(57)【要約】【課題】  ２つの電場生成電極を１枚の基板の上に形成し、残像を防ぐことのできる液晶表示装置を提供すること。【解決手段】    第１基板と、前記第１基板の上に配設され、絶縁膜を間に挟んで重なり合う第１電極及び第２電極と、前記第１電極及び前記第２電極の上に配設される第１配向膜と、前記第１基板と向かい合う第２基板と、前記第２基板の上に配設される第２配向膜と、を有し、前記第１配向膜の第１比抵抗の値は、前記第２配向膜の第２比抵抗の値よりも小さく、前記第１配向膜の第１厚さは、前記第２配向膜の第２厚さよりも厚い。【選択図】  図１
2015184676.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１基板と、
前記第１基板の上に配設され、絶縁膜を間に挟んで重なり合う第１電極及び第２電極と、前記第１電極及び前記第２電極の上に配設される第１配向膜と、
前記第１基板と向かい合う第２基板と、
前記第２基板の上に配設される第２配向膜と、
を有し、
前記第１配向膜の第１比抵抗の値は、前記第２配向膜の第２比抵抗の値よりも小さいことを特徴とする液晶表示装置。
【請求項２】
前記第１配向膜の前記第１比抵抗の値に対する前記第２配向膜の前記第２比抵抗の値の比は、約１０〜約１００であることを特徴とする請求項１に記載の液晶表示装置。
【請求項３】
前記第１配向膜の第１厚さは、前記第２配向膜の第２厚さよりも厚いことを特徴とする請求項２に記載の液晶表示装置。
【請求項４】
第１基板と、
前記第１基板の上に配設され、絶縁膜を間に挟んで重なり合う第１電極及び第２電極と、前記第１電極及び前記第２電極の上に配設される第１配向膜と、
前記第１基板と向かい合う第２基板と、
前記第２基板の上に配設される第２配向膜と、
を有し、
前記第１配向膜の第１厚さは、前記第２配向膜の第２厚さよりも厚いことを特徴とする液晶表示装置。
【請求項５】
前記第１配向膜の前記第１厚さに対する前記第２配向膜の前記第２厚さの比は、約０．３〜約０．７であることを特徴とする請求項３または４に記載の液晶表示装置。
【請求項６】
前記第１配向膜の第１比抵抗の値は、前記第２配向膜の第２比抵抗の値よりも小さいことを特徴とする請求項５に記載の液晶表示装置。
【請求項７】
前記第１電極と前記第２電極のうちのいずれか一方は、複数の切欠部を含むことを特徴とする請求項１、４、５、６のいずれか１項に記載の液晶表示装置。
【請求項８】
前記第２基板と前記第２配向膜との間に形成されているカラーフィルターをさらに有することを特徴とする請求項７に記載の液晶表示装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、液晶表示装置に関し、特に２つの電場生成電極を１枚の基板の上に形成し、残像を防ぐことのできる液晶表示装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
液晶表示装置（Ｌｉｑｕｉｄ  Ｃｒｙｓｔａｌ  Ｄｉｓｐｌａｙ）は、現在最も幅広く用いられている平板表示装置（Ｆｌａｔ  Ｐａｎｅｌ  Ｄｉｓｐｌａｙ）の一つであり、電極に電圧を印加して液晶層の液晶分子を並べ替えることにより透過される光の量を調節する表示装置である。
液晶表示装置は薄形化し易いというメリットを有しているが、前面視認性に比べて側面視認性に劣るという欠点があり、これを克服するための様々な方式の液晶配列及び駆動方法が開発されている。このような広視野角を実現するために、画素電極及び共通電極を１枚の基板に形成する液晶表示装置が注目されている。
【０００３】
このような液晶表示装置において、画素電極及び共通電極の２つの電場生成電極のうちの少なくとも一方は複数の切欠部を有し、複数の切欠部により限定される複数の枝電極を有する。
