(57)【要約】    【課題】  低誘電率の絶縁層を用いて信頼性が高いプリント配線板を提供する。    【解決手段】  層間絶縁層が、１ＧＨzにおける誘電率は４．０以下であるので、必要なインピーダンス特性を得ることができる。層間絶縁層の樹脂の無機フィラーの含有量が２５％以上であるため、層間絶縁層上にファインな導体回路を形成できる。一方、樹脂の無機フィラーの含有量が５５％未満であるため、樹脂絶縁層にボイドが残り難く、プリント配線板の信頼性が向上する。【選択図】  図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１面と、該第１面とは反対側の第２面とを有し、複数の孔をめっき充填して成るビア導体と、前記第１面、前記第２面に形成された第１導体層と、を備えるコア絶縁層と、
前記コア絶縁層の前記第１面側、前記第２面側に形成され、複数の孔をめっき充填して成るビア導体を備える１以上の層間絶縁層と、該層間絶縁層上に形成された第２導体層と、を有するプリント配線板であって：
スタック配置された前記第１面側の層間絶縁層のビア導体、前記コア絶縁層のビア導体、前記第２面側の層間絶縁層のビア導体を備え、
前記層間絶縁層は、心材に樹脂を含浸してなり、
前記層間絶縁層の１ＧＨzにおける誘電率が４．０以下で、
前記樹脂に含まれる無機フィラーの含有率が２５〜５５wt％である。
【請求項２】
請求項１のプリント配線板であって、
前記樹脂の最低溶融粘度が２００〜５００Ｐａ・Ｓである。
【請求項３】
請求項１のプリント配線板であって、
前記樹脂に含まれる無機フィラーの含有率が３０〜４５wt％である。
【請求項４】
請求項１のプリント配線板であって、
前記第１、第２導体層における導体間が前記層間絶縁層の一部で充填されている。
【請求項５】
請求項１のプリント配線板であって、
前記層間絶縁層の積層方向でのＴｇ（ガラス転移点）以下の熱膨張率が８５ppm／℃以下である。
【請求項６】
請求項１のプリント配線板であって：
前記コア絶縁層上の第１導体層、及び／又は、第２導体層によって、ストリップラインが形成されている。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、コア絶縁層に両面に複数の層間絶縁層を積層して成るプリント配線板に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
近年、ブロードバンド時代の電気信号の送受信に対応するためにＬＳＩの動作速度は高周波数化している。それに伴って、ＬＳＩを実装するプリント配線板に使用される絶縁層用樹脂にこれまで以上に低誘電率化が求められるようになってきた。即ち、電気信号の周波数が高くなるほど電気信号の伝送遅延や伝送損失の問題が大きくなる。
【０００３】
特許文献１には、硬化性ポリフェニレンエーテル系樹脂組成物を用いることで、低誘電率、低誘電損失を実現した配線基板が開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００２−１８６２３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、樹脂を低誘電率化させると、溶融粘度が高くなり、低誘電率樹脂を含む層間絶縁層を導体層上に積層させた際に、該導体層間にボイドが残り易くなり、プリント配線板の信頼性が低下することが明らかになった。
【０００６】
本発明は、上述した課題を解決するためになされたものであり、その目的とするところは、低誘電率の絶縁層を用いて電気特性を改善しながら、信頼性が低下しないプリント配線板を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
