(57)【要約】【課題】インプリントによって形状精度の高い転写パターンを形成することができるレジスト配置を行うレジスト配置方法を提供すること。【解決手段】実施形態のレジスト配置方法では、レジストドロップが配置されるドロップ格子の第１および第２の格子ベクトルが設定される。このとき、前記レジストドロップを滴下可能な最小格子単位であるグリッドに関する情報に基づいて、インプリント時のレジスト膜厚が所定の範囲内に収まるよう、前記第１および第２の格子ベクトルが設定される。この場合において、前記第１および第２の格子ベクトルは、前記グリッドの第１および第２の最小格子ベクトルの何れとも異なる方向のベクトルに設定される。そして、前記ドロップ格子内に前記レジストドロップが配置される。【選択図】図８
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
被転写基板上にレジストドロップを滴下可能な最小格子単位であるグリッドに関する情報に基づいて、インプリントによってテンプレートと前記被転写基板との間に残留させるレジスト膜厚が所定の範囲内に収まるよう、前記レジストドロップが配置されるドロップ格子の第１の格子ベクトルおよび第２の格子ベクトルを、前記グリッドの第１の最小格子ベクトルおよび第２の最小格子ベクトルの何れとも異なる方向のベクトルに設定する設定ステップと、
設定した第１および第２の格子ベクトルで形成されるドロップ格子内に前記レジストドロップを配置する配置ステップと、
を含み、
前記設定ステップでは、前記テンプレートのテンプレートパターンに関するパターン情報と、前記レジストドロップの体積と、を用いて、前記第１および第２の格子ベクトルを設定し、
前記パターン情報は、パターン密度、パターンサイズ、パターン周囲長、パターン方向、および所定方向に投影したパターンエッジ総長の少なくとも１つを含むことを特徴とするレジスト配置方法。
【請求項２】
被転写基板上にレジストドロップを滴下可能な最小格子単位であるグリッドに関する情報に基づいて、インプリントによってテンプレートと前記被転写基板との間に残留させるレジスト膜厚が所定の範囲内に収まるよう、前記レジストドロップが配置されるドロップ格子の第１の格子ベクトルおよび第２の格子ベクトルを、前記グリッドの第１の最小格子ベクトルおよび第２の最小格子ベクトルの何れとも異なる方向のベクトルに設定する設定ステップと、
設定した第１および第２の格子ベクトルで形成されるドロップ格子内に前記レジストドロップを配置する配置ステップと、
を含むことを特徴とするレジスト配置方法。
【請求項３】
前記設定ステップでは、前記テンプレートのテンプレートパターンに関するパターン情報と、前記レジストドロップの体積と、を用いて、前記第１および第２の格子ベクトルを設定することを特徴とする請求項２に記載のレジスト配置方法。
【請求項４】
前記パターン情報は、パターン密度、パターンサイズ、パターン周囲長、パターン方向、および所定方向に投影したパターンエッジ総長の少なくとも１つを含むことを特徴とする請求項３に記載のレジスト配置方法。
【請求項５】
前記第１の格子ベクトルは、前記第１の最小格子ベクトルと第１の方向の成分が同じであって前記第１の方向に垂直な第２の方向の成分が異なり、
前記第２の格子ベクトルは、前記第２の最小格子ベクトルと第２の方向の成分が同じであって前記第１の方向の成分が異なることを特徴とする請求項２に記載のレジスト配置方法。
【請求項６】
テンプレートパターン上のインプリントパターン領域を複数の領域に分割する分割ステップと、
分割された領域のうちの第１の分割領域に第１のレジストドロップを配置する第１の配置ステップと、
前記分割領域のうちの第２の分割領域と前記第１の分割領域との間の境界で、インプリントの際に前記第１の分割領域から前記第２の分割領域にはみ出す第２のレジストドロップの体積を算出する算出ステップと、
前記第１のレジストドロップが配置されたドロップ格子のうち、前記第２のレジストドロップが前記第２の分割領域にはみ出すドロップ格子内に、前記体積を有した第２のレジストドロップを仮配置する第２の配置ステップと、
仮配置した前記第２のレジストドロップが前記第１の分割領域側には広がらず前記第２の分割領域側に広がると仮定して前記第２の分割領域に第３のレジストドロップを配置する第３の配置ステップと、
前記第２のレジストドロップの配置を取り消す取り消しステップと、
を含むことを特徴とするレジスト配置方法。
【請求項７】
前記分割ステップでは、前記インプリントパターン領域が有する、パターン密度、パターンサイズ、パターン周囲長、パターン方向、および所定方向に投影したパターンエッジ総長の少なくとも１つに基づいて、前記インプリントパターン領域を複数の分割領域に分割することを特徴とする請求項６に記載のレジスト配置方法。
【請求項８】
前記第１の配置ステップでは、前記レジストドロップが配置されるドロップ格子を用いて前記第１の分割領域を被覆するとともに、各ドロップ格子内に前記第１のレジストドロップを配置し、
前記算出ステップでは、前記境界を跨ぐドロップ格子と前記第１の分割領域との重複領域を算出し、前記重複領域に必要なレジストドロップの体積と、前記第１のレジストドロップの体積との差分に基づいて、前記第２のレジストドロップの体積を算出することを特徴とする請求項６に記載のレジスト配置方法。
【請求項９】
被転写基板上にレジストドロップを滴下可能な最小格子単位であるグリッドに関する情報に基づいて、インプリントによってテンプレートと前記被転写基板との間に残留させるレジスト膜厚が所定の範囲内に収まるよう、前記レジストドロップが配置されるドロップ格子の第１の格子ベクトルおよび第２の格子ベクトルを、前記グリッドの第１の最小格子ベクトルおよび第２の最小格子ベクトルの何れとも異なる方向のベクトルに設定する設定ステップと、
設定した第１および第２の格子ベクトルで形成されるドロップ格子内に前記レジストドロップを配置する配置ステップと、
をコンピュータに実行させることを特徴とするレジスト配置プログラム。
【請求項１０】
テンプレートパターン上のインプリントパターン領域を複数の領域に分割する分割ステップと、
分割された領域のうちの第１の分割領域に第１のレジストドロップを配置する第１の配置ステップと、
前記分割領域のうちの第２の分割領域と前記第１の分割領域との間の境界で、インプリントの際に前記第１の分割領域から前記第２の分割領域にはみ出す第２のレジストドロップの体積を算出する算出ステップと、
前記第１のレジストドロップが配置されたドロップ格子のうち、前記第２のレジストドロップが前記第２の分割領域にはみ出すドロップ格子内に、前記体積を有した第２のレジストドロップを仮配置する第２の配置ステップと、
仮配置した前記第２のレジストドロップが前記第１の分割領域側には広がらず前記第２の分割領域側に広がると仮定して前記第２の分割領域に第３のレジストドロップを配置する第３の配置ステップと、
