(57)【要約】【課題】高出力かつ、高信頼な半導体レーザモジュールを実現する。【解決手段】半導体レーザモジュール１は、基板１０の上面に接合されたレーザマウント３１と、レーザマウント３１の上面に接合された半導体レーザチップ３２と、複数のワイヤ５４を介してレーザマウント３１の上面に接続された第１の電極５２とを備え、複数のワイヤ５４は、レーザマウント３１の上面の領域３５ａ及び領域３５ｂの各々に接続され、領域３５ａ及び領域３５ｂに挟まれた領域には接続されていない。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と、上記基板の上面に接合されたレーザマウントと、上記レーザマウントの上面に接合された半導体レーザ素子と、複数のワイヤを介して上記レーザマウントの上記上面に接続された電極とを備えた半導体レーザモジュールであって、
上記半導体レーザ素子の長手軸に直交する第１の平面であって、上記半導体レーザ素子において極大応力が作用する２つの部分の一方を通る第１の平面と、上記半導体レーザ素子の長手軸に直交する第２の平面であって、当該２つの部分の他方を通る第２の平面とによって、上記レーザマウントの上記上面を３つの領域に分割したとき、上記複数のワイヤは、上記レーザマウントの上記上面の端部を占める第１領域及び第２領域の各々に接続されており、上記第１領域と上記第２領域とに挟まれた第３領域には接続されていない、
ことを特徴とする半導体レーザモジュール。
【請求項２】
上記半導体レーザ素子の長手軸に直交する第３の平面であって、上記半導体レーザ素子において、上記第１の平面と上記第２の平面とに挟まれた部分に作用する応力の極小値と同じ大きさの応力が作用する２つの部分の一方を通る第３の平面と、上記半導体レーザ素子の長手軸に直交する第４の平面であって、当該２つの部分の他方を通る第４の平面とによって、上記レーザマウントの上記上面を３つの領域に分割したとき、上記複数のワイヤは、上記レーザマウントの上記上面の端部を占める第４領域及び第５領域の各々に接続されており、上記第４領域と上記第５領域とに挟まれた第６領域には接続されていない、
ことを特徴とする請求項１に記載の半導体レーザモジュール。
【請求項３】
上記第１の平面は、上記半導体レーザ素子の長手軸に直交する一方の端面からの距離が１ｍｍとなる平面であり、上記第２の平面は、上記半導体レーザ素子の長手軸に直交する他方の端面からの距離が１ｍｍとなる平面である、
ことを特徴とする請求項１又は２に記載の半導体レーザモジュール。
【請求項４】
上記半導体レーザ素子の長手寸法は、４ｍｍ以上８ｍｍ以下である、
ことを特徴とする請求項３に記載の半導体レーザモジュール。
【請求項５】
上記基板の厚さに対する上記レーザマウントの厚さの比は、０．５以上１．０以下である、
ことを特徴とする請求項３または４に記載の半導体レーザモジュール。
【請求項６】
上記レーザマウントの材料は、ＡｌＮであり、
上記基板の材料は、Ｃｕである、
ことを特徴とする請求項３から５の何れか１項に記載の半導体レーザモジュール。
【請求項７】
半導体レーザ素子をレーザマウントの上面に接合する第１の接合工程と、
上記半導体レーザ素子と上記レーザマウントとを複数のワイヤを介して接続する第１の接続工程と、
上記レーザマウントを基板の上面に接合する第２の接合工程と、
上記レーザマウントと電極とを上記複数のワイヤとは異なる複数のワイヤを介して接続する第２の接続工程と、を含み、
上記半導体レーザ素子の長手軸に直交する第１の平面であって、上記半導体レーザ素子において極大応力が作用する２つの部分の一方を通る第１の平面と、上記半導体レーザ素子の長手軸に直交する第２の平面であって、上記半導体レーザ素子において極大応力が作用する上記２つの部分の他方を通る第２の平面とによって、上記レーザマウントの上記上面を３つの領域に分割したとき、上記複数のワイヤは、上記レーザマウントの上記上面の端部を占める第１領域及び第２領域の各々に接続されており、上記第１領域と上記第２領域とに挟まれた第３領域には接続されていない、
ことを特徴とする半導体レーザモジュールの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体レーザモジュール、及びそのような半導体レーザモジュールの製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体レーザ素子が実装された半導体レーザモジュールにおいて、半導体レーザ素子と電極とをワイヤボンディングにより接続することが行われている。そのような半導体レーザモジュールにおけるワイヤボンディングに関する技術の一例として特許文献１に記載のものが挙げられる。特許文献１には、頂部の高さが異なる低ループワイヤと高ループワイヤとを設けて、それらを交互に設置することにより、隣り合うボンディングワイヤが互いに接触しないように構成された半導体装置が記載されている。
【０００３】
従来の半導体レーザモジュールにおけるワイヤボンディング手法について、図６を参照しながら説明する。図６は、従来の半導体レーザモジュールの備えるＣｏＳ（Chip on Submount）６３０の概略構成を示す上面図及び正面図である。特に、図６（ａ）は、各々のワイヤ長を短くするように複数のワイヤを接続する場合のＣｏＳ６３０の上面図及び正面図を示し、図６（ｂ）は、半導体レーザ素子に流入する電流が均一になるように複数のワイヤを接続する場合のＣｏＳ６３０の上面図及び正面図を示す。
【０００４】
ＣｏＳ６３０は、レーザマウント６３１と半導体レーザチップ６３２とが一体化されたものである。レーザマウント６３１の上面には、互いに離間した２枚の電極パッド６３５〜６３６が形成されている。第１の電極パッド６３５は、第１の電極６５２にワイヤ６５４を介して接続されると共に、半導体レーザチップ６３２の下面に直接接続される。一方、第２の電極パッド６３６は、第２の電極６５３にワイヤ６５５を介して接続されると共に、半導体レーザチップ６３２の上面にワイヤ６３３を介して接続される。これにより、第１の電極６５２、ワイヤ６５４、第１の電極パッド６３５、半導体レーザチップ６３２、ワイヤ６３３、第２の電極パッド６３６、ワイヤ６５５、及び第２の電極６５３をこの順に通る電流路が形成される。
【０００５】
