(57)【要約】【課題】高周波パッケージの強度を維持しつつ、ミリ波帯域での十分な動作を確保する。【解決手段】回路基板４１のＺ軸方向の外縁から、導体プレート６７のＸ軸方向の外縁が突出している。そして、入力ラインを構成する導体パターン３１と導体パターン５１とを接続する端子電極６２が設けられた回路基板６１Ａが、導体プレート６７の上面とベース基板２１の上面にわたって配置される。同様に、出力ラインを構成する導体パターン５２と導体パターン３２とを接続する端子電極６２が設けられた回路基板６１Ｂが、導体プレート６７の上面とベース基板２１の上面にわたって配置される。各回路基板６１Ａ，６１Ｂの下面はメタライズされているため、端子電極６２を通過する高周波信号が、導体プレート６７とベース基板２１との間のギャップの影響を受けることが回避される。【選択図】図４
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体素子が配置される開口が形成され、一側の面に、前記開口から外縁にわたって形成される導体パターンが設けられる第１回路基板と、
前記半導体素子と前記第１回路基板が設置される導体プレートと、を備える高周波パッケージにおいて、
前記導体プレートが設けられる凹部をもつベース基板と、
前記第１回路基板と導体プレートが配置される開口が形成され、前記開口から外縁にわたって形成される導体パターンが設けられる第２回路基板と、
前記第１回路基板との間に、前記導体プレートと前記ベース基板にわたって配置され、一側の面に、前記第１回路基板に設けられる導体パターンと前記第２回路基板に設けられる導体パターンとを接続する端子が設けられ、他側の面が、メタライズされている第３回路基板と、を備える前記高周波パッケージ。
【請求項２】
前記第１回路基板及び前記第２回路基板には、前記開口の一側と他側にそれぞれ導体パターンが形成され、
１組の前記第３回路基板が、前記第１回路基板の両側に配置される請求項１に記載の高周波パッケージ。
【請求項３】
前記回路基板は、樹脂基板である請求項１又は２に記載の高周波パッケージ。
【請求項４】
前記第１回路基板、前記第２回路基板、及び前記第３回路基板の厚さは、相互に等しい請求項１乃至３のいずれか一項に記載の高周波パッケージ。
【請求項５】
請求項１乃至４のいずれか一項に記載の高周波パッケージと、
前記ベース基板と、
前記第２回路基板と、
を備える高周波ユニット。
【請求項６】
半導体素子が配置される開口が形成され、一側の面に、前記開口から外縁にわたって形成される導体パターンが設けられる第１回路基板を、ベース基板に配置される導体プレートの一側の面に配置する工程と、
前記第１回路基板が配置される開口が形成され、前記開口から外縁にわたって形成される導体パターンが設けられる第２回路基板の前記開口に、一側の面に端子が設けられ、他側の面がメタライズされる第３回路基板を、前記導体プレートと前記ベース基板にわたって配置して、前記第１回路基板に設けられる導体パターンと前記第２回路基板に設けられる導体パターンとを接続する工程と、
を含む高周波ユニットの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明の実施形態は、高周波パッケージ、高周波ユニット及び高周波ユニットの製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、３０ＧＨｚ以上のいわゆるミリ波帯に対応した無線通信インタフェースが登場するに至っている。この種の無線通信インタフェースに用いられる高周波パッケージは、情報処理を行う際にキーとなるデバイスを収容するパッケージである。
【０００３】
一般に、高周波パッケージは、ベース基板に設けられるベースメタルと、ベースメタル上に配置される回路基板を有している。そして、回路基板に設けられるマイクロストリップラインとベース基板上に形成されるマイクロストリップラインがリード端子によって接続される（例えば特許文献１参照）。
