(57)【要約】【課題】ハンプ特性の発生を抑制できるトランジスターを備えた電気光学装置、及びそのような電気光学装置を備えた電子機器を提供する。【解決手段】本発明の電気光学装置の一つの態様は、第１トランジスターを含む複数のトランジスターと、第１トランジスターによって電流が供給される電気光学素子と、を備える画素回路を備え、第１トランジスターにおける一対の電流端のうちのいずれか一方が、平面視において第１トランジスターのチャネルを囲むことを特徴とする。【選択図】図３
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１トランジスターを含む複数のトランジスターと、前記第１トランジスターによって電流が供給される電気光学素子と、を備える画素回路を備え、
前記第１トランジスターにおける一対の電流端のうちのいずれか一方が、平面視において前記第１トランジスターのチャネルを囲むことを特徴とする電気光学装置。
【請求項２】
前記複数のトランジスターは、第２トランジスターを含み、
前記第２トランジスターにおける一対の電流端のうちのいずれか一方は、前記第１トランジスターにおける一対の電流端のうちのいずれか一方に接続され、
前記第２トランジスターにおける一対の電流端のうちの他方は、前記第１トランジスターのゲートと接続される、請求項１に記載の電気光学装置。
【請求項３】
前記第２トランジスターにおける一対の電流端のうちのいずれか一方は、前記第１トランジスターにおける一対の電流端のうちのいずれか一方として機能する、請求項２に記載の電気光学装置。
【請求項４】
前記第２トランジスターは、平面視において前記第１トランジスターのチャネルに囲まれる、請求項２または３に記載の電気光学装置。
【請求項５】
前記第１トランジスターにおける一対の電流端のうち前記第１トランジスターのチャネルを囲む方の電流端は、電源線に接続される、請求項１から４のいずれか一項に記載の電気光学装置。
【請求項６】
前記複数のトランジスターは、第３トランジスターを含み、
前記第３トランジスターにおける一対の電流端のうちのいずれか一方は、前記第１トランジスターにおける一対の電流端のうちのいずれか一方として機能し、
前記第３トランジスターにおける一対の電流端のうちの他方は、前記電気光学素子と接続される、請求項１から５のいずれか一項に記載の電気光学装置。
【請求項７】
前記第３トランジスターは、平面視において前記第１トランジスターのチャネルに囲まれる、請求項６に記載の電気光学装置。
【請求項８】
前記第１トランジスターは、平面視において前記第３トランジスターのチャネルに囲まれる、請求項６に記載の電気光学装置。
【請求項９】
前記画素回路は、特性補償回路を有している、請求項１から８のいずれか一項に記載の電気光学装置。
【請求項１０】
前記第１トランジスターにおけるチャネルの平面視形状は、円環状または楕円環状である、請求項１から９のいずれか一項に記載の電気光学装置。
【請求項１１】
前記第１トランジスターにおけるチャネルの平面視形状は、矩形環状である、請求項１から９のいずれか一項に記載の電気光学装置。
【請求項１２】
前記第１トランジスターにおけるチャネルの平面視形状は、多角環形状である、請求項１から９のいずれか一項に記載の電気光学装置。
【請求項１３】
前記電気光学素子は、有機エレクトロルミネッセンス素子である、請求項１から１２のいずれか一項に記載の電気光学装置。
【請求項１４】
請求項１から１３のいずれか一項に記載の電気光学装置を備えることを特徴とする電子機器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電気光学装置、及び電子機器に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来から、電子機器の表示装置として、有機発光ダイオード（Ｏｒｇａｎｉｃ  Ｌｉｇｈｔ  Ｅｍｉｔｔｉｎｇ  Ｄｉｏｄｅ，以下、ＯＬＥＤと略記する）などの複数の有機エレクトロルミネッセンス（Ｅｌｅｃｔｒｏｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｃｅ，以下、ＥＬと略記する）素子がマトリクス状に配置された電気光学装置が用いられている（例えば、特許文献１）。
【０００３】
特許文献１では、ＯＬＥＤを駆動するための回路として、複数のトランジスターを備えた画素回路が記載されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２０１３−０８８６１１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
上記のような電気光学装置においては、トランジスターによって、ＯＬＥＤ等の有機ＥＬ素子（電気光学素子）に電流が供給される。このような場合においては、トランジスターにおけるチャネル幅方向の端部に生じる寄生チャネルに起因して、トランジスターのゲート電極に印加される電圧と、電気光学素子に供給される電流との特性に、ハンプ特性と呼ばれる特性の変曲点が生じる場合があった。ハンプ特性が生じると、各電気光学素子に供給される電流値にばらつきが生じ、電気光学装置の品質を低下させてしまう場合があった。
【０００６】
本発明の一つの態様は、上記問題点に鑑みて成されたものであって、ハンプ特性の発生を抑制できるトランジスターを備えた電気光学装置、及びそのような電気光学装置を備えた電子機器を提供することを目的の一つとする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明の電気光学装置の一つの態様は、第１トランジスターを含む複数のトランジスターと、前記第１トランジスターによって電流が供給される電気光学素子と、を備える画素回路を備え、前記第１トランジスターにおける一対の電流端のうちのいずれか一方が、平面視において前記第１トランジスターのチャネルを囲むことを特徴とする。
【０００８】
本発明の電気光学装置の一つの態様によれば、一対の電流端のうちのいずれか一方が、チャネルを囲む構成であるため、第１トランジスターのチャネルにおいて、チャネル幅方向の端部が存在しない。これにより、本発明の電気光学装置の一つの態様によれば、寄生容量の発生を抑制でき、その結果、ハンプ特性の発生を抑制できるトランジスターを備えた電気光学装置が得られる。
【０００９】
前記複数のトランジスターは、第２トランジスターを含み、前記第２トランジスターにおける一対の電流端のうちのいずれか一方は、前記第１トランジスターにおける一対の電流端のうちのいずれか一方に接続され、前記第２トランジスターにおける一対の電流端のうちの他方は、前記第１トランジスターのゲートと接続される構成としてもよい。
この構成によれば、特性補償回路を構成することができる。
【００１０】
前記第２トランジスターにおける一対の電流端のうちのいずれか一方は、前記第１トランジスターにおける一対の電流端のうちのいずれか一方として機能する構成としてもよい。
この構成によれば、画素回路を小型化することが容易である。
【００１１】
前記第２トランジスターは、平面視において前記第１トランジスターのチャネルに囲まれる構成としてもよい。
この構成によれば、画素回路を小型化することが容易である。
【００１２】
前記第１トランジスターにおける一対の電流端のうち前記第１トランジスターのチャネルを囲む方の電流端は、電源線に接続される構成としてもよい。
この構成によれば、隣り合う画素回路において、電源線が接続される電流端を共通化できるため、画素回路を小型化することが容易である。
【００１３】
前記複数のトランジスターは、第３トランジスターを含み、前記第３トランジスターにおける一対の電流端のうちのいずれか一方は、前記第１トランジスターにおける一対の電流端のうちのいずれか一方として機能し、前記第３トランジスターにおける一対の電流端のうちの他方は、前記電気光学素子と接続される構成としてもよい。
この構成によれば、第３トランジスターによって電気光学素子の駆動を制御できる。
【００１４】
前記第３トランジスターは、平面視において前記第１トランジスターのチャネルに囲まれる構成としてもよい。
この構成によれば、第１トランジスターのチャネルを大きくできる。そのため、この構成によれば、第１トランジスターのゲート容量を大きくできる。
【００１５】
前記第１トランジスターは、平面視において前記第３トランジスターのチャネルに囲まれる構成としてもよい。
この構成によれば、第１トランジスターのチャネルを小さくできる。そのため、この構成によれば、第１トランジスターのゲート容量を小さくできる。
【００１６】
前記画素回路は、特性補償回路を有している構成としてもよい。
この構成によれば、電気光学素子に供給される電流値のばらつきをより抑制できる。
【００１７】
前記第１トランジスターにおけるチャネルの平面視形状は、円環状または楕円環状である構成としてもよい。
この構成によれば、チャネル長を均一にできるため、第１トランジスターの電圧特性を安定化できる。
【００１８】
前記第１トランジスターにおけるチャネルの平面視形状は、矩形環状である構成としてもよい。
この構成によれば、他の配線等の配置関係上、第１トランジスターを配置しやすく、無駄なスペースを小さくできる。そのため、この構成によれば、画素回路を小型化することが容易である。
【００１９】
前記第１トランジスターにおけるチャネルの平面視形状は、多角環形状である構成としてもよい。
この構成によれば、チャネルが矩形環状である場合に対して、チャネル長を均一化できるため、第１トランジスターの電圧特性を安定化できる。
【００２０】
前記電気光学素子は、有機エレクトロルミネッセンス素子である構成としてもよい。
この構成によれば、電子機器の表示装置として用いることができる。
【００２１】
本発明の電子機器の一つの態様は、上記の電気光学装置を備えることを特徴とする。
本発明の電子機器の一つの態様によれば、上記の電気光学装置を備えているため、信頼性に優れた電子機器が得られる。
