(57)【要約】【課題】基板面内で均一に塗布液を塗布する。【解決手段】塗布開始時の時間Ｔ１では、塗布ノズルの吐出口の第１端部がウェハ周縁の一端部に位置した際に、吐出口から塗布液を露出させつつ、移動機構によってウェハと塗布ノズルを相対的に移動させる。塗布中の時間Ｔ２から時間Ｔ３では、吐出口から吐出された塗布液をウェハに接液させながら、移動機構によってウェハと塗布ノズルを相対的に移動させて、ウェハに塗布液を塗布する。塗布終了時の時間Ｔ３では、吐出口の第２端部がウェハ周縁の他端部に位置した際に、吐出口から塗布液を露出させつつ、移動機構によってウェハと塗布ノズルを相対的に移動させる。【選択図】図５
2015221401.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板に塗布液を塗布する塗布処理装置であって、
スリット状の吐出口から基板に塗布液を吐出する塗布ノズルと、
前記吐出口の長手方向の直交方向に基板と前記塗布ノズルを相対的に移動させる移動機構と、
前記塗布ノズルと前記移動機構を制御する制御部と、を有し、
前記制御部は、
前記吐出口の基板側の第１端部が基板周縁の一端部に位置した際に、前記吐出口から塗布液を露出させつつ、前記移動機構によって基板と前記塗布ノズルを相対的に移動させる開始工程と、
その後、前記吐出口から吐出された塗布液を基板に接液させながら、前記移動機構によって基板と前記塗布ノズルを水平方向に相対的に移動させることで基板に塗布液を塗布する塗布工程と、
その後、前記吐出口において前記第１端部と反対側の第２端部が基板周縁の他端部に位置した際に、前記吐出口から塗布液を露出させつつ、前記移動機構によって基板と前記塗布ノズルを相対的に移動させる終了工程と、
を実行するように前記塗布ノズルと前記移動機構を制御することを特徴とする、塗布処理装置。
【請求項２】
前記制御部は、
前記開始工程において、少なくとも前記第１端部が前記基板周縁の一端部に位置してから、前記第２端部が前記基板周縁の一端部に位置するまでの間、第１速度で基板と前記塗布ノズルを相対的に移動させ、
前記塗布工程において、前記第１速度より速い第２速度で基板と前記塗布ノズルを相対的に移動させるように、前記移動機構を制御することを特徴とする、請求項１に記載の塗布処理装置。
【請求項３】
前記制御部は、前記終了工程において、前記塗布工程における基板と前記塗布ノズルの相対的な移動速度と同じ速度で、基板と前記塗布ノズルを相対的に移動させるように、前記移動機構を制御することを特徴とする、請求項１又は２に記載の塗布処理装置。
【請求項４】
前記塗布ノズルは、毛細管現象によって前記吐出口から塗布液を引き出して基板に供給することを特徴とする、請求項１〜３のいずれか一項に記載の塗布処理装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、基板に塗布液を塗布する塗布処理装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、半導体ウェハやガラス基板等の基板に塗布液を塗布する方法として、いわゆるスピン塗布法が広く知られている。スピン塗布法では、基板を回転させた状態で基板の中心部に塗布ノズルから塗布液を供給し、遠心力により基板上で塗布液を拡散させることよって基板の表面に塗布液を塗布する。
【０００３】
ところで、スピン塗布法を用いた場合、基板に供給された塗布液を高速回転で拡げるため、供給された塗布液のうち、大部分は基板の周縁部から飛散してしまい無駄になってしまう。
【０００４】
