(57)【要約】【課題】ドライバーＩＣの放熱効率を向上させることが可能な有機ＥＬパネルを提供する。【解決手段】支持基板１１と、発光表示部１２と、支持基板１１上に実装され前記第一，第二電極間に駆動電流を印加するドライバーＩＣ１４と、を備えてなる有機ＥＬパネル１００である。支持基板１１上にドライバーＩＣ１４と並んで配置され、ドライバーＩＣ１４の基材と同一材料を主に含む放熱部材１５を備えてなる。放熱部材１５は、ドライバーＩＣ１４の基材と同一材料としてシリコンを含む。【選択図】  図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
支持基板と、前記支持基板上に第一電極と有機発光層と第二電極とを少なくとも積層形成してなる発光表示部と、前記支持基板上に実装され前記第一，第二電極間に駆動電流を印加するドライバーＩＣと、を備えてなる有機ＥＬパネルであって、
前記支持基板上に前記ドライバーＩＣと並んで配置され、前記ドライバーＩＣの基材と同一材料を主に含む放熱部材を備えてなることを特徴とする有機ＥＬパネル。
【請求項２】
前記放熱部材は、前記ドライバーＩＣの基材と同一材料としてシリコンを含むことを特徴とする請求項１に記載の有機ＥＬパネル。
【請求項３】
前記支持基板上に形成され前記第一電極あるいは前記第二電極と前記ドライバーＩＣとを接続する金属配線を備え、
前記放熱部材の前記金属配線との対向面に絶縁膜が形成されてなることを特徴とする請求項１または請求項２に記載の有機ＥＬパネル。
【請求項４】
前記放熱部材は、異方性導電接着材を介して前記支持基板上に配置されてなることを特徴とする請求項１から請求項３の何れかに記載の有機ＥＬパネル。
【請求項５】
前記放熱部材は、前記ドライバーＩＣと接することを特徴とする請求項１から請求項４の何れかに記載の有機ＥＬパネル。
【請求項６】
前記放熱部材は、前記ドライバーＩＣと前記発光表示部との間に配置されてなることを特徴とする請求項１から請求項５の何れかに記載の有機ＥＬパネル。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、有機ＥＬ（Electro-Luminescence）パネルに関し、特に支持基板上にドライバーＩＣを実装したＣＯＧ（Chip  On  Glass）型の有機ＥＬパネルに関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来、有機ＥＬパネルとして、例えば、少なくとも有機発光層を有する有機層をＩＴＯ（Indium  Tin  Oxide）等からなる陽極ライン（第一電極ライン）と、アルミニウム（Ａｌ）等からなる陰極ライン（第二電極ライン）とで狭持してなる有機ＥＬ素子を発光画素としてガラス材料からなる支持基板上に複数形成して発光表示部を構成するものが知られている（例えば特許文献１参照）。かかる有機ＥＬ素子は、前記陽極から正孔を注入し、また、前記陰極から電子を注入して正孔及び電子が前記発光層にて再結合することによって光を発するものである。
【０００３】
また、前記有機ＥＬ素子を駆動させるためのドライバーＩＣの実装方法としては、このドライバーＩＣを支持基板上に直接実装するＣＯＧ形態が知られている（例えば特許文献２参照）。ＣＯＧ型の有機ＥＬパネルは、ＦＰＣ（Flexible  Printed  Circuit）上にドライバーＩＣを実装するＴＣＰ（Tape  Career  Package）型等の他の実装方法に対して小型化が可能な点などで優れている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開平８−３１５９８１号公報
【特許文献２】特開２０００−４０５８５号公報
【特許文献３】特開２０１１−１９２９４２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
