(57)【要約】【課題】パッケージ構造及びその製造方法を提供する。【解決手段】このパッケージ構造は、絶縁保護層と、少なくとも一つの金属ケーブルを包含して該絶縁保護層の上に設置される導線層と、第１パッケージユニットを包含し、該第１パッケージユニットは、複数の金属柱状物、一つの第１集積回路チップ、第１成形コンパウンド層を包含し、並びに該導線層の上に設置され、これら金属柱状物は導電柱領域内に設置されて該少なくとも一つの金属ケーブルに電気的に接続され、該第１集積回路チップは素子領域内に設置され並びに該少なくとも一つの金属ケーブルに電気的に接続され、該第１成形コンパウンド層は該第１パッケージユニット内のこれら金属柱状物及び該第１集積回路チップ以外の部分に充填される。【選択図】図２
2015185845.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
パッケージ構造において、
一つの絶縁保護層と、
少なくとも一つの金属配線を包含して該絶縁保護層の上に設置される一つの導線層と、
一つの第１パッケージユニットであって、複数の金属柱状物、第１集積回路チップ、第１成形コンパウンド層を包含し、並びに該導線層の上に設置され、これら金属柱状物は導電柱領域内に設置されて該少なくとも一つの金属配線に電気的に接続され、該第１集積回路チップは素子領域内に設置され並びに該少なくとも一つの金属配線に電気的に接続され、該第１成形コンパウンド層は該第１パッケージユニット内のこれら金属柱状物及び該第１集積回路チップ以外の部分に充填される上記第１パッケージユニットと、
を包含することを特徴とする、パッケージ構造。
【請求項２】
請求項１記載のパッケージ構造において、さらに、
一つの第２パッケージユニットであって、第２集積回路チップと第２成形コンパウンド層を包含し、並びに該第１パッケージユニットの上に設置され、該第２集積回路チップはこれら金属柱状物に電気的に接続され、且つ該第２成形コンパウンド層は該第２パッケージユニット内の該第２集積回路チップ以外の部分に充填される、上記第２パッケージユニット、
を包含することを特徴とする、パッケージ構造。
【請求項３】
請求項１記載のパッケージ構造において、該導線層はさらに、一つの誘電材料層を包含し、それは該導線層内の、該少なくとも一つの金属配線以外の部分に充填されることを特徴とする、パッケージ構造。
【請求項４】
請求項３記載のパッケージ構造において、該誘電材料層と該第１成形コンパウンド層は、同じ或いは異なる材料組成を有することを特徴とする、パッケージ構造。
【請求項５】
請求項１記載のパッケージ構造において、これら金属柱状物は銅柱とされることを特徴とする、パッケージ構造。
【請求項６】
請求項１記載のパッケージ構造において、該第１成形コンパウンド層の組成材料は、ノボラック樹脂（Ｎｏｖｏｌａｃ−Ｂａｓｅｄ  Ｒｅｓｉｎ）、エポキシ樹脂（Ｅｐｏｘｙ−Ｂａｓｅｄ  Ｒｅｓｉｎ）、或いはシリコン樹脂（Ｓｉｌｉｃｏｎｅ−Ｂａｓｅｄ  Ｒｅｓｉｎ）を包含することを特徴とする、パッケージ構造。
【請求項７】
請求項２記載のパッケージ構造において、該第２成形コンパウンド層の組成材料は、ノボラック樹脂、エポキシ樹脂、或いはシリコン樹脂を包含することを特徴とする、パッケージ構造。
【請求項８】
請求項１記載のパッケージ構造において、該第１集積回路チップは複数の第１伝導性のピンを具え、それは少なくとも一つの金属配線に接続されることを特徴とする、パッケージ構造。
【請求項９】
請求項２記載のパッケージ構造において、該第２集積回路チップは複数の第２伝導性のピンを具え、それはこれら金属柱状物に接続されることを特徴とする、パッケージ構造。
【請求項１０】
請求項１記載のパッケージ構造において、複数の電気接続素子が該絶縁保護層の下に設置され、並びに該少なくとも一つの金属配線に電気的に接続されることを特徴とする、パッケージ構造。
【請求項１１】
パッケージ構造の製造方法において、以下のステップ、すなわち、
（Ａ）一つのキャリアーを提供する、
（Ｂ）一つの導線層を該キャリアーの上に形成し、該導線層は少なくとも一つの金属配線を包含する、
（Ｃ）複数の金属柱状物を該導線層の上に形成し、これら金属柱状物を該少なくとも一つの金属配線に電気的に接続する、
（Ｄ）一つの第１集積回路チップを該導線層の上に設置し、該第１集積回路チップを該少なくとも一つの金属配線に電気的に接続し、且つ該第１集積回路チップとこれら金属柱状物が相互に重畳しないようにする、
（Ｅ）一つの第１成形コンパウンド層を該キャリアーの上に形成し、該第１成形コンパウンド層に該キャリアー上の全ての該導線層、これら金属柱状物、及び該第１集積回路チップを被覆させる、
（Ｆ）一部の該第１成形コンパウンド層を除去し、これら金属柱状物を露出させる、
（Ｇ）一つの第２集積回路チップを該第１成形コンパウンド層の上に設置し、該第２集積回路チップをこれら金属柱状物に電気的に接続する、
（Ｈ）一つの第２成形コンパウンド層を該第１成形コンパウンド層の上に形成し、該第２成形コンパウンド層で該第２集積回路チップを被覆する、及び、
（Ｉ）該キャリアーを除去し、並びに該導線層の下に絶縁保護層を形成する、
以上を包含することを特徴とする、パッケージ構造の製造方法。
【請求項１２】
請求項１１記載のパッケージ構造の製造方法において、そのうち（Ｂ）のステップは、第１ホトレジスト層を該キャリアーの上に形成し、並びに該第１ホトレジスト層をパターニングし、第１金属層を該パターニングした第１ホトレジスト層が形成する開口領域内に形成し、及び、該第１ホトレジスト層を除去し、並びに該第１金属層のパターニングを同時に完成し、こうして該少なくとも一つの金属配線を形成し、以上を包含することを特徴とする、パッケージ構造の製造方法。
【請求項１３】
請求項１１記載のパッケージ構造の製造方法において、そのうち、（Ｂ）のステップは、
一つの誘電層を該キャリアーの上に形成し、
一部の該誘電層を除去して、該少なくとも一つの金属配線のパターンを形成し、
