(57)【要約】      （修正有）【課題】膜厚の均一性を保ちつつ、成膜用の処理液を節約できる成膜処理装置、成膜処理方法及び記録媒体を提供する。【解決手段】塗布ユニットＵ１は、ウェハＷの支持台２０と、ウェハの表面全域に対向する対向面４１を有し、対向面４１に撥水処理が施された蓋体４０と、蓋体４０を昇降させる昇降部３０と、レジスト剤の供給タンク６１と、蓋体４０に設けられ、対向面４１の中央に開口する供給孔４２と、供給タンク６１及び供給孔４２の間に設けられた押出ポンプ５０と、制御部１００と、を備える。制御部１００は、蓋体４０及びウェハの間に供給するように押出ポンプ５０を制御すること、蓋体４０及びウェハの間におけるレジスト剤の広がりをウェハの周縁近傍で停止させるように押出ポンプ５０を制御すること、レジスト剤の広がりを停止させた後に、蓋体４０をウェハから離間させるように昇降部３０を制御することを実行する。【選択図】図４
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板を水平に支持する支持台と、
成膜用の隙間をもって前記基板の表面全域に対向する対向面を有し、前記対向面に撥水処理が施された蓋体と、
前記蓋体を昇降させる昇降部と、
成膜用の処理液の供給源と、
前記蓋体に設けられ、前記対向面の中央に開口する供給孔と、
前記供給源及び前記供給孔の間に設けられたポンプと、
制御部と、を備え、
前記制御部は、
前記供給孔から前記処理液を押し出し、前記蓋体及び前記基板の間に供給するように前記ポンプを制御すること、
前記蓋体及び前記基板の間における前記処理液の広がりを前記基板の周縁近傍で停止させるように前記ポンプを制御すること、
前記蓋体及び前記基板の間における前記処理液の広がりを停止させた後に、前記蓋体を前記基板から離間させるように前記昇降部を制御することを実行する、成膜処理装置。
【請求項２】
前記制御部は、前記蓋体及び前記基板の間における前記処理液の広がりを停止させる際に、前記ポンプの動作方向を逆転させる、請求項１記載の成膜処理装置。
【請求項３】
前記ポンプは、シリンダー及びプランジャーを有するシリンジ型ポンプである、請求項１又は２記載の成膜処理装置。
【請求項４】
前記ポンプは、前記供給孔の近傍において前記蓋体に固定されている、請求項１〜３のいずれか一項記載の成膜処理装置。
【請求項５】
前記供給孔を開閉するシャッターを更に備え、
前記制御部は、前記蓋体及び前記基板の間に前記処理液を供給した後、前記蓋体を前記基板から離間させる前に、前記供給孔を閉じるように前記シャッターを制御することを更に実行する、請求項１〜４のいずれか一項記載の成膜処理装置。
【請求項６】
前記蓋体を水平面に沿って動かす水平駆動部を更に備え、
前記制御部は、前記蓋体を前記基板から離間させる際に、前記蓋体を水平面に沿って動かすように前記水平駆動部を制御することを更に実行する、請求項１〜５のいずれか一項記載の成膜処理装置。
【請求項７】
前記水平駆動部は、鉛直な軸線まわりに前記蓋体を回動させる、請求項６記載の成膜処理装置。
【請求項８】
前記蓋体に設けられ、前記対向面に開口する送気孔と、
前記送気孔に接続された送気源と、を更に備え、
前記制御部は、前記蓋体を前記基板から離間させる際に、前記送気孔から前記対向面及び前記処理液の間に気体を送り込むように前記送気源を制御することを更に実行する、請求項１〜７のいずれか一項記載の成膜処理装置。
【請求項９】
前記制御部は、成膜対象の厚さの目標値に応じて前記対向面及び前記基板の表面の間隔を調整するように前記昇降部を制御することを更に実行する、請求項１〜８のいずれか一項記載の成膜処理装置。
【請求項１０】
前記蓋体及び前記基板の間の前記処理液を加温するように前記蓋体に設けられたヒーターと、前記蓋体及び前記基板の間の前記処理液を加温するように前記支持台に設けられたヒーターと、前記ポンプ内の前記処理液を加温するように設けられたヒーターと、前記供給源内の前記処理液を加温するように設けられたヒーターと、前記供給源から前記ポンプに向かう前記処理液を加温するように設けられたヒーターと、の少なくとも一つを更に備える、請求項１〜９のいずれか一項記載の成膜処理装置。
【請求項１１】
基板を水平に支持すること、
前記基板の表面全域に対向する対向面を有し、前記対向面に撥水処理が施された蓋体により、前記対向面と前記基板の表面との間に成膜用の隙間を形成すること、
前記蓋体に設けられ、前記対向面の中央に開口する供給孔と、成膜用の処理液の供給源との間に設けられたポンプにより、前記処理液を前記供給孔から押し出し、前記蓋体及び前記基板の間に供給すること、
前記蓋体及び前記基板の間における前記処理液の広がりを前記ポンプにより前記基板の周縁近傍で停止させること、
前記蓋体及び前記基板の間における前記処理液の広がりを停止させた後に、前記蓋体を前記基板から離間させること、を含む成膜処理方法。
【請求項１２】
前記蓋体及び前記基板の間における前記処理液の広がりを停止させる際に、前記ポンプの動作方向を逆転させる、請求項１１記載の成膜処理方法。
【請求項１３】
前記蓋体及び前記基板の間に前記処理液を供給した後、前記蓋体を前記基板から離間させる前に、前記供給孔を閉じることを更に含む、請求項１１又は１２記載の成膜処理方法。
【請求項１４】
前記蓋体を前記基板から離間させる際に、前記蓋体を水平面に沿って動かすことを更に含む、請求項１１〜１３のいずれか一項記載の成膜処理方法。
【請求項１５】
前記蓋体を前記基板から離間させる際に、前記対向面及び前記処理液の間に気体を送り込むことを更に含む、請求項１１〜１４のいずれか一項記載の成膜処理方法。
【請求項１６】
成膜対象の厚さに応じて前記対向面及び前記基板の表面の間隔を調整することを更に含む、請求項１１〜１５のいずれか一項記載の成膜処理方法。
【請求項１７】
前記蓋体及び前記基板の間、前記ポンプ内、前記供給源内、前記供給源から前記ポンプに向かう経路内の少なくとも一箇所において前記処理液を加温することを更に含む、請求項１１〜１６のいずれか一項記載の成膜処理方法。
【請求項１８】
粘度が５００ｃＰ〜５０００ｃＰである前記処理液を用いる、請求項１１〜１７のいずれか一項記載の成膜処理方法。
