(57)【要約】【課題】転写基板との位置合わせを正確に安定して行えるアライメントマーク部を備えたインプリント用モールドを、メインパターン部の欠陥発生を抑制して製造することができるインプリント用モールドの製造方法を提供する。【解決手段】  基材の一の面にメインパターン部領域とアライメントマーク部領域とを設定し、この基材上に少なくとも１層からなるハードマスク材料層を形成し、このハードマスク材料層の少なくとも１層をエッチングしてハードマスクをメインパターン部領域とアライメントマーク部領域とに形成し、メインパターン部領域に位置するハードマスクを保護層で被覆した状態で、アライメントマーク部領域に位置するハードマスクを介して基材をエッチングしてアライメントマーク部を形成し、その後、保護層を除去し、メインパターン部領域に位置するハードマスクを介して基材をエッチングしてメインパターン部を形成する。【選択図】  図３
2015138928.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基材の一の面にメインパターン部領域とアライメントマーク部領域とを設定し、該面上に多層構造のハードマスク材料層を設け、該ハードマスク材料層上にレジストパターンを形成し、該ハードマスク材料層の構成層の中で前記基材との界面に位置する最下層を少なくとも残存させるように前記レジストパターンを介して前記ハードマスク材料層をエッチングすることにより、前記最下層上にメインパターン部形成用第１ハードマスクおよびアライメントマーク部形成用第１ハードマスクを形成する第１のハードマスク形成工程と、
前記アライメントマーク部形成用第１ハードマスクを含むアライメントマーク部領域の所望の領域を露出させ、かつ、前記メインパターン部領域を被覆するように前記最下層上に保護層を形成する保護層形成工程と、
前記アライメントマーク部形成用第１ハードマスクを介して前記最下層をエッチングすることにより、前記基材の一の面上にアライメントマーク部形成用第２ハードマスクを形成する第２のハードマスク形成工程と、
前記アライメントマーク部形成用第２ハードマスクを介して前記基材をエッチングして前記アライメントマーク部領域にアライメントマーク部を形成するアライメントマーク部形成工程と、
前記保護層を除去した後、前記メインパターン部形成用第１ハードマスクを介して前記ハードマスク材料層の前記最下層をエッチングすることにより、前記基材の一の面上にメインパターン部形成用第２ハードマスクを形成する第３のハードマスク形成工程と、
前記メインパターン部形成用第２ハードマスクを介して前記基材をエッチングして前記メインパターン部領域にメインパターン部を形成するメインパターン部形成工程と、を有することを特徴とするインプリント用モールドの製造方法。    
【請求項２】
基材の一の面にメインパターン部領域とアライメントマーク部領域とを設定し、該面上に少なくとも１層からなるハードマスク材料層を設け、該ハードマスク材料層上にレジストパターンを形成し、該レジストパターンを介して前記ハードマスク材料層をエッチングすることにより、前記基材上にメインパターン部形成用ハードマスクおよびアライメントマーク部形成用ハードマスクを形成するハードマスク形成工程と、
前記アライメントマーク部形成用ハードマスクを含むアライメントマーク部領域の所望の領域を露出させ、かつ、前記メインパターン部領域を被覆するように前記基材上に保護層を形成する保護層形成工程と、
前記アライメントマーク部形成用ハードマスクを介して前記基材をエッチングして前記アライメントマーク部領域にアライメントマーク部を形成するアライメントマーク部形成工程と、
前記保護層を除去した後、前記メインパターン部形成用ハードマスクを介して前記基材をエッチングして前記メインパターン部領域にメインパターン部を形成するメインパターン部形成工程と、を有することを特徴とするインプリント用モールドの製造方法。    
【請求項３】
前記アライメントマーク部形成工程では、前記アライメントマーク部を形成した後、更に前記基材を所望の深さまでエッチングすることを特徴とする請求項１または請求項２に記載のインプリント用モールドの製造方法。
【請求項４】
前記保護層形成工程では、前記アライメントマーク部を形成した後、更に前記基材を所望の深さまでエッチングすることが完了するまで保護層が残存するように厚みを設定することを特徴とする請求項３に記載のインプリント用モールドの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、インプリント方法に使用するモールドの製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、フォトリソグラフィ技術に代わる微細なパターン形成技術として、インプリント方法を用いたパターン形成技術が注目されている。インプリント方法は、微細な凹凸構造を備えた型部材（モールド）を用い、凹凸構造を被成形樹脂材料に転写することで微細構造を等倍転写するパターン形成技術である。例えば、被成形樹脂材料として光硬化性樹脂を用いたインプリント方法では、転写基板の表面に光硬化性樹脂組成物の液滴を供給し、所望の凹凸構造を有するモールドと転写基板とを所定の距離まで近接させて凹凸構造内に光硬化性樹脂組成物を充填し、この状態でモールド側から光を照射して光硬化性樹脂組成物を硬化させて樹脂層を形成し、その後、モールドを樹脂層から引き離すことにより、モールドが備える凹凸が反転した凹凸構造（凹凸パターン）を有するパターン構造体を形成する。また、インプリント方法として、転写基板の表面に予め被成形樹脂材料層を形成しておき、モールドが備える凹凸構造の凸部の途中までを被成形樹脂材料層に刺し込み（したがって、凹凸構造の凸部間に位置する凹部の途中まで被成形樹脂材料層が入り込む）、この状態で被成形樹脂材料層を硬化させ、その後、モールドを引き離すことにより、モールドが備える凸部に対応した凹部を有するパターン構造体を形成することが行われている。
【０００３】
このようなインプリント方法では、使用するモールドと転写基板とを高い精度で位置合わせする必要があり、このため位置合わせ用の凹凸構造（以下、アライメントマーク部とも記す）がモールドに設けられ、光学的検出手段を用いてモールドと転写基板との位置合わせが行われる。このようなアライメントマーク部を備えるモールドは、通常、インプリントで目的のパターン構造体を形成するための凹凸構造（以下、メインパターン部とも記す）が設けられている領域の外側にアライメントマーク部が設けられる。しかし、メインパターン部とアライメントマーク部とがモールドの同一面に位置していると、インプリント時にアライメントマーク部の凹部内に被成形樹脂材料が充填される場合がある。一般に、モールドと被成形樹脂材料との光屈折率の差は、モールドと空気との屈折率の差よりも小さいので、アライメントマーク部の凹部内に被成形樹脂材料が充填されてしまうと、アライメントマーク部の検出精度が低下して、高い精度の位置合わせが困難となる。また、インプリントによりメインパターン部に対応した凹凸構造を形成したパターン構造体に、アライメントマーク部の凹凸構造も存在することになり、パターン構造体を用いた後加工に支障を来したり、パターン構造体からアライメントマーク部の凹凸構造を除去する工程が必要となったり、転写基板の使用効率が低下する等の問題もあった。
