(57)【要約】【課題】はんだバンプに傷が付くことを防止することにより、信頼性を向上させることが可能な配線基板の製造方法を提供すること。【解決手段】本発明の配線基板１０は、検査工程を経て製造される。検査工程では、基板本体１１の基板主面１２上に配置された複数のはんだバンプ２１に対してプローブピン５５の先端面５７を当接させることにより、配線基板１０の導通を検査する。なお、プローブピン５５は、先端面５７の外径Ａ３がはんだバンプ２１の最大径Ａ１よりも大きく設定され、先端面５７が平坦面または凹面である。【選択図】図５
2015185600.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板主面を有する基板本体と、前記基板主面上に配置された複数のはんだバンプとを備える配線基板の製造方法であって、
前記はんだバンプに対してプローブピンの先端面を当接させることにより、前記配線基板の導通を検査する検査工程が行われ、
前記プローブピンは、前記先端面の外径が前記はんだバンプの最大径よりも大きく設定され、前記先端面が平坦面または凹面である
ことを特徴とする配線基板の製造方法。
【請求項２】
前記プローブピンによって前記はんだバンプを押圧して平坦化する平坦化工程を行うことを特徴とする請求項１に記載の配線基板の製造方法。
【請求項３】
前記検査工程では、前記はんだバンプに対して前記プローブピンの前記先端面を複数回当接させることにより、前記配線基板の導通を検査すると同時に、前記平坦化工程を行うことを特徴とする請求項２に記載の配線基板の製造方法。
【請求項４】
前記平坦化工程では、前記プローブピンによって前記はんだバンプを複数回押圧することにより、前記はんだバンプを平坦化し、前記プローブピンが前記はんだバンプを少なくとも１回押圧する際に、前記検査工程を行うことを特徴とする請求項２に記載の配線基板の製造方法。
【請求項５】
前記検査工程及び前記平坦化工程において、前記プローブピンは、斜め下方に移動して前記はんだバンプの直上に移動した後、下方に移動して前記はんだバンプに当接することを特徴とする請求項２乃至４のいずれか１項に記載の配線基板の製造方法。
【請求項６】
前記プローブピンの前記先端面の外径は、前記複数のはんだバンプの中心間距離よりも小さいことを特徴とする請求項１乃至５のいずれか１項に記載の配線基板の製造方法。
【請求項７】
前記プローブピンは、先端に行くに従って外径が小さくなる先細り形状をなし、前記先端面が前記プローブピンの最小径となることを特徴とする請求項１乃至６に記載の配線基板の製造方法。
【請求項８】
前記先端面は、平坦面であって、前記プローブピンの中心軸線に対して傾斜した状態に配置されていることを特徴とする請求項１乃至７のいずれか１項に記載の配線基板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、基板本体と複数のはんだバンプとを備える配線基板の製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
一般に、配線基板では、主面上の端子を介して搭載された半導体集積回路素子（ＩＣチップ）や抵抗などの電子部品に対して、電気信号を正確に伝送する必要がある。このため、従来より、主面上に形成された複数の端子のうち所定の一対の端子間の抵抗値を測定することにより、配線基板の導通を検査する検査工程が行われている。具体的には、両端子にそれぞれプローブピンを接触させ、プローブピンから端子に測定用電流を供給する。そして、端子に接触させた各プローブピン間に生じる電圧を測定することにより、配線基板の導通が検査される。
【０００３】
ところで、上記した主面上の端子として、主面上に形成されたパッドと、パッド上に形成されたはんだバンプとからなるものが種々提案されている。この場合、はんだバンプにプローブピンを接触させることにより、配線基板の導通が検査されるようになる（例えば特許文献１参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００７−３２２１８０号公報（図３等）
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