【請求項１９】
粘度が５０００ｃＰを超える前記処理液を用いる、請求項１７記載の成膜処理方法。
【請求項２０】
請求項１１〜１８のいずれか一項記載の成膜処理方法を装置に実行させるためのプログラムを記録した、コンピュータ読み取り可能な記録媒体。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本開示は、成膜処理装置、成膜処理方法及び記録媒体に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体素子の製造工程においては、レジスト膜等を半導体ウェハの表面に形成する成膜処理が行われる。例えば特許文献１には、半導体ウェハの中心部に成膜用の処理液を供給した後、半導体ウェハの回転によって半導体ウェハの周縁側に処理液を塗り広げるスピンコーティング法が開示されている。特許文献１には、比較的高粘度の処理液（例えばポリイミド等）の塗布にスピンコーティング法を適用可能であることも開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２０１２−６９８２３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
スピンコーティング法において膜厚の均一性を得るためには、ウェハの周縁部に到達した処理液を滞りなく振り切る必要がある。特に処理液の粘度が高い場合には、ウェハの回転角速度を高め、処理液をより確実に振り切る必要がある。しかしながら、振り切った処理液は無駄になる。
【０００５】
本開示は、膜厚の均一性を保ちつつ、成膜用の処理液を節約できる成膜処理装置、成膜処理方法及び記録媒体を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本開示に係る成膜処理装置は、基板を水平に支持する支持台と、成膜用の隙間をもって基板の表面全域に対向する対向面を有し、対向面に撥水処理が施された蓋体と、蓋体を昇降させる昇降部と、成膜用の処理液の供給源と、蓋体に設けられ、対向面の中央に開口する供給孔と、供給源及び供給孔の間に設けられたポンプと、制御部と、を備え、制御部は、供給孔から処理液を押し出し、蓋体及び基板の間に供給するようにポンプを制御すること、蓋体及び基板の間における処理液の広がりを基板の周縁近傍で停止させるようにポンプを制御すること、蓋体及び基板の間における処理液の広がりを停止させた後に、蓋体を基板から離間させるように昇降部を制御することを実行する。
【０００７】
この成膜処理装置によれば、ポンプにより押し出された処理液は、供給孔から蓋体及び基板の間に進入し、基板の周縁側に広がる。この処理液の広がりは、ポンプにより基板の周縁近傍で停止させられる。このため、供給された処理液の大半が基板の表面上に留まって液膜を構成し、有効活用される。液膜の厚さは、対向面及び基板の表面の間隔によって規定される。このため、液膜の厚さの均一性が高められる。液膜の形成後に、蓋体は基板から離間させられる。対向面は撥水処理を施されているので液膜から容易に剥離する。このため、蓋体が基板から離間した後にも液膜の厚さの均一性が維持される。従って、膜厚の均一性を保ちつつ、成膜用の処理液を節約できる。
【０００８】
制御部は、蓋体及び基板の間における処理液の広がりを停止させる際に、ポンプの動作方向を逆転させてもよい。この場合、処理液の広がりを迅速に停止させ、処理液をより確実に節約できる。
【０００９】
ポンプは、シリンダー及びプランジャーを有するシリンジ型ポンプであってもよい。この場合、プランジャーの押し込み量を調整することで処理液の吐出量を確実に調整できる。プランジャーを引き戻すことでポンプの動作方向を迅速に逆転させることもできる。従って、成膜に必要な処理液をより確実に吐出することが可能であり、且つ処理液の吐出をより迅速に停止させることも可能である。なお、シリンジ型ポンプを用いる場合、継続的に吐出できる液量が限られる。これに対し、本開示の構成は、処理液の供給量を削減するものなので、シリンジ型ポンプによっても十分な量の処理液を供給可能である。このため、本開示の構成においては、シリンジ型ポンプの上記利点のみを活用することが可能となっている。
【００１０】
ポンプは、供給孔の近傍において蓋体に固定されていてもよい。この場合、処理液の広がりをより迅速に停止させることができる。
【００１１】
供給孔を開閉するシャッターを更に備え、制御部は、蓋体及び基板の間に処理液を供給した後、蓋体を基板から離間させる前に、供給孔を閉じるようにシャッターを制御することを更に実行してもよい。この場合、供給孔内の処理液と、蓋体及び基板の間に供給された処理液とのつながりをシャッターによって断ち、これらの処理液同士を確実に分離できる。従って、蓋体が基板から離間した後において、液膜の厚さの均一性をより確実に維持できる。
【００１２】
蓋体を水平面に沿って動かす水平駆動部を更に備え、制御部は、蓋体を基板から離間させる際に、蓋体を水平面に沿って動かすように水平駆動部を制御することを更に実行してもよい。この場合、対向面を液膜から更に容易に剥離させることができる。従って、蓋体が基板から離間した後において、液膜の厚さの均一性をより確実に維持できる。
【００１３】
水平駆動部は、鉛直な軸線まわりに蓋体を回動させてもよい。この場合、蓋体を水平面に沿って動かす機構を単純化できる。
【００１４】
蓋体に設けられ、対向面に開口する送気孔と、送気孔に接続された送気源と、を更に備え、制御部は、蓋体を基板から離間させる際に、送気孔から対向面及び処理液の間に気体を送り込むように送気源を制御することを更に実行してもよい。この場合、対向面を液膜から更に容易に剥離させることができる。従って、蓋体が基板から離間した後において、液膜の厚さの均一性をより確実に維持できる。
【００１５】
制御部は、成膜対象の厚さの目標値に応じて対向面及び基板の表面の間隔を調整するように昇降部を制御することを更に実行してもよい。この場合、形成される膜の厚さを様々な目標値に応じて容易に調整できる。
【００１６】