【図面の簡単な説明】
【００２２】
【図１】第１実施形態の発光装置を示す平面図である。
【図２】第１実施形態の画素回路を示す回路図である。
【図３】第１実施形態の画素回路を示す平面図である。
【図４】第１実施形態の駆動トランジスターを示す平面図である。
【図５】第１実施形態の画素回路を示す平面図である。
【図６】第１実施形態の駆動トランジスターの他の一例を示す平面図である。
【図７】第１実施形態の駆動トランジスターの他の一例を示す平面図である。
【図８】第１実施形態の駆動トランジスターの他の一例を示す平面図である。
【図９】第１実施形態の駆動トランジスターの他の一例を示す平面図である。
【図１０】第２実施形態の画素回路を示す回路図である。
【図１１】第２実施形態の画素回路を示す平面図である。
【図１２】第３実施形態の画素回路を示す回路図である。
【図１３】第３実施形態の画素回路を示す平面図である。
【図１４】第３実施形態における第１変形例の画素回路を示す平面図である。
【図１５】第３実施形態における第２変形例の画素回路を示す平面図である。
【図１６】第４実施形態の画素回路を示す平面図である。
【図１７】第５実施形態の画素回路を示す平面図である。
【図１８】第５実施形態の画素回路の他の一例を示す平面図である。
【図１９】本実施形態の電子機器の一例を示す図である。
【図２０】本実施例に用いる駆動トランジスターを示す平面図である。
【図２１】本実施例の結果を示すグラフである。
【発明を実施するための形態】
【００２３】
以下、図を参照しながら、本発明の実施形態に係る電気光学装置及び電子機器について説明する。
なお、本発明の範囲は、以下の実施の形態に限定されるものではなく、本発明の技術的思想の範囲内で任意に変更可能である。また、以下の図面においては、各構成をわかりやすくするために、実際の構造と各構造における縮尺や数等を異ならせる場合がある。
【００２４】
［電気光学装置］
以下に説明する実施形態においては、電気光学装置が発光装置である場合について例示して説明する。
【００２５】
（第１実施形態）
図１は、本実施形態の発光装置（電気光学装置）１を示す平面図である。
本実施形態の発光装置１は、図１に示すように、有機ＥＬ材料を利用した発光素子を基板１０上に形成した有機ＥＬ装置である。基板１０は、シリコン等の半導体材料で形成された板状部材であり、複数の発光素子が形成される基材として利用される。
【００２６】
基板１０の表面には、表示領域１２と、周辺領域１４と、実装領域１６と、が設けられている。表示領域１２は、複数の画素回路（画素）Ｐが配列された矩形状の領域である。
表示領域１２には、Ｘ方向に延在する複数の走査線２２と、Ｘ方向と交差するＹ方向に延在する複数の信号線２６と、が形成される。画素回路Ｐは、複数の走査線２２と複数の信号線２６との各交差に対応した領域である。したがって、複数の画素回路Ｐは、Ｘ方向及びＹ方向にわたってマトリクス状に配列される。
【００２７】
周辺領域１４は、表示領域１２を囲む矩形枠状の領域である。駆動回路３０は、周辺領域１４に設けられている。駆動回路３０は、表示領域１２内の各画素回路Ｐを駆動する回路である。駆動回路３０は、２つの走査線駆動回路３２と信号線駆動回路３４とを含んでいる。発光装置１は、駆動回路３０が基板１０の表面に直接形成されたトランジスター等の能動素子で構成される回路内蔵型の表示装置である。なお、画像表示に直接寄与しないダミー画素が周辺領域１４内に形成されていてもよい。
【００２８】
実装領域１６は、周辺領域１４を挟んで表示領域１２とは反対側、すなわち周辺領域１４の外側の領域に設けられている。実装領域１６には、複数の実装端子３８が配列されている。制御信号や電源電位は、制御回路や電源回路等の各種の外部回路（図示せず）から実装端子３８に供給される。外部回路は、例えば実装領域１６に接合された可撓性の配線基板（図示せず）に実装される。
【００２９】
図２は、表示領域１２内における１つの画素回路Ｐ１１を示す回路図である。
図２に示すように、画素回路Ｐ１１は、発光素子（電気光学素子）４５と、駆動トランジスター（第１トランジスター）５１と、選択トランジスター５２と、容量素子Ｃと、を備える。
【００３０】
なお、本明細書において説明する実施形態においては、画素回路Ｐを構成するトランジスターをＰチャネル型のトランジスターで構成するが、Ｎチャネル型のトランジスターで構成することも可能である。
【００３１】
発光素子４５は、有機ＥＬ材料の発光層を含む有機層４６を画素電極（陽極）Ｅ１と共通電極（陰極）Ｅ２との間に介在させた電気光学素子である。画素電極Ｅ１は画素回路Ｐ毎に個別に形成され、共通電極Ｅ２は複数の画素回路Ｐにわたって連続して形成される。図２に示すように、発光素子４５は、第１電源導電体４１と第２電源導電体４２とを結ぶ電流経路上に配置される。第１電源導電体４１は、高電位側の電源電位ＶＥＬが供給される電源配線である。第２電源導電体４２は、低電位側の電源電位ＶＣＴが供給される電源配線である。
【００３２】
駆動トランジスター５１は、第１電源導電体４１と第２電源導電体４２とを結ぶ電流経路上で発光素子４５に対して直列に接続されている。具体的には、駆動トランジスター５１の一対の電流端のうちの一方（ソース）は、第１電源導電体４１に接続されている。駆動トランジスター５１の一対の電流端のうちの他方（ドレイン）は、発光素子４５の画素電極Ｅ１と接続されている。駆動トランジスター５１は、自身のゲート−ソース間の電圧に応じた電流量に相当する駆動電流を生成する。
【００３３】
駆動トランジスター５１によって生成された駆動電流は、駆動トランジスター５１から発光素子４５に供給される。このとき、発光素子４５は、駆動電流の電流量に応じた輝度で発光する。
【００３４】
図２に示す選択トランジスター５２は、信号線２６と駆動トランジスター５１のゲートとの導通状態（導通／非導通）を制御するスイッチとして機能する。選択トランジスター５２のゲートは走査線２２に接続されている。選択トランジスター５２のソースは、信号線２６に接続されている。選択トランジスター５２のドレインは、駆動トランジスター５１のゲート及び後述する容量素子Ｃの第１容量電極Ｃ１と接続されている。
【００３５】
容量素子Ｃは、第１容量電極Ｃ１と第２容量電極Ｃ２との間に誘電体を介在させた静電容量である。第１容量電極Ｃ１は、駆動トランジスター５１のゲートに接続されている。第２容量電極Ｃ２は、第１電源導電体４１（駆動トランジスター５１のソース）に接続されている。したがって、容量素子Ｃは、駆動トランジスター５１のゲート−ソース間の電圧を保持する。
【００３６】
図１に示す信号線駆動回路３４は、外部回路から供給される画像信号を、画素回路Ｐ毎に指定する階調に応じた階調電位（データ信号）として、書込期間（水平走査期間）毎に複数の信号線２６に対して並列に供給する。走査線駆動回路３２は、複数の走査線２２の各々に走査信号を供給することにより、複数の走査線２２の各々を書込期間毎に順次選択する。走査線駆動回路３２が選択した走査線２２に対応する画素回路Ｐの選択トランジスター５２は、オン状態に遷移する。このとき、各画素回路Ｐの駆動トランジスター５１のゲートに、信号線２６と選択トランジスター５２とを経由して階調電位が供給され、階調電位に応じた電圧が容量素子Ｃに保持される。
【００３７】
書込期間で容量素子Ｃに保持された電圧に応じた駆動電流は、駆動トランジスター５１から発光素子４５に供給される。以上のように、発光素子４５が階調電位に応じた輝度で発光することで、画像信号が指定する任意の画像が表示領域１２に表示される。
【００３８】
次に、画素回路Ｐ１１の具体的な構成について説明する。
図３は、画素回路Ｐ１１を模式的に示す平面図である。図４は、駆動トランジスター５１を模式的に示す平面図である。図４においては、ゲート電極５１ｂの図示を省略している。
駆動トランジスター５１は、図３及び図４に示すように、ソース領域（電流端）５１ａと、ゲート電極（ゲート）５１ｂと、ドレイン領域（電流端）５１ｃと、チャネル領域（チャネル）５１ｅと、を備えている。
【００３９】
なお、図示は省略するが、各トランジスター上には多層配線層が形成されており、以下に説明する接続配線等は、多層配線層に含まれている。また、以下に説明するコンタクトホールは、多層配線層を積層方向に延びて形成され、多層配線層に含まれる接続配線等とトランジスターとを接続する。
【００４０】
ソース領域５１ａは、例えば、基板１０（図１参照）内に不純物イオンが注入されたイオン注入領域で構成される。ソース領域５１ａは、図３に示すように、コンタクトホール６０を介して、第１電源導電体４１と接続されている。ソース領域５１ａは、図３及び図４に示すように、平面視においてチャネル領域５１ｅの全周を囲んでいる。ソース領域５１ａの平面視外形状は、特に限定されず、矩形状であっても、円形状であってもよい。本実施形態においては、ソース領域５１ａの平面視外形は、例えば、矩形状である。
【００４１】
チャネル領域５１ｅは、例えば、基板１０（図１参照）内にソース領域５１ａとは別種類の不純物イオンが注入されたイオン注入領域で構成される。チャネル領域５１ｅの平面視形状は、図４に示すように、円環状である。平面視におけるチャネル領域５１ｅの内側は、ドレイン領域５１ｃであり、平面視におけるチャネル領域５１ｅの外側は、ソース領域５１ａである。チャネル領域５１ｅは、平面視において、ドレイン領域５１ｃの全周を囲んでいる。
【００４２】
本実施形態において、チャネル領域５１ｅのチャネル幅Ｗ１は、円環状のチャネル領域５１ｅの内周と外周との中央における円周の長さである。チャネル領域５１ｅのチャネル長Ｌ１は、円環状のチャネル領域５１ｅの径方向の長さである。
【００４３】
ゲート電極５１ｂは、チャネル領域５１ｅ上に、図示しないゲート絶縁膜を挟んで対向して形成された電極である。ゲート電極５１ｂは、金属等の導電体で形成されている。ゲート電極５１ｂの接続部５１ｄは、コンタクトホール６１を介して接続配線７０と接続されている。ゲート電極５１ｂの平面視形状は、図３及び図４に示すように、円環状に、矩形状の接続部５１ｄが接続された形状である。
