(57)【要約】【課題】優れた接続性を得ることができる保護テープ、及びこれを用いた半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】  接着剤層１１と、熱可塑性樹脂層１２と、基材フィルム層１３とをこの順で有し、保護テープを貼付する貼付温度における接着剤層１１の貯蔵剪断弾性率と熱可塑性樹脂層１２の貯蔵剪断弾性率との弾性率比が、０．０１以下である。これにより、バンプ上の樹脂残りが抑制されるため、優れた接続性を得ることができる。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
接着剤層と、熱可塑性樹脂層と、基材フィルム層とをこの順で有し、
当該保護テープを貼付する貼付温度における前記接着剤層の貯蔵剪断弾性率と前記熱可塑性樹脂層の貯蔵剪断弾性率との弾性率比が、０．０１以下である保護テープ。
【請求項２】
前記貼付温度が、４０℃以上８０℃以下である請求項１記載の保護テープ。
【請求項３】
前記熱可塑性樹脂層の６０℃での貯蔵剪断弾性率が、１．０Ｅ＋０７Ｐａ以下である請求項１又は２記載の保護テープ。
【請求項４】
前記接着剤層の６０℃での貯蔵剪断弾性率が、１．０Ｅ＋０１Ｐａ以上１．０Ｅ＋０５Ｐａ以下である請求項１乃至３のいずれか１項に記載の保護テープ。
【請求項５】
突起電極が形成されたウエハ面に前記接着剤層が貼付されるものであり、
前記接着剤層の厚みが、前記突起電極の高さの１０％以上８０％以下である請求項１乃至４のいずれか１項に記載の保護テープ。
【請求項６】
突起電極が形成されたウエハ面に接着剤層を有する保護テープを貼付する保護テープ貼付工程と、
前記保護テープ貼付面の反対面をグラインド処理するグラインド処理工程と、
前記接着剤層を残して前記保護テープを剥離し、他の層を除去する剥離工程とを有し、
前記保護テープが、接着剤層と、熱可塑性樹脂層と、基材フィルム層とをこの順で有し、当該保護テープを貼付する貼付温度における前記接着剤層の貯蔵剪断弾性率と前記熱可塑性樹脂層の貯蔵剪断弾性率との弾性率比が、０．０１以下である半導体装置の製造方法。
【請求項７】
グラインド処理面に粘着テープを貼付する粘着テープ貼付工程と、
前記粘着テープが貼付されたウエハをダイシング処理し、個片の半導体チップを得るダイシング処理工程と、
前記接着剤層を硬化させる硬化工程とを有し、
前記硬化工程が、前記ダイシング処理工程前に行われる請求項６記載の半導体装置の製造方法。
【請求項８】
前記請求項６又は７記載の半導体装置の製造方法によって得られる半導体装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体装置の製造に使用される保護テープ、及びこれを用いた半導体装置の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、フリップチップ実装用の半導体製造プロセスの後工程は、次のように行われている。先ず、複数の突起電極が形成されたウエハの突起電極形成面に、バックグラインドテープと呼ばれる粘着シート又はテープを貼り合わせ、この状態で突起電極形成面の反対面を所定の厚さにまで研削する。研削終了後、バックグラインドテープを剥離し、ウエハをダイシングして個々の半導体チップとする。次いで、半導体チップを、他の半導体チップ又は基板上にフリップチップ実装する。また、先供給型又は後供給型のアンダーフィルを硬化して半導体チップを補強する。
【０００３】
近年、バックグラインドテープとして、熱硬化性樹脂層と熱可塑性樹脂層とを積層したものを使用し、熱硬化性樹脂層のみをウエハに残して他の層を除去する方法が検討されている（例えば、特許文献１参照。）。
【０００４】
