(57)【要約】【課題】スクリーン印刷法を用いて形成され、表面粗さＲａが十分に小さい反射膜を有する生産性に優れた有機ＥＬ素子およびその製造方法、有機ＥＬ素子を備える表示装置を提供する。【解決手段】第１電極５と、第２電極７と、第１電極５と第２電極７との間に配置された有機エレクトロルミネッセンス積層膜６と、金属粒子を含有するペーストを固化してなる表面粗さＲａが３ｎｍ以下の反射膜５とを有する有機エレクトロルミネッセンス素子６０とする。金属粒子は、銀からなるものとすることができる。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１電極と、第２電極と、前記第１電極と前記第２電極との間に配置された有機エレクトロルミネッセンス積層膜と、金属粒子を含有するペーストを固化してなる表面粗さＲａが３ｎｍ以下の反射膜とを有することを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子。
【請求項２】
前記金属粒子が、銀からなるものであることを特徴とする請求項１に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
【請求項３】
前記反射膜が、前記第１電極として機能することを特徴とする請求項１または請求項２に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
【請求項４】
請求項１〜請求項３のいずれか一項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法であり、
金属粒子を含有するペーストからなるインクをスクリーン印刷して固化させて金属膜を形成する印刷工程と、
前記金属膜の表面にコロイダルシリカを含むスラリーを供給して、前記金属膜を研磨することにより、表面粗さＲａが３ｎｍ以下の反射膜を形成する研磨工程とを含むことを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法。
【請求項５】
前記金属粒子が、銀からなるものであることを特徴とする請求項４に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法。
【請求項６】
前記コロイダルシリカは、１０〜３００ｎｍの範囲内で粒径が異なる複数の種類を含むことを特徴とする請求項４または請求項５に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法。
【請求項７】
請求項１〜請求項３のいずれか一項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子を備えることを特徴とする表示装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、有機エレクトロルミネッセンス素子（以下、エレクトロルミネッセンス（電界発光）を「ＥＬ」と記す）およびその製造方法、表示装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、有機ＥＬ素子を備える表示装置では、有機ＥＬ素子の光取り出し効率を向上させることが要求されている。この要求に対応する方法の一つとして、反射膜を有する有機ＥＬ素子を用いた表示装置がある。このような表示装置では、有機ＥＬ素子の発光した光のうち、光取り出し面と反対側に向かう光を反射膜に反射させることで、光取り出し効率を向上させている。
特許文献１には、有機ＥＬ素子として、反射率の高い材料で構成されている下部電極と、当該下部電極上に順次積層された有機層および上部電極を備えるものが記載されている。
【０００３】
有機ＥＬ素子に備えられている反射膜は、通常、スパッタリング法を用いて形成されている。スパッタリング法を用いて形成した反射膜は、表面粗さＲａが小さく、優れた光反射機能を有している。しかし、このような反射膜では、有機ＥＬ素子の生産性を向上させるために、効率よく形成することが要求されている。
【０００４】
従来、金属膜を形成する方法として、金属粒子を含有するペーストからなるインクを、スクリーン印刷して固化させるスクリーン印刷法がある。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２００６−５８８１４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
有機ＥＬ素子に備えられる反射膜の形成方法として、スクリーン印刷法を用いることで、効率よく反射膜を形成できる。しかし、スクリーン印刷法を用いて形成した反射膜は、表面粗さＲａが大きいため、有機ＥＬ素子の反射膜としてそのまま用いることは困難であった。具体的には、反射膜の表面粗さＲａが大きいため、有機ＥＬ素子に備えられる反射膜としての光反射機能が十分に得られなかった。また、スクリーン印刷法を用いて形成した反射膜上に有機ＥＬ積層膜を形成すると、反射膜上の凹凸が有機ＥＬ積層膜を突き抜けてしまう場合があった。
【０００７】
スクリーン印刷法を用いて形成した反射膜の表面粗さＲａを小さくする方法として、反射膜の表面を研磨することが考えられる。しかし、従来の研磨方法を用いて反射膜の表面を研磨しても、表面粗さＲａを十分に小さくすることはできなかった。また、従来の研磨方法では、研磨工程を行うことによって、電極として用いた場合に非発光部の原因となる傷が形成されてしまう場合があった。
このため、スクリーン印刷法を用いて効率よく形成され、しかも表面粗さＲａが小さく、優れた光反射機能を有する反射膜を備える有機ＥＬ素子および、これを備える表示装置を実現することが要求されていた。
【０００８】
本発明は、上記の事情に鑑みてなされたものであり、スクリーン印刷法を用いて形成され、表面粗さＲａが十分に小さい反射膜を有する生産性に優れた有機ＥＬ素子およびその製造方法を提供することを課題とする。
また、本発明は、スクリーン印刷法を用いて形成された表面粗さＲａの十分に小さい反射膜を有する有機ＥＬ素子を備える表示装置を提供することを課題とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明者は、上記課題を解決すべく、スクリーン印刷法を用いて形成された反射膜の表面を研磨して、電極として用いた場合に非発光部の原因となる傷を発生させることなく、表面粗さＲａを十分に小さくする方法について検討を重ねた。
その結果、スクリーン印刷法を用いて形成した反射膜の表面を、コロイダルシリカを含むスラリーを用いて研磨することで、電極として用いた場合に非発光部の原因となる傷を発生させることなく、表面粗さＲａが３ｎｍ以下で優れた光反射機能を有する反射膜が得られることを見出し、本発明を想到した。
【００１０】
すなわち、本発明は、以下の発明に関わるものである。
