(57)【要約】【課題】動画表示における尾引き現象を抑制して優れた表示品質を実現可能な液晶装置、該液晶装置を備えた電子機器を提供すること。【解決手段】液晶装置１００は、液晶層における液晶分子ＬＣが配向膜に対して略垂直配向しているアクティブ駆動型であって、画素電極２８の平面形状が、非矩形状の一例である円形である。対角方向に隣り合う画素電極２８の間では、横電界の強度が他の部分よりも小さく液晶分子ＬＣは初期配向状態に近い状態でチルトしている。そのため、表示パターンを移動させると、横電界によりリバースチルトしていた液晶分子ＲＬＣはエネルギー的に自然な一方向で初期配向状態に戻る。これにより、動画表示における尾引き現象が抑制される。【選択図】図８
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
液晶層における液晶分子が配向膜に対して略垂直配向しているアクティブ駆動型の液晶装置であって、
画素電極の平面形状が、非矩形状であることを特徴とする液晶装置。
【請求項２】
前記液晶層に対して電圧無印加時に、前記液晶分子の長軸が所定の方位角で規定される方向にプレチルトしている１軸の略垂直配向方式であることを特徴とする請求項１に記載の液晶装置。
【請求項３】
前記画素電極の平面形状が円形または円弧で構成される形状であって、
前記画素電極を含む画素は、前記画素に入射する光を集光させる集光手段を備えていることを特徴とする請求項１または２に記載の液晶装置。
【請求項４】
前記集光手段は、マイクロレンズであることを特徴とする請求項３に記載の液晶装置。
【請求項５】
複数の前記画素電極のそれぞれは、矩形状の少なくとも１つの角部が角切られた傾斜部と、
矩形状の少なくとも他の角部から張り出し、前記傾斜部に対して平行な辺部を含む張り出し部と、を有し、
前記辺部は、隣り合う画素電極の前記傾斜部と対向するように配置されていることを特徴とする請求項１または２に記載の液晶装置。
【請求項６】
隣り合う前記画素電極の間に配置された信号線を有し、
前記信号線は、前記傾斜部と前記張り出し部とに沿って屈曲した部分を有することを特徴とする請求項５に記載の液晶装置。
【請求項７】
前記傾斜部の傾斜角度が４５度未満であることを特徴とする請求項５または６に記載の液晶装置。
【請求項８】
前記画素電極を含む画素ごとに前記液晶層の印加電圧を指定する映像信号が入力され、
前記映像信号で指定される前記印加電圧が第１電圧を下回る第１画素と、前記印加電圧が前記第１電圧よりも大きい第２電圧以上である第２画素との境界を検出し、
前記第１画素の第１画素電極と、前記第２画素の第２画素電極との間に生ずる横電界が小さくなるように、前記第１画素および／または前記第２画素の前記印加電圧が補正されて駆動されることを特徴とする請求項１乃至７のいずれか一項に記載の液晶装置。
【請求項９】
請求項１乃至８のいずれか一項に記載の液晶装置を備えたことを特徴とする電子機器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、液晶装置及び液晶装置を備えた電子機器に関する。
【背景技術】
【０００２】
液晶装置として、プロジェクター（投写型表示装置）のライトバルブ（光変調手段）に適用される液晶装置が知られている。このような液晶装置は、液晶装置における表示が拡大して投写されることから、一般的に直視型の液晶装置よりも画素サイズが数μｍ〜数十μｍと非常に小さく設定されている。画素サイズが小さくなると、表示領域内で表示パターンを移動させたときに、パターン境界つまり液晶層に電圧が印加されている画素とその画素よりも低い電圧が印加されている画素との境界において横電界の影響を受け易くなる。具体的には横電界によってパターン境界部分の液晶分子の配向が乱れることから、画素サイズが小さくなると、表示パターンの移動に伴って表示パターンのエッジが乱れて表示される尾引き現象が視認され易くなる。
【０００３】
このような尾引き現象を改善する方法として、特許文献１〜特許文献３には、パターン境界において隣り合う画素間の横電界の強度が小さくなるように、隣り合う画素の一方に印加される実効的な印加電圧を補正する駆動方法が提案されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２０１１−５３３９０号公報
【特許文献２】特開２０１１−５３４１７号公報
【特許文献３】特開２０１２−１５５２１２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、上記の尾引き現象を抑制するために、実効的な印加電圧の補正の割合を高めると、本来は視認させたくない印加電圧の補正が行われた画素を含む領域が視認されるようになり、かえって表示品位を低下させてしまうおそれがあった。また、印加電圧の補正は、液晶分子の物性や液晶層の厚み、液晶分子を配向させる配向膜などの影響を受けるので、一義的に補正の割合を決めることが難しかった。言い換えれば、液晶層の駆動方法に係らず、上記の尾引き現象を改善する方法（技術）の確立が望まれているという課題があった。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明は、上述の課題の少なくとも一部を解決するためになされたものであり、以下の形態または適用例として実現することが可能である。
【０００７】
［適用例］本適用例に係る液晶装置は、液晶層における液晶分子が配向膜に対して略垂直配向しているアクティブ駆動型の液晶装置であって、画素電極の平面形状が、非矩形状であることを特徴とする。
【０００８】
略垂直配向方式の液晶装置において、画素電極の平面形状が矩形状である場合、矩形状の辺部に沿った第１の方向と、第１の方向に交差する第２の方向に画素電極が配列すると、隣り合う画素電極の間において、第１の方向と第２の方向とに横電界が生ずることになる。横電界が生ずると、略垂直配向した液晶分子のプレチルトの方向に対して異なる方向に液晶分子が傾斜するリバースチルトが発生して液晶分子の配向状態が乱れる。液晶層において電圧無印加時の液晶分子の配向状態が最も安定した状態（以降、初期配向状態と呼ぶ）である。動画が表示される場合、表示パターンの境界における隣り合う画素電極の間の横電界によってリバースチルトしていた液晶分子が初期配向状態に戻り難くなることがある。このような現象は、表示パターンをどの方向に移動させるかによって発生の程度が異なり、表示パターンの移動に伴ってリバースチルトしていた液晶分子が残存し配向が乱れた状態が続いて視認されることを尾引き現象と呼ぶ。
本適用例によれば、画素電極の平面形状が非矩形状であるため、矩形状である場合に比べて、横電界の発生方向が第１の方向及び第２の方向以外の方向にも発生することになる。したがって、第１の方向や第２の方向に比べて、エネルギー的に自然な一方向で初期配向状態に戻る状態にリバースチルトした液晶分子が存在することになり、動画表示において尾引き現象が生じ難い液晶装置を提供することができる。
【０００９】
上記適用例に記載の液晶装置において、前記液晶層に対して電圧無印加時に、前記液晶分子の長軸が所定の方位角で規定される方向にプレチルトしている１軸の略垂直配向方式であることが好ましい。
液晶分子の初期配向状態が１軸の略垂直配向であることが横電界によってリバースチルトを発生させ易いが、この構成によれば、画素電極の平面形状を非矩形とすることで、１軸の略垂直配向における尾引き現象の発生を効果的に抑制することができる。
【００１０】
上記適用例に記載の液晶装置において、前記画素電極の平面形状が円形または円弧で構成される形状であって、前記画素電極を含む画素は、前記画素に入射する光を集光させる集光手段を備えていることが好ましい。
