(57)【要約】【課題】基板処理の均一性を向上させる基板処理装置を提供する。【解決手段】筒状に形成され、一端部に開設されたガス供給口の外周を環状に囲うようにフランジ部が設けられたガス供給部と、内部に気化空間が形成され、ガス供給部から供給されたガスを気化空間内に導入するガス導入口が側壁に開設された気化容器と、ガス供給口とガス導入口とを対向させた状態でガス供給部と気化容器とを圧接させ、フランジ部の先端面と気化容器の側壁とを気密に当接させる圧接手段と、を備える。【選択図】図１
2015153996.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板を処理する基板処理装置であって、
筒状に形成され、一端部に開設されたガス供給口の外周を環状に囲うようにフランジ部が設けられたガス供給部と、
内部に気化空間が形成され、前記ガス供給部から供給されたガスを前記気化空間内に導入するガス導入口が側壁に開設された気化容器と、
前記ガス供給口と前記ガス導入口とを対向させた状態で前記ガス供給部と前記気化容器とを圧接させ、前記フランジ部の先端面と前記気化容器の側壁とを気密に当接させる圧接手段と、を備える基板処理装置。
【請求項２】
前記気化容器は、前記気化容器内に収容された固体原料を溶融させて液体原料を生成するとともに、液体原料を気化させて前記気化空間内で処理ガスを生成するように、加熱部により加熱される
請求項１に記載の基板処理装置。
【請求項３】
前記フランジ部の先端面と、前記フランジ部の先端面に接触する前記気化容器の箇所と、がそれぞれ、互いに嵌合するように形成されている
請求項１又は２に記載の基板処理装置。
【請求項４】
前記フランジ部の先端面又は前記フランジ部の先端面に接触する前記気化容器の箇所の少なくともいずれかには、粗面処理が施されている
請求項１ないし３のいずれかに記載の基板処理装置。
【請求項５】
前記フランジ部は、先端に向かって先細りしたテーパ形状に形成されており、前記ガス導入口の外周部は、前記フランジ部が嵌合するように形成されている
請求項１ないし４のいずれかに記載の基板処理装置。
【請求項６】
筒状に形成され、一端部に開設されたガス吸入口の外周を囲うようにフランジ部が設けられたガス排出部を備え、
前記気化容器には、前記気化空間内で生成された処理ガスを前記ガス排出部に排出するガス排出口が側壁に開設されており、
前記圧接手段は、前記ガス排出口と前記ガス吸入口とを対向させた状態で前記気化容器と前記ガス排出部とを圧接させ、前記気化容器の側壁と前記ガス排出部のフランジ部の先端面とを気密に当接させるように構成されている
請求項１ないし５のいずれかに記載の基板処理装置。
【請求項７】
前記気化容器が前記圧接手段により圧接される方向に移動可能に構成されている
請求項１ないし６のいずれかに記載の基板処理装置。
【請求項８】
前記気化容器の下面には、ローラ部材が回転自在に設けられている
請求項１ないし７のいずれかに記載の基板処理装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、基板処理装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来より、筒状に形成され、一端部にガス供給口が開設されたガス供給部と、内部に気化空間が形成され、ガス供給部から供給されたガスを気化空間内に導入するガス導入口が側壁に開設された気化容器と、を備え、ガス供給口とガス導入口とを連接した基板処理装置を用い、ガス供給部から気化空間内にガスを供給して気化空間内で処理ガスを生成し、この処理ガスを基板に対して供給することで基板を処理する基板処理工程が行われることがある（例えば特許文献１参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００１−１８１０９７号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