（１）  第１電極と、第２電極と、前記第１電極と前記第２電極との間に配置された有機エレクトロルミネッセンス積層膜と、金属粒子を含有するペーストを固化してなる表面粗さＲａが３ｎｍ以下の反射膜とを有することを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子。
（２）前記金属粒子が、銀からなるものであることを特徴とする（１）に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
（３）前記反射膜が、前記第１電極として機能することを特徴とする（１）または（２）に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
【００１１】
（４）（１）〜（３）のいずれかに記載の有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法であり、金属粒子を含有するペーストからなるインクをスクリーン印刷して固化させて金属膜を形成する印刷工程と、前記金属膜の表面にコロイダルシリカを含むスラリーを供給して、前記金属膜を研磨することにより、表面粗さＲａが３ｎｍ以下の反射膜を形成する研磨工程とを含むことを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法。
（５）前記金属粒子が、銀からなるものであることを特徴とする（４）に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法。
（６）前記コロイダルシリカは、１０〜３００ｎｍの範囲内で粒径が異なる複数の種類を含むことを特徴とする（４）または（５）に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法。
【００１２】
（７）（１）〜（３）のいずれかに記載の有機エレクトロルミネッセンス素子を備えることを特徴とする表示装置。
【発明の効果】
【００１３】
本発明の有機ＥＬ素子は、金属粒子を含有するペーストを固化してなる反射膜を有するものである。したがって、本発明の有機ＥＬ素子の有する反射膜は、スクリーン印刷法を用いて金属膜を形成し、得られた金属膜の表面を研磨することにより形成できる。このため、例えば、スパッタリング法を用いて反射膜を形成する場合と比較して、容易に効率よく形成できる。よって、本発明の有機ＥＬ素子は、生産性に優れている。しかも、本発明の有機ＥＬ素子の有する反射膜は、表面粗さＲａが３ｎｍ以下であるので、優れた光反射機能を有している。よって、本発明の有機ＥＬ素子は、良好な光取り出し効率が得られるものである。
【００１４】
本発明の有機ＥＬ素子の製造方法は、金属粒子を含有するペーストからなるインクをスクリーン印刷して固化させて金属膜を形成する印刷工程と、金属膜の表面にコロイダルシリカを含むスラリーを供給して、前記金属膜を研磨することにより、表面粗さＲａが３ｎｍ以下の反射膜を形成する研磨工程とを有する。したがって、本発明の有機ＥＬ素子の製造方法によれば、研磨工程において、電極として用いた場合に非発光部の原因となる傷を発生させることなく、表面粗さＲａが３ｎｍ以下の反射膜を有する有機ＥＬ素子を効率よく製造できる。
【図面の簡単な説明】
【００１５】
【図１】図１は、本発明の有機ＥＬ素子を備えた本発明の表示装置の一例を説明するための概略断面図である。
【図２】図２は、図１に示す表示装置の製造方法を説明するための工程図である。
【図３】図３は、図１に示す表示装置の製造方法を説明するための工程図である。
【図４】図４は、図１に示す表示装置の製造方法を説明するための工程図である。
【図５】図５は、図１に示す表示装置の製造方法を説明するための工程図である。
【図６】図６は、本発明の有機ＥＬ素子を備えた本発明の表示装置の他の例を説明するための概略断面図である。
【図７】図７は、図６に示す表示装置の製造方法を説明するための工程図である。
【図８】図８は、図６に示す表示装置の製造方法を説明するための工程図である。
【図９】図９は、図６に示す表示装置の製造方法を説明するための工程図である。
【図１０】図１０（ａ）は実施例１のテスト用素子の平面図であり、図１０（ｂ）は実施例１のテスト用素子の断面図である。
【図１１】図１１は、実施例１で作製した反射膜の表面を、光学顕微鏡を用いて観察した写真である。
【図１２】図１２は、実施例１で作製した反射膜表面を、原子間力顕微鏡（ＡＦＭ）を用いて観察した結果を示した写真である。
【図１３】図１３は、比較例１で作製した反射膜の表面を、光学顕微鏡を用いて観察した写真である。
【図１４】図１４は、比較例１で作製した反射膜表面を、原子間力顕微鏡（ＡＦＭ）を用いて観察した結果を示した写真である。
【図１５】図１５（ａ）は、実施例１のテスト用素子の非発光時の表面の写真であり、図１５（ｂ）は発光時の表面の写真である。
【図１６】図１６（ａ）は、比較例１のテスト用素子の非発光時の表面の写真であり、図１６（ｂ）は発光時の表面の写真である。
【発明を実施するための形態】
【００１６】
以下、本発明の有機ＥＬ素子、表示装置、有機ＥＬ素子の製造方法について、例を挙げて詳細に説明する。なお、本発明の技術範囲は、以下に示す実施形態に限定されるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲において種々の変更を加えることが可能である。
【００１７】
「第１実施形態」
図１は、本発明の有機ＥＬ素子を備えた本発明の表示装置の一例を説明するための概略断面図である。図１に示す表示装置１０は、図１において矢印で示されるように、有機ＥＬ素子６０の発光層６ｂからの光を上方に取り出すものである。図１に示す表示装置１０は、スイッチング用ＴＦＴ（薄膜トランジスタ）８ａと駆動用ＴＦＴ（薄膜トランジスタ）８ｂとを有する駆動回路８の形成されている層と、表示装置１０の光取り出し面との間に、有機ＥＬ素子６０が配置されているトップエミッション方式の表示装置である。
【００１８】
図１において、符号１は基板を示し、符号３はビアを示している。図１に示すように、基板１の裏面１ｂ上（図１における下面）には、駆動回路８が形成されている。駆動回路８の基板１と反対側の面（下面）は、駆動回路８を覆う絶縁膜１１によって平坦化されている。絶縁膜１１の下面は、封止層１２に覆われている。また、図１に示すように、基板１の表面１ａ上（図１における上面）には、有機ＥＬ素子６０が形成されている。有機ＥＬ素子６０上には、封止層９が形成されている。
【００１９】
基板１としては、特に限定されないが、例えば、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）フィルム、ポリカーボネートフィルム、ポリアクリレートフィルム、ポリエチレンテレフタレートフィルム、ポリエーテルスルフォンフィルム、ポリイミドフィルムなどの樹脂フィルム基板からなるフレキシブル基板を用いることができる。
基板１に用いられる樹脂フィルム基板としては、必要に応じて、駆動回路８の形成されている側の面に、酸化珪素、酸窒化珪素、窒化珪素のいずれか一種からなる無機膜と、有機膜との複合積層膜などからなるバリア層（不図示）が設けられているものを用いてもよい。