一つの第１金属層を該誘電層の除去された部分に形成し、これにより該少なくとも一つの金属配線を形成し、
以上を包含することを特徴とする、パッケージ構造の製造方法。
【請求項１４】
請求項１１記載のパッケージ構造の製造方法において、そのうち、（Ｂ）のステップは、
一つの第１金属層を該キャリアーの上に形成し、
一部の該第１金属層を除去し、これにより該少なくとも一つの金属配線のパターンを形成し、
一つの誘電材料層を、該第１金属層の除去された部分に形成し、該誘電材料層と該第１金属層に共同で該導線層を構成させ、
以上を包含することを特徴とする、パッケージ構造の製造方法。
【請求項１５】
請求項１１記載のパッケージ構造の製造方法において、そのうち、（Ｃ）のステップは、
一つの第２ホトレジスト層を該キャリアーの上に形成し、並びに該第２ホトレジスト層をパターニングし、
一つの第２金属層を該第２ホトレジスト層上に形成し、
該第２ホトレジスト層を除去し、並びに該第２金属層のパターニングを同時に完成し、これによりこれら金属柱状物を形成し、
以上を包含することを特徴とする、パッケージ構造の製造方法。
【請求項１６】
請求項１１記載のパッケージ構造の製造方法において、該第１集積回路チップは複数の第１伝導性のピンを具え、該第１集積回路チップが該導線層の上に設置されるとき、これら第１伝導性のピンは該少なくとも一つの金属配線に接続されることを特徴とする、パッケージ構造の製造方法。
【請求項１７】
請求項１１記載のパッケージ構造の製造方法において、（Ｅ）のステップは、トップモールディング、圧縮モールディング、トランスファーモールディング或いは射出成形を採用して達成されることを特徴とする、パッケージ構造。
【請求項１８】
請求項１７記載のパッケージ構造の製造方法において、そのうち、該第１成形コンパウンド層の材料は、ノボラック樹脂、エポキシ樹脂、或いはシリコン樹脂を包含することを特徴とする、パッケージ構造の製造方法。
【請求項１９】
請求項１１記載のパッケージ構造の製造方法において、そのうち、（Ｆ）のステップは、研磨、サンドブラスト、プラズマ、或いはケミカルエッチング方式を包含し、上から下に、第１成形コンパウンド層を、これら金属柱状物の上端面が露出するまで除去することを特徴とする、パッケージ構造の製造方法。
【請求項２０】
請求項１１記載のパッケージ構造の製造方法において、該第２集積回路チップは、複数の第２伝導性のピンを有し、該第２集積回路チップが該第１成形コンパウンド層の上に設置されるとき、これら第２伝導性のピンはこれら金属柱状物の露出部分に接続されることを特徴とする、パッケージ構造の製造方法。
【請求項２１】
請求項１１記載のパッケージ構造の製造方法において、そのうち、（Ｈ）のステップは、トップモールディング、圧縮モールディング、トランスファーモールディング或いは射出成形を採用して達成されることを特徴とする、パッケージ構造の製造方法。
【請求項２２】
請求項２１記載のパッケージ構造の製造方法において、そのうち、該第２成形コンパウンド層の材料は、ノボラック樹脂、エポキシ樹脂、或いはシリコン樹脂を包含することを特徴とする、パッケージ構造の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は一種のパッケージ構造であり、特にフリップチップ式のパッケージオンパッケージ（Ｆｌｉｐ−Ｃｈｉｐ  Ｐａｃｋａｇｅ−Ｏｎ−Ｐａｃｋａｇｅ）構造及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
新時代の電子製品は軽量薄型コンパクト化が追求されるのみならず、多機能と高性能の方向に向けて発展し、これにより、集積回路（Ｉｎｔｅｇｒａｔｅｄ  Ｃｉｒｃｕｉｔ，ＩＣ）技術は不断に高密度化とマイクロ化し、有限なチップ空間により多くの電子部品を収容できるようにし、その後端のパッケージ基板及びそのパッケージ技術もまたそれに伴い発展し、この新時代の電子製品の趨勢に合致するものとなっている。たとえば、フリップチップパッケージ技術、特にフリップチップチップサイズパッケージ（Ｆｌｉｐ−Ｃｈｉｐ  Ｃｈｉｐ  Ｓｉｚｅ  Ｐａｃｋａｇｅ，ＦＣＣＳＰ）とフリップチップパッケージオンパッケージ（Ｆｌｉｐ−Ｃｈｉｐ  Ｐａｃｋａｇｅ−Ｏｎ−Ｐａｃｋａｇｅ，ＦＣＰＯＰ）は、異なる特性の集積回路素子を整合して一緒にパッケージしており、それは、スマートホン、タブレットＰＣ、ノートブック型コンピュータ等、ネットワーク通信製品に主に応用され、これらのネットワーク通信製品は、高周波高速の操作及び軽量薄型コンパクトな集積回路パッケージを要求する。このため、このような要求を満足させられる新たなフリップチップパッケージオンパッケージ技術を発展させる必要がある。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
本発明は、ネットワーク通信製品の、高周波高速の操作及び軽量薄型コンパクトな集積回路パッケージに対する要求を満足させられる、新たなパッケージオンパッケージ技術を提供することを目的としている。
【課題を解決するための手段】
【０００４】
上述の目的を達成するため、本発明はある方面に基づき、ある実施例において、一種のパッケージ構造を提供し、それは、
絶縁保護層と、
少なくとも一つの金属配線を包含して該絶縁保護層の上に設置される導線層と、
第１パッケージユニットであって、該第１パッケージユニットは、複数の金属柱状物、第１集積回路チップ、第１成形コンパウンド層を包含し、並びに該導線層の上に設置され、これら金属柱状物は導電柱領域内に設置されて該少なくとも一つの金属配線に電気的に接続され、該第１集積回路チップは素子領域内に設置され並びに該少なくとも一つの金属配線に電気的に接続され、該第１成形コンパウンド層は該第１パッケージユニット内のこれら金属柱状物及び該第１集積回路チップ以外の部分に充填される上記第１パッケージユニットと、
第２パッケージユニットであって、第２集積回路チップと第２成形コンパウンド層を包含し、並びに該第１パッケージユニットの上に設置され、該第２集積回路チップはこれら金属柱状物に電気的に接続され、且つ該第２成形コンパウンド層は該第２パッケージユニット内の該第２集積回路チップ以外の部分に充填される、上記第２パッケージユニットと、
