(57)【要約】【課題】色素を添加することなく、銀層の一部が黒色化した積層体、並びに該積層体を用いたデータ受送信体、通信機器及び透明導電膜の提供。【解決手段】基材上に銀層が積層されてなり、前記銀層は、前記基材との接触面と、前記接触面に対して反対側の非接触面との、可視光波長域における同一波長での光反射率の差の絶対値が２０％以上であることを特徴とする積層体。前記銀層の体積抵抗率が５００μΩ・ｃｍ以下であることが好ましい。【選択図】図１
2015221559.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基材上に銀層が積層されてなり、
前記銀層は、前記基材との接触面と、前記接触面に対して反対側の非接触面との、可視光波長域における同一波長での光反射率の差の絶対値が２０％以上であることを特徴とする積層体。
【請求項２】
前記銀層の体積抵抗率が５００μΩ・ｃｍ以下である請求項１に記載の積層体。
【請求項３】
請求項１又は２に記載の積層体を用い、前記銀層をアンテナとして備えたことを特徴とするデータ受送信体。
【請求項４】
請求項１又は２に記載の積層体を用い、前記基材を筐体として備えたことを特徴とする通信機器。
【請求項５】
請求項１又は２に記載の積層体を用い、前記銀層を極微細配線又は極薄配線として備えたことを特徴とする透明導電膜。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、基材上に銀層が設けられた積層体、並びに該積層体を用いたデータ受送信体、通信機器及び透明導電膜に関する。
【背景技術】
【０００２】
金属銀は、記録材料や印刷刷版材料として、また、導電性に優れることから高導電性材料として幅広く使用されている。金属銀をこのような用途に適用する場合には、金属銀の形成材料が配合された銀インク組成物を調製し、この組成物を基材上に付着させ、加熱（焼成）処理する手法が採用される（例えば、特許文献１参照）。この手法により、基材上に金属銀（導電体）が形成された積層体が得られ、この導電体が、上記の記録材料、印刷刷版材料又は高導電性材料として利用される。
【０００３】
近年、金属銀により形成された金属配線等は、各種電子機器における透明電極、電磁波シールド、タッチパネル等の部材として汎用されている。特に、タッチパネルは、携帯電話機等の情報通信機器をはじめとする各種表示素子において需要が急増しており、透明基板を用いた金属配線は、重要な部材となっている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特表２００８−５３１８１０号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
上述のように、金属銀により形成された金属配線等は、各種電子機器に応用でき、有用である。一方、金属配線を、タッチパネル等の製造へ応用した場合、微細配線であっても金属光沢色を有する金属配線は、タッチパネル等の使用時に光が反射し、視認性に劣るという問題点がある。
これを解決するためには、光反射を防止するため、例えば金属配線を黒色化する方法が考えられる。
金属配線を黒色化する方法として、例えば特許文献１に記載された導電性インクを用いた場合には、導電性インクにカーボンブラック等の黒色色素を別途混合する方法がある。
しかしながら、導電性インクに別途色素材料等を添加することにより、金属配線の導電性が劣ることもあり、色素等を添加せず、視認性に優れた金属配線を得る方法が望まれていた。
【０００６】
本発明は、上記事情に鑑みてなされたものであり、銀層の一部が黒色化した積層体、並びに該積層体を用いたデータ受送信体、通信機器及び透明導電膜を提供することを課題とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上記課題を解決するため、本発明は基材上に銀層が積層されてなり、前記銀層は、前記基材との接触面と、前記接触面に対して反対側の非接触面との、可視光波長域における同一波長での光反射率の差の絶対値が２０％以上であることを特徴とする積層体を提供する。
本発明において、前記銀層の体積抵抗率は５００μΩ・ｃｍ以下であることが好ましい。
また、本発明は、前記積層体を用い、前記銀層をアンテナとして備えたことを特徴とするデータ受送信体を提供する。
また、本発明は、前記積層体を用い、前記基材を筐体として備えたことを特徴とする通信機器を提供する。
また、本発明は、前記積層体を用い、前記銀層を極微細配線又は極薄配線として備えたことを特徴とする透明導電膜を提供する。
【発明の効果】
【０００８】
本発明によれば、銀層の一部が黒色化した積層体、並びに該積層体を用いたデータ受送信体、通信機器及び透明導電膜を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【０００９】
【図１】本発明の積層体を例示する概略断面図である。
【図２】実施例１の積層体の反射率を示すグラフである。
【図３】実施例２の積層体の反射率を示すグラフである。
【図４】実施例３の積層体の反射率を示すグラフである。
【図５】比較例１の積層体の反射率を示すグラフである。
【発明を実施するための形態】
【００１０】
＜＜積層体＞＞
本発明の積層体は、基材上に銀層が積層されてなり、前記銀層は、前記基材との接触面と、前記接触面に対して反対側の非接触面との、可視光波長域における同一波長での光反射率の差の絶対値が２０％以上であることを特徴とする。
【００１１】
図１は、本発明の積層体を例示する概略断面図である。
ここに示す積層体１は、基材２上に銀層４を備える。すなわち、積層体１は、基材２上に銀層４が積層されたものである。また、銀層４は、黒色層４ｂと、金属光沢色層４ａとからなる。
【００１２】
＜基材＞
基材２は、目的に応じて任意の形状を選択でき、例えば、フィルム状又はシート状であることが好ましく、厚さが０．５〜５０００μｍであることが好ましく、０．５〜２０００μｍであることがより好ましい。下限値以上であることで、受容層の構造をより安定して保持でき、上限値以下であることで、銀層形成時の取り扱い性がより良好となる。
【００１３】
基材２の材質は特に限定されず、目的に応じて選択すればよいが、後述する銀インク組成物の加熱処理による銀層形成時に変質しない耐熱性を有するものが好ましい。
基材２の材質として具体的には、ポリエチレン（ＰＥ）、ポリプロピレン（ＰＰ）、ポリ塩化ビニル（ＰＶＣ）、ポリ塩化ビニリデン（ＰＶＤＣ）、ポリメチルペンテン（ＰＭＰ）、ポリシクロオレフィン、ポリスチレン（ＰＳ）、ポリ酢酸ビニル（ＰＶＡｃ）、ポリメタクリル酸メチル（ＰＭＭＡ）等のアクリル樹脂、ＡＳ樹脂、ＡＢＳ樹脂、ポリアミド（ＰＡ）、ポリイミド、ポリアミドイミド（ＰＡＩ）、ポリアセタール、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリブチレンテレフタレート（ＰＢＴ）、ポリトリメチレンテレフタレート（ＰＴＴ）、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）、ポリブチレンナフタレート（ＰＢＮ）、ポリフェニレンスルファイド（ＰＰＳ）、ポリスルホン（ＰＳＦ）、ポリエーテルスルホン（ＰＥＳ）、ポリエーテルケトン（ＰＥＫ）、ポリエーテルエーテルケトン（ＰＥＥＫ）、ポリカーボネート（ＰＣ）、ポリウレタン、ポリフェニレンエーテル（ＰＰＥ）、変性ポリフェニレンエーテル（ｍ−ＰＰＥ）、ポリアリレート、エポキシ樹脂、メラミン樹脂、フェノール樹脂、尿素樹脂等の合成樹脂が例示できる。
また、基材２の材質としては、上記以外にも、ガラス、シリコン等のセラミックスや、紙が例示できる。
また、基材２は、ガラスエポキシ樹脂、ポリマーアロイ等、二種以上の材質を併用したものでもよい。ポリマーアロイとしては、ＰＣ／ＡＢＳアロイ、ＰＢＴ／ＡＢＳアロイ、ＰＡ／ＡＢＳアロイ、ＰＣ／ＰＳアロイ等が挙げられる。
上記の中でも、基材２は透明な材質を選択することが好ましい。
【００１４】
基材２は、単層からなるものでもよいし、二層以上の複数層からなるものでもよい。基材２が複数層からなる場合、これら複数層は、互いに同一でも異なっていてもよい。すなわち、すべての層が同一であってもよいし、すべての層が異なっていてもよく、一部の層のみが異なっていてもよい。そして、複数層が互いに異なる場合、これら複数層の組み合わせは特に限定されない。ここで、複数層が互いに異なるとは、各層の材質及び厚さの少なくとも一方が互いに異なることを意味する。
なお、基材２が複数層からなる場合には、各層の合計の厚さが、上記の好ましい基材２の厚さとなるようにするとよい。
さらに、基材２が複数層からなる場合にも、基材２を透明な材質とすることが好ましい。
【００１５】
＜銀層＞
本発明において銀層４は、前記基材との接触面と、前記接触面に対して反対側の非接触面との、可視光波長域における同一波長での光反射率の差の絶対値が２０％以上である。
【００１６】
［光反射率］
本発明においては、銀層４は、基材２との接触面（図１中の４ｂの表面）の方が、前記接触面に対して反対側の非接触面（図１中の４ａの表面）よりも可視光波長域における同一波長での反射率が低い。以下、銀層４のうち、基材２との接触面側の層を「黒色層」又は「黒色層４ｂ」ということがあり、前記接触面に対して反対側の非接触面側の層を「金属光沢色層」又は「金属光沢色層４ａ」ということがある。
【００１７】
本発明において、光の反射率は公知の装置で測定することができ、測定角度も限定されず、試料面に対して垂直な軸となす角が、０度以上、９０度未満の範囲で任意に選択できる。
基材２が透明である場合、黒色層４ｂの光の反射率は、基材２を介して（銀層４が、基材２を備えた状態で）、測定した値であってもよい。
本発明において、光の反射率は例えば、積分球分光測色計  Ｘ−Ｒｉｔｅ  ｍｏｄｅｌ  ＳＰ６０（受光方式ｄ／８（ＳＣＩ））を使用して、可視光線が分布する波長帯において測定した値をいう。
【００１８】
本発明においては、黒色層４ｂと金属光沢色層４ａとの可視光波長域における同一波長での反射率の差の絶対値が２０％以上である。
本発明において、可視光波長域における同一波長での反射率の差の絶対値は３０％以上であることが好ましく、４０％以上であることがより好ましく、５０％以上、５５％以上、６０％以上、６５％以上、７０％以上、７５％以上等とすることも可能である。
本発明において、「同一波長」とは、可視光線が分布する波長帯であれば特に限定されず、４００〜７００ｎｍが好ましく、４５０〜６５０ｎｍがより好ましく、５００〜６００ｎｍが特に好ましい。
【００１９】
本発明において、銀層は金属銀の形成材料を用いて形成されたものが好ましい。
基材２の主面（銀層４が形成されている表面）を上方から見下ろすように、積層体１を平面視したときの、銀層４の形状は、目的に応じて任意に設定できる。例えば、基材２の表面全面に銀層４が設けられていてもよいし、基材２の表面のうち、一部のみに銀層４が設けられていてもよく、銀層４はパターニングされていてもよい。
【００２０】
［体積抵抗率］
本発明において、銀層の体積抵抗率は５００μΩ・ｃｍ以下であることが好ましく、例えば、４００μΩ・ｃｍ以下、３００μΩ・ｃｍ以下、２００μΩ・ｃｍ以下、１００μΩ・ｃｍ以下、５０μΩ・ｃｍ以下等とすることも可能である。
ここで、銀層の体積抵抗率は、例えば、銀層の線抵抗値Ｒ（Ω）、断面積Ａ（ｃｍ２）、及び線長Ｌ（ｃｍ）を測定し、式「ρ＝Ｒ×Ａ／Ｌ」により、体積抵抗率ρ（Ω・ｃｍ）として算出することができる。ここで、断面積Ａは、銀層４の断面積をいう。
また、銀層の体積抵抗率は、例えば、銀層の表面抵抗率及び厚さを測定し、これらの値を乗じることでも算出できる。なお、銀層の厚さは、例えば、レーザー顕微鏡を用いる方法等、公知の方法で求めることができ、例えば、必要に応じてフォトリソグラフィー等によって銀層をパターニングした後、その銀層の表面と、基材の表面と、の段差を測定することによって求めてもよい。
【００２１】
銀層４の厚さは、目的に応じて任意に設定できるが、０．０１〜１０μｍであることが好ましく、０．０５〜２μｍであることがより好ましい。銀層４の厚さが前記下限値以上であることで、銀層４が設けられたことによる効果がより高くなり、銀層４の厚さが前記上限値以下であることで、積層体１の構造をより安定して保持できる。
