(57)【要約】  【課題】  接続性が高い配線基板およびそれを用いた多層配線基板を提供する。  【解決手段】  配線基板５であって、積層された複数の絶縁層１と、絶縁層１に設けられた貫通導体３と、複数の絶縁層１の層間に設けられた、貫通導体３に電気的に接続された配線層２とを含む薄膜多層部４を有し、薄膜多層部４の複数の絶縁層１の層間のうちの少なくとも１つの層間において、配線層２と貫通導体３とは、間に配置された接合部材７を介して電気的に接続され、絶縁層１同士は、間に配置された樹脂接着層８を介して接着されており、接合部材７は、本体部７ａと突出部７ｂとを含んでおり、突出部７ｂは、配線層２との接合部側で本体部７ａから絶縁層１の層方向に突出しており、突出部７ｂと絶縁層１との間に樹脂接着層８が配設されている。【選択図】  図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
積層された複数の絶縁層と、該絶縁層に設けられた貫通導体と、複数の前記絶縁層の層間に設けられた、前記貫通導体に電気的に接続された配線層とを含む薄膜多層部を有する配線基板であって、
前記薄膜多層部の複数の前記絶縁層の層間のうちの少なくとも１つの層間において、前記配線層と前記貫通導体とは、間に配置された接合部材を介して電気的に接続され、前記絶縁層同士は、間に配置された樹脂接着層を介して接着されており、前記接合部材は、本体部と突出部とを含んでおり、該突出部は、前記配線層との接合部側で前記本体部から前記絶縁層の層方向に突出しており、前記突出部と前記絶縁層との間に前記樹脂接着層が配設されていることを特徴とする配線基板。
【請求項２】
前記接合部材は、前記本体部の一部が前記絶縁層の内部に位置していることを特徴とする請求項１に記載の配線基板。
【請求項３】
セラミック基板と、
該セラミック基板の上面に積層された、請求項１または請求項２に記載の配線基板とを備えることを特徴とする多層配線基板。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、積層された複数の絶縁層と、絶縁層に設けられた貫通導体と、複数の絶縁層の層間に設けられた、貫通導体に電気的に接続された配線層とを含む薄膜多層部を有する配線基板およびそれを備えた多層配線基板に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来、半導体素子を上面の端子に接続し、この端子と電気的に接続された下面の接続パッドを外部電気回路に電気的に接続するための多層配線基板として、複数の薄膜配線層と複数の樹脂絶縁層とが交互に積層されてなる薄膜多層部を有する配線基板が、セラミック基板等の基板の上面に配置されてなる多層配線基板が知られている。このような多層配線基板は、例えば、半導体素子の電気的なチェックを行なう、いわゆるプローブカード用の基板として用いられている。
【０００３】
このような多層配線基板におけるセラミック基板は、例えば、酸化アルミニウム質焼結体等からなる絶縁基体の上下面および内部に、タングステン等の金属材料からなるメタライズ配線層および貫通導体等の配線導体が配置された構造である。そして、薄膜多層部の上面に露出して形成された薄膜配線層が半導体素子と接続される端子として機能し、セラミック基板の下面に形成された配線導体が外部接続用の接続パッドとして機能する。
【０００４】
多層配線基板は、例えば、絶縁層と配線層とが交互に積層された積層構造体をそれぞれ別々に製作した後、積層構造体の接続用バンプと積層構造体のビアホールとを互いに重ね合わせて接着することによって薄膜多層部を有する配線基板が形成されている。このような多層配線基板としては、例えば、特許文献１に開示されたものがある。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開平０６―６９６５２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかしながら、上述の多層配線基板は、別々に製作された積層構造体の接続用バンプと積層構造体のビアホールとを互いに重ね合わせて接着されており、接続用バンプとビアホールとの間に未接着部が生じ、接着強度が低下しやすくなる。これによって、多層配線基板は、別々に製作された積層構造体の層間で剥がれが生じやすいという問題点があった。
【０００７】
