(57)【要約】【課題】ピン部とピン部接合部との接合不良を抑制する。【解決手段】電子部品組立体１０は、絶縁性の材料を用いて形成された基板本体３２と、導電性の材料を用いて基板本体３２上に設けられたピン部接合部３４Ｃと、導電性の材料を用いて基板本体３２上に設けられた放熱プレート部接合部３４Ｄと、を有する回路基板１２を備えている。また、電子部品組立体１０は、ピン部接合部３４Ｃにハンダ付けにて接合されるピン部２８と放熱プレート部接合部３４Ｄにハンダ付けにて接合される放熱プレート部２６とが一体とされたドレイン端子２４を有するＦＥＴ１４を備えている。さらに、電子部品組立体１０は、絶縁性の材料を用いてシート状に形成されていると共に回路基板１２に取付けられたレジスト１６を備えている。このレジスト１６には、縁部３６Ａがピン部接合部３４Ｃを囲む第１開口部３６が形成されている。【選択図】図６
2015195340.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁性の材料を用いて形成された基板本体と、導電性の材料を用いて前記基板本体上に設けられたピン部接合部と、導電性の材料を用いて前記基板本体上に設けられた放熱プレート部接合部と、を有する回路基板と、
前記ピン部接合部にハンダ付けにて接合されるピン部と前記放熱プレート部接合部にハンダ付けにて接合される放熱プレート部とが一体とされた端子を有する電子部品と、
絶縁性の材料を用いてシート状に形成されていると共に前記回路基板に取付けられ、縁部が前記ピン部接合部を囲む第１開口部が形成されたレジストと、
を備えた電子部品組立体。
【請求項２】
前記レジストには、縁部が前記放熱プレート部接合部を囲む第２開口部が形成されている請求項１記載の電子部品組立体。
【請求項３】
前記ピン部接合部と前記放熱プレート部接合部とが離間している請求項１又は請求項２記載の電子部品組立体。
【請求項４】
前記ピン部接合部と前記放熱プレート部接合部とが一体に形成されている請求項１又は請求項２記載の電子部品組立体。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電子部品組立体に関する。
【背景技術】
【０００２】
下記特許文献１には、基板（プリント配線板）上に形成された接合パッドにハンダを載置し、次いで当該ハンダ上に電子部品の端子部（電極）を載置し、次いで基板及び電子部品等をリフロー炉内に投入することによって、電子部品を基板に取付けた電子部品組立体が開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００８−１３０８１２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
ところで、ピン部と放熱プレート部とが一体とされた端子を有する電子部品を基板に取付ける場合、基板側にピン部が接合されるピン部接合部と放熱プレート部が接合される放熱プレート部接合部とを設ける必要がある。しかしながら、この場合、より面積が大きい放熱プレート部接合部の表面張力により、ピン部接合部上で溶融したハンダが放熱プレート部接合部側に引き寄せられることが考えられる。その結果、ピン部接合部上におけるハンダの量が不足して、ピン部とピン部接合部との接合不良が生じる虞があった。
【０００５】
本発明は上記事実を考慮し、ピン部とピン部接合部との接合不良を抑制することができる電子部品組立体を得ることが目的である。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
請求項１記載の電子部品組立体は、絶縁性の材料を用いて形成された基板本体と、導電性の材料を用いて前記基板本体上に設けられたピン部接合部と、導電性の材料を用いて前記基板本体上に設けられた放熱プレート部接合部と、を有する回路基板と、前記ピン部接合部にハンダ付けにて接合されるピン部と前記放熱プレート部接合部にハンダ付けにて接合される放熱プレート部とが一体とされた端子を有する電子部品と、絶縁性の材料を用いてシート状に形成されていると共に前記回路基板に取付けられ、縁部が前記ピン部接合部を囲む第１開口部が形成されたレジストと、を備えている。