しかしながら、前述のバックグラインドテープでは、熱硬化性樹脂層のみをウエハに残して他の層を除去した際、バンプ上に樹脂が残ってしまい、例えばリフロー時において、はんだ接合を阻害し、接続性を低下させてしまうことがあった。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２００５−２８７３４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
本発明は、このような従来の実情に鑑みて提案されたものであり、優れた接続性を得ることができる保護テープ、及びこれを用いた半導体装置の製造方法を提供する。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
前述した課題を解決するために、本発明に係る保護テープは、接着剤層と、熱可塑性樹脂層と、基材フィルム層とをこの順で有し、当該保護テープを貼付する貼付温度における前記接着剤層の貯蔵剪断弾性率と前記熱可塑性樹脂層の貯蔵剪断弾性率との弾性率比が、０．０１以下であることを特徴とする。
【０００８】
また、本発明に係る半導体装置の製造方法は、突起電極が形成されたウエハ面に接着剤層を有する保護テープを貼付する保護テープ貼付工程と、前記保護テープ貼付面の反対面をグラインド処理するグラインド処理工程と、前記接着剤層を残して前記保護テープを剥離し、他の層を除去する剥離工程とを有し、前記保護テープが、接着剤層と、熱可塑性樹脂層と、基材フィルム層とをこの順で有し、当該保護テープを貼付する貼付温度における前記接着剤層の貯蔵剪断弾性率と前記熱可塑性樹脂層の貯蔵剪断弾性率との弾性率比が、０．０１以下であることを特徴とする。
【０００９】
また、本発明に係る半導体装置は、前述の半導体装置の製造方法により得られることを特徴とする。
【発明の効果】
【００１０】
本発明は、貼付温度における接着剤層の貯蔵剪断弾性率と熱可塑性樹脂層の貯蔵剪断弾性率との弾性率比が、０．０１以下であることにより、接着剤層を残して他の層を除去する際、バンプ上の樹脂残りが抑制されるため、優れた接続性を得ることができる。
【図面の簡単な説明】
【００１１】
【図１】図１は、保護テープの概略を示す断面図である。
【図２】図２は、保護テープ貼付工程の概略を示す断面図である。
【図３】図３は、グラインド工程の概略を示す断面図である。
【図４】図４は、粘着テープ貼付工程の概略を示す断面図である。
【図５】図５は、保護テープ剥離工程の概略を示す断面図である。
【図６】図６は、硬化工程の概略を示す断面図である。
【図７】図７は、ダイシング処理工程の概略を示す断面図である。
【図８】図８は、エキスパンド工程の概略を示す断面図である。
【図９】図９は、ピックアップ工程の概略を示す断面図である。
【図１０】図１０は、実装工程の概略を示す断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１２】
以下、本発明の実施の形態について、下記順序にて詳細に説明する。
１．保護テープ
２．半導体装置の製造方法
３．実施例
【００１３】
＜１．保護テープ＞
本実施の形態に係る保護テープは、接着剤層と、熱可塑性樹脂層と、基材フィルム層とをこの順で有し、保護テープを貼付する貼付温度における接着剤層の貯蔵剪断弾性率と熱可塑性樹脂層の貯蔵剪断弾性率との弾性率比が、０．０１以下、好ましくは０．００００１以上０．００５以下である。これにより、接着剤層を残して他の層を除去する際、バンプ上の樹脂残りが抑制されるため、優れた接続性を得ることができる。これは、接着剤層が熱可塑性樹脂層に比して極めて変形又は流動が良好なため、保護テープの貼付時にバンプ上への接着剤の付着が抑制されるからであると考えられる。
【００１４】
図１は、保護テープの概略を示す断面図である。保護テープ１０は、バックグラインドテープ（Back Grind Tape）と呼ばれるものであり、グラインド処理工程において、傷、割れ、汚染などからウエハを保護するものである。図１に示すように、保護テープ１０は、接着剤層１１と、熱可塑性樹脂層１２と、基材フィルム層１２とがこの順に積層されている。
