(57)【要約】【課題】光の取り出し効率を高めることができる光デバイス及びその加工方法を提供すること。【解決手段】本発明の光デバイス（１）は、基台（２１）と、基台（２１）の表面（２１ａ）に形成された発光層（２２）とを備えている。基台（２１）の裏面（２１ｂ）には、クレータ状の凹部（２３）が形成されている。凹部（２３）は、光デバイスウェーハ（Ｗ）に対して吸収性を有する波長のレーザー光線を照射することよって形成される。光デバイス（１）では、発光層（２２）から放射して凹部（２３）に入射した光を乱反射させることができる。【選択図】図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基台と、該基台の表面に形成された発光層と、を含む光デバイスであって、
該基台の裏面には、凹部が形成されていることを特徴とする光デバイス。
【請求項２】
請求項１に記載の光デバイスの加工方法であって、
表面に発光層を有し、複数の交差する分割予定ラインが形成され該分割予定ラインで区画された該発光層の各領域にそれぞれ光デバイスを有する光デバイスウェーハの表面側に保護テープを貼着する貼着工程と、
該貼着工程を実施した後に、光デバイスウェーハの該分割予定ラインに分割のきっかけとなる分割起点を形成する分割起点形成工程と、
該分割起点形成工程を実施した後に、該分割予定ラインに沿って該光デバイスウェーハに外力を付与して光デバイスウェーハを個々の光デバイスへと分割する分割工程と、
該分割工程を実施する前又は実施した後に、該光デバイスウェーハに対して吸収性を有する波長のレーザー光線を該裏面に照射して該裏面に凹部を形成する凹部形成工程と、から構成されることを特徴とする光デバイスの加工方法。
【請求項３】
該凹部形成工程においては、該裏面に形成された該凹部内をエッチングで処理することを特徴とする請求項２記載の光デバイスの加工方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、基台の表面に発光層が形成された光デバイス及び光デバイスの加工方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
レーザーダイオード（ＬＤ）や発光ダイオード（ＬＥＤ）等の光デバイスの製造プロセスでは、サファイアやＳｉＣ等からなる結晶成長用基板の上面に、例えばエピタキシャル成長によって発光層（エピタキシャル層）を積層することで、複数の光デバイスを形成するための光デバイスウェーハが製造される。ＬＤ，ＬＥＤ等の光デバイスは、光デバイスウェーハの表面において、格子状をなす分割予定ラインで区画された各領域に形成され、かかる分割予定ラインに沿って光デバイスウェーハを分割して個片化することで、個々の光デバイスが製造される。
【０００３】
従来、光デバイスウェーハを分割予定ラインに沿って分割する方法として、特許文献１及び２に記載された方法が知られている。特許文献１の分割方法では、先ず、分割予定ラインに沿ってウェーハに対して吸収性を有する波長のパルスレーザービームを照射してレーザー加工溝を形成する。その後、ウェーハに外力を付与することによりレーザー加工溝を分割起点に光デバイスウェーハを割断している。
【０００４】
特許文献２の分割方法は、光デバイスの輝度向上のため、光デバイスウェーハに対して透過性を有する波長のパルスレーザービームをウェーハの内部に集光点を合わせて照射して内部に分割予定ラインに沿った改質層を形成している。そして、改質層で強度が低下した分割予定ラインに外力を付与することにより、光デバイスウェーハを分割している。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開平１０−３０５４２０号公報
【特許文献２】特開２００８−００６４９２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
特許文献１，２の光デバイスウェーハの分割方法では、レーザービームを光デバイスウェーハに対して略垂直に入射し、レーザー加工溝又は改質層を分割起点に光デバイスウェーハを個々の光デバイスに分割している。かかる光デバイスの側面は、表面に形成された発光層に対して略垂直になり、光デバイスは直方体形状に形成される。よって、光デバイスの発光層から出射して光デバイスの裏面で反射した光において、側面への入射角が臨界角度より大きくなる光の割合が高くなる。このため、側面で全反射する光の割合が高くなり、全反射を繰り返すうちに最終的に光デバイスの内部で削光してしまう割合も高くなる。この結果、光デバイスにおける光の取り出し効率が低下し、輝度も低下してしまう、という問題がある。
