(57)【要約】【課題】ウエハの処理に際して異常が発生する蓋然性をより精度よく判定する。【解決手段】  本開示の一つの観点に係る液処理方法は、下方に位置するウエハＷの表面Ｗａに対して液ノズルＮの吐出口Ｎａから処理液を吐出する吐出処理を、複数のウエハＷについて液処理ユニットＵ１によって一つずつ順次実行する液処理方法である。液処理方法は、（Ａ）一つのウエハＷに対して吐出処理を実行するごとに、液ノズルＮの吐出口Ｎａ部分を撮像し、得られた撮像画像に基づいて吐出口Ｎａ部分に存在する異物の大きさデータを取得することと、（Ｂ）大きさデータが経時的に並んだ履歴に基づいて、ウエハＷの処理に際して異常が生じたか否かを判定することとを含む。上記Ｂ項において、第１の閾値以上の大きさデータが連続した連続回数が所定値を超えた場合、基板の処理に際して異常が生じたと判定する。【選択図】図４
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
下方に位置する基板の表面に対して液ノズルの吐出口から処理液を吐出する吐出処理を、複数の前記基板について基板処理装置によって一つずつ順次実行する液処理方法であって、
（Ａ）一つの前記基板に対して前記吐出処理を実行するごとに、前記液ノズルの前記吐出口部分を撮像し、得られた撮像画像に基づいて前記吐出口部分に存在する異物の大きさデータを取得することと、
（Ｂ）前記大きさデータが経時的に並んだ履歴に基づいて、前記基板の処理に際して異常が生じたか否かを判定することと
を含み、
前記Ｂ項において、第１の閾値以上の前記大きさデータが連続した連続回数が所定値を超えた場合、前記基板の処理に際して異常が生じたと判定する、方法。
【請求項２】
前記Ｂ項において、前記連続回数が前記所定値に達したときに前記連続回数をリセットする、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記Ｂ項において、前記連続回数が前記所定値に達する前に前記大きさデータが前記第１の閾値を下回ったときに、前記連続回数をリセットする、請求項１又は２に記載の方法。
【請求項４】
（Ｃ）前記大きさデータが前記第１の閾値よりも大きな第２の閾値以上であるときに、前記基板の処理に際して異常が生じたと判定すること
をさらに含む、請求項１〜３のいずれか一項に記載の方法。
【請求項５】
前記Ｂ項において、所定時点よりも一つ前の前記大きさデータに対する前記所定時点の前記大きさデータの減少量又は減少割合が所定の大きさ以上であるときに、前記基板の処理に際して異常が生じたと判定する、請求項１〜４のいずれか一項に記載の方法。
【請求項６】
（Ｄ）前記Ａ項において前記液ノズルの前記吐出口部分を撮像したときに得られた前記撮像画像を、当該撮像画像に基づいて取得した前記大きさデータと対応づけて記憶することと、
（Ｅ）前記大きさデータが経時的に並んだ履歴を表示部に表示することと、
（Ｆ）前記表示部に表示された複数の前記大きさデータのうちからいずれか一つを選択する信号を受信したときに、選択された前記大きさデータに対応する前記撮像画像を前記表示部に表示することと
をさらに含む、請求項１〜５のいずれか一項に記載の方法。
【請求項７】
下方に位置する基板の表面に対して液ノズルの吐出口から処理液を吐出する吐出処理を、複数の前記基板について基板処理装置によって一つずつ順次実行する液処理方法であって、
（Ａ）一つの前記基板に対して前記吐出処理を実行するごとに、前記液ノズルの前記吐出口部分を撮像し、得られた撮像画像に基づいて前記吐出口部分に存在する異物の高さ位置を示す位置データを取得することと、
（Ｂ）前記位置データが経時的に並んだ履歴に基づいて、前記基板の処理に際して異常が生じたか否かを判定することと
を含み、
前記Ｂ項において、第１の閾値以下の前記位置データが連続した連続回数が所定値を超えた場合、前記基板の処理に際して異常が生じたと判定する、方法。
【請求項８】
前記Ｂ項において、前記連続回数が前記所定値に達したときに前記連続回数をリセットする、請求項７に記載の方法。
【請求項９】
（Ｃ）前記位置データが前記第１の閾値よりも小さな所定の第２の閾値以下であるときに、前記基板の処理に際して異常が生じたと判定すること
をさらに含む、請求項７又は８に記載の方法。
【請求項１０】
（Ｄ）前記Ａ項において前記液ノズルの前記吐出口部分を撮像したときに得られた前記撮像画像を、当該撮像画像に基づいて取得した前記位置データと対応づけて記憶することと、
（Ｅ）前記位置データが経時的に並んだ履歴を表示部に表示することと、
（Ｆ）前記表示部に表示された複数の前記位置データのうちからいずれか一つを選択する信号を受信したときに、選択された前記位置データに対応する前記撮像画像を前記表示部に表示することと
をさらに含む、請求項７〜９のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１１】
下方に位置する基板の表面に対して吐出口から処理液を吐出する液ノズルと、
前記液ノズルの前記吐出口部分を撮像する撮像部と、
制御部とを備え、
前記制御部は、前記液ノズルの前記吐出口から処理液を吐出させる吐出処理を、複数の前記基板について一つずつ順次実行するに際し、
（Ａ）一つの前記基板に対して前記吐出処理を実行するごとに、前記液ノズルの前記吐出口部分を前記撮像部に撮像させ、得られた撮像画像に基づいて前記吐出口部分に存在する異物の大きさデータを取得する制御と、
（Ｂ）前記制御Ａにおいて取得された前記大きさデータが経時的に並んだ履歴に基づいて、前記基板の処理に際して異常が生じたか否かを判定する制御と
を実行する、基板処理装置。
【請求項１２】
下方に位置する基板の表面に対して吐出口から処理液を吐出する液ノズルと、
前記液ノズルの前記吐出口部分を撮像する撮像部と、
制御部とを備え、
前記制御部は、前記液ノズルの前記吐出口から処理液を吐出させる吐出処理を、複数の前記基板について一つずつ順次実行するに際し、
（Ａ）一つの前記基板に対して前記吐出処理を実行するごとに、前記液ノズルの前記吐出口部分を前記撮像部に撮像させ、得られた撮像画像に基づいて前記吐出口部分に存在する異物の高さ位置を示す位置データを取得する制御と、
（Ｂ）前記制御Ａにおいて取得された前記位置データが経時的に並んだ履歴に基づいて、前記基板の処理に際して異常が生じたか否かを判定する制御と
を実行する、基板処理装置。
【請求項１３】