【０００７】
請求項１記載の電子部品組立体によれば、上記レジストを回路基板に取付けて（回路基板上に形成して）、次いでピン部接合部及び放熱プレート部接合部にハンダシートをそれぞれ載置する。次いで、電子部品を回路基板上の所定の位置に載置して、当該電子部品及び回路基板等をリフロー炉内に投入し、ハンダシートを溶融させる。次いで、電子部品及び回路基板等をリフロー炉の外へ取り出して、電子部品及び回路基板等を冷却する。これにより、電子部品のピン部が回路基板のピン部接合部にハンダ付けにて接合されると共に、電子部品の放熱プレート部が回路基板の放熱プレート部接合部にハンダ付けにて接合される。ここで、回路基板に取付けられたレジストには、縁部がピン部接合部を囲む第１開口部が形成されている。これにより、ピン部接合部上において溶融したハンダが第１開口部の縁部によって堰止められ、当該溶融したハンダが放熱プレート部接合部側に向けて引き込まれ難くなる。その結果、ピン部とピン部接合部とを接合するためのハンダの量が確保され、ピン部とピン部接合部との接合不良を抑制することができる。
【０００８】
請求項２記載の電子部品組立体は、請求項１記載の電子部品組立体において、前記レジストには、縁部が前記放熱プレート部接合部を囲む第２開口部が形成されている。
【０００９】
請求項２記載の電子部品組立体によれば、放熱プレート部接合部上において溶融したハンダが第２開口部の縁部によって堰止められる。これにより、放熱プレート部接合部上において溶融したハンダとピン部接合部上において溶融したハンダとが接触して、ピン部接合部上において溶融したハンダが放熱プレート部接合部側に向けて引き込まれることを抑制することができる。その結果、ピン部とピン部接合部との接合不良を抑制することができる。
【００１０】
請求項３記載の電子部品組立体は、請求項１又は請求項２記載の電子部品組立体において、前記ピン部接合部と前記放熱プレート部接合部とが離間している。
【００１１】
請求項３記載の電子部品組立体によれば、基板本体上においてピン部接合部と放熱プレート部接合部とを離間して配置することにより、ピン部接合部上において溶融したハンダが放熱プレート部接合部側に向けて引き込まれることを抑制することができる。その結果、ピン部とピン部接合部との接合不良を抑制することができる。
【００１２】
請求項４記載の電子部品組立体は、請求項１又は請求項２記載の電子部品組立体において、前記ピン部接合部と前記放熱プレート部接合部とが一体に形成されている。
【００１３】
ところで、ピン部接合部と放熱プレート部接合部とが一体に形成されている構成においては、ピン部接合部上において溶融したハンダが放熱プレート部接合部側に向けて引き込まれ易い。しかしながら、請求項４記載の電子部品組立体によれば、ピン部接合部上において溶融したハンダが第１開口部の縁部によって堰止められる。これにより、ピン部接合部上において溶融したハンダが放熱プレート部接合部側に向けて引き込まれ難くなる。その結果、ピン部とピン部接合部とを接合するためのハンダの量が確保され、ピン部とピン部接合部との接合不良を抑制することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１４】
【図１】ＦＥＴを示す底面図である。
【図２】ＦＥＴを示す平面図である。
【図３】回路基板の断面を示す側断面図である。
【図４】回路基板においてＦＥＴが取付けられる部位を拡大して示す拡大平面図である。
【図５】ハンダが載置された回路基板を示す図３に対応する側断面図である。
【図６】回路基板組立体を示す図３及び図５に対応する側断面図である。
【図７】ハンダの流れを模式的に示した平面図である。
【図８】ピン部接合部に接合されたピン部を拡大して示す拡大側断面図である。
【図９】変形例に係る回路基板を示す図４に対応する拡大平面図である。
【図１０】回路基板組立体においてトランジスタが取付けられた部位を拡大して示す拡大平面図である。
