(57)【要約】【課題】無電解銅めっき層などの金属部とドライフィルムレジストとの密着性を高めることができる積層構造体の製造方法を提供する。【解決手段】本発明に係る積層構造体の製造方法は、金属部を上面に有する基板又は金属部を上面に有する第２の絶縁層上に、絶縁フィルムと、基材フィルムとをこの順で積層する積層工程と、前記基材フィルムを前記絶縁フィルムの表面から剥離する剥離工程と、前記絶縁フィルム上に、めっき処理により金属部を形成するめっき工程とを備え、前記基材フィルムは、前記絶縁フィルムと接する表面に凹凸を有し、前記剥離工程後かつ前記めっき工程前に、前記基材フィルムの表面の凹凸に由来して、前記絶縁フィルムは、前記基材フィルムと接していた表面に凹凸を有する。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
金属部を上面に有する基板又は金属部を上面に有する第２の絶縁層上に、絶縁フィルムと、基材フィルムとをこの順で積層する積層工程と、
前記基材フィルムを前記絶縁フィルムの表面から剥離する剥離工程と、
前記絶縁フィルム上に、めっき処理により金属部を形成するめっき工程とを備え、
前記基材フィルムは、前記絶縁フィルムと接する表面に凹凸を有し、前記剥離工程後かつ前記めっき工程前に、前記基材フィルムの表面の凹凸に由来して、前記絶縁フィルムは、前記基材フィルムと接していた表面に凹凸を有する、積層構造体の製造方法。
【請求項２】
前記積層工程後に、前記絶縁フィルムの硬化を進行させる予備硬化工程を備え、
前記積層工程後に、かつ前記予備硬化工程前、前記予備硬化工程中又は前記予備硬化工程後に、前記基材フィルムを前記絶縁フィルムの表面から剥離する剥離工程を行う、請求項１に記載の積層構造体の製造方法。
【請求項３】
前記基材フィルムの前記絶縁フィルムと接する表面の、ＪＩＳ  Ｂ０６０１−１９９４に準拠して測定された算術平均粗さＲａが５０ｎｍ以上、３００ｎｍ以下である、請求項１又は２に記載の積層構造体の製造方法。
【請求項４】
前記基材フィルムの前記絶縁フィルムと接する表面が、フィラー練り込み法によりマット加工されている、請求項１〜３のいずれか１項に記載の積層構造体の製造方法。
【請求項５】
前記めっき処理により形成された金属部の前記絶縁フィルム側とは反対の表面の、ＪＩＳ  Ｂ０６０１−１９９４に準拠して測定された算術平均粗さＲａが５０ｎｍ以上、３００ｎｍ以下である、請求項１〜４のいずれか１項に記載の積層構造体の製造方法。
【請求項６】
前記積層工程において、前記絶縁フィルムと前記基材フィルムとが積層された積層フィルムを用いる、請求項１〜５のいずれか１項に記載の積層構造体の製造方法。
【請求項７】
前記積層工程において、金属部を上面に有する基板又は金属部を上面に有する絶縁層上に、絶縁フィルムを積層した後、前記絶縁フィルム上に、前記基材フィルムを積層する、請求項１〜６のいずれか１項に記載の積層構造体の製造方法。
【請求項８】
前記積層工程後に、前記絶縁フィルムの硬化を進行させる予備硬化工程を備え、
前記剥離工程を、前記予備硬化工程後に行う、請求項１〜７のいずれか１項に記載の積層構造体の製造方法。
【請求項９】
ビルドアップ配線板である積層構造体を得る、請求項１〜８のいずれか１項に記載の積層構造体の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、金属部とドライフィルムレジストとの密着性を高めることができる積層構造体の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、積層板及びプリント配線板等の電子部品を得るために、様々な樹脂組成物が用いられている。例えば、多層プリント配線板では、内部の層間を絶縁するための絶縁層を形成したり、表層部分に位置する絶縁層を形成したりするために、樹脂組成物が用いられている。上記絶縁層の表面には、一般に金属部である配線が積層される。また、絶縁層を形成するために、上記樹脂組成物をフィルム化した絶縁フィルムが用いられることがある。
【０００３】
また、近年、電子機器の小型化及び薄型化が進行している。このため、プリント配線板において、高密度化が求められている。高密度化を達成するためには、配線の微細化、及び配線の多層化を図る必要がある。高密度化されたプリント配線板では、接続不良及び絶縁不良が発生せずに、高い導通信頼性及び高い絶縁信頼性を有することが求められている。
【０００４】
これらの要求に対応するプリント配線板として、ビルドアップ法を用いたビルドアップ配線板が知られている。ビルドアップ法では、基板上に配線を形成したコア層の上に絶縁層を形成する工程と、さらにその上に配線を形成する工程と、さらにその上に絶縁層を形成する工程とを繰り返すことにより、ビルドアップ配線板が得られる。
【０００５】
ビルドアップ配線板における銅配線の形成法に関しては、基板全面にパネルめっきした後に配線を形成するサブトラクティブ法から、基板の所定の部分にパターンめっきすることによって微細な配線を形成するセミアディティブ法（以下、ＳＡＰ工法と記載することがある）にシフトしてきている。このようなＳＡＰ工法によりビルドアップ配線板を得る方法は、例えば、下記の特許文献１に開示されている。
【０００６】
ＳＡＰ工法において、より微細な配線を形成する際には、ドライフィルムレジスト（以下、ＤＦＲと記載することがある）と無電解銅めっき層との密着性の向上が必要となる。無電解めっき層とＤＦＲの密着性が低い結果、ＤＦＲが部分的にでも剥がれると、銅配線間の形状に裾引きが生じたり、配線間の距離が短くなったり、配線ショートなどが起こったりする。
【０００７】
この問題を解決するために、幾つかの方法が検討されている。
【０００８】