蓋体及び基板の間の処理液を加温するように蓋体に設けられたヒーターと、蓋体及び基板の間の処理液を加温するように支持台に設けられたヒーターと、ポンプ内の処理液を加温するように設けられたヒーターと、供給源内の処理液を加温するように設けられたヒーターと、供給源からポンプに向かう処理液を加温するように設けられたヒーターと、の少なくとも一つを更に備えてもよい。この場合、処理液の加温によって、蓋体及び基板の間における処理液の流動性を調整できる。
【００１７】
本開示に係る成膜処理方法は、基板を水平に支持すること、基板の表面全域に対向する対向面を有し、対向面に撥水処理が施された蓋体により、対向面と基板の表面との間に成膜用の隙間を形成すること、蓋体に設けられ、対向面の中央に開口する供給孔と、成膜用の処理液の供給源との間に設けられたポンプにより、処理液を供給孔から押し出し、蓋体及び基板の間に供給すること、蓋体及び基板の間における処理液の広がりをポンプにより基板の周縁近傍で停止させること、蓋体及び基板の間における処理液の広がりを停止させた後に、蓋体を基板から離間させること、を含む。
【００１８】
この成膜処理方法によれば、ポンプにより押し出された処理液は、供給孔から蓋体及び基板の間に進入し、基板の周縁側に広がる。この処理液の広がりは、ポンプにより基板の周縁近傍で停止させられる。このため、供給された処理液の大半が基板の表面上に留まって液膜を構成し、有効活用される。液膜の厚さは、対向面及び基板の表面の間隔によって規定される。このため、液膜の厚さの均一性が高められる。液膜の形成後に、蓋体は基板から離間させられる。対向面は撥水処理を施されているので液膜から容易に剥離する。このため、蓋体が基板から離間した後にも液膜の厚さの均一性が維持される。従って、膜厚の均一性を保ちつつ、成膜用の処理液を節約できる。
【００１９】
蓋体及び基板の間における処理液の広がりを停止させる際に、ポンプの動作方向を逆転させてもよい。この場合、処理液の広がりを迅速に停止させ、処理液をより確実に節約できる。
【００２０】
蓋体及び基板の間に処理液を供給した後、蓋体を基板から離間させる前に、供給孔を閉じることを更に含んでもよい。この場合、供給孔内の処理液と、蓋体及び基板の間に供給された処理液とのつながりをシャッターによって断ち、これらの処理液同士を確実に分離できる。従って、蓋体が基板から離間した後において、液膜の厚さの均一性をより確実に維持できる。
【００２１】
蓋体を基板から離間させる際に、蓋体を水平面に沿って動かすことを更に含んでもよい。この場合、対向面を液膜から更に容易に剥離させることができる。従って、蓋体が基板から離間した後において、液膜の厚さの均一性をより確実に維持できる。
【００２２】
蓋体を基板から離間させる際に、対向面及び処理液の間に気体を送り込むことを更に含んでもよい。この場合、対向面を液膜から更に容易に剥離させることができる。従って、蓋体が基板から離間した後において、液膜の厚さの均一性をより確実に維持できる。
【００２３】
成膜対象の厚さに応じて対向面及び基板の表面の間隔を調整することを更に含んでもよい。この場合、形成される膜の厚さを様々な目標値に応じて容易に調整できる。
【００２４】
蓋体及び基板の間、ポンプ内、供給源内、供給源からポンプに向かう経路内の少なくとも一箇所において処理液を加温することを更に含んでもよい。この場合、処理液の加温によって、蓋体及び基板の間における処理液の流動性を調整できる。
【００２５】
粘度が５００〜５０００ｃＰである処理液を用いてもよい。粘度が５０００ｃＰを超える処理液を用いてもよい。
【００２６】
本開示に係る記録媒体は、上記成膜処理方法を装置に実行させるためのプログラムを記録した、コンピュータ読み取り可能な記録媒体である。
【発明の効果】
【００２７】
本開示によれば、膜厚の均一性を保ちつつ、成膜用の処理液を節約できる。
【図面の簡単な説明】
【００２８】
【図１】基板処理システムの斜視図である。
【図２】図１中のＩＩ−ＩＩ線に沿う断面図である。
【図３】図２中のＩＩＩ−ＩＩＩ線に沿う断面図である。
【図４】塗布ユニットの模式図である。
【図５】制御装置の機能的な構成を示すブロック図である。
【図６】成膜方法の実行手順を示すフローチャートである。
【図７】ウェハを受け入れた状態を示す図である。
【図８】レジスト剤を充填した状態を示す図である。
【図９】ウェハを支持台上に載置した状態を示す図である。
【図１０】蓋体をウェハに近接させた状態を示す図である。
【図１１】レジスト剤をウェハ上に吐出している状態を示す図である。
【図１２】レジスト剤の吐出を停止させた状態を示す図である。
【図１３】レジスト剤の供給孔を閉じた状態を示す図である。
【図１４】蓋体を上昇させた状態を示す図である。
【図１５】ウェハを上昇させた状態を示す図である。
【図１６】塗布ユニットの変形例を示す模式図である。
【図１７】塗布ユニットの他の変形例を示す模式図である。
【図１８】塗布ユニットの他の変形例を示す模式図である。
【図１９】塗布ユニットの他の変形例を示す模式図である。
【図２０】塗布ユニットの他の変形例を示す模式図である。
【発明を実施するための形態】
【００２９】
以下、実施形態について図面を参照しつつ詳細に説明する。説明において、同一要素又は同一機能を有する要素には同一の符号を付し、重複する説明を省略する。
【００３０】
〔基板処理システム〕
基板処理システム１は、塗布・現像装置２と露光装置３とを備える。露光装置３は、レジスト膜（感光性被膜）の露光処理を行う。具体的には、液浸露光等の方法によりレジスト膜の露光対象部分にエネルギー線を照射する。エネルギー線としては、例えばＡｒＦエキシマレーザー、ＫｒＦエキシマレーザー、ｇ線、ｉ線又はＥＵＶ（Ｅｘｔｒｅｍｅ  Ｕｌｔｒａｖｉｏｌｅｔ、極端紫外線）が挙げられる。塗布・現像装置２（基板処理装置）は、露光装置３による露光処理の前に、ウェハＷ（基板）の表面にレジスト膜を形成する処理を行い、露光処理後にレジスト膜の現像処理を行う。
【００３１】
図１〜図３に示すように、塗布・現像装置２は、キャリアブロック４と、処理ブロック５と、インターフェースブロック６とを備える。キャリアブロック４、処理ブロック５及びインターフェースブロック６は、水平方向に並んでいる。
