(57)【要約】【課題】熱履歴を経ることによっても、優れた性能特性を備える半導体装置を得ることができる半導体用ウエハ加工用粘着テープを提供すること。【解決手段】本発明の半導体用ウエハ加工用粘着テープ１００は、基材４と、基材４上に積層された粘着層２とを備える積層体により構成されたものであり、下記要件Ａ、Ｂを満足する。要件Ａ：半導体用ウエハ加工用粘着テープを、５℃／ｍｉｎの昇温速度でＪＩＳ Ｋ７１２０に規定のプラスチックの熱重量測定方法に準拠して、室温２５℃から１００℃まで加熱したとき、粘着層の重量減少率Ａが０．００００１ｗｔ％以上２．０ｗｔ％以下となる。要件Ｂ：半導体用ウエハ加工用粘着テープを、５℃／ｍｉｎの昇温速度でＪＩＳ Ｋ７１２０プラスチックに規定の熱重量測定方法に準拠して、室温２５℃から２６０℃まで加熱したとき、粘着層の重量減少率Ｂが１．０ｗｔ％以上１０．０ｗｔ％以下となる。【選択図】図３
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
樹脂材料を含有する基材と、該基材上に積層された粘着層とを備える積層体により構成された半導体用ウエハ加工用粘着テープであって、
当該半導体用ウエハ加工用粘着テープは、下記要件Ａ、Ｂを満足することを特徴する半導体用ウエハ加工用粘着テープ。
要件Ａ：当該半導体用ウエハ加工用粘着テープを、５℃／ｍｉｎの昇温速度でＪＩＳ Ｋ７１２０に規定のプラスチックの熱重量測定方法に準拠して、室温２５℃から１００℃まで加熱したとき、前記粘着層の重量減少率Ａが０．００００１ｗｔ％以上、２．０ｗｔ％以下となる。
要件Ｂ：当該半導体用ウエハ加工用粘着テープを、５℃／ｍｉｎの昇温速度でＪＩＳ Ｋ７１２０プラスチックに規定の熱重量測定方法に準拠して、室温２５℃から２６０℃まで加熱したとき、前記粘着層の重量減少率Ｂが１．０ｗｔ％以上、１０．０ｗｔ％以下となる。
【請求項２】
１００℃〜２６０℃に加熱したときの粘着層の重量減少率（前記重量減少率Ｂ−前記重量減少率Ａ）の傾きは、−０．１４℃／ｍｉｎ以上である請求項１に記載の半導体用ウエハ加工用粘着テープ。
【請求項３】
１００℃〜２６０℃に加熱したときの重量減少率の傾きをＸ［℃／ｍｉｎ］、１００℃〜１８０℃に加熱したときの重量減少率の傾きをＹ［℃／ｍｉｎ］としたとき、Ｘ／Ｙは、１以上、３以下である請求項１または２に記載の半導体用ウエハ加工用粘着テープ。
【請求項４】
室温から３８０℃まで加熱したときに、示差熱分析における吸熱ピークが２６０℃以上の温度領域で認められる請求項１ないし３のいずれか１項に記載の半導体用ウエハ加工用粘着テープ。
【請求項５】
室温から２６０℃まで加熱したときに、示差熱分析における発熱ピークが１００℃以上、２００℃以下の温度領域で認められる請求項１ないし４のいずれか１項に記載の半導体用ウエハ加工用粘着テープ。
【請求項６】
前記樹脂材料は、ポリプロピレンとエラストマーとの混合物、またはポリエチレンとエラストマーとの混合物である請求項１ないし５のいずれか１項に記載の半導体用ウエハ加工用粘着テープ。
【請求項７】
前記粘着層は、粘着性を有するベース樹脂を含有する請求項１ないし６のいずれか１項に記載の半導体用ウエハ加工用粘着テープ。
【請求項８】
前記ベース樹脂は、アクリル系樹脂である請求項７に記載の半導体用ウエハ加工用粘着テープ。
【請求項９】
前記粘着層は、さらに、エネルギーの付与により硬化する硬化性樹脂を含有する請求項７または８に記載の半導体用ウエハ加工用粘着テープ。
【請求項１０】
前記粘着層上に、半導体用ウエハが積層される請求項１ないし９のいずれか１項に記載の半導体用ウエハ加工用粘着テープ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体用ウエハ加工用粘着テープに関するものである。
【背景技術】
【０００２】
近年の電子機器の高機能化とモバイル用途への拡大に対応して半導体装置の高密度化、高集積化の要求が強まり、ＩＣパッケージの大容量高密度化が進んでいる。
【０００３】
これらの半導体装置の製造方法としては、半導体用ウエハに半導体用ウエハ加工用粘着テープを貼付し、半導体用ウエハの周囲をウエハリングで固定しながら、ダイシングソーを用いたダイシング工程で前記半導体用ウエハを個々の半導体素子に切断分離（個片化）した後、エキスパンディング工程の後、個片化した半導体素子のピックアップを行い、次いで、この半導体素子を金属リードフレームあるいは基板（例えばテープ基板、有機硬質基板等）に搭載するためのダイボンディング工程へ移送する。ピックアップされた半導体素子は、ダイボンディング工程で液状ダイアタッチ材を介してリードフレームあるいは基板に接着され、半導体装置が製造される。
【０００４】
このような半導体装置の製造に用いられる半導体用ウエハ加工用粘着テープについて、近年、種々の検討がなされている（例えば、特許文献１参照。）。
【０００５】
この半導体用ウエハ加工用粘着テープは、一般に、基材（フィルム基材）と、この基材上に形成された粘着層とを有するものであり、粘着層により半導体用ウエハが固定される。また、半導体用ウエハのダイシング工程後に半導体チップを容易にピックアップすることができるように、粘着層は、通常、粘着性を有するベース樹脂および光硬化性樹脂等を含有する樹脂組成物で構成されている。つまり、ダイシング工程後、粘着層にエネルギーが付与されると、樹脂組成物が硬化して粘着層の粘着性が低下し、半導体素子のピックアップが容易となるようになっている。
【０００６】
ここで、前述したダイシング工程におけるダイシングソーを用いた半導体用ウエハの切断では、ダイシングソーと半導体用ウエハとの摩擦により発熱する。
【０００７】
そして、この摩擦による摩擦熱が半導体用ウエハ加工用粘着テープに伝達し、これに起因して、特に、粘着層に含まれる樹脂組成物が気化することで、半導体素子が備える端子に付着し、その結果、半導体装置の性能特性に悪影響を及ぼすという問題がある。
【０００８】
このような問題は、近年、半導体用ウエハが大型化されることに伴い、半導体用ウエハを切削される時間が長くなるほど、半導体用ウエハ加工用粘着テープが摩擦熱により加熱される時間が長くなるため、特に、大型化された半導体用ウエハにおいて顕著に認められる。
【０００９】
また、半導体装置は、通常、配線基板等に、半田リフロー工程を経ることで、半導体装置が備える端子と、配線基板が備える端子とが電気的に接続されることで搭載される。この半田リフロー工程において、半導体装置が２６０℃程度に加熱されるが、この際、半導体装置が備える半導体素子に付着した樹脂組成物が再び気化し、これが半導体装置の性能特性にさらに悪影響を及ぼすという問題がある。
【先行技術文献】
【特許文献】
【００１０】
【特許文献１】特開２００９−２４５９８９号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１１】
本発明は、熱履歴を経ることによっても、優れた性能特性を備える半導体装置を得ることができる半導体用ウエハ加工用粘着テープを提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
このような目的は、下記（１）〜（１０）に記載の本発明により達成される。
（１）  樹脂材料を含有する基材と、該基材上に積層された粘着層とを備える積層体により構成された半導体用ウエハ加工用粘着テープであって、
