(57)【要約】【課題】本件発明は、ポリエステル製樹脂基材等の主構造内に多重結合を含む樹脂基材を劣化させることなく、当該樹脂基材の表面に密着性が良好で、且つ、極微細な金属配線パターンを形成可能な樹脂基材の表面改質方法、金属皮膜形成方法等を提供することを課題とする。【解決手段】上記課題を解決するため、無電解めっき工程の前に、主鎖構造の繰り返し単位内に多重結合を含む可視光の透過率が８０％以上の樹脂基材の表面に対して、その表面照射量が１Ｊ／ｃｍ２以上２０Ｊ／ｃｍ２以下となるように当該樹脂基材の表面に２００ｎｍ以上３２０ｎｍ以下の波長の平行紫外光を照射して、オゾンレス雰囲気下で当該樹脂基材の表面を１０ｎｍ以上１００ｎｍ以下の深さで改質することを特徴とする樹脂基材の表面改質方法を提供する。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
無電解めっき工程の前に、紫外線を照射して樹脂基材の表面を改質する樹脂基材の表面改質処理方法であって、
当該樹脂基材は主鎖構造の繰り返し単位内に多重結合を含む可視光の透過率が８０％以上の樹脂基材であり、
当該樹脂基材の表面に対して、その表面照射量が１Ｊ／ｃｍ２以上２０Ｊ／ｃｍ２以下となるように当該樹脂基材の表面に２００ｎｍ以上３２０ｎｍ以下の波長の平行紫外光を照射して、オゾンレス雰囲気下で当該樹脂基材の表面を１０ｎｍ以上１００ｎｍ以下の深さで改質することを特徴とする樹脂基材の表面改質処理方法。
【請求項２】
無電解めっき工程の前に、紫外線を照射して樹脂基材の表面を改質する樹脂基材の表面改質処理方法であって、
当該樹脂基材は主鎖構造の繰り返し単位内に芳香族を含む、ポリエステル系樹脂基材、ポリイミド系樹脂基材及びエポキシ系樹脂基材のいずれかであり、
当該樹脂基材の表面に対して、その表面照射量が１Ｊ／ｃｍ２以上２０Ｊ／ｃｍ２以下となるように当該樹脂基材の表面に２００ｎｍ以上３２０ｎｍ以下の波長の平行紫外光を照射して、オゾンレス雰囲気下で当該樹脂基材の表面を１０ｎｍ以上１００ｎｍ以下の深さで改質することを特徴とする樹脂基材の表面改質処理方法。
【請求項３】
請求項１又は請求項２に記載の樹脂基材の表面改質処理方法により、前記樹脂基材の表面に対して前記平行紫外光を選択的に照射して、前記樹脂基材の表面を選択的に改質する工程と、
触媒金属イオンを含む触媒溶液に当該樹脂基材の表面を接触させて、当該樹脂基材の改質された部分に触媒を付与する工程と、
無電解めっき法により、当該樹脂基材の表面の触媒が付与された領域に金属を析出させて無電解金属被膜を形成する工程と、
を備えることを特徴とする金属被膜形成方法。
【請求項４】
電解めっき法により、前記無電解金属被膜上に金属を高さ方向に異方析出させて電解金属被膜を形成する工程を備える請求項３に記載の金属被膜形成方法。
【請求項５】
主鎖構造の繰り返し単位内に多重結合を含む可視光の透過率が８０％以上の樹脂からなる樹脂層と、当該樹脂層の表面に形成された金属配線層とが積層された積層体であって、
当該樹脂層の表面は、１０ｎｍ以上１００ｎｍ以下の深さ範囲において選択的に改質されており、
当該金属配線層は、当該樹脂層の表面の改質された部分に形成された部分に形成された線幅が１０μｍ以下の無電解金属パターンを含むこと、
を特徴とする積層体。
【請求項６】
主鎖構造の繰り返し単位内に芳香族を含む、ポリエステル系樹脂、ポリイミド系樹脂及びエポキシ系樹脂のいずれかからなる樹脂層と、当該樹脂層の表面に形成された金属配線層とが積層された積層体であって、
当該樹脂層の表面は、１０ｎｍ以上１００ｎｍ以下の深さ範囲において選択的に改質されており、
当該金属配線層は、当該樹脂層の表面の改質された部分に形成された部分に形成された線幅が１０μｍ以下の無電解金属パターンを含むこと、
を特徴とする積層体。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本件発明は、樹脂基材の表面改質処理方法、金属皮膜形成方法及び透明導電膜に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来より、スマートフォンやタブレット端末などのタッチパネル、液晶ディスプレイ等の表示デバイス、太陽電池等の光電変換デバイス、有機ＥＬ照明等の発光デバイス等の透明電極として、ＩＴＯ（Indium Tin Oxide）導電膜が広く使用されている。ガラス基板上に成膜されたＩＴＯ導電膜の可視光の透過率は９０％程度であり、その表面抵抗率は１００Ω／ｓｑ程度である。タッチパネル等の大型化、液晶ディスプレイ等の高精細化等をより一層進展するには、透明導電膜の低抵抗化が求められている。ＩＴＯの抵抗率は銅等の金属と比較すると２桁程高い。また、ＩＴＯ導電膜では透光性と表面抵抗値とがトレードオフの関係にあり、その膜厚を薄くすれば透光性が高くなるが、表面抵抗値も高くなる。このため、近年、ＩＴＯ導電膜と同程度以上の透光性を有し、ＩＴＯ導電膜よりも表面抵抗率の低い透明導電膜が求められている。
【０００３】
このような透明導電膜として、例えば、特許文献１又は特許文献２に開示の積層体（又は金属皮膜付きシクロオレフィンポリマー材；以下省略）を用いることができる。特許文献１及び特許文献２には、いずれもシクロオレフィンポリマー材の表面を有酸素雰囲気下において紫外線により改質して、シクロオレフィンポリマー材の表面に水酸基（−ＯＨ）やカルボニル基（−ＣＯ）を導入し、無電解めっき法等の湿式プロセスによりシクロオレフィンポリマー材の表面に金属皮膜（金属層；以下省略）を形成するものとしている。シクロオレフィンポリマー材の表面を改質することにより、水酸基やカルボニル基と触媒金属又は金属層との間の化学的な結合力が得られ、その結果、シクロオレフィンポリマー材の表面に強固に密着した金属皮膜を形成することが可能になる。当該方法を利用して、シクロオレフィンポリマー材の表面に、平行又はメッシュ状に金属の微細配線パターンを形成することにより、透光性が高く、且つ、抵抗率の低い透明導電膜を得ることができる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】ＷＯ２０１０／０２４１７５号公報