【００３２】
キャリアブロック４は、キャリアステーション１２と搬入・搬出部１３とを有する。搬入・搬出部１３はキャリアステーション１２と処理ブロック５との間に介在する。キャリアステーション１２は、複数のキャリア１１を支持する。キャリア１１は、例えば円形の複数枚のウェハＷを密封状態で収容し、ウェハＷを出し入れするための開閉扉（不図示）を一側面１１ａ側に有する。キャリア１１は、側面１１ａが搬入・搬出部１３側に面するように、キャリアステーション１２上に着脱自在に設置される。搬入・搬出部１３は、キャリアステーション１２上の複数のキャリア１１にそれぞれ対応する複数の開閉扉１３ａを有する。側面１１ａの開閉扉と開閉扉１３ａとを同時に開放することで、キャリア１１内と搬入・搬出部１３内とが連通する。搬入・搬出部１３は受け渡しアームＡ１を内蔵している。受け渡しアームＡ１は、キャリア１１からウェハＷを取り出して処理ブロック５に渡し、処理ブロック５からウェハＷを受け取ってキャリア１１内に戻す。
【００３３】
処理ブロック５は、下層膜形成（ＢＣＴ）モジュール１４と、レジスト膜形成（ＣＯＴ）モジュール１５と、下層膜形成（ＴＣＴ）モジュール１６と、現像処理（ＤＥＶ）モジュール１７とを有する。これらのモジュールは、床面側からＤＥＶモジュール１７、ＢＣＴモジュール１４、ＣＯＴモジュール１５、ＴＣＴモジュール１６の順に積層されている。
【００３４】
ＢＣＴモジュール１４は、複数の塗布ユニット（不図示）と、複数の熱処理ユニット（不図示）と、これらのユニットにウェハＷを搬送する搬送アームＡ２とを内蔵しており、ウェハＷの表面上に下層膜を形成する。塗布ユニットは、下層膜形成用（成膜用）の処理液をウェハＷの表面に塗布する。熱処理ユニットは、例えば熱板によりウェハＷを加熱し、加熱後のウェハＷを例えば冷却板により冷却して熱処理を行う。ＢＣＴモジュール１４において行われる熱処理の具体例としては、処理液を硬化させるための加熱処理が挙げられる。
【００３５】
ＣＯＴモジュール１５は、複数の塗布ユニットＵ１と、複数の熱処理ユニットＵ２と、これらのユニットにウェハＷを搬送する搬送アームＡ３とを内蔵しており、下層膜上にレジスト膜を形成する。塗布ユニット（成膜処理装置）Ｕ１は、レジスト膜形成用（成膜用）の処理液（レジスト剤）を下層膜の上に塗布する。熱処理ユニットＵ２は、例えば熱板によりウェハＷを加熱し、加熱後のウェハＷを例えば冷却板により冷却して熱処理を行う。ＣＯＴモジュール１５において行われる熱処理の具体例としては、処理液を硬化させるための加熱処理（ＰＡＢ：Ｐｒｅ  Ａｐｐｌｉｅｄ  Ｂａｋｅ）が挙げられる。
【００３６】
ＴＣＴモジュール１６は、複数の塗布ユニット（不図示）と、複数の熱処理ユニット（不図示）と、これらのユニットにウェハＷを搬送する搬送アームＡ４とを内蔵しており、レジスト膜上に上層膜を形成する。塗布ユニットは、上層膜形成用（成膜用）の処理液をウェハＷの表面に塗布する。熱処理ユニットは、例えば熱板によりウェハＷを加熱し、加熱後のウェハＷを例えば冷却板により冷却して熱処理を行う。ＴＣＴモジュール１６において行われる熱処理の具体例としては、処理液を硬化させるための加熱処理が挙げられる。
【００３７】
ＤＥＶモジュール１７は、複数の現像ユニット（不図示）と、複数の熱処理ユニット（不図示）と、これらのユニットにウェハＷを搬送する搬送アームＡ５と、これらのユニットを経ずにウェハＷを搬送する直接搬送アームＡ６とを内蔵している。現像ユニットは、露光されたレジスト膜の現像処理を行う。熱処理ユニットは、例えば熱板によりウェハＷを加熱し、加熱後のウェハＷを例えば冷却板により冷却して熱処理を行う。ＤＥＶモジュール１７において行われる熱処理の具体例としては、現像処理前の加熱処理（ＰＥＢ：Ｐｏｓｔ  Ｅｘｐｏｓｕｒｅ  Ｂａｋｅ）、現像処理後の加熱処理（ＰＢ：Ｐｏｓｔ  Ｂａｋｅ）等が挙げられる。
【００３８】
処理ブロック５内におけるキャリアブロック４側には棚ユニットＵ１０が設けられている。棚ユニットＵ１０は、床面からＴＣＴモジュール１６に亘るように設けられており、上下方向に並ぶ複数のセルに区画されている。棚ユニットＵ１０の近傍には昇降アームＡ７が設けられている。昇降アームＡ７は、棚ユニットＵ１０のセル同士の間でウェハＷを昇降させる。
【００３９】
処理ブロック５内におけるインターフェースブロック６側には棚ユニットＵ１１が設けられている。棚ユニットＵ１１は床面からＤＥＶモジュール１７の上部に亘るように設けられており、上下方向に並ぶ複数のセルに区画されている。インターフェースブロック６は、受け渡しアームＡ８を内蔵しており、露光装置３に接続される。受け渡しアームＡ８は、棚ユニットＵ１１のウェハＷを取り出して露光装置３に渡し、露光装置３からウェハＷを受け取って棚ユニットＵ１１に戻す。
【００４０】
塗布・現像装置２は以下の手順で塗布・現像処理を実行する。まず、塗布・現像装置２は、ウェハＷの表面Ｗａ上に下層膜、レジスト膜及び上層膜を形成する。塗布・現像装置２の各要素は次のように動作する。すなわち、受け渡しアームＡ１がキャリア１１内のウェハＷを棚ユニットＵ１０に搬送する。このウェハＷを、昇降アームＡ７がＢＣＴモジュール１４用のセルに配置し、搬送アームＡ２がＢＣＴモジュール１４内の各ユニットに搬送する。塗布ユニットは、下層膜の形成用の処理液を表面Ｗａ上に塗布する。熱処理ユニットは、処理液を硬化させるための加熱処理等を行う。
【００４１】
下層膜の形成が完了すると、搬送アームＡ２がウェハＷを棚ユニットＵ１０に戻す。このウェハＷを、昇降アームＡ７がＣＯＴモジュール１５用のセルに配置し、搬送アームＡ３がＣＯＴモジュール１５内の各ユニットに搬送する。塗布ユニットＵ１は、レジスト剤を表面Ｗａ上に塗布する。熱処理ユニットＵ２は、レジスト剤を硬化させるための加熱処理（ＰＡＢ）等を行う。
【００４２】
レジスト膜の形成が完了すると、搬送アームＡ３がウェハＷを棚ユニットＵ１０に戻す。このウェハＷを、昇降アームＡ７がＴＣＴモジュール１６用のセルに配置し、搬送アームＡ４がＴＣＴモジュール１６内の各ユニットに搬送する。塗布ユニットは、上層膜の形成用の処理液を表面Ｗａ上に塗布する。熱処理ユニットは、処理液を硬化させるための加熱処理等を行う。上層膜の形成が完了すると、搬送アームＡ４がウェハＷを棚ユニットＵ１０に戻す。