ところが、図１０に示されるように、既存のプローブピン１０１をはんだバンプ１０２に接触させると、はんだバンプ１０２の表面に傷１０３が付く可能性が高い。なお、この傷１０３は凹状をなしているため、電子部品１０４の搭載時（即ち、電子部品１０４の接続端子１０５をはんだバンプ１０２に対応させて配置し、この状態ではんだバンプ１０２をリフローする際）に、傷１０３となった部分が気泡１０６（図１１参照）となってはんだバンプ１０２内に残りやすくなる。その結果、検査工程後にはんだバンプ１０２の状態を検査した際に、“不良品”と判定されるおそれがある。また、配線基板１００の使用時に電子部品１０４が高温になると、気泡１０６が膨張してはんだバンプ１０２を破壊する可能性があるため、はんだバンプ１０２と電子部品１０４との接続に不具合が生じるおそれもある。
【０００６】
しかも、はんだバンプ１０２にプローブピン１０１を当接させると、はんだバンプ１０２の表面に傷１０３が付くのに伴い、はんだバンプ１０２の外周部の一部にダレ１０７（押し潰されて周囲に広がるように塑性変形した部分）（図１２参照）が発生することがある。そして、このダレ１０７の量が大きくなると、隣接するはんだバンプ１０２に接触してショートしてしまうため、結果として配線基板１００が不良品になるという問題がある。
【０００７】
本発明は上記の課題を鑑みてなされたものであり、その目的は、はんだバンプに傷が付くことを防止することにより、信頼性を向上させることが可能な配線基板の製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
そして、上記課題を解決するための手段（手段１）としては、基板主面を有する基板本体と、前記基板主面上に配置された複数のはんだバンプとを備える配線基板の製造方法であって、前記はんだバンプに対してプローブピンの先端面を当接させることにより、前記配線基板の導通を検査する検査工程が行われ、前記プローブピンは、前記先端面の外径が前記はんだバンプの最大径よりも大きく設定され、前記先端面が平坦面または凹面であることを特徴とする配線基板の製造方法がある。
【０００９】
従って、手段１の製造方法によると、プローブピンの先端面の外径がはんだバンプの最大径よりも大きく設定され、プローブピンの先端面が平坦面または凹面であるため、検査工程においてはんだバンプにプローブピンを当接させる際に、はんだバンプの表面にかかる圧力が小さくなる。その結果、はんだバンプに傷が付きにくくなるため、例えば、電子部品の接続端子をはんだバンプに対応させて配置し、この状態ではんだバンプをリフローする際に、傷となった部分が気泡となってはんだバンプ内に残るといった問題を解消することができる。その結果、はんだバンプと電子部品の接続端子との接続信頼性が向上する。
【００１０】
しかも、はんだバンプに傷が付きにくくなることに伴い、傷に起因したダレの発生を防止することができる。その結果、ダレが隣接するはんだバンプに接触することに起因したショートを防止できるため、ショートに起因して配線基板が不良品であると判定されにくくなり、配線基板の歩留まりが向上する。
【００１１】
以下、配線基板の製造方法について説明する。
【００１２】
検査工程では、配線基板（基板本体）の基板主面上に配置されたはんだバンプに対してプローブピンの先端面を当接させることにより、配線基板の導通を検査する。
【００１３】
上記配線基板は、基板主面を有する基板本体を備えている。基板本体は、例えば樹脂材料またはセラミック材料などを主体として構成される。基板本体を構成する樹脂材料の具体例としては、エポキシ樹脂、ポリイミド樹脂、ビスマレイミド−トリアジン樹脂、ポリフェニレンエーテル樹脂などが挙げられる。そのほか、これらの樹脂とガラス繊維（ガラス織布やガラス不織布）やポリアミド繊維等の有機繊維との複合材料を使用してもよい。あるいは、連続多孔質ＰＴＦＥ等の三次元網目状フッ素系樹脂基材にエポキシ樹脂などの熱硬化性樹脂を含浸させた樹脂−樹脂複合材料を使用してもよい。また、基板本体を構成するセラミック材料の具体例としては、アルミナ、窒化アルミニウム、窒化ホウ素、炭化珪素、窒化珪素などといった高温焼成セラミックの焼結体が挙げられる。このほか、ホウケイ酸系ガラスやホウケイ酸鉛系ガラスにアルミナ等の無機セラミックフィラーを添加したガラスセラミックのような低温焼成セラミックの焼結体を挙げることもできる。なお、かかる配線基板の構造としては特に限定されないが、例えば、コア基板の片面または両面にビルドアップ層を有するビルドアップ多層配線基板であってもよいし、コア基板を有しないコアレス配線基板であってもよい。
【００１４】