この構成によれば、画素電極の平面形状が円形または円弧で構成されているため、隣り合う画素電極の間隔は、画素電極が配列する第１の方向または第２の方向の間隔よりも対角方向の間隔のほうが大きくなる。したがって、第１の方向や第２の方向に比べて対角方向における横電界の影響が小さくなり、対角方向の画素電極間に存在する液晶分子は初期配向状態に近い状態でチルトしている。それゆえに、横電界により液晶分子のリバースチルトが発生したとしても、対角方向の画素電極間に存在している初期配向状態に近い液晶分子の影響を受けるので、横電界によりリバースチルトした液晶分子は、横電界が解消されると速やかに初期配向状態に戻る。
また、画素電極の平面形状を矩形状とする場合に比べて、円形または円弧で構成される形状とすることで、液晶層に駆動電圧を印加して液晶分子の配向状態を制御可能な領域の面積が小さくなるものの、集光手段を備えることによって、明表示のときの明るさが低下することを抑えることができる。つまり、尾引き現象の発生を抑制すると共に、明るい表示が得られる液晶装置を提供できる。
【００１１】
上記適用例に記載の液晶装置において、前記集光手段は、マイクロレンズであることが好ましい。
この構成によれば、集光手段がマイクロレンズならば、マイクロレンズの平面形状を画素電極の平面形状に対応させることができ、入射光を画素電極が配置された領域に効率的に集光させることができる。
【００１２】
上記適用例に記載の液晶装置において、複数の前記画素電極のそれぞれは、矩形状の少なくとも１つの角部が角切られた傾斜部と、矩形状の少なくとも他の角部から張り出し、前記傾斜部に対して平行な辺部を含む張り出し部と、を有し、前記辺部は、隣り合う画素電極の前記傾斜部と対向するように配置されているとしてもよい。
この構成によれば、画素電極を第１の方向と第１の方向に交差する第２の方向に配列させたとしても、隣り合う画素電極の傾斜部と張り出し部との間において、第１の方向及び第２の方向に交差する第３の方向に横電界を発生させることができる。第３の方向に発生した横電界によれば、リバースチルトした液晶分子を初期配向状態に戻り易い状態とすることができ、尾引き現象が生じ難くなる。
【００１３】
上記適用例に記載の液晶装置において、隣り合う前記画素電極の間に配置された信号線を有し、前記信号線は、前記傾斜部と前記張り出し部とに沿って屈曲した部分を有することが好ましい。
この構成によれば、画素電極を第１の方向と第１の方向に交差する第２の方向に配列させ、且つ隣り合う画素電極の間で第１の方向または第２の方向に信号線を延在させる場合に比べて、隣り合う画素電極の間を平面的に埋めるように信号線が配置されるので、隣り合う画素電極の間の横電界による液晶分子の配向の乱れが視認されない。つまり、動画表示における尾引き現象をより視認し難くすることができる。
【００１４】
上記適用例に記載の液晶装置において、前記傾斜部の傾斜角度が４５度未満であることが好ましい。
この構成によれば、例えば、液晶装置の光学設計をノーマリーブラックとするために、液晶層を挟んで配置される一対の偏光素子をクロスニコル（直交）とする場合、画素に入射した光が傾斜部によって反射して液晶層を透過する光の偏光状態が部分的に変化しても、傾斜部の傾斜角度が４５度未満であるため、反射光による光漏れを抑えることができる。
【００１５】
上記適用例に記載の液晶装置において、前記画素電極を含む画素ごとに前記液晶層の印加電圧を指定する映像信号が入力され、前記映像信号で指定される前記印加電圧が第１電圧を下回る第１画素と、前記印加電圧が前記第１電圧よりも大きい第２電圧以上である第２画素との境界を検出し、前記第１画素の第１画素電極と、前記第２画素の第２画素電極との間に生ずる横電界が小さくなるように、前記第１画素および／または前記第２画素の前記印加電圧が補正されて駆動されることが好ましい。
これによれば、画素電極の平面形状が矩形状である場合に比べて、横電界によってリバースチルトした液晶分子が初期配向状態に戻り易くなるので、第１画素および／または第２画素の印加電圧の補正量を小さくすることができる。すなわち、動画表示における尾引き現象をより低減することができる。
【００１６】
［適用例］本適用例に係る電子機器は、上記適用例に記載の液晶装置を備えたことを特徴とする。
本適用例によれば、動画表示において尾引き現象が発生し難く、優れた表示品質を有する電子機器を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１７】
【図１】第１実施形態に係る液晶装置の構成を示す概略平面図。
【図２】第１実施形態に係る液晶装置の電気的な構成を示す等価回路図。
【図３】図１のＡ−Ａ’線に沿った液晶装置の構造を示す概略断面図。
【図４】（ａ）は液晶層における液晶分子の配向状態を示す概略断面図、（ｂ）は液晶分子の配向処理における方位角を示す概略平面図。
【図５】画素における画素電極の配置を示す概略平面図。
【図６】（ａ）〜（ｃ）は液晶分子のプレチルトにおける方位角が４５度よりも大きい場合の尾引き現象を説明するための模式図。
【図７】（ａ）〜（ｃ）は液晶分子のプレチルトにおける方位角が４５度よりも小さい場合の尾引き現象を説明するための模式図。
【図８】第１実施形態の画素電極による尾引き現象の抑制効果を説明するための模式図。
【図９】（ａ）は第２実施形態の液晶装置における画素の配置と構成とを示す概略平面図、（ｂ）は画素電極の平面形状を示す拡大図。
【図１０】第２実施形態の画素電極による尾引き現象の抑制効果を説明するための模式図。
【図１１】電子機器としての投写型表示装置の構成を示す概略図。
【図１２】（ａ）及び（ｂ）は変形例の画素電極の形状を示す概略平面図。
【発明を実施するための形態】
【００１８】
以下、本発明を具体化した実施形態について図面に従って説明する。なお、使用する図面は、説明する部分が認識可能な状態となるように、適宜拡大または縮小して表示している。
【００１９】
（第１実施形態）
＜液晶装置＞
本実施形態の液晶装置として、薄膜トランジスター（Thin  Film  Transistor；ＴＦＴ）を画素のスイッチング素子として備えたアクティブマトリックス型の液晶装置を例に挙げて説明する。この液晶装置は、例えば、後述する投写型表示装置（液晶プロジェクター）の光変調素子（液晶ライトバルブ）として好適に用いることができるものである。
【００２０】
まず、本実施形態の液晶装置について、図１〜図４を参照して説明する。図１は第１実施形態に係る液晶装置の構成を示す概略平面図、図２は第１実施形態に係る液晶装置の電気的な構成を示す等価回路図、図３は図１のＡ−Ａ’線に沿った液晶装置の構造を示す概略断面図、図４（ａ）は液晶層における液晶分子の配向状態を示す概略断面図、図４（ｂ）は液晶分子の配向処理における方位角を示す概略平面図である。
【００２１】
図１及び図３に示すように、本実施形態の液晶装置１００は、対向配置された素子基板２０及び対向基板３０と、素子基板２０と対向基板３０との間に配置された液晶層４０とを有している。図１に示すように、素子基板２０は対向基板３０よりも一回り大きく、両基板は、対向基板３０の外縁に沿って額縁状に配置されたシール材４２を介して貼り合わされている。
【００２２】
液晶層４０は、素子基板２０と対向基板３０とシール材４２とによって囲まれた空間に封入された、負の誘電異方性を有する液晶で構成されている。シール材４２は、例えば熱硬化性または紫外線硬化性のエポキシ樹脂などの接着剤からなる。シール材４２には、素子基板２０と対向基板３０との間隔を一定に保持するためのスペーサー（図示省略）が混入されている。
【００２３】
