(57)【要約】  【課題】量子井戸太陽電池の光吸収率を大きくするとともに、量子井戸内でのキャリアの再結合を抑制することによって、その効率を向上させる。  【解決手段】障壁層と量子井戸層との積層構造を設けた量子井戸太陽電池において、ｋＢをボルツマン定数とし、絶対温度をＴとするとき、量子井戸層の半導体の伝導帯における基底状態のエネルギー準位と障壁層の半導体の伝導帯下端のエネルギー準位の差が±３ｋＢＴ以内とする。これにより、光照射によって量子井戸内に生成されたキャリアは、迅速に量子井戸外部に取り出され、再結合が抑制される。また、量子井戸に直接遷移半導体を、障壁層に間接遷移半導体を使用する。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
障壁層と量子井戸層との積層体を設けた量子井戸太陽電池において、
ｋＢをボルツマン定数とし、絶対温度をＴとするとき、前記量子井戸層の半導体の基底状態のエネルギー準位と前記障壁層の半導体の伝導帯下端のエネルギー準位の差が±３ｋＢＴ以内である量子井戸太陽電池。
【請求項２】
前記積層体は前記障壁層と前記量子井戸層との繰り返し構造を有する、請求項１に記載の量子井戸太陽電池。
【請求項３】
前記量子井戸の半導体は直接遷移半導体であり、前記障壁層の半導体は間接遷移半導体である、請求項１または２に記載の量子井戸太陽電池。
【請求項４】
前記量子井戸の半導体はＧａＡｓであり、前記障壁層の半導体はＡｌＧａＡｓである、請求項３に記載の量子井戸太陽電池。
【請求項５】
前記ＡｌＧａＡｓの組成をＡｌｘＧａ１−ｘＡｓと表現するとき、ｘの範囲が０．７〜０．８５である、請求項４に記載の量子井戸太陽電池。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は量子井戸太陽電池に関し、特に量子井戸中のキャリアの取り出し効率を上げ、その結果再結合を減らすことにより、効率を改善した量子井戸太陽電池に関する。
【背景技術】
【０００２】
量子井戸（ＱＷ）は高度な光学及び電子デバイスのキーポイントとなる構造である。太陽電池においては、ＱＷはホスト材料のバンドギャップよりも低いエネルギーのフォトンも吸収するので、ＱＷを導入することで太陽電池の効率の改善が期待されている。ＱＷはまた、使用する材料ではなくその厚さと障壁高を調節することによって、吸収できるフォトンのエネルギーを制御できる。ＧａＡｓ／ＡｌＧａＡｓ ＱＷ太陽電池は、太陽光スペクトルとの適合性が良いこと及び歪のない系であることにより層構造設計の自由度が非常に大きいことから、従来から広く研究されてきた（非特許文献１〜１３）。更には、ＧａＡｓ／ＡｌＧａＡｓ ＱＷは直接遷移半導体であることに起因して、大きな吸収係数を有する。しかしながら、電子とホールが同一層に閉じ込められるタイプＩ型ＱＷ太陽電池では、キャリアの再結合が大きいという好ましくない現象が起こる。再結合したキャリアは外部に取り出すことができないので、太陽電池性能が低下する。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
本発明の課題は、ＱＷ中のキャリアが容易に外部に取り出される構造を提供することで、フォトンによって生成されたキャリアが再結合により失われることを防止し、もって量子井戸太陽電池の効率を改善することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００４】
