(57)【要約】【課題】マイグレーションの発生を低減させることができる接続構造体の製造方法、及び接続構造体を提供する。【解決手段】銀端子を有する第１の回路部材１１と、第１の回路部材の銀端子に対向する端子を有する第２の回路部材１２と、第１の回路部材１１と第２の回路部材１２とを接続させる異方性導電膜１３と、第１の回路部材１１と異方性導電膜１３との間に形成されたポリシロキサン膜１４とを備える。このため、銀端子によるマイグレーションの発生を低減させることができる。【選択図】図１
2015185490.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の回路部材又は第２の回路部材の少なくとも一方が銀端子を有する接続構造体の製造方法において、
前記銀端子上、又は異方性導電フィルムの前記銀端子に接する面に、ポリシロキサンを塗布する塗布工程と、
前記第１の回路部材の端子と前記第２の回路部材の端子とを、異方性導電フィルムを用いて接続する接続工程と
を有する接続構造体の製造方法。
【請求項２】
前記ポリシロキサンが、ポリエーテル変性ポリメチルアルキルシロキサンである請求項１記載の接続構造体の製造方法。
【請求項３】
前記ポリシロキサンが、ポリエーテル変性ポリジメチルシロキサンである請求項１記載の接続構造体の製造方法。
【請求項４】
前記異方性導電フィルム中の導電性粒子の平均粒径が、前記ポリシロキサンの塗布厚みよりも大きい請求項１乃至３のいずれか１項に記載の接続構造体の製造方法。
【請求項５】
前記異方性導電フィルム中の導電性粒子が、金属粒子である請求項１乃至４のいずれか１項に記載の接続構造体の製造方法。
【請求項６】
前記異方性導電フィルムが、酸成分と、ラジカル重合性化合物と、ラジカル重合開始剤とを含有する請求項１乃至５のいずれか１項に記載の接続構造体の製造方法。
【請求項７】
前記前記第１の回路部材が、プラズマディスプレイパネルである請求項１乃至６のいずれか１項に記載の接続構造体の製造方法。
【請求項８】
銀端子を有する第１の回路部材と、
前記第１の回路部材の銀端子に対向する端子を有する第２の回路部材と、
前記第１の回路部材と前記第２の回路部材とを接続させる異方性導電膜と、
前記第１の回路部材と前記異方性導電膜との間に形成されたポリシロキサン膜と
を備える接続構造体。
【請求項９】
異方性導電フィルムと、
前記異方性導電フィルムの少なくとも一方の面に形成されたポリシロキサン膜と
を有する回路接続材料。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、回路部材同士を電気的に接続する接続構造体の製造方法、及び接続構造体に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、プラズマディスプレイの接続端子には、低抵抗などの利点から、一般に銀が使用される。また、プラズマディスプレイとフレキシブル基板との接続には、異方性導電フィルムを介して接続する、いわゆるＦＯＧ（Film On Glass）接続が行われる。プラズマディスプレイは、例えば７５Ｖといった高い電圧下で使用されるため、耐マイグレーション性を必要とする。
【０００３】
マイグレーションの発生を抑制する方法としては、回路パターンと水分が接触しないように封止材により金属配線を保護する方法、配線まで水分が届かないように封止材に吸水効果のある物質（例えばアルミ粉末）を添加する方法、発生したイオンを補足する材料を添加する方法、表面をマイグレーション性の小さいアルミやクロムなどの金属で覆う方法、溶融ガラスフリットで防湿保護する方法などが知られている。
【０００４】
また、銀配線に絶縁膜を形成する方法（例えば、特許文献１参照。）、配線間に水酸化アンチモンと水酸ビスマスとからなる粉末状の無機イオン交換体の柱を形成し、銀イオンを吸着させる方法（例えば、特許文献２参照。）、水分と銀配線を接触させないように、回路部分に耐水性のある保護膜を形成する方法（例えば、特許文献３参照。）、導電粒子の膜構成を変えることでマイグレーションを抑制する方法（例えば、特許文献４参照。）なども提案されている。
【０００５】
