(57)【要約】【課題】導電接続の際にＩＣチップ中央部がガラス基板側に撓むという問題を、ＩＣチップにダミーバンプを設けることなく、また、異方性導電フィルムにスペーサを均一分散させることなく解決する。【解決手段】導電粒子とスペーサとを含有する異方性導電フィルムにおいては、スペーサがフィルムの幅方向中央部に配列されている。フィルムの幅方向中央部とは、フィルムの全幅の２０〜８０％である。異方性導電フィルムの厚み方向におけるスペーサの高さは、５μｍより大きく７５μｍより小さい。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
導電粒子とスペーサとを含有する異方性導電フィルムであって、スペーサが該異方性導電フィルムの幅方向中央部に配列されている異方性導電フィルム。
【請求項２】
該フィルムの幅方向中央部の幅が該フィルムの全幅の２０％以上８０％以下である請求項１記載の異方性導電フィルム。
【請求項３】
異方性導電フィルムの厚み方向におけるスペーサの高さが、５μｍより大きく７５μｍより小さい請求項１又は２記載の異方性導電フィルム。
【請求項４】
異方性導電フィルムが、第１絶縁性接着層と第２絶縁性接着層との積層構造を有し、第１絶縁性接着層に導電粒子が分散しており、第１絶縁性接着層の第２絶縁性接着層側の表面にスペーサが規則的に配列されている請求項１〜３のいずれかに記載の異方性導電フィルム。
【請求項５】
異方性導電フィルムが、第１絶縁性接着層と第２絶縁性接着層との積層構造を有し、第１接着層の第２絶縁性接着層側の表面に、導電粒子とスペーサとがそれぞれ規則的に配列されている請求項１〜３のいずれかに記載の異方性導電フィルム。
【請求項６】
異方性導電フィルムが、第１絶縁性接着層と第２絶縁性接着層との積層構造を有し、第１絶縁性接着層の第２絶縁性接着層側の表面に導電粒子が規則的に配列され、第２接着層の第１絶縁性接着層側の表面にスペーサが規則的に配列されている請求項１〜３のいずれかに記載の異方性導電フィルム。
【請求項７】
請求項１記載の異方性導電フィルムの製造方法であって、スペーサを収容するための第１開口が該異方性導電フィルムの幅方向中央部に相当する位置に形成された転写型の当該開口にスペーサを収容し、転写型の第１開口形成面に、異方性導電フィルムを構成する絶縁性バインダ層を押し込み、絶縁性バインダ層にスペーサを転着させる製造方法。
【請求項８】
請求項４記載の異方性導電フィルムの製造方法であって、スペーサを収容するための第１開口が該異方性導電フィルムの幅方向中央部に相当する位置に形成された転写型の当該第１開口にスペーサを収容し、転写型の第１開口形成面に、異方性導電フィルムを構成する導電粒子が分散した第１絶縁性接着層を押し込み、第１絶縁性接着層にスペーサを転着させ、更に第２絶縁性接着層を積層する製造方法。
【請求項９】
請求項５記載の異方性導電フィルムの製造方法であって、スペーサを収容するための第１開口が該異方性導電フィルムの幅方向中央部に相当する位置に形成され、それ以外の部分に導電粒子を収容するための第２開口が形成されている転写型の当該第１開口にスペーサを収容し、続いて第２開口に導電粒子を収容し、転写型の第１及び第２開口形成面に、異方性導電フィルムを構成する導電粒子が分散した第１絶縁性接着層を押し込み、第１絶縁性接着層にスペーサを転着させ、更に第２絶縁性接着層を積層する製造方法。
【請求項１０】
請求項６記載の異方性導電フィルムの製造方法であって、  スペーサを収容するための第１開口が該異方性導電フィルムの幅方向中央部に相当する位置に形成された第１転写型の第１開口にスペーサを収容し、第１転写型の第１開口形成面に、異方性導電フィルムを構成する第１絶縁性接着層を押し込み、第１絶縁性接着層にスペーサを転着させ、  導電粒子を収容するための第２開口が該異方性導電フィルムの幅方向中央部以外に相当する位置に形成された第２転写型の第２開口に導電粒子を収容し、第２転写型の第２開口形成面に、異方性導電フィルムを構成する第２絶縁性接着層を押し込み、第２絶縁性接着層に導電粒子を転着させ、  スペーサが転着した第１絶縁性接着層と、導電粒子が転着した第２絶縁性接着層とを、スペーサと導電粒子が内側となるように積層する製造方法。
【請求項１１】
第１絶縁性接着層の他面に、別の絶縁性接着層を積層する請求項８〜１０のいずれかに記載の製造方法。
【請求項１２】
請求項１〜６のいずれかに記載の異方性導電フィルムで第１電子部品を第２電子部品に異方性導電接続してなる接続構造体。
【請求項１３】
請求項１〜６のいずれかに記載の異方性導電フィルムで第１電子部品を第２電子部品に異方性導電接続する接続方法であって、  第２電子部品に対し、異方性導電フィルムを仮貼りし、仮貼りされた異方性導電フィルムに対し、第１電子部品を搭載し、第１電子部品側から熱圧着する接続方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】  本発明は、異方性導電フィルム及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】  ガラス基板等へのＩＣチップのフリップチップ実装に異方性導電フィルムが広く使用されている。このような場合に適用されているＩＣチップの多くは、矩形形状を有し、そして裏面の対向する２辺の端部に、一直線上に複数のバンプが一定ピッチで形成され、ＩＣチップの裏面中央部にはバンプが形成されていない。このため、異方性導電接続の際にＩＣチップ中央部がガラス基板側に撓むという問題があった。この撓みが生ずると、異方性導電接続の際、全てのバンプに対し導電粒子を均一に押し込むことが困難となり、特に、ＩＣチップの長辺に沿ったバンプ列での導電粒子の押し込みが不均一になりやすい。そこで、このような問題を解消するために、ＩＣチップの裏面中央部にダミーバンプを設けることや（特許文献１）、異方性導電フィルムに導電粒子よりも粒径の大きなスペーサを均一分散させること（特許文献２）が提案されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００５−２０３７５８号公報
