(57)【要約】【課題】有機層の剥離を有効に防止することのできる画素構造を提供することを一つの目的とする。【解決手段】基板上に設けられた絶縁層と、絶縁層上に設けられた画素電極と、画素電極の周縁部を覆うバンク層と、画素電極からバンク層の表層部に沿って設けられた有機エレクトロルミネセンス層と、エレクトロルミネセンス層上に設けられた対向電極とを有し、画素電極は、周縁部において、該周縁部が中央領域に比べて高くなる傾斜領域を有し、バンク層の端部は、画素電極の傾斜領域と重なる有機エレクトロルミネセンス表示装置が提供される。【選択図】図３
2015138612.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に設けられた絶縁層と、前記絶縁層上に設けられた画素電極と、前記画素電極の周縁部を覆うバンク層と、前記画素電極から前記バンク層の表層部に沿って設けられた有機エレクトロルミネセンス層と、前記有機エレクトロルミネセンス層上に設けられた対向電極とを有し、
前記画素電極は前記周縁部において、該周縁部が中央領域に比べて高くなる傾斜領域を有し、
前記バンク層の端部は、前記画素電極の前記傾斜領域と重なること
を特徴とする有機エレクトロルミネセンス表示装置。
【請求項２】
前記絶縁層は、第１表面に対し前記画素電極と重なる領域に、前記第１表面よりも低い第２表面を底面部とする凹領域を有し、前記凹領域の周縁部において前記第２表面から前記第１表面に高さが変化する傾斜領域を有し、
前記画素電極の周縁部は、前記傾斜領域と重なるように設けられていることを特徴とする請求項１に記載の有機エレクトロルミネセンス表示装置。
【請求項３】
前記傾斜領域の角度が３０度以下であることを特徴とする請求項１又は２に記載の有機エレクトロルミネセンス表示装置。
【請求項４】
前記凹領域の底面部が凹凸形状を有することを特徴とする請求項２に記載の有機エレクトロルミネセンス表示装置。
【請求項５】
前記凹領域における前記凹凸形状は、凹部から凸部にかけての傾斜角が３０度以下であることを特徴とする請求項４に記載の有機エレクトロルミネセンス表示装置。
【請求項６】
前記画素電極が透光性を有し、前記画素電極の下層側に反射板が設けられていることを特徴とする請求項１又は２に記載の有機エレクトロルミネセンス表示装置。
【請求項７】
前記バンク層が前記画素電極と重なる端部は、波状に屈曲していることを特徴とする請求項１又は２に記載の有機エレクトロルミネセンス表示装置。
【請求項８】
前記基板が可撓性基板であることを特徴とする請求項１又は２に記載の有機エレクトロルミネセンス表示装置。
【請求項９】
前記絶縁層は、第１の絶縁層と、前記第１の絶縁層上に設けられた第２の絶縁層とからなり、
前記第１の絶縁層は前記底面部を有し、
前記第２の絶縁層は前記傾斜領域と前記第１表面とを有することを特徴とする請求項２に記載の有機エレクトロルミネセンス表示装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、有機エレクトロルミネセンス表示装置に係り、開示される発明の一態様は画素の構成に関する。
【背景技術】
【０００２】
有機エレクトロルミネセンス素子で画素を構成した有機エレクトロルミネセンス表示装置は、液晶表示装置のようにバックライト光源を必要としないことから、薄型ディスプレイ、曲面ディスプレイ、あるいは可曲性ないし可撓性ディスプレイを実現することができるものとして期待されている。単に薄いということのみではなく、可撓性を有するディスプレイの実現は、表示装置の分野において新たな用途の開拓につながるためである。
【０００３】
薄型化を実現可能な有機エレクトロルミネセンス表示装置は、有機エレクトロルミネセンス素子が薄膜の積層によって構成されるためである。有機エレクトロルミネセンス素子は、陽極、有機エレクトロルミネセンス材料を含む有機層、陰極を積層した構造を有している。有機層は、正孔輸送層、発光層、電子輸送層などの機能性の薄膜を積層した構造を有しているが、これらの層の厚さを合計しても数百ナノメートル程度の厚さしか有していない。有機エレクトロルミネセンス素子は、このような薄い有機層を陽極及び陰極で挟んだ構造であるため、陽極と陰極が短絡しないような工夫が必要となっている。