【００４３】
次に、塗布・現像装置２は、ウェハＷを露光装置３に送り出す。塗布・現像装置２の各要素は次のように動作する。すなわち、搬送アームＡ４により棚ユニットＵ１０に戻されたウェハＷを、昇降アームＡ７がＤＥＶモジュール１７用のセルに配置し、直接搬送アームＡ６が棚ユニットＵ１１に搬送する。このウェハＷを受け渡しアームＡ８が露光装置３に送り出す。露光装置３における露光処理が完了すると、受け渡しアームＡ８がウェハＷを露光装置３から受け入れ、棚ユニットＵ１１に戻す。
【００４４】
次に、塗布・現像装置２はレジスト膜の現像処理を行う。塗布・現像装置２の各要素は次のように動作する。すなわち、搬送アームＡ５は、棚ユニットＵ１１のウェハＷをＤＥＶモジュール１７内の熱処理ユニットに搬送する。熱処理ユニットは、ウェハＷの加熱処理（ＰＥＢ）を行う。ＰＥＢが完了すると、搬送アームＡ５は、ウェハＷを現像ユニットに搬送する。現像ユニットは、現像液及びリンス液をウェハＷの表面に供給することで、レジスト膜の現像処理を行う。現像処理が完了すると、搬送アームＡ５はウェハＷを再度熱処理ユニットに搬送する。熱処理ユニットは、ウェハＷの加熱処理（ＰＢ）を行う。ＰＢが完了すると、搬送アームＡ５は、ウェハＷを棚ユニットＵ１０に搬送する。このウェハＷを、昇降アームＡ７が受け渡し用のセルに配置し、受け渡しアームＡ１がキャリア１１内に戻す。以上で、塗布・現像処理が完了する。
【００４５】
〔塗布ユニット〕
図４に示すように、塗布ユニット（成膜処理装置）Ｕ１は、支持台２０と、昇降部３０と、蓋体４０と、押出ポンプ５０と、供給タンク６１と、供給管６２と、送液ポンプ６３と、送液バルブ６４とを備える。
【００４６】
支持台２０は、ウェハＷを水平に支持するように構成されている。支持台２０は複数の昇降ピン２１を有し、例えば電動式又は圧力駆動式の動力源により昇降ピン２１を昇降させる。複数の昇降ピン２１は、支持台２０上においてウェハＷを支持して昇降させる。昇降ピン２１が最も下降すると、ウェハＷが支持台２０上に載置される。
【００４７】
昇降部３０は、支持台２０の周囲に配置されており、上方に延出したアーム３１を有する。アーム３１は途中で支持台２０側に屈曲しており、その端部は支持台２０の中央部の上方に位置している。アーム３１の端部の下には、保持フレーム３２を介して蓋体４０が取り付けられている。昇降部３０は、例えば電動式又は圧力駆動式の動力源によりアーム３１を昇降させ、これにより蓋体４０を昇降させるように構成されている。
【００４８】
蓋体４０は、水平に広がった板状を呈し、その下面は対向面４１を構成する。すなわち、蓋体４０は対向面４１を有する。対向面４１は、支持台２０上に載置されたウェハＷの表面Ｗａの全域に成膜用の隙間をもって対向する（図１０参照）。対向面４１には撥水処理が施されている。撥水処理の具体例として、撥水用の凹凸面（例えばフラクタル構造面）を形成すること、フッ素系コーティングを施すこと、又は離型剤（例えばシリコーンオイル）を塗布すること等が挙げられる。蓋体４０の中央部には供給孔４２が設けられている。すなわち、塗布ユニットＵ１は供給孔４２を備える。供給孔４２は蓋体４０を貫通し、対向面４１の中央に開口する。
【００４９】
蓋体４０内には、供給孔４２を開閉するシャッター４３が設けられている。すなわち、塗布ユニットＵ１はシャッター４３を備える。シャッター４３は、例えばダイヤフラムシールであり、加圧又は減圧に応じて供給孔４２を開閉する。シャッター４３には加圧管４４が接続されており、加圧管４４には加圧バルブ４５が設けられている。加圧管４４は、シャッター４３の駆動用の圧力を伝達する。加圧バルブ４５は加圧管４４を開閉する。
【００５０】
押出ポンプ５０は、供給孔４２の上方に設けられ、蓋体４０に固定されている。すなわち、押出ポンプ５０は供給孔４２の近傍において蓋体４０に固定されている。押出ポンプ５０はシリンジ型ポンプであり、シリンダー５１と、プランジャー５２と、プランジャー駆動部５３とを有する。シリンダー５１は鉛直方向に沿った筒状を呈しており、供給孔４２を囲む環状部分から上方に突出している。プランジャー５２は、シリンダー５１の内周面に密着した状態でシリンダー５１内に収容されている。プランジャー駆動部５３は、シリンダー５１の上部に設けられており、電動式又は圧力駆動式の動力源によりプランジャー５２を駆動する。シリンダー５１の下部には吸液孔５４が設けられている。シリンダー５１において吸液孔５４より上側の部分には通気孔５５が設けられている。通気孔５５には通気バルブ５６が設けられている。
【００５１】
供給タンク６１は、レジスト剤Ｒ１を収容し、レジスト剤Ｒ１の供給源として機能する。供給タンク６１は、中高粘度のレジスト剤又は高粘度のレジスト剤を収容し、供給するものであってもよい。中高粘度とは、例えば５００〜５０００ｃＰの粘度を意味する。中高粘度のレジスト剤としては、例えばポリイミド系のレジスト剤が挙げられる。高粘度とは、例えば５０００ｃＰを超える粘度を意味する。
【００５２】
供給管６２は、供給タンク６１から延出してシリンダー５１の吸液孔５４に接続されている。供給管６２は、供給タンク６１内からシリンダー５１内にレジスト剤Ｒ１を導く。すなわち、押出ポンプ５０は供給タンク６１及び供給孔４２の間に設けられている。送液ポンプ６３及び送液バルブ６４は供給管６２に設けられており、送液バルブ６４は送液ポンプ６３に比べて押出ポンプ５０側に配置されている。すなわち、送液ポンプ６３及び送液バルブ６４も供給タンク６１及び供給孔４２の間に設けられている。送液ポンプ６３は供給タンク６１側からシリンダー５１側にレジスト剤Ｒ１を圧送する。送液バルブ６４は供給管６２を開閉する。
【００５３】