【特許文献２】特開２０００−３２３５２３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】  しかしながら、ダミーバンプをＩＣチップに設けることは、ＩＣチップの製造工程数の増加を招き、また、ＩＣチップの設計変更上の自由度が低下するという問題があった。また、異方性導電フィルムにスペーサを均一分散させた場合、ＩＣチップのバンプとガラス基板の端子との間にスペーサが挟まれる場合があり、導通が取れない場合や、導通信頼性が低下するという問題があった。【０００５】  本発明の目的は、以上の従来の技術の問題点を解決することであり、異方性導電接続の際にＩＣチップの中央部がガラス基板側に撓むという問題や、その撓みために個々のバンプに対する導電粒子の押し込みの均一性が損なわれるという問題の解消を、ＩＣチップにダミーバンプを設けることなく、また、異方性導電フィルムにスペーサを均一分散させることなく、解決できるようにすることである。
【課題を解決するための手段】
【０００６】  本発明者は、異方性導電フィルムにおいて、ＩＣチップのバンプが対向しない領域に選択的にスペーサを配置することにより、本発明の目的を達成できることを見出し、本発明を完成させるに至った。【０００７】  即ち、本発明は、導電粒子とスペーサとを含有する異方性導電フィルムであって、スペーサが該異方性導電フィルムの幅方向中央部に配列されている異方性導電フィルムを提供する。【０００８】  また、本発明は、好ましい態様として以下の態様Ａ、態様Ｂ、態様Ｃを提供する。【０００９】（態様Ａ）  異方性導電フィルムが、第１絶縁性接着層と第２絶縁性接着層との積層構造を有し、第１絶縁性接着層に導電粒子が分散しており、第１絶縁性接着層の第２絶縁性接着層側の表面にスペーサが規則的に配列されている態様。【００１０】（態様Ｂ）  異方性導電フィルムが、第１絶縁性接着層と第２絶縁性接着層との積層構造を有し、第１絶縁性接着層に導電粒子が分散しており、第２絶縁性接着層の第１絶縁性接着層側の表面にスペーサが規則的に配列されている態様。【００１１】（態様Ｃ）  異方性導電フィルムが、第１絶縁性接着層と第２絶縁性接着層との積層構造を有し、第１絶縁性接着層の第２絶縁性接着層側の表面に、導電粒子とスペーサとがそれぞれ規則的に配列されている態様。【００１２】（態様Ｄ）  異方性導電フィルムが、第１絶縁性接着層と第２絶縁性接着層との積層構造を有し、第１接着層の第２絶縁性接着層側の表面に導電粒子が規則的に配列され、第２接着層の第１絶縁性接着層側の表面にスペーサが規則的に配列されている態様。【００１３】  更に、本発明は、異方性導電フィルムの製造方法であって、スペーサを収容するための第１開口が該異方性導電フィルムの幅方向中央部に相当する位置に形成された転写型の当該開口にスペーサを収容し、転写型の第１開口形成面に、異方性導電フィルムを構成する絶縁性接着層を押し込み、絶縁性接着層にスペーサを転着させる製造方法を提供する。【００１４】  また、本発明は、上述の態様Ａの異方性導電フィルムの製造方法であって、スペーサを収容するための第１開口が該異方性導電フィルムの幅方向中央部に相当する位置に形成された転写型の当該第１開口にスペーサを収容し、転写型の第１開口形成面に、異方性導電フィルムを構成する導電粒子が分散した第１絶縁性接着層を押し込み、第１絶縁性接着層にスペーサを転着させ、更に第２絶縁性接着層を積層する製造方法を提供する。【００１５】（製造方法３）  また、本発明は、上述の態様Ｂの異方性導電フィルムの製造方法であって、スペーサを収容するための第１開口が該異方性導電フィルムの幅方向中央部に相当する位置に形成された転写型の当該第１開口にスペーサを収容し、転写型の第１開口形成面に、異方性導電フィルムを構成する第２絶縁性接着層を押し込み、第２絶縁性接着層にスペーサを転着させ、更に異方性導電フィルムを構成する導電粒子が分散した第１絶縁性接着層を積層する製造方法を提供する。【００１６】  本発明は、上述の態様Ｃの異方性導電フィルムの製造方法であって、スペーサを収容するための第１開口が該異方性導電フィルムの幅方向中央部に相当する位置に形成され、それ以外の部分に導電粒子を収容す��ための第２開口が形成されている転写型の当該第１開口にスペーサを収容し、続いて第２開口に導電粒子を収容し、転写型の第１及び第２開口形成面に、異方性導電フィルムを構成する導電粒子が分散した第１絶縁性接着層を押し込み、第１絶縁性接着層にスペーサを転着させ、更に第２絶縁性接着層を積層する製造方法を提供する。【００１７】  更に、本発明は、上述の態様Ｄの異方性導電フィルムの製造方法であって、  スペーサを収容するための第１開口が該異方性導電フィルムの幅方向中央部に相当する位置に形成された第１転写型の第１開口にスペーサを収容し、第１転写型の第１開口形成面に、異方性導電フィルムを構成する第１絶縁性接着層を押し込み、第１絶縁性接着層にスペーサを転着させ、  導電粒子を収容するための第２開口が該異方性導電フィルムの幅方向中央部以外に相当する位置に形成された第２転写型の第２開口に導電粒子を収容し、第２転写型の第２開口形成面に、異方性導電フィルムを構成する第２絶縁性接着層を押し込み、第２絶縁性接着層に導電粒子を転着させ、  スペーサが転着した第１絶縁性接着層と、導電粒子が転着した第２絶縁性接着層とを、スペーサと導電粒子が内側となるように積層する製造方法を提供する。【００１８】  また、本発明は、上述の異方性導電フィルムで第１電子部品を第２電子部品に異方性導電接続してなる接続構造体を提供する。【００１９】  更に、本発明は、上述の異方性導電フィルムで第１電子部品を第２電子部品に異方性導電接続する接続方法であって、  第２電子部品に対し、異方性導電フィルムを仮貼りし、仮貼りされた異方性導電フィルムに対し、第１電子部品を搭載し、第１電子部品側から熱圧着する接続方法を提供する。
【発明の効果】
【００２０】  本発明の異方性導電フィルムにおいて、その幅方向中央部にスペーサが配列されている。従って、異方性導電接続の際に、ＩＣチップに撓みが生ずることを抑制でき、従って、初期導通値を上昇させず、しかもショートの発生率を抑制することができる。
【図面の簡単な説明】
【００２１】
【図１】図１は、本発明の異方性導電フィルムの断面図である。
【図２】図２は、本発明の異方性導電フィルムの上面図である。
【図３Ａ】図３Ａは、本発明の異方性導電フィルムの上面図である。
【図３Ｂ】図３Ｂは、本発明の異方性導電フィルムの上面図である。
【図３Ｃ】図３Ｃは、本発明の異方性導電フィルムの上面図である。
【図３Ｄ】図３Ｄは、本発明の異方性導電フィルムの上面図である。
【図３Ｅ】図３Ｅは、本発明の異方性導電フィルムの上面図である。
【図３Ｆ】図３Ｆは、本発明の異方性導電フィルムの上面図である。
【図４】図４は、本発明の異方性導電フィルムの断面図である。
【図５】図５は、本発明の異方性導電フィルムの断面図である。
【図６】図６は、本発明の異方性導電フィルムの断面図である。
