(57)【要約】【課題】センサーが透明基板を検知でき、透明基板を処理した後に金属汚染の発生及び残渣の発生を抑制できるセンサー検知用基板を提供する。【解決手段】本発明の一態様は、透明基板１０１と、前記透明基板の第２の面に形成された凹凸１０１ｃと、前記第２の面に形成された非金属膜１０２と、前記透明基板の第１の面に形成された研磨面１０１ａと、を具備するセンサー検知用基板である。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
透明基板と、
前記透明基板の第１の面に形成された研磨面と、
前記透明基板の第１の面とは反対側の第２の面に形成された凹凸と、
前記第２の面に形成された非金属膜と、
を具備することを特徴とするセンサー検知用基板。
【請求項２】
請求項１において、
前記研磨面の表面粗さＲａが下記式１を満たし、
前記凹凸を形成した前記第２の面の表面粗さＲａが下記式２を満たすことを特徴とするセンサー検知用基板。
Ｒａ≦０．５ｎｍ  ・・・（式１）
Ｒａ≧０．１μｍ  ・・・（式２）
【請求項３】
請求項１または２において、
前記非金属膜は半導体膜であることを特徴とするセンサー検知用基板。
【請求項４】
透明基板の第１の面を研磨し、
前記透明基板の第１の面とは反対側の第２の面に凹凸を形成し、  前記第２の面に非金属膜を形成することを特徴とするセンサー検知用基板の製造方法。
【請求項５】
請求項４において、
前記透明基板の第１の面を研磨することで、当該研磨した面の表面粗さＲａが下記式１を満たし、
前記凹凸を形成した面の表面粗さＲａが下記式２を満たすことを特徴とするセンサー検知用基板。
Ｒａ≦０．５ｎｍ  ・・・（式１）
Ｒａ≧０．１μｍ  ・・・（式２）
【請求項６】
請求項４または５において、
前記非金属膜は半導体膜であることを特徴とするセンサー検知用基板の製造方法。
【請求項７】
請求項４乃至６のいずれか一項において、
前記非金属膜を形成した後に、前記透明基板の第１の面上に酸化膜または酸窒化膜を形成し、前記酸化膜または酸窒化膜をドライエッチングしても残渣が前記透明基板の外周に残らないことを特徴とするセンサー検知用基板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、センサー検知用基板及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
ディスプレイ関連材料に用いられる従来例１の透明基板には、これまで両面ともに鏡面状態のものが広く使われてきた。その透明基板の製造方法は特許文献１に示されている。具体的には、スライスされた合成石英基板をラッピングして所望の板厚にし、両面ポリッシュ装置により粗研磨と、仕上げ研磨がなされて、両面ともに鏡面の透明基板が作製される。
【０００３】
上記の透明基板の使用例としては、透明基板の一方の面上にＴＦＴ素子、マイクロレンズアレイなどの構造体を形成したものが挙げられる（例えば特許文献２参照）。
【０００４】
また、従来例２として両面が鏡面になっているサファイア基板と、シリコン基板と、を貼り合わせた基板が挙げられる。サファイア基板のＢ面側を粗面化し、さらにシリサイドを形成する高融点金属（Ｗ，Ｔｉ，Ｍｏ，Ｔａなど）でその粗面化したＢ面を覆う。粗面化によって、基板どうしの貼り合わせの際の熱による基板変形の抑制、各装置ステージからの吸脱着を容易にする効果をもたらす（例えば特許文献３参照）。
【０００５】
ところで、昨今のパネル高精細化要求から、ＴＦＴや、集光レンズパーツであるマイクロレンズなどの構造体の微細化要求が高まっている。
一方、微細化技術で先行するＩＣラインでは、ＴＦＴなどの構造体にこれから求められる微細化要求に対応できるサブミクロンルールのラインに余剰が生まれつつある。
