(57)【要約】【課題】半導体装置におけるＳＴＩ型の分離絶縁膜の高さのばらつきを低減するための技術を提供する。【解決手段】半導体装置の製造方法は、半導体基板の上に研磨停止膜を有し、研磨停止膜の上に絶縁膜を有し、絶縁膜の一部が研磨停止膜を貫通して半導体基板のトレンチの内部にある構造体を形成する形成工程と、絶縁膜を研磨して絶縁膜のうち研磨停止膜の上にある部分を除去する研磨工程とを有する。半導体基板は第１領域及び第２領域を有する。第１領域においてトレンチの占める比率は、第２領域においてトレンチの占める比率よりも低い。形成工程において、絶縁膜のうち第１領域の上にある部分の上面の半導体基板からの高さが、絶縁膜のうち第２領域の上にある部分の上面の半導体基板からの高さよりも低くなるように構造体を形成する。【選択図】図２
2015185609.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体装置の製造方法であって、
半導体基板の上に研磨停止膜を有し、前記研磨停止膜の上に絶縁膜を有し、前記絶縁膜の一部が前記研磨停止膜を貫通して前記半導体基板のトレンチの内部にある構造体を形成する形成工程と、
前記絶縁膜を研磨して前記絶縁膜のうち前記研磨停止膜の上にある部分を除去する研磨工程とを有し、
前記半導体基板は第１領域及び第２領域を有し、
前記第１領域において前記トレンチの占める比率は、前記第２領域において前記トレンチの占める比率よりも低く、
前記形成工程において、前記絶縁膜のうち前記第１領域の上にある部分の上面の前記半導体基板からの高さが、前記絶縁膜のうち前記第２領域の上にある部分の上面の前記半導体基板からの高さよりも低くなるように前記構造体を形成することを特徴とする製造方法。
【請求項２】
前記形成工程は、前記研磨停止膜のうち前記第１領域の上にある部分の上面の前記半導体基板からの高さが、前記研磨停止膜のうち前記第２領域の上にある部分の上面の前記半導体基板からの高さよりも低くなるように、前記研磨停止膜を加工する第１加工工程を含むことを特徴とする請求項１に記載の製造方法。
【請求項３】
前記第１加工工程において、
前記研磨停止膜のうち前記第１領域の上にある部分を露出し、前記研磨停止膜のうち前記第２領域の上にある部分を覆う第１レジストパターンを形成し、
前記第１レジストパターンをマスクとして用いて前記研磨停止膜をエッチングすることを特徴とする請求項２に記載の製造方法。
【請求項４】
前記形成工程は、前記絶縁膜のうち前記第１領域の上にある部分の上面の前記半導体基板からの高さが、前記絶縁膜のうち前記第２領域の上にある部分の上面の前記半導体基板からの高さよりも低くなるように、前記絶縁膜を加工する第２加工工程を含むことを特徴とする請求項１乃至３の何れか１項に記載の製造方法。
【請求項５】
前記第２加工工程において、
前記絶縁膜のうち前記第１領域の上にある部分を露出し、前記絶縁膜のうち前記第２領域の上にある部分を覆う第２レジストパターンを形成し、
前記第２レジストパターンをマスクとして用いて前記絶縁膜をエッチングすることを特徴とする請求項４に記載の製造方法。
【請求項６】
半導体装置の製造方法であって、
半導体基板の上に研磨停止膜を有し、前記研磨停止膜の上に絶縁膜を有し、前記絶縁膜の一部が前記研磨停止膜を貫通して前記半導体基板のトレンチの内部にある構造体を形成する形成工程と、
前記絶縁膜を研磨して前記絶縁膜のうち前記研磨停止膜の上にある部分を除去する研磨工程とを有し、
前記半導体基板は第１領域及び第２領域を有し、
前記第１領域において前記トレンチの占める比率は、前記第２領域において前記トレンチの占める比率よりも低く、