【０００４】
ミリ波帯で使用される高周波パッケージでは、リード端子の下方に形成される基板間のギャップの影響が無視できなくなる。このギャップの影響を低減するためには、ベースメタルや回路基板を少しでも薄くする必要がある。しかしながら、ベースメタルや回路基板を薄くすると、高周波パッケージの剛性が低下して強度が不十分になる。特に、回路基板がセラミックからなる場合には、ベースメタルと回路基板を接着させる際に、回路基板にクラックが発生する場合がある。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２０１２−２０９３３４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
本発明は、上述の事情の下になされたもので、高周波パッケージの強度を維持しつつ、ミリ波帯域での十分な動作を確保することを課題とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上記課題を解決するため、本実施形態に係る高周波パッケージは、半導体素子が配置される開口が形成され、一側の面に、前記開口から外縁にわたって形成される導体パターンが設けられる第１回路基板と、前記半導体素子と前記第１回路基板が設置される導体プレートとを備える高周波パッケージにおいて、前記導体プレートが設けられる凹部をもつベース基板と、前記第１回路基板と導体プレートが配置される開口が形成され、前記開口から外縁にわたって形成される導体パターンが設けられる第２回路基板と、前記第１回路基板との間に、前記導体プレートと前記ベース基板にわたって配置され、一側の面に、前記第１回路基板に設けられる導体パターンと前記第２回路基板に設けられる導体パターンとを接続する端子が設けられ、他側の面が、メタライズされている第３回路基板を備える。
【０００８】
本実施形態に係る高周波ユニットは、前記高周波パッケージと、前記ベース基板と、前記第２回路基板と、を備える。
【０００９】
本実施形態に係る高周波パッケージの製造方法は、半導体素子が配置される開口が形成され、一側の面に、前記開口から外縁にわたって形成される導体パターンが設けられる第１回路基板を、ベース基板に配置される導体プレートの一側の面に配置する工程と、前記第１回路基板が配置される開口が形成され、前記開口から外縁にわたって形成される導体パターンが設けられる第２回路基板の前記開口に、一側の面に端子が設けられ、他側の面がメタライズされる第３回路基板を、前記導体プレートと前記ベース基板にわたって配置して、前記第１回路基板に設けられる導体パターンと前記第２回路基板に設けられる導体パターンとを接続する工程と、を含む。
【図面の簡単な説明】
【００１０】
【図１】本実施形態に係る高周波ユニットの斜視図である。
【図２】高周波ユニットの展開斜視図である。
【図３】システムボードの展開斜視図である。
【図４】高周波ユニットの断面図である。
【図５】高周波パッケージの展開斜視図である。
【図６】高周波パッケージの製造方法を説明するための図である。
【図７】高周波パッケージの製造方法を説明するための図である。
【図８】高周波パッケージの製造方法を説明するための図である。
【図９】本実施形態に係る高周波ユニットの効果を説明するための図である。
【図１０Ａ】第２の実施形態に係る高周波ユニットの断面図である。
【図１０Ｂ】第２の実施形態に係る高周波ユニットの断面図である。
【図１１】第３の実施形態に係る高周波ユニットの断面図である。
【図１２Ａ】第４の実施形態に係る高周波ユニットの断面図である。
【図１２Ｂ】第４の実施形態に係る高周波ユニットの断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１１】
《第１の実施形態》
以下、本発明の第１の実施形態を、図面を用いて説明する。説明には、相互に直交するＸ軸、Ｙ軸、Ｚ軸からなるＸＹＺ座標系を用いる。
【００１２】