【００４４】
ドレイン領域５１ｃは、例えば、基板１０（図１参照）内にソース領域５１ａと同様の不純物イオンが注入されたイオン注入領域で構成される。ドレイン領域５１ｃは、図３に示すように、コンタクトホール６５を介してコンタクトパッド７１と接続されている。コンタクトパッド７１は、図示は省略するが、発光素子４５の画素電極Ｅ１と接続されている。
【００４５】
選択トランジスター５２は、図３に示すように、ソース領域５２ａと、ゲート電極５２ｂと、ドレイン領域５２ｃと、チャネル領域（図示せず）と、を備えている。選択トランジスター５２のソース領域５２ａ、ドレイン領域５２ｃ、及び図示しないチャネル領域は、平面視矩形状である。選択トランジスター５２のゲート電極５２ｂは、接続部を除いて平面視矩形状である。
【００４６】
ソース領域５２ａは、コンタクトホール６３を介して信号線２６と接続されている。ゲート電極５２ｂは、コンタクトホール６４を介して走査線２２と接続されている。ドレイン領域５２ｃは、コンタクトホール６２を介して接続配線７０と接続されている。すなわち、選択トランジスター５２のドレイン領域５２ｃは、接続配線７０を介して、駆動トランジスター５１のゲート電極５１ｂと接続されている。
【００４７】
本実施形態によれば、ハンプ特性の発生を抑制できるトランジスターを備えた電気光学装置が得られる。以下、詳細に説明する。
チャネル領域のチャネル幅方向の端部には、寄生チャネルが発生する場合がある。寄生チャネルが発生すると、寄生チャネルによるリークが原因で、駆動トランジスターのゲート電極に印加される電圧と、駆動トランジスターから発光素子に供給される電流との特性に、ハンプ特性と呼ばれる変曲点を有する特性が生じる場合があった。ハンプ特性が生じると、画素回路ごとに発光素子に供給される電流値にばらつきが生じ、その結果、発光素子の輝度にばらつきが生じてしまう場合があった。これにより、発光装置の表示品質が低下してしまう場合があった。
【００４８】
これに対して本実施形態によれば、駆動トランジスター５１のチャネル領域５１ｅの全周は、平面視において駆動トランジスター５１のソース領域５１ａによって囲まれている。そのため、駆動トランジスター５１のドレイン領域５１ｃは、平面視において全周がチャネル領域５１ｅに囲まれるように形成され、チャネル領域５１ｅは、平面視形状が環状となる。これにより、チャネル領域５１ｅにおけるチャネル幅方向が、チャネル領域５１ｅの円周方向となり、チャネル領域５１ｅにおいては、チャネル幅方向の端部が存在しない。したがって、本実施形態によれば、寄生チャネルが発生することを抑制できるため、ハンプ特性の発生を抑制することができ、その結果として、発光装置の表示品質の低下を抑制できる。
【００４９】
また、本実施形態によれば、チャネル領域５１ｅの平面視形状は円環状であるため、チャネル長Ｌ１が位置によらず均一となる。例えば、チャネル長Ｌ１の大きさが位置によって異なるような場合には、位置によって電圧依存性が異なり、トランジスターの電圧特性の設計に手間がかかる。これに対して、本実施形態によれば、チャネル長Ｌ１の大きさが均一であることにより、トランジスターの電圧特性の設計が容易である。
【００５０】
また、本実施形態によれば、駆動トランジスター５１において、第１電源導電体４１と接続されるソース領域５１ａがゲート電極５１ｂの外側にあるため、複数の画素回路におけるソース領域を共通化できる。
図５は、隣り合う２つの画素回路Ｐ１１及び画素回路Ｐ１２を示す平面図である。
画素回路Ｐ１２は、図５に示すように、駆動トランジスター５６と、選択トランジスター５７と、を備えている。
【００５１】
駆動トランジスター５６のソース領域５６ａは、コンタクトホール６０ａを介して第１電源導電体４１と接続されている。駆動トランジスター５６のソース領域５６ａは、画素回路Ｐ１１における駆動トランジスター５１のソース領域５１ａと共通の領域である。そのため、本実施形態によれば、複数の画素回路Ｐの駆動トランジスターのソース領域を共通化でき、発光装置を小型化することが可能である。
【００５２】
なお、本実施形態においては、以下の構成を採用することもできる。
【００５３】
上記説明した実施形態においては、駆動トランジスター５１のチャネル領域５１ｅの平面視形状は円環状としたが、これに限られない。本実施形態においては、駆動トランジスターのチャネル領域の平面視形状は、例えば、図６から図９に示すような形状であってもよい。なお、図６から図９においては、ゲート電極の図示は省略している。
【００５４】
図６は、チャネル領域８０ｅの平面視形状が、楕円環状である駆動トランジスター８０を示す平面図である。図６に示すように、チャネル領域８０ｅの全周は、平面視においてソース領域８０ａに囲まれている。ドレイン領域８０ｃの全周は、平面視においてチャネル領域８０ｅに囲まれている。このような形状である場合にも、チャネル領域８０ｅのチャネル長を均一にできる。
【００５５】
図７は、チャネル領域８１ｅの平面視形状が、矩形環状である駆動トランジスター８１を示す平面図である。図７に示すように、チャネル領域８１ｅの全周は、平面視においてソース領域８１ａに囲まれている。ドレイン領域８１ｃの全周は、平面視においてチャネル領域８１ｅに囲まれている。
このような形状によれば、走査線２２や信号線２６等は、通常、格子状に配置されるため、駆動トランジスターを配置しやすく、基板１０上において無駄なスペースを小さくできる。その結果、発光装置を小型化することが容易である。
【００５６】
図８は、チャネル領域８２ｅの平面視形状が、六角形環状である駆動トランジスター８２を示す平面図である。図８に示すように、チャネル領域８２ｅの全周は、平面視においてソース領域８２ａに囲まれている。ドレイン領域８２ｃの全周は、平面視においてチャネル領域８２ｅに囲まれている。
【００５７】
例えば、図７に示したような駆動トランジスター８１では、チャネル領域８１ｅのチャネル長が、角部と直線部とで異なる。すなわち、駆動トランジスター８１では、直線部におけるチャネル長Ｌ２に対して、角部におけるチャネル長Ｌ３が大きい。このような場合においては、位置によって電圧依存性が異なるため、電圧特性の設計に手間がかかる。
【００５８】
これに対して、駆動トランジスター８２のような形状によれば、チャネル領域８２ｅが六角形環状であるため、矩形環状である場合に比べて、角部が多い。そのため、角部のチャネル長と直線部のチャネル長との差を小さくできる。すなわち、チャネル領域におけるチャネル長が均一化される。これにより、この形状によれば、電圧特性の設計が容易である。
【００５９】
図９は、チャネル領域８３ｅの平面視形状が、十二角形環状である駆動トランジスター８３を示す平面図である。図９に示すように、チャネル領域８３ｅの全周は、平面視においてソース領域８３ａに囲まれている。ドレイン領域８３ｃの全周は、平面視においてチャネル領域８３ｅに囲まれている。
この形状によれば、上述したように、より角部のチャネル幅と直線部のチャネル幅との差を小さくできる。
【００６０】
なお、上述した図６から図９に示した駆動トランジスターにおいては、ソース領域の平面視形状は、チャネル領域の平面視形状と同様の形状となっているが、これに限られない。
【００６１】
また、本実施形態によれば、選択トランジスター５２が、駆動トランジスター５１と同様の平面視形状を有していてもよい。
【００６２】
（第２実施形態）
第２実施形態は、画素回路が特性補償回路を有している点において異なる。
なお、上記説明した実施形態と同様の構成については、適宜同一の符号を付すこと等により、説明を省略する場合がある。
【００６３】
図１０は、本実施形態の画素回路Ｐ２１を示す回路図である。
画素回路Ｐ２１は、図１０に示すように、発光素子４５と、駆動トランジスター（第１トランジスター）１５１と、選択トランジスター１５２と、補償トランジスター（第２トランジスター）１５３と、発光制御トランジスター（第３トランジスター）１５４と、リセットトランジスター１５５と、容量素子Ｃと、を備える。この画素回路Ｐ２１は、例えば、特開２０１３−０８８６１１号公報の図１３乃至図１７及びその説明に示す駆動方法のように動作させることが可能である。
【００６４】
駆動トランジスター１５１及び選択トランジスター１５２は、第１実施形態における駆動トランジスター５１及び選択トランジスター５２と同様に機能する。
なお、後述する特性補償における動作においては、選択トランジスター１５２に流れる電流の向きが逆転するため、選択トランジスター１５２におけるソースとドレインとの関係は逆となるが、本明細書における実施形態においては、駆動トランジスターのゲートに発光素子の諧調レベルに応じた電位を書き込む期間において、選択トランジスターに流れる電流の向きにおけるソースとドレインとの関係で説明する。
【００６５】
発光制御トランジスター１５４は、駆動トランジスター１５１と発光素子４５との間に直列に接続されている。具体的には、発光制御トランジスター１５４のソースは、駆動トランジスター１５１のドレインと接続され、発光制御トランジスター１５４のドレインは、発光素子４５の画素電極Ｅ１と接続されている。発光制御トランジスター１５４のゲートは、制御線１２４に接続されている。
【００６６】
発光制御トランジスター１５４は、制御線１２４を介して走査線駆動回路３２（図１参照）からゲートに入力される制御信号によって、オン／オフが制御される。発光制御トランジスター１５４がオン状態に制御された状態では、駆動電流が駆動トランジスター１５１から発光制御トランジスター１５４を経由して発光素子４５に供給される。このとき、発光素子４５は、駆動電流の電流量に応じた輝度で発光する。発光制御トランジスター１５４がオフ状態に制御された状態では、発光素子４５に対する駆動電流の供給が遮断される。このとき、発光素子４５は消灯する。
【００６７】