請求項１に記載の発明は、第１面と、該第１面とは反対側の第２面とを有し、複数の孔をめっき充填して成るビア導体と、前記第１面、前記第２面に形成された第１導体層と、を備えるコア絶縁層と、前記コア絶縁層の前記第１面側、前記第２面側に形成され、複数の孔をめっき充填して成るビア導体を備える１以上の層間絶縁層と、該層間絶縁層上に形成された第２導体層と、を有する。そして、スタック配置された前記第１面側の層間絶縁層のビア導体、前記コア絶縁層のビア導体、前記第２面側の層間絶縁層のビア導体を備え、前記層間絶縁層は、心材に樹脂を含浸してなり、前記層間絶縁層の１ＧＨzにおける誘電率が４．０以下で、前記樹脂に含まれる無機フィラーの含有率が２５〜５５wt％である。
【発明の効果】
【０００８】
請求項１のプリント配線板は、コア絶縁層の両面に複数の層間絶縁層を積層して成る。層間絶縁層は、１ＧＨzにおける誘電率が４．０以下であるので、ストリップラインを形成する際に複数層の層間絶縁層を介在させるスキップレイヤを採用しなくても、或いは、配線を歩留まりが下がるほど薄くしなくても必要なインピーダンス特性を得ることができる。一方、無機フィラーの含有率が２５〜５５wt％である。無機フィラーの含有量が２５％未満になると、樹脂の粘度が下がりすぎ、導体層上に形成された層間絶縁層の表面に、導体層に沿って凹凸ができ、該層間絶縁層上にファインな導体層（導体回路）が形成できなくなる。一方、無機フィラーの含有量が５５％超になると、樹脂の粘度が上がり、層間絶縁層を導体層上に積層させた際に、該導体層の導体回路間が樹脂で埋まり難くなってボイドが残り易くなり、プリント配線板の信頼性が低下する。
【図面の簡単な説明】
【０００９】
【図１】本発明の第１実施形態に係るプリント配線板の断面図である。
【図２】第１実施形態のプリント配線板の製造工程図である。
【図３】第１実施形態のプリント配線板の製造工程図である。
【図４】第１実施形態のプリント配線板の製造工程図である。
【図５】第１実施形態のプリント配線板の製造工程図である。
【図６】第１実施形態のプリント配線板の製造工程図である。
【発明を実施するための形態】
【００１０】
[第１実施形態]
図１は、第１実施形態に係るプリント配線板の断面図である。図２〜図５は、該プリント配線板の製造工程を示す。
プリント配線板１０は、中央に配置されるコア絶縁層５０Ｍの第１面Ｆ側に、層間絶縁層５０Ａ、５０Ｃ、５０Ｅ、５０Ｇ、５０Ｉが積層され、第２面Ｓ側に層間絶縁層５０Ｂ、５０Ｄ、５０Ｆ、５０Ｈ、５０Ｊが積層されている。コア絶縁層５０Ｍの第１面Ｆの導体回路５８Ｍａと第２面Ｓの導体回路５８Ｍｂとはビア導体６０Ｍを介して接続されている。ビア導体６０Ｍは、コア絶縁層に設けられた開口５１内に銅めっきを充填することにより形成される（図２（Ｄ）参照）。第１面Ｆの導体回路５８Ｍａは、コア絶縁層上の銅箔３２、無電解めっき膜３４、電解めっき膜３６から構成される（図２（Ｇ）参照）。第２面Ｓ側の導体回路５８Ｍｂは、コア絶縁層上の銅箔３２、無電解めっき膜３４、電解めっき膜３６から構成される（図２（Ｇ）参照）。コア絶縁層５０Ｍの第２面Ｓ側には、更に、ストリップラインを構成するためのアース層５８ＭＥが形成されている。層間絶縁層５０Ａ上の導体回路５８Ａは、層間絶縁層上の銅箔４２、無電解めっき膜４４、電解めっき膜４６から構成される（図５（Ａ）参照）。ここで、図２（Ｇ）中に示す、導体回路５８Ｍａを構成するコア絶縁層上の銅箔３２の厚みｔ１は１２μｍ、図５（Ａ）に示す導体回路５８Ａを構成する銅箔４２の厚みｔ２は７．５μｍである。
【００１１】