本発明は、上記の問題点に鑑みてなされたものであり、その目的は、配線層と貫通導体との間に突出部を含む接合部材を配置することによって、別々に製作された構造体の層間の接続性を向上させることができる多層配線基板を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明の一つの態様による配線基板は、積層された複数の絶縁層と、該絶縁層に設けられた貫通導体と、複数の前記絶縁層の層間に設けられた、前記貫通導体に電気的に接続された配線層とを含む薄膜多層部を有する配線基板であって、前記薄膜多層部の複数の前記絶縁層の層間のうちの少なくとも１つの層間において、前記配線層と前記貫通導体とは、間に配置された接合部材を介して電気的に接続され、前記絶縁層同士は、間に配置された樹脂接着層を介して接着されており、前記接合部材は、本体部と突出部とを含んでおり、該突出部は、前記配線層との接合部側で前記本体部から前記絶縁層の層方向に突出してお
り、前記突出部と前記絶縁層との間に前記樹脂接着層が配設されていることを特徴とするものである。
【発明の効果】
【０００９】
本発明の配線基板によれば、配線層と貫通導体との間に突出部を含む接合部材を配置することによって、別々に製作された構造体の層間の接続性を向上させることができる。
【図面の簡単な説明】
【００１０】
【図１】（ａ）は、本発明の実施形態における配線基板および多層配線基板を示す断面図であり、（ｂ）は、（ａ）に示された配線基板のＡ部を拡大して示す断面図である。
【図２】（ａ）は、本発明の実施形態における配線基板および多層配線基板の他の例を示す断面図であり、（ｂ）は、（ａ）に示された配線基板のＢ部を拡大して示す断面図である。
【図３】本発明の実施形態における配線基板および多層配線基板の他の例を示す断面図である。
【図４】（ａ）〜（ｄ）は、本発明の実施形態における配線基板および多層配線基板の製造方法を説明するための説明図である。
【発明を実施するための形態】
【００１１】
以下、本発明の実施形態に係る配線基板および多層配線基板について、図面を参照しながら説明する。なお、以下の説明で用いられる図は模式的なものであり、図面上の寸法比率等は現実のものとは必ずしも一致していない。また、配線基板および多層配線基板は、説明の便宜上、直交座標系ＸＹＺを定義するとともに、Ｚ方向の正側を上方として、適宜、上面（表面）もしくは下面の語を用いるものとする。
【００１２】
また、実施形態等の説明において、既に説明した構成と同一若しくは類似する構成については、同一の符号を付して説明を省略することがある。
【００１３】
＜実施の形態１＞
本発明の第１の実施の形態（実施の形態１という）に係る配線基板５および多層配線基板１１について、図１を参照しながら以下に説明する。
【００１４】
実施の形態１に係る配線基板５は、図１に示すような構成を備えている。また、多層配線基板１１は、セラミック基板６と、セラミック基板６に積層された配線基板５とを備えている。
【００１５】
配線基板５は、積層された複数の絶縁層１と、絶縁層１に設けられた貫通導体３と、複数の絶縁層１の層間に設けられた、貫通導体３に電気的に接続された配線層２とを含む薄膜多層部４を有している。そして、配線基板５は、薄膜多層部４の複数の絶縁層１の層間のうちの少なくとも１つの層間において、配線層２と貫通導体３とは、間に配置された接合部材７を介して電気的に接続され、絶縁層１同士は、間に配置された樹脂接着層８を介して接着されている。接合部材７は、本体部７ａと突出部７ｂとを含んでおり、突出部７ｂは、配線層２との接合部側で本体部７ａから絶縁層１の層方向に突出しており、突出部７ｂと絶縁層１との間に樹脂接着層８が配設されている。接合部材７の突出部７ｂは、絶縁層１の表面（上面）から離間している。
【００１６】
多層配線基板１１は、薄膜多層部４を有する配線基板５とセラミック基板６とを含んでおり、配線基板５は、セラミック基板６に積層されている。
【００１７】
配線基板５は、薄膜多層部４が絶縁層１と配線層２とが交互に積層された構造を有して
いる。それぞれの絶縁層１の表面には、配線層２が設けられており、配線層２は複数の絶縁層１の層間に設けられ、絶縁層１内において上下方向に貫通する貫通導体３を介して互いに電気的に接続されている。図１において、薄膜多層部４は、第１〜第４の絶縁層１ａ〜１ｄで構成されている。なお、複数の絶縁層１は、絶縁層間接着層４ａを介して互いに接着されている。
【００１８】
また、セラミック基板６は、多層配線基板１１の全体の剛性を確保する機能を有している。薄膜多層部４を有する配線基板５をセラミック基板６に設けることによって、剛性の高いセラミック基板６上に半導体素子等の電極に対応する微細な配線層２を含む薄膜多層部４を有する配線基板５を設けることができるので、プローブカード等に使用可能な多層配線基板１１を形成することができる。
【００１９】