ＣＯＧ型の有機ＥＬパネルは、支持基板上に形成される金属配線（厚さ０．５μｍ程度）上に直接ドライバーＩＣを搭載する構成であるため、熱抵抗が非常に大きくなりドライバーＩＣからの放熱が妨げられドライバーＩＣの温度が高くなりやすい。また、有機ＥＬパネルを高輝度発光させると駆動電流や駆動電圧が大きくなりドライバーＩＣの発熱が大きくなる。そのため、特に計器等の車載用機器に用いられ高輝度発光を要求される有機ＥＬパネルにおいては、ドライバーＩＣの温度をドライバーＩＣの使用最大温度（通常、ドライバーＩＣのジャンクション温度）に抑制する必要があるという問題点があった。また、ドライバーＩＣからの熱でドライバーＩＣに近い発光画素の劣化や円偏光板の劣化が早く進行するという問題点があった。
【０００６】
これに対し、ドライバーＩＣの放熱効率を向上させる方法として、特許文献３には、支持基板のドライバーＩＣが実装される面と反対側の面上にドライバーＩＣと対向しドライバーＩＣから発せられる熱を支持基板の面方向に拡散させる放熱部材を配設する技術が開示されている。
【０００７】
しかしながら、特許文献３に開示される技術は、通常０．５〜１．１ｍｍ厚程度のガラス材料からなる支持基板の厚さ方向を伝導した熱を放熱部材で放熱するものであり、支持基板の熱伝導率が小さい（ガラス材料は１Ｗ／ｍ・Ｋ程度）ため、放熱部材を経由して拡散される熱量が限られ、放熱効率を向上させる点ではなお改良の余地があった。
【０００８】
そこで本発明は、前述の問題点に鑑み、ＣＯＧ型の有機ＥＬパネルにおいて、ドライバーＩＣの放熱効率を向上させることが可能な有機ＥＬパネルを提供することを目的とするものである。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明は、前記課題を解決するため、支持基板と、前記支持基板上に第一電極と有機発光層と第二電極とを少なくとも積層形成してなる発光表示部と、前記支持基板上に実装され前記第一，第二電極間に駆動電流を印加するドライバーＩＣと、を備えてなる有機ＥＬパネルであって、
前記支持基板上に前記ドライバーＩＣと並んで配置され、前記ドライバーＩＣの基材と同一材料を主に含む放熱部材を備えてなることを特徴とする。
【発明の効果】
【００１０】
以上、本発明によれば、ＣＯＧ型の有機ＥＬパネルにおいて、ドライバーＩＣの放熱効率を向上させることが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【００１１】
【図１】本発明の第一の実施形態である有機ＥＬパネルを示す（ａ）上面図、（ｂ）正面図である。
【図２】同上有機ＥＬパネルの要部拡大図である。
【図３】同上有機ＥＬパネルの有機ＥＬ素子を示す断面図である。
【図４】本発明の第二の実施形態である有機ＥＬパネルを示す（ａ）上面図、（ｂ）正面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１２】
以下、本発明の第一の実施形態である有機ＥＬパネル１００を添付図面に基づき説明する。図１（ａ）は有機ＥＬパネル１００の上面図であり、図１（ｂ）は有機ＥＬパネル１００の正面図である。
有機ＥＬパネル１００は、図１に示すように、支持基板１１と、発光表示部１２と、封止部材１３と、ドライバーＩＣ１４と、放熱部材１５と、円偏光板１６と、を備える。なお、なお、図１（ａ）中においては、封止部材１３と放熱部材１５とを破線で示し、後述する各配線の一部を省略して点線で示している。
【００１３】
