(57)【要約】【課題】電極を覆うように保護膜を形成する際に、保護膜の端部の位置を精度よく調整する。【解決手段】電極基板ＥＳは、ガラス基板３１上に形成された検出電極ＴＤＬと、ガラス基板３１上に形成された凹凸パターンＵＥ１と、検出電極ＴＤＬを覆うように形成された保護膜３３と、を有する。凹凸パターンＵＥ１は、平面視において、検出電極ＴＤＬよりもガラス基板３１の外周側に配置されている。また、保護膜３３は、平面視において、検出電極ＴＤＬと凹凸パターンＵＥ１との間に位置する部分のガラス基板３１を覆うように形成されている。【選択図】図１４
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１基板と、
前記第１基板上に形成された第１電極と、
前記第１基板上に形成された第１凹凸パターンと、
前記第１電極を覆うように形成された第１保護膜と、
を有し、
前記第１凹凸パターンは、平面視において、前記第１電極よりも前記第１基板の外周側に配置され、
前記第１保護膜は、平面視において、前記第１電極と前記第１凹凸パターンとの間に位置する部分の前記第１基板を覆うように形成されている、電極基板。
【請求項２】
請求項１記載の電極基板において、
前記第１凹凸パターンは、第１凸部を含み、
前記第１凸部は、前記第１基板上に形成された第１膜からなる、電極基板。
【請求項３】
請求項２記載の電極基板において、
前記第１電極は、前記第１基板上に形成された第１導電膜からなり、
前記第１膜は、前記第１基板上に前記第１導電膜と同層に形成された第２導電膜である、電極基板。
【請求項４】
請求項２記載の電極基板において、
前記第１基板は、平面視において、第１辺、前記第１辺と交差する第２辺、前記第１辺と対向する第３辺、および、前記第２辺と対向する第４辺を有し、
前記第１凸部は、平面視において、前記第１電極よりも前記第１辺側に配置されている、電極基板。
【請求項５】
請求項４記載の電極基板において、
前記第１凸部は、平面視において、前記第１辺に沿った第１方向に延在する、電極基板。
【請求項６】
請求項５記載の電極基板において、
前記第１凹凸パターンは、複数の前記第１凸部を含み、
前記複数の第１凸部は、平面視において、前記第１方向にそれぞれ延在し、かつ、前記第１方向と交差する第２方向に配列されている、電極基板。
【請求項７】
請求項４記載の電極基板において、
前記第１凹凸パターンは、複数の前記第１凸部を含み、
前記複数の第１凸部は、平面視において、前記第１辺に沿った第１方向に千鳥状に配置されている、電極基板。
【請求項８】
請求項５記載の電極基板において、
前記第１凸部は、平面視において、前記第１方向と直交する第２方向の第１の側に位置する第１側面部を含み、
前記第１側面部の上端部は、前記第２方向において、前記第１側面部の下端部よりも、前記第１の側に位置する、電極基板。
【請求項９】
請求項１記載の電極基板において、
前記第１保護膜の端部が、前記第１凹凸パターン上に位置している、電極基板。
【請求項１０】
請求項９記載の電極基板において、
前記第１保護膜から露出した部分の前記第１凹凸パターンを覆うように形成された第２保護膜を有する、電極基板。
【請求項１１】
請求項９記載の電極基板において、
前記第１凹凸パターンは、前記第１保護膜の端部の位置を調整する位置調整パターンである、電極基板。
【請求項１２】
請求項１記載の電極基板において、
複数の前記第１電極を有し、
前記複数の第１電極により第１電極群が形成され、
前記第１保護膜は、前記第１電極群を覆うように形成され、
前記第１凹凸パターンは、平面視において、前記第１電極群を囲むように配置され、
前記第１保護膜は、平面視において、前記第１電極群と前記第１凹凸パターンとの間に位置する部分の前記第１基板を覆うように形成されている、電極基板。
【請求項１３】
請求項１記載の電極基板と、
画像を表示する表示部と、
を備え、
前記第１電極、前記第１凹凸パターンおよび前記第１保護膜は、前記第１基板の第１主面側に形成され、
前記表示部は、
平面視において、互いに間隔を空けて配列された複数の画素と、
前記複数の画素の各々の内部にそれぞれ設けられた複数の第２電極と、
平面視において前記複数の第２電極と重なるように設けられた第３電極と、
を有し、
前記電極基板は、平面視において前記第３電極とそれぞれ重なるように、互いに間隔を空けて設けられた複数の前記第１電極を有し、
前記複数の画素および前記複数の第２電極は、前記第１基板の前記第１主面と反対側の第２主面側に設けられ、
前記複数の第２電極の各々と前記第３電極との間に電圧が印加されることにより画像が表示され、
前記第３電極と前記複数の第１電極の各々との間の静電容量に基づいて入力位置が検出される、表示装置。
【請求項１４】
請求項１記載の電極基板と、
平面視において、前記第１電極と重なるように設けられた第２電極と、
を備え、
前記第１電極、前記第１凹凸パターンおよび前記第１保護膜は、前記第１基板の第１主面側に形成され、
前記電極基板は、平面視において、互いに間隔を空けて設けられた複数の前記第１電極を有し、
前記第２電極は、平面視において、前記複数の第１電極の各々と重なるように設けられ、
前記第２電極と前記複数の第１電極の各々との間の静電容量に基づいて入力位置が検出される、入力装置。
【請求項１５】
（ａ）第１基板を準備する工程、
（ｂ）前記第１基板上に第１電極を形成する工程、
（ｃ）前記第１基板上に第１凹凸パターンを形成する工程、
（ｄ）前記（ｃ）工程の後、前記第１電極を覆うように第１保護膜を形成する工程、
を有し、
前記（ｃ）工程では、平面視において、前記第１電極よりも前記第１基板の外周側に配置された前記第１凹凸パターンを形成し、
前記（ｄ）工程では、平面視において、前記第１電極と前記第１凹凸パターンとの間に位置する部分の前記第１基板を覆うように、前記第１保護膜を形成する、電極基板の製造方法。
【請求項１６】
請求項１５記載の電極基板の製造方法において、
前記（ｄ）工程では、インクジェット法または電界ジェット法により、前記第１電極を覆うように塗布液を塗布することにより、前記第１保護膜を形成する、電極基板の製造方法。
【請求項１７】
請求項１５記載の電極基板の製造方法において、
前記（ｂ）工程では、前記第１基板上に形成された第１導電膜からなる前記第１電極を形成し、
前記（ｃ）工程では、第１凸部を含む前記第１凹凸パターンを形成し、
前記第１凸部は、前記第１基板上に前記第１導電膜と同層に形成された第２導電膜からなる、電極基板の製造方法。
【請求項１８】
請求項１６記載の電極基板の製造方法において、
前記（ｄ）工程は、
（ｄ１）インクジェット法または電界ジェット法により前記塗布液を塗布する工程、
（ｄ２）塗布された前記塗布液を硬化させることにより前記第１保護膜を形成する工程、
を含み、
前記（ｄ１）工程では、塗布された前記塗布液の端部が、前記第１凹凸パターン上に位置するように、前記塗布液を塗布する、電極基板の製造方法。
【請求項１９】
請求項１５記載の電極基板の製造方法において、
前記（ａ）工程では、平面視において、複数の電極基板形成領域を有する前記第１基板を準備し、
前記（ｂ）工程では、前記各電極基板形成領域で、前記第１電極を形成し、
前記（ｃ）工程では、前記各電極基板形成領域で、平面視において、前記第１電極よりも前記各電極基板形成領域の外周側に配置された前記第１凹凸パターンを形成し、
前記電極基板の製造方法は、さらに、
（ｅ）前記（ｄ）工程の後、前記第１基板を前記複数の電極基板形成領域の各々に分割する工程、
を含む、電極基板の製造方法。
【請求項２０】
請求項１９記載の電極基板の製造方法において、
前記（ａ）工程では、平面視において、前記複数の電極基板形成領域を囲む枠領域を有する前記第１基板を準備し、
前記枠領域で、前記第１基板上には、アライメントマークが形成されており、
前記電極基板の製造方法は、さらに、
（ｆ）前記（ｄ）工程の前に、前記枠領域で、前記第１基板上に、平面視において、前記アライメントマークを囲むように配置された第２凹凸パターンを形成する工程、
を有する、電極基板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は電極基板、表示装置、入力装置および電極基板の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、表示装置の表示面側に、タッチパネルあるいはタッチセンサと呼ばれる入力装置を取り付け、タッチパネルに指やタッチペンなどの入力具などを接触させて入力動作を行ったときに、入力位置を検出して出力する技術がある。このようなタッチパネルを有する表示装置は、コンピュータのほか、携帯電話などの携帯情報端末などで、広く使用されている。
【０００３】
タッチパネルに指などが接触した接触位置を検出する検出方式の一つとして、静電容量方式がある。静電容量方式を用いたタッチパネルでは、タッチパネルの面内に、誘電層を挟んで対向配置された一対の電極、すなわち駆動電極および検出電極からなる複数の容量素子が設けられている。そして、指やタッチペンなどの入力具を容量素子に接触させて入力動作を行ったときに、容量素子の静電容量が変化することを利用して、入力位置を検出する。
【０００４】
このようなタッチパネルなどの入力装置が取り付けられた表示装置では、検出性能を向上させるため、検出電極の電気抵抗を低減することが望ましく、検出電極の材料として、金属膜などの導電膜を用いることがある。そのため、表示装置に含まれ、基体と、基体上に形成された検出電極とからなる電極基板において、検出電極が腐食することを防止するために、検出電極を覆うように保護膜が形成される。このとき、例えば基板上に形成された検出電極を覆うように、インクジェット法を用いて塗布液を塗布し、塗布された塗布液からなる塗布膜を硬化させることにより、保護膜が形成される。
【０００５】
上記した、インクジェット法を用いて塗布液を塗布する方法として、例えば特開平８−２２７０１２号公報（特許文献１）および特開平９−２０３８０３号公報（特許文献２）には、液晶表示装置のカラーフィルタをインクジェット法により形成する方法が記載されている。また、特開２００８−１８３４８９号公報（特許文献３）には、基板の表面に、親液領域と撥液領域とを形成し、インクジェット法を用いて基板の表面に液滴を吐出することにより、所望のパターンを形成する方法が記載されている。さらに、特開２０１１−１４５５３５号公報（特許文献４）には、液晶表示装置の配向膜をインクジェット法により形成する方法が記載されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開平８−２２７０１２号公報
【特許文献２】特開平９−２０３８０３号公報
【特許文献３】特開２００８−１８３４８９号公報
【特許文献４】特開２０１１−１４５５３５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
上記した電極基板を製造する際には、複数の電極基板形成領域を有する多数個取り基板としての基板上に検出電極を形成した後、検出電極を覆うように保護膜を形成することにより、電極基板集合体を形成する。その後、形成された電極基板集合体を複数の電極基板形成領域の各々に分割することにより、電極基板を製造する。
【０００８】
ところが、基板上にインクジェット法により塗布液を塗布した場合、基板上で広がる塗布液の端部の位置を精度よく調整することは困難である。そのため、塗布された塗布膜を硬化させることにより形成される保護膜の端部の位置を精度よく調整することは困難である。したがって、各電極基板形成領域で形成された保護膜の端部が、各電極基板形成領域の外周を超えるおそれがあり、電極基板集合体を複数の電極基板形成領域の各々に分割する際に、電極基板の製造歩留りが低下するおそれがある。
【０００９】
本発明は、上述のような従来技術の問題点を解決すべくなされたものであって、電極基板において、電極を覆うように保護膜を形成する際に、保護膜の端部の位置を精度よく調整することができる電極基板を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本願において開示される発明のうち、代表的なものの概要を簡単に説明すれば、次のとおりである。
【００１１】
本発明の一態様としての電極基板は、第１基板と、第１基板上に形成された第１電極と、第１基板上に形成された第１凹凸パターンと、第１電極を覆うように形成された第１保護膜と、を有する。第１凹凸パターンは、平面視において、第１電極よりも第１基板の外周側に配置され、第１保護膜は、平面視において、第１電極と第１凹凸パターンとの間に位置する部分の第１基板を覆うように形成されている。
【００１２】
また、他の一態様として、第１凹凸パターンは、第１凸部を含み、第１凸部は、第１基板上に形成された第１膜からなるものであってもよい。このとき、第１電極は、第１基板上に形成された第１導電膜からなり、第１膜は、第１基板上に第１導電膜と同層に形成された第２導電膜であってもよい。
【００１３】
また、他の一態様として、第１基板は、平面視において、第１辺、第１辺と交差する第２辺、第１辺と対向する第３辺、および、第２辺と対向する第４辺を有し、第１凸部は、平面視において、第１電極よりも第１辺側に配置されていてもよい。このとき、第１凸部は、平面視において、第１辺に沿った第１方向に延在してもよい。また、第１凹凸パターンは、複数の第１凸部を含み、複数の第１凸部は、平面視において、第１方向にそれぞれ延在し、かつ、第１方向と交差する第２方向に配列されていてもよい。また、第１凹凸パターンは、複数の第１凸部を含み、複数の第１凸部は、平面視において、第１辺に沿った第１方向に千鳥状に配置されていてもよい。また、第１凸部は、平面視において、第１方向と直交する第２方向の第１の側に位置する第１側面部を含み、第１側面部の上端部は、第２方向において、第１側面部の下端部よりも、第１の側に位置してもよい。
【００１４】
また、他の一態様として、第１保護膜の端部が、第１凹凸パターン上に位置していてもよい。このとき、当該電極基板は、第１保護膜から露出した部分の第１凹凸パターンを覆うように形成された第２保護膜を有してもよい。また、第１凹凸パターンは、第１保護膜の端部の位置を調整する位置調整パターンであってもよい。
【００１５】
また、他の一態様として、当該電極基板は、複数の第１電極を有してもよい。そして、複数の第１電極により第１電極群が形成され、第１保護膜は、第１電極群を覆うように形成され、第１凹凸パターンは、平面視において、第１電極群を囲むように配置され、第１保護膜は、平面視において、第１電極群と第１凹凸パターンとの間に位置する部分の第１基板を覆うように形成されていてもよい。
【００１６】
また、本発明の一態様としての表示装置は、上記した電極基板と、画像を表示する表示部と、を備える。第１電極、第１凹凸パターンおよび第１保護膜は、第１基板の第１主面側に形成されている。表示部は、平面視において、互いに間隔を空けて配列された複数の画素と、複数の画素の各々の内部にそれぞれ設けられた複数の第２電極と、平面視において複数の第２電極と重なるように設けられた第３電極と、を有する。また、電極基板は、平面視において第３電極とそれぞれ重なるように、互いに間隔を空けて設けられた複数の第１電極を有し、複数の画素および複数の第２電極は、第１基板の第１主面と反対側の第２主面側に設けられている。そして、複数の第２電極の各々と第３電極との間に電圧が印加されることにより画像が表示され、第３電極と複数の第１電極の各々との間の静電容量に基づいて入力位置が検出される。
【００１７】