このため、メインパターン部が形成されている面に対して、メインパターン部の凹部の深さ方向に下がった面にアライメントマーク部を設けたモールドが開発されている（特許文献１、特許文献２）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特許第４２９０１７７号公報
【特許文献２】特開２０１０−２４５０９４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
上記のようにアライメントマーク部が位置する面が低く設定されたモールドは、まず、モールド用の基材の一平面にメインパターン部とアライメントマーク部とを設け、その後、メインパターン部に保護層を形成し、アライメントマーク部を掘り下げることにより作製されている。しかし、メインパターン部の寸法が極めて微細であり、特にナノインプリントに使用するモールドでは、メインパターン部の凸部のアスペクト比（幅に対する高さの比）が２以上となることがあり、電子線リソグラフィー法やフォトリソグラフィー法、あるいは、インプリント法を用いた保護層の形成過程、例えば、塗布工程、現像工程、リンス工程、乾燥工程等において、メインパターン部に倒れ、破損、剥がれ等の欠陥を生じるおそれがある。このようなメインパターン部の欠陥が生じると、モールドを用いた微細パターンの形成が困難になるという問題がある。
本発明は、上述のような実情に鑑みてなされたものであり、転写基板との位置合わせを正確に安定して行えるアライメントマーク部を備えたインプリント用モールドを、メインパターン部の欠陥発生を抑制して製造することができるインプリント用モールドの製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
このような目的を達成するために、本発明のインプリント用モールドの製造方法は、基材の一の面にメインパターン部領域とアライメントマーク部領域とを設定し、該面上に多層構造のハードマスク材料層を設け、該ハードマスク材料層上にレジストパターンを形成し、該ハードマスク材料層の構成層の中で前記基材との界面に位置する最下層を少なくとも残存させるように前記レジストパターンを介して前記ハードマスク材料層をエッチングすることにより、前記最下層上にメインパターン部形成用第１ハードマスクおよびアライメントマーク部形成用第１ハードマスクを形成する第１のハードマスク形成工程と、前記アライメントマーク部形成用第１ハードマスクを含むアライメントマーク部領域の所望の領域を露出させ、かつ、前記メインパターン部領域を被覆するように前記最下層上に保護層を形成する保護層形成工程と、前記アライメントマーク部形成用第１ハードマスクを介して前記最下層をエッチングすることにより、前記基材の一の面上にアライメントマーク部形成用第２ハードマスクを形成する第２のハードマスク形成工程と、前記アライメントマーク部形成用第２ハードマスクを介して前記基材をエッチングして前記アライメントマーク部領域にアライメントマーク部を形成するアライメントマーク部形成工程と、前記保護層を除去した後、前記メインパターン部形成用第１ハードマスクを介して前記ハードマスク材料層の前記最下層をエッチングすることにより、前記基材の一の面上にメインパターン部形成用第２ハードマスクを形成する第３のハードマスク形成工程と、前記メインパターン部形成用第２ハードマスクを介して前記基材をエッチングして前記メインパターン部領域にメインパターン部を形成するメインパターン部形成工程と、を有するような構成とした。
【０００７】
また、本発明のインプリント用モールドの製造方法は、基材の一の面にメインパターン部領域とアライメントマーク部領域とを設定し、該面上に少なくとも１層からなるハードマスク材料層を設け、該ハードマスク材料層上にレジストパターンを形成し、該レジストパターンを介して前記ハードマスク材料層をエッチングすることにより、前記基材上にメインパターン部形成用ハードマスクおよびアライメントマーク部形成用ハードマスクを形成するハードマスク形成工程と、前記アライメントマーク部形成用ハードマスクを含むアライメントマーク部領域の所望の領域を露出させ、かつ、前記メインパターン部領域を被覆するように前記基材上に保護層を形成する保護層形成工程と、前記アライメントマーク部形成用ハードマスクを介して前記基材をエッチングして前記アライメントマーク部領域にアライメントマーク部を形成するアライメントマーク部形成工程と、前記保護層を除去した後、前記メインパターン部形成用ハードマスクを介して前記基材をエッチングして前記メインパターン部領域にメインパターン部を形成するメインパターン部形成工程と、を有するような構成とした。
【０００８】
本発明の他の態様として、前記アライメントマーク部形成工程では、前記アライメントマーク部を形成した後、更に前記基材を所望の深さまでエッチングするような構成とし、また、前記保護層形成工程では、前記アライメントマーク部を形成した後、更に前記基材を所望の深さまでエッチングすることが完了するまで保護層が残存するように厚みを設定するような構成とした。
【発明の効果】
【０００９】
本発明のインプリント用モールドの製造方法は、転写基板との位置合わせを正確に、かつ安定して行えるアライメントマーク部を備えたインプリント用モールドを、メインパターン部における欠陥の発生を抑制して製造することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１０】
【図１】図１は、本発明のインプリント用モールドの製造方法により製造されるインプリント用モールドの一例を示す側面図である。
【図２】図２は、図１にて鎖線の円で囲まれる部位の拡大部分断面図である。
【図３】図３は、本発明のインプリント用モールドの製造方法の一実施形態を説明するための工程図である。
【図４】図４は、本発明のインプリント用モールドの製造方法の一実施形態を説明するための工程図である。
【図５】図５は、本発明のインプリント用モールドの製造方法の一実施形態を説明するための工程図である。
【図６】図６は、本発明のインプリント用モールドの製造方法の他の実施形態を説明するための工程図である。
【図７】図７は、本発明のインプリント用モールドの製造方法の他の実施形態を説明するための工程図である。
【図８】図８は、本発明のインプリント用モールドの製造方法により製造されるインプリント用モールドの他の例を示す側面図である。
【図９】図９は、本発明のインプリント用モールドの製造方法により製造されるインプリント用モールドの他の例を示す側面図である。
【図１０】図１０は、図９にて鎖線の円で囲まれる部位の拡大部分断面図である。
【図１１】図１１は、本発明のインプリント用モールドの製造方法の他の実施形態を説明するための工程図である。
