推奨される。また、バインダー１３は、前記の適切混合量を守ることでマトリクス部３の形成をはじめ、気孔５の形成に好適となる場合がある。
【００３７】
バインダー１３をスラリー状態で混合している場合には、流し込み成型時に同時に加熱をも行って成形体１４を乾燥させるようにする。この乾燥過程では、バインダー１３が毛管作用等に伴って有機マイクロバルーン１０の相互間に隅々まで吸引され、狭い隙間では表面張力で塊状に集まる現象が起こる。従って、このことが後にマトリクス部３を形成させるうえで有益に作用することになる。また、バインダー１３の使用量を可及的に抑える効果（バインダー量を減らしても成形体１４の強度を維持する効果）をも招来することになり、好適と言える。
【００３８】
そして、次に図１（ｃ）に示すように、この成形体１４を真空雰囲気や不活性ガス雰囲気などの非酸化性雰囲気中に入れ、有機マイクロバルーン１０の炭化温度（５００〜８００℃程度）で焼成する。この段階の焼成ではシリコン１１はいまだ未反応の状態を維持する。この焼成により、有機マイクロバルーン１０はその球状を引き継いだカーボン製の中空球１５に変化すると共に、バインダー１３はこの中空球１５のまわりを取り囲むように分散する炭化成分１６として変化する。また、中空球１５のまわり（バインダー１３が変化した炭化成分１６中）にシリコン１１が残存する構造の炭化骨格体１７が得られる。
【００３９】
そして、次に図１（ｄ）に示すように、この炭化骨格体１７を酸化性雰囲気に置いたままで、この炭化骨格体１７とシリコン１１とが反応焼結を起こす温度へ昇温させる。この昇温によって炭化骨格体１７を焼成することにより、カーボン製の中空球１５が依然としてその球状を引き継いだままＳｉＣによるセル部２へと置換され、また中空球１５のまわりの炭化成分１６がセル部２とセル部２との間を固着させるようにしてＳｉＣによるマトリクス部３へと置換される。すなわち、この段階で本体部１が完成する。
【００４０】
なお、炭化骨格体１７を得るための炭化温度での焼成を行った後、次に反応焼結を起こす温度（焼結温度）での焼成に移行させる昇温のタイミング（炭化骨格体１７になったタイミング）は、焼成炉の炉内圧によって知ることができる。すなわち、炭化温度での焼成中、フェノール樹脂の分解によってガスが発生すると炉内圧が上がり、その後、フェノール樹脂の分解が終わると炉内圧が低下するので、この炉内圧の挙動から焼結温度での焼成タイミングを知ることができる。
【００４１】
なお、バインダー１３を用いた場合について付言すれば、バインダー１３が炭化する際に一部が分解し、ガス化して消失するが、この消失時に気孔５を形成することに繋がり、気孔５を増やす効果を生じている。
図２は本体部１を製造する第２の製造方法を概念的に説明した模式図であって（ａ）は成形体１４であり（ｂ）は炭化骨格体１７であり（ｃ）は本体部１である。
【００４２】
この第２の製造方法が、第１の製造方法（図１）と最も異なるところは、成形素材として使用するバインダー１３をドライ状態としている点にある。そのため、この成形素材から成形体１４を成形する際には加圧（圧縮）成形法などを採用するのが好適となる。その他の手順等は第１の製造方法と略同じであるのでここでの詳説は省略する。
図３は本体部１を製造する第３の製造方法を概念的に説明した模式図であって（ａ）は成形体１４であり（ｂ）は炭化骨格体１７であり（ｃ）は本体部１である。
【００４３】
この第３の製造方法が、第１の製造方法（図１）と最も異なるところは、成形素材にバインダーを不使用にしている点にある。そのため、この場合も、成形素材から成形体１４を成形する際には加圧（圧縮）成形法などを採用するのが好適となる。その他の手順等は第１の製造方法と略同じであるのでここでの詳説は省略する。