当該半導体用ウエハ加工用粘着テープは、下記要件Ａ、Ｂを満足することを特徴する半導体用ウエハ加工用粘着テープ。
要件Ａ：当該半導体用ウエハ加工用粘着テープを、５℃／ｍｉｎの昇温速度でＪＩＳ Ｋ７１２０に規定のプラスチックの熱重量測定方法に準拠して、室温２５℃から１００℃まで加熱したとき、前記粘着層の重量減少率Ａが０．００００１ｗｔ％以上、２．０ｗｔ％以下となる。
要件Ｂ：当該半導体用ウエハ加工用粘着テープを、５℃／ｍｉｎの昇温速度でＪＩＳ Ｋ７１２０プラスチックに規定の熱重量測定方法に準拠して、室温２５℃から２６０℃まで加熱したとき、前記粘着層の重量減少率Ｂが１．０ｗｔ％以上、１０．０ｗｔ％以下となる。
【００１３】
（２）  １００℃〜２６０℃に加熱したときの粘着層の重量減少率（前記重量減少率Ｂ−前記重量減少率Ａ）の傾きは、−０．１４℃／ｍｉｎ以上である上記（１）に記載の半導体用ウエハ加工用粘着テープ。
【００１４】
（３）  １００℃〜２６０℃に加熱したときの重量減少率の傾きをＸ［℃／ｍｉｎ］、１００℃〜１８０℃に加熱したときの重量減少率の傾きをＹ［℃／ｍｉｎ］としたとき、Ｘ／Ｙは、１以上、３以下である上記（１）または（２）に記載の半導体用ウエハ加工用粘着テープ。
【００１５】
（４）  室温から３８０℃まで加熱したときに、示差熱分析における吸熱ピークが２６０℃以上の温度領域で認められる上記（１）ないし（３）のいずれかに記載の半導体用ウエハ加工用粘着テープ。
【００１６】
（５）  室温から２６０℃まで加熱したときに、示差熱分析における発熱ピークが１００℃以上、２００℃以下の温度領域で認められる上記（１）ないし（４）のいずれかに記載の半導体用ウエハ加工用粘着テープ。
【００１７】
（６）  前記樹脂材料は、ポリプロピレンとエラストマーとの混合物、またはポリエチレンとエラストマーとの混合物である上記（１）ないし（５）のいずれかに記載の半導体用ウエハ加工用粘着テープ。
【００１８】
（７）  前記粘着層は、粘着性を有するベース樹脂を含有する上記（１）ないし（６）のいずれかに記載の半導体用ウエハ加工用粘着テープ。
【００１９】
（８）  前記ベース樹脂は、アクリル系樹脂である上記（７）に記載の半導体用ウエハ加工用粘着テープ。
【００２０】
（９）  前記粘着層は、さらに、エネルギーの付与により硬化する硬化性樹脂を含有する上記（７）または（８）に記載の半導体用ウエハ加工用粘着テープ。
【００２１】
（１０）  前記粘着層上に、半導体用ウエハが積層される上記（１）ないし（９）のいずれかに記載の半導体用ウエハ加工用粘着テープ。
【発明の効果】
【００２２】
本発明によれば、前記要件Ａを満足していることから、ダイシングソーによる半導体用ウエハの切断時に生じる摩擦熱が半導体用ウエハ加工用粘着テープに伝達したとしても、半導体用ウエハ加工用粘着テープに含まれる構成成分が気化するのが的確に防止または抑制されているため、構成成分の付着に起因する半導体装置の性能特性の低下を確実に防止することができる。
【００２３】
さらに、前記要件Ｂを満足していることから、半導体装置を配線基板上に搭載する半田リフロー工程において、たとえ、２６０℃程度に加熱されたとしても、半導体装置が備える半導体素子に付着している前記構成成分が再び気化し、これが半導体装置の性能特性に悪影響を及ぼすという問題も解消される。
【図面の簡単な説明】
【００２４】
【図１】本発明の半導体用ウエハ加工用粘着テープを用いた半導体装置の一例を示す縦断面図である。
【図２】図１に示す半導体装置を、本発明の半導体用ウエハ加工用粘着テープを用いて製造する方法を説明するための縦断面図である。
【図３】本発明の半導体用ウエハ加工用粘着テープの実施形態を示す縦断面図である。
【図４】図３に示す半導体用ウエハ加工用粘着テープを製造する方法を説明するための縦断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００２５】
以下、本発明の半導体用ウエハ加工用粘着テープについて詳細に説明する。
まず、本発明の半導体用ウエハ加工用粘着テープを説明するのに先立って、本発明の半導体用ウエハ加工用粘着テープを用いて製造された半導体装置について説明する。
【００２６】
＜半導体装置＞
図１は、本発明の半導体用ウエハ加工用粘着テープを用いて製造された半導体装置の一例を示す縦断面図である。なお、以下の説明では、図１中の上側を「上」、下側を「下」と言う。
【００２７】
図１に示す半導体装置１０は、ＱＦＰ（Ｑｕａｄ  Ｆｌａｔ  Ｐａｃｋａｇｅ）型の半導体パッケージであり、半導体チップ（半導体素子）２０と、半導体チップ２０を接着層６０を介して支持するダイパッド３０と、半導体チップ２０と電気的に接続されたリード４０と、半導体チップ２０を封止するモールド部（封止部）５０とを有している。
【００２８】
ダイパッド３０は、金属基板で構成され、半導体チップ２０を支持する支持体として機能を有するものである。
【００２９】
このダイパッド３０は、例えば、Ｃｕ、Ｆｅ、Ｎｉやこれらの合金（例えば、Ｃｕ系合金や、Ｆｅ−４２Ｎｉのような鉄・ニッケル系合金）等の各種金属材料で構成される金属基板や、この金属基板の表面に銀メッキや、Ｎｉ−Ｐｄメッキが施されているもの、さらにＮｉ−Ｐｄメッキの表面にＰｄ層の安定性を向上するために設けられた金メッキ（金フラッシュ）層が設けられているもの等が用いられる。
【００３０】
また、ダイパッド３０の平面視形状は、通常、半導体チップ２０の平面視形状に対応し、例えば、正方形、長方形等の四角形とされる。
ダイパッド３０の外周部には、複数のリード４０が、放射状に設けられている。
【００３１】
このリード４０のダイパッド３０と反対側の端部は、モールド部５０から突出（露出）している。
【００３２】
リード４０は、導電性材料で構成され、例えば、前述したダイパッド３０の構成材料と同一のものを用いることができる。
【００３３】
また、リード４０には、その表面に錫メッキ等が施されていてもよい。これにより、マザーボードが備える端子に半田を介して半導体装置１０を接続する場合に、半田とリード４０との密着性を向上させることができる。
【００３４】
ダイパッド３０には、接着層６０を介して半導体チップ２０が固着（固定）されている。
【００３５】
この接着層６０は、特に限定されないが、例えば、エポキシ系接着剤、アクリル系接着剤、ポリイミド系接着剤およびシアネート系接着剤等の各種接着剤を用いて形成される。また、接着層６０には、銀粉や銅粉のような金属粒子が含まれていてもよい。これにより、接着層６０の熱伝導性が向上することから、接着層６０を介して半導体チップ２０からダイパッド３０に効率よく熱が伝達されるため、半導体チップ２０の駆動時における放熱性が向上する。
【００３６】
また、半導体チップ２０は、電極パッド２１を有しており、この電極パッド２１とリード４０とが、ワイヤー２２で電気的に接続されている。これにより、半導体チップ２０と各リード４０とが電気的に接続されている。
【００３７】
このワイヤー２２の材質は、特に限定されないが、ワイヤー２２は、例えば、Ａｕ線やＡｌ線で構成することができる。
【００３８】
そして、ダイパッド３０、ダイパッド３０の上面側に設けられた各部材およびリード４０の内側の部分は、モールド部５０により封止されている。その結果として、リード４０の外側の端部が、半導体封止材料の硬化物で構成されるモールド部５０から突出している。