また、銀層４において、黒色層４ｂと金属光沢色層４ａの厚さの比率は特に限定されず、任意に調整できる。
本発明においては、導電性の向上の観点から、４ｂの厚さが、銀層４の厚さの５０％以下であることが好ましい。
【００２２】
本発明において、銀層４中に黒色層４ｂと金属光沢色層４ａが形成される理由としては、以下のように推察される。
本発明においては、銀層４を、後述する金属銀の形成材料が配合されてなる銀インク組成物を基材上に付着させ、基材上に付着させた銀インク組成物を固化処理することにより形成する。
固化処理は、後述するように基材上に付着させた銀インク組成物を加熱（焼成）処理することにより行う。
加熱（焼成）処理により、銀層上層に存在する金属銀以外の成分が揮発すると同時に、金属光沢色層が形成される。この際、銀層下層に存在する金属銀以外の成分は、上層に銀層が形成されたことにより揮発し難くなり、加熱（焼成）処理により揮発する前に銀粒子を取り囲むように吸着することで複合体となり、黒色層として形成されると考えられる。
基材と接触する側の面に黒色層が設けられていることにより、積層体を基材側から目視により視認した場合、基材側の銀層の反射率が低いため、光反射が抑制され、視認性を良好なものとすることができる。また、基材との接触面に対して反対側の非接触面には金属銀の純度の高い金属光沢層が設けられているため、体積抵抗値を低い値とすることができ、金属配線等に用いた場合に導電性にも優れたものとすることができると考えられる。
【００２３】
本発明の積層体は、図１に示すものに限定されず、本発明の効果を損なわない範囲内において、一部構成が適宜変更されたものでもよい。例えば、基材、銀層以外に、その他の層が形成されていてもよい。また、ここでは、基材の主面のうち、一方の面のみに銀層が設けられたものを示しているが、主面の両面（前記一方の面と、これとは反対側の他方の面と、の両方）に銀層が設けられたものでもよい。
【００２４】
＜＜積層体の製造方法＞＞
本発明の積層体は、前記銀層について、前記基材との接触面と、前記接触面に対して反対側の非接触面との、可視光波長域における同一波長での光反射率の差の絶対値を２０％以上としたこと以外、公知の積層体と同様の方法で製造できる。
前記積層体の好ましい製造方法としては、前記基材上に、前記金属銀の形成材料を用いて前記銀層を形成する工程（以下、「銀層形成工程」と略記することがある）を有することを特徴とする製造方法が例示できる。
【００２５】
＜銀層形成工程＞
銀層形成工程においては、基材上に、前記金属銀の形成材料を用いて銀層を形成する。
銀層は、金属銀の形成材料が配合されてなる銀インク組成物を調製し、これを基材上に付着させて、乾燥処理や加熱（焼成）処理等の後処理を適宜選択して固化させることで形成できる。加熱処理は、乾燥処理を兼ねて行ってもよい。
銀インク組成物としては、液状のものが好ましく、金属銀の形成材料が均一に分散されたものが好ましい。
【００２６】
銀インク組成物において、金属銀の形成材料に由来する銀の含有量は、５質量％以上であることが好ましく、１０質量％以上であることがより好ましい。このような範囲であることで、後述する方法で形成された銀層は、品質により優れたものとなる。前記銀の含有量の上限値は、本発明の効果を損なわない限り特に限定されないが、取り扱い性等を考慮すると２５質量％であることが好ましい。
なお、本明細書において、「金属銀の形成材料に由来する銀」とは、特に断りの無い限り、銀インク組成物の製造時に配合された金属銀の形成材料中の銀を意味し、配合後に引き続き金属銀の形成材料を構成している銀と、配合後に金属銀の形成材料が分解して生じた分解物中の銀及び銀自体と、の両方を含む概念とする。
【００２７】
前記金属銀の形成材料は、加熱等によって分解し、金属銀を形成するものである。
このような、加熱等のエネルギーで分解して金属銀を生成する材料を用いることによって、従来の金属銀粒子が配合されてなる銀インク組成物のように、予め金属銀粒子となっている材料を用いる場合に比べて、銀層の一部の黒色化（不均一化）をもたらすことが容易となる。
本発明において、金属銀の形成材料は、一種を単独で使用してもよいし、二種以上を併用してもよい。二種以上を併用する場合、その組み合わせ及び比率は、任意に調節できる。
【００２８】
［カルボン酸銀］
金属銀の形成材料としては、式「−ＣＯＯＡｇ」で表される基を有するカルボン酸銀が例示できる。
前記カルボン酸銀は、式「−ＣＯＯＡｇ」で表される基を有していれば特に限定されない。例えば、式「−ＣＯＯＡｇ」で表される基の数は１個のみでもよいし、２個以上でもよい。また、カルボン酸銀中の式「−ＣＯＯＡｇ」で表される基の位置も特に限定されない。
【００２９】
前記カルボン酸銀は、下記一般式（１）で表わされるβ−ケトカルボン酸銀（以下、「β−ケトカルボン酸銀（１）」と略記することがある）及び下記一般式（４）で表されるカルボン酸銀（以下、「カルボン酸銀（４）」と略記することがある）からなる群から選択される一種以上であることが好ましい。
なお、本明細書においては、単なる「カルボン酸銀」との記載は、特に断りの無い限り、「β−ケトカルボン酸銀（１）」及び「カルボン酸銀（４）」だけではなく、これらを包括する、「式「−ＣＯＯＡｇ」で表される基を有するカルボン酸銀」を意味するものとする。
【００３０】
【化１】
2015221559.tif 000003
（式中、Ｒは１個以上の水素原子が置換基で置換されていてもよい炭素数１〜２０の脂肪族炭化水素基若しくはフェニル基、水酸基、アミノ基、又は一般式「Ｒ１−ＣＹ２−」、「ＣＹ３−」、「Ｒ１−ＣＨＹ−」、「Ｒ２Ｏ−」、「Ｒ５Ｒ４Ｎ−」、「（Ｒ３Ｏ）２ＣＹ−」若しくは「Ｒ６−Ｃ（＝Ｏ）−ＣＹ２−」で表される基であり；
Ｙはそれぞれ独立にフッ素原子、塩素原子、臭素原子又は水素原子であり；Ｒ１は炭素数１〜１９の脂肪族炭化水素基又はフェニル基であり；Ｒ２は炭素数１〜２０の脂肪族炭化水素基であり；Ｒ３は炭素数１〜１６の脂肪族炭化水素基であり；Ｒ４及びＲ５はそれぞれ独立に炭素数１〜１８の脂肪族炭化水素基であり；Ｒ６は炭素数１〜１９の脂肪族炭化水素基、水酸基又は式「ＡｇＯ−」で表される基であり；
Ｘはそれぞれ独立に水素原子、炭素数１〜２０の脂肪族炭化水素基、ハロゲン原子、１個以上の水素原子が置換基で置換されていてもよいフェニル基若しくはベンジル基、シアノ基、Ｎ−フタロイル−３−アミノプロピル基、２−エトキシビニル基、又は一般式「Ｒ７Ｏ−」、「Ｒ７Ｓ−」、「Ｒ７−Ｃ（＝Ｏ）−」若しくは「Ｒ７−Ｃ（＝Ｏ）−Ｏ−」で表される基であり；
Ｒ７は、炭素数１〜１０の脂肪族炭化水素基、チエニル基、又は１個以上の水素原子が置換基で置換されていてもよいフェニル基若しくはジフェニル基である。）
【００３１】
【化２】
2015221559.tif 000004
（式中、Ｒ８は炭素数１〜１９の脂肪族炭化水素基、カルボキシ基又は式「−Ｃ（＝Ｏ）−ＯＡｇ」で表される基であり、前記脂肪族炭化水素基がメチレン基を有する場合、１個以上の該メチレン基はカルボニル基で置換されていてもよい。）
【００３２】
（β−ケトカルボン酸銀（１））
β−ケトカルボン酸銀（１）は、前記一般式（１）で表される。
式中、Ｒは１個以上の水素原子が置換基で置換されていてもよい炭素数１〜２０の脂肪族炭化水素基若しくはフェニル基、水酸基、アミノ基、又は一般式「Ｒ１−ＣＹ２−」、「ＣＹ３−」、「Ｒ１−ＣＨＹ−」、「Ｒ２Ｏ−」、「Ｒ５Ｒ４Ｎ−」、「（Ｒ３Ｏ）２ＣＹ−」若しくは「Ｒ６−Ｃ（＝Ｏ）−ＣＹ２−」で表される基である。
【００３３】
Ｒにおける炭素数１〜２０の脂肪族炭化水素基は、直鎖状、分岐鎖状及び環状（脂肪族環式基）のいずれでもよく、環状である場合、単環状及び多環状のいずれでもよい。また、前記脂肪族炭化水素基は、飽和脂肪族炭化水素基及び不飽和脂肪族炭化水素基のいずれでもよい。そして、前記脂肪族炭化水素基は、炭素数が１〜１０であることが好ましく、１〜６であることがより好ましい。Ｒにおける好ましい前記脂肪族炭化水素基としては、アルキル基、アルケニル基、アルキニル基が例示できる。
【００３４】
Ｒにおける直鎖状又は分枝鎖状の前記アルキル基としては、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、イソブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ｎ−ペンチル基、イソペンチル基、ネオペンチル基、ｔｅｒｔ−ペンチル基、１−メチルブチル基、２−メチルブチル基、ｎ−ヘキシル基、１−メチルペンチル基、２−メチルペンチル基、３−メチルペンチル基、４−メチルペンチル基、１，１−ジメチルブチル基、２，２−ジメチルブチル基、３，３−ジメチルブチル基、２，３−ジメチルブチル基、１−エチルブチル基、２−エチルブチル基、３−エチルブチル基、１−エチル−１−メチルプロピル基、ｎ−ヘプチル基、１−メチルヘキシル基、２−メチルヘキシル基、３−メチルヘキシル基、４−メチルヘキシル基、５−メチルヘキシル基、１，１−ジメチルペンチル基、２，２−ジメチルペンチル基、２，３−ジメチルペンチル基、２，４−ジメチルペンチル基、３，３−ジメチルペンチル基、４，４−ジメチルペンチル基、１−エチルペンチル基、２−エチルペンチル基、３−エチルペンチル基、４−エチルペンチル基、２，２，３−トリメチルブチル基、１−プロピルブチル基、ｎ−オクチル基、イソオクチル基、１−メチルヘプチル基、２−メチルヘプチル基、３−メチルヘプチル基、４−メチルヘプチル基、５−メチルヘプチル基、１−エチルヘキシル基、２−エチルヘキシル基、３−エチルヘキシル基、４−エチルヘキシル基、５−エチルヘキシル基、１，１−ジメチルヘキシル基、２，２−ジメチルヘキシル基、３，３−ジメチルヘキシル基、４，４−ジメチルヘキシル基、５，５−ジメチルヘキシル基、１−プロピルペンチル基、２−プロピルペンチル基、ノニル基、デシル基、ウンデシル基、ドデシル基、トリデシル基、テトラデシル基、ペンタデシル基、ヘキサデシル基、ヘプタデシル基、オクタデシル基、ノナデシル基、イコシル基が例示できる。
Ｒにおける環状の前記アルキル基としては、シクロプロピル基、シクロブチル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、シクロヘプチル基、シクロオクチル基、シクロノニル基、シクロデシル基、ノルボルニル基、イソボルニル基、１−アダマンチル基、２−アダマンチル基、トリシクロデシル基が例示できる。
【００３５】
Ｒにおける前記アルケニル基としては、ビニル基（エテニル基、−ＣＨ＝ＣＨ２）、アリル基（２−プロペニル基、−ＣＨ２−ＣＨ＝ＣＨ２）、１−プロペニル基（−ＣＨ＝ＣＨ−ＣＨ３）、イソプロペニル基（−Ｃ（ＣＨ３）＝ＣＨ２）、１−ブテニル基（−ＣＨ＝ＣＨ−ＣＨ２−ＣＨ３）、２−ブテニル基（−ＣＨ２−ＣＨ＝ＣＨ−ＣＨ３）、３−ブテニル基（−ＣＨ２−ＣＨ２−ＣＨ＝ＣＨ２）、シクロヘキセニル基、シクロペンテニル基等の、Ｒにおける前記アルキル基の炭素原子間の１個の単結合（Ｃ−Ｃ）が二重結合（Ｃ＝Ｃ）に置換された基が例示できる。
Ｒにおける前記アルキニル基としては、エチニル基（−Ｃ≡ＣＨ）、プロパルギル基（−ＣＨ２−Ｃ≡ＣＨ）等の、Ｒにおける前記アルキル基の炭素原子間の１個の単結合（Ｃ−Ｃ）が三重結合（Ｃ≡Ｃ）に置換された基が例示できる。
【００３６】
Ｒにおける炭素数１〜２０の脂肪族炭化水素基は、１個以上の水素原子が置換基で置換されていてもよく、好ましい前記置換基としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子が例示できる。また、置換基の数及び位置は特に限定されない。そして、置換基の数が複数である場合、これら複数個の置換基は互いに同一でも異なっていてもよい。すなわち、すべての置換基が同一であってもよいし、すべての置換基が異なっていてもよく、一部の置換基のみが異なっていてもよい。
【００３７】