額縁状に配置されたシール材４２の内側には、マトリックス状に配列した複数の画素Ｐを含む表示領域Ｅが設けられている。また、シール材４２と表示領域Ｅとの間に表示領域Ｅを取り囲んで見切り部１４が設けられている。見切り部１４は、後述する遮光性の金属あるいは金属化合物などからなる第１遮光層２２、第２遮光層２６、遮光膜３２によって規定されている。なお、表示領域Ｅは、表示に寄与する複数の画素Ｐに加えて、複数の画素Ｐを囲むように配置されたダミー画素を含むとしてもよい。また、詳しくは後述するが、表示領域Ｅにおいて複数の画素Ｐごとに配置された集光手段としてのマイクロレンズＭＬ１が対向基板３０に設けられている（図３参照）。
【００２４】
素子基板２０には、複数の外部接続端子５４が配列した端子部が設けられている。素子基板２０の該端子部に沿った第１の辺部とシール材４２との間にデータ線駆動回路５１が設けられている。また、第１の辺部に対向する第２の辺部に沿ったシール材４２と表示領域Ｅとの間に検査回路５３が設けられている。さらに、第１の辺部と直交し互いに対向する第３及び第４の辺部に沿ったシール材４２と表示領域Ｅとの間に走査線駆動回路５２が設けられている。第２の辺部のシール材４２と検査回路５３との間に、２つの走査線駆動回路５２を繋ぐ複数の配線５５が設けられている。なお、検査回路５３の配置はこれに限定されず、データ線駆動回路５１と表示領域Ｅとの間のシール材４２の内側に沿った位置に設けてもよい。
【００２５】
これらデータ線駆動回路５１、走査線駆動回路５２に繋がる配線は、第１の辺部に沿って配列した複数の外部接続端子５４に接続されている。以降、第１の辺部に沿った方向をＸ方向とし、第３の辺部に沿った方向をＹ方向として説明する。図１のＡ−Ａ’線に沿った方向はＸ方向である。また、Ｘ方向及びＹ方向と直交し、素子基板２０から対向基板３０に向かう方向をＺ方向とする。本明細書では、Ｚ方向に沿って対向基板３０の表面１１ｂ（図３参照）側から見ることを「平面視」という。
【００２６】
次に図２を参照して、液晶装置１００の電気的な構成について説明する。液晶装置１００は、少なくとも表示領域Ｅにおいて互いに絶縁されて直交する信号配線としての複数の走査線２及び複数のデータ線３と、走査線２に沿って平行に配置された容量線４とを有する。走査線２が延在する方向がＸ方向であり、データ線３が延在する方向がＹ方向である。
【００２７】
走査線２、データ線３及び容量線４と、これらの信号線類により区分された領域に、画素電極２８と、ＴＦＴ２４と、蓄積容量５とが設けられ、これらが画素Ｐの画素回路を構成している。
【００２８】
走査線２はＴＦＴ２４のゲートに電気的に接続され、データ線３はＴＦＴ２４のソースに電気的に接続されている。画素電極２８はＴＦＴ２４のドレインに電気的に接続されている。
【００２９】
データ線３はデータ線駆動回路５１（図１参照）に接続されており、データ線駆動回路５１から供給される画像信号Ｄ１，Ｄ２，…，Ｄｎを画素Ｐに供給する。走査線２は走査線駆動回路５２（図１参照）に接続されており、走査線駆動回路５２から供給される走査信号Ｇ１，Ｇ２，…，Ｇｍを画素Ｐに供給する。
【００３０】
データ線駆動回路５１からデータ線３に供給される画像信号Ｄ１〜Ｄｎは、この順に線順次で供給してもよく、互いに隣り合う複数のデータ線３同士に対してグループごとに供給してもよい。走査線駆動回路５２は、走査線２に対して、走査信号Ｇ１〜Ｇｍを所定のタイミングでパルス的に線順次で供給する。
【００３１】
液晶装置１００は、スイッチング素子であるＴＦＴ２４が走査信号Ｇ１〜Ｇｍの入力により一定期間だけオン状態とされることで、データ線３から供給される画像信号Ｄ１〜Ｄｎが所定のタイミングで画素電極２８に書き込まれる構成となっている。そして、画素電極２８を介して液晶層４０に書き込まれた所定レベルの画像信号Ｄ１〜Ｄｎは、画素電極２８と液晶層４０を介して対向配置された共通電極３４（図３参照）との間で一定期間保持される。画像信号Ｄ１〜Ｄｎの周波数は例えば６０Ｈｚである。
【００３２】
保持された画像信号Ｄ１〜Ｄｎがリークするのを防止するため、画素電極２８と共通電極３４との間に形成される液晶容量と並列に蓄積容量５が接続されている。蓄積容量５は、ＴＦＴ２４のドレインと容量線４との間に設けられている。
【００３３】
なお、図１に示した検査回路５３には、データ線３が接続されており、液晶装置１００の製造過程において、上記画像信号を検出することで液晶装置１００の動作欠陥などを確認できる構成となっているが、図２の等価回路では図示を省略している。
【００３４】
本実施形態における画素回路を駆動制御する周辺回路は、データ線駆動回路５１、走査線駆動回路５２、検査回路５３を含んでいる。また、周辺回路は、上記画像信号をサンプリングしてデータ線３に供給するサンプリング回路、データ線３に所定電圧レベルのプリチャージ信号を上記画像信号に先行して供給するプリチャージ回路を含むものとしてもよい。
【００３５】
次に、図３を参照して、液晶装置１００の構造について説明する。図３に示すように、素子基板２０は、透光性の基板本体２１と、基板本体２１上に設けられた、第１遮光層２２と、絶縁膜２３と、ＴＦＴ２４と、第１層間絶縁膜２５と、第２遮光層２６と、第２層間絶縁膜２７と、画素電極２８と、配向膜２９とを備えている。基板本体２１は、例えばガラスや石英などの光透過性を有する材料が用いられている。
【００３６】
第１遮光層２２及び第２遮光層２６は、例えば、Ａｌ（アルミニウム）、Ｔｉ（チタン）、Ｃｒ（クロム）、Ｗ（タングステン）、Ｔａ（タンタル）、Ｍｏ（モリブデン）などの金属のうちの少なくとも１つを含む金属単体、合金、金属シリサイド、ポリシリサイド、ナイトライド、あるいはこれらが積層されたものを用いることができ、遮光性と導電性とを兼ね備えている。
第１遮光層２２は、上層の第２遮光層２６に平面視で重なるように格子状に形成されており、素子基板２０の厚さ方向（Ｚ方向）において、ＴＦＴ２４を間に挟むように配置されている。第１遮光層２２及び第２遮光層２６により、ＴＦＴ２４への光の入射が抑制される。第１遮光層２２及び第２遮光層２６に囲まれた領域（開口部２２ａ，２６ａ内）は、光が素子基板２０を透過する開口領域（画素開口部）となる。
【００３７】
絶縁膜２３は、基板本体２１と第１遮光層２２とを覆うように設けられている。絶縁膜２３は、例えば、ＳｉＯ2などの無機材料からなる。ＴＦＴ２４は、絶縁膜２３上に設けられている。図示を省略するが、ＴＦＴ２４は、半導体層、ゲート電極、ソース電極、及びドレイン電極を有している。
【００３８】
ゲート電極は、素子基板２０において平面視で半導体層のチャネル領域と重なる領域に第１層間絶縁膜２５の一部（ゲート絶縁膜）を介して対向配置されている。
第１遮光層２２は、その一部が走査線２（図２参照）として機能するようにパターニングされている。ゲート電極は、ゲート絶縁膜と絶縁膜２３を貫通するコンタクトホールを介して下層側に配置された走査線２に電気的に接続されている。
【００３９】
第１層間絶縁膜２５は、絶縁膜２３とＴＦＴ２４とを覆うように設けられている。第１層間絶縁膜２５は、例えば、ＳｉＯ2などの無機材料からなる。第１層間絶縁膜２５は、ＴＦＴ２４の半導体層とゲート電極との間を絶縁するゲート絶縁膜を含む。第１層間絶縁膜２５により、ＴＦＴ２４に起因する表面の凹凸が緩和される。
第１層間絶縁膜２５上には、第２遮光層２６が設けられている。第２遮光層２６は、ＴＦＴ２４に電気的に接続される、例えば、データ線３や容量線４、あるいは蓄積容量５の電極のいずれかとして機能するようにパターニングされている。そして、第１層間絶縁膜２５と第２遮光層２６とを覆うように、無機材料からなる第２層間絶縁膜２７が設けられている。