【特許文献２】特開２００８−９４９２３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
上記特許文献１又は特許文献２に記載の方法では、無電解めっき法により金属の微細配線パターンを形成しているため、真空蒸着法等の乾式プロセスと比較すると形状や大きさの制約が少なく、これらの基材に微細配線パターンを密着性よく形成することが容易になる。
【０００６】
ところで、シクロオレフィンポリマーは飽和炭化水素を主鎖構造とするため、化学的な安定性が高い。一方、例えば、ポリエステル製樹脂基材等、主鎖構造の繰り返し単位内に多重結合を含む樹脂基材は、シクロオレフィンポリマーと比較すると化学的に不安定である。このため、上記特許文献１又は特許文献２に記載の改質方法により、ポリエステル製樹脂基材の表面を改質すると、酸素雰囲気下における紫外線照射時に発生するオゾンにより、ポリエステル製樹脂基材の表面が過改質されてしまい、金属皮膜の長期的な密着性が得られない場合があった。また、樹脂基材の内部においても分子鎖が切断されて、樹脂基材の劣化を招く場合もある。
【０００７】
本件発明は、ポリエステル製樹脂基材等の主構造内に多重結合を含む樹脂基材を劣化させることなく、当該樹脂基材の表面に密着性が良好で、且つ、極微細な金属配線パターンを形成可能な樹脂基材の表面改質方法、金属皮膜形成方法及びこれらの方法で形成された積層体を提供することを課題とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明者等は、鋭意研究を行った結果、以下の方法及び積層体を採用することで上記課題を達成するに到った。
【０００９】
本件発明に係る樹脂基材の表面改質処理方法は、無電解めっき工程の前に、紫外線を照射して樹脂基材の表面を改質する樹脂基材の表面改質処理方法であって、当該樹脂基材は主鎖構造の繰り返し単位内に多重結合を含む可視光の透過率が８０％以上の樹脂基材であり、当該樹脂基材の表面に対して、その表面照射量が１Ｊ／ｃｍ２以上２０Ｊ／ｃｍ２以下となるように当該樹脂基材の表面に２００ｎｍ以上３２０ｎｍ以下の波長の平行紫外光を照射して、オゾンレス雰囲気下で当該樹脂基材の表面を１０ｎｍ以上１００ｎｍ以下の深さで改質することを特徴とする。
【００１０】
本件発明に係る樹脂基材の表面改質処理方法は、無電解めっき工程の前に、紫外線を照射して樹脂基材の表面を改質する樹脂基材の表面改質処理方法であって、当該樹脂基材は主鎖構造の繰り返し単位内に芳香族を含む、ポリエステル系樹脂基材、ポリイミド系樹脂基材及びエポキシ系樹脂基材のいずれかであり、当該樹脂基材の表面に対して、その表面照射量が１Ｊ／ｃｍ２以上２０Ｊ／ｃｍ２以下となるように当該樹脂基材の表面に２００ｎｍ以上３２０ｎｍ以下の波長の平行紫外光を照射して、オゾンレス雰囲気下で当該樹脂基材の表面を１０ｎｍ以上１００ｎｍ以下の深さで改質することを特徴とする。
【００１１】
本件発明に係る金属被膜形成方法は、上記本件発明に係る樹脂基材の表面改質処理方法により、前記樹脂基材の表面に対して前記平行紫外光を選択的に照射して、前記樹脂基材の表面を選択的に改質する工程と、触媒金属イオンを含む触媒溶液に当該樹脂基材の表面を接触させて、当該樹脂基材の改質された部分に触媒を付与する工程と、無電解めっき法により、当該樹脂基材の表面の触媒が付与された領域に金属を析出させて無電解金属被膜を形成する工程とを備えることを特徴とする。
【００１２】
本件発明に係る金属被膜形成方法において、電解めっき法により、前記無電解金属被膜上に金属を高さ方向に異方析出させて電解金属被膜を形成する工程を備えることが好ましい。
【００１３】
本件発明に係る積層体は、主鎖構造の繰り返し単位内に多重結合を含む可視光の透過率が８０％以上の樹脂からなる樹脂層と、当該樹脂層の表面に形成された金属配線層とが積層された積層体であって、当該樹脂層の表面は、１０ｎｍ以上１００ｎｍ以下の深さ範囲において選択的に改質されており、当該金属配線層は、当該樹脂層の表面の改質された部分に形成された部分に形成された線幅が１０μｍ以下の無電解金属パターンを含むことを特徴とする。
【００１４】
本件発明に係る積層体は、主鎖構造の繰り返し単位内に芳香族を含む、ポリエステル系樹脂、ポリイミド系樹脂及びエポキシ系樹脂のいずれかからなる樹脂層と、当該樹脂層の表面に形成された金属配線層とが積層された積層体であって、当該樹脂層の表面は、１０ｎｍ以上１００ｎｍ以下の深さ範囲において選択的に改質されており、当該金属配線層は、当該樹脂層の表面の改質された部分に形成された部分に形成された線幅が１０μｍ以下の無電解金属パターンを含むことを特徴とする。
【発明の効果】
【００１５】
本件発明によれば、樹脂基材の表面に、２００ｎｍ以上３２０ｎｍ以下の波長の平行紫外光を照射し、オゾンレス雰囲気下で樹脂基材の表面を１０ｎｍ以上１００ｎｍ以下の深さで改質する方法を採用しているため、主鎖構造の繰り返し単位内に多重結合を有するポリエステル製樹脂基材等の樹脂基材であっても、表面の過改質や内部劣化を抑制することができる。このため、上記波長範囲の平行紫外光を照射するという簡易な手法により、ポリエステル製樹脂基材等に対しても、線幅が１０μｍ以下の平行又はメッシュ状の極微細な金属配線パターンを無電解めっき法を含む湿式プロセスにより形成することができる。従って、本件発明によれば、従来のＩＴＯ導電膜と同等以上の透光性を有し、且つ、ＩＴＯ導電膜よりも極めて抵抗率の低い導電膜を湿式プロセスにより簡易に形成することができる。このため、本件発明によれば、スマートフォンやタブレット端末などのタッチパネル、液晶ディスプレイ等の表示デバイス、太陽電池等の光電変換デバイス、有機ＥＬ照明等の発光デバイス等の透明電極、或いは電磁波シールド、透明熱線シート、低周波配線シート等に好適であり、これらのデバイスの大型化等にも容易に対応することができる。また、本件発明は透光性の樹脂基材に限らず、プリント配線板等の透光性を要しない樹脂基材に対しても適用することができる。特に、樹脂基材の表層のみ改質することができ、樹脂基材の表層に密着性のよい金属被膜を形成することができるため、高周波回路、アンテナ回路等を搭載したプリント配線板等にも好適である。
