(57)【要約】【課題】吸引部に大きい負荷がかかることを抑制し、吸引部を保護することができる回収装置及び基板処理装置を提供する。【解決手段】液状体の塗布膜が形成された基板を収容する収容室を有し基板の周囲の圧力を調整する圧力調整装置の収容室に接続され、圧力調整装置において気化した液状体の一部を回収する回収装置であって、収容室の気体を吸引する吸引部と、吸引部による吸引圧の排圧を低減させる排圧調整部と、吸引部によって吸引された収容室の気体を通過させる流通部と、気体に含まれる気化した液状体が液化するように、流通部を流通する気体の温度を調整する温度調整部と、温度調整部によって液化された液状体を貯留する貯留部とを備える。【選択図】図６
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
液状体の塗布膜が形成された基板を収容する収容室を有し前記基板の周囲の圧力を調整する圧力調整装置の前記収容室に接続され、前記圧力調整装置において気化した前記液状体の一部を回収する回収装置であって、
前記収容室の気体を吸引する吸引部と、
前記吸引部による吸引圧の排圧を低減させる排圧調整部と、
前記吸引部によって吸引された前記収容室の前記気体を通過させる流通部と、
前記気体に含まれる気化した前記液状体が液化するように、前記流通部を流通する前記気体の温度を調整する温度調整部と、
前記温度調整部によって液化された前記液状体を貯留する貯留部と
を備える回収装置。
【請求項２】
前記排圧調整部は、前記排圧が所定の圧力を超える場合に開状態となる調整弁を有する
請求項１に記載の回収装置。
【請求項３】
前記排圧調整部は、
前記排圧に関する情報を検出する排圧検出部と、
前記排圧検出部による検出結果に基づいて前記調整弁の開閉を制御する開閉制御部と
を有する
請求項２に記載の回収装置。
【請求項４】
前記情報は、前記排圧の大きさ及び前記吸引圧が生じるタイミングのうち少なくとも一方を含む
請求項３に記載の回収装置。
【請求項５】
前記気体が流通するように前記吸引部と前記流通部との間を接続する接続部
を更に備え、
前記排圧調整部は、前記接続部に複数設けられている
請求項２から請求項４のうちいずれか一項に記載の回収装置。
【請求項６】
前記流通部は、直管状に形成されている
請求項１から請求項５のうちいずれか一項に記載の回収装置。
【請求項７】
前記温度調整部は、
前記流通部に沿って配置され、冷媒が流通可能な冷媒流通管と、
前記冷媒流通管に前記冷媒を流通させる冷媒駆動部と、
を有する
請求項６に記載の回収装置。
【請求項８】
前記冷媒駆動部は、前記流通部を流れる前記気体の流通方向とは反対の方向に冷媒を流すように形成されている
請求項７に記載の回収装置。
【請求項９】
前記貯留部は、貯留された前記液状体の量を検出する貯留量検出部を有する
請求項１から請求項８のうちいずれか一項に記載の回収装置。
【請求項１０】
前記貯留部は、前記貯留量検出部の検出結果に応じて前記液状体を排出させる排出制御部を有する
請求項９に記載の回収装置。
【請求項１１】
前記基板に前記液状体を塗布する塗布装置に設けられた前記液状体の供給源に、前記貯留部に貯留された前記液状体を戻す液状体循環部
を更に備える請求項１から請求項１０のうちいずれか一項に記載の回収装置。
【請求項１２】
液状体の塗布膜が形成された基板を収容する収容室を有し前記基板の周囲の圧力を調整する圧力調整装置と、前記圧力調整装置の前記収容室に接続され、前記圧力調整装置において気化した前記液状体の一部を回収する回収装置と、を備えた基板処理装置であって、
前記回収装置は、請求項１から請求項１１のうちいずれか一項に記載の回収装置である基板処理装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、回収装置及び基板処理装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、液状体の塗布膜が形成された基板を収容する収容室を有し、基板の周囲の圧力を調整する圧力調整装置の収容室に接続され、圧力調整装置において気化した液状体の一部を回収する回収装置が知られている。例えば、特許文献１には、回収装置として、減圧乾燥装置の密閉容器内に塗布液が塗布された基板を収容し、減圧乾燥装置と真空ポンプとの間にトラップ装置を設けた構成が開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００５−８５８１４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
ところで、真空ポンプで減圧乾燥装置の密閉容器内を強い圧力で一気に減圧すると、真空ポンプの排気側の圧力（以下、排圧と称することがある。）が一気に上昇してしまう。そのため、急に発生した強い排圧によって、真空ポンプに大きい負荷がかかるという課題があった。
【０００５】
以上のような事情に鑑み、本発明は、吸引部に大きい負荷がかかることを抑制し、吸引部を保護することができる回収装置及び基板処理装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明の一態様に係る回収装置は、液状体の塗布膜が形成された基板を収容する収容室を有し前記基板の周囲の圧力を調整する圧力調整装置の前記収容室に接続され、前記圧力調整装置において気化した前記液状体の一部を回収する回収装置であって、前記収容室の気体を吸引する吸引部と、前記吸引部による吸引圧の排圧を低減させる排圧調整部と、前記吸引部によって吸引された前記収容室の前記気体を通過させる流通部と、前記気体に含まれる気化した前記液状体が液化するように、前記流通部を流通する前記気体の温度を調整する温度調整部と、前記温度調整部によって液化された前記液状体を貯留する貯留部とを備える。
【０００７】
この構成によれば、排圧調整部によって吸引部による吸引圧の排圧を低減させることで、吸引部で圧力調整装置の収容室を強い圧力で一気に減圧しても、強い排圧が急に発生することを抑制することができる。よって、吸引部に大きい負荷がかかることを抑制し、吸引部を保護することができる。
【０００８】
上記の回収装置において、前記排圧調整部は、前記排圧が所定の圧力を超える場合に開状態となる調整弁を有してもよい。
この構成によれば、排圧が所定の圧力を超える場合に調整弁が開状態となることで、吸引部に大きい負荷がかかることを確実に抑制することができる。例えば、所定の圧力を吸引部に大きい負荷がかかる排圧よりも小さい圧力に設定することで、吸引部に大きい負荷がかからないようにすることができる。よって、吸引部を十分に保護することができる。
【０００９】
上記の回収装置において、前記排圧調整部は、前記排圧に関する情報を検出する排圧検出部と、前記排圧検出部による検出結果に基づいて前記調整弁の開閉を制御する開閉制御部とを有してもよい。
この構成によれば、開閉制御部により、排圧検出部の検出結果を用いて調整弁の開閉を調整することができるため、排圧の低減度合を調整する能力に優れた回収装置が得られる。
【００１０】
上記の回収装置において、前記情報は、前記排圧の大きさ及び前記吸引圧が生じるタイミングのうち少なくとも一方を含んでもよい。
この構成によれば、排圧の大きさ及び吸引圧が生じるタイミングのうち少なくとも一方を含む情報を検出することで吸引部による吸引圧の排圧を低減させることができるため、吸引部に大きい負荷がかかることを確実に抑制することができる。よって、吸引部を十分に保護することができる。
【００１１】
上記の回収装置は、前記気体が流通するように前記吸引部と前記流通部との間を接続する接続部を更に備え、前記排圧調整部は、前記接続部に複数設けられていてもよい。
この構成によれば、複数の排圧調整部によって吸引部による吸引圧の排圧を複数個所で低減させることができる。そのため、吸引部に大きい負荷がかかることを確実に抑制することができる。よって、吸引部を十分に保護することができる。
【００１２】
上記の回収装置において、前記流通部は、直管状に形成されていてもよい。
この構成によれば、吸引部によって吸引された収容室の気体が流通部をスムーズに流れるため、圧力調整装置で気化した液状体の一部を効率的に回収することができる。
【００１３】
上記の回収装置において、前記温度調整部は、前記流通部に沿って配置され、冷媒が流通可能な冷媒流通管と、前記冷媒流通管に前記冷媒を流通させる冷媒駆動部と、を有してもよい。
この構成によれば、吸引部によって吸引された収容室の気体が流通部で冷やされて液状化されるため、圧力調整装置で気化した液状体の一部を効率的に回収することができる。
【００１４】
上記の回収装置において、前記冷媒駆動部は、前記流通部を流れる前記気体の流通方向とは反対の方向に冷媒を流すように形成されていてもよい。
この構成によれば、流通部を流れる気体を効率的に冷却することができるため、吸引部によって吸引された収容室の気体が液状化され易くなる。よって、圧力調整装置で気化した液状体の一部を効率的に回収することができる。
【００１５】
上記の回収装置において、前記貯留部は、貯留された前記液状体の量を検出する貯留量検出部を有してもよい。
この構成によれば、貯留部に貯留された液状体の量を正確に検出することができる。
【００１６】
上記の回収装置において、前記貯留部は、前記貯留量検出部の検出結果に応じて前記液状体を排出させる排出制御部を有してもよい。
この構成によれば、貯留部に貯留される液状体の量を所定の量に維持することができる。そのため、貯留部から液状体が溢れ出すことを抑制することができる。
【００１７】
上記の回収装置は、前記基板に前記液状体を塗布する塗布装置に設けられた前記液状体の供給源に、前記貯留部に貯留された前記液状体を戻す液状体循環部を更に備えてもよい。
この構成によれば、液状体循環部によって回収された液状体が塗布装置の供給源に戻されるため、回収した液状体を塗布液として再利用することができる。
【００１８】
本発明の他の態様に係る基板処理装置は、液状体の塗布膜が形成された基板を収容する収容室を有し前記基板の周囲の圧力を調整する圧力調整装置と、前記圧力調整装置の前記収容室に接続され、前記圧力調整装置において気化した前記液状体の一部を回収する回収装置と、を備えた基板処理装置であって、前記回収装置は、上記の回収装置である。
この構成によれば、上記回収装置を備えるため、吸引部に大きい負荷がかかることを抑制し、吸引部を保護することが可能な基板処理装置を提供することができる。
【発明の効果】
【００１９】
本発明によれば、吸引部に大きい負荷がかかることを抑制し、吸引部を保護することができる回収装置及び基板処理装置を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００２０】
【図１】本発明の第一実施形態に係る塗布装置の全体構成を示す平面図である。
【図２】本実施形態に係る塗布装置の全体構成を示す側面図である。
【図３】本実施形態に係るノズルの構成を示す図である。
【図４】本実施形態に係るノズルを−Ｚ側から見たときの構成を示す図である。
【図５】本実施形態に係るノズル及びノズル先端管理部の断面形状を示す図である。
【図６】本実施形態に係る減圧乾燥部及び回収装置の構成を示す図である。
【図７】本実施形態に係る加熱チャンバーの構成を示す断面図である。
【図８】本実施形態に係る塗布装置の塗布処理の過程を示す図である。
【図９】本実施形態に係る塗布装置の塗布処理の過程を示す図である。
【図１０】本実施形態に係る塗布装置の塗布処理の過程を示す図である。
【図１１】本実施形態に係る塗布装置の塗布処理の過程を示す図である。
【図１２】本実施形態に係る塗布装置の塗布処理の過程を示す図である。
