(57)【要約】【課題】水平方向のクラックの発生を抑制する表示装置の製造方法の提供。【解決手段】第１基板及び第２基板が貼り合わされた構造を有し、複数の製品に分断するための多面取り表示パネルを用意する工程と、第１基板をスクライブする工程と、スクライブされた第１基板を湾曲させてブレイクする工程と、ブレイクされた第１基板及び第２基板を化学研磨して薄くする工程と、化学研磨された第２基板をスクライブする工程と、スクライブされた第２基板を湾曲させてブレイクする工程と、を含み、第１基板及び第２基板を化学研磨して薄くする工程で、第１基板の、分断された隣接部分の対向面をエッチングして間隔を拡げ、第２基板をブレイクする工程で、第２基板の湾曲に伴って、対向面の、少なくとも第１基板の外表面側の端部同士の接触を避けながら、第１基板を湾曲させることを特徴とする表示装置の製造方法。【選択図】図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１基板及び第２基板が貼り合わされた構造を有し、複数の製品に分断するための多面取り表示パネルを用意する工程と、
前記第１基板をスクライブする工程と、
スクライブされた前記第１基板を湾曲させてブレイクする工程と、
ブレイクされた前記第１基板及び前記第２基板を化学研磨して薄くする工程と、
化学研磨された前記第２基板をスクライブする工程と、
スクライブされた前記第２基板を湾曲させてブレイクする工程と、
を含み、
前記第１基板及び前記第２基板を化学研磨して薄くする工程で、前記第１基板の、分断された隣接部分の対向面をエッチングして間隔を拡げ、
前記第２基板をブレイクする工程で、前記第２基板の湾曲に伴って、前記対向面の、少なくとも前記第１基板の外表面側の端部同士の接触を避けながら、前記第１基板を湾曲させることを特徴とする表示装置の製造方法。
【請求項２】
前記第１基板及び前記第２基板は、ガラス基板である、
ことを特徴とする請求項１に記載の表示装置の製造方法。
【請求項３】
前記多面取り表示パネルは、前記第１基板及び前記第２基板の間に前記複数の製品を封止するシール材で構成されるシール部を有する、
ことを特徴とする請求項１又は２に記載の表示装置の製造方法。
【請求項４】
前記シール部は、前記複数の製品の全体の周囲を囲む、
ことを特徴とする請求項３に記載の表示装置の製造方法。
【請求項５】
前記シール部は、それぞれの前記製品ごとに封止する、
ことを特徴とする請求項３又は４に記載の表示装置の製造方法。
【請求項６】
前記シール部は、隣り合う前記製品の封止のために共有される共有部分を有する、
ことを特徴とする請求項５に記載の表示装置の製造方法。
【請求項７】
前記シール部は、隣り合う前記製品を別々に封止するために間隔をあけて配置された部分を有する、
ことを特徴とする請求項５に記載の表示装置の製造方法。
【請求項８】
前記第１基板をスクライブする工程及び前記第２基板をスクライブする工程の少なくとも一方で、スクライブラインを前記共有部分と重なる位置に設定する、
ことを特徴とする請求項６に記載の表示装置の製造方法。
【請求項９】
前記第１基板をスクライブする工程及び前記第２基板をスクライブする工程の少なくとも一方で、スクライブラインを前記間隔の領域と重なる位置に設定する、
ことを特徴とする請求項７に記載の表示装置の製造方法。
【請求項１０】
前記第１基板をスクライブする工程で、第１スクライブラインを前記間隔の領域と重なる位置に設定し、
前記第２基板をスクライブする工程で、第２スクライブライン及び第３スクライブラインを前記間隔の領域と重なる位置に設定し、
前記第２スクライブラインは、前記第１スクライブラインと重なる位置にある、
ことを特徴とする請求項７に記載の表示装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、表示装置の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年の中小型ディスプレイは薄型・軽量とするため、製品厚みの薄板化が進んでいる。しかし、生産性を上げるために多面取りプロセスを採用しているので、多面取りパネルを製造するための薄膜トランジスタ基板やカラーフィルタ基板が大型化している。そのため、強度を維持するために薄型化することが難しくなっている。そこで、多面取りパネルを化学研磨によって板厚を減らし、その後、スクライブ・ブレイクを行って個々の製品パネルに分断することで、薄型化に対応している。特許文献１〜３には、種々のスクライブ方法が開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００８−３９８６６号公報
【特許文献２】特開２００９−４７８７５号公報