【００１５】
接着剤層１１の６０℃での貯蔵剪断弾性率は、１．０Ｅ＋０１Ｐａ以上１．０Ｅ＋０５Ｐａ以下であることが好ましい。接着剤層１１の貯蔵剪断弾性率が小さすぎると、ウエハに貼り付けた際に樹脂が流れてしまい、貯蔵剪断弾性率が大きすぎると、バンプを貫通することができない。
【００１６】
また、接着剤層１１の厚みは、ウエハに形成された突起電極の高さの１０％以上８０％以下、好ましくは、３０％以上６０％以下である。接着剤層１１の厚みが小さすぎると突起電極の補強の効果が得られず、厚みが大きすぎると突起電極が貫通しないことがある。
【００１７】
接着剤層１１の樹脂組成としては、特に限定されず、例えば、熱アニオン硬化型、熱カチオン硬化型、熱ラジカル硬化型などの熱硬化型、光カチオン硬化型、光ラジカル硬化型などの光硬化型、又はこれらを併用して略同一に用いる熱／光硬化型のものを用いることができる。
【００１８】
ここでは、接着剤層１１として、膜形成樹脂と、エポキシ樹脂と、硬化剤と、硬化助剤とを含有する熱硬化型の接着剤組成物について説明する。
【００１９】
膜形成樹脂としては、フェノキシ樹脂、エポキシ樹脂、変性エポキシ樹脂、ウレタン樹脂等の種々の樹脂を用いることができる。これらの膜形成樹脂は、１種を単独で用いても、２種類以上を組み合わせて用いてもよい。これらの中でも、膜形成状態、接続信頼性等の観点からフェノキシ樹脂が好適に用いられる。
【００２０】
エポキシ樹脂としては、例えば、ジシクロペンタジエン型エポキシ樹脂、グリシジルエーテル型エポキシ樹脂、グリシジルアミン型エポキシ樹脂、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＳ型エポキシ樹脂、スピロ環型エポキシ樹脂、ナフタレン型エポキシ樹脂、ビフェニル型エポキシ樹脂、テルペン型エポキシ樹脂、テトラブロムビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂、フェノールノボラック型エポキシ樹脂、α−ナフトールノボラック型エポキシ樹脂、臭素化フェノールノボラック型エポキシ樹脂などを挙げることができる。これらのエポキシ樹脂は、１種を単独で用いても、２種類以上を組み合わせて用いてもよい。これらの中でも、高接着性、耐熱性の点から、ジシクロペンタジエン型エポキシ樹脂が好適に用いられる。
【００２１】
硬化剤としては、例えば、ノボラック型フェノール樹脂、脂肪族アミン、芳香族アミン、酸無水物などが挙げられ、これらの硬化剤は、１種を単独で用いても、２種類以上を組み合わせて用いてもよい。これらの中でも、硬化物の架橋密度の観点から、ノボラック型フェノール樹脂が好適に用いられる。
【００２２】
硬化促進剤としては、２−メチルイミダゾール、２−エチルイミダゾール、２−エチル−４−メチルイミダゾールなどのイミダゾ−ル類、１，８−ジアザビシクロ（５，４，０）ウンデセン−７塩（ＤＢＵ塩）、２−（ジメチルアミノメチル）フェノールなどの第３級アミン類、トリフェニルホスフィンなどのホスフィン類、オクチル酸スズなどの金属化合物などが挙げられる。
【００２３】
また、接着剤組成物には、その他の成分として、無機フィラー、シランカップリング剤、アクリルゴムなどのエラストマー、カーボンブラックなどの顔料を、目的に応じて適宜配合するようにしてもよい。
【００２４】
熱可塑性樹脂層１２としては、エチレン酢酸ビニル共重合体（ＥＶＡ：Ethylene Vinyl Acetate）、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリアミド、ポリアセタール、ポリエチレンテレフタレート、ポリブチレンテレフタレート、フッ素樹脂、ポリフェニレンサルファイド、ポリスチレン、ＡＢＳ樹脂、アクリル系樹脂、ポリカーボネート、ポリウレタン、ポリ塩化ビニル、ポリフェニレンオキサイドなどを挙げられ、これらは、１種単独で使用してもよいし、２種以上を併用してもよい。