前記研磨工程の後に、前記絶縁膜のうち前記第１領域の上にある部分の上面の前記半導体基板からの高さと、前記絶縁膜のうち前記第２領域の上にある部分の上面の前記半導体基板からの高さとの差を低減するように前記絶縁膜を加工する第３加工工程を更に有することを特徴とする製造方法。
【請求項７】
前記第３加工工程において、
前記絶縁膜のうち前記第１領域の上にある部分を露出し、前記絶縁膜のうち前記第２領域の上にある部分を覆う第３レジストパターンを形成し、
前記第３レジストパターンをマスクとして用いて前記絶縁膜をエッチングすることを特徴とする請求項６に記載の製造方法。
【請求項８】
前記構造体は、前記半導体基板と前記研磨停止膜との間にポリシリコン膜を更に有することを特徴とする請求項１乃至７の何れか１項に記載の製造方法。
【請求項９】
前記半導体装置は、前記半導体基板に画素領域及び周辺回路領域を有する光電変換装置であり、
前記第１領域は前記画素領域を含み、前記第２領域は前記周辺回路領域を含むことを特徴とする請求項１乃至８の何れか１項に記載の製造方法。
【請求項１０】
前記画素領域は、前記半導体基板に形成された不純物半導体領域の内部に形成され、
前記第１領域は、前記不純物半導体領域を含むことを特徴とする請求項９に記載の製造方法。
【請求項１１】
前記周辺回路領域は、ダミーの活性領域を含むことを特徴とする請求項９又は１０に記載の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体装置の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
デジタルカメラやビデオカメラなどに用いられる光電変換装置（例えば、ＣＭＯＳイメージセンサ）では、光電変換領域及びその信号を処理するためのトランジスタの微細化が進んでいる。特許文献１では、このような微細化に対応するため、従来のＬＯＣＯＳ法ではなくＳＴＩ法を用いて素子分離領域を形成する。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００３−１４２６７４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
光電変換装置では、画素領域の微細化に伴い、画素領域において受光領域の占める比率（面積比率）が増加している。その結果、光電変換装置では、画素領域において素子分離領域の占める比率と、周辺回路領域において素子分離領域の占める比率とが互いに異なる。ＳＴＩ法によって素子分離領域を形成すると、この比率の違いに起因して、トレンチに埋め込まれた分離絶縁膜の高さにばらつきが生じる可能性がある。分離絶縁膜の高さがばらつくと、分離絶縁膜の高さを適切な範囲に収めるのが困難になる。分離絶縁膜の高さのばらつきは、光電変換装置だけでなく、一般の半導体装置においても発生する可能性がある。そこで、本発明は、半導体装置におけるＳＴＩ型の分離絶縁膜の高さのばらつきを低減するための技術を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
上記課題に鑑みて、本発明の一部の側面では、半導体装置の製造方法であって、半導体基板の上に研磨停止膜を有し、前記研磨停止膜の上に絶縁膜を有し、前記絶縁膜の一部が前記研磨停止膜を貫通して前記半導体基板のトレンチの内部にある構造体を形成する形成工程と、前記絶縁膜を研磨して前記絶縁膜のうち前記研磨停止膜の上にある部分を除去する研磨工程とを有し、前記半導体基板は第１領域及び第２領域を有し、前記第１領域において前記トレンチの占める比率は、前記第２領域において前記トレンチの占める比率よりも低く、前記形成工程において、前記絶縁膜のうち前記第１領域の上にある部分の上面の前記半導体基板からの高さが、前記絶縁膜のうち前記第２領域の上にある部分の上面の前記半導体基板からの高さよりも低くなるように前記構造体を形成することを特徴とする製造方法が提供される。