【特許文献３】特開２０１２−２０９０２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
従来、スクライブ・ブレイクは、多面取りパネルの両面それぞれに対して行っている。多面取りパネルは、一対のガラス基板が貼り付けられて構成されており、一方のガラス基板をブレイクした後に、他方のガラス基板をブレイクするが、後発のブレイクを行うときに、先発のブレイクによって一方のガラス基板はすでに破断している。したがって、後発のブレイクで他方のガラス基板を湾曲させたときに、すでに破断している一方のガラス基板を湾曲させると、その破断面同士が接触して板面に水平な方向にクラックが入るおそれがあった。
【０００５】
本発明は、水平方向のクラックの発生を抑制する表示装置の製造方法を提供することを目的とする。
【０００６】
また、本発明の前記ならびにその他の目的と新規な特徴は、本明細書の記述および添付図面によって明らかにする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明における表示装置の製造方法は、第１基板及び第２基板が貼り合わされた構造を有し、複数の製品に分断するための多面取り表示パネルを用意する工程と、前記第１基板をスクライブする工程と、スクライブされた前記第１基板を湾曲させてブレイクする工程と、ブレイクされた前記第１基板及び前記第２基板を化学研磨して薄くする工程と、化学研磨された前記第２基板をスクライブする工程と、スクライブされた前記第２基板を湾曲させてブレイクする工程と、を含み、前記第１基板及び前記第２基板を化学研磨して薄くする工程で、前記第１基板の、分断された隣接部分の対向面をエッチングして間隔を拡げ、前記第２基板をブレイクする工程で、前記第２基板の湾曲に伴って、前記対向面の、少なくとも前記第１基板の外表面側の端部同士の接触を避けながら、前記第１基板を湾曲させることを特徴とする。
【０００８】
また、前記第１基板及び前記第２基板は、ガラス基板であることを特徴とする。また、前記多面取り表示パネルは、前記第１基板及び前記第２基板の間に前記複数の製品を封止するシール材で構成されるシール部を有することを特徴とする。また、前記シール部は、前記複数の製品の全体の周囲を囲むことを特徴とする。
【０００９】
また、前記シール部は、それぞれの前記製品ごとに封止することを特徴とする。また、前記シール部は、隣り合う前記製品の封止のために共有される共有部分を有することを特徴とする。また、前記シール部は、隣り合う前記製品を別々に封止するために間隔をあけて配置された部分を有することを特徴とする。
【００１０】
また、前記第１基板をスクライブする工程及び前記第２基板をスクライブする工程の少なくとも一方で、スクライブラインを前記共有部分と重なる位置に設定することを特徴とする。
【００１１】
また、前記第１基板をスクライブする工程及び前記第２基板をスクライブする工程の少なくとも一方で、スクライブラインを前記間隔の領域と重なる位置に設定することを特徴とする。
【００１２】
また、前記第１基板をスクライブする工程で、第１スクライブラインを前記間隔の領域と重なる位置に設定し、前記第２基板をスクライブする工程で、第２スクライブライン及び第３スクライブラインを前記間隔の領域と重なる位置に設定し、前記第２スクライブラインは、前記第１スクライブラインと重なる位置にあることを特徴とする。
【発明の効果】
【００１３】
本発明によって、水平方向のクラックの発生を抑制する表示装置の製造方法が提供される。
【図面の簡単な説明】
【００１４】
【図１Ａ】本発明の一実施形態によって製造される表示装置の一例を示す平面図である。
【図１Ｂ】図１Ａの切断線ＩＢ‐ＩＢにおける断面を示す図である。
【図２】本発明の一実施形態の製造工程について示すフローチャートである。
【図３Ａ】本発明の一実施形態において用意される多面取り表示パネルの一例を示す平面図である。
【図３Ｂ】図３Ａの切断線ＩＩＩＢ‐ＩＩＩＢにおける断面図である。
【図３Ｃ】図３Ａの切断線ＩＩＩＣ‐ＩＩＩＣにおける断面図である。
【図４Ａ】本発明の一実施形態によって表示装置が製造される様子を示す図である。
【図４Ｂ】本発明の一実施形態によって表示装置が製造される様子を示す図である。
【図４Ｃ】本発明の一実施形態によって表示装置が製造される様子を示す図である。
【図４Ｄ】本発明の一実施形態によって表示装置が製造される様子を示す図である。
【図４Ｅ】本発明の一実施形態によって表示装置が製造される様子を示す図である。
【図４Ｆ】本発明の一実施形態によって表示装置が製造される様子を示す図である。
【図４Ｇ】本発明の一実施形態によって表示装置が製造される様子を示す図である。
【図５Ａ】スクライブされた第１基板の一部の断面を拡大して示す図である。