次に、本体部１の外面に保護層２１を設けるには、例えば、図４に模式的に示したスパッタ法や、図５に模式的に示したＣＶＤ法、或いは溶射法（図示略）などを採用することができる。その他、低気孔率のＳｉＣ焼結体を製造する方法として、層形成に好都合の方法があればその方法を採用することも可能である。
【００４４】
図４に例示するように、スパッタ法では、キャンバー３０内にシリコンなどのターゲット３１を配置すると共に、このターゲット３１に対峙させるように本体部１を装填し、キャンバー３０内へアルゴンなどの不活性ガスを吹き込む。そして、ターゲット３１を陰極とし、本体部１を陽極としてこれらの間に数百Ｖの電圧を印加してターゲット３１に不活性ガスを高速で衝突させることにより、ターゲット３１から飛び出した原子や分子を本体部１上に付着堆積させ、もって保護層２１を形成させるものである。
【００４５】
一方、図５に例示するように、ＣＶＤ法では、本体部１を装填したキャンバー３５内を真空雰囲気に保ちつつシリコンなどの原料ガスを噴射し、光、熱、プラズマなどのエネルギー（図例では高周波又はマイクロ波を用いる場合を例示）によって原料ガスに化学反応を起こさせることにより、本体部１上に付着堆積させ、もって保護層２１を形成させるものである。
【００４６】
図８は、本発明に係る多孔質ＳｉＣ焼結体２０の第２実施形態につき、その断面構造を拡大して示した模式図である。この第２実施形態の多孔質ＳｉＣ焼結体２０も、本体部１に対してその外面全面を覆うように保護層２１が設けられた構成である点は第１実施形態と同じであり、また本体部１には中空の球状を呈したセル部２が多数内在しており、隣り合うセル部２とセル部２との間にはマトリクス部３が介設されるようになっている。
【００４７】
本第２実施形態の多孔質ＳｉＣ焼結体２０が第１実施形態（図６及び図７）と最も異なるところは、本体部１において、セル部２やマトリクス部３にランダム的に多くの開口部分７が生じている点にある。このような開口部分７は、気孔５，６を本体部１の外面（保護層２１との界面部分）へ向けて開放させたり、隣り合う気孔５，６を連通させしたりしている。すなわち、気孔５，６の多くは開気孔であり、また連続気孔である。
【００４８】
とはいえ、気孔５，６のなかには、本体部１の内部だけに留まる（外面までは達しない）状態で連続気孔を形成したり独立気孔（単一の気孔５，６のみによって形成された気孔）を形成したりするものも、含まれていることを除外しない。
そして、本体部１の外面に向けて開気孔とされた気孔５，６や開口部分７には断熱性ガ
スが封入されたり、真空にされたりしている。言い換えれば、本体部１と保護層２１との界面部には、断熱性ガスが封入された気孔、又は真空にされた気孔が存在している。
【００４９】
なお、このように保護層２１には、気孔５，６や開口部分７に封入された断熱性ガスが逸失されないこと、或いは気孔５，６や開口部分７を真空にしたときに真空が破壊されないことが条件として与えられる。そのため、保護層２１は、それらの条件を満足させるために気密質であることが必要とされている。なお、多孔質であっても殆どの気孔を閉気孔とすることができる場合であれば採用可能である。ここにおいて、保護層２１を多孔質とする場合、気孔はその殆どが閉気孔であるものとする。
【００５０】
このような保護層２１を備えていることで、この多孔質ＳｉＣ焼結体２０は、耐熱性や断熱性、耐摩耗性、気密性、防音性等において更に一層、高性能を発揮できるものである。
本第２実施形態の多孔質ＳｉＣ焼結体２０を製造するには、有機マイクロバルーン１０とシリコン１１とを混合して成形素材１２を得る際に、その混合割合として、次のような操作が必要とされる。すなわち、有機マイクロバルーン１０を炭化温度で焼成して得られるカーボンを基準として、このカーボンに比べてシリコン１１のモル比が少なくなることを目安として決定する。例えば、
