(57)【要約】【課題】発光素子を被覆膜で覆った場合において、この被覆膜の縁にクラックが生じないようにする。【解決手段】発光装置１０は、基板１００、発光素子１０２、及び被覆膜１４０を備えている。発光素子１０２は基板１００に形成されている。被覆膜１４０は基板１００に形成されており、発光素子１０２を被覆している。基板１００は、被覆膜１４０によって覆われていない領域（非被覆領域：開口１４２）を備えている。非被覆領域と被覆膜１４０の境界において、被覆膜１４０の縁の角部は、隣り合う２つの直線の延長する交点の内角が９０度以下のとき曲線になっている。【選択図】図３
2015185479.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と、
前記基板に形成された発光素子と、
前記基板に形成され、前記発光素子を被覆する被覆膜と、
を備え、
前記基板は、前記被覆膜によって覆われていない非被覆領域を有し、
前記非被覆領域と前記被覆膜の境界において、前記被覆膜の縁の角部は、隣り合う２つの直線の延長する交点の内角が９０度以下のとき曲線になっている発光装置。
【請求項２】
請求項１に記載の発光装置において、
前記非被覆領域は、前記被覆膜に形成された開口であり、
さらに、前記開口内に位置していて前記発光素子と電気的に接続する端子を備える発光装置。
【請求項３】
請求項２に記載の発光装置において、
前記基板の縁に沿って形成された第２の前記非被覆領域を備える発光装置。
【請求項４】
請求項３に記載の発光装置において、
前記基板は多角形であり、
前記第２の非被覆領域と前記被覆膜の境界は、前記基板の各辺に沿って延在しており、かつ前記基板の角部に対応する部分は曲線になっている発光装置。
【請求項５】
請求項４に記載の発光装置において、
前記非被覆領域及び前記第２の非被覆領域は、前記被覆膜を除去することにより形成されている発光装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、発光装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年は、有機ＥＬ素子を光源として利用した発光装置の開発が進んでいる。有機ＥＬ素子は、発光層として有機層を用いているため、封止構造が必要である。一般的には、有機ＥＬ素子は、ガラスや金属などで形成された封止部材を用いて封止されている。そして、有機ＥＬ素子に接続する端子は、この封止部材の外部に配置されている。
【０００３】
一方、特許文献１，２には、ＡＬＤ（Atomic Layer Deposition）法を用いて封止膜を形成することにより、有機ＥＬ素子を封止することが記載されている。また、特許文献１には、上記した端子の上から封止膜を除去することにより、端子を封止膜から露出させることが記載されている。
【０００４】
具体的には、特許文献１において、端子の上から封止膜を除去する方法として、封止膜を形成する前に端子をマスキングテープで被覆しておき、封止膜を形成した後にマスキングテープを除去する方法、及び端子上の封止膜に粘着テープを貼り付け、その後粘着テープを除去する方法が記載されている。また、特許文献１には、端子の上に予めシリコーン系のオイルを塗布しておくことにより、端子の上に封止膜が形成されないようにすることも記載されている。
【０００５】
また特許文献２には、封止膜を形成する前に端子をポリイミドテープで被覆しておき、封止膜を形成した後にポリイミドテープを除去する方法が記載されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開２００２−１５１２５４号公報
【特許文献２】特開２００３−２４９３５４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
有機ＥＬ素子などの発光素子を膜で被覆することによって封止する場合、膜の縁から膜の内側に向けてクラックが進行することがある。このため。膜の縁にクラックが生じないようにする必要がある。
【０００８】
本発明が解決しようとする課題としては、発光素子を被覆膜で覆った場合において、この被覆膜の縁にクラックが生じないようにすることが一例として挙げられる。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