をコンピュータに実行させることを特徴とするレジスト配置プログラム。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本実施形態は、レジスト配置方法およびレジスト配置プログラムに関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体集積回路の微細化に伴い、パターン転写装置であるフォトリソグラフィ装置の高精度化が要求されているので、装置コストが高くなるという欠点があった。これに対し、微細パターンの形成を低コストで実施する技術として、インプリント法が提案されている。
【０００３】
このインプリント法では、被転写基板上に形成したいパターンと同じ凹凸を有するスタンパ（テンプレート）が、被転写基板表面のレジスト（光硬化性有機材料層）に押し付けられる。そして、レジストに押し付けられたテンプレートに光照射が行なわれることによってレジストが硬化させられ、テンプレートがレジストから分離（離型）されることで、レジストパターンが転写される。
【０００４】
インプリント法で用いられるレジストは、例えば、インクジェット方式によって被転写基板上に滴下される。この場合において、メモリセルなどの微細周期構造を形成する際には、周期構造に起因する表面張力の異方性を考慮したうえで、被転写基板上の所定位置にレジストが滴下される。レジストは、例えば、市松周期格子上などの周期格子上に配置されることによって充填速度が改善される。
【０００５】
しかしながら、レジストを周期格子上に配置した場合、パターン被覆率やレジスト高さに対する制御性が離散的となり、所望のＲＬＴ（Residual  Layer  Thickness）を得ることが困難となる。そして、所望値から大きく外れたＲＬＴを用いると、転写されるパターンの形状精度が低くなるという問題があった。このため、インプリントによって形状精度の高い転写パターンを形成することができるレジスト配置を行うことが望まれている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開２０００−１９４１４２号公報
【特許文献２】米国特許第７５２３７０１号明細書
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
本発明が解決しようとする課題は、インプリントによって形状精度の高い転写パターンを形成することができるレジスト配置を行うレジスト配置方法およびレジスト配置プログラムを提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
実施形態によれば、レジスト配置方法が提供される。前記レジスト配置方法では、レジストドロップが配置されるドロップ格子の第１の格子ベクトルおよび第２の格子ベクトルが設定される。このとき、被転写基板上に前記レジストドロップを滴下可能な最小格子単位であるグリッドに関する情報に基づいて、前記第１および第２の格子ベクトルが設定される。また、インプリントによってテンプレートと前記被転写基板との間に残留させるレジスト膜厚が所定の範囲内に収まるよう、前記第１および第２の格子ベクトルが設定される。この場合において、前記第１および第２の格子ベクトルは、前記グリッドの第１の最小格子ベクトルおよび第２の最小格子ベクトルの何れとも異なる方向のベクトルに設定される。そして、設定された前記第１および第２の格子ベクトルで形成されるドロップ格子内に前記レジストドロップが配置される。
【図面の簡単な説明】
【０００９】
【図１】図１は、第１の実施形態に係るインプリント装置の構成を示す図である。
【図２】図２は、第１の実施形態に係るレジスト配置装置の構成を示す図である。
【図３】図３は、ＲＬＴを説明するための図である。
【図４】図４は、滴下位置情報の第１の実施形態における生成処理手順を示すフローチャートである。
【図５】図５は、テンプレートパターンの形状とレジストの充填速度との関係を説明するための図である。
【図６】図６は、周期格子上に配置されたレジストの例を示す図である。
【図７】図７は、レジストの配置位置とＲＬＴとの関係を示す図である。
【図８】図８は、格子ベクトルと格子面積との関係を説明するための図である。
【図９】図９は、レジストを滴下可能なグリッドと格子ベクトルとの関係を示す図である。
【図１０】図１０は、第１の実施形態に係るレジスト配置装置が設定したドロップ配置位置と広がり方の一例を示す図である。
【図１１】図１１は、設定された格子ベクトルに対するＲＬＴの計算結果を示す図である。
【図１２】図１２は、グリッドの両辺をＸＹ方向とは異なる方向とすることができるインプリント装置の構成を説明するための図である。
【図１３】図１３は、第２の実施形態に係るレジスト配置装置の構成を示す図である。
【図１４】図１４は、滴下位置情報の第２の実施形態における生成処理手順を示すフローチャートである。
【図１５】図１５は、インプリントパターン領域の分割処理を説明するための図である。
【図１６】図１６は、分割領域毎のレジスト配置位置の設定処理を説明するための図である。
【図１７】図１７は、レジスト配置装置のハードウェア構成を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００１０】
以下に添付図面を参照して、実施形態に係るレジスト配置方法およびレジスト配置プログラムを詳細に説明する。なお、これらの実施形態により本発明が限定されるものではない。
【００１１】
（第１の実施形態）
図１は、第１の実施形態に係るインプリント装置の構成を示す図である。インプリント装置１０１は、ウエハＷｘなどの被転写基板に、モールド基板であるテンプレート（スタンパ）Ｔのテンプレートパターン（回路パターンなど）を転写する装置である。
【００１２】
本実施形態のインプリント装置１０１は、転写されるパターンの形状精度が高く且つテンプレートＴに高速に充填することができる位置にレジストドロップ（以下、レジストという）を配置（滴下）する。
【００１３】
本実施形態のインプリント装置１０１は、レジスト配置装置１０Ａと制御部２０とを備えている。また、インプリント装置１０１は、原版ステージ２２、ＵＶ光源２３、基板チャック２４、試料ステージ２５Ａ、基準マーク２６、アライメントセンサ２７、液滴下装置（ドロップ滴下機構）２８、ステージベース２９を備えている。
【００１４】
試料ステージ２５Ａは、ウエハＷｘを載置するとともに、載置したウエハＷｘと平行な平面内（水平面内）を移動する。試料ステージ２５Ａは、ウエハＷｘに転写材としてのレジストを滴下する際には、ウエハＷｘを液滴下装置２８の下方側に移動させ、ウエハＷｘへの押圧処理を行う際には、ウエハＷｘをテンプレートＴの下方側に移動させる。
【００１５】
また、試料ステージ２５Ａ上には、基板チャック２４が設けられている。基板チャック２４は、ウエハＷｘを試料ステージ２５Ａ上の所定位置に固定する。また、試料ステージ２５Ａ上には、基準マーク２６が設けられている。基準マーク２６は、試料ステージ２５Ａの位置を検出するためのマークであり、ウエハＷｘを試料ステージ２５Ａ上にロードする際の位置合わせに用いられる。
