(57)【要約】【課題】制御性の高いプラズマ処理装置及びプラズマ処理方法を提供する。【解決手段】本発明の実施形態によれば、処理室と、第１電極と、第１電源部と、第２電極と、第２電源部と、検出部と、処理部と、を含むプラズマ処理装置が提供される。前記第１電源部は、前記第１電極に高周波電力を供給する。前記第２電極は、前記処理室内に設けられる。前記第２電源部は、前複数の第１期間において第１電圧と、前記複数の第２期間において第２電圧と、を前記第２電極に印加する。前記検出部は、前記プラズマが照射された前記被処理体から放出される光を検出する。前記処理部は、前記検出部で前記複数の第１期間に検出された結果と、前記検出部で前記複数の第２期間に検出された結果と、に基づいて、前記被処理体の変化を推定する。【選択図】図１
2015185714.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
処理室と、
第１電極と、
前記第１電極に高周波電力を供給して前記処理室内にプラズマを発生させる第１電源部と、
前記処理室内に設けられた第２電極であって前記プラズマと前記第２電極との間に被処理体が配置される第２電極と、
バイアス電圧を前記第２電極に印加する第２電源部であって、前記バイアス電圧は、複数の第１期間において第１電圧であり、それぞれが前記複数の第１期間の間に設けられる複数の第２期間において前記第１電圧よりも低い第２電圧である第２電源部と、
前記プラズマが照射された前記被処理体から放出される光を前記複数の第１期間と前記複数の第２期間において検出する検出部と、
前記検出部で前記複数の第１期間に検出された結果と、前記検出部で前記複数の第２期間に検出された結果と、に基づいて、前記被処理体の変化を推定する処理部と、
を備えたプラズマ処理装置。
【請求項２】
前記複数の第１期間のそれぞれは、１ミリ秒以上１０ミリ秒以下であり、前記複数の第２期間のそれぞれは、１ミリ秒以上１０ミリ秒以下である請求項１記載のプラズマ処理装置。
【請求項３】
前記複数の第１期間のそれぞれは、前記複数の第２期間のそれぞれの０．１倍以上１０倍以下である請求項１または２に記載のプラズマ処理装置。
【請求項４】
前記第１期間の長さをＴ１とし、前記第２期間の長さをＴ２とし、前記Ｔ１及び前記Ｔ２のそれぞれの単位は互いに同じであり、
前記複数の第１期間に検出された光の強度をＰ１とし、前記複数の第２期間に検出された光の強度をＰ２とし、前記Ｐ１と前記Ｐ２のそれぞれの単位は互いに同じであるとき、
前記処理部は、{Ｐ１−Ｐ２（×Ｔ１／Ｔ２）}に応じた値に基づいて、前記被処理体の変化を推定する請求項１〜３のいずれか１つに記載のプラズマ処理装置。
【請求項５】
前記処理部は、前記値が、定められた値よりも小さいときに、前記被処理体の処理が完了したと推定する請求項４記載のプラズマ処理装置。
【請求項６】
前記処理部は、前記被処理体の処理が完了したと推定したときに、前記第１電源部及び前記第２電源部の少なくともいずれかの動作を終了させる請求項４記載のプラズマ処理装置。
【請求項７】
前記第２電圧の絶対値は、前記第１電圧の絶対値の１／１０以下である請求項１〜６のいずれか１つに記載のプラズマ処理装置。
【請求項８】
前記処理部は、
前記検出部で前記複数の第１期間に検出された前記結果を蓄積する第１蓄積部と、
前記検出部で前記複数の第２期間に検出された前記結果を蓄積する第２蓄積部と、
前記処理部は、前記第１直積部に蓄積された前記結果と、前記第２蓄積部に蓄積された前記結果と、を入手して、前記被処理体の変化を推定する演算部と、
を含む請求項１〜７のいずれか１つに記載のプラズマ処理装置。
【請求項９】
処理室内に発生させたプラズマとバイアス電極との間に被処理体を配置して、前記バイアス電極に、複数の第１期間において第１電圧であり、それぞれが前記複数の第１期間の間に設けられる複数の第２期間において前記第１電圧よりも低い第２電圧であるバイアス電圧を印加し、
