(57)【要約】【課題】均一性を高めた発光装置を提供する。【解決手段】実施形態によれば、実装領域と、複数の半導体発光素子と、波長変換層と、を含む発光装置が提供される。前記実装領域は、中央部と、前記中央部の外側の外側部と、を含む実装領域を含む。前記複数の半導体発光素子は、前記実装領域上に設けられる。前記波長変換層は、前記複数の半導体発光素子を覆い前記複数の半導体発光素子から放出される光の波長を変換する。前記複数の半導体発光素子のうちの隣り合う２つの前記半導体発光素子の間の第１領域における前記波長変換層の上面と、前記実装領域と、の間の第１距離は、前記中央部よりも前記外側部で長い。【選択図】図１
2015185686.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
中央部と、前記中央部の外側の外側部と、を含む実装領域を含む実装領域と、
前記実装領域上に設けられた複数の半導体発光素子と、
前記複数の半導体発光素子を覆い前記複数の半導体発光素子から放出される光の波長を変換する波長変換層と、
を備え、
前記複数の半導体発光素子のうちの隣り合う２つの前記半導体発光素子の間の第１領域における前記波長変換層の上面と、前記実装領域と、の間の第１距離は、前記中央部よりも前記外側部で長い発光装置。
【請求項２】
前記複数の半導体発光素子のうちで前記中央部に位置する前記半導体発光素子の光出力は、前記複数の半導体発光素子のうちで前記外側部に位置する前記半導体発光素子の光出力よりも高い請求項１記載の発光装置。
【請求項３】
前記実装領域に設けられ、前記複数の半導体発光素子のうち前記中央部に位置する複数の半導体発光素子のそれぞれと電気的に接続された第１回路パターンと、前記複数の半導体発光素子のうち前記外側部に位置する複数の半導体発光素子のそれぞれと電気的に接続された第２回路パターンと、を含む第３金属層をさらに備え、
前記第１回路パターンと電気的に接続された前記複数の半導体発光素子のそれぞれは、前記第１回路パターンと電気的に接続された前記複数の半導体発光素子と前記第１回路パターンとを含む第１給電経路によって電流が供給され、
前記第２回路パターンと電気的に接続された前記複数の半導体発光素子のそれぞれは、前記第２回路パターンと電気的に接続された前記複数の半導体発光素子と前記第２回路パターンとを含む第２給電経路によって電流が供給され、
前記第１給電経路に流れる電流は、前記第２給電経路に流れる電流よりも大きい請求項１または２記載の発光装置。
【請求項４】
前記実装領域に設けられ、複数の実装パターンを含む第４金属層をさらに備え、
前記複数の半導体発光素子のそれぞれは、前記複数の実装パターンの少なくともいずれかと電気的に接続され、
前記複数の半導体発光素子のうちで前記外側部に位置する前記半導体発光素子に接続された実装パターンの厚さは、前記複数の半導体発光素子のうちで前記中央部に位置する前記半導体発光素子に接続された実装パターンの厚さよりも厚い請求項１〜３のいずれか１つに記載の発光装置。
【請求項５】
前記中央部のうちの前記複数の半導体発光素子が設けられた領域の面積の、前記中央部の面積に対する割合は、前記外側部のうちの前記複数の半導体発光素子が設けられた領域の面積の、前記外側部の面積に対する割合よりも低い請求項１〜４のいずれか１つに記載の発光装置。
【請求項６】
複数の実装パターンを含む第５金属層をさらに備え、
前記複数の実装パターンのそれぞれは、表面に金を含む層が形成されているとともに、前記複数の半導体発光素子のそれぞれと前記実装領域との間に設けられ、
前記複数の半導体発光素子のそれぞれは、前記複数の実装パターンの少なくともいずれかと電気的に接続され、前記複数の半導体発光素子は、前記中央部に位置する中央部半導体発光素子を含み、前記複数の半導体発光素子は、前記外側部に位置する外側部半導体発光素子を含み、
前記複数の実装パターンは、中央部実装パターンと、外側部実装パターンと、を含み、
前記中央部実装パターンは、前記中央部前記半導体発光素子と、前記実装領域と、の間に配置され、
前記外側部実装パターンは、前記外側部半導体発光素子と前記実装領域との間に配置され、
前記実装領域の主面に投影したときに、前記内側部実装パターンの前記内側部半導体発光素子と重ならない部分の面積は、前記外側部実装パターンの前記外側部前記半導体発光素子と重ならない部分の面積よりも大きい請求項１〜５のいずれか１つに記載の発光装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明の実施形態は、発光装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
例えば、青色光を発光する半導体発光素子と、光の波長を変換する蛍光体と、を組み合わせて白色光を発光する発光装置がある。このような発光装置において、発光の均一性を高めることが望まれる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２０１２−８４７３３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
本発明の実施形態は、均一性を高めた発光装置を提供する。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本発明の実施形態によれば、実装領域と、複数の半導体発光素子と、波長変換層と、を含む発光装置が提供される。前記実装領域は、中央部と、前記中央部の外側の外側部と、を含む実装領域を含む。前記複数の半導体発光素子は、前記実装領域上に設けられる。前記波長変換層は、前記複数の半導体発光素子を覆い前記複数の半導体発光素子から放出される光の波長を変換する。前記複数の半導体発光素子のうちの隣り合う２つの前記半導体発光素子の間の第１領域における前記波長変換層の上面と、前記実装領域と、の間の第１距離は、前記中央部よりも前記外側部で長い。
【発明の効果】
【０００６】
本発明の実施形態によれば、均一性を高めた発光装置が提供される。
【図面の簡単な説明】
【０００７】
【図１】図１（ａ）〜図１（ｃ）は、第１の実施形態に係る発光装置及び照明装置を例示する模式図である。
【図２】第１の実施形態に係る発光装置を例示する模式的断面図である。
【図３】図３（ａ）及び図３（ｂ）は、第２の実施形態に係る発光装置を例示する模式図である。
【図４】図４（ａ）及び図４（ｂ）は、第２の実施形態に係る別の発光装置を例示する模式図である。
【図５】図５（ａ）〜図５（ｃ）は、第２の実施形態に係る発光装置を例示する模式図である。
【図６】第３の実施形態に係る発光装置を例示する模式的平面図である。