【００１６】
ステージベース２９の底面側（ウエハＷｘ側）には、原版ステージ２２が設けられている。原版ステージ２２は、テンプレートＴの裏面側（テンプレートパターンの形成されていない側の面）からテンプレートＴを真空吸着などによって所定位置に固定する。
【００１７】
ステージベース２９は、原版ステージ２２によってテンプレートＴを支持するとともに、テンプレートＴのテンプレートパターン側をウエハＷｘ上のレジストに押し当てる。ステージベース２９は、上下方向（鉛直方向）に移動することにより、テンプレートＴのレジストへの押し当てと、テンプレートＴのレジストからの引き離し（離型）と、を行う。インプリントに用いるレジストは、例えば、光硬化性などの樹脂（有機材料）である。また、ステージベース２９上には、アライメントセンサ２７が設けられている。アライメントセンサ２７は、ウエハＷｘの位置検出やテンプレートＴの位置検出を行うセンサである。
【００１８】
液滴下装置２８は、インクジェット方式によってウエハＷｘ上にレジストを滴下する装置である。液滴下装置２８が備えるインクジェットヘッド８Ａは、レジストの液滴を噴出する複数の微細孔（吐出口）を有している。液滴下装置２８は、テンプレートＴに形成されたテンプレートパターンのパターン領域に応じて、液滴の落ちる位置を制御する。
【００１９】
液滴下装置２８は、ウエハＷｘとの相対位置が所定の速度で移動させられることによって、ウエハＷｘに対し所定の間隔（グリッドサイズ）でレジストを滴下できるよう構成されている。グリッドは、後述するＸ方向およびＹ方向に、所定の間隔で並ぶものであり、液滴下装置２８は、グリッド上の何れかの頂点位置にレジストを滴下する。換言すると、グリッドは、液滴下装置２８がレジストを滴下可能な最小格子単位である。液滴下装置２８は、レジストの配置位置が規則正しく並ぶよう、所定の周期でグリッドの頂点上にレジストを滴下する。なお、以下の説明では、レジストを滴下できる位置（グリッドの頂点）で構成される格子をグリッドといい、実際に設定された滴下位置で構成される格子をドロップ格子という。
【００２０】
ＵＶ光源２３は、ＵＶ光を照射する光源であり、ステージベース２９の上方に設けられている。ＵＶ光源２３は、テンプレートＴがレジストに押し当てられた状態で、テンプレートＴ上からＵＶ光を照射する。
【００２１】
制御部２０は、液滴下装置２８、ステージベース２９などのインプリント装置１０１内の種々の構成要素を制御する。制御部２０は、レジスト配置装置１０Ａで設定されたレジスト配置位置に基づいて、液滴下装置２８を制御する。
【００２２】
ここで、インプリント工程の処理手順について説明する。ウエハＷｘへのインプリントを行う際には、試料ステージ２５Ａに載せられたウエハＷｘが液滴下装置２８の直下まで移動させられる。そして、ウエハＷｘの所定ショット位置上でレジストが滴下される。このとき、液滴下装置２８は、レジスト配置装置１０Ａで設定されたレジスト配置位置上にレジストを滴下させる。
【００２３】
その後、試料ステージ２５Ａ上のウエハＷｘがテンプレートＴの直下に移動させられる。そして、テンプレートＴがウエハＷｘ上のレジストに押し当てられる。石英基板等を掘り込んで作ったテンプレートＴをレジストに押し当てると、毛細管現象によってテンプレートＴのテンプレートパターン内にレジストが流入する。
【００２４】
予め設定しておいた時間だけ、テンプレートＴがウエハＷｘ上のレジストに押し当てられることにより、レジストがウエハＷｘ上で広がりながらテンプレートパターン内に充填される。この状態でＵＶ光源２３が、レジストにＵＶ光を照射してレジストを硬化させる。そして、硬化したレジストからテンプレートＴが離型されることにより、テンプレートパターンを反転させたレジストパターンがウエハＷｘ上に形成（パターニング）される。この後、次のショットへのインプリント処理が行われる。
【００２５】
図２は、第１の実施形態に係るレジスト配置装置の構成を示す図である。レジスト配置装置１０Ａは、パターン情報入力部１１と、ドロップ体積情報入力部１２と、押印情報入力部１３と、残膜厚算出部１６と、ドロップ配置設定部１４Ａと、出力部１７とを有している。
【００２６】
パターン情報入力部１１へは、テンプレートパターンに関するパターン情報が入力される。パターン情報入力部１１は、パターン情報をドロップ配置設定部１４Ａおよび残膜厚算出部１６に送る。パターン情報には、テンプレートパターン自体の情報が含まれている。また、パターン情報には、テンプレートパターンのパターン密度（被覆率）、パターンサイズ、パターン高さ（溝の深さ）、パターン周囲長、パターン方向、および所定方向（例えば、Ｘ方向やＹ方向）に投影したパターンエッジの総長の少なくとも１つを含めてもよい。
【００２７】
テンプレートパターン自体の情報は、例えば、設計データである。テンプレートパターンは、１ショット分のパターンデータであり、１〜複数のチップ領域が配置されている。そして、１チップ分の領域には、１〜複数のメモリセル領域と、周辺パターン領域とが配置されている。
【００２８】
ドロップ体積情報入力部１２へは、レジスト１滴（レジストドロップ）のドロップ体積が入力される。ドロップ体積情報入力部１２は、ドロップ体積をドロップ配置設定部１４Ａおよび残膜厚算出部１６に送る。
【００２９】
押印情報入力部１３へは、押印時の処理条件などが押印情報として入力される。押印情報入力部１３は、押印情報をドロップ配置設定部１４Ａおよび残膜厚算出部１６に送る。押印情報には、ユーザによって指定されたＲＬＴ（Residual  Layer  Thickness）および後述するグリッドのサイズなどが含まれている。ＲＬＴは、テンプレートＴとウエハＷｘとの間に残留するレジスト膜厚である。なお、押印情報には、押印時のテンプレートＴの降下速度、押印後のレジスト充填時間およびレジストの揮発量分布などの少なくとも１つを含めてもよい。
【００３０】
ドロップ配置設定部１４Ａは、パターン情報、ドロップ体積および押印情報に基づいて、レジストの各液滴を配置する位置に関する情報（レジスト配置情報）を生成する。レジスト配置情報は、レジストの各液滴を配置するためのドロップ格子に関する情報（ドロップ格子情報）と、各レジストの滴下位置（座標）に関する情報（滴下位置情報）とを含んでいる。ドロップ格子情報は、例えば、ドロップ格子の位置、寸法および形状などの情報を含んでいる。ドロップ配置設定部１４Ａは、例えば、各ドロップ格子内の中央部をドロップ位置に設定することによって滴下位置情報を設定する。
【００３１】
ドロップ配置設定部１４Ａは、例えば、ドロップ体積、テンプレートパターンの被覆率、テンプレートパターンの高さおよび指定されたＲＬＴなどに基づいて、インプリントショットに配置するレジストの液滴数を算出する。そして、ドロップ配置設定部１４Ａは、例えば、液滴数、パターン情報および押印情報に基づいて、ドロップ格子情報を生成する。