上述の基板処理工程では、基板の処理を行う際、ガス供給口とガス導入口とが気密に当接されていないため、気化空間内のガスが漏れ出たり、気化空間内の全圧が変動してしまい、処理ガスの濃度や生成量が変動してしまうことがある。これにより、基板処理の均一性が低下することがある。
【０００５】
そこで、本発明は、上記課題を解決し、基板処理の均一性を向上させることを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明の一態様によれば、基板を処理する基板処理装置であって、筒状に形成され、一端部に開設されたガス供給口の外周を環状に囲うようにフランジ部が設けられたガス供給部と、内部に気化空間が形成され、前記ガス供給部から供給されたガスを前記気化空間内に導入するガス導入口が側壁に開設された気化容器と、前記ガス供給口と前記ガス導入口とを対向させた状態で前記ガス供給部と前記気化容器とを圧接させ、前記フランジ部の先端面と前記気化容器の側壁とを気密に当接させる圧接手段と、を備える基板処理装置が提供される。
【発明の効果】
【０００７】
本発明によれば、基板処理の均一性を向上させることができる。
【図面の簡単な説明】
【０００８】
【図１】本発明の一実施形態にかかる基板処理装置の縦断面概略図である。
【発明を実施するための形態】
【０００９】
＜本発明の一実施形態＞
（１）基板処理装置の構成
以下に、本発明の一実施形態にかかる基板処理装置について、図１を参照しながら説明する。図１は、本実施形態にかかる基板処理装置１の縦断面概略図である。
【００１０】
図１に示すように、基板処理装置１は、例えば石英（ＳｉＯ２）等の耐熱性材料により
形成される反応容器２を備えている。反応容器２内の中空部には、基板１００を処理する処理室３が形成されている。
【００１１】
反応容器２には、ガス供給部４が反応容器２の側部（側壁）を貫通するように設けられている。ガス供給部４は筒状に形成されている。ガス供給部４の一端部には、後述のガス導入口６ａと連通されて気化空間５内にガスを供給するガス供給口４ａが開設されている。ガス供給口４ａは、平面形状が例えば円形に形成されている。ガス供給部４には、ガス供給口４ａの外周を環状に囲うようにフランジ部４ｂが設けられている。ガス供給部４は、耐熱性、耐食性等を有する非金属材料（例えば石英（ＳｉＯ２））で形成されているとよい。
【００１２】
ガス供給部４には、突起４ｃが設けられている。突起４ｃは、ガス供給部４の外周を囲うように（例えばフランジ状に）設けられている。突起４ｃは、後述の弾性体９の一端部が係止する係止部として機能する。
【００１３】
ガス供給部４の反応容器２の外側には、上流側から順に、ガス供給源４ｄ、後述の気化空間５内へのガスの供給・停止を行う弁であるバルブ４ｅが設けられている。ガス供給源４ｄ、バルブ４ｅをガス供給部４に含めて考えてもよい。
【００１４】
基板処理装置１は、内部に気化空間５が形成された気化容器６を備えている。気化空間５内では、気化容器６内に収容される液体原料が気化されて処理ガスが生成される。気化容器６は、処理室３内に設けられている。気化容器６は、横断面（平面）形状及び縦断面形状がそれぞれ例えば矩形状に形成されている。気化容器６は、耐熱性、耐食性を有する非金属材料（例えば石英）で形成されている。
【００１５】
気化容器６には、ガス供給部４から供給されたガスを気化空間５内に導入するガス導入口（インレットノズル）６ａが開設されている。また、気化容器６には、気化空間５内で生成された処理ガスを気化容器６外へ排出するガス排出口（アウトレットノズル）６ｂが開設されている。ガス導入口６ａ及びガス排出口６ｂはそれぞれ、後述の圧接手段により圧接される際の圧接方向の軸（圧接軸）上、又は圧接軸に平行な軸上に開設されている。例えば、ガス導入口６ａは気化容器６の側壁に開設されており、ガス排出口６ｂは、ガス導入口６ａが開設された側壁と対向する気化容器６の側壁に開設されている。ガス導入口６ａ及びガス排出口６ｂはそれぞれ、平面形状が例えば円形に形成されている。