また、薄膜多層部４において、絶縁層１を厚み方向に貫通する貫通導体３および配線層２は、配線基板５に搭載される半導体素子等の電極をプリント回路基板等の外部の電気回路（図示せず）に電気的に接続するための導電路となる部分である。例えば、薄膜多層部４の上面の中央部に半導体素子を搭載するとともに、その電極を薄膜多層部４の最上面に露出する貫通導体３に、はんだまたはプローブ等を介して電気的に接続すれば、半導体素子の電極が配線層２および貫通導体３を介して薄膜多層部４の最下面の配線層２と導通される。そして、この薄膜多層部４の最下面の配線層２を、例えば、セラミック基板６に予め形成しておいた配線導体９を介して外部の電気回路に電気的に接続すれば、半導体素子の電極と外部の電気回路とが電気的に接続される。
【００２０】
図１に示すように、セラミック基板６は、平面視で薄膜多層部４と同様の形状および寸法で形成されている。つまり、多層配線基板１１は、例えば、全体が四角板状または円板状等であり、上面が、実装または電気チェックを行なう半導体素子等の電子部品を搭載（半導体素子を多層配線基板１１に電気的および機械的に接続して半導体装置とするための実装、または、半導体素子に対して電気的なチェックを施すための一時的な載置）するための部位として使用される。半導体素子としては、ＩＣまたはＬＳＩ等の半導体集積回路素子、あるいは、半導体基板の表面に微小な電子機械機構が形成されてなるマイクロマシン（いわゆるＭＥＭＳ素子）等が挙げられる。
【００２１】
ここで、配線基板５について以下に説明する。
【００２２】
薄膜多層部４において、絶縁層１は、配線層２を形成するための基材として機能している。また、絶縁層１は、配線層２同士の電気的な絶縁性を確保するための絶縁材として機能している。絶縁層１は、樹脂材料からなり、例えば、長方形状または正方形状等の四角形状、または、円形状等で、厚みが、例えば、１２０（μｍ）〜１８５（μｍ）の層状に形成されている。
【００２３】
また、図１に示すように、複数の絶縁層１は、平面視でそれぞれの外形寸法および形状が同様であり、配線基板５の外側面に凹凸が生じないように積層されている。このように薄膜多層部４は、複数の絶縁層１が積層されてなる積層体の構成を有しており、積層された複数の絶縁層１は、薄膜多層部４における絶縁性の基体部分（符号なし）となるものであり、例えば、上面に半導体素子等の電子部品（図示せず）が搭載され、下面がセラミック基板６等の剛性の高い基板上に取着される。
【００２４】
絶縁層１は、例えば、エポキシ樹脂、ポリイミド樹脂、ポリアミドイミド樹脂、ポリエーテルイミド樹脂または液晶ポリマー等の絶縁性の樹脂材料からなるものである。
【００２５】
絶縁層１の表面には配線層２が形成されており、配線層２は、例えば、銅、銀、パラジ
ウム、金、白金、アルミニウム、クロム、ニッケル、コバルトまたはチタン等の金属材料、または、これらの金属材料の合金材料からなる。また、配線層２は、厚みが、例えば、３（μｍ）〜２５（μｍ）である。
【００２６】
配線層２は、上記の金属材料をスパッタリング法、蒸着法またはめっき法等の方法を用いて絶縁層１の上面等の表面に被着させ、必要に応じてマスキングまたはエッチング等のトリミング加工を施すことによって、所定のパターンで絶縁層１の表面に形成することができる。
【００２７】
貫通導体３は、例えば、絶縁層１の一部にＣＯ２レーザまたはＹＡＧレーザによるレーザ加工、ＲＩＥ（リアクティブ  イオン  エッチング）または溶剤によるエッチング等の孔あけ加工法を用いて厚み方向に貫通する貫通孔（符号なし）を形成し、この貫通孔内に貫通導体３となる導体材料を、スパッタリング法、蒸着法、めっき法または導体ペーストの充填等の方法を用いて充填することによって形成することができる。
【００２８】
貫通導体３は、例えば、銅、銀、パラジウム、金、白金、アルミニウム、クロム、ニッケル、コバルト、チタンまたはタングステン等の金属材料、または、これらの金属材料の合金材料からなる。
【００２９】
また、貫通導体３は、絶縁層１に設けられており、複数の絶縁層１の層間に設けられた配線層２に電気的に接続されている。また、貫通導体３は、例えば、平面視において直径が、例えば、２０（μｍ）〜６０（μｍ）の円形状であり、絶縁層１の内部に円柱状に設けられている。また、貫通導体３は、平面視での形状が円形状に限らず、楕円形状または四角形状であってもよい。
【００３０】
配線層２および貫通導体３を絶縁層１に形成して、この絶縁層１を薄膜多層部４に必要な層数積層することによって、複数の絶縁層１からなる薄膜多層部４が形成される。また、上下に位置する絶縁層１は、図１に示すように、絶縁層間接着層４ａを介して互いに接着されている。また、絶縁層間接着層４ａは、例えば、エポキシ樹脂、ポリフェニレンエーテル樹脂、ポリイミド樹脂、ポリキノリン樹脂、ポリアミドイミド樹脂またはフッ素樹脂等の材料からなる。