【図７】図７（ａ）及び図７（ｂ）は、第４の実施形態に係る発光装置を例示する模式図である。
【図８】第５の実施形態に係る発光装置を例示する模式的平面図である。
【図９】図９（ａ）及び図９（ｂ）は、第５の実施形態に係る発光装置を例示する模式的平面図である。
【図１０】図１０（ａ）〜図１０（ｄ）は、第６の実施形態に係る発光装置を例示する模式図である。
【発明を実施するための形態】
【０００８】
以下に、本発明の各実施の形態について図面を参照しつつ説明する。  
なお、図面は模式的または概念的なものであり、各部分の厚みと幅との関係、部分間の大きさの比率などは、必ずしも現実のものと同一とは限らない。また、同じ部分を表す場合であっても、図面により互いの寸法や比率が異なって表される場合もある。  
なお、本願明細書と各図において、既出の図に関して前述したものと同様の要素には同一の符号を付して詳細な説明は適宜省略する。
【０００９】
（第１の実施形態）  
図１（ａ）〜図１（ｃ）は、第１の実施形態に係る発光装置及び照明装置を例示する模式図である。  
図１（ａ）は平面図である。図１（ｂ）は、図１（ａ）のＡ１−Ａ２線断面の一部を例示す断面図である。  
図１（ａ）及び図１（ｂ）に表したように、本実施形態に係る発光装置１１０は、ベース部材７１と、グリス層５３と、金属板５１と、接合層５２と、実装基板部１５と、複数の半導体発光素子２０と、を含む。発光装置１１０は、例えば、照明装置２１０に用いられる。
【００１０】
ベース部材７１から実装基板部１５に向かう方向を積層方向（Ｚ軸方向）とする。Ｚ軸方向に対して垂直な１つの方向をＸ軸方向とする。Ｚ軸方向とＸ軸方向とに対して垂直な方向をＹ軸方向とする。
【００１１】
ベース部材７１の上に、グリス層５３、金属板５１、接合層５２、実装基板部１５、及び、複数の半導体発光素子２０が、この順で配置される。
【００１２】
すなわち、複数の半導体発光素子２０は、ベース部材７１と、Ｚ軸方向において離間する。実装基板部１５は、基板１０を含む。基板１０は、上面１０ｕｅを有する。基板１０には、例えば、セラミック、または、セラミックと樹脂の複合セラミックなどから形成される部材が用いられる。セラミックとしては、例えば、酸化アルミニウム（Ａｌ２Ｏ３）、窒化アルミニウム（ＡｌＮ）、酸化ベリリウム（ＢｅＯ）、ステアタイト（ＭｇＯ・ＳｉＯ２）、ジルコン（ＺｒＳｉＯ４）、または、窒化ケイ素（Ｓｉ３Ｎ４）などが用いられる。基板１０は、ベース部材７１と複数の半導体発光素子との間に設けられる。金属板５１は、ベース部材７１と実装基板部１５との間に設けられる。
【００１３】
図１（ｂ）に例示したように、接合層５２は、実装基板部１５と金属板５１との間に設けられる。接合層５２は、実装基板部１５と金属板５１とを接合する。
【００１４】
グリス層５３は、ベース部材７１と金属板５１との間に設けられる。グリス層５３は、金属板５１の熱をベース部材７１に伝達する。
【００１５】
以下、図１（ａ）及び図１（ｂ）に示した発光装置１１０（及び照明装置２１０）の例について、説明する。
【００１６】
発光装置１１０において、発光部４０が設けられる。金属板５１の上に、発光部４０が設けられる。金属板５１と発光部４０との間に、接合層５２が設けられる。
【００１７】
本願明細書において、上に設けられる状態は、直接的に上に設けられる状態の他に、間に別の要素が挿入される状態も含む。
【００１８】
金属板５１から発光部４０に向かう方向が積層方向に対応する。本願明細書において、積層される状態は、直接接して重ねられる状態の他に、間に別の要素が挿入されて重ねられる状態も含む。
【００１９】
金属板５１は、例えば板状である。金属板５１の主面は、例えば、Ｘ−Ｙ平面に対して実質的に平行である。金属板５１の平面形状は、例えば矩形である。金属板５１は、例えば、第１〜第４辺５５ａ〜５５ｄを有する。第２辺５５ｂは、第１辺５５ａから離間する。第３辺５５ｃは、第１辺５５ａの一端と、第２辺５５ｂの一端と、を接続する。第４辺５５ｄは、第３辺５５ｃと離間し、第１辺５５ａの他端と、第２辺５５ｂの他端と、を接続する。金属板５１の平面形状のコーナ部は、曲線状でも良い。金属板５１の平面形状は、矩形でなくても良く、任意である。
【００２０】
金属板５１には、例えば、銅やアルミニウムなどの金属材や、金属とセラミックの複合材などの基板が用いられる。金属板５１の表面には、部材の酸化防止やはんだの濡れ性向上の観点から、Ｎｉめっきなどの別の金属層が形成されていても良い。
【００２１】
発光部４０は、光を放出する。それと同時に、発光部４０は熱を発生する。接合層５２は、発光部４０で発生した熱を、金属板５１に効率良く伝導する。接合層５２には、例えば、はんだなどが用いられる。すなわち、接合層５２は、はんだを含む。例えば、接合層５２には、錫をベースにし、金、銀、銅、ビスマス、ニッケル、インジウム、亜鉛、アンチモン、ゲルマニウム及びシリコンのいずれかを少なくとも１種類以上含むはんだを用いることができる。例えば、ＳｎＡｇＣｕ合金などが用いられる。
【００２２】
発光部４０は、実装基板部１５と、発光素子部３５と、を含む。  
実装基板部１５は、基板１０と、第１金属層１１と、第２金属層１２と、を含む。
【００２３】
基板１０は、第１主面１０ａと、第２主面１０ｂと、を有する。第２主面１０ｂは、第１主面１０ａとは反対側の面である。金属板５１は、基板１０の第２主面に対向している。換言すると、第２主面１０ｂは、金属板５１側の面である。すなわち、第２主面１０ｂは、接合層５２の側の面である。
【００２４】
本願明細書において、対向している状態は、直接面している状態に加え、間に別の要素が挿入されている状態も含む。
【００２５】
第１主面１０ａは、実装領域１６を含む。例えば、実装領域１６は、第１主面１０ａの外縁１０ｒから離間している。この例では、実装領域１６は、第１主面１０ａの中央部分に設けられる。第１主面１０ａは、周辺領域１７をさらに含む。周辺領域１７は、実装領域１６の周りに設けられる。
【００２６】
基板１０は、例えば、アルミナを含む。基板１０には、例えば、アルミナを主成分とするセラミックが用いられる。高い熱伝導性と、高い絶縁性と、が得られる。高い信頼性が得られる。
【００２７】
第１金属層１１は、第１主面１０ａ上に設けられる。第１金属層１１は、複数の実装パターン１１ｐを含む。複数の実装パターン１１ｐは、実装領域１６に設けられる。複数の実装パターン１１ｐの少なくともいずれか２つ以上は、互いに離間している。例えば、複数の実装パターン１１ｐの少なくともいずれかは、島状である。複数の実装パターン１１ｐの２つは、互いに独立している。複数の実装パターン１１ｐは、例えば、第１実装パターン１１ｐａ及び第２実装パターン１１ｐｂなどを含む。
【００２８】