【００４０】
画素電極２８は、例えば、ＩＴＯ（Indium  Tin  Oxide）やＩＺＯ（Indium  Zinc  Oxide）などの透明導電膜からなり、第２層間絶縁膜２７上に、画素Ｐに対応して設けられている。画素電極２８は、第１遮光層２２の開口部２２ａ及び第２遮光層２６の開口部２６ａに平面視で重なる領域に配置されている。
【００４１】
画素電極２８を覆う配向膜２９は、負の誘電異方性を有する液晶（液晶分子）を略垂直配向させることが可能な例えば酸化シリコンなどの無機材料を用いることができる。
【００４２】
液晶層４０を構成する液晶は、画素電極２８と共通電極３４との間に印加される電圧レベルにより液晶分子の配向状態が変化することにより、液晶層４０に入射する光を変調し、階調表示を可能とする。例えば、ノーマリーホワイトモードの場合、各画素Ｐの単位で印加された電圧に応じて入射光に対する透過率が減少する。ノーマリーブラックモードの場合、各画素Ｐの単位で印加された電圧に応じて入射光に対する透過率が増加し、全体として液晶装置１００からは画像信号に応じたコントラストをもつ光が射出される。本実施形態では、対向基板３０側から光が入射して液晶層４０を透過し、素子基板２０側から射出されることを前提に、液晶装置１００が構成されている。
【００４３】
対向基板３０は、マイクロレンズアレイ基板１０と、遮光膜３２と、遮光膜３２を覆う平坦化層３３と、共通電極３４と、配向膜３５とを備えている。マイクロレンズアレイ基板１０は、透光性の基板本体１１と、複数の画素Ｐごとに配置されたマイクロレンズＭＬ１を含むレンズ層１３と、光路長調整層３１とを含んでいる。なお、マイクロレンズアレイ基板１０は、光路長調整層３１を含まなくてもよい。あるいは、遮光膜３２、平坦化層３３、共通電極３４を含む構成としてもよい。また、遮光膜３２をレンズ層１３と光路長調整層３１との間に配置してもよい。これによれば、平坦化層３３を無くすことが可能となる。
【００４４】
基板本体１１は、光が入射する表面１１ｂとは反対側の液晶層４０側の表面１１ａに形成された複数の凹部１２を有している。各凹部１２は、各画素Ｐに対応して設けられている。凹部１２の底部（中央部）は平坦な状態に形成され、マイクロレンズＭＬ１におけるレンズ面のうち平坦部１２ａを構成するものである。以降、凹部１２をレンズ面１２と呼ぶこともある。基板本体１１は、例えばガラスや石英などの光透過性を有する材料が用いられている。
【００４５】
レンズ層１３は、基板本体１１の表面１１ａ側に、複数の画素Ｐのそれぞれに対応して形成された複数の凹部１２を埋めてなる複数のマイクロレンズＭＬ１を含んでいる。レンズ層１３は、光透過性を有し、基板本体１１よりも屈折率ｎが高い無機のレンズ材料からなる。例えば、基板本体１１の屈折率ｎがおよそ１．４６の石英基板であるとすると、レンズ層１３を構成するレンズ材料としては、ＳｉＯＮ（屈折率ｎ＝１．５０〜１．７０）、Ａｌ2Ｏ3（屈折率ｎ＝１．７６）などが挙げられる。なお、屈折率ｎは、基板本体１１やレンズ層１３を透過する光の波長に依存する。
【００４６】
前述したように、基板本体１１の一方の表面１１ａを選択的にエッチングして凹部１２を形成し、上述したレンズ材料で凹部１２を埋めることにより、平坦部１２ａを有するマイクロレンズＭＬ１が形成される。また、複数のマイクロレンズＭＬ１によりマイクロレンズアレイＭＬＡが構成される。
【００４７】
レンズ層１３の表面１３ａを覆って光路長調整層３１が設けられている。光路長調整層３１は、光透過性を有し、例えば、基板本体１１とほぼ同じ屈折率ｎを有する無機材料からなる。光路長調整層３１は、マイクロレンズアレイ基板１０の液晶層４０に面する側の表面を平坦化すると共に、マイクロレンズＭＬ１によって集光された光が所望の位置で焦点を結ぶように設けられている。したがって、光路長調整層３１の層厚は、光の波長に応じたマイクロレンズＭＬ１の焦点距離などの光学条件に基づいて適宜設定される。
【００４８】
レンズ層１３のマイクロレンズＭＬ１と反対側を覆う光路長調整層３１の平坦な表面に遮光膜３２が設けられている。遮光膜３２は、複数のマイクロレンズＭＬ１が設けられた表示領域Ｅを囲む周辺領域に設けられて見切り部１４を構成している。
【００４９】
遮光膜３２は、例えば、Ａｌ（アルミニウム）、Ｍｏ（モリブデン）、Ｗ（タングステン）、Ｔｉ（チタン）、ＴｉＮ（窒化チタン）、Ｃｒ（クロム）などの遮光性を有する材料、あるいはこれらの材料の中から選ばれた少なくとも２つの材料の積層体で構成することができる。図３では、詳細な図示を省略しているが、本実施形態では、遮光膜３２は、光路長調整層３１の表面側から順に積層されたＡｌ（アルミニウム）とＴｉＮ（窒化チタン）の二層構造となっている。
【００５０】
平坦化層３３を覆って共通電極３４が設けられている。共通電極３４は、複数の画素Ｐに跨って形成され、液晶層４０を挟んで画素電極２８と対向する対向電極である。共通電極３４は、例えば、ＩＴＯ（Indium  Tin  Oxide）やＩＺＯ（Indium  Zinc  Oxide）などの透明導電膜が用いられる。共通電極３４は、液晶層４０を挟んで複数の画素電極２８と対向して配置されるので、画素Ｐごとに所望の光学特性を実現するためには、共通電極３４の表面が平坦であることが好ましい。なお、共通電極３４は、対向基板３０の角部に設けられた上下導通部５６を介して、素子基板２０の外部接続端子５４に繋がる配線と電気的に接続されている（図１参照）。
【００５１】
共通電極３４を覆って配向膜３５が設けられている。配向膜３５は、素子基板２０側の配向膜２９と同様に、例えば酸化シリコンなどの無機材料を用いて形成される。前述したように、配向膜２９，３５の材料選択や配向処理の方法は、液晶装置１００の光学設計に基づく液晶の選定や表示モードによる。
【００５２】
液晶装置１００では、光は、マイクロレンズＭＬ１を備える対向基板３０（基板本体１１の表面１１ｂ）側から入射し、マイクロレンズＭＬ１によって画素Ｐごとに集光される。例えば、基板本体１１の表面１１ｂ側からマイクロレンズＭＬ１に入射する光のうち、画素Ｐの平面的な中心を通過する光軸に沿って入射した入射光Ｌ１は、マイクロレンズＭＬ１の平坦部１２ａをそのまま直進し、液晶層４０を通過して素子基板２０側に射出される。
【００５３】
入射光Ｌ１よりも外側でマイクロレンズＭＬ１の平坦部１２ａの周囲に入射した入射光Ｌ２は、基板本体１１とレンズ層１３との屈折率ｎの差により、画素Ｐの平面的な中心側へ屈折する。入射光Ｌ２が仮にそのまま直進すると、液晶層４０や素子基板２０を通過することで、わずかに屈折し、第２遮光層２６（あるいは第１遮光層２２）に入射して遮光されてしまうおそれがある。
【００５４】
液晶装置１００では、このように第２遮光層２６（あるいは第１遮光層２２）で遮光されてしまうおそれがある入射光Ｌ２も、マイクロレンズＭＬ１の集光作用により液晶層４０を通過させて第２遮光層２６の開口部２６ａ（あるいは第１遮光層２２の開口部２２ａ）内に入射させることができる。この結果、素子基板２０側から射出される光の量を多くできるので、光の利用効率を高めることができる。なお、本実施形態では、対向基板３０側から光が入射するので、マイクロレンズＭＬ１を対向基板３０側に設けたが、素子基板２０側から光を入射させ、マイクロレンズＭＬ１を素子基板２０側に設ける構成としてもよい。
【００５５】
次に、液晶装置１００における液晶分子の配向状態について、図４を参照して説明する。なお、図４では、液晶分子の配向状態を説明するにあたり、素子基板２０におけるＴＦＴ２４などの電気的な構成や、対向基板３０におけるマイクロレンズＭＬ１などの構成については図示を省略している。
【００５６】