本発明の別の側面では、半導体装置の製造方法であって、半導体基板の上に研磨停止膜を有し、前記研磨停止膜の上に絶縁膜を有し、前記絶縁膜の一部が前記研磨停止膜を貫通して前記半導体基板のトレンチの内部にある構造体を形成する形成工程と、前記絶縁膜を研磨して前記絶縁膜のうち前記研磨停止膜の上にある部分を除去する研磨工程とを有し、前記半導体基板は第１領域及び第２領域を有し、前記第１領域において前記トレンチの占める比率は、前記第２領域において前記トレンチの占める比率よりも低く、前記研磨工程の後に、前記絶縁膜のうち前記第１領域の上にある部分の上面の前記半導体基板からの高さと、前記絶縁膜のうち前記第２領域の上にある部分の上面の前記半導体基板からの高さとの差を低減するように前記絶縁膜を加工する第３加工工程を更に有することを特徴とする製造方法が提供される。
【発明の効果】
【０００６】
上記手段により、半導体装置におけるＳＴＩ型の分離絶縁膜の高さのばらつきを低減するための技術が提供される。
【図面の簡単な説明】
【０００７】
【図１】一部の実施形態の光電変換装置の構造を説明する平面図。
【図２】図１の光電変換装置の製造方法の一例を説明する断面図。
【図３】図１の光電変換装置の製造方法の別の例を説明する断面図。
【図４】図１の光電変換装置の製造方法の別の例を説明する断面図。
【発明を実施するための形態】
【０００８】
添付の図面を参照しつつ本発明の実施形態について以下に説明する。様々な実施形態を通じて同様の要素には同一の参照符号を付し、重複する説明を省略する。また、各実施形態は適宜変更、組み合わせが可能である。本発明はＳＴＩ型の分離絶縁膜を有する任意の半導体装置に適用可能である。以下では、そのような半導体装置の一例として光電変換装置について説明する。
【０００９】
図１の平面図を参照して、一部の実施形態に係る光電変換装置１００の構成例について説明する。光電変換装置１００は、半導体基板１０１に、画素領域１０２と、その周囲に配された周辺回路領域１０４とを有する。半導体基板１０１は、例えばシリコンで形成される。画素領域１０２とは、光電変換素子や、この光電変換素子で発生した電荷を転送するためのトランジスタ等の回路素子で構成される画素がアレイ状に配された領域のことである。画素領域１０２は、半導体基板１０１に形成された不純物半導体領域１０３の内部に形成される。不純物半導体領域１０３はウェル領域とも呼ばれる。周辺回路領域１０４とは、画素領域１０２の回路素子を駆動するための回路や、画素領域１０２からの信号を処理するための回路などが形成された領域のことである。
【００１０】
画素領域１０２において素子分離領域の占める比率は、周辺回路領域１０４において素子分離領域の占める比率よりも低い。また、不純物半導体領域１０３では、画素領域１０２以外の領域においても活性領域が広いので、不純物半導体領域１０３において素子分離領域の占める比率も、周辺回路領域１０４において素子分離領域の占める比率よりも低い。
【００１１】
半導体基板１０１の各領域において素子分離領域の占める比率は、例えば、半導体基板１０１の表面における当該領域の面積に対する、半導体基板１０１の表面（主面）における素子分離領域の面積の比率によって規定される。例えば、不純物半導体領域１０３において素子分離領域の占める比率は、半導体基板１０１の表面へ素子分離領域の外縁と不純物半導体領域１０３の外縁とを正射影した場合の正射影図にて求めることができる。例えば、素子分離領域の外縁と不純物半導体領域１０３の外縁とは、光電変換装置の断面から求めることもできる。各領域において素子分離領域が複数の分割されている場合に、その複数の素子分離領域の面積の合計の比率によって規定される。画素領域１０２又は不純物半導体領域１０３において素子分離領域の占める比率と、周辺回路領域１０４において素子分離領域の占める比率との差が低減するように、周辺回路領域１０４にダミーの活性領域を配してもよい。すなわち、周辺回路領域１０４のうち回路素子が形成されない領域の一部に、素子分離領域を形成しなくてもよい。