請求項１〜１０のいずれか一項に記載の方法を基板洗浄装置に実行させるためのプログラムを記録した、コンピュータ読み取り可能な記録媒体。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本開示は、液処理方法、基板処理装置、及びコンピュータ読み取り可能な記録媒体に関する。
【背景技術】
【０００２】
現在、基板の微細加工を行うにあたり、フォトリソグラフィ技術を用いて凹凸パターン（例えば、レジストパターン）を基板（例えば、半導体ウエハ）上に形成することが広く一般に行われている。基板の微細加工を行うために、基板の表面に向けて各種の処理液が液ノズルの吐出口から吐出される。
【０００３】
処理液を液ノズルの吐出口から吐出する際に、吐出口部分に液滴や液だれが存在すると、処理液の吐出中に液滴や液だれが基板の表面に落下し、欠陥が生じうる。そこで、特許文献１に記載の基板処理装置は、液ノズルの吐出口部分を撮像する撮像手段と、撮像手段の撮像結果に基づいて吐出口部分からの処理液の液だれ又は滴下の発生を判断する判断手段と、判断手段が液だれ又は滴下の発生を判断したときに、液ノズルの搬送機構に所定の対処動作を実行させる制御手段とを備える。このように、特許文献１に記載の基板処理装置では、液だれ又は滴下の発生があった場合に、液ノズルの搬送機構を制御手段が適切に制御するので、処理された基板に異常が発生することを抑制しうる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特許第５０４５２１８号
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
特許文献１に記載の基板処理装置は、判断手段において、所定の閾値と液だれの程度とを比較して液だれ又は滴下の発生を判断している。そのため、閾値の設定によっては、液だれの程度が小さい場合にも液だれ又は滴下が発生したと判定され、所定の対処動作が行われてしまうこともありうるし、液だれの程度が大きいにもかかわらず液だれ又は滴下が発生していないと判定され、所定の対処動作が行われないこともありうる。
【０００６】
そこで、本開示は、基板の処理に際して異常が発生する蓋然性をより精度よく判定することが可能な液処理方法、基板処理装置、及びコンピュータ読み取り可能な記録媒体を説明する。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本開示の一つの観点に係る液処理方法は、下方に位置する基板の表面に対して液ノズルの吐出口から処理液を吐出する吐出処理を、複数の基板について基板処理装置によって一つずつ順次実行する液処理方法であって、（Ａ）一つの基板に対して吐出処理を実行するごとに、液ノズルの吐出口部分を撮像し、得られた撮像画像に基づいて吐出口部分に存在する異物の大きさデータを取得することと、（Ｂ）大きさデータが経時的に並んだ履歴に基づいて、基板の処理に際して異常が生じたか否かを判定することとを含み、上記Ｂ項において、第１の閾値以上の大きさデータが連続した連続回数が所定値を超えた場合、基板の処理に際して異常が生じたと判定する。
【０００８】
本開示の一つの観点に係る液処理方法では、大きさデータが経時的に並んだ履歴に基づいて、第１の閾値以上の大きさデータが連続した連続回数が所定値を超えた場合、基板の処理に際して異常が生じたと判定する。そのため、大きさデータが第１の閾値以上となると直ちに異常が生じたと判定されるわけではない。一方、基板の処理に際して異常が生じたと判定されるためには、大きさデータが第１の閾値以上であり、且つ、そのような大きさデータの連続回数が所定値を超えた、という２つの要素を満たす必要がある。この場合、ある程度の大きさを有する異物が液ノズルの吐出口部分に存在し続けたと推定される。そのため、液ノズルの吐出口部分に存在する異物が、基板の表面に落下する蓋然性が高いことを判定できる。よって、基板の処理に際して異常が生じたことをより精度よく判定することも可能となる。
【０００９】
上記Ｂ項において、連続回数が所定値に達したときに連続回数をリセットしてもよい。この場合、続く基板の液処理において、第１の閾値以上である大きさデータの連続回数が０回から改めて計数される。そのため、例えば、異常が発生したとの判定に応じて液ノズルの吐出口部分を清掃した後において、基板の処理に際して異常が生じたか否かの判定を改めて実行することが可能となる。
【００１０】
上記Ｂ項において、連続回数が所定値に達する前に大きさデータが第１の閾値を下回ったときに、連続回数をリセットしてもよい。この場合、液ノズルの吐出口部分に欠陥が存在する蓋然性が低くなる。従って、液ノズルの吐出口部分に欠陥が存在しないものとみなして、続く基板の液処理において、基板の処理に際して異常が生じたか否かの判定を改めて実行することが可能となる。
【００１１】
本開示の一つの観点に係る液処理方法は、（Ｃ）大きさデータが第１の閾値よりも大きな第２の閾値以上であるときに、基板の処理に際して異常が生じたと判定することをさらに含んでもよい。第２の閾値は、液ノズルの吐出口部分に欠陥が存在する蓋然性が高いことを示す第１の閾値よりも大きな値である。そのため、大きさデータが第２の閾値以上である場合には、基板の表面に落下する可能性が高い極めて大きな異物が、液ノズルの吐出口部分に存在していることを判定できる。
【００１２】
上記Ｂ項において、所定時点よりも一つ前の大きさデータに対する所定時点の大きさデータの減少量又は減少割合が所定の大きさ以上であるときに、基板の処理に際して異常が生じたと判定してもよい。この場合、時間的に一つ前の基板の処理時において液ノズルの吐出口部分に存在していた異物の大きさに比べて、続く基板の処理時において液ノズルの吐出口部分に存在していた異物の大きさが、急激に小さくなったと推定される。そのため、液ノズルの吐出口部分に存在していた異物が、基板の表面に落下した蓋然性が高いことを判定できる。
【００１３】
本開示の一つの観点に係る液処理方法は、（Ｄ）上記Ａ項において液ノズルの吐出口部分を撮像したときに得られた撮像画像を、当該撮像画像に基づいて取得した大きさデータと対応づけて記憶することと、（Ｅ）大きさデータが経時的に並んだ履歴を表示部に表示することと、（Ｆ）表示部に表示された複数の大きさデータのうちからいずれか一つを選択する信号を受信したときに、選択された大きさデータに対応する撮像画像を表示部に表示することとをさらに含んでもよい。この場合、例えば基板処理装置のオペレータに、大きさデータが経時的に並んだ履歴を呈示することができると共に、所望の大きさデータに対応する撮像画像を呈示することができる。そのため、基板に欠陥が発生した場合に、欠陥が発生した原因の特定に資することとなる。