本実施形態の液晶装置１００における液晶層４０は、ＶＡ（Vertical  Alignment；垂直配向）方式と呼ばれる液晶分子の配向方式が採用されている。具体的には、図４（ａ）に示すように、液晶装置１００における画素電極２８の表面には、酸化シリコンを気相成長法の一例である真空蒸着法により斜め蒸着して得られた配向膜２９が形成されている。斜め蒸着により基板面には酸化シリコンの結晶体が蒸着方向に向かって柱状に成長する。この柱状結晶体をカラム２９ａと呼ぶ。配向膜２９はこのようなカラム２９ａの集合体である。同様に、液晶装置１００における共通電極３４の表面を覆う配向膜３５もカラム３５ａの集合体である。
【００５７】
このような配向膜２９，３５の表面において、負の誘電異方性を有する液晶分子ＬＣは、基板面の法線に対しておよそ３度〜５度のプレチルト角（傾斜角）θｐを有して略垂直配向している。また、液晶分子ＬＣを傾斜させるプレチルトの方向すなわち傾斜方向は、配向膜２９，３５における斜め蒸着の平面的な蒸着方向と同じである。
具体的には、図４（ｂ）に示すように、表示領域Ｅにおいて液晶分子ＬＣのプレチルトの傾斜方向は、Ｙ方向となす方位角θａが４５度となるように設定されている。破線で示した矢印方向が素子基板２０に対する斜め蒸着の方向であり、右上から左下に向かう方向である。一方、実線で示した矢印方向が対向基板３０に対する斜め蒸着の方向であり、左下から右上に向かう方向である。このような表示領域Ｅにおける液晶分子ＬＣのプレチルトの傾斜方向は、液晶装置１００の光学設計条件に基づいて適宜設定される。
【００５８】
次に、図４（ａ）を参照して液晶装置１００の電気的な駆動について説明する。
対向配置された素子基板２０及び対向基板３０ならびにこれら一対の基板間に挟持された液晶層４０を含めたものを液晶パネル１１０と呼ぶ。液晶装置１００は、液晶パネル１１０の光の入射側と射出側とにそれぞれ配置された偏光素子８１，８２を有して用いられる。また、偏光素子８１，８２は、偏光素子８１，８２のうちの一方の透過軸または吸収軸がＸ方向またはＹ方向に対して平行となるように、且つ互いの透過軸または吸収軸が直交するように液晶パネル１１０に対してそれぞれ配置されている。
【００５９】
本実施形態では、表示領域Ｅにおいて偏光素子８１，８２の透過軸または吸収軸に対して液晶分子ＬＣのプレチルトの方位角θａが４５度で交差するように略垂直配向処理が施されている。したがって、図４（ａ）に示すように画素電極２８と共通電極３４との間に駆動電圧を印加して液晶層４０を駆動すると、液晶分子ＬＣがプレチルトの傾斜方向に倒れることにより、高い透過率が得られる光学的な配置となっている。
液晶層４０の駆動（ＯＮ／ＯＦＦ）を繰り返すと、液晶分子ＬＣはプレチルトの傾斜方向に倒れたり、初期の配向状態に戻ったりする挙動を繰り返す。このような液晶分子ＬＣの挙動が起る略垂直配向処理を１軸の略垂直配向処理という。
【００６０】
なお、液晶装置１００は、液晶パネル１１０の光の入射側または射出側に位相差板などの光学補償素子を備える構成としてもよい。
【００６１】
次に、画素Ｐにおける画素電極２８の配置について、図５を参照して説明する。図５は画素における画素電極の配置を示す概略平面図である。
図５に示すように、複数の画素Ｐのそれぞれは平面視でＸ方向とＹ方向とに格子状に延在する遮光領域１５によって区画されている。格子状の遮光領域１５の交差している部分は他の部分よりも幅が拡張された拡張部１５ａとなっている。遮光領域１５によって画素Ｐごとに囲まれた部分は、光が透過する開口領域（画素開口部）１６である。遮光領域１５のＸ方向に延在した部分に開口領域１６側にわずかに突出する突出部１５ｂが設けられている。
このような遮光領域１５は、前述したように、基板本体１１上に設けられる第１遮光層２２や第２遮光層２６によって構成されるものである。つまり、開口領域１６は、開口部２２ａ，２６ａによって規定されている。遮光領域１５の上記拡張部１５ａと重なる部分にＴＦＴ２４が配置されている。遮光領域１５の突出部１５ｂと重なる部分に画素電極２８とＴＦＴ２４とを電気的に接続させるコンタクト部１７が設けられている。
【００６２】
画素電極２８は平面視で円形であり、開口領域１６と重なるように配置されている。また、画素電極２８の外縁の一部は、遮光領域１５のＸ方向及びＹ方向に延在した部分と重なるように配置されている。画素電極２８の外縁の一部が上記コンタクト部１７と重なって配置されることで、画素電極２８とコンタクト部１７とが電気的に接続されている。
なお、画素電極２８はコンタクト部１７と重なる接続部を有していれば、画素電極２８の接続部以外の外縁は、必ずしも遮光領域１５のＸ方向及びＹ方向に延在した部分と重なっていなくてもよい。言い換えれば、画素電極２８の平面形状は接続部を有する略円形であって、画素電極２８の円形部分の外縁が開口領域１６の内側に配置されていてもよい。
【００６３】
次に、動画表示における尾引き現象の例について、図６及び図７を参照して具体的に説明する。図６（ａ）〜（ｃ）は液晶分子のプレチルトにおける方位角が４５度よりも大きい場合の尾引き現象を説明するための模式図、図７（ａ）〜（ｃ）は液晶分子のプレチルトにおける方位角が４５度よりも小さい場合の尾引き現象を説明するための模式図である。
図６及び図７では、平面形状が正方形の画素電極が表示領域においてＸ方向とＹ方向とに配列した例を示している。また、液晶分子はプレチルトの方向を分かり易くするために模式的に円柱で示している。液晶分子のプレチルトの状態は、素子基板２０側から見たときの状態となっている。液晶分子を示す円柱において円で示す一方が素子基板２０側に向いていることを示すものである。さらに、Ｘ方向とＹ方向との配列した画素Ｐの座標を表すために、画素を示す符号Ｐの後に数字を付記している。例えば、Ｐ１１は１行１列目の画素を指すものであり、Ｐ２１は２行１列目の画素Ｐを指すものである。
【００６４】
液晶装置における光学設計をノーマリーブラックモードとして、例えば、図６（ａ）に示すように、画素Ｐ１２〜画素Ｐ１５、画素Ｐ２３〜画素Ｐ２５、画素Ｐ３５をオフ（ＯＦＦ）にして暗表示（黒表示）とし、他の画素Ｐをオン（ＯＮ）にして明表示（白表示）とする。なお、明表示（白表示）は、完全なオン（ＯＮ）状態だけでなく、中間調も含まれる。
明表示（白表示）の画素Ｐ２２では、行方向（Ｘ方向）に隣り合う画素Ｐ２３と、列方向（Ｙ方向）に隣り合う画素Ｐ１２との境界において横電界が生ずる。このように、Ｘ方向及びＹ方向の２方向において横電界の影響を受ける画素Ｐ２２を１連結画素と呼ぶ。
一方で行方向に隣り合う明表示（白表示）の画素Ｐ３３及び画素Ｐ３４では、列方向（Ｙ方向）に隣り合う画素Ｐ２３及び画素Ｐ２４との境界において生ずる横電界が支配的となる。このように、Ｙ方向において横電界の影響を支配的に受ける画素Ｐ３３及び画素Ｐ３４を横２連結画素と呼ぶ。
【００６５】
また、例えば、図６（ｂ）に示すように、画素Ｐ１３〜画素Ｐ１５、画素Ｐ２３〜画素Ｐ２５、画素Ｐ３４〜画素Ｐ３５、画素Ｐ４５をオフ（ＯＦＦ）にして暗表示（黒表示）とし、他の画素Ｐをオン（ＯＮ）にして明表示（白表示）とする。
この場合は、画素Ｐ３３が１連結画素となる。一方で、列方向に隣り合う明表示（白表示）の画素Ｐ１２及び画素Ｐ２２では、行方向（Ｘ方向）に隣り合う画素Ｐ１３及び画素Ｐ２３との境界において生ずる横電界が支配的となる。このように、Ｘ方向において横電界の影響を支配的に受ける画素Ｐ１２及び画素Ｐ２２を縦２連結画素と呼ぶ。
【００６６】
図６（ｃ）に示すように、１軸の略垂直配向方式（ＶＡ方式）において、初期配向状態における液晶分子ＬＣのプレチルトの方位角θａが４５度よりも大きい場合、横電界によってリバースチルトしている液晶分子（以降、符号としてＲＬＣを付与する）は、時計周りに初期配向状態に戻ることがエネルギー的に自然である。