【図１２】図１２は、本発明のインプリント用モールドの製造方法の他の実施形態を説明するための工程図である。の一例を説明するための図である。
【発明を実施するための形態】
【００１１】
以下、本発明の実施形態について図面を参照しながら説明する。
尚、図面は模式的または概念的なものであり、各部材の寸法、部材間の大きさの比等は、必ずしも現実のものと同一とは限らず、また、同じ部材等を表す場合であっても、図面により互いの寸法や比が異なって表される場合もある。
図１は、本発明のインプリント用モールドの製造方法により製造されるインプリント用モールドの一例を示す側面図であり、図２は図１にて鎖線の円で囲まれる部位の拡大部分断面図である。図１および図２において、インプリント用モールド１は、基部１２の表面１２ａに位置する凸構造部１３を有する、いわゆるメサ構造の基材１１と、この基材１１の一の面、図示例では、凸構造部１３の表面１３ａに設定されたメインパターン部領域Ａに位置するメインパターン部１４と、アライメントマーク部領域Ｂに位置するアライメントマーク部１７と、を有している。
【００１２】
ここで、メインパターン部とは、インプリントで目的のパターン構造体を形成するための凹凸構造であり、パターン形状には特に制限はない。例えば、ホール形状の凹部とその周囲の凸部からなるホールパターン、ピラー形状の凸部とその周囲の凹部からなるピラーパターン、ライン状の凹部と凸部が交互に配列されたライン／スペース形状のパターン、あるいは、配線形状、スリット形状等の所望形状の凹部パターン、凸部パターンを備えた凹凸構造等であってよい。また、このメインパターン部には、被成形樹脂材料の充填を促進するための凹凸構造や、硬化後の樹脂層とモールドとの離型を容易とするための凹凸構造等が含まれていてもよい。また、アライメントマーク部とは、転写基板との位置合わせに使用する凹凸構造であり、パターン形状には特に制限はない。尚、図１では、基材１１の凸構造部１３に位置するメインパターン部１４とアライメントマーク部１７の凹凸構造は省略している。
図示例では、インプリント用モールド１が有するメインパターン部１４は、凹部１５と、この凹部１５の間に位置する凸部１６を有する凹凸構造である。また、アライメントマーク部１７は、凹部１８と、この凹部１８の間に位置する凸部１９を有する凹凸構造である。このインプリント用モールド１では、メインパターン部１４を構成する凹部１５の底部１５ｂを含む平面（図２に２点鎖線で示している）に対して、アライメントマーク部１７を構成する凸部１９の頂部１９ａを含む平面（図２に鎖線で示している）が、メインパターン部１４を構成する凹部１５の深さ方向（図２に矢印ａで示す方向）に距離Ｌ離間して存在している。この距離Ｌは、例えば、２０ｎｍ〜５μｍの範囲で適宜設定される。
このようなインプリント用モールド１は、インプリント時にアライメントマーク部１７への被成形樹脂材料の接触が防止され、これにより、アライメントマーク部１７の凹部１８内への被成形樹脂材料の充填が防止され、転写基板との位置合わせを高い精度で行うことができる。
【００１３】
次に、本発明のインプリント用モールドの製造方法について説明する。
［モールド製造方法の第１の実施形態］
図３〜図５は本発明のインプリント用モールドの製造方法の一実施形態を説明するための工程図であり、上述のインプリント用モールド１の製造を例としている。
（第１のハードマスク形成工程）
まず、モールド製造用の基材１１の一の面、上述のインプリント用モールド１では、凸構造部１３の表面１３ａにメインパターン部領域Ａとアライメントマーク部領域Ｂとを設定し、この表面１３ａ上に多層構造のハードマスク材料層３０を設け、このハードマスク材料層３０上にレジストパターン３５を形成する（図３（Ａ））。
【００１４】
インプリント用モールド１を製造するための基材１１の材質は、インプリントに使用する被成形樹脂材料が光硬化性である場合には、これらを硬化させるための照射光が透過可能な材料を用いることができ、例えば、石英ガラス、珪酸系ガラス、フッ化カルシウム、フッ化マグネシウム、アクリルガラス等のガラス類の他、サファイアや窒化ガリウム、更にはポリカーボネート、ポリスチレン、アクリル、ポリプロピレン等の樹脂、あるいは、これらの任意の積層材を用いることができる。また、使用する被成形樹脂材料が光硬化性ではない場合や、転写基板側から被成形樹脂材料を硬化させるための光を照射可能である場合には、インプリント用モールド１が光透過性を具備しなくてもよく、基材１１として、上記の材料以外に、例えば、シリコンやニッケル、チタン、アルミニウム等の金属およびこれらの合金、酸化物、窒化物、あるいは、これらの任意の積層材を用いることができる。
基材１１の厚みは、基部１２の表面１２ａに備える凸構造部１３の形状、材質の強度、取り扱い適性等を考慮して設定することができ、例えば、３００μｍ〜１０ｍｍ程度の範囲で適宜設定することができる。尚、凸構造部１３は、その表面１３ａが、その周囲の領域に対して２段以上の凸構造となっていてもよい。
【００１５】
多層構造のハードマスク材料層３０は、図示例では下層ハードマスク材料層３１と上層ハードマスク材料層３３の２層構造である。下層ハードマスク材料層３１は、基材１１をエッチングする際にエッチングマスクとして機能するようなエッチング耐性を備えたものとし、また、このようなエッチング耐性を備えた２種以上のハードマスク材料層からなる積層であってもよい。上層ハードマスク材料層３３は、下層ハードマスク材料層３１をエッチングする際にエッチングマスクとして機能するようなエッチング耐性を備えたものとし、また、このようなエッチング耐性を備えた２種以上のハードマスク材料層からなる積層であってもよい。例えば、基材１１の材質が石英ガラスである場合、下層ハードマスク材料層３１を窒化クロム等のクロム系化合物で形成し、上層ハードマスク材料層３３を酸化シリコン等のシリコン系化合物で形成することができる。形成する下層ハードマスク材料層３１と上層ハードマスク材料層３３の厚みは、使用する材料が具備するエッチング耐性により適宜設定することができ、例えば、基材１１の材質が石英ガラスである上記の例では、クロム系化合物からなる下層ハードマスク材料層３１の厚みは２〜１００ｎｍ、シリコン系化合物からなる上層ハードマスク材料層３３の厚みは２〜５０ｎｍ程度とすることができる。
このような多層構造のハードマスク材料層３０は、スパッタリング法等の公知の成膜方法により形成することができる。尚、多層構造のハードマスク材料層３０は、基材１１の凸構造部１３の表面１３ａのみではなく、基部１２の表面１２ａにも形成してもよい。
【００１６】
ハードマスク材料層３０上に形成されたレジストパターン３５は、後述するように、メインパターン部形成用第１ハードマスク３４ａを形成するためのレジストパターン３５ａと、アライメントマーク部形成用第１ハードマスク３４ｂを形成するためのレジストパターン３５ｂを有している。このレジストパターン３５の形成方法は特に制限がなく、上層ハードマスク材料層３３のエッチングにおいてエッチング耐性を発現できるレジスト材料を使用して形成することができる。例えば、インプリント方法を用いた形成方法、電子線リソグラフィー法やフォトリソグラフィー法を用いた形成方法等、適宜選択することができる。