【図１１】トランジスタを示す平面図である。
【図１２】ハンダの流れを模式的に示した平面図である。
【図１３】変形例に係る回路基板を示す図１０に対応する拡大平面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１５】
（第１実施形態）
図１〜図６を用いて本発明の第１実施形態に係る電子部品組立体について説明する。
【００１６】
図６に示されるように、本実施形態の電子部品組立体１０は、回路基板１２と、当該回路基板１２に取付けられた電子部品としてのＦＥＴ１４及びレジスト１６と、を備えている。以下、先ずＦＥＴ１４の構成について説明し、次いで回路基板１２及びレジスト１６の構成について説明する。
【００１７】
（ＦＥＴ１４の構成）
図１及び図２に示されるように、ＦＥＴ１４は、矩形状に形成された本体部１８と、本体部１８の底面１８Ａ側に配置されたソース端子２０、ゲート端子２２、及び端子としてのドレイン端子２４と、を有して構成されている。
【００１８】
ソース端子２０及びゲート端子２２は、本体部１８の一方側の端１８Ｂに沿って等間隔に配列されており、このソース端子２０及びゲート端子２２は、平面視で本体部１８の一方側の端１８Ｂから延出する舌片状に形成されている。なお、本実施形態では、３つのソース端子２０と１つのゲート端子２２とが設けられている。
【００１９】
ドレイン端子２４は、底面視で矩形状に形成されていると共に本体部１８の底面１８Ａに沿って延在する放熱プレート部２６と、当該放熱プレート部２６と一体に形成された４つのピン部２８と、を有して構成されている。４つのピン部２８は、放熱プレート部２６の他方側の端２６Ａから延出すると共に底面視で上記ソース端子２０及びゲート端子２２と同様の舌片状に形成されている。また、４つのピン部２８は、放熱プレート部２６の他方側の端２６Ａに沿って等間隔に配列されており、この４つのピン部２８は、平面視で本体部１８の他方側の端１８Ｃから延出している。なお、放熱プレート部２６の一方側には、平面視で本体部１８の側方側の端１８Ｄからそれぞれ延出する一対の延出部３０が形成されている。
【００２０】
（回路基板１２の構成）
図３に示されるように、回路基板１２は、絶縁性の材料を用いて形成された板状の基板本体３２上に導電性の材料を用いて形成された導電パターン部３４が設けられることによって構成されている。図４に示されるように、導電パターン部３４の一部は、ソース端子２０、ゲート端子２２、ドレイン端子２４のピン部２８、及びドレイン端子２４の放熱プレート部２６（図１参照）がそれぞれ接合されるソース端子接合部３４Ａ、ゲート端子接合部３４Ｂ、ピン部接合部３４Ｃ、及び放熱プレート部接合部３４Ｄとされている。また、本実施形態では、平面視で矩形状に形成された放熱プレート部接合部３４Ｄに対して一方側に３つのソース端子接合部３４Ａ及び１つのゲート端子接合部３４Ｂが設けられており、また放熱プレート部接合部３４Ｄに対して他方側に４つのピン部接合部３４Ｃが設けられている。そして、ソース端子接合部３４Ａ、ゲート端子接合部３４Ｂ、ピン部接合部３４Ｃ、及び放熱プレート部接合部３４Ｄは、基板本体３２上において互いに離間している。
【００２１】
（レジスト１６の構成）
図３及び図４に示されるように、回路基板１２においてＦＥＴ１４が実装される面１２Ａには、絶縁性の材料を用いて形成されたシート状のレジスト１６が取付けられている。
【００２２】
図４に示されるように、レジスト１６において平面視でピン部接合部３４Ｃとオーバーラップする部位には、縁部３６Ａが矩形状とされた４つの第１開口部３６が形成されており、レジスト１６において平面視で放熱プレート部接合部３４Ｄとオーバーラップする部位には、縁部３８Ａが矩形状とされた第２開口部３８が形成されている。また、第１開口部３６の縁部３６Ａは、平面視でピン部接合部３４Ｃを囲っており、第２開口部３８の縁部３８Ａは、平面視で放熱プレート部接合部３４Ｄを囲っている。
【００２３】
