(57)【要約】【課題】金属製のシールド部を多箇所でグランドに接続することが困難な場合でも、シールド部から電磁波が放射されるのを防止ないし抑制可能な電磁波シールド部材の提供。【解決手段】電磁波シールド部材１０は、金属材料によって形成され、電子回路基板３上に実装された電子部品５を電子回路基板３との間に封入することで、電子部品５から放射される電磁波、及び電子部品５に到来する電磁波を遮断するシールド部１１と、比誘電率が６以上の誘電材料によって形成され、電子部品５が有する導体部分５Ａとシールド部１１との間に介在することで、導体部分５Ａとシールド部１１とを電気的に絶縁する誘電部１３とを有し、電子部品５の周囲では、シールド部１１、誘電部１３、及び電子回路基板３が、当該順序で積層された構造とされ、当該積層箇所においては、シールド部１１と電子回路基板３の有するグランド層１９とが容量結合する。【選択図】図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
金属材料によって形成され、電子回路基板上に実装された電子部品を前記電子回路基板との間に封入することで、前記電子部品から放射される電磁波、及び前記電子部品に到来する電磁波を遮断するシールド部と、
比誘電率が６以上の誘電材料によって形成され、前記電子部品が有する導体部分と前記シールド部との間に介在することで、前記導体部分と前記シールド部とを電気的に絶縁する誘電部と
を有し、
前記電子部品の周囲では、前記シールド部、前記誘電部、及び前記電子回路基板が、当該順序で積層された構造とされ、当該積層箇所においては、前記シールド部と前記電子回路基板の有するグランド層とが容量結合する
電磁波シールド部材。
【請求項２】
比誘電率が５以下の誘電材料によって形成され、前記シールド部を挟んで前記電子回路基板側とは反対側となる箇所に配設されるヒートシンクと前記シールド部との間に介装されて、前記シールド部から前記ヒートシンクへと熱を伝導する熱伝導部
を備える請求項１に記載の電磁波シールド部材。
【請求項３】
熱放射率が０．８以上の熱放射材料によって形成され、前記シールド部を挟んで前記電子回路基板側とは反対側となる箇所に配設されて、前記シールド部から伝導される熱を赤外線として放射する熱放射部
を備える請求項１に記載の電磁波シールド部材。
【請求項４】
前記積層箇所において、前記誘電部は、変形を伴って前記シールド部及び前記電子回路基板に密接する
請求項１〜請求項３のいずれか一項に記載の電磁波シールド部材。
【請求項５】
前記電子部品が収容される収容部と、
前記収容部の周囲において前記積層箇所を形成する積層部と
を有する請求項１〜請求項４のいずれか一項に記載の電磁波シールド部材。
【請求項６】
前記シールド部は、前記誘電部側では凹部をなすとともに、当該凹部の裏側では凸部をなす形状にあらかじめ成形されており、
前記誘電部は、前記凹部及び前記凹部の開口周縁を覆う位置に配設され、
前記電磁波シールド部材が前記電子回路基板へ取り付けられる際には、前記誘電部が前記電子部品に押し当てられると、前記誘電部が変形して前記凹部の内側へと入り込むことで、前記収容部が形成される
請求項５に記載の電磁波シールド部材。
【請求項７】
グランド層を有する電子回路基板と、
前記電子回路基板上に実装された電子部品と、
前記電子回路基板上に取り付けられた電磁波シールド部材と
を備えており、
前記電磁波シールド部材は、
金属材料によって形成され、電子回路基板上に実装された電子部品を前記電子回路基板との間に封入することで、前記電子部品から放射される電磁波、及び前記電子部品に到来する電磁波を遮断するシールド部と、
比誘電率が６以上の誘電材料によって形成され、前記電子部品が有する導体部分と前記シールド部との間に介在することで、前記導体部分と前記シールド部とを電気的に絶縁する誘電部と
を有し、
前記電子部品の周囲では、前記シールド部、前記誘電部、及び前記電子回路基板が、当該順序で積層された構造とされ、当該積層箇所においては、前記シールド部と前記電子回路基板の有するグランド層とが容量結合する