【００１４】
本開示の他の観点に係る液処理方法は、下方に位置する基板の表面に対して液ノズルの吐出口から処理液を吐出する吐出処理を、複数の基板について基板処理装置によって一つずつ順次実行する液処理方法であって、（Ａ）一つの基板に対して吐出処理を実行するごとに、液ノズルの吐出口部分を撮像し、得られた撮像画像に基づいて吐出口部分に存在する異物の高さ位置を示す位置データを取得することと、（Ｂ）位置データが経時的に並んだ履歴に基づいて、基板の処理に際して異常が生じたか否かを判定することとを含み、上記Ｂ項において、第１の閾値以下の位置データが連続した連続回数が所定値を超えた場合、基板の処理に際して異常が生じたと判定する。
【００１５】
本開示の他の観点に係る液処理方法では、位置データが経時的に並んだ履歴に基づいて、第１の閾値以下の位置データが連続した連続回数が所定値を超えた場合、基板の処理に際して異常が生じたと判定する。そのため、位置データが第１の閾値以下となると直ちに異常が生じたと判定されるわけではない。一方、基板の処理に際して異常が生じたと判定されるためには、位置データが第１の閾値以下であり、且つ、そのような位置データの連続回数が所定値を超えた、という２つの要素を満たす必要がある。この場合、異物が液ノズルの吐出口近傍に存在し続けたと推定される。そのため、液ノズルの吐出口部分に存在する異物が、基板の表面に落下する蓋然性が高いことを判定できる。よって、基板の処理に際して異常が生じたことをより精度よく判定することも可能となる。
【００１６】
上記Ｂ項において、連続回数が所定値に達したときに連続回数をリセットしてもよい。この場合、続く基板の液処理において、第１の閾値以下である位置データの連続回数が０回から改めて計数される。そのため、例えば、異常が発生したとの判定に応じて液ノズルの吐出口部分を清掃した後において、基板の処理に際して異常が生じたか否かの判定を改めて実行することが可能となる。
【００１７】
本開示の他の観点に係る液処理方法は、（Ｃ）位置データが第１の閾値よりも小さな所定の第２の閾値以下であるときに、基板の処理に際して異常が生じたと判定することをさらに含んでもよい。第２の閾値は、液ノズルの吐出口近傍に異物が存在する蓋然性が高いことを示す第１の閾値よりも小さな値である。そのため、位置データが第２の閾値以下である場合には、液ノズルの吐出口の間近に異物が存在し、当該異物が基板の表面に落下する蓋然性が極めて高いことを判定できる。
【００１８】
本開示の他の観点に係る液処理方法は、（Ｄ）上記Ａ項において液ノズルの吐出口部分を撮像したときに得られた撮像画像を、当該撮像画像に基づいて取得した位置データと対応づけて記憶することと、（Ｅ）位置データが経時的に並んだ履歴を表示部に表示することと、（Ｆ）表示部に表示された複数の位置データのうちからいずれか一つを選択する信号を受信したときに、選択された位置データに対応する撮像画像を表示部に表示することとをさらに含んでもよい。この場合、例えば基板処理装置のオペレータに、位置データが経時的に並んだ履歴を呈示することができると共に、所望の位置データに対応する撮像画像を呈示することができる。そのため、基板に欠陥が発生した場合に、欠陥が発生した原因の特定に資することとなる。
【００１９】
本開示の他の観点に係る基板処理装置は、下方に位置する基板の表面に対して吐出口から処理液を吐出する液ノズルと、液ノズルの吐出口部分を撮像する撮像部と、制御部とを備え、制御部は、液ノズルの吐出口から処理液を吐出させる吐出処理を、複数の基板について一つずつ順次実行するに際し、（Ａ）一つの基板に対して吐出処理を実行するごとに、液ノズルの吐出口部分を撮像部に撮像させ、得られた撮像画像に基づいて吐出口部分に存在する異物の大きさデータを取得する制御と、（Ｂ）制御Ａにおいて取得された大きさデータが経時的に並んだ履歴に基づいて、基板の処理に際して異常が生じたか否かを判定する制御とを実行する。
【００２０】
本開示の他の観点に係る基板処理装置では、大きさデータが経時的に並んだ履歴に基づいて、第１の閾値以上の大きさデータが連続した連続回数が所定値を超えた場合、基板の処理に際して異常が生じたことを制御部が判定する。そのため、大きさデータが第１の閾値以上となると直ちに異常が生じたと判定されるわけではない。一方、基板の処理に際して異常が生じたと判定されるためには、大きさデータが第１の閾値以上であり、且つ、そのような大きさデータの連続回数が所定値を超えた、という２つの要素を満たす必要がある。この場合、ある程度の大きさを有する異物が液ノズルの吐出口部分に存在し続けたと推定される。そのため、液ノズルの吐出口部分に存在する異物が、基板の表面に落下する蓋然性が高いことを判定できる。よって、基板の処理に際して異常が生じたことをより精度よく判定することも可能となる。
【００２１】
本開示の他の観点に係る基板処理装置は、下方に位置する基板の表面に対して吐出口から処理液を吐出する液ノズルと、液ノズルの吐出口部分を撮像する撮像部と、制御部とを備え、制御部は、液ノズルの吐出口から処理液を吐出させる吐出処理を、複数の基板について一つずつ順次実行するに際し、（Ａ）一つの基板に対して吐出処理を実行するごとに、液ノズルの吐出口部分を撮像部に撮像させ、得られた撮像画像に基づいて吐出口部分に存在する異物の高さ位置を示す位置データを取得する制御と、（Ｂ）制御Ａにおいて取得された位置データが経時的に並んだ履歴に基づいて、基板の処理に際して異常が生じたか否かを判定する制御とを実行する。
【００２２】
本開示の他の観点に係る基板処理装置では、位置データが経時的に並んだ履歴に基づいて、第１の閾値以下の位置データが連続した連続回数が所定値を超えた場合、基板の処理に際して異常が生じたことを制御部が判定する。そのため、位置データが第１の閾値以下となると直ちに異常が生じたと判定されるわけではない。一方、基板の処理に際して異常が生じたと判定されるためには、位置データが第１の閾値以下であり、且つ、そのような位置データの連続回数が所定値を超えた、という２つの要素を満たす必要がある。この場合、異物が液ノズルの吐出口近傍に存在し続けたと推定される。そのため、液ノズルの吐出口部分に存在する異物が、基板の表面に落下する蓋然性が高いことを判定できる。よって、基板の処理に際して異常が生じたことをより精度よく判定することも可能となる。
【００２３】
