(57)【要約】【課題】グラフェンシート上に一方向に配向したＺｎＯナノロッドを簡易な方法で合成する。本方法で得られたグラフェンシートとの一体化した酸化亜鉛ナノロッドをデバイス化する。【解決手段】長手方向端面でグラフェンシートと一体化した配向した複数の酸化亜鉛ナノロッドであり、グラフェンシート上に水熱合成により複数の酸化亜鉛ナノロッドを形成する。そして、酸化亜鉛ナノロッドの表面に別途用意したグラフェンシートを固着させて、酸化亜鉛ナノロッドの長手方向の両端面にグラフェンシートを一体化する。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
グラフェンシートと長手方向端面で一体化した複数の配向した酸化亜鉛ナノロッド。
【請求項２】
前記グラフェンシートのシート面に対して９０°±１５°に配向した請求項１の酸化亜鉛ナノロッド。
【請求項３】
請求項１または２に記載の酸化亜鉛ナノロッドを用いた振動子またはセンサー。
【請求項４】
グラフェンシート上に水熱合成により複数の配向した酸化亜鉛ナノロッドを形成する酸化亜鉛ナノロッドの製造方法。
【請求項５】
請求項４に記載の酸化亜鉛ナノロッドの表面に別途用意したグラフェンシートを固着させて、酸化亜鉛ナノロッドの長手方向の両端面にグラフェンシートが一体化された酸化亜鉛ナノロッドの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明はＺｎＯ微粒子を用いた振動子あるいはセンサー等に関わる。
【背景技術】
【０００２】
ＺｎＯ（酸化亜鉛）は紫外線発光デバイス、圧電センサー、化学センサー、光触媒、さらには色素増感太陽電池等の電極として幅広い用途が検討されている。これらの用途には一般的に化学的気相成長（ＣＶＤ）法あるいは物理的気相成長（ＰＶＤ）法により、薄膜化あるいは微粒子化が実現されている。一方、気相法の他に、液相法として、電解析出法、ゾルーゲル法等が検討されている。ゾルーゲル法の場合、コーティング液を基板に塗布した後、４００℃以上の温度で焼成しなければ酸化亜鉛膜を形成することが出来ない。また、１マイクロメートル以上の膜厚を有する膜を調製するには、基板への塗布と焼成とを繰り返し行わなければならないという問題点がある。
【０００３】
液相法の他の方法として、ｐＨ８以上で安定なテトラヒドロキシ亜鉛酸イオンを含有する水溶液を酸化亜鉛粒子又は酸化亜鉛膜製造のための前駆体として用い、この水溶液中で１００℃未満の温度での加熱処理により一次粒子径が１μｍ以上の酸化亜鉛粒子又は酸化亜鉛膜を製造する方法が開示されている（特許文献１参照）。この方法によれば、例えば、容器に入れた蒸留水に硝酸亜鉛６水和物を室温で溶解して０．１ｍｏｌ／ｌの濃度の亜鉛塩水溶液５０ｍｌを調製し、室温で攪拌しながら１．５ｍｏｌ／ｌのアンモニア水５０ｍｌを加え、最終的に得られた透明なテトラヒドロキシ亜鉛酸イオンを含有する水溶液にガラス基板を設置し、容器を密封して９５℃の恒温槽中に２時間静置した後、ガラス基板を取り出し、蒸留水ですすぎ、乾燥することで酸化亜鉛膜が付着したガラス基板が得られるとのことである。そして、得られた酸化亜鉛膜の膜厚は０．１ｍｍであり、長さが５μｍから１０μｍの酸化亜鉛ウイスカーが凝集した構造が観察されている。
【０００４】
上記液相法は簡便な酸化亜鉛微粒子の製造方法であるが、紫外線発光デバイス、圧電センサー、あるいは化学センサー等に利用する場合、各種デバイスの特性を向上させるためには、酸化亜鉛微粒子がランダムに配向しているよりも一方向に配向していることが好ましい。そして、デバイスにするには配向した複数微粒子の端面を連続化して電極を形成することが必要である。
【０００５】