また、上記配線基板は、基板主面上に配置された複数のはんだバンプを備えている。はんだバンプの形成材料となるはんだ合金としては、搭載される他部品の接続端子の材質等に応じて適宜選択すればよいが、９０Ｐｂ−１０Ｓｎ、９５Ｐｂ−５Ｓｎ、４０Ｐｂ−６０ＳｎなどのＰｂ−Ｓｎ系はんだ、Ｓｎ−Ｓｂ系はんだ、Ｓｎ−Ａｇ系はんだ、Ｓｎ−Ａｇ−Ｃｕ系はんだ、Ａｕ−Ｇｅ系はんだ、Ａｕ−Ｓｎ系はんだ、Ａｕ−Ｓｉ系はんだなどが挙げられる。特に、複数のはんだバンプは鉛フリーはんだからなることが好ましい。このようにすれば、はんだバンプに鉛が含まれていないため、配線基板の環境への負荷を低くすることができる。ここで、鉛フリーはんだとしては、Ｓｎ−Ｓｂ系はんだ、Ｓｎ−Ａｇ系はんだ、Ｓｎ−Ａｇ−Ｃｕ系はんだ、Ａｕ−Ｇｅ系はんだ、Ａｕ−Ｓｎ系はんだ、Ａｕ−Ｓｉ系はんだなどが挙げられる。
【００１５】
なお、プローブピンの先端面の外径は、複数のはんだバンプの中心間距離（即ち、複数のはんだバンプのピッチ）よりも小さいことがよい。このようにすれば、はんだバンプにプローブピンの先端面が当接した際に、プローブピンが隣接するはんだバンプに接触しにくくなるため、配線基板の導通を正確に検査することができる。また、プローブピンは、先端に行くに従って外径が小さくなる先細り形状をなし、先端面がプローブピンの最小径となっていてもよい。このようにすれば、プローブピンの先端面の面積が小さい場合であっても、プローブピンの基端側を細くしなくても済むため、プローブピンの強度を確保することができる。また、強度を確保するためにプローブピンの基端側を太くしたとしても、プローブピンが隣接するはんだバンプに接触しにくくなる。さらに、プローブピンの先端面は、平坦面であって、プローブピンの中心軸線に対して傾斜した状態に配置されていてもよい。このようにすれば、１つのプローブピンユニットに対して１本のプローブピンを取り付ける場合に、プローブピンの先端部をプローブピンユニットの側方に張り出させることができる。このため、検査工程においてプローブピン同士を互いに接近させたとしても、プローブピンユニット同士の衝突を防止することができる。
【００１６】
なお、検査工程に加えて、プローブピンによってはんだバンプを押圧して平坦化する平坦化工程を行ってもよい。このようにすれば、平坦化工程において複数のはんだバンプを平坦化できるため、コプラナリティ（Coplanarity ）に優れていて他部品との接続に適したはんだバンプを備える配線基板を、確実にかつ容易に得ることが可能となる。また、はんだバンプを平坦化するはんだバンプ平坦化装置が不要であるため、配線基板の製造コストを抑えることができる。
【００１７】
ここで、本明細書で述べられている「コプラナリティ」とは、「日本電子機械工業規格ＥＩＡＪ  ＥＤ−７３０４  ＢＧＡ規定寸法の測定方法」で定義されている端子最下面均一性を示している。そして、「コプラナリティの測定値」とは、「ＥＤ−７３０４  ＢＧＡ規定寸法の測定方法」で定義されている測定値であり、基板主面に対する複数のはんだバンプの頂部の均一性を示す指標である。
【００１８】
なお、検査工程では、はんだバンプに対してプローブピンの先端面を複数回当接させることにより、配線基板の導通を検査すると同時に、平坦化工程を行ってもよい。このようにすれば、検査工程とは別に、はんだバンプの平坦化を行わなくても済む。その結果、工数が少なくなるため、生産効率の向上及び製造コストの低減が達成しやすくなる。しかも、はんだバンプに対するプローブピンの荷重を大きくするのではなく、はんだバンプに対するプローブピンの当接回数を増加させることによって、はんだバンプの平坦化を行っている。この場合、はんだバンプが破損しにくくなることから、プローブピンを当接させる速度を上げることによって、複数のはんだバンプを短時間で平坦化することが可能となるため、配線基板の生産効率がよりいっそう向上する。
【００１９】
また、平坦化工程では、プローブピンによってはんだバンプを複数回押圧することにより、はんだバンプを平坦化し、プローブピンがはんだバンプを少なくとも１回押圧する際に、検査工程を行ってもよい。このようにすれば、検査工程の回数を少なくすることができるため、製造コストをよりいっそう低減させることができる。
【００２０】
なお、検査工程及び平坦化工程において、プローブピンは、斜め下方に移動してはんだバンプの直上に移動した後、下方に移動してはんだバンプに当接するようにしてもよい。このようにすれば、プローブピンが側方に移動してはんだバンプの直上に移動した後、プローブピンが下方に移動してはんだバンプに当接する場合に比べて、プローブピンの移動距離が短くなる。その結果、検査工程や平坦化工程を素早く行うことができるため、配線基板の生産効率がよりいっそう向上する。