【０００４】
有機エレクトロルミネセンス表示装置では、画素電極（陽極側又は陰極側の電極に相当する電極でもある）がマトリクス状に配列され、この上に有機層が設けられることになるが、対抗電極（陰極側又は陽極側の電極に相当する電極でもある）との短絡を防止するために、好ましくは画素電極のエッジ部をカバーする絶縁層が設けられている。この絶縁層は画素電極に対して隆起した土手に相当するのでバンク層とも呼ばれている。
【０００５】
バンク層は、画素電極の端部における段差を緩和して、陽極と陰極が短絡するのを防ぐために、テーパ角の付いたなだらかな端部形状が好ましいと考えられている。例えば、バンク層が画素電極と重なる端部のテーパ角を３０度以下にすることが好ましいとする一例が開示されている（特許文献１参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開２００３−２３３３３２号公報（特許第４０９４８６３号）
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
画素電極と重なるバンク層の端部のテーパ角を３０度以下とすることで、有機層の段差被覆性が向上し、またシートディスプレイにおいてパネルを屈曲させたときにかかる有機層への応力を緩和することが期待される。それにより、有機層の剥離が防がれて、意図しない非発光領域（ダークスポット）の発生を防ぐことができることが期待される。
【０００８】
しかしながら、バンク層のテーパ角を小さくして傾斜面を緩やかにすると、バンク層の領域が大きくなる。バンク層の上側は非発光領域となるので、画素の開口率が低下してしまうことが問題となる。また、画素密度を向上させて高精細化を図る場合には画素の間隔（画素ピッチ）を狭く出来ないので、高精細化の妨げとなってしまう。
【０００９】
本発明の一実施形態は、このような問題に鑑み、有機層の剥離を有効に防止することのできる画素構造を提供することを一つの目的とする。また、本発明の一実施形態は、シートディスプレイのように、パネルを屈曲させたときにも有機層の剥離を防止することのできる画素構造の提供を一つの目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本発明の一実施形態によれば、基板上に設けられた絶縁層と、絶縁層上に設けられた画素電極と、画素電極の周縁部を覆うバンク層と、画素電極からバンク層の表層部に沿って設けられた有機エレクトロルミネセンス層と、有機エレクトロルミネセンス層上に設けられた対向電極とを有し、画素電極は、周縁部において、該周縁部が中央領域に比べて高くなる傾斜領域を有し、バンク層の端部は、画素電極の傾斜領域と重なる有機エレクトロルミネセンス表示装置が提供される。
【００１１】
別の好ましい態様によれば、絶縁層は、第１表面に対し画素電極と重なる領域に、第１表面よりも低い第２表面を底面部とする凹領域を有し、凹領域の周縁部において第２表面から第１表面に高さが変化する傾斜領域を有し、画素電極の周縁部は、傾斜領域と重なるように設けられていてもよい。
【００１２】
別の好ましい態様によれば、傾斜領域の角度が３０度以下であることが好ましい。また、凹領域の底面部は凹凸形状を有していてもよく、当該凹凸形状は、凹部から凸部にかけての傾斜角が３０度以下であることが好ましい。また、画素電極が透光性を有し、画素電極の下層側に反射板が設けられていてもよい。また、絶縁層は、底面部を有する第１の絶縁膜と、第１の絶縁膜上に位置し、傾斜領域と第１表面とを有する第２の絶縁膜とで形成されてもよい。
【００１３】
別の好ましい態様によれば、バンク層が画素電極と重なる端部は、波状に屈曲していてもよい。
【００１４】
別の好ましい態様によれば、基板が可撓性基板であってもよい。
【図面の簡単な説明】
【００１５】
【図１】本発明の一実施形態に係る有機エレクトロルミネセンス表示装置の構成を示す図である。
【図２】本発明の一実施形態に係る有機エレクトロルミネセンス表示装置の画素の構成を示す平面図である。
【図３】本発明の一実施形態に係る有機エレクトロルミネセンス表示装置の画素の構成を示す断面図である。
【図４】本発明の一実施形態に係る有機エレクトロルミネセンス表示装置の画素における段差部の構成を説明する断面図である。