【００１６】
気化容器６は、ガス導入口６ａがガス供給口４ａと対向するように配置されている。
【００１７】
気化容器６は、加熱部としてのヒータにより加熱される。気化容器６は、例えば気化容器６内に収容される固体原料を溶融させて液体原料を生成するとともに、液体原料を気化させて気化空間５内で処理ガスを生成するように、ヒータによって所定温度（例えば６００℃〜９００℃）に加熱される。
【００１８】
気化容器６は、後述の圧接手段によって圧接される方向に移動（摺動）可能に構成されている。例えば、気化容器６の下面には、ローラ部材７が所定方向に回転自在に設けられている。ローラ部材７は、耐熱性、耐食性を有する非金属材料（例えば石英）で形成されている。
【００１９】
気化容器６のガス排出口６ｂには、気化空間５内で生成された処理ガスを気化空間５外に排出するガス排出部８が接続されている。ガス排出部８は、例えば処理室３内の基板１００に処理ガスを供給するガスノズルとしても機能する。ガス排出部８は筒状に形成されている。ガス排出部８の一端部には、気化空間５内で生成された処理ガスを吸入するガス
吸入口８ａが開設されている。ガス吸入口８ａは、平面形状が例えば円形に形成されている。ガス排出部８には、ガス吸入口８ａの外周を環状に囲うようにフランジ部８ｂが設けられている。ガス排出部８は、耐熱性、耐食性等を有する非金属材料（例えば石英）で形成されているとよい。
【００２０】
ガス排出部８は、ガス吸入口８ａとガス排出口６ｂとが対向するように配置されている。
【００２１】
基板処理装置１は、ガス供給口４ａとガス導入口６ａとを対向させた状態でガス供給部４と気化容器６とを圧接させ、フランジ部４ｂの先端面と気化容器６の側壁とを気密に当接させる圧接手段（圧接継手機構）を備えている。また、圧接手段は、ガス排出口６ｂとガス吸入口８ａとを対向させた状態で気化容器６とガス排出部８とを圧接させ、気化容器６の側壁とフランジ部８ｂの先端面とを気密に当接させるように構成されている。例えば、圧接手段は、ガス供給部４に荷重を加えてガス供給部４を気化容器６に押付けることで、気化容器６をガス排出部８に押付けるように構成されている。これにより、ガス供給部４と気化容器６とを圧接させ、フランジ部４ｂの先端面と気化容器６の側壁とを気密に当接させつつ、気化容器６とガス排出部８とを圧接させ、気化容器６の側壁とフランジ部８ｂの先端面とを気密に当接させることができる。
【００２２】
圧接手段として例えば弾性体（バネ）９が用いられる。弾性体９は、例えばステンレス鋼（ＳＵＳ）で形成されている。弾性体９は、ガス供給部４の周囲を覆い、一端部が突起４ｃに係止し、他端部が反応容器２の側壁の内側に係止するように設けられている。弾性体９は、弾性復元力（延伸力、付勢力）が生じるように設けられている。具体的には、弾性体９は自然長（荷重が付与されていない状態の弾性体９の長さ）よりも短くなるように設けられている。つまり、弾性体９は、収縮した状態で設けられている。これにより、弾性体９の弾性復元力がガス供給部４に作用してガス供給部４に荷重を加えることができる。従って、弾性体９が伸長する方向にガス供給部４が押されて、ガス供給部４を気化容器６に押付けることができる。その結果、気化容器６に荷重が加えられて気化容器６をガス排出部８に押付けることができる。
【００２３】