図６（ａ）に示した１連結画素の画素Ｐ２２や、図６（ｂ）に示した１連結画素の画素Ｐ３３では、例えば、表示パターンをＹ方向に移動（スクロール）させて２方向から受けた横電界が生じなくなると、リバースチルトしていた液晶分子ＲＬＣは時計周りに初期状態に戻る。これに対して、図６（ａ）に示した横２連結画素の画素Ｐ３３，Ｐ３４では、例えば、表示パターンをＹ方向に移動（スクロール）させてＹ方向に支配的な横電界が生じなくなると、リバースチルトしていた液晶分子ＲＬＣは反時計周りに初期状態に戻ろうとする。したがって、１連結画素と横２連結画素の境界となる図６（ａ）において符号Ｂで示したＹ方向に延びる領域では、リバースチルトしていた液晶分子ＲＬＣが互いに異なる方向で初期配向状態に戻ろうとすることから配向が乱れた状態が続いて尾引き現象が視認される。
【００６７】
一方で、図６（ｂ）に示す縦２連結画素の画素Ｐ１２，２２では、例えば、表示パターンをＹ方向に移動（スクロール）させてＸ方向に支配的な横電界が生じなくなると、リバースチルトしていた液晶分子ＲＬＣは時計周りに初期状態に戻ろうとする。したがって、図６（ｂ）に示すように、縦２連結画素と１連結画素の境界では、いずれもリバースチルトしていた液晶分子ＲＬＣが時計回りに初期配向状態に戻ることから配向の乱れが生じ難い。言い換えれば、液晶分子ＲＬＣは円滑（スムーズ）に初期配向状態に戻る。
【００６８】
また、例えば、図７（ｃ）に示すように、１軸の略垂直配向方式（ＶＡ方式）において、初期配向状態における液晶分子ＬＣのプレチルトの方位角θａが４５度よりも小さい場合、横電界によってリバースチルトしている液晶分子ＲＬＣは、反時計周りに初期配向状態に戻ることがエネルギー的に自然である。
そして、液晶装置における光学設計をノーマリーブラックモードとして、例えば、図７（ａ）に示すように、図６（ａ）に示したと同様に画素Ｐ１２〜画素Ｐ１５、画素Ｐ２３〜画素Ｐ２５、画素Ｐ３５をオフ（ＯＦＦ）にして暗表示（黒表示）とし、他の画素Ｐをオン（ＯＮ）にして明表示（白表示）とする。このような表示パターンを例えばＹ方向にスクロールさせると、１連結画素の画素Ｐ２２では、２方向からの横電界の消滅に伴ってリバースチルトしていた液晶分子ＲＬＣは反時計回りに初期配向状態に戻る。横２連結画素の画素Ｐ３３，３４でも、同様にＹ方向に支配的な横電界の消滅に伴ってリバースチルトしていた液晶分子ＲＬＣは反時計回りに初期配向状態に戻る。ゆえに、１連結画素と横２連結画素の境界ではリバースチルトしていた液晶分子ＲＬＣが同じ方向に初期配向状態に戻ることから配向の乱れが生じない。
【００６９】
一方で、例えば、図７（ｂ）に示すように、図６（ｂ）に示したと同様に画素Ｐ１３〜画素Ｐ１５、画素Ｐ２３〜画素Ｐ２５、画素Ｐ３４〜画素Ｐ３５、画素Ｐ４５をオフ（ＯＦＦ）にして暗表示（黒表示）とし、他の画素Ｐをオン（ＯＮ）にして明表示（白表示）とする。このような表示パターンを例えばＹ方向にスクロールさせると、１連結画素の画素Ｐ３３では、２方向からの横電界の消滅に伴ってリバースチルトしていた液晶分子ＲＬＣは反時計回りに初期配向状態に戻る。縦２連結画素の画素Ｐ１２及び画素Ｐ２２では、Ｘ方向に支配的な横電界の消滅に伴ってリバースチルトしていた液晶分子ＲＬＣは時計回りに初期配向状態に戻る。ゆえに、縦２連結画素と１連結画素の境界となる図７（ｂ）に符号Ｃで示したＹ方向に延びる領域ではリバースチルトしていた液晶分子ＲＬＣが互いに異なる方向で初期配向状態に戻ろうとすることから、初期配向状態に戻ることが遅れ配向の乱れが続いて尾引き現象が視認される。
【００７０】
画素電極の平面形状が矩形状である場合の尾引き現象についてまとめると次の通りである。暗表示（黒表示）の画素Ｐと明表示（白表示）の画素Ｐとの間の横電界によりリバースチルトしていた液晶分子ＲＬＣが、表示パターンを移動させる動画表示において、初期配向状態に戻る方向を緩和方向と定義する。上述したように、Ｘ方向とＹ方向の２方向から横電界の影響を受けている１連結画素の緩和方向は、初期配向時の液晶分子ＬＣのプレチルトの方向によって決定付けられる。横または縦の２連結画素における緩和方向は、上述したようにＸ方向またはＹ方向のいずれかに支配的な横電界の影響を受けるので、初期配向時の液晶分子ＬＣのプレチルトの方向に寄らず、リバースチルトしていた液晶分子ＲＬＣのチルトの方向によって決定される。１連結画素の緩和方向と、２連結画素の緩和方向とが異なる領域（上記Ｂ領域あるいは上記Ｃ領域）では、リバースチルトしていた液晶分子ＲＬＣが初期配向状態に戻ろうとする緩和が遅れるので、液晶分子の配向が乱れた状態が続いて尾引き現象が視認される。
【００７１】
なお、図６及び図７を参照して、初期配向状態の液晶分子ＬＣのプレチルトの方位角θａが４５度より大きい場合と、４５度より小さい場合とについて述べた。これは、液晶装置の製造において、１軸の略垂直配向を実現するためには無機配向膜材料を斜め蒸着するときの方向を規定する必要があるが、実際には基板上において斜め蒸着の方向がばらついて方位角θａが変動することを想定したものである。
【００７２】
本実施形態の液晶装置１００では、画素電極２８の平面形状を円形とすることで、上述した尾引き現象を改善した。以降、図８を参照して本実施形態における作用・効果を説明する。図８は第１実施形態の画素電極による尾引き現象の抑制効果を説明するための模式図である。なお、以降、液晶装置の光学設計がノーマリーブラックモードである場合、映像情報に基づいて選択され明表示（白表示）となった画素Ｐを白画素Ｐと呼び、非選択な暗表示（黒表示）となった画素Ｐを黒画素Ｐと呼ぶこととする。なお、前述したように、白画素Ｐは中間調を含む概念である。
【００７３】
液晶装置１００における光学設計をノーマリーブラックモードとして、例えば、図８に示すように、図６（ａ）に示したと同様に画素Ｐ１２〜画素Ｐ１５、画素Ｐ２３〜画素Ｐ２５、画素Ｐ３５を非選択な黒画素Ｐとし、他の画素Ｐを選択して白画素Ｐとする。１連結画素の画素Ｐ２２では、画素Ｐ２３との間でＸ方向に横電界が生じ、画素Ｐ１２との間でＹ方向に横電界が生ずる。２連結画素の画素Ｐ３３及び画素Ｐ３４では、画素Ｐ２３及び画素Ｐ２４との間でＹ方向に支配的な横電界が生ずる。その一方で、本実施形態の画素電極２８は平面形状が円形であることから、Ｘ方向とＹ方向とに交差する対角方向における画素電極２８の間隔は、上述した画素電極が正方形（矩形状）である場合に比べて大きくなる。したがって、初期配向状態の液晶分子ＬＣのプレチルトの方向に合致する対角方向では、上述した画素電極が正方形（矩形状）である場合に比べて横電界の強度が小さくなる。ゆえに、対角方向における画素電極２８の間の液晶分子ＬＣは初期配向状態に近い状態でチルトしている。このような表示パターンを例えばＹ方向にスクロールさせると、１連結画素である画素Ｐ２２及び横２連結画素である画素Ｐ３３，３４において互いに異なる方向にリバースチルトしていた液晶分子ＲＬＣは、対角方向における画素電極２８の間に存在する初期配向状態に近い状態でチルトしている液晶分子ＬＣの影響を受けるので、該液晶分子ＲＬＣは速やかに初期配向状態に戻る。
図６（ｂ）及び図７（ｂ）に示したように、縦２連結画素の場合でも、画素電極２８を円形とすることで同様にリバースチルトしていた液晶分子ＲＬＣは速やかに初期配向状態に戻る。すなわち、横電界によりリバースチルトしていた液晶分子ＲＬＣが速やかに初期配向状態に戻るので、動画表示における尾引き現象が生じ難くなる。
【００７４】
第１実施形態の効果は、以下の通りである。