【００２０】
ビア３は、基板１を貫通する貫通孔２に充填された導電材料からなるものである。図１に示すビア３は、駆動回路８の接続配線４ａと電気的に接続されているとともに、有機ＥＬ素子６０の反射膜５と電気的に接続されている。
【００２１】
駆動回路８は、図１に示すように、基板１の裏面１ｂ上に形成されている。本実施形態においては、駆動回路８として、アクティブマトリクス方式の駆動方式であるものが備えられている。駆動回路８では、画素スイッチング用の素子として、薄膜トランジスタ（ＴＦＴ：Ｔｈｉｎ Ｆｉｌｍ Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）が用いられている。より詳細には、駆動回路８は、スイッチング用ＴＦＴ８ａと、駆動用ＴＦＴ８ｂと、配線４とを備えている。図１に示すスイッチング用ＴＦＴ８ａ、駆動用ＴＦＴ８ｂ、配線４は、マトリクス状に配置された各画素に対応して配置されている。
【００２２】
配線４は、ビア３に接続された接続配線４ａと、走査線と、信号線と、電源線とを含む多層配線構造を有するものである。本実施形態においては、配線４のうち、ビア３に接続された接続配線４ａが、有機ＥＬ素子６０に駆動電流を供給する電源線の一部となっている。
配線４は、銀、アルミニウム、銅、およびそれらの合金などの導電材料からなるものである。配線４は、全て同一の材料からなるものであってもよいし、多層配線構造の各層毎または配線の機能（走査線、信号線、電源線）毎に異なる材料からなるものであってもよい。
【００２３】
図１に示す駆動回路８では、走査線を介して走査信号が、スイッチング用ＴＦＴ８ａのゲート電極に供給されるようになっている。また、スイッチング用ＴＦＴ８ａを介して信号線から供給される信号は、保持容量（不図示）に保持され、駆動用ＴＦＴ８ｂのゲート電極に供給されるようになっている。また、電源線から有機ＥＬ素子６０への駆動電流は、駆動用ＴＦＴ８ｂとビア３とを介して供給されるようになっている。
【００２４】
図１に示す駆動回路８では、走査線が駆動されてスイッチング用ＴＦＴ８ａがオンになると、そのときの信号線の電位が保持容量に保持され、保持容量の状態に応じて駆動用ＴＦＴ８ｂのオン・オフ状態が決定される。そして、駆動用ＴＦＴ８ｂを介して電源線から有機ＥＬ素子６０に電流が流れると、有機ＥＬ素子６０の発光層６ｂが発光するようになっている。
【００２５】
図１に示すように、駆動回路８の下面は、駆動回路８を覆う絶縁膜１１によって平坦化され、絶縁膜１１の下面は、封止層１２に覆われている。
絶縁層１１の材料としては、公知の材料を用いることができ、有機系材料であってもよいし、無機系材料であってもよい。有機系材料としては、例えば、紫外線硬化型樹脂、熱硬化型樹脂などが挙げられる。無機系材料としては、シリコン窒化物（ＳｉＮ）などが挙げられる。
【００２６】
封止層１２は、表示装置１０の耐久性を向上させるために、絶縁層１１側から順に、接着性樹脂層と、バリア層と、封止フィルム層とが積層されたものであることが好ましい。
接着性樹脂層としては、熱硬化型接着性樹脂、光硬化型接着性樹脂、熱可塑型接着性樹脂などを用いることができる。熱硬化型接着性樹脂としては、例えば、エポキシ樹脂、アクリル樹脂、シリコーン、フェノール樹脂などを用いることができる。
バリア層としては、例えば、アルミニウム、ニッケル、銅などの金属、これらの合金のうち、いずれか一種からなる金属箔を用いることができる。また、バリア層としては、酸化珪素、酸窒化珪素、窒化珪素のいずれか一種からなる無機膜と、有機膜との複合積層膜を用いてもよい。
封止フィルム層としては、例えば、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート、ポリカーボネートなどからなるプラスチックフィルムを用いることができる。
【００２７】
有機ＥＬ素子６０は、図１に示すように、陽極（第１電極）として機能する反射膜５と、陰極７（第２電極）と、陽極と陰極７との間に配置された有機ＥＬ積層膜６とを備えている。
図１に示す反射膜５は、ビア３と電気的に接続されている。そして、反射膜５は、ビア３を介して、駆動回路８の接続配線４ａと電気的に接続されている。
【００２８】
反射膜５は、金属粒子を含有するペーストを固化してなるものであり、後述するように、スクリーン印刷法を用いて金属膜を形成し、得られた金属膜の表面を研磨することにより形成されたものである。図１に示す反射膜５では、固化前の金属粒子を含有するペーストとして、金属粒子とバインダと溶媒とを含むものが用いられている。このため、図１に示す反射膜５は、バインダに金属粒子が分散された状態で固化されたものとなっている。
【００２９】
反射膜５に含まれる金属粒子としては、例えば、銀、銅、金、アルミニウムなどからなるものが挙げられる。上記金属粒子の中でも特に、導電性および反射率の高い反射膜５の得られる銀粒子を用いることが好ましい。
反射膜５に含まれるバインダとしては、スクリーン印刷のインクに使用される公知のバインダを用いることができる。具体的には、例えば、バインダとして、エポキシ樹脂、ポリエステル樹脂などを用いることができ、耐薬品性の高さから、エポキシ樹脂を用いることが好ましい。
【００３０】
図１に示す反射膜５の表面粗さＲａは、３ｎｍ以下である。反射膜５の表面粗さＲａは、２．５ｎｍ以下であることが好ましい。また、反射膜５の表面粗さＲａは、１ｎｍ以上であることが好ましく、２ｎｍ以上であることがより好ましい。反射膜５の表面粗さＲａは、原子間力顕微鏡（ＡＦＭ）を用いることにより測定できる。
反射膜５の表面粗さＲａが１ｎｍ以上である場合、後述する金属膜の研磨処理を短時間で容易に効率よく行うことができる。
【００３１】
本実施形態では、反射膜５の表面粗さＲａが３ｎｍ以下であるので、反射膜５上の凹凸が有機ＥＬ積層膜６を突き抜けてしまうことによる反射膜５と陰極７との短絡を確実に防止できる。
また、反射膜５は、後述するように、金属膜の表面にコロイダルシリカを含むスラリーを供給して、金属膜を研磨する方法を用いて形成されたものであり、電極として用いた場合に非発光部の原因となる深さ３０ｎｍ以上の線状の傷がなく、表面粗さＲａが３ｎｍ以下のものである。
【００３２】
本発明者が検討した結果、反射膜を電極として用いた場合に非発光部の原因となる傷は、深さ３０〜５０ｎｍ程度の線状の傷であることが分かった。そして、スクリーン印刷法を用いて形成した金属膜の表面を、コロイダルシリカを含むスラリーを用いて研磨することで、深さ３０ｎｍ以上の線状の傷を発生させることなく、表面粗さＲａが３ｎｍ以下の反射膜が得られることを見出した。
したかって、反射膜５は、優れた光沢を有しており、有機ＥＬ素子６０の発光層６ｂからの光を効率よく反射でき、有機ＥＬ素子６０および表示装置１０の輝度を向上させることができる。
【００３３】