【００１２】
続いて、図２を参照して、光電変換装置１００の製造方法の一例について説明する。図２の各図は、光電変換装置１００の各工程において形成される構造体の断面を示す。半導体基板１０１は領域１０１ａと領域１０１ｂとを有する。領域１０１ａにおいて素子分離領域の占める比率は、領域１０１ｂにおいて素子分離領域の占める比率よりも低い。領域１０１ａは、例えば画素領域１０２や不純物半導体領域１０３を含む。領域１０１ｂは、例えば周辺回路領域１０４を含む。
【００１３】
まず、図２（ａ）に示すように、半導体基板１０１の面（主面）の上に、シリコン酸化膜２０１と、ポリシリコン膜２０２と、シリコン窒化膜２０３とをこの順に形成する。この半導体基板１０１の面を上面とする。シリコン酸化膜２０１は例えば半導体基板１０１のシリコンを熱酸化することによって形成される。ポリシリコン膜２０２及びシリコン窒化膜２０３は例えばＣＶＤ法により成膜される。
【００１４】
続いて、シリコン窒化膜２０３のうち半導体基板１０１の領域１０１ｂの上にある部分を覆い、シリコン窒化膜２０３のうち半導体基板１０１の領域１０１ａの上にある部分を露出するレジストパターン２０４をフォトリソグラフィにより形成する。このレジストパターン２０４をマスクとして用いてシリコン窒化膜２０３をエッチングすることによって、シリコン窒化膜２０３のうち半導体基板１０１の領域１０１ａの上にある部分の厚さを低減する。このエッチングは例えばドライエッチングである。これにより、図２（ｂ）に示す構造体が形成される。この構造体において、シリコン窒化膜２０３のうち領域１０１ａの上にある部分の上面の半導体基板１０１からの高さ２０３ａは、シリコン窒化膜２０３のうち領域１０１ｂの上にある部分の上面の半導体基板１０１からの高さ２０３ｂよりも低い。その後、レジストパターン２０４を除去する。本明細書において、半導体基板１０１からの高さとは、半導体基板１０１の上面からの高さである。
【００１５】
続いて、シリコン窒化膜２０３のうち活性領域の上にある部分を覆い、シリコン窒化膜２０３のうち素子分離領域の上にある部分を露出するレジストパターン２０５をフォトリソグラフィにより形成する。このレジストパターン２０５をマスクとして用いて、シリコン窒化膜２０３、ポリシリコン膜２０２、シリコン酸化膜２０１及び半導体基板１０１を順にエッチングして、半導体基板１０１にトレンチ２０６を形成する。トレンチ２０６は、半導体基板１０１のうち素子分離領域となるべき部分に所定の深さまで形成される。このエッチングは例えばドライエッチングである。これにより、図２（ｃ）に示す構造体が形成される。その後、レジストパターン２０５を除去する。領域１０１ａにおいて素子分離領域の占める比率が領域１０１ｂにおいて素子分離領域の占める比率よりも低いので、第１領域１０１ａにおいてトレンチ２０６の占める比率は、第２領域１０１ｂにおいてトレンチ２０６の占める比率よりも低い。ここで、半導体基板１０１はトレンチ２０６を有するため、半導体基板１０１の上面は凹みを有する。しかし、以下の説明においては、簡単のため、半導体基板１０１の上面とはトレンチ２０６以外の部分であるものとし、半導体基板１０１からの高さとはトレンチ２０６以外の半導体基板１０１の上面を含む面からの高さであるとする。
【００１６】
