(57)【要約】【課題】端面スルーホール導体における接続不足を回避して信頼性の高い部品搭載用パッケージを製造すること。【解決手段】セラミックパッケージ１０は、複数のセラミック絶縁層１５，１６と複数の導体層１８，１９とを積層して多層化した構造を有する基板本体２０と、基板本体２０の基板主面１２側に設けられ、水晶振動子１１が接続可能な部品接続端子２１と、基板本体２０の基板裏面１３上に設けられた外部接続端子２２とを備える。基板本体２０の基板側面１４は、レーザ分割溝６４に沿った基板分割の結果生じる。基板側面１４には、第１凹状領域２６と第２凹状領域２７とからなる側面凹部２５が形成される。第１凹状領域２６と第２凹状領域２７との境界に段差２８が形成され、第１凹状領域２６を避けて第２凹状領域２７を被覆するように端面スルーホール導体３０が設けられる。【選択図】図１
2015138812.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板主面、基板裏面及び基板側面を有する板状に形成されるとともに、複数の絶縁層と複数の導体層とを積層して多層化した構造を有する基板本体と、前記基板主面側に設けられ、電子部品が接続可能な部品接続端子と、前記基板裏面上に設けられた外部接続端子とを備え、前記基板本体の厚み方向に沿って、第１凹状領域と前記第１凹状領域に隣接する第２凹状領域とからなる側面凹部が前記基板側面に形成され、前記第１凹状領域と前記第２凹状領域との境界に段差が形成され、前記第１凹状領域を避けて前記第２凹状領域を被覆するように端面スルーホール導体が設けられ、多数個取りの手法により得られる部品搭載用パッケージの製造方法であって、
前記絶縁層となる絶縁材料を用いてシート状に形成された多数個取り用の絶縁シートを複数枚準備するシート準備工程と、
前記絶縁シートとしての第１の絶縁シートに第１貫通孔を形成するとともに、前記絶縁シートとしての第２の絶縁シートに前記第１貫通孔よりも開口面積が大きい第２貫通孔を形成する貫通孔形成工程と、
前記第２貫通孔の内面を覆うように前記端面スルーホール導体となるべき貫通導体を形成するとともに、前記第１の絶縁シート及び前記第２の絶縁シートのうち少なくとも前記第２の絶縁シートの表面上に前記導体層を形成する導体形成工程と、
前記第１貫通孔と前記第２貫通孔との中心位置を合わせるようにして前記第１の絶縁シート及び第２の絶縁シートを積層して、シート積層体を形成するシート積層工程と、
前記シート積層体に対してレーザ加工を施すことにより、線状のレーザ分割溝を前記第１貫通孔及び前記第２貫通孔の中心を通過するように形成する分割溝形成工程と、
前記シート積層体を前記レーザ分割溝に沿って分割して個片化するとともに、前記側面凹部及び前記端面スルーホール導体を有する前記基板側面を出現させる分割工程と
を含むことを特徴とする部品搭載用パッケージの製造方法。
【請求項２】
前記絶縁層はセラミック絶縁層であり、前記導体層はメタライズ導体層であり、
前記シート準備工程で準備される前記第１の絶縁シート及び前記第２の絶縁シートは、焼成前のセラミック材料を用いてシート状に形成された第１の未焼成セラミックシート及び第２の未焼成セラミックシートであり、
前記導体形成工程において、前記第２の未焼成セラミックシートにおける前記第２貫通孔内に、前記端面スルーホール導体となるべき未焼成貫通導体を形成するとともに、前記第１の未焼成セラミックシート及び前記第２の未焼成セラミックシートの表面に前記メタライズ導体層となるべき未焼成導体層を形成する
ことを特徴とする請求項１に記載の部品搭載用パッケージの製造方法。
【請求項３】
前記シート積層工程を経て得られた前記シート積層体を焼成してセラミック焼成体を得るセラミック焼成工程をさらに含み、
前記シート積層工程後かつ前記セラミック焼成工程の前に、前記分割溝形成工程を行うようにした
ことを特徴とする請求項２に記載の部品搭載用パッケージの製造方法。
【請求項４】
前記シート積層工程を経て得られた前記シート積層体を焼成してセラミック焼成体を得るセラミック焼成工程をさらに含み、
前記セラミック焼成工程後に前記分割溝形成工程を行うようにした
ことを特徴とする請求項２に記載の部品搭載用パッケージの製造方法。
【請求項５】
前記導体形成工程では、前記部品接続端子となるべき前記未焼成導体層を形成するとともに、前記部品接続端子と前記端面スルーホール導体とを電気的に接続する配線用のメタライズ導体層となるべき前記未焼成導体層を形成し、
前記セラミック焼成工程後において、前記端面スルーホール導体となるべきメタライズ導体層及び前記配線用のメタライズ導体層を介して前記部品接続端子のメタライズ導体層に電流を供給し、電解めっきにより前記部品接続端子のメタライズ導体層上にめっき層を形成するメタライズめっき工程を行う
ことを特徴とする請求項３または４に記載の部品搭載用パッケージの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、基板主面、基板裏面及び基板側面を有する板状に形成されるとともに、複数の絶縁層と複数の導体層とを積層して多層化した構造を有する基板本体の基板側面に端面スルーホール導体が形成された部品搭載用パッケージの製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来、水晶振動子、水晶発振器、水晶フィルタなどの電子部品を収容するための小型のセラミックパッケージが各種提案されている（例えば、特許文献１等参照）。図２０には、従来のセラミックパッケージ８０の一例を示している。セラミックパッケージ８０は、複数のセラミック絶縁層８１，８２（セラミック焼結層）からなる多層構造を有しており、その上面にて開口するキャビティ８３が設けられている。キャビティ８３の一部（例えば、底面）に、電子部品と接続するための部品接続端子８４が設けられている。さらに、セラミックパッケージ８０には、外部基板に接続するための外部接続端子８５、スルーホール導体８６、端面スルーホール導体（キャスタレーション）８７、内層の配線パターン８８（導体層）、シール用の導体層８９などが形成されている。
【０００３】
セラミックパッケージ８０において、端面スルーホール導体８７は４つのコーナー部にそれぞれ形成されている。より詳しくは、セラミックパッケージ８０の各コーナー部の側面には、四半円弧状に凹んだ側面凹部９０が設けられている。そして、側面凹部９０の下側領域９１（下層側のセラミック絶縁層８２に対応する領域）に端面スルーホール導体８７が形成されている。そして、端面スルーホール導体８７は、内層の配線パターン８８やスルーホール導体８６を介して部品接続端子８４やシール用の導体層８９に接続されている。