１＞［シリコン／カーボン］≧０．５
となるように設定するとよい（バインダーを加えない場合）。好ましくは、
１＞［シリコン／カーボン］≧０．７
となるように設定するとよい。ここにおいて、シリコン１１の量が多すぎる場合は開気孔を生じさせることができない、又は開気孔が過少になる傾向となる。反対に、シリコン１１の量が少なすぎる場合は開気孔が過多になってマトリクス部３が弱体化し、その結果、多孔質ＳｉＣ焼結体１としての全体的な強度低下を招来し、またセル部２とマトリクス部３との間での対流が起こりやすくなって断熱性の低下を招来することになる。
【００５１】
このような配合の成形素材１２であると、焼結温度での焼成段階（図１（ｄ）に示すような本体部１を完成させる段階）で、セル部２及びマトリクス部３にランダム状にカーボンの残留が生じたものとなっている。すなわち、この焼成後に得られた本体部１は、未だ残留カーボンを斑状に含んだ半完成品の段階にある。
そこで、この本体部１の半完成品を空気中へと取り出したうえで、５００〜７００℃程度で脱炭させる。この脱炭を行うことにより、本体部１の半完成品に含まれた残留カーボンは焼失し、セル部２やマトリクス部３にはランダム的に多くの開口部分７が生じることになる。これにより、気孔５，６及び開口部分７を多数有する本体部１が完成される。
【００５２】
このような本体部１に対してスパッタ法（図４参照）を実施し、保護層２１を形成させる場合、保護層２１の形成雰囲気は不活性ガスの発生下に保持されることになる。そのため、本体部１の外面で開口している気孔５，６や開口部分７には不活性ガスが封入されることになる。この不活性ガスが断熱作用を高める断熱ガスとなる。
なお、気孔５，６や開口部分７に封入する断熱性ガスは、不活性ガスであることからＳｉＣと反応し難いという特性が得られるが、そのうえで、空気より重いものを選定するのがよい。例えば、アルゴン、クリプトン、キセノンなどを採用可能である。
【００５３】
一方、本体部１に対してＣＶＤ法（図５参照）を実施して保護層２１を形成させる場合では、保護層２１の形成雰囲気は真空に保持されることになる。そのため、本体部１の外面で開口している気孔５，６や開口部分７が真空になる。
本体部１に対して保護層２１を形成する面は、全面とすることが好ましいが、多孔質ＳｉＣ焼結体２０の使用面として一面だけに限定されるような場合であれば、本体部１の少なくとも一面に保護層２１を形成させるものでもよいとする。また、保護層２１の層厚は特に限定されるものではないが、重量的配慮から重くなりすぎない範囲（５ｍｍ以下）とするのが好適である。実用的には、０．５〜１ｍｍ程度の範囲で適宜選択すればよい。
【００５４】
保護層２１は、本体部１と同様にＳｉＣにより形成されたものとすると、層自体の機械的強度が高まって好適であると共に、本体部１との物性（熱膨張率など）が一致乃至近似することによって保護層２１と本体部１との耐熱衝撃性も高まり、好適と言える。
図９は、本発明に係る多孔質ＳｉＣ焼結体２０の第３実施形態を示している。この第３実施形態の多孔質ＳｉＣ焼結体２０では、本体部１に対してその外面全面を覆うように設けられた保護層２１が複数層（図例では第１層２１ａと第２層２１ｂとの二層とした）に積層された構成となっている。その他の構成は、第１実施形態（図６，７参照）や第２実施形態（図８参照）と略同じである。
【００５５】
保護層２１において、本体部１に当接する第１層２１ａと、この第１層２１ａに当接しつつ外気側へ向けられる第２層２１ｂとは、それらの熱伝導率が異なっている。熱伝導率の違いは、第１層２１ａと第２層２１ｂとの成形素材の違い、層形成をする方法や各種条件の違い、層厚の違いなどにより行われている。
