(57)【要約】【課題】製造時間及び製造コストを抑制することができるプラズマエッチング装置を提供すること。【解決手段】プラズマエッチング装置はプラズマ処理室内に配設された静電チャックテーブル機構２０を備える。静電チャックテーブル機構２０は被加工物を静電吸着により保持するチャックテーブル２２とチャックテーブル２２を表面２５ａに配設した金属基台２５とを備える。金属基台２５は表面２５ａにチャックテーブル２２が配設される金属プレート３５と内部に冷却媒体を収容する冷却室２８が形成された金属製サセプタ３６とを備える。金属プレート３５は金属製サセプタ３６に高熱伝導率接着剤で接着されて固定される。チャックテーブル２２は金属プレート３５の表面に溶射で形成されている。【選択図】図５
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
プラズマ処理室を備えたハウジングと、該ハウジングの該プラズマ処理室内に配設された保持面に被加工物を静電吸着により保持するチャックテーブルを備える静電チャックテーブル機構と、該チャックテーブルに保持された被加工物にプラズマ発生用の処理ガスを噴射する処理ガス噴射手段と、該プラズマ処理室内を減圧する減圧手段と、を備えるプラズマエッチング装置であって、
該静電チャックテーブル機構は、被加工物を保持する保持面を備えた誘電体セラミックスで形成されたチャックテーブルと、該チャックテーブルの内部に配設され電圧が印加されることにより電荷が発生する電極と、該電極に電圧を印加する電圧印加手段と、該チャックテーブルを表面に配設した金属基台と、を備え、
該チャックテーブルの該保持面には該保持面に保持された被加工物を冷却する冷却伝導ガスを噴射するための噴射溝が形成されており、
該金属基台は、該噴射溝に連通した供給配管が内部に形成され且つ表面に該チャックテーブルが配設される金属プレートと、該金属プレートの該供給配管に連通する連通経路が形成され且つ内部に冷却媒体を収容する冷却室が形成された金属製サセプタと、を備え、
該金属プレートは該金属製サセプタに高熱伝導率接着剤で接着されて固定され、該チャックテーブルは該金属プレートの表面に溶射で形成又は接着で固定されていること、を特徴とするプラズマエッチング装置。
【請求項２】
前記冷却室は液体供給部を介して液体供給部に連結されるとともに、気体排出部を介して第２減圧手段に連結されており、該冷却室内を該第２減圧手段により減圧して前記冷却媒体である液体の核沸騰により該金属基台、該金属プレート及び該チャックテーブルを冷却する、請求項１記載のプラズマエッチング装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、プラズマエッチング装置等の加工装置に装備され半導体ウエーハ等の被加工物を保持するチャックテーブル機構、更に詳しくは静電気による吸着力を利用して被加工物を吸着保持する静電チャックテーブル機構に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体デバイス製造工程においては、半導体ウエーハは個々のデバイスに分割される前にその裏面を研削装置によって研削して所定の厚さに形成されている。ウエーハの裏面を研削すると、ウエーハの裏面に研削歪が残存し、分割されたデバイスの抗折強度が低下するという問題がある。このような問題を解消するために、ウエーハの裏面にプラズマエッチング処理を施すことによって、ウエーハの裏面に生成された研削歪を除去し、デバイスの抗折強度を向上させるプラズマエッチング装置が提案されている（例えば、特許文献１参照）。
【０００３】
上述したプラズマエッチング装置は、プラズマ処理室を真空状態にしてプラズマエッチング処理を実施することから、被加工物を保持するチャックテーブルが被加工物を真空吸引保持する方式であると、被加工物をチャックテーブル上に確実に吸引保持することが困難である。従って、プラズマエッチング装置のチャックテーブルは、一般に静電気による吸着力を利用して被加工物を吸着保持する静電チャックテーブルが用いられている（特許文献２参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００６−７３５９２号公報
【特許文献２】特開２００７−３１１４６２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