【００３９】
かかる構成の半導体装置１０は、通常、配線基板上に搭載して用いられる。また、この配線基板上への搭載は、半田リフロー工程を経ることで、リード４０の先端部により構成される端子と配線基板が備える端子とを、電気的に接続することにより行われる。
【００４０】
以上のような半導体装置１０は、本発明の半導体用ウエハ加工用粘着テープを用いて以下のようにして製造される。
【００４１】
かかる構成の半導体装置は、例えば、本発明の半導体用ウエハ加工用粘着テープを用いて以下のようにして製造される。
【００４２】
＜半導体装置の製造方法＞
図２は、図１に示す半導体装置を、本発明の半導体用ウエハ加工用粘着テープを用いて製造する方法を説明するための縦断面図である。なお、以下の説明では、図２中の上側を「上」、下側を「下」と言う。
【００４３】
［１Ａ］まず、基材４と、基材４上に積層された粘着層２とを有する半導体用ウエハ加工用粘着テープ１００（以下、単に「粘着テープ１００」ということもある。）を用意する（図２（ａ）参照。）。
【００４４】
この粘着テープ１００が本発明の半導体用ウエハ加工用粘着テープで構成されるが、その詳細な説明は後に行うこととする。
【００４５】
［２Ａ］次に、図２（ｂ）に示すように、図示しないダイサーテーブルの上に、粘着テープ１００を設置し、その中心部１２２に半導体用ウエハ７の半導体素子の無い側の面を、粘着層２の上に置き、軽く押圧し、半導体用ウエハ７を積層する。
【００４６】
なお、粘着テープ１００に半導体用ウエハ７を予め貼着した後に、ダイサーテーブルに設置しても良い。
【００４７】
また、本実施形態では、粘着テープ１００には、例えば、１２インチのような大型の半導体用ウエハ７が積層される。
【００４８】
［３Ａ］次に、粘着層２の外周部１２１をウエハリング９で固定し、その後、図示しない、ダイシングソー（ブレード）を用いて半導体用ウエハ７を切断（ダイシング）して半導体用ウエハ７を個片化する（図２（ｃ）参照）。
【００４９】
この際、半導体用ウエハ７の切断時に生じる粉塵が飛散するのを防止すること、さらには、半導体用ウエハ７が不必要に加熱されるのを抑制することを目的に、半導体用ウエハ７には切削水を供給しつつ、半導体用ウエハ７を切断する。
【００５０】
また、粘着テープ１００は、緩衝作用を有しており、半導体用ウエハ７を切断する際の割れ、欠け等を防止する。
【００５１】
さらに、ブレードを用いた半導体用ウエハ７の切断は、図２（ｃ）に示すように、基材４の厚さ方向の途中まで到達するように実施される。これにより、半導体用ウエハの個片化を確実に実施することができる。
【００５２】
［４Ａ］次に、粘着テープ１００が備える粘着層２にエネルギーを付与することで、粘着層２の半導体用ウエハ７に対する粘着性を低下させる。
これにより、粘着層２と半導体用ウエハ７との間で剥離が生じる状態とする。
【００５３】
粘着層２にエネルギーを付与する方法としては、特に限定されないが、例えば、粘着層２にエネルギー線を照射する方法、粘着層２を加熱する方法等が挙げられるが、中でも、粘着層２にエネルギー線を粘着テープ１００の基材４側から照射する方法を用いるのが好ましい。
【００５４】
かかる方法は、半導体チップ２０が不要な熱履歴を経る必要がなく、また、粘着層２に対して比較的簡単に効率よくエネルギーを付与することができるので、エネルギーを付与する方法として好適に用いられる。
【００５５】
また、エネルギー線としては、例えば、紫外線、電子線、イオンビームのような粒子線等や、またはこれらのエネルギー線を２種以上組み合わせたものが挙げられる。これらの中でも、特に、紫外線を用いるのが好ましい。紫外線によれば、粘着層２の半導体用ウエハ７に対する粘着性を効率よく低下させることができる。
【００５６】
［５Ａ］次に、粘着テープ１００を図示しないエキスパンド装置で放射状に伸ばして、個片化した半導体用ウエハ−７（半導体チップ２０）を一定の間隔に開き（図２（ｄ）参照。）、その後、この半導体チップ２０を、ニードル等を用いて突き上げた状態とし、この状態で、真空コレットまたはエアピンセットによる吸着等によりピックアップする（図２（ｅ）参照。）。
【００５７】
［６Ａ］次に、ピックアップした半導体チップ２０を、接着層６０を介してダイパッド３０上に搭載し、その後、半導体チップ２０が備える電極パッド２１とリード４０とをワイヤーボンディングすることでワイヤー２２により電気的に接続する。
【００５８】
［７Ａ］次に、半導体チップ２０をモールド部５０で封止する。
このモールド部５０による封止は、例えば、形成すべきモールド部５０の形状に対応した内部空間を備える成形型を用意し、この内部空間内に配置された半導体チップ２０を取り囲むように、粉末状をなす半導体封止材料を内部空間に充填する。そして、この状態で、半導体封止材料を加熱することにより硬化させて、半導体封止材料の硬化物とすることにより行われる。
【００５９】
以上のような工程を有する半導体装置の製造方法により、半導体装置１０が得られるが、以下、半導体装置の製造方法に用いられる半導体用ウエハ加工用粘着テープ１００（本発明の半導体用ウエハ加工用粘着テープ）について説明する。
【００６０】
＜半導体用ウエハ加工用粘着テープ＞
図３は、本発明の半導体用ウエハ加工用粘着テープの実施形態を示す縦断面図である。なお、以下の説明では、図３中の上側を「上」、下側を「下」と言う。
【００６１】
粘着テープ１００（本発明の半導体用ウエハ加工用粘着テープ）は、基材４と、この基材４に積層された粘着層２とを備える積層体により構成されるものであり、かかる粘着テープ１００は、下記要件Ａ、Ｂを満足することを特徴する。
【００６２】
要件Ａ：当該半導体用ウエハ加工用粘着テープを、５℃／ｍｉｎの昇温速度でＪＩＳ Ｋ７１２０に規定のプラスチックの熱重量測定方法に準拠して、室温２５℃から１００℃まで加熱したとき、粘着層の重量減少率Ａが０．００００１ｗｔ％以上、２．０ｗｔ％以下となる。
【００６３】
要件Ｂ：当該半導体用ウエハ加工用粘着テープを、５℃／ｍｉｎの昇温速度でＪＩＳ Ｋ７１２０プラスチックに規定の熱重量測定方法に準拠して、室温２５℃から２６０℃まで加熱したとき、粘着層の重量減少率Ｂが１．０ｗｔ％以上、１０．０ｗｔ％以下となる。
【００６４】
このように、前記要件Ａを満足していることから、前記工程［３Ａ］において、ダイシングソーによる半導体用ウエハの切断時に生じる摩擦熱が粘着テープ１００に伝達したとしても、粘着テープ１００が備える粘着層２に含まれる構成成分が気化するのが的確に防止または抑制されているため、構成成分の付着に起因する半導体装置１０の性能特性の低下を確実に防止することができる。
【００６５】
さらに、前記要件Ｂを満足していることから、半導体装置１０を配線基板上に搭載する半田リフロー工程において、たとえ、半導体装置１０が２６０℃程度に加熱されたとしても、半導体装置１０が備える半導体チップ２０に付着している前記構成成分が再び気化し、これが半導体装置の性能特性に悪影響を及ぼすという問題も解消される。
【００６６】
以下、粘着テープ（ダイシングテープ）１００が有する基材４および粘着層２について、詳述する。
【００６７】