一方、１枚の基板の上に画素電極及び共通電極の２つの電場生成電極を一緒に形成する場合、電場生成電極に電圧が加えられてから印加された電圧が遮断された後にも、イオン分子が放電されずに不要な電場が維持される結果、残像が生じてしまう。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
本発明は、上記従来の液晶表示装置における問題点に鑑みてなされたものであって、本発明が解決しようとする課題は、２つの電場生成電極を１枚の基板の上に形成し、残像を防ぐことのできる液晶表示装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本発明の実施形態による液晶表示装置は、第１基板と、前記第１基板の上に配設され、絶縁膜を間に挟んで重なり合う第１電極及び第２電極と、前記第１電極及び前記第２電極の上に配設される第１配向膜と、前記第１基板と向かい合う第２基板と、前記第２基板の上に配設される第２配向膜と、を有し、前記第１配向膜の第１比抵抗の値は、前記第２配向膜の第２比抵抗の値よりも小さいことを特徴とする。
【０００６】
前記第１配向膜の前記第１比抵抗の値に対する前記第２配向膜の前記第２比抵抗の値の比は、約１０〜約１００であってもよい。
前記第１配向膜の第１厚さは、前記第２配向膜の第２厚さよりも厚くてもよい。
前記第１配向膜の前記第１厚さに対する前記第２配向膜の前記第２厚さの比は、約０．３〜約０．７であってもよい。
前記第１電極と前記第２電極のうちのいずれか一方は、複数の切欠部を含んでいてもよい。
前記液晶表示装置は、前記第２基板と前記第２配向膜との間に形成されているカラーフィルターをさらに有していてもよい。
【０００７】
本発明の他の実施形態による液晶表示装置は、第１基板と、前記第１基板の上に配設され、絶縁膜を間に挟んで重なり合う第１電極及び第２電極と、前記第１電極及び前記第２電極の上に配設される第１配向膜と、前記第１基板と向かい合う第２基板と、前記第２基板の上に配設される第２配向膜と、を備え、前記第１配向膜の第１厚さは、前記第２配向膜の第２厚さよりも厚いことを特徴とする。
【発明の効果】
【０００８】
本発明の実施形態による液晶表示装置によれば、２つの電場生成電極を１枚の基板の上に形成し、残像を防ぐことができる。
【図面の簡単な説明】
【０００９】
【図１】本発明の実施形態による液晶表示装置を示す概略断面図である。
【図２】本発明の一実施形態による液晶表示装置の配置図である。
【図３】図２の液晶表示装置をＩＩＩ−ＩＩＩ線に沿って切断した断面図である。
【図４】本発明の他の実施形態による液晶表示装置の配置図である。
【図５】図４の液晶表示装置をＶ−Ｖ線に沿って切断した断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１０】
以下、添付図面に基づき、本発明の好適な実施形態について本発明が属する技術分野において通常の知識を有する者が実施できる程度に詳細に説明する。
しかしながら、本発明は、ここで説明する実施形態に何ら限定されるものではなく、他の形態に具体化可能である。
図中、様々な層及び領域の厚さは、明確性を図るために誇張されている。明細書全体に亘って同じ部分に対しては同じ図面符号を付する。なお、層、膜、領域、板などの部分が他の部分の「上」にあるとしたとき、それは、他の部分の「真上」にある場合だけではなく、これらの間にさらに他の部分がある場合も含む。逆に、ある部分が他の部分の「直上」にあるとしたとき、これらの間に他の部分がないことを意味する。
【００１１】
以下、図面を参照して本発明の実施形態による液晶表示装置について説明する。