そこで、このような塗布液の無駄を抑制するため、例えば特許文献１において、塗布ノズルの吐出口から毛細管現象によって塗布液を引き出して、基板に塗布液を塗布する方法が提案されている。具体的には、塗布ノズルの下端面に形成されたスリット状の吐出口を基板に接近させ、当該吐出口と基板との間に所定の隙間が形成された状態を維持する。そして、吐出口から吐出された塗布液を基板に接液させながら、その状態で基板と塗布ノズルを水平方向、例えば基板の径方向に相対的に移動させる。そうすると、毛細管現象によって吐出口から塗布液が引き出され、基板に塗布液が塗布される。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２０１１−１６７６０３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかしながら、発明者らが鋭意検討した結果、上述した特許文献１に記載された方法で基板に塗布液を塗布した場合、塗布開始時と塗布終了時において、基板の周縁部に局所的に塗布液の膜厚が厚くなる箇所が発生する場合があることが分かった。
【０００７】
塗布開始時においては、例えば図１９に示すように、基板としてのウェハＷの内側であって当該ウェハＷの周縁部上方（塗布開始位置）に塗布ノズル３０を配置する。そして、塗布ノズル３０をウェハＷに対して停止させた状態で、塗布ノズル３０の吐出口から吐出された塗布液をウェハＷに接液させる。そうすると、塗布ノズル３０の長手方向（図１９のＹ軸方向）の外側に向かって塗布液が拡がり、ウェハＷの周縁部における両端部Ｗｅ、Ｗｅ（図１９中の点線）において、表面張力により塗布液が保持されて溜まる。このため、ウェハＷの周縁部で局所的に塗布液の膜厚が厚くなる。
【０００８】
塗布終了時においても、ウェハＷの内側であって当該ウェハＷの周縁部上方に塗布ノズル３０を配置し、当該塗布ノズル３０をウェハＷに対して停止させた状態で、塗布ノズル３０の吐出口から吐出された塗布液をウェハＷから離液させる。そうすると、塗布開始時と同様に、ウェハＷの周縁部における両端部に塗布液が溜まり、ウェハＷの周縁部で局所的に塗布液の膜厚が厚くなる。
【０００９】
以上のように特許文献２に記載された方法を用いた場合、基板面内において塗布液を均一に塗布することができない場合がある。
【００１０】
本発明は、かかる点に鑑みてなされたものであり、基板面内で均一に塗布液を塗布することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
前記の目的を達成するため、本発明は、基板に塗布液を塗布する塗布処理装置であって、スリット状の吐出口から基板に塗布液を吐出する塗布ノズルと、前記吐出口の長手方向の直交方向に基板と前記塗布ノズルを相対的に移動させる移動機構と、前記塗布ノズルと前記移動機構を制御する制御部と、を有し、前記制御部は、前記吐出口の基板側の第１端部が基板周縁の一端部に位置した際に、前記吐出口から塗布液を露出させつつ、前記移動機構によって基板と前記塗布ノズルを相対的に移動させる開始工程と、その後、前記吐出口から吐出された塗布液を基板に接液させながら、前記移動機構によって基板と前記塗布ノズルを水平方向に相対的に移動させることで基板に塗布液を塗布する塗布工程と、その後、前記吐出口において前記第１端部と反対側の第２端部が基板周縁の他端部に位置した際に、前記吐出口から塗布液を露出させつつ、前記移動機構によって基板と前記塗布ノズルを相対的に移動させる終了工程と、を実行するように前記塗布ノズルと前記移動機構を制御することを特徴としている。
【００１２】
本発明によれば、塗布開始前には、例えば塗布ノズルは基板の外側に配置されている。そして、塗布開始時において、吐出口の第１端部が基板周縁の一端部に位置し、当該吐出口から吐出された塗布液が基板周縁の一端部に接液する際には、基板と塗布ノズルを相対的に移動させる。そうすると、基板周縁の一端部において、従来のように、塗布ノズルの長手方向に塗布液が拡がるのを抑制でき、基板周縁に塗布液が溜まるのを抑制できる。したがって、基板周縁の一端部に局所的に塗布液の膜厚が厚くなるのを抑制できる。
【００１３】
