(57)【要約】【課題】保磁力と角型比を向上させたＲ−Ｔ−Ｂ系異方性磁性粉を提供する。【解決手段】  複数の２次粒子を含むＲ−Ｔ−Ｂ系異方性磁性粉であって、前記２次粒子の断面においてＲ及びＮｂの偏析面積が１．８％以下のものが、前記Ｒ−Ｔ−Ｂ系異方性磁性粉に含まれる前記２次粒子全体の中に４５％以上の割合で存在していることを特徴とするＲ−Ｔ−Ｂ系異方性磁性粉。【選択図】図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の２次粒子を含むＲ−Ｔ−Ｂ系異方性磁性粉であって、
前記２次粒子の断面においてＲ及びＮｂの偏析面積が１．８％以下の２次粒子が、前記Ｒ−Ｔ−Ｂ系異方性磁性粉に含まれる前記２次粒子全体の中に４５％以上の割合で存在していることを特徴とするＲ−Ｔ−Ｂ系異方性磁性粉。
【請求項２】
請求項１に記載のＲ−Ｔ−Ｂ系異方性磁性粉であって、
前記２次粒子の断面においてＲ及びＮｂの偏析面積が１．０％以下のものが、前記Ｒ−Ｔ−Ｂ系異方性磁性粉に含まれる前記２次粒子全体の中に２５％以上の割合で存在していることを特徴とするＲ−Ｔ−Ｂ系異方性磁性粉。
【請求項３】
請求項１に記載のＲ−Ｔ−Ｂ系異方性磁性粉であって、
前記２次粒子に含まれる酸素量が、前記Ｒ−Ｔ−Ｂ系異方性磁性粉に含まれる前記２次粒子全体の平均値で１５００ｐｐｍ以下であることを特徴とするＲ−Ｔ−Ｂ系異方性磁性粉。
【請求項４】
請求項１〜３までのいずれかに記載のＲ−Ｔ−Ｂ系異方性磁性粉と、結合樹脂とを含む異方性ボンド磁石。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、水素分解・脱水素再結合法等を用いて製造されるＲ−Ｔ−Ｂ系異方性磁性粉及びＲ−Ｔ−Ｂ系異方性磁性粉を用いて製造される異方性ボンド磁石に関する。
【背景技術】
【０００２】
高特性磁石用の磁性粉として、原料合金を水素化分解・再結合させる水素化分解・脱水素再結合（ＨＤＤＲ：Hydrogenation Decomposition Desorption Recombination）法を用いて製造される磁性粉が提案されている。ＨＤＤＲ法とは、原料（出発合金）に水素を吸蔵させた後、水素中で原料を加熱することにより、原料を水素化・分解（ＨＤ：Hydrogenation Decomposition）し、脱水素・再結合（ＤＲ：Desorption Recombination）させることにより、結晶を微細化させる方法である。ＨＤＤＲ法によれば、製造される磁性粉を構成する２次粒子に含まれる硬磁性相の結晶粒（１次粒子）を単磁区臨界粒径程度まで小さくすることが可能であり、優れた磁気特性を奏する異方性磁性粉を製造することができる（特許文献１等参照）。
【０００３】
ＨＤＤＲ法で製造される高性能永久磁石としては、Ｒ−Ｔ−Ｂ系磁石（Ｒは希土類元素、ＴはＦｅ又はＦｅ及びＣｏを必須とする少なくとも１種以上の遷移金属元素、Ｂはホウ素）が代表的であり、優れた磁気特性を奏する。Ｒ−Ｔ−Ｂ系磁石としては、焼結によって製造される焼結磁石の他に、磁性粉と結合樹脂とを含むボンド磁石があり、Ｒ−Ｔ−Ｂ系異方性ボンド磁石に関しては、形状の自由度を生かした一体成形品等への応用が着目されている。
【０００４】
また、磁気特性を向上させるＲ−Ｔ−Ｂ系異方性ボンド磁石の製造方法として、平均粒径の異なる２種類の磁性粉を用いる技術が提案されている（特許文献２等参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２００８−１２７６４８号公報