本発明の一側面によれば、障壁層と量子井戸層との積層体を設けた量子井戸太陽電池において、ｋＢをボルツマン定数とし、絶対温度をＴとするとき、前記量子井戸層の半導体の基底状態のエネルギー準位と前記障壁層の半導体の伝導帯下端のエネルギー準位の差が±３ｋＢＴ以内である量子井戸太陽電池が与えられる。
ここで、前記積層体は前記障壁層と前記量子井戸層との繰り返し構造を有してよい。
また、前記量子井戸の半導体は直接遷移半導体であり、前記障壁層の半導体は間接遷移半導体であってよい。
また、前記量子井戸の半導体はＧａＡｓであり、前記障壁層の半導体はＡｌＧａＡｓであってよい。
また、前記ＡｌＧａＡｓの組成をＡｌｘＧａ１−ｘＡｓと表現するとき、ｘの範囲が０．７〜０．８５であってよい。
【発明の効果】
【０００５】
本発明の量子井戸太陽電池は量子井戸中で生成されたキャリアを効率的に取り出すことができるため、高効率の太陽電池が提供される。
【図面の簡単な説明】
【０００６】
【図１】（ａ）本願発明の一実施例のＧａＡｓ／ＡｌＧａＡｓ ＱＷ太陽電池の層構造を示す図。（ｂ）間接遷移ＡｌＧａＡｓを有するＧａＡｓ／ＡｌＧａＡｓ ＱＷのバンドプロファイルを示す図。
【図２】（ａ）ＰＬスペクトルの温度依存性を示す図。データは２０Ｋ〜３００Ｋの範囲で２０Ｋステップで測定し、更に９Ｋでも測定した。見やすくするため、各スペクトルを垂直方向にずらして表示している。測定に当たっては、波長が５３２ｎｍでパワーが２．１ｍＷのレーザーを使用した。（ｂ）ＧａＡｓ／Ａｌ０．７８Ｇａ０．２２ＡｓＱＷの積分したＰＬ強度のアレニウスプロットを示す図。後述の式（１）に図中の線をフィッティングして活性化エネルギーを求めた。
【図３】ＱＷ太陽電池及び基準としたＡｌＧａＡｓ太陽電池とを、短絡状態、室温で測定した規格化された光電流（ＰＣ）の結果を示す図。
【図４】室温におけるＱＷ太陽電池の電流−電圧特性を示す図。ハロゲンランプと分光器を組み合わせて単色化した光を照射して測定を行った。光パワーは約９μＷであった。
【図５】ＱＷ太陽電池及び基準としたＡｌＧａＡｓ太陽電池の電圧−電流特性を比較する図。測定はソーラシミュレータを使用し、室温においてＡＭ１．５の光を照射して行った。
【図６】量子井戸内のみを励起する単色光を照射し、温度を変えて電流電圧特性を測定した結果を示す図。
【発明を実施するための形態】
【０００７】
再結合を低減するためには、キャリアを速やかにＱＷから取り出すことが重要である。ＱＷによる吸収を維持しながら、深い閉じ込め（deep confinement）構造でもキャリアの取り出しを効率に行うために、Γ谷（Γ-valley）以外の伝導帯の谷が電子のための脱出経路としての利用ができる。例えば、Ａｌ成分が多い場合、ＡｌＧａＡｓは間接遷移半導体となり、Ｘ谷がΓ谷よりエネルギーが低くなる。すなわち、図１（ｂ）に示すように、ＧａＡｓ／ＡｌＧａＡｓ ＱＷでは脱出経路となるＸ谷ができる。このＱＷ系では、電子はΓ谷の強い閉じ込めを受けて、ＱＷ中で基底状態のエネルギーレベルが大幅に上昇し、ＡｌＧａＡｓのＸ点に近づく。実際、Ｘ谷を通る電子移送はＧａＡｓ／ＡｌＡｓまたはＧａＡｓ／ＡｌＧａＡｓ二重障壁構造で観察されている（非特許文献１４、１５）。
【０００８】
