(57)【要約】      （修正有）【課題】所望のインダクタンス特性（インダクタンス値、Ｑ値）を得ることができるインダクタ部品を内蔵するプリント配線板を提供する。【解決手段】インダクタ部品１０は、インダクタが、プリント配線板４１０のコア基板４３０の平面に対して平行方向の軸線上にループするヘリカル状であり、プリント配線板の厚み方向では無く、横方向にループするため、プリント配線板の厚みを厚くすることなくターン数を増やすことができ、所望のインダクタンス特性（インダクタンス値、Ｑ値）を得ることができる。【選択図】図６
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１面と該第１面と反対側の第２面とを備えるコア基板と、前記コア基板の第１面側に形成された第１ビルドアップ層と、前記コア基板の第２面側に形成された第２ビルドアップ層とを備え、前記第２面側にインダクタ部品を備えるプリント配線板であって、
前記インダクタ部品が、主面と該主面の反対側の副面とを備え、貫通孔を有するコア基材と、該コア基材の主面上に形成されている第１導体パターンと、該コア基材の副面上に形成されている第２導体パターンと、前記貫通孔の内部に設けられ、前記第１導体パターンと前記第２導体パターンとを接続するスルーホール導体とを有し、
前記第１導体パターンと前記第２導体パターンと前記スルーホール導体とからなるインダクタを含み、
前記コア基材において、少なくとも前記インダクタの内側には磁性材料からなる磁性体が設けられている。
【請求項２】
請求項１のプリント配線板であって、
前記インダクタは、コア基板の表裏面に対して平行方向の軸線上に沿って、ヘリカル状で形成されている。
【請求項３】
請求項１のプリント配線板であって、
前記インダクタ部品は、前記第２ビルドアップ層を貫通するキャビティに収容されている。
【請求項４】
請求項１のプリント配線板であって、
前記インダクタ部品は、前記コア基板に形成されたキャビティ及び前記第２ビルドアップ層を貫通するキャビティに収容されている。
【請求項５】
請求項１のプリント配線板であって、
前記インダクタ部品は、前記第２ビルドアップ層内に形成されたキャビティに収容されている。
【請求項６】
請求項１のプリント配線板であって、
前記磁性体は、磁性金属と有機材料からなる材料である。
【請求項７】
請求項１のプリント配線板であって、
前記コア基板にキャパシタが内蔵されている。
【請求項８】
請求項１のプリント配線板であって、
前記磁性材料の透磁率は２〜２０で、磁気飽和が０．１Ｔ〜２Ｔである。
【請求項９】
請求項１のプリント配線板であって、
前記コア基材は、主面と該主面の反対側の副面とを備え、該コア基材に形成された貫通孔に充填される磁性材料からなる磁性体層と、該コア基材の主面上及び副面上及び磁性体層上に設けられている樹脂絶縁層と、を有する。
【請求項１０】
請求項１のプリント配線板であって、
前記コア基材の厚みは０．１mm〜０．５mmである。
【請求項１１】
請求項１のプリント配線板であって、
前記コア基材の主面上及び第１導体パターン上には、層間樹脂絶縁層とその上の導体層とを備えるビルドアップ層が設けられ、
前記第１導体パターンの厚みは前記導体層の厚みよりも厚い。
【請求項１２】
請求項１のプリント配線板であって、
前記スルーホール導体は、前記貫通孔の内部に充填されているめっきから形成されている。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、インダクタ部品を備えるプリント配線板に関する。