を包含する。
【０００５】
ある実施例において、該導線層はさらに、誘電材料層を包含し、それは該導線層内の、該少なくとも一つの金属配線以外の部分に充填される。
【０００６】
ある実施例において、該誘電材料層と該第１成形コンパウンド層は、同じ或いは異なる組成を有する。該誘電材料層は、感光性樹脂或いは非感光性樹脂を包含し、たとえば、ビスマレイミド−トリアジン（Bismaleimide-Triazine Resin −BT）樹脂、ポリイミド(Polyimide,PI)樹脂、アジノモト構築膜(Ajinomoto Build-up Film)、難燃性（Ｆｌａｍｅ  Ｒｅｔａｒｄｅｎｔ  ５,FR5）ガラス繊維エポキシ樹脂、液晶高分子(Liquid Crystal Polymer,LCP)、テフロン（登録商標）等とされる。
【０００７】
ある実施例において、これら金属柱状物は銅柱とされる。
【０００８】
ある実施例において、該第１成形コンパウンド層或いは該第２成形コンパウンド層の組成材料は、ノボラック樹脂（Ｎｏｖｏｌａｃ−Ｂａｓｅｄ  Ｒｅｓｉｎ）、エポキシ樹脂（Ｅｐｏｘｙ−Ｂａｓｅｄ  Ｒｅｓｉｎ）、或いはシリコン樹脂（Ｓｉｌｉｃｏｎｅ−Ｂａｓｅｄ  Ｒｅｓｉｎ）を包含し得る。
【０００９】
ある実施例において、該第１集積回路チップは、複数の第１伝導性のピンを具え、それは該少なくとも一つの金属配線に接続され、且つ該第２集積回路チップは複数の第２伝導性のピンを具え、それはこれら金属柱状物に接続される。
【００１０】
ある実施例において、複数の電気的接続部品（たとえば、ソルダボール、アクティブ或いはパッシブ素子）が該絶縁保護層の下に設置され、並びに該少なくとも一つの金属配線に電気的に接続され、該パッケージ構造中のアクティブ及びパッシブ電子素子を接続するのに用いられる。
【００１１】
本発明の別の方面に基づき、もう一つの実施例は一種のパッケージ構造の製造方法を提供し、それは以下のステップを包含する。
（Ａ）キャリアーを提供する
（Ｂ）導線層を該キャリアーの上に形成し、該導線層は少なくとも一つの金属配線を包含する
（Ｃ）複数の金属柱状物を該導線層の上に形成し、これら金属柱状物を該少なくとも一つの金属配線に電気的に接続する
（Ｄ）第１集積回路チップを該導線層の上に設置し、該第１集積回路チップを該少なくとも一つの金属配線に電気的に接続し、且つ該第１集積回路チップとこれら金属柱状物が相互に重畳しないようにする
（Ｅ）第１成形コンパウンド層を該キャリアーの上に形成し、該第１成形コンパウンド層に該キャリアー上の全ての該導線層、これら金属柱状物、及び該第１集積回路チップを被覆させる
（Ｆ）一部の該第１成形コンパウンド層を除去し、これら金属柱状物を露出させる
（Ｇ）第２集積回路チップを該第１成形コンパウンド層の上に設置し、該第２集積回路チップをこれら金属柱状物に電気的に接続する
（Ｈ）第２成形コンパウンド層を該第１成形コンパウンド層の上に形成し、該第２成形コンパウンド層で該第２集積回路チップを被覆する、及び、
（Ｉ）該キャリアーを除去し、並びに該導線層の下に絶縁保護層を形成する、
以上のステップを包含する。
【００１２】
ある実施例において、（Ｂ）のステップは、第１ホトレジスト層を該キャリアーの上に形成し、並びに該第１ホトレジスト層をパターニングし、第１金属層を該パターニングした第１ホトレジスト層が形成する開口領域内に形成し、及び、該第１ホトレジスト層を除去し、並びに該第１金属層のパターニングを同時に完成し、こうして該少なくとも一つの金属配線を形成し、以上を包含する。
【００１３】
ある実施例において、（Ｂ）のステップは、誘電層を該キャリアーの上に形成し、一部の該誘電層を除去して、該少なくとも一つの金属配線のパターンを形成し、及び第１金属層を該誘電層の除去された部分に形成し、これにより該少なくとも一つの金属配線を形成し、以上を包含する。
【００１４】
ある実施例において、（Ｂ）のステップは、第１金属層を該キャリアーの上に形成し、一部の該第１金属層を除去し、これにより該少なくとも一つの金属配線のパターンを形成し、及び、誘電材料層を、該第１金属層の除去された部分に形成し、該誘電材料層と該第１金属層に共同で該導線層を構成させ、以上を包含する。
【００１５】
ある実施例において、（Ｃ）のステップは、第２ホトレジスト層を該キャリアーの上に形成し、並びに該第２ホトレジスト層をパターニングし、第２金属層を該第２ホトレジスト層上に形成し、及び、該第２ホトレジスト層を除去し、並びに該第２金属層のパターニングを同時に完成し、これによりこれら金属柱状物を形成し、以上を包含する。
【００１６】
ある実施例において、該第１集積回路チップは複数の第１伝導性のピンを具え、該第１集積回路チップが該導線層の上に設置されるとき、これら第１伝導性のピンは該少なくとも一つの金属配線に接続される。
【００１７】
ある実施例において、（Ｅ）のステップでは、トップモールディング（Ｔｏｐ  Ｍｏｌｄｉｎｇ）、圧縮モールディング（Ｃｏｍｐｒｅｓｓｉｏｎ  Ｍｏｌｄｉｎｇ）、トランスファーモールディング（Ｔｒａｎｓｆｅｒ  Ｍｏｌｄｉｎｇ）或いは射出成形（Ｉｎｊｅｃｔｉｏｎ  Ｍｏｌｄｉｎｇ）を採用して達成できる。
【００１８】
ある実施例において、（Ｆ）のステップは、研磨、サンドブラスト、プラズマ、或いはケミカルエッチング方式を包含し、上から下に、第１成形コンパウンド層を、これら金属柱状物の上端面が露出するまで除去する。
【００１９】
ある実施例において、該第２集積回路チップは、複数の第２伝導性のピンを有し、該第２集積回路チップが該第１成形コンパウンド層の上に設置されるとき、これら第２伝導性のピンはこれら金属柱状物の露出部分に接続される。
【００２０】
ある実施例において、（Ｈ）のステップは、トップモールディング、圧縮モールディング、トランスファーモールディング或いは射出成形を採用して達成され得る。
【発明の効果】