複数の実装パターン１１ｐのそれぞれは、例えば、第１実装部分１１ａと、第２実装部分１１ｂと、を含む。この例では、実装パターン１１ｐは、第３実装部分１１ｃをさらに含む。第３実装部分１１ｃは、第１実装部分１１ａと第２実装部分１１ｂとの間に設けられ、第１実装部分１１ａと第２実装部分１１ｂとを繋ぐ。これらの実装部分の例については、後述する。
【００２９】
第１金属層１１は、複数の実装パターン１１ｐを互いに接続する接続部４４をさらに含んでも良い。この例では、第１金属層１１は、第１コネクタ用電極部４５ｅと第２コネクタ用電極部４６ｅとをさらに含む。第１コネクタ用電極部４５ｅは、複数の実装パターン１１ｐの１つと電気的に接続される。第２コネクタ用電極部４６ｅは、複数の実装パターン１１ｐのその１つとは別の１つと電気的に接続される。例えば、１つの実装パターン１１ｐの一部の上に半導体発光素子２０が配置される。この半導体発光素子２０により、第１コネクタ用電極部４５ｅが、実装パターン１１ｐの１つと電気的に接続される。さらに、別の１つの実装パターン１１ｐの一部の上に半導体発光素子２０が配置される。この半導体発光素子２０により、第２コネクタ用電極部４６ｅが、別の１つの実装パターン１１ｐの１つと電気的に接続される。
【００３０】
この例では、発光部４０は、第１主面１０ａ上に設けられた第１コネクタ４５と、第２コネクタ４６と、をさらに含む。第１コネクタ４５は、第１コネクタ用電極部４５ｅと電気的に接続される。第２コネクタ４６は、第２コネクタ用電極部４６ｅと電気的に接続される。この例では、第１コネクタ用電極部４５ｅの上に、第１コネクタ４５が設けられている。第２コネクタ用電極部４６ｅの上に、第２コネクタ４６が設けられている。第１コネクタ４５と、第２コネクタ４６と、の間に発光素子部３５が配置される。これらのコネクタを介して、発光部４０に電力が供給される。
【００３１】
第２金属層１２は、第２主面１０ｂ上に設けられる。第２金属層１２は、第１金属層１１と電気的に絶縁されている。第２金属層１２の少なくとも一部は、Ｘ−Ｙ平面（第１主面１０ａに対して平行な第１平面）に投影したときに、実装領域１６と重なる。
【００３２】
図１（ｃ）は、発光装置１１０の一部を例示する透視平面図である。  
第２金属層１２は、外縁１０ｒから離れている。第２金属層１２の平面形状は、例えば矩形である。第２金属層１２は、第１〜第４辺１２ｉ〜１２ｌを有する。第２辺１２ｊは、第１辺１２ｉから離間する。第３辺１２ｋは、第１辺１２ｉの一端と、第２辺１２ｊの一端と、を接続する。第４辺１２ｌは、第３辺１２ｋと離間し、第１辺１２ｉの他端と、第２辺１２ｊの他端と、を接続する。各辺の交点、すなわちコーナ部は、曲線状（アール形状）でも良い。第２金属層１２の平面形状は、矩形でなくても良く、任意である。
【００３３】
このように、基板１０の上面（第１主面１０ａ）に第１金属層１１が設けられ、基板１０の下面（第２主面１０ｂ）に第２金属層１２が設けられる。
【００３４】
発光素子部３５は、基板１０の第１主面１０ａ上に設けられる。発光素子部３５は、複数の半導体発光素子２０と、波長変換層３１と、を含む。
【００３５】
この例では、複数の半導体発光素子２０はアレイ状に配置される。半導体発光素子２０は、例えば、略円形状に配置される。例えば、半導体発光素子２０は、略等ピッチで配置される。
【００３６】
複数の半導体発光素子２０は、第１主面１０ａ上に設けられる。複数の半導体発光素子２０のそれぞれは、光を放出する。半導体発光素子２０は、例えば窒化物半導体を含む。半導体発光素子２０は、例えば、ＩｎｙＡｌｚＧａ１−ｘ−ｙＮ（０≦ｘ≦１，０≦ｙ≦１，ｘ＋ｙ≦１）を含む。ただし、実施形態において、半導体発光素子２０は任意である。
【００３７】
複数の半導体発光素子２０は、例えば、第１半導体発光素子２０ａ及び第２半導体発光素子２０ｂなどを含む。
【００３８】
複数の半導体発光素子２０のそれぞれは、複数の実装パターン１１ｐのうちのいずれかの実装パターン１１ｐと、複数の実装パターン１１ｐのうちの上記のいずれかの隣の別の実装パターン１１ｐと、電気的に接続されている。
【００３９】
例えば、第１半導体発光素子２０ａは、複数の実装パターン１１ｐのうちの第１実装パターン１１ｐａと、第２実装パターン１１ｐｂと、電気的に接続されている。第２実装パターン１１ｐｂは、第１実装パターン１１ｐａの隣の別の実装パターン１１ｐに相当する。
【００４０】
例えば、複数の半導体発光素子２０のそれぞれは、第１導電形の第１半導体層２１と、第２導電形の第２半導体層２２と、発光層２３と、を含む。例えば、第１導電形はｎ形であり、第２導電形はｐ形である。第１導電形がｐ形であり、第２導電形がｎ形でも良い。
【００４１】
第１半導体層２１は、第１の部分（第１半導体部分２１ａ）と、第２の部分（第２半導体部分２１ｂ）と、を含む。第２半導体部分２１ｂは、積層方向（金属板５１から発光部４０に向かうＺ軸方向）に対して交差する方向（例えば、Ｘ軸方向）において、第１半導体部分２１ａと並ぶ。
【００４２】
第２半導体層２２は、第２半導体部分２１ｂと実装基板部１５との間に設けられる。発光層２３は、第２半導体部分２１ｂと第２半導体層２２との間に設けられる。  
半導体発光素子２０は、例えば、フリップチップ型のＬＥＤである。
【００４３】
例えば、第１半導体層２１の第１半導体部分２１ａが、実装パターン１１ｐの第１実装部分１１ａと対向している。第２半導体層２２が、実装パターン１１ｐの第２実装部分１１ｂと対向している。第１半導体層２１の第１半導体部分２１ａは、実装パターン１１ｐと電気的に接続される。第２半導体層２２は、別の実装パターン１１ｐと電気的に接続される。この接続には、例えば、電気伝導率及び熱伝導率が高いはんだや金バンプなどが用いられる。この接続は、例えば、金属溶融はんだ接合により行われる。または、この接続は、例えば、金バンプを用いた超音波熱圧着法により行われる。
【００４４】
すなわち、例えば、発光素子部３５は、第１接合金属部材２１ｅと、第２接合金属部材２２ｅと、をさらに含む。第１接合金属部材２１ｅは、第１半導体部分２１ａと、いずれかの実装パターン１１ｐ（例えば第１実装部分１１ａ）と、の間に設けられる。第２接合金属部材２２ｅは、第２半導体層２２と、別の実装パターン１１ｐ（例えば、第２実装パターン１１ｐｂ）と、の間に設けられる。第１接合金属部材２１ｅ及び第２接合金属部材２２ｅの少なくともいずれかは、はんだ、または、金バンプを含む。これにより、第１接合金属部材２１ｅ及び第２接合金属部材２２ｅのそれぞれの断面積（Ｘ−Ｙ平面で切断したときの断面積）を大きくできる。これにより、第１接合金属部材２１ｅ及び第２接合金属部材２２ｅを介して、熱を効率良く、実装基板部１５に伝えることができ、放熱性が高まる。
