(57)【要約】【課題】基板の切断工程においてマージンが大きく、表示素子本体にダメージが及ぶことの少ない有機ＥＬ表示装置及びその製造方法を提供する。【解決手段】本発明にかかる有機ＥＬ表示装置の製造方法は、基板の上に樹脂膜を形成し、樹脂膜の上に複数の有機ＥＬ素子を含む有機ＥＬ層を形成し、樹脂膜の表面に、前記有機ＥＬ素子をそれぞれ多重に囲む複数の第１溝部を形成し、複数の第１溝部のうち、有機ＥＬ素子との距離が最も小さい第１溝部を除く、いずれか１つの第１溝部と重畳する位置で基板を切断し、基板を樹脂膜から剥離することを特徴とする。【選択図】図５
2015195106.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板の上に樹脂膜を形成し、
前記樹脂膜の上に複数の有機ＥＬ素子を含む有機ＥＬ層を形成し、
前記樹脂膜の表面に、前記有機ＥＬ素子をそれぞれ多重に囲む複数の第１溝部を形成し、
複数の前記第１溝部のうち、前記有機ＥＬ素子との距離が最も小さい第１溝部を除く、いずれか１つの第１溝部と重畳する位置で前記基板を切断し、
前記基板を前記樹脂膜から剥離することを特徴とする有機ＥＬ表示装置の製造方法。
【請求項２】
前記第１溝部は、前記有機ＥＬ素子をそれぞれ多重に囲む格子形状であることを特徴とする請求項１に記載の有機ＥＬ表示装置の製造方法。
【請求項３】
前記第１溝部は、前記有機ＥＬ素子をそれぞれ多重に囲む矩形形状であることを特徴とする請求項１に記載の有機ＥＬ表示装置の製造方法。
【請求項４】
複数の前記第１溝部に対してそれぞれ略直交する複数の第２溝部をさらに形成することを特徴とする請求項１から請求項３のいずれか１項に記載の有機ＥＬ表示装置の製造方法。
【請求項５】
前記樹脂膜の上にガスバリア層をさらに形成することを特徴とする請求項１に記載の有機ＥＬ表示装置の製造方法。
【請求項６】
前記ガスバリア層を形成することは、前記樹脂膜の上に、順にＳｉＮ層と第１のＳｉＯ２層とを積層して形成することを特徴とする請求項５に記載の有機ＥＬ表示装置の製造方法。
【請求項７】
前記ガスバリア層を形成することは、前記樹脂膜の上に、順に第２のＳｉＯ２層と、ＳｉＮ層と、第１のＳｉＯ２層とを積層して形成することを特徴とする請求項５に記載の有機ＥＬ表示装置の製造方法。
【請求項８】
前記樹脂膜はポリイミド膜であることを特徴とする請求項１から請求項７のいずれか１項に記載の有機ＥＬ表示装置の製造方法。
【請求項９】
前記有機ＥＬ層に接続するフレキシブル基板をさらに形成することを特徴とする請求項１から請求項８のいずれか１項に記載の有機ＥＬ表示装置の製造方法。
【請求項１０】
基板と、
前記基板の上に形成された樹脂膜と、
前記樹脂膜の上に形成された複数の有機ＥＬ素子を含む有機ＥＬ層とを含み、
前記樹脂膜の表面に、前記有機ＥＬ素子をそれぞれ多重に囲む複数の第１溝部が形成されていることを特徴とする、複数の有機ＥＬ表示装置を製造するためのマザー基板。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、有機ＥＬ表示装置及びその製造方法に関し、特に、樹脂膜を基材とするパネルを有するシートディスプレイに関する。
【背景技術】
【０００２】
一般に、マザー基板を用いて有機ＥＬなどのシートディスプレイを多数個取りで形成するためには、マザー基板となる基板の上にポリイミドなどからなる樹脂膜を形成し、当該樹脂膜の上に、さらに薄膜トランジスタ（ｔｈｉｎ  ｆｉｌｍ  ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ；ＴＦＴ）や発光層、ガスバリア層などを含む複数の有機ＥＬ素子をそれぞれ形成した後、基板をガラススクライブ法等により切断して個々の有機ＥＬ素子に分離し、基板から樹脂膜を剥離して複数の有機ＥＬ表示装置を製造する方法が用いられる。このような基板としては例えばガラス基板が用いられる。
【０００３】
