(57)【要約】【課題】高圧の測定媒体を検出することができ、且つ、圧力検出精度の低下を抑制することができる圧力センサ装置を提供する。【解決手段】圧力センサ装置１０は、金属部材４０と、センサチップ５０と、圧力基準室形成部６０と、を備える。金属部材４０は、内部空間４２を有する筒状をなしており、一端に開口部４４を有するとともに他端にダイアフラム４６を有する。センサチップ５０は、ダイアフラム４６における内部空間４２側と反対側に配置されるとともに、ダイアフラム４６の変形に応じた検出信号を出力する。圧力基準室形成部６０は、一面６０ａが開口する箱状をなし、センサチップ５０においてダイアフラム４６と反対側に一面６０ａを塞ぐようにセンサチップ５０に配置される。圧力基準室形成部６０は、センサチップ５０との間に圧力基準室６２を形成する。【選択図】図２
2015175651.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
内部空間（４２）を有する筒状をなしており、一端に開口部（４４）を有するとともに他端にダイアフラム（４６）を有し、前記開口部を通じて前記内部空間に測定媒体が導入され、前記内部空間における前記測定媒体の圧力に応じて前記ダイアフラムが変形する金属部材（４０）と、
前記ダイアフラムにおける前記内部空間側と反対側に配置されるとともに、前記ダイアフラムの変形に応じた検出信号を出力するセンサチップ（５０）と、
一面が開口する箱状をなし、前記センサチップにおいて前記ダイアフラムと反対側に前記一面を塞ぐように前記センサチップに配置されることで、前記センサチップとの間に圧力基準室（６２）を形成する圧力基準室形成部（６０）と、を備えることを特徴とする圧力センサ装置。
【請求項２】
前記センサチップ及び前記圧力基準室形成部は、いずれもシリコン基板からなるとともに、各シリコン基板におけるシリコンが互いに結合することにより直接接合されることを特徴とする請求項１に記載の圧力センサ装置。
【請求項３】
前記センサチップ及び前記圧力基準室形成部は、いずれもウエハを切断してなり、
各ウエハは、互いに直接接合されるとともに、一括で切断されることを特徴とする請求項２に記載の圧力センサ装置。
【請求項４】
前記圧力基準室形成部は、前記一面に垂直な方向において貫通する貫通電極（６４）を有し、
前記貫通電極は、前記センサチップと反対側で外部端子（９０）と接続され、
前記検出信号は、前記貫通電極を介して外部に出力されることを特徴とする請求項３に記載の圧力センサ装置。
【請求項５】
前記圧力基準室形成部には、前記センサチップの前記検出信号を処理する処理回路が形成されることを特徴とする請求項２〜４のいずれか１項に記載の圧力センサ装置。
【請求項６】
前記圧力基準室形成部には、前記圧力基準室形成部の周囲の外部雰囲気の圧力を検出する圧力検出回路が形成されることを特徴とする請求項２〜５のいずれか１項に記載の圧力センサ装置。
【請求項７】
前記センサチップ及び前記圧力基準室形成部の少なくとも一方に固定され、前記センサチップと電気的に接続される外部端子（９０）と、
前記センサチップと前記外部端子との電気的な接続部と、前記圧力基準室形成部と、を封止する封止材（１２０）と、を備える請求項１〜５のいずれか１項に記載の圧力センサ装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
一端が開口し、他端にダイアフラムを有する金属部材と、ダイアフラムの変形に応じた検出信号を出力するセンサチップと、を備える圧力センサ装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、特許文献１に記載のように、開口部とダイアフラムとを有する金属ステムと、ダイアフラムに配置されるセンサチップと、を備える圧力センサが知られている。開口部は金属ステムの内部に測定媒体を導入し、導入された測定媒体の圧力によってダイアフラムが変形する。このダイアフラムの変形に応じてセンサチップが電気信号を出力することで、測定媒体の圧力を検出する。