(57)【要約】【課題】インダクタンスの低減と、半導体モジュールの小型化とを両立させることができる半導体モジュールを提供する。【解決手段】正側電極６０ａは、出力電極４０の主面４１及び負側電極５０ａの第６面５２と対向する対向面６１を有する。正側電極６０ａは、下相素子２０及び負側電極５０ａを出力電極４０との間に挟むように配置されている。このため、下相素子２０と上相素子３０とを離間させずに、負側電極５０ａと正側電極６０ａとを対向させてインダクタンスを低減することがより容易となる。したがって、インダクタンスの低減と、半導体モジュールの小型化とを両立させることができる。【選択図】図２
2015153904.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
主面を有する第１電極と、
第１面及び前記第１面の反対側の第２面を有し、前記第１面が前記主面に接続された第１半導体素子と、
第３面及び前記第３面の反対側の第４面を有し、前記第３面が前記主面に接続された第２半導体素子と、
第５面及び前記第５面の反対側の第６面を有し、前記第５面が前記第２面に接続された第２電極と、
前記第４面に接続される接続領域を含み前記主面及び前記第６面と対向する対向面を有し、前記第１半導体素子及び前記第２電極を前記第１電極との間に挟むように配置された第３電極と、
前記主面と前記対向面との間に設けられた樹脂部とを備える、半導体モジュール。
【請求項２】
前記対向面と前記第６面とに接するように配置され、前記樹脂部よりも熱伝導性が高い絶縁部をさらに備え、
前記第３電極は、前記対向面の反対側に前記樹脂部から露出した露出面を有する、請求項１に記載の半導体モジュール。
【請求項３】
前記第３電極は、
前記対向面の内で、前記第４面に接続された前記接続領域を有する第１部と、
前記対向面の内で、前記第６面に対向する対向領域を有する第２部と、
前記第１部と前記第２部とを前記第１電極と前記第３電極とが対向する対向方向に接着し、導電性を有する接着層と、
を有する、請求項１又は２に記載の半導体モジュール。
【請求項４】
前記第１半導体素子は第１トランジスタを有し、
前記第２半導体素子は第２トランジスタを有し、
前記第１面が前記第１トランジスタのコレクタに接続され、
前記第４面が前記第２トランジスタのコレクタに接続されている、請求項１〜３のいずれか１項に記載の半導体モジュール。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体モジュールに関する。
【背景技術】
【０００２】
スイッチング素子であるＩＧＢＴ（Insulated  Gate  Bipolar  Transistor）素子と、整流素子であるダイオード素子とを積層して接続した半導体モジュールが製造されている。このような半導体モジュールにおいては、損失を低減するためにインダクタンスを低減することが重要である。
【０００３】
例えば、特許文献１には、板状の出力電極の一方の面に極性を逆にして接続された２つの半導体素子を備えた半導体モジュールが開示されている。特許文献１の半導体モジュールは、一方の半導体素子の出力電極に接続されていない端子から板状の正側電極を出力電極と平行に他方の半導体素子に向けて伸ばしている。特許文献１の半導体モジュールは、他方の半導体素子の出力電極に接続されていない端子から板状の負側電極を出力電極と平行に一方の半導体素子に向けて伸ばしている。
【０００４】
負側電極は、他方の半導体素子から一方の半導体素子の方に至る途中で出力電極と正側電極との間に位置するように出力電極の側に屈曲している。このため、正側電極と負側電極とは、２つの半導体素子の間で互いに近接しつつ対向する。正側電極と負側電極とが近接して配置されていることにより、互いの磁界を相殺することができる。これにより、特許文献１の半導体モジュールはインダクタンスの低減を図っている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２００７‐２９９７８１号公報