支持基板１１は、長方形形状の透明ガラス材からなる電気絶縁性の基板である。支持基板１１の一方の面（図１（ｂ）における上面）上には、図１（ａ）に示すように、発光表示部１２とドライバーＩＣ１４が設けられている。また、支持基板１１の一方の面上には、発光表示部１２を気密的に覆うように封止部材１３が配設されている。また、支持基板１１の一方の面上には、図１（ａ）に示すように、後述する発光表示部１２の各陽極ラインと接続される陽極配線２１と後述する発光表示部１２の各陰極ラインと接続される陰極配線２２とドライバーＩＣ１４を外部回路と電気的に接続するための入力配線２３とが形成されている。また、支持基板１１の一方の面上であって封止部材１３が配設されない個所にはドライバーＩＣ１４と並んで、陽極配線２１及び陰極配線２２を覆うように放熱部材１５が配設されている。これに対し、支持基板１１の他方の面（ドライバーＩＣ１４が実装される面と反対側の面であって、図１（ｂ）における底面）上には、図１（ｂ）に示すように、円偏光板１６が設けられている。
【００１４】
図２及び図３は有機ＥＬパネル１００の要部拡大図である。なお、図２においては封止部材１３を省略して図示している。
発光表示部１２は、図２及び図３に示すように、複数形成される陽極ライン（第一電極）１２ａと、絶縁膜１２ｂと、隔壁１２ｃと、有機層１２ｄと、複数形成される陰極ライン（第二電極）１２ｅと、から主に構成され、各陽極ライン１２ａと各陰極ライン１２ｅとが交差して有機層１２ｄを挟持する個所からなる複数の発光画素（有機ＥＬ素子）を備えるいわゆるパッシブマトリクス型の発光表示部である。本実施形態は、支持基板１１側から発光表示部１２の表示光を出射するいわゆるボトムエミッション型の有機ＥＬパネルとなる。また、発光表示部１２は、図３に示すように、封止部材１３によって気密的に覆われている。
【００１５】
陽極ライン１２ａは、ＩＴＯ等の透光性の導電材料からなる。陽極ライン１２ａは、蒸着法やスパッタリング法等の手段によって支持基板１１上に前記導電材料を層状に形成した後、フォトリソグラフィー法等によって互いに略平行となるように形成される。各陽極ライン１２ａは、端部の一方側（図１（ａ）における下方側）で各陽極配線２１と接続される。
【００１６】
絶縁膜１２ｂは、例えばポリイミド系の電気絶縁性材料から構成され、陽極ライン１２ａと陰極ライン１２ｅとの間に位置するように形成され、両電極ライン１２ａ，１２ｅの短絡を防止するものである。絶縁膜１２ｂには、各発光画素を画定するとともに輪郭を明確にする開口部１２ｂ１が形成されている。また、絶縁膜１２ｂは、陰極配線２２と陰極ライン１２ｅとの間にも延設されており、各陰極配線２２と各陰極ライン１２ｅとを接続させるコンタクトホール１２ｂ２を有する。
【００１７】
隔壁１２ｃは、例えばフェノール系の電気絶縁性材料からなり、絶縁膜１２ｂ上に形成される。隔壁１２ｃは、その断面が絶縁膜１２ｂに対して逆テーパー形状となるようにフォトリソグラフィー法等の手段によって形成されるものである。また、隔壁１２ｃは、陽極ライン１２ａと直交する方向に等間隔に複数形成される。隔壁１２ｃは、その上方から蒸着法やスパッタリング法等によって有機層１２ｄ及び陰極ライン１２ｅを形成する場合に有機層１２ｄ及び陰極ライン１２ｅが分断される構造を得るものである。
【００１８】
有機層１２ｄは、陽極ライン１２ａ上に形成されるものであり、少なくとも有機発光層を含むものである。なお、本実施形態においては、有機層１２ｄは正孔注入層，正孔輸送層，有機発光層，電子輸送層及び電子注入層を蒸着法やスパッタリング法等の手段によって順次積層形成してなるものである。
【００１９】
陰極ライン１２ｅは、アルミニウム（Ａｌ）やマグネシウム銀（Ｍｇ：Ａｇ）等の陽極ライン１２ａよりも導電率が高い金属性導電材料を蒸着法等の手段により陽極ライン１２ａと交差するように複数形成してなるものである。また、各陰極ライン１２ｅは、絶縁膜１２ｂに設けられるコンタクトホール１２ｂ２を介して各陰極配線２２と接続される。
【００２０】
封止部材１３は、例えば切削や成型などにより凹状に形成されたガラス材料からなり、接着剤１３ａを介して支持基板１１上に配設され発光表示部１２を気密的に収納するものである。なお、封止部材１３は、平板状であってもよい。