静電チャックテーブルは、金属基台（サセプタ）の表面に配管用の溝を形成し金属プレートを蝋付けで金属基台に接着して冷却伝導ガスを上面に噴射する噴射溝用の供給経路を形成している。そのため、製造時間及び製造コストが増大している。
【０００６】
本発明の目的は、製造時間及び製造コストを抑制することができるプラズマエッチング装置を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上述した課題を解決し、目的を達成するために、本発明のプラズマエッチング装置は、プラズマ処理室を備えたハウジングと、該ハウジングの該プラズマ処理室内に配設された保持面に被加工物を静電吸着により保持するチャックテーブルを備える静電チャックテーブル機構と、該チャックテーブルに保持された被加工物にプラズマ発生用の処理ガスを噴射する処理ガス噴射手段と、該プラズマ処理室内を減圧する減圧手段と、を備えるプラズマエッチング装置であって、該静電チャックテーブル機構は、被加工物を保持する保持面を備えた誘電体セラミックスで形成されたチャックテーブルと、該チャックテーブルの内部に配設され電圧が印加されることにより電荷が発生する電極と、該電極に電圧を印加する電圧印加手段と、該チャックテーブルを表面に配設した金属基台と、を備え、該チャックテーブルの該保持面には該保持面に保持された被加工物を冷却する冷却伝導ガスを噴射するための噴射溝が形成されており、該金属基台は、該噴射溝に連通した供給配管が内部に形成され且つ表面に該チャックテーブルが配設される金属プレートと、該金属プレートの該供給配管に連通する連通経路が形成され且つ内部に冷却媒体を収容する冷却室が形成された金属製サセプタと、を備え、該金属プレートは該金属製サセプタに高熱伝導率接着剤で接着されて固定され、該チャックテーブルは該金属プレートの表面に溶射で形成又は接着で固定されていることを特徴とする。
【０００８】
また、上記プラズマエッチング装置は、前記冷却室は液体供給部を介して液体供給部に連結されるとともに、気体排出部を介して第２減圧手段に連結されており、該冷却室内を該第２減圧手段により減圧して前記冷却媒体である液体の核沸騰により該金属基台、該金属プレート及び該チャックテーブルを冷却することが好ましい。
【発明の効果】
【０００９】
本発明は、金属製サセプタと金属プレートを高熱伝導率接着剤で接着したので、従来の蝋付けでの製造と比較して製造時間及び製造コストを大幅に短縮することができる。
【００１０】
また、金属基台内の冷却室を核沸騰で冷却することでチャックテーブルを常時均一に冷却可能であり、そのため金属基台と金属プレート間の熱による剥離等を懸念して従来のように蝋付けで接着を行う必要がなく、高熱伝導率接着剤で接着することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１１】
【図１】図１は、実施形態に係るプラズマエッチング装置の構成例を示す図である。
【図２】図２は、実施形態に係るプラズマエッチング装置の静電チャックテーブル機構を一部断面で示す斜視図である。
【図３】図３は、図２に示す静電チャックテーブル機構の断面を拡大して示す斜視図である。
【図４】図４は、実施形態に係るプラズマエッチング装置の静電チャックテーブル機構のチャックテーブルの平面を拡大して示す図である。
【図５】図５は、実施形態に係るプラズマエッチング装置の静電チャックテーブル機構の断面図である。
【図６】図６は、実施形態に係るプラズマエッチング装置によりプラズマエッチング処理が施される被加工物の一例の斜視図である。
【発明を実施するための形態】
【００１２】
本発明を実施するための形態（実施形態）につき、図面を参照しつつ詳細に説明する。以下の実施形態に記載した内容により本発明が限定されるものではない。また、以下に記載した構成要素には、当業者が容易に想定できるもの、実質的に同一のものが含まれる。さらに、以下に記載した構成は適宜組み合わせることが可能である。また、本発明の要旨を逸脱しない範囲で構成の種々の省略、置換又は変更を行うことができる。
【００１３】
〔実施形態〕