【０００６】
そこで、ＩＣラインの余剰設備をＴＦＴなどの構造体を作製する基板にも融通することで投資を抑制することができ、さらにＩＣの微細化技術を活用することもできると考えられる。
【０００７】
ＩＣラインのＩＣ生産用装置を用いて透明基板の処理を行う場合、その透明基板をＩＣ生産用装置がセンサーによって検知する際に検知できないという問題がある。その理由は、ＩＣ生産用装置のセンサーが基板に光を照射してその光が基板を透過したか否かによって基板の存在を検知するものだからである。
【０００８】
詳細には、上述した従来例１の透明基板では、両面が鏡面になっているため、その透明基板にセンサーが光を照射しても光が基板の両面で散乱することなく透過してしまう。その結果、多くのＩＣ生産用装置において透明基板を検知できないという問題が発生する。
【０００９】
また、透明基板として従来例２のサファイア基板を用いた場合、そのサファイア基板のＢ面に高融点金属膜が形成されているため、ＩＣ生産用装置がセンサーによって検知できない問題はある程度解決できる。しかし、サファイア基板のＡ面側にトランジスターなどの構造体を形成する際に、Ｂ面に形成された高融点金属膜から生じる金属汚染による特性劣化が問題となる。
【００１０】
また、石英やサファイアに代表される透明基板の多くは、熱伝導率がＩＣで使用されているシリコン基板に比べて著しく低い。そのため、ＩＣ生産用装置の基板のステージ形状や構造によって透明基板の処理中に透明基板の均熱性が低下することがある。それによって透明基板の温度の面内ばらつきによる残渣（具体的には、エッチング時の膜残りや、レジスト焦げなど）の発生が問題となる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【００１１】
【特許文献１】特開２０１０−１７８４１
【特許文献２】特開２００６−３３０１４２
【特許文献３】特開２００９−２２９７５３
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１２】
本発明の幾つかの態様は、センサーが透明基板を検知でき、透明基板を処理した後に金属汚染の発生及び残渣の発生を抑制できるセンサー検知用基板またはその製造方法に関連している。
【課題を解決するための手段】
【００１３】
本発明の一態様は、透明基板と、前記透明基板の第１の面に形成された研磨面と、前記透明基板の第１の面とは反対側の第２の面に形成された凹凸と、前記第２の面に形成された非金属膜と、を具備することを特徴とするセンサー検知用基板である。なお、本明細書において「センサー検知用基板」とは、光を照射するセンサーによって検知できる基板を意味する。
【００１４】
上記本発明の一態様によれば、透明基板の第２の面に凹凸を形成し、その凹凸を形成した面に非金属膜を形成するため、センサーから透明基板に入射した光がその凹凸によって散乱され、その非金属膜によって遮蔽される。その結果、センサーの受光側に到達する光量を減少させることができ、それにより透明基板を検知することが容易になる。また、凹凸を形成した面に非金属膜を形成するため、金属汚染の発生を抑制できる。また、透明基板の第２の面に凹凸を形成することで表面積を増加させ、それによって処理中に透明基板に蓄えられる熱を逃がす効率を高めることができ、さらにその凹凸を形成した面に非金属膜を形成することで透明基板の熱伝導率を高めることができる。その結果、透明基板の面内の均熱性向上に寄与することができ、透明基板の温度の面内ばらつきによる残渣の発生を抑制できる。
【００１５】