請求項１に記載の発明は、基板と、
前記基板に形成された発光素子と、
前記基板に形成され、前記発光素子を被覆する被覆膜と、
を備え、
前記基板は、前記被覆膜によって覆われていない非被覆領域を有し、
前記非被覆領域と前記被覆膜の境界において、前記被覆膜の縁の角部は、隣り合う２つの直線の延長する交点の内角が９０度以下のとき曲線になっている発光装置である。
【図面の簡単な説明】
【００１０】
【図１】実施形態に係る発光装置の構成を示す断面図である。
【図２】発光装置の平面図である。
【図３】図２において被覆膜を実線で示した図である。
【図４】基板に被覆膜を形成する方法を説明するための断面図である。
【図５】実施例１に係る発光装置の製造方法を説明するための平面図である。
【図６】実施例２に係る発光装置の構成を示す平面図である。
【図７】実施例３に係る発光装置の構成を示す平面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１１】
以下、本発明の実施の形態について、図面を用いて説明する。尚、すべての図面において、同様な構成要素には同様の符号を付し、適宜説明を省略する。
【００１２】
図１は、実施形態に係る発光装置１０の構成を示す断面図である。図２は図１に示した発光装置１０の平面図である。図２において、被覆膜１４０は省略されている。図１は図２のＡ−Ａ断面図である。図３は、図２において被覆膜１４０を実線で示した図である。
【００１３】
実施形態に係る発光装置１０は、例えば照明装置やディスプレイであり、基板１００、発光素子１０２、及び被覆膜１４０を備えている。発光素子１０２は基板１００に形成されている。被覆膜１４０は基板１００に形成されており、発光素子１０２を被覆している。基板１００は、被覆膜１４０によって覆われていない領域（非被覆領域：例えば基板１００のうち後述する開口１４２内に位置する部分及びスクライブライン１２に位置する部分）を備えている。非被覆領域と被覆膜１４０の境界において、被覆膜１４０の縁の角部は、被覆膜１４０の縁において隣り合う２つの直線の延長する交点の内角が９０度以下のとき曲線になっている。発光素子１０２は、例えば有機ＥＬ素子である。以下、詳細に説明する。
【００１４】
基板１００は、たとえばガラス基板や樹脂基板などの透明基板である。基板１００は、可撓性を有していてもよい。この場合、基板１００の厚さは、例えば１０μｍ以上１０００μｍ以下である。この場合においても、基板１００は無機材料及び有機材料のいずれで形成されていてもよい。基板１００は、例えば矩形などの多角形である。なお、基板１００が樹脂基板である場合、基板１００のうち発光素子１０２が形成される面には、酸化シリコン膜などの無機材料膜が形成されている。これにより、基板１００を水分等が透過して発光素子１０２に到達することを抑制できる。
【００１５】
基板１００の上には、絶縁層１６０が形成されている。絶縁層１６０は、開口１６２を有している。開口１６２の中には発光素子１０２が形成されている。言い換えると、発光素子１０２が形成されるべき領域を区画している。絶縁層１６０は、ポリイミドや酸化珪素、窒化珪素などの材料で形成されている。
【００１６】
発光素子１０２は、第１電極１１０と第２電極１３０の間に有機層１２０を挟んだ構成を有している。第１電極１１０及び第２電極１３０のうち少なくとも一方は透光性の電極になっている。また、残りの電極は、例えばＡｌ、Ｍｇ、Ａｕ、Ａｇ、Ｐｔ、Ｓｎ、Ｚｎ、及びＩｎからなる第１群の中から選択される金属、又はこの第１群から選択される金属の合金からなる金属層によって形成されている。透光性の電極の材料は、例えば、ＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ  Ｔｉｎ  Ｏｘｉｄｅ）やＩＺＯ（Ｉｎｄｉｕｍ  Ｚｉｎｃ  Ｏｘｉｄｅ）等の無機材料、またはポリチオフェン誘導体などの導電性高分子、又は銀もしくは炭素からなるナノワイヤを利用した網目状電極である。例えば、ボトムエミッション型の発光素子１０２であって、基板１００の上に第１電極１１０、有機層１２０、及び第２電極１３０をこの順に積層した構成を有している場合、第１電極１１０は透光性の電極になっており、第２電極１３０は、Ａｌなど光を反射する電極になっている。また、トップエミッション型の発光素子１０２であって、基板１００の上に第１電極１１０、有機層１２０、及び第２電極１３０をこの順に積層した構成を有している場合、第１電極１１０はＡｌなど光を反射する電極になっており、第２電極１３０は透光性の電極になっている。また、両方の電極（第１電極１１０、第２電極１３０）を透光性の電極として、透光型の発光装置としても良い（デュアルエミッション型）。
