(57)【要約】【課題】インターポーザへのダメージを抑制しながら、支持基板を容易に取り外すことができるインターポーザ構造体及び半導体装置の製造方法等を提供する。【解決手段】インターポーザ構造体には、インターポーザ１２０と、インターポーザ１２０を支持する支持基板１１０と、が含まれる。支持基板１１０には、基板１１１と、基板１１１上の発熱体１１２と、発熱体１１２を覆う、基板１１１上の樹脂層１１３と、が含まれる。半導体装置を製造する際は、インターポーザ構造体をプリント基板に固定し、発熱体１１２に電流を流して、発熱体１１２の樹脂層１１３との界面を酸化させ、基板１１１及び発熱体１１２を除去する。その後、樹脂層１１３を除去し、インターポーザ１２０上に半導体チップを搭載する。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
インターポーザと、
前記インターポーザを支持する支持基板と、
を有し、
前記支持基板は、
基板と、
前記基板上の発熱体と、
前記発熱体を覆う、前記基板上の樹脂層と、
を有することを特徴とするインターポーザ構造体。
【請求項２】
前記発熱体は、前記基板の上面の３３．３％以上の領域を覆うことを特徴とする請求項１に記載のインターポーザ構造体。
【請求項３】
前記発熱体の幅は５μｍ以下であることを特徴とする請求項１又は２に記載のインターポーザ構造体。
【請求項４】
前記樹脂層は、硫黄化合物を１．０質量％以上含有することを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載のインターポーザ構造体。
【請求項５】
支持基板を形成する工程と、
前記支持基板上にインターポーザを形成する工程と、
を有し、
前記支持基板を形成する工程は、
基板上に発熱体を形成する工程と、
前記基板上に、前記発熱体を覆う樹脂層を形成する工程と、
を有することを特徴とするインターポーザ構造体の製造方法。
【請求項６】
請求項１乃至４のいずれか１項に記載のインターポーザ構造体をプリント基板に固定する工程と、
前記発熱体に電流を流して、前記発熱体の前記樹脂層との界面を酸化させ、前記基板及び前記発熱体を除去する工程と、
前記基板及び前記発熱体の除去後に、前記樹脂層を除去する工程と、
前記インターポーザ上に半導体チップを搭載する工程と、
を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項７】
１５０℃以上の環境下で、前記発熱体に電流を流すことを特徴とする請求項６に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項８】
前記発熱体に１．０×１０6Ａ／ｃｍ2以上の密度で電流を流すことを特徴とする請求項６又は７に記載の半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、インターポーザ構造体及び半導体装置の製造方法等に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、電子機器に対する小型化及び高性能化等の要求に応えるべく種々の高集積技術が提案されている。例えば、プリント基板上にインターポーザを介して複数の大規模集積回路（ＬＳＩ：large scale integration）チップ等の半導体チップが搭載された半導体装置が提案されている。この高集積化技術は２．５Ｄとよばれることがある。従来、この半導体装置を製造するために、次の工程が行われている。すなわち、支持基板上にインターポーザを形成し、インターポーザをプリント基板に固定し、支持基板をインターポーザから取り外し、インターポーザの支持基板を取り外した面に半導体チップを実装する。この高集積化技術によれば、更なる小型化及び高性能化の実現が期待される。
【０００３】
