(57)【要約】【課題】貫通孔内の金属材料の充填性の低下を低減し、気密性に優れる配線基板を製造することのできる配線基板の製造方法、並びに、気密性に優れる配線基板、この配線基板を備えた信頼性の高い電子デバイス、電子機器および移動体を提供する。【解決手段】配線基板の製造方法は、貫通孔２１３を有するセラミックス焼結体基板２１１と、金属片２５１と、Ｔｉ−Ａｇ−Ｃｕ系合金からなる粒子を含んでいる金属ペーストＸと、を用意する工程と、貫通孔２１３に金属片２５１を配置し、金属片２５１と貫通孔２１３との間に金属ペーストＸを配置する工程と、金属ペーストＸを焼成し、金属片２５１をセラミックス焼結体基板２１１に固定する工程と、を含んでいる。【選択図】図５
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
貫通孔を有する基板と、金属片と、前記基板に含まれる成分に対して活性な活性金属、銀および銅を含み前記金属片よりも融点が低い合金を含んでいる金属ペーストと、を用意する工程と、
前記貫通孔に前記金属片の少なくとも一部を配置し、前記金属片と前記貫通孔との間に前記金属ペーストを配置する工程と、
前記金属ペーストを焼成し、前記金属片を前記基板に固定する工程と、
を含んでいることを特徴とする配線基板の製造方法。
【請求項２】
前記用意する工程において、
前記基板は、セラミックス基板であり、
前記活性金属は、前記セラミックス基板に含まれるセラミックス成分に対して活性である請求項１に記載の配線基板の製造方法。
【請求項３】
前記用意する工程において、
前記セラミックス基板は、焼結した基板である請求項２に記載の配線基板の製造方法。
【請求項４】
前記用意する工程において、
前記セラミックス基板は、焼結していない基板であり、
前記金属ペーストを焼成する工程では、前記金属ペーストと共に前記焼結していない基板も焼成する請求項２に記載の配線基板の製造方法。
【請求項５】
前記金属片は、幅が前記貫通孔よりも大きい挿入規制部を有している請求項１ないし４のいずれか１項に記載の配線基板の製造方法。
【請求項６】
前記金属ペーストを配置する工程では、前記挿入規制部と前記基板との間にも前記金属ペーストを配置する請求項５に記載の配線基板の製造方法。
【請求項７】
前記活性金属は、周期律表の第４族に属する金属である請求項１ないし６のいずれか１項に記載の配線基板の製造方法。
【請求項８】
前記周期律表の第４族に属する金属は、チタンである請求項７に記載の配線の製造方法。
【請求項９】
前記金属ペーストを焼成する温度は、前記合金の融点よりも高く、前記金属片の融点よりも低い請求項１ないし８のいずれか１項に記載の配線基板の製造方法。
【請求項１０】
さらに、前記セラミックス基板の表面に前記金属片と電気的に接続する金属配線を形成する工程を含んでいる請求項１ないし９のいずれか１項に記載の配線基板の製造方法。
【請求項１１】
貫通孔を備えている基板と、
前記基板の表面と前記貫通孔内とに一体で配置されている金属配線と、
前記貫通孔の内周面と前記金属配線との間に配置され、チタンを含んでいる活性金属層と、
を含んでいることを特徴とする配線基板。
【請求項１２】
請求項１１に記載の配線基板と、
前記配線基板に搭載されている電子部品と、を含むことを特徴とする電子デバイス。
【請求項１３】
請求項１２に記載の電子デバイスを備えていることを特徴とする電子機器。
【請求項１４】
請求項１２に記載の電子デバイスを備えていることを特徴とする移動体。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、配線基板の製造方法、配線基板、電子デバイス、電子機器および移動体に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
例えば、配線基板の製造方法として、特許文献１に記載の製造方法が知られている。すなわち、まず、スルーホールを有するセラミックス焼結体基板を用意する。次に、印刷法を用いて、水素化チタン粉末と、銅粉末と、を含む第１金属ペーストをスルーホール内に充填し、１００°程度で熱乾燥することで第１金属ペースト層を形成する。次に、水素化チタン粉末と、銅粉末と、銀粉末と、を含む第２金属ペーストをセラミックス焼結体基板の表面に印刷し、１００°程度で熱乾燥することで第２金属ペースト層を形成する。次に、銀−銅合金粉末を含む第３金属ペーストを第の金属ペースト層上に印刷し、１００°程度で熱乾燥することで第３金属ペースト層を形成する。次に、真空中、９００°程度で３０分間、第１〜第３金属ペースト層を焼成し、スルーホール内に導電性ビアを形成するとともに、基板表面に表面導電層を形成する。これにより、配線基板が得られる。このような製造方法によれば、セラミックス焼結体基板と導電性ビアおよび表面導電層との間に活性層が形成され、これにより、セラミックス焼結体基板と導電性ビアおよび表面導電層との密着性が向上するという効果が得られる。
しかしながら、このような製造方法では、焼成時の溶融によって、金属ペースト層が貫通孔内から流れ出し、スルーホール内の金属材料の充填性が悪化し、これに伴って、貫通孔の気密性が悪化するという問題がある。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２０１３−１５３０５１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
本発明の目的は、貫通孔内の金属材料の充填性の低下を低減し、気密性に優れる配線基板を製造することのできる配線基板の製造方法、並びに、気密性に優れる配線基板、この配線基板を備えた信頼性の高い電子デバイス、電子機器および移動体を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本発明は、上述の課題の少なくとも一部を解決するためになされたものであり、以下の適用例として実現することが可能である。
［適用例１］
本適用例の配線基板の製造方法は、貫通孔を有する基板と、金属片と、前記基板に含まれる成分に対して活性な活性金属、銀および銅を含み前記金属片よりも融点が低い合金を含んでいる金属ペーストと、を用意する工程と、
前記貫通孔に前記金属片の少なくとも一部を配置し、前記金属片と前記貫通孔との間に前記金属ペーストを配置する工程と、
前記金属ペーストを焼成し、前記金属片を前記基板に固定する工程と、
を含んでいることを特徴とする。
これにより、貫通孔からの金属材料の流出を低減でき、そのため、貫通孔の金属材料の充填性の低下を低減することができる。また、金属ペーストを焼成することで、金属片と基板との間に活性金属層が形成されるため、セラミックス基板と金属片との接着性が高まり、高い気密性を有する配線基板が得られる。
【０００６】
［適用例２］
本適用例の配線基板の製造方法では、前記用意する工程において、
前記基板は、セラミックス基板であり、
前記活性金属は、前記セラミックス基板に含まれるセラミックス成分に対して活性であることが好ましい。
これにより、金属片と基板との密着性に優れる配線基板が得られる。
【０００７】
［適用例３］
本適用例の配線基板の製造方法では、前記用意する工程において、
前記セラミックス基板は、焼結した基板であることが好ましい。
これにより、貫通孔への金属片の配置等を簡単に行うことができる。
［適用例４］
本適用例の配線基板の製造方法では、前記用意する工程において、
前記セラミックス基板は、焼結していない基板であり、
前記金属ペーストを焼成する工程では、前記金属ペーストと共に前記焼結していない基板も焼成することが好ましい。
これにより、配線基板の製造工程を減らすことができる。
【０００８】
［適用例５］
本適用例の配線基板の製造方法では、前記金属片は、幅が前記貫通孔よりも大きい挿入規制部を有していることが好ましい。
これにより、挿入規制部が基板に引っ掛かり、貫通孔から金属片が抜け出てしまうことを防止することができる。
【０００９】
［適用例６］
本適用例の配線基板の製造方法では、前記金属ペーストを配置する工程では、前記挿入規制部と前記基板との間にも前記金属ペーストを配置することが好ましい。
これにより、挿入規制部と基板との間にも活性金属層を形成することができるので、金属片と基板との密着性がより向上する。
【００１０】
［適用例７］
本適用例の配線基板の製造方法では、前記活性金属は、周期律表の第４族に属する金属であることが好ましい。
これにより、良質な活性金属層を形成することができる。
［適用例８］
本適用例の配線の製造方法では、前記周期律表の第４族に属する金属は、チタンであることが好ましい。
これにより、より良質な活性金属層を形成することができる。
【００１１】
［適用例９］
本適用例の配線基板の製造方法では、前記金属ペーストを焼成する温度は、前記合金の融点よりも高く、前記金属片の融点よりも低いことが好ましい。
これにより、より確実に、金属片の溶融を防止することができる。
［適用例１０］
本適用例の配線基板の製造方法では、さらに、前記セラミックス基板の表面に前記金属片と電気的に接続する金属配線を形成する工程を含んでいることが好ましい。