【図面の簡単な説明】
【００２１】
【図１】本実施形態における検査工程及び平坦化工程後の配線基板を示す概略断面図。
【図２】検査工程及び平坦化工程後の配線基板を示す概略平面図。
【図３】検査装置を示す概略断面図。
【図４】プローブピンを示す要部正面図。
【図５】プローブピンと、検査工程及び平坦化工程後の配線基板とを示す要部断面図。
【図６】検査工程及び平坦化工程の開始時の状態を示す説明図。
【図７】検査工程及び平坦化工程の実行中の状態を示す説明図。
【図８】主面側プローブピンユニットの動作態様を示す説明図。
【図９】他の実施形態におけるプローブピンと配線基板との関係を示す要部断面図。
【図１０】従来技術の問題点を示す要部断面図。
【図１１】従来技術における問題点を示す要部断面図。
【図１２】従来技術における問題点を示す要部平面図。
【発明を実施するための形態】
【００２２】
以下、本発明を具体化した一実施形態を図面に基づき詳細に説明する。
【００２３】
図１は、配線基板１０を示す概略断面図である。図２は、配線基板１０を示す概略平面図である。図３は、配線基板１０の導通を検査する検査装置４０を示す概略断面図である。
【００２４】
図１，図２に示されるように、本実施形態の配線基板１０は、ＩＣチップ３１搭載用のオーガニックパッケージである。配線基板１０を構成する基板本体１１は、基板主面１２及び基板裏面１３を有し、縦４０ｍｍ×横４０ｍｍ×厚さ１．０ｍｍの平面視矩形状をなしている。基板本体１１は、コア基板１４の両面にビルドアップ層１５，１６を備えるビルドアップ多層配線基板である。コア基板１４は、平面視略矩形状の板状部材であって、その複数箇所には図示しないスルーホール導体が形成されている。これらのスルーホール導体は、コア基板１４の主面側のビルドアップ層１５の導体と、コア基板１４の裏面側のビルドアップ層１６の導体とを電気的に接続している。また、ビルドアップ層１５，１６は、熱硬化性樹脂（エポキシ樹脂）からなる樹脂絶縁層と、銅からなる導体層とを交互に積層した構造を有している。
【００２５】
図１，図２に示されるように、ビルドアップ層１５の表面（基板主面１２）上の略中央には、平面視略矩形状のバンプ形成領域Ｒ１が設定されている。バンプ形成領域Ｒ１内には、複数のパッド１７がアレイ状に形成されている。各パッド１７は、平面視円形状をなし、直径が１００μｍに設定されている。また、各パッド１７の中心間距離（ピッチ）は１５０μｍに設定されている。
【００２６】
そして、図１，図２，図５に示されるように、各パッド１７の表面上には複数のはんだバンプ２１が配設されている。各はんだバンプ２１は、パッド１７にはんだペーストを印刷してリフローすることによって形成されるものであり、半球状に盛り上がった形状を有している。また、はんだバンプ２１は、平面視円形状をなし、最大径Ａ１が９０μｍ以上１００μｍ以下（本実施形態では９０μｍ）に設定されている。さらに、各はんだバンプ２１の中心間距離Ａ２（ピッチ）は、５０μｍ以上１５０μｍ以下（本実施形態では１５０μｍ）に設定されている。なお、これらのはんだバンプ２１は、ＩＣチップ３１（電子部品）の接続端子（図示略）とのフリップチップ接続に用いられる。
【００２７】
一方、図１，図２に示されるように、ビルドアップ層１６の表面（基板裏面１３）には、複数のパッド１８がアレイ状に形成されている。各パッド１８は、平面視円形状をなし、直径が０．５ｍｍ程度に設定されている。また、各パッド１８の中心間距離（ピッチ）は１．０ｍｍ程度に設定されている。なお、これらのパッド１８は、図示しないマザーボード側の端子との電気的接続に用いられる、いわゆるＬＧＡ（ランドグリッドアレイ）用の接続端子である。
【００２８】
図３に示される検査装置４０は、配線基板１０の導通を検査する装置である。本実施形態の検査装置４０としては、フライング式の検査装置（マイクロクラフト株式会社製  両面フライングＯＳ機（ＥＭＸ））が用いられている。詳述すると、検査装置４０は、ホルダー４１、一対の主面側プローブピンユニット５１，５２、及び、一対の裏面側プローブピンユニット５３，５４を備えている。ホルダー４１は、配線基板１０の外周部を保持する機能を有している。
【００２９】
さらに、主面側プローブピンユニット５１，５２は、ホルダー４１に保持された配線基板１０の基板主面１２側に配置されている。主面側プローブピンユニット５１，５２は、主面側プローブピン５５及び主面側移動機構（図示略）をそれぞれ有している。主面側プローブピンユニット５１，５２は、主面側移動機構によって上下方向及び左右方向に移動することにより、主面側プローブピン５５の先端面５７（図４参照）を検査対象部位であるはんだバンプ２１に接触させるようになっている。その結果、検査装置４０による配線基板１０の導通検査が可能となる。