電磁波シールド構造。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電磁波シールド部材、及び電磁波シールド構造に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、電子回路基板上に実装された電子部品に対して取り付けられる電磁波シールド部材として、電子回路基板上に金属部材が取り付けられて、電子部品が金属部材と電子回路基板との間に封入されるものが知られている（例えば、特許文献１参照。）。
【０００３】
特許文献１に記載の技術の場合、電子部品（１０）と金属部材（１３）との間には、導電性のある熱伝導材（１）が介装されている。また、金属部材（１３）の両端にある接続部（１３ａ）は、プリント配線基板（１０）のアース電極（図示略）に接続される。
【０００４】
このような構造とすることで、熱伝導材（１）及び金属部材（１３）はアース電位に安定して保持され、電子部品（１１）に出入りする電磁波を極めて良好にシールドすることができる。また、電子部品（１０）において発生する熱を熱伝導材（１）を介して金属部材（１３）へと伝導することにより、電子部品（１０）からの放熱を促すこともできる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２００２−０２６２０４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかしながら、電子部品や配線のレイアウトによっては、電子部品の周囲において金属部材をグランド（アース電極）に接続することが困難な場合がある。特に、金属部材が大型になる場合には、金属部材を多箇所でグランドに接続したいことがあるが、そのような接続箇所を十分に多く確保することが難しいことがあった。
【０００７】
そのため、このようにグランドとの接続箇所が不足する場合には、金属部材に高周波の電圧変動などが生じることがあり、その結果、金属部材や、金属部材に近接配置されたヒートシンクがノイズとなる電磁波の放射源となってしまうことがあった。
【０００８】
以上のような事情から、金属製のシールド部を多箇所でグランドに接続することが困難な場合でも、シールド部から電磁波が放射されるのを防止ないし抑制可能な電磁波シールド部材、及び電磁波シールド構造を提供することが望ましい。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
以下に説明する電磁波シールド部材は、金属材料によって形成され、電子回路基板上に実装された電子部品を前記電子回路基板との間に封入することで、前記電子部品から放射される電磁波、及び前記電子部品に到来する電磁波を遮断するシールド部と、比誘電率が６以上の誘電材料によって形成され、前記電子部品が有する導体部分と前記シールド部との間に介在することで、前記導体部分と前記シールド部とを電気的に絶縁する誘電部とを有し、前記電子部品の周囲では、前記シールド部、前記誘電部、及び前記電子回路基板が、当該順序で積層された構造とされ、当該積層箇所においては、前記シールド部と前記電子回路基板の有するグランド層とが容量結合する。
【００１０】
この電磁波シールド部材において、シールド部を形成する金属材料としては、例えば、アルミニウムや銅などの金属、これらの金属を含む合金などを利用することができる。これらの金属材料は、金属の薄板や金属箔のような金属単体のものであってもよいし、樹脂フィルム（例えばＰＥＴフィルム）などの基材上に金属層が形成されたものなどでもよい。
【００１１】
誘電部を形成する誘電材料としては、比誘電率が６以上のものが用いられる。ただし、容量結合を促す観点からは、比誘電率はより高い方がよく、例えば、比誘電率が８以上であるとより好ましい。このような誘電材料としては、例えば、シリコーンやアクリルゴムなどを母材として、その母材中にアルミナ、水酸化アルミニウム、窒化ホウ素、水酸化マグネシウム、五酸化タンタルなどのセラミックス材料からなる微粒子状のフィラーを充填したものを利用することができる。これらのフィラーの配合比は、比誘電率を考慮して適宜調整されていればよいが、一例を挙げれば、例えば、シリコーンに水酸化アルミニウムを配合する場合であれば、１００重量部のシリコーンに対して１８０〜２５０重量部程度の水酸化アルミニウムを配合するとよい。
【００１２】