しかし、樹脂膜は弾性を有する薄い素材であるため、ガラススクライブ法によってガラス基板とともに樹脂膜を切断することは容易ではなく、また、ガラス基板から樹脂膜を剥離することも容易ではないため、ガラス基板を切断する際やガラス基板から樹脂膜を剥離する際に、ガラス基板の上に形成された樹脂膜が引っ張られ、樹脂膜の上に形成されたＴＦＴや発光層、ガスバリア層等を含む有機ＥＬ素子本体にダメージを与えるという問題がある。
【０００４】
また、ガラス基板を切断する際の切断位置の公差を小さくすることは困難であるため、ガラス基板の切断位置のマージンを大きくすることのできる、歩留まりの高い製造方法が必要とされている。
【０００５】
そこで、ガラス基板を切断する前に、切断予定ライン上で樹脂膜にレーザで溝を形成し、樹脂膜に形成された溝の位置を狙ってガラス基板をスクライブ法等により切断するという方法がある。
【０００６】
このような従来の有機ＥＬ表示装置の製造方法の一例について、図１から図２を参照して説明する。図１（ａ）に示すように、ＴＦＴ側のマザー基板である第１ガラス基板１０の上に樹脂膜２０が形成されており、樹脂膜２０の上に有機ＥＬ層４０、ダム剤４４、フィル剤４２、配線３０等が形成されている。また、対向基板側の第２ガラス基板１２にも第２樹脂膜２２が形成されている。第２樹脂膜２２の上にはさらにガスバリア層２４が形成されていてもよい。なお、図示していないが、第１樹脂膜の上にもさらにガスバリア層が形成されていてもよい。
【０００７】
従来の有機ＥＬ表示装置の製造プロセスの一例を説明すると、まず、図１（ａ）において、第２ガラス基板１２と第２樹脂膜２２との界面をレーザ剥離して第２ガラス基板１２を取り除く。
【０００８】
次に、図１（ｂ）に示すように、第１樹脂膜２０及び第２樹脂膜２２に個体ＵＶレーザを照射して余分な樹脂膜を除去する。
【０００９】
次に、図１（ｃ）に示すように、第２ガラス基板１２（対向基板側）の余分な樹脂膜を取り除く。
【００１０】
次に、図２（ａ）に示すように、第１ガラス基板１０（ＴＦＴ側）の余分な部分をガラススクライブ法によって切断する。
【００１１】
次に、図２（ｂ）に示すように、第１ガラス基板１０と第１樹脂膜２０との界面をレーザ剥離して第１ガラス基板１０を取り除く。
【００１２】
このようにして、図２（ｃ）に示すような個々の有機ＥＬ表示装置１０００が製造される。
【先行技術文献】
【特許文献】
【００１３】
【特許文献１】特開２０１１−２２７３６９号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１４】
特開２０１１−２２７３６９号公報には、マザー基板の上で、切断予定部分の樹脂フィルムに１本の溝部を形成し、マザー基板を剥離した後、プラスチック基板を接着し、樹脂フィルムの溝部でプラスチック基板を切断することが記載されている。
【００１５】
しかしながら、この方法では、樹脂フィルムに形成される溝部は１本だけであるため、ガラス基板を切断する際の切断位置にずれが生じた場合、樹脂フィルムが引っ張られ、樹脂フィルムの上に形成された表示素子本体にダメージを与えるおそれがあるという問題がある。
【００１６】
そこで、本発明の課題は、基板の切断位置のマージンを大きくし、基板の切断工程において表示素子本体にダメージが及ぶことを防ぐことのできる有機ＥＬ表示装置及びその製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１７】
本発明による有機ＥＬ表示装置の製造方法は、基板の上に樹脂膜を形成し、前記樹脂膜の上に複数の有機ＥＬ素子を含む有機ＥＬ層を形成し、前記樹脂膜の表面に、前記有機ＥＬ素子をそれぞれ多重に囲む複数の第１溝部を形成し、複数の前記第１溝部のうち、前記有機ＥＬ素子との距離が最も小さい第１溝部を除く、いずれか１つの第１溝部と重畳する位置で前記基板を切断し、前記基板を前記樹脂膜から剥離することを特徴とする。
【００１８】
本発明による有機ＥＬ表示装置の製造方法において、前記第１溝部は、前記有機ＥＬ素子をそれぞれ多重に囲む格子形状であってもよい。
【００１９】
本発明による有機ＥＬ表示装置の製造方法において、前記第１溝部は、前記有機ＥＬ素子をそれぞれ多重に囲む矩形形状であってもよい。