本発明においては、量子井戸における再結合を抑制するために、効率的にキャリアを取り出すことによって、ＱＷ太陽電池の高効率化を実現するものである。対象とする太陽電池は、間接遷移半導体を障壁層とするＧａＡｓ／ＡｌＧａＡｓ ＱＷ太陽電池である。なお障壁層に使う間接遷移半導体は、一般にキャリアの再結合を抑制でき、一方直接遷移半導体であるＧａＡｓ量子井戸は高い吸収を実現する。この構造において、量子井戸の基底状態のエネルギー準位を障壁層に使用されている間接遷移半導体の伝導帯下端と合わせることにより、量子井戸中でキャリアが再結合する前に量子井戸から取り出すことができるようにする。ここで、「量子井戸の基底状態のエネルギー準位を障壁層に使用されている間接遷移半導体の伝導帯下端と合わせる」とは両者の差が±３ｋＢＴ以内、更に好ましくは±２ｋＢＴ以内となるようにすることである。ここでｋＢはボルツマン定数、Ｔは絶対温度である。量子井戸の基底状態のエネルギー準位が障壁層に使用されている間接遷移半導体の伝導帯下端から３ｋＢＴよりも更に下にある場合には、量子井戸中のキャリアを障壁層へ取り出すことが困難になる。両者の位置関係が逆の場合には量子井戸中のキャリアの取り出し自体は問題ないが、量子井戸の基底状態のエネルギー準位が高くなることで吸収できるフォトンのエネルギーが高くなる、つまり利用できる太陽光スペクトルの範囲が狭くなるので、好ましくない。なお、ＱＷ太陽電池に想定されている室温では、３ｋＢＴの値の範囲を電子ボルトで表現すると０．０７〜０．０８ｅＶ、２ｋＢＴでは０．０５〜０．０６ｅＶとなる。
【０００９】
以下で説明する実施例においては、温度を変えてフォトルミネセンス（photoluminescence；ＰＬ）スペクトルを測定し、ＱＷの光学特性を調べた。光電流（photocurrent；ＰＣ）スペクトルを調べることで、ＱＷ太陽電池はバルクＡｌＧａＡｓ太陽電池に比べて広い波長範囲の吸収を示すことが確認できた。各種の励起の下での電流−電圧特性を調べることで、キャリアの振る舞いおよび取り出しについて調べた。
【実施例】
【００１０】
ＧａＡｓ（１００）基板上に分子線エピタキシー装置を使用して６００℃で太陽電池試料を作製した。また光学特性の評価のためにＰＬ用の試料も作製した。ＰＬ用の試料はＸ線回折装置（ＸＲＤ）を用いて膜厚とＡｌＧａＡｓのＡｌ組成の校正用にも使用した。
【００１１】
ＱＷ太陽電池の層構造を図１（ａ）に模式的に示す。この構造を成長させるに当たっては、先ずｎ型ＧａＡｓ（１００）上に２３０ｎｍでＳｉドーピング濃度ＮＳｉが１×１０１８ｃｍ−３のｎ型ＧａＡｓ層を成長させ、次いで２６０ｎｍでＮＳｉが５×１０１７ｃｍ−３のｎ型ＡｌＧａＡｓ層を、次いでＧａＡｓ／ＡｌＧａＡｓ ＱＷが埋め込まれているｉ層を、次いで１８０ｎｍでＢｅドーピング濃度ＮＢｅが５×１０１７ｃｍ−３のｐ型ＡｌＧａＡｓ層を、次いで１８ｎｍでＮＢｅが２×１０１８ｃｍ−３のｐ型ＧａＡｓ層を、そして最後に１５ｎｍでＮＢｅが２×１０１９ｃｍ−３のｐ型ＧａＡｓ層を成長させた。ＱＷは３ｎｍのＧａＡｓ井戸と１４ｎｍのＡｌＧａＡｓ障壁層からなり、それを１０周期繰り返し、ｉ−ＡｌＧａＡｓ層の中央部に埋め込んだ。ＧａＡｓの井戸幅は電子の基底状態のエネルギーがＡｌＧａＡｓのＸ点下端から２ｋＢＴ以内になるように決めた。なお３ｎｍのＧａＡｓ井戸層を一層堆積させる毎に１０秒間の成長中断時間を入れた。このＡｌＧａＡｓ中のＡｌ量は０．７８であった（つまり、Ａｌ０．７８Ｇａ０．２２Ａｓ）。Ａｌ組成はＸ点のエネルギー位置などを考慮すると、０．７〜０．８５、更に好ましくは０．７〜０．８が実用的である。ＡｌＧａＡｓ成長時の砒素フラックス強度は約４×１０−５Ｔｏｒｒであった。更に、ＱＷのない試料を参照用に作製した。なお、図１（ａ）に示す層構造の上端と下端にそれぞれ電極を形成して太陽電池素子とした。
