(57)【要約】【課題】半導体素子を覆う第一の封止部の形状を偏りのないドーム形状とし、それにより、良好な光学的諸特性を有する半導体装置を提供することにある。【解決手段】基板２上の両側に一対の導電パターン１０、２０を形成し、一対の導電パターン１０、２０のうちの一方の導電パターン１０の、等角度間隔で放射状に延びる延長部１６、４０、４１、４２を有するダイボンディングパッド１３に半導体素子４をダイボンディングし、該半導体素子４を覆って封止するように基板２上に第一の封止部６を形成した。【選択図】図８
2015185661.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と、
前記基板上の両側に形成された一対の導電パターンと、
前記一対の導電パターンのうちの一方の導電パターン上にダイボンディングされた半導体素子と、
前記半導体素子を覆って封止するように前記基板上に形成された透光性封止部を備え、
前記一方の導電パターンは、前記半導体素子がダイボンディングされたダイボンディングパッド及び該ダイボンディングパッドから等角度間隔で放射状に延長された複数の延長部を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
前記複数の延長部が奇数の場合はいずれも略同一の寸法形状を有し、偶数の場合は少なくとも前記ダイボンディングパッドを挟んで互いに対向する位置にある延長部同士が略同一の寸法形状を有することを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
【請求項３】
前記半導体素子は上面の光出射面が長方形の場合は、偶数の前記延長部を有するダイボンディングパッドに前記光出射面の長辺の夫々が該ダイボンディングパッドを挟んで互いに対向する延長部の方向を向くようにダイボンディングされることを特徴とする請求項１又は請求項２に記載の半導体装置。
【請求項４】
前記透光性樹脂部は、蛍光体が分散されていることを特徴とする請求項１〜請求項３のいずれかに記載の半導体装置。
【請求項５】
前記透光性樹脂部を覆って封止するように更に透光性封止部が前記基板上に形成されていることを特徴とする請求項１〜請求項４のいずれかに記載の半導体装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体装置に関するものであり、詳しくは、半導体素子を二重に封止してなる半導体装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、この種の半導体装置としては、例えば、特許文献１に「ＬＥＤランプ」として開示されたものがある。
【０００３】
開示されたＬＥＤランプは、図１４（平面図）及び図１５（正面図）にあるように、基板８０の表面上に該基板８０の両短辺から中央部に向かって延びる一対の導電パターン（第一の導電パターン８１及び第二の導電パターン８２）が設けられており、そのうち第一の導電パターン８１は、基板８０の短辺部に位置する外部接続用電極部８１ａ及び該外部接続用電極部８１ａから中央部に向かって延びるダイボンディング部８１ｂを有し、第二の導電パターン８２は、基板８０の短辺部に位置する外部接続用電極部８２ａ及び該外部接続用電極部８２ａから中央部に向かって延びるワイヤボンディング部８２ｂを有している。
【０００４】
第一の導電パターン８１のダイボンディング部８１ｂは、ＬＥＤ素子８３がダイボンディングされると共に該ＬＥＤ素子８３の発光面上に設けられた一対の素子電極の一方とボンディングワイヤ８４を介して電気的に接続されており、第二の導電パターン８２のワイヤボンディング部８２ｂはＬＥＤ素子８３の発光面上に設けられた一対の素子電極の他方とボンディングワイヤ８４を介して電気的に接続されている。
【０００５】
第一の導電パターン８１及び第二の導電パターン８２の夫々の外部接続用電極部８１ａ、８２ａは、外部電極との電気的な接続に用いられる。
【０００６】