前記プラズマが照射された前記被処理体放出される光を前記複数の第１期間と前記複数の第２期間において検出し、
前記複数の第１期間に検出された結果と、前記複数の第２期間に検出された結果と、に基づいて、前記被処理体の変化を推定してプラズマ処理条件を変更するプラズマ処理方法。
【請求項１０】
前記第１期間の長さをＴ１とし、前記第２期間の長さをＴ２とし、前記Ｔ１及び前記Ｔ２のそれぞれの単位は互いに同じであり、
前記複数の第１期間に検出された光の強度をＰ１とし、前記複数の第２期間に検出された光の強度をＰ２とし、前記Ｐ１と前記Ｐ２のそれぞれの単位は互いに同じであるとき、
{Ｐ１−Ｐ２（×Ｔ１／Ｔ２）}に応じた値に基づいて、前記被処理体の変化を推定する請求項９記載のプラズマ処理方法。
【請求項１１】
前記値が、定められた値よりも小さいときに、前記プラズマ処理を終了する請求項１０記載のプラズマ処理方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明の実施形態は、プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
電子部品などの製造において、プラズマエッチングなどによる加工が行われる。制御性良く処理を行うことが求められている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００２−２７０５７４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
本発明の実施形態は、制御性の高いプラズマ処理装置及びプラズマ処理方法を提供する。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本発明の実施形態によれば、処理室と、第１電極と、第１電源部と、第２電極と、第２電源部と、検出部と、処理部と、を含むプラズマ処理装置が提供される。前記第１電源部は、前記第１電極に高周波電力を供給して前記処理室内にプラズマを発生させる。前記第２電極は、前記処理室内に設けられ、前記プラズマと前記第２電極との間に被処理体が配置される。前記第２電源部は、バイアス電圧を前記第２電極に印加する。前記バイアス電圧は、複数の第１期間において第１電圧であり、それぞれが前記複数の第１期間の間に設けられる複数の第２期間において前記第１電圧よりも低い第２電圧である。前記検出部は、前記プラズマが照射された前記被処理体から放出される光を前記複数の第１期間と前記複数の第２期間において検出する。前記処理部は、前記検出部で前記複数の第１期間に検出された結果と、前記検出部で前記複数の第２期間に検出された結果と、に基づいて、前記被処理体の変化を推定する。
【図面の簡単な説明】
【０００６】
【図１】第１の実施形態に係るプラズマ処理装置を例示する模式図である。
【図２】図２（ａ）〜図２（ｄ）は、プラズマ処理装置の特性を例示する模式図である。
【図３】第１の実施形態に係るプラズマ処理装置の特性を例示する模式図である。
【図４】第１の実施形態に係るプラズマ処理装置の動作を例示するフローチャート図である。
【発明を実施するための形態】
【０００７】
以下に、本発明の各実施の形態について図面を参照しつつ説明する。  
なお、図面は模式的または概念的なものであり、各部分の厚みと幅との関係、部分間の大きさの比率などは、必ずしも現実のものと同一とは限らない。また、同じ部分を表す場合であっても、図面により互いの寸法や比率が異なって表される場合もある。  
なお、本願明細書と各図において、既出の図に関して前述したものと同様の要素には同一の符号を付して詳細な説明は適宜省略する。
【０００８】
（第１の実施形態）  