従来の半導体レーザモジュールにおいては、ワイヤ６５４は、図６（ａ）に示すように、第１の電極パッド６３５の上面のうち、第１の電極６５２に近い方の端部領域６３５ａに接続されることが一般的である。同様に、ワイヤ６５５は、図６（ａ）に示すように、第２の電極パッド６３６の上面のうち、第２の電極６５３に近い方の端部領域６３６ａに接続されることが一般的である。これにより、ワイヤ６５４〜６５５の長さを短くし、その結果、ワイヤ６５４〜６５５の電気抵抗を小さくすることができる。
【０００６】
また、従来の半導体レーザモジュールにおいては、図６（ｂ）に示すように、ワイヤ６５４を第１の電極パッド６３５に接続する接続点を、第１の電極パッド６３５の上面全体に分散させ、ワイヤ６５５を第２の電極パッド６３６に接続する接続点を、第２の電極パッド６３６の上面全体に分散させることもある。
【０００７】
ワイヤ６５４の接続点を第１の電極パッド６３５上の特定の点に集中させた場合、第１の電極パッド６３５の各部の電位が不均一になり、その結果、第１の電極パッド６３５の各部から半導体レーザチップ６３２に流入する電流も不均一になる。これは、第１の電極パッド６３５の表面に施された金メッキの厚さが非常に薄いため、第１の電極パッド６３５上の特定の点から流入した電流が第１の電極パッド６３５の各部に到達する過程で電圧降下が生じるためである。これに対して、ワイヤ６５４の接続点を第１の電極パッド６３５の上面全体に分散させた場合、第１の電極パッド６３５の各部の電圧が均一になり、その結果、第１の電極パッド６３５の各部から半導体レーザチップ６３２に流入する電流も均一になる。ワイヤ６５５を第２の電極パッド６３６の上面全体に分散させる理由も同様である。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００８】
【特許文献１】特開平６−３０２６３８号公報（１９９４年１０月２８日公開）
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
しかしながら、上述のような従来技術においては、ワイヤを電極パッドに接続する際に、半導体レーザチップの破断が起こり得るという課題がある。半導体レーザチップの破断の原因について説明する。
【００１０】
半導体レーザモジュールにおいては、ＣｏＳを基板上に接合するために、レーザマウントの下面を基板の上面に半田付けする必要がある。レーザマウントと基板とでは、これらの材料の熱膨張率が異なるので、半田付けの際にレーザマウントに反りが生じ、レーザマウントの上面に接合された半導体レーザチップに応力が作用する。このとき、半導体レーザチップの中央部に作用する応力は、半導体レーザチップの端部に作用する応力と比較して高い値を示す傾向にある。
【００１１】
レーザマウントと電極とのワイヤボンディングは、半導体レーザチップに上記のような応力が作用している状態で行われる。レーザマウントに対するワイヤの接合は、例えば、超音波を用いて行われるが、この超音波により、半導体レーザチップにマイクロクラック（微小な亀裂）が発生し得る。このようなマイクロクラックは、極大応力が作用する領域に挟まれた半導体レーザチップの中央部において広がり易い。マイクロクラックの広がりは、半導体レーザチップの破断につながり、半導体レーザモジュールの信頼性を低下させる要因になる。なお、超音波以外の手段によりワイヤを接合する場合であっても、同様の問題を生じ得る。
【００１２】
したがって、半導体レーザチップに破断が生じる可能性を低下させるためには、ワイヤを電極パッドの中央部に接続する（図６（ｂ）参照）ことを避け、ワイヤを電極パッドの端部に接続する（図６（ａ）参照）ことが好ましい。しかしながら、ワイヤを接続する領域を電極パッドの一方の端部に限定すると、電極パッドに接続可能なワイヤの本数が減少し、ワイヤの合成抵抗が増大する。それにより、ワイヤでの電力ロスが大きくなり、半導体レーザチップの高出力化が困難になる。
【００１３】
本発明は、上記の課題に鑑みてなされたものであり、その目的は、高出力かつ高信頼な半導体レーザモジュールを実現することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１４】
上記課題を解決するために、本発明に係る半導体レーザモジュールは、基板と、上記基板の上面に接合されたレーザマウントと、上記レーザマウントの上面に接合された半導体レーザ素子と、複数のワイヤを介して上記レーザマウントの上記上面に接続された電極とを備えた半導体レーザモジュールであって、上記半導体レーザ素子の長手軸に直交する第１の平面であって、上記半導体レーザ素子において極大応力が作用する２つの部分の一方を通る第１の平面と、上記半導体レーザ素子の長手軸に直交する第２の平面であって、当該２つの部分の他方を通る第２の平面とによって、上記レーザマウントの上記上面を３つの領域に分割したとき、上記複数のワイヤは、上記レーザマウントの上記上面の端部を占める第１領域及び第２領域の各々に接続されており、上記第１領域と上記第２領域とに挟まれた第３領域には接続されていない、ことを特徴とする。
【００１５】
上記の構成によれば、上記複数のワイヤは、上記第１領域及び上記第２領域の各々に接続されており、上記第３領域には接続されていない。ここで、上記レーザマウントの上記上面に接合された上記半導体レーザ素子において、上記第３領域に重なる部分は、両端に極大応力が作用する部分であり、一端にのみ極大応力が作用する部分と比べてマイクロクラック広がり易い部分である。一方、上記第１領域に重なる部分、及び、上記第２領域に重なる部分は、一端にのみ極大応力が作用する部分であり、両端に極大応力が作用する部分と比べてマイクロクラックが広がり難い部分である。
【００１６】
したがって、上記の構成によれば、上記複数のワイヤを上記レーザマウントの上記上面に接続する領域を、上記半導体レーザ素子に発生したマイクロクラックが広がり難い部分の付近に限定することができる。その結果、上記複数のワイヤを上記レーザマウントの上記上面に接続する際に、上記半導体レーザ素子の破断が生じる可能性を低減することができる。すなわち、信頼性の高い半導体レーザモジュールを実現することができる。
【００１７】
