(57)【要約】【課題】回路基板や半導体チップ等の基材上に設けられたボンディングランドにボンディングワイヤを接続し、これらをモールド樹脂で封止してなる電子装置において、冷熱サイクルによるボンディングランドとモールド樹脂との剥離を適切に防止する。【解決手段】基材１０、２０の一面１１、２１上に設けられた金属製のボンディングランド５０、７０の接合面５１、７１に対してボンディングワイヤ３０が接合され、これらがモールド樹脂４０で封止されている。ランドの接合面５１、７１の幅Ａを、当該幅Ａ方向と平行方向におけるワイヤ３０の接合部３１の最大寸法Ｂよりも小さいものとすることにより、ボンディングランド５０、７０は、基材１０、２０の一面１１、２１上にて接合部３１を当該一面１１、２１に投影した領域内に位置したものとされている。【選択図】図２
2015141974.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基材（１０、２０）と、
前記基材の一面（１１、２１）上に設けられた金属製のボンディングランド（５０、７０）と、
前記基材の一面上に設けられ、前記ボンディングランドの接合面（５１、７１）と接合された接合部（３１）を端部に有するボンディングワイヤ（３０）と、
前記基材の一面上に設けられ、前記ボンディングワイヤおよび前記ボンディングランドを封止するモールド樹脂（４０）と、を備え、
前記ボンディングランドの前記接合面の幅（Ａ、Ｃ）を、当該幅方向と平行方向における前記接合部の最大寸法（Ｂ、Ｄ）と同等かそれよりも小さいものとすることにより、前記ボンディングランドは、前記基材の一面上にて前記接合部を前記基材の一面に投影した領域内に位置したものとされていることを特徴とする電子装置。
【請求項２】
前記接合面の少なくとも一部の幅方向において、前記接合面の幅（Ａ、Ｃ）を、前記接合部の最大寸法（Ｂ、Ｄ）よりも小さいものとすることにより、前記接合部の一部が前記接合面よりも外側に突出する突出部（３１ａ）とされていることを特徴とする請求項１に記載の電子装置。
【請求項３】
前記接合面のすべての幅方向において、前記接合面の幅（Ａ、Ｃ）を、前記接合部の最大寸法（Ｂ、Ｄ）よりも小さいものとすることにより、前記接合部の一部が前記突出部とされていることを特徴とする請求項２に記載の電子装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、基材上に設けられたボンディングランドにボンディングワイヤを接続し、これらをモールド樹脂で封止してなる電子装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来より、この種の電子装置としては、基材と、基材の一面上に設けられた金属製のボンディングランドと、基材の一面上に設けられ、ボンディングランドの接合面と接合された接合部を一端側に有するボンディングワイヤと、を備えたものが提案されている（たとえば、特許文献１参照）。さらに、この電子装置においては、基材の一面上にモールド樹脂が設けられ、このモールド樹脂は、ボンディングワイヤおよびボンディングランドを封止している。
【０００３】
このような半導体装置では、たとえば、モールド樹脂の硬化収縮時の冷熱サイクルや、使用時における冷熱サイクルにおいて、モールド樹脂よりも金属製のボンディングランドの方が、収縮度合が大きいものとなっている。
【０００４】
そのため、上記冷熱サイクル時には、ボンディングランドが基材の一面側に向かって薄くなるように収縮し、ボンディングランドの接合面とこれを封止するモールド樹脂との間で剥離が生じる。そして、この剥離が進行することによってモールド樹脂内部のボンディングワイヤに、断線等のダメージが発生するという問題があった。
【０００５】
この問題に対して、上記特許文献１では、基材より段差を有して突出するボンディングランドの段差面を、逆テーパ状の傾斜面とすることにより、上記モールド樹脂の剥離を抑制するようにしていた。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開２０１０−２８３２５２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
しかしながら、上記特許文献１のように、ボンディングランドの段差面を逆テーパ状の傾斜面とするためには、特殊なエッチングやプレス加工を要するものとなり、容易なものではない。
