(57)【要約】【課題】材料コストを増大させることなく、エナメル被膜内での発泡領域の発生を抑制し、長尺線材を安定して製造することができるエナメル線の製造方法を提供する。【解決手段】本発明に係るエナメル線の製造方法は、導体線の外層にエナメル被膜が形成されたエナメル線の製造方法であって、複数パスの引抜伸線を行って所定の外径を有する導体線を加工する導体線伸線加工工程と、前記所定の外径を有する導体線に対して第１のスキンパスの引抜を行って前記導体線の表面にある被り傷のソゲを立ち上がらせるソゲ立ち上げ工程と、前記ソゲ立ち上げを行った導体線に対して前記第１のスキンパスと同じ開口径を有するソゲ刈り取りダイスを用いた第２のスキンパスの引抜を行って前記ソゲを刈り取るソゲ除去工程と、前記ソゲ除去を行った導体線に対して絶縁塗料の塗布・焼付を行って前記エナメル被膜を形成するエナメル被膜形成工程とを有する。【選択図】図４
2015185502.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
導体線の外層にエナメル被膜が形成されたエナメル線の製造方法であって、
複数パスの引抜伸線を行って所定の外径を有する導体線を加工する導体線伸線加工工程と、
前記所定の外径を有する導体線に対して第１のスキンパスの引抜を行って前記導体線の表面にある被り傷のソゲを立ち上がらせるソゲ立ち上げ工程と、
前記ソゲ立ち上げを行った導体線に対して前記第１のスキンパスと同じ開口径を有するソゲ刈り取りダイスを用いた第２のスキンパスの引抜を行って前記ソゲを刈り取るソゲ除去工程と、
前記ソゲ除去を行った導体線に対して絶縁塗料の塗布・焼付を行って前記エナメル被膜を形成するエナメル被膜形成工程とを有することを特徴とするエナメル線の製造方法。
【請求項２】
請求項１に記載のエナメル線の製造方法において、
前記ソゲ刈り取りダイスは、ダイス本体と前記ダイス本体に設けられ前記導体線を挿通させるダイス孔とを有し、
前記ダイス孔は、前記導体線の挿通方向に沿って前記開口径が一定であるベアリング部を有し、
前記ダイス本体は、前記挿通方向の上流側で前記ベアリング部の内表面に直接つながるダイスエッジ面と前記内表面とのなす角度が90°以下であることを特徴とするエナメル線の製造方法。
【請求項３】
請求項１又は請求項２に記載のエナメル線の製造方法において、
前記第１のスキンパスは、該スキンパスによる減面加工率が2％以下であることを特徴とするエナメル線の製造方法。
【請求項４】
請求項１乃至請求項３のいずれかに記載のエナメル線の製造方法において、
前記第１のスキンパスは、前記エナメル線を構成する導体線の外径を制御する最終パスであることを特徴とするエナメル線の製造方法。
【請求項５】
請求項１乃至請求項４のいずれかに記載のエナメル線の製造方法において、
前記ソゲ立ち上げ工程における前記導体線の走行方向と、前記ソゲ除去工程における前記導体線の走行方向とが互いに逆方向であることを特徴とするエナメル線の製造方法。
【請求項６】
請求項１乃至請求項５のいずれかに記載のエナメル線の製造方法において、
前記ソゲ除去工程における前記導体線の挿通速度が10 m/min以上であることを特徴とするエナメル線の製造方法。
【請求項７】
請求項１乃至請求項６のいずれかに記載のエナメル線の製造方法において、
前記導体線伸線加工工程と前記ソゲ立ち上げ工程との間に、前記所定の外径を有する導体線に対して該導体線の表面を脱脂・乾燥する導体線洗浄工程を更に有することを特徴とするエナメル線の製造方法。
【請求項８】
請求項１乃至請求項７のいずれかに記載のエナメル線の製造方法において、
前記エナメル被膜形成工程の前に、前記導体線を焼鈍する導体線焼鈍工程を更に有することを特徴とするエナメル線の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、モータや変圧器などの電気機器に使用されるエナメル線に関し、特に、長尺線材を安定して製造することができるエナメル線の製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