なお、粘着テープ１００は、このものが備える粘着層２にエネルギーを付与することで、粘着層２の半導体用ウエハ７に対する粘着性が低下する機能を有するものである。
【００６８】
このような粘着層２にエネルギーを付与する方法としては、粘着層２にエネルギー線を照射する方法および粘着層２を加熱する方法等が挙げられるが、中でも、半導体チップ２０が不要な熱履歴を経る必要がないことから、粘着層２にエネルギー線を照射する方法が好適に用いられる。そのため、以下では、粘着層２として、エネルギー線の照射により前記粘着性が低下するものを代表に説明する。
【００６９】
＜基材４＞
基材４は、主として樹脂材料から成り、この基材４上に設けられた粘着層２を支持する機能を有している。
【００７０】
かかる樹脂材料としては、特に限定されず、例えば、低密度ポリエチレン、直鎖状ポリエチレン、中密度ポリエチレン、高密度ポリエチレン、超低密度ポリエチレンのようなポリエチレン、ランダム共重合ポリプロピレン、ブロック共重合ポリプロピレン、ホモポリプロレンのようなポリプロピレン、ポリ塩化ビニル、ポリブテン、ポリブタジエン、ポリメチルペンテン、等のポリオレフィン系樹脂、エチレン−酢酸ビニル共重合体、亜鉛イオン架橋体、ナトリウムイオン架橋体のようなアイオノマー、エチレン−(メタ)アクリル酸共重合体、エチレン−(メタ)アクリル酸エステル（ランダム、交互）共重合体、エチレン−プロピレン共重合体、エチレン−ブテン共重合体、エチレン−ヘキセン共重合体等のオレフィン系共重合体、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート、ポリブチレンテレフタレート、ポリブチレンナフタレート等のポリエステル系樹脂、ポリウレタン、ポリイミド、ポリアミド、ポリエーテルエーテルケトンのようなポリエーテルケトン、ポリエーテルスルホン、ポリスチレン、フッ素樹脂、シリコーン樹脂、セルロース系樹脂、スチレン系熱可塑性エラストマー、ポリプロピレン系熱可塑性エラストマーのようなオレフィン系熱可塑性エラストマー、アクリル樹脂、ポリエステル系熱可塑性エラストマー、ポリビニルイソプレン、ポリカーボネート等の熱可塑性樹脂や、これらの熱可塑性樹脂の混合物が用いられる。
【００７１】
これらの樹脂材料は、光（可視光線、近赤外線、紫外線）、Ｘ線、電子線等のエネルギー線を透過し得る材料であることから、前記工程［４Ａ］において、エネルギー線を基材４側から基材４を透過させて粘着層２に照射する場合に好ましく用いることができる。
【００７２】
特に、樹脂材料としては、ポリプロピレンとエラストマーとの混合物、またはポリエチレンとエラストマーとの混合物を用いることが好ましい。
【００７３】
また、このエラストマーとしては、下記一般式（１）で示されるポリスチレンセグメントと、下記一般式（２）で示されるビニルポリイソプレンセグメントとから成るブロック共重合体が好ましい。
【００７４】
【化１】
2015185590.tif 000003
（一般式（１）中、ｎは２以上の整数を表す。）
【００７５】
【化２】
2015185590.tif 000004
（一般式（２）中、ｎは２以上の整数を表す。）
【００７６】
また、基材４は、鉱油のような軟化剤、炭酸カルシウム、シリカ、タルク、マイカ、クレーのような充填材、酸化防止剤、光安定剤、帯電防止剤、滑剤、分散剤、中和剤、着色剤等を含有するものであってもよい。
【００７７】
基材４の厚さは、特に限定されないが、例えば、１０μｍ以上３００μｍ以下であるのが好ましく、３０μｍ以上２００μｍ以下であるのがより好ましく、８０μｍ以上２００μｍ以下であるのがさらに好ましい。基材４の厚さがこの範囲内であると、前記工程［３Ａ］における半導体用ウエハ７のダイシングを、優れた作業性により実施することができる。
【００７８】
さらに、基材４は、その表面に、粘着層２に含まれる構成材料と反応性を有する、ヒドロキシル基、アミノ基のような官能基が露出していることが好ましい。
【００７９】
また、基材４は、異なる前記樹脂材料で構成される層を複数積層した積層体（多層体）で構成されるものであってもよい。さらに、前記樹脂材料をドライブレンドしたブレンドフィルムで構成されるものであってもよい。
【００８０】
なお、基材４を積層体で構成する場合には、奇数の層が積層された奇数層からなるものが好ましい。さらに、奇数層とする場合、その中央に位置する層を中心として、同一の構成材料、構成材料の含有量等からなる同一の層が両側に対照となって積層された対照構造のものがより好ましい。これにより、前記工程［４Ａ］において、エネルギー線を基材４側から基材４を透過させる場合には、基材４におけるエネルギー線の透過率を向上させることができることから、粘着層２にエネルギー線を高効率に照射することができる。
【００８１】
＜粘着層＞
粘着層２は、前記工程［３Ａ］において、半導体用ウエハ７をダイシングする際に、半導体用ウエハ７を粘着して支持する機能を有している。また、この粘着層２は、このものに対するエネルギーの付与により半導体用ウエハ７への粘着性が低下し、これにより、粘着層２と半導体用ウエハ７との間で容易に剥離を生じさせ得る状態となるものである。
【００８２】
かかる機能を備える粘着層２は、（１）粘着性を有するベース樹脂と、（２）粘着層２を硬化させる硬化性樹脂とを主材料として含有する樹脂組成物で構成される。
【００８３】
以下、樹脂組成物に含まれる各成分について、順次、詳述する。
（１）ベース樹脂
ベース樹脂は、粘着性を有し、粘着層２へのエネルギー線の照射前に、半導体用ウエハ７に対する粘着性を粘着層２に付与するために、樹脂組成物中に含まれるものである。
【００８４】
このようなベース樹脂としては、アクリル系樹脂（粘着剤）、シリコーン系樹脂（粘着剤）、ポリエステル系樹脂（粘着剤）、ポリ酢酸ビニル系樹脂（粘着剤）、ポリビニルエーテル系樹脂（粘着剤）またはウレタン系樹脂（粘着剤）のような粘着層成分として用いられる公知のものが挙げられるが、中でも、アクリル系樹脂を用いることが好ましい。アクリル系樹脂は、耐熱性に優れ、また、比較的容易かつ安価に入手できることから、ベース樹脂として好ましく用いられる。
【００８５】
アクリル系樹脂は、（メタ）アクリル酸エステルをモノマー主成分とするポリマー（ホモポリマーまたはコポリマー）をベースポリマーとするもののことを言う。
【００８６】
（メタ）アクリル酸エステルとしては、特に限定されないが、例えば、（メタ）アクリル酸メチル、（メタ）アクリル酸エチル、（メタ）アクリル酸プロピル、（メタ）アクリル酸イソプロピル、（メタ）アクリル酸ブチル、（メタ）アクリル酸イソブチル、（メタ）アクリル酸ｓ−ブチル、（メタ）アクリル酸ｔ−ブチル、（メタ）アクリル酸ペンチル、（メタ）アクリル酸ヘキシル、（メタ）アクリル酸ヘプチル、（メタ）アクリル酸オクチル、（メタ）アクリル酸イソオクチル、（メタ）アクリル酸２−エチルヘキシル、（メタ）アクリル酸ノニル、（メタ）アクリル酸イソノニル、（メタ）アクリル酸デシル、（メタ）アクリル酸イソデシル、（メタ）アクリル酸ウンデシル、（メタ）アクリル酸ドデシル、（メタ）アクリル酸トリデシル、（メタ）アクリル酸テトラデシル、（メタ）アクリル酸ペンタデシル、（メタ）アクリル酸ヘキサデシル、（メタ）アクリル酸ヘプタデシル、（メタ）アクリル酸オクタデシルのような（メタ）アクリル酸アルキルエステル、（メタ）アクリル酸シクロヘキシルのような（メタ）アクリル酸シクロアルキルエステル、（メタ）アクリル酸フェニルのような（メタ）アクリル酸アリールエステル等が挙げられ、これらのうちの１種または２種以上を組み合わせて用いることができる。これらの中でも、（メタ）アクリル酸メチル、（メタ）アクリル酸エチル、（メタ）アクリル酸ブチル、（メタ）アクリル酸２−エチルヘキシル、（メタ）アクリル酸オクチルのような（メタ）アクリル酸アルキルエステルであることが好ましい。（メタ）アクリル酸アルキルエステルは、特に、耐熱性に優れ、また、比較的容易かつ安価に入手できる。