【図７】図７は、本発明の異方性導電フィルムの断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００２２】  以下、本発明の異方性導電フィルムの例を詳細に説明する。
【００２３】＜＜異方性導電フィルム＞＞  図１に示すように、本発明の異方性導電フィルム１００は、スペーサ１が異方性導電フィルム１００のフィルムの幅方向中央部（即ち、スペーサ配置領域Ａ）に配列されているものである。通常、この異方性導電フィルム１００は、絶縁性接着層１０中に導電粒子２が分散した構造を有する。
【００２４】（スペーサ配置領域Ａ）  スペーサ配置領域Ａは、異方性導電フィルムの幅方向中央部である。この幅方向中央部は、確実な異方性導電接続を実現し且つスペーサがバンプに当接しないようにするために、異方性導電フィルムの全幅の好ましくは２０％以上８０％以下、より好ましくは３０％以上７０％以下の領域である。この領域は、通常、図２に示すように、異方性導電フィルム１００の長手方向（矢印方向）に連続して設けられる。また、フィルム長手方向のスペーサ配置領域Ａの中心線は、異方性導電フィルムの長手方向と平行であることが好ましい。また、このフィルム長手方向のスペーサ配置領域Ａの中心線は、ＩＣチップのバンプ列が挟まれた領域（スペーサ配置領域Ａに対応）がＩＣチップの中央ではなく、左右にいずれかに偏在する場合も考慮して、フィルムの巾方向の端部からフィルム巾の２０〜５０％の領域に存在していることが好ましい。
【００２５】（スペーサ１）  スペーサ１としては、酸化アルミニウム粒子、酸化ケイ素粒子、酸化亜鉛粒子、ポリスチレン粒子等の絶縁粒子を使用することができる。スペーサ１の大きさは、ＩＣチップのバンプ高さと配線の端子厚との合計に導電粒子の平均粒径の３０％以上８０％以下を加えた大きさを１００とした場合に、好ましくは６０〜１４０、より好ましくは８０〜１２０となる大きさである。これは、ＩＣの長辺側での片当たりの防止や、ＩＣのバンプ側表面の起伏に対応するためである。具体的には、５μｍより大きく７５μｍより小さいことが好ましい。
【００２６】  スペーサ１の形状は、球状、楕円状、円錐状、角推状、円柱状、角柱状、針状等を例示できるが、導電粒子との重なり難さを考慮すると、球状や円柱状など曲線を有する形状が好ましい。また曲線を有する箇所がフィルム面と対向していることが望ましい。導電粒子と重複した場合に、異方性導電接続の際にこの重複が解消されやすくするためである。
【００２７】  スペーサ１の高さ（異方性導電フィルムの厚み方向の大きさ）としては、ＩＣチップのバンプ高さと配線の端子厚との合計に導電粒子の平均粒径の３０％以上８０％以下を加えた大きさが好ましい。具体的には、５μｍより大きく７５μｍより小さいことが好ましい。
【００２８】  スペーサ１の異方性導電フィルム面での面積占有率は、好ましくは２％以上である。また、スペーサ１同士の粒子間隔は、導電粒子２の大きさの２倍以上であることが好ましい。これは、接続時の樹脂流動を阻害しないためである。
【００２９】  またスペーサ１の形状が球状でない場合、フィルム平面方向で見た場合にスペーサ１の最大長の平均は、導電粒子２の平均粒子径の好ましくは１０倍以下、より好ましくは５倍以下、特に好ましくは３倍以下である。これは、スペーサ１が相対的に樹脂流動が最も大きい場所に位置しているため、導電粒子２の過剰な流動を抑制させないためである。
【００３０】  スペーサ１の配列のパターンとしては、スペーサ配置領域Ａに配列され且つ規則的な繰り返しパターンである限り、種々の配列パターンを採用することができる。例えば、直線状、曲線状（波状）、屈曲線状等を挙げることができる。スペーサ１が面方向で異方性を持つ場合（円柱などの場合）は、それに外接する仮想の円により配列の規則性を表せる。従って、異方性の方向はランダムでもよい。
【００３１】  スペーサ１を平面方向から見た場合の好ましい態様としては、図３Ａに示すように、スペーサ配置領域Ａの長手方向に粒子状のスペーサ１を所定ピッチで一列に配置する態様、図３Ｂに示すように、長尺の棒状のスペーサ１をフィルム長手方向に平行に配置する態様、図３Ｃに示すように、微小棒状のスペーサ１を、スペーサ１の長手方向がフィルム長手方向に平行になるように、所定ピッチで配置する態様、図３Ｄに示すように、微小棒状のスペーサ１を、スペーサ１の長手方向がフィルムの長手方向に直交するように、所定ピッチで配置する態様、図３Ｅに示すように、微小棒状のスペーサ１を、スペーサ１の長手方向がフィルムの長手方向に対しランダムな配置となるように、所定ピッチ（微小棒状スペーサの外接円（図中、点線円）の中心基準）で配置する態様、図３Ｆに示すように、球状のスペーサ１を所定ピッチで二列に配置する態様等が挙げられるが、これらに限られない。スペーサ１の配置位置としては、ＩＣチップの端部にあるライン状に配列されたバンプ列で挟まれた領域の中心近傍に存在することが望ましい。接続時の撓みは中心近傍になる。バンプ列は、個数や列数、総面積がＩＣ端部同士で対称になることは一般的ではないため、スペーサ１のフィルム平面上での望ましい位置は、必ずしも中心になるとは限らないが、その近傍にあれば撓みの減少に寄与できる。
【００３２】（異方性導電フィルムの好ましい態様）  以下に、本発明の異方性導電フィルム好ましい態様Ａ〜Ｄを示すが、本発明はこれらに限定されるものではない。
【００３３】「態様Ａ」  態様Ａは、図４に示すように、異方性導電フィルム１００が、第１絶縁性接着層４１と第２絶縁性接着層４２との積層構造を有し、第１絶縁性接着４１層に導電粒子２が分散しており、第１絶縁性接着層１の第２絶縁性接着層側の表面にスペーサ１が規則的に配列されている態様である。
【００３４】「態様Ｂ」  態様Ｂは、図５に示すように、異方性導電フィルム１００が、第１絶縁性接着層４１と第２絶縁性接着層４２との積層構造を有し、第１絶縁性接着４１層に導電粒子２が分散しており、第２接着層の第１絶縁性接着層側の表面にスペーサが規則的に配列されている態様である。
【００３５】「態様Ｃ」  態様Ｃは、図６に示すように、異方性導電フィルム１００が、第１絶縁性接着層４１と第２絶縁性接着層４２との積層構造を有し、第１絶縁性接着層４１の第２絶縁性接着層側の表面に、導電粒子２とスペーサ１とがそれぞれ規則的に配列されている態様である。
【００３６】「態様Ｄ」  態様Ｄは、図７に示すように、異方性導電フィルム１００が、第１絶縁性接着層４１と第２絶縁性接着層４２との積層構造を有し、第１接着層の第２絶縁性接着層側の表面に導電粒子が規則的に配列され、第２接着層の第１絶縁性接着層側の表面にスペーサが規則的に配列されている態様である。