【００２５】
また、熱可塑性樹脂層１２の６０℃での貯蔵剪断弾性率は、１．０Ｅ＋０７Ｐａ以下であることが好ましい。熱可塑性樹脂層１２の６０℃での貯蔵剪断弾性率を１．０Ｅ＋０７Ｐａ以下とすることにより、接着剤層１１のバンプの埋め込み性を向上させることができる。
【００２６】
基材フィルム層１３としては、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリエステルなどのプラスチックフィルムや、紙、布、不織布等からなる多孔質基材を用いることができる。
【００２７】
なお、保護テープは、前述の構成に限られることなく、各層の表面や隣接する層間に他の層を形成してもよい。
【００２８】
このような保護テープによれば、ウエハへの貼付時にバンプ上への接着剤の付着を抑制することができるため、優れた接続性を得ることができる。また、バンプ間へ接着剤層が良好な状態で埋め込まれるため、接着剤層の硬化により突起電極を補強することができる。
【００２９】
＜２．半導体装置の製造方法＞
次に、前述の保護テープを用いた半導体装置の製造方法について説明する。本実施の形態に係る半導体装置の製造方法は、突起電極が形成されたウエハ面に接着剤層を有する保護テープを貼付する保護テープ貼付工程と、保護テープ貼付面の反対面をグラインド処理するグラインド処理工程と、接着剤層を残して保護テープを剥離し、他の層を除去する剥離工程とを有し、保護テープが、接着剤層と、熱可塑性樹脂層と、基材フィルム層とをこの順で有し、保護テープを貼付する貼付温度における接着剤層の貯蔵剪断弾性率と前記熱可塑性樹脂層の貯蔵剪断弾性率との弾性率比が、０．０１以下である。ここで、接着層を硬化させる硬化工程は、グラインド処理工程、粘着テープ貼付工程、又はダイシング処理工程のいずれかの工程前に行われればよい。
【００３０】
以下、具体的な半導体装置の製造方法について説明する。具体例として示す半導体装置の製造方法は、前述の保護テープを用い、硬化工程が、粘着テープ貼付工程とダイシング処理工程との間に行われるものである。すなわち、具体例として示す半導体装置の製造方法は、接着剤層を有する保護テープを貼付する保護テープ貼付工程（Ａ）と、グラインド工程（Ｂ）と、粘着テープ貼付工程（Ｃ）と、保護テープ剥離工程（Ｄ）と、接着剤層を硬化させる硬化工程（Ｅ）と、ダイシング処理工程（Ｆ）と、エキスパンド工程（Ｇ）と、ピックアップ工程（Ｈ）と、実装工程（Ｉ）とを有する。
【００３１】
［（Ａ）保護テープ貼付工程］
図２は、保護テープ貼付工程の概略を示す断面図である。保護テープ貼付工程では、突起電極２２が形成されたウエハ２１面に保護テープ１０を貼り付ける。保護テープ１０を貼り付ける貼付温度は、ボイドの減少、ウエハ密着性の向上およびウエハ研削後の反り防止の観点から、２５℃以上１００℃以下、好ましくは４０℃以上８０℃以下である。
【００３２】
ウエハ２１は、シリコンなどの半導体表面に形成された集積回路と、バンプと呼ばれる接続用の突起電極２２とを有する。ウエハ２１の厚みは、特に限定されないが、好ましくは２００μｍ以上１０００μｍ以下である。
【００３３】
突起電極２２としては、特に限定はされないが、例えば、はんだによる低融点バンプ又は高融点バンプ、錫バンプ、銀−錫バンプ、銀−錫−銅バンプ、金バンプ、銅バンプなどが挙げられる。また、突起電極２２の高さは、特に制限はされないが、好ましくは１０μｍ以上２００μｍ以下である。
【００３４】
保護テープ１０は、突起電極２２の形成面と接着剤層１１とが接する状態で貼り合わされる。保護テープ１０の接着剤層１１の厚みは、突起電極２２の高さの１０％以上８０％以下であるため、突起電極２２は、接着剤層１１を突き抜け、熱可塑性樹脂層１３に埋め込まれる。
【００３５】
［（Ｂ）グラインド工程］