図１は、第１の実施形態に係るプラズマ処理装置を例示する模式図である。  
図１に表したように、実施形態に係るプラズマ処理装置１１０には、処理室１０と、第１電極１１と、第１電源部１１ｐと、第２電極１２と、第２電源部１２ｐと、検出部２０と、処理部３０と、が設けられている。
【０００９】
処理室１０は、被処理体７０を収容する。被処理体７０として、例えば、半導体ウェーハなどが用いられる。被処理体７０は、例えば、シリコン（Ｓｉ）、酸素（Ｏ）、窒素（Ｎ）、ガリウム（Ｇａ）、砒素（Ａｓ）、リン（Ｐ）、ホウ素（Ｂ）、タングステン（Ｗ）、銀（Ａｇ）、アルミニウム（Ａｌ）、インジウム(Ｉｎ)、ハフニウム（Ｈｆ）、鉄（Ｆｅ）、コバルト（Ｃｏ）、ニッケル（Ｎｉ）、マンガン（Ｍｎ）、チタン（Ｔｉ）及びタンタル（Ｔａ）の少なくともいずれかを含む。
【００１０】
処理室１０には、反応気体８０が導入される。例えば、導入口１０ｉが設けられている。導入口１０ｉを介して反応気体８０が処理室１０内に導入される。反応気体８０として、例えば、ＨＢｒ、Ｃｌ２、ＳｉＣｌ４、ＢＣｌ３、ＣＨ４、ＣＨ３Ｆ、ＣＨ２Ｆ２、ＣＨＦ３、ＣＦ４、ＮＦ３、Ｏ２、Ｎ２、Ａｒ及びＨｅの少なくともいずれかが用いられる。
【００１１】
例えば、処理室１０の内側及び外側のいずれかに第１電極１１が設けられる。この例では、ＩＣＰコイルが用いられている。
【００１２】
第１電源部１１ｐは、第１電極１１に高周波電力を供給する。第１電源部１１ｐは、高周波電力が供給された第１電極１１に、処理室１０の中にプラズマ８０ｐが発生させる。例えば、反応気体８０から電子８０ｅ、イオン８０ｉ及びラジカル８０ｒが生じる。
【００１３】
被処理体７０にプラズマ８０ｐが照射されたとき、被処理体７０と、イオン８０ｉやラジカル８０ｒが反応し、エッチング生成物８０ｅｐが放出される。その際、プラズマ８０ｐ中でエッチング生成物８０ｅｐと電子８０ｅが衝突することで、光７０ｌが放出される。
【００１４】
処理室１０の中には、第２電極１２が設けられる。プラズマ８０ｐと第２電極１２との間に、被処理体７０が配置される。第２電源部１２ｐは、第２電極１２にバイアス電圧を印加する。この例では、バイアス電圧は、例えば、パルス状である。バイアス電圧については、後述する。
【００１５】
検出部２０は、エッチング生成物８０ｅｐと電子８０ｅが衝突することで発生する光７０ｌを検出する。検出部２０には、発光プローブなどが用いられる。検出部２０は、例えば２００ナノメートル（ｎｍ）以上９００ｎｍ以下の波長の光を検出する。
【００１６】
処理部３０は、検出部２０で検出した結果を入手し、その結果を処理する。この例では、処理部３０に、第１蓄積部３１と、第２蓄積部３２と、演算部３５と、を設けられている。第１蓄積部３１は、例えば、第１データロガーである。第２蓄積部３２は、第２データロガーである。これらの蓄積部は、データを蓄積（記憶）する。演算部３５は、データを処理する。処理部３０（演算部３５）には、例えば、コンピュータ（処理チップ）が用いられる。
【００１７】
処理部３０は、第１電源部１１ｐ及び第２電源部１２ｐの少なくともいずれかを制御しても良い。
【００１８】
図２（ａ）〜図２（ｄ）は、プラズマ処理装置の特性を例示する模式図である。  
図２（ａ）は、第２電源部１２ｐから第２電極１２に供給される電圧を例示している。説明を簡単にするために、第２電源部１２ｐから第２電極１２に供給される電力の代わりに、電圧を用いて説明する。図２（ｂ）は、プラズマ処理装置１１０において、被処理体７０から放出される光７０ｌを例示している。これらの図の横軸は、時間ｔｓである。図２（ａ）の縦軸は、電圧Ｖｐである。図２（ｂ）の縦軸は、光の強度Ｉｎｔである。
【００１９】
