(57)【要約】【課題】  本発明の目的は、基材にプラズマダメージを与えずに、効果的な表面改質および薄膜形成をするためのプラズマ処理装置を提供する。【解決手段】  本発明は、真空容器と、前記真空容器内に設けられた基材保持機構と、前記真空容器内に、前記基材保持機構に対向して設けられ、基材保持機構とは反対方向の側にマグネトロン生成部を有するマグネトロンプラズマ電極と、前記真空容器内に、前記マグネトロンプラズマ電極と間隔を開けて設けられ、前記プラズマ生成面を覆うようにマグネトロンプラズマ電極を囲み、ガス供給口が設けられた金属板と、を有するプラズマ処理装置を提供する。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
真空容器と、
前記真空容器内に設けられた基材保持機構と、
前記真空容器内に前記基材保持機構に対向して設けられ、マグネトロン生成面を基材保持機構とは反対方向の側に向けたマグネトロンプラズマ電極と、
前記真空容器内に前記マグネトロンプラズマ電極と間隔を開けて設けられ、前記マグネトロン生成面を覆うようにマグネトロンプラズマ電極を囲み、ガス供給口が設けられた金属板と、を有するプラズマ処理装置。
【請求項２】
前記マグネトロンプラズマ電極側面と前記金属板との間隔が１０ｍｍ以上１００ｍｍ以下である、請求項１のプラズマ処理装置。
【請求項３】
複数の前記マグネトロンプラズマ電極が、隣り合って前記金属板に囲まれて設けられた、請求項１または２のプラズマ処理装置。
【請求項４】
隣り合う前記マグネトロンプラズマ電極間の距離が１０ｍｍ以上１００ｍｍ以下である、請求項３のプラズマ処理装置。
【請求項５】
前記真空容器内の前記マグネトロンプラズマ電極と前記基材保持機構との間にガス供給ノズルが設けられた、請求項１〜４のいずれかのプラズマ処理装置。
【請求項６】
請求項５のプラズマ処理装置を用い、前記金属板に囲まれた前記マグネトロン生成面に向けて、前記ガス供給口から供給される成膜種を含まない原料ガスをプラズマで分解してラジカルを生成し、このラジカルを用いて前記マグネトロン電極と前記基材保持機構との間に備えた前記ガス供給ノズルから供給される成膜種を含む原料ガスをラジカル分解し、その分解により生成された成膜種を基材上に堆積させる薄膜付基材の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、基材にダメージを与えずに、表面処理および薄膜形成するためのプラズマ処理装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
各種基材の表面改質や機能性薄膜形成、微細加工のためにプラズマ処理が幅広く利用されている。プラズマ処理は、減圧下又は大気圧下において、目的に応じた原料ガスをプラズマ分解し、生成したプラズマ中の荷電粒子（イオンや電子）やラジカル、成膜種などの活性種を基材表面に暴露させ、その物理的化学的な作用により処理を進行させる。このプラズマ中の荷電粒子は、基材が低融点材料である高分子の場合やアモルファスシリコンなどの薄膜を形成する場合に、その基材や薄膜にダメージを与えることが報告されており、目的とする機能を著しく低下させる問題がある。そのため、基材と荷電粒子を分離し、ラジカルや成膜種からの化学反応で基材表面を処理する方法が検討されている。
【０００３】
例えば特許文献１には、プラズマ生成部と基材の間に複数の貫通孔が形成されたシールド板を備えたプラズマ処理装置の例が示されており、このシールド板に荷電粒子が捕獲させることでプラズマダメージが抑制され、良好な品質が得られることを開示している。
【０００４】
また、特許文献２には、多孔高周波電極が多孔接地電極に挟まれたマルチホロー型のプラズマ処理装置の例が示されており、荷電粒子をホロー内に局在化し、成膜に必要な成膜種を輸送して薄膜を形成することを開示している。ここではさらに、導入するガス流れについて、基材側を上流、プラズマ生成部を下流とすることで、膜中に取り込まれる膜欠陥因子のクラスタが減少し、高品質なアモルファスシリコンが形成できるとしている。
【０００５】