【００３２】
本実施形態のドロップ配置設定部１４Ａは、例えば、平行四辺形のドロップ格子を設定する。この場合において、ドロップ配置設定部１４Ａは、ドロップ格子の各辺が、グリッドの辺（後述するＸ方向およびＹ方向）と平行にならないようドロップ格子を設定する。なお、ドロップ配置設定部１４Ａは、ドロップ格子の各辺が、グリッドの辺と平行になるようなドロップ格子を設定してもよい。ドロップ配置設定部１４Ａは、滴下位置情報を残膜厚算出部１６に送る。
【００３３】
また、ドロップ配置設定部１４Ａは、残膜厚算出部１６からＲＬＴの算出結果を受け取ると、このＲＬＴと、ユーザによって指定されたＲＬＴとを比較し、差分を算出する。ドロップ配置設定部１４Ａは、差分が所定の範囲内でなければ、新たなドロップ格子を設定したドロップ格子情報と滴下位置情報とを生成する。そして、ドロップ配置設定部１４Ａは、滴下位置情報を残膜厚算出部１６に送る。ドロップ配置設定部１４Ａは、差分が所定の範囲内となるまで、新たなドロップ格子の設定と、残膜厚算出部１６への滴下位置情報の送信を繰り返す。ドロップ配置設定部１４Ａは、差分が所定の範囲内となれば、滴下位置情報を出力部１７に送る。
【００３４】
残膜厚算出部１６は、ドロップ配置設定部１４Ａから滴下位置情報が送られてくると、この滴下位置情報、パターン情報および押印情報に基づいてＲＬＴを算出する。残膜厚算出部１６は、算出したＲＬＴをドロップ配置設定部１４Ａに送る。
【００３５】
出力部１７は、滴下位置情報を制御部２０に送る。これにより、制御部２０は、滴下位置情報を用いてウエハＷｘへのインプリント処理を制御する。具体的には、制御部２０は、滴下位置情報に設定されているレジストの滴下位置にレジストが滴下されるよう、液滴下装置２８や試料ステージ２５Ａなどを制御する。
【００３６】
なお、出力部１７は、滴下位置情報を塗布レシピ作成装置（図示せず）に出力してもよい。塗布レシピ作成装置は、ユーザからの指示に従って、レジストの塗布レシピを作成する装置である。塗布レシピ作成装置は、制御部２０内に配置しておいてもよいし、制御部２０の外部に配置しておいてもよい。
【００３７】
ここで、ＲＬＴについて説明する。図３は、ＲＬＴを説明するための図である。インプリントを行う際には、ウエハＷｘ上に滴下されたレジスト４０にテンプレートＴが押し当てられる。これにより、テンプレートＴのテンプレートパターン内にレジスト４０が充填される。
【００３８】
この後、レジスト４０にＵＶ光が照射されることによって、レジスト４０が硬化する。そして、硬化したレジスト４０からテンプレートＴが離型されることにより、硬化したレジスト４０の凹凸パターンがウエハＷｘ上に形成される。このレジスト４０の凹凸パターンのうち、凹部のパターン上面と底面との間の膜厚（凹部の膜厚）が、ＲＬＴである。
【００３９】
図４は、滴下位置情報の第１の実施形態における生成処理手順を示すフローチャートである。ドロップ配置設定部１４Ａは、パターン情報、ドロップ体積および押印情報に基づいて、ドロップ格子情報と滴下位置情報とを含んだレジスト配置情報を生成する。この場合において、ドロップ配置設定部１４Ａは、少なくとも１つの辺がＸ方向またはＹ方向と平行なドロップ格子を設定する（ステップＳ１０）。ドロップ配置設定部１４Ａは、例えば、Ｘ方向に平行な２つの辺を有した平行四辺形を周期配列用のドロップ格子に設定する。そして、ドロップ配置設定部１４Ａは、各ドロップ格子内の中央部をドロップ位置に設定することによって滴下位置情報を設定する。ドロップ配置設定部１４Ａは、滴下位置情報を残膜厚算出部１６に送る。
【００４０】
残膜厚算出部１６は、滴下位置情報、パターン情報および押印情報に基づいてＲＬＴを算出する（ステップＳ２０）。残膜厚算出部１６は、算出したＲＬＴをドロップ配置設定部１４Ａに送る。ドロップ配置設定部１４Ａは、ユーザによって指定されたＲＬＴと、残膜厚算出部１６によって算出されたＲＬＴとを比較し、差分を算出する（ステップＳ３０）。
【００４１】
ドロップ配置設定部１４Ａは、差分が所定の範囲内であるか否かを判定する（ステップＳ４０）。差分が所定の範囲内でなければ（ステップＳ４０、Ｎｏ）、ドロップ配置設定部１４Ａは、新たなドロップ格子を設定する。このとき、ドロップ配置設定部１４Ａは、任意の方向の辺を有したドロップ格子を設定する（ステップＳ５０）。ドロップ配置設定部１４Ａは、例えば、ドロップ格子の各辺が、グリッドの辺（後述するＸ方向およびＹ方向）と平行にならないよう周期配列用のドロップ格子を設定する。そして、ドロップ配置設定部１４Ａは、各ドロップ格子内の中央部をドロップ位置に設定することによって滴下位置情報を設定する。ドロップ配置設定部１４Ａは、滴下位置情報を残膜厚算出部１６に送る。
【００４２】
この後、ドロップ配置設定部１４Ａおよび残膜厚算出部１６は、ステップＳ２０およびＳ３０の処理を実行するとともに、差分が所定の範囲内であるか否かを判定する（ステップＳ４０）。差分が所定の範囲内でなければ（ステップＳ４０、Ｎｏ）、ドロップ配置設定部１４Ａは、差分が所定の範囲内となるまで、ステップＳ５０，Ｓ２０〜Ｓ４０の処理を繰り返す。
【００４３】
差分が所定の範囲内となれば（ステップＳ４０、Ｙｅｓ）、ドロップ配置設定部１４Ａは、滴下位置情報を出力部１７に送る。出力部１７は、滴下位置情報を制御部２０に送る（ステップＳ６０）。
【００４４】
ここで、テンプレートパターンの形状とレジストの充填速度との関係について説明する。図５は、テンプレートパターンの形状とレジストの充填速度との関係を説明するための図である。テンプレートパターンのうち、ライン＆スペースパターンやメモリセルなどは、微細周期構造を有している場合がある。ここでは、テンプレートパターンがライン＆スペースパターンである場合のレジスト４０の充填速度について説明する。
【００４５】
微細周期構造に対してレジスト４０を充填する場合、微細周期構造の形状に応じた充填速度でレジストが充填される。例えば、レジスト４０の表面張力は、テンプレートパターンの表面積に比例する。このため、ラインパターン４２の長手方向は、短手方向よりも表面積が大きいので、表面張力も大きくなる。一方、ピニング効果により、ラインパターン４２の短手方向へは、レジストが広がりにくい。この結果、ラインパターン４２の長手方向へは、短手方向よりも早い速度でレジスト４０が充填される。
【００４６】
このように、微細周期構造では、表面張力の異方性が原因で、微細周期構造の形状に応じた充填速度でレジスト４０が充填されることとなる。微細周期構造の場合、パターン被覆率が一定となるので、レジスト４０の配置位置は、均一空間分割（Tessellation）の母点となる。このため、充填速度改善の観点からは、微細周期構造の形成されている領域を、所定形状（多角形など）で分割すればよい。具体的には、図６に示すような周期格子（周期配置されたドロップ格子）上にレジストを配置する方法が考えられる。