エナメル線（エナメル被覆絶縁電線）は、モータや変圧器などの電気機器のコイル用電線として広く用いられており、コイルの用途・形状に合致した断面形状（例えば、丸形状や矩形状）に成形された金属導体線の外層にエナメル被膜（絶縁被膜）が形成された構成をしている。近年、自動車用のモータ（例えば、電装用モータやオルタネータ等）の小型化・高出力化の要求に伴い、より高い占積率でコイル巻線ができるようにエナメル線の絶縁被膜の厚さを薄くすることが求められている。
【０００３】
また、エナメル被膜厚さにムラがあると電界集中により絶縁破壊を誘発することから、エナメル被膜厚さを均等にすることも求められている。なお、均等な厚さのエナメル被膜を得るため、エナメル被膜の形成は、一般的に、絶縁塗料の１回の塗布・焼付で薄い被膜を形成し、それを複数回繰り返すことによって行われる。
【０００４】
エナメル線は、エナメル被膜内に気泡を含んだ領域（発泡領域）が形成されると、電気的特性に悪影響を及ぼす（例えば、該発泡領域で絶縁破壊が発生し易い）ため製品不良となる。また、極端な場合、発泡領域において導体線の一部がエナメル線の表面に露出し、絶縁不良を生じさせることもある。このようなことから、発泡領域を含む製品は、出荷不能となる。言い換えると、製品歩留り向上の観点から、エナメル被膜内に発泡領域自体が形成されないように、エナメル線を製造することが肝要である。
【０００５】
エナメル被膜に発泡領域が形成される要因としては、種々の候補が挙げられるが、中でも導体線の表面に残存している被り傷やソゲが基点となる場合は、その対策が難しいと言われている。被り傷、ソゲ、発泡領域について、図１を参照しながら簡単に説明する。図１は、エナメル線の製造において、被り傷や発泡領域が形成される様子を示す断面模式図である。
【０００６】
従来、被り傷やソゲは、導体線1の素となる荒引線1’を製造する工程中に荒引線1’の表面に付いた筋傷10が主な要因と言われてきた。このため、荒引線1’に対して皮剥ダイス16を用いて皮剥加工を行うことは、被り傷やソゲの低減（すなわち、発泡領域の形成抑制）に有効とされてきた。
【０００７】
例えば特許文献１（特開2010−23090号公報）には、銅溶湯を連続的に引き上げて鋳造線材を形成し、該鋳造線材を、ダイスを用いて皮剥ぎ加工してマグネットワイヤ用銅線を得るマグネットワイヤ用銅線の製造方法であって、前記ダイスの切れ刃のすくい角を20〜35°とすることを特徴とするマグネットワイヤ用銅線の製造方法が、開示されている。
【０００８】
しかしながら、荒引線1’に鋳造欠陥11が内在する場合、鋳造欠陥11の全てを皮剥加工だけで取り除くことは技術的に困難である。さらに、皮剥加工で取り除くことができないような鋳造欠陥11は、伸線ダイス17を用いた引抜伸線加工において導体線1が細長く引き伸ばされていくうちに導体線1の表面に露出し、鋳造欠陥11の表層を導体線の薄皮が覆っただけの状態（例えて言うと、ささくれのような状態）になることがある。このような状態を被り傷12と称し、その薄皮をソゲ13と称する。
【０００９】
被り傷12が表面に存在する導体線1に、プーリーによる曲げや製造装置部材との摺動が加わると、ソゲ13がめくれ上がり易くなる。さらに、その上にエナメル被膜2を形成すると、鋳造欠陥11とソゲ13との間に浸入・残存している水分や気化成分が、絶縁塗料の焼付時に気化して気泡14となり、発泡領域15が生じると考えられている。
【００１０】