【特許文献２】特開２０１１−１７６０１４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかし、従来技術に係るＲ−Ｔ−Ｂ系異方性磁性粉は、特に小粒径（例えば１μｍ〜４０μｍ程度）とした場合に、保磁力及び角型比が低下する問題を有している。また、小粒径の磁性粉の保磁力及び角型比が低下するために、これを用いるＲ−Ｔ−Ｂ系異方性ボンド磁石の特性向上にも支障をきたしていた。
【０００７】
本発明は、このような実状に鑑みてなされ、その目的は、保磁力と角型比を向上させたＲ−Ｔ−Ｂ系異方性磁性粉及びこのようなＲ−Ｔ−Ｂ系異方性磁性粉を用いた異方性ボンド磁石を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
上記目的を達成するために、本発明に係るＲ−Ｔ−Ｂ系異方性磁性粉は、
複数の２次粒子を含むＲ−Ｔ−Ｂ系異方性磁性粉であって、
前記２次粒子の断面においてＲ及びＮｂの偏析面積が１．８％以下の２次粒子が、前記Ｒ−Ｔ−Ｂ系異方性磁性粉に含まれる前記２次粒子全体の中に４５％以上の割合で存在していることを特徴とする。
【０００９】
本発明に係る磁性粉は、Ｒ及びＮｂの偏析面積が１．８％以下である２次粒子が、磁性粉を構成する２次粒子全体の中に４５％以上の割合で存在していることにより、Ｒ及びＮｂの偏析面積が１．８％より多い２次粒子が多く存在する従来技術に係る磁性粉に比べ、優れた保磁力及び角型比を有する。ここで、Ｒ−Ｔ−Ｂ系異方性磁性粉では、結晶粒界に存在するＮｄリッチ相等の非磁性層が逆磁区の核生成を抑制して保磁力を向上させると考えられる。Ｒ及びＮｂの偏析面積が小さい２次粒子は、当該偏析面積が大きい２次粒子に比べてＲ及びＮｂ等がより多く結晶粒界面に存在していると考えられるため、Ｒ及びＮｂの偏析面積が小さい２次粒子を多く含む本発明に係る磁性粉は、２次粒子における逆磁区の核生成が効果的に抑制され、優れた保磁力及び角型比を有すると考えられる。
【００１０】
また、例えば、本発明に係るＲ−Ｔ−Ｂ系異方性磁性粉は、前記２次粒子の断面においてＲ及びＮｂの偏析面積が１．０％以下のものが、前記Ｒ−Ｔ−Ｂ系異方性磁性粉に含まれる前記２次粒子全体の中に２５％以上の割合で存在していても良い。
【００１１】
このようなＲ−Ｔ−Ｂ系異方性磁性粉は、Ｒ及びＮｂの偏析面積がより小さい２次粒子を２５％以上の割合で含むために、２次粒子における逆磁区の核生成がさらに抑制され、優れた保磁力及び角型比を有すると考えられる。
【００１２】
また、例えば、本発明に係るＲ−Ｔ−Ｂ系異方性磁性粉は、前記２次粒子に含まれる酸素量が、前記Ｒ−Ｔ−Ｂ系異方性磁性粉に含まれる前記２次粒子全体の平均値で１５００ｐｐｍ以下であっても良い。
【００１３】
また、本発明に係る異方性ボンド磁石は、上記いずれかに記載のＲ−Ｔ−Ｂ系異方性磁性粉と、結合樹脂とを含む。
【００１４】
本発明に係る異方性ボンド磁石は、優れた保磁力及び角型比を有する磁性粉を用いて作製されるため、優れた磁気特性を有する。特に小粒径の磁性粉を用いる異方性ボンド磁石は、高密度化によって残留磁束密度を向上させつつ、従来技術に比べて高い保磁力及び角型比を得ることができる。
【図面の簡単な説明】
【００１５】