図１は本実施形態に係る高周波ユニット１０の斜視図である。高周波ユニット１０は、半導体素子が収容される高周波パッケージ４０を有するユニットである。
【００１３】
図２は、高周波ユニット１０の展開斜視図である。図２に示されるように、高周波ユニット１０は、高周波パッケージ４０と、高周波パッケージ４０が実装されるシステムボード２０を有している。
【００１４】
図５は、高周波パッケージ４０の展開斜視図である。高周波パッケージ４０は、Ｙ軸方向の大きさが１ｃｍ程度のパッケージであり、図５に示されるように、導体プレート６７、回路基板４１、回路基板４１の両側に配置される一対の回路基板６１Ａ，６１Ｂ、回路基板４１の上面に配置されるキャップ６５を有している。導体プレート６７は長手方向をＹ軸方向とする長方形板状の部材である。この導体プレート６７は、銅（Ｃｕ）又はアルミニウム（Ａｌ）からなる。
【００１５】
図２に戻り、システムボード２０は、コンピュータのマザーボードなどに用いられるボードである。このシステムボード２０は、図３の展開斜視図に示されるように、ベース基板２１と、ベース基板２１の上面に配置される回路基板３０を有している。
【００１６】
ベース基板２１は、厚さが１ｃｍ程度で、例えばアルミニウム（Ａｌ）などの導電部材からなる。ベース基板２１の中央部には、高周波パッケージ長手方向をＹ軸方向とする長方形の凹部２１ａが形成されている。
【００１７】
回路基板３０は、例えばエポキシ樹脂を主成分とする基板である。この回路基板３０は、厚さが０．２５ｍｍ〜１ｍｍ程度で、ベース基板２１と同じ大きさになるように整形されている。そして、回路基板３０の中央部には、開口３０ａが形成されている。開口３０ａは、Ｙ軸方向の寸法が、ベース基板２１に形成された凹部２１ａのＹ軸方向の寸法とほぼ等しい。一方、Ｘ軸方向の寸法は、ベース基板２１に形成された凹部２１ａのＸ軸方向の寸法と比較して、やや大きい。
【００１８】
回路基板３０の上面には、開口３０ａの−Ｘ側と＋Ｘ側に、開口３０ａから回路基板３０の外縁にわたって、導体パターン３１，３２が形成されている。また、開口３０ａの＋Ｙ側には、開口３０ａから回路基板３０の外縁にわたって３つの導体パターン３３，３４，３５が形成され、開口３０ａの−Ｙ側には、開口３０ａから回路基板３０の外縁にわたって３つの導体パターン３６，３７，３８が形成されている。これらの、導体パターン３１〜３８それぞれは、アディティブ法或いはセミアディティブ法などを用いて形成される。
【００１９】
回路基板３０の上面に形成される導体パターン３１〜３８のうち、導体パターン３１は、高周波ユニット１０に収容される半導体素子への入力ラインを形成し、導体パターン３２は、半導体素子からの出力ラインを形成する。また、導体パターン３３〜３８は、半導体素子へのドレインライン、或いはゲートライン等として用いられる。
【００２０】
図４は、図１における高周波ユニット１０のＡＡ断面を示す図である。図４を参照するとわかるように、回路基板３０の下面には、回路基板３０の下面全体を覆うように、導体パターン３９が形成されている。この導体パターン３９は、回路基板３０の下面に銅箔を張り付けることにより形成される。
【００２１】
上述のように構成される回路基板３０は、下面に設けられた導体パターン３９が、例えばＡｕ−Ｓｎ系の半田によってベース基板２１の上面に接着されることにより、図２に示されるように、ベース基板２１と一体化される。
【００２２】
ベース基板２１に形成された凹部２１ａのＸ軸方向の寸法は、導体プレート６７のＸ軸方向の寸法とほぼ等しい。ベース基板２１に形成された凹部２１ａのＹ軸方向の寸法は、導体プレート６７のＹ軸方向の寸法とほぼ等しい。また、ベース基板２１の凹部２１ａの深さは、導体プレート６７の厚さとほぼ等しく、おおよそ０．５ｍｍ程度である。
【００２３】
図４に示されるように、導体プレート６７は、ベース基板２１に形成された凹部２１ａの内部に配置される。上述したように、ベース基板の凹部２１ａの深さは、導体プレート６７の厚さにほぼ等しい。このため、導体プレート６７の上面と、ベース基板２１の上面は、同一平面内に位置する。
