(57)【要約】【課題】  安価な演算装置でも不揮発メモリの検査を行うことが可能な検査方法とその装置を提供する。【解決手段】  不揮発メモリの検査方法において、不揮発メモリ３にデータを書き込む時に算出した第１の誤り検出値と、不揮発メモリ３に書き込まれた前記データから算出した第２の誤り検出値との比較を行い、不揮発メモリ３のデータが書き込まれた使用領域のデータを検査し、不揮発メモリ３のデータが書き込まれていない空き領域が不揮発メモリ３の消去値であるか否かの比較を行うものである。【選択図】  図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
不揮発メモリの検査方法において、前記不揮発メモリのデータが書き込まれていない空き領域が前記不揮発メモリの消去値であるか否かの比較を行うことを特徴とする不揮発メモリの検査方法。
【請求項２】
不揮発メモリの検査方法において、前記不揮発メモリにデータを書き込む時に算出した第１の誤り検出値と、前記不揮発メモリに書き込まれた前記データから算出した第２の誤り検出値との比較を行い、前記不揮発メモリのデータが書き込まれた使用領域のデータを検査し、前記不揮発メモリのデータが書き込まれていない空き領域が前記不揮発メモリの消去値であるか否かの比較を行うことを特徴とする不揮発メモリの検査方法。
【請求項３】
前記不揮発メモリのデータが書き込まれていない空き領域に対して、前記不揮発メモリの消去値であるか否かの比較を行う制御部を備えたことを特徴とする不揮発メモリの検査装置。
【請求項４】
不揮発メモリにデータを書き込む時に第１の誤り検出値を算出し、前記不揮発メモリに書き込まれた前記データから第２の誤り検出値を算出し、前記第１の誤り検出値と前記第２の誤り検出値とを比較し、前記不揮発メモリのデータが書き込まれた使用領域のデータを検査するとともに、前記不揮発メモリのデータが書き込まれていない空き領域に対して、前記不揮発メモリの消去値であるか否かの比較を行う制御部を備えたことを特徴とする不揮発メモリの検査装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、不揮発メモリの検査方法およびその装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来の不揮発メモリの検査方法およびその装置としては、例えば、特許文献１に開示されるものがある。この検査方法およびその装置は、不揮発性メモリから読み込んだ制御データを基に算出した制御データの総和値（チェックサム）と不揮発性メモリから読み込んだ既存する制御データの総和値とを比較するものであった。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２０００−１４８５２０号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、特許文献１に記載の検査方法およびその装置は、不揮発メモリに書き込まれるデータが、書き込みアドレスと書き込みデータのペアで転送される方式では、書き込みアドレス値がノイズなどにより不揮発メモリの空き領域のアドレス値に変化した場合、不揮発メモリの全領域のチェックサムは、正常な値と一致するためデータのエラーを検出することができなかった。
【０００５】
この不具合を改善するために、巡回符号を用いる方法もあるが、巡回符号の計算は複雑で、この計算を処理するには、高性能の演算装置が必要となり、コストアップを招くこととなる。
【０００６】
そこで本発明は、前記問題点を解消し、安価な演算装置でも不揮発メモリの検査を行うことが可能な検査方法とその装置を提供することを目的とするものである。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明の不揮発メモリの検査方法は、不揮発メモリの検査方法において、前記不揮発メモリのデータが書き込まれていない空き領域が前記不揮発メモリの消去値であるか否かの比較を行うものである。
【０００８】
また、本発明の不揮発メモリの検査装置は、前記不揮発メモリのデータが書き込まれていない空き領域に対して、前記不揮発メモリの消去値であるか否かの比較を行う制御部を備えたものである。
【発明の効果】
【０００９】
以上の構成によって、本発明は、所期の目的を達成することができ、安価な演算装置でも不揮発メモリの検査を行うことが可能な不揮発メモリの検査方法とその装置を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１０】
【図１】本発明の第１実施形態のブロック図。
【図２】同実施形態の検査方法を示すフローチャート。
【発明を実施するための形態】
【００１１】
以下、本発明の実施形態について添付図面を用いて説明する。
【００１２】
本実施形態は、パーソナルコンピュータ１と、不揮発メモリ３を内蔵した機器２で構成されている。
【００１３】
４は、表示部であり、５は、ＲＡＭ（ランダムアクセスメモリ）やＲＯＭ（リードオンリーメモリ）の記憶部であり、６は、機器２を制御する制御部である。
