(57)【要約】      （修正有）【課題】多数枚の大面積ガラス基板に対して原子層蒸着工程を行うことのできるバッチ処理型大面積原子層蒸着装置の提供。【解決手段】内部に真空が形成可能な真空チャンバ１００と、前記真空チャンバの左右側面にそれぞれ形成される仕切り弁と、前記真空チャンバの上側に配設され、上側から下側に向かって工程ガスを層状の流れとして噴射する工程ガス供給部１１０と、前記真空チャンバの下側に配設され、前記真空チャンバの内部の気体を吸入して排出する気体吸入排出部１２０と、多数枚の基板を垂直に載置し、前記工程ガス供給部と前記気体吸入排出部との間に配置されて原子層蒸着工程のための内部チャンバを形成するカセット１３０と、前記真空チャンバの内部のうち前記気体吸入排出部の上側に配設され、前記真空チャンバの内部に進入する前記カセットを上昇させて前記工程ガス供給部と密着させるカセット密着部１４０と、を備える大面積原子層蒸着装置。【選択図】図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
内部に真空が形成可能な真空チャンバと、
前記真空チャンバの左右側面にそれぞれ形成される仕切り弁と、
前記真空チャンバの上側に配設され、上側から下側に向かって工程ガスを層状の流れとして噴射する工程ガス供給部と、
前記真空チャンバの下側に配設され、前記真空チャンバの内部の気体を吸入して排出する気体吸入排出部と、
多数枚の基板を垂直に載置し、前記工程ガス供給部と前記気体吸入排出部との間に配置されて原子層蒸着工程のための内部チャンバを形成するカセットと、
前記真空チャンバの内部のうち前記気体吸入排出部の上側に配設され、前記真空チャンバの内部に進入する前記カセットを上昇させて前記工程ガス供給部と密着させるカセット密着部と、
を備える大面積原子層蒸着装置。
【請求項２】
前記カセットは、
上面及び下面が開放される構造を有することを特徴とする請求項１に記載の大面積原子層蒸着装置。
【請求項３】
前記カセットには、
多数枚の基板が傾いた状態で所定の間隔を隔てて載置される基板載置スリットが配備されることを特徴とする請求項２に記載の大面積原子層蒸着装置。
【請求項４】
前記基板載置スリットは、
前記カセットの上部に配設され、傾いた基板の一方の側面を支持する側面支持部と、
前記カセットの下部に配設され、基板の下面の一部を支持する下面支持部と、を備えることを特徴とする請求項３に記載の大面積原子層蒸着装置。
【請求項５】
前記工程ガス供給部は、
前記真空チャンバの外部に配備される工程ガス供給源から前記真空チャンバの内部に工程ガスを供給する工程ガス搬入部と、
前記工程ガス搬入部から搬入される工程ガスを拡散させる工程ガス拡散部と、
前記工程ガス拡散部の下側に配設され、前記工程ガス拡散部と前記カセットの上端との間に所定のバッファ空間を形成するバッファ空間形成部と、
を備えることを特徴とする請求項１に記載の大面積原子層蒸着装置。
【請求項６】
前記工程ガス拡散部と前記バッファ空間形成部は、多数のブロックに画成されることを特徴とする請求項５に記載の大面積原子層蒸着装置。
【請求項７】
前記気体吸入排出部は、
前記真空チャンバの内部の気体を外部に吸入して排出する排出ポンプと、
前記排出ポンプと前記カセットとの間に所定の下側バッファ空間を形成する下側バッファ空間形成部と、
を備えることを特徴とする請求項１に記載の大面積原子層蒸着装置。
【請求項８】
前記真空チャンバ側面には、
加熱部がさらに配備されることを特徴とする請求項１に記載の大面積原子層蒸着装置。
【請求項９】
前記真空チャンバの一方の側に形成され、工程が行われるべき多数枚の基板が載置されたカセットを前記仕切り弁を介して前記真空チャンバの内部に搬入する搬入チャンバと、
前記真空チャンバの他方の側に形成され、工程が完了した多数枚の基板が載置されたカセットを前記仕切り弁を介して前記真空チャンバの外部に搬出する搬出チャンバと、
前記搬出チャンバと前記搬入チャンバを連結し、前記搬出チャンバから排出されるカセットを前記搬入チャンバに移動及び供給するカセット返送部と、
をさらに備えることを特徴とする請求項１に記載の大面積原子層蒸着装置。
【請求項１０】
