(57)【要約】【課題】薬液雰囲気が処理槽の周囲に拡散するのを抑制することである。【解決手段】本発明に係る基板処理装置は、基板ホルダに保持された基板を収納し、前記基板を処理するための処理槽と、基板ホルダを支持し、基板ホルダを処理槽に収納し、及び処理槽から取り出すように構成されたリフタと、リフタにより処理槽から取り出された基板ホルダの周囲を覆うように構成されたカバーと、を有する。【選択図】図１５
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板を保持した基板ホルダを収納し、前記基板を処理するための処理槽と、
前記基板ホルダを支持し、前記基板ホルダを前記処理槽に収納し、且つ前記処理槽から取り出すように構成されたリフタと、
前記リフタにより前記処理槽から取り出された前記基板ホルダの周囲を覆うように構成されたカバーと、を有する基板処理装置。
【請求項２】
前記カバーは、可動部と、前記可動部を駆動して前記カバーを開閉させるカバー駆動部と、を有する、請求項１に記載された基板処理装置。
【請求項３】
前記基板ホルダを搬送し、前記リフタと前記基板ホルダの受け渡しを行う搬送機を有し、
前記カバー駆動部は、前記搬送機が前記リフタと前記基板ホルダの受け渡しを行うときに、前記可動部を駆動して前記カバーを開ける、請求項２に記載された基板処理装置。
【請求項４】
前記可動部の一端が取り付けられる固定部を有し、
前記カバーは、前記可動部の一端を前記固定部に回動可能に取り付けるヒンジを有し、
前記カバー駆動部は、前記可動部を前記ヒンジを中心に回動させて前記カバーを開閉する、請求項３に記載された基板処理装置。
【請求項５】
前記搬送機は、前記基板ホルダを把持する把持部と、前記把持部に把持された前記基板ホルダを搬送する搬送部とを有し、
前記把持部は、前記基板の面内方向が水平方向を向いた状態で前記基板ホルダを把持するように構成され、
前記搬送部は、前記基板の面内方向が水平方向を向いた状態で、前記基板ホルダを前記カバーの上方を搬送するように構成される、請求項３又は４に記載された基板処理装置。
【請求項６】
前記搬送機は、前記基板ホルダを把持した前記把持部を、前記基板の面内方向が鉛直方向を向くように旋回駆動させる駆動機構を有し、
前記リフタは、前記基板の面内方向が鉛直方向を向いた状態で把持された前記基板ホルダを前記搬送機から受け取るように構成される、請求項５に記載された基板処理装置。
【請求項７】
前記カバーは、前記処理槽の上方に位置し、
前記カバーは、下方に位置する前記処理槽に対して前記基板ホルダの収納又は取り出しを行うための開口部を底部に有する、請求項１ないし６のいずれか一項に記載された基板処理装置。
【請求項８】
前記カバーの内部を排気する排気部を有する、請求項１ないし７のいずれか一項に記載された基板処理装置。
【請求項９】
前記リフタを水平方向に移動させる水平移動機構を有する、請求項１ないし８のいずれか一項に記載された基板処理装置。
【請求項１０】
前記処理槽は、前記処理槽の開口部を開閉可能なシャッタを有する、請求項１ないし９のいずれか一項に記載された基板処理装置。
【請求項１１】
前記処理槽は、有機溶剤を用いて前記基板を処理するための槽である、請求項１ないし１０のいずれか一項に記載された基板処理装置。
【請求項１２】
基板を保持した基板ホルダを収納し、前記基板を処理するための第１のレジスト剥離槽と、
前記第１のレジスト剥離槽で処理された前記基板を保持する複数の前記基板ホルダを収納し、前記基板を処理するための第２のレジスト剥離槽と、
前記第２のレジスト剥離槽で処理された前記基板を保持する前記基板ホルダを収納し、前記基板を処理するための第３のレジスト剥離槽と、を備え、
前記第１のレジスト剥離槽は、前記基板に対して処理液を噴霧するように構成された噴霧部を有し、
前記第２のレジスト剥離槽及び前記第３のレジスト剥離槽は、前記基板を浸漬するための処理液を収容する、レジスト剥離装置。
【請求項１３】
前記第１のレジスト剥離槽、前記第２のレジスト剥離槽、及び前記第３のレジスト剥離槽は、前記基板を保持した前記基板ホルダを、前記基板の面内方向が鉛直方向を向くように収納する、請求項１２に記載されたレジスト剥離装置。
【請求項１４】
前記第２のレジスト剥離槽に収納された複数の前記基板ホルダを同時に水平方向に移送する基板ホルダ移送機構を有する、請求項１２又は１３に記載されたレジスト剥離装置。
【請求項１５】
前記第２のレジスト剥離槽は、前記基板ホルダを載置する載置台を有し、
前記基板ホルダ移送機構は、前記載置台に載置された前記基板ホルダを支持するための支持部と、前記支持部を鉛直方向に駆動させる鉛直駆動機構と、前記支持部を水平方向に駆動させる水平駆動機構と、を有する、請求項１４に記載されたレジスト剥離装置。
【請求項１６】
前記第２のレジスト剥離槽は、前記基板ホルダを収納するための開口部と、前記開口部を覆う蓋部を有し、
前記蓋部は、前記基板ホルダを前記開口部に収納するための入口開口部と、前記基板ホルダを前記開口部から取り出すための出口開口部と、前記入口開口部及び前記出口開口部を開閉するためのシャッタと、を有する、請求項１２ないし１５のいずれか一項に記載されたレジスト剥離装置。
【請求項１７】
前記第１のレジスト剥離槽と前記第２のレジスト剥離槽を接続する第１の配管と、
前記第２のレジスト剥離槽と前記第３のレジスト剥離槽を接続する第２の配管と、
前記第２のレジスト剥離槽で使用した処理液を、前記第１の配管を通じて前記第１のレジスト剥離槽へ輸送する第１の輸送機構と、
前記第３のレジスト剥離槽で使用した処理液を、前記第２の配管を通じて前記第２のレジスト剥離槽へ輸送する第２の輸送機構と、を有する、請求項１２ないし１６のいずれか一項に記載されたレジスト剥離装置。
【請求項１８】
前記第１のレジスト剥離槽、前記第２のレジスト剥離槽、及び前記第３のレジスト剥離槽の少なくとも１つは、収納された前記基板ホルダを鉛直方向に揺動させる揺動機構を有する、請求項１２ないし１７のいずれか一項に記載されたレジスト剥離装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体ウェハ等の基板を処理する基板処理装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、半導体ウェハ等の表面に設けられた微細な配線用溝、ホール、又はレジスト開口部に配線を形成したり、半導体ウェハ等の表面にパッケージの電極等と電気的に接続するバンプ（突起状電極）を形成したりすることが行われている。この配線及びバンプを形成する方法として、例えば、電解めっき法、蒸着法、印刷法、ボールバンプ法等が知られているが、半導体チップのＩ／Ｏ数の増加、細ピッチ化に伴い、微細化が可能で性能が比較的安定している電解めっき法が多く用いられるようになってきている。
【０００３】
電界めっき法でレジスト開口部に配線を形成するプロセスにおいては、レジスト開口部に配線が形成された後、基板上に形成されているレジストの剥離及びシード層（又はバリアメタル）のエッチングが行われる。
【０００４】
基板上に形成されているレジストは、たとえば有機溶剤等の薬液が収容された処理槽に基板を浸漬することにより、剥離される。ここで、基板を処理槽に出し入れする際に、基板に付着した薬液が揮発すること等により、有害な薬液雰囲気が拡散することになる。
【０００５】
そこで、レジスト剥離装置において、処理槽と他の槽との境界部分に隔壁を設けることや、エアカーテン手段を設けることが知られている（特許文献１参照）。隔壁は基板搬送の障害になるので、これを防ぐために、隔壁に基板搬送のための開放部分を設ける必要がある。しかしながら、この開放部分から薬液雰囲気が拡散する恐れがある。また、エアカーテンでは、薬液雰囲気の隔離性が十分でなく、場合によっては薬液雰囲気をかえって拡散させる恐れがある。
【０００６】
なお、レジスト剥離装置に限らず、シード層、バリアメタル又は酸化膜等を除去するエッチング装置においても、エッチング液の種類によっては、有害な薬液雰囲気が拡散するという同様の問題が生じる。また、ＩＰＡ（Ｉｓｏ−Ｐｒｏｐｙｌ  Ａｌｃｏｈｏｌ）を用いる、いわゆるプリウェット処理や洗浄処理においても、揮発したＩＰＡが拡散するという問題がある。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００７】
【特許文献１】実開昭６２−４０８２５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
本発明は上記問題に鑑みてなされたものであり、その目的は、薬液雰囲気が処理槽の周囲に拡散するのを抑制することである。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
上記目的を達成するため、本発明の第１形態に係る基板処理装置は、基板を保持した基板ホルダを収納し、前記基板を処理するための処理槽と、前記基板ホルダを支持し、前記基板ホルダを前記処理槽に収納し、且つ前記処理槽から取り出すように構成されたリフタと、前記リフタにより前記処理槽から取り出された前記基板ホルダの周囲を覆うように構成されたカバーと、を有する。
【００１０】
上記目的を達成するため、本発明の第２形態に係る基板処理装置は、第１形態の基板処理装置において、前記カバーが、可動部と、前記可動部を駆動して前記カバーを開閉させるカバー駆動部と、を有する。
【００１１】
上記目的を達成するため、本発明の第３形態に係る基板処理装置は、第２形態の基板処理装置において、前記基板ホルダを搬送し、前記リフタと前記基板ホルダの受け渡しを行う搬送機を有し、前記カバー駆動部は、前記搬送機が前記リフタと前記基板ホルダの受け渡しを行うときに、前記可動部を駆動して前記カバーを開ける。
【００１２】
上記目的を達成するため、本発明の第４形態に係る基板処理装置は、第３形態の基板処理装置において、前記可動部の一端が取り付けられる固定部を有し、前記カバーは、前記可動部の一端を前記固定部に回動可能に取り付けるヒンジを有し、前記カバー駆動部は、前記可動部を前記ヒンジを中心に回動させて前記カバーを開閉する。
【００１３】
上記目的を達成するため、本発明の第５形態に係る基板処理装置は、第３形態又は第４形態の基板処理装置において、前記搬送機は、前記基板ホルダを把持する把持部と、前記把持部に把持された前記基板ホルダを搬送する搬送部とを有し、前記把持部は、前記基板の面内方向が水平方向を向いた状態で前記基板ホルダを把持するように構成され、前記搬送部は、前記基板の面内方向が水平方向を向いた状態で、前記基板ホルダを前記カバーの上方を搬送するように構成される。
【００１４】
上記目的を達成するため、本発明の第６形態に係る基板処理装置は、第５形態の基板処理装置において、前記搬送機が、前記基板ホルダを把持した前記把持部を、前記基板の面内方向が鉛直方向を向くように旋回駆動させる駆動機構を有し、前記リフタが、前記基板の面内方向が鉛直方向を向いた状態で把持された前記基板ホルダを前記搬送機から受け取るように構成される。
【００１５】
上記目的を達成するため、本発明の第７形態に係る基板処理装置は、第１形態ないし第６形態のいずれかの基板処理装置において、前記カバーが、前記処理槽の上方に位置し、前記カバーが、下方に位置する前記処理槽に対して前記基板ホルダの収納又は取り出しを行うための開口部を底部に有する。
【００１６】
上記目的を達成するため、本発明の第８形態に係る基板処理装置は、第１形態ないし第７形態のいずれかの基板処理装置において、前記カバーの内部を排気する排気部を有する。
【００１７】
上記目的を達成するため、本発明の第９形態に係る基板処理装置は、第１形態ないし第８形態のいずれかの基板処理装置において、前記リフタを水平方向に移動させる水平移動機構を有する。
【００１８】
上記目的を達成するため、本発明の第１０形態に係る基板処理装置は、第１形態ないし第９形態のいずれかの基板処理装置において、前記処理槽が、前記処理槽の開口部を開閉可能なシャッタを有する。
【００１９】
上記目的を達成するため、本発明の第１１形態に係る基板処理装置は、第１形態ないし第１０形態のいずれかの基板処理装置において、前記処理槽が、有機溶剤を用いて前記基板を処理するための槽である。
【００２０】
上記目的を達成するため、本発明の第１２形態に係る基板処理装置は、基板を保持した
基板ホルダを収納し、前記基板を処理するための第１のレジスト剥離槽と、前記第１のレジスト剥離槽で処理された前記基板を保持する複数の前記基板ホルダを収納し、前記基板を処理するための第２のレジスト剥離槽と、前記第２のレジスト剥離槽で処理された前記基板を保持する前記基板ホルダを収納し、前記基板を処理するための第３のレジスト剥離槽と、を備え、前記第１のレジスト剥離槽は、前記基板に対して処理液を噴霧するように構成された噴霧部を有し、前記第２のレジスト剥離槽及び前記第３のレジスト剥離槽は、前記基板を浸漬するための処理液を収容する。