【００２０】
本発明による有機ＥＬ表示装置の製造方法において、複数の前記第１溝部に対してそれぞれ略直交する複数の第２溝部をさらに形成してもよい。
【００２１】
本発明による有機ＥＬ表示装置の製造方法において、前記樹脂膜の上にガスバリア層をさらに形成してもよい。
【００２２】
本発明による有機ＥＬ表示装置の製造方法において、前記ガスバリア層を形成することは、前記樹脂膜の上に、順にＳｉＮ層と第１のＳｉＯ２層とを積層して形成してもよい。
【００２３】
本発明による有機ＥＬ表示装置の製造方法において、前記ガスバリア層を形成することは、前記樹脂膜の上に、順に第２のＳｉＯ２層と、ＳｉＮ層と、第１のＳｉＯ２層とを積層して形成してもよい。
【００２４】
本発明による有機ＥＬ表示装置の製造方法において、前記樹脂膜はポリイミド膜であってもよい。
【００２５】
本発明による有機ＥＬ表示装置の製造方法において、前記有機ＥＬ層に接続するフレキシブル基板をさらに形成してもよい。
【００２６】
本発明による有機ＥＬ表示装置を製造するためのマザー基板は、基板と、前記基板の上に形成された樹脂膜と、前記樹脂膜の上に形成された複数の有機ＥＬ素子を含む有機ＥＬ層とを含み、前記樹脂膜の表面に、前記有機ＥＬ素子をそれぞれ多重に囲む複数の第１溝部が形成されていることを特徴とする。
【発明の効果】
【００２７】
以上のように構成された本発明による有機ＥＬ表示装置及びその製造方法によれば、基板の切断位置のマージンを大きくし、基板の切断工程において表示素子本体にダメージが及ぶことを防ぐことのできる有機ＥＬ表示装置及びその製造方法を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００２８】
【図１】図１（ａ）から図１（ｃ）は、従来の有機ＥＬ表示装置の製造方法を説明するための概略断面図である。
【図２】図２（ａ）から図２（ｃ）は、従来の有機ＥＬ表示装置の製造方法を説明するための概略断面図である。
【図３】図３（ａ）から図３（ｃ）は、本発明にかかる有機ＥＬ表示装置の製造方法を説明するための概略断面図である。
【図４】図４（ａ）から図４（ｃ）は、本発明にかかる有機ＥＬ表示装置の製造方法を説明するための概略断面図である。
【図５】図４（ａ）に示す製造工程における本発明にかかる有機ＥＬ表示装置の一実施例における概略平面図である。
【図６】図４（ａ）に示す製造工程における本発明にかかる有機ＥＬ表示装置の他の実施例における概略平面図である。
【図７】図４（ａ）に示す製造工程における本発明にかかる有機ＥＬ表示装置のさらに他の実施例における概略平面図である。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２９】
以下、図面に基づいて本発明の各実施形態における有機ＥＬ表示装置の製造方法について説明する。ただし、本発明は以下の実施形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない限り様々な態様で実施されてもよい。
（実施形態１）
【００３０】
図３から図７を参照して本発明の実施形態１について説明する。図３及び図４は本発明にかかる有機ＥＬ表示装置の製造方法を説明するための概略断面図であり、図５から図７は図４（ａ）に示す製造工程における本発明にかかる有機ＥＬ表示装置のマザー基板の一実施例における概略平面図である。
【００３１】
図３（ａ）に示すように、本実施形態では、第１ガラス基板１００及び第２ガラス基板１２０の上に、それぞれ第１樹脂膜２００及び第２樹脂膜２２０が形成されている。また、第２樹脂膜２２０の上には、さらにガスバリア層２４０が形成されている。第１樹脂膜２００の上のガスバリア層は図示されていないが、第１樹脂膜２００の上にもさらにガスバリア層が形成されてもよい。第１樹脂膜２００と第２樹脂膜２２０との間には、複数の有機ＥＬ素子を構成する有機ＥＬ層４００、ダム剤４４０、フィル剤４２０、配線３００等が形成されている。
【００３２】