【０００４】
ここで、図２０に示す従来のセラミックパッケージ８０の製造方法を例示する。なお、セラミックパッケージ８０は、多数個取りの手法で製造される。すなわち、製品領域が平面方向に沿って縦横に複数配列された大判のパッケージを製造しそれを分割することで、個々のパッケージ８０を得ている。
【０００５】
具体的には、まず、セラミック材料からなるセラミックグリーンシートに対して従来周知のパンチング（打ち抜き）加工を施すことによって、スルーホール導体８６用の貫通孔や端面スルーホール導体８７用の貫通孔等を形成する。なおここでは、端面スルーホール導体８７用の貫通孔として、上層側のセラミック絶縁層８１となるグリーンシートと下層側のセラミック絶縁層８２となるグリーンシートとで同じサイズの貫通孔が形成される。次に、導電性ペーストを貫通孔の壁面に印刷した後、セラミックグリーンシートの表面に、形成すべき回路配線に応じた所定パターンとなるように導電性ペーストを印刷形成する。そして、セラミックグリーンシートに対して従来周知のパンチング加工を施すことによって、キャビティ８３用の貫通孔を形成する。
【０００６】
その後、複数のセラミックグリーンシートを積層し、従来周知のラミネート装置を用いて厚さ方向に所定の荷重を加えることにより、これらを圧着、一体化してセラミックグリーンシート積層体を形成する。ここでは、各セラミックグリーンシートにおける端面スルーホール導体８７用の貫通孔の位置合わせを行い、それら貫通孔が上下に重なるようにして積層する。
【０００７】
そして、レーザ加工装置を用いてレーザを照射してセラミックグリーンシート積層体に溝入れ加工を行い、個々の製品領域に分割するための複数のレーザ分割溝を形成する。このとき、端面スルーホール導体８７用の貫通孔９３の中心にてレーザ分割溝９４が交差するように加工する（図２１参照）。その後、この積層体をアルミナが焼結しうる所定の温度に加熱する焼成工程を行う。この焼成を経ると、各セラミックグリーンシート及び導電性ペーストが焼結して、大判のセラミックパッケージが得られる。このパッケージにおける各々の製品領域には、部品接続端子８４、外部接続端子８５、スルーホール導体８６、端面スルーホール導体８７、内層の配線パターン８８、導体層８９等となるメタライズ導体層が形成される。
【０００８】
そして、それら内層の配線パターン８８、スルーホール導体８６及び端面スルーホール導体８７等のメタライズ導体層を利用して部品接続端子８４や導体層８９等のメタライズ導体層に電流を供給し、電解ニッケルめっきや電解金めっきにより部品接続端子８４や導体層８９等のメタライズ導体層上にめっき層を形成する。さらに、大判のセラミックパッケージをレーザ分割溝９４に沿って分割することで、複数のセラミックパッケージ８０が同時に得られる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００９】
【特許文献１】特開２０１０−７３７１１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１０】
ところが、上記のようにレーザ加工によって分割溝９４を形成する場合、各セラミックグリーンシートの積層ズレによって、部品接続端子８４等のメタライズ導体層上にめっき層を十分に形成できなくなることがある。具体的には、レーザ加工により分割溝９４を形成する際に、端面スルーホール導体８７となる導電性ペーストの一部が削られる。このため、図２２のように、例えば上層側のセラミックグリーンシートにおける貫通孔９３ａの中心に対して下層側のセラミックグリーンシートにおける貫通孔９３ｂの中心がずれた場合、上層側の貫通孔９３ａを基準にレーザ分割溝９４が形成されると、分割後における端面スルーホール導体８７の面積が不均一となる。図２２において、レーザ分割溝９４にて分割される４つの領域Ａ１〜Ａ４のうち、左上の領域Ａ１にある端面スルーホール導体８７の面積が最も小さくなる。この場合、面積の小さな端面スルーホール導体８７を介してめっき電流を十分に供給することができなくなり、部品接続端子８４等にめっきが付き難くなる。
【００１１】
また、セラミックグリーンシート積層体における各セラミックグリーンシートの界面には、配線パターン８８用の導電性ペースト９６が形成されている。具体的には、図２２及び図２３に示されるように、貫通孔９３ｂ内の導電性ペースト９５（端面スルーホール導体８７となる導電性ペースト）に繋がるようにその貫通孔９３ｂの周囲に配線パターン８８用の導電性ペースト９６が形成されている。このセラミックグリーンシート積層体において、上述したように各セラミックグリーンシートの積層ズレが生じる場合、貫通孔９３ａ内において配線パターン８８用の導電性ペースト９６が露出してしまう。この状態でレーザ加工が行われると、露出部分において配線パターン８８用の導電性ペースト９６が削られることで、端面スルーホール導体８７と部品接続端子８４との導通が遮断されてしまう場合がある。この場合には、電解めっき時において、部品接続端子８４のメタライズ導体層に電流が供給されず、その表面にめっき層を形成することができなくなる。
【００１２】
本発明は上記の課題に鑑みてなされたものであり、その目的は、端面スルーホール導体における接続不足を回避して、信頼性の高い部品搭載用パッケージを製造することができる部品搭載用パッケージの製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１３】
そして上記課題を解決するための手段（手段１）としては、基板主面、基板裏面及び基板側面を有する板状に形成されるとともに、複数の絶縁層と複数の導体層とを積層して多層化した構造を有する基板本体と、前記基板主面側に設けられ、電子部品が接続可能な部品接続端子と、前記基板裏面上に設けられた外部接続端子とを備え、前記基板本体の厚み方向に沿って、第１凹状領域と前記第１凹状領域に隣接する第２凹状領域とからなる側面凹部が前記基板側面に形成され、前記第１凹状領域と前記第２凹状領域との境界に段差が形成され、前記第１凹状領域を避けて前記第２凹状領域を被覆するように端面スルーホール導体が設けられ、多数個取りの手法により得られる部品搭載用パッケージの製造方法であって、前記絶縁層となる絶縁材料を用いてシート状に形成された多数個取り用の絶縁シートを複数枚準備するシート準備工程と、前記絶縁シートとしての第１の絶縁シートに第１貫通孔を形成するとともに、前記絶縁シートとしての第２の絶縁シートに前記第１貫通孔よりも開口面積が大きい第２貫通孔を形成する貫通孔形成工程と、前記第２貫通孔の内面を覆うように前記端面スルーホール導体となるべき貫通導体を形成するとともに、前記第１の絶縁シート及び前記第２の絶縁シートのうち少なくとも前記第２の絶縁シートの表面上に前記導体層を形成する導体形成工程と、前記第１貫通孔と前記第２貫通孔との中心位置を合わせるようにして前記第１の絶縁シート及び第２の絶縁シートを積層して、シート積層体を形成するシート積層工程と、前記シート積層体に対してレーザ加工を施すことにより、線状のレーザ分割溝を前記第１貫通孔及び前記第２貫通孔の中心を通過するように形成する分割溝形成工程と、前記シート積層体を前記レーザ分割溝に沿って分割して個片化するとともに、前記側面凹部及び前記端面スルーホール導体を有する前記基板側面を出現させる分割工程とを含むことを特徴とする部品搭載用パッケージの製造方法がある。