【背景技術】
【０００２】
特許文献１は、インダクタの抵抗を小さくするため、厚い金属板（例えば１００〜３００μｍ）からプレス加工でインダクタ部品を製造している。そのインダクタ部品は特許文献１の図２に示されている。そのインダクタ部品が基板上に接着される。その後、特許文献１の図８に示されているように、特許文献１は基板とインダクタ部品上にビルドアップ層を形成している。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００８−２７０５３２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
特許文献１のインダクタ部品は金属板から形成されているので、特許文献１の技術でスパイラル状のインダクタが積層されると、異なる層のインダクタを接続することは困難であると考えられる。また、特許文献１は特許文献１の第８段落の記載よりインダクタをめっきで形成することを否定していると考えられる。そのため、インダクタ部品上にめっきでインダクタは積層されないと考えられる。これらの観点から、特許文献１からインダクタを積層することは困難と考えられる。特許文献１の方法でインダクタンスの値を高くすることは難しいと考えられる。
【０００５】
本発明の目的は、所望のインダクタンス特性（インダクタンス値、Ｑ値）を得ることができるインダクタ部品を内蔵するプリント配線板を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本願発明は、第１面と該第１面と反対側の第２面とを備えるコア基板と、前記コア基板の第１面側に形成された上側のビルドアップ層と、前記コア基板の第２面側に形成された下側のビルドアップ層とを備え、前記第２面側にインダクタ部品を備えるプリント配線板であって、前記インダクタ部品が、主面と該主面の反対側の副面とを備え、貫通孔を有するコア基材と、該コア基材の主面上に形成されている第１導体パターンと、該コア基材の副面上に形成されている第２導体パターンと、前記貫通孔の内部に設けられ、前記第１導体パターンと前記第２導体パターンとを接続するスルーホール導体とを有し、前記第１導体パターンと前記第２導体パターンと前記スルーホール導体とからなり、前記コア基板の表裏面に対して平行方向の軸線上に沿って、ヘリカル状で形成されたインダクタを含み、前記コア基材において、少なくとも前記インダクタの内側には磁性材料からなる磁性体が設けられている。
【発明の効果】
【０００７】
本願発明では、インダクタが、コア基板の平面に対して平行方向の軸線上に沿って、形成されるヘリカル状であり、プリント配線板の厚み方向では無く、横方向にループするため、プリント配線板の厚みを厚くすることなくターン数を増やすことができ、所望のインダクタンス特性（インダクタンス値、Ｑ値）を得ることができる。また、プリント配線板の第２面側にインダクタ部品を配置するため、第１面に搭載される半導体の直下にインダクタ部品を置くことができ、半導体とインダクタ部品との配線長を短縮でき、半導体への電力伝達を高速化、高効率化できる。
【図面の簡単な説明】
【０００８】
【図１】本発明の第１実施形態に係るインダクタ部品を示す断面図。
【図２】図２（Ａ）、図２（Ｃ）は第１実施形態のインダクタ構造体の平面図、図２（Ｂ）は側面図。
【図３】第１実施形態に係るインダクタ部品の製造方法を示す工程図。
【図４】第１実施形態に係るインダクタ部品の製造方法を示す工程図。
【図５】第１実施形態に係るインダクタ部品の製造方法を示す工程図。