エナメル被膜形成時における発泡領域15の発生を防止することを目的として、例えば特許文献２（特開2012−146638号公報）には、導体線の周囲に絶縁塗料を塗布するための塗装ダイスであって、前記導体線を挿通させるダイス孔は、開口径が単調減少していく導入部と、前記開口径が一定である領域を有する塗布部とから構成され、前記塗布部の内表面には、前記ダイス孔の中心軸に向かって突出する４つ以上の突起が前記内表面の周方向に等間隔で設けられており、前記突起は、前記導入部と前記塗布部との境界の位置から前記導体線が挿通される方向に沿って、高さが徐々に高くなる領域を有していることを特徴とするエナメル線用の塗装ダイスが、開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【００１１】
【特許文献１】特開２０１０−２３０９０号公報
【特許文献２】特開２０１２−１４６６３８号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１２】
特許文献１に開示されている技術は、前述したように、荒引線に対する皮剥加工の技術であり、荒引線に内在する鋳造欠陥に対応できるものではない。また、仮に、鋳造欠陥が導体線の表面に露出するような段階（引抜伸線加工が進んだ段階）において、特許文献１に開示されている技術を適用しようとした場合、導体線の外径が相当小さくなっているため、皮剥加工によって導体線が断線してしまうことが危惧される。
【００１３】
一方、特許文献２に開示されている技術は、導体線表面の被り傷やソゲを押し潰すことによって発泡領域の発生を抑制する効果が期待できる。しかしながら、特許文献２の塗装ダイスの突起の位置と被り傷やソゲの位置とが合致しない場合、当該被り傷やソゲを押し潰すことができず、その結果、エナメル被膜に発泡領域が発生してしまうことが危惧される。
【００１４】
なお、導体線表面の被り傷やソゲを防ぐため、鋳造欠陥自体が内在しない荒引線を用意することは、技術的に可能と考えられる。しかしながら、材料コスト（鋳造欠陥が内在しない荒引線を用意する製造コスト）が大きく増大し、エナメル線が高コスト化してしまうという別の問題が生じる。言い換えると、本発明では、材料コストが低い従前の荒引線を用いる（すなわち、鋳造欠陥がある程度内在する）ことを前提にしている。
【００１５】
前述の観点から、本発明の目的は、材料コストを増大させることなく、エナメル被膜内での発泡領域の発生を抑制し、長尺線材を安定して（すなわち、高い製造歩留りで）製造することができるエナメル線の製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１６】
（I）本発明の１つの態様は、導体線の外層にエナメル被膜が形成されたエナメル線の製造方法であって、
複数パスの引抜伸線を行って所定の外径を有する導体線を加工する導体線伸線加工工程と、
前記所定の外径を有する導体線に対して第１のスキンパスの引抜を行って前記導体線の表面にある被り傷のソゲを立ち上がらせるソゲ立ち上げ工程と、
前記ソゲ立ち上げを行った導体線に対して前記第１のスキンパスと同じ開口径を有するソゲ刈り取りダイスを用いた第２のスキンパスの引抜を行って前記ソゲを刈り取るソゲ除去工程と、
前記ソゲ除去を行った導体線に対して絶縁塗料の塗布・焼付を行って前記エナメル被膜を形成するエナメル被膜形成工程とを有するエナメル線の製造方法を提供する。
【００１７】
また、本発明は、上記の本発明に係るエナメル線の製造方法において、以下のような改良や変更を加えることができる。
（i）前記ソゲ刈り取りダイスは、ダイス本体と前記ダイス本体に設けられ前記導体線を挿通させるダイス孔とを有し、前記ダイス孔は、前記導体線の挿通方向に沿って前記開口径が一定であるベアリング部を有し、前記ダイス本体は、前記挿通方向の上流側で前記ベアリング部の内表面に直接つながるダイスエッジ面と前記内表面とのなす角度が90°以下である。
（ii）前記第１のスキンパスは、該スキンパスによる減面加工率が2％以下である。
（iii）前記第１のスキンパスは、前記エナメル線を構成する導体線の外径を制御する最終パスである。
（iv）前記ソゲ立ち上げ工程における前記導体線の走行方向と、前記ソゲ除去工程における前記導体線の走行方向とが互いに逆方向である。