しかしながら、従来、支持基板のインターポーザからの取り外しが、化学薬液を用いた化学エッチング法又は物理的な剥離により行われているが、いずれの方法でも支持基板の取り外しの際に問題が生じている。すなわち、化学エッチングで支持基板を溶解させようとすると、インターポーザも化学薬液に長時間さらされるため、ダメージを受けてしまう。支持基板とインターポーザとの間に中間層を設けておき、中間層を化学エッチングで溶解させる方法もあるが、この方法でもインターポーザが化学薬液に長時間さらされる。また、中間層の使用の有無にかかわらず、プリント基板が化学薬液の影響を受けることもある。また、物理的な剥離では、インターポーザにも剥離の際の応力が作用するため、インターポーザに損傷が生じることがある。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００２−９４２１４号公報
【特許文献２】特開２００３−２８５４１２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
本発明の目的は、インターポーザへのダメージを抑制しながら、支持基板を容易に取り外すことができるインターポーザ構造体及び半導体装置の製造方法等を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
インターポーザ構造体の一態様には、インターポーザと、前記インターポーザを支持する支持基板と、が含まれる。前記支持基板には、基板と、前記基板上の発熱体と、前記発熱体を覆う、前記基板上の樹脂層と、が含まれる。
【０００７】
インターポーザ構造体の製造方法の一態様では、支持基板を形成し、前記支持基板上にインターポーザを形成する。前記支持基板を形成する際に、基板上に発熱体を形成し、前記基板上に、前記発熱体を覆う樹脂層を形成する。
【０００８】
半導体装置の製造方法の一態様では、上記のインターポーザ構造体をプリント基板に固定し、前記発熱体に電流を流して、前記発熱体の前記樹脂層との界面を酸化させ、前記基板及び前記発熱体を除去する。前記基板及び前記発熱体の除去後に、前記樹脂層を除去し、前記インターポーザ上に半導体チップを搭載する。
【発明の効果】
【０００９】
上記のインターポーザ構造体等によれば、発熱体への通電により、インターポーザへのダメージを抑制しながら、支持基板を容易に取り外すことができる。
【図面の簡単な説明】
【００１０】
【図１】第１の実施形態に係るインターポーザ構造体を示す図である。
【図２】半導体装置の製造方法を工程順に示す断面図である。
【図３Ａ】第２の実施形態に係るインターポーザ構造体の製造方法を工程順に示す断面図である。
【図３Ｂ】図３Ａに引き続き、インターポーザ構造体の製造方法を工程順に示す断面図である。
【図３Ｃ】図３Ｂに引き続き、インターポーザ構造体の製造方法を工程順に示す断面図である。
【図３Ｄ】図３Ｃに引き続き、インターポーザ構造体の製造方法を工程順に示す断面図である。
【図３Ｅ】図３Ｄに引き続き、インターポーザ構造体の製造方法を工程順に示す断面図である。
【図３Ｆ】図３Ｅに引き続き、インターポーザ構造体の製造方法を工程順に示す断面図である。
【図３Ｇ】図３Ｆに引き続き、インターポーザ構造体の製造方法を工程順に示す断面図である。
【図４Ａ】半導体装置の製造方法を工程順に示す断面図である。
【図４Ｂ】図４Ａに引き続き、半導体装置の製造方法を工程順に示す断面図である。
【図５】発熱体の他の例を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００１１】
以下、実施形態について添付の図面を参照しながら具体的に説明する。
【００１２】
（第１の実施形態）
先ず、第１の実施形態について説明する。第１の実施形態は、インターポーザ及び支持基板を備えたインターポーザ構造体に関する。図１は、第１の実施形態に係るインターポーザ構造体を示す図である。図１（ａ）は断面図、図１（ｂ）は斜視図である。
【００１３】