ところで、ナノ構造材料として、グラフェンが注目を集めている。グラフェンとは、炭素原子同士がｓｐ２結合でつながった1原子のシートで、蜂の巣のような六角形格子構造をとっている。グラフェンの特徴としては、室温で銀（Ａｇ）並みの高い電気伝導性、熱伝導性、軽量、高強度、高柔軟性、可視光に対する透明性などの特徴から、様々な機能性材料、デバイス創成を目論んだ関連の研究開発が精力的に行われている。そこで、グラフェンシート上に酸化亜鉛微粒子を配向して形成、あるいは当該配向した酸化亜鉛微粒子群の端面にグラフェンからなる電極を形成してデバイスを作製することが考えられる。
【０００６】
グラフェンシートの作製は、レーザーアブレーション法、スパッタ法などの物理的気相成長法（ＰＶＤ）、あるいは化学的気相成長（ＣＶＤ）法で作製が試みられており、量産に適した方法を選択する必要がある。
【０００７】
前記のように、ＺｎＯナノロッドの合成には、ＣＶＤ法、ＰＶＤ法、液相成長法があるが、ＣＶＤ法、ＰＶＤ法では、基板を６００℃以上の高温に加熱する必要があり、また酸素ガスを必要とするので、基板としてのグラフェンの酸化、気化、劣化が生じるので、グラフェンシート上へのＺｎＯナノロッド合成の例は無い。一方、液相成長法では、基板上にＺｎＯナノロッドを配向成長させるためには、基板上に、ナノロッドの核になるＺｎＯ薄膜を、まず堆積させる必要があり、直接成長は無理であった（非特許文献１、２）。また、基板にＺｎＯ薄膜を設けずに水熱合成処理を施しても、配向したＺｎＯナノロッドは得られてはいない（非特許文献３）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００８】
【特許文献１】特開２００４−１４９３６７号公報
【非特許文献】
【０００９】
【非特許文献１】Ｕ．Ａｌｖｅｒ，Ｗ．Ｚｈｏｕ，Ａ．Ｂ．Ｂｅｌａｙ，Ｒ．Ｋｒｕｅｇｅｒ，Ｋ．Ｏ．Ｄａｖｉｓ，Ｎ．Ｓ．Ｈｉｃｋｍａｎ：Ａｐｐｌ．  Ｓｕｒｆ．  Ｓｃｉ．２５８（２０１２）３１０９−３１１４
【非特許文献２】Ｌ．Ｌ．Ｗａｎｇ，Ｂ．Ｚ．Ｌｉｎ，Ｍ．Ｐ．Ｈｕｎｇ，Ｌ．Ｚｈｏｕ，Ｇ．Ｎ．Ｐａｎｉｎ，Ｔ．Ｗ．Ｋａｎｇ，Ｄ．Ｊ．Ｆｕ:Ｓｏｌｉｄ−Ｓｔａｔｅ  Ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃｓ  ８２（２０１３）９９−１０２
【非特許文献３】Ｊ．Ｌｉｕ，Ｒ．Ｌｕ，Ｇ．Ｘｕ，Ｐ．Ｔｈａｐａ，Ｄ．Ｍｏｏｒｅ：Ａｄｖ．Ｆｕｎｃｔ．Ｍａｔｅｒ．２３（２０１３）４９４１−４９４８
【非特許文献４】Ｊ．Ｌｉｕ，Ｒ．Ｌｕ，Ｇ．Ｘｕ，Ｐ．Ｔｈａｐａ，Ｄ．Ｍｏｏｒｅ：Ａｄｖ．Ｆｕｎｃｔ．Ｍａｔｅｒ．２３（２０１３）４９４１−４９４８
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１０】
本発明の課題は、グラフェンシート上に一方向に配向したＺｎＯナノロッドを簡易な方法で合成することである。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
本発明者らは、まず、基板上にグラフェン膜を作製し、当該グラフェン膜の形状を維持しつつその上に一方向に配向したＺｎＯナノロッドを形成することを創案した。
【００１２】
［１］グラフェンシートと長手方向端面で一体化した複数の配向した酸化亜鉛ナノロッド。
【００１３】
［２］前記グラフェンシートのシート面に対して９０°±１５°に配向した前記［１］に記載の酸化亜鉛ナノロッド。
【００１４】
［３］前記［１］または［２］に記載の酸化亜鉛ナノロッドを用いた振動子またはセンサー。
【００１５】
［４］グラフェンシート上に水熱合成により複数の配向した酸化亜鉛ナノロッドを形成する酸化亜鉛ナノロッドの製造方法。
