(57)【要約】【課題】不要光を遮光して誤動作を防止できる赤外線センサを提供する。【解決手段】赤外線を集光する集光レンズと、当該集光レンズを透過した赤外線を受光するセンサ素子とを備えた赤外線センサであって、上記センサ素子が形成される第１の基板と、上記第１の基板と上記集光レンズの裏面との間に上記センサ素子を封止する第１の空間内に配置され、上記センサ素子への不要光を遮光するガス吸着剤とを備える。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
赤外線を集光する集光レンズと、当該集光レンズを透過した赤外線を受光するセンサ素子とを備えた赤外線センサであって、
上記センサ素子が形成される第１の基板と、
上記第１の基板と上記集光レンズの裏面との間に上記センサ素子を封止する第１の空間内に配置され、上記センサ素子への不要光を遮光するガス吸着剤とを備えたことを特徴とする赤外線センサ。
【請求項２】
上記集光レンズと上記第１の基板とを接合する第１の接合材をさらに備えたことを特徴とする請求項１記載の赤外線センサ。
【請求項３】
上記ガス吸着剤が、上記センサ素子を囲むように上記集光レンズの裏面に塗布されることを特徴とする請求項１又は２記載の赤外線センサ。
【請求項４】
上記集光レンズの裏面に上記センサ素子を囲むように形成される第１の凹部をさらに備え、
上記ガス吸着剤が、上記集光レンズの裏面の凹部内に塗布されることを特徴とする請求項１又は２記載の赤外線センサ。
【請求項５】
上記第１のセンサ基板に上記センサ素子を囲むように形成される第２の凹部をさらに備え、
上記ガス吸着剤が、上記第１のセンサ基板の凹部内に塗布されることを特徴とする請求項１、２又は４記載の赤外線センサ。
【請求項６】
上記第１の基板を固定する第２の基板と、
上記第１の基板と上記第２の基板との間に第２の空間を形成するように、上記第１の基板と上記第２の基板とを接合する第２の接合材とを備え、
上記第２の基板上に上記ガス吸着剤を塗布することを特徴とする請求項１〜５のうちのいずれか１つに記載の赤外線センサ。
【請求項７】
上記センサ素子により受光された赤外線量に応じた電気信号に変換して出力する光電変換部をさらに備え、
上記光電変換部を上記第１のセンサ基板上に形成することを特徴とする請求項１〜６のうちのいずれか１つに記載の赤外線センサ。
【請求項８】
請求項１〜７のうちのいずれか１つに記載の赤外線センサを備えたことを特徴とする画像形成装置。
【請求項９】
赤外線を集光する集光レンズと、当該集光レンズを透過した赤外線を受光するセンサ素子とを備えた赤外線センサの製造方法であって、当該方法は、
上記センサ素子を第１の基板上に形成するステップと、
上記第１の基板と上記集光レンズの裏面との間に上記センサ素子を封止するための第１の空間内に、上記センサ素子への不要光を遮光するガス吸着剤を塗布するステップを含むことを特徴とする赤外線センサの製造方法。
【請求項１０】
上記集光レンズと上記第１の基板とを第１の接合材を用いて接合するステップをさらに含むことを特徴とする請求項９記載の赤外線センサの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、例えばレーザープリンター、デジタル複写機などに使用される赤外線センサ及びその製造方法、並びに画像形成装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
電気回路要素と微細な機械要素とを併せ持つＭＥＭＳ（Ｍｉｃｒｏ−Ｅｌｅｃｔｒｏ  Ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ  Ｓｙｓｔｅｍｓ）デバイスが、例えば赤外線センサ、加速度センサ、プリンタヘッド、圧電素子、ＤＭＤ（Ｄｉｇｉｔａｌ  Ｍｉｃｒｏｍｉｒｒｏｒ  Ｄｅｖｉｃｅ）などに使用され、それらの市場規模は拡大している。
【０００３】