そして、ＬＥＤ素子８３及びＬＥＤ素子８３の素子電極とボンディングワイヤ８４との接合部が、透光性のシリコーン樹脂からなる第一の封止樹脂によってドーム状（凸レンズの形状）に覆われて第一の封止部８５が形成され、更に、第一の封止部８５が透光性のエポキシ樹脂からなる第二の封止樹脂によって矩形状に覆われて第二の封止部８６が形成されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００７】
【特許文献１】特開２００３−２８２９５２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
ところで、上記構成のＬＥＤランプは、第一の封止部８５の形成に際しては、ＬＥＤ素子８３の上方から第一の封止樹脂を定量滴下してＬＥＤ素子８３及びＬＥＤ素子８３の素子電極とボンディングワイヤ８４との接合部をドーム状に覆い、その後加熱硬化して第一の封止部８５が形成される。
【０００９】
この場合、第一の導電パターン８１のダイボンディング部８１ｂは、ＬＥＤ素子８３がダイボンディングされた位置Ｘを基準にして、ダイボンディング部８１ｂが延びる外部接続用電極部８１ａの端部８１ｂａまでの長さＤ１と、外部接続用電極部８１ａと反対側の先端部８１ｂｂまでの長さＤ２が異なる。具体的には、Ｄ１＞Ｄ２の関係にある。
【００１０】
そのため、第一の導電パターン８１のダイボンディング部８１ｂ上にダイボンディングされたＬＥＤ素子８３を覆うようにドーム状に滴下された第一の封止樹脂は、ダイボンディング部８１ｂ上を外部接続用電極部８１ａ側に向かって濡れ広がり、外部接続用電極部８１ａと反対側の先端部８１ｂｂ側に対しては先端部８１ｂｂによって濡れ広がりが止められる。
【００１１】
その結果、ドーム状に形成された第一の封止部８５は、ＬＥＤ素子８３がダイボンディングされた位置Ｘを対称軸とする対称形状とはならず外部接続用電極部８１ａ側に偏った形状を呈するものとなり、複数のＬＥＤランプにおいては形状の再現性が乏しいものとなってＬＥＤランプ間でばらつきを生じることとなる。
【００１２】
ＬＥＤランプ間における第一の封止部８５の形状のばらつきは、ＬＥＤ素子８３から出射して第一の封止部８５内を導光されて該第一の封止部８５から第二の封止部８６に入射する光の指向特性にばらつきが生じることになり、更に、第二の封止部８６内を導光されてＬＥＤランプ外に出射する光の指向特性にもばらつきが生じることになる。そのため、ＬＥＤランプの光学的諸特性（例えば、上記指向特性以外に光度等）の歩留まりが低下する要因となる。
【００１３】
また、特に、第一の封止部８５を形成する第一の封止樹脂に蛍光体が分散された場合は、ＬＥＤランプの出射光に色むらを生じることになり、色度歩留まりを低下させる要因となる。
【００１４】
なお、ＬＥＤ素子８３が長方形の形状を有する場合、ＬＥＤ素子８３の長方形の上面上に滴下された第一の封止樹脂は、ＬＥＤ素子８３の短辺縁部よりも先に第一の封止樹脂の流路幅が広い長辺縁部から側壁に沿って第一の導電パターン８１のダイボンディング部８１ｂ上を濡れ広がる。
【００１５】
その結果、第一の導電パターン８１のダイボンディング部８１ｂ上を濡れ広がる第一の封止樹脂はＬＥＤ素子８３の短辺側よりも長辺側の方に大きく広がり、ドーム状に形成された第一の封止部８５はＬＥＤ素子８３の長辺側に偏った形状を呈するものとなる。そのため、複数のＬＥＤランプにおいては形状の再現性が乏しいものとなってＬＥＤランプ間でばらつきを生じることとなる。
【００１６】
そこで、本発明は上記問題に鑑みて創案されたものであり、その目的とするところは、ＬＥＤ素子（半導体素子）を覆う第一の封止部の形状を偏りのないドーム形状とし、それにより、良好な光学的諸特性を有する半導体装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１７】
上記課題を解決するために、本発明の請求項１に記載された発明は、基板と、前記基板上の両側に形成された一対の導電パターンと、前記一対の導電パターンのうちの一方の導電パターン上にダイボンディングされた半導体素子と、前記半導体素子を覆って封止するように前記基板上に形成された透光性封止部を備え、前記一方の導電パターンは、前記半導体素子がダイボンディングされたダイボンディングパッド及び該ダイボンディングパッドから等角度間隔で放射状に延長された複数の延長部を有することを特徴とするものである。