【００２４】
図５に示されるように、回路基板４１は、長手方向をＹ軸方向とする長方形板状の基板である。回路基板３０と同様に、回路基板４１は、エポキシ樹脂を主成分とする基板である。この回路基板４１のＹ軸方向の寸法は、導体プレート６７のＹ軸方向の寸法とほぼ等しい。一方、回路基板４１のＸ軸方向の寸法は、導体プレート６７のＸ軸方向の寸法よりもやや小さい。このため、図２に示されるように、導体プレート６７の＋Ｘ側の端部と−Ｘ側の端部は、回路基板４１からＸ軸方向に突出する。
【００２５】
回路基板４１の、中央部には、長手方向をＹ軸方向とする長方形の開口４１ａが形成されている。そして、回路基板４１の上面には、開口４１ａの−Ｘ側と＋Ｘ側に開口４１ａから回路基板４１の外縁にわたって、導体パターン５１，５２が形成されている。また、開口３０ａの＋Ｙ側には、開口４１ａから回路基板４１の外縁にわたって３つの導体パターン５３，５４，５５が形成され、開口４１ａの−Ｙ側には、開口４１ａから回路基板４１の外縁にわたって３つの導体パターン５６，５７，５８が形成されている。これらの、導体パターン５１〜５８それぞれは、アディティブ法或いはセミアディティブ法などを用いて形成される。
【００２６】
回路基板４１の上面に形成された導体パターン５１〜５８のうち、導体パターン５１は、キャップ６５の内部に収容される半導体素子への入力ラインを形成し、導体パターン５２は、半導体素子からの出力ラインを形成する。また、導体パターン５３〜５８は、半導体素子へのドレインライン、或いはゲートライン等として用いられる。
【００２７】
図４を参照するとわかるように、回路基板４１の下面には、回路基板４１の下面全体を覆うように、導体パターン５９が形成されている。この導体パターン５９は、回路基板４１の下面に銅箔を張り付けることにより形成される。
【００２８】
上述のように構成された回路基板４１は、下面に設けられた導体パターン５９が、例えばＡｕ−Ｓｎ系の半田、もしくは銀系ロウ材、接着剤などによって導体プレート６７の上面に接着されることにより、導体プレート６７と一体化される。
【００２９】
キャップ６５は、下方が開放された長手方向をＹ軸方向とする容体である。このキャップ６５は、例えばセラミックなどの絶縁材料からなる。図４に示されるように、キャップ６５は、接着剤などによって、回路基板４１の上面に、開口４１ａを覆うように接着される。
【００３０】
図５に示されるように、回路基板６１Ａ，６１Ｂは、長手方向をＹ軸方向とする長方形板状の基板である。回路基板３０等と同様に、回路基板６１Ａ，６１Ｂは、エポキシ樹脂を主成分とする基板である。図４に示されるように、回路基板６１Ａ，６１ＢのＸ軸方向の寸法は、回路基板４１の外側の縁から、回路基板３０の内側の縁までの距離と等しい。
【００３１】
図５に示されるように、回路基板６１Ａ，６１Ｂの上面には、長手方向をＸ軸方向とする長方形板状の端子電極６２が配置されている。端子電極６２は、厚さが０．２ｍｍ程度で、銅からなる。この端子電極６２は、回路基板６１Ａ，６１Ｂの上面に接着されている。端子電極６２のＸ軸方向の寸法は、回路基板６１Ａ，６１ＢのＸ軸方向の寸法よりもやや大きい。このため、図５に示されるように、端子電極６２の＋Ｘ側の端部と−Ｘ側の端部は、回路基板６１Ａ，６１ＢからＸ軸方向に突出する。
【００３２】
図５を参照するとわかるように、上述のように構成される導体プレート６７、回路基板４１、キャップ６５は、導体プレート６７の上面に回路基板４１が接着され、回路基板４１の開口４１ａの内部に半導体素子が実装された後、回路基板４１の上面にキャップ６５が接着されることにより、一体化される。
【００３３】
次に、上述したシステムボード２０に、高周波パッケージ４０を実装する手順について説明する。
【００３４】