また、本発明の一態様において、前記研磨面の表面粗さ（算術平均粗さ）Ｒａが下記式１を満たし、前記凹凸を形成した前記第２の面の表面粗さ（算術平均粗さ）Ｒａが下記式２を満たす。これにより、センサーが透明基板を容易に検知でき、透明基板を処理した後に金属汚染の発生及び残渣の発生を抑制する効果を高めることができる。
Ｒａ≦０．５ｎｍ  ・・・（式１）
Ｒａ≧０．１μｍ  ・・・（式２）
【００１６】
また、本発明の一態様において、前記非金属膜は半導体膜である。なお、半導体膜はシリコン膜であることが好ましく、シリコン膜は多結晶シリコン膜、アモルファスシリコン膜を含む。
【００１７】
本発明の一態様は、透明基板の第１の面を研磨し、前記透明基板の第１の面とは反対側の第２の面に凹凸を形成し、前記第２の面に非金属膜を形成することを特徴とするセンサー検知用基板の製造方法である。
【００１８】
上記本発明の一態様によれば、センサーから透明基板に入射した光が、透明基板の第２の面に形成した凹凸によって散乱され、透明基板の第２の面に形成した非金属膜によって遮蔽される。それにより透明基板を検知することが容易になり、非金属膜によって金属汚染の発生を抑制でき、凹凸及び非金属膜によって透明基板の面内の均熱性を向上させ、透明基板の温度の面内ばらつきによる残渣の発生を抑制できる。
【００１９】
また、本発明の一態様において、前記透明基板の第１の面を研磨することで、当該研磨した面の表面粗さ（算術平均粗さ）Ｒａが下記式１を満たし、
前記凹凸を形成した面の表面粗さ（算術平均粗さ）Ｒａが下記式２を満たす。これにより、センサーが透明基板を検知でき、透明基板を処理した後に金属汚染の発生及び残渣の発生を抑制する効果を高めることができる。
Ｒａ≦０．５ｎｍ  ・・・（式１）
Ｒａ≧０．１μｍ  ・・・（式２）
【００２０】
また、本発明の一態様において、前記非金属膜は半導体膜である。なお、半導体膜はシリコン膜であることが好ましい。
【００２１】
また、本発明の一態様において、前記非金属膜を形成した後に、前記透明基板の第１の面上に酸化膜または酸窒化膜を形成し、前記酸化膜または酸窒化膜をドライエッチングしても残渣が前記透明基板の外周に残らない。なお、残渣には、ドライエッチング時の膜残り、レジスト焦げなどを含む。
【００２２】
上記本発明の一態様によれば、透明基板に形成した凹凸及び非金属膜によって透明基板の面内の均熱性を向上させることができる。そのため、酸化膜または酸窒化膜をドライエッチングした際、プラズマ輻射熱によって蓄えられた熱を逃がすことができ、それにより、エッチングレートの低下に起因する膜残りなどの残渣の発生を抑制できる。
【図面の簡単な説明】
【００２３】
【図１】（Ａ）〜（Ｄ）は、本発明の一態様に係るセンサー検知用基板の製造方法を説明するための断面図。
【図２】（Ａ）〜（Ｄ）は、比較例としてのセンサー検知用基板の製造方法を説明するための断面図。
【図３】本実施形態の石英基板（片面研磨）及び比較例の石英基板（両面研磨）の光の散乱特性評価結果を示す図。
【図４】（Ａ），（Ｂ）は比較例の多結晶シリコン膜の膜残りの有無の観察結果を示図、（Ｃ），（Ｄ）は実施形態の多結晶シリコン膜の膜残りの有無の観察結果を示す図。
【図５】実施形態の第２の面に凹凸と多結晶シリコン膜を形成した石英基板（片面研磨）及び比較例の第２の面に多結晶シリコン膜を形成し、凹凸は形成していない石英基板（両面研磨）について基板検知評価を行った結果を示す図。
【図６】（Ａ），（Ｂ）は比較例の外観検査によるレジスト焦げの有無の観察結果を示す図、（Ｃ），（Ｄ）は実施形態の外観検査によるレジスト焦げの有無の観察結果を示す図。
【発明を実施するための形態】
【００２４】