前記搬入チャンバは、工程が行われるべき多数枚の基板を所定の温度に加熱する基板加熱部をさらに備えることを特徴とする請求項９に記載の大面積原子層蒸着装置。
【請求項１１】
前記工程ガス拡散部は、
異種の工程ガスをそれぞれ独立して拡散させる構造を有することを特徴とする請求項５に記載の大面積原子層蒸着装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、大面積原子層蒸着装置に係り、さらに詳しくは、多数枚の大面積ガラス基板に対して原子層蒸着工程を行うことのできるバッチ処理型大面積原子層蒸着装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
最近、化石エネルギーの枯渇が益々進んでおり、化石エネルギーに代えうるエネルギーとして、太陽光、風力などの再生可能なエネルギーへの取り組みが行われている。特に、太陽光発電分野においては、従来、シリコンウェーハに太陽電池を形成する結晶型太陽電池が主流をなしている状況下で、大面積ガラス基板に太陽電池を形成する薄膜型太陽電池技術の開発が絶えず行われている。
【０００３】
とりわけ、薄膜型太陽電池は、最近、発電効率の改善が急速に行われており、大面積ガラス基板として製造することができて製造コストが低く、建物の外壁などに設置可能であるなどのメリットがあることから次第に脚光を浴びている。かような薄膜型太陽電池を製造する過程においては、大面積ガラス基板への原子層蒸着過程が行われることを余儀なくされる。
【０００４】
ところが、従来には、大面積ガラス基板に対して短い工程時間で均一な薄膜を形成可能な原子層蒸着装置が開発されていないという限界があった。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
本発明が解決しようとする技術的課題は、多数枚の大面積ガラス基板に対して均一に薄膜を形成する原子層蒸着工程を行うことのできるバッチ処理型大面積原子層蒸着装置を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
上述した技術的課題を達成するための本発明によるバッチ処理型大面積原子層蒸着装置は、内部に真空が形成可能な真空チャンバと、前記真空チャンバの左右側面にそれぞれ形成される仕切り弁と、前記真空チャンバの上側に配設され、上側から下側に向かって工程ガスを層状の流れとして噴射する工程ガス供給部と、前記真空チャンバの下側に配設され、前記真空チャンバの内部の気体を吸入して排出する気体吸入排出部と、多数枚の基板を垂直に載置し、前記工程ガス供給部と前記気体吸入排出部との間に配置されて原子層蒸着工程のための内部チャンバを形成するカセットと、前記真空チャンバの内部のうち前記気体吸入排出部の上側に配設され、前記真空チャンバの内部に進入する前記カセットを上昇させて前記工程ガス供給部と密着させるカセット密着部と、を備える。
【０００７】
本発明において、前記カセットは、上面及び下面が開放される構造を有することが好ましい。
【０００８】
また、前記カセットには、多数枚の基板が傾いた状態で所定の間隔を隔てて載置される基板載置スリットが配備されることが好ましい。
【０００９】
さらに、前記基板載置スリットは、前記カセットの上部に配設され、傾いた基板の一方の側面を支持する側面支持部と、前記カセットの下部に配設され、基板の下面の一部を支持する下面支持部と、を備えることが好ましい。
【００１０】
また、本発明において、前記工程ガス供給部は、前記真空チャンバの外部に配備される工程ガス供給源から前記真空チャンバの内部に工程ガスを供給する工程ガス搬入部と、前記工程ガス搬入部から搬入される工程ガスを拡散させる工程ガス拡散部と、前記工程ガス拡散部の下側に配設され、前記工程ガス拡散部と前記カセットの上端との間に所定のバッファ空間を形成するバッファ空間形成部と、を備えることが好ましい。
【００１１】
さらに、本発明において、前記工程ガス拡散部と前記バッファ空間形成部は、多数のブロックに画成されることが好ましい。
【００１２】
さらに、本発明において、前記気体吸入排出部は、前記真空チャンバの内部の気体を外部に吸入して排出する排出ポンプと、前記排出ポンプと前記カセットとの間に所定の下側バッファ空間を形成する下側バッファ空間形成部と、を備えることが好ましい。