【００２１】
本発明の第１３形態に係る基板処理装置は、第１２形態の基板処理装置において、前記第１のレジスト剥離槽、前記第２のレジスト剥離槽、及び前記第３のレジスト剥離槽が、前記基板を保持した前記基板ホルダを、前記基板の面内方向が鉛直方向を向くように収納する。
【００２２】
本発明の第１４形態に係る基板処理装置は、第１２形態又は第１３形態の基板処理装置において、前記第２のレジスト剥離槽に収納された複数の前記基板ホルダを同時に水平方向に移送する基板ホルダ移送機構を有する。
【００２３】
本発明の第１５形態に係る基板処理装置は、第１４形態の基板処理装置において、前記第２のレジスト剥離槽が、前記基板ホルダを載置する載置台を有し、前記基板ホルダ移送機構は、前記載置台に載置された前記基板ホルダを支持するための支持部と、前記支持部を鉛直方向に駆動させる鉛直駆動機構と、前記支持部を水平方向に駆動させる水平駆動機構と、を有する。
【００２４】
本発明の第１６形態に係る基板処理装置は、第１２形態ないし第１５形態のいずれかの基板処理装置において、前記第２のレジスト剥離槽が、前記基板ホルダを収納するための開口部と、前記開口部を覆う蓋部を有し、前記蓋部が、前記基板ホルダを前記開口部に収納するための入口開口部と、前記基板ホルダを前記開口部から取り出すための出口開口部と、前記入口開口部及び前記出口開口部を開閉するためのシャッタと、を有する。
【００２５】
本発明の第１７形態に係る基板処理装置は、第１２形態ないし第１６形態のいずれかの基板処理装置において、前記第１のレジスト剥離槽と前記第２のレジスト剥離槽を接続する第１の配管と、前記第２のレジスト剥離槽と前記第３のレジスト剥離槽を接続する第２の配管と、前記第２のレジスト剥離槽で使用した処理液を、前記第１の配管を通じて前記第１のレジスト剥離槽へ輸送する第１の輸送機構と、前記第３のレジスト剥離槽で使用した処理液を、前記第２の配管を通じて前記第２のレジスト剥離槽へ輸送する第２の輸送機構と、を有する。
【００２６】
本発明の第１８形態に係る基板処理装置は、第１２形態ないし第１７形態のいずれかの基板処理装置において、前記第１のレジスト剥離槽、前記第２のレジスト剥離槽、及び前記第３のレジスト剥離槽の少なくとも１つは、収納された前記基板ホルダを鉛直方向に揺動させる揺動機構を有する。
【発明の効果】
【００２７】
本発明によれば、薬液雰囲気が処理槽の周囲に拡散するのを抑制することができる。
【図面の簡単な説明】
【００２８】
【図１】一実施形態に係る基板処理装置の概略平面図である。
【図２】フィキシングユニット及びエッチングユニットを示す概略斜視図である。
【図３】基板ホルダの斜視図である。
【図４】ホルダ部の拡大斜視図である。
【図５】フィキシングユニットの概略側断面図である。
【図６】基板搬送装置の斜視図である。
【図７】基板搬送装置の側面図である。
【図８】基板搬送装置の上面図である。
【図９】把持機構の部分拡大図である。
【図１０】把持機構が基板ホルダを把持した状態を示す側面図である。
【図１１】把持機構が基板ホルダの把持を解除した状態を示す側面図である。
【図１２】ＦＦＵを備える基板搬送装置を示す斜視図である。
【図１３】ＦＦＵを備える基板搬送装置を示す側面図である。
【図１４】リフタを示す斜視図である。
【図１５】開いた状態のカバーを備えたリフタの斜視図である。
【図１６】閉じた状態のカバーを備えたリフタの斜視図である。
【図１７】リフタと基板搬送装置とで基板ホルダを受け渡すときの、リフタ、基板搬送装置、カバー、及び処理槽の概略側断面図である。
【図１８】単数又は２つの基板ホルダを収納する処理槽の概略斜視図である。
【図１９】図１８に示した１７−１７断面における蓋部の概略断面図である。
【図２０】複数の基板ホルダを収納する処理槽の概略側面図である。
【図２１】エッチングユニットを構成する処理槽を示す概略図である。
【図２２】エッチングユニットを構成する処理槽の他の例を示す概略図である。
【図２３】図２１に示したエッチングユニットと図２２に示したエッチングユニットとを比較する図である。
【図２４】レジスト剥離ユニットを構成する処理槽を示す概略図である。
【図２５】基板ホルダ移送機構を備えた第２のストリッピング槽の概略斜視図である。
【図２６】基板ホルダ載置台及び基板ホルダ支持部と接触する基板ホルダのアーム部上の位置を示すための基板ホルダの平面図である。
【図２７】基板ホルダ移送機構が基板ホルダを移送するステップを示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００２９】
以下、本発明の実施形態について図面を参照して説明する。以下で説明する図面において、同一のまたは相当する構成要素には、同一の符号を付して重複した説明を省略する。
【００３０】
図１は、本発明の一実施形態に係る基板処理装置の概略平面図である。
図１に示すように、この基板処理装置２５０には、半導体ウェハ等の基板を収納した４台のカセット３０ａ，３０ｂ，３０ｃ，３０ｄと、処理後の基板を乾燥させる２台の基板乾燥機３１ａ，３１ｂと、基板ホルダに対して基板の着脱を行うフィキシングユニット４０ａ，４０ｂと、これらのユニット間で基板を搬送する２台のロボットハンド３２ａ，３２ｂが配置されている。なお、基板乾燥機３１ａ、３１ｂが配置される位置に、それぞれ２台の基板乾燥機を上下方向に配置して、基板処理装置２５０に４台の基板乾燥機を配置するようにしてもよい。
【００３１】
後述するレジスト剥離ユニット１４０で処理される基板は、カセット３０ａ又はカセット３０ｂからロボットハンド３２ａにより取り出され、フィキシングユニット４０ａに搬送される。フィキシングユニット４０ａにて基板ホルダに装着された基板は、その後レジスト剥離ユニット１４０でレジストが剥離される。レジスト剥離ユニット１４０でレジストが剥離された基板は、フィキシングユニット４０ａにおいて基板ホルダから取り出される。基板ホルダから取り出された基板は、ロボットハンド３２ａによりフィキシングユニット４０ａから基板乾燥機３１ａに搬送される。基板は、基板乾燥機３１ａにより、ＩＰＡおよびＤＩＷ（Ｄｅ−Ｉｏｎｉｚｅｄ  Ｗａｔｅｒ）を用いて洗浄および乾燥される。乾燥した基板は、ロボットハンド３２ａによりカセット３０ａ又はカセット３０ｂに戻される。
【００３２】
同様に、後述するエッチングユニット１１０でエッチング処理される基板は、カセット３０ｃ又はカセット３０ｄからロボットハンド３２ｂにより取り出され、フィキシングユニット４０ｂに搬送される。フィキシングユニット４０ｂにて基板ホルダに装着された基板は、その後エッチングユニット１１０でエッチング処理される。エッチングユニット１１０でエッチング処理がされた基板は、フィキシングユニット４０ｂにおいて基板ホルダから取り出される。基板ホルダから取り出された基板は、ロボットハンド３２ｂによりフィキシングユニット４０ｂから基板乾燥機３１ｂに搬送される。基板は、基板乾燥機３１ｂにより、ＩＰＡおよびＤＩＷを用いて洗浄および乾燥される。乾燥した基板は、ロボットハンド３２ｂによりカセット３０ｃ又はカセット３０ｄに戻される。
【００３３】
また、基板処理装置２５０には、基板に形成されたレジストを剥離する処理を行うレジスト剥離ユニット１４０が設けられている。レジスト剥離ユニット１４０は、基板表面の親水性を向上させるための２つのプリウェット槽１４５ａ，１４５ｂと、基板に形成されたレジストを剥離するための３つのレジスト剥離モジュール１５０とを備えている。レジスト剥離モジュール１５０は、それぞれ複数の槽から構成される。プリウェット槽１４５ａ，１４５ｂは、プリウェット槽１４５ａ，１４５ｂに対して基板ホルダの収納又は取り出しを行う水平移動可能なリフタ７０を、槽の両側に沿って備えている。同様に、レジスト剥離モジュール１５０は、レジスト剥離モジュール１５０を構成する複数の槽に対して基板ホルダの収納又は取り出しを行う水平移動可能なリフタ７０を、槽の両側に沿って備えている。また、レジスト剥離ユニット１４０は、フィキシングユニット４０ａ、プリウェット槽１４５ａ，１４５ｂが備えるリフタ７０、及びレジスト剥離モジュール１５０が備えるリフタ７０との間で基板を搬送する基板搬送装置５０ａ（搬送機）を備えている。
【００３４】
基板のレジストを剥離するときは、基板を保持した基板ホルダが、フィキシングユニット４０ａから基板搬送装置５０ａに受け渡され、基板搬送装置５０ａによりプリウェット槽１４５ａ，１４５ｂが備えるリフタ７０に受け渡される。リフタ７０は、受け渡された基板ホルダをプリウェット槽１４５ａ及びプリウェット槽１４５ｂのうち、空いている方の槽に収納する。基板は、プリウェット槽１４５ａ又はプリウェット槽１４５ｂにおいてＤＩＷ及びＩＰＡを吹き付けられる。プリウェット槽１４５ａ又はプリウェット槽１４５ｂで基板が処理された後、基板ホルダは、リフタ７０によりプリウェット槽１４５ａ又はプリウェット槽１４５ｂから取り出され、基板搬送装置５０ａに受け渡される。基板ホルダは、基板搬送装置５０ａによりいずれかのレジスト剥離モジュール１５０が有するリフタ７０に受け渡され、リフタ７０によりレジスト剥離モジュール１５０の処理槽に収納される。基板がレジスト剥離モジュール１５０で処理された後、基板ホルダは、レジスト剥離モジュール１５０が有するリフタ７０により処理槽から取り出され、基板搬送装置５０ａに受け渡される。基板ホルダは、基板搬送装置５０ａにより、フィキシングユニット４０ａに戻される。
【００３５】
また、基板処理装置２５０には、基板に形成されたシード層のエッチングを行うエッチングユニット１１０が設けられている。エッチングユニット１１０は、基板表面の親水性を向上させるための２つのプリウェット槽１１５ａ，１１５ｂと、基板に形成されたシード層をエッチングするための３つのエッチングモジュール１２０とを備えている。エッチングモジュール１２０は、それぞれ複数の槽から構成される。プリウェット槽１１５ａ，１１５ｂは、プリウェット槽１１５ａ，１１５ｂに対して基板ホルダの収納又は取り出しを行うリフタ７０を、槽の両側に沿って備えている。同様に、エッチングモジュール１２０は、エッチングモジュール１２０を構成する複数の槽に対して基板ホルダの収納又は取り出しを行うリフタ７０を、槽の両側に沿って備えている。また、エッチングユニット１１０は、フィキシングユニット４０ｂ、プリウェット槽１１５ａ，１１５ｂが備えるリフタ７０、及びエッチングモジュール１２０が備えるリフタ７０との間で基板を搬送する基
板搬送装置５０ｂ（搬送機）を備えている。
【００３６】
基板のシード層をエッチングするときは、基板を保持した基板ホルダが、フィキシングユニット４０ｂから基板搬送装置５０ｂに受け渡され、基板搬送装置５０ｂによりプリウェット槽１１５ａ，１１５ｂが備えるリフタ７０に受け渡される。リフタ７０は、受け渡された基板ホルダをプリウェット槽１１５ａ及びプリウェット槽１１５ｂのうち、空いている方の槽に収納する。基板は、プリウェット槽１１５ａ又はプリウェット槽１１５ｂにおいてＤＩＷ又はＩＰＡを吹き付けられる。プリウェット槽１１５ａ又はプリウェット槽１１５ｂで基板が処理された後、基板ホルダは、リフタ７０によりプリウェット槽１１５ａ又はプリウェット槽１１５ｂから取り出され、基板搬送装置５０ｂに受け渡される。基板ホルダは、基板搬送装置５０ｂによりいずれかのエッチングモジュール１２０が有するリフタ７０に受け渡され、リフタ７０によりエッチングモジュール１２０の処理槽に収納される。基板がエッチングモジュール１２０で処理された後、基板ホルダは、エッチングモジュール１２０が有するリフタ７０により処理槽から取り出され、基板搬送装置５０ｂに受け渡される。基板ホルダは、基板搬送装置５０ｂにより、フィキシングユニット４０ｂに戻される。
【００３７】
図示のように、基板処理装置２５０では、カセット３０ａ，３０ｂ、基板乾燥機３１ａ、ロボットハンド３２ａ、フィキシングユニット４０ａ、及びレジスト剥離ユニット１４０に対して、カセット３０ｃ，３０ｄ、基板乾燥機３１ｂ、ロボットハンド３２ｂ、フィキシングユニット４０ｂ、及びエッチングユニット１１０が略対称の位置関係となるように構成されている。
【００３８】
次に、図１に示したフィキシングユニット４０ｂ及びエッチングユニット１１０の位置関係について説明する。図２は、図１に示したフィキシングユニット４０ｂ及びエッチングユニット１１０を示す概略斜視図である。なお、図２においては、便宜上、プリウェット槽１１５ａ，１１５ｂ及び２つのエッチングモジュール１２０は図示省略されている。
【００３９】