また、本発明の一態様としての入力装置は、上記した電極基板と、平面視において、第１電極と重なるように設けられた第２電極と、を備える。第１電極、第１凹凸パターンおよび第１保護膜は、第１基板の第１主面側に形成されている。また、電極基板は、平面視において、互いに間隔を空けて設けられた複数の第１電極を有し、第２電極は、平面視において複数の第１電極の各々と重なるように設けられている。そして、第２電極と複数の第１電極の各々との間の静電容量に基づいて入力位置が検出される。
【００１８】
また、本発明の一態様としての電極基板の製造方法は、（ａ）第１基板を準備する工程、（ｂ）第１基板上に第１電極を形成する工程、（ｃ）第１基板上に第１凹凸パターンを形成する工程、（ｄ）（ｃ）工程の後、第１電極を覆うように第１保護膜を形成する工程、を有する。また、（ｃ）工程では、平面視において、第１電極よりも第１基板の外周側に配置された第１凹凸パターンを形成し、（ｄ）工程では、平面視において、第１電極と第１凹凸パターンとの間に位置する部分の第１基板を覆うように、第１保護膜を形成する。
【００１９】
また、他の一態様として、（ｄ）工程では、インクジェット法または電界ジェット法により、第１電極を覆うように塗布液を塗布することにより、第１保護膜を形成してもよい。このとき、（ｄ）工程は、（ｄ１）インクジェット法または電界ジェット法により塗布液を塗布する工程、（ｄ２）塗布された塗布液を硬化させることにより第１保護膜を形成する工程、を含み、（ｄ１）工程では、塗布された塗布液の端部が、第１凹凸パターン上に位置するように、塗布液を塗布してもよい。
【００２０】
また、他の一態様として、（ｂ）工程では、第１基板上に形成された第１導電膜からなる第１電極を形成し、（ｃ）工程では、第１凸部を含む第１凹凸パターンを形成し、第１凸部は、第１基板上に第１導電膜と同層に形成された第２導電膜からなるものであってもよい。
【００２１】
また、他の一態様として、（ａ）工程では、平面視において、複数の電極基板形成領域を有する第１基板を準備し、（ｂ）工程では、各電極基板形成領域で、第１電極を形成し、（ｃ）工程では、各電極基板形成領域で、平面視において、第１電極よりも各電極基板形成領域の外周側に配置された第１凹凸パターンを形成してもよい。また、当該電極基板の製造方法は、さらに、（ｅ）（ｄ）工程の後、第１基板を複数の電極基板形成領域の各々に分割する工程、を含んでもよい。このとき、（ａ）工程では、平面視において、複数の電極基板形成領域を囲む枠領域を有する第１基板を準備し、枠領域で、第１基板上には、アライメントマークが形成されていてもよい。そして、当該電極基板の製造方法は、さらに、（ｆ）（ｄ）工程の前に、枠領域で、第１基板上に、平面視において、アライメントマークを囲むように配置された第２凹凸パターンを形成する工程、を有してもよい。
【図面の簡単な説明】
【００２２】
【図１】実施の形態１の表示装置の一構成例を示すブロック図である。
【図２】タッチ検出デバイスに指が接触および近接していない状態を表す説明図である。
【図３】タッチ検出デバイスに指が接触および近接していない状態の等価回路の例を示す説明図である。
【図４】タッチ検出デバイスに指が接触または近接した状態を表す説明図である。
【図５】タッチ検出デバイスに指が接触または近接した状態の等価回路の例を示す説明図である。
【図６】駆動信号および検出信号の波形の一例を示す図である。
【図７】実施の形態１の表示装置を実装したモジュールの一例を示す平面図である。
【図８】実施の形態１の表示装置を実装したモジュールの一例を示す平面図である。
【図９】実施の形態１の表示装置におけるタッチ検出機能付き表示デバイスを示す断面図である。
【図１０】実施の形態１の表示装置におけるタッチ検出機能付き表示デバイスを示す回路図である。
【図１１】実施の形態１の表示装置の駆動電極および検出電極の一構成例を示す斜視図である。
【図１２】実施の形態１の電極基板を示す平面図である。
【図１３】実施の形態１の電極基板を示す平面図である。
【図１４】実施の形態１の電極基板を示す平面図である。
【図１５】実施の形態１の電極基板を示す断面図である。
【図１６】実施の形態１の電極基板における凸部を示す平面図である。
【図１７】実施の形態１の電極基板における凸部を示す平面図である。
【図１８】実施の形態１の電極基板を示す断面図である。
【図１９】実施の形態１の電極基板の他の例を示す断面図である。
【図２０】実施の形態１の電極基板における凸部の他の例を示す断面図である。
【図２１】実施の形態１の電極基板における凸部の他の例を示す断面図である。
【図２２】実施の形態１の電極基板における凸部の他の例を示す断面図である。
【図２３】実施の形態１の電極基板における凸部の他の例を示す断面図である。
【図２４】実施の形態１の電極基板における凸部の他の例を示す断面図である。
【図２５】実施の形態１の電極基板の他の例を示す断面図である。
【図２６】実施の形態１の電極基板の製造工程中の平面図である。
【図２７】実施の形態１の電極基板の製造工程中の断面図である。
【図２８】実施の形態１の電極基板の製造工程中の平面図である。
【図２９】実施の形態１の電極基板の製造工程中の断面図である。
【図３０】実施の形態１の電極基板の製造工程中の平面図である。
【図３１】実施の形態１の電極基板の製造工程中の平面図である。
【図３２】実施の形態１の電極基板の製造工程中の断面図である。
【図３３】実施の形態１の電極基板の製造工程中の断面図である。
【図３４】比較例の電極基板の製造工程中の平面図である。
【図３５】比較例の電極基板を示す断面図である。
【図３６】実施の形態２の表示装置におけるタッチ検出機能付き表示デバイスを示す断面図である。
【図３７】実施の形態３の電子機器の一例としてのテレビジョン装置の外観を表す斜視図である。
【図３８】実施の形態３の電子機器の一例としてのデジタルカメラの外観を表す斜視図である。
【図３９】実施の形態３の電子機器の一例としてのノート型パーソナルコンピュータの外観を表す斜視図である。
【図４０】実施の形態３の電子機器の一例としてのビデオカメラの外観を表す斜視図である。
【図４１】実施の形態３の電子機器の一例としての携帯電話機の外観を表す正面図である。
【図４２】実施の形態３の電子機器の一例としての携帯電話機の外観を表す正面図である。
【図４３】実施の形態３の電子機器の一例としてのスマートフォンの外観を表す正面図である。
【発明を実施するための形態】
【００２３】
以下に、本発明の各実施の形態について、図面を参照しつつ説明する。
【００２４】
なお、開示はあくまで一例にすぎず、当業者において、発明の主旨を保っても適宜変更について容易に想到し得るものについては、当然に本発明の範囲に含有されるものである。また、図面は説明をより明確にするため、実施の態様に比べ、各部の幅、厚さ、形状等について模式的に表される場合があるが、あくまで一例であって、本発明の解釈を限定するものではない。
【００２５】
また本明細書と各図において、既出の図に関して前述したものと同様の要素には、同一の符号を付して、詳細な説明を適宜省略することがある。
【００２６】
さらに、実施の形態で用いる図面においては、断面図であっても図面を見やすくするためにハッチングを省略する場合もある。また、平面図であっても図面を見やすくするためにハッチングを付す場合もある。
【００２７】
また、以下の実施の形態において、Ａ〜Ｂとして範囲を示す場合には、特に明示した場合を除き、Ａ以上Ｂ以下を示すものとする。
【００２８】
（実施の形態１）
初めに、実施の形態１として、入力装置としてのタッチパネルを備えた表示装置を、インセルタイプのタッチ検出機能付き液晶表示装置に適用した例について説明する。なお、インセルタイプのタッチ検出機能付き液晶表示装置とは、タッチパネルに含まれる駆動電極および検出電極の少なくとも一方が、液晶表示装置の液晶を駆動する駆動電極として液晶表示装置に内蔵されたタッチ検出機能付き液晶表示装置を意味する。
【００２９】
＜全体構成＞
初めに、図１を参照し、実施の形態１の表示装置の全体構成について説明する。図１は、実施の形態１の表示装置の一構成例を示すブロック図である。
【００３０】
表示装置１は、タッチ検出機能付き表示デバイス１０と、制御部１１と、ゲートドライバ１２と、ソースドライバ１３と、駆動電極ドライバ１４と、タッチ検出部４０とを備えている。
【００３１】
タッチ検出機能付き表示デバイス１０は、液晶表示デバイス２０と、タッチ検出デバイス３０とを有する。液晶表示デバイス２０は、表示素子として液晶表示素子を用いた表示デバイスである。タッチ検出デバイス３０は、静電容量方式のタッチ検出デバイス、すなわち静電容量型のタッチ検出デバイスである。そのため、表示装置１は、タッチ検出機能を有する入力装置を備えた表示装置である。また、タッチ検出機能付き表示デバイス１０は、液晶表示デバイス２０と、タッチ検出デバイス３０とを一体化した表示デバイスであり、タッチ検出機能を内蔵した表示デバイス、すなわちインセルタイプのタッチ検出機能付き表示デバイスである。
【００３２】
なお、タッチ検出機能付き表示デバイス１０は、液晶表示デバイス２０の上に、タッチ検出デバイス３０を装着した表示デバイスであってもよい。また、液晶表示デバイス２０に代え、例えば、有機ＥＬ（Electroluminescence）表示デバイスが用いられてもよい。
【００３３】
液晶表示デバイス２０は、ゲートドライバ１２から供給される走査信号Ｖｓｃａｎに従って、表示領域において、１水平ラインずつ順次走査を行うことにより表示を行う。タッチ検出デバイス３０は、後述するように、静電容量型タッチ検出の原理に基づいて動作し、検出信号Ｖｄｅｔを出力する。
【００３４】
制御部１１は、外部より供給された映像信号Ｖｄｉｓｐに基づいて、ゲートドライバ１２、ソースドライバ１３、駆動電極ドライバ１４およびタッチ検出部４０に対してそれぞれ制御信号を供給し、これらが互いに同期して動作するように制御する回路である。
【００３５】
ゲートドライバ１２は、制御部１１から供給される制御信号に基づいて、タッチ検出機能付き表示デバイス１０の表示駆動の対象となる１水平ラインを順次選択する機能を有している。
【００３６】
ソースドライバ１３は、制御部１１から供給される画像信号Ｖｓｉｇの制御信号に基づいて、タッチ検出機能付き表示デバイス１０に含まれた副画素ＳＰｉｘ（後述する図１０参照）に、画素信号Ｖｐｉｘを供給する回路である。
【００３７】
駆動電極ドライバ１４は、制御部１１から供給される制御信号に基づいて、タッチ検出機能付き表示デバイス１０に含まれた共通電極ＣＯＭＬ（後述する図７または図８参照）に、駆動信号Ｖｃｏｍを供給する回路である。
【００３８】
タッチ検出部４０は、制御部１１から供給される制御信号と、タッチ検出機能付き表示デバイス１０のタッチ検出デバイス３０から供給された検出信号Ｖｄｅｔに基づいて、タッチ検出デバイス３０に対する指やタッチペンなどの入力具のタッチ、すなわち後述する接触または近接の状態、の有無を検出する回路である。そして、タッチ検出部４０は、タッチがある場合においてタッチ検出領域におけるその座標、すなわち入力位置などを求める回路である。タッチ検出部４０は、タッチ検出信号増幅部４２と、Ａ／Ｄ（Analog/Digital）変換部４３と、信号処理部４４と、座標抽出部４５と、検出タイミング制御部４６とを備えている。
【００３９】
タッチ検出信号増幅部４２は、タッチ検出デバイス３０から供給される検出信号Ｖｄｅｔを増幅する。タッチ検出信号増幅部４２は、検出信号Ｖｄｅｔに含まれる高い周波数成分、すなわちノイズ成分を除去し、タッチ成分を取り出してそれぞれ出力する低域通過アナログフィルタを備えていてもよい。
【００４０】
＜静電容量型タッチ検出の原理＞
次に、図１〜図６を参照し、本実施の形態１の表示装置１におけるタッチ検出の原理について説明する。図２は、タッチ検出デバイスに指が接触および近接していない状態を表す説明図である。図３は、タッチ検出デバイスに指が接触および近接していない状態の等価回路の例を示す説明図である。図４は、タッチ検出デバイスに指が接触または近接した状態を表す説明図である。図５は、タッチ検出デバイスに指が接触または近接した状態の等価回路の例を示す説明図である。図６は、駆動信号および検出信号の波形の一例を示す図である。
【００４１】
図２に示すように、静電容量型タッチ検出においては、タッチパネルあるいはタッチセンサと呼ばれる入力装置は、誘電体Ｄを挟んで互いに対向配置された駆動電極Ｅ１および検出電極Ｅ２を有する。これらの駆動電極Ｅ１および検出電極Ｅ２により容量素子Ｃ１が形成されている。図３に示すように、容量素子Ｃ１の一端は、駆動信号源である交流信号源Ｓに接続され、容量素子Ｃ１の他端は、タッチ検出部である電圧検出器ＤＥＴに接続される。電圧検出器ＤＥＴは、例えば図１に示すタッチ検出信号増幅部４２に含まれる積分回路である。
【００４２】
交流信号源Ｓから容量素子Ｃ１の一端、すなわち駆動電極Ｅ１に、例えば数ｋＨｚ〜数百ｋＨｚ程度の周波数を有する交流矩形波Ｓｇが印加されると、容量素子Ｃ１の他端、すなわち検出電極Ｅ２側に接続された電圧検出器ＤＥＴを介して、出力波形である検出信号Ｖｄｅｔが発生する。なお、この交流矩形波Ｓｇは、例えば図６に示す駆動信号Ｖｃｏｍに相当するものである。
【００４３】
図２に示された、指が接触および近接していない状態、すなわち非接触状態では、図３に示すように、容量素子Ｃ１に対する充放電に伴って、容量素子Ｃ１の容量値に応じた電流Ｉ０が流れる。電圧検出器ＤＥＴは、交流矩形波Ｓｇに応じた電流Ｉ０の変動を、電圧の変動に変換する。この電圧の変動は、図６において、実線の波形Ｖ０で示されている。
【００４４】
一方、図４に示された、指が接触または近接した状態、すなわち接触状態では、指によって形成される静電容量Ｃ２の影響を受け、駆動電極Ｅ１および検出電極Ｅ２により形成される容量素子は、容量素子Ｃ１の容量値よりも小さい容量値を有する容量素子Ｃ１’として作用する。そして、図５に示す等価回路でみると、容量素子Ｃ１’に電流Ｉ１が流れる。電圧検出器ＤＥＴは、交流矩形波Ｓｇに応じた電流Ｉ１の変動を電圧の変動に変換する。この電圧の変動は、図６において、破線の波形Ｖ１で示されている。この場合、波形Ｖ１は、上述した波形Ｖ０と比べて振幅が小さくなる。これにより、波形Ｖ０と波形Ｖ１との電圧差分の絶対値｜ΔＶ｜は、指などの外部から近接する物体の影響に応じて変化することになる。なお、電圧検出器ＤＥＴは、波形Ｖ０と波形Ｖ１との電圧差分の絶対値｜ΔＶ｜を精度よく検出するため、回路内のスイッチングにより、交流矩形波Ｓｇの周波数に合わせて、コンデンサの充放電をリセットする期間Ｒｅｓｅｔを設けた動作とすることが好ましい。
【００４５】
図１に示す例では、タッチ検出デバイス３０は、駆動電極ドライバ１４から供給される駆動信号Ｖｃｏｍに従って、１つまたは複数の共通電極ＣＯＭＬに対応した１つの検出ブロックごとにタッチ検出を行う。すなわち、タッチ検出デバイス３０は、１つまたは複数の共通電極ＣＯＭＬの各々に対応した１つの検出ブロックごとに、図３または図５に示す電圧検出器ＤＥＴを介して、検出信号Ｖｄｅｔを出力し、出力した検出信号Ｖｄｅｔを、タッチ検出部４０のＡ／Ｄ変換部４３に供給する。
【００４６】
Ａ／Ｄ変換部４３は、駆動信号Ｖｃｏｍに同期したタイミングで、タッチ検出信号増幅部４２から出力されるアナログ信号をそれぞれサンプリングしてデジタル信号に変換する回路である。
【００４７】
信号処理部４４は、Ａ／Ｄ変換部４３の出力信号に含まれる、駆動信号Ｖｃｏｍをサンプリングした周波数以外の周波数成分、すなわちノイズ成分を低減するデジタルフィルタを備えている。信号処理部４４は、Ａ／Ｄ変換部４３の出力信号に基づいて、タッチ検出デバイス３０に対するタッチの有無を検出する論理回路である。信号処理部４４は、指による差分の電圧のみを取り出す処理を行う。この指による差分の電圧は、上述した波形Ｖ０と波形Ｖ１との差分の絶対値｜ΔＶ｜である。信号処理部４４は、１つの検出ブロック当たりの絶対値｜ΔＶ｜を平均化する演算を行い、絶対値｜ΔＶ｜の平均値を求めてもよい。これにより、信号処理部４４は、ノイズによる影響を低減できる。信号処理部４４は、検出した指による差分の電圧を所定のしきい値電圧と比較し、このしきい値電圧以上であれば、外部から近接する外部近接物体の接触状態と判断し、しきい値電圧未満であれば、外部近接物体の非接触状態と判断する。このようにして、タッチ検出部４０によるタッチ検出が行われる。