【図５Ｂ】ブレイクされた第１基板の一部の断面を拡大して示す図である。
【図５Ｃ】化学研磨された第１基板、及び化学研磨された後スクライブされた第２基板の一部の断面を拡大して示す図である。
【図５Ｄ】スクライブされた第２基板を湾曲させてブレイクする様子を拡大して示す図である。
【図６】化学研磨された第１基板、及び化学研磨された後スクライブされた第２基板の他の一部の断面を拡大して示す図である。
【図７】本発明の他の実施形態において用意される多面取り表示パネルの一例を示す平面図である。
【図８Ａ】本発明の他の実施形態によって製造される表示装置の一例を示す平面図である。
【図８Ｂ】図８Ａの切断線ＶＩＩＩＢ‐ＶＩＩＩＢにおける断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１５】
本発明の一実施形態に係る表示装置の製造方法は、例えばＯＬＥＤ（Ｏｒｇａｎｉｃ  Ｌｉｇｈｔ‐Ｅｍｉｔｔｉｎｇ  Ｄｉｏｄｅ）表示装置、液晶表示装置等の製造方法に適用されることとしてもよい。以下、本発明の一実施形態に係る表示装置の製造方法が、ＯＬＥＤ表示装置の製造方法に適用される例に基づいて説明する。
【００１６】
はじめに図１Ａ、１Ｂを参照して、本発明の一実施形態である表示装置の製造方法によって製造されるＯＬＥＤ表示装置について説明する。図１Ａは、本発明の一実施形態によって製造されるＯＬＥＤ表示装置の一例を示す平面図である。また図１Ｂは、図１Ａの切断線ＩＢ‐ＩＢにおける断面を示す図である。
【００１７】
図１Ａ、１Ｂに示されるＯＬＥＤ表示装置１０ａは、第１基板１１と第２基板１２とを含んで構成される。図１Ａ、１Ｂにおける第１基板１１は、絶縁基板上に薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）を有する画素がマトリクス状に配置されたＴＦＴ基板と、該ＴＦＴ基板上に備えられた有機ＥＬ素子層と、を含んで構成されている。ここで、第１基板１１は、ガラス基板で構成されることとしてもよい。
【００１８】
そして、平面視においてＯＬＥＤ表示装置１０ａを構成する第１基板１１の一部が、第２基板１２から露出していることとしてもよい。また、該第１基板１１の一部は、図１Ａに示されるように端子部１１ａであることとしてもよい。
【００１９】
また、第２基板１２は、第１基板１１と対向して備えられ、例えばカラーフィルタ（ＣＦ）基板であることとしてもよい。ここで、第２基板１２は、ガラス基板で構成されることとしてもよい。
【００２０】
そして、第１基板１１と第２基板１２との間には、両基板の間隙を埋める充填材（フィル材ともいう）によって形成される充填材層１４が備えられることとしてもよい。
【００２１】
充填材層１４を形成する充填材は、例えば光硬化樹脂等であることとしてもよい。充填材層１４が光硬化樹脂によって形成される場合、充填層１４の周縁にはシール材（ダム材ともいう）で構成されるシール部１３が備えられることとしてもよい。
【００２２】
そして、シール部１３が、第１基板１１に形成された有機ＥＬ素子層の表示領域（画像表示に寄与する有効画素が存在する領域）１５の外縁を取り囲むように備えられることとしてもよい。シール部１３を表示領域５５の外縁よりも外側に配置するのは、シール部１３を構成するシール材と充填材５４との微妙な屈折率の相違に起因した屈折率の分布が有機ＥＬ素子層上に生じてしまい、ＯＬＥＤ表示装置１０ａによって表示される画像が歪むことを防止するためである。
【００２３】
なお、本発明の一実施形態である表示装置の製造方法によって製造される表示装置が液晶表示装置である場合、例えば充填材層１４を液晶層に置き換えることによって実現されることとしてもよい。
【００２４】
本発明の一実施形態に係る表示装置の製造方法は、第１基板及び第２基板が貼り合わされた構造を有し、複数の製品に分断するための多面取り表示パネルを用意する工程と、前記第１基板をスクライブする工程と、スクライブされた前記第１基板を湾曲させてブレイクする工程と、ブレイクされた前記第１基板及び前記第２基板を化学研磨して薄くする工程と、化学研磨された前記第２基板をスクライブする工程と、スクライブされた前記第２基板を湾曲させてブレイクする工程と、を含み、前記第１基板及び前記第２基板を化学研磨して薄くする工程で、前記第１基板の、分断された隣接部分の対向面をエッチングして間隔を拡げ、前記第２基板をブレイクする工程で、前記第２基板の湾曲に伴って、前記対向面の、少なくとも前記第１基板の外表面側の端部同士の接触を避けながら、前記第１基板を湾曲させることを特徴とする。
【００２５】