第１の実施形態に係るインターポーザ構造体には、図１に示すように、インターポーザ１２０及びインターポーザ１２０を支持する支持基板１１０が含まれる。支持基板１１０には、基板１１１、基板１１１上の発熱体１１２、及び、発熱体１１２を覆う、基板１１１上の樹脂層１１３が含まれている。
【００１４】
次に、第１の実施形態に係るインターポーザ構造体を用いた半導体装置の製造方法について説明する。図２は、半導体装置の製造方法を工程順に示す断面図である。
【００１５】
先ず、図２（ａ）に示すように、導電材１７２を介してプリント基板１７１とインターポーザ１２０の端子とが電気的に接続されるように、第１の実施形態に係るインターポーザ構造体をプリント基板１７１に固定する。更に、プリント基板１７１とインターポーザ１２０との間の隙間を埋めるアンダーフィル材１７３を形成する。
【００１６】
次いで、図２（ｂ）に示すように、発熱体１１２の両端の間に電源１７４を接続し、発熱体１１２に電流を流す。この結果、発熱体１１２が発熱し、発熱体１１２の樹脂層１１３と接している面が酸化され、そこに酸化部１１５が形成される。
【００１７】
そして、酸化部１１５の形成に伴って発熱体１１２と樹脂層１１３との間の密着力が低下し、発熱体１１２が樹脂層１１３から離脱する。つまり、図２（ｃ）に示すように、インターポーザ１２０上には、樹脂層１１３が残り、基板１１１及び発熱体１１２は除去される。
【００１８】
その後、図２（ｄ）に示すように、樹脂層１１３を除去する。樹脂層１１３は、例えばエッチングにより除去することができる。樹脂層１１３のほぼ全面が露出しているため、樹脂層１１３は短時間で除去することができる。従って、樹脂層１１３の除去の際に、インターポーザ１２０にはほとんどダメージが生じない。
【００１９】
続いて、図２（ｅ）に示すように、インターポーザ１２０上に半導体チップ１８１を搭載する。すなわち、導電材１８２を介して半導体チップ１８１をインターポーザ１２０上に固定し、半導体チップ１８１とインターポーザ１２０との間の隙間を埋めるアンダーフィル材１８３を形成する。
【００２０】
（第２の実施形態）
次に、第２の実施形態について説明する。図３Ａ乃至図３Ｇは、第２の実施形態に係るインターポーザ構造体の製造方法を工程順に示す断面図である。
【００２１】
先ず、図３Ａ（ａ）に示すように、基板２１１上に樹脂層２２１を形成する。基板２１１は、例えばシリコン基板である。例えば、樹脂層２２１の厚さは５μｍ程度とする。基板２１１として、ガラス基板、シリコン基板等を用いてもよい。樹脂層２２１の材料は、例えばポリオレフィン系樹脂、ポリフェノール系樹脂、ポリスチレン系樹脂、ポリイミド系樹脂又はポリエチレン系樹脂であり、樹脂層２２１が断熱層の一例である。
【００２２】
次いで、図３Ａ（ｂ）に示すように、樹脂層２２１上に導電膜２２２を形成する。導電膜２２２の形成では、例えば、スパッタリング法により、厚さが３０ｎｍ程度のＴｉ膜を形成し、その上に厚さが１００ｎｍ程度のＣｕ膜を形成する。
【００２３】
その後、図３Ａ（ｃ）に示すように、導電膜２２２上にフォトレジスト膜２２３を形成する。例えば、フォトレジスト膜２２３の厚さは８μｍ程度とする。
【００２４】
続いて、図３Ａ（ｄ）に示すように、露光及び現像によりフォトレジスト膜２２３に開口部２２４を形成する。現像液としては、例えばテトラメチルアンモニウムハイドロオキサイド（ＴＭＡＨ：tetra-methyl ammonium hydroxide）を用いる。
【００２５】
次いで、図３Ａ（ｅ）に示すように、導電膜２２２をシード層とするめっき法によりＣｕ膜２２５を開口部２２４内で導電膜２２２上に形成する。例えば、めっき液として硫酸酸性銅めっき液を用い、Ｃｕ膜２２５の厚さは５μｍ程度とする。
【００２６】
その後、図３Ｂ（ｆ）に示すように、フォトレジスト膜２２３を除去する。フォトレジスト膜２２３は、例えばアセトン又はＮ−メチルピドロジン（ＮＭＰ）により除去することができる。
【００２７】