また、塗布終了時には、吐出口の第２端部が基板周縁の他端部に位置し、当該吐出口から吐出された塗布液が基板周縁の他端部から離液する際には、基板と塗布ノズルを相対的に移動させる。そうすると、基板周縁の他端部において、従来のように、塗布ノズルの長手方向に塗布液が拡がるのを抑制でき、基板周縁に塗布液が溜まるのを抑制できる。したがって、基板周縁の他端部に局所的に塗布液の膜厚が厚くなるのを抑制できる。
【００１４】
以上のように本発明によれば、基板面内で均一に塗布液を塗布することができる。
【００１５】
前記制御部は、前記開始工程において、少なくとも前記第１端部が前記基板周縁の一端部に位置してから、前記第２端部が前記基板周縁の一端部に位置するまでの間、第１速度で基板と前記塗布ノズルを相対的に移動させ、前記塗布工程において、前記第１速度より速い第２速度で基板と前記塗布ノズルを相対的に移動させるように、前記移動機構を制御してもよい。
【００１６】
前記制御部は、前記終了工程において、前記塗布工程における基板と前記塗布ノズルの相対的な移動速度と同じ速度で、基板と前記塗布ノズルを相対的に移動させるように、前記移動機構を制御してもよい。
【００１７】
前記塗布ノズルは、毛細管現象によって前記吐出口から塗布液を引き出して基板に供給してもよい。
【発明の効果】
【００１８】
本発明によれば、基板面内で均一に塗布液を塗布することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１９】
【図１】本実施形態に係る塗布処理装置の構成を示す模式側面図である。
【図２】本実施形態に係る塗布処理装置の構成を示す模式平面図である。
【図３】塗布ノズルの構成を示す斜視図である。
【図４】塗布ノズルの内部構成を示す縦断面図である。
【図５】塗布ノズルの高さ位置とウェハの移動速度を時系列に表したタイムチャートである。
【図６】塗布処理装置による塗布処理動作の説明図である。
【図７】塗布処理装置による塗布処理動作の説明図である。
【図８】塗布処理装置による塗布処理動作の説明図である。
【図９】塗布処理装置による塗布処理動作の説明図である。
【図１０】塗布処理装置による塗布処理動作の説明図である。
【図１１】塗布処理装置による塗布処理動作の説明図である。
【図１２】塗布処理装置による塗布処理動作の説明図である。
【図１３】塗布処理装置による塗布処理動作の説明図である。
【図１４】塗布処理装置による塗布処理動作の説明図である。
【図１５】塗布処理装置による塗布処理動作の説明図である。
【図１６】塗布処理装置による塗布処理動作の説明図である。
【図１７】塗布処理装置による塗布処理動作の説明図である。
【図１８】塗布処理装置による塗布処理動作の説明図である。
【図１９】従来の塗布処理動作の説明図である。
【発明を実施するための形態】
【００２０】
以下、添付図面を参照して、本発明の実施形態について説明する。なお、以下に示す実施形態によりこの発明が限定されるものではない。
【００２１】
先ず、本実施形態に係る塗布処理装置の構成について、図１及び図２を参照して説明する。図１は、本実施形態に係る塗布処理装置１の構成を示す模式側面図である。また、図２は、本実施形態に係る塗布処理装置１の構成を示す模式平面図である。なお、以下においては、位置関係を明確にするために、互いに直交するＸ軸方向、Ｙ軸方向及びＺ軸方向を規定し、Ｚ軸正方向を鉛直上向き方向とする。
【００２２】
図１及び図２に示すように、塗布処理装置１は、載置台１０と、移動機構２０と、塗布ノズル３０と、昇降機構４０とを有している。
【００２３】
移動機構２０は、基板としてのウェハＷを水平方向（Ｘ軸方向）に移動させる機構部であり、ウェハ保持部２１と駆動部２２とを備えている。ウェハ保持部２１は、吸引口（図示せず）が形成された水平な上面を有し、吸引口からの吸引によってウェハＷを水平な上面に吸着保持する。駆動部２２は、載置台１０に設けられ、ウェハ保持部２１を水平方向に移動させる。移動機構２０は、駆動部２２を用いてウェハ保持部２１を移動させることによって、ウェハ保持部２１に保持されたウェハＷを水平方向に移動させる。