図２（ａ）に表したように、第２電源部１２ｐは、第１期間ｔｍ１において、第２電極１２に第１電圧Ｖ１を印加する。第２電源部１２ｐは、第２期間ｔｍ２において、第２電極１２に第２電圧Ｖ２を印加する。
【００２０】
図２（ｂ）に表したように、第１期間ｔｍ１と第２期間ｔｍ２において、光７０ｌの強度Ｉｎｔは、周期的に変動している。
【００２１】
図２（ｃ）は、参考例のプラズマ処理装置における第２電源部１２ｐの電圧Ｖｐを例示している。図２（ｄ）は、参考例のプラズマ処理装置において、エッチング生成物８０ｅｐと電子８０ｅとが衝突することで発生する光７０ｌを例示している。
【００２２】
図２（ｃ）に表したように、参考例においては、第１期間ｔｍ１と第２期間ｔｍ２において、電圧Ｖｐは一定である。図２（ｄ）に表したように、第１期間ｔｍ１と第２期間ｔｍ２において、光７０ｌの強度において、周期的な変化はない。
【００２３】
このように、第２電源部１２ｐに印加される電圧が、第１期間ｔｍ１と第２期間ｔｍ２との間に変動する場合には、光７０ｌの強度が変動する。そのため、プラズマ８０ｐが照射された被処理体７０から放出されるエッチング生成物８０ｅｐと電子８０ｅとが衝突することで発生する光７０ｌに基づいて、被処理体７０の変化を推定することが困難である。
【００２４】
このとき、本実施形態に係るプラズマ処理装置１１０は、検出部２０で第１期間ｔｍ１に検出された結果と、検出部２０で第２期間ｔｍ２に検出された結果と、に基づいて、被処理体７０の変化を推定する。
【００２５】
これにより、実施形態に係るプラズマ処理装置１１０は、制御性の高いプラズマ処理装置及びプラズマ処理方法を提供することが可能となる。
【００２６】
例えば、第１蓄積部３１は、検出部２０で複数の第１期間ｔｍ１に検出された結果を蓄積する。第２蓄積部３２は、検出部２０で複数の第２期間ｔｍ２に検出された結果を蓄積する。演算部３５は、第１蓄積部３１に蓄積された結果と、第２蓄積部３２に蓄積された結果と、を入手して、被処理体７０の変化を推定する。
【００２７】
処理部３０は、例えば、被処理体７０の処理が完了したと推定したときに、第１電源部１１ｐ及び第２電源部１２ｐの少なくともいずれかの動作を終了させる。
【００２８】
第１期間ｔｍ１の長さをＴ１とする。第２期間ｔｍ２の長さをＴ２とする。Ｔ１及びＴ２のそれぞれの単位は互いに同じである。例えば、単位は、ミリ秒である。
【００２９】
複数の第１期間ｔｍ１に検出された光（第１光７０ｌａ）の強度をＰ１とする。複数の第２期間ｔｍ２に検出された光（第２光７０ｌｂ）の強度をＰ２とする。Ｐ１とＰ２のそれぞれの単位は互いに同じである。このとき、処理部３０は、強度Ｐ１と、強度Ｐ２と、基づいて、処理値Ｐ３を導出する。処理値Ｐ３は、以下の（１）式で与えられる。
【００３０】
Ｐ３  ＝  Ｐ１  −  Ｐ２  ×  （Ｔ１／Ｔ２）  …（１）  
処理部３０は、処理値Ｐ３、すなわち、{Ｐ１−Ｐ２（×Ｔ１／Ｔ２）}に応じた値に基づいて、例えば、被処理体７０の変化を推定する。
【００３１】
図３は、第１の実施形態に係るプラズマ処理装置の特性を例示する模式図である。  
横軸は時間ｔｓであり、縦軸は光の強度Ｉｎｔである。  
図３に表したように、第１光７０ｌａの強度Ｐ１は、第２光７０ｌｂの強度Ｐ２よりも高い。これらの強度は、時間ｔｓの経過と共に低下する。処理値Ｐ３は、強度Ｐ１と強度Ｐ２との間である。処理値Ｐ３は、時間ｔｓの経過に伴い、低下する。例えば、処理値Ｐ３を観測することで、プラズマ８０ｐが照射された被処理体７０の変化を推定できる。例えば、処理値Ｐ３に対して、しきい値を設ける。しきい値と処理値Ｐ３との比較により、例えば、被処理体７０における処理（例えばエッチング）が終了したかどうかを検出できる。
【００３２】