【００１８】
また、本発明の請求項２に記載された発明は、請求項１において、前記複数の延長部が奇数の場合はいずれも略同一の寸法形状を有し、偶数の場合は少なくとも前記ダイボンディングパッドを挟んで互いに対向する位置にある延長部同士が略同一の寸法形状を有することを特徴とするものである。
【００１９】
また、本発明の請求項３に記載された発明は、請求項１又は請求項２において、前記半導体素子は上面の光出射面が長方形の場合は、偶数の前記延長部を有するダイボンディングパッドに前記光出射面の長辺の夫々が該ダイボンディングパッドを挟んで互いに対向する延長部の方向を向くようにダイボンディングされることを特徴とするものである。
【００２０】
また、本発明の請求項４に記載された発明は、請求項１〜請求項３のいずれかにおいて、前記透光性樹脂部は、蛍光体が分散されていることを特徴とするものである。
【００２１】
また、本発明の請求項５に記載された発明は、請求項１〜請求項４のいずれかにおいて、前記透光性樹脂部を覆って封止するように更に透光性封止部が前記基板上に形成されていることを特徴とするものである。
【発明の効果】
【００２２】
本発明の半導体装置は、基板上の両側に一対の導電パターンを形成し、一対の導電パターンのうちの一方の導電パターンの、等角度間隔で放射状に延びる延長部を有するダイボンディングパッドに半導体素子をダイボンディングし、該半導体素子を覆って封止するように基板上に第一の封止部を形成した。
【００２３】
そのため、半導体素子を滴下方法で封止した第一の封止部が、偏りのないドーム形状に良好な歩留まりで再現性良く形成できる。その結果、半導体素子から発せられて第一の封止部内を導光された光の指向特性が偏りの少ないものとなり、半導体装置からの出射光も偏りの少ない良好な指向特性を有するものとなる。
【図面の簡単な説明】
【００２４】
【図１】第１の実施形態の半導体装置の斜視図である。
【図２】第１の実施形態の半導体装置の平面図である。
【図３】第１実施例の平面図である。
【図４】第１比較例の平面図である。
【図５】ダイボンディングパッド近傍の部分斜視図である。
【図６】ダイボンディングパッド近傍の部分斜視図である。
【図７】半導体装置の平面図である。
【図８】半導体装置の平面図である。
【図９】第２の実施形態の半導体装置の平面図である。
【図１０】第２比較例の平面図である。
【図１１】ダイボンディングパッド近傍の部分斜視図である。
【図１２】ダイボンディングパッド近傍の部分斜視図である。
【図１３】半導体装置の平面図である。
【図１４】従来例の説明図である。
【図１５】従来例の説明図である。
【発明を実施するための形態】
【００２５】
以下、この発明の好適な実施形態を図１〜図１３を参照しながら、詳細に説明する（同一部分については同じ符号を付す）。尚、以下に述べる実施形態は、本発明の好適な具体例であるから、技術的に好ましい種々の限定が付されているが、本発明の範囲は、以下の説明において特に本発明を限定する旨の記載がない限り、これらの実施形態に限られるものではない。
【００２６】
図１は第１の実施形態の半導体装置の斜視図、図２は平面図である。
【００２７】
第１の実施形態の半導体装置１は、平板状の基板２の互いに対向する両短辺側の夫々に一対の導電パターン（第一の導電パターン１０及び第二の導電パターン２０）が設けられている。そのうち第一の導電パターン１０は、基板２の表面の短辺縁部から側面を経て裏面に回り込むように延在する外部接続用電極部１１、該外部接続用電極部１１から基板の表面の短辺方向の中央部を長辺方向に沿って対向する短辺方向に延びるダイボンディング部１２及び該外部接続用電極部１１から基板の表面の一方の長辺側を長辺方向に沿って対向する短辺方向に延びる突出部１７を有している。
【００２８】
ダイボンディング部１２は、基板２の中央部に位置する円形状のダイボンディングパッド１３、ダイボンディングパッド１３と外部接続用電極部１１とを繋ぐ中継部１４及びダイボンディングパッド１３から中継部１４と反対方向に延びる延出部１５を有している。