【特許文献２】特開２００９‐０８９４９１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
特許文献１の半導体モジュールは、正側電極と負側電極とが２つの半導体素子の間で互いに対向している。このため、さらにインダクタンスの低減を図るために、正側電極と負側電極とが互いに対向し合う面積等を大きくすると、２つの半導体素子の間の距離を長くすることが必要となる。この場合、半導体モジュールの大型化を招く。一方、２つの半導体素子の間の距離を短くすると、正側電極と負側電極とが互いに対向し合う面積等が小さくなり、インダクタンスの低減が困難となる。したがって、上記技術では、インダクタンスの低減と、半導体モジュールの小型化とを十分に両立させることが難しい。
【０００７】
本発明は、インダクタンスの低減と、半導体モジュールの小型化とを両立させることができる半導体モジュールを提供する。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明の態様に係る半導体モジュールは、主面を有する第１電極と、第１面及び第１面の反対側の第２面を有し、第１面が主面に接続された第１半導体素子と、第３面及び第３面の反対側の第４面を有し、第３面が主面に接続された第２半導体素子と、第５面及び第５面の反対側の第６面を有し、第５面が第２面に接続された第２電極と、第４面に接続される接続領域を含み主面及び第６面と対向する対向面を有し、第１半導体素子及び第２電極を第１電極との間に挟むように配置された第３電極と、主面と対向面との間に設けられた樹脂部とを備える半導体モジュールである。
【０００９】
上記態様によれば、インダクタンスの低減と、半導体モジュールの小型化とを両立させることができる。
【００１０】
上記態様において、対向面と第６面とに接するように配置され、樹脂部よりも熱伝導性が高い絶縁部をさらに備え、第３電極は、対向面の反対側に樹脂部から露出した露出面を有してもよい。
【００１１】
上記態様によれば、第１半導体素子の放熱性能を向上させることができる。
【００１２】
また、第３電極は、対向面の内で第４面に接続された接続領域を有する第１部と、対向面の内で第６面に対向する対向領域を有する第２部と、第１部と第２部とを第１電極と第３電極とが対向する対向方向に接着し、導電性を有する接着層とを有してもよい。
【００１３】
上記態様によれば、第２部の主面からの距離を調整可能となる。
【００１４】
また、第１半導体素子は第１トランジスタを有し、第２半導体素子は第２トランジスタを有し、第１面が第１トランジスタのコレクタに接続され、第４面が第２トランジスタのコレクタに接続されてもよい。
【００１５】
上記態様によれば、第１半導体素子及び第２半導体素子の放熱性能を向上させることができる。
【発明の効果】
【００１６】
本発明の一実施形態の半導体モジュールによれば、インダクタンスの低減と、半導体モジュールの小型化とを両立させることができる。
【図面の簡単な説明】
【００１７】
【図１】第１実施形態の半導体モジュールにより構成された三相インバータを示す回路図である。
【図２】第１実施形態の半導体モジュールを示す断面図である。
【図３】第１実施形態の半導体モジュールを正側電極の側から視た平面図である。
【図４】第２実施形態の半導体モジュールを示す断面図である。
【図５】第３実施形態の半導体モジュールを示す断面図である。
【図６】第４実施形態の半導体モジュールを示す断面図である。
【図７】第５実施形態の半導体モジュールを示す断面図である。
【図８】第６実施形態の半導体モジュールを示す断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１８】
〈第１実施形態〉