ガスバリア層２４０の具体的な構造については図示しないが、例えば、樹脂膜側から順にＳｉＮ層と第１のＳｉＯ２層とが順次積層された構造を有するものであってもよい。あるいは、ガスバリア層２４０は、例えば、樹脂膜側から順に第２のＳｉＯ２層とＳｉＮ層と第１のＳｉＯ２層とが順次積層された構造を有するものであってもよい。
【００３３】
有機ＥＬ層４００の具体的な構造については図示しないが、大きく分けて、ＴＦＴ（Ｔｈｉｎ  Ｆｉｌｍ  Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）層及びＯＬＥＤ層から構成されてもよい。例えば、ガラス基板の上に、通常のＬＴＰＳ（Ｌｏｗ  Ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ  Ｐｏｌｙ−Ｓｉｌｉｃｏｎ）工程によりＴＦＴ層が形成されてもよい。当該ＴＦＴ層の半導体層の材料としては、アモルファスシリコンであってもよいし、酸化物半導体であってもよいし、有機半導体であってもよい。
【００３４】
第１ガラス基板１００及び第２ガラス基板１２０は、その上に複数の有機ＥＬ素子が形成され、一度に多数の有機ＥＬ素子を得ることのできるマザー基板である。また、第１ガラス基板はＴＦＴが形成される側のマザー基板であり、第２ガラス基板は対向基板側のマザー基板である。図３（ａ）では第１ガラス基板１００及び第２ガラス基板１２０という一対のマザー基板を用いて製造する場合を図示しているが、第２ガラス基板１２０は省略されてもよい。
【００３５】
第１樹脂膜２００及び第２樹脂膜２２０は、例えばポリイミド膜であってもよい。ポリイミド膜は、その上にＬＴＰＳ（Ｌｏｗ  Ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ  Ｐｏｌｙ−Ｓｉｌｉｃｏｎ）工程等の方法によってＴＦＴを形成する際のプロセス温度に耐え得る素材であるため、本発明における樹脂膜の材料として好ましい。
【００３６】
図３（ａ）に示す工程において、第１樹脂膜２００及び第２樹脂膜２２０にレーザ照射して複数の溝部を形成する。複数の溝部を形成するために第１樹脂膜２００及び第２樹脂膜２２０をレーザ切断する際の加工精度は０．１ｍｍから０．３ｍｍであることが好ましい。
【００３７】
第１樹脂膜２００及び第２樹脂膜２２０に形成される複数の溝部の形状は、有機ＥＬ素子をそれぞれ多重に囲む形状であればどのようなものであってもよい。
【００３８】
例えば、複数の溝部の形状は、図５に示すマザー基板３０００のように、相互に略平行である３本の第１溝部１ａ、１ｂ、１ｃと、当該第１溝部１ａ、１ｂ、１ｃに対してそれぞれ略直交する第１溝部１ｄ、１ｅ、１ｆとを含み、有機ＥＬ素子をそれぞれ囲む３重構造の格子形状を有するものであってもよい。
【００３９】
あるいは、複数の溝部は、図６に示すマザー基板３１００のように、有機ＥＬ素子をそれぞれ囲む、それぞれ大きさの異なる３重に形成された相似形状の矩形の第１溝部１ｇ、１ｈ、１ｉを含む形状を有するものであってもよい。
【００４０】
あるいは、複数の溝部は、図７に示すマザー基板３２００のように、図５に示す３重構造の格子状の第１溝部１ｄ、１ｅ、１ｆに対して、それぞれ略直交する複数の第２溝部２ａ、２ｂ、２ｃ、２ｄ、２ｅがさらに形成されたものであってもよい。
【００４１】
図５から図７に示すような形状の複数の溝部を形成し、有機ＥＬ素子との距離が最も近い最内部の溝部以外のいずれかの溝部を切断ラインとしてガラス基板を切断することにより、仮にガラス基板をガラススクライブ法等で切断する際の実際の切断ラインが有機ＥＬ素子側（内側）にずれるなどのばらつきが生じたとしても、樹脂膜には、実際の切断ラインより内側（有機ＥＬ素子側）に、少なくとも１本以上の他の溝部が形成されているため、ガラス基板をガラススクライブ法等で切断する際のダメージが切断ラインより内側に形成された溝部で吸収され、それ以上内側には及ばないため、ガラス基板の切断位置のマージンを大きくすることが可能であると同時に、ガラス基板の切断工程において表示素子本体に及ぶダメージを減少させることができるという効果を得ることができる。