制御部１００は１又は複数の制御用コンピュータにより構成され、塗布ユニットＵ１を制御する。制御部１００は、制御条件の設定画面を表示する表示部（不図示）と、制御条件を入力する入力部（不図示）と、コンピュータ読み取り可能な記録媒体からプログラムを読み取る読取部（不図示）とを有する。記録媒体は、塗布ユニットＵ１に成膜処理方法を実行させるためのプログラムを記録している。このプログラムが制御部１００の読取部によって読み取られる。記録媒体としては、例えばハードディスク、コンパクトディスク、フラッシュメモリ、フレキシブルディスク、メモリーカード等が挙げられる。制御部１００は、入力部に入力された制御条件と、読取部により読み取られたプログラムとに応じて塗布ユニットＵ１を制御する。
【００５４】
図５は、プログラムの実行により制御部１００において実現される個々の機能を仮想的な構成要素（以下、「機能ブロック」という。）として示したブロック図である。図５に示すように、制御部１００は、機能ブロックとして、受入制御部１１１と、送出制御部１１２と、昇降制御部１１３と、充填制御部１１４と、吐出制御部１１５と、停止制御部１１６と、遮断制御部１１７とを有する。
【００５５】
受入制御部１１１は、ウェハＷの搬入に先立って昇降ピン２１を上昇させるように支持台２０を制御し、ウェハＷの搬入後に昇降ピン２１を下降させるように支持台２０を制御する。送出制御部１１２は、ウェハＷの搬出に先立って昇降ピン２１を上昇させるように支持台２０を制御する。昇降制御部１１３は、蓋体４０を昇降させるように昇降部３０を制御する。充填制御部１１４は、供給タンク６１側からシリンダー５１側にレジスト剤Ｒ１を圧送してシリンダー５１内にレジスト剤Ｒ１を充填するように、加圧バルブ４５、プランジャー駆動部５３、通気バルブ５６、送液ポンプ６３及び送液バルブ６４を制御する。吐出制御部１１５は、シリンダー５１内のレジスト剤Ｒ１を供給孔４２から押し出すように加圧バルブ４５及びプランジャー駆動部５３を制御する。停止制御部１１６は、供給孔４２から蓋体４０及びウェハＷの間に供給されたレジスト剤の広がりを停止させるようにプランジャー駆動部５３を制御する。遮断制御部１１７は、供給孔４２をシャッター４３により開閉させるように加圧バルブ４５を制御する。
【００５６】
これらの機能ブロックを用い、制御部１００は、供給タンク６１から供給されたレジスト剤Ｒ１を供給孔４２から押し出し、蓋体４０及びウェハＷの間に供給するように押出ポンプ５０を制御すること、蓋体４０及びウェハＷの間におけるレジスト剤Ｒ１の広がりをウェハＷの周縁近傍で停止させるように押出ポンプ５０を制御すること、蓋体４０及びウェハＷの間におけるレジスト剤Ｒ１の広がりを停止させた後に、蓋体４０をウェハＷから離間させるように昇降部３０を制御すること、蓋体４０及びウェハＷの間にレジスト剤Ｒ１を供給した後、蓋体４０をウェハＷから離間させる前に、供給孔４２を閉じるようにシャッター４３を制御すること、を実行する。
【００５７】
制御部１００は、蓋体４０及びウェハＷの間におけるレジスト剤Ｒ１の広がり停止させる際に、プランジャー５２を上昇させるように押出ポンプ５０を制御する。すなわち制御部１００は、蓋体４０及びウェハＷの間におけるレジスト剤Ｒ１の広がりを停止させる際に、押出ポンプ５０の動作方向を逆転させる。
【００５８】
〔成膜処理方法〕
以下、塗布ユニットＵ１により実行される成膜処理方法について説明する。図６に示すように、塗布ユニットＵ１は、まずウェハＷを受け入れる（ステップＳ１）。塗布ユニットＵ１の構成要素は受入制御部１１１により制御され、次のように動作する。すなわち、支持台２０が昇降ピン２１を上昇させる。昇降ピン２１が上昇した状態で、搬送アームＡ３によりウェハＷが塗布ユニットＵ１内に搬入され、昇降ピン２１上に載置される（図７参照）。
【００５９】
次に、塗布ユニットＵ１は、供給タンク６１側からシリンダー５１側にレジスト剤Ｒ１を圧送し、シリンダー５１内にレジスト剤Ｒ１を充填する（ステップＳ２）。塗布ユニットＵ１の構成要素は充填制御部１１４により制御され、次のように動作する。すなわち、プランジャー駆動部５３がプランジャー５２を上昇させ、通気孔５５の上に位置させる。これにより、プランジャー５２の下にレジスト剤Ｒ１の充填用の空間が形成される。この状態で通気バルブ５６が通気孔５５を開放し、送液バルブ６４が供給管６２を開放し、シャッター４３が供給孔４２を閉じ、送液ポンプ６３が供給タンク６１側からシリンダー５１側にレジスト剤Ｒ１を圧送する。これにより、レジスト剤Ｒ１がシリンダー５１内に充填される（図８参照）。シリンダー５１内へのレジスト剤Ｒ１の充填が完了すると、通気バルブ５６が通気孔５５を閉じ、送液バルブ６４が供給管６２を閉じる。
【００６０】
次に、塗布ユニットＵ１は、ウェハＷを支持台２０上に載置する（ステップＳ３）。塗布ユニットＵ１の構成要素は受入制御部１１１により制御され、次のように動作する。すなわち、支持台２０が昇降ピン２１を下降させて収容し、昇降ピン２１と共に下降したウェハＷを水平に支持する（図９参照）。
【００６１】
次に、塗布ユニットＵ１は、蓋体４０を下降させる（ステップＳ４）。塗布ユニットＵ１の構成要素は昇降制御部１１３により制御され、次のように動作する。すなわち、昇降部３０がアーム３１を下降させ、これにより蓋体４０を下降させる。昇降部３０は、蓋体４０がウェハＷに接触する前にアーム３１の下降を停止させる。これにより、対向面４１とウェハＷの表面Ｗａとの間に成膜用の隙間が形成される（図１０参照）。
【００６２】
次に、塗布ユニットＵ１は対向面４１とウェハＷとの間にレジスト剤を吐出する（ステップＳ５）。塗布ユニットＵ１の構成要素は吐出制御部１１５により制御され、次のように動作する。すなわち、加圧バルブ４５がシャッター４３の加圧を解除し、供給孔４２を開放する。供給孔４２が開放されると、プランジャー駆動部５３がプランジャー５２を下降させる。これにより、プランジャー５２の下のレジスト剤Ｒ１が供給孔４２から押し出され、蓋体４０及びウェハＷの間に供給される（図１１参照）。
【００６３】