図示のように、フィキシングユニット４０ｂ及びエッチングユニット１１０は、直線状に整列して配置される。プリウェット槽１１５ａ，１１５ｂ（図示省略）及び３つのエッチングモジュール１２０（図中１つのみ示される）は、槽の側方に、整列方向に沿って配置されたリフタ７０を夫々備える。各リフタ７０は、各処理槽の一端から他端まで、水平方向に移動可能に構成される。即ち、各リフタ７０は、図中破線で示すリフタ７０の位置まで移動することができる。
【００４０】
基板搬送装置５０ｂは、基板ホルダ８０がフィキシングユニット４０ｂ及びエッチングユニット１１０上を通過するように、基板ホルダ８０を搬送する。
リフタ７０は、それぞれ、リフタ７０に支持された基板ホルダ８０の周囲を覆うように構成されたカバー９０を備える。なお、図中エッチングモジュール１２０が有するリフタ７０においては、カバー９０が省略されている。
【００４１】
図１に示したフィキシングユニット４０ａ及びレジスト剥離ユニット１４０についても、基板搬送装置５０ａの位置が異なる以外は、図２に示したフィキシングユニット４０ｂ及びエッチングユニット１１０と同様の位置関係を有する。したがって、フィキシングユニット４０ａ及びレジスト剥離ユニット１４０についての位置関係の説明は省略する。
【００４２】
次に、図２に示した基板ホルダ８０、フィキシングユニット４０ｂ、基板搬送装置５０ｂ、リフタ７０、カバー９０、及びエッチングユニット１１０、並びに図１に示したレジスト剥離ユニット１４０の詳細について、順に説明する。
【００４３】
＜基板ホルダ＞
図３は基板ホルダ８０の斜視図である。
図示のように、基板ホルダ８０は、細長く形成された板状部材である基部８１と、図２に示した２つのアーム部８２−１，８２−２と、基板を保持するための２つのホルダ部８３−１，８３−２とを有する。基部８１とアーム部８２−１，８２−２とホルダ部８３−１，８３−２が交わる箇所が基板ホルダ８０の被把持部８５−１，８５−２であり、被把持部８５−１，８５−２が基板搬送装置５０に把持される。アーム部８２−１，８２−２は、基部８１の両端から延在して形成される板状部材である。アーム部８２−１，８２−２は後述するように基板ホルダ８０を処理槽に浸漬した際に処理槽の側壁に懸架される部分であり、また、リフタ７０により支持される部分である。ホルダ部８３−１，８３−２は、基部８１の両端から、基部８１の長手方向に対して略直角方向に形成された、略Ｌ字状の板状部材である。基板ホルダ８０は、ホルダ部８３−１とホルダ部８３−２との間の空間８４に、半導体ウェハなどの基板を収容し、保持することができる。
【００４４】
図４は図３に示すホルダ部８３−１の拡大斜視図である。図４においては、基板ホルダ８０が基板を保持している状態が示されている。
ホルダ部８３−１は、ホルダ部８３−２と対向する面、即ち図３に示した空間８４に対向する面に沿って複数のスリット８４ａ，８４ｂ，８４ｃを有している。また、図示していないが、ホルダ部８３−２も、ホルダ部８３−１と対向する面に沿ってホルダ部８３−１と同様の複数のスリットを有している。基板Ｗは、その外周部がホルダ部８３−１のスリット８４ａ，８４ｂ，８４ｃとホルダ部８３−２のスリットにはめ込まれることで、基板ホルダ８０に保持される。これにより、基板ホルダ８０を水平にしたときに、基板Ｗが基板ホルダ８０から落下することを抑制することができる。
【００４５】
＜フィキシングユニット＞
図５は図２に示したフィキシングユニット４０ｂの概略側断面図である。なお、フィキシングユニット４０ａも同様の構成を有するので、説明を省略する。
フィキシングユニット４０ｂは、基板を保持していない複数の基板ホルダ８０を収納可能なホルダストッカ４３と、基板ホルダ８０に基板Ｗを着脱するためのハンド４２と、ハンド４２を鉛直方向及び水平方向に移動させるための駆動機構４１と、を備えている。
【００４６】
フィキシングユニット４０ｂは、さらに、ホルダストッカ４３に収納された基板ホルダ８０を取り出して所定の位置に移動させるための可動のホルダ受け爪４４と、ホルダ受け爪４４から基板ホルダ８０を受け取ってさらに別の位置に移動させる可動のホルダサポート４５とを備えている。
【００４７】
ホルダストッカ４３は、水平方向に形成された複数の支持棚４３ａをその内部に有する。即ち、複数の支持棚４３ａ間にはスリットが形成される。基板を保持していない基板ホルダ８０は、スリットに挿入されて、支持棚４３ａにより水平に支持される。
【００４８】
ホルダ受け爪４４は、基板ホルダ８０のホルダ部８３−１，８３−２（図３参照）を両外側から例えば４ヶ所保持する。ホルダ受け爪４４は、ホルダ部８３−１，８３−２を保持する状態と、そこから離れた状態とで開閉動作をすることができる。また、ホルダ受け爪４４は、基板ホルダがハンド４２から基板Ｗを受け渡される位置とホルダストッカ４３との間を上下に移動することができる。
【００４９】
ホルダサポート４５は、基板ホルダ８０がハンド４２から基板Ｗを受け渡される位置において、基板ホルダ８０を下方から支持して、ホルダ受け爪４４から基板ホルダ８０を受け取る。ホルダサポート４５は、ホルダ受け爪４４から受け取った基板ホルダ８０を、基板搬送装置５０ａ，５０ｂ（図２参照）のホルダクランプ６０に基板ホルダ８０を受け渡
す位置まで上昇する。
【００５０】
基板Ｗを基板ホルダ８０に装着するときは、まず、基板ホルダ８０が、ホルダ受け爪４４によりホルダストッカ４３からハンド４２の上方に移送される。駆動機構４１は、基板Ｗを下方から支持したハンド４２を上昇させ、基板Ｗを基板ホルダ８０の空間８４（図４参照）に位置させる。続いて駆動機構４１は、基板Ｗを支持したハンド４２を水平方向に移動させ、図４に示したスリット８４，８４ｂ，８４ｃに基板Ｗをはめ込む。基板Ｗを装着した基板ホルダ８０は、ホルダ受け爪４４からホルダサポート４５に受け渡され、ホルダサポート４５により、ホルダクランプ６０との受け渡し位置まで移動される。その後、基板ホルダ８０は、ホルダクランプ６０により把持され、後段の処理槽に搬送される。
【００５１】
処理された基板Ｗを基板ホルダ８０から取り外すときは、まず、ホルダクランプ６０に把持された基板ホルダ８０が、ホルダサポート４５に受け渡される。その後、ホルダサポート４５が下降し、基板ホルダ８０がホルダ受け爪４４に受け渡される。基板ホルダ８０がホルダ受け爪４４に受け渡された位置において、基板Ｗがハンド４２により基板ホルダ８０から取り外される。基板Ｗが取り外された基板ホルダ８０は、ホルダ受け爪４４によりホルダストッカ４３に戻される。
【００５２】
＜基板搬送装置＞
続いて、図２に示した基板搬送装置５０ｂについて説明する。なお、基板搬送装置５０ａは基板搬送装置５０ｂと同様の構成を有するので、説明を省略する。
図６は図２に示した基板搬送装置５０ｂの斜視図であり、図７は基板搬送装置５０ｂの側面図であり、図８は基板搬送装置５０ｂの上面図であり、図９は把持機構の部分拡大図である。図６及び図７においては、基板搬送装置５０ｂとの位置関係を説明するための便宜上、処理槽６６が示されている。処理槽６６は、図１に示したプリウェット槽１１５及びエッチングモジュール１２０等が簡易的に示されたものであり、その槽数は図１に示したものとは異なる。
【００５３】
図６及び図７に示すように、基板搬送装置５０ｂは、基板ホルダ８０を把持するための把持機構５４（把持部）と、把持機構５４に把持された基板ホルダ８０を搬送するための搬送機構５１（搬送部）とを有する。
搬送機構５１は、把持機構５４が取り付けられる走行台座５６と、走行台座５６をガイドするためのガイドレール５３と、走行台座５６をガイドレール５３上に走行させるための走行モータ５２とを有する。図中破線で示されるように、基板ホルダ８０を把持した把持機構５４は、搬送機構５１によって、ガイドレール５３の一端から他端まで、ガイドレール５３に沿って走行することができる。把持機構５４は、基板Ｗの面内方向が水平方向を向いた状態で、基板ホルダ８０を把持する。この状態で走行モータ５２が駆動することで、走行台座５６がガイドレール５３に沿って走行する。これにより、搬送機構５１は、基板Ｗの面内方向が水平方向を向いた状態で、基板ホルダ８０が処理槽６６の上方を通過するように、基板ホルダ８０を搬送する。
【００５４】
また、基板搬送装置５０ｂは、把持機構５４を回転させる回転モータ５５（駆動部）を有する。回転モータ５５は、基板Ｗの面内方向が水平方向を向いた状態で基板ホルダ８０を把持する把持機構５４を、基板Ｗの面内方向が鉛直方向を向くように、約９０度回転させる。基板ホルダ８０は、基板ホルダ８０が鉛直方向を向いた状態、即ち基板ホルダ８０に保持された基板Ｗの面内方向が鉛直方向を向いた状態で、把持機構５４から図２に示したリフタ７０に受け渡される。リフタ７０に受け渡された基板ホルダ８０は、リフタ７０により処理槽６６に収納される。
【００５５】
また、回転モータ５５は、基板Ｗの面内方向が鉛直方向を向いた状態で基板ホルダ８０
を把持する把持機構５４を、基板Ｗの面内方向が水平方向を向くように、約９０度回転させることができる。基板ホルダ８０は、基板ホルダが鉛直方向を向いた状態で、図２に示したリフタ７０から把持機構５４に受け渡される。把持機構５４に受け渡された基板ホルダ８０は、回転モータ５５が把持機構５４を回転させることで、基板Ｗが水平方向を向くように回転される。
【００５６】
図７においては、リフタ７０（図示せず）により、基板ホルダ８０が処理槽６６から取り出され、隣接する処理槽６６に収納されるプロセスが示されている。基板搬送装置５０ｂは、基板Ｗの面内方向が水平方向を向いた状態で基板ホルダ８０を搬送するので、他の基板ホルダ８０が処理槽６６に対して取り出し又は収納されているときであっても、基板ホルダ８０はその上方を通過することができる。
【００５７】
図８及び図９に示すように、把持機構５４は、回転モータ５５により回転可能に構成される回転軸５８と、回転モータ５５の図示しない出力軸と回転軸５８とを連結するためのカップリング５７とを有する。把持機構５４は、回転軸５８が回転モータ５５によりその周方向に回転することで、把持した基板ホルダ８０の方向を鉛直方向と水平方向との間で変化させることができる。
【００５８】
さらに、図９に示すように、把持機構５４は、回転軸５８に設けられた一対のホルダクランプ６０と、基板Ｗを基板ホルダ８０に押さえつける基板押え６１（押え部材）と、基板ホルダ８０の有無を検知するホルダ検知センサ５９とを有する。
ホルダクランプ６０は、基板ホルダ８０の被把持部８５−１，８５−２（図３参照）を把持する。ホルダ検知センサ５９は、ホルダクランプ６０が基板ホルダ８０を把持するときに基板ホルダ８０の有無を検知するための例えば光学センサや磁気センサである。
【００５９】
基板押え６１は、軸部６２と、軸部６２を軸方向に摺動させ且つ周方向に回転させるように構成されるエアシリンダ６５と、基板Ｗに接触して基板Ｗを基板ホルダ８０に押さえつける押え部６３と、基板Ｗの有無を検知する基板検知センサ６４とを有する。
軸部６２は一端がエアシリンダ６５に連結され、他端が押え部６３と連結している。押え部６３は、一端が軸部６２の上記他端に連結され、他端が軸部６２の軸方向に対して略直角方向に延在する棒状の部材である。基板検知センサ６４は、押え部６３の他端に固定手段を介して固定された、例えば光学センサや磁気センサである。
【００６０】
図１０は把持機構５４が基板ホルダ８０を把持した状態を示す側面図であり、図１１は把持機構５４が基板ホルダ８０の把持を解除した状態を示す側面図である。
図１０に示すように、把持機構５４のホルダクランプ６０が基板ホルダ８０を把持するとき、基板押え６１は、押え部６３が基板Ｗの縁上に位置するように、エアシリンダ６５により押え部６３を旋回させる。続いて、エアシリンダ６５により軸部６２が軸方向に摺動されて、押え部６３が基板Ｗの縁に接触し、基板Ｗが基板ホルダ８０に押さえつけられる。
【００６１】
図１１に示すように、ホルダクランプ６０が基板ホルダ８０の把持を解除するとき、基板押え６１のエアシリンダ６５は、軸部６２を上方に移動させ、且つ押え部６３を旋回させて、押え部６３の基板Ｗとの接触を解除させる。そして、把持機構５４は、基板ホルダ８０を図示しないリフタ７０に受け渡すときに、ホルダクランプ６０の基板ホルダ８０の把持を解除する。
【００６２】
なお、図１０及び図１１に示すように、搬送機構５１のガイドレール５３は、そのレール方向に沿ってラック５３ａを備えている。また、搬送機構５１は、走行モータ５２により回転可能に構成されたピニオン５３ｂを有している。即ち、搬送機構５１は、ラックア
ンドピニオン方式により、走行台座５６をガイドレール５３に沿って走行させることができる。
【００６３】