【００１４】
従って、手段１の発明によれば、分割工程において、レーザ分割溝に沿ってシート積層体を分割して個片化することで、部品搭載用パッケージが形成される。そして、その部品搭載用パッケージには、側面凹部及び端面スルーホール導体を有する基板側面が出現する。基板側面の側面凹部は、第１凹状領域と第１凹状領域に隣接する第２凹状領域とによって形成される。第１凹状領域は、開口面積が小さい第１貫通孔が分割されることにより形成され、第２凹状領域は、開口面積が大きい第２貫通孔が分割されることにより形成される。従って、第１凹状領域は凹部のサイズが小さく第２凹状領域は凹部のサイズが大きくなる。また、シート積層工程において、第１貫通孔及び第２貫通孔は中心位置の位置合わせが行われ、分割溝形成工程において、第１貫通孔及び第２貫通孔の中心を通過するように線状のレーザ分割溝が形成されている。従って、分割工程後に形成される第２凹状領域は第１凹状領域よりも凹んだ領域となり、それら第１凹状領域と第２凹状領域とによって段差を有する側面凹部が形成される。さらに、第２貫通孔内に形成された貫通導体が分割されることで、第１凹状領域を避けて第２凹状領域を被覆するように端面スルーホール導体が設けられる。本発明では、分割溝形成工程において、レーザ加工によって貫通導体の一部（レーザ分割溝に対応する部分）が削り取られた形で端面スルーホール導体が形成されるが、端面スルーホール導体はサイズの大きな第２凹状領域に形成されている。このため、シート積層工程において各絶縁シートの積層ズレが生じ、レーザ分割溝の形成位置が貫通孔の中心からずれた場合でも、端面スルーホール導体の面積を十分に確保することができる。この結果、端面スルーホール導体での接続不足が回避されるため、信頼性に優れた部品搭載用パッケージを製造することができる。
【００１５】
基板本体を構成する絶縁層はセラミック絶縁層であり、導体層はメタライズ導体層であってもよい。この場合、シート準備工程では、第１の絶縁シート及び第２の絶縁シートとして、焼成前のセラミック材料を用いてシート状に形成された第１の未焼成セラミックシート及び第２の未焼成セラミックシートが準備される。また、導体形成工程では、第２の未焼成セラミックシートにおける第２貫通孔内に、端面スルーホール導体となるべき未焼成貫通導体を形成するとともに、第１の未焼成セラミックシート及び第２の未焼成セラミックシートの表面にメタライズ導体層となるべき未焼成導体層を形成する。その後、上述したシート積層工程を行い、第１の未焼成セラミックシート及び第２の未焼成セラミックシートを積層したシート積層体を形成する。そして、シート積層体を焼成するセラミック焼成工程を行うことによりセラミック焼成体を得る。
【００１６】
上述した分割溝形成工程は、セラミック焼成工程の前後のいずれのタイミングで行ってもよい。具体的には、例えば部品搭載用パッケージ（基板本体）が厚い場合、シート積層工程後かつセラミック焼成工程の前に、分割溝形成工程を行って、シート積層体の表面にレーザ分割溝を形成してもよい。この場合、シート積層体は焼成前で柔らかいため、部品搭載用パッケージの厚さに応じた深さのあるレーザ分割溝を比較的容易に形成することができる。また、部品搭載用パッケージ（基板本体）が薄い場合、セラミック焼成工程後に分割溝形成工程を行い、セラミック焼成体（焼成後のシート積層体）の表面にレーザ分割溝を形成してもよい。部品搭載用パッケージが薄い場合、セラミック焼成工程の前にレーザ分割溝を形成すると、シート積層体の強度が不足してレーザ分割溝の部分でシート積層体が割れて製品歩留まりが悪化するといった問題が生じるおそれがあるため、十分注意してシート積層体を扱う必要がある。これに対して、セラミック焼成工程後に分割溝形成工程を行う場合、シート積層体の強度を確保することができるため、シート積層体の取り扱い性が向上し、製品歩留まりの悪化を回避することができる。
【００１７】
導体形成工程では、部品接続端子となるべき未焼成導体層を形成するとともに、部品接続端子と端面スルーホール導体とを電気的に接続するための配線用のメタライズ導体層となるべき未焼成導体層を形成してもよい。またこの場合、セラミック焼成工程後においてメタライズめっき工程を行ってもよい。このメタライズめっき工程では、端面スルーホール導体となるべきメタライズ導体層及び配線用のメタライズ導体層を介して部品接続端子のメタライズ導体層に電流を供給し、電解めっきにより部品接続端子のメタライズ導体層上にめっき層を形成する。このように、メタライズ導体層上にめっき層を形成すると、部品接続端子と電子部品との接続信頼性を高めることができる。
【００１８】
上述したように、部品接続端子にめっき層を形成する場合には、端面スルーホール導体と部品接続端子とを接続する配線用の導体層（めっき用の配線パターンとなる未焼成導体層）が形成される。ここで、第１の未焼成セラミックシート及び第２の未焼成セラミックシートに直径が等しい第１貫通孔及び第２貫通孔を形成し、それらセラミックシートを積層するときに積層ズレが生じると、第１貫通孔内にて配線用の導体層が露出してしまう。そして、レーザ分割溝の形成時には、その露出した導体層にレーザが当たり導体層の一部が欠損してしまうおそれがある。この場合、配線用の導体層を介して部品接続端子のメタライズ導体層に十分なめっき電流を供給することができず、メタライズ導体層上にめっきが付かなくなる。これに対して、本発明では、第２貫通孔が第１貫通孔よりもサイズが大きいため、積層ズレが生じても第１貫通孔内にて配線用の導体層（未焼成導体層またはメタライズ導体層）が露出することが回避される。このため、レーザ加工によって、配線用の導体層が欠損するといった問題を回避することができる。この結果、配線用のメタライズ導体層を介して部品接続端子のメタライズ導体層に十分なめっき電流を供給することができ、そのメタライズ導体層上にめっき層を確実に形成することができる。