コア絶縁層５０Ｍの第１面Ｆ側に積層される層間絶縁層５０Ａには、該層間絶縁層５０Ａ上の導体回路５８Ａを、コア絶縁層５０Ｍの導体回路５８Ｍａへ接続させるためのビア導体６０Ａが形成されている。該層間絶縁層５０Ａ上に積層される層間絶縁層５０Ｃには、該層間絶縁層５０Ｃ上の導体回路５８Ｃを、層間絶縁層５０Ａ上の導体回路５８Ａへ接続させるためのビア導体６０Ｃが形成されている。該層間絶縁層５０Ｃ上に積層される層間絶縁層５０Ｅには、該層間絶縁層５０Ｅ上の導体回路５８Ｅを、層間絶縁層５０Ｃ上の導体回路５８Ｃへ接続させるビア導体６０Ｅが形成されている。該層間絶縁層５０Ｅ上に積層される層間絶縁層５０Ｇには、該層間絶縁層５０Ｇ上の導体回路５８Ｇを、層間絶縁層５０Ｅ上の導体回路５８Ｅへ接続させるためのビア導体６０Ｇが形成されている。該層間絶縁層５０Ｇ上に積層される層間絶縁層５０Ｉには、該層間絶縁層５０Ｉ上の導体回路５８Ｉを、層間絶縁層５０Ｇ上の導体回路５８Ｇへ接続させるためのビア導体６０Ｉが形成されている。
【００１２】
コア絶縁層５０Ｍの第２面Ｓ側に積層される層間絶縁層５０Ｂには、該層間絶縁層５０Ｂ上の導体回路５８Ｂを、コア絶縁層５０Ｍの導体回路５８Ｍｂへ接続させるためのビア導体６０Ｂが形成されている。該層間絶縁層５０Ｂ上に積層される層間絶縁層５０Ｄには、該層間絶縁層５０Ｄ上の導体回路５８Ｄを、層間絶縁層５０Ｂ上の導体回路５８Ｂへ接続させるためのビア導体６０Ｄが形成されている。該層間絶縁層５０Ｄ上に積層される層間絶縁層５０Ｆには、該層間絶縁層５０Ｆ上の導体回路５８Ｆを、層間絶縁層５０Ｄ上の導体回路５８Ｄへ接続させるビア導体６０Ｆが形成されている。該層間絶縁層５０Ｆ上に積層される層間絶縁層５０Ｈには、該層間絶縁層５０Ｈ上の導体回路５８Ｈを、層間絶縁層５０Ｆ上の導体回路５８Ｆへ接続させるためのビア導体６０Ｈが形成されている。該層間絶縁層５０Ｈ上に積層される層間絶縁層５０Ｊには、該層間絶縁層５０Ｊ上の導体回路５８Ｊを、層間絶縁層５０Ｈ上の導体回路５８Ｈへ接続させるためのビア導体６０Ｊが形成されている。
【００１３】
上述したように、コア絶縁層５０Ｍの第２面側にアース層５８ＭＥが形成されている。また、第２面側の層間絶縁層５０Ｄ上にアース層５８ＤＥが形成され、両アース層５８ＭＥ、５８ＤＥにより、層間絶縁層５０Ｂ上に配置された信号線５８ＢＳに対するストリップラインを構成している。同様に、第１面側の層間絶縁層５０Ａ上にアース層５８ＡＥが形成されている。また、第１面側の層間絶縁層５０Ｅ上にアース層５８ＥＥが形成され、両アース層５８ＡＥ、５８ＥＥにより、層間絶縁層５０Ｃ上に配置された信号線５８ＣＳに対するストリップラインを構成している。
【００１４】
第１実施形態のプリント配線板は、コア絶縁層５０Ｍ及び層間絶縁層５０Ａ〜５０Ｊが、心材に無機フィラーの含有する低誘電率樹脂を含浸して成る。層間絶縁層の１ＧＨzにおける誘電率が４．０以下、樹脂に含まれる無機フィラーの含有率が２５〜５５wt％である。更に好適には、無機フィラーの含有率が２５〜５５wt％である。樹脂の最低溶融粘度が２００〜５００Ｐａ・Ｓである。樹脂の粘度は振動粘度計を用いて測定された値である。樹脂の最低溶融粘度とは、熱硬化させるため加熱した際に、溶融して粘度が一番下がった時点での粘度を意味する。層間絶縁層の積層方向でのＴｇ（ガラス転移点）以下の熱膨張率が、８５ppm／℃以下、更に好適には５５ppm／℃以下に設定されている。
【００１５】