以下、図面を参照して、本発明の実施形態に係る半導体モジュールについて詳細に説明する。本発明の第１実施形態の半導体モジュールは、例えば、車載のバッテリから供給される直流電力を三相交流に変換してモータ駆動用の電力変換を行う三相インバータに用いられる。本実施形態の半導体モジュールは、電気自動車又はハイブリッドカーの車輪を駆動するモータの電力変換を行う三相インバータに用いられる。図１に示すように、本実施形態の三相インバータでは、負側の母線であり第２電極である負側電極５０ａと、正側の母線であり第３電極である正側電極６０ａとに、直流電圧Ｂと、直流電圧Ｂから印加される直流電圧を平滑化するキャパシタＣＡＰと、直流電圧Ｂを交流電圧に変換するためのインバータ回路である３つの半導体モジュール１０ａが並列に接続されている。
【００１９】
半導体モジュール１０ａは、スイッチング素子であるＩＧＢＴ素子等の第１トランジスタＴｒ１と整流素子である第１ダイオードＤ１とが積層されて接続された第１半導体素子である下相素子２０を備える。半導体モジュール１０ａは、スイッチング素子であるＩＧＢＴ素子等の第２トランジスタＴｒ２と整流素子である第２ダイオードＤ２とが積層されて接続された第２半導体素子である上相素子３０を備える。
【００２０】
下相素子２０の第１トランジスタＴｒ１のエミッタＥは、後述する下相素子２０の第２面２２に接続されている。下相素子２０の第１トランジスタＴｒ１のエミッタＥは、第２面を介して負側電極５０ａに接続されている。上相素子３０の第２トランジスタＴｒ２のコレクタＣは、後述する上相素子３０の第４面３２に接続されている。上相素子３０の第２トランジスタＴｒ２のコレクタＣは、第４面３２を介して正側電極６０ａに接続されている。
【００２１】
下相素子２０の第１トランジスタＴｒ１のコレクタＣは、後述する下相素子２０の第１面２１に接続されている。上相素子３０の第２トランジスタＴｒ２のエミッタＥは、後述する上相素子３０の第３面３１に接続されている。下相素子２０の第１トランジスタＴｒ１のコレクタＣは、第１面２１を介して第１電極である出力電極４０に接続されている。上相素子３０の第２トランジスタＴｒ２のエミッタＥは、第３面３１を介して出力電極４０に接続されている。３つの半導体モジュール１０ａの出力電極４０は、モータＭのＵ相コイルＵ、Ｖ相コイルＶ及びＷ相コイルＷにそれぞれ接続されている。
【００２２】
以下、本実施形態の半導体モジュール１０ａの構成の詳細について説明する。図２に示すように、本実施形態の半導体モジュール１０ａは、下相素子２０、上相素子３０、出力電極４０、負側電極５０ａ、正側電極６０ａ、モールド樹脂７０、ハンダ８０及び高熱伝導絶縁樹脂シート９０を備えている。半導体モジュール１０ａでは、下相素子２０及び上相素子３０が樹脂部であるモールド樹脂７０で封止されることにより一体となっている。本実施形態では、出力電極４０、負側電極５０ａ及び正側電極６０ａは、図２の紙面に垂直な方向に伸びている。
【００２３】
第１電極である出力電極４０は平板状の形状を有する金属板である。出力電極４０は、図１のモータＭのＵ相コイルＵ、Ｖ相コイルＶ又はＷ相コイルＷに接続される。出力電極４０は、主面４１及び主面４１の反対側の露出面４２を有している。上述したように、第１半導体素子である下相素子２０は、第１トランジスタＴｒ１及び第１ダイオードＤ１を有する。下相素子２０は、第１トランジスタＴｒ１のコレクタＣが接続された第１面２１を有する。下相素子２０は、第１トランジスタＴｒ１のエミッタＥが接続された第１面２１の反対側の第２面２２を有する。下相素子２０の第１面２１は、導電性を有するハンダ８０を介して出力電極４０の主面４１に接続されている。
【００２４】
上述したように、第２半導体素子である上相素子３０は、第２トランジスタＴｒ２及び第２ダイオードＤ２を有する。上相素子３０は、第２トランジスタＴｒ２のエミッタＥが接続された第３面３１を有する。上相素子３０は、第２トランジスタＴｒ２のコレクタＣが接続された第３面３１の反対側の第４面３２を有する。上相素子３０の第３面３１は、ハンダ８０を介して出力電極４０の主面４１に接続されている。