実施形態に係るプラズマエッチング装置を、図１から図６に基づいて説明する。図１は、実施形態に係るプラズマエッチング装置の構成例を示す図である。図２は、実施形態に係るプラズマエッチング装置の静電チャックテーブル機構を一部断面で示す斜視図である。図３は、図２に示す静電チャックテーブル機構の断面を拡大して示す斜視図である。図４は、実施形態に係るプラズマエッチング装置の静電チャックテーブル機構のチャックテーブルの平面を拡大して示す図である。図５は、実施形態に係るプラズマエッチング装置の静電チャックテーブル機構の断面図である。図６は、実施形態に係るプラズマエッチング装置によりプラズマエッチング処理が施される被加工物の一例の斜視図である。
【００１４】
実施形態に係るプラズマエッチング装置１は、被加工物Ｗの処理面にプラズマエッチング処理を施すものである。なお、本実施形態に係るプラズマエッチング装置１によりプラズマエッチング処理が施される被加工物Ｗは、例えば、シリコン、サファイア、ガリウムなどを母材とする円板状の半導体ウエーハや光デバイスウエーハを用いることができる。被加工物Ｗは、図６に示すように、表面Ｗａに格子状に形成された分割予定ラインＳで区画された各領域にデバイスＤが形成され、デバイスＤに分割される前に処理面としての裏面Ｗｂが研削装置によって研削されて、裏面Ｗｂに研削歪が残存していることがある。被加工物Ｗは、プラズマエッチング装置１により裏面Ｗｂにプラズマエッチング処理が施されて、裏面Ｗｂに残存した研削歪が除去される。被加工物Ｗは、プラズマエッチング装置１に搬送される際に、表面Ｗａにガラス板などで構成された剛性基板（図示せず）や合成樹脂などで構成された保護テープ（図示せず）が貼着される。
【００１５】
プラズマエッチング装置１は、図１に示すように、プラズマ処理室１１を備えたハウジング１０と、プラズマ処理室１１内に配設されかつ被加工物Ｗを静電吸着により保持するチャックテーブル２２を備える静電チャックテーブル機構２０と、被加工物Ｗにプラズマ発生用の処理ガスを噴射する処理ガス噴射手段５０と、プラズマ処理室１１内を減圧する減圧手段６０と、制御手段１００を備える。
【００１６】
ハウジング１０は、上側の開口が閉塞された円筒形状をなしており、内側にプラズマ処理室１１を形成する。ハウジング１０は、その側面に被加工物Ｗ搬出入用の開口１２が設けられている。ハウジング１０には、エアシリンダーなどにより開口１２を開閉するゲート１３が上下方向に移動可能に取り付けられている。プラズマ処理室１１は、ゲート１３により開口１２が閉塞されると密閉される。
【００１７】
処理ガス噴射手段５０は、ハウジング１０の下側の開口を閉塞して、チャックテーブル２２に保持された被加工物Ｗに第１ガス供給源５１及び第２ガス供給源５２から供給される処理ガスを噴射するものである。処理ガス噴射手段５０が噴射する処理ガスとして、ＣＦ４、ＳＦ６等のフッ素系ガスと酸素を主体とするガスが用いられる。処理ガス噴射手段５０は、下部電極としても作用する。処理ガス噴射手段５０は、ハウジング１０の下側の開口を閉塞しかつ処理ガスを噴射する噴射口（図示せず）が設けられた収容容器５３と、収容容器５３内に収容されたＩＰＣアンテナ５４を収容している。ＩＰＣアンテナ５４の端子５４ａ，５４ｂは、高周波電源５６に接続されている。収容容器５３は、アルミニウム合金等の金属で構成され、内部にポーラスセラミックス等の中空体５５が充填されている。また、収容容器５３には、収容容器５３内を真空排気するターボポンプ５７及びドライポンプ６３が接続された排出口５３ｂが形成されている。
【００１８】
減圧手段６０は、ハウジング１０の上端部に形成された二つの排気口６１と、排気口６１に接続してプラズマ処理室１１内を真空排気するターボポンプ６２及びドライポンプ６３と、ターボポンプ６２とドライポンプ６３との間に設けられたバッファータンク６４を備えている。
【００１９】
静電チャックテーブル機構２０は、ハウジング１０の上部で、かつ、プラズマ処理室１１内に配設されている。静電チャックテーブル機構２０は、図２に示すように、被加工物Ｗを保持する保持面２１を備えたチャックテーブル２２と、チャックテーブル２２の内部に配設され電圧が印加されることにより電荷が発生する電極２３と、電極２３に電圧を印加する電源２４（電圧印加手段に相当）と、金属基台２５とを備えている。
【００２０】
チャックテーブル２２は、金属基台２５の表面２５ａ（図５に示す）に配設される。なお、図５は、図１に示された静電チャックテーブル機構２０を反転して記載している。チャックテーブル２２は、静電チャックテーブル機構２０がプラズマエッチング装置１に組み付けられると、金属基台２５の下方に位置し、保持面２１が処理ガス噴射手段５０に対向する。
