(57)【要約】      （修正有）【課題】半導体ウェハの加工、特に、シリコンウェハなどのハーフカットダイシング、又はステルスダイシングによる改質層形成、裏面研削工程を経た後にカーフシフト発生の抑制もしくはチップ側面のチッピングによる抗折強度低下が防止され、テープ剥離工程後のウェハ表面への糊残りが抑制された半導体ウェハ加工用粘着テープ、該粘着剤の製造方法及び半導体ウェハの加工方法を提供する。【解決手段】基材フィルム１上に放射線硬化性の粘着剤層２を有する半導体ウェハ加工用粘着テープ１０であって、該半導体ウェハ加工用粘着テープが、ブレードによるハーフカットまたはレーザーにより改質層形成を行った半導体ウェハを、裏面研削し個片化する工程で用いられる半導体ウェハ加工用粘着テープであって、かつ、該粘着剤の紫外線照射後タック力の低下率が酸素介在下で６０％以上である半導体ウェハ加工用粘着テープ、該粘着剤の製造方法及び半導体ウェハの加工方法。【選択図】図１
2015185691.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基材フィルム上に放射線硬化性の粘着剤層を有する半導体ウェハ加工用粘着テープであって、
前記半導体ウェハ加工用粘着テープが、ブレードによるハーフカット、またはレーザーにより改質層形成を行った、半導体ウェハを裏面研削し個片化する工程で用いられる半導体ウェハ加工用粘着テープであり、かつ、
酸素介在下における紫外線照射量５００ｍＪ／ｃｍ２の紫外線照射後の前記粘着剤のタック力の低下率が６０％以上であることを特徴とする半導体ウェハ加工用粘着テープ。
【請求項２】
前記基材フィルムが、少なくともポリエチレンテレフタレート、ポリプロピレンおよびエチレン−酢酸ビニル共重合体から選択された２種類の異なる材料を積層した基材フィルムであることを特徴とする請求項１に記載の半導体ウェハ加工用粘着テープ。
【請求項３】
前記基材フィルムが、ポリエチレン／ポリエチレンテレフタレート／ポリエチレンの３層からなることを特徴とする請求項１または２に記載の半導体ウェハ加工用粘着テープ。
【請求項４】
前記基材フィルムが、無延伸フィルムであることを特徴とする請求項１〜３のいずれか１項に記載の半導体ウェハ加工用粘着テープ。
【請求項５】
前記基材フィルムが、少なくとも２種類の異なる材料のフィルムを積層した基材フィルムであって、このうちの少なくとも１層のフィルムが、ポリエチレンテレフタレートまたはポリプロピレンからなり、かつ該フィルムが粒子練りこみ、粒子塗布、サンドブラスト、ケミカル処理またはエンボス加工により白色化されてなることを特徴とする請求項１〜４のいずれか１項に記載の半導体ウェハ加工用粘着テープ。
【請求項６】
基材フィルム上に放射線硬化性の粘着剤層を有する半導体ウェハ加工用粘着テープの製造方法であって、
前記半導体ウェハ加工用粘着テープが、ブレードによるハーフカット、またはレーザーにより改質層形成を行った、半導体ウェハを裏面研削し個片化する工程で用いられる半導体ウェハ加工用粘着テープであり、
酸素介在下における紫外線照射量５００ｍＪ／ｃｍ２の紫外線照射後の前記粘着剤のタック力の低下率が６０％以上であり、かつ、
前記基材フィルムが、少なくとも２種類の異なる材料のフィルムを積層した基材フィルムであって、このうちの少なくとも１層のフィルムが、ポリエチレンテレフタレートまたはポリプロピレンからなり、かつ該フィルムを粒子練りこみ、粒子塗布、サンドブラスト、ケミカル処理またはエンボス加工により白色化することを特徴とする半導体ウェハ加工用粘着テープの製造方法。
【請求項７】
基材フィルム上に放射線硬化性の粘着剤層を有する半導体ウェハ加工用粘着テープを使用する半導体ウェハの加工方法であって、
酸素介在下における紫外線照射量５００ｍＪ／ｃｍ２の紫外線照射後の前記粘着剤のタック力の低下率が６０％以上であり、かつ、
前記半導体ウェハ加工用粘着テープが、ブレードによるハーフカット、またはレーザーにより改質層形成を行った、半導体ウェハを裏面研削し個片化する工程で用いることを特徴とする半導体ウェハの加工方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、シリコンウェハ等の半導体装置を製造するにあたり、半導体ウェハの加工のために使用される半導体ウェハ加工用粘着テープ、該粘着テープの製造方法および半導体ウェハの加工方法に関するものである。
特に、本発明の半導体ウェハ加工用粘着テープは、半導体ウェハ等を固定しバックグラインディングするために使用されるものである。
【背景技術】
【０００２】
半導体ウェハなどを半導体チップに加工し、電子機器に実装するに至る工程は、例えば、半導体ウェハのパターン表面に半導体ウェハ加工用粘着テープ（半導体ウェハ表面保護用粘着テープとも称す）を貼り付ける工程、半導体ウェハの裏面を研削し、厚みを薄くする工程、該工程で研削し、厚みを薄くした半導体ウェハをダイシングテープへマウントする工程、半導体ウェハから前記の半導体ウェハ加工用粘着テープを剥離する工程、ダイシングにより半導体ウェハを分割する工程、分割された半導体チップをリードフレームへ接合するダイボンディング工程を経た後、半導体チップを外部保護のために樹脂で封止するモールド工程等により構成されている。
【０００３】
一方、半導体ウェハ加工用粘着テープは、大きく分けて、放射線硬化型と感圧型の２種存在する。放射線硬化型は、照射後に粘着力が著しく低下し、剥離を容易にするものであり、感圧型は、放射線によって粘着力は変化せず、半導体ウェハ裏面加工中・剥離時共に同様の粘着力であるものである。
この半導体ウェハ加工用粘着テープは、エチレン−酢酸ビニル共重合体などのポリオレフィン基材樹脂フィルム上に、アクリルポリマーを主成分とした粘着剤層が設けられたものが提案されている（例えば、特許文献１参照）。
【０００４】
半導体ウェハ表面のパターンには、各種の電子回路や電極、それらを保護するポリイミドなどの保護膜、さらに半導体ウェハをチップに個片化するダイシング工程時にブレードが切り込む溝であるスクライブラインが存在する。上記のような構造により、半導体ウェハ表面は平滑ではなく数μｍ〜数十μｍの段差・凹凸が存在している。
【０００５】
この段差は半導体ウェハやデバイスの種類によって様々であるが、半導体ウェハ加工用粘着テープを貼合することで半導体ウェハ表面の段差に密着して隙間を埋めることが期待される。しかし、半導体ウェハの段差が大きい場合や、半導体ウェハ加工用粘着テープが硬い場合は半導体ウェハ表面への追従性が不足する。これに起因してバックグラインド工程時に研削水が半導体ウェハと半導体ウェハ加工用粘着テープの隙間に浸入するシーページと呼ばれる現象が発生する。
【０００６】
このシーページが発生することで、半導体ウェハ加工用粘着テープが半導体ウェハから剥離し、その箇所を起点として半導体ウェハにクラックが発生し破損に繋がることや、浸入水による半導体ウェハ表面の汚染や糊の付着が発生し、歩留りを大きく悪化させる原因となる。
【０００７】
シーページの発生に対しては、例えば特許文献２に示されるように粘着剤を厚くする、粘着剤の弾性率を下げるといった方法で半導体ウェハ表面への密着性を向上させる方法が知られている。また、粘着剤の粘着力を高めることでも同様の効果が期待される。
【０００８】
しかし、上記のような方法では、粘着剤と半導体ウェハ表面が強く密着することから、半導体ウェハ加工用粘着テープ剥離時に粘着剤が凝集破壊すること、半導体ウェハ表面に粘着剤の一部が残ってしまう糊残りといわれる現象が発生しやすいことなどの問題がある。糊残りが発生する場合、後工程でのワイヤーボンディングや電気的接続において不具合を引き起こす原因となり得る。
【０００９】
半導体ウェハの薄膜化が進む近年は、特に半導体メモリー用途では１００μｍ以下の薄膜研削が一般的であり、５０μｍ以下の厚さでも量産が行われている。薄膜研削時には半導体ウェハの抗折強度が不足するため、バックグラインディング後、次工程へのハンドリングなどで半導体ウェハ割れが発生するリスクや、ダイシングによるチップ化後のチップ抗折強度が不足する問題がある。この問題に対してはバックグラインド時にドライポリッシュ・ＣＭＰ・ウェットエッチング・ドライエッチングなどにより抗折強度を高めるプロセス改善がなされてきた。
【００１０】
しかし、バックグラインド時に上記ストレスリリーフ手法により研削面のマイクロクラックを完全に除去しても、ダイシング時に通常のブレードを用いたダイシング方法ではチップの側面のチッピングにより、チップの抗折強度が高められない問題がある。
【００１１】
バックグラインド時のストレスリリーフ工法においても、ストレスリリーフによって、半導体ウェハ研削面を完全に平滑にしたことによる、ゲッタリング層の消失という弊害が報告されている。これに対して、ウルトラポリグラインド・ゲッタリングドライポリッシュなど＃８０００より高番手の研削・研磨加工によりゲッタリング層を有したまま抗折強度を維持するプロセスが考案されている。
【００１２】
このような背景から、より高いチップ抗折強度を生み出す方式としてレーザーによるレーザーグルービングやレーザーフルカット加工方法・ステルスダイシング加工方法が提案されている。レーザーグルービング・レーザーフルカット法においてはレーザーにより発生するデブリが問題であることや、レーザーフルカット時の熱履歴によりチップ抗折強度が低下する問題がある。
【００１３】
ステルスダイシング方法は、バックグラインド後の半導体ウェハの厚さ方向に対して内部に改質層を形成し、そこを起点に劈開してチップ化する方式である。この工法においても内部に改質層が残りチップ側壁に改質されたエリアが存在することで抗折強度が不足する場合がある。
【００１４】
従来から行われている技術として、ハーフカットダイシングによる溝形成した後にバックグラインドしてチップ化する方法では、抗折強度を高めることができるが、これについてもハーフカットによる溝形成をブレードで実施しているためチップ側壁へのダメージは残る。この問題を解決する手段としてバックグラインド最終工程のストレスリリーフをＣＭＰ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ  Ｐｏｌｉｓｈｉｎｇ）によって行うことで抗折強度を改善している事例もある。