【００２９】
第一の導電パターン１０の外部接続用電極部１１の一部及び中継部１４の一部がレジスト層３０で一体に被覆されており、中継部１４はレジスト層３０が被覆されないで露出した露出中継部１６を有している。露出中継部１６と延出部１５は略同一の幅及び略同一の長さを有している
【００３０】
具体的には、ダイボンディングパッド１３の外周縁１３ａから延出部１５の先端部１５ａまでの長さをＬ１とし、ダイボンディングパッド１３の外周縁１３ａから露出中継部１６の露出端部１６ａまでの長さをＬ２とすると、Ｌ１≒Ｌ２の関係にある。
【００３１】
第二の導電パターン２０は、基板２の表面の短辺縁部から側面を経て裏面に回り込むように延在する外部接続用電極部２１及び該外部接続用電極部２１から基板の表面の他方の長辺側を長辺方向に沿って対応する短辺方向に延びるワイヤボンディングパッド２２を有しており、外部接続用電極部２１の一部がレジスト層３１で被覆されている。
【００３２】
第一の導電パターン１０のダイボンディング部１２のダイボンディングパッド１３には導電性接合部材３を介して上面の光出射面４ａが略正方形の半導体素子４がダイボンディングされて第一の導電パターン１０と半導体素子４の下部電極（図示せず）が電気的に接続され、半導体素子４の上部電極４ｂと第二の導電パターン２０のワイヤボンディングパッド２２がボンディングワイヤ５を介して接続されて第二の導電パターン２０と半導体素子４の上部電極４ｂが電気的に接続されている。
【００３３】
第一の導電パターン１０及び第二の導電パターン２０の夫々の外部接続用電極部１１、２１は、外部電極に接続されて外部電源からの電力を受電する。
【００３４】
そして、半導体素子４及び半導体素子４の上部電極４ｂとボンディングワイヤ５との接合部が、透光性を有する第一の封止樹脂によってドーム状に覆われて第一の封止部６が形成され、更に、第一の封止部６が透光性を有する第二の封止樹脂によって覆われて第二の封止部７が形成されている。
【００３５】
基板２は、例えば、シリコーン樹脂基板やガラスエポキシ基板等の樹脂基板、アルミニウム基板や鉄基板等の金属基板、セラミック基板が用いられる。  
【００３６】
第一の導電パターン１０及び第二の導電パターン２０の夫々は、例えば、基板２が樹脂基板の場合は、基板２上にＣｕの薄膜を形成し、その上に順次Ｃｕメッキ、ＮｉメッキＰｄメッキ及びＡｕメッキを施した多層構造からなっている。
【００３７】
半導体素子４は、ＬＥＤ素子あるいはレーザ素子からなっている。
【００３８】
導電性接合部材３は、Ａｇ、Ｎｉ等の金属粉を混入した樹脂ペースト、はんだ、共晶ペースト等が用いられる。
【００３９】
ボンディングワイヤ５は、Ａｕ、Ａｌ、Ａｇ等からなる金属ワイヤが用いられ、半導体素子４の上部電極４ｂにボールボンディング５ａによって接合され、第二の導電パターン２０のワイヤボンディングパッド２２にステッチボンディング５ｂによって接合されている。
【００４０】
第一の封止部６を形成する第一の封止樹脂は、該第一の封止部６を波長変換部とするときは、溶媒に蛍光体を分散したものが用いられる。その場合、蛍光体には、ＹＡＧ蛍光体、サイアロン蛍光体、オルトシリケート蛍光体等が用いられ、溶媒には、シリコーン樹脂、エポキシ樹脂、アルコール等の有機溶剤が用いられる。
【００４１】
第一の封止部６を波長変換部としないときは、後述の第二の封止部７を形成する第二の封止樹脂よりも低屈折率の材料を用いることができる。
【００４２】
第二の封止樹脂は、シリコーン樹脂、エポキシ樹脂、ガラス等を用いることができ、ポッティング、トランスファーモールド、コンプレッションモールド等の封止手段によって第二の封止部７を形成する。
【００４３】
ところで、第一の封止樹脂によって第一の封止部６を形成するに際しては、半導体素子４の上方から第一の封止樹脂を定量滴下して半導体素子４及び半導体素子４の上部電極４ｂとボンディングワイヤ５との接合部をドーム状に覆う。
【００４４】