本開示の他の観点に係るコンピュータ読み取り可能な記録媒体は、上記の液処理方法を基板洗浄装置に実行させるためのプログラムを記録している。本開示の他の観点に係るコンピュータ読み取り可能な記録媒体は、上記の液処理方法と同様に、基板の処理に際して異常が発生する蓋然性をより精度よく判定することが可能となる。本明細書において、コンピュータ読み取り可能な記録媒体には、一時的でない有形の媒体（non-transitory computer recording medium）（例えば、各種の主記憶装置又は補助記憶装置）や、伝播信号（transitory computer recording medium）（例えば、ネットワークを介して提供可能なデータ信号）が含まれる。
【発明の効果】
【００２４】
本開示に係る液処理方法、基板処理装置、及びコンピュータ読み取り可能な記録媒体によれば、基板の処理に際して異常が発生する蓋然性をより精度よく判定することが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【００２５】
【図１】図１は、塗布・現像システムを示す斜視図である。
【図２】図２は、図１のＩＩ−ＩＩ線断面図である。
【図３】図３は、図２のＩＩＩ−ＩＩＩ線断面図である。
【図４】図４は、基板処理装置を示す断面図である。
【図５】図５は、異物の大きさデータに関する履歴の第１の例を示す図である。
【図６】図６は、異物の大きさデータに関する履歴の第２の例を示す図である。
【図７】図７は、異物の大きさデータに関する履歴の第３の例を示す図である。
【図８】図８は、異物の大きさデータに関する履歴の第４の例を示す図である。
【図９】図９は、異物の大きさデータに関する履歴の第５の例を示す図である。
【図１０】図１０は、異物の位置データに基づく異常発生の判定方法を説明するための図である。
【図１１】図１１は、撮像画像の呈示方法を説明するための図である。
【発明を実施するための形態】
【００２６】
本発明の実施形態について図面を参照して説明するが、以下の本実施形態は、本発明を説明するための例示であり、本発明を以下の内容に限定する趣旨ではない。説明において、同一要素又は同一機能を有する要素には同一符号を用いることとし、重複する説明は省略する。
【００２７】
まず、図１〜図３に示される塗布・現像装置１の構成の概要について説明する。塗布・現像装置１は、露光装置Ｅ１による露光処理の前に、ウエハ（基板）Ｗの表面Ｗａにレジスト材料を塗布してレジスト膜を形成する処理を行う。塗布・現像装置１は、露光装置Ｅ１による露光処理の後に、ウエハＷの表面Ｗａに形成されたレジスト膜の現像処理を行う。本実施形態において、ウエハＷは円板状を呈するが、円形の一部が切り欠かれていたり、多角形などの円形以外の形状を呈するウエハを用いてもよい。
【００２８】
塗布・現像装置１は、図１及び図２に示されるように、キャリアブロックＳ１と、処理ブロックＳ２と、インターフェースブロックＳ３と、塗布・現像装置１の制御手段として機能する制御装置ＣＵと、制御装置ＣＵによる処理結果を表示可能な表示部Ｄとを備える。本実施形態において、キャリアブロックＳ１、処理ブロックＳ２、インターフェースブロックＳ３及び露光装置Ｅ１は、この順に直列に並んでいる。
【００２９】
キャリアブロックＳ１は、図１及び図３に示されるように、キャリアステーション１２と、搬入・搬出部１３とを有する。キャリアステーション１２は、複数のキャリア１１を支持する。キャリア１１は、複数枚のウエハＷを密封状態で収容する。キャリア１１は、ウエハＷを出し入れするための開閉扉（図示せず）を一側面１１ａ側に有する。キャリア１１は、側面１１ａが搬入・搬出部１３側に面するように、キャリアステーション１２上に着脱自在に設置される。
【００３０】
搬入・搬出部１３は、図１〜図３に示されるように、キャリアステーション１２上の複数のキャリア１１にそれぞれ対応する開閉扉１３ａを有する。側面１１ａの開閉扉と搬入・搬出部１３の開閉扉１３ａとが同時に開放されると、キャリア１１内と搬入・搬出部１３内とが連通する。搬入・搬出部１３は、図２及び図３に示されるように、受け渡しアームＡ１を内蔵している。受け渡しアームＡ１は、キャリア１１からウエハＷを取り出して処理ブロックＳ２に渡す。受け渡しアームＡ１は、処理ブロックＳ２からウエハＷを受け取ってキャリア１１内に戻す。
【００３１】
処理ブロックＳ２は、図１〜図３に示されるように、キャリアブロックＳ１に隣接すると共に、キャリアブロックＳ１と接続されている。処理ブロックＳ２は、図１及び図２に示されるように、下層反射防止膜形成（ＢＣＴ）ブロック１４と、レジスト膜形成（ＣＯＴ）ブロック１５と、上層反射防止膜形成（ＴＣＴ）ブロック１６と、現像処理（ＤＥＶ）ブロック１７とを有する。ＤＥＶブロック１７、ＢＣＴブロック１４、ＣＯＴブロック１５及びＴＣＴブロック１６は、底面側からこの順に並んで配置されている。
【００３２】
ＢＣＴブロック１４は、図２に示されるように、塗布ユニット（図示せず）と、加熱・冷却ユニット（図示せず）と、これらのユニットにウエハＷを搬送する搬送アームＡ２とを内蔵している。塗布ユニットは、反射防止膜形成用の薬液をウエハＷの表面Ｗａに塗布する。加熱・冷却ユニットは、例えば熱板によりウエハＷを加熱し、その後例えば冷却板によりウエハＷを冷却する。こうして、ウエハＷの表面Ｗａ上に下層反射防止膜が形成される。
【００３３】
ＣＯＴブロック１５は、図２に示されるように、塗布ユニット（図示せず）と、加熱・冷却ユニット（図示せず）と、これらのユニットにウエハＷを搬送する搬送アームＡ３とを内蔵している。塗布ユニットは、レジスト膜形成用の薬液（レジスト材料）を下層反射防止膜の上に塗布する。加熱・冷却ユニットは、例えば熱板によりウエハＷを加熱し、その後例えば冷却板によりウエハＷを冷却する。こうして、ウエハＷの下層反射防止膜上にレジスト膜が形成される。レジスト材料は、ポジ型でもよいし、ネガ型でもよい。
【００３４】
ＴＣＴブロック１６は、図２に示されるように、塗布ユニット（図示せず）と、加熱・冷却ユニット（図示せず）と、これらのユニットにウエハＷを搬送する搬送アームＡ４とを内蔵している。塗布ユニットは、反射防止膜形成用の薬液をレジスト膜の上に塗布する。加熱・冷却ユニットは、例えば熱板によりウエハＷを加熱し、その後例えば冷却板によりウエハＷを冷却する。こうして、ウエハＷのレジスト膜上に上層反射防止膜が形成される。
【００３５】
ＤＥＶブロック１７は、図２及び図３に示されるように、複数の現像処理ユニット（基板処理装置）Ｕ１と、複数の加熱・冷却ユニット（熱処理部）Ｕ２と、これらのユニットにウエハＷを搬送する搬送アームＡ５と、これらのユニットを経ずに処理ブロックＳ２の前後間でウエハＷを搬送する搬送アームＡ６とを内蔵している。