これにより、基板上に配線を形成することができる。
【００１２】
［適用例１１］
本適用例の配線基板は、貫通孔を備えている基板と、
前記基板の表面と前記貫通孔内とに一体で配置されている金属配線と、
前記貫通孔の内周面と前記金属配線との間に配置され、チタンを含んでいる活性金属層と、
を含んでいることを特徴とする。
これにより、基板と金属片との接着性が高く、さらに、高い気密性を有する配線基板が得られる。
【００１３】
［適用例１２］
本適用例の電子デバイスは、上記適用例の配線基板と、
前記配線基板に搭載されている電子部品と、を含むことを特徴とする。
これにより、高い信頼性を有する電子デバイスが得られる。
［適用例１３］
本適用例の電子機器は、上記適用例の電子デバイスを備えていることを特徴とする。
これにより、高い信頼性を有する電子機器が得られる。
［適用例１４］
本適用例の移動体は、上記適用例の電子デバイスを備えていることを特徴とする。
これにより、高い信頼性を有する移動体が得られる。
【図面の簡単な説明】
【００１４】
【図１】本発明の第１実施形態にかかる電子デバイスの平面図である。
【図２】図１中のＡ−Ａ線断面図である。
【図３】図１に示す電子デバイスが有する振動素子の平面図である。
【図４】図１に示す電子デバイスが有するベース基板の部分拡大断面図である。
【図５】図４に示すベース基板の製造方法を説明するための図である。
【図６】図４に示すベース基板の製造方法を説明するための図である。
【図７】本発明の第２実施形態にかかるベース基板の製造方法を説明する断面図である。
【図８】本発明の第３実施形態にかかる電子デバイスが有するベース基板の断面図である。
【図９】図８に示すベース基板の製造方法を説明する断面図である。
【図１０】本発明の第４実施形態にかかる電子デバイスが有するベース基板の断面図である。
【図１１】図１０に示すベース基板の製造方法を説明する断面図である。
【図１２】本発明の第５実施形態にかかる電子デバイスが有するベース基板の断面図である。
【図１３】図１２に示すベース基板の製造方法を説明する断面図である。
【図１４】本発明の第６実施形態にかかる電子デバイスが有するベース基板の製造方法を説明する断面図である。
【図１５】本発明の電子機器を適用したモバイル型（またはノート型）のパーソナルコンピューターの構成を示す斜視図である。
【図１６】本発明の電子機器を適用した携帯電話機（ＰＨＳも含む）の構成を示す斜視図である。
【図１７】本発明の電子機器を適用したディジタルスチルカメラの構成を示す斜視図である。
【図１８】本発明の移動体を適用した自動車を示す斜視図である。
【発明を実施するための形態】
【００１５】
以下、本発明の配線基板の製造方法、配線基板、電子デバイス、電子機器および移動体を添付図面に示す好適な実施形態に基づいて詳細に説明する。
＜第１実施形態＞
図１は、本発明の第１実施形態にかかる電子デバイスの平面図である。図２は、図１中のＡ−Ａ線断面図である。図３は、図１に示す電子デバイスが有する振動素子の平面図である。図４は、図１に示す電子デバイスが有するベース基板の部分拡大断面図である。図５および図６は、それぞれ、図４に示すベース基板の製造方法を説明するための図である。なお、以下では、説明の都合上、図２中の上側を「上」、下側を「下」として説明する（その他の図面についても同様である）。
【００１６】
≪電子デバイス≫
まず、本発明の配線基板を備える電子デバイスについて説明する。
図１および図２に示す電子デバイス１００は、パッケージ２００と、パッケージ２００内に収容された電子部品としての振動素子３００とを有している。なお、電子部品としては、振動素子３００に限定されず、例えば、ＩＣチップ等の各種電子部品であってもよい。
【００１７】
−振動素子−
図３（ａ）は、振動素子３００を上方から見た平面図であり、同図（ｂ）は、振動素子３００を上方から見た透過図（平面図）である。図３（ａ）、（ｂ）に示すように、振動素子３００は、平面視形状が長方形の板状をなす圧電基板３１０と、圧電基板３１０の表面に形成された一対の励振電極３２０、３３０とを有している。
【００１８】
圧電基板３１０は、主として厚み滑り振動をする水晶素板である。本実施形態では、圧電基板３１０としてＡＴカットと呼ばれるカット角で切り出された水晶素板を用いている。なお、ＡＴカットとは、水晶の結晶軸であるＸ軸とＺ軸とを含む平面（Ｙ面）をＸ軸回りにＺ軸から反時計方向に約３５度１５分程度回転させて得られる主面（Ｘ軸とＺ’軸とを含む主面）を有するように切り出すことを言う。このような圧電基板３１０は、その長手方向が水晶の結晶軸であるＸ軸と一致する。
【００１９】
励振電極３２０は、圧電基板３１０の上面に形成された電極部３２１と、圧電基板３１０の下面に形成されたボンディングパッド３２２と、電極部３２１およびボンディングパッド３２２を電気的に接続する配線３２３とを有している。一方、励振電極３３０は、圧電基板３１０の下面に形成された電極部３３１と、圧電基板３１０の下面に形成されたボンディングパッド３３２と、電極部３３１およびボンディングパッド３３２を電気的に接続する配線３３３とを有している。
【００２０】
このような励振電極３２０、３３０は、例えば、圧電基板３１０上に蒸着やスパッタリングによってニッケル（Ｎｉ）またはクロム（Ｃｒ）の下地層を成膜した後、下地層の上に蒸着やスパッタリングによって金（Ａｕ）の電極層を成膜し、その後フォトリソグラフィ技術およびエッチング技術を用いて、所望の形状にパターニングすることにより形成することができる。下地層を形成することにより、圧電基板３１０と前記電極層との接着性が向上し、信頼性の高い振動素子３００が得られる。
【００２１】
なお、励振電極３２０、３３０の構成としては、上記の構成に限定されず、例えば、下地層を省略してもよいし、その構成材料を他の導電性を有する材料（例えば、銀（Ａｇ）、銅（Ｃｕ）、タングステン（Ｗ）、モリブテン（Ｍｏ）等の各種金属材料）としてもよい。
このような振動素子３００は、一対の導電性接着剤２９１、２９２を介してパッケージ２００に固定されている。
【００２２】
−パッケージ−
図１および図２に示すように、パッケージ２００は、板状のベース基板（本発明の配線基板）２１０と、下側に開放する凹部を有するキャップ状のリッド２３０と、ベース基板２１０とリッド２３０との間に介在しこれらを接合するメタライズ層２４０とを有している。このようなパッケージ２００では、リッド２３０の凹部の開口がベース基板２１０で塞がれることにより、前述の振動素子３００を収納する気密的な収納空間Ｓが形成されている。
【００２３】
リッド２３０は、箱状の本体２３１と、本体２３１の下端（すなわち、本体２３１の開口の周囲）に形成されたフランジ２３３とを有している。また、フランジ２３３の下面には、開口の周囲を囲むように、図示しない金属ろう材が膜状に設けられている。このようなリッド２３０は、金属ろう材とメタライズ層２４０との溶着によりベース基板２１０に接合されている。なお、金属ろう材としては、特に限定されず、例えば、金ろう、銀ろうなどを用いることができるが、銀ろうを用いるのが好ましい。また、リッド２３０の構成材料としては、特に限定されないが、ベース基板２１０（後述するセラミックス焼結体基板２１１）の構成材料と線膨張係数が近似する部材であると良く、例えば、コバール等の合金とするのが好ましい。
【００２４】
図２および図４に示すように、ベース基板２１０は、上下面（一方の主面と他方の主面）を貫通する２つの貫通孔２１３、２１５を備えている板状のセラミックス焼結体基板（セラミックス基板）２１１と、セラミックス焼結体基板２１１の上下面と各貫通孔２１３内とに跨って形成されている第１金属配線２５０と、セラミックス焼結体基板２１１の上下面と各貫通孔２１５内とに跨って形成されている第２金属配線２６０と、第１金属配線２５０とセラミックス焼結体基板２１１との間に配置されている第１活性金属層２７０と、第２金属配線２６０とセラミックス焼結体基板２１１との間に配置されている第２活性金属層２８０と、を有している。
【００２５】
セラミックス焼結体基板２１１は、単層構造であってもよいし、複数の層（シート）が積層してなる積層構造であってもよいが、本実施形態では、単層構造のセラミック焼結体基板を用いている。これにより、セラミックス焼結体基板２１１の薄型化や、製造コストの低減を図ることができる。
セラミックス焼結体基板２１１への貫通孔２１３、２１５の形成方法は、特に限定されない。例えば、焼結処理前にパンチング等によって形成してもよいし、焼結処理後にレーザー加工、エッチング加工、ドリル加工等によって形成してもよい。ただし、セラミックス焼結体基板２１１は、焼結処理によって収縮するため、貫通孔２１３、２１５の配置や寸法の精度を高めたいのでれば、焼結処理後に形成した方が好ましい。貫通孔２１３、２１５の径としては、特に限定されないが、例えば、２０μｍ以上、１００μｍ以下程度とすることができる。
【００２６】