【００３７】  なお、態様Ａ、態様Ｂ、態様Ｃ、態様Ｄのそれぞれの態様において、導電粒子２とスペーサ１が異方性導電フィルムの厚み方向で重複する場合がある。そのような場合であっても、異方性導電接続の際の加圧および樹脂流動により、このような重複は通常解消されてしまうので実用上問題が生ずることは殆どないが、異方性導電接続方向からスペーサ１を見たときに、導電粒子２と重複している面積が大きくなりすぎると、異方性導電接続の際に重複が解消しきれないことが懸念されるので、導電粒子２による重複面積は５０％未満が好ましく、３０％以下であることがより好ましい。
【００３８】＜導電粒子２＞  導電粒子２としては、従来公知の異方性導電フィルムに用いられているものの中から適宜選択して使用することができる。例えばニッケル、コバルト、銀、銅、金、パラジウムなどの金属粒子、金属被覆樹脂粒子などが挙げられる。２種以上を併用することもできる。
【００３９】  導電粒子２の平均粒径としては、配線高さのばらつきに対応できるようにし、また、導通抵抗の上昇を抑制し、且つショートの発生を抑制するために、好ましくは１〜１０μｍ、より好ましくは２〜６μｍである。平均粒径は、一般的な粒度分布測定装置により測定することができる。
【００４０】  導電粒子２の異方性導電フィルム１００中の存在量は、導電粒子捕捉効率の低下を抑制し、且つショートの発生を抑制するために、好ましくは１平方ｍｍ当たり５０個以上１０００００個以下、より好ましくは２００個以上７００００個以下である。なお、導電粒子が配列されている場合は、１平方ｍｍ当たり５０個以上４００００個以下が好ましい。
【００４１】「導電粒子２の規則的パターンの配列」  導電粒子２の規則的パターンの配列における規則的パターンとは、異方性導電フィルム１００の表面から導電粒子２を透視したときに認識できる導電粒子２が、長方形格子、正方格子、六方格子、菱形格子等の格子点に存在している配列を意味する。これらの格子を構成する仮想線は、直線だけなく、曲線、屈曲線であってもよい。
【００４２】  全導電粒子２に対する、規則的パターンで配列されている導電粒子２の割合は、導電粒子数基準で異方性接続の安定化のために好ましくは９０％以上である。この割合の測定は、光学顕微鏡などにより行うことができる。
【００４３】  また、導電粒子２の粒子間距離、即ち導電粒子間の最短距離は、導電粒子２の平均粒子径の好ましくは０．５倍以上、より好ましくは１倍以上５倍以下である。
【００４４】＜絶縁性接着層１０、第１絶縁性接着層４１、第２絶縁性接着層４２（以下、単に絶縁性接着層と称することがある）＞  本発明の異方性導電フィルム１００を構成する絶縁性接着層（１０、４１、４２）は、公知の異方性導電性フィルムで使用される絶縁性樹脂層を適宜採用することができる。例えば、熱又は光カチオン、アニオンもしくはラジカル重合性樹脂等の熱又は光重合性樹脂を、好ましくは重合率が５０％以上１００％以下となるように重合させることで、導電粒子を固定化でき、また、異方性導電接続時に加熱されても樹脂が流れ難くなるので、ショートの発生を大きく抑制できる。従って導通信頼性と絶縁性とを向上させ、且つ実装粒子捕捉効率も向上させることができる。特に好ましい絶縁性接着層は、アクリレート化合物と光ラジカル重合開始剤とを含む光ラジカル重合性樹脂層を光ラジカル重合させた光ラジカル重合樹脂層である。以下、絶縁性接着層が光ラジカル重合樹脂層である場合について説明する。
【００４５】（アクリレート化合物）  アクリレート単位となるアクリレート化合物としては、従来公知の光ラジカル重合性アクリレートを使用することができる。例えば、単官能（メタ）アクリレート（ここで、（メタ）アクリレートにはアクリレートとメタクリレートとが包含される）、二官能以上の多官能（メタ）アクリレートを使用することができる。本発明においては、接着剤を熱硬化性とするために、アクリル系モノマーの少なくとも一部に多官能（メタ）アクリレートを使用することが好ましい。
【００４６】  絶縁性接着層におけるアクリレート化合物の含有量は、粘度と硬化収縮率のバランスの観点から好ましくは２質量％以上７０質量％以下、より好ましくは１０質量％以上５０質量％以下である。
【００４７】（光ラジカル重合開始剤）  光ラジカル重合開始剤としては、公知の光ラジカル重合開始剤の中から適宜選択して使用することができる。例えば、アセトフェノン系光重合開始剤、ベンジルケタール系光重合開始剤、リン系光重合開始剤等が挙げられる。
【００４８】  光ラジカル重合開始剤の使用量は、アクリレート化合物１００質量部に対し、少なすぎると光ラジカル重合が十分に進行せず、多すぎると剛性低下の原因となるので、好ましくは０．１質量部以上２５質量部以下、より好ましくは０．５質量部以上１５質量部以下である。
【００４９】  絶縁性接着層には、必要に応じて、フェノキシ樹脂、エポキシ樹脂、不飽和ポリエステル樹脂、飽和ポリエステル樹脂、ウレタン樹脂、ブタジエン樹脂、ポリイミド樹脂、ポリアミド樹脂、ポリオレフィン樹脂などの膜形成樹脂を併用することができる。後述する絶縁性接着層３にも、同様に併用してもよい。
【００５０】  絶縁性接着層の層厚は、薄すぎると実装導電粒子捕捉効率が低下する傾向があり、厚すぎると導通抵抗が高くなる傾向があるので、好ましくは１μｍ以上１５μｍ以下、より好ましくは２〜１０μｍである。
【００５１】  絶縁性接着層には、必要に応じて、エポキシ化合物と熱又は光カチオン若しくはアニオン重合開始剤とを含有させることもできる。これにより、層間剥離強度を向上させることができる。
【００５２】（エポキシ化合物）  絶縁性接着層がエポキシ化合物と熱又は光カチオン若しくはアニオン重合開始剤とを含有する熱又は光カチオン若しくはアニオン重合性樹脂層である場合、エポキシ化合物としては、分子内に２つ以上のエポキシ基を有する化合物もしくは樹脂が好ましく挙げられる。これらは液状であっても、固体状であってもよい。
【００５３】（熱カチオン重合開始剤）  熱カチオン重合開始剤としては、エポキシ化合物の熱カチオン重合開始剤として公知のものを採用することができ、例えば、熱により、カチオン重合性化合物をカチオン重合させ得る酸を発生するものであり、公知のヨードニウム塩、スルホニウム塩、ホスホニウム塩、フェロセン類等を用いることができ、温度に対して良好な潜在性を示す芳香族スルホニウム塩を好ましく使用することができる。