【００３０】
一方、裏面側プローブピンユニット５３，５４は、ホルダー４１に保持された配線基板１０の基板裏面１３側に配置されている。裏面側プローブピンユニット５３，５４は、裏面側プローブピン５６及び裏面側移動機構（図示略）をそれぞれ有している。裏面側プローブピンユニット５３，５４は、裏面側移動機構によって上下方向及び左右方向に移動することにより、裏面側プローブピン５６の先端面５７をパッド１８に接触させるようになっている。その結果、検査装置４０による配線基板１０の導通検査が可能となる。
【００３１】
なお、図３に示されるように、主面側プローブピンユニット５１（または主面側プローブピンユニット５２）が有する主面側プローブピン５５は、ホルダー４１に保持された配線基板１０の基板主面１２側に突出するとともに、もう一方の主面側プローブピンユニット５２（または主面側プローブピンユニット５１）側に傾斜している。同様に、裏面側プローブピンユニット５３（または裏面側プローブピンユニット５４）が有する裏面側プローブピン５６は、ホルダー４１に保持された配線基板１０の基板裏面１３側に突出するとともに、もう一方の裏面側プローブピンユニット５４（または裏面側プローブピンユニット５３）側に傾斜している。そして、各プローブピン５５，５６の先端面５７は、平坦面であって、プローブピン５５，５６の中心軸線Ｃ１に対して８０°傾斜した状態に配置されている。よって、先端面５７は、ホルダー４１に保持された配線基板１０の基板主面１２及び基板裏面１３に対して平行に配置される。なお、先端面５７の平坦度は１ｃｍ２あたり１０μｍ以下に設定されている。
【００３２】
図４，図５に示されるように、主面側プローブピン５５及び裏面側プローブピン５６は、金属材料（本実施形態では、表面に防錆用のめっきを施したＣｕ−Ｗ等の超硬合金）によって形成されている。また、プローブピン５５，５６は、断面円形状をなしており、先端に行くに従って外径が小さくなる先細り形状をなしている。よって、プローブピン５５，５６の先端面５７の外径Ａ３は、プローブピン５５，５６の最小径となる。本実施形態において、先端面５７の外径Ａ３は、１００μｍ以上１２０μｍ以下（本実施形態では１００μｍ）に設定されている。即ち、先端面５７の外径Ａ３は、はんだバンプ２１の最大径Ａ１（９０μｍ）よりも大きく、かつ、最大径Ａ１の２倍以下に設定されている。また、先端面５７の外径Ａ３は、各はんだバンプ２１の中心間距離Ａ２（１５０μｍ）よりも小さく設定されている。
【００３３】
次に、本実施形態の配線基板１０の製造方法を説明する。
【００３４】
配線基板１０は以下のようにして製造される。まず、コア基板１４上に無電解銅めっき及び電解銅めっきを用いるセミアディティブ法によって導体層を形成するとともに、コア基板１４及び導体層の表面にエポキシ樹脂からなる樹脂絶縁層を形成する。その結果、基板本体１１が形成される。なお、導体層を、サブトラクティブ法やフルアディティブ法によって形成してもよい。
【００３５】
次に、従来公知の手法に従って無電解銅めっき及び電解銅めっきを行い、基板本体１１の基板主面１２における複数箇所にパッド１７を形成するとともに、基板本体１１の基板裏面１３における複数箇所にパッド１８を形成する。なお、基板主面１２においてパッド１７が形成されない部位や、基板裏面１３においてパッド１８が形成されない部位には、アクリル樹脂やエポキシ樹脂などを用いてソルダーレジスト層（図示略）を形成する。
【００３６】
そして、基板主面１２に形成されたパッド１７の上に、図示しないメタルマスクを用いてはんだペーストを印刷する。そして、はんだペーストを印刷した基板本体１１をリフロー炉内に配置して、はんだの融点より１０〜４０℃高い温度に加熱し、その後冷却する。その結果、半球状に盛り上がった形状のはんだバンプ２１が基板主面１２側に配置される。
【００３７】