【００１７】
有機層１２０は、例えば、正孔輸送層、発光層、及び電子輸送層をこの順に積層させた構成を有している。正孔輸送層と第１電極１１０の間に正孔注入層が形成されていてもよい。また、電子輸送層と第２電極１３０の間に電子注入層が形成されていてもよい。有機層１２０の層は、塗布法によって形成されても蒸着法によって形成されてもよく、一部を塗布法、残りを蒸着法で形成しても良い。なお、有機層１２０は蒸着材料を用いて蒸着法で形成してもよく、また、有機層１２０は、塗布材料を用いて、インクジェット法、印刷法、スプレー法で形成されてもよい。
【００１８】
基板１００のうち発光素子１０２が形成されている面には、端子１１２，１３２が形成されている。端子１１２は第１電極１１０と電気的に接続しており、端子１３２は第２電極１３０と電気的に接続している。詳細には、第１電極１１０の一部の上には、有機層１２０が形成されておらず、端子１１２となっている。また端子１３２は、第１電極１１０と同一の層を有している。本図に示す例では、端子１１２は配線１１６を介して第１電極１１０に接続しており、端子１３２は配線１３６を介して第２電極１３０に接続している。配線１１６，１３６は、いずれも第１電極１１０と同一の層を有している。端子１１２，１３２は、異方性導電膜、リード端子やボンディングワイヤなどの導通部材を介して、回路基板に接続している。この回路基板には、制御回路が形成されている。
【００１９】
本図に示す例において、端子１１２は、第１電極１１０の層の上に第２層１１４を積層した構成を有している。また端子１３２は、第１電極１１０と同一の層の上に第２層１３４を積層した構成を有している。第２層１１４，１３４は、第１電極１１０を形成している材料よりも低抵抗な材料、例えば金属によって形成されている。第２層１１４，１３４は、例えばＭｏ、Ａｌ、及びＭｏをこの順に積層した構成を有している。なお、ＭｏやＡｌには、他の金属が添加されていても良い。なお、配線１１６，１３６の少なくとも一部の上にも、第２層１１４，１３４が形成されていても良い。
【００２０】
被覆膜１４０は、成膜法、例えばＡＬＤ法又はＣＶＤ法を用いて形成されている。ＡＬＤ法で形成されている場合、被覆膜１４０は、例えば酸化アルミニウムなどの酸化金属膜によって形成されており、その膜厚は、例えば１０ｎｍ以上２００ｎｍ以下、好ましくは、５０ｎｍ以上１００ｎｍ以下である。ＣＶＤ法で形成されている場合、被覆膜１４０は、酸化シリコン膜などの無機絶縁膜によって形成されており、その膜厚は、例えば０．１μｍ以上１０μｍ以下である。被覆膜１４０が設けられることにより、発光素子１０２は水分等から保護される。被覆膜１４０は、スパッタリング法で形成されても良い。この場合、被覆膜１４０は、ＳｉＯ２又はＳｉＮなど絶縁膜によって形成される。その場合、膜厚は１０ｎｍ以上１０００ｎｍ以下である。なお、被覆膜１４０が無機膜によって形成されており、かつ基板１００のうち被覆膜１４０が形成される面が無機材料で形成されている場合、被覆膜１４０と基板１００の接合による封止性能が向上する。
【００２１】
被覆膜１４０は、基板１００の縁には形成されていない。言い換えると、被覆膜１４０の外縁は、基板１００の縁よりも基板１００の内側に位置している。基板１００のうち基板１００の縁と被覆膜１４０の外縁の間に位置する領域が、第２の非被覆領域になっている。この第２の非被覆領域は、基板１００の各辺に沿って延在している。そして、第２の非被覆領域と被覆膜１４０の境界も、基板１００の各辺に沿って延在しており、かつ、基板１００の角部に対応する部分は、隣り合う２つの直線（例えば基板１００の互いに交わる２つの辺のそれぞれに対応する部分）の延長する交点の内角が９０度以下のとき曲線（例えば円弧）になっている。
【００２２】
上記した端子１１２，１３２は、基板１００の縁の近くに形成されている。そして、被覆膜１４０は、端子１１２，１３２と重なる位置に開口１４２を有している。基板１００のうち開口１４２と重なる領域が、第１の非被覆領域になっている。開口１４２は角部を有しているが、この角部は隣り合う２つの直線の延長する交点の内角が９０度以下のとき曲線になっている。本図に示す例では、角部は曲線（例えば円弧）になっている。