次に、基板搬送装置５０ｂが基板Ｗを搬送するプロセスについて説明する。基板搬送装置５０ｂの把持機構５４は、図５に示したフィキシングユニット４０ｂから基板Ｗを保持した基板ホルダ８０を、基板Ｗの面内方向が水平方向を向いた状態、即ち基板ホルダ８０が水平の状態で受け取る。搬送機構５１は、基板Ｗの面内方向が水平方向を向いた状態で、基板ホルダ８０を処理槽６６の上方を通過させて搬送する。搬送機構５１は、所定の処理槽６６の直上に把持機構５４を停止させる。把持機構５４は、基板Ｗの面内方向が鉛直方向を向くように基板ホルダ８０を旋回させる。図２に示したリフタ７０は、把持機構５４から、基板Ｗの面内方向が鉛直方向を向いたまま基板ホルダ８０を受け取る。リフタ７０は、受け取った基板ホルダ８０を、基板Ｗの面内方向が鉛直方向を向いた状態で、処理槽６６に収納する。
【００６４】
続いて、処理槽６６から基板ホルダ８０を搬送するときは、図２に示したリフタ７０が処理槽６６から基板ホルダ８０を取り出す。基板搬送装置５０ｂの把持機構５４は、リフタ７０から基板ホルダ８０を、基板Ｗの面内方向が鉛直方向を向いた状態で受け取る。把持機構５４は、基板Ｗの面内方向が水平方向を向くように基板ホルダ８０を旋回させる。搬送機構５１は、基板Ｗの面内方向が水平方向を向いた状態で、基板ホルダ８０を処理槽６６の上方を通過させて、後続するプロセスを行う処理槽６６又はフィキシングユニット４０ｂに搬送する。
【００６５】
以上で説明したように、基板搬送装置５０ａ，５０ｂにおいて、搬送機構５１が基板Ｗの面内方向が水平方向を向いた状態で、基板ホルダ８０を処理槽６６の上方を通過させて搬送するので、基板ホルダ８０の搬送に必要な鉛直方向のスペースを小さくすることができる。このため、処理槽６６に他の基板ホルダ８０を収納し又は処理槽６６から他の基板ホルダ８０を取り出す間でも、基板ホルダ８０がその上方を通過させて搬送させることができる。したがって、処理槽６６に基板ホルダ８０を出し入れしている間でも、他の基板ホルダ８０の搬送を待つ必要がないので、基板処理装置２５０のスループットを向上させることができる。また、基板Ｗの面内方向が水平を向いた状態で基板ホルダ８０が水平方向に搬送されるので、搬送により基板Ｗが受ける空気抵抗を低減させることができ、比較的高速で搬送することができる。
なお、ここでの「基板Ｗの面内方向が水平方向を向く」とは、基板Ｗの面内方向が完全に水平方向を向く場合に限らず、基板Ｗの面内方向が水平方向に対して多少の角度を有する場合も含む。
【００６６】
特に、本実施形態に係る基板処理装置２５０のように、処理槽６６に対して基板ホルダ８０を上下に移動させ、処理槽６６に対して基板ホルダ８０を出し入れするリフタ７０が設けられている場合でも、リフタ７０による基板ホルダ８０の出し入れ処理と、基板搬送装置５０ａ，５０ｂによる他の基板ホルダ８０の搬送を、互いに干渉することなく、それぞれ独立したタイミングで行うことができる。したがって、リフタ７０が処理槽６６に基板ホルダ８０を出し入れしている間でも、基板搬送装置５０ａ，５０ｂによる他の基板ホルダ８０の搬送を待つ必要がないので、基板処理装置２５０のスループットを向上させることができる。すなわち、例えば１つのエッチングモジュール１２０でリフタ７０が処理槽６６に対して基板ホルダ８０を出し入れする作業と、その上空で基板搬送装置５０ａ，５０ｂが他の基板ホルダ８０を他のエッチングモジュール１２０に搬送し、あるいは他のエッチングモジュール１２０から回収する作業を、互いの作業を待つことなく独立して行うことができる。
【００６７】
また、基板搬送装置５０ａ，５０ｂは、基板ホルダ８０を把持した把持機構５４を、基
板Ｗの面内方向が鉛直方向を向くように、回転駆動させる回転モータ５５を有する。したがって、処理槽６６が基板ホルダ８０を鉛直方向に収納する場合であっても、基板搬送装置５０ａ，５０ｂは、基板Ｗの面内方向が鉛直方向を向いた状態で基板ホルダ８０をリフタ７０に受け渡すことができ、基板ホルダ８０を処理槽６６に容易に収納させることができる。
なお、ここでの「基板Ｗの面内方向が鉛直方向を向く」とは、基板Ｗの面内方向が完全に鉛直方向を向く場合に限らず、基板Ｗの面内方向が鉛直方向に対して多少の角度を有する場合も含む。
【００６８】
また、把持機構５４は、基板Ｗを基板ホルダ８０に押さえつける基板押え６１を有するので、基板Ｗの面内方向が水平方向を向くように基板ホルダ８０を搬送するときでも、基板Ｗが基板ホルダ８０から落下することを抑制することができる。
【００６９】
図１２は、ＦＦＵ（ファンフィルタユニット）を備える基板搬送装置５０ｂを示す斜視図であり、図１３はＦＦＵを備える基板搬送装置５０ｂを示す側面図である。本実施形態に係る基板搬送装置５０ａ，５０ｂは、図１２及び図１３に示すＦＦＵ２２０を追加で備えることができる。
ＦＦＵ２２０（送出機構）は、フィルタを内蔵したファンであり、図１２に示すように、基板ホルダ８０が搬送される経路上に沿って複数配置される。ＦＦＵ２２０は、例えば図示しないダクト等に接続され、ダクト等からの空気等の気体をフィルタを通して下方向に送出するように構成される。
【００７０】
図１３に示すようにＦＦＵ２２０は、搬送される基板ホルダ８０よりも高い位置に設けられる。ＦＦＵ２２０がフィルタを通した気体を下方向に送出することで、雰囲気中のパーティクル等が基板処理装置２５０の上部空間に舞い上がることを防止することができる。したがって、搬送される基板ホルダ８０に保持された基板Ｗにパーティクルが付着することが抑制される。
また、把持機構５４は、基板Ｗの被処理面が上方を向くように基板ホルダ８０を把持するように構成される。これにより、パーティクルが基板Ｗの被処理面に付着することをより抑制することができる。
【００７１】
＜リフタ＞
次に、図１に示した、プリウェット槽１１５ａ，１１５ｂ、プリウェット槽１４５ａ，１４５ｂ、エッチングモジュール１２０、及びレジスト剥離モジュール１５０にそれぞれ設けられるリフタ７０について詳細を説明する。図１４は、リフタ７０を示す斜視図である。なお、リフタ７０と処理槽との位置関係を説明するため、図１４にはエッチングモジュール１２０も示されている。また、実際はリフタ７０には後述する図１５及び図１６に示すカバー９０が設けられるが、図１４においてはリフタ７０を説明するためにカバー９０が省略されて示されている。
【００７２】
図１４に示すように、リフタ７０は、エッチングモジュール１２０の両側に配置された一対のレール部７１と、レール部７１に摺動可能に設けられたスライド部７５と、スライド部７５に設けられた支持部７４と、レール部７１を水平方向に移動可能な水平移動機構７２と、を備えている。
【００７３】
水平移動機構７２は、エッチングモジュール１２０の両側に、水平方向に沿って設けられる。一対のレール部７１は、水平移動機構７２から鉛直方向に延びるように設けられ、一対のレール部７１が対向する側に、スライド部７５が摺動するためのレールを備えている。スライド部７５は、レール部７１のレールに沿って、レール部７１を上下方向に摺動可能に構成される。なお、スライド部７５は、図示しない駆動装置により上下方向に摺動
される。
【００７４】
支持部７４は、一対のレール部７１の対向する側に突出するように形成された部材であり、図示のように、基板ホルダ８０のアーム部８２−１，８２−２を下方から支持する。即ち、基板ホルダ８０は、一対のレール部７１の間に位置するように支持部７４により支持される。
【００７５】
リフタ７０が図１に示した基板搬送装置５０ａ，５０ｂから基板ホルダ８０を受け取るときは、まず、基板搬送装置５０ａ，５０ｂの把持機構５４（図６ないし図１１参照）が基板ホルダ８０を水平に把持した状態で、リフタ７０の上に移動する。続いて、把持機構５４が旋回することで、基板Ｗの面内方向が垂直方向を向くように、基板ホルダ８０を旋回させる。リフタ７０の支持部７４は、レール部７１と共に上方向に摺動し、基板ホルダ８０を下方から支持する。支持部７４が基板ホルダ８０を支持した状態で把持機構５４が基板ホルダ８０の把持を解除することで、基板ホルダ８０が支持部７４に受け渡される。リフタ７０は、必要に応じて水平移動機構７２によりレール部７１を水平方向に移動させ、レール部７１をエッチングモジュール１２０の所定の処理槽の側方に位置させる。これにより、基板ホルダ８０が所定の処理槽の直上に配置される。この状態で、支持部７４がレール部７１に沿って下方向に摺動することで、基板ホルダ８０を処理槽内に収納することができる。
【００７６】
リフタ７０が、図１に示した基板搬送装置５０ａ，５０ｂに基板ホルダ８０を受け渡すときは、まず、支持部７４は、エッチングモジュール１２０の処理槽に収納された基板ホルダ８０のアーム部８２−１，８２−２を下方から支持する。続いて、支持部７４がレール部７１に沿って上昇することで、基板ホルダ８０が処理槽から取り出される。支持部７４が基板ホルダ８０を支持した状態で、必要に応じて、リフタ７０は、水平移動機構７２によりレール部７１を所定の基板搬送装置５０ａ，５０ｂの受け渡し位置に移動させる。基板搬送装置５０ａ，５０ｂの把持機構５４が、基板ホルダ８０を把持した後、リフタ７０の支持部７４がレール部７１に沿って下降することで、基板ホルダ８０が基板搬送装置５０ａ，５０ｂに受け渡される。
【００７７】
＜カバー＞
次に、図２に示した、リフタ７０に支持された基板ホルダ８０の周囲を覆うように構成されたカバー９０について詳細を説明する。図１５及び図１６は、カバー９０を備えたリフタ７０の斜視図であり、図１５はカバー９０が開いた状態を示し、図１６はカバー９０が閉じた状態を示す。なお、カバー９０と処理槽との位置関係を説明するため、図１５及び図１６にはレジスト剥離モジュール１５０も示されている。以下の説明において「前面」とは、カバー９０が開く側の面をいい、「背面」とはその逆側の面をいう。
【００７８】
図１５及び図１６に示すように、カバー９０は、リフタ７０の一対のレール部７１の間に亘って形成された略板状の固定背面部９１と、一対のレール部７１の前面側に形成された固定前面部９２（固定部）と、固定前面部９２の前面にヒンジ９６を介して回動可能に取り付けられたカバー可動部９３（可動部）と、を備えている。固定背面部９１と固定前面部９２とは、その間にリフタ７０の支持部７４及び基板ホルダ８０が通過することができるように互いに離間して、リフタ７０のレール部７１に取り付けられる。固定前面部９２はその中央に開口９２ａを有する、略板状の部材である。
【００７９】
カバー可動部９３は、固定前面部９２の前面側から開口９２ａを覆うための可動側面部９３ａと、可動側面部９３ａが閉じられたときに固定背面部９１と固定前面部９２との隙間を覆うための可動上部９３ｂとを有する。可動側面部９３ａの下端が、ヒンジ９６を介して固定前面部９２に取り付けられる。カバー可動部９３がヒンジ９６を中心に回動する
ことで、カバー９０の開閉が行われる。
また、カバー９０は、カバー可動部９３を開閉するためのピストンシリンダ機構９７（カバー駆動部）を有する。カバー可動部９３は、カバー可動部９３が閉じたときにピストンシリンダ機構９７を覆うシリンダカバー９５を備えている。ピストンシリンダ機構９７の一端は固定前面部９２に取り付けられ、他端はシリンダカバー９５に取り付けられる。
【００８０】
カバー９０は、カバー９０内部を排気する排気機構１０１（排気部）を有する。排気機構１０１は、固定背面部９１に設けられた排気口９９を介してカバー９０内部を排気する。
固定背面部９１と固定前面部９２との間の底部には、固定背面部９１と固定前面部９２とによって開口部１００が形成される。リフタ７０に支持された基板ホルダ８０は、この開口部１００を介して、カバー９０の下方に位置するレジスト剥離モジュール１５０等の処理槽に対して出し入れされる。
【００８１】
図１６に示すように、カバー可動部９３が閉じられることで、カバー９０は、リフタ７０に支持された基板ホルダ８０の周囲を覆うことができる。カバー９０で覆われた空間は、排気機構１０１により排気される。
【００８２】
図１７は、リフタ７０と基板搬送装置５０ａ，５０ｂとで基板ホルダ８０を受け渡すときの、リフタ７０、基板搬送装置５０ａ，５０ｂ、カバー９０、及び処理槽６６の概略側断面図である。
図示のように、カバー９０は、可動側面部９３ａの下端に設けられたヒンジ９６を中心にカバー可動部９３が回動することで開閉される。また、基板搬送装置５０ａ，５０ｂの回転軸６８が回転することで、ホルダクランプ６０に把持された基板ホルダ８０が旋回し、基板ホルダ８０の向きが水平方向と鉛直方向とで変化する。このとき、カバー９０は、基板ホルダ８０の旋回の障害にならない所定の角度まで開かれる。
【００８３】
また、基板搬送装置５０ａ、５０ｂの搬送機構５１（図６参照）が基板Ｗの面内方向が水平方向を向いた状態で基板ホルダ８０を搬送するとき、基板搬送装置５０ａ，５０ｂ及び基板ホルダ８０がカバー９０の上方を通過するように、基板搬送装置５０ａ，５０ｂとカバー９０との位置関係が設定される。
【００８４】