【図１３】本実施形態に係る塗布装置の減圧乾燥処理の過程を示す図である。
【図１４】本実施形態に係る塗布装置の減圧乾燥処理の過程を示す図である。
【図１５】本実施形態に係る塗布装置の減圧乾燥処理の過程を示す図である。
【図１６】本実施形態に係る塗布装置の減圧乾燥処理の過程を示す図である。
【図１７】本実施形態に係る塗布装置の焼成処理の過程を示す図である。
【図１８】本実施形態に係る塗布装置の焼成処理の過程を示す図である。
【図１９】本実施形態に係る塗布装置の焼成処理の過程を示す図である。
【図２０】本実施形態に係る塗布装置の焼成処理の過程を示す図である。
【図２１】本実施形態に係る塗布装置の焼成処理の過程を示す図である。
【図２２】本実施形態に係る容器の構成を示す図である。
【図２３】本実施形態に係る容器の頂端部の断面分解組立図である。
【図２４】本実施形態に係る容器の断面分解組立図である。
【図２５】本発明の第二実施形態に係る回収装置の構成を示す図である。
【図２６】本発明の第三実施形態に係る回収装置の構成を示す図である。
【図２７】変形例に係る塗布装置の焼成処理の過程を示す図である。
【図２８】変形例に係る塗布装置の全体構成を示す平面図である。
【図２９】変形例に係る塗布装置の全体構成を示す模式図である。
【発明を実施するための形態】
【００２１】
（第一実施形態）
以下、図面を参照して、本発明の第一実施形態を説明する。
図１は、本実施形態に係る塗布装置（基板処理装置）ＣＴＲの全体構成を示す平面図である。図２は、本実施形態に係る塗布装置ＣＴＲの全体構成を示す側面図である。
図１及び図２に示すように、塗布装置ＣＴＲは、基板Ｓに液状体を塗布する装置である。塗布装置ＣＴＲは、基板供給回収部ＬＵ、第一チャンバーＣＢ１、第二チャンバーＣＢ２、接続部ＣＮ及び制御部ＣＯＮＴを有している。第一チャンバーＣＢ１は、塗布部ＣＴを有している。第二チャンバーＣＢ２は、焼成部ＢＫを有している。接続部ＣＮは、減圧乾燥部（圧力調整装置）ＶＤを有している。
【００２２】
塗布装置ＣＴＲは、例えば工場などの床面ＦＬに載置されて用いられる。塗布装置ＣＴＲは、一つの部屋に収容される構成であっても構わないし、複数の部屋に分割して収容される構成であっても構わない。塗布装置ＣＴＲは、基板供給回収部ＬＵ、塗布部ＣＴ、減圧乾燥部ＶＤ及び焼成部ＢＫがこの順で一方向に並んで配置されている。
【００２３】
尚、装置構成について、塗布装置ＣＴＲは、基板供給回収部ＬＵ、塗布部ＣＴ、減圧乾燥部ＶＤ及び焼成部ＢＫがこの順で一方向に並んで配置されることに限られることは無い。例えば、基板供給回収部ＬＵが不図示の基板供給部と不図示の基板回収部に分割されても構わない。勿論、基板供給回収部ＬＵ、塗布部ＣＴ、減圧乾燥部ＶＤ及び焼成部ＢＫが一方向に並んで配置されていなくてもよく、不図示のロボットを中心とした上下に積層する配置や、左右に配置する構成でもよい。
【００２４】
以下の各図において、本実施形態に係る塗布装置の構成を説明するにあたり、表記の簡単のため、ＸＹＺ座標系を用いて図中の方向を説明する。当該ＸＹＺ座標系においては、床面に平行な平面をＸＹ平面とする。このＸＹ平面において塗布装置ＣＴＲの各構成要素（基板供給回収部ＬＵ、塗布部ＣＴ、減圧乾燥部ＶＤ及び焼成部ＢＫ）が並べられた方向をＸ方向と表記し、ＸＹ平面上でＸ方向に直交する方向をＹ方向と表記する。ＸＹ平面に垂直な方向はＺ方向と表記する。Ｘ方向、Ｙ方向及びＺ方向のそれぞれは、図中の矢印の方向が＋方向であり、矢印の方向とは反対の方向が−方向であるものとして説明する。
【００２５】
本実施形態では、基板Ｓとして、例えばガラスや樹脂などからなる板状部材を用いている。本実施形態では更に、基板Ｓ上に裏面電極としてスパッタにてモリブデンを形成している。勿論、裏面電極として、他の導電性物質を用いる構成としても構わない。基板Ｓとして、Ｚ方向視における寸法が３３０ｍｍ×３３０ｍｍの基板を例に挙げて説明する。尚、基板Ｓの寸法については、上記のような３３０ｍｍ×３３０ｍｍの基板に限られることは無い。例えば、基板Ｓとして、寸法が１２５ｍｍ×１２５ｍｍの基板を用いても構わないし、寸法が１ｍ×１ｍの基板を用いても構わない。勿論、上記寸法よりも大きい寸法の基板や小さい寸法の基板を適宜用いることができる。
【００２６】
本実施形態では、基板Ｓに塗布する液状体として、例えば所定の溶媒に、銅（Ｃｕ）、インジウム（Ｉｎ）、ガリウム（Ｇａ）、セレン（Ｓｅ）または銅（Ｃｕ）、亜鉛（Ｚｎ）、スズ（Ｓｎ）、セレン（Ｓｅ）といった金属を含有する液状組成物を用いている。この液状組成物は、ＣＩＧＳまたはＣＺＴＳ型太陽電池の光吸収層（光電変換層）を構成する金属材料を含んでいる。
【００２７】
本実施形態では、この液状組成物は、ＣＩＧＳまたはＣＺＴＳ太陽電池の光吸収層のグレインサイズを確保するための物質を含んでいる。勿論、液状体として、他の金属、例えば金属ナノ粒子を分散させた液状体を用いる構成としても構わない。
【００２８】
（基板供給回収部）
基板供給回収部ＬＵは、塗布部ＣＴに対して未処理の基板Ｓを供給すると共に、塗布部ＣＴからの処理済の基板Ｓを回収する。基板供給回収部ＬＵは、チャンバー１０を有している。チャンバー１０は、直方体の箱状に形成されている。チャンバー１０の内部には、基板Ｓを収容可能な収容室１０ａが形成されている。チャンバー１０は、第一開口部１１、第二開口部１２及び蓋部１４を有している。第一開口部１１及び第二開口部１２は、収容室１０ａとチャンバー１０の外部とを連通する。
【００２９】
第一開口部１１は、チャンバー１０の＋Ｚ側の面に形成されている。第一開口部１１は、Ｚ方向視で基板Ｓの寸法よりも大きく形成されている。チャンバー１０の外部に取り出される基板Ｓや、収容室１０ａへ収容される基板Ｓは、第一開口部１１を介して基板供給回収部ＬＵに出し入れされる。
【００３０】
第二開口部１２は、チャンバー１０の＋Ｘ側の面に形成されている。第二開口部１２は、Ｘ方向視で基板Ｓの寸法よりも大きく形成されている。塗布部ＣＴへ供給される基板Ｓや塗布部ＣＴから戻される基板Ｓは、第二開口部１２を介して基板供給回収部ＬＵに出し入れされる。
【００３１】
蓋部１４は、第一開口部１１を開放又は閉塞させる。蓋部１４は、矩形の板状に形成されている。蓋部１４は、不図示のヒンジ部を介して第一開口部１１の＋Ｘ側の辺に取り付けられている。このため、蓋部１４は、第一開口部１１の＋Ｘ側の辺を中心としてＹ軸周りに回動する。第一開口部１１は、蓋部１４をＹ軸周りに回動させることで開閉可能となっている。
【００３２】
収容室１０ａには、基板搬送部１５が設けられている。基板搬送部１５は、複数のローラー１７を有している。ローラー１７は、Ｙ方向に一対配置されており、当該一対のローラー１７がＸ方向に複数並んでいる。
【００３３】
各ローラー１７は、Ｙ軸方向を中心軸方向としてＹ軸周りに回転可能に設けられている。複数のローラー１７は、それぞれ等しい径となるように形成されており、複数のローラー１７の＋Ｚ側の端部はＸＹ平面に平行な同一平面上に配置されている。このため、複数のローラー１７は、基板ＳがＸＹ平面に平行な姿勢になるように当該基板Ｓを支持可能である。
【００３４】
各ローラー１７は、例えば不図示のローラー回転制御部によって回転が制御されるようになっている。基板搬送部１５は、複数のローラー１７が基板Ｓを支持した状態で各ローラー１７をＹ軸周りに時計回り又は反時計回りに回転させることにより、基板ＳをＸ方向（＋Ｘ方向又は−Ｘ方向）に搬送する。基板搬送部１５としては、基板を浮上させて搬送する不図示の浮上搬送部を用いても構わない。
【００３５】
（第一チャンバー）  
第一チャンバーＣＢ１は、床面ＦＬに載置された基台ＢＣ上に配置されている。第一チャンバーＣＢ１は、直方体の箱状に形成されている。第一チャンバーＣＢ１の内部には、処理室２０ａが形成されている。塗布部ＣＴは、処理室２０ａに設けられている。塗布部ＣＴは、基板Ｓに対して液状体の塗布処理を行う。
【００３６】
第一チャンバーＣＢ１は、第一開口部２１及び第二開口部２２を有している。第一開口部２１及び第二開口部２２は、処理室２０ａと第一チャンバーＣＢ１の外部とを連通する。第一開口部２１は、第一チャンバーＣＢ１の−Ｘ側の面に形成されている。第二開口部２２は、第一チャンバーＣＢ１の＋Ｘ側の面に形成されている。第一開口部２１及び第二開口部２２は、基板Ｓが通過可能な寸法に形成されている。基板Ｓは、第一開口部２１及び第二開口部２２を介して第一チャンバーＣＢ１に出し入れされる。
【００３７】
塗布部ＣＴは、吐出部３１、メンテナンス部３２、液状体供給部（液状体の供給源）３３、洗浄液供給部３４、廃液貯留部３５、気体供給排出部３７及び基板搬送部２５を有する。
【００３８】
吐出部３１は、ノズルＮＺ、処理ステージ２８及びノズル駆動部ＮＡを有している。  
図３は、ノズルＮＺの構成を示す図である。  
図３に示すように、ノズルＮＺは、長尺状に形成されており、長手方向がＸ方向に平行になるように配置されている。ノズルＮＺは、本体部ＮＺａ及び突出部ＮＺｂを有している。本体部ＮＺａは、内部に液状体を収容可能な筐体である。本体部ＮＺａは、例えばチタン又はチタン合金を含んだ材料を用いて形成されている。突出部ＮＺｂは、本体部ＮＺａに対して＋Ｘ側及び−Ｘ側にそれぞれ突出して形成されている。突出部ＮＺｂは、ノズル駆動部ＮＡの一部に保持される。
【００３９】
図４は、ノズルＮＺを−Ｚ側から見たときの構成を示す図である。  
図４に示すように、ノズルＮＺは、本体部ＮＺａの−Ｚ側の端部（先端ＴＰ）に吐出口ＯＰを有している。吐出口ＯＰは、液状体が吐出される開口部である。吐出口ＯＰは、Ｘ方向に長手となるようにスリット状に形成されている。吐出口ＯＰは、例えば長手方向が基板ＳのＸ方向の寸法とほぼ同一となるように形成されている。
【００４０】
ノズルＮＺは、例えば上記のＣｕ、Ｉｎ、Ｇａ、Ｓｅの４種類の金属が所定の組成比で混合された液状体を吐出する。ノズルＮＺは、接続配管（不図示）などを介して、それぞれ液状体供給部３３に接続されている。ノズルＮＺは、内部に液状体を保持する保持部を有している。尚、上記保持部に保持された液状体の温度を調整する温調部が配置されていても構わない。
【００４１】
図１及び図２に戻って、処理ステージ２８は、塗布処理の対象となる基板Ｓを載置する。処理ステージ２８の＋Ｚ側の面は、基板Ｓを載置する基板載置面となっている。当該基板載置面は、ＸＹ平面に平行に形成されている。処理ステージ２８は、例えばステンレスなどを用いて形成されている。
【００４２】
ノズル駆動部ＮＡは、ノズルＮＺをＸ方向に移動させる。ノズル駆動部ＮＡは、リニアモータ機構を構成する固定子４０及び可動子４１を有している。尚、ノズル駆動部ＮＡとしては、例えばボールスクリュー機構など、他の駆動機構が用いられた構成であっても構わない。固定子４０は、Ｙ方向に延在されている。固定子４０は、支持フレーム３８に支持されている。支持フレーム３８は、第一フレーム３８ａ及び第二フレーム３８ｂを有している。第一フレーム３８ａは、処理室２０ａの−Ｙ側端部に配置されている。第二フレーム３８ｂは、処理室２０ａのうち第一フレーム３８ａとの間で処理ステージ２８を挟む位置に配置されている。
【００４３】
可動子４１は、固定子４０の延在方向（Ｙ方向）に沿って移動可能である。可動子４１は、ノズル支持部材４２及び昇降部４３を有する。ノズル支持部材４２は、門型に形成されており、ノズルＮＺの突出部ＮＺｂを保持する保持部４２ａを有している。ノズル支持部材４２は、昇降部４３と共に固定子４０に沿って第一フレーム３８ａと第二フレーム３８ｂとの間をＹ方向に一体的に移動する。このため、ノズル支持部材４２に保持されるノズルＮＺは、処理ステージ２８をＹ方向に跨いで移動する。ノズル支持部材４２は、昇降部４３の昇降ガイド４３ａに沿ってＺ方向に移動する。可動子４１は、ノズル支持部材４２をＹ方向及びＺ方向に移動させる不図示の駆動源を有している。