【００４８】
座標抽出部４５は、信号処理部４４においてタッチが検出されたときに、タッチが検出された位置の座標、すなわちタッチパネルにおける入力位置を求める論理回路である。検出タイミング制御部４６は、Ａ／Ｄ変換部４３と、信号処理部４４と、座標抽出部４５とが同期して動作するように制御する。座標抽出部４５は、タッチパネル座標を信号出力Ｖｏｕｔとして出力する。
【００４９】
＜モジュール＞
図７および図８は、実施の形態１の表示装置を実装したモジュールの一例を示す平面図である。図７に示す例では、ＴＦＴ基板２１上に、前述した駆動電極ドライバ１４が形成されている。
【００５０】
図７に示すように、表示装置１は、タッチ検出機能付き表示デバイス１０と、駆動電極ドライバ１４と、ＣＯＧ（Chip On Glass）１９Ａと、ＴＦＴ基板２１とを有する。
【００５１】
タッチ検出機能付き表示デバイス１０は、複数の共通電極ＣＯＭＬと、複数の検出電極ＴＤＬとを有する。ここで、ＴＦＴ基板２１の主面としての上面内で、互いに交差、好適には直交する２つの方向を、Ｘ軸方向およびＹ軸方向とする。このとき、複数の共通電極ＣＯＭＬは、平面視において、Ｘ軸方向にそれぞれ延在し、かつ、Ｙ軸方向に配列されている。また、複数の検出電極ＴＤＬは、平面視において、Ｙ軸方向にそれぞれ延在し、かつ、Ｘ軸方向に配列されている。言い換えれば、複数の検出電極ＴＤＬは、平面視において、複数の共通電極ＣＯＭＬとそれぞれ交差し、かつ、Ｘ軸方向に配列されている。したがって、複数の検出電極ＴＤＬの各々は、平面視において、複数の共通電極ＣＯＭＬと交差している。なお、タッチ検出機能付き表示デバイス１０が形成されている領域は、画像が表示される表示領域Ａｄと同一の領域である。
【００５２】
図９および図１０を用いて後述するように、複数の共通電極ＣＯＭＬの各々は、平面視において、Ｘ軸方向に配列された複数の副画素ＳＰｉｘと重なるように設けられている。すなわち、１つの共通電極ＣＯＭＬは、複数の副画素ＳＰｉｘに対して共通な電極として設けられている。
【００５３】
なお、本願明細書では、「平面視において」とは、ＴＦＴ基板２１または後述する対向基板３に含まれるガラス基板３１の主面としての上面に垂直な方向から視た場合を意味する。
【００５４】
図７に示す例では、タッチ検出機能付き表示デバイス１０は、平面視において、Ｘ軸方向にそれぞれ延在し、かつ、互いに対向する２つの辺と、Ｙ軸方向にそれぞれ延在し、かつ、互いに対向する２つの辺とを備え、矩形形状を有する。Ｙ軸方向におけるタッチ検出機能付き表示デバイス１０の一方の側には、フレキシブル基板などからなる端子部Ｔが設けられている。検出電極ＴＤＬは、端子部Ｔを介して、このモジュールの外部に実装されたタッチ検出部４０と接続されている。
【００５５】
駆動電極ドライバ１４は、例えばガラス基板からなるＴＦＴ基板２１に形成されている。ＣＯＧ１９Ａは、ＴＦＴ基板２１に実装されたチップであり、図１に示した制御部１１、ゲートドライバ１２、ソースドライバ１３など、表示動作に必要な各回路を内蔵したものである。
【００５６】
一方、表示装置１は、ＣＯＧに駆動電極ドライバ１４を内蔵してもよい。ＣＯＧに駆動電極ドライバ１４が内蔵された例を、図８に示す。図８に示す例では、表示装置１は、モジュールはＣＯＧ１９Ｂを有する。図８に示すＣＯＧ１９Ｂには、上述した表示動作に必要な各回路に加え、駆動電極ドライバ１４がさらに内蔵されている。
【００５７】
なお、図７および図８に示すように、ガラス基板３１の平面形状を、ＴＦＴ基板２１の平面形状と略同一にすることができる。
【００５８】
＜タッチ検出機能付き表示デバイス＞
次に、タッチ検出機能付き表示デバイス１０の構成例を詳細に説明する。図９は、実施の形態１の表示装置におけるタッチ検出機能付き表示デバイスを示す断面図である。図１０は、実施の形態１の表示装置におけるタッチ検出機能付き表示デバイスを示す回路図である。
【００５９】
タッチ検出機能付き表示デバイス１０は、画素基板２と、対向基板３と、液晶層６とを有する。対向基板３は、画素基板２の主面としての上面と、対向基板３の主面としての下面とが対向するように、配置されている。液晶層６は、画素基板２と対向基板３との間に設けられている。
【００６０】
画素基板２は、ＴＦＴ基板２１を有する。図１０に示すように、表示領域Ａｄで、ＴＦＴ基板２１には、複数の走査線ＧＣＬ、複数の信号線ＳＧＬ、および、複数の薄膜トランジスタ（Thin Film Transistor；ＴＦＴ）であるＴＦＴ素子Ｔｒが形成されている。なお、図９では、走査線ＧＣＬ、信号線ＳＧＬおよびＴＦＴ素子Ｔｒの図示は、省略する。
【００６１】
図１０に示すように、複数の走査線ＧＣＬは、表示領域Ａｄで、Ｘ軸方向にそれぞれ延在し、かつ、Ｙ軸方向に配列されている。複数の信号線ＳＧＬは、表示領域Ａｄで、Ｙ軸方向にそれぞれ延在し、かつ、Ｘ軸方向に配列されている。したがって、複数の信号線ＳＧＬの各々は、平面視において、複数の走査線ＧＣＬと交差する。このように、平面視において、互いに交差する複数の走査線ＧＣＬと複数の信号線ＳＧＬとにより、副画素ＳＰｉｘが区画され、複数の異なる色の副画素ＳＰｉｘにより１つの画素Ｐｉｘが形成される。すなわち、ＴＦＴ基板２１上で、表示領域Ａｄにおいて、副画素ＳＰｉｘは、Ｘ軸方向およびＹ軸方向にマトリクス状に配列されている。言い換えれば、副画素ＳＰｉｘは、ＴＦＴ基板２１の表面側の表示領域Ａｄで、Ｘ軸方向およびＹ軸方向にマトリクス状に配列されている。
【００６２】
平面視において、複数の走査線ＧＣＬの各々と複数の信号線ＳＧＬの各々とが交差する交差部には、ＴＦＴ素子Ｔｒが形成されている。したがって、表示領域Ａｄで、ＴＦＴ基板２１上には、複数のＴＦＴ素子Ｔｒが形成されており、これらの複数のＴＦＴ素子Ｔｒは、Ｘ軸方向およびＹ軸方向にマトリクス状に配列されている。すなわち、複数の副画素ＳＰｉｘの各々には、ＴＦＴ素子Ｔｒが設けられている。また、複数の副画素ＳＰｉｘの各々には、ＴＦＴ素子Ｔｒに加え、液晶素子ＬＣが設けられている。
【００６３】
ＴＦＴ素子Ｔｒは、例えばｎチャネル型のＭＯＳ（Metal Oxide Semiconductor）としての薄膜トランジスタからなる。ＴＦＴ素子Ｔｒのゲート電極は、走査線ＧＣＬに接続されている。ＴＦＴ素子Ｔｒのソース電極またはドレイン電極の一方は、信号線ＳＧＬに接続されている。ＴＦＴ素子Ｔｒのソース電極またはドレイン電極の他方は、液晶素子ＬＣの一端に接続されている。液晶素子ＬＣは、例えば、一端がＴＦＴ素子Ｔｒのソース電極またはドレイン電極に接続され、他端が共通電極ＣＯＭＬに接続されている。
【００６４】
図９に示すように、画素基板２は、複数の共通電極ＣＯＭＬと、絶縁膜２４と、複数の画素電極２２とを有する。複数の共通電極ＣＯＭＬは、ＴＦＴ基板２１の表面側の表示領域Ａｄ（図７または図８参照）で、ＴＦＴ基板２１上に設けられている。複数の共通電極ＣＯＭＬの各々の表面を含めてＴＦＴ基板２１上には、絶縁膜２４が形成されている。表示領域Ａｄで、絶縁膜２４上には、複数の画素電極２２が形成されている。したがって、絶縁膜２４は、共通電極ＣＯＭＬと画素電極２２とを、電気的に絶縁する。
【００６５】
図１０に示すように、複数の画素電極２２は、ＴＦＴ基板２１の表面側の表示領域Ａｄで、Ｘ軸方向およびＹ軸方向にマトリクス状に配列された複数の副画素ＳＰｉｘの各々の内部にそれぞれ形成されている。したがって、複数の画素電極２２は、Ｘ軸方向およびＹ軸方向にマトリクス状に配列されている。
【００６６】
図９に示す例では、複数の共通電極ＣＯＭＬの各々は、ＴＦＴ基板２１と画素電極２２との間に形成されている。また、図１０で模式的に示すように、複数の共通電極ＣＯＭＬの各々は、平面視において、複数の画素電極２２と重なるように設けられている。そして、複数の画素電極２２の各々と複数の共通電極ＣＯＭＬの各々との間に電圧が印加され、複数の副画素ＳＰｉｘの各々に設けられた液晶素子ＬＣに電圧が印加されることにより、表示領域Ａｄに画像が表示される。すなわち、複数の副画素ＳＰｉｘと、複数の画素電極２２と、共通電極ＣＯＭＬとにより、画像を表示する表示部が形成される。
【００６７】
なお、複数の共通電極ＣＯＭＬの各々は、画素電極２２を挟んでＴＦＴ基板２１と反対側に形成されていてもよい。
【００６８】
液晶層６は、電界の状態に応じてそこを通過する光を変調するものであり、例えば、ＦＦＳ（Fringe Field Switching）モード、または、ＩＰＳ（In Plane Switching）モード等の横電界モードに対応した液晶層が用いられる。すなわち、液晶表示デバイス２０として、ＦＦＳモードまたはＩＰＳモード等の横電界モードによる液晶表示デバイスが用いられる。なお、図９に示す液晶層６と画素基板２との間、および、液晶層６と対向基板３との間には、それぞれ配向膜が設けられていてもよい。
【００６９】
図１０に示すように、Ｘ軸方向に配列された複数の副画素ＳＰｉｘ、すなわち液晶表示デバイス２０の同一の行に属する複数の副画素ＳＰｉｘは、走査線ＧＣＬにより互いに接続されている。走査線ＧＣＬは、ゲートドライバ１２（図１参照）と接続され、ゲートドライバ１２により走査信号Ｖｓｃａｎ（図１参照）が供給される。また、Ｙ軸方向に配列された複数の副画素ＳＰｉｘ、すなわち液晶表示デバイス２０の同一の列に属する複数の副画素ＳＰｉｘは、信号線ＳＧＬにより互いに接続されている。信号線ＳＧＬは、ソースドライバ１３（図１参照）と接続され、ソースドライバ１３により画素信号Ｖｐｉｘ（図１参照）が供給される。さらに、Ｘ軸方向に配列された複数の副画素ＳＰｉｘ、すなわち液晶表示デバイス２０の同一の行に属する複数の副画素ＳＰｉｘは、共通電極ＣＯＭＬにより互いに接続されている。
【００７０】
共通電極ＣＯＭＬは、駆動電極ドライバ１４（図１参照）と接続され、駆動電極ドライバ１４により駆動信号Ｖｃｏｍ（図１参照）が供給される。つまり、図１０に示す例では、同一の行に属する複数の副画素ＳＰｉｘが１つの共通電極ＣＯＭＬを共有するようになっている。複数の共通電極ＣＯＭＬは、表示領域Ａｄで、Ｘ軸方向にそれぞれ延在し、かつ、Ｙ軸方向に配列されている。前述したように、複数の走査線ＧＣＬは、表示領域Ａｄで、Ｘ軸方向にそれぞれ延在し、かつ、Ｙ軸方向に配列されているため、複数の共通電極ＣＯＭＬの各々が延在する方向は、複数の走査線ＧＣＬの各々が延在する方向と平行である。ただし、複数の共通電極ＣＯＭＬの各々が延在する方向は限定されず、例えば、複数の共通電極ＣＯＭＬの各々が延在する方向は、複数の信号線ＳＧＬの各々が延在する方向と平行な方向であってもよい。
【００７１】
図１に示すゲートドライバ１２は、走査信号Ｖｓｃａｎを、図１０に示す走査線ＧＣＬを介して、各副画素ＳＰｉｘのＴＦＴ素子Ｔｒのゲート電極に印加することにより、液晶表示デバイス２０においてマトリクス状に形成された副画素ＳＰｉｘのうちの１行、すなわち１水平ラインを表示駆動の対象として順次選択する。図１に示すソースドライバ１３は、画素信号Ｖｐｉｘを、図１０に示す信号線ＳＧＬを介して、ゲートドライバ１２により順次選択される１水平ラインを構成する複数の副画素ＳＰｉｘにそれぞれ供給する。そして、１水平ラインを構成する複数の副画素ＳＰｉｘにおいて、供給される画素信号Ｖｐｉｘに応じた表示が行われる。
【００７２】
図１に示す駆動電極ドライバ１４は、駆動信号Ｖｃｏｍを印加し、１つまたは複数の共通電極ＣＯＭＬに対応した１つの検出ブロックごとに共通電極ＣＯＭＬを駆動する。
【００７３】
液晶表示デバイス２０においては、ゲートドライバ１２が走査線ＧＣＬを時分割的に順次走査するように駆動することにより、副画素ＳＰｉｘが、１水平ラインずつ順次選択される。また、液晶表示デバイス２０においては、１水平ラインに属する副画素ＳＰｉｘに対して、ソースドライバ１３が画素信号Ｖｐｉｘを供給することにより、１水平ラインずつ表示が行われる。この表示動作を行う際、駆動電極ドライバ１４は、その１水平ラインに対応した共通電極ＣＯＭＬを含む検出ブロックに対して、駆動信号Ｖｃｏｍを印加する。
【００７４】
本実施の形態１の表示装置１における共通電極ＣＯＭＬは、液晶表示デバイス２０の駆動電極として動作し、かつ、タッチ検出デバイス３０の駆動電極として動作する。図１１は、実施の形態１の表示装置の駆動電極および検出電極の一構成例を示す斜視図である。
【００７５】
タッチ検出デバイス３０は、画素基板２に設けられた複数の共通電極ＣＯＭＬと、対向基板３に設けられた複数の検出電極ＴＤＬとを有する。複数の検出電極ＴＤＬは、平面視において、複数の共通電極ＣＯＭＬの各々が延在する方向と交差する方向にそれぞれ延在する。言い換えれば、複数の検出電極ＴＤＬは、平面視において複数の共通電極ＣＯＭＬとそれぞれ重なるように、互いに間隔を空けて設けられている。そして、複数の検出電極ＴＤＬの各々は、画素基板２に含まれるＴＦＴ基板２１の表面に垂直な方向において、共通電極ＣＯＭＬと対向している。複数の検出電極ＴＤＬの各々は、タッチ検出部４０のタッチ検出信号増幅部４２（図１参照）にそれぞれ接続されている。複数の共通電極ＣＯＭＬの各々と複数の検出電極ＴＤＬの各々との平面視における交差部には、静電容量が発生する。そして、複数の共通電極ＣＯＭＬの各々と複数の検出電極ＴＤＬの各々との間の静電容量に基づいて、入力位置が検出される。すなわち、対向基板３としての電極基板と、共通電極ＣＯＭＬとにより、入力位置を検出する検出部、すなわち入力装置が形成される。なお、図９を用いて前述したように、共通電極ＣＯＭＬは、ＴＦＴ基板２１の表面に垂直な方向において、画素電極２２と対向している。
【００７６】
このような構成により、タッチ検出デバイス３０では、タッチ検出動作を行う際、駆動電極ドライバ１４により、スキャン方向Ｓｃａｎに１つまたは複数の共通電極ＣＯＭＬに対応した１つの検出ブロックが順次選択される。そして、選択された検出ブロックにおいて、共通電極ＣＯＭＬには、共通電極ＣＯＭＬと検出電極ＴＤＬとの間の静電容量を測定するための駆動信号Ｖｃｏｍが入力され、検出電極ＴＤＬから、入力位置を検出するための検出信号Ｖｄｅｔが出力される。このようにタッチ検出デバイス３０は、１検出ブロックごとにタッチ検出が行われるようになっている。つまり、１つの検出ブロックは、前述したタッチ検出の原理における駆動電極Ｅ１に対応し、検出電極ＴＤＬは、検出電極Ｅ２に対応している。
【００７７】
図１１に示すように、平面視において、互いに交差した複数の共通電極ＣＯＭＬと複数の検出電極ＴＤＬは、マトリクス状に配列された静電容量式タッチセンサを形成する。よって、タッチ検出デバイス３０のタッチ検出面全体を走査することにより、指などが接触または近接した位置を検出することが可能である。
【００７８】
図９に示すように、対向基板３は、ガラス基板３１と、カラーフィルタ３２と、検出電極ＴＤＬと、保護膜３３とを有する。ガラス基板３１は、主面としての上面と、上面と反対側の主面としての下面とを有している。カラーフィルタ３２は、ガラス基板３１の一方の主面としての下面に形成されている。検出電極ＴＤＬは、タッチ検出デバイス３０の検出電極であり、ガラス基板３１の他方の主面としての上面上に形成されている。保護膜３３は、ガラス基板３１の上面上に、検出電極ＴＤＬを覆うように形成されている。なお、電極としての検出電極ＴＤＬ、および、保護膜３３の形状については、後述する。
【００７９】