絶縁層を形成するための材料として、下記の特許文献２には、一方の最外層Ａが金属層を形成するための層であり、他方の最外層Ｂが、形成された回路と対向させるための層である絶縁性接着シートが開示されている。上記最外層Ａの表面粗さは、カットオフ値０．００２ｍｍで測定した算術平均粗さＲａで０．４μｍ以下である。上記最外層Ａは、（ａ）樹脂組成物成分及び（ｂ）比表面積が、２０ｍ２／ｇ以上６００ｍ２／ｇ以下のフィラーを含むフィラー成分を必須成分として含有する。上記最外層Ａの２０℃での弾性率は２．３ＧＰａ以上１５ＧＰａ以下である。上記最外層Ｂは、（ｃ）樹脂組成物成分及び（ｄ）平均粒径が、０．１〜５μｍのフィラーを含むフィラー成分を必須成分として含有する。しかしながら、この方法では、樹脂組成に大きな制限が生じる。
【０００９】
エッチングに用いられる材料として、下記の特許文献３には、配線幅１５μｍ以下の銅又は銅合金により形成された金属配線基板の金属表面を、エッチング量０．５μｍ以下で粗化するための金属表面処理剤が開示されている。上記金属表面処理剤は、過酸化水素０．１〜１．０重量％、無機酸０．３〜２．０重量％、ハロゲンイオン０．０００１〜０．０００３重量％及びトリアゾール類０．０１〜０．２重量％を含有する。この方法では、銅めっきされた表面をマイクロエッチングすることにより、アンカー効果を高めて密着力を向上させる手法が提案されている。しかしながら、この手法では銅めっき層が薄くなりやすく、エッチングにより皮膜が部分的に消失して、以降の工程で不具合が発生する可能性がある。これを抑制するために、無電解銅めっき層の厚みを厚くすると、微細な配線を形成する際に非パターン部（非めっき部）の表面に残留する無電解銅をクイックエッチングで除去するために長時間を要する。さらにパターン部（めっき部）の電解銅めっきも同時にエッチングされ、配線が過度に細くなりやすい。
【先行技術文献】
【特許文献】
【００１０】
【特許文献１】特開２０１２−７４５５７号公報
【特許文献２】特開２００８−２６５０６９号公報
【特許文献３】特開２０１１−３８１２４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１１】
特許文献１〜３に記載のような従来の方法でビルドアップ配線板を形成した場合に、絶縁層の微細粗面化によって、無電解銅めっき層とＤＦＲとの密着性が高くなる。しかし、無電解銅めっき層とＤＦＲとの密着性を簡便で汎用性のある方法によって、より一層高めることが求められている。金属層に対するＤＦＲの密着性が低かったり、金属層からＤＦＲが剥離しやすかったりすると、微細な配線を形成することは困難である。また、プリント配線板の製造効率を高めるために、簡便な方法で、絶縁層上の金属層とＤＦＲとの密着性を高めることが望まれている。
【００１２】
本発明の目的は、無電解銅めっき層などの金属部とドライフィルムレジストとの密着性を高めることができる積層構造体の製造方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【００１３】
本発明の広い局面によれば、金属部を上面に有する基板又は金属部を上面に有する第２の絶縁層上に、絶縁フィルムと、基材フィルムとをこの順で積層する積層工程と、前記基材フィルムを前記絶縁フィルムの表面から剥離する剥離工程と、前記絶縁フィルム上に、めっき処理により金属部を形成するめっき工程とを備え、前記基材フィルムは、前記絶縁フィルムと接する表面に凹凸を有し、前記剥離工程後かつ前記めっき工程前に、前記基材フィルムの表面の凹凸に由来して、前記絶縁フィルムは、前記基材フィルムと接していた表面に凹凸を有する、積層構造体の製造方法が提供される。
【００１４】
本発明に係る積層構造体の製造方法のある特定の局面では、該積層構造体の製造方法は、前記積層工程後に、前記絶縁フィルムの硬化を進行させる予備硬化工程を備え、前記積層工程後に、かつ前記予備硬化工程前、前記予備硬化工程中又は前記予備硬化工程後に、前記基材フィルムを前記絶縁フィルムの表面から剥離する剥離工程を行う。
【００１５】
本発明に係る積層構造体の製造方法のある特定の局面では、前記基材フィルムの前記絶縁フィルムと接する表面の、ＪＩＳ  Ｂ０６０１−１９９４に準拠して測定された算術平均粗さＲａが５０ｎｍ以上、３００ｎｍ以下である。
【００１６】
本発明に係る積層構造体の製造方法のある特定の局面では、前記基材フィルムの前記絶縁フィルムと接する表面が、フィラー練り込み法によりマット加工されている。
【００１７】
本発明に係る積層構造体の製造方法のある特定の局面では、前記めっき処理により形成された金属部の前記絶縁フィルム側とは反対の表面の、ＪＩＳ  Ｂ０６０１−１９９４に準拠して測定された算術平均粗さＲａが５０ｎｍ以上、３００ｎｍ以下である。
【００１８】
本発明に係る積層構造体の製造方法のある特定の局面では、前記積層工程において、前記絶縁フィルムと前記基材フィルムとが積層された積層フィルムを用い、他の特定の局面では、前記積層工程において、金属部を上面に有する基板又は金属部を上面に有する絶縁層上に、絶縁フィルムを積層した後、前記絶縁フィルム上に、前記基材フィルムを積層する。
【００１９】
本発明に係る積層構造体の製造方法のある特定の局面では、前記積層構造体の製造方法は、前記積層工程後に、前記絶縁フィルムの硬化を進行させる予備硬化工程を備え、前記剥離工程を、前記予備硬化工程後に行う。
【００２０】
本発明に係る積層構造体の製造方法のある特定の局面では、ビルドアップ配線板である積層構造体を得る。
【発明の効果】
【００２１】
本発明に係る積層構造体の製造方法は、金属部を上面に有する基板又は金属部を上面に有する第２の絶縁層上に、絶縁フィルムと、基材フィルムとをこの順で積層する積層工程と、上記基材フィルムを上記絶縁フィルムの表面から剥離する剥離工程と、上記絶縁フィルム上に、めっき処理により金属部を形成するめっき工程とを備えており、更に上記基材フィルムは、前記絶縁フィルムと接する表面に凹凸を有し、上記剥離工程後かつ上記めっき工程前に、上記基材フィルムの表面の凹凸に由来して、上記絶縁フィルムは、上記基材フィルムと接していた表面に凹凸を有するので、無電解銅めっき層などの金属部とドライフィルムレジストとの密着性を高めることができる。
【図面の簡単な説明】
【００２２】