これによれば、金属部材を用いているため、高圧の測定媒体を検出することができる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２０１０−３４２３９号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、センサチップにおける金属ステムと反対側は、圧力センサ周囲の外気に開放されている。このため、外気の圧力変動によりセンサチップに作用する圧力が変動する虞がある。センサチップに作用する圧力が変動すると、センサチップの検出信号に誤差が生じ、圧力検出精度が低下する虞がある。
【０００５】
本発明は、上記問題点に鑑み、高圧の測定媒体を検出することができ、且つ、圧力検出精度の低下を抑制することができる圧力センサ装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
ここに開示される発明は、上記目的を達成するために以下の技術的手段を採用する。なお、特許請求の範囲及びこの項に記載した括弧内の符号は、ひとつの態様として下記の実施形態に記載の具体的手段との対応関係を示すものであって、発明の技術的範囲を限定するものではない。
【０００７】
開示された発明のひとつは、内部空間（４２）を有する筒状をなしており、一端に開口部（４４）を有するとともに他端にダイアフラム（４６）を有し、開口部を通じて内部空間に測定媒体が導入され、内部空間における測定媒体の圧力に応じてダイアフラムが変形する金属部材（４０）と、ダイアフラムにおける内部空間側と反対側に配置されるとともに、ダイアフラムの変形に応じた検出信号を出力するセンサチップ（５０）と、一面が開口する箱状をなし、センサチップにおいてダイアフラムと反対側に一面を塞ぐようにセンサチップに配置されることで、センサチップとの間に圧力基準室（６２）を形成する圧力基準室形成部（６０）と、を備えることを特徴とする。
【０００８】
これによれば金属部材を用いているため、高圧の測定媒体を検出することができる。また、圧力基準室形成部は、センサチップとの間に圧力基準室を形成する。これによれば、センサチップにおける金属部材と反対側の圧力変動を抑制することができる。したがって、センサチップの検出信号に誤差が生じることを抑制し、且つ、圧力検出精度の低下を抑制することができる。
【図面の簡単な説明】
【０００９】
【図１】第１実施形態に係る圧力センサ装置の概略構成を示す断面図である。
【図２】図１の破線に示す領域IIの拡大断面図である。
【図３】変形例１における圧力センサ装置の拡大断面図であり、図２に対応する。
【図４】第２実施形態に係る圧力センサ装置の拡大断面図であり、図２に対応する。
【図５】変形例２における圧力センサ装置の拡大断面図であり、図２に対応する。
【発明を実施するための形態】
【００１０】
以下、本発明の実施形態を、図面を参照して説明する。なお、以下に示す各実施形態において、共通乃至関連する要素には同一の符号を付与するものとする。また、以下において、圧力基準室形成部の一面に垂直な方向をＺ方向、Ｚ方向に直交する平面をＸＹ平面と示す。
【００１１】
（第１実施形態）
先ず、図１及び図２に基づき、本実施形態に係る圧力センサ装置１０の概略構成について説明する。
【００１２】
圧力センサ装置１０は、被取付け部材２００内の測定媒体の圧力を検出するものである。被取付け部材２００としては、例えばディーゼルエンジンの燃料噴射システムにおいて高圧の燃料を蓄えるコモンレールが採用される。図１に示すように、圧力センサ装置１０は、ハウジング２０と、金属部材４０と、センサチップ５０と、圧力基準室形成部６０と、スペーサ７０と、セラミック基板８０と、ワイヤ９０と、ＩＣチップ１００と、コネクタ１１０と、を備える。圧力センサ装置１０は、被取付け部材２００に取り付けられる。
【００１３】