基板処理装置１は、弾性体９によりガス供給部４、気化容器６に加えられる荷重に対する反力（つまり圧接方向の力と反対方向の力）を気化容器６、ガス排出部８に与える反力付与部材１０が設けられている。反力付与部材１０は、弾性体９によってガス供給部４が気化容器６に押付けられることで、気化容器６がガス排出部８に押付けられた際、ガス排出部８が押付けられるように設けられている。例えば、反力付与部材１０は、気化容器６のガス排出口６ｂが設けられた側壁に対向し、ガス排出部８を押付け可能に設けられている。また、反力付与部材１０は、処理室３内に固定されている。これにより、反力付与部材１０は、ガス排出部８の滑り止め部材としても機能する。反力付与部材１０は、弾性体９により加えられる荷重に耐え得る大きさ及び厚さに形成されている。反力付与部材１０は、耐熱性、耐食性を有する非金属材料（例えば石英）で形成されている。
【００２４】
なお、弾性体９の係止部となる反応容器２の側壁、突起４ｃ、ローラ部材７、反力付与部材１０等を、圧接手段に含めて考えてもよい。
【００２５】
（２）基板処理方法
次に、上述の基板処理装置１を用いて、基板１００を処理する工程について説明する。基板処理としては、気化容器６の気化空間５内で液体原料を気化させて処理ガスを生成して行われる処理であれば、成膜処理、エッチング処理等の種々の処理を行うことができる。
【００２６】
まず、気化容器６内に固体原料を収容（補充）し、基板１００を処理室３内に搬入する。そして、圧接手段としての弾性体９により、ガス供給口４ａとガス導入口６ａとを対向させた状態でガス供給部４と気化容器６とを圧接させ、フランジ部４ｂの先端面と気化容器６の側壁とを気密に当接させるとともに、ガス排出口６ｂとガス吸入口８ａとを対向させた状態で気化容器６とガス排出部８とを圧接させ、気化容器６の側壁とフランジ部８ｂの先端面とを気密に当接させる。これにより、ガス供給口４ａとガス導入口６ａとが連通されるとともに、ガス排出口６ｂとガス吸入口８ａとが連通される。
【００２７】
そして、フランジ部４ｂの先端面及び気化容器６の側壁と、気化容器６の側壁及びフランジ部８ｂの先端面とをそれぞれ気密に当接させた状態で、ヒータにより、気化容器６内を所定温度（例えば６００℃〜９００℃）に加熱する。これにより、気化容器６内の固体原料が溶融して液体原料が生成され、そして気化空間５内で液体原料が気化する。気化容器６内の加熱と併行して、ヒータにより、処理室３内の基板１００を所定温度（例えば５００℃〜１２００℃）に加熱する。
【００２８】
気化空間５内で液体原料が気化するとともに、基板１００が所定温度に達したら、ガス供給部４から気化空間５内へのガスの供給を開始する。つまり、バルブ４ｅを開けて、ガス供給源４ｄから気化空間５内へガスを供給する。これにより、気化空間５内で処理ガスが生成される。そして、ガス排出部８から、処理ガスを処理室３内の基板１００に供給し、基板１００に所定の処理を行う。
【００２９】
例えば、固体原料としてガリウム（Ｇａ）を用い、固体原料を加熱して液体原料としてのＧａ融液を生成して気化させる。そして、ガス供給部４から塩化水素（ＨＣｌ）ガスを気化空間５内に供給し、気化空間６内で処理ガスとして塩化ガリウム（ＧａＣｌ）ガスを生成して基板１００に供給し、基板１００上に例えば窒化ガリウム（ＧａＮ）膜を成膜する処理を行う。
【００３０】
基板１００の所定の処理が終了したら、気化空間５内へのガスの供給を停止する。また、ヒータによる加熱を停止し、気化容器６内、処理室３内、基板１００を降温させた後、基板１００を処理室３外へ搬出する。
【００３１】
（３）本実施形態にかかる効果
本実施形態によれば、以下に示す１つまたは複数の効果を奏する。
【００３２】
（ａ）本実施形態によれば、基板処理を行う際、圧接手段により、ガス供給口４ａとガス導入口６ａとを対向させた状態でガス供給部４と気化容器６とを圧接させ、フランジ部４ｂの先端面と気化容器６の側壁とを気密に当接させるとともに、ガス排出口６ｂとガス吸入口８ａとを対向させた状態で気化容器６とガス排出部８とを圧接させ、気化容器６の側壁とフランジ部８ｂの先端面とを気密に当接させている。つまり、ガス供給部４と気化容器６との間、及び、気化容器６とガス排出部８との間、をそれぞれ、面シールしている。これにより、気化空間５内を気密に維持でき、気化空間５内からガスが漏れ出たり、気化空間５内の全圧が変動することを抑制できる。従って、気化空間５内で生成される処理ガスの生成量、濃度等を一定に維持でき、基板処理の均一性を向上させることができる。