しかしながら、電圧が高くなると電圧に比例して銀イオンの発生量、移動量も増加するため、例えばイオンを捕捉する材料を添加しても、やがてマイグレーションが発生してしまう。
【０００６】
また、異方性導電フィルム中には、イオンを発生する物質が含まれていることがあるため、銀配線にマイグレーションが発生することがある。例えば、エポキシ系の異方性導電接着フィルムには、エポキシ樹脂の製造時に存在する塩素イオンが含まれており、また、アクリル系の異方性導電フィルムでは、有機過酸化物由来の陰イオンが発生し、それ以外にも、接着性の向上を目的に酸成分を添加することがあり、マイグレーションを引き起こすことがある。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００７】
【特許文献１】特開平５−８９７８４号公報
【特許文献２】特開２０００−１８３４７０号公報
【特許文献３】特開２０１０−９２７９０号公報
【特許文献４】特開２０１１−１３４４８０号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
本発明は、このような従来の実情に鑑みて提案されたものであり、マイグレーションの発生を低減させることができる接続構造体の製造方法、及び接続構造体を提供する。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明者は、鋭意検討を行った結果、銀端子と異方性導電膜との間にポリシロキサン膜を形成することにより、マイグレーションの発生が抑制されることを見出した。
【００１０】
すなわち、本発明は、第１の回路部材又は第２の回路部材の少なくとも一方が銀端子を有する接続構造体の製造方法において、前記銀端子上、又は異方性導電フィルムの前記銀端子に接する面に、ポリシロキサンを塗布する塗布工程と、前記第１の回路部材の端子と前記第２の回路部材の端子とを、異方性導電フィルムを用いて接続する接続工程とを有することを特徴とする。
【００１１】
また、本発明に係る接続構造体は、銀端子を有する第１の回路部材と、前記第１の回路部材の銀端子に対向する端子を有する第２の回路部材と、前記第１の回路部材と前記第２の回路部材とを接続させる異方性導電膜と、前記第１の回路部材と前記異方性導電膜との間に形成されたポリシロキサン膜とを備えることを特徴とする。
【００１２】
また、本発明に係る回路接続材料は、異方性導電フィルムと、前記異方性導電フィルムの少なくとも一方の面に形成されたポリシロキサン膜とを有することを特徴とする。
【発明の効果】
【００１３】
本発明によれば、銀端子と異方性導電膜との間にポリシロキサン膜が形成されるため、マイグレーションの発生を低減させることができる。
【図面の簡単な説明】
【００１４】
【図１】図１は、本実施の形態に係る接続構造体の接続部の一部を示す概略断面図である。
【図２】図２は、評価用の接続構造体を示す概略平面図である。
【図３】図３は、評価用の接続構造体の接続部の一部を示す概略断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１５】
以下、本発明の実施の形態について、図面を参照しながら下記順序にて詳細に説明する。
１．接続構造体の製造方法
２．接続構造体
３．実施例
【００１６】
＜１．接続構造体の製造方法＞
銀のイオンマイグレーションメカニズムは、以下の反応をしていると考えられている。
１．Ａｇ電極間の電位差と周囲雰囲気中から表面に吸着された水の存在により電離が起こる。
Ａｇ → Ａｇ＋
Ｈ２Ｏ → Ｈ＋＋ＯＨ−
２．Ａｇ＋とＯＨ−は陽極側でＡｇＯＨを生成して析出する。
３．ＡｇＯＨは分解して陽極側でＡｇ２Ｏとなりコロイド状に分散する。
２ＡｇＯＨ ←→ Ａｇ２Ｏ＋Ｈ２Ｏ
４．この後に水和反応により、下記反応が進むと、Ａｇ＋が陰極側に移動しＡｇのデンドライト状（枝状）の析出が進む。
Ａｇ２Ｏ＋Ｈ２Ｏ ←→ ２ＡｇＯＨ ←→ ２Ａｇ＋＋２ＯＨ−
【００１７】
このマイグレーションは、電圧に比例して発生しやすくなり、短絡に至る時間も短くなる。そして、より高温高湿環境になるとマイグレーションの進行も早くなる。
【００１８】