レジスト１６において平面視でソース端子接合部３４Ａとオーバーラップする部位には、縁部４０Ａが矩形状とされた３つの第３開口部４０が形成されており、レジスト１６において平面視でゲート端子接合部３４Ｂとオーバーラップする部位には、縁部４２Ａが矩形状とされた第４開口部４２が形成されている。また、第３開口部４０の縁部４０Ａは、平面視でソース端子接合部３４Ａを囲っており、第４開口部４２の縁部４２Ａは、平面視でゲート端子接合部３４Ｂを囲っている。
【００２４】
（電子部品組立体１０の製造方法）
次に、電子部品組立体１０の製造方法について説明する。
【００２５】
図３及び図４に示されるように、先ず上記レジスト１６を回路基板１２に取付ける（レジスト取付工程）。次いで、図５に示されるように、導電パターン部３４の所定の部位にハンダ４４（ハンダシート）をそれぞれ載置する、即ち、ピン部接合部３４Ｃ、放熱プレート部接合部３４Ｄ、ソース端子接合部３４Ａ及びゲート端子接合部３４Ｂにハンダ４４をそれぞれ載置する（ハンダ載置工程）。
【００２６】
次いで、図６に示されるように、ＦＥＴ１４を回路基板１２上の所定の位置に載置して（電子部品載置工程）、当該ＦＥＴ１４及び回路基板１２等をリフロー炉内に投入し、ハンダシートを溶融させる（加熱工程）。次いで、ＦＥＴ１４及び回路基板１２等をリフロー炉の外へ取り出して、ＦＥＴ１４及び回路基板１２等を冷却する（冷却工程）。これにより、ＦＥＴ１４のピン部２８が回路基板１２のピン部接合部３４Ｃにハンダ付けにて接合されると共に、ＦＥＴ１４の放熱プレート部２６が回路基板１２の放熱プレート部接合部３４Ｄにハンダ付けにて接合される。また、ＦＥＴ１４のソース端子２０が回路基板１２のソース端子接合部３４Ａにハンダ付けにて接合されると共に、ＦＥＴ１４のゲート端子２２が回路基板１２のゲート端子接合部３４Ｂにハンダ付けにて接合される。
【００２７】
以上の工程を経て図６に示された電子部品組立体１０が製造される。
【００２８】
（本実施形態の作用並びに効果）
次に、本実施形態の作用並びに効果について説明する。
【００２９】
図４及び図６に示されるように、本実施形態では、縁部３６Ａがピン部接合部３４Ｃを囲む第１開口部３６が形成されたレジスト１６を含んで電子部品組立体１０が構成されている。そのため、図７に示されるように、前述の加熱工程を経ることによってピン部接合部３４Ｃ上において溶融したハンダ４４が第１開口部３６の縁部３６Ａによって堰止められ、当該溶融したハンダ４４が放熱プレート部接合部３４Ｄ側に向けて引き込まれ難くなる。その結果、ピン部２８とピン部接合部３４Ｃとを接合するためのハンダ４４の量が確保され、ピン部２８とピン部接合部３４Ｃとの接合不良を抑制することができる。図８に示されるように、本実施形態では、ピン部２８とピン部接合部３４Ｃとを接合するためのハンダ４４の量が確保されることにより、所望のハンダフィレット４４Ａがピン部接合部３４Ｃの端部に形成されるようになっている。
【００３０】
また、本実施形態では、第２開口部３８がレジスト１６に形成されていることにより、放熱プレート部接合部３４Ｄ上において溶融したハンダ４４が第２開口部３８の縁部３８Ａによって堰止められる。これにより、放熱プレート部接合部３４Ｄ上において溶融したハンダ４４とピン部接合部３４Ｃ上において溶融したハンダ４４とが接触して、ピン部接合部３４Ｃ上において溶融したハンダ４４が放熱プレート部接合部３４Ｄ側に向けて引き込まれることを抑制することができる。その結果、ピン部２８とピン部接合部３４Ｃとの接合不良を抑制することができる。
【００３１】
さらに、本実施形態では、第３開口部４０及び第４開口部４２がレジスト１６に形成されていることにより、ソース端子接合部３４Ａ及びゲート端子接合部３４Ｂ上で溶融したハンダ４４が、第３開口部４０の縁部４０Ａ及び第４開口部４２の縁部４２Ａによって堰止められる。これにより、ソース端子２０とソース端子接合部３４Ａとを接合するためのハンダ４４の量、並びに、ゲート端子２２とゲート端子接合部３４Ｂとを接合するためのハンダ４４の量が確保され、ソース端子２０とソース端子接合部３４Ａとの接合状態、並びに、ゲート端子２２とゲート端子接合部３４Ｂとの接合状態を安定させることができる。