図２は、本発明の一実施形態の製造工程について示すフローチャートである。以下、図２を参照し、本発明の一実施形態の表示装置の製造方法について、工程ごとに詳細に説明する。また、各工程について、図４Ａ〜４Ｇに示される本発明の一実施形態によって表示装置が製造される様子を示す図を用いて詳細に説明する。
【００２６】
はじめに、第１基板及び第２基板が貼り合わされた構造を有し、複数の製品（本例におけるＯＬＥＤ表示装置１０ａ）に分断するための多面取り表示パネル５０ａを用意する（図２におけるＳ１０：多面取り表示パネル用意工程）。
【００２７】
図３Ａは、本発明の一実施形態において用意される多面取り表示パネルの一例を示す平面図である。また、図３Ｂは、図３Ａの切断線ＩＩＩＢ‐ＩＩＩＢにおける断面図である。また、図３Ｃは、図３Ａの切断線ＩＩＩＣ‐ＩＩＩＣにおける断面図である。
【００２８】
図３Ａ、３Ｂ及び３Ｃに示される一点破線Ａ１−１〜Ａ１−６及びＡ２−１〜Ａ２−７は、貼り合わされた第１基板１１及び第２基板１２のスクライブライン（切断線ともいう）であり、一点破線Ｂ−１〜Ｂ−５は第２基板１２のスクライブラインである。スクライブラインＡ１−１〜Ａ１−６、Ａ２−１〜Ａ２−７、Ｂ−１〜Ｂ−５に沿った所定の位置で、スクライブ・ブレイク等の方法を用いて第１基板１１及び第２基板１２をそれぞれ切断することにより、図１に示すＯＬＥＤ表示装置１０ａが複数取得される。
【００２９】
図３Ａ等に示される多面取り表示パネル５０ａを構成する第１基板１１及び第２基板１２は共にガラス基板である。そして、多面取り表示パネル５０ａは、第１基板１１及び第２基板１２の間に複数の製品（ＯＬＥＤ表示装置１０ａ）を封止するシール材で構成されるシール部１３を有することとしてもよい。
【００３０】
そして、シール部１３は、多面取り表示パネル５０ａにおいて複数の製品の全体の周囲を囲むこととしてもよい。なお、多面取り表示パネル５０ａにおいて複数の製品の全体の周囲を囲むシール部１３とは、図３ＡにおけるスクライブラインＡ１−１、Ａ２−１、Ａ２−７、及びＢ−５の近傍に備えられるシール部１３である。
【００３１】
また、シール部１３は、多面取り表示パネル５０ａにおいてそれぞれの製品（ＯＬＥＤ表示装置１０ａ）ごとに封止することとしてもよい。図３Ａを参照すると、例えばスクライブラインＡ１−１、Ａ２−１、Ａ２−２、及びＢ−１の近傍に備えられるシール部１３によって、一の製品が封止されている。
【００３２】
また、平面視において一点破線Ａ２−２〜Ａ２−６と重なる位置には、第１基板１１と第２基板１２とに挟まれたシール部１３が備えられている。そして、多面取り表示パネル５０ａの状態では、図３Ｃに示されるように、一点破線Ａ２−１〜Ａ２−７と重なる位置に備えられたシール部１３は、隣り合う製品の封止のために共有される共有部分を有するものである。
【００３３】
このように、シール部１３が、隣り合う製品の封止のために共有される共有部分を有するものである場合、第１基板１１をスクライブする工程（Ｓ１１）及び第２基板１２をスクライブする工程（Ｓ１４）の少なくとも一方で、スクライブラインを該共有部分と重なる位置に設定することとしてもよい。
【００３４】
また、平面視において一点破線Ａ１−１〜Ａ１−６及びＢ−１〜Ｂ−５に沿って備えられた多面取り表示パネル５０ａのシール部１３は、隣り合う製品を別々に封止するために間隔をあけて配置された部分を有するものである。
【００３５】
このように、シール部１３が、隣り合う製品を別々に封止するために間隔をあけて配置された部分を有する場合、第１基板１１をスクライブする工程（Ｓ１１）及び第２基板をスクライブする工程（Ｓ１４）の少なくとも一方で、スクライブラインを該間隔の領域と重なる位置に設定することとしてもよい。
【００３６】
また、第１基板１１をスクライブする工程（Ｓ１１）で、第１スクライブライン（例えば、図３ＡにおけるスクライブラインＡ１）を該間隔の領域と重なる位置に設定し、第２基板１２をスクライブする工程（Ｓ１４）で、第２スクライブライン（例えば、図３ＡにおけるスクライブラインＡ１）及び第３スクライブライン（例えば、図３ＡにおけるスクライブラインＢ）を該間隔の領域と重なる位置に設定し、第２スクライブラインは、第１スクライブラインと重なる位置にあることとしてもよい。
【００３７】
このように、多面取り表示パネル５０ａにおけるスクライブラインは、平面視においてシール部１３と重なるか否かに関わらず設定することができる。
【００３８】
また、一実施形態において用意される多面取り表示パネル５０ａの第１基板１１の厚さは０．５ｍｍ以上であることとしてもよいし、０．４ｍｍ以上であることとしてもよいし、０．３ｍｍ以上であることとしてもよい。
【００３９】
また、一実施形態において用意される多面取り表示パネル５０ａの第１基板１１の厚さの上限は特に規定はないが、例えば１．０ｍｍ以下であることとしてもよい。