【図面の簡単な説明】
【００１６】
【図１】本件発明に係る樹脂基材の表面改質方法の手順を説明するための図である。
【図２】樹脂基材の表面改質状態を説明するための図である
【図３】実施例１において、ＰＥＮフィルムの表面を改質したときのＰＥＮの断面を示す透過型電子顕微鏡像（ＴＥＭ像）である。
【図４】実施例１において、ＰＥＮフィルムの表面改質前（Ｂｌａｎｋ）、表面改質後（ＵＶ）、アルカリ処理後（ＫＯＨ）、Ｐｄ付与後（Ｐｄ）、Ａｕ付与後（Ａｕ）におけるＣ（１ｓ）と、Ｏ（１ｓ）のＸＰＳ分析結果を示す図である。
【図５】実施例１において、ＰＥＮフィルムの表面改質前（ＰＥＮ−Ｂｌｋ）、表面改質後（ＫＧＵ−ＰＥＮ−ＵＶ）、アルカリ処理後（ＫＧＵ−ＰＥＮ−ＫＯＨ）、Ｐｄ付与後（ＫＧＵ−ＰＥＮ−Ｐｄ）、Ａｕ付与後（ＫＧＵ−ＰＥＮ−Ａｕ）におけるＩＲ結果を示す図である。
【図６】実施例１で作製した微細ハニカムメッシュ型透明電極のレーザー顕微鏡観察像（但し、（ｂ）、（ｃ）はそれぞれ（ａ）の２．５倍観察像、５倍拡大観察像）である。
【図７】実施例２で作製した微細グリッドメッシュ型透明電極のレーザー顕微鏡観察像（但し、（ｂ）は（ａ）の２．５倍拡大観察像）である。
【発明を実施するための形態】
【００１７】
以下、本件発明に係る樹脂基材の表面改質方法、金属皮膜形成方法及び積層体の実施の形態を説明する。
【００１８】
１．樹脂基材の表面改質方法
まず、本件発明に係る樹脂基材の表面改質処理方法の実施の形態を説明する。本件発明に係る樹脂基材の表面改質処理方法は、図１に示す樹脂基材１０に適用することができ、無電解めっき工程（図１（Ｄ）参照）の前に、紫外線（ＵＶ）を照射して樹脂基材１０の表面を改質する樹脂基材１０の表面改質処理方法であって、当該樹脂基材１０は主鎖構造の繰り返し単位内に多重結合を含む可視光の透過率が８０％以上の樹脂基材等であり、当該樹脂基材１０の表面に対して、その表面照射量が１Ｊ／ｃｍ２以上２０Ｊ／ｃｍ２以下となるように当該樹脂基材１０の表面に２００ｎｍ以上３２０ｎｍ以下の波長の平行紫外光を照射して（図１（Ａ）参照）、オゾンレス雰囲気下で当該樹脂基材の表面を１０ｎｍ以上１００ｎｍ以下の深さで改質することを特徴とする（図１（Ｂ）参照）。
【００１９】
１−１．樹脂基材
まず、樹脂基材１０について説明する。本件発明の改質方法が適用される樹脂基材１０は、上述のとおり主鎖構造の繰り返し単位内に多重結合を含む可視光の透過率が８０％以上の樹脂基材等である。主鎖構造の繰り返し単位内に多重結合を有するとは、主鎖構造の繰り返し単位内に炭素と、炭素又は他の元素（Ｏ、Ｎ等）との多重結合を有することを意味し、例えば、主鎖構造の繰り返し単位内に、エステル結合、イミド結合、アミド結合等によりモノマーが縮重合した樹脂材料や、主鎖構造の繰り返し単位内に芳香族、ビニル基、カルボニル基、ニトリル基等の多重結合を有するモノマーが重合した樹脂材料から構成される樹脂基材等が挙げられる。
【００２０】
具体的には、ポリエステル系樹脂、ポリイミド系樹脂、エポキシ系樹脂、ポリエーテル類等を挙げることができ、これらの樹脂の中でも主鎖構造の繰り返し単位内に芳香族を含む、芳香族ポリエステル系樹脂、芳香族ポリイミド系樹脂及び芳香族エポキシ系樹脂のいずれかであることが好ましい。例えば、ポリエステル系樹脂では、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）系樹脂、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）系樹脂、芳香族ポリエステル系樹脂である液晶ポリマーなどであることが好ましい。なお、ポリエステル系樹脂とは、ポリエステル樹脂又はポリエステル樹脂を主成分とし、他の成分を含むもの等を意味するものとする。また、ポリエステル樹脂を主成分とし、他の成分を含むとは、例えば、ポリエステル樹脂を８０重量％以上含み、当該ポリエステル樹脂と他の樹脂の共重合体、当該ポリエステル樹脂と他の樹脂との混合物、当該ポリエステル樹脂、上記共重合体又は混合物と共に、顔料や染料等の各種可視光吸収剤、或いは各種添加剤等を含むものなどを意味する。ポリイミド系樹脂、エポキシ系樹脂、ポリエーテル類等についても同様である。
【００２１】
また、本件発明では可視光の透過率が８０％以上の樹脂基材に対して表面改質処理を施す。ここで、可視光の透過率が８０％以上とは、可視光の波長域である３８０ｎｍ〜７８０ｎｍの波長の光線を樹脂基材に照射したときに、当該光線の透過率が可視光の全波長域において８０％以上であることを意味する。特に、当該樹脂基材に金属皮膜を形成した積層体を透明電極等の透光性が要求される用途に適用する場合、当該樹脂基材の可視光の透過率は８５％以上であることが好ましく、９０％以上であることがより好ましい。
【００２２】