例えば、特許文献１には、赤外線検出用素子２を配置する密閉空間を真空状態に保持するバルク型ゲッター４を備えた赤外線検出器が開示されている。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、上述した引用文献１では、赤外線検出用素子２には、透過用基板３からの必要光のみならず、当該透過用基板３以外からの不要光が入射されるという問題があった。
【０００５】
本発明の目的は上記の問題点を解決し、不要光を遮光して誤動作を防止できる赤外線センサを提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明の一態様に係る赤外線センサは、
赤外線を集光する集光レンズと、当該集光レンズを透過した赤外線を受光するセンサ素子とを備えた赤外線センサであって、
上記センサ素子が形成される第１の基板と、
上記第１の基板と上記集光レンズの裏面との間に上記センサ素子を封止する第１の空間内に配置され、上記センサ素子への不要光を遮光するガス吸着剤とを備えたことを特徴とする。
【発明の効果】
【０００７】
本発明によれば、センサ素子に入射される不要光を遮光することができるので、赤外線センサの誤動作を防止することが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【０００８】
【図１】本発明の実施形態１に係る赤外線センサ１の縦断面図である。
【図２Ａ】図１の赤外線センサ１の製造方法の第１の工程を図示する縦断面図である。
【図２Ｂ】図１の赤外線センサ１の製造方法の第２の工程を図示する縦断面図である。
【図２Ｃ】図１の赤外線センサ１の製造方法の第３の工程を図示する縦断面図である。
【図２Ｄ】図１の赤外線センサ１の製造方法の第４の工程を図示する縦断面図である。
【図２Ｅ】図１の赤外線センサ１の製造方法の第５の工程を図示する縦断面図である。
【図２Ｆ】図１の赤外線センサ１の製造方法の第６の工程を図示する縦断面図である。
【図２Ｇ】図１の赤外線センサ１の製造方法の第７の工程を図示する縦断面図である。
【図２Ｈ】図１の赤外線センサ１の製造方法の第８の工程を図示する縦断面図である。
【図３】図１のシリコンレンズ３を除去した後の赤外線センサ１の上面図である。
【図４】本発明の実施形態２に係る赤外線センサ１Ａの縦断面図である。
【図５】本発明の実施形態３に係る赤外線センサ１Ｂの縦断面図である。
【図６】本発明の実施形態４に係る赤外線センサ１Ｃの縦断面図である。
【図７】本発明の赤外線センサ１，１Ａ，１Ｂ，及び１Ｃを画像形成装置１００に搭載する時の一例を示す模式図である。
【発明を実施するための形態】
【０００９】
以下、本発明に係る実施形態について図面を参照して説明する。なお、以下の各実施形態において、同様の構成要素については同一の符号を付している。
【００１０】
実施形態１．
図１は、本発明の実施形態１に係る赤外線センサ１の縦断面図である。図１において、赤外線センサ１は、赤外線を集光する凸型の集光レンズであるシリコンレンズ３と、当該シリコンレンズ３を透過した赤外線を受光するセンサ素子４１を形成するセンサ基板４とを備えて構成される。また、赤外線センサ１は、センサ基板４を固定するための例えばセラミック、ガラス、シリコンなどのパッケージ基板９とを備えて構成される。ここで、第１の基板であるセンサ基板４は、例えばシリコン基板やＳＯＩ基板などである。また、シリコンレンズ３にはガス吸着剤（ゲッター剤）２が塗布され、センサ素子４１は直列に接続された複数のｐｎ接合ダイオード４１ａから構成される。なお、シリコンレンズ３に塗布されたガス吸着剤２は、３００度以上の高温により加熱すると活性化され、ガス吸着機能が活性化される。ここで、ガス吸着剤２は、センサ素子４１の感度が低下しないように、センサ素子４１が封止される密閉空間内のガスを吸着し、当該密閉空間内を高い真空状態に保持する。なお、当該密閉空間は、後述する第１の空間６Ａ及び第２の空間６Ｂにより形成される。
【００１１】