いずれの方法も基材と荷電粒子を分離し、ラジカルや成膜種からの化学反応のみで基材表面を改質および成膜するプラズマ処理装置として効果が得られる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開２００６−１２０９７４号公報
【特許文献２】特願２００６−５３１８２５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
しかしながら、特許文献１の方法は、基材と荷電粒子を分離することで基材に対する荷電粒子の衝突や電荷蓄積によるダメージを抑制する方法としては効果が得られるが、高いエネルギーを持った中性子やプラズマから生じる電磁波によるダメージについては十分な効果が得られない。また、生成したラジカルがシールド板通過時に損失してしまい、処理速度が得られない問題がある。
【０００８】
特許文献２の方法は、プラズマをホロー内に局在化することで、基材への荷電粒子の衝突や電荷蓄積を抑制し、基材にダメージを与えずに高品質な薄膜を形成するための方法としては効果が得られるが、これも高いエネルギーを持った中性子やプラズマから生じる電磁波によるダメージについては十分な効果が得られない。また、ガス流れについて、基材側を上流としているため、成膜に必要な成膜種が基材に少量しか供給されず、処理速度が遅い問題がある。さらに、孔内のプラズマは、孔形状とガス条件に大きく左右されるため、すべての孔内に均一にプラズマを生成することが難しく、処理効果にバラツキが出る。
【０００９】
本発明の目的は、上述した問題点を鑑みてなされたものであり、基材にプラズマダメージを与えずに、効果的な表面改質および薄膜形成をするためのプラズマ処理装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
上記目的を達成する本発明のプラズマ処理装置は、
真空容器と、
真空容器内に設けられた基材保持機構と、
真空容器内に基材保持機構に対向して設けられ、マグネトロン生成面を基材保持機構とは反対方向の側に向けたマグネトロンプラズマ電極と、
真空容器内にマグネトロンプラズマ電極と間隔を開けて設けられ、マグネトロン生成面を覆うようにマグネトロンプラズマ電極を囲み、ガス供給口が設けられた金属板と、を有する。
【００１１】
また、本発明のプラズマ処理装置は、マグネトロンプラズマ電極側面と金属板との間隔が１０ｍｍ以上１００ｍｍ以下であることが好ましく、
複数のマグネトロンプラズマ電極が、隣り合って前記金属板に囲まれていることが好ましく、さらに隣り合うマグネトロンプラズマ電極間の距離が１０ｍｍ以上１００ｍｍ以下であることがより好ましく、
真空容器内のマグネトロンプラズマ電極と基材保持機構との間にガス供給ノズルが設けられていることが好ましい。
【００１２】
また本発明の薄膜付基板の製造方法は、プラズマ処理装置として本発明のプラズマ処理装置を用い、金属板に囲まれたマグネトロン生成部に向けて、ガス供給口から供給される成膜種を含まない原料ガスをプラズマで分解してラジカルを生成し、このラジカルを用いてマグネトロン電極と基材保持機構との間に備えたガス供給ノズルから供給される成膜種を含む原料ガスをラジカル分解し、その分解により生成された成膜種を基材上に堆積させる薄膜付基材の製造方法である。
【発明の効果】
【００１３】
本発明によれば、以下に説明するとおり、基材にダメージを与えずに、効果的な表面改質および薄膜形成をするためのプラズマ処理装置を得ることができる。
【図面の簡単な説明】
【００１４】
【図１】図１は、本発明のプラズマ処理装置の一例の概略断面図である。
【図２】図２は、本発明のプラズマ処理装置の一部を拡大した概略断面図である。
【図３】図３は、マグネトロンプラズマ電極を金属板内に隣り合って複数備えた本発明のプラズマ処理装置の一例の概略断面図である。
【図４】図４は、基材とマグネトロンプラズマ電極の間にガス供給ノズルを備えた本発明のプラズマ処理装置の一例の概略断面図である。
【図５】図５は、基材保持機構が回転ドラムである本発明のプラズマ処理装置の一例の概略断面図である。
【図６】図６は、基材保持機構が回転ドラムである本発明のプラズマ処理装置の別の一例の概略図である。
【図７】図７は、プラズマ生成部と基材の間に複数の貫通孔が形成されたシールド板を備えた従来のマグネトロン型のプラズマ処理装置の一例の概略断面図である。