【図６】第１実施形態に係るインダクタ部品を内蔵するプリント配線板の断面図。
【図７】第１実施形態の第１改変例に係るインダクタ部品を内蔵するプリント配線板の断面図。
【図８】第１実施形態の第２改変例に係るインダクタ部品を内蔵するプリント配線板の断面図。
【図９】第１実施形態の第３改変例に係るインダクタ部品を示す断面図。
【発明を実施するための形態】
【０００９】
[第１実施形態]
図１は、第１実施形態に係るインダクタ部品の断面図である。
インダクタ部品１０は、磁性体材料を含む磁性体２４を開口２２内に備えるコア基材２０と、コア基材の第１面Ｆ側に形成された第１樹脂絶縁層５０Ｆと、コア基材の第２面Ｓ側に形成された第２樹脂絶縁層５０Ｓと、第１樹脂絶縁層５０Ｆ上に形成された第１導体パターン５８Ｆと、第２樹脂絶縁層５０Ｓ上に形成された第２導体パターン５８Ｓと、該第１導体パターン５８Ｆ、第２導体パターン５８Ｓを接続するスルーホール導体３６とを備える。コア基材の厚みは０．１mm〜０．５mmが好ましい。
【００１０】
図２（Ａ）は、該インダクタ部品１０の平面図であり、図２（Ｂ）は側面図である。第１面側の第１導体パターン５８Ｆは、スルーホール導体３６の直上に形成されるスルーホールランド５８ＦＲと、スルーホールランド５８ＦＲとスルーホールランド５８ＦＲとを接続する接続パターン５８ＦＬとから成る。第２面側の第２導体パターン５８Ｓは、スルーホール導体３６の直下に形成されるスルーホールランド５８ＳＲと、スルーホールランド５８ＳＲとスルーホールランド５８ＳＲとを接続する接続パターン５８ＳＬとから成る。第１導体パターン５８Ｆ、第２導体パターン５８Ｓは、スルーホール導体３６を介してヘリカル状（螺旋状）に配置され、該第１導体パターン５８Ｆ、第２導体パターン５８Ｓ、スルーホール導体３６によりインダクタ５９が形成される。
【００１１】
図１は、図２（Ａ）中のＸ１−Ｘ１断面に対応する。図中に示すようにインダクタ部品１０では、コア基材２０の第１面Ｆ上に樹脂絶縁層５０Ｆが形成され、該樹脂絶縁層５０Ｆ上に第１導体パターン５８Ｆが形成されている。コア基材２０の第２面Ｓ側に樹脂絶縁層５０Ｓが形成され、該樹脂絶縁層５０Ｓ上に第２導体パターン５８Ｓが形成されている。第１導体パターン５８Ｆと第２導体パターン５８Ｓとを接続するスルーホール導体３６は、コア基材２０に形成された貫通孔２６内に形成されている。スルーホール導体３６内には、充填樹脂４６が充填されている。又は、スルーホール導体３６は、充填樹脂がなく、フィルドめっきによる充填形成でも良い。
【００１２】
第１実施形態のインダクタ部品は、コア基材２０の表裏の第１導体パターン５８Ｆ、第２導体パターン５８Ｓとは、コア基材のスルーホール導体３６を介してヘリカル状（螺旋状）に配置され、インダクタを形成する。螺旋状に配置される第１導体パターン５８Ｆ、第２導体パターン５８Ｓに囲まれた空間には磁束が集中し、この磁束の集中する箇所に磁性体材料（磁性体）２４が存在し、磁束の密度が高まり所望のインダクタンス特性（インダクタンス値、Ｑ値）を得ることができる。
【００１３】
第１実施形態のインダクタ部品は、コア基材２０上の樹脂絶縁層５０Ｆ、５０Ｓ上に導体パターン５８Ｆ、５８Ｓが設けられる。この場合、導体パターンが樹脂絶縁層上に設けられることとなる。よって、導体パターンと磁性体とが接する場合と比較して、導体パターンの密着性が確保されやすくなる。
【００１４】
第１実施形態のインダクタ部品は、磁性体２４とスルーホール導体３６とは、コア基材に形成された開口、貫通孔に形成される。これにより、磁性体２４とスルーホール導体３６との接触が避けられる。その結果、スルーホール導体の密着性が確保されやすくなる。