次に、図１５ないし図１７に示したカバー９０の制御について説明する。
カバー９０は、通常は図１６に示した閉状態を維持し、リフタ７０が基板搬送装置５０ａ，５０ｂと基板ホルダ８０の受け渡しを行うときに、図１５に示した開状態となる。具体的には、リフタ７０が基板搬送装置５０ａ，５０ｂから基板ホルダ８０を受け取るとき、リフタ７０の支持部７４がレール部７１に沿って上昇するとともに、カバー９０のカバー可動部９３が開き、図１５に示した、カバー９０が開いた状態となる。リフタ７０が基板ホルダ８０を受け取ると、支持部７４がレール部７１に沿って下降するとともに、カバー９０のカバー可動部９３が閉じ、図１６に示した、カバー９０が閉じた状態となる。リフタ７０の支持部７４は、カバー９０が閉じた状態のまま下降し、開口部１００を介して基板ホルダ８０を処理槽に収納する。
【００８５】
処理槽から基板ホルダ８０を取り出すときは、カバー９０が閉じた状態のまま、リフタ７０の支持部７４で基板ホルダ８０のアーム部８２−１，８２−２を下方から支持し、支持部７４をレール部７１に沿って上昇させる。このとき、処理槽から取り出された基板ホルダ８０の周囲がカバー９０により覆われる。したがって、基板ホルダ８０及び基板Ｗに付着した処理液が揮発すること等により生じる処理液雰囲気は、カバー９０内部に閉じ込められる。さらに、カバー９０の内部は排気機構１０１により排気されるので、カバー９０内部に閉じ込められる処理液雰囲気がカバー９０の外部に拡散することが抑制される。
【００８６】
カバー９０が閉じた状態で、リフタ７０は水平方向に移動し、基板ホルダ８０は例えば基板Ｗに付着した処理液を洗浄する洗浄槽上に移動する。洗浄槽上でリフタ７０の支持部７４が下降することで、基板ホルダ８０は洗浄槽内に収納される。洗浄された基板Ｗ及び基板ホルダ８０は、リフタ７０により洗浄槽から取り出される。洗浄槽から取り出された基板ホルダ８０が、基板搬送装置５０ａ，５０ｂに受け渡されるときに、カバー９０のカバー可動部９３が開かれ、基板搬送装置５０ａ，５０ｂとの受け渡し位置までリフタ７０の支持部７４が上昇する。基板ホルダ８０が基板搬送装置５０ａ，５０ｂに受け渡された後、カバー９０のカバー可動部９３が閉じられ、再びカバー９０が閉じる。
【００８７】
以上で説明したように、本実施形態に係る基板処理装置２５０は、リフタ７０に支持された基板ホルダ８０の周囲を覆うように構成されたカバー９０を備えているので、基板ホルダ８０及び基板Ｗに付着した処理液が揮発すること等により生じる処理液雰囲気を、カバー９０内部に閉じ込め、カバー９０の外部に拡散することを抑制することができる。
【００８８】
カバー９０は、カバー可動部９３と、カバー可動部９３を駆動してカバー９０を開閉させるピストンシリンダ機構９７を備えているので、基板搬送装置５０ａ，５０ｂとの基板ホルダ８０の受け渡し時に、カバー９０を開くことができる。
なお、本実施形態ではカバー可動部９３を駆動する手段としてピストンシリンダ機構９７が設けられているが、これに限らず、他の駆動機構を用いることもできる。
【００８９】
ピストンシリンダ機構９７は、基板搬送装置５０ａ，５０ｂがリフタ７０と基板ホルダ８０の受け渡しを行うときに、カバー可動部９３を駆動してカバー９０を開ける。言い換えれば、ピストンシリンダ機構９７は、基板搬送装置５０ａ，５０ｂがリフタ７０と基板ホルダ８０の受け渡しを行わないときには、カバー９０を閉じた状態に維持する。したがって、カバー９０が開いている時間を最小限にすることができ、処理液雰囲気をカバー９０の外部に拡散することを抑制することができる。
【００９０】
また、カバー９０は、カバー可動部９３の一端を固定する固定前面部９２と、カバー可動部の一端を固定前面部９２に回動可能に固定するヒンジ９６とを備えている。ピストンシリンダ機構９７は、カバー可動部９３を、ヒンジ９６を中心に回動させてカバー９０を開閉する。これにより、基板搬送装置５０ａ，５０ｂがリフタ７０と基板ホルダ８０の受け渡しを行うときに、カバー９０が受け渡しの障害にならないようにカバー９０を開閉させることができる。なお、本実施形態では、カバー可動部９３が固定前面部９２にヒンジ９６を介して固定されているが、これに限らず、例えばリフタ７０やリフタ７０と共に水平移動可能な基板処理装置２５０の他の固定部等に取り付けられてもよい。
【００９１】
また、把持機構５４（図６参照）のホルダクランプ６０が、基板Ｗの面内方向が水平方向を向いた状態で基板ホルダ８０を把持し、搬送機構（図６参照）が基板Ｗの面内方向が水平方向を向いた状態で、基板ホルダ８０がカバー９０の上方を通過して搬送する。これにより、基板搬送装置５０ａ，５０ｂは、リフタ７０が処理槽６６から基板ホルダ８０を出し入れしている間であっても、他の基板ホルダ８０をカバー９０の上方を通過させて搬送させることができる。したがって、リフタ７０が処理槽６６に基板ホルダ８０を出し入れしている間でも、基板搬送装置５０ａ，５０ｂによる他の基板ホルダ８０の搬送を待つ必要がないので、基板処理装置２５０のスループットを向上させることができる。すなわち、例えば１つのエッチングモジュール１２０でリフタ７０が処理槽６６に対して基板ホルダ８０を出し入れする作業と、その上空で基板搬送装置５０ａ，５０ｂが他の基板ホルダ８０を他のエッチングモジュール１２０に搬送し、あるいは他のエッチングモジュール１２０から回収する作業を、互いの作業を待つことなく独立して行うことができる。
【００９２】
カバー９０は処理槽６６の上方に位置する。また、カバー９０は、下方に位置する処理槽６６に対して基板ホルダ８０の収納又は取り出しを行うための開口部１００を、その底部に有する。これにより、カバー９０に覆われた基板ホルダ８０を処理槽６６に対して容易に出し入れすることができる。
【００９３】
また、基板処理装置２５０は、カバー９０の内部を排気する排気機構１０１を備えているので、カバー９０内部に閉じ込められる処理液雰囲気がカバー９０の外部に拡散することを抑制することができる。
【００９４】
カバー９０はリフタ７０と共に水平移動する。従って、例えば基板ホルダ８０がレジスト剥離モジュール１５０の第１のストリッピング槽１５１（図２４参照）に浸漬されてから最終的にリンス槽１８１（図２４参照）で洗浄されるまでの間、リフタ７０により各処理槽間を搬送される際にはカバー９０が基板ホルダ８０の周囲を覆う。これにより、基板ホルダ８０及び基板Ｗに付着した処理液が除去されるまで、処理液雰囲気をカバー９０内部に閉じ込めることができる。
【００９５】
＜処理槽＞
次に、エッチングモジュール１２０又はレジスト剥離モジュール１５０を構成する処理槽について説明する。図１８は、単数又は２つの基板ホルダ８０を収納する処理槽６６の概略斜視図であり、図１８ａはシャッタが開いた状態を示し、図１８ｂはシャッタが閉じた状態を示す。
図１８ａ及び図１８ｂに示すように、処理槽６６は、基板ホルダ８０を出し入れするための開口部１０６をその上部に有する。開口部１０６には、開口部１０６を部分的に覆う蓋部１０２が設けられる。蓋部１０２は、開口部１０６の蓋部１０２に覆われていない部分を開閉可能なシャッタ１０４と、シャッタ１０４を開閉させるためのエアシリンダ１０３を有する。また、処理槽６６は、蓋部１０２及びシャッタ１０４で覆われた処理槽６６内を排気する図示しない排気装置を備えている。
【００９６】
図１９は、図１８に示した１７−１７断面における蓋部１０２の概略断面図であり、図１９ａはシャッタ１０４が閉じた状態を示し、図１９ｂはシャッタ１０４が開いた状態を示す。
図１９ａ及び図１９ｂに示すように、エアシリンダ１０３は、シャッタ１０４と連結したピストン１０５を有する。エアシリンダ１０３はピストン１０５を伸縮させることにより、シャッタ１０４を開閉する。シャッタ１０４は、蓋部１０２内部に部分的に収納される。
【００９７】
リフタ７０（図１４参照）により基板ホルダ８０を処理槽６６に収納するときは、まずシャッタ１０４が開けられる。リフタ７０が基板ホルダ８０を下降させて、基板ホルダ８０が処理槽６６に収納された後、シャッタ１０４が閉じられる。
【００９８】
また、リフタ７０が基板ホルダ８０を処理槽６６から取り出すときは、まずシャッタ１０４が開けられる。リフタ７０が基板ホルダ８０を上昇させて、基板ホルダ８０を処理槽６６から取り出した後、シャッタ１０４が閉じられる。
【００９９】
以上、図１８及び図１９に示したように、処理槽６６は、処理槽６６の開口部１０６を開閉可能なシャッタ１０４を有するので、基板ホルダ８０を処理槽６６に出し入れしないときにシャッタ１０４を閉じておくことで、例えば処理槽６６に収容された処理液が揮発すること等により生じる処理液雰囲気の拡散を抑制することができる。特に、処理槽６６が有機溶媒を用いて基板Ｗを処理する槽である場合は、その有機溶媒から生じる薬液雰囲気の拡散を抑制することができる。
【０１００】
図２０は、複数の基板ホルダ８０を収納する処理槽６６の概略側面図であり、図２０ａはシャッタが閉じた状態を示し、図２０ｂはシャッタが開いた状態を示す。
図２０ａ及び図２０ｂに示すように、処理槽６６は、基板ホルダ８０を出し入れするための開口部１０６を上部に有する。開口部１０６には、開口部１０６を部分的に覆う蓋部１０９が設けられる。蓋部１０９は、基板ホルダ８０を開口部１０６に収納するための入口開口部１０７と、基板ホルダ８０を開口部１０６から取り出すための出口開口部１０８と、入口開口部１０７及び出口開口部１０８を開閉するための２つのシャッタ１０４を有する。
【０１０１】
開口部１０６の中央に位置する蓋部１０９は、処理槽６６の上縁部との間に、基板ホルダ８０のアーム部８２−１，８２−２（図３参照）を通過させるための所定の隙間を有するように、図示しない固定手段により処理槽６６に固定されている。また、処理槽６６は、蓋部１０９及びシャッタ１０４で覆われた処理槽６６内を排気する図示しない排気装置を備えている。シャッタ１０４の開閉は、例えば、図１９に示したエアシリンダ１０３により行われる。また、入口開口部１０７のシャッタ１０４と、出口開口部１０８のシャッタ１０４は、それぞれ独立して開閉することができる。
【０１０２】
リフタ７０（図１４参照）により基板ホルダ８０を処理槽６６に収納するときは、まず、基板ホルダ８０を支持したリフタ７０が入口開口部１０７の直上の位置に移動する。続いて、入口開口部１０７のシャッタ１０４が開けられる。リフタ７０が基板ホルダ８０を下降させて、入口開口部１０７から基板ホルダ８０が処理槽６６に収納される。その後、入口開口部１０７のシャッタ１０４が閉じられる。入口開口部１０７から処理槽６６に収納された基板ホルダ８０は、後述する基板ホルダ移送機構２００（図２５参照）により、処理槽６６内部を通じて出口開口部１０８側へ移送される。
【０１０３】
リフタ７０が基板ホルダ８０を処理槽６６から取り出すときは、まずリフタ７０が出口開口部１０８の直上の位置に移動する。続いて、出口開口部１０８のシャッタ１０４が開けられる。リフタ７０が基板ホルダ８０を上昇させて、基板ホルダ８０を処理槽６６から取り出した後、出口開口部１０８のシャッタ１０４が閉じられる。
【０１０４】
以上、図２０に示したように、処理槽６６は、開口部１０６を覆う蓋部１０９を有する。この蓋部１０９は、入口開口部１０７と、出口開口部１０８と、これらを開閉するシャッタ１０４を有する。これにより、複数の基板ホルダを処理する処理槽６６において、基板ホルダ８０を処理槽６６に出し入れしないときにシャッタ１０４を閉じておくことで、例えば処理槽６６に収容された処理液が揮発すること等により生じる処理液雰囲気の拡散を抑制することができる。特に、処理槽６６が有機溶媒を用いて基板Ｗを処理する槽である場合は、その有機溶媒から生じる薬液雰囲気の拡散を抑制することができる。
【０１０５】
また、入口開口部１０７のシャッタ１０４と出口開口部１０８のシャッタ１０４とがそれぞれ独立して開閉可能に構成されているので、基板ホルダ８０を処理槽６６に収納するときは入口開口部１０７のシャッタ１０４のみを開け、基板ホルダ８０を処理槽６６から取り出すときは出口開口部１０８のシャッタ１０４のみを開けることができる。したがって、入口開口部１０７のシャッタ１０４及び出口開口部１０８のシャッタ１０４が開いている時間を最小限にすることができ、より薬液雰囲気の拡散を抑制することができる。
【０１０６】
＜エッチングユニット＞
次にエッチングユニット１１０の具体的な構成について説明する。図２１はエッチングユニット１１０を構成する処理槽を示す概略図である。なお、図２１においては便宜上、図１に示した基板乾燥機３１ｂも示されている。