【００２４】
なお、以下の説明においては、ウェハＷの周縁においてＸ軸負方向側の端部を一端部Ｗａといい、Ｘ軸正方向側の端部を他端部Ｗｂという。
【００２５】
塗布ノズル３０は、ウェハＷの移動方向（Ｘ軸方向）と直交する方向（Ｙ軸方向）に延びる長尺状のノズルであり、ウェハ保持部２１によって保持されるウェハＷの上方に配置される。かかる塗布ノズル３０の構成については、後述する。
【００２６】
昇降機構４０は、塗布ノズル３０を鉛直方向（Ｚ軸方向）に昇降させる機構部であり、固定部４１と駆動部４２とを備えている。固定部４１は、塗布ノズル３０を固定する部材である。また、駆動部４２は、水平方向（Ｙ軸方向）と鉛直方向に延び、駆動部２２の両側に亘って架け渡された門型構造を有し、固定部４１を鉛直方向に移動させる。昇降機構４０は、駆動部４２を用いて固定部４１を鉛直方向に移動させることによって、固定部４１に固定された塗布ノズル３０を昇降させる。
【００２７】
なお、塗布処理装置１には、上記載置台１０、移動機構２０、塗布ノズル３０、及び昇降機構４０のほか、例えば塗布ノズル３０の先端部に付着した塗布液を除去するノズル洗浄部（図示せず）や、塗布ノズル３０を収容可能なノズル待機部（図示せず）、これらノズル洗浄部やノズル待機部を移動させるための移動機構（図示せず）などが設けられている。
【００２８】
以上の塗布処理装置１には、図１に示すように制御部１００が設けられている。制御部１００は、例えばコンピュータであり、プログラム格納部（図示せず）を有している。プログラム格納部には、例えば塗布ノズル３０による塗布液の吐出動作、移動機構２０による塗布ノズル３０の移動動作などの動作を制御して、塗布処理装置１における塗布処理を制御するプログラムが格納されている。また、プログラム格納部には、その他の各種駆動系の動作を制御して、塗布処理装置１における塗布処理を実現させるためのプログラムも格納されている。なお、前記プログラムは、例えばコンピュータ読み取り可能なハードディスク（ＨＤ）、フレキシブルディスク（ＦＤ）、コンパクトディスク（ＣＤ）、マグネットオプティカルデスク（ＭＯ）、メモリーカードなどのコンピュータに読み取り可能な記憶媒体Ｈに記録されていたものであって、その記憶媒体Ｈから制御部１００にインストールされたものが用いられる。
【００２９】
次に、上述した塗布ノズル３０の構成について説明する。図３に示すように塗布ノズル３０は、ウェハＷの移動方向（Ｘ軸方向）に対して直交する方向（Ｙ軸方向）に、ウェハＷの直径より大きい長さで延びる本体部３１を有している。本体部３１の下端面には、ウェハＷに塗布液を吐出する吐出口３２が形成されている。吐出口３２は、本体部３１の長手方向（Ｙ軸方向）に沿ってウェハＷの直径より大きい長さで延びるスリット状の吐出口である。
【００３０】
なお、図３及び図４に示すように、以下の説明においては、吐出口３２においてＸ軸正方向側の端部を第１端部３２ａといい、Ｘ軸負方向側の端部を第２端部３２ｂという。
【００３１】
図４に示すように塗布ノズル３０の内部には、塗布液を貯留する貯留室３３が形成されている。貯留室３３における本体部３１の長手方向に沿った長さは、吐出口３２の長手方向の長さと同じである。貯留室３３の下端部には、鉛直方向に延び、吐出口３２に連通する流路３４が形成されている。流路３４における本体部３１の長手方向に沿った長さも、吐出口３２及び貯留室３３の長手方向の長さと同じである。
【００３２】
貯留室３３には、当該貯留室３３内に塗布液を供給する供給管３５が接続されている。供給管３５は、内部に塗布液を貯留する塗布液供給源３６に連通している。また、供給管３５には、塗布液の流れを制御するバルブや流量調節部等を含む供給機器群３７が設けられている。
【００３３】