【００１９】
分割溝形成工程では、各貫通孔の中心にて交差するようレーザ分割溝を形成してもよい。この場合、各貫通孔を分割することで得られる第１凹状領域及び第２凹状領域は四半円弧状となる。また、基板本体は矩形板状に形成され、基板本体における４つのコーナー部に端面スルーホール導体が形成される。さらに、基板本体におけるコーナー部間をつなぐ辺部に端面スルーホール導体が形成されていてもよい。この場合、第１凹状領域及び第２凹状領域は半円弧状となる。
【００２０】
貫通孔形成工程では、側面凹部となるべき第１貫通孔及び第２貫通孔に加えて、キャビティとなるべき第３貫通孔を形成してもよい。なお、キャビティは、電子部品を搭載可能な非貫通凹部である。
【００２１】
部品搭載用パッケージは、絶縁層の間に設けられる内層の導体層として、端面スルーホール導体に接続すべく、第２凹部領域の縁部においてその凹形状に沿ってパターン形成された円弧状の導体層と、円弧状の導体層と部品接続端子とを接続するようパターン形成された配線用の導体層とを有していてもよい。本発明では、第２凹状領域の凹部のサイズが第１凹状領域の凹部のサイズよりも大きいため、複数の絶縁層の積層ズレが生じた場合でも、第１凹状領域と第２凹状領域との境界における段差の部分では円弧状の導体層や配線用の導体層が露出しなくなる。このため、レーザ加工によって配線用の導体層が削られるといった問題を回避することができる。従って、円弧状の導体層及び配線用の導体層を介して部品接続端子に電流を確実に流すことができ、電解めっきにより、部品接続端子上に十分な厚さのめっき層を形成することができる。
【００２２】
基板本体は、電子部品を搭載可能な非貫通凹部であるキャビティと、キャビティの外周部においてそのキャビティを取り囲むように設けられたシール用の導体層とを備えていてもよい。また、基板本体のコーナー部において、シール用の導体層に繋がるスルーホール導体が設けられるとともに、スルーホール導体の形成位置よりも基板外周部側に第１凹状領域及び第２凹状領域が配設されていてもよい。このような位置関係とすることで、スルーホール導体と第２凹状領域の端面スルーホール導体とを確実に形成することができる。
【００２３】
第１凹状領域及び第２凹状領域が四半円弧状または半円弧状に凹んだ領域である場合、第２凹状領域の曲率半径は、第１凹状領域の曲率半径の１．２倍以上２．０倍以下となる。またこの場合、第２凹状領域の曲率半径は、１００μｍ以上２００μｍ以下となる。このようにすると、第２凹状領域に形成される端面スルーホール導体の面積を十分に確保することができ、部品搭載用パッケージの接続信頼性を高めることができる。また、側面凹部（第１凹状領域及び第２凹状領域）のサイズが必要以上に大きくなることがなく、パッケージの小型化が可能となる。
【００２４】
基板本体にキャビティが設けられる場合、そのキャビティの底部に部品接続端子が設けられる。また、シール用の導体層には、キャビティを密閉するための蓋部材が溶接にて接合される。このようにすると、キャビティ内に電子部品を確実に収納することができる。
【００２５】
基板本体の厚み方向（絶縁層の積層方向）における第２凹状領域の長さは、第１凹状領域の長さよりも短くてもよいし、第１凹状領域の長さよりも長くてもよい。キャビティの周囲に形成される壁部の幅（フレーム幅）が狭い場合、第２凹状領域の長さを第１凹状領域の長さよりも短くすると、基板本体において、最上層でのコーナー部における応力集中を緩和することができる。
【００２６】
本発明の部品搭載用パッケージにおいて、部品接続端子に接続される電子部品として、水晶振動子、水晶発振器、水晶フィルタなどの水晶デバイスを挙げることができる。さらに、電子部品としては、水晶デバイス以外に、半導体素子や圧電振動子等であってもよい。
【図面の簡単な説明】
【００２７】
【図１】本実施の形態におけるセラミックパッケージの概略構成を示す断面図。
【図２】セラミックパッケージを示す上面図。
【図３】側面凹部を示す斜視図。
【図４】シート準備工程を示す説明図。
【図５】貫通孔形成工程を示す説明図。
【図６】導体形成工程を示す説明図。
【図７】導体形成工程を示す説明図。
【図８】導体形成工程を示す説明図。
【図９】キャビティ用の貫通孔形成工程を示す説明図。
【図１０】シート積層工程を示す説明図。
【図１１】セラミックグリーンシート積層体を示す平面図。
【図１２】分割溝形成工程を示す説明図。
【図１３】分割溝形成工程を示す説明図。
【図１４】セラミック焼成工程後のセラミックパッケージを示す説明図。
【図１５】基板側面における加工面と破断面とを示す断面図。
【図１６】積層ズレがあった場合のレーザ分割溝を示す説明図。
【図１７】第２凹状領域が第１凹状領域よりも長い別の実施の形態におけるセラミックパッケージの概略構成を示す断面図。
【図１８】第２凹状領域が第１凹状領域よりも短い別の実施の形態におけるセラミックパッケージの概略構成を示す断面図。
【図１９】半円弧状の側面凹部を有する別の実施の形態におけるセラミックパッケージを示す上面図。
【図２０】従来技術のセラミックパッケージの概略構成を示す断面図。
【図２１】レーザ分割溝を示す説明図。
【図２２】積層ズレの発生時におけるレーザ分割溝を示す説明図。
【図２３】積層ズレの発生時における各貫通孔の位置関係を示す説明図。
【発明を実施するための形態】
【００２８】
以下、本発明をセラミックパッケージに具体化した一実施の形態を図面に基づき詳細に説明する。図１は、本実施の形態のセラミックパッケージの概略構成を示す断面図である。図２は、そのセラミックパッケージを示す上面図である。
【００２９】
図１及び図２に示されるように、本実施の形態のセラミックパッケージ１０は、電子部品としての水晶振動子１１を搭載するための部品搭載用パッケージである。このセラミックパッケージ１０は、矩形平板状の部材であり、そのサイズは、例えば、縦０．８ｍｍ×横１．２ｍｍ×高さ０．５ｍｍである。より詳しくは、本実施の形態のセラミックパッケージ１０は、基板主面１２、基板裏面１３及び基板側面１４を有する矩形板状に形成された基板本体２０を備える。基板本体２０は、セラミック材料からなる複数のセラミック絶縁層１５，１６とメタライズ導体層からなる複数の導体層１８，１９とを多層化した構造を有する。各セラミック絶縁層１５，１６は、いずれもアルミナ焼結体からなる。導体層１８，１９は、例えばタングステン、モリブデン、又はこれらの合金層からなる。なお、本実施の形態のセラミックパッケージ１０ではセラミック絶縁層が２層積層された構造としたが、セラミック絶縁層が３層以上積層された多層構造を採用しても構わない。