カラーフィルタ３２として、例えば赤（Ｒ）、緑（Ｇ）および青（Ｂ）の３色に着色されたカラーフィルタがＸ軸方向に配列される。これにより、図１０に示すように、Ｒ、ＧおよびＢの３色の色領域３２Ｒ、３２Ｇおよび３２Ｂの各々にそれぞれ対応した複数の副画素ＳＰｉｘが形成され、１組の色領域３２Ｒ、３２Ｇおよび３２Ｂの各々にそれぞれ対応した複数の副画素ＳＰｉｘにより１つの画素Ｐｉｘが形成される。画素Ｐｉｘは、走査線ＧＣＬが延在する方向（Ｘ軸方向）、および、信号線ＳＧＬが延在する方向（Ｙ軸方向）に沿って、マトリクス状に配列されている。また、画素Ｐｉｘがマトリクス状に配列された領域が、前述した表示領域Ａｄである。なお、カラーフィルタ３２の色の組み合わせとして、Ｒ、ＧおよびＢ以外の他の色を含む複数の色の組み合わせでもよい。また、カラーフィルタ３２は、設けられていなくてもよい。あるいは、１つの画素Ｐｉｘが、カラーフィルタ３２が設けられていない副画素ＳＰｉｘ、すなわち白色の副画素ＳＰｉｘを含んでもよい。
【００８０】
なお、図９に示すように、画素基板２を挟んで対向基板３と反対側には、偏光板２５が設けられていてもよい。また、対向基板３を挟んで画素基板２と反対側には、偏光板３４が設けられていてもよい。
【００８１】
＜電極基板の構成＞
次に、図１２〜図１５を参照し、電極基板の構成について説明する。なお、本実施の形態１では、電極基板として、入力装置付き表示装置において検出電極が形成される対向基板として用いられる電極基板を例示して説明する。
【００８２】
図１２〜図１４は、実施の形態１の電極基板を示す平面図である。図１５は、実施の形態１の電極基板を示す断面図である。図１２および図１３は、検出電極が全体として延在する方向が互いに異なる例を示している。図１４は、図１２の一部を拡大して示している。図１５は、図１４のＡ−Ａ線に沿った断面図である。なお、図１２および図１３では、保護膜３３を除去して透視した状態を示しており、保護膜３３の外周、すなわち保護膜３３の端部ＥＰ１を二点鎖線で示している。
【００８３】
対向基板３としての電極基板ＥＳは、ガラス基板３１と、検出電極ＴＤＬと、保護膜３３と、凹凸パターンＵＥ１とを有する。
【００８４】
なお、本願明細書では、「凹凸パターン」とは、凹部からなるパターン、凸部からなるパターン、または、凹部および凸部からなるパターンを意味する。
【００８５】
また、前述したように、電極基板ＥＳとして、入力装置付き表示装置において検出電極ＴＤＬが形成される対向基板３として用いられる電極基板を例示して説明するため、本実施の形態１では、電極基板ＥＳの基体としてガラス基板３１を用いる場合について説明する。しかし、入力装置付き表示装置において対向基板３以外の基板として用いられる電極基板、または、表示装置以外の各種の電子機器に用いられる電極基板を製造する際には、電極基板ＥＳの基体として、例えば樹脂からなるフィルム、および、例えばシリコン（Ｓｉ）からなる半導体基板など、各種の基板を用いることができる。
【００８６】
以下では、ガラス基板３１の主面としての上面内で、互いに交差、好適には直交する２つの方向を、Ｘ軸方向およびＹ軸方向とする。
【００８７】
図１２に示す例では、検出電極ＴＤＬは、平面視において、Ｙ軸方向に延在している。また、図１３に示す例では、検出電極ＴＤＬは、平面視において、Ｘ軸方向に延在している。検出電極ＴＤＬは、導電膜からなる。
【００８８】
なお、前述したように、本願明細書では、「平面視において」とは、ＴＦＴ基板２１（図９参照）またはガラス基板３１の主面としての上面に垂直な方向から視た場合を意味する。
【００８９】
好適には、検出電極ＴＤＬは、アルミニウム（Ａｌ）、銅（Ｃｕ）、銀（Ａｇ）、モリブデン（Ｍｏ）、クロム（Ｃｒ）およびタングステン（Ｗ）からなる群から選ばれた１種以上の金属からなる金属層または合金層を含む導電膜からなる。これにより、検出電極ＴＤＬの導電性を向上させることができるので、検出電極ＴＤＬによる検出感度または検出速度を向上させることができる。
【００９０】
図１２に示す例において、検出電極ＴＤＬは、Ｘ軸方向に配列された複数の導電線を含んでもよい。このとき、複数の導電線の各々は、平面視において、交互に逆方向に屈曲しながら全体としてＹ軸方向に延在するジグザグ形状を有していてもよい。あるいは、検出電極ＴＤＬは、平面視において、複数の導電線により形成されたメッシュ形状を有していてもよい。
【００９１】
対向基板３は、複数の検出電極ＴＤＬを有する。複数の検出電極ＴＤＬにより、電極群ＴＤＬＧが形成される。
【００９２】
保護膜３３は、検出電極ＴＤＬを覆うように形成されている。保護膜３３は、検出電極ＴＤＬに例えば空気中の水分が接触しないようにすることにより、導電膜からなる検出電極ＴＤＬが腐食しないように保護する。保護膜３３として、例えばアクリル樹脂、エポキシ樹脂またはポリイミド樹脂などからなる、紫外線（Ultraviolet；ＵＶ）硬化性樹脂または熱硬化性樹脂からなる樹脂膜を用いることができる。なお、保護膜３３は、検出電極ＴＤＬが形成されたガラス基板３１の上面を平坦化する機能も有する。
【００９３】
前述したように、複数の検出電極ＴＤＬにより、電極群ＴＤＬＧが形成される場合には、保護膜３３は、電極群ＴＤＬＧを覆うように形成されている。
【００９４】
凹凸パターンＵＥ１は、ガラス基板３１上に形成されている。凹凸パターンＵＥ１は、平面視において、検出電極ＴＤＬよりもガラス基板３１の外周側に配置されている。また、保護膜３３は、平面視において、検出電極ＴＤＬ、および、検出電極ＴＤＬと凹凸パターンＵＥ１との間に位置する部分のガラス基板３１を覆うように形成されている。
【００９５】
前述したように、複数の検出電極ＴＤＬにより、電極群ＴＤＬＧが形成される場合には、凹凸パターンＵＥ１は、平面視において、電極群ＴＤＬＧよりもガラス基板３１の外周側に配置されている。言い換えれば、凹凸パターンＵＥ１は、平面視において、電極群ＴＤＬＧを囲むように配置されている。また、保護膜３３は、平面視において、電極群ＴＤＬＧ、および、電極群ＴＤＬＧと凹凸パターンＵＥ１との間に位置する部分のガラス基板３１を覆うように形成されている。
【００９６】
前述したように、凹凸パターンＵＥ１は、例えば凹部または凸部などを含む。すなわち、凹凸パターンＵＥ１は、高位部と低位部とからなる段差部を含む。ガラス基板３１上に保護膜形成用の塗布液が塗布される際に、塗布液は、段差部に沿って広がるものの、段差部と交差する方向には広がりにくい。そのため、凹凸パターンＵＥ１の形状を調整することにより、ガラス基板３１上に塗布された塗布液がガラス基板３１の外周側に広がることを防止または抑制することができ、塗布された塗布液の端部の位置を精度よく調整することができる。すなわち、凹凸パターンＵＥ１は、保護膜３３の端部ＥＰ１の位置を調整する位置調整パターンである。
【００９７】
好適には、凹凸パターンＵＥ１は、平面視において、電極群ＴＤＬＧの全周に亘って電極群ＴＤＬＧを囲むように配置されている。これにより、電極群ＴＤＬＧを覆うように塗布された保護膜形成用の塗布液が、電極群ＴＤＬＧの全周に亘ってガラス基板３１の外周側に広がることを防止または抑制することができ、塗布された塗布液の端部の位置を、電極群ＴＤＬＧの全周に亘って、精度よく調整することができる。
【００９８】
好適には、凹凸パターンＵＥ１は、凸部ＣＶ１を含み、凸部ＣＶ１は、ガラス基板３１上に形成された膜からなる。これにより、ガラス基板３１上に膜を形成し、例えばフォトリソグラフィ技術およびエッチング技術を用いてパターニングすることにより、膜からなる凸部ＣＶ１を容易に形成することができる。
【００９９】
さらに好適には、凸部ＣＶ１は、検出電極ＴＤＬに含まれる導電膜と同層に形成された導電膜からなる。これにより、検出電極ＴＤＬおよび凸部ＣＶ１を同一の工程により形成することができるので、電極基板の製造工程数を削減することができる。なお、凸部ＣＶ１は、例えば絶縁膜など、導電膜以外の膜からなるものであってもよい。
【０１００】
また、好適には、ガラス基板３１は、平面視において、４つの辺ＳＤ１として、辺ＳＤ１１、ＳＤ１２、ＳＤ１３およびＳＤ１４を有する。辺ＳＤ１２は、辺ＳＤ１１と交差する。辺ＳＤ１３は、辺ＳＤ１１と対向する。辺ＳＤ１４は、辺ＳＤ１２と対向する。
【０１０１】
図１２に示す例では、辺ＳＤ１１に沿った方向または辺ＳＤ１３に沿った方向をＹ軸方向とし、辺ＳＤ１２に沿った方向または辺ＳＤ１４に沿った方向をＸ軸方向とする。Ｙ軸方向は、辺ＳＤ１１が延在する方向および辺ＳＤ１３が延在する方向のいずれかと平行でなくてもよく、Ｘ軸方向は、辺ＳＤ１２が延在する方向および辺ＳＤ１４が延在する方向のいずれかと平行でなくてもよい。
【０１０２】
このとき、凹凸パターンＵＥ１は、ガラス基板３１上に形成された導電膜からなる凸部ＣＶ１として、凸部ＣＶ１１、ＣＶ１２、ＣＶ１３およびＣＶ１４を含む。凸部ＣＶ１１は、検出電極ＴＤＬからなる電極群ＴＤＬＧよりも辺ＳＤ１１側に配置され、凸部ＣＶ１２は、検出電極ＴＤＬからなる電極群ＴＤＬＧよりも辺ＳＤ１２側に配置される。また、凸部ＣＶ１３は、検出電極ＴＤＬからなる電極群ＴＤＬＧよりも辺ＳＤ１３側に配置され、凸部ＣＶ１４は、検出電極ＴＤＬからなる電極群ＴＤＬＧよりも辺ＳＤ１４側に配置される。
【０１０３】
図１２に示す例では、好適には、凸部ＣＶ１１は、平面視において、辺ＳＤ１１に沿った方向であるＹ軸方向に延在する。これにより、電極群ＴＤＬＧを覆うように塗布された保護膜形成用の塗布液が辺ＳＤ１１側に広がることを防止または抑制することができる。また、凸部ＣＶ１２は、平面視において、辺ＳＤ１２に沿った方向であるＸ軸方向に延在する。これにより、電極群ＴＤＬＧを覆うように塗布された保護膜形成用の塗布液が辺ＳＤ１２側に広がることを防止または抑制することができる。
【０１０４】
また、凸部ＣＶ１３は、平面視において、辺ＳＤ１３に沿った方向であるＹ軸方向に延在する。これにより、電極群ＴＤＬＧを覆うように塗布された保護膜形成用の塗布液が辺ＳＤ１３側に広がることを防止または抑制することができる。さらに、凸部ＣＶ１４は、平面視において、辺ＳＤ１４に沿った方向であるＸ軸方向に延在する。これにより、電極群ＴＤＬＧを覆うように塗布された保護膜形成用の塗布液が辺ＳＤ１４側に広がることを防止または抑制することができる。
【０１０５】
また、図１３に示す例でも、複数の検出電極ＴＤＬの各々が全体として延在する方向が互いに異なる点を除き、図１２に示す例と同様にすることができる。
【０１０６】
なお、図１２に示す例では、Ｙ軸方向は、辺ＳＤ１１が延在する方向および辺ＳＤ１３が延在する方向のいずれかと平行であってもよく、Ｘ軸方向は、辺ＳＤ１２が延在する方向および辺ＳＤ１４が延在する方向のいずれかと平行であってもよい。また、図１３に示す例でも、複数の検出電極ＴＤＬの各々が全体として延在する方向が互いに異なる点を除き、図１２に示す例と同様にすることができる。
【０１０７】
好適には、凹凸パターンＵＥ１は、複数の凸部ＣＶ１１を含む。図１２に示す例では、複数の凸部ＣＶ１１は、平面視において、Ｙ軸方向にそれぞれ延在し、かつ、Ｘ軸方向に配列されている。これにより、電極群ＴＤＬＧの辺ＳＤ１１側において、Ｘ軸方向における互いに異なる位置に複数の凸部ＣＶ１１がそれぞれ配置されるため、電極群ＴＤＬＧを覆うように塗布された塗布液が辺ＳＤ１１側に広がることを、容易に防止または抑制することができる。また、図１３に示す例でも、複数の検出電極ＴＤＬの各々が全体として延在する方向が互いに異なる点を除き、図１２に示す例と同様にすることができる。
【０１０８】
同様に、好適には、凹凸パターンＵＥ１は、複数の凸部ＣＶ１２を含む。図１２に示す例では、複数の凸部ＣＶ１２は、平面視において、Ｘ軸方向にそれぞれ延在し、かつ、Ｙ軸方向に配列されている。これにより、電極群ＴＤＬＧの辺ＳＤ１２側において、Ｙ軸方向における互いに異なる位置に複数の凸部ＣＶ１２がそれぞれ配置されるため、電極群ＴＤＬＧを覆うように塗布された塗布液が辺ＳＤ１２側に広がることを、容易に防止または抑制することができる。また、図１３に示す例でも、複数の検出電極ＴＤＬの各々が全体として延在する方向が互いに異なる点を除き、図１２に示す例と同様にすることができる。
【０１０９】
また、好適には、凹凸パターンＵＥ１は、複数の凸部ＣＶ１３を含む。図１２に示す例では、複数の凸部ＣＶ１３は、平面視において、Ｙ軸方向にそれぞれ延在し、かつ、Ｘ軸方向に配列されている。これにより、電極群ＴＤＬＧの辺ＳＤ１３側において、Ｘ軸方向における互いに異なる位置に複数の凸部ＣＶ１３がそれぞれ配置されるため、電極群ＴＤＬＧを覆うように塗布された塗布液が辺ＳＤ１３側に広がることを、容易に防止または抑制することができる。また、図１３に示す例でも、複数の検出電極ＴＤＬの各々が全体として延在する方向が互いに異なる点を除き、図１２に示す例と同様にすることができる。
【０１１０】
同様に、好適には、凹凸パターンＵＥ１は、複数の凸部ＣＶ１４を含む。図１２に示す例では、複数の凸部ＣＶ１４は、平面視において、Ｘ軸方向にそれぞれ延在し、かつ、Ｙ軸方向に配列されている。これにより、電極群ＴＤＬＧの辺ＳＤ１４側において、Ｙ軸方向における互いに異なる位置に複数の凸部ＣＶ１４がそれぞれ配置されるため、電極群ＴＤＬＧを覆うように塗布された塗布液が辺ＳＤ１４側に広がることを、容易に防止または抑制することができる。また、図１３に示す例でも、複数の検出電極ＴＤＬの各々が全体として延在する方向が互いに異なる点を除き、図１２に示す例と同様にすることができる。
【０１１１】
好適には、保護膜３３は、凹凸パターンＵＥ１上で、終端している。言い換えれば、保護膜３３の端部ＥＰ１が、凹凸パターンＵＥ１上に位置している。また、前述したように、凹凸パターンＵＥ１は、検出電極ＴＤＬよりもガラス基板３１の外周側に配置されている。したがって、保護膜３３が凹凸パターンＵＥ１上で終端することにより、保護膜３３の端部ＥＰ１がガラス基板３１の外周に達することを、防止または抑制することができる。言い換えれば、保護膜３３の端部ＥＰ１が、凹凸パターンＵＥ１上に位置することにより、保護膜３３の端部ＥＰ１がガラス基板３１の外周に達することを、防止または抑制することができる。
【０１１２】
また、対向基板３としての電極基板ＥＳは、引き回し配線ＬＷ１および電極端子ＥＴ１を有する。引き回し配線ＬＷ１および電極端子ＥＴ１は、ガラス基板３１上に形成されている。検出電極ＴＤＬの各々は、引き回し配線ＬＷ１により例えばガラス基板３１のＹ軸方向における一方の側（図１２中下側および図１３中下側）に形成された電極端子ＥＴ１と電気的に接続されている。
【０１１３】
好適には、引き回し配線ＬＷ１は、検出電極ＴＤＬに含まれる導電膜と同層に形成された導電膜からなり、電極端子ＥＴ１は、検出電極ＴＤＬに含まれる導電膜と同層に形成された導電膜からなる。これにより、検出電極ＴＤＬ、引き回し配線ＬＷ１および電極端子ＥＴ１を同一の工程により形成することができるので、対向基板３としての電極基板ＥＳの製造工程数を削減することができる。
【０１１４】
なお、図示は省略するが、電極端子ＥＴ１の各々は、例えば異方性導電フィルムを介して、例えばフレキシブルプリント回路基板（Flexible Printed Circuits；ＦＰＣ）からなる配線基板に形成された電極端子と、電気的に接続されている。
【０１１５】
＜凸部の平面形状＞
次に、図１６および図１７を参照し、凸部の平面形状について説明する。
【０１１６】
図１６および図１７は、実施の形態１の電極基板における凸部を示す平面図である。
【０１１７】