以上のように構成された電磁波シールド部材によれば、誘電部は比誘電率が６以上とされ、シールド部、誘電部、及び電子回路基板は当該順序で積層され、この積層箇所においては、シールド部と電子回路基板の有するグランド層とが容量結合する。そのため、シールド部に高周波の電圧変動などが生じるような状況下でも、シールド部と容量結合しているグランド層へノイズを逃がすことができる。
【００１３】
したがって、例えば、電子部品や配線のレイアウトの都合上、電子部品の周囲においてシールド部をグランドに接続することが困難な場合でも、シールド部や、シールド部に近接配置されたヒートシンクが電磁波の放射源となってしまうのを防止ないし抑制できる。また、シールド部をグランドに接続できる場合でも、シールド部とグランドとの接続箇所を少なくすることができるので、より多箇所での接続が必要なものよりも、容易に電磁波対策を施すことができる。
【００１４】
以上のような電磁波シールド部材は、更に以下に挙げるような構成を備えていることが好ましい。
まず、上記電磁波シールド部材は、比誘電率が５以下の誘電材料によって形成され、前記シールド部を挟んで前記電子回路基板側とは反対側となる箇所に配設されるヒートシンクと前記シールド部との間に介装されて、前記シールド部から前記ヒートシンクへと熱を伝導する熱伝導部を備えると好ましい。
【００１５】
この電磁波シールド部材において、熱伝導部を形成する誘電材料としては、比誘電率が５以下のものが用いられる。ただし、容量結合を阻む観点からは、比誘電率はより低い方がよく、例えば、比誘電率が４以下であるとより好ましい。このような誘電材料としては、例えば、上述の誘電部と同様な誘電材料に対し、更に中空フィラー、酸化ケイ素やその化合物、ポリアリルエーテル・ポリオレフィンなどの有機材料を配合することで、比誘電率を５以下まで低下させたものを利用することができる。なお、熱伝導部は、シールド部からヒートシンクへ熱を伝導する部分なので、熱伝導率は高いほど好ましい。ただし、どの程度の熱伝導率を確保すべきかは、電子部品における発熱量やヒートシンクにおける放熱量なども勘案して適宜調整されていればよく、目安としては、例えば、１Ｗ／ｍ・Ｋ以上の熱伝導率を有するものであればよい。
【００１６】
このように構成された電磁波シールド部材によれば、電子部品からシールド部へ伝わる熱を、熱伝導部を介してヒートシンクへと逃がすことができる。したがって、例えば、電子部品の発熱量が大きい場合等、シールド部のみでは十分な放熱ができない場合には、このような熱伝導部を備えると好適である。
【００１７】
また、熱伝導部は、比誘電率が５以下の誘電材料によって形成されているので、熱伝導部を挟んでヒートシンクがシールド部に近接配置された場合でも、シールド部とヒートシンクが容量結合するのを防止ないし抑制する。そのため、シールド部からヒートシンク側へノイズを逃がしてしまうことなく、シールド部からグランド層側へは適切にノイズを逃がすことができ、ヒートシンクがノイズとなる電磁波の放射源になるのを防止ないし抑制することができる。
【００１８】
また、上記電磁波シールド部材は、熱放射率が０．８以上の熱放射材料によって形成され、前記シールド部を挟んで前記電子回路基板側とは反対側となる箇所に配設されて、前記シールド部から伝導される熱を赤外線として放射する熱放射部を備えていても好ましい。
【００１９】
この電磁波シールド部材において、熱放射部を形成する熱放射材料としては、熱放射率が０．８以上のものが用いられる。熱放射を促す観点からは、熱放射率はより高い方が好ましい。このような熱放射材料としては、例えば、シリコーン樹脂、アクリル樹脂、フッ素樹脂などに、炭化ケイ素、水酸化アルミニウム、水酸化マグネシウムなどのフィラーを充填した材料を利用することができる。
【００２０】
このように構成された電磁波シールド部材によれば、電子部品からシールド部へ伝わる熱を、更に熱放射部へと伝えて熱放射部から放射することができる。したがって、例えば、電子部品の発熱量が大きい場合等、シールド部のみでは十分な放熱ができない場合には、このような熱放射部を備えると好適である。
【００２１】
また、上記電磁波シールド部材の前記積層箇所において、前記誘電部は、変形を伴って前記シールド部及び前記電子回路基板に密接すると好ましい。