【００２１】
ここで特に説明を必要とすることは、以下のとおりである。本発明の実施例はフリップチップパッケージオンパッケージ（ＦＣＰＯＰ）の技術領域を例としているが、これに限定されるわけではない。本実施例は金属柱状物（たとえば、導電銅柱）を利用して、上層のパッケージユニット（たとえば、１４０）の回路素子に下層のパッケージユニット（たとえば、１３０）を通過させて、金属配線或いは外部回路に接続している。導電銅柱の定位及び長さ或いは直径等のサイズは、適当な製作方式によりコントロールされ得て、これにより、下層パッケージユニットが比較的薄い実施例に適用され、また、上層のパッケージユニットの集積回路チップのピンピッチが比較的小さい実施例にも適用されて、回路のピンと導電銅柱の間の高精度及び細ピッチのアライメントを達成できる。このほか、高剛性を有する成形コンパウンド（Ｍｏｌｄｉｎｇ  Ｃｏｍｐｏｕｎｄ）を採用して各パッケージユニット（たとえば、１３０、１４０、１５０）をパッケージし、パッケージユニットのパッケージ厚さを減らせ、並びにパッケージ構造に湾曲や変形が発生するのを有効に防止できる。
【図面の簡単な説明】
【００２２】
【図１】本発明の第１実施例のパッケージ構造の断面図である。
【図２】本発明の第２実施例のパッケージ構造の断面図である。
【図３】本発明のパッケージ構造の製造方法のフロー表示図である。
【図４Ａ】本実施例の製造方法の各ステップのパッケージ構造の断面図である。
【図４Ｂ】本実施例の製造方法の各ステップのパッケージ構造の断面図である。
【図４Ｃ】本実施例の製造方法の各ステップのパッケージ構造の断面図である。
【図４Ｄ】本実施例の製造方法の各ステップのパッケージ構造の断面図である。
【図４Ｅ】本実施例の製造方法の各ステップのパッケージ構造の断面図である。
【図４Ｆ】本実施例の製造方法の各ステップのパッケージ構造の断面図である。
【図４Ｇ】本実施例の製造方法の各ステップのパッケージ構造の断面図である。
【図４Ｈ】本実施例の製造方法の各ステップのパッケージ構造の断面図である。
【図５】本発明の第３実施例のパッケージ構造の断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００２３】
以下に本発明の技術内容、構造特徴、達成する目的及び作用効果について、以下に例を挙げ並びに図面を組み合わせて詳細に説明する。全ての明細書及び図面中、同じ部品符号を採用して、同じ或いは類似の部品を指定する。
【００２４】
各実施例の説明中、一つの素子は、別の素子の「上方又は上」或いは「下方又は下」であるとは、直接或いは関節的に該別の素子の上或いは下にある状況を指し、それはその間に設置されるその他の素子を包含し得る。いわゆる「直接に」とは、その間にその他の仲介素子がないことを指す。「上方又は上」或いは「下方又は下」等の記述は図面を基準として説明を行なうが、その他の可能な方向変更を包含する。いわゆる「第１」、「第２」、及び「第３」は、異なる素子を記述するのに用いられるが、これらの素子は、このような記載により制限を受けない。説明上の便利さと明確さのため、図面中の各素子の厚さ或いはサイズは、誇張或いは省略或いは概略の方式で表示され、且つ各素子のサイズは並びに完全にはその実際のサイズではない。
【００２５】
図１は本発明の第１実施例のパッケージ構造１００の断面図である。該パッケージ構造１００は、絶縁保護層１１０、第１導線層１２０、第１パッケージユニット１３０及び第２パッケージユニット１４０を包含する。
【００２６】
該絶縁保護層１１０は該パッケージ構造１００の最外層或いは最底層に設置されて、該パッケージ構造１００を保護し、外部環境或いは後続工程（たとえば、ソルダリング）により傷害を受けるのを防止する。
【００２７】
図１に示されるように、該第１導線層１２０は該絶縁保護層１１０の上に設置され、並びに少なくとも一つの金属配線を包含し、これにより該パッケージ構造１００の回路レイアウト、たとえば、図示される金属配線１２１、１２６を形成する。
【００２８】
該第１パッケージユニット１３０は該第１導線層１２０の上に設置され、並びに複数の金属柱状物１３２、第１集積回路チップ１３４及び第１成形コンパウンド層１３６を包含する。そのうち、これら金属柱状物１３２はこれら金属配線１２１〜１２４に電気的に接続され、該第１集積回路チップ１３４はこれら金属配線１２５及び１２６に電気的に接続される。該第１成形コンパウンド層１３６は該第１パッケージユニット１３０内において、これら金属柱状物１３２及び該第１集積回路チップ１３４以外の部分に充填される。このほか、該第１集積回路チップ１３４は該第１パッケージユニット１３０の素子領域内に設置され（図４Ｃの符号１３７を参照されたい）、これら金属柱状物１３２は該第１パッケージユニット１３０の導柱領域（図４Ｃの符号１３８を参照されたい）内に設置される。該素子領域と該導柱領域はそれぞれ該第１パッケージユニット１３０の相互に重畳しない異なる領域に属する。
【００２９】
該第２パッケージユニット１４０は該第１パッケージユニット１３０の上に設置され、並びに第２集積回路チップ１４４及び第２成形コンパウンド層１４６を包含する。そのうち、該第２集積回路チップ１４４はこれら金属柱状物１３２に電気的に接続され、且つ該第２成形コンパウンド層１４６は該第２パッケージユニット１４０内の該第２集積回路チップ１４４以外の部分に充填される。
【００３０】
本実施例において、これら金属柱状物１３２は導電銅柱、アルミ柱、ニッケル柱、錫柱、或いは合金柱、なかでも好ましくは銅柱とされ、電気的に接続するために用いられ、該第２パッケージユニット１４０の回路素子（たとえば、該第２集積回路チップ１４４）は、該第１パッケージユニット１３０を通り越して、該第１導線層１２０に接続される。
【００３１】
本実施例の集積回路チップ１３４及び１４４はいずれも複数の伝導性のピンを具え、たとえば、該第１集積回路チップ１３４はこれら金属配線１２５及び１２６に接続する複数の第１伝導性のピンを具え（図１に示されるとおり、しかし符号なし）、該第２集積回路チップ１４４はこれら金属柱状物１３２に接続する複数の第２伝導性のピンを具え（図１に示されるとおり、しかし符号なし）を具えている。