続いて、図２（ｄ）に示すように、シリコン酸化膜２０７を形成する。シリコン酸化膜２０７の一部はシリコン酸化膜２０１、ポリシリコン膜２０２及びシリコン窒化膜２０３を貫通してトレンチ２０６の内部にあり、シリコン酸化膜２０７の他の一部はシリコン窒化膜２０３の上にある。シリコン酸化膜２０７は、例えば半導体基板１０１のトレンチ２０６の側壁を熱酸化し、更に酸化シリコンをＣＶＤで堆積することによって形成される。この構造体において、シリコン酸化膜２０７のうち領域１０１ａの上にある部分の上面の半導体基板１０１からの高さ２０７ａは、シリコン酸化膜２０７のうち領域１０１ｂの上にある部分の上面の半導体基板１０１からの高さ２０７ｂよりも低い。
【００１７】
続いて、図２（ｅ）に示すように、シリコン酸化膜２０７をＣＭＰ法によって研磨することによって、シリコン酸化膜２０７のうちシリコン窒化膜２０３の上にある部分を除去する。シリコン酸化膜２０７のうち研磨後に残った部分が分離絶縁膜２０８となる。このＣＭＰ法を行う前にシリコン酸化膜２０７をエッチバックして、シリコン酸化膜２０７の厚さを低減してもよい。シリコン窒化膜２０３は、この研磨において露出される研磨停止膜として機能する。研磨後に、領域１０１ａにおける分離絶縁膜２０８の上面の半導体基板１０１からの高さ２０８ａと、領域１０１ｂにおける分離絶縁膜２０８の上面の半導体基板１０１からの高さ２０８ｂとは、互いに等しくなる。
【００１８】
続いて、図２（ｆ）に示すように、分離絶縁膜２０８の高さをエッチングにより調整する。続いて、図２（ｇ）に示すように、シリコン窒化膜２０３、ポリシリコン膜２０２及びシリコン酸化膜２０１のそれぞれのうち、不要な部分を除去する。シリコン酸化膜２０１の一部は、拡散層を形成する際のイオン注入のダメージから半導体基板１０１を保護するために、除去せず残しておいてもよい。
【００１９】
以上により、半導体基板１０１に素子分離領域にＳＴＩ型の分離絶縁膜２０８が形成される。その後、必要な処理を行って、光電変換装置１００が完成する。この光電変換装置１００では、領域１０１ａにおける分離絶縁膜２０８の高さと、領域１０１ｂにおける分離絶縁膜２０８の高さとが互いに等しい。この分離絶縁膜２０８の高さは、半導体基板１０１の上面からの突出し量と呼んでもよい。図２（ｂ）においてシリコン窒化膜２０３のうち半導体基板１０１の領域１０１ａの上にある部分の厚さを低減する量は、分離絶縁膜２０８の高さが互いに等しくなるように決定される。
【００２０】
上述の実施形態において、シリコン窒化膜２０３のうち半導体基板１０１の領域１０１ａの上にある部分の厚さを低減しなかった場合を検討する。この場合に、シリコン酸化膜２０７の研磨前の領域１０１ａにおける高さ２０７ａと領域１０１ｂにおける高さ２０７ｂとは互いに等しくなる。そのため、素子分離領域の比率の差に起因して、研磨後に得られる分離絶縁膜２０８は、領域１０１ａにおける高さ２０８ａの方が領域１０１ｂにおける高さ２０８ｂよりも高くなる。分離絶縁膜２０８の高さが高すぎる場合に、その後の工程でのゲート電極を形成するためのポリシリコン膜のエッチングにおいて、分離絶縁膜２０８の突出し部分の側壁にポリシリコンが残渣してショートが発生する可能性がある。逆に、分離絶縁膜２０８の高さが低すぎる場合に、リーク電流の増加を引き起こす可能性がある。本実施形態では、上述のようにシリコン窒化膜２０３を加工することによって、分離絶縁膜２０８の高さのばらつきを低減することができ、分離絶縁膜２０８の高さを適切な範囲に収めることが容易になり、ショートの発生やリーク電流の増加を抑制できる。
【００２１】
続いて、図３を参照して、光電変換装置１００の製造方法の別の例について説明する。図３の各図は、光電変換装置１００の各工程において形成される構造体の断面を示す。図２で説明した例と同様に、領域１０１ａにおいて素子分離領域の占める比率は、領域１０１ｂにおいて素子分離領域の占める比率よりも低い。
【００２２】