セラミックス焼結体基板２１１の構成材料であるセラミックスとしては、特に限定されないが、例えば、酸化アルミニウム系セラミックス、酸化ケイ素系セラミックス、酸化カルシウム系セラミックス、酸化マグネシウム系セラミックスなどの酸化物系セラミックスや、窒化アルミニウム系セラミックス、窒化ケイ素系セラミックス、窒化ホウ素系セラミックスなどの窒化物系セラミックスや、酸化ベリリウム、炭化ケイ素、ムライト、ホウケイ酸ガラス等を使用することができる。
【００２７】
このようなセラミックス焼結体基板２１１は、セラミックス粉末、焼結助剤、有機バインダー等が含まれている混合材料をシート状に成形してグリーンシートを得、このグリーンシートを焼結処理することにより得られる。なお、焼結助剤としてはセラミックス粉末の種類に応じて、公知の焼結助剤を用いることができる。また、有機バインダーとしては、例えば、ポリビニルブチラール、エチルセルロース類、アクリル樹脂類等を用いることができる。
【００２８】
第１金属配線２５０は、一部が貫通孔２１３内に配置され、ビア（貫通電極）を形成している金属片（金属リベット）２５１と、セラミックス焼結体基板２１１の上面に、金属片２５１と重なって配置されている内部端子（金属配線）２５３と、セラミックス焼結体基板２１１の下面に、金属片２５１と重なって配置されている実装端子２５５と、を有している。同様に、第２金属配線２６０は、一部が貫通孔２１５内に配置され、ビアを形成している金属片２６１と、セラミックス焼結体基板２１１の上面に、金属片２６１と重なって配置されている内部端子（金属配線）２６３と、セラミックス焼結体基板２１１の下面に、金属片２６１と重なって配置されている実装端子（金属配線）２６５と、を有している。
【００２９】
また、図４に示すように、金属片２５１は、貫通孔２１３内に配置（挿入）されている柱状の挿入部２３１ａと、挿入部２３１ａの上端部に接続され、貫通孔２１３外に配置されている挿入規制部２３１ｂと、を有している。挿入規制部２３１ｂは、貫通孔２１３よりも大きな径を有しており、貫通孔２１３内に配置（挿入）することができなくなっている。
【００３０】
金属片２５１の構成材料としては、特に限定されず、例えば、金（Ａｕ）、アルミニウム（Ａｌ）、銀（Ａｇ）、クロム（Ｃｒ）、銅（Ｃｕ）、モリブデン（Ｍｏ）、タングステン（Ｗ）等の金属や、これら金属を含む合金等を用いることができるが、これらの中でも、例えば、銅（Ｃｕ）、モリブデン（Ｍｏ）、タングステン（Ｗ）等の比較的融点の高い材料を用いることが好ましい。金属片２５１に高い融点を求めているのは、後述する製造方法でも説明するが、ベース基板２１０の製造時に金属片２５１を溶融させたくないためである。なお、金属片２６１については、金属片２５１と同様の構成であるため、その説明を省略する。
【００３１】
内部端子２５３、２６３および実装端子２５５、２６５は、それぞれ、周期律表の第６属に属する金属（元素）と、銀と、銅と、を含んでいることが好ましい。周期律表の第６属に属する金属としては、クロム（Ｃｒ）、モリブテン（Ｍｏ）、タングステン（Ｗ）が挙げられ、これらのうちの少なくとも１種の金属を含んでいればよい。なお、説明の便宜上、以下では、周期律表の第６属に属する金属を単に「第６属金属」とも言う。これら第６属金属は、融点が十分に高いため、後述する製造工程中にて、第６属金属が溶融することがない。そのため、内部端子２５３、２６３および実装端子２５５、２６５の形状を良好に保持することができる。なお、クロムの融点は約１９０７℃であり、モリブテンの融点は約２６１７℃であり、タングステンの融点は約３４１０℃であるため、第６属金属の中でも、融点の最も高いタングステンを用いることによって、上述した効果をより効果的に発揮することができる。
また、図２に示すように、内部端子２５３は、導電性接着剤２９１を介して振動素子３００のボンディングパッド３２２と電気的に接続されており、内部端子２６３は、導電性接着剤２９２を介して振動素子３００のボンディングパッド３３２と電気的に接続されている。
【００３２】
なお、第１、第２金属配線２５０、２６０の構成としては、本実施形態に限定されない。例えば、本実施形態では、内部端子２５３および実装端子２５５が共に金属片２５１と重なって配置されているが、これとは異なり、内部端子２５３および実装端子２５５が共に金属片２５１と重ならい位置に配置されていてもよい。この場合には、第１金属配線２５０は、さらに、セラミックス焼結体基板２１１の上面に配置され、金属片２５１と内部端子２５３とを接続する上面側配線と、セラミックス焼結体基板２１１の下面に配置され、金属片２５１と実装端子２５５とを接続する下面側配線とを有することとなる。第２金属配線２６０についても同様である。
以上、セラミックス焼結体基板２１１と第１、第２金属配線２５０、２６０の構成について説明した。ベース基板２１０では、セラミックス焼結体基板２１１と第１金属配線２５０との間に第１活性金属層２７０が配置されており、セラミックス焼結体基板２１１と第２金属配線２６０との間に第２活性金属層２８０が配置されている。
【００３３】
第１活性金属層２７０は、金属片２５１の挿入部２５１ａと貫通孔２１３の内周面との間と、挿入規制部２５１ｂとセラミックス焼結体基板２１１の上面との間と、内部端子２５３とセラミックス焼結体基板２１１の上面との間と、実装端子２５５とセラミックス焼結体基板２１１の下面との間と、にそれぞれ配置されている。そして、第１活性金属層２７０を介して、挿入部２５１ａが貫通孔２１３の内周面に、挿入規制部２５１ｂおよび内部端子２５３がセラミックス焼結体基板２１１の上面に、実装端子２５５がセラミックス焼結体基板２１１の下面に、それぞれ、接合されている。
【００３４】
同様に、第２活性金属層２８０は、金属片２６１の挿入部２６１ａと貫通孔２１５の内周面との間と、挿入規制部２６１ｂとセラミックス焼結体基板２１１の上面との間と、内部端子２６３とセラミックス焼結体基板２１１の上面との間と、実装端子２６５とセラミックス焼結体基板２１１の下面との間と、にそれぞれ配置されている。そして、第２活性金属層２８０を介して、挿入部２６１ａが貫通孔２１５の内周面に、挿入規制部２６１ｂおよび内部端子２６３がセラミックス焼結体基板２１１の上面に、実装端子２６５がセラミックス焼結体基板２１１の下面に、それぞれ、接合されている。
【００３５】
ここで、第１、第２活性金属層２７０、２８０とは、第１、第２活性金属層２７０、２８０に含まれる活性金属とセラミックス焼結体基板２１１に含まれるセラミックス成分とが反応し、セラミックス焼結体基板２１１との界面に形成された反応層を言う。このような第１、第２活性金属層２７０、２８０を形成することで、セラミックス焼結体基板２１１と第１、第２金属配線２５０、２６０との密着性が向上する。また、特に、貫通孔２１３、２１５と金属片２５１、２６１との間の隙間をなくし、貫通孔２１３、２１５の気密性を高めることができる。
【００３６】
このような第１、第２活性金属層２７０、２８０には、活性金属として、周期律表の第４（Ａ）属に属する金属（元素）が含まれている。周期律表の第４属に属する金属は、活性金属として好適に用いることができるので、より確実に、第１、第２活性金属層２７０、２８０を形成することができる。なお、周期律表の第４（Ａ）属に属する金属としては、チタン（Ｔｉ）、ジルコニウム（Ｚｒ）、ハフニウム（Ｈｆ）が挙げられる。これらのうちのいずれを用いてもよいが、これらの中でもチタン（Ｔｉ）を用いることが好ましい。チタン（Ｔｉ）、ジルコニウム（Ｚｒ）、ハフニウム（Ｈｆ）の中で、チタンが最も融点が低いため、第１、第２活性金属層２７０、２８０を形成する際の焼成温度を低く抑えることができ、金属片２５１、２６１の不本意な溶融を防止することができるとともに、セラミックス焼結体基板２１１への熱ダメージを低減することができる。
【００３７】
なお、第１、第２活性金属層２７０、２８０の厚さ（平均厚さ）としては、特に限定されないが、例えば、１μｍ以上２０μｍ以下程度であることが好ましい。これにより、第１、第２活性金属層２７０、２８０の過度な厚み増を防止しつつ、第１、第２活性金属層２７０、２８０の厚さを十分なものとすることができる。そのため、ベース基板２１０の大型化を抑制しつつ、セラミックス焼結体基板２１１と第１、第２金属配線２５０、２６０との密着性を十分に高めることができる。
【００３８】
≪ベース基板の製造方法≫
次に、上述した電子デバイス１００が備えるベース基板（配線基板）２１０の製造方法について説明する。
ベース基板２１０の製造方法は、セラミックス焼結体基板２１１、金属片２５１、２６１、金属ペーストＸおよび金属ペーストＹを用意する第１工程と、貫通孔２１３、２１５に金属片２５１、２６１の挿入部２５１ａ、２６１ａを配置し、金属片２５１、２６１とセラミックス焼結体基板２１１との間に金属ペーストＸを配置し、さらに、セラミックス焼結体基板２１１の上下面に金属ペーストＹを配置する第２工程と、金属ペーストＸ、Ｙを焼成して、第１、第２金属配線２５０、２６０および第１、第２活性金属層２７０、２８０を形成する第３工程と、を含んでいる。
【００３９】
［第１工程］
−セラミックス焼結体基板２１１を準備する工程−