まず、図１を参照して、本発明の実施形態による液晶表示装置について簡単に説明する。図１は、本発明の実施形態による液晶表示装置を示す概略断面図である。
図１を参照すると、本発明の実施形態による液晶表示装置は、相対向する第１表示板１００及び第２表示板２００と、これらの間に注入された液晶層３と、を備える。
第１表示板１００は第１基板１１０の上に形成され、絶縁膜８０を間に挟んで重なり合う第１電極１３０及び第２電極１９０と、第１電極１３０及び第２電極１９０の上に形成された第１配向膜１１と、を備える。
【００１２】
第２表示板２００は、第２基板２１０の上に形成されたカラーフィルター２３０、オーバーコート２５０、及び第２配向膜２１を備える。
第１配向膜１１の比抵抗値は、第２配向膜２１の比抵抗値よりも小さい。より具体的に、第１配向膜１１の比抵抗値に対する第２配向膜２１の比抵抗値の比は、約１０〜約１００である。
第１配向膜１１の第１厚さＤ１は、第２配向膜２１の第２厚さＤ２よりも厚い。より具体的に、第１配向膜１１の第１厚さＤ１に対する第２配向膜２１の第２厚さＤ２の比（Ｄ２／Ｄ１）は、約０．３〜約０．７である。
第２配向膜２１の比抵抗値は１０Ｅ１４Ω・ｍよりも大きく、第１配向膜１１の比抵抗値は１０Ｅ１３Ω・ｍよりも小さくてもよい。第２配向膜２１の比抵抗値は１０Ｅ１６Ω・ｍよりも大きくてもよく、第１配向膜１１の比抵抗値は１０Ｅ１４Ω・ｍよりも小さくてもよい。第２配向膜２１は、無機物質を含んでいてもよい。
【００１３】
第１電極１３０及び第２電極１９０に電圧が印加されて電場（Ｆ）が生成され、電場（Ｆ）により液晶層３の液晶分子が回転する。
第１電極１３０及び第２電極１９０に印加された電圧が遮断された後にも、第１電極１３０と第２電極１９０との間に帯電されている電荷Ｃが放電されず、電荷Ｃにより液晶層３に不要な電界が印加されることがある。一方、第２表示板２００に形成されているカラーフィルター２３０の不純物から不要な電荷が流入することもある。
【００１４】
本発明の実施形態による液晶表示装置によれば、第１表示板１００の上に形成された第１配向膜１１の比抵抗値は小さく、第１配向膜１１の第１厚さＤ１は厚い。また、第２配向膜２１の比抵抗値は大きく、第２配向膜２１の第２厚さＤ２は薄い。より具体的に、第１配向膜１１の比抵抗値に対する第２配向膜２１の比抵抗値の比は約１０〜約１００であり、第１配向膜１１の第１厚さＤ１に対する第２配向膜２１の第２厚さＤ２の比（Ｄ２／Ｄ１）は約０．３〜約０．７である。
第１表示板１００の上に形成された第１配向膜１１の比抵抗値は小さく、第１配向膜１１の第１厚さＤ１は厚いので、帯電されている電荷Ｃが放電され易い。比抵抗値が小さい場合、電荷が移動され易いので、帯電されている電荷Ｃが放電され易い。なお、第１厚さＤ１が厚い場合、蓄電容量が小さくなるので、帯電されている電荷Ｃが放電され易い。
【００１５】
第２表示板２００の上に形成された第２配向膜２１の比抵抗値は大きく、第２配向膜２１の第２厚さＤ２は薄いため、第２表示板２００のカラーフィルター２３０から放出される不純物（ｉｍｐｕｒｉｔｙ）が外部に流出され難い。より具体的に、第２配向膜２１の比抵抗値が大きいため、電荷が移動し難く、第２厚さＤ２が薄いため、蓄電容量が大きくなって不要な電荷が移動され難くなる。したがって、第２表示板２００に形成されているカラーフィルター２３０などの有機膜から発生可能な不純物から不要な電荷が流入しない。
【００１６】
このように、本発明の実施形態による液晶表示装置は、第１表示板１００に形成される第１配向膜１１と第２表示板２００に形成される第２配向膜２１の比抵抗値と厚さを調節することにより、２つの電場生成電極が形成された第１表示板１００において帯電された電荷Ｃが放電され易く、第２表示板２００から発生し得る不純物から不要な電荷が流入することを防ぐことができる。したがって、帯電された電荷により液晶層に不要な電界が印加されることを防いで、不要な電界による残像を防ぐことができる。