図１６に示す例では、凹凸パターンＵＥ１は、複数の凸部ＣＶ１を含む。複数の凸部ＣＶ１は、例えばＸ軸方向に千鳥状に配置されている。すなわち、複数の凸部ＣＶ１により、平面視において、Ｘ軸方向に配列された凸部群ＣＶＧ１が形成され、この凸部群ＣＶＧ１が、Ｘ軸方向およびＹ軸方向のいずれとも交差する方向に複数個配列されている。つまり、複数の凸部群ＣＶＧ１は、Ｙ軸方向に沿って互いに隣り合う２つの凸部群ＣＶＧ１の間で、Ｘ軸方向における凸部ＣＶ１の位置が異なるように、配列されている。
【０１１８】
ここで、塗布液が、ある凸部群ＣＶＧ１としての凸部群ＣＶＧ１１に含まれ、Ｘ軸方向に沿って互いに隣り合う２つの凸部ＣＶ１の間の部分のガラス基板３１上を通って、Ｙ軸方向における一方の側（図１６中左側）に広がる場合を考える。このような場合、その塗布液は、その凸部群ＣＶＧ１よりもＹ軸方向における一方の側（図１６中左側）に位置する凸部群ＣＶＧ１としての凸部群ＣＶＧ１２に含まれる凸部ＣＶ１により止められる。そのため、Ｘ軸方向が辺ＳＤ１に沿った方向である場合には、電極群ＴＤＬＧを覆うように塗布された保護膜形成用の塗布液が辺ＳＤ１側に広がることを、容易に防止または抑制することができ、電極群ＴＤＬＧを覆うように塗布された塗布液の端部の位置を、容易に精度よく調整することができる。
【０１１９】
図１７に示す例では、凹凸パターンＵＥ１は、複数の凸部ＣＶ１を含む。複数の凸部ＣＶ１は、例えばＹ軸方向に配列されている。また、図１７に示す例では、複数の凸部ＣＶ１の各々は、平面視において、波状に湾曲しながら全体としてＸ軸方向に延在している。すなわち、複数の凸部ＣＶ１の各々は、平面視において、波状形状を有する。
【０１２０】
これにより、凸部ＣＶ１が平面視において直線形状を有する場合に比べ、凹凸パターンＵＥ１における、高位部と低位部とからなる段差部の長さを増加させることができる。そのため、電極群ＴＤＬＧを覆うように塗布された保護膜形成用の塗布液が辺ＳＤ１側に広がることを、容易に防止または抑制することができ、電極群ＴＤＬＧを覆うように塗布された塗布液の端部の位置を、容易に精度よく調整することができる。
【０１２１】
＜凸部および保護膜の断面形状＞
次に、図１８〜図２５を参照し、凸部および保護膜の断面形状について説明する。
【０１２２】
図１８は、実施の形態１の電極基板を示す断面図である。図１８は、図１５の断面図において、空気中の水分が保護膜３３とガラス基板３１との間を通って検出電極ＴＤＬに達する経路ＲＴ１を太線により図示したものである。
【０１２３】
図１８に示すように、ガラス基板３１上に保護膜３３が形成された領域であって、検出電極ＴＤＬからなる電極群ＴＤＬＧよりも辺ＳＤ１側の部分のうち、凸部ＣＶ１が形成されていない部分では、空気中の水分は、保護膜３３とガラス基板３１との間を通る。一方、ガラス基板３１上に保護膜３３が形成された領域であって、電極群ＴＤＬＧよりも辺ＳＤ１側の部分のうち、凸部ＣＶ１が形成された部分では、空気中の水分は、保護膜３３と凸部ＣＶ１との間を通る。したがって、ガラス基板３１上に凸部ＣＶ１が形成されない場合に比べ、すなわち図３５を用いて後述する比較例に比べ、空気中の水分が保護膜３３とガラス基板３１との間を通って検出電極ＴＤＬに達する経路ＲＴ１の長さが長くなる。そのため、空気中の水分が保護膜３３とガラス基板３１との間を通って検出電極ＴＤＬに達しにくくなるので、検出電極ＴＤＬが空気中の水分により腐食されること、または、検出電極ＴＤＬがガラス基板３１から剥離することを、防止または抑制することができる。
【０１２４】
なお、図１２および図１３に示したように、平面視において、電極群ＴＤＬＧの外周側に引き回し配線ＬＷ１が形成されている場合には、引き回し配線ＬＷ１は、検出電極ＴＤＬに比べ、空気中の水分により腐食されやすいか、または、ガラス基板３１から剥離しやすい。したがって、ガラス基板３１上に凸部ＣＶ１が形成されることにより、引き回し配線ＬＷ１が空気中の水分により腐食されることを防止または抑制する効果は、検出電極ＴＤＬが空気中の水分により腐食されることを防止または抑制する効果に比べて大きくなる。また、ガラス基板３１上に凸部ＣＶ１が形成されることにより、引き回し配線ＬＷ１がガラス基板３１から剥離することを防止または抑制する効果は、検出電極ＴＤＬがガラス基板３１から剥離することを防止または抑制する効果に比べて大きくなる。
【０１２５】
あるいは、凸部ＣＶ１が導電膜からなり、検出電極ＴＤＬに一定の電位が印加されている場合において、凸部ＣＶ１が電気的に浮遊しているか、または、検出電極ＴＤＬに印加されている電位と略等しい電位が凸部ＣＶ１に印加されることが好ましい。これにより、検出電極ＴＤＬと凸部ＣＶ１との間に電位差が発生することを防止または抑制することができ、検出電極ＴＤＬと凸部ＣＶ１との間の電位差により検出電極ＴＤＬまたは凸部ＣＶ１が腐食することを防止または抑制することができる。
【０１２６】
図１９は、実施の形態１の電極基板の他の例を示す断面図である。図１９では、凸部の周辺を拡大して示している。
【０１２７】
図１９に示すように、凹凸パターンＵＥ１は、複数の凸部ＣＶ１を含む。複数の凸部ＣＶ１の各々は、Ｘ軸方向に延在する。凸部ＣＶ１は、平面視において、例えばＸ軸方向と直交するＹ軸方向の一方の側（図１９中左側）に位置する側面部ＳＳ１を含み、側面部ＳＳ１の上端部ＨＥ１は、Ｙ軸方向において、側面部ＳＳ１の下端部ＬＥ１よりも、一方の側（図１９中左側）に位置する。また、凸部ＣＶ１は、平面視において、例えばＸ軸方向と直交するＹ軸方向の他方の側（図１９中右側）に位置する側面部ＳＳ２を含み、側面部ＳＳ２の上端部ＨＥ２は、Ｙ軸方向において、側面部ＳＳ２の下端部ＬＥ２よりも、他方の側（図１９中右側）に位置する。
【０１２８】
図１９に示す例では、凸部ＣＶ１のＸ軸方向に垂直な断面形状は、逆台形形状である。すなわち、Ｘ軸方向に垂直な断面において、凸部ＣＶ１の幅が、凸部ＣＶ１の上面から凸部ＣＶ１の下面に向かって減少するように、凸部ＣＶ１の両側面のうちいずれかまたは両方が傾斜している。
【０１２９】
図２０〜図２４を用いて後述するように、例えばあるエッチャントに対するエッチング速度が上層から下層に向かって順に大きくなるように、複数層の導電膜が積層された後、そのエッチャントを用いてエッチングを行う。これにより、側面部ＳＳ１の上端部ＨＥ１が、Ｙ軸方向において、側面部ＳＳ１の下端部ＬＥ１よりも、一方の側（図１９中左側）に位置し、側面部ＳＳ２の上端部ＨＥ２が、Ｙ軸方向において、側面部ＳＳ２の下端部ＬＥ２よりも、他方の側（図１９中右側）に位置するように、凸部ＣＶ１を形成することができる。
【０１３０】
このような場合、保護膜３３を形成する際に、例えば凸部ＣＶ１の側方に十分に塗布液が回り込まないことにより、凸部ＣＶ１の両側面部に空間ＳＰ１が形成されることがある。これにより、空気中の水分が保護膜とガラス基板３１との間を通って検出電極ＴＤＬに達する前に、空気中の水分が空間ＳＰ１に滞留しやすくなる。そのため、空気中の水分が保護膜３３とガラス基板３１との間を通って検出電極ＴＤＬにさらに達しにくくなるので、検出電極ＴＤＬが空気中の水分により腐食されること、または、検出電極ＴＤＬがガラス基板３１から剥離することを、防止または抑制することができる。
【０１３１】
あるいは、図１９に示す空間ＳＰ１が形成されない場合、すなわち保護膜３３が凸部ＣＶ１の両側面部ＳＳ１およびＳＳ２に接するように形成される場合を考える。このような場合でも、凸部ＣＶ１のＸ軸方向に垂直な断面形状が、矩形形状または台形形状である場合に比べ、空気中の水分が保護膜３３とガラス基板３１との間を通って検出電極ＴＤＬに達する経路ＲＴ１（図１８参照）の長さが長くなる。そのため、さらに空気中の水分が保護膜３３とガラス基板３１との間を通って検出電極ＴＤＬに達しにくくなるので、検出電極ＴＤＬが空気中の水分により腐食されること、または、検出電極ＴＤＬがガラス基板３１から剥離することを、容易に防止または抑制することができる。
【０１３２】
図２０および図２１は、実施の形態１の電極基板における凸部の他の例を示す断面図である。図２０および図２１では、凹凸パターンに含まれる複数の凸部のうち、１つの凸部の周辺を拡大して示し、保護膜３３の図示を省略している。
【０１３３】
図２０および図２１に示す例では、凸部ＣＶ１は、ガラス基板３１上に形成された下層部ＬＬ１と、下層部ＬＬ１上に形成された上層部ＨＬ１と、を有する。下層部ＬＬ１のＹ軸方向の一方の側（図２０および図２１中左側）の側面部ＬＳ１は、Ｙ軸方向において、上層部ＨＬ１のＹ軸方向の一方の側（図２０および図２１中左側）の側面部ＨＳ１よりも、一方の側（図２０中および図２１中左側）と反対側に後退している。また、下層部ＬＬ１のＹ軸方向の他方の側（図２０および図２１中右側）の側面部ＬＳ２は、Ｙ軸方向において、上層部ＨＬ１のＹ軸方向の他方の側（図２０および図２１中右側）の側面部ＨＳ２よりも、他方の側（図２０中および図２１中右側）と反対側に後退している。これにより、側面部ＳＳ１の上端部ＨＥ１が、Ｙ軸方向において、側面部ＳＳ１の下端部ＬＥ１よりも、一方の側（図２０中および図２１中左側）に位置し、側面部ＳＳ２の上端部ＨＥ２が、Ｙ軸方向において、側面部ＳＳ２の下端部ＬＥ２よりも、他方の側（図２０中および図２１中右側）に位置することになる。
【０１３４】
例えばあるエッチャントに対する下層部ＬＬ１のエッチング速度が、そのエッチャントに対する上層部ＨＬ１のエッチング速度よりも大きくなるように、下層部ＬＬ１および上層部ＨＬ１が積層された後、そのエッチャントを用いてエッチングを行う。これにより、側面部ＳＳ１の上端部ＨＥ１が、Ｙ軸方向において、側面部ＳＳ１の下端部ＬＥ１よりも、一方の側（図２０中および図２１中左側）に位置し、側面部ＳＳ２の上端部ＨＥ２が、Ｙ軸方向において、側面部ＳＳ２の下端部ＬＥ２よりも、他方の側（図２０中および図２１中右側）に位置するように、凸部ＣＶ１を形成することができる。
【０１３５】
なお、図２０に示すように、上層部ＨＬ１の側面部ＨＳ１およびＨＳ２は、ガラス基板３１の上面に垂直な面であってもよい。あるいは、図２１に示すように、上層部ＨＬ１の側面部ＨＳ１およびＨＳ２は、ガラス基板３１の上面に垂直な面から傾斜した面であってもよい。
【０１３６】
図２２は、実施の形態１の電極基板における凸部の他の例を示す断面図である。図２２では、凹凸パターンに含まれる複数の凸部のうち、１つの凸部の周辺を拡大して示し、保護膜３３の図示を省略している。
【０１３７】
図２２に示す例でも、図２０および図２１に示す例と同様に、凸部ＣＶ１は、ガラス基板３１上に形成された下層部ＬＬ１と、下層部ＬＬ１上に形成された上層部ＨＬ１と、を有する。下層部ＬＬ１のＹ軸方向の一方の側（図２２中左側）の側面部ＬＳ１は、Ｙ軸方向において、上層部ＨＬ１のＹ軸方向の一方の側（図２２中左側）の側面部ＨＳ１よりも、一方の側（図２２中左側）と反対側に後退している。また、下層部ＬＬ１のＹ軸方向の他方の側（図２２中右側）の側面部ＬＳ２は、Ｙ軸方向において、上層部ＨＬ１のＹ軸方向の他方の側（図２２中右側）の側面部ＨＳ２よりも、他方の側（図２２中右側）と反対側に後退している。これにより、側面部ＳＳ１に段差部ＳＴ１が形成され、側面部ＳＳ２に段差部ＳＴ２が形成されることになる。
【０１３８】
一方、図２２に示す例では、側面部ＳＳ１の下端部ＬＥ１が、Ｙ軸方向において、側面部ＳＳ１の上端部ＨＥ１よりも、一方の側（図２２中左側）に位置し、側面部ＳＳ２の下端部ＬＥ２が、Ｙ軸方向において、側面部ＳＳ２の上端部ＨＥ２よりも、他方の側（図２２２中右側）に位置する。
【０１３９】
このような場合でも、側面部ＳＳ１およびＳＳ２のいずれにも段差部が形成されず、側面部ＳＳ１およびＳＳ２のいずれも平面のみからなる場合に比べ、保護膜３３（図１９参照）を形成する際に、空間ＳＰ１（図１９参照）が形成されやすくなるか、または、空気中の水分が保護膜３３とガラス基板３１との間を通って検出電極ＴＤＬに達する経路ＲＴ１（図１８参照）の長さが長くなる。
【０１４０】
図２３および図２４は、実施の形態１の電極基板における凸部の他の例を示す断面図である。図２３および図２４では、凹凸パターンに含まれる複数の凸部のうち、１つの凸部の周辺を拡大して示し、保護膜３３の図示を省略している。
【０１４１】
図２３および図２４に示す例でも、図２０および図２１に示す例と同様に、凸部ＣＶ１は、ガラス基板３１上に形成された下層部ＬＬ１と、下層部ＬＬ１上に形成された上層部ＨＬ１と、を有する。
【０１４２】
図２３および図２４に示す例では、側面部ＳＳ１の上端部ＨＥ１が、Ｙ軸方向において、側面部ＳＳ１の下端部ＬＥ１と同じ位置に位置し、側面部ＳＳ２の上端部ＨＥ２が、Ｙ軸方向において、側面部ＳＳ２の下端部ＬＥ２と同じ位置に位置する。また、図２３に示す例では、側面部ＳＳ１に凹部ＳＳ１１が形成されており、側面部ＳＳ２に凹部ＳＳ２１が形成されている。あるいは、図２４に示す例では、側面部ＳＳ１に凸部ＳＳ１２が形成されており、側面部ＳＳ２に凸部ＳＳ２２が形成されている。
【０１４３】
このような場合でも、側面部ＳＳ１およびＳＳ２に凹部も凸部も形成されず、側面部ＳＳ１およびＳＳ２のいずれも平面のみからなる場合に比べ、保護膜３３（図１９参照）を形成する際に、空間ＳＰ１（図１９参照）が形成されやすくなるか、または、空気中の水分が保護膜３３とガラス基板３１との間を通って検出電極ＴＤＬに達する経路ＲＴ１（図１８参照）の長さが長くなる。
【０１４４】
図２５は、実施の形態１の電極基板の他の例を示す断面図である。
【０１４５】
図２５に示す例では、対向基板３としての電極基板ＥＳは、ガラス基板３１と、検出電極ＴＤＬと、保護膜３３と、凹凸パターンＵＥ１とに加え、さらに、保護膜３５を有する。保護膜３５は、保護膜３３を覆うように形成され、かつ、保護膜３３から露出した部分の凹凸パターンＵＥ１を覆うように形成されている。
【０１４６】
図１５に示した例と同様に、保護膜３３が凹凸パターンＵＥ１上で終端しているとき、凹凸パターンＵＥ１の辺ＳＤ１側の一部は、保護膜３３から露出している。言い換えれば、保護膜３３の端部ＥＰ１が凹凸パターンＵＥ１上に位置しているとき、凹凸パターンＵＥ１の辺ＳＤ１側の一部は、保護膜３３から露出している。そのため、保護膜３５が形成されることにより、保護膜３３の端部ＥＰ１が保護膜３５に覆われ、空気中の水分が保護膜３３とガラス基板３１との間を通って検出電極ＴＤＬにさらに達しにくくなる。したがって、検出電極ＴＤＬが空気中の水分により腐食されること、または、検出電極ＴＤＬがガラス基板３１から剥離することを、さらに容易に防止または抑制することができる。
【０１４７】
なお、保護膜３５として、例えばアクリル樹脂またはエポキシ樹脂などからなる、ＵＶ硬化性樹脂を用いることができる。また、保護膜３５を接着層として、保護膜３５上に、さらに例えばカバーガラスなどの保護部材を設けることもできる。
【０１４８】
＜電極基板の製造方法＞
次に、図２６〜図３３を参照し、電極基板の製造方法について説明する。
【０１４９】
図２６、図２８、図３０および図３１は、実施の形態１の電極基板の製造工程中の平面図である。図２７、図２９、図３２および図３３は、実施の形態１の電極基板の製造工程中の断面図である。図２７、図２９および図３２の断面図は、それぞれ図２６、図２８および図３１のＢ−Ｂ線に沿った断面図である。図２８および図３１では、電極基板形成領域ＡＲ１の外周およびダイシング領域ＤＡ１をまとめて二点鎖線で示している。図３０では、アライメントマークＡＭ１の周辺を拡大して示している。図３３では、凹凸パターンＵＥ１に含まれる段差部ＳＴ３の周辺を拡大して示している。
【０１５０】