【００４７】
図６は、周期格子上に配置されたレジストの例を示す図である。液滴下装置２８（インクジェットヘッド８Ａ）が滴下できるレジスト４０の位置で構成されるグリッドは、Ｘ方向の辺とＹ方向の辺とを用いて構成されている。また、試料ステージ２５Ａは、Ｘ方向およびＹ方向に移動可能なよう構成されている。また、インクジェットヘッド８Ａは、Ｘ方向およびＹ方向に移動可能なよう構成されている。また、インクジェットヘッド８Ａには、レジスト４０の吐出口が複数設けられている。この吐出口は、Ｘ方向またはＹ方向に並んでいる。
【００４８】
例えば、吐出口の配置方向がＸ方向である場合、試料ステージ２５Ａの移動方向はＹ方向であり、吐出口の配置方向がＹ方向である場合、試料ステージ２５Ａの移動方向はＸ方向である。ウエハＷｘは、テンプレートパターンの配置方向（例えばラインパターンの長手方向）がＸ方向またはＹ方向に並ぶよう、試料ステージ２５Ａ上に載置される。例えば、テンプレート上には、セルパターンなどが、Ｘ方向およびＹ方向に規則的に配置されている。
【００４９】
各レジストを周期格子上に配置する場合、レジスト４０を滴下する領域は、多角形などで分割される。そして、各格子内に１滴のレジスト４０が配置される。例えば、正方形のドロップ格子４３Ａが、Ｘ方向およびＹ方向に平行に並ぶようレジスト４０が配置されてもよい。また、正方形のドロップ格子４３Ｂが、Ｘ方向のみ平行に並び、Ｙ方向には平行とならないよう、レジスト４０が配置されてもよい。
【００５０】
また、三角形のドロップ格子４３Ｃが、Ｘ方向およびＹ方向に平行に並ぶようレジスト４０が配置されてもよい。また、三角形のドロップ格子４３Ｄが、Ｘ方向のみ平行に並び、Ｙ方向には平行とならないよう、レジスト４０が配置されてもよい。また、六角形のドロップ格子４３Ｅが、Ｙ方向のみ平行に並び、Ｘ方向には平行とならないよう、レジスト４０が配置されてもよい。
【００５１】
ところが、周期格子上にレジスト４０を配置した場合、パターン被覆率やレジスト高さに対する制御性が離散的となり、ＲＬＴ（Residual  Layer  Thickness）を、所望のＲＬＴばらつき内に収めることが困難となる。
【００５２】
図７は、レジストの配置位置とＲＬＴとの関係を示す図である。図７では、ドロップ体積が１．５×１０-15ｍ3（１．５ｐＬ）、インクジェットヘッド８Ａが滴下できるレジスト４０のグリッド間隔が７２０ｄｐｉ（約３５．２７７μｍ）、グリッド間隔がＸＹ方向、テンプレートパターン被覆率が５０％、テンプレートパターンの高さ（溝の深さ）が６０ｎｍである場合のＲＬＴを計算した結果である。
【００５３】
例えば、♯Grid_Xの１〜１５は、Ｘ方向のドロップ格子間隔が、それぞれ、１グリッド間隔〜１５グリッド間隔であることを示している。同様に、♯Grid_Yの１〜１０は、Ｙ方向のドロップ格子間隔が、それぞれ、１グリッド間隔〜１０グリッド間隔であることを示している。したがって、ドロップ格子間隔の最大値は、Ｘ方向に１５×７２０ｄｐｉであり、Ｙ方向に１０×７２０ｄｐｉである。このように、液滴下装置２８は、何れかのグリッドの頂点上にレジスト４０を滴下することによって、所望のドロップ格子内にレジストを配置することができる。
【００５４】
例えば、所望のＲＬＴが、１５ｎｍである場合、Ｘ方向が９×７２０ｄｐｉであり、Ｙ方向が３×７２０ｄｐｉのドロップ格子（９×３グリッドのドロップ格子配置）を設定すればよい。ところが、この９×３のグリッドのドロップ格子をセンター値とした場合、ＲＬＴとして設定できるのは、１０ｎｍや２０ｎｍなどであるので、ドロップ配置によるＲＬＴ制御は、±５ｎｍとなる。すなわち、１５ｎｍのＲＬＴから外れたＲＬＴを狙おうとしても、５ｎｍ単位でしかＲＬＴを制御できない。このため、ターゲットＲＬＴの３０％以上の値でしかＲＬＴを制御することができない。この結果、レジスト配置をＲＬＴの制御ノブにすることは困難であった。そこで、本実施形態では、ドロップ配置設定部１４Ａが、ドロップ格子の格子ベクトルを、Ｘ方向およびＹ方向の何れとも異なる方向に設定する。
【００５５】
ここで、ドロップ格子の格子ベクトルとドロップ格子の格子面積との関係について説明する。図８は、格子ベクトルと格子面積との関係を説明するための図である。図８では、ドロップ格子の辺（格子ベクトル）を、ＸＹ方向から、斜め方向まで許容した場合の格子形状を示している。図８の（ａ）では、長方形のドロップ格子を示し、図８の（ｂ）では、Ｘ方向に平行な辺を有する平行四辺形のドロップ格子を示し、図８の（ｃ）では、Ｘ方向およびＹ方向に平行な辺を有しない平行四辺形のドロップ格子である。
【００５６】
図８の（ａ）では、ドロップ格子の一方の格子ベクトルをＸ方向と同じ方向の格子ベクトルＡ１とし、他方の格子ベクトルをＹ方向と同じ方向の格子ベクトルＢ１とし、且つ格子ベクトルＡ１，Ｂ１が角度θ１（θ１＝９０度）で交わる場合のドロップ格子Ｇ１を示している。
【００５７】
図８の（ｂ）では、ドロップ格子の一方の格子ベクトルをＸ方向と同じ方向の格子ベクトルＡ１とし、他方の格子ベクトルをＹ方向とは異なる方向の格子ベクトルＢ２とし、且つ格子ベクトルＡ１，Ｂ２が角度θ２（θ２＝９０度以外）で交わる場合のドロップ格子Ｇ２を示している。
【００５８】
格子ベクトルＢ２は、格子ベクトルＢ１の先端点を、格子ベクトルＡ１と同じ方向（Ｘ方向）にｎ１（ｎ１は自然数）グリッド分だけ移動させたものである。換言すると、格子ベクトルＢ２の先端点と、格子ベクトルＢ１の先端点とを結ぶ線は、Ｘ方向を向いている。このような、ドロップ格子Ｇ２は、ドロップ格子Ｇ１と同じ格子面積を有している。
【００５９】
図８の（ｃ）では、ドロップ格子の一方の格子ベクトルをＸ方向とは異なる方向の格子ベクトルＡ３とし、他方の格子ベクトルをＹ方向とは異なる方向の格子ベクトルＢ３とした場合のドロップ格子Ｇ３を示している。
【００６０】
格子ベクトルＢ３は、格子ベクトルＢ１の先端点を、格子ベクトルＡ１と同じ方向にｎ２（ｎ２は自然数）グリッド分だけ移動させたものである。換言すると、格子ベクトルＢ３の先端点と、格子ベクトルＢ１の先端点とを結ぶ線は、Ｘ方向（格子ベクトルＡ１）と同じ方向を向いている。
【００６１】
また、格子ベクトルＡ３は、格子ベクトルＡ１の先端点を、格子ベクトルＢ１と同じ方向（Ｙ方向）にｎ３（ｎ３は自然数）グリッド分だけ移動させたものである。換言すると、格子ベクトルＡ３の先端点と、格子ベクトルＡ１の先端点とを結ぶ線は、Ｙ方向を向いている。
【００６２】
このような、平行四辺形のドロップ格子Ｇ３は、ドロップ格子Ｇ１，Ｇ２とは、異なる格子面積を有している。このように、ドロップ格子Ｇ３の格子ベクトルＡ３，Ｂ３に、ＸＹ方向とは異なる方向のベクトル（辺）を採用することで、ＸＹ方向に格子ベクトルを配置する場合に比べて、細かな面積調整をすることが可能となる。また、ＸＹ方向とは異なる方向のベクトルを採用することで、高速にレジスト４０を充填することができるので、インプリント時間を短縮することが可能となる。