【００１７】
以下、図２及び図３を参照して、本発明の一実施形態による液晶表示装置について説明する。図２は、本発明の一実施形態による液晶表示装置の配置図であり、図３は、図２の液晶表示装置をＩＩＩ−ＩＩＩ線に沿って切断した断面図である。
図２及び図３を参照すると、本発明の一実施形態による液晶表示装置は、相対向する第１表示板１００及び第２表示板２００と、これらの間に注入された液晶層３と、を備える。
【００１８】
まず、第１表示板１００について説明する。
透明ガラス製又はプラスチック製の第１基板１１０の上にゲート線１２１を有するゲート導電体が形成される。
ゲート線１２１は、ゲート電極１２４及び他の層又は外部駆動回路との接続のための広い端部（図示せず）を備える。
ゲート線１２１及びゲート電極１２４からなるゲート導電体（１２１、１２４）の上には、窒化ケイ素（ＳｉＮｘ）又は酸化ケイ素（ＳｉＯｘ）などからなるゲート絶縁膜１４０が形成される。ゲート絶縁膜１４０は、物理的な性質が異なる少なくとも２つの絶縁層を有する多層膜構造を有していてもよい。
【００１９】
ゲート絶縁膜１４０の上には、非晶質シリコン製又は多結晶シリコン製の半導体１５４が形成される。半導体１５４は、酸化物半導体を含んでいてもよい。
半導体１５４の上には、オーミックコンタクト部材（１６３、１６５）が形成される。オーミックコンタクト部材（１６３、１６５）は、リン（ｐｈｏｓｐｈｏｒｕｓ）などのｎ型不純物が高濃度にドーピングされたｎ＋水素化非晶質シリコンなどの物質又はシリサイド（ｓｉｌｉｃｉｄｅ）により製作される。オーミックコンタクト部材（１６３、１６５）は対をなして半導体１５４の上に配置される。半導体１５４が酸化物半導体である場合、オーミックコンタクト部材（１６３、１６５）は省略可能である。
【００２０】
オーミックコンタクト部材（１６３、１６５）及びゲート絶縁膜１４０の上には、ソース電極１７３を有するデータ線１７１及びドレイン電極１７５を有するデータ導電体が形成される。
データ線１７１は、他の層又は外部駆動回路との接続のための広い端部（図示せず）を備える。データ線１７１はデータ信号を送信し、主として縦方向に延長されてゲート線１２１と交差する。
このとき、データ線１７１は、液晶表示装置の最大透過率を得るために折り曲げられた形状を有する第１折曲部を有し、折曲部は画素領域の中間領域において接続されてＶ字状を呈する。画素領域の中間領域には、第１折曲部と所定の角度をなすように折り曲げられた第２折曲部がさらに配設されてもよい。
【００２１】
データ線１７１の第１折曲部は、ゲート線１２１が延長される方向と９０°をなす縦基準線と約７°をなすように折り曲げられる。画素領域の中間領域に配置される第２折曲部は、第１折曲部と約７°〜約１５°をなすようにさらに折り曲げられる。
ソース電極１７３はデータ線１７１の一部であり、データ線１７１と同じ線の上に配置される。ドレイン電極１７５はソース電極１７３と平行に延設される。したがって、ドレイン電極１７５はデータ線１７１の一部と平行である。
ゲート電極１２４と、ソース電極１７３及びドレイン電極１７５は半導体１５４とともに一つの薄膜トランジスタ（ｔｈｉｎ−ｆｉｌｍ−ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ；ＴＦＴ）をなし、薄膜トランジスタのチャンネル（ｃｈａｎｎｅｌ）は、ソース電極１７３とドレイン電極１７５との間の半導体１５４に形成される。
【００２２】