【００３２】
また、図４に示されるように、本実施形態では、ピン部接合部３４Ｃと放熱プレート部接合部３４Ｄとが基板本体３２上において互いに離間して配置されていることにより、ピン部接合部３４Ｃ上において溶融したハンダ４４が放熱プレート部接合部３４Ｄ側に向けて引き込まれることを抑制することができる。その結果、ピン部２８とピン部接合部３４Ｃとの接合不良を抑制することができる。
【００３３】
なお、本実施形態では、ピン部接合部３４Ｃと放熱プレート部接合部３４Ｄとを基板本体３２上において互いに離間して配置した例について説明してきたが、本発明はこれに限定されない。例えば、図９に示されるように、ピン部接合部３４Ｃと放熱プレート部接合部３４Ｄとが一体に形成されていてもよい。しかしながら、ピン部接合部３４Ｃと放熱プレート部接合部３４Ｄとが一体に形成されている構成においては、ピン部接合部３４Ｃ上において溶融したハンダ４４が放熱プレート部接合部３４Ｄ側に向けて引き込まれ易い。しかしながら、上記レジスト１６を用いることにより、ピン部接合部３４Ｃ上において溶融したハンダ４４が放熱プレート部接合部３４Ｄ側に向けて引き込まれることを抑制することができる。その結果、ピン部２８とピン部接合部３４Ｃとを接合するためのハンダ４４の量が確保され、ピン部２８とピン部接合部３４Ｃとの接合不良を抑制することができる。
【００３４】
また、本実施形態では、第２開口部３８、第３開口部４０及び第４開口部４２が形成されたレジスト１６を回路基板１２に取付けた例について説明してきたが、本発明はこれに限定されるものではない。例えば、第１開口部３６のみが形成されたレジストを回路基板１２に取付けることもできる。
【００３５】
（第２実施形態）
図１０〜図１２を用いて本発明の第２実施形態に係る電子部品組立体について説明する。
【００３６】
図１０に示されるように、本実施形態の電子部品組立体５０は、回路基板５２と、当該回路基板５２に取付けられた電子部品としてのトランジスタ５４及びレジスト５６と、を備えている。以下、先ずトランジスタ５４の構成について説明し、次いで回路基板５２及びレジスト５６の構成について説明する。
【００３７】
（トランジスタ５４の構成）
図１１に示されるように、トランジスタ５４は、ＳＯＴ系のトランジスタであり、このトランジスタ５４は、矩形状に形成された本体部５８と、本体部５８の底面側に配置されたエミッタ端子６０、ベース端子６２、及び端子としてのコレクタ端子６４と、を有して構成されている。
【００３８】
エミッタ端子６０及びベース端子６２は、本体部５８の一方側の端５８Ａに沿って間隔をあけて配列されており、このエミッタ端子６０及びベース端子６２は、平面視で本体部５８の一方側の端５８Ａから延出する舌片状に形成されている。
【００３９】
コレクタ端子６４は、本体部５８の底面に沿って延在する放熱プレート部６６と、当該放熱プレート部６６と一体に形成された単一のピン部６８と、を有して構成されている。放熱プレート部６６は、平面視で本体部５８の長手方向と直交する方向を長手方向とする矩形状に形成されている。ピン部６８は、放熱プレート部６６の一方側の端６６Ａかつ当該放熱プレート部６６の短手方向の中央部から延出すると共に平面視で上記エミッタ端子６０及びベース端子６２と同様の舌片状に形成されている。また、ピン部６８の幅Ｗ１は、放熱プレート部６６の幅Ｗ２に比して狭く設定されており、このピン部６８は、エミッタ端子６０とベース端子６２との間の略中央部に配置されている。また、放熱プレート部６６の他方側の端部６６Ｂは、平面視で本体部５８の他方側の端５８Ｂから延出している。
【００４０】
（回路基板５２の構成）