【００４０】
また、一実施形態において用意される多面取り表示パネル５０ａの第２基板１２の厚さは０．５ｍｍ以上であることとしてもよいし、０．４ｍｍ以上であることとしてもよいし、０．３ｍｍ以上であることとしてもよい。
【００４１】
また、一実施形態において用意される多面取り表示パネル５０ａの第１基板１２の厚さの上限は特に規定はないが、例えば１．０ｍｍ以下であることとしてもよい。
【００４２】
また、一実施形態において用意される多面取り表示パネル５０ａを構成する第１基板１１及び第２基板１２は、化学研磨されていないガラス基板であることとしてもよい。また、第１基板１１及び第２基板１２は、それぞれ厚さが０．５ｍｍ以上であるガラス基板であることとしてもよい。
【００４３】
次に、第１基板１１をスクライブする工程（Ｓ１１）、スクライブされた第１基板１１を湾曲させてブレイクする工程（Ｓ１２）について説明する。図４Ａには、多面取り表示パネルを用意する工程（Ｓ１０）において用意された多面取り表示パネル５０ａが置かれた状態が示されている。
【００４４】
図４Ｂには、多面取り表示パネル５０ａを構成する第１基板１１の、第２基板１２と対向する側とは反対側の面がスクライブされた状態が示されている。また、図４Ｃには、スクライブされた第１基板を湾曲させてブレイクする様子が示されている。また、図４Ｄには、第１基板１１をブレイクした後の状態が示されている。また、図５Ａは、スクライブされた第１基板１１の一部の断面を拡大して示す図である。図５Ｂは、ブレイクされた第１基板の一部の断面を拡大して示す図である。
【００４５】
本実施形態において、多面取り表示パネル５０ａの第１基板１２を構成する第１基板１１及び第２基板１２は、化学研磨されていないガラス基板であって、それぞれ厚さが０．５ｍｍ以上である。
【００４６】
第１基板１１をスクライブする工程（Ｓ１１）とは、第１基板１１にスクライブライン（切断線）を形成する工程である。スクライブラインの形成は、例えばホイールによる方法や、レーザーによる方法が用いられることとしてもよい。
【００４７】
なお、形成されたスクライブラインは、深さ方向に向かって徐々に幅が狭いものであり、スクライブラインの切欠の断面はテーパーがついたものとなっている。
【００４８】
図５Ａを参照すると、スクライブされた第１基板１１の表面に形成されたスクライブラインの切欠（ノッチ（Ｎｏｔｃｈ））２０のテーパー側面２０ａは滑らかなものではなく凹凸や、微妙なクラックソースの発生がみられるものである。
【００４９】
このような凹凸が存在する状態においてテーパー側面２０ａの対向面同士が、接触した場合、第１基板１１において板面に水平な方向にクラックが入るおそれがある。よって、スクライブされた第１基板１１を湾曲させてブレイクする場合、凹凸が存在するテーパー側面２０ａの対向面同士を接触させないように湾曲させることが重要である。
【００５０】
したがって、スクライブされた第１基板１１をブレイクする工程は、スクライブによって生じた切欠２０が広がる方向に該第１基板１１を湾曲させてブレイクすることとしてもよい。
【００５１】
図４Ｃには、第２基板１２のα方向からブレークラバー２００を押し当てて荷重を加えることによって、スクライブによって生じた切欠２０が広がる方向に該第１基板１１を湾曲させてブレイクされる様子が示されている。
【００５２】
図５Ｂを参照すると、第１基板１１は、スクライブによって生じた切欠２０の先端から略垂直にブレイクされていることがわかる。そして、第１基板１１の割目３０の間隔は非常に小さいため、後の第１基板１１を化学研磨して薄くする工程（Ｓ１３）において、エッチング液を使用した場合においても、該エッチング液の第１基板１１の第２基板１２に対向する側への侵入を抑えることができる。
【００５３】
また、図６は、化学研磨された第１基板１１、及び化学研磨された後スクライブされた第２基板１２の他の一部の断面を拡大して示す図である。図６は、化学研磨された後、スクライブされた第２基板１２における、スクライブラインＡ２付近の様子を示している。
【００５４】
図６に示されるように、スクライブラインＡ２付近は、第１基板１１及び第２基板１２の間にシール部１３が備えられているため、化学研磨して薄くする工程（Ｓ１３）にてエッチング液を使用した場合であっても、第１基板１１の端部４０同士の隙間４０ｂからの該エッチング液の侵入を抑えることができる。
【００５５】
また、スクライブされた第１基板１１の表面に形成される切欠２０の深さは、後の工程である第１基板１１及び第２基板１２を化学研磨して薄くする工程（Ｓ１３）によって得られる、エッチング後の第１基板１１の厚みと同程度の深さであることが好ましい。
【００５６】