【図１】図１は、Ｒ−Ｔ−Ｂ系異方性磁性粉及び異方性ボンド磁石の製造工程の一例を表すフローチャートである。
【図２】図２は、２次粒子の断面を模式的に表した概念図である。
【発明を実施するための形態】
【００１６】
以下、本発明に係るＲ−Ｔ−Ｂ系異方性磁性粉及び異方性ボンド磁石の実施形態及び実施例を、図面を参照しつつ詳細に説明する。なお、下記の実施形態及び実施例により本発明が限定されるものではない。また、下記の実施形態及び実施例で開示する構成要素には、当業者が容易に想定できるもの、実質的に同一のもの、いわゆる均等の範囲のものが含まれる。さらに、下記実施形態及び実施例で開示した構成要素は適宜組み合わせても良いし、適宜選択してもよい。
【００１７】
本実施形態に係るＲ−Ｔ−Ｂ系異方性磁性粉を構成する二次粒子は、Ｒ2Ｔ14Ｂ相を主相として含む。Ｒとしては、いずれの希土類元素を用いてもよいが、好ましくは軽希土類元素を、より好ましくはＮｄ及び／又はＰｒを用いる。また、Ｔは、Ｆｅ又はＦｅ及びＣｏを含む１種以上の遷移金属元素を示すものである。Ｔは、Ｆｅ単独であってもよく、Ｆｅの一部がＣｏで置換されていてもよい。Ｆｅの一部をＣｏに置換する場合、磁気特性を低下させることなく温度特性を向上させることができる。また、Ｃｏの含有量は、ＣｏおよびＦｅの含有量の和に対して２０質量％以下に抑えることが望ましい。これは、Ｃｏの含有量がＦｅの含有量の２０質量％より大きくなるようにＦｅの一部をＣｏに置換すると、磁気特性を低下させる可能性があるからである。また、本実施形態に係るＲ−Ｔ−Ｂ系焼結磁石が高価となってしまうからである。Ｆｅ又はＦｅ及びＣｏ以外の遷移金属元素としては、Ｔｉ、Ｖ、Ｃｒ、Ｍｎ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｚｒ、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｈｆ、Ｔａ、Ｗなどが挙げられる。また、Ｔは、遷移金属元素以外に、例えば、Ａｌ、Ｇａ、Ｓｉ、Ｂｉ、Ｓｎなどの元素の少なくとも１種の元素を更に含んでいてもよい。
【００１８】
なお、本明細書において、希土類元素は、長周期型周期表の第３族に属するスカンジウム（Ｓｃ）、イットリウム（Ｙ）及びランタノイド元素のことをいう。ランタノイド元素には、例えば、ランタン（Ｌａ）、セリウム（Ｃｅ）、プラセオジウム（Ｐｒ）、ネオジム（Ｎｄ）、サマリウム（Ｓｍ）、ユーロピウム（Ｅｕ）、ガドリニウム（Ｇｄ）、テルビニウム（Ｔｂ）、ジスプロシウム（Ｄｙ）、ホルミウム（Ｈｏ）、エルビウム（Ｅｒ）、ツリウム（Ｔｍ）、イッテルビウム（Ｙｂ）、ルテチウム（Ｌｕ）等が含まれる。また、希土類元素は、軽希土類元素及び重希土類元素に分類することができる。本明細書における「重希土類元素」とはＧｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｔｍ、Ｙｂ、Ｌｕをいい、「軽希土類元素」とはＳｃ，Ｙ，Ｌａ，Ｃｅ，Ｐｒ，Ｎｄ、Ｓｍ，Ｅｕをいう。
【００１９】
Ｒ−Ｔ−Ｂ系異方性磁性粉の好適な組成としては、希土類元素としてＮｄ及びＰｒの少なくとも一方を含み、Ｂを含み、必要に応じてＣｏ、Ｎｉ、Ｍｎ、Ａｌ、Ｃｕ、Ｎｂ、Ｚｒ、Ｔｉ、Ｗ、Ｍｏ、Ｖ、Ｇａ、Ｚｎ、Ｓｉ等の他の元素を含み、残部がＦｅ及び不可避的不純物であるＲ（Ｎｄ、Ｐｒ）−Ｔ−Ｂ系の組成を有するものが挙げられる。Ｒ−Ｔ−Ｂ系異方性磁性粉のより好ましい組成としては、希土類元素としてＮｄを含み、Ｂ、Ｎｂ、Ｇａ、Ｃｕを含み、残部がＦｅ及び不可避的不純物であるＮｄ−Ｔ−Ｂ系の組成を有するものが挙げられる。