【００３３】
本実施形態では、例えばＯリング等の気密封止部材を用いることなく、気化空間５内を気密に維持できる。従って、例えば気化容器６がヒータによって高温に加熱される場合等のＯリングが使用できないような環境下で、気化容器６の気密を維持する場合に有効である。また、例えば気化容器６が狭い空間に配置されている場合等、気密封止部材をネジ止めすることが難しいような環境下で、気化容器６の気密を維持する場合にも有効である。
【００３４】
（ｂ）圧接手段として例えば弾性体９を用いることで、ガス供給部４及び気化容器６、気化容器６及びガス排出部８、をそれぞれ自動的に圧接させ、フランジ部４ｂの先端面及び気化容器６の側壁、気化容器６の側壁及びフランジ部８ｂの先端面をそれぞれ、自動的に気密に当接させることができる。つまり、弾性体９の弾性復元力によりガス供給部４を気化容器６に自動的に押付けることができ、これにより、気化容器６をガス排出部８に自動的に押付けることができる。例えば、制御部が接続されたアクチュエータを設けることなく、ガス供給部４及び気化容器６と、気化容器６及びガス排出部８と、をそれぞれ圧接させることができる。
【００３５】
（ｃ）気化容器６を圧接手段による圧接方向に移動可能に設けることで、ガス供給部４及び気化容器６と、気化容器６及びガス排出部８とを容易に圧接させることができる。つまり、圧接手段によりガス供給部４が気化容器６に押付けられた際、気化容器６をガス排出部８に容易に押し付けることができる。
【００３６】
（ｄ）反力付与部材１０を設けることで、フランジ部４ｂ，８ｂの先端面と気化容器６の側壁とをそれぞれ、より気密に当接させることができる。従って、基板処理の均一性をより向上させることができる。
【００３７】
（本発明の他の実施形態）
以上、本発明の一実施形態を具体的に説明したが、本発明は上述の実施形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で適宜変更可能である。
【００３８】
上述の実施形態では、圧接手段としての弾性体９により、ガス供給部４が気化容器６に押付けられることで、気化容器６がガス排出部８に押付けられるように構成されている場合について説明したが、これに限定されるものではない。例えば、圧接手段によって、ガス排出部８が気化容器６に押付けられる（引付けられる）ことで、気化容器６がガス供給部４に押付けられる（引付けられる）ように構成されていてもよい。また、圧接手段によって、ガス供給部４を気化容器６に押付けつつ、ガス排出部８を気化容器６に押付ける（引付ける）ように構成されていてもよい。これらによっても、ガス供給部４と気化容器６とを圧接させ、フランジ部４ｂの先端面と気化容器６の側壁とを気密に当接させつつ、気化容器６とガス排出部８とを圧接させ、気化容器６の側壁とフランジ部８ｂの先端面とを気密に当接させることができる。従って、上記（ａ）と同様の効果を得ることができる。
【００３９】
また、例えば、フランジ部４ｂの先端面と、フランジ部４ｂの先端面に接触する気化容器６の箇所と、がそれぞれ、互いに嵌合するように形成されていてもよい。同様に、フランジ部８ｂの先端面と、フランジ部８ｂの先端面に接触する気化容器６の箇所と、がそれぞれ、互いに嵌合するように形成されていてもよい。例えば、フランジ部４ｂ（フランジ部８ｂ）の先端面とフランジ部４ｂ（フランジ部８ｂ）の先端面に接触する気化容器６の箇所とが互いに凹凸嵌合するように形成されているとよい。具体的には、フランジ部４ｂ（フランジ部８ｂ）の先端面には凸部（嵌合凸部）が形成され、フランジ部４ｂ（フランジ部８ｂ）の先端面に接触する気化容器６の側壁の箇所には、フランジ部４ｂ（フランジ部８ｂ）の先端面に形成した凸部に対応する凹部（嵌合凹部）が形成されているとよい。これにより、気化空間５内をより気密に維持できる。従って、上記（ａ）の効果をより得ることができる。