また、上記構成によれば、上記複数のワイヤは、上記第１領域及び上記第２領域の何れか一方ではなく、上記第１領域及び上記第２領域の両方に接続される。そのため、上記複数のワイヤを上記第１領域及び上記第２領域の何れか一方に接続する場合と比べて、上記レーザマウントの上記上面に接続する上記複数のワイヤの本数を増やし、その結果、ワイヤの合成抵抗の増大を抑制し、ワイヤでの電力ロスを抑制することができる。すなわち、出力の大きい半導体レーザモジュールを実現することができる。
【００１８】
したがって、上記構成によれば、高出力かつ高信頼な半導体レーザモジュールを実現することができる。
【００１９】
また、上記の半導体レーザモジュールにおいて、上記半導体レーザ素子の長手軸に直交する第３の平面であって、上記半導体レーザ素子において、上記第１の平面と上記第２の平面とに挟まれた部分（上記第３領域に重なる部分）に作用する応力の極小値と同じ大きさの応力が作用する２つの部分の一方を通る第３の平面と、上記半導体レーザ素子の長手軸に直交する第４の平面であって、当該２つの部分の他方を通る第４の平面とによって、上記レーザマウントの上記上面を３つの領域に分割したとき、上記複数のワイヤは、上記レーザマウントの上記上面の端部を占める第４領域及び第５領域の各々に接続されており、上記第４領域と上記第５領域とに挟まれた第６領域には接続されていない、ことが好ましい。
【００２０】
上記構成によれば、上記複数のワイヤは、第４領域及び第５領域の各々に接続されており、第６領域には接続されていない。ここで、上記レーザマウントの上記上面に接合された上記半導体レーザ素子において、上記第４領域に重なる部分は、上記第１領域に重なる部分のうちで、上記第３領域に重なる部分に作用する応力よりも小さい応力が作用する部分である。同様に、上記レーザマウントの上記上面に接合された上記半導体レーザ素子において、上記第５領域に重なる部分は、上記第２領域に重なる部分のうちで、上記第３領域に重なる部分に作用する応力よりも小さい応力が作用する部分である。すなわち、上記半導体レーザ素子において、上記第４領域に重なる部分、及び、上記第５領域に重なる部分は、マイクロクラックが特に広がり難い部分である。
【００２１】
したがって、上記の構成によれば、上記複数のワイヤを上記レーザマウントの上記上面に接続する領域を、上記半導体レーザ素子に発生したマイクロクラックが特に広がり難い部分の付近に限定することができる。その結果、上記複数のワイヤを上記レーザマウントの上記上面に接続する際に、上記半導体レーザ素子の破断が生じる可能性を、より一層、低減することができる。
【００２２】
また、上記の半導体レーザモジュールにおいて、上記第１の平面は、上記半導体レーザ素子の長手軸に直交する一方の端面からの距離が１ｍｍとなる平面であり、上記第２の平面は、上記半導体レーザ素子の長手軸に直交する他方の端面からの距離が１ｍｍとなる平面である、ことが好ましい。
【００２３】
また、上記の半導体レーザモジュールにおいて、上記半導体レーザ素子の長手寸法は、４ｍｍ以上８ｍｍ以下である、ことが好ましい。
【００２４】
また、上記の半導体レーザモジュールにおいて、上記基板の厚さに対する上記レーザマウントの厚さの比は、０．５以上１．０以下である、ことが好ましい。
【００２５】
上記の構成によれば、上記基板の厚みが１ｍｍ以上の場合に、上記半導体レーザ素子に破断が生じる可能性を有効に低減することができる。
【００２６】
なお、上記の半導体レーザモジュールにおいて、上記レーザマウントの材料は、例えば、ＡｌＮであり、上記基板の材料は、例えば、Ｃｕである。
【００２７】
ただし、上記レーザマウント及び上記基板の材料が上記の材料以外であっても、上記レーザマウント及び上記基板が熱膨張率の異なる材料により構成されていれば、上記の効果と同様の効果が得られる。
【００２８】
また、上記課題を解決するために、本発明に係る半導体レーザモジュールの製造方法は、半導体レーザ素子をレーザマウントの上面に接合する第１の接合工程と、上記半導体レーザ素子と上記レーザマウントとを複数のワイヤを介して接続する第１の接続工程と、上記レーザマウントを基板の上面に接合する第２の接合工程と、上記レーザマウントと電極とを上記複数のワイヤとは異なる複数のワイヤを介して接続する第２の接続工程と、を含み、上記半導体レーザ素子の長手軸に直交する第１の平面であって、上記半導体レーザ素子において極大応力が作用する２つの部分の一方を通る第１の平面と、上記半導体レーザ素子の長手軸に直交する第２の平面であって、上記半導体レーザ素子において極大応力が作用する上記２つの部分の他方を通る第２の平面とによって、上記レーザマウントの上記上面を３つの領域に分割したとき、上記複数のワイヤは、上記レーザマウントの上記上面の端部を占める第１領域及び第２領域の各々に接続されており、上記第１領域と上記第２領域とに挟まれた第３領域には接続されていない、ことを特徴とする。
【００２９】
上記の製造方法によれば、上記の半導体レーザモジュールと同様の効果を奏する。
【発明の効果】
【００３０】
本発明によれば、高出力かつ、信頼性の高い半導体レーザモジュールを実現することができる。
【図面の簡単な説明】
【００３１】
【図１】本発明の一実施形態に係る半導体レーザモジュールの全体像を示す斜視図である。
【図２】（ａ）は、図１に示す半導体レーザモジュールのＣｏＳ（Chip on Submount）の上面図及び正面図であり、（ｂ）は、（ａ）に示す半導体レーザ素子に作用する応力の分布（長手軸上の分布）を示すグラフである。
【図３】図１に示す半導体レーザモジュールの製造方法の手順を示すフローチャートである。
【図４】図１に示す半導体レーザモジュールの備える半導体レーザ素子において発生する応力を示すグラフであって、（ａ）は、半導体レーザモジュールの備える基板の厚さが１ｍｍの場合を示し、（ｂ）は、半導体レーザモジュールの備える基板の厚さが２ｍｍの場合を示し、（ｃ）は、半導体レーザモジュールの備える基板の厚さが３ｍｍの場合を示す。
【図５】図２に示すＣｏＳの変形例の概略構成を示す上面図及び正面図であり、（ａ）は、ＣｏＳの変形例の一例を示し、（ｂ）は、ＣｏＳの変形例の他の一例を示す。
【図６】従来の半導体レーザモジュールの備えるＣｏＳ（Chip on Submount）の概略構成を示す上面図及び正面図であり、図６（ａ）は、各々のワイヤ長を短くするように複数のワイヤを接続する場合のＣｏＳの上面図及び正面図を示し、図６（ｂ）は、半導体レーザ素子に流入する電流が均一になるように複数のワイヤを接続する場合のＣｏＳの上面図及び正面図を示す。