【００１５】
図６は、第１実施形態のインダクタ部品を内蔵するプリント配線板４１０の断面図を示す。プリント配線板４１０は、第１面Ｆと第１面Ｆと反対側の第２面Ｓを有する絶縁性基材４３０ｚと絶縁性基材の第１面Ｆ上の第１導体層４３４Ａと絶縁性基材の第２面Ｓ上の第２導体層４３４Ｂと第１導体層４３４Ａと第２導体層４３４Ｂを接続しているスルーホール導体４３６とで形成されているコア基板４３０を有する。コア基板は第１面Ｆと第１面Ｆと反対側の第２面を有する。コア基板の第１面と絶縁性基材の第１面は同じ面であり、コア基板の第２面と絶縁性基材の第２面は同じ面である。
【００１６】
スルーホール導体４３６は、絶縁性基材４３０ｚに形成されている貫通孔４２８内をめっき膜で充填することにより形成される。更に、絶縁性基材４３０ｚには、貫通孔４３２が形成され、該貫通孔内に積層セラミックコンデンサ５１０が収容されている。積層セラミックコンデンサ５１０は電極５１２ｐ、５１２ｅを備える。
【００１７】
プリント配線板４１０は、さらに、コア基板４３０の第１面Ｆ上に上側のビルドアップ層４５０Ｆを有する。上側のビルドアップ層４５０Ｆはコア基板４３０の第１面Ｆ上に形成されている絶縁層（上側の層間樹脂絶縁層）４５０Ａと絶縁層４５０Ａ上の導体層（上側の導体層）４５８Ａと絶縁層４５０Ａを貫通し第１導体層４３４Ａ、スルーホール導体４３６、積層セラミックコンデンサ５１０の電極５１２ｐ、５１２ｅと導体層４５８Ａを接続しているビア導体（上側のビア導体）４６０Ａとを有する。上側のビルドアップ層４５０Ｆはさらに絶縁層４５０Ａと導体層４５８Ａ上の絶縁層（最上の層間樹脂絶縁層）４５０Ｃと絶縁層４５０Ｃ上の導体層（最上の導体層）４５８Ｃと絶縁層４５０Ｃを貫通し導体層４５８Ａやビア導体４６０Ａと導体層４５８Ｃとを接続するビア導体（最上のビア導体）４６０Ｃを有する。
【００１８】
プリント配線板４１０は、さらに、コア基板４３０の第２面Ｓ上に下側のビルドアップ層４５０Ｓを有する。下側のビルドアップ層４５０Ｓはコア基板４３０の第２面Ｓ上に形成されている絶縁層（下側の層間樹脂絶縁層）４５０Ｂと絶縁層４５０Ｂ上の導体層（下側の導体層）４５８Ｂと絶縁層４５０Ｂを貫通し第２導体層４３４Ｂやスルーホール導体４３６と導体層４５８Ｂを接続しているビア導体（下側のビア導体）４６０Ｂとを有する。下側のビルドアップ層４５０Ｓはさらに絶縁層４５０Ｂと導体層４５８Ｂ上の絶縁層（最下の層間樹脂絶縁層）４５０Ｄと絶縁層４５０Ｄ上の導体層（最下の導体層）４５８Ｄと絶縁層４５０Ｄを貫通し導体層４５８Ｂやビア導体４６０Ｂと導体層４５８Ｄとを接続するビア導体（最下のビア導体）４６０Ｄを有する。
【００１９】
プリント配線板４１０の下側のビルドアップ層４５０Ｓはインダクタ部品１０を有する。第１実施形態では、プリント配線板４１０の下側のビルドアップ層は、インダクタ部品１０を収容するためのキャビティ４５２を有する。そして、第１実施形態のプリント配線板４１０は、キャビティ４５２に収容されているインダクタ部品１０を有する。第１実施形態では、キャビティ４５２は下側のビルドアップ層を貫通している。キャビティによりコア基板の第２面とスルーホール導体の下面（下側のスルーホールランド）４３６Ｓが露出している。キャビティ４５２は下側と最下の層間樹脂絶縁層４５０Ｂ、４５０Ｄに形成されている。
【００２０】
