(57)【要約】【課題】対向させて電気的に接続した電子部品間に設ける樹脂のはみ出しを抑制する。【解決手段】電子装置１は、対向する電子部品１０及び電子部品２０と、それらの間に設けられてそれらを電気的に接続する接続部３０と、電子部品１０の、接続部３０より外側の縁部５０に並設されて、対向する電子部品２０に接触する複数の突起部１２とを含む。電子部品１０と電子部品２０の間には、樹脂４０が設けられる。複数の突起部１２により、電子部品１０と電子部品２０の間に設ける樹脂４０が、電子部品１０と電子部品２０の対向領域の縁部５０より外側へはみ出すのを抑制する。【選択図】図１
2015185567.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１電子部品と、
前記第１電子部品と対向する第２電子部品と、
前記第１電子部品と前記第２電子部品の間に配設され、前記第１電子部品と前記第２電子部品とを電気的に接続する接続部と、
前記接続部よりも外側で、前記第１電子部品の、前記第２電子部品との対向領域の縁部に並設され、前記第２電子部品に接触する複数の突起部と、
前記第１電子部品と前記第２電子部品の間に配設された樹脂と
を含むことを特徴とする電子装置。
【請求項２】
前記第２電子部品は、前記複数の突起部に対応する位置に絶縁部を有し、
前記複数の突起部は、前記絶縁部に接触することを特徴とする請求項１に記載の電子装置。
【請求項３】
前記第２電子部品は、前記複数の突起部に対応する位置に、前記接続部から電気的に独立した導体部を有し、
前記複数の突起部は、前記導体部に接触することを特徴とする請求項１に記載の電子装置。
【請求項４】
前記第２電子部品は、前記複数の突起部に対応する位置に凹部を有し、
前記複数の突起部は、その高さが前記接続部よりも高く、前記凹部に接触することを特徴とする請求項１に記載の電子装置。
【請求項５】
基板と、前記基板上に突設された端子と、前記端子よりも外側にあって、前記基板の縁部に並設された複数の突起部とを含む第１電子部品を準備する工程と、
前記端子に対応する位置に配設された電極を含む第２電子部品を準備する工程と、
前記第１電子部品と前記第２電子部品とを対向させ、前記複数の突起部を前記第２電子部品に接触させて、前記端子を前記電極に電気的に接続する工程と、
前記第１電子部品と前記第２電子部品の間に樹脂を供給する工程と
を含むことを特徴とする電子装置の製造方法。
【請求項６】
基板と、
前記基板上に突設された端子と、
前記端子よりも外側にあって、前記基板の縁部に並設され、前記端子の高さ以上の高さを有する複数の突起部と
を含むことを特徴とする電子部品。
【請求項７】
基板を準備する工程と、
前記基板上に突出する端子を形成する工程と、
前記基板上の、前記端子よりも外側の領域に、平面形状がつづら折りの導体部を形成する工程と、
前記導体部を、加熱により溶融し、つづら折りの各折り返し部に凝集させて、複数の突起部を形成する工程と
を含むことを特徴とする電子部品の製造方法。
【請求項８】
前記複数の突起部を形成する工程後に、前記複数の突起部の、つづら折りの折り返し方向が異なる前記折り返し部に形成された突起部間の位置で、前記基板を切断する工程を更に含むことを特徴とする請求項７に記載の電子部品の製造方法。
【請求項９】
前記導体部を形成する工程は、前記折り返し部に、その他の部分よりも幅の広い幅広部を有する前記導体部を形成する工程を含むことを特徴とする請求項７又は８に記載の電子部品の製造方法。
【請求項１０】
前記導体部を形成する工程は、つづら折りの折り返し方向が異なる前記折り返し部間の位置に切り込みを有する前記導体部を形成する工程を含むことを特徴とする請求項７乃至９のいずれかに記載の電子部品の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電子装置及び電子装置の製造方法、並びに、電子部品及び電子部品の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体素子と回路基板や、半導体素子同士といった電子部品間を、バンプを用いた接続部で電気的に接続し、接続後の電子部品間に樹脂（アンダーフィル樹脂等とも称される）を充填する技術が知られている。また、接続する電子部品の少なくとも一方に、他方に当接しない高さの突起を設け、その突起を、充填時に電子部品間を流動する樹脂の抵抗として作用させる技術が知られている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００８−１９２８１５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
電子部品間に樹脂を充填する際、電子部品間に供給した樹脂は、電子部品間の領域外にはみ出すことがある。電子部品間の領域外にはみ出した樹脂が、その領域外に設けられた端子にまで広がることで、得られた電子装置のその後の取り扱いに不具合が生じる場合があった。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本発明の一観点によれば、第１電子部品と、前記第１電子部品と対向する第２電子部品と、前記第１電子部品と前記第２電子部品の間に配設され、前記第１電子部品と前記第２電子部品とを電気的に接続する接続部と、前記接続部よりも外側で、前記第１電子部品の、前記第２電子部品との対向領域の縁部に並設され、前記第２電子部品に接触する複数の突起部と、前記第１電子部品と前記第２電子部品の間に配設された樹脂とを含む電子装置が提供される。
【０００６】
また、本発明の一観点によれば、基板と、前記基板上に突設された端子と、前記端子よりも外側にあって、前記基板の縁部に並設された複数の突起部とを含む第１電子部品を準備する工程と、前記端子に対応する位置に配設された電極を含む第２電子部品を準備する工程と、前記第１電子部品と前記第２電子部品とを対向させ、前記複数の突起部を前記第２電子部品に接触させて、前記端子を前記電極に電気的に接続する工程と、前記第１電子部品と前記第２電子部品の間に樹脂を供給する工程とを含む電子装置の製造方法が提供される。
【０００７】
また、本発明の一観点によれば、上記のような電子装置に用いられる電子部品及び電子部品の製造方法が提供される。
【発明の効果】
【０００８】
開示の技術によれば、対向させて電気的に接続した電子部品間に設ける樹脂のはみ出しを抑えた電子装置を実現することが可能になる。
【図面の簡単な説明】
【０００９】
【図１】第１の実施の形態に係る電子装置の一例を示す図である。
【図２】第１の実施の形態に係る電子部品の一例を示す図（その１）である。
【図３】第１の実施の形態に係る電子部品の一例を示す図（その２）である。
【図４】第１の実施の形態に係る電子装置の製造方法の一例を示す図（その１）である。
【図５】第１の実施の形態に係る電子装置の製造方法の一例を示す図（その２）である。
【図６】別形態に係る電子装置の例を示す図（その１）である。
【図７】別形態に係る電子装置の例を示す図（その２）である。
【図８】第１の実施の形態に係る電子装置の構成例を示す図（その１）である。
【図９】第１の実施の形態に係る電子装置の構成例を示す図（その２）である。
【図１０】第１の実施の形態に係る電子装置の製造方法の別例を示す図である。
【図１１】第２の実施の形態に係る電子部品の一例を示す図である。
【図１２】第２の実施の形態に係る電子装置の製造方法の一例を示す図である。
【図１３】第３の実施の形態に係る電子部品の一例を示す図である。
【図１４】第３の実施の形態に係る電子部品の製造方法の一例を示す図である。
【図１５】第３の実施の形態に係る電子装置の製造方法の一例を示す図である。
【図１６】変形例の説明図（その１）である。
【図１７】変形例の説明図（その２）である。
【図１８】第４の実施の形態に係る突起部の形成方法の一例を示す図（その１）である。
【図１９】第４の実施の形態に係る突起部の形成方法の一例を示す図（その２）である。
【図２０】第４の実施の形態に係る突起部の形成方法の一例を示す図（その３）である。
【図２１】第４の実施の形態に係る突起部の調整方法の一例を示す図（その１）である。
【図２２】第４の実施の形態に係る突起部の調整方法の一例を示す図（その２）である。
【図２３】第４の実施の形態に係る突起部の形成方法の別例を示す図（その１）である。
【図２４】第４の実施の形態に係る突起部の形成方法の別例を示す図（その２）である。
【図２５】第４の実施の形態に係る突起部の形成方法の別例を示す図（その３）である。
【図２６】第４の実施の形態に係る電子部品の製造方法の一例を示す図（その１）である。
【図２７】第４の実施の形態に係る電子部品の製造方法の一例を示す図（その２）である。
【図２８】半導体素子の一例を示す図である。
【図２９】半導体パッケージの一例を示す図である。
【図３０】回路基板の一例を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００１０】
まず、第１の実施の形態について説明する。
図１は第１の実施の形態に係る電子装置の一例を示す図である。図１（Ａ）は第１の実施の形態に係る電子装置の一例の要部平面模式図、図１（Ｂ）は第１の実施の形態に係る電子装置の一例の要部断面模式図である。尚、図１（Ｂ）は図１（Ａ）のＬ１−Ｌ１断面模式図である。
【００１１】
図１に示す電子装置１は、電子部品１０、電子部品２０、接続部３０及び樹脂４０を有している。
電子部品１０及び電子部品２０は、例えば、半導体素子（半導体チップ）、半導体素子を用いた半導体装置（半導体パッケージ）、回路基板である。尚、電子部品１０及び電子部品２０の構成例については後述する（図２８〜図３０）。
【００１２】
電子部品１０と電子部品２０は、対向して配置されている。電子部品１０は、電子部品２０と対向する表面１０ａに、電極１１を有している。ここでは一例として、縦横に整列して配置された複数の電極１１を図示している。電子部品２０は、電子部品１０と対向する表面２０ａの、電子部品１０の電極１１に対応する位置に、電極２１を有している。電子部品１０と電子部品２０は、互いの表面１０ａ及び表面２０ａが対向するように配置され、電極１１と電極２１が接続部３０で電気的に接続されている。接続部３０には、例えば、半田等の導体材料が用いられる。