また、スクライブされた第１基板１１の表面に形成される切欠２０の深さは、後の工程である第１基板１１及び第２基板１２を化学研磨して薄くする工程（Ｓ１３）によって得られる、エッチング後の第１基板１１の厚みＴ１とすると、Ｔ１×１．０以下、Ｔ１×０．８以上であることとしてもよい。
【００５７】
このように、切欠２０の深さを設定することによって、第１基板１１を化学研磨して薄くする工程（Ｓ１３）にて切欠２０の開口が広がったとしても、第１基板１１の第２基板１２に対向する側への、Ｓ１３工程に使用されるエッチング液の侵入を、該深さ設定がなされていない場合と比較して、より低減することとなる。
【００５８】
次に、ブレイクされた第１基板１１及び第２基板１２を化学研磨して薄くする工程（Ｓ１３）について説明する。本発明における化学研磨とは、研磨する部分を予め定められた溶液（酸、アルカリ、又は塩等を含有する溶液）に浸し、化学反応によって、該部分を溶解し研磨する方法である。
【００５９】
ブレイクされた第１基板１１及び第２基板１２を化学研磨して薄くする工程（Ｓ１３）を経て、両基板は薄型化されることとなる。
【００６０】
例えば、ブレイクされた第１基板１１及び第２基板１２を化学研磨して薄くする工程（Ｓ１３）は、両基板をエッチング液（弗酸を含有する溶液）に浸し、予め定められた厚さまでエッチングして薄くする工程であることとしてもよい。
【００６１】
ブレイクされた第１基板１１の厚さが薄くエッチングされる際、同時に第１基板１１の、分断された隣接部分の対向面もエッチングされ、スクライブ工程によってテーパー側面２０ａに生じていた凹凸は軽減され、またテーパー側面２０ａ同士の間隔を広げることとなる。
【００６２】
すなわち、第１基板１１の割目３０の幅はエッチングとともに、その間隔を広げることとなる。そして、第１基板１１の、分断された隣接部分の対向面のそれぞれは、該エッチング前に存在した表面の凹凸を減少させ、滑らかな表面となる。
【００６３】
次に、化学研磨された第２基板１２をスクライブする工程（Ｓ１４）について説明する。図５Ｃは、化学研磨された第１基板１１、及び化学研磨された後スクライブされた第２基板１２の一部の断面を拡大して示す図である。
【００６４】
図５Ｃに示されるように、化学研磨された第１基板１１の厚さｄ２は、化学研磨される前の第１基板１１の厚さｄ１（図５Ｂ参照）と比較して小さなものとなっている。同様に化学研磨された第２基板１２の厚さは、化学研磨される前の第２基板１２の厚さと比較して小さなものとなっている。
【００６５】
また、化学研磨された第１基板１１の厚さｄ２は、例えば０．５ｍｍ未満であることとしてもよいし、０．３ｍｍ未満であることとしてもよいし、０．２ｍｍ未満であることとしてもよい。
【００６６】
また、化学研磨された第１基板１１の厚さｄ２の下限は特に規定がないが、強度維持の観点から、例えば０．０５ｍｍ以上であることとしてもよいし。０．１ｍｍ以上であることとしてもよい。
【００６７】
同様に、化学研磨された第２基板１２の厚さは、例えば０．５ｍｍ未満であることとしてもよいし、０．３ｍｍ未満であることとしてもよいし、０．２ｍｍ未満であることとしてもよい。
【００６８】
また、化学研磨された第２基板１２の厚さの下限は特に規定がないが、強度維持の観点から、例えば０．０５ｍｍ以上であることとしてもよいし。０．１ｍｍ以上であることとしてもよい。
【００６９】
化学研磨の後、第２基板１２の第１基板１１と対向する側とは反対側の面がスクライブされる。第２基板１２は、例えば第１基板１１をスクライブした同様の方法を用いてスクライブされることとしてもよい。
【００７０】
次に、スクライブされた第２基板１２を湾曲させてブレイクする工程（Ｓ１５）について説明する。図４Ｆには、スクライブされた第２基板１２を湾曲させてブレイクする様子が示されている。また、図４Ｅには、第２基板１２をブレイクした後の状態が示されている。また、図５Ｄは、スクライブされた第２基板１２を湾曲させてブレイクする様子の一部の断面を拡大して示す図である。
【００７１】
図５Ｃ、５Ｄを参照すると、スクライブされた第２基板１２の表面に形成されるスクライブラインの切欠（ノッチ（Ｎｏｔｃｈ））２０のテーパー側面２０ａは滑らかなものではなく凹凸や、微妙なクラックソースの発生がみられる。このような凹凸が存在するテーパー側面２０ａの対向面同士が、第２基板１２が湾曲することによって接触した場合、第２基板１２において板面に水平な方向にクラックが入るおそれがある。
【００７２】
したがって、スクライブされた第２基板１２をブレイクする工程は、スクライブによって生じた切欠２０が広がる方向に該第２基板１２を湾曲させてブレイクすることとしてもよい。
【００７３】