まず、図６に示されるように、上面に導体パターン３１〜３８が形成されたシステムボード２０を用意する。そして、ルータなどを用いて、図６の点線で示されるところに、開口３０ａと凹部２１ａを形成する。これにより、図７に示されるように、回路基板３０の開口３０ａと、ベース基板２１の凹部２１ａからなるスペース１２０が形成される。
【００３５】
次に、高周波パッケージ４０を、スペース１２０に設置する。高周波パッケージ４０を設置する際は、導体プレート６７を、ベース基板２１の凹部２１ａにはめ込み、半田、もしくは導電性接着剤などで接合する。これにより、図８に示されるように、システムボード２０の回路基板３０に対して、高周波パッケージ４０の回路基板４１が位置決めされ、回路基板３０の導体パターン３３〜３５に対して、回路基板４１の導体パターン５３〜５８が隣接した状態になる。
【００３６】
スペース１２０に設置された高周波パッケージ４０は、例えば回路基板４１の四隅を貫通するねじによって、ベース基板２１に固定してもよい。
【００３７】
次に、図１に示されるように、回路基板６１Ａの端子電極６２が、回路基板３０の導体パターン３１と回路基板４１の導体パターン５１の上方に位置決めされた状態で、回路基板６１Ａを、回路基板４１と回路基板３０の間に配置する。そして、端子電極６２の下面を、導体パターン３１，５１に接着する。
【００３８】
同様に、回路基板６１Ｂの端子電極６２が、回路基板３０の導体パターン３２と回路基板４１の導体パターン５２の上方に位置決めされた状態で、回路基板６１Ｂを、回路基板４１と回路基板３０の間に配置する。そして、端子電極６２の下面を、導体パターン３２，５２に接着する。これにより、高周波パッケージ４０の実装が完了する。必要に応じて、回路基板６１Ａ、６１Ｂの下面に設けられた導体パターン６３を、半田、もしくは導電性接着剤などによって導体プレート６７の上面に接着してもよい。
【００３９】
高周波パッケージ４０が実装されたときには、回路基板３０，４１の導体パターン３１，５１と、回路基板６１Ａの端子電極６２は、導体プレート６７とベース基板２１をグランド面とするマイクロストリップ線路を構成し、高周波パッケージ４０に収容される半導体素子への入力ラインとして用いることが可能となる。また、回路基板３０，４１の導体パターン３２，５２と、回路基板６１Ｂの端子電極６２も、同様に、導体プレート６７とベース基板２１をグランド面とするマイクロストリップ線路を構成し、高周波パッケージ４０に収容される半導体素子からの出力ラインとして用いることが可能となる。
【００４０】
次に、図１に示されるように、回路基板３０の導体パターン３３〜３８と、回路基板４１の導体パターン５３〜５８にわたって、端子電極６２と同等の端子電極９０を接着する。端子電極９０の接着には、例えば半田を用いることができる。以上のようにして、高周波ユニット１０が完成する。
【００４１】
以上説明したように、本実施形態では、図４に示されるように、回路基板４１のＸ軸方向の外縁から、導体プレート６７のＸ軸方向の外縁が突出している。そして、入力ラインを構成する導体パターン３１と導体パターン５１とを接続する端子電極６２が設けられた回路基板６１Ａが、導体プレート６７の上面とベース基板２１の上面にわたって配置される。同様に、出力ラインを構成する導体パターン５２と導体パターン３２とを接続する端子電極６２が設けられた回路基板６１Ｂが、導体プレート６７の上面とベース基板２１の上面にわたって配置される。
【００４２】
端子電極６２を伝送される高周波信号に影響を与えるギャップとしては、厚みがｂの回路基板３０，４１によって形成されるギャップだけになる。このため、高周波信号を精度よく伝送することが可能となる。
【００４３】
上記各回路基板６１Ａ，６１Ｂは、下面（−Ｚ側の面）に導体パターン６３が設けられることにより、メタライズされている。そのため、各回路基板６１Ａ，６１Ｂの端子電極６２を通過する高周波信号が、導体プレート６７とベース基板２１との間のギャップ（間隙）によって受ける影響が抑制される。このため、導体プレート６７の厚みａをある程度確保して、高周波パッケージ４０の剛性を向上させることができる。