続いて、図３Ｂ（ｇ）に示すように、導電膜２２２のＣｕ膜２２５から露出している部分を除去する。Ｃｕ膜２２５及び導電膜２２２を含む発熱体２１２が得られる。この除去では、例えば硫酸水素カリウムを用いたウェットエッチングを行う。
【００２８】
次いで、図３Ｂ（ｈ）に示すように、発熱体２１２を覆う樹脂層２１３を樹脂層２２１上に形成する。例えば、樹脂層２１３の厚さは１０μｍ程度とする。樹脂層２１３の材料は、例えば熱硬化性のエポキシ系樹脂又はフェノール系樹脂である。
【００２９】
その後、図３Ｂ（ｉ）に示すように、樹脂層２１３上にＴｉ膜２３１膜を形成し、Ｔｉ膜２３１上にＣｕ膜２３２を形成する。例えば、Ｔｉ膜２３１の厚さは５０ｎｍ程度とし、Ｃｕ膜２３２の厚さは１００ｎｍ程度とする。Ｔｉ膜２３１及びＣｕ膜２３２は、例えばスパッタリング法により形成する。
【００３０】
続いて、図３Ｂ（ｊ）に示すように、Ｃｕ膜２３２上にフォトレジスト膜２３３を形成する。例えば、フォトレジスト膜２３３の厚さは５μｍ程度とする。
【００３１】
次いで、図３Ｃ（ｋ）に示すように、露光及び現像によりフォトレジスト膜２３３に開口部２３４を形成する。現像液としては、例えばＴＭＡＨを用いる。
【００３２】
その後、図３Ｃ（ｌ）に示すように、Ｃｕ膜２３２をシード層とするめっき法によりＣｕ膜２３５を開口部２３４内でＣｕ膜２３２上に形成する。例えば、めっき液として硫酸酸性銅めっき液を用い、Ｃｕ膜２３５の厚さは５μｍ程度とする。
【００３３】
続いて、図３Ｃ（ｍ）に示すように、フォトレジスト膜２３３を除去する。フォトレジスト膜２３３は、例えばアセトン又はＮＭＰにより除去することができる。
【００３４】
次いで、図３Ｃ（ｎ）に示すように、Ｃｕ膜２３２のＣｕ膜２３５から露出している部分を除去する。この除去では、例えば硫酸水素カリウムを用いたウェットエッチングを行う。
【００３５】
その後、図３Ｄ（ｏ）に示すように、Ｃｕ膜２３５及びＣｕ膜２３２を覆うフォトレジスト膜２４１をＴｉ膜２３１上に形成する。例えば、フォトレジスト膜２４１の厚さは８μｍ程度とする。
【００３６】
続いて、図３Ｄ（ｐ）に示すように、露光及び現像によりフォトレジスト膜２４１にＣｕ膜２３５を露出する開口部２４２を形成する。現像液としては、例えばＴＭＡＨを用いる。
【００３７】
次いで、図３Ｄ（ｑ）に示すように、全面に導電膜２４３を形成する。つまり、フォトレジスト膜２４１の上面上、並びに開口部２４２内のフォトレジスト膜２４１の側面上及びＣｕ膜２３５の上面上に導電膜２４３を形成する。導電膜２４３の形成では、例えば、スパッタリング法により、厚さが５０ｎｍ程度のＴｉ膜を形成し、その上に厚さが１００ｎｍ程度のＣｕ膜を形成する。
【００３８】
その後、図３Ｄ（ｒ）に示すように、導電膜２４３上にフォトレジスト膜２４４を形成する。例えば、フォトレジスト膜２４４の厚さはフォトレジスト膜２４１の上方で８μｍ程度とする。
【００３９】
続いて、図３Ｅ（ｓ）に示すように、露光及び現像によりフォトレジスト膜２４４に開口部２４２と連通する開口部２４５を形成する。現像液としては、例えばＴＭＡＨを用いる。
【００４０】
次いで、図３Ｅ（ｔ）に示すように、導電膜２４３をシード層とするめっき法によりＣｕ膜２４６を開口部２４５内で導電膜２４３上に形成する。例えば、めっき液として硫酸酸性銅めっき液を用い、Ｃｕ膜２４６の厚さは５μｍ程度とする。
【００４１】
その後、図３Ｅ（ｕ）に示すように、フォトレジスト膜２４４を除去する。フォトレジスト膜２４４は、例えばアセトン又はＮＭＰにより除去することができる。
【００４２】
続いて、図３Ｅ（ｖ）に示すように、導電膜２４３のＣｕ膜２４６から露出している部分を除去する。導電膜２４３中のＣｕ膜は、例えば硫酸水素カリウムを用いたウェットエッチングにより除去することができ、導電膜２４３中のＴｉ膜は、例えばＣＦ4ガスを用いたドライエッチング又はフッ化アンモニウムを用いたウェットエッチングにより除去することができる。
【００４３】