【図１】図１は、本発明の第１の実施形態に係る積層構造体の製造方法により得られる積層構造体を模式的に示す断面図である。
【図２】図２（ａ）〜（ｅ）は、本発明の第１の実施形態に係る積層構造体の製造方法の各工程を説明するための断面図である。
【図３】図３（ａ）〜（ｄ）は、本発明の第１の実施形態に係る積層構造体の製造方法の各工程を説明するための断面図である。
【図４】図４（ａ）〜（ｃ）は、本発明の第１の実施形態に係る積層構造体の製造方法の各工程を説明するための断面図である。
【図５】図５は、本発明の第２の実施形態に係る積層構造体の製造方法により得られる積層構造体を模式的に示す断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００２３】
以下、本発明を詳細に説明する。
【００２４】
本発明に係る積層構造体の製造方法は、金属部（第１の金属部）を上面に有する基板又は金属部を上面に有する絶縁層（第２の絶縁層）上に、絶縁フィルム（後に第１の絶縁層となる）と、基材フィルムとをこの順で積層する積層工程（第１の積層工程）と、上記基材フィルムを上記絶縁フィルムの表面から剥離する剥離工程と、上記絶縁フィルム上に、めっき処理により金属部（無電解銅めっき層など／無電解めっき層など）を形成するめっき工程（めっき工程）とを備える。めっき工程において、めっき処理後に金属部をパターン状にし、パターン状の金属部を形成してもよい。
【００２５】
本発明に係る積層構造体の製造方法では、上記基材フィルムは、上記絶縁フィルムと接する表面に凹凸を有する。本発明に係る積層構造体の製造方法では、上記剥離工程後かつ上記めっき工程前に、上記基材フィルムの表面の凹凸に由来して、上記絶縁フィルムは、上記基材フィルムと接していた表面に凹凸を有する。
【００２６】
本発明に係る積層構造体の製造方法における上述した構成の採用によって、無電解銅めっき層などの金属部とＤＦＲとの密着性を高めることができる。例えば、絶縁層の表面を粗化処理しなくても、粗化処理されていない絶縁層上に形成された無電解銅めっき層などの金属部とＤＦＲとの密着性が高くなる。これは、上記剥離工程後に、上記基材フィルムの上記絶縁フィルムと接する表面の凹凸に由来して、上記絶縁フィルムは、上記基材フィルムと接していた表面に凹凸を有するためであり、また、この凹凸形状が、絶縁層上において、めっき処理により形成された無電解銅めっき層などの金属部の表面形状に影響するためであると考えられる。例えば、金属部のＤＦＲと接する表面にも凹凸が形成されることによって、無電解銅めっき層などの金属部とＤＦＲとの密着性が高くなる。本発明では、粗化処理を行わなくてもよいため、簡便な方法で、無電解銅めっき層などの金属部とＤＦＲとの密着性を高めることができる。従って、本発明では、微細な配線を高精度に形成することもできる。
【００２７】
また、本発明では、絶縁フィルムの材料にさほど大きく影響されず、基材フィルムの凹凸形状に起因して、絶縁フィルムの表面の凹凸形状及び粗度を所定の範囲に制御することが容易である。また、粗化処理する場合には、粗化液の種類や粗化条件によって粗度が変化しやすいが、本発明では、基材フィルムの凹凸形状に起因して、絶縁フィルムの表面に凹凸形状を付与するため、絶縁フィルムの表面の凹凸形状及び粗度を所定の範囲に制御することが容易である。また、粗化処理を行わない場合には、絶縁層の粗化液等に起因する劣化を抑えることができる。また、粗化処理を行わない場合には、積層構造体の製造効率を大幅に高めることができる。なお、本発明では、粗化処理を行ってもよい。また、絶縁フィルム上に基材フィルムが積層されている段階において、絶縁フィルムに異物が付着するのを抑えることもできる。
【００２８】
また、無電解銅めっき層などの金属部とＤＦＲとの密着性を高めることで、金属部（配線）の微細化を進めることができ、金属部（配線）が微細であっても、良好に金属部を形成することができる。
【００２９】
本発明に係る積層構造体の製造方法は、好ましくは、金属部（第１の金属部）を上面に有する基板又は金属部（第１の金属部）を上面に有する絶縁層（第２の絶縁層）上に、絶縁フィルム（後に第１の絶縁層となる）と、基材フィルムとをこの順で積層する第１の積層工程と、上記第１の積層工程後に、上記絶縁フィルムの硬化を進行させる予備硬化工程と、上記第１の積層工程後に、かつ上記予備硬化工程前、上記予備硬化工程中又は上記予備硬化工程後に、上記基材フィルムを上記絶縁フィルムの表面から剥離する剥離工程と、上記剥離工程後に、上記基材フィルムを剥離することにより露出した上記絶縁フィルムの表面上に、無電解めっき処理により無電解銅めっき層などの金属部を形成する。めっき工程において、めっき処理後に金属部をパターン状にし、パターン状の金属部を形成してもよい。次に、無電解銅めっき層などの金属部上に、レジストパターンを形成する。その後、レジストパターンの開口部に対応する位置において、所定の厚みになるまで電解めっき処理を行い、第２の金属部を形成する。めっき処理後に第２の金属部をパターン状にし、パターン状の第２の金属部を形成してもよい。次に、レジストパターンを剥離して、除去する。次に、レジストパターンが除去された部分において、第２の金属部部分をエッチングにより除去し、積層構造体を得ることができる。
【００３０】
本発明に係る積層構造体の製造方法は、好ましくは、上記第１の積層工程後に、上記絶縁フィルムの硬化を進行させる予備硬化工程を備える。本発明に係る積層構造体の製造方法では、好ましくは、上記第１の積層工程後に、かつ上記予備硬化工程前、上記予備硬化工程中又は上記予備硬化工程後に、上記基材フィルムを上記絶縁フィルムの表面から剥離する剥離工程を行う。
【００３１】
以下、図面を参照しつつ、本発明の具体的な実施形態を説明することにより、本発明を明らかにする。本発明の詳細を説明する。
【００３２】
図１は、本発明の第１の実施形態に係る積層構造体の製造方法により得られる積層構造体を模式的に示す断面図である。
【００３３】