第１実施形態のプリント配線板は、コア絶縁層５０Ｍの両面に複数の層間絶縁層５０Ａ〜５０Ｊを積層して成る。コア絶縁層及び層間絶縁層は、ガラスクロス等の心材に２５〜５５wt％の無機フィラーを含有する熱硬化性樹脂を含浸して成る。層間絶縁層が、１ＧＨzにおける誘電率は４．０以下であるので、ストリップ構造を形成する際に複数層の層間絶縁層を介在させるスキップレイヤを採用しなくても、或いは、配線を歩留まりが下がるほど薄くしなくても必要なインピーダンス特性を得ることができる。無機フィラーの含有率が２５〜５５wt％である。無機フィラーの含有量が２５％未満になると、樹脂の粘度が下がりすぎ、導体層上に形成された層間絶縁層の表面に、導体層に沿って凹凸ができ、該層間絶縁層上にファインな導体層（導体回路）が形成できなくなる。第１実施形態では、無機フィラーの含有量が２５％以上であるため、層間絶縁層上にファインな導体回路を形成できる。一方、無機フィラーの含有量が５５％超になると、樹脂の粘度が上がり、層間絶縁層を導体層上に積層させた際に、該導体層の導体回路間が樹脂で埋まり難くなってボイドが残り易くなり、プリント配線板の信頼性が低下する。第１実施形態では、無機フィラーの含有量が５５％未満であるため、樹脂絶縁層にボイドが残り難く、プリント配線板の信頼性が向上する。
【００１６】
第１実施形態では、樹脂の最低溶融粘度が２００〜５００Ｐａ・Ｓである。粘度が２００Ｐａ・Ｓ以上であるため、層間絶縁層を積層し硬化させる際に、樹脂の粘度が下がり過ぎず、導体層上に形成された層間絶縁層の表面に、導体層に沿って凹凸ができ難く、層間絶縁層上にファインな導体回路を形成できる。一方、粘度が５００Ｐａ・Ｓ以下であるため、樹脂の粘度が高くなり過ぎず、層間絶縁層を導体層上に積層させた際に、該導体層の導体回路間が樹脂で埋まり易く、樹脂絶縁層にボイドが残り難く、プリント配線板の信頼性が向上する。
【００１７】
第１実施形態のプリント配線板では、放熱性を高めるため、第１面側の層間絶縁層５０Ｉ、５０Ｇ、５０Ｅ、５０Ｃ、５０Ａのビア導体６０Ｉ、６０Ｇ、６０Ｅ、６０Ｃ、６０Ａ、コア絶縁層５０Ｍのビア導体６０Ｍ、第２面側の層間絶縁層５０Ｂ、５０Ｄ、５０Ｆ、５０Ｈ、５０Ｊのビア導体６０Ｂ、６０Ｄ、６０Ｆ、６０Ｈ、６０Ｊがスタック配置されている。このため、中心に配置されるコア絶縁層のビア導体６０Ｍは、層間絶縁層５０Ｉ、５０Ｇ、５０Ｅ、５０Ｃ、５０Ａ、５０Ｂ、５０Ｄ、５０Ｆ、５０Ｈ、５０Ｊのビア導体からの応力が集中する。しかしながら、層間絶縁層の積層方向でのＴｇ（ガラス転移点）以下の熱膨張率が、８５ppm／℃以下に設定されているため、各層間絶縁層での応力値が低く、中心に配置されるコア絶縁層のビア導体６０Ｍの信頼性が低下し難い。更に、コア絶縁層の両面の導体回路６０Ｍａ、６０Ｍｂを構成する銅箔３２を厚くすることで、応力が加わった際にもコア絶縁層のビア導体６０Ｍの剥離を防ぎ、ビア導体の接続信頼性を確保することができる。
【００１８】
中心に配置されるコア絶縁層５０Ｍは、層間絶縁層からの応力が集中する。このため、コア絶縁層の両面の導体回路５８Ｍａ、５８Ｍｂの銅箔３２の厚みｔ１を、層間絶縁層上の導体回路の銅箔４２の厚みｔ２よりも厚くし剛性を高めることで、応力が加わった際にもコア絶縁層内部のビア導体６０Ｍの銅箔４２からの剥離を防ぎ、ビア導体の接続信頼性が確保できる。
【００１９】
第１実施形態のプリント配線板では、コア絶縁層５０Ｍ上の導体回路５８Ｍａ、５８Ｍｂを構成する銅箔３２の厚みは５μｍ以上である。このため、応力が加わった際のビア導体６０Ｍの剥離を防ぎ、ビア導体の接続信頼性を確保することができる。
【００２０】
第１実施形態のプリント配線板は、コア絶縁層上の第１導体層及び／又は第２導体層によってストリップラインが形成されている。コア絶縁層及び層間絶縁層は、それぞれ１ＧＨzにおける誘電率が４．０以下であるので、複数層の層間絶縁層を介在させるスキップレイヤを採用しなくても必要なインピーダンス特性を得ることができる。
【００２１】
第１実施形態のプリント配線板では、コア絶縁層及び層間絶縁層が無機フィラーを含むため、熱膨張率を５５ppm／℃以下にできる。
【００２２】