例えば次のようにする。すなわち、保護層２１は、基本的に、シリコンとバインダーとしてのフェノール樹脂とを炭化後の［カーボン／シリコン］比が略「１」になるように混合し、炭化させ、反応焼結させることで形成させることができる。このときの［カーボン／シリコン］比では気孔率５０％程度の層となる。そこで、［カーボン／シリコン］比を「２．１程度」にして、混合、炭化、反応焼結、更に脱炭を行って本体部１の上に気孔率７０％程度の第１層２１ａを形成させ、次に［カーボン／シリコン］比を「１」にして気孔率５０％程度の第２層２１ｂを形成させるといったことが可能である。このようにすることで、熱衝撃緩和の作用を高めることができる。
【００５６】
なお、保護層２１において、積層数をいくつにするかについては特に限定されない。また、第１層２１ａの気孔率よりも第２層２１ｂの気孔率を高めることも可能である。更に、シリコンとバインダーとを混合させるだけでなく更に有機マイクロバルーンをも混合するものとして、それらの混合比を、各層の形成時に適宜、異ならせるようにしてもよい。
一方、保護層２１は、スパッタ法やＣＶＤ法によるＳｉＣ被膜の形成方法、或いは溶射による酸化物被膜の形成方法などを採用することでも形成することができる。そこで、前記したような保護層２１の基本的な形成方法（反応焼結法）で本体部１の上に気孔率５０％程度の第１層２１ａを形成させた後、これらスパッタ法、ＣＶＤ法、溶射法により第２層２１ｂを形成させるといったことも可能である。
［参考例１］
第１の製造方法（図１）を採用する。
【００５７】
フェノールマイクロバルーン「Malayan Adhesives & Chemicals Sdn Bhd社製ＢＪＯ−０４８０」１０ｇと、シリコン粉末「高純度化学社製シリコンＳＩＥ２３ＰＢ」１５．２ｇと、バインダー（フェノール樹脂）「住友ベークライト（株）社製ＰＲ−５０２７３」４ｇにエタノール２４ｇを加えたもの）とを混合して成形素材を得た。
この成形素材を型枠に流し込み、エタノールを蒸発させ、厚さ５ｍｍの成形体に成形した。
【００５８】
得られた成形体を非酸化雰囲気中にて炭化温度８００℃にて焼成し、有機マイクロバルーンとバインダー中のフェノール樹脂とを炭化（カーボン）させた。
その後、焼結温度１４２０℃まで昇温させることにより、有機マイクロバルーンとシリコンとを反応焼結させ、多孔質ＳｉＣ焼結体Ａを製造した。
得られた多孔質ＳｉＣ焼結体Ａは、全気孔率８９％、閉気孔率３８％、嵩密度０．３４ｇ/ｃｍ3であった。また熱伝導率は０．０４Ｗ／ｍＫであった（レーザーフラッシュ法）。
【００５９】
図１０は、第１の製造方法（図１）で製造した本実施例の多孔質ＳｉＣ焼結体Ａについて、その断面を写した電子顕微鏡写真である。この図１０から明らかなように、多孔質ＳｉＣ焼結体Ａは気孔（図１（ｄ）の符号５，６に対応するもの）を多く内在したものであり、そのうち閉気孔をはじめ、閉気孔であり且つ独立気孔であるものも十分量が存在するものであった。また閉気孔が小さくもなく大きくもなく、適度な大きさ（内径）を有しているので、空気の対流を阻止するうえで適切となっており、故に、伝熱性を低く抑える効果を十分に発揮するものであった。すなわち、断熱材としての使用に適している。また、多孔質であるが故に、軽量であり、防音性をも有するものである。
［参考例２］
第２の製造方法（図２）を採用する。
【００６０】
フェノールマイクロバルーン「ＢＪＯ−０４８０」１０ｇと、シリコン粉末「ＳＩＥ２３ＰＢ」１６．３ｇと、バインダー（フェノール樹脂）「住友ベークライト（株）製ＰＲ−３１１」４ｇとを混合して成形素材を得た。
この成形素材を型枠に入れ、１００℃、５ＭＰａで加圧成形し、厚さ１０ｍｍの成形体に成形した。
【００６１】
得られた成形体を非酸化雰囲気中にて炭化温度８００℃にて焼成し、有機マイクロバルーンとバインダー中のフェノール樹脂とを炭化させた。