ハウジング２０は、例えばＳＵＳ等の金属材料より構成される。ハウジング２０は、Ｚ方向に沿って延びる略円筒状をなすとともに、被取付け部材２００に固定される固定部２２と構成要素４０〜１００を収容する収容部２４とを有する。固定部２２は、収容部２４のＸＹ平面における中央部分からＺ方向の被取付け部材２００側に突出して形成される。固定部２２の外径が収容部２４の外径よりも小さくされ、固定部２２と収容部２４の間に段差部２６が形成される。
【００１４】
固定部２２の外周にはネジ部２８が形成される。固定部２２は被取付け部材２００のネジ孔２０２に収容され、ネジ孔２０２とネジ部２８とがネジ結合される。これにより、固定部２２が被取付け部材２００に固定される。また、固定部２２は、Ｚ方向における被取付け部材２００側の端面に開口部３０を有する。開口部３０は、被取付け部材２００の内部と連通し、測定媒体を中空部３２に導入する。中空部３２は、固定部２２を貫通して形成され、且つ、収容空間３４内に配置される金属部材４０の内部空間４２と連通する。
【００１５】
測定媒体がハウジング２０と被取付け部材２００との隙間から外部に漏れることを抑制するために、シール部材３００が配置される。シール部材３００は、圧力センサ装置１０と被取付け部材２００との間に配置される。詳しく言えば、シール部材３００は、段差部２６と、被取付け部材２００の外周面２００ａと、に接触して配置される。
【００１６】
収容部２４は、Ｚ方向における固定部２２と反対側の端部に収容空間３４を有する。収容空間３４には、金属部材４０、センサチップ５０、圧力基準室形成部６０、スペーサ７０、セラミック基板８０、ワイヤ９０、ＩＣチップ１００が収容される。また、収容空間３４のＺ方向における被取付け部材２００側にネジ孔３６が形成される。ネジ孔３６は、中空部３２とＺ方向に連通するとともに、ネジ結合により金属部材４０を固定する。
【００１７】
金属部材４０は、例えば、合金のコバールから構成される。金属部材４０は、内部空間４２を有するとともに、Ｚ方向に沿って延びる略円筒状をなす。また、金属部材４０は、被取付け部材２００側の一端に開口する開口部４４を有するとともに、その一端と反対の他端にダイアフラム４６を有する。金属部材４０の外周にネジ部４８が形成され、ネジ部４８とネジ孔３６とがネジ結合される。これにより、金属部材４０は、収容部２４に固定される。
【００１８】
開口部４４は、Ｚ方向において中空部３２と連通する。これにより、中空部３２に導入された測定媒体は、開口部４４により内部空間４２に導入される。ダイアフラム４６は、内部空間４２に導入された測定媒体の圧力に応じて変形する。また、ダイアフラム４６は、Ｚ方向における内部空間４２と反対側でセンサチップ５０と接合される。
【００１９】
センサチップ５０は、シリコン基板からなり、圧力検出回路が形成される。圧力検出回路は、例えば、歪みゲージにより構成されるブリッジ回路からなる。センサチップ５０は、ガラス５２を介して、金属部材４０のダイアフラム４６に配置される。したがって、センサチップ５０は、ダイアフラム４６の変形に応じて変形し、検出信号を生成する。上記したようにダイアフラム４６が測定媒体の圧力に応じて変形するため、センサチップ５０の検出信号は測定媒体の圧力を示す。センサチップ５０は、Ｚ方向におけるダイアフラム４６と反対側で圧力基準室形成部６０と接合される。
【００２０】
圧力基準室形成部６０は、一面６０ａが開口する箱状をなす。また、圧力基準室形成部６０は、センサチップ５０においてダイアフラム４６と反対側に一面６０ａを塞ぐように配置される。これにより、圧力基準室形成部６０は、センサチップ５０との間に圧力基準室６２を形成する。本実施形態において圧力基準室形成部６０は、ガラスにより構成される。シリコン基板からなるセンサチップ５０と、ガラスからなる圧力基準室形成部６０とが、陽極接合により接合される。
【００２１】
収容空間３４の圧力が変動した場合であっても、圧力基準室６２の圧力は、ほぼ一定に保たれる。そのため、センサチップ５０に作用する圧力変動が抑制される。本実施形態において、圧力基準室６２の圧力は、真空とされる。センサチップ５０、及び、圧力基準室形成部６０の詳細構造は、下記に示す。
【００２２】