このように構成された電磁波シールド部材によれば、誘電部が変形を伴ってシールド部及び電子回路基板に密接するので、誘電部が変形しない場合に比べ、誘電部とシールド部との間、及び誘電部と電子回路基板との間には空隙が生じにくくなる。したがって、そのような空隙が生じる場合に比べ、電子回路基板が有するグランド層とシールド部を容易に容量結合させることができる。
【００２２】
また、上記電磁波シールド部材は、前記電子部品が収容される収容部と、前記収容部の周囲において前記積層箇所を形成する積層部とを有すると好ましい。
このように構成された電磁波シールド部材によれば、上述のような収容部及び積層部を有するので、電子回路基板上に取り付けるだけで、電子部品を収容部に収容することができ、積層部においてシールド部とグランド層を容量結合させることができる。
【００２３】
また、上記電磁波シールド部材において、前記シールド部は、前記誘電部側では凹部をなすとともに、当該凹部の裏側では凸部をなす形状にあらかじめ成形されており、前記誘電部は、前記凹部及び前記凹部の開口周縁を覆う位置に配設され、前記電磁波シールド部材が前記電子回路基板へ取り付けられる際には、前記誘電部が前記電子部品に押し当てられると、前記誘電部が変形して前記凹部の内側へと入り込むことで、前記収容部が形成されると好ましい。
【００２４】
このように構成された電磁波シールド部材によれば、シールド部についてはシールド部単体で成形でき、誘電部については電磁波シールド部材が電子回路基板へ取り付けられる際に収容部をなす形状に変形する。したがって、シールド部及び誘電部の双方をあらかじめ収容部をなす形状に成形しておかなくても済むので、加工コストを低減することができる。
【００２５】
次に、以下に説明する電磁波シールド構造は、グランド層を有する電子回路基板と、前記電子回路基板上に実装された電子部品と、前記電子回路基板上に取り付けられた電磁波シールド部材とを備えており、前記電磁波シールド部材は、金属材料によって形成され、電子回路基板上に実装された電子部品を前記電子回路基板との間に封入することで、前記電子部品から放射される電磁波、及び前記電子部品に到来する電磁波を遮断するシールド部と、比誘電率が６以上の誘電材料によって形成され、前記電子部品が有する導体部分と前記シールド部との間に介在することで、前記導体部分と前記シールド部とを電気的に絶縁する誘電部とを有し、前記電子部品の周囲では、前記シールド部、前記誘電部、及び前記電子回路基板が、当該順序で積層された構造とされ、当該積層箇所においては、前記シールド部と前記電子回路基板の有するグランド層とが容量結合する。
【００２６】
以上のように構成された電磁波シールド構造によれば、上述の電磁波シールド部材と同等な構成を備えているので、シールド部、誘電部、及び電子回路基板の積層箇所において、シールド部と電子回路基板の有するグランド層とが容量結合する。したがって、シールド部と容量結合しているグランド層へノイズを逃がすことができ、シールド部や、シールド部に近接配置されたヒートシンクが電磁波の放射源となってしまうのを防止ないし抑制できる。また、シールド部をグランドに接続できる場合でも、シールド部とグランドとの接続箇所を少なくすることができるので、より多箇所での接続が必要なものよりも、容易に電磁波対策を施すことができる。なお、以上のような電磁波シールド構造においても、上述の電磁波シールド部材が備えると好ましい旨を説明した構成を備えていてもよいことはもちろんである。
【図面の簡単な説明】
【００２７】
【図１】（Ａ）は電磁波シールド構造を示す斜視図、（Ｂ）は電磁波シールド構造を分解して示す斜視図。
【図２】多層基板が一つのグランド層を有する場合の電磁波シールド構造を示す断面図であり、（Ａ）は電磁波シールド部材の取り付け前の状態を示す断面図、（Ｂ）は電磁波シールド部材の取り付け後の状態を示す断面図。
【図３】電磁波シールド構造を示す断面図であり、（Ａ）は多層基板が二つのグランド層を有する場合の断面図、（Ｂ）はシールド部が金属層を有する樹脂フィルムで構成された場合の断面図、（Ｃ）はシールド部−誘電部間が密接する構造になっている場合の断面図。
【図４】電磁波シールド構造を示す断面図であり、（Ａ）は熱伝導部及びヒートシンクを備える場合の断面図、（Ｂ）は熱放射部を備える場合の断面図。
【発明を実施するための形態】
【００２８】