【００８７】
なお、本明細書において、（メタ）アクリル酸エステルとは、アクリル酸エステルとメタクリル酸エステルとの双方を含む意味で用いることとする。
【００８８】
また、このアクリル系樹脂は、そのガラス転移点が２０℃以下であることが好ましい。これにより、粘着層２へのエネルギー線の照射前において、粘着層２に優れた粘着性を発揮させることができる。
【００８９】
アクリル系樹脂は、凝集力、耐熱性等の改質等を目的として、必要に応じて、ポリマーを構成するモノマー成分として、共重合性モノマーを含むものが用いられる。
【００９０】
このような共重合性モノマーとしては、特に限定されないが、例えば、（メタ）アクリル酸２−ヒドロキシエチル、（メタ）アクリル酸２−ヒドロキシプロピル、（メタ）アクリル酸４−ヒドロキシブチル、（メタ）アクリル酸６−ヒドロキシヘキシルのようなヒドロキシル基含有モノマー、（メタ）アクリル酸グリシジルのようなエポキシ基含有モノマー、（メタ）アクリル酸、イタコン酸、マレイン酸、フマル酸、クロトン酸、イソクロトン酸のようなカルボキシル基含有モノマー、無水マレイン酸、無水イタコン酸のような酸無水物基含有モノマー、（メタ）アクリルアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチル（メタ）アクリルアミド、Ｎ−ブチル（メタ）アクリルアミド、Ｎ−メチロール（メタ）アクリルアミド、Ｎ−メチロールプロパン（メタ）アクリルアミド、Ｎ−メトキシメチル（メタ）アクリルアミド、Ｎ−ブトキシメチル（メタ）アクリルアミドのようなアミド系モノマー、（メタ）アクリル酸アミノエチル、（メタ）アクリル酸Ｎ，Ｎ−ジメチルアミノエチル、（メタ）アクリル酸ｔ−ブチルアミノエチルのようなアミノ基含有モノマー、（メタ）アクリロニトリルのようなシアノ基含有モノマー、エチレン、プロピレン、イソプレン、ブタジエン、イソブチレンのようなオレフィン系モノマー、スチレン、α−メチルスチレン、ビニルトルエンのようなスチレン系モノマー、酢酸ビニル、プロピオン酸ビニルのようなビニルエステル系モノマー、メチルビニルエーテル、エチルビニルエーテルのようなビニルエーテル系モノマー、塩化ビニル、塩化ビニリデンのようなハロゲン原子含有モノマー、（メタ）アクリル酸メトキシエチル、（メタ）アクリル酸エトキシエチルのようなアルコキシ基含有モノマー、Ｎ−ビニル−２−ピロリドン、Ｎ−メチルビニルピロリドン、Ｎ−ビニルピリジン、Ｎ−ビニルピペリドン、Ｎ−ビニルピリミジン、Ｎ−ビニルピペラジン、Ｎ−ビニルピラジン、Ｎ−ビニルピロール、Ｎ−ビニルイミダゾール、Ｎ−ビニルオキサゾール、Ｎ−ビニルモルホリン、Ｎ−ビニルカプロラクタム、Ｎ−（メタ）アクリロイルモルホリン等の窒素原子含有環を有するモノマー等が挙げられ、これらのうちの１種または２種以上を組み合わせて用いることができる。
【００９１】
これら共重合性モノマーの含有量は、アクリル系樹脂を構成する全モノマー成分に対して、４０重量％以下であることが好ましく、１０重量％以下であることがより好ましい。
【００９２】
また、共重合性モノマーは、アクリル系樹脂を構成するポリマーにおける主鎖の末端に含まれるものであってもよいし、その主鎖中に含まれるもの、さらには、主鎖の末端と主鎖中との双方に含まれるものであってもよい。
【００９３】
さらに、共重合性モノマーには、ポリマー同士の架橋等を目的として、多官能性モノマーが含まれていてもよい。
【００９４】
多官能性モノマーとしては、例えば、１，６−ヘキサンジオール（メタ）アクリレート、（ポリ）エチレングリコールジ（メタ）アクリレート、（ポリ）プロピレングリコールジ（メタ）アクリレート、ネオペンチルグリコールジ（メタ）アクリレート、ペンタエリスリトールジ（メタ）アクリレート、トリメチロールプロパントリ（メタ）アクリレート、ペンタエリスリトールトリ（メタ）アクリレート、ジペンタエリスリトールヘキサ（メタ）アクリレート、グリセリンジ（メタ）アクリレート、エポキシ（メタ）アクリレート、ポリエステル（メタ）アクリレート、ウレタン（メタ）アクリレート、ジビニルベンゼン、ブチルジ（メタ）アクリレート、ヘキシルジ（メタ）アクリレート等が挙げられ、これらのうちの１種または２種以上を組み合わせて用いることができる。
【００９５】
また、エチレン−酢酸ビニルコポリマーおよび酢酸ビニルポリマー等も、共重合性モノマー成分として用いることができる。
【００９６】
なお、このようなアクリル系樹脂（ポリマー）は、単一のモノマー成分または２種以上のモノマー成分の混合物を重合させることにより生成させることができる。また、これらモノマー成分の重合は、例えば、溶液重合方法、乳化重合方法、塊状重合方法、懸濁重合方法等の重合方法を用いて実施することができる。
【００９７】
以上、説明したモノマー成分を重合することにより得られるアクリル系樹脂としては、炭素−炭素二重結合を、側鎖、主鎖中または主鎖の末端に有しているアクリル系樹脂（「二重結合導入型アクリル系樹脂」と言うこともある。）であることが好ましい。アクリル系樹脂が二重結合導入型アクリル系樹脂である場合には、後述する硬化性樹脂の添加を省略したとしても、得られる粘着層２に、上述した粘着層２としての機能を発揮させることができる。
【００９８】
このような二重結合導入型アクリル系樹脂としては、アクリル系樹脂を構成するポリマー内の側鎖のうち、１／１００以上の側鎖のそれぞれに、炭素−炭素二重結合を１個有している二重結合導入型アクリル系樹脂（「二重結合側鎖導入型アクリル系樹脂」と言うこともある。）であることが好ましい。このように、炭素−炭素二重結合を、アクリル系樹脂の側鎖に導入することは、分子設計の点からも有利である。なお、この二重結合側鎖導入型アクリル系樹脂は、主鎖中や、主鎖の末端にも、炭素−炭素二重結合を有していてもよい。
【００９９】
このような二重結合導入型アクリル系樹脂の合成方法（すなわち、アクリル系樹脂に炭素−炭素二重結合を導入する方法）としては、特に限定されず、例えば、共重合性モノマーとして官能基を有するモノマーを用いて共重合して、官能基を含有するアクリル系樹脂（「官能基含有アクリル系樹脂」と言うこともある。）を合成した後、官能基含有アクリル系樹脂中の官能基と反応し得る官能基と、炭素−炭素二重結合とを有する化合物（「炭素−炭素二重結合含有反応性化合物」と言うこともある。）を、官能基含有アクリル系樹脂に、炭素−炭素二重結合のエネルギー線硬化性（エネルギー線重合性）を維持した状態で、縮合反応または付加反応させることにより、二重結合導入型アクリル系樹脂を合成する方法等が挙げられる。
【０１００】
なお、アクリル系樹脂に炭素−炭素二重結合を、全側鎖のうちの１／１００以上の側鎖に導入する際の制御手段としては、例えば、官能基含有アクリル系樹脂に縮合反応または付加反応させる化合物である炭素−炭素二重結合含有反応性化合物の含有量を適宜調節することにより行う方法等が挙げられる。