Ｒにおけるフェニル基は、１個以上の水素原子が置換基で置換されていてもよく、好ましい前記置換基としては、炭素数が１〜１６の飽和又は不飽和の一価の脂肪族炭化水素基、該脂肪族炭化水素基が酸素原子に結合してなる一価の基、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、水酸基（−ＯＨ）、シアノ基（−Ｃ≡Ｎ）、フェノキシ基（−Ｏ−Ｃ６Ｈ５）等が例示でき、置換基の数及び位置は特に限定されない。そして、置換基の数が複数である場合、これら複数個の置換基は互いに同一でも異なっていてもよい。
置換基である前記脂肪族炭化水素基としては、炭素数が１〜１６である点以外は、Ｒにおける前記脂肪族炭化水素基と同様のものが例示できる。
【００３８】
ＲにおけるＹは、それぞれ独立にフッ素原子、塩素原子、臭素原子又は水素原子である。そして、一般式「Ｒ１−ＣＹ２−」、「ＣＹ３−」及び「Ｒ６−Ｃ（＝Ｏ）−ＣＹ２−」においては、それぞれ複数個のＹは、互いに同一でも異なっていてもよい。
【００３９】
ＲにおけるＲ１は、炭素数１〜１９の脂肪族炭化水素基又はフェニル基（Ｃ６Ｈ５−）であり、Ｒ１における前記脂肪族炭化水素基としては、炭素数が１〜１９である点以外は、Ｒにおける前記脂肪族炭化水素基と同様のものが例示できる。
ＲにおけるＲ２は、炭素数１〜２０の脂肪族炭化水素基であり、Ｒにおける前記脂肪族炭化水素基と同様のものが例示できる。
ＲにおけるＲ３は、炭素数１〜１６の脂肪族炭化水素基であり、炭素数が１〜１６である点以外は、Ｒにおける前記脂肪族炭化水素基と同様のものが例示できる。
ＲにおけるＲ４及びＲ５は、それぞれ独立に炭素数１〜１８の脂肪族炭化水素基である。すなわち、Ｒ４及びＲ５は、互いに同一でも異なっていてもよく、炭素数が１〜１８である点以外は、Ｒにおける前記脂肪族炭化水素基と同様のものが例示できる。
ＲにおけるＲ６は、炭素数１〜１９の脂肪族炭化水素基、水酸基又は式「ＡｇＯ−」で表される基であり、Ｒ６における前記脂肪族炭化水素基としては、炭素数が１〜１９である点以外は、Ｒにおける前記脂肪族炭化水素基と同様のものが例示できる。
【００４０】
Ｒは、上記の中でも、直鎖状若しくは分枝鎖状のアルキル基、一般式「Ｒ６−Ｃ（＝Ｏ）−ＣＹ２−」で表される基、水酸基又はフェニル基であることが好ましい。そして、Ｒ６は、直鎖状若しくは分枝鎖状のアルキル基、水酸基又は式「ＡｇＯ−」で表される基であることが好ましい。
【００４１】
一般式（１）において、Ｘはそれぞれ独立に水素原子、炭素数１〜２０の脂肪族炭化水素基、ハロゲン原子、１個以上の水素原子が置換基で置換されていてもよいフェニル基若しくはベンジル基（Ｃ６Ｈ５−ＣＨ２−）、シアノ基、Ｎ−フタロイル−３−アミノプロピル基、２−エトキシビニル基（Ｃ２Ｈ５−Ｏ−ＣＨ＝ＣＨ−）、又は一般式「Ｒ７Ｏ−」、「Ｒ７Ｓ−」、「Ｒ７−Ｃ（＝Ｏ）−」若しくは「Ｒ７−Ｃ（＝Ｏ）−Ｏ−」で表される基である。
Ｘにおける炭素数１〜２０の脂肪族炭化水素基としては、Ｒにおける前記脂肪族炭化水素基と同様のものが例示できる。
【００４２】
Ｘにおけるハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子が例示できる。
Ｘにおけるフェニル基及びベンジル基は、１個以上の水素原子が置換基で置換されていてもよく、好ましい前記置換基としては、ハロゲン原子（フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子）、ニトロ基（−ＮＯ２）等が例示でき、置換基の数及び位置は特に限定されない。そして、置換基の数が複数である場合、これら複数個の置換基は互いに同一でも異なっていてもよい。
【００４３】
ＸにおけるＲ７は、炭素数１〜１０の脂肪族炭化水素基、チエニル基（Ｃ４Ｈ３Ｓ−）、又は１個以上の水素原子が置換基で置換されていてもよいフェニル基若しくはジフェニル基（ビフェニル基、Ｃ６Ｈ５−Ｃ６Ｈ４−）である。Ｒ７における前記脂肪族炭化水素基としては、炭素数が１〜１０である点以外は、Ｒにおける前記脂肪族炭化水素基と同様のものが例示できる。また、Ｒ７におけるフェニル基及びジフェニル基の前記置換基としては、ハロゲン原子（フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子）等が例示でき、置換基の数及び位置は特に限定されない。そして、置換基の数が複数である場合、これら複数個の置換基は互いに同一でも異なっていてもよい。
Ｒ７がチエニル基又はジフェニル基である場合、これらの、Ｘにおいて隣接する基又は原子（酸素原子、硫黄原子、カルボニル基、カルボニルオキシ基）との結合位置は、特に限定されない。例えば、チエニル基は、２−チエニル基及び３−チエニル基のいずれでもよい。
【００４４】
一般式（１）において、２個のＸは、２個のカルボニル基で挟まれた炭素原子と二重結合を介して１個の基として結合していてもよく、このようなものとしては式「＝ＣＨ−Ｃ６Ｈ４−ＮＯ２」で表される基が例示できる。
【００４５】
Ｘは、上記の中でも、水素原子、直鎖状若しくは分枝鎖状のアルキル基、又はベンジル基であることが好ましく、少なくとも一方のＸが水素原子であることが好ましい。
【００４６】
前記β−ケトカルボン酸銀（１）は、２−メチルアセト酢酸銀（ＣＨ３−Ｃ（＝Ｏ）−ＣＨ（ＣＨ３）−Ｃ（＝Ｏ）−ＯＡｇ）、アセト酢酸銀（ＣＨ３−Ｃ（＝Ｏ）−ＣＨ２−Ｃ（＝Ｏ）−ＯＡｇ）、２−エチルアセト酢酸銀（ＣＨ３−Ｃ（＝Ｏ）−ＣＨ（ＣＨ２ＣＨ３）−Ｃ（＝Ｏ）−ＯＡｇ）、プロピオニル酢酸銀（ＣＨ３ＣＨ２−Ｃ（＝Ｏ）−ＣＨ２−Ｃ（＝Ｏ）−ＯＡｇ）、イソブチリル酢酸銀（（ＣＨ３）２ＣＨ−Ｃ（＝Ｏ）−ＣＨ２−Ｃ（＝Ｏ）−ＯＡｇ）、ピバロイル酢酸銀（（ＣＨ３）３Ｃ−Ｃ（＝Ｏ）−ＣＨ２−Ｃ（＝Ｏ）−ＯＡｇ）、カプロイル酢酸銀（ＣＨ３（ＣＨ２）３ＣＨ２−Ｃ（＝Ｏ）−ＣＨ２−Ｃ（＝Ｏ）−ＯＡｇ）、２−ｎ−ブチルアセト酢酸銀（ＣＨ３−Ｃ（＝Ｏ）−ＣＨ（ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ３）−Ｃ（＝Ｏ）−ＯＡｇ）、２−ベンジルアセト酢酸銀（ＣＨ３−Ｃ（＝Ｏ）−ＣＨ（ＣＨ２Ｃ６Ｈ５）−Ｃ（＝Ｏ）−ＯＡｇ）、ベンゾイル酢酸銀（Ｃ６Ｈ５−Ｃ（＝Ｏ）−ＣＨ２−Ｃ（＝Ｏ）−ＯＡｇ）、ピバロイルアセト酢酸銀（（ＣＨ３）３Ｃ−Ｃ（＝Ｏ）−ＣＨ２−Ｃ（＝Ｏ）−ＣＨ２−Ｃ（＝Ｏ）−ＯＡｇ）、イソブチリルアセト酢酸銀（（ＣＨ３）２ＣＨ−Ｃ（＝Ｏ）−ＣＨ２−Ｃ（＝Ｏ）−ＣＨ２−Ｃ（＝Ｏ）−ＯＡｇ）、２−アセチルピバロイル酢酸銀（（ＣＨ３）３Ｃ−Ｃ（＝Ｏ）−ＣＨ（−Ｃ（＝Ｏ）−ＣＨ３）−Ｃ（＝Ｏ）−ＯＡｇ）、２−アセチルイソブチリル酢酸銀（（ＣＨ３）２ＣＨ−Ｃ（＝Ｏ）−ＣＨ（−Ｃ（＝Ｏ）−ＣＨ３）−Ｃ（＝Ｏ）−ＯＡｇ）、又はアセトンジカルボン酸銀（ＡｇＯ−Ｃ（＝Ｏ）−ＣＨ２−Ｃ（＝Ｏ）−ＣＨ２−Ｃ（＝Ｏ）−ＯＡｇ）であることが好ましい。
【００４７】
β−ケトカルボン酸銀（１）は、乾燥処理や加熱（焼成）処理等の後処理により形成された導電体（金属銀）において、残存する原料や不純物の濃度をより低減できる。原料や不純物が少ない程、例えば、形成された金属銀同士の接触が良好となり、導通が容易となり、抵抗率が低下する。
【００４８】
β−ケトカルボン酸銀（１）は、後述するように、当該分野で公知の還元剤等を使用しなくても、好ましくは６０〜２１０℃、より好ましくは６０〜２００℃という低温で分解し、金属銀を形成することが可能である。そして、還元剤と併用することで、より低温で分解して金属銀を形成する。
【００４９】
本発明において、β−ケトカルボン酸銀（１）は、一種を単独で使用してもよいし、二種以上を併用してもよい。二種以上を併用する場合、その組み合わせ及び比率は、任意に調節できる。
【００５０】
（カルボン酸銀（４））
カルボン酸銀（４）は、前記一般式（４）で表される。
式中、Ｒ８は炭素数１〜１９の脂肪族炭化水素基、カルボキシ基（−ＣＯＯＨ）又は式「−Ｃ（＝Ｏ）−ＯＡｇ」で表される基である。
Ｒ８における前記脂肪族炭化水素基としては、炭素数が１〜１９である点以外は、Ｒにおける前記脂肪族炭化水素基と同様のものが例示できる。ただし、Ｒ８における前記脂肪族炭化水素基は、炭素数が１〜１５であることが好ましく、１〜１０であることがより好ましい。
【００５１】
Ｒ８における前記脂肪族炭化水素基がメチレン基（−ＣＨ２−）を有する場合、１個以上の該メチレン基はカルボニル基で置換されていてもよい。カルボニル基で置換されていてもよいメチレン基の数及び位置は特に限定されず、すべてのメチレン基がカルボニル基で置換されていてもよい。ここで「メチレン基」とは、単独の式「−ＣＨ２−」で表される基だけでなく、式「−ＣＨ２−」で表される基が複数個連なったアルキレン基中の１個の式「−ＣＨ２−」で表される基も含むものとする。
【００５２】
カルボン酸銀（４）は、ピルビン酸銀（ＣＨ３−Ｃ（＝Ｏ）−Ｃ（＝Ｏ）−ＯＡｇ）、酢酸銀（ＣＨ３−Ｃ（＝Ｏ）−ＯＡｇ）、酪酸銀（ＣＨ３−（ＣＨ２）２−Ｃ（＝Ｏ）−ＯＡｇ）、イソ酪酸銀（（ＣＨ３）２ＣＨ−Ｃ（＝Ｏ）−ＯＡｇ）、２−エチルへキサン酸銀（ＣＨ３−（ＣＨ２）３−ＣＨ（ＣＨ２ＣＨ３）−Ｃ（＝Ｏ）−ＯＡｇ）、ネオデカン酸銀（ＣＨ３−（ＣＨ２）５−Ｃ（ＣＨ３）２−Ｃ（＝Ｏ）−ＯＡｇ）、シュウ酸銀（ＡｇＯ−Ｃ（＝Ｏ）−Ｃ（＝Ｏ）−ＯＡｇ）、又はマロン酸銀（ＡｇＯ−Ｃ（＝Ｏ）−ＣＨ２−Ｃ（＝Ｏ）−ＯＡｇ）であることが好ましい。また、上記のシュウ酸銀（ＡｇＯ−Ｃ（＝Ｏ）−Ｃ（＝Ｏ）−ＯＡｇ）及びマロン酸銀（ＡｇＯ−Ｃ（＝Ｏ）−ＣＨ２−Ｃ（＝Ｏ）−ＯＡｇ）の２個の式「−ＣＯＯＡｇ」で表される基のうち、１個が式「−ＣＯＯＨ」で表される基となったもの（ＨＯ−Ｃ（＝Ｏ）−Ｃ（＝Ｏ）−ＯＡｇ、ＨＯ−Ｃ（＝Ｏ）−ＣＨ２−Ｃ（＝Ｏ）−ＯＡｇ）も好ましい。
【００５３】
カルボン酸銀（４）も、β−ケトカルボン酸銀（１）と同様に、乾燥処理や加熱（焼成）処理等の後処理により形成された導電体（金属銀）において、残存する原料や不純物の濃度をより低減できる。そして、還元剤と併用することで、より低温で分解して金属銀を形成する。
【００５４】
本発明において、カルボン酸銀（４）は、一種を単独で使用してもよいし、二種以上を併用してもよい。二種以上を併用する場合、その組み合わせ及び比率は、任意に調節できる。
【００５５】
前記カルボン酸銀は、２−メチルアセト酢酸銀、アセト酢酸銀、２−エチルアセト酢酸銀、プロピオニル酢酸銀、イソブチリル酢酸銀、ピバロイル酢酸銀、カプロイル酢酸銀、２−ｎ−ブチルアセト酢酸銀、２−ベンジルアセト酢酸銀、ベンゾイル酢酸銀、ピバロイルアセト酢酸銀、イソブチリルアセト酢酸銀、アセトンジカルボン酸銀、ピルビン酸銀、酢酸銀、酪酸銀、イソ酪酸銀、２−エチルへキサン酸銀、ネオデカン酸銀、シュウ酸銀及びマロン酸銀からなる群から選択される１種以上であることが好ましい。
そして、これらカルボン酸銀の中でも、２−メチルアセト酢酸銀及びアセト酢酸銀は、後述する含窒素化合物（なかでもアミン化合物）との相溶性に優れ、銀インク組成物の高濃度化に、特に適したものとして挙げられる。
【００５６】
［含窒素化合物］
前記銀インク組成物は、特に金属銀の形成材料が前記カルボン酸銀である場合、金属銀の形成材料以外に、さらに、炭素数２５以下のアミン化合物及び第４級アンモニウム塩、アンモニア、並びに前記アミン化合物又はアンモニアが酸と反応してなるアンモニウム塩からなる群から選択される一種以上の含窒素化合物（以下、単に「含窒素化合物」と略記することがある）が配合されてなるものが好ましい。
以下、炭素数２５以下のアミン化合物を「アミン化合物」、炭素数２５以下の第４級アンモニウム塩を「第４級アンモニウム塩」、炭素数２５以下のアミン化合物が酸と反応してなるアンモニウム塩を「アミン化合物由来のアンモニウム塩」、アンモニアが酸と反応してなるアンモニウム塩を「アンモニア由来のアンモニウム塩」と略記することがある。
【００５７】
（アミン化合物、第４級アンモニウム塩）
前記アミン化合物は、炭素数が１〜２５であり、第１級アミン、第２級アミン及び第３級アミンのいずれでもよい。また、前記第４級アンモニウム塩は、炭素数が４〜２５である。前記アミン化合物及び第４級アンモニウム塩は、鎖状及び環状のいずれでもよい。また、アミン部位又はアンモニウム塩部位を構成する窒素原子（例えば、第１級アミンのアミノ基（−ＮＨ２）を構成する窒素原子）の数は１個でもよいし、２個以上でもよい。
【００５８】