【００３２】
導電銅柱の定位及び長さ或いは直径などのサイズは、適当な製作方式によりコントロールされ得る。これにより、該第１パッケージユニット１３０が比較的薄い実施例に適用され、また、該第２集積回路チップ１４４のピンピッチが比較的小さい実施例にも適用されて、これら第２伝導性のピンとこれら金属柱状物１３２の高精度で細い線ピッチのアライメントが達成される。
【００３３】
該第１成形コンパウンド層１３６と該第２成形コンパウンド層１４６は適合するトップモールディング（Ｔｏｐ  Ｍｏｌｄｉｎｇ）、圧縮モールディング（Ｃｏｍｐｒｅｓｓｉｏｎ  Ｍｏｌｄｉｎｇ）、トランスファーモールディング（Ｔｒａｎｓｆｅｒ  Ｍｏｌｄｉｎｇ）或いは射出成形（Ｉｎｊｅｃｔｉｏｎ  Ｍｏｌｄｉｎｇ）等の技術により、適合する絶縁封止材料（Ｍｏｌｄｉｎｇ  Ｃｏｍｐｏｕｎｄ）、たとえば、ノボラック樹脂（Ｎｏｖｏｌａｃ−Ｂａｓｅｄ  Ｒｅｓｉｎ）、エポキシ樹脂（Ｅｐｏｘｙ−Ｂａｓｅｄ  Ｒｅｓｉｎ）、或いはシリコン樹脂（Ｓｉｌｉｃｏｎｅ−Ｂａｓｅｄ  Ｒｅｓｉｎ）が選択されて形成されて、これにより、該第１パッケージユニット１３０及び該第２パッケージユニット１４０の封止厚さが減らされ、並びに有効に該パッケージ構造１００に湾曲或いは変形が発生するのを防止できる。そのうち、該第１成形コンパウンド層１３６と該第２成形コンパウンド層１４６は同じ組成材料を採用できる。
【００３４】
該第１集積回路チップ１３４はアクティブ素子とされ、該第１成形コンパウンド層１３６中に設置されるか埋め込まれて、該第１パッケージユニット１３０を形成し、且つ該第２集積回路チップ１４４はもう一つのアクティブ素子とされ、該第２成形コンパウンド層１４６中に設置されるか埋め込まれて、該第２パッケージユニット１４０を形成し、両者はいずれもフリップチップ（Ｆｌｉｐ  ｃｈｉｐ）形式のパッケージ構造とされ、且つ該第２パッケージユニット１４０は該第１パッケージユニット１３０の上に積み重ねられ、これにより、本技術領域でいわれる「フリップチップパッケージオンパッケージ（Ｆｌｉｐ−Ｃｈｉｐ  Ｐａｃｋａｇｅ−Ｏｎ−Ｐａｃｋａｇｅ，ＦＣＰＯＰ）」構造を形成し、異なる特性の集積回路（Ｉｎｔｅｇｒａｔｅｄ  Ｃｉｒｃｕｉｔ，ＩＣ）素子を整合し一体にパッケージしている。
【００３５】
図１に示されるように、パッケージ構造１００を外部回路に電気的に接続するため、該絶縁保護層１１０に適当な開口或いは穿孔（図示せず）を形成し、さらに電気的接続に用いられる電気接続素子（たとえば、ソルダボール１５０）を該絶縁保護層１１０の下に形成し、且つこれらソルダボール１５０を形成するときに、ソルダ材料もまた同時に該絶縁保護層１１０の開口或いは穿孔内に充填し、これらソルダボール１５０をこれら金属配線１２１、１２４、１２５、１２６に電気的に接続させる。このほか、これら金属配線１２１〜１２６のほか、該第１導線層１２０のその他の部分に誘電材料層１２８を充填し、これにより、これら金属配線１２１〜１２６を分離する。
【００３６】
別の実施例では、該第１導線層１２０のその他の部分は直接該第１成形コンパウンド層１３６で充填され、図２の本発明の第２実施例のパッケージ構造２００の断面図に示されるようである。また、図１の誘電材料層１２８は、該第１成形コンパウンド層１３６と同じ或いは異なる組成の材料とされ得る。該誘電材料層はまた、感光性樹脂材料或いは非感光性樹脂材料、たとえば、ビスマレイミド−トリアジン（Bismaleimide-Triazine Resin −BT）樹脂、ポリイミド(Polyimide,PI)樹脂、アジノモト構築膜(Ajinomoto Build-up Film)、難燃性（Ｆｌａｍｅ  Ｒｅｔａｒｄｅｎｔ  ５,FR5）ガラス繊維エポキシ樹脂、液晶高分子(Liquid Crystal Polymer,LCP)、テフロン（登録商標）等とされる。
【００３７】
図３は本実施例のパッケージ構造２００の製造方法３００のフローチャートである。図４Ａ〜図４Ｈ及び図２は本実施例の製造方法３００の各ステップＳ３１０〜Ｓ３９０に対応する該パッケージ構造１００の構造断面図である。該製造方法３００のステップの詳細は以下のとおりである。
【００３８】
ステップＳ３１０において、図４Ａに示されるように、キャリアー１０２を提供し、それは、金属基板或いは金属層を具えたガラス繊維コア基板（Ｃｏｒｅ  Ｓｕｂｓｔｒａｔｅ）とされて、その上の導線線路及び電子素子、たとえば、図１或いは図２に示される該第１導線層１２０、該第１パッケージユニット１３０及び該第２パッケージユニット１４０を、載置或いは支持するのに用いられる。上述の金属は、鉄（Ｆｅ）、鉄／ニッケル（Ｆｅ／Ｎｉ）、銅（Ｃｕ）、アルミニウム（Ａｌ）、及びその組み合わせ或いは合金を包含するが、本発明はこれに制限されない。
【００３９】
ステップＳ３２０において、図４Ｂに示されるように、第１導線層１２０を該キャリアー１０２の上に形成し、並びにパターニングして該パッケージ構造１００に予め設定された導電配線、たとえば、複数の金属配線１２１〜１２６となす。該第１導線層１２０は、金属の電気メッキ（Ｅｌｅｃｔｒｏｌｙｔｉｃ  Ｐｌａｔｉｎｇ）或いは蒸着（Ｅｖａｐｏｒａｔｉｏｎ）技術により製作し、たとえば、銅、アルミニウム、或いはニッケルを使用し、その導電配線のパターニングはホトリソグラフィー（Ｐｈｏｔｏｌｉｔｈｏｇｒａｐｈｙ）技術により製作する。たとえば、周知の集積回路キャリアの積層技術或いはスピンコーティング技術により、第１ホトレジスト層（図示せず）を該キャリアー１０２の上に堆積し、並びに露光現像の方式で該第１ホトレジスト層をパターニングし、こうして複数の開口を形成する。続いて、第１金属層（図示せず）を該パターニングした第１ホトレジスト層の開口に形成する。ドライ或いはケミカルウェットの方式で該パターニング後の第１ホトレジスト層を除去して、該第１金属層のパターニングを達成してこれら金属配線１２１〜１２６を形成する。