【００２１】
ドライバーＩＣ１４は、例えばシリコン（Ｓｉ）を基材として形成され、発光表示部１２を発光駆動させる駆動回路を構成し、信号線駆動回路及び走査線駆動回路等を備えるものである。ドライバーＩＣ１４は、公知のＣＯＧ実装技術によって異方性導電接着材（図示しない）を介して支持基板１１上に発光表示部１２に応じて封止部材１３と並んで実装され、各陽極配線２１及び各陰極配線２２を介して各陽極ライン１２ａ及び各陰極ライン１２ｅと電気的に接続され、外部回路からの駆動信号に基づいて各陽極ライン１２ａと各陰極ライン１２ｅとの間に駆動電流を印加する。
【００２２】
放熱部材１５は、ドライバーＩＣ１４の基材と同じシリコンを主な材料として含む平板状の部材である。なお、放熱部材１５の熱伝導率をシリコンと同程度とするためには、放熱部材１５がシリコンを放熱部材１５全体の体積の８０％以上含むことが望ましい。シリコンの熱伝導率は１６８Ｗ／ｍ・Ｋ程度であり、支持基板１１（ガラス）の熱伝導率とは２桁の差があり、放熱効果が各段に高い。放熱部材１５は、例えば任意の大きさのシリコンウェハの表面に酸化シリコン（ＳｉＯ２）などの絶縁膜を形成した後、任意の形状及び大きさに切断して得られる。放熱部材１５をドライバーＩＣ１４と同工程で作製してもよい。
【００２３】
放熱部材１５は、支持基板１１の一方の面上であって封止部材１３が配設されない個所にドライバーＩＣ１４の側面と接し、陽極配線２１及び陰極配線２２と重なるように配設される。前述のように放熱部材１５は、その表面が絶縁膜１５ａで覆われるため、陽極配線２１及び陰極配線２２と重なるように配置されても放熱部材１５と陽極配線２１及び陰極配線２２の各配線間の抵抗によるリーク電流を抑制することができる。なお、熱伝達の点からは、絶縁膜１５ａの膜厚は極力小さいことが望ましく、少なくとも支持基板１１の厚さの半分以下であることが望ましい。また、絶縁膜１５ａに替えて、ノンドープのシリコンウェハから放熱部材１５を形成し、放熱部材１５自体を高抵抗としてリーク電流を抑制してもよい。
【００２４】
また、放熱部材１５は、ドライバーＩＣ１４と同様に異方性導電接着材（図示しない）を介して支持基板１１上に配設されることが望ましい。これによりドライバーＩＣ１４の実装工程と同時に放熱部材１５を支持基板１１上に配設することができる。
【００２５】
また、放熱部材１５の体積は、その熱容量が想定される最高輝度での発光駆動時のドライバーＩＣ１４の温度がドライバーＩＣ１４の最大使用温度（通常、ジャンクション温度Ｔｊ）となるように、適宜設定される。例えばドライバーＩＣ１４の最大使用温度（ジャンクション温度Ｔｊ）が１２５℃であり、有機ＥＬパネル１００の使用環境の最大雰囲気温度が８５℃である場合、最大輝度での発光駆動時のドライバーＩＣ１４の温度上昇が４５℃（１２５℃−８０℃）以下に収まるように放熱部材１５の体積が設定される。なお、パネルの薄型化の観点からは、放熱部材１５の厚さは、封止部材１３の厚さ以下であることが望ましい。
【００２６】
放熱部材１５は、支持基板１１の一方の面のドライバーＩＣ１４が実装されない領域において、一方の面が絶縁膜１５ａを介して支持基板１１と接続され、支持基板１１の面方向からの熱の伝達が可能となっている。また、放熱部材１５は、その側面がドライバーＩＣ１４の側面と接するように配置される。これにより、ドライバーＩＣ１４自体からも熱の伝達が可能となっている。
【００２７】
円偏光板１６は、直線偏光板と複屈折板を積層してなる板状の光透過性部材であり、外光の反射を抑制するものである。円偏光板１６は、図示しない粘着層を介して支持基板１１の出射面側に貼り付けられる。
【００２８】