図３は、グラインド工程の概略を示す断面図である。グラインド工程では、保護テープ１０貼付面の反対面をグラインド処理する。保護テープ１０を貼り付けたウエハ２１の反対面を研削装置に固定して研磨する。研磨は通常、ウエハ２１の厚みが５０μｍ以上６００μｍ以下になるまで行うが、本実施の形態では、接着剤層１１により突起電極２２が補強されるため、５０μｍ以下の厚さにまで研磨してもよい。
【００３６】
［（Ｃ）粘着テープ貼付工程］
図４は、粘着テープ貼付工程の概略を示す断面図である。粘着テープ貼付工程では、グラインド処理面に粘着テープ３０を貼付する。粘着テープ３０は、ダイシングテープ（Dicing Tape）と呼ばれるものであり、ダイシング工程（Ｆ）において、ウエハ２１を保護、固定し、ピックアップ工程（Ｈ）まで保持するためのテープである。
【００３７】
粘着テープ３０としては、特に限定されず、公知のものを使用することができる。一般に、粘着テープ３０は、粘着剤層３１と、基材フィルム層３２とを有する。粘着剤層３１としては、例えば、ポリエチレン系、アクリル系、ゴム系、ウレタン系などの粘着剤が挙げられる。また、基材フィルム層３２としては、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリエステルなどのプラスチックフィルムや、紙、布、不織布等からなる多孔質基材を用いることができる。また、粘着テープの貼付装置及び条件としては、特に限定されず、公知の装置及び条件が用いられる。
【００３８】
［（Ｄ）保護テープ剥離工程］
図５は、保護テープ剥離工程の概略を示す断面図である。保護テープ剥離工程では、接着剤層１１を残して保護テープ１０を剥離し、他の層を除去する。すなわち、熱可塑性樹脂層１２及び基材フィルム層１３が除去され、ウエハ２１上には接着剤層１１のみが残る。
【００３９】
［（Ｅ）硬化工程］
図６は、硬化工程の概略を示す断面図である。硬化工程では、接着剤層１１を硬化させる。硬化方法及び硬化条件としては、熱硬化型の接着剤を硬化させる公知の方法を用いることができる。
【００４０】
［（Ｆ）ダイシング処理工程］
図７は、ダイシング処理工程の概略を示す断面図である。ダイシング処理工程では、粘着テープ３０が貼付されたウエハ２１をダイシング処理し、個片の半導体チップを得る。ダイシング方法としては、特に限定されず、例えばダイシングソーでウエハ２１を切削して切り出すなどの公知の方法を用いることができる。
【００４１】
［（Ｇ）エキスパンド工程］
図８は、エキスパンド工程の概略を示す断面図である。エキスパンド工程では、例えば分割された複数個の半導体チップが貼着されている粘着テープ３０を放射方向に伸長させ、個々の半導体チップの間隔を広げる。
【００４２】
［（Ｈ）ピックアップ工程］
図９は、ピックアップ工程の概略を示す断面図である。ピックアップ工程では、粘着テープ３０上に貼着固定された半導体チップを、粘着テープ３０の下面より突き上げて剥離させ、この剥離された半導体チップをコレットで吸着する。ピックアップされた半導体チップは、チップトレイに収納されるか、またはフリップチップボンダーのチップ搭載ノズルへと搬送される。
【００４３】
［（Ｉ）実装工程］
図１０は、実装工程の概略を示す断面図である。実装工程では、例えば半導体チップと回路基板とをＮＣＦ（Non Conductive Film）などの回路接続材料を用いて接続する。回路基板としては、特に限定されないが、ポリイミド基板、ガラスエポキシ基板などのプラスチック基板、セラミック基板などを用いることができる。また、接続方法としては、加熱ボンダー、リフロー炉などを用いる公知の方法を用いることができる。
【００４４】
このような半導体装置の製造方法によれば、ダイシング処理工程前に突起電極が形成されたウエハ面の接着剤層が硬化して突起電極が補強されるため、ダイシング、ピックアップ、実装などの後工程において、突起電極の破損を低減させることができる。また、優れた接続信頼性を有する半導体装置を歩留り良く得ることができる。また、得られる半導体装置は、突起電極と突起電極形成面に形成された接着剤層とを有する半導体チップと、突起電極に対向する電極を有する回路基板とを備え、半導体チップの突起電極形成面に接着剤層１１が形成されているため、優れた接続信頼性を得ることができる。