【００５４】  熱カチオン重合開始剤の配合量は、少なすぎても硬化不良となる傾向があり、多すぎても製品ライフが低下する傾向があるので、エポキシ化合物１００質量部に対し、好ましくは２質量部以上６０質量部以下、より好ましくは５質量部以上４０質量部以下である。
【００５５】（熱アニオン重合開始剤）  熱アニオン重合開始剤としては、エポキシ化合物の熱アニオン重合開始剤として公知のものを採用することができ、例えば、熱により、アニオン重合性化合物をアニオン重合させ得る塩基を発生するものであり、公知の脂肪族アミン系化合物、芳香族アミン系化合物、二級又は三級アミン系化合物、イミダゾール系化合物、ポリメルカプタン系化合物、三フッ化ホウ素−アミン錯体、ジシアンジアミド、有機酸ヒドラジッド等を用いることができ、温度に対して良好な潜在性を示すカプセル化イミダゾール系化合物を好ましく使用することができる。
【００５６】  熱アニオン重合開始剤の配合量は、少なすぎても硬化不良となる傾向があり、多すぎても製品ライフが低下する傾向があるので、エポキシ化合物１００質量部に対し、好ましくは２質量部以上６０質量部以下、より好ましくは５質量部以上４０質量部以下である。
【００５７】（光カチオン重合開始剤及び光アニオン重合開始剤）  エポキシ化合物用の光カチオン重合開始剤又は光アニオン重合開始剤としては、公知のものを適宜使用することができる。
【００５８】＜＜異方性導電フィルムの製造方法＞＞  次に、本発明の異方性導電フィルムの製造方法の一例を簡単に説明する。
【００５９】（製造方法１）  導電粒子とスペーサとを含有する異方性導電フィルムであって、スペーサが該異方性導電フィルムの幅方向中央部に配列されている異方性導電フィルムは、スペーサを収容するための第１開口が該異方性導電フィルムの幅方向中央部に相当する位置に形成された転写型の当該開口にスペーサを収容し、転写型の第１開口形成面に、異方性導電フィルムを構成する絶縁性接着層を押し込み、絶縁性接着層にスペーサを転着させることにより製造できる。
【００６０】（製造方法２）  前述の態様Ａの異方性導電フィルムは、スペーサを収容するための第１開口が該異方性導電フィルムの幅方向中央部に相当する位置に形成された転写型の当該第１開口にスペーサを収容し、転写型の第１開口形成面に、異方性導電フィルムを構成する導電粒子が分散した第１絶縁性接着層を押し込み、第１絶縁性接着層にスペーサを転着させ、更に第２絶縁性接着層を積層することにより製造できる。
【００６１】（製造方法３）  前述の態様Ｂの異方性導電フィルムは、スペーサを収容するための第１開口が該異方性導電フィルムの幅方向中央部に相当する位置に形成された転写型の当該第１開口にスペーサを収容し、転写型の第１開口形成面に、異方性導電フィルムを構成する第２絶縁性接着層を押し込み、第２絶縁性接着層にスペーサを転着させ、更に異方性導電フィルムを構成する導電粒子が分散した第１絶縁性接着層を積層することにより製造できる。
【００６２】（製造方法４）  前述の態様Ｃの異方性導電フィルムは、スペーサを収容するための第１開口が該異方性導電フィルムの幅方向中央部に相当する位置に形成され、それ以外の部分に導電粒子を収容するための第２開口が形成されている転写型の当該第１開口にスペーサを収容し、続いて第２開口に導電粒子を収容し、転写型の第１及び第２開口形成面に、異方性導電フィルムを構成する導電粒子が分散した第１絶縁性接着層を押し込み、第１絶縁性接着層にスペーサを転着させ、更に第２絶縁性接着層を積層することにより製造できる。
【００６３】（製造方法５）  前述の態様Ｄの異方性導電フィルムは、  スペーサを収容するための第１開口が該異方性導電フィルムの幅方向中央部に相当する位置に形成された第１転写型の第１開口にスペーサを収容し、第１転写型の第１開口形成面に、異方性導電フィルムを構成する第１絶縁性接着層を押し込み、第１絶縁性接着層にスペーサを転着させ、  導電粒子を収容するための第２開口が該異方性導電フィルムの幅方向中央部以外に相当する位置に形成された第２転写型の第２開口に導電粒子を収容し、第２転写型の第２開口形成面に、異方性導電フィルムを構成する第２絶縁性接着層を押し込み、第２絶縁性接着層に導電粒子を転着させ、  スペーサが転着した第１絶縁性接着層と、導電粒子が転着した第２絶縁性接着層とを、スペーサと導電粒子が内側となるように積層することにより製造することができる。
【００６４】＜転写型、第１転写型、第２転写型（以下、単に転写型と称することがある）＞  これらの製造方法において、転写型としては、例えば、シリコン、各種セラミックス、ガラス、ステンレススチールなどの金属等の無機材料や、各種樹脂等の有機材料などに対し、フォトリソグラフ法等の公知の開口形成方法によって開口を形成したものである。このような転写型５０は、板状、ロール状等の形状をとることができる。
【００６５】  転写型の第１開口並びに第２開口の形状としては、それぞれ円柱状、四角柱等の多角柱状、四角錐等の角錐状等を例示することができる。
【００６６】  第１開口並びに第２開口の配列としては、それぞれスペーサ並びに導電粒子の規則的パターンに対応した配列とする。
【００６７】  なお、転写型の第１開口並びに第２開口の径と深さは、レーザー顕微鏡で測定することができる。
【００６８】  転写型の第１開口内にスペーサを収容する手法並びに第２開口内に導電粒子を収容する手法としては、特に限定されるものではなく、公知の手法を採用することができる。例えば、乾燥した導電粒子粉末またはこれを溶媒中に分散させた分散液を転写型の開口形成面上に散布または塗布した後、ブラシやブレードなどを用いて開口形成面の表面をワイプすればよい。
【００６９】（第１開口）  第１開口の径（第１開口径）のスペーサの平均粒径に対する比（＝第１開口径／スペーサ平均径）は、スペーサの収容のしやすさ、絶縁性樹脂の押し込みやすさ等のバランスから、好ましくは１．１以上２．０以下、より好ましくは１．２以上１．８以下、特に好ましくは１．３以上１．７以下である。
【００７０】  また、第１開口の深さ（第１開口深さ）に対するスペーサの平均粒径の比（＝スペーサ平均径／第１開口深さ）は、転写性向上、スペーサ保持性等のバランスから、好ましくは０．４以上３．０以下、より好ましくは０．５以上１．５以下である。
【００７１】  なお、第１開口の基底側の底部径（第１開口底部径）のスペーサの平均粒径に対する比（＝第１開口基底部径／導電粒子平均粒径）は、導電粒子の収容のしやすさ、絶縁性樹脂の押し込みやすさ等のバランスから、導電粒子の平均粒径の好ましくは１．１以上２．０以下、より好ましくは１．２以上１．７以下、特に好ましくは１．３以上１．６以下である。