陽極配線２１は、陽極ライン１２ａとドライバーＩＣ１４と接続する配線であり、例えば陽極ライン１２ａと同材料であるＩＴＯ、クロム（Ｃｒ）あるいはアルミニウム（Ａｌ）等の導電材料またはこれら導電材料の積層体からなる。陽極配線２１は、支持基板１１の一方の面上に陽極ライン１２ａと一体的に形成される、あるいは陽極ライン１２ａと接続されるように別体に形成される。
【００２９】
陰極配線２２は、陰極ライン１２ｅとドライバーＩＣ１４と接続する配線であり、例えば陽極ライン１２ａと同材料であるＩＴＯ、クロム（Ｃｒ）あるいはアルミニウム（Ａｌ）等の導電材料またはこれら導電材料の積層体からなる。陰極配線２２は、支持基板１１の一方の面上の側方に各陰極ライン１２ｅに対して左右交互に引き回し形成される配線であり、一端が陰極ライン１２ｅと接続され他端がドライバーＩＣ１４と接続される。陰極配線２２は、図２及び図３に示すように、コンタクトホール１２ｂ２を介して陰極ライン１２ｅと接続可能とするべく少なくとも陰極ライン１２ｅとの接続個所となる端部が絶縁膜１２ｂを介して陰極ライン１２ｅの下方に位置するように形成される。
【００３０】
入力配線２３は、ドライバーＩＣ１４と外部回路とを電気的に接続するための配線であり、例えば陽極ライン１２ａと同材料であるＩＴＯ、クロム（Ｃｒ）あるいはアルミニウム（Ａｌ）等の導電材料またはこれら導電材料の積層体からなる。入力配線２３は、支持基板１１の一方の面上のドライバーＩＣ１４近傍に引き回し形成され、一端がドライバーＩＣ１４と接続され他端がＡＣＦ（図示しない）を介してＦＰＣ（図示しない）と接続される。
【００３１】
以上の各部によって有機ＥＬパネル１００が構成されている。
【００３２】
次に、本実施形態における主要な放熱経路について説明する。図１（ｂ）中の矢印で示すように、ドライバーＩＣ１４から発せられた熱は、第一の放熱経路として、まずドライバーＩＣ１４と放熱部材１５の側面に伝わりその後放熱部材１５の内部に伝達される。放熱部材１５内に伝達された熱は、放熱部材１５全体に拡散し放熱部材１５から外部に放射される。また、ドライバーＩＣ１４から発せられた熱の一部は、第二の放熱経路として、まず支持基板１１内に伝わりその後放熱部材１５に伝達される。放熱部材１５に伝達された熱は第一の放熱経路と同様に放熱部材１５全体に拡散し放熱部材１５から外部に放射される。
すなわち、第一の放熱経路によって、ドライバーＩＣ１４からの熱を直接放熱部材１５に伝達することができ、効率よく放熱することができる。また、放熱部材１５をドライバーＩＣ１４に近接して配置することで、第二の放熱経路によって、支持基板１１を介して良好に放熱部材１５全体に熱を伝達することができ、ドライバーＩＣ１４の放熱効率をさらに向上させることができる。なお、本発明においては、放熱部材１５をドライバーＩＣ１４と接触させなくとも、第二の放熱経路で放熱効果を得ることができる。この場合、放熱部材１５とドライバーＩＣ１４との距離は、支持基板１１の厚さよりも小さいことが望ましい。放熱部材１５がドライバーＩＣ１４から離間しすぎると放熱部材１５に伝達されるまで熱が支持基板１１を伝達する距離が大きくなり、放熱効果が十分に得られなくなるからである。
【００３３】
かかる有機ＥＬパネル１００は、支持基板１１と、支持基板１１上に陽極ライン１２ａと有機発光層を含む有機層１２ｄと陰極ライン１２ｅとを少なくとも積層形成してなる発光表示部１２と、支持基板１１上に実装され陽極ライン１２ａと陰極ライン１２ｅとの間に駆動電流を印加するドライバーＩＣ１４と、を備えてなる有機ＥＬパネルであって、支持基板１１上にドライバーＩＣ１４と並んで配置され、ドライバーＩＣ１４の基材と同一材料を主に含む放熱部材１５を備えてなるものである。
これにより、ドライバーＩＣ１４からの熱を熱伝導率の高いドライバーＩＣ１４の基材と同一材料を含む放熱部材１５に伝達することができ、効率よく放熱することができる。また、放熱部材１５は、熱伝導率が高いため比較的小さい体積で所望の熱容量を得ることができる。