まず、図２６および図２７に示すように、ガラス基板３１ａを準備する。ガラス基板３１ａは、ガラス基板３１ａの主面としての上面の領域として、複数の電極基板形成領域ＡＲ１と、枠領域ＡＲ２とを有する。複数の電極基板形成領域ＡＲ１は、例えばＸ軸方向およびＹ軸方向にマトリクス状に配列されている。また、互いに隣り合う２つの電極基板形成領域ＡＲ１の間には、ダイシング領域ＤＡ１が配置されている。ダイシング領域ＤＡ１は、複数の電極基板形成領域ＡＲ１の各々に分割する際に、切断、すなわちダイシングされる領域である。後述する保護膜３３を形成する工程までの工程を行った後、ガラス基板３１ａが複数の電極基板形成領域ＡＲ１の各々に分割されることにより、対向基板３としての電極基板ＥＳが複数個形成される。つまり、ガラス基板３１ａが複数の電極基板形成領域ＡＲ１の各々に分割されて個片化されたガラス基板が、ガラス基板３１（図１２参照）である。
【０１５１】
また、枠領域ＡＲ２で、ガラス基板３１ａ上には、アライメントマークＡＭ１が形成されている。
【０１５２】
なお、前述したように、本実施の形態１では、電極基板ＥＳとして、入力装置付き表示装置において検出電極ＴＤＬが形成される対向基板３として用いられる電極基板を例示して説明するため、電極基板ＥＳの基体としてガラス基板３１ａを準備する工程を説明する。しかし、入力装置付き表示装置において対向基板３以外の基板として用いられる電極基板、または、表示装置以外の各種の電子機器に用いられる電極基板を製造する際には、電極基板ＥＳの基体として、例えば樹脂からなるフィルム、および、例えばシリコン（Ｓｉ）からなる半導体基板など、各種の基板を準備することができる。
【０１５３】
次に、図２８および図２９に示すように、検出電極ＴＤＬを形成する。この検出電極ＴＤＬを形成する工程では、まず、複数の電極基板形成領域ＡＲ１、および、枠領域ＡＲ２で、ガラス基板３１ａ上に、導電膜を成膜する。この導電膜を成膜する工程では、例えば金属膜からなる導電膜を、例えばスパッタリング法または化学気相成長（Chemical Vapor Deposition；ＣＶＤ）法により成膜することができる。好適には、導電膜として、アルミニウム（Ａｌ）、銅（Ｃｕ）、銀（Ａｇ）、モリブデン（Ｍｏ）、クロム（Ｃｒ）およびタングステン（Ｗ）からなる群から選ばれた１種以上の金属からなる金属層または合金層を含む導電膜を成膜することができる。
【０１５４】
なお、金属膜を成膜する工程を行った後、後述するパターン処理を行う前に、インクジェット法または電界ジェット法により塗布される塗布液の濡れ性を均一にするために、導電膜が成膜された基板に対して表面処理を行うこともできる。このような表面処理として、ＵＶ光による表面処理、大気圧（Atmospheric Pressure；ＡＰ）プラズマによる表面処理、または、ヘキサメチルジシロキサン（Hexamethyldisiloxane；ＨＭＤＳ）による表面処理などを行うことができる。
【０１５５】
次に、導電膜をパターニングする。これにより、図２８および図２９に示すように、複数の電極基板形成領域ＡＲ１の各々で、ガラス基板３１ａ上に、検出電極ＴＤＬを形成する。この検出電極ＴＤＬを形成する工程では、例えばフォトリソグラフィ技術およびエッチング技術を用いて導電膜をパターニングすることにより、複数の電極基板形成領域ＡＲ１の各々で、ガラス基板３１ａ上に、検出電極ＴＤＬを形成することができる。
【０１５６】
好適には、複数の電極基板形成領域ＡＲ１の各々で、ガラス基板３１ａ上に、複数の検出電極ＴＤＬを形成することができる。このとき、複数の電極基板形成領域ＡＲ１の各々で、複数の検出電極ＴＤＬからなる電極群ＴＤＬＧを形成することになる。
【０１５７】
また、検出電極ＴＤＬを形成する工程と同様の工程を行って導電膜をパターニングすることにより、複数の電極基板形成領域ＡＲ１の各々で、ガラス基板３１ａ上に、凹凸パターンＵＥ１を形成する。この凹凸パターンＵＥ１を形成する工程では、各電極基板形成領域ＡＲ１で、平面視において、複数の検出電極ＴＤＬからなる電極群ＴＤＬＧよりも各電極基板形成領域ＡＲ１の外周側に配置された凹凸パターンＵＥ１を、ガラス基板３１ａ上に形成する。図２９に示すように、凹凸パターンＵＥ１を、凸部ＣＶ１を含むものとすることができる。また、凸部ＣＶ１を含む凹凸パターンＵＥ１の平面形状を、図１４、図１６および図１７のいずれかを用いて説明した形状とすることができる。また、凹凸パターンＵＥ１の断面形状を、図１９〜図２４を用いて説明した形状とすることもできる。
【０１５８】
なお、検出電極ＴＤＬを形成する工程と同一の工程により、凹凸パターンＵＥ１を形成することができる。これにより、製造工程数を削減することができる。
【０１５９】
あるいは、凹凸パターンＵＥ１として、検出電極ＴＤＬに含まれる導電膜と異なる種類の膜からなる凹凸パターンを形成することもできる。
【０１６０】
さらに、検出電極ＴＤＬを形成する工程と同様の工程を行って導電膜をパターニングすることにより、図２８および図３０に示すように、枠領域ＡＲ２で、ガラス基板３１ａ上に、凹凸パターンＵＥ２を形成する。この凹凸パターンＵＥ２を形成する工程では、枠領域ＡＲ２で、平面視において、アライメントマークＡＭ１を囲むように配置された凹凸パターンＵＥ２を、ガラス基板３１ａ上に形成する。
【０１６１】
なお、検出電極ＴＤＬを形成する工程と同一の工程により、凹凸パターンＵＥ２を形成することができる。これにより、製造工程数を削減することができる。
【０１６２】
あるいは、凹凸パターンＵＥ２として、検出電極ＴＤＬに含まれる導電膜と異なる種類の膜からなる凹凸パターンを形成することもできる。
【０１６３】
次に、図３１および図３２に示すように、保護膜３３を形成することにより、電極基板集合体ＥＳＧを形成する。この保護膜３３を形成する工程では、まず、保護膜形成用の塗布液を塗布する。この塗布液を塗布する工程では、塗布法により塗布液を塗布する。好適には、保護膜形成用の塗布液を、インクジェット法または電界ジェット法により塗布する。
【０１６４】
保護膜３３として、例えばアクリル樹脂、エポキシ樹脂またはポリイミド樹脂などからなる、ＵＶ硬化性樹脂または熱硬化性樹脂からなる樹脂膜を形成することができる。したがって、保護膜形成用の塗布液として、上記したＵＶ硬化性樹脂または熱硬化性樹脂を含有した塗布液を用いることができる。
【０１６５】
すなわち、複数の検出電極ＴＤＬからなる電極群ＴＤＬＧを覆うように、ガラス基板３１ａ上に塗布液をインクジェット法または電界ジェット法を用いて塗布して塗布膜を形成した後、形成された塗布膜を硬化させることにより、製造工程数を増加させることなく、所望のパターンを有する保護膜３３を形成することができる。
【０１６６】
また、インクジェット法または電界ジェット法を用いて塗布液を塗布する場合、塗布液が塗布されて形成される塗布膜からなるパターンを例えばフォトリソグラフィおよびエッチングを用いて形成するためにフォトマスクを用意する必要がなく、所望のパターンをその都度形成することができる。また、インクジェット法または電界ジェット法を用いて塗布液を塗布する場合、塗布液を効率よく利用することができるため、製造コストを低減することができる。さらには、インクジェット法または電界ジェット法を用いる場合、大気圧下での成膜が可能であり、真空チャンバを備えた成膜装置を用いる必要がないので、成膜装置を小型化することができる。
【０１６７】
本実施の形態１では、各電極基板形成領域ＡＲ１で、平面視において、複数の検出電極ＴＤＬからなる電極群ＴＤＬＧよりも各電極基板形成領域ＡＲ１の外周側に配置された凹凸パターンＵＥ１が、ガラス基板３１ａ上に形成されている。これにより、各電極基板形成領域ＡＲ１の検出電極ＴＤＬよりも外周側に形成される、高位部と低位部とからなる段差部の長さを長くすることができる。そのため、電極群ＴＤＬＧを覆うように塗布された保護膜形成用の塗布液が各電極基板形成領域ＡＲ１の外周側に広がることを、防止または抑制することができる。すなわち、凹凸パターンＵＥ１が設けられたことにより、電極群ＴＤＬＧを覆うように塗布された塗布液の端部の位置を、容易に精度よく調整することができる。
【０１６８】
図３３に示すように、凹凸パターンＵＥ１に含まれ、凸部ＣＶ１としての高位部ＨＰ１と低位部ＬＰ１とにより形成される段差部ＳＴ３が、塗布液が広がる方向ＤＲ１と交差する方向ＤＲ２に延在する場合を考える。このような場合、高位部ＨＰ１を方向ＤＲ１に広がってきた塗布液５２は、例えば高位部ＨＰ１の周縁、すなわち段差部ＳＴ３の上側で止められ、低位部ＬＰ１にまで広がらない。したがって、塗布液５２が段差部ＳＴ３を超えてさらに方向ＤＲ１に広がることを防止または抑制することができる。
【０１６９】
すなわち、塗布液５２を塗布する工程では、塗布された塗布液５２が、凹凸パターンＵＥ１上で終端するように、塗布液５２を塗布する。言い換えれば、塗布液５２を塗布する工程では、塗布された塗布液５２の端部が、凹凸パターンＵＥ１上に位置するように、塗布液５２を塗布する。
【０１７０】
また、本実施の形態１では、複数の電極基板形成領域ＡＲ１を囲む枠領域ＡＲ２で、平面視において、アライメントマークＡＭ１を囲むように配置された凹凸パターンＵＥ２が、ガラス基板３１ａ上に形成されている。これにより、電極群ＴＤＬＧを覆うように塗布された保護膜形成用の塗布液が、枠領域ＡＲ２にまで広がった場合でも、枠領域ＡＲ２に広がった塗布液がアライメントマークＡＭ１上に達することを防止または抑制することができる。したがって、保護膜３３を形成する際に、アライメントマークＡＭ１上に保護膜３３が形成されることを防止または抑制することができる。そのため、ダイシング領域ＤＡ１に沿ってガラス基板３１ａを切断する際に、アライメントマークＡＭ１を用いた位置合わせの精度が低下することを、防止または抑制することができる。
【０１７１】
次に、塗布された塗布液５２からなる塗布膜を硬化させる。塗布液５２としてＵＶ硬化性樹脂を含有した塗布液を用いる場合、形成された塗布膜にＵＶからなる光、すなわちＵＶ光を照射することにより、塗布膜を硬化させる。あるいは、塗布液５２として熱硬化性樹脂を含有した塗布液を用いる場合、形成された塗布膜を熱処理することにより、塗布膜を硬化させる。これにより、図３１に示すように、硬化された塗布膜からなる保護膜３３が形成される。
【０１７２】
ここで、前述したように、塗布された塗布液５２が、凹凸パターンＵＥ１上で終端している場合、すなわち、形成された塗布膜が凹凸パターンＵＥ１上で終端している場合には、硬化された塗布膜からなる保護膜３３も凹凸パターンＵＥ１上で終端することになる。言い換えれば、塗布膜の端部が凹凸パターンＵＥ１上に位置している場合には、保護膜３３の端部ＥＰ１も凹凸パターンＵＥ１上に位置することになる。
【０１７３】
以上のようにして、電極基板集合体ＥＳＧが形成される。電極基板集合体ＥＳＧは、複数の電極基板形成領域ＡＲ１を含むガラス基板３１ａを有する。また、ガラス基板３１ａが複数の電極基板形成領域ＡＲ１の各々に分割されることにより、対向基板３としての電極基板ＥＳが複数個形成される。すなわち、ガラス基板３１ａは、ガラス基板３１ａが複数の電極基板形成領域ＡＲ１の各々に分割されることにより、対向基板３としての電極基板ＥＳが複数個形成される、多数個取り基板である。
【０１７４】
電極基板集合体ＥＳＧは、複数の検出電極ＴＤＬと、複数の凹凸パターンＵＥ１と、複数の保護膜３３とを有する。複数の検出電極ＴＤＬは、複数の電極基板形成領域ＡＲ１で、ガラス基板３１ａ上にそれぞれ形成されている。複数の凹凸パターンＵＥ１は、複数の電極基板形成領域ＡＲ１で、ガラス基板３１ａ上にそれぞれ形成されている。複数の保護膜３３は、複数の電極基板形成領域ＡＲ１で、検出電極ＴＤＬを覆うようにそれぞれ形成されている。各電極基板形成領域ＡＲ１で、凹凸パターンＵＥ１は、平面視において、検出電極ＴＤＬよりも各電極基板形成領域ＡＲ１の外周側に配置されている。また、各電極基板形成領域ＡＲ１で、保護膜３３は、平面視において、検出電極ＴＤＬと凹凸パターンＵＥ１との間に位置する部分のガラス基板３１ａを覆うように形成されている。
【０１７５】
好適には、電極基板集合体ＥＳＧは、凹凸パターンＵＥ２を有する。凹凸パターンＵＥ２は、枠領域ＡＲ２で、平面視において、アライメントマークＡＭ１を囲むように配置されている。これにより、アライメントマークＡＭ１上に保護膜３３が形成されることを防止または抑制することができ、アライメントマークＡＭ１を用いた位置合わせの精度が低下することを防止または抑制することができる。
【０１７６】
なお、電極基板集合体ＥＳＧは、複数の検出電極ＴＤＬと、複数の保護膜３３と、凹凸パターンＵＥ２とを有するが、凹凸パターンＵＥ１を有しないものであってもよい。このような場合、アライメントマークＡＭ１上に保護膜３３が形成されることを防止または抑制することができ、アライメントマークＡＭ１を用いた位置合わせの精度が低下することを防止または抑制することができる。また、枠領域ＡＲ２のうちアライメントマークＡＭ１が形成された部分では、ガラス基板３１ａ上に塗布された保護膜形成用の塗布液がガラス基板３１ａの外周側に向かって広がることを防止または抑制することができる。したがって、検出電極ＴＤＬを覆うように保護膜３３を形成する際に、ガラス基板３１ａ上に塗布された塗布液の端部の位置を精度よく調整することができる。
【０１７７】
次に、電極基板集合体ＥＳＧを複数の電極基板ＥＳに分割する。この電極基板集合体ＥＳＧを分割する工程では、図３１に示す電極基板集合体ＥＳＧにおけるガラス基板３１ａを複数の電極基板形成領域ＡＲ１の各々に分割する。具体的には、互いに隣り合う２つの電極基板形成領域ＡＲ１の間のダイシング領域ＤＡ１（図２６参照）に沿ってガラス基板３１ａを切断し、ガラス基板３１ａを複数の電極基板形成領域ＡＲ１の各々に分割することにより、個片化された対向基板３としての電極基板ＥＳを複数個形成する。
【０１７８】
なお、保護膜３３を形成した後、電極基板集合体ＥＳＧを分割する前に、または、電極基板集合体ＥＳＧを分割した後に、電極端子ＥＴ１の各々（図１２および図１３参照）は、例えば異方性導電フィルムを介して、フレキシブルプリント回路基板（ＦＰＣ）からなる配線基板に形成された電極端子と、電気的に接続される。
【０１７９】
＜塗布液の端部の位置の調整について＞
次に、ガラス基板に塗布された塗布液の端部の位置の調整について、比較例におけるガラス基板に塗布された塗布液の端部の位置の調整と対比しながら説明する。
【０１８０】
図３４は、比較例の電極基板の製造工程中の平面図である。図３５は、比較例の電極基板を示す断面図である。図３５の断面図は、図１５の断面図に対応している。
【０１８１】
比較例の電極基板の製造工程でも、実施の形態１の電極基板の製造工程と同様に、複数の電極基板形成領域を有するガラス基板３１ａ上に検出電極ＴＤＬからなる電極群ＴＤＬＧ（図２８参照）を形成した後、電極群ＴＤＬＧを覆うように保護膜３３を形成することにより、電極基板集合体ＥＳＧ１００を形成する。その後、形成された電極基板集合体ＥＳＧ１００を複数の電極基板形成領域ＡＲ１の各々に分割することにより、電極基板ＥＳ１００を製造する。
【０１８２】
具体的には、まず、比較例の電極基板の製造工程でも、実施の形態１で図２６および図２７を用いて説明した工程と同様の工程を行って、ガラス基板３１ａを準備する。
【０１８３】
次に、比較例の電極基板の製造工程でも、実施の形態１で図２８および図２９を用いて説明した工程と同様の工程を行って、検出電極ＴＤＬを形成する。しかし、比較例では、実施の形態１で図２８および図２９を用いて説明した工程とは異なり、凹凸パターンＵＥ１およびＵＥ２を形成しない。
【０１８４】
次に、比較例の電極基板の製造工程では、実施の形態１で図３１および図３２を用いて説明した工程と同様の工程を行って、保護膜３３を形成することにより、電極基板集合体ＥＳＧ１００を形成する。また、比較例でも、インクジェット法または電界ジェット法により塗布液を塗布することにより、ガラス基板３１ａ上に保護膜を形成する。
【０１８５】
ところが、ガラス基板３１ａ上にインクジェット法または電界ジェット法により塗布液を塗布した場合、ガラス基板３１ａ上で広がる塗布液の端部の位置を精度よく調整することは困難である。