【００４４】
メンテナンス部３２は、ノズルＮＺのメンテナンスを行う部分である。メンテナンス部３２は、ノズル待機部４４及びノズル先端管理部４５を有している。  
ノズル待機部４４は、ノズルＮＺの先端ＴＰが乾燥しないように当該先端ＴＰをディップさせる不図示のディップ部と、ノズルＮＺを交換する場合やノズルＮＺに供給する液状体を交換する場合にノズルＮＺ内に保持された液状体を排出する不図示の排出部とを有している。
【００４５】
ノズル先端管理部４５は、ノズルＮＺの先端ＴＰ及びその近傍を洗浄したり、ノズルＮＺの吐出口ＯＰから予備的に吐出したりすることで、ノズル先端のコンディションを整える部分である。ノズル先端管理部４５は、ノズルＮＺの先端ＴＰを払拭する払拭部４５ａと、当該払拭部４５ａを案内するガイドレール４５ｂと、を有している。ノズル先端管理部４５には、ノズルＮＺから排出された液状体や、ノズルＮＺの洗浄に用いられた洗浄液などを収容する廃液収容部３５ａが設けられている。
【００４６】
図５は、ノズルＮＺ及びノズル先端管理部４５の断面形状を示す図である。図５に示すように、払拭部４５ａは、断面視においてノズルＮＺの先端ＴＰ及び先端ＴＰ側の斜面の一部を覆う形状に形成されている。
【００４７】
図１及び図５に示すように、ガイドレール４５ｂは、ノズルＮＺの吐出口ＯＰをカバーするようにＸ方向に延びている。払拭部４５ａは、不図示の駆動源などにより、ガイドレール４５ｂに沿ってＸ方向に移動可能に設けられている。払拭部４５ａがノズルＮＺの先端ＴＰに接触した状態でＸ方向に移動することで、先端ＴＰが払拭されることになる。
【００４８】
液状体供給部３３は、第一液状体収容部３３ａ及び第二液状体収容部３３ｂを有している。第一液状体収容部３３ａ及び第二液状体収容部３３ｂには、基板Ｓに塗布する液状体が収容される。また、第一液状体収容部３３ａ及び第二液状体収容部３３ｂは、それぞれ異なる種類の液状体を収容可能である。
【００４９】
洗浄液供給部３４は、塗布部ＣＴの各部、具体的にはノズルＮＺの内部やノズル先端管理部４５などを洗浄する洗浄液が収容されている。洗浄液供給部３４は、不図示の配管やポンプなどを介して、これらノズルＮＺの内部やノズル先端管理部４５などに接続されている。
【００５０】
廃液貯留部３５は、ノズルＮＺから吐出された液体のうち再利用しない分を回収する。尚、ノズル先端管理部４５のうち、予備吐出を行う部分と、ノズルＮＺの先端ＴＰを洗浄する部分とが別々に設けられた構成であっても構わない。また、ノズル待機部４４において予備吐出を行う構成であっても構わない。
【００５１】
気体供給排出部３７は、気体供給部３７ａ及び排気部３７ｂを有している。気体供給部３７ａは、処理室２０ａに窒素ガスやアルゴンガスなどの不活性ガスを供給する。排気部３７ｂは、処理室２０ａを吸引し、処理室２０ａの気体を第一チャンバーＣＢ１の外部に排出する。
【００５２】
基板搬送部２５は、処理室２０ａにおいて基板Ｓを搬送する。基板搬送部２５は、複数のローラー２７を有している。ローラー２７は、処理室２０ａのＹ方向の中央部をＸ方向に横切るように二列に配置されている。各列に配置されるローラー２７は、それぞれ基板Ｓの＋Ｙ側端辺及び−Ｙ側端辺を支持する。
【００５３】
基板Ｓを支持した状態で各ローラー２７をＹ軸周りに時計回り又は反時計回りに回転させることにより、各ローラー２７によって支持される基板ＳがＸ方向（＋Ｘ方向又は−Ｘ方向）に搬送される。尚、基板を浮上させて搬送する不図示の浮上搬送部を用いても構わない。
【００５４】
（接続部）  
図１及び図２に示すように、接続部ＣＮは、第一チャンバーＣＢ１と第二チャンバーＣＢ２とを接続する。基板Ｓは、接続部ＣＮを経由して、第一チャンバーＣＢ１と第二チャンバーＣＢ２との間を移動するようになっている。接続部ＣＮは、第三チャンバーＣＢ３を有している。第三チャンバーＣＢ３は、直方体の箱状に形成されている。第三チャンバーＣＢ３の内部には、処理室５０（収容室）ａが形成されている。本実施形態では、処理室５０ａには、減圧乾燥部ＶＤが設けられている。減圧乾燥部ＶＤは、基板Ｓ上に塗布された液状体を乾燥させる。第三チャンバーＣＢ３には、ゲートバルブＶ２及びＶ３が設けられている。
【００５５】
第三チャンバーＣＢ３は、第一開口部５１及び第二開口部５２を有している。第一開口部５１及び第二開口部５２は、処理室５０ａと第三チャンバーＣＢ３の外部とを連通する。第一開口部５１は、第三チャンバーＣＢ３の−Ｘ側の面に形成されている。第二開口部５２は、第三チャンバーＣＢ３の＋Ｘ側の面に形成されている。第一開口部５１及び第二開口部５２は、基板Ｓが通過可能な寸法に形成されている。基板Ｓは、第一開口部５１及び第二開口部５２を介して第三チャンバーＣＢ３に出し入れされる。
【００５６】
（減圧乾燥部）
図６は、減圧乾燥部ＶＤ及び回収装置９０の構成を示す図である。
図６に示すように、減圧乾燥部ＶＤは、基板搬送部５５、気体供給部５８及び加熱部５３を有している。
基板搬送部５５は、複数のローラー５７を有している。ローラー５７は、Ｙ方向に一対配置されており、当該一対のローラー５７がＸ方向に複数並んでいる。複数のローラー５７は、第一開口部５１を介して処理室５０ａに配置された基板Ｓを支持する。
【００５７】
基板Ｓを支持した状態で各ローラー５７をＹ軸周りに時計回り又は反時計回りに回転させることにより、各ローラー５７によって支持される基板ＳがＸ方向（＋Ｘ方向又は−Ｘ方向）に搬送される。尚、基板を浮上させて搬送する不図示の浮上搬送部を用いても構わない。
【００５８】
気体供給部５８は、処理室５０ａに窒素ガスやアルゴンガスなどの不活性ガスを供給する。気体供給部５８は、第一供給部５８ａ及び第二供給部５８ｂを有している。第一供給部５８ａ及び第二供給部５８ｂは、ガスボンベやガス管などのガス供給源５８ｃに接続されている。処理室５０ａへのガスの供給は主として第一供給部５８ａを用いて行われる。第二供給部５８ｂは、第一供給部５８ａによる気体の供給量を微調整する。
【００５９】
加熱部５３は、処理室５０ａに配置された基板Ｓ上の液状体を加熱する。加熱部５３としては、例えば赤外線装置やホットプレートなどが用いられる。加熱部５３の温度は、例えば室温〜１００℃程度に調整可能である。加熱部５３を用いることにより、基板Ｓ上の液状体に含まれる溶媒の蒸発を促進させ、減圧下での乾燥処理をサポートする。
【００６０】
加熱部５３は、昇降機構（移動部）５３ａに接続されている。昇降機構５３ａは、加熱部５３をＺ方向に移動させる。昇降機構５３ａとしては、例えばモーター機構やエアシリンダ機構などが用いられている。昇降機構５３ａにより加熱部５３をＺ方向に移動させることにより、加熱部５３と基板Ｓとの間の距離を調整できるようになっている。昇降機構５３ａによる加熱部５３の移動量や移動のタイミングなどは、制御部ＣＯＮＴによって制御されるようになっている。
【００６１】
（回収装置）
回収装置９０は、減圧乾燥部ＶＤの処理室５０ａに接続される。回収装置９０は、減圧乾燥部ＶＤにおいて気化した液状体の一部を回収する。回収装置９０は、吸引部９１、接続部９６、排圧調整部９２、流通部９３、温度調整部９４、接続部９７ａ、フィルタ９８、接続部９７ｂ、サイレンサ９９、接続部９７ｃ及び貯留部９５を有している。回収装置９０の構成要素の配置について説明すると、減圧乾燥部ＶＤの側（＋Ｚ方向側）から−Ｚ方向側にかけて、吸引部９１、接続部９６、排圧調整部９２、流通部９３、温度調整部９４、接続部９７ａ、フィルタ９８、接続部９７ｂ、サイレンサ９９、接続部９７ｃ、貯留部９５の順に配置されている。
【００６２】
吸引部９１は、処理室５０ａの気体を吸引して、処理室５０ａを減圧させる。処理室５０ａを減圧させることにより、基板Ｓの液状体に含まれる溶媒の蒸発を促進させ、液状体を乾燥させる。吸引部９１は、第一吸引部９１ａ及び第二吸引部９１ｂを有している。第一吸引部９１ａ及び第二吸引部９１ｂは、ポンプなどの吸引源９１ｃ及び９１ｄに接続されている。処理室５０ａからの吸引は主として第一吸引部９１ａを用いて行われる。第二吸引部９１ｂは、第一吸引部９１ａによる吸引量を微調整する。
【００６３】
接続部９６は、気体が流通するように吸引部９１と流通部９３との間を接続する。接続部９６には、排圧調整部９２が設けられている。
【００６４】
排圧調整部９２は、吸引部９１による吸引圧の排圧を低減させる。排圧調整部９２は、調整弁９２ａ、排圧検出部９２ｂ及び開閉制御部９２ｃを有している。
【００６５】
調整弁９２ａは、排圧が所定の圧力を超える場合に開状態となる。例えば、所定の圧力を吸引部９１に大きい負荷がかかる排圧よりも小さい圧力に設定する。これにより、吸引部９１に大きい負荷がかからないようにすることができる。
【００６６】
排圧検出部９２ｂは、排圧に関する情報を検出する。本実施形態に係る排圧検出部９２ｂは、排圧に関する情報として、排圧の大きさ及び吸引圧が生じるタイミングを含む情報を検出可能である。排圧検出部９２ｂは、排圧の大きさを検出するセンサ及び吸引圧が生じるタイミングを検出するセンサを有している。尚、排圧検出部９２ｂは、排圧の大きさを検出するセンサのみ又は吸引圧が生じるタイミングを検出するセンサのみを有していてもよい。すなわち、排圧検出部９２ｂは、排圧に関する情報として、排圧の大きさ及び吸引圧が生じるタイミングのうち少なくとも一方を含む情報を検出可能であればよい。
【００６７】
開閉制御部９２ｃは、排圧検出部９２ｂによる検出結果に基づいて調整弁９２ａの開閉を制御する。例えば、開閉制御部９２ｃは、排圧が所定の圧力を超える場合に調整弁９２ａを開状態とする制御を行い、排圧が所定の圧力以下の場合に調整弁９２ａを閉状態とする制御を行う。また、開閉制御部９２ｃは、吸引圧が生じるタイミングに合わせて調整弁９２ａを開状態とする制御を行い、吸引圧が生じない場合には調整弁９２ａを閉状態とする制御を行う。
【００６８】
流通部９３は、吸引部９１によって吸引された処理室５０ａの気体を通過させる。流通部９３は、直管状である。本実施形態に係る流通部９３は、直線状に延びる複数の配管を有して構成される。複数の配管は、Ｚ方向から見て蜂の巣状に配置されている。
【００６９】
温度調整部９４は、処理室５０ａの気体に含まれる気化した液状体が液化するように流通部９３を流通する気体の温度を調整する。すなわち、流通部９３及び温度調整部９４により、処理室５０ａの気体に含まれる気化した液状体を液化させる液化トラップが構成される。温度調整部９４は、冷媒流通管９４ａ及び冷媒駆動部９４ｂを有している。
【００７０】
冷媒流通管９４ａは、流通部９３に沿って配置されている。冷媒流通管９４ａは、例えば冷却水等の冷媒を流通可能である。冷媒流通管９４ａの内部には、流通部９３を構成する複数の配管が収容されている。冷媒流通管９４ａは、流通部９３を構成する複数の配管の周りが冷媒で満たされるように構成されている。
【００７１】
尚、図示はしないが、冷媒流通管９４ａの外周面に放熱用のフィンが設けられていてもよい。これにより、冷媒流通管９４ａの内部の冷却効果を一層高めることができる。
【００７２】
冷媒駆動部９４ｂは、冷媒流通管９４ａに冷媒を流通させる。冷媒駆動部９４ｂは、流通部９３を流れる気体の流通方向（−Ｚ方向）とは反対の方向（＋Ｚ方向）に冷媒を流すように形成されている。尚、冷媒駆動部９４ｂは、冷媒流通管９４ａを通過した媒体を冷媒として冷媒流通管９４ａに戻す冷媒循環部としての機能をも有する。
【００７３】
接続部９７ａは、温度調整部９４によって液化された液状体が流通するように液化トラップ（流通部９３及び温度調整部９４）とフィルタ９８との間を接続する。