反射膜５の厚みは、特に限定されるものではないが、０．２〜１０μｍであることが好ましい。反射膜５の厚みを０．２μｍ以上とすることで、陽極としての良好な導電性と反射膜５としての良好な光沢が得られる。反射膜５の厚みは、０．５μｍ以上であることがより好ましい。また、反射膜５の厚みが１０μｍ以下である場合、反射膜５となる材料の使用量を抑制できる。反射膜５の厚みは、３μｍ以下であることがより好ましい。
【００３４】
また、図１に示す表示装置１０では、反射膜５の形成される被形成面（図１においては基板１の表面１ａ）に、貫通孔２の形成に伴う凹凸や、ビア３を形成するために基板１の裏面１ｂから貫通孔２内に接続配線４ａを埋め込むことによって形成された凹凸が存在している。
【００３５】
図１に示す表示装置１０では、反射膜５が、金属膜の表面が研磨されてなるものであるので、反射膜５の被形成面に形成されている上記の凹凸の深さの寸法よりも、反射膜５の厚みの寸法が小さくても、反射膜５の表面は平坦なものとなる。すなわち、反射膜５の被形成面上に金属膜を形成した時点で、金属膜上に上記の凹凸に起因する凹凸が残留していても、金属膜の表面を研磨することにより簡便かつ十分に平坦化される。よって、本実施形態の表示装置１０では、反射膜５の被形成面に形成されている上記の凹凸が、有機ＥＬ素子６０に悪影響を来すことを効果的に防止できる。
【００３６】
なお、本実施形態においては、反射膜５の被形成面に形成されている上記の凹凸による有機ＥＬ素子６０への悪影響を回避するために、例えば、以下に示す構造を形成してから、反射膜５を形成してもよい。
すなわち、図１に示す基板１の表面１ａ上に、ビア３に接続する配線と、その配線の上に形成された絶縁膜からなる平坦化層とを形成する。そして、平坦化層に、平坦化層を貫通し、底面にビア３に接続する配線を露出させる貫通孔を設け、平坦化層上を、反射膜５の被形成面とする。
【００３７】
この場合、反射膜５を形成する際に、平坦化層に設けられている貫通孔に反射膜５の材料であるインクが供給されて、反射膜５と、貫通孔の底面に露出されたビア３に接続する配線とが電気的に接続される。したがって、反射膜５は、ビア３と電気的に接続されており、ビア３を介して駆動回路８の接続配線４ａと電気的に接続されているものとなる。
【００３８】
陽極（第１電極）は、図１に示すように、反射膜５のみからなるものであってもよいし、反射膜５に加えて、必要に応じて反射膜５の他に１層または複数層の導電膜を含むものであってもよい。陽極が、反射膜５のみからなるものである場合、陽極が反射膜５の他の電極膜を含む場合と比較して効率よく製造でき、好ましい。また、陽極が、反射膜５に加えて、反射膜５の他の導電膜を含む場合、必要に応じて導電性を向上させることができ、好ましい。反射膜５に加えて、反射膜５の他の導電膜を含む陽極としては、例えば、反射膜５の有機ＥＬ積層膜６側に、ＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ  Ｔｉｎ  Ｏｘｉｄｅ）などの透明導電膜を形成したものなどが挙げられる。
【００３９】
有機ＥＬ積層膜６は、図１に示すように、正孔注入・輸送層６ａと、発光層６ｂと、電子注入・輸送層６ｃとを有している。
正孔注入・輸送層６ａの材料としては、例えば、３，４−ポリエチレンジオシチオフェン−ポリスチレンスルフォン酸（ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ）の分散液などを用いることができる。より具体的には、分散液としてのポリスチレンスルフォン酸に３，４−ポリエチレンジオシチオフェンを分散させ、さらにこれを水に分散させた分散液を好適に用いることができる。また、上記の材料以外にも、正孔注入・輸送層６ａの材料として、α−ＮＰＤ（N,N'-di(1-naphthyl)-N,N'-diphenyl-(1,1'-biphenyl)-4,4'-diamine）など、従来公知の正孔注入・輸送層の材料を用いることができる。
【００４０】
発光層６ｂとしては、従来公知のものを用いることができる。発光層６ｂは、発光色素からなる単独膜であってもよいし、ホスト材料と発光色素との混合膜からなるものであってもよい。また、発光層６ｂは、正孔輸送材料や電子輸送材料などの電荷輸送材料を含むものであってもよい。
発光層６ｂに用いられるホスト材料としては、例えば、ＣＢＰ（４，４’−ｂｉｓ(９−ｄｉｃａｒｂａｚｏｌｙｌ)−２，２’−ｂｉｐｈｅｎｙｌ）、ＢＡｌｑ(Ｂｉｓ−(２−ｍｅｔｈｙｌ−８−ｑｕｉｎｏｌｉｎｏｌａｔｅ)−４−(ｐｈｅｎｙｌｐｈｅｎｏｌａｔｅ)ａｌｕｍｉｎｉｕｍ)、ｍＣＰ（Ｎ，Ｎ−ｄｉｃａｒｂａｚｏｌｙｌ−３，５−ｂｅｎｚｅｎｅ：ＣＢＰ誘導体）、ＣＤＢＰ（４，４'−ｂｉｓ(９−ｃａｒｂａｚｏｌｙｌ) −２，２'−ｄｉｍｅｔｈｙｌ−ｂｉｐｈｅｎｙｌ）、ＤＣＢ（Ｎ，Ｎ’−Ｄｉｃａｒｂａｚｏｌｙｌ−１，４−ｄｉｍｅｔｈｅｎｅ−ｂｅｎｚｅｎｅ）、Ｐ０６（２，７−ｂｉｓ(ｄｉｐｈｅｎｙｌｐｈｏｓｐｈｉｎｅ ｏｘｉｄｅ)−９，９−ｄｉｍｅｔｈｙｌｆｌｕｏｒｅｎｅ）、ＳｉｍＣＰ（３，５−ｂｉｓ(９−ｃａｒｂａｚｏｌｙｌ)ｔｅｔｒａｐｈｅｎｙｌｓｉｌａｎｅ）、ＵＧＨ３（Ｗ−ｂｉｓ(ｔｒｉｐｈｅｎｙｌｓｉｌｙｌ)ｂｅｎｚｅｎｅ）などを用いることができる。また、ホスト材料として、ポリビニルカルバソール（ＰＶＫ）誘導体、ポリチオフェン誘導体、ポリシラン誘導体などのポリマー材料を用いてもよい。ポリシラン誘導体としては、例えば、ポリメチルフェニルシラン（ＰＭＰＳ）などを用いることができる。
【００４１】
発光層６ｂに用いられる発光色素としては、蛍光あるいは燐光を発光することが可能な公知の発光材料を用いることができる。蛍光性色素としては、例えば、ペリレン系色素、クマリン系色素、ローダミン系色素、ルブレン、ペリレン、９，１０−ジフェニルアントラセン、テトラフェニルブタジエン、ナイルレッド、クマリン６、キナクリドン、トリス（８−キノリノラト）アルミニウム（Ａｌｑ３）などが挙げられる。また、燐光性色素としては、イリジウム錯体、白金錯体などが挙げられる。
【００４２】
また、発光層６ｂに用いられる発光色素の単独膜としては、ポリマー発光材料からなるものなどが挙げられる。ポリマー発光材料としては、例えば、（ポリ）フルオレン誘導体（ＰＦ）、（ポリ）パラフェニレンビニレン誘導体（ＰＰＶ）、ポリフェニレン誘導体（ＰＰ）、ポリパラフェニレン誘導体（ＰＰＰ）、ポリチオフェン誘導体などの高分子材料が挙げられる。
発光層６ｂとしては、上記の発光色素を、上記の高分子材料にドープしたものを用いてもよい。
【００４３】
電子注入・輸送層６ｃの材料としては、例えば、バリウム、酸化バリウム、カルシウム、マグネシウム、マグネシウムと銀との合金、セシウム、フッ化セシウム、炭酸セシウム、リチウム、フッ化リチウム、炭酸リチウムなどが挙げられる。また、上記の材料以外にも従来公知の電子注入・輸送層６ｃの材料を用いることができる。
【００４４】