【０００８】
本発明は、上記問題に鑑みてなされたものであり、基材上に設けられたボンディングランドにボンディングワイヤを接続し、これらをモールド樹脂で封止してなる電子装置において、冷熱サイクルによるボンディングランドとモールド樹脂との剥離を適切に防止することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明者は、従来では、ボンディングランドの接合面のうちモールド樹脂と直接接触する部位から、モールド樹脂の剥離が発生することから、ボンディングランドの接合面における当該部位を、極力少なくすることに着目した。請求項１に記載の発明は、着目点に基づいて、創出されたものである。
【００１０】
上記目的を達成するため、請求項１に記載の発明では、基材（１０、２０）と、基材の一面（１１、２１）上に設けられた金属製のボンディングランド（５０、７０）と、基材の一面上に設けられ、ボンディングランドの接合面（５１、７１）と接合された接合部（３１）を端部に有するボンディングワイヤ（３０）と、基材の一面上に設けられ、ボンディングワイヤおよびボンディングランドを封止するモールド樹脂（４０）と、を備え、
ボンディングランドの接合面の幅（Ａ、Ｃ）を、当該幅方向と平行方向における接合部の最大寸法（Ｂ、Ｄ）と同等かそれよりも小さいものとすることにより、ボンディングランドは、基材の一面上にて接合部を基材の一面に投影した領域内に位置したものとされていることを特徴とする。
【００１１】
それによれば、ボンディングランドの接合面上の実質全域が、ボンディングワイヤの接合部で被覆された状態となるので、当該接合面のうちモールド樹脂と直接接触する部位を無くすか、もしくは極力少ないものにすることができる。よって、本発明によれば、冷熱サイクルによるボンディングランドとモールド樹脂との剥離を適切に防止することができる。
【００１２】
また、請求項２に記載の発明では、請求項１に記載の電子装置において、接合面の少なくとも一部の幅方向において、接合面の幅（Ａ、Ｃ）を、接合部の最大寸法（Ｂ、Ｄ）よりも小さいものとすることにより、接合部の一部が接合面よりも外側に突出する突出部（３１ａ）とされていることを特徴とする。
【００１３】
それによれば、冷熱サイクル時に、ボンディングランドが基材の一面側に向かって薄くなるように収縮しようとするとき、突出部はモールド樹脂からの抗力を受けるので、当該収縮の動きが拘束され、当該収縮によるモールド樹脂とボンディングランドとの剥離を抑制しやすくなる。
【００１４】
なお、特許請求の範囲およびこの欄で記載した各手段の括弧内の符号は、後述する実施形態に記載の具体的手段との対応関係を示す一例である。
【図面の簡単な説明】
【００１５】
【図１】本発明の第１実施形態にかかる電子装置の概略断面図である。
【図２】図１中のボンディングワイヤの接合部近傍を拡大して示す概略断面図である。
【図３】図２の概略上面図である。
【図４】本発明の第２実施形態にかかる電子装置の要部を示す図であり、（ａ）は概略平面図、（ｂ）は（ａ）のＹ１矢視側面図、（ｃ）は（ａ）のＹ２矢視側面図である。
【図５】本発明の第３実施形態にかかる電子装置の要部を示す概略断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１６】
以下、本発明の実施形態について図に基づいて説明する。なお、以下の各実施形態相互において、互いに同一もしくは均等である部分には、説明の簡略化を図るべく、図中、同一符号を付してある。
【００１７】
（第１実施形態）
本発明の第１実施形態にかかる電子装置について、図１〜図３を参照して述べる。この電子装置は、たとえば自動車などの車両に搭載され、車両用の各種電子装置を駆動するための装置として適用されるものである。
【００１８】
本実施形態の電子装置は、大きくは、回路基板１０と、回路基板１０の一面１１上に搭載された半導体チップ２０と、回路基板１０の一面１１側にて回路基板１０と半導体チップ２０の一面２１とを接合するボンディングワイヤ３０と、を備える。
【００１９】
そして、回路基板１０の一面１１上には、半導体チップ２０およびボンディングワイヤ３０とともに回路基板１０の一面１１を封止するモールド樹脂４０が設けられている。ここでは、回路基板１０の他面１２側は、モールド樹脂４０で封止されずに露出しており、本実施形態の電子装置は、いわゆるハーフモールドタイプのモールドパッケージとして構成されている。