【００７２】（第２開口）  他方、第２開口の径（第２開口径）の導電粒子の平均粒径に対する比（＝第２開口径／導電粒子平均粒径）も、導電粒子の収容のしやすさ、絶縁性樹脂の押し込みやすさ等のバランスから、好ましくは１．１以上２．０以下、より好ましくは１．３以上１．８以下である。
【００７３】  また、第２開口の深さ（第２開口深さ）に対する導電粒子の平均粒径の比（＝導電粒子平均粒径／第２開口深さ）も、転写性向上と導電粒子保持性とのバランスから、好ましくは０．４以上３．０以下、より好ましくは０．５以上１．５以下である。
【００７４】  なお、第２開口の基底側の底部径（第２開口底部径）の導電粒子の平均粒径に対する比（＝第２開口基底部径／導電粒子平均粒径）は、導電粒子の収容のしやすさ、絶縁性樹脂の押し込みやすさ等のバランスから、導電粒子の平均粒径の好ましくは１．１以上２．０以下、より好ましくは１．２以上１．７以下、特に好ましくは１．３以上１．６以下である。
【００７５】  なお、第１絶縁性接着層と第２絶縁接着層とを積層する際、第１絶縁性接着層を予備硬化処理（加熱あるいは紫外線照射等）することが好ましい。これにより、導電粒子もしくはスペーサを仮固定することができる。
【００７６】＜＜異方性導電フィルムの用途＞＞  このようにして得られた異方性導電フィルムは、ＩＣチップ、ＩＣモジュールなどの第１電子部品と、フレキシブル基板、ガラス基板などの第２電子部品とを熱又は光により異方性導電接続する際に好ましく適用することができる。このようにして得られる接続構造体も本発明の一部である。この場合、配線基板などの第２電子部品に対し、異方性導電フィルムを仮貼りし、仮貼りされた異方性導電フィルムに対し、ＩＣチップなどの第１電子部品を搭載し、第１電子部品側から熱圧着することが、接続信頼性を高める点から好ましい。また、光硬化を利用して接続することもできる。
【実施例】
【００７７】  以下、本発明を実施例により具体的に説明する。なお、以下の実施例１、５、９の異方性導電フィルムの構造は以下の態様Ａの構造（図４参照）、実施例２、６、１０の異方性導電フィルムは態様Ｂの構造（図５参照）、実施例３、７、１１の異方性導電フィルムは態様Ｃの構造（図６参照）、実施例４、８、１２の異方性導電フィルムは態様Ｄの構造（図７参照）を有する。【００７８】    実施例１（態様Ａ）（導電粒子を分散保持している第１絶縁性接着層の形成）  フェノキシ樹脂（ＹＰ−５０、新日鐵化学（株））６０質量部、アクリレート（ＥＰ６００、ダイセル・サイテック（株））４０質量部、光ラジカル重合開始剤（ＩＲＧＡＤＣＵＲＥ  ３６９、三菱化学（株））２質量部、及び平均粒径４μｍの導電粒子（Ｎｉ／Ａｕメッキ樹脂粒子、ＡＵＬ７０４、積水化学工業（株））５０質量部を、トルエンにて固形分が５０質量％となるように混合液を調製した。この混合液を、厚さ５０μｍのポリエチレンテレフタレート剥離フィルム（ＰＥＴ剥離フィルム）に、乾燥厚が６μｍとなるように塗布し、８０℃のオーブン中で５分間乾燥することにより、光ラジカル重合型の第１絶縁性接着層を形成した。【００７９】（スペーサ用転写型）  次に、図３Ａに示すパターンで、スペーサ用に直径２３μｍで深さ１５μｍの第１開口が縦３０μｍピッチで設けられているステンレススチール製の転写型を用意した。【００８０】  この転写型の第１開口に平均粒径（スペーサ高さ）１５μｍの球状スペーサ（ＳＳＸ−１１５、積水化成品工業（株））を一つずつ収容した。【００８１】（スペーサが配列した第１絶縁性接着層の形成）  この転写型の開口形成面に対し、第１絶縁性接着層を対向させ、剥離フィルム側から６０℃で０．５ＭＰａという条件で加圧することによりスペーサを第１絶縁性接着層に押し込んだ。【００８２】  次に、この導電粒子側から波長３６５ｎｍ、積算光量４０００ｍＬ／ｃｍ２の紫外線を照射することにより、表面中央部にスペーサが仮固定され、導電粒子を分散保持している第１絶縁性接着層を形成した。【００８３】（第２絶縁性接着層の形成）  次に、フェノキシ樹脂（ＹＰ−５０、新日鐵住友化学（株））６０質量部、エポキシ樹脂（ｊＥＲ８２８、三菱化学（株））４０質量部及び光カチオン重合開始剤（ＳＩ−６０、三新化学工業（株））２質量部をトルエンにて固形分が５０質量％となるように混合液を調製した。この混合液を、厚さ５０μｍのＰＥＴ剥離フィルムに、乾燥厚が１２μｍとなるように塗布し、８０℃のオーブン中で５分間乾燥することにより、比較的厚い第２絶縁性接着層を形成した。【００８４】（第１絶縁性接着層と第２絶縁性接着層とのラミネート）  このようにして得られた第１絶縁性接着層に、比較的厚い第２絶縁性接着層を、スペーサが内側となるように、６０℃、０．５ＭＰａという条件でラミネートすることにより異方性導電フィルムを得た。【００８５】    実施例２（態様Ｂ）（導電粒子を分散保持している第１絶縁性接着層を形成）  実施例１と同様に、導電粒子を含有する第１絶縁性背接着層を形成し、更に、波長３６５ｎｍ、積算光量４０００ｍＬ／ｃｍ２の紫外線を照射することにより、導電粒子を分散保持している第１��縁性接着層を形成した。【００８６】（表面にスペーサが配列された第２絶縁性接着層の形成）  次に、フェノキシ樹脂（ＹＰ−５０、新日鉄住友化学（株））６０質量部、エポキシ樹脂（ｊＥＲ８２８、三菱化学（株））４０質量部及び光カチオン重合開始剤（ＳＩ−６０、三新化学工業（株））２質量部をトルエンにて固形分が５０質量％となるように混合液を調製した。この混合液を、厚さ５０μｍのＰＥＴ剥離フィルム（に、乾燥厚が１２μｍとなるように塗布し、８０℃のオーブン中で５分間乾燥することにより、比較的厚い第２絶縁性接着層を形成した。【００８７】  次に、図３Ａに示すパターンで、スペーサ用に直径２３μｍで深さ１５μｍの第１開口が縦３０μｍピッチで設けられているステンレススチール製の転写型を用意した。【００８８】  この転写型の第１開口に平均粒径（スペーサ高さ）１５μｍの球状スペーサ（ＳＳＸ−１１５、積水化成品工業（株））を一つずつ収容した。【００８９】  この転写型の開口形成面に対し、第２絶縁性接着層を対向させ、剥離フィルム側から６０℃で０．５ＭＰａという条件で加圧することによりスペーサを第２絶縁性接着層に押し込んだ。【００９０】  次に、この導電粒子側から波長３６５ｎｍ、積算光量４０００ｍＬ／ｃｍ２の紫外線を照射することにより、表面中央部にスペーサが仮固定された第２絶縁性接着層を形成した。【００９１】（第１絶縁性接着層と第２絶縁性接着層とのラミネート）  このようにして得られた導電粒子を分散保持している第１絶縁性接着層に、表面中央にスペーサが仮固定された比較的厚い第２絶縁性接着層を、スペーサが内側となるように、６０℃、０．