補償トランジスター１５３は、駆動トランジスター１５１の閾値電圧のばらつきに起因した発光素子４５へ供給される電流値のばらつきを補償するためのトランジスターである。補償トランジスター１５３のソースは、駆動トランジスター１５１のドレイン及び発光制御トランジスター１５４のソースと接続されている。補償トランジスター１５３のドレインは、駆動トランジスター１５１のゲートと接続されている。補償トランジスター１５３のゲートには、制御線１２３が接続されている。補償トランジスター１５３は、制御線１２３からの制御信号によってオン／オフが制御される。
【００６８】
補償トランジスター１５３、駆動トランジスター１５１及び選択トランジスター１５２がオン状態となると、駆動トランジスター１５１のソース−ドレインに流れる電流が、補償トランジスター１５３、選択トランジスター１５２を介して、信号線２６へと流れる。ここで、本実施形態においては、信号線１２６には容量素子Ｃｐの第１容量電極Ｃｐ１が接続されている。これにより、駆動トランジスター１５１のゲートから容量素子Ｃｐの第１容量電極Ｃｐ１までの電位は、駆動トランジスター１５１のソース−ゲート間の電圧が閾値電圧に向けて上昇する。理想的には、駆動トランジスター１５１のゲートから容量素子Ｃｐの第１容量電極Ｃｐ１までの電位は、駆動トランジスター１５１のソース−ゲート間の電圧が閾値電圧に到達し、駆動トランジスター１５１のソース−ドレインに流れる電流は流れなくなる。補償トランジスター１５３がオフの状態となると、この駆動トランジスター１５１のソース−ゲート間の電圧が容量素子Ｃに保存される。
【００６９】
そして、補償トランジスター１５３がオフの状態において、容量素子Ｃｐの第２容量電極Ｃｐ２に発光素子４５の階調レベルに応じた信号が入力されると、駆動トランジスター１５１のゲートから第１容量電極Ｃｐ１までの電位が、階調レベルに応じて上方にシフトする。これにより、駆動トランジスター１５１のソース−ゲート間の電圧値が、閾値電圧に、階調レベルに応じた分の電圧が加えられた値となる。すなわち、駆動トランジスター１５１のソース−ゲート間の電圧が、閾値電圧が補償された値となる。そのため、駆動トランジスター１５１の閾値電圧の値によらず、発光素子４５に対して、階調レベルに応じた電流を安定して供給できる。
【００７０】
以上に説明したようにして、駆動トランジスター１５１の閾値電圧特性が補償される。すなわち、画素回路Ｐ２１は、補償トランジスター１５３等によって構成される特性補償回路を有している。
【００７１】
リセットトランジスター１５５は、発光素子４５の電位をリセットするためのトランジスターである。リセットトランジスター１５５のソースは、発光制御トランジスター１５４のドレイン及び発光素子４５の画素電極Ｅ１に接続されている。リセットトランジスター１５５のドレインは、第３電源導電体１２７に接続されている。第３電源導電体１２７は、発光素子４５がリセットされる電位が供給される電源配線である。リセットトランジスター１５５のゲートは、制御線１２５に接続されている。リセットトランジスター１５５は、制御線１２５からの制御信号によってオン／オフが制御される。
【００７２】
発光素子４５を初期化する期間においては、リセットトランジスター１５５がオン状態となり、発光制御トランジスター１５４がオフ状態となる。これにより、発光素子４５は、リセットトランジスター１５５を介して、第３電源導電体１２７と接続され、発光素子４５の電位は、第３電源導電体１２７の電位にリセットされる。
【００７３】
発光素子４５には寄生容量が生じる場合があり、寄生容量が生じると、この寄生容量によって発光素子４５の画素電極Ｅ１と共通電極Ｅ２との間の電圧が保持される。そのため、例えば、発光素子４５を高輝度状態から低輝度状態へと転じるような場合においては、寄生容量に高輝度状態における高電圧が保持されてしまうため、発光素子４５に過剰な電流が流れ、発光素子４５を低輝度状態にすることが困難となる。
これに対して、リセットトランジスター１５５によって上記のようにして発光素子４５の電位をリセットすることにより、発光素子４５を高輝度状態から低輝度状態に転じることが容易となる。
【００７４】
次に、画素回路Ｐ２１の具体的な構成について説明する。
図１１は、画素回路Ｐ２１を模式的に示す平面図である。
駆動トランジスター１５１は、図１１に示すように、第１実施形態における駆動トランジスター５１と同様の形状を有している。駆動トランジスター１５１のソース領域１５１ａは、平面視においてチャネル領域１５１ｅの全周を囲んでいる。ソース領域１５１ａは、コンタクトホール１６０を介して、第１電源導電体４１と接続されている。
【００７５】
駆動トランジスター１５１のゲート電極１５１ｂは、接続部１５１ｄにおいて、コンタクトホール１６１ａを介して接続配線１７０と接続されている。駆動トランジスター１５１のドレイン領域１５１ｃは、コンタクトホール１６１ｂを介して接続配線１７１と接続されている。
【００７６】
選択トランジスター１５２、補償トランジスター１５３、発光制御トランジスター１５４、及びリセットトランジスター１５５は、第１実施形態における選択トランジスター５２と同様の平面視形状を有している。
【００７７】
選択トランジスター１５２のソース領域１５２ａは、コンタクトホール１６２ａを介して信号線１２６と接続されている。選択トランジスター１５２のゲート電極１５２ｂは、コンタクトホール１６２ｂを介して走査線２２と接続されている。選択トランジスター１５２のドレイン領域１５２ｃは、コンタクトホール１６２ｃを介して接続配線１７０と接続されている。すなわち、選択トランジスター１５２のドレイン領域１５２ｃは、接続配線１７０を介して、駆動トランジスター１５１のゲート電極１５１ｂと接続されている。
【００７８】
補償トランジスター１５３のソース領域１５３ａは、コンタクトホール１６３ａを介して接続配線１７１と接続されている。すなわち、補償トランジスター１５３のソース領域１５３ａは、接続配線１７１を介して、駆動トランジスター１５１のドレイン領域１５１ｃと接続されている。補償トランジスター１５３のゲート電極１５３ｂは、コンタクトホール１６３ｂを介して制御線１２３と接続されている。補償トランジスター１５３のドレイン領域１５３ｃは、コンタクトホール１６３ｃを介して接続配線１７０と接続されている。すなわち、補償トランジスター１５３のドレイン領域１５３ｃは、接続配線１７０を介して、駆動トランジスター１５１のゲート電極１５１ｂ及び選択トランジスター１５２のドレイン領域１５２ｃと接続されている。
【００７９】
発光制御トランジスター１５４のソース領域１５４ａは、コンタクトホール１６４ａを介して、接続配線１７１と接続されている。すなわち、発光制御トランジスターのソース領域１５４ａは、接続配線１７１を介して、駆動トランジスター１５１のドレイン領域１５１ｃ及び補償トランジスター１５３のソース領域１５３ａと接続されている。発光制御トランジスター１５４のゲート電極１５４ｂは、コンタクトホール１６４ｂを介して、制御線１２４と接続されている。発光制御トランジスター１５４のドレイン領域１５４ｃは、コンタクトホール１６４ｃを介して、接続配線１７２と接続されている。
【００８０】
リセットトランジスター１５５のソース領域１５５ａは、コンタクトホール１６５ａを介して、接続配線１７２と接続されている。すなわち、リセットトランジスター１５５のソース領域１５５ａは、接続配線１７２を介して、発光制御トランジスター１５４のドレイン領域１５４ｃと接続されている。図示は省略するが、接続配線１７２には、発光素子４５の画素電極Ｅ１が接続されている。リセットトランジスター１５５のゲート電極１５５ｂは、コンタクトホール１６５ｂを介して、制御線１２５と接続されている。リセットトランジスター１５５のドレイン領域１５５ｃは、コンタクトホール１６５ｃを介して、第３電源導電体１２７と接続されている。
【００８１】
本実施形態によれば、第１実施形態と同様にして、ハンプ特性の発生を抑制することができ、発光装置の表示品質の低下を抑制できる。
【００８２】
また、本実施形態によれば、上述したように、駆動トランジスター１５１の閾値電圧のばらつきに起因した発光素子４５への供給電流のばらつきを補償するための補償回路が組み込まれているため、階調レベルに応じた電流を発光素子４５に安定して供給できる。
【００８３】
なお、第２実施形態においては、画素回路Ｐ２１を構成するトランジスターをＰチャネル型のトランジスターで構成したが、選択トランジスター１５２、補償トランジスター（第２トランジスター）１５３、発光制御トランジスター（第３トランジスター）１５４、リセットトランジスター１５５は、Ｐチャネル型のトランジスターで構成してもよいし、Ｎチャネル型のトランジスターで構成してもよい。
【００８４】
（第３実施形態）
第３実施形態は、第１実施形態に対して、発光制御トランジスターが設けられている点において異なる。
なお、上記説明した実施形態と同様の構成については、適宜同一の符号を付すこと等により、説明を省略する場合がある。
【００８５】
図１２は、本実施形態の画素回路Ｐ３１を示す回路図である。
画素回路Ｐ３１は、図１２に示すように、発光素子４５と、駆動トランジスター（第１トランジスター）２５１と、選択トランジスター２５２と、発光制御トランジスター（第３トランジスター）２５３と、容量素子Ｃと、を備える。
【００８６】
駆動トランジスター２５１及び選択トランジスター２５２は、第１実施形態の駆動トランジスター５１及び選択トランジスター５２と同様の機能を有するトランジスターである。発光制御トランジスター２５３は、第２実施形態の発光制御トランジスター１５４と同様の機能を有するトランジスターである。
各トランジスターの接続関係は、発光制御トランジスター２５３が、駆動トランジスター２５１と発光素子４５との間に直列に接続されていることを除いて、第１実施形態と同様である。
【００８７】
次に、画素回路Ｐ３１の具体的な構成について説明する。
図１３は、画素回路Ｐ３１を模式的に示す平面図である。