【００１５】
ハーフカットによるダイシングで溝形成を行い、バックグラインド加工中にチップ化する工法においては、上述した半導体ウェハパターン表面の凹凸よりもはるかに大きい段差が存在するばかりか、半導体ウェハ加工用粘着テープを剥離する前の紫外線照射工程において、粘着剤は酸素介在下（すなわち、空気中）で硬化処理されることになる。一般的には酸素介在下では、酸素による硬化阻害が報告されており、完全硬化していない場合、ハーフカットダイシングにより形成した溝部への糊残りが懸念される。この改善策として窒素雰囲気下で紫外線照射する工程も提案されている。
【００１６】
これらの問題を解決する方法として、バックグラインド前にステルスダイシングによる改質層を半導体ウェハ内部に形成する方法が提案されている。改質層の形成方法については半導体ウェハ内部に厚み方向で数か所破線のように形成する方法も提案されており、ある程度仕上げ厚みが厚い半導体ウェハに対しても有効性が実証されている。
【００１７】
事前に改質層を形成する方法においては、改質層を起点にして研削加工中にチップ化され、抗折強度を維持するために改質層そのものを研削加工で完全に除去する方法や、研削加工後にブレーキングによって改質層を起点にしてチップ化する方法が提案されている。
【００１８】
ところで、半導体ウェハの薄膜化が進む近年は、特に半導体メモリー用途で１００μｍ以下の薄膜研削が一般的である。上記デバイスウェハは、裏面研削により所定の厚みまで薄膜化された後にダイシング工程でチップ化され、複数のチップを積層、基板・チップ間でのワイヤー接続された後に樹脂で封止され製品となる。接着剤として、従来はペースト状の樹脂が半導体ウェハ裏面に塗工されていたが、チップの薄膜化・小チップ化や工程簡略化のため、あらかじめ基材上に粘着剤と接着剤（ダイボンド用の接着シート）が積層されたダイシングダイボンドシートが半導体ウェハ裏面（研削面）に貼合されてダイシング工程で半導体ウェハと一括して切断するプロセスが一般的となっている（例えば、特許文献３参照）。この方法では、均一な厚さの接着剤がチップと同サイズに切断されるため、接着剤塗布などの工程が不要であり、また従来のダイシングテープと同様の装置が使用できるため、作業性が良好である。
【００１９】
上記ダイシングダイボンドシート貼合の際には、半導体ウェハ表面に半導体ウェハ加工用粘着テープが貼合されたままチャックテーブルに吸着された状態であり、ダイシングダイボンドシート貼合後に半導体ウェハ加工用粘着テープが剥離される。このダイシングダイボンドシートを半導体ウェハに密着させるため貼合時に加熱が必要だが、近年ではより高温（〜８０℃）での加熱が要求される場合がある。粘着剤が加温され、さらに半導体ウェハ表面の凹凸へ密着することになる。特にハーフカットダイシングにより大きな溝が形成されている場合、凹凸が大きいため、この場合、一層、糊残りのリスクが高まることになる。
【００２０】
上記問題に対応するため、放射線硬化型粘着剤を使用し、剥離時には放射線硬化によって粘着力を低下させると共に凝集力を高めることで糊残りの低減を行う方法も考えられる。しかしながら、放射線硬化時に粘着剤が硬化収縮を引き起こすため、薄化した半導体ウェハに対して応力がかかり、ダイシング後にチップ化した際のチップ抗折強度（チップ化したＳｉチップ単体での強度）の低下につながる場合もある。
【００２１】
ハーフカットダイシングにより溝を形成した後、バックグラインドによりチップ化する工法においては、加工中にチップ化されるため、半導体ウェハ加工用粘着テープ貼合時に発生したバックグラインドテープに対する残留応力や、粘着剤の弾性率不足によるチップズレにより、カーフと呼ばれるスクライブ開口部が均一に保てず、場合によってはチップ同士が接触することでチップ抗折強度が逆に低下する場合がある。
チップ同士が接触しなくとも、カーフの状態が均一ではないことで、後工程であるピックアップ工程で、チップが認識できずに不具合を起こすことがある。
【００２２】
ブレードによるハーフカットではなく、ステルスダイシングによる半導体ウェハ内部への改質層形成の場合、スクライブ部分のカーフが開口しないためバックグラインド中のチップ化後のチップ端部が隣接チップへ接触しているため、チップのズレが生じた場合その応力が全てチップ端部へかかることになり、チップ抗折強度が低下する恐れがある。
【先行技術文献】
【特許文献】
【００２３】
【特許文献１】特開２０００−８０１０号公報
【特許文献２】特開２００２−５３８１９号公報
【特許文献３】特開２００７−５３３２５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００２４】
本発明は、上記の問題点を解決し、半導体ウェハの加工、さらに詳しくはシリコンウェハへハーフカットダイシングによる溝形成・あるいはステルスダイシングによる半導体ウェハ内部への改質層形成を経た後の裏面研削工程（研削加工中の個片化、研削加工後のブレーキングによる個片化を含む）、半導体ウェハ加工用粘着テープ剥離工程を経た後に半導体ウェハ表面への糊残りを抑制でき、半導体ウェハ薄膜研削を可能する半導体ウェハ加工用粘着テープ、該粘着テープの製造方法および半導体ウェハの加工方法を提供することを課題とする。
【課題を解決するための手段】
【００２５】
本発明者らは、上記課題に鑑み鋭意検討した。その結果、放射線硬化性の粘着剤層を構成する粘着剤の、特定条件下における紫外線照射後のタック力の低下率を特定の値以上とすることで本発明の上記課題が解決できることを見出した。
本発明の上記課題は、下記の手段で達成された。
【００２６】
（１）基材フィルム上に放射線硬化性の粘着剤層を有する半導体ウェハ加工用粘着テープであって、
前記半導体ウェハ加工用粘着テープが、ブレードによるハーフカット、またはレーザーにより改質層形成を行った、半導体ウェハを裏面研削し個片化する工程で用いられる半導体ウェハ加工用粘着テープであり、かつ、
酸素介在下における紫外線照射量５００ｍＪ／ｃｍ２の紫外線照射後の前記粘着剤のタック力の低下率が６０％以上であることを特徴とする半導体ウェハ加工用粘着テープ。
（２）前記基材フィルムが、少なくともポリエチレンテレフタレート、ポリプロピレンおよびエチレン−酢酸ビニル共重合体から選択された２種類の異なる材料を積層した基材フィルムであることを特徴とする（１）に記載の半導体ウェハ加工用粘着テープ。
（３）前記基材フィルムが、ポリエチレン／ポリエチレンテレフタレート／ポリエチレンの３層からなることを特徴とする（１）または（２）に記載の半導体ウェハ加工用粘着テープ。
（４）前記基材フィルムが、２軸延伸フィルムであることを特徴とする（１）〜（３）のいずれか１項に記載の半導体ウェハ加工用粘着テープ。
（５）前記基材フィルムが、少なくとも２種類の異なる材料のフィルムを積層した基材フィルムであって、このうちの少なくとも１層のフィルムが、ポリエチレンテレフタレートまたはポリプロピレンからなり、かつ該フィルムが粒子練りこみ、粒子塗布、サンドブラスト、ケミカル処理またはエンボス加工により白色化されてなることを特徴とする（１）〜（４）のいずれか１項に記載の半導体ウェハ加工用粘着テープ。
（６）基材フィルム上に放射線硬化性の粘着剤層を有する半導体ウェハ加工用粘着テープの製造方法であって、
前記半導体ウェハ加工用粘着テープが、ブレードによるハーフカット、またはレーザーにより改質層形成を行った、半導体ウェハを裏面研削し個片化する工程で用いられる半導体ウェハ加工用粘着テープであり、
酸素介在下における紫外線照射量５００ｍＪ／ｃｍ２の紫外線照射後の前記粘着剤のタック力の低下率が６０％以上であり、かつ、
前記基材フィルムが、少なくとも２種類の異なる材料のフィルムを積層した基材フィルムであって、このうちの少なくとも１層のフィルムが、ポリエチレンテレフタレートまたはポリプロピレンからなり、かつ該フィルムを粒子練りこみ、粒子塗布、サンドブラスト、ケミカル処理またはエンボス加工により白色化することを特徴とする半導体ウェハ加工用粘着テープの製造方法。
（７）基材フィルム上に放射線硬化性の粘着剤層を有する半導体ウェハ加工用粘着テープを使用する半導体ウェハの加工方法であって、
酸素介在下における紫外線照射量５００ｍＪ／ｃｍ２の紫外線照射後の前記粘着剤のタック力の低下率が６０％以上であり、かつ、
前記半導体ウェハ加工用粘着テープが、ブレードによるハーフカット、またはレーザーにより改質層形成を行った、半導体ウェハを裏面研削し個片化する工程で用いることを特徴とする半導体ウェハの加工方法。
【００２７】
本発明において、「粘着剤層の表面」あるいは「粘着剤層表面」というときには、特に断わりのない限り、基材フィルムの貼合面とは反対側の表面を意味する。
本発明において、半導体ウェハに半導体加工用粘着テープを貼合するとは、粘着剤層表面を半導体ウェハ表面に向けて貼合することを意味する。
本願明細書において、「（メタ）アクリル」との用語は、アクリルおよびメタクリルのいずれか、または双方を含む意味に用いる。このことは、「（メタ）アクリロイル」、「（メタ）アクリルアミド」との用語についても同様である。
【発明の効果】
【００２８】
本発明の半導体ウェハ加工用粘着テープは、半導体ウェハの加工、さらに詳しくはシリコンウェハなどの裏面研削工程において、バックグラインド（ＢＧ）テープラミネート、半導体ウェハ裏面研削加工、半導体ウェハ加工用粘着テープ剥離工程において半導体ウェハ表面への糊残りや表面汚染（シーページ）を抑止しつつ、薄膜研削処理することを可能とする。さらに、このような優れた半導体ウェハ加工用粘着テープの製造方法および該半導体ウェハ加工用粘着テープを使用した半導体ウェハの加工方法を提供することが可能となった。
【図面の簡単な説明】
【００２９】
【図１】半導体ウェハのパターン表面に本発明の半導体ウェハ加工用粘着テープが貼合された状態を示す模式的な断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００３０】
＜＜半導体ウェハ加工用粘着テープ＞＞
本発明の１つの実施形態を図１の模式的な断面図を参照して説明する。