【０１８６】
例えば、ガラス基板３１ａの表面にインクジェット法または電界ジェット法により塗布液を塗布する場合であって、ガラス基板３１ａの表面が塗布液に対してある程度の親液性を有するときは、ガラス基板３１ａの表面に塗布された塗布液は広がりやすく、塗布液の端部の位置を精度よく調整することは困難である。このようなガラス基板３１ａ上に塗布された塗布液の広がりやすさは、塗布液に働く表面張力に依存して変化する。
【０１８７】
例えば液相と気相との間、または、液相と固相との間などの界面で働く力として界面張力が存在する。例えば、平坦な基板の表面に滴下した水滴が半球状態となって留まるのは、水滴内の水分子同士がファンデルワールス力によって内側に引っ張られることにより、水滴の表面積を小さくするように界面張力が働くためである。また、界面としての表面の面積を小さくするように働く界面張力が液体に作用している場合には、この界面張力のことを、その液体の表面張力とも称する。
【０１８８】
このような液体の表面張力は、液体のファンデルワールス力が大きいほど大きくなるので、その液体に含まれる物質の原子量や分子量が大きいほど大きくなる。したがって、ガラス基板３１ａ上に塗布された塗布液の表面張力は、塗布液の種類に依存して変化する。
【０１８９】
一方、ガラス基板３１ａ上に塗布された塗布液の広がりやすさは、塗布液の種類以外にも、ガラス基板３１ａの表面の形状にも依存して変化する。例えばガラス基板３１ａの平坦な表面に塗布された塗布液は、ガラス基板３１ａの表面に沿って広がりやすくなる。
【０１９０】
このように、ガラス基板３１ａの表面に沿って塗布液が広がりやすいときは、電極群ＴＤＬＧを覆うように塗布された塗布液は、図３４に示すように、各電極基板形成領域ＡＲ１の外周側にも広がりやすい。
【０１９１】
すなわち、比較例では、電極群ＴＤＬＧを覆うように塗布された塗布液の端部の位置を精度よく調整することができない。そのため、塗布された塗布液からなる塗布膜を硬化させることにより形成される保護膜３３の端部の位置を精度よく調整することは困難である。したがって、各電極基板形成領域ＡＲ１で形成された保護膜３３の端部が、各電極基板形成領域ＡＲ１の外周を超えるおそれがあり、電極基板集合体を複数の電極基板形成領域の各々に分割する際に、電極基板の製造歩留りが低下するおそれがある。
【０１９２】
例えば、比較例では、各電極基板形成領域ＡＲ１で形成される保護膜３３の端部が、各電極基板形成領域ＡＲ１の外周を超えた場合、隣り合う２つの電極基板形成領域ＡＲ１の間のダイシング領域ＤＡ１にも保護膜３３が形成される。このような場合、ダイシング領域ＤＡ１に沿ってガラス基板３１ａを切断し、電極基板集合体ＥＳＧ１００を複数の電極基板形成領域ＡＲ１の各々に分割することにより電極基板ＥＳ１００を形成する際に、例えばダイシングブレードに保護膜３３が付着して切断能力が劣化するおそれがある。したがって、分割された電極基板ＥＳ１００の外周部に欠けが生じることなどにより、電極基板の製造歩留りが低下するおそれがある。
【０１９３】
あるいは、各電極基板形成領域ＡＲ１で形成される保護膜３３の端部が、各電極基板形成領域ＡＲ１の外周を超えた場合、枠領域ＡＲ２で、アライメントマークＡＭ１上に保護膜３３が形成される。このような場合、ダイシング領域ＤＡ１に沿ってガラス基板３１ａを切断する際に、アライメントマークＡＭ１を用いた位置合わせの精度が低下するおそれがある。したがって、分割された電極基板ＥＳ１００の形状精度が低下することなどにより、電極基板の製造歩留りが低下するおそれがある。
【０１９４】
一方、比較例では、電極群ＴＤＬＧと電極基板形成領域ＡＲ１の外周との間のガラス基板３１ａの表面が平坦である。したがって、分割された電極基板ＥＳ１００において、ガラス基板３１の外周と電極群ＴＤＬＧとの外周との間の部分のガラス基板３１の表面が平坦である。そのため、図３５に示すように、保護膜３３の端部ＥＰ１がガラス基板３１の外周に達しなかった場合でも、空気中の水分が保護膜３３とガラス基板３１との間を通って検出電極ＴＤＬに達する経路ＲＴ１が短くなる。したがって、空気中の水分が保護膜３３とガラス基板３１との間を通って検出電極ＴＤＬに達しやすく、検出電極ＴＤＬが空気中の水分により腐食されるか、または、検出電極ＴＤＬがガラス基板３１から剥離するおそれがある。
【０１９５】
上記特許文献１〜特許文献３に記載された技術では、塗布された塗布液の広がりを調整するために、基板の表面に親液領域と撥液領域とを形成する必要があり、これらの親液領域と撥液領域とを形成するための工程を行うことにより、製造工程数が増加するおそれがある。また、基板上に形成された電極の表面に親液領域と撥液領域とを容易に形成することができないため、基板上に形成された電極の表面に塗布された塗布液の広がりを精度よく調整することができない。
【０１９６】
上記特許文献４に記載された技術では、乾燥の速い膜をストッパーとして枠状に塗布し、その後、乾燥は遅いがレベリング効果が優れた膜を塗布するので、製造工程数が増加するおそれがある。また、所望の乾燥速度を得るために塗布液の材料が制約されるため、実際の製造工程に広く適用することができない。
【０１９７】
なお、例えば共通電極ＣＯＭＬが形成されるＴＦＴ基板２１を含め、多数個取り基板上に形成された電極を覆うように、インクジェット法または電界ジェット法により保護膜が形成された後、分割された、各種の電極基板においても、塗布された塗布液の端部の位置を調整することは、困難である。
【０１９８】
＜本実施の形態の主要な特徴と効果＞
一方、本実施の形態１では、電極基板ＥＳは、凹凸パターンＵＥ１を有する。凹凸パターンＵＥ１は、平面視において、検出電極ＴＤＬよりもガラス基板３１の外周側に配置されている。また、検出電極ＴＤＬを覆うように形成された保護膜３３は、平面視において、検出電極ＴＤＬと凹凸パターンＵＥ１との間に位置する部分のガラス基板３１を覆うように形成されている。
【０１９９】
言い換えれば、本実施の形態１では、電極基板集合体ＥＳＧは、複数の凹凸パターンＵＥ１を有する。各凹凸パターンＵＥ１は、各電極基板形成領域ＡＲ１で、平面視において、検出電極ＴＤＬよりも電極基板形成領域ＡＲ１の外周側に配置されている。また、各電極基板形成領域ＡＲ１で、検出電極ＴＤＬを覆うように形成された保護膜３３は、平面視において、検出電極ＴＤＬと凹凸パターンＵＥ１との間に位置する部分のガラス基板３１ａを覆うように形成されている。
【０２００】
これにより、検出電極ＴＤＬを覆うように保護膜３３を形成する際に、保護膜３３の端部ＥＰ１の位置を精度よく調整することができる。したがって、各電極基板形成領域ＡＲ１で形成された保護膜３３の端部ＥＰ１が、各電極基板形成領域ＡＲ１の外周を超えることを防止または抑制することができ、電極基板集合体ＥＳＧを複数の電極基板形成領域ＡＲ１の各々に分割する際に、電極基板の製造歩留りを向上させることができる。そして、このような電極基板を備えた表示装置の製造歩留りを向上させることができる。
【０２０１】
例えば、隣り合う２つの電極基板形成領域ＡＲ１の間のダイシング領域ＤＡ１に保護膜３３が形成されることを、防止または抑制することができる。そのため、ダイシング領域ＤＡ１に沿ってガラス基板３１ａを切断し、電極基板集合体ＥＳＧを複数の電極基板形成領域ＡＲ１の各々に分割することにより電極基板ＥＳを形成する際に、例えばダイシングブレードに保護膜３３が付着して切断能力が劣化することを、防止または抑制することができる。したがって、分割された電極基板ＥＳの外周部に欠けが生じることなどを防止または抑制することができ、電極基板の製造歩留りを向上させることができる。
【０２０２】
あるいは、枠領域ＡＲ２で、アライメントマークＡＭ１上に保護膜３３が形成されることを防止または抑制することができる。そのため、ダイシング領域ＤＡ１に沿ってガラス基板３１ａを切断する際に、アライメントマークＡＭ１を用いた位置合わせの精度が低下することを防止または抑制することができる。したがって、分割された電極基板ＥＳの形状精度が低下することなどを防止または抑制することができ、電極基板の製造歩留りを向上させることができる。
【０２０３】
一方、本実施の形態１では、検出電極ＴＤＬとガラス基板３１の外周との間の部分のガラス基板３１上に凹凸パターンＵＥ１が形成されている。そのため、比較例に比べ、空気中の水分が保護膜３３とガラス基板３１との間を通って検出電極ＴＤＬに達する経路が長くなる。したがって、空気中の水分が保護膜３３とガラス基板３１との間を通って検出電極ＴＤＬに達しにくくなるので、検出電極ＴＤＬが空気中の水分により腐食されること、または、検出電極ＴＤＬがガラス基板３１から剥離することを、防止または抑制することができ、電極基板の性能を向上させることができる。そして、このような電極基板を備えた表示装置の性能を向上させることができる。
【０２０４】
また、本実施の形態１では、塗布された塗布液の広がりを調整するために、ガラス基板３１の表面に親液領域と撥液領域とを形成する必要がない。そのため、親液領域と撥液領域とを形成するための工程を行う必要がなく、製造工程数を削減することができる。
【０２０５】
さらに、本実施の形態１では、乾燥の速い膜をストッパーとして枠状に塗布し、その後、乾燥は遅いがレベリング効果が優れた膜を塗布する必要がないので、製造工程数を削減することができる。また、所望の乾燥速度を得るために塗布液の材料が制約されることがなく、実際の製造工程に広く適用することができる。
【０２０６】
なお、上記実施の形態１では、電極基板ＥＳとして、入力装置付き表示装置において検出電極ＴＤＬが形成される対向基板３として用いられる電極基板を例示して説明した。しかし、上記実施の形態１における電極基板ＥＳは、例えば共通電極ＣＯＭＬが形成されるＴＦＴ基板２１を含め、多数個取り基板上に形成された電極を覆うように、インクジェット法または電界ジェット法により保護膜が形成された後、分割された、各種の電極基板にも適用可能である（以下の各実施の形態においても同様）。
【０２０７】
（実施の形態２）
実施の形態１では、入力装置としてのタッチパネルを備えた表示装置を、表示装置の共通電極ＣＯＭＬが入力装置の駆動電極を兼ねた、インセルタイプのタッチ検出機能付き液晶表示装置に適用した例について説明した。それに対して、実施の形態２では、入力装置としてのタッチパネルを備えた表示装置を、表示装置の共通電極ＣＯＭＬと入力装置の駆動電極とが別々に形成された、インセルタイプのタッチ検出機能付き液晶表示装置に適用した例について説明する。
【０２０８】
なお、本実施の形態２の表示装置は、液晶表示装置を始めとして、有機ＥＬ表示装置などの各種の表示装置に一体として入力装置が備えられたインセルタイプの表示装置に適用することができる。あるいは、本実施の形態２の表示装置は、各種の表示装置に別体として入力装置が備えられたオンセルタイプの表示装置に適用することができる。
【０２０９】
＜タッチ検出機能付き表示デバイス＞
図３６は、実施の形態２の表示装置におけるタッチ検出機能付き表示デバイスを示す断面図である。
【０２１０】
本実施の形態２の表示装置のうち、対向基板３の断面構造以外の各部分、例えば平面視における凹凸パターンＵＥ１（図１２参照）の形状および配置など、については、実施の形態１の表示装置のうち、対向基板３の断面構造以外の各部分と同様であるため、それらの説明を省略する。したがって、以下では、図３６を参照し、実施の形態１で図９および図１０を用いて説明した部分と異なる部分を、主として説明する。
【０２１１】
タッチ検出機能付き表示デバイス１０は、画素基板２と、対向基板３と、液晶層６とを有する。対向基板３は、画素基板２の主面としての上面と、対向基板３の主面としての下面とが対向するように、配置されている。液晶層６は、画素基板２と対向基板３との間に設けられている。
【０２１２】
本実施の形態２では、画素基板２は、共通電極ＣＯＭＬ１を有する。共通電極ＣＯＭＬ１は、液晶表示デバイス２０（図１参照）の駆動電極としては動作するが、タッチ検出デバイス３０（図１参照）の駆動電極としては動作しない。したがって、実施の形態１と異なり、共通電極ＣＯＭＬ１として、複数の共通電極が設けられていなくてもよく、例えば実施の形態１の共通電極ＣＯＭＬが結合して一体化した１つの共通電極が設けられていてもよい。
【０２１３】
本実施の形態２の表示装置における画素基板２および液晶層６のうち共通電極ＣＯＭＬ１以外の部分については、実施の形態１の表示装置における画素基板２および液晶層６の各部分と同様であり、それらの説明を省略する。また、本実施の形態２の表示装置の複数の画素に対応した回路図については、共通電極ＣＯＭＬに代え、共通電極ＣＯＭＬ１が設けられている点を除き、図１０に示した実施の形態１の表示装置の複数の画素に対応した回路図と同様である。そのため、本実施の形態２の表示装置のうち、実施の形態１において図１０を用いて説明した部分と同様の部分の説明を省略する。
【０２１４】
本実施の形態２では、対向基板３は、ガラス基板３１と、カラーフィルタ３２と、駆動電極ＤＲＶＬと、絶縁膜３６と、検出電極ＴＤＬと、保護膜３３とを有する。ガラス基板３１は、主面としての上面と、上面と反対側の主面としての下面とを有している。カラーフィルタ３２は、ガラス基板３１の一方の主面としての下面に形成されている。駆動電極ＤＲＶＬは、タッチ検出デバイス３０の駆動電極であり、ガラス基板３１の他方の主面としての上面に形成されている。絶縁膜３６は、ガラス基板３１の上面上に、駆動電極ＤＲＶＬを覆うように形成されている。検出電極ＴＤＬは、タッチ検出デバイス３０の検出電極であり、絶縁膜３６上に形成されている。すなわち、検出電極ＴＤＬは、ガラス基板３１の他方の主面としての上面上に、駆動電極ＤＲＶＬおよび絶縁膜３６を介して形成されている。保護膜３３は、絶縁膜３６上に、検出電極ＴＤＬを覆うように形成されている。
【０２１５】
本実施の形態２における、検出電極ＴＤＬおよび凹凸パターンＵＥ１（図１２参照）については、検出電極ＴＤＬおよび凹凸パターンＵＥ１が絶縁膜３６上に形成されている点を除き、実施の形態１における検出電極ＴＤＬおよび凹凸パターンＵＥ１と同様にすることができる。また、本実施の形態２における保護膜３３についても、保護膜３３が絶縁膜３６上に形成されている点を除き、実施の形態１における保護膜３３と同様にすることができる。
【０２１６】
本実施の形態２では、共通電極ＣＯＭＬ１は、液晶表示デバイス２０の駆動電極として動作するが、タッチ検出デバイス３０の駆動電極としては動作しない。駆動電極ＤＲＶＬは、タッチ検出デバイス３０の駆動電極として動作するが、液晶表示デバイス２０の駆動電極としては動作しない。このため、共通電極ＣＯＭＬ１による表示動作と、駆動電極ＤＲＶＬによるタッチ検出動作とを、独立に並行して行うことができる。
【０２１７】
なお、凹凸パターンが、平面視において、駆動電極ＤＲＶＬよりもガラス基板３１の外周側に配置されていてもよい。このとき、駆動電極ＤＲＶＬを覆うように形成された保護膜としての絶縁膜３６が、平面視において、駆動電極ＤＲＶＬと凹凸パターンとの間に位置するガラス基板３１を覆うように形成されていてもよい。このように、凹凸パターンが設けられることにより、絶縁膜３６を形成する際に、絶縁膜３６の端部の位置を精度よく調整することができる。
【０２１８】
＜本実施の形態の主要な特徴と効果＞
本実施の形態２でも、実施の形態１と同様に、電極基板ＥＳは、平面視において、検出電極ＴＤＬよりもガラス基板３１の外周側に配置された凹凸パターンＵＥ１を有する。また、検出電極ＴＤＬを覆うように形成された保護膜３３は、平面視において、検出電極ＴＤＬと凹凸パターンＵＥ１との間に位置するガラス基板３１を覆うように形成されている。
【０２１９】