【００７４】
フィルタ９８は、温度調整部９４によって液化された液状体をろ過して塵等の異物を除去する。尚、フィルタ９８は、設けられていなくてもよく、必要に応じて設けることができる。
【００７５】
接続部９７ｂは、フィルタ９８によってろ過された液状体が流通するようにフィルタ９８とサイレンサ９９との間を接続する。
【００７６】
サイレンサ９９は、フィルタ９８によってろ過された液状体が接続部９７ｂを流れる際に発せられる音を消す。尚、サイレンサ９９は、設けられていなくてもよく、必要に応じて設けることができる。
【００７７】
接続部９７ｃは、サイレンサ９９を通過した液状体が流通するようにサイレンサ９９と貯留部９５（貯留タンク９５ａ）との間を接続する。
【００７８】
貯留部９５は、サイレンサ９９を通過した液状体を貯留する。貯留部９５は、貯留タンク９５ａ、貯留量検出部９５ｂ及び排出制御部９５ｃを有している。
【００７９】
貯留タンク９５ａは、液状体を貯留する容器である。貯留タンク９５ａは、接続部９７ｃに着脱可能に取り付けられている。
【００８０】
貯留量検出部９５ｂは、貯留タンク９５ａに貯留された液状体の量を検出する。例えば、貯留量検出部９５ｂは、貯留タンク９５ａに貯留された液状体の液面の高さを検出するセンサである。
【００８１】
排出制御部９５ｃは、貯留量検出部９５ｂの検出結果に応じて液状体を排出させる。例えば、排出制御部９５ｃは、貯留タンク９５ａに貯留された液状体の量が所定の量を超える場合に貯留タンク９５ａを接続部９７ｃから離脱させる制御を行い、貯留タンク９５ａから液状体を排出可能とする。一方、貯留タンク９５ａに貯留された液状体の量が所定の量以下の場合には貯留タンク９５ａを接続部９７ｃに接続した状態とする制御を行う。
【００８２】
（第二チャンバー）  
図１及び図２に示すように、第二チャンバーＣＢ２は、床面ＦＬに載置された基台ＢＢ上に配置されている。第二チャンバーＣＢ２は、直方体の箱状に形成されている。第二チャンバーＣＢ２の内部には、処理室６０ａが形成されている。焼成部ＢＫは、処理室６０ａに設けられている。焼成部ＢＫは、基板Ｓ上に塗布された塗布膜を焼成する。
【００８３】
第二チャンバーＣＢ２は、開口部６１を有している。開口部６１は、処理室６０ａと第二チャンバーＣＢ２の外部とを連通する。開口部６１は、第二チャンバーＣＢ２の−Ｘ側の面に形成されている。開口部６１は、基板Ｓが通過可能な寸法に形成されている。基板Ｓは、開口部６１を介して第二チャンバーＣＢ２に出し入れされる。
【００８４】
焼成部ＢＫは、基板搬送部６５及び気体供給部６８、排気部６９及び加熱チャンバー７０を有している。  
基板搬送部６５は、複数のローラー６７と、アーム部７１とを有している。ローラー６７は、Ｙ方向に一対配置されており、当該一対のローラー６７がＸ方向に複数並んでいる。複数のローラー６７は、開口部６１を介して処理室６０ａに配置された基板Ｓを支持する。
【００８５】
基板Ｓを支持した状態で各ローラー６７をＹ軸周りに時計回り又は反時計回りに回転させることにより、各ローラー６７によって支持される基板ＳがＸ方向（＋Ｘ方向又は−Ｘ方向）に搬送される。尚、基板を浮上させて搬送する不図示の浮上搬送部を用いても構わない。
【００８６】
アーム部７１及び加熱チャンバー７０は、架台７４上に配置されている。アーム部７１は、複数のローラー６７と加熱チャンバー７０との間で基板Ｓの受け渡しを行う。アーム部７１は、搬送アーム７２及びアーム駆動部７３を有している。搬送アーム７２は、基板支持部７２ａ及び移動部７２ｂを有している。基板支持部７２ａは、基板Ｓの＋Ｙ側及び−Ｙ側の辺を支持する。移動部７２ｂは、基板支持部７２ａに連結されており、Ｘ方向に移動可能であり、かつθＺ方向に回動可能である。
【００８７】
アーム駆動部７３は、移動部７２ｂをＸ方向又はθＺ方向に駆動する。アーム駆動部７３によって移動部７２ｂを＋Ｘ方向に移動させた場合には、基板支持部７２ａが加熱チャンバー７０内に挿入されると共に、基板Ｓが加熱チャンバー７０のＺ方向視中央部に配置されるようになっている。
【００８８】
図７は、加熱チャンバー７０の構成を示す断面図である。  
図７に示すように、加熱チャンバー７０は、第一収容部８１、第二収容部８２、第一加熱板８３、第二加熱板８４、リフト部８５、封止部８６、気体供給部８７及び排気部８８を有している。  
【００８９】
第一収容部８１は、Ｚ方向視において矩形の枡状に形成されており、開口部が＋Ｚ側を向くように加熱チャンバー７０の底部に載置されている。第二収容部８２は、Ｚ方向視において矩形の枡状に形成されており、開口部が第一収容部８１に対向するように配置されている。第二収容部８２は、不図示の昇降機構を用いてＺ方向に移動可能である。第二収容部８２の縁部８２ａを第一収容部８１の縁部８１ａに重ねることにより、当該第一収容部８１及び第二収容部８２の内部が密閉される。この場合、第一収容部８１、第二収容部８２及び封止部８６によって密閉された焼成室８０が形成される。
【００９０】
第一加熱板８３は、第一収容部８１に収容されている。第一加熱板８３は、基板Ｓを載置させた状態で当該基板Ｓを加熱する。第一加熱板８３は、例えば石英などを用いて形成されており、内部には赤外線装置やホットプレートなどの加熱装置が設けられている。第一加熱板８３の温度は、例えば２００℃〜８００℃程度に調整可能である。第一加熱板８３には複数の貫通孔８３ａが形成されている。貫通孔８３ａは、リフト部８５の一部を貫通させる。
【００９１】
第二加熱板８４は、第二収容部８２に収容されている。第二加熱板８４は、例えば金属材料を用いて形成されており、内部には赤外線装置やホットプレートなどの加熱装置が設けられている。第二加熱板８４の温度は、例えば２００℃〜８００℃程度に調整可能である。第二加熱板８４は、不図示の昇降機構によって第二収容部８２とは別個にＺ方向への移動が可能に設けられている。第二加熱板８４をＺ方向へ移動させることにより、第二加熱板８４と基板Ｓとの間隔を調整できるようになっている。
【００９２】
リフト部８５は、アーム部７１（図１及び図２参照）と第一加熱板８３との間で基板Ｓを移動させる。リフト部８５は、複数の支持ピン８５ａと、当該支持ピン８５ａを保持してＺ方向に移動可能な移動部８５ｂとを有している。図示を判別しやすくするため、図７では支持ピン８５ａが２つ設けられた構成が示されているが、実際には例えば１６個配置させることができる。第一加熱板８３に設けられる複数の貫通孔８３ａは、Ｚ方向視で複数の支持ピン８５ａに対応する位置に配置されている。
【００９３】
封止部８６は、第一収容部８１の縁部８１ａに形成されている。封止部８６としては、例えば樹脂材料などを用いて形成されたＯリングを用いることができる。封止部８６は、第二収容部８２の縁部８２ａが第一収容部８１の縁部８１ａに重ねられた状態で、当該第一収容部８１と第二収容部８２との間を封止する。このため、第一収容部８１及び第二収容部８２の内部を密閉することができる。
【００９４】
気体供給部８７は、処理室６０ａに窒素ガスなどを供給する。気体供給部８７は、加熱チャンバー７０の＋Ｚ側の面に接続されている。気体供給部８７は、ガスボンベやガス管などの気体供給源８７ａと、当該気体供給源８７ａと第二収容部８２とを接続する接続管８７ｂとを有している。気体供給源８７ａは、窒素ガスの供給源と、カルコゲン元素を含む気体（例、硫化水素、セレン化水素）の供給源とを有している。尚、気体供給源８７ａが他のガスの供給源を有する構成であってもよい。
【００９５】
排気部８８は、処理室６０ａを吸引し、処理室６０ａの気体を加熱チャンバー７０の外部に排出する。排気部８８は、加熱チャンバー７０の−Ｚ側の面に接続されている。排気部８８は、ポンプなどの吸引源８８ａと、当該吸引源８８ａと第一収容部８１とを接続する接続管８８ｂとを有している。
【００９６】
また、本実施形態では、加熱チャンバー７０内には、気体濃度検出部ＳＲ１、ＳＲ２が設けられている。気体濃度検出部ＳＲ１及びＳＲ２は、加熱チャンバー７０に収容される基板の周囲の雰囲気のうちカルコゲン元素を含む気体の濃度を検出する。また、気体濃度検出部ＳＲ１、ＳＲ２は、検出結果を制御部ＣＯＮＴに送信する。
【００９７】
本実施形態では、気体濃度検出部ＳＲ１、ＳＲ２は、カルコゲン元素として、硫黄及びセレンのうち少なくとも一方を含む気体を検出可能である。このような気体としては、例えば硫化水素やセレン化水素などが挙げられる。気体濃度検出部ＳＲ１、ＳＲ２は、それぞれ、硫化水素を検出するセンサ及びセレン化水素を検出するセンサのうち少なくとも一方を有している。また、気体濃度検出部ＳＲ１は、昇華した単体の硫黄やセレンを検出可能なセンサを有していてもよい。
【００９８】
気体濃度検出部ＳＲ１は、加熱チャンバー７０のうち第二収容部８２の天井部８２ｂに設けられている。気体濃度検出部ＳＲ１の検出面ＳＲａは、−Ｚ側に向けられており、基板Ｓが載置される第二加熱板８４に対向するように配置されている。この配置により、基板Ｓのうち液状体が塗布された面に対向して気体濃度検出部ＳＲ１が配置されることになる。気体濃度検出部ＳＲ１は、気体供給部８７の接続管８７ｂから供給される気体を直接受ける領域から外れた位置に配置されることが好ましい。したがって、図７に示す位置よりも第二収容部８２の壁部側に配置された構成であってもよい。また、気体濃度検出部ＳＲ１と接続管８７ｂとの間に気体を遮蔽する遮蔽部（不図示）が配置されていてもよい。
【００９９】
尚、基板Ｓの上記面に対向配置される位置であれば、気体濃度検出部ＳＲ１の位置は第二収容部８２に限られず、他の位置に配置されてもよい。このような他の位置としては、例えば、第二収容部８２の一部から第二加熱板８４の−Ｚ側に不図示の支持部材が引き伸ばされた構成とし、この支持部材に気体濃度検出部ＳＲ１が取り付けられた構成としてもよい。また、気体濃度検出部ＳＲ１が第二収容部８２の天井部８２ｂとは異なる部分（例、壁部など）に配置された構成であってもよい。また、気体濃度検出部ＳＲ１、ＳＲ２に接続される配線部分を熱から保護する保護部（断熱カバー、冷却機構などを含む）が設けられていてもよい。
【０１００】
一方、気体濃度検出部ＳＲ２は、加熱チャンバー７０のうち第一収容部８１の底部８１ｂに設けられている。気体濃度検出部ＳＲ２は、排気部８８の接続管８８ｂの近傍に配置されている。気体濃度検出部ＳＲ２の検出面ＳＲｂは、＋Ｚ側に向けられている。尚、気体濃度検出部ＳＲ２は、接続管８８ｂの内部に設けられた構成であってもよい。
【０１０１】
また、本実施形態では、固体供給部８９が設けられている。固体供給部８９は、加熱チャンバー７０の内部に、カルコゲン元素を含む固体を供給する。このようなカルコゲン元素としては、例えば硫黄、セレンの固体などが挙げられる。図７では、一例として、固体供給部８９が第一収容部８１の側部から底部８１ｂに固体を供給する構成を示しているが、これに限られることはない。例えば、第二収容部８２の天井部８２ｂ側から固体を加熱チャンバー７０内に供給する構成であってもよい。また、第一収容部８１及び第二収容部８２の少なくとも一方に、固体を配置する固体配置部（台状、棚状など）を予め形成しておき、固体供給部８９が当該固体配置部に固体を配置する構成であってもよい。また、開閉可能な蓋を有し上記固体を収容した容器又は収容部を加熱チャンバー７０の内部に配置しておき、加熱チャンバー７０の内部に固体を供給する場合には容器の蓋を開き、固体を供給しない場合には蓋を閉じる構成としてもよい。
【０１０２】
（基板搬送経路）  