【図８】図８は、基材とマグネトロンプラズマ電極の間に第２の金属板を設けた従来のプラズマ処理装置の一例の概略断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１５】
以下、本発明の最良の実施形態の例を、本発明のプラズマ処理装置を例にとって、図面を参照しながら説明する。
【００１６】
図１は、本発明のプラズマ処理装置の一例の概略断面図である。本発明のプラズマ処理装置は、真空容器１、ガス排気機構１４および真空計１５を有する。真空容器１の内部には、マグネトロンプラズマ電極４と、マグネトロンプラズマ電極４を囲む金属板５と、基材２を保持するための基材保持機構３が設けられている。マグネトロンプラズマ電極４は基材保持機構３（基材２が設置されている場合は基材２）に対向するように設けられている。また、マグネトロンプラズマ電極４はマグネトロン生成面１３が基材保持機構３とは反対側の方に向くようにして設けられている。金属板５はマグネトロンプラズマ電極４と間隔を空けて、マグネトロン生成面１３を覆うようにしてマグネトロンプラズマ電極４を囲んでいる。このようにマグネトロン電極４および金属板５を配置することで、マグネトロン生成面１３と金属板５とで囲まれた領域が、プラズマ７が発生するマグネトロン生成部１２となる。
【００１７】
基材保持機構３に設置する基材２の幅ｓは、処理を均一に施すために、金属板５の幅ｘよりも小さくすることが好ましい。
【００１８】
金属板５と基材保持機構３の最短距離ｄ１は、基材２に向かって高濃度のラジカルが輸送されるように、基材保持機構３に極力近づけることが好ましい。これは、基材２とマグネトロン電極４の間ｄ２での、ラジカルの拡散損失を防止するためであり、基板２近傍に高濃度のラジカルを輸送することで処理効果の向上が可能となる。また、排気機構１４の位置によらず、ガス流れを一定方向に規定できるため好ましい。
【００１９】
基材２とマグネトロン電極４との距離ｄ２は、処理ムラを抑制できる距離に設定するのが好ましい。この距離ｄ２は、電極幅ｅ［ｍｍ］とラジカルの拡散角θ［ｄｅｇ］に応じて決定することができる。この拡散角θは、本発明者の知見によると、真空度によって変化するため、使用する真空度に応じて実験的に導出することが好ましい。例えば、図１に示す装置において、真空度を０．１Ｐａにして放電させた場合、この真空度において処理ムラが５％以下となる距離ｄ２を導出した結果、５０ｍｍ以上の距離が必要であった。なお、基材に対する処理ムラは、成膜種を含む原料ガスであれば膜厚から判断することができる。一方、成膜種を含まない原料ガスの場合は、基材の接触角や表面粗さ等の表面状態から判断することができる。そして、導出した距離ｄ２を基に、図２のように、電極端部から基材中心を線で結び、その角度を拡散角θとして定義して求めた結果、４５°となった。その関係式（１）を以下に示す。
・距離ｄ２［ｍｍ］≧ （ｔａｎ（９０°−θ）×ｅ）／２  ・・・（１）
拡散角θ＝４５°の場合、距離ｄ２［ｍｍ］≧ ０．５×ｅ。
【００２０】
金属板５には原料ガスを供給するためのガス供給口８が設けられており、マグネトロン生成面１３やマグネトロン生成部１２に向けてこのガス供給口８から原料ガスが噴出される。
【００２１】
マグネトロンプラズマ電極４には、電圧を印加するための電源６として、直流電源や直流パルス電源、高周波電源などが接続されている。金属板５は、電源６に接続されたマグネトロンプラズマ電極４と電気的に絶縁されており、接地電位となっている。
【００２２】
プラズマ処理は、真空下において、成膜種を含む原料ガス又は成膜種を含まない原料ガスを目的に応じてガス供給口８から導入した後、マグネトロンプラズマ電極４と金属板５の間に電圧を印加してプラズマ７を生成し、プラズマ７中のラジカルや成膜種をガス流れで基材２表面まで輸送させることにより、基材２の表面を処理する。この際、ガス供給口８から導入するガスは単一でも複数の原料ガスを混合しても構わない。また、ガス量を制御するためにマスフローコントローラー１６を通してガスを導入することが好ましい。
【００２３】