図１０に示されるように、回路基板５２は、前述の回路基板１４と同様に絶縁性の材料を用いて形成された板状の基板本体３２（図３参照）上に導電性の材料を用いて形成された導電パターン部７０が設けられることによって構成されている。具体的には、導電パターン部７０の一部は、エミッタ端子６０、ベース端子６２、コレクタ端子６４のピン部６８、及びコレクタ端子６４の放熱プレート部６６がそれぞれ接合されるエミッタ端子接合部７０Ａ、ベース端子接合部７０Ｂ、ピン部接合部７０Ｃ、及び放熱プレート部接合部７０Ｄとされている。エミッタ端子接合部７０Ａ、ベース端子接合部７０Ｂ、及びピン部接合部７０Ｃは、平面視で矩形状に形成されており、またエミッタ端子接合部７０Ａ、ベース端子接合部７０Ｂ、及びピン部接合部７０Ｃは、基板本体３２上において直線状に配列されている。放熱プレート部接合部７０Ｄは、放熱プレート部６６の他方側の端部６６Ｂが接合される矩形状の端部接合部Ａ１と、端部接合部Ａ１の長手方向の中間部からピン部接合部７０Ｃ側に向けて延出すると共に放熱プレート部６６の長手方向の中間部６６Ｃ（図１１参照）が接合される中間部接合部Ａ２と、を備えている。また、中間部接合部Ａ２の幅Ｗ３は、端部接合部Ａ１の幅Ｗ４に比して狭く設定されている。
【００４１】
（レジスト５６の構成）
回路基板５２においてトランジスタ５４が実装される面には、前述のレジスト１６（図４参照）と同様の構成のレジスト５６が取付けられている。
【００４２】
レジスト５６において平面視でピン部接合部７０Ｃとオーバーラップする部位には、縁部７２Ａが矩形状とされた第１開口部７２が形成されており、レジスト５６において平面視で放熱プレート部接合部７０Ｄとオーバーラップする部位には、縁部７２Ｂが端部接合部Ａ１及び中間部接合部Ａ２の外縁に対応する形状に形成された第２開口部７４が形成されている。また、第１開口部７２の縁部７２Ａは、平面視でピン部接合部７０Ｃを囲っており、第２開口部７４の縁部７４Ａは、平面視で放熱プレート部接合部７０Ｄを囲っている。
【００４３】
レジスト５６において平面視でエミッタ端子接合部７０Ａとオーバーラップする部位には、縁部７６Ａが矩形状とされた第３開口部７６が形成されており、レジスト５６において平面視でベース端子接合部７０Ｂとオーバーラップする部位には、縁部７８Ａが矩形状とされた第４開口部７８が形成されている。また、第３開口部７６の縁部７６Ａは、平面視でエミッタ端子接合部７０Ａを囲っており、第４開口部７８の縁部７８Ａは、平面視でベース端子接合部７０Ｂを囲っている。
【００４４】
以上説明した本実施形態の電子部品組立体は、上記第１実施形態と同様の工程を経て製造される。すなわち、先ず上記レジスト５６を回路基板５２に取付け（レジスト取付工程）、次いで、図示しないハンダシートをエミッタ端子接合部７０Ａ、ベース端子接合部７０Ｂ、ピン部接合部７０Ｃ、及び放熱プレート部接合部７０Ｄの上にそれぞれ載置する（ハンダ載置工程）。
【００４５】
次いで、トランジスタ５４を回路基板５２上の所定の位置に載置して（電子部品載置工程）、当該トランジスタ５４及び回路基板５２等をリフロー炉内に投入し、ハンダシートを溶融させる（加熱工程）。次いで、トランジスタ５４及び回路基板５２等をリフロー炉の外へ取り出して、トランジスタ５４及び回路基板５２等を冷却する（冷却工程）。これにより、トランジスタ５４のピン部６８が回路基板５２のピン部接合部７０Ｃにハンダ付けにて接合されると共に、トランジスタ５４の放熱プレート部６６が回路基板５２の放熱プレート部接合部７０Ｄにハンダ付けにて接合される。また、トランジスタ５４のエミッタ端子６０が回路基板５２のエミッタ端子接合部７０Ａにハンダ付けにて接合されると共に、トランジスタ５４のベース端子６２が回路基板５２のベース端子接合部７０Ｂにハンダ付けにて接合される。
【００４６】
以上の工程を経て電子部品組立体５０が製造される。
【００４７】
（本実施形態の作用並びに効果）
次に、本実施形態の作用並びに効果について説明する。
【００４８】
図１０に示されるように、本実施形態では、縁部７２がピン部接合部７０Ｃを囲む第１開口部７２が形成されたレジスト５６を含んで電子部品組立体５０が構成されている。そのため、図１２に示されるように、前述の加熱工程を経ることによってピン部接合部７０Ｃ上において溶融したハンダ４４（ハンダシート）が第１開口部７２の縁部７２Ａによって堰止められ、当該溶融したハンダ４４が放熱プレート部接合部７０Ｄ側に向けて引き込まれ難くなる。その結果、ピン部６８とピン部接合部７０Ｃとを接合するためのハンダ４４の量が確保され、ピン部６８とピン部接合部７０Ｃとの接合不良を抑制することができる。