但し、本件発明に係る樹脂基材の表面改質処理方法は、可視光の透過率が８０％以上の透明樹脂基材に限らず、可視光の透過率が８０％未満であっても、すなわち不透明な基材であっても、例えば、主鎖構造の繰り返し単位内に芳香族を含む、ポリエステル系樹脂基材、ポリイミド系樹脂基材、エポキシ系樹脂基材などに適用することができる。本件発明に係る樹脂基材の改質方法は、上述した主鎖構造の繰り返し単位内に多重結合を含む可視光の透過率が８０％以上の透明樹脂基材以外にも、これらの主鎖構造の繰り返し単位内に多重結合を含むが可視光の透過率が８０％未満の芳香族ポリエステル系樹脂基材、芳香族ポリイミド系樹脂基材、芳香族エポキシ系樹脂についても、同様の方法で表面改質を行うことができる。なお、以下においては、樹脂基材１０は、主として、主鎖構造の繰り返し単位内に多重結合を含む可視光の透過率が８０％以上の透明樹脂基材を例に挙げて説明するが、以下に説明する表面改質方法、金属皮膜形成方法は、いずれもこれらの芳香族ポリエステル系樹脂、芳香族ポリイミド系樹脂、芳香族エポキシ系樹脂に適用することができるのは勿論である。
【００２３】
１−２．紫外線照射方法
本件発明では、例えば、図１（Ａ）に示すように、上記樹脂基材１０の表面に対して、その表面照射量が１Ｊ／ｃｍ２以上２０Ｊ／ｃｍ２以下となるように当該樹脂基材１０の表面に２００ｎｍ以上３２０ｎｍ以下の波長の平行紫外光を照射して、図１（Ｂ）に示すようにオゾンレス雰囲気下で当該樹脂基材１０の表面を１０ｎｍ以上１００ｎｍ以下の深さで改質する。
【００２４】
（１）紫外線波長
上述したとおり、本件発明に係る樹脂基材の表面改質処理方法では、２００ｎｍ以上３２０ｎｍ以下の波長の紫外光（紫外線）を樹脂基材１０の表面に照射して、樹脂基材１０の表面を改質する。当該波長域の紫外光、すなわち、ＵＶ−Ｂ光及び／又はＵＶ−Ｃ光を樹脂基材１０の表面に照射することにより、酸素雰囲気下においてもオゾンの発生を抑制し、オゾンレス雰囲気下で樹脂基材１０の表面を改質することができる。このため、主鎖構造の繰り返し単位内に多重結合を含む樹脂基材１０であっても、その表面の過改質や内部の劣化を抑制した上で、樹脂基材１０の表面の二重結合部分を酸化して、樹脂基材１０の表面に親水基（−ＣＯＯＨ、−ＯＨ等）を導入することができる。その結果、無電解めっき法により樹脂基材１０の表面に金属被膜を形成する際に、これらの親水基と触媒及び／又は金属被膜との間の化学的な結合力、すなわちナノアンカー効果を得ることができ、樹脂基材１０の表面に強固に密着した金属皮膜を形成することが可能になる。また、上記樹脂基材１０は可視光の透過率が８０％以上の透明樹脂材料であるため、その表面に平行又はメッシュ状の微細配線の金属パターンを形成することにより、従来のＩＴＯ導電膜と同等以上の透光性を有すると共に、従来のＩＴＯ導電膜と比較すると表面抵抗率の極めて低い透明導電膜を得ることができる。
【００２５】
ここで、２００ｎｍ未満の波長の紫外光、例えば、１０ｎｍ以上２００ｎｍ未満の紫外光を酸素雰囲気下で樹脂基材１０の表面に照射した場合、オゾンが生成され、オゾンにより樹脂基材１０の表面が過改質されたり、樹脂基材１０の内部においても分子鎖が切断されて、樹脂基材１０の内部劣化を招く場合があり好ましくない。また、３２０ｎｍよりも長波長の紫外光を樹脂基材１０の表面に照射しても、樹脂基材１０の表面を十分に改質することができず、樹脂基材１０の表面に上記親水基を導入することが困難になり、好ましくない。これらの観点から、樹脂基材１０の表面に照射する紫外光の波長は、２００ｎｍ以上３００ｎｍ以下であることが好ましく、２３０ｎｍ以上２６０ｎｍ以下であることがより好ましい。
【００２６】
（２）表面照射量
また、上述のとおり、紫外光照射時において、樹脂基材１０の表面照射量が１Ｊ／ｃｍ２以上２０Ｊ／ｃｍ２以下になるようにする。表面照射量が当該範囲内であれば、光源と樹脂基材１０の表面との間の距離は特に限定されるものではない。樹脂基材１０の表面照射量が１Ｊ／ｃｍ２未満である場合、上記樹脂基材１０の表面を十分に改質することができず、当該樹脂基材１０の表面に密着性の良好な金属皮膜を形成することが困難になる。一方、樹脂基材１０の表面照射量が２０Ｊ／ｃｍ２を超える場合、樹脂基材１０の表面が過改質されたり、樹脂基材１０の内部劣化が生じる場合があるため、好ましくない。これらの観点から樹脂基材１の表面照射量は、３Ｊ／ｃｍ２以上１５Ｊ／ｃｍ２以下が好ましく、５Ｊ／ｃｍ２以上１０Ｊ／ｃｍ２以下がより好ましい。
【００２７】
（３）光源
本件発明では、樹脂基材１０の表面に紫外光を照射する際に、例えば、上記範囲内（２００ｎｍ以上３２０ｎｍ以下）の波長の紫外光を出射する超高圧水銀灯や、ＫｒＦ露光機（ＫｒＦステッパ）等を使用することができる。超高圧水銀灯や、ＫｒＦ露光機は２００ｎｍ以上３２０ｎｍ以下の波長の紫外光を出射し、２００ｎｍ未満の波長の紫外光の放射がないため、酸素雰囲気下で樹脂基材１０の表面に紫外光を照射してもオゾンが発生することがなく、オゾンレス雰囲気下で樹脂基材１０の表面を改質することができる。但し、本件発明において、樹脂基材１０の表面に上記範囲内の波長の紫外光（平行紫外光）を照射できればよく、当該範囲内の波長の紫外光を樹脂基材の表面に照射することができるものであれば、光源は特に限定されない。
【００２８】
（４）平行紫外光
本件発明では、樹脂基材１０の表面に図１（Ａ）に示すように平行紫外光を照射するものとする。樹脂基材１０の表面に平行紫外光を照射するとは、少なくとも樹脂基材１０の表面の表面改質すべき領域に平行紫外光を照射することを意味する。例えば、樹脂基材１０の表面全面を改質する場合には、樹脂基材１０の表面全面に平行紫外光を照射するものとし、図１（Ａ）に示すように、樹脂基材１０の表面の一部を選択的に改質する場合には、樹脂基材１０の表面を改質すべき領域以外をフォトマスク１１等により被覆し、樹脂基材１０の表面の改質すべき領域にのみに平行紫外光が選択的に照射されるようにしてもよい。但し、樹脂基材１０の表面の一部を選択的に改質するとは、例えば、樹脂基材１０の表面の無電解めっき予定領域に対して平行紫外光を選択的に照射して、樹脂基材１０の表面の無電解めっき予定領域を選択的に改質すること等を意味するものとする。
【００２９】