続く検査工程では、はんだバンプ２１に対して主面側プローブピン５５の先端面５７を当接させることにより、配線基板１０の導通を検査する。詳述すると、まず、配線基板１０を検査装置４０のホルダー４１に固定する。次に、主面側移動機構（図示略）を駆動して主面側プローブピンユニット５１，５２を配線基板１０の基板主面１２に接近させ、主面側プローブピン５５の先端面５７を所定のはんだバンプ２１の頂部に当接させる（図６の細線参照）。また、裏面側移動機構（図示略）を駆動して裏面側プローブピンユニット５３，５４を配線基板１０の基板裏面１３に接近させ、裏面側プローブピン５６の先端面５７を所定のパッド１８に当接させる。そして、主面側プローブピン５５及び裏面側プローブピン５６に対して測定用電流を供給し、所定のはんだバンプ２１と所定のパッド１８とをつなぐ電気経路が導通しているか否かを確認する。その結果、電気経路の導通が確認された場合、プローブピン５５，５６に対する測定用電流の供給を終了し、検査工程を終了する。一方、電気経路の導通が確認されなかった場合、電気経路が導通しているか否かの確認を再度行う。
【００３８】
また、本実施形態の検査工程では、所定のはんだバンプ２１の頂部に対して主面側プローブピン５５の先端面５７を複数回（Ｎ回）当接（押圧）させることにより、配線基板１０の導通を検査すると同時に、はんだバンプ２１を平坦化する平坦化工程を行う。詳述すると、はんだバンプ２１の頂部に対して主面側プローブピン５５の先端面５７を１回当接させると、はんだバンプ２１が少しだけ平坦化される（図７参照）。さらに、はんだバンプ２１の頂部に対して主面側プローブピン５５の先端面５７を当接させる度に、はんだバンプ２１に力（本実施形態では０．０７ｋｇ）が加わり、頂部が徐々に押し潰される結果、Ｎ回目（本実施形態では５回目）の当接ではんだバンプ２１の平坦化が完了する（図５参照）。この時点で、基板本体１１の基板主面１２からはんだバンプ２１の頂部までの高さが、３０μｍとなる。なお、本実施形態の検査工程は、所定のはんだバンプ２１に主面側プローブピン５５を当接させる度に実行される。また、主面側プローブピン５５の先端面５７が当接してはんだバンプ２１が導通する度に、はんだバンプ２１の高さが計測される。
【００３９】
なお、所定のはんだバンプ２１に対する検査工程及び平坦化工程が終了すると、主面側移動機構を駆動して主面側プローブピンユニット５１，５２を配線基板１０の基板主面１２から離間させ、主面側プローブピン５５を所定のはんだバンプ２１の斜め上方に移動させる（図８の矢印Ｆ１参照）。次に、主面側プローブピン５５（主面側プローブピンユニット５１，５２）は、所定のはんだバンプ２１とは別のはんだバンプ２２に向かって水平移動する（図８の矢印Ｆ２参照）。そして、はんだバンプ２２の近傍に到達すると、主面側プローブピン５５は、斜め下方に移動してはんだバンプ２２の直上に移動する（図８の矢印Ｆ３参照）。その後、主面側プローブピン５５は、下方に移動してはんだバンプ２２に当接する（図８の矢印Ｆ４参照）。
【００４０】
また、所定のはんだバンプ２１に対する検査工程及び平坦化工程が終了する際に、裏面側プローブピンユニット５３，５４は、裏面側移動機構の駆動によって配線基板１０の基板裏面１３から離間し、裏面側プローブピン５６が所定のパッド１８の斜め下方に移動する。次に、裏面側プローブピン５６（裏面側プローブピンユニット５３，５４）は、所定のパッド１８とは別のパッド１８に向かって水平移動する。そして、別のパッド１８の近傍に到達すると、裏面側プローブピン５６は、斜め上方に移動して別のパッド１８の直下に移動する。その後、裏面側プローブピン５６は、上方に移動して別のパッド１８に当接する。この時点で、次のはんだバンプ２２に対する検査工程及び平坦化工程が開始される。
【００４１】
なお、検査工程及び平坦化工程は、全てのはんだバンプ２１（はんだバンプ２２）に対して行われる。そして、全てのはんだバンプ２１に対する検査工程及び平坦化工程が終了すると、配線基板１０は、ホルダー４１から取り外されて検査装置４０外に搬送される。
【００４２】
その後、ＩＣチップ３１の底面側に配置された複数の接続端子を、配線基板１０の基板主面１２側に配置された複数のはんだバンプ２１に対応させて配置する。そして、この状態で各はんだバンプ２１を加熱溶融（リフロー）することにより、各はんだバンプ２１と各接続端子とが接合される。その結果、ＩＣチップ３１が搭載された配線基板１０が完成する。
【００４３】
従って、本実施形態によれば以下の効果を得ることができる。
【００４４】
（１）特開２００７−３２２１８０号公報には、はんだバンプにプローブピンを当接させることにより、はんだバンプの表面に形成された酸化膜を破る技術が開示されている。しかし、酸化膜を破るためには、はんだバンプの表面にプローブピンを衝突させる必要があるため、はんだバンプに傷が付きやすいという問題がある。
【００４５】