【００３１】
また、図１に示すように、配線基板４は、薄膜多層部４が最上層の絶縁層１に凹みを有しており、この最上層の絶縁層１の凹み部の貫通導体３の表面には、腐食防止またはプローブとの接続性のために、めっき層１２が設けられている。具体的には、めっき層１２は、厚みが１（μｍ）〜１０（μｍ）程度のニッケルめっき層および厚みが０．１（μｍ）〜３（μｍ）程度の金めっき層を順次形成するとよい。
【００３２】
また、最上層の絶縁層１の構成は、最上層の絶縁層１の表面（上面）に配線層２を設けてもよい。その場合には、絶縁層１の配線層２の上面に、ニッケルめっき層および金めっき層を順次形成してもよい。
【００３３】
薄膜多層部４は、図１においては、４層の絶縁層１（第１〜第４の絶縁層１ａ〜１ｄからなる４層の絶縁層１）で構成されており、樹脂接着層８を間に挟んで、下方側に第１の絶縁層１ａが、上方側に第２〜第４の絶縁層１ｂ〜１ｄがそれぞれ配置されている。
【００３４】
また、図１では、樹脂接着層８は、薄膜多層部４の複数の絶縁層１の層間のうちの少なくとも１つの層間、すなわち、第１の絶縁層１ａと第２の絶縁層１ｂとの層間に設けられている。そして、樹脂接着層８を間に挟んで、上方に位置する第２の絶縁層１ｂの配線層２と下方に位置する第１の絶縁層１ａの貫通導体３とは、間に配置された接合部材７を介
して電気的に接続されている。また、第１の絶縁層１ａと第２の絶縁層１ｂとは、間に配置された樹脂接着層８を介して互いに接着されている。また、樹脂接着層８は、例えば、エポキシ樹脂、ポリフェニレンエーテル樹脂、ポリイミド樹脂、ポリキノリン樹脂、ポリアミドイミド樹脂またはフッ素樹脂等の材料からなり、厚みが、例えば、５（μｍ）〜２０（μｍ）である。
【００３５】
接合部材７は、図１に示すように、本体部７ａと突出部７ｂとを含んでいる。接合部材７は、本体部７ａが第１の絶縁層１ａの貫通導体３の上面に設けられており、本体部７ａの下面が第１の絶縁層１ａの上面と同一面内に位置して、本体部７ａの下面と貫通導体３の上面とは互いに接合している。また、接合部材７は、突出部７ｂの上面が第２の絶縁層１ｂの配線層２に接合している。突出部７ｂは、配線層２との接合部側で本体部７ａから第１の絶縁層１ａまたは第２の絶縁層１ｂの層方向に突出しており、第１の絶縁層１ａの表面（上面）から離間している。すなわち、突出部７ｂは、第１の絶縁層１ａの表面（上面）から離れた上方の位置に設けられている。なお、「層方向」とは、図１乃至図４において、ＸＹ面に平行な方向のことをいう。
【００３６】
図１（ｂ）に示すように、第１の絶縁層１ａの表面（上面）と突出部７ｂとの距離Ｌは、例えば、５（μｍ）〜１５（μｍ）である。また、突出部７ｂは、本体部７ａから、例えば、１０（μｍ）〜２０（μｍ）の長さで突出している。接合部材７は、例えば、錫、銅または銀等の金属材料、または、これらの金属材料の合金材料からなる。また、接合部材７は、金―錫合金、錫―銀合金または錫―銅合金等のはんだ材料を用いることができる。
【００３７】
また、突出部７ｂは、凸面状すなわち縦断面視で凸状になっており、下方に向かって拡がるような傘状の形状になっている。このように、突出部７ｂは、曲面状すなわち縦断面視で曲線状を有しており、突出部７ｂの上面と第２の絶縁層１ｂまたは第２の絶縁層１ｂの配線層２との間に樹脂接着層８が配設され、接合部材７と樹脂接着層８との接着面積が増加するので、上下に位置する絶縁層１間の層間の接続性を向上させることができる。なお、突出部７ｂは、上面が第２の絶縁層１ｂの配線層２に接合して、本体部７ａから第１の絶縁層１ａまたは第２の絶縁層１ｂの層方向に突出していればよく、例えば、形状が縦断面視で四角形状等であってもよい。
【００３８】
図１に示すように、突出部７ｂは、第１の絶縁層１ａから離間しており、突出部７ｂと第１の絶縁層１ａの表面（上面）との間には樹脂接着層８が配設されている。このように、樹脂接着層８が接合部材７の本体部７ａの外周を囲むように設けられている。また、突出部７ｂの上面と第２の絶縁層１ｂの下面または配線層２との間にも樹脂接着層８が配設されている。
【００３９】