平行紫外光を樹脂基材１０の表面に照射する際には、半導体の製造工程等において回路パターンを形成する際等に用いられている平行露光装置と同様の露光方式により行うことができる。例えば、ワークの大きさと同等以上の大きさになるように管状の超高圧水銀灯を複数本並列させて、これを露光光源とし、露光光源とワークとを接触させて露光するコンタクト露光方式、或いは、露光光源とワークとの間に僅かな隙間を空けて露光するプロキシミティ露光方式等を採用することができる。これらの露光方式を採用することによりワークの表面、すなわち、樹脂基材１０の表面に平行紫外光を照射することができる。また、超高圧水銀灯等を露光光源とし、露光光源から出射された光を集光鏡、平面鏡、インテグレータレンズ等を用いて平行光とし、当該平行光を樹脂基材１０の表面に照射するものとしてもよく、樹脂基材１０の表面に対する平行紫外光の照射方法は特に限定されるものではない。
【００３０】
（５）改質深さ
上述した紫外線照射方法により上記樹脂基材１０の表面に上記波長範囲の平行紫外光を照射することにより、樹脂基材１０の表面を１０ｎｍ以上１００ｎｍ以下の深さ範囲で改質することができる（図１（Ｂ）参照）。すなわち、上記紫外線照射方法を適用することにより樹脂基材１０に１０ｎｍ以上１００ｎｍ以下の厚みの改質層を表層部分に設けることができ、当該改質層により金属被膜との良好な密着性を得ることができると共に、樹脂基材１０の内部劣化を抑制することができる。改質された範囲が樹脂基材１０の表面から１０ｎｍ未満の深さ、すなわち改質層の厚みが１０ｎｍ未満であると、樹脂基材１０の表面に十分に親水基を導入することができず、樹脂基材１０の表面に密着性の良好な金属被膜を得ることが困難になる。また、改質された範囲が樹脂基材１０の表面から１００ｎｍ以上の深さに及ぶと、樹脂基材１０の改質が進み、改質層の劣化が生じるた好ましくない。また、この場合、樹脂基材１０の内部劣化も生じる恐れがあるため好ましくない。
【００３１】
上記観点から、本件発明において、樹脂基材１０の表面を２０ｎｍ以上８０以下の深さ範囲で改質することが好ましい。表面から２０ｎｍ以上の深さまで改質することにより、改質層と金属被膜とのより十分な化学的な結合力を得ると共に、表面の改質に伴う浸食により十分な表面積が確保され、物理的なアンカー効果も大きくなる。また、樹脂基材１０の劣化を抑制するという観点から、樹脂基材１０の改質深さは表面から８０ｎｍ以下であることがより好ましい。但し、当該改質深さ、すなわち改質層の厚みは、上記範囲内で樹脂基材、金属被膜等の材質、用途等に応じて適宜調整することが好ましい。
【００３２】
２．金属皮膜形成方法
次に、本件発明に係る金属被膜形成方法の実施の形態を図１を参照しながら説明する。本件発明に係る金属皮膜形成方法は、上記本件発明に係る樹脂基材の表面改質方法により、上述した樹脂基材の表面に対して平行紫外光を選択的に照射して、上記樹脂基材１０の表面を選択的に改質する工程（表面改質処理工程（図１（Ａ）、（Ｂ）参照））と、触媒金属イオンを含む触媒溶液に当該樹脂基材１０の表面を接触させて、当該樹脂基材１０の改質された部分に触媒を付与する工程（触媒付与工程（図１（Ｃ）参照））と、無電解めっき法により、当該樹脂基材１０の表面の触媒が付与された領域に金属を析出させて無電解金属被膜を形成する工程（無電解めっき工程（図１（Ｄ）参照））とを備えることを特徴とする。また、本件発明に係る金属被膜形成方法において、電解めっき法により、前記無電解金属被膜上に金属を高さ方向に異方析出させて電解金属被膜を形成する工程（電解めっき工程（図１（Ｅ）参照））を備えることが好ましい。以下、工程順に説明する。
【００３３】
２−１．表面改質処理工程
本件発明では、表面改質処理が施された樹脂基材の表面に金属被膜を選択的に形成する。当該表面改質処理工程は、上述した本件発明に係る表面改質処理方法を適用することができ、表面改質処理に供される樹脂基材１０を構成する樹脂材料、及び、当該樹脂基材１０の表面に対して平行紫外光を選択的に照射する際の紫外線照射方法は、それぞれ上述したとおりであり、ここでは説明を省略する。但し、樹脂基材１０の表面に対して平行紫外光を選択的に照射する際には、図１（Ａ）に示すように、上述したフォトマスク１１等を用いることができるが、樹脂基材１０の表面の改質すべき部分（無電解めっき予定領域等）に選択的に平行紫外光を照射することができれば、その具体的な方法は特に限定されるものではない。この表面改質処理工程を行うことにより、図１（Ｂ）に示すように、樹脂基材１０の表面が１０ｎｍ以上１００ｎｍ以下の深さ範囲で改質され、上述したとおり樹脂基材１０の表面に親水基が導入される（図２参照）。例えば、図２に示すように、樹脂基材１０の表面に親水基としてカルボキシ基又は、カルボキラートイオン（−ＣＯＯ−）を導入すると、これらは次の触媒付与工程で付与される触媒金属イオン（Ｐｄ２＋等）と錯体を良好に形成するため、樹脂基材１０の表面の改質された領域により密着性よく触媒を付与することができる。
【００３４】
２−２．アルカリ処理工程
本件発明では、表面改質処理工程の後、触媒付与工程を行うが、樹脂基材１０の表面を清浄化し、樹脂基材１０の親水性を高め、触媒金属及び／又は金属被膜とのより良好な密着性を得るという観点から、表面改質処理工程と触媒付与工程との間にアルカリ処理工程を設けることが好ましい（図示略）。アルカリ処理は、樹脂基材１０の表面に残存した、表面改質により切れた高分子鎖等の密着性阻害の原因となる付着物を除去する等、樹脂基材１０の表面の清浄化を目的として行われる。また、樹脂基材１０の表面をアルカリ処理することにより、樹脂基材１０の表面をさらに改質して、改質表面積を大きくしたり、親水基から水素等を電離させる等により、樹脂基材１０の表面の親水性をより向上することができる。
【００３５】
２−３．触媒付与工程（キャタリスト工程）
本件発明では、表面改質により親水基の導入された樹脂基材１０と、触媒金属イオンを含む触媒溶液とを接触させて、樹脂基材１０の表面に触媒を付与する（図２拡大図参照）。