図中、１は基材フィルム、２はその上に塗布した粘着剤層であり、１０の半導体ウェハ加工用粘着テープが形成される。４は半導体ウェハのシリコン層であり、この表面に、３の半導体ウェハのパターン層（配線層）が設けられており、３の半導体ウェハのパターン層に粘着剤層２が粘着する。
【００３１】
＜粘着剤のタック力の低下率＞
本発明で使用する粘着剤は、酸素介在下での紫外線照射後のタック力の低下率が６０％以上である。
ここで、酸素介在下とは、酸素が介在する雰囲気下のことであり、空気中と実質同一である。
また、タック力の低下率は５００ｍＪ／ｃｍ２の紫外線照射量で得られた低下率であり、下記式（１）で求められる。
【００３２】
式（１）
［Ｔα  −  Ｔβ（Ｏ２）］  ÷  ［Ｔα］×１００
【００３３】
ここで、Ｔαは、紫外線照射前の粘着剤のタック力であり、Ｔβ（Ｏ２）は、紫外線照射後の粘着剤のタック力である。
【００３４】
タック力は、応力緩和測定装置〔例えば、タック試験機（商品名：ＴＡＣＩＩ、レスカ製）〕により、以下のようにして常温（２５℃）で測定した値である。
具体的には、放射線照射前の半導体ウェハ加工用粘着テープから、幅２５ｍｍ×長さ２５０ｍｍの試験片を採取し、この試験片を試験機に設置し、圧子をこの試験片に接触させ、試験片の基材背面側（粘着剤塗工面と反対側）に、３ｍｍφ円柱状プローブを３０ｍｍ／ｍｉｎの速度で押し込み、停止荷重１００ｇで１秒保持後に６００ｍｍ／分の速度で引き上げる際の荷重（タック力  Ｔα）を測定する。一方、酸素介在下（すなわち、空気中）で紫外線を５００ｍＪ／ｃｍ２の照射量で照射して硬化させた半導体ウェハ加工用粘着テープを放射線照射前の半導体ウェハ加工用粘着テープと同様にして、タック力  Ｔβ（Ｏ２）を測定する。
なお、タック力の単位はｋＰａである。
【００３５】
タック力の低下率は、６０％以上であるが、８０％以上が好ましい。またタック力の低下率は、１００％低下することが最も好ましいが、現実的には、９５％以下が好ましい。
【００３６】
タック力の低下率を６０％以上にするには、粘着剤を構成する樹脂組成物の樹脂の種類、樹脂を構成するモノマーの種類と量や、紫外線照射で重合反応することが可能な反応性の基を有したオリゴマーの種類と量、光開始剤の種類と量によって調節することができる。
【００３７】
＜粘着剤もしくは粘着層＞
一般に、粘着剤は樹脂組成物であるが、本発明の半導体ウェハ加工用粘着テープにおける放射線硬化性の粘着剤層を構成する粘着剤としては、紫外線照射で硬化すれば特に制限はないが、該樹脂組成物のベース樹脂が、紫外線照射で重合反応することが可能な反応性の基を少なくとも１つ有するポリマー（以下、「紫外線硬化性ポリマー」という。）を主成分として含むことが好ましい。ここで、「主成分とする」とは、ベース樹脂中のポリマー樹脂の含有の割合が８０〜１００質量％であることを意味する。
【００３８】
上記の紫外線照射で重合反応することが可能な反応性の基としては、エチレン性不飽和基、すなわち、炭素−炭素二重結合を有する基が好ましく、例えば、ビニル基、アリル基、スチリル基、（メタ）アクリロイルオキシ基、（メタ）アクリルロイルアミノ基などが挙げられる。
【００３９】
上記紫外線硬化性ポリマーに特に制限はないが、例えば、（メタ）アクリル共重合体、ポリエステル、エチレンもしくはスチレン共重合体、ポリウレタンが挙げられる。
本発明では、（メタ）アクリル共重合体が好ましい。
【００４０】
上記紫外線硬化性ポリマーの合成方法としては、例えば（ａ）エチレン性不飽和基を有するポリマーである場合、エチレン性不飽和基を有する化合物とポリマーとを反応させて、エチレン性不飽和基が導入されたポリマーを得る方法、（ｂ）エチレン性不飽和基を有するオリゴマー〔例えば、架橋剤の一種であるウレタン（メタ）アクリルオリゴマー等〕を利用する方法、が簡便、かつ容易であり、好ましく、なかでも上記（ａ）の方法が好ましい。
上記（ａ）の方法では、エチレン性不飽和基を有する化合物として、該エチレン性不飽和基と異なる反応性の基（反応性基αと称す）を有する構造の化合物を用い、エチレン性不飽和基が導入されるポリマーとしては、該エチレン性不飽和基を有する化合物の反応性基αと反応する反応性基βを有する構造のポリマー（以下、「反応性基βを有するポリマー」という。）を用いて、反応性基αとβを反応させる。
【００４１】
このような反応性基α、βは、例えば、一方が、求核攻撃する基、他方が、求核攻撃を受ける基もしくは付加反応を受ける基とすることが好ましい。このような反応性基としては、例えば水酸基、アミノ基、メルカプト基、カルボキシ基、エポキシ基、オキセタニル基、イソシアネート基、環状の酸無水物を形成している基、ハロゲン原子、アルコキシもしくはアリールオキシカルボニル基等が挙げられる。
ここで、反応性基αおよびβのいずれか一方が水酸基、アミノ基、メルカプト基、カルボキシ基である場合、他方の反応性基はエポキシ基、オキセタン基、イソシアネート基、環状の酸無水物を形成する基、ハロゲン原子、アルコキシもしくはアリールオキシカルボニル基とすることができる。
【００４２】
エチレン性不飽和基を有する化合物が有する反応性基αは、求核攻撃を受ける基または付加反応を受ける基であることが好ましく、例えば、エポキシ基、オキセタニル基、イソシアネート基、環状の酸無水物を形成する基、ハロゲン原子、アルコキシまたはアリールオキシカルボニル基が好ましく、エポキシ基、オキセタン基、イソシアネート基または環状の酸無水物を形成する基がより好ましく、エポキシ基、オキセタニル基またはイソシアネート基がさらに好ましく、なかでもイソシアネート基が好ましい。
【００４３】
一方、エチレン性不飽和基が導入されるポリマーが有する反応性基βは、求核攻撃する基が好ましく、例えば、水酸基、アミノ基、メルカプト基またはカルボキシ基が好ましく、水酸基、アミノ基またはメルカプト基がより好ましく、水酸基、アミノ基またはカルボキシ基がさらに好ましく、水酸基またはカルボキシ基がさらに好ましく、なかでも水酸基が好ましい。
【００４４】
エチレン性不飽和基と反応性基αを有する化合物、または、反応性基βを有するポリマーの合成に用いる反応性基βを有するモノマーとしては、以下の化合物が挙げられる。
【００４５】
−反応性基がカルボキシ基である化合物−
（メタ）アクリル酸、桂皮酸、イタコン酸、フマル酸等
【００４６】
−反応性基が水酸基である化合物−
アルコール部に水酸基を有するヒドロキシアルキル（メタ）アクリレート〔例えば、２−ヒドロキシエチル（メタ）アクリレート、２−ヒドロキシプロピル（メタ）アクリレート、トリメチロールプロパンモノ（メタ）アクリレート、グリコールモノ（メタ）アクリレート、ジエチレングリコールモノ（メタ）アクリレート〕、アミン部に水酸基を有するアルキルアミンのＮ−（ヒドロキシアルキル）アルキル（メタ）アクリルアミド〔例えば、Ｎ−メチロール（メタ）アクリルアミド、Ｎ，Ｎ−ビスメチロール（メタ）アクリルアミド〕、アリルアルコール等
【００４７】
−反応性基がアミノ基である化合物−
アルコール部にアミノ基を有するアミノアルキル（メタ）アクリレート〔例えば、２−（アルキルアミノ）エチル（メタ）アクリレート、３−（アルキルアミノ）プロピル（メタ）アクリレート〕、（メタ）アクリルアミド等
【００４８】
−反応性基が環状の酸無水物である化合物−
無水マレイン酸、無水イタコン酸、無水フマル酸、無水フタル酸等
【００４９】
−反応性基がエポキシ基もしくはオキセタニル基である化合物−
グリシジル（メタ）アクリレート、アリルグリシジルエーテル、３−エチル−３−ヒドロキシメチルオキセタン等
【００５０】
−反応性基がイソシアネート基である化合物−
（メタ）アクリロイルオキシアルキルイソシアネート〔例えば、２−（メタ）アクリロイルオキシエチルイソシアネート、２−（メタ）アクリロイルオキシプロピルイソシアネート〕、多価イソシアネート化合物のイソシアネート基の一部を、水酸基もしくはカルボキシ基と、エチレン性不飽和基とを有する化合物でウレタン化したもの〔例えば、２〜１０官能の（メタ）アクリルのウレタンアクリレートオリゴマー〕等
【００５１】
なお、上記のウレタンアクリレートオリゴマーとしては、例えば、２−ヒドロキシエチル（メタ）アクリレート、２−ヒドロキシプロピル（メタ）アクリレート、ペンタエリスリトール  トリ（メタ）アクリレート等のアルコール部に水酸基を有するヒドロキシアルキル（メタ）アクリレートと、トルエンジイソシアナート、メチレンビスフェニルジイソシアナート、ヘキサメチレンジイソシアナート、ナフタレンジイソシアナート、メチレンビスシクロヘキシルイソシアネート、イソホロンジイソシアネート等のジイソシアネートや３官能以上のイソシアネートを反応させて得られる、イソシアネート基を少なくとも１つ有するオリゴマーが好ましい。また、ヒドロキシアルキル（メタ）アクリレートと多価イソシアネートに加えて、ポリオール化合物、ポリエーテルジオール化合物またはポリエステルジオール化合物を反応させて得られるオリゴマーでもよい。
【００５２】
−反応性基がハロゲン原子である化合物−
２、４，６−トリクロロ−１，３，５−トリアジン、２、４−ジクロロ−６−メトキシ−１，３，５−トリアジン等のハロゲン化トリアジン等
【００５３】
上記のエチレン性不飽和基と反応性基αを有する化合物としては、上記の反応性基がイソシアネート基である化合物が好ましく、一方、反応性基βを有するポリマーの合成に用いるモノマーとしては上記の反応性基がカルボキシ基である化合物または反応性基が水酸基である化合物が好ましく、反応性基が水酸基である化合物がより好ましい。
なかでも、本発明においては、（メタ）アクリロイルオキシアルキルイソシアネートが好ましく、２−（メタ）アクリロイルオキシエチルイソシアネートが特に好ましい。
【００５４】
前記（ｂ）の方法は、上記ウレタン（メタ）アクリレートオリゴマーを使用するもので（該オリゴマーは後述するように架橋剤の一種でもある）、（メタ）アクリル共重合体とウレタン（メタ）アクリレートオリゴマーとを共存させて紫外線硬化性の粘着剤層を構成することができる。（メタ）アクリル共重合体としては、（メタ）アクリル酸と（メタ）アクリル酸エステルとを重合させて得られるものであることが好ましい。（メタ）アクリル共重合体を構成する（メタ）アクリル酸エステル成分の好ましい形態は、後述する反応性基βを有するポリマーにおける共重合成分として説明したものと同一である。