【０１０１】
また、官能基含有アクリル系樹脂に炭素−炭素二重結合含有反応性化合物を縮合反応又は付加反応させる際には、触媒を用いることにより、前記反応を効果的に進行させることができる。このような触媒としては、特に制限されないが、ジラウリン酸ジブチルスズのようなスズ系触媒が好ましく用いられる。このスズ系触媒の含有量としては、特に制限されないが、例えば、官能基含有アクリル系樹脂１００重量部に対して０．０５重量部以上１重量部以下であることが好ましい。
【０１０２】
また、官能基含有アクリル系樹脂における官能基Ａおよび炭素−炭素二重結合含有反応性化合物における官能基Ｂとしては、例えば、カルボキシル基、酸無水物基、ヒドロキシル基、アミノ基、エポキシ基、イソシアネート基、アジリジン基等が挙げられ、さらに、官能基含有アクリル系樹脂における官能基Ａと、炭素−炭素二重結合含有反応性化合物における官能基Ｂとの組み合わせとしては、例えば、カルボン酸基（カルボキシル基）とエポキシ基との組み合わせ、カルボン酸基とアジリジル基との組み合わせ、ヒドロキシル基とイソシアネート基との組み合わせ、ヒドロキシル基とカルボキシル基との組み合わせ等の各種の組み合わせが挙げられ、これらの中でも、ヒドロキシル基とイソシアネート基との組み合わせであることが好ましい。これにより、これら官能基Ａ、Ｂ同士の反応追跡を容易に行うことができる。
【０１０３】
さらに、これらの官能基Ａ、Ｂの組み合わせにおいて、何れの官能基が、官能基含有アクリル系樹脂の官能基Ａまたは炭素−炭素二重結合含有反応性化合物の官能基Ｂとなっていてもよいが、例えば、ヒドロキシル基とイソシアネート基との組み合わせの場合、ヒドロキシル基が、官能基含有アクリル系樹脂における官能基Ａとなっており、イソシアネート基が、炭素−炭素二重結合含有反応性化合物における官能基Ｂとなっていることが好ましい。
【０１０４】
この場合、官能基含有アクリル系樹脂を構成する官能基Ａを有するモノマーとしては、例えば、アクリル酸、メタクリル酸、カルボキシエチルアクリレート、カルボキシペンチルアクリレート、イタコン酸、マレイン酸、フマル酸、クロトン酸のようなカルボキシル基を有するもの、無水マレイン酸、無水イタコン酸のような酸無水物基を有するもの、（メタ）アクリル酸２−ヒドロキシエチル、（メタ）アクリル酸２−ヒドロキシプロピル、（メタ）アクリル酸４−ヒドロキシブチル、（メタ）アクリル酸６−ヒドロキシヘキシル、（メタ）アクリル酸８−ヒドロキシオクチル、（メタ）アクリル酸１０−ヒドロキシデシル、（メタ）アクリル酸１２−ヒドロキシラウリル、（４−ヒドロキシメチルシクロヘキシル）メチル（メタ）アクリレート、ビニルアルコール、アリルアルコール、２−ヒドロキシエチルビニルエーテル、２−ヒドロキシプロピルビニルエーテル、４−ヒドロキシブチルビニルエーテル、エチレングリコールモノビニルエーテル、ジエチレングリコールモノビニルエーテル、プロピレングリコールモノビニルエーテル、ジプロピレングリコールモノビニルエーテルのようなヒドロキシル基を有するもの、（メタ）アクリル酸グリシジル、アリルグリシジルエーテルのようなエポキシ基を有するもの等が挙げられる。
【０１０５】
また、官能基Ｂを有する炭素−炭素二重結合含有反応性化合物としては、イソシアネート基を有するものとして、例えば、（メタ）アクリロイルイソシアネート、（メタ）アクリロイルオキシメチルイソシアネート、２−（メタ）アクリロイルオキシエチルイソシアネート、２−（メタ）アクリロイルオキシプロピルイソシアネート、３−（メタ）アクリロイルオキシプロピルイソシアネート、４−（メタ）アクリロイルオキシブチルイソシアネート、ｍ−プロペニル−α，α−ジメチルベンジルイソシアネート等が挙げられ、エポキシ基を有するものとして、（メタ）アクリル酸グリシジル等が挙げられる。
【０１０６】
アクリル系樹脂は、前記工程［３Ａ］において、半導体用ウエハ７をダイシングする際に、半導体用ウエハ７等の汚染を防止するという観点から、低分子量物の含有量が少ないものであることが好ましい。この場合、アクリル系樹脂の重量平均分子量としては、好ましくは３０万〜５００万に設定され、より好ましくは５０万〜５００万に設定され、さらに好ましくは８０万〜３００万に設定される。なお、アクリル系樹脂の重量平均分子量が、モノマー成分の種類等によっては、５０万未満であると、半導体用ウエハ７等に対する汚染防止性が低下し、半導体チップ２０を剥離させた際に糊残りが生じるおそれがある。
【０１０７】
なお、アクリル系樹脂は、ヒドロキシル基やカルボキシル基（特に、ヒドロキシル基）のような、架橋剤や光重合開始剤に対して反応性を有する官能基（反応性官能基）を有していることが好ましい。これにより、架橋剤や光重合開始剤がポリマー成分であるアクリル樹脂に連結するため、粘着層２からこれら架橋剤や光重合開始剤が漏出することを的確に抑制または防止することができる。その結果、前記工程［４Ａ］におけるエネルギー線照射時により、粘着層２の半導体用ウエハ７に対する粘着性が確実に低下される。
【０１０８】
（２）硬化性樹脂
硬化性樹脂は、例えば、エネルギー線の照射により硬化する硬化性を備えるものである。この硬化によってベース樹脂が硬化性樹脂の架橋構造に取り込まれた結果、粘着層２の粘着力が低下する。
【０１０９】
このような硬化性樹脂としては、例えば、紫外線、電子線等のエネルギー線の照射によって三次元架橋可能な重合性炭素−炭素二重結合を、官能基として少なくとも２個以上分子内に有する低分子量化合物が用いられる。具体的には、例えば、トリメチロールプロパントリ（メタ）アクリレート、ペンタエリスリトールトリ（メタ）アクリレート、ペンタエリスリトールテトラ（メタ）アクリレート、テトラメチロールメタンテトラ（メタ）アクリレート、テトラエチレングリコールジ（メタ）アクリレート、１，６−ヘキサンジオールジ（メタ）アクリレート、ネオペンチルグリコールジ（メタ）アクリレート、ジペンタエリスリトールヘキサ（メタ）アクリレート、ジペンタエリスリトールモノヒドロキシペンタ（メタ）アクリレート、１，４−ブチレングリコールジ（メタ）アクリレート、ポリエチレングリコールジ（メタ）アクリレート、グリセリンジ（メタ）アクリレートのような（メタ）アクリル酸と多価アルコールとのエステル化物、エステルアクリレートオリゴマー、２−プロペニル−ジ−３−ブテニルシアヌレート等の炭素−炭素二重結合含有基を有しているシアヌレート系化合物、トリス（２−アクリロキシエチル）イソシアヌレート、トリス（２−メタクリロキシエチル）イソシアヌレート、２−ヒドロキシエチル ビス（２−アクリロキシエチル）イソシアヌレート、ビス（２−アクリロキシエチル） ２−［（５−アクリロキシヘキシル）−オキシ］エチルイソシアヌレート、トリス（１，３−ジアクリロキシ−２−プロピル−オキシカルボニルアミノ−ｎ−ヘキシル）イソシアヌレート、トリス（１−アクリロキシエチル−３−メタクリロキシ−２−プロピル−オキシカルボニルアミノ−ｎ−ヘキシル）イソシアヌレート、トリス（４−アクリロキシ−ｎ−ブチル）イソシアヌレートのような炭素−炭素二重結合含有基を有しているイソシアヌレート系化合物、市販のオリゴエステルアクリレート、芳香族系、脂肪族系等のウレタンアクリレート等が挙げられ、これらのうちの１種または２種以上を組み合わせて用いることができる。これらの中でも、官能基数が６官能以上であるオリゴマーが含まれることが好ましく、官能基数が１５官能以上であるオリゴマーが含まれることがより好ましい。これにより、エネルギー線の照射により硬化性樹脂をより確実に硬化させることができる。また、このような硬化性樹脂は、ウレタンアクリレートであることが好ましい。これにより、ＵＶ（エネルギー線）硬化した後のエキスパンド後の伸びがあり、ピックアップ時に糊が割れにくくなるという効果が得られる。