図１に示すように、基板供給回収部ＬＵの第二開口部１２、塗布部ＣＴの第一開口部２１並びに第二開口部２２、減圧乾燥部ＶＤの第一開口部５１並びに第二開口部５２、焼成部ＢＫの開口部６１は、Ｘ方向に平行な直線上に並んで設けられている。このため、基板Ｓは、Ｘ方向に直線上に移動する。また、図２に示すように、基板Ｓが基板供給回収部ＬＵから焼成部ＢＫの加熱チャンバー７０に収容されるまでの経路においては、Ｚ方向の位置が保持されている。このため、基板Ｓによる周囲の気体の攪拌が抑制される。
【０１０３】
（アンチチャンバー）
図１に示すように、第一チャンバーＣＢ１には、アンチチャンバーＡＬ１〜ＡＬ３が接続されている。  
アンチチャンバーＡＬ１〜ＡＬ３は、第一チャンバーＣＢ１の内外を連通して設けられている。アンチチャンバーＡＬ１〜ＡＬ３は、それぞれ処理室２０ａの構成要素を第一チャンバーＣＢ１の外部へ取り出したり、第一チャンバーＣＢ１の外部から処理室２０ａに当該構成要素を入れ込んだりするための経路である。
【０１０４】
アンチチャンバーＡＬ１は、吐出部３１に接続されている。吐出部３１に設けられるノズルＮＺは、アンチチャンバーＡＬ１を介して処理室２０ａへの出し入れが可能となっている。
【０１０５】
アンチチャンバーＡＬ２は、液状体供給部３３に接続されている。液状体供給部３３では、アンチチャンバーＡＬ２を介して処理室２０ａへの出し入れが可能となっている。
【０１０６】
アンチチャンバーＡＬ３は、廃液貯留部３５に接続されている。廃液貯留部３５では、アンチチャンバーＡＬ３を介して液体を処理室２０ａに出し入れ可能となっている。また、アンチチャンバーＡＬ３は、基板Ｓが通過可能な寸法に形成されている。このため、例えば塗布部ＣＴにおいて液状体の試し塗りを行う場合、アンチチャンバーＡＬ３から未処理の基板Ｓを処理室２０ａに供給することが可能である。また、試し塗りを行った後の基板ＳをアンチチャンバーＡＬ３から取り出すことが可能である。また、緊急時などにアンチチャンバーＡＬ３から臨時に基板Ｓを取り出すことも可能である。
【０１０７】
また、第二チャンバーＣＢ２には、アンチチャンバーＡＬ４が接続されている。  
アンチチャンバーＡＬ４は、加熱チャンバー７０に接続されている。アンチチャンバーＡＬ４は、基板Ｓが通過可能な寸法に形成されている。このため、例えば加熱チャンバー７０において基板Ｓの加熱を行う場合、アンチチャンバーＡＬ４から基板Ｓを処理室６０ａに供給することが可能である。また、加熱処理を行った後の基板ＳをアンチチャンバーＡＬ４から取り出すことが可能である。
【０１０８】
（グローブ部）  
図１に示すように、第一チャンバーＣＢ１には、グローブ部ＧＸ１が接続されている。また、第二チャンバーＣＢ２には、グローブ部ＧＸ２が接続されている。  
グローブ部ＧＸ１及びＧＸ２は、作業者が第一チャンバーＣＢ１及び第二チャンバーＣＢ２内にアクセスするための部分である。作業者がグローブ部ＧＸ１及びＧＸ２内に手を挿入することにより、第一チャンバーＣＢ１及び第二チャンバーＣＢ２内のメンテナンス動作などを行うことができるようになっている。グローブ部ＧＸ１及びＧＸ２は、袋状に形成されている。グローブ部ＧＸ１及びＧＸ２は、それぞれ第一チャンバーＣＢ１及び第二チャンバーＣＢ２の複数個所に配置されている。グローブ部ＧＸ１及びＧＸ２内に作業者が手を入れたか否かを検出するセンサなどが第一チャンバーＣＢ１及び第二チャンバーＣＢ２内に配置されていても構わない。
【０１０９】
（ゲートバルブ）  
図１及び図２に示すように、基板供給回収部ＬＵの第二開口部１２と塗布部ＣＴの第一開口部２１との間には、ゲートバルブＶ１が設けられている。ゲートバルブＶ１は、不図示の駆動部によってＺ方向に移動可能に設けられている。ゲートバルブＶ１をＺ方向に移動させることで、基板供給回収部ＬＵの第二開口部１２と塗布部ＣＴの第一開口部２１とが同時に開放又は閉塞される。第二開口部１２及び第一開口部２１が同時に開放されると、これら第二開口部１２と第一開口部２１との間で基板Ｓの移動が可能となる。
【０１１０】
第一チャンバーＣＢ１の第二開口部２２と第三チャンバーＣＢ３の第一開口部５１との間には、ゲートバルブＶ２が設けられている。ゲートバルブＶ２は、不図示の駆動部によってＺ方向に移動可能に設けられている。ゲートバルブＶ２をＺ方向に移動させることで、第一チャンバーＣＢ１の第二開口部２２と第三チャンバーＣＢ３の第一開口部５１とが同時に開放又は閉塞される。第二開口部２２及び第一開口部５１が同時に開放されると、これら第二開口部２２と第一開口部５１との間で基板Ｓの移動が可能となる。
【０１１１】
第三チャンバーＣＢ３の第二開口部５２と第二チャンバーＣＢ２の開口部６１との間には、ゲートバルブＶ３が設けられている。ゲートバルブＶ３は、不図示の駆動部によってＺ方向に移動可能に設けられている。ゲートバルブＶ３をＺ方向に移動させることで、第三チャンバーＣＢ３の第二開口部５２と第二チャンバーＣＢ２の開口部６１とが同時に開放又は閉塞される。第二開口部５２及び開口部６１が同時に開放されると、これら第二開口部５２と開口部６１との間で基板Ｓの移動が可能となる。
【０１１２】
（制御装置）  
制御部ＣＯＮＴは、塗布装置ＣＴＲを統括的に制御する部分である。具体的には、基板供給回収部ＬＵ、塗布部ＣＴ、減圧乾燥部ＶＤ、焼成部ＢＫにおける動作、ゲートバルブＶ１〜Ｖ３の動作などを制御する。調整動作の一例として、制御部ＣＯＮＴは、気体濃度検出部ＳＲ１，ＳＲ２による検出結果に基づいて、気体供給部６８の供給量を調整する。制御部ＣＯＮＴは、処理時間の計測等に用いる不図示のタイマーなどを有している。
【０１１３】
（塗布方法）  
次に、本実施形態に係る塗布方法を説明する。本実施形態では、上記のように構成された塗布装置ＣＴＲを用いて基板Ｓ上に、金属を含む塗布膜を形成する。塗布装置ＣＴＲの各部で行われる動作は、制御部ＣＯＮＴによって制御される。
【０１１４】
制御部ＣＯＮＴは、まず、外部から基板供給回収部ＬＵに基板Ｓを搬入させる。この場合、制御部ＣＯＮＴは、ゲートバルブＶ１を閉塞された状態として、蓋部１４を開けて基板Ｓをチャンバー１０の収容室１０ａに収容させる。基板Ｓが収容室１０ａに収容された後、制御部ＣＯＮＴは、蓋部１４を閉じさせる。
【０１１５】
蓋部１４が閉じられた後、制御部ＣＯＮＴは、ゲートバルブＶ１を開放させ、チャンバー１０の収容室１０ａと塗布部ＣＴの第一チャンバーＣＢ１の処理室２０ａとを連通させる。ゲートバルブＶ１を開放させた後、制御部ＣＯＮＴは、基板搬送部１５を用いて基板ＳをＸ方向へ搬送する。
【０１１６】
第一チャンバーＣＢ１の処理室２０ａに基板Ｓの一部が挿入された後、制御部ＣＯＮＴは、基板搬送部２５を用いて基板Ｓを処理室２０ａに完全に搬入させる。基板Ｓが搬入された後、制御部ＣＯＮＴは、ゲートバルブＶ１を閉塞させる。制御部ＣＯＮＴは、ゲートバルブＶ１を閉塞させた後、基板Ｓを処理ステージ２８へと搬送する。
【０１１７】
図８〜図１２は、本実施形態に係る塗布装置ＣＴＲの塗布処理の過程を示す図である。
図８に示すように、基板Ｓが処理ステージ２８上に載置されると、塗布部ＣＴにおいて塗布処理が行われる。当該塗布処理に先立って、制御部ＣＯＮＴは、ゲートバルブＶ１及びＶ２が閉塞された状態とし、気体供給部３７ａ及び排気部３７ｂ（図１及び図２参照）を用いて不活性ガスの供給及び吸引を行わせる。
【０１１８】
この動作により、処理室２０ａの雰囲気及び圧力が調整される。処理室２０ａの雰囲気及び圧力の調整後、制御部ＣＯＮＴは、ノズル駆動部ＮＡ（図８では不図示）を用いてノズルＮＺをノズル待機部４４からノズル先端管理部４５へと移動させる。制御部ＣＯＮＴは、以後塗布処理の間、処理室２０ａの雰囲気及び圧力の調整動作を継続して行わせる。
【０１１９】
ノズルＮＺがノズル先端管理部４５に到達した後、制御部ＣＯＮＴは、図９に示すように、ノズルＮＺに対して予備吐出動作を行わせる。予備吐出動作では、制御部ＣＯＮＴは、吐出口ＯＰから液状体Ｑを吐出させる。予備吐出動作の後、制御部ＣＯＮＴは、図１０に示すように、払拭部４５ａをガイドレール４５ｂに沿ってＸ方向に移動させ、ノズルＮＺの先端ＴＰ及びその近傍の傾斜部を払拭させる。
【０１２０】
ノズルＮＺの先端ＴＰを払拭させた後、制御部ＣＯＮＴは、ノズルＮＺを処理ステージ２８へ移動させる。ノズルＮＺの吐出口ＯＰが基板Ｓの−Ｙ側端部に到達した後、制御部ＣＯＮＴは、図１１に示すように、ノズルＮＺを＋Ｙ方向に所定速度で移動させつつ、吐出口ＯＰから基板Ｓへ向けて液状体Ｑを吐出させる。この動作により、基板Ｓ上には液状体Ｑの塗布膜Ｆが形成される。
【０１２１】
基板Ｓの所定領域に液状体Ｑの塗布膜Ｆを形成した後、制御部ＣＯＮＴは、図１２に示すように、基板搬送部２５を用いて基板Ｓを処理ステージ２８から第二チャンバーＣＢ２へと＋Ｘ方向に移動させる。また、制御部ＣＯＮＴは、ノズルＮＺを−Ｙ方向へ移動させ、ノズル待機部４４へと戻す。
【０１２２】
図１３〜図１６は、本実施形態に係る塗布装置ＣＴＲの減圧乾燥処理の過程を示す図である。尚、本実施形態に係る減圧乾燥処理は、減圧乾燥部ＶＤにおいて気化した液状体の一部を回収する回収処理を含む。
【０１２３】
基板Ｓが第一チャンバーＣＢ１の第二開口部２２に到達した後、制御部ＣＯＮＴは、図１３に示すように、ゲートバルブＶ２を開放させ、基板Ｓを第一チャンバーＣＢ１から第二チャンバーＣＢ２へと搬送させる。尚、当該搬送ステップを行う際、基板Ｓは接続部ＣＮに配置される第三チャンバーＣＢ３を経由する。制御部ＣＯＮＴは、基板Ｓが第三チャンバーＣＢ３を通過する際に、当該基板Ｓに対して減圧乾燥部ＶＤを用いて乾燥処理を行わせる。具体的には、第三チャンバーＣＢ３の処理室５０ａに基板Ｓが収容された後、制御部ＣＯＮＴは、図１４に示すように、ゲートバルブＶ２を閉塞させる。
【０１２４】
ゲートバルブＶ２を閉塞させた後、制御部ＣＯＮＴは、昇降機構５３ａを用いて加熱部５３のＺ方向の位置を調整させる。その後、制御部ＣＯＮＴは、図１５に示すように、気体供給部５８を用いて処理室５０ａの雰囲気を調整させると共に、吸引部９１を用いて処理室５０ａを減圧させる。この動作により処理室５０ａが減圧すると、基板Ｓに形成された塗布膜Ｆに含まれる溶媒の蒸発が促進され、塗布膜Ｆが乾燥する。尚、制御部ＣＯＮＴは、吸引部９１を用いて処理室５０ａを減圧する減圧動作を行わせる間に、昇降機構５３ａを用いて加熱部５３のＺ方向の位置を調整させても構わない。
【０１２５】
また、制御部ＣＯＮＴは、図１５に示すように、加熱部５３を用いて基板Ｓ上の塗布膜Ｆを加熱する。この動作により、基板Ｓ上の塗布膜Ｆに含まれる溶媒の蒸発が促進され、減圧下での乾燥処理を短時間で行うことができる。制御部ＣＯＮＴは、加熱部５３によって加熱動作を行う間に、昇降機構５３ａを用いて加熱部５３のＺ方向の位置を調整させても構わない。
【０１２６】
回収処理において、制御部ＣＯＮＴは、図１５に示すように、吸引部９１を用いて処理室５０ａの気体を吸引させる。制御部ＣＯＮＴは、排圧調整部９２を用いて吸引部９１による吸引圧の排圧を低減させる。具体的に、排圧検出部９２ｂが排圧の大きさ及び吸引圧が生じるタイミングを含む情報を検出し、開閉制御部９２ｃが排圧検出部９２ｂによる検出結果に基づいて調整弁９２ａの開閉を制御する。
【０１２７】
その後、流通部９３は、吸引部９１によって吸引された処理室５０ａの気体を通過させる。この動作の際、温度調整部９４は、気体に含まれる気化した液状体が液化するように、流通部９３を流通する気体の温度を調整する。具体的に、冷媒流通管９４ａが直管状の流通部９３に沿って冷媒を流通させ、冷媒駆動部９４ｂが流通部９３を流れる気体の流通方向（−Ｚ方向）とは反対の方向（＋Ｚ方向）に冷媒を流す。この動作により、吸引部９１によって吸引された処理室５０ａの気体の液状化が促進される。
【０１２８】