【００２５】
第２電極である負側電極５０ａは平板状の形状を有する金属板である。負側電極５０ａは、第５面５１及び第５面５１の反対側の第６面５２を有する。負側電極５０ａの第５面５１は、ハンダ８０を介して下相素子２０の第２面２２に接続されている。
【００２６】
第３電極である正側電極６０ａは平板状の形状を有する金属板である。正側電極６０ａは、出力電極４０の主面４１及び負側電極５０ａの第６面５２と対向する対向面６１を有する。出力電極４０と正側電極６０ａとは、対向方向Ｄに沿って互いに対向する。正側電極６０ａは、対向面６１の反対側の露出面６２を有する。正側電極６０ａは、下相素子２０及び負側電極５０ａを出力電極４０との間に挟むように配置されている。図２及び図３に示すように、対向面６１には、接続領域６３及び負側電極５０ａの第６面５２と対向する対向領域６４が含まれる。正側電極６０ａの対向面６１の接続領域６３は、ハンダ８０を介して上相素子３０の第４面３２に接続されている。
【００２７】
図２の紙面に水平な方向において、出力電極４０の幅と正側電極６０ａの幅とは同一である。したがって、図２の紙面に水平な方向において、正側電極６０ａの対向面６１は、出力電極４０の全範囲で出力電極４０の主面４１と対向している。図２の紙面に水平な方向において、負側電極５０ａの第６面５２は、正側電極６０ａの対向面６１の対向領域６４と可能な限り広い範囲で対向する。図２の紙面に水平な方向において、負側電極５０ａの第６面５２は、正側電極６０ａの対向面６１の対向領域６４の全範囲で対向することができる。
【００２８】
出力電極４０の主面４１と正側電極６０ａの対向面６１との間は、樹脂部であるモールド樹脂７０により封止されている。出力電極４０の露出面４２及び正側電極６０ａの露出面６２は、モールド樹脂７０から露出している。絶縁部である高熱伝導絶縁樹脂シート９０が、正側電極６０ａの対向面６１と負側電極５０ａの第６面５２とに接するように配置されている。高熱伝導絶縁樹脂シート９０は、正側電極６０ａの対向面６１と負側電極５０ａの第６面５２との間を絶縁する。
【００２９】
高熱伝導絶縁樹脂シート９０は、モールド樹脂７０よりも熱伝導率が高い。高熱伝導絶縁樹脂シート９０は、対向方向Ｄでの厚さが全面で均一である。なお、高熱伝導絶縁樹脂シート９０の樹脂中に一般にモールド樹脂７０に含まれるＳｉＯ２等のフィラー材よりも高熱伝導のＡｌ２Ｏ３、ＢＮ又はＡｌＮ等の高放熱フィラー材を混在させておくことにより、さらに放熱性を高めることができる。
【００３０】
本実施形態では、正側電極６０ａは、出力電極４０の主面４１及び負側電極５０ａの第６面５２と対向する対向面６１を有する。正側電極６０ａは、下相素子２０及び負側電極５０ａを出力電極４０との間に挟むように配置されている。このため、下相素子２０と上相素子３０とを離間させずに、負側電極５０ａと正側電極６０ａとを対向させてインダクタンスを低減することがより容易となる。したがって、インダクタンスの低減と、半導体モジュールの小型化とを両立させることができる。
【００３１】
本実施形態では、負側電極５０ａと正側電極６０ａとの間には、高熱伝導絶縁樹脂シート９０しか存在しない。また、負側電極５０ａの第６面５２は、正側電極６０ａの対向面６１の対向領域６４と可能な限り広い範囲で対向する。そのため、負側電極５０ａは、負側電極５０ａのほぼ全面で正側電極６０ａに近接して配置される。したがって、本実施形態では、負側電極５０ａ及び正側電極６０ａの互いの磁界を相殺する効果が高い。よって、本実施形態では、インダクタンスを大きく低減させることができる。
【００３２】