スペーサ７０は、例えば金属材料から構成される。スペーサ７０は、収容部２４の収容空間３４において、ネジ孔３６から突出した金属部材４０の外周を囲むように設けられる。スペーサ７０には、セラミック基板８０が配置される。
【００２３】
セラミック基板８０は、ＸＹ平面においてセンサチップ５０を囲むように設けられる。セラミック基板８０は、Ｚ方向においてスペーサ７０の被取付け部材２００と反対側に配置される。セラミック基板８０には、スペーサ７０側と反対側の面及び内部に、図示しない配線が形成される。セラミック基板８０は、ワイヤ９０を介してセンサチップ５０と電気的に接続される。
【００２４】
ワイヤ９０は、センサチップ５０と、セラミック基板８０とを電気的に接続する。センサチップ５０とワイヤ９０との接続部は、図示しないゲルにより保護される。センサチップ５０の検出信号は、ワイヤ９０及びセラミック基板８０を介して、ＩＣチップ１００に出力される。ワイヤ９０は、特許請求の範囲に記載の外部端子に相当する。
【００２５】
ＩＣチップ１００は、Ｚ方向においてセラミック基板８０のスペーサ７０と反対側の面に配置される。ＩＣチップ１００には、処理回路が形成される。処理回路は、セラミック基板８０の配線を介して入力された検出信号の処理を行う。処理回路は、例えば、検出信号を増幅するとともに、温度変化に応じた検出信号の特性調整を行う。ＩＣチップ１００により処理された検出信号は、コネクタ１１０を介して外部機器に出力される。
【００２６】
コネクタ１１０は、ＩＣチップ１００と外部機器とを電気的に中継する。コネクタ１１０は、収容部２４のＺ方向における固定部２２と反対側に配置され、収容部２４とともに収容空間３４を形成する。コネクタ１１０は、ピン１１２、ターミナル１１４、樹脂部材１１６、ケース１１８を有する。
【００２７】
ピン１１２は、Ｚ方向に沿って形成される略円筒形状をなす。ピン１１２は、セラミック基板８０を介してＩＣチップ１００と電気的に接続される。ピン１１２の一端は、Ｚ方向においてセラミック基板８０のスペーサ７０と反対側の面であってＩＣチップ１００と異なる部分に接続される。ピン１１２の他端は、ターミナル１１４と接続される。
【００２８】
ターミナル１１４は、Ｌ字状をなす。Ｌ字をなす一辺は、樹脂部材１１６にインサート成形される。これにより、ターミナル１１４は、樹脂部材１１６に固定される。また、インサート成形された一辺の先端は、ピン１１２に接続される。もう一辺は、ケース１１８の内部空間に配置され、外部端子と接続される。樹脂部材１１６は、スペーサ７０及びケース１１８と接触し、収容空間３４に配置される。
【００２９】
ケース１１８は、例えば樹脂により構成される。ケース１１８は、有底筒状をなし、底部には貫通孔が形成される。ケース１１８は、底部が収容部２４の収容空間３４を囲むように配置される。貫通孔にはターミナル１１４が通り、ターミナル１１４の上記他端がケース１１８の内部空間に配置される。
【００３０】
次に、図２に基づきセンサチップ５０、及び、圧力基準室形成部６０の詳細構造について説明する。
【００３１】
圧力基準室形成部６０と対向するセンサチップ５０の対向面５０ａは、ＸＹ平面に沿う平坦な面とされる。圧力基準室形成部６０の一面６０ａも、対向面５０ａと同様にＸＹ平面に沿う平坦な面とされる。一面６０ａにおける開口以外の部分と対向面５０ａとが接触して、センサチップ５０と圧力基準室形成部６０とが接合される。
【００３２】
ＸＹ平面におけるセンサチップ５０の平面形状は、圧力基準室形成部６０の平面形状よりも大きい。そのため、対向面５０ａは、圧力基準室形成部６０により覆われる部分と覆われない部分を有する。対向面５０ａにおける圧力基準室形成部６０により覆われない部分には、配線が形成され、ワイヤ９０が電気的に接続される。センサチップ５０の検出信号は、ワイヤ９０を介してセラミック基板８０に出力される。
【００３３】
次に、上記した圧力センサ装置１０の効果について説明する。本実施形態において、圧力センサ装置１０は、金属部材４０を備える。このため、圧力センサ装置１０は、高圧の測定媒体を検出することができる。