セラミックス焼結体基板２１１は、例えば、セラミックス粉末、焼結助剤、有機バインダー等が含まれている混合材料をシート状に成形してグリーンシートを得、このグリーンシートを焼結処理することにより得られる。貫通孔２１３、２１５は、焼結処理前にパンチング等によって形成してもよいし、焼結処理後にレーザー加工、エッチング加工、ドリル加工等によって形成してもよい。ただし、焼結処理によってセラミックス焼結体基板２１１が収縮するため、焼結処理前に貫通孔２１３、２１５を形成すると、配置や寸法の精度が低下するおそれがある。そのため、貫通孔２１３、２１５の配置や寸法の精度を高めたいのでれば、焼結処理後に形成した方が好ましい。なお、貫通孔２１３、２１５の径としては、特に限定されないが、例えば、２０μｍ以上、１００μｍ以下程度とすることができる。
【００４０】
−金属ペーストＸを準備する工程−
第４属金属Ｍ４、銀（Ａｇ）および銅（Ｃｕ）を含む第１合金（Ｍ４−Ａｇ−Ｃｕ系合金）からなる第１粒子Ａと、バインダーＣとを用意し、これらを混合することで金属ペーストＸが得られる。
第１合金に含まれる第４属金属Ｍ４は、セラミックス焼結体基板２１１に含まれるセラミックス成分と反応する（すなわち、セラミックス成分に対して活性な）活性金属である。そのため、第１合金が第４属金属Ｍ４を含むことで、後の第３工程にて、セラミックス焼結体基板２１１との界面に第１、第２活性金属層２７０、２８０を形成することができる。なお、第４属金属Ｍ４として、チタン（Ｔｉ）、ジルコニウム（Ｚｒ）、ハフニウム（Ｈｆ）のいずれを用いてもよいが、これらの中でも、チタン（Ｔｉ）を用いることが好ましい。チタン（Ｔｉ）は、これらの中で融点が最も低いため、第３工程（焼成工程４０４）における焼成温度を抑えることができる。また、金属片２５１、２６１との融点の差を十分に大きく確保することができる。そのため、第３工程にて、金属片２５１、２６１が不本意に溶融してしまうことを防止することができるとともに、第３工程にて加わるセラミックス焼結体基板２１１への熱ダメージを低減することができる。その結果、良質な第１、第２活性金属層２７０、２８０を形成することができる。
【００４１】
なお、第１合金中の第４属金属Ｍ４の含有量（重量％濃度）としては、特に限定されないが、例えば、２重量％以上２０重量％以下程度であることが好ましく、７重量％以上１１重量％以下程度であることがより好ましい。これにより、金属ペーストＸ中の第４属金属Ｍ４の含有量を十分に確保することができ、より確実に、第１、第２活性金属層２７０、２８０を形成することができる。また、第１合金中の銀（Ａｇ）の含有量としては、特に限定されないが、６０重量％以上８０重量％以下程度であるのが好ましい。
【００４２】
また、第１粒子Ａの平均粒径（メジアン径ｄ５０）としては、特に限定されず、貫通孔２１３、２１５の大きさとの兼ね合いもあるが、小さいほど好ましく、具体的には、４０μｍ以下であるのが好ましく、１０μｍ以下であるのが好ましく、５μｍ以下であるのがより好ましい。これにより、第１粒子Ａの表面酸化による失活を抑制することが可能になる。また、小径のビアに対しても充填の作業性を確保することが可能となる。したがって、生産性が向上し、また、優れた性能を有するベース基板２１０を製造することができる。
なお、本実施形態では、活性金属として第４属金属Ｍ４を用いているが、セラミックス焼結体基板２１１に含まれるセラミックス成分と反応する金属であれば、第４属に属する金属に限定されない。
【００４３】
バインダーＣとしては、公知のものを用いることができ、例えば、ポリアクリル酸エステル、ポリメタクリル酸エステル等のアクリル樹脂、メチルセルロース、ヒドロキシメチルセルロース、ニトロセルロース、セルロースアセテートブチレート等のセルロース系樹脂、ポリビニルブチラール、ポリビニルアルコール、ポリ塩化ビニル等のビニル基含有樹脂、ポリオレフィン等の炭化水素樹脂、ポリエチレンオキサイド等の含酸素樹脂などを一種または二種以上混合して使用することができる
以上、金属ペーストＸについて説明した。なお、金属ペーストＸには、第１粒子ＡおよびバインダーＣの他にも、必要に応じて、例えば、有機溶剤、分散剤、可塑剤等が含まれていてもよい。
【００４４】
−金属ペーストＹを準備する工程−
第１粒子Ａと、第６属金属Ｍ６およびニッケル（Ｎｉ）を含む第２合金（Ｍ６−Ｎｉ系合金）からなる第２粒子Ｂと、バインダーＣと、を用意し、これらを混合することで金属ペーストＹが得られる。なお、第１粒子ＡおよびバインダーＣには、前述した金属ペーストＸに含まれるものと同様である。そのため、以下では、主に第２粒子Ｂについて説明する。
【００４５】
第２粒子Ｂは、第６属金属Ｍ６とニッケルとを含む第２合金（Ｍ６−Ｎｉ系合金）で構成されている。第６属金属Ｍ６のような高融点金属を用いることで、第２合金の融点を、第１合金に対して十分に高くすることができる。そのため、後述する第３工程（焼成工程４０４）において、第２粒子Ｂを溶融させることなく、内部端子２５３、２６３および実装端子２５５、２６５を形成することができる。そのため、内部端子２５３、２６３および実装端子２５５、２６５の形状保持性が向上する。なお、第６属金属Ｍ６として、クロム（Ｃｒ）、モリブテン（Ｍｏ）、タングステン（Ｗ）のいずれを用いてもよいが、これらの中でも、タングステン（Ｗ）を用いることが好ましい。タングステン（Ｗ）は、これらの中でも融点が最も高いので、第２合金の融点をより高くすることができ、上述した効果をより効果的に発揮することができる。
【００４６】
第２合金中の第６属金属Ｍ６の含有量としては、特に限定されないが、例えば、８０重量％以上９９．９重量％以下程度であることが好ましい。これにより、第２合金の融点を第１合金の融点と比較して十分に高く保つことができる。なお、本実施形態の第２粒子Ｂは、第６属金属Ｍ６とニッケル（Ｎｉ）とを含む系合金で構成されているが、少量のニッケル（Ｎｉ）を含むことで、第２粒子Ｂと、第１粒子Ａ中の銀（Ａｇ）や銅（Ｃｕ）との密着性を向上させることができる。そのため、より密着性の高い内部端子２５３、２６３および実装端子２５５、２６５を形成することができる。なお、第２合金中のニッケル（Ｎｉ）の含有量は、特に限定されないが、０．１重量％以上２０重量％以下程度であるのが好ましい。
【００４７】
また、第２粒子Ｂの平均粒径（メジアン径ｄ５０）としては、特に限定されないが、小さいほど好ましく、具体的には、４０μｍ以下であるのが好ましく、１０μｍ以下であるのが好ましく、５μｍ以下であるのがより好ましい。これにより、より緻密な内部端子２５３、２６３および実装端子２５５、２６５を形成することができる。
なお、本実施形態では、第２粒子Ｂとして、Ｍ６−Ｎｉ系合金を用いているが、第２粒子Ｂとして、第６属金属Ｍ６を用いてもよい。
【００４８】
以上、第２粒子Ｂについて説明した。金属ペーストＹ中の第１粒子Ａと第２粒子Ｂの重量比としては、特に限定されず、第１合金中の第４属金属Ｍ４の含有量によっても異なるが、例えば、３５：６５以上８５：１５以下程度であるのが好ましく、５０：５０以上７０：３０以下程度であることがより好ましい。また、第１粒子Ａと第２粒子Ｂの総重量に対する第４属金属Ｍ４の含有量は、特に限定されないが、０．７重量％以上１７．０重量％以下程度であるのが好ましく、３．０重量％以上８．０重量％以下程度であるのがより好ましい。これにより、金属ペーストＹに、十分な量の第４属金属Ｍ４を確保することができるので、第１、第２活性金属層２７０、２８０をより確実に形成することができる。なお、第１粒子Ａと第２粒子Ｂの総重量に対する第４属金属Ｍ４の含有量が上記下限値未満であると、第４属金属Ｍ４が不足し、第１、第２活性金属層２７０、２８０を十分な厚さに形成することができないおそれがある。一方、第１粒子Ａと第２粒子の総重量に対する第４属金属Ｍ４の含有量が上記上限値を超えると、第４属金属Ｍ４が過剰となり、第１、第２活性金属層２７０、２８０が脆くなるおそれがある。
以上、金属ペーストＹについて説明した。なお、金属ペーストＹには、第１粒子Ａ、第２粒子ＢおよびバインダーＣの他にも、必要に応じて、例えば、有機溶剤、分散剤、可塑剤等が含まれていてもよい。
【００４９】
−金属片２５１、２６１を準備する工程−
金属片２５１、２６１の製造方法は、特に限定されず、例えば、銅、タングステン、モリブテン等の金属の塊を鍛造技術や鋳造技術を用いて形成することができるし、削り出しによって形成することもできる。また、金属片２５１、２６１の融点は、第１粒子Ａの融点よりも高く設定される。金属片２５１、２６１の融点と、第１粒子Ａの融点の差としては、特に限定されないが、例えば、５０℃以上であるのが好ましく、１００℃以上であることがより好ましい。なお、このような金属片２５１、２６１は、挿入部２５１ａ、２６１ａの長さが貫通孔２１３、２１５の長さとほぼ等しいか、若干長くなるように形成される。
【００５０】
［第２工程］
図５（ａ）に示すように、まず、金属片２５１、２６１の挿入部２５１ａ、２６１ａの外周および挿入規制部２５１ｂ、２６１ｂの下面に金属ペーストＸを塗布する。なお、これに限定されず、金属片２５１、２６１の挿入部２５１ａ、２６１ａの外周にのみ金属ペーストＸを塗布してもよい。
【００５１】