図１において、センサ基板４には、センサ素子４１が受光した赤外線量に応じた電気信号を出力する光電変換部５と、当該光電変換部５とコンタクトホールを介して電気的に接続する薄膜金属パッド７とが形成される。ここで、薄膜金属パッド７は例えばＴｉ、Ｃｒ、Ｎｉ、Ａｌなどである。また、センサ基板４とシリコンレンズ３とが第２の接合材１５を介して接合される。ここで、第２の接合材１５は、センサ基板４とシリコンレンズ３とを接合し、センサ素子４１とシリコンレンズ３との間に第１の空間６Ａを形成する。また、第２の接合材１５は、接合力が高い材料でありかつ所定以上の硬度を有する材料であり、例えばガラスフリット材やポリマー樹脂などを用いる。
【００１２】
図１において、第２の基板であるパッケージ基板９には、例えばＡｕ、Ａｇ、Ｔｉ、Ｗなどの貫通電極１０が形成され、当該貫通電極１０の一方の端部には薄膜金属パッド１１が形成され、貫通電極１０の他方の端部には薄膜金属パッド１２が形成される。また、パッケージ基板９とセンサ基板４とを接合するための第１の接合材１３が形成され、当該第１の接合材１３は、接合力が高い材料でありかつ所定以上の硬度を有する材料であり、例えばガラスフリット材やポリマー樹脂などを用いる。ここで、ガラスフリット材やポリマー樹脂などを用いたが、本発明はこれに限定されない。例えば、金属材を用いて常温でパッケージ基板９とセンサ基板４とを接合してもよい。ここで、予め貫通電極１０が形成されているガラス貫通配線基板（ＴＧＶ）をこの工程において用いてもよいし、もしくは例えばＴＳＶ（through silicon via）技術などの実装技術を用いて貫通電極１０を形成してもよい。
【００１３】
また、導電材８が薄膜金属パッド７と薄膜金属パッド１１との間に形成され、光電変換部５と貫通電極１０とを電気的に接続することができる。ここで、導電材８は、導電性が高く、柔らかく、接合時の加圧及び加熱に対して潰れやすい材料であり、例えばＡｕ、Ａｇなどの金属である。
【００１４】
図２Ａ〜図２Ｈは、図１の赤外線センサ１の製造方法の工程を図示する縦断面図である。次に、これらの図面を用いて、赤外線センサ１の製造方法について以下に説明する。
【００１５】
図２Ａでは、公知の微細加工技術、半導体薄膜形成技術を用いて、センサ基板４のシリコン層に熱電変換を行うｐｎ接合ダイオード４１ａを形成する。同時に、当該ｐｎ接合ダイオード４１ａからの信号を処理する光電変換部５をセンサ基板４のシリコン層に形成する。次に、スパッタ法等を用いて光電変換部５上に薄膜金属パッド７を形成する。ここで、薄膜金属パッド７は、光電変換部５上に形成される例えばアルミニウムなどの電極（図示せず）と、導電材８とを導通させる。なお、これらの複数のｐｎ接合ダイオード４１ａは、例えばプラズマＣＶＤ法やＣＭＰ（化学機械研磨）法などにより製造されるＳＴＩ（Shallow Trench Isolation）によってそれぞれ分離される。
【００１６】
図２Ｂでは、例えばスクリーン印刷法などを用いて、ドット状の導電材８を薄膜金属パッド７上に形成する。さらに、導電材８の材料としてＡｇペーストを用いる場合には、約２００度の温度での加熱処理を行うことにより、金属成分やバインダー樹脂などを除去する。
【００１７】
図２Ｃでは、例えばＲＩＥ（Reactive Ion Etching）などのドライエッチング技術を用いて、パッケージ基板９に開口部を設ける。次に、当該開口部に例えばＡｕ、Ａｇ、Ｔｉ、Ｗなどの電極の材料を従来の堆積技術を用いて埋め込んで貫通電極１０を形成する。次に、スパッタ法などを用いて、露出された貫通電極１０の一方の端部に薄膜金属パッド１１を形成し、他方の端部に薄膜金属パッド１２を形成する。ここで、予め貫通電極１０が形成されているガラス貫通配線基板（ＴＧＶ）をこの工程において用いてもよいし、もしくは例えばＴＳＶ（through silicon via）技術などの実装技術を用いて貫通電極１０を形成してもよい。
【００１８】
図２Ｄでは、例えばスクリーン印刷法などを用いて、第１の接合材１３をパッケージ基板９上に形成する。