前記第１級アミンとしては、１個以上の水素原子が置換基で置換されていてもよいモノアルキルアミン、モノアリールアミン、モノ（ヘテロアリール）アミン、ジアミン等が例示できる。
【００５９】
前記モノアルキルアミンを構成するアルキル基は、直鎖状、分岐鎖状及び環状のいずれでもよく、Ｒにおける前記アルキル基と同様のものが例示でき、炭素数が１〜１９の直鎖状若しくは分岐鎖状のアルキル基、又は炭素数が３〜７の環状のアルキル基であることが好ましい。
好ましい前記モノアルキルアミンとして、具体的には、ｎ−ブチルアミン、ｎ−へキシルアミン、ｎ−オクチルアミン、ｎ−ドデシルアミン、ｎ−オクタデシルアミン、イソブチルアミン、ｓｅｃ−ブチルアミン、ｔｅｒｔ−ブチルアミン、３−アミノペンタン、３−メチルブチルアミン、２−ヘプチルアミン（２−アミノヘプタン）、２−アミノオクタン、２−エチルヘキシルアミン、１，２−ジメチル−ｎ−プロピルアミンが例示できる。
【００６０】
前記モノアリールアミンを構成するアリール基としては、フェニル基、１−ナフチル基、２−ナフチル基等が例示でき、炭素数が６〜１０であることが好ましい。
【００６１】
前記モノ（ヘテロアリール）アミンを構成するヘテロアリール基は、芳香族環骨格を構成する原子として、ヘテロ原子を有するものであり、前記ヘテロ原子としては、窒素原子、硫黄原子、酸素原子、ホウ素原子が例示できる。また、芳香族環骨格を構成する前記へテロ原子の数は特に限定されず、１個でもよいし、２個以上でもよい。２個以上である場合、これらへテロ原子は互いに同一でも異なっていてもよい。すなわち、これらへテロ原子は、すべて同じでもよいし、すべて異なっていてもよく、一部だけ異なっていてもよい。
前記ヘテロアリール基は、単環状及び多環状のいずれでもよく、その環員数（環骨格を構成する原子の数）も特に限定されないが、３〜１２員環であることが好ましい。
【００６２】
前記ヘテロアリール基で、窒素原子を１〜４個有する単環状のものとしては、ピロリル基、ピロリニル基、イミダゾリル基、ピラゾリル基、ピリジル基、ピリミジル基、ピラジニル基、ピリダジニル基、トリアゾリル基、テトラゾリル基、ピロリジニル基、イミダゾリジニル基、ピペリジニル基、ピラゾリジニル基、ピペラジニル基が例示でき、３〜８員環であることが好ましく、５〜６員環であることがより好ましい。
前記ヘテロアリール基で、酸素原子を１個有する単環状のものとしては、フラニル基が例示でき、３〜８員環であることが好ましく、５〜６員環であることがより好ましい。
前記ヘテロアリール基で、硫黄原子を１個有する単環状のものとしては、チエニル基が例示でき、３〜８員環であることが好ましく、５〜６員環であることがより好ましい。
前記ヘテロアリール基で、酸素原子を１〜２個及び窒素原子を１〜３個有する単環状のものとしては、オキサゾリル基、イソオキサゾリル基、オキサジアゾリル基、モルホリニル基が例示でき、３〜８員環であることが好ましく、５〜６員環であることがより好ましい。
前記ヘテロアリール基で、硫黄原子を１〜２個及び窒素原子を１〜３個有する単環状のものとしては、チアゾリル基、チアジアゾリル基、チアゾリジニル基が例示でき、３〜８員環であることが好ましく、５〜６員環であることがより好ましい。
前記ヘテロアリール基で、窒素原子を１〜５個有する多環状のものとしては、インドリル基、イソインドリル基、インドリジニル基、ベンズイミダゾリル基、キノリル基、イソキノリル基、インダゾリル基、ベンゾトリアゾリル基、テトラゾロピリジル基、テトラゾロピリダジニル基、ジヒドロトリアゾロピリダジニル基が例示でき、７〜１２員環であることが好ましく、９〜１０員環であることがより好ましい。
前記ヘテロアリール基で、硫黄原子を１〜３個有する多環状のものとしては、ジチアナフタレニル基、ベンゾチオフェニル基が例示でき、７〜１２員環であることが好ましく、９〜１０員環であることがより好ましい。
前記ヘテロアリール基で、酸素原子を１〜２個及び窒素原子を１〜３個有する多環状のものとしては、ベンゾオキサゾリル基、ベンゾオキサジアゾリル基が例示でき、７〜１２員環であることが好ましく、９〜１０員環であることがより好ましい。
前記ヘテロアリール基で、硫黄原子を１〜２個及び窒素原子を１〜３個有する多環状のものとしては、ベンゾチアゾリル基、ベンゾチアジアゾリル基が例示でき、７〜１２員環であることが好ましく、９〜１０員環であることがより好ましい。
【００６３】
前記ジアミンは、アミノ基を２個有していればよく、２個のアミノ基の位置関係は特に限定されない。好ましい前記ジアミンとしては、前記モノアルキルアミン、モノアリールアミン又はモノ（ヘテロアリール）アミンにおいて、アミノ基（−ＮＨ２）を構成する水素原子以外の１個の水素原子が、アミノ基で置換されたものが例示できる。
前記ジアミンは炭素数が１〜１０であることが好ましく、より好ましいものとしてはエチレンジアミン、１，３−ジアミノプロパン、１，４−ジアミノブタンが例示できる。
【００６４】
前記第２級アミンとしては、１個以上の水素原子が置換基で置換されていてもよいジアルキルアミン、ジアリールアミン、ジ（ヘテロアリール）アミン等が例示できる。
【００６５】
前記ジアルキルアミンを構成するアルキル基は、前記モノアルキルアミンを構成するアルキル基と同様であり、炭素数が１〜９の直鎖状若しくは分岐鎖状のアルキル基、又は炭素数が３〜７の環状のアルキル基であることが好ましい。また、ジアルキルアミン一分子中の２個のアルキル基は、互いに同一でも異なっていてもよい。
好ましい前記ジアルキルアミンとして、具体的には、Ｎ−メチル−ｎ−ヘキシルアミン、ジイソブチルアミン、ジ（２−エチルへキシル）アミンが例示できる。
【００６６】
前記ジアリールアミンを構成するアリール基は、前記モノアリールアミンを構成するアリール基と同様であり、炭素数が６〜１０であることが好ましい。また、ジアリールアミン一分子中の２個のアリール基は、互いに同一でも異なっていてもよい。
【００６７】
前記ジ（ヘテロアリール）アミンを構成するヘテロアリール基は、前記モノ（ヘテロアリール）アミンを構成するヘテロアリール基と同様であり、６〜１２員環であることが好ましい。また、ジ（ヘテロアリール）アミン一分子中の２個のヘテロアリール基は、互いに同一でも異なっていてもよい。
【００６８】
前記第３級アミンとしては、１個以上の水素原子が置換基で置換されていてもよいトリアルキルアミン、ジアルキルモノアリールアミン等が例示できる。
【００６９】
前記トリアルキルアミンを構成するアルキル基は、前記モノアルキルアミンを構成するアルキル基と同様であり、炭素数が１〜１９の直鎖状若しくは分岐鎖状のアルキル基、又は炭素数が３〜７の環状のアルキル基であることが好ましい。また、トリアルキルアミン一分子中の３個のアルキル基は、互いに同一でも異なっていてもよい。すなわち、３個のアルキル基は、すべてが同じでもよいし、すべてが異なっていてもよく、一部だけが異なっていてもよい。
好ましい前記トリアルキルアミンとして、具体的には、Ｎ，Ｎ−ジメチル−ｎ−オクタデシルアミン、Ｎ，Ｎ−ジメチルシクロヘキシルアミンが例示できる。
【００７０】
前記ジアルキルモノアリールアミンを構成するアルキル基は、前記モノアルキルアミンを構成するアルキル基と同様であり、炭素数が１〜６の直鎖状若しくは分岐鎖状のアルキル基、又は炭素数が３〜７の環状のアルキル基であることが好ましい。また、ジアルキルモノアリールアミン一分子中の２個のアルキル基は、互いに同一でも異なっていてもよい。
前記ジアルキルモノアリールアミンを構成するアリール基は、前記モノアリールアミンを構成するアリール基と同様であり、炭素数が６〜１０であることが好ましい。
【００７１】
本発明において、前記第４級アンモニウム塩としては、１個以上の水素原子が置換基で置換されていてもよいハロゲン化テトラアルキルアンモニウム等が例示できる。
前記ハロゲン化テトラアルキルアンモニウムを構成するアルキル基は、前記モノアルキルアミンを構成するアルキル基と同様であり、炭素数が１〜１９であることが好ましい。また、ハロゲン化テトラアルキルアンモニウム一分子中の４個のアルキル基は、互いに同一でも異なっていてもよい。すなわち、４個のアルキル基は、すべてが同じでもよいし、すべてが異なっていてもよく、一部だけが異なっていてもよい。
前記ハロゲン化テトラアルキルアンモニウムを構成するハロゲンとしては、フッ素、塩素、臭素、ヨウ素が例示できる。
好ましい前記ハロゲン化テトラアルキルアンモニウムとして、具体的には、ドデシルトリメチルアンモニウムブロミドが例示できる。
【００７２】
ここまでは、主に鎖状のアミン化合物及び第４級有機アンモニウム塩について説明したが、前記アミン化合物及び第４級アンモニウム塩は、アミン部位又はアンモニウム塩部位を構成する窒素原子が環骨格構造（複素環骨格構造）の一部であるようなヘテロ環化合物であってもよい。すなわち、前記アミン化合物は環状アミンでもよく、前記第４級アンモニウム塩は環状アンモニウム塩でもよい。この時の環（アミン部位又はアンモニウム塩部位を構成する窒素原子を含む環）構造は、単環状及び多環状のいずれでもよく、その環員数（環骨格を構成する原子の数）も特に限定されず、脂肪族環及び芳香族環のいずれでもよい。
環状アミンであれば、好ましいものとして、ピリジンが例示できる。
【００７３】
前記第１級アミン、第２級アミン、第３級アミン及び第４級アンモニウム塩において、「置換基で置換されていてもよい水素原子」とは、アミン部位又はアンモニウム塩部位を構成する窒素原子に結合している水素原子以外の水素原子である。この時の置換基の数は特に限定されず、１個でもよいし、２個以上でもよく、前記水素原子のすべてが置換基で置換されていてもよい。置換基の数が複数の場合には、これら複数個の置換基は互いに同一でも異なっていてもよい。すなわち、複数個の置換基はすべて同じでもよいし、すべて異なっていてもよく、一部だけが異なっていてもよい。また、置換基の位置も特に限定されない。
【００７４】
前記アミン化合物及び第４級アンモニウム塩における前記置換基としては、アルキル基、アリール基、ハロゲン原子、シアノ基、ニトロ基、水酸基、トリフルオロメチル基（−ＣＦ３）等が例示できる。ここで、ハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子が例示できる。
【００７５】
前記モノアルキルアミンを構成するアルキル基が置換基を有する場合、かかるアルキル基は、置換基としてアリール基を有する、炭素数が１〜９の直鎖状若しくは分岐鎖状のアルキル基、又は置換基として好ましくは炭素数が１〜５のアルキル基を有する、炭素数が３〜７の環状のアルキル基が好ましく、このような置換基を有するモノアルキルアミンとして、具体的には、２−フェニルエチルアミン、ベンジルアミン、２，３−ジメチルシクロヘキシルアミンが例示できる。
また、置換基である前記アリール基及びアルキル基は、さらに１個以上の水素原子がハロゲン原子で置換されていてもよく、このようなハロゲン原子で置換された置換基を有するモノアルキルアミンとしては、２−ブロモベンジルアミンが例示できる。ここで、前記ハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子が例示できる。
【００７６】
前記モノアリールアミンを構成するアリール基が置換基を有する場合、かかるアリール基は、置換基としてハロゲン原子を有する、炭素数が６〜１０のアリール基が好ましく、このような置換基を有するモノアリールアミンとして、具体的には、ブロモフェニルアミンが例示できる。ここで、前記ハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子が例示できる。
【００７７】
前記ジアルキルアミンを構成するアルキル基が置換基を有する場合、かかるアルキル基は、置換基として水酸基又はアリール基を有する、炭素数が１〜９の直鎖状若しくは分岐鎖状のアルキル基が好ましく、このような置換基を有するジアルキルアミンとして、具体的には、ジエタノールアミン、Ｎ−メチルベンジルアミンが例示できる。
【００７８】