【００１６】
［５］前記［４］に記載の酸化亜鉛ナノロッドの表面に別途用意したグラフェンシートを固着させて、酸化亜鉛ナノロッドの長手方向の両端面にグラフェンシートが一体化された酸化亜鉛ナノロッドの製造方法。
【図面の簡単な説明】
【００１７】
【図１】本発明において基板上にグラフェンシートを形成するＣＶＤ装置の概略図である。
【図２】ＣＶＤによりＣｕ基板上に形成したグラフェン膜表面を走査型電子顕微鏡で観察した図である。
【図３】グラフェン膜を石英基板に転写した試料の透過率の分光特性を示す図である。
【図４】グラフェンシート上に酸化亜鉛ナノロッドが形成された酸化亜鉛ナノロッドの表面の走査型電子顕微鏡で観察した図である。
【図５】Ｒ面サファイア基板上にＺｎＯシード層が形成された領域とシード層が形成されていない領域での酸化亜鉛ナノロッドの形状の違いを示す光学顕微鏡観察を示す図である。
【図６】図６は、図５の領域（ａ）と（ｂ）の境界部分の電子顕微鏡観察を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００１８】
以下、図面を参照しつつ本発明の実施の形態について説明する。本発明は、以下の実施形態に限定されるものではなく、発明の範囲を逸脱しない限りにおいて、変更、修正、改良を加え得るものである。
【００１９】
本発明のグラフェンシートの合成には、ＣＶＤ法が好ましく、独立に温度制御ができる
管状炉二つで構成されることが好ましい。合成用キャリアガスとしてのアルゴン（Ａｒ）とグラフェンの成長を促進させる水素（Ｈ２）ガスを流す。グラフェンの原料として樟脳、ポリスチレン等の固形物、あるいはメタン（ＣＨ４）などの炭化水素ガスを用いる。グラフェンシート合成用の基板として、銅（Ｃｕ）などの触媒性金属、あるいは触媒性金属が塗布された石英板、シリコン（Ｓｉ）板等が一般的に用いる。グラフェンの原料を加熱して基板上にグラフェンシートを合成する。
【００２０】
前記Ｃｕ基板上に生成した膜状の物質（グラフェンシート）を、ＰＭＭＡ（ポリメチルメタクリレート樹脂）の熱可塑性樹脂等でグラフェンシートの表面を覆い、その後、当該試料を別途用意した基板に転写する。すなわち、硫酸鉄（ＦｅＳＯ４）を溶かした蒸留水に、前記試料を浸し、Ｃｕ基板を溶解し、残ったＰＭＭＡ膜上のグラフェンシートを基板面に合わせ、温度６０〜８０℃に上げて水分を取り除き、その後、温度を１５０〜２００℃に上げ、６０〜９０分保持して、グラフェン膜と基板と接着する。次に試料をアセトン等に浸し、ＰＭＭＡを溶かす。なお、膜の合成を確認しやすい石英あるいはサファイア等の基板を用いることが好ましい。
【００２１】
次に、グラフェン膜が転写された基板上に水熱合成法にてＺｎＯナノロッドを合成する。すなわち硝酸亜鉛等の亜鉛塩水溶液と水酸化ナトリウム水溶液等のアルカリ水溶液の混合溶液（ｐＨ１２〜１３）に浸漬し、水溶液温度を７０〜９０℃の一定に保ち、所定時間保持すると、グラフェンシート上に配向性のＺｎＯナノロッドが形成される。なお、水酸化ナトリウムの代わりに、水酸化リチウム（ＬｉＯＨ）、水酸化カリウム（ＫＯＨ）、水酸化セシウム（ＣｓＯＨ）を用いても良い。ＺｎＯロッドの径が５０ｎｍ〜３００ｎｍ、ロッドの長軸の長さが１μｍ〜２０μｍに形成する。
【００２２】
以上のようにして、基板に転写されたグラフェン膜上にＺｎＯナノロッドが合成され、当該ＺｎＯナノロッドの長手方向の両端面にグラフェンからなる電極を形成してデバイス化するには、ＺｎＯナノロッドの表面にグラフェンシートを６０℃〜２００℃で固着させる。グラフェンシート接合性を上げるためにＰＭＭＡ等の樹脂材料で成る中間膜を設けてもよい。
【実施例】
【００２３】