以下では、本発明の実施の形態について図面を用いて詳細に説明する。ただし、本発明は以下の説明に限定されず、本発明の趣旨及びその範囲から逸脱することなくその形態及び詳細を様々に変更し得ることは、当業者であれば容易に理解される。従って、本発明は以下に示す実施の形態の記載内容に限定して解釈されるものではない。
【００２５】
［実施形態のセンサー検知用基板の製造方法］
本発明の一態様に係るセンサー検知用基板の製造方法について図１を参照しつつ説明する。
【００２６】
まず、図１（Ａ）に示すように、透明基板としての石英基板１０１を用意する。石英基板１０１のサイズは、φ２００ｍｍ、厚さ０．７２５ｍｍである。なお、本実施形態では、石英基板を用いているが、透明基板であれば他の材質の基板でもよく、例えば石英ガラス基板またはガラス基板でもよい。
【００２７】
次いで、石英基板１０１の両面を研磨することで、その研磨面１０１ａの表面粗さ（算術平均粗さ）Ｒａが下記式１を満たすものとなる。
Ｒａ≦０．５ｎｍ  ・・・（式１）
【００２８】
その後、石英基板１０１の第２の面１０１ｂを粗面化して凹凸１０１ｃを形成する。この凹凸１０１ｃを形成した面の表面粗さ（算術平均粗さ）Ｒａは下記式２を満たすものとなる。
Ｒａ≧０．１μｍ  ・・・（式２）
なお本実施形態では、石英基板１０１の両面を研磨した後に、第２の面１０１ｂに凹凸１０１ｃを形成するが、これに限定されない。石英基板１０１の両面に凹凸を形成した後に、第１の面を研磨して研磨面１０１ａを形成してもよい。また、石英基板１０１の第２の面１０１ｂに凹凸１０１ｃを形成した後に、第２の面１０１ｂとは反対側の第１の面を研磨して研磨面１０１ａを形成してもよい。石英基板１０１の第１の面を研磨して研磨面１０１ａを形成した後に、第１の面とは反対側の第２の面１０１ｂに凹凸１０１ｃを形成してもよい。その研磨面１０１ａの表面粗さ（算術平均粗さ）Ｒａは上記式１を満たすものとなる。その凹凸１０１ｃを形成した面の表面粗さ（算術平均粗さ）Ｒａは上記式２を満たすものとなる。      
【００２９】
次いで、上記のようにして得られた石英基板１０１の光の散乱特性評価を行った。その結果は、図３に示すとおりであり、後述する。
【００３０】
次に、図１（Ｂ）に示すように、石英基板１０１の両面にＬＰ−ＣＶＤ（Low Pressure CVD）法により膜厚４００ｎｍの多結晶シリコン膜１０２を堆積させる。詳細には、石英基板１０１の研磨面１０１ａ上及び凹凸１０１ｃを形成した面上に膜厚４００ｎｍの多結晶シリコン膜１０２を堆積させる。なお、本実施形態では、多結晶シリコン膜１０２の膜厚を４００ｎｍとしているが、１００ｎｍ〜１μｍの膜厚であれば他の膜厚を用いてもよい。また、本実施形態では、多結晶シリコン膜１０２を用いているが、非金属膜であれば他の材質の膜を用いてもよく、例えば半導体膜を用いてもよい。
【００３１】
この後、図１（Ｃ）に示すように、石英基板１０１の研磨面１０１ａ上に形成した多結晶シリコン膜１０２にドライエッチングによって全面エッチバックを行う。この際、石英基板１０１は図示せぬ静電チャック方式のステージ上に保持され、石英基板の温度がコントロールされている。基板の温度コントロールは、適宜温調されたステージとチャックされた基板との間にＨｅなどの不活性ガスを充填し、冷却することで、プラズマの輻射熱による温度上昇を抑え、一定温度に保つ仕組みになっている。
【００３２】
次いで、上記の全面エッチバック後の石英基板１０１の研磨面１０１ａ側に集光器をあてて外観検査を行い、多結晶シリコン膜１０２の膜残りの有無を観察した。その結果は、図４に示すとおりであり、後述する。
【００３３】
次いで、上記の全面エッチバック後の石英基板１０１についてＩＣ生産用装置で実際に基板検知ができるか否かを評価した。その結果は、図５に示すとおりであり、後述する。
【００３４】