有機ＥＬ積層膜６上には、図１に示すように、陰極７が形成されている。陰極７としては、Ａｇ、ＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ  Ｔｉｎ  Ｏｘｉｄｅ）などの透明導電膜が挙げられる。
また、図１に示すように、有機ＥＬ素子６０上には、表示装置１０の耐久性を向上させるために、透明な封止層９が形成されている。封止層９は、有機ＥＬ素子６０側から順に、接着性樹脂層と、バリア層と、封止フィルム層とが積層されたものであることが好ましい。封止層９の材料としては、例えば、上述した封止層１２に用いられる材料から選ばれる、透明な材料が挙げられる。
【００４５】
「製造方法」
次に、本発明の有機ＥＬ素子の製造方法として、図１に示す表示装置の製造方法を例に挙げて説明する。図２〜図５は、図１に示す表示装置の製造方法を説明するための工程図である。図２〜図５において、図１に示す表示装置１０と同じ部材については同じ符号を付す。
図１に示す表示装置１０を製造するには、まず、図２に示すように、基板１を用意し、基板１を貫通する貫通孔２を設ける。
【００４６】
貫通孔２の形成方法は、特に限定されるものではなく、例えば、打ち抜き加工、切削加工、レーザ加工、ドライエッチング加工、ウェットエッチング加工などの方法を用いることができる。基板１として樹脂フィルム基板を用いる場合には、レーザ加工法を用いて貫通孔２を形成することが好ましい。レーザ加工法を用いることで、樹脂フィルム基板に簡便に貫通孔２を形成できる。
【００４７】
次いで、図３に示すように、貫通孔２の設けられた基板１において、表示装置１０としたときに、裏面１ｂとなる面を上に向けて設置する（図１参照）。そして、基板１の裏面１ｂ上に駆動回路８を形成する（回路形成工程）。
回路形成工程においては、まず、基板１の裏面１ｂ上に接して駆動回路８の配線４の一部である接続配線４ａを形成するとともに、接続配線４ａの一部が貫通孔２内に形成されたビア３を形成する。
【００４８】
駆動回路８の接続配線４ａを形成する方法としては、以下に示すスクリーン印刷法を用いることが好ましい。まず、金属粒子を含有するペーストからなるインクを、スクリーン印刷により基板１の裏面１ｂ上の接続配線４ａとなる所定の領域に選択的に塗布するとともに、インクの一部を貫通孔２に埋め込む。次いで、加熱してインクに含まれる溶媒を除去し、金属粒子を含有するペーストを固化させる。このような方法を用いて接続配線４ａ形成することで、接続配線４ａを効率よく簡便に所定の形状に形成できる。また、接続配線４となるインクを貫通孔２内に容易に充填でき、効率よく簡便にビア３を形成できる。
【００４９】
駆動回路８の接続配線４ａを、スクリーン印刷法により基板１の裏面１ｂ上に接して形成する場合、インクとしては、金属粒子とバインダと溶媒とを含むものを用いることが好ましい。インクに含まれる金属粒子としては、例えば、銀、銅、金、アルミニウムなどからなるものが挙げられる。上記金属粒子の中でも特に、導電性の高い接続配線４ａの得られる銀粒子を用いることが好ましい。インクに含まれるバインダとしては、スクリーン印刷のインクに使用される公知のバインダを用いることができる。具体的には、例えば、バインダとして、エポキシ樹脂、ポリエステル樹脂などを用いることができ、耐薬品性の高さから、エポキシ樹脂を用いることが好ましい。
【００５０】
基板１の裏面１ｂ上に接して駆動回路８の接続配線４ａを形成する方法は、上述したスクリーン印刷法に限定されない。例えば、インクジェット法により配線４の形成材料を所定の形状に塗布する方法を用いてもよい。また、ディスペンス法またはスピンコート法を用いて接続配線４ａの形成材料を、基板１の裏面１ｂ上の全面に塗布した後、フォトリソグラフィ方式を用いて所定の形状にパターニングする方法を用いてもよい。
【００５１】
なお、本実施形態においては、生産性を向上させるために、基板１の裏面１ｂ上に接して接続配線４ａを形成すると同時に、接続配線４ａの他の配線４の一部を形成することが好ましい。
その後、駆動回路８の接続配線４ａ（および接続配線４ａと同時に形成した配線４の一部）の形成された基板１の裏面１ｂ上に、駆動回路８の配線４を構成する接続配線４ａ（および接続配線４ａと同時に形成した配線４の一部）以外の配線と、スイッチング用ＴＦＴ８ａと、駆動用ＴＦＴ８ｂとを従来公知の方法により形成する。このことにより、図３に示す駆動回路８が形成される。
【００５２】
次いで、駆動回路８上に、従来公知の方法により駆動回路８を覆う絶縁膜１１を形成し、駆動回路８上を平坦化する。
その後、図４に示すように、表示装置１０としたときに、表面１ａとなる面を上に向けて設置する（図１参照）。そして、基板１の表面１ａ上に接して、反射膜５を形成する。本実施形態においては、反射膜５を形成すると同時に、貫通孔２内に反射膜５の一部が形成されてビア３が形成される。
【００５３】
反射膜５は、以下に示すように、スクリーン印刷法を用いて形成する。まず、金属粒子を含有するペーストからなるインクを、スクリーン印刷により基板１の表面１ａ上の反射膜５となる所定の領域に選択的に塗布するとともに、インクの一部を貫通孔２に埋め込む。次いで、加熱する方法などにより、インクに含まれる溶媒を除去し、金属粒子を含有するペーストを固化させる。このことにより、ビア３に一部が埋め込まれた金属膜と、ビア３と電気的に接続された金属膜とが形成される（印刷工程）。このような方法を用いることにより、反射膜５となるインクを貫通孔２内に容易に充填でき、効率よく簡便にビア３を形成できる。
【００５４】
本実施形態においては、スクリーン印刷法により形成された金属膜の厚みを０．２μｍ以上とすることが好ましく、１μｍ以上とすることがより好ましい。金属膜の厚みを０．２μｍ以上とした場合、金属膜を形成する際に、反射膜５の形成に用いるインクが、基板１の表面１ａから十分に貫通孔２に供給される。よって、反射膜５におけるビア３を介しての駆動回路８の接続配線４ａとの接続の信頼性をより一層向上できる。
【００５５】
次いで、金属膜の表面を研磨することにより、反射膜５を形成する。研磨処理は、研磨処理の途中で適宜反射膜５の表面粗さＲａを測定する方法などを用いて、反射膜５の表面粗さＲａが３ｎｍ以下となるまで行う。研磨処理は、反射膜５の表面粗さＲａが２．５ｎｍ以下となるまで行うことが好ましい。
【００５６】
研磨処理では、金属膜の表面にコロイダルシリカを含むスラリーを供給して、金属膜を研磨する。本実施形態では、スラリー中に含まれる砥粒として、コロイダルシリカを用いているため、表面に深さ３０ｎｍ以上の線状の傷を作らずに表面粗さＲａが３ｎｍ以下の反射膜５が得られる。また、本実施形態においては、ウレタン製板からなる研磨盤にフエルト製の布パットを貼付けたものを用いて、研磨処理を行うことが好ましい。この場合、より一層反射膜５の表面に研磨による傷が生じにくくなるとともに、より一層表面粗さＲａの小さい反射膜５が得られやすくなる。
【００５７】