図１に示すように、積層構造体１は、基板１１と、第１の金属部１２と、絶縁層１３（第１の絶縁層）と、第２の金属部１４とを備える。第１の金属部１２は、金属配線である。第２の金属部１４は、金属配線である。積層構造体１は、多層ビルドアップ配線板である。
【００３４】
基板１１は、穴１１ａを有する。基板１１は、絶縁基板である。
【００３５】
絶縁層１３は、基板１１の表面上に配置されている。具体的には、第１の金属部１２を表面（上面及び下面）に有する基板１１を用い、第１の金属部１２の表面上（上面上及び下面上）に、絶縁層１３が配置されている。また、第１の金属部１２は、基板１１の両側の表面上に部分的に配置されている。第１の金属部１２は、穴１１ａ内にも配置されている。穴１１ａ内に配置された第１の金属部１２部分により、基板１１の両側の表面上に位置する第１の金属部１２部分が導通されている。穴１１ａは、ビアホールとも呼ばれる。
【００３６】
第１の金属部１２の表面上に、絶縁層１３が積層されている。絶縁層１３は、第１の金属部１２の表面１２ａが部分的に露出するように開口している穴１３ａを有する。穴１３ａはビアホールとも呼ばれる。
【００３７】
絶縁層１３の表面上に、第２の金属部１４が配置されている。第２の金属部１４は、絶縁層１３の第１の金属部１２側とは反対の表面上に、部分的に配置されている。第２の金属部１４は、穴１３ａ内にも配置されている。穴１３ａ内に配置された第２の金属部１４部分により、第１の金属部１２の表面１２ａと第２の金属部１４の表面とが接続されている。第１の金属部１２と第２の金属部１４とは導通されている。
【００３８】
なお、積層構造体１では、第２の金属部１４の絶縁層１３側とは反対側の表面上に、他の絶縁層１５が更に配置されており、さらに他の絶縁層１５の第２の金属部１４側とは反対の表面上に他の金属部１６が更に配置されている。なお、積層構造体の製造方法によっては、絶縁層１３が本発明における上記絶縁フィルムを用いて形成される絶縁層に相当し、第２の金属部１４が本発明におけるめっき工程で形成される金属部に相当し、他の絶縁層１５が本発明における上記絶縁フィルムを用いて形成される絶縁層に相当し、他の金属部１６が本発明におけるめっき工程で形成される金属部に相当することも可能である。
【００３９】
このように、第２の金属部１４を上面に有する絶縁層１３上に、他の絶縁層が更に配置されていてもよく、さらに他の絶縁層の第２の金属部１４側とは反対の表面上に他の金属部が更に配置されていてもよい。さらに、上記他の絶縁層及び他の金属部はそれぞれ、複数であってもよい。また、最表層に、ソルダーレジスト膜などを形成してもよい。
【００４０】
また、積層構造体１では、基板１１の両側にそれぞれ、第１の金属部１２、絶縁層１３及び第２の金属部１４、他の絶縁層１５及び他の金属部１６を配置しているが、これらは片側のみに配置されていてもよい。
【００４１】
次に、図２（ａ）〜（ｅ）、図３（ａ）〜（ｄ）及び図４（ａ）〜（ｃ）を参照しつつ、図１に示す積層構造体を得るための、本発明の第１の実施形態に係る積層構造体の各工程を具体的に説明する。
【００４２】
先ず、第１の金属部１２を上面に有する基板１１（積層体）を用意する（図２（ａ））。なお、第１の金属部１２を上面に有する基板１１（積層体）にかえて、金属部を上面に有する第２の絶縁層（積層体）を用いてもよい。この場合には、後述する図５に示す積層構造体等を得ることができる。
【００４３】
第１の金属部１２を上面に有する基板１１（積層体）を用いて、基板１１の表面上に、絶縁フィルム１３Ａと、基材フィルム３１とを積層する（第１の積層工程、図２（ｂ））。絶縁フィルム１３Ａは、第１の金属部１２の表面上にも積層される。基材フィルム３１は、絶縁フィルム１３Ａと接する表面に凹凸を有する。積層後に、基材フィルム３１の絶縁フィルム１３Ａと接する表面に由来して、絶縁フィルム１３Ａは、基材フィルム３１と接する表面に凹凸を有する。絶縁フィルム１３Ａの基材フィルム３１と接する表面には、基材フィルム３１の表面の凹凸形状が転写されている。
【００４４】
絶縁フィルム１３Ａの材料としては、エポキシ樹脂、ポリイミド、及びアクリル樹脂等が挙げられる。
【００４５】
基材フィルム３１の材料としては、ポリエチレンテレフタレートフィルム及びポリブチレンテレフタレートフィルムなどのポリエステル樹脂フィルム、ポリエチレンフィルム及びポリプロピレンフィルムなどのオレフィン樹脂フィルム、並びにポリイミド樹脂フィルム等が挙げられる。なお、基材フィルム３１の材料は、樹脂フィルムに限定されない。絶縁層に凹凸を良好に転写するためには、基材フィルムの強度が必要になる。基材フィルムが強度を得るためには、基材フィルムの厚みは、１０μｍ以上であることが好ましく、２０μｍ以上であることがより好ましい。基材フィルムの厚みが上記下限以上であると、無電解銅めっき層などの金属部とドライフィルムレジストとの密着性がより一層高くなる。基材フィルムの厚みの上限は特に限定されない。基材フィルムの厚みは、５００μｍ以下であってもよく、１００μｍ以下であってもよい。
【００４６】
次に、上記第１の積層工程後に、絶縁フィルム１３Ａの硬化を進行させて、硬化が進行した絶縁フィルム１３Ｂを形成する（予備硬化工程、図２（ｃ））。基材フィルム３１の絶縁フィルム１３Ｂと接する表面の凹凸に由来して、絶縁フィルム１３Ｂは、基材フィルム３１と接する表面に凹凸を有する。
【００４７】
次に、基材フィルム３１を、絶縁フィルム１３Ｂの表面から剥離する（剥離工程（第１の剥離工程）、図２（ｄ））。
【００４８】
上記第１の剥離工程後、かつ後述するめっき工程前に、基材フィルム３１の表面の凹凸に由来して、絶縁フィルム１３Ｂは、基材フィルム３１と接していた表面に凹凸を有する。
【００４９】
その後、絶縁フィルム１３Ｂにレーザー等を照射して、穴１３ａを有する絶縁フィルム１３Ｃを得る（図２（ｅ））。上記レーザーとしては、ＵＶレーザー、炭酸ガスレーザー及びエキシマレーザー等が挙げられる。
【００５０】