【実施例】
【００４５】
＜２．実施例＞
以下、本発明の実施例について説明する。本実施例では、接着剤層と、熱可塑性樹脂層とを積層させた保護テープを作製した。保護テープを用いて、保護テープ貼付工程（Ａ）と、グラインド工程（Ｂ）と、粘着テープ貼付工程（Ｃ）と、保護テープ剥離工程（Ｄ）と、硬化工程（Ｅ）と、ダイシング処理工程（Ｆ）と、エキスパンド工程（Ｇ）と、ピックアップ工程（Ｈ）と、実装工程（Ｉ）とを順次行い、半導体装置を作製した。そして、半導体装置のはんだ接合性、及びバンプ埋め込み性について評価した。なお、本発明は、これらの実施例に限定されるものではない。
【００４６】
［保護テープの作製］
表１に示すように、接着剤層Ａ１〜Ａ３を作製した。接着剤層Ａ１は、膜形成樹脂１３．０質量部と、エポキシ樹脂５４．８質量部と、硬化剤３２．４質量部と、硬化助剤０．３質量部とを配合して接着剤組成物を調製し、これを、乾燥後の厚みが３０μｍとなるように剥離処理されたＰＥＴ（Polyethylene terephthalate）にバーコーターを用いて塗布し、オーブンで乾燥させて作製した。接着剤層Ａ１の６０℃での貯蔵剪断弾性率は、３．３Ｅ＋０３Ｐａであった。
【００４７】
接着剤層Ａ２は、膜形成樹脂１３．０質量部と、エポキシ樹脂５４．８質量部と、硬化剤３２．４質量部と、硬化助剤０．３質量部と、フィラー２５．０質量部とを配合して接着剤組成物を調製し、これを、乾燥後の厚みが３０μｍとなるように剥離処理されたＰＥＴ（Polyethylene terephthalate）にバーコーターを用いて塗布し、オーブンで乾燥させて作製した。接着剤層Ａ２の６０℃での貯蔵剪断弾性率は、３．４Ｅ＋０４Ｐａであった。
【００４８】
接着剤層Ａ３は、膜形成樹脂２．０質量部と、エポキシ樹脂５４．８質量部と、硬化剤３２．４質量部と、硬化助剤０．３質量部とを配合して接着剤組成物を調製し、これを、乾燥後の厚みが３０μｍとなるように剥離処理されたＰＥＴ（Polyethylene terephthalate）にバーコーターを用いて塗布し、オーブンで乾燥させて作製した。接着剤層Ａ３の６０℃での貯蔵剪断弾性率は、３．６Ｅ＋０１Ｐａであった。
【００４９】
【表１】
2015206006.tif 000003
【００５０】
膜形成樹脂：フェノキシ樹脂（ＰＫＨＨ、ユニオンカーバイド（株））
エポキシ樹脂：ジシクロペンタジエン型エポキシ樹脂（ＨＰ７２００Ｈ、ＤＩＣ（株））
硬化剤：ノボラック型フェノール樹脂（ＴＤ−２０９３、ＤＩＣ（株））
硬化助剤：２−エチル−４−メチルイミダゾール（２Ｅ４ＭＺ）
フィラー：シリカ（アエロジルＲＹ２００、日本アエロジル（株））
【００５１】
また、熱可塑性樹脂層Ｂ１〜Ｂ３を次のように作製した。ＰＥＴ基材（厚み７５μｍ）に下記熱可塑性樹脂を乾燥後の厚みが５００μｍとなるように押し出し溶融成形した。熱可塑性樹脂層Ｂ１の６０℃での貯蔵剪断弾性率は１．２Ｅ＋０６Ｐａ、熱可塑性樹脂層Ｂ２の６０℃での貯蔵剪断弾性率は１．４Ｅ＋０５Ｐａ、熱可塑性樹脂層Ｂ３の６０℃での貯蔵剪断弾性率は１．７Ｅ＋０７Ｐａであった。
【００５２】
熱可塑性樹脂層Ｂ１：プロピレン・オレフィン共重合体樹脂（Ｎｏｔｉｏ  ＰＮ００４０、三井化学（株））
熱可塑性樹脂層Ｂ２：α−オレフィン共重合体（ＴＡＦＭＥＲ  Ｐ０２７５、三井化学（株））
熱可塑性樹脂層Ｂ３：直鎖状低密度ポリエチレン（ノバテック  ＵＦ９４３、日本ポリエチレン（株））
【００５３】
そして、接着剤層Ａ１〜Ａ３と熱可塑性樹脂層Ｂ１〜Ｂ３とそれぞれ選択してラミネートし、保護テープを作製した。
【００５４】
６０℃における貯蔵剪断弾性率Ｇ’は、粘弾性測定装置を用いて算出した。測定条件は、測定温度域０〜１２０℃、昇温速度５℃／分、振動数１Ｈｚ、歪み０．１％に設定した。