次に、図１（Ｄ）に示すように、石英基板１０１の研磨面１０１ａ上にプラズマＣＶＤ法により膜厚２．５μｍのＳｉＯＮ膜１０３を堆積する。なお、本実施形態では、ＳｉＯＮ膜１０３を用いているが、これに限定されるものではなく、ＳｉＯ２膜などの酸化膜を用いてもよい。
【００３５】
次いで、ＳｉＯＮ膜１０３上にフォトリソグラフィ技術によりレジスト膜１０４を形成し、このレジスト膜１０４をマスクとしてＳｉＯＮ膜１０３を１．０μｍの深さまでドライエッチングする。この際、石英基板１０１は図示せぬ静電チャック方式のステージ上に保持され、石英基板の温度がコントロールされている。
【００３６】
次いで、上記のドライエッチング後の石英基板１０１の研磨面１０１ａ側に集光器をあてて外観検査を行い、レジスト焦げの有無を観察した。その結果は、図６に示すとおりであり、後述する。
【００３７】
［比較例のセンサー検知用基板の製造方法］
比較例としてのセンサー検知用基板の製造方法について図２を参照しつつ説明する。
【００３８】
まず、図２（Ａ）に示すように、石英基板１０１を用意する。石英基板１０１は図１（Ａ）に示す石英基板と同様のものである。次いで、石英基板１０１の両面を図１（Ａ）と同様の方法で研磨する。その研磨面１０１ａの表面粗さ（算術平均粗さ）Ｒａは図１（Ａ）に示すものと同様である。
【００３９】
次いで、上記のようにして得られた石英基板１０１の光の散乱特性評価を行った。その結果は、図３に示すとおりであり、図１（Ａ）に示す石英基板１０１の光の散乱特性評価結果と比較しつつ後述する。
【００４０】
次に、図２（Ｂ）に示すように、石英基板１０１の両面に膜厚４００ｎｍの多結晶シリコン膜１０２を図１（Ｂ）と同様の方法で堆積させる。
【００４１】
この後、図２（Ｃ）に示すように、石英基板１０１の研磨面１０１ａ上に形成した多結晶シリコン膜１０２にドライエッチングによって全面エッチバックを行う。この際のドライエッチング条件は図１（Ｃ）に示す工程と同様である。
【００４２】
次いで、上記の全面エッチバック後の石英基板１０１の研磨面１０１ａ側に集光器をあてて外観検査を行い、多結晶シリコン膜１０２の膜残りの有無を観察した。その結果は、図４に示すとおりであり、図１（Ｃ）に示す多結晶シリコン膜１０２の膜残りの有無の観察結果と比較しつつ後述する。
【００４３】
次いで、上記の全面エッチバック後の石英基板１０１についてＩＣ生産用装置で実際に基板検知ができるか否かを評価した。その結果は、図５に示すとおりであり、図１（Ｃ）に示す石英基板１０１についての基板検知評価結果と比較しつつ後述する。
【００４４】
次に、図２（Ｄ）に示すように、石英基板１０１の研磨面１０１ａ上にプラズマＣＶＤ法により膜厚２．５μｍのＳｉＯＮ膜１０３を堆積する。次いで、ＳｉＯＮ膜１０３上にフォトリソグラフィ技術によりレジスト膜１０４を形成し、このレジスト膜１０４をマスクとしてＳｉＯＮ膜１０３を１．０μｍの深さまでドライエッチングする。
【００４５】
次いで、上記のドライエッチング後の石英基板１０１の研磨面１０１ａ側に集光器をあてて外観検査を行い、レジスト焦げの有無を観察した。その結果は、図６に示すとおりであり、図１（Ｄ）に示す石英基板１０１のレジスト焦げの有無観察結果と比較しつつ後述する。
【００４６】
［光の散乱特性評価］
図３は、図１（Ａ）に示す本実施形態の石英基板（片面研磨）及び図２（Ａ）に示す比較例の石英基板（両面研磨）の光の散乱特性評価を行った結果を示す図である。
【００４７】
図３に示すように、比較例の両面研磨した石英基板は、検出器との距離ｆを大きくしても受光率の低下が見られないのに対して、本実施形態の第２の面に凹凸を形成し、第１の面を研磨した石英基板（片面研磨）は、光の散乱によって受光部に到達する光量を抑制できることが分かる。例えば、ｆ／Ｄ＝５にて、波長８００ｎｍでも受光率を５０％以下に抑制できる。なお、光源を短波長側にすることで、さらに受光率低減効果が見られる。