５ＭＰａという条件でラミネートすることにより異方性導電フィルムを得た。【００９２】    実施例３（態様Ｃ）（表面に導電粒子とスペーサとが配列された第１絶縁性接着層の形成）  図３Ａに示すパターンで、スペーサ用に直径２３μｍで深さ１５μｍの第１開口が縦３０μｍピッチで設けられ、それ以外の表面に導電粒子用に直径６μｍで深さ４μｍの第２開口が２次元的に４μｍピッチで設けられているステンレススチール製の転写型を用意した。【００９３】  この転写型の第１開口に平均粒径（スペーサ高さ）１５μｍの球状スペーサ（ＳＳＸ−１１５、積水化成品工業（株））を一つずつ収容し、次に、第２開口に平均粒径４μｍの導電粒子（Ｎｉ／Ａｕメッキ樹脂粒子、ＡＵＬ７０４、積水化学工業（株））を一つずつ収容した。【００９４】  フェノキシ樹脂（ＹＰ−５０、新日鉄住友化学（株））６０質量部、アクリレート（ＥＰ６００、ダイセル・サイテック（株））４０質量部、及び光ラジカル重合開始剤（ＩＲＧＡＤＣＵＲＥ  ３６９、三菱化学（株））２質量部を、トルエンにて固形分が５０質量％となるように混合液を調製した。この混合液を、厚さ５０μｍのポリエチレンテレフタレート剥離フィルム（ＰＥＴ剥離フィルム）に、乾燥厚が６μｍとなるように塗布し、８０℃のオーブン中で５分間乾燥することにより、光ラジカル重合型の第１絶縁性接着層を形成した。【００９５】  この導電粒子を含有していない第１絶縁性接着層を、先に用意した転写型に対し、剥離フィルム側から６０℃で０．５ＭＰａという条件で加圧することによりスペーサ���導電粒子とを第１絶縁性接着層に押し込んだ。【００９６】  次に、この導電粒子側から波長３６５ｎｍ、積算光量４０００ｍＬ／ｃｍ２の紫外線を照射することにより、表面中央部にスペーサが仮固定され、その周囲に導電粒子が仮固定された第１絶縁性接着層を形成した。【００９７】（第２の絶縁性接着層の形成）  次に、フェノキシ樹脂（ＹＰ−５０、新日鉄住友化学（株））６０質量部、エポキシ樹脂（ｊＥＲ８２８、三菱化学（株））４０質量部及び光カチオン重合開始剤（ＳＩ−６０、三新化学工業（株））２質量部をトルエンにて固形分が５０質量％となるように混合液を調製した。この混合液を、厚さ５０μｍのＰＥＴ剥離フィルムに、乾燥厚が１２μｍとなるように塗布し、８０℃のオーブン中で５分間乾燥することにより、比較的厚い第２絶縁性接着層を形成した。【００９８】（第１絶縁性接着層と第２絶縁性接着層とのラミネート）  続いて、このようにして得られた表面に導電粒子とスペーサとが配列されている第１絶縁性接着層に、比較的厚い第２絶縁性接着層を、スペーサが内側となるように、６０℃、０．５ＭＰａという条件でラミネートすることにより異方性導電フィルムを得た。【００９９】    実施例４（態様Ｄ）（表面にスペーサが配列した第２絶縁性接着層の形成）  図３Ａに示すパターンで、スペーサ用に直径２３μｍで深さ１５μｍの第１開口が縦３０μｍピッチで設けられているステンレススチール製の転写型１を用意し、この転写型の第１開口に平均粒径（スペーサ高さ）１５μｍの球状スペーサ（ＳＳＸ−１１５、積水化成品工業（株））を一つずつ収容した。【０１００】  フェノキシ樹脂（ＹＰ−５０、新日鉄住友化学（株））６０質量部、エポキシ樹脂（ｊＥＲ８２８、三菱化学（株））４０質量部及び光カチオン重合開始剤（ＳＩ−６０、三新化学工業（株））２質量部をトルエンにて固形分が５０質量％となるように混合液を調製した。この混合液を、厚さ５０μｍのＰＥＴ剥離フィルムに、乾燥厚が１２μｍとなるように塗布し、８０℃のオーブン中で５分間乾燥することにより、比較的厚い第２絶縁性接着層を形成した。【０１０１】  この転写型の開口形成面に対し、第２絶縁性接着層を対向させ、剥離フィルム側から６０℃で０．５ＭＰａという条件で加圧することによりスペーサを第２絶縁性接着層に押し込んだ。【０１０２】  次に、この導電粒子側から波長３６５ｎｍ、積算光量４０００ｍＬ／ｃｍ２の紫外線を照射することにより、表面中央部にスペーサが仮固定された第２絶縁性接着層を形成した。【０１０３】（表面に導電粒子が配列した第１絶縁性接着層の形成）  表面に導電粒子用に直径６μｍで深さ４μｍの第２開口が２次元的に４ｇｍピッチで設けられているステンレススチール製の転写型を用意し、第２開口に平均粒径４μｍの導電粒子（Ｎｉ／Ａｕメッキ樹脂粒子、ＡＵＬ７０４、積水化学工業（株））を一つずつ収容した。【０１０４】  フェノキシ樹脂（ＹＰ−５０、新日鉄住友化学（株））６０質量部、アクリレート（ＥＰ６００、ダイセル・サイテック（株））４０質量部、及び光ラジカル重合開始剤（ＩＲＧＡＤＣＵＲＥ  ３６９、三菱化学（株））２質量部を、トルエンにて固形分が５０質量％となるように混合液を調製した。この混合液を、厚さ５０μｍのポリエチレンテレフタレート剥離フィルム（ＰＥＴ剥離フィルム）に、乾燥厚が６μｍとなるように塗布し、８０℃のオーブン中で５分間乾燥することにより、光ラジカル重合型の第１絶縁性接着層を形成した。【０１０５】  この第１絶縁性接着層を、先に用意した転写型に対し、剥離フィルム側から６０℃で０．５ＭＰａという条件で加圧することにより導電粒子を第１絶縁性接着層に押し込んだ。【０１０６】  次に、この導電粒子側から波長３６５ｎｍ、積算光量４０００ｍＬ／ｃｍ２の紫外線を照射することにより、表面に導電粒子が仮固定された第１絶縁性接着層を形成した。【０１０７】（第１絶縁性接着層と第２絶縁性接着層とのラミネート）  続いて、このようにして得られた表面に導電粒子が配列された第１絶縁性接着層に、表面中央にスペーサが仮固定された比較的厚い第２絶縁性接着層を、スペーサが内側となるように、６０℃、０．５ＭＰａという条件でラミネートすることにより異方性導電フィルムを得た。【０１０８】    実施例５〜８  平均粒径（スペーサ高さ）１５μｍの球状スペーサに代えて、平均粒径（スペーサ高さ）１０μｍの球状スペーサを使用（ＳＳＸ−１１０、積水化成品工業（株））を使用すること以外、実施例１〜４と同様にして異方性導電フィルムを得た。【０１０９】    実施例９〜１０  平均粒径（スペーサ高さ）１５μｍの球状スペーサに代えて、スペーサ高さ１５μｍでスペーサ長さ２０μｍのガラス円柱（マイクロロッドＰＦシリーズ、日本電気硝子（株））を使用すること以外、実施例１と同様にして異方性導電フィルムを得た。なお、ガラス円柱は、４７８メッシュの篩に複数回かけて高さをそろえたものを使用した。ガラス円柱スペーサは図３Ｅのように、横に寝ている状態となっており、その長手方向はランダムになっていた。