【０１１０】
なお、このウレタンアクリレートとしては、特に限定されないが、例えば、ポリエステル型またはポリエーテル型等のポリオール化合物と、多価イソシアナート化合物（例えば、２，４−トリレンジイソシアナート、２，６−トリレンジイソシアナート、１，３−キシリレンジイソシアナート、１，４−キシリレンジイソシアナート、ジフェニルメタン４，４−ジイソシアナート等）を反応させて得られる末端イソシアナートウレタンプレポリマーに、ヒドロキシル基を有する（メタ）アクリレート（例えば、２−ヒドロキシエチル（メタ）アクリレート、２−ヒドロキシプロピル（メタ）アクリレート、ポリエチレングリコール（メタ）アクリレート等）を反応させて得られたものが挙げられる。
【０１１１】
また、硬化性樹脂には、特に限定されないが、重量平均分子量の異なる２つ以上の硬化性樹脂が混合されているのが好ましい。このような硬化性樹脂を利用すれば、エネルギー線照射による樹脂の架橋度を容易に制御することができ、前記工程［５Ａ］における半導体チップ２０のピックアップ性を向上させることができる。また、このような硬化性樹脂として、例えば、第１の硬化性樹脂と、第１の硬化性樹脂よりも重量平均分子量が大きい第２の硬化性樹脂との混合物等が用いられてもよい。
【０１１２】
硬化性樹脂を、第１の硬化性樹脂と、第２の硬化性樹脂との混合物とする場合、第１の硬化性樹脂の重量平均分子量は、１００〜１０００程度であることが好ましく、２００〜５００程度であることがより好ましい。また、第２の硬化性樹脂の重量平均分子量は、１０００〜３００００程度であることが好ましく、１０００〜１００００程度であることがより好ましく、２０００〜５０００程度であることがさらに好ましい。さらに、第１の硬化性樹脂の官能基数は、１〜５官能基であることが好ましく、第２の硬化性樹脂の官能基数は、６官能基以上であることが好ましい。かかる関係を満足することにより、前記効果をより顕著に発揮させることができる。
【０１１３】
硬化性樹脂は、ベース樹脂１００重量部に対して５重量部以上５００重量部以下で配合されることが好ましく、１０重量部以上３００重量部以下で配合されることがより好ましく、２０重量部以上２００重量部以下で配合されることがさらに好ましい。上記のように硬化性樹脂の配合量を調整することによって、前記工程［５Ａ］における半導体チップ２０のピックアップ性を優れたものとすることができる。
【０１１４】
なお、この硬化性樹脂は、前述したアクリル系樹脂として、二重結合導入型アクリル系樹脂を用いた場合、すなわち、炭素−炭素二重結合を、側鎖、主鎖中または主鎖の末端に有しているものを用いた場合には、その樹脂組成物中への添加を省略するようにしてもよい。これは、アクリル系樹脂が二重結合導入型アクリル系樹脂である場合には、エネルギー線の照射により、二重結合導入型アクリル系樹脂が備える炭素−炭素二重結合の機能によって、粘着層２が硬化し、これにより、粘着層２の粘着力が低下することによる。
【０１１５】
（３）光重合開始剤
また、粘着層２は、エネルギー線の照射により半導体用ウエハ７に対する粘着性が低下するものであるが、エネルギー線として紫外線等を用いる場合には、硬化性樹脂には、硬化性樹脂の重合開始を容易とするために光重合開始剤を含有することが好ましい。
【０１１６】
光重合開始剤としては、例えば、２，２−ジメトキシ−１，２−ジフェニルエタン−１−オン、１−［４−（２−ヒドロキシエトキシ）−フェニル］−２−ヒドロキシ−２−メチル−１−プロパン−１−オン、２−ヒドロキシ−１−｛４−［４−（２−ヒドロキシ−２−メチル−プロピオニル）−ベンジル］フェニル｝−２−メチル−プロパン−１−オン、ベンジルジフェニルサルファイド、テトラメチルチウラムモノサルファイド、４−（２−ヒドロキシエトキシ）フェニル（２−ヒドロキシ−２−プロピル）ケトン、α−ヒドロキシ−α，α´−ジメチルアセトフェノン、２−メチル−２−ヒドロキシプロピオフェノン、１−ヒドロキシシクロヘキシルフェニルケトン、ミヒラーズケトン、アセトフェノン、メトキシアセトフェノン、２，２−ジメトキシ−２−フェニルアセトフェノン、２，２−ジエトキシアセトフェノン、２−メチル−１−［４−（メチルチオ）−フェニル］−２−モルホリノプロパン−１、ベンゾインメチルエーテル、ベンゾインエチルエーテル、ベンゾインプロピルエーテル、ベンゾインイソプロピルエーテル、ベンゾインイソブチルエーテル、ベンジル、ベンゾイン、ジベンジル、α−ヒドロキシシクロヘキシルフェニルケトン、ベンジルジメチルケタール、２−ヒドロキシメチルフェニルプロパン、２−ナフタレンスルホニルクロリド、１−フェノン−１，１―プロパンジオン−２−（ｏ−エトキシカルボニル）オキシム、ベンゾフェノン、ベンゾイル安息香酸、４，４'−ジメチルアミノベンゾフェノン、４，４’−ジエチルアミノベンゾフェノン、４，４’−ジクロロベンゾフェノン、３，３’−ジメチル−４−メトキシベンゾフェノン、ｏ−アクリルオキシベンゾフェノン、ｐ−アクリルオキシベンゾフェノン、ｏ−メタクリルオキシベンゾフェノン、ｐ−メタクリルオキシベンゾフェノン、ｐ−（メタ）アクリルオキシエトキシベンゾフェノン、１，４−ブタンジオールモノ（メタ）アクリラート、１，２−エタンジオールモノ（メタ）アクリラート、１，８−オクタンジオールモノ（メタ）アクリラートのようなアクリラートのベンゾフェノン−４−カルボン酸エステル、チオキサンソン、２−クロロチオキサンソン、２−メチルチオキサンソン、２，４−ジメチルチオキサンソン、イソプロピルチオキサンソン、２，４−ジクロロチオキサンソン、２，４−ジエチルチオキサンソン、２，４−ジイソプロピルチオキサンソン、アゾビスイソブチロニトリル、β−クロールアンスラキノン、カンファーキノン、ハロゲン化ケトン、アシルホスフィノキシド、アシルホスフォナート、ポリビニルベンゾフェノン、クロロチオキサントン、ドデシルチオキサントン、ジメチルチオキサントン、ジエチルチオキサントン、２−エチルアントラキノン、ｔ−ブチルアントラキノン、２，４，５−トリアリ−ルイミダゾール二量体、等が挙げられ、これらのうちの１種または２種以上を組み合わせて用いることができる。
【０１１７】
また、これらの中でも、ベンゾフェノン誘導体およびアルキルフェノン誘導体であることが好ましい。これらの化合物は分子中に反応性官能基として水酸基を備えるものであり、この反応性官能基を介して、ベース樹脂や硬化性樹脂に連結することができ、光重合開始剤としての機能をより確実に発揮させることができる。
【０１１８】
光重合開始剤は、ベース樹脂１００重量部に対して０．１重量部以上５０重量部以下で配合されることが好ましく、０．５重量部以上１０重量部以下で配合されることがより好ましい。上記のように光重合開始剤の配合量を調整することによって、粘着テープ１００のピックアップ性は好適なものとなる。