【００２０】
回路基板１０は、一面１１と他面１２とが表裏の板面の関係にあるもので、たとえばプリント基板やセラミック基板等よりなる。ここでは、回路基板１０は樹脂をベースとするプリント基板としている。この回路基板１０の一面１１上には、ボンディングワイヤ３０が接合されるボンディングランド５０が設けられている。
【００２１】
半導体チップ２０は、一面２１と他面２２とが表裏の板面の関係にある板状、典型的には矩形板状をなす。この半導体チップ２０は、シリコン半導体等よりなるもので、通常の半導体プロセスにより形成されたＩＣチップや、トランジスタ素子等よりなる。
【００２２】
そして、半導体チップ２０は、他面２２を回路基板１０の一面１１に対向させ、はんだや導電性接着剤等のダイボンド材６０を介して回路基板１０の一面１１に接続され、固定されている。また、半導体チップ２０における回路基板１０の一面１１とは反対側の一面２１上には、ボンディングワイヤ３０が接合されるボンディングランド７０が設けられている。
【００２３】
ここで、回路基板１０および半導体チップ２０が、基材として構成されている。そして、回路基板１０の一面１１上のボンディングランド５０、および、半導体チップ２０の一面２１上のボンディングランド７０は、金属製のものであり、たとえばＡｕ、Ａｇ、Ａｌ等により構成されている。以下、前者を基板ランド５０、後者をチップランド７０ということにする。
【００２４】
また、これらランド５０、７０は、厚さを有する層状のものであり、その厚さの分、基材の一面、すなわち回路基板１０の一面１１や半導体チップ２０の一面２１よりも上方に突出している。そして、これらランド５０、７０における突出先端面、すなわち上面が、ボンディングワイヤ３０と接合される接合面５１、７１とされている。
【００２５】
本実施形態のボンディングワイヤ３０は、ＡｕまたはＣｕ等を用いて、基板ランド５０およびチップランド７０の一方を一次側、他方を二次側とするボールボンディングにより形成されたものである。ここでは、チップランド７０を一次側、基板ランド５０を二次側として、これら両ランド５０、７０が、ボンディングワイヤ３０によって接続されている。
【００２６】
そして、図２では、両ランド５０、７０の両方に共通する構成を示している。具体的には、一次側のチップランド７０の接合面７１に対しては、ボンディングワイヤ３０の一端部に形成されたプレボールを、そのまま接合部３１として接合している。
【００２７】
一方、二次側の基板ランド５０の接合面５１に対しては、予めプレボールを形成しておく。そして、このプレボールに対してボンディングワイヤ３０の他端側を接合することで、当該プレボールをボンディングワイヤ３０の他端部における接合部３１とする。
【００２８】
こうして、基材である回路基板１０の一面１１および半導体チップ２０の一面２１上に設けられたボンディングワイヤ３０は、両ランド５０、７０の接合面５１、７１と接合された上記プレボールよりなる接合部３１を端部に有するものとされる。ここで、このワイヤの接合部３１は、上記したボールボンディングにおけるプレボールを図示しないキャピラリで押し潰すことで半球状に拡がった部分である。
【００２９】
そして、本実施形態では、図２に示されるように、両ランド５０、７０の接合面５１、７１の幅Ａを、当該幅Ａ方向と平行方向におけるワイヤの接合部３１の最大寸法Ｂよりも小さいものとしている。
【００３０】
こうすることにより、図３に示されるように、チップランド７０の全体が、半導体チップ２０の一面２１上にてワイヤの接合部３１を当該一面２１に投影した領域内に位置したものとされる。また、基板ランド５０の全体が、回路基板１０の一面１１上にてワイヤの接合部３１を当該一面１１に投影した領域内に位置したものとされる。
【００３１】
ここでは、両ランド５０、７０は典型的な矩形板状をなすもので、ランドの接合面５１、７１も矩形状をなす。つまり、上記寸法関係においては、図３に示されるように、ランドの接合面５１、７１における辺に沿った幅Ａ方向だけでなく対角線の幅方向も含むすべての幅方向にて、接合面５１、７１の幅を、当該幅方向と平行方向におけるワイヤの接合部３１の最大寸法よりも小さいものとしている。
【００３２】