【００２３】
なお、上記した２つの非被覆領域は、被覆膜１４０を除去することにより形成されている。被覆膜１４０を部分的に除去する方法としては、例えばリフトオフ法を用いることができる。この場合、リフトオフ層２００を部分的に塗布する際に、リフトオフ層２００の平面形状を上記した非被覆領域の形状にすれば、非被覆領域の平面形状を上記した形状にすることができる。リフトオフ層２００は、例えばスクリーン印刷法で形成されても良いし、塗布手段を動かすことにより所望の形状を描くよう塗布されても良い。
【００２４】
なお、被覆膜１４０を形成するときにメタルマスクで非被覆領域となるべき領域を覆うことにより、非被覆領域が形成されても良い。
【００２５】
次に、発光装置１０の製造方法について説明する。まず、基板１００上に第１電極１１０及び端子１１２，１３２を形成する。第１電極１１０及び端子１１２，１３２は、例えば蒸着法又はスパッタリング法を用いて形成される。次いで、第１電極１１０と端子１３２の間に絶縁層１６０を形成する。次いで、第１電極１１０上に有機層１２０を形成する。
【００２６】
次いで、第２電極１３０を形成し、さらに被覆膜１４０を形成する。第２電極１３０は、例えばスパッタリング法又は蒸着法を用いて形成され、被覆膜１４０は、例えばＡＬＤ法又はＣＶＤ法を用いて形成される。
【００２７】
図４は、基板１００に被覆膜１４０を形成する方法を説明するための断面図である。上記したように被覆膜１４０は、端子１１２，１３２を覆っていない。また基板１００のうち縁の近くも、被覆膜１４０で覆われていない。このようにするためには、例えば、被覆膜１４０を形成する前に、基板１００のうち端子１１２，１３２が形成されている領域及び縁の近くの領域を、リフトオフ層２００で覆う。リフトオフ層２００は、例えば有機材料で形成されている。リフトオフ層２００のガラス転移温度又は相転移温度（例えば融点）は、被覆膜１４０のガラス転移温度又は相転移温度（例えば融点）よりも低い。なお、リフトオフ層２００を構成する材料の線膨張係数は、被覆膜１４０を構成する材料の線膨張係数よりも大きいのが好ましい。
【００２８】
そして、被覆膜１４０を形成したのち、基板１００を加熱及び冷却する。この際、被覆膜１４０のうちリフトオフ層２００の上方に位置する部分にはクラックが発生する。そして、端子１１２，端子１３２の近傍を、リフトオフ層２００を溶解する溶液で洗浄すると、被覆膜１４０に生じたクラックを介してこの溶液がリフトオフ層２００に接触し、リフトオフ層２００が除去される。この際、被覆層１４０のうちリフトオフ層２００の上方に位置していた部分が除去される。
【００２９】
被覆膜１４０の端部の角部には、クラックが発生することがある。このクラックは、例えば端子１１２，１３２に導通部材を接続するときに、基板１００に応力が加わることによって発生する。またこのクラックは、被覆膜１４０をリフトオフする際に発生することもある。被覆膜１４０の端部にクラックが発生すると、このクラックは発光素子１０２に向けて進行する。これに対して本実施形態では、被覆膜１４０の端部の角部は、隣り合う２つの直線の延長する交点の内角が９０度以下のとき曲線になっている。従って、この角部に応力が集中して被覆膜１４０にクラックが入ることを抑制できる。特に、隣り合う２つの直線の延長する交点の内角が９０度以下のときに、鋭角になりクラックが生じやすいため、本実施形態の効果は大きくなる。
【実施例】
【００３０】
（実施例１）
本実施例に係る発光装置１０は、製造方法を除いて、実施形態に係る発光装置１０と同様の構成である。
【００３１】
図５は、本実施例に係る発光装置１０の製造方法を説明するための平面図である。本実施例において、複数の発光装置１０は、基板１００が互いに繋がった状態で同時に形成される。そして、被覆膜１４０が形成された後に、ダイシングブレード等を用いて、複数の発光装置１０を互いに切り離す。ここで、スクライブライン１２に被覆膜１４０が形成されていると、発光装置１０を互いに切り離す際に、被覆膜１４０に大きなクラックが生じる可能性がある。このため、被覆膜１４０は、全周にわたってスクライブライン１２から離れて形成されている。具体的には、被覆膜１４０を形成する前に、リフトオフ層２００を、スクライブライン１２及びその近くに塗布する。