次に、上記のように形成したレジストパターン３５を介して上層ハードマスク材料層３３をエッチングすることにより、下層ハードマスク材料層３１上にメインパターン部形成用第１ハードマスク３４ａとアライメントマーク部形成用第１ハードマスク３４ｂを含む第１ハードマスク３４を形成する（図３（Ｂ））。上層ハードマスク材料層３３のエッチングは、ドライエッチング、ウエットエッチング等を適宜選択することができる。ドライエッチングの場合、上層ハードマスク材料層３３の材質、エッチング選択比（上層ハードマスク材料層３３のエッチング速度／レジストパターン３５のエッチング速度）等を考慮して、例えば、フッ素系ガス等を使用することができる。
【００１７】
（保護層形成工程）
次に、保護層形成工程において、アライメントマーク部形成用第１ハードマスク３４ｂを含むアライメントマーク部領域Ｂの所望の領域を露出させ、かつ、メインパターン部領域Ａを被覆するように、下層ハードマスク材料層３１上に保護層３６を形成する（図３（Ｃ））。これにより、メインパターン部形成用第１ハードマスク３４ａは保護層３６で被覆された状態となる。
保護層３６は、後工程における下層ハードマスク材料層３１のエッチング、基材１１のエッチングにおいてエッチング耐性を発現するレジスト材料を使用して形成することができる。この保護層３６の形成では、所望の電子線感応型レジスト、感光性レジスト等を使用したリソグラフィー工程、インプリント工程を採用することができる。これは以下のような理由による。すなわち、本実施形態では、多層構造のハードマスク材料層３０をエッチングするのではなく、上述のように、上層ハードマスク材料層３３のみをエッチングし、かつ、上層ハードマスク材料層３３の厚みが２〜５０ｎｍ程度の範囲であるので、形成したメインパターン部形成用第１ハードマスク３４ａの幅が数十ｎｍの微細なものであっても、上層ハードマスク材料層３３の厚みを適宜設定することにより、アスペクト比（第１ハードマスク３４ａの幅に対する高さの比）を１未満とすることができる。したがって、リソグラフィー工程における塗布工程、現像工程、リンス工程、乾燥工程等や、インプリント工程における押印工程、離型工程、残膜除去工程等において作用する外力による第１ハードマスク３４ａの倒れ、破損、剥がれ等の発生が防止されるからである。
【００１８】
また、所望の電子線感応型レジストを用いて保護層３６を電子線リソグラフィー法により形成する場合、下層ハードマスク材料層３１上に保護層３６を形成するので、例えば、下層ハードマスク材料層３１がクロム系化合物等の導電性を具備した材質であれば、電子線描画時の電子線チャージアップを防止することができる。
形成する保護層３６の厚みは、使用するレジスト材料が具備するエッチング耐性により適宜設定することができる。本実施形態では、後述のアライメントマーク部形成工程において、所望のアライメントマーク部１７を形成した後、更に基材１１を所望の深さまでエッチングして、アライメントマーク部１７を基材１１の深さ方向に掘り下げるので、このエッチングが完了するまで残存するように保護層３６の厚みを設定する。このような保護層３６の厚みとしては、例えば、２０〜１０００ｎｍ程度の範囲で適宜設定することができる。
【００１９】
（第２のハードマスク形成工程）
次いで、第２のハードマスク形成工程において、アライメントマーク部形成用第１ハードマスク３４ｂを介して下層ハードマスク材料層３１をエッチングすることにより、基材１１の凸構造部１３の表面１３ａ上にアライメントマーク部形成用第２ハードマスク３２ｂを形成する（図３（Ｄ））。下層ハードマスク材料層３１のエッチングは、ドライエッチング、ウエットエッチング等を適宜選択することができる。ドライエッチングの場合、下層ハードマスク材料層３１の材質、エッチング選択比（下層ハードマスク材料層３１のエッチング速度／第１ハードマスク３４ｂのエッチング速度）等を考慮して、例えば、塩素系ガスと酸素との混合ガス等を使用することができる。
【００２０】
（アライメントマーク部形成工程）
次に、アライメントマーク部形成工程において、アライメントマーク部形成用第２ハードマスク３２ｂを介して基材１１をエッチングすることにより、アライメントマーク部領域Ｂにアライメントマーク部１７を形成し（図４（Ａ））、その後、アライメントマーク部形成用第２ハードマスク３２ｂを除去する（図４（Ｂ））。基材１１のエッチングは、ドライエッチング、ウエットエッチング等を適宜選択することができる。ドライエッチングの場合、基材１１の材質、エッチング選択比（基材１１のエッチング速度／第２ハードマスク３２ｂのエッチング速度）等を考慮して、例えば、フッ素系ガス等を使用することができる。このように形成したアライメントマーク部１７は、凹部１８と、この凹部１８の間に位置する凸部１９を有する凹凸構造である。
【００２１】
尚、図示例では、アライメントマーク部形成用第２ハードマスク３２ｂを介した基材１１のエッチングにより所望のアライメントマーク部１７が形成された段階で第２ハードマスク３２ｂが残存しているので、これを除去する工程（図４（Ｂ））を要しているが、所望のアライメントマーク部１７が形成されると同時に第２ハードマスク３２ｂが消滅していれば、第２ハードマスク３２ｂを除去する工程は不要である。
本実施形態では、このアライメントマーク部形成工程において、所望のアライメントマーク部１７を形成した後、更に基材１１を所望の深さまでエッチングする（図４（Ｃ））。このような基材１１のエッチングにより、アライメントマーク部領域Ｂに形成されたアライメントマーク部１７が凹部１８と凸部１９の形状を略維持した状態で、基材１１の深さ方向（図４（Ｃ）に矢印ａで示す方向）に掘り下げられる。これにより、基材１１の表面、図示例では、凸構造部１３の表面１３ａを含む平面（図４（Ｃ）に２点鎖線で示している）に対して、アライメントマーク部１７を構成する凸部１９の頂部１９ａを含む平面（図４（Ｃ）に鎖線で示している）が、基材１１の深さ方向に距離Ｌ離間した状態となる。このような距離Ｌは、上記のように、例えば、２０ｎｍ〜５μｍの範囲で適宜設定することができる。
【００２２】
（第３のハードマスク形成工程）
次いで、第３のハードマスク形成工程にて、保護層３６を除去し（図４（Ｄ））、その後、メインパターン部形成用第１ハードマスク３４ａを介して、メインパターン部領域Ａに位置する下層ハードマスク材料層３１をエッチングすることにより、基材１１の凸構造部１３の表面１３ａ上にメインパターン部形成用第２ハードマスク３２ａを形成する（図５（Ａ））。
本発明では、この段階で基材１１にメインパターン部が形成されておらず、メインパターン部の微細な凹部内に保護層３６を構成する材料が充填されている状態とはなり得ない。したがって、保護層３６の除去は容易であり、保護層３６の除去不良による欠陥発生が防止される。また、下層ハードマスク材料層３１上に保護層３６を形成しており、基材１１上に直接保護層３６が接することがないので、基材１１上に保護層３６の残渣が存在することによる欠陥発生が防止される。