【０００７】
本発明はかかる点に鑑みてなされたものであり、光の取り出し効率を向上することができる光デバイス及び光デバイスの加工方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明の光デバイスは、基台と、基台の表面に形成された発光層と、を含む光デバイスであって、基台の裏面には、凹部が形成されていること、を特徴とする。
【０００９】
この構成によれば、基台の裏面に凹部を形成したので、凹部に入射した光を乱反射させることができ、乱反射して基台の側面に入射した光のうち、臨界角度以下で側面に入射する光の割合を多くすることができる。これにより、全反射して発光層に戻る光の割合を低く抑え、側面から出る光の割合を多くすることができ、光の取り出し効率の向上を図ることができる。
【００１０】
また、本発明における上記の光デバイスの加工方法では、表面に発光層を有し、複数の交差する分割予定ラインが形成され分割予定ラインで区画された発光層の各領域にそれぞれ光デバイスを有する光デバイスウェーハの表面側に保護テープを貼着する貼着工程と、貼着工程を実施した後に、光デバイスウェーハの分割予定ラインに分割のきっかけとなる分割起点を形成する分割起点形成工程と、分割起点形成工程を実施した後に、分割予定ラインに沿って光デバイスウェーハに外力を付与して光デバイスウェーハを個々の光デバイスへと分割する分割工程と、分割工程を実施する前又は実施した後に、光デバイスウェーハに対して吸収性を有する波長のレーザー光線を裏面に照射して裏面に凹部を形成する凹部形成工程と、から構成されること、を特徴とする。この方法によれば、各工程が複雑になったり、長時間化したりすることなく、裏面に凹部が形成された光デバイスを製造することができる。
【００１１】
また、本発明における上記の光デバイスの加工方法では、凹部形成工程においては、裏面に形成された凹部内をエッチングで処理するとよい。
【発明の効果】
【００１２】
本発明によれば、光の取り出し効率を向上することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１３】
【図１】本実施の形態に係る光デバイスの構成例を裏面側から模式的に示す斜視図である。
【図２】本実施の形態に係る光デバイスにおける光が放出される様子を示す断面模式図である。
【図３】比較構造に係る光デバイスにおける光が放出される様子を示す断面模式図である。
【図４】本実施の形態に係るレーザー加工装置の斜視図である。
【図５】貼着工程の説明図である。
【図６】図６Ａは、分割起点形成工程の説明図であり、図６Ｂは凹部形成工程の説明図であり、図６Ｃは分割工程の説明図である。
【発明を実施するための形態】
【００１４】
添付図面を参照して、光デバイス及びその加工方法について説明する。先ず、図１及び図２を参照して、光デバイスについて説明する。図１は、光デバイスの一例を裏面側から示す斜視図である。図２は、光デバイスの光の放出状態の説明用断面図である。
【００１５】
図１及び図２に示すように、光デバイス１は、ベース１１（図１では不図示）上にワイヤボンディング実装、或いは、フリップチップ実装される。光デバイス１は、基台２１と、基台２１の表面２１ａに形成された発光層２２とを含んで構成されている。基台２１は、結晶成長用基板としてサファイア基板（Ａｌ２Ｏ３基板）、窒化ガリウム基板（ＧａＮ基板）、シリコンカーバイド基板（ＳｉＣ基板）、酸化ガリウム基板（Ｇａ２Ｏ３基板）を用いて形成される。
【００１６】
発光層２２は、基台２１の表面２１ａに電子が多数キャリアとなるｎ型半導体層（例えば、ｎ型ＧａＮ層）、半導体層（例えば、ＩｎＧａＮ層）、正孔が多数キャリアとなるｐ型半導体層（例えば、ｐ型ＧａＮ層）を順にエピタキシャル成長させることで形成される。そして、ｎ型半導体層とｐ型半導体層とのそれぞれに外部取り出し用の２個の電極（不図示）が形成され、２個の電極に対して外部電源からの電圧が印加されることで発光層２２から光が放出される。
【００１７】