ここで成膜種を含む原料ガスとは、そのガス単独でもプラズマ７により分解して生成した活性種同士の結合により薄膜や微粒子などの重合物を形成しうるガスのことである。このような反応性ガスとして具体的には、シラン、ジシラン、ＴＥＯＳ（テトラエトキシシラン）、ＴＭＳ（テトラメトキシシラン）、ＨＭＤＳ（ヘキサメチルジシラザン）、ＨＭＤＳＯ（ヘキサメチルジシロキサン）、メタン、エタン、エチレン、アセチレン、などをあげることができるが、これらに限定されるものではない。また、成膜種を含まないガスとは、そのガス単独ではプラズマ７により分解して生成した活性種同士が結合して重合物を形成することのないようなガスのことである。このような成膜種を含まないガスとして具体的には、ヘリウムやアルゴン等の希ガス、窒素、酸素、水素、などのガスをあげることができるが、これらに限定されるものではない。
【００２４】
マグネトロンプラズマ電極４は、マグネトロン（Ｅ×Ｂドリフト）を形成するための内部磁石が備えられている。その磁石は、プラズマ７の生成時の熱で減磁する場合があるため、マグネトロンプラズマ電極４の内部に冷却水路１８を設けることが好ましい。また、マグネトロン生成面１３以外のマグネトロンプラズマ電極４の周辺部は、異常放電抑制のために誘電体部材で覆うことが好ましい。なお、マグネトロンプラズマ電極４の形状は、円形状でも矩形形状でも構わない。
【００２５】
マグネトロンプラズマ電極４と電源６の接続は、マグネトロンプラズマ電極４のいずれかに固定していれば良いが、ラジカルがマグネトロン電極４と金属板５の隙間から均一に流れ出るように、マグネトロン生成面１３に固定することが好ましい。その際、プラズマ７による電源６ケーブルの損傷を抑制するために、セラミックスなどでカバーすることが好ましい。また、同様に、マグネトロンプラズマ電極４に流す冷却水の流路１８も、マグネトロン生成面１３のいずれかに設けることが好ましい。
【００２６】
マグネトロンプラズマは、マグネトロン生成面１３に形成したマグネトロン磁場により荷電粒子が捕獲されるため、そのマグネトロン部に高密度なプラズマ７が局在的に得られる。そのため、処理に必要なラジカルも多量に生成でき、効果的な処理も可能となる。また、基材２とマグネトロン生成部１２に挟まれてマグネトロンプラズマ電極４を設けているため、基材２とプラズマ７が分離され、荷電粒子によるダメージが抑制される。さらに、本発明の構成では、プラズマ７が基材４から見えないため、プラズマ７から生じる電磁波の影響も受けない。なお、高密度プラズマ７によるスパッタリングにより、マグネトロン生成面１３が損傷し、プラズマ７が不安定になる場合があるため、マグネトロン生成面１３はＴｉのようなスパッタリング率の小さい材料で構成することが好ましい。このスパッタリングにより飛び出したスパッタ原子やマグネトロンプラズマ電極４衝突時に中和して跳ね返る中性粒子などの高エネルギー中性子は、マグネトロン生成面１３と対向する金属板５に向かって進むため、基材２に対してダメージを与えない。
【００２７】
ガス供給口８の形状は、成膜種を含む原料ガスを用いた場合の穴詰まり防止のため、スリット形状にすることが好ましい。また、ガス供給口８の材質は、詰まり防止のため、プラズマ７がガス供給口８に入り込まない様、ポリテトラフルオロチレン（ＰＴＦＥ）やナイロンなどの誘電体で構成することが好ましい。
【００２８】
マグネトロンプラズマ電極４側面と金属板５の間隔ｗ１、ｗ２は、１０ｍｍ以上１００ｍｍ以下にすることが好ましい。これは、１０ｍｍ未満になると、間隔ｗ１、ｗ２通過時に、マグネトロン電極４側面と金属板５の表面において付着損失するラジカルが多くなり、処理効果が落ちるためである。一方、１００ｍｍを超えると、プラズマ７拡散による荷電粒子の漏れが基材２にダメージを与えるためである。その荷電粒子の漏れは、マグネトロンプラズマ電極４開口部ｗ１、ｗ２直上のプラズマ７発光分光を測定することで確認することができる。なお、発明者の知見によると、図１の装置において、ガス供給口８からＨＭＤＳＯとＯ２の混合ガスを導入して、基材２にＳｉＯ２膜を成膜したところ、開口部ｗ１とｗ２が１００ｍｍを超えた時に、それらのプラズマ７発光スペクトルが顕著に出現し、膜質が低下した。
【００２９】