【００１２】
ＱＷ試料及び参照用試料を加工して、面積が約６．６×１０−７ｍ２のメサ状ダイオードを作製した。ｐ層とのオーミックコンタクト用にスパッタリングでＮｉ／Ｃｒ／Ａｕを形成し、太陽電池素子とした。電極の面積はダイオードのほぼ半分である。ＰＣ測定は、ハロゲンランプと光分光器とを組み合わせて単色化した光を使用することによって行った。
【００１３】
光学的な特性を測定するため、半絶縁性ＧａＡｓ（１００）基板上に太陽電池試料と同じ量子井戸構造を有する試料を作成した。波長５３２ｎｍでパワー２．１ｍＷのレーザーを使用してＰＬ測定を行った。
【００１４】
このＧａＡｓ／ＡｌＧａＡｓ ＱＷのバンドプロファイルを図１（ｂ）に示す。ＥＸ及びＥΓはそれぞれＡｌＧａＡｓのＸ谷及びΓ谷に対応するエネルギーギャップである。ΔＥＣ，ΓはＧａＡｓとＡｌＧａＡｓのΓ谷における伝導帯（ＣＢ）のエネルギー準位の差（Conduction band discontinuity）を表し、ΔＥＶは価電子帯（ＶＢ）のエネルギー準位の差（Valence band discontinuity）である。ΔＥＣ，ＸはＧａＡｓのＣＢ下端とＡｌＧａＡｓのＸ点の下端（X-minimum）との間のエネルギー差に対応する。量子井戸のエネルギー準位は以下のパラメータを使用して計算した：ＥＸ＝２．０８５ｅＶ、ＥΓ＝２．５２２ｅＶ、ΔＥＣ，Γ＝０．７２８ｅＶ、及びΔＥＶ＝０．３７０ｅＶ。更に、電子、重いホール、及び軽いホールの有効質量をそれぞれ０．０６７、０．５、及び０．０８２ｍ０とする。ここで、ｍ０は自由電子の質量である。電子の基底状態はＧａＡｓのＣＢ下端より０．２３５ｅＶ上となった。これはＡｌＧａＡｓのＸ点よりも５０〜６０ｍｅＶ下にある。なお電子の障壁高としてΔＥＣ，Γを使用した。
【００１５】
最初に３ｎｍのＧａＡｓ／Ａｌ０．７８Ｇａ０．２２Ａｓ ＱＷの光学特性を調べた。図２（ａ）はＰＬスペクトルの温度依存性を示す。ここで注目すべき特徴は、ＰＬ強度の温度Ｔへの依存度が小さいことであり、これはＰＬの消失を特徴づける実効活性化エネルギーが小さいことを示唆している。３００Ｋにおけるピーク位置（１．７１ｅＶ）は３ｎｍ厚のＱＷの遷移エネルギーの計算結果（１．７０９ｅＶ）と一致している。温度Ｔが低くなるにつれてピーク位置が高エネルギー側へシフトする。これはバンドギャップの温度変化による。積分ＰＬ強度の温度依存性をプロットしたものを図２（ｂ）に示す。強度は温度につれてほぼ単調に減少した。このデータを下式（１）にフィッティングした。
Ｉ∝ｅｘｐ（ＥＡ／ＫＢＴ）      （１）
ここで、ＥＡはＰＬの消失を特徴づける活性化エネルギーである。高温領域でのフィッティングの結果、ＥＡ≒５０ｍｅＶが得られた。この値は電子及びホールに対する障壁高よりもかなり小さい。明瞭なＰＬ信号が３００Ｋにおいても観測されたところから、非放射再結合の寄与はわずかである。従って、この結果量子井戸中の電子がエネルギー的に近いＡｌＧａＡｓのＸ谷との相互作用の存在を示している。
【００１６】
ＰＬスペクトルの他の特徴としては、低温領域（＜２００Ｋ）では複数のピークが存在している。それぞれのスペクトルを解析することによって、これらの信号はそれぞれ別の膜厚の井戸からのものであって、膜厚の違いはわずかに１〜２原子層に相当する、と結論付けることができた。それは、各信号のピーク位置はエネルギーにして約２０ｍｅＶ違っており、この違いは井戸の厚さが一原子層だけ違うＱＷのエネルギーの差と一致するからである。複数ピークは、ＧａＡｓ表面で成長の中断を行ったＧａＡｓ／ＡｌＧａＡｓ ＱＷについてしばしば観測される。高温でのＰＬでは３ｎｍのＱＷからの発光が支配的であることから、３ｎｍ以外の膜厚の領域が少ないことを示している。そのため、次で示す吸収特性は３ｎｍのＱＷの特徴を反映する。