【００２０】
図２は、本実施形態に係るＲ−Ｔ−Ｂ系異方性磁性粉に含まれる２次粒子１０の断面を模式的に表した概念図である。２次粒子１０は、サブミクロンオーダー（例えば２００ｎｍ程度）の粒径を有する１次粒子１２を有している。２次粒子１０に含まれる１次粒子１２の磁化容易軸１４は、略同一の方向に揃えられており、２次粒子１０は磁気異方性を有する。
【００２１】
２次粒子１０には、主相としてのＲ2Ｔ14Ｂ相の他に、Ｒ及びＮｂの偏析相１６が形成されている。偏析相１６は、Ｒの偏析相とＮｂの偏析相とで構成されていても良く、Ｒの偏析相およびＮｂの偏析相のうちいずれか一方のみで構成されていても良い。Ｒ−Ｔ−Ｂ系異方性磁性粉には、２次粒子１０の断面におけるＲ及びＮｂの偏析相１６の面積率であるＲ及びＮｂの偏析面積が所定の値以下の２次粒子１０が、所定の割合以上含まれている。すなわち、Ｒ−Ｔ−Ｂ系異方性磁性粉には、２次粒子１０の断面においてＲ及びＮｂの偏析面積が１．８％以下のものが、２次粒子全体の中に４５％以上の割合で存在しており、また、２次粒子１０の断面においてＲ及びＮｂの偏析面積が１．０％以下のものが、２次粒子全体の中に２５％以上の割合で存在していることがさらに好ましい。なお、Ｒ−Ｔ−Ｂ系異方性磁性粉が、希土類元素としてＮｄを含み、Ｂ、Ｎｂ、Ｇａ、Ｃｕを含み、残部がＦｅ及び不可避的不純物であるＮｄ−Ｔ−Ｂ系の組成を有する場合、偏析相１６は、Ｎｄの偏析相とＮｂの偏析相とで構成される。
【００２２】
２次粒子１０に含まれる酸素量は、Ｒ−Ｔ−Ｂ系異方性磁性粉に含まれる２次粒子全体の平均値で１５００ｐｐｍ以下であることが好ましく、１３００ｐｐｍ以下であることが更に好ましい。
【００２３】
Ｒ−Ｔ−Ｂ系異方性磁性粉の用途は特に限定されないが、例えば結合樹脂と混合・成形されることにより、Ｒ−Ｔ−Ｂ系異方性磁性粉は、異方性ボンド磁石の製造に用いられる。異方性ボンド磁石に含まれる結合樹脂としては、特に限定されないが、エポキシ樹脂、フェノール樹脂等の熱硬化性樹脂や、スチレン系、オレフィン系、ウレタン系、ポリエステル系、ポリアミド系のエラストマー、アイオノマー、エチレンプロピレン共重合体（ＥＰＭ）、エチレン―エチルアクリレート共重合体等の熱可塑性樹脂が挙げられる。異方性ボンド磁石の製造方法も特に限定されないが、圧縮成形により製造する場合に用いる結合樹脂は熱硬化性樹脂が好ましく、エポキシ樹脂又はフェノール樹脂がより好ましい。また、射出成形により異方性ボンド磁石を製造する場合に用いる結合樹脂としては、熱可塑性樹脂が好ましい。異方性ボンド磁石には、結合樹脂の他に、カップリング剤やその他の添加剤を含む場合がある。
【００２４】
（製造方法）
図１は、Ｒ−Ｔ−Ｂ系異方性磁性粉及び異方性ボンド磁石の製造工程の一例を表すフローチャートである。
ステップＳ００１では、Ｒ−Ｔ−Ｂ系異方性磁性粉の原料合金を準備する。原料合金の組成は、上述したＲ−Ｔ−Ｂ系異方性磁性粉の組成と、各元素の歩留まり等を考慮して決定されるが、例えば、Ｒ：２５質量％以上４０質量％以下、Ｔ：５８質量％以上７４質量％以下、Ｂ：１質量％以上２質量％以下であることが好ましい。原料合金の製造方法としては、例えばインゴット鋳造法やストリップキャスト法やブックモールド法や遠心鋳造法などが挙げられるが、特に限定されない。また、ステップＳ００１では、原料合金に対して、均質化熱処理を行っても良い。均質化熱処理は、例えば、原料合金を低酸素雰囲気下において、１０００℃以上１２００℃以下の温度で５時間から４８時間保持することによって行われる。