【００１３】
さらに、前記真空チャンバ側面には、加熱部がさらに配備されることが好ましい。
【００１４】
さらに、本発明の大面積原子層蒸着装置は、前記真空チャンバの一方の側に形成され、工程が行われるべき多数枚の基板が載置されたカセットを前記仕切り弁を介して前記真空チャンバの内部に搬入する搬入チャンバと、前記真空チャンバの他方の側に形成され、工程が完了した多数枚の基板が載置されたカセットを前記仕切り弁を介して前記真空チャンバの外部に搬出する搬出チャンバと、前記搬出チャンバと前記搬入チャンバを連結し、前記搬出チャンバから排出されるカセットを前記搬入チャンバに移動及び供給するカセット返送部と、をさらに備えることが好ましい。
【００１５】
また、前記搬入チャンバは、工程が行われるべき多数枚の基板を所定の温度に加熱する基板加熱部をさらに備えることが好ましい。
【発明の効果】
【００１６】
本発明によれば、大面積ガラス基板を多数枚装入した状態で大面積ガラス基板の全表面に均一な薄膜を形成することができるだけではなく、一緒に装入された多数枚の大面積ガラス基板に均一に薄膜の形成が行われるという特有の効果が得られる。
【００１７】
特に、上述したように、多数枚の大面積基板に対して同時に原子層蒸着工程を行うことから、１枚の基板に対する工程時間が大幅に短縮されて薄膜型太陽電池の生産性を大幅に向上させることができるというメリットがある。
【図面の簡単な説明】
【００１８】
【図１】本発明の一実施形態による大面積原子層蒸着装置のレイアウトを示す図である。
【図２】本発明の一実施形態による真空チャンバ内部の構造を示す図である。
【図３】本発明の一実施形態によるカセットの構造を示す図である。
【図４】本発明の一実施形態によるカセットの部分構造を示す断面図である。
【図５】本発明の一実施形態による工程ガス供給部の構造を示す断面図である。
【図６】本発明の一実施形態による工程ガス供給部のブロック構造を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００１９】
以下、添付図面に基づき、本発明の具体的な実施形態について詳細に説明する。
【００２０】
この実施形態による大面積原子層蒸着装置１は、図１に示すように、真空チャンバ１００と、搬入チャンバ２００と、搬出チャンバ３００及びカセット返送部４００を備える。
【００２１】
ここで、真空チャンバ１００は、原子層蒸着工程が行われるチャンバであり、前記搬入チャンバ２００は、前記真空チャンバ１００の内部に工程が行われるべき多数枚の基板が載置されたカセットを搬入するチャンバであり、前記搬出チャンバ３００は、工程が完了した多数枚の基板が載置されたカセットを前記真空チャンバ１００から受け取るチャンバである。
【００２２】
前記真空チャンバ１００内では真空雰囲気下で原子層蒸着工程が行われ、かなり高い温度に加熱された状態を維持した方が工程時間を短縮することができて好ましい。このため、前記真空チャンバ１００内で原子層蒸着工程が行われる間に、前記搬入チャンバ２００には工程が行われるべき多数枚の基板を積載したカセットが外部から供給され、搬入チャンバ２００の内部の気体を排気させてチャンバ内部の圧力を下げ、搬入チャンバ２００の内部に搬入された基板に対して予備加熱作業を行う。このようにして基板に対して予備加熱を行うと、後続して真空チャンバ１００内で行われる原子層蒸着工程の工程時間が短縮され、多数枚の基板への均一な薄膜蒸着効果が得られる。
【００２３】
このため、前記搬入チャンバ２００内には、前記カセットに積載された多数枚の基板に対して均一に加熱作業を行い得る基板加熱部（図示せず）がさらに配備されることが好ましい。
【００２４】
このように搬入チャンバ２００において工程が行われるべき基板に対する準備作業が完了した状態で、前記真空チャンバ１００内のカセットが搬出チャンバ３００に排出されると、前記搬入チャンバ２００のカセットを仕切り弁６００を介して前記真空チャンバ１００の内部に搬入し、後続する原子層蒸着工程を行うのである。
【００２５】