前記アミン化合物は、ｎ−プロピルアミン、ｎ−ブチルアミン、ｎ−へキシルアミン、ｎ−オクチルアミン、ｎ−ドデシルアミン、ｎ−オクタデシルアミン、イソブチルアミン、ｓｅｃ−ブチルアミン、ｔｅｒｔ−ブチルアミン、３−アミノペンタン、３−メチルブチルアミン、２−ヘプチルアミン、２−アミノオクタン、２−エチルヘキシルアミン、２−フェニルエチルアミン、エチレンジアミン、１，３−ジアミノプロパン、１，４−ジアミノブタン、Ｎ−メチル−ｎ−ヘキシルアミン、ジイソブチルアミン、Ｎ−メチルベンジルアミン、ジ（２−エチルへキシル）アミン、１，２−ジメチル−ｎ−プロピルアミン、Ｎ，Ｎ−ジメチル−ｎ−オクタデシルアミン又はＮ，Ｎ−ジメチルシクロヘキシルアミンであることが好ましい。
また、後述する二酸化炭素供給時において、銀インク組成物（第二の混合物）中の成分がより均一に分散して、品質が安定することから、前記アミン化合物は分岐鎖状のアルキル基を有するものが好ましい。
【００７９】
（アミン化合物由来のアンモニウム塩）
本発明において、前記アミン化合物由来のアンモニウム塩は、前記アミン化合物が酸と反応してなるアンモニウム塩であり、前記酸は、塩酸、硫酸、硝酸等の無機酸でもよいし、酢酸等の有機酸でもよく、酸の種類は特に限定されない。
前記アミン化合物由来のアンモニウム塩としては、ｎ−プロピルアミン塩酸塩、Ｎ−メチル−ｎ−ヘキシルアミン塩酸塩、Ｎ，Ｎ−ジメチル−ｎ−オクタデシルアミン塩酸塩等が例示できるが、これらに限定されない。
【００８０】
（アンモニア由来のアンモニウム塩）
本発明において、前記アンモニア由来のアンモニウム塩は、アンモニアが酸と反応してなるアンモニウム塩であり、ここで酸としては、前記アミン化合物由来のアンモニウム塩の場合と同じものが例示できる。
前記アンモニア由来のアンモニウム塩としては、塩化アンモニウム等が例示できるが、これに限定されない。
【００８１】
本発明においては、前記アミン化合物、第４級アンモニウム塩、アミン化合物由来のアンモニウム塩及びアンモニア由来のアンモニウム塩は、それぞれ一種を単独で使用してもよいし、二種以上を併用してもよい。二種以上を併用する場合、その組み合わせ及び比率は、任意に調節できる。
そして、前記含窒素化合物としては、前記アミン化合物、第４級アンモニウム塩、アミン化合物由来のアンモニウム塩及びアンモニア由来のアンモニウム塩からなる群から選択される一種を単独で使用してもよいし、二種以上を併用してもよい。二種以上を併用する場合、その組み合わせ及び比率は、任意に調節できる。
【００８２】
銀インク組成物において、前記含窒素化合物の配合量は、前記カルボン酸銀の配合量１モルあたり０．４〜１５モルであることが好ましく、０．６〜１２モルであることがより好ましく、例えば、０．８〜５モルであってもよい。
前記含窒素化合物の配合量を上記のように規定することで、銀インク組成物は安定性がより向上し、銀層の品質がより向上する。さらに、高温による加熱処理を行わなくても、より安定して銀層を形成できる。
【００８３】
［還元剤］
銀インク組成物は、前記金属銀の形成材料以外に、さらに還元剤が配合されてなるものでもよい。還元剤を配合することで、前記銀インク組成物は、金属銀をより形成し易くなり、例えば、低温での加熱処理でも十分な導電性を有する金属銀（導電体）を形成できる。
そして、前記還元剤は、シュウ酸、ヒドラジン及び下記一般式（５）で表される化合物（以下、「化合物（５）」と略記することがある）からなる群から選択される一種以上の還元性化合物（以下、単に「還元性化合物」と略記することがある）であることが好ましい。
Ｈ−Ｃ（＝Ｏ）−Ｒ２１  ・・・・（５）
（式中、Ｒ２１は、炭素数２０以下のアルキル基、アルコキシ基若しくはＮ，Ｎ−ジアルキルアミノ基、水酸基又はアミノ基である。）
【００８４】
（還元性化合物）
前記還元性化合物は、シュウ酸（ＨＯＯＣ−ＣＯＯＨ）、ヒドラジン（Ｈ２Ｎ−ＮＨ２）及び前記一般式（５）で表される化合物（化合物（５））からなる群から選択される一種以上のものである。すなわち、配合される還元性化合物は、一種のみでよいし、二種以上でもよく、二種以上を併用する場合、その組み合わせ及び比率は、任意に調節できる。
【００８５】
式中、Ｒ２１は、炭素数２０以下のアルキル基、アルコキシ基若しくはＮ，Ｎ−ジアルキルアミノ基、水酸基又はアミノ基である。
Ｒ２１における炭素数２０以下のアルキル基は、炭素数が１〜２０であり、直鎖状、分岐鎖状及び環状のいずれでもよく、前記一般式（１）のＲにおける前記アルキル基と同様のものが例示できる。
【００８６】
Ｒ２１における炭素数２０以下のアルコキシ基は、炭素数が１〜２０であり、Ｒ２１における前記アルキル基が酸素原子に結合してなる一価の基が例示できる。
【００８７】
Ｒ２１における炭素数２０以下のＮ，Ｎ−ジアルキルアミノ基は、炭素数が２〜２０であり、窒素原子に結合している２個のアルキル基は、互いに同一でも異なっていてもよく、該アルキル基はそれぞれ炭素数が１〜１９である。ただし、これら２個のアルキル基の炭素数の合計値が２〜２０である。
窒素原子に結合している前記アルキル基は、それぞれ直鎖状、分岐鎖状及び環状のいずれでもよく、炭素数が１〜１９である点以外は、前記一般式（１）のＲにおける前記アルキル基と同様のものが例示できる。
【００８８】
前記還元性化合物として、ヒドラジンは、一水和物（Ｈ２Ｎ−ＮＨ２・Ｈ２Ｏ）を用いてもよい。
【００８９】
前記還元性化合物は、ギ酸（Ｈ−Ｃ（＝Ｏ）−ＯＨ）、ギ酸メチル（Ｈ−Ｃ（＝Ｏ）−ＯＣＨ３）、ギ酸エチル（Ｈ−Ｃ（＝Ｏ）−ＯＣＨ２ＣＨ３）、ギ酸ブチル（Ｈ−Ｃ（＝Ｏ）−Ｏ（ＣＨ２）３ＣＨ３）、プロパナール（Ｈ−Ｃ（＝Ｏ）−ＣＨ２ＣＨ３）、ブタナール（Ｈ−Ｃ（＝Ｏ）−（ＣＨ２）２ＣＨ３）、ヘキサナール（Ｈ−Ｃ（＝Ｏ）−（ＣＨ２）４ＣＨ３）、ホルムアミド（Ｈ−Ｃ（＝Ｏ）−ＮＨ２）、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド（Ｈ−Ｃ（＝Ｏ）−Ｎ（ＣＨ３）２）又はシュウ酸であることが好ましい。
【００９０】
銀インク組成物において、還元剤の配合量は、前記金属銀の形成材料の配合量１モルあたり０．０４〜３．５モルであることが好ましく、０．０６〜２．５モルであることがより好ましい。このように規定することで、銀インク組成物は、より容易に、より安定して銀層を形成できる。
【００９１】
［アルコール］
銀インク組成物は、前記金属銀の形成材料以外に、さらにアルコールが配合されてなるものが好ましい。
【００９２】
前記アルコールは、直鎖状、分岐鎖状及び環状のいずれでもよく、環状である場合、単環状及び多環状のいずれでもよい。
また、前記アルコール類は、一価アルコール及び多価アルコールのいずれでもよい。
なかでも、前記アルコールは、直鎖状又は分岐鎖状であることが好ましい。
好ましい前記アルコールとしては、下記一般式（２）で表されるアセチレンアルコール類（以下、「アセチレンアルコール（２）」と略記することがある）、及び前記アセチレンアルコール（２）に該当しない炭素数が１〜７のアルコール（以下、「その他のアルコール」と略記することがある）が例示できる。
アセチレンアルコール（２）及び前記その他のアルコールは、上述の銀インク組成物の加熱処理により、黒色層を形成する成分として好適である。
なお、本明細書においては、単なる「アルコール」との記載は、特に断りの無い限り、「その他のアルコール」だけではなく、「アセチレンアルコール（２）」も含めてこれらを包括するアルコール類全般を意味するものとする。
【００９３】
【化３】
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（式中、Ｒ’及びＲ’’は、それぞれ独立に炭素数１〜２０のアルキル基、又は１個以上の水素原子が置換基で置換されていてもよいフェニル基である。）
【００９４】
（アセチレンアルコール（２））
アセチレンアルコール（２）は、前記一般式（２）で表される。
式中、Ｒ’及びＲ’’は、それぞれ独立に炭素数１〜２０のアルキル基、又は１個以上の水素原子が置換基で置換されていてもよいフェニル基である。
Ｒ’及びＲ’’における炭素数１〜２０のアルキル基は、直鎖状、分岐鎖状及び環状のいずれでもよく、環状である場合、単環状及び多環状のいずれでもよい。Ｒ’及びＲ’’における前記アルキル基としては、Ｒにおける前記アルキル基と同様のものが例示できる。
【００９５】
Ｒ’及びＲ’’におけるフェニル基の水素原子が置換されていてもよい前記置換基としては、炭素数が１〜１６の飽和又は不飽和の一価の脂肪族炭化水素基、該脂肪族炭化水素基が酸素原子に結合してなる一価の基、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、水酸基、シアノ基、フェノキシ基等が例示でき、Ｒにおけるフェニル基の水素原子が置換されていてもよい前記置換基と同様である。そして、置換基の数及び位置は特に限定されず、置換基の数が複数である場合、これら複数個の置換基は互いに同一でも異なっていてもよい。
【００９６】
Ｒ’及びＲ’’は、炭素数１〜２０のアルキル基であることが好ましく、炭素数１〜１０の直鎖状又は分岐鎖状のアルキル基であることがより好ましい。
【００９７】
好ましいアセチレンアルコール（２）としては、３，５−ジメチル−１−ヘキシン−３−オール、３−メチル−１−ブチン−３−オール、３−メチル−１−ペンチン−３−オールが例示できる。
【００９８】
アセチレンアルコール（２）を用いる場合、銀インク組成物において、アセチレンアルコール（２）の配合量は、前記金属銀の形成材料の配合量１モルあたり０．０３〜０．７モルであることが好ましく、０．０４〜０．５モルであることがより好ましい。このような範囲とすることで、銀インク組成物の安定性がより向上する。また、このような範囲とすることにより、後述する固化処理において、銀層において、黒色層と金属光沢色層を形成し易くなる。
【００９９】
炭素数が１〜７の前記その他のアルコールは、炭素数が１〜５であることが好ましく、より具体的には、メタノール、エタノール、１−プロパノール、２−プロパノール、１−ブタノール、２−ブタノール、２−メチル−１−プロパノール、２−メチル−２−プロパノール、１−ペンタノール等の一価アルコール；エチレングリコール、プロピレングリコール等の二価アルコールが例示できる。
【０１００】
前記その他のアルコールを用いる場合、銀インク組成物において、前記その他のアルコールの配合量は、β−ケトカルボン酸銀（１）の配合量１質量部あたり０．２〜４質量部であることが好ましく、０．５〜２質量部であることがより好ましい。その他のアルコールの前記配合量が前記下限値以上であることで、銀インク組成物は取り扱い性がより向上し、前記上限値以下であることで、金属銀をより効率的に形成できる。また、このような範囲とすることにより、後述する固化処理において、銀層において、黒色層と金属光沢色層を形成し易くなる。
【０１０１】
前記アルコールは、一種を単独で使用してもよいし、二種以上を併用してもよく、二種以上を併用する場合、その組み合わせ及び比率は、任意に調節できる。
【０１０２】
［その他の成分］
銀インク組成物は、前記金属銀の形成材料、含窒素化合物、還元剤及びアルコール以外の、その他の成分が配合されてなるものでもよい。
前記その他の成分は、目的に応じて任意に選択でき、特に限定されず、好ましいものとしては、アルコール以外の溶媒が例示でき、配合成分の種類や量に応じて任意に選択できる。
【０１０３】
前記溶媒で好ましいものとしては、常温常圧条件下で液状のアルカンが例示でき、前記アルカンは直鎖状、分岐鎖状及び環状のいずれでもよく、炭素数が１５以下であることが好ましく、より好ましいものとしては、ペンタン、ヘキサン、シクロヘキサン、ヘプタン、オクタン、ノナン、デカン、ウンデカン、ドデカン、トリデカン、テトラデカン、ペンタデカン等が例示できる。
【０１０４】
銀インク組成物における前記その他の成分は、一種を単独で使用してもよいし、二種以上を併用してもよく、二種以上を併用する場合、その組み合わせ及び比率は、任意に選択できる。
【０１０５】
銀インク組成物における前記その他の成分の配合量は、前記その他の成分の種類に応じて、適宜選択すればよい。
例えば、前記その他の成分がアルコール以外の溶媒である場合、前記溶媒の配合量は、銀インク組成物の粘度等、目的に応じて選択すればよいが、通常は、銀インク組成物において、配合成分の総量に対する前記溶媒の配合量の割合は、３５質量％以下であることが好ましく、３０質量％以下であることがより好ましく、２５質量％以下であることが特に好ましい。