本実施の形態では、銀端子と異方性導電膜との間にポリシロキサン膜が形成されるため、マイグレーションの発生を低減させることができる。ポリシロキサンが、マイグレーション防止に効果がある理由は、明らかではないが、例えば、シロキサン骨格の結合角が直線ではないため分極しており、ここにイオンがトラップされるなどが考えられる。
【００１９】
すなわち、本実施の形態に係る接続構造体の製造方法は、第１の回路部材又は第２の回路部材の銀端子上、又は異方性導電フィルムの銀端子に接する面に、ポリシロキサンを塗布する塗布工程と、第１の回路部材の端子と第２の回路部材の端子とを、異方性導電フィルムを用いて接続する接続工程とを有する。
【００２０】
第１の回路部材及び第２の回路部材は、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができる。第１の回路部材としては、例えば、プラズマディスプレイパネル（ＰＤＰ）用途、ＬＣＤ（Liquid Crystal Display）パネル用途などのガラス基板、プリント配線板（ＰＷＢ）等を挙げることができる。また、第２の回路部材としては、例えば、ＣＯＦ（Chip On Film）などのフレキシブル基板（ＦＰＣ：Flexible Printed Circuits）、テープキャリアパッケージ（ＴＣＰ）基板、ＩＣ（Integrated Circuit）等を挙げることができる。
【００２１】
以下、各工程について詳細に説明する。
【００２２】
［塗布工程］
塗布工程では、第１の回路部材又は第２の回路部材の銀端子上、又は異方性導電フィルムの銀端子に接する面に、ポリシロキサンを塗布する。銀端子は、第１の回路部材又は第２の回路部材の少なくとも一方が有していればよく、両者が銀端子を有する場合、第１の回路部材及び第２の回路部材に対し、ポリシロキサンを塗布すればよい。
【００２３】
また、塗布工程では、ポリシロキサンの塗布厚みが０．１μｍ以上１０μｍ以下であることが好ましい。ポリシロキサンの塗布厚みが０．１μｍ未満である場合、マイグレーションの発生を抑制できないことがあり、塗布厚みが１０μｍを超える場合、導通を確保できないことがある。
【００２４】
ポリシロキサンの塗布方法としては、スプレーや浸漬、綿棒等にポリシロキサンを浸み込ませて端子上を軽くこする等、既存の方法が挙げられる。
【００２５】
ポリシロキサンは、一般式（１）で表されるポリエーテル変性ポリメチルアルキルシロキサン、又は一般式（２）で表されるポリエーテル変性ポリジメチルシロキサンであることが好ましい。これらのシロキサンは、耐熱性や塗布性に優れるため、銀配線の耐マイグレーション性を飛躍的に向上させることができる。
【００２６】
【化１】
2015185490.tif 000003
式中Ｒ１は、エチレンオキサイドの場合−Ｈ、プロピレンオキサイドの場合−ＣＨ３である。
【００２７】
【化２】
2015185490.tif 000004
【００２８】
［接続工程］
接続工程では、第１の回路部材の端子と第２の回路部材の端子とを、異方性導電フィルムを用いて接続する。前述の塗布工程で異方性導電フィルムの銀端子に接する面に、ポリシロキサンを塗布した場合、異方性導電フィルムの一方の面にポリシロキサン膜が形成されている。すなわち、異方性導電フィルムと、異方性導電フィルムの少なくとも一方の面に形成されたポリシロキサン膜とを有する回路接続材料を用いて接続する。
【００２９】
異方性導電フィルムは、特に限定されるものではなく、例えば、熱カチオン硬化型、熱ラジカル硬化型などの熱硬化型、光カチオン硬化型、光ラジカル硬化型などの光硬化型、又はこれらを併用して略同一に用いる熱／光硬化型のものを用いることができる。
【００３０】
本実施の形態では、銀端子と異方性導電膜との間にポリシロキサン膜が形成され、マイグレーションの発生を低減可能である。このため、エポキシ系の異方性導電フィルムと比べ、接着性が低い傾向があるものの、酸成分の添加により接着性を向上させることが可能であり、低温圧着か可能であるアクリル系の異方性導電フィルムを好適に用いることができる。
【００３１】