一方、前記搬出チャンバ３００においては、前記真空チャンバ１００から工程が完了した基板が載置されたカセットを受け取った後、前記真空チャンバ１００と搬出チャンバ３００との間の仕切り弁７００を遮断した状態で前記カセット及びここに載置された基板を冷却させ、チャンバの内部に気体を注入してチャンバの内部圧力を大気圧レベルまで上昇させる。次いで、カセットを外部に排出する。
【００２６】
外部に排出されたカセットは、前記カセット返送部４００を介して前記搬入チャンバ２００側に搬送され、前記搬入チャンバ２００側に配設されている基板移載ロボット５００によって工程が完了した基板は他の工程のために移載され、工程が行われるべき基板が再びカセットに積載される。
【００２７】
もちろん、場合によっては、前記基板移載ロボット５００が前記搬出チャンバ３００側にも配設されて工程が完了した基板は先に移載した後に、空きカセットを前記カセット返送部４００を介して前記搬入チャンバ２００側に返送してもよい。
【００２８】
次いで、前記真空チャンバ１００には原子層蒸着工程のための構成要素が配備される。以下に、これについて詳細に説明する。
【００２９】
前記真空チャンバ１００は、内部に真空が形成可能な構造を有するチャンバから構成される。そして、前記真空チャンバ１００には、仕切り弁６００、７００と、工程ガス供給部１１０と、気体吸入排出部１２０と、カセット１３０と、カセット密着部１４０などが配備される。
【００３０】
先ず、前記仕切り弁６００、７００は、前記真空チャンバ１００と搬入チャンバ２００との間、及び前記真空チャンバ１００と搬出チャンバ３００との間にそれぞれ配備されて、真空チャンバ１００と搬入チャンバ２００との間に形成されるゲート及び真空チャンバ１００と搬出チャンバ３００との間に形成されるゲートを断続する役割を果たす。
【００３１】
次いで、前記工程ガス供給部１１０は、図２に示すように、前記真空チャンバ１００の上側に配設され、上側から下側に向かって工程ガスを層状の流れとして噴射する構成要素である。このために、この実施形態においては、前記工程ガス供給部１１０を、具体的に、工程ガス搬入部１１２と、工程ガス拡散部１１４及びバッファ空間形成部１１６を含めて構成する。
【００３２】
先ず、前記工程ガス搬入部１１２は、前記真空チャンバ１００の外部に配備される工程ガス供給源１５０から前記真空チャンバ１００の内部に工程ガスを供給する構成要素である。ここで、工程ガスは、行われるべき原子層蒸着工程に応じて変わることがあり、例えば、ＺｒＯ２層を原子層蒸着法により蒸着するためには、先ず、ガス供給源として、Ｚｒ供給源、Ｏ３供給源及びパージガス供給源としてのＮ２供給源が配備され、前記工程ガス搬入部１１２は、これらの第１及び第２反応ガス及びパージガスを後述する工程ガス拡散部１１４に搬入するものである。このとき、各工程ガスは互いに混合されないように制御され、前記工程ガス拡散部１１４に搬入される経路を画成して用いてもよい。
【００３３】
また、前記工程ガス拡散部１１４は、前記工程ガス搬入部１１２から搬入される工程ガスを拡散させる構成要素である。すなわち、前記工程ガス搬入部１１２から前記真空チャンバ１１０内に搬入された工程ガスを大面積ガラス基板に対して原子層蒸着工程が行えるように十分な幅をもって拡散させ、拡散された工程ガスが基板間の空間において層状の流れを維持しながら移動できるように噴射するのである。このために、前記工程ガス拡散部１１４は、前記工程ガス搬入部１１２と連結されて横長状に形成される工程ガス拡散路１１３と、前記工程ガス拡散路１１３と連通されるように形成され、下側方向に工程ガスを噴射する多数の噴射孔１１５と、を備える。このとき、多数の噴射孔１１５は、図５に示すように、所定の間隔を隔てて隔設される。
【００３４】
次いで、前記バッファ空間形成部１１６は、図５に示すように、前記工程ガス拡散部１１４の下側に配設され、前記工程ガス拡散部１１４と前記カセット１３０の上端との間に所定のバッファ空間を形成する構成要素である。ここで、「バッファ空間」とは、図５に示すように、一つの噴射孔１１５から噴射されて拡散される工程ガス分布空間が隣の噴射孔１１５から噴射されて拡散される工程ガス分布空間と重なる幅ｄ１よりも広幅に形成されて前記多数の噴射孔１１５から噴射された工程ガスが均一に層状の流れを形成し得る十分な拡散幅ｄ２が確保される空間のことをいう。したがって、前記バッファ空間形成部１１６の上下方向の幅は、隣の噴射孔１１５からそれぞれ噴射される工程ガスが重なる幅ｄ１よりも広幅に形成されなければならない。