【００３６】
現像処理ユニットＵ１は、後述するように、露光されたレジスト膜の現像処理を行う。加熱・冷却ユニットＵ２は、例えば熱板によるウエハＷの加熱を通じて、ウエハＷ上のレジスト膜を加熱する。加熱・冷却ユニットＵ２は、加熱後のウエハＷを例えば冷却板により冷却する。加熱・冷却ユニットＵ２は、ポストエクスポージャベーク（ＰＥＢ）、ポストベーク（ＰＢ）等の加熱処理を行う。ＰＥＢは、現像処理前にレジスト膜を加熱する処理である。ＰＢは、現像処理後にレジスト膜を加熱する処理である。
【００３７】
図１〜図３に示されるように、処理ブロックＳ２のうちキャリアブロックＳ１側には、棚ユニットＵ１０が設けられている。棚ユニットＵ１０は、複数のセルＣ３０〜Ｃ３８を有する。セルＣ３０〜Ｃ３８は、ＤＥＶブロック１７とＴＣＴブロック１６との間において上下方向に並んで配置されている。棚ユニットＵ１０の近傍には、昇降アームＡ７が設けられている。昇降アームＡ７は、セルＣ３０〜Ｃ３８の間でウエハＷを搬送する。
【００３８】
処理ブロックＳ２のうちインターフェースブロックＳ３側には、棚ユニットＵ１１が設けられている。棚ユニットＵ１１は、複数のセルＣ４０〜Ｃ４２を有する。セルＣ４０〜Ｃ４２は、ＤＥＶブロック１７に隣接して、上下方向に並んで配置されている。
【００３９】
インターフェースブロックＳ３は、図１〜図３に示されるように、処理ブロックＳ２及び露光装置Ｅ１の間に位置すると共に、処理ブロックＳ２及び露光装置Ｅ１のそれぞれに接続されている。インターフェースブロックＳ３は、図２及び図３に示されるように、受け渡しアームＡ８を内蔵している。受け渡しアームＡ８は、処理ブロックＳ２の棚ユニットＵ１１から露光装置Ｅ１にウエハＷを渡す。受け渡しアームＡ８は、露光装置Ｅ１からウエハＷを受け取り、棚ユニットＵ１１にウエハＷを戻す。
【００４０】
制御装置ＣＵは、制御用のコンピュータであり、図１に示されるように、記憶部ＣＵ１と、制御部ＣＵ２とを有する。記憶部ＣＵ１は、塗布・現像装置１の各部や露光装置Ｅ１の各部を動作させるためのプログラムを記憶している。詳しくは後述するが、記憶部ＣＵ１は、各種のデータ（例えば、異物の大きさデータ、異物の位置データ）や、撮像部２６によって撮像された撮像画像も記憶している。記憶部ＣＵ１は、例えば半導体メモリ、光記録ディスク、磁気記録ディスク、光磁気記録ディスクである。当該プログラムは、記憶部ＣＵ１とは別体の外部記憶装置や、伝播信号などの無形の媒体にも含まれ得る。これらの他の媒体から記憶部ＣＵ１に当該プログラムをインストールして、記憶部ＣＵ１に当該プログラムを記憶させてもよい。制御部ＣＵ２は、記憶部ＣＵ１から読み出したプログラムに基づいて、塗布・現像装置１の各部や露光装置Ｅ１の各部の動作を制御する。
【００４１】
制御装置ＣＵは、表示部Ｄと接続されており、処理条件の設定画面や、塗布・現像装置１によるウエハＷの処理経過、処理結果等を表示部Ｄに表示させてもよい。塗布・現像装置１は、処理条件を作業者が入力可能な入力部（図示せず）をさらに有してもよい。この場合、制御装置ＣＵは、入力部を通じて制御装置ＣＵに入力された条件に従って、塗布・現像装置１の各部や露光装置Ｅ１の各部を動作させてもよい。入力部としては、例えば、マウス、タッチパネル、ペンタブレット、キーボードを挙げることができる。
【００４２】
次に、塗布・現像装置１の動作の概要について説明する。まず、キャリア１１がキャリアステーション１２に設置される。このとき、キャリア１１の一側面１１ａは、搬入・搬出部１３の開閉扉１３ａに向けられる。続いて、キャリア１１の開閉扉と、搬入・搬出部１３の開閉扉１３ａとが共に開放され、受け渡しアームＡ１により、キャリア１１内のウエハＷが取り出され、処理ブロックＳ２の棚ユニットＵ１０のうちいずれかのセルに順次搬送される。
【００４３】
ウエハＷが受け渡しアームＡ１により棚ユニットＵ１０のいずれかのセルに搬送された後、ウエハＷは、昇降アームＡ７により、ＢＣＴブロック１４に対応するセルＣ３３に順次搬送される。セルＣ３３に搬送されたウエハＷは、搬送アームＡ２によってＢＣＴブロック１４内の各ユニットに搬送される。搬送アームＡ２によってウエハＷがＢＣＴブロック１４内を搬送される過程で、ウエハＷの表面Ｗａ上に下層反射防止膜が形成される。
【００４４】
下層反射防止膜が形成されたウエハＷは、搬送アームＡ２によってセルＣ３３の上のセルＣ３４に搬送される。セルＣ３４に搬送されたウエハＷは、昇降アームＡ７によって、ＣＯＴブロック１５に対応するセルＣ３５に搬送される。セルＣ３５に搬送されたウエハＷは、搬送アームＡ３によりＣＯＴブロック１５内の各ユニットに搬送される。搬送アームＡ３によってウエハＷがＣＯＴブロック１５内を搬送される過程で、下層反射防止膜上にレジスト膜が形成される。
【００４５】
レジスト膜が形成されたウエハＷは、搬送アームＡ３によってセルＣ３５の上のセルＣ３６に搬送される。セルＣ３６に搬送されたウエハＷは、昇降アームＡ７によって、ＴＣＴブロック１６に対応するセルＣ３７に搬送される。セルＣ３７に搬送されたウエハＷは、搬送アームＡ４によってＴＣＴブロック１６内の各ユニットに搬送される。搬送アームＡ４によってウエハＷがＴＣＴブロック１６内を搬送される過程で、レジスト膜上に上層反射防止膜が形成される。
【００４６】
上層反射防止膜が形成されたウエハＷは、搬送アームＡ４によってセルＣ３７の上のセルＣ３８に搬送される。セルＣ３８に搬送されたウエハＷは、昇降アームＡ７によってセルＣ３２に搬送された後、搬送アームＡ６によって棚ユニットＵ１１のセルＣ４２に搬送される。セルＣ４２に搬送されたウエハＷは、インターフェースブロックＳ３の受け渡しアームＡ８により露光装置Ｅ１に渡され、露光装置Ｅ１においてレジスト膜の露光処理が行われる。露光処理が行われたウエハＷは、受け渡しアームＡ８によりセルＣ４２の下のセルＣ４０，Ｃ４１に搬送される。
【００４７】
セルＣ４０，Ｃ４１に搬送されたウエハＷは、搬送アームＡ５により、ＤＥＶブロック１７内の各ユニットに搬送され、現像処理が行われる。これにより、ウエハＷの表面Ｗａ上にレジストパターン（凹凸パターン）が形成される。レジストパターンが形成されたウエハＷは、搬送アームＡ５によって棚ユニットＵ１０のうちＤＥＶブロック１７に対応したセルＣ３０，Ｃ３１に搬送される。セルＣ３０，Ｃ３１に搬送されたウエハＷは、昇降アームＡ７によって、受け渡しアームＡ１がアクセス可能なセルに搬送され、受け渡しアームＡ１によって、キャリア１１内に戻される。
【００４８】