【発明を実施するための形態】
【００３２】
本発明の一実施形態に係る半導体レーザモジュール１について、図１を参照して説明する。図１は、本実施形態に係る半導体レーザモジュール１の全体像を示す斜視図である。
【００３３】
半導体レーザモジュール１は、光ファイバ２の末端に装着されるレーザモジュールであり、図１に示すように、基板１０、ＣｏＳ（Chip on Submount）３０、ファイバマウント４０、及びケース５０を備えている。なお、図１においては、半導体レーザモジュール１の内部の構造を明らかにするために、ケース５０の天板及び側板の一部を省略している。
【００３４】
基板１０は、半導体レーザモジュール１の底板である。本実施形態においては、図１に示すように、基板１０として、主面が角丸矩形の板状部材を用いる。基板１０は、半導体レーザモジュール１の内部（特にＣｏＳ３０）で発生した熱を半導体レーザモジュール１の外部に放熱するためのヒートシンクとして機能する。このため、基板１０は、熱伝導率の高い材料、例えばＣｕ（銅）により構成される。
【００３５】
基板１０の上面には、図１に示すように、ＣｏＳ３０とファイバマウント４０とが載置される。基板１０の上面において、ファイバマウント４０は、光ファイバ２が引き出される側（図１において右手前側、以下では「ファイバ側」と記載）に配置され、ＣｏＳ３０は、光ファイバ２が引き出される側と反対側（図１において左奥側、以下では「リード側」と記載）に配置される。
【００３６】
ＣｏＳ３０は、レーザマウント３１と半導体レーザチップ３２とが一体化されたものである。
【００３７】
レーザマウント３１は、半導体レーザチップ３２を支持する支持体であり、例えば、ＡｌＮ（窒化アルミニウム）により構成される。本実施形態においては、図１に示すように、レーザマウント３１として、主面が矩形状の板状部材を用い、このレーザマウント３１を、その下面が基板１０の上面と平行になり、かつ、その主面の長辺が基板１０の主面の長辺と平行になるように配置する。レーザマウント３１は、その下面と基板１０の上面との間に広がった半田６２によって、基板１０の上面に接合される。本実施形態においては、半田６２として、例えば、Ｉｎ−Ｓｎ系半田を用いることが好ましい。
【００３８】
図１に示すように、レーザマウント３１の上面には、互いに離間した２枚の電極パッド３５〜３６が形成されている。第１の電極パッド３５は、第１の電極５２にワイヤ５４を介して接続されると共に、半導体レーザチップ３２の下面に直接接続される。一方、第２の電極パッド３６は、第２の電極５３にワイヤ５５を介して接続されると共に、半導体レーザチップ３２の上面にワイヤ３３を介して接続される。これにより、第１の電極５２、ワイヤ５４、第１の電極パッド３５、半導体レーザチップ３２、ワイヤ３３、第２の電極パッド３６、ワイヤ５５、及び第２の電極５３をこの順に通る電流路が形成される。
【００３９】
半導体レーザチップ３２は、長手軸に直交する一方の端面３２ａからレーザ光を発するレーザ光源である。本実施形態においては、半導体レーザチップ３２として、主にＧａＡｓ（ガリウム砒素）からなる半導体レーザ素子を用いる。半導体レーザチップ３２は、図１に示すように、その長手方向がレーザマウントの長手方向と平行になるように、かつ、その端面３２ａが光ファイバ２の入射端面と対向するように配置されている。
【００４０】
ファイバマウント４０は、光ファイバ２を支持する支持体である。本実施形態においては、ファイバマウント４０として、図１に示すように、主面が矩形状の板状部材を用い、このファイバマウント４０を、その下面が基板１０と平行になり、かつ、その主面の長辺が基板１０の主面の長辺と垂直になるように配置する。ファイバマウント４０は、その下面と基板１０の上面との間に広がった半田６３によって、基板１０の上面に接合される。
【００４１】
ファイバマウント４０には、図１に示すように、ケース５０に設けられた挿通パイプ５１を通して半導体レーザモジュール１の内部に引き込まれた光ファイバ２が載置される。光ファイバ２は、楔状に加工された先端２ａが半導体レーザチップ３２の端面３２ａに正対するように配置され、半田６４によってファイバマウント４０の上面に接合される。半導体レーザチップ３２の端面３２ａから発せられたレーザ光は、先端２ａから光ファイバ２に入射し、光ファイバ２内を伝搬する。
【００４２】
次に、半導体レーザモジュール１において、ワイヤ５４〜５５を接続する位置について、図２を参照しながら説明する。図２（ａ）は、半導体レーザモジュール１のＣｏＳ３０の上面図及び正面図である。図２（ｂ）は、半導体レーザチップ３２に作用する応力の分布（長手軸上の分布）を示すグラフである。
【００４３】
図２（ａ）において、斜線にて示す領域３５ａ及び領域３５ｂは、第１の電極パッド３５において、ワイヤ５４が接続される領域を示している。また、図２（ａ）において、斜線にて示す領域３６ａ及び領域３６ｂは、第２の電極パッド３６において、ワイヤ５５が接続される領域を示している。ワイヤ５４は、第１の電極パッド３５における領域３５ａ及び領域３５ｂに接続されており、領域３５ａ及び領域３５ｂに挟まれた領域には接続されていない。また、ワイヤ５５は、第２の電極パッド３６における領域３６ａ及び領域３６ｂに接続されており、領域３６ａ及び領域３６ｂに挟まれた領域には接続されていない。
【００４４】
半導体レーザチップ３２に作用する応力は、その長手軸上において図２（ｂ）に示すよう分布する。すなわち、半導体レーザチップ３２の長手軸に直交する一方の端面（端面３２ａ）からの距離がδとなる部分、及び、半導体レーザチップ３２の長手軸に直交する他方の端面からの距離がδとなる部分で極大値を取る。第１の電極パッド３５における領域３５ａ及び領域３５ｂ、及び、第２の電極パッド３６における領域３６ａ及び領域３６ｂは、図２（ｂ）に示す応力分布に基づいて次のように決定される。
【００４５】
すなわち、レーザマウント３１の上面を、半導体レーザチップ３２の長手軸に直交する第１の平面であって、半導体レーザチップ３２において極大応力が作用する２つの部分の一方を通る第１の平面Ｓ１と、半導体レーザチップ３２の長手軸に直交する第２の平面であって、これら２つの部分の他方を通る第２の平面Ｓ２とによって、３つの領域に分割する。続いて、第１の平面Ｓ１及び第２の平面Ｓ２により分割された３つの領域のうち、レーザマウント３１の端部の一方を占める第１領域を図２（ａ）に示す領域３５ａ及び３６ａとして決定し、レーザマウント３１の端部の他方を占める第２領域を領域３５ｂ及び３６ｂとして決定する。