以下、本発明を実施例により更に具体的に説明するが、本発明はこれら実施例に限定さ
れない。
【００２４】
（グラフェンシートの作製）
後のＺｎＯナノロッド成長を考え、また将来的なデバイスへの展開を踏まえて、大面積化が容易なＣＶＤ法でグラフェンシートの作製を行った。図１に、ＣＶＤ装置概略図を示す。本ＣＶＤ装置は、それぞれ独立に温度制御が可能な管状炉二つで構成されている。管状炉には、外径１００ｍｍ、内径９６ｍｍ、長さ１ｍの石英管が通っており、キャリアガスとしてのアルゴン（Ａｒ）と水素（Ｈ２）ガスを流した。管状炉１の石英管内部には、石英ボートを置き、その中にグラフェンの原料として、樟脳（純度９５％）３ｍｇを置いた。樟脳はＣ１０Ｈ１６Ｏで表される二環性モノ
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の一種で、ＩＵＰＡＣ命名法による系統名は“１，７，７−トリメチルビシクロ［２．２．１］ヘプタン−２−２オンである。管状炉２の石英管内部には、石英ボートの上に基板を置いた。本実施例では、厚み２０μｍのＣｕシート（純度９９．９％）を基板（１５ｍｍ×２０ｍｍ）に用いた。グラフェンシートは、基板の結晶粒の上に成長することが知られているので、まずＣｕ結晶を作り、それからグラフェン原料を供給してＣｕ結晶粒上にグラフェンシートを成長させる。そのために、最初は、図１の管状炉２の温度だけを上げ、Ｃｕ基板の結晶化を行ったところ、管状炉２の温度が１０００℃のとき、Ｃｕ結晶粒の大きさが数１０μｍと最も大きくなった。しかし、電気炉２が１０００℃と高温になるので、隣接する管状炉１内の樟脳の温度も上がり、昇華してグラフェン成長前に無くなる可能性がある。そこで、管状炉１と２の間に、５０ｍｍ程度の隙間をあけて、石英管外側を送風機で冷やし、管状炉１の温度上昇を抑えた。管状炉２内のＣｕ基板の温度が１０００℃に到達後、その温度を保持して保持時間３０〜６０分でＣｕ結晶を充分に成長させ、その後、管状炉１の温度を上げて、樟脳を蒸発させた。樟脳の融点は１８０℃、沸点は２０８℃であるが、管状炉１の温度を昇温速度５℃／分で上げ、１００〜２１０℃の設定温度にすると、Ｃｕ基板上にグラフェンシートと思われる白いくすみのような膜状物質が肉眼で観察された。例えば、管状炉１の温度が１１０℃に到達後、その温度を５分保持したとき、その膜状物質は、Ｃｕ基板上のほぼ全面に観られた。ＣＶＤによる成膜終了後のＣｕ基板の表面を走査型電子顕微鏡で観測すると、図２のように、幾何学的な模様の構造が発生しており、明らかに基板のＣｕが結晶化していることがわかる。このＣｕ基板表面に成長した膜状物質は、グラフェンシートと考えられるが、成長していても数原子層であり、ラマン分光法、Ｘ線回折法などの結晶構造解析においては、結晶化したＣｕから生じるスペクトルに埋もれて、その結晶性の確認は難しい。
【００２５】
（グラフェンシートの転写）
グラフェンシートの結晶性、物性を測定するため、また、グラフェンシート上にＺｎＯナノロッドを形成するために、グラフェンシートの無機基板への転写を行った。グラフェンシートの転写は、デバイス化の上でも重要なプロセスであるが、グラフェンシートを機能性ナノ微粒子、あるいは薄膜の基板として考える場合、後続のナノ微粒子、薄膜の製造方法を考慮する必要がある。つまり、グラフェンシートが、ＺｎＯナノロッド合成のために、ＰＶＤ法、ＣＶＤ法の気相成長法を用いることで、変質することが予想される。一般に、気相成長法では、基板の加熱、酸化性ガスの導入が欠かせない。このような環境では、グラフェンシートは酸化され二酸化炭素（ＣＯ２）もしくは一酸化炭素（ＣＯ）になり気化する。またスパッタ法などプラズマ用いた気相成長法では、グラフェンシートがプラズマ中のイオンでエッチングされ消失する。