【００４４】
具体的には、図９に示されるように、従来は、導体プレート６７のＸ軸方向の寸法と、回路基板４１のＸ軸方向の寸法が同等であった。この場合には、端子電極６２を伝送される高周波信号は、厚さがａの導体プレート６７とベース基板２１とによって形成されるギャップと、厚みがｃの回路基板６１Ａ，６１Ｂと、厚みがｂの回路基板３０によって形成されるギャップ双方の影響を受けることとなっていた。しかしながら、図４を参照するとわかるように、本実施形態では、回路基板６１Ａ，６１Ｂの下面がメタライズされているため、導体プレート６７とベース基板２１とによって形成されるギャップの影響が低減される。このため、高周波信号は、厚みがｃの回路基板６１Ａ，６１Ｂと、厚みがｂの回路基板３０によって形成されるギャップの影響だけを受けることとなる。したがって、高周波信号を精度よく伝送することが可能となる。
【００４５】
本実施形態に係る高周波ユニット１０において、回路基板３０，４１，６１Ａ，６１Ｂの厚さを１ｍｍ以下にすることで、ミリ波帯の高周波信号を精度よく伝送することが可能となる。
【００４６】
以上、本発明の実施形態について説明したが、本発明は上記実施形態によって限定されるものではない。例えば、上記実施形態に係る導体プレート６７は、表面に、金（Ａｕ）、ニッケル（Ｎｉ）、銀（Ａｇ）、銀と白金の合金（Ａｇ−Ｐｔ）、銀と鉛の合金（Ａｇ−Ｐｄ）などを素材とするめっき膜が形成されていてもよい。
【００４７】
上記実施形態では、端子電極６２、回路基板３０の接着など、各部の接着に半田を用いる場合について説明した。これに限らず、各部の接着に、銀ろうなどを用いてもよい。
【００４８】
上記実施形態では、回路基板３０の下面に導体パターン３９が形成されている場合について説明した。これに限らず、回路基板３０の下面には、必ずしも、導体パターン３９が形成されている必要はない。同様に、上記実施形態では、回路基板４１の下面に導体パターン５９が形成されている場合について説明した。これに限らず、回路基板４１の下面には、必ずしも、導体パターン５９が形成されている必要はない。
【００４９】
上記実施形態では、回路基板３０，４１，６１Ａ，６１Ｂが樹脂基板であることとした。これに限らず、回路基板３０，４１，６１Ａ，６１Ｂは、セラミック基板であってもよい。上述したように、本実施形態では、高周波信号が、導体プレート６７とベース基板２１によって形成されるギャップの影響を受けることがないので、回路基板３０，４１，６１Ａ，６１Ｂをある程度厚くすることができる。このため、回路基板３０，４１，６１Ａ，６１Ｂとしてセラミック基板を用いても、これらの回路基板３０，４１，６１Ａ，６１Ｂの剛性を確保することができる。
【００５０】
上記実施形態における回路基板３０，４１，６１Ａ，６１Ｂの導体パターンは、蒸着、スパッタリングなどの方法により、形成することもできる。また、各導体パターンの形状は一例であり、本発明がこれに限定されるものではない。
【００５１】
上記実施形態では、導体パターンが銅からなる場合について説明した。本発明は、これに限定されるものではなく、導体パターンは、例えば、アルミニウム、金、白金などの抵抗値の少ない金属であってもよい。
【００５２】
上記実施形態では、システムボード２０がほぼ正方形であるものとしたが、上記実施形態におけるシステムボードの形状は一例である。実際には、高周波ペッケージ４０は、当該高周波ペッケージ４０に比べて、かなり大きなシステムボードに実装される。
【００５３】
上記実施形態については、種々の変形例が考えられる。以下、変形例に係る第２の実施形態乃至第４の実施形態について説明する。
【００５４】
《第２の実施形態》
以下、第２の実施形態について、図１０Ａを参照して説明する。第１の実施形態と同一又は同等の構成については、同等の符号を用いるとともに、その説明を省略する。
【００５５】