そして、温度調整部９４によって液化された液状体は、貯留部９５（貯留タンク９５ａ）に貯留される。貯留量検出部９５ｂは、貯留タンク９５ａに貯留された液状体の量を検出する。排出制御部９５ｃは、貯留量検出部９５ｂの検出結果に応じて液状体を排出させる。
【０１２９】
例えば、排出制御部９５ｃは、図１５に示すように、貯留タンク９５ａに貯留された液状体の量が所定の量以下の場合には貯留タンク９５ａを接続部９７ｃに接続した状態とする制御を行う。排出制御部９５ｃは、図１６に示すように、貯留タンク９５ａに貯留された液状体の量が所定の量を超える場合に貯留タンク９５ａを接続部９７ｃから離脱させる制御を行い、貯留タンク９５ａから液状体を排出可能とする。
【０１３０】
減圧乾燥処理が行われた後、制御部ＣＯＮＴは、図１６に示すように、ゲートバルブＶ３を開放させ、基板Ｓを接続部ＣＮから第二チャンバーＣＢ２へと搬送させる。基板Ｓが第二チャンバーＣＢ２の処理室６０ａに収容された後、制御部ＣＯＮＴはゲートバルブＶ３を閉塞させる。
【０１３１】
図１７〜図２１は、本実施形態に係る塗布装置ＣＴＲの焼成処理の過程を示す図である。
基板支持部７２ａの移動により、図１７に示すように、基板Ｓが第一加熱板８３上の中央部に配置される。その後、制御部ＣＯＮＴは、図１８に示すように、リフト部８５を＋Ｚ方向に移動させる。この動作により、基板Ｓは搬送アーム７２の基板支持部７２ａから離れ、リフト部８５の複数の支持ピン８５ａに支持される。このようにして基板Ｓが基板支持部７２ａからリフト部８５へと渡される。基板Ｓがリフト部８５の支持ピン８５ａによって支持された後、制御部ＣＯＮＴは、基板支持部７２ａを加熱チャンバー７０の外部へ−Ｘ方向に退避させる。
【０１３２】
基板支持部７２ａを退避させた後、制御部ＣＯＮＴは、図１９に示すように、リフト部８５を−Ｚ方向に移動させると共に、第二収容部８２を−Ｚ方向に移動させる。この動作により、第二収容部８２の縁部８２ａが第一収容部８１の縁部８１ａに重なり、縁部８２ａと縁部８１ａとの間で封止部８６が挟まれた状態となる。このため、第一収容部８１、第二収容部８２及び封止部８６によって密閉された焼成室８０が形成される（収容ステップ）。
【０１３３】
焼成室８０を形成した後、制御部ＣＯＮＴは、図２０に示すように、リフト部８５を−Ｚ方向へ移動させて基板Ｓを第一加熱板８３上に載置させる。基板Ｓが第一加熱板８３上に載置された後、制御部ＣＯＮＴは、第二加熱板８４を−Ｚ方向に移動させ、第二加熱板８４と基板Ｓとを近づける。制御部ＣＯＮＴは、適宜第二加熱板８４のＺ方向の位置を調整させる。
【０１３４】
第二加熱板８４のＺ方向の位置を調整させた後、制御部ＣＯＮＴは、図２１に示すように、気体供給部８７を用いて焼成室８０に窒素ガスや硫化水素ガス、セレン化水素ガスを供給すると共に、排気部８８を用いて焼成室８０を吸引させる。この動作により、焼成室８０の雰囲気及び圧力が調整されると共に、第二収容部８２から第一収容部８１にかけて窒素ガス、硫化水素ガス、セレン化水素ガスの気流が形成される。窒素ガス、硫化水素ガス、セレン化水素ガスの気流が形成された状態で、制御部ＣＯＮＴは、第一加熱板８３及び第二加熱板８４を作動させ、基板Ｓの焼成動作を行わせる（加熱ステップ）。この動作により、基板Ｓの塗布膜Ｆから溶媒成分が蒸発すると共に、塗布膜Ｆに含まれる気泡などが除去される。また、窒素ガス、硫化水素ガス、セレン化水素ガスの気流により、塗布膜Ｆから蒸発した溶媒成分や気泡などが押し流され、排気部８８から吸引される。
【０１３５】
この基板Ｓの焼成動作において、制御部ＣＯＮＴは、加熱チャンバー７０内の気体のうち硫黄元素、セレン元素を含む所定気体（例、硫化水素ガス、セレン化水素ガス）の濃度を検出させる（検出ステップ）。制御部ＣＯＮＴは、この検出に際して、気体濃度検出部ＳＲ１、ＳＲ２を用いる。制御部ＣＯＮＴは、気体濃度検出部ＳＲ１、ＳＲ２は、気体供給部８７から焼成室８０に硫化水素ガス、セレン化水素ガスが供給された後、気体濃度検出部ＳＲ１、ＳＲ２を作動させ、この硫化水素ガス、セレン化水素ガスの濃度を検出させる。気体濃度検出部ＳＲ１、ＳＲ２では、硫化水素ガス、セレン化水素ガスの濃度を検出し、検出結果が制御部ＣＯＮＴに送信される。
【０１３６】
気体濃度検出部ＳＲ１により、基板Ｓのうち液状体Ｆが塗布された面に対向する位置で検出が行われるため、基板Ｓの周囲における硫化水素ガス、セレン化水素ガスの濃度が効率的に検出される。また、気体濃度検出部ＳＲ２により、接続管８８ｂから排気される気体に含まれる硫化水素ガス、セレン化水素ガスの濃度が検出されることとなる。
【０１３７】
制御部ＣＯＮＴは、検出結果に基づいて、加熱チャンバー７０内（焼成室８０内）の硫化水素ガス、セレン化水素ガスの濃度を調整する（調整ステップ）。この調整において、制御部ＣＯＮＴは、制御部ＣＯＮＴは、検出結果が予め設定された下限側の第一閾値を超えており、予め設定された上限側の第二閾値を下回る場合、上記のように硫化水素ガス、セレン化水素ガスの供給を継続しつつ、加熱動作を行わせる。
【０１３８】
一方、検出結果が第一閾値（下限側閾値）を下回る場合、制御部ＣＯＮＴは、気体供給部８７を用いて、加熱チャンバー７０内に硫化水素ガス、セレン化水素ガスを供給する（供給ステップ）。この供給ステップは、加熱チャンバー７０に供給されている硫化水素ガス、セレン化水素ガスの供給量を増加させることを含む。制御部ＣＯＮＴは、検出結果が当該第一閾値を超えるまで、硫化水素ガス、セレン化水素ガスの供給量を増加させたまま維持する。
【０１３９】
また、検出結果が第二閾値（上限側閾値）を超える場合には、気体供給部８７による硫化水素ガス、セレン化水素ガスの供給量を低下させる動作、硫化水素ガス、セレン化水素ガスの供給を停止させる動作、及び、排気部８８を用いて加熱チャンバー７０内の気体を排気させる動作、のいずれかを行わせることで、加熱チャンバー７０内の硫化水素ガス、セレン化水素ガスの濃度を低下させる。制御部ＣＯＮＴは、検出結果が当該第二閾値を下回るまで、硫化水素ガス、セレン化水素ガスの供給量の低下、供給の停止、排気（排気ステップ）の少なくとも１つを行わせる。
【０１４０】
尚、上記焼成動作においては、塗布膜Ｆに含まれる金属成分のうち少なくとも一種類の成分を融点以上まで加熱し、塗布膜Ｆの少なくとも一部を溶解させる。例えば、塗布膜ＦがＣＺＴＳ型の太陽電池に用いられる場合であれば、塗布膜Ｆを構成する成分のうち、Ｔｉ、Ｓ、Ｓｅについて融点以上まで加熱し、これらの物質を液状化させて塗布膜Ｆを凝集させる。その後、塗布膜Ｆが固形化する温度まで当該塗布膜Ｆを冷却する。塗布膜Ｆを固形化することで、当該塗布膜Ｆの強度が高められることになる。
【０１４１】
このような焼成動作が完了した後、制御部ＣＯＮＴは、基板Ｓを−Ｘ方向へ搬送させる。具体的には、加熱チャンバー７０から基板搬送部６５を経て焼成部ＢＫから搬出され、減圧乾燥部ＶＤ、塗布部ＣＴを経て基板供給回収部ＬＵへ戻される。基板Ｓが基板供給回収部ＬＵへ戻された後、制御部ＣＯＮＴは、ゲートバルブＶ１を閉塞させた状態で蓋部１４を開放させる。その後、作業者は、チャンバー１０内の基板Ｓを回収し、新たな基板Ｓをチャンバー１０の収容室１０ａに収容させる。
【０１４２】
尚、基板Ｓが基板供給回収部ＬＵへ戻された後、基板Ｓに形成された塗布膜Ｆ上に更に別の塗布膜を重ねて形成する場合、制御部ＣＯＮＴは、再度基板Ｓを塗布部ＣＴへ搬送させ、塗布処理、減圧乾燥処理及び焼成処理を繰り返して行わせる。このようにして基板Ｓ上に塗布膜Ｆが積層される。
【０１４３】
以上のように、本実施形態によれば、排圧調整部９２によって吸引部９１による吸引圧の排圧を低減させることで、吸引部９１で減圧乾燥部ＶＤの処理室５０ａを強い圧力で一気に減圧しても、強い排圧が急に発生することを抑制することができる。よって、吸引部９１に大きい負荷がかかることを抑制し、吸引部９１を保護することができる。
【０１４４】
また、排圧が所定の圧力を超える場合に調整弁９２ａが開状態となることで、吸引部９１に大きい負荷がかかることを確実に抑制することができる。例えば、所定の圧力を吸引部９１に大きい負荷がかかる排圧よりも小さい圧力に設定することで、吸引部９１に大きい負荷がかからないようにすることができる。よって、吸引部９１を十分に保護することができる。
【０１４５】
また、開閉制御部９２ｃにより、排圧検出部９２ｂの検出結果を用いて調整弁９２ａの開閉を調整することができるため、排圧の低減度合を調整する能力に優れた回収装置９０が得られる。
【０１４６】
また、排圧の大きさ及び吸引圧が生じるタイミングのうち少なくとも一方を含む情報を検出することで吸引部９１による吸引圧の排圧を低減させることができるため、吸引部９１に大きい負荷がかかることを確実に抑制することができる。よって、吸引部９１を十分に保護することができる。
【０１４７】
また、流通部９３が直管状に形成されることで、吸引部９１によって吸引された処理室５０ａの気体が流通部９３をスムーズに流れるため、減圧乾燥部ＶＤで気化した液状体の一部を効率的に回収することができる。
【０１４８】
また、温度調整部９４が、流通部９３に沿って配置され冷媒が流通可能な冷媒流通管９４ａと、冷媒流通管９４ａに冷媒を流通させる冷媒駆動部９４ｂと、を有することで、吸引部９１によって吸引された処理室５０ａの気体が流通部９３で冷やされて液状化されるため、減圧乾燥部ＶＤで気化した液状体の一部を効率的に回収することができる。
【０１４９】
また、冷媒駆動部９４ｂが、流通部９３を流れる気体の流通方向とは反対の方向に冷媒を流すように形成されることで、流通部９３を流れる気体を効率的に冷却することができるため、吸引部９１によって吸引された処理室５０ａの気体が液状化され易くなる。よって、減圧乾燥部ＶＤで気化した液状体の一部を効率的に回収することができる。
【０１５０】
また、貯留部９５が、貯留された液状体の量を検出する貯留量検出部９５ｂを有することで、貯留部９５（貯留タンク９５ａ）に貯留された液状体の量を正確に検出することができる。
【０１５１】
また、貯留部９５が、貯留量検出部９５ｂの検出結果に応じて液状体を排出させる排出制御部９５ｃを有することで、貯留部９５（貯留タンク９５ａ）に貯留される液状体の量を所定の量に維持することができる。そのため、貯留部９５（貯留タンク９５ａ）から液状体が溢れ出すことを抑制することができる。
【０１５２】
尚、液状体供給部３３を構成する第一液状体収容部３３ａ及び第二液状体収容部３３ｂとしては、同じ容器を繰り返し使用するリンク方式と、毎回新しい容器を使用するワンウエイ方式とを複合した、いわゆる複式格納型の容器（以下、単に容器と称する。）を用いてもよい。
【０１５３】
図２２は、本実施形態に係る容器２００の構成を示す図である。図２３は、本実施形態に係る容器２００の頂端部の断面分解組立図である。図２４は、本実施形態に係る容器２００の断面分解組立図である。
【０１５４】
図２２に示すように、容器２００は、バッグ２１２と、外側容器２１３と、を備える。バッグ２１２は、液体を注入可能に開口するネック部２１１を有する。外側容器２１３は、ネック部２１１を口部２１３ａで支持して、バッグ２１２を収容可能である。
【０１５５】
バッグ２１２は、不活性材料で形成される可撓性フィルムの袋体と、合成樹脂から構成されるネック部２１１と、で構成され、袋体の端部にネック部２１１が溶着されている。バッグ２１２は、予め洗浄されており、外側容器２１３に収容される。バッグ２１２から液体を排出した後に、ネック部２１１付きバッグ２１２を廃棄し、新たなネック部２１１付きバッグ２１２が外側容器２１３に収容される。容器２００は、外側容器２１３が繰り返し使用され、毎回新しいバッグが使用される複式格納型の容器である。
【０１５６】