ここで、本実施形態のワイヤの接合部３１は、上記したようにボールボンディングにおけるプレボールを押し潰したものである。そのため、ワイヤの接合部３１の最大寸法Ｂは、ランドの接合面５１、７１との接触面の幅ではなく、典型的には、図２に示されるように、当該接触面よりも上方の部分の幅となることが多い。
【００３３】
このような上記寸法関係は、上記ボンディングワイヤ３０におけるプレボールのサイズをランドの接合面５１、７１よりも大きく形成したり、上記押し潰しにより接合面５１、７１よりも拡げたりすることで、実現できる。
【００３４】
また、上記寸法関係によれば、ランドの接合面５１、７１のすべての幅方向において、接合面５１、７１の幅Ａを、ワイヤの接合部３１の最大寸法Ｂよりも小さくしていることにより、この接合部３１の一部（つまり接合部３１の周辺部）が、接合面５１、７１よりも外側に突出する突出部３１ａとされている。
【００３５】
このように、本実施形態では、ワイヤの接合部３１とランドの接合面５１、７１とを上記寸法関係とすることにより、ランドの接合面５１、７１上の実質全域が、ワイヤの接合部３１で被覆された状態となる。そのため、当該接合面５１、７１においてモールド樹脂４０と直接接触する部位を無くすか、もしくは極力少ないものにすることができる。
【００３６】
こうして、本実施形態によれば、冷熱サイクルによる各ランド５０、７０とモールド樹脂４０との剥離を適切に防止することができる。そして、このことを達成するために、本実施形態では、各ランド５０、７０のサイズを制御するのみでよく、各ランド５０、７０を、上記特許文献１のような特殊な形状とする必要はない。
【００３７】
また、上述したが、本実施形態では、ランドの接合面５１、７１のすべての幅方向において、ワイヤの接合部３１の一部が、当該接合面５１、７１よりも外側に突出する突出部３１ａとされている。
【００３８】
これによれば、図２中の白矢印Ｋ１に示されるように、冷熱サイクル時に、各ランド５０、７０が基材１０、２０の一面１１、２１側に向かって薄くなるように収縮しようとする。このとき、突出部３１ａは、図２中の白矢印Ｋ２に示されるように、当該突出部３１ａと基材１０、２０の一面１１、２１との間に位置するモールド樹脂４０からの抗力を受ける。
【００３９】
そのため、各ランド５０、７０の上記収縮の動きが拘束され、当該収縮によるモールド樹脂４０と各ランド５０、７０との剥離を抑制しやすくなる。特に、本実施形態では、ランドの接合面５１、７１のすべての幅方向で、この突出部３１ａによる作用が発揮されるので、好ましい。
【００４０】
なお、本実施形態において、ランドの接合面５１、７１は、典型的な矩形状をなすものであったが、他の多角形や円形等をなすものであっても、上記した寸法関係を採用できることは言うまでもない。
【００４１】
（第２実施形態）
本発明の第２実施形態にかかる電子装置について、図４を参照して上記第１実施形態との相違点を中心に述べる。
【００４２】
上記第１実施形態では、ボンディングワイヤ３０は、ボールボンディングにより形成されたＡｕまたはＣｕ等よりなるものであった。しかし、本実施形態のように、ボンディングワイヤ３０はＡｌよりなるものであってもよい。
【００４３】
この場合は、プレボールを用いるボールボンディングではなく、超音波を印加しながらワイヤを押し潰すウェッジボンディングによりワイヤボンディングが行われる。本第２実施形態は、このようなＡｌよりなるボンディングワイヤ３０における一次側のボンディングについて、適用されるものである。
【００４４】
具体的に、本実施形態は、上記図１に示される電子装置において、基板ランド５０とチップランド７０との接続を、Ａｌよりなるボンディングワイヤ３０で行うものであるが、この場合も、両ランド５０、７０のどちらを一次側、二次側としてもよい。図４では、チップランド７０を一次側とした例を示すが、基板ランド５０を一次側とした場合でも、図４と同様の構成が適用されることはもちろんである。
【００４５】
図４に示されるように、本実施形態では、ワイヤの接合部３１は、Ａｌよりなる一次側の接合部であって、図示しないキャピラリで押し潰されてワイヤ３０が偏平して拡径した部分を含み、ワイヤ３０の軸がチップランド７０の接合面７１と平行となっている部分である。
【００４６】
ここで、図４（ａ）では、図４（ａ）の紙面をｘｙ平面として、図４（ａ）中の左右方向をｘ軸方向、上下方向をｙ軸方向としている。さらに言えば、図４（ａ）において、ｘ軸方向は矢印Ｙ２と平行であり、ｙ軸方向は矢印Ｙ１と平行である。
【００４７】