次に、上述の電磁波シールド部材、及び電磁波シールド構造について、より具体的な例を挙げて説明する。
［第一の事例］
図１（Ａ）及び図１（Ｂ）に示す電磁波シールド構造は、電子回路基板３と、電子回路基板３上に実装された電子部品５と、電子回路基板３上に取り付けられた電磁波シールド部材１０を備えている。電磁波シールド部材１０は、シールド部１１と、誘電部１３とを有する。
【００２９】
シールド部１１は、金属材料（本事例ではアルミニウム。）の薄板を所定形状にプレス成形したものによって構成されている。誘電部１３は、比誘電率が６以上の誘電材料によって形成される。本事例の場合、比誘電率が６以上の誘電材料としては、アクリル樹脂を母材として、１００重量部の母材に対し、７重量部の架橋剤と、２６０重量部の微粒子状フィラー（詳しくは、１９５重量部の水酸化マグネシウム又は水酸化アルミニウムと、１６５重量部の炭化ケイ素。）が配合された高誘電組成物（比誘電率は９．３、熱伝導率は２Ｗ／ｍ・Ｋ。）を利用した。水酸化マグネシウム又は水酸化アルミニウムは、いずれか一方だけでもよいし、両方を任意の割合で混合したものであってもよい。なお、本明細書中に示す比誘電率は、いずれもインピーダンス・マテリアルアナライザ（アジレントテクノロジー社製、Ｅ４９９１Ａ）で測定したものである。
【００３０】
本事例の場合、シールド部１１は、図２（Ａ）及び図２（Ｂ）に示すように、誘電部１３側では凹部１１Ａをなすとともに、当該凹部１１Ａの裏側では凸部１１Ｂをなす形状にあらかじめプレス成形されている。一方、誘電部１３は、シート状に成形されて、上述の凹部１１Ａ及び凹部１１Ａの開口周縁１１Ｃを覆う位置に配設されている。
【００３１】
電磁波シールド部材１０が電子回路基板３へ取り付けられる際には、図２（Ａ）に示すような状態にある誘電部１３が電子部品５に押し当てられると、誘電部１３が変形して凹部１１Ａの内側へと入り込む。これにより、図２（Ｂ）に示すように、誘電部１３の一部が凹んで、電子部品５が収容される収容部１５が形成されることになる。
【００３２】
図２（Ｂ）に示した状態において、誘電部１３は、電子部品５が有する導体部分５Ａとシールド部１１との間に介在することで、導体部分５Ａとシールド部１１とを電気的に絶縁する。また、誘電部１３は、電子部品５上において、変形を伴ってシールド部１１及び電子部品５に密接し、これにより、電子部品５で発生する熱が誘電部１３を介してシールド部１１へと伝導される。
【００３３】
また、収容部１５の周囲には、シールド部１１の開口周縁１１Ｃと誘電部１３を積層してなる積層部１７が構成される。積層部１７は、更に電子回路基板３に対して積層される部分であり、当該積層箇所ではシールド部１１、誘電部１３、及び電子回路基板３が、当該順序で積層されることになる。この積層箇所において、誘電部１３は、変形を伴ってシールド部１１及び電子回路基板３に密接する。
【００３４】
上記電磁波シールド部材１０の場合、誘電部１３の表面には粘着性（タック性）があるため、この粘着性を利用して誘電部１３とシールド部１１を接着してある。また、電磁波シールド部材１０を電子回路基板３に対して取り付ける際にも、誘電部１３の粘着性を利用して電磁波シールド部材１０が電子回路基板３に接着される。電磁波シールド部材１０と電子回路基板３との接着範囲は、図１（Ａ）中に示す範囲Ａ１となる。誘電部１３が粘着性の弱い誘電材料で形成される場合は、シールド部１１と誘電部１３、あるいは、電磁波シールド部材１０と電子回路基板３、これらを接着剤や両面粘着テープで接着してもよい。ただし、このような接着剤や両面粘着テープを利用する場合は、少なくともシールド部１１や誘電部１３の機能を阻害しないようなものを選定する。
【００３５】
電子回路基板３は、図２（Ａ）及び図２（Ｂ）に示すように、グランド層１９を有する多層基板であり、上述の積層箇所においては、シールド部１１とグランド層１９とが容量結合する。すなわち、シールド部１１の開口周縁１１Ｃと電子回路基板３との接触面積と、誘電部１３の誘電率及び厚さは、シールド部１１とグランド層１９が容量結合するように調整される。
【００３６】
電子回路基板３上に実装された電子部品５は、電磁波シールド部材１０によって覆われた際に、シールド部１１と電子回路基板３との間に封入され、電子部品５から放射される電磁波、及び電子部品５に到来する電磁波は、シールド部１１によって遮断される。