【００３５】
このようにバッファ空間形成部１１６によって均一に拡散されて層状の流れを維持した状態の工程ガスは、前記カセット１３０に所定の間隔を隔てて載置された基板Ｓ間の空間に層状の流れを維持した状態で進入して通過する。このため、前記バッファ空間形成部１１６は、図２に示すように、カセット１３０に載置される基板Ｓ同士の間隔と等間隔に仕切られる多数枚の仕切板１１７によって画成される。この仕切板１１７の下端は、図２に示すように、前記カセット１３０に載置された基板Ｓの上端と正確に係合されて前記バッファ空間形成部１１６によって画成された空間が同様に基板Ｓによって画成された空間につながる。このため、前記バッファ空間形成部１１６によって形成された工程ガスの層状の流れがそのまま前記基板Ｓ間の空間に維持されて工程ガスが移動され、その過程で、前記基板Ｓの表面に対して原子層蒸着工程が行われるのである。
【００３６】
一方、この実施形態による大面積原子層蒸着装置１においては、図６に示すように、前記工程ガス拡散部１１４と前記バッファ空間形成部１１６が一体に噴射モジュール化され、各噴射モジュールは多数のブロックに画成される。このように多数の噴射モジュールブロック１１８を拡張結合させて全体的に工程ガス供給部１１０として構成すれば、様々な大きさの基板または基板数に対応することができるというメリットがある。すなわち、基板が大きくなる場合には前記噴射モジュールブロック１１８を縦に伸ばして拡張させ、基板の枚数が増大されるときには前記噴射モジュールブロック１１８を横に伸ばして拡張させることができる。
【００３７】
さらに、気体吸入排出部１２０は、図２に示すように、前記真空チャンバ１００の下側に配設され、前記真空チャンバ１００の内部の気体を吸入して排出する構成要素である。前記工程ガス供給部１１０によって供給され、前記カセット１３０に載置された基板Ｓ間の空間を通過した工程ガスが前記気体吸入排出部１２０を介して全て吸入されて前記真空チャンバ１００の外部に排出されるのである。このために、この実施形態においては、前記気体吸入排出部１２０を排出ポンプ（図示せず）と下側バッファ空間形成部１２２とから構成することができる。前記排出ポンプは、前記真空チャンバ１００の内部の気体を外部に吸入して排出する構成要素であり、前記真空チャンバ１００に単一または多数配備されてもよく、単一または多数の吸入排出管１２４によって前記真空チャンバ１００に連結される。
【００３８】
次いで、前記下側バッファ空間形成部１２２は、上述したバッファ空間形成部１１６と同様に、前記カセット１３０の下側において基板Ｓ間の空間を通過した層状の流れの工程ガスが基板Ｓ間の空間を通過した後にも所定の距離を層状の流れを維持しながら移動するように下側バッファ空間を提供する。このため、前記下側バッファ空間形成部１２２も前記バッファ空間形成部１１６と同様に、前記基板Ｓ同士の間隔と等幅に下側仕切板１２３が形成され、前記下側仕切板１２３の上端は前記基板Ｓの下端と正確に係合されて前記基板Ｓ間の空間を通過した層状の流れの工程ガスがその層状の流れをそのまま維持しながら通過するようにする。 
【００３９】
このように下側バッファ空間形成部１２２によって工程ガスの均一な層状の流れを基板Ｓを外れた下側空間まで維持することは、大面積基板の下端部にも均一な薄膜を形成することができるという効果を奏する。
【００４０】
一方、この実施形態において、前記カセット１３０は、多数枚の大面積基板に対して原子層蒸着工程が行えるように最適化された構造を有する。すなわち、前記カセット１３０は、多数枚の基板Ｓを垂直に載置し、前記工程ガス供給部１１０と前記気体吸入排出部１２０との間に配置されて原子層蒸着工程のための内部チャンバを形成するのである。
【００４１】
このため、この実施形態において、前記カセット１３０は、上面及び下面が開放される構造を有する。前記カセット１３０の上面は前記工程ガス供給部１１０と密着され、下面は前記気体吸入排出部１２０と密着され、前記工程ガス供給部１１０と前記気体吸入排出部１２０及び前記カセット１３０の側壁によって原子層蒸着工程のための内側チャンバが構成されるのである。