【００３４】
また、放熱部材１５はドライバーＩＣ１４の基材と同一材料としてシリコンを含む。
シリコンは、同等の熱伝導率を有するアルミ等の金属材料と比較して平板状に形成した場合の平坦度が高い。すなわち、歪みが小さく、厚さ１ｍｍ程度で数μｍ程度である。したがって、支持基板１１上に配置した場合に支持基板１１との間の間隔にバラツキがなく熱伝導効果の損失が小さい。また、金属のように切断時にバリが発生することがなく、バリ取りなどの工数が不要である。
【００３５】
また、支持基板１１上に形成され陽極ライン１２ａあるいは陰極ライン１２ｅとドライバーＩＣ１４とを接続する陽極配線２１，陰極配線２２を備え、放熱部材１５の陽極配線２１，陰極配線２２との対向面に絶縁膜１５ａが形成されてなる。
これにより、放熱部材１５と配線２１，２２間との抵抗によるリーク電流を抑制することができる。
【００３６】
また、放熱部材１５は、異方性導電接着材を介して支持基板１１上に配置されてなる。
これにより、放熱部材１５をドライバーＩＣ１４の実装と同工程で配設することができ、工数や製造コストを低減できる。
【００３７】
また、放熱部材１５は、ドライバーＩＣ１４と接する。
これにより、ドライバーＩＣ１４から直接熱を伝達することができ、効率よく放熱することができる。
【００３８】
次に、図４を用いて本発明の第二の実施形態について説明する。なお、前述の実施形態と同一あるいは相当箇所には同一符号を付してその詳細な説明を省略する。
【００３９】
図４（ａ）は、本実施形態である有機ＥＬパネル２００の上面図であり、図４（ｂ）は有機ＥＬパネル２００の正面図である。有機ＥＬパネル２００の主たる特徴は、放熱部材１５が、ドライバーＩＣ１４と発光表示部１２との間にも位置するように配設される点にある。すなわち、本実施形態においては、図４（ａ）に示すように、ドライバーＩＣ１４の左右側方及び上方の３個所に３つの放熱部材１５が配設される。なお、放熱部材１５は、一体的に形成されてドライバーＩＣ１４と発光表示部１２との間に位置する部分を含むものであってもよい。
【００４０】
ドライバーＩＣ１４からの熱が支持基板１１を介して発光表示部１２に伝達されると発光表示部１２に輝度ムラが生じる。これは、発光画素を構成する有機ＥＬ素子には温度特性があり、ドライバーＩＣ１４に近い発光画素の温度が上昇することで他の発光画素との輝度差が生じるためである。
かかる有機ＥＬパネル２００によれば、ドライバーＩＣ１４の熱は発光表示部１２との間の放熱部材１５によって放熱されるため、ドライバーＩＣ１４の熱が発光表示部１２に伝達されることを抑制することができ、表示品位を向上することができる。
【００４１】
以上のように本発明の実施形態について説明したが、本発明は前述の実施形態に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲内で適宜変更（構成要素の削除を含む）が可能であることはもちろんである。
【産業上の利用可能性】
【００４２】
本発明は、ＣＯＧ型の有機ＥＬパネルに好適である。
【符号の説明】
【００４３】
１００、２００  有機ＥＬパネル
１１    支持基板
１２    発光表示部
１２ａ    陽極ライン（第一電極）
１２ｂ    絶縁膜
１２ｃ    隔壁
１２ｄ    有機層
１２ｅ    陰極ライン（第二電極）
１３    封止部材
１４    ドライバーＩＣ
１５    放熱部材
１５ａ  絶縁膜
１６    円偏光板
２１    陽極配線
２２    陰極配線
２３    入力配線
【図１】
2015185547.tif 000003
【図２】
2015185547.tif 000004
【図３】
2015185547.tif 000005
【図４】
2015185547.tif 000006