図４Ｆには、第２基板１２のα方向からブレークラバー２００を押し当てて荷重を加えることによって、スクライブによって生じた切欠２０が広がる方向に該第２基板１２を湾曲させてブレイクされる様子が示されている。
【００７４】
図５Ｄを参照すると、第２基板１２をブレイクする工程（Ｓ１５）で、第２基板１２の湾曲に伴って、第１基板１１の分断された隣接部分の対向面の、少なくとも第１基板１１の外表面側の端部４０同士の接触を避けながら、第１基板１１を湾曲していることがわかる。
【００７５】
そして、第１基板１１はブレイク後にエッチングされ、分断された隣接部分の対向面同士の間隔が広がっているため、第２基板１２をブレイクする工程（Ｓ１５）において第１基板１１の外表面側の端部４０同士の干渉が抑制されている。このため結果として、第１基板１１において板面に水平な方向にクラックが入るおそれを低減することとなる。
【００７６】
また、スクライブされた第２基板１２の表面に形成される切欠２０の深さは、特に限定されないが、例えばエッチング後の第２基板１２の厚みＴ２とすると、Ｔ２×０．５未満、Ｔ２×０．００１以上であることとしてもよいし、Ｔ２×０．３未満、Ｔ２×０．００１以上であることとしてもよい。
【００７７】
スクライブされた第２基板１２の表面に形成される切欠２０の深さを、上記のような深さに設定することによって、エッチング後、薄くなって物理強度が低下した第２基板１２を損傷させることなくブレイク工程（Ｓ１５）をより確実に行うことができる。
【００７８】
そして、第２基板１２をブレイクする工程（Ｓ１５）の後、第２基板１２におけるスクライブラインＡ１とスクライブラインＢとの間の、不要な基板片３００を取り除くことによって、複数の製品（本例におけるＯＬＥＤ表示装置１０ａ）が多面取り表示パネル５０ａから得られることとなる。
【００７９】
上記工程を経て製造された表示装置（本例におけるＯＬＥＤ表示装置１０ａ）は、第２基板１２の端部と比して、凹凸が少ない第１基板１１の端部を有するものである。また、上記工程を経て製造された表示装置（ＯＬＥＤ表示装置１０ａ）は、化学研磨された第１基板１１の端部と、化学研磨されていない第２基板１２の端部と、を有するものである。
【００８０】
次に、本発明の他の実施形態に係る表示装置の製造方法について説明する。他の実施形態に係る表示装置の製造方法は、上記説明した一実施形態と比較して、多面取り表示パネルを用意する工程（Ｓ１０）において、用意される多面取り表示パネルが異なるものである。
【００８１】
なお、下記にて説明する本実施形態に係る表示装置の製造方法は、主としてＯＬＥＤ表示装置に適用されるものである。以下、本実施形態に係る表示装置の製造方法が、ＯＬＥＤ表示装置の製造方法に適用される例に基づいて説明する。
【００８２】
図７は、本発明の他の実施形態において用意される多面取り表示パネルの一例を示す平面図である。また、図８Ａは、本発明の他の実施形態によって製造される表示装置の一例を示す平面図である。また、図８Ｂは、図８Ａの切断線ＶＩＩＩＢ‐ＶＩＩＩＢにおける断面図である。
【００８３】
図７に示す一点破線Ａ１−１〜Ａ１−６及びＡ２−１〜Ａ２−７は、貼り合わされた第１基板１１及び第２基板１２のスクライブラインを示している。スクライブラインＡ１−１〜Ａ１−６、Ａ２−１〜Ａ２−７に沿った所定の位置で、スクライブ・ブレイク等の方法を用いて第１基板１１及び第２基板１２をそれぞれ切断することにより、図８Ａ，８Ｂに示すＯＬＥＤ表示装置１０ｂが複数取得される。
【００８４】
また、図７に示される多面取り表示パネル５０ｂを構成する第１基板１１及び第２基板１２は共にガラス基板であることとしてもよい。そして、本実施形態における多面取り表示パネル５０ｂには、先に説明した本発明の一実施形態において備えられたシール部１３が第１基板１１、第２基板１２それぞれが切断された際に、ＯＬＥＤ表示装置１０ｂの全体の周囲を囲むように備えられていない点で異なるものである。
【００８５】
すなわち、本実施形態で用意される多面取り表示パネル５０ｂから取得されるＯＬＥＤ表示装置１０ｂには、その外縁にシール部１３によって封止されていないものが含まれることとなる。そして、第１基板１１と第２基板１２との間には、両基板の間隙を埋める充填材によって形成される充填材層１４が備えられることとしてもよい。
【００８６】
このように、多面取り表示パネル５０ｂにおけるスクライブラインは、平面視においてシール部１３と重なるか否かに関わらず設定することができる。
【００８７】
また、本実施形態において用意される多面取り表示パネル５０ｂの第１基板１１の厚さは０．５ｍｍ以上であることとしてもよいし、０．４ｍｍ以上であることとしてもよいし、０．３ｍｍ以上であることとしてもよい。
【００８８】