次いで、図３Ｆ（ｗ）に示すように、Ｃｕ膜２４６及び導電膜２４３を覆うフォトレジスト膜２５１をフォトレジスト膜２４１上に形成する。例えば、フォトレジスト膜２５１の厚さは１０μｍ程度とする。
【００４４】
その後、図３Ｆ（ｘ）に示すように、露光及び現像によりフォトレジスト膜２５１にＣｕ膜２４６を露出する開口部２５２を形成する。現像液としては、例えばＴＭＡＨを用いる。
【００４５】
続いて、図３Ｆ（ｙ）に示すように、全面に導電膜２５３を形成する。つまり、フォトレジスト膜２５１の上面上、並びに開口部２５２内のフォトレジスト膜２５１の側面上及びＣｕ膜２４６の上面上に導電膜２５３を形成する。導電膜２５３の形成では、例えば、スパッタリング法により、厚さが５０ｎｍ程度のＴｉ膜を形成し、その上に厚さが１００ｎｍ程度のＣｕ膜を形成する。
【００４６】
次いで、図３Ｆ（ｚ）に示すように、導電膜２５３上にフォトレジスト膜２５４を形成する。例えば、フォトレジスト膜２５４の厚さはフォトレジスト膜２５１の上方で１０μｍ程度とする。
【００４７】
その後、図３Ｇ（ｚ１）に示すように、露光及び現像によりフォトレジスト膜２５４に開口部２５２と連通する開口部２５５を形成する。現像液としては、例えばＴＭＡＨを用いる。
【００４８】
続いて、図３Ｇ（ｚ２）に示すように、導電膜２５３をシード層とするめっき法によりＣｕ膜２５６を開口部２５５内で導電膜２５３上に形成する。例えば、めっき液として硫酸酸性銅めっき液を用い、Ｃｕ膜２５６の厚さは１０ｍ程度とする。
【００４９】
次いで、図３Ｇ（ｚ３）に示すように、フォトレジスト膜２５４を除去する。フォトレジスト膜２５４は、例えばアセトン又はＮＭＰにより除去することができる。なお、フォトレジスト膜２４１又は２５１の材料としては、フォトレジスト膜２４４又は２５４の除去に用いる液に対する耐性を有するものを用いる。このような材料は永久レジストとよばれることがある。
【００５０】
その後、図３Ｇ（ｚ４）に示すように、導電膜２５３のＣｕ膜２５６から露出している部分を除去する。導電膜２５３中のＣｕ膜は、例えば硫酸水素カリウムを用いたウェットエッチングにより除去することができ、導電膜２５３中のＴｉ膜は、例えばＣＦ4ガスを用いたドライエッチング又はフッ化アンモニウムを用いたウェットエッチングにより除去することができる。
【００５１】
このようにしてインターポーザ構造体を製造することができる。なお、基板２１１上に複数のインターポーザ構造体を製造する場合には、例えば図３Ｇ（ｚ４）に示す処理を行った後にダイシングによる個片化を行う。
【００５２】
第２の実施形態に係るインターポーザ構造体には、図３Ｇ（ｚ４）に示すように、支持基板２１０及びインターポーザ２２０が含まれる。支持基板２１０には、基板２１１、樹脂層２２１、発熱体２１２、樹脂層２１３、及びＴｉ膜２３１が含まれる。インターポーザ２２０には、Ｃｕ膜２３２、２３５、２４６、及び２５６、導電膜２４３及び２５３、並びにフォトレジスト膜２４１及び２５１が含まれる。樹脂層２１３は発熱体２１２を覆っている。
【００５３】
樹脂層２１３に、１．０質量％以上の硫黄化合物が含まれていることが好ましい。硫黄化合物は有機化合物、無機化合物のいずれであってもよい。有機化合物の例として、メタンチオエーテル、チオフェン、及びジメチルエーテル等のチオエーテル系化合物、ジメチルスルフィド等のジスルフィド系化合物、並びにチオケトン系が挙げられる。無機化合物の例として、硫化物及び酸化硫黄系化合物が挙げられる。硫黄化合物として単体の硫黄を用いてもよい。１．０質量％以上の硫黄化合物が含まれている場合、発熱体２１２の酸化が促進され、より短時間で樹脂層２１３を離脱させることができる。
【００５４】
樹脂層２１３の形成以降の処理では、外周部において発熱体２１２の上面の一部を露出したままとすることが好ましい。これは、後述のように、発熱体２１２に電源を接続する際の結線を容易にするためである。
【００５５】
次に、第２の実施形態に係るインターポーザ構造体を用いた半導体装置の製造方法について説明する。図４Ａ乃至図４Ｂは、半導体装置の製造方法を工程順に示す断面図である。