【００４９】
また、本実施形態では、第２開口部７４がレジスト５６に形成されていることにより、放熱プレート部接合部７０Ｄ上において溶融したハンダ４４が第２開口部７４の縁部７４Ａによって堰止められる。これにより、放熱プレート部接合部７０Ｄ上において溶融したハンダ４４とピン部接合部７０Ｃ上において溶融したハンダ４４とが接触して、ピン部接合部７０Ｃ上において溶融したハンダ４４が放熱プレート部接合部７０Ｄ側に向けて引き込まれることを抑制することができる。その結果、ピン部６８とピン部接合部７０Ｃとの接合不良を抑制することができる。
【００５０】
さらに、本実施形態では、第３開口部７６及び第４開口部７８がレジスト５６に形成されていることにより、エミッタ端子接合部７０Ａ及びベース端子接合部７０Ｂ上で溶融したハンダ４４が、第３開口部７６の縁部７６Ａ及び第４開口部７８の縁部７８Ａによって堰止められる。これにより、エミッタ端子６０とベース端子接合部７０Ｂとを接合するためのハンダ４４の量、並びに、ベース端子６２とベース端子接合部７０Ｂとを接合するためのハンダ４４の量が確保され、エミッタ端子６０とエミッタ端子接合部７０Ａとの接合状態、並びに、ベース端子６２とベース端子接合部７０Ｂとの接合状態を安定させることができる。
【００５１】
また、本実施形態では、ピン部接合部７０Ｃと放熱プレート部接合部７０Ｄとが基板本体３２（図３参照）上において互いに離間して配置されていることにより、ピン部接合部７０Ｃ上において溶融したハンダ４４が放熱プレート部接合部７０Ｄ側に向けて引き込まれることを抑制することができる。その結果、ピン部６８とピン部接合部７０Ｃとの接合不良を抑制することができる。
【００５２】
さらに、本実施形態では、放熱プレート部接合部７０Ｄが端部接合部Ａ１及び当該端部接合部Ａ１よりも幅が狭く設定された中間部接合部Ａ２を含んで構成されている。これに加えて、本実施形態では、縁部７４Ａが端部接合部Ａ１及び中間部接合部Ａ２の外縁に対応する形状に形成された第２開口部７４がレジスト５６に形成されている。これにより、本実施形態では、放熱プレート部６６と放熱プレート部接合部７０Ｄとを接合するためのハンダ４４の量を所望の量に調整することができる。
【００５３】
なお、本実施形態では、ピン部接合部７０Ｃと放熱プレート部接合部７０Ｄとを基板本体３２（図３参照）上において互いに離間して配置した例について説明してきたが、本発明はこれに限定されない。例えば、図１３に示されるように、ピン部接合部７０Ｃと放熱プレート部接合部７０Ｄとが一体に形成されていてもよい。
【００５４】
以上、本発明の一実施形態について説明したが、本発明は、上記に限定されるものでなく、その主旨を逸脱しない範囲内において上記以外にも種々変形して実施することが可能であることは勿論である。
【符号の説明】
【００５５】
１０…電子部品組立体，１２…回路基板，１４…ＦＥＴ（電子部品），１６…レジスト，２４…ドレイン端子（端子），２６…放熱プレート部，２８…ピン部，３２…基板本体，３４Ｃ…ピン部接合部，３４Ｄ…放熱プレート部接合部，３６…第１開口部，３６Ａ…第１開口部の縁部，３８…第２開口部，３８Ａ…第２開口部の縁部，４４…ハンダ，５０…電子部品組立体，５２…回路基板，５４…トランジスタ（電子部品），５６…レジスト，６４…コレクタ端子（端子），６６…放熱プレート部，６８…ピン部，７０Ｃ…ピン部接合部，７０Ｄ…放熱プレート部接合部，７２…第１開口部，７２Ａ…第１開口部の縁部，７４…第２開口部，７４Ａ…第２開口部の縁部，
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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