【００４６】
ここで、レーザマウント３１の上面に接合された半導体レーザチップ３２において、第１領域と第２領域とに挟まれた第３領域に重なる部分は、両端に極大応力が作用する部分であり、一端にのみ極大応力が作用する部分と比べてマイクロクラックが広がり易い部分である。一方、第１領域に重なる部分、及び、第２領域に重なる部分は、一端にのみ極大応力が作用する部分であり、両端に極大応力が作用する部分と比べてマイクロクラックが広がり難い部分である。
【００４７】
以上のように、ワイヤ５４が接続される領域３５ａ及び領域３５ｂ、並びに、ワイヤ５５が接続される領域３６ａ及び領域３６ｂをそれぞれ決定することにより、複数のワイヤ５４〜５５をレーザマウント３１の上面に形成された第１の電極パッド３５、及び、第２の電極パッド３６に接続する際に超音波を印加すべき領域を、マイクロクラックが広がり難い部分に限定することができる。その結果、複数のワイヤ５４〜５５をレーザマウント３１の上面に形成された第１の電極パッド３５、及び第２の電極パッド３６に接続する際に、半導体レーザチップ３２の破断が生じる可能性を低減することができる。
【００４８】
また、ワイヤ５４を領域３５ａ及び領域３５ｂの何れか一方ではなく、領域３５ａ及び領域３５ｂの両方に接続し、かつ、ワイヤ５５を領域３６ａ及び領域３６ｂの何れか一方ではなく、領域３６ａ及び領域３６ｂの両方に接続するように構成されているため、ワイヤ５４〜５５の本数を増やすことができる。
【００４９】
ここで、実際に、ワイヤ５４を領域３５ａのみに接続し、かつ、ワイヤ５５を領域３６ａのみに接続した場合と、ワイヤ５４を領域３５ａ及び領域３５ｂに接続し、かつ、ワイヤ５５を領域３６ａ及び領域３６ｂに接続した場合とを比較する。いずれの場合においても、ワイヤ５４〜５５として、径１００μｍのＡｕ（金）ワイヤを用い、第１の電極パッド３５、及び第２の電極パッド３６として、上面にＡｕ（金）メッキが施されているものを用いた。領域３５ａに２０本のワイヤ５４を接続し、かつ、領域３６ａに２０本のワイヤ５５を接続した場合、ワイヤ５４〜５５の合成抵抗は、２．８２×１０−２［Ω］であった。一方、領域３５ａ及び領域３５ｂの各々にワイヤ５４を２０本ずつ接続し、かつ、領域３６ａ及び領域３６ｂの各々にワイヤ５５を２０本ずつ接続した場合、ワイヤ５４〜５５の合成抵抗は、１．４４×１０−２［Ω］であった。よって、ワイヤ５４を領域３５ａ及び領域３５ｂの両方に接続し、かつ、ワイヤ５５を領域３６ａ及び領域３６ｂの両方に接続するように構成することにより、ワイヤ５４〜５５の合成抵抗の増大を抑制することができる。それにより、ワイヤでの電力ロスを抑制することができ、出力の大きい半導体レーザモジュールを実現することができる。
【００５０】
したがって、半導体レーザモジュール１を上記のように構成することにより、高出力かつ、信頼性の高い半導体レーザモジュールを実現することができる。
【００５１】
なお、第１の平面Ｓ１は、半導体レーザチップ３２の長手軸に直交する一方の端面からの距離δが１ｍｍとなる平面であり、第２の平面Ｓ２は、半導体レーザチップ３２の長手軸に直交する他方の端面からの距離δが１ｍｍとなる平面である、ことが好ましい。
【００５２】
本実施形態において、半導体レーザチップ３２の長手寸法は、４ｍｍ以上８ｍｍ以下であり、基板１０の厚さに対するレーザマウント３１の厚さの比は、０．５以上１．０以下である。そのため、上記のように構成することにより、基板１０の厚みが１ｍｍ以上の場合に、半導体レーザチップ３２に破断が生じる可能性を有効に低減することができる。
【００５３】
なお、本実施形態においては、半導体レーザチップ３２において極大応力が作用する２つの部分（半導体レーザチップ３２の端部からの距離がδとなる部分）を通る２つの平面Ｓ１，Ｓ２によってレーザマウント３１の上面を３つの領域に分割したときに、レーザマウント３１の上面の両端を占める第１領域及び第２領域にワイヤ５４及びワイヤ５５を接続する構成を採用しているが、本発明は、これに限定されるものではない。すなわち、以下のように規定される２つの平面Ｓ３，Ｓ４によってレーザマウント３１の上面を３つの領域に分割したときに、レーザマウント３１の上面の両端を占める第３領域及び第４領域にワイヤ５４及びワイヤ５５を接続する構成を採用してもよい。ここで、第３の平面Ｓ３は、半導体レーザチップ３２の長手軸に直交する平面であって、半導体レーザチップ３２において第１の平面Ｓ１と第２の平面Ｓ２とに挟まれた部分に作用する応力の極小値と同じ大きさの応力が作用する２つの部分（半導体レーザチップ３２の端部からの距離がδ’となる部分）の一方を通る平面であり、第４の平面Ｓ４は、半導体レーザチップ３２の長手軸に直交する平面であって、これら２つの部分の他方を通る平面である。
【００５４】
レーザマウント３１の上面に接合された半導体レーザチップ３２において、第４領域に重なる部分は、第１領域に重なる部分のうちで、第３領域に重なる部分に作用する応力よりも小さい応力が作用する部分である。同様に、レーザマウント３１の上面に接合された半導体レーザチップ３２において、第５領域に重なる部分は、第２領域に重なる部分のうちで、第３領域に重なる部分に作用する応力よりも小さい応力が作用する部分である。すなわち、半導体レーザチップ３２において、第４領域に重なる部分、及び、第５領域に重なる部分は、マイクロクラックが特に広がり難い部分である。
【００５５】
したがって、ワイヤ５４及びワイヤ５５を第４領域及び第５領域に接続し、これら２つの領域に挟まれた第６領域に接続しないようにすれば、ワイヤ５４〜５５をレーザマウント３１の上面に接続（超音波ボンディング）する際に超音波を印加すべき領域を、マイクロクラックが特に広がり難い部分に限定することができる。その結果、複数のワイヤ５４〜５５をレーザマウント３１の上面に接続する際に、半導体レーザチップ３２の破断が生じる可能性を、より一層、低減することができる。
【００５６】
また、本実施形態において、レーザマウント３１の材料は、ＡｌＮであり、基板１０の材料は、Ｃｕである。ただし、レーザマウント３１及び基板１０の材料が上記の材料以外であっても、レーザマウント３１及び基板１０が熱膨張率の異なる材料により構成されていれば、上記の効果と同様の効果が得られる。