その後、焼結温度１４２０℃まで昇温させることにより、有機マイクロバルーンとシリコンとを反応焼結させ、多孔質ＳｉＣ焼結体Ｂを製造した。
得られた多孔質ＳｉＣ焼結体Ｂは、全気孔率８５％、嵩密度０．４５ｇ/ｃｍ3であった。
［参考例３］
第３の製造方法（図３）を採用する。
【００６２】
フェノールマイクロバルーン「ＢＪＯ−０４８０」１０ｇと、シリコン粉末「ＳＩＥ２３ＰＢ」１１．７ｇとを混合して成形素材を得た。
この成形素材を型枠に入れ、２５０℃、５ＭＰａで加圧成形し、厚さ８ｍｍの成形体に成形した。
得られた成形体を非酸化雰囲気中にて炭化温度８００℃にて焼成し、有機マイクロバルーンとバインダー中のフェノール樹脂とを炭化させた。
【００６３】
その後、焼結温度１４２０℃まで昇温させることにより、有機マイクロバルーンとシリコンとを反応焼結させ、多孔質ＳｉＣ焼結体Ｃを製造した。
得られた多孔質ＳｉＣ焼結体Ｃは、全気孔率９１％、嵩密度０．２８ｇ/ｃｍ3であった。
［結果］
参考例１により得られた多孔質ＳｉＣ燒結体Ａ、参考例２により得られた多孔質ＳｉＣ燒結体Ｂ、参考例３により得られた多孔質ＳｉＣ燒結体Ｃについて、それぞれ破損確認試験を実施した。その結果を表１に示す。
【００６４】
破損確認試験は、各燒結体Ａ，Ｂ，Ｃから一辺が２ｃｍの正方形板状の供試体（面積４ｃｍ2）に加工後、これら各供試体の上面中央部に負荷を加えて１分間、静置し、その後における供試体の変形やクラックの有無などを目視で確認する方法で実施した。
【００６５】
【表１】
2015205781.tif 000003
【００６６】
［実施例１］
第１の製造方法（図１）を採用する。
フェノールマイクロバルーン「ＢＪＯ−０４８０」１０ｇと、シリコン粉末「ＳＩＥ２３ＰＢ」１５．２ｇと、バインダー（「ＰＲ−５０２７３」４ｇにエタノール２４ｇを加えたもの）とを混合して成形素材を得た。
【００６７】
この成形素材を型枠に流し込み、エタノールを蒸発させ、厚さ５ｍｍの成形体に成形した。
更に、フェノール樹脂「ＰＲ−３１１」と、シリコン粉末「ＳＩＥ２３ＰＢ」とを重量比１：１．１７にて混合し、この成形体の上に混合粉を乗せ、１００℃でプレス成型して厚み６ｍｍの成形体を得た。
【００６８】
得られた成形体を非酸化雰囲気中にて炭化温度８００℃にて焼成し、有機マイクロバルーンとバインダーのフェノール樹脂を炭化（カーボン）させた。
その後、焼結温度１４２０℃まで昇温させることにより、炭化したフェノールマイクロバルーン、フェノール樹脂とシリコンを反応焼結させ、多孔質ＳｉＣ焼結体Ｄを製造した。この多孔質ＳｉＣ焼結体Ｄの断面を写した電子顕微鏡写真を図１１及び図１２に示す。［実施例２］
第１の製造方法（図１）を採用する。
【００６９】
フェノールマイクロバルーン「ＢＪＯ−０４８０」１０ｇと、シリコン粉末「ＳＩＥ２３ＰＢ」１５．２ｇと、バインダー（「ＰＲ−５０２７３」４ｇにエタノール２４ｇを加えたもの）とを混合して成形素材を得た。
この成形素材を型枠に流し込み、エタノールを蒸発させ、厚さ５ｍｍの成形体に成形した。
【００７０】
更に、フェノールマイクロバルーン「ＢＪＯ−０４８０」と、フェノール樹脂「ＰＲ−３１１」と、シリコン粉末「ＳＩＥ２３ＰＢ」とを重量比１：５：７にて混合し、この成形体の上に混合粉を乗せ、１００℃でプレス成型して厚み６ｍｍの成形体を得た。
更に、フェノール樹脂「ＰＲ−３１１」と、シリコン粉末「ＳＩＥ２３ＰＢ」とを重量比１：１．１７にて混合し、この成形体の上に混合粉を乗せ、１００℃でプレス成型して厚み７ｍｍの成形体を得た。
【００７１】
得られた成形体を実施例１と同様に炭化・反応焼結させ、多孔質ＳｉＣ焼結体Ｅを製造した。
［実施例３］