スラリー中に含まれるコロイダルシリカは、表面粗さＲａの小さい反射膜５を得るために、１μｍ以下の粒径のものであることが好ましい。さらに、スラリー中に含まれるコロイダルシリカは、１０〜３００ｎｍの範囲内で粒径が異なる複数の種類を含むものであることが好ましい。このようなコロイダルシリカを用いることで、より一層反射膜５の表面に研磨による傷が生じにくくなるとともに、より一層表面粗さＲａの小さい反射膜５が得られやすくなる。
【００５８】
反射膜５を形成するためのスクリーン印刷において用いられるインクに含まれる金属粒子としては、例えば、銀、銅、金、アルミニウムなどからなるものが挙げられる。上記金属粒子の中でも特に、銀粒子を用いることが好ましい。金属粒子が銀粒子である場合、スクリーン印刷法により形成された金属膜の表面を、コロイダルシリカを含むスラリーを用いて研磨することにより、表面粗さＲａの小さい反射率の高い反射膜５が得られやすい。また、上記金属粒子として銀粒子を用いると、導電性の高い反射膜５が得られるため、陽極としての機能の優れた反射膜５となり、好ましい。
本実施形態においては、反射膜５を形成するためのインクとして、駆動回路８の接続配線４ａをスクリーン印刷法により形成する場合に使用されるものと同じものを用いてもよいし、異なるものを用いてもよい。
【００５９】
このようにして反射膜５を形成した後、必要に応じて反射膜５上に従来公知の方法により、陽極として機能するＩＴＯなどからなる透明導電膜を形成してもよい。
次いで、図５に示すように、反射膜５上に、従来公知の方法により正孔注入・輸送層６ａと発光層６ｂと電子注入・輸送層６ｃとを順に形成する。このことにより、有機ＥＬ積層膜６が形成される。
次いで、有機ＥＬ積層膜６上に、従来公知の方法により、Ａｇ、ＩＴＯ（Iｎｄｉｕｍ Ｔｉｎ Ｏｘｉｄｅ）などの透明導電膜からなる陰極７を形成する。
以上の工程により、図５に示すように、有機ＥＬ素子６０が形成される。
【００６０】
次いで、有機ＥＬ素子６０上に、従来公知の方法により、例えば、有機ＥＬ素子６０側から順に、接着性樹脂層と、バリア層と、封止フィルム層とを積層してなる封止層９を形成する。
その後、表示装置１０としたときに、基板１の裏面１ｂとなる面を上に向けて設置し、絶縁層１１側から順に、接着性樹脂層と、バリア層と、封止フィルム層とが積層された封止層１２を形成する。
以上の工程により、図１に示す表示装置１０が形成される。
【００６１】
本実施形態の有機ＥＬ素子６０は、金属粒子を含有するペーストを固化してなる反射膜５を有するものである。したがって、本実施形態の反射膜５は、上述したようにスクリーン印刷法を用いて金属膜を形成し、得られた金属膜の表面を研磨することにより形成できる。このため、本実施形態の有機ＥＬ素子６０は、例えば、スパッタリング法を用いて形成した反射膜を有するものと比較して、容易に効率よく形成でき、生産性に優れている。しかも、本実施形態の有機ＥＬ素子６０は、電極として用いた場合に非発光部の原因となる深さ３０ｎｍ以上の線状の傷が表面になく、表面粗さＲａが３ｎｍ以下である優れた光反射機能を有する反射膜５を備えているので、発光層６ｂからの光を効率よく光取り出し面側（図１における上側）に反射させることができる。よって、本実施形態の有機ＥＬ素子６０および、これを備える表示装置１０は、良好な光取り出し効率を有する。
【００６２】
本実施形態の有機ＥＬ素子６０の製造方法は、金属粒子を含有するペーストからなるインクをスクリーン印刷して固化させて金属膜を形成する印刷工程と、金属膜の表面にコロイダルシリカを含むスラリーを供給して、金属膜を研磨することにより、表面粗さＲａが３ｎｍ以下の反射膜５を形成する研磨工程とを有する。したがって、本実施形態の製造方法によれば、研磨工程において、深さ３０ｎｍ以上の線状の傷を発生させることなく、表面粗さＲａが３ｎｍ以下の反射膜５を有する有機ＥＬ素子６０を効率よく製造できる。また、本実施形態の製造方法においては、表面粗さＲａが３ｎｍ以下の反射膜５を形成することにより、有機ＥＬ積層膜６の形成される面を簡便かつ十分に平坦化できる。
【００６３】
また、本実施形態の表示装置１０の製造方法では、基板１上に金属粒子を含有するペーストからなるインクをスクリーン印刷して固化させ金属膜を形成した後、金属膜の表面を研磨することにより反射膜５を形成している。これに対し、例えば、スパッタリング法を用いて反射膜を形成する場合、スパッタに使用されるプラズマによって、電子、ラジカルイオン性分子などの活性種が発生する。このような活性種は、反射膜の形成される面および／または反射膜を形成する前に既に形成されていた部材を、変質させてしまう可能性がある。
本実施形態の製造方法により反射膜５を形成する場合、上記のような活性種が発生することは無い。このため、反射膜５の形成に伴う駆動回路８のスイッチング用ＴＦＴ８ａおよび駆動用ＴＦＴ８ｂへの負荷を小さくできる。よって、本実施形態の製造方法によれば、駆動回路８を形成した後の製造工程に起因する駆動回路８の性能低下が抑制され、駆動回路８の信頼性に優れた表示装置１０が得られる。
【００６４】
また、本実施形態の表示装置１０の製造方法では、基板１上にインクをスクリーン印刷して固化させて金属膜を形成する印刷工程と、金属膜の表面を研磨する研磨工程とを行うことにより反射膜５を形成する。このため、反射膜５を形成するための印刷工程において、反射膜５の一部を貫通孔２に埋め込むことができ、反射膜５とビア３とを良好に電気的に接続できる。
【００６５】
これに対し、反射膜５を形成する他の方法としては、例えば、以下に示す方法が考えられる。すなわち、基板１上の全面に、スパッタリング法などを用いて導電材料膜を形成して、貫通孔２内に導電材料を充填する。次いで、貫通孔２内の導電材料を残し、ＣＭＰ（化学的機械研磨）法を用いて基板１上の導電材料を除去し、平坦化する。その後、基板１上の所定の領域に反射膜５を形成する。
本実施形態の表示装置１０の製造方法は、このような方法を用いる場合と比較して、少ない工程数で、簡便にビア３と電気的に接続された反射膜５を形成できる。
【００６６】
「第２実施形態」
図６は、本発明の有機ＥＬ素子を備えた本発明の表示装置の他の例を説明するための概略断面図である。図６に示す表示装置２０は、図１に示す表示装置１０と同様に、有機ＥＬ素子６０の発光層６ｂからの光を上方に取り出すものである。図６に示す表示装置２０は、図１に示す表示装置１０と同様に、スイッチング用ＴＦＴ８ａと駆動用ＴＦＴ８ｂとを有する駆動回路８の形成されている層と、表示装置２０の光取り出し面との間に、有機ＥＬ素子６０が配置されているトップエミッション方式の表示装置である。
【００６７】
図６に示すように、表示装置２０には、図１に示す表示装置１０と同じ有機ＥＬ素子６０が備えられている。以下の説明においては、図６示す表示装置２０において、図１に示す表示装置１０と同じ構成については同じ符号を付して説明を省略し、異なる点のみを説明する。
【００６８】