そこで、本実施形態の配線基板１０の製造方法では、検査工程において用いられる主面側プローブピン５５の先端面５７の外径Ａ３がはんだバンプ２１の最大径Ａ１よりも大きく設定され、先端面５７が平坦面となっている。このため、検査工程においてはんだバンプ２１に主面側プローブピン５５を当接させる際に、はんだバンプ２１の表面にかかる圧力が小さくなる。その結果、はんだバンプ２１に傷が付きにくくなるため、例えば、ＩＣチップ３１の接続端子をはんだバンプ２１に対応させて配置し、この状態ではんだバンプ２１をリフローする際に、傷となった部分が気泡となってはんだバンプ２１内に残るといった問題を解消することができる。その結果、はんだバンプ２１とＩＣチップ３１の接続端子との接続信頼性が向上する。
【００４６】
（２）本実施形態では、検査装置４０の主面側プローブピン５５を用いて、はんだバンプ２１を押圧して平坦化する平坦化工程を行っている。その結果、はんだバンプ２１を平坦化するはんだバンプ平坦化装置が不要となる。しかも、はんだバンプ平坦化装置を構成する部品、例えば、複数のはんだバンプ２１を押圧する押圧治具や、配線基板１０を支持する支持治具などを配線基板１０の種類ごとに製作しなくても済む。ゆえに、配線基板１０の製造コストを抑えることができる。
【００４７】
（３）本実施形態の検査工程では、はんだバンプ２１に対して主面側プローブピン５５の先端面５７を複数回当接させることにより、配線基板１０の導通を検査すると同時に、平坦化工程を行っている。このため、検査工程とは別に、はんだバンプ２１の平坦化を行わなくても済む。その結果、工数が少なくなるため、生産効率の向上及び製造コストの低減が達成しやすくなる。しかも、本実施形態では、はんだバンプ２１に対する主面側プローブピン５５の荷重を大きくするのではなく、はんだバンプ２１に対する主面側プローブピン５５の当接回数を増加させることによって、はんだバンプ２１の平坦化を行っている。この場合、はんだバンプ２１が破損しにくくなることから、主面側プローブピン５５を当接させる速度を上げることによって、全てのはんだバンプ２１を短時間で平坦化することが可能となるため、配線基板１０の生産効率がよりいっそう向上する。
【００４８】
（４）本実施形態では、所定のはんだバンプ２１に対する検査工程及び平坦化工程が終了した際に、主面側プローブピン５５が、斜め下方に移動して別のはんだバンプ２２の直上に移動した後（図８の矢印Ｆ３参照）、下方に移動してはんだバンプ２２に当接する（図８の矢印Ｆ４参照）。この場合、主面側プローブピン５５が側方に移動してはんだバンプ２２の直上に移動した後、主面側プローブピン５５が下方に移動してはんだバンプ２２に当接する場合の移動距離（具体的には７ｍｍ）に比べて、主面側プローブピン５５の移動距離が短くなる（具体的には２ｍｍ）。その結果、検査工程及び平坦化工程を素早く行うことができ、１枚当りの配線基板１０の製造時間を短縮（具体的には１５分→１０分）することができるため、配線基板１０の生産効率がよりいっそう向上する。
【００４９】
なお、本実施形態を以下のように変更してもよい。
【００５０】
・上記実施形態では、検査工程と同時に平坦化工程を行っていたが、検査工程と平坦化工程とを別々のタイミングで行うようにしてもよい。例えば、検査工程後に平坦化工程を行ってもよいし、平坦化工程後に検査工程を行ってもよい。
【００５１】
・上記実施形態では、はんだバンプ２１に対して主面側プローブピン５５を複数回（Ｎ回）当接させることにより、はんだバンプ２１を平坦化していた。しかし、主面側プローブピン５５の当接回数や、主面側プローブピン５５をはんだバンプ２１に当接させる速度を変更してもよい。
【００５２】
・上記実施形態では、主面側プローブピン５５によってはんだバンプ２１を押圧する度に検査工程を行っていたが、例えば１回目の押圧のときのみにおいて検査工程を行ってもよい。このようにすれば、検査工程の回数を少なくすることができるため、製造コストをよりいっそう低減させることができる。
【００５３】
・上記実施形態のプローブピン５５，５６は、先端面５７が平坦面となっていたが、先端面が凹面であってもよい。また、プローブピンの先端面は、平坦な押圧用粗面となっていてもよい。この場合、平坦化工程では、プローブピンの先端面（押圧用粗面）によってはんだバンプ２１の頂部を押圧する。その結果、はんだバンプ２１の頂部が平坦化されると同時に粗化される。なお、押圧用粗面の平坦度は１ｃｍ２あたり１０μｍ以下に設定され、押圧用粗面の表面粗さＲａは０．４μｍに設定されている。ここで、「表面粗さＲａ」とは、ＪＩＳ  Ｂ０６０１で定義されている算術平均粗さＲａである。なお、表面粗さＲａの測定方法はＪＩＳ  Ｂ０６０１に準じるものとする。