【００１９】
図２Ｅでは、図２Ｂのセンサ素子４１が形成されたセンサ基板４と図２Ｄの第１の接合材１３が堆積されたパッケージ基板９とを接合する。ここで、例えば接合機などによって、センサ基板４及びパッケージ基板９を加圧及び加熱する。ここで、接合時の加熱温度は、３５０度〜４００度であり、第１の接合材１３を硬化させる。従って、センサ基板４とパッケージ基板９との接合時に、センサ素子４１を真空封止することが可能となる。
【００２０】
また、センサ基板４とパッケージ基板９との接合において、導電材８が接合機による加熱及び加圧によって押しつぶされる。これにより、導電材８は、薄膜金属パッド７，１１と拡散接合し、薄膜金属パッド７，１１と導通する。センサ基板４とパッケージ基板９との接合後、例えば誘導結合型（ＩＣＰ）などの反応性イオンエッチング装置によりセンサ素子４１周辺に貫通穴２２を開口する。
【００２１】
図２Ｆでは、例えばスクリーン印刷法などを用いて、第２の接合材１５をセンサ基板４上に形成する。
【００２２】
図２Ｇでは、公知の微細加工技術、半導体薄膜形成技術を用いて、シリコンレンズ３を形成する。次に、シリコンレンズ３の裏面の必要光を透過する部分を除く範囲でありかつセンサ素子４１を囲むようにガス吸着剤２を塗布する。ここで、ガス吸着剤２は、センサ素子４１が封止される密閉空間内を高真空状態に保持するのみならず、シリコンレンズ３の側面からの不要光を遮光する。すなわち、ガス吸着剤２は、センサ素子４１への不要光を遮光する。
【００２３】
図２Ｈでは、図２Ｆのセンサ基板４と図２Ｇのシリコンレンズ３との裏面との間にセンサ素子４１が封止される密閉空間を形成するように、センサ基板４とシリコンレンズ３とを第２の接合材１５を介して接合する。ここで、例えば接合機などによって、センサ基板４及びシリコンレンズ３を加圧及び加熱する。なお、センサ基板４とシリコンレンズ３とを接合する時の加熱処理の温度は約４００度であり、この高温による加熱処理により第２の接合材１５は硬化する。従って、センサ素子４１を真空封止することが可能となる。また、ガス吸着剤２は接合時の加熱温度４００度の熱を用いて活性化できるので、ガス吸着剤２を活性化させるための加熱処理の工程を別途設ける必要がなく、赤外線センサ１の製造工程を削減することができる。
【００２４】
図３は、図１のシリコンレンズ３を除去した後の赤外線センサ１の上面図である。図３は、図２Ｇの工程において、図１のガス吸着剤２が塗布される範囲を説明するための上面図である。ここで、シリコンレンズ３からの必要光が透過する範囲を除き、ガス吸着剤２がセンサ素子４１を囲むように塗布される。
【００２５】
以上のように構成された実施形態１に係る赤外線センサ１の動作について以下に説明する。
【００２６】
シリコンレンズ３からの赤外線を受光すると、図１のセンサ素子４１は受信信号を生成し、当該受信信号を光電変換部５に出力する。次に、光電変換部５において信号処理された信号を薄膜金属パッド７、導電材８、薄膜金属パッド１１、貫通電極１０、及び薄膜金属パッド１２を介して外部に外部信号として出力する。ここで、外部信号に基づいて、赤外線センサ１が動作したことを認識する。ここで、シリコンレンズ３側面からの不要光もセンサ素子４１が受光する場合があるが、この場合には、赤外線センサ１が誤動作する。これに対して、シリコンレンズ３に塗布されたガス吸着剤２が、このシリコンレンズ３側面方向からの不要光を遮光する。すなわち、ガス吸着剤２が不要光を除去するので、必要光のみを検出することができ、赤外線センサ１の誤動作を防止することができる。
【００２７】
以上の実施形態に係る赤外線センサ１によれば、赤外線センサ１を構成するシリコンレンズ３にガス吸着剤２を塗布するので、シリコンレンズ３側面からの不要光の侵入を防止することができる。従って、シリコンレンズ３側面からの不要光による赤外線センサ１の誤作動を防止することができる。さらに、第１の空間６Ａ内にガス吸着剤２を配置するので、センサ素子４１が封止される密閉空間内を高い真空状態に保持することができる。従って、赤外線センサ１を長時間使用することによるセンサ素子４１の感度の低下を防止するができ、赤外線センサ１の信頼性を向上させることが可能となる。