次に、図５（ｂ）に示すように、金属片２５１を貫通孔２１３に挿入するとともに、金属片２６１を貫通孔２１５に挿入する。これにより、挿入部２５１ａ、２６１ａと貫通孔２１３、２１５の内周面との間、および、挿入規制部２５１ｂ、２６１ｂとセラミックス焼結体基板２１１の上面との間に、金属ペーストＸからなる金属ペースト層Ｘ１が配置される。
【００５２】
この際、金属片２５１、２６１は、挿入規制部２５１ｂ、２６１ｂがセラミックス焼結体基板２１１の上面に当接（正確には金属ペースト層Ｘ１を介して当接）することで貫通孔２１３、２１５への挿入深さが制御される。そのため、金属片２５１、２６１を貫通孔２１３、２１５に対して適切な位置に配置することができる。また、挿入規制部２５１ｂ、２６１ｂがセラミックス焼結体基板２１１に引っ掛かることで、金属片２５１、２６１の貫通孔２１３、２１５からの離脱を防止することができる。ここで、この状態では、金属片２５１、２６１の下端は、セラミックス焼結体基板２１１の下面とほぼ面一となっているか、セラミックス焼結体基板２１１の下面から若干突出していることが好ましい。これにより、実装端子２５５、２６５と金属片２５１、２６１とをより確実に導通させることができる。
【００５３】
次に、図５（ｃ）に示すように、セラミックス焼結体基板２１１の上面および下面に金属ペーストＹを内部端子２５３、２６３および実装端子２５５、２６５に対応した形状に配置し、金属ペースト層Ｙ１、Ｙ２を形成する。なお、セラミックス焼結体基板２１１への金属ペーストＹの配置方法は、特に限定されないが、例えば、マスクを使用したスクリーン印刷法を用いることができる。
【００５４】
［第３工程］
次に、図５（ｄ）に示すように、金属ペースト層Ｘ１、Ｙ１、Ｙ２を焼成処理し、セラミックス焼結体基板２１１上に、第１、第２活性金属層２７０、２８０および第１、第２金属配線２５０、２６０を形成する。なお、金属ペースト層Ｘ１、Ｙ１、Ｙ２の焼成処理は、図６に示すような温度条件で行うことが好ましい。
【００５５】
図６に示すように、本工程は、温度を上昇させる第１昇温工程４０１と、第１昇温工程４０１の目標温度をほぼ一定に維持してバインダーＣ等を除去するバインダー除去工程４０２と、再び温度を上昇させる第２昇温工程４０３と、第２昇温工程の目標温度をほぼ一定維持して金属ペースト層Ｘ１、Ｙ１、Ｙ２を焼成する焼成工程４０４と、冷却工程４０５と、を有している。
【００５６】
−第１昇温工程４０１−
まず、金属片２５１、２６１、金属ペースト層Ｘ１、Ｙ１、Ｙ２が配置されたセラミックス焼結体基板２１１をチャンバー内に配置し、チャンバー内を真空雰囲気（例えば、１．３３×１０−３Ｐａ以下）とする。これにより、金属ペースト層Ｘ１、Ｙ１、Ｙ２中のチタン（Ｔｉ）の酸化を防止することができ、良質な第１、第２活性金属層２７０、２８０を形成することができる。この真空雰囲気は、以下のバインダー除去工程４０２、第２昇温工程４０３、焼成工程４０４、冷却工程４０５においても維持される。なお、チャンバー内は、真空雰囲気に替えて、アルゴン（Ａｒ）ガス充填雰囲気等の非酸化雰囲気としてもよい。アルゴンガス充填雰囲気としても、真空雰囲気と同様に良質な第１、第２活性金属層２７０、２８０を形成することができる。
【００５７】
次に、チャンバー内の温度を上昇させて、金属ペースト層Ｘ１、Ｙ１、Ｙ２を加熱する。本工程での目標温度（ピーク温度）Ｔ１は、第１粒子Ａの融点よりも低く、かつ、金属ペースト層Ｘ１、Ｙ１、Ｙ２中のバインダーＣ、有機溶剤、水分等を蒸発・除去することのできる温度である。このような目標温度Ｔ１としては、特に限定されず、バインダーＣの種類や第１粒子Ａの融点によっても異なるが、例えば、３５０℃以上４５０℃以下程度であるのが好ましい。
【００５８】
また、本工程での１時間あたりの温度上昇量（昇温レート：℃／ｈ）としては、特に限定されないが、例えば、１５０℃／ｈ以上２５０℃／ｈ以下程度であることが好ましく、２００℃／ｈ程度であることがより好ましい。これにより、十分に時間をかけてチャンバー内を昇温することができ、熱が伝わり難い真空中においても、十分に金属ペースト層Ｘ１、Ｙ１、Ｙ２を昇温することができる。そのため、チャンバー内の設定温度と実際の金属ペースト層Ｘ１、Ｙ１、Ｙ２の温度との乖離を低減することができ、次のバインダー除去工程をより正確な温度条件で行うことができる。その結果、バインダー除去工程において、より確実に、金属ペースト層Ｘ１、Ｙ１、Ｙ２からバインダーＣ等を除去することができる。なお、昇温レートが上記下限値未満であると、チャンバーの大きさや雰囲気環境によっては、十分に金属ペースト層Ｘ１、Ｙ１、Ｙ２を昇温することができないおそれがある。反対に、昇温レートが上記下限値を超えると、チャンバーの大きさや雰囲気環境によっては、チャンバー内の設定温度と実際の金属ペースト層Ｘ１、Ｙ１、Ｙ２の温度との乖離を低減するという上記効果の向上をほとんど見込めず、本工程の処理時間がただ長くなってしまうだけとなるおそれがある。
【００５９】
−バインダー除去工程４０２−
本工程では、第１昇温工程４０１での目標温度Ｔ１をほぼ一定に維持する。本工程によれは、第１粒子Ａの溶融を防ぎつつ、金属ペースト層Ｘ１、Ｙ１、Ｙ２から第１粒子Ａ以外の材料（すなわち、バインダーＣ、有機溶剤、水分等）を除去することができる。これにより、金属ペースト層Ｘ１、Ｙ１、Ｙ２の焼成（第１粒子Ａの溶融）をより確実に行うことができる。
【００６０】
本工程の保持時間としては、特に限定されず、バインダーＣの量等によっても異なるが、例えば、１時間以上２時間以下程度であるのが好ましく、１時間程度であることがより好ましい。これにより、金属ペースト層Ｘ１、Ｙ１、Ｙ２からバインダーＣ等を効果的に除去することができる。なお、保持時間が上記下限値未満でると、バインダーＣの含有量によっては、金属ペースト層Ｘ１、Ｙ１、Ｙ２からバインダーＣ等を十分に除去することができず、後の焼成工程までバインダーＣ等が残存し、この残存したバインダーＣ等が第１粒子Ａの溶融を阻害するおそれがある。反対に、保持時間が上記上限値を超えると、バインダーＣの含有量によっては、本工程が過度に長くなるだけで、それ以上のバインダーＣ等の除去効果の向上を見込めず、さらには、焼成処理全体の長時間化を招くことで、セラミックス焼結体基板２１１への熱ダメージが大きくなるおそれがある。
【００６１】
なお、本実施形態のバインダー除去工程４０２では、第１昇温工程４０１での目標温度Ｔ１をほぼ一定に保っているが、これに限定されず、第１、第２昇温工程４０１、４０３での昇温レート（単位時間当たりの温度上昇量）よりも低ければ、昇温させてもよいし、反対に、降温させてもよい。ただし、降温させると、後の第２昇温工程４０３で上昇させなければならない温度が大きくなるため、昇温させるか、本実施形態のようにほぼ一定に維持するかのいずれかが好ましい。また、昇温させる場合には、その昇温レートとしては、特に限定されないが、５℃／ｈ以上５０℃／ｈ以下程度であることが好ましい。これにより、バインダー除去工程中に、金属ペースト層Ｘ１、Ｙ１、Ｙ２が過度に加熱されてしまうことを低減することができ、例えば、意図しない第１粒子Ａの溶融等を効果的に防止することができる。
【００６２】
−第２昇温工程４０３−
本工程では、バインダー除去工程４０２を終えた後、再びチャンバー内の温度を上昇させ、金属ペースト層Ｘ１、Ｙ１、Ｙ２を加熱する。第２昇温工程４０３での目標温度（ピーク温度）Ｔ２は、第１粒子Ａの融点よりも高く、金属片２５１、２６１および第２粒子Ｂの融点よりも低い温度である。これにより、金属片２５１、２６１および第２粒子Ｂの溶融を防止しつつ、第１粒子Ａだけを溶融させることができる。また、目標温度Ｔ２は、セラミックス焼結体基板２１１の焼成温度よりも低いことが好ましい。これにより、セラミックス焼結体基板２１１への熱ダメージを低減でき、信頼性の高いベース基板２１０が得られる。このような目標温度Ｔ２としては、特に限定されず、第１、第２粒子Ａ、Ｂおよび金属片２５１、２６１の融点によっても異なるが、例えば、８００℃以上１０００℃以下程度であるのが好ましい。なお、セラミックス焼結体基板２１１の焼成温度とは、セラミックス焼結体基板２１１を得る際にグリーンシートを焼成処理するときの目標温度であり、ある程度の幅を有する温度である。
【００６３】
また、本工程での１時間あたりの温度上昇量（昇温レート：℃／ｈ）としては、特に限定されないが、例えば、１５０℃／ｈ以上２５０℃／ｈ以下であることが好ましく、２００℃／ｈ程度であることがより好ましい。このように十分に時間をかけてチャンバー内を昇温することで、熱が伝わり難い真空中においても、十分に金属ペースト層Ｘ１、Ｙ１、Ｙ２を昇温することができる。そのため、チャンバー内の設定温度と実際の金属ペースト層Ｘ１、Ｙ１、Ｙ２の温度との乖離を低減することができ、より正確な温度条件で次の焼成工程４０４を行うことができる。その結果、第１、第２活性金属層２７０、２８０をより確実に形成することができ、かつ、形成された第１、第２活性金属層２７０、２８０がより良質なものとなる。なお、昇温レートが上記下限値未満であると、チャンバーの大きさや雰囲気環境によっては、十分に金属ペースト層Ｘ１、Ｙ１、Ｙ２を昇温することができないおそれがある。反対に、昇温レートが上記下限値を超えると、チャンバーの大きさや雰囲気環境によっては、チャンバー内の設定温度と実際の金属ペースト層Ｘ１、Ｙ１、Ｙ２の温度との乖離を低減するという上記効果の向上をほとんど見込めず、本工程の処理時間がただ長くなってしまうだけとなるおそれがある。