本発明の実施形態による液晶表示装置は、データ線１７１と同じ線の上に配設されるソース電極１７３とデータ線１７１と平行に延長されるドレイン電極１７５を備えることにより、データ導電体が占める面積を広げなくても薄膜トランジスタの幅を広げることができ、これにより、液晶表示装置の開口率が増加される。
データ導電体（１７１、１７３、１７５）と、ゲート絶縁膜１４０及び半導体１５４の露出された部分の上には、第１保護膜１８０ｎが配置される。第１保護膜１８０ｎは、有機絶縁物質又は無機絶縁物質などにより製作される。
【００２３】
第１保護膜１８０ｎの上には、第２保護膜１８０ｑが配置される。第２保護膜１８０ｑは省略可能である。第２保護膜１８０ｑは、有機物質を含んでいてもよい。
第２保護膜１８０ｑの上には、共通電極（ｃｏｍｍｏｎ  ｅｌｅｃｔｒｏｄｅ）２７０が形成される。共通電極２７０は面状であり、第１基板１１０の全面の上に分割のないプレート状に形成されていてもよく、ドレイン電極１７５の周りに対応する領域に配置されている開口部１３８を有していてもよい。すなわち、共通電極２７０は、板状の平面状を呈する。
【００２４】
隣の画素に配設される共通電極２７０は互いに連結されて、表示領域の外部から供給される所定の大きさの共通電圧を受け取る。
共通電極２７０の上には、第３保護膜１８０ｚが配置される。第３保護膜１８０ｚは、有機絶縁物質又は無機絶縁物質などにより製作される。
第３保護膜１８０ｚの上には、画素電極１９１が形成される。画素電極１９１は、データ線１７１の第１折曲部及び第２折曲部と略平行な折曲辺（ｃｕｒｖｅｄ  ｅｄｇｅ）を備える。画素電極１９１は複数の第１切欠部９２を有し、複数の第１切欠部９２により限定される複数の第１の枝電極１９２を備える。
【００２５】
第１保護膜１８０ｎと、第２保護膜１８０ｑ及び第３保護膜１８０ｚには、ドレイン電極１７５を露出させる第１コンタクト孔１８５が形成される。画素電極１９１は、第１コンタクト孔１８５を介してドレイン電極１７５と物理的及び電気的に接続されて、ドレイン電極１７５から電圧を受け取る。
画素電極１９１及び第３保護膜１８０ｚの上には、第１配向膜（ａｌｉｇｎｍｅｎｔ  ｌａｙｅｒ）１１が塗布される。第１配向膜１１は水平配向膜であってもよく、所定の方向にラビングされている。しかしながら、本発明の他の実施形態による液晶表示装置によれば、第１配向膜１１は光反応物質を含んで光配向されてもよい。
【００２６】
以下、第２表示板２００について説明する。
透明ガラス製又はプラスチック製の第２基板２１０の上に遮光部材（ｌｉｇｈｔ  ｂｌｏｃｋｉｎｇ  ｍｅｍｂｅｒ）２２０が形成される。遮光部材２２０は、ブラックマトリックス（ｂｌａｃｋ  ｍａｔｒｉｘ）とも呼ばれ、光漏れを防ぐ。
また、第２基板２１０の上には、複数のカラーフィルター２３０が形成される。カラーフィルター２３０は、基本色（ｐｒｉｍａｒｙ  ｃｏｌｏｒ）のうちの一つを固有に表示することができ、基本色の例としては、赤色、緑色、青色などの三原色又は黄色（ｙｅｌｌｏｗ）、青緑色（ｃｙａｎ）、紫紅色（ｍａｇｅｎｔａ）などが挙げられる。図示はしないが、カラーフィルターは、基本色に加えて、基本色の混合色又は白色（ｗｈｉｔｅ）を表示するカラーフィルターをさらに備えていてもよい。
【００２７】
カラーフィルター２３０及び遮光部材２２０の上には、オーバーコート（ｏｖｅｒｃｏａｔ）２５０が形成される。オーバーコート２５０は、（有機）絶縁物により製作され、カラーフィルター２３０が露出されることを防いで平坦面を提供する。オーバーコート２５０は、省略可能である。
オーバーコート２５０の上には、第２配向膜２１が形成される。