図６において、符号２２は基板を示している。表示装置２０の基板２２には、図１に示す表示装置１０の基板１と異なり、ビアを形成するための貫通孔が設けられていない。このため、基板２２の材料は、貫通孔を設ける際の加工性を考慮することなく、選択できる。具体的には、例えば、基板２２として、図１に示す表示装置１０の基板１に使用される材料と同様のものを用いることができる。さらに、基板２２として、樹脂フィルム基板と比較して加工性の劣る材料であるが、耐熱性に優れる材料であるガラス基板などを用いてもよい。
【００６９】
図６に示す表示装置２０では、図１に示す表示装置１０と同様の駆動回路８が備えられている。図６に示す表示装置２０では、図１に示す表示装置１０と異なり、基板２２の有機ＥＬ素子６０側である表面２２ａ（図６においては上面）上に、駆動回路８が形成されている。そして、駆動回路８の有機ＥＬ素子６０側の面（上面）が、駆動回路８を覆う絶縁膜からなる平坦化層２１によって平坦化されている。
【００７０】
平坦化層２１の材料としては、樹脂などの公知の材料を用いることができる。平坦化層２１の厚さは、十分に平坦な表面２１ａが得られるように２μｍ以上であることが好ましい。また、平坦化層２１の厚さは、平坦化層２１に貫通孔２３およびビア３１を容易に形成できるように、３μｍ以下であることが好ましい。
図６に示す表示装置２０では、図１に示す表示装置１０と異なり、平坦化層２１の表面２１ａが、反射膜５の形成される被形成面とされている。
【００７１】
図６に示すように、平坦化層２１には、平坦化層２１を貫通する貫通孔２３と、貫通孔２３に形成され、駆動回路８の接続配線４ａと電気的に接続されたビア３１とが備えられている。
図６に示す表示装置２０では、図１に示す表示装置１０と異なり、ビア３１は、平坦下層２１の表面２１ａから貫通孔２３内に埋め込まれた反射膜５の一部と、平坦下層２１の下層に形成されている駆動回路８の接続配線４ａの一部とが接触されているものである。したがって、図６に示すビア３１は、駆動回路８の接続配線４ａと電気的に接続されているとともに、平坦下層２１上に形成された反射膜５と電気的に接続されている。
【００７２】
図６に示す表示装置２０では、基板２２の裏面２２ｂ（図６においては下面）は、封止層１２に覆われている。
【００７３】
「製造方法」
次に、図６に示す表示装置２０の製造方法の一例を説明する。図７〜図９は、図６に示す表示装置の製造方法を説明するための工程図である。図７〜図９において、図２に示す表示装置２０と同じ部材については同じ符号を付す。
図６に示す表示装置２０を製造するには、まず、図７に示すように、基板２２を用意する。その後、基板２２の表面２２ａ上に、図１に示す表示装置１０と同様にして駆動回路８を形成する（回路形成工程）。
【００７４】
なお、図６に示す表示装置２０では、図１に示す表示装置１０のように接続配線４ａの一部を貫通孔２内に埋め込む必要はないため、この点を考慮することなく、接続配線４ａの形成方法および材料を選択できる。
【００７５】
次いで、図７に示すように、駆動回路８上に、従来公知の方法により駆動回路８を覆う絶縁膜を形成することにより、駆動回路８上を平坦化する平坦下層２１を形成する。次いで、酸素プラズマ法などを用いて、平坦化層２１を貫通する貫通孔２３を形成し、貫通孔２３の底面にビア３１に接続される接続配線４ａを露出させる。
【００７６】
次に、本実施形態においては、平坦下層２１の表面２１ａ上に、図１に示す表示装置１０の反射膜５を形成する場合と同様に、インクをスクリーン印刷して固化させて金属膜を形成する印刷工程と、金属膜の表面を研磨する研磨工程とを行うことにより反射膜５を形成する。
本実施形態においては、図８に示すように、反射膜５を形成すると同時に、反射膜５の一部が貫通孔２３内に形成されて、貫通孔２３に導電材料が充填されたビア３１が形成される。このことにより、駆動回路８の接続配線４ａと電気的に接続されたビア３１が形成されるとともに、ビア３１を介して駆動回路８の接続配線４ａと電気的に接続された反射膜５が得られる。
【００７７】
次に、必要に応じて反射膜５上に従来公知の方法により、陽極として機能するＩＴＯなどからなる透明導電膜を形成してもよい。
その後、反射膜５上に、図１に示す表示装置１０と同様にして、有機ＥＬ積層膜６と陰極７とを順に形成する。このことにより、図９に示すように、有機ＥＬ素子６０が形成される。
【００７８】
次いで、有機ＥＬ素子６０上に、図１に示す表示装置１０と同様にして、封止層９を形成する。
その後、表示装置２０としたときに、基板２２の裏面２２ｂとなる面を上に向けて設置し、基板２２の裏面２２ｂ上に、図１に示す表示装置１０と同様にして、封止層１２を形成する。
以上の工程により、図６に示す表示装置２０が形成される。
【００７９】
図６示す表示装置２０においては、図１に示す表示装置１０と同様に、インクをスクリーン印刷して固化させて金属膜を形成する印刷工程と、金属膜の表面を研磨する研磨工程とを行うことにより反射膜５を形成し、図１に示す表示装置１０と同じ有機ＥＬ素子６０を形成している。したがって、図６示す表示装置２０およびその製造方法においても、図１に示す表示装置１０と同様の効果が得られる。
【００８０】
「他の例」
本発明の表示装置は、上述した実施形態に限定されない。
例えば、図１に示す表示装置１０および図６に示す表示装置２０においては、駆動回路８が、アクティブマトリクス方式の駆動方式である場合を例に挙げて説明したが、本発明の表示装置において、駆動回路８の駆動方式は特に限定されるものではなく、例えば、パッシブ方式であってもよい。
駆動回路が、パッシブ方式の駆動方式である場合、例えば、複数の信号配線と複数の共通配線とを交差して配置させ、信号配線と共通配線との交差部に発生される電界により有機ＥＬ素子６０を駆動させる駆動方式とすることができる。
【００８１】
また、本発明の表示装置は、基板上に駆動回路を形成し、他の基板上に本発明の有機ＥＬ素子を形成し、駆動回路の形成された基板と有機ＥＬ素子の形成された基板とを、ラミネートする方法などにより貼り付けてなるものであってもよい。この場合、例えば、駆動回路の形成された基板と、本発明の有機ＥＬ素子の形成された基板のそれぞれから良品を選別して表示装置の部材として用いることにより、表示装置の歩留まりを向上させることができる。
【００８２】
上述した実施形態においては、反射膜が、第１電極として機能するものである場合を例に挙げて説明したが、反射膜は第１電極として機能しないものであってもよい。この場合、反射膜は、有機ＥＬ素子を構成する他の導電部材と絶縁されたものであってもよい。また、反射膜が第１電極として機能しない場合には、反射膜の他に、第１電極として機能する導電膜を形成する。
また、有機ＥＬ積層膜６の積層構造は、上述した実施形態に示す例に限定されるものではなく、従来公知の構造を適用できる。例えば、正孔注入・輸送層６ａ、発光層６ｂ、電子注入・輸送層６ｃは、それぞれ複数層からなるものであってもよい。また、正孔注入・輸送層６ａおよび／または電子注入・輸送層６ｃは、設けられていなくてもよい。
【実施例】
【００８３】