【００２５】
ステップＳ００２では、ステップＳ００１で準備された原料合金に水素を吸蔵させる。ステップＳ００２では、原料合金を、水素分圧１００ｋＰａ〜３００ｋＰａである水素雰囲気中、温度１００℃〜２００℃の環境に、０．５時間〜２時間保持する。これによって、原料化合物の結晶格子中に水素が吸蔵される。
【００２６】
ステップＳ００３では、水素吸蔵後の原料合金を、所定の粒径まで粉砕する。原料合金は、水素吸蔵により脆くなっているため、水素吸蔵前より容易に粉砕することが可能である。粉砕に用いる粉砕機は特に限定されないが、気流粉砕機（ＭＪＴ）、ブラウンミル等を用いることができる。また、粉砕は、酸化防止の観点から低酸素雰囲気下で行うことが好ましい。
【００２７】
ステップＳ００３での粉砕によって得られる原料合金粉末の粒径は、一連の製造工程によって得られるＲ−Ｔ−Ｂ系異方性磁性粉の２次粒子と同等とすることが好ましく、これにより、ＨＤＤＲ工程後（ステップＳ００５の後）の粉砕工程を省略若しくは低減することができる。ステップＳ００３で得られる原料金属粉末の平均粒径は、Ｒ−Ｔ−Ｂ系異方性磁性粉の用途に応じて適宜設定されるが、例えばＲ−Ｔ−Ｂ系異方性磁性粉を焼結磁石の製造に用いる場合は０．５〜１５μｍ程度とすることが好ましく、Ｒ−Ｔ−Ｂ系異方性磁性粉を異方性ボンド磁石の製造に用いる場合は、１μｍ〜２５０μｍ程度とすることが好ましく、１μｍ〜１５０μｍ程度とすることがさらに好ましく、１μｍ〜４０μｍとすることがさらに好ましい。なお、ステップＳ００３では、所定の粒径の原料合金粉末を得るために、粉砕後に篩等による分級処理が行われても良い。
【００２８】
ステップＳ００４では、粉砕して得た原料合金粉末を、水素分圧１０ｋＰａ〜１００ｋＰａである水素雰囲気中、温度７００℃〜８５０℃の環境に、０．５時間〜６００時間保持することにより、原料合金を水素化分解（ＨＤ）する。水素化分解によって得られる分解生成物は、ＲＨxなどの水素化物、α−Ｆｅなどの遷移金属及びＦｅ2Ｂなどの金属化合物を含み、サブミクロンオーダーの微細なマトリックスを形成している。
【００２９】
ステップＳ００５では、水素化分解（ＨＤ）した原料合金粉末を、炉内の水素分圧を数ｋＰａ以下になるまで水素を排気しつつ、温度７５０℃〜９５０℃の環境で、０．４時間〜５．５時間保持することで原料合金粉末から水素が放出され、脱水素再結合（ＤＲ）される。このようなＨＤＤＲ処理を行うことで、Ｒ2Ｔ14Ｂ相を主相として含む二次粒子１０（図２参照）が形成される。
【００３０】
ステップＳ００６では水素を排気した後、冷却を行い、図２に示すような２次粒子１０を含むＲ−Ｔ−Ｂ系異方性磁性粉を得る。
【００３１】
ステップＳ００７では、ステップＳ００６で得られたＲ−Ｔ−Ｂ系異方性磁性粉と結合樹脂とを混練した後ペレット化し、射出成形用の樹脂コンパウンド（ペレット）を作製する。ステップＳ００７で使用する結合樹脂としては、例えばポリアミド樹脂（ＰＡ）やポリフェニレンサルファイド樹脂（ＰＰＳ）等が挙げられるが、特に限定されない。ステップＳ００７の混練及びペレット化工程は、例えば二軸混練押出機等を用いて行うことができるが、混練及びペレット化に使用する装置は特に限定されない。