インダクタ部品１０の第１導体層１５８Ｆとスルーホール導体４３６のランド（下側のスルーホールランド）４３６Ｓを導電性部材（接合部材）ＣＤＭで電気的に接続することができる。接合部材は例えば半田や導電性ペーストや異方導電性フィルムである。インダクタ部品１０の各インダクタ５９は、コア基板４３０の表裏面に対して平行方向の軸線x２、x３上に沿ってループするようにヘリカル状に配置されている（図２（Ａ）参照）。
【００２１】
キャビティ４５２により露出している下側のビルドアップ層の側壁とインダクタ部品１０との間の隙間は充填樹脂４４９で充填されてもよい。コア基板４３０の第２面やスルーホール導体とインダクタ部品との間の隙間にも充填樹脂４４９が充填されてもよい。充填樹脂４４９は磁性粒子を含んでも良い。インダクタのＱ値やインダクタンスの値が低下し難い。磁性粒子として、酸化鉄（III）やコバルト酸化鉄等が挙げられる。
【００２２】
第１実施形態のプリント配線板は、さらに、上側のビルドアップ層４５０Ｆ上に開口４７１Ｆを有するソルダーレジスト層４７０Ｆと下側のビルドアップ層４５０Ｓ及びインダクタ部品１０上に開口４７１Ｓ、４７１ＳＳを有するソルダーレジスト層４７０Ｓを有する。インダクタ部品１０の第２面側は下側のビルドアップ層上のソルダーレジスト層４７０Ｓで覆われている。従って、インダクタ部品は、第２面側にソルダーレジスト層を有さなくてもよい。
【００２３】
ソルダーレジスト層４７０Ｆ、４７０Ｓの開口４７１Ｆ、４７１Ｓにより露出している導体層４５８Ｃ、４５８Ｄやビア導体４６０Ｃ、４６０Ｄの上面はパッドとして機能する。パッド上に、Ｎｉ／ＡｕやＮｉ／Ｐｄ／Ａｕ、Ｐｄ／Ａｕ、ＯＳＰから成る保護膜４７２が形成されている。その保護膜上に半田バンプ４７６Ｆ、４７６Ｓが形成されている。上側のビルドアップ層４５０Ｆ上に形成されている半田バンプ４７６Ｆを介して図示しないＩＣチップがプリント配線板４１０に搭載される。下側のビルドアップ層４５０Ｓ上に形成されている半田バンプ４７６Ｓを介してプリント配線板４１０はマザーボードに搭載される。
【００２４】
ソルダーレジスト層４７０Ｓはインダクタ部品の第２導体層１５８Ｓを露出する開口４７１ＳＳをさらに有する。第２導体層上に保護膜４７２を形成することができる。第２導体層１５８Ｓ上に半田バンプなどの接続部材４７６ＳＳが形成されている。半田バンプ以外の接続部材として、導電性ペーストや異方性導電ゴムが挙げられる。
【００２５】
第１実施形態では、インダクタ５９が、プリント配線板のコア基板４３０の平面に対して平行方向の軸線上にループするヘリカル状であり、プリント配線板の厚み方向では無く、横方向にループするため、プリント配線板の厚みを厚くすることなくターン数を増やすことができ、所望のインダクタンス特性（インダクタンス値、Ｑ値）を得ることができる。また、プリント配線板の第２面側にインダクタ部品１０を配置するため、第１面に搭載される半導体の直下にインダクタ部品を置くことができ、半導体とインダクタ部品との配線長を短縮でき、半導体への電力伝達を高速化、高効率化できる。
【００２６】
[第１実施形態のインダクタ部品の製造方法]
図３〜図５に第１実施形態のインダクタ部品の製造方法が示される。
厚さ０．１５mmのコア基材２０が用意される。コア基材２０には銅箔２１が積層されている（図３（Ａ））。銅箔がエッチングにより剥離される（図３（Ｂ））。そして、開口２２がルター加工で形成される（図３（Ｃ））。開口２２内に磁性体２４がメタルマスクを用い、真空印刷される（図３（Ｄ））。磁性体は、磁性金属と樹脂等の有機材料からなる複合体である。磁性体の透磁率は２〜２０で、磁気飽和が０．１Ｔ〜２Ｔであることが、所望のインダクタンス特性（インダクタンス値、Ｑ値）を得るため望ましい。コア基板２０の表面がベルトで研磨され、基板表面の凹凸が±１０μｍに平滑化される（図３（Ｅ））。