下層ハードマスク材料層３１のエッチングは、ドライエッチング、ウエットエッチング等を適宜選択することができる。ドライエッチングの場合、下層ハードマスク材料層３１の材質、エッチング選択比（下層ハードマスク材料層３１のエッチング速度／第１ハードマスク３４ａのエッチング速度）等を考慮して、例えば、塩素系ガスと酸素との混合ガス等を使用することができる。
【００２３】
（メインパターン部形成工程）
次に、メインパターン部形成工程において、メインパターン部形成用第２ハードマスク３２ａを介して基材１１をエッチングして、メインパターン部領域Ａにメインパターン部１５を形成し（図５（Ｂ））、その後、メインパターン部形成用第２ハードマスク３２ａを除去して、インプリント用モールド１を作製する（図５（Ｃ））。基材１１のエッチングは、ドライエッチング、ウエットエッチング等を適宜選択することができる。ドライエッチングの場合、基材１１の材質、エッチング選択比（基材１１のエッチング速度／第２ハードマスク３２ａのエッチング速度）等を考慮して、例えば、フッ素系ガス等を使用することができる。このように形成したメインパターン部１４は、凹部１５と、この凹部１５の間に位置する凸部１６を有する凹凸構造である。そして、このような基材１１のエッチングによるメインパターン部１４の形成に伴って、基材１１のアライメントマーク部領域Ｂもエッチングされ、既に形成されているアライメントマーク部１７が凹部１８と凸部１９の形状を略維持した状態で、基材１１の深さ方向（図５（Ｂ）に矢印ａで示す方向）に掘り下げられる。したがって、メインパターン部１４を構成する凹部１５の底部１５ｂを含む平面（図５（Ｂ）に２点鎖線で示している）に対して、アライメントマーク部１７を構成する凸部１９の頂部１９ａを含む平面（図５（Ｂ）に鎖線で示している）が、基材１１の深さ方向（図５（Ｂ）に矢印ａで示す方向）に距離Ｌ離間した状態となる。
尚、図示例では、メインパターン部形成用第２ハードマスク３２ａを介した基材１１のエッチングにより所望のメインパターン部１４が形成された段階でも第２ハードマスク３２ａが残存しているので、これを除去する工程を要しているが、所望のメインパターン部１４が形成されると同時に第２ハードマスク３２ａが消滅していれば、第２ハードマスク３２ａを除去する工程は不要である。
【００２４】
［モールド製造方法の第２の実施形態］
図６〜図７は本発明のインプリント用モールドの製造方法の他の実施形態を説明するための工程図であり、上述のインプリント用モールド１の製造を例としている。
（ハードマスク形成工程）
まず、モールド製造用の基材１１の一の面、上述のインプリント用モールド１では、凸構造部１３の表面１３ａにメインパターン部領域Ａとアライメントマーク部領域Ｂとを設定し、この表面１３ａ上にハードマスク材料層４０を設け、このハードマスク材料層４０上にレジストパターン４３を形成する（図６（Ａ））。
インプリント用モールド１を製造するための基材１１は、上述の第１の実施形態と同様とすることができる。
【００２５】
ハードマスク材料層４０は、基材１１をエッチングする際にエッチングマスクとして機能するようなエッチング耐性を備えたものとし、また、このようなエッチング耐性を備えた２種以上のハードマスク材料層からなる積層であってもよい。例えば、基材１１の材質が石英ガラスである場合、ハードマスク材料層４０を窒化クロム等のクロム系化合物で形成することができる。ハードマスク材料層４０の厚みは、使用する材料が具備するエッチング耐性により適宜設定することができ、例えば、基材１１の材質が石英ガラスである上記の例では、クロム系化合物からなるハードマスク材料層４０の厚みは２〜１００ｎｍ程度とすることができる。このような少なくとも１層からなるハードマスク材料層４０は、スパッタリング法等の公知の成膜方法により形成することができる。
ハードマスク材料層４０上に形成されたレジストパターン４３は、後述するように、メインパターン部形成用ハードマスク４１ａを形成するためのレジストパターン４３ａと、アライメントマーク部形成用ハードマスク４１ｂを形成するためのレジストパターン４３ｂを有している。このレジストパターン４３の形成方法は特に制限がなく、ハードマスク材料層４０のエッチングにおいてエッチング耐性を発現するレジスト材料を使用して形成することができる。例えば、インプリント方法を用いた形成方法、電子線リソグラフィー法やフォトリソグラフィー法を用いた形成方法等、適宜選択して用いることができる。
【００２６】
次に、上記のように形成したレジストパターン４３を介してハードマスク材料層４０をエッチングすることにより、基材１１の凸構造部１３の表面１３ａ上にメインパターン部形成用ハードマスク４１ａとアライメントマーク部形成用ハードマスク４１ｂを含むハードマスク４１を形成する（図６（Ｂ））。ハードマスク材料層４０のエッチングは、ドライエッチング、ウエットエッチング等を適宜選択することができる。ドライエッチングの場合、ハードマスク材料層４０の材質、エッチング選択比（ハードマスク材料層４０のエッチング速度／レジストパターン４３のエッチング速度）等を考慮して、例えば、塩素系ガスと酸素との混合ガス等を使用することができる。
【００２７】
（保護層形成工程）
次いで、保護層形成工程にて、アライメントマーク部形成用ハードマスク４１ｂを含むアライメントマーク部領域Ｂの所望の領域を露出させ、かつ、メインパターン部領域Ａを被覆するように基材１１上に保護層４４を形成する（図６（Ｃ））。これにより、メインパターン部形成用ハードマスク４１ａは保護層４４で被覆された状態となる。
保護層４４は、後工程における基材１１のエッチングにおいてエッチング耐性を発現するレジスト材料を使用して形成することができる。この保護層４４の形成では、所望の電子線感応型レジスト、感光性レジスト等を使用したリソグラフィー工程、インプリント工程を採用することができる。これは、上述のように、ハードマスク材料層４０の厚みが２〜１００ｎｍ程度の範囲であり、上記のように形成したメインパターン部形成用ハードマスク４１ａの幅が数十ｎｍの微細なものであっても、ハードマスク材料層４０の厚みを適宜設定することにより、アスペクト比（ハードマスク４１ａの幅に対する高さの比）を１未満とすることができる。したがって、リソグラフィー工程における塗布工程、現像工程、リンス工程、乾燥工程等や、インプリント工程における押印工程、離型工程、残膜除去工程等において作用する外力によるハードマスク４１ａの倒れ、破損、剥がれ等の発生が防止されるからである。
【００２８】
形成する保護層４４の厚みは、使用するレジスト材料が具備するエッチング耐性により適宜設定することができる。本実施形態では、後述のアライメントマーク部形成工程において、所望のアライメントマーク部１７を形成した後、更に基材１１を所望の深さまでエッチングして、アライメントマーク部１７を基材１１の深さ方向に掘り下げるので、このエッチングが完了するまで残存するように保護層４４の厚みを設定する。このような保護層４４の厚みとしては、例えば、２０〜１０００ｎｍ程度の範囲で適宜設定することができる。