液晶層３は、正の誘電率異方性を有するネマチック（ｎｅｍａｔｉｃ）液晶物質を含む。液晶層３の液晶分子は、その長軸方向が表示板（１００、２００）に平行に配列されており、その方向が第１表示板１００の配向膜のラビング方向から第２表示板２００に至るまで螺旋状に９０°捩じれた構造を有する。
【００２８】
画素電極１９１は、ドレイン電極１７５からデータ電圧を受け取り、共通電極２７０は、表示領域の外部に配置されている共通電圧印加部から所定の大きさの共通電圧を受け取る。
電場生成電極である画素電極１９１及び共通電極２７０は電場を生成することにより、２つの電極（１９１、２７０）の上に配設される液晶層３の液晶分子は電場の方向と平行な方向に回転する。このようにして決定された液晶分子の回転方向に応じて液晶層を通過する光の偏光が変わる。
【００２９】
第１配向膜１１の比抵抗値は、第２配向膜２１の比抵抗値よりも小さい。より具体的に、第１配向膜１１の比抵抗値に対する第２配向膜２１の比抵抗値の比は、約１０〜約１００である。
第１配向膜１１の第１厚さＤ１は、第２配向膜２１の第２厚さＤ２よりも厚い。より具体的に、第１配向膜１１の第１厚さＤ１に対する第２配向膜２１の第２厚さＤ２の比（Ｄ２／Ｄ１）は、約０．３〜約０．７である。
第２配向膜２１の比抵抗値は１０Ｅ１４Ω・ｍよりも大きく、第１配向膜１１の比抵抗値は１０Ｅ１３Ω・ｍよりも小さくてもよい。第２配向膜２１の比抵抗値は１０Ｅ１６Ω・ｍよりも大きくてもよく、第１配向膜１１の比抵抗値は１０Ｅ１４Ω・ｍよりも小さくてもよい。第２配向膜２１は、無機物質を含んでいてもよい。
【００３０】
このように、本発明の実施形態による液晶表示装置は、第１表示板１００に形成される第１配向膜１１と第２表示板２００に形成される第２配向膜２１の比抵抗値と厚さを調節することにより、２つの電場生成電極が形成された第１表示板１００において帯電された電荷Ｃが放電され易く、第２表示板２００から発生可能な不純物から不要な電荷が流入することを防ぐことができる。したがって、帯電された電荷により液晶層に不要な電界が印加されることを防いで不要な電界による残像を防ぐことができる。
【００３１】
以下、図４及び図５を参照して、本発明の他の実施形態による液晶表示装置について説明する。図４は、本発明の他の実施形態による液晶表示装置の配置図であり、図５は、図４の液晶表示装置をＶ−Ｖ線に沿って切断した断面図である。
図４及び図５を参照すると、本発明の実施形態による液晶表示装置は、図２及び図３に示す実施形態による液晶表示装置と略同様である。なお、同じ構成要素についての具体的な説明は省略する。
図４及び図５を参照すると、本発明の実施形態による液晶表示装置は、相対向する第１表示板１００及び第２表示板２００と、これらの間に注入された液晶層３と、を備える。
【００３２】
まず、第１表示板１００について説明する。
第１基板１１０の上にゲート線１２１を有するゲート導電体が形成される。
ゲート導電体１２１の上には、窒化ケイ素（ＳｉＮｘ）製又は酸化ケイ素（ＳｉＯｘ）製のゲート絶縁膜１４０が形成される。
ゲート絶縁膜１４０の上には、半導体１５４が形成される。
半導体１５４の上には、オーミックコンタクト部材（１６３、１６５）が形成される。半導体１５４が酸化物半導体である場合、オーミックコンタクト部材（１６３、１６５）は省略可能である。
【００３３】
オーミックコンタクト部材（１６３、１６５）及びゲート絶縁膜１４０の上には、ソース電極１７３を有するデータ線１７１及びドレイン電極１７５を有するデータ導電体が形成される。
ドレイン電極１７５の真上には、画素電極１９１が形成される。画素電極１９１は、面状、すなわち、板状を呈して一つの画素領域に配置される。