これにより、検出電極ＴＤＬを覆うように保護膜３３を形成する際に、保護膜３３の端部ＥＰ１の位置を精度よく調整することができ、電極基板の製造歩留りを向上させることができるなど、実施の形態１と同様の効果が得られる。そして、実施の形態１と同様に、このような電極基板を備えた表示装置の性能を向上させ、製造歩留りを向上させることができる。
【０２２０】
さらに、本実施の形態２では、表示装置の共通電極ＣＯＭＬ１と入力装置の駆動電極ＤＲＶＬとが別々に形成されている。これにより、共通電極ＣＯＭＬ１により表示動作を行う表示期間と、駆動電極ＤＲＶＬによりタッチ検出動作を行うタッチ検出期間とを分割する必要がなくなるので、見かけ上タッチ検出の検出速度を向上させることができるなど、タッチ検出の検出性能を向上させることができる。
【０２２１】
なお、実施の形態１および実施の形態２では、入力装置としてのタッチパネルを備えた表示装置を、インセルタイプのタッチ検出機能付き液晶表示装置に適用した例について説明した。しかし、入力装置としてのタッチパネルを備えた表示装置を、オンセルタイプのタッチ検出機能付き液晶表示装置に適用することもできる。オンセルタイプのタッチ検出機能付き液晶表示装置とは、タッチパネルに含まれる駆動電極および検出電極のいずれもが、液晶表示装置に内蔵されていないタッチ検出機能付き液晶表示装置を意味する。
【０２２２】
（実施の形態３）
次に、図３７〜図４３を参照して、実施の形態１および実施の形態２で説明した表示装置の適用例としての電子機器について説明する。実施の形態１および実施の形態２の各々の表示装置は、テレビジョン装置、デジタルカメラ、ノート型パーソナルコンピュータ、携帯電話機等の携帯端末装置またはビデオカメラなどのあらゆる分野の電子機器に適用することが可能である。言い換えると、実施の形態１および実施の形態２の各々の表示装置は、外部から入力された映像信号あるいは内部で生成した映像信号を、画像あるいは映像として表示するあらゆる分野の電子機器に適用することが可能である。
【０２２３】
＜テレビジョン装置＞
図３７は、実施の形態３の電子機器の一例としてのテレビジョン装置の外観を表す斜視図である。このテレビジョン装置は、例えば、フロントパネル５１１およびフィルターガラス５１２を含む映像表示画面部５１３を有している。そして、映像表示画面部５１３は、実施の形態１および実施の形態２で説明した、インセルタイプのタッチ検出機能付き表示装置またはオンセルタイプのタッチ検出機能付き表示装置からなる。
【０２２４】
＜デジタルカメラ＞
図３８は、実施の形態３の電子機器の一例としてのデジタルカメラの外観を表す斜視図である。このデジタルカメラは、例えば、表示部５２２、メニュースイッチ５２３およびシャッターボタン５２４を有している。そして、表示部５２２は、実施の形態１および実施の形態２で説明した、インセルタイプのタッチ検出機能付き表示装置またはオンセルタイプのタッチ検出機能付き表示装置からなる。
【０２２５】
＜ノート型パーソナルコンピュータ＞
図３９は、実施の形態３の電子機器の一例としてのノート型パーソナルコンピュータの外観を表す斜視図である。このノート型パーソナルコンピュータは、例えば、本体５３１、文字等の入力操作のためのキーボード５３２および画像を表示する表示部５３３を有している。そして、表示部５３３は、実施の形態１および実施の形態２で説明した、インセルタイプのタッチ検出機能付き表示装置またはオンセルタイプのタッチ検出機能付き表示装置からなる。
【０２２６】
＜ビデオカメラ＞
図４０は、実施の形態３の電子機器の一例としてのビデオカメラの外観を表す斜視図である。このビデオカメラは、例えば、本体部５４１、この本体部５４１の前面に設けられた被写体撮影用のレンズ５４２、撮影時のスタート／ストップスイッチ５４３および表示部５４４を有している。そして、表示部５４４は、実施の形態１および実施の形態２で説明した、インセルタイプのタッチ検出機能付き表示装置またはオンセルタイプのタッチ検出機能付き表示装置からなる。
【０２２７】
＜携帯電話機＞
図４１および図４２は、実施の形態３の電子機器の一例としての携帯電話機の外観を表す正面図である。図４２は、図４１に示す携帯電話機が折りたたまれた状態を示す。この携帯電話機は、例えば、上側筐体５５１と下側筐体５５２とを連結部（ヒンジ部）５５３で連結したものであり、ディスプレイ５５４、サブディスプレイ５５５、ピクチャーライト５５６およびカメラ５５７を有している。そして、ディスプレイ５５４またはサブディスプレイ５５５は、実施の形態１および実施の形態２の各々のタッチ検出機能付き表示装置等により構成されている。
【０２２８】
＜スマートフォン＞
図４３は、実施の形態３の電子機器の一例としてのスマートフォンの外観を表す正面図である。このスマートフォンは、例えば、筐体５６１とタッチスクリーン５６２とを有している。タッチスクリーン５６２は、例えば入力装置としてのタッチパネルと表示部としての液晶パネルとで構成されており、実施の形態１および実施の形態２で説明した、インセルタイプのタッチ検出機能付き表示装置またはオンセルタイプのタッチ検出機能付き表示装置からなる。
【０２２９】
タッチスクリーン５６２のタッチパネルは、例えば図１を用いて説明した表示装置１のタッチ検出機能付き表示デバイス１０に設けられたタッチ検出デバイス３０である。ユーザが指又はタッチペンを用いてタッチパネルにタッチ操作やドラッグ操作などのジェスチャー操作をすると、タッチスクリーン５６２のタッチパネルは、このジェスチャー操作に対応する位置の座標を検出して図示しない制御部に出力する。
【０２３０】
タッチスクリーン５６２の液晶パネルは、例えば図１を用いて説明した表示装置１のタッチ検出機能付き表示デバイス１０に設けられた液晶表示デバイス２０である。また、表示装置１からなるタッチスクリーン５６２の液晶パネルは、例えば図１を用いて説明した表示装置１の駆動電極ドライバ１４を有する。駆動電極ドライバ１４は、例えばマトリクス状に配列された複数の副画素ＳＰｉｘ（図１０参照）の各々の内部に設けられた画素電極２２（図９参照）に、それぞれ一定のタイミングで画像信号としての電圧を印加することで、表示を実行させる。
【０２３１】
＜本実施の形態の主要な特徴と効果＞
本実施の形態３では、上記した各種の電子機器に備えられる表示装置として、実施の形態１および実施の形態２の各々の表示装置を用いることができる。これにより、上記した各種の電子機器に備えられた表示装置において、検出電極ＴＤＬを覆うように保護膜３３を形成する際に、保護膜３３の端部ＥＰ１の位置を精度よく調整することができることなど、実施の形態１および実施の形態２で説明したそれぞれの効果と同様の効果が得られる。したがって、上記した各種の電子機器の性能を向上させることができるか、または、上記した各種の電子機器の製造工程数を削減することができる。
【０２３２】
以上、本発明者によってなされた発明をその実施の形態に基づき具体的に説明したが、本発明は前記実施の形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能であることはいうまでもない。
【０２３３】
また、前記実施の形態においては、開示例として液晶表示装置の場合を例示したが、その他の適用例として、有機ＥＬ表示装置、その他の自発光型表示装置、あるいは電気泳動素子等を有する電子ペーパー型表示装置等、あらゆるフラットパネル型の表示装置が挙げられる。また、中小型から大型まで、特に限定することなく適用が可能であることはいうまでもない。
【０２３４】
本発明の思想の範疇において、当業者であれば、各種の変更例および修正例に想到し得るものであり、それら変更例および修正例についても本発明の範囲に属するものと了解される。
【０２３５】
例えば、前述の各実施の形態に対して、当業者が適宜、構成要素の追加、削除もしくは設計変更を行ったもの、または、工程の追加、省略もしくは条件変更を行ったものも、本発明の要旨を備えている限り、本発明の範囲に含まれる。
【０２３６】
本発明は少なくとも以下の実施の形態を含む。
〔付記１〕
複数の電極基板形成領域を含む第１基板を有し、前記第１基板が前記複数の電極基板形成領域の各々に分割されることにより複数の電極基板が形成される電極基板集合体において、
前記複数の電極基板形成領域で、前記第１基板上にそれぞれ形成された複数の第１電極と、
前記複数の電極基板形成領域で、前記第１基板上にそれぞれ形成された複数の第１凹凸パターンと、
前記複数の電極基板形成領域で、前記第１電極を覆うようにそれぞれ形成された複数の第１保護膜と、
を有し、
前記各電極基板形成領域で、前記第１凹凸パターンは、平面視において、前記第１電極よりも前記各電極基板形成領域の外周側に配置され、
前記各電極基板形成領域で、前記第１保護膜は、平面視において、前記第１電極と前記第１凹凸パターンとの間に位置する部分の前記第１基板を覆うように形成されている、電極基板集合体。
〔付記２〕
付記１記載の電極基板集合体において、
前記第１基板は、前記複数の電極基板形成領域を囲む枠領域を含み、
前記電極基板集合体は、さらに、
前記枠領域で、前記第１基板上に形成されたアライメントマークと、
前記枠領域で、前記第１基板上に形成された第２凹凸パターンと、
を有し、
前記第２凹凸パターンは、平面視において、前記アライメントマークを囲むように配置されている、電極基板集合体。
〔付記３〕
複数の電極基板形成領域と、前記複数の電極基板形成領域を囲む枠領域とを含む第１基板を有し、前記第１基板が前記複数の電極基板形成領域の各々に分割されることにより複数の電極基板が形成される電極基板集合体において、
前記複数の電極基板形成領域で、前記第１基板上にそれぞれ形成された複数の第１電極と、
前記複数の電極基板形成領域で、前記第１電極を覆うようにそれぞれ形成された複数の第１保護膜と、
前記枠領域で、前記第１基板上に形成されたアライメントマークと、
前記枠領域で、前記第１基板上に形成された第１凹凸パターンと、
を有し、
前記第１凹凸パターンは、平面視において、前記アライメントマークを囲むように配置されている、電極基板集合体。
【産業上の利用可能性】
【０２３７】
本発明は、電極基板、表示装置、入力装置および電極基板の製造方法に適用して有効である。
【符号の説明】
【０２３８】
１  表示装置
２  画素基板
３  対向基板
６  液晶層
１０  タッチ検出機能付き表示デバイス
１１  制御部
１２  ゲートドライバ
１３  ソースドライバ
１４  駆動電極ドライバ
１９Ａ、１９Ｂ  ＣＯＧ
２０  液晶表示デバイス
２１  ＴＦＴ基板
２２  画素電極
２４  絶縁膜
２５  偏光板
３０  タッチ検出デバイス
３１、３１ａ  ガラス基板
３２  カラーフィルタ
３２Ｂ、３２Ｇ、３２Ｒ  色領域
３３、３５  保護膜
３４  偏光板
３６  絶縁膜
４０  タッチ検出部
４２  タッチ検出信号増幅部
４３  Ａ／Ｄ変換部
４４  信号処理部
４５  座標抽出部
４６  検出タイミング制御部
５２  塗布液
５１１  フロントパネル
５１２  フィルターガラス
５１３  映像表示画面部
５２２  表示部
５２３  メニュースイッチ
５２４  シャッターボタン
５３１  本体
５３２  キーボード
５３３  表示部
５４１  本体部
５４２  レンズ
５４３  スタート／ストップスイッチ
５４４  表示部
５５１  上側筐体
５５２  下側筐体
５５３  連結部（ヒンジ部）
５５４  ディスプレイ
５５５  サブディスプレイ
５５６  ピクチャーライト
５５７  カメラ
５６１  筐体
５６２  タッチスクリーン
Ａｄ  表示領域
ＡＭ１  アライメントマーク
ＡＲ１  電極基板形成領域
ＡＲ２  枠領域
Ｃ１、Ｃ１’  容量素子
Ｃ２  静電容量
ＣＯＭＬ、ＣＯＭＬ１  共通電極
ＣＶ１、ＣＶ１１、ＣＶ１２、ＣＶ１３、ＣＶ１４  凸部
ＣＶＧ１、ＣＶＧ１１、ＣＶＧ１２  凸部群
Ｄ  誘電体
ＤＡ１  ダイシング領域
ＤＥＴ  電圧検出器
ＤＬ  導電線
ＤＲ１、ＤＲ２  方向
ＤＲＶＬ  駆動電極
Ｅ１  駆動電極
Ｅ２  検出電極
ＥＰ１  端部
ＥＳ  電極基板
ＥＳＧ  電極基板集合体
ＥＴ１  電極端子
ＧＣＬ  走査線
ＨＥ１、ＨＥ２  上端部
ＨＬ１  上層部
ＨＰ１  高位部
ＨＳ１、ＨＳ２  側面部
ＬＣ  液晶素子
ＬＥ１、ＬＥ２  下端部
ＬＬ１  下層部
ＬＰ１  低位部
ＬＳ１、ＬＳ２  側面部
ＬＷ１  引き回し配線
Ｐｉｘ  画素
Ｒｅｓｅｔ  期間
ＲＴ１  経路
Ｓ  交流信号源
Ｓｃａｎ  スキャン方向
ＳＤ１、ＳＤ１１、ＳＤ１２、ＳＤ１３、ＳＤ１４  辺
Ｓｇ  交流矩形波
ＳＧＬ  信号線
ＳＰ１  空間
ＳＰｉｘ  副画素
ＳＳ１、ＳＳ２  側面部
ＳＳ１１、ＳＳ２１  凹部
ＳＳ１２、ＳＳ２２  凸部
ＳＴ１、ＳＴ２、ＳＴ３  段差部
Ｔ  端子部
ＴＤＬ  検出電極
ＴＤＬＧ  電極群
Ｔｒ  ＴＦＴ素子
ＵＥ１、ＵＥ２  凹凸パターン
Ｖｃｏｍ  駆動信号
Ｖｄｅｔ  検出信号
Ｖｄｉｓｐ  映像信号
Ｖｏｕｔ  信号出力
Ｖｐｉｘ  画素信号
Ｖｓｃａｎ  走査信号
Ｖｓｉｇ  画像信号
【図１】
2015176573.tif 000003
【図２】
2015176573.tif 000004
【図３】
2015176573.tif 000005
【図４】
2015176573.tif 000006
【図５】
2015176573.tif 000007
【図６】
2015176573.tif 000008
【図７】
2015176573.tif 000009
【図８】
2015176573.tif 000010
【図９】
2015176573.tif 000011
【図１０】
2015176573.tif 000012
【図１１】
2015176573.tif 000013
【図１２】
2015176573.tif 000014
【図１３】
2015176573.tif 000015
【図１４】
2015176573.tif 000016
【図１５】
2015176573.tif 000017
【図１６】
2015176573.tif 000018
【図１７】
2015176573.tif 000019
【図１８】
2015176573.tif 000020
【図１９】
2015176573.tif 000021
【図２０】
2015176573.tif 000022
【図２１】
2015176573.tif 000023
【図２２】
2015176573.tif 000024
【図２３】
2015176573.tif 000025
【図２４】
2015176573.tif 000026
【図２５】
2015176573.tif 000027
【図２６】
2015176573.tif 000028
【図２７】
2015176573.tif 000029
【図２８】
2015176573.tif 000030
【図２９】
2015176573.tif 000031
【図３０】
2015176573.tif 000032
【図３１】
2015176573.tif 000033
【図３２】
2015176573.tif 000034
【図３３】
2015176573.tif 000035
【図３４】
2015176573.tif 000036
【図３５】
2015176573.tif 000037
【図３６】
2015176573.tif 000038
【図３７】
2015176573.tif 000039
【図３８】
2015176573.tif 000040
【図３９】
2015176573.tif 000041
【図４０】
2015176573.tif 000042
【図４１】
2015176573.tif 000043
【図４２】
2015176573.tif 000044
【図４３】
2015176573.tif 000045