【００６４】
−焼成工程４０４−
本工程では、第２昇温工程４０３での目標温度Ｔ２をほぼ一定に維持する。これにより、第１粒子Ａが溶融し、図５（ｄ）に示すように、金属ペースト層Ｘ１、Ｙ１、Ｙ２から第１、第２活性金属層２７０、２８０および第１、第２金属配線２５０、２６０が形成される。具体的に説明すると、本工程によって、金属ペースト層Ｘ１、Ｙ１、Ｙ２中の第１粒子Ａが溶融し、第１粒子Ａ中に存在していたチタン（Ｔｉ）がセラミックス焼結体基板２１１のセラミックス成分と反応し、セラミックス焼結体基板２１１との界面に第１、第２活性金属層２７０、２８０が形成される。また、これとともに、第１粒子Ａ中に存在していた銀（Ａｇ）や銅（Ｃｕ）が金属片２５１、２６１と反応して、これらの界面に反応層（図示せず）が形成される。さらに、金属ペースト層Ｙ１、Ｙ２においては、第１粒子Ａ中に存在していた銀（Ａｇ）や銅（Ｃｕ）が流動して第２粒子Ｂ間に浸透し、第１、第２活性金属層２７０、２８０上に内部端子２５３、２６３および実装端子２５５、２６５が形成される。これにより、第１、第２金属配線２５０、２６０が得られる。
【００６５】
このように、第１、第２金属配線２５０、２６０とセラミックス焼結体基板２１１との間に第１、第２活性金属層２７０、２８０を形成することで、第１、第２金属配線２５０、２６０とセラミックス焼結体基板２１１との密着性が向上する。また、特に、貫通孔２１３、２１５と金属片２５１、２６１との間の隙間をなくし、貫通孔２１３、２１５の気密性を高めることができる。また、本工程は、金属片２５１、２６１を実質的に溶融させずに行うため、貫通孔２１３、２１５からの金属片２５１、２６１の流れ出しを防止することができ、貫通孔２１３、２１５への充填性に優れたビアを形成することができる。また、本工程では、第２粒子Ｂを実質的に溶融させずに、第１粒子Ａのみを溶融させているため、第２粒子Ｂによって、金属ペースト層Ｙ１、Ｙ２の濡れ広がりを効果的に抑制できる。そのため、内部端子２５３、２６３および実装端子２５５、２６５の形状保持性が向上する。
【００６６】
本工程の保持時間としては、特に限定されず、金属ペースト層Ｘ１、Ｙ１、Ｙ２の体積等によっても異なるが、例えば、１時間以上２時間以下程度であることが好ましく、１時間程度であることがより好ましい。これにより、第１粒子Ａを十分に溶融させることができ、より確実に、第１、第２活性金属層２７０、２８０および第１、第２金属配線２５０、２６０を形成することができる。なお、保持時間が上記下限値未満でると、金属ペースト層Ｘ１、Ｙ１、Ｙ２の体積（第１粒子Ａの含有量）等によっては、第１粒子Ａを十分に溶融させることができず、第１、第２活性金属層２７０、２８０を十分に形成することができないおそれがある。反対に、保持時間が上記上限値を超えると、金属ペースト層Ｘ１、Ｙ１、Ｙ２の体積等によっては、本工程が過度に長くなるだけで、セラミックス焼結体基板２１１への熱ダメージが大きくなるおそれがある。
なお、本実施形態の焼成工程では、目標温度Ｔ２をほぼ一定に保っているが、第１粒子Ａの融点よりも高く、金属片２５１、２６１および第２粒子Ｂの融点よりも低い温度を維持している限り、これに限定されず、昇温させてもよいし、反対に降温させてもよい。また、昇温と降温とを交互に繰り返してもよい。
【００６７】
−冷却工程４０５−
本工程では、目標温度Ｔ２から温度を徐々に低くしていき、セラミックス焼結体基板２１１、第１、第２活性金属層２７０、２８０および第１、第２金属配線２５０、２６０を例えば常温まで冷却する。本工程での１時間あたりの温度降下量（降温レート：℃／ｈ）としては、特に限定されないが、例えば、２０℃／ｈ以上１００℃／ｈ以下であることが好ましく、４０℃／ｈ以上６０℃／ｈ以下であることがより好ましい。このように十分に時間をかけて冷却することで、セラミックス焼結体基板２１１、第１、第２活性金属層２７０、２８０、第１、第２金属配線２５０、２６０間の熱膨張率の差から、セラミックス焼結体基板２１１にクラック（亀裂）等が発生してしまうことを効果的に低減することができる。そのため、気密性や機械的強度に優れたベース基板２１０が得られる。
【００６８】
以上により、ベース基板２１０が得られる。
以上のようなベース基板２１０の製造方法によれば、第１、第２金属配線２５０、２６０とセラミックス焼結体基板２１１との密着性に優れ、さらには、第１、第２金属配線２５０、２６０の形状保持性に優れたベース基板２１０が得られる。また、セラミックス焼結体基板２１１へのクラックの発生を低減することができる。
【００６９】
＜第２実施形態＞
図７は、本発明の第２実施形態にかかるベース基板の製造方法を説明する断面図である。
以下、第２実施形態の配線基板の製造方法について、前述した実施形態との相違点を中心に説明し、同様の事項については、その説明を省略する。
本発明の第２実施形態の配線基板の製造方法は、金属ペーストＸをセラミックス焼結体基板２１１に塗布する以外は、前述した第１実施形態と同様である。なお、前述した実施形態と同様の構成には、同一符号を付してある。
【００７０】
≪ベース基板の製造方法≫
本実施形態のベース基板２１０の製造方法は、前述した第１実施形態と同様に、第１工程と、第２工程と、第３工程と、を有しているが、第２工程が異なる以外は、第１実施形態のベース基板２１０の製造方法と同様であるため、以下では、第２工程のみを説明する。
【００７１】
［第２工程］
図７（ａ）に示すように、セラミックス焼結体基板２１１の貫通孔２１３、２１５の内周面と、セラミックス焼結体基板２１１の上面の貫通孔２１３、２１５の周囲（金属片２５１、２６１の挿入規制部２５１ｂ、２６１ｂと重なる位置）に、金属ペーストＸを塗布する。金属ペーストＸの塗布は、スクリーン印刷法によって行うことができる。次に、図７（ｂ）に示すように、セラミックス焼結体基板２１１の上面側から金属片２５１、２６１の挿入部２５１ａ、２６１ａを貫通孔２１３、２１５に挿入する。これにより、挿入部２５１ａ、２６１ａと貫通孔２１２３、２１５の内周面との間、および、挿入規制部２５１ｂ、２６１とセラミックス焼結体基板２１１の上面との間に、金属ペーストＸからなる金属ペースト層Ｘ１が配置される。次に、図７（ｃ）に示すように、セラミックス焼結体基板２１１の上面および下面に金属ペーストＹを内部端子２５３、２６３および実装端子２５５、２６５に対応した形状に配置し、金属ペースト層Ｙ１、Ｙ２を形成する。
このような第２実施形態によっても、前述した第１実施形態と同様の効果を発揮することができる。
【００７２】
＜第３実施形態＞
図８は、本発明の第３実施形態にかかる電子デバイスが有するベース基板の断面図である。図９は、図８に示すベース基板の製造方法を説明する断面図である。
以下、第３実施形態の配線基板の製造方法および配線基板について、前述した実施形態との相違点を中心に説明し、同様の事項については、その説明を省略する。
本発明の第３実施形態の配線基板の製造方法および配線基板は、セラミックス焼結体基板２１１に配置された貫通孔２１３、２１５の形状が異なる以外は、前述した第１実施形態と同様である。なお、前述した実施形態と同様の構成には、同一符号を付してある。
【００７３】
≪ベース基板≫
図８に示すように、本実施形態の貫通孔２１３は、セラミックス焼結体基板２１１の上面に開放する有底の凹部２１３ａと、凹部２１３ａの底面とセラミックス焼結体基板２１１の下面とを貫通する貫通孔２１３ｂと、で構成されている。凹部２１３ａは、金属片２５１の挿入規制部２５１ｂの形状に対応しており、凹部２１３ａ内に挿入規制部２５１ｂが配置されている。また、貫通孔２１３ｂは、金属片２５１の挿入部２５１ａの形状に対応しており、貫通孔２１３ｂ内に挿入部２５１ａが配置されている。ただし、貫通孔２１３ｂに挿入規制部２５１ｂを挿入することはできない。
【００７４】
同様に、貫通孔２１５は、セラミックス焼結体基板２１１の上面に開放する有底の凹部２１５ａと、凹部２１５ａの底面とセラミックス焼結体基板２１１の下面とを貫通する貫通孔２１５ｂと、で構成されている。凹部２１５ａは、金属片２６１の挿入規制部２６１ｂの形状に対応しており、凹部２１５ａ内に挿入規制部２６１ｂが配置されている。また、貫通孔２１５ｂは、金属片２６１の挿入部２６１ａの形状に対応しており、貫通孔２１５ｂ内に挿入部２６１ａが配置されている。ただし、貫通孔２１５ｂに挿入規制部２６１ｂを挿入することはできない。
【００７５】
このような構成のセラミックス焼結体基板２１１を用いることで、金属片２５１、２６１がセラミックス焼結体基板２１１の上面から突出しなくなるため、ベース基板２１０の薄型化を図ることができる。なお、本実施形態のセラミックス焼結体基板２１１は、例えば、複数層のセラミックスシートが積層してなる積層体基板で構成されていることが好ましい。積層体基板によれば、上述のような形状の貫通孔２１３、２１５を簡単に形成することができる。すなわち、例えば、セラミックス焼結体基板２１１が３層構造である場合には、下側の２層で貫通孔２１３ｂ、２１５ｂを形成し、上側の１層で凹部２１３ａ、２１５ｂを形成すればよい。