本実施形態の画素回路Ｐ３１においては、駆動トランジスター２５１と発光制御トランジスター２５３とが、同心円状に配置されている。発光制御トランジスター２５３は、駆動トランジスター２５１の内側に配置されている。
【００８８】
駆動トランジスター２５１は、図１３に示すように、ソース領域２５１ａと、ゲート電極２５１ｂと、ドレイン領域２５１ｃと、チャネル領域２５１ｅと、を備えている。
ソース領域２５１ａは、平面視においてチャネル領域２５１ｅの全周を囲んでいる。ソース領域２５１ａは、コンタクトホール２６０を介して第１電源導電体４１と接続されている。
【００８９】
チャネル領域２５１ｅは、平面視形状が円環状である。チャネル領域２５１ｅは、平面視においてドレイン領域２５１ｃの全周を囲んでいる。
ゲート電極２５１ｂは、平面視形状が、円環状に矩形状の接続部が接続された形状である。ゲート電極２５１ｂは、接続部においてコンタクトホール２６１を介して、接続配線２７０と接続されている。
【００９０】
ドレイン領域２５１ｃは、平面視形状が円環状である。本実施形態においては、駆動トランジスター２５１のドレイン領域２５１ｃは、発光制御トランジスター２５３のソース領域２５３ａと同一の領域である。すなわち、駆動トランジスター２５１のドレイン領域２５１ｃは、発光制御トランジスター２５３のソース領域２５３ａとして機能し、発光制御トランジスター２５３のソース領域２５３ａは、駆動トランジスター２５１のドレイン領域２５１ｃとして機能する。これにより、駆動トランジスター２５１のドレイン領域２５１ｃは、発光制御トランジスター２５３のソース領域２５３ａと接続されていることと等価である。
【００９１】
このように、発光制御トランジスター２５３と駆動トランジスター２５１とを同じ導電型にすることで、駆動トランジスター２５１のドレイン領域２５１ｃと、発光制御トランジスター２５３のソース領域２５３ａとを共通化することができる。また、これにより、これらのトランジスターのソース領域及びドレイン領域並びにチャネル領域を１つの半導体領域（能動領域ともいう）で構成することができる。したがって、発光制御トランジスター２５３及び駆動トランジスター２５１を１つの半導体領域で構成できるため、これらのトランジスターを絶縁部により区分する必要がない。
【００９２】
発光制御トランジスター２５３は、ソース領域２５３ａと、ゲート電極２５３ｂと、ドレイン領域２５３ｃと、チャネル領域２５３ｅと、を備えている。
ソース領域２５３ａは、上述した通り、駆動トランジスター２５１のドレイン領域２５１ｃと同一の領域である。ソース領域２５３ａは、平面視においてチャネル領域２５３ｅの全周を囲んでいる。
【００９３】
チャネル領域２５３ｅは、平面視形状が円環状である。チャネル領域２５３ｅは、平面視においてドレイン領域２５３ｃの全周を囲んでいる。
ゲート電極２５３ｂは、平面視形状が、円環状に矩形状の接続部が接続された形状である。ゲート電極２５３ｂは、接続部においてコンタクトホール２６３ａを介して、制御線２２４と接続されている。
【００９４】
ドレイン領域２５３ｃは、平面視形状が円形状である。ドレイン領域２５３ｃは、コンタクトホール２６３ｂを介して、コンタクトパッド２７１と接続されている。図示は省略するが、コンタクトパッド２７１は、発光素子４５の画素電極Ｅ１と接続されている。
【００９５】
発光制御トランジスター２５３は、ソース領域２５３ａを駆動トランジスター２５１のドレイン領域２５１ｃと共通の領域とした状態で、駆動トランジスター２５１の内側に設けられている。すなわち、駆動トランジスター２５１のチャネル領域２５１ｅは、平面視において、発光制御トランジスター２５３の全周を囲んでいる。
【００９６】
選択トランジスター２５２は、第１実施形態の選択トランジスター５２と同様の平面視形状である。選択トランジスター２５２のソース領域２５２ａは、コンタクトホール２６２ａを介して、信号線２６と接続されている。選択トランジスター２５２のゲート電極２５２ｂは、コンタクトホール２６２ｂを介して、走査線２２と接続されている。選択トランジスター２５２のドレイン領域２５２ｃは、コンタクトホール２６２ｃを介して、接続配線２７０と接続されている。すなわち、選択トランジスター２５２のドレイン領域２５２ｃは、接続配線２７０を介して、駆動トランジスター２５１のゲート電極２５１ｂと接続されている。
【００９７】
本実施形態によれば、駆動トランジスター２５１のドレイン領域２５１ｃと、発光制御トランジスター２５３のソース領域２５３ａと、を共通化できるため、画素回路Ｐ３１を小型化することが容易である。
【００９８】
また、本実施形態によれば、駆動トランジスター２５１のチャネル領域２５１ｅによって、平面視において発光制御トランジスター２５３の全周が囲まれている。そのため、駆動トランジスター２５１のチャネル領域２５１ｅの円周の長さ、すなわち、チャネル幅は、発光制御トランジスター２５３のチャネル領域２５３ｅのチャネル幅よりも大きい。これにより、本実施形態によれば、チャネル領域２５１ｅのチャネル幅を大きくできるため、駆動トランジスターのゲート容量を大きくすることが容易である。
【００９９】
（第３実施形態の第１変形例）
第３実施形態の第１変形例は、上記説明した第３実施形態に対して、駆動トランジスターが発光制御トランジスターの内側に設けられている点において異なる。
なお、上記説明した実施形態と同様の構成については、適宜同一の符号を付すこと等により、説明を省略する場合がある。
【０１００】
本変形例における回路図は、図１２に示す回路図と同様である。
図１４は、本変形例の画素回路Ｐ３２を模式的に示す平面図である。
画素回路Ｐ３２は、図１４に示すように、駆動トランジスター（第１トランジスター）３５１と、選択トランジスター２５２と、発光制御トランジスター（第３トランジスター）３５３と、を備える。
駆動トランジスター３５１及び発光制御トランジスター３５３は、図１２における駆動トランジスター２５１及び発光制御トランジスター２５３にそれぞれ対応している。
【０１０１】
発光制御トランジスター３５３は、図１４に示すように、ソース領域３５３ａと、ゲート電極３５３ｂと、ドレイン領域３５３ｃと、チャネル領域３５３ｅと、を備えている。
ドレイン領域３５３ｃは、平面視においてチャネル領域３５３ｅの全周を囲んでいる。ドレイン領域３５３ｃは、コンタクトホール３６３ｂを介して、コンタクトパッド３７１と接続されている。図示は省略するが、コンタクトパッド３７１は、発光素子４５の画素電極Ｅ１と接続されている。
【０１０２】
チャネル領域３５３ｅは、平面視形状が円環状である。チャネル領域３５３ｅは、平面視においてソース領域３５３ａの全周を囲んでいる。
ゲート電極３５３ｂは、平面視形状が、円環状に矩形状の接続部が接続された形状である。ゲート電極３５３ｂは、接続部においてコンタクトホール３６３ａを介して、制御線２２４と接続されている。
【０１０３】
ソース領域３５３ａは、平面視形状が円環状である。本実施形態においては、発光制御トランジスター３５３のソース領域３５３ａは、駆動トランジスター３５１のドレイン領域３５１ｃと同一の領域である。すなわち、発光制御トランジスター３５３のソース領域３５３ａは、駆動トランジスター３５１のドレイン領域３５１ｃとして機能し、駆動トランジスター３５１のドレイン領域３５１ｃは、発光制御トランジスター３５３のソース領域３５３ａとして機能する。これにより、発光制御トランジスター３５３のソース領域３５３ａは、駆動トランジスター３５１のドレイン領域３５１ｃと接続されていることと等価である。
【０１０４】
このように、発光制御トランジスター３５３と駆動トランジスター３５１とを同じ導電型にすることで、駆動トランジスター３５１のドレイン領域３５１ｃと、発光制御トランジスター３５３のソース領域３５３ａとを共通化することができる。また、これにより、これらのトランジスターのソース領域及びドレイン領域並びにチャネル領域を１つの半導体領域（能動領域ともいう）で構成することができる。したがって、発光制御トランジスター３５３及び駆動トランジスター３５１を１つの半導体領域で構成できるため、これらのトランジスターを絶縁部により区分する必要がない。
【０１０５】
駆動トランジスター３５１は、ソース領域３５１ａと、ゲート電極３５１ｂと、ドレイン領域３５１ｃと、チャネル領域３５１ｅと、を備えている。
ドレイン領域３５１ｃは、上述した通り、発光制御トランジスター３５３のソース領域３５３ａと同一の領域である。ドレイン領域３５１ｃは、平面視においてチャネル領域３５１ｅの全周を囲んでいる。
【０１０６】
チャネル領域３５１ｅは、平面視形状が円環状である。チャネル領域３５１ｅは、平面視においてソース領域３５１ａの全周を囲んでいる。
ゲート電極３５１ｂは、平面視形状が、円環状に矩形状の接続部が接続された形状である。ゲート電極３５１ｂは、接続部においてコンタクトホール３６１を介して、接続配線３７０と接続されている。接続配線３７０は、選択トランジスター２５２のドレイン領域２５２ｃと、コンタクトホール２６２ｃを介して接続されている。すなわち、駆動トランジスター３５１のゲート電極３５１ｂは、接続配線３７０を介して、選択トランジスター２５２のドレイン領域２５２ｃと接続されている。
【０１０７】
ソース領域３５１ａは、平面視形状が円形状である。ソース領域３５１ａは、コンタクトホール３６０を介して、第１電源導電体４１と接続されている。
【０１０８】
駆動トランジスター３５１は、ドレイン領域３５１ｃを発光制御トランジスター３５３のソース領域３５３ａと共通の領域とした状態で、発光制御トランジスター３５３の内側に設けられている。すなわち、発光制御トランジスター３５３のチャネル領域３５３ｅは、平面視において、駆動トランジスター３５１の全周を囲んでいる。
【０１０９】
本変形例によれば、駆動トランジスター３５１は、平面視において発光制御トランジスター３５３のチャネル領域３５３ｅによって、全周が囲まれている。そのため、駆動トランジスター３５１のチャネル領域３５１ｅの円周の長さ、すなわち、チャネル幅は、発光制御トランジスター３５３のチャネル領域３５３ｅのチャネル幅よりも小さい。これにより、本変形例によれば、チャネル領域３５１ｅのチャネル幅を小さくできるため、駆動トランジスターのゲート容量が大きくなり過ぎることを抑制できる。