【００４８】
つまり、本実施形態の石英基板１０１では、第２の面に凹凸１０１ｃを形成し、その凹凸１０１ｃを形成した面に多結晶シリコン膜１０２を形成するため、センサーから石英基板１０１に入射した光がその凹凸１０１ｃによって散乱され、多結晶シリコン膜１０２によって遮蔽される。その結果、センサーの受光側に到達する光量を減少させることができ、それにより石英基板１０１を検知することが容易になることが予測できる。
【００４９】
［外観検査：多結晶シリコン膜１０２の膜残り］
図４（Ａ），（Ｂ）は、図２（Ｃ）に示す比較例のドライエッチングによる全面エッチバック後の石英基板１０１の研磨面１０１ａ側に集光器をあてて外観検査を行い、多結晶シリコン膜１０２の膜残りの有無を観察した結果を示すものである。図４（Ａ）は、全面エッチバックした際の静電チャック（ＥＳＣ）方式のステージと石英基板の位置関係を示す断面図であり、図４（Ｂ）は、全面エッチバック後の石英基板の研磨面１０１ａ側を示す平面図である。
【００５０】
図４（Ｃ），（Ｄ）は、図１（Ｃ）に示す本実施形態のドライエッチングによる全面エッチバック後の石英基板１０１の研磨面１０１ａ側に集光器をあてて外観検査を行い、多結晶シリコン膜１０２の膜残りの有無を観察した結果を示すものである。図４（Ｃ）は、全面エッチバックした際の静電チャック（ＥＳＣ）方式のステージと石英基板の位置関係を示す断面図であり、図４（Ｄ）は、全面エッチバック後の石英基板の研磨面１０１ａ側を示す平面図である。
【００５１】
図４（Ａ），（Ｂ）に示すように、比較例の石英基板（両面研磨基板）では、ＥＳＣに接していない石英基板（ウエハー）の最外周で、プラズマ輻射熱の蓄熱により、エッチングレートが低下して多結晶シリコン膜の膜残り１１１が発生したものと考えられる。
【００５２】
これに対し、図４（Ｄ）に示すように、本実施形態の石英基板（片面研磨基板）は、多結晶シリコン膜の残りが無く、研磨面が全面きれいに露出している。これは、石英基板の第２の面の粗面化によってその面の表面積が増えたため、多結晶シリコン膜からの放熱効果が向上し、膜残りに至らなかったものと考えられる。
【００５３】
［基板検知評価］
図５は、図１（Ｃ）に示す本実施形態の第２の面に凹凸と多結晶シリコン膜を形成した石英基板（片面研磨）及び図２（Ｃ）に示す比較例の第２の面に多結晶シリコン膜を形成し、凹凸は形成していない石英基板（両面研磨）について基板検知評価を行った結果を示す図である。
【００５４】
図５に示すように、比較例の両面研磨後の石英基板では、ウエハー有無センサーにて３０枚中１枚検知することができただけであった。このことから多結晶シリコン膜を形成するだけでは基板検知をすることが十分にはできないことが分かった。
【００５５】
一方、本実施形態の第２の面に凹凸と多結晶シリコン膜を形成した石英基板（片面研磨）では、多くのセンサーで基板検知が可能となった。主には、光の散乱によって受光部側に到達する光量が抑制できたためと推察できる。
【００５６】
［外観検査：レジスト焦げ］
図６（Ａ），（Ｂ）は、図２（Ｄ）に示す比較例のドライエッチング後の石英基板１０１の研磨面１０１ａ側に集光器をあてて外観検査を行い、レジスト焦げの有無を観察した結果を示すものであり、図６（Ａ）は、ドライエッチングした際の静電チャック（ＥＳＣ）方式のステージと石英基板の位置関係を示す断面図であり、図６（Ｂ）は、ドライエッチング後の石英基板の研磨面１０１ａ側を示す平面図である。
【００５７】