第１実施形態では、コア絶縁層から同じ階層分離れた第１面側の層間絶縁層と、第２面側の層間絶縁層とが同じ材料から成る。即ち、層間絶縁層５０Ａと層間絶縁層５０Ｂとが同じ材質、層間絶縁層５０Ｃと層間絶縁層５０Ｄとが同じ材質、層間絶縁層５０Ｅと層間絶縁層５０Ｆとが同じ材質、層間絶縁層５０Ｇと層間絶縁層５０Ｈとが同じ材質、層間絶縁層５０Ｉと層間絶縁層５０Ｊとが同じ材質である。このため、プリント配線板の上下で熱応力を対称に発生させ、反りを防ぐことができる。
【００２３】
図２〜図６に第１実施形態のプリント配線板の製造方法が示される。
（１）厚さ０．１５ｍｍのガラスクロス芯材に２５〜５５wt％の無機フィラーを含有する熱硬化性樹脂を浸漬させた厚み６０μｍのコア絶縁層５０Ｍの両面に１２μｍの銅箔３２がラミネートされている両面銅張積層板を出発材料とする。まず、銅箔３２の表面に黒化処理が施される（図２（Ａ））。熱硬化性樹脂としては、硬化性ポリフェニレンエーテル系樹脂を用いることもできる。
ここで、銅箔３２は、１２μｍ以上の厚みの銅箔をラミネートしてから、ハーフエッチングにより、１２μｍの厚みに調整してもよい。
【００２４】
（２）コア絶縁層５０Ｍの第１面Ｆ側に該第１面Ｆから該第２面Ｓに向けてＣＯ２レーザが照射され、第２面側の銅箔３２に至る開口部５１Ｍが形成される（図２（Ｂ））。
【００２５】
（３）過マンガン酸により開口５１Ｍのデスミア処理が行われた後、無電解めっき処理により無電解めっき膜３４が形成され（図２（Ｃ））、更に、電解めっき膜３６が形成され、開口部５１Ｍにめっき充填されたビア導体６０Ｍが形成される（図２（Ｄ））。
【００２６】
（４）コア絶縁層５０Ｍの表面の電解めっき膜３６に所定パターンのエッチングレジスト３８が形成される（図２（Ｅ））。
【００２７】
（５）エッチングレジスト非形成部の第１面側の電解めっき膜３６、無電解めっき膜３４、銅箔３２が除去され、第２面側の電解めっき膜３６、無電解めっき膜３４、銅箔３２が除去され（図２（Ｆ））、エッチングレジストが剥離され導体回路５８Ｍａ、５８Ｍｂ及びビア導体６０Ｍを備えるコア絶縁層５０Ｍが完成される（図２（Ｇ））。
【００２８】
（６）コア絶縁層５０Ｍの第１面Ｆ側に、ガラスクロス芯材に２５〜５５wt％の無機フィラーを含有する熱硬化性樹脂を浸漬させた厚み４０μｍの層間絶縁層５０Ａ、及び、１２μｍの銅箔４２がラミネートされ、第２面Ｓ側に、ガラスクロス芯材に２５〜５５wt％の無機フィラーを含有する熱硬化性樹脂を浸漬させた厚み４０μｍの層間絶縁層５０Ｂ、及び、１２μｍの銅箔４２がラミネートされる（図３（Ａ））。
【００２９】
（７）ハーフエッチングにより、銅箔４２の厚みが７．５μｍに調整され（図３（Ｂ））、銅箔に黒化処理が施される。
【００３０】
（８）ＣＯ２レーザが照射され、層間絶縁層５０Ａに導体回路５８Ｍａに至る開口部５１Ａが形成され、層間絶縁層５０Ｂに導体回路５８Ｍｂに至る開口部５１Ｂが形成される（図３（Ｃ））。
【００３１】
（９）開口５１Ａ、５１Ｂのデスミア処理が行われた後、無電解めっき処理により無電解めっき膜４４が形成され（図３（Ｄ））、更に、電解めっき膜４６が形成され、開口部５１Ａ、５１Ｂにめっき充填されたビア導体６０Ａ、６０Ｂが形成される（図４（Ａ））。
【００３２】
（１０）層間絶縁層５０Ａ、５０Ｂの表面の電解めっき膜３６に所定パターンのエッチングレジスト４８が形成される（図４（Ｂ））。
【００３３】
（１１）エッチングレジスト非形成部の電解めっき膜４６、無電解めっき膜４４、銅箔４２が除去され（図４（Ｃ））、エッチングレジストが剥離され導体回路５８Ａ、ビア導体６０Ａを備える層間絶縁層５０Ａ、導体回路５８Ｂ、ビア導体６０Ｂを備える層間絶縁層５０Ｂが完成される（図５（Ａ））。
【００３４】