【００４０】
また、例えば、フランジ部４ｂの先端面又はフランジ部４ｂの先端面に接触する気化容器６の側壁の箇所の少なくともいずれかには、粗面処理が施されていてもよい。これにより、圧接手段によりガス供給部４と気化容器６とが圧接された際、例えばフランジ部４ｂの先端面が気化容器６の側壁の所定の接触位置からずれることを抑制できる。例えば、ガス供給口４ａとガス導入口６ａとが対向した状態でなくなることを抑制できる。同様に、
フランジ部８ｂの先端面又はフランジ部８ｂの先端面に接触する気化容器６の側壁の箇所の少なくともいずれかには、粗面処理が施されていてもよい。これにより、気化空間５内をより気密に維持できる。従って、上記（ａ）の効果をより得ることができる。
【００４１】
また、例えば、フランジ部４ｂ（フランジ部８ｂ）が先端に向かって先細りしたテーパ形状に形成され、気化容器６のガス導入口６ａ（ガス排出口６ｂ）の外周部が、テーパ形状のフランジ部４ｂ（フランジ部８ｂ）が嵌合するように形成されていてもよい。これにより、ガス供給部４（ガス排出部８）と気化容器６との位置合わせを容易に行うことができる。
【００４２】
上述の実施形態では、圧接手段としての弾性体９を、反応容器２の側壁の内側と突起４ｃとの間に設けたが、これに限定されない。例えば、弾性体９を、突起４ｃとフランジ部４ｂとの間に設けてもよい。また、弾性体９は、ガス供給部４の周囲を覆うように（フランジ状に）設けられる場合に限らず、例えば反応容器２の側壁と突起４ｃとの間（又は突起４ｃとフランジ部４ｂとの間）に架け渡すように設けてもよい。また、弾性体９は、フランジ部４ｂと反応容器２の側壁の内側との間に設けてもよい。この場合は、突起４ｃを設けなくてもよい。
【００４３】
上述の実施形態では、突起４ｃをフランジ状に設けたが、これに限定されない。つまり、突起４ｃは、圧接手段としての弾性体９の係止部として機能するように設けられていればよい。
【００４４】
上述の実施形態では、圧接手段として弾性体９を用いたが、これに限定されない。例えば、ガス供給部４に制御部が接続されたアクチュエータを設け、制御部によりアクチュエータを制御することで、ガス供給部４及び気化容器６、気化容器６及びガス排出部８をそれぞれ互いに圧接してもよい。
【００４５】
上述の実施形態では、反力付与部材１０を設けて、気化容器６、ガス排出部８に反力を与えるように構成したが、これに限定されない。例えば、ガス排出部８を固定し、ガス排出部８自体を反力付与部材１０として機能させてもよい。
【００４６】
また、ガス供給口４ａ、ガス導入口６ａ、ガス排出口６ｂ、ガス吸入口８ａはそれぞれ、円形に限らず、例えば矩形、楕円形等の種々の形状であってもよい。また、ガス供給口４ａ、ガス導入口６ａ、ガス排出口６ｂ、ガス吸入口８ａは同一形状である必要はなく、それぞれが異なる形状であってもよい。
【００４７】
上述の実施形態では、気化容器６が基板処理装置１の反応容器２（処理室３）内に設けられる場合について説明したが、これに限定されない。例えば、気化容器６は反応容器２外に設けられていてもよい。
【００４８】
また、ガス供給部４、ガス排出部８の筒状空間内をガス、処理ガスが通過する場合に限定されず、ガス供給部４、ガス排出部８の筒状空間内にそれぞれ、ガス供給管、ガス排出管を挿入してもよい。
【００４９】
上述の実施形態では、ガス供給部４及び気化容器６、気化容器６及びガス排出部８をそれぞれ互いに圧接し、フランジ部４ｂの先端面と気化容器６の側壁とを気密に当接させて、気化空間５（気化容器６）内の気密を維持する場合について説明したが、これに限定されない。反応容器２内の気密を維持する場合にも適用可能である。例えば、ガス供給部４の反応容器２の外側にフランジ部を設け、ガス供給部４と反応容器２とを圧接させて、反応容器２の外側に設けられたガス供給部４のフランジ部と反応容器２の外壁とを気密に圧