【００２８】
実施形態２．
図４は、本発明の実施形態２に係る赤外線センサ１Ａの縦断面図である。図４において、赤外線センサ１Ａは、図１の赤外線センサ１に比較すると、図１のガス吸着剤２の代わりに、ガス吸着剤２Ａを備えたことを特徴とする。
【００２９】
図４のガス吸着剤２Ａは、図１のガス吸着剤２の製造方法に比較すると、図２Ｇの工程の代わりに以下の工程（１）及び（２）を行ったことが相違する。
公知の微細加工技術、半導体薄膜形成技術を用いて、シリコンレンズ３を形成する。
（２）次に、ＲＩＥなどのドライエッチング技術を用いて、シリコンレンズ３に裏面にセンサ素子４１を囲むように複数の凹部２１Ａを形成し、これらの凹部２１Ａ内に当該凹部２１Ａの内壁に沿ってガス吸着剤２Ａを塗布する。ここで、凹部２１Ａの深さ及び個数が増加すればするほど、ガス吸着剤２Ａが塗布される面積が増大するので、センサ素子４１が封止される密閉空間内のガスを吸着する量が多くなる。
【００３０】
以上のように構成された実施形態２に係る赤外線センサ１Ａの動作は、実施形態１に係る赤外線センサ１と同様である。
【００３１】
以上の実施形態に係る赤外線センサ１Ａによれば、実施形態１に係る赤外線センサ１に比較すると、シリコンレンズ３の内部にガス吸着剤２Ａを塗布して遮光する不要光の量が多くなるので、さらに赤外線センサ１Ａの誤動作を防止することができる。さらに、実施形態１に係る赤外線センサ１に比較すると、ガス吸着剤２Ａが塗布される面積が大きくなる。従って、実施形態１に係る赤外線センサ１に比較すると、センサ素子４１が封止される密閉空間内をより高い真空状態に保持することができるので、さらに赤外線センサ１Ａの精度を向上させることができる。
【００３２】
実施形態３．
図５は、本発明の実施形態３に係る赤外線センサ１Ｂの縦断面図である。図５において、赤外線センサ１Ｂは、図１の赤外線センサ１に比較すると、図１のガス吸着剤２の代わりに、ガス吸着剤２Ｂを備えたことを特徴とする。
【００３３】
図５のガス吸着剤２Ｂは、図１のガス吸着剤２の製造方法に比較すると、図２Ｇの工程の代わりに以下の工程（３）を行い、図２Ａの工程において、さらに以下の工程（４）を追加したことが相違する。
（３）公知の微細加工技術、半導体薄膜形成技術を用いて、シリコンレンズ３を形成する。
（４）ＲＩＥなどのドライエッチング技術を用いて、センサ基板４にセンサ素子４１を囲むように複数の凹部２１Ｂを形成し、これらの凹部２１Ｂ内に当該凹部２１Ｂの内壁に沿ってガス吸着剤２Ｂを塗布する。ここで、凹部２１Ｂの深さ及び個数が増加すればするほど、ガス吸着剤２Ｂが塗布される面積が増大するので、センサ素子４１が封止される密閉空間内のガスを吸着する量が多くなる。
【００３４】
以上のように構成された実施形態３に係る赤外線センサ１Ｂの動作は、実施形態１に係る赤外線センサ１と同様である。
【００３５】
以上の実施形態に係る赤外線センサ１Ｂによれば、シリコンレンズ３側面からの不要光を除去する実施形態２に係る赤外線センサ１Ａに比較すると、センサ素子４１に対して側面方向からの不要光を除去することができる。さらに、実施形態１に係る赤外線センサ１に比較すると、ガス吸着剤２が塗布される面積が大きくなるので、センサ素子４１が封止される密閉空間内をより高真空状態に保持することができる。従って、さらに赤外線センサ１Ｂの精度を向上させることができる。
【００３６】
実施形態４．
図６は、本発明の実施形態４に係る赤外線センサ１Ｃの縦断面図である。図６において、赤外線センサ１Ｃは、図１の赤外線センサ１に比較すると、図１のガス吸着剤２の代わりに、ガス吸着剤２Ｃを備えたことを特徴とする。
【００３７】