【００１３】
電子部品１０と電子部品２０の間には、接続部３０が配置されている領域（端子エリア）１０ｂの外側であって、電子部品１０と電子部品２０の対向領域の縁部５０に、互いの表面１０ａ及び表面２０ａに接触する複数の突起部１２が設けられている。例えば、一方の電子部品１０の表面１０ａに設けられた突起部１２が、他方の電子部品２０の表面２０ａに接触するように、電子部品１０と電子部品２０が接続部３０によって電気的に接続される。突起部１２には、例えば、所定の温度で溶融可能な材料、所定の荷重で変形可能な材料を用いることができる。突起部１２に用いる材料としては、例えば、半田、半田や銀（Ａｇ）等の導体材料を含む樹脂、絶縁性の樹脂、導電性又は絶縁性のフィラーを含む樹脂等を挙げることができる。突起部１２に用いる樹脂には、例えば、熱可塑性樹脂が用いられる。
【００１４】
電子部品１０と電子部品２０の間には、樹脂４０が設けられている。樹脂４０には、アンダーフィル樹脂と称される材料を用いることができる。樹脂４０には、例えば、エポキシ樹脂等の樹脂材料を用いることができ、このような樹脂材料に、更にシリカ、アルミナ等の絶縁性フィラーが含有されてもよい。樹脂４０は、接続部３０で接続された電子部品１０と電子部品２０の間に、突起部１２が設けられている縁部５０とは異なる側（例えば縁部５０に対向する縁部の側）から、流動性を示す樹脂４０を供給することで、設けられる。電子部品１０と電子部品２０の間に樹脂４０を設けることで、接続部３０の保護、電子部品１０と電子部品２０の接続強度の向上が図られる。
【００１５】
上記のような電子装置１において、電子部品１０と電子部品２０の対向領域の縁部５０に設けられた突起部１２は、電子部品１０と電子部品２０の間に設けられる樹脂４０の流出を抑えるダムとして機能している。突起部１２により、電子部品１０と電子部品２０の対向領域の縁部５０より外側への樹脂４０のはみ出しを抑えることが可能になっている。尚、電子部品１０と電子部品２０の間の、突起部１２を設けていない縁部には、フィレット部４１が形成され得る。
【００１６】
続いて、上記のような電子装置１に用いる電子部品１０及び電子部品２０の構成の一例、並びに、電子部品１０及び電子部品２０を用いた電子装置１の製造方法の一例について、図２〜図５を参照して更に説明する。
【００１７】
図２及び図３は第１の実施の形態に係る電子部品の例を示す図である。図２（Ａ）は第１の実施の形態に係る一方の電子部品の一例の要部平面模式図、図２（Ｂ）は図２（Ａ）のＬ２−Ｌ２断面模式図、図２（Ｃ）は図２（Ａ）のＬ３−Ｌ３断面模式図である。図３（Ａ）は第１の実施の形態に係る他方の電子部品の一例の要部平面模式図、図３（Ｂ）は図３（Ａ）のＬ４−Ｌ４断面模式図である。また、図４及び図５は第１の実施の形態に係る電子装置の製造方法の一例を示す図である。図４（Ａ）は第１の実施の形態に係る電子部品配置工程の一例の要部断面模式図、図４（Ｂ）は第１の実施の形態に係る電子部品接続工程における第１工程の一例の要部断面模式図、図４（Ｃ）は第１の実施の形態に係る電子部品接続工程における第２工程の一例の要部断面模式図である。図５（Ａ）は第１の実施の形態に係る樹脂配置工程における第１工程の一例の要部断面模式図、図５（Ｂ）は第１の実施の形態に係る樹脂配置工程における第２工程の一例の要部断面模式図である。
【００１８】
図２（Ａ）〜図２（Ｃ）には、上記電子部品１０の一例を示している。電子部品１０は、上記のように、その表面１０ａに設けられた複数の電極１１を有し、各電極１１上には、図２（Ａ）及び図２（Ｂ）に示すように、表面１０ａから突出する突起状の端子１３が設けられている。電極１１には、銅（Ｃｕ）、アルミニウム（Ａｌ）、ニッケル（Ｎｉ）、金（Ａｕ）等、各種導体材料が用いられる。端子１３には、例えば、その全体又は一部に、半田（半田バンプ）が用いられる。半田としては、例えば、スズ（Ｓｎ）、又はＳｎを含む半田を用いることができる。Ｓｎを含む半田としては、ＳｎとＡｇを含むＳｎ−Ａｇ系半田や、更にＣｕを含むＳｎ−Ａｇ−Ｃｕ系半田、ビスマス（Ｂｉ）、アンチモン（Ｓｂ）、インジウム（Ｉｎ）を含むＳｎ−Ｂｉ系半田、Ｓｎ−Ｓｂ系半田、Ｓｎ−Ｉｎ系半田等が挙げられる。
【００１９】
図２（Ａ）〜図２（Ｃ）に示すように、この電子部品１０の表面１０ａの、電極１１及び端子１３が配置されている領域（端子エリア）１０ｂの外側の縁部５１ａに、複数の突起部１２が並んで設けられている。ここでは、電子部品１０の縁部５１ａに一列に並んで設けられた突起部１２を例示している。突起部１２は、例えば、電子部品１０に電極１１及び端子１３とは電気的に独立して設けられた導体パターン上に設けることができる。電子部品１０には、例えば、球状或いは略球状の突起部１２が設けられる。電子部品１０には、例えば、端子１３の高さよりも高く、端子１３の径よりも大径の突起部１２が設けられる。突起部１２には、例えば、半田等、所定の温度で溶融可能な材料、所定の荷重で変形可能な材料が用いられる。この場合、突起部１２には、電子装置１に含まれる電子部品１０及び電子部品２０等を機械的、性能的に劣化させないような温度、例えば３５０℃といった温度での加熱で溶融、変形させることが可能な材料を選択することが望ましい。
【００２０】
図３（Ａ）及び図３（Ｂ）には、上記電子部品２０の一例を示している。電子部品２０は、上記のように、その表面２０ａの、電子部品１０の電極１１（及び端子１３）に対応する位置に設けられた複数の電極２１を有している。電極２１には、Ｃｕ、Ａｌ、Ｎｉ、Ａｕ等、各種導体材料が用いられる。電子部品２０の縁部５２ａ内の、突起部１２が設けられる電子部品１０の縁部５１ａに対応する領域には、電子部品１０との電気的な接続に用いられるような電極等の導体は形成されない。
【００２１】
このような電子部品１０及び電子部品２０を、図４（Ａ）に示すように、互いの表面１０ａ及び表面２０ａが対向するように、電極１１（及び端子１３）と電極２１の位置合わせを行って、配置する。例えば、チップマウンター等の装置を用いて、電子部品１０を電子部品２０の上に配置する。
【００２２】
次いで、所定の温度で加熱を行いながら、一方の電子部品を他方の電子部品側に、例えば電子部品１０を電子部品２０側に、押圧する。
この加熱及び押圧の際、電子部品１０の端子１３と突起部１２に同種材料を用いている場合には、端子１３及び突起部１２の融点以上の温度まで加熱を行う。このような温度で加熱を行いながら、電子部品１０の電子部品２０側への押圧を行うと、まず図４（Ｂ）に示すように、溶融した突起部１２が電子部品２０に接触する。そして、更に押圧を行うと、図４（Ｃ）に示すように、溶融した突起部１２が潰されながら、溶融した端子１３が電極２１に近付いて接触し、接続部３０が形成される。尚、接続部３０には、端子１３の成分のほか、端子１３と電極１１、電極２１との間の反応（成分拡散）により、電極１１、電極２１の成分が含まれ得る。その後、冷却を行うことで、接続部３０及び突起部１２を凝固させる。これにより、電子部品１０の突起部１２が電子部品２０に接触し、且つ、電子部品１０の電極１１と電子部品２０の電極２１が接続部３０で電気的に接続された状態が得られる。
【００２３】
また、加熱及び押圧の際、電子部品１０の端子１３と突起部１２に異種材料を用いている場合であって、端子１３の融点よりも突起部１２の融点が高い場合には、端子１３の融点以上で、且つ、突起部１２の融点に近い温度まで加熱を行う。尚、この時の加熱温度は、電子部品１０及び電子部品２０の機械的、性能的な劣化を引き起こさないような温度を上限とし、また、そのような温度で加熱が行えるように、突起部１２の材料が選択される。このような温度で加熱を行いながら、電子部品１０の電子部品２０側への押圧を行うと、図４（Ｂ）に示すように、突起部１２が電子部品２０に接触する。そして、更に押圧を行うと、図４（Ｃ）に示すように、加熱により変形し易くなっている突起部１２が潰されながら、溶融した端子１３が電極２１に近付いて接触し、接続部３０が形成される。その後、冷却を行うことで、接続部３０を凝固させ、突起部１２を硬化させる。これにより、電子部品１０の突起部１２が電子部品２０に接触し、且つ、電子部品１０の電極１１と電子部品２０の電極２１が接続部３０で電気的に接続された状態が得られる。
【００２４】
また、加熱及び押圧の際、電子部品１０の端子１３と突起部１２に異種材料を用いている場合であって、端子１３の融点よりも突起部１２の融点が低い場合には、端子１３の融点以上の温度まで加熱を行う。このような温度で加熱を行いながら、電子部品１０の電子部品２０側への押圧を行うと、図４（Ｂ）及び図４（Ｃ）に示すように、溶融した突起部１２が電子部品２０に接触し、潰されながら、溶融した端子１３が電極２１に接触し、接続部３０が形成される。その後、冷却を行うことで、接続部３０及び突起部１２を凝固させる。これにより、電子部品１０の突起部１２が電子部品２０に接触し、且つ、電子部品１０の電極１１と電子部品２０の電極２１が接続部３０で電気的に接続された状態が得られる。
【００２５】
上記のようにして電子部品１０と電子部品２０を接続した後、図５（Ａ）に示すように、接続した電子部品１０と電子部品２０の間に樹脂４０を供給する。その際は、電子部品１０と電子部品２０の間に、突起部１２が設けられている縁部５０（５１ａ，５２ａ）とは異なる側から、ディスペンサ等の供給装置４５を用いて、流動性を示す樹脂４０を供給する。供給された樹脂４０は、接続部３０で接続された電子部品１０と電子部品２０の間に、毛細管現象によって進入していく。尚、電子部品１０と電子部品２０の間に樹脂４０が進入する際には、このような毛細管現象のほか、供給装置４５から吐出される樹脂４０の圧力も寄与し得る。
【００２６】