（１）液晶装置１００は、液晶分子ＬＣの初期配向状態において１軸の略垂直配向方式（ＶＡ方式）が採用され、且つＸ方向とＹ方向とに配列する画素電極２８の平面形状が矩形状ではなく円形となっている。したがって、対角方向に隣り合う画素電極２８の間隔がＸ方向やＹ方向に隣り合う画素電極２８の最小間隔よりも大きく、横電界の影響を受け難い。それゆえに、横電界が生じても、対角方向に隣り合う画素電極２８の間の液晶分子ＬＣは初期配向状態に近い状態でチルトしているので、表示パターンをスクロールして横電界が消滅すると、横電界によりリバースチルトしていた液晶分子ＲＬＣは速やかに初期配向状態に戻る。
また、画素電極２８の平面形状を円形とすることで、画素Ｐに入射する光を変調する領域が、画素電極が正方形である場合に比べて小さくなるものの、画素Ｐの光の入射側にマイクロレンズＭＬ１が配置されている。したがって、マイクロレンズＭＬ１によって画素Ｐに入射する光が集光されるので、動画表示における尾引き現象を抑制しつつ、明るい表示が可能な液晶装置１００を提供できる。
【００７５】
（第２実施形態）
＜液晶装置＞
次に、第２実施形態の液晶装置について、図９及び図１０を参照して説明する。図９（ａ）は第２実施形態の液晶装置における画素の配置と構成とを示す概略平面図、図９（ｂ）は画素電極の平面形状を示す拡大図である。図１０は第２実施形態の画素電極による尾引き現象の抑制効果を説明するための模式図である。
第２実施形態の液晶装置は、第１実施形態の液晶装置１００に対して、画素電極の平面形状と信号線の配置の仕方を異ならせたものである。したがって、同じ構成には同じ符号を付して詳細な説明は省略するものとする。
【００７６】
本実施形態の液晶装置２００は、第１実施形態の液晶装置１００と同様に、１軸の略垂直配向方式（ＶＡ方式）が採用されている。したがって、液晶分子ＬＣは、Ｙ方向に対して方位角θａが４５度となる方向にプレチルトしている（図４（ｂ）参照）。
図９（ａ）に示すように、液晶装置２００における画素Ｐは、Ｘ方向とＹ方向とに所定の間隔をおいて配列している。画素Ｐには非矩形状の画素電極２８Ａが配置されている。
図９（ｂ）に示すように、画素電極２８Ａの平面形状は、正方形の角部が角切られた傾斜部２８Ａｃと、傾斜部２８Ａｃに対して平行な辺部２８Ａｅを含む張り出し部２８Ａｄとを有している。図面上で傾斜部２８Ａｃは、画素電極２８Ａの右下に位置し、辺部２８Ａｅは右上に位置している。つまり、画素電極２８ＡにおいてＸ方向に向かい合う辺部はＹ方向に延在する直線となっているが、Ｙ方向に向かい合う辺部はＸ方向に延在しつつ途中でＹ方向に屈曲している。画素電極２８ＡのＸ方向に延在する外縁に対する傾斜部２８Ａｃ及び辺部２８Ａｅの傾斜角度θｂは、初期配向状態における液晶分子ＬＣの方位角θａよりも小さい。つまり、上記傾斜角度θｂは４５度未満であることが好ましく、この場合、１５度に設定されている。また、画素電極２８ＡのＸ方向の長さｄ１に対して、傾斜部２８Ａｃ及び張り出し部２８ＡｄのＸ方向の長さｄ２は、ｄ１／２（ｄ１の半分）以上であることが好ましい。
図９（ａ）に示すように、Ｘ方向に延在する走査線２Ａは、Ｙ方向に隣り合う画素電極２８Ａの間で、傾斜部２８Ａｃと張り出し部２８Ａｄとに沿って屈曲した部分を有している。データ線３は、Ｘ方向に隣り合う画素電極２８Ａの間で、走査線２Ａと直交するようにＹ方向に延在している。つまり、走査線２Ａは画素電極２８ＡのＸ方向に延在する外縁と重なるように設けられ、データ線３は画素電極２８ＡのＹ方向に延在する外縁と重なるように設けられている。
【００７７】
このような液晶装置２００において光学設計をノーマリーブラックモードとし、図１０に示すように、画素Ｐ１１〜画素Ｐ１３、画素Ｐ２２〜画素Ｐ２３を非選択の黒画素Ｐとし、他の画素Ｐを選択して白画素Ｐとする表示を行う。１連結画素である画素Ｐ２１では、黒画素Ｐである画素Ｐ１１及び画素Ｐ２２との間で横電界が生ずる。該横電界は、Ｘ方向（第１の方向）と、Ｙ方向（第２の方向）と、傾斜部２８Ａｃと張り出し部２８Ａｄとの間の第３の方向とに生ずる。第３の方向の横電界によりリバースチルトしていた液晶分子ＲＬＣの緩和方向は、初期配向状態の液晶分子ＬＣのプレチルトの方向に対してエネルギー的に自然な一方向となる。第３の方向以外の他の方向の横電界によりリバースチルトした液晶分子ＲＬＣは、エネルギー的に自然な一方向に緩和される液晶分子ＲＬＣの影響を受けて同じくエネルギー的に自然な一方向に緩和される。ゆえに、動画表示における尾引き現象が生じ難い。
【００７８】
上記第２実施形態の効果は、以下の通りである。
（１）液晶分子ＬＣの初期配向状態が１軸の略垂直配向方式であって、表示領域ＥにおいてＸ方向とＹ方向との配列する画素電極２８Ａは、矩形状の角部が角切られた傾斜部２８Ａｃと、傾斜部２８Ａｃと平行な辺部２８Ａｅを含む張り出し部２８Ａｄとを有する非矩形状となっている。したがって、傾斜部２８Ａｃと辺部２８Ａｅとの間において、Ｘ方向及びＹ方向と異なる第３の方向の横電界が生ずる。第３の方向の横電界によりリバースチルトしていた液晶分子ＲＬＣの緩和方向は、初期配向状態の液晶分子ＬＣのプレチルトの方向に対してエネルギー的に自然な一方向となるので、動画表示における尾引き現象が低減（抑制）された液晶装置２００を提供することができる。
（２）画素電極２８ＡのＸ方向の長さｄ１に対して、傾斜部２８Ａｃ及び張り出し部２８ＡｄのＸ方向の長さｄ２が長さｄ１の半分以上に設定されていることから、Ｘ方向やＹ方向に対して第３の方向の横電界が支配的になり、横電界によりリバースチルトしていた液晶分子ＲＬＣが円滑（スムーズ）に初期状態に戻る。
（３）画素電極２８Ａにおいて、傾斜部２８Ａｃ及び張り出し部２８Ａｄの辺部２８Ａｅの傾斜角度θｂは、初期配向状態の液晶分子ＬＣのプレチルトの方位角θａ（４５度）よりも小さい。したがって、画素Ｐに入射した光（偏光）が、画素電極２８Ａの傾斜部２８Ａｃあるいは辺部２８Ａｅで反射して、液晶層４０を透過する光（偏光）の偏光状態が部分的に乱れても、光漏れが生じ難い。
（４）信号線の一例であるＸ方向に延在する走査線２Ａは、傾斜部２８Ａｃ及び辺部２８Ａｅに沿ってＹ方向に屈曲した部分を有している。したがって、走査線２Ａを単にＸ方向に延在させる場合に比べて、傾斜部２８Ａｃと辺部２８Ａｅとの間の横電界により液晶分子がリバースチルトして配向が乱れた状態を走査線２Ａによって確実に遮光して視認し難くすることができる。つまり、尾引き現象を目立ち難くすることができる。
【００７９】
（第３実施形態）
＜電子機器＞
次に、第３実施形態である電子機器として投写型表示装置を例に挙げて、図１１を参照して説明する。図１１は電子機器としての投写型表示装置の構成を示す概略図である。
【００８０】
図１１に示すように、本実施形態の電子機器としての投写型表示装置１０００は、システム光軸Ｌ０に沿って配置された偏光照明装置１１００と、光分離素子としての２つのダイクロイックミラー１１０４，１１０５と、３つの反射ミラー１１０６，１１０７，１１０８と、５つのリレーレンズ１２０１，１２０２，１２０３，１２０４，１２０５と、３つの光変調手段としての透過型の液晶ライトバルブ１２１０，１２２０，１２３０と、光合成素子としてのクロスダイクロイックプリズム１２０６と、投写レンズ１２０７とを備えている。
【００８１】
偏光照明装置１１００は、超高圧水銀灯やハロゲンランプなどの白色光源からなる光源としてのランプユニット１１０１と、インテグレーターレンズ１１０２と、偏光変換素子１１０３とから概略構成されている。
【００８２】
ダイクロイックミラー１１０４は、偏光照明装置１１００から射出された偏光光束のうち、赤色光（Ｒ）を反射させ、緑色光（Ｇ）と青色光（Ｂ）とを透過させる。もう１つのダイクロイックミラー１１０５は、ダイクロイックミラー１１０４を透過した緑色光（Ｇ）を反射させ、青色光（Ｂ）を透過させる。