穴１３ａ内には、また穴１３ａの底部（第１の金属部１２の表面１２ａ上）には、絶縁フィルム１３Ｃに含まれている樹脂成分に由来する樹脂の残渣であるスミアが形成されることが多い。絶縁フィルム１３Ｃの穴１３ａ内をデスミア処理してもよい。デスミア処理によって、穴１３ａ内が洗浄され、上記スミアが除去される。なお、第１，第２の金属部１２，１４を導通させるために、穴１３ａの寸法及び穴１３ａの形状を良好にすることは、積層構造体の高密度化と高い導通信頼性及び高い絶縁信頼性とを得る観点から重要である。
【００５１】
デスミア処理を行う際に、絶縁フィルム１３Ｃの表面の粗度を高めるために、絶縁フィルム１３Ｃの表面は、粗化処理されてもよい。但し、本実施形態では、基材フィルム３１の表面の凹凸に由来して、絶縁フィルム１３Ｃは、基材フィルム３１と接していた表面に凹凸を有するので、粗化処理を行わなくてもよい。
【００５２】
次に、上記第１の剥離工程後に、基材フィルム３１を剥離することにより露出した絶縁フィルム１３Ｃの表面上に、めっき処理により第２の金属部１４Ａを形成する（第１のめっき工程、図３（ａ））。第２の金属部１４Ａは、例えば、無電解めっき等により形成される。
【００５３】
次に、めっき処理により形成された第２の金属部１４Ａの表面上に、ドライフィルムレジスト（ＤＦＲ）４１を積層する（第２の積層工程、図３（ｂ））。
【００５４】
次に、ＤＦＲ４１を露光及び現像し、レジストパターン４１Ａを形成する（現像工程、図３（ｃ））。
【００５５】
その後、レジストパターン４１Ａの開口部に対応する位置において、所定の厚みになるまでめっき処理を行い、パターン状の第２の金属部１４Ｂを形成する（第２のめっき工程、図３（ｄ））。このめっき工程では、第２の金属部１４Ｂを形成するために、例えば、電解めっき等が行われる。
【００５６】
次に、レジストパターン４１Ａを剥離して、除去する（第２の剥離工程、図４（ａ））。レジストパターン４１Ａの剥離には、水酸化ナトリウム等を含むアルカリ水溶液等が用いられる。
【００５７】
次に、レジストパターン４１Ａが除去された部分において、第２の金属部部分１４Ｂａをエッチングにより除去し、第２の金属部１４を形成する（エッチング工程、図４（ｂ））。
【００５８】
その後、絶縁フィルム１３Ｃを硬化させて、絶縁層１３を形成する（本硬化工程、図４（ｃ））。絶縁フィルム１３Ｃを硬化させることで、硬化された絶縁層１３と第１の金属部１２及び第２の金属部１４とが強固に密着する。
【００５９】
上記の工程を経て、積層構造体１を得ることができる。
【００６０】
図５は、本発明の第２の実施形態に係る積層構造体の製造方法により得られる積層構造体を模式的に示す断面図である。
【００６１】
図５に示すように、積層構造体２は、第２の絶縁層２１と、第１の金属部２２と、第１の絶縁層２３と、第２の金属部２４とを備える。
【００６２】
第１の金属部２２は、第２の絶縁層２１の表面上に部分的に配置されている。第１の金属部２２の表面上に、第１の絶縁層２３が積層されている。第１の絶縁層２３は、第１の金属部２２の表面２２ａが部分的に露出するように開口している穴２３ａを有する。
【００６３】
第１の絶縁層２３の表面上に、第２の金属部２４が配置されている。第２の金属部２４は、第１の絶縁層２３の第１の金属部２２側とは反対の表面上に、部分的に配置されている。第２の金属部２４は、穴２３ａ内にも配置されている。穴２３ａ内に配置された第２の金属部２４部分により、第１の金属部２２の表面２２ａと第２の金属部２４の表面とが接続されている。第１の金属部２２と第２の金属部２４とは導通されている。
【００６４】
積層構造体２のように、第１の金属部２２を上面に有する第２の絶縁層２１上に、第１の絶縁層２３を形成するために、表面に凹凸を有する絶縁フィルムとそれに積層される基材フィルムを用いてもよい。
【００６５】
第１の金属部は、基板の表面上に配置されていてもよく、第２の絶縁層の表面上に配置されていてもよい。
【００６６】
なお、積層構造体２では、第２の金属部２４を上面に有する第１の絶縁層２３の表面上に、他の絶縁層２５が更に配置されており、さらに他の絶縁層２５の表面上に、他の金属部２６が更に配置されている。このように、第１の絶縁層２３の表面上に、他の絶縁層が更に配置されていてもよく、さらに他の絶縁層の表面上に、他の金属層が更に配置されていてもよい。また、図５に示すように、第１の金属部２２を上面に有する第２の絶縁層２１の第１の金属部２２側とは反対側の表面上に、他の金属部が更に配置されていてもよく、さらに他の金属部の第２の絶縁層２１側とは反対の表面上に他の絶縁層が更に配置されていてもよい。
【００６７】
複数の金属層が複数の絶縁層を介して積層されているプリント配線板は、ビルドアップ法を用いて得ることが可能である。上記積層構造体は、プリント配線板であることが好ましく、ビルドアップ配線板であることが好ましい。上記ビルドアップ法では、金属部を上面に有する基板を用いて、基板上に絶縁層を形成する工程と、さらにその上に金属部を形成する工程と、さらにその上に絶縁層を形成する工程とが繰り返し行われる。これらの工程によって、多層ビルドアップ配線板が得られる。
【００６８】
上記ビルドアップ配線板は任意の層間に多数のビアを形成できるため、高密度化された配線の形成に適している。最外層の配線上にソルダーレジスト膜を形成し、ソルダーレジスト膜から露出した配線にニッケル、金めっき、半田などの必要な表面処理を施し、多層ビルドアップ配線板を得てもよい。
【００６９】
基材フィルム３１の剥離工程は、上記第１の積層工程後に、かつ上記予備硬化工程前、上記予備硬化工程中又は上記予備硬化工程後に行われる。上記剥離工程は、上記予備硬化工程前に行われてもよく、上記予備硬化工程中に行われてもよく、上記予備硬化工程後に行われてもよい。中でも、上記剥離工程は、上記予備硬化工程前又は上記予備硬化工程後に行われることが好ましい。基材フィルムを容易に剥離する観点からは、上記剥離工程は、上記予備硬化工程前に行われることが好ましい。予備硬化工程中の絶縁フィルムの変形を抑える観点からは、上記剥離工程は、上記予備硬化工程後に行われることが好ましい。上記予備硬化において、基材フィルムの凹凸で樹脂表面を拘束することで、予備硬化時のレベリングを防ぐことができる。