また、本実施形態では、モールド樹脂７０よりも熱伝導率が高い高熱伝導絶縁樹脂シート９０が、正側電極６０ａの対向面６１と負側電極５０ａの第６面５２とに接するように配置されている。また、正側電極６０ａの露出面６２は、モールド樹脂７０から露出している。このため、下相素子２０から負側電極５０ａ及び高熱伝導絶縁樹脂シート９０を経由しつつ正側電極６０ａを通じて下相素子２０の熱を外部に放熱する経路の熱伝導性能を向上させることができる。したがって、下相素子２０の放熱性能を向上させることができる。さらに、下相素子２０及び上相素子３０の放熱性能の差異を低減させることができる。
【００３３】
本実施形態では、下相素子２０の放熱の経路として、下相素子２０の熱を負側電極５０ａ及び高熱伝導絶縁樹脂シート９０を経由しつつ正側電極６０ａにより外部に放熱する経路を有する。また、本実施形態では、下相素子２０の放熱の経路として、下相素子２０の熱を出力電極４０により外部に放熱する経路とを有する。したがって、下相素子２０の第１面２１及び第２面２２の両方から放熱することができる。高熱伝導絶縁樹脂シート９０は、対向方向Ｄでの厚さが全面で均一であるため、放熱のばらつきを低減することができる。また、高熱伝導絶縁樹脂シート９０は、対向方向Ｄでの厚さを最小限にすることができるため、放熱性をさらに高めることができる。
【００３４】
下相素子２０の第１トランジスタＴｒ１及び上相素子３０の第２トランジスタＴｒ２のいずれもコレクタＣからの放熱が大きい。そこで、本実施形態では、下相素子２０及び上相素子３０のコレクタＣの側は、半導体モジュール１０ａの外側に位置し、モールド樹脂７０から露出し、面積が負側電極５０ａよりも大きい出力電極４０及び正側電極６０ａにそれぞれ接続されている。このため、下相素子２０及び上相素子３０の熱を高い効率で放熱することができる。一方、本実施形態では、下相素子２０のエミッタＥの側に高熱伝導絶縁樹脂シート９０が配置されている。つまり、下相素子２０及び上相素子３０のいずれも、放熱が大きいコレクタＣの側に高熱伝導絶縁樹脂シート９０が配置されていないため、熱抵抗を低くすることができる。
【００３５】
さらに、本実施形態では、負側電極５０ａと正側電極６０ａとの間がモールド樹脂７０で封止されており、負側電極５０ａが半導体モジュール１０ａの外部に露出していないため、半導体モジュール１０ａの小型化が可能となる。
【００３６】
〈第２実施形態〉
図４に示す本発明の第２実施形態に係る半導体モジュール１０ｂでは、上相素子３０が第１半導体素子として機能する。半導体モジュール１０ｂでは、下相素子２０が第２半導体素子として機能する。半導体モジュール１０ｂでは、正側電極６０ｂが第２電極として機能する。半導体モジュール１０ｂでは、負側電極５０ｂが第３電極として機能する。
【００３７】
第２電極である正側電極６０ｂは、上記第１実施形態の負側電極５０ａの形状を有している。第３電極である負側電極５０ｂは、上記第１実施形態の正側電極６０ａの形状を有する。正側電極６０ｂは、第５面６８及び第５面６８の反対側の第６面６９を有する。正側電極６０ｂの第５面６８は、ハンダ８０を介して第１半導体素子の第２面に対応する上相素子３０の第４面３２に接続されている。
【００３８】
負側電極５０ｂは、出力電極４０の主面４１及び正側電極６０ｂの第６面６９と対向する対向面５８を有する。出力電極４０と負側電極５０ｂとは、対向方向Ｄに沿って互いに対向する。負側電極５０ｂは、対向面５８の反対側の露出面５９を有する。負側電極５０ｂは、上相素子３０及び正側電極６０ｂを出力電極４０との間に挟むように配置されている。図４に示すように、対向面５８には、接続領域５３及び正側電極６０ｂの第６面６９と対向する対向領域５４が含まれる。負側電極５０ｂの対向面５８の接続領域５３は、ハンダ８０を介して第２半導体素子の第４面に対応する下相素子２０の第２面２２に接続されている。
【００３９】
出力電極４０の主面４１と負側電極５０ｂの対向面５８との間は、樹脂部であるモールド樹脂７０により封止されている。出力電極４０の露出面４２及び負側電極５０ｂの露出面５９は、モールド樹脂７０から露出している。絶縁部である高熱伝導絶縁樹脂シート９０が、負側電極５０ｂの対向面５８と正側電極６０ｂの第６面６９とに接するように配置されている。高熱伝導絶縁樹脂シート９０は、負側電極５０ｂの対向面５８と正側電極６０ｂの第６面６９との間を絶縁する。