【００３７】
以上のように構成された電磁波シールド構造によれば、上述の通り、シールド部１１と電子回路基板３の有するグランド層１９が容量結合する。そのため、シールド部１１に高周波の電圧変動などが生じるような状況下でも、シールド部１１と容量結合しているグランド層１９へノイズを逃がすことができる。
【００３８】
したがって、例えば、電子部品５や配線のレイアウトの都合上、電子部品５の周囲においてシールド部１１をグランドに接続することが困難な場合でも、シールド部１１や、シールド部１１に近接配置されたヒートシンクが電磁波の放射源となってしまうのを防止ないし抑制できる。また、シールド部１１をグランドに接続できる場合でも、シールド部１１とグランドとの接続箇所を少なくすることができるので、より多箇所での接続が必要なものよりも、容易に電磁波対策を施すことができる。
【００３９】
また、上記電磁波シールド部材１０の場合、誘電部１３が変形を伴ってシールド部１１及び電子回路基板３に密接する。そのため、誘電部１３が変形しない場合に比べ、誘電部１３とシールド部１１との間、及び誘電部１３と電子回路基板３との間には空隙が生じにくくなる。したがって、そのような空隙が生じる場合に比べ、電子回路基板３が有するグランド層１９とシールド部１１を容易に容量結合させることができる。
【００４０】
また、上記電磁波シールド部材１０の場合、上述のような収容部１５及び積層部１７を有するので、電子回路基板３上に取り付けるだけで、電子部品５を収容部１５に収容することができ、積層部１７においてシールド部１１とグランド層１９を容量結合させることができる。
【００４１】
また、上記電磁波シールド部材１０の場合、シールド部１１についてはシールド部１１単体で成形でき、誘電部１３については電磁波シールド部材１０が電子回路基板３へ取り付けられる際に収容部１５をなす形状に変形する。したがって、シールド部１１及び誘電部１３の双方をあらかじめ収容部１５をなす形状に成形しておかなくても済むので、加工コストを低減することができる。
【００４２】
［第二の事例］
上述の第一の事例で例示した電子回路基板３に代えて、図３（Ａ）に示す電子回路基板２１のように、ＥＭＣ対策として基板表裏面に近い位置それぞれにグランド層２３，２４を有するものを採用してもよい。この場合、第一の事例で例示した電子回路基板３よりも、電磁波シールド部材１０のシールド部１１と電子回路基板２１の有するグランド層２３は、より近接した位置に配置されるので、容量結合が強くなり、シールド部１１によるシールド性能がより一層向上する。
【００４３】
［第三の事例］
図３（Ｂ）に示す電磁波シールド部材３０のように、シールド部３１は、樹脂製のフィルム材３３（本事例においては、ＰＥＴ（ポリエチレンテレフタラート）のフィルム。）に対し、金属層３５（本事例においては、アルミニウムの蒸着層。）を形成したもので構成されていてもよい。
【００４４】
［第四の事例］
図３（Ｃ）に示す電磁波シールド部材４０のように、シールド部４１と誘電部４３は、両者間が隙間なく密接する構造になっていてもよい。この場合、シールド部４１と誘電部４３との間に空隙が存在しないので、上述の第一の事例に比べ、電子部品５で発生した熱は誘電部４３を介してより一層効率良くシールド部４１へと伝わるようになる。
【００４５】
ただし、第一の事例とは異なり、誘電部４３の形状をシールド部４１に対して隙間なく密接する形状に加工しておく必要がある。したがって、第一の事例と第四の事例、いずれの構造を採用すべきかは、熱伝導効率の良さと加工の手間とを勘案して所望の構造を採用すればよい。
【００４６】
［第五の事例］
図４（Ａ）に示す電磁波シールド部材５０は、第一の事例と同等な構成に加え、熱伝導部５１を備える。熱伝導部５１は、比誘電率が５以下の誘電材料によって形成される。本事例の場合、比誘電率が５以下の誘電材料としては、シリコーンを母材として、１００重量部の母材に対し、２６５重量部の微粒子状フィラー（詳しくは、２２０重量部の水酸化マグネシウム又は水酸化アルミニウムと、４５重量部の無機系フライアッシュバルーン。）が配合された低誘電組成物（比誘電率は３．８、熱伝導率は１Ｗ／ｍ・Ｋ。）を利用した。水酸化マグネシウム又は水酸化アルミニウムは、いずれか一方だけでもよいし、両方を任意の割合で混合したものであってもよい。