次に、以上のように構成された塗布処理装置１で行われる塗布処理のプロセスについて説明する。図５は、塗布処理における塗布ノズル３０の高さ位置と、ウェハＷの移動速度とを、時系列に表したタイムチャートである。
【００３４】
塗布処理を行うにあたっては、先ずウェハＷが塗布処理装置１に搬送機構（図示せず）により搬入される。塗布処理装置１に搬入されたウェハＷは、ウェハ保持部２１に載置されて吸着保持される（図５の時間Ｔ０）。時間Ｔ０において、ウェハＷは停止しており、ウェハＷの移動速度はゼロ（Ｖ０）である。
【００３５】
この時間Ｔ０において、塗布ノズル３０は、当該塗布ノズル３０が塗布処理前と塗布処理後に待機する待機高さＨ０に配置されている。また、図６及び図７に示すように塗布ノズル３０は、その吐出口３２がウェハＷの一端部Ｗａの外側に配置されている。すなわち、吐出口３２のウェハＷ側の第１端部３２ａは、ウェハＷの一端部Ｗａの外側（Ｘ軸負方向側）に位置している。
【００３６】
その後、移動機構２０によってウェハＷを水平方向（Ｘ軸負方向）に移動させ、図８及び図９に示すようにウェハＷの一端部Ｗａを吐出口３２の第１端部３２ａに配置する（図５の時間Ｔ１）。時間Ｔ１において、ウェハＷは第１速度Ｖ１で移動している。
【００３７】
この時間Ｔ１において、昇降機構４０によって塗布ノズル３０を下降させ、接液高さＨ１に配置する。そして、塗布液供給源３６から塗布ノズル３０に塗布液Ｃを供給し、当該塗布ノズル３０の吐出口３２から表面張力によって塗布液Ｃを露出させる。そうすると、塗布液ＣがウェハＷの一端部Ｗａに接触する。
【００３８】
その後、時間Ｔ１が過ぎると、移動機構２０によってウェハＷをさらに水平方向（Ｘ軸負方向）に移動させ、図１０及び図１１に示すようにウェハＷの一端部Ｗａを吐出口３２の第２端部３２ｂに配置する（図５の時間Ｔ２）。時間Ｔ１から時間Ｔ２においては、ウェハＷは一定の第１速度Ｖ１で移動する。
【００３９】
この時間Ｔ１から時間Ｔ２において、塗布ノズル３０の高さ位置は接液高さＨ１に維持されている。上述したように時間Ｔ１において、塗布液ＣがウェハＷの一端部Ｗａに接触しているため、時間Ｔ１から時間Ｔ２においてウェハＷが移動するに伴って、毛細管現象によって吐出口３２から塗布液Ｃが引き出される。こうして、時間Ｔ２において、吐出口３２から吐出された塗布液ＣがウェハＷに接液する。
【００４０】
なお、時間Ｔ１から時間Ｔ２において、ウェハＷは低速の第１速度Ｖ１で移動しているため、吐出口３２から吐出された塗布液ＣをウェハＷに確実に接液させることができる。
【００４１】
また、時間Ｔ１から時間Ｔ２において塗布液ＣがウェハＷの一端部Ｗａに接液する際には、ウェハＷが移動しているため、ウェハＷの一端部Ｗａにおいて、従来のように塗布ノズル３０の長手方向に塗布液Ｃが拡がるのを抑制でき、一端部Ｗａに塗布液Ｃが溜まるのを抑制できる。
【００４２】
そして、このように時間Ｔ２において塗布液ＣがウェハＷに接液し、吐出口３２とウェハＷの間に塗布液Ｃの液溜りが形成されると、図１２に示すように昇降機構４０によって塗布ノズル３０を上昇させ、塗布高さＨ２に配置する。この塗布高さＨ２は、ウェハＷ上に塗布される塗布液Ｃの膜厚に応じて設定される。
【００４３】
その後、時間Ｔ２が経過すると、図１３及び図１４に示すように吐出口３２から吐出された塗布液ＣをウェハＷに接液させながら、移動機構２０によってウェハＷをさらに水平方向（Ｘ軸負方向）に移動させる。このとき、ウェハＷは、第１速度Ｖ１より速い第２速度Ｖ２で移動する。また、塗布ノズル３０の高さ位置は塗布高さＨ２に維持されている。そして、毛細管現象によって吐出口３２から塗布液Ｃが引き出され、ウェハＷ上に塗布液Ｃが塗布される。
【００４４】
その後、図１５及び図１６に示すように、移動機構２０によってウェハＷは、その他端部Ｗｂが吐出口３２の第２端部３２ｂに位置するまで移動する（図５の時間Ｔ３）。時間Ｔ２から時間Ｔ３においては、ウェハＷは一定の第２速度Ｖ２で移動する。