図４に示されるように、本実施形態のワイヤの接合部３１は、ｘ軸方向の幅がＢ、ｙ軸方向の幅がＤであるような平面サイズのものである。また、チップランド７０の接合面７１はｘ軸方向の幅がＡ、ｙ軸方向の幅がＣであるような平面サイズのものである。
【００４８】
なお、図４（ａ）では、チップランド７０の接合面７１の幅Ａ方向にて、当該接合面７１の外郭とワイヤの接合部３１の外郭とは一致した位置にあるが、識別のために、破線で示されている当該接合面７１の外郭線を、ワイヤの接合部３１の外郭線よりも多少ずらしてある。
【００４９】
そして、本実施形態では、図４に示されるように、チップランド７０の接合面７１の幅Ａを、当該幅Ａ方向（つまりｘ軸方向）と平行方向におけるワイヤの接合部３１の最大寸法Ｂと同等としている。ここでは、ワイヤの接合部３１の最大寸法Ｂは、当該接合部３１におけるチップランド７０の接合面７１と接触する面の幅とされている。
【００５０】
一方で、チップランド７０の接合面７１の幅Ｃを、当該幅Ｃ方向（つまりｙ軸方向）と平行方向におけるワイヤの接合部３１の最大寸法Ｄよりも小さいものとしている。こうすることにより、本実施形態においても、図４に示されるように、チップランド７０の全体が、基材である半導体チップ２０の一面２１上にてワイヤの接合部３１を当該一面２１に投影した領域内に位置したものとされる。
【００５１】
また、本実施形態の上記寸法関係では、チップランド７０の接合面７１の一部の幅方向すなわち幅Ｃ方向において、当該接合面７１の幅Ｃを、ワイヤの接合部３１の最大寸法Ｄよりも小さくしているから、この幅Ｃ方向にて、当該接合部３１の一部（つまり接合部３１の周辺部）が突出部３１ａとされている。
【００５２】
このように、本実施形態によっても、上記寸法関係とすることにより、ランドの接合面７１上の実質全域を、ワイヤの接合部３１で被覆した状態となる。そのため、上記第１実施形態と同様、当該接合面７１においてモールド樹脂４０と直接接触する部位を極力無くすことができ、上記第１実施形態と同様の効果が発揮される。
【００５３】
また、上述したが、本実施形態においては、チップランド７０の接合面７１の幅Ｃ方向において、ワイヤの接合部３１の一部が突出部３１ａとされている。これにより、突出部３１ａにおいて上記第１実施形態と同様のモールド樹脂４０からの抗力が作用することで、上記同様の作用効果が期待できる。
【００５４】
なお、本実施形態において、図示しないキャピラリによるチップランド７０へのワイヤ３０の押し潰し度合を更に大きくすることにより、幅Ａ方向と平行方向においても、チップランド７０の接合面７１の幅Ａを、ワイヤの接合部３１の最大寸法Ｂよりも小さいものとしてもよい。この場合、上記第１実施形態と同様、当該接合面７１のすべての幅方向で突出部３１ａが存在する寸法関係となり、上記同様の作用効果が期待できる。
【００５５】
また、本実施形態について、チップランド７０を一次側とした例である図４を参照して述べてきたが、上述のように、本実施形態では、基板ランド５０を一次側とした場合でも、図４と同様の構成が適用されるので、この場合も、上記した本実施形態の作用効果が発揮されることは言うまでもない。
【００５６】
また、本実施形態においても、ランドの接合面５１、７１は、典型的な矩形状をなすものであったが、他の多角形や円形等をなすものであっても、上記した寸法関係を採用できることは言うまでもない。
【００５７】
（第３実施形態）
本発明の第３実施形態について、図５を参照して上記第１実施形態との相違点を中心に述べる。本実施形態の電子装置は、上記第１実施形態と同様のボールボンディングにより形成されたＡｕまたはＣｕ等よりなるボンディングワイヤ３０を採用している。
【００５８】
ここで、本実施形態では、図５に示されるように、両ランド５０、７０の接合面５１、７１の幅Ａを、当該幅Ａ方向と平行方向におけるワイヤの接合部３１の最大寸法Ｂと同等としている。これによって、両ランド５０、７０の全体が、基材１０、２０の一面１１、２１上にて接合部３１を当該一面１１、２１に投影した領域内に位置したものとされている。
【００５９】
なお、この幅Ａと最大寸法Ｂとが同等である寸法関係は、（ａ）ランドの接合面５１、７１のすべての幅方向にて実現されていてもよいし、上記第２実施形態のように、（ｂ）一部の幅方向のみで実現されていてもよい。前者（ａ）の場合は、たとえば、ランドの接合面５１、７１をワイヤの接合部３１と同等の形状、たとえば円形状としてやればよい。