エッチングユニット１１０は、基板Ｗ表面の親水性を向上させるための２つのプリウェット槽１１５ａ，１１５ｂ（図２１ではプリウェット槽１１５ａのみ示される）と、３つのエッチングモジュール１２０（図２１では１つのエッチングモジュール１２０のみ示される）と、を備える。エッチングモジュール１２０は、基板Ｗ表面のシード層をエッチングする２つのエッチング槽１２１と、シード層がエッチングされた基板Ｗを第１洗浄する第１のリンス槽１３１と、第１のリンス槽１３１で洗浄された基板Ｗを第２洗浄する第２のリンス槽１４１と、を備える。
【０１０７】
プリウェット槽１１５ａは、単数の基板ホルダ８０を収納可能な処理槽である。プリウェット槽１１５ａは、基板ＷにＤＩＷを噴射するＤＩＷ噴射部１１８と、基板ＷにＩＰＡを噴射するＩＰＡ噴射部１１９と、基板Ｗに噴射されたＤＩＷ及びＩＰＡを槽外に排出する排出口１１６と、基板ホルダ８０を鉛直方向に揺動させる揺動機構１１７とを備える。また、プリウェット槽１１５ａは、さらに、プリウェット槽１１５ａの開口部を開閉するための、図１８及び図１９に示したシャッタ１０４を備える。
【０１０８】
プリウェット槽１１５ａに収納された基板Ｗは、基板ホルダ８０とともに鉛直方向に揺動されながら、ＤＩＷ噴射部１１８からＤＩＷが噴射される。常温のＤＩＷの代わりに、加熱されたＤＩＷを用いてもよい。さらに基板Ｗ表面の親水性を向上させるために、ＩＰＡ噴射部１１９からＩＰＡを噴射し、その後、ＤＩＷ噴射部１１８からＤＩＷあるいは加熱されたＤＩＷを噴射してもよい。基板ホルダ８０がプリウェット槽１１５ａに出し入れされるとき以外は、シャッタ１０４が閉じられる。これにより、ＩＰＡが揮発することにより発生するＩＰＡ雰囲気の拡散を抑制することができる。また、揺動機構１１７により、基板Ｗが鉛直方向に揺動されることで、基板Ｗ表面全体にＤＩＷ及びＩＰＡが噴射されるので、基板Ｗ表面全体の親水性をより向上させることができる。なお、図１に示したプリウェット槽１１５ｂは、プリウェット槽１１５ａと同様の構成であるので説明を省略する。
【０１０９】
２つのエッチング槽１２１は、内部に硫酸過水（ＳＰＭ）等の処理液１２４を収容し、同時に２つの基板Ｗに対してエッチング処理をすることが可能な処理槽である。エッチング槽１２１は、エッチング槽１２１から溢れる処理液１２４を受ける外槽１２２と、外槽１２２からの処理液１２４を加熱するヒータ１２６と、外槽１２２の処理液１２４をヒータ１２６に輸送するポンプ１２５と、エッチング槽１２１内部の処理液１２４を槽外に排出するための排出口１２３と、エッチング槽１２１の開口部を開閉するための、図１８及び図１９に示したシャッタ１０４と、を備える。外槽１２２には、エッチング槽１２１から溢れた処理液１２４だけでなく、他の経路から未使用の処理液１２４も導入される。排出口１２３から排出された処理液１２４に対応する量の未使用の処理液１２４が外槽１２２に供給される。
【０１１０】
表面にＣｕシード層が形成された基板Ｗは、プリウェット槽１１５ａ，１１５ｂにてプリウェット処理が行われた後、エッチング槽１２１に収納される。基板Ｗが処理液１２４に所定時間（例えば、数十秒）浸漬されることで、Ｃｕシード層がエッチングされる。エッチング槽１２１内には、ポンプ１２５により、ヒータ１２６により温められた処理液１２４が一定流量（例えば、１０Ｌ／ｍｉｎ）で導入される。同時に、エッチング槽１２１内の処理液１２４が溢れ、外槽１２２に流入する。即ち、処理液１２４は、一定の温度範囲に保たれるように、エッチング槽１２１、外槽１２２、ヒータ１２６間で循環する。基板ホルダ８０がエッチング槽１２１に出し入れされるとき以外は、シャッタ１０４が閉じられる。これにより、さらに図示しない排気装置でエッチング槽１２１および外槽１２２周りの雰囲気を排気して処理液雰囲気の拡散を抑制することができる。
なお、２つのエッチング槽１２１は、選択的にどちらかを使用してもよく、２つのエッチング槽１２１を連続的に、あるいは第１のリンス槽１３１による洗浄を挟んで連続的に
使用してもよい。
【０１１１】
第１のリンス槽１３１は、単数の基板ホルダを収納し、エッチング槽１２１でエッチング処理された基板Ｗを洗浄する処理槽である。第１のリンス槽１３１は、基板ＷにＤＩＷを噴射するＤＩＷ噴射部１３４と、基板Ｗに噴射されたＤＩＷを槽外に排出する排出口１３３と、基板ホルダ８０を鉛直方向に揺動させる揺動機構１３２とを備える。
【０１１２】
第１のリンス槽１３１に収納された基板Ｗは、基板ホルダ８０とともに鉛直方向に揺動されながら、ＤＩＷ噴射部１３４からＤＩＷが噴射される。これにより、基板Ｗ表面に付着している処理液が洗い流される。また、揺動機構１３２により、基板Ｗが鉛直方向に揺動されることで、基板Ｗ表面全体にＤＩＷが噴射されるので、基板Ｗ表面全体を効率よく洗浄することができる。
【０１１３】
第２のリンス槽１４１は、複数の基板ホルダを収納し、第１のリンス槽１３１で洗浄された基板Ｗをさらに洗浄する処理槽である。第２のリンス槽１４１は、内部にＤＩＷ１２７が満たされており、複数の基板ホルダ８０はこのＤＩＷ１２７に所定時間浸漬されて洗浄される。第２のリンス槽１４１は、第２のリンス槽１４１から溢れるＤＩＷ１２７を受ける外槽１４２と、外槽１４２に設けられ、外槽１４２内のＤＩＷを排出する排出口１４４と、第２のリンス槽１４１に未使用のＤＩＷ１２７を供給する供給口１４３と、を備える。
【０１１４】
基板ホルダ８０がＤＩＷ１２７に浸漬されている間、供給口１４３から一定流量で未使用のＤＩＷ１２７が供給される。これと同時に、第２のリンス槽１４１内のＤＩＷ１２７は、第２のリンス槽１４１から溢れて外槽１４２に流入する。外槽１４２内に流入したＤＩＷ１２７は、排出口１４４から排出される。
【０１１５】
基板乾燥機３１ｂは、第２のリンス槽１４１で洗浄された基板Ｗを支持し、周方向に回転させる回転台３４と、回転台３４に支持された基板ＷにＤＩＷ及びＩＰＡの蒸気を供給するノズル３５と、を備える。
【０１１６】
基板Ｗは、回転台３４によって支持されるとともに所定速度で回転される。ノズル３５は、ＤＩＷと、窒素を含有するＩＰＡの蒸気を基板Ｗ表面に個別に供給する。即ち、ノズル３５は、ＤＩＷを供給するノズルと、ＩＰＡの蒸気を供給するノズルとから構成される。ＤＩＷとＩＰＡの蒸気とを供給しつつ、ノズル３５の供給口が基板Ｗの中心から径方向外側へ揺動されると、基板Ｗ面内に均一な水膜が形成されるとともに、遠心力及びＩＰＡとＤＩＷとの表面張力の勾配（差）によって生じる力（いわゆるマランゴニ力）によって、水膜が基板Ｗ径方向外側に向かって移動する。これにより、基板Ｗ表面が乾燥される。
【０１１７】
なお、エッチング槽１２１、第１のリンス槽１３１、及び第２のリンス槽１４１間での基板ホルダ８０の搬送は、図１４に示したリフタ７０により行われる。基板搬送装置５０ｂがエッチングモジュール１２０に対して行うことは、エッチング槽１２１のどちらかに待機したリフタ７０に未処理の基板を保持した基板ホルダ８０を受け渡すことと、第２のリンス槽１４１の基板ホルダ８０の引き上げ位置に位置するリフタ７０から処理済みの基板を保持する基板ホルダ８０を受け取ることである。プリウェット槽１１５ａとエッチングモジュール１２０間での基板ホルダ８０の搬送は、図６等に示した基板搬送装置５０ｂにより行われる。
【０１１８】
本実施形態では、基板処理装置２５０がＣｕシード層をエッチングするエッチング槽１２１を有するものとして説明したが、これに限らず、エッチング槽１２１に代えて、例えば、基板Ｗ表面の酸化膜を除去する酸化膜除去槽、又は基板Ｗ表面のＴｉ等のバリア層を
除去するバリア層除去槽等を採用することもできる。酸化膜除去槽又はバリア層除去槽を採用する場合は、処理液１２４としてＤＨＦ（希フッ酸）等が用いられ、他の槽構成はエッチング槽１２１と同様であってもよい。なお、ＤＨＦは揮発性の薬液であるので、酸化膜除去槽又はバリア層除去槽には図１８及び図１９等に示したシャッタ１０４を設けることができる。
【０１１９】
また、本実施形態では、基板ホルダ８０を槽内で鉛直方向に揺動させる揺動機構がプリウェット槽１１５ａ，１１５ｂ及び第１のリンス槽１３１に設けられているものとして説明されているが、これに限らず、エッチング槽１２１及び第２のリンス槽１４１にも揺動機構を設けてもよい。その場合、基板Ｗが揺動することで、基板Ｗに対する処理液１２４又はＤＩＷ１４５の流れが生じ、且つ処理液１２４又はＤＩＷ１２７が撹拌されるので、よりエッチング処理又は洗浄処理の効率を向上させることができる。
【０１２０】
図２２は、エッチングユニット１１０を構成する処理槽の他の例を示す概略図である。なお、図２２においては便宜上、図１に示した基板乾燥機３１ｂも示されている。
図２２に示すエッチングユニット１１０の構成は、図２１に示したエッチングユニット１１０の構成と比べて、エッチング槽１２１と第１のリンス槽１３１の構成が異なり、他の槽構成は同一である。したがって、ここではエッチング槽１２１と第１のリンス槽１３１の構成のみを説明し、他の槽の構成の説明は省略する。
【０１２１】
エッチング槽１２１は、図２１に示したエッチング槽１２１と比べて、一つの基板Ｗを処理するように構成された点が異なる。また、第１のリンス槽１３１が２つ設けられ、エッチング槽１２１と第１のリンス槽１３１は、隣接して配置される。即ち、１つのエッチング槽１２１に対して１つの第１のリンス槽１３１が一体となって設けられる。
【０１２２】
エッチング槽１２１でエッチング処理された基板Ｗは、隣接する第１のリンス槽１３１へ搬送され、第１のリンス槽１３１で洗浄される。第１のリンス槽１３１で洗浄された基板Ｗは、第２のリンス槽１４１へ搬送され、第２のリンス槽１４１で洗浄される。その後、基板Ｗは基板乾燥機３１ｂで乾燥される。
【０１２３】
なお、エッチング槽１２１、第１のリンス槽１３１、及び第２のリンス槽１４１間での基板ホルダ８０の搬送は、図１４に示したリフタ７０により行われる。プリウェット槽１１５ａとエッチングモジュール１２０間での基板ホルダ８０の搬送は、図６等に示した基板搬送装置５０ａ，５０ｂにより行われる。
【０１２４】
図２３は、図２１に示したエッチングユニット１１０と図２２に示したエッチングユニット１１０とを比較する図であり、図２３ａは図２１に示したエッチングユニット１１０を示し、図２３ｂは図２２に示したエッチングユニット１１０を示す。
図２３ａに示すように、図２１に示したエッチングユニット１１０では、２つのエッチング槽１２１と第１のリンス槽１３１とが離間して配置される。このため、いずれかのエッチング槽１２１から取り出された基板ホルダ８０が図１４に示したリフタ７０（図中省略）により第１のリンス槽１３１まで搬送される間、基板ホルダ８０に付着した処理液が液滴となって落下する。即ち、処理液が落下する領域１２９は、エッチングユニット１１０から第１のリンス槽１３１までの比較的広範囲に亘る。
【０１２５】
一方で、図２３ｂに示すように、図２２に示したエッチングユニット１１０では、エッチング槽１２１と第１のリンス槽１３１とが隣接して配置される。即ち、１つのエッチング槽１２１に対して１つの第１のリンス槽１３１が一体となって設けられる。このため、エッチング槽１２１から取り出された基板ホルダ８０が図１４に示したリフタ７０（図中省略）により第１のリンス槽１３１まで搬送される間に処理液が落下する領域１４２９は
、図２１に示したエッチングユニット１１０に比べて狭くなる。
【０１２６】
以上で説明したように、図２２に示したエッチングユニット１１０では、エッチング槽１２１と第１のリンス槽１３１とが隣接して配置されるので、処理液である硫酸過水又はＤＨＦの飛散範囲が狭くなる。このため、飛散した処理液に起因する処理液雰囲気の拡散を抑制することができる。
【０１２７】
＜レジスト剥離ユニット＞
次にレジスト剥離ユニット１４０の具体的な構成について説明する。図２４はレジスト剥離ユニット１４０を構成する処理槽を示す概略図である。なお、図２４においては便宜上、図１に示した基板乾燥機３１ａも示されている。
【０１２８】
レジスト剥離ユニット１４０は、基板Ｗ表面の親水性を向上させるための２つのプリウェット槽１４５ａ，１４５ｂ（図２４ではプリウェット槽１４５ａのみ示される）と、３つのレジスト剥離モジュール１５０（図２４では１つのレジスト剥離モジュール１５０のみ示される）と、を備える。レジスト剥離モジュール１５０は、基板Ｗ表面のレジストを剥離するための第１のストリッピング槽１５１（第１のレジスト剥離槽）、第２のストリッピング槽１６１（第２のレジスト剥離槽）、及び第３のストリッピング槽１７１（第３のレジスト剥離槽）と、第１のストリッピング槽１５１と第２のストリッピング槽１６１とを接続する第１の配管１９８と、第２のストリッピング槽１６１と第３のストリッピング槽１７１とを接続する第２の配管１９４と、レジストが剥離された基板Ｗを洗浄するリンス槽１８１と、を備える。
【０１２９】