その場合、半導体素子４の上方から定量滴下した第一の封止樹脂は、半導体素子４の上面の光出射面４ａから側面を伝って第一の導電パターン１０のダイボンディングパッド１３に達し、ダイボンディングパッド１３を経て該ダイボンディングパッド１３から互いに反対方向に延びる延出部１５と露出中継部１６に濡れ広がる。このとき、延出部１５と露出中継部１６は上述したように長さが略同一であるため、第一の封止樹脂の濡れ広がりが延出部１５側と露出中継部１６側で釣り合いがとれる。
【００４５】
そのため、ドーム状に形成された第一の封止部６は、ダイボンディング部１２の延長方向に偏在することがなく、且つダイボンディング部１２の延長方向に垂直な方向に対しても円形状のダイボンディングパッド１３によって第一の封止樹脂が偏在することがなく、偏りのないドーム形状を良好な歩留まりで再現性良く得ることができる。
【００４６】
その結果、半導体素子４から発せられて第一の封止部６内を導光された光の指向特性が偏りの少ないものとなり、半導体装置からの出射光も偏りの少ない良好な指向特性を有するものとなる。
【００４７】
特に、第一の封止部６を波長変換部とする場合は、半導体素子４から発せられて蛍光体が分散された第一の封止部６内を導光される光の光路長に偏りが少ないために第一の封止部６からの出射光に色むらが少なく、半導体装置からの出射光も色むらが少なく良好な色度歩留まりを得ることができる。
【００４８】
そこで、第１の実施形態の半導体装置と従来の構成の半導体装置に関し、第一の封止部の形成状態の違いについて比較検証した結果を以下に示す。
【００４９】
図３（第１実施例の平面図）は、第１の実施形態の半導体装置（以下、「第１実施例」と呼称する）の具体的な寸法を示している。第一の導電パターン１０のダイボンディング部１２に設けられた円形状のダイボンディングパッド１３の直径Ｄを０．５４ｍｍ、ダイボンディングパッド１３の外周縁１３ａから延出部１５の先端部１５ａまでの長さＬ１及びダイボンディングパッド１３の外周縁１３ａから露出中継部１６の露出端部１６ａまでの長さＬ２を共に０．２ｍｍとした。
【００５０】
一方、従来構成の半導体装置（以下、「第１比較例」と呼称する）は、図４（第１比較例の平面図）に示すように、第１実施例に対して第一の導電パターン１０に延出部１５を有せず、第一の導電パターン１０に設けられた円形状のダイボンディングパッド１３の直径Ｄをφ０．５４ｍｍ、ダイボンディングパッド１３の外周縁１３ａから露出中継部１６の露出端部１６ａまでの長さＬ２を０．２ｍｍとした。
【００５１】
そして、第１実施例及び第１比較例はいずれも、ダイボンディングパッド１３に上面の光出射面４ａが□０．１９ｍｍの正方形の半導体素子４をダイボンディングし、オルトシリケート系蛍光体を分散した有機溶剤を上方から滴下して半導体素子４を覆うように第一の封止部６を形成して加熱硬化した。サンプル数は、第１実施例及び第１比較例ともに４８個であった。
【００５２】
その結果、第１比較例は、第一の封止樹脂がレジスト層３０側に向かって濡れ広がつてレジスト層３０側に偏在し、４８個のサンプルのうち６個について第一の封止部６がダイボンディングパッド１３及び露出中継部１６からはみ出し（図５（ダイボンディングパッド近傍の部分斜視図）参照）、１個について半導体素子４の、露出中継部１６と反対方向及び露出中継部１６の延長方向と垂直方向の夫々の側面４ｃが第一の封止部６で覆われない露出状態（図６（ダイボンディングパッド近傍の部分斜視図）参照）となった。
【００５３】
それに対し、第１実施例は、４８個のサンプルのうち１個について第一の封止部６がダイボンディングパッド１３及び露出中継部１６からはみ出した。
【００５４】
その結果、第一の導電パターン１０のダイボンディング部１２が、半導体素子４をダイボンディングするダイボンディングパッド１３と、該ダイボンディングパッド１３から等角度間隔で放射状に且つ略同一の形状寸法で延長された露出中継部１６及び延出部１５を有することにより、滴下方法で半導体素子４を覆うように形成した第一の封止部６の形状が偏在することが少なく、半導体素子４を中心とした偏りのないドーム形状を良好な歩留まりで再現性良く得られることがわかった。
【００５５】