【００２９】
（アライメントマーク部形成工程）
次に、アライメントマーク部形成工程において、アライメントマーク部形成用ハードマスク４１ｂを介して基材１１をエッチングすることにより、アライメントマーク部領域Ｂにアライメントマーク部１７を形成する（図６（Ｄ））。基材１１のエッチングは、ドライエッチング、ウエットエッチング等を適宜選択することができる。ドライエッチングの場合、基材１１の材質、エッチング選択比（基材１１のエッチング速度／ハードマスク４１ｂのエッチング速度）等を考慮して、例えば、フッ素系ガス等を使用することができる。このように形成したアライメントマーク部１７は、凹部１８と、この凹部１８の間に位置する凸部１９を有する凹凸構造である。
【００３０】
本実施形態では、このアライメントマーク部形成工程において、所望のアライメントマーク部１７を形成した後、更に基材１１を所望の深さまでエッチングする（図７（Ａ））。このような基材１１のエッチングにより、アライメントマーク部領域Ｂに形成されたアライメントマーク部１７が凹部１８と凸部１９の形状を略維持した状態で、基材１１の深さ方向（図７（Ａ）に矢印ａで示す方向）に掘り下げられる。これにより、基材１１の表面、すなわち、凸構造部１３の表面１３ａを含む平面（図７（Ａ）に２点鎖線で示している）に対して、アライメントマーク部１７を構成する凸部１９の頂部１９ａを含む平面（図７（Ａ）に鎖線で示している）が、基材１１の深さ方向に距離Ｌ離間した状態となる。このような距離Ｌは、上記のように、例えば、２０ｎｍ〜５μｍの範囲で適宜設定することができる。
尚、図６（Ｄ）に示すように、アライメントマーク部形成用ハードマスク４１ｂを介した基材１１のエッチングにより所望のアライメントマーク部１７が形成された段階でハードマスク４１ｂが残存している場合、これを除去した後に、基材１１のエッチングによるアライメントマーク部１７の掘り下げを行う。
【００３１】
（メインパターン部形成工程）
次に、メインパターン部形成工程において、保護層４４を除去し（図７（Ｂ））、その後、メインパターン部形成用ハードマスク４１ａを介して基材１１をエッチングして、メインパターン部領域Ａにメインパターン部１５を形成する（図７（Ｃ））。次いで、メインパターン部形成用ハードマスク４１ａを除去して、インプリント用モールド１を作製する（図７（Ｄ））。
本発明では、保護層４４を除去する段階で、基材１１にはメインパターン部が形成されておらず、メインパターン部の微細な凹部内に保護層４４を構成する材料が充填されている状態とはなり得ない。したがって、保護層４４の除去は容易であり、保護層４４の除去不良による欠陥発生が防止される。
【００３２】
基材１１のエッチングは、ドライエッチング、ウエットエッチング等を適宜選択することができる。ドライエッチングの場合、基材１１の材質、エッチング選択比（基材１１のエッチング速度／ハードマスク４１ａのエッチング速度）等を考慮して、例えば、フッ素系ガス等を使用することができる。このように形成したメインパターン部１４は、凹部１５と、この凹部１５の間に位置する凸部１６を有する凹凸構造である。そして、このような基材１１のエッチングによるメインパターン部１４の形成に伴って、基材１１のアライメントマーク部領域Ｂもエッチングされ、既に形成されているアライメントマーク部１７が凹部１８と凸部１９の形状を略維持した状態で、基材１１の深さ方向（図７（Ｃ）に矢印ａで示す方向）に掘り下げられる。したがって、メインパターン部１４を構成する凹部１５の底部１５ｂを含む平面（図７（Ｃ）に２点鎖線で示している）に対して、アライメントマーク部１７を構成する凸部１９の頂部１９ａを含む平面（図７（Ｃ）に鎖線で示している）が、基材１１の深さ方向に距離Ｌ離間した状態となる。
尚、図示例では、メインパターン部形成用ハードマスク４１ａを介した基材１１のエッチングにより所望のメインパターン部１４が形成された段階でもハードマスク４１ａが残存しているので、これを除去する工程を要しているが、所望のメインパターン部１４が形成されると同時にハードマスク４１ａが消滅していれば、ハードマスク４１ａを除去する工程は不要である。
【００３３】
図８は、本発明のインプリント用モールドの製造方法により製造されるインプリント用モールドの他の例を示す拡大部分断面図であり、図２に相当する図である。図８において、インプリント用モールド２は、基部１２の表面１２ａに位置する凸構造部１３を有する、いわゆるメサ構造の基材１１と、この基材１１の一の面、図示例では、凸構造部１３の表面１３ａに設定されたメインパターン部領域Ａに位置するメインパターン部１４と、アライメントマーク部領域Ｂに位置するアライメントマーク部１７と、を有している。
このインプリント用モールド２は、メインパターン部１４を構成する凹部１５の底部１５ｂを含む平面と、アライメントマーク部１７を構成する凸部１９の頂部１９ａを含む平面（図８に鎖線で示している）とが同一位置に存在している点で、上述のインプリント用モールド１と相違している。
【００３４】
上記のようなインプリント用モールド２は、以下のようにして本発明のモールド製造方法により製造することができる。すなわち、上述のモールド製造方法の第１の実施形態では、アライメントマーク部形成工程において、アライメントマーク部形成用第２ハードマスク３２ｂを介した基材１１のエッチングにより所望のアライメントマーク部１７を形成し（図４（Ａ）、図４（Ｂ）参照）、その後、基材１１を更にエッチングすることなく、第３のハードマスク形成工程に移ることにより、インプリント用モールド２を製造することができる。また、上述のモールド製造方法の第２の実施形態では、アライメントマーク部形成工程において、アライメントマーク部形成用ハードマスク４１ｂを介した基材１１のエッチングにより所望のアライメントマーク部１７を形成し（図６（Ｄ）参照）、その後、基材１１を更にエッチングすることなく、メインパターン部形成工程に移ることにより、インプリント用モールド２を製造することができる。
【００３５】
図９は、本発明のインプリント用モールドの製造方法により製造されるインプリント用モールドの他の例を示す側面図であり、図１０は図９にて鎖線の円で囲まれる部位の拡大部分断面図である。図９および図１０において、インプリント用モールド３は、基部１２の表面１２ａに位置する凸構造部１３を有する、いわゆるメサ構造の基材１１と、この基材１１の凸構造部１３の表面１３ａに設定されたメインパターン部領域Ａに位置するメインパターン部１４と、基材１１の基部１２の表面１２ａに設定されたアライメントマーク部領域Ｂに位置するアライメントマーク部１７と、を有している。