例えば、外側容器２１３としては、底板と、輪帯を有する側壁と、中央が隆起した天板と、で構成されたスチール製のドラム缶を用いてもよい。尚、外側容器２１３は、口部２１３ａに雄ネジが形成され、成形され一対のハンドル（図示略）を設けることにより運搬を容易としてもよい。
【０１５７】
図２３に示すように、ネック部２１１の開口側にはフランジが形成される。一方、口部２１３ａの内壁には段差が設けられる。ネック部２１１のフランジが段差に係止することにより、ネック部２１１が口部２１３ａに支持される。
【０１５８】
バッグ２１２を外側容器２１３に収容し、バッグ２１２に装着されたネック部２１１を外側容器２１３の口部２１３ａに支持した後に、バッグ２１２は窒素又は圧縮空気によって膨張される。その後、バッグ２１２は、ネック部２１１の開口２１１ａから液体が注入される。
【０１５９】
容器２００は、リテーナ２１４と、液出しチューブ２１５と、を備える。リテーナ２１４は、口部２１３ａに保持される。リテーナ２１４の一端側には略筒状のヘッダ部２１４ａが設けられ、リテーナ２１４の他端側には筒部２１４ｂが設けられる。筒部２１４ｂは、リテーナ２１４の底部から突出するように設けられる。筒部２１４ｂには、筒部２１４ｂの一端から他端を貫通する貫通孔２１４ｃが形成される。ヘッダ部２１４ａは、リテーナ２１４の底面から隆起する。筒部２１４ｂは、ネック部２１１の開口２１１ａに嵌合される
【０１６０】
液出しチューブ２１５の一端側には、ヘッダ部２１４ａの頂面２４１に密着される鍔部２１５ａが設けられる。液出しチューブ２１５の他端側の部分は、リテーナ２１４の貫通孔２１４ｃに挿入される。液出しチューブ２１５には、液出しチューブ２１５の一端から他端まで延びる流体通路２１５ｂが形成される。バッグ２１２内の液体は、流体通路２１５ｂを通って排出される。
【０１６１】
リテーナ２１４の外径は、ネック部２１１の内径よりわずかに小さい。ネック部２１１にはリテーナ２１４が嵌合される。リテーナ２１４の一端側には、口部２１３ａの内径よりわずかに小さい外径を有するフランジが設けられる。このフランジにオーリング２２１が担持され、口部２１３ａが密封される（図２４参照）。
【０１６２】
図２２に示すように、リテーナ２１４は、蓋２１６が口部２１３ａに締結されることにより、ネック部２１１と共に口部２１３ａに保持される。図２３に示すように、リテーナ２１４の底部外壁と、口部２１３ａの底部内壁との間に間隙が形成され、ネック部２１１の底部に形成される複数の第一開口２１１ｂと、リテーナ２１４に形成される複数の第二開口２１４ｄとの間に気体を通過させることができる。
【０１６３】
図２３に示すように、ネック部２１１の開口２１１ａ内部にはオーリング２２２が担持される。図２４に示すように、オーリング２２２が筒部２１４ｂの外周に密着することにより、バッグ２１２内の気体を封止することができる。バッグ２１２内の気体が複数の第三開口２１５ｃに流通できるように、貫通孔２１４ｃと液出しチューブ２１５の外周には間隙が形成されている。
【０１６４】
複数の第一開口２１１ｂは、ネック部２１１の底部に形成され、外側容器２１３の内部とネック部２１１の内部とを連通する。複数の第二開口２１４ｄは、筒部２１４ｂの周囲からヘッダ部２１４ａの頂面２４１に連通する。複数の第三開口２１５ｃは、液出しチューブ２１５の鍔部２１５ａに形成され、口部２１３ａとリテーナ２１４の貫通孔２１４ｃ内部とを連通する。
【０１６５】
容器２００は、キャップ２１７を取り付けたとき、口部２１３ａから液体と気体のいずれも流出することを抑制する。一方、キャップ２１７を取り外したときは、液出しチューブ２１５内の液体が口部２１３ａに排出される前に、外側容器２１３内の気体及びバッグ２１２内の気体がそれぞれ第一開口２１１ｂ、第二開口２１４ｄ及び第三開口２１５ｃを通って口部２１３ａ外に逃げる。
【０１６６】
図２３に示すように、第一開口２１１ｂは、ネック部２１１の底部に形成される貫通孔である。第一開口２１１ｂは、筒部２１４ｂが挿入されるネック部２１１の開口２１１ａの周囲に形成される。図２４に示すように、第一開口２１１ｂは、外側容器２１３の内部空間と、リテーナ２１４と口部２１３ａとの間に形成される間隙とを実質的に連通する。第二開口２１４ｄは、筒部２１４ｂの周囲からヘッダ部２１４ａの頂面２４１に貫通するスリットであってもよい。第二開口２１４ｄは、筒部２１４ｂとヘッダ部２１４ａとの間に形成される。第二開口２１４ｄは、リテーナ２１４とネック部２１１との間に形成される間隙と、大気とを実質的に連通する。
【０１６７】
第三開口２１５ｃは、液出しチューブ２１５の鍔部２１５ａに形成される貫通孔である。第三開口２１５ｃは、鍔部２１５ａの上面からチューブの周囲に貫通する。鍔部２１５ａの下面にはオーリング２２３が担持される。オーリング２２３がヘッダ部２１４ａの頂面２４１に密着することにより、貫通孔２１４ｃを封止する。第三開口２１５ｃは、貫通孔２１４ｃの内壁と液出しチューブ２１５の外壁に形成された間隙と、大気とを実質的に連通する。
【０１６８】
キャップ２１７は、口部２１３ａに備わる蓋２１６に螺合する。キャップ２１７は、キャップ本体２１７ａと、ブッシュ２１７ｂと、を有する。キャップ本体２１７ａは、蓋２１６に螺合する。ブッシュ２１７ｂは、キャップ本体２１７ａの内部に突出する。ブッシュ２１７ｂは、鍔部２１５ａの表面に密着して流体通路２１５ｂからの通気を封止するオーリング２７１を備える。キャップ本体２１７ａは、金属体から構成される。
【０１６９】
図２２に示すように、キャップ本体２１７ａの内周には、蓋２１６に螺合する雄ねじが設けられる。キャップ２１７を締めたときに、キャップ本体２１７ａの内壁は、リテーナ２１４の頂面に当接する。キャップ本体２１７ａは、バッグ２１２に収容される液体が化学変化しないように、遮光性を有する。ブッシュ２１７ｂは、バッグ２１２に収容される液体に触れても腐食しないように、耐食性を有する。
【０１７０】
図２４に示すように、ブッシュ２１７ｂの一端側の部分は、キャップ本体２１７ａに圧入される。ブッシュ２１７ｂの他端側の部分は、キャップ本体２１７ａの内部に突出する。ブッシュ２１７ｂの他端側の部分の先端面には、オーリング２７１が担持される。オーリング２７１は、鍔部２１５ａの表面に密着して流体通路２１５ｂからの液体と気体のいずれも流出することを抑制する。
【０１７１】
図２２及び図２４に示すように、キャップ本体２１７ａの側周には、蓋２１６との螺合を解除すると、液出しチューブ２１５内の液体がそれぞれ第一開口２１１ｂ、第二開口２１４ｄ及び第三開口２１５ｃを通って口部２１３ａ外に逃げる複数の通気孔２７２が形成される。キャップ本体２１７ａの側周に通気孔２７２が形成されることにより、キャップ２１７を緩めたときに、オーリング２７１と鍔部２１５ａの表面との密着が解除され、少なくとも複数の第三開口２１５ｃ内の気体が通気孔２７２から外部に排出される。これにより、液出しチューブ２１５内の液体が噴出することを抑制できる。
【０１７２】
図２２に示すように、キャップ２１７を取り外したときは、液出しチューブ２１５内の液体が口部２１３ａに排出される前に、外側容器２１３内の気体及びバッグ２１２内の気体がそれぞれ第一開口２１１ｂ、第二開口２１４ｄ及び第三開口２１５ｃを通って口部２１３ａ外に逃げる。そのため、液出しチューブ２１５内の液体が口部２１３ａ外へ排出されることを抑制することができる。
【０１７３】
容器２００は、液出しチューブ２１５内の気体と外側容器２１３内の気体及びバッグ２１２内の気体とがキャップ２１７で個別に封止される。キャップ２１７を取り外したときは、液出しチューブ２１５内の圧力、外側容器２１３内の圧力及びバッグ２１２内の圧力は直ちに大気圧と一致する。そのため、液出しチューブ２１５内の液体が口部２１３ａ外へ排出されることを抑制することができる。
【０１７４】
図２３に示すように、液出しチューブ２１５には、鍔部２１５ａを有する一端側から他端側に至る途中でチューブ２５１が接合される。例えば、液出しチューブ２１５とチューブ２５１とは超音波振動で熱溶着される。
【０１７５】
容器２００は、キャップ２１７を取り外して、ディスペンサ（図示略）を接続することにより、容器２００内の液体を分配することができる。容器２００は、破断可能なシールを用いることなく、ディスペンサをワンタッチで接続することができる、いわゆるクイックコネクタを実現することができる。
【０１７６】
（第二実施形態）
次に、本発明の第二実施形態について、図２５を用いて説明する。
図２５は、本発明の第二実施形態に係る回収装置９０Ａの構成を示す図である。
第二実施形態では、第一実施形態に対して、排圧調整部が接続部に複数（本実施形態では二つ）設けられている点で特に異なる。図２５において、第一実施形態と同一構成には同一符号を付し、その詳細な説明は省略する。
【０１７７】
図２５に示すように、回収装置９０Ａは、吸引部９１、第一接続部９６Ａ、第二接続部９６Ｂ、第一排圧調整部９２Ａ、第二排圧調整部９２Ｂ、流通部９３、温度調整部９４、接続部９７ａ、フィルタ９８、接続部９７ｂ、サイレンサ９９、接続部９７ｃ及び貯留部９５を有している。
【０１７８】
第一接続部９６Ａ及び第二接続部９６Ｂの各々は、気体が流通するように吸引部９１と流通部９３との間を接続する。第一接続部９６Ａには、第一排圧調整部９２Ａが設けられている。第二接続部９６Ｂには、第二排圧調整部９２Ｂが設けられている。
【０１７９】
第一排圧調整部９２Ａ及び第二排圧調整部９２Ｂの各々は、吸引部９１による吸引圧の排圧を低減させる。第一排圧調整部９２Ａは、第一調整弁９２ａ１、第一排圧検出部９２ｂ１及び第一開閉制御部９２ｃ１を有している。第二排圧調整部９２Ｂは、第二調整弁９２ａ２、第二排圧検出部９２ｂ２及び第二開閉制御部９２ｃ２を有している。
【０１８０】
第一調整弁９２ａ１及び第二調整弁９２ａ２の各々は、排圧が所定の圧力を超える場合に開状態となる。第一排圧検出部９２ｂ１及び第二排圧検出部９２ｂ２の各々は、排圧に関する情報を検出する。
【０１８１】
第一開閉制御部９２ｃ１は、第一排圧検出部９２ｂ１による検出結果に基づいて第一調整弁９２ａ１の開閉を制御する。第二開閉制御部９２ｃ２は、第二排圧検出部９２ｂ２による検出結果に基づいて第二調整弁９２ａ２の開閉を制御する。
【０１８２】
以上のように、本実施形態によれば、第一排圧調整部９２Ａ及び第二排圧調整部９２Ｂによって吸引部９１による吸引圧の排圧を二か所で低減させることができる。そのため、吸引部に大きい負荷がかかることを確実に抑制することができる。よって、吸引部を十分に保護することができる。
【０１８３】
尚、本実施形態においては、二つの排圧調整部が接続部に設けられている構成を例に挙げて説明したが、これに限られることは無い。例えば、三つ以上の排圧調整部が接続部に設けられていてもよい。
【０１８４】
（第三実施形態）
次に、本発明の第三実施形態について、図２６を用いて説明する。
図２６は、本発明の第三実施形態に係る回収装置９０Ｂの構成を示す図である。
第三実施形態では、第一実施形態に対して、液状体循環部１００を更に備える点で特に異なる。図２６において、第一実施形態と同一構成には同一符号を付し、その詳細な説明は省略する。
【０１８５】
図２６に示すように、液状体循環部１００は、基板Ｓに液状体を塗布する塗布部（塗布装置）ＣＴに設けられた液状体供給部（液状体の供給源）３３に、貯留部９５（貯留タンク９５ａ）に貯留された液状体を戻す。
【０１８６】
液状体循環部１００は、駆動部１０１と、接続管１０２と、を有している。接続管１０２は、貯留タンク９５ａと液状体供給部３３とを接続する。駆動部１０１は、接続管１０２に液状体を流通させる。駆動部１０１は、貯留タンク９５ａに貯留された液状体を液状体供給部３３に向けて流すように構成されている。
【０１８７】