プリウェット槽１４５ａは、単数の基板ホルダ８０を基板Ｗの面内方向が鉛直方向を向くように収納可能な処理槽である。プリウェット槽１４５ａは、基板Ｗに両側からＤＩＷを噴射するＤＩＷ噴射部１４８と、基板ＷにＩＰＡを噴射するＩＰＡ噴射部１４９と、基板Ｗに噴射されたＤＩＷ及びＩＰＡを槽外に排出する排出口１４６と、基板ホルダ８０を鉛直方向に揺動させる揺動機構１４７とを備える。また、プリウェット槽１４５ａは、さらに、プリウェット槽１４５ａの開口部を開閉するための、図１８及び図１９に示したシャッタ１０４を備える。
【０１３０】
プリウェット槽１４５ａに収納された基板Ｗは、基板ホルダ８０とともに鉛直方向に揺動されながら、ＤＩＷ噴射部１４８からＤＩＷが噴射される。常温のＤＩＷの代わりに、加熱されたＤＩＷを用いてもよい。さらに基板Ｗ表面の親水性を向上させるために、ＩＰＡ噴射部１４９からＩＰＡを噴射し、その後、ＤＩＷ噴射部１１８からＤＩＷあるいは加熱されたＤＩＷを噴射してもよい。基板ホルダ８０がプリウェット槽１１５ａに出し入れされるとき以外は、シャッタ１０４が閉じられる。これにより、ＩＰＡが揮発することにより発生するＩＰＡ雰囲気の拡散を抑制することができる。また、揺動機構１４７により、基板Ｗが鉛直方向に揺動されることで、基板Ｗ表面全体にＤＩＷ及びＩＰＡが噴射されるので、基板Ｗ表面全体の親水性をより向上させることができる。なお、図１に示したプリウェット槽１４５ｂは、プリウェット槽１４５ａと同様の構成であるので説明を省略する。
【０１３１】
第１のストリッピング槽１５１は、単数の基板ホルダ８０を基板Ｗの面内方向が鉛直方向を向くように収納可能な処理槽である。第１のストリッピング槽１５１は、基板Ｗに対して有機溶剤などの処理液を噴射する噴射機構１５３と、噴射された処理液を槽外に排出する排出口１５２と、第１のストリッピング槽１５１の開口部を開閉するための、図１８及び図１９に示したシャッタ１０４と、槽内部に窒素を供給する窒素供給口１５９と、を備える。噴射機構１５３は第１の配管１９８と連通しており、第２のストリッピング槽１６１で使用された処理液が後述する第１のポンプ１９７により噴射機構１５３に輸送され
る。即ち、噴射機構１５３から噴射される処理液は、第２のストリッピング槽１６１で使用された処理液である。
【０１３２】
表面にレジストが形成された基板Ｗは、プリウェット槽１４５ａ又はプリウェット槽１４５ｂにてプリウェット処理が行われた後、第１のストリッピング槽１５１に収納される。基板Ｗに対して処理液が噴射されることで、レジストが部分的に剥離される。基板ホルダ８０が第１のストリッピング槽１５１に出し入れされるとき以外は、シャッタ１０４が閉じられる、これにより、有機溶剤等の処理液が揮発することにより発生する処理液雰囲気の拡散を抑制することができる。
【０１３３】
第２のストリッピング槽１６１は、内部に有機溶媒等の処理液１６６を収容し、同時に複数の基板ホルダ８０を基板Ｗの面内方向が鉛直方向を向くように収納可能な処理槽である。第２のストリッピング槽１６１は、第２のストリッピング槽１６１から溢れる処理液１６６を受ける外槽１６２と、外槽１６２からの処理液１６６を加熱するヒータ１９６と、外槽１６２の処理液１６６をヒータ１９６に輸送する第１のポンプ１９７（第１の輸送機構）と、ヒータ１９６に加熱された処理液１６６を第２のストリッピング槽１６１内に供給する供給口１６４と、第２のストリッピング槽１６１及び外槽１６２の開口部を開閉するための、図２０に示したシャッタ１０４と、槽内部に窒素を供給する窒素供給口１６９と、を備える。
【０１３４】
外槽１６２は、第２の配管１９４から輸送される処理液を外槽１６２に供給するための供給口１６５を備える。また、外槽１６２は、外槽１６２内の処理液を排出する排出口１６３を備え、この排出口１６３には、第１のポンプ１９７と連通する配管１９５が接続される。即ち、外槽１６２に供給される処理液は、第３の処理槽で使用された処理液であり、排出口１６３、配管１９５、第１のポンプ１９７、及びヒータ１９６を介して、供給口１６４から第２のストリッピング槽１６１に供給される。また、第１の配管１９８は、ヒータ１９６に連通する。したがって、第１のポンプ１９７により輸送される、外槽１６２からの処理液の一部はヒータ１９６を介して第１のストリッピング槽１５１の噴射機構１５３へ輸送される。第１のポンプ１９７により第１のストリッピング槽１５１に輸送される処理液に対応する量の処理液が第２の配管１９４から外槽１６２に輸送される。
【０１３５】
第２のストリッピング槽１６１で基板Ｗを処理するときは、まず、カバー９０（図１５及び図１６参照）を備えたリフタ７０（図１４参照）により、基板Ｗを保持した基板ホルダ８０が図２０に示した入口開口部１０７から第２のストリッピング槽１６１に収納される。収納された基板ホルダ８０は、後述する基板ホルダ移送機構２００（図２５参照）により、第２のストリッピング槽１６１内部を図２０に示した出口開口部１０８側に向かって所定時間をかけて移送される。基板ホルダ８０で保持する基板Ｗは、出口開口部１０８までの移送中に所定時間レジスト剥離処理が行われることになる。出口開口部１０８の直下に移動された基板ホルダ８０は、リフタ７０（図１４参照）により出口開口部１０８から取り出され、第３のストリッピング槽１７１へ搬送される。
【０１３６】
第２のストリッピング槽１６１で基板Ｗのレジストが剥離されている間は、第１のポンプ１９７は、外槽１６２からの処理液１６６を第２のストリッピング槽１６１及び第１のストリッピング槽１５１の噴射機構１５３に供給し続ける。したがって、第２のストリッピング槽１６１内の処理液１６６は、第２のストリッピング槽１６１、外槽１６２、第１のポンプ１９７、及びヒータ１９６を循環しつつ、その一部が第１のストリッピング槽１５１に輸送される。
【０１３７】
第３のストリッピング槽１７１は、内部に有機溶媒等の処理液１７６を収容し、単数の基板ホルダ８０を基板Ｗの面内方向が鉛直方向を向くように収納可能な処理槽である。第
３のストリッピング槽１７１は、第３のストリッピング槽１７１から溢れる処理液１７６を受ける外槽１７２と、外槽１７２からの処理液１７６を加熱するヒータ１９２と、外槽１７２の処理液１７６をヒータ１９２に輸送する第２のポンプ１９３（第２の輸送機構）と、ヒータ１９２に加熱された処理液１７６を第３のストリッピング槽１７１内に供給する供給口１７４と、第３のストリッピング槽１７１及び外槽１７２の開口部を開閉するための、図１８及び図１９に示したシャッタ１０４と、槽内部に窒素を供給する窒素供給口１７９と、を備える。
【０１３８】
外槽１７２は、未使用の処理液を外槽１７２に供給するための供給口１７５を備える。また、外槽１７２は、外槽１７２内の処理液を排出する排出口１７３を備え、この排出口１７３には、第２のポンプ１９３と連通する配管１９１が接続される。即ち、外槽１７２内の処理液は、排出口１７３、配管１９１、第２のポンプ１９３、及びヒータ１９２を介して、供給口１７４から第３のストリッピング槽１７１に供給される。また、第２の配管１９４は、第２のポンプ１９３に連通する。したがって、第２のポンプ１９３により輸送される、外槽１７２からの処理液の一部は第２のストリッピング槽１６１に輸送される。第２のポンプ１９３により第２のストリッピング槽１６１に輸送される処理液に対応する量の未使用の処理液が供給口１７５から供給される。
【０１３９】
第３のストリッピング槽１７１では、第２のストリッピング槽１６１で処理された基板Ｗが一つずつ処理される。即ち、カバー９０（図１５及び図１６参照）を備えたリフタ７０（図１４参照）により、基板Ｗを保持した基板ホルダ８０が第２のストリッピング槽１６１から第３のストリッピング槽１７１に搬送され、処理液１７６に浸漬される。ここで、処理液１７６は未使用の処理液であるので、処理液に含まれる基板Ｗから剥離したレジスト成分の量が、第１のストリッピング槽１５１の処理液及び第２のストリッピング槽１６１の処理液と比較して少なく、レジスト剥離性能が高い。このため、第１のストリッピング槽１５１及び第２のストリッピング槽１６１で剥離されなかったレジストでも、第３のストリッピング槽１７１で剥離することができる。基板Ｗが所定時間処理液１７６に浸漬された後、基板ホルダ８０はリフタ７０により第３のストリッピング槽１７１から取り出され、リンス槽１８１に搬送される。なお、基板ホルダ８０が第３のストリッピング槽１７１に出し入れされるとき以外は、シャッタ１０４が閉じられる、これにより、有機溶剤等の処理液が揮発することにより発生する処理液雰囲気の拡散を抑制することができる。
【０１４０】
第３のストリッピング槽１７１で基板Ｗのレジストが剥離されている間は、第２のポンプ１９３は、外槽１７２からの処理液１７６を第３のストリッピング槽１７１及び第２のストリッピング槽１６１に供給し続ける。したがって、第３のストリッピング槽１７１内の処理液１７６は、第３のストリッピング槽１７１、外槽１７２、第２のポンプ１９３、及びヒータ１９２を循環しつつ、その一部が第２のストリッピング槽１６１に輸送される。
【０１４１】
リンス槽１８１は、単数の基板ホルダを収納し、第３のストリッピング槽１７１でレジストが剥離された基板Ｗを洗浄する処理槽である。リンス槽１８１は、基板ＷにＤＩＷ及びＩＰＡを噴射する噴射部１８５と、槽内にＤＩＷ１８７を供給する供給口１８４と、リンス槽１８１の開口部を開閉するための、図１８及び図１９に示したシャッタ１０４と、基板ホルダ８０を鉛直方向に揺動させる揺動機構１８６とを備える。
【０１４２】
リンス槽１８１は、さらに、リンス槽１８１から溢れるＤＩＷ１８７を受ける外槽１８２と、外槽１８２に設けられ、外槽１８２内のＤＩＷ１８７を排出する排出口１８３と、を備える。
【０１４３】
リンス槽１８１に収納された基板Ｗは、基板ホルダ８０とともに鉛直方向に揺動されながら、噴射部１３４からまずＩＰＡが噴射され、その後にＤＩＷが噴射される。ＩＰＡは表面張力が低く、基板表面の凹凸に行きわたりやすい。これにより、基板Ｗ表面に付着している処理液が洗い流される。また、揺動機構１３２により、基板Ｗが鉛直方向に揺動されることで、基板Ｗ表面全体にＩＰＡ及びＤＩＷが噴射されるので、基板Ｗ表面全体を効率よく洗浄することができる。さらに、ＩＰＡ及びＤＩＷの噴射後、供給口１８４からＤＩＷ１８７が供給され、リンス槽１８１がＤＩＷ１８７で満たされる。供給口１８４から供給されたＤＩＷ１８７は、リンス槽１８１から溢れて、外槽１８２に流入する。外槽１８２に流入したＤＩＷ１８７は排出口１８３から排出される。
【０１４４】
基板ホルダ８０がＤＩＷ１８７に浸漬されている間、供給口１８４から一定流量でＤＩＷ１８７が供給される。これと同時に、外槽１８２内に流入したＤＩＷ１８７は、排出口１８３から排出される。１枚の基板を浸漬して洗浄した後、リンス槽１８１内に満たされたＤＩＷは排水される。
【０１４５】
基板乾燥機３１ａは、図２１に示した基板乾燥機３１ｂと同様の構成を有する。即ち、基板乾燥機３１ａは、リンス槽１８１で洗浄された基板Ｗを支持し、面内方向に回転させる回転台３４と、回転台３４に支持された基板ＷにＤＩＷ及びＩＰＡの蒸気を供給するノズル３５と、を備える。
【０１４６】
基板Ｗは、回転台３４によって支持されるとともに所定速度で回転される。ノズル３５は、ＤＩＷと、窒素を含有するＩＰＡの蒸気を基板Ｗ表面に個別に供給する。即ち、ノズル３５は、ＤＩＷを供給するノズルと、ＩＰＡの蒸気を供給するノズルとから構成される。ＤＩＷとＩＰＡの蒸気とを供給しつつ、ノズル３５の供給口が基板Ｗの中心から径方向外側へ揺動されると、基板Ｗ面内に均一な水膜が形成されるとともに、遠心力及びＩＰＡとＤＩＷとの表面張力の勾配（差）によって生じる力（いわゆるマランゴニ力）によって、水膜が基板Ｗ径方向外側に向かって移動する。これにより、基板Ｗ表面が乾燥される。
【０１４７】
なお、第１のストリッピング槽１５１、第２のストリッピング槽１６１、第３のストリッピング槽１７１、及びリンス槽１８１間での基板ホルダ８０の搬送は、図１４に示したリフタ７０により行われる。プリウェット槽１４５ａとレジスト剥離モジュール１５０間での基板ホルダ８０の搬送は、図１等に示した基板搬送装置５０ａにより行われる。
【０１４８】
以上で説明したように、本基板処理装置２５０は、第１のストリッピング槽１５１と、第２のストリッピング槽１６１と、第３のストリッピング槽１７１とを備えている。また、第１段階のレジスト剥離処理として基板Ｗに処理液が噴霧され、第２段階のレジスト剥離処理として複数枚の基板Ｗが同時に浸漬処理され、最終段階のレジスト剥離処理として基板Ｗが再度浸漬処理される。これにより、基板Ｗに形成されたレジストが段階的に剥離され、最終的には基板Ｗのレジストを完全に剥離することができる。
【０１４９】
本実施形態では、プリウェット槽１４５ａ，１４５ｂ、第１のストリッピング槽１５１、第２のストリッピング槽１６１、第３のストリッピング槽１７１、及びリンス槽１８１は、基板Ｗを保持した基板ホルダを、基板Ｗの面内方向が鉛直方向を向くように収納する。これにより、基板Ｗの面内方向が水平方向に向くように基板ホルダを収納する場合に比べて、基板処理装置２５０のフットプリントを減少させることができる。