このように、実施の形態１の配線基板５において、薄膜多層部４の複数の絶縁層１の層間のうちの少なくとも１つの層間において、配線層２と貫通導体３とは、間に配置された接合部材７を介して電気的に接続され、絶縁層１同士（第１の絶縁層１ａおよび第２の絶縁層１ｂ）は、間に配置された樹脂接着層８を介して接着されている。そして、接合部材７は、本体部７ａと突出部７ｂとを含んでおり、突出部７ｂは、配線層２に接合し、本体部７ａから絶縁層１の層方向に突出して、絶縁層１の表面から離間しており、突出部７ｂと絶縁層１との間に樹脂接着層８が配設されている。
【００４０】
したがって、配線基板５は、薄膜多層部４において、本体部７ａから第１の絶縁層１ａまたは第２の絶縁層１ｂの層方向に突出するとともに第１の絶縁層１ａの表面（上面）から離間しており、樹脂接着層８が突出部７ｂと絶縁層１との間に配設されているので、上下に位置する第１の絶縁層１ａと第２の絶縁層１ｂとの層間の接続性を向上させることが
できる。すなわち、接合部材７は、突出部７ｂが樹脂接合層８のＸＹ面に沿って張り出すことによって突出部７ｂが楔としての機能を有することになり、第１の絶縁層１ａと第２の絶縁層１ｂとの層間において、Ｚ方向に作用する剥がれの力を抑制することができるので、第１の絶縁層１ａと第２の絶縁層１ｂとの層間の接続性を向上させることができる。
【００４１】
このように、実施の形態１の配線基板５において、薄膜多層部４の複数の絶縁層１の層間のうちの少なくとも１つの層間において、上下の絶縁層１同士が、樹脂接着層８を介して互いに接着されているとともに、上側の第２の絶縁層１ｂの配線層２と下側の第１の絶縁層１ａの貫通導体３とが、配線層２と貫通導体３との間に配置された接合部材７によって互いに電気的に接続されている場合には、配線基板５としての生産性を高める上で効果的であり、さらに、接合部材７が突出部７ｂを有しており、突出部７ｂと第１の絶縁層１ａとの間に樹脂接着層８が配設されているので、第１の絶縁層１ａと第２の絶縁層１ｂとの層間の接続性を向上させることができる。
【００４２】
すなわち、図１では、配線基板５は、第１の絶縁層１ａ（第１のブロックという）と、第２〜第４の絶縁層１ｂ〜１ｄからなる積層体（第２のブロックという）をそれぞれ別々に製作する。なお、第１のブロックは接合部材８を含んでおり、第２のブロックは樹脂接着層８を含んでいる。薄膜多層部４は、第１のブロックと第２のブロックとを樹脂接着層８を介して接着することによって生産することができるため、配線基板５は生産性を高めることが容易である。
【００４３】
言い換えれば、薄膜多層部４を、例えば、セラミック基板６の上面に順次樹脂絶縁層１等を積層させて製作するのではなく、これらの絶縁層１等を複数のブロック（実施の形態１においては、第１のブロックと第２のブロックとからなる２つのブロック）に分けて並行して製作することができるので、生産性を高めることができる。また、第１のブロックと第２のブロックとの電気的接続が突出部７ｂを有する接合部材７を用いているので、ブロック間の層間において絶縁層１の層間の接続性を向上させることができる。
【００４４】
本発明は上述の実施の形態１の配線基板５または多層配線基板１１に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲において種々の変更、改良等が可能である。以下、他の実施の形態について説明する。なお、他の実施の形態に係る配線基板および多層配線基板のうち、実施の形態１に係る配線基板５および多層配線基板１１と同様な部分については、同一の符号を付して適宜説明を省略する。
【００４５】
＜実施の形態２＞
本発明の第２の実施の形態（実施の形態２という）に係る配線基板５Ａおよび多層配線基板１１Ａについて、図２を参照しながら以下に説明する。
【００４６】
実施の形態２の配線基板５Ａにおいて、貫通導体３は、図２に示すように、上面が第１の絶縁層１ａの内部に位置するように形成されており、接合部材７Ａは、本体部７ａの一部が絶縁層１の内部に位置している。すなわち、接合部材７Ａは、本体部７ａの一部が、すなわち、本体部７ａの下端部が第１の絶縁層１ａに埋設するように設けられている。
【００４７】
また、図２（ｂ）に示すように、接合部材７Ａは、第１の絶縁層１ａの上面と本体部７ａの下面との距離Ｌ１が、例えば、１（μｍ）〜８（μｍ）の範囲に位置するように設けられている。
【００４８】
このように、接合部材７Ａは、本体部７ａの一部が絶縁層１の内部に位置しているので、配線基板５は、接合部材７Ａに応力が加わっても、接合部材７Ａが貫通導体３から剥がれにくく、接合部材７Ａと貫通導体３との接続信頼性を向上させることができる。
【００４９】
また、実施の形態１の配線基板５は、薄膜多層部４が、第１の絶縁層１ａ（第１のブロックという）と、第２〜第４の絶縁層１ｂ〜１ｄからなる積層体（第２のブロックという）とで構成されており、第１の絶縁層１ａと第２の絶縁層１ｂとの層間において、配線層２と貫通導体３とは、間に配置された接合部材７を介して電気的に接続され、接合部材７と配線層２とが接合され、絶縁層１同士は、間に配置された樹脂接着層８を介して接着されているが、このような構成に限らない。