（１２）図３〜図５（Ａ）に示した処理が繰り替えされ、導体回路５８Ｃ、ビア導体６０Ｃを備える層間絶縁層５０Ｃ、導体回路５８Ｄ、ビア導体６０Ｄを備える層間絶縁層５０Ｄが積層され、導体回路５８Ｅ、ビア導体６０Ｅを備える層間絶縁層５０Ｅ、導体回路５８Ｆ、ビア導体６０Ｆを備える層間絶縁層５０Ｆが積層される。更に、導体回路５８Ｇ、ビア導体６０Ｇを備える層間絶縁層５０Ｇ、導体回路５８Ｈ、ビア導体６０Ｈを備える層間絶縁層５０Ｈが積層され、導体回路５８Ｉ、ビア導体６０Ｉを備える層間絶縁層５０Ｉ、導体回路５８Ｊ、ビア導体６０Ｊを備える層間絶縁層５０Ｊが積層され、プリント配線板１０が完成される（図５（Ｂ））。
【００３５】
（１３）市販のソルダーレジスト組成物が塗布され、露光・現像することで、開口部７１を備えるソルダーレジスト層７０が形成される（図６（Ａ））。
【００３６】
（１４）開口部７１に厚さ５μｍのニッケルめっき層、ニッケルめっき層上に、厚さ０．０３μｍの金めっき層が形成される（図示せず）。
【００３７】
（１５）第１面側の開口部７１及び第２面側の開口部７１に半田ボールが搭載され、リフローを行うことで、第１面（上面）側に半田バンプ７６Ｕが、第２面（裏面）側に半田バンプ７６Ｄが形成され、プリント配線板１０が完成する（図６（Ｂ））。
【００３８】
[試験結果]
実施形態１，実施形態２、比較例１、比較例２とをボイドの発生及び層間絶縁層表面のバラツキを試験した。
実施形態１の層間絶縁層の樹脂は、最低溶融粘度が２３５Ｐａ・Ｓ＠１４７℃、樹脂の無機フィラー含有率が３３wt％である。
実施形態２の層間絶縁層の樹脂は、最低溶融粘度が７５０Ｐａ・Ｓ＠１４６℃、樹脂の無機フィラー含有率が５０wt％である。
比較例１の層間絶縁層の樹脂は、最低溶融粘度が７４１Ｐａ・Ｓ＠１３５℃、樹脂の無機フィラー含有率が２３wt％である。
比較例２の層間絶縁層の樹脂は、最低溶融粘度が６９４Ｐａ・Ｓ＠１２４℃、樹脂の無機フィラー含有率が６０wt％である。
【００３９】
層間絶縁層を３．５ＭＰａの圧力を加え積層した後、ボイドの発生の有無を確認した。この結果、実施形態１（無機フィラー含有率３３wt％），実施形態２（無機フィラー含有率５０wt％），比較例１（無機フィラー含有率２３wt％）の層間絶縁層では、ボイドが確認されなかった。比較例２（無機フィラー含有率６０wt％）の層間絶縁層では、ボイドが確認された。
【００４０】
層間絶縁層を３．５ＭＰａの圧力を加え積層した後、層間絶縁層表面のバラツキ（凹凸）を比較した。微細な配線を層間絶縁層上に形成するためには、バラツキを３．５μｍ以下にすることが望ましい。
実施形態１（無機フィラー含有率３３wt％）では３．２μｍで許容値内であった。
実施形態２（無機フィラー含有率５０wt％）では２．７μｍで許容値内であった。
比較例１（無機フィラー含有率２３wt％）では、４．１μｍで、許容値の３．５μｍを越えた。
比較例２（無機フィラー含有率６０wt％）では、１．６μｍで許容値内であった。
【００４１】
以上の試験した結果から、層間絶縁層の樹脂の無機フィラーの含有量を５５wt％未満にすることで、樹脂絶縁層にボイドが残り難くできる。一方、層間絶縁層の樹脂の無機フィラーの含有量が２５％以上にすることで、層間絶縁層上にファインな導体回路を形成できることが明らかになった。
【符号の説明】
【００４２】
１０  プリント配線板
４４  無電解めっき膜
４６  電解めっき膜
５０Ｍ  コア絶縁層
５０Ａ、５０Ｂ  層間絶縁層
５８Ｍａ、５８Ｍｂ、５８Ａ、５８Ｂ  導体回路
６０Ｍ、６０Ａ、６０Ｂ  ビア導体
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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