（v）前記ソゲ除去工程における前記導体線の挿通速度が10 m/min以上である。
（vi）前記導体線伸線加工工程と前記ソゲ立ち上げ工程との間に、前記所定の外径を有する導体線に対して該導体線の表面を脱脂・乾燥する導体線洗浄工程を更に有する。
（vii）前記エナメル被膜形成工程の前に、前記導体線を焼鈍する導体線焼鈍工程を更に有する。
【発明の効果】
【００１８】
本発明によれば、材料コストを増大させることなく、エナメル被膜内での発泡領域の発生を抑制し、長尺線材を安定して（すなわち、高い製造歩留りで）製造するエナメル線の製造方法を提供することができる。その結果、エナメル被膜内に発泡領域のない長尺のエナメル線を低コストで提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１９】
【図１】エナメル線の製造において、被り傷や発泡領域が形成される様子を示す断面模式図である。
【図２】本発明に係るエナメル線の製造方法に用いる製造装置の構成例を示す概略模式図である。
【図３】ソゲ立ち上げ工程およびソゲ除去工程で用いるダイスを示す断面模式図であり、（ａ）ソゲ立ち上げ工程で用いるダイスの一例、（ｂ）ソゲ刈り取りダイスの一例、（ｃ）ソゲ刈り取りダイスの他の一例である。
【図４】第１スキンパス用ダイスを用いたソゲ立ち上げ工程と、ソゲ刈り取りダイスを用いたソゲ除去工程とを連続的に行うことでソゲを除去する様子を示した断面模式図である。
【発明を実施するための形態】
【００２０】
（本発明の基本思想）
本発明者等は、エナメル線の製造において、エナメル被膜に発泡領域が生じる状況を詳細に調査し、その要因および対策について鋭意検討した。その結果、前述したように、導体線1の素となる荒引線として鋳造欠陥がある程度内在する荒引線1’を用いる限り、荒引線1’の引抜伸線加工によって導体線1の表面に被り傷12が形成されることは避けられないのではないかという結論に達した。そして、導体線1表面の被り傷12の形成が避けられない以上、従来技術では、発泡領域15の発生頻度をある程度抑制することはできるが、更なる改善は困難ではないかと考えられた。
【００２１】
そこで、本発明者等は、発泡領域の発生頻度を従来以上に抑制するために、導体線1表面の被り傷12やソゲ13を押し潰すという従来の概念に対して発想を転換し、被り傷12からソゲ13自体を除去することを考えた。しかしながら、引抜伸線加工の段階では、通常、ソゲ13は被り傷12に張り付いており、被り傷12が導体線1表面上のどこに在るのかを見つけることは困難である。
【００２２】
本発明者等は、発泡領域発生の副次的な要因となるソゲ13のめくれ上がりについて、更に詳細な調査・検討を行った。その結果、被り傷12が形成された導体線1に対して、減面加工率（加工度とも言う）の小さいスキンパスを施すと、ソゲ13がめくれ上がり易くなることを見出した。また、ソゲ13が大きくめくれ上がってくれれば、そのソゲ13を適当な治具を用いて切除することができることを見出した。言い換えると、本発明は、導体線1表面に形成された被り傷12に対して、ソゲ13を積極的に立ち上がらせる（ソゲ13が大きくめくれ上がるような）工程を施し、その後、立ち上がったソゲ13を刈り取る工程を施すところに最大の特徴がある。本発明は、これらの知見に基づいて完成されたものである。
【００２３】
以下、本発明に係る実施形態について図面を参照しながら説明する。なお、本発明はここで取り上げた実施形態に限定されることはなく、発明の技術的思想を逸脱しない範囲で組合せや改良が適宜可能である。
【００２４】
［エナメル線の製造方法］
本発明に係るエナメル線の製造方法は、「導体線伸線加工工程」と「ソゲ立ち上げ工程」と「ソゲ除去工程」と「導体線焼鈍工程」と「エナメル被膜形成工程」とを有する。「ソゲ立ち上げ工程」および「ソゲ除去工程」によって、本発明は特徴付けられる。
【００２５】
（エナメル線の製造装置）