【００３２】
ステップＳ００７におけるＲ−Ｔ−Ｂ系異方性磁性粉と結合樹脂との混合比率は、例えばＲ−Ｔ−Ｂ系異方性磁性粉１００質量％に対して、結合樹脂０．５質量％以上２０質量％以下とすることができるが、特に限定されない。また、ステップＳ００７において、例えば平均粒径が１〜３０μｍである第１のＲ−Ｔ−Ｂ系異方性磁性粉と、平均粒径が８０〜２００μｍである第２のＲ−Ｔ−Ｂ系異方性磁性粉と、結合樹脂とを混練し、樹脂コンパウンドを作製しても良い。この場合、第１のＲ−Ｔ−Ｂ系異方性磁性粉と、第２のＲ−Ｔ−Ｂ系異方性磁性粉とは、ステップＳ００３の粉砕工程において２種類の異なる平均粒径を有する原料金属粉末を作製し、それぞれの原料金属粉末に対してその後の工程を行うことにより、準備することが好ましい。
【００３３】
ステップＳ００８では、ステップＳ００７で作製した樹脂コンパウンドを用いて磁場中射出成形を行い、Ｒ−Ｔ−Ｂ系異方性磁性粉と結合樹脂とを含む異方性ボンド磁石を得る。具体的には、ステップＳ００８において、射出成形機に樹脂コンパウンドを投入し、必要に応じて結合樹脂の溶融温度まで加熱して樹脂コンパウンドを流動状態とした後、流動状態のコンパウンドを所定の形状を有する金型内に射出して成形を行う。さらに、冷却後に金型から成形品を取り出すことにより、異方性ボンド磁石を得る。
【００３４】
このように、本実施形態に係るＲ−Ｔ−Ｂ系異方性磁性粉は、水素化分解（ＨＤ）及び脱水素再結合（ＤＲ）工程前に、原料金属を粉砕して製造されることにより、ＲおよびＮｂ等の分散性が向上し、Ｒ及びＮｂの偏析相の形成が抑制された２次粒子を、従来に比べて多く含む。特に、Ｒ−Ｔ−Ｂ系異方性磁性粉において、Ｒ及びＮｂの偏析面積が１．８％以下である２次粒子を、磁性粉を構成する２次粒子全体の中に４５％以上の割合で存在させることにより、このようなＲ−Ｔ−Ｂ系異方性磁性粉は、Ｒ及びＮｂの偏析面積が１．８％より多い２次粒子が多く存在する従来技術に係る磁性粉に比べ、優れた保磁力及び角型比を有する。また、Ｒ及びＮｂの偏析面積が１．０％以下である２次粒子を、Ｒ−Ｔ−Ｂ系異方性磁性粉に含まれる２次粒子全体の中に２５％以上の割合で存在させることにより、２次粒子における逆磁区の核生成がさらに抑制され、このようなＲ−Ｔ−Ｂ系異方性磁性粉は、より優れた保磁力及び角型比を有する。
【００３５】
また、本実施形態に係るＲ−Ｔ−Ｂ系異方性磁性粉は、水素化分解（ＨＤ）及び脱水素再結合（ＤＲ）工程のような還元雰囲気で行われる工程の後ではなく、その前に粉砕を行うため、２次粒子に含まれる酸素量を低減することが可能である。特に、２次粒子に含まれる酸素量を、Ｒ−Ｔ−Ｂ系異方性磁性粉に含まれる２次粒子全体の平均値で１５００ｐｐｍ以下としたＲ−Ｔ−Ｂ系異方性磁性粉は、従来に比べて良好な磁気特性を奏する。
【００３６】
また、本実施形態に係る異方性ボンド磁石は、優れた保磁力及び角型比を有する磁性粉を用いて作製されるため、優れた磁気特性を有する。特に小粒径の磁性粉を用いる異方性ボンド磁石は、高密度化によって残留磁束密度を向上させつつ、従来技術に比べて高い保磁力及び角型比を奏することができる。
【００３７】
実施例
本発明の内容を、実施例及び比較例を用いて以下に詳細に説明するが、本発明は以下の実施例に限定されるものではない。
【００３８】
＜実施例１〜４＞