【００１７】
吸収特性を調べるため、ＱＷ有りおよびＱＷなし（参照用）の太陽電池の両方の試料のＰＣスペクトルを測定した。その結果を図３にプロットした。フォトンのエネルギー（Ｅｐｈ）が２．６ｅＶ以下の領域では、両試料について大きく異なる特徴が観察された。他方、Ｅｐｈ＞２．６ｅＶでは両者は似た特徴を示した。具体的には後者の領域ではフォトンエネルギーの増大とともに信号強度が単調減少した。前者の領域では、Ｅｐｈを２．６ｅＶから減少させていくと、参照用のＱＷなしの試料では、ＰＣ信号は急激に減少ののち、緩やかにテールを引く特性を示した。一方、ＱＷ試料では１．７ｅＶまでの範囲で明瞭なＰＣ信号が検出された。吸収端は１．７３ｅＶに位置していて、これは３００ＫにおけるＰＬのピークと一致していた。これはＱＷの重いホール及び電子についての基底状態間の遷移に対応する。計算により、電子については２つの束縛状態、重いホールについては３つの束縛状態、及び軽いホールについては１つの束縛状態が存在することが明らかになった。電子及びホールについての閉じ込め状態のエネルギーレベルはそれぞれ井戸層であるＧａＡｓの伝導帯及び価電子帯下端から計算すると、電子についてのエネルギーレベルは０．２３５ｅＶ（ｅ１状態）及び０．７１９ｅＶ（ｅ２）、重いホールについてのエネルギーレベルは０．０４９ｅＶ（ｈｈ１）、０．１８７ｅＶ（ｈｈ２）及び０．３６４ｅＶ（ｈｈ３）、並びに軽いホールについてのエネルギーレベルは０．１５５ｅＶ（ｌｈ１）であった。実験で得られたＰＣスペクトルにおける１．８１４ｅＶ、１．８４６ｅＶ、２．０２３ｅＶ、２．１９２ｅＶ、２．３３０ｅＶ及び２．５０７ｅＶにおける信号は、それぞれｅ１−ｌｈ１遷移、ｅ１−ｈｈ２遷移、ｅ１−ｈｈ３遷移、ｅ２−ｈｈ１遷移、ｅ２−ｈｈ２遷移、及びｅ２−ｈｈ３遷移による吸収であることが分かった。２．３３ｅＶにおける顕著なピークはｅ２−ｈｈ２遷移、すなわち許容遷移に対応しており、これは上記同定の妥当性を示している。なおｅ２−ｌｈ１遷移はｅ２−ｈｈ２遷移と近いために分離されていない可能性がある。したがって実験と理論とが良く一致していることから、電子がＡｌＧａＡｓのΓ点を量子閉じ込めのための障壁となると結論付けることができる。
【００１８】
図４は、室温において波長λが７００ｎｍ（１．７７１ｅＶ）の単色光照射及び暗状態下のＱＷ太陽電池のＩ−Ｖ特性を示す。電圧が０．７Ｖより低いところでは光電流の減少がほとんどなく、ほぼ和電流が流れている。この結果は、光吸収で生成されたキャリアがＱＷから効率的に取り出されていることを示す。ＡｌＧａＡｓのΓ点の障壁高さは約０．５ｅＶで、また重いホールについても約０．３Ｖと、室温における熱エネルギー（約２６ｍｅＶ）よりも十分大きな値であることから、この結果はＡｌＧａＡｓのＸ谷を介した電子の取り出しの存在を示していると考えられる。
【００１９】
なお定常状態では、ホール電流は電子電流に等しく、その結果、ホールがＱＷから取り出される必要がある。詳細はまだわからないものの、ホールの脱出はホールの蓄積などによるバンドプロファイルの変化や、エネルギーの高いレベルに位置する軽いホールの寄与が考えられる。光で生成されたキャリアの脱出メカニズムを完全に解明するには更に検討を続ける必要がある。