【００６０】
一方、後者（ｂ）の場合は、たとえば上記図３において矩形状をなすランドの接合面５１、７１の対角線方向にて、Ａ＝Ｂとし、辺方向ではＡ＜Ｂとなるようにしてやればよい。この後者（ｂ）の場合、ランドの接合面５１、７１の一部の幅方向において、ワイヤの接合部３１の一部が上記突出部３１ａとされるが、その突出部３１ａによる作用効果は上記同様に発揮される。
【００６１】
ここで、図５のように、Ａ＝Ｂとされた場合であっても、ランドの接合面５１、７１上の実質全域を、ワイヤの接合部３１で被覆した状態となる。そのため、上記第１実施形態と同様、当該接合面５１、７１においてモールド樹脂４０と直接接触する部位を極力無くすことができ、冷熱サイクルによるボンディングランド５０、７０とモールド樹脂４０との剥離を適切に防止することができる。
【００６２】
また、図５のようなＡ＝Ｂの場合、理想的には、幅Ａ方向にてワイヤの接合部３１の全体がランドの接合面５１、７１に対して接触すれば、接合面においてモールド樹脂４０と直接接触する部位は０になり、好ましい。しかし、図５のように、ランドの接合面５１、７１の両端近傍でワイヤの接合部３１が若干離れていてもよい。
【００６３】
この場合でも、当該接合面５１、７１の両端近傍では、ワイヤの接合部３１がモールド樹脂４０を介して当該接合面５１、７１の直上に位置する。そのため、上記突出部３１ａと同様に、モールド樹脂４０の抗力が作用し、冷熱サイクル時におけるランド５０、７０の収縮を拘束し、当該収縮によるモールド樹脂４０と各ランド５０、７０との剥離が抑制しやすくなる。
【００６４】
（他の実施形態）
なお、電子装置としては、上記図１に示したようなハーフモールドタイプに限定するものではなく、回路基板１０の他面１２側もモールド樹脂４０で封止されたもの、いわゆるフルモールドタイプのモールドパッケージでもよい。
【００６５】
また、基材としては、その一面に当該一面より突出するボンディングランドを有するものであればよく、上記した回路基板１０や半導体チップ２０に限定されることなく、たとえばリードフレーム等の金属板や、ワイヤボンディングされる各種の電子部品等であってもよい。
【００６６】
また、上記各実施形態に示した寸法関係は、ＡｕやＣｕ等のボールボンディングの一次側および二次側のボンディング、あるいは、Ａｌ等のウェッジボンディングの一次側のボンディングに対して適用される。このことから、電子装置におけるボンディングワイヤ３０は、これら適用可能な各種のボンディングが混在したものであってもよい。
【００６７】
また、本発明は上記した実施形態に限定されるものではなく、特許請求の範囲に記載した範囲内において適宜変更が可能である。また、上記各実施形態は、互いに無関係なものではなく、組み合わせが明らかに不可な場合を除き、適宜組み合わせが可能であり、また、上記各実施形態は、上記の図示例に限定されるものではない。また、上記各実施形態において、実施形態を構成する要素は、特に必須であると明示した場合および原理的に明らかに必須であると考えられる場合等を除き、必ずしも必須のものではないことは言うまでもない。また、上記各実施形態において、実施形態の構成要素の個数、数値、量、範囲等の数値が言及されている場合、特に必須であると明示した場合および原理的に明らかに特定の数に限定される場合等を除き、その特定の数に限定されるものではない。また、上記各実施形態において、構成要素等の形状、位置関係等に言及するときは、特に明示した場合および原理的に特定の形状、位置関係等に限定される場合等を除き、その形状、位置関係等に限定されるものではない。
【符号の説明】
【００６８】
１０    基材としての回路基板
１１    回路基板の一面
２０    基材としての半導体チップ
２１    半導体チップの一面
３０    ボンディングワイヤ
３１    ボンディングワイヤの接合部
４０    モールド樹脂
５０    基板ランド
５１    基板ランドの接合面
７０    チップランド
７１    チップランドの接合面
Ａ、Ｃ  ランドの接合面の幅
Ｂ、Ｄ  ワイヤの接合部の最大寸法
【図１】
2015141974.tif 000003
【図２】
2015141974.tif 000004
【図３】
2015141974.tif 000005
【図４】
2015141974.tif 000006
【図５】
2015141974.tif 000007