また、前記その他の成分が前記溶媒以外の成分である場合、銀インク組成物において、配合成分の総量に対する前記その他の成分の配合量の割合は、１０質量％以下であることが好ましく、５質量％以下であることがより好ましい。
配合成分の総量に対する前記その他の成分の配合量の割合が０質量、すなわちその他の成分を配合しなくても、銀インク組成物は十分にその効果を発現する。
【０１０６】
銀インク組成物は、配合成分がすべて溶解していてもよいし、一部又は全ての成分が溶解せずに分散した状態であってもよいが、配合成分がすべて溶解していることが好ましく、溶解していない成分は均一に分散していることが好ましい。
【０１０７】
［銀インク組成物の製造方法］
銀インク組成物は、前記金属銀の形成材料、及び前記金属銀の形成材料以外の成分を配合することで得られる。各成分の配合後は、得られたものをそのまま銀インク組成物としてもよいし、必要に応じて引き続き公知の精製操作を行って得られたものを銀インク組成物としてもよい。本発明においては、特に前記金属銀の形成材料としてβ−ケトカルボン酸銀（１）を用いた場合、上記の各成分の配合時において、導電性を阻害する不純物が生成しないか、又はこのような不純物の生成量を極めて少量に抑制できるため、精製操作を行っていない銀インク組成物を用いても、十分な導電性を有する導電体（金属銀）が得られる。
【０１０８】
各成分の配合時には、すべての成分を添加してからこれらを混合してもよいし、一部の成分を順次添加しながら混合してもよく、すべての成分を順次添加しながら混合してもよい。ただし、本発明においては、前記還元剤は滴下により配合することが好ましく、さらに滴下速度の変動を抑制することで、銀層の表面粗さをより低減できる傾向にある。
混合方法は特に限定されず、撹拌子又は撹拌翼等を回転させて混合する方法；ミキサー、三本ロール、ニーダー又はビーズミル等を使用して混合する方法；超音波を加えて混合する方法等、公知の方法から適宜選択すればよい。
銀インク組成物において、溶解していない成分を均一に分散させる場合には、例えば、上記の三本ロール、ニーダー又はビーズミル等を用いて分散させる方法を適用するのが好ましい。
【０１０９】
配合時の温度は、各配合成分が劣化しない限り特に限定されないが、−５〜６０℃であることが好ましく、−５〜３０℃であることがより好ましい。そして、配合時の温度は、配合成分の種類及び量に応じて、配合して得られた混合物が撹拌し易い粘度となるように、適宜調節するとよい。
また、配合時間（混合時間）も、各配合成分が劣化しない限り特に限定されないが、５分〜３６時間であることが好ましく、５〜１２０分であることがより好ましい。
【０１１０】
［二酸化炭素］
銀インク組成物は、さらに二酸化炭素が供給されてなるものでもよい。このような銀インク組成物は高粘度となり、例えば、フレキソ印刷法、スクリーン印刷法、グラビア印刷法、グラビアオフセット印刷法、パッド印刷法等の、インクを厚盛りすることが必要な印刷法への適用に好適である。
【０１１１】
二酸化炭素は、銀インク組成物製造時のいずれの時期に供給してもよい。
そして、本発明においては、例えば、前記金属銀の形成材料及び含窒素化合物が配合されてなる第一の混合物に、二酸化炭素を供給して第二の混合物とし、必要に応じて前記第二の混合物に、さらに、前記還元剤を配合して、銀インク組成物を製造することが好ましい。また、前記アルコール又はその他の成分を配合する場合、これらは、第一の混合物及び第二の混合物のいずれか一方又は両方の製造時に配合でき、目的に応じて任意に選択できる。
【０１１２】
前記第一の混合物は、配合成分が異なる点以外は、上記の銀インク組成物と同様の方法で製造できる。
【０１１３】
第一の混合物は、配合成分がすべて溶解していてもよいし、一部の成分が溶解せずに分散した状態であってもよいが、配合成分がすべて溶解していることが好ましく、溶解していない成分は均一に分散していることが好ましい。
【０１１４】
第一の混合物製造時の配合温度は、各配合成分が劣化しない限り特に限定されないが、−５〜３０℃であることが好ましい。また、配合時間は、配合成分の種類や配合時の温度に応じて適宜調節すればよいが、例えば、０．５〜１２時間であることが好ましい。
【０１１５】
第一の混合物に供給される二酸化炭素（ＣＯ２）は、ガス状及び固形状（ドライアイス）のいずれでもよく、ガス状及び固形状の両方でもよい。二酸化炭素が供給されることにより、この二酸化炭素が第一の混合物に溶け込み、第一の混合物中の成分に作用することで、得られる第二の混合物の粘度が上昇すると推測される。
【０１１６】
二酸化炭素ガスの供給は、液体中にガスを吹き込む公知の各種方法で行えばよく、適した供給方法を適宜選択すればよい。例えば、配管の一端を第一の混合物中に浸漬し、他端を二酸化炭素ガスの供給源に接続して、この配管を通じて二酸化炭素ガスを第一の混合物に供給する方法が例示できる。この時、配管の端部から直接二酸化炭素ガスを供給してもよいが、例えば、多孔質性のものなど、ガスの流路となり得る空隙部が多数設けられ、導入されたガスを拡散させて微小な気泡として放出することが可能なガス拡散部材を配管の端部に接続し、このガス拡散部材を介して二酸化炭素ガスを供給してもよい。また、第一の混合物の製造時と同様の方法で、第一の混合物を撹拌しながら二酸化炭素ガスを供給してもよい。このようにすることで、効率的に二酸化炭素を供給できる。
【０１１７】
二酸化炭素ガスの供給量は、供給先の第一の混合物の量や、目的とする銀インク組成物又は第二の混合物の粘度に応じて適宜調節すればよく、特に限定されない。例えば、２０〜２５℃における粘度（超音波方式粘度計による）が５Ｐａ・ｓ以上である銀インク組成物を１００〜１０００ｇ程度得るためには、二酸化炭素ガスを１００Ｌ以上供給することが好ましく、２００Ｌ以上供給することがより好ましい。なお、ここでは銀インク組成物の２０〜２５℃における粘度について説明したが、銀インク組成物の使用時の温度は、２０〜２５℃に限定されるものではなく、任意に選択できる。
【０１１８】
二酸化炭素ガスの流量は、必要とされる二酸化炭素ガスの供給量を考慮して適宜調節すればよいが、第一の混合物１ｇあたり０．５ｍＬ／分以上であることが好ましく、１ｍＬ／分以上であることがより好ましい。流量の上限値は特に限定されないが、取り扱い性等を考慮すると、混合物１ｇあたり４０ｍＬ／分であることが好ましい。
そして、二酸化炭素ガスの供給時間は、必要とされる二酸化炭素ガスの供給量や、流量を考慮して適宜調節すればよい。
【０１１９】
二酸化炭素ガス供給時の第一の混合物の温度は、５〜７０℃であることが好ましく、７〜６０℃であることがより好ましく、１０〜５０℃であることが特に好ましい。前記温度が前記下限値以上であることで、より効率的に二酸化炭素を供給でき、前記温度が前記上限値以下であることで、不純物が少ないより良好な品質の銀インク組成物が得られる。
【０１２０】
二酸化炭素ガスの流量及び供給時間、並びに二酸化炭素ガス供給時の前記温度は、それぞれの値を相互に考慮しながら適した範囲に調節すればよい。例えば、前記温度を低めに設定しても、二酸化炭素ガスの流量を多めに設定するか、二酸化炭素ガスの供給時間を長めに設定することで、あるいはこの両方を行うことで、効率的に二酸化炭素を供給できる。また、二酸化炭素ガスの流量を少なめに設定しても、前記温度を高めにするか、二酸化炭素ガスの供給時間を長めに設定することで、あるいはこの両方を行うことで、効率的に二酸化炭素を供給できる。すなわち、二酸化炭素ガスの流量、二酸化炭素ガス供給時の前記温度として例示した上記数値範囲の中の数値を、二酸化炭素ガスの供給時間も考慮しつつ柔軟に組み合わせることで、良好な品質の銀インク組成物が効率的に得られる。
【０１２１】
二酸化炭素ガスの供給は、第一の混合物を撹拌しながら行うことが好ましい。このようにすることで、供給した二酸化炭素ガスがより均一に第一の混合物中に拡散し、より効率的に二酸化炭素を供給できる。
この時の撹拌方法は、二酸化炭素を用いない上記の銀インク組成物の製造時における前記混合方法の場合と同様でよい。
【０１２２】
ドライアイス（固形状二酸化炭素）の供給は、第一の混合物中にドライアイスを添加することで行えばよい。ドライアイスは、全量を一括して添加してもよいし、分割して段階的に（添加を行わない時間帯を挟んで連続的に）添加してもよい。
ドライアイスの使用量は、上記の二酸化炭素ガスの供給量を考慮して調節すればよい。
ドライアイスの添加中及び添加後は、第一の混合物を撹拌することが好ましく、例えば、二酸化炭素を用いない上記の銀インク組成物の製造時と同様の方法で撹拌することが好ましい。このようにすることで、効率的に二酸化炭素を供給できる。
撹拌時の温度は、二酸化炭素ガス供給時と同様でよい。また、撹拌時間は、撹拌温度に応じて適宜調節すればよい。
【０１２３】
第二の混合物の粘度は、銀インク組成物又は第二の混合物の取り扱い方法など、目的に応じて適宜調節すればよく、特に限定されない。例えば、銀インク組成物をスクリーン印刷法、フレキソ印刷法等の高粘度インクを使用する印刷法へ適用する場合には、第二の混合物の２０〜２５℃における粘度（超音波方式粘度計による）は、３Ｐａ・ｓ以上であることが好ましい。なお、ここでは第二の混合物の２０〜２５℃における粘度について説明したが、第二の混合物の使用時の温度は、２０〜２５℃に限定されるものではなく、任意に選択できる。
【０１２４】
前記第二の混合物には、さらに、必要に応じて前記還元剤、アルコール及びその他の成分からなる群から選択される１種以上を配合して、銀インク組成物とすることができる。
このときの銀インク組成物は、配合成分が異なる点以外は、二酸化炭素を用いない上記の銀インク組成物と同様の方法で製造できる。そして、得られた銀インク組成物は、配合成分がすべて溶解していてもよいし、一部の成分が溶解せずに分散した状態であってもよいが、配合成分がすべて溶解していることが好ましく、溶解していない成分は均一に分散していることが好ましい。
【０１２５】
前記還元剤配合時の温度は、各配合成分が劣化しない限り特に限定されないが、−５〜６０℃であることが好ましい。そして、配合時の温度は、配合成分の種類及び量に応じて、配合して得られた混合物が撹拌し易い粘度となるように、適宜調節するとよい。
また、配合時間は、配合成分の種類や配合時の温度に応じて適宜調節すればよいが、例えば、０．５〜１２時間であることが好ましい。
【０１２６】
前記その他の成分は、先に説明したように、前記第一の混合物及び第二の混合物のいずれかの製造時に配合されてもよく、両方の製造時に配合されてもよい。すなわち、第一の混合物及び第二の混合物を経て銀インク組成物を製造する過程において、二酸化炭素以外の配合成分の総量に対する前記その他の成分の配合量の割合（［その他の成分（質量）］／［金属銀の形成材料、含窒素化合物、還元剤、アルコール、及びその他の成分（質量）］×１００）は、前記その他の成分がアルコール以外の溶媒である場合、３５質量％以下であることが好ましく、３０質量％以下であることがより好ましく、２５質量％以下であることが特に好ましい。一方、前記その他の成分が前記溶媒以外の成分である場合、前記配合量の割合は、１０質量％以下であることが好ましく、５質量％以下であることがより好ましい。そして、前記配合量の割合が０質量、すなわちその他の成分を配合しなくても、銀インク組成物は十分にその効果を発現する。
【０１２７】
二酸化炭素が供給されてなる銀インク組成物は、例えば、銀インク組成物をスクリーン印刷法、フレキソ印刷法等の高粘度インクを使用する印刷法へ適用する場合には、２０〜２５℃における粘度（超音波方式粘度計による）が、１Ｐａ・ｓ以上であることが好ましい。
【０１２８】