電子部品１０と電子部品２０の間に供給された樹脂４０は、接続部３０を覆いながら進入していき、図５（Ｂ）に示すように、接続部３０の外側の縁部５０に設けられた突起部１２に達する。突起部１２は、ダムとして機能し、電子部品１０と電子部品２０の間を進入する樹脂４０を堰き止め、縁部５０から外側への樹脂４０の流出を抑える。
【００２７】
突起部１２は、電子部品１０と電子部品２０の双方と接触した状態で配置されるため、縁部５０に到達した樹脂４０を効果的に堰き止めることができる。突起部１２を端子１３よりも大径としておくと、樹脂４０の高い流出抑制効果を得ることができる。突起部１２は、隣接する突起部１２間に隙間を有する。隣接する突起部１２間に隙間が存在することで、縁部５０まで到達した樹脂４０と突起部１２の間の空気が隙間から排出され、突起部１２で樹脂４０の流出を抑えながら、樹脂４０内のボイドの発生を抑え、更に、毛細管現象を継続させることができる。
【００２８】
以上のような工程により、電子装置１が得られる。
ここで比較のため、上記のような突起部１２を用いない電子装置の例について述べる。
図６及び図７は別形態に係る電子装置の例を示す図である。図６（Ａ）、図６（Ｂ）及び図７はそれぞれ、別形態に係る電子装置の一例の要部断面模式図である。
【００２９】
図６（Ａ）に示す電子装置１００Ａは、回路基板１２０上に搭載された半導体素子１１０及びチップ部品１６０を有している。半導体素子１１０の電極１１１と、回路基板１２０の電極１２１が、半田等の接続部１３０で電気的に接続されている。チップ部品１６０は、例えば、チップコンデンサであり、回路基板１２０の、半導体素子１１０の搭載領域よりも外側に設けられた電極１２２に、半田等の接合材１７０を用いて電気的に接続されている。半導体素子１１０と回路基板１２０の間には、樹脂１４０が設けられる。
【００３０】
このような電子装置１００Ａを製造する方法として、回路基板１２０上に半導体素子１１０を搭載した後であって、チップ部品１６０を搭載する前に、半導体素子１１０と回路基板１２０の間に樹脂１４０を供給する方法を採用する場合を想定する。この方法の場合、半導体素子１１０と回路基板１２０の間に供給した樹脂１４０が、チップ部品１６０を搭載する電極１２２まで流出して硬化すると、その後、チップ部品１６０を電極１２２に接続することができないことが起こり得る。
【００３１】
また、電子装置１００Ａを製造する方法として、回路基板１２０上に半導体素子１１０及びチップ部品１６０を搭載した後に、半導体素子１１０と回路基板１２０の間に樹脂１４０を供給する方法を採用する場合を想定する。この方法の場合、半導体素子１１０と回路基板１２０の間に供給した樹脂１４０が、チップ部品１６０まで流出して硬化すると、そのチップ部品１６０のリワークが行えなくなることが起こり得る。チップ部品１６０に不良が生じた場合、その不良のチップ部品１６０を取り外し、良品のチップ部品を再搭載するリワークを行うことは、コスト上のメリットを生み出せることがある。しかし、上記のようにチップ部品１６０まで樹脂１４０が流出して硬化してしまうと、チップ部品１６０に不良が生じても、それを取り外すことは必ずしも容易でない。
【００３２】
このようなチップ部品１６０の搭載領域に達するような樹脂４０の流出を抑える手法として、図６（Ｂ）に示す電子装置１００Ｂのように、回路基板１２０上の半導体素子１１０の搭載領域とチップ部品１６０の搭載領域の間にダム１８０を設ける手法がある。しかし、この手法では、半導体素子１１０の搭載領域とチップ部品１６０の搭載領域の間に、ダム１８０を設けるためのスペースが必要になる。そのため、回路基板１２０上の電子部品実装密度の低下、或いは、回路基板１２０更には電子装置１００Ｂの大型化を招いてしまう場合がある。
【００３３】
また、図７に示す電子装置２００Ａは、部品面積の差が比較的小さい電子部品２１０と電子部品２２０を接続したものの一例である。このような電子装置２００Ａの例としては、半導体素子をシリコンインターポーザと呼ばれる回路基板に搭載するものや、半導体素子同士を積層するもの等が挙げられる。このような半導体素子等の電子部品２１０の電極２１１と、シリコンインターポーザや半導体素子等の電子部品２２０の電極２２１が、半田等の接続部２３０で電気的に接続される。この例では、電子部品２２０の、電極２２１の配設面と反対側の面にも、電極２２２が設けられている。このような電子部品２１０と電子部品２２０の間に、樹脂２４０が設けられる。
【００３４】
電子装置２００Ａでは、電子部品２１０と電子部品２２０の面積の差が比較的小さいため、上記のダム１８０のような部材を設けることが難しい。電子部品２１０と電子部品２２０を接続部２３０で接続した後、電子部品２１０と電子部品２２０の間に樹脂２４０を供給した場合、その樹脂２４０が電子部品２１０と電子部品２２０の間から流出することがある。このように流出した樹脂２４０が、電子部品２２０の裏面側に設けた電極２２２まで広がり、硬化されてしまうと、電子装置２００Ａの、その電極２２２を用いた他の電子部品（半導体素子や回路基板等）との接続が行えなくなることが起こり得る。
【００３５】
このように電子装置１００Ａ，１００Ｂ，２００Ａでは、樹脂１４０，２４０を供給後の取り扱いに不具合が生じる場合があった。
これに対し、上記の電子装置１では、電子部品１０と電子部品２０を電気的に接続する接続部３０の外側の縁部５０に、電子部品１０と電子部品２０の双方に接触する高さの複数の突起部１２を設ける。この突起部１２を、電子部品１０と電子部品２０の間に供給される樹脂４０の不用な流出を抑えるダムとして機能させる。このような突起部１２を採用することで、例えば、次の図８及び図９に示すような電子装置を実現することが可能になる。
【００３６】
図８及び図９は第１の実施の形態に係る電子装置の構成例を示す図である。図８及び図９はそれぞれ、突起部を設けた電子装置の構成例の要部断面模式図である。
図８に示す電子装置１００は、半導体素子１１０と回路基板１２０を電気的に接続する接続部１３０の外側の、チップ部品１６０側の縁部５０に、半導体素子１１０と回路基板１２０の双方に接触する高さの複数の突起部１２を設けた構造を有している。この突起部１２により、チップ部品１６０の搭載領域に達するような樹脂１４０の流出（図６（Ａ））を抑えることができる。更に、チップ部品１６０の搭載領域に達するような樹脂１４０の流出を抑えるために、回路基板１２０上に別途ダム１８０（図６（Ｂ））を設けることを要せず、回路基板１２０、電子装置１００の大型化を抑えることができる。
【００３７】
また、図９に示す電子装置２００は、面積の差が比較的小さい電子部品２１０と電子部品２２０を接続した一例であって、接続部２３０の外側の縁部５０に、電子部品２１０と電子部品２２０の双方に接触する高さの複数の突起部１２を設けた構造を有している。この突起部１２により、電子部品２２０の裏面に設けられる電極２２２まで広がるような樹脂２４０の流出（図７）を抑えることができ、電子装置２００の、他の電子部品との接続不良を抑えることが可能になる。
【００３８】
ところで、上記電子装置１の製造方法として、図４には、所定の温度で加熱を行って電子部品１０を電子部品２０側に押圧し、電子部品１０の突起部１２を潰しながら電子部品２０に接触させ、電子部品１０と電子部品２０を接続部３０で接続する方法を例示した。このほか、次の図１０に示すような方法を用いることもできる。
【００３９】
図１０は第１の実施の形態に係る電子装置の製造方法の別例を示す図である。図１０（Ａ）は突起部調整工程における第１工程の一例の要部断面模式図、図１０（Ｂ）は突起部調整工程における第２工程の一例の要部断面模式図、図１０（Ｃ）は電子部品接続工程における第１工程の一例の要部断面模式図、図１０（Ｄ）は電子部品接続工程における第２工程の一例の要部断面模式図である。
【００４０】
この方法では、準備した電子部品１０（図２）を、まず図１０（Ａ）に示すように、平坦な表面６０ａを有する基板６０の、その表面６０ａに端子１３及び突起部１２の配設面（表面１０ａ）を対向させて、配置する。そして、その電子部品１０を基板６０側に押圧し、図１０（Ｂ）に示すように、突起部１２を、端子１３と高さが揃うように押し潰す。その際、押圧の程度によっては、突起部１２と共に、端子１３にも多少の潰れが生じる場合がある。押圧の際には、加熱により突起部１２を溶融又は軟化させ、端子１３と高さが揃うように押し潰してもよい。
【００４１】
このようにして端子１３と突起部１２の高さが揃えられた電子部品１０を、図１０（Ｃ）に示すように、準備した電子部品２０（図３）と対向させて配置し、位置合わせを行う。そして、所定の温度で加熱を行いながら電子部品１０を電子部品２０側に押圧し、上記のようにして潰した突起部１２を電子部品２０に接触させ、端子１３を電極２１に接続し、その後、冷却を行う。これにより、図１０（Ｄ）に示すような、電子部品１０の突起部１２が電子部品２０に接触し、且つ、電子部品１０の電極１１と電子部品２０の電極２１が接続部３０で電気的に接続された状態を得る。
【００４２】
電子部品１０と電子部品２０の接続後は、上記図５の例に従い、電子部品１０と電子部品２０の間に樹脂４０を設ける。
このような方法によっても、電子装置１を得ることができる。
【００４３】
尚、図１０の例では、平坦な表面６０ａを有する基板６０を用いたが、端子１３を押し付ける領域と、突起部１２を押し付ける領域との間に段差（高低差）のある表面を有する基板を用い、そのような基板に端子１３及び突起部１２を押し付けてもよい。このような段差のある基板を用いることで、端子１３及び突起部１２の高さを、それぞれ所定の高さに調整することが可能になる。例えば、電子部品２０の、電極２１の上面の高さ（突起部１２が接触する表面２０ａに対する位置）に応じて、電子部品１０を押し付ける基板の段差を調整し、押し付け後の端子１３及び突起部１２の高さをそれぞれ調整することも可能になる。
【００４４】
次に、第２の実施の形態について説明する。