【図５】本発明の一実施形態に係る有機エレクトロルミネセンス表示装置の作製方法を説明する断面図である。
【図６】本発明の一実施形態に係る有機エレクトロルミネセンス表示装置の画素の構成を示す断面図である。
【図７】本発明の一実施形態に係る有機エレクトロルミネセンス表示装置の画素の構成を示す断面図である。
【図８】本発明の一実施形態に係る有機エレクトロルミネセンス表示装置の画素の構成を示す平面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１６】
以下、本発明の実施の形態を、図面等を参照しながら説明する。但し、本発明は多くの異なる態様で実施することが可能であり、以下に例示する実施の形態の記載内容に限定して解釈されるものではない。また、図面は説明をより明確にするため、実際の態様に比べ、各部の幅、厚さ、形状等について模式的に表される場合があるが、あくまで一例であって、本発明の解釈を限定するものではない。また、本明細書と各図において、既出の図に関して前述したものと同様の要素には、同一の符号を付して、詳細な説明を適宜省略することがある。
【００１７】
＜第１の実施形態＞
［有機エレクトロルミネセンス表示装置の構成について］
図１は、本発明の一実施形態に係る有機エレクトロルミネセンス表示装置の構成を示す。有機エレクトロルミネセンス表示装置１００は、素子基板１０２に画素１０８が複数個配列された画素領域１０６が設けられている。この画素領域１０６を覆うように、封止基板１０４が素子基板１０２と対向して設けられている。封止基板１０４と素子基板１０２とはシール材により固定されている。封止基板１０４と素子基板１０２との間には、シール材で囲まれる領域内に充填材が設けられていてもよい。また、素子基板１０２には画素１０８に信号を送る走査線駆動回路１１０とデータ線駆動回路１１２が画素領域１０６の外側領域に設けられていてもよい。また入力端子部１１４が素子基板１０２に設けられている。
【００１８】
図２及び図３を参照して画素の一例を説明する。図２は画素の平面図を示し、同図中に示すＡ−Ｂ切断線に沿った断面構造を図３に示す。以下の説明では、図２及び図３の両図面を参照して説明する。
【００１９】
画素１０８は複数のトランジスタと、少なくとも一つの容量部とを有している。本実施形態では、画素１０８は、第１のトランジスタ（選択トランジスタ）１１８及び第２のトランジスタ（駆動トランジスタ）１２０の２つのトランジスタと、一つの容量部１２２と、有機エレクトロルミネセンス素子１１６とを有している。
【００２０】
第１のトランジスタ１１８は、走査線駆動回路から信号が与えられる走査線１２４によってスイッチングが制御され、所定のタイミングでデータ線１２６から映像信号を読み取り、第２のトランジスタ１２０のゲートに映像信号に応じた電圧を与える。第１のトランジスタ１１８によって与えられる、第２のトランジスタ１２０のゲート電圧は、容量部１２２によって保持される。第２のトランジスタ１２０はドレインが電源線１２８と接続され、ソース側が画素電極１３２と接続されている。有機エレクトロルミネセンス素子１１６は、第２のトランジスタ１２０のゲート電位によって制御される電流（ドレイン電流）によって発光期間ないし発光強度が制御される。
【００２１】
図３において示されるように、有機エレクトロルミネセンス素子１１６は、画素電極１３２、有機エレクトロルミネセンス層１３６及び対向電極１３８が積層されて構成される。本実施形態において、有機エレクトロルミネセンス層１３６は、低分子系又は高分子系の有機材料を用いて形成されるが、使用される有機材料及び層構造に特段の限定はない。例えば、有機エレクトロルミネセンス層１３６に低分子系の有機材料を用いる場合、発光性の有機材料を含む発光層に加え、当該発光層を挟むように正孔輸送層や電子輸送層等のキャリア輸送層が付加されていてもよい。
【００２２】
有機エレクトロルミネセンス層１３６に含まれる発光層として、赤色（Ｒ）、緑色（Ｇ）、青色（Ｂ）の各色を発光する発光層、または可視光の波長帯域において広い帯域の光を出射する、白色発光層を用いることもできる。このような各色の発光層、または白色発光層とカラーフィルタとの組み合わせにより、カラー表示の有機エレクトロルミネセンス表示装置を実現することができる。