例えば、還元剤の配合時には、得られる配合物（銀インク組成物）は比較的発熱し易い。そして、還元剤の配合時の温度が高い場合、この配合物は、後述する銀インク組成物の加熱処理時と同様の状態になるため、還元剤による前記金属銀の形成材料の分解促進作用によって、金属銀の形成材料の少なくとも一部において金属銀の形成が開始されることがあると推測される。このような金属銀を含有する銀インク組成物は、銀層形成時において、金属銀を含有しない銀インク組成物よりも温和な条件で後処理を行うことにより、銀層（導電体）を形成できることがある。また、還元剤の配合量が十分に多い場合にも、同様に温和な条件で後処理を行うことにより、銀層を形成できることがある。このように、金属銀の形成材料の分解を促進する条件を採用することで、後処理として、より低温での加熱処理で、あるいは加熱処理を行わずに常温での乾燥処理のみで、銀層を形成できることがある。また、このような金属銀を含有する銀インク組成物は、金属銀を含有しない銀インク組成物と同様に取り扱うことができ、特に取り扱い性が劣ることもない。
【０１２９】
なお、本発明における第二の混合物は、上記のように二酸化炭素の供給によって、粘度が通常よりも高い。一方で、第二の混合物への還元剤の配合時には、第二の混合物又は還元剤の種類によっては、上記のように前記金属銀の形成材料の少なくとも一部において金属銀の形成が開始され、金属銀が析出することがある。ここで、第二の混合物の粘度が高い場合には、析出した金属銀の凝集が抑制され、得られた銀インク組成物中での金属銀の分散性が向上する。このような銀インク組成物を用いて、後述する方法で金属銀を形成して得られた銀層は、粘度が低い、すなわち二酸化炭素が供給されていない混合物に還元剤が配合されて得られた銀インク組成物を用いた場合の銀層よりも、導電性が高く（体積抵抗率が低く）、表面粗さも小さくなり、より好ましい特性を有するものとなる。
【０１３０】
また、本発明においては、前記金属銀の形成材料、アルコール及び含窒素化合物が配合されてなる混合物に、二酸化炭素を供給して、銀インク組成物を製造することも好ましい。この場合、二酸化炭素の供給方法としては、前記と同様の方法が採用できる。
【０１３１】
銀インク組成物は、例えば、印刷法、塗布法、浸漬法等の公知の方法で基材上に付着させることができる。
前記印刷法としては、スクリーン印刷法、フレキソ印刷法、オフセット印刷法、ディップ式印刷法、インクジェット式印刷法、ディスペンサー式印刷法、ジェットディスペンサー式印刷法、グラビア印刷法、グラビアオフセット印刷法、パッド印刷法等が例示できる。
前記塗布法としては、スピンコーター、エアーナイフコーター、カーテンコーター、ダイコーター、ブレードコーター、ロールコーター、ゲートロールコーター、バーコーター、ロッドコーター、グラビアコーター等の各種コーターや、ワイヤーバー等を用いる方法が例示できる。
【０１３２】
銀層形成工程においては、基材に付着させる銀インク組成物の量、又は銀インク組成物における前記金属銀の形成材料の配合量を調節することで、銀層の厚さを調節できる。
【０１３３】
基材上に付着させた銀インク組成物を固化処理する場合には、公知の方法で行えばよく、例えば、乾燥処理は、常圧下、減圧下及び送風条件下のいずれで行ってもよく、大気下及び不活性ガス雰囲気下のいずれでおこなってもよい。そして、乾燥温度も特に限定されず、加熱乾燥及び常温乾燥のいずれでもよい。加熱処理が不要な場合の好ましい乾燥方法としては、１８〜３０℃で大気下において乾燥させる方法が例示できる。
【０１３４】
基材上に付着させた銀インク組成物を加熱（焼成）処理する場合、その条件は、銀インク組成物の配合成分の種類に応じて適宜調節すればよい。通常は、加熱温度が６０〜２００℃であることが好ましく、７０〜１８０℃であることがより好ましい。加熱時間は、加熱温度に応じて調節すればよいが、通常は、０．２〜１２時間であることが好ましく、０．４〜１０時間であることがより好ましい。このような範囲とすることにより固化処理において、銀層において、黒色層と金属光沢色層を形成し易くなる。前記金属銀の形成材料の中でも前記カルボン酸銀、特にβ−ケトカルボン酸銀（１）は、例えば、酸化銀等の金属銀の形成材料とは異なり、当該分野で公知の還元剤等を使用しなくても、低温で分解する。そして、このような分解温度を反映して、前記銀インク組成物は、上記のように、従来のものより極めて低温で金属銀を形成できる。
【０１３５】
後述するように、銀インク組成物を耐熱性が低い基材に付着させて加熱（焼成）処理する場合には、加熱温度は１３０℃未満であることが好ましく、１２５℃以下であることがより好ましく、１２０℃以下であることが特に好ましい。
【０１３６】
銀インク組成物の加熱処理の方法は、特に限定されず、例えば、電気炉による加熱、感熱方式の熱ヘッドによる加熱、遠赤外線照射による加熱、高熱ガスの吹き付けによる加熱等で行うことができる。また、銀インク組成物の加熱処理は、大気下で行ってもよいし、不活性ガス雰囲気下で行ってもよく、加湿条件下で行ってもよい。そして、常圧下、減圧下及び加圧下のいずれで行ってもよい。
【０１３７】
本明細書において「加湿」とは、特に断りのない限り、湿度を人為的に増大させることを意味し、好ましくは相対湿度を５％以上とすることである。加熱処理時には、処理温度が高いことによって、処理環境での湿度が極めて低くなるため、５％という相対湿度は、明らかに人為的に増大されたものであるといえる。
【０１３８】
銀インク組成物の加熱処理を加湿条件下で行う場合の相対湿度は、１０％以上であることが好ましく、３０％以上であることがより好ましく、５０％以上であることがさらに好ましく、７０％以上であることが特に好ましく、９０％以上であってもよいし、１００％であってもよい。そして、加湿条件下での加熱処理は、１００℃以上に加熱した高圧水蒸気の吹き付けにより行ってもよい。このように加湿条件下で加熱処理することにより、短時間で抵抗値が低い（導電性に優れた）銀層を形成できる。
【０１３９】
銀インク組成物の加熱処理は、二段階で行ってもよい。例えば、一段階目の加熱処理では、銀層の形成ではなく銀インク組成物の乾燥を主に行い、二段階目の加熱処理で、銀層の形成を最後まで行う方法が例示できる。
一段階目の加熱処理において、加熱温度は、銀インク組成物の配合成分の種類に応じて適宜調節すればよいが、５０〜１１０℃であることが好ましく、７０〜９０℃であることがより好ましい。また、加熱時間は、加熱温度に応じて調節すればよいが、通常は、０．２〜１２時間であることが好ましく、０．４〜５時間であることがより好ましい。
二段階目の加熱処理において、加熱温度は、銀層が良好に形成されるように、銀インク組成物の配合成分の種類に応じて適宜調節すればよいが、６０〜３５０℃であることが好ましく、７０〜１８０℃であることがより好ましい。また、加熱時間は、加熱温度に応じて調節すればよいが、通常は、１分〜１２時間であることが好ましく、１分〜１０時間であることがより好ましい。
後述するように、銀インク組成物を耐熱性が低い基材に付着させて加熱（焼成）処理する場合には、一段階目及び二段階目の加熱処理における加熱温度は、１３０℃未満であることが好ましく、１２５℃以下であることがより好ましく、１２０℃以下であることが特に好ましい。
【０１４０】
加湿条件下での加熱処理を採用する場合、銀インク組成物の加熱処理は、一段階目の加熱処理において、非加湿条件下で、上述のように銀層の形成ではなく銀インク組成物の乾燥を主に行い、二段階目の加熱処理において、加湿条件下で、上述のように銀層の形成を最後まで行う、二段階の方法で行うことが特に好ましい。
なお、本明細書において「非加湿」とは、上述の「加湿」を行わないこと、すなわち、湿度を人為的に増大させないことを意味し、好ましくは相対湿度を５％未満とすることである。
【０１４１】
上述の加熱処理を二段階の方法で行う場合、一段階目の非加湿条件下での加熱処理時の加熱温度は、５０〜１１０℃であることが好ましく、７０〜９０℃であることがより好ましい。また、加熱時間は、０．２〜３時間であることが好ましく、０．４〜５時間であることがより好ましく、０．４〜２．５時間であることが特に好ましい。
上述の加熱処理を二段階の方法で行う場合、二段階目の加湿条件下での加熱処理時の加熱温度は、６０〜２５０℃であることが好ましく、７０〜１３０℃であることがより好ましい。また、加熱時間は、１分〜２時間であることが好ましく、１分〜１時間であることがより好ましく、１分〜３０分であることが特に好ましい。
後述するように、銀インク組成物を耐熱性が低い基材に付着させて加熱（焼成）処理する場合には、一段階目の非加湿条件下での加熱処理及び二段階目の加湿条件下での加熱処理における加熱温度は、いずれも１３０℃未満であることが好ましく、１２５℃以下であることがより好ましく、１２０℃以下であることが特に好ましい。
【０１４２】
銀層は、銀インク組成物の前記固化処理により形成された導電体からなる層で、金属銀を主成分とするものである。ここで「金属銀を主成分とする」とは、金属銀の比率が、見かけ上金属銀だけからなるとみなし得る程度に十分に高いことを意味し、例えば、前記導電体中の金属銀の比率は９９質量％以上であることが好ましい。前記導電体中の金属銀の比率の上限値は、例えば、９９．９質量％、９９．８質量％、９９．７質量％、９９．６質量％、９９．５質量％、９９．４質量％、９９．３質量％、９９．２質量％及び９９．１質量％のいずれかとすることができる。
前記銀層は、記録材料、印刷刷版材料、高導電性材料等として幅広く利用できる。
【０１４３】
＜＜データ受送信体、通信機器及び透明導電膜＞＞
本発明のデータ受送信体は、前記積層体を用い、前記銀層をアンテナとして備えたことを特徴とし、かかる積層体を用いたこと以外は、公知のデータ受送信体と同様の構成とすることができる。例えば、図１に示す積層体１において、基材２上に、銀層４と電気的に接続されたＩＣチップを設けてアンテナ部とすることにより、非接触型データ受送信体を構成できる。
【０１４４】
また、本発明の通信機器は、前記積層体を用い、前記基材を筐体（外装材）として備えたことを特徴とし、アンテナ部として前記積層体を用い、前記積層体中の基材で筐体（外装材）の少なくとも一部を構成したこと以外は、公知の通信機器と同様の構成とすることができる。例えば、携帯電話機等の通信機器における外装材の平面又は曲面部分を前記基材とし、この外装材（基材）上に直接前記銀層からなる細線が形成され、この金属銀細線を回路とすることで、前記積層体を回路基板として用いることができる。そして、例えば、前記積層体に加え、音声入力部、音声出力部、操作スイッチ、表示部等を組み合わせることにより、携帯電話機を構成できる。
【０１４５】
本発明の透明導電膜は、前記積層体を用い、前記銀層を極微細配線又は極薄配線として備えたことを特徴とし、前記銀層を極微細配線又は極薄配線として備えたこと以外は公知の透明導電膜と同様の構成とすることができる。例えば、前記積層体に加え、透明基材等と組合せることにより、タッチパネルや光学ディスプレイを構成できる。
極微細配線の線幅は１μｍ〜２０μｍが好ましく、１.３μｍ〜１５μｍがより好ましく、１.５μｍ〜１３μｍがさらに好ましい。
また、極微細配線の断面形状は、好ましくは楕円の短軸方向のほぼ半分の領域が切り取られた半楕円形状である。
一方、極薄配線は、具体的には厚さが、５ｎｍ〜１０μｍが好ましく、７ｎｍ〜５μｍがより好ましく、１０ｎｍ〜１μｍがさらに好ましい。
極薄配線の断面形状は、前記極細配線の断面形状と同様である。
本発明の透明導電膜は、前記銀層が上記のような線幅及び厚さの少なくとも一方を満たしていればよい。
上記のような線幅又は厚さであれば、目視によって銀層の存在が認識困難となるので、透明導電膜として機能することができる。
【０１４６】
本発明のデータ受送信体、通信機器及び透明導電膜は、従来よりもさらなる軽量化及び薄層化が容易なものである。また、前記銀層を低温で形成することも可能であり、基材等の材質を幅広く選択できるので、設計の自由度が飛躍的に向上し、より合理的な構造とすることも可能である。
【実施例】
【０１４７】
以下、具体的実施例により、本発明についてより詳細に説明する。ただし、本発明は、以下に示す実施例に、何ら限定されるものではない。
【０１４８】
＜積層体の製造＞
［実施例１〜３］
（銀インク組成物の製造）
２−エチルヘキシルアミン、及び３，５−ジメチル−１−ヘキシン−３−オール（エアープロダクツジャパン社製「サーフィノール６１」、以下「ＳＦ」と記載することがある。）をフラスコ内に添加して撹拌し、さらにここへ、氷冷下２−メチルアセト酢酸銀を添加して室温下（２５℃）で６０分間撹拌することで、混合物を得た。