図２は、本発明に係るエナメル線の製造方法に用いる製造装置の構成例を示す概略模式図である。図２では、「ソゲ立ち上げ工程」と「ソゲ除去工程」と「導体線焼鈍工程」と「エナメル被膜形成工程」とを行う製造装置の構成例を示した。
【００２６】
図２に示したように、本発明で用いるエナメル線の製造装置20は、導体線1を送り出す導体線送出機構21と、導体線1の表面に発生したソゲ13（図１参照）を立ち上げ・切除するソゲ除去機構22と、導体線1を焼鈍する導体線焼鈍機構23と、エナメル被膜2（図１参照）を形成するエナメル被膜形成機構24と、エナメル線3を巻き取るエナメル線巻取機構25とを具備する。また、導体線焼鈍機構23は、焼鈍炉23-1と水槽23-2を有する。エナメル被膜形成機構24は、絶縁塗料槽24-1と塗装ダイス24-2と焼付炉24-3とを有する。さらに、各機構間をスムーズにつなぐため、導体線1の走行方向をガイドする複数のプーリーが適宜配設されている。
【００２７】
以下、各工程について詳細に説明する。
【００２８】
（導体線伸線加工工程）
本工程は、複数パスの引抜伸線を行って所定の外径を有する導体線1を加工する工程である。本工程を行う対象は、皮剥加工を施した荒引線1’でもよいし、該荒引線1’にある程度の伸線加工を施した中間導体線であってもよい。引抜伸線の方法に特段の限定はなく、従前の方法を利用することができる。また、所定の外径とは、最終的にエナメル線を構成する導体線1の導体断面積に対して2％増以下（102％以下）の導体断面積となる外径とすることが好ましい。
【００２９】
（導体線洗浄工程）
本工程は、上記の導体線伸線加工工程を経た導体線1に対して該導体線の表面を脱脂・乾燥する工程である。本工程は必須の工程ではないが、行われることが好ましい。本工程を行うことにより、被り傷12において鋳造欠陥11とソゲ13との間に浸入・残存していた潤滑剤や水分等が一旦除去されて鋳造欠陥11とソゲ13との密着力が低下するため、次工程においてソゲ13がめくれ上がり易くなる効果がある。
【００３０】
（ソゲ立ち上げ工程）
本工程は、上記の導体線洗浄工程を経た導体線1に対して（または導体線伸線加工工程を経た導体線に対して）第１のスキンパスの引抜を行うことによって、導体線1の表面にある被り傷12のソゲ13を立ち上がらせる工程である。本工程は、本発明の大きな特徴の一つである。
【００３１】
金属からなる被加工物に対してスキンパスの引抜を行うと、減面加工率が小さいため、被加工物全体を塑性変形させるほどの加工応力が掛らず、被加工物の表層領域とその内部とで変形挙動（塑性変形・弾性変形）が異なる状態になる。例えば、塑性変形が被加工物の表層領域にほぼ集中する。
【００３２】
より具体的に言うと、導体線1の被り傷12がない領域は、導体線1の径方向全体で加工応力を受けるため、極表層領域での塑性変形を除いて、ほとんどが弾性変形となる。これに対し、導体線1の被り傷12がある領域では、鋳造欠陥11とソゲ13との間にわずかながらでも隙間があることから、ソゲ13の直下には加工応力が伝わりにくくなり、加工応力がソゲ13に集中するかたちになる（すなわち、ソゲ13が選択的に塑性変形する）。そして、ソゲ13と他の部分とで変形挙動に差異が生じる結果（弾性変形した部分はスキンパス後に元の形状に戻ろうとするが、塑性変形した部分は元の形状に戻ることができない）、ソゲ13が立ち上がる（めくれ上がる）ことになる。
【００３３】
第１のスキンパスにおける減面加工率は、0％以上2％以下が好ましく、0.5％以上2％以下がより好ましく、1％以上1.5％以下が更に好ましい。減面加工率が2％超になると、導体線1全体として塑性変形し易くなり、被り傷12がある領域と被り傷12がない領域との変形挙動の差異が小さくなってソゲ13の立ち上がりが小さくなる。なお、ここにおける減面加工率＝0％とは、本第１スキンパスの直前の伸線パスと同じ開口径を有するダイスを用いたスキンパスと定義する。
【００３４】