図６のガス吸着剤２Ｃは、図１のガス吸着剤２の製造方法に比較すると、図２Ｇの工程の代わりに以下の工程（５）を行い、図２Ｄの工程において、さらに以下の工程（６）を追加したことが相違する。
（５）公知の微細加工技術、半導体薄膜形成技術を用いて、シリコンレンズ３を形成する。
（６）パッケージ基板９上にガス吸着剤２Ｃを塗布する。ここで、ガス吸着剤２Ｃが塗布される面積は、実施形態１のガス吸着剤２が塗布される面積よりも大きい。従って、実施形態１に比較すると、吸着されるガスの量は大きくなる。
【００３８】
以上のように構成された実施形態４に係る赤外線センサ１Ｃの動作は、実施形態１に係る赤外線センサ１と同様である。
【００３９】
以上の実施形態に係る赤外線センサ１Ｃによれば、シリコンレンズ３側面からの不要光を除去する実施形態２に係る赤外線センサ１Ａに比較すると、パッケージ基板９からの不要光を除去することができる。さらに、実施形態１に係る赤外線センサ１に比較すると、ガス吸着剤２Ｃが塗布される面積が大きくなるので、センサ素子４１が封止される密閉空間をより高真空状態に保持することができる。従って、本実施形態に係る赤外線センサ１Ｃは、実施形態１に係る赤外線センサ１よりも高精度となる。
【００４０】
なお、上述した赤外線センサ１，１Ａ，１Ｂ，及び１Ｃは、図７に示すように、例えばレーザープリンターやデジタル複写機などの画像形成装置１００の操作パネル付近の側面などのユーザを検知できる位置に取り付けて人感センサとして利用してもよい。図７の画像形成装置１００は、紙押さえローラ１０１と、駆動モータ１０２と、駆動ベルト１０３と、メインシャフト１０４と、インクカートリッジ１０５と、紙送り機構１０６Ａ及び１０６Ｂと、赤外線センサ１，１Ａ，１Ｂ，もしくは１Ｃを備えて構成される。図７において、紙押さえローラ１０１は、給紙１０７から紙送り機構１０６Ａ及び１０６Ｂにより、矢印で示す排紙方向１０８で送られるシート材ＳＨを所定の強度で押さえる。ここで、画像形成装置１００の側面にユーザが立つと、赤外線センサ１，１Ａ，１Ｂ，もしくは１Ｃが動作し画像形成装置１００の主電源をオンするように画像形成装置１００を制御してもよい。また、一定時間だけ赤外線センサ１，１Ａ，１Ｂ，及び１Ｃが動作しなければ当該画像形成装置１００の主電源をオフするように画像形成装置１００を制御してもよい。
【００４１】
また、上述した実施形態では、ガス吸着剤２，２Ａ，２Ｂ，２Ｃを塗布したが、シート状ゲッターを貼付してもよく、もしくはゲッター剤を蒸着するようにしてもよい。この場合においても、上述した実施形態と同様の動作及び効果を有する。
【００４２】
さらに、上述した実施形態において、赤外線の吸収率を上げるために反射防止膜（ＡＲコート）をシリコンレンズ３の表面に塗布してもよい。ここで、反射防止膜を塗布しないシリコンレンズ３の吸収率が約５０％であるのに対して、反射防止膜を塗布するシリコンレンズ３の吸収率は約８０〜９０％と向上させることができる。
【００４３】
実施形態のまとめ
第１の態様に係る赤外線センサは、赤外線を集光する集光レンズと、当該集光レンズを透過した赤外線を受光するセンサ素子とを備えた赤外線センサであって、上記センサ素子が形成される第１の基板と、上記第１の基板と上記集光レンズの裏面との間に上記センサ素子を封止する第１の空間内に配置され、上記センサ素子への不要光を遮光するガス吸着剤とを備えたことを特徴とする。
【００４４】
第２の態様に係る赤外線センサは、第１の態様に係る赤外線センサにおいて、上記集光レンズと上記第１の基板とを接合する第１の接合材をさらに備えたことを特徴とする
【００４５】
第３の態様に係る赤外線センサは、第１又は第２の態様に係る赤外線センサにおいて、上記ガス吸着剤が、上記センサ素子を囲むように上記集光レンズの裏面に塗布されることを特徴とする。
【００４６】
第４の態様に係る赤外線センサは、第１又は第２の態様に係る赤外線センサにおいて、上記集光レンズの裏面に上記センサ素子を囲むように形成される第１の凹部をさらに備え、上記ガス吸着剤が、上記集光レンズの裏面の凹部内に塗布されることを特徴とする。