【００３４】
収容空間３４は、圧力センサ装置１０周囲の外気に開放されている。これに対し、本実施形態において圧力基準室形成部６０は、センサチップ５０との間に圧力基準室６２を形成する。これによれば、センサチップ５０におけるダイアフラム４６と反対側の圧力変動を抑制することができる。したがって、センサチップ５０の検出信号に誤差が生じることを抑制し、圧力検出精度の低下を抑制することができる。
【００３５】
本実施形態において、圧力センサ装置１０は、構成要素２０及び構成要素７０〜１１０を備える構成としたが、これに限定するものではない。圧力センサ装置１０は、少なくとも金属部材４０と、センサチップ５０と、圧力基準室形成部６０と、を備えるものであれば採用することができる。
【００３６】
本実施形態において、圧力基準室６２の圧力を一定、且つ、真空としたが、これに限定するものではない。圧力基準室６２は、自身の圧力変動が収容空間３４の圧力変動よりも小さいものであれば採用することができる。
【００３７】
（変形例１）
上記した第１実施形態に対し、図３に示すように、圧力センサ装置１０は、封止材１２０を備えていてもよい。封止材１２０は、例えばモールド樹脂から構成される。
【００３８】
封止材１２０は、ダイアフラム４６におけるセンサチップ５０との接合面に接触して配置され、センサチップ５０と、圧力基準室形成部６０と、ワイヤ９０と、を一体的に封止する。ワイヤ９０は、センサチップ５０と接続される一端と反対の他端で、リード１２２と接続される。リード１２２は、ワイヤ９０とセラミック基板８０とを電気的に接続する。リード１２２は、封止材１２０により一部が封止される。
【００３９】
上記したように、圧力センサ装置１０は、ダイアフラム４６の変形に応じてセンサチップ５０が変形することで検出信号を生成する。そのため、圧力基準室形成部６０を備えない従来の構成では、センサチップ５０が封止材１２０に封止されると、センサチップ５０の変形を抑制することとなる。したがって、センサチップ５０とワイヤ９０の接続部を封止材１２０により保護することが困難であった。これに対し、圧力基準室形成部６０を備える上記構成によれば、センサチップ５０におけるダイアフラム４６と反対側に圧力基準室６２が形成される。そのため、封止材１２０を備える構成であっても、センサチップ５０はダイアフラム４６の変形に応じて変形することができる。これによれば、圧力基準室形成部６０とワイヤ９０の接続部を封止するため、接続部を保護することができる。また、圧力基準室形成部６０を封止することにより、圧力基準室６２からの漏れを抑制することができる。したがって、圧力検出精度の低下を抑制することができる。
【００４０】
封止材１２０が、センサチップ５０と、圧力基準室形成部６０と、ワイヤ９０と、を一体的に封止する構成を示したがこれに限定するものではない。封止材１２０は、センサチップ５０とワイヤ９０との接続部と、圧力基準室形成部６０と、を封止するものであれば採用することができる。また、封止材１２０は、樹脂部材１１６と一体に形成してもよい。なお、センサチップ５０とワイヤ９０の接続部が、特許請求の範囲に記載のセンサチップと外部端子との電気的な接続部に相当する。
【００４１】
（第２実施形態）
本実施形態において、第１実施形態に示した圧力センサ装置１０と共通する部分についての説明は割愛する。
【００４２】
図４に示すように、圧力基準室形成部６０は、貫通電極６４を有する。貫通電極６４は、圧力基準室形成部６０をＺ方向に貫通するように形成される。つまり、貫通電極６４は、圧力基準室形成部６０における一面６０ａ、及び、一面６０ａと反対の裏面６０ｂに露出する。ワイヤ９０は、圧力基準室形成部６０の裏面６０ｂに露出した貫通電極６４と接続される。これにより、センサチップ５０とワイヤ９０とは、貫通電極６４を介して電気的に接続される。これにより、センサチップ５０に電源が供給される。
【００４３】