【００３０】
さらに、セラミックパッケージ１０は、基板本体２０における基板主面１２側に設けられ、水晶振動子１１が接続可能な部品接続端子２１と、基板裏面１３上に設けられ、外部基板（図示略）が接続される外部接続端子２２とを備える。部品接続端子２１及び外部接続端子２２は、メタライズ導体層とその表面を覆うめっき層（例えば、ニッケルめっき層や金めっき層）とからなる。本実施の形態のセラミックパッケージ１０は、多数個取りの手法によって得られるパッケージであり、基板本体２０の基板側面１４は、レーザ分割溝に沿って多数個取り用基板を分割した結果生じた側面である。
【００３１】
図１及び図２に示されるように、基板本体２０における４つのコーナ部の基板側面１４に側面凹部２５がそれぞれ形成されている。図３に示されるように、側面凹部２５は、基板本体２０の厚み方向に沿って、第１凹状領域２６と第１凹状領域２６に隣接する第２凹状領域２７とからなり、第１凹状領域２６と第２凹状領域２７との境界に段差２８が形成されている。なお、図３は基板裏面１３側から見た側面凹部２５の斜視図である。第１凹状領域２６及び第２凹状領域２７は、四半円弧状に凹んだ部分であり、コーナー部において面取り用の凹部（面取凹部）として機能する。本実施の形態では、第２凹状領域２７の曲率半径は、第１凹状領域２６の曲率半径よりも１．５倍程度大きくなっている。つまり、基板本体２０における面方向で見た場合には、側面凹部２５における第２凹状領域２７は、第１凹状領域２６よりも基板中心側に位置している。
【００３２】
具体的には、第１凹状領域２６の曲率半径は８０μｍ程度であり、第２凹状領域２７の曲率半径は１２０μｍ程度である。なお、パッケージサイズが大きくなる場合には、第１凹状領域２６の曲率半径を１００μｍ、第２凹状領域２７の曲率半径を１５０μｍに変更して側面凹部２５を形成してもよい。図１に示されるように、本実施の形態のセラミックパッケージ１０では、側面凹部２５において第１凹状領域２６を避けて第２凹状領域２７を被覆するように端面スルーホール導体３０（キャスタレーション）が設けられている。つまり、側面凹部２５において第１凹状領域２６よりも凹部のサイズが大きな第２凹状領域２７のみを被覆するように端面スルーホール導体３０が設けられている。端面スルーホール導体３０は、メタライズ導体層とその表面を覆うめっき層（例えば、ニッケルめっき層や金めっき層）とからなる。なお、図３では、第２凹状領域２７上における端面スルーホール導体３０を取り除いた状態の側面凹部２５を示している。
【００３３】
図１及び図２に示されるように、基板本体２０におけるセラミック絶縁層１５，１６の間に形成される内層の導体層１８としては、円弧状の導体層３１と線状の導体層３２とを有する。円弧状の導体層３１は、端面スルーホール導体３０に接続すべく、第２凹部領域２７の縁部においてその凹形状に沿ってパターン形成されている。また、線状の導体層３２は、配線用の導体層であり、円弧状の導体層３１と部品接続端子２１とを接続するようパターン形成されている。
【００３４】
セラミックパッケージ１０は、基板本体２０の基板主面１２（図１では上面）にて開口するキャビティ３４が形成されている。キャビティ３４は、水晶振動子１１を搭載可能な非貫通凹部であり、キャビティ３４の底部に部品接続端子２１が設けられている。また、キャビティ３４の底部には、部品接続端子２２に接続される配線用の導体層３２の一部が露出している。
【００３５】
基板本体２０において上層側のセラミック絶縁層１５の表面には、シール用の導体層１９が形成されている。シール用の導体層１９は、キャビティ３４の外周部においてそのキャビティ３４を取り囲むように設けられている。つまり、シール用の導体層１９は、キャビティ３４の周囲に形成される壁部３７（フレーム）の上端面に形成されている。キャビティ３４の壁部３７は、上層側のセラミック絶縁層１５によって形成されている。シール用の導体層１９には、キャビティ３４を密閉するための蓋部材３８がロウ付け等の溶接にて接合される。
【００３６】
セラミックパッケージ１０において、基板本体２０の所定のコーナー部（図２では右上のコーナー部）におけるセラミック絶縁層１５には、その厚さ方向に貫通する貫通孔４０が形成されている。その貫通孔４０内には、シール用の導体層１９に繋がるスルーホール導体４１が形成されている。本実施の形態のセラミックパッケージ１０では、基板本体２０のコーナー部において、スルーホール導体４１の形成位置よりも基板外周部側に、側面凹部２５の第１凹状領域２６及び第２凹状領域２７が配設されている。
【００３７】
次に、本実施の形態におけるセラミックパッケージ１０の製造方法を説明する。
【００３８】
先ず、焼成前のセラミック材料（絶縁材料）としてのアルミナ粉末、有機バインダ、溶剤、可塑剤等を混合してスラリーを作製する。そしてこのスラリーを従来周知の手法（例えばドクターブレード法やカレンダーロール法）によりシート状に成形して、多数個取り用の絶縁シートとしてのセラミックグリーンシート５１，５２を２枚作製する（図４参照）。ここでは、上層側のセラミック絶縁層１５となる第１のセラミックグリーンシート５１（第１の未焼成セラミックシート）及び下層側のセラミック絶縁層１６となる第２のセラミックグリーンシート５２（第２の未焼成セラミックシート）が準備される（シート準備工程）。
【００３９】
そして、貫通孔形成工程において、パンチング（打ち抜き）加工を行い、各セラミックグリーンシート５１，５２の複数箇所に、それらセラミックグリーンシート５１，５２の厚さ方向に貫通する貫通孔５３，５４，５５を形成する（図５参照）。なお、パンチング加工以外に、レーザ穴あけ加工などの他の手法によって貫通孔５３〜５５を形成してもよい。第１のセラミックグリーンシート５１において、貫通孔５３は、スルーホール導体４１を形成するための貫通孔であり、貫通孔５４は、側面凹部２５の第１凹状領域２６を形成するための第１貫通孔である。また、第２のセラミックグリーンシート５２における貫通孔５５は、第１貫通孔５４よりも開口面積が大きく（具体的には、直径が１．５倍程度大きく）、側面凹部２５の第２凹状領域２７を形成するための第２貫通孔である。
【００４０】