【００７０】
上記基材フィルムの上記絶縁フィルムと接する表面の、ＪＩＳ  Ｂ０６０１−１９９４に準拠して測定された算術平均粗さＲａは好ましくは５０ｎｍ以上、より好ましくは１００ｎｍ以上、更に好ましくは１２０ｎｍ以上、好ましくは３００ｎｍ以下、より好ましくは２５０ｎｍ以下である。上記算術平均粗さＲａが上記下限以上及び上記上限以下であると、絶縁層上の金属部とＤＦＲとの密着性がより一層高くなる。なお、上記基材フィルムの上記絶縁フィルムと接する表面の、ＪＩＳ  Ｂ０６０１−１９９４に準拠して測定された算術平均粗さＲａが２０ｎｍ以下（２０ｎｍを超えない）である場合には、基材フィルムの表面は平滑であるといえ、即ち凹凸が実質的にないといえる。
【００７１】
上記剥離工程後かつ上記めっき工程前に、上記絶縁フィルムの上記基材フィルムと接していた表面の、ＪＩＳ  Ｂ０６０１−１９９４に準拠して測定された算術平均粗さＲａは好ましくは５０ｎｍ以上、より好ましくは１００ｎｍ以上、更に好ましくは１２０ｎｍ以上、好ましくは４００ｎｍ以下、より好ましくは３００ｎｍ以下である。上記算術平均粗さＲａが上記下限以上及び上記上限以下であると、絶縁層上の無電解めっき層などの金属部とＤＦＲとの密着性がより一層高くなる。
【００７２】
上記めっき処理により形成された無電解めっき層などの金属部の上記絶縁フィルム側とは反対の表面の、ＪＩＳ  Ｂ０６０１−１９９４に準拠して測定された算術平均粗さＲａは好ましくは５０ｎｍ以上、より好ましくは１００ｎｍ以上、好ましくは４００ｎｍ以下、より好ましくは３００ｎｍ以下である。上記算術平均粗さＲａが上記下限以上及び上記上限以下であると、絶縁層上の金属部とＤＦＲとの密着性がより一層高くなる。
【００７３】
上記の凹凸形状を形成する方法としては特に限定されず、例えば、基材フィルムにフィラーを混練する練り込み法、エンボスロール法、カレンダーロール法、及び異形押出法等が挙げられる。中でも定量的に一定の凹凸模様である多数の凹凸形状を形成することができることから、練り込み法が好ましい。上記基材フィルムの上記絶縁フィルムと接する表面は、フィラー練り込み法によりマット加工されていることが好ましく、練り込み法による凹凸が付与されていることが好ましい。
【００７４】
上記第１の積層工程において、上記絶縁フィルムと上記基材フィルムとが積層された積層フィルムを用いてもよい。この場合には、上記第１の積層工程の作業効率を高めることができる。
【００７５】
上記第１の積層工程において、金属部を上面に有する基板又は金属部を上面に有する絶縁層上に、絶縁フィルムを積層した後、上記絶縁フィルム上に、上記基材フィルムを積層してもよい。この場合には、絶縁層に付与したい凹凸形状に応じて、基材フィルムを任意に選択することで、所定の凹凸形状を絶縁層に付与することが容易である。
【００７６】
以下、実施例及び比較例を挙げることにより、本発明を具体的に説明する。本発明は、以下の実施例に限定されない。
【００７７】
（実施例１）
（１）絶縁層を形成するための絶縁フィルムの作製
エポキシ樹脂１（ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂、ＤＩＣ社製「８３０−Ｓ」）１０重量部と、エポキシ樹脂２（ビフェニルノボラック型エポキシ樹脂、日本化薬社製「ＮＣ３０００Ｈ」）１０重量部と、フェノール化合物（フェノール硬化剤、明和化成社製「ＭＥＨ７８５１−４Ｈ」、フェノール性水酸基当量２４２）２０重量部と、イミダゾール化合物（四国化成社製「２Ｅ４ＭＺ」）０．５重量部と、フェノキシ樹脂（三菱化学社製「ＹＸ６９５４ＢＨ３０」）９．５重量部とを配合し、この配合物とシリカ含有スラリーを固形分で５５重量部とを撹拌機を用いて１２００ｒｐｍで１時間撹拌し、樹脂組成物を得た。
【００７８】
離型処理されかつフィラー練り込みマット処理が施されたポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）フィルム（リンテック社製、厚み５０μｍ、算術平均粗さＲａ２５０ｎｍ）を用意した。このＰＥＴフィルムの離型処理されておりかつマット加工されている表面上にアプリケーターを用いて、乾燥後の厚みが５０μｍとなるように、得られた樹脂組成物を塗工した。次に、１００℃のギヤオーブン内で２分間乾燥して、縦２００ｍｍ×横２００ｍｍ×厚み５０μｍの絶縁フィルムとＰＥＴフィルムとの積層フィルムを作製した。
【００７９】
（２）ビルドアップ配線板の作製
厚み０．７ｍｍのＣＣＬ基板（日立化成工業社製「Ｅ６７９ＦＧ」）を用意した。この基板にドリルにてビア径０．２ｍｍの穴（貫通孔）を開けた。その後、高圧洗浄と、過マンガン酸ナトリウム溶液を用いたデスミア処理とを行った。次に、無電解銅めっきと、銅配線を形成するために電解銅めっき処理とを行なった。次に、電解銅めっきが施された穴内に、孔埋めインク（山栄化学社製「ＰＨＰ−９００」）をスクリーン印刷にて埋め込んだ後、余分なインクをバフ研磨にて除去した。このようにして、厚み２０μｍの銅配線が両側の表面上に配置されており、かつ銅配線が穴内に充填されている銅張り基板を得た。この銅張り基板を用いて、以下のようにして、銅張り基板の両面に、絶縁層及び銅配線を順次形成した。
【００８０】
先ず、銅配線の表面を、硫酸と過酸化水素の水溶液で洗浄した後、銅張り基板の両面に感光性のドライフィルムレジスト（デュポン社製「リストン」）をラミネートした。
【００８１】
次に露光機とクロムガラス版を用いて、露光を行なった。スルーホール上にビアランドのドライフィルムパターンを形成した。そして、第二塩化銅溶液にてエッチングを行ない、その後水酸化ナトリウム溶液にてドライフィルムレジストを剥離した。これにより、厚み２０μｍの銅配線（第１の銅配線に相当する）を形成した。
【００８２】
ラミネート工程：
次に、銅配線が形成された銅張り基板の表面上に、前述した積層フィルムを絶縁フィルム側からラミネートした。このようにして銅張り基板上に、絶縁フィルム（第１の絶縁層に相当する）とＰＥＴフィルムとを積層した。