ソゲ13を立ち上がらせる工程である本第１スキンパスの後に通常の縮径伸線加工（例えば、減面加工率5％以上）を行うと、立ち上がったソゲ13が再び寝てしまうことから、本第１スキンパスは、エナメル線を構成する導体線の外径を制御する最終パスであることが好ましい。
【００３５】
（ソゲ除去工程）
本工程は、上記のソゲ立ち上げ工程を経た導体線1に対して第２のスキンパスの引抜を行うことによって、立ち上がったソゲ13を刈り取る（切除する）工程である。本工程も、本発明の大きな特徴の一つである。
【００３６】
本第２スキンパスは、第１のスキンパスと同じ開口径を有するソゲ刈り取りダイスを用いること（すなわち、減面加工率0％とすること）が好ましい。ソゲ刈り取りダイスは、通常の伸線ダイスと同様に、ダイス本体と該ダイス本体に設けられ導体線1を挿通させるダイス孔とを有し、該ダイス孔は、導体線1の挿通方向に沿って開口径が一定であるベアリング部を有する。ただし、ダイス本体は、導体線1の挿通方向の上流側でベアリング部の内表面に直接つながるダイスエッジ面と該内表面とのなす角度が90°以下であるという特徴を有する（図２（ｂ），（ｃ）参照、ソゲ刈り取りダイスの詳細については後述する）。
【００３７】
ソゲ13が立ち上がった導体線1を所定の挿通速度以上でソゲ刈り取りダイスに挿通させると、立ち上がったソゲ13が切り立ったダイスエッジ面と衝突して切除される（刈り取られる）。導体線1の挿通速度としては、10 m/min以上が好ましく、45 m/min以上がより好ましい。導体線1の挿通速度が10 m/min未満になると、立ち上がったソゲ13が倒されて再度被り傷12の状態に戻り易くなり、ソゲ13の切除エラーが発生し易くなる。
【００３８】
ソゲ13は、その形成メカニズムから、導体線1の挿通方向の下流側から上流側に向かって伸びるように形成される。すなわち、導体線1の挿通方向の下流側（導体線1の走行方向の前方側）がソゲ13の根元になり、挿通方向の上流側（導体線1の走行方向の後方側）がソゲ13の先端となる（図１参照）。このことから、ソゲ立ち上げ工程における導体線1の走行方向と、ソゲ除去工程における導体線1の走行方向とを互いに逆方向にすることは、好ましい。これにより、ソゲ除去工程において、ソゲ刈り取りダイスによってソゲ13が被り傷12に戻るように倒されることがなくなり、ソゲ13をより確実に刈り取る（切除する）ことができる。
【００３９】
（導体線焼鈍工程）
本工程は、エナメル被膜2を形成する前に、導体線1を焼鈍する工程である。導体線焼鈍の方法に特段の限定はなく、従前の方法（例えば、焼鈍炉23-1の通過）を利用することができる。なお、次工程のエナメル被膜形成工程の前に、導体線1の温度が絶縁塗料の焼付温度未満となるように、通常、焼鈍された導体線1の冷却（例えば、水槽23-2の通過）が行われる。
【００４０】
（エナメル被膜形成工程）
本工程は、導体線1の外層にエナメル被膜2を形成する工程である。エナメル被膜形成の方法に特段の限定はなく、従前の方法を利用することができる。例えば、前述したように、絶縁塗料槽24-1と塗装ダイス24-2とに導体線1を挿通させて絶縁塗料を塗布する素工程を行い、引き続いて、焼付炉24-3を通して塗布した絶縁塗料を焼付けて薄い被膜を形成する素工程を行い、それらの素工程を複数サイクル繰り返すことによって所望の厚さのエナメル被膜2を形成し、エナメル線3を完成させる。
【００４１】
（ソゲ立ち上げ工程およびソゲ除去工程で用いるダイスの構成）
ソゲ立ち上げ工程で用いるダイス（第１スキンパス用ダイス）およびソゲ除去工程で用いるダイス（第２スキンパス用ダイス、ソゲ刈り取りダイス）の構成を説明する。図３は、ソゲ立ち上げ工程およびソゲ除去工程で用いるダイスを示す断面模式図であり、（ａ）ソゲ立ち上げ工程で用いるダイスの一例、（ｂ）ソゲ刈り取りダイスの一例、（ｃ）ソゲ刈り取りダイスの他の一例である。
【００４２】