そして、第１のセラミックグリーンシート５１の貫通孔５３及び第２のセラミックグリーンシート５２の貫通孔５５内にそれぞれ貫通導体５７，５８を形成する（導体形成工程）。より具体的にいうと、まず従来周知のペースト印刷装置を用いて、第１のセラミックグリーンシート５１の貫通孔５３内にタングステンやモリブデンを含む導電性ペーストを充填し、スルーホール導体４１となるべき未焼成貫通導体５７を形成する（図６参照）。即ち、貫通孔５３を完全に導電性ペーストで満たすようにして未焼成貫通導体５７を形成する。次いで、キャスタレーション印刷を行って、第２のセラミックグリーンシート５２の貫通孔５５の内面にタングステンやモリブデンを含む導電性ペーストを付着させ、内面を覆うように端面スルーホール導体３０となるべき未焼成貫通導体５８を形成する（図６参照）。従って、貫通孔５５内は完全に導電性ペーストで満たされていなくてもよく、未焼成貫通導体５８の中心部は空洞状になっている。
【００４１】
そして次に、スクリーン印刷法によって、各セラミックグリーンシート５１，５２の表面に未焼成導体層５９を形成する（図７参照）。なおここでは、各セラミックグリーンシート５１，５２における表面上に、マスク（図示略）を用いて導電性ペーストを印刷することで、未焼成導体層５９をパターン形成する。これらの未焼成導体層５９は、内層の導体層１８、シール用の導体層１９、部品接続端子２１及び外部接続端子２２のメタライズ導体層となるべき部分である。なお、内層の導体層１８となる未焼成導体層５９としては、部品接続端子２１と端面スルーホール導体３０とを電気的に接続する配線用のメタライズ導体層となるべき部分（各導体層３１，３２に対応する円形状の未焼成導体層５９ａ及び線状の未焼成導体層５９ｂ）を含んでいる（図８参照）。
【００４２】
このように、未焼成導体層５９を形成した後、所定の温度に加熱して、各セラミックグリーンシート５１，５２に形成した未焼成貫通導体５７，５８及び未焼成導体層５９を乾燥させる。続くキャビティ用の貫通孔形成工程では、打ち抜き治具（図示略）を用いてパンチング加工を行い、第１のセラミックグリーンシート５１にキャビティ３４となるべき貫通孔６１（第３貫通孔）を形成する（図９参照）。
【００４３】
この後に、シート積層工程を行う。この工程では、貫通孔５４と貫通孔５５との中心位置を合わせるようにして、第１のセラミックグリーンシート５１を第２のセラミックグリーンシート５２の上に積層する。そして、従来周知のラミネート装置を用いて厚さ方向に所定の荷重を加えることにより、これらを圧着、一体化してセラミックグリーンシート積層体６２（焼成前のシート積層体）を形成する（図１０参照）。本実施の形態では、図１１に示されるように、各セラミックグリーンシート５１，５２において製品領域Ｒ１の外側領域Ｒ２となる四隅にアライメント用貫通孔６３が形成されている。それらアライメント用貫通孔６３の位置をカメラで画像認識して、各貫通孔５４，５５の位置に基づいて各セラミックグリーンシート５１，５２の位置合わせを行っている。
【００４４】
続く分割溝形成工程では、レーザ加工装置を用いてレーザを照射することにより、セラミックグリーンシート積層体６２に対してレーザ加工を施す。この工程では、製品領域Ｒ１の外形線Ｌ１に沿ってセラミックグリーンシート積層体６２の表面及び裏面にレーザ分割溝６４を格子状に形成する（図１１及び図１２参照）。ここでは、図１２及び図１３に示されるように、第１貫通孔５４及び第２貫通孔５５の中心にて交差するように線状のレーザ分割溝６４を形成する。本実施の形態では、レーザ分割溝６４の幅は３０μｍ程度である。またこのとき、図示しない吸引装置やブロー装置を用いて、レーザ照射による加工屑を除去しながらレーザ分割溝６４を形成している。
【００４５】
分割溝形成工程の後、セラミックグリーンシート積層体６２をアルミナが焼結しうる所定の温度（例えば１５００℃〜１８００℃程度の温度）に加熱するセラミック焼成工程を行う。この焼成を経ると、セラミックグリーンシート積層体６２において、各セラミックグリーンシート５１，５２が焼結して大判のセラミックパッケージ７１（焼成後のシート積層体であるセラミック焼成体）が得られる（図１４参照）。また、図１４に示されるように、導電性ペーストの焼結によって、部品接続端子２１、外部接続端子２２、内層の導体層１８、端面スルーホール導体３０、スルーホール導体４１及びシール用の導体層１９のメタライズ導体層７２〜７７が形成される。なお、ここで得られるセラミックパッケージ７１は、セラミックパッケージ１０となるべき製品領域Ｒ１を平面方向に沿って縦横に複数配列した構造を有する多数個取り用パッケージである。
【００４６】
さらに、セラミックパッケージ７１の部品接続端子２１、外部接続端子２２、シール用の導体層１９等のメタライズ導体層７２〜７５，７７に対して電解めっきを行ってそれら表面にめっき層を形成する（メタライズめっき工程）。このめっき工程では、端面スルーホール導体３０となるべきメタライズ導体層７５及び配線用のメタライズ導体層７４を介して部品接続端子２１のメタライズ導体層７２に電流を供給し、電解めっきにより部品接続端子２１のメタライズ導体層７２上にめっき層を形成する。またこのとき、外部接続端子２２及びシール用の導体層１９のメタライズ導体層７３，７７やキャビティ３４にて露出している線状の導体層３２のメタライズ導体層７４にも電流が供給され、電解めっきによりそれらメタライズ導体層７３，７４，７７上にめっき層が形成される。
【００４７】
そして、分割工程において、セラミックパッケージ７１をレーザ分割溝６４に沿って分割して個片化することにより、図１のセラミックパッケージ１０が複数同時に得られる。なお、レーザ分割溝６４は、貫通孔５４及びメタライズ導体層７５のある貫通孔５５の中心を通るよう形成されている。このため、レーザ分割溝６４でセラミックパッケージ７１を分割することにより、セラミックパッケージ１０の各コーナー部において側面凹部２５及び端面スルーホール導体３０を有する基板側面１４が出現することとなる。
【００４８】
セラミックパッケージ１０の分割面となる基板側面１４は、図１５に示されるように、レーザ加工によって削り取られることで形成された加工面６６と、分割工程で破断されることで形成される破断面６７とに区分することができる。本実施の形態のセラミックパッケージ１０においては、加工面６６と破断面６７との境界に、十数μｍ程度の段差６８が形成されている。これに対して、ブレードを用いてセラミックパッケージの分割溝を形成した場合には、加工面６６と破断面６７との境界は凹凸のない滑らかな表面となり、段差６８は殆ど形成されることがない。つまり、本実地の形態のセラミックパッケージ１０では、ブレードによって分割溝を形成した場合と比較して、加工面６６と破断面６７との段差６８が大きくなる。従って、基板側面１４における加工面６６と破断面６７との段差６８を確認することにより、セラミックパッケージ１０の製造工程にて形成された分割溝６４がレーザ加工によるものか否かを判断することが可能となる。