【０１１０】
（第３実施形態の第２変形例）
第３実施形態の第２変形例は、上記説明した第３実施形態に対して、駆動トランジスターと発光制御トランジスターとが別々設けられている点において異なる。
なお、上記説明した実施形態と同様の構成については、適宜同一の符号を付すこと等により、説明を省略する場合がある。
【０１１１】
本変形例における回路図は、図１２に示す回路図と同様である。
図１５は、本変形例の画素回路Ｐ３３を模式的に示す平面図である。
画素回路Ｐ３３は、図１５に示すように、駆動トランジスター（第１トランジスター）４５１と、選択トランジスター２５２と、発光制御トランジスター（第３トランジスター）４５３と、を備える。
駆動トランジスター４５１及び発光制御トランジスター４５３は、図１２における駆動トランジスター２５１及び発光制御トランジスター２５３にそれぞれ対応している。
【０１１２】
駆動トランジスター４５１の平面視形状は、図１５に示すように、第１実施形態の駆動トランジスター５１と同様である。駆動トランジスター４５１のソース領域４５１ａは、コンタクトホール４６０を介して、第１電源導電体４１と接続されている。駆動トランジスター４５１のゲート電極４５１ｂは、接続部においてコンタクトホール４６１ｂを介して接続配線４７０と接続されている。接続配線４７０は、コンタクトホール２６２ｃを介して、選択トランジスター２５２のドレイン領域２５２ｃと接続されている。すなわち、駆動トランジスター４５１のゲート電極４５１ｂは、接続配線４７０を介して、選択トランジスター２５２のドレイン領域２５２ｃと接続されている。駆動トランジスター４５１のドレイン領域４５１ｃは、コンタクトホール４６１ａを介して、接続配線４７１と接続されている。
【０１１３】
発光制御トランジスター４５３の平面視形状は、第１実施形態における駆動トランジスター５１と同様である。発光制御トランジスター４５３のソース領域４５３ａは、コンタクトホール４６３ａを介して、接続配線４７１と接続されている。すなわち、発光制御トランジスター４５３のソース領域４５３ａは、接続配線４７１を介して、駆動トランジスター４５１のドレイン領域４５１ｃと接続されている。発光制御トランジスター４５３のゲート電極４５３ｂは、接続部においてコンタクトホール４６３ｂを介して制御線２２４と接続されている。発光制御トランジスター４５３のドレイン領域４５３ｃは、コンタクトホール４６３ｃを介して、コンタクトパッド４７２と接続されている。図示は省略するが、コンタクトパッド４７２は、発光素子４５の画素電極Ｅ１と接続されている。
【０１１４】
本変形例によれば、駆動トランジスター４５１と、発光制御トランジスター４５３とが、共通の領域を有さず別々に設けられているため、それぞれの設計自由度を向上できる。
【０１１５】
（第４実施形態）
第４実施形態は、第１実施形態に対して、選択トランジスターが駆動トランジスターの内側に設けられている点において異なる。
なお、上記説明した実施形態と同様の構成については、適宜同一の符号を付すこと等により、説明を省略する場合がある。
【０１１６】
本実施形態における回路図は、図２に示す回路図と同様である。
図１６は、本実施形態の画素回路Ｐ４１を模式的に示す平面図である。
画素回路Ｐ４１は、図１６に示すように、駆動トランジスター（第１トランジスター）５５１と、選択トランジスター５５２と、を備える。
駆動トランジスター５５１及び選択トランジスター５５２は、図２における駆動トランジスター５１及び選択トランジスター５２にそれぞれ対応している。
【０１１７】
駆動トランジスター５５１は、図１６に示すように、ソース領域５５１ａと、ゲート電極５５１ｂと、ドレイン領域５５１ｃと、チャネル領域５５１ｅと、を備える。
ソース領域５５１ａは、平面視においてチャネル領域５５１ｅの全周を囲んでいる。ソース領域５５１ａは、コンタクトホール５６０を介して、第１電源導電体４１と接続されている。
【０１１８】
チャネル領域５５１ｅは、平面視形状が矩形環状である。チャネル領域５５１ｅは、平面視において、ドレイン領域５５１ｃの全周、及び選択トランジスター５５２の全周を囲んでいる。
ゲート電極５５１ｂは、平面視形状が、矩形環状に矩形状の接続部が接続された形状である。ゲート電極５５１ｂは、接続部においてコンタクトホール５６１ａを介して、接続配線５７０と接続されている。
【０１１９】
ドレイン領域５５１ｃは、コンタクトホール５６１ｂを介して、コンタクトパッド５７１と接続されている。図示は省略するが、コンタクトパッド５７１は、発光素子４５の画素電極Ｅ１と接続されている。ドレイン領域５５１ｃには、平面視枠状の絶縁部５８０が形成されている。
【０１２０】
選択トランジスター５５２は、駆動トランジスター５５１のドレイン領域５５１ｃに形成された絶縁部５８０の内側に配置されている。
選択トランジスター５５２は、ソース領域５５２ａと、ゲート電極５５２ｂと、ドレイン領域５５２ｃと、チャネル領域５５２ｅと、を備える。
【０１２１】
ドレイン領域５５２ｃは、駆動トランジスター５５１のドレイン領域５５１ｃと絶縁部５８０を挟んで設けられている。ドレイン領域５５２ｃは、絶縁部５８０によって、駆動トランジスター５５１のドレイン領域５５１ｃと絶縁されている。ドレイン領域５５２ｃは、平面視において、チャネル領域５５２ｅの全周を囲んでいる。ドレイン領域５５２ｃの平面視形状は、矩形環状である。ドレイン領域５５２ｃは、コンタクトホール５６２ｃを介して、接続配線５７０に接続されている。すなわち、選択トランジスター５５２のドレイン領域５５２ｃは、接続配線５７０を介して、駆動トランジスター５５１のゲート電極５５１ｂと接続されている。
【０１２２】
チャネル領域５５２ｅは、平面視形状が矩形環状である。チャネル領域５５２ｅは、平面視において、ソース領域５５２ａの全周を囲んでいる。
ゲート電極５５２ｂは、平面視形状が、矩形環状に矩形状の接続部が接続された形状である。ゲート電極５５２ｂは、接続部においてコンタクトホール５６２ｂを介して、走査線２２と接続されている。
【０１２３】
ソース領域５５２ａは、平面視形状が矩形状である。ソース領域５５２ａは、コンタクトホール５６２ａを介して、信号線２６と接続されている。
【０１２４】
本実施形態によれば、駆動トランジスター５５１のチャネル領域５５１ｅ及び選択トランジスター５５２のチャネル領域５５２ｅの平面視形状が矩形環状であるため、トランジスターの内側にトランジスターを形成するような場合に、各トランジスターを効率よく配置することができ、画素回路全体を小型化することが容易である。
【０１２５】
なお、上記説明した実施形態では、選択トランジスター５５２において、ドレイン領域５５２ｃがチャネル領域５５２ｅの外側となり、ソース領域５５２ａがチャネル領域５５２ｅの内側となるような構成としたが、これに限られない。本実施形態においては、ソース領域５５２ａがチャネル領域５５２ｅの外側となり、ドレイン領域５５２ｃがチャネル領域５５２ｅの内側となるような構成であってもよい。
【０１２６】
また、本実施形態においては、選択トランジスターの内側に駆動トランジスターが設けられる構成としてもよい。
【０１２７】
（第５実施形態）
第５実施形態は、第２実施形態に対して、すべてのトランジスターにおいて、ソース領域及びドレイン領域のいずれか一方が、平面視において、チャネル領域の全周を囲んでいる点において異なる。
なお、上記説明した実施形態と同様の構成については、適宜同一の符号を付すこと等により、説明を省略する場合がある。
【０１２８】
本実施形態における回路図は、図１０に示す回路図と同様である。
図１７は、本実施形態の画素回路Ｐ５１を模式的に示す平面図である。
画素回路Ｐ５１は、図１７に示すように、駆動トランジスター（第１トランジスター）６５１と、選択トランジスター６５２と、補償トランジスター（第２トランジスター）６５３と、発光制御トランジスター（第３トランジスター）６５４と、リセットトランジスター６５５と、を備える。
駆動トランジスター６５１、選択トランジスター６５２、補償トランジスター６５３、発光制御トランジスター６５４、及びリセットトランジスター６５５は、図１０における、駆動トランジスター１５１、選択トランジスター１５２、補償トランジスター１５３、発光制御トランジスター１５４、及びリセットトランジスター１５５にそれぞれ対応する。
【０１２９】
駆動トランジスター６５１は、図１７に示すように、ソース領域６５１ａと、ゲート電極６５１ｂと、ドレイン領域６５１ｃと、チャネル領域６５１ｅと、を備える。
ソース領域６５１ａは、平面視においてチャネル領域６５１ｅの全周を囲んでいる。ソース領域６５１ａは、コンタクトホール６６０を介して、第１電源導電体４１と接続されている。
【０１３０】
チャネル領域６５１ｅは、平面視形状が矩形環状である。チャネル領域６５１ｅは、平面視において、ドレイン領域６５１ｃの全周と、選択トランジスター６５２の全周と、補償トランジスター６５３の全周と、発光制御トランジスター６５４の全周と、リセットトランジスター６５５の全周と、を囲んでいる。すなわち、本実施形態においては、駆動トランジスター６５１の内側に、選択トランジスター６５２と、補償トランジスター６５３と、発光制御トランジスター６５４と、リセットトランジスター６５５と、が配置されている。
【０１３１】
ゲート電極６５１ｂは、平面視形状が、矩形環状に矩形状の接続部が接続された形状である。ゲート電極６５１ｂは、接続部においてコンタクトホール６６１を介して、接続配線６７１と接続されている。
【０１３２】
ドレイン領域６５１ｃは、補償トランジスター６５３のソース領域６５３ａと、発光制御トランジスター６５４のソース領域６５４ａと、共通の領域である。すなわち、ドレイン領域６５１ｃは、補償トランジスター６５３のソース領域６５３ａとしても機能し、発光制御トランジスター６５４のソース領域６５４ａとしても機能する。これにより、ドレイン領域６５１ｃは、補償トランジスター６５３のソース領域６５３ａ、及び発光制御トランジスター６５４のソース領域６５４ａと接続されていることと等価である。