【００５５】
反応性基βを有するポリマーの合成に用いる反応性基βを有するモノマーは、アルコール部に水酸基を有するヒドロキシアルキル（メタ）アクリレートや（メタ）アクリル酸が好ましい。
上記反応性基βを有するポリマーを構成する全モノマー成分に占める、上記反応性基βを有するモノマー成分の割合は、アルコール部に水酸基を有するヒドロキシアルキル（メタ）アクリレートの場合、５〜５０モル％が好ましく、２０〜４０モル％がより好ましく、２０〜３５モル％がさらに好ましく、５０〜７５モル％が特に好ましい。
一方、（メタ）アクリル酸の場合、全モノマー成分に占めるアクリル酸もしくはメタクリル酸は、０．１〜３モル％が好ましく、０．５〜２．５がより好ましく、０．５〜２がさらに好ましい。
【００５６】
また、エチレン性不飽和基と反応性基αとを有する化合物と、反応性基βを有するポリマーとを反応させて、反応性基βを有するポリマーにエチレン性不飽和基を導入するに際しては、反応性基αを有する化合物を、反応性基βを有するポリマー１００質量部に対して、５〜４０質量部反応させることが好ましく、１０〜３０質量部反応させることがより好ましく、１０〜２０質量部反応させることがさらに好ましい。
上記の反応性基αとβの反応後において、未反応の反応性基βを残すことにより、後述する架橋剤等で樹脂特性を調節することができる。
【００５７】
上記の反応性基βを有するポリマーは、その構成成分として前記の反応性基βを有するモノマー成分とともに、共重合成分として、（メタ）アクリル酸エステル成分を有することが好ましい。
（メタ）アクリル酸エステルとしては、１種または２種以上の（メタ）アクリ酸アルキルが好ましい。（メタ）アクリル酸エステルのアルコール部は前記反応性基βを有さない。好ましくは、上記（メタ）アクリル酸エステルのアルコール部は無置換である。
このような（メタ）アクリル酸エステルとしては、アルコール部の炭素数は１〜１２が好ましい。アルコール部の炭素数は、１〜１０がより好ましく、４〜１０がさらに好ましく、なかでもアルコール部が分岐アルキルのものが好ましく、２−エチルヘキシル（メタ）アクリレートが特に好ましい。
【００５８】
また、上記紫外性重合性ポリマーが構成成分として（メタ）アクリル酸エステル成分を複数種含む場合は、（メタ）アクリル酸エステル成分には、アルコール部の炭素数が１〜８の（メタ）アクリル酸エステル成分が含まれることが好ましく、なかでも、メチル（メタ）アクリレート成分またはブチル（メタ）アクリレート成分が含まれることが好ましい。
以下に、上記共重合成分としてポリマー中に組み込まれるモノマーの具体例を挙げる。
【００５９】
−（メタ）アクリル酸のアルキルエステル−
（メタ）アクリル酸のアルキルエステルとしては、アルコール部の炭素数が１〜１２のものが好ましく、例えば（メタ）アクリル酸メチル、（メタ）アクリル酸エチル、（メタ）アクリル酸プロピル、（メタ）アクリル酸ブチル、（メタ）アクリル酸イソブチル、（メタ）アクリル酸イソアミル、（メタ）アクリル酸ヘキシル、（メタ）アクリル酸２−エチルヘキシル、（メタ）アクリル酸イソオクチル、（メタ）アクリル酸イソノニル、（メタ）アクリル酸イソデシルなどが挙げられる。これらは単独で使用してもよいし、２種以上を混合して使用してもよい。２種以上を併用することで粘着剤としての種々の機能を発揮させることができ、さらに半導体ウェハ表面の段差への追従性および糊残り防止を含む非汚染性を両立できるようになる。
【００６０】
−（メタ）アクリル酸のアルキルエステル以外のモノマー−
（メタ）アクリル酸のアルキルエステル以外のモノマーとしては、酢酸ビニル、スチレンや（メタ）アクリル酸アミド、例えば、Ｎ，Ｎ−ジエチルアクリル酸アミド、Ｎ，Ｎ−ジエチルアクリル酸アミド、Ｎ−イソプロピルアクリル酸アミド、Ｎ−アクリロイルモルホリンなどが挙げられる。これらは単独で使用してもよいし、２種以上を混合して使用してもよい。
【００６１】
本発明では、反応性基βを有するモノマーと組み合わせる共重合成分のモノマーとしては、（メタ）アクリル酸エステル、（メタ）アクリル酸が好ましい。
【００６２】
上記反応性基βを有するポリマーを構成する全モノマー成分に占める上記共重合成分の割合は、５〜８５モル％が好ましく、２０〜８０モル％がより好ましく、５５〜７５モル％がさらに好ましく、６０〜７５モル％が特に好ましい。
【００６３】
なお、紫外線硬化性ポリマー中に残存する反応性基βの量は、反応性基αを有する化合物の配合量にもよるが、後述する架橋剤の種類および配合量によっても調節することができる。
【００６４】
紫外線硬化性ポリマーの水酸基価は５〜７０ｍｇＫＯＨ／ｇが好ましく、酸価は、０〜１０ｍｇＫＯＨ／ｇが好ましく、ガラス転移温度（Ｔｇ）は、−４０〜−１０℃が好ましく、重量平均分子量は、１５万〜１３０万が好ましい。
【００６５】
なお、酸価は、ＪＩＳ  Ｋ５６０１−２−１：１９９９に準拠して測定したものであり、水酸基価はＪＩＳ  Ｋ  ００７０に準拠して測定したものである。
ここで、ガラス転移温度は、昇温速度０．１℃／分でＤＳＣ（示差走査熱量計）により測定されたガラス転移温度をいう。
また、重量平均分子量は、テトラヒドロフランに溶解して得た１％溶液を、ゲルパーミエーションクロマトグラフィー（ウォーターズ社製、商品名：１５０−Ｃ  ＡＬＣ／ＧＰＣ）により測定した値をポリスチレン換算の重量平均分子量として算出したものである。
【００６６】
（光重合開始剤）
本発明の粘着剤層は、光重合開始剤を含有することが特に好ましい。粘着剤層の光重合開始剤の配合量を調整することにより架橋後の粘着力を制御することができる。このような光重合開始剤としては、具体的には、ベンゾイン、ベンゾインメチルエーテル、ベンゾインエチルエーテル、ベンゾインイソプロピルエーテル、ベンゾインイソブチルエーテル、ベンジルジフェニルサルファイド、テトラメチルチウラムモノサルファイド、アゾビスイソブチロニトリル、ジベンジル、ジアセチル、β−クロールアンスラキノン、ベンゾフェノン、ミヒラーズケトン、クロロチオキサントン、ベンジルメチルケタール、α−ヒドロキシシクロヘキシルフェニルケトン、２−ヒドロキシメチルフェニルプロパンなどが挙げられる。これらは単独で使用しても、また併用して使用してもよい。
【００６７】
光重合開始剤は、通常はエチレン性不飽和基を有するポリマーおよびエチレン性不飽和基を有する化合物の総量１００質量部に対し、０．１〜１０質量部の割合で用いられる。また、粘着剤層を構成するベース樹脂１００質量部に対して、０．１〜１０質量部が好ましく、１〜６質量部がより好ましい。
【００６８】
このようにして形成される紫外線硬化性の粘着剤層に対して紫外線を照射することにより、接着力を大きく低下させることができ、容易に被着体から該粘着テープを剥離することができる。
【００６９】
（架橋剤）
本発明では、粘着剤層に架橋剤を含有することが好ましい。架橋剤の架橋性基である反応性基は、反応性基βを有するポリマーの反応性基βと反応する架橋剤が好ましい。
例えば、反応性基βを有する樹脂の反応性基βが、カルボキシ基や水酸基の場合、架橋剤の架橋性基である反応性基は環状の酸無水物、イソシアネート基、エポキシ基、ハロゲン原子であることが好ましく、イソシアネート基またはエポキシ基であることがより好ましい。
このような架橋剤を使用することで、その配合量により、反応性基βを有するポリマーの反応性基βの残存量を調節でき、タック力も制御することができる。
また、架橋剤を使用することで、粘着剤層の凝集力を制御することもできる。
【００７０】
上記粘着剤層に好ましく用いられる架橋剤としては、多価イソシアネート化合物、多価エポキシ化合物、多価アジリジン化合物、キレート化合物等を挙げることができる。多価イソシアネート化合物としては、具体的にはトルイレンジイソシアネート、ジフェニルメタンジイソシアネート、ヘキサメチレンジイソシアネート、イソホロンジイソシアネートおよびこれらのアダクトタイプ等を挙げることができる。
【００７１】
多価エポキシ化合物としては、エチレングリコールジグリシジルエーテル、テレフタル酸ジグリシジルエステルアクリレート等を挙げることができる。多価アジリジン化合物は、トリス−２，４，６−（１−アジリジニル）−１，３，５−トリアジン、トリス〔１−（２−メチル）−アジリジニル〕ホスフィンオキシド、ヘキサ〔１−（２−メチル）−アジリジニル〕トリホスファトリアジン等を挙げることができる。またキレート化合物としては、エチルアセトアセテートアルミニウムジイソプロピレート、アルミニウムトリス（エチルアセトアセテート）等を挙げることができる。
【００７２】
また、本発明で用いられる粘着剤に、分子内にエチレン性不飽和基を少なくとも２個以上有する架橋剤、好ましくはオリゴマーもしくはポリマーの架橋剤を用いて、架橋剤自体を紫外線硬化性樹脂として用いてもよい。
【００７３】
分子内にエチレン性不飽和基を少なくとも２個以上有する低分子化合物として、例えば、トリメチロールプロパントリアクリレート、テトラメチロールメタンテトラアクリレート、ペンタエリスリトールトリアクリレート、ペンタエリスリトールテトラアクリレート、ジペンタエリスリトールモノヒドロキシペンタアクリレート、ジペンタエリスリトールヘキサアクリレート、１，４−ブチレングリコールジアクリレート、１，６ヘキサンジオールジアクリレート、ポリエチレングリコールジアクリレート、オリゴエステルアクリレート等を挙げることができる。
【００７４】
この他にも、ウレタンアクリレートオリゴマーも用いることができ、具体的にはポリエステル型またはポリエーテル型などのポリオール化合物と、多価イソシアネート化合物〔例えば、２，４−トリレンジイソシアネート、２，６−トリレンジイソシアネート、１，３−キシリレンジイソシアネート、１，４−キシリレンジイソシアネート、ジフェニルメタン４，４−ジイソシアネートなど）を反応させて得られる末端イソシアネートウレタンプレポリマーに、ヒドロキシ基を有する（メタ）アクリレート（例えば、２−ヒドロキシエチル（メタ）アクリレート、２−ヒドロキシプロピル（メタ）アクリレート、ポリエチレングリコール（メタ）アクリレート〕を反応させて得られるものが広く適用可能である。