【００１４】
パーソナルコンピュータ１は、表示部１１と、ＲＡＭ（ランダムアクセスメモリ）やＲＯＭ（リードオンリーメモリ）からなるメモリ１２と、大容量の記憶部１３と、マイクロプロセッサからなる制御部１４とで構成されている。
【００１５】
表示部１１は、液晶などの表示器からなり、パーソナルコンピュータ１の状態などを表示するものである。
【００１６】
メモリ１２は、パーソナルコンピュータ１の動作時に使用するＲＡＭと、パーソナルコンピュータ１を制御するプログラムなどを記憶するＲＯＭで構成されている。
【００１７】
記憶部１３は、大容量の記憶装置であり、例えば、ハードディスクなどで構成されている。この記憶部１３には、パーソナルコンピュータ１を制御するプログラムや、機器２に転送される機器２を制御するプログラムなどが記憶されている。
【００１８】
制御部１４は、ＣＰＵ（中央演算装置）であり、パーソナルコンピュータ１を制御するものである。
【００１９】
パーソナルコンピュータ１は、不揮発メモリ３のデータ書き込みや検査時に、機器２とＲＳ−２３２Ｃ等の通信ケーブルで接続する。パーソナルコンピュータ１は、不揮発メモリ３へ書き込むデータを制御部６に送信する。また、制御部６から検査結果を受信して表示することができる。
【００２０】
機器２は、不揮発メモリ３を内蔵した電子機器である。
【００２１】
不揮発メモリ３は、機器２が動作するために必要なデータやプログラムを記憶する記憶装置であり、ＥＥＰＲＯＭやフラッシュメモリなどである。
【００２２】
表示部４は、液晶表示素子などから構成されるものである。記憶部５は、ＲＡＭやＲＯＭである。制御部６が、実行するプログラムや制御データを記憶する。
【００２３】
制御部６は、マイクロコンピュータなどからなり、機器２を制御するものである。また、パーソナルコンピュータ１から受信したデータを不揮発メモリ３への書き込みや照合を行い、照合結果を表示部４に表示するものである。
【００２４】
不揮発メモリ３へのデータの書き込みは、データを記憶しているパーソナルコンピュータ１を機器２に前記通信ケーブルにて接続し、パーソナルコンピュータ１の制御部１４が、大容量記憶部１３から読み出した前記データを機器２の制御部６に転送する。
【００２５】
次に、本発明の検査装置を構成する制御部６が実行する転送された前記データの不揮発メモリ３への書き込みと検査の処理を図２のフローチャートを用いて説明する。
【００２６】
制御部６は、パーソナルコンピュータ１から前記データを受信する（Ｓ１）。
【００２７】
次に、制御部６は、不揮発メモリ３に前記データを書き込む（Ｓ２）。
【００２８】
次に、制御部６は、不揮発メモリ３に書き込んだ第１の誤り検出値であるチェックサムを計算し、記憶する（Ｓ３）。
【００２９】
次に、制御部６は、前記データの書き込みで使用した不揮発メモリ３の最後のアドレスを記憶する（Ｓ４）。
【００３０】
次に、制御部６は、不揮発メモリ３の使用領域の第２の誤り検出値であるチェックサムを確認する（Ｓ５）。さらに、制御部６は、不揮発メモリ３の前記データを書き込んでいない空き領域が、消去値（０ＦＦＨ）であるか否かを確認する（Ｓ６）。
【００３１】
最後に、制御部６は、不揮発メモリ３の使用領域のチェックサムの検査結果と、不揮発メモリ３の空き領域の消去値の検査結果を、機器２の表示部４にて表示する（Ｓ７）。
【００３２】
以上のように構成したことによって、書き込みアドレスが、ノイズなどにより不揮発メモリの空き領域に変化した場合、空き領域の消去値を検査することによって、不揮発メモリの空き領域の変化を検出することが可能となる。また、安価な演算装置でも不揮発メモリの検査を行うことが可能な検査方法とその装置を提供することができる。
【００３３】
なお、前記実施形態では、不揮発メモリ３の使用領域の検査に、チェックサム方式を利用していたが、誤り検出値としては、パリティを利用する方式でもよいし、あるいは、パーソナルコンピュータ１から再度データを読み込んで照合する方式であっても良い。
【００３４】
また、前記実施形態では、検査結果を機器２の表示部４で表示していたが、検査結果をパーソナルコンピュータ１に転送し、パーソナルコンピュータ１の表示部１１に表示するものであってもよい。
【産業上の利用可能性】
【００３５】
本発明は、不揮発メモリの検査方法およびその装置に利用可能である。
【符号の説明】
【００３６】
１        パーソナルコンピュータ
２        機器
３        不揮発メモリ
４        表示部
５        記憶部
６        制御部
１１        表示部
１２        メモリ
１３        大容量記憶部
１４        制御部
【図１】
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【図２】
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