【００４２】
さらに、図７に示すような第２溝部を形成することにより、樹脂膜の表面に複数の第１溝部をレーザ照射により形成する際に、仮にレーザ照射が不十分で溝の深さが十分でない部分があったとしても、第１溝部が第２溝部によって細かく分断されるため、ガラス基板をガラススクライブ法等で切断する際のダメージが第２溝部によって分断された短い第１溝部の範囲外に及ばないため、樹脂膜の他の領域にダメージが及ぶことを防ぐことができるという効果を得ることができる。
【００４３】
このようにして複数の溝部が第１樹脂膜２００及び第２樹脂膜２２０に形成される。次に、図３（ｂ）に示す工程で、対向基板側の第２ガラス基板１２０をガラススクライブ法により切断し、第２ガラス基板１２０を取り除く。
【００４４】
さらに、図３（ｂ）に示す工程で、対向基板側の第２ガラス基板１２０と第２樹脂膜２２０との界面をレーザ剥離する。
【００４５】
次に、図３（ｃ）に示すように、剥離された第２ガラス基板１２０を取り除く。
【００４６】
次に、図４（ａ）に示すように、第２ガラス基板１２０の余分な樹脂膜２２０が取り除かれる。
【００４７】
次に、図４（ｂ）から図４（Ｃ）に示すように、複数の第１溝部のうち最内部の第１溝部以外の部分を狙ってＴＦＴ側の第１ガラス基板１００をガラススクライブ法により切断し、ＴＦＴ基板側の第１ガラス基板１００と第１樹脂膜２００との界面をレーザ剥離し、第１ガラス基板１００及び余分な樹脂膜２００が取り除かれる。
【００４８】
このようにして図４（Ｃ）に示すような有機ＥＬ素子２０００が製造される。
【００４９】
以上で説明した本実施形態の有機ＥＬ表示装置及びその製造方法によると、樹脂膜の上に複数の溝部を形成し、有機ＥＬ素子との距離が最も近い最内部の溝部以外のいずれかの溝部を切断ラインとして基板を切断することにより、仮に基板をガラススクライブ法等で切断する際の実際の切断ラインが有機ＥＬ素子側（内側）にずれるなどのばらつきが生じたとしても、樹脂膜には、実際の切断ラインより内側（有機ＥＬ素子側）に、少なくとも１本以上の他の溝部が形成されているため、基板をガラススクライブ法等で切断する際のダメージが切断ラインより内側に形成された溝部で吸収され、それ以上内側には及ばないため、基板の切断位置のマージンを大きくすることが可能であると同時に、基板の切断工程において表示素子本体に及ぶダメージを減少させることができるという効果を得ることができる。その結果、本実施形態によると、基板の切断位置のマージンを大きくし、基板の切断工程において表示素子本体にダメージが及ぶことを防ぐことのできる有機ＥＬ表示装置及びその製造方法を提供することができる。
【００５０】
（実施形態２）
【００５１】
本発明の第２実施形態は、上述した第１実施形態と比較して、有機ＥＬ層４００に含まれるＴＦＴ基板にさらにフレキシブルプリント基板（ＦＰＣ；Ｆｌｅｘｉｂｌｅ  ｐｒｉｎｔｅｄ  ｃｉｒｃｕｉｔｓ）が接続されていることを特徴とする。
【００５２】
本発明の第２実施形態のその他の構成及び効果は、上述した第１実施形態のものと同様であるので、その説明を省略する。
【符号の説明】
【００５３】
１ａ、１ｂ、１ｃ、１ｄ、１ｅ、１ｆ      第１溝部
２ａ、２ｂ、２ｃ、２ｄ、２ｅ      第２溝部
１００      第１基板
２００      第１樹脂膜
２２０      第２樹脂膜
２４０      ガスバリア層
３００      配線
４００      有機ＥＬ層
４２０      フィル剤
４４０      ダム剤
２０００    有機ＥＬ素子
３０００    マザー基板
【図１】
2015195106.tif 000003
【図２】
2015195106.tif 000004
【図３】
2015195106.tif 000005
【図４】
2015195106.tif 000006
【図５】
2015195106.tif 000007
【図６】
2015195106.tif 000008
【図７】
2015195106.tif 000009