【００２３】
有機エレクトロルミネセンス層１３６は、水分等により劣化するとされているため、対向電極１３８の上層には封止膜１４０が設けられている。封止膜１４０は絶縁材料で形成されることが好ましい。例えば、無機材料として、窒化ケイ素により封止膜１４０を形成すると水分等を有効に遮断することができる。また、有機材料として、パリレンポリマーなどを用いることで、バリア性と柔軟性を備えた封止膜１４０を形成することができる。
【００２４】
有機エレクトロルミネセンス層１３６の発光は、画素電極１３２の側に放射させるボトムエミッション型と対向電極１３８の側に放射させるトップエミッション型の双方の場合が可能であるが、図３で示す例では画素電極１３２の背面に反射板１３４を設けることでトップエミッション型の構成を採用している。反射板１３４は、アルミニウムなどの反射率の高い金属で形成されることが好ましい。画素電極１３２は透明導電膜で形成された透光性の電極であることが好ましい。トップエミッション型とする場合には、対向電極１３８も透光性の材料で形成される。
【００２５】
画素電極１３２は、第２のトランジスタ１２０とのコンタクト部を除いても、平坦な形態ではなく、中央部に比べて周縁部が高くなっている形態を有している。別言すれば、画素電極１３２は、周縁部に比べて中央部が低くなっていると見ることもできる。画素電極１３２におけるこの形態は、階段状の段差形状ではなく、周縁部において徐々に高さが変化するテーパ状の段差形状となっている。
【００２６】
このような傾斜領域１４２の形態は、例えば、画素電極１３２の中央領域の厚さに対して周縁部の厚さを厚くすることで実現することができる。また、図３に示すように、画素電極１３２の下地側にある絶縁層１４６の第１表面１５０に対し、低い位置にある第２表面１５２を設け、この第１表面１５０と第２表面１５２の遷移領域を、前述の傾斜領域１４２の形態に適合するようにしてもよい。絶縁層１４６において第２表面１５２は、第１表面１５０に比べて低い領域に相当するため凹領域とみなすこともできる。そして、絶縁層１４６上において、画素電極１３２を第２表面１５２から第１表面１５０に沿って設けることで、前述のように画素電極１３２の周縁部に傾斜領域１４２を設けることができる。絶縁層１４６は無機絶縁材料及び有機絶縁材料のいずれであってもよいが、例えばアクリル樹脂のような絶縁材料を用いて形成すると、表面が平坦化されるため好ましい。
【００２７】
画素電極１３２の周縁部を覆うバンク層１４４は、端部が、この傾斜領域１４２と重なるように設けられている。バンク層１４４の端部の形状は、直立した端面ではなく、テーパ状の傾斜面となるように設けられている。また、バンク層１４４の端部は、曲率半径が連続的に変化するような、徐々に膜厚増加する曲面形状を有するようにしてもよい。バンク層１４４は絶縁材料で形成することが好ましく、例えば、有機絶縁材料としてポリイミドなどを用いて形成することが好ましい。
【００２８】
図４は、画素電極１３２の傾斜領域１４２とバンク層１４４の端部の関係を説明する部分拡大図を示す。図４では、絶縁層１４６に凹領域が設けられている場合を示し、凹領域の底面、すなわち第２表面１５２から第１表面１５０にかけて傾斜領域１４２を有している。画素電極１３２は、この第２表面１５２から傾斜領域１４２を経て第１表面１５０に連接するように設けられている。このため、画素電極１３２の中央領域は第２表面１５２にあり、周縁部は傾斜領域１４２に存在することとなる。このような形態により、画素電極１３２の周縁部では、この画素電極１３２の傾斜領域１４２における傾斜面と、バンク層１４４の端部における傾斜面とが連接するように設けられているものとなっている。
【００２９】
傾斜領域１４２の角度θは、第１表面１５０ないし第２表面１５２が水平面であるとすると、この水平面に対して３０度以下の角度であることが好ましい態様となる。この角度は、３０度以下であれば、傾斜領域１４２内で一定である必要はなく、連続又は不連続に変化する傾斜面を有していてもよい。
【００３０】
有機エレクトロルミネセンス層１３６は、画素電極１３２の上面からバンク層１４４の表面に沿って連続的に設けられる。このとき、有機エレクトロルミネセンス層１３６にとっては、バンク層１４４の端部が絶縁層１４６の傾斜面、すなわち画素１０８の周縁部における傾斜面と重なっていることで、画素電極１３２からバンク層１４４にかけての傾斜角が緩和されることとなる。