【００３６】
触媒溶液は、例えば、Ｐｄ、Ｃｕ、Ｐｔ、Ａｕ等の触媒金属をイオンの状態で含む溶液であり、これらの触媒金属の各種金属塩を用いて調製することができる。また、触媒金属は、その後の無電解めっき工程において析出させる金属に応じて、適宜適切なものを選択することができるのは勿論である。例えば、無電解めっき工程において無電解銅めっきを行う場合には、Ｐｄ、Ｃｕを触媒金属とすることができ、無電解金めっきを行う場合には、Ａｕ、Ｐｔを触媒金属とすることができ、無電解白金めっきを行う場合には、Ｐｔを触媒金属とすることができる。
【００３７】
なお、樹脂基材１０の表面に触媒を付与した状態を図１（Ｃ）には触媒付与層１２として示している。また、触媒を付与した後に、樹脂基材１０の表面を活性化させるための活性化処理（アクセレータ工程）を行ってもよいのは勿論である。活性化処理は、従来公知の方法等を適宜適用することができる。
【００３８】
２−４．無電解めっき工程
無電解めっき工程では、無電解めっき法により、当該樹脂基材１０の表面の触媒が付与された領域に金属を析出させて無電解金属被膜１３を形成する。具体的には、触媒が付与された樹脂基材１０を無電解めっき液に浸漬することにより、触媒が付与された領域、すなわち触媒付与層１２上に金属を析出させて無電解金属被膜１３を得ることができる。本件発明において、樹脂基材１０の表面に、無電解めっき法により析出させる金属は、無電解めっきプロセスにより樹脂基材１０の表面に析出可能な金属であれば特に限定されるものではなく、Ｃｕ、Ｎｉ、Ａｇ、Ｐｄ、Ｃｏ、Ａｕ、Ｐｔ等のいかなる金属を析出させてもよく、これらの金属の各種合金を析出させてもよい。また、無電解めっき液は、目的とする金属を樹脂基材１０の表面に析出させることができれば、従来公知の無電解めっき液を含め、あらゆる無電解めっき液を使用することができる。特に、本件発明では、樹脂基材１０の表面に極微細な金属パターンを形成することができることから、例えば、国際公開公報ＷＯ２０１０／０１６３５８１、米国特許公報ＵＳ７２２０２９６等に開示の微細金属パターンを形成する際に用いられる無電解めっき液を用いることが好ましい。無電解銅めっきについては、例えば、国際公開公報ＷＯ１２１４／０１０３０１に開示の無電解銅めっき液等を好ましく用いることができる。
【００３９】
２−５．電解めっき工程
その後、樹脂基材１０の表面に形成すべき金属被膜の膜厚等に応じて、電解めっき法により、無電解金属被膜１３上に金属を高さ方向に異方析出させて電解金属被膜１４を形成してもよい。ここで、高さ方向に異方析出させるとは、電解めっきにより金属を析出させる際の析出速度が、幅方向よりも高さ方向（厚み方向）の方が早く、主として高さ方向に金属を析出させることをいうものとする。電解めっき法により、無電解金属被膜１３上に金属を高さ方向に異方析出させることにより、樹脂基材１０の表面の選択的に改質された領域にのみ、所定の厚みの金属被膜（１３、１４）を得ることができ、高精細な配線パターンを精度よく形成することが可能になる。
【００４０】
なお、上記においては、コンディショニング処理について特に説明を行わなかったが、例えば、アルカリ処理と触媒付与工程との間にコンディショニング処理を行ってもよいのは勿論である。本件発明に係る金属被膜形成方法においては、上記各工程の前後に、樹脂基材１０の表面を改質した上で、樹脂基材１０の表面に金属被膜を形成する際に行われる各種前処理や後処理を適宜施してもよいのは勿論である。
【００４１】
３．積層体
次に、本件発明に係る積層体の実施の形態を説明する。本件発明に係る積層体は、主鎖構造の繰り返し単位内に多重結合を含む可視光の透過率が８０％以上の樹脂からなる樹脂層と、当該樹脂層の表面に形成された金属配線層とが積層された積層体であって、当該樹脂層の表面は、１０ｎｍ以上１００ｎｍ以下の深さ範囲において選択的に改質されており、当該金属配線層は、当該樹脂層の表面の改質された部分に形成された部分に形成された線幅が１０μｍ以下の無電解金属パターンを含むことを特徴とする。
【００４２】
３−１．樹脂層
本件発明において、当該樹脂層は、上述した本件発明に係る樹脂基材の改質方法において述べた樹脂基材１０により構成することができ、主鎖構造の繰り返し単位内に多重結合を含む可視光の透過率が８０％以上の樹脂からなる樹脂層以外に、主鎖構造の繰り返し単位内に芳香族を含む、芳香族ポリエステル系樹脂、芳香族ポリイミド系樹脂及び芳香族エポキシ系樹脂のいずれかからなる層としてもよい。上記樹脂基材１０の表面は、上述した樹脂基材の改質方法により、１０ｎｍ以上１００ｎｍ以下の深さ範囲において選択的に改質されているものとし、当該樹脂層としての樹脂基材１０の表面を選択的に改質する際には、上述した紫外線照射方法により、樹脂層の表面に平行紫外光を選択的に照射することにより行うことができる。
【００４３】
３−２．金属配線層
本件発明において、当該金属配線層は、当該樹脂層の表面の改質された部分に形成された部分に形成された線幅が１０μｍ以下の無電解金属パターンを含み、当該無電解金属パターン上に、電解金属パターンが積層されていてもよい。
【００４４】
無電解金属パターン及び電解金属パターンはそれぞれ上述した本件発明に係る金属被膜形成方法により形成することができ、平行又はメッシュ状（グリッドメッシュ、ハニカムメッシュ等）の極微細な金属配線パターンとすることも好ましい。可視光の透過率が８０％以上の透明樹脂層上に、このような平行又はメッシュ状の極微細な金属配線パターンを備えた積層体は、透光性を有し、且つ、表面抵抗率も低く、透明導電膜として好適であり、スマートフォンやタブレット端末などのタッチパネル、液晶ディスプレイ等の表示デバイス、太陽電池等の光電変換デバイス、有機ＥＬ照明等の発光デバイス等の透明電極、電磁波シールド、透明熱線シート、低周波配線シート等に好適である。また、可視光の透過率が８０％未満の樹脂層上に金属配線層を設けた積層体は、樹脂層の表層に厚みの薄い極微細な配線層を形成することができるため、高周波回路、アンテナ回路等を搭載した各種プリント配線基板、有機半導体等の各種用途にも好適である。