以下では、酸成分と、ラジカル重合性化合物と、ラジカル重合開始剤とを含有するアクリル系の異方性導電組成物について説明する。酸成分としては、酸性基を有する（メタ）アクリレートを用いることが好ましい。酸性基としては、例えば、リン酸エステル基、リン酸、カルボキシル基、スルホン基等が挙げられる。これらの酸性基を有する（メタ）アクリレートは、１種を単独で、又は２種以上を併用して用いることが可能である。これらの中でも、無機基材に対する密着性を向上させることが可能なリン酸エステル型（メタ）アクリレートを用いることが好ましい。
【００３２】
ラジカル重合性化合物としては、ポリエチレングリコールジアクリレート、ウレタンアクリレート、２−ヒドロキシエチルアクリレート、２−ヒドロキシプロピルアクリレート、４−ヒドロキシブチルアクリレート、イソブチルアクリレート、ｔ−ブチルアクリレート、イソオクチルアクリレート、ビスフェノキシエタノールフルオレンジアクリレート、２−アクリロイロキシエチルコハク酸、ラウリルアクリレート、ステアリルアクリレート、イソボルニルアクリレート、トリシクロデカンジメタノールジメタクリレート、シクロヘキシルアクリレート、トリス（２−ヒドロキシエチル）イソシアヌレートトリアクリレート、テトラヒドロフルフリルアクリレート、ｏ−フタル酸ジグリシジルエーテルアクリレート、エトキシ化ビスフェノールＡジメタクリレート、ビスフェノールＡ型エポキシアクリレート、エポキシアクリレート、及びこれらに相当する（メタ）アクリレートを挙げることができる。これらの中でも、硬化物の凝集力の向上、導通信頼性の向上、接着性の向上などのため、トリシクロデカンジメタノールジアクリレート、ウレタンアクリレートなどを併用することが好ましい。
【００３３】
ラジカル重合開始剤は、熱重合型又は光重合型のいずれも用いることができる。熱重合型のラジカル重合開始剤としては、有機過酸化物、アゾ系化合物等が挙げられる。有機過酸化物としては、ジラウロイルパーオキサイド（１分間半減期温度１１６．４℃）、ジ（４−メチルベンゾイル）パーオキサイド（１分間半減期温度１２８．２℃）、ジ（３−メチルベンゾイル）パーオキサイド（１分間半減期温度１３１．１℃）、ジベンゾイルパーオキサイド（１分間半減期温度 １３０．０℃）、ｔ−ヘキシルパーオキシベンゾエート（１分間半減期温度１６０．３℃）、ｔ−ブチルパーオキシベンゾエート（１分間半減期温度１６６．８℃）、１，１，３，３−テトラメチルブチルパーオキシ−２−エチルヘキサノエート（１分間半減期温度１２４．３℃）、ジ（３，５，５−トリメチルヘキサノイル）パーオキサイド（１分間半減期温度１１２．６℃）、ｔ−ブチル パーオキシピバレート（１分間半減期温度１１０．３℃）等が挙げられる。アゾ系化合物としては、２，２’−アゾビス−イソブチロニトリル（１分半減期温度１１６．０℃）、２，２’−アゾビス−２−メチルブチロニトリル（１分半減期温度１１９．０℃）、１，１’−アゾビス−１−シクロヘキサンカーボニトリル（１分半減期温度１４１．０℃）、ジメチル−２，２’−アゾビスイソブチレート（１分半減期温度１１９．０℃）、１，１’−アゾビス−（１−アセトキシ−１−フェニルエタン）（１分半減期温度１１１．０℃）等が挙げられる。
【００３４】
光重合型のラジカル重合開始剤としては、ベンゾフェノン、４，４−ビス（ジエチルアミノ）ベンゾフェノン、２，４，６−トリメチルベンゾフェノン等のチオキサントン類；ジエトキシアセトフェノン、２−ヒドロキシ−２−メチル−１−フェニルプロパン−１−オン、ベンジルジメチルケタール等のアセトフェノン類；ベンゾインメチルエーテル、ベンゾインエチルエーテル、ベンゾインイソプロピルエーテル等のベンゾインエーテル類；２，４，６−トリメチルベンゾイルジフェニルホスフィンオキサイド、ビス（２，６−ジメトキシベンゾイル）−２，４，４−トリメチルペンチルホスフィンオキサイド、ビス（２，４，６−トリメチルベンゾイル）−フェニルホスフィンオキサイド等のアシルホスフィンオキサイド類等が挙げられる。
【００３５】
これらのラジカル重合開始剤は１種を単独で、又は２種以上を併用して用いることが可能である。
【００３６】