実施形態において、第１期間ｔｍ１のそれぞれの長さは、例えば、１ミリ秒以上１０ミリ秒以下である。複数の第２期間ｔｍ２のそれぞれは、例えば、１ミリ秒以上１０ミリ秒以下である。複数の第１期間ｔｍ１のそれぞれの長さは、例えば、複数の第２期間ｔｍ２のそれぞれの長さの０．１倍以上１０倍以下である。第２電圧Ｖ２は、例えば、第１電圧Ｖ１よりも低い。第２電圧Ｖ２は、例えば、第１電圧Ｖ１の絶対値の１／１０以下である。
【００３３】
図４は、第１の実施形態に係るプラズマ処理装置の動作を例示するフローチャート図である。  
図４に表したように、プラズマ処理装置１１０においては、複数の第１期間ｔｍ１と、複数の第２期間ｔｍ２において、光を検出する（ステップＳ１１０）。この動作は、例えば、検出部２０で実施される。
【００３４】
検出部２０で複数の第１期間ｔｍ１に検出された結果と、検出部２０で複数の第２期間ｔｍ２に検出された結果と、に基づいて、被処理体７０の変化を推定する（ステップＳ１２０）。この動作は、例えば、処理部３０で実施される。
【００３５】
処理部３０の推定結果より、被処理体７０へのプラズマ処理を終了するか判定する（ステップＳ１３０）。この動作は、例えば、処理部３０で実施される。処理部３０が終了すると判定した場合には、被処理体７０へのプラズマ処理が終了する。処理部３０が終了しないと判定した場合には、ステップＳ１１０が実施される。
【００３６】
例えば、実施形態に係るプラズマエッチング装置は、プラズマ処理室と、パルスバイアス電源と、発光プローブと、データロガーと、終点検知器と、を含む。プラズマ処理室にエッチングガスが導入され、絶縁プレートと電極との間に、高周波電力が供給される。プラズマ８０ｐを発生させる。プラズマ８０ｐにより半導体記憶装置をエッチングする。パルスバイアス電源は、高周波電力をパルス状に変調させて印加する。発光プローブは、プラズマ８０ｐ中の発光信号を検出する。データロガーは、パルス変調波の周波数に同調して、ＯＮ／ＯＦＦ状態のそれぞれの発光信号を分離して検出する。終点検知器は、ＯＮ／ＯＦＦ状態のそれぞれの発光信号の値を処理（例えば、加算、減算、乗算、及び除算の少なくともいずれか）を行う。そして、得られた値から、例えば、エッチング終点を検出する。
【００３７】
例えば、半導体記憶装置のプラズマエッチング工程では、例えば、加工装置のエッチング量の変動を抑制するために、プラズマ８０ｐ中の発光からラジカルの種類や密度を測定が測定される。この結果に基づいて、エッチング終点を捉える。すなわち、終点検知が行われる。
【００３８】
例えば、半導体記憶装置は微細化が進み、ゲート電極加工工程では高アスペクト加工を可能にするため、バイアスパルス方式のプラズマエッチングが行われている。例えば、被エッチング物（加工体、被処理体）を保持した電極にパルス変調波を印加する。この手法において、パルス印加により、供給電力のＯＮ・ＯＦＦ状態が繰り返される。これにより、イオンによるエッチングステップと、ラジカルによる保護膜形成ステップと、が交互に生じす。これにより、例えば、高アスペクトの加工が可能になる。
【００３９】
一方、この方法においては、ＯＮ・ＯＦＦ状態を繰り返す供給電力の影響を受け、エッチングに伴う発光量が変動する。そのため、エッチング終点を的確に捉えることが難しい。
【００４０】
本実施形態は、例えば、バイアスパルス方式のプラズマエッチングにおいて、パルス変調波の周期に連動して、ＯＮ・ＯＦＦ状態の発光信号を別々に抽出する。抽出した信号成分に処理（例えば算術処理）を行う。算術処理の結果から得られる値の変化に基づいて終点を検出する。これにより、エッチングの終点を高精度に検出する。
【００４１】
例えば、バイアスパルス方式のプラズマエッチングでは、エッチングに起因するＯＮ状態の期間が、バイアスが一定の加工方式に比べて相対的に短くなる。これにより、発光強度やＳ／Ｎ比が低下してしまう。そのため、発光量が所望の値を下回った時をトリガーとして、エッチング終点の検出する方法を、バイアスパルス方式の終点検知に用いると、適正な終点検知ができない可能性がある。すなわち、例えば、ウェーハ上に膜が残る。例えば、過剰なエッチングが行われる。