【００６３】
なお、ドロップ配置設定部１４Ａは、格子ベクトルＡ３，Ａ１のなす角度と、格子ベクトルＢ３，Ｂ１のなす角度とのうち、小さい角度に対応する格子ベクトル（（ｃ）では格子ベクトルＡ３）の第１の格子長が、大きい角度に対応する第２の格子長（（ｃ）では格子ベクトルＢ３）よりも長くなるよう、格子ベクトルＡ３，Ｂ３を設定してもよい。
【００６４】
図９は、レジストを滴下可能なグリッドと格子ベクトルとの関係を示す図である。レジスト４０を滴下可能なグリッドｇ１は、所定の周期でＸ方向およびＹ方向に並んでいる。前述したドロップ格子Ｇ１の格子ベクトルＡ１，Ｂ１およびドロップ格子Ｇ３の格子ベクトルＡ３，Ｂ３は、それぞれ何れかのグリッドｇ１上に始点と終点とが設定されている。
【００６５】
格子ベクトルＡ１は、Ｘ方向のベクトルであり、格子ベクトルＢ１は、Ｙ方向のベクトルである。格子ベクトルＡ３の始点は、格子ベクトルＡ１と同じであり、格子ベクトルＡ３の終点は、格子ベクトルＡ１と同じＸ座標であって異なるＹ座標である。また、格子ベクトルＢ３の始点は、格子ベクトルＢ１と同じであり、格子ベクトルＢ３の終点は、格子ベクトルＢ１と同じＹ座標であって異なるＸ座標である。換言すると、格子ベクトルＡ３は、格子ベクトルＡ１とＸ成分が同じでＹ成分が異なる。また、格子ベクトルＢ３は、格子ベクトルＢ１とＹ成分が同じでＸ成分が異なる。
【００６６】
本実施形態のドロップ配置設定部１４Ａは、例えば、ドロップ格子Ｇ１〜Ｇ３などのドロップ格子を設定するとともに、設定した各ドロップ格子内の中央位置などにレジスト４０の滴下位置を設定する。
【００６７】
図１０は、第１の実施形態に係るレジスト配置装置が設定したドロップ配置位置と広がり方の一例を示す図である。図１０では、斜方配置したドロップ格子の一例とともに、斜方配置したレジスト４０が広がる様子を模式的に示している。図１０に示すように、グリッドを構成するベクトルがＸ方向およびＹ方向である場合に、Ｘ方向とは異なる第１の軸（格子ベクトルＡ３）と、Ｙ方向とは異なる第２の軸（格子ベクトルＢ３）とを用いてドロップ格子Ｇ３が設定される。
【００６８】
そして、各ドロップ格子Ｇ３内の中央にレジスト４０の滴下位置が設定される。この滴下位置にレジスト４０が配置された場合、レジスト４０は、インプリント時に領域４１内を充填させるよう広がっていく。この後、レジスト４０がさらに広がっていくことにより、全てのテンプレートパターン内にレジストが充填されることとなる。このように、レジスト４０は、斜方配置したドロップ格子内に滴下された場合も、長方形のドロップ格子内に滴下された場合と同様にテンプレートパターン内に広がる。
【００６９】
図１１は、設定された格子ベクトルに対するＲＬＴの計算結果を示す図である。図１１に示すＲＬＴを計算した際に用いたインプリント条件は、図７のＲＬＴを計算した際のインプリント条件と同じ設定としている。図１１では、格子ベクトルをＡ０（ａｘ，ａｙ）、Ｂ０（ｂｘ，ｂｙ）で表現している。ａｘは、格子ベクトルＡ０のＸ成分であり、ａｙは、格子ベクトルＡ０のＹ成分である。また、ｂｘは、格子ベクトルＢ０のＸ成分であり、ｂｙは、格子ベクトルＡ０のＹ成分である。ここでの格子ベクトルＡ０が、格子ベクトルＡ１〜Ａ３に対応し、格子ベクトルＢ０が、格子ベクトルＢ１〜Ｂ３に対応している。
【００７０】
例えば、Ａ０（ａｘ，ａｙ）＝（９，１）で且つＢ０（ｂｘ，ｂｙ）＝（０，３）である場合のＲＬＴは、１４．６である。そして、Ａ０（ａｘ，ａｙ）＝（９，１）で且つＢ０（ｂｘ，ｂｙ）＝（−１，３）である場合のＲＬＴは、１３．０である。このように、ドロップ格子を構成する２つの格子ベクトルを、２つともＸＹ方向から斜め方向にずらすことにより、５ｎｍ単位でしか制御できなかったＲＬＴを、例えば、１．６ｎｍレベルまで制御することが可能になる。
【００７１】
所望のＲＬＴが、１５ｎｍである場合、ドロップ配置設定部１４Ａは、Ａ０＝（９，０）で且つＢ０＝（０，３）、Ａ０＝（９，０）で且つＢ０＝（１，３）、Ａ０＝（９，１）で且つＢ０＝（０，３）の何れかをドロップ格子に設定する。
【００７２】
また、所望のＲＬＴが、１０ｎｍである場合、ドロップ配置設定部１４Ａは、Ａ０＝（１０，０）で且つＢ０＝（０，３）、Ａ０＝（１０，０）で且つＢ０＝（１，３）、Ａ０＝（１０，１）で且つＢ０＝（０，３）の何れかをドロップ格子に設定する。
【００７３】
なお、本実施の形態では、レジスト４０を滴下できるグリッドがＸＹ方向に並ぶ場合について説明したが、グリッドの辺をＸＹ方向とは異なる方向としてもよい。例えば、インクジェットヘッド８Ａに設けられている吐出口の配置方向および試料ステージ２５Ａの移動方向を、ともにＸＹ方向とは異なる方向にすることによって、グリッドの両辺をＸＹ方向とは異なる方向にすることができる。
【００７４】
図１２は、グリッドの両辺をＸＹ方向とは異なる方向とすることができるインプリント装置の構成を説明するための図である。インプリント装置１０２は、試料ステージ２５Ａの代わりに試料ステージ２５Ｂを備えている。また、インプリント装置１０２は、インクジェットヘッド８Ａの代わりにインクジェットヘッド８Ｂを備えている。
【００７５】
インプリント装置１０２では、試料ステージ２５Ｂの移動方向４５が、例えば、Ｘ方向およびＹ方向から所定の角度だけずれた方向となっている。また、インクジェットヘッド８Ｂには、レジスト４０の吐出口が複数設けられている。この吐出口は、Ｙ方向およびＸ方向から所定の角度だけずれた方向（配置方向４６）に並んでいる。インクジェットヘッド８Ｂは、ＸＹ平面内で配置方向４６に平行な方向および垂直な方向に移動可能なよう構成されている。
【００７６】
このように、インプリント装置１０２では、インクジェットヘッド８Ｂの吐出口の配置方向４６および試料ステージ２５Ｂの移動方向４５がともに、Ｘ方向およびＹ方向とは異なる方向となっている。
【００７７】
試料ステージ２５Ｂは、移動方向４５がＸＹ平面内の任意の方向に変更可能なよう構成されている。また、インクジェットヘッド８Ｂは、配置方向４６がＸＹ平面内の任意の方向に変更可能なよう構成されている。インクジェットヘッド８Ｂは、配置方向４６が変更されることによって、移動方向も変更される。
【００７８】
インプリント装置１０２は、試料ステージ２５Ｂの移動方向４５およびインクジェットヘッド８Ｂの配置方向４６を種々の方向に変更することによって、種々の形状を有したドロップ格子を設定する。インプリント装置１０２は、移動方向４５および配置方向４６を種々の方向に変更することによって、例えば、ＸＹ方向とは異なる方向の格子ベクトルで構成されるドロップ格子（ドロップ格子Ｇ３など）を設定する。これにより、レジスト配置装置１０Ａは、種々の面積を有したドロップ格子を設定することが可能になるので、所望のＲＬＴに近いＲＬＴを容易に設定することが可能となる。
【００７９】