【００８３】
その後、絶縁フィルムを、１８０℃のギヤオーブンで６０分間加熱して、絶縁フィルムの硬化を進行させた。
【００８４】
次に、ＰＥＴフィルムを絶縁フィルムから剥離した。絶縁フィルムのＰＥＴフィルムと接していた表面の算術平均粗さＲａは２５０ｎｍであった。
【００８５】
粗化工程：
７５℃の過マンガン酸ナトリウム（アトテックジャパン社製「コンセントレートコンパクトＣＰ」、和光純薬工業社製「水酸化ナトリウム」）水溶液に、膨潤処理後の上記積層構造体を入れて、２０分間（粗化処理時間）揺動させて、絶縁層の表面を粗化処理し、かつ絶縁層の穴内をデスミア処理した。
【００８６】
次に、表面が粗化処理された絶縁層を、４０℃の中和液（アトテックジャパン社製「リダクションセキュリガントＰ」、和光純薬工業社製「硫酸」）により１０分間洗浄した後、純水でさらに洗浄した。
【００８７】
無電解めっき工程：
得られた上記積層体の表面を、５５℃のアルカリクリーナ（アトテックジャパン社製「クリーナーセキュリガント９０２」）で５分間処理し、脱脂洗浄した。洗浄後、粗化処理された予備硬化物を２３℃のプリディップ液（アトテックジャパン社製「プリディップネオガントＢ」）で２分間処理した。次に４０℃のアクチベーター液（アトテックジャパン社製「アクチベーターネオガント８３４」）で５分間処理し、パラジウム触媒を付けた。その後、３０℃の還元液（アトテックジャパン社製「リデューサーネオガントＷＡ」）により５分間処理した。
【００８８】
次に、上記予備硬化物を化学銅液（アトテックジャパン社製「ベーシックプリントガントＭＳＫ−ＤＫ」、「カッパープリントガントＭＳＫ」、「スタビライザープリントガントＭＳＫ」）に入れ、無電解めっきをめっき厚さが０．５μｍ程度になるまで実施した。無電解めっき後に、残留している水素ガスを除去するため、１２０℃の温度で３０分間アニールをかけた。無電解めっきの工程までのすべての工程は、ビーカースケールで処理液を１Ｌとし、予備硬化物を揺動させながら実施した。無電解めっき層の絶縁フィルム側とは反対の表面の算術平均粗さＲａは２１０ｎｍであった。
【００８９】
ＤＦＲラミネート工程：
無電解銅めっき層上に、支持体であるＰＥＴフィルム上のアルカリ溶解型ＤＦＲ（日立化成社製「ＲＹ−３５２５」）を、ロールラミネーター（大成ラミネーター社製「ＶＡ−７００ＳＨ」）を用いて、温度１００℃、圧力０．４ＭＰａ及び速度１．５ｍ／ｓの条件にてラミネートして、積層構造体を得た。
【００９０】
露光及び現像工程：
得られた積層構造体を用いて、ＵＶ露光機（オーク製作所社製「ＥＸＡ−１２０１」）にて、ＤＦＲ密着性評価用パターン（Ｌ／Ｓ＝７μｍ／１００μｍ、１５μｍ／１００μｍ、３０μｍ／１００μｍ）、さらには、微細配線形成性評価用パターン（Ｌ／Ｓ＝７μｍ／７μｍ）のパターンマスクを介して、照射条件１００ｍＪ／ｃｍ２で、ＤＦＲにＵＶ照射を行った。
【００９１】
その後、２５℃にて６０分間保持した後で、ＤＦＲの支持体であるＰＥＴフィルムを剥離した。ＤＦＲの表面に、１重量％の炭酸ナトリウム水溶液を３０℃にて、スプレー圧１．０ｋｇ／ｃｍ２で２０秒間スプレーし、現像を行い、未露光部を除去した。その後、２０℃で、スプレー圧１．０ｋｇ／ｃｍ２にて２０秒間水洗を行い、乾燥することでＤＦＲによるネガパターンを形成した。
【００９２】
電解銅めっき工程：
ＤＦＲの配線形成された後、めっき厚さが２５μｍとなるまで、電解銅めっきを実施し、電解銅めっき層を形成した。電解銅めっきとして硫酸銅水溶液（和光純薬工業社製「硫酸銅五水和物」、和光純薬工業社製「硫酸」、アトテックジャパン社製「ベーシックレベラーカパラシド  ＨＬ」、アトテックジャパン社製「補正剤カパラシド  ＧＳ」）を用いて、０．６Ａ／ｃｍ２の電流を流した。
【００９３】
ＤＦＲ剥離及びクイックエッチング：
４０℃の苛性ソーダ水溶液中に、電解銅めっき後の積層構造体を浸漬することにより、銅めっき配線間に残っているＤＦＲを剥離した。さらに、ＤＦＲの下部の絶縁層の表面において、微細粗化孔に残留する無電解めっきを、過酸化水素水−硫酸系のクイックエッチング液（ＪＣＵ社製「ＳＡＣ」）で除去した。
【００９４】
本硬化工程：
クイックエッチング後の積層構造体を、１８０℃のギヤオーブンで６０分間加熱し、本硬化させることで、銅めっきのアンカー部を引き締めることにより密着力を向上させ、銅めっき微細配線を作製した。
【００９５】
（実施例２）
ＰＥＴフィルムの絶縁フィルムと接する表面の算術平均粗さＲａを２００ｎｍに変更したこと、ＰＥＴフィルムの変更に伴って絶縁フィルムのＰＥＴフィルムと接していた表面の算術平均粗さＲａを２００ｎｍに変更したこと、ＰＥＴフィルムの変更に伴って、粗化工程後の無電解めっき層（絶縁フィルム側とは反対の表面）の算術平均粗さＲａを１９０ｎｍに変更したこと以外は実施例１と同様にして、ビルドアップ配線板を作製した。
【００９６】
（実施例３）
ＰＥＴフィルムの絶縁フィルムと接する表面の算術平均粗さＲａを７０ｎｍに変更したこと、ＰＥＴフィルムの変更に伴って絶縁フィルムのＰＥＴフィルムと接していた表面の算術平均粗さＲａを７０ｎｍに変更したこと、ＰＥＴフィルムの変更に伴って、粗化工程後の無電解めっき層（絶縁フィルム側とは反対の表面）の算術平均粗さＲａを８０ｎｍに変更したこと以外は実施例１と同様にして、ビルドアップ配線板を作製した。
【００９７】
（実施例４）
ラミネート工程後にＰＥＴフィルムを剥離したこと、予備硬化前にＰＥＴフィルムを剥離したことにより、予備硬化工程において樹脂表面がレベリングされた結果、絶縁フィルムのＰＥＴフィルムと接していた表面の算術平均粗さＲａを１００ｎｍに変更したこと、ＰＥＴフィルムの変更に伴って、粗化工程後の無電解めっき層（絶縁フィルム側とは反対の表面）の算術平均粗さＲａを１１０ｍｍに変更したこと以外は実施例１と同様にして、ビルドアップ配線板を作製した。
【００９８】
（実施例５）
用いる絶縁フィルムの組成を下記のように変更したこと以外は実施例１と同様にして、ビルドアップ配線板を作製した。