以上説明した電子装置１において、電子部品２０の縁部５２ａ内の、突起部１２が接触する領域は、例えば、絶縁部とすることができる。電子部品２０は、前述のように、例えば、半導体素子、半導体パッケージ、回路基板とすることができる。このような電子部品２０の表面２０ａには、窒化シリコン（ＳｉＮ）、酸化シリコン（ＳｉＯ）、ポリイミド（ＰＩ）等の絶縁性保護膜が設けられ、この絶縁性保護膜から露出するように電極２１が設けられる。このような電子部品２０の表面２０ａに設けられる絶縁性保護膜の領域を、上記絶縁部とし、電子部品１０の突起部１２を接触させることができる。
【００４５】
電子部品２０の縁部５２ａ内の、突起部１２が接触する領域は、例えば、導体部とすることもできる。電子部品２０の、突起部１２が接触する領域を導体部とする形態について、第２の実施の形態として説明する。
【００４６】
図１１は第２の実施の形態に係る電子部品の一例を示す図である。図１１（Ａ）は第２の実施の形態に係る電子部品の第１例の要部平面模式図、図１１（Ｂ）は第２の実施の形態に係る電子部品の第２例の要部平面模式図である。
【００４７】
電子部品２０の縁部５２ａの、電子部品１０の複数の突起部１２が接触する領域には、例えば、図１１（Ａ）に示すように、各突起部１２に対応する位置にそれぞれ、導体部７１を設けることができる。導体部７１は、所謂ダミーの導体パターンであり、電極２１とは電気的に独立して設けられ、電子部品１０と電子部品２０の電気的な接続には用いられない。導体部７１は、電極２１と同様に、表面２０ａの絶縁性保護膜から露出するように設けられる。導体部７１には、電極２１と同様の導体材料を用いることができ、例えば、接触される突起部１２と反応（成分拡散）する導体材料が用いられる。
【００４８】
また、電子部品２０の縁部５２ａの、電子部品１０の複数の突起部１２が接触する領域には、例えば、図１１（Ｂ）に示すように、突起部１２の配列方向に沿って、ライン状の導体部７２を設けることもできる。この導体部７２も、電極２１とは電気的に独立して設けられ、電極２１と同様に、表面２０ａの絶縁性保護膜から露出するように設けられる。導体部７２には、電極２１と同様の導体材料を用いることができ、例えば、接触される突起部１２と反応（成分拡散）する導体材料が用いられる。
【００４９】
図１２は第２の実施の形態に係る電子装置の製造方法の一例を示す図である。図１２（Ａ）は第２の実施の形態に係る電子部品配置工程の一例の要部断面模式図、図１２（Ｂ）は第２の実施の形態に係る電子部品接続工程における第１工程の一例の要部断面模式図、図１２（Ｃ）は第２の実施の形態に係る電子部品接続工程における第２工程の一例の要部断面模式図である。
【００５０】
この方法では、準備した電子部品１０（図２）を、図１２（Ａ）に示すように、準備した電子部品２０（図１１（Ａ）又は図１１（Ｂ））と対向させて配置し、位置合わせを行う。次いで、所定の温度で加熱を行いながら電子部品１０を電子部品２０側に押圧し、図１２（Ｂ）に示すように、突起部１２を、電子部品２０に設けた導体部７１（図１１（Ａ））又は導体部７２（図１１（Ｂ））に接触させる。そして、突起部１２を潰しながら、端子１３を電極２１に接続し、その後、冷却を行う。これにより、図１２（Ｃ）に示すような、電子部品１０の突起部１２が電子部品２０の導体部７１又は導体部７２に接触し、且つ、電子部品１０の電極１１と電子部品２０の電極２１が接続部３０で電気的に接続された状態を得る。
【００５１】
電子部品１０と電子部品２０の接続後は、上記図５の例に従い、電子部品１０と電子部品２０の間に樹脂４０を設け、電子装置を得る。
導体部７１又は導体部７２を設けることで、電子部品２０の、突起部１２で押圧される領域の内部構造（導体部７１又は導体部７２よりも下層に設けられる配線やビア等）の荷重による損傷の発生を抑えることが可能になる。また、導体部７１又は導体部７２を設け、これに突起部１２を接続することで、突起部１２を電子部品２０に強固に接続し、電子部品１０と電子部品２０の接続強度の向上を図ることが可能になる。
【００５２】
尚、このような導体部７１又は導体部７２を設ける場合にも、上記図１０の例に従い、電子部品１０側の突起部１２を予め所定の高さまで潰しておいて、電子部品２０側の導体部７１又は導体部７２に接続させるようにしてもよい。
【００５３】
次に、第３の実施の形態について説明する。
図１３は第３の実施の形態に係る電子部品の一例を示す図である。図１３（Ａ）は第３の実施の形態に係る電子部品の一例の要部平面模式図、図１３（Ｂ）は第３の実施の形態に係る電子装置の一例の要部断面模式図である。尚、図１３（Ｂ）は図１３（Ａ）のＬ５−Ｌ５断面模式図である。また、図１４は第３の実施の形態に係る電子部品の製造方法の一例を示す図である。図１４（Ａ）は第３の実施の形態に係る溝形成工程の一例の要部断面模式図、図１４（Ｂ）は第３の実施の形態に係る切断工程の一例の要部断面模式図である。
【００５４】
電子部品２０の縁部５２ａの、電子部品１０の複数の突起部１２が接触する領域には、図１３（Ａ）及び図１３（Ｂ）に示すような凹部８０を設けることができる。凹部８０は、例えば、接触する突起部１２の配列方向に沿って、ライン状に設けることができる。
【００５５】
このような凹部８０を有する電子部品２０は、例えば、図１４に示すような方法を用いて形成することができる。
図１４に示す例では、半導体素子、半導体パッケージ、回路基板といった電子部品２０が複数連なって形成された、個片化前の電子部品２０の集合体（基板）８１が準備される。例えば、複数の半導体素子を形成したウェハ、切断前の大判タイプの回路基板上に複数の半導体素子を搭載して樹脂封止したもの、樹脂内に半導体素子を埋設してウェハ状態とした所謂擬似ウェハ、切断前の大判タイプの回路基板等である。
【００５６】
このような基板８１を、図１４（Ａ）に示すように、ダイシング用テープ８２に貼付した後、ダイシングブレード８３ａを用い、基板８１に含まれる電子部品２０の、隣接する電子部品２０間の境界（ダイシングストリート）に、溝８０ａを形成する。溝８０ａの幅は、電子部品２０に形成する上記凹部８０の幅に基づいて設定され、その幅に相当する幅のダイシングブレード８３ａが用いられて溝８０ａが形成される。溝８０ａの深さは、電子部品２０に形成する上記凹部８０の深さに基づいて設定される。
【００５７】
溝８０ａの形成後、図１４（Ｂ）に示すように、溝８０ａの形成に用いたダイシングブレード８３ａよりも幅狭のダイシングブレード８３ｂを用い、溝８０ａの位置で基板８１を切断する。これにより、基板８１を、個々の電子部品２０に個片化する。各電子部品２０の縁部５２ａの溝８０ａが、凹部８０となる。ダイシング用テープ８２上の各電子部品２０は、例えば、ピックアップ装置等を用いてピックアップされ、後続の工程に搬送される。
【００５８】
この図１４に示すような方法を用いることで、縁部５２ａの、電子部品１０の突起部１２に対応する領域に、凹部８０を有する電子部品２０を得ることができる。
尚、この図１４に示すような方法のほか、例えば、上記図３に示したような電子部品２０を準備した後に、その縁部５２ａに、エッチング技術を用いて凹部８０を形成することも可能である。
【００５９】
続いて、上記のような凹部８０を有する電子部品２０を用いた電子装置の製造方法について述べる。
図１５は第３の実施の形態に係る電子装置の製造方法の一例を示す図である。図１５（Ａ）は第３の実施の形態に係る電子部品配置工程の一例の要部断面模式図、図１５（Ｂ）は第３の実施の形態に係る電子部品接続工程における第１工程の一例の要部断面模式図、図１５（Ｃ）は第３の実施の形態に係る電子部品接続工程における第２工程の一例の要部断面模式図である。
【００６０】
この方法では、準備した電子部品１０（図２）を、図１５（Ａ）に示すように、準備した電子部品２０（図１３）と対向させて配置し、位置合わせを行う。次いで、所定の温度で加熱を行いながら電子部品１０を電子部品２０側に押圧し、図１５（Ｂ）に示すように、突起部１２を、電子部品２０に設けた凹部８０の底に接触させ、端子１３を電極２１に接続し、その後、冷却を行う。これにより、図１５（Ｃ）に示すような、電子部品１０の突起部１２が電子部品２０の凹部８０の底に接触し、且つ、電子部品１０の電極１１と電子部品２０の電極２１が接続部３０で電気的に接続された状態を得る。
【００６１】
図１５（Ｂ）の工程で、端子１３と電極２１が接続された時に、突起部１２が凹部８０の底に接触しているように、予め電子部品２０に設ける凹部８０のサイズ（深さ及び幅）が設定される。尚、図１５（Ｂ）の工程では、突起部１２が、凹部８０の底に接触した後、必ずしも潰されることを要しない。
【００６２】
電子部品１０と電子部品２０の接続後は、上記図５の例に従い、電子部品１０と電子部品２０の間に樹脂４０を設け、電子装置を得る。
電子部品２０に凹部８０を設けることで、電子部品１０を押圧して突起部１２を電子部品２０に接触させる際の、電子部品１０に対して加える荷重、更に、その電子部品１０を介して電子部品２０に加えられる荷重を低減することが可能になる。電子部品２０に加えられる荷重が低減されることで、突起部１２で押圧される領域の内部構造（凹部８０よりも下層に設けられる配線やビア等）の損傷の発生を抑えることが可能になる。また、電子部品２０に凹部８０を設ける場合には、必ずしも突起部１２に、加熱により溶融、変形可能な材料を用いることを要しないため、突起部１２に用いる材料の選択自由度を高めることが可能になる。
【００６３】
凹部８０は、電子部品２０の絶縁性保護膜等の絶縁部に設けることができる。また、凹部８０に、上記図１１の例に従い、導体部を設けることもできる。
以上説明した突起部１２の構成（形状、配置）の変形例を、図１６及び図１７を参照して説明する。
【００６４】
図１６及び図１７は変形例の説明図である。図１６（Ａ）は第１変形例に係る電子部品の要部断面模式図、図１６（Ｂ）は第２変形例に係る電子部品の要部断面模式図である。図１７（Ａ）は第３変形例に係る電子部品の要部平面模式図、図１７（Ｂ）は第４変形例に係る電子部品の要部平面模式図、図１７（Ｃ）は第５変形例に係る電子部品の要部平面模式図である。
【００６５】