【００４０】
このほか、ステップＳ３２０はまたレーザー加工方式を利用して達成でき、たとえば、ステップＳ３２０’として、第１金属層（図示せず）を該キャリアー１０２の上に形成し、レーザーエッチング技術で一部の該第１金属層を除去し、これにより残った該第１金属層のパターンにより、これら金属配線１２１〜１２６を形成する。
【００４１】
ステップＳ３３０において、図４Ｃに示されるように、複数の金属柱状物１３２、たとえば銅柱或いはアルミ柱を該第１導線層１２０の上に形成し、後続工程で製作される該第２パッケージユニット１４０の回路素子（たとえば、該第２集積回路チップ１４４）を該第１導線層１２０に接続するのに用いる。これら金属柱状物１３２は金属、たとえば銅或いはアルミニウムの電気メッキ或いは蒸着技術により製作される。これら金属柱状物１３２のパターニングは、ホトリソグラフィー技術により製作され得る。たとえば、ドライフィルムホトレジスト圧着工程で、第２ホトレジスト層（図示せず）を、該キャリアー１０２及び該第１導線層１２０の上に形成しい、並びに露光現像の方式で、該第２ホトレジスト層をパターニングし、開口を形成する。第２金属層（図示せず）を該パターニング後の第２ホトレジスト層の開口内に形成する。ドライ或いはケミカルウェットの膜除去方式で、該第２ホトレジスト層を除去し、こうして該第２金属層のパターニングを達成して、これら金属柱状物１３２を形成する。
【００４２】
このステップＳ３３０中、これら金属柱状物１３２のある層は、第１パッケージ層１３０’と称され得て、それは図４Ｃに示される二つの領域に分けられ、それはすなわち、素子領域１３７及び導電柱領域１３８であり、該第２ホトレジスト層に対してパターニングを実行して、これら金属柱状物１３２をこれら導電柱領域１３８内に形成し並びにこれら金属配線１２１〜１２４に電気的に接続し、且つ該素子領域１３７内の該第２ホトレジスト層は完全に除去して回路設置用の凹溝を形成し、後続の工程で第１集積回路チップ１３４を収容するのに用いる。
【００４３】
ステップＳ３４０において、図４Ｄに示されるように、第１集積回路チップ１３４を該第１導線層１２０の上に設置し、該第１集積回路チップ１３４をこれら金属配線１２５及び１２６に電気的に接続する。該第１集積回路チップ１３４はアクティブ素子とされ、且つ該第１パッケージ層１３０’の素子領域１３７内に位置し、これら金属柱状物１３２は該第１パッケージ層１３０’の導電柱領域１３８内に位置する。これにより、第１集積回路チップ１３４とこれら金属柱状物１３２はいずれも該第１パッケージ層１３０’内に位置するが、それぞれ該素子領域１３７と該導電柱領域１３８の異なる領域内に位置して、相互に重畳しない。
【００４４】
このほか、該第１集積回路チップ１３４は複数の第１伝導性のピン１３４１及び１３４２を具え、該第１集積回路チップ１３４が該第１導線層１２０の上に設置されるとき、これら第１伝導性のピン１３４１及び１３４２はそれぞれこれら金属配線１２５及び１２６にアラインし並びに接続される。
【００４５】
ステップＳ３５０において、図４Ｅに示されるように、第１成形コンパウンド層１３６が該キャリアー１０２の上に形成される。該第１成形コンパウンド層１３６は該キャリアー１０２上の全てのこれら金属配線１２１〜１２６、これら金属柱状物１３２及び該第１集積回路チップ１３４を被覆し、こうして本実施例のパッケージ構造２００のそのうち一つのパッケージユニットを形成し、それは、該第１成形コンパウンド層１３６のトップモールディング、圧縮モールディング、トランスファーモールディング或いは射出成形等により製作される。
【００４６】
たとえば、まず、第１モールディング容器（図示せず）を提供し、並びに第１成形コンパウンド体（図示せず）を、該第１モールディング容器中に入れ、さらに、該第１モールディング容器を該キャリアー１０２に対応させて、これら金属配線１２１〜１２６、これら金属柱状物１３２及び該第１集積回路チップ１３４を該第１モールディング容器と該キャリアー１０２の間に位置させる。続いて、上下より該第１モールディング容器と該キャリアー１０２を圧合し、並びに同時に該第１成形コンパウンド体を固化させ、こうして該第１成形コンパウンド層１３６を形成し、それに完全に該キャリアー１０２上の全てのこれら金属配線１２１〜１２６、これら金属柱状物１３２及び該第１集積回路チップ１３４を被覆させる。最後に該第１モールディング容器を取り外せば、すなわち図４Ｅに示される断面図の構造が形成される。
【００４７】
このほか、該第１成形コンパウンド層１３６のモールディング成形は以下の方式でも実施できる。まず、第１モールディング容器（図示せず）及び粉状或いはフレーク状の第１成形コンパウンド体（図示せず）を提供する。たとえば、加熱方式で、該第１成形コンパウンド体を流体となし、並びに該第１モールディング容器中に注入する。適宜該第１モールディング容器と該キャリアー１０２を対応させて、これら金属配線１２１〜１２６、これら金属柱状物１３２及び該第１集積回路チップ１３４を該第１モールディング容器と該キャリアー１０２の間に配置する。続いて、上下に該第１モールディング容器と該キャリアー１０２を圧合させ、並びに同時に該第１成形コンパウンド体を固化させて、該第１成形コンパウンド層１３６を形成し、それに完全に該キャリアー１０２上の全てのこれら金属配線１２１〜１２６、これら金属柱状物１３２及び該第１集積回路チップ１３４を被覆させる。最後に、該第１モールディング容器を除去すれば、図４Ｅに示される断面図の構造が形成される。そのうち、該第１成形コンパウンド体は、ノボラック樹脂（Ｎｏｖｏｌａｃ−Ｂａｓｅｄ  Ｒｅｓｉｎ）、エポキシ樹脂（Ｅｐｏｘｙ−Ｂａｓｅｄ  Ｒｅｓｉｎ）、或いはシリコン樹脂（Ｓｉｌｉｃｏｎｅ−Ｂａｓｅｄ  Ｒｅｓｉｎ）等の絶縁材料で組成され得るが、これに限定されるわけではない。
【００４８】