【００４９】
従って、本実施の形態によれば以下の効果を得ることができる。
【００５０】
（１）本実施の形態では、レーザ分割溝６４に沿ってセラミックパッケージ７１を分割して個片化することで、部品搭載用のセラミックパッケージ１０が形成される。そして、セラミックパッケージ１０には、側面凹部２５及び端面スルーホール導体３０を有する基板側面１４が出現する。側面凹部２５の第１凹状領域２６は、開口面積が小さい第１貫通孔５４を分割することにより形成され、第２凹状領域２７は、開口面積が大きい第２貫通孔５５を分割することにより形成される。従って、第２凹状領域２７は第１凹状領域２６よりも凹んだ領域となり、それら第１凹状領域２６と第２凹状領域２７とによって段差２８を有する側面凹部２５が形成される。さらに、本実施の形態では、分割溝形成工程において、レーザ加工によって貫通導体５８の一部（レーザ分割溝６４に対応する部分）が削り取られた形で端面スルーホール導体３０が形成されるが、端面スルーホール導体３０はサイズの大きな第２凹状領域２７に形成されている。このため、シート積層工程において各セラミックグリーンシート５１，５２の積層ズレが生じ、レーザ分割溝６４の形成位置が貫通孔５４，５５の中心からずれた場合（図１６参照）でも、端面スルーホール導体３０の面積を十分に確保することができる。この結果、端面スルーホール導体３０での接続不足が回避されるため、信頼性に優れたセラミックパッケージ１０を製造することができる。
【００５１】
（２）本実施の形態では、シート積層工程後かつセラミック焼成工程の前に、分割溝形成工程を行って、セラミックグリーンシート積層体６２の表面にレーザ加工を行うことでレーザ分割溝６４を形成している。この場合、セラミックグリーンシート積層体６２は焼成前で柔らかいため、セラミックパッケージ１０の厚さに応じた深さのあるレーザ分割溝６４を比較的容易に形成することができる。
【００５２】
（３）本実施の形態のセラミックパッケージ１０では、めっき用の配線パターンとなる導体層として、端面スルーホール導体３０と部品接続端子２１とを接続する配線用の導体層３１，３２が形成されている。本実施の形態では、セラミックグリーンシート５２に形成される第２貫通孔５５がセラミックグリーンシート５１に形成される第１貫通孔５４よりもサイズが大きいため、積層ズレが生じても第１貫通孔５４内にて配線用の導体層３１，３２（未焼成導体層５９ａ，５９ｂ）が露出することが回避される（図１６参照）。このため、レーザ加工によって未焼成導体層５９ａ，５９ｂが欠損するといった問題を回避することができる。この結果、配線用の導体層３１，３２のメタライズ導体層７４等を介して部品接続端子２１のメタライズ導体層７２等に十分なめっき電流を供給することができ、そのメタライズ導体層７２上にめっき層を確実に形成することができる。
【００５３】
（４）本実施の形態のセラミックパッケージ１０では、基板本体２０のコーナー部において、シール用の導体層１９に繋がるスルーホール導体４１が設けられる。また、スルーホール導体４１の形成位置よりも基板外周部側に第１凹状領域２６及び第２凹状領域２７が配設されている。このような位置関係とすることで、シール用の導体層１９に繋がるスルーホール導体４１と第２凹状領域２７の端面スルーホール導体３０とを確実に形成することができる。
【００５４】
なお、本発明の実施の形態は以下のように変更してもよい。
【００５５】
・上記実施の形態のセラミックパッケージ１０は、基板本体２０の側面凹部２５において、端面スルーホール導体３０が形成される第２凹状領域２７の積層方向（基板本体２０の厚み方向）の長さを第１凹状領域２６とほぼ等しくなるように形成したが、これに限定されるものではない。図１７に示されるセラミックパッケージ１０Ａのように、セラミック絶縁層１５，１６，１７の積層方向における第２凹状領域２７Ａの長さが第１凹状領域２６Ａの長さよりも長くなるように側面凹部２５Ａを形成してもよい。図１７のセラミックパッケージ１０Ａでは、３層のセラミック絶縁層１５，１６，１７を積層することで矩形板状の基板本体２０Ａが形成されており、各コーナー部の基板側面１４に側面凹部２５Ａが形成されている。基板本体２０Ａには、基板主面１２側に開口し段差を有するキャビティ３４Ａが形成されている。基板本体２０Ａにおいて、端面スルーホール導体３０Ａが形成される第２凹状領域２７Ａの長さは、セラミック絶縁層１６，１７の２層分の厚さに対応する長さとなっている。
【００５６】
また、図１８に示されるセラミックパッケージ１０Ｂのように、セラミック絶縁層１５，１６，１７の積層方向（厚み方向）における第２凹状領域２７Ｂの長さが第１凹状領域２６Ｂの長さよりも短くなるように側面凹部２５Ｂを形成してもよい。図１８のセラミックパッケージ１０Ｂでも、３層のセラミック絶縁層１５，１６，１７を積層することで矩形板状の基板本体２０Ｂが形成されており、各コーナー部の基板側面１４に側面凹部２５Ｂが形成されている。このセラミックパッケージ１０Ｂでも、段差を有するキャビティ３４Ｂが基板本体２０Ｂに形成されている。基板本体２０Ｂにおいて、端面スルーホール導体３０Ｂが形成される第２凹状領域２７Ｂの長さは、セラミック絶縁層１７の１層分の厚さに対応する長さとなっている。図１８のセラミックパッケージ１０Ｂでは、最上層のセラミック絶縁層１５にて形成されるフレーム幅（キャビティ３４Ｂの壁部３７Ｂの幅）が、図１７のセラミックパッケージ１０Ａのフレーム幅（キャビティ３４Ａの壁部３７Ａの幅）よりも狭くなっている。この場合、セラミックパッケージ１０Ｂにおいて、最上層のコーナー部において応力集中が発生し易くなるが、端面スルーホール導体３０Ｂの高さ（積層方向の長さ）を絶縁層１７の１層分とすることにより、その応力集中を緩和することができる。
【００５７】
・上記実施の形態のセラミックパッケージ１０，１０Ａ,１０Ｂでは、基板本体２０，２０Ａ,２０Ｂのコーナー部に側面凹部２５，２５Ａ,２５Ｂ及び端面スルーホール導体３０，３０Ａ,３０Ｂを形成したが、これに限定されるものではない。例えば、図１９に示すセラミックパッケージ１０Ｃのように、各コーナー部に加えて、コーナー部間を繋ぐ辺部に側面凹部２５Ｃ及び端面スルーホール導体（図示略）を形成してもよい。この場合、側面凹部２５Ｃの第１凹状領域２６Ｃ及び第２凹状領域２７Ｃは半円弧状となる。より詳しくは、側面凹部２５Ｃは、基板本体２０Ｂの長辺側に形成されており、長円形状を半分に分割した半円弧状となっている。そして、側面凹部２５Ｃにおいて、サイズの大きな第２凹状領域２７Ｃを被覆するように端面スルーホール導体が形成される。