【００８３】
ダイクロイックミラー１１０４で反射した赤色光（Ｒ）は、反射ミラー１１０６で反射した後にリレーレンズ１２０５を経由して液晶ライトバルブ１２１０に入射する。
ダイクロイックミラー１１０５で反射した緑色光（Ｇ）は、リレーレンズ１２０４を経由して液晶ライトバルブ１２２０に入射する。
ダイクロイックミラー１１０５を透過した青色光（Ｂ）は、３つのリレーレンズ１２０１，１２０２，１２０３と２つの反射ミラー１１０７，１１０８とからなる導光系を経由して液晶ライトバルブ１２３０に入射する。
【００８４】
液晶ライトバルブ１２１０，１２２０，１２３０は、クロスダイクロイックプリズム１２０６の色光ごとの入射面に対してそれぞれ対向配置されている。液晶ライトバルブ１２１０，１２２０，１２３０に入射した色光は、映像情報（映像信号）に基づいて変調されクロスダイクロイックプリズム１２０６に向けて射出される。このプリズムは、４つの直角プリズムが貼り合わされ、その内面に赤色光を反射する誘電体多層膜と青色光を反射する誘電体多層膜とが十字状に形成されている。これらの誘電体多層膜によって３つの色光が合成されて、カラー画像を表す光が合成される。合成された光は、投写光学系である投写レンズ１２０７によってスクリーン１３００上に投写され、画像が拡大されて表示される。
【００８５】
液晶ライトバルブ１２１０は、上述した第１実施形態の液晶装置１００または上記第２実施形態の液晶装置２００が適用されたものである。液晶装置１００（液晶装置２００）の色光の入射側と射出側とにクロスニコルに配置された一対の偏光素子が隙間を置いて配置されている。他の液晶ライトバルブ１２２０，１２３０も同様である。
【００８６】
このような投写型表示装置１０００によれば、液晶ライトバルブ１２１０，１２２０，１２３０として、上記液晶装置１００または上記液晶装置２００が用いられているので、動画表示における尾引き現象が改善され、優れた表示品質を有する投写型表示装置１０００を提供することができる。
【００８７】
なお、上記第１実施形態の液晶装置１００や上記第２実施形態の液晶装置２００が適用可能な電子機器は、上記投写型表示装置１０００に限定されない。例えば、投写型のＨＵＤ（ヘッドアップディスプレイ）や直視型のＨＭＤ（ヘッドマウントディスプレイ）、または電子ブック、パーソナルコンピューター、デジタルスチルカメラ、液晶テレビ、ビューファインダー型あるいはモニター直視型のビデオレコーダー、カーナビゲーションシステム、電子手帳、ＰＯＳなどの情報端末機器の表示部として好適に用いることができる。
【００８８】
本発明は、上記した実施形態に限られるものではなく、請求の範囲及び明細書全体から読み取れる発明の要旨あるいは思想に反しない範囲で適宜変更可能であり、そのような変更を伴う液晶装置及び該液晶装置を適用する電子機器もまた本発明の技術的範囲に含まれるものである。上記実施形態以外にも様々な変形例が考えられる。以下、変形例を挙げて説明する。
【００８９】
（変形例１）非矩形状な画素電極２８（画素電極２８Ａ）の形状は、円形や傾斜部２８Ａｃ及び張り出し部２８Ａｄを有する形状に限定されない。図１２（ａ）及び（ｂ）は変形例の画素電極の形状を示す概略平面図である。例えば、図１２（ａ）に示すように、変形例の画素電極２８Ｂは、半径Ｒ１で規定される円弧と、半径Ｒ１よりも小さい半径Ｒ２で規定される円弧で構成される張り出し部２８Ｂｄとにより構成されている。張り出し部２８Ｂｄは画素Ｐの対角方向に張り出すように配置されている。これによれば、画素電極を半径Ｒ１で規定される円形とする場合よりも、画素Ｐにおいて液晶分子ＬＣが駆動される領域を増やすことができるので、光漏れを防ぎ、優れたコントラストを有する暗表示と明るい明表示とを実現できる。なお、円弧で構成される張り出し部２８Ｂｄは画素電極２８Ｂの中心に対して点対称な位置に設けることが、リバースチルトしていた液晶分子ＲＬＣを円滑（スムーズ）に初期配向状態に戻す点で好ましい。また、画素Ｐの角部に向かって張り出すように複数の張り出し部２８Ｂｄが配置されていてもよい。
また、例えば、図１２（ｂ）に示すように、変形例の画素電極２８Ｃは、平行四辺形であってもよい。具体的には、画素電極２８Ｃは、Ｘ方向において互いに対向しＹ方向に延びる辺部２８Ｃａと、Ｙ方向において互いに対向し傾斜角度θｂで傾斜した辺部２８Ｃｂとにより構成されている。つまり、画素電極２８Ｃは、正方形の部分と、正方形の部分からＹ方向に張り出し、方位角θａ（４５度）よりも小さい傾斜角度θｂで傾斜した辺部２８Ｃｂを含む張り出し部２８Ｃｄとを有しているとしてもよい。これによれば、第３の方向の横電界がより支配的になり、動画表示における尾引き現象を効果的に低減（抑制）できる。
【００９０】
（変形例２）上記第１実施形態の液晶装置１００及び上記第２実施形態の液晶装置２００において、画素Ｐに対して光の入射側に配置されるマイクロレンズＭＬ１は、底部（中央部）において平坦部１２ａを有する構成に限定されない。マイクロレンズＭＬ１は、半球面状のレンズ面を有するとしてもよい。また、上記液晶装置１００及び上記液晶装置２００においてマイクロレンズＭＬ１は必須な構成ではない。例えば、集光手段としてプリズムなどを備える構成としてもよい。
【００９１】
（変形例３）上記第２実施形態の液晶装置２００において、傾斜部２８Ａｃや張り出し部２８Ａｄが設けられる辺部は、Ｘ方向に延在する辺部でなくてもよい。例えば、Ｙ方向に延在する辺部でもよい。これに対応して信号線としてのデータ線３を屈曲させるとしてもよい。
【００９２】
（変形例４）上記実施形態の画素電極２８（あるいは画素電極２８Ａ）が適用される液晶装置１００（あるいは液晶装置２００）は、透過型であることに限定されず、反射型にも適用可能である。反射型の場合、光反射性を有する例えばアルミニウムやアルミニウムを含む合金などで画素電極２８（あるいは画素電極２８Ａ）を形成すればよい。
【００９３】
（変形例５）上記第１実施形態の液晶装置１００及び上記第２実施形態の液晶装置２００に対して、背景技術で取り上げた特許文献１〜特許文献３に開示されている駆動方法を適用してもよい。すなわち、画素電極を含む画素Ｐごとに液晶層４０の印加電圧を指定する映像信号が入力され、映像信号で指定される印加電圧が第１電圧を下回る第１画素と、印加電圧が第１電圧よりも大きい第２電圧以上である第２画素との境界を検出し、第１画素の第１画素電極と、第２画素の第２画素電極との間に生ずる横電界が小さくなるように、第１画素および／または第２画素の印加電圧が補正されて駆動されるとしてもよい。
本発明によれば、画素電極の平面形状が非矩形状であることから、画素電極の平面形状が矩形状である場合に比べて、横電界によってリバースチルトしていた液晶分子ＲＬＣが初期配向状態に戻り易くなるので、第１画素および／または第２画素の印加電圧の補正量を小さくすることができる。すなわち、動画表示における尾引き現象をより低減することができる。
【符号の説明】
【００９４】
２Ａ…信号線としての走査線、２８，２８Ａ，２８Ｂ，２８Ｃ…画素電極、２８Ａｃ…傾斜部、２８Ａｄ…張り出し部、２８Ａｅ…張り出し部の傾斜した辺部、２９，３５…配向膜、４０…液晶層、１００…液晶装置、２００…液晶装置、１０００…電子機器としての投写型表示装置、ＬＣ…液晶分子、ＭＬ１…マイクロレンズ、ＲＬＣ…リバースチルトしている液晶分子。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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