【００４７】
この熱伝導部５１は、シールド部１１を挟んで電子回路基板３側とは反対側となる箇所に配設されるヒートシンク５３とシールド部１１との間に介装されて、シールド部１１からヒートシンク５３へと熱を伝導する。
【００４８】
このように構成された電磁波シールド部材５０によれば、電子部品５からシールド部１１へ伝わる熱を、熱伝導部５１を介してヒートシンク５３へと逃がすことができる。したがって、例えば、電子部品５の発熱量が大きい場合等、シールド部１１のみでは十分な放熱ができない場合には、このような熱伝導部５１を備えると好適である。
【００４９】
また、熱伝導部５１は、比誘電率が５以下の誘電材料によって形成されているので、熱伝導部５１を挟んでヒートシンク５３がシールド部１１に近接配置された場合でも、シールド部１１とヒートシンク５３が容量結合するのを防止ないし抑制する。そのため、シールド部１１からヒートシンク５３側へノイズを逃がしてしまうことなく、シールド部１１からグランド層１９側へは適切にノイズを逃がすことができ、ヒートシンク５３がノイズとなる電磁波の放射源になるのを防止ないし抑制することができる。
【００５０】
［第六の事例］
また、電磁波シールド部材６０は、第一の事例と同等な構成に加え、熱放射部６１を備える。熱放射部６１は、熱放射率が０．８以上の熱放射材料によって形成される。本事例の場合、熱放射率が０．８以上の熱放射材料としては、アクリル樹脂を母材として、１００重量部の母材に対し、１５重量部の架橋剤と、２６５重量部の微粒子状フィラー（詳しくは、２６５重量部の水酸化マグネシウム又は水酸化アルミニウム。）が配合された熱放射性組成物（熱放射率は０．９２。）を利用した。水酸化マグネシウム又は水酸化アルミニウムは、いずれか一方だけでもよいし、両方を任意の割合で混合したものであってもよい。この熱放射部６１は、シールド部１１を挟んで電子回路基板３側とは反対側となる箇所に配設されて、シールド部１１から伝導される熱を赤外線として放射する。
【００５１】
このように構成された電磁波シールド部材６０によれば、電子部品５からシールド部１１へ伝わる熱を、更に熱放射部６１へと伝えて熱放射部６１から放射することができる。したがって、例えば、電子部品５の発熱量が大きい場合等、シールド部１１のみでは十分な放熱ができない場合には、このような熱放射部６１を備えると好適である。
【００５２】
［その他の事例］
以上、電磁波シールド部材、及び電磁波シールド構造について、いくつかの具体的な事例を挙げて説明したが、本発明は、上述の事例に限定されるものではなく、本発明の技術的思想を逸脱しない範囲内において、様々な形態で実施することができる。
【００５３】
例えば、上述の事例では、シールド部１１を形成する金属材料として、アルミニウム（アルミニウムの薄板やアルミニウム層蒸着フィルム）を例示したが、他の金属種でもよく、例えば、銅、アルミニウムや銅などの金属を含む合金、これら各種金属の層が形成されたフィルム材などを任意に利用することができる。
【００５４】
また、誘電部を形成する誘電材料として、母材や微粒子状フィラーとして利用される物質を例示的に記載したが、本明細書において規定したような誘電率を実現できるのであれば、例示的に示した物質を配合するか否かは任意であり、他の物質を配合してもよい。例えば、水酸化アルミニウムや水酸化マグネシウムに代えて、アルミナ、窒化ホウ素、五酸化タンタルなどのセラミックス材料からなる微粒子状のフィラーを利用してもよい。
【符号の説明】
【００５５】
３，２１…電子回路基板、５…電子部品、５Ａ…導体部分、１０，３０，４０，５０，６０…電磁波シールド部材、１１，３１，４１…シールド部、１１Ａ…凹部、１１Ｂ…凸部、１１Ｃ…開口周縁、１３，４３…誘電部、１５…収容部、１７…積層部、１９，２３，２４…グランド層、３３…フィルム材、３５…金属層、５１…熱伝導部、５３…ヒートシンク、６１…熱放射部。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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