【００４５】
例えば、半導体発光素子２０と実装基板部１５との間に、別の金属層を設けても良い。これにより、第１の金属層の酸化を抑制したり、はんだとの濡れ性を高めたりすることができる。この金属層は、半導体発光素子２０及び実装パターン１１ｐと電気的に接続されない。この金属層は回路に関係しない。
【００４６】
波長変換層３１は、複数の半導体発光素子２０の少なくとも一部を覆う。波長変換層３１は、複数の半導体発光素子２０から放出される光（例えば第１光）の少なくとも一部を吸収し、第２光を放出する。第２光の波長（例えばピーク波長）は、第１光の波長（例えばピーク波長）とは、異なる。波長変換層３１には、例えば、蛍光体などの複数の波長変換粒子と、複数の波長変換粒子が分散された光透過性樹脂と、を含む。第１光は、例えば青色光を含む。第２光は、第１光よりも波長が長い光を含む。第２光は、例えば、黄色光及び赤色光の少なくともいずれかを含む。
【００４７】
この例では、発光素子部３５は、反射層３２をさらに含む。反射層３２は、Ｘ−Ｙ平面内で波長変換層３１を囲む。反射層３２には、例えば、金属酸化物などの複数の粒子と、その粒子が分散された光透過性樹脂と、を含む。金属酸化物などの粒子は、光反射性を有する。この金属酸化物などの粒子として、例えば、ＴｉＯ２及びＡｌ２Ｏ３の少なくともいずれか用いることができる。反射層３２を設けることで、半導体発光素子２０から放出された光が、積層方向に沿った方向（例えば上方向）に沿って効率良く出射できる。
【００４８】
発光部４０は、例えば、チップオンボード（ＣＯＢ）型のＬＥＤモジュールである。
【００４９】
本実施形態においては、発光素子部３５（複数の半導体発光素子２０）から放出される光の光束発散度は、１０ｌｍ／ｍｍ２（ルーメン/平方ミリメートル）以上、１００ｌｍ／ｍｍ２以下である。望ましくは、２０ｌｍ／ｍｍ２以上である。すなわち、本実施形態においては、発光素子部３５から放出される光の発光面積に対する比（光束発散度）が、非常に高い。本願明細書においては、発光面積は、実質的に実装領域１６の面積に対応する。
【００５０】
本実施形態に係る発光装置１１０は、例えば、投光器などの照明装置２１０に利用される。
【００５１】
グリス層５３には、液体状または固体状の潤滑油（グリス）などが用いられる。グリス層５３には、例えば、絶縁性を有する潤滑油（絶縁性グリス）や、導電性を有する潤滑油（導電性グリス）などを用いても良い。絶縁性グリスは、例えば、シリコーンと、そのシリコーンに分散されたセラミック粒子と、を含む。導電性グリスは、例えば、シリコーンと、そのシリコーンに分散された金属粒子と、を含む。導電性グリスにおいては、例えば、絶縁性グリスよりも高い熱伝導率が得られる。例えば、発光素子部３５の熱は、グリス層５３により、ベース部材７１に伝導されて、放熱される。
【００５２】
本実施形態に係る発光装置１１０においては、例えば、金属板５１をＸ−Ｙ平面に投影したときに、金属板５１は、実装領域１６の面積の５倍以上の面積を有する。すなわち、本実施形態においては、実装領域１６の面積に対して、金属板５１の面積が非常に大きく設定されている。これにより、実装領域１６の上に設けられた発光素子部３５で生じる熱を、面積の大きい金属板５１により、面内方向（Ｘ−Ｙ面内方向）に広げる。そして、面内方向に拡がった熱が、例えば、ベース部材７１に向けて、伝達され、効率良く放熱される。
【００５３】
図２は、第１の実施形態に係る発光装置を例示する模式的断面図である。  
図２は、発光装置１１０のＹ軸に対して垂直な面における模式的断面図である。実装領域１６は、中央部１６ｃと外側部１６ｅとを含む。外側部１６ｅは、中央部１６ｃの外側に設けられる。
【００５４】
波長変換層３１は、上面（波長変換層上面３１ｕ）を有する。波長変換層上面３１ｕは、下に凹状である。すなわち、波長変換層上面３１ｕの中心部分と基板１０との間の距離は、波長変換層上面３１ｕの外側部分と基板１０との間の距離よりも短い。
【００５５】
外側部１６ｅにおいて、隣り合う半導体発光素子２０の間の領域において、波長変換層上面３１ｕから基板１０までの距離を距離Ｌ１ｅとする。  
中央部１６ｃにおいて、隣り合う半導体発光素子２０の間の領域において、波長変換層上面３１ｕから基板１０までの距離を距離Ｌ１ｃとする。  
外側部１６ｅにおいて、半導体発光素子２０の上の領域において、波長変換層上面３１ｕから基板１０までの距離を距離Ｌ２ｅとする。  
中央部１６ｃにおいて、半導体発光素子２０の上の領域において、波長変換層上面３１ｕから基板１０までの距離を、距離Ｌ２ｃする。
【００５６】
図２に例示したように、距離Ｌ１ｃは、距離Ｌ１ｅよりも短い。すなわち、実装領域１６の中央部１６ｃに位置する半導体発光素子２０についての第１距離Ｌ１（すなわち距離Ｌ１ｃ）は、外側部１６ｅに位置する半導体発光素子２０についての第１距離Ｌ１（すなわち距離Ｌ１ｅ）よりも短い。また、距離Ｌ２ｃは、距離Ｌ２ｅよりも短い。このように、波長変換層上面３１ｕは、下に凹状である。
【００５７】
例えば、距離Ｌ１ｃは、０．５４ｍｍ以上０．６７ｍｍ以下である。距離Ｌ１ｅは０．７ｍｍ以上０．８ｍｍ以下である。距離Ｌ１ｃと距離Ｌ１ｅとの差の絶対値は、例えば距離Ｌ１ｃの０．３倍以上０．４５倍以下である。
【００５８】
例えば、距離Ｌ２ｃは、０．６ｍｍ以上０．７ｍｍ以下である。距離Ｌ２ｅは０．７５ｍｍ以上０．８５ｍｍ以下である。距離Ｌ２ｃと距離Ｌ２ｅとの差の絶対値は、例えば距離Ｌ２ｃの０．２倍以上０．２５倍以下である。
【００５９】
発光素子部３５で生じる熱の一部は、例えば、波長変換層３１に蓄積される。例えば、中央部１６ｃの上の領域における波長変換層３１において、熱が蓄積しやすい。本実施形態においては、中央部１６ｃの上の領域における波長変換層３１の高さ（距離Ｌ１ｃ）は、外側部１６ｅの上の領域における波長変換層３１の高さ（距離Ｌ２ｃ）よりも低い。そして、距離Ｌ２ｃは、距離Ｌ２ｅよりも短い。これにより、中央部１６ｃの上の領域における波長変換層３１への熱の蓄積を抑制することができる。例えば、中央部１６ｃの上の領域における半導体発光素子２０の温度と、外側部１６ｅの上の領域における半導体発光素子２０の温度との、差が小さくなる。温度の差が縮小することで、実装領域１６の中心部分と外側部分とにおいて、出射する光の均一性が向上する。本実施形態によれば、均一性を高めた発光装置が提供される。
【００６０】
この例では、複数の半導体発光素子２０の間の領域において、波長変換層上面３１ｕは凹状である。すなわち、距離Ｌ１ｃは、距離Ｌ２ｃよりも短い。そして、距離Ｌ１ｅは、距離Ｌ２ｅよりも短い。ただし、波長変換層上面３１ｕの凹状の凹みは必須ではなく、なくてもよい。
【００６１】