【００７５】
架橋剤の含有量は、粘着剤の粘着力、タック力が所望の範囲となるよう調整すればよく、上記のベース樹脂１００質量部に対して、０．０１〜１０質量部が好ましく、０．１〜５質量部がより好ましく、０．６〜５質量部がさらに好ましく、０．７〜３質量部が特に好ましい。
【００７６】
（添加剤）
本発明において、粘着剤層は、上記以外に添加剤を含有していてもよい。
このような添加剤としては、例えば、濡れ防止もしくはスリップ性高上のための添加剤として、シリコーンアクリレート（例えば、シリコーンジアクリレート、シリコーンヘキサアクリレート）、紫外線硬化促進剤が挙げられる。また、添加剤として耐水剤としてのアミノアクリレートを含んでもよい。また、添加剤として可塑剤を含んでもよい。また、ポリマーの重合の際に用いられる界面活性剤を含んでいてもよい。
【００７７】
（粘着剤層の厚み）
粘着剤層の厚みは、特に限定されるものではないが、１０〜３００μｍが好ましく、２０〜２００μｍがより好ましく、３０〜１００μｍがさらに好ましい。
また粘着剤層は、目的により、基材フィルムの両面に設けても構わない。
基材フィルム上に粘着剤層を形成するためには、上記のように、基材フィルムの少なくとも片面に、少なくとも１種類の粘着剤を常法により塗布することができる。
【００７８】
（その他の層）
本発明においては、基材フィルムと粘着剤層の間に、必要に応じてプライマー層などの中間層を設けてもよい。
【００７９】
＜剥離ライナー＞
本発明の粘着テープは、粘着剤層上に剥離ライナーを有してもよい。剥離ライナーとしては、シリコーン離型処理したポリエチレンテレフタレートフィルムなどが用いられる。また必要に応じて、シリコーン離型処理をしないポリプロピレンフィルムなども用いられる。
【００８０】
＜基材フィルム＞
本発明に用いられる基材フィルムの材質としては、半導体ウエハの裏面を研削加工するときの衝撃からの保護を主目的とするものであって、特に水洗浄等に対する耐水性と加工部品の保持性を有することが重要である。このような基材フィルムとしては、例えば、特開２００４−１８６４２９号公報に記載のものを挙げることができる。
なお、本発明で使用する基材フィルムは、通常、粘着テープで用いられるものを使用することができ、例えば、ポリエチレン、ポリプロピレン、エチレン−プロピレン共重合体、ポリブテン、エチレン−酢酸ビニル共重合体、エチレン−アクリル酸エステル共重合体、アイオノマーなどのα−オレフィンの単独重合体または共重合体、ポリエチレンテレフタレート、ポリカーボネート、ポリメタクリル酸メチル等のエンジニアリングプラスチック、ポリウレタン、スチレン−エチレン−ブテンもしくはペンテン系共重合体等の熱可塑性エラストマーが挙げられ、これらの群から選ばれる２種以上が混合されたものであっても構わない。
【００８１】
本発明において、基材フィルムは、少なくとも２層のフィルムが積層された基材フィルムが好ましく、少なくともポリエチレンテレフタレート、ポリプロピレンおよびエチレン−酢酸ビニル共重合体から選択された２種類の異なる材料を積層した基材フィルムがより好ましい。
また、基材フィルムが３層のフィルムで積層されている場合は、ポリエチレン／ポリエチレンテレフタレート／ポリエチレンの３層からなるものが好ましい。
【００８２】
本発明において、基材フィルムは、２軸延伸フィルムであることが好ましい。
熱可塑性フィルムを高温化で縦横２方向へ延ばすことにより、２軸延伸フィルムとすることができ、積層されている場合は、各フィルムのうち少なくとも１層のフィルムが２軸延伸フィルムであっても、全てのフィルムが２軸延伸フィルムであってもよく、積層された基材フィルムを２軸延伸しても構わない。
【００８３】
基材フィルムは、粘着剤層側のフィルム（１層の場合は、基材フィルム自身）がマット化され、白色化されているものが好ましい。
マット化、白色化は、粒子練りこみ、粒子塗布、サンドブラスト、ケミカル処理またはエンボス加工が好ましい。
【００８４】
粒子練りこみとは、具体的には、平均粒径が、１〜１０μｍの粒子で、素材が無機フィラーからなる粒子が好ましく、該粒子を、フィルム樹脂１００質量部に対し、３０〜５０質量部練りこむものである。
【００８５】
粒子塗布とは、具体的には、平均粒径が、１〜１０μｍの粒子で、素材が無機フィラーからなる粒子が好ましく、該粒子を、溶媒希釈したものをフィルム樹脂に対し、グラビアコーターで塗布するものである。
【００８６】
サンドブラストとは、具体的には、ブラスト処理用の細かい砂を対象とするフィルムに高速でたたきつけることで凹凸化処理するものである。
【００８７】
ケミカル処理とは、具体的には、エッチャント（薬剤）によりフィルムを浸食することで凹凸化処理するものである。
【００８８】
エンボス加工とは、具体的には、あらかじめ所望の凹凸を有した版を準備し、その版を加熱しながら押し付けることでフィルムに凹凸化処理するものである。
【００８９】
本発明では、これらのうち、粒子練りこみ、粒子塗布が好ましく、粒子練りこみがより好ましい。
【００９０】
本発明では、基材フィルムの波長８００〜１２００ｎｍにおける透過率は、８０％以上が好ましく、９０％以上がより好ましい。
ここで、透過率は分光光度計〔例えば、（株）島津製作所製：ＵＶ−３６００〕で測定できる。
【００９１】
基材フィルムの厚さは５０〜２００μｍが好ましい。
【００９２】
（半導体ウェハ加工用粘着テープの用途）
本発明の半導体ウェハ加工用粘着テープは、ブレードによるハーフカット、またはレーザーにより改質層形成を行った、半導体ウェハを裏面研削し個片化する工程で用いられる半導体ウェハ加工用粘着テープとして用いられる。
【００９３】
＜＜半導体ウェハ加工用粘着テープの製造方法＞＞
半導体ウェハ加工用粘着テープの製造方法は、粘着剤が、酸素介在下における紫外線照射量５００ｍＪ／ｃｍ２の紫外線照射後の前記粘着剤のタック力の低下率が６０％以上であり、基材フィルムが、少なくとも２種類の異なる材料のフィルムを積層した基材フィルムであって、このうちの少なくとも１層のフィルムが、ポリエチレンテレフタレートまたはポリプロピレンからなり、しかも該フィルムを粒子練りこみ、粒子塗布、サンドブラスト、ケミカル処理またはエンボス加工により白色化した基材フィルムを使用して製造するものである。
【００９４】
＜＜半導体ウェハと半導体ウェハの加工方法＞＞
本発明の半導体ウェハ加工用粘着テープを適用する半導体ェハに特に制限はなく、あらゆる形態の半導体ウェハに適用可能である。
本発明の半導体ウェハ加工用粘着テープを用いた半導体ウェハの加工方法（以下、「本発明の加工方法」という。）は、本発明の半導体ウェハ加工用粘着テープを、ブレードによるハーフカット、またはレーザーにより改質層形成を行った、半導体ウェハを裏面研削し個片化する工程で用いる。
【実施例】
【００９５】
以下、本発明を実施例に基づき、さらに詳細に説明するが、本発明はこれら実施例に限定されるものではない。
【００９６】
＜実施例１＞
２−エチルヘキシルアクリレート８０質量部、２−ヒドロキシエチルアクリレート２０質量部およびメタクリル酸１質量部からなるアクリル系共重合体を調整し、その後、ポリマー側鎖である２−ヒドロキシエチルアクリレートから得られた繰返し単位中のヒドロキシ基と２−メタクリロイルオキシエチルイソシアネートとを反応させ、該ポリマー側鎖に放射線硬化性の炭素−炭素二重結合として作用するメタクリロイル基を導入したアクリル系共重合体を得た。得られたアクリル系共重合体に、該共重合体の固形分１００質量部に対して、アダクト系イソシアネート系架橋剤コロネートＬ（商品名、日本ポリウレタン工業株式会社製）を０．９質量部および光重合開始剤を５質量部配合し、塗工し易い粘度に調整するため、酢酸エチルで粘度調整を行い、粘着剤組成物を得た。
これとは別に、異種フィルム間の接着用として、重量平均分子量３０万、ガラス転移温度−４４℃のアクリル系共重合体とアダクト系イソシアネート系硬化剤コロネートＬ（商品名、日本ポリウレタン工業株式会社製）を４質量部配合し、塗工しやすい粘度に調整するため、酢酸エチルで粘度調整を行い、粘着剤組成物Ａを得た。
２５μｍのポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）セパレータ上に、接着用粘着剤組成物Ａを塗布し、乾燥させて、厚みが４０μｍのポリプロピレン（ＰＰ）フィルムおよび厚みが３８μｍのポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）フィルムの２軸延伸された複合フィルム上に貼り合わせることで積層し、この積層基材フィルム上に、上記粘着剤組成物を塗布して、膜厚３０μｍの粘着剤層を設けて半導体ウェハ加工用粘着テープを作製した。
【００９７】
＜実施例２＞
２−エチルヘキシルアクリレート８０質量部、２−ヒドロキシエチルアクリレート２０質量部およびメタクリル酸１質量部からなるアクリル系共重合体を調整し、その後、ポリマー側鎖である２−ヒドロキシエチルアクリレートから得られた繰返し単位中のヒドロキシ基と２−メタクリロイルオキシエチルイソシアネートとを反応させ、該ポリマー側鎖に放射線硬化性の炭素−炭素二重結合として作用するメタクリロイル基を導入したアクリル系共重合体を得た。得られたアクリル系共重合体に、該共重合体の固形分１００質量部に対して、アダクト系イソシアネート系架橋剤コロネートＬ（商品名、日本ポリウレタン工業株式会社製）を０．９質量部および光重合開始剤を５質量部配合し、塗工し易い粘度に調整するため、酢酸エチルで粘度調整を行い、粘着剤組成物を得た。
２５μｍのポリエチレンテレフタレートセパレータ上に、実施例１で調製した接着用粘着剤組成物Ａを塗布し、乾燥させて、厚みが４０μｍのポリプロピレンフィルムおよび厚みが２５μｍのポリエチレンテレフタレートフィルムの２軸延伸された複合フィルム上に貼り合わせることで積層し、この積層基材フィルム上に、上記粘着剤組成物を塗布して、膜厚３０μｍの粘着剤層を設けて半導体ウェハ加工用粘着テープを作製した。
【００９８】
＜実施例３＞