基台２１の表面２１ａ及び裏面２１ｂは、平面視で略同一の四角形状をなし、相互に平行となるように形成されている。基台２１は、表面２１ａ及び裏面２１ｂの各四辺を連結する４つの側面２１ｃを備えている。各側面２１ｃは、表面２１ａ及び裏面２１ｂに垂直に形成されている。基台２１の裏面２１ｂには、凹部２３が形成されている。凹部２３は、内周面が曲面となるクレータ状に形成され、底面視で概略円形状に形成されている。凹部２３内は、エッチングで処理され、凹部２３内のデブリを除去して輝度向上を図っている。エッチングとしては、ウェットエッチングを例示できる。裏面２１ｂの全面積に対して凹部２３が形成される領域の割合は、４〜８割に設定されている。なお、凹部２３の形成数は、本実施の形態では１つとしたが、裏面２１ｂの面内に複数形成してもよい。
【００１８】
次に、本実施の形態に係る光デバイス１による輝度改善効果について、図３の比較構造に係る光デバイスを参照しながら説明する。図３は、実施の形態と比較するための比較構造に係る光デバイスから光が放出される様子を示す断面模式図である。比較構造に係る光デバイス３は、実施の形態に係る光デバイス１に対し、基台の裏面の形状が変わる点を除き共通の構成を備える。すなわち、比較構造に係る光デバイス３は、表面３１ａ及び裏面３１ｂが略同一の四角形状をなす基台３１と、基台３１の表面３１ａに形成された発光層３２とからなり、ベース３３上に実装される。そして、基台３１の裏面３１ｂは、表面３１ａと平行になる平面状に形成されている。
【００１９】
図２に示すように、本実施の形態に係る光デバイス１において、発光層２２で生じた光は、主に、表面２２ａ及び裏面２２ｂから放出される。発光層２２の表面２２ａから放出された光（例えば、光路Ａ１）は、レンズ部材（不図示）等を通じて外部に取り出される。一方で、例えば、発光層２２の裏面２２ｂから出射されて光路Ａ２を伝播する光は、凹部２３に入射して乱反射される。凹部２３で乱反射された光としては、光路Ａ３，Ａ４，Ａ５を伝播する光を例示できる。
【００２０】
光路Ａ３を伝播する光は、発光層２２に入射して吸収され、外部に取り出すことができない。一方、光路Ａ４，Ａ５を伝播する光は、基台２１の側面２１ｃと空気層との界面に対し、入射角θ１，θ２で入射する。これら入射角θ１，θ２が基台２１の臨界角以下となると、図示のように少なくとも一部が空気層側へ透過して放出される。
【００２１】
これに対し、図３に示すように、比較構造に係る光デバイス３の光路Ｂ１，Ｂ２は、実施の形態に係る光デバイス１の光路Ａ１，Ａ２と同様に放出される。光路Ｂ２を伝播する光は、ベース３３の表面で反射されて光路Ｂ３を伝播する。側面３１ｃと空気層との界面に対する光路Ｂ３の入射角θ３は、実施の形態の入射角θ１，θ２より大きくなり、且つ、基台３１の臨界角より大きくなって側面３１ｃと空気層との界面で全反射される（光路Ｂ４）。そして、光路Ｂ４を伝播する光は、基台３１を透過してから発光層３２に入射して吸収され、外部に取り出すことができなくなる。
【００２２】
以上のように、本実施の形態の光デバイス１によれば、基台２１の裏面２１ｂにクレータ状の凹部２３を形成したので、発光層２２から出射して光路Ａ２と同様に伝播する光を乱反射し、光路Ａ４，Ａ５と同様にして外部に取り出すことができる。従って、光路Ａ２と同様に伝播する光は、比較構造の光路Ｂ２と同様に伝播する光に比べ、側面２１ｃで全反射する光の割合を低減することができる。これにより、基台２１の内部で反射を繰り返して発光層２２に戻る光の割合を少なくし、基台２１から出る光の割合を多くでき、光の取り出し効率を高めて、輝度の向上を図ることができる。なお、本実施の形態において、裏面２１ｂの全面積に対し、凹部２３が形成される領域の割合を８割に設定した場合、比較構造に比べて輝度を１〜２％向上することができる。
【００２３】
続いて、本発明の実施の形態に係る光デバイスの加工方法について説明する。本実施の形態に係る光デバイスの加工方法は、貼着工程、分割起点形成工程、レーザー加工装置による凹部形成工程、分割装置による分割工程を経て実施される。貼着工程では、発光層が形成された光デバイスウェーハの表面に粘着シートが貼着される。凹部形成工程では、光デバイスウェーハの裏面に凹部が形成される。分割工程では、光デバイスウェーハの分割予定ラインに沿って個々の光デバイスに分割される。以下、本実施の形態に係る加工方法の詳細について説明する。
【００２４】