ステップＳ３６０において、図４Ｅに示されるように、一部の該第１成形コンパウンド層１３６を除去して、これら金属柱状物１３２を露出させ、これにより該第１パッケージユニット１３０を形成する。すなわち、該第１パッケージユニット１３０は該第１導線層１２０の上に位置し、並びにこれら金属柱状物１３２、該第１集積回路チップ１３４及び該第１成形コンパウンド層１３６を包含する。そのうち、該第１成形コンパウンド層１３６は該第１パッケージユニット１３０内の、これら金属柱状物１３２及び該第１集積回路チップ１３４以外の部分に充填される。該第１成形コンパウンド層１３６は該キャリアー１０２上の全てのこれら金属配線１２１〜１２６を被覆するが、後続工程で、該第１パッケージユニット１３０上に設置されるもう一つのアクティブ素子（第２集積回路チップ１４４）がこれら金属柱状物１３２を介してこれら金属配線１２１〜１２４に接続されるには、該第１成形コンパウンド層１３６の上半部を除去して、これら金属柱状物１３２の上端面を露出させなければならない。本実施例では、研磨（Ｐｏｌｉｓｈｉｎｇ）、グラインド（Ｇｒｉｎｄｉｎｇ）、サンドブラスト、プラズマ或いはケミカルエッチング方式で、上から下に、該第１成形コンパウンド層１３６の上半部を除去して、これら金属柱状物１３２の上端面を露出させて、研磨を停止する。しかし、これに限定されるわけではない。別の実施例においては、該第１成形コンパウンド層１３６を形成するとき、ちょうどこれら金属柱状物１３２の上端面が露出するようにして、この部分の成形コンパウンド除去のステップを不要としている。
【００４９】
ステップＳ３７０において、図４Ｇに示されるように、第２集積回路チップ１４４を該第１パッケージユニット１３０の上に設置し、該第２集積回路チップ１４４をこれら金属柱状物１３２に電気的に接続させる。該第２集積回路チップ１４４はもう一つのアクティブ素子とされ、それは複数の第２伝導性のピン１４４１を具え、該第２集積回路チップ１４４が該第１パッケージユニット１３０上に設置されるとき、これら第２伝導性のピン１４４１はそれぞれこれら金属柱状物１３２の露出する上端面にアラインし並びに接続される。
【００５０】
ステップＳ３８０において、図４Ｈに示されるように、第２成形コンパウンド層１４６を該第１パッケージユニット１３０の上に形成し、該第２成形コンパウンド層１４６は該第２集積回路チップ１４４を被覆して、本実施例のパッケージ構造２００のもう一つのパッケージユニット１４０を形成し、それは、該第２成形コンパウンド層１４６のトップモールディング、圧縮モールディング、トランスファーモールディング或いは射出成形等の技術により製作する。
【００５１】
たとえば、まず、第２モールディング容器（図示せず）を提供し、並びに第２成形コンパウンド体（図示せず）を、該第２モールディング容器中に入れ、さらに、該第２モールディング容器を該キャリアー１０２に対応させて、該第２集積回路チップ１４４を該第２モールディング容器と該キャリアー１０２の間に配置する。続いて、上下より該第２モールディング容器と該キャリアー１０２を圧合し、並びに同時に該第２成形コンパウンド体を固化させ、こうして該第２成形コンパウンド層１４６を形成し、それに完全に該第１パッケージユニット１３０上の該第２集積回路チップ１４４を被覆させる。最後に該第２モールディング容器を取り外せば、すなわち図４Ｈに示される断面図の構造が形成される。
【００５２】
このほか、該第２成形コンパウンド層１４６のモールディング成形は以下の方式でも実施できる。まず、第２モールディング容器（図示せず）及び粉状或いはフレーク状の第２成形コンパウンド体（図示せず）を提供する。たとえば、加熱方式で、該第２成形コンパウンド体を流体となし、並びに該第２モールディング容器中に注入する。適宜該第２モールディング容器と該キャリアー１０２を対応させて、該第２集積回路チップ１４４を該第２モールディング容器と該キャリアー１０２の間に配置する。続いて、上下に該第２モールディング容器と該キャリアー１０２を圧合し、並びに同時に該第２成形コンパウンド体を固化させて、該第２成形コンパウンド層１４６を形成し、それに完全に該第１パッケージユニット１３０上の該第２集積回路チップ１４４を被覆させる。最後に、該第２モールディング容器を除去すれば、図４Ｈに示される断面図の構造が形成される。そのうち、該第２成形コンパウンド体は、ノボラック樹脂（Ｎｏｖｏｌａｃ−Ｂａｓｅｄ  Ｒｅｓｉｎ）、エポキシ樹脂（Ｅｐｏｘｙ−Ｂａｓｅｄ  Ｒｅｓｉｎ）、或いはシリコン樹脂（Ｓｉｌｉｃｏｎｅ−Ｂａｓｅｄ  Ｒｅｓｉｎ）等の絶縁材料で組成され得るが、これに限定されるわけではない。
【００５３】
ステップＳ３９０において、図２に示されるように、該キャリアー１０２を除去し、並びに絶縁保護層１１０を、該第１導線層１２０の下に形成する。該キャリアー１０２はここですでにその工程上の段階性任務を終えており、且つ本実施例の実際の製品はそれを必要としないため、それを除去する。該キャリアー１０２の除去は、ケミカルエッチング或いはレーザー加工技術により達成され得る。該絶縁保護層１１０は該パッケージ構造２００の最外層に形成可能で、すなわち、該第１導線層１２０の下であり、該パッケージ構造２００を保護して外部環境或いは後続工程（たとえば、ソルダリング）による可能な傷害を受けるのを防止する。
【００５４】
本実施例はここまでで、該パッケージ構造２００の主体の製作を完了した。続いて、該パッケージ構造２００を外部回路に電気的に接続するため、適当な、開口を具えた電気接続素子（たとえば、ソルダボール）を該絶縁保護層１１０中で利用し、さらにソルダ材料を開口内の電気接続素子に乗せて、ソルダボール１５０を形成し、図２に示されるように、これら金属配線１２１、１２４、１２５、１２６と外部回路の電気接続のために用いる。複数の電気接続素子は該絶縁保護層の下に設置し、並びに該少なくとも一つの金属配線に電気的に接続し、該パッケージ構造中のアクティブ電子素子とパッシブ電子素子を接続するのに用い、また、電気接続素子上にアクティブ／パッシブ電子素子をソルダリングしてもよい。
【００５５】