２−エチルヘキシルアクリレート８０質量部、２−ヒドロキシエチルアクリレート２０質量部およびメタクリル酸１質量部からなるアクリル系共重合体を調整し、その後、ポリマー側鎖である２−ヒドロキシエチルアクリレートから得られた繰返し単位中のヒドロキシ基と２−メタクリロイルオキシエチルイソシアネートとを反応させ、該ポリマー側鎖に放射線硬化性の炭素−炭素二重結合として作用するメタクリロイル基を導入したアクリル系共重合体を得た。得られたアクリル系共重合体に、該共重合体の固形分１００質量部に対して、アダクト系イソシアネート系架橋剤コロネートＬ（商品名、日本ポリウレタン工業株式会社製）を０．９質量部および光重合開始剤を５質量部配合し、塗工し易い粘度に調整するため、酢酸エチルで粘度調整を行い、粘着剤組成物を得た。
２５μｍのポリエチレンテレフタレートセパレータ上に、実施例１で調製した接着用粘着剤組成物Ａを塗布し、乾燥させて、厚みが４０μｍのポリプロピレンフィルムおよび厚みが５０μｍの粒子練り込みでマット化されたポリエチレンテレフタレートフィルムの２軸延伸された複合フィルム上に貼り合わせることで積層し、この積層基材フィルム上に、上記粘着剤組成物を塗布して、膜厚３０μｍの粘着剤層を設けて半導体ウェハ加工用粘着テープを作製した。
【００９９】
＜実施例４＞
２−エチルヘキシルアクリレート８０質量部、２−ヒドロキシエチルアクリレート２０質量部およびメタクリル酸１質量部からなるアクリル系共重合体を調整し、その後、ポリマー側鎖である２−ヒドロキシエチルアクリレートから得られた繰返し単位中のヒドロキシ基と２−メタクリロイルオキシエチルイソシアネートとを反応させ、該ポリマー側鎖に放射線硬化性の炭素−炭素二重結合として作用するメタクリロイル基を導入したアクリル系共重合体を得た。得られたアクリル系共重合体に、該共重合体の固形分１００質量部に対して、アダクト系イソシアネート系架橋剤コロネートＬ（商品名、日本ポリウレタン工業株式会社製）を０．９質量部および光重合開始剤を５質量部配合、塗工し易い粘度に調整するため、酢酸エチルで粘度調整を行い、粘着剤組成物を得た。
２５μｍのポリエチレンテレフタレートセパレータ上に、実施例１で調製した接着用粘着剤組成物Ａを塗布し、乾燥させて、厚みが４０μｍのポリプロピレンフィルムおよび厚みが２５μｍの粒子練り込みでマット化されたポリエチレンテレフタレートフィルムの２軸延伸された複合フィルム上に貼り合わせることで積層し、この積層基材フィルム上に、上記粘着剤組成物を塗布して、膜厚３０μｍの粘着剤層を設けて半導体ウェハ加工用粘着テープを作製した。
【０１００】
＜実施例５＞
２−エチルヘキシルアクリレート８０質量部、２−ヒドロキシエチルアクリレート２０質量部およびメタクリル酸１質量部からなるアクリル系共重合体を調整し、その後、ポリマー側鎖である２−ヒドロキシエチルアクリレートから得られた繰返し単位中のヒドロキシ基と２−メタクリロイルオキシエチルイソシアネートとを反応させ、該ポリマー側鎖に放射線硬化性の炭素−炭素二重結合として作用するメタクリロイル基を導入したアクリル系共重合体を得た。得られたアクリル系共重合体に、該共重合体の固形分１００質量部に対して、アダクト系イソシアネート系架橋剤コロネートＬ（商品名、日本ポリウレタン工業株式会社製）を０．９質量部および光重合開始剤を５質量部配合、塗工し易い粘度に調整するため、酢酸エチルで粘度調整を行い、粘着剤組成物を得た。
２５μｍのポリエチレンテレフタレートセパレータ上に、実施例１で調製した接着用粘着剤組成物Ａを塗布し、乾燥させて、厚みが６０μｍのポリプロピレンフィルムおよび厚みが２５μｍの粒子練り込みでマット化されたポリエチレンテレフタレートフィルムの２軸延伸された複合フィルム上に貼り合わせることで積層し、この積層基材フィルム上に、上記粘着剤組成物を塗布して、膜厚３０μｍの粘着剤層を設けて半導体ウェハ加工用粘着テープを作製した。
【０１０１】
＜実施例６＞
２−エチルヘキシルアクリレート８０質量部、２−ヒドロキシエチルアクリレート２０質量部およびメタクリル酸１質量部からなるアクリル系共重合体を調整し、その後、ポリマー側鎖である２−ヒドロキシエチルアクリレートから得られた繰返し単位中のヒドロキシ基と２−メタクリロイルオキシエチルイソシアネートとを反応させ、該ポリマー側鎖に放射線硬化性の炭素−炭素二重結合として作用するメタクリロイル基を導入したアクリル系共重合体を得た。得られたアクリル系共重合体に、該共重合体の固形分１００質量部に対して、アダクト系イソシアネート系架橋剤コロネートＬ（商品名、日本ポリウレタン工業株式会社製）を０．９質量部および光重合開始剤を５質量部配合、塗工し易い粘度に調整するため酢酸エチルで調整を行い、粘着剤組成物を得た。
２５μｍのポリエチレンテレフタレートセパレータ上に、実施例１で調製した接着用粘着剤組成物Ａを塗布し、乾燥させて、厚みが６０μｍのポリプロピレンフィルムおよび厚みが５０μｍの粒子練り込みでマット化されたポリエチレンテレフタレートフィルムの２軸延伸された複合フィルム上に貼り合わせることで積層し、この積層基材フィルム上に、上記粘着剤組成物を塗布して、膜厚３０μｍの粘着剤層を設けて半導体ウェハ加工用粘着テープを作製した。
【０１０２】
＜実施例７＞
２−エチルヘキシルアクリレート８０質量部、２−ヒドロキシエチルアクリレート２０質量部およびメタクリル酸１質量部からなるアクリル系共重合体を調整し、その後、ポリマー側鎖である２−ヒドロキシエチルアクリレートから得られた繰返し単位中のヒドロキシ基と２−メタクリロイルオキシエチルイソシアネートとを反応させ、該ポリマー側鎖に放射線硬化性の炭素−炭素二重結合として作用するメタクリロイル基を導入したアクリル系共重合体を得た。得られたアクリル系共重合体に、該共重合体の固形分１００質量部に対して、アダクト系イソシアネート系架橋剤コロネートＬ（商品名、日本ポリウレタン工業株式会社製）を０．９質量部および光重合開始剤を５質量部配合、塗工し易い粘度に調整するため、酢酸エチルで粘度調整を行い、粘着剤組成物を得た。
２５μｍのポリエチレンテレフタレートセパレータ上に、実施例１で調製した接着用粘着剤組成物Ａを塗布し、乾燥させて、厚みが１００μｍのエチレン−酢酸ビニル共重合体（ＥＶＡ）フィルムおよび厚みが３８μｍのポリエチレンテレフタレートフィルムの２軸延伸された複合フィルム上に貼り合わせることで積層し、この積層基材フィルム上に、上記粘着剤組成物を塗布して、膜厚３０μｍの粘着剤層を設けて半導体ウェハ加工用粘着テープを作製した。
【０１０３】
＜実施例８＞
２−エチルヘキシルアクリレート８０質量部、２−ヒドロキシエチルアクリレート２０質量部およびメタクリル酸１質量部からなるアクリル系共重合体を調整し、その後、ポリマー側鎖である２−ヒドロキシエチルアクリレートから得られた繰返し単位中のヒドロキシ基と２−メタクリロイルオキシエチルイソシアネートとを反応させ、該ポリマー側鎖に放射線硬化性の炭素−炭素二重結合として作用するメタクリロイル基を導入したアクリル系共重合体を得た。得られたアクリル系共重合体に、該共重合体の固形分１００質量部に対して、アダクト系イソシアネート系架橋剤コロネートＬ（商品名、日本ポリウレタン工業株式会社製）を０．９質量部および光重合開始剤を５質量部配合、塗工し易い粘度に調整するため、酢酸エチルで粘度調整を行い、粘着剤組成物を得た。
２５μｍのポリエチレンテレフタレートセパレータ上に、実施例１で調製した接着用粘着剤組成物Ａを塗布し、乾燥させて、厚みが１００μｍの低密度ポリエチレンフィルムおよび厚みが３８μｍのポリエチレンテレフタレートフィルムの２軸延伸された複合フィルム上に貼り合わせることで積層し、この積層基材フィルム上に、上記粘着剤組成物を塗布して、膜厚３０μｍの粘着剤層を設けて半導体ウェハ加工用粘着テープを作製した。
【０１０４】
＜実施例９＞
２−エチルヘキシルアクリレート８０質量部、２−ヒドロキシエチルアクリレート２０質量部およびメタクリル酸１質量部からなるアクリル系共重合体を調整し、その後、ポリマー側鎖である２−ヒドロキシエチルアクリレートから得られた繰返し単位中のヒドロキシ基と２−メタクリロイルオキシエチルイソシアネートとを反応させ、該ポリマー側鎖に放射線硬化性の炭素−炭素二重結合として作用するメタクリロイル基を導入したアクリル系共重合体を得た。得られたアクリル系共重合体に、該共重合体の固形分１００質量部に対して、アダクト系イソシアネート系架橋剤コロネートＬ（商品名、日本ポリウレタン工業株式会社製）を０．９質量部および光重合開始剤を５質量部配合、塗工し易い粘度に調整するため、酢酸エチルで粘度調整を行い、粘着剤組成物を得た。
２５μｍのポリエチレンテレフタレートセパレータ上に、実施例１で調製した接着用粘着剤組成物Ａを塗布し、乾燥させて、厚みが４０μｍの低密度ポリエチレン（ＰＥ）フィルムおよび厚みが３８μｍのポリエチレンテレフタレートフィルムおよび厚み４０μｍの低密度ポリエチレンフィルムの３層複合フィルム上に貼り合わせることで積層し、この積層基材フィルム上に、上記粘着剤組成物を塗布して、膜厚３０μｍの粘着剤層を設けて半導体ウェハ加工用粘着テープを作製した。
【０１０５】
＜実施例１０＞
２−エチルヘキシルアクリレート８０質量部、２−ヒドロキシエチルアクリレート２０質量部およびメタクリル酸１質量部からなるアクリル系共重合体を調整し、その後、ポリマー側鎖である２−ヒドロキシエチルアクリレートから得られた繰返し単位中のヒドロキシ基と２−メタクリロイルオキシエチルイソシアネートとを反応させ、該ポリマー側鎖に放射線硬化性の炭素−炭素二重結合として作用するメタクリロイル基を導入したアクリル系共重合体を得た。得られたアクリル系共重合体に、該共重合体の固形分１００質量部に対して、アダクト系イソシアネート系架橋剤コロネートＬ（商品名、日本ポリウレタン工業株式会社製）を０．９質量部および光重合開始剤を５質量部配合、塗工し易い粘度に調整するため、酢酸エチルで粘度調整を行い、粘着剤組成物を得た。
２５μｍのポリエチレンテレフタレートセパレータ上に、実施例１で調製した接着用粘着剤組成物Ａを塗布し、乾燥させて、厚みが２５μｍの粒子練り込みでマット化されたポリプロピレン（ＰＰ）フィルムおよび厚みが３８μｍのポリエチレンテレフタレートフィルムの２軸延伸された複合フィルム上に貼り合わせることで積層し、この積層基材フィルム上に、上記粘着剤組成物を塗布して、膜厚３０μｍの粘着剤層を設けて半導体ウェハ加工用粘着テープを作製した。