したがって、例えば図７（半導体装置の平面図）にあるように、第一の導電パターン１０のダイボンディング部１２が、ダイボンディングパッド１３から１２０°の等角度間隔で放射状に延長された略同一の形状寸法の３つの延長部（露出中継部１６、第一延出部４０及び第二延出部４１）を有する構成、あるいは、図８（半導体装置の平面図）にあるように、ダイボンディングパッド１３から９０°の等角度間隔で放射状に延長された４つの延長部（露出中継部１６、第一延出部４０、第二延出部４１及び第三延出部４２）を有する構成であっても、第一の封止部６の形状を偏在しない形状とすることができる。
【００５６】
但し、少なくとも、ダイボンディングパッド１３に対して、対向する側から互いに反対方向に延びる延長部同士は形状寸法を略同一にすることが好ましい。
【００５７】
図９は第２の実施形態の半導体装置の平面図である。第２の実施形態は、第１の実施形態に対して上面の光出射面の形状が略長方形の半導体素子を用いたことが異なる。
【００５８】
この場合、半導体素子４を第一の導電パターン１０のダイボンディング部１２のダイボンディングパッド１３にダイボンディングするにあたっては、半導体素子４の長辺の夫々が露出中継部１６及び延出部１５の方向を向くように配置する。
【００５９】
これにより、第一の封止部６を形成する際に半導体素子４の上方から定量滴下した第一の封止樹脂が、半導体素子４の上面の光出射面４ａから、短辺縁部よりも先に第一の封止樹脂の流路幅が広い長辺縁部から側壁に沿って流れ落ちたとしても、長辺縁部側に位置する、ダイボンディングパッド１３から互いに反対方向に延びる露出中継部１６及び延出部１５にほぼ均等に濡れ広がる。
【００６０】
そのため、ドーム状に形成された第一の封止部６は第１の実施形態と同様に、ダイボンディング部１２の延長方向に偏在することがなく、且つダイボンディング部１２の延長方向に垂直な方向に対しても円形状のダイボンディングパッド１３によって第一の封止部６の形状が偏在することが少なく、半導体素子４を中心とした偏りのないドーム形状を良好な歩留まりで再現性良く得ることができる。
【００６１】
その結果、半導体素子４から発せられて第一の封止部６内を導光された光の指向特性が偏りの少ないものとなり、半導体装置からの出射光も偏りの少ない良好な指向特性を有するものとなる。
【００６２】
次に、第２の実施形態の半導体装置と従来の構成の半導体装置に関し、第一の封止部の形成状態の違いについて比較検証した結果を以下に示す。
【００６３】
第２の実施形態の半導体装置（以下、「第２実施例」と呼称する）は、上記第１実施例に対して、半導体素子４に上面の光出射面が０．２２ｍｍ×０．２７ｍｍの長方形のものを用いたことが異なる。そして、半導体素子４を該半導体素子４の長辺の夫々が露出中継部１６及び延出部１５の方向を向くようにダイボンディングパッド１３にダイボンディングした（図９参照）。
【００６４】
一方、従来構成の半導体装置（以下、「第２比較例」と呼称する）は、上記第１比較例に対して、半導体素子４を上面の光出射面が０．２２ｍｍ×０．２７ｍｍの長方形のものを用いたことが異なる。そして、半導体素子４を該半導体素子４の長辺の一方が露出中継部１６の方向を向くようにダイボンディングパッド１３にダイボンディングした（図１０（第２比較例の平面図）参照））。
【００６５】
そして、第２実施例及び第２比較例はいずれも、オルトシリケート系蛍光体を分散した有機溶剤を上方から滴下して半導体素子４を覆うように第一の封止部６を形成して加熱硬化した。サンプル数は、第２実施例及び第２比較例ともに４８個であった。
【００６６】
その結果、第２比較例は、第一の封止樹脂がレジスト層３０側に向かって濡れ広がつてレジスト層３０側に偏在し、４８個のサンプルのうち１２個について第一の封止部６がダイボンディングパッド１３の、露出中継部１６と反対方向からはみ出し（図１１（ダイボンディングパッド近傍の部分斜視図）参照）、１個について半導体素子４の、露出中継部１６と反対方向及び露出中継部１６の延長方向と垂直方向の夫々の側面４ｃが第一の封止部６で覆われない露出状態（図１２（ダイボンディングパッド近傍の部分斜視図）参照）となった。
【００６７】