【００３１】
従来のように、画素電極が平坦な形態であり、バンク層の端部にだけ傾斜面が設けられている場合には、当該傾斜面の角度によってのみバンク層による段差が緩和されるものとなる。この場合、バンク層の端部の傾斜角を小さくしないと、有機エレクトロルミネセンス層は画素電極とバンク層の段差部で大きく屈曲し、その部分に応力が集中しやすくなる。そのため、素子基板を湾曲させる力が作用すると、この屈曲部分に応力が集中し、有機エレクトロルミネセンス層の画素電極からの剥離を招いてしまう。
【００３２】
しかしながら、本実施形態のように、画素電極１３２の周縁部における傾斜領域１４２とバンク層１４４の端部との傾斜面とが重なって、相乗効果を発揮することで、バンク層１４４の端部における傾斜角のみを小さくしなくても済むこととなる。いずれにしても、バンク層１４４の端部が、画素電極１３２の周縁部に設けられた傾斜領域１４２と重なるように設けられていることで、バンク層１４４の端部における傾斜角自体を極端に小さくしないでも、バンク層１４４の端面から絶縁層１４６の傾斜面にかけての段差は緩和されることとなる。
【００３３】
本実施形態の構成によれば、バンク層１４４の厚さが従来と同等であっても、傾斜領域１４２の傾斜角によりバンク層１４４の端部の傾斜角を実質的に小さくすることが可能になる。そのため、バンク層１４４を薄膜化する必要がなくなるので、膜厚の寸法公差の拡大や、外観むらといった不良の発生を防ぐことができる。
【００３４】
［製造方法について］
画素電極１３２の周縁部における傾斜領域１４２は、上記のように、画素電極１３２の下地側にある絶縁層１４６に凹領域が形成されるように加工し、その表面に沿って画素電極１３２を設けることで設けることができる。絶縁層１４６の加工は、画素電極１３２が第２のトランジスタ１２０のソースと接続するためのコンタクトホールを形成するエッチング工程があるため、エッチング深さを制御すれば同様な工法で行うことができる。この場合において、ハーフトーン露光により厚さの異なるエッチングマスクを作製すれば、コンタクトホールの形成と、凹領域の形成を同時に行うこともできる。
【００３５】
図５は、ハーフトーン露光により、絶縁層１４６にコンタクトホールと、凹領域を形成する工程を示す。なお、ハーフトーン露光とは、ハーフトーンフォトマスクを用いた露光のことをいう。ハーフトーンフォトマスクは、マスクパターンの中に透過率の異なる（中間透過率）の領域を設けておき、その領域に対応する領域が中間露光されることにより、感光性樹脂で形成されるエッチングマスクの厚さを異ならせる露光方式をいう。なお、これに類似する露光方式としてグレートーン露光があり、本実施形態ではこのグレートーン露光方式に置き換えて実施することもできる。グレイトーンマスクは、露光機の解像度以下のスリットを作り、そのスリット部が光の一部を遮ることで中間露光を実現する方式である。いずれの露光方式も、１回の露光で「露光部分」「中間露光部分」「未露光部分」の3つの露光レベルを表現し、現像後に少なくとも２つの厚さが異なるエッチングマスクを形成することができる。
【００３６】
図５（Ａ）は、ハーフトーン露光により、絶縁層１４６上にエッチングマスク１５４を形成した段階を示す。エッチングマスク１５４がポジ型の感光性レジスト材料で形成される場合、露光に用いるハーフトーンフォトマスクは、コンタクトホール形成領域が露光部分として完全露光され、凹領域形成領域が中間露光部分として中間露光される。それにより、完全露光された領域は感光性レジスト材料が現像で除去され、中間露光された領域はエッチングマスクの厚さが未露光部分に比べて薄く形成される。この場合、図５（Ａ）で示されるように、段差領域が有効に形成されるように、中間露光領域と未露光領域との境界領域において、エッチングマスクの厚さが連続的に変化するように、さらにハーフトーンフォトマスクの透過率を制御してもよい。
【００３７】