【００２１】
チャックテーブル２２は、被加工物Ｗが保持面２１上に載置されて、剛性基板又は保護テープを介して被加工物Ｗを保持するものである。チャックテーブル２２は、誘電体セラミックから形成された円盤形状であり、電源２４から電極２３に高圧の直流電圧が印加されることで、保持面２１に分極による電荷（静電気）が発生し、そのクーロン力により被加工物Ｗを保持面２１に静電吸着することで保持する。本実施形態では、チャックテーブル２２は、図５に示すように、金属基台２５の表面２５ａ上でかつ電極２３の下方に配設される第１のセラミックス層２２ａと、第１のセラミックス層２２ａとの間に電極２３を挟む第２のセラミックス層２２ｂとで構成されている。なお、表面２５ａは、金属プレート３５の表面をなしている。
【００２２】
チャックテーブル２２の保持面２１には、図２及び図３に示すように、複数のリング状溝４０と、ハニカム状溝４１とが形成されている。リング状溝４０とハニカム状溝４１とは、保持面２１に保持された被加工物Ｗを冷却する冷却伝導ガスを噴射するための噴射溝を構成している。リング状溝４０は、リング状に形成され、保持面２１に同心円状に複数設けられている。なお、本実施形態では、リング状溝４０は、３つ設けられている。リング状溝４０及びハニカム状溝４１は、保持面２１即ち第２のセラミックス層２２ｂから凹に形成されている。
【００２３】
ハニカム状溝４１は、保持面２１の全面に渡って設けられ、正六角形が平面充填したハニカム形状で連通している。ハニカム状溝４１は、図４に示すように、平面視において、内側に囲む保持面２１（以下、符号２１ａで示す）が正六角形となるようにハニカム形状に形成されており、隣り合う正六角形の保持面２１ａ間に一本のみ設けられている。また、ハニカム状溝４１は、リング状溝４０に連通している。なお、本実施形態では、ハニカム状溝４１は、内側に囲む正六角形の保持面２１ａの一辺の長さＬが２．８９ｍｍとなるようにハニカム形状に形成され、ハニカム状溝４１の幅Ｈが０．５ｍｍに形成されている。また、ハニカム状溝４１の保持面２１ａからの深さ（図示せず）は、５〜１０μｍに形成されている。このように、チャックテーブル２２には、多数の正六角形の保持面２１ａを備えている。なお、本発明では、ハニカム状溝４１が内側に囲む保持面２１ａが正六角形に限らずに種々の図形（円、多角形）となるように、ハニカム状溝４１がハニカム形状に形成されてもよい。
【００２４】
金属基台２５は、図５に示すように、処理ガス噴射手段５０に対向する表面２５ａにチャックテーブル２２が配設される金属プレート３５と、内部に冷却媒体を収容する冷却室２８が形成された金属製サセプタ３６とを備えている。金属プレート３５は、導電性の金属で構成され、円板状に形成されている。金属プレート３５は、リング状溝４０と連通した供給配管３７が内部に複数形成されている。供給配管３７は、電極２３及び第１のセラミックス層２２ａを貫通した連通孔３８を介して、リング状溝４０と連通している。
【００２５】
金属製サセプタ３６は、導電性の金属で構成され、供給配管３７に連通する連通経路３９が形成されている。連通経路３９は、金属製サセプタ３６の図５中の上面即ち処理ガス噴射手段５０に対向する面にリング状に形成され、同心円状に複数設けられている。なお、本実施形態では、連通経路３９は、３つ設けられている。金属製サセプタ３６は、例えば、アルミニウム合金で構成されている。
【００２６】
冷却室２８は、液体導入口２８ａ（液体供給部に相当）及び流量調整バルブ２９（図１に示す）を介して液体供給部３０（図１に示す）に連結されている。冷却室２８は、気体排出口２８ｂ（気体排出部に相当）及び気液分離タンク３１（図１に示す）等を介して、水ポンプ３２（図１に示し、第２減圧手段に相当）に連結されている。冷却室２８内を水ポンプ３２により減圧して、液体供給部３０から供給された冷却媒体である液体（例えば、純水）の核沸騰により金属基台２５、金属プレート３５及びチャックテーブル２２を冷却する。
【００２７】