【００２７】
コア基材２０の第１面Ｆ及び第２面Ｓに４０μｍのプリプレグと１２μｍの銅箔が積層され、第１樹脂絶縁層５０Ｆ、第２樹脂絶縁層５０Ｓが形成され、積層体３０が完成する（図４（Ａ））。レーザ又はドリルで、積層体３０のスルーホール形成部位に貫通孔２６が形成される（図４（Ｂ））。積層体３０の平面図を図２（Ｃ）に示す。図４（Ｂ）は、図２（Ｃ）中のＸ０−Ｘ０断面に対応する。
【００２８】
銅箔４８上、及び、貫通孔２６の内壁に無電解めっき及び電解めっきから成るめっき膜５２が形成される。貫通孔２６の内壁に形成されためっき膜５２がスルーホール導体３６を構成する（図４（Ｃ））。スルーホール導体３６内に樹脂充填剤４６が充填される（図４（Ｄ））。めっき膜５２上、及び、スルーホール導体から露出する樹脂充填剤４６上に、無電解めっき膜５３が形成される（図４（Ｅ））。第１実施形態では、スルーホール導体内に樹脂充填剤を充填したが、スルーホール導体をめっきで充填することも可能である。
【００２９】
無電解めっき膜５３上に電解めっき膜５６が形成され（図５（Ａ））、無電解めっき膜５６上に所定パターンのエッチングレジスト５４が形成され（図５（Ｂ））、エッチングレジスト非形成部分の電解めっき膜５６、無電解めっき膜５３、めっき膜５２、銅箔４８が剥離され、エッチングレジストが除去されて第１導体パターン５８Ｆ、第２導体パターン５８Ｓが形成される（図５（Ｃ））。インダクタ部品が完成する（図１）。第１実施形態のインダクタ部品は、プリント配線板と同様な製造方法で形成できるので、製造が容易である。
【００３０】
[第１実施形態の第１改変例]
第１実施形態の第１改変例に係るプリント配線板を構成するプリント配線板４１０の断面が図７に示される。プリント配線板４１０は、第１面Ｆと第１面Ｆと反対側の第２面Ｓを有する絶縁性基材４３０ｚと絶縁性基材の第１面Ｆ上の第１導体層４３４Ａと絶縁性基材の第２面Ｓ上の第２導体層４３４Ｂと第１導体層４３４Ａと第２導体層４３４Ｂを接続しているスルーホール導体４３６とで形成されているコア基板４３０を有する。コア基板は第１面Ｆと第１面Ｆと反対側の第２面を有する。
【００３１】
第１実施形態の第１改変例に係るプリント配線板４１０のコア基板４３０及び下側のビルドアップ層はインダクタ部品１０を有する。第１実施形態の第１改変例では、プリント配線板４１０の下側のビルドアップ層４５０Ｓは、インダクタ部品１０を収容するためのキャビティ４５２を有し、コア基板４３０は、キャビティ４５２に繋がる第２キャビティ４３８を備える。
【００３２】
コア基板４３０は、第２面に達する第１スルーホール導体４３６αと、第２キャビティ４３８に達する第２スルーホール導体４３６βとを有する。第１スルーホール導体４３６αは、第２面に達する第１貫通孔４２８α内をめっき膜で充填することにより形成される。第２スルーホール導体４３６βは、第２キャビティ４３８に達する第２貫通孔４２８β内をめっき膜で充填することにより形成される。第２キャビティ４３８により第２スルーホール導体４３６βの下面（下側のスルーホールランド）４３６Ｓが露出している。
【００３３】
インダクタ部品１０の第１導体層１５８Ｆと第２スルーホール導体４３６βのランド（下側のスルーホールランド）４３６Ｓを導電性部材（接合部材）ＣＤＭで電気的に接続することができる。接合部材は例えば半田や導電性ペーストや異方導電性フィルムである。