半導体発光素子２０の上の領域における波長変換層上面３１ｕは、隣り合う半導体発光素子２０の間の領域における波長変換層上面３１ｕよりも上方に位置する。  
例えば、複数の半導体発光素子２０のうちの隣り合う２つの半導体発光素子２０の間の領域を第１領域Ｒ１とする。隣り合う２つの半導体発光素子２０の上の領域を第２領域Ｒ２とする。
【００６２】
第１領域Ｒ１における波長変換層上面３１ｕと、基板１０と、の間の距離を第１距離とする。第２領域Ｒ２における波長変換層上面３１ｕと基板１０との間の距離を第２距離とする。実施形態においては、第１距離は、第２距離よりも短い。
【００６３】
隣り合う半導体発光素子２０の間の第１領域Ｒ１における波長変換層３１の高さは、第１距離Ｌ１に対応する。半導体発光素子２０の上の第２領域における波長変換層３１の高さは、第２距離Ｌ２に対応する。例えば、複数の半導体発光素子２０は、Ｘ−Ｙ面内にアレイ状に設けられる。波長変換層３１の表面形状は、例えば鱗状に観察される場合もある。
【００６４】
発光素子部３５で生じる熱の一部は、例えば、波長変換層３１に蓄積される。波長変換層３１に蓄積された熱は、例えば、半導体発光素子２０に伝達され、実装基板部１５へ向けて放熱される。例えば、半導体発光素子２０の間の領域における波長変換層３１において、熱が蓄積される。本実施形態では、半導体発光素子２０の間の領域における波長変換層３１の高さが低い。これにより、半導体発光素子２０の間の熱の蓄積を抑制することができ、放熱性を高めることができる。
【００６５】
（第２の実施形態）  
図３（ａ）及び図３（ｂ）は、第２の実施形態に係る発光装置を例示する模式図である。  
図３（ａ）は、発光装置の特性を示すグラフ図である。図３（ｂ）は、発光装置を例示する模式的平面図である。
【００６６】
図３（ｂ）に表したように、本実施形態に係る発光装置１１０ａにおいて、複数の半導体発光素子が、実装領域１６上に設けられる。複数の半導体発光素子は、例えば、素子２０ｃと、素子２０ｄと、素子２０ｅと、を含む。実装領域１６の中央部１６ｃには、素子２０ｃが設けられる。実装領域１６の外側部１６ｅには、素子２０ｅが設けられる。素子２０ｄは、素子２０ｃと、素子２０ｅと、の間に設けられる。この例では、素子２０ｃと、素子２０ｄと、素子２０ｅと、は、互いに特性が異なる。
【００６７】
図３（ａ）は、これらの半導体発光素子の特性を例示している。横軸は、温度Ｔである。縦軸は、光出力Ｐｏである。図３（ａ）に表したように、素子２０ｃ、素子２０ｄ及び素子２０ｅは、互いに光出力Ｐｏが異なる。同じ温度Ｔにおいて、素子２０ｃの光出力Ｐｏは、素子２０ｅの光出力Ｐｏよりも高い。素子２０ｄの光出力Ｐｏは、素子２０ｃの光出力Ｐｏと素子２０ｅの光出力Ｐｏの間である。
【００６８】
図３（ｂ）に表したように、複数の半導体発光素子が発光したとき、複数の半導体発光素子の温度が互いに異なる。この例では、素子２０ｃの温度２０ｃｔは、素子２０ｅの温度２０ｅｔよりも高い。素子２０ｄの温度２０ｄｔは、温度２０ｃｔと温度２０ｅｔとの間である。半導体発光素子の温度の分布が補償されるように、光出力Ｐｏの温度特性が互いに異なる半導体発光素子が配置される。
【００６９】
これにより、図３（ａ）に表したように、素子２０ｃの光出力２０ｃｐ、素子２０ｄの光出力２０ｄｐ及び素子２０ｅの光出力２０ｅｐにおいて、均一性が高まる。
【００７０】
例えば、外側部１６ｅにおける波長変換層３１の厚さが、中央部１６ｃにおける波長変換層３１の厚さよりも厚いと、外側部１６ｅにおける光の波長は、中央部１６ｃにおける光の波長よりも長くなる。これにより、色が不均一になる。本実施形態に係る発光装置１１０ａによれば、中央部１６ｃに設けられた素子の光出力は、外側部１６ｅに設けられた素子の光出力よりも高い。これにより、色の均一性が向上する。
【００７１】
図４（ａ）及び図４（ｂ）は、第２の実施形態に係る別の発光装置を例示する模式図である。  
図４（ａ）は、発光装置の特性を示すグラフ図である。図４（ｂ）は、発光装置を例示する模式的平面図である。
【００７２】
図４（ｂ）に表したように、発光装置１１０ｂにおいて、複数の半導体発光素子が実装領域１６の上に設けられる。複数の半導体発光素子は、素子２０ｆと、素子２０ｇと、を含む。実装領域１６の中央部１６ｃには、素子２０ｆが設けられる。実装領域１６の外側部１６ｅには、素子２０ｇが設けられる。素子２０ｆと、素子２０ｇと、は、互いに大きさ（面積）が異なる。
【００７３】
図４（ａ）は、これらの半導体発光素子の特性を例示している。横軸は、温度Ｔである。縦軸は、光出力Ｐｏである。  
図４（ａ）に表したように、素子２０ｆ及び素子２０ｇは、互いに光出力が異なる。同じ温度において、素子２０ｆの光出力Ｐｏは、素子２０ｇの光出力Ｐｏよりも高い。
【００７４】
図４（ｂ）に表したように、複数の半導体発光素子が発光したとき、複数の半導体発光素子の温度は、互いに異なる。素子２０ｆの温度２０ｆｔは、素子２０ｇの温度２０ｇｔよりも高い。半導体発光素子の温度の分布が補償されるように、面積が異なり光出力Ｐｏの温度特性が互いに異なる半導体発光素子が配置される。
【００７５】
図４（ａ）に表したように、素子２０ｆの光出力２０ｆｐ及び素子２０ｇの光出力２０ｇｐにおいて、均一性が高まる。
【００７６】
発光装置１１０ｂにおいても、中央部１６ｃに設けられた素子の光出力は、外側部１６ｅに設けられた素子の光出力よりも高い。これにより、色の均一性が高まる。
【００７７】
図５（ａ）〜図５（ｃ）は、第２の実施形態に係る発光装置を例示する模式図である。  図５（ａ）及び図５（ｃ）は、半導体発光素子の特性を示すグラフ図である。図５（ｃ）は、発光装置を例示する模式的平面図である。
【００７８】
図５（ｃ）に表したように、発光装置１１０ｃにおいて、複数の半導体発光素子が、実装領域１６の上に設けられる。実装領域１６は、３つの領域に分けられ、それぞれの領域の上に、複数の素子が設けられる。素子群２０ｃｇと実装領域１６の中心との間距離は、距離２０ｃｄ未満である。素子群２０ｄｇと実装領域１６の中心との間の距離は、距離２０ｃｄ以上距離２０ｄｄ未満である。素子群２０ｅｇと実装領域１６の中心との間の距離は、距離２０ｄｄ以上である。素子群２０ｃｇ、素子群２０ｃｇ、及び素子群２０ｅｇの特性は、互いに異なる。
【００７９】
図５（ａ）は、これらの素子群の特性を例示している。横軸は、実装領域１６の中心からの距離ｄｓである。縦軸は、光出力Ｐｏである。図５（ａ）は、素子群の温度が同じときの特性を例示している。
【００８０】
図５（ａ）に表したように、温度が一定のとき、素子群２０ｃｇの光出力Ｐｏの平均２０ｃａは、素子群２０ｅｇの光出力Ｐｏの平均２０ｅａよりも高い。素子群２０ｄｇの光出力Ｐｏの平均２０ｄａは、素子群２０ｃｇの光出力Ｐｏの平均と、素子群２０ｅｇの光出力Ｐｏの平均２０ｅａと、の間である。