図３（ａ）に示したように、ソゲ立ち上げ工程で用いるダイス（第１スキンパス用ダイス30）は、ダイス本体33と導体線を挿通させるダイス孔34とを有し、ダイス孔34は、従前の伸線ダイスと同様に、導体線の挿通方向に沿って、開口径が単調減少していく導入部34-1と、所望サイズの開口径を有するベアリング部34-2と、開口径が単調増加していく出口部34-3とから構成される。
【００４３】
なお、ダイス本体33は、伸線ダイスでしばしば見られるように、ダイス孔34の周辺部材であるニブと該ニブを収容するケースとから構成されていてもよい。図３（ａ）においては、ベアリング部34-2が導体線の挿通方向に沿ってある程度の長さを有するように示してあるが、導体線の挿通方向に沿った長さを有していなくてもよい。また、出口部34-3が無くてもよい。
【００４４】
これに対し、図３（ｂ）に示したように、ソゲ除去工程で用いるダイス（第２スキンパス用ダイス、ソゲ刈り取りダイス31）は、ダイス本体35と導体線を挿通させるダイス孔36とを有し、ダイス孔36は、導体線の挿通方向に沿って、開口径が一定であるベアリング部36-1と、開口径が単調増加していく出口部36-2とから構成される。ダイス本体35は、導体線1の挿通方向の上流側でベアリング部36-1の内表面に直接つながるダイスエッジ面と該内表面とのなす角度θが90°になっている。すなわち、ソゲ刈り取りダイス31は、第１スキンパス用ダイス30と異なり、挿通方向上流側のダイスエッジ面とベアリング部36-1との間に、開口径が単調減少していく導入部が存在しないという特徴を有する。
【００４５】
また、図３（ｃ）に示したソゲ除去工程で用いるダイス（第２スキンパス用ダイス、ソゲ刈り取りダイス32）は、ダイス本体37と導体線を挿通させるダイス孔38とを有し、ダイス孔38は、導体線の挿通方向に沿って、開口径が一定であるベアリング部38-1と、開口径が単調増加していく出口部38-2とから構成される。ダイス本体37は、導体線1の挿通方向の上流側でベアリング部38-1の内表面に直接つながるダイスエッジ面と該内表面とのなす角度θが90°未満になっている。ベアリング部38-1の内表面とダイスエッジ面とのなす角度θは、ダイス本体37の耐久性・ハンドリング性の観点から、30°以上が好ましく、45°以上がより好ましく、60°以上が更に好ましい。ソゲ刈り取りダイス31と同様に、ソゲ刈り取りダイス32も、挿通方向上流側のダイスエッジ面とベアリング部38-1との間に、開口径が単調減少していく導入部が存在しないという特徴を有する。
【００４６】
なお、ダイス本体35，37においても、ダイス孔36，38の周辺部材であるニブと該ニブを収容するケースとから構成されていてもよい。ベアリング部36-1，38-1は、挿通される導体線1の振動を抑制し、立ち上がったソゲ13の安定した刈り取り（切除）の観点から、導体線の挿通方向に沿ってある程度の長さを有することが好ましい。出口部36-2，38-2は、有ってもよいし無くてもよい。
【００４７】
図４は、第１スキンパス用ダイスを用いたソゲ立ち上げ工程と、ソゲ刈り取りダイスを用いたソゲ除去工程とを連続的に行うことでソゲを除去する様子を示した断面模式図である。図４に示したように、導体線1が第１スキンパス用ダイス30を通過すると、ソゲ13が立ち上がり（ソゲ立ち上げ工程）、引き続いてその状態でソゲ刈り取りダイス31を通過すると、立ち上がったソゲ13がソゲ刈り取りダイス31の切り立ったダイスエッジ面と衝突して切除される（ソゲ除去工程）。本発明により、導体線1表面のソゲ13（被り傷12）を除去できる結果、エナメル被膜2内での発泡領域の発生が抑制され、エナメル線3の製造歩留りが向上する。
【実施例】
【００４８】
以下、本発明を実施例に基づいて具体的に説明するが、本発明はこれに限定されるものではない。
【００４９】
導体線1の最終線径が1.0 mmで設計厚さ0.039 mmのエナメル被膜2を有するエナメル線3（１種ポリアミドイミド銅線、1AIW）を製造した。導体線1としては、線径8.0 mmの荒引線1’（タフピッチ銅製）に対して皮剥工程を行った後、所定の線径まで伸線した銅線を使用した。すなわち、被り傷12（ソゲ13）が表面に存在する可能性のある導体線1を使用した。また、絶縁塗料としては、ポリアミドイミド塗料（日立化成工業株式会社、HI-406-30）を使用した。絶縁塗料の塗布・焼付の繰り返し回数は８回とした。