原料合金（粒径３０．０ｍｍ程度）として、以下の組成を有するものを、ストリップキャスト（ＳＣ)法を用いて調製し、真空中１０００℃〜１２００℃の温度範囲で２４時間保持して均質化処理を行うことにより準備した（図１におけるステップＳ００１）。なお、実施例１〜５では、図１に示すフローチャートのステップＳ００１〜ステップＳ００６に従って試料を作製した。
【００３９】
Ｎｄ：２８質量％
Ｂ：１．１質量％
Ｇａ：０．３５質量％
Ｎｂ：０．３質量％
Ｃｕ：０．０３質量％
Ｆｅ：残部
なお、この原料合金は上述の元素の他に微量の不可避不純物（原料合金全体の０．２〜０．３質量％）を含んでいた。次に、原料合金を、水素分圧１００ｋＰａである水素雰囲気中、温度１００℃の環境に、２時間保持し、水素吸蔵させる（図１におけるステップＳ００２）。さらに、水素吸蔵後の原料合金を、低酸素雰囲気下で、その平均粒径が２０μｍ程度になるまでＭＪＴを用いて粉砕する（ステップＳ００３）。
【００４０】
次に、水素分圧４０ｋＰａとした炉内で、炉内温度を１０℃／分で８００℃まで昇温し、３時間保持するＨＤ工程を行った（ステップＳ００４）。これによって、粉砕後の原料合金粉末を水素化分解させて分解生成物を得た。
その後、ＤＲ工程（ステップＳ００５）の第１段階として、炉内温度を１０℃／分で８５０℃まで昇温した後、真空ポンプを用いて水素ガスを排気し、炉内の圧力（水素分圧）を４ｋＰａ／分の速度で下げて６ｋＰａとし、約１０分間、分解生成物に含まれる水素の放出を行った。さらに、ＤＲ工程（ステップＳ００５）の第２段階として、炉内からの水素ガスの排気速度を変更して、炉内圧力（水素分圧）の降下速度を０．１ｋＰａ／分とし、炉内の圧力（水素分圧）が０Ｐａ程度になるまで、水素ガスの放出を継続して行うことにより、分解生成物から水素をほぼ完全に除去した。炉内の水素分圧が０Ｐａとなった時点で、水素の放出を停止した。その後、炉内を室温（約２０℃程度）まで冷却し、実施例１〜実施例４のＲ−Ｔ−Ｂ系異方性磁性粉を得た（ステップＳ００６）。
【００４１】
＜測定＞
実施例１〜４に係るＲ−Ｔ−Ｂ系異方性磁性粉について、平均粒径（Ｄ５０）の測定を行った。さらに、各実施例に係るＲ−Ｔ−Ｂ系異方性磁性粉に含まれる２次粒子の断面を反射顕微鏡下で観察し、主相結晶粒部分（Ａ）とＲ（Ｎｄ）及びＮｂの偏析部分（Ｂ）を特定し、Ｒ及びＮｂの偏析面積が１．８％以下である２次粒子（Ｂ／（Ａ＋Ｂ）≦１．８％の２次粒子）の割合と、Ｒ及びＮｂの偏析面積が１．０％以下である２次粒子（Ｂ／（Ａ＋Ｂ）≦１．０％の２次粒子）の割合と、Ｒ及びＮｂの偏析面積の平均値とを調査した。なお、Ｒ及びＮｂの偏析面積の算出は、実施例１〜実施例４に係るＲ−Ｔ−Ｂ系異方性磁性粉から１００個の２次粒子を無作為に抽出して行った。
【００４２】
さらに、実施例１〜４に係るＲ−Ｔ−Ｂ系異方性磁性粉について、振動試料型磁力計（ＶＳＭ）を用いて、保磁力Ｈｃｊ及び角型比Ｈｋ／Ｈｃｊを求めた。また、実施例１〜実施例４に係るＲ−Ｔ−Ｂ系異方性磁性粉について、不活性ガス融解法を用いて２次粒子に含まれる酸素量（平均値）を測定した。結果を表１に示す。
【００４３】
【表１】
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【００４４】
＜実施例５＞
水素吸蔵後の粉砕工程をブラウンミルを用いて実施し、狙いの平均粒径を４０μｍとした以外は、実施例１〜実施例４と同様にして試料を作製した。また、評価については、実施例１〜４と同様の評価を行った。結果を表１に示す。