図５（Ｂ）は絶縁層１４６をエッチングした後の状態を示す。エッチング処理は、絶縁層１４６をエッチングすると共に、エッチングマスクも徐々に食刻することで、露光領域と中間露光領域における絶縁層１４６のエッチング深さを異ならせることができる。また、中間露光領域と未露光領域との境界領域において、エッチングマスクにテーパ領域があると、このテーパ領域が後退しながら食刻されるので、傾斜領域１４２を効果的に形成することができる。この場合でも、未露光領域にはエッチングマスクが残存するので、絶縁層１４６の第１表面１５０はそのまま残存し、中間露光領域では絶縁層１４６の表面がエッチングされて第２表面１５２が形成される。
【００３８】
その後、図３に示すように、第２表面１５２から第１表面１５０にかけて、反射板１３４、画素電極１３２を形成し、さらにバンク層１４４、有機エレクトロルミネセンス層１３６、対向電極１３８を形成することにより、有機エレクトロルミネセンス表示装置１００を作製することができる。
【００３９】
本実施形態において、基板１３０はガラス基板であってもよいし、有機樹脂材料でなる可撓性の基板であってもよい。可撓性基板に用いる有機樹脂材料としては、例えばポリイミドを基板材料として用いてもよい。ポリイミドを基板として用いた場合には、その厚さを１００マイクロメートル以下、例えば１０マイクロメートル乃至５０マイクロメートルとすることも可能であるので、可撓性の有機エレクトロルミネセンス表示装置を実現することも可能である。なお、図示してはいないが、基板１３０としてポリイミド材料を用いたとき、ポリイミド基板の裏面側（有機エレクトロルミネセンス素子が設けられる面とは反対側）に熱拡散シートを設けてもよい。
【００４０】
このような可撓性の有機エレクトロルミネセンス表示装置の場合、本実施形態で示すように画素電極１３２の周縁部に傾斜領域１４２と、これにバンク層１４４の端部が重なるように設けられていることで、バンク層１４４の端部における有機エレクトロルミネセンス層１３６にかかる応力を緩和することができる。それにより、有機エレクトロルミネセンス層１３６の剥離を防止することが可能となる。
【００４１】
本実施形態によれば、画素電極１３２の周縁部における傾斜領域１４２と、この傾斜領域１４２の少なくとも一部にバンク層１４４の端部が重なるようにし、有機エレクトロルミネセンス層１３６をこの傾斜領域１４２に沿って設けるようにすることで、バンク層１４４の端部における有機エレクトロルミネセンス層１３６への応力集中を緩和することができる。この構成は、素子基板１０２における基板１３０を有機樹脂材料で形成し、可撓性のシートディスプレイを実現する場合において、基板を屈曲させたときに当該領域に作用する応力を緩和することに対しても有効に作用する。このような作用により、有機エレクトロルミネセンス層１３６が画素電極１３２から剥離することを防ぐことが可能となる。そして、有機エレクトロルミネセンス表示装置１００において、非発光領域が現れるのを防止することができる。
【００４２】
［変形例１］
図３においては、傾斜領域１４２を、絶縁層１４６をエッチングして凹領域を設けることで実現していたが、図６に示すように、絶縁層１４６上において、画素電極１３２の周縁部に対応する領域に第２の絶縁層１４８を設けて段差領域ｂを形成してもよい。この場合、第２の絶縁層１４８の側端部は、絶縁層１４６に設けられた傾斜領域１４２と同様の傾斜面を有するようにすることが好ましい。
【００４３】
図６によれば、第１表面１５０と、画素電極１３２が設けられる第２表面１５２ｂの高さは同じとなるが、画素電極１３２の周縁部に凸状の第２の絶縁層１４８が設けられるため、傾斜領域１４２ｂの機能としては、図３を参照して説明したものと同様の作用ないし効果を奏するものとなる。それにより、この変形例に係る有機エレクトロルミネセンス表示装置も第１の実施形態における主たる構成と同様の効果を得ることができる。
【００４４】
［変形例２］
図７で示すように、画素電極１３２の下地側に位置する絶縁層１４６の第２表面１５２を、凹凸形状を有するようにしてもよい。第２表面１５２ｃにおける凹凸形状の、凸部の高さは、第１表面の高さと同じであってもよいし、それよりも低くてもよい。いずれにしても、この凹凸形状における傾斜面の角度θ２は、傾斜領域１４２の傾斜角θと同程度であることが好ましい。
【００４５】
このような凹凸形状は、絶縁層１４６をエッチングして傾斜領域１４２を形成する際に、ハーフトーンフォトマスクなしいグレートンフォトマスクを用いて、同様に加工することができる。