このインプリント用モールド３では、メインパターン部１４は、凹部１５と、この凹部１５の間に位置する凸部１６を有する凹凸構造である。また、アライメントマーク部１７は、凹部１８と、この凹部１８の間に位置する凸部１９を有する凹凸構造である。そして、メインパターン部１４を構成する凹部１５の底部１５ｂを含む平面（図１０に２点鎖線で示している）に対して、基部１２の表面１２ａに設定されたアライメントマーク部領域Ｂに位置するアライメントマーク部１７を構成する凸部１９の頂部１９ａを含む平面（図１０に鎖線で示している）は、メインパターン部１４を構成する凹部１５の深さ方向（図１０に矢印ａで示す方向）に大きく離間して存在しており、両平面の距離Ｌは、メサ構造をなす凸構造部１３が基部１２の表面１２ａから突出している高さに略等しいものであり、例えば、５〜５０μｍの範囲で適宜設定される。
【００３６】
このようなインプリント用モールド３は、インプリント時にアライメントマーク部１７への被成形樹脂材料の接触が防止され、これにより、アライメントマーク部１７の凹部１８内への被成形樹脂材料の充填が防止され、転写基板との位置合わせを高い精度で行うことができる。
上記のようなインプリント用モールド３は、メサ構造ではない平板形状の基材１１を使用し、以下のようにして本発明のモールド製造方法により製造することができる。すなわち、上述のモールド製造方法の第１の実施形態では、アライメントマーク部形成工程において、アライメントマーク部形成用第２ハードマスク３２ｂを介した基材１１のエッチングにより所望のアライメントマーク部１７を形成する（図４（Ａ）、図４（Ｂ）参照）。次に、その状態から所望の高さの凸構造部１３が形成されるまで基材１１を更にエッチングして掘り下げる。その後、上述の第１の実施形態と同様に、第３のハードマスク形成工程に移ることにより、インプリント用モールド３を製造することができる。また、上述のモールド製造方法の第２の実施形態では、アライメントマーク部形成工程において、アライメントマーク部形成用ハードマスク４１ｂを介した基材１１のエッチングにより所望のアライメントマーク部１７を形成する（図６（Ｄ）参照）。次に、その状態から所望の高さの凸構造部１３が形成されるまで基材１１を更にエッチングして掘り下げる。その後、上述の第２の実施形態と同様に、メインパターン部形成工程に移ることにより、インプリント用モールド３を製造することができる。
上述のインプリント用モールドの製造方法の実施形態は例示であり、本発明は当該実施形態に限定されるものではない。例えば、上述の実施形態では、メサ構造の基材を有するモールドと、その製造例であるが、基材がメサ構造を有していないモールドであってもよく、また、このようなモールドの製造においても、本発明が適用可能である。
【００３７】
また、保護層形成工程を下記のように行ってもよい。すなわち、上述のモールド製造方法の第１の実施形態と同様に、第１のハードマスク形成工程にて、下層ハードマスク材料層３１上にメインパターン部形成用第１ハードマスク３４ａとアライメントマーク部形成用第１ハードマスク３４ｂを含む第１ハードマスク３４を形成する（図１１（Ａ）参照）。次に、保護層形成工程では、メインパターン部領域Ａを被覆するように下層ハードマスク材料層３１上に保護層３６を形成するとともに、アライメントマーク部形成用第１ハードマスク３４ｂを含むアライメントマーク部領域Ｂの所望の領域を露出させ、その他のアライメントマーク部領域Ｂには保護層３６′を形成する（図１１（Ｂ））。次いで、上述のモールド製造方法の第１の実施形態と同様に、第２のハードマスク形成工程において、アライメントマーク部形成用第１ハードマスク３４ｂを介して下層ハードマスク材料層３１をエッチングすることにより、アライメントマーク部形成用第２ハードマスク３２ｂを形成する。次に、アライメントマーク部形成工程において、アライメントマーク部形成用第２ハードマスク３２ｂを介して基材１１をエッチングすることにより、アライメントマーク部領域Ｂの所望の領域にアライメントマーク部１７を形成し（図１１（Ｃ））、更に基材１１を所望の深さまでエッチングする（図１２（Ａ））。その後、上述の第１の実施形態と同様に、第３のハードマスク形成工程、メインパターン部形成工程に移ることにより、アライメントマーク部領域Ｂの所望の領域にアライメントマーク部１７を備えたインプリント用モールド４を製造することができる（図１２（Ｂ））。このようなアライメントマーク部領域Ｂへの保護層の形成は、上述のモールド製造方法の第２の実施形態にも適用することができる。
【実施例】
【００３８】
次に、実施例を挙げて本発明を更に詳細に説明する。
［実施例１］
厚み６．３５ｍｍの石英ガラス（１５２ｍｍ角）をモールド用の基材として準備した。この基材の一方の面の中央にメインパターン部領域（２６ｍｍ×３３ｍｍ）を設定し、メインパターン部領域の外側に隣接させて幅２００μｍの枠状のアライメントマーク部領域を設定した。
次に、基材の一方の面の全域にスパッタリング法により下層ハードマスク材料層としての窒化クロム薄膜（厚み５ｎｍ）を成膜し、さらに、スパッタリング法により上層ハードマスク材料層としての酸化シリコン薄膜（厚み５ｎｍ）を積層して、２層構造のハードマスク材料層を形成した。
次いで、このハードマスク材料層上に市販の電子線感応型のレジストを塗布し、基材を市販の電子線描画装置内のステージ上に、基材の他方の面がステージと対向するように配置した。そして、基材の中央に設定したメインパターン部領域に位置するレジスト、および、メインパターン部領域の外側に設定したアライメントマーク部領域に位置するレジストに電子線を照射した。これにより、メインパターン部領域に位置するレジストにライン／スペース（３０ｎｍ／３０ｎｍ）のパターン潜像を形成するとともに、アライメントマーク部領域に位置するレジストにライン／スペース形状のアライメントマーク用のパターン潜像を形成した。その後、レジストを現像してレジストパターン（厚み６０ｎｍ）を形成した（図３（Ａ）参照）。
【００３９】
次に、このレジストパターンをエッチングマスクとしてＣＦ4ガスを用いたドライエッチングにより、上層ハードマスク材料層である酸化シリコン薄膜をエッチングした。これにより、下層ハードマスク材料層である窒化クロム薄膜上に、メインパターン部形成用第１ハードマスクと、アライメントマーク部形成用第１ハードマスクを形成した（図３（Ｂ）参照）。
次に、上記のように形成したハードマスクを被覆するように上記と同じ電子線感応型のレジストを塗布し、上記の電子線描画装置を用いてレジストに電子線を照射し、現像した。これにより、メインパターン部形成用第１ハードマスクを被覆する保護層（厚み３００ｎｍ）をメインパターン部領域に形成した（図３（Ｃ）参照）。
【００４０】
次に、保護層で被覆されずに露出しているアライメントマーク部形成用第１ハードマスクをエッチングマスクとして酸素と塩素との混合ガスを用いたドライエッチングにより、下層ハードマスク材料層である窒化クロム薄膜をエッチングした。これにより、基材のアライメントマーク部領域にアライメントマーク部形成用第２ハードマスクを形成した（図３（Ｄ）参照）。次いで、アライメントマーク部形成用第２ハードマスクをエッチングマスクとしてＣＦ4ガスを用いたドライエッチングにより、基材を深さ１００ｎｍまでエッチングした。これにより、凹部の深さが１００ｎｍ、幅が２μｍであるアライメントマーク部を形成した（図４（Ａ）参照）。そして、残存するアライメントマーク部形成用第２ハードマスクを塩素と酸素の混合ガスを用いたドライエッチングにより除去し（図４（Ｂ）参照）、その後、ＣＦ4ガスを用いたドライエッチングにより基材を更にエッチングして、アライメントマーク部を１００ｎｍ（図４（Ｃ）の距離Ｌに相当）掘り下げた。