以上の説明では、端子１３よりも高さの高い突起部１２を設けた電子部品１０を準備し、これを用いて電子装置１等を製造する場合を例示した。このほか、電子部品１０には、図１６（Ａ）に示すように、端子１３と同じか或いは同等の高さの突起部１２を設けることもできる。このような高さの突起部１２を設けた電子部品１０を用いても、突起部１２が電子部品２０に接触し、且つ、電子部品１０の電極１１と電子部品２０の電極２１が接続部３０で電気的に接続された状態を得ることが可能である。
【００６６】
また、以上の説明では、球状或いは略球状の突起部１２を設けた電子部品１０を準備し、これを用いて電子装置１等を製造する場合を例示した。このほか、電子部品１０には、図１６（Ｂ）に示すように、柱状の突起部１２を設けることもできる。柱状の突起部１２としては、円柱状、四角柱状、三角柱状といった各種柱状の突起部を設けることができる。また、柱状の突起部１２として、突出方向に向かって先細となる錐状又は錐台状の突起部を設けることもできる。柱状の突起部１２を設けた電子部品１０を用いても、突起部１２が電子部品２０に接触し、且つ、電子部品１０の電極１１と電子部品２０の電極２１が接続部３０で電気的に接続された状態を得ることが可能である。
【００６７】
また、以上の説明では、電子部品１０の一辺に沿った縁部５１ａに突起部１２を並設した電子部品１０を準備し、これを用いて電子装置１等を製造する場合を例示した。このほか、電子部品１０には、図１７（Ａ）に示すように、電子部品１０の二辺に沿った縁部５１ａ及び縁部５１ｂにそれぞれ突起部１２を並設することもできる。また、図１７（Ｂ）に示すように、電子部品１０の三辺に沿った縁部５１ａ、縁部５１ｂ及び縁部５１ｃにそれぞれ突起部１２を並設することもできる。このような突起部１２を設けた電子部品１０を用いても、突起部１２が電子部品２０に接触し、且つ、電子部品１０の電極１１と電子部品２０の電極２１が接続部３０で電気的に接続された状態を得ることが可能である。
【００６８】
接続した電子部品１０と電子部品２０の間に樹脂４０を供給する際には、突起部１２を設けていない縁部の側から樹脂４０を供給する。例えば、図１７（Ａ）の例では、縁部５１ｃ、縁部５１ｄの側から樹脂４０を供給する。図１７（Ｂ）の例では、縁部５１ｄの側から樹脂４０を供給する。電子部品１０と電子部品２０の間に供給されて進入する樹脂４０の、突起部１２を設けた縁部５１ａ，５１ｂ或いは縁部５１ａ，５１ｂ，５１ｃより外側への不用な流出を、突起部１２によって効果的に抑えることができる。
【００６９】
その結果、例えば、電子部品１０を接続した電子部品２０上に、電子部品１０の縁部５１ａのほか、電子部品１０の縁部５１ｂや縁部５１ｃの外側にも、チップ部品等の他の電子部品を近接させて配置することが可能になる。従って、高密度実装化を図ったり、電子部品２０や電子装置１等の大型化の抑制を図ったりすることが可能になる。また、電子部品２０の裏面に他の電子部品との接続に用いる電極が設けられるような場合でも、そのような電極が電子部品１０と電子部品２０の間から流出する樹脂４０で被覆されてしまうような状況を回避することが可能になる。従って、電子部品１０と電子部品２０を接続した電子装置１等を、更に別の電子部品と接続する際の、接続不良の発生を抑制することが可能になる。
【００７０】
また、以上の説明では、電子部品１０の一の縁部５１ａに突起部１２を一列で並設した電子部品１０を準備し、これを用いて電子装置１等を製造する場合を例示した。このほか、電子部品１０には、図１７（Ｃ）に示すように、一の縁部５１ａに突起部１２を複数列（ここでは一例として二列）で並設することもできる。このように複数列で突起部１２を設けた電子部品１０を用いても、突起部１２が電子部品２０に接触し、且つ、電子部品１０の電極１１と電子部品２０の電極２１が接続部３０で電気的に接続された状態を得ることが可能である。また、電子部品１０と電子部品２０の間に供給されて進入する樹脂４０の、電子部品１０と電子部品２０の対向領域より外側への不用な流出を、複数列の突起部１２によって効果的に抑えることができる。
【００７１】
尚、電子部品１０の二辺に沿った縁部５１ａ及び縁部５１ｂにそれぞれ複数列の突起部１２を並設したり、電子部品１０の三辺に沿った縁部５１ａ、縁部５１ｂ及び縁部５１ｃにそれぞれ複数列の突起部１２を並設したりすることもできる。
【００７２】
また、電子部品１０の三辺に沿った縁部５１ａ、縁部５１ｂ及び縁部５１ｃ、更に、残りの一辺に沿った縁部５１ｄにも、一列又は複数列の突起部１２を設けることも可能である。但し、この場合は、接続部３０で接続した電子部品１０と電子部品２０の間に樹脂４０を供給する際の、その樹脂４０の供給口には突起部１２を設けない配置とする。このような配置とすることで、突起部１２を設けていない供給口から樹脂４０を供給し、電子部品１０と電子部品２０の対向領域より外側への流出を効果的に抑えることが可能になる。
【００７３】
次に、第４の実施の形態について説明する。
以上説明したような突起部１２について、その形成方法の一例を、第４の実施の形態として説明する。
【００７４】
図１８〜図２０は第４の実施の形態に係る突起部の形成方法の一例を示す図である。図１８（Ａ）は第４の実施の形態に係る導体部形成工程の一例の要部平面模式図、図１８（Ｂ）は図１８（Ａ）のＬ６−Ｌ６断面模式図である。図１９（Ａ）は第４の実施の形態に係る導体部溶融工程の一例の要部平面模式図、図１９（Ｂ）は図１９（Ａ）のＬ７−Ｌ７断面模式図である。図２０（Ａ）は第４の実施の形態に係る電子部品切断工程の一例の要部平面模式図、図２０（Ｂ）は図２０（Ａ）のＬ８−Ｌ８断面模式図である。
【００７５】
ここで例示する方法では、まず、図１８（Ａ）及び図１８（Ｂ）に示すような、電子部品１０が複数連なって形成された、個片化前の電子部品１０（ここでは突起部１２を形成する前の電子部品）の集合体（基板）９０を準備する。そして、このような基板９０の、隣接する電子部品１０間の境界（ダイシングストリート）９１（鎖線で図示）を跨ぐように、平面つづら折り形状の導体パターン９２を形成し、その導体パターン９２上に、突起部１２に用いる導体材料（導体部）９３を形成する。導体パターン９２は、電極１１及び端子１３とは電気的に独立して設けられる。導体パターン９２には、その上に形成される導体部９３よりも高融点の材料を用いることが望ましい。例えば、導体パターン９２にＣｕを用い、導体部９３にＳｎ−Ａｇ半田等の半田を用いる。
【００７６】
ここでは、要部平面模式図において、導体部９３の下に導体パターン９２が存在していることを示すため、便宜上、導体部９３よりも小さな平面サイズで導体パターン９２を点線で図示するが、導体パターン９２と導体部９３は、同じ平面サイズとすることができる。ここで説明する図１８〜図２０のほか、以下に示す図２１〜図２５についても同様である。
【００７７】
導体パターン９２及び導体部９３の形成後、導体部９３の融点以上の温度で加熱を行い、導体部９３を溶融する。溶融した導体部９３は、その表面張力により、図１９（Ａ）及び図１９（Ｂ）に示すように、つづら折り形状の導体パターン９２の、そのつづら折りの折り返し部９２ａに凝集する。即ち、折り返し方向の異なる折り返し部９２ａ（ダイシングストリート９１を挟んで右側の折り返し部９２ａと左側の折り返し部９２ａ）に、それらの折り返し部９２ａ間に形成されていた導体部９３が凝集する。この結果、各折り返し部９２ａの位置に凝集した導体部９３が、上記の突起部１２として形成される。
【００７８】
尚、このように加熱により溶融した導体部９３が凝集した際、折り返し部９２ａ間の導体パターン９２上には、導体部９３が残存し得る。図１９には、折り返し部９２ａ間の導体パターン９２上に導体部９３が残存している場合を例示している。このほか、導体部９３の凝集により、折り返し部９２ａ間の導体パターン９２が露出する場合もある。
【００７９】
上記のようにつづら折り形状の導体パターン９２の折り返し部９２ａに導体部９３を凝集させて突起部１２を形成した後は、図２０（Ａ）及び図２０（Ｂ）に示すように、ダイシングストリート９１の位置で基板９０を切断し、個々の電子部品１０に個片化する。これにより、ダイシングストリート９１側の縁部に突起部１２が並設された電子部品１０が得られる。
【００８０】
上記のような突起部１２の形成方法において、導体パターン９２及びその上に形成される導体部９３の形状を調整することで、得られる突起部１２の高さや径を調整することができる。
【００８１】
図２１及び図２２は第４の実施の形態に係る突起部の調整方法の例を示す図である。図２１（Ａ）は第４の実施の形態に係る導体部形成工程の第１例の要部平面模式図、図２１（Ｂ）は第４の実施の形態に係る導体部溶融工程の第１例の要部平面模式図、図２１（Ｃ）は図２１（Ｂ）のＬ９−Ｌ９断面模式図である。図２２（Ａ）は第４の実施の形態に係る導体部形成工程の第２例の要部平面模式図、図２２（Ｂ）は第４の実施の形態に係る導体部溶融工程の第２例の要部平面模式図、図２２（Ｃ）は図２２（Ｂ）のＬ１０−Ｌ１０断面模式図である。
【００８２】
図２１に示す方法では、図２１（Ａ）に示すように、つづら折り形状の導体パターン９２及びその上に形成される導体部９３の、つづら折りの間隔を広げる。即ち、ダイシングストリート９１に対して一方側に並ぶ折り返し部９２ａの間隔、他方側に並ぶ折り返し部９２ａの間隔を広げる。このように導体パターン９２のつづら折りの間隔を広げると、折り返し方向の異なる折り返し部９２ａ間（ダイシングストリート９１を挟んだ左右の折り返し部９２ａ間）の距離が長くなる。その結果、導体パターン９２上に形成される導体部９３の、導体パターン９２の折り返し方向の異なる折り返し部９２ａ間に存在する導体部９３の量が多くなる。これにより、図２１（Ｂ）及び図２１（Ｃ）に示すように、導体部９３の融点以上の温度で加熱を行って導体部９３を溶融させ折り返し部９２ａに凝集させると、つづら折りの間隔を広げていないものに比べて、より大きな突起部１２が形成されるようになる。
【００８３】