＜実施例１１＞
２５μｍのポリエチレンテレフタレートセパレータ上に、実施例１で調製した接着用粘着剤組成物Ａを塗布し、乾燥させて、厚みが４０μｍの無延伸ポリプロピレン（ＰＰ）フィルムおよび厚みが３８μｍのポリエチレンテレフタレートフィルムの無延伸の複合フィルム上に貼り合わせることで積層し、この積層基材フィルム上に、膜厚３０μｍの実施例１と同様の粘着剤層を設けて半導体ウェハ加工用粘着テープを作製した。
【０１０６】
＜比較例１＞
２−エチルヘキシルアクリレート６９質量部、２−ヒドロキシエチルアクリレート２９質量部およびメタクリル酸２質量部からなるアクリル系共重合体を調整し、その後、ポリマー側鎖である２−ヒドロキシエチルアクリレートから得られた繰返し単位中のヒドロキシ基と２−メタクリロイルオキシエチルイソシアネートとを反応させ、該ポリマー側鎖に放射線硬化性の炭素−炭素二重結合として作用するメタクリロイル基を導入したアクリル系共重合体を得た。得られたアクリル系共重合体に、該共重合体の固形分１００質量部に対して、アダクト系イソシアネート系架橋剤コロネートＬ（商品名、日本ポリウレタン工業株式会社製）を０．５質量部および光重合開始剤を１質量部配合、塗工し易い粘度に調整するため、酢酸エチルで粘度調整を行い、粘着剤組成物を得た。
２５μｍのポリエチレンテレフタレートセパレータ上に上記粘着剤組成物を塗布し、乾燥させて、厚みが１００μｍのエチレン−酢酸ビニル共重合体（ＥＶＡ）フィルム上に貼り合わせることで、該エチレン−酢酸ビニル共重合体（ＥＶＡ）フィルム上に、膜厚３０μｍの粘着剤層を設けて半導体ウェハ加工用粘着テープを作製した。
【０１０７】
＜比較例２＞
２−エチルヘキシルアクリレート６９質量部、２−ヒドロキシエチルアクリレート２９質量部およびメタクリル酸２質量部からなるアクリル系共重合体を調整し、その後、ポリマー側鎖である２−ヒドロキシエチルアクリレートから得られた繰返し単位中のヒドロキシ基と２−メタクリロイルオキシエチルイソシアネートとを反応させ、該ポリマー側鎖に放射線硬化性の炭素−炭素二重結合として作用するメタクリロイル基を導入したアクリル系共重合体を得た。得られたアクリル系共重合体に、該共重合体の固形分１００質量部に対して、アダクト系イソシアネート系架橋剤コロネートＬ（商品名、日本ポリウレタン工業株式会社製）を０．５質量部および光重合開始剤を１質量部配合、塗工し易い粘度に調整するため、酢酸エチルで粘度調整を行い、粘着剤組成物を得た。
２５μｍのポリエチレンテレフタレートセパレータ上に上記粘着剤組成物を塗布し、乾燥させて、厚みが１００μｍのポリエチレンテレフタレートフィルム上に貼り合わせることで、該ポリエチレンテレフタレートフィルム上に、膜厚３０μｍの粘着剤層を設けて半導体ウェハ加工用粘着テープを作製した。
【０１０８】
＜比較例３＞
２−エチルヘキシルアクリレート６９質量部、２−ヒドロキシエチルアクリレート２９質量部およびメタクリル酸２質量部からなるアクリル系共重合体を調整し、その後、ポリマー側鎖である２−ヒドロキシエチルアクリレートから得られた繰返し単位中のヒドロキシ基と２−メタクリロイルオキシエチルイソシアネートとを反応させ、該ポリマー側鎖に放射線硬化性の炭素−炭素二重結合として作用するメタクリロイル基を導入したアクリル系共重合体を得た。得られたアクリル系共重合体に、該共重合体の固形分１００質量部に対して、アダクト系イソシアネート系架橋剤コロネートＬ（商品名、日本ポリウレタン工業株式会社製）を０．５質量部および光重合開始剤を１質量部配合、塗工し易い粘度に調整するため、酢酸エチルで粘度調整を行い、粘着剤組成物を得た。
２５μｍのポリエチレンテレフタレートセパレータ上に、実施例１で調製した接着用粘着剤組成物Ａを塗布し、乾燥させて、厚みが１００μｍのポリエチ（ＰＥ）フィルム／エチレン−酢酸ビニル共重合体（ＥＶＡ）フィルム積層体上に貼り合わせることで積層し、この積層基材フィルム上に、上記粘着剤組成物を塗布して、膜厚３０μｍの粘着剤層を設けて半導体ウェハ加工用粘着テープを作製した。
【０１０９】
＜比較例４＞
脱イオンを行った純水中に界面活性剤としてアリル基を付加させたポリオキシエチレンアルキルフェニルエーテル化合物およびポリプロピレングリコール化合物を加え、重合開始剤として過硫酸アンモニウムを加えて加熱しながら撹拌した。次いでメチルメタクリレート１７質量部、ブチルアクリレート４０質量部、２−エチルヘキシルアクリレート４１質量部およびメタクリル酸グリシジル２質量部を撹拌下に反応溶液に滴下し、さらに撹拌を続け重合することにより、アクリルエマルション粘着剤組成物を得た。
２５μｍのポリエチレンテレフタレートセパレータ上に上記粘着剤組成物を塗布し、１１０℃で５分間乾燥させて、厚みが１６５μｍのエチレン−酢酸ビニル共重合体（ＥＶＡ）フィルム上に貼り合わせることで、該エチレン−酢酸ビニル共重合体（ＥＶＡ）フィルム上に、上記粘着剤組成物を塗布して、膜厚４０μｍの粘着剤層を設けて半導体ウェハ加工用粘着テープを作製した。
【０１１０】
［特性評価試験］
実施例１〜１１、比較例１〜４の半導体ウェハ加工用粘着テープに対して、特性評価試験を下記のように行った。
【０１１１】
（ステルスダイシングによる改質層の形成）
ディスコ製ステルスダイサーを用いて、シリコン（Ｓｉ）ウェハ内部にウェハの仕上げの厚みより厚い領域に改質層を形成し、半導体ウェハを劈開しやすい状態とした。
【０１１２】
（ハーフカット加工）
ディスコ製ハーフカットダイサーを用いて、シリコンウェハの仕上げの厚みよりも深くブレードによる切り込みを実施した。バックグラインド時に溝を露出させチップを個辺化できるように前加工した。
【０１１３】
（半導体ウェハ加工用粘着テープの貼合）
作製した半導体ウェハ加工用粘着テープの貼合は、自動ラミネータ（日東精機株式会社製ＤＲ−３０００ＩＩＩ）でハーフカットダイシング（ＤＣ）済、およびステルスダイシング（ＤＣ）済８インチ（ｉｎｃｈ）のシリコンウェハへ貼合・カットを行った。
【０１１４】
（バックグラインド加工および装置内搬送テスト）
半導体ウェハ裏面研削後の装置内搬送は、株式会社ディスコ製フルオートグラインダＤＧＰ８７６０＋ウェハマウンタＤＦＭ２７００を用いて、バックグラインド加工行い、吸着エラーが発生しないか、マウンタへの自動搬送が可能か確認した。
【０１１５】
（ｉ）先ダイシング（ＤＣ）後のカーフシフト量確認による評価
グラインダーによるバックグラインド加工後、チップへと個辺化した各チップ間のカーフをキーエンス社製レーザー顕微鏡で測定し、カーフシフト量についての比較評価を行った。
評価は下記基準で評価した。
【０１１６】
評価基準
◎：Ｘ、Ｙ方向のカーフ幅比が１．５以下、かつ隣接チップ同士の端部ズレ量が５μｍ以下、チップ回転５°以下
○：Ｘ、Ｙのカーフ幅比率が２．０以下
△：隣接チップ同士のＸ、Ｙ方向いずれかが接触
×：隣接チップ同士がＸ、Ｙ方向ともに接触
【０１１７】
（ｉｉ）酸素介在下でのタック力の低下率の測定
タック力は、応力緩和測定装置の「タック試験機（商品名：ＴＡＣＩＩ、レスカ製）」により、以下のようにして常温（２５℃）で測定した。
上記のようにして作製した各実施例および各比較例の放射線照射前の半導体ウェハ加工用粘着テープから、幅２５ｍｍ×長さ２５０ｍｍの試験片を採取し、この試験片を試験機に設置し、圧子をこの試験片に接触させ、試験片の基材背面側（粘着剤塗工面と反対側）に、３ｍｍφ円柱状プローブを３０ｍｍ／ｍｉｎの速度で押し込み、停止荷重１００ｇで１秒保持後に６００ｍｍ／分の速度で引き上げる際の荷重（タック力  Ｔα）を測定した。一方、上記各実施例および各比較例を酸素介在下（すなわち、空気中）で紫外線を５００ｍＪ／ｃｍ２の照射量で照射して硬化させた半導体ウェハ加工用粘着テープを各々作製し、放射線照射前の半導体ウェハ加工用粘着テープと同様にして、タック力  Ｔβ（Ｏ２）を測定した。なお、タック力の単位はｋＰａである。得られた各タック力の値を用いて、下記式（１）により、タック力の低下率を求めた。
【０１１８】
式（１）
［Ｔα  −  Ｔβ（Ｏ２）］  ÷  ［Ｔα］×１００
【０１１９】
得られたタック力の低下率を、下記基準で評価した。
【０１２０】
評価基準
◎：低下率が７０％以上
○：低下率が６０％以上７０％未満
△：低下率が５０％以上６０％未満
×：低下率が５０％未満
【０１２１】
（ダスト浸入）
先ダイシング（ＤＣ）・ステルスダイシング後の半導体ウェハをバックグラインド加工、カーフシフト量観察後にダイシングテープへとマウントし、バックグラインドテープを剥離、その後テープ剥離した表面を観察しダスト侵入量について比較した。
具体的には、以下の方法で評価した。
【０１２２】
（ｉｉｉ）ダスト侵入（シーページ）評価
表面の全面に亘って幅５０μｍ、深さ３０μｍの溝が５ｍｍ間隔で形成された直径８インチのシリコンウェハの、溝を形成した面にラミネータ（商品名：ＤＲ−８５００ＩＩ、日東精機株式会社製）を用いて半導体ウェハ加工用粘着テープを貼合した。該粘着テープが貼合された半導体ウェハを、グラインダー（商品名：ＤＧＰ８７６０、株式会社ディスコ製）で厚み５０μｍまで裏面研削を行い、研削後の半導体ウェハ加工用粘着ウェハ外周部から溝への切削水の浸入を調査した。
この結果を、以下の基準で評価した。
【０１２３】
評価基準
○：５回上記調査を繰り返して行い、切削水の侵入が５回とも全くなかった
△：５回上記調査を繰り返して行い、切削水の侵入が少なくとも１回観測された
×：５回上記調査を繰り返して行い、切削水の侵入が５回とも観測された
【０１２４】
（ｉｖ）薄膜研削性の評価
上記のダスト侵入と同様に厚み５０μｍまで、半導体ウェハの裏面研削を行い、以下の基準で評価した。
【０１２５】
評価基準
◎：研削後の半導体ウェハに割れがなかった
○：ウェハエッジ部に１ヶ所のクラックを確認した
△：ウェハエッジ部に２〜３ヶ所のクラックを確認した
×：ウェハエッジ部に４ヶ所以上のクラックを確認した
【０１２６】
それぞれの実施例、比較例における先ＤＣ後のカーフシフト・酸素介在下でのタック力低下率・先ダイシング（ＤＣ）時のダスト侵入・薄膜研削性を、下記の表１〜３にまとめた。
【０１２７】
【表１】