【００５６】
先ず、図４Ａ（ａ）に示すように、プリント基板２７１上に設けた半田ボール２７２にＣｕ膜２５６が対向するように、第２の実施形態に係るインターポーザ構造体をプリント基板２７１上方に位置させる。
【００５７】
次いで、図４Ａ（ｂ）に示すように、Ｃｕ膜２５６が半田ボール２７２に接するまでインターポーザ構造体を降下させる。その後、加熱及び冷却により半田ボール２７２を融解及び硬化させ、インターポーザ構造体をプリント基板２７１に固定する。更に、プリント基板２７１とインターポーザ２２０との間の隙間を埋めるアンダーフィル材２７３を形成する。
【００５８】
続いて、図４Ａ（ｃ）に示すように、発熱体２１２の両端の間に電源２７４を接続し、発熱体２１２に電流を流す。この結果、発熱体２１２が発熱し、発熱体２１２の樹脂層２１３と接している面が酸化され、そこに酸化部２１５が形成される。このとき、樹脂層２２１が断熱層として機能し、発熱体２１２が発した熱の基板２１１を介した拡散が樹脂層２２１により抑制される。
【００５９】
そして、酸化部２１５の形成に伴って発熱体２１２と樹脂層２１３との間の密着力が低下し、発熱体２１２が樹脂層２１３から離脱する。つまり、図４Ｂ（ｄ）に示すように、インターポーザ２２０上には、Ｔｉ膜２３１及び樹脂層２１３が残り、基板２１１、樹脂層２２１、発熱体２１２、及び酸化部２１５は除去される。
【００６０】
次いで、図４Ｂ（ｅ）に示すように、樹脂層２１３を除去する。樹脂層２１３は、例えばエッチングにより除去することができる。樹脂層２１３のほぼ全面が露出しているため、樹脂層２１３は短時間で除去することができる。従って、樹脂層２１３の除去の際に、インターポーザ２２０にはほとんどダメージが生じない。また、金属層２１４及び酸化部２１５のエッチング時にＴｉ膜２３１が形成されているため、Ｃｕ膜２３２及びＣｕ膜２３５はエッチングされない。つまり、Ｔｉ膜２３１はエッチングストッパとして機能し、Ｃｕ膜２３２及びＣｕ膜２３５を保護する。
【００６１】
その後、図４Ｂ（ｆ）に示すように、Ｔｉ膜２３１を除去する。Ｔｉ膜２３１は、例えばエッチングにより除去することができる。Ｔｉ膜２３１は、例えばＣＦ4ガスを用いたドライエッチング又はフッ化アンモニウムを用いたウェットエッチングにより除去することができる。Ｔｉ膜２３１のほぼ全面が露出しているため、Ｔｉ膜２３１は短時間で除去することができる。従って、Ｔｉ膜２３１の除去の際に、インターポーザ２２０にはほとんどダメージが生じない。
【００６２】
続いて、図４Ｂ（ｇ）に示すように、インターポーザ２２０上に半導体チップ２８１を搭載する。すなわち、半田ボール２８２を介して半導体チップ２８１をインターポーザ２２０上に固定し、半導体チップ２８１とインターポーザ２２０との間の隙間を埋めるアンダーフィル材２８３を形成する。
【００６３】
なお、発熱体２１２の平面形状は特に限定されず、基板２１１上で蛇行していてもよく、図５に示すように、その両端間で複数に分岐していてもよい。
【００６４】
次に、本願発明者らが行った第２の実施形態に関する種々の実験について説明する。これらの実験では、種々の条件を変化させて、フェノール系の樹脂層２１３の離脱しやすさを調査した。下記の表中の○は１０回程度の調査のすべてで樹脂層２１３が１日間以内に離脱したことを示し、△は１日間以内に離脱した場合及び離脱しなかった場合があることを示し、×は１日間では離脱しなかったことを示す。
【００６５】
（第１の実験）
第１の実験では、発熱体２１２に電流を流すことなく、インターポーザ構造体を外部から加熱し、発熱体２１２の酸化により樹脂層２１３が離脱する温度を測定した。この結果、２５０℃で樹脂層２１３が離脱した。しかしながら、樹脂層２１３の離脱と共に、インターポーザ２２０内のＣｕ膜が酸化した。インターポーザ２２０内のＣｕ膜の酸化は配線抵抗の上昇等を引き起こしかねない。
【００６６】
（第２の実験）