また、圧力基準室形成部６０は、センサチップ５０と同様にシリコン基板から形成される。センサチップ５０及び圧力基準室形成部６０は、各シリコン基板におけるシリコンが互いに結合することにより直接接合される。また、センサチップ５０及び圧力基準室形成部６０は、いずれもウエハを切断してなる。各ウエハは、互いに直接接合されるとともに、一括で切断される。この切断により、接合されたセンサチップ５０及び圧力基準室形成部６０が形成される。
【００４４】
例えば、上記接合の具体的手順として、先ず、センサチップ５０のウエハに圧力検出回路を形成し、圧力基準室形成部６０のウエハに凹部及び下記の処理回路を形成する。そして、それぞれのウエハに真空下でＡｒイオンビームを照射し、ウエハ表面の汚染物質が除去してウエハ表面を活性化させる。この活性化したウエハ表面同士を重ねて荷重をかけることにより、それぞれのウエハ表面の接合手を接合させ、ウエハ同士を直接接合する。これにより、センサチップ５０と圧力基準室形成部６０とを強固に接合することができ、圧力基準室６２の圧力変動を抑制することができる。
【００４５】
接合されたウエハは、一括で切断される。切断は、ダイシングブレードがＺ方向に沿うようにウエハをダイシングする。このため、ダイシングの切断面であるセンサチップ５０の端面５０ｂ、及び、圧力基準室形成部６０の端面６０ｃは、ＸＹ平面の位置が一致する。ダイシングにより、接合されたセンサチップ５０及び圧力基準室形成部６０が形成される。
【００４６】
また、圧力基準室形成部６０には、図示しない処理回路が形成される。さらに、圧力基準室形成部６０には配線が形成され、圧力基準室形成部６０がセンサチップ５０の検出信号を処理するチップとして機能する。本実施形態における圧力基準室形成部６０は、第１実施形態のＩＣチップ１００と同様に、センサチップ５０が出力する検出信号の増幅及び特性調整等の処理を行う。このため、本実施形態において圧力センサ装置１０は、ＩＣチップ１００を備えない。同様に、圧力センサ装置１０はセラミック基板８０備えず、コネクタ１１０がピン１１２を有さない。
【００４７】
また、図示しない貫通電極６４が、センサチップ５０と、処理回路と、を接続する。さらに、図示しないワイヤ９０が、処理回路と、図示しないターミナル１１４とを接続する。これにより、検出信号は、センサチップ５０から、圧力基準室形成部６０、ワイヤ９０、及び、ターミナル１１４を介して外部機器に出力される。なお、本実施形態において、変形例１と同様に圧力センサ装置１０は、封止材１２０を備える。封止材１２０は、センサチップ５０と、圧力基準室形成部６０と、ワイヤ９０と、ターミナル１１４の一部を封止する。なお、貫通電極６４とワイヤ９０の接続部が、特許請求の範囲に記載のセンサチップと外部端子との電気的な接続部に相当する。
【００４８】
次に、上記した圧力センサ装置１０の効果について説明する。本実施形態において、圧力基準室形成部６０は、シリコン基板から形成される。また、センサチップ５０及び圧力基準室形成部６０は、各シリコン基板におけるシリコンが互いに結合することにより直接接合される。これによれば、センサチップ５０と圧力基準室形成部６０とは、接着材等を用いることなく直接接合されるため、コストを低減することができる。
【００４９】
本実施形態において、センサチップ５０及び圧力基準室形成部６０は、いずれもウエハを切断してなる。また、各ウエハは、互いに直接接合されるとともに、一括で切断される。これによれば、センサチップ５０及び圧力基準室形成部６０を個々に切断して接合する構成に較べて、工程を簡略化することができる。
【００５０】
上記したように、センサチップ５０の端面５０ｂ、及び、圧力基準室形成部６０の端面６０ｃとは、ＸＹ平面の位置が一致する。これによれば、センサチップ５０の対向面５０ａは、全体が圧力基準室形成部６０により塞がれる。これに対し、本実施形態では、圧力基準室形成部６０が貫通電極６４を有する。これによれば、対向面５０ａ全体が圧力基準室形成部６０により塞がれる場合であっても、センサチップ５０とワイヤ９０とを電気的に接続することができる。
【００５１】