【００７６】
≪ベース基板の製造方法≫
本実施形態のベース基板２１０の製造方法は、前述した第１実施形態と同様に、第１工程と、第２工程と、第３工程と、を有しているが、第２工程が異なる以外は、第１実施形態のベース基板２１０の製造方法と同様であるため、以下では、第２工程のみを説明する。
【００７７】
［第２工程］
図９（ａ）に示すように、まず、金属片２５１、２６１の挿入部２５１ａ、２６１ａの外周および挿入規制部２５１ｂ、２６１ｂの下面および側面に金属ペーストＸを塗布する。次に、図９（ｂ）に示すように、金属片２５１、２６１を貫通孔２１３、２１５に挿入する。これにより、金属片２５１、２６１と貫通孔２１３、２１５の内周面との間に、金属ペーストＸからなる金属ペースト層Ｘ１が配置される。次に、図９（ｃ）に示すように、セラミックス焼結体基板２１１の上面および下面に金属ペーストＹを内部端子２５３、２６３および実装端子２５５、２６５に対応した形状に配置し、金属ペースト層Ｙ１、Ｙ２を形成する。
このような第３実施形態によっても、前述した第１実施形態と同様の効果を発揮することができる。
【００７８】
＜第４実施形態＞
図１０は、本発明の第４実施形態にかかる電子デバイスが有するベース基板の断面図である。図１１は、図１０に示すベース基板の製造方法を説明する断面図である。
以下、第４実施形態にかかる配線基板の製造方法および配線基板について、前述した実施形態との相違点を中心に説明し、同様の事項については、その説明を省略する。
本発明の第４実施形態の配線基板の製造方法および配線基板は、金属片２５１、２６１が内部端子２５３、２６３を兼ねていること以外は、前述した第１実施形態と同様である。なお、前述した実施形態と同様の構成には、同一符号を付してある。
【００７９】
≪ベース基板≫
図１０に示すように、本実施形態のベース基板２１０では、金属片２５１の挿入規制部２５１ｂが内部端子２５３を兼ねており、金属片２６１の挿入規制部２６１ｂが内部端子２６３を兼ねている。これにより、例えば、前述した第１実施形態と比較して、ベース基板２１０の構成および製造が簡単なものとなる。
【００８０】
≪ベース基板の製造方法≫
本実施形態のベース基板２１０の製造方法は、前述した第１実施形態と同様に、第１工程と、第２工程と、第３工程と、を有しているが、第２工程が異なる以外は、第１実施形態のベース基板２１０の製造方法と同様であるため、以下では、第２工程のみを説明する。
【００８１】
［第２工程］
まず、挿入規制部２５１ｂ、２６１ｂが内部端子２５３、２６３の形状に整えられた金属片２５１、２６１を用意する。次に、図１１（ａ）に示すように、金属片２５１、２６１の挿入部２５１ａ、２６１ａの外周および挿入規制部２５１ｂ、２６１ｂの下面に金属ペーストＸを塗布する。次に、図１１（ｂ）に示すように、金属片２５１、２６１を貫通孔２１３、２１５に挿入する。これにより、金属片２５１、２６１と貫通孔２１３、２１５の内周面との間に金属ペーストＸからなる金属ペースト層Ｘ１が配置される。次に、図１１（ｃ）に示すように、セラミックス焼結体基板２１１の下面に金属ペーストＹを実装端子２５５、２６５に対応した形状に配置し、金属ペースト層Ｙ１、Ｙ２を形成する。
このような第４実施形態によっても、前述した第１実施形態と同様の効果を発揮することができる。
【００８２】
＜第５実施形態＞
図１２は、本発明の第５実施形態にかかる電子デバイスが有するベース基板の断面図である。図１３は、図１２に示すベース基板の製造方法を説明する断面図である。
以下、第５実施形態にかかる配線基板の製造方法および配線基板について、前述した実施形態との相違点を中心に説明し、同様の事項については、その説明を省略する。
本発明の第５実施形態の配線基板の製造方法および配線基板は、金属片２５１、２６１が内部端子２５３、２６３および実装端子２５５、２６５を兼ねていること以外は、前述した第１実施形態と同様である。なお、前述した実施形態と同様の構成には、同一符号を付してある。
【００８３】
≪ベース基板≫
図１２に示すように、本実施形態のベース基板２１０では、セラミックス焼結体基板２１１の貫通孔２１３に一対の金属片２５１（２５１’、２５１”）が配置されている。一方の金属片２５１’は、セラミックス焼結体基板２１１の上面側から貫通孔２１３に挿入されており、その挿入規制部２５１ｂが内部端子２５３を兼ねている。一方、他方の金属片２５１”は、セラミックス焼結体基板２１１の下面側から貫通孔２１３に挿入されており、その挿入規制部２５１ｂが実装端子２５５を兼ねている。また、金属片２５１’、２５１”の挿入部２５１ａ同士が貫通孔２１３内で突き当て接触しており、これによりビアが形成されている。
【００８４】
同様に、セラミックス焼結体基板２１１の貫通孔２１５に一対の金属片２６１（２６１’、２６１”）が配置されている。一方の金属片２６１’は、セラミックス焼結体基板２１１の上面側から貫通孔２１５に挿入されており、その挿入規制部２６１ｂが内部端子２６３を兼ねている。一方、他方の金属片２６１”は、セラミックス焼結体基板２１１の下面側から貫通孔２１５に挿入されており、その挿入規制部２６１ｂが実装端子２６５を兼ねている。また、金属片２６１’、２６１”の挿入部２５１ａ同士が貫通孔２１３内で突き当て接触しており、これによりビアが形成されている。
このような構成とすることで、例えば、前述した第１実施形態と比較して、ベース基板２１０の構成が簡単なものとなる。
【００８５】
≪ベース基板の製造方法≫
本実施形態のベース基板２１０の製造方法は、前述した第１実施形態と同様に、第１工程と、第２工程と、第３工程と、を有しているが、第２工程が異なる以外は、第１実施形態のベース基板２１０の製造方法と同様であるため、以下では、第２工程のみを説明する。
【００８６】
［第２工程］
図１３（ａ）に示すように、まず、金属片２５１’、２５１”、２６１’、２６１”の挿入部２５１ａ、２６１ａの外周および挿入規制部２５１ｂ、２６１ｂの下面に金属ペーストＸを塗布する。次に、図１３（ｂ）に示すように、金属片２５１’を上側から貫通孔２１３に挿入し、金属片２５１”を下側から貫通孔２１３に挿入する。また、金属片２６１’を上側から貫通孔２１５に挿入し、金属片２６１”を下側から貫通孔２１５に挿入する。これにより、金属片２５１’、２５１”、２６１’、２６１”とセラミックス焼結体基板２１１との間に、金属ペーストＸからなる金属ペースト層Ｘ１が配置される。
このような第５実施形態によっても、前述した第１実施形態と同様の効果を発揮することができる。
【００８７】
＜第６実施形態＞
図１４は、本発明の第６実施形態にかかる電子デバイスが有するベース基板の製造方法を説明する断面図である。
以下、第６実施形態にかかる配線基板の製造方法および配線基板について、前述した実施形態との相違点を中心に説明し、同様の事項については、その説明を省略する。
本発明の第６実施形態の配線基板の製造方法および配線基板は、配線基板の製造方法が異なる以外は、前述した第１実施形態と同様である。なお、前述した実施形態と同様の構成には、同一符号を付してある。
【００８８】
≪ベース基板の製造方法≫
ベース基板２１０の製造方法は、貫通孔２１３、２１５を有するセラミックス未焼結体基板２１１Ａと、金属片２５１、２６１と、金属ペーストＸと、金属ペーストＹと、を用意する第１工程と、貫通孔２１３、２１５に金属片２５１、２６１を挿入し、金属片２５１、２６１とセラミックス未焼結体基板２１１Ａとの間に金属ペーストＸを配置し、セラミックス未焼結体基板２１１Ａの上下面に金属ペーストＹを配置する第２工程と、セラミックス未焼結体基板２１１Ａおよび金属ペーストＸ、Ｙを焼成して、セラミックス焼結体基板２１１、第１、第２金属配線２５０、２６０および第１、第２活性金属層２７０、２８０を形成する第３工程と、を含んでいる。
【００８９】
［第１工程］
−セラミックス未焼結体基板２１１Ａを準備する工程−
セラミックス未焼結体基板２１１Ａは、例えば、セラミックス粉末、焼結助剤、有機バインダー等が含まれている混合材料をシート状に成形してグリーンシートを得、このグリーンシートにパンチング加工、ドリル加工等によって貫通孔２１３、２１５を形成することで得られる。すなわち、セラミックス未焼結体基板２１１Ａは、焼結されていない基板である。
−金属ペーストＸ、Ｙおよび金属片２５１、２６１を準備する工程−
前述した第１実施形態と同様であるため、その説明を省略する。
【００９０】
［第２工程］
図１４（ａ）に示すように、まず、金属片２５１、２６１の挿入部２５１ａ、２６１ａの外周および挿入規制部２５１ｂ、２６１ｂの下面に金属ペーストＸを塗布する。次に、図１４（ｂ）に示すように、金属片２５１、２６１を貫通孔２１３、２１５に挿入する。これにより、金属片２５１、２６１とセラミックス未焼結体基板２１１Ａとの間に、金属ペーストＸからなる金属ペースト層Ｘ１が配置される。次に、図１４（ｃ）に示すように、セラミックス未焼結体基板２１１Ａの上面および下面に金属ペーストＹを内部端子２５３、２６３および実装端子２５５、２６５に対応した形状に配置し、金属ペースト層Ｙ１、Ｙ２を形成する。