また、連通経路３９は、図５に示すように、連通配管部４３と連通している。連通配管部４３は、複数設けられ、少なくとも一つが冷却伝導ガスを供給する冷却伝導ガス供給源４４に接続している。冷却伝導ガス供給源４４から供給された冷却伝導ガスは、連通配管部４３、連通経路３９、供給配管３７、連通孔３８を介して、リング状溝４０及びハニカム状溝４１から噴射されて、保持面２１に保持された被加工物Ｗを冷却した後、ハウジング１０内のプラズマ処理室１１内に拡散し、被加工物Ｗ交換時にゲート１３が開いた際に外部に排出される。なお、冷却伝導ガスとして、ヘリウムガス等の希ガスを用いることができる。
【００２８】
また、金属基台２５は、上部電極としても作用する。金属基台２５の金属製サセプタ３６は、高周波電源２６（図１に示す）に接続されている。
【００２９】
前述した静電チャックテーブル機構２０は、以下のように組み立てられる。まず、金属製サセプタ３６が組み立てられ、金属プレート３５は金属製サセプタ３６の図５中の上面即ち処理ガス噴射手段５０に対向する面に高熱伝導率接着剤で接着されて固定される。このとき、金属製サセプタ３６の連通経路３９に金属プレート３５の供給配管３７を合致（連通）させる。なお、金属プレート３５を金属製サセプタ３６に接着する高熱伝導率接着剤として、例えば、熱伝導率が１（Ｗ／（ｍＫ））以上のシリコン系接着剤を用いることができる。
【００３０】
その後、金属プレート３５の表面２５ａに溶射で第１のセラミックス層２２ａを形成し、第１のセラミックス層２２ａ上に電極２３を形成し、電極２３上に第２のセラミックス層２２ｂを溶射で形成する。そして、機械加工により、第２のセラミックス層２２ｂにリング状溝４０及びハニカム状溝４１を形成し、第１のセラミックス層２２ａ及び電極２３に連通孔３８を形成するとともに、第１のセラミックス層２２ａ及び第２のセラミックス層２２ｂの不要部分を除去する。こうして、本実施形態では、金属プレート３５は、金属製サセプタ３６に高熱伝導率接着剤で接着されて固定され、チャックテーブル２２は、金属プレート３５の表面２５ａに溶射で形成されている。また、本発明では、第１のセラミックス層２２ａ、電極２３及び第２のセラミックス層２２ｂで構成されたチャックテーブル２２を金属プレート３５の表面２５ａに接着で固定されてもよい。
【００３１】
制御手段１００は、プラズマエッチング装置１を構成する上述した構成要素をそれぞれ制御して、被加工物Ｗに対するプラズマエッチング処理をプラズマエッチング装置１に行わせるものである。なお、制御手段１００は、例えばＣＰＵ等で構成された演算処理装置やＲＯＭ、ＲＡＭ等を備える図示しないマイクロプロセッサを主体として構成されており、加工動作の状態や画像などを表示する図示しない表示手段や、オペレータが加工内容情報などを登録する際に用いる図示しない操作手段と接続されている。
【００３２】
次に、実施形態に係るプラズマエッチング装置１の加工動作について説明する。まず、オペレータが加工内容情報を制御手段１００に登録し、オペレータから加工動作の開始指示があった場合に、プラズマエッチング装置１が加工動作を開始する。加工動作を開始すると、まず、制御手段１００は、ゲート１３を上下動させて、開口１２を開放し、図示しない搬出手段によって被加工物Ｗを開口１２を通してハウジング１０内に搬入し、電源２４を作動して電極２３に電圧を印加して、チャックテーブル２２で被加工物Ｗを静電吸着する。さらに、制御手段１００は、ゲート１３を上下動させて、開口１２を閉塞する。
【００３３】
次に、制御手段１００は、ターボポンプ５７，６２及びドライポンプ６３を作動して、ハウジング１０内のプラズマ処理室１１及び収容容器５３の内部を真空に排気する。また、制御手段１００は、ハウジング１０内のプラズマ処理室１１及び収容容器５３の内部の真空排気とほぼ同時に、水ポンプ３２を作動してテーブル基台２５内の冷却室２８内を排気して減圧し、液体供給部３０から供給された冷却室２８内の液体を核沸騰させ、テーブル基台２５の表面２５ａに配設されたチャックテーブル２２を冷却する。さらに、制御手段１００は、ハウジング１０内のプラズマ処理室１１及び収容容器５３の内部の真空排気とほぼ同時に、冷却伝導ガス供給源４４からリング状溝４０及びハニカム状溝４１内に冷却伝導ガスを供給して、チャックテーブル２２及び被加工物Ｗを冷却する。
【００３４】
そして、ハウジング１０のプラズマ処理室１１内等の圧力が所定の圧力まで減圧され、テーブル基台２５の冷却室２８内の液体の核沸騰によりチャックテーブル２２が所定温度まで冷却されると、プラズマエッチング処理の準備が完了する。
【００３５】