レジスト配置装置１０Ａによるレジスト配置位置の設定は、例えばウエハプロセスのレイヤ毎、テンプレートパターンの種類毎に行われる。そして、レジスト配置位置の設定された塗布レシピを用いて半導体装置デバイス（半導体集積回路）が製造される。具体的には、レジスト配置位置の設定された塗布レシピを用いてウエハＷｘへのインプリント処理が実行される。ウエハＷｘ上にレジストパターンが形成された後、レジストパターン上からエッチング処理が行われる。これにより、レジストパターンに対応する実パターンがウエハＷｘ上に形成される。半導体デバイスを製造する際には、上述したレジスト配置設定、インプリント処理、エッチング処理などがレイヤ毎に繰り返される。
【００８０】
このように第１の実施形態によれば、周期配置されるドロップ格子の辺を、液滴下装置２８が設定可能なグリッドとは異なる方向の辺の組合せとすることで、ＲＬＴの制御性が向上する。したがって、所望のＲＬＴを有したレジスト配置を行うことが可能となり、この結果、インプリントによって形状精度の高い転写パターンを形成することが可能となる。
【００８１】
（第２の実施形態）
つぎに、図１３〜図１７を用いて第２の実施形態について説明する。第２の実施形態では、インプリントパターン領域を複数の分割領域に分割し、例えば、分割領域の境界にレジストを仮配置したうえで、レジスト配置位置を設定する。
【００８２】
図１３は、第２の実施形態に係るレジスト配置装置の構成を示す図である。図１３の各構成要素のうち図２に示す第１の実施形態のレジスト配置装置１０Ａと同一機能を達成する構成要素については同一符号を付しており、重複する説明は省略する。本実施形態のレジスト配置装置１０Ｂは、インプリント装置１０１と同様の装置に配置される。
【００８３】
レジスト配置装置１０Ｂは、パターン情報入力部１１と、ドロップ体積情報入力部１２と、押印情報入力部１３と、ドロップ配置設定部１４Ｂと、出力部１７とを有している。ドロップ配置設定部１４Ｂは、インプリントパターン領域を複数の分割領域に分割し、分割領域毎にレジスト配置位置を設定する。
【００８４】
ドロップ配置設定部１４Ｂは、第１の分割領域へのレジスト配置位置を設定する。ドロップ配置設定部１４Ｂは、第１の分割領域に配置されたレジストのうち、第１の分割領域と第２の分割領域との境界位置に接するドロップ格子内に配置されたレジストが第２の分割領域に染み出してくるレジスト体積を算出する。ドロップ配置設定部１４Ｂは、算出したレジスト体積を有するレジストが、前記境界位置に配置されたものとして、第２の分割領域にレジスト配置位置を設定する。
【００８５】
図１４は、滴下位置情報の第２の実施形態における生成処理手順を示すフローチャートである。ドロップ配置設定部１４Ｂは、インプリントパターン領域を複数の分割領域に分割する（ステップＳ１１０）。
【００８６】
図１５は、インプリントパターン領域の分割処理を説明するための図である。インプリントパターン領域には、種々の周期構造やパターン被覆率を有した領域が含まれている。例えば、インプリントパターン領域には、半導体回路のメモリセル領域５１、周辺パターン領域５２などが含まれている。
【００８７】
メモリセル領域５１と、周辺パターン領域５２とでは周期構造やパターン被覆率が異なる。このため、ドロップ配置設定部１４Ｂは、例えば、各ドロップ配置位置を母点とするボロノイ領域を形成し、ボロノイ領域毎のレジスト必要量とドロップ体積との差分が所定の範囲内（例えば差分＝０）に収まるようレジスト配置位置を最適化する。この場合において、メモリセル領域５１と、周辺パターン領域５２との境界で不整合が起きる場合がある。そこで、本実施形態では、ドロップ配置設定部１４Ｂが、分割領域の境界にレジストを仮配置した状態で、周辺パターン領域５２にレジスト配置位置を設定する。
【００８８】
ドロップ配置設定部１４Ｂは、周期構造による異方レジストスプレッド性を示す領域（第１の分割領域）に対してレジスト配置位置を設定した後、周期構造による異方レジストスプレッド性を示さない領域（第２の分割領域）に対してレジスト配置位置を設定する。以下の説明では、メモリセル領域５１および周辺パターン領域５２にレジスト配置位置を設定する場合について説明する。したがって、以下の処理では、メモリセル領域５１が第１の分割領域であり、周辺パターン領域５２が第２の分割領域である。
【００８９】
ドロップ配置設定部１４Ｂは、インプリントパターン領域をメモリセル領域５１と、周辺パターン領域５２とに分割した後、メモリセル領域５１に対してレジスト配置位置を設定する（ステップＳ１２０）。
【００９０】
ドロップ配置設定部１４Ｂは、何れの方法によってメモリセル領域５１にレジスト配置位置を設定してもよい。ドロップ配置設定部１４Ｂは、異方スプレッド性を示す領域であるメモリセル領域５１に対しては、スプレッド形状を模擬した図形（凹部を有しない形状）を用いて第１の分割領域を被覆する。スプレッド形状を模擬した図形は、例えば、ドロップ格子である。したがって、ドロップ配置設定部１４Ｂは、例えば、ドロップ格子を用いてメモリセル領域５１を被覆するとともに、各ドロップ格子内にレジストを配置する。ドロップ配置設定部１４Ｂは、例えば、第１の実施形態で説明した方法を用いてメモリセル領域５１にレジスト配置位置を設定する。
【００９１】
図１６は、分割領域毎のレジスト配置位置の設定処理を説明するための図である。ドロップ配置設定部１４Ｂは、メモリセル領域５１に対してレジスト６１の配置位置を設定した後、メモリセル領域５１と周辺パターン領域５２との境界５５にレジスト６２を仮配置する（ステップＳ１３０）。
【００９２】
境界５５には、メモリセル領域５１からレジスト６１がはみ出してくる箇所がある。ドロップ配置設定部１４Ｂは、メモリセル領域５１からレジスト６１がはみ出してくるドロップ格子の領域（はみ出し領域７１，７２）と、はみ出してくるレジストの体積とを算出する。はみ出してくるレジストの体積（はみ出し体積）は、はみ出し領域７１，７２の面積に応じた量となっている。ドロップ配置設定部１４Ｂは、境界５５を跨ぐドロップ格子とメモリセル領域５１との重複領域を算出し、この重複領域に必要なレジストの体積と、１滴分のレジスト６１の体積との差分に基づいて、はみ出してくるレジストの体積を算出する。
【００９３】
ドロップ配置設定部１４Ｂは、仮配置するレジスト６２の体積をはみ出し体積と同じ体積とする。ドロップ配置設定部１４Ｂは、例えば、はみ出し領域７１と境界５５との重複領域（境界線上）の何れかの位置（例えば、中央部）に、はみ出し領域７１へのはみ出し体積を有したレジスト（仮想ドロップ）６２を配置する。同様に、ドロップ配置設定部１４Ｂは、はみ出し領域７２と境界５５との重複領域（境界線上）の何れかの位置に、はみ出し領域７２へのはみ出し体積を有したレジスト６２を配置する。このとき、ドロップ配置設定部１４Ｂは、はみ出し領域７１，７２に対して、レジスト６２を固定的、あるいは移動可能なように配置する。
【００９４】