本実施例では、前記Ｃｕ基板上に生成した膜状の物質を、まずＰＭＭＡ（ポリメチルメタクリレート樹脂）で保持し、そして透明性の基板に転写することを行った。前記ＣＶＤによる膜形成後、ビーカーにアセトン５ｍｌを入れ、ＰＭＭＡ１００ｍｇを加えて、ホットプレートで６０℃に加熱する。そして、ＰＭＭＡが充分に溶けた溶剤をＣｕ基板に滴下し、グラフェン表面をコーティングする。滴下溶剤の温度が下がり硬化したら、膜状物質とＰＭＭＡの接着性を上げるため試料温度を１２０℃に上げ３〜５分間保持して固める。続いて、硫酸鉄（ＦｅＳＯ４）３〜５ｇを溶かした１００ｍｌの蒸留水に、試料を浸し、Ｃｕ基板を溶解し、残ったＰＭＭＡ膜上のグラフェンシートと思われる膜状物質の面を別途用意した石英、サファイア等の透明基板面に基板に合わせ、ホットプレートに乗せる。ホットプレートの温度を６０〜８０℃に上げ、試料の水分を蒸発させ取り除く。試料が乾燥したら、ホットプレートの温度を１５０〜１８０℃に上げ、６０〜９０分保持して、膜状物質と基板との接着性を上げる。次に試料をアセトンに浸し、ＰＭＭＡを溶かす。ＰＭＭＡは室温のアセトン中では１５〜２０分で完全に溶ける。試料の色が薄緑色のときは、Ｃｕ基板を溶かした時の硫酸鉄が残っていることが考えられるので、そのときには試料を、試料の淡緑色が消えるまで、硝酸（ＨＮＯ３）５ｍｌを溶かした蒸留水５０ｍｌに漬ける。そして、充分に乾燥させた試料を分析に適用する。なお、このような酸性の処理において、グラフェンシートと思われる膜状物質に、色変化、剥がれ等の変質は観られなかった。
【００２６】
（グラフェンシートの特定）
図３は、前記プロセスで膜状物質を石英基板に転写した試料透過率の分光特性を示している。可視光領域では、７０％程度の透過率を示しているが、波長２６０ｎｍ付近の紫外域に吸収が確認された。これはグラフェンシートに特徴的な光学特性に合致していることから、この膜状物質はシート状のグラフェン、すなわちグラフェンシートであることが確認された。ただ本実験で得られたグラフェンシートは、可視光領域での透過率が低く、紫外域での吸収が大きいことから、単層ではなく、数層の多層構造になっていることが予想される。
【００２７】
（シード層無しでグラフェンシート上へのＺｎＯナノロッドの直接合成）
本実施例では、量産性に優れること、プロセス温度が水の蒸発温度１００℃を超えない低温であることから、液相成長法の一つである水熱合成法による、グラフェンシート上へのＺｎＯナノロッド成長を試みた。配向性のＺｎＯナノロッドを得るためには、一般的に基板上にナノロッド成長の核になるＺｎＯ薄膜（シード層）を堆積する必要があるが、まずはシード層無しの場合で、水熱合成法でグラフェンシート上にどのような構造体が形成されるか否か検討した。グラフェンシートが転写された石英基板を、硝酸亜鉛水溶液（Ｚｎ（ＮＯ３）２、０．１Ｍ、５０ｍｌ）と水酸化ナトリウム水溶液（ＮａＯＨ、１．５ Ｍ、 ５０ｍｌ）の混合溶液（ｐＨ１３）に浸漬し、水溶液温度を９０℃一定に保ち、２時間放置した。図４に水熱処理後、充分に純水で洗浄し、乾燥させた試料のグラフェンシート表面の電子顕微鏡（ＳＥＭ）観察像を示す。基板表面に対して、真上から観察した像である。ＺｎＯシード層無しでも、ＺｎＯナノロッドが基板表面に対してほぼ垂直（グラフェンシートのシート面に対して９０°±１５°）に配向して成長していることが確認できた。
【００２８】
（シード層有無によるＺｎＯナノロッドの成長状態の比較）