【００４２】
本実施形態に係るプラズマ処理装置において、例えば、パルスバイアス電源からプラズマ処理装置の電極に印加されたパルス変調波の周期に追従して、ＯＮ／ＯＦＦ状態の発光信号を第１データロガーと、第２データロガーと、で別々に測定し、処理部（例えば終点検出器）にて算術処理をすることでエッチングに起因する信号を分離し、エッチング終点を検知する。
【００４３】
本実施形態は、例えば、プラズマ処理室と、絶縁プレートと、ＩＣＰコイルと、電極と、バイアスパルス電源と、発光プローブと、第１データロガーと、第２データロガーと、終点検知器と、を含む。プラズマ処理室にエッチングガスを入れ、絶縁プレートと電極間にＩＣＰコイルを介して高周波電力を供給することでプラズマ８０ｐを発生させる。この際、パルスバイアス電源から高周波電力のパルス変調波を電極に供給する。ここでは、エッチング対象は基板である。プラズマ処理室にエッチングガスを入れ、絶縁プレートと電極間にＩＣＰコイルを介して高周波電力を供給することでプラズマ８０ｐを発生させる。この際、パルスバイアス電源から高周波電力のパルス変調波を電極に供給する。
【００４４】
発光プローブによりＯＮ／ＯＦＦ状態の発光信号を検出し、パルス変調波の周波数に同調して、第１データロガー及び第２データロガーでＯＮ状態、ＯＦＦ状態の信号を別々に測定する。
【００４５】
終点検出器にて算術処理して求める終点検知に用いる値（例えば処理値Ｐ３）は、例えば、ＯＮ状態の期間Ｔ１とＯＦＦ状態の期間Ｔ２の比率Ｔ１／Ｔ２を求め、ＯＮ状態の所定の波長の発光信号Ｓ１とＯＦＦ状態の所定の波長の発光信号Ｓ２とを用いて算出できる。このとき、発光信号Ｓ１は、強度Ｐ１に対応し、発光信号Ｓ２は、強度Ｐ２に対応する。従って、（１）式と同様の式により、処理値Ｐ３が導出できる。例えば、処理値Ｐ３が所望の値を下回ったときにエッチング終点として検出する。
【００４６】
本実施形態によれば、例えば、バイアスパルス方式のプラズマエッチングにおいても、エッチングに起因した信号を高精度に検出することができる。これにより、エッチング終点の誤検出を解消することができる。
【００４７】
本実施形態に係るプラズマ処理方法は、例えば、プラズマ８０ｐを用いて被処理基板を処理するドライエッチングにおいて、被処理基板を設置する電極に印加する高周波のバイアス電圧をパルス波形に振幅変調させて基板に印加する。エッチングする際のプラズマ８０ｐの発光の所定の波長の光を検出する際に、バイアスパルスの周期に同期してＯＮ状態とＯＦＦ状態の信号成分を別々に抽出する。抽出した信号成分を算術処理した強度の変化に基づいてプラズマ８０ｐによる処理の終点を検出する。抽出したＯＮ状態とＯＦＦ状態の信号成分を算術処理して求める発光信号（処理値Ｐ３）は、前述のＯＮ状態とＯＦＦ状態の所定の波長の発光信号Ｓ１、Ｓ２（強度Ｐ１、Ｐ２）および定数を組み合わせた処理（加算、減算、乗算及び除算の少なくともいずれか）により求める。
【００４８】
実施形態に係るプラズマ処理装置１１０は、制御性の高いプラズマ処理装置を提供することが可能となる。
【００４９】
（第２の実施形態）  
本実施形態は、プラズマ処理方法に係る。  
本実施形態においては、処理室１０内に発生させたプラズマ８０ｐとバイアス電極（第２電極１２）との間に被処理体７０を配置して、バイアス電極に、バイアス電圧を印加する。バイアス電圧は、複数の第１期間ｔｍ１において第１電圧Ｖ１であり、複数の第２期間ｔｍ２では、第２電圧Ｖ２である。複数の第２期間ｔｍ２のそれぞれは、複数の第１期間ｔｍ１の間に設けられる。第２電圧Ｖ２は、第１電圧Ｖ１よりも低い。
【００５０】