【０１３３】
補償トランジスター６５３は、ソース領域６５３ａと、ゲート電極６５３ｂと、ドレイン領域６５３ｃと、チャネル領域６５３ｅと、を備える。
ソース領域６５３ａは、上述したように、駆動トランジスター６５１のドレイン領域６５１ｃ及び発光制御トランジスター６５４のソース領域６５４ａと共通の領域である。ソース領域６５３ａは、平面視においてチャネル領域６５３ｅの全周を囲んでいる。
【０１３４】
チャネル領域６５３ｅは、平面視形状が矩形環状である。チャネル領域６５３ｅは、平面視において、ドレイン領域６５３ｃの全周、及び選択トランジスター６５２の全周を囲んでいる。
ゲート電極６５３ｂは、平面視形状が、矩形環状に矩形状の接続部が接続された形状である。ゲート電極６５３ｂは、接続部においてコンタクトホール６６３ｂを介して、制御線１２３と接続されている。
【０１３５】
ドレイン領域６５３ｃは、平面視形状が矩形環状である。ドレイン領域６５３ｃは、選択トランジスター６５２のドレイン領域６５２ｃと共通の領域である。すなわち、ドレイン領域６５３ｃは、選択トランジスター６５２のドレイン領域６５２ｃとしても機能する。これにより、補償トランジスター６５３のドレイン領域６５３ｃは、選択トランジスター６５２のドレイン領域６５２ｃと接続されていることと等価である。
【０１３６】
ドレイン領域６５３ｃは、コンタクトホール６６３ａを介して、接続配線６７１と接続されている。すなわち、補償トランジスター６５３のドレイン領域６５３ｃ及び選択トランジスター６５２のドレイン領域６５２ｃと、駆動トランジスター６５１のゲート電極６５１ｂと、接続配線６７１を介して、接続されている。
【０１３７】
選択トランジスター６５２は、ソース領域６５２ａと、ゲート電極６５２ｂと、ドレイン領域６５２ｃと、チャネル領域６５２ｅと、を備える。
ドレイン領域６５２ｃは、上述したように、補償トランジスター６５３のドレイン領域６５３ｃとしても機能する。ドレイン領域６５２ｃは、平面視においてチャネル領域６５２ｅの全周を囲んでいる。
【０１３８】
チャネル領域６５２ｅは、平面視形状が矩形環状である。チャネル領域６５２ｅは、平面視において、ソース領域６５２ａの全周を囲んでいる。
ゲート電極６５２ｂは、平面視形状が、矩形環状に矩形状の接続部が接続された形状である。ゲート電極６５２ｂは、接続部においてコンタクトホール６６２ｂを介して、走査線２２と接続されている。
【０１３９】
ソース領域６５２ａは、平面視形状が矩形状である。ソース領域６５２ａは、コンタクトホール６６２ａを介して、信号線１２６と接続されている。
【０１４０】
発光制御トランジスター６５４は、ソース領域６５４ａと、ゲート電極６５４ｂと、ドレイン領域６５４ｃと、チャネル領域６５４ｅと、を備える。
ソース領域６５４ａは、上述したように、駆動トランジスター６５１のドレイン領域６５１ｃ及び補償トランジスター６５３のソース領域６５３ａと共通の領域である。ソース領域６５４ａは、平面視においてチャネル領域６５４ｅの全周を囲んでいる。
【０１４１】
チャネル領域６５４ｅは、平面視形状が矩形環状である。チャネル領域６５４ｅは、平面視において、ドレイン領域６５４ｃの全周、及びリセットトランジスター６５５の全周を囲んでいる。
ゲート電極６５４ｂは、平面視形状が、矩形環状に矩形状の接続部が接続された形状である。ゲート電極６５４ｂは、接続部においてコンタクトホール６６４ｂを介して、制御線１２４と接続されている。
【０１４２】
ドレイン領域６５４ｃは、平面視形状が矩形環状である。ドレイン領域６５４ｃは、リセットトランジスター６５５のソース領域６５５ａと共通の領域である。すなわち、ドレイン領域６５４ｃは、リセットトランジスター６５５のソース領域６５５ａとしても機能する。これにより、発光制御トランジスター６５４のドレイン領域６５４ｃは、リセットトランジスター６５５のソース領域６５５ａと接続されていることと等価である。ドレイン領域６５４ｃは、コンタクトホール６６４ａを介して、コンタクトパッド６７０と接続されている。図示は省略するが、コンタクトパッド６７０は、発光素子４５の画素電極Ｅ１と接続されている。
【０１４３】
リセットトランジスター６５５は、ソース領域６５５ａと、ゲート電極６５５ｂと、ドレイン領域６５５ｃと、チャネル領域６５５ｅと、を備える。
ソース領域６５５ａは、上述したように、発光制御トランジスター６５４のドレイン領域６５４ｃとしても機能する。ソース領域６５５ａは、平面視においてチャネル領域６５５ｅの全周を囲んでいる。
【０１４４】
チャネル領域６５５ｅは、平面視形状が矩形環状である。チャネル領域６５５ｅは、平面視において、ドレイン領域６５５ｃの全周を囲んでいる。
ゲート電極６５５ｂは、平面視形状が、矩形環状に矩形状の接続部が接続された形状である。ゲート電極６５５ｂは、接続部においてコンタクトホール６６５ｂを介して、制御線１２５と接続されている。
【０１４５】
ドレイン領域６５５ｃは、平面視形状が矩形状である。ドレイン領域６５５ｃは、コンタクトホール６６５ａを介して、第３電源導電体１２７と接続されている。
【０１４６】
本実施形態によれば、複数の領域において、各トランジスターのソース領域またはドレイン領域を共通化し、複数のトランジスターが入れ子構造となるように配置しているため、無駄なスペースを少なくでき、画素回路を小型化することができる。
【０１４７】
また、本実施形態においては、すべてのトランジスターにおけるチャネル領域の平面視形状が矩形環状である。本実施形態のように、１つのトランジスター（駆動トランジスター）のチャネル領域の内側に、複数のトランジスター（補償トランジスター、発光制御トランジスター）が設けられる構造においては、チャネル領域の平面視形状が、円環状であるよりも矩形環状である方が各トランジスターを無駄なく配置しやすい。そのため、本実施形態によれば、画素回路をより小型化することができる。
【０１４８】
なお、本実施形態においては、駆動トランジスター（第１トランジスター）６５１、選択トランジスター６５２、補償トランジスター（第２トランジスター）６５３、発光制御トランジスター（第３トランジスター）６５４、及びリセットトランジスター６５５は、全てＰチャネル型のトランジスターで構成する、あるいは、全てＮチャネル型のトランジスターで構成することが好ましい。これにより、これらのトランジスターのソース領域及びドレイン領域並びにチャネル領域を１つの半導体領域（能動領域ともいう）で構成することができる。したがって、画素回路Ｐ５１を１つの半導体領域で構成できるため、第４実施形態とは異なり、複数のトランジスター間を絶縁部により区分する必要がない。
【０１４９】
なお、本実施形態においては、図１８に示すように、リセットトランジスターが設けられていない構成としてもよい。
図１８は、画素回路Ｐ５２を模式的に示す平面図である。
リセットトランジスター６５５が設けられていないため、発光制御トランジスター７５４のドレイン領域７５４ｃは、平面視矩形状である。ドレイン領域７５４ｃは、コンタクトホール６６４ａを介してコンタクトパッド６７０と接続されている。
【０１５０】
なお、この構成においては、駆動トランジスター（第１トランジスター）６５１、選択トランジスター６５２、補償トランジスター（第２トランジスター）６５３、及び発光制御トランジスター（第３トランジスター）６５４は、全てＰチャネル型のトランジスターで構成する、あるいは、全てＮチャネル型のトランジスターで構成することが好ましい。これにより、これらのトランジスターのソース領域及びドレイン領域並びにチャネル領域を１つの半導体領域（能動領域ともいう）で構成することができる。したがって、画素回路Ｐ５２を１つの半導体領域で構成できるため、第４実施形態とは異なり、複数のトランジスターを絶縁部により区分する必要がない。
【０１５１】
なお、上記説明した、第４実施形態及び第５実施形態においては、すべてのトランジスターにおいてチャネル領域の平面視形状が同様の構成としたが、これに限られない。例えば、第４実施形態及び第５実施形態においては、一部のチャネル領域の平面視形状が異なっていてもよいし、すべてのチャネル領域の平面視形状が互いに異なっていてもよい。
【０１５２】
［電子機器］
上述の各実施形態に例示した発光装置１は、各種の電子機器の表示装置として好適に利用される。
図１９は、電子機器の一例として、第１実施形態の発光装置１を利用した頭部装着型の表示装置９０（ＨＭＤ：Ｈｅａｄ  Ｍｏｕｎｔｅｄ  Ｄｉｓｐｌａｙ）を示す概略構成図である。
【０１５３】
表示装置９０は、人間の頭部に装着可能な電子機器であり、使用者の左眼に重なる透過部（レンズ）９２Ｌと、使用者の右眼に重なる透過部９２Ｌと、左眼用の発光装置１Ｌ及びハーフミラー９４Ｌと、右眼用の発光装置１Ｒ及びハーフミラー９４Ｒと、を備える。発光装置１Ｌと発光装置１Ｒとは、射出光が相互に反対の方向に進行するように配置される。左眼用のハーフミラー９４Ｌは、透過部９２Ｌの透過光を使用者の左眼側に透過させるとともに、発光装置１Ｌからの射出光を使用者の左眼側に反射させる。同様に、右眼用のハーフミラー９４Ｒは、透過部９２Ｒの透過光を使用者の右眼側に透過させるとともに、発光装置１Ｒからの射出光を使用者の右眼側に反射させる。
【０１５４】
したがって、使用者は、透過部９２Ｌ及び透過部９２Ｒを介して観察される像と、各発光装置１Ｌ，１Ｒによる表示画像と、を重畳した画像を知覚する。また、相互に視差が付与された立体視画像（左眼用画像および右眼用画像）を発光装置１Ｌと発光装置１Ｒとに表示させることで、使用者に表示画像の立体感を知覚させることが可能である。
【０１５５】