以下、本発明の実施例について説明する。なお、本発明は以下に示す実施例に限定されるものではない。
「実施例１」
以下に示す方法により、テスト用素子を形成して評価した。図１０（ａ）は、実施例１のテスト用素子の平面図であり、図１０（ｂ）は、実施例１のテスト用素子の断面図である。
【００８４】
まず、厚み１２５μｍのＰＥＮフィルムからなる基板４１を用意した。そして、基板４１上にスクリーン印刷法を用いて、列方向（図１０（ａ）における縦方向）に平行に延在する幅３．０ｍｍ、厚み３μｍの５本の金属膜を形成した（印刷工程）。金属膜を形成する際には、インクとして銀粒子を含有するペーストであるＴＲ６５９０２（商品名：太陽インキ製造株式会社製）を用い、製版としてＨＳ−Ｄ５００／１９−Ｂ２０（商品名：アサダメッシュ株式会社製）を用い、スキージとしてミノプレンである９ＭＭＹＮｏ．２  １５ＣＭ（商品名：株式会社ミノグループ製）を用いた。
【００８５】
その後、金属膜の表面を研磨し、陽極４３として機能する反射膜とした。研磨処理は、金属膜の表面にコロイダルシリカ砥粒を含むスラリーを供給して研磨する方法により行った。コロイダルシリカとしては、１０〜３００ｎｍの範囲内で粒径が異なる複数の種類を含むものを用いた。また、研磨処理では、ウレタン製板からなる研磨盤にフエルト製の布パット（商品名：サーファス＃０００：ムサシノ電子社製）を貼付けたものを用いた。研磨処理は、研磨処理の途中で適宜反射膜の表面粗さＲａを測定することにより、反射膜の表面粗さＲａが３ｎｍ以下となるまで行った。
【００８６】
研磨処理後に得られた反射膜を観察し、表面粗さＲａと、厚みを調べた。図１１は、実施例１で作製した反射膜の表面を、光学顕微鏡を用いて観察した写真である。図１２は、実施例１で作製した反射膜表面の１μｍ２の範囲を、原子間力顕微鏡（ＡＦＭ）を用いて観察した結果を示した写真である。
ＡＦＭを用いて観察した結果、実施例１で作製した反射膜の表面粗さＲａは２．４ｎｍであり、反射膜の厚みは１．５μｍであった。
また、図１１に示すように、実施例１で作製した反射膜では、研磨工程に起因する傷は観察されなかった。また、図１２に示すように、実施例１で作製した反射膜は、表面粗さの小さいものであった。
【００８７】
次に、反射膜上に、スパッタリング法を用いて、陽極４３として機能するＩＴＯからなる厚み１００ｎｍの透明導電膜を形成した。このことにより、反射膜と透明導電膜とからなる陽極４３を形成した。
その後、陽極４３上に、膜厚３０〜１００ｎｍのＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ層と、膜厚６０ｎｍのα−ＮＰＤ（N,N'-di(1-naphthyl)-N,N'-diphenyl-(1,1'-biphenyl)-4,4'-diamine）とからなる正孔注入・輸送層を形成し、正孔注入・輸送層上に膜厚５０ｎｍのＡｌｑ３からなる発光層と、膜厚２．５ｎｍのバリウムからなる電子注入・輸送層とを順に形成することにより、図１０（ａ）および図１０（ｂ）に示す有機ＥＬ積層膜４４を得た。
【００８８】
なお、ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ層は、ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳの分散液からなる塗布液を塗布して乾燥させることにより形成した。また、有機ＥＬ積層膜４４を構成するＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ層以外の各層は、抵抗加熱の真空蒸着により形成した。
次いで、有機ＥＬ積層膜４４上に陰極４５として、真空蒸着により、行方向（図１０（ａ）における横方向）に平行に延在する幅３．０ｍｍ、膜厚１０ｎｍのＡｇからなる２本の透明導電膜を形成した。
以上の工程により、陽極４３と陰極４５とが重なり合った領域である縦３ｍｍ横３ｍｍの平面視略正方形の複数の発光領域を有する図１０（ａ）および図１０（ｂ）に示すテスト用素子４０を得た。
【００８９】
「比較例１」
金属膜の表面を研磨する研磨処理において、コロイダルシリカ砥粒を含むスラリーに代えて、アルミナ砥粒を含むスラリー（日本磨料工業株式会社製）を用い、研磨処理の途中で適宜反射膜の表面粗さＲａを測定し、研磨処理を行っても反射膜の表面粗さＲａが小さくならなくなるまで研磨処理を行ったこと以外は、実施例１と同様にして反射膜を形成した。
【００９０】
研磨処理後に得られた反射膜を実施例１と同様にして観察し、表面粗さＲａと、厚みを調べた。図１３は、比較例１で作製した反射膜の表面を、光学顕微鏡を用いて観察した写真である。図１４は、比較例１で作製した反射膜表面の１μｍ２の範囲を、原子間力顕微鏡（ＡＦＭ）を用いて観察した結果を示した写真である。
ＡＦＭを用いて観察した結果、比較例１で作製した反射膜の表面粗さＲａは３．２ｎｍであり、反射膜の厚みは７．０μｍであった。
また、図１３に示すように、比較例１で作製した反射膜では、研磨工程によって発生した傷が観察された。また、図１４に示す比較例１で作成した反射膜は、図１２に示す実施例１で作製した反射膜と比較して、表面粗さの大きいものであった。
【００９１】
次に、反射膜上に、実施例１と同様にしてＩＴＯからなる透明導電膜を形成し、反射膜と透明導電膜とからなる陽極を形成した。
その後、陽極上に、実施例１と同様にして有機ＥＬ積層膜および陰極を形成し、縦３ｍｍ横３ｍｍの平面視略正方形の複数の発光領域を有するテスト用素子を得た。
【００９２】
このようにして得られた実施例１および比較例１のテスト用素子に直流電圧を印可し、発光時と非発光時の表面状態を観察した。
図１５（ａ）は、実施例１のテスト用素子の非発光時の表面の写真であり、図１５（ｂ）は発光時の表面の写真である。図１６（ａ）は、比較例１のテスト用素子の非発光時の表面の写真であり、図１６（ｂ）は発光時の表面の写真である。
図１５に示すように、実施例１のテスト用素子では、深さ３０ｎｍ以上の線状の傷がなく、発光領域全面において均一な発光が得られた。これに対し、比較例１のテスト用素子では、図１６に示すように、反射膜の表面に存在する深さ３０ｎｍ〜５０ｎｍの線状の傷による非発光部が確認された。
【符号の説明】
【００９３】
１：基板、２、２３：貫通孔、３、３１：ビア、４：配線、４ａ：接続配線、５：反射膜（第１電極）、６：有機ＥＬ積層膜（有機エレクトロルミネッセンス積層膜）、６ａ：正孔注入・輸送層、６ｂ：発光層、６ｃ：電子注入・輸送層、７：陰極（第２電極）、８：駆動回路、８ａ：スイッチング用ＴＦＴ、８ｂ：駆動用ＴＦＴ、９：封止層、１０、２０：表示装置、１１：絶縁膜、１２：封止層、２１：平坦化層、２２：基板、６０：有機ＥＬ素子（有機エレクトロルミネッセンス素子）。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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