【００５７】
また、本実施形態において、レーザマウント３１と基板１０とは、例えば、融点が１１８℃以下の半田により接合されていることが好ましい。レーザマウント３１と基板１０との接合において、このように比較的低いはんだを用いることにより、各部材の温度上昇を抑制することができる。そのため、冷却過程における各部材の収縮差が少なくなり、半導体レーザチップ３２に作用する応力を小さくすることができる。
【００５８】
次に、本実施形態に係る半導体レーザモジュールの製造方法について、図３を参照しながら説明する。図３は、半導体レーザモジュール１の製造方法の手順を示すフローチャートである。
【００５９】
図３に示すように、半導体レーザモジュール１の製造は、以下の工程Ｓ１〜Ｓ４によって実現される。
【００６０】
工程Ｓ１：半導体レーザチップ３２をレーザマウント３１の上面に形成された第１の電極パッド３５に接合する（第１の接合工程）。
【００６１】
工程Ｓ２：半導体レーザチップ３２と第２の電極パッド３６とを複数のワイヤ３３を介して接続する（第１の接続工程）。ワイヤ３３の電極パッド３６への接続には、超音波ボンディングを用いる。このため、工程Ｓ２においては、ワイヤ３３を電極パッド３６に押し付ける治具（キャピラリ）を用いてレーザマウント３１に超音波を印加する必要があるが、レーザマウント３１が基板１０の上面に接合されていない状態、すなわち、半導体レーザチップ３２に作用する応力が比較的低い状態において工程Ｓ２を実施することにより、半導体レーザチップ３２を破断させることなく、ワイヤ３３を接続することができる。
【００６２】
工程Ｓ３：レーザマウント３１を基板１０の上面に接合する（第２の接合工程）。
【００６３】
工程Ｓ４：レーザマウント３１の上面に形成された第１の電極パッド３５と第１の電極５２とを複数のワイヤ５４を介して接続するとともに、レーザマウント３１の上面に形成された第２の電極パッド３６と第２の電極５３とを複数のワイヤ５５を介して接続する（第２の接続工程）。ワイヤ５４の第１の電極パッド３５への接続、及び、ワイヤ５５の第２の電極パッド３６への接続にも、超音波ボンディングを用いる。なお、工程Ｓ４において、レーザマウント３１の上面にワイヤ５４〜５５を接続する位置については、図２を参照して説明した通りである。
【００６４】
以上の製造方法によれば、複数のワイヤ５４〜５５を、レーザマウント３１の上面に形成された第１の電極パッド３５及び第２の電極パッド３６に接続する際に超音波を印加すべき領域を、マイクロクラックが広がり難い部分に限定することができる。その結果、複数のワイヤ５４〜５５をレーザマウント３１の上面に形成された第１の電極パッド３５、及び第２の電極パッド３６に接続する際に、半導体レーザチップ３２の破断が生じる可能性を低減することができる。すなわち、信頼性の高い半導体レーザモジュール１を製造することができる。
【００６５】
（実施例）
次に、本実施形態に係る半導体レーザモジュールの製造方法の実施例について説明する。本実施例においては、同一の条件下において、半導体レーザモジュール１を１０個製造し、半導体レーザチップ３２の破断割合を評価した。
【００６６】
まず、上述した手順に従い、半導体レーザモジュール１を製造した。本実施例においては、レーザマウント３１として、厚さ１ｍｍのＡｌＮを用い、基板１０として、厚さ１ｍｍのＣｕを用いた。また、半導体レーザチップ３２として、主にＧａＡｓからなる半導体レーザ素子であって、長手寸法（素子長さ）が４ｍｍ、６ｍｍ、及び８ｍｍの半導体レーザ素子をそれぞれ用いた。また、レーザマウント３１の上面に形成された第１の電極パッド３５、及び第２の電極パッド３６上の領域であって、図２（ａ）に示す例においてδ＝１ｍｍとなる領域にワイヤ５４〜５５を接続した。さらに、比較例として、レーザマウント３１の上面に形成された第１の電極パッド３５、及び第２の電極パッド３６上の領域であって、図２（ａ）に示す例においてδ＝２ｍｍとなる領域にワイヤ５４〜５５を接続した場合、及び、第１の電極パッド３５の上面全体、及び第２の電極パッド３６の上面全体にワイヤ５４〜５５を接続した場合の各々について、半導体レーザモジュールを１０個ずつ製造した。
【００６７】
表１は、製造された半導体レーザモジュール１における半導体レーザチップ３２の破断割合の評価結果を示している。表１においては、各条件下において製造された１０個の半導体レーザモジュール１のうち、半導体レーザチップ３２の破断が起こっていた半導体レーザモジュール１の個数を示している。
【００６８】
【表１】
2015185667.tif 000003
【００６９】
表１に示す評価結果より、δ＝１ｍｍとなる領域にワイヤ５４〜５５を接続した場合には、半導体レーザチップ３２の破断は起こらなかった。一方で、δ＝２ｍｍとなる領域にワイヤ５４〜５５を接続した場合、及び、全体に均等に接続した場合には、いくつかの半導体レーザモジュール１において半導体レーザチップ３２の破断が起こった。
【００７０】
続いて、基板１０の厚さを２ｍｍに変更し、同様の手順によって半導体レーザモジュール１を製造した。
【００７１】
表２は、製造された半導体レーザモジュールにおける半導体レーザチップの破断割合の評価結果を示している。表２の構成は、表１と同様であるため説明を省略する。
【００７２】
【表２】
2015185667.tif 000004
【００７３】
表２に示す評価結果より、δ＝１ｍｍとなる領域にワイヤ５４〜５５を接続した場合には、半導体レーザチップ３２の破断は起こらなかった。一方で、δ＝２ｍｍとなる領域にワイヤ５４〜５５を接続した場合、及び、全体に均等に接続した場合には、いくつかの半導体レーザモジュール１において半導体レーザチップ３２の破断が起こった。
【００７４】
続いて、基板１０の厚さを３ｍｍに変更し、同様の手順によって半導体レーザモジュール１を製造した。
【００７５】
表３は、製造された半導体レーザモジュールにおける半導体レーザチップの破断割合の評価結果を示している。表３の構成は、表１及び表２と同様であるため説明を省略する。
【００７６】
【表３】
2015185667.tif 000005
【００７７】
表３に示す評価結果より、いずれの場合においても、半導体レーザチップ３２の破断は起こらなかった。
【００７８】