この後、ドロップ配置設定部１４Ｂは、周辺パターン領域５２に対してレジスト配置位置を設定する（ステップＳ１４０）。このとき、ドロップ配置設定部１４Ｂは、レジスト６２が周辺パターン領域５２側に広がるとともに、メモリセル領域５１側へは広がらないと仮定して、周辺パターン領域５２にレジスト６３を配置する。この場合において、ドロップ配置設定部１４Ｂは、何れの方法を用いて周辺パターン領域５２にレジスト６３を配置してもよい。
【００９５】
ドロップ配置設定部１４Ｂは、例えば、周辺パターン領域５２に対してレジスト６３を仮配置する。そして、ドロップ配置設定部１４Ｂは、周辺パターン領域５２に対してレジスト６３の各ドロップ配置位置を母点とするボロノイ領域を形成し、ボロノイ領域毎のレジスト必要量とドロップ体積との差分が所定の範囲内に収まるようにレジスト６３を移動させる。ドロップ配置設定部１４Ｂは、周辺パターン領域５２にレジスト６３を配置した後、仮配置したレジスト６２をインプリントパターン領域上から削除する（ステップＳ１５０）。これにより、ドロップ配置設定部１４Ｂは、レジスト６２の仮配置を取り消すので、インプリントパターン領域には、レジスト６１，６３が残される。
【００９６】
このように、ドロップ配置設定部１４Ｂは、メモリセル等のＲＬＴ精度や充填速度向上を求められる第１の分割領域にレジスト配置位置を設定している。これにより、ドロップ配置設定部１４Ｂは、境界５５からはみ出るレジスト量（はみ出し体積）とその位置（はみ出し領域７１，７２）を正確に求めることができる。したがって、ドロップ配置設定部１４Ｂは、はみ出し体積およびはみ出し領域７１，７２に基づいて、第２の分割領域に対して適切なドロップ配置位置を設定することが可能となる。
【００９７】
なお、ドロップ配置設定部１４Ｂは、境界５５上以外の位置にレジスト６２を配置してもよい。ドロップ配置設定部１４Ｂは、例えば、境界５５を跨いでいるドロップ格子内の何れかの位置にレジスト６２を配置する。この場合において、レジスト６２の配置位置は、メモリセル領域５１内であってもよいし、周辺パターン領域５２（はみ出し領域７１，７２）内であってもよい。
【００９８】
つぎに、レジスト配置装置１０Ａ，１０Ｂのハードウェア構成について説明する。なお、レジスト配置装置１０Ａ，１０Ｂは、それぞれ同様のハードウェア構成を有しているので、ここではレジスト配置装置１０Ｂのハードウェア構成について説明する。
【００９９】
図１７は、レジスト配置装置のハードウェア構成を示す図である。レジスト配置装置１０Ｂは、ＣＰＵ（Central  Processing  Unit）９１、ＲＯＭ（Read  Only  Memory）９２、ＲＡＭ（Random  Access  Memory）９３、表示部９４、入力部９５を有している。レジスト配置装置１０Ｂでは、これらのＣＰＵ９１、ＲＯＭ９２、ＲＡＭ９３、表示部９４、入力部９５がバスラインを介して接続されている。
【０１００】
ＣＰＵ９１は、コンピュータプログラムであるレジスト配置プログラム９７を用いてパターンの判定を行う。レジスト配置プログラム９７は、コンピュータで実行可能な、レジスト配置位置を算出するための複数の命令を含むコンピュータ読取り可能かつ非遷移的な記録媒体（nontransitory  computer  readable  medium）を有するコンピュータプログラムプロダクトである。レジスト配置プログラム９７では、前記複数の命令がレジスト配置位置を算出することをコンピュータに実行させる。
【０１０１】
表示部９４は、液晶モニタなどの表示装置であり、ＣＰＵ９１からの指示に基づいて、パターン情報、ドロップ体積、押印情報、レジスト配置情報（ドロップ格子情報、滴下位置情報）などを表示する。入力部９５は、マウスやキーボードを備えて構成され、使用者から外部入力される指示情報（レジスト配置に必要なパラメータ等）を入力する。入力部９５へ入力された指示情報は、ＣＰＵ９１へ送られる。
【０１０２】
レジスト配置プログラム９７は、ＲＯＭ９２内に格納されており、バスラインを介してＲＡＭ９３へロードされる。図１７では、レジスト配置プログラム９７がＲＡＭ９３へロードされた状態を示している。
【０１０３】
ＣＰＵ９１はＲＡＭ９３内にロードされたレジスト配置プログラム９７を実行する。具体的には、レジスト配置装置１０Ｂでは、使用者による入力部９５からの指示入力に従って、ＣＰＵ９１がＲＯＭ９２内からレジスト配置プログラム９７を読み出してＲＡＭ９３内のプログラム格納領域に展開して各種処理を実行する。ＣＰＵ９１は、この各種処理に際して生じる各種データをＲＡＭ９３内に形成されるデータ格納領域に一時的に記憶させておく。
【０１０４】
レジスト配置装置１０Ｂで実行されるレジスト配置プログラム９７は、ドロップ配置設定部１４Ｂを含むモジュール構成となっており、これらが主記憶装置上にロードされ、これらが主記憶装置上に生成される。なお、第１の実施形態で説明したレジスト配置装置１０Ａで実行されるレジスト配置プログラム９７は、残膜厚算出部１６とドロップ配置設定部１４Ａとを含むモジュール構成となっている。
【０１０５】
このように第２の実施形態によれば、インプリントパターン領域を複数の分割領域に分割し、分割領域の境界にレジストを仮配置したうえで、レジスト配置位置を設定するので、分割領域の境界に対しても適切なレジスト配置を行うことが可能となる。したがって、インプリントによって形状精度の高い転写パターンを形成することが可能となる。
【０１０６】
このように第１および第２の実施形態によれば、インプリントによって形状精度の高い転写パターンを形成することが可能となる。
【０１０７】
本発明のいくつかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これら新規な実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これら実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれるとともに、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる。
【符号の説明】
【０１０８】
８Ａ，８Ｂ…インクジェットヘッド、１０Ａ，１０Ｂ…レジスト配置装置、１４Ａ，１４Ｂ…ドロップ配置設定部、１６…残膜厚算出部、２０…制御部、２５Ａ，２５Ｂ…試料ステージ、２８…液滴下装置、４０，６１〜６３…レジスト、５１…メモリセル領域、５２…周辺パターン領域、５５…境界、９７…レジスト配置プログラム、１０１，１０２…インプリント装置、ｇ１…グリッド、Ａ１，Ａ３，Ｂ１〜Ｂ３…格子ベクトル、Ｇ１〜Ｇ３…ドロップ格子、Ｔ…テンプレート、Ｗｘ…ウエハ。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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