【００５８】
・上記実施の形態では、複数のセラミック絶縁層１５〜１７と複数の導体層１８，１９とを積層したセラミック製の基板本体２０,２０Ａ〜２０Ｃを有するセラミックパッケージ１０，１０Ａ〜１０Ｃに具体化したが、これに限定されるものではない。部品搭載用パッケージとしては、複数の樹脂絶縁層と複数の導体層とを積層した樹脂製の基板本体を有するオーガニックパッケージに具体化してもよい。
【００５９】
次に、特許請求の範囲に記載された技術的思想のほかに、前述した実施の形態によって把握される技術的思想を以下に列挙する。
【００６０】
（１）手段１において、前記分割溝形成工程では、前記各貫通孔の中心にて交差するよう前記レーザ分割溝を形成することを特徴とする部品搭載用パッケージの製造方法。
【００６１】
（２）手段１において、前記基板本体は矩形板状に形成され、前記基板本体における４つのコーナー部に前記端面スルーホール導体が形成されることを特徴とする部品搭載用パッケージの製造方法。
【００６２】
（３）手段１において、前記基板本体は矩形板状に形成され、前記基板本体におけるコーナー部間をつなぐ辺部に前記端面スルーホール導体が形成されることを特徴とする部品搭載用パッケージの製造方法。
【００６３】
（４）手段１において、前記第１凹状領域及び前記第２凹状領域が四半円弧状であることを特徴とする部品搭載用パッケージの製造方法。
【００６４】
（５）手段１において、前記第１凹状領域及び前記第２凹状領域が半円弧状であることを特徴とする部品搭載用パッケージの製造方法。
【００６５】
（６）手段１において、前記貫通孔形成工程では、前記側面凹部となるべき前記第１貫通孔及び前記第２貫通孔に加えて、キャビティとなるべき第３貫通孔を形成することを特徴とする部品搭載用パッケージの製造方法。
【００６６】
（７）技術的思想（６）において、前記キャビティの底部に前記部品接続端子が設けられていることを特徴とする部品搭載用パッケージの製造方法。
【００６７】
（８）基板主面、基板裏面及び基板側面を有する板状に形成されるとともに、複数の絶縁層と複数の導体層とを積層して多層化した構造を有する基板本体と、前記基板主面側に設けられ、電子部品が接続可能な部品接続端子と、前記基板裏面上に設けられた外部接続端子とを備え、前記基板側面がレーザ分割溝に沿った基板分割の結果生じたものであり、前記基板本体の厚み方向に沿って、第１凹状領域と前記第１凹状領域に隣接する第２凹状領域とからなる側面凹部が前記基板側面に形成され、前記第１凹状領域と前記第２凹状領域との境界に段差が形成され、前記第１凹状領域を避けて前記第２凹状領域を被覆するように端面スルーホール導体が設けられたことを特徴とする部品搭載用パッケージ。
【００６８】
（９）技術的思想（８）において、前記絶縁層の間に設けられる内層の前記導体層として、前記端面スルーホール導体に接続すべく、前記第２凹部領域の縁部においてその凹形状に沿ってパターン形成された円弧状の導体層と、前記円弧状の導体層と前記部品接続端子とを接続するようパターン形成された配線用の導体層とを有することを特徴とする部品搭載用パッケージ。
【００６９】
（１０）技術的思想（８）または（９）において、前記基板本体は、前記電子部品を搭載可能な非貫通凹部であるキャビティと、前記キャビティの外周部においてそのキャビティを取り囲むように設けられたシール用の導体層とを備え、前記基板本体のコーナー部において、前記シール用の導体層に繋がるスルーホール導体が設けられるとともに、前記スルーホール導体の形成位置よりも基板外周部側に前記第１凹状領域及び前記第２凹状領域が配設されていることを特徴とする部品搭載用パッケージ。
【００７０】
（１１）技術的思想（８）乃至（１０）のいずれかにおいて、前記第１凹状領域及び前記第２凹状領域は、四半円弧状または半円弧状に凹んだ部分であり、前記第２凹状領域の曲率半径は、前記第１凹状領域の曲率半径の１．２倍以上２．０倍以下であることを特徴とする部品搭載用パッケージ。
【００７１】
（１２）技術的思想（１１）において、前記第２凹状領域の曲率半径は、１００μｍ以上２００μｍ以下であることを特徴とする部品搭載用パッケージ。
【００７２】
(１３）技術的思想（８）乃至（１２）のいずれかにおいて、前記基板本体は、前記電子部品を搭載可能な非貫通凹部であるキャビティと、前記キャビティの外周部においてそのキャビティを取り囲むように設けられたシール用の導体層とを備え、前記シール用の導体層には、前記キャビティを密閉するための蓋部材が溶接にて接合されることを特徴とする部品搭載用パッケージ。
【００７３】
(１４）技術的思想（８）乃至（１３）のいずれかにおいて、前記基板本体の厚み方向における前記第２凹状領域の長さは、前記第１凹状領域の長さよりも短いことを特徴とする部品搭載用パッケージ。
【００７４】
(１５）技術的思想（８）乃至（１３）のいずれかにおいて、前記基板本体の厚み方向における前記第２凹状領域の長さは、前記第１凹状領域の長さよりも長いことを特徴とする部品搭載用パッケージ。
【００７５】
(１６）技術的思想（８）乃至（１５）のいずれかにおいて、前記電子部品が水晶デバイスであることを特徴とする部品搭載用パッケージ。
【符号の説明】
【００７６】
１０，１０Ａ〜１０Ｃ…部品搭載用パッケージとしてのセラミックパッケージ
１１…電子部品としての水晶振動子
１２…基板主面
１３…基板裏面
１４…基板側面
１５，１６，１７…絶縁層としてのセラミック絶縁層
１８…導体層
１９…シール用の導体層
２０，２０Ａ〜２０Ｃ…基板本体
２１…部品接続端子
２２…外部接続端子
２５，２５Ａ〜２５Ｃ…側面凹部
２６，２６Ａ〜２６Ｃ…第１凹状領域
２７，２７Ａ〜２７Ｃ…第２凹状領域
２８…段差
３０，３０Ａ，３０Ｂ…端面スルーホール導体
３４，３４Ａ，３４Ｂ…キャビティ
５１…第１の絶縁シート及び第１の未焼成セラミックシートとしての第１のセラミックグリーンシート
５２…第２の絶縁シート及び第２の未焼成セラミックシートとしての第２のセラミックグリーンシート
５４…第１貫通孔
５５…第２貫通孔
５８…未焼成貫通導体
５９…未焼成導体層
６２…シート積層体としてのセラミックグリーンシート積層体
６４…レーザ分割溝
７１…セラミック焼成体としてのセラミックパッケージ
７２…部品接続端子のメタライズ導体層
７４…配線用のメタライズ導体層
７５…端面スルーホール導体となるべきメタライズ導体層
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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