【００４７】
第５の態様に係る赤外線センサは、第１、第２、又は第４の態様のうちのいずれか１つに記載の赤外線センサにおいて、上記第１のセンサ基板に上記センサ素子を囲むように形成される第２の凹部をさらに備え、上記ガス吸着剤が、上記第１のセンサ基板の凹部内に塗布されることを特徴とする。
【００４８】
第６の態様に係る赤外線センサは、第１〜第５の態様のうちのいずれか１つに記載の赤外線センサにおいて、上記第１の基板を固定する第２の基板と、上記第１の基板と上記第２の基板との間に第２の空間を形成するように、上記第１の基板と上記第２の基板とを接合する第２の接合材とを備え、上記第２の基板上に上記ガス吸着剤を塗布することを特徴とする。
【００４９】
第７の態様に係る赤外線センサは、第１〜第６の態様のうちのいずれか１つに記載の赤外線センサにおいて、上記センサ素子により受光された赤外線量に応じた電気信号に変換して出力する光電変換部をさらに備え、上記光電変換部を上記第１のセンサ基板上に形成することを特徴とする。
【００５０】
第８の態様に係る画像形成装置は、第１〜第７の態様のうちのいずれか１つに記載の赤外線センサを備えたことを特徴とする。
【００５１】
第９の態様に係る赤外線センサの製造方法は、赤外線を集光する集光レンズと、当該集光レンズを透過した赤外線を受光するセンサ素子とを備えた赤外線センサの製造方法であって、当該方法は、上記センサ素子を第１の基板上に形成するステップと、上記第１の基板と上記集光レンズの裏面との間に上記センサ素子を封止するための第１の空間内に、上記センサ素子への不要光を遮光するガス吸着剤を塗布するステップを含むことを特徴とする。
【００５２】
第１０の態様に係る赤外線センサの製造方法は、第９の態様に係る赤外線センサの製造方法において、上記集光レンズと上記第１の基板とを第１の接合材を用いて接合するステップをさらに含むことを特徴とする。
【符号の説明】
【００５３】
１，１Ａ，１Ｂ，１Ｃ…赤外線センサ、
２，２Ａ，２Ｂ，２Ｃ…ガス吸着剤、
３…シリコンレンズ、
４…センサ基板、
５…光電変換部、
６Ａ，６Ｂ…空間、
７，１１，１２…薄膜金属パッド、
８…導電材、
９…パッケージ基板、
１０…貫通電極、
１３…第１の接合材、
１５…第２の接合材、
２１Ａ，２１Ｂ…凹部、
４１…センサ素子、
４１ａ…ｐｎ接合ダイオード、
１００…画像形成装置、
１０１…紙押さえローラ、
１０２…駆動モータ、
１０３…駆動ベルト、
１０４…メインシャフト、
１０５…インクカートリッジ、
１０６Ａ，１０６Ｂ…紙送り機構。
【先行技術文献】
【特許文献】
【００５４】
【特許文献１】特開２０００−３３７９５９号公報
【図１】
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【図２Ａ】
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【図２Ｂ】
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【図２Ｃ】
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【図２Ｄ】
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【図２Ｅ】
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【図２Ｆ】
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【図２Ｇ】
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【図２Ｈ】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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