上述した塗布・現像装置１の構成及び動作は一例にすぎない。塗布・現像装置１は、塗布ユニットや現像処理ユニット等の液処理ユニットと、加熱・冷却ユニット等の前処理・後処理ユニットと、搬送装置とを備えていればよい。すなわち、これら各ユニットの個数、種類、レイアウト等は適宜変更可能である。
【００４９】
次に、液処理ユニット（基板処理装置）Ｕ１について、さらに詳しく説明する。液処理ユニットＵ１は、ウエハＷの表面Ｗａに処理液を吐出する吐出処理を、複数のウエハＷについて一つずつ順次実行する。液処理ユニットＵ１は、図４に示されるように、回転保持部２０と、昇降装置２２と、処理液供給部２４とを備える。
【００５０】
回転保持部２０は、電動モータ等の動力源を内蔵した本体部２０ａと、本体部２０ａから鉛直上方に延びる回転軸２０ｂと、回転軸２０ｂの先端部に設けられたチャック２０ｃとを有する。本体部２０ａは、動力源により回転軸２０ｂ及びチャック２０ｃを回転させる。チャック２０ｃは、ウエハＷの中心部を支持し、例えば吸着によりウエハＷを略水平に保持する。すなわち、回転保持部２０は、ウエハＷの姿勢が略水平の状態で、ウエハＷの表面Ｗａに対して垂直な中心軸（鉛直軸）周りでウエハＷを回転させる。図４に示されるように、回転保持部２０は、上方から見て例えば正時計回りにウエハＷを回転させる。
【００５１】
昇降装置２２は、回転保持部２０に取り付けられており、回転保持部２０を昇降させる。具体的には、昇降装置２２は、搬送アームＡ５とチャック２０ｃとの間でウエハＷの受け渡しを行うための上昇位置（受け渡し位置）と、液処理を行うための下降位置（現像位置）との間で、回転保持部２０（チャック２０ｃ）を昇降させる。
【００５２】
回転保持部２０の周囲には、カップ３０が設けられている。ウエハＷが回転すると、ウエハＷの表面Ｗａに供給された処理液が周囲に振り切られて落下するが、カップ３０は、当該落下した処理液を受け止める収容器として機能する。カップ３０は、回転保持部２０を囲む円環形状の底板３１と、底板３１の外縁から鉛直上方に突出した円筒状の外壁３２と、底板３１の内縁から鉛直上方に突出した円筒状の内壁３３とを有する。
【００５３】
外壁３２の全部分は、チャック２０ｃに保持されたウエハＷよりも外側に位置する。外壁３２の上端３２ａは、下降位置にある回転保持部２０に保持されたウエハＷよりも上方に位置する。外壁３２の上端３２ａ側の部分は、上方に向かうにつれて内側に傾いた傾斜壁部３２ｂとなっている。内壁３３の全部分は、チャック２０ｃに保持されたウエハＷの周縁よりも内側に位置する。内壁３３の上端３３ａは、下降位置にある回転保持部２０に保持されたウエハＷよりも下方に位置する。
【００５４】
内壁３３と外壁３２との間には、底板３１の上面から鉛直上方に突出した仕切壁３４が設けられている。すなわち、仕切壁３４は、内壁３３を囲んでいる。底板３１のうち、外壁３２と仕切壁３４との間の部分には、液体排出孔３１ａが形成されている。液体排出孔３１ａには、排液管３５が接続されている。底板３１のうち、仕切壁３４と内壁３３との間の部分には、気体排出孔３１ｂが形成されている。気体排出孔３１ｂには、排気管３６が接続されている。
【００５５】
内壁３３の上には、仕切壁３４よりも外側に張り出す傘状部３７が設けられている。ウエハＷ上から外側に振り切られて落下した処理液は、外壁３２と仕切壁３４との間に導かれ、液体排出孔３１ａから排出される。仕切壁３４と内壁３３との間には、処理液から発生したガス等が進入し、当該ガスが気体排出孔３１ｂから排出される。
【００５６】
内壁３３に囲まれる空間の上部は、仕切板３８により閉塞されている。回転保持部２０の本体部２０ａは仕切板３８の下方に位置する。チャック２０ｃは仕切板３８の上方に位置する。回転軸２０ｂは仕切板３８の中心部に形成された貫通孔内に挿通されている。
【００５７】
処理液供給部２４は、図４に示されるように、処理液の供給源２４ａと、ヘッド部２４ｃと、移動体２４ｄと、撮像部２６とを有する。供給源２４ａは、処理液の貯蔵容器、ポンプ及びバルブ等を有する。処理液は、例えば洗浄液（リンス液）や現像液である。洗浄液は、例えば純水又はＤＩＷ（Deionized Water）である。ヘッド部２４ｃは、供給管２４ｂを介して供給源２４ａに接続される。ヘッド部２４ｃは、処理液の供給の際に、ウエハＷの表面Ｗａの上方に位置している。ヘッド部２４ｃに設けられた液ノズルＮは、ウエハＷの表面Ｗａに向けて下方に開口している。従って、ヘッド部２４ｃは、制御装置ＣＵからの制御信号を受けて供給源２４ａから供給された処理液を、液ノズルＮからウエハＷの表面Ｗａに吐出する。
【００５８】
移動体２４ｄは、アーム２４ｅを介してヘッド部２４ｃに接続されている。移動体２４ｄは、制御装置ＣＵからの制御信号を受けて、ガイドレール（図示せず）上を水平方向に移動する。これにより、ヘッド部２４ｃは、ウエハＷの表面Ｗａに対して液ノズルＮの吐出口Ｎａから処理液を吐出する吐出処理において、下降位置にあるウエハＷの上方で且つウエハＷの中心軸に直交する直線上を、ウエハＷの径方向に沿って水平方向に移動する。移動体２４ｄは、制御装置ＣＵからの制御信号を受けて、アーム２４ｅを昇降させる。これにより、ヘッド部２４ｃは、上下方向に移動し、ウエハＷの表面Ｗａに対して近接又は離間する。
【００５９】
撮像部２６は、図４に示されるようにヘッド部２４ｃの先端近傍に設けられており、ヘッド部２４ｃと共に移動する。撮像部２６は、液ノズルＮの吐出口Ｎａ部分を撮像する。撮像部２６によって撮像された撮像画像は、制御装置ＣＵの制御部ＣＵ２に送信される。制御部ＣＵ２は、受信した撮像画像を画像処理して、液ノズルＮの吐出口Ｎａ部分に存在する異物の大きさデータ（例えば、最大径データや面積データ）を取得する。本実施形態における異物としては、例えば、液滴、固形物（汚れ）、液ノズルＮの吐出口Ｎａ部分における傷が挙げられる。傷を異物として扱う理由は、傷の窪み部分に液などが溜まりやすいことによる。制御部ＣＵ２は、取得した大きさデータが経時的に並んだ履歴に基づいて、ウエハＷの処理に際して異常が発生したか否かを次の条件１，２を用いて判定する。
【００６０】
（条件１）
制御部ＣＵ２は、取得した大きさデータと閾値ＴＨ１（第２の閾値）とを比較して、取得した大きさデータが閾値ＴＨ１以上のときは、ウエハＷの処理に際して異常が発生したと直ちに判定する。例えば、取得した大きさデータが最大径データである場合には、閾値ＴＨ１は１．５ｍｍ程度に設定されてもよい。
【００６１】
（条件２）