【００８１】
図５（ｃ）に表したように、実装領域１６の３つの領域において、特性の異なる素子群が配置されている。素子群２０ｃｇの温度は、素子群２０ｅｇよりも高い。素子群２０ｄｇの温度は、素子群２０ｃｇの温度と、素子群２０ｅｇの温度との間である。
【００８２】
図５（ｂ）は、半導体発光素子が発光しているときの特性を例示している。横軸は、実装領域１６の中心からの距離ｄｓである。図５（ｂ）の縦軸は、光束Ｌｆである。図５（ｂ）に表したように、素子群２０ｃｇの光束の平均２０ｃｖ、素子群２０ｄｇの光束の平均２０ｄｖ及び素子群２０ｅｇの光束の平均２０ｅｖにおいて、均一性が高まる。
【００８３】
発光装置１１０ｃにおいても、中央部１６ｃに設けられた素子の光出力は、外側部１６ｅに設けられた素子の光出力よりも大きい。これにより、色の均一性が高まる。さらに、半導体発光素子をその特性によって複数の領域に配置することで、製造が容易になる。
【００８４】
実施形態に係る発光装置において、ＬＥＤチップが設けられた実装領域の中心から、同心円状に距離が遠くなるにつれて、配置されたチップの同一測定条件下での光出力Ｐｏが同等か、または、低い。配線基板上にチップを搭載し、光波長変換する蛍光体を含む透明樹脂で封止して形成された発光部において、発光部の中心から外周部に向けて距離が遠くなるにつれて、チップの光出力Ｐｏが低くなる。中央部で発光したチップの熱により低下した光出力Ｐｏと、中心部よりも外周にあり、低温で発光したチップのＰｏと、が同等となる。形成した発光面の位置による明るさの差が小さくなり、均一発光する。
【００８５】
実施形態に係る発光装置は、ＬＥＤチップ実装領域の中心からの距離と同一条件下におけるチップの光出力Ｐｏの相関を求めた場合に、負の相関がある。例えば、光出力Ｐｏでランク分けされたチップを、領域分けして実装する。発光中心から外周方向に向けての光出力Ｐｏの差が小さくできる。発光面内の位置による明るさの差が抑制できる。
【００８６】
（第３の実施形態）
図６は、第３の実施形態に係る発光装置を例示する模式的平面図である。  
図６に表したように、発光装置１１０ｄにおいて、実装領域１６の上に第３金属層１３（配線層、すなわち、第１金属層１１）が設けられ、第３金属層１３の上に、複数の半導体発光素子が設けられる。複数の半導体発光素子は、素子２０ｈと、素子２０ｉと、を含む。中央部１６ｃには、素子２０ｈが設けられる。外側部１６ｅには、素子２０ｉが設けられる。
【００８７】
第３金属層１３は、第１回路パターン１３ｌａと、第２回路パターン１３ｌｂと、を含む。第２回路パターン１３ｌｂは、第１回路パターン１３ｌａと独立している。第１回路パターン１３ｌａは、中央部１６ｃの素子２０ｈと接続される。第２回路パターン１３ｌｂは、外側部１６ｅの素子２０ｉと接続される。
【００８８】
第１回路パターン１３ｌａは、素子２０ｈに電流を供給する。第２回路パターン１３ｌｂは、素子２０ｉに電流を供給する。素子２０ｈには、電流Ｉｈが流れる。素子２０ｉには、電流Ｉｉが流れる。複数の素子２０ｈが直列に接続され、複数の素子２０ｈと、第１回路パターン１３ｌａと、を含む第１給電経路によって、素子２０ｈに電流が供給されてもよい。例えば、素子２０ｉと、第２回路パターン１３ｌｂと、を含む第２給電経路によって、電流が素子２０ｉに供給されてもよい。
【００８９】
本実施形態においては、電流Ｉｈは、電流Ｉｉよりも大きく設定される。中央部１６ｃに設けられた半導体発光素子に流れる電流は、外側部１６ｅに設けられた半導体発光素子に流れる電流よりも大きい。これにより、色の均一性が高まる。すなわち、外側部１６ｅにおける波長変換層３１の厚さが、中央部１６ｃにおける波長変換層３１の厚さよりも厚いと、外側部１６ｅにおける光の波長は、中央部１６ｃにおける光の波長よりも長くなる。これにより、色むらが発生する。本実施形態に係る発光装置１１０ｄによれば、中央部１６ｃと外側部１６ｅとで電流を変えることにより、色の均一性が高まる。
【００９０】
実施形態に係る発光装置においては、複数の回路パターンのうちの、実装部材の中心部の回路パターンと、端部の回路パターンと、それぞれに投入する電流の差が、例えば５０％以上である。
【００９１】
（第４の実施形態）
図７（ａ）及び図７（ｂ）は、第４の実施形態に係る発光装置を例示する模式図である。  
図７（ａ）は、模式的平面図である。図７（ｂ）は、模式的断面図である。
【００９２】
図７（ａ）に表したように、発光装置１１０ｅにおいて、実装領域１６の上に複数の半導体発光素子が設けられる。複数の半導体発光素子は、素子２０ｊと、素子２０ｋと、を含む。実装領域１６の中央部１６ｃには、素子２０ｊが設けられる。実装領域１６の外側部１６ｅには、素子２０ｋが設けられる。
【００９３】
図７（ｂ）に表したように、波長変換層３１と、反射層３２と、第４金属層１４（配線層、すなわち、第１金属層１１）と、が設けられる。素子２０ｊ及び素子２０ｋは、波長変換層３１に覆われている。反射層３２は、Ｘ−Ｙ平面内で波長変換層３１を囲む。第４金属層１４は、複数の実装パターンを含む。複数の素子のそれぞれは、複数の実装パターンの少なくともいずれかと電気的に接続されている。複数の実装パターンは、中央部実装パターン１４ａと、外側部実装パターン１４ｂと、を含む。
【００９４】
中央部実装パターン１４ａは、素子２０ｊと、実装領域１６と、の間に設けられる。外側部実装パターン１４ｂは、素子２０ｋと、実装領域１６と、の間に設けられる。外側部実装パターン１４ｂの厚さ１４ｂｔは、中央部実装パターン１４ａの厚さ１４ａｔよりも厚い。
【００９５】
発光装置１１０ｅにおいて、外側部１６ｅに設けられた実装パターンの厚さが、中央部１６ｃに設けられた実装パターンよりも厚いことで、例えば、波長変換層３１の厚さが調整される。これにより、色の均一性が高まる。
【００９６】
実施形態に係る発光装置は、ＬＥＤ実装基板と複数のＬＥＤチップとバンクと蛍光体配合封止樹脂とによって形成されるＣＯＢモジュールである。ＬＥＤ実装基板の配線パターンの厚さをＣＯＢ央部に比べて外周部で厚くする。複数のＬＥＤチップは、ＬＥＤ実装基板に実装され、ＬＥＤチップ実装領域を囲むように形成されたバンク内に蛍光体配合封止樹脂が充填される。蛍光体配合封止樹脂をバンク内に充填し硬化する際に、蛍光体配合封止樹脂はバンクにせり上がるように形成される。ＣＯＢ中央部に比べて外周部で、厚さが増す。これに対応するように、ＬＥＤ実装基板の配線パターンの厚さをＣＯＢ中央部に比べ外周部で厚くする。ＬＥＤチップから放射される励起光が透過する蛍光体配合封止樹脂の厚さが、発光面内において均一化される。これにより、色むらが軽減される。