第２の実験では、電流を流す際の環境の温度を表１に示すように変化させて、樹脂層２１３の離脱しやすさを調査した。なお、発熱体２１２の幅を５μｍとし、発熱体２１２により覆われる基板２１１の上面の割合（配線密度）を３３．３％とし、発熱体２１２に流す電流の密度（電流密度）を１．０×１０6Ａ／ｃｍ2とした。この結果を表１に示す。
【００６７】
【表１】
2015195324.tif 000003
【００６８】
この結果から、１日間で樹脂層２１３を離脱させるために、環境の温度を１５０℃以上とすることが好ましい。
【００６９】
（第３の実験）
第３の実験では、発熱体２１２に流す電流の密度（電流密度）を表２に示すように変化させて、樹脂層２１３の離脱しやすさを調査した。なお、発熱体２１２の幅を５μｍとし、配線密度を３３．３％とし、環境の温度を１５０℃とした。この結果を表２に示す。
【００７０】
【表２】
2015195324.tif 000004
【００７１】
この結果から、１日間で樹脂層２１３を離脱させるために、電流密度を１．０×１０6Ａ／ｃｍ2以上とすることが好ましい。
【００７２】
（第４の実験）
第４の実験では、配線密度を表３に示すように変化させて、樹脂層２１３の離脱しやすさを調査した。なお、発熱体２１２の幅を５μｍとし、環境の温度を１５０℃とし、電流密度を１．０×１０6Ａ／ｃｍ2とした。この結果を表３に示す。表３中の「Ｌ／Ｓ」はラインアンドスペースパターンにおける平面視でのライン（Ｌ）の面積、スペース（Ｓ）の面積の相対値を示す。
【００７３】
【表３】
2015195324.tif 000005
【００７４】
この結果から、１日間で樹脂層２１３を離脱させるために、配線密度を３３．３％以上とすることが好ましい。
【００７５】
（第５の実験）
第５の実験では、発熱体２１２の幅を表４に示すように変化させて、樹脂層２１３の離脱しやすさを調査した。なお、配線密度を３３．３％とし、環境の温度を１５０℃とし、電流密度を１．０×１０6Ａ／ｃｍ2とした。この結果を表４に示す。
【００７６】
【表４】
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【００７７】
この結果から、１日間で樹脂層２１３を離脱させるために、発熱体２１２の幅を５μｍ以下とすることが好ましい。この実験では、発熱体２１２の厚さを５μｍとしているため、発熱体２１２の幅が５μｍ以下の場合、発熱体２１２のアスペクト比は１以下である。
【００７８】
（第６の実験）
第６の実験では、表５に示す硫黄化合物を樹脂層２１３に含有させ、その含有量を表５に示すように変化させて、樹脂層２１３の離脱しやすさを調査した。なお、発熱体２１２の幅を５μｍとし、配線密度を３３．３％とし、環境の温度を１５０℃とし、電流密度を１．０×１０6Ａ／ｃｍ2とした。この結果を表５に示す。
【００７９】
【表５】
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【００８０】
この結果から、表５に例示する硫黄化合物が含有されていない場合でも１日間で樹脂層２１３を離脱させることが可能であるが、より確実に離脱させるために、樹脂層２１３に含有させる硫黄化合物を１．０質量％以上とすることがより好ましい。
【００８１】
以下、本発明の諸態様を付記としてまとめて記載する。
【００８２】
（付記１）
インターポーザと、
前記インターポーザを支持する支持基板と、
を有し、
前記支持基板は、
基板と、
前記基板上の発熱体と、
前記発熱体を覆う、前記基板上の樹脂層と、
を有することを特徴とするインターポーザ構造体。
【００８３】
（付記２）
前記発熱体は、前記基板の上面の３３．３％以上の領域を覆うことを特徴とする付記１に記載のインターポーザ構造体。
【００８４】
（付記３）
前記発熱体の幅は５μｍ以下であることを特徴とする付記１又は２に記載のインターポーザ構造体。
【００８５】
（付記４）
前記樹脂層は、硫黄化合物を１．０質量％以上含有することを特徴とする付記１乃至３のいずれか１項に記載のインターポーザ構造体。