【００４５】
＜比較例１〜３＞
図１に示すフローチャートのステップＳ００１〜ステップＳ００６のうち、粉砕工程（ステップＳ００３）を、水素吸蔵工程（ステップＳ００２）の直後ではなく、排気・冷却工程（ステップＳ００６）の後に、順序を入れ換えて行ったことを除き、実施例１〜４と同様にして試料を作製した。また、評価については、実施例１〜４と同様の評価を行った。結果を表１に示す。
【００４６】
＜比較例４＞
水素吸蔵後の粉砕工程（ステップＳ００３）を、ブラウンミルを用いて実施し、狙いの平均粒径を４０μｍとした以外は、比較例１〜３と同様にして試料を作製した。評価については、実施例１〜４と同様の評価を行った。結果を表１に示す。
【００４７】
＜総合評価＞
ＨＤＤＲ工程の前に粉砕を行った実施例１〜５は、いずれも、Ｒ及びＮｂの偏析面積が１．８％以下である２次粒子の割合が４５％以上であり、かつ、Ｒ及びＮｂの偏析面積が１．０％以下である２次粒子の割合が２５％以上であった。これに対して、ＨＤＤＲ工程の後に粉砕を行った比較例１〜５は、いずれも、Ｒ及びＮｂの偏析面積が１．８％以下である２次粒子の割合が４５％未満であり、かつ、Ｒ及びＮｂの偏析面積が１．０％以下である２次粒子の割合が２５％未満であった。このことから、ＨＤＤＲ工程の前に粉砕を行うことにより、ＨＤＤＲ工程の後に粉砕を行う場合に比べて、Ｒ及びＮｂの偏析相の形成が抑制された２次粒子の比率を増やすことができ、Ｒ及びＮｂの偏析面積が１．８％以下である２次粒子の割合が４５％以上であるＲ−Ｔ−Ｂ系異方性磁性粉と、Ｒ及びＮｂの偏析面積が１．０％以下である２次粒子の割合が２５％以上であるＲ−Ｔ−Ｂ系異方性磁性粉を製造できることが確認された。
【００４８】
また、ＨＤＤＲ工程の前に粉砕を行った実施例１〜５の酸素量は１１９８ｐｐｍ〜１３０１ｐｐｍであり、ＨＤＤＲ工程の後に粉砕を行った比較例１〜４の酸素量は２０８２ｐｐｍ〜２４６０ｐｐｍであった。このことから、ＨＤＤＲ工程の前に粉砕を行うことにより、２次粒子に含まれる酸素量を５３％程度低減することができ、２次粒子に含まれる酸素量が１５００ｐｐｍ以下であるＲ−Ｔ−Ｂ系異方性磁性粉を製造できることが確認された。
【００４９】
ＨＤＤＲ工程の前に粉砕を行った実施例１〜５の保磁力Ｈｃｊは、１４．４ｋＯｅ〜１５．０ｋＯｅであり、ＨＤＤＲ工程の後に粉砕を行った比較例１〜４の保磁力Ｈｃｊは、１０．９ｋＯｅ〜１３．６ｋＯｅであった。このことから、Ｒ及びＮｂの偏析面積が小さい２次粒子を多く含む実施例１〜５のＲ−Ｔ−Ｂ系異方性磁性粉は、比較例１〜４に比べて２７％程度保磁力Ｈｃｊが向上していることが分かる。
【００５０】
また、ＨＤＤＲ工程の前に粉砕を行った実施例１〜５の角型比Ｈｋ／Ｈｃｊは、４７．２％〜４８．６％であり、ＨＤＤＲ工程の後に粉砕を行った比較例１〜４の角型比Ｈｋ／Ｈｃｊは、２２．２％〜２４．０％であった。このことから、Ｒ及びＮｂの偏析面積が小さい２次粒子を多く含む実施例１〜５のＲ−Ｔ−Ｂ系異方性磁性粉は、比較例１〜４に比べて２５％程度角型比Ｈｋ／Ｈｃｊが向上していることが分かる。
実施例と比較例の対比により、実施例１〜５に係るＲ−Ｔ−Ｂ系異方性磁性粉は、優れた保磁力及び角型比を有することが確認できた。
【符号の説明】
【００５１】
１０…２次粒子
１２…１次粒子
１４…磁化容易軸
１６…偏析相
【図１】
2015195302.tif 000004
【図２】
2015195302.tif 000005