【００９７】
（第５の実施形態）
図８は、第５の実施形態に係る発光装置を例示する模式的平面図である。  
図８に表したように、本実施形態に係る発光装置１１０ｆにおいては、複数の半導体発光素子の密度が、中央部１６ｃと外側部１６ｅとで変更される。複数の半導体発光素子は、素子２０ｌと、素子２０ｍと、素子２０ｎと、素子２０ｏと、を含む。実装領域１６の中央部１６ｃには、素子２０ｌと、素子２０ｍと、が設けられる。素子２０ｌと素子２０ｍとは、最近接である。実装領域１６の外側部１６ｅには、素子２０ｎと、素子２０ｏと、が設けられる。素子２０ｎと、素子２０ｏと、は、最近接である。
【００９８】
この例では、複数の半導体発光素子のサイズが同じである。中央部１６ｃにおいて、素子２０ｌの中心と、素子２０ｍの中心と、の間の距離を距離２０ｌｍとする。外側部１６ｅにおいて、素子２０ｎの中心と、素子２０ｏの中心と、の間の距離を距離２０ｎｏとする。距離２０ｌｍは、距離２０ｎｏよりも長い。
【００９９】
例えば、中央部１６ｃにおいて、複数の半導体発光素子が設けられた領域の面積の、中央部１６ｃの面積に対する割合を第１割合とする。外側部１６ｅにおいて、複数の半導体発光素子が設けられている領域の面積の、外側部１６ｅの面積に対する割合を第２割合とする。第１割合は、第２割合よりも低い。
【０１００】
中央部１６ｃにおける複数の半導体発光素子の密度は、外側部１６ｅにおける複数の半導体発光素子の密度よりも低い。
【０１０１】
図９（ａ）及び図９（ｂ）は、第５の実施形態に係る発光装置を例示する模式的平面図である。  
図９（ａ）に表したように、素子２０ｐａ、２０ｐｂ、２０ｐｃ及び２０ｐｄのそれぞれの間の距離は近い。このとき、これらの素子と波長変換層３１との組み合わせにおいて、第１の色が得られる。
【０１０２】
図９（ｂ）に表したように、素子２０ｑａ、２０ｑｂ、２０ｑｃ及び２０ｑｄのそれぞれの間の距離は、図９（ｂ）の状態よりも遠い。このとき、これらの素子と波長変換層３１との組み合わせにおいて、第２の色が得られる。第２の色は、第１の色よりも長波長である。
【０１０３】
本実施形態においては、中央部１６ｃにおいて素子が設けられない領域を、外側部１６ｅにおいて素子が設けられない領域よりも広くする。既に説明したように、外側部１６ｅにおける波長変換層３１の厚さが、中央部１６ｃにおける波長変換層３１の厚さよりも厚いと、外側部１６ｅにおける光の波長は、中央部１６ｃにおける光の波長よりも長くなる。これにより、色むらが発生する。
【０１０４】
このとき、本実施形態に係る発光装置１１０ｆによれば、中央部１６ｃと外側部１６ｅとで、素子が設けられない領域の割合を変更する。波長変換層３１の厚さの差異による色の不均一性が、素子が設けられない領域の割合により補償する。これにより、色の均一性が高まる。
【０１０５】
複数のＬＥＤチップを一括で蛍光体封止した光源と、光源とレンズとの距離を変化させることで光の照射範囲を変化させる機能を持った照明装置がある。このような照明装置において、照射面が光源の投影像となると、ＬＥＤチップがはっきりと見えてしまう。これを避けるために、完全に焦点を結ぶ位置からレンズをずらしたり、光源とレンズの間に拡散面を設けたりしている。しかしながら、ＬＥＤ光源の樹脂層の厚さが表面張力で壁付近で厚くなることが原因で、色むらが発生する。この色むらにおいては、照射面の中心から離れるほど長波長になるリング状のむらである。
【０１０６】
実施形態に係る発光装置においては、ＬＥＤチップの配置間隔を光源の中心に近いほど広くする。これにより、上記の問題が抑制できる。
【０１０７】
照射面に投影像が見える時には、ＬＥＤチップの直上は低波長になり、ＬＥＤチップが無い領域は長波長に見える。ＬＥＤチップの配置間隔を広くし、かつ、拡散面などでそれをぼかすと、ＬＥＤチップとその周囲とを合わせた領域が投影される照射面は、ＬＥＤチップ配置間隔が狭い時よりも長波長に見える。これを利用して樹脂層の厚さの違いによる色の違いを縮小し、照射面全体の色むらを小さくすることができる。
【０１０８】
実施形態に係る発光装置においては、ＬＥＤ光源と、レンズと、を含む照明装置である。このＬＥＤ光源においては、複数のＬＥＤチップを同一の基板上に配置し、ＬＥＤチップ全体を囲うように作製された壁と、壁の内部に充填された樹脂層と、が設けられる。樹脂層においては、ＬＥＤチップ波長よりも長波長の光を発光する蛍光体が封止されている。レンズは、ＬＥＤ光源の上方に配置される。ＬＥＤ光源とレンズとの距離を変化させることで、光の照射範囲を変化させる。ＬＥＤチップの配置間隔が、ＬＥＤ光源の中心に近いと広い。中心から遠いと、配置間隔が広い。光の照射面における色むらが抑制できる。
【０１０９】
（第６の実施形態）
図１０（ａ）〜図１０（ｄ）は、第６の実施形態に係る発光装置を例示する模式図である。  
図１０（ａ）、図１０（ｃ）及び図１０（ｄ）は、模式的断面図である。図１０（ｂ）は、模式的平面図である。
【０１１０】
図１０（ａ）に表したように、本実施形態に係る発光装置１１０ｇにおいて、実装領域１６の上に、複数の半導体発光素子が設けられる。複数の半導体発光素子は、素子２０ｒと、素子２０ｓと、を含む。実装領域１６の中央部１６ｃには、素子２０ｒが設けられる。実装領域１６の外側部１６ｅには、素子２０ｓが設けられる。
【０１１１】
第５金属層１８（配線層、例えば第１金属層１１）は、複数の実装パターンを含む。複数の実装パターンのそれぞれは、表面に金（Ａｕ）を含む層が形成されている。例えば金メッキ層である。複数の実装パターンのそれぞれは、複数の素子のそれぞれと、実装領域１６と、の間に設けられる。複数の素子のそれぞれは、複数の実装パターンの少なくともいずれかと電気的に接続されている。複数の実装パターンは、中央部実装パターン１８ａと、外側部実装パターン１８ｂと、を含む。中央部実装パターン１８ａは、素子２０ｒと、実装領域１６と、の間に設けられる。外側部実装パターン１８ｂは、素子２０ｓと、実装領域１６と、の間に設けられる。
【０１１２】
図１０（ｂ）に表したように、実装領域１６に投影したときに、中央部実装パターン１８ａは、半導体発光素子（素子２０ｒ）と重ならない部分１８ａｆを有する。一方、実装領域１６に投影したときに、外側部実装パターン１８ｂは、半導体発光素子（素子２０ｓ）と重ならない部分１８ｂｆを有する。この例では、中央部実装パターン１８ａの上記の部分１８ａｆの面積は、外側部実装パターン１８ｂの上記の部分１８ｂｆの面積よりも大きい。
【０１１３】
図１０（ｃ）に表したように、中央部実装パターン１８ａは、素子２０ｒと重なる部分と、重なっていない部分１８ａｆと、を有する。図１０（ｄ）に表したように、外側部実装パターン１８ｂは、素子２０ｓと重なる部分と、重ならない部分１８ｂｆと、を有する。これらの図に示したように、部分１８ａｆの面積は、部分１８ｂｆの面積よりも大きい。