このほか、これら金属配線１２１〜１２６のほか、該第１導線層１２０のその他の部分は、誘電材料層１２８を充填して、これら金属配線１２１〜１２６を隔離し、並びに該第１成形コンパウンド層１３６が成形コンパウンドの充填不足の状況で、気泡間隙を形成する状況を減らす。該誘電材料層は、感光性樹脂材料或いは非感光性樹脂材料、たとえば、ビスマレイミド−トリアジン（Bismaleimide-Triazine Resin −BT）樹脂、ポリイミド(Polyimide,PI)樹脂、アジノモト構築膜(Ajinomoto Build-up Film)、難燃性（Ｆｌａｍｅ  Ｒｅｔａｒｄｅｎｔ  ５,FR5）ガラス繊維エポキシ樹脂、液晶高分子(Liquid Crystal Polymer,LCP)、テフロン（登録商標）等とされる。
【００５６】
別の実施例では、上述の製造方法３００のステップＳ３２０或いはＳ３２０’の後に、さらに、以下のステップＳ３２１が加えられる。すなわち、誘電材料層を該第１金属層の除去された部分に形成し、該誘電材料層１２８とこれら金属配線１２１〜１２６に共同で該第１導線層１２０を形成させる。上述のステップＳ３２０’或いはステップＳ３２０の組み合わせもまた、先に該誘電材料層１２８のパターンを形成し、さらに該第１金属層を該誘電材料層１２８の除去された部分に堆積し、こうしてこれら金属配線１２１〜１２６を形成してもよい。すなわち、以下のステップのとおりである。すなわち、誘電層（図示せず）を該キャリアー１０２の上に形成する。露光現像方式或いはレーザー加工方式で、一部の該誘電層を除去し、除去された該誘電層のパターンに、これら金属配線１２１〜１２６を形成させる。第１金属層を該誘電層の除去された部分に形成し、残った該誘電層１２８とこれら金属配線１２１〜１２６に共同で該第１導線層１２０を構成させる。これにより、我々は図１に示されるパッケージ構造１００を得ることができ、その他のステップＳ３１０、Ｓ３３０、Ｓ３４０、Ｓ３５０、Ｓ３６０、Ｓ３７０、Ｓ３８０、及びＳ３９０は、上述の製造方法３００と同様であるので、ここでは重複した説明は行なわない。
【００５７】
上述の実施例は、二つのパッケージユニット（該第１パッケージユニット１３０と該第２パッケージユニット１４０）を具えたフリップチップパッケージオンパッケージ（ＦＣＰＯＰ）構造とされるが、本発明はこれに限定されるわけではなく、それはまた、二つより多くのパッケージユニットを具えたパッケージ構造に延伸可能である。たとえば、図５は、本発明の第３実施例のパッケージ構造５００の断面図である。それは三つのパッケージユニットを具えたパッケージ構造であり、並びに多層誘電層及び多層導線層を具えている。該パッケージ構造５００は、複数のソルダボール５５０、絶縁保護層５１０、第１導線層５２０、第１パッケージユニット５３０、第２パッケージユニット５４０、第２導線層５６０、及び第３パッケージユニット５７０を包含する。本実施例では、これらソルダボール５５０、該絶縁保護層５１０、該第１導線層５２０、該第１パッケージユニット５３０及び該第２パッケージユニット５４０は、第１実施例のソルダボール１５０、絶縁保護層１１０、第１導線層１２０、第１パッケージユニット１３０及び第２パッケージユニット１４０に相当し、そのうちの異なる部分は、以下のとおりであり、すなわち、該第１導線層５２０はさらに金属配線５２７を包含し、該第１パッケージユニット５３０はさらに金属柱状物５３５を包含し、且つ該第２パッケージユニット５４０はさらに金属柱状物５４５を包含し、該金属柱状物５３５は該金属柱状物５４５と金属配線５２７に接続されて、該第３パッケージユニット５７０を外部回路に接続するのに用いられる。該第２導線層５６０は複数の金属配線５６１〜５６５を包含し、該第３パッケージユニット５７０は第３集積回路チップ５７４を包含する。その他の部分は第１実施例の該第２パッケージユニット１４０と同様であり、該第３集積回路チップ５７４は複数の金属配線５６１〜５６５に電気的に接続し、しかも該金属配線５６５は該金属柱状物５４５、該金属柱状物５３５及び該金属配線５２７を経由して該パッケージ構造５００の外部回路に接続する。その他の第１実施例と同様の部分についてはここでは重複した説明は行なわないので、前述の説明を参考されたい。
【００５８】
以上は本発明の好ましい実施例の説明に過ぎず、並びに本発明を限定するものではなく、本発明に提示の精神より逸脱せずに完成されるその他の同等の効果の修飾或いは置換は、いずれも本発明の権利請求範囲内に属する。
【符号の説明】
【００５９】
１００、２００、５００  パッケージ構造
１０２  キャリアー
１１０、５１０  絶縁保護層
１２０、５２０  第１導線層
１２１〜１２６、５２７、５６１〜５６５  金属配線
１２８  誘電材料層
１３０、５３０  第１パッケージユニット
１３２、５３５、５４５  金属柱状物
１３４  第１集積回路チップ
１３６  第１成形コンパウンド層
１３７  素子領域
１３８  導電柱領域
１４０、５４０  第２パッケージユニット
１４４  第２集積回路チップ
１４６  第２成形コンパウンド層
１５０、５５０  ソルダボール
３００  製造方法
Ｓ３１０、Ｓ３２０、Ｓ３３０、Ｓ３４０、Ｓ３５０、Ｓ３６０、Ｓ３７０、Ｓ３８０、Ｓ３９０  ステップ
５６０  第２導線層
５７０  第３パッケージユニット
５７４  第３集積回路チップ
１３４１、１３４２  第１伝導性のピン
１４４１  第２伝導性のピン
【図１】
2015185845.tif 000003
【図２】
2015185845.tif 000004
【図３】
2015185845.tif 000005
【図４Ａ】
2015185845.tif 000006
【図４Ｂ】
2015185845.tif 000007
【図４Ｃ】
2015185845.tif 000008
【図４Ｄ】
2015185845.tif 000009
【図４Ｅ】
2015185845.tif 000010
【図４Ｆ】
2015185845.tif 000011
【図４Ｇ】
2015185845.tif 000012
【図４Ｈ】
2015185845.tif 000013
【図５】
2015185845.tif 000014