それに対し、第２実施例は、４８個のサンプルのうち２個について第一の封止部６がダイボンディングパッド１３からはみ出し、１個について半導体素子４の、露出中継部１６と反対方向及び露出中継部１６の延長方向と垂直方向の夫々の側面４ｃが第一の封止部６で覆われない露出状態となった。
【００６８】
その結果、第一の導電パターン１０のダイボンディング部１２が、半導体素子４をダイボンディングするダイボンディングパッド１３と、該ダイボンディングパッド１３から、該ダイボンディングパッド１３にダイボンディングされた、上面の光出射面の形状が略長方形の半導体素子４の両長辺縁部側に且つ略同一の形状寸法で延長された露出中継部１６及び延出部１５を有することにより、滴下方法で半導体素子４を覆うように形成した第一の封止部６の形状が偏在することが少なく、半導体素子４を中心とした偏りのないドーム形状を良好な歩留まりで再現性良く得られることがわかった。
【００６９】
なお、半導体素子４が略長方形の光出射面を有する場合、図１３（半導体装置の平面図）にあるように、ダイボンディングパッド１３から９０°の等角度間隔で放射状に延長された４つの延長部（露出中継部１６、第一延出部４０、第二延出部４１及び第三延出部４２）を有すると共に、露出中継部１６及び第一延出部４０の幅に対して露出中継部１６及び第一延出部４０に垂直な第二延出部４１及び第三延出部４２の幅を広く設定し、半導体素子４の長辺の夫々が第一延出部４０及び第三延出部４２の方向を向くように配置することも可能である。これにより、上面の光出射面の形状が略長方形の半導体素子４を封止した第一の封止部６の形状を偏在することがない形状とすることができる。
【００７０】
したがって、半導体素子４が、略正方形の光出射面あるいは略長方形の光出射面を有する場合であっても、第一の封止部６の濡れ広がり状態によってドーム形状の偏在を容易に判定することができる。
【００７１】
また、ダイボンディングパッド１３から等角度間隔で放射状に延長された延長部は、半導体素子４のダイボンディング時にダイボンディング位置の認識マークとして利用することができ、これにより半導体素子４の、ダイボンディングパッド１３におけるダイボンディングの位置精度を高めることができる。
【００７２】
なお、第一の導電パターン上及び第二の導電パターン上にレジスト層が設けられていない場合は、露出中継部はダイボンディング部が延びる外部接続用電極部の端部からダイボンディングパッド先端部までとする。
【００７３】
以上のように、本発明の半導体装置は、半導体素子をダイボンディングするダイボンディングパッドに該ダイボンディングパッドに対して等角度間隔の対称位置から放射状に延びる延長部を設けた。これにより、半導体素子を滴下方法で封止した第一の封止部が、偏りのないドーム形状に良好な歩留まりで再現性良く形成できる。その結果、半導体素子から発せられて第一の封止部内を導光された光の指向特性が偏りの少ないものとなり、半導体装置からの出射光も偏りの少ない良好な指向特性を有するものとなる。
【符号の説明】
【００７４】
１…  半導体装置
２…  基板
３…  導電性接合部材
４…  半導体素子
４ａ…  光出射面
４ｂ…  上部電極
４ｃ…  側面
５…  ボンディングワイヤ
５ａ…  ボールボンディング
５ｂ…  ステッチボンディング
６…  第一の封止部
７…  第二の封止部
１０…  第一の導電パターン
１１…  外部接続用電極部
１２…  ダイボンディング部
１３…  ダイボンディングパッド
１３ａ…  外周縁
１４…  中継部
１５…  延出部
１５ａ…  先端部
１６…  露出中継部
１６ａ…  露出端部
１７…  突出部
２０…  第二の導電パターン
２１…  外部接続用電極部
２２…  ワイヤボンディングパッド
３０…  レジスト層
３１…  レジスト層
４０…  第一延出部
４１…  第二延出部
４２…  第三延出部
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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