【００２０】
次にＡＭ１．５のソーラシミュレータを使用して二つの試料のＩＶ特性を比較した。その結果を図５に示す。ＱＷ太陽電池の短絡回路電流ＩＳＣは７．５μＡ（１．１ｍＡ／ｃｍ２）であったが、参照用のＡｌＧａＡｓ太陽電池の短絡回路電流は３．４μＡ（０．５２ｍＡ／ｃｍ２）であった。ＱＷ試料側のＰＣが増大したのはＱＷの導入により吸収が増えたことによる。ＱＷの層数を増やすことによって、ＩＳＣを更に増大させることも可能である。ＱＷ太陽電池の開回路電圧ＶＯＰは１．１７Ｖと、参照用の太陽電池の開回路電圧（１．２１Ｖ）に近い値であった。その結果、ＱＷ太陽電池の効率は参照用の太陽電池の２倍であった。ＱＷ太陽電池の形状因子（フィルファクター：ＦＦ）は０．７８であったが、これは参照用の太陽電池の値（０．８）とほとんど同じであった。
【００２１】
また、量子井戸層の半導体の基底状態のエネルギー準位と前記障壁層の半導体の伝導帯下端のエネルギー準位の差の許容範囲を求めるため、量子井戸内のみを励起する単色光を照射し、温度を変えて電流電圧特性を測定した。ここで、測定条件は以下の通りであった。ハロゲンランプの光を分光器で単色化し、それを試料に照射し、１５０〜３００Ｋの範囲で５０Ｋおきに測定した。照射した光の波長は、温度による吸収端の変化を反映して、６７０ｎｍ（１５０Ｋ）、６８０ｎｍ（２００Ｋ）、 ６９０ｎｍ（２５０Ｋ） 、 ７００ｎｍ（３００Ｋ）とした。
【００２２】
この結果を図６に示す。図からわかるように、低温領域（２００Ｋ未満）では、電圧を増やすと光電流の減少が著しい。それに対して、２５０Ｋ以上では、開放電圧近くまで飽和電流が維持されている。２５０Ｋは２２ｍｅＶに相当するところから、両者の差が±２ｋＢＴ以内とするのが好ましいことがわかった。また、２００Ｋでも特性の結果はそれほど甚だしいとは言えず、１５０Ｋまで温度を下げると極端な劣化が見られることから、±３ｋＢＴ以内が許容範囲であるとすることができる。なお開放電圧はバンドギャップ等の温度変化を反映し、温度の低下とともに大きくなる。
【００２３】
以上説明したように、上記実施例においては、３ｎｍのＧａＡｓ井戸及び間接遷移ＡｌＧａＡｓ障壁層を有するＧａＡｓ／ＡｌＧａＡｓ ＱＷ太陽電池を作製し、その特性を調べた。その結果、ＱＷを挿入したことによって、１．７ｅＶまでの広い領域の太陽光を吸収できるようになった。また単色光を使用した電流電圧特性の結果から、０．７Ｖよりも低い電圧領域において光電流が僅かな低下しか示しておらず、再結合が効果的に抑制されていることが分かった。これは電子がＡｌＧａＡｓのＸ谷を介してＱＷから効果的に取り出されたことによると考えられる。このようにしてＱＷ太陽電池の効率改善が実現できた。従って、本発明の構造は量子井戸からのキャリアの効率的な取り出し手法として有効であることが分かった。
【産業上の利用可能性】
【００２４】
以上詳細に説明したように、本発明によればＱＷ中に生成したキャリアが再結合する前に外部に取り出すことで、高効率の量子井戸太陽電池を提供することができるため、本発明は量子井戸太陽電池の新しい構造設計および実用化のために大いに利用されることが期待される。
【先行技術文献】
【非特許文献】
【００２５】
【非特許文献１】F. W. Ragay, A. Marti, G. L. Araujo, J. H. Wolter, Solar Energy Material. & Solar Cells, 40 (1996) 5.