また、異方性導電組成物中の導電性粒子の平均粒径は、ポリシロキサンの塗布厚みよりも大きいことが好ましい。ポリシロキサン膜は絶縁性であるが、導電性粒子の平均粒径をポリシロキサンの塗布厚みよりも大きくすることにより、抵抗値の上昇を抑えることができる。
【００３７】
導電性粒子としては、ニッケル、銅、銀などの金属粒子、樹脂粒子の表面に金属層が形成された金属被覆樹脂粒子などを用いることができる。樹脂粒子としては、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、アクリル樹脂、アクリロニトリル・スチレン（ＡＳ）樹脂、ベンゾグアナミン樹脂、ジビニルベンゼン系樹脂、スチレン系樹脂等が挙げられる。
【００３８】
また、導電性粒子は、金属粒子であることが好ましい。ニッケルなどの高い硬度の金属単体の粒子を用いることにより、絶縁性のポリシロキサン膜を突き破ることができ、より良好な接続抵抗を得ることができる。
【００３９】
また、異方性導電組成物に配合する他の添加物として、必要に応じて、膜形成樹脂、アクリルゴム、各種アクリルモノマー等の希釈用モノマー、充填剤、軟化剤、着色剤、難燃化剤、チキソトロピック剤、カップリング剤等を含有することができる。
【００４０】
膜形成樹脂としては、フェノキシ樹脂、エポキシ樹脂、ポリエステル樹脂、ポリウレタン樹脂、ポリアミド、ＥＶＡ等の熱可塑性エラストマー等を使用することができる。これらの中でも、耐熱性、接着性のために、ビスフェノールＡとエピクロルヒドリンより合成されるビスフェノールＡ型フェノキシ樹脂を用いることが好ましい。
【００４１】
熱重合型の異方性導電フィルムを用いて、第１の回路部材の端子と第２の回路部材の端子とを接続する場合は、例えばヒートツールなどの圧着ツールを用いて、第２の回路部材を押圧することにより行われる。ここで、所定温度は、圧着時における回路接続材料の温度をいう。また、所定温度は、１００℃以上２００℃以下であることが好ましい。
【００４２】
また、光重合型の回異方性導電フィルムを用いて、第１の回路部材の端子と第２の回路部材の端子とを接続する場合は、例えば圧着ツールを用いて、第２の回路部材を押圧しながら紫外線を照射することにより行われる。
【００４３】
また、圧着ツールと第２の回路部材との間に緩衝材を介装して圧着してもよい。緩衝材を介装することにより、押圧ばらつきを低減できると共に、圧着ツールが汚れるのを防止することができる。
【００４４】
圧着ツールとしては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、押圧対象よりも大面積である押圧部材を用いて押圧を１回で行ってもよく、また、押圧対象よりも小面積である押圧部材を用いて押圧を数回に分けて行ってもよい。
【００４５】
圧着ツールの先端形状としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、平面状、曲面状などが挙げられる。なお、先端形状が曲面状である場合、曲面状に沿って押圧することが好ましい。
【００４６】
このような接続構造体の製造方法によれば、銀端子と異方性導電膜との間にポリシロキサン膜が形成されるため、マイグレーションの発生を低減させることができる。このため、エポキシ系の異方性導電フィルムと比べて、接着性が低い傾向があるものの、酸成分の添加により接着性を向上させることが可能であり、低温圧着か可能であるアクリル系の異方性導電フィルムを好適に用いることができる。また、ポリシロキサン膜は絶縁膜として機能するが、圧着によって導電性粒子が変形してポリシロキサン膜を突き破り、電極間の導通を確保することができる。導電性粒子以外の接触面は、ポリシロキサン膜となっており、異方性導電膜から発生する有機酸由来の陰イオンと直接接触することなく、耐マイグレーション性を向上させることができる。なお、前述のように電極端子部分に直接ポリシロキサンを塗布してもいいが、異方性導電フィルムの片面にポリシロキサン膜が形成された回路接続材料を用いてもよい。
【００４７】
＜２．接続構造体＞
図１は、本実施の形態に係る接続構造体の接続部の一部を示す概略断面図である。図１に示すように、接続構造体は、銀端子を有する第１の回路部材１１と、第１の回路部材１１の銀端子に対向する端子を有する第２の回路部材１２と、第１の回路部材１１と第２の回路部材１２とを接続させる異方性導電膜１３と、第１の回路部材１１と異方性導電膜１３との間に形成されたポリシロキサン膜１４とを備える。