図３は、マグネトロンプラズマ電極４を金属板内に隣り合って複数設けたプラズマ処理装置の一例の概略断面図である。基材２に対する処理面積を拡大する場合、金属板５に囲まれたマグネトロン電極４を隣り合って複数備えると、基材２と金属板５の間にスジが発生するため、複数のマグネトロンプラズマ電極４を金属板５の内部に設けることがより好ましい。
【００３０】
また、金属板５の幅ｘを固定した場合、式（１）より、距離ｄ２は、電極台数を増やして電極幅ｅを小さくすることで、短くすることができる。これにより、金属板５でのラジカルの付着損失や再結合による損失が抑制でき、基材２に対する処理効果を高めることができる。更に、複数のマグネトロンプラズマ電極４の処理条件をそれぞれ個別制御することにより、基材２に対する面内の処理効果の均一化をより向上できる。また、基材保持機構３が可動し、基材２が搬送する場合には、基材２への傾斜処理も可能となる。
【００３１】
また、隣り合うマグネトロンプラズマ電極４は、マグネトロン生成部１２の磁場が干渉しないように間隔ｗ３を設けることが好ましく、その間隔ｗ３は１０ｍｍ以上１００ｍｍ以下にすることが好ましい。これは、マグネトロンプラズマ電極４と金属板５の間隔ｗ１、ｗ２と同様に、１０ｍｍ以上１００ｍｍ以下にすることで処理効果が高くなるためである。
【００３２】
図４は、基材保持機構３とマグネトロンプラズマ電極５との間にガス供給ノズル９を備えたプラズマ処理装置の一例の概略断面図である。成膜種を含む原料ガスを用いて薄膜形成する場合において、マグネトロンプラズマ電極４と金属板５の汚染防止のため、ガス供給ノズル９をマグネトロンプラズマ電極４と基材保持機構３との間に備えることがより好ましい。これは、ガス供給ノズル９から成膜種を含む原料ガス、ガス供給口８から成膜種を含まない原料ガスを分離して導入することで、成膜種を含む原料ガスからの電極汚染を防止し、より安定してプラズマ７を維持するためである。  基材保持機構３は図１〜図４に図示するような平板ではなく、図５に示すドラムであってもよい。長尺の基材２の表面にプラズマ処理したい場合、回転するドラムで基材２を搬送すれば、連続してプラズマ処理を行うことができる。
【００３３】
図５は、基材保持機構３が回転ドラムである本発明のプラズマ処理装置の別の一例の概略図である。マグネトロンプラズマ電極４側面と金属板５の隙間ｗ１、ｗ２は、片側をカバー板１７で塞いでも構わない。この場合、カバー板１７が設けてある金属板５側にガス供給口８を備えることが好ましい。これは、原料ガスのプラズマ７滞在時間を長くすることで、原料ガスの分解が促進されるためである。また、基材２の搬送方向に向かってガス流れができるようにカバー板１７およびガス排気機構１４を設けることが好ましい。これは、基材２に対するラジカルの滞在時間を長くすることで、処理効果の向上が期待できる。
【実施例】
【００３４】
以上説明したプラズマ処理装置を用いて成膜実験を行った結果を説明する。
【００３５】
（実施例１）
プラズマ処理装置自体は図１に示す構造であり、原料ガスに成膜種を含むＨＭＤＳＯガスと成膜種を含まないＯ２ガスの混合ガスを用い、基材２は高分子材料である幅１００ｍｍのＰＥＴ基材２とした。このＰＥＴ基材２に対してプラズマＣＶＤ法によるＳｉＯ２薄膜の成膜を行った。
【００３６】
マグネトロンプラズマ電極４は、電極幅１００ｍｍの矩形形状とした。マグネトロン生成面１３の材質はスパッタリング防止のために、スパッタリング率の小さいＴｉとし、マグネトロン生成面１３以外のマグネトロンプラズマ電極４の側面と裏面は板厚１０ｍｍのＰＴＦＥ板によりカバーした。そのＰＴＦＥ板とマグネトロンプラズマ電極４の接続は樹脂ネジで固定した。また、冷却水を循環させるための水路はマグネトロンプラズマ電極４側面に設けた。
【００３７】
電源６には、１００ＫＨｚの交流電源を用い、マッチングボックスを介してマグネトロン生成面１３に固定した。
金属板５とマグネトロンプラズマ電極４側面の間隔ｗ１、ｗ２は１５０ｍｍに設計し、その金属板５の板厚を５ｍｍ、材質をＳＵＳ４３０にした。
金属板５と基材保持機構３の最短距離ｄ１は１０ｍｍとし、上記式（１）を基に基材２とマグネトロン電極４の距離ｄ２は１２０ｍｍ、マグネトロン生成面１３とそれに対向した金属板５の距離ｄ３は５０ｍｍとした。
【００３８】