次に、塗布ユニットＵ１は、蓋体４０及びウェハＷの間におけるレジスト剤Ｒ１の広がりを押出ポンプ５０によりウェハＷの周縁近傍で停止させる（ステップＳ６）。塗布ユニットＵ１の構成要素は停止制御部１１６により制御され、次のように動作する。すなわち、蓋体４０及びウェハＷの間におけるレジスト剤Ｒ１の広がりがウェハＷの周縁近傍に到達するのに応じて、押出ポンプ５０の動作方向が逆転する。具体的には、プランジャー駆動部５３がプランジャー５２を上昇させる（図１２参照）。これによりプランジャー５２の下の空間が減圧され、供給孔４２からのレジスト剤Ｒ１の流出が停止させられ、蓋体４０及びウェハＷの間におけるレジスト剤Ｒ１の広がりが停止する。なお、蓋体４０及びウェハＷの間におけるレジスト剤Ｒ１の広がりがウェハＷの周縁近傍に到達したことは、例えば供給孔４２からのレジスト剤Ｒ１の吐出量（プランジャー５２の下降高さ）に応じて検知される。
【００６４】
次に、塗布ユニットＵ１は、供給孔４２を閉じる（ステップＳ７）。塗布ユニットＵ１の構成要素は遮断制御部１１７により制御され、次のように動作する。すなわち、加圧バルブ４５が加圧管４４を開いてシャッター４３を加圧し、シャッター４３が供給孔４２を閉じる（図１３参照）。
【００６５】
次に、塗布ユニットＵ１は、蓋体４０を上昇させる（ステップＳ８）。塗布ユニットＵ１の構成要素は昇降制御部１１３により制御され、次のように動作する。すなわち、昇降部３０がアーム３１を上昇させ、これにより蓋体４０を上昇させる。蓋体４０は上昇に伴ってウェハＷから離間し、対向面４１がレジスト剤Ｒ１から剥離する。ウェハＷの表面Ｗａ上には、レジスト剤Ｒ１の液膜が残る（図１４参照）。
【００６６】
次に、塗布ユニットＵ１は、ウェハＷを送出する（ステップＳ９）。塗布ユニットＵ１の構成要素は送出制御部１１２により制御され、次のように動作する。すなわち、支持台２０が昇降ピン２１を上昇させる。昇降ピン２１の上昇によりウェハＷが押し上げられ、支持台２０から離間する（図１５参照）。この状態で、ウェハＷが搬送アームＡ３により塗布ユニットＵ１内から搬出される。以上で塗布ユニットＵ１による成膜処理方法が完了する。これらのステップの順序は適宜変更可能である。
【００６７】
以上に説明したように、塗布ユニットＵ１によれば、押出ポンプ５０により押し出されたレジスト剤Ｒ１は、供給孔４２から蓋体４０及びウェハＷの間に進入し、ウェハＷの周縁側に広がる。このレジスト剤Ｒ１の広がりは、押出ポンプ５０によりウェハＷの周縁近傍で停止させられる。このため、供給されたレジスト剤Ｒ１の大半がウェハＷの表面Ｗａ上に留まって液膜を構成し、有効活用される。液膜の厚さは、対向面４１及び表面Ｗａの間隔によって規定される。このため、液膜の厚さの均一性が高められる。液膜の形成後に、蓋体４０はウェハＷから離間させられる。対向面４１は撥水処理を施されているので液膜から容易に剥離する。このため、蓋体４０がウェハＷから離間した後にも液膜の厚さの均一性が維持される。従って、膜厚の均一性を保ちつつ、レジスト剤Ｒ１を節約できる。
【００６８】
制御部１００は、蓋体４０及びウェハＷの間におけるレジスト剤Ｒ１の広がり停止させる際に、押出ポンプ５０の動作方向を逆転させる。これにより、レジスト剤Ｒ１の広がりを迅速に停止させ、レジスト剤Ｒ１をより確実に節約できる。
【００６９】
押出ポンプ５０は、シリンダー５１及びプランジャー５２を有するシリンジ型ポンプである。このため、プランジャー５２の押し込み量を調整することでレジスト剤Ｒ１の吐出量を確実に調整できる。プランジャー５２を引き戻すことで押出ポンプ５０の動作方向を迅速に逆転させることもできる。従って、成膜に必要なレジスト剤Ｒ１を確実に吐出することが可能であり、且つレジスト剤Ｒ１の吐出を迅速に停止させることも可能である。なお、シリンジ型ポンプを用いる場合、継続的に吐出できる液量が限られる。これに対し、塗布ユニットＵ１は、レジスト剤Ｒ１の供給量を削減するものなので、シリンジ型ポンプによっても十分な量のレジスト剤Ｒ１を供給可能である。このため、塗布ユニットＵ１においては、シリンジ型ポンプの上記利点のみを活用することが可能となっている。
【００７０】
押出ポンプ５０は、供給孔４２の近傍において蓋体４０に固定されている。このため、レジスト剤Ｒ１の広がりをより迅速に停止させることができる。構造が単純なシリンジ型ポンプを採用していることも、押出ポンプ５０を供給孔４２の近傍に配置し易くすることに寄与している。
【００７１】
塗布ユニットＵ１は供給孔４２を開閉するシャッター４３を備え、制御部１００は、蓋体４０及びウェハＷの間にレジスト剤Ｒ１を供給した後、蓋体４０をウェハＷから離間させる前に、供給孔４２を閉じるようにシャッター４３を制御することを更に実行する。これにより、供給孔４２内のレジスト剤Ｒ１と、蓋体４０及びウェハＷの間に供給されたレジスト剤Ｒ１とのつながりをシャッター４３によって断ち、これらのレジスト剤Ｒ１同士を確実に分離できる。従って、蓋体４０がウェハＷから離間した後において、液膜の厚さの均一性をより確実に維持できる。
【００７２】
塗布ユニットＵ１は蓋体４０を水平面に沿って動かす水平駆動部を更に備えていてもよく、制御部１００は、蓋体４０をウェハＷから離間させる際に、蓋体４０を水平面に沿って動かすように水平駆動部を制御することを更に実行してもよい。すなわち、塗布ユニットＵ１により実行される成膜処理方法は、蓋体４０をウェハＷから離間させる際に、蓋体４０を水平面に沿って動かすことを更に含んでもよい。この場合、対向面４１を液膜から更に容易に剥離させることができる。従って、蓋体４０がウェハＷから離間した後において、液膜の厚さの均一性をより確実に維持できる。
【００７３】
図１６に示される回転駆動部３３は、水平駆動部の一例である。回転駆動部３３は、アーム３１の端部と保持フレーム３２との間に介在する。回転駆動部３３は、例えば電動式の動力源を内蔵し、保持フレーム３２及び蓋体４０を鉛直な軸線まわりに回転させる。このように、水平駆動部は、鉛直な軸線まわりに蓋体４０を回動させるものであってもよい。この場合、蓋体４０を水平面に沿って動かす機構を単純化できる。
【００７４】