図２２に示す方法では、図２２（Ａ）に示すように、つづら折り形状の導体パターン９２及びその上に形成される導体部９３の幅を太くする。このように導体パターン９２の幅を太くした場合も、導体パターン９２上に形成される導体部９３の、導体パターン９２の折り返し方向の異なる折り返し部９２ａ間に存在する導体部９３の量が多くなる。これにより、図２２（Ｂ）及び図２２（Ｃ）に示すように、導体部９３の融点以上の温度で加熱を行って導体部９３を溶融させ折り返し部９２ａに凝集させると、導体パターン９２の幅を太くしていないものに比べて、より大きな突起部１２が形成されるようになる。
【００８４】
図２１のように導体パターン９２及び導体部９３のつづら折りの間隔を広げ、且つ、その導体パターン９２及び導体部９３の幅を太くすることも可能である。
接続部３０で電気的に接続する電子部品１０と電子部品２０の間のギャップ（クリアランス）に応じて、例えば、この図２１や図２２に示すような方法を用い、電子部品２０に接触するような高さの突起部１２を、電子部品１０に形成することができる。
【００８５】
また、図２３及び図２４は第４の実施の形態に係る突起部の形成方法の別例を示す図である。図２３（Ａ）は第４の実施の形態に係る導体部形成工程の第３例の要部平面模式図、図２３（Ｂ）は第４の実施の形態に係る導体部溶融工程の第３例の要部平面模式図、図２３（Ｃ）は図２３（Ｂ）のＬ１１−Ｌ１１断面模式図である。図２４（Ａ）は第４の実施の形態に係る導体部形成工程の第４例の要部平面模式図、図２４（Ｂ）は第４の実施の形態に係る導体部溶融工程の第４例の要部平面模式図、図２４（Ｃ）は図２４（Ｂ）のＬ１２−Ｌ１２断面模式図である。
【００８６】
図２３に示す方法では、図２３（Ａ）に示すように、つづら折り形状の導体パターン９２の折り返し部９２ａに幅広部９２ａａを設け、そのような導体パターン９２の上に導体部９３を形成する。ここでは一例として、平面円形状の幅広部９２ａａを折り返し部９２ａに設けた場合を図示するが、幅広部９２ａａは、平面四角形状、平面三角形状等、各種平面形状とすることが可能である。幅広部９２ａａを設けることで、図２３（Ｂ）及び図２３（Ｃ）に示すように、導体部９３の融点以上の温度で加熱を行った時に、溶融した導体部９３が折り返し部９２ａの幅広部９２ａａに凝集し易くなり、突起部１２の高さの均一化が図られるようになる。
【００８７】
図２４に示す方法では、図２４（Ａ）に示すように、折り返し方向の異なる折り返し部９２ａ間の位置（中間点）に切り込み９２ｂを設け、そのような導体パターン９２の上に導体部９３を形成する。切り込み９２ｂは、導体パターン９２の幅を狭くするような方向に設ける。ここでは一例として、平面三角形状の切り込み９２ｂを、導体パターン９２の幅方向両側のエッジから内側に向かって設けた場合を図示している。切り込み９２ｂは、平面三角形状のほか、平面四角形状や平面半円形状等、各種平面形状とすることができる。切り込み９２ｂは、導体パターン９２の幅方向片側のエッジからもう片側のエッジに向かって設けることもできる。導体パターン９２の幅方向両側のエッジから内側に向かって切り込み９２ｂを設ける場合、互いの切り込み９２ｂは、図示するように連通していなくてもよいし、或いはここでは図示を省略するが、連通していてもよい。このような切り込み９２ｂを設けた導体パターン９２の上に、導体部９３が形成される。切り込み９２ｂを設けることで、図２４（Ｂ）及び図２４（Ｃ）に示すように、導体部９３の融点以上の温度で加熱を行った時に、溶融した導体部９３が折り返し部９２ａの切り込み９２ｂを境にして両側の折り返し部９２ｂに凝集し易くなる。これにより、突起部１２の高さの均一化が図られるようになる。
【００８８】
尚、図２３のような幅広部９２ａａは、図２４のような切り込み９２ｂを設けた場合にも、同様に適用可能である。また、図２３のような幅広部９２ａａ、図２４のような切り込み９２ｂは、上記図２１のように導体パターン９２（及びその上の導体部９３）のつづら折りの間隔を広げた場合や幅を太くした場合にも、同様に適用可能である。
【００８９】
また、図２５は第４の実施の形態に係る突起部の形成方法の更に別例を示す図である。図２５（Ａ）は第４の実施の形態に係る導体部形成工程の第５例の要部平面模式図、図２５（Ｂ）は第４の実施の形態に係る導体部溶融工程の第５例の要部平面模式図、図２５（Ｃ）は第４の実施の形態に係る電子部品切断工程の第５例の要部平面模式図である。
【００９０】
上記図１８〜図２０の例では、個片化前の電子部品１０の集合体である基板９０を準備し、そのダイシングストリート９１を跨ぐように、つづら折り形状の導体パターン９２を形成し、その導体パターン９２上に導体部９３を形成する場合を例示した。このほか、つづら折り形状の導体パターン９２及びその上の導体部９３は、ダイシングストリート９１を跨がず、図２５（Ａ）に示すように、ダイシングストリート９１に対して一方側の電子部品１０に設けることもできる。
【００９１】
このようにつづら折り形状の導体パターン９２及び導体部９３を、基板９０の一方側の電子部品１０に設け、導体部９３の融点以上の温度で加熱を行う。これにより、溶融した導体部９３が、図２５（Ｂ）に示すように、基板９０の、一の電子部品１０に設けられた導体パターン９２の、そのつづら折りの折り返し部９２ａに凝集する。その後、図２５（Ｃ）に示すように、ダイシングストリート９１の位置で基板９０を切断し、個々の電子部品１０に個片化することで、ダイシングストリート９１側の縁部に沿って２列に並んだ突起部１２が形成された電子部品１０（図１７（Ｃ））が得られる。このように２列並べて突起部１２を設けた電子部品１０によれば、電子部品１０と電子部品２０を接続部３０で接続し、それらの間に樹脂４０を供給した際、それらの対向領域より外側への不用な流出が効果的に抑えられるようになる。
【００９２】
尚、電子部品１０の複数辺に沿った縁部にそれぞれ一列又は複数列の突起部１２を並設する場合（図１７（Ａ）〜図１７（Ｃ）等）も、上記同様の方法が適用可能である。
図１８〜図２５に示したような上記の方法を用いることで、電子部品１０に、所定の高さ、即ち、端子１３よりも高い、或いは、端子１３と同じか又は同等の高さの突起部１２を形成することができる。
【００９３】
上記のような導体パターン９２及び導体部９３並びに突起部１２を有する電子部品１０は、例えば、次の図２６及び図２７に示すような方法で製造することができる。
図２６及び図２７は第４の実施の形態に係る電子部品の製造方法の一例を示す図である。図２６（Ａ）は第４の実施の形態に係るシード層形成工程の一例の要部断面模式図、図２６（Ｂ）は第４の実施の形態に係るレジスト形成工程の一例の要部断面模式図、図２６（Ｃ）は第４の実施の形態に係る第１メッキ工程の一例の要部断面模式図、図２６（Ｄ）は第４の実施の形態に係る第２メッキ工程の一例の要部断面模式図である。図２７（Ａ）は第４の実施の形態に係るレジスト除去工程の一例の要部断面模式図、図２７（Ｂ）は第４の実施の形態に係るシード層エッチング工程の一例の要部断面模式図、図２７（Ｃ）は第４の実施の形態に係る加熱工程の一例の要部断面模式図である。
【００９４】
まず、図２６及び図２７に示す、突起部１２の形成領域ＡＲ１に着目し、電子部品１０の製造方法の一例を説明する。
図２６（Ａ）に示すように、個片化前の電子部品１０の集合体である基板９０を準備し、その上にシード層９２ｃを形成する。シード層９２ｃの形成後、レジスト材料を塗布し、露光、現像を行い、図２６（Ｂ）に示すように、所定の開口部９４ａを有するレジスト９４を形成する。レジスト９４の開口部９４ａは、上記のような平面つづら折り形状の開口部である。このような開口部９４ａを有するレジスト９４の形成後、シード層９２ｃを給電層に用いた電解メッキにより、図２６（Ｃ）に示すように、開口部９４ａ内のシード層９２ｃ上に、例えばＣｕを堆積し、導体パターン９２を形成する。更に、シード層９２ｃ（及び導体パターン９２）を給電層に用いた電解メッキにより、図２６（Ｄ）に示すように、開口部９４ａ内の導体パターン９２上に、半田、例えばＳｎ−Ａｇ半田を堆積し、導体部９３を形成する。
【００９５】
導体部９３の形成後は、図２７（Ａ）に示すように、レジスト９４を、剥離液等を用いて除去する。次いで、図２７（Ｂ）に示すように、レジスト９４の除去後に露出するシード層９２ｃを、導体パターン９２及び導体部９３をマスクにして、エッチングにより除去する。これにより、基板９０上に、平面つづら折り形状の導体パターン９２及び導体部９３が形成される。その後、導体部９３の融点以上の温度で加熱（ウェットバック）を行うことで、上記のように、溶融した導体部９３を、導体パターン９２のつづら折りの折り返し部９２ａに凝集させ、図２７（Ｃ）に示すような突起部１２を形成する。
【００９６】
このようにして突起部１２の形成まで行った基板９０を、所定の位置（ダイシングストリート）で切断し、個々の電子部品１０を得る。
このような電子部品１０の突起部１２の形成は、電子部品２０との電気的な接続に用いる端子１３と同時に形成することができる。この場合は、図２６及び図２７に示す、端子１３の形成領域ＡＲ２のように、端子１３の下地となる電極１１まで形成した基板９０上に、図２６（Ａ）のようにシード層９２ｃを形成する。そして、図２６（Ｂ）のレジスト９４の形成時に、形成領域ＡＲ１の開口部９４ａのほか、形成領域ＡＲ２にも開口部９４ｂを形成し、以後、図２６（Ｃ）、図２６（Ｄ）及び図２７（Ａ）〜図２７（Ｃ）の工程を実施する。これにより、形成領域ＡＲ２の電極１１上に、突起部１２と同様に、シード層９２ｃ、導体パターン９２及び導体部９３を有する端子１３が形成される。
【００９７】
突起部１２は、端子１３とは別の工程で形成することも可能である。この場合は、例えば、先に形成領域ＡＲ２に適当な端子１３を形成した基板９０の、その形成領域ＡＲ２をレジストでマスクし、突起部１２の形成領域ＡＲ１について、上記図２６（Ａ）〜図２６（Ｄ）及び図２７（Ａ）〜図２７（Ｃ）の工程を実施する。また、例えば、上記図２６（Ａ）〜図２６（Ｄ）及び図２７（Ａ）〜図２７（Ｃ）の工程を実施して先に形成領域ＡＲ１に突起部１２を形成した後、その突起部１２やその下の導体パターン９２をレジストでマスクし、形成領域ＡＲ２に適当な端子１３を形成してもよい。これらの方法では、端子１３と突起部１２を、同種材料を用いて形成することができるほか、異種材料を用いて形成することもできる。