【００４５】
この時間Ｔ３では、吐出口３２から表面張力によって塗布液Ｃが露出しているが、吐出口３２の直下にはウェハＷは存在していない。すなわち、吐出口３２とウェハＷの間に塗布液Ｃが存在しない。このため、毛細管現象が作用せず、吐出口３２から塗布液Ｃが引き出されることがない。そして、時間Ｔ３において塗布液ＣがウェハＷの他端部Ｗｂから離液し、ウェハＷの表面全面に塗布液Ｃが塗布される。
【００４６】
なお、時間Ｔ３において塗布液ＣがウェハＷの他端部Ｗｂから離液する際には、ウェハＷが移動しているため、ウェハＷの他端部Ｗｂにおいて、従来のように塗布ノズル３０の長手方向に塗布液Ｃが拡がるのを抑制でき、他端部Ｗｂに塗布液Ｃが溜まるのを抑制できる。
【００４７】
その後、時間Ｔ３が経過すると、移動機構２０によってウェハＷの移動速度を減速し、ウェハＷを停止させる（図５の時間Ｔ４）。このとき、図１７及び図１８に示すように塗布ノズル３０は、その吐出口３２がウェハＷの他端部Ｗｂの外側に配置される。すなわち、吐出口３２のウェハ側の第２端部３２ｂは、ウェハＷの他端部Ｗｂの外側（Ｘ軸正方向側）に位置する。
【００４８】
また、この時間Ｔ４において、昇降機構４０によって塗布ノズル３０を上昇させ、待機高さＨ０に配置する。こうして、塗布処理装置１における一連の塗布処理が終了する。
【００４９】
以上の実施形態によれば、塗布開始時の時間Ｔ１において、吐出口３２の第１端部３２ａがウェハＷの一端部Ｗａに位置し、当該吐出口３２から吐出された塗布液Ｃが一端部Ｗａに接液する際には、ウェハＷを水平方向に移動させている。そうすると、ウェハＷの一端部Ｗａにおいて、従来のように塗布ノズル３０の長手方向に塗布液Ｃが拡がるのを抑制でき、一端部Ｗａに塗布液Ｃが溜まるのを抑制できる。したがって、ウェハＷの一端部Ｗａに局所的に塗布液Ｃの膜厚が厚くなるのを抑制できる。
【００５０】
また、塗布終了時の時間Ｔ３において、吐出口３２の第２端部３２ｂがウェハＷの他端部Ｗｂに位置し、当該吐出口３２から吐出された塗布液Ｃが他端部Ｗｂから離液する際には、ウェハＷを水平方向に移動させている。そうすると、ウェハＷの他端部Ｗｂにおいて、従来のように塗布ノズル３０の長手方向に塗布液Ｃが拡がるのを抑制でき、他端部Ｗｂに塗布液Ｃが溜まるのを抑制できる。したがって、ウェハＷの他端部Ｗｂに局所的に塗布液Ｃの膜厚が厚くなるのを抑制できる。
【００５１】
以上のように本実施形態によれば、ウェハ面内で均一に塗布液Ｃを塗布することができる。
【００５２】
また、上述のように塗布開始時の時間Ｔ１においてウェハＷの一端部Ｗａに塗布液Ｃが溜まるのを抑制でき、塗布終了時の時間Ｔ３においてウェハＷの他端部Ｗｂに塗布液Ｃが溜まるのを抑制できる。換言すれば、ウェハＷの一端部Ｗａと他端部Ｗｂ上の塗布液Ｃを少量にできる。ここで、ウェハＷの周縁の塗布液Ｃの量が多いと、当該塗布液ＣがウェハＷの外部にこぼれて、ウェハＷの側面や裏面が汚れ、さらにはウェハＷを保持する機構やウェハＷを搬送する機構を汚してしまう。場合によっては、これら機構に塗布液ＣによりウェハＷが貼りついて、当該ウェハＷが割れてしまう場合がある。この点、本実施形態ではウェハＷの周縁上の塗布液Ｃを少量にできるので、ウェハＷの保持信頼性や搬送信頼性を向上させることができる。
【００５３】
また、時間Ｔ１から時間Ｔ２において、ウェハＷを低速の第１速度Ｖ１で移動させているので、吐出口３２から吐出された塗布液ＣをウェハＷに確実に接液させることができる。また、時間Ｔ２から時間Ｔ３において、ウェハＷを高速の第２速度Ｖ２で移動させているので、塗布処理のスループットを向上させることができる。
【００５４】
なお、本実施形態では、時間Ｔ２においてウェハＷの一端部Ｗａが吐出口３２の第２端部３２ｂに位置した際に、ウェハＷの移動速度を第１速度Ｖ１から上昇させたが、ウェハＷの移動速度を速くするタイミングはこれに限定されない。時間Ｔ２で塗布液ＣがウェハＷに接液した以降であれば、いつでもよい。但し、上述したように塗布処理のスループットをより向上させるためには、時間Ｔ２においてウェハＷの移動速度を上昇させるのが好ましい。