配合比は、２−メチルアセト酢酸銀／２−エチルヘキシルアミン＝４２／５８（質量比）とし、ＳＦは、２−メチルアセト酢酸銀と２−エチルヘキシルアミンの混合物１００質量部に対して、下記表１に示す所定量を配合した。
撹拌は、ＳＵＳ製で長さ２５ｍｍの撹拌片を３枚供えた撹拌翼を使用して行った。
次いで、得られた混合物を１５℃において、撹拌速度１００ｒｐｍで撹拌しながら、ここへ６５０ｍＬ／分の流量で二酸化炭素（ＣＯ２）ガスを供給（バブリング）し、銀インク組成物を得た。二酸化炭素ガスは、直径１０ｍｍ、高さ１８０ｍｍの円柱形エアストーンを介して、微細な気泡状として供給した。
【０１４９】
（積層体の製造）
各銀インク組成物を、基材であるポリエチレンテレタレート（ＰＥＴ）製の透明フィルム（東レ  ルミラーＳ１０、１００μｍ厚）上に、スクリーン印刷法により、それぞれ塗布した後、これを下記表１に示す所定の焼成温度（実施例１〜３）で２時間、オーブン内で加熱（焼成）処理し、銀層（厚さ０．３５μｍ）を基材の表面に形成して、積層体を得た。
なお、ここで「銀層の厚さ」とは、レーザー顕微鏡（キーエンス社製「ＶＫＸ−１００」）を用いて銀層の断面積及び線幅を測定し、求められた断面積を線幅で除した値である。
【０１５０】
［比較例１］
銀粒子及びバインダーを含む市販品の銀ペースト（トーヨーケム社製「ＲＡＦＳ０５９」）を用い、焼成条件を１３０℃で３０分としたこと以外は、実施例１と同じ方法で積層体を製造し、銀層（厚さ１０μｍ）を基材の表面に形成して、積層体を得た。
【０１５１】
【表１】
2015221559.tif 000006
【０１５２】
＜積層体の評価＞
（反射率の測定）
上記の方法で形成した２５ｍｍ角パターンを、積分球分光測色計  Ｘ−Ｒｉｔｅ  ｍｏｄｅｌ  ＳＰ６０（受光方式ｄ／８（ＳＣＩ））を使用して４００〜７００ｎｍにおける反射率を測定した。「受光方式ｄ／８」は、試料面で反射した光のうち、試料面に対して垂直な軸と８度の角度をなす方向の光を測定したことを示す。銀層の表面及び裏面の反射率を測定した結果を図２〜５にそれぞれ示す。なお、表１中に実施例と図面との対応を併記する。ここで、銀層の裏面の反射率は基材越しに測定したものである。表１及び以下において、銀層の前記基材との接触面（図１における４ｂ側の面）を「裏」又は「裏面」、前記接触面に対して反対側の非接触面（図１における４ａ側の面）を「表」又は「表面」と記載することがある。
【０１５３】
（抵抗値の測定）
抵抗値は、線幅０．５ｍｍ×線長２０ｍｍのパターンの両端を２端子テスタにて測定し、レーザー顕微鏡（キーエンスＶＫＸ−１００）にて測定した断面積をもとに体積抵抗率を求めた。その結果を表２に示す。
【０１５４】
【表２】
2015221559.tif 000007
【０１５５】
図２〜４に示したとおり、実施例１〜３の銀インク組成物を用いて形成した銀層は、表面と裏面で可視光波長域における同一波長での光反射率に大きな差があった。
例えば実施例１〜３では、５５０ｎｍにおける光反射率には６０％以上の差があった。
実施例１（ＳＦ：１％）及び実施例２（ＳＦ：３％）においても、５５０ｎｍにおける光反射率は４０％以上の差があった。
また、実施例２（ＳＦ：３％）においては、４００ｎｍにおいて光反射率の差が最も小さいものであったが、４００ｎｍにおいても、２６．３％の差があり、同一波長での光反射率の差の絶対値は２０％以上であった。
実施例１〜３の積層体は、銀層の表裏で光反射率が大きく異なり、裏面の光反射率が概ね３０％以下と小さく、色彩は黒色であった。また、表面の光反射率が概ね７０％以上と高く、色彩は銀光沢色であった。
このため、積層体を基材側から目視により視認した場合、基材側の銀層の光反射率が小さいため、視認性が良好であった。これに加えて、実施例１〜３の銀層は体積抵抗率も低く、導電性が高かった。
これに対し、比較例１では、図５に示したとおり、例えば最も差が大きかった６１０ｎｍにおける光反射率の差であっても、５％程度であり、表裏共に銀光沢色をしていたため、積層体を基材側から目視により視認した場合、銀層に光が反射し、視認性に劣っていた。
【０１５６】
＜積層体の製造＞
［実施例４］
（銀インク組成物の製造）
フラスコ内で２−エチルヘキシルアミン（３０．０質量部）と、メタノール（１５．０質量部）と、エチレングリコール（以下、「ＥＧ」と略記することがある）（０．８５質量部）とを混合し、氷浴にて５℃以下に冷却した後、ここに液温が２５℃以下となるように、２−メチルアセト酢酸銀（１５．０質量部）を添加して、マグネチックスターラーを用いて室温下（２５℃）で６０分間撹拌することにより、銀インク組成物を得た。各配合成分の種類とその配合比を表３に示す。
【０１５７】
（積層体の製造）
得られた銀インク組成物を、基材であるポリエチレンテレタレート（ＰＥＴ）製の透明フィルム（東レ  ルミラーＳ１０、１００μｍ厚、５０ｍｍ×５０ｍｍ）上に、スピンコート法により塗布した。このときのスピンコートは、銀インク組成物の粘度及び使用量、並びに形成する銀層の表面積等を考慮して、回転数や回転時間等の条件を調節して行った。次いで、塗布後の前記基材を８０℃で６０分、オーブン内で加熱（焼成）処理し、銀層（厚さ０．２５μｍ）を基材の表面に形成して、積層体を得た。銀インク組成物の加熱処理条件を表４に示す。
なお、ここで銀層の厚さは、パターニングした銀層の表面と、基材の表面との段差を、レーザー顕微鏡を用いて測定することによって求めた。
【０１５８】
［実施例５］
（銀インク組成物の製造）
フラスコ内で２−エチルヘキシルアミン（３０．０質量部）と、メタノール（１５．０質量部）と、を混合し、氷浴にて５℃以下に冷却した後、ここに液温が２５℃以下となるように、２−メチルアセト酢酸銀（１５．０質量部）を添加して、マグネチックスターラーを用いて室温下（２５℃）で６０分間撹拌することにより、銀インク組成物を得た。各配合成分の種類とその配合比を表３に示す。
【０１５９】
（積層体の製造）
得られた銀インク組成物を、基材であるポリエチレンテレタレート（ＰＥＴ）製の透明フィルム（東レ  ルミラーＳ１０、１００μｍ厚、５０ｍｍ×５０ｍｍ）上に、スピンコート法により塗布した。このときのスピンコートは、銀インク組成物の粘度及び使用量、並びに形成する銀層の表面積等を考慮して、回転数や回転時間等の条件を調節して行った。次いで、塗布後の前記基材を１００℃で３０分、オーブン内で加熱（焼成）処理し、銀層（厚さ０．２３μｍ）を基材の表面に形成して、積層体を得た。銀インク組成物の加熱処理条件を表４に示す。なお、銀層の厚さは、実施例４と同じ方法で求めた。
【０１６０】
［実施例６］
表３及び４に示すように、銀インク組成物の製造時において、メタノールに代えてエタノールを用いたこと、及び、積層体の製造時において、条件を変更してスピンコートを行ったこと以外は、実施例５と同じ方法で、積層体を製造した。
【０１６１】
［実施例７］
（銀インク組成物の製造）
フラスコ内で２−エチルヘキシルアミン（５９．５質量部）と、ＳＦ（０．６０質量部）と、を混合し、氷浴にて５℃以下に冷却した後、ここに液温が２５℃以下となるように、２−メチルアセト酢酸銀（１０．５質量部）を添加して、マグネチックスターラーを用いて室温下（２５℃）で６０分間撹拌することにより、銀インク組成物を得た。各配合成分の種類と配合比を表３に示す。
【０１６２】
（積層体の製造）
得られた銀インク組成物を用いて、条件を変更してスピンコートを行ったこと以外は、実施例５と同じ方法で、積層体を製造した。
【０１６３】
［実施例８］
銀インク組成物の製造時に、２−エチルヘキシルアミン、ＳＦ及び２−メチルアセト酢酸銀の配合量を表３に示すとおりとしたこと、及び、積層体の製造時において、条件を変更してスピンコートを行ったこと以外は、実施例７と同じ方法で、積層体を製造した。
【０１６４】
［実施例９］
（銀インク組成物の製造）
フラスコ内で２−エチルヘキシルアミン（４２．０質量部）と、ドデカン（１０．５質量部）と、ＳＦ（０．９９質量部）とを混合し、氷浴にて５℃以下に冷却した後、ここに液温が２５℃以下となるように、２−メチルアセト酢酸銀（１７．５質量部）を添加して、マグネチックスターラーを用いて室温下（２５℃）で６０分間撹拌することにより、銀インク組成物を得た。各配合成分の種類と配合比を表３に示す。
【０１６５】
（積層体の製造）
得られた銀インク組成物を用いて、条件を変更してスピンコートを行ったこと以外は、実施例５と同じ方法で、積層体を製造した。
【０１６６】
［実施例１０］
銀インク組成物の製造時に、２−エチルヘキシルアミン及びドデカンの配合量を表３に示すとおりとしたこと、及び、積層体の製造時において、条件を変更してスピンコートを行ったこと以外は、実施例９と同じ方法で、積層体を製造した。
【０１６７】
［実施例１１］
銀インク組成物の製造時に、ドデカン（１０．５質量部）に代えて２−プロパノール（１５．０質量部）を配合し、２−エチルヘキシルアミン、２−メチルアセト酢酸銀及びＳＦの配合量を表３に示すとおりとしたこと、及び、積層体の製造時において、条件を変更してスピンコートを行ったこと以外は、実施例９と同じ方法で、積層体を製造した。
【０１６８】
［実施例１２］
積層体の製造時に、銀インク組成物の加熱処理の温度を表４に示すとおりとしたこと以外は、実施例５と同じ方法で、積層体を製造した。
【０１６９】
［実施例１３］
積層体の製造時に、銀インク組成物の加熱処理の温度を表４に示すとおりとしたこと以外は、実施例８と同じ方法で、積層体を製造した。
【０１７０】
＜積層体の評価＞
（反射率の測定）
上記で得られた各積層体について、実施例１と同じ方法で光反射率を測定し、同一波長でのその差を求めた。結果を表５に示す。表５には波長が４００ｎｍ、５００ｎｍ、６００ｎｍ及び７００ｎｍの場合の光反射率と、同一波長での光反射率の差を示している。
【０１７１】
（抵抗値の測定）
上記で得られた各積層体について、ロレスタＧＰ（三菱化学アナリテック）を用いて銀層の表面抵抗率を測定し、この測定値と先に求めた銀層の厚さとから、銀層の体積抵抗率を算出した。結果を表４に示す。
【０１７２】
【表３】
2015221559.tif 000008
【０１７３】
【表４】
2015221559.tif 000009
【０１７４】
【表５】
2015221559.tif 000010
【０１７５】
表３〜５に示したとおり、実施例４〜１３の銀インク組成物を用いて形成した銀層は、表面と裏面で可視光波長域における同一波長での光反射率に大きな差があった。表５では、表面及び裏面の光反射率並びにその差として、４００ｎｍ、５００ｎｍ、６００ｎｍ及び７００ｎｍにおける値のみを示しているが、いずれの実施例でも、波長４００〜７００ｎｍのすべての波長で同一波長での光反射率の差の絶対値は２０％以上であった。
実施例４〜１３の積層体は、銀層の裏面の色彩は黒色、銀層の表面の色彩は銀光沢色であり、銀層の表裏で光反射率が大きく異なっていた。特に実施例７及び１２以外のすべての実施例の積層体は、裏面の光反射率が４００〜７００ｎｍの全波長域で３０％以下と小さく、特に実施例４、６及び１０以外のすべての実施例の積層体は、表面の光反射率が４００〜７００ｎｍの全波長域で６０％以上と高かった。
このため、実施例４〜１３の積層体を基材側から目視により視認した場合、基材側の銀層の光反射率が小さいため、視認性が良好であった。これに加えて、実施例４〜１３の積層体は体積抵抗率も低く、導電性が高かった。
【産業上の利用可能性】
【０１７６】
本発明は、配線基板、電磁波シールド、タッチパネル、無線通信機筐体のアンテナ等、基材上に銀層を備えた各種電子機器に利用可能である。
【符号の説明】
【０１７７】
１・・・積層体、２・・・基材、４・・・銀層、４ａ・・・黒色層、４ｂ・・・金属光沢色層
【図１】
2015221559.tif 000011
【図２】
2015221559.tif 000012
【図３】
2015221559.tif 000013
【図４】
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【図５】
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