接させるように構成されていてもよい。また、反応容器２（処理室３）内の雰囲気を排気し、フランジ部が設けられた排気部と反応容器２の壁とを圧接させて、排気部のフランジ部と反応容器の側壁とを気密に圧接させるように構成されていてもよい。また、処理室３内で基板１００を支持する基板支持機構（サセプタ）に接続されて基板支持機構を回転させる回転軸の周囲を覆い、フランジ部が形成された筒状部材を設け、筒状部材と反応容器２とを圧接させ、筒状部材のフランジ部と反応容器２の外壁とを気密に圧接させるように構成されていてもよい。
【００５０】
＜本発明の好ましい態様＞
以下に、本発明の好ましい態様について付記する。
【００５１】
［付記１］
本発明の一態様によれば、
基板を処理する基板処理装置であって、
筒状に形成され、一端部に開設されたガス供給口の外周を環状に囲うようにフランジ部が設けられたガス供給部と、
内部に気化空間が形成され、前記ガス供給部から供給されたガスを前記気化空間内に導入するガス導入口が側壁に開設された気化容器と、
前記ガス供給口と前記ガス導入口とを対向させた状態で前記ガス供給部と前記気化容器とを圧接させ、前記フランジ部の先端面と前記気化容器の側壁とを気密に当接させる圧接手段と、を備える基板処理装置が提供される。
【００５２】
［付記２］
付記１の基板処理装置であって、好ましくは、
前記気化容器は、前記気化容器内に収容された固体原料を溶融させて液体原料を生成するとともに、液体原料を気化させて前記気化空間内で処理ガスを生成するように、加熱部により加熱される。
【００５３】
［付記３］
付記１又は２の基板処理装置であって、好ましくは、
前記フランジ部の先端面と、前記フランジ部の先端面に接触する前記気化容器の箇所と、がそれぞれ、互いに嵌合するように形成されている。
【００５４】
［付記４］
付記１ないし３のいずれかの基板処理装置であって、好ましくは、
前記フランジ部の先端面又は前記フランジ部の先端面に接触する前記気化容器の箇所の少なくともいずれかには、粗面処理が施されている。
【００５５】
［付記５］
付記１ないし４のいずれかの基板処理装置であって、好ましくは、
前記フランジ部は、先端に向かって先細りしたテーパ形状に形成されており、前記ガス導入口の外周部は、前記フランジ部が嵌合するように形成されている。
【００５６】
［付記６］
付記１ないし５のいずれかの基板処理装置であって、好ましくは、
筒状に形成され、一端部に開設されたガス吸入口の外周を囲うようにフランジ部が設けられたガス排出部を備え、
前記気化容器には、前記気化空間内で生成された処理ガスを前記ガス排出部に排出するガス排出口が側壁に開設されており、
前記圧接手段は、前記ガス排出口と前記ガス吸入口とを対向させた状態で前記気化容器
と前記ガス排出部とを圧接させ、前記気化容器の側壁と前記ガス排出部のフランジ部の先端面とを気密に当接させるように構成されている。
【００５７】
［付記７］
付記１ないし６のいずれかの基板処理装置であって、好ましくは、
前記気化容器が前記圧接手段により圧接される方向に移動可能に構成されている。
【００５８】
［付記８］
付記１ないし７のいずれかの基板処理装置であって、好ましくは、
前記気化容器の下面には、ローラ部材が回転自在に設けられている。
【符号の説明】
【００５９】
１        基板処理装置
４        ガス供給部
４ａ      ガス供給口
４ｂ      フランジ部
５        気化空間
６        気化容器
６ａ      ガス導入口
９        弾性体（圧接手段）
【図１】
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