【００４８】
第１の回路部材及び第２の回路部材は、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができる。第１の回路部材としては、例えば、プラズマディスプレイパネル（ＰＤＰ）用途、ＬＣＤ（Liquid Crystal Display）パネル用途などのガラス基板、プリント配線板（ＰＷＢ）等を挙げることができる。また、第２の回路部材としては、例えば、ＣＯＦ（Chip On Film）などのフレキシブル基板（ＦＰＣ：Flexible Printed Circuits）、テープキャリアパッケージ（ＴＣＰ）基板、ＩＣ（Integrated Circuit）等を挙げることができる。
【００４９】
本実施の形態では、第１の回路部材として、駆動電流・電圧の大きいプラズマディスプレイを好適に用いることができ、プラズマディスプレイの銀端子と異方性導電膜１３との間にポリシロキサン膜１４を有することにより、マイグレーションの発生を低減させることができる。
【実施例】
【００５０】
＜３．実施例＞
以下、本発明の実施例について説明する。本実施例では、異方性導電フィルムを用いて接続構造体を作製し、マイグレーション、及び初期接続抵抗について評価した。なお、本発明はこれらの実施例に限定されるものではない。
【００５１】
異方性導電フィルムの作製、接続構造体の作製、初期導通抵抗の測定・評価、及びマイグレーション試験は、次のように行った。
【００５２】
［異方性導電フィルムの作製］
２官能アクリレート（新中村化学製、ＤＣＰ）３４質量部、フェノキシ樹脂（新日鐵化学製、ＹＰ５０）３４質量部、ウレタンアクリレート（新中村化学製、Ｕ−２ＰＰＡ）２０質量部、リン酸エステル型アクリレート（日本化薬製、ＰＭ−２）３質量部、ベンゾイルパーオキサイド（日油製、ナイパーＢＷ）６質量部、及び導電性粒子３質量部をトルエンに溶解後、剥離ＰＥＴ上にバーコーターで塗布し、７０℃のオーブン中で６分間乾燥させ、厚み３５μｍの異方性導電フィルムを作製した。
【００５３】
導電性粒子は、次のＡ〜Ｄを使用した。
導電性粒子Ａ：ミクロパールＡＵ（積水化学）  ４μｍφ；樹脂にニッケル／金メッキ
導電性粒子Ｂ：ミクロパールＡＵ（積水化学）  ６μｍφ；樹脂にニッケル／金メッキ
導電性粒子Ｃ：ミクロパールＡＵ（積水化学）１０μｍφ；樹脂にニッケル／金メッキ
導電性粒子Ｄ：ニッケル粒子（住友金属鉱山）１０μｍφ；ニッケル金属粒子
【００５４】
［接続構造体の作製］
図２は、評価用の接続構造体を示す概略平面図であり、図３は、評価用の接続構造体の接続部の一部を示す概略断面図である。図２及び図３に示すように、厚み１．８ｍｍのアルカリガラスからなるガラス基板２０上に２００μｍピッチ（Ｌ／Ｓ＝１／１）の陽極２１と陰極２２とからなる櫛歯銀配線が形成された回路基板を使用した。銀配線パターンの中心付近に１ｍｍ幅の異方性導電フィルム２３を貼りつけ、ＦＰＣ圧着と同じ構成にするため、ポリイミドフィルム２４を載せて圧着を行った。塗布物質を塗布する場合、銀配線パターン全体に厚みが５μｍとなるように塗布してから圧着を行った。圧着条件は、１８０℃−３ＭＰａ−１０ｓｅｃ、圧着ツール寸法は、１０ｍｍ×４０ｍｍであった。圧着後、異方性導電膜と接触していない部分の水分侵入を防ぐために、封止剤２５（ＴＳＥ３９９６−Ｗ）にて封止した。
【００５５】
塗布物質は、次のＡ〜Ｃを使用した。
塗布物質Ａ：ＢＹＫ−３２０（ビックケミー・ジャパン）  ポリエーテル変性ポリメチルアルキルシロキサン（一般式（１））
【化３】
2015185490.tif 000005
式中Ｒ１は、エチレンオキサイドの場合−Ｈ、プロピレンオキサイドの場合−ＣＨ３である。
塗布物質Ｂ：ＢＹＫ−３０２（ビックケミー・ジャパン）  ポリエーテル変性ポリジメチルシロキサン（一般式（２））
【化４】
2015185490.tif 000006
塗布物質Ｃ：ＹＰ−５０（新日鐵化学）  ビスフェノールＡエポクロロヒドリン型エポキシ樹脂・酢酸エチル溶解品（一般式（３））