【００５５】
さらに本実施形態では、塗布ノズル３０の吐出口３２から毛細管現象によって塗布液Ｃを引き出して、ウェハＷに塗布液Ｃを塗布する方法、いわゆるキャピラリー塗布法を用いているので、ウェハＷに供給された塗布液Ｃが当該ウェハＷの外に流出することがなく、塗布ノズル３０から必要量の塗布液ＣのみをウェハＷに供給すればよい。したがって、例えばスピン塗布法に比べて、塗布液Ｃの供給量を少量化することができる。
【００５６】
以上の実施形態の塗布処理装置１では、移動機構２０によってウェハＷを水平方向に移動させることで、ウェハＷと塗布ノズル３０を相対的に移動させたが、塗布ノズル３０を水平方向に移動させるようにしてもよい。或いは、ウェハＷと塗布ノズル３０の両方を水平方向に移動させるようにしてもよい。
【００５７】
また、以上の実施形態では、ウェハＷに塗布液Ｃを塗布する際、塗布ノズル３０の吐出口３２から毛細管現象によって塗布液Ｃを引き出していたが、塗布ノズル３０からウェハＷに塗布液Ｃを供給する方法はこれに限定されない。例えばポンプ等によって強制的に塗布ノズル３０の吐出口３２から塗布液Ｃを吐出するようにしてもよい。
【００５８】
また、以上の実施形態で用いられる塗布液Ｃには、任意の塗布液を用いることができる。例えば基板同士を接合する際に用いられる接着剤や、ウェハＷ上の回路を封止するための塗布液、ポリイミド、レジスト液などの塗布液をウェハＷ上に塗布する場合にも本発明は適用できる。
【００５９】
以上、添付図面を参照しながら本発明の好適な実施の形態について説明したが、本発明はかかる例に限定されない。当業者であれば、特許請求の範囲に記載された思想の範疇内において、各種の変更例または修正例に想到し得ることは明らかであり、それらについても当然に本発明の技術的範囲に属するものと了解される。本発明はこの例に限らず種々の態様を採りうるものである。本発明は、基板がウェハ以外のＦＰＤ（フラットパネルディスプレイ）、フォトマスク用のマスクレチクルなどの他の基板である場合にも適用できる。
【符号の説明】
【００６０】
１  塗布処理装置
１０  載置台
２０  移動機構
２１  ウェハ保持部
２２  駆動部
３０  塗布ノズル
３１  本体部
３２  吐出口
３２ａ  第１端部
３２ｂ  第２端部
３３  貯留室
３４  流路
３５  供給管
３６  塗布液供給源
３７  供給機器群
４０  昇降機構
４１  固定部
４２  駆動部
１００  制御部
Ｃ  塗布液
Ｗ  ウェハ
Ｗａ  一端部
Ｗｂ  他端部
【図１】
2015221401.tif 000003
【図２】
2015221401.tif 000004
【図３】
2015221401.tif 000005
【図４】
2015221401.tif 000006
【図５】
2015221401.tif 000007
【図６】
2015221401.tif 000008
【図７】
2015221401.tif 000009
【図８】
2015221401.tif 000010
【図９】
2015221401.tif 000011
【図１０】
2015221401.tif 000012
【図１１】
2015221401.tif 000013
【図１２】
2015221401.tif 000014
【図１３】
2015221401.tif 000015
【図１４】
2015221401.tif 000016
【図１５】
2015221401.tif 000017
【図１６】
2015221401.tif 000018
【図１７】
2015221401.tif 000019
【図１８】
2015221401.tif 000020
【図１９】
2015221401.tif 000021