【０１１０】    比較例１  スペーサを使用しないこと以外、実施例１と同様にして異方性導電フィルムを得た。【０１１１】    比較例２  第１絶縁性背接着層を作成する際、スペーサを第１絶縁性接着層の表面に配列させず、且つ導電粒子に加えスペーサ１０質量部を均一に分散することにより第１絶縁性接着層を作成すること以外、実施例１と同様に異方性導電フィルムを得た。【０１１２】＜評価＞  各実施例及び比較例の異方導電性フィルムについて、（ａ）初期導通信抵抗、（ｂ）導通信頼性、（ｃ）ショート発生率、（ｄ）圧痕、それぞれ次のように試験評価し、得られた結果を表１に示す。なお、圧痕は、バンプに対する導電粒子の押し込みの均一性を評価するためのものである。【０１１３】（ａ）初期導通抵抗  各実施例及び比較例の異方導電性フィルムを、初期導通および導通信頼性の評価用ＩＣとガラス基板の間に挟み、加熱加圧（１８０℃、８０ＭＰａ、５秒）して各評価用接続物を得、この評価用接続物の導通抵抗をデジタルマルチメータ７５５７（横河電気（株））を用いて測定した。ここで、この各評価用ＩＣとガラス基板は、それらの端子パターンが対応しており、サイズは次の通りである。【０１１４】初期導通の評価用ＩＣ  外径：１．８×２０ｍｍ  厚み：０．２ｍｍ  Ｂｕｍｐ仕様：金メッキ、高さ９μｍ、サイズ３０×８５μｍ【０１１５】ガラス基板  ガラス材質：コーニ��グ社製  外径：３０×５０ｍｍ  厚み：０．５ｍｍ  電極：ＩＴＯ配線【０１１６】（ｂ）導通信頼性  （ａ）初期導通抵抗の評価用ＩＣと各実施例及び比較例の異方導電性フィルムとの評価用接続物を温度８５℃、湿度８５％ＲＨの恒温槽に５００時間おいた後の導通抵抗を、（ａ）初期導通抵抗と同様に測定した。なお、この導通抵抗が５Ω以上であると、接続した電子部品の実用的な導通安定性の点から好ましくない。【０１１７】（ｃ）ショート発生率  ショート発生率の評価用ＩＣとして次のＩＣ（７．５μｍスペースの櫛歯ＴＥＧ（ｔｅｓｔ  ｅｌｅｍｅｎｔ  ｇｒｏｕｐ））を用意した。  外径：１．５×１３ｍｍ  厚み：０．５ｍｍ  Ｂｕｍｐ仕様：金メッキ、高さ１５μｍ、サイズ２５×１４０μｍ、Ｂｕｍｐ間Ｇａｐ７．５μｍ【０１１８】  各実施例及び比較例の異方導電性フィルムを、ショート発生率の評価用ＩＣと、該評価用ＩＣに対応したパターンのガラス基板（初期導通抵抗測定に供したもの）との間に挟み、（ｂ）と同様の接続条件で加熱加圧して接続物を得、その接続物のショート発生率を求めた。ショート発生率（ｐｐｍ）は、「ショートの発生数／７．５μｍスペース総数」で算出される。【０１１９】（ｄ）圧痕  圧痕の評価用ＩＣとして次のＩＣを用意した。  外径：１．４×２０ｍｍ  厚み：０．２ｍｍ  Ｂｕｍｐ仕様：金メッキ、高さ１５μｍ、サイズ１５×１００μｍ、３列千鳥配列（出力側バンプ；ＩＣ短辺方向外側を１列目バンプ、ＩＣ短辺方向中央側を３列目バンプとする、入力側バンプ；４０×６０μｍ）【０１２０】  各実施例及び比較例の異方導電性フィルムを、圧痕の評価用ＩＣと、該評価用ＩＣに対応したパターンのガラス基板（初期導通抵抗測定に供したもの）との間に挟み、（ａ）初期導通抵抗試験と同様の接続条件で加熱加圧して接続物を得、その接続物の異方性導電接続部における１列目バンプと３列目バンプについて、それぞれ１０個のバンプを任意に選び、ガラス基板側から光学顕微鏡を用いてバンプ表面の圧痕の有無を調べ、以下の評価基準に従って評価した。実用上Ｂ評価以上であることが望まれる。【０１２１】  ランク    基準    ＡＡ：観察したバンプ１０個中、圧痕が観察されたバンプの数が１０個の場合      Ａ：観察したバンプ１０個中、圧痕が観察されたバンプの数が８又は９個の場合      Ｂ：観察したバンプ１０個中、圧痕が観察されたバンプの数が１〜７個の場合      Ｃ：観察したバンプ１０個中、圧痕が観察されたバンプの数が０個の場合【０１２２】
【表１】
2015185839.tif 000003
【０１２３】  表１から分かるように、実施例１〜１２の異方性導電フィルムについては、いずれの評価項目も実用上問題のない結果であった。それに対し、比較例１の異方性導電フィルムの場合、比較例１ではスペーサがないため、ＩＣ短辺方向外側の１列目バンプにおいて圧痕が観察されなかった。また比較例２の異方性導電フィルムの場合には、スペーサがフィルム全体に分散しているため、初期導通抵抗と導通信頼性の試験で「ｏｐｅｎ」という結果となり、しかもＩＣ短辺方向外側の１列目バンプと３列目バンプとにおいて圧痕は観察されなかった。【０１２４】    なお、導電粒子が配列している方（態様Ｃ、Ｄ）が、分散しているより場合（態様Ａ、Ｂ）よりも、特にショート発生率が格段に低下していた。また、スペーサの形状と大きさとに関し、球状１０μよりも球状１５μｍの方が好ましく、ガラス円柱１５μｍの方が寄り好ましい傾向にあった。
【産業上の利用可能性】
【０１２５】  本発明の異方性導電フィルムは、その幅方向中央部にスペーサが配列されている。従って、異方性導電接続の際に、ＩＣチップに撓みが生ずることを抑制でき、従って、初期導通値を上昇させず、しかもショートの発生率を抑制することができる。よって、ＩＣチップなどの電子部品の配線基板への異方性導電接続に有用である。
【符号の説明】
【０１２６】１  スペーサ２  導電粒子１０  絶縁性接着層４１  第１絶縁性接着層４２  第２絶縁性接着層１００  異方性導電フィルムＡ  スペーサ配置領域
【図１】
2015185839.tif 000004
【図２】
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【図３Ａ】
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【図３Ｂ】
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【図３Ｃ】
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【図３Ｄ】
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【図３Ｅ】
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【図３Ｆ】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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