図４を参照して、光デバイスウェーハの裏面に凹部を形成するレーザー加工装置について説明する。図４は、本実施の形態に係るレーザー加工装置の斜視図である。なお、本実施の形態に係るレーザー加工装置は、図４に示す構成に限定されない。レーザー加工装置は、光デバイスウェーハに対して凹部を形成可能であれば、どのような構成でもよい。
【００２５】
図４に示すように、レーザー加工装置１００は、レーザー光線を照射するレーザー加工ユニット１０２と光デバイスウェーハＷを保持したチャックテーブル（保持手段）１０３とを相対移動させて、光デバイスウェーハＷを加工するように構成されている。
【００２６】
レーザー加工装置１００は、直方体状の基台１０１を有している。基台１０１の上面には、チャックテーブル１０３をＸ軸方向に加工送りすると共に、Ｙ軸方向に割出送りするチャックテーブル移動機構１０４が設けられている。チャックテーブル移動機構１０４の後方には、立壁部１１１が立設されている。立壁部１１１の前面からはアーム部１１２が突出しており、アーム部１１２にはチャックテーブル１０３に対向するようにレーザー加工ユニット１０２が支持されている。
【００２７】
チャックテーブル移動機構１０４は、基台１０１の上面に配置されたＸ軸方向に平行な一対のガイドレール１１５と、一対のガイドレール１１５にスライド可能に設置されたモータ駆動のＸ軸テーブル１１６とを有している。また、チャックテーブル移動機構１０４は、Ｘ軸テーブル１１６上面に配置されたＹ軸方向に平行な一対のガイドレール１１７と、一対のガイドレール１１７にスライド可能に設置されたモータ駆動のＹ軸テーブル１１８とを有している。
【００２８】
Ｙ軸テーブル１１８の上部には、チャックテーブル１０３が設けられている。なお、Ｘ軸テーブル１１６、Ｙ軸テーブル１１８の背面側には、それぞれ図示しないナット部が形成され、これらナット部にボールネジ１２１、１２２が螺合されている。そして、ボールネジ１２１、１２２の一端部に連結された駆動モータ１２３、１２４が回転駆動されることで、チャックテーブル１０３がガイドレール１１５、１１７に沿ってＸ軸方向及びＹ軸方向に移動される。
【００２９】
チャックテーブル１０３は、円板状に形成されており、θテーブル１２５を介してＹ軸テーブル１１８の上面に回転可能に設けられている。チャックテーブル１０３の上面には、ポーラスセラミックス材により吸着面が形成されている。チャックテーブル１０３の周囲には、一対の支持アームを介して４つのクランプ部１２６が設けられている。４つのクランプ部１２６がエアアクチュエータ（不図示）により駆動されることで、光デバイスウェーハＷの周囲のリングフレームＦが四方から挟持固定される。
【００３０】
レーザー加工ユニット１０２は、アーム部１１２の先端に設けられた加工ヘッド１２７を有している。アーム部１１２及び加工ヘッド１２７内には、レーザー加工ユニット１０２の光学系が設けられている。加工ヘッド１２７は、不図示の発振器から発振されたレーザー光線を集光レンズによって集光し、チャックテーブル１０３上に保持された光デバイスウェーハＷをレーザー加工する。この場合、レーザー光線は、光デバイスウェーハＷに対して吸収性を有する波長であり、光学系において光デバイスウェーハＷの裏面（図４中上面）に集光するように調整される。
【００３１】
このレーザー光線の照射により光デバイスウェーハＷの裏面にアブレーションが生じて部分的にエッチングされ、光デバイス１に応じた位置にクレータ状の凹部２３（図６参照）がそれぞれ形成される。ここで、アブレーションとは、レーザビームの照射強度が所定の加工閾値以上になると、固体表面で電子、熱的、光科学的及び力学的エネルギーに変換され、その結果、中性原子、分子、正負のイオン、ラジカル、クラスタ、電子、光が爆発的に放出され、固体表面がエッチングされる現象をいう。本実施の形態において、レーザー光線の波長は、光デバイスウェーハＷの後述する基台Ｗ１をサファイアとした場合、サファイアに全吸収する２００ｎｍ以下又は７μｍ以上の波長とされる。
【００３２】
光デバイスウェーハＷは、略円板状に形成されている。光デバイスウェーハＷは、図５の断面図にも示すように、基台Ｗ１と、基台Ｗ１の表面に形成された発光層Ｗ２とを含んで構成される。光デバイスウェーハＷは、複数の交差する分割予定ラインＳＴによって複数の領域に区画され、この区画された各領域にそれぞれ光デバイス１が形成されている。また、光デバイスウェーハＷは、発光層Ｗ２が形成された表面を下向きにして、環状のリングフレームＦに張られた粘着シートＳに貼着されている。