さらに、グラフェンシート上へのＺｎＯナノロッド成長を確認するため、ＺｎＯシード層上と、グラフェンシート上へのＺｎＯナノロッドの成長状態を比較した。まず基板として、Ｒ面サファイア単結晶基板を用意する。Ｒ面サファイア基板上に、ＺｎＯシード層を高周波マグネトロンスパッタ法により成膜速度２０ｎｍ／ｍｉｎで成膜した。スパッタは、酸化亜鉛の焼結ターゲット（高純度化学研究所社製、直径１００ｍｍ、厚み５ｍｍ、純度９９．９９％）を用い、アルゴンガス（Ａｒ、９９．９９９５％以上）と酸素ガス（Ｏ２、純度９９．９９９％以上）を圧力比率４：１で混合したガス雰囲気中で、基板温度６００℃、成膜圧力１Ｐａ、高周波電力１００Ｗで行った。成膜時間は５分とした。本発明者らの予備実験では、この条件で作製されたＺｎＯシード層上には、ＺｎＯナノロッド同士が互いに交差する、すなわちＸ字状にナノロッドが成長することが確認されている。Ｒ面サファイア基板上に形成されたＺｎＯシード層の一部分を覆うようにグラフェンシートを転写し、水熱合成処理を施した。図５、図６は、水熱合成処理後の試料表面の、それぞれ光学顕微鏡観察像と電子顕微鏡観察像を示している。図５中、透明の領域はＲ面サファイア基板上にＺｎＯシード層が直接堆積している領域（領域（ａ））、灰色に見える長方形の領域は、グラフェンシートが転写された箇所（領域（ｂ））を示している。図６は、図５の領域（ａ）と（ｂ）の境界部分の電子顕微鏡観察像である。図６中、領域（ａ）では、予想通りＺｎＯナノロッドがＸ字状に成長しているが、領域（ｂ）ではＺｎＯナノロッドがグラフェンシート面にほぼ垂直方向に配向して成長していることが確認した。この結果は、グラフェンシート表面には、ＺｎＯナノロッドがシート面に垂直に配向して成長することを示している。
【００２９】
グラフェンシート上にＺｎＯナノロッドが、ＺｎＯシード層無しで直接配向成長できた理由は不明であるが、グラフェンの持つ炭素元素から構成される六角形の網状構造が、ＺｎＯ結晶がｃ軸成長しやすい条件を充たすのではないかと考えられる。一方、同じく水熱合成法で、グラフェンシート上へのＺｎＯナノロッドの成長を試みた先例（非特許文献４）では、ＺｎＯナノロッド等のナノ構造が、グラフェンシート上に不規則に成長しているが、この先例では、水酸化アンモニウム（ＮＨ４ＯＨ）を用いている。それに対して、本実施例では、ＮＨ４ＯＨを用いていないこと、加えて、水熱合成溶剤にＮａＯＨを用いて溶剤をアルカリ性にしていることがグラフェンシート上へのＺｎＯナノロッドの直接かつ配向成長につながっているのではないかと考えられる。なお、本発明者らは、ＰＨ７以上のアルカリ性溶液で、グラフェンシート上にＺｎＯナノロッドが直接配向成長することを確認している。なお、グラフェンシートは、本実施例のように加熱されたアルカリ性雰囲気でも、基板、ＺｎＯナノロッドから剥がれることもなく、機械的強度を保持していることを確認した。
【００３０】
一方、合成したＺｎＯナノロッド上にもグラフェンシートを転写できる。すなわち、別途用意したＰＭＭＡ膜上のグラフェンシートを、グラフェンシート面とＺｎＯナノロッド先端が接触するように６０〜８０℃に上げ、試料の水分を蒸発させて取り除き、さらに１５０〜１８０℃に上げ、６０〜９０分保持する。最後に、アセトンに１５〜２０分間浸し、ＰＭＭＡを溶かす。このプロセスを施すことによりグラフェンシートがＺｎＯナノロッドに固着することを確認しており、これによって配向したＺｎＯナノロッドの両端面にそれぞれグラフェンシートからなる電極を形成することができ、振動子あるいはセンサー等の素子を形成できることが分かった。
【産業上の利用可能性】
【００３１】
本発明は、振動子あるいはセンサーに応用することができる。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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