まず、図３（ａ）に示すように、図２（ａ）と同様にして、半導体基板１０１の上に、シリコン酸化膜２０１と、ポリシリコン膜２０２と、シリコン窒化膜２０３とをこの順に形成する。
【００２３】
続いて、シリコン窒化膜２０３のうち活性領域の上にある部分を覆い、シリコン窒化膜２０３のうち素子分離領域の上にある部分を露出するレジストパターン３０１をフォトリソグラフィにより形成する。このレジストパターン３０１をマスクとして用いて、シリコン窒化膜２０３、ポリシリコン膜２０２、シリコン酸化膜２０１及び半導体基板１０１を順にエッチングすることによって、トレンチ２０６を形成する。トレンチ２０６は、半導体基板１０１のうち素子分離領域となるべき部分に所定の深さまで形成される。このエッチングは例えばドライエッチングである。これにより、図３（ｂ）に示す構造体が形成される。その後、レジストパターン３０１を除去する。
【００２４】
続いて、図３（ｃ）に示すように、シリコン酸化膜３０２を形成する。シリコン酸化膜３０２の一部はシリコン酸化膜２０１、ポリシリコン膜２０２及びシリコン窒化膜２０３を貫通してトレンチ２０６の内部にあり、シリコン酸化膜２０７の他の一部はシリコン窒化膜２０３の上にある。シリコン酸化膜３０２は、例えば半導体基板１０１のトレンチ２０６の側壁を熱酸化し、更に酸化シリコンをＣＶＤで堆積することによって形成される。
【００２５】
続いて、シリコン酸化膜３０２のうち半導体基板１０１の領域１０１ｂの上にある部分を覆い、シリコン酸化膜３０２のうち半導体基板１０１の領域１０１ａの上にある部分を露出するレジストパターン３０３をフォトリソグラフィにより形成する。このレジストパターン３０３をマスクとして用いてシリコン酸化膜３０２をエッチングすることによって、シリコン酸化膜３０２のうち半導体基板１０１の領域１０１ａの上にある部分の厚さを低減する。このエッチングは例えばドライエッチングである。これにより、図３（ｄ）に示す構造体が形成される。この構造体において、シリコン酸化膜３０２のうち領域１０１ａの上にある部分の上面の半導体基板１０１からの高さ３０２ａは、シリコン酸化膜３０２のうち領域１０１ｂの上にある部分の上面の半導体基板１０１からの高さ３０２ｂよりも低い。その後、レジストパターン３０３を除去する。
【００２６】
続いて、図３（ｄ）に示すように、シリコン酸化膜３０２をＣＭＰ法によって研磨することによって、シリコン酸化膜３０２のうちシリコン窒化膜２０３の上にある部分を除去する。シリコン酸化膜３０２のうち研磨後に残った部分が分離絶縁膜３０４となる。このＣＭＰ法を行う前にシリコン酸化膜３０２をエッチバックして、シリコン酸化膜３０２の厚さを低減してもよい。研磨後に、領域１０１ａにおける分離絶縁膜３０４の上面の半導体基板１０１からの高さ３０４ａと、領域１０１ｂにおける分離絶縁膜３０４の上面の半導体基板１０１からの高さ３０４ｂとは、互いに等しくなる。
【００２７】
続いて、図３（ｆ）に示すように、分離絶縁膜３０４の高さをエッチングにより調整する。続いて、図３（ｇ）に示すように、シリコン窒化膜２０３、ポリシリコン膜２０２及びシリコン酸化膜２０１のそれぞれのうち、不要な部分を除去する。シリコン酸化膜２０１の一部は、拡散層を形成する際のイオン注入のダメージから半導体基板１０１を保護するために、除去せず残しておいてもよい。
【００２８】
以上により、半導体基板１０１に素子分離領域にＳＴＩ型の分離絶縁膜３０４が形成される。その後、必要な処理を行って、光電変換装置１００が完成する。図３（ｄ）においてシリコン酸化膜３０２のうち半導体基板１０１の領域１０１ａの上にある部分の厚さを低減する量は、分離絶縁膜３０４の高さが互いに等しくなるように決定される。
【００２９】