本実施形態において、圧力基準室形成部６０には、センサチップ５０の検出信号の処理を行う処理回路が形成される。これによれば、圧力センサ装置１０は、圧力基準室形成部６０とは別に、ＩＣチップ１００を備える必要がない。したがって、省スペース化することができる。上記したように、センサチップ５０と圧力基準室形成部６０とは、接合される。このため、本実施形態では、第１実施形態に較べて処理回路の位置をセンサチップ５０に近くにすることができる。これによれば、センサチップ５０の検出信号にノイズが重畳することを抑制することができる。
【００５２】
本実施形態において、圧力基準室形成部６０には、処理回路、及び、配線が形成され、圧力基準室形成部６０をチップとして機能させる例を示したが、これに限定するものではない。例えば、貫通電極６４が形成されるが、処理回路が形成されない圧力基準室形成部６０を採用することもできる。この場合、センサチップ５０から貫通電極６４に出力された検出信号が処理回路を介さず直接ワイヤ９０に出力される。
【００５３】
本実施形態において、センサチップ５０及び圧力基準室形成部６０は、直接接合されたウエハが一括で切断されて形成される例を示したが、これに限定するものではない。センサチップ５０と圧力基準室形成部６０とが、ウエハが切断されたシリコン基板からなる場合に、それぞれのウエハを個々に切断してもよい。この場合、切断により形成したセンサチップ５０及び圧力基準室形成部６０を接合する。
【００５４】
（変形例２）
上記した第２実施形態に対し、圧力基準室形成部６０に、収容空間３４の圧力を検出する圧力検出回路が形成されていてもよい。圧力基準室形成部６０に形成される圧力検出回路は、例えば、歪みゲージにより構成されるブリッジ回路とされる。この場合、図５に示すように圧力センサ装置１０は、封止材１２０を備えない。圧力基準室形成部６０とワイヤ９０の接続部分は、図示しないゲルにより保護される。
【００５５】
圧力センサ装置１０は封止材１２０を備えないため、収容空間３４内の圧力変動により、圧力基準室形成部６０が変形する。圧力基準室形成部６０は、この変形に応じた検出信号を生成する。生成された検出信号は、貫通電極６４を介してワイヤ９０に出力される。収容空間３４は、圧力センサ装置１０周囲の外気に開放されている。このため、検出信号は、圧力センサ装置１０周囲の圧力を示す。したがって、圧力センサ装置１０を、自身の周囲の圧力を検出するセンサとして機能させることができる。なお、収容空間３４の圧力は、特許請求の範囲に記載の外部雰囲気の圧力に相当する。
【００５６】
以上、本発明の好ましい実施形態について説明したが、本発明は上記した実施形態になんら制限されることなく、本発明の主旨を逸脱しない範囲において、種々変形して実施することが可能である。
【符号の説明】
【００５７】
１０・・・圧力センサ装置、２０・・・ハウジング、２２・・・固定部、２４・・・収容部、２６・・・段差部、２８・・・ネジ部、３０・・・開口部、３２・・・中空部、３４・・・収容空間、３６・・・ネジ孔、４０・・・金属部材、４２・・・内部空間、４４・・・開口部、４６・・・ダイアフラム、４８・・・ネジ部、５０・・・センサチップ、５０ａ・・・対向面、５０ａ・・・端面、５２・・・ガラス、６０・・・圧力基準室形成部、６０ａ・・・一面、６０ｂ・・・裏面、６０ｃ・・・端面、６２・・・圧力基準室、６４・・・貫通電極、７０・・・スペーサ、８０・・・セラミック基板、９０・・・ワイヤ、１００・・・ＩＣチップ、１１０・・・コネクタ、１１２・・・ピン、１１４・・・ターミナル、１１６・・・樹脂部材、１１８・・・ケース、１２０・・・封止材、１２２・・・リード、２００・・・被取付け部材、２００ａ・・・外周面、２０２・・・ネジ孔、３００・・・シール部材
【図１】
2015175651.tif 000003
【図２】
2015175651.tif 000004
【図３】
2015175651.tif 000005
【図４】
2015175651.tif 000006
【図５】
2015175651.tif 000007