参考例１にて製造した多孔質ＳｉＣ焼結体Ａにアルゴン気流下、スパッタ法にてＳｉＣ被膜を形成し、２層構造の多孔質ＳｉＣ焼結体Ｆを製造した。この多孔質ＳｉＣ焼結体Ｆの断面を写した電子顕微鏡写真を図１３に示す。
［実施例４］
実施例１にて製造した多孔質ＳｉＣ焼結体Ｄにアルゴン気流下、スパッタ法にてＳｉＣ被膜を形成し、３層構造の多孔質ＳｉＣ焼結体Ｇを製造した。
［実施例５］
参考例１にて製造した多孔質ＳｉＣ焼結体Ａに溶射法にてアルミナ被膜を形成し、２層構造の多孔質ＳｉＣ焼結体Ｈを製造した。
［実施例６］
参考例１にて製造した多孔質ＳｉＣ焼結体Ａに溶射法にてグレーアルミナ被膜を形成し、２層構造の多孔質ＳｉＣ焼結体Ｉを製造した。
【００７２】
実施例１〜６の各試料（多孔質ＳｉＣ焼結体Ｄ〜Ｉ）について、以下に示す耐酸化性試験を行った。試験方法は、図１４に示すように、試料（本体部及び保護層）を本体部側が埋没する向きで酸化阻止層（アルミナ等）に埋めてプレス成型し、不活性ガス（アルゴン等）中で１４００℃に加熱することにより酸化阻止層を固め、供試体として準備する。そして、得られた供試体と多孔質ＳｉＣ焼結体Ａとにつき、大気中で１５００℃に加熱することを１０時間維持させ、大気放冷後に本体部に対する酸化の影響を調べるものとした。
【００７３】
この耐酸化性試験の結果、図１５に示すように、多孔質ＳｉＣ焼結体Ａについてはある程度の酸化の影響が見られた。これに対し、多孔質ＳｉＣ焼結体Ｄ〜Ｉについては、いずれも酸化の影響はほとんど見られなかった。
ところで、本発明は、前記実施形態に限定されるものではなく、実施の形態に応じて適宜変更可能である。
【００７４】
例えば、多孔質ＳｉＣ焼結体１において、その形状は板状とすることが限定されるものではなく、シート状（薄板）、棒状、管状、ブロック状などとしてもよい。また、多孔質ＳｉＣ焼結体１としての用途についても何ら限定されるものではなく、高熱環境や騒音環
境などに曝される機械部品や内外装材などとして使用することができる。
炭化骨格体１７を得るための炭化温度での焼成を行った後、次に多孔質ＳｉＣ焼結体１とさせるための焼結温度での焼成に移行する際に、焼成温度を変えて連続して焼成を行うことは限定されるものではなく、各焼成工程を切り離してもよい（炭化骨格体１７として常温に戻した状態でストックするようなことも可能である）。
【００７５】
本体部１と保護層２１との界面部に封入する断熱ガスとしてＣＯ2を採用することも可能である。
【符号の説明】
【００７６】
１  本体部
２  セル部
３  マトリクス部
５  気孔
６  気孔
７  開口部分
１０  有機マイクロバルーン
１１  シリコン
１２  成形素材
１３  バインダー
１４  成形体
１５  中空球
１６  炭化成分
１７  炭化骨格体
２０  保護層を備えた多孔質ＳｉＣ焼結体
２１  保護層
３０  チャンバー
３１  ターゲット
３５  チャンバー
【図４】
2015205781.tif 000004
【図５】
2015205781.tif 000005
【図６】
2015205781.tif 000006
【図７】
2015205781.tif 000007
【図８】
2015205781.tif 000008
【図９】
2015205781.tif 000009
【図１４】
2015205781.tif 000010
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図１０】
2015205781.tif 000014
【図１１】
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【図１２】
2015205781.tif 000016
【図１３】
2015205781.tif 000017
【図１５】
2015205781.tif 000018