続いて、図４を参照して、光電変換装置１００の製造方法の別の例について説明する。図４の各図は、光電変換装置１００の各工程において形成される構造体の断面を示す。図２で説明した例と同様に、領域１０１ａにおいて素子分離領域の占める比率は、領域１０１ｂにおいて素子分離領域の占める比率よりも低い。
【００３０】
まず、図４（ａ）に示すように、図２（ａ）と同様にして、半導体基板１０１の上に、シリコン酸化膜２０１と、ポリシリコン膜２０２と、シリコン窒化膜２０３とをこの順に形成する。続いて、図４（ｂ）に示すように、図３（ｂ）と同様にして、トレンチ２０６を形成する。続いて、図４（ｃ）に示すように、図３（ｃ）と同様にして、シリコン酸化膜３０２を形成する。
【００３１】
続いて、図４（ｄ）に示すように、シリコン酸化膜３０２をＣＭＰ法によって研磨することによって、シリコン酸化膜３０２のうちシリコン窒化膜２０３の上にある部分を除去する。シリコン酸化膜３０２のうち研磨後に残った部分が分離絶縁膜３０４となる。このＣＭＰ法を行う前にシリコン酸化膜３０２をエッチバックして、シリコン酸化膜３０２の厚さを低減してもよい。素子分離領域の密度の差に起因して、研磨後に、領域１０１ａにおける分離絶縁膜３０４の上面の半導体基板１０１からの高さ３０４ｃは、領域１０１ｂにおける分離絶縁膜３０４の上面の半導体基板１０１からの高さ３０４ｄよりも高い。
【００３２】
続いて、図４（ｅ）に示すように、分離絶縁膜３０４の高さをエッチングにより調整する。このエッチングは、領域１０１ａにある分離絶縁膜３０４と、領域１０１ｂにある分離絶縁膜３０４との両方に対して行われる。
【００３３】
続いて、分離絶縁膜３０４のうち半導体基板１０１の領域１０１ｂの上にある部分を覆い、分離絶縁膜３０４のうち半導体基板１０１の領域１０１ａの上にある部分を露出するレジストパターン４０１をフォトリソグラフィにより形成する。このレジストパターン４０１をマスクとして用いて分離絶縁膜３０４をエッチングすることによって、半導体基板１０１の領域１０１ａにある分離絶縁膜３０４の厚さを低減する。このエッチングは例えばドライエッチングである。これにより、図３（ｆ）に示す構造体が形成される。この構造体において、領域１０１ａにおける分離絶縁膜３０４の上面の半導体基板１０１からの高さ３０４ｅと、領域１０１ｂにおける分離絶縁膜３０４の上面の半導体基板１０１からの高さ３０４ｆとは互いに等しい。その後、レジストパターン４０１を除去する。
【００３４】
続いて、図４（ｇ）に示すように、シリコン窒化膜２０３、ポリシリコン膜２０２及びシリコン酸化膜２０１のそれぞれのうち、不要な部分を除去する。シリコン酸化膜２０１の一部は、拡散層を形成する際のイオン注入のダメージから半導体基板１０１を保護するために、除去せず残しておいてもよい。
【００３５】
以上により、半導体基板１０１に素子分離領域にＳＴＩ型の分離絶縁膜３０４が形成される。その後、必要な処理を行って、光電変換装置１００が完成する。図４の製造方法において、図４（ｅ）の工程と図４（ｆ）の工程とはどちらを先に行ってもよい。
【００３６】
図２〜図４の何れの製造方法によっても、分離絶縁膜２０８、３０４の上面の半導体基板１０１からの高さのばらつきを抑制できる。また、図２〜図４の何れの製造方法を組み合わせて光電変換装置１００を製造してもよい。
【符号の説明】
【００３７】
１０１  半導体基板；  ２０１  シリコン酸化膜；  ２０２  ポリシリコン膜；  ２０３  シリコン窒化膜；  ２０６  トレンチ；  ２０７  シリコン酸化膜；  ２０８  分離絶縁膜２０８
【図１】
2015185609.tif 000003
【図２】
2015185609.tif 000004
【図３】
2015185609.tif 000005
【図４】
2015185609.tif 000006