【００５５】
［半導体装置の作製］
保護テープの接着剤層面を、はんだバンプ（φ＝２５０μｍ、Ｈ＝２００μｍ、ピッチ＝２５０μｍ）が形成されたウエハ（サイズ：５ｃｍ×５ｃｍ×７２５μｍｔ）に貼り付け、真空式ラミネータを用いて６０℃の温度でラミネートした。
【００５６】
次に、ＤＩＳＣＯ製ＤＦＧ８５６０にてウエハの厚みを３００μｍまでバックグラインド処理した。その後、接着剤層を残して保護テープを剥離し、他の層を除去し、ウエハ上の接着剤層を１３０℃のオーブンで２時間硬化させた。そして、ウエハをダインシングし、チップに個片化した後、マウンターにて基板（フラックス付金電極）に搭載し、最大２６０℃のリフロー炉にてチップと基板とをはんだ接合させた。
【００５７】
［はんだ接合性の評価］
基板の金電極上にフラックスを塗布し、最大２６０℃のリフロー温度ではんだ接合した際に、はんだが濡れ広がった面積を計測し、バンプサイズの面積を１００％として算出した。
【００５８】
［バンプ埋め込み性の評価］
マイクロスコープ（１００倍）による観察を行い、接着剤層のバンプ間に空隙のないものを「○」、空隙があるものを「△」とした。なお、バンプ埋め込み性の評価は、はんだ接続性の評価が８０％以上のサンプルのみ行った。
【００５９】
＜実施例１＞
表２に示すように接着剤層Ａ１と熱可塑性樹脂層Ｂ１とをラミネートし、接着剤層と熱可塑性樹脂層との弾性率比が２．８Ｅ−０３である保護テープを作製した。この保護テープを用い、前述の方法で半導体装置を作製したところ、はんだ接合性は１０５％、バンプ埋め込み性の評価は○であった。
【００６０】
＜実施例２＞
表２に示すように接着剤層Ａ２と熱可塑性樹脂層Ｂ３とをラミネートし、接着剤層と熱可塑性樹脂層との弾性率比が２．１Ｅ−０３である保護テープを作製した。この保護テープを用い、前述の方法で半導体装置を作製したところ、はんだ接合性の評価は８５％、バンプ埋め込み性の評価は△であった。
【００６１】
＜実施例３＞
表２に示すように接着剤層Ａ３と熱可塑性樹脂層Ｂ１とをラミネートし、接着剤層と熱可塑性樹脂層との弾性率比が３．０Ｅ−０５である保護テープを作製した。この保護テープを用い、前述の方法で半導体装置を作製したところ、はんだ接合性の評価は１１０％、バンプ埋め込み性の評価は○であった。
【００６２】
＜比較例１＞
表２に示すように接着剤層Ａ１と熱可塑性樹脂層Ｂ２とをラミネートし、接着剤層と熱可塑性樹脂層との弾性率比が２．４Ｅ−０２である保護テープを作製した。この保護テープを用い、前述の方法で半導体装置を作製したところ、はんだ接合性の評価は１２％であった。
【００６３】
＜比較例２＞
表２に示すように接着剤層Ａ２と熱可塑性樹脂層Ｂ１とをラミネートし、接着剤層と熱可塑性樹脂層との弾性率比が３．０Ｅ−０２である保護テープを作製した。この保護テープを用い、前述の方法で半導体装置を作製したところ、はんだ接合性の評価は３％であった。
【００６４】
【表２】
2015206006.tif 000004
【００６５】
比較例１，２のように６０℃での弾性率比（Ａ／Ｂ）が０．０１を超える場合、良好なはんだ接合性が得られなかった。一方、実施例１〜３のように６０℃での弾性率比（Ａ／Ｂ）が０．０１以下の場合、良好なはんだ接合性が得られた。また、実施例１，３のように熱可塑性樹脂層の６０℃での貯蔵剪断弾性率を１．０Ｅ＋０７Ｐａ以下とすることにより、良好なバンプの埋め込み性が得られることが分かった。
【符号の説明】
【００６６】
１０  保護テープ、１１  接着剤層、１２  熱可塑性樹脂層、１３  基材フィルム層、２１  ウエハ、２２  突起電極、３０  粘着テープ、３１  粘着剤層、３２  基材フィルム層
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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