なお、ここでの「基板Ｗの面内方向が鉛直方向を向く」とは、基板Ｗの面内方向が完全に鉛直方向を向く場合に限らず、基板Ｗの面内方向が鉛直方向に対して多少の角度を有することも含む。即ち、上記処理槽がいわゆる縦型の処理槽であることを意味する。
【０１５０】
本実施形態では、第３のストリッピング槽１７１で使用された処理液（有機溶剤）が、
第２のポンプ１９３により、第２の配管１９４を通じて第２のストリッピング槽１６１へ輸送され、第２のストリッピング槽１６１で使用された処理液が、第１のポンプ１９７により、第１の配管１９８を通じて第１のストリッピング槽１５１へ輸送される。即ち、処理液がそれぞれの槽で再利用されるので、それぞれの槽で未使用の処理液を使用する場合に比べて、高価な処理液の使用量を低減することができる。
【０１５１】
第一のストリッピング槽１５１は、ドライエッチングなどから生じた付着物の除去も含めて、基板Ｗに形成されたレジストの粗い剥離処理も行う。ドライエッチングなどから生じた付着物を効率的に除去するため、第一のストリッピング槽１５１では、有機溶媒を基板Ｗに噴射することによる物理的な衝撃も利用する。第１のストリッピング槽１５１では粗い剥離処理を行うため、第３のストリッピング槽１７１および第２のストリッピング槽１６１で使用された有機溶媒を再利用する。第２のストリッピング槽１６１では、第３ストリッピング槽１７１で使用した有機溶媒に基板を浸漬する。他のストリッピング槽よりも剥離処理時間が長く、剥離すべきレジストの大部分を剥離する。第２のストリッピング槽１６１で使用される有機溶媒には、剥離したレジストの成分が多く含まれる。第２のストリッピング槽１６１から基板Ｗを引き上げると、基板表面にはレジストの成分も含む有機溶剤が付着しており、温度が低くなると再固着するため、これを最終的に除去する必要がある。そこで、第３のストリッピング槽１７１では、新しい有機溶媒に基板を浸漬することにより、第２のストリッピング槽１６１から引き上げられた基板に付着したレジスト成分を溶解して、レジスト剥離処理を完了する。
【０１５２】
また、本実施形態では、基板ホルダ８０を漕内で鉛直方向に揺動させる揺動機構がプリウェット槽１１５ａ，１１５ｂ及びリンス槽１８１に設けられているものとして説明されているが、これに限らず、第１のストリッピング槽１５１、第２のストリッピング槽１６１、第３のストリッピング槽１７１のうち、少なくともいずれか一つに揺動機構を設けることもできる。第１のストリッピング槽１５１に揺動機構が設けられた場合、基板Ｗが揺動することで基板Ｗ表面全体に有機溶媒が噴射されるので、基板Ｗ表面に形成されたレジストを全体に亘って剥離することができる。また、第２のストリッピング槽１６１又は第３のストリッピング槽１７１に揺動機構が設けられた場合は、基板Ｗが揺動することで、基板Ｗに対する有機溶媒の流れが生じ、且つ有機溶媒が撹拌されるので、よりレジスト剥離の効率を向上させることができる。
【０１５３】
次に、図２４に示した第２のストリッピング槽１６１に用いられる基板ホルダ移送機構について説明する。図２５は、基板ホルダ移送機構を備えた第２のストリッピング槽１６１の概略斜視図である。なお、図２５においては、第２のストリッピング槽１６１の構成は簡略化されて示されており、例えば図２０に示した蓋部１０９やシャッタ１０４、及び図２３に示した外槽１６２等が省略されている。
【０１５４】
図示のように、開口部１６１ａを有する第２のストリッピング槽１６１は、その両側に設けられた一対の基板ホルダ移送機構２００を備えている。基板ホルダ移送機構２００は、第２のストリッピング槽１６１の外壁に固定された固定板１６７と、固定板１６７よりも外側に設けられたレール２０１と、レール２０１上を水平方向に摺動可能に構成されたスライダ２０２（水平駆動部）と、スライダ２０２の上面に固定された支持台２０４と、支持台２０４に支持されるエアシリンダ２０５（鉛直駆動部）と、エアシリンダ２０５により鉛直方向に摺動可能に構成された摺動軸２０６と、摺動軸２０６に接続された基板ホルダ支持部２０７と、を備える。
【０１５５】
固定板１６７の上端には、開口部１６１ａに収納される基板ホルダ８０のアーム部８２−１，８２−２（図３参照）を載置するための複数の溝１７０を有する基板ホルダ載置台１６８が形成されている。基板ホルダ支持部２０７は、基板ホルダ載置台１６８に載置さ
れているアーム部８２−１，８２−２を下方から支持するための複数の溝２０８を、その上面に有する。
【０１５６】
基板ホルダ支持部２０７は、摺動軸２０６の鉛直方向の摺動に伴い鉛直方向に駆動する。基板ホルダ支持部２０７が最も低い位置にあるときの溝２０８の高さは、基板ホルダ載置台１６８の溝１７０の高さよりも低く、基板ホルダ支持部２０７が最も高い位置にあるときの溝２０８の高さは、基板ホルダ載置台１６８の溝１７０の高さよりも高い。即ち、基板ホルダ支持部２０７が最高位置まで摺動したときは、基板ホルダ８０のアーム部８２−１，８２−２は基板ホルダ支持部２０７の溝２０８に支持される。また、基板ホルダ支持部２０７が最低位置まで摺動したときは、基板ホルダ８０のアーム部８２−１，８２−２は基板ホルダ載置台１６８の溝１７０に支持される。
【０１５７】
図２６は、基板ホルダ載置台１６８及び基板ホルダ支持部２０７と接触する基板ホルダ８０のアーム部８２−１，８２−２上の位置を示すための基板ホルダ８０の平面図である。なお、図示される位置Ｃは、リフタ７０により支持される位置である。
基板ホルダ載置台１６８の溝１７０は、アーム部８２−１，８２−２の最も内側に位置する位置Ａにおいて、アーム部８２−１，８２−２を支持する。また、基板ホルダ支持部２０７の溝２０８は、アーム部８２−１，８２−２の位置Ａと位置Ｃとの間の位置Ｂにおいて、アーム部８２−１，８２−２を支持する。
【０１５８】
図２７は、基板ホルダ移送機構２００が基板ホルダ８０を移送するステップを示す図である。
まず、図中（ａ）に示されるステップにおいて、リフタ７０（図１１参照）により、入口開口部１０７（図２０参照）から、第２のストリッピング槽１６１に基板ホルダ８０が収納され、基板ホルダ載置台１６８の溝１７０に載置される。このとき、基板ホルダ支持部２０７は、基板ホルダ載置台１６８よりも低い位置に位置する。また、基板ホルダ支持部２０７の複数の溝２０８の水平方向の位置は、基板ホルダ載置台１６８の複数の溝１７０の水平方向の位置と一致する。
【０１５９】
次に、図中（ｂ）に示されるステップにおいて、エアシリンダ２０５が駆動し、摺動軸２０６を鉛直上方向に摺動させる。これに伴い、基板ホルダ支持部２０７は上昇し、溝２０８が基板ホルダ載置台１６８から基板ホルダ８０を受け取る。続いて、図中（ｃ）に示されるステップにおいて、スライダ２０２が水平方向に移動することで、基板ホルダ８０は水平方向に移動する。図中（ｂ）に示されるステップから図中（ｃ）に示されるステップにかけて基板ホルダ支持部２０７が上昇したときに、基板ホルダ８０に保持された基板Ｗの上端が第２のストリッピング槽１６１内の処理液１６６の液面から出ることはない。図中（ｄ）に示されるステップにおいて、摺動モータ２０５が駆動し、摺動軸２０６を鉛直下方向に摺動させる。これに伴い、基板ホルダ支持部２０７は下降し、基板ホルダ８０は、基板ホルダ支持部２０７から基板ホルダ載置台１６８の溝１７０に受け渡される。これにより、基板ホルダ８０が最初に載置された溝１７０から、これに隣接する溝１７０へ移送される。
【０１６０】
基板ホルダ支持部２０７は、図中（ｅ）に示されるステップにおいて、スライダ２０２が摺動することにより、初期の位置に戻される。続いて、図中（ｆ）に示されるステップにおいて、リフタ７０（図１１参照）により、入口開口部１０７（図２０参照）から、第２のストリッピング槽１６１に他の基板ホルダ８０が収納され、基板ホルダ載置台１６８の溝１７０に載置される。
【０１６１】
同様に、図中（ｂ）ないし（ｅ）に示されるステップが繰り返され、基板ホルダ８０は溝１７０上を移動する。これにより基板は処理液１６６に浸漬されたまま、第２のストリ
ッピング槽１６１内部を移動する。最終的には、基板ホルダ８０は、リフタ７０（図１１参照）により、出口開口部１０８（図２０参照）を介して、第２のストリッピング槽１６１から取り出される。
【０１６２】
第２のストリッピング槽１６１は有機溶媒への浸漬時間が長く、同時並行的に複数の基板を処理できるように、大型の槽として、複数の基板ホルダを収納する。一方、薬液雰囲気の周囲への拡散を防ぐためには、槽の開口部はできるだけ小さくすることが望ましい。そこで、本実施形態では、開口部を入口開口部１０７と出口開口部１０８に限定し、それ以外は蓋部１０９（図２９参照）で覆うようにしている。そのため、第２のストリッピング槽１６１は基板ホルダ移送機構２００を有し、基板ホルダ８０を移送できるようにしている。さらに、単に同じ高さで基板Ｗを水平移動させるだけでなく、基板ホルダ８０の上下動作を伴う機構を採用することにより、処理液の攪拌を促進し、高温の処理液の槽内での温度分布が均一になることを促すようにしている。
【０１６３】
以上で説明したように、第２のストリッピング槽１６１は、収納された複数の基板を同時に水平方向に移送する基板ホルダ移送機構２００を備えているので、入口開口部１０７（図２０参照）から収納された基板ホルダ８０を収納された順番に出口開口部１０８から取り出すことができ、有機溶媒などの処理液に浸漬されている全ての基板Ｗに対して同じ時間だけ浸漬することができる。したがって、基板Ｗ毎のレジストの剥離具合のバラつきを抑制することができる。
【０１６４】
また、第２のストリッピング槽１６１は、前記基板ホルダ８０を載置する基板ホルダ載置台１６８を有し、基板ホルダ移送機構２００は、基板ホルダ載置台１６８に載置された基板ホルダ８０を支持するための基板ホルダ支持部２０７と、基板ホルダ支持部２０７を鉛直方向に駆動させる摺動モータ２０５及び摺動軸２０６と、基板ホルダ支持部２０７を水平方向に駆動させるスライダ２０２と、を有する。この構成により、第２のストリッピング槽１６１は、基板ホルダ８０を安定して水平方向に移送することができる。
【０１６５】
基板ホルダ移送機構２００は、第２のストリッピング槽１６１だけでなく、エッチングユニット１１０の第２のリンス槽１４１にも備えられている。
【０１６６】
以上、本発明の実施形態について説明したが、上述した発明の実施の形態は、本発明の理解を容易にするためのものであり、本発明を限定するものではない。本発明は、その趣旨を逸脱することなく、変更、改良され得るとともに、本発明にはその等価物が含まれることはもちろんである。また、上述した課題の少なくとも一部を解決できる範囲、または、効果の少なくとも一部を奏する範囲において、特許請求の範囲及び明細書に記載された各構成要素の任意の組み合わせ、又は省略が可能である。
【符号の説明】
【０１６７】
５０…基板搬送装置
５０ａ…基板搬送装置
５０ｂ…基板搬送装置
５１…搬送機構
５２…走行モータ
５４…把持機構
５５…回転モータ
６６…処理槽
７０…リフタ
７２…水平移動機構
９０…カバー
９１…固定背面部
９２…固定前面部
９３…カバー可動部
９６…ヒンジ
９７…ピストンシリンダ機構
１００…開口部
１０１…排気機構
１０２…蓋部
１０４…シャッタ
１０７…入口開口部
１０８…出口開口部
１０９…蓋部
１１５ａ…プリウェット槽
１１５ｂ…プリウェット槽
１１７…揺動機構
１２１…エッチング槽
１３１…第１のリンス槽
１３２…揺動機構
１４１…第２のリンス槽
１４５ａ…プリウェット槽
１４５ｂ…プリウェット槽
１４７…揺動機構
１５１…第１のストリッピング槽
１５３…噴射機構
１６１…第２のストリッピング槽
１６８…基板ホルダ載置台
１７１…第３のストリッピング槽
１８１…リンス槽
１８６…揺動機構
１９３…第２のポンプ
１９４…第２の配管
１９７…第１のポンプ
１９８…第１の配管
２００…基板ホルダ移送機構
２０２…スライダ
２０５…摺動モータ
２０６…摺動軸
２０７…基板ホルダ支持部。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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【図２５】
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【図２６】
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【図２７】
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