【００５０】
エナメル線3を製造するにあたり、本発明に係る製造方法を用いなかったもの（すなわち、ソゲ立ち上げ工程とソゲ除去工程とを行わなかったもの）を比較例１とした。また、ソゲ立ち上げ工程とソゲ除去工程とを行ったが、ソゲ立ち上げ工程における伸線パスの減面加工率を5％としたもの（スキンパスと言うよりも、通常の伸線パスと言えるもの）を比較例２とした。一方、本発明に係る製造方法を適用し、ソゲ立ち上げ工程における第１スキンパスの減面加工率を0％としたものを実施例１とし、第１スキンパスの減面加工率を1％としたものを実施例２とし、第１スキンパスの減面加工率を2％としたものを実施例３とした。
【００５１】
各試料（比較例１〜２および実施例１〜３）をそれぞれ36ボビン分（250 kg/ボビン、約35 km/ボビン）製造した。このとき、製造中に（インラインで）外径測定器を用いてエナメル線3の外径変動を測定した。規定の外径値を超えた箇所を発泡領域15の発生と判定し、その発生頻度（1ボビンあたりの平均発生個数）を調査した。また、製造中に（インラインで）所定のプーリー間に電圧を印加し、当該プーリー間でエナメル線3の電気抵抗値を測定した。規定の電気抵抗値未満になった箇所を絶縁不良箇所と判定し、その検出頻度（1ボビンあたりの平均検出回数）を調査した。結果を表１に示す。
【００５２】
【表１】
2015185502.tif 000003
【００５３】
表１に示したように、比較例１（ソゲ立ち上げ工程とソゲ除去工程とを行わなかったもの）に対し、発泡領域の発生頻度と絶縁不良箇所の検出頻度とが、実施例１で約30％減少し、実施例２で約60％減少し、実施例３で約67％減少した。一方、ソゲ立ち上げ工程における伸線パスがスキンパスとは言えない比較例２では、発泡領域の発生頻度と絶縁不良箇所の検出頻度とが、比較例１と同等のレベルに戻ってしまった。
【００５４】
以上説明したように、本発明に係るエナメル線の製造方法は、被り傷やソゲが表面に存在する可能性のある導体線を使用しても、エナメル被膜での発泡領域や絶縁不良箇所の発生を抑制し、従来よりも高い製造歩留りでエナメル線を製造できることが実証された。
【００５５】
上述した実施形態や実施例は、本発明の理解を助けるために説明したものであり、本発明は、記載した具体的な構成のみに限定されるものではない。例えば、ある実施例の構成の一部を他の実施例の構成に置き換えることが可能であり、また、ある実施例の構成に他の実施例の構成を加えることも可能である。すなわち、本発明は、本明細書の実施形態や実施例の構成の一部について、削除・他の構成に置換・他の構成の追加をすることが可能である。
【符号の説明】
【００５６】
1’…荒引線、1…導体線、2…エナメル被膜、3…エナメル線、
10…筋傷、11…鋳造欠陥、12…被り傷、13…ソゲ、14…気泡、15…発泡領域、
16…皮剥ダイス、17…伸線ダイス、
20…エナメル線の製造装置、21…導体線送出機構、22…ソゲ除去機構、
23…導体線焼鈍機構、23-1…焼鈍炉、23-2…水槽、
24…エナメル被膜形成機構、24-1…絶縁塗料槽、24-2…塗装ダイス、24-3…焼付炉、
25…エナメル線巻取機構、
30…第１スキンパス用ダイス、31，32…ソゲ刈り取りダイス、
33，35，37…ダイス本体、34，36，38…ダイス孔、
34-1…導入部、34-2…ベアリング部、34-3…出口部、
36-1，38-1…ベアリング部、36-2，38-2…出口部。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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