制御部ＣＵ２は、取得した大きさデータが閾値ＴＨ１よりも小さな閾値ＴＨ２（第１の閾値）以上であることと、そのような大きさデータ（閾値ＴＨ２以上である大きさデータ）が連続した連続回数が所定値を超えたことと、の２つの要素を満たしたときは、ある程度の大きさを有する異物が液ノズルＮの吐出口Ｎａ部分に存在し続けたと推定される。そのため、液ノズルＮの吐出口Ｎａ部分に存在する異物が、ウエハＷの表面Ｗａに落下する蓋然性が高いとみなして、ウエハＷの処理に際して異常が発生したと判定する。例えば、取得した大きさデータが最大径データである場合には、閾値ＴＨ２は１．０ｍｍ程度に設定されてもよい。例えば、連続回数の所定値は９回程度に設定されてもよい。この場合、閾値ＴＨ２以上である大きさデータの連続回数が１０回に達すると、制御部ＣＵ２はウエハＷの処理に際して異常が発生したと判定する。
【００６２】
続いて、上記の条件１，２に照らして、以下の仮想事例１〜５の場合にどのような処理が行われるかについて、事例ごとに具体的に説明する。
【００６３】
（仮想事例１）
仮想事例１は、図５に示されるように、大きさデータのいずれもが閾値ＴＨ２以上で且つ閾値ＴＨ１以下の場合である。この場合、例えば１０枚目のウエハＷを処理する際に、閾値ＴＨ２以上である大きさデータの連続回数が１０回に達し、条件２に該当するので、制御部ＣＵ２はウエハＷの処理に際して異常が発生したと判定する。
【００６４】
制御部ＣＵ２は、異常が発生したとの判定結果に基づき、液処理ユニットＵ１の動作を停止させると共に、図示しないスピーカから警報音を発して欠陥発生の蓋然性があることの注意をオペレータ等に促してもよい。警報音の発生があった場合、液ノズルＮの吐出口Ｎａ部分の検査や、液ノズルＮの吐出口Ｎａ部分に存在する異物の除去などが実施されてもよい。異物の除去は、オペレータ等が手作業で実施してもよいし、液処理ユニットＵ１が備える清掃装置（図示せず）が実施してもよい。この場合、液ノズルＮの吐出口Ｎａには異物が付着していないので、液処理ユニットＵ１の動作を再開して続く１１枚目のウエハＷを処理するにあたり、制御部ＣＵ２は計数された連続回数を０回にリセットしてもよい。
【００６５】
（仮想事例２，３）
仮想事例２，３は、図６及び図７にそれぞれ示されるように、当初は大きさデータが閾値ＴＨ２以上で且つ閾値ＴＨ１以下であったが、閾値ＴＨ２以上である大きさデータの連続回数が１０回に達する以前に大きさデータが閾値ＴＨ２未満となった場合である。仮想事例２の場合には、大きさデータが徐々に小さくなり最終的に０に達しているので、異物としての液滴が蒸発して大きさが小さくなったと推定される。仮想事例３の場合には、大きさデータが閾値ＴＨ２を跨いで上下動しており、撮像画像のぶれや撮像画像へのノイズの混入が推定される。これらの場合には、液ノズルＮの吐出口Ｎａ部分に存在する異物がウエハＷの表面Ｗａに落下する可能性が低い。
【００６６】
このように、仮想事例２，３では、条件１，２の双方に該当しないので、制御部ＣＵ２はウエハＷの処理に際して異常が発生したとは判定されない。仮想事例２，３のように、閾値ＴＨ２以上である大きさデータの連続回数が１０回に達する前に、大きさデータが閾値ＴＨ２以下となったきには、続くウエハＷを処理するにあたり、制御部ＣＵ２は計数された連続回数を０回にリセットしてもよい。
【００６７】
（仮想事例４）
仮想事例４は、図８に示されるように、閾値ＴＨ１以上の大きさデータが発生した場合である。この場合、条件１に該当するので、制御部ＣＵ２はウエハＷの処理に際して異常が発生したと直ちに判定する。
【００６８】
（仮想事例５）
仮想事例５は、図９に示されるように、当初は大きさデータが閾値ＴＨ２以上で且つ閾値ＴＨ１以下であったが、閾値ＴＨ２以上である大きさデータの連続回数が１０回に達する以前に大きさデータが閾値ＴＨ２以下となった場合である。仮想事例５は、この点において仮想事例２，３と同じであるが、大きさデータの変化が急激である点で仮想事例２，３とは異なる。より具体的には、仮想事例５の場合、８枚目のウエハＷを処理する際の大きさデータは１．４２ｍｍであり、９枚目のウエハＷを処理する際の大きさデータは０ｍｍである。そのため、前後の大きさデータを比較すると、減少量及び減少割合は共に１．４２ポイントである。
【００６９】
この場合、８枚目のウエハＷの処理時において液ノズルＮの吐出口Ｎａ部分に存在していた異物の大きさに比べて、続く９枚目のウエハＷの処理時において液ノズルＮの吐出口Ｎａ部分に存在していた異物の大きさが、急激に小さくなったと推定される。そのため、液ノズルＮの吐出口Ｎａ部分に存在していた異物が、ウエハＷの表面Ｗａに落下した蓋然性が高い。従って、仮想事例５では条件１，２の双方に該当しないものの、制御部ＣＵ２は、減少量が所定の大きさ以上であるか又は減少割合が所定の大きさ以上であることを条件として（条件３）、ウエハＷの処理に際して異常が発生したと判定する。減少量を用いて判定する場合には、所定の大きさを例えば１．０ｍｍに設定してもよい。減少割合を用いて判定する場合には、所定の大きさを例えば５０パーセンテージポイントに設定してもよい。
【００７０】
以上のような本実施形態では、大きさデータが経時的に並んだ履歴に基づいて、閾値ＴＨ２以上の大きさデータが連続した連続回数が所定値を超えた場合、ウエハＷの処理に際して異常が生じたと判定する。そのため、大きさデータが閾値ＴＨ２以上となると直ちに異常が生じたと判定されるわけではない。一方、ウエハＷの処理に際して異常が生じたと判定されるためには、大きさデータが閾値ＴＨ２以上であり、且つ、そのような大きさデータの連続回数が所定値を超えた、という２つの要素を満たす必要がある。この場合、ある程度の大きさを有する異物が液ノズルＮの吐出口Ｎａ部分に存在し続けたと推定される。そのため、液ノズルＮの吐出口Ｎａ部分に存在する異物が、ウエハＷの表面Ｗａに落下する蓋然性が高いことを判定できる。よって、ウエハＷの処理に際して異常が生じたことをより精度よく判定することも可能となる。
【００７１】
以上、本発明の実施形態について詳細に説明したが、本発明は上記した実施形態に限定されるものではない。例えば、制御部ＣＵ２は、大きさデータの代わりに又は大きさデータと共に、異物の位置データが経時的に並んだ履歴に基づいて、ウエハＷの処理に際して異常が生じたか否かを判定してもよい。ここで用いられる位置データは、液ノズルＮの吐出口Ｎａ部分に存在する異物の高さ位置を示すデータである。異物の高さ位置として、異物の重心位置Ｇ（図１０（ａ）〜（ｃ）参照）を用いてもよい。本明細書では高さ位置を表すにあたり上向きを正とする。制御部ＣＵ２は、撮像部２６から受信した撮像画像を画像処理して、液ノズルＮの吐出口Ｎａ部分に存在する異物の位置データを取得する。制御部ＣＵ２は、取得した位置データが経時的に並んだ履歴に基づいて、ウエハＷの処理に際して異常が発生したか否かを次の条件４，５を用いて判定する。