【００３４】
キャビティ４５２、第２キャビティ４３８により露出されている側壁とインダクタ部品１０との間の隙間は充填樹脂４４９で充填されてもよい。第２キャビティ４３８の底面やスルーホール導体のランド４３６Ｓとインダクタ部品との間の隙間にも充填樹脂４４９が充填されてもよい。充填樹脂４４９は磁性粒子を含んでも良い。インダクタのＱ値やインダクタンスの値が低下し難い。磁性粒子として、酸化鉄（III）やコバルト酸化鉄等が挙げられる。
【００３５】
第１実施形態の第１改変例のプリント配線板では、厚みのあるインダクタ部品を収容することができる。
【００３６】
[第１実施形態の第２改変例]
第１実施形態の第２改変例に係るプリント配線板を構成するプリント配線板４１０の断面が図８に示される。プリント配線板４１０は、第１面Ｆと第１面Ｆと反対側の第２面Ｓを有する絶縁性基材４３０ｚと絶縁性基材の第１面Ｆ上の第１導体層４３４Ａと絶縁性基材の第２面Ｓ上の第２導体層４３４Ｂと第１導体層４３４Ａと第２導体層４３４Ｂを接続しているスルーホール導体４３６とで形成されているコア基板４３０を有する。
【００３７】
プリント配線板４１０は、さらに、コア基板４３０の第１面Ｆ上に上側のビルドアップ層４５０Ｆを有する。上側のビルドアップ層４５０Ｆはコア基板４３０の第１面Ｆ上に形成されている絶縁層（層間樹脂絶縁層）４５０Ａと絶縁層４５０Ａ上の導体層４５８Ａと絶縁層４５０Ａを貫通し第１導体層４３４Ａ、スルーホール導体４３６、積層セラミックコンデンサ５１０の電極５１２ｐ、５１２ｅと導体層４５８Ａを接続しているビア導体４６０Ａとを有する。上側のビルドアップ層４５０Ｆはさらに絶縁層４５０Ａと導体層４５８Ａ上の絶縁層４５０Ｃと絶縁層４５０Ｃ上の導体層４５８Ｃと絶縁層４５０Ｃを貫通し導体層４５８Ａやビア導体４６０Ａと導体層４５８Ｃとを接続するビア導体４６０Ｃを有する。上側のビルドアップ層４５０Ｆはさらに絶縁層４５０Ｃと導体層４５８Ｃ上の絶縁層（最上の層間樹脂絶縁層）４５０Ｅと絶縁層４５０Ｅ上の導体層（最上の導体層）４５８Ｅと絶縁層４５０Ｅを貫通し導体層４５８Ｃやビア導体４６０Ｃと導体層４５８Ｅとを接続するビア導体（最上のビア導体）４６０Ｅを有する。
【００３８】
プリント配線板４１０は、さらに、コア基板４３０の第２面Ｓ上に下側のビルドアップ層４５０Ｓを有する。下側のビルドアップ層４５０Ｓはコア基板４３０の第２面Ｓ上に形成されている絶縁層（層間樹脂絶縁層）４５０Ｂと絶縁層４５０Ｂ上の導体層４５８Ｂと絶縁層４５０Ｂを貫通し第２導体層４３４Ｂやスルーホール導体４３６と導体層４５８Ｂを接続しているビア導体４６０Ｂとを有する。下側のビルドアップ層４５０Ｓはさらに絶縁層４５０Ｂと導体層４５８Ｂ上の絶縁層（層間樹脂絶縁層）４５０Ｄと絶縁層４５０Ｄ上の導体層４５８Ｄと絶縁層４５０Ｄを貫通し導体層４５８Ｂやビア導体４６０Ｂと導体層４５８Ｄとを接続するビア導体４６０Ｄを有する。下側のビルドアップ層４５０Ｓはさらに絶縁層４５０Ｄと導体層４５８Ｄ上の絶縁層（最下の層間樹脂絶縁層）４５０Ｇと絶縁層４５０Ｇ上の導体層（最下の導体層）４５８Ｇと絶縁層４５０Ｇを貫通し導体層４５８Ｄやビア導体４６０Ｄと導体層４５８Ｇとを接続するビア導体（最下のビア導体）４６０Ｇを有する。
【００３９】