【００３３】
図５及び図６を参照して、本実施の形態に係る光デバイスウェーハの加工方法の流れについて説明する。図５及び図６は、光デバイスウェーハＷの加工方法の各工程の説明図である。なお、図５及び図６に示す各工程は、あくまでも一例に過ぎず、この構成に限定されるものではない。
【００３４】
まず、図５に示す貼着工程が実施される。貼着工程では、まず、フレームＦの内側に光デバイスウェーハＷが発光層Ｗ２側となる表面を上向きとした状態で配置される。その後、光デバイスウェーハＷの表面（上面）とフレームＦの上面とが粘着シートＳによって一体に貼着され、粘着シートＳを介してフレームＦに光デバイスウェーハＷが装着される。
【００３５】
貼着工程が実施された後、図６Ａに示すように、分割起点形成工程が実施される。分割起点形成工程では、光デバイスウェーハＷの粘着シートＳ側がチャックテーブル４１によって保持され、フレームＦがクランプ部４２に保持される。また、加工ヘッド４３の射出口が光デバイスウェーハＷの分割予定ラインＳＴに位置付けられ、加工ヘッド４３によって光デバイスウェーハＷの裏面側（基台Ｗ１側）からレーザー光線が照射される。レーザー光線は、光デバイスウェーハＷに対して透過性を有する波長であり、光デバイスウェーハＷの内部に集光するように調整されている。そして、レーザー光線の集光点が調整されながら、光デバイスウェーハＷを保持したチャックテーブル４１が相対移動されることで、光デバイスウェーハＷの内部に分割予定ラインＳＴに沿った改質層Ｒが形成される。
【００３６】
この場合、先ず光デバイスウェーハＷの発光層Ｗ２付近に集光点が調整され、全ての分割予定ラインＳＴに沿って改質層Ｒの下端部が形成されるようにレーザー加工される。そして、集光点の高さを上動させる度に分割予定ラインＳＴに沿ってレーザー加工が繰り返されることで、光デバイスウェーハＷの内部に所定の厚さの改質層Ｒが形成される。このようにして、光デバイスウェーハＷの内部に分割予定ラインＳＴに沿った分割のきっかけとなる分割起点が形成される。なお、改質層Ｒは、レーザー光線の照射によって光デバイスウェーハＷの内部の密度、屈折率、機械的強度やその他の物理的特性が周囲と異なる状態となり、周囲よりも強度が低下する領域のことをいう。改質層Ｒは、例えば、溶融処理領域、クラック領域、絶縁破壊領域、屈折率変化領域であり、これらが混在した領域でもよい。
【００３７】
分割起点形成工程が実施された後、図６Ｂに示すように、凹部形成工程が実施される。凹部形成工程では、光デバイスウェーハＷの粘着シートＳ側がチャックテーブル１０３によって保持され、フレームＦがクランプ部１２６に保持される。また、加工ヘッド１２７の射出口が光デバイスウェーハＷにおける光デバイス１の中心位置に位置付けられ、加工ヘッド１２７によって光デバイスウェーハＷの裏面側（基台Ｗ１側）からレーザー光線が照射される。レーザー光線は、光デバイスウェーハＷに対して吸収性を有する波長であり、光デバイスウェーハＷの裏面側に集光するように調整されている。レーザー光線を所定時間照射してアブレーション加工を行った後、光デバイス１の並び方向となるＸ軸方向及びＹ軸方向にチャックテーブル１０３が移動されることで、各光デバイス１の形成位置に応じて所定深さの凹部２３が形成される。また、アブレーション加工を行った後、凹部２３内をエッチング（例えばウェットエッチング）で処理することで、凹部２３内のデブリが除去される。
【００３８】
分割起点形成工程が実施された後、図６Ｃに示すように、分割工程としてブレーキング加工が実施される。ブレーキング加工では、ブレーキング装置（不図示）の一対の支持台４５に光デバイスウェーハＷの基台Ｗ１側を下に向けた状態で載置され、光デバイスウェーハＷの周囲のフレームＦが環状テーブル４６に載置される。環状テーブル４６に載置されたフレームＦは、環状テーブル４６の四方に設けたクランプ部４７によって保持される。一対の支持台４５は、一方向（紙面に垂直方向）に延在しており、一対の支持台４５の間には、撮像手段４８が配置されている。この撮像手段４８によって、一対の支持台４５の間から光デバイスウェーハＷの裏面（下面）が撮像される。
【００３９】