【００４６】
画素電極１３２は、この凹凸化された第２表面１５２ｃに沿って形成されるので、画素電極１３２の表面もなだらかな凹凸形状を有するものとなる。また、画素電極１３２の下側に反射板１３４がある場合には、この面が拡散反射面として機能する。それにより、有機エレクトロルミネセンス層１３６内に閉じ込められる導波光を低減することができる。
【００４７】
また、有機エレクトロルミネセンス表示装置の表示画面側から画面を視認したときに、反射板１３４の作用により画素領域１０６が鏡面となって視認者等が映り込むことを防ぐことができる。さらに、画素電極１３２の表面が凹凸化されることにより、画素電極１３２の実効面積が増加するので、コントラストを高めることができる。
【００４８】
図７で示す変形例において、画素電極１３２内の凹凸形状は、傾斜領域１４２の傾斜角と同様の傾斜角を有するので、パネルを屈曲させた場合でも有機エレクトロルミネセンス層１３６に局部的な応力が作用しないものとなる。従って、第１の実施形態における主たる構成と同様の効果を得ることができる。尚、図7に示す第２表面１５２ｃにおける凹凸形状、画素電極１３２内の凹凸形状と、図６に示す第２の絶縁層１４８とを組み合わせた構造にしてもよい。
【００４９】
＜第２の実施形態＞
本実施形態では、画素電極の周縁部を覆うバンク層において、バンク層の異なる態様について例示する。
【００５０】
図８は、画素の平面図を示す。図８において、第１のトランジスタ１１８第２のトランジスタ１２０及び容量部１２２の構成は同様である。また、画素電極１３２及び周縁部における傾斜領域１４２の構成も同様である。
【００５１】
図８において、画素電極１３２の周縁部を覆うバンク層１４４ｂの、傾斜領域１４２上の端部は、画素電極１３２に沿って直線状に設けられているのではなく、波状に屈曲した曲線形状を有している。バンク層１４４ｂの端部を波状に屈曲した形態とし、さらにそのような端部を画素電極１３２の傾斜領域１４２と重ね合わせることで、画素電極１３２とバンク層１４４ｂの表面に沿って形成される有機エレクトロルミネセンス層１３６の応力集中を避け、複数の方向に分散させることができる。
【００５２】
本実施形態によれば、第１の実施形態と同様に、画素電極１３２の周縁部における傾斜領域１４２と、この傾斜領域１４２の少なくとも一部にバンク層１４４の端部が重なるように設けられているため、同様の効果を得ることができる。さらに、図８で示すように、バンク層１４４ｂの端部が波状に屈曲した曲線形状を有しているので、有機エレクトロルミネセンス層１３６にかかる応力を緩和する作用を高めることができる。この構成は、素子基板１０２における基板１３０を有機樹脂材料で形成し、可撓性のシートディスプレイを実現する場合において、基板を屈曲させたときに当該領域に作用する応力を緩和することに対しても有効に作用する。このような作用により、有機エレクトロルミネセンス層１３６が画素電極１３２から剥離することを防ぐことが可能となる。そして、有機エレクトロルミネセンス表示装置１００において、非発光領域が現れるのを防止することができる。
【符号の説明】
【００５３】
１００・・・有機エレクトロルミネセンス表示装置、１０２・・・素子基板、１０４・・・封止基板、１０６・・・画素領域、１０８・・・画素、１１０・・・走査線駆動回路、１１２・・・データ線駆動回路、１１４・・・入力端子部、１１６・・・有機エレクトロルミネセンス素子、１１８・・・第１のトランジスタ、１２０・・・第２のトランジスタ、１２２・・・容量部、１２４・・・走査線、１２６・・・データ線、１２８・・・電源線、１３０・・・基板、１３２・・・画素電極、１３４・・・反射板、１３６・・・有機エレクトロルミネセンス層、１３８・・・対向電極、１４０・・・封止膜、１４２・・・傾斜領域、１４４・・・バンク層、１４６・・・絶縁層、１４８・・・第２の絶縁層、１５０・・・第１表面、１５２・・・第２表面、１５４・・・エッチングマスク
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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