【００８６】
（付記５）
前記基板と前記発熱体との間の断熱層を有することを特徴とする付記１乃至４のいずれか１項に記載のインターポーザ構造体。
【００８７】
（付記６）
支持基板を形成する工程と、
前記支持基板上にインターポーザを形成する工程と、
を有し、
前記支持基板を形成する工程は、
基板上に発熱体を形成する工程と、
前記基板上に、前記発熱体を覆う樹脂層を形成する工程と、
を有することを特徴とするインターポーザ構造体の製造方法。
【００８８】
（付記７）
前記発熱体は、前記基板の上面の３３．３％以上の領域を覆うことを特徴とする付記６に記載のインターポーザ構造体の製造方法。
【００８９】
（付記８）
前記発熱体の幅は５μｍ以下であることを特徴とする付記６又は７に記載のインターポーザ構造体の製造方法。
【００９０】
（付記９）
前記樹脂層は、硫黄化合物を１．０質量％以上含有することを特徴とする付記６乃至８のいずれか１項に記載のインターポーザ構造体の製造方法。
【００９１】
（付記１０）
前記基板と前記発熱体との間の断熱層を形成する工程を有することを特徴とする付記６乃至９のいずれか１項に記載のインターポーザ構造体の製造方法。
【００９２】
（付記１１）
付記１乃至５のいずれか１項に記載のインターポーザ構造体をプリント基板に固定する工程と、
前記発熱体に電流を流して、前記発熱体の前記樹脂層との界面を酸化させ、前記基板及び前記発熱体を除去する工程と、
前記基板及び前記発熱体の除去後に、前記樹脂層を除去する工程と、
前記インターポーザ上に半導体チップを搭載する工程と、
を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【００９３】
（付記１２）
１５０℃以上の環境下で、前記発熱体に電流を流すことを特徴とする付記１１に記載の半導体装置の製造方法。
【００９４】
（付記１３）
前記発熱体に１．０×１０6Ａ／ｃｍ2以上の密度で電流を流すことを特徴とする付記１１又は１２に記載の半導体装置の製造方法。
【符号の説明】
【００９５】
１１０、２１０：支持基板
１１１、２１１：基板
１１２、２１２：発熱体
１１３、２１３：樹脂層
１１５、２１５：酸化部
１２０、２２０：インターポーザ
１７１、２７１：プリント基板
１７４、２７４：電源
１８１、２８１：半導体チップ
【図１】
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【図２】
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【図３Ａ】
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【図３Ｂ】
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【図３Ｃ】
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【図３Ｄ】
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【図３Ｅ】
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【図３Ｆ】
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【図３Ｇ】
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【図４Ａ】
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【図４Ｂ】
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【図５】
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