【化５】
2015185490.tif 000007
【００５６】
［初期接続抵抗の測定・評価］
デジタルマルチメーター（商品名：デジタルマルチメーター７５６１、横河電機社製）を用いて初期接続抵抗（Ω）の測定を行った。接続抵抗が０．１Ω以上０．５Ω未満の場合の評価を「◎」、接続抵抗が０．５Ω以上１．０Ω未満の場合の評価を「○」、及び接続抵抗が１．０Ω以上１．５Ω未満の場合の評価を「△」とした。
【００５７】
［マイグレーション試験］
温度６０℃、湿度９５％の恒温槽に接続構造体を入れ、電圧７５Ｖをかけて絶縁抵抗を測定した。そして、抵抗値が２．３４４Ｅ＋０５Ω以下となった時間をマイグレーションが発生した時間とした。なお、試験時間の上限は１００ｈとした。
【００５８】
＜実施例１＞
表１に示すように、銀配線パターン全体に塗布物質Ａを塗布し、導電性粒子Ｄを配合した異方性導電フィルムを用いて接続構造体を作製した。実施例１の接続構造体において、マイグレーションの発生開始時間は１００ｈ以上であり、初期導通抵抗の評価は◎であった。
【００５９】
＜実施例２＞
表１に示すように、銀配線パターン全体に塗布物質Ｂを塗布し、導電性粒子Ｄを配合した異方性導電フィルムを用いて接続構造体を作製した。実施例２の接続構造体において、マイグレーションの発生開始時間は１００ｈ以上であり、初期導通抵抗の評価は◎であった。
【００６０】
＜実施例３＞
表１に示すように、銀配線パターン全体に塗布物質Ａを塗布し、導電性粒子Ａを配合した異方性導電フィルムを用いて接続構造体を作製した。実施例３の接続構造体において、マイグレーションの発生開始時間は１００ｈ以上であり、初期導通抵抗の評価は△であった。
【００６１】
＜実施例４＞
表１に示すように、銀配線パターン全体に塗布物質Ａを塗布し、導電性粒子Ｂを配合した異方性導電フィルムを用いて接続構造体を作製した。実施例４の接続構造体において、マイグレーションの発生開始時間は１００ｈ以上であり、初期導通抵抗の評価は○であった。
【００６２】
＜実施例５＞
表１に示すように、銀配線パターン全体に塗布物質Ａを塗布し、導電性粒子Ｃを配合した異方性導電フィルムを用いて接続構造体を作製した。実施例５の接続構造体において、マイグレーションの発生開始時間は１００ｈ以上であり、初期導通抵抗の評価は○であった。
【００６３】
＜比較例１＞
表１に示すように、銀配線パターン全体に塗布物質を塗布せずに、導電性粒子Ｄを配合した異方性導電フィルムを用いて接続構造体を作製した。比較例１の接続構造体において、マイグレーションの発生開始時間は１４ｈであり、初期導通抵抗の評価は◎であった。
【００６４】
＜比較例２＞
表１に示すように、銀配線パターン全体に塗布物質Ｃを塗布し、導電性粒子Ｄを配合した異方性導電フィルムを用いて接続構造体を作製した。比較例２の接続構造体において、マイグレーションの発生開始時間は１７ｈであり、初期導通抵抗の評価は◎であった。
【００６５】
【表１】
2015185490.tif 000008
【００６６】
比較例１のように銀パターン上に塗布物質を塗布しなかった場合、マイグレーションが発生した。また、比較例２のように銀パターン上にポリシロキサン以外のものを塗布した場合も、マイグレーションが発生した。
【００６７】
一方、実施例１〜５のように銀パターン上にポリシロキサンを塗布した場合、マイグレーションの発生を抑制することができた。また、導電性粒子の平均粒径がポリシロキサンの塗布膜より大きいことにより、良好な初期導通抵抗が得られることがわかった。また、導電性粒子が金属粒子であることにより、優れた初期導通抵抗が得られることがわかった。
【符号の説明】
【００６８】
１１  第１の回路部材、１２  第２の回路部材、１３  異方性導電膜、１４  ポリシロキサン膜、２０  ガラス基板、２１  陽極、２２  陰極、２３  異方性導電フィルム、２４  ポリイミドフィルム
【図１】
2015185490.tif 000009
【図２】
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【図３】
2015185490.tif 000011