プリント配線板４１０の下側のビルドアップ層４５０Ｓはインダクタ部品１０を有する。第１実施形態の第２改変例では、プリント配線板４１０の下側のビルドアップ層は、インダクタ部品１０を収容するためのキャビティ４５２を有する。そして、第１実施形態の第２改変例のプリント配線板４１０は、キャビティ４５２に収容されているインダクタ部品１０を有する。キャビティ４５２は層間樹脂絶縁層４５０Ｄと最下の層間樹脂絶縁層４５０Ｇに形成されている。キャビティにより層間樹脂絶縁層４５０Ｂの表面と、層間樹脂絶縁層４５０Ｂ上の導体層４５８Ｂ及びビア導体４６０Ｂのランド４６０Ｓが露出している。
【００４０】
インダクタ部品１０の第１導体層１５８Ｆとビア導体４６０Ｂのランド（下側のビアランド）４６０Ｓ、導体層４５８Ｂを導電性部材（接合部材）ＣＤＭで電気的に接続することができる。接合部材は例えば半田や導電性ペーストや異方導電性フィルムである。
【００４１】
キャビティ４５２により露出している下側のビルドアップ層の側壁とインダクタ部品１０との間の隙間は充填樹脂４４９で充填されてもよい。キャビティ４５２により露出される層間樹脂絶縁層４５０Ｂの表面や、ビアランド４６０Ｓ、導体層４５８Ｂとインダクタ部品との間の隙間にも充填樹脂４４９が充填されてもよい。充填樹脂４４９は磁性粒子を含んでも良い。
【００４２】
第１実施形態の第２改変例では、プリント配線板に剛性を持たせることができるため、反り等が発生し難い。
【００４３】
[第１実施形態の第３改変例]
図９は、第１実施形態の第３改変例に係るインダクタ部品の断面図である。
インダクタ部品１０は、コア基板の第１面及び第１面にビルドアップ層を備える。
樹脂絶縁層５０Ｆ及び第１導体パターン５８Ｆ上には、最上の層間樹脂絶縁層１５０Ｆが形成され、該最上の層間樹脂絶縁層１５０Ｆ上に第１導体層１５８Ｆが形成され、第１導体パターン５８Ｆと第１導体層１５８Ｆとがビア導体１６０Ｆを介して接続されている。最上の層間樹脂絶縁層１５０Ｆ及び第１導体層１５８Ｆ上にソルダーレジスト層７０Ｆが形成され、該ソルダーレジスト層の開口７１Ｆから露出される第１導体層１５８Ｆがパッドを構成する。
【００４４】
樹脂絶縁層５０Ｓ及び第２導体パターン５８Ｓ上には、最下の層間樹脂絶縁層１５０Ｓが形成され、該最下の層間樹脂絶縁層１５０Ｓ上に第２導体層１５８Ｓが形成され、第２導体パターン５８Ｓと第２導体層１５８Ｓとがビア導体１６０Ｓを介して接続されている。最下の層間樹脂絶縁層１５０Ｓ及び第２導体層１５８Ｓ上にソルダーレジスト層７０Ｓが形成され、該ソルダーレジスト層の開口７１Ｓから露出される第２導体層１５８Ｓがパッドを構成する。
【００４５】
最上の層間樹脂絶縁層１５０Ｆ、最下の層間樹脂絶縁層１５０Ｓの内部には磁性材料が含有されている。このため、磁束漏れが少ない。第１樹脂絶縁層５０Ｆ上に形成された第１導体パターン５８Ｆ、第２樹脂絶縁層５０Ｓ上に形成された第２導体パターン５８Ｓの厚みは、最上の層間樹脂絶縁層１５０Ｆ上の第１導体層１５８Ｆ、最下の層間樹脂絶縁層１５０Ｓ上に第２導体層１５８Ｓの厚みよりも厚い。このため、第１導体パターン５８Ｆ、第２導体パターン５８Ｓの電気抵抗が低い。スルーホール導体３６は、貫通孔２６にめっきが充填されてなる。
【符号の説明】
【００４６】
１０  インダクタ部品
２０  コア基材
２４  磁性体
３６  スルーホール導体
５０Ｆ、  ５０Ｓ  樹脂絶縁層
５８Ｆ  第１導体パターン
５８Ｓ  第２導体パターン
４１０  プリント配線板
４３０  コア基板
４５０Ｆ  上側のビルドアップ層
４５０Ｓ  下側のビルドアップ層
４５２  キャビティ
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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