【００９９】
樹脂組成物の調製：
エポキシ樹脂１（ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂、ＤＩＣ社製「８３０−Ｓ」）１０重量部と、エポキシ樹脂２（ビフェニルノボラック型エポキシ樹脂、日本化薬社製「ＮＣ３０００Ｈ」）１０重量部と、シアネートエステル化合物（シアネートエステル硬化剤、ロンザジャパン社製「ＢＡ−２３０Ｓ」）１０．５重量部と、イミダゾール化合物（四国化成工業社製「２Ｐ４ＭＺ」）０．４重量部と、フェノキシ樹脂（三菱化学社製「ＹＸ６９５４ＢＨ３０」）８．６重量部とを配合し、この配合物とシリカ含有スラリーを固形分で５５重量部とを撹拌機を用いて１２００ｒｐｍで１時間撹拌し、樹脂組成物を得た。
【０１００】
上記の組成の変更にも関わらず、ＰＥＴフィルムの絶縁フィルムと接する表面の算術平均粗さＲａを２５０ｎｍであり、ＰＥＴフィルムの変更に伴って絶縁フィルムのＰＥＴフィルムと接していた表面の算術平均粗さＲａを２５０ｎｍであり、実施例１と同等であった。粗化工程後の無電解めっき層（絶縁フィルム側とは反対の表面）の算術平均粗さＲａは２２０ｎｍであった。
【０１０１】
（比較例１）
比較例１では、マット加工されておらず、表面が平滑（算術平均粗さＲａ：２０ｎｍ）であるＰＥＴフィルムを用いた。
【０１０２】
表面が平滑であるＰＥＴフィルムを用いたこと、ＰＥＴフィルムの変更に伴って絶縁フィルムのＰＥＴフィルムと接していた表面を平滑（算術平均粗さＲａ：２０ｎｍ）にしたこと、並びにＰＥＴフィルムの変更に伴って、粗化工程後の無電解めっき層（絶縁フィルム側とは反対の表面）を算術平均粗さＲａを３０ｎｍに変更したこと以外は実施例１と同様にして、ビルドアップ配線板を作製した。
【０１０３】
（比較例２）
比較例２では、マット加工されておらず、表面が平滑（算術平均粗さＲａ：２０ｎｍ）であるＰＥＴフィルムを用いた。
【０１０４】
表面が平滑であるＰＥＴフィルム（算術平均粗さＲａ：２０ｎｍ）を用いたこと、粗化処理時間を２０分から４０分に延長することによって、粗化工程後の無電解めっき層（絶縁フィルム側とは反対の表面）の算術平均粗さＲａを１００ｎｍに変更したこと以外は実施例１と同様にして、ビルドアップ配線板を作製した。
【０１０５】
比較例２では、粗化処理時間の延長を行ったために、ビルドアップ配線板の製造効率が悪かった上に樹脂の劣化が見られた。
【０１０６】
（評価）
（１）算術平均粗さＲａの測定
非接触３次元表面形状測定装置（Ｖｅｅｃｏ社製「ＷＹＫＯ  ＮＴ１１００」）を用いて、表面の９４μｍ×１２３μｍの測定エリアにおける算術平均粗さＲａを３回測定し、測定値の平均値を算術平均粗さＲａとした。
【０１０７】
（２）無電解めっき層とＤＦＲの密着性
ＤＦＲの現像工程後の積層構造体のＤＦＲ密着性評価用パターンを顕微鏡（オリンパス社製「ＳＺ６１」）にて表面観察することで、無電解めっき層に対するＤＦＲの密着性を評価した。無電解めっき層に対するＤＦＲの密着性を下記の基準で判定した。
【０１０８】
［無電解めっき層とＤＦＲの密着性の判定基準］
○：全てのＬ／ＳでＤＦＲパターンを形成できる
△：Ｌ／Ｓ＝７μｍ／１００μｍ未満ではＤＦＲパターンを形成できず、Ｌ／Ｓ＝１５μｍ／１００μｍ以上でＤＦＲパターンを形成できる
×：全てのＬ／ＳでＤＦＲパターンを形成できない
【０１０９】
（３）微細配線形成性の評価
本硬化工程後の積層構造体の微細配線評価用パターンを顕微鏡（オリンパス社製「ＳＺ６１」）にて表面観察することで、微細配線形成性を評価した。微細配線形成性は下記の基準で判定した。
【０１１０】
［微細配線形成性の判定基準］
○：９０％以上の銅配線パターンを形成できる
△：５０％以上９０％未満の銅配線パターンを形成できる
×：５０％未満の銅配線パターンしか形成できない
【０１１１】
（４）ピール強度
実施例及び比較例において、配線を形成せずに、全面に電解銅めっきを施した積層構造体を準備した。銅層に１０ｍｍ幅にカッターで切り込みを入れた。銅層の端部をめくり、９０°剥離試験機（テスター産業社製「ＴＥ−３００１」）を用いて、銅層（金属層）を２０ｍｍ剥離した。このときのピール強度を測定した。ピール強度を下記の基準で判定した。
【０１１２】
［ピール強度の判定基準］
○：ピール強度が０．５Ｎ／ｃｍ以上
△：ピール強度が０．４Ｎ／ｃｍ以上、０．５Ｎ／ｃｍ未満
×：ピール強度が０．４Ｎ／ｃｍ未満
【０１１３】
結果を下記の表１に示す。
【０１１４】
【表１】
2015195364.tif 000003
【０１１５】
なお、実施例１〜５では、絶縁層と金属層とのピール強度の評価結果はいずれも「○」であるが、ピール強度の具体的な数値に関しては、実施例３のピール強度の数値は実施例１，２，４，５のピール強度の数値よりも低く、実施例４のピール強度の数値は、実施例１，２，５のピール強度の数値よりも低かった。
【符号の説明】
【０１１６】
１…積層構造体
２…積層構造体
１１…基板
１１ａ…穴
１２…第１の金属部
１２ａ…露出している表面
１３…第１の絶縁層
１３Ａ，１３Ｂ，１３Ｃ…絶縁フィルム（穴形成前かつ硬化進行前、穴形成前かつ硬化進行後、穴形成後かつ硬化進行後）
１３ａ…穴
１４…第２の金属部（第２のめっき処理後かつエッチング後）
１４Ａ…第２の金属部（第２のめっき処理前）
１４Ｂ…第２の金属部（第２のめっき処理後かつエッチング前）
１４Ｂａ…第２の金属部部分
１５…他の絶縁層
１６…他の金属部
２１…第２の絶縁層
２２…第１の金属部
２２ａ…露出している表面
２３…第１の絶縁層
２３ａ…穴
２４…第２の金属部
２５…他の絶縁層
２６…他の金属部
３１…基材フィルム
４１…ドライフィルムレジスト（ＤＦＲ）
４１Ａ…レジストパターン
【図１】
2015195364.tif 000004
【図２】
2015195364.tif 000005
【図３】
2015195364.tif 000006
【図４】
2015195364.tif 000007
【図５】
2015195364.tif 000008