光デバイスウェーハＷを挟んだ一対の支持台４５の上方には、光デバイスウェーハＷを上方から押圧する押圧刃４９が設けられている。押圧刃４９は、一方向（紙面に垂直方向）に延在しており、不図示の押圧機構によって上下動される。撮像手段４８によって光デバイスウェーハＷの裏面が撮像されると、撮像画像に基づいて一対の支持台４５の間かつ押圧刃４９の直下に分割予定ラインＳＴが位置付けられる。そして、押圧刃４９が下降されることで、粘着シートＳを介して押圧刃４９が光デバイスウェーハＷに押し当てられて外力が付与され、改質層Ｒを分割起点として光デバイスウェーハＷが分割される。光デバイスウェーハＷは、全ての分割予定ラインＳＴに押圧刃４９が押し当てられることで個々の光デバイス１に分割される。
【００４０】
なお、特に限定されるものでないが、凹部形成工程における加工条件としては、以下の実施例を例示することができる。
（実施例）
光源          ；ＣＯ２レーザー
波長          ；９．４μｍ（赤外線）
出力          ；５Ｗ
繰り返し周波数；１ｋＨｚ
パルス幅      ；２０μｓｅｃ
集光スポット径；φ２００μｍ
加工送り速度  ；６００ｍｍ／秒
上記実施例の条件の光デバイスは、放射される全ての光の強度（パワー）の合計値を測定（全放射束測定）したところ、上記比較構造と同様に基台の裏面を平面状に形成した光デバイスに比べ、輝度が１〜２％向上した。
【００４１】
以上のように、本実施の形態に係る加工方法によれば、アブレーション加工によって凹部２３を迅速に形成でき、また、複数の光デバイス１に凹部２３を連続して形成することができる。これにより、凹部形成工程が複雑になったり、工程時間が長くなることを抑制して効率よく光デバイス１を製造することができる。また、凹部２３内をエッチング処理してデブリを除去したことで、光デバイス１の輝度向上に寄与することができる。
【００４２】
なお、本発明は上記実施の形態に限定されず、種々変更して実施することが可能である。上記実施の形態において、添付図面に図示されている大きさや形状などについては、これに限定されず、本発明の効果を発揮する範囲内で適宜変更することが可能である。その他、本発明の目的の範囲を逸脱しない限りにおいて適宜変更して実施することが可能である。
【００４３】
例えば、上記の実施形態では、分割工程の前に凹部形成工程を行ったが、分割工程の後の凹部形成工程を行ったり、貼着工程後、分割起点形成工程前に凹部形成工程を行ってもよい。
【００４４】
また、上記の実施の形態では、分割起点形成工程とブレーキング加工とを組み合わせて光デバイスウェーハＷを分割する構成としたが、この構成に限定されない。なお、分割工程は、光デバイスウェーハＷを分割予定ラインＳＴに沿って個々の光デバイス１に分割可能であればよい。例えば、分割起点形成工程と、粘着シートＳを拡張して分割予定ラインＳＴの改質層Ｒに外力を加えるエキスパンド加工とを組み合わせて光デバイスウェーハＷを分割してもよい。
【００４５】
また、分割起点形成工程は、アブレーション加工によって光デバイスウェーハＷに分断溝を形成してもよい。また、切削ブレードによるハーフカットにより光デバイスウェーハＷに分断溝を形成してもよい。これらの場合においても、ブレーキング加工の代わりにエキスパンド加工を行ってもよい。また、分割工程の後に凹部形成工程を行う場合には、光デバイスウェーハＷがハーフカットされた後に、光デバイスウェーハＷを裏面側から研削して個々の光デバイス１に分割するＤＢＧ（Ｄｉｃｉｎｇ  Ｂｅｆｏｒｅ  Ｇｒｉｎｄｉｎｇ）加工が行われてもよい。さらに、切削ブレードによるフルカットにより光デバイスウェーハＷを分割してもよい。
【００４６】
また、上記した実施の形態においては、上記各工程は別々の装置で実施されてもよいし、同一の装置で実施されてもよい。
【産業上の利用可能性】
【００４７】
本発明は、基台の表面に発光層が形成された光デバイスの光取り出し効率を高めるために有用である。
【符号の説明】
【００４８】
１  光デバイス
２１  基台
２１ａ  表面
２１ｂ  裏面
２２  発光層
２３  凹部
ＳＴ  予定分割ライン
Ｗ  光デバイスウェーハ
Ｗ１  基台
Ｗ２  発光層
【図１】
2015141937.tif 000003
【図２】
2015141937.tif 000004
【図３】
2015141937.tif 000005
【図４】
2015141937.tif 000006
【図５】
2015141937.tif 000007
【図６】
2015141937.tif 000008