プラズマエッチング処理の準備が完了した後、制御手段１００は、高周波電源２６を作動して所定周波数でかつ所定出力の電力を上部電極としての金属基台２５の金属製サセプタ３６に印加する。これと同時に、制御手段１００は、高周波電源５６を作動して所定周波数でかつ所定出力の電力を端子５４ａ，５４ｂを介してＩＰＣアンテナ５４に印加する。さらに、制御手段１００は、高周波電源２６の作動と同時に第１ガス供給源５１及び第２ガス供給源５２を作動して、処理ガスの供給を開始する。第１ガス供給源５１及び第２二ガス供給源５２から供給された処理ガスは、収容容器５３の噴射口からチャックテーブル２２に保持された被加工物Ｗに噴射される。
【００３６】
このとき、高周波電源５６からＩＰＣアンテナ５４に電力が印加されているために、噴射される処理ガスは、ＩＰＣアンテナ５４によりプラズマ化されて処理ガス噴射手段５０からハウジング１０内のプラズマ処理室１１に噴射されて、被加工物Ｗの裏面Ｗｂにプラズマエッチング処理を施す。制御手段１００は、所定時間被加工物Ｗの裏面Ｗｂにプラズマエッチング処理を施すと、プラズマエッチング装置１の構成要素を適宜停止し、裏面Ｗｂにプラズマエッチング処理が施された被加工物Ｗを開口１２を通してハウジング１０外に搬出させるとともに、プラズマエッチング処理前の被加工物Ｗをハウジング１０内に搬入して、先ほどと同様の工程でプラズマエッチング処理を施す。
【００３７】
以上のように、実施形態に係るプラズマエッチング装置１によれば、金属製サセプタ３６と金属プレート３５を高熱伝導率接着剤で接着したので、従来の蝋付けでの固定と比較して製造時間及び製造コストを大幅に短縮することができる。また、金属基台２５の金属製サセプタ３６内の冷却室２８を核沸騰で冷却することでチャックテーブル２２を常時均一に冷却可能である。さらに、金属製サセプタ３６に冷却伝導ガスを通すリング状の連通経路３９を複数設け、金属プレート３５に連通経路３９に連通する供給配管３７を設けているので、連通経路３９及び供給配管３７を通る冷却伝導ガスにより金属製サセプタ３６と金属プレート３５の接合面が冷却される。その上、金属製サセプタ３６に冷却伝導ガスを通すリング状の連通経路３９を複数設けているので、連通経路３９及び供給配管３７を通る冷却伝導ガスにより金属製サセプタ３６と金属プレート３５の接合面が全面に亘って極力一様に冷却される。したがって、プラズマエッチング装置１は、金属製サセプタ３６と金属プレート３５間の熱による剥離等を懸念して従来のように蝋付けで接着を行う必要がなく、高熱伝導率接着剤で接着することができる。
【００３８】
また、プラズマエッチング装置１は、チャックテーブル２２の保持面２１にリング状溝４０と内側が正六角形の保持面２１ａとなるハニカム形状のハニカム状溝４１を形成しているので、保持面２１上の被加工物Ｗを一様に冷却することができる。このために、プラズマエッチング装置１は、金属製サセプタ３６と金属プレート３５とを接着する高熱伝導率接着剤を一様に冷却することができ、高熱伝導率接着剤の局所的な温度上昇を抑制して、蝋付けすることなく高熱伝導率接着剤により金属製サセプタ３６と金属プレート３５とを確実に固定することができる。
【００３９】
なお、本発明は上記実施形態に限定されるものではない。即ち、本発明の骨子を逸脱しない範囲で種々変形して実施することができる。
【符号の説明】
【００４０】
１  プラズマエッチング装置
１０  ハウジング
１１  プラズマ処理室
２０  静電チャックテーブル機構
２１，２１ａ  保持面
２２  チャックテーブル
２３  電極
２４  電源（電圧印加手段）
２５  金属基台
２５ａ  表面
２８  冷却室
２８ａ  液体導入口（液体供給部）
２８ｂ  気体排出口（気体排出部）
３０  液体供給部
３２  水ポンプ（第２減圧手段）
３５  金属プレート
３６  金属製サセプタ
３７  供給配管
３９  連通経路
４０  リング状溝（噴射溝）
４１  ハニカム状溝（噴射溝）
５０  処理ガス噴射手段
６０  減圧手段
Ｗ  被加工物
【図１】
2015138833.tif 000003
【図３】
2015138833.tif 000004
【図４】
2015138833.tif 000005
【図５】
2015138833.tif 000006
【図６】
2015138833.tif 000007
【図２】
2015138833.tif 000008