表１〜３の示す評価結果について考察するため、半導体レーザチップ３２に作用する応力についてシミュレーションを行った。
【００７９】
図４は、半導体レーザモジュール１の備える半導体レーザチップ３２の長手軸に沿って、半導体レーザチップ３２に作用する応力分布のシミュレーション結果を示すグラフである。図４（ａ）は、基板１０の厚さが１ｍｍの場合を示し、（ｂ）は、基板１０の厚さが２ｍｍの場合を示し、（ｃ）は、基板１０の厚さが３ｍｍの場合を示している。
【００８０】
図４（ａ）〜（ｃ）に示すグラフにおいて、横軸は、半導体レーザチップ３２における長手軸上の位置［ｍｍ］を示しており、縦軸は、半導体レーザチップ３２に作用する応力［ＭＰａ］を示している。また、図４（ａ）〜（ｃ）に示すグラフでは、半導体レーザチップ３２の長手軸において、端面３２ａからの距離と、端面３２ａに平行な端面からの距離とが同一になる平面が通る部分（すなわち、半導体レーザチップ３２の中央部）を、長手軸上において０ｍｍの位置とする。したがって、長手寸法が４ｍｍの半導体レーザチップ３２を用いた場合には、−２ｍｍ以上２ｍｍ以下の範囲において作用する応力の分布を示している。
【００８１】
図４（ａ）に示すように、半導体レーザチップ３２の長手寸法が４ｍｍの場合、半導体レーザチップ３２の中央部付近において、比較的高い応力が作用している。また、半導体レーザチップ３２の端面３２ａから１．０７ｍｍの位置、及び端面３２ａに平行な端面から１．０７ｍｍの位置において、応力が極大値（極大応力）を示している。また、極大応力を示している位置から、半導体レーザチップ３２の長手軸に直交する端面のうち、距離が近い端面に向かうにつれ、作用する応力が低下している。すなわち、半導体レーザチップ３２の端部付近に作用する応力は、半導体レーザチップ３２の中央部付近に作用する応力よりも低いことがわかる。
【００８２】
半導体レーザチップ３２の長手寸法が６ｍｍの場合、及び８ｍｍの場合においても、半導体レーザチップ３２に作用する応力は、半導体レーザチップ３２の長手寸法が４ｍｍの場合同様の傾向を示している。半導体レーザチップ３２の長手寸法が６ｍｍの場合、極大応力が作用する部分は、半導体レーザチップ３２の端面３２ａから１．２７ｍｍの位置、及び端面３２ａに平行な端面から１．２７ｍｍの位置である。また、半導体レーザチップ３２の長手寸法が８ｍｍの場合、極大応力が作用する部分は、半導体レーザチップ３２の端面３２ａから１．３３ｍｍの位置、及び端面３２ａに平行な端面から１．３３ｍｍの位置である。
【００８３】
表１に示す評価結果について考察すると、δ＝１ｍｍとなる領域にワイヤ５４〜５５を接続した場合には、半導体レーザチップ３２に極大応力が作用している部分よりも外側の領域にワイヤ５４〜５５を接続しているため、半導体レーザチップ３２の破断が起こらなかったと考えられる。一方で、δ＝２ｍｍとなる領域にワイヤ５４〜５５を接続した場合、及び、全体に均等に接続した場合には、半導体レーザチップ３２に極大応力が作用している部分の付近、及び半導体レーザチップ３２の中央部付近にワイヤ５４〜５５を接続しているため、半導体レーザチップ３２の破断が起こったと考えられる。
【００８４】
また、図４（ｂ）に示すように、基板１０の厚さが２ｍｍの場合においても、半導体レーザチップ３２に作用する応力は、図４（ａ）に示すシミュレーション結果と同様の傾向を示している。また、図４（ｂ）に示す例において、半導体レーザチップ３２に作用する応力の値は、図４（ａ）に示す例よりも低い値を示しているが、これは、基板１０の厚みを増したことにより、基板１０及びレーザマウント３１の反りが小さくなったためであると考えられる。
【００８５】
図４（ｂ）に示す例において、半導体レーザチップ３２の長手寸法が４ｍｍの場合、極大応力が作用する部分は、半導体レーザチップ３２の端面３２ａから１．２ｍｍの位置、及び端面３２ａに平行な端面から１．２ｍｍの位置である。また、半導体レーザチップ３２の長手寸法が６ｍｍの場合、極大応力が作用する部分は、半導体レーザチップ３２の端面３２ａから１．６７ｍｍの位置、及び端面３２ａに平行な端面から１．６７ｍｍの位置である。また、半導体レーザチップ３２の長手寸法が８ｍｍの場合、極大応力が作用する部分は、半導体レーザチップ３２の端面３２ａから２ｍｍの位置、及び端面３２ａに平行な端面から２ｍｍの位置である。
【００８６】
表２に示す評価結果について考察すると、δ＝１ｍｍとなる領域にワイヤ５４〜５５を接続した場合には、半導体レーザチップ３２に極大応力が作用している部分よりも外側の領域にワイヤ５４〜５５を接続しているため、半導体レーザチップ３２の破断が起こらなかったと考えられる。一方で、δ＝２ｍｍとなる領域にワイヤ５４〜５５を接続した場合、及び、全体に均等に接続した場合には、半導体レーザチップ３２に極大応力が作用している部分の付近、及び半導体レーザチップ３２の中央部付近にワイヤ５４〜５５を接続しているため、半導体レーザチップ３２の破断が起こったと考えられる。
【００８７】
また、図４（ｃ）に示すように、基板１０の厚さが３ｍｍの場合においても、半導体レーザチップ３２に作用する応力は、図４（ａ）及び（ｂ）に示すシミュレーション結果と同様の傾向を示している。また、図４（ｃ）に示す例において、半導体レーザチップ３２に作用する応力の値は、図４（ｂ）に示す例よりもさらに低い値を示しているが、これは、基板１０の厚みがさらに増したことにより、基板１０及びレーザマウント３１の反りが小さくなったためであると考えられる。
【００８８】
図４（ｃ）に示す例において、半導体レーザチップ３２の長手寸法が４ｍｍの場合、極大応力が作用する部分は、半導体レーザチップ３２の端面３２ａから１．０７ｍｍの位置、及び端面３２ａに平行な端面から１．０７ｍｍの位置である。また、半導体レーザチップ３２の長手寸法が６ｍｍの場合、極大応力が作用する部分は、半導体レーザチップ３２の端面３２ａから１．５３ｍｍの位置、及び端面３２ａに平行な端面から１．５３ｍｍの位置である。また、半導体レーザチップ３２の長手寸法が８ｍｍの場合、極大応力が作用する部分は、半導体レーザチップ３２の端面３２ａから２．１３ｍｍの位置、及び端面３２ａに平行な端面から２．１３ｍｍの位置である。
【００８９】
表３に示す評価結果について考察すると、いずれの場合においても、半導体レーザチップ３２に極大応力が作用している部分よりも外側の領域にワイヤ５４〜５５を接続しているため、半導体レーザチップ３２の破断が起こらなかったと考えられる。