金属板５に取り付けるガス供給口８はＰＴＦＥ材質のスリット構造にし、スリット間距離を１ｍｍにした。ガス供給口８の取り付け位置は、マグネトロンプラズマ電極４中心の長手方向に設けた。金属板５へのガス供給口８の取り付けは、金属板５にガス供給口８用の穴を設け、その穴にはめ込んだ。
【００３９】
プラズマダメージによる影響は、Ｘ線反射率測定法（ＸＲＲ）により得られたＳｉＯ２膜の膜密度から判断した。この膜密度は、プラズマダメージが大きいほど、膜中欠陥（ダングリングボンド）が多くなり、密度が低下するものと考えられる。
【００４０】
以上に説明したプラズマ処理装置を用いて、ＨＭＤＳＯガス０．１ｇ／ｍｉｎ、Ｏ２ガス２００ｓｃｃｍ導入し、真空容器内圧力を０．５Ｐａ、電力密度１５０ＫＷ／ｍ２に調整し、１ｍｉｎの成膜を実施した。
その結果、成膜レート２５０ｎｍ／ｍｉｎ、膜密度１．９８ｇ/ｃｍ３が得られた。また基材の膜厚分布は±１０％であった。
【００４１】
（実施例２）
実施例１と同様の構造において、マグネトロンプラズマ電極４と金属板５の間隔ｗ１、ｗ２を５０ｍｍにし、実施例１と同様のテストを実施した。
その結果、成膜レート２５０ｎｍ／ｍｉｎ、膜密度２．１ｇ/ｃｍ３が得られた。また基材の膜厚分布は±１０％であった。
【００４２】
（実施例３）
実施例２と同様の構造において、マグネトロンプラズマ電極４を金属板５内に隣り合って２台備え、２つのマグネトロンプラズマ電極４の間隔を５ｍｍとし、実施例１と同様のテストを実施した。
その結果、成膜レート２９０ｎｍ／ｍｉｎ、膜密度２．１ｇ/ｃｍ３が得られた。また基材の膜厚分布は±８％であった。
【００４３】
（実施例４）
実施例３と同様の構造において、隣り合った２台のマグネトロンプラズマ電極４の間隔を５０ｍｍとし、実施例１と同様のテストを実施した。
その結果、成膜レート３１０ｎｍ／ｍｉｎ、膜密度２．１ｇ/ｃｍ３が得られた。また基材の膜厚分布は±８％であった。
【００４４】
（実施例５）
実施例４と同様の構造において、基材２とマグネトロンプラズマ電極４の間にガス供給ノズル９を設け、ガス供給口８からＯ２ガス、ガス供給ノズル９からＨＭＤＳＯを導入することにし、実施例１と同様のテストを実施した。
その結果、ガス供給口８に対する成膜種による固形物の形成が無く、実施例１〜４に比べてプラズマ７が安定した。また、プラズマ７生成部でＨＭＤＳＯ原料を分解しないため、金属板５やプラズマ生成面１３での成膜種の付着損失を抑制でき、成膜レート３５０ｎｍ／ｍｉｎ、膜密度２．１ｇ/ｃｍ３が得られた。また基材の膜厚分布は±８％であった。
【００４５】
（比較例１）
実施例１とほぼ同様の構造であるが、図７のように、マグネトロンプラズマ電極４と基材２を挟んでマグネトロンプラズマ７を設け、そのプラズマ７と基材２の間に複数の貫通孔が形成されたシールド板１０を備えたプラズマ処理装置を用いて、実施例１と同様のテストを実施した。
その結果、成膜レート１８０ｎｍ／ｍｉｎ、膜密度１．８ｇ/ｃｍ３が得られた。また基材の膜厚分布は±１０％であった。
【００４６】
（比較例２）
比較例１とほぼ同様の構造であるが、図８のように、プラズマ７と基材２の間に第２の金属板１１を金属板５と間隔を開けて設けたプラズマ処理装置を用いて、実施例１と同様のテストを実施した。
その結果、成膜レート２５０ｎｍ／ｍｉｎ、膜密度１．９ｇ/ｃｍ３が得られた。また基材の膜厚分布は±１０％であった。
【産業上の利用可能性】
【００４７】
本発明は、プラズマ表面改質やプラズマＣＶＤ、プラズマエッチングなどに応用することができるが、その応用範囲が、これらに限られるものではない。
【符号の説明】
【００４８】
１  真空容器
２  基材
３  基材保持機構
４  マグネトロンプラズマ電極
５  金属板
６  電源
７  プラズマ
８  ガス供給口
９  ガス供給ノズル
１０  シールド板
１１  第２の金属板
１２  マグネトロン生成部
１３  マグネトロン生成面
１４  ガス排気機構
１５  真空計
１６  マスフローコントローラー
１７  カバー板
１８  冷却水路
【図１】
2015141815.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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