【非特許文献２】E. Aperathitis, C. G. Scott, D. Sands, V. Foukaraki, Z. Hatzopoulos, P. Panayotatos, Materials Science and Engineering B 51 (1998) 85.
【非特許文献３】N. J. Ekins-Daukes, J. Nelson, J. Barnes, K. W. J. Barnham, B. G. Kluftinger, E. S. M. Tsui, C.T. Foxon, T. S. Cheng, J. S. Roberts, Physica E 2 (1998) 171.
【非特許文献４】D. Araujo, M. J. Romero, F. Morier-Genoud, R. Garcia, Materials Science and Engineering B66 (1999) 151.
【非特許文献５】B. Kluftinger, K. Barnham, J. Nelson, T. Foxon, T. Cheng, Solar Energy Material. & Solar Cells, 66 (2001) 501.
【非特許文献６】X.B. Xing, W. H. Du, X. L. Chang, H. R. Yuan, Solar Energy Material. & Solar Cells, 68 (2001) 97.
【非特許文献７】E. Aperathitis, A.C. Varonides, C. G. Scott, D. Sand, V. Foukaraki, M. Androulidaki, Z. Hatzopoulos, P. Panayotatos, Solar Energy Material. & Solar Cells, 70 (2001) 49.
【非特許文献８】J. C. Rimada, L. Hermandez, J. P. Connolly, K. W. J. Barnham, Phys. Stat. Solidi, B 242 (2005) 1842.
【非特許文献９】T. Noda, T. Mano, K. Sakoda, H. Sakaki, Phys. Status Solidi C 8 (2011) 349.
【非特許文献１０】J. Nishinaga, A. Kawaharazuka, K. Onomitsu, K. H. Ploog, Y. Horikoshi, Jpn. J. Appl. Phys. 50 (2011) 504-507.
【非特許文献１１】T. Noda, T. Mano, M. Jo, Y. Ding, T. Kawazu, H. Sakaki, Jpn. J. Appl. Phys. 51 (2012) 10ND07.
【非特許文献１２】Y. Ding, T. Noda, T. Mano, M. Jo, Y. Ding, T. Kawazu, L. Han, H. Sakaki, Jpn. J. Appl. Phys. 51 (2012) 10ND08.
【非特許文献１３】M. Jo, Y. Ding, T. Noda, T. Mano, Y. Sakuma, K. Sakoda, L. Han, H. Sakaki, Appl. Phys. Lett. 103 (2013) 061118.
【非特許文献１４】M. G. W. Alexander, M. Nido, K. Reimann, W. W. Ruhle, and K. Kohler, Appl. Phys. Lett. 55, 2517 (1989).
【非特許文献１５】A. R. Bonnefoi, T. C. MacGill, and R. D. Burnham, Phys. Rev. B 37, 8754 (1988).
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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