【００４０】
本実施形態においても、下相素子２０と上相素子３０とを離間させずに、負側電極５０ｂと正側電極６０ｂとを対向させてインダクタンスを低減することがより容易となる。したがって、インダクタンスの低減と、半導体モジュールの小型化とを両立させることができる。
【００４１】
〈第３実施形態〉
図５に示す本発明の第３実施形態の半導体モジュール１０ｃの第３電極である正側電極６０ｃは、第１部６５、第２部６６及び電極間ハンダ６７を有する。第１部６５は、対向面６１の内で、上相素子３０の第４面３２に接続された接続領域６３を有する。第２部６６は、対向面６１の内で、負側電極５０ｃの第６面５２に対向する対向領域６４を有する。接着層である電極間ハンダ６７は、第１部６５と第２部６６とを出力電極４０と正側電極６０ｃとが対向する対向方向Ｄに接着する。また、電極間ハンダ６７は導電性を有する。電極間ハンダ６７は、対向方向Ｄに任意の厚さを有する。
【００４２】
本実施形態では、正側電極６０ｃは、対向面６１の内で上相素子３０の第４面３２に接続された接続領域６３を有する第１部６５と、対向面６１の内で負側電極５０ｃの第６面５２に対向する対向領域６４を有する第２部６６とに分割されている。また、第１部６５と第２部６６とは、電極間ハンダ６７により出力電極４０と正側電極６０ｃとが対向する対向方向Ｄに接着される。このため、第２部６６の主面４１からの距離を調整可能となる。したがって、容易に製造することができる。
【００４３】
すなわち、本実施形態では、第１部６５と第２部６６との間の電極間ハンダ６７により、下相素子２０、上相素子３０、負側電極５０ｃ及び正側電極６０ｃを接続するハンダ８０の厚さのばらつきを吸収することができる。そのため、例えば、モータＭが回転不能となったとき等に生じる発熱のばらつきを低減することができる。また、半導体モジュール１０ｃの製造時に電極をリードフレームとして用いる場合は、一様の厚さのリードフレームを用いることができるため、製造が容易となる。また、半導体モジュール１０ｃを構成する部品の厚みの自由度が増える。また、第２部６６の厚さの自由度が増えるため、放熱板となる第２部６６の厚さの最適化をより図ることができる。
【００４４】
〈第４実施形態〉
図６に示す本発明の第４実施形態に係る半導体モジュール１０ｄでは、上相素子３０が第１半導体素子として機能する。半導体モジュール１０ｄでは、下相素子２０が第２半導体素子として機能する。半導体モジュール１０ｄでは、正側電極６０ｄが第２電極として機能する。半導体モジュール１０ｄでは、負側電極５０ｄが第３電極として機能する。
【００４５】
図６に示す本実施形態の半導体モジュール１０ｄの第３電極である負側電極５０ｄは、第１部５５、第２部５６及び電極間ハンダ５７を有する。第１部５５は、対向面５８の内で、第２半導体素子の第４面に対応する下相素子２０の第２面２２に接続された接続領域５３を有する。第２部５６は、対向面５８の内で、正側電極６０ｄの第６面６９に対向する対向領域５４を有する。接着層である電極間ハンダ５７は、第１部５５と第２部５６とを出力電極４０と負側電極５０ｄとが対向する対向方向Ｄに接着する。また、電極間ハンダ５７は導電性を有する。電極間ハンダ５７は、対向方向Ｄに任意の厚さを有する。
【００４６】
本実施形態においても、第１部５５と第２部５６との間の電極間ハンダ５７により、下相素子２０、上相素子３０、負側電極５０ｄ及び正側電極６０ｄを接続するハンダ８０の厚さのばらつきを吸収することができる。したがって、上記第３実施形態の半導体モジュール１０ｃと同様の効果を奏する。
【００４７】
〈第５実施形態〉