【００９８】
尚、図２７（Ｂ）の工程後、ウェットバックを行うことなく、導体パターン９２及び導体部９３の形成まで行った基板９０を、所定の位置（ダイシングストリート）で切断し、個々の電子部品１０を得ることも可能である。この場合は、電子部品１０と電子部品２０の接続時の加熱を利用して、電子部品１０に設けた導体部９３をその下の導体パターン９２の折り返し部９２ａに凝集させ、接続相手の電子部品２０に接触させるようにする。
【００９９】
以上、第４の実施の形態では、Ｃｕ等で導体パターン９２を形成し、その上にＳｎ−Ａｇ半田等の半田で導体部９３を形成し、その導体部９３の、溶融時の表面張力による凝集を利用して、突起部１２を形成する方法を例示した。
【０１００】
このほか、突起部１２は、半田やＡｇ等の導体材料を含む樹脂（半田ペーストや導電性ペースト）、絶縁性の樹脂、導電性又は絶縁性のフィラーを含む樹脂等を用いて形成することもできる。このような材料を用いて突起部１２を形成する場合は、例えば、突起部１２を形成する領域に開口部を有するマスクを形成し、その開口部に、印刷法等を用いて、半田ペースト、導電性ペースト、樹脂といった材料を充填し、その後、マスクを除去する。このような方法を用いる場合には、柱状の突起部１２（図１６（Ｂ））を形成することができる。
【０１０１】
充填する半田ペースト、導電性ペースト、樹脂に、熱可塑性樹脂を用いて突起部１２を形成すると、上記図４の例に従い、電子部品１０と電子部品２０を加熱及び押圧して接続部３０で電気的に接続する際、その加熱で突起部１２を変形可能な状態にすることができる。これにより、突起部１２を潰しながら押圧し、突起部１２を電子部品２０に接触させて、電子部品１０と電子部品２０を接続部３０で接続することができる。また、上記図１０の例に従い、電子部品１０と電子部品２０の接続前に、電子部品１０を予め平坦な又は所定の段差を有する基板に押し付ける際、加熱により突起部１２を変形可能な状態にし、突起部１２を押し潰し易くすることができる。
【０１０２】
また、予め準備された球状や柱状の突起部１２を、電子部品１０に接合材を用いる等して取り付け、突起部１２を有する電子部品を得てもよい。この場合、予め準備する突起部１２としては、その突起部１２を電子部品１０と電子部品２０の接続の際に上記図４や図１０の例のように潰す場合は、所定の温度で溶融可能な各種材料、所定の荷重で変形可能な各種材料を用いることができる。また、例えば上記図１５の例のように接続相手の電子部品２０に凹部８０を設けて突起部１２を潰さない場合は、上記のような材料に限らず、金属、半導体、ガラス等、各種材料を用いることができる。
【０１０３】
以上の説明では、突起部１２を設けた電子部品１０の突起状の端子１３を、電子部品２０の電極２１と電気的に接続する場合を例示した。このほか、電子部品２０の電極２１上にも突起状の端子を設けてもよい。この場合は、電子部品１０の突起状の端子１３と、電子部品２０の突起状の端子とを接続した時に得られる接続部３０の高さに基づき、突起部１２の高さを調整する。
【０１０４】
以上説明した電子部品１０及び電子部品２０には、各種電子部品を用いることができる。例えば、電子部品には、前述のように、半導体素子、半導体パッケージ、回路基板を用いることができる。
【０１０５】
図２８は半導体素子の一例を示す図である。図２８は半導体素子の一例の要部断面模式図である。
図２８に例示する半導体素子３００は、トランジスタ等の素子が設けられた半導体基板３１０と、半導体基板３１０上に設けられた配線層３２０とを有する。
【０１０６】
半導体基板３１０には、シリコン（Ｓｉ）、ゲルマニウム（Ｇｅ）、シリコンゲルマニウム（ＳｉＧｅ）等の基板が用いられる。このような半導体基板３１０に、トランジスタ、容量、抵抗等の素子が設けられる。図２８には素子の一例として、ＭＯＳ（Metal Oxide Semiconductor）トランジスタ３３０を図示している。
【０１０７】
ＭＯＳトランジスタ３３０は、半導体基板３１０に設けられた素子分離領域３１０ａにより画定された素子領域に設けられる。ＭＯＳトランジスタ３３０は、半導体基板３１０上にゲート絶縁膜３３１を介して形成されたゲート電極３３２と、ゲート電極３３２の両側の半導体基板３１０内に形成されたソース領域３３３及びドレイン領域３３４とを有する。ゲート電極３３２の側壁には、絶縁膜のスペーサ３３５が設けられる。
【０１０８】
このようなＭＯＳトランジスタ３３０等が設けられた半導体基板３１０上に、配線層３２０が設けられる。配線層３２０は、半導体基板３１０に設けられたＭＯＳトランジスタ３３０等に電気的に接続された導体部３２１（配線及びビア）と、導体部３２１を覆う絶縁部３２２とを有する。図２８には一例として、ＭＯＳトランジスタ３３０のソース領域３３３及びドレイン領域３３４に電気的に接続された導体部３２１を図示している。導体部３２１には、Ｃｕ、Ａｌ等の各種導体材料が用いられる。絶縁部３２２には、酸化シリコン等の無機絶縁材料や、樹脂等の有機絶縁材料が用いられる。配線層３２０には、内部の導体部３２１に電気的に接続された電極３２３（上記の電極１１又は電極２１に相当）が設けられる。
【０１０９】
電極３２３上には、上記電子部品１０について述べたような端子１３等の突起状の端子が設けられ得る。電極３２３の配設領域の外側で、半導体素子３００の縁部には、上記電子部品１０について述べたような導体パターン９２、突起部１２（又は加熱による凝集前の導体部９３）が設けられ得る。また、電極３２３の配設領域の外側で、半導体素子３００の縁部には、上記電子部品２０について述べたような導体部７１、導体部７２、凹部８０が設けられ得る。
【０１１０】
図２９は半導体パッケージの一例を示す図である。図２９は半導体パッケージの一例の要部断面模式図である。
図２９に例示する半導体パッケージ４００は、パッケージ基板（回路基板）５００と、パッケージ基板５００上に搭載された半導体素子６００と、半導体素子６００を封止する封止層７００とを有する。
【０１１１】
パッケージ基板５００には、例えば、プリント基板が用いられる。パッケージ基板５００は、Ｃｕ、Ａｌ等の導体部５１０（配線及びビア）と、導体部５１０を覆う樹脂材料等の絶縁部５２０とを有する。
【０１１２】
このようなパッケージ基板５００上に、半導体素子６００が、それに設けられた半田のバンプ等の接続部６１０で電気的に接続（フリップチップボンディング）される。パッケージ基板５００と半導体素子６００の間には、樹脂（アンダーフィル樹脂）７１０が充填される。パッケージ基板５００上の半導体素子６００は、封止層７００で封止される。封止層７００には、エポキシ樹脂等の樹脂材料、そのような樹脂材料に絶縁性フィラーを含有させた材料等が用いられる。パッケージ基板５００の、半導体素子６００の搭載面と反対側の表面には、内部の導体部５１０に電気的に接続された電極５１１（上記の電極１１又は電極２１に相当）が設けられる。
【０１１３】
電極５１１上には、上記電子部品１０について述べたような端子１３等の突起状の端子が設けられ得る。電極５１１の配設領域の外側で、半導体パッケージ４００の縁部には、上記電子部品１０について述べたような導体パターン９２、突起部１２（又は加熱による凝集前の導体部９３）が設けられ得る。また、電極５１１の配設領域の外側で、半導体パッケージ４００の縁部には、上記電子部品２０について述べたような導体部７１、導体部７２、凹部８０が設けられ得る。
【０１１４】
尚、半導体素子６００は、パッケージ基板５００にワイヤボンディングで電気的に接続されてもよい。更にまた、パッケージ基板５００上には、複数の半導体素子６００が搭載されてもよく、半導体素子６００のほか、チップコンデンサ等の他の電子部品が搭載されてもよい。
【０１１５】
図３０は回路基板の一例を示す図である。図３０は回路基板の一例の要部断面模式図である。
ここでは回路基板として、複数の配線層を含む多層プリント基板を例にする。図３０に例示する回路基板８００は、導体部８１０（配線及びビア）と、導体部８１０を覆う絶縁部８２０とを有する。導体部８１０には、Ｃｕ、Ａｌ等の各種導体材料が用いられる。絶縁部８２０には、フェノール樹脂、エポキシ樹脂、ポリイミド樹脂等の樹脂材料、そのような樹脂材料をガラス繊維や炭素繊維に含浸した複合樹脂材料等が用いられる。回路基板８００には、内部の導体部８１０に電気的に接続された電極８１１（上記の電極１１又は電極２１に相当）が設けられる。
【０１１６】
電極８１１上には、上記電子部品１０について述べたような端子１３等の突起状の端子が設けられ得る。電極８１１の配設領域の外側で、回路基板８００の縁部には、上記電子部品１０について述べたような導体パターン９２、突起部１２（又は加熱による凝集前の導体部９３）が設けられ得る。また、電極８１１の配設領域の外側で、回路基板８００の縁部には、上記電子部品２０について述べたような導体部７１、導体部７２、凹部８０が設けられ得る。
【０１１７】
以下、実施例について述べる。
平面サイズ８．５ｍｍ×８．５ｍｍの半導体素子が形成されたウェハ（ダイシング前のウェハ）上に、シード層として、ＤＣスパッタ装置を用い、厚さ１００ｎｍのチタン（Ｔｉ）膜を形成し、そのＴｉ膜上に厚さ２５０ｎｍのＣｕ膜を形成した。次いで、ポジ型液状レジストをスピンコートにより塗布し、１４０℃で６分間のプリベークを行って、厚さ１５μｍのレジスト膜を形成した。次いで、形成したレジスト膜に対し、露光機を用いて、波長３５５ｎｍ、１００ｍＪ／ｃｍ2の条件で露光し、現像及びリンスを行い、平面つづら折り形状の開口部を有するレジストを形成した。つづら折りのレジストの開口部は、ウェハに形成された半導体素子のダイシングストリートを跨ぐように形成した。つづら折りのレジストの開口部は、幅を２０μｍ、長さを５００μｍ、折り返し部（折り返し方向が同じ折り返し部）の間隔を６０μｍとした。
【０１１８】