2015185691.tif 000003
【０１２８】
【表２】
2015185691.tif 000004
【０１２９】
【表３】
2015185691.tif 000005
【０１３０】
表１〜３に示すように、比較例１〜３では基材フィルムが、エチレン−酢酸ビニル共重合体またはポリエチレンテレフタレートのポリオレフィン樹脂のみからなることによって、先ＤＣ後のカーフシフト量が大きい結果となった。また、放射線硬化型粘着剤組成に起因して紫外線（ＵＶ）照射後のタック力の低下率が６０％を超えなかった。比較例４では感圧型粘着剤を適用したことによって、先ＤＣ後のダスト侵入が大きい結果となった。
これに対して実施例１〜１１では粘着剤組成中の光重合開始剤の配合量をコントロールすることで、紫外線照射後のタック力低下率を確保し、糊残りの誘発を防止、基材フィルムの設計によりカーフシフトの抑制と薄膜研削性を両立した。
【０１３１】
このように、本発明の半導体ウェハ加工用粘着テープは、半導体ウェハをバックグラインドする際にパターン表面を保護する用途で用いることができ、バックグラインド前にハーフカットダイシングやステルスダイシング加工がなされていても貼合から剥離までを処理することが可能であり、研削加工に用いるのに好適であることがわかる。
【符号の説明】
【０１３２】
１０  半導体加工用粘着テープ
１  基材フィルム
２  粘着剤層
３  半導体ウェハのパターン層（配線層）
４  半導体ウェハのシリコン層
【図１】
2015185691.tif 000006
【手続補正書】
【提出日】平成27年3月16日(2015.3.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基材フィルム上に放射線硬化性の粘着剤層を有する半導体ウェハ加工用粘着テープであって、
前記半導体ウェハ加工用粘着テープが、ブレードによるハーフカット、またはレーザーにより改質層形成を行った、半導体ウェハを裏面研削し個片化する工程で用いられ、半導体ウェハのブレードによるハーフカット、またはレーザーにより改質層形成が行われ、かつ該半導体ウェハの表面に段差を有する面に貼合する半導体ウェハ加工用粘着テープであり、かつ、
酸素介在下における紫外線照射量５００ｍＪ／ｃｍ２の紫外線照射後の前記粘着剤のタック力の低下率が６０％以上であり、
前記基材フィルムが、少なくともポリエチレンテレフタレート、ポリエチレン、ポリプロピレンおよびエチレン−酢酸ビニル共重合体から選択された２種類以上の異なる材料のフィルムを積層した基材フィルムであって、そのうち少なくとも１層のフィルムがポリエチレンテレフタレートまたはポリプロピレンを含むことを特徴とする半導体ウェハ加工用粘着テープ。
【請求項２】
前記積層した基材フィルムを構成する樹脂の内、少なくとも1層以上が、２軸延伸された基材フィルムであることを特徴とする請求項１に記載の半導体ウェハ加工用粘着テープ。
【請求項３】
前記積層した基材フィルムが、ポリエチレン／ポリエチレンテレフタレート／ポリエチレンの３層からなることを特徴とする請求項１または２に記載の半導体ウェハ加工用粘着テープ。
【請求項４】
前記積層した基材フィルムの粘着剤層側が、ポリエチレンテレフタレートまたはポリエチレンであり、テープ背面側が、ポリプロピレン、ポリエチレンまたはエチレン−酢酸ビニル共重合体であることを特徴とする請求項１〜３のいずれか１項に記載の半導体ウェハ加工用粘着テープ。
【請求項５】
前記積層した基材フィルムの少なくとも１層のフィルムが、ポリエチレンテレフタレートまたはポリプロピレンからなり、かつ該フィルムが粒子練りこみ、粒子塗布、サンドブラスト、ケミカル処理またはエンボス加工により白色化されてなることを特徴とする請求項１〜４のいずれか１項に記載の半導体ウェハ加工用粘着テープ。
【請求項６】
基材フィルム上に放射線硬化性の粘着剤層を有する半導体ウェハ加工用粘着テープの製造方法であって、
前記半導体ウェハ加工用粘着テープが、ブレードによるハーフカット、またはレーザーにより改質層形成を行った、半導体ウェハを裏面研削し個片化する工程で用いられ、半導体ウェハのブレードによるハーフカット、またはレーザーにより改質層形成が行われ、かつ該半導体ウェハの表面に段差を有する面に貼合する半導体ウェハ加工用粘着テープであり、
酸素介在下における紫外線照射量５００ｍＪ／ｃｍ２の紫外線照射後の前記粘着剤のタック力の低下率が６０％以上であり、かつ、
前記基材フィルムが、少なくともポリエチレンテレフタレート、ポリエチレン、ポリプロピレンおよびエチレン−酢酸ビニル共重合体から選択された２種類の異なる材料のフィルムを積層した基材フィルムであって、このうちの少なくとも１層のフィルムが、ポリエチレンテレフタレートまたはポリプロピレンからなり、かつ該フィルムを粒子練りこみ、粒子塗布、サンドブラスト、ケミカル処理またはエンボス加工により白色化することを特徴とする半導体ウェハ加工用粘着テープの製造方法。
【請求項７】
基材フィルム上に放射線硬化性の粘着剤層を有する半導体ウェハ加工用粘着テープを使用する半導体ウェハの加工方法であって、
前記半導体ウェハ加工用粘着テープが、酸素介在下における紫外線照射量５００ｍＪ／ｃｍ２の紫外線照射後の前記粘着剤のタック力の低下率が６０％以上であり、かつ前記基材フィルムが、少なくともポリエチレンテレフタレート、ポリエチレン、ポリプロピレンおよびエチレン−酢酸ビニル共重合体から選択された２種類以上の異なる材料のフィルムを積層した基材フィルムであって、そのうち少なくとも１層のフィルムがポリエチレンテレフタレートまたはポリプロピレンを含み、
半導体ウェハをブレードによるハーフカット、またはレーザーにより改質層形成と半導体ウェハの表面段差を有する面への前記半導体ウェハ加工用粘着テープの貼合を行った後、半導体ウェハを裏面研削し個片化する工程を行うことを特徴とする半導体ウェハの加工方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２６】
（１）基材フィルム上に放射線硬化性の粘着剤層を有する半導体ウェハ加工用粘着テープであって、
前記半導体ウェハ加工用粘着テープが、ブレードによるハーフカット、またはレーザーにより改質層形成を行った、半導体ウェハを裏面研削し個片化する工程で用いられ、半導体ウェハのブレードによるハーフカット、またはレーザーにより改質層形成が行われ、かつ該半導体ウェハの表面に段差を有する面に貼合する半導体ウェハ加工用粘着テープであり、かつ、
酸素介在下における紫外線照射量５００ｍＪ／ｃｍ２の紫外線照射後の前記粘着剤のタック力の低下率が６０％以上であり、
前記基材フィルムが、少なくともポリエチレンテレフタレート、ポリエチレン、ポリプロピレンおよびエチレン−酢酸ビニル共重合体から選択された２種類以上の異なる材料のフィルムを積層した基材フィルムであって、そのうち少なくとも１層のフィルムがポリエチレンテレフタレートまたはポリプロピレンを含むことを特徴とする半導体ウェハ加工用粘着テープ。
（２）前記積層した基材フィルムを構成する樹脂の内、少なくとも1層以上が、２軸延伸された基材フィルムであることを特徴とする（１）に記載の半導体ウェハ加工用粘着テープ。
（３）前記積層した基材フィルムが、ポリエチレン／ポリエチレンテレフタレート／ポリエチレンの３層からなることを特徴とする（１）または（２）に記載の半導体ウェハ加工用粘着テープ。
（４）前記積層した基材フィルムの粘着剤層側が、ポリエチレンテレフタレートまたはポリエチレンであり、テープ背面側が、ポリプロピレン、ポリエチレンまたはエチレン−酢酸ビニル共重合体であることを特徴とする（１）〜（３）のいずれか１項に記載の半導体ウェハ加工用粘着テープ。
（５）前記積層した基材フィルムの少なくとも１層のフィルムが、少なくとも２種類の異なる材料のフィルムを積層した基材フィルムであって、このうちの少なくとも１層のフィルムが、ポリエチレンテレフタレートまたはポリプロピレンからなり、かつ該フィルムが粒子練りこみ、粒子塗布、サンドブラスト、ケミカル処理またはエンボス加工により白色化されてなることを特徴とする（１）〜（４）のいずれか１項に記載の半導体ウェハ加工用粘着テープ。
（６）基材フィルム上に放射線硬化性の粘着剤層を有する半導体ウェハ加工用粘着テープの製造方法であって、
前記半導体ウェハ加工用粘着テープが、ブレードによるハーフカット、またはレーザーにより改質層形成を行った、半導体ウェハを裏面研削し個片化する工程で用いられ、半導体ウェハのブレードによるハーフカット、またはレーザーにより改質層形成が行われ、かつ該半導体ウェハの表面に段差を有する面に貼合する半導体ウェハ加工用粘着テープであり、
酸素介在下における紫外線照射量５００ｍＪ／ｃｍ２の紫外線照射後の前記粘着剤のタック力の低下率が６０％以上であり、かつ、
前記基材フィルムが、少なくともポリエチレンテレフタレート、ポリエチレン、ポリプロピレンおよびエチレン−酢酸ビニル共重合体から選択された２種類の異なる材料のフィルムを積層した基材フィルムであって、このうちの少なくとも１層のフィルムが、ポリエチレンテレフタレートまたはポリプロピレンからなり、かつ該フィルムを粒子練りこみ、粒子塗布、サンドブラスト、ケミカル処理またはエンボス加工により白色化することを特徴とする半導体ウェハ加工用粘着テープの製造方法。
（７）基材フィルム上に放射線硬化性の粘着剤層を有する半導体ウェハ加工用粘着テープを使用する半導体ウェハの加工方法であって、
前記半導体ウェハ加工用粘着テープが、酸素介在下における紫外線照射量５００ｍＪ／ｃｍ２の紫外線照射後の前記粘着剤のタック力の低下率が６０％以上であり、かつ前記基材フィルムが、少なくともポリエチレンテレフタレート、ポリエチレン、ポリプロピレンおよびエチレン−酢酸ビニル共重合体から選択された２種類以上の異なる材料のフィルムを積層した基材フィルムであって、そのうち少なくとも１層のフィルムがポリエチレンテレフタレートまたはポリプロピレンを含み、
半導体ウェハをブレードによるハーフカット、またはレーザーにより改質層形成と半導体ウェハの表面段差を有する面への前記半導体ウェハ加工用粘着テープの貼合を行った後、半導体ウェハを裏面研削し個片化する工程を行うことを特徴とする半導体ウェハの加工方法。