本実施形態に係る高周波ユニット１０Ａは、回路基板３０の厚さが、回路基板４１の厚さよりも厚い点で、第１の実施形態に係る高周波ユニット１０と相違している。図１０Ａに示されるように、回路基板３０の厚さは、回路基板４１の厚さよりも厚い。この場合には、回路基板３０に形成される開口３０ａを、開口面積が大きい部分と開口面積が小さい部分の二部分を有する段付きの開口とする。そして、回路基板６１Ａ，６１Ｂを、回路基板３０と導体プレート６７にわたって配置する。
【００５６】
もしくは、図１０Ｂに示されるように、回路基板３０の厚さが、回路基板４１の厚さよりも厚い場合には、導体プレート６７を段付きの張出しとする。そして回路基板６１Ａ，６１Ｂを、ベース基板２１と導体プレート６７にわたって配置する。
【００５７】
本実施形態では、高周波信号が伝送される端子電極６２の下方に、導体プレート６７と、回路基板３０及びベース基板２１と、によってギャップが形成される。下面に導体パターン６３が形成されることによりメタライズされた回路基板６１Ａ,６１Ｂは、上記ギャップの上方に配置される。このため、各回路基板６１Ａ，６１Ｂの端子電極６２を通過する高周波信号が受ける上記ギャップの影響が抑制される。
【００５８】
このため、導体プレート６７の厚みをある程度確保して、高周波パッケージ４０の剛性を向上させることができる。また、端子電極６２を伝送される高周波信号は、回路基板６１Ａ，６１Ｂと回路基板３０，４１によって形成されるギャップの影響を受けるが、導体プレート６７と、回路基板３０及びベース基板２１と、によって形成されるギャップの影響をほとんど受けることはない。このため、高周波信号を精度よく伝送することが可能となる。
【００５９】
《第３の実施形態》
次に、第３の実施形態について、図１１を参照して説明する。上記各実施形態と同一又は同等の構成については、同等の符号を用いるとともに、その説明を省略する。
【００６０】
本実施形態に係る高周波ユニット１０Ｂは、回路基板３０の厚さと回路基板４１の厚さの差を補完するためのスペーサ１０１を有している点で、第２の実施形態にかかる高周波ユニット１０Ａと相違している。図１１に示されるように、回路基板３０の厚さは、回路基板４１の厚さよりも厚い。本実施形態では、回路基板３０に、第１の実施形態に係る高周波ユニット１０と同様に開口３０ａを形成する。そして、回路基板３０の開口３０ａとベース基板２１の凹部２１ａによって規定されるスペースに、回路基板６１Ａ，６１Ｂを除く、高周波パッケージ４０を実装する。
【００６１】
そして、図１１に示されるように、回路基板３０と導体プレート６７の間に、スペーサ１０１を配置してから、回路基板６１Ａ，６１Ｂを実装する。スペーサ１０１は、回路基板６１Ａ，６１Ｂの下方にだけ配置されていてもよく、導体プレート６７の外縁に沿って配置されていてもよい。
【００６２】
スペーサ１０１を介して回路基板６１Ａ，６１Ｂを配置した場合にも、端子電極６２の下方に、導体プレート６７と、スペーサ１０１及びベース基板２１と、によってギャップが形成される。下面に導体パターン６３が形成されることによりメタライズされた回路基板６１Ａ,６１Ｂは、上記ギャップの上方に配置される。このため、各回路基板６１Ａ，６１Ｂの端子電極６２を通過する高周波信号が受ける上記ギャップの影響が抑制される。
【００６３】
このため、導体プレート６７の厚みをある程度確保して、高周波パッケージ４０の剛性を向上させることができる。また、端子電極６２を伝送される高周波信号は、回路基板６１Ａ，６１Ｂと回路基板３０，４１によって形成されるギャップの影響を受けるが、導体プレート６７と、スペーサ１０１及びベース基板２１とによって形成されるギャップの影響をほとんど受けることはない。このため、高周波信号を精度よく伝送することが可能となる。
【００６４】
《第４の実施形態》
次に、第４の実施形態について、図１２Ａを参照して説明する。上記各実施形態と同一又は同等の構成については、同等の符号を用いるとともに、その説明を省略する。