【００４２】
この実施形態による大面積原子層蒸着装置１において、工程ガスは、前記工程ガス供給部１１０と前記気体吸入排出部１２０及びカセット１３０によって形成される内側チャンバ内においてしか移動せず、各工程ガスを連続して供給しながら原子層蒸着工程を速やかに行うことができるのである。
【００４３】
そして、前記カセット１３０に載置される多数枚の基板Ｓは、上述したように、前記バッファ空間形成部１１６の仕切板１１７によって仕切られる空間の幅と同じ幅を隔てて載置される。
【００４４】
この実施形態において、多数枚の基板Ｓは、等間隔を維持するために、図３に示すように、同じ方向に傾いた状態で所定の間隔を隔てて載置されることが好ましい。このため、前記カセット１３０には、多数枚の基板Ｓが同じ方向に傾いた状態で載置されるように基板載置スリット１３２が配備される。
【００４５】
前記基板載置スリット１３２は、図３に示すように、前記カセット１３０の上部に配設され、傾いた基板上部の一方の側面を支持する側面支持部１３１と、図４に示すように、前記カセット１３０の下部に配設され、基板Ｓの下面の一部を支持する下面支持部１３３と、を備える。このとき、前記側面支持部１３１と下面支持部１３３のうち基板Ｓと直接的に接触される個所には、基板の損傷を防ぐために損傷防止部材１３５、１３７が配備されることが好ましく、前記損傷防止部材１３５、１３７は、例えば、テフロン（登録商標）などの素材から形成されてもよい。
【００４６】
加えて、前記カセット密着部１４０は、図２に示すように、前記真空チャンバ１００の内部における前記気体吸入排出部１２０の上側に配設され、前記真空チャンバ１００の内部に進入する前記カセット１３０を上昇させて前記気体吸入排出部１２０とカセット１３０、並びに前記カセット１３０と前記工程ガス供給部１１０を密着させる構成要素である。
【００４７】
前記カセット１３０は、前記搬入チャンバ２００から前記真空チャンバ１００の内部に搬入される状態では、図２に示すように、ローラ１６０によって水平に移動しながら搬入される。このため、搬入された状態は、前記工程ガス供給部１１０及び気体吸入排出部１２０から所定の間隔を隔てた状態である。カセット１３０が所定の個所に水平に移動し終わった状態で、前記カセット密着部１４０が前記気体吸入排出部１２０を上側に持ち上げると、先ず、気体吸入排出部１２０が前記カセット１３０と密着され、次いで、前記気体吸入排出部１２０を持ち上げると、前記カセット１３０の上面が前記工程ガス供給部１１０の下端と密着される。
【００４８】
この状態になると、原子層蒸着工程のための内部チャンバが完成されるのである。このとき、前記カセット１３０と気体吸入排出部１２０との間及び前記カセット１３０と工程ガス供給部１１０との間に隙間が生じないように封止部材１７０がさらに配備されることが好ましい。
【００４９】
一方、原子層蒸着工程が完了した後には、前記カセット密着部１４０が再び前記気体吸入排出部１２０を下側に移動させて前記カセット１３０を前記工程ガス供給部１１０及び気体吸入排出部１３０から隔てる。次いで、前記カセット１３０が自由に水平に移動可能な状態になると、搬出チャンバ３００を用いて搬出するのである。
【００５０】
最後に、前記真空チャンバ１００の側面には、加熱部１８０がさらに配備されてもよい。原子層蒸着工程は、基板及び工程ガスが所定の温度以上に加熱されなければならないため、前記加熱部１８０は、前記チャンバ１００の内部を所定の温度以上に加熱する役割を果たす。
【符号の説明】
【００５１】
１：本発明の一実施形態による大面積原子層蒸着装置
１００：真空チャンバ
２００：搬入チャンバ
３００：搬出チャンバ
４００：カセット返送部
５００：基板移載ロボット
６００、７００：仕切り弁
１１０：工程ガス供給部
１２０：気体吸入排出部
１３０：カセット
１４０：カセット密着部
Ｓ：基板
【図１】
2015137415.tif 000003
【図２】
2015137415.tif 000004
【図３】
2015137415.tif 000005
【図４】
2015137415.tif 000006
【図５】
2015137415.tif 000007
【図６】
2015137415.tif 000008