【００９１】
［第３工程］
次に、セラミックス未焼結体基板２１１Ａおよび金属ペースト層Ｘ１、Ｙ１、Ｙ２を焼成処理し、図１４（ｄ）に示すように、セラミックス焼結体基板２１１、第１、第２活性金属層２７０、２８０および第１、第２金属配線２５０、２６０を形成する。前述の第１実施形態と同様に、本工程は、第１昇温工程４０１と、バインダー除去工程４０２と、第２昇温工程４０３と、焼成工程４０４と、冷却工程４０５と、を有しており、焼成工程４０４にて、セラミックス未焼結体基板２１１Ａおよび金属ペースト層Ｘ１、Ｙ１、Ｙ２を同時に焼成する。したがって、焼成工程４０４の温度（目標温度Ｔ２）は、セラミックス未焼結体基板２１１Ａの焼成温度および第１粒子Ａの融点よりも高く、かつ、第２粒子Ｂの融点よりも低い温度に設定される。
【００９２】
以上により、ベース基板２１０が得られる。
以上のようなベース基板２１０の製造方法によれば、例えば、第１実施形態の製造方法と比較して、焼成工程が減るので、その分、ベース基板２１０の製造工程が減り、より少ない工程でベース基板２１０を製造方法することができる。また、ベース基板２１０の熱履歴を低減することができるので、熱ダメージが減り、例えば、残留応力を低減することができる。
このような第６実施形態によっても、前述した第１実施形態と同様の効果を発揮することができる。
【００９３】
≪電子機器≫
次に、電子デバイス１００を備えた電子機器について説明する。
図１５は、本発明の電子機器を適用したモバイル型（またはノート型）のパーソナルコンピューターの構成を示す斜視図である。この図において、パーソナルコンピューター１１００は、キーボード１１０２を備えた本体部１１０４と、表示部１１０８を備えた表示ユニット１１０６とにより構成され、表示ユニット１１０６は、本体部１１０４に対しヒンジ構造部を介して回動可能に支持されている。このようなパーソナルコンピューター１１００にはフィルター、共振器、基準クロック等として機能する電子デバイス１００が内蔵されている。
【００９４】
図１６は、本発明の電子機器を適用した携帯電話機（ＰＨＳも含む）の構成を示す斜視図である。この図において、携帯電話機１２００は、複数の操作ボタン１２０２、受話口１２０４および送話口１２０６を備え、操作ボタン１２０２と受話口１２０４との間には、表示部１２０８が配置されている。このような携帯電話機１２００にはフィルター、共振器、基準クロック等として機能する電子デバイス１００が内蔵されている。
【００９５】
図１７は、本発明の電子機器を適用したディジタルスチルカメラの構成を示す斜視図である。なお、この図には、外部機器との接続についても簡易的に示されている。ここで、通常のカメラは、被写体の光像により銀塩写真フィルムを感光するのに対し、ディジタルスチルカメラ１３００は、被写体の光像をＣＣＤ（Charge Coupled Device）などの撮像素子により光電変換して撮像信号（画像信号）を生成する。
【００９６】
ディジタルスチルカメラ１３００におけるケース（ボディー）１３０２の背面には、表示部１３１０が設けられ、ＣＣＤによる撮像信号に基づいて表示を行う構成になっており、表示部は、被写体を電子画像として表示するファインダーとして機能する。また、ケース１３０２の正面側（図中裏面側）には、光学レンズ（撮像光学系）やＣＣＤなどを含む受光ユニット１３０４が設けられている。
【００９７】
撮影者が表示部に表示された被写体像を確認し、シャッターボタン１３０６を押下すると、その時点におけるＣＣＤの撮像信号が、メモリー１３０８に転送・格納される。また、このディジタルスチルカメラ１３００においては、ケース１３０２の側面に、ビデオ信号出力端子１３１２と、データ通信用の入出力端子１３１４とが設けられている。そして、図示されるように、ビデオ信号出力端子１３１２にはテレビモニター１４３０が、デ−タ通信用の入出力端子１３１４にはパーソナルコンピューター１４４０が、それぞれ必要に応じて接続される。さらに、所定の操作により、メモリー１３０８に格納された撮像信号が、テレビモニター１４３０や、パーソナルコンピューター１４４０に出力される構成になっている。このようなディジタルスチルカメラ１３００には、フィルター、共振器、基準クロック等として機能する電子デバイス１００が内蔵されている。
【００９８】
なお、電子デバイスを備える電子機器は、図１５のパーソナルコンピューター（モバイル型パーソナルコンピューター）、図１６の携帯電話機、図１７のディジタルスチルカメラの他にも、例えば、インクジェット式吐出装置（例えばインクジェットプリンター）、ラップトップ型パーソナルコンピューター、テレビ、ビデオカメラ、ビデオテープレコーダー、カーナビゲーション装置、ページャ、電子手帳（通信機能付も含む）、電子辞書、電卓、電子ゲーム機器、ワードプロセッサー、ワークステーション、テレビ電話、防犯用テレビモニター、電子双眼鏡、ＰＯＳ端末、医療機器（例えば電子体温計、血圧計、血糖計、心電図計測装置、超音波診断装置、電子内視鏡）、魚群探知機、各種測定機器、計器類（例えば、車両、航空機、船舶の計器類）、フライトシミュレーター等に適用することができる。
【００９９】
≪移動体≫
次に、電子デバイス１００を備えた移動体について説明する。
図１８は、本発明の移動体を適用した自動車を示す斜視図である。自動車１５００には、電子デバイス１００が搭載されている。電子デバイス１００は、例えば、キーレスエントリー、イモビライザー、カーナビゲーションシステム、カーエアコン、アンチロックブレーキシステム（ＡＢＳ）、エアバック、タイヤ・プレッシャー・モニタリング・システム（ＴＰＭＳ：Tire Pressure Monitoring System）、エンジンコントロール、ハイブリッド自動車や電気自動車の電池モニター、車体姿勢制御システム、等の電子制御ユニット（ＥＣＵ：electronic control unit）に広く適用できる。
【０１００】
以上、本発明の配線基板の製造方法、配線基板、電子デバイス、電子機器および移動体について、図示の実施形態に基づいて説明したが、本発明はこれに限定されるものではなく、各部の構成は、同様の機能を有する任意の構成のものに置換することができる。また、本発明に、他の任意の構成物が付加されていてもよい。また、各実施形態を適宜組み合わせてもよい。
【符号の説明】
【０１０１】
１００……電子デバイス  ２００……パッケージ  ２１０……ベース基板  ２１１……セラミックス焼結体基板  ２１１Ａ……セラミックス未焼結体基板  ２１３、２１５……貫通孔  ２１３ａ、２１５ａ……凹部  ２１３ｂ、２１５ｂ……貫通孔  ２３０……リッド  ２３１……本体  ２３３……フランジ  ２４０……メタライズ層  ２５０……第１金属配線  ２５１、２５１’、２５１”……金属片  ２５１ａ……挿入部  ２５１ｂ……挿入規制部  ２５３……内部端子  ２５５……実装端子  ２６０……第２金属配線  ２６１、２６１’、２６１”……金属片  ２６１ａ……挿入部  ２６１ｂ……挿入規制部  ２６３……内部端子  ２６５……実装端子  ２７０……第１活性金属層  ２８０……第２活性金属層  ２９１、２９２……導電性接着剤  ３００……振動素子  ３１０……圧電基板  ３２０……励振電極  ３２１……電極部  ３２２……ボンディングパッド  ３２３……配線  ３３０……励振電極  ３３１……電極部  ３３２……ボンディングパッド  ３３３……配線  ４０１……第１昇温工程  ４０２……バインダー除去工程  ４０３……第２昇温工程  ４０４……焼成工程  ４０５……冷却工程  １１００……パーソナルコンピューター  １１０２……キーボード  １１０４……本体部  １１０６……表示ユニット  １１０８……表示部  １２００……携帯電話機  １２０２……操作ボタン  １２０４……受話口  １２０６……送話口  １２０８……表示部  １３００……ディジタルスチルカメラ  １３０２……ケース  １３０４……受光ユニット  １３０６……シャッターボタン  １３０８……メモリー  １３１０……表示部  １３１２……ビデオ信号出力端子  １３１４……入出力端子  １４３０……テレビモニター  １４４０……パーソナルコンピューター  １５００……自動車  Ａ……第１粒子  Ｂ……第２粒子  Ｃ……バインダー  Ｓ……収納空間  Ｔ１、Ｔ２……目標温度  Ｘ、Ｙ……金属ペースト  Ｘ、Ｙ１、Ｙ２……金属ペースト層
【図１】
2015153806.tif 000003
【図２】
2015153806.tif 000004
【図３】
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【図４】
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【図５】
2015153806.tif 000007
【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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