また、本実施形態において用意される多面取り表示パネル５０ｂの第１基板１１の厚さの上限は特に規定はないが、例えば１．０ｍｍ以下であることとしてもよい。
【００８９】
また、本実施形態において用意される多面取り表示パネル５０ｂの第２基板１２の厚さは０．５ｍｍ以上であることとしてもよいし、０．４ｍｍ以上であることとしてもよいし、０．３ｍｍ以上であることとしてもよい。
【００９０】
また、本実施形態において用意される多面取り表示パネル５０ｂの第１基板１２の厚さの上限は特に規定はないが、例えば１．０ｍｍ以下であることとしてもよい。
【００９１】
また、本実施形態において用意される多面取り表示パネル５０ｂを構成する第１基板１１及び第２基板１２は、化学研磨されていないガラス基板であることとしてもよい。また、第１基板１１及び第２基板１２は、それぞれ厚さが０．５ｍｍ以上であるガラス基板であることとしてもよい。
【００９２】
本実施形態によって製造されるＯＬＥＤ表示装置１０ｂは、図８Ａ、８Ｂに示されるように、第１基板１１に形成された有機ＥＬ素子層の表示領域（画像表示に寄与する有効画素が存在する領域）１５の外縁を取り囲む、一実施形態におけるシール部１３が存在しない。
【００９３】
上記工程を経て製造された表示装置（本例におけるＯＬＥＤ表示装置１０ｂ）は、第２基板１２の端部と比して凹凸少ない第１基板１１の端部を有するものである。また、上記工程を経て製造された表示装置（ＯＬＥＤ表示装置１０ｂ）は、化学研磨された第１基板１１の端部と、化学研磨されていない第２基板１２の端部と、を有するものである。
【符号の説明】
【００９４】
１０ａ  表示装置（ＯＬＥＤ表示装置）、１０ｂ  表示装置（ＯＬＥＤ表示装置）、１１  第１基板、１２  第２基板、１３  シール部、１４  充填材層、１５  表示領域、２０  切欠、２０ａ  テーパー側面、３０  割目、４０  端部、５０ａ  多面取り表示パネル、５０ｂ  多面取り表示パネル。
【図１Ａ】
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【図１Ｂ】
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【図２】
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【図３Ａ】
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【図３Ｂ】
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【図３Ｃ】
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【図４Ａ】
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【図４Ｂ】
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【図４Ｃ】
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【図４Ｄ】
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【図４Ｅ】
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【図４Ｆ】
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【図４Ｇ】
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【図５Ａ】
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【図５Ｂ】
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【図５Ｃ】
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【図５Ｄ】
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【図６】
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【図７】
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【図８Ａ】
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【図８Ｂ】
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