図１７に示すように、塗布ユニットＵ１は、送気孔４７と送気源７０とを更に備えていてもよい。送気孔４７は蓋体４０に設けられ、対向面４１に開口する。送気源７０は、コンプレッサー７２と送気管７１と送気バルブ７３とを有し、送気孔４７に接続されている。コンプレッサー７２は送気用の気体を圧縮する。送気管７１はコンプレッサー７２と送気孔４７とを接続し、コンプレッサー７２から送気孔４７に気体を導く。送気バルブ７３は送気管７１の途中に設けられ、送気管７１を開閉する。制御部１００は、蓋体４０をウェハＷから離間させる際に、送気孔４７から対向面４１及びレジスト剤Ｒ１の間に気体を送り込むように送気源７０を制御することを更に実行してもよい。すなわち、塗布ユニットＵ１により実行される成膜処理方法は、蓋体４０をウェハＷから離間させる際に、対向面４１及びレジスト剤Ｒ１の間に気体を送り込むことを更に含んでもよい。この場合も、対向面４１を液膜から更に容易に剥離させることができる。従って、蓋体４０がウェハＷから離間した後において、液膜の厚さの均一性をより確実に維持できる。
【００７５】
図１８に示すように、対向面４１に沿って広がる空洞４８を蓋体４０内に形成し、空洞４８を介して送気源７０と送気孔４７とを接続してもよい。図１８において、送気孔４７は対向面４１に沿って点在する複数個所に形成されており、それぞれ空洞４８につながっている。この場合、対向面４１及びレジスト剤Ｒ１の間の広範囲に気体を送り込むことで、対向面４１を液膜から更に容易に剥離させることができる。
【００７６】
制御部１００は、成膜対象の厚さの目標値に応じて対向面４１及び表面Ｗａの間隔を調整するように昇降部３０を制御することを更に実行してもよい。すなわち、塗布ユニットＵ１により実行される成膜処理方法は、成膜対象の厚さの目標値に応じて対向面４１及び表面Ｗａの間隔を調整することを更に含んでもよい。この場合、形成される膜の厚さを様々な目標値に応じて容易に調整できる。
【００７７】
図１９に示すように、蓋体４０の周縁部に、対向面４１と支持台２０との間に介在するスペーサ８０を設けてもよい。スペーサ８０は、蓋体４０の周縁に沿って点在するものであってもよいし、蓋体４０の周縁の全周に亘って設けられていてもよい。この場合、対向面４１及びウェハＷの間におけるレジスト剤Ｒ１の広がりに応じて気体を外部に逃がすための通気孔４９を蓋体４０に設けてもよい。スペーサ８０を設けることにより、対向面４１及び表面Ｗａの隙間の均一性を高めることができる。
【００７８】
図２０に示すように、塗布ユニットＵ１は、レジスト剤Ｒ１を加温するためのヒーター２２，４６，５７を更に備えていてもよい。ヒーター４６及びヒーター２２は、蓋体４０及びウェハＷの間のレジスト剤Ｒ１を加温するためのものであり、蓋体４０及び支持台２０内にそれぞれ埋設され、対向面４１に沿って広がっている。ヒーター５７は、押出ポンプ５０内のレジスト剤Ｒ１を加温するためのものであり、シリンダー５１を取り囲むように設けられている。その他、供給タンク６１内のレジスト剤Ｒ１を加温するようにヒーターを設けてもよい。供給タンク６１から押出ポンプ５０に向かうレジスト剤Ｒ１を加温するようにヒーターを設けてよい。これらのヒーターのいずれか一つのみを設けてもよいし、いずれか複数を組み合わせて設けてもよいし、全てを設けてもよい。
【００７９】
すなわち、塗布ユニットＵ１は、蓋体４０及びウェハＷの間のレジスト剤Ｒ１を加温するように設けられたヒーター５７，２２  と、押出ポンプ５０内のレジスト剤Ｒ１を加温するように設けられたヒーターと、供給タンク６１内のレジスト剤Ｒ１を加温するように設けられたヒーターと、供給タンク６１から押出ポンプ５０に向かうレジスト剤Ｒ１を加温するように設けられたヒーターとの少なくとも一つを更に備えていてもよい。塗布ユニットＵ１により実行される成膜処理方法は、蓋体４０及びウェハＷの間、押出ポンプ５０内、供給タンク６１内、供給タンク６１から押出ポンプ５０に向かう経路内の少なくとも一箇所においてレジスト剤Ｒ１を加温することを更に含んでいてもよい。この場合、レジスト剤Ｒ１の加温によって、蓋体４０及びウェハＷの間におけるレジスト剤Ｒ１の流動性を調整できる。
【００８０】
塗布ユニットＵ１により実行される成膜処理方法には、上述したように中高粘度（５００ｃＰ〜５０００ｃＰ）のレジスト剤Ｒ１を用いてもよい。レジスト剤Ｒ１の粘度が高くなると、膜厚を均一化し難い傾向がある。このため、中高粘度のレジスト剤Ｒ１を用いる場合、液膜の厚さの均一性を高める塗布ユニットＵ１の効果がより顕著なものとなる。
また、レジスト剤Ｒ１の粘度が高くなると、液膜から対向面４１を剥離させ易くなる傾向がある。このことも液膜の厚さの均一性を高めるのに寄与する。
【００８１】
但し、高粘度（５０００ｃＰ超）のレジスト剤Ｒ１を用いると、蓋体４０及びウェハＷの間におけるレジスト剤Ｒ１の広がりが不十分となる可能性がある。このような場合に上記ヒーターを用いてレジスト剤Ｒ１を加温し、レジスト剤Ｒ１の粘度を中高粘度に低下させることが有効である。
【００８２】
以上、実施形態について説明したが、本発明は必ずしも上述した実施形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で様々な変更が可能である。例えば、塗布ユニットＵ１の構成を、ＢＣＴモジュール１４又はＴＣＴモジュール１６の塗布ユニットに適用してもよいし、他の保護膜又は絶縁膜等を形成するための塗布ユニットに適用してもよい。塗布ユニットＵ１は、供給タンク６１から供給孔４２へのレジスト剤Ｒ１の送液と、供給孔４２からのレジスト剤Ｒ１の吐出及び停止とを、押出ポンプ５０及び送液ポンプ６３のいずれか一方のみにより実行するものであってもよい。成膜処理対象の基板は半導体ウェハに限られず、例えば、プリント配線基板等であってもよい。
【符号の説明】
【００８３】
２０…支持台、２２，４６，５７…ヒーター、３０…昇降部、３３…回転駆動部（水平駆動部）、４０…蓋体、４１…対向面、４２…供給孔、４３…シャッター、４７…送気孔、５０…押出ポンプ、５１…シリンダー、５２…プランジャー、６１…供給タンク（供給源）、６３…送液ポンプ、７０…送気源、１００…制御部、Ｒ１…レジスト剤、Ｕ１…塗布ユニット（成膜処理装置）、Ｗ…ウェハ、Ｗａ…表面。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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