【００９０】
（変形例１）
次に、半導体レーザモジュール１の変形例について、図５を参照しながら説明する。図５は、本変形例に係る半導体レーザモジュールのＣｏＳの概略構成を示す上面図及び正面図であって、（ａ）は、ＣｏＳ３０の変形例の一例を示し、（ｂ）は、ＣｏＳ３０の変形例の他の一例を示している。
【００９１】
図５（ａ）に示すＣｏＳ３０’が、図２（ａ）に示す例と異なる点は、半導体レーザチップ３２の長手寸法が、レーザマウント３１の長手寸法よりも短い点である。図５（ａ）に示す例においては、半導体レーザチップ３２は、端面３２ａが、レーザマウント３１のファイバ側の端面に平行になるように、レーザマウント３１の上面に接合されている。そのため、半導体レーザチップ３２の端面３２ａに平行な端面は、レーザマウント３１のリード側の端面に沿うように配置されていない。
【００９２】
図５（ａ）において、斜線にて示す領域３５ａ’及び領域３５ｂ’は、レーザマウント３１の上面に形成された第１の電極パッド３５において、ワイヤ５４が接続される領域を示している。また、図５（ａ）において、斜線にて示す領域３６ａ’及び領域３６ｂ’は、レーザマウント３１の上面に形成された第２の電極パッド３６において、ワイヤ５５が接続される領域を示している。ワイヤ５４は、レーザマウント３１の上面に形成された第１の電極パッド３５における領域３５ａ’及び領域３５ｂ’に接続されており、領域３５ａ’及び領域３５ｂ’に挟まれた領域には接続されていない。また、ワイヤ５５は、レーザマウント３１の上面に形成された第２の電極パッド３６における領域３６ａ’及び領域３６ｂ’に接続されており、領域３６ａ’及び領域３６ｂ’に挟まれた領域には接続されていない。図５（ａ）に示す例において、領域３５ａ’、領域３５ｂ’、領域３６ａ’、及び領域３６ｂ’は、図２（ａ）に示す例と同様に決定すればよい。
【００９３】
図５（ａ）に示す例においても、ワイヤ５４が接続される領域３５ａ’及び領域３５ｂ’、及び、ワイヤ５５が接続される領域３６ａ’及び領域３６ｂ’を決定することにより、半導体レーザチップ３２において比較的高い応力が作用している部分から離れた位置にワイヤ５４〜５５を接続することができる。したがって、ワイヤ５４〜５５をワイヤボンディングする際に、半導体レーザチップ３２の破断を抑制することができる。
【００９４】
（変形例２）
図５（ｂ）に示すＣｏＳ３０”が、図２（ａ）に示す例と異なる点は、ワイヤ５４が、領域３５ａ”及び領域３５ｂ”に加え、領域３５ｃにも接続されており、かつ、ワイヤ５５が、領域３６ａ”及び領域３６ｂ”に加え、領域３６ｃにも接続されている点である。図５（ｂ）に示す例において、領域３５ａ”、領域３５ｂ”、領域３６ａ”、及び領域３６ｂ”は、図２（ａ）に示す例と同様に決定すればよい。続いて、領域３５ｃ及び領域３６ｃは、次のように決定される。
【００９５】
レーザマウント３１の上面において領域３１ａ”及び領域３１ｂ”に挟まれた領域（第３領域）を、以下の２つの平面、
（１）半導体レーザチップ３２の端面のうち、レーザマウント３１の上面に垂直な端面であって、半導体レーザチップ３２の長手軸に平行な一方の端面から、半導体レーザチップ３２において上記一方の端面が存在する方向への距離がεとなる平面
（２）半導体レーザチップ３２の端面のうち、レーザマウント３１の上面に垂直な端面であって、半導体レーザチップ３２の長手軸に平行な他方の端面から、半導体レーザチップ３２において上記他方の端面が存在する方向への距離がεとなる平面
により、さらに３つの領域に分割する。続いて、上記２つの平面（１）、（２）により分割された３つの領域のうち、レーザマウント３１における第３領域の端部を占める領域を、図５（ｂ）に示す領域３５ｃ及び領域３６ｃとしてそれぞれ決定する。
【００９６】
ここで、上記の距離εは、超音波により半導体レーザチップ３２の破断が生じないよう、適宜決定すればよい。
【００９７】
以上のように、ワイヤ５４〜５５が接続される領域３５ｃ及び領域３６ｃを決定することにより、ワイヤ５４〜５５を、レーザマウント３１の上面に形成された第１の電極パッド３５、及び第２の電極パッド３６に接続する際に超音波を印加すべき領域を、マイクロクラックが広がり難い部分に限定することができる。その結果、複数のワイヤ５４〜５５をレーザマウント３１の上面に形成された第１の電極パッド３５、及び第２の電極パッド３６に接続する際に、半導体レーザチップ３２の破断が生じる可能性を低減することができる。
【００９８】
また、本変形例においては、ワイヤ５４〜５５を領域３５ｃ及び領域３６ｃにも接続することが可能になるため、ワイヤ５４〜５５の本数をさらに増大させることができる。
【００９９】
したがって、本変形例に係る半導体レーザモジュールによれば、さらに高出力かつ、高信頼な半導体レーザモジュールを実現することができる。
【０１００】
〔付記事項〕
本発明は上述した各実施形態に限定されるものではなく、請求項に示した範囲で種々の変更が可能であり、異なる実施形態にそれぞれ開示された技術的手段を適宜組み合わせて得られる実施形態についても本発明の技術的範囲に含まれる。
【産業上の利用可能性】
【０１０１】
本発明は、半導体素子を実装する半導体装置、及びそのような半導体レーザモジュールに好適に利用することができる。
【符号の説明】
【０１０２】
１          半導体レーザモジュール
１０            基板
３０            ＣｏＳ（Chip on Submount）
３１            レーザマウント
３５              第１の電極パッド
３５ａ、３５ｂ      領域（第１領域、第２領域）
３６              第２の電極パッド
３６ａ、３６ｂ      領域（第１領域、第２領域）
３２            半導体レーザチップ（半導体レーザ素子）
３２ａ            端面
５２、５３      電極
５４、５５      ワイヤ
【図１】
2015185667.tif 000006
【図２】
2015185667.tif 000007
【図３】
2015185667.tif 000008
【図４】
2015185667.tif 000009
【図５】
2015185667.tif 000010
【図６】
2015185667.tif 000011