図７に示す本発明の第５実施形態の半導体モジュール１０ｅでは、上記第１実施形態における高熱伝導絶縁樹脂シート９０が、高い熱伝導性を有する液状の樹脂である高熱伝導液状樹脂１１０に替えられている。本実施形態では、負側電極５０ａと正側電極６０ａとの間が液状の高熱伝導液状樹脂１１０により絶縁されている。このため、半導体モジュール１０ｅの製造時に、下相素子２０及び上相素子３０を接続するハンダ８０の厚さのばらつきを吸収することができる。したがって、半導体モジュール１０ｅをより製造し易くすることができる。
【００４８】
〈第６実施形態〉
図８に示す本発明の第６実施形態の半導体モジュール１０ｆでは、上記第１実施形態における高熱伝導絶縁樹脂シート９０が取り除かれ、負側電極５０ａと正側電極６０ａとの間は、モールド樹脂７０により絶縁されている。本実施形態では、モールド樹脂７０は、高熱伝導性を有する樹脂とすることができる。具体的には、モールド樹脂７０は、一般にモールド樹脂７０に含まれるＳｉＯ２等のフィラー材よりも高熱伝導のＡｌ２Ｏ３、ＢＮ又はＡｌＮ等の高放熱フィラー材が混入されていることができる。
【００４９】
本実施形態では、負側電極５０ａと正側電極６０ａとの間は、高熱伝導絶縁樹脂シート９０が無く、モールド樹脂７０により絶縁されている。このため、部品数を少なくして、製造コストを低減することができる。また。負側電極５０ａと正側電極６０ａとの間はモールド樹脂７０により絶縁されるため、半導体モジュール１０ｆの製造時に、下相素子２０、上相素子３０、負側電極５０ａ及び正側電極６０ａを接続するハンダ８０の厚さのばらつきを吸収することができる。したがって、半導体モジュール１０ｆをより製造し易くすることができる。
【００５０】
尚、本発明の実施形態の半導体モジュールは、上記した実施の形態に限定されるものではなく、本発明の実施形態の要旨を逸脱しない範囲内において種々変更を加え得ることは勿論である。例えば、以上の説明では、図１の一対の下相素子２０及び上相素子３０が１個の半導体モジュール１０ａの内に備えられている態様を中心に説明した。しかし、本発明の実施形態に示す半導体ジュール１０ａ〜１０ｆは、例えば、図１の三対の下相素子２０及び上相素子３０が１個の半導体モジュール１０Ａの内に備えられている態様とすることができる。また、上記の下相素子２０及び上相素子３０の極性及び配置は、上記実施形態において逆にすることも可能である。
【００５１】
また、上記実施形態では、出力電極４０、負側電極５０ａ〜５０ｄ及び正側電極６０ａ〜６０ｄが平板状の形状を有し、主面４１、露出面４２、第６面５２、対向面６１、露出面６２が平面である態様を中心に説明した。しかし、本実施形態では、出力電極４０、負側電極５０ａ〜５０ｄ及び正側電極６０ａ〜６０ｄが平板以外の形状を有し、主面４１、露出面４２、第６面５２、対向面６１、露出面６２が曲面であることもできる。
【符号の説明】
【００５２】
１０ａ〜１０ｆ…半導体モジュール、１０Ａ…半導体モジュール、２０…下相素子、２１…第１面、２２…第２面、３０…上相素子、３１…第３面、３２…第４面、４０…出力電極、４１…主面、４２…露出面、５０ａ，５０ｂ，５０ｃ，５０ｄ…負側電極、５１…第５面、５２…第６面、５３…接続領域、５４…対向領域、５５…第１部、５６…第２部、５７…電極間ハンダ、５８…対向面、５９…露出面、６０ａ，６０ｂ，６０ｃ，６０ｄ…正側電極、６１…対向面、６２…露出面、６３…接続領域、６４…対向領域、６５…第１部、６６…第２部、６７…電極間ハンダ、６８…第５面、６９…第６面、７０…モールド樹脂、８０…ハンダ、９０…高熱伝導絶縁樹脂シート、１１０…高熱伝導液状樹脂、Ｔｒ１…第１トランジスタ、Ｔｒ２…第２トランジスタ、Ｄ１…第１ダイオード、Ｄ２…第２ダイオード、Ｅ…エミッタ、Ｃ…コレクタ、Ｂ…直流電圧、ＣＡＰ…キャパシタ、Ｍ…モータ、Ｕ…Ｕ相コイル、Ｖ…Ｖ相コイル、Ｗ…Ｗ相コイル、Ｄ…対向方向。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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