なお、各実施形態の発光装置が適用される電子機器は、図１９の表示装置９０に限定されない。例えば、ビデオカメラやスチルカメラ等の撮像装置に利用される電子式ビューファインダー（ＥＶＦ：Ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃ  Ｖｉｅｗ  Ｆｉｎｄｅｒ）にも本実施形態の発光装置が好適に利用される。また、携帯電話機、携帯情報端末（スマートフォン）、テレビやパーソナルコンピューター等のモニター、カーナビゲーション装置等の各種の電子機器に本実施形態の発光装置を採用することが可能である。
【０１５６】
また、上記説明した電子機器の例では、発光装置として第１実施形態の発光装置１を用いたが、これに限られず、第２実施形態から第５実施形態のいずれかの発光装置を用いてもよいことは言うまでもない。
【０１５７】
また、上記第１実施形態から第５実施形態の発光装置における各種電極、配線、トランジスター、容量素子、絶縁膜等の構成材料、形状、配置、寸法や膜厚等の具体的な記載は一例に過ぎず、適宜変更が可能である。
【０１５８】
また、上記説明した第１実施形態から第５実施形態におけるトランジスターとしては、例えば、酸化膜トランジスター、薄膜トランジスター（ＴＦＴ：Ｔｈｉｎ  Ｆｉｌｍ  Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）、有機トランジスター等を選択できる。薄膜トランジスターを選択した場合には、例えば、低温ポリシリコンＴＦＴ、高温ポリシリコンＴＦＴ、アモルファスシリコンＴＦＴ等を選択できる。また、有機トランジスターを選択した場合は、有機の半導体材料を溶液として、例えば、インクジェットのような印刷プロセスで半導体層を形成できるため、パターニングが不要である。有機トランジスターは、特に、図１３の画素回路Ｐ３１、図１４の画素回路Ｐ３２、図１７の画素回路Ｐ５１、図１８の画素回路Ｐ５２のように、複数のトランジスターを１つの半導体領域で構成する態様に適用することが好ましい。これにより、トランジスターを構成する半導体膜のパターニングを簡略化することができる。
【０１５９】
第１実施形態から第５実施形態におけるトランジスターにおいて、チャネル領域はゲート電極と同一の領域に形成され、所謂セルフアライン構造であった。しかしながら、ソース領域又は／及びドレイン領域の一部がゲート電極と重なるように構成してもよいし、ゲート電極とソース領域又は／及びドレイン領域との間にスペースがあってもよい。
【０１６０】
第１実施形態から第５実施形態におけるトランジスターは、ソース領域と、ゲート電極と、ドレイン領域と、チャネル領域とを有していた。このソース領域又は／及びドレイン領域を低不純物濃度領域と高不純物領域の２種類の不純物領域で構成してもよい。すなわち、第１実施形態から第５実施形態におけるトランジスターは、ＬＤＤ（Ｌｉｇｈｔｌｙ  Ｄｏｐｅｄ  Ｄｒａｉｎ）構造を有してもよい。ＬＤＤ構造により、ホットキャリアの発生を抑えることができる。さらに、低不純物濃度領域がゲート電極と平面視で重なるように構成してもよい。
【０１６１】
第２実施形態の画素回路Ｐ２１や第５実施形態の画素回路Ｐ５１及び画素回路Ｐ５２は、特開２０１３−０８８６１１号公報の図１３乃至図１７及びその説明に示す駆動方法のように動作させたが、適宜変形可能である。
【０１６２】
また、第２実施形態の画素回路Ｐ２１や第５実施形態の画素回路Ｐ５１及び画素回路Ｐ５２を所謂電流プログラム方式で駆動してもよい。この場合、信号線１２６に接続した容量素子Ｃｐは省略される。図１０の選択トランジスター１５２及び補償トランジスター１５３をオン状態、発光制御トランジスター１５４をオフ状態とし、階調レベルに応じた信号電流を信号線１２６に流して、駆動トランジスター１５１のソース−ゲート間電圧を信号電流に応じた電圧にしてプログラミングを行い、図１０の選択トランジスター１５２及び補償トランジスター１５３をオフ状態、発光制御トランジスター１５４をオン状態として、駆動トランジスター１５１のソース−ゲート間電圧に応じた電流を駆動トランジスター１５１から発光素子４５に供給するようにしてもよい。
【０１６３】
また、図１３の画素回路Ｐ３１、図１４の画素回路Ｐ３２及び図１５の画素回路Ｐ３３は、特開２０１３−０８８６１１号公報の図４乃至図１０及びその説明に示す駆動方法のように動作させてもよい。
【実施例】
【０１６４】
シミュレーションによって、ハンプ特性がトランジスターの電圧特性に与える影響について検証を行った。画素回路としては、第２実施形態において、図１０に示した画素回路とした。
【０１６５】
駆動トランジスターにハンプ特性が発生しない条件でシミュレーションを行った場合を検証例１とし、駆動トランジスターにハンプ特性が発生する条件でシミュレーションを行った場合を検証例２から検証例７とした。検証例２から検証例７においては、長さがチャネル長と同じ長さで、幅が０．１μｍの寄生チャネルが発生したものとしてハンプ特性を設定した。
【０１６６】
検証例１から検証例７においては、駆動トランジスターの平面視形状が図２０に示す駆動トランジスター８００のような平面視形状であるものとした。
駆動トランジスター８００は、ソース領域８００ａと、ゲート電極８００ｂと、ドレイン領域８００ｃと、チャネル領域８００ｅと、を備える。ソース領域８００ａ、ゲート電極８００ｂ、ドレイン領域８００ｃ、及びチャネル領域８００ｅの平面視形状は、矩形状である。
【０１６７】
検証例１から検証例７のパラメーターを表１に示す。表１においては、ハンプ特性の有無を、ハンプあり／なし、として示している。また、表１に示すチャネル長Ｌ及びチャネル幅Ｗは、駆動トランジスターのチャネル長及びチャネル幅である。
【０１６８】
【表１】
2015138155.tif 000003
【０１６９】
検証例１は、ハンプなしで、チャネル長Ｌを３μｍ、チャネル幅Ｗを０．５２μｍとした。
検証例２は、ハンプありで、チャネル長Ｌを３μｍ、チャネル幅Ｗを０．５２μｍとした。
検証例３は、ハンプありで、チャネル長Ｌを３μｍ、チャネル幅Ｗを０．３４μｍとした。
検証例４は、ハンプありで、チャネル長Ｌを１μｍ、チャネル幅Ｗを４．５μｍとした。
検証例５は、ハンプありで、チャネル長Ｌを１μｍ、チャネル幅Ｗを３μｍとした。
検証例６は、ハンプありで、チャネル長Ｌを１μｍ、チャネル幅Ｗを１．９μｍとした。
検証例７は、ハンプありで、チャネル長Ｌを１μｍ、チャネル幅Ｗを１．５μｍとした。
【０１７０】
シミュレーションは、駆動トランジスターの閾値電圧として標準偏差α×１／√Ｌ・Ｗ（αはプロセス固有の値）分、ばらつきながらシフトするものとして行い、製造される画素回路における発光素子の輝度のばらつきを求めた。
シミュレーションの結果を図２１に示す。図２１においては、縦軸は、輝度のばらつき［％］を示しており、横軸は、電流値［Ａ／ｄｏｔ］を示している。
【０１７１】
図２１より、検証例２，３と、検証例４から検証例７とを比べると、チャネル幅Ｗが大きくなるほど、輝度のばらつきが小さくなることが分かった。
また、検証例４から７を比べると、チャネル長Ｌが大きくなるほど、輝度のばらつきが大きくなることが分かった。
【０１７２】
しかし、検証例２から検証例７では、電流値によっては、輝度のばらつきが大きくなってしまうことが確かめられた。
一方、検証例１では、電流値によらず、輝度のばらつきを抑制できることが確かめられた。検証例１において、輝度のばらつきが約５％となっているのは、製造上の寸法誤差によるものである。
【０１７３】
以上のことから、ハンプ特性を有する場合においては、チャネル長Ｌ及びチャネル幅Ｗの値の調整だけでは輝度のばらつきを十分に抑制することはできず、ハンプ特性の発生を抑制することが、発光素子の輝度のばらつきを抑制するのに有効であることが確かめられた。
【０１７４】
上記説明した本実施形態の駆動トランジスターによれば、チャネル領域の全周を平面視においてソース領域またはドレイン領域で囲むことによってチャネル幅方向の端部をなくすことができるため、ハンプ特性が発生することを抑制できる。したがって、本実施形態によれば、発光装置の輝度のばらつきを抑制でき、表示品質の低下を抑制できることが確かめられた。
【０１７５】
以上より、本発明の有用性が確かめられた。
【符号の説明】
【０１７６】
１…発光装置（電気光学装置）、Ｐ，Ｐ１１，Ｐ１２，Ｐ２１，Ｐ３１，Ｐ３２，Ｐ３３，Ｐ４１，Ｐ５１，Ｐ５２…画素回路、４５…発光素子（電気光学素子）、５１，１５１，２５１，３５１，４５１，５５１，６５１…駆動トランジスター（第１トランジスター）、５１ａ…ソース領域（電流端）、５１ｂ…ゲート電極（ゲート）、５１ｃ…ドレイン領域（電流端）、５１ｅ…チャネル領域（チャネル）、１５３，６５３…補償トランジスター（第２トランジスター）、１５４，２５３，３５３，４５３，６５４…発光制御トランジスター（第３トランジスター）
【図１】
2015138155.tif 000004
【図２】
2015138155.tif 000005
【図３】
2015138155.tif 000006
【図４】
2015138155.tif 000007
【図５】
2015138155.tif 000008
【図６】
2015138155.tif 000009
【図７】
2015138155.tif 000010
【図８】
2015138155.tif 000011
【図９】
2015138155.tif 000012
【図１０】
2015138155.tif 000013
【図１１】
2015138155.tif 000014
【図１２】
2015138155.tif 000015
【図１３】
2015138155.tif 000016
【図１４】
2015138155.tif 000017
【図１５】
2015138155.tif 000018
【図１６】
2015138155.tif 000019
【図１７】
2015138155.tif 000020
【図１８】
2015138155.tif 000021
【図１９】
2015138155.tif 000022
【図２０】
2015138155.tif 000023
【図２１】
2015138155.tif 000024