【０１１４】
既に説明したように、外側部１６ｅにおける波長変換層３１の厚さが、中央部１６ｃにおける波長変換層３１の厚さよりも厚いと、外側部１６ｅにおける光の波長は、中央部１６ｃにおける光の波長よりも長くなる。これにより、色むらが発生する。
【０１１５】
このとき、本実施形態においては、中央部１６ｃと外側部１６ｅとで、実装パターンのうちで素子と重ならない部分の面積を変更する。実装パターンは表面に金メッキ層が設けられており、中央部実装パターン１８ａは素子２０ｒと重ならない部分１８ａｆを有し、外側部実装パターン１８ｂは素子２０ｓと重なっているため、中央部実装パターン１８ａでは素子２０ｓから発生する光が金（Ａｕ）メッキで反射されて色温度が低い光が発生する。これにより、波長変換層３１の厚さの差異による色の不均一性が、実装パターンのうちで素子と重ならない部分の面積により補償される。これにより、色の均一性が高まる。
【０１１６】
実施形態に係る発光装置は、において、ＤＰＣ基板（アルミナセラミック基板）に、フリップチップのＬＥＤチップが実装されるＣＯＢモジュールである。例えば、白色バンク樹脂が設けられる。白色バンク樹脂の外周の幅（例えば直径）は、例えば２５ｍｍ以上である。白色バンク樹脂の内部に、蛍光体入り封止樹脂が設けられる。ＤＰＣ基板においては、裏面にも電極が設けられている。ヒートスプレッダとして、銅、Ｃｕ−Ｍｏ、ＡｌＳｉＣ等の複合金属材料が用いられている。ＳｎＡｇ系の半田材を用いて、ＤＰＣ基板とヒートスプレッダとが金属接合している。
【０１１７】
実施形態に係る発光装置（ＣＯＢモジュール）においては、セラミック基板の一方の面に、ＬＥＤチップと蛍光体封止樹脂と電子部品と配線部品と、が実装されるこの配線基板の他方の面に、金属板がろう付けされる。実装パターンが複数設けられている。複数の実装パターンの内の外側に位置する実装パターンの面積は、内側に位置する実装パターンの面積よりも小さい。内側のチップにおいては、実装パターンの反射の影響により、可視長波長の反射成分が多く、色温度が低くなる。内側のチップによる発光の色温度が、外側のチップによる発光の色温度に近くなる。
【０１１８】
本実施形態によれば、均一性を高めた発光装置が提供される。
【０１１９】
なお、本願明細書において、「垂直」及び「平行」は、厳密な垂直及び厳密な平行だけではなく、例えば製造工程におけるばらつきなどを含むものであり、実質的に垂直及び実質的に平行であれば良い。
【０１２０】
以上、具体例を参照しつつ、本発明の実施の形態について説明した。しかし、本発明は、これらの具体例に限定されるものではない。例えば、半導体発光素子、波長変換層及び基板などの各要素の具体的な構成に関しては、当業者が公知の範囲から適宜選択することにより本発明を同様に実施し、同様の効果を得ることができる限り、本発明の範囲に包含される。  
また、各具体例のいずれか２つ以上の要素を技術的に可能な範囲で組み合わせたものも、本発明の要旨を包含する限り本発明の範囲に含まれる。
【０１２１】
その他、本発明の思想の範疇において、当業者であれば、各種の変更例及び修正例に想到し得るものであり、それら変更例及び修正例についても本発明の範囲に属するものと了解される。
【０１２２】
本発明のいくつかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これら新規な実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これら実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれるとともに、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる。
【符号の説明】
【０１２３】
１０…基板、  １０ａ…第１主面、  １０ｂ…第２主面、  １０ｒ…外縁、  １０ｕｅ…上面、  １１…第１金属層、  １１ａ…第１実装部分、  １１ｂ…第２実装部分、  １１ｃ…第３実装部分、  １１ｐ…実装パターン、  １１ｐａ…第１実装パターン、  １１ｐｂ…第２実装パターン、  １２…第２金属層、  １２ｉ〜１２ｌ…第１辺〜第４辺、  １３…第３金属層、  １３ｌａ…第１回路パターン、  １３ｌｂ…第２回路パターン、  １４…第４金属層、  １４ａ…中央部実装パターン、  １４ａｔ、１４ｂｔ…厚さ、  １４ｂ…外側部実装パターン、  １５…実装基板部、  １６…実装領域、  １６ｃ…中央部、  １６ｅ…外側部、  １７…周辺領域、  １８…第５金属層、  １８ａ…中央部実装パターン、  １８ａｆ、１８ｂｆ…部分、  １８ｂ…外側部実装パターン、  ２０…半導体発光素子、  ２０ａ…第１半導体発光素子、  ２０ｂ…第２半導体発光素子、  ２０ｃ〜２０ｓ、２０ｐａ〜２０ｐｄ、２０ｑａ〜２０ｑｄ…素子、  ２０ｃａ、２０ｄａ、２０ｅａ…光出力の平均、  ２０ｃｄ、２０ｄｄ…距離、  ２０ｃｇ、２０ｄｇ、２０ｅｇ…素子群、  ２０ｃｐ、２０ｄｐ、２０ｅｐ、２０ｆｐ、２０ｇｐ…光出力、  ２０ｃｔ、２０ｄｔ、２０ｅｔ、２０ｆｔ、２０ｇｔ…温度、  ２０ｃｖ、２０ｄｖ、２０ｅｖ…光束の平均、  ２０ｌｍ、２０ｎｏ…距離、  ２１…第１半導体層、  ２１ａ…第１半導体部分、  ２１ｂ…第２半導体部分、  ２１ｅ…第１接合金属部材、  ２２…第２半導体層、  ２２ｅ…第２接合金属部材、  ２３…発光層、  ３１…波長変換層、  ３１ｕ…波長変換層上面、  ３２…反射層、  ３５…発光素子部、  ４０…発光部、  ４４…接続部、  ４５…第１コネクタ、  ４５ｅ…第１コネクタ用電極部、  ４６…第２コネクタ、  ４６ｅ…第２コネクタ用電極部、  ５１…金属板、  ５２…接合層、  ５３…グリス層、  ５５ａ〜５５ｄ…第１辺〜第４辺、  ７１…ベース部材、  １１０…発光装置、  １１０ａ〜１１０ｇ…発光装置、  ２１０…照明装置、  Ｉｈ、Ｉｉ…電流、  Ｌ１…第１距離、  Ｌ２…第２距離、  Ｌ１ｃ、Ｌ１ｅ、Ｌ２ｃ、Ｌ２ｅ…距離、  Ｌｆ…光束、  Ｐｏ…光出力、  Ｒ１…第１領域、  Ｒ２…第２領域、  Ｔ…温度、  ｄｓ…距離
【図１】
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【図２】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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