プラズマ８０ｐが照射された被処理体７０から放出される光７０ｌを、複数の第１期間ｔｍ１と複数の第２期間ｔｍ２において検出する（ステップＳ１１０）。
【００５１】
複数の第１期間ｔｍ１に検出された結果と、複数の第２期間ｔｍ２に検出された結果と、に基づいて、被処理体７０の変化を推定して（ステップＳ１２０）、プラズマ処理条件を変更する。例えば、プラズマ処理を終了する（ステップＳ１３０）。
【００５２】
本実施形態において、第１期間ｔｍ１の長さをＴ１とし、第２期間ｔｍ２の長さをＴ２とする。Ｔ１及びＴ２のそれぞれの単位は互いに同じである。複数の第１期間ｔｍ１に検出された光の強度をＰ１とし、複数の第２期間ｔｍ２に検出された光の強度をＰ２とする。Ｐ１とＰ２のそれぞれの単位は、互いに同じである。このとき、{Ｐ１−Ｐ２（×Ｔ１／Ｔ２）}に応じた値に基づいて、被処理体７０の変化を推定する。例えば、この値が、定められた値よりも小さいときに、プラズマ処理を終了する。  
本実施形態によれば、制御性の高いプラズマ処理方法が提供できる。
【００５３】
実施形態によれば、制御性の高いプラズマ処理装置及びプラズマ処理方法が提供できる。
【００５４】
以上、具体例を参照しつつ、本発明の実施の形態について説明した。しかし、本発明は、これらの具体例に限定されるものではない。例えば、プラズマ処理装置に含まれる処理室、第１電極、第２電極、第１電源部、第２電源部、検出部及び処理部などの各要素の具体的な構成に関しては、当業者が公知の範囲から適宜選択することにより本発明を同様に実施し、同様の効果を得ることができる限り、本発明の範囲に包含される。
【００５５】
また、各具体例のいずれか２つ以上の要素を技術的に可能な範囲で組み合わせたものも、本発明の要旨を包含する限り本発明の範囲に含まれる。
【００５６】
その他、本発明の実施の形態として上述したプラズマ処理装置及びプラズマ処理方法を基にして、当業者が適宜設計変更して実施し得る全てのプラズマ処理装置及びプラズマ処理方法も、本発明の要旨を包含する限り、本発明の範囲に属する。
【００５７】
その他、本発明の思想の範疇において、当業者であれば、各種の変更例及び修正例に想到し得るものであり、それら変更例及び修正例についても本発明の範囲に属するものと了解される。
【００５８】
本発明のいくつかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これら新規な実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これら実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれるとともに、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる。
【符号の説明】
【００５９】
１０…処理室、  １０ｉ…導入口、  １１…第１電極、  １１ｐ…第１電源部、  １２…第２電極、  １２ｐ…第２電源部、  ２０…検出部、  ３０…処理部、  ３１…第１蓄積部、  ３２…第２蓄積部、  ３５…演算部、  ７０…被処理体、  ７０ｌ…光、  ７０ｌａ…第１光、  ７０ｌｂ…第２光、  ８０…反応気体、  ８０ｐ…プラズマ、  ８０ｅ…電子、  ８０ｉ…イオン、  ８０ｒ…ラジカル、  ８０ｅｐ…エッチング生成物、  １１０…プラズマ処理装置、  Ｉｎｔ…強度、  Ｐ１、Ｐ２…強度、  Ｐ３…処理値、  Ｔ１、Ｔ２…期間（長さ）、  Ｖ１、Ｖ２…第１、第２電圧、  Ｖｐ…電圧、  ｔｍ１、ｔｍ２…第１、第２期間、  ｔｓ…時間
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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