(57)【要約】【課題】トランス同士による磁気干渉を抑制することによって、動作信頼性の高い半導体装置を提供することができる。【解決手段】第１の半導体素子１と、第２の半導体素子２と、第１のトランス３１と、第２のトランス３２と、第１のダイパッド４１と、第２のダイパッド４２と、リード端子４３と、封止樹脂体５と、を具備する半導体装置であって、前記第１のトランス３１と、前記第２のトランス３２と、を対角状に配置することを特徴とする。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の半導体素子１と、第２の半導体素子２と、第１のトランス３１と、第２のトランス３２と、第１のダイパッド４１と、第２のダイパッド４２と、リード端子４３と、封止樹脂体５と、を具備する半導体装置であって、前記第１のトランス３１と、前記第２のトランス３２と、を対角状に配置することを特徴とする半導体装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体装置に関し、特に半導体素子とトランスとを１つの樹脂封止体に内蔵した半導体装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、化石燃料の枯渇や地球温暖化などの環境問題が取りざたされる中、EV ／HEVの普及が進んでいる。市場ではインバータ用のプリドライバの小型化が要望されている。コストの低減や信頼性の向上を実現することが可能なスイッチ制御装置、及び、これを用いたモータ駆動装置を提供することを目的とした、半導体素子とトランスをひとつの半導体装置内に一体化した半導体装置がある。（例えば、特許文献１参照）
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特許５３０３１６７号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、従来技術では、小型化のために、トランス同士が近接している。トランス同士が近接していると、互いの磁場によって磁気干渉を起こし、トランスの結合係数を低下させる可能性がある。ここで、結合係数とは一般的に１次コイルと２次コイルとの結合度を示すものであって、１に近いほど性能が良いトランスといえる。よってトランス同士による磁気干渉の解決策について十分な検討がなされておらず、課題がある。
【０００５】
従って、本発明は、上述した課題を解決するためになされたものであり、トランス同士による磁気干渉を抑制することができる半導体装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
上述の課題を解決するために、本発明は以下に掲げる構成とした。
本発明の半導体装置１００は、第１の半導体素子１と、第２の半導体素子２と、第１のトランス３１と、第２のトランス３２と、第１のダイパッド４１と、第２のダイパッド４２と、リード端子４３と、封止樹脂体５と、を具備する半導体装置であって、前記第１のトランス３１と、前記第２のトランス３２と、を対角状に配置することを特徴とする。
【発明の効果】
【０００７】
本発明は、以上のように構成されているので、トランス同士による磁気干渉を防止することにより、動作信頼性の高い半導体装置を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【０００８】
【図１】本発明の実施例１に係る半導体装置の平面概念図である。
【発明を実施するための形態】
【０００９】
以下、本発明を実施するための形態について、図を参照して詳細に説明する。なお以下の図面の記載において、同一または類似の部分には、同一または類似の符号で表している。但し、図面は模式的なものであり、寸法関係の比率等は現実のものとは異なる。したがって、具体的な寸法等は以下の説明を照らし合わせて判断するべきものである。また、図面相互間においても互いの寸法の関係や比率が異なる部分が含まれていることは勿論である。
また、以下に示す実施の形態は、この発明の技術的思想を具体化するための例示であって、この発明の実施の形態は、構成部品の材質、形状、構造、配置等を下記のものに特定するものではない。この発明の実施の形態は、要旨を逸脱しない範囲内で種々変更して実施できる。
【実施例１】
【００１０】
以下、図面を参照して本発明の実施例１に係る半導体装置１００を説明する。図１は、本発明の実施例に係る半導体装置の平面概念図である。
【００１１】
図１に示すように、半導体装置１００は、第１の半導体素子１、第２の半導体素子２、第１のトランス３１、第２のトランス３２、第１のダイパッド４１、第２のダイパッド４２、リード端子４３、樹脂封止体５から成っている。
【００１２】
第１の半導体素子１は、通信パルスを制御するための半導体素子である。第２の半導体素子２よりも動作温度が低い。例えばＳｉ半導体で構成される。接合剤を介して、第１のダイパッド４１の主面に載置される。接合剤は、例えばＡｇペーストである。
【００１３】
第２の半導体素子２は、ＩＧＢＴを駆動するための半導体素子である。大電力を取り扱うＳｉ半導体素子であって、相対的に第１の半導体素子１よりも電力損失が大きいために高温となる。接合剤を介して、第２のダイパッド４２の主面に載置される。接合剤は、例えばＡｇペーストである。
【００１４】
第１のトランス３１、および、第２のトランス３２は、フォトリソプロセスで作成される電磁誘導方式のパルストランスである。第１のトランス３１は、低電圧の１次側に配置され、接合剤を介して、第１のダイパッド４１の主面に載置される。また、第２のトランス３２は、高電圧の２次側に配置され、接合剤を介して、第２のダイパッド４２の主面に載置される。接合剤は、例えばＡｇペーストである。
【００１５】
第１のダイパッド４１と、第２のダイパッド４２は分離されている。第１のダイパッド４１は、低電圧の1次側に配置され、主面には接合剤を介して、第１の半導体素子１と、第１のトランス３１を横並びに載置する。
第２のダイパッド４２は、高電圧の２次側に配置され、主面には接合剤を介して、第２の半導体素子２と、第２のトランス３２を横並びに載置する。
第１ダイパッドおよび第２のダイパッドは、例えば０．２ｍｍ厚の平形状板材にプレス打ち抜き加工や化学的なエッチング加工が適用される。材質はＣｕまたはＣｕ合金が多く使用される。表面にはＮｉめっき、Ａｇめっき等を施すことができる。接合剤は、例えばＡｇペーストである。
【００１６】
リード端子４３は、実装時に電気的な接続を取るために、樹脂封止体５から外部に導出されている。材質は、ＣｕまたはＣｕ合金である。Ｎｉめっきを施している。
【００１７】
樹脂封止体５は、樹脂成形金型とプレス装置を使用して、トランスファーモールドとして、樹脂成形されたものである。例えば、樹脂封止体５には熱硬化性エポキシ樹脂が使用される。なお図中では樹脂封止体５の外表面を破線にて表示している。
以上により、半導体装置１００が完成する。
【００１８】
次に、上述の実施例１に係る半導体装置１００の効果を説明する。
【００１９】
本発明の実施例１に係る半導体装置は、請求項１によれば、第１のトランス３１と、第２のトランス３２とを、対角状に配置することによって、封止樹脂体を大型化することなく、トランス同士の距離を最大限に得ることができる。これにより、トランス同士による磁気干渉を抑制し、トランスの結合係数の変動を防止することによって、動作信頼性の高い半導体装置を提供することができる。
【００２０】
上述のように、本発明を実施するための形態を記載したが、この開示から当業者には様々な代替実施の形態、実施例が可能であることが明らかになるはずである。
【符号の説明】
【００２１】
１、第１の半導体素子
２、第２の半導体素子
３１、第１のトランス
３２、第２のトランス
４１、第１のダイパッド
４２、第２のダイパッド
４３、リード端子
５、樹脂封止体
１００、半導体装置
【図１】
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