【００４５】
当該積層体を透明導電膜として使用する場合、透光性がより向上するという観点から、上記線幅は８μｍ以下であることが好ましく、６μｍ以下であることがより好ましい。また、樹脂層の表面積に対して当該無電解金属パターンの占める面積の割合は２０％以下であることが好ましく、１５％以下であることがより好ましく、１０％以下であることがさらに好ましい。より細い線幅の平行又はメッシュ状の極微細な金属配線パターンを形成することにより、樹脂層の表面積に対して当該無電解金属パターンの占める割合をより小さくすることができ、透光性の高い導電膜を得ることができる。
【００４６】
次に、実施例を示して本件発明を具体的に説明する。但し、本件発明は以下の実施例に限定されるものではない。
【実施例１】
【００４７】
実施例１では、以下の表面改質処理工程、アルカリ処理工程、コンディショニング処理工程、触媒付与工程、活性化処理工程、無電解銅めっき工程を順に行い、樹脂基材の表面に無電解銅めっきパターンを形成した。以下、図１を参照しながら各工程順に説明する。
【００４８】
（１）表面改質処理工程
表面改質処理工程では、市販（帝人デュポンフィルム株式会社製）の厚みが５０μｍのポリエチレンナフタレート樹脂フィルム（樹脂基材１１（ＴＥＯＮＥＸ  Ｑ６５Ｆ））（以下、「ＰＥＮフィルム」と称する。）の表面に、ウシオ電機株式会社製の超高圧水銀灯（ＵＳＨ−２５０−ｄｅｅｐ）（主波長２５４ｎｍ／３１３ｎｍ）により、２００ｎｍ以上３２０ｎｍ以下の波長の平行紫外光を当該ＰＥＮフィルムの表面にフォトマスク１１を介して選択的に照射し（図１（Ａ）参照）、当該ＰＥＮフィルムの表面を選択的に改質した。このとき、ＰＥＮフィルム表面の露光量（表面照射量）を６Ｊ／ｃｍ２とした。このとき、透過型電子顕微鏡（ＴＥＭ）により、その断面を観察したところ、表面から３６ｎｍの深さ範囲まで改質されていることが観察された（図３参照）。また、赤外線分光分析装置（ＦＴ−ＩＲ：株式会社パーキンエルマージャパン製スペクトラムワン）を用い、改質前後のＰＥＮフィルムの表面を分析した。また、ＸＰＳ法（Ｘ線光電子分光分析法）により、改質前後のＰＥＮフィルムの表面におけるＣ（１ｓ）元素と、Ｏ（１ｓ）元素の定量分析いを行った。これと同時にアルカリ処理後、Ｐｄ付与後、Ａｕ付与後についても、ＰＥＮフィルム表面におけるＣ（１ｓ）元素と、Ｏ（１ｓ）元素の定量分析を行った。ＸＰＳの分析結果によれば、表面改質後にＰＥＮフィルム表面におけるカルボニル基（Ｃ＝Ｏ基）と、酸素が増加する一方、アルカリ処理後にはＣ：Ｃ＝Ｏの比率は変化しなかったのに対して、酸素は減少することが確認された（図４参照）。また、ＩＲ分析によれば、表面改質後に、１７００ｃｍ−１付近において、Ｃ＝Ｏ（エステル）の吸収を示すピークが、Ｃ＝Ｏ（エステル）の吸収を示すピークとＣ＝Ｏ（カルボン酸）の吸収を示すピークとに分かれることが確認された（図６参照）。これらの点から、表面改質後にＰＥＮフィルム表面に水酸基やカルボキシル基等の親水性基が導入されたことが確認された。すなわち、表面改質を行うことにより、ＰＥＮフィルムの表面が酸化し、アルカリ処理を施すことによりＰＥＮ表面において酸化物の一部が除去される。そして、Ｐｄ付与後のＸＰＳ分析によれば、Ｐｄが検出されるようになることから、当該表面改質等を行うことにより、ＰＥＮフィルムの表面の改質部分に対してＰｄが選択的に吸着されることが確認された。
【００４９】
（２）アルカリ処理工程
次に、表面改質処理が施されたＰＥＮフィルムを４５℃の５０ｇ／Ｌの水酸化ナトリウム水溶液に５分間浸漬し、アルカリ処理を施した。
【００５０】
（３）コンディショニング処理工程
次に、アルカリ処理後のＰＥＮフィルムを、ロームアンドハース社製のコンディショナー水溶液（ＣＬＥＡＮＥＲ−ＣＯＮＤＩＴＩＯＮＥＲ２３１）に４５℃で１分間浸漬し、コンディショニング処理を施した。
【００５１】
（４）水洗工程
上記コンディショニング処理後、ＰＥＮフィルムを４５℃の水に１分間浸漬し、水洗処理を施した。
【００５２】
（５）触媒付与工程
続いて、コンディショニング処理後のＰＥＮフィルムを３００ｐｐｍのＰｄＣｌ２液（触媒溶液）に４５℃で５分間浸漬し、ＰＥＮフィルムの改質された部分に触媒を付与した（図１（Ｃ）参照）。
【００５３】
（６）活性化処理工程
その後、当該ＰＥＮフィルムを３０ｇ／Ｌの次亜リン酸水溶液に４５℃で２分間浸漬し、ＰＥＮフィルムの表面を活性化した。
【００５４】
（７）無電解Ｃｕめっき工程
そして、株式会社ＪＣＵ製の無電解銅めっき液（ＰＢ−５０６）に４０℃で５分間浸漬し、当該ＰＥＮフィルムの表面に、線幅が６μｍの正六角形状を呈するハニカムメッシュパターンを有する厚みが０．３μｍの無電解銅皮膜を形成した（図１（Ｄ）、図６参照）。
【００５５】
（８）電解Ｃｕめっき工程
無電解Ｃｕめっき工程の後、株式会社ＪＣＵ製の電解銅めっき液（ＣＵ−ＢＲＩＴＥ  ＲＦ）を用いて、電解めっき法により上記無電解銅被膜上に銅を高さ方向に異方析出させて、上記ハニカムメッシュパターンを有する厚みが１．７μｍの電解銅被膜を形成した。
【００５６】
以上の工程により、ＰＥＮフィルムの表面に、無電解銅皮膜と電解銅被膜とからなる厚みが２μｍ、線幅が６μｍ、開口部の一辺の長さが５６μｍの銅のハニカムメッシュパターンが形成された微細ハニカムメッシュ型透明電極が得られた。なお、ＰＥＮフィルムの金属被膜形成面の面積に対する当該ハニカムメッシュパターンが占める面積の割合は５％であり、その開口率は９５％であった。
【実施例２】
【００５７】