以上のように、本実施形態によれば、液状体循環部１００によって回収された液状体が塗布部ＣＴの液状体供給部３３に戻されるため、回収した液状体を塗布液として再利用することができる。
【０１８８】
本発明の技術範囲は上記実施形態に限定されるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲で適宜変更を加えることができる。  
例えば、上記実施形態では、加熱チャンバー７０内（焼成室８０内）の硫化水素ガス、セレン化水素ガスの濃度の調整において、制御部ＣＯＮＴは、検出結果が第一閾値を下回る場合に、加熱チャンバー７０内に供給する硫化水素ガス、セレン化水素ガスの供給量を増加させる動作を例に挙げて説明したが、これに限られることはない。
【０１８９】
図２７は、焼成処理の一工程を示す図である。図２７に示すように、制御部ＣＯＮＴは、固体供給部８９を用いて、加熱チャンバー７０の内部に硫黄、セレンの単体を含む固体を供給させてもよい（供給ステップ）。この場合、加熱チャンバー７０の内部に供給された固体に含まれる硫黄、セレンは、加熱チャンバー７０内の熱によって昇華し、雰囲気中の硫黄元素濃度、セレン元素濃度の向上に寄与することとなる。
【０１９０】
また、例えば、上記実施形態では、加熱チャンバー７０の内部に気体濃度検出部ＳＲ１、ＳＲ２が配置された構成を例に挙げて説明したが、これに限られることはない。例えば、加熱チャンバー７０のうち所定位置の気体を加熱チャンバー７０の外部に排気し、排気された気体に含まれる硫化水素やセレン化水素の濃度を検出する構成であってもよい。
【０１９１】
また、例えば、上記実施形態では、焼成部ＢＫに配置された加熱チャンバー７０に気体濃度検出部ＳＲ１、ＳＲ２が配置された構成を例に挙げて説明したが、これに限られることはない。例えば、第一チャンバーＣＢ１と第二チャンバーＣＢ２とを接続する第三チャンバーＣＢ３に、上記気体濃度検出部ＳＲ１、ＳＲ２と同一構成の気体濃度検出部が配置された構成であってもよい。この場合、減圧乾燥部ＶＤによる加熱時に雰囲気中の硫化水素ガス、セレン化水素ガスの濃度の検出、当該濃度の調整を行うようにすればよい。
【０１９２】
また、例えば、気体濃度検出部ＳＲ１、ＳＲ２と同一構成の気体濃度検出部が、第一チャンバーＣＢ１の内部に配置された構成であってもよい。塗布部ＣＴによって塗布処理を行う際、カルコゲン元素を含む気体（例、硫化水素ガス、セレン化水素ガスなど）が発生する場合がある。したがって、塗布処理時においても、基板周囲の環境の変化を検知することが望ましい。
【０１９３】
この場合、気体濃度検出部は、基板Ｓが第一チャンバーＣＢ１に収容され（第一収容ステップ）、塗布部ＣＴによって基板Ｓに対して液状体の塗布処理が行われる（第一処理ステップ）場合において、塗布処理時に雰囲気中の硫化水素ガス、セレン化水素ガスの濃度を検出（検出ステップ）することが可能である。
【０１９４】
気体濃度検出部の位置は、例えばノズルＮＺの移動経路に沿った位置や、不図示の排気口を設けることで当該排気口又はその近傍の位置とすることができる。また、例えば、気体濃度検出部の位置が、液状体供給部３３と廃液貯留部３５との間の位置や、ノズル待機部４４の＋Ｘ側又は−Ｘ側の位置であってもよい。また、気体濃度検出部は、第一チャンバーＣＢ１の外部（例、外壁）に配置されていてもよい。
【０１９５】
尚、気体濃度検出部は、第一チャンバーＣＢ１、第二チャンバーＣＢ２（加熱チャンバー７０）及び第三チャンバーＣＢ３の内部のうち、少なくとも一つのチャンバー内に設けられた構成としてもよい。この場合、塗布処理、減圧乾燥処理及び加熱処理のうち少なくとも一つの処理時において、雰囲気中の硫化水素ガス、セレン化水素ガスの濃度の検出（検出ステップ）を行うことができ、当該濃度の調整を行うことができる。
【０１９６】
また、上記実施形態においては、第二チャンバーＣＢ２の焼成部ＢＫにおいて焼成動作を行わせる構成を例に挙げて説明したが、これに限られることは無い。例えば、図２８に示すように、第二チャンバーＣＢ２とは異なる位置に別途第四チャンバーＣＢ４が設けられ、当該第四チャンバーＣＢ４に設けられる加熱部ＨＴによって基板Ｓを加熱する構成であっても構わない。
【０１９７】
この場合、例えば基板Ｓに塗布膜Ｆを積層させた後、第四チャンバーＣＢ４の加熱部ＨＴにおいて、積層された塗布膜Ｆを焼成するための加熱処理（第二加熱ステップ）を行うようにすることができる。第二加熱ステップにおける加熱処理では、焼成部ＢＫによる加熱処理よりも高い加熱温度で塗布膜Ｆを加熱する。この加熱処理により、積層された塗布膜Ｆの固形分（金属成分）を結晶化させることができるので、塗布膜Ｆの膜質を更に高めることができる。
【０１９８】
尚、基板Ｓに塗布膜Ｆを積層させた後の加熱については、第二チャンバーＣＢ２の焼成部ＢＫにおいて行うようにしても構わない。この場合、焼成部ＢＫでは、塗布膜Ｆの各層を焼成する場合の加熱温度よりも、積層させた後の塗布膜Ｆを焼成する場合の加熱温度の方が高くなるように制御すれば良い。
【０１９９】
ここで、第四チャンバーＣＢ４内に上記実施形態に記載の気体濃度検出部ＳＲ１、ＳＲ２と同一構成の気体濃度検出部ＳＲ３が設けられた構成とすることができる。この場合、第四チャンバーＣＢ４内における加熱時に気体濃度検出部ＳＲ３によって硫化水素、セレン化水素の濃度を検出させることができる。また、気体濃度検出部ＳＲ３の検出結果に基づいて、第四チャンバーＣＢ４の雰囲気を調整することもできる。
【０２００】
また、上記実施形態では、第三チャンバーＣＢ３内において基板Ｓと加熱部５３との距離を調整する昇降機構５３ａが加熱部５３を移動させる構成を例に挙げて説明したが、これに限られることは無い。例えば、昇降機構５３ａが加熱部５３のみならず、基板ＳをＺ方向に移動可能な構成であっても構わない。また、昇降機構５３ａが基板ＳのみをＺ方向に移動させる構成であっても構わない。
【０２０１】
また、上記実施形態では、減圧乾燥部ＶＤにおいて、基板Ｓの−Ｚ側（鉛直方向下側）に加熱部５３が配置された構成を例に挙げて説明したが、これに限られることは無く、例えば加熱部５３が基板Ｓの＋Ｚ側（鉛直方向上側）に配置された構成であっても構わない。また、昇降機構５３ａを用いて、基板Ｓの−Ｚ側の位置と基板Ｓの＋Ｚ側の位置との間を移動可能な構成としても構わない。この場合、加熱部５３の形状として、基板搬送部５５を構成する複数のローラー５７を通過可能な構成（例えば、加熱部５３に開口部が設けられている、など）となっていれば良い。
【０２０２】
また、塗布装置ＣＴＲの構成として、例えば図２９に示すように、基板供給回収部ＬＵの＋Ｘ側に、塗布部ＣＴを有する第一チャンバーＣＢ１、減圧乾燥部ＶＤを有する接続部ＣＮ及び焼成部ＢＫを有する第二チャンバーＣＢ２が繰り返して配置された構成であっても構わない。
【０２０３】
図２９では、第一チャンバーＣＢ１、接続部ＣＮ及び第二チャンバーＣＢ２が３回繰り返して配置された構成が示されているが、これに限られることは無く、第一チャンバーＣＢ１、接続部ＣＮ及び第二チャンバーＣＢ２が２回繰り返して配置された構成や、第一チャンバーＣＢ１、接続部ＣＮ及び第二チャンバーＣＢ２が４回以上繰り返して配置された構成であっても構わない。
【０２０４】
このような構成によれば、第一チャンバーＣＢ１、接続部ＣＮ及び第二チャンバーＣＢ２がＸ方向に直列に繰り返し設けられているため、基板Ｓを一方向（＋Ｘ方向）に搬送すれば良く、基板ＳをＸ方向に往復させる必要が無いため、基板Ｓに対して塗布膜を積層する工程を連続して行うことができる。これにより、基板Ｓに対して効率的に塗布膜を形成することができる。
【０２０５】
尚、上述した例において示した各構成部材の諸形状や組み合わせ等は一例であって、設計要求等に基づき種々変更可能である。例えば、上記実施形態においては、塗布部ＣＴの構成として、スリット型のノズルＮＺを用いた構成としたが、これに限られることは無く、例えば中央滴下型の塗布部を用いても構わないし、インクジェット型の塗布部を用いても構わない。また、例えば基板Ｓ上に配置される液状体をスキージなどを用いて拡散させて塗布する構成であっても構わない。
【０２０６】
また、例えば、上記塗布装置ＣＴＲを用いた処理を行う場合、第一チャンバーＣＢ１、第二チャンバーＣＢ２、第三チャンバーＣＢ３、加熱チャンバー７０を含むチャンバー装置の少なくとも１つにおいて、動作時の所定のタイミング（例えば、チャンバー装置への基板Ｓの搬入前、搬出後、ノズルＮＺによる液状体Ｑの吐出前、吐出後、加熱部５３による加熱前、加熱後、第一加熱板８３、第二加熱板８４による加熱前、加熱後など、各チャンバーにおける処理の前後を含む）又は非動作時に、必要に応じてメンテナンス処理や、チャンバー装置の周囲又は内部の状態を所定状態（例えば、初期状態、所定の雰囲気の状態、所定の温度状態など）にするための処理（例えば、構造物の移動、クリーニング、雰囲気調整、温度調整など）を適宜行ってもよい。
【０２０７】
また、上記メンテナンス処理、上記所定状態にするための各処理等を行う場合には、例えば洗浄液などを用いた洗浄を行ってもよいし、気体供給部５８、気体供給部８７あるいはこれらに対応する構成を用いて、窒素ガス、酸素ガス、アルゴンガス、空気、水蒸気などの各種ガスのうち少なくとも１つのガスあるいは他の種類のガスを適宜各チャンバー装置の周囲又は内部に供給してもよい。また、必要に応じて搬送系（例えば、ローラー、アームなど）を適宜作動させるようにしてもよい。
【０２０８】
また、上記実施形態において、塗布装置ＣＴＲが一つの部屋に収容される構成である場合、当該部屋の雰囲気を調整する気体供給排出部が設けられた構成であっても構わない。この場合、当該気体供給排出部を用いて部屋の雰囲気中のヒドラジンなどを排出することができるため、部屋全体の雰囲気の清浄化を行うことができ、より確実に塗布環境の変化を抑制することができる。
【０２０９】
尚、上記において実施形態又はその変形例として記載した各構成要素は、本発明の趣旨を逸脱しない範囲で適宜組み合わせることができるし、また、組み合わされた複数の構成要素のうち一部の構成要素を適宜用いないようにすることもできる。
【符号の説明】
【０２１０】
ＣＴＲ…塗布装置（基板処理装置）  Ｓ…基板  ＣＴ…塗布部（塗布装置）  ＶＤ…減圧乾燥部（圧力調整装置）  Ｑ…液状体  Ｆ…塗布膜  ３３…液状体供給部（液状体の供給源）  ５０ａ…処理室（収容室）  ９０…回収装置  ９１…吸引部  ９２…排圧調整部  ９２Ａ…第一排圧調整部（排圧調整部）  ９２Ｂ…第二排圧調整部（排圧調整部）  ９２ａ…調整弁  ９２ｂ…排圧検出部  ９２ｃ…開閉制御部  ９３…流通部  ９４…温度調整部  ９４ａ…冷媒流通管  ９４ｂ…冷媒駆動部  ９５…貯留部  ９５ｂ…貯留量検出部  ９５ｃ…排出制御部  ９６…接続部  １００…液状態循環部
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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【図２５】
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【図２６】
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【図２７】
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【図２８】
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【図２９】
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