【００４１】
次いで、保護層を硫酸過水洗浄により除去し（図４（Ｄ）参照）、露出されたメインパターン部形成用第１ハードマスクをエッチングマスクとして酸素と塩素との混合ガスを用いたドライエッチングにより、下層ハードマスク材料層である窒化クロム薄膜をエッチングした。これにより、基材のメインパターン部領域にメインパターン部形成用第２ハードマスクを形成した（図５（Ａ）参照）。次いで、メインパターン部形成用第２ハードマスクをエッチングマスクとしてＣＦ4ガスを用いたドライエッチングにより、基材を深さ６０ｎｍまでエッチングした。これにより、凹部の深さが６０ｎｍ、幅が３０ｎｍであるメインパターン部を形成した（図５（Ｂ）参照）。そして、残存するメインパターン部形成用第２ハードマスクを硝酸第２セリウムアンモニウム水溶液を用いたウエットエッチングにより除去し、硫酸過水洗浄を行って、インプリント用モールドを得た（図５（Ｃ）参照）。
このように作製したインプリント用モールドのメインパターン部に位置するライン／スペースの凹凸構造を電子顕微鏡で観察したところ、倒れ、滑り、剥離等の欠陥は見られなかった。
【００４２】
［実施例２］
実施例１と同様の基材を準備し、実施例１と同様に、メインパターン部領域とアライメントマーク部領域を設定した。
次に、基材の一方の面の全域にスパッタリング法により窒化クロム薄膜（厚み１０ｎｍ）を成膜してハードマスク材料層とした。
次いで、このハードマスク材料層上に実施例１と同様の電子線感応型のレジストを塗布し、実施例１と同様に電子線を照射して、メインパターン部領域に位置するレジストにライン／スペースのパターン潜像を形成するとともに、アライメントマーク部領域に位置するレジストにライン／スペース形状のアライメントマーク用のパターン潜像を形成した。その後、レジストを現像してレジストパターン（厚み６０ｎｍ）を形成した（図６（Ａ）参照）。
【００４３】
次に、このレジストパターンをエッチングマスクとして酸素と塩素との混合ガスを用いたドライエッチングにより、ハードマスク材料層である窒化クロム薄膜をエッチングした。これにより、基材のメインパターン部領域にメインパターン部形成用ハードマスクを形成し、基材のアライメントマーク部領域にアライメントマーク部形成用ハードマスクを形成した（図６（Ｂ）参照）。
次に、上記のように形成したハードマスクを被覆するように感光性のレジストを塗布し、レーザー描画装置を用いてレジストにレーザーを照射し、現像した。これにより、メインパターン部形成用ハードマスクを被覆する保護層（厚み３００ｎｍ）をメインパターン部領域に形成した（図６（Ｃ）参照）。
次いで、保護層で被覆されずに露出しているアライメントマーク部形成用ハードマスクをエッチングマスクとしてＣＦ4ガスを用いたドライエッチングにより、基材を深さ１００ｎｍまでエッチングした。これにより、凹部の深さが１００ｎｍ、幅が２μｍであるアライメントマーク部を形成した（図６（Ｄ）参照）。そして、残存するアライメントマーク部形成用ハードマスクを塩素と酸素の混合ガスを用いたドライエッチングにより除去し、その後、ＣＦ4ガスを用いたドライエッチングにより基材を更にエッチングして、アライメントマーク部を１００ｎｍ（図７（Ａ）の距離Ｌに相当）掘り下げた。
【００４４】
次に、保護層を硫酸過水洗浄により除去し（図７（Ｂ）参照）、露出されたメインパターン部形成用ハードマスクをエッチングマスクとしてＣＦ4ガスを用いたドライエッチングにより、基材を深さ６０ｎｍまでエッチングした。これにより、凹部の深さが６０ｎｍ、幅が３０ｎｍであるメインパターン部を形成した（図７（Ｃ）参照）。そして、残存するメインパターン部形成用ハードマスクを硝酸第２セリウムアンモニウム水溶液を用いたウエットエッチングにより除去し、硫酸過水洗浄を行って、インプリント用モールドを得た（図７（Ｄ）参照）。
このように作製したインプリント用モールドのメインパターン部に位置するライン／スペースの凹凸構造を電子顕微鏡で観察したところ、倒れ、滑り、剥離等の欠陥は見られなかった。
【００４５】
［比較例］
実施例２と同様にして、基材のメインパターン部領域にメインパターン部形成用ハードマスクを形成し、基材のアライメントマーク部領域にアライメントマーク部形成用ハードマスクを形成した（図６（Ｂ）参照）。
次に、メインパターン部形成用ハードマスクとアライメントマーク部形成用ハードマスクをエッチングマスクとしてＣＦ4ガスを用いたドライエッチングにより、基材を深さ６０ｎｍまでエッチングした。その後、残存するメインパターン部形成用ハードマスクとアライメントマーク部形成用ハードマスクを、硝酸第２セリウムアンモニウム水溶液を用いたウエットエッチングにより除去した。これにより、凹部の深さが６０ｎｍ、幅が３０ｎｍであるメインパターン部と、凹部の深さが６０ｎｍ、幅が２μｍであるアライメントマーク部とを形成した。
【００４６】
次いで、実施例２と同様の感光性のレジストを塗布し、実施例２と同様に、レーザー描画装置を用いてレジストにレーザーを照射し、現像した。これにより、メインパターン部を被覆する保護層（厚み３００ｎｍ）をメインパターン部領域に形成した。
次いで、保護層で被覆されずに露出している基材をＣＦ4ガスを用いたドライエッチングによりエッチングして、アライメントマーク部を１００ｎｍ掘り下げた。
次に、保護層を硫酸過水洗浄により除去して、インプリント用モールドを得た。
このように作製したインプリント用モールドのメインパターン部に位置するライン／スペースの凹凸構造を電子顕微鏡で観察したところ、倒れ、滑り、剥離等の欠陥発生が確認された。
【産業上の利用可能性】
【００４７】
インプリント方法を用いた種々の微細加工を要する分野に利用可能であり、例えば、半導体集積回路を備える電子部品や高密度記録媒体の製造、光学部品等の製造に適用することができる。
【符号の説明】
【００４８】
１，２，３，４…インプリント用モールド
１１…基材
１２…基部
１３…凸構造部
１４…メインパターン部
１５…凹部
１５ｂ…凹部の底部
１７…アライメントマーク部
１９…凸部
１９ａ…凸部の頂部
３０…ハードマスク材料層
３１…下層ハードマスク材料層
３３…上層ハードマスク材料層
３２ａ…メインパターン形成用第２ハードマスク
３２ｂ…アライメントマーク部形成用第２ハードマスク
３４ａ…メインパターン形成用第１ハードマスク
３４ｂ…アライメントマーク部形成用第１ハードマスク
３６，３６′…保護層
４０…ハードマスク材料層
４１ａ…メインパターン形成用ハードマスク
４１ｂ…アライメントマーク部形成用ハードマスク
４４…保護層
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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