【００５０】
例えば、配線基板５Ｂは、図３に示すように、薄膜多層部４Ｂが、第１〜第２の絶縁層１ａ〜１ｂからなる積層体（第１のブロックという）と、第３〜第５の絶縁層１ｃ〜１ｅとからなる積層体（第２のブロックという）とで構成されて、第２の絶縁層１ｂと第３の絶縁層１ｃとの層間において、配線層２と貫通導体３とは、間に配置された接合部材７を介して電気的に接続され、接合部材７と配線層２とが接合され、絶縁層１同士は、間に配置された樹脂接着層８を介して接着されていてもよい。
【００５１】
また、例えば、薄膜多層部４は、第１〜第３の絶縁層１ａ〜１ｃからなる積層体（第１のブロック）と、第４〜第６の絶縁層１ｄ〜１ｆからなる積層体（第２のブロック）と、第７〜第９の絶縁層１ｇ〜１ｉからなる積層体（第３のブロック）とで構成されて、第３の絶縁層１ｃと第４の絶縁層１ｄとの層間において、配線層２と貫通導体３とは、間に配置された接合部材７を介して電気的に接続され、接合部材７と配線層２とが接合され、絶縁層１同士は、間に配置された樹脂接着層８を介して接着され、さらに、第６の絶縁層１ｆと第７の絶縁層１ｇとの層間において、配線層２と貫通導体３とは、間に配置された接合部材７を介して電気的に接続され、接合部材７と配線層２とが接合され、絶縁層１同士は、間に配置された樹脂接着層８を介して接着されていてもよい。
【００５２】
すなわち、配線基板５は、薄膜多層部４が所望の絶縁層１の積層数になるように、ブロック数が適宜設定され、薄膜多層部４において接合部材７と樹脂接着層８との配置は、そのブロック数に応じて適宜設定される。また、ブロック内の絶縁層１の積層数も配線基板５の生産性等を考慮して適宜設定される。
【００５３】
また、薄膜多層部４Ａを有する配線基板５Ａを備えた多層配線基板１１Ａは、例えば、以下のようにして作製することができる。ここでは、図２に示すように、第１の絶縁層１ａ（第１のブロックという）と、第２〜第４の絶縁層１ｂ〜１ｄからなる積層体（第２のブロックという）とからなる薄膜多層部４Ａを有する配線基板５Ａの場合について、図４を参照しながら説明する。
【００５４】
まず、図４（ａ）に示すように、薄膜多層部４Ａの第２のブロック（第２〜第４の絶縁層１ｂ〜１ｄからなる積層体について説明する。なお、第２のブロックは、第４の絶縁層１ｄ、第３の絶縁層１ｃ、第２の絶縁層１ｂの順に積層して形成する。
【００５５】
支持体上に接着フィルムと第４の絶縁層１ｄとなる絶縁フィルムとを積層して、例えば、プレス加工法を用いて接合する。そして、エッチング法を用いて、配線層２が形成される位置に、その配線層２のパターンに応じた凹状部を絶縁フィルムに形成する。そして、例えば、蒸着法、スパッタリング法、イオンプレート法等の薄膜形成法およびめっき法等を用いて、絶縁フィルムの表面の凹状部に配線層２を形成する。必要に応じて、マスキングまたはエッチング等のトリミング加工を施して、絶縁フィルムの表面に配線層２を形成する。
【００５６】
次に、上記の第４の絶縁層１ｄとなる絶縁フィルム上に、絶縁層間接着層４ａとなる接着フィルムと第３の絶縁層１ｃとなる絶縁フィルムとを積層して、例えば、プレス加工法
を用いて接合する。そして、絶縁フィルム（第４の絶縁層１ｄ）に形成された配線層２に対応する位置に、第３の絶縁層１ｃとなる絶縁フィルムの一部を厚み方向に貫通させるように、ＣＯ２レーザまたはＹＡＧレーザによるレーザ加工、ＲＩＥ（リアクティブ  イオン  エッチング）、あるいは、溶剤によるエッチング等の孔あけ加工を用いて貫通孔を形成する。その後、貫通孔の内部に金属材料（銅、銀、パラジウム、金、白金、アルミニウム、クロム、ニッケル、コバルト、チタンまたはタングステン）をスパッタリング法、蒸着法、めっき法等の方法を用いて充填することよって、貫通導体３を形成する。そして、貫通導体３に対応するように、配線層２を第３の絶縁層１ｃとなる絶縁フィルムの表面に上記と同様な方法を用いて形成する。
【００５７】
そして、第３の絶縁層１ｃとなる絶縁フィルム上に、絶縁層間接着層４ａとなる接着フィルムと第２の絶縁層１ｂとなる絶縁フィルムとを積層して、例えば、プレス加工法を用いて接合する。上記と同様な方法を用いて、第２の絶縁層１ｂとなる絶縁フィルムに貫通導体３および配線層２を形成する。このようにして形成された第２の絶縁層１ｂ〜第４の絶縁層１ｄからなる積層体を支持体から剥がして、第２のブロック（第２〜第４の絶縁層１ｂ〜１ｄからなる積層体）とすることができる。なお、第２ブロックは、積層体の第２の絶縁層１ｂが下側に位置するようにすることで、図１のおける薄膜多層部４とすることができる。