【００３２】
このため、複数の発光装置１０を互いに切り離す際に、被覆膜１４０にクラックが生じることを抑制できる。
【００３３】
（実施例２）
図６は、実施例２に係る発光装置１０の構成を示す平面図である。本実施例に係る発光装置１０は、以下の点を除いて、実施形態に係る発光装置１０と同様の構成である。なお、図６では、説明のため、第２電極１３０及び端子１３２の図示を省略している。
【００３４】
本実施例において、発光装置１０は複数の発光素子１０２を有している。隣り合う発光素子１０２の間には、絶縁層１６０が形成されている。そして、複数の発光素子１０２のそれぞれに対して端子１１２が形成されている。複数の端子１１２は、互いに並んで、基板１００の縁に配置されている。いずれの端子１１２も、被覆膜１４０の開口１４２の内側に位置している。
【００３５】
なお、端子１３２も、端子１１２と同様に開口１４２の内側に配置されている。端子１３２を内側に含む開口１４２と、端子１１２を内側に含む開口１４２は、同一の開口１４２であっても良いし、互いに異なる開口１４２であってもよい。
【００３６】
本実施例によっても、被覆膜１４０の縁の角部でクラックが発生することを抑制できる。
【００３７】
（実施例３）
図７は、実施例３に係る発光装置１０の構成を示す平面図であり、実施例２における図６に対応している。本実施例に係る発光装置１０は、以下の点を除いて、実施例２に係る発光装置１０と同様の構成である。
【００３８】
本実施例において、発光装置１０はディスプレイであり、マトリクス状に配置された複数の発光素子１０２を有している。
【００３９】
詳細には、複数の第１電極１１０が互いに平行に延在しており、かつ、複数の第２電極１３０が、互いに平行かつ第１電極１１０と交わる方向（例えば直交する方向）に延在している。そして、第１電極１１０と第２電極１３０の交点のそれぞれに、発光素子１０２が形成されている。具体的には、絶縁層１６０は、複数の第１電極１１０の上に跨って形成されている。絶縁層１６０のうち、第１電極１１０と第２電極１３０の交点に位置する部分には開口が形成されている。そして、この開口内には、有機層１２０が設けられている。
【００４０】
端子１１２は複数の第１電極１１０のそれぞれと電気的に接続されており、また、端子１３２は複数の第２電極１３０のそれぞれと電気的に接続されている。複数の端子１１２，１３２は、いずれも基板１００の縁に沿って配置されている。本図に示す例では、複数の端子１１２，１３２は、いずれも基板１００の同一の辺に沿って配置されており、かつ、同一の開口１４２の内側に配置されている。ただし、端子１１２と端子１３２は、基板１００のうち互いに異なる辺に沿って配置されていてもよい。この場合、端子１１２と端子１３２は、互いに異なる開口１４２の内側に配置される。
【００４１】
また、絶縁層１６０の上には、隔壁が形成されていてもよい。この場合、隔壁は、複数の第２電極１３０の間に位置している。隔壁の断面は、上底が下底よりも長い台形となっている。隔壁の上面には、第２電極１３０と同様の材料からなる導電層が形成されている。隔壁は、第２電極１３０を蒸着法又はスパッタリング法で形成する際に、隣り合う第２電極１３０を互いに分離するために設けられている。このため、隔壁は、絶縁層１６０が形成された後、第２電極１３０が形成される前（好ましくは有機層１２０が形成される前）に形成される。
【００４２】
本実施例によっても、被覆膜１４０の縁の角部でクラックが発生することを抑制できる。
【００４３】
以上、図面を参照して実施形態及び実施例について述べたが、これらは本発明の例示であり、上記以外の様々な構成を採用することもできる。
【符号の説明】
【００４４】
１０ 発光装置
１２ スクライブライン（第２の非被覆領域）
１００ 基板
１０２ 発光素子
１１２ 端子
１３２ 端子
１４０ 被覆膜
１４２ 開口（非被覆領域）
【図１】
2015185479.tif 000003
【図２】
2015185479.tif 000004
【図３】
2015185479.tif 000005
【図４】
2015185479.tif 000006
【図５】
2015185479.tif 000007
【図６】
2015185479.tif 000008
【図７】
2015185479.tif 000009