図６（Ｃ），（Ｄ）は、図１（Ｄ）に示す本実施形態のドライエッチング後の石英基板１０１の研磨面１０１ａ側に集光器をあてて外観検査を行い、レジスト焦げの有無を観察した結果を示すものであり、図６（Ｃ）は、ドライエッチングした際の静電チャック（ＥＳＣ）方式のステージと石英基板の位置関係を示す断面図であり、図６（Ｄ）は、ドライエッチング後の石英基板の研磨面１０１ａ側を示す平面図である。
【００５８】
図６（Ａ），（Ｂ）に示すように、比較例の石英基板（両面研磨基板）では、ＥＳＣに接していない石英基板（ウエハー）の最外周で、プラズマ輻射熱の蓄熱により、レジスト焦げ１１２が発生したものと考えられる。
【００５９】
これに対し、図６（Ｄ）に示すように、本実施形態の石英基板（片面研磨基板）は、レジスト焦げが無かった。これは、石英基板の第２の面の粗面化によってその面の表面積が増えたため、多結晶シリコン膜１０２からの放熱効果が向上し、膜残りに至らなかったものと考えられる。
【００６０】
本実施形態によれば、透明基板の第２の面を粗面化して凹凸を形成することで光散乱効果が得られ、その凹凸を形成した面に多結晶シリコン膜を形成することで透過光が減衰する効果が得られる。その結果、微細加工技術で先行するＩＣラインの製造装置での基板検知精度を向上させることができる。また、多結晶シリコン膜を用いるため、金属汚染の懸念がない。また、上記の粗面化による表面積の増大が冷却効率の向上に寄与する。即ち、粗面化による表面積の増大がＩＣ生産用装置の基板のステージからの温調効率を高めることができる。また、熱伝導率の高い多結晶シリコン膜が透明基板からの放熱効果の向上に寄与する。即ち、多結晶シリコン膜がＩＣ生産用装置の基板のステージからの温調効率を高め、均熱性向上に寄与する。
【００６１】
また、透明基板の第２の面を粗面化による光散乱効果と、多結晶シリコン膜による透過光の減衰効果により、基板検知精度を大幅に向上させることができる。その結果、ＩＣ生産用装置の活用に必要となる改造費用など投資金額を抑制することができる。
【００６２】
また、透明基板の凹凸を形成した面に形成する膜として非金属膜を使用しているため、透明基板上にトランジスターを形成する工程での重金属汚染による特性劣化などの心配がない。そのため、マイクロレンズアレイなどの構造体に限らず、ＴＦＴなどのトランジスター素子作成用途にも幅広く適用できる透明基板（センサー検知用基板）を得ることができる。
【００６３】
また、透明基板の第２の面の粗面化と、熱伝導率の高い多結晶シリコン膜などの採用により、透明基板からの放熱効果を向上させ、均熱性を向上させることができる。その結果、透明基板の面内ばらつきの少ない均質な構造体および素子形成を可能とする。またＴＦＴなどのディスプレイ関連素子の高精細化に寄与する。
【００６４】
また、本発明の種々の態様において、特定のＡ（以下「Ａ」という）の上（または下）に特定のＢ（以下「Ｂ」という）を形成する（Ｂが形成される）というとき、Ａの上（または下）に直接Ｂを形成する（Ｂが形成される）場合に限定されない。Ａの上（または下）に本発明の作用効果を阻害しない範囲で、他のものを介してＢを形成する（Ｂが形成される）場合も含む。
【符号の説明】
【００６５】
１０１…石英基板、１０１ａ…研磨面、１０１ｂ…石英基板の第２の面、１０１ｃ…凹凸、１０２…多結晶シリコン膜、１０３…ＳｉＯＮ膜、１０４…レジスト膜、１１１…多結晶シリコン膜の膜残り、１１２…レジスト焦げ。
【図１】
2015185791.tif 000003
【図２】
2015185791.tif 000004
【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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