【００５８】
そして、第２ブロックの第２の絶縁層１ｂ（第１の絶縁層１ａに対向する側）に樹脂接着層８を積層して、第１ブロックの接合部材７Ａに対応する位置に開口部を形成する。開口部は、例えば、ＣＯ２レーザまたはＹＡＧレーザによるレーザ加工、ＲＩＥ（リアクティブ  イオン  エッチング）、あるいは、溶剤によるエッチング等の孔あけ加工を用いて形成する。
【００５９】
また、薄膜多層部４Ａの最上層の凹みに設けられた貫通導体３は、支持体から第２のブロック（第２〜第４の絶縁層１ｂ〜１ｄからなる積層体）を剥がした後、第４の絶縁層１ｄに形成される。凹部は、第４の絶縁層１ｄに対して、例えば、ＣＯ２レーザまたはＹＡＧレーザによるレーザ加工、ＲＩＥ（リアクティブ  イオン  エッチング）、あるいは、溶剤によるエッチング等の孔あけ加工を用いて貫通孔を形成する。そして、貫通導体３は、例えば、銅、銀、パラジウム、金、白金、アルミニウム、クロム、ニッケル、コバルトまたはチタン等の金属材料、または、これらの金属材料の合金材料を貫通孔の途中まで充填することによって形成される。また、貫通導体３の表面には、例えば、ニッケルめっき層および金めっき層が形成される。
【００６０】
次に、図４（ｂ）に示すように、薄膜多層部４Ａの第１のブロック（第１の絶縁層１ａ）について以下に説明する。
【００６１】
第２のブロックと同様に、支持体上に接着フィルムと第１の絶縁層１ａとなる絶縁フィルムとを積層して、例えば、プレス加工法を用いて接合して、配線層２および貫通導体３を形成する。
【００６２】
配線層２は、その配線層２のパターンに応じた凹状部を絶縁フィルムに形成する。そして、例えば、蒸着法、スパッタリング法、イオンプレート法等の薄膜形成法およびめっき法等を用いて、絶縁フィルムの表面の凹状部に配線層２を形成する。必要に応じて、マスキングまたはエッチング等のトリミング加工を施して、絶縁フィルムの表面に配線層２を形成する。
【００６３】
そして、支持体から第１の絶縁層１ａを剥がした後、配線層２が形成された側とは反対側の絶縁フィルム上に、例えば、ノボラック樹脂系の感光性樹脂層を設けて、貫通導体３
に対応する位置に、第１の絶縁層１ａと感光性樹脂との両方を同時に厚み方向に貫通するように、ＣＯ２レーザまたはＹＡＧレーザによるレーザ加工、ＲＩＥ（リアクティブ  イオン  エッチング）、あるいは、溶剤によるエッチング等の孔あけ加工を用いて貫通孔を形成する。また、絶縁フィルム上に熱硬化性の樹脂材料を用いて、同様方法を用いて貫通孔を形成することもできる。
【００６４】
この貫通孔に、貫通導体３となる、例えば、銅、銀、パラジウム、金、白金、アルミニウム、クロム、ニッケル、コバルトまたはチタン等の金属材料、または、これらの金属材料の合金材料を、貫通導体３の上面が第１の絶縁層１ａの内部に位置するように、第１の絶縁層１ａの途中まで設ける。
【００６５】
そして、貫通孔の途中まで設けられた貫通導体３上に、感光性樹脂層の貫通孔から溢れる量の接合部材７の材料を貫通孔に与えることによって、接合部材７の材料が貫通孔に充填されるとともに、突出部７ｂが下方に向かって拡がるような傘状の形状にすることができる。具体的には、接合部材７の材料としてはんだ材料を用いて、溶融されたはんだ材料を感光性樹脂層の貫通孔から溢れるように供給する。その後、溶融されたはんだ材料を凝固することによって、貫通孔の周囲の感光性樹脂層の表面に貫通孔から溢れたはんだ材料によって突出部７ｂとなる傘状の形状が形成される。
【００６６】
そして、感光性樹脂層を剥離除去することによって、接合部材７Ａは、本体部７ａから第１の絶縁層１ａの層方向に突出して、第１の絶縁層１ａの表面から離間するような形状になる。そして、接合部材７Ａは、本体部７ａの一部が第１の絶縁層１ａの内部に位置するように形成される。このように、接合部材７ａは、本体部７ａの下端部が第１の絶縁層１ａに入り込むように設けられる。
【００６７】
第２のブロックの樹脂接着層８の開口部と第１のブロックの接合部材７とが対応するように位置合わせをして、例えば、プレス加工法を用いて接合することによって、薄膜多層部４Ａを有する配線基板５Ａとなる。また、プレス加工法は、第１のブロックと第２のブロックとを加熱しながら行なわれる。
【００６８】
このように、接合部材７Ａは第２の絶縁層１ｂの配線層２に接合される。そして、接合部材７Ａを介して第２の絶縁層１ｂの配線層２と第１の絶縁層１ａの貫通導体３とが電気的に接続され、第１の絶縁層１ａと第２の絶縁層１ｂとは樹脂接着層８を介して接着される。