次いで、先に形成したシード層を給電層に用いてＣｕの電解メッキを行い、つづら折りのレジストの開口部内に、Ｃｕの導体パターンを形成した。電解メッキは、電流密度８Ａ／ｄｍ2、温度３０℃で６分間の条件で行った。更に、シード層（及び導体パターン）を給電層に用いてＳｎ−Ａｇ半田の電解メッキを行い、つづら折りのレジストの開口部内に形成した導体パターン上に、Ｓｎ−Ａｇ半田の導体部を形成した。導体パターンの形成後、レジスト剥離液を用いて、レジストを剥離した。
【０１１９】
レジストの剥離後、それによって露出したＣｕ膜及びＴｉ膜をエッチングにより除去し、ピーク温度２５０℃の条件でウェットバックを行った。これにより、つづら折りの導体パターンの、その折り返し部にＳｎ−Ａｇ半田の導体部を凝集させ、高さ１５μｍの略球状の突起部を形成した。尚、導体パターン及びその上の導体部のつづら折り形状（幅、間隔等）を調整することで、高さ４０μｍまでの突起部の形成が可能であることを確認した。
【０１２０】
ウェハには、突起部の形成と同時に、半導体素子の端子を形成した。突起部を形成した領域より内側の、端子の形成領域に、突起部同様、Ｔｉ膜、Ｃｕ膜、Ｃｕの導体パターン及びＳｎ−Ａｇ半田の導体部の積層構造を有する４００個の端子を形成した。上記ウェットバック後には、高さ１０μｍの半田バンプが端子として形成された。
【０１２１】
突起部及び端子の形成後、ダイシングブレードを用いてウェハを切断し、個片化された半導体素子を得た。
得られた半導体素子を、フリップチップボンダを用い、突起部及び端子の形成面側を回路基板の電極形成面側に対向させ、位置合わせを行い、半導体素子側から温度３００℃／５秒、１端子あたり０．１ｇの荷重で押圧し、回路基板に接続した。その後、アンダーフィル樹脂を、８０℃の温度にしたディスペンサを用いて、接続した半導体素子と回路基板の間に、半導体素子の突起部を設けた縁部とは反対の側から供給した。アンダーフィル樹脂は、毛細管現象によって半導体素子と回路基板の間に進入した。このようにしてアンダーフィル樹脂を供給した後、１５０℃の恒温槽に２時間配置し、アンダーフィル樹脂を硬化させ、半導体装置を得た。
【０１２２】
比較のため、突起部を設けずに形成した半導体素子と、回路基板とを接続し、それらの間に上記同様の条件でアンダーフィル樹脂を供給した半導体装置も形成した。
突起部を有する半導体装置と、突起部を有しない半導体装置について、アンダーフィル樹脂の、半導体素子と回路基板との対向領域からのはみ出し量を計測した。その結果、突起部を有する半導体装置では、半導体素子の、突起部を設けた縁部の端面より外側には、アンダーフィル樹脂がはみ出さなかった。一方、突起部を有しない半導体装置では、半導体素子の端面（アンダーフィル樹脂供給側と反対側の端面）より外側に、その端面から０．５ｍｍの位置までアンダーフィル樹脂がはみ出した。突起部を設けることで、それをダムとして機能させ、アンダーフィル樹脂の、半導体素子と回路基板との対向領域より外側へのはみ出しが抑制できることを確認した。
【０１２３】
以上説明した実施の形態に関し、更に以下の付記を開示する。
（付記１）  第１電子部品と、
前記第１電子部品と対向する第２電子部品と、
前記第１電子部品と前記第２電子部品の間に配設され、前記第１電子部品と前記第２電子部品とを電気的に接続する接続部と、
前記接続部よりも外側で、前記第１電子部品の、前記第２電子部品との対向領域の縁部に並設され、前記第２電子部品に接触する複数の突起部と、
前記第１電子部品と前記第２電子部品の間に配設された樹脂と
を含むことを特徴とする電子装置。
【０１２４】
（付記２）  前記第２電子部品は、前記複数の突起部に対応する位置に絶縁部を有し、
前記複数の突起部は、前記絶縁部に接触することを特徴とする付記１に記載の電子装置。
【０１２５】
（付記３）  前記第２電子部品は、前記複数の突起部に対応する位置に、前記接続部から電気的に独立した導体部を有し、
前記複数の突起部は、前記導体部に接触することを特徴とする付記１に記載の電子装置。
【０１２６】
（付記４）  前記第２電子部品は、前記複数の突起部に対応する位置に凹部を有し、
前記複数の突起部は、その高さが前記接続部よりも高く、前記凹部に接触することを特徴とする付記１に記載の電子装置。
【０１２７】
（付記５）  前記複数の突起部は、前記接続部よりも大径であることを特徴とする付記１乃至４のいずれかに記載の電子装置。
（付記６）  前記複数の突起部の、前記第１電子部品と前記第２電子部品の対向領域の外側に面した表面の少なくとも一部が、前記樹脂から露出することを特徴とする付記１乃至５のいずれかに記載の電子装置。
【０１２８】
（付記７）  基板と、前記基板上に突設された端子と、前記端子よりも外側にあって、前記基板の縁部に並設された複数の突起部とを含む第１電子部品を準備する工程と、
前記端子に対応する位置に配設された電極を含む第２電子部品を準備する工程と、
前記第１電子部品と前記第２電子部品とを対向させ、前記複数の突起部を前記第２電子部品に接触させて、前記端子を前記電極に電気的に接続する工程と、
前記第１電子部品と前記第２電子部品の間に樹脂を供給する工程と
を含むことを特徴とする電子装置の製造方法。
【０１２９】
（付記８）  前記端子を前記電極に電気的に接続する工程は、前記第１電子部品に当接した前記複数の突起部を潰しながら前記端子を前記電極に電気的に接続する工程を含むことを特徴とする付記７に記載の電子装置の製造方法。
【０１３０】
（付記９）  前記第１電子部品を準備する工程は、前記複数の突起部を前記端子の高さに揃える工程を含むことを特徴とする付記７に記載の電子装置の製造方法。
（付記１０）  前記第２電子部品を準備する工程は、前記複数の突起部に対応する位置に凹部を形成する工程を含み、
前記端子を前記電極に電気的に接続する工程は、前記複数の突起部を前記凹部に接触させて、前記端子を前記電極に電気的に接続する工程を含むことを特徴とする付記７に記載の電子装置の製造方法。
【０１３１】
（付記１１）  基板と、
前記基板上に突設された端子と、
前記端子よりも外側にあって、前記基板の縁部に並設され、前記端子の高さ以上の高さを有する複数の突起部と
を含むことを特徴とする電子部品。
【０１３２】
（付記１２）  基板を準備する工程と、
前記基板上に突出する端子を形成する工程と、
前記基板上の、前記端子よりも外側の領域に、平面形状がつづら折りの導体部を形成する工程と、
前記導体部を、加熱により溶融し、つづら折りの各折り返し部に凝集させて、複数の突起部を形成する工程と
を含むことを特徴とする電子部品の製造方法。
【０１３３】
（付記１３）  前記複数の突起部を形成する工程後に、前記複数の突起部の、つづら折りの折り返し方向が異なる前記折り返し部に形成された突起部間の位置で、前記基板を切断する工程を更に含むことを特徴とする付記１２に記載の電子部品の製造方法。
【０１３４】
（付記１４）  前記導体部を形成する工程は、前記折り返し部に、その他の部分よりも幅の広い幅広部を有する前記導体部を形成する工程を含むことを特徴とする付記１２又は１３に記載の電子部品の製造方法。
【０１３５】
（付記１５）  前記導体部を形成する工程は、つづら折りの折り返し方向が異なる前記折り返し部間の位置に切り込みを有する前記導体部を形成する工程を含むことを特徴とする付記１２乃至１４のいずれかに記載の電子部品の製造方法。
【０１３６】
（付記１６）  前記基板上に前記端子と前記導体部とを同時に形成することを特徴とする付記１２乃至１５のいずれかに記載の電子部品の製造方法。
【符号の説明】
【０１３７】
１，１００，１００Ａ，１００Ｂ，２００，２００Ａ  電子装置
１０，２０，２１０，２２０  電子部品
１０ａ，２０ａ，６０ａ  表面
１０ｂ  端子エリア
１１，２１，１１１，１２１，１２２，２１１，２２１，２２２，３２３，５１１，８１１  電極
１２  突起部
１３  端子
３０，１３０，２３０，６１０  接続部
４０，１４０，２４０，７１０  樹脂
４１  フィレット部
４５  供給装置
５０，５１ａ，５１ｂ，５１ｃ，５１ｄ，５２ａ  縁部
６０，８１，９０  基板
７１，７２，９３，３２１，５１０，８１０  導体部
８０  凹部
８０ａ  溝
８２  ダイシング用テープ
８３ａ，８３ｂ  ダイシングブレード
９１  ダイシングストリート
９２  導体パターン
９２ａ  折り返し部
９２ａａ  幅広部
９２ｂ  切り込み
９２ｃ  シード層
９４  レジスト
９４ａ，９４ｂ  開口部
１１０，３００，６００  半導体素子
１２０，８００  回路基板
１６０  チップ部品
１７０  接合材
１８０  ダム
３１０  半導体基板
３１０ａ  素子分離領域
３２０  配線層
３２２，５２０，８２０  絶縁部
３３０  ＭＯＳトランジスタ
３３１  ゲート絶縁膜
３３２  ゲート電極
３３３  ソース領域
３３４  ドレイン領域
３３５  スペーサ
４００  半導体パッケージ
５００  パッケージ基板
７００  封止層
ＡＲ１，ＡＲ２  形成領域
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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【図２５】
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【図２６】
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【図２７】
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【図２８】
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【図２９】
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【図３０】
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