【００６５】
本実施形態に係る高周波ユニット１０Ｃは、回路基板３０の厚さが、回路基板４１の厚さよりも薄い点で、第１の実施形態に係る高周波ユニット１０と相違している。図１２Ａに示されるように、回路基板３０の厚さは、回路基板４１の厚さよりも薄い。この場合には、ベース基板２１に形成される凹部２１ａを、開口面積が大きい部分と開口面積が小さい部分の二部分を有する段付きの凹部とする。そして、回路基板６１Ａ，６１Ｂを、ベース基板２１と導体プレート６７にわたって配置する。
【００６６】
もしくは、図１２Ｂに示されるように、回路基板３０の厚さと回路基板４１の厚さの差を補完するためのスペーサ１０１を設けてもよい。図１２Ｂに示されるように、回路基板３０と導体プレート６７の間に、スペーサ１０１を配置してから、回路基板６１Ａ，６１Ｂを実装する。スペーサ１０１は、回路基板６１Ａ，６１Ｂの下方にだけ配置されていてもよく、導体プレート６７の外縁に沿って配置されていてもよい。この場合は、回路基板６１Ａ，６１Ｂが、ベース基板２１とスペーサ１０１にわたって配置される。
【００６７】
本実施形態では、高周波信号が伝送される端子電極６２の下方に、導体プレート６７とベース基板２１によってギャップが形成される。下面に導体パターン６３が形成されることによりメタライズされた回路基板６１Ａ,６１Ｂは、上記ギャップの上方に配置される。このため、各回路基板６１Ａ，６１Ｂの端子電極６２を通過する高周波信号が受ける上記ギャップの影響が抑制される。
【００６８】
このため、導体プレート６７の厚みをある程度確保して、高周波パッケージ４０の剛性を向上させることができる。また、端子電極６２を伝送される高周波信号は、回路基板６１Ａ，６１Ｂと、回路基板３０，４１及びベース基板２１と、によって形成されるギャップの影響を受けるが、導体プレート６７とベース基板２１によって形成されるギャップの影響をほとんど受けることはない。このため、高周波信号を精度よく伝送することが可能となる。
【００６９】
本発明のいくつかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これら新規な実施形態は、その他の様々な形態で実施しうるものであり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これらの実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれるとともに、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる。
【符号の説明】
【００７０】
１０，１０Ａ〜１０Ｃ  高周波ユニット
２０  システムボード
２１ａ  凹部
２１  ベース基板
２１ａ  凹部
３０  回路基板
３０ａ  開口
３１〜３９  導体パターン
４０  高周波パッケージ
４１  回路基板
４１ａ  開口
５１〜５９  導体パターン
６１Ａ，６１Ｂ  回路基板
６２  端子電極
６３  導体パターン
６５  キャップ
６７  導体プレート
９０  端子電極
１０１  スペーサ
１２０  スペース
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０Ａ】
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【図１０Ｂ】
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【図１１】
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【図１２Ａ】
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【図１２Ｂ】
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