【００６９】
配線基板５Ａの第１の絶縁層１ａのセラミック基板６に対向する面に接合層１０を積層する。この接合層１０は、セラミック基板６上に配線基板５Ａを接合するためのものである。セラミック基板６上に接合層１０を介して配線基板５Ａが接合された多層配線基板１１Ａは、生産性または実用性（いわゆる多品種対応）に優れている。
【００７０】
すなわち、別々に製作した配線基板５Ａとセラミック基板６とを接合層１０を介して接合することによって、多層配線基板１１Ａが製作されるため、セラミック基板６の上面に配線基板５Ａを直接積層する場合に比べて、多層配線基板１１Ａを容易に製作することができる。また、種々のパターンの配線基板をまとめて準備することできるので、いわゆる多品種の多層配線基板の対応も容易である。また、接合層１０は、ポリイミド樹脂、ポリキノリン樹脂、ポリアミドイミド樹脂、エポキシ樹脂またはフッ素樹脂等の熱硬化性樹脂を用いることができる。接合層１０は、厚みが、例えば、１５（μｍ）〜６０（μｍ）である。
【００７１】
そして、上記の配線基板５Ａにおける貫通孔の形成の際に用いる方法と同様の方法を用
いて、接合層１０に貫通孔を形成する。そして、金属材料から導体を貫通孔内に設けることによって接合体１０ａを形成する。接合体１０ａは、例えば、錫、銀または銅等の金属材料からなる。また、接合体１０ａは、金―錫合金、錫―銀合金または錫―銅合金等のはんだ材料を用いることができる。
【００７２】
次に、比較的剛性が高い、例えば、セラミック基板６を準備する。このセラミック基板６は、上面側に剛性が低い薄膜多層部４を有する配線基板５を設けて剛性の高い多層配線基板１１Ａとするためのものである。セラミック基板６は、例えば、酸化アルミニウム質焼結体、窒化アルミニウム質焼結体、ムライト質焼結体またはガラスセラミック焼結体等からなるセラミック材料、あるいは、ガラス母材中に結晶成分を析出させた結晶化ガラス等からなるセラミック材料、また、雲母およびチタン酸アルミニウム等の微結晶焼結体等からなるセラミック材料により形成されている。このようなセラミック材料は、金属材料とほぼ同等の精密な機械加工が可能なセラミック材料（いわゆるマシナブルセラミックス）である。
【００７３】
セラミック基板６は、例えば、酸化アルミニウム質焼結体からなる場合であれば、次のようにして製作することができる。すなわち、酸化アルミニウムおよび酸化ケイ素等の原料粉末に適当な有機バインダおよび有機溶剤を添加混合して作製したスラリーをドクターブレード法またはリップコータ法等のシート成形技術を用いてシート状に成形することによってセラミックグリーンシートを作製して、その後、セラミックグリーンシートを切断加工または打ち抜き加工等を用いて適当な形状および寸法とするとともに、これを約１３００（℃）〜１５００（℃）の温度で焼成することによって製作することができる。
【００７４】
また、セラミック基板６には、必要に応じて配線導体９を、タングステン、モリブデン、マンガン、銅、銀、パラジウム、金または白金等の金属材料を用いて、メタライズ法またはめっき法等の方法を用いて被着させておく。配線導体９は、例えば、タングステンからなる場合であれば、タングステンのペーストをセラミック基板６となるセラミックグリーンシートの表面および予め形成しておいた貫通孔の内部等に塗布または充填し、セラミックグリーンシートと同時焼成することによって被着させることができる。なお、セラミック基板６の所望の積層数に応じて、複数のセラミックグリーンシートが積層される。
【００７５】
そして、セラミック基板６の表面（上面）の配線導体９と配線基板５Ａに設けられた接合層１０の接合体１０ａとが対向するように位置合わせをして、加圧しながら加熱して硬化させることよって、配線基板５Ａとセラミック基板６とを接合して、多層配線基板１１Ａを製作する。
【００７６】
本発明は、上述した実施の形態１および実施の形態２に特に限定されるものではなく、本発明の範囲内で種々の変更および改良が可能である。
【符号の説明】
【００７７】
１  絶縁層
２  配線層
３  貫通導体
４  薄膜多層部
５、５Ａ、５Ｂ  配線基板
６  セラミック基板
７、７Ａ  接合部材
７ａ  本体部
７ｂ  突出部
８  樹脂接着層
９  配線導体
１０  接合層
１０ａ  接合導体
１１、１１Ａ、１１Ｂ  多層配線基板
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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