次に、実施例２では、ＰＥＮフィルムに代えて、厚みが５０μｍのＰＥＴフィルム（帝人デュポンフィルム株式会社製テトロンフィルムＳＬ）を用い、実施例１と同様の方法で表面改質処理工程から活性化処理工程を行った。その後、無電解Ｃｕめっき工程において、実施例１と同様の方法で、ＰＥＴフィルムの表面に、線幅が５μｍ、間隔が１００μｍのグリッド状パターンを有する厚みが０．３μｍの無電解銅被膜を形成した。さらに、電解Ｃｕめっき工程において、上記無電解銅被膜上に実施例１と同様の方法で銅を異方析出させて、上記グリッド状パターンを有する厚みが約１．７μｍの電解銅皮膜を形成した。
【００５８】
以上の工程により、実施例２では、ＰＥＴフィルム上に、無電解銅皮膜と電解銅被膜とからなる厚みが２．０μｍ、線幅が５μｍ、間隔が１００μｍの銅のグリッドパターンが形成された微細グリッドメッシュ型透明電極が得られた。なお、ＰＥＴフィルムの金属被膜形成面の面積に対する当該グリッドパターンが占める面積の割合は１０％であり、その開口率は９０％であった。
【００５９】
〔評価〕
上記実施例１及び実施例２で作製した積層体（微細ハニカムメッシュ型透明電極又は微細グリッドメッシュ型透明電極）において、樹脂基材（樹脂層）であるＰＥＮフィルム及びＰＥＴフィルム上に無電解銅被膜は良好に密着しており、剥がれは一切みられなかった。また、線幅６μｍ又は線幅５μｍの極微細なパターンを作製したが、図６（ａ）、（ｂ）、（ｃ）及び図７（ａ）、（ｂ）に示すように、フォトマスクを介してＰＥＮフィルム及びＰＥＴフィルムの表面に露光したパターン通りに極めて高精細に無電解銅パターンを作製することができた。なお、それぞれのスケールは図６（ａ）、（ｂ）、（ｃ）及び図７（ａ）、（ｂ）に示すとおりである。
【００６０】
実施例１で用いたＰＥＮフィルム自体の可視光（波長３８０ｎｍ〜７８０ｎｍ）の全透過率は９０％であり、ＰＥＮフィルム上に上記ハニカム状メッシュパターンが形成された後の可視光の透過率は、可視光の全波長域において８０％以上を示した。また、実施例２で用いたＰＥＴフィルム自体の可視光の透過率は９０％であり、ＰＥＴフィルム上に上記グリッド状メッシュパターンが形成された後の可視光の透過率は、実施例１と同様に可視光の全波長域において８０％以上を示した。なお、全透過率は、日本電色工業株式会社製のＴｕｒｂｉｄｉｍｅｔｅｒ  ＮＤＨ５０００Ｗを使用し、ＪＩＳ  Ｚ  ８７２２に準拠して測定した。
【００６１】
次に、実施例１で作製したハニカム状メッシュパターン付ＰＥＮフィルムの表面抵抗率、実施例２で作製したグリッド状メッシュパターン付ＰＥＴフィルムの表面抵抗率をそれぞれ、ＮＰＳ株式会社製の抵抗測定器Σ−５（ＫＳ−ＴＣ−４０ーＴＦ−ＶＲプローブ使用）を使用し、ＪＩＳ  Ｒ  １６３５に準拠して測定したところ、それぞれ１．０Ω／ｓｑ、０．５Ω／ｓｑであった。
【００６２】
このように本件発明に係る表面改質処理方法により樹脂基材（樹脂層）の表面を改質することにより、従来のＩＴＯ導電膜と同程度の透光性を有し、且つ、ＩＴＯ導電膜よりも極めて低い表面抵抗率を有する導電膜を作製することができることが確認された。
【００６３】
同様の方法で、芳香族エポキシ樹脂フィルム、芳香族ポリイミド透明フィルム、液晶ポリマーについても無電解銅パターンを形成することができた。
【産業上の利用可能性】
【００６４】
本件発明によれば、樹脂基材の表面に、２００ｎｍ以上３２０ｎｍ以下の波長の平行紫外光を照射し、オゾンレス雰囲気下で樹脂基材の表面を１０ｎｍ以上１００ｎｍ以下の深さで改質する方法を採用しているため、主鎖構造の繰り返し単位内に多重結合を有するポリエステル製樹脂基材等の樹脂基材であっても、表面の過改質や内部劣化を抑制することができる。このため、上記波長範囲の平行紫外光を照射するという簡易な手法により、ポリエステル製樹脂基材等に対しても、線幅が１０μｍ以下の平行又はメッシュ状の極微細な金属配線パターンを無電解めっき法を含む湿式プロセスにより形成することができる。従って、本件発明によれば、従来のＩＴＯ導電膜と同等以上の透光性を有し、且つ、ＩＴＯ導電膜よりも極めて抵抗率の低い導電膜を湿式プロセスにより簡易に形成することができる。このため、本件発明によれば、スマートフォンやタブレット端末などのタッチパネル、液晶ディスプレイ等の表示デバイス、太陽電池等の光電変換デバイス、有機ＥＬ照明等の発光デバイス等の透明電極、或いは電磁波シールド、透明熱線シート、低周波配線シート等に好適であり、これらのデバイスの大型化等にも容易に対応することができる。。また、本件発明は透光性の樹脂基材に限らず、プリント配線板等の透光性を要しない樹脂基材に対しても適用することができる。特に、樹脂基材の表層のみ改質することができ、樹脂基材の表層に密着性のよい金属被膜を形成することができるため、高周波回路、アンテナ回路等を搭載したプリント配線板等にも好適である。
【符号の説明】
【００６５】
１０・・・樹脂基材
１１・・・フォトマスク
１２・・・触媒付与層
１３・・・無電解金属被膜
１４・・・電解金属皮膜
【図１】
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【図２】
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【図４】
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【図５】
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【図３】
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【図６】
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【図７】
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