データ導電体（１７１、１７３、１７５）と、ゲート絶縁膜１４０と、半導体１５４の露出された部分及び画素電極１９１の上には、保護膜１８０が配置される。しかしながら、本発明の他の実施形態による液晶表示装置においては、画素電極１９１とデータ線１７１との間に保護膜１８０が配置され、画素電極１９１は、保護膜１８０に形成されたコンタクト孔（図示せず）を介してドレイン電極１７５と連結される。
【００３４】
保護膜１８０の上には、共通電極２７０が形成される。共通電極２７０は互いに連結されて、表示領域の外部に配置された共通電圧印加部から基準電圧を受け取る。
共通電極２７０は、データ線１７１の第１折曲部及び第２折曲部と略平行な折曲辺を有し、隣接する画素に配置された共通電極２７０は互いに連結される。共通電極２７０は複数の第２切欠部２７２を有し、複数の第２切欠部２７２により限定される複数の第２枝電極２７１を備える。
図示はしないが、共通電極２７０及び保護膜１８０の上には第１配向膜１１が塗布され、第１配向膜１１は水平配向膜であってもよく、所定の方向にラビングされている。しかしながら、本発明の他の実施形態による液晶表示装置によれば、第１配向膜１１は光反応物質を含んで、光配向されてもよい。
【００３５】
以下、第２表示板２００について説明する。
第２基板２１０の上に遮光部材２２０が形成される。また、第２基板２１０の上には複数のカラーフィルター２３０が形成される。
カラーフィルター２３０及び遮光部材２２０の上には、オーバーコート２５０が形成される。オーバーコート２５０は、省略可能である。
オーバーコート２５０の上には、第２配向膜２１が配置されてもよい。液晶層３は、正の誘電率異方性を有するネマチック液晶物質を含む。液晶層３の液晶分子は、その長軸方向が表示板（１００、２００）に平行に配列されており、その方向が第１表示板１００の配向膜のラビング方向から第２表示板２００に至るまで螺旋状に９０°捩じれた構造を有する。
【００３６】
画素電極１９１は、ドレイン電極１７５からデータ電圧を受け取り、共通電極２７０は、表示領域の外部に配置された共通電圧印加部から所定の大きさの共通電圧を受け取る。
電場生成電極である画素電極１９１及び共通電極２７０は電場を生成することにより、２つの電極（１９１、２７０）の上に配設される液晶層３の液晶分子は電場の方向と平行な方向に回転する。このようにして決定された液晶分子の回転方向に応じて液晶層を通過する光の偏光が変わる。
【００３７】
第１配向膜１１の比抵抗値は、第２配向膜２１の比抵抗値よりも小さい。より具体的に、第１配向膜１１の比抵抗値に対する第２配向膜２１の比抵抗値の比は、約１０〜約１００である。
第１配向膜１１の第１厚さＤ１は、第２配向膜２１の第２厚さＤ２よりも厚い。より具体的に、第１配向膜１１の第１厚さＤ１に対する第２配向膜２１の第２厚さＤ２の比（Ｄ２／Ｄ１）は、約０．３〜約０．７である。
第２配向膜２１の比抵抗値は１０Ｅ１４Ω・ｍよりも大きく、第１配向膜１１の比抵抗値は１０Ｅ１３Ω・ｍよりも小さくてもよい。第２配向膜２１の比抵抗値は１０Ｅ１６Ω・ｍより大きくてもよく、第１配向膜１１の比抵抗値は１０Ｅ１４Ω・ｍよりも小さくてもよい。第２配向膜２１は、無機物質を含んでいてもよい。
【００３８】
このように、本発明の実施形態による液晶表示装置は、第１表示板１００に形成される第１配向膜１１と第２表示板２００に形成される第２配向膜２１の比抵抗値と厚さを調節することにより、２つの電場生成電極が形成された第１表示板１００において帯電された電荷Ｃが放電され易く、第２表示板２００から発生可能な不純物から不要な電荷が流入することを防ぐことができる。したがって、帯電された電荷により液晶層に不要な電界が印加されることを防いで、不要な電界による残像を防ぐことができる。
【００３９】