【００７２】
（条件４）
制御部ＣＵ２は、取得した位置データと閾値ＴＨ３（第２の閾値）とを比較して、取得した位置データが閾値ＴＨ３以下のときは、ウエハＷの処理に際して異常が発生したと直ちに判定する。例えば、高さ位置の基準点（原点）を液ノズルＮの吐出口Ｎａの先端に設定する場合には、閾値ＴＨ３は１．０ｍｍ程度に設定されてもよい。
【００７３】
（条件５）
制御部ＣＵ２は、取得した位置データが閾値ＴＨ３よりも大きな閾値ＴＨ４（第１の閾値）以下であることと、そのような位置データ（閾値ＴＨ４以下である位置データ）が連続した連続回数が所定値を超えたことと、の２つの要素を満たしたときは、異物が液ノズルＮの吐出口Ｎａ近傍に存在し続けたと推定される。そのため、液ノズルＮの吐出口Ｎａ部分に存在する異物が、ウエハＷの表面Ｗａに落下する蓋然性が高いとみなして、ウエハＷの処理に際して異常が発生したと判定する。例えば、高さ位置の基準点（原点）を液ノズルＮの吐出口Ｎａの先端に設定する場合には、閾値ＴＨ４は１．５ｍｍ程度に設定されてもよい。例えば、連続回数の所定値は９回程度に設定されてもよい。この場合、閾値ＴＨ４以下である大きさデータの連続回数が１０回に達すると、制御部ＣＵ２はウエハＷの処理に際して異常が発生したと判定する。
【００７４】
続いて、上記の条件１，２に照らして、以下の仮想事例６〜８の場合にどのような処理が行われるかについて、事例ごとに具体的に説明する。
【００７５】
（仮想事例６）
仮想事例６は、図１０（ｂ）に示されるように、位置データのいずれもが閾値ＴＨ４以下で且つ閾値ＴＨ３以上の場合である。この場合、例えば１０枚目のウエハＷを処理する際に、閾値ＴＨ２以上である大きさデータの連続回数が１０回に達し、条件５に該当するので、制御部ＣＵ２はウエハＷの処理に際して異常が発生したと判定する。異常が発生したとの判定後は、仮想事例１に準じて処理を行ってもよい。
【００７６】
（仮想事例７）
仮想事例７は、位置データが当初は閾値ＴＨ４以下で且つ閾値ＴＨ３以上であったが（図１０（ｂ）参照）、閾値ＴＨ４以下である位置データの連続回数が１０回に達する以前に位置データが閾値ＴＨ４を超えた場合（図１０（ａ）参照）である。例えば、位置データが閾値ＴＨ４を跨いで上下動しているような場合であり、撮像画像のぶれや撮像画像へのノイズの混入が推定される。この場合には、液ノズルＮの吐出口Ｎａ部分に存在する異物がウエハＷの表面Ｗａに落下する可能性が低い。
【００７７】
このように、仮想事例７では、条件１，２の双方に該当しないので、制御部ＣＵ２はウエハＷの処理に際して異常が発生したとは判定されない。仮想事例７のように、閾値ＴＨ４以下である位置データの連続回数が１０回に達する前に、位置データが閾値ＴＨ４未満となったきには、続くウエハＷを処理するにあたり、制御部ＣＵ２は計数された連続回数を０回にリセットしてもよい。
【００７８】
（仮想事例８）
仮想事例８は、図１０（ｃ）に示されるように、閾値ＴＨ３以下の位置データが発生した場合である。この場合、条件４に該当するので、制御部ＣＵ２はウエハＷの処理に際して異常が発生したと直ちに判定する。
【００７９】
以上の条件４，５に基づく判定は、異物の高さ位置を示す位置データを用いて行ったが、液ノズルＮの吐出口Ｎａの先端を基準点（原点）として異物の高さ位置を算出してもよいし、液ノズルＮの吐出口Ｎａの先端とは異なる点を基準点（原点）としてもよい。異物の高さ位置に加えて、位置データは異物の水平位置も含んでいてもよい。
【００８０】
以上の実施形態では、１つの撮像部２６を用いて異物の撮像を行っていたが、２つ以上の撮像部２６を用いて異物を撮像して制御部ＣＵ２が異物の立体視画像を生成してもよい。この場合、制御部ＣＵ２は、立体視画像に基づいて大きさデータや位置データを取得する。
【００８１】
以上の実施形態では、液ノズルＮの吐出口Ｎａ部分に１つの異物が存在している場合を中心に説明した。しかしながら、液ノズルＮの吐出口Ｎａ部分に複数の異物が存在している場合にも、それぞれの異物について個別に同様の判定を行ってもよい。液ノズルＮの吐出口Ｎａ部分に複数の異物が存在している場合に、大きさデータが最も大きい異物のみを判定対象としてもよい。液ノズルＮの吐出口Ｎａ部分に複数の異物が存在している場合に水平位置を含む位置データを用いると、複数の異物の動きを個々に監視することができ、例えばある異物が水平方向に移動して他の異物と結合するような場合を判定することができる。
【００８２】
制御部ＣＵ２は、取得した大きさデータや位置データが経時的に並んだ履歴を表示部Ｄに表示させてもよい。図１１（ａ）に、大きさデータが経時的に並んだ履歴の一例を示す。このとき、記憶部ＣＵ１は、液ノズルＮの吐出口Ｎａ部分を撮像したときにえられた撮像画像を、当該撮像画像に基づいて取得した大きさデータと対応付けて記憶していてもよい。例えば、記憶部ＣＵ１は、図１１（ａ）に示される各大きさデータＡ〜Ｆと対応付けて、図１１（ｂ）に示される撮像画像Ａ〜Ｆを記憶している。この場合、制御部ＣＵ２が、表示部に表示された各大きさデータのいずれか一つを選択する入力部からの信号を受信したときに、選択された大きさデータに対応する撮像画像を表示部に表示させてもよい。具体的には、制御部ＣＵ２は、図１１（ａ）に示される大きさデータのうち大きさデータＣを選択する入力部からの信号を受信すると、当該信号に基づいて記憶部ＣＵ１を参照し、対応する撮像画像Ｃを表示部に表示させる。このようにすると、ウエハＷに欠陥が発生した場合に、欠陥が発生した原因の特定に資することとなる。
【００８３】
上記条件１〜５を満たし、ウエハＷの処理に際して異常が発生したと判定された場合、オペレータ等に注意を促すためのマークを当該判定時の大きさデータの近傍に表示させてもよい。例えば、図１１（ａ）に示されるように、大きさデータＣ近傍に警告マークＭを表示させてもよい。
【符号の説明】
【００８４】
１…塗布・現像装置、２６…撮像部、ＣＵ…制御装置、ＣＵ１…記憶部、ＣＵ２…制御部、Ｄ…表示部、Ｎ…液ノズル、Ｎａ…吐出口、Ｕ１…液処理ユニット（基板処理装置）、Ｗ…ウエハ（基板）、Ｗａ…表面。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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