【００５４】
・上記実施形態では、主面側プローブピンユニット５１，５２及び裏面側プローブピンユニット５３，５４を備える両面フライングＯＳ機が検査装置４０として用いられていた。しかし、主面側プローブピンユニット５１，５２のみを備える片面フライングＯＳ機を検査装置４０として用いてもよい。
【００５５】
・上記実施形態では、はんだバンプ２１の最大径Ａ１が９０μｍとなる配線基板１０が用いられていたが、はんだバンプの最大径は特に限定される訳ではない。例えば、図９に示されるように、はんだバンプ６１の最大径Ｂ１を１００μｍとした配線基板６０を用いてもよい。この場合、主面側プローブピン６２の先端面６３の外径Ｂ２は、はんだバンプ６１の最大径Ｂ１よりも大きく、例えば１２０μｍに設定されることがよい。
【００５６】
・上記実施形態のはんだバンプ２１は、配線基板１０とＩＣチップ３１との接合に用いられるものに適用されていたが、例えば、配線基板１０とマザーボードとの接合に用いられるものに適用してもよい。
【００５７】
・上記実施形態の配線基板１０（基板本体１１）は、基板主面１２上のみにはんだバンプ２１が配置されていたが、基板主面１２上及び基板裏面１３上の両方にはんだバンプ２１が配置されていてもよい。
【００５８】
次に、特許請求の範囲に記載された技術的思想のほかに、前述した実施形態によって把握される技術的思想を以下に列挙する。
【００５９】
（１）上記手段１において、前記プローブピンの前記先端面の外径は、前記はんだバンプの最大径の２倍以下であることを特徴とする配線基板の製造方法。
【００６０】
（２）上記手段１において、前記プローブピンの先端面の外径は１００μｍ以上１２０μｍ以下であることを特徴とする配線基板の製造方法。
【００６１】
（３）上記手段１において、前記プローブピンの前記先端面が当接して前記はんだバンプが導通する度に、前記はんだバンプの高さを計測することを特徴とする配線基板の製造方法。
【００６２】
（４）上記手段１において、前記プローブピンによって前記はんだバンプを押圧化して平坦化する平坦化工程を行い、前記平坦化工程では、前記先端面が押圧用粗面となる前記プローブピンを用いて前記はんだバンプの頂部を押圧することにより、前記頂部を平坦化すると同時に粗化することを特徴とする配線基板の製造方法。
【００６３】
（５）上記手段１において、前記はんだバンプの最大径は９０μｍ以上１００μｍ以下であることを特徴とする配線基板の製造方法。
【００６４】
（６）上記手段１において、前記複数のはんだバンプの中心間距離は５０μｍ以上１５０μｍ以下であることを特徴とする配線基板の製造方法。
【００６５】
（７）配線基板の基板主面上に配置された複数のはんだバンプに対して当接させるプローブピンであって、先端面の外径が前記はんだバンプの最大径よりも大きく設定され、前記先端面が平坦面または凹面であることを特徴とするプローブピン。
【００６６】
（８）配線基板の基板主面上に配置された複数のはんだバンプに対してプローブピンの先端面を当接させることにより、前記配線基板の導通を検査する検査装置であって、前記プローブピンは、前記先端面の外径が前記はんだバンプの最大径よりも大きく設定され、前記先端面が平坦面または凹面であることを特徴とする検査装置。
【００６７】
（９）技術的思想（８）において、前記検査装置は、前記プローブピンを上下方向及び左右方向に移動させる移動機構によって検査対象部位である前記はんだバンプに接触させるフライング式の検査装置であることを特徴とする検査装置。
【００６８】
（１０）配線基板の基板主面上に配置された複数のはんだバンプに対してプローブピンの先端面を当接させることにより、前記配線基板の導通を検査する検査方法であって、前記プローブピンは、前記先端面の外径が前記はんだバンプの最大径よりも大きく設定され、前記先端面が平坦面または凹面であることを特徴とする配線基板の検査方法。
【符号の説明】
【００６９】
１０，６０…配線基板
１１…基板本体
１２…基板主面
２１，２２，６１…はんだバンプ
５５，６２…プローブピンとしての主面側プローブピン
５７，６３…プローブピンの先端面
Ａ１，Ｂ１…はんだバンプの最大径
Ａ２…はんだバンプの中心間距離
Ａ３，Ｂ２…先端面の外径
Ｃ１…プローブピンの中心軸線
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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