以下、表１を参照して、本発明の一実験例について説明する。本実験例においては、既存の液晶表示装置のように、２つの電場生成電極を第１基板の上に形成し、第１基板及び第２基板の上に第１配向膜及び第２配向膜を形成し、第１配向膜及び第２配向膜の比抵抗値は約４１０Ｅ１３Ω・ｍであり、厚さは約１０００Åに形成したケース１の場合、本発明の実施形態による液晶表示装置と同様に、２つの電場生成電極を第１基板の上に形成し、第１基板の上に形成される第１配向膜及び第２基板の上に形成される第２配向膜の比抵抗値は約４１０Ｅ１３Ω・ｍに形成し、第１配向膜の厚さは約１０００Åであり、第２配向膜の厚さは約２００Åであるように形成したケース２の場合、２つの電場生成電極を第１基板の上に形成し、第１基板の上に形成される第１配向膜の比抵抗値は約４１０Ｅ１３Ω・ｍであり、第１配向膜の厚さは約１０００Åであり、第２基板の上に形成される第２配向膜の比抵抗値は約６１０Ｅ１４Ω・ｍであり、第２配向膜の厚さは約５００Åであるように形成したケース３の場合に対して、２つの電場生成電極に同じ電圧を印加して６０℃で１時間駆動した後、１０分が経過した後に残像の結果を測定し、その結果を表１に示す。第１配向膜と第２配向膜の比抵抗値と厚さを除いて、残りの条件はいずれも同様であった。
【００４０】
【表１】
2015184676.tif 000003
【００４１】
ここで、残像のレベルが４レベルであることは、正面と側面における位置別に輝度差が視認される程度を意味し、残像のレベルが２レベルであることは、正面における位置別に輝度差がやや視認される程度を意味し、残像のレベルが１レベルであることは、正面における位置別に輝度差が全く視認されない程度を意味する。
表１を参照すると、本発明の実施形態による液晶表示装置のように、第１基板の上に２つの電場生成電極を形成し、第１基板の上に形成される第１配向膜と第２基板の上に形成される第２配向膜の比抵抗値と厚さを調節すると、第１配向膜と第２配向膜の比抵抗値と厚さを等しく形成した場合に比べて、残像が防がれることが分かる。
【００４２】
このように、本発明の実施形態による液晶表示装置は、第１表示板１００に形成される第１配向膜１１と第２表示板２００に形成される第２配向膜２１の比抵抗値と厚さを調節することにより、２つの電場生成電極が形成された第１表示板１００において帯電された電荷Ｃが放電され易く、第２表示板２００から発生可能な不純物から不要な電荷が流入することを防ぐことができる。したがって、帯電された電荷により液晶層に不要な電界が印加されることを防いで、不要な電界による残像を防ぐことができる。
以上、本発明の実施形態について詳細に説明したが、本発明の権利範囲はこれに何ら限定されるものではなく、下記の特許請求の範囲において定義している本発明の基本概念を用いた当業者の種々の変形及び改良形態もまた本発明の権利範囲に属する。
【符号の説明】
【００４３】
３    液晶層
１１、２１    第１、第２配向膜
１００、２００    第１、第２表示板
１１０、２１０    第１、第２基板
１２１    ゲート線
１２４    ゲート電極
１４０    ゲート絶縁膜
１５４    半導体
１６３、１６５    オーミックコンタクト部材
１７１    データ線
１７３    ソース電極
１７５    ドレイン電極
１８０    保護膜
１８０ｎ、１８０ｑ、１８０ｚ    第１、第２、第３保護膜
１９１    画素電極
２３０    カラーフィルター
２５０    オーバーコート
２７０    共通電極
【図１】
2015184676.tif 000004
【図２】
2015184676.tif 000005
【図３】
2015184676.tif 000006
【図４】
2015184676.tif 000007
【図５】
2015184676.tif 000008