【０１１９】
（４）架橋剤
さらに、硬化性樹脂には、架橋剤が含まれていてもよい。架橋剤が含まれることで、硬化性樹脂の硬化性の向上が図られる。
【０１２０】
架橋剤としては、特に限定されないが、例えば、イソシアネート系架橋剤、エポキシ系架橋剤、尿素樹脂系架橋剤、メチロール系架橋剤、キレート系架橋剤、アジリジン系架橋剤、メラミン系架橋剤、多価金属キレート系架橋剤、酸無水物系架橋剤、ポリアミン系架橋剤、カルボキシル基含有ポリマー系架橋剤等が挙げられる。これらの中でもイソシアネート系架橋剤が好ましい。
【０１２１】
イソシアネート系架橋剤としては、特に限定されないが、例えば、多価イソシアネートのポリイソシアネート化合物およびポリイソシアネート化合物の三量体、ポリイソシアネート化合物とポリオール化合物とを反応させて得られる末端イソシアネート化合物の三量体または末端イソシアネートウレタンプレポリマーをフェノール、オキシム類等で封鎖したブロック化ポリイソシアネート化合物等が挙げられる。
【０１２２】
また、多価イソシアネートとして、例えば、２，４−トリレンジイソシアネート、２，６−トリレンジイソシアネート、１，３−キシリレンジイソシアネート、１，４−キシレンジイソシアネート、ジフェニルメタン−４，４’−ジイソシアネート、ジフェニルメタン−２，４’−ジイソシアネート、３−メチルジフェニルメタンジイソシアネート、ヘキサメチレンジイソシアネート、イソホロンジイソシアネート、ジシクロヘキシルメタン−４，４’−ジイソシアネート、ジシクロヘキシルメタン−２，４’−ジイソシアネート、４，４’−ジフェニルエーテルジイソシアネート、４，４’−〔２，２−ビス（４−フェノキシフェニル）プロパン〕ジイソシアネート、２，２，４−トリメチル−ヘキサメチレンジイソシアネート等が挙げられ、これらのうちの１種または２種以上を組み合わせて用いることができる。これらの中でも２，４−トリレンジイソシアネート、ジフェニルメタン−４，４’−ジイソシアネートおよびヘキサメチレンジイソシアネートから成る群より選択される少なくとも１種の多価イソシアネートが好ましい。
【０１２３】
架橋剤は、ベース樹脂１００重量部に対して０．０１重量部以上５０重量部以下で配合されることが好ましく、５重量部以上５０重量部以下で配合されることがより好ましい。上記のように架橋剤の配合量を調整することによって、粘着テープ１００のピックアップ性は好適なものとなる。
【０１２４】
（５）その他の成分
さらに、粘着層２を構成する樹脂組成物には、上述した各成分（１）〜（４）の他に他の成分として、帯電防止剤、粘着付与剤、老化防止剤、粘着調整剤、充填材、着色剤、難燃剤、軟化剤、酸化防止剤、可塑剤、界面活性剤等のうちの少なくとも１種が含まれていてもよい。以下、これらのうち、帯電防止剤および粘着付与剤について説明する。
【０１２５】
（５−１）帯電防止剤
帯電防止剤としては、特に限定されないが、例えば、アニオン性界面活性剤、カチオン性界面活性剤、非イオン性界面活性剤、両イオン性界面活性剤等の界面活性剤等が挙げられ、これらのうちの１種または２種以上を組み合わせて用いることができる。
【０１２６】
また、温度依存性を示さない帯電防止剤としては、例えば、カーボンブラック、銀、ニッケル、アンチモンドープスズ酸化物、スズドープインジウム酸化物等の粉体が挙げられ、これらのうちの１種または２種以上を組み合わせて用いることができる。
【０１２７】
（５−２）粘着付与剤
粘着付与剤としては、特に限定されないが、例えば、ロジン樹脂、テルペン樹脂、クマロン樹脂、フェノール樹脂、スチレン樹脂、脂肪族系石油樹脂、芳香族系石油樹脂、脂肪族芳香族共重合系石油樹脂等が挙げられ、これらのうちの１種または２種以上を組み合わせて用いることができる。
【０１２８】
また、粘着層２の厚さは、特に限定されないが、例えば、１μｍ以上３０μｍ以下であるのが好ましく、５μｍ以上３０μｍ以下であるのがより好ましく、１０μｍ以上２０μｍ以下であるのがさらに好ましい。粘着層２の厚さをかかる範囲内とすることで、粘着層２は、粘着層２へのエネルギー付与前には、良好な粘着力を発揮するとともに、粘着層２へのエネルギー付与後には、粘着層２と半導体用ウエハ７との間において、良好な剥離性を発揮する。
【０１２９】
なお、粘着層２は、異なる前記樹脂組成物で構成される層を複数積層した積層体（多層体）で構成されるものであってもよい。
【０１３０】
かかる構成の粘着テープ１００において、本発明では、粘着テープ１００は、下記要件Ａ、Ｂを満足することを特徴する。
【０１３１】
要件Ａ：当該半導体用ウエハ加工用粘着テープを、５℃／ｍｉｎの昇温速度でＪＩＳ Ｋ７１２０に規定のプラスチックの熱重量測定方法に準拠して、室温２５℃から１００℃まで加熱したとき、粘着層の重量減少率Ａが０．００００１ｗｔ％以上、２．０ｗｔ％以下となる。
【０１３２】
要件Ｂ：当該半導体用ウエハ加工用粘着テープを、５℃／ｍｉｎの昇温速度でＪＩＳ Ｋ７１２０プラスチックに規定の熱重量測定方法に準拠して、室温２５℃から２６０℃まで加熱したとき、粘着層の重量減少率Ｂが１．０ｗｔ％以上、１０．０ｗｔ％以下となる。
【０１３３】
ここで、前記工程［３Ａ］において、ダイシングソーを用いて半導体用ウエハ７を切断する際には、通常、半導体用ウエハ７の切断時に生じる粉塵が飛散するのを防止すること、さらには、半導体用ウエハ７が不必要に摩擦熱により加熱されるのを抑制することを目的に、半導体用ウエハ７には切削水を供給しつつ、半導体用ウエハ７が切断される。このように、切削水を供給したとしても、半導体用ウエハ７は、本発明者の検討により、９０℃程度にまで摩擦熱により加熱されるため、この摩擦熱が粘着テープ１００にまで伝達される。
【０１３４】
そのため、要件Ａのように、室温から１００℃まで加熱したときの粘着テープ１００が備える粘着層２の重量減少率Ａを０．００００１ｗｔ％以上、２．０ｗｔ％以下とすることで、前記摩擦熱により粘着テープ１００が９０℃程度にまで加熱されたとしても、粘着テープ１００が備える粘着層２に含まれる構成成分が気化するのが的確に防止または抑制される。その結果、前記構成成分が半導体チップ２０に付着することに起因する半導体装置１０の性能特性の低下が確実に防止される。
【０１３５】
特に、本実施形態では、粘着テープ１００には、１２インチのような大型の半導体用ウエハ７が積層されており、半導体用ウエハ７は、より長時間、摩擦熱により加熱されることとなるが、粘着テープ１００が備える粘着層２を要件Ａを満足するものとすることで、このような大型の半導体用ウエハ７においても、粘着テープ１００が備える粘着層２に含まれる構成成分の気化を的確に防止または抑制することができる。
【０１３６】
また、前述のとおり半導体装置１０は、通常、配線基板上に、半田リフロー工程を経ることで、搭載される。この半田リフロー工程において、半導体装置１０は、２６０℃程度にまで加熱される。
【０１３７】
そのため、要件Ｂのように、室温から２６０℃まで加熱したときの粘着層の重量減少率Ｂが１．０ｗｔ％以上、１０．０ｗｔ％以下とすることで、半田リフロー工程で半導体装置１０が２６０℃程度にまで加熱されたとしても、半導体装置１０が備える半導体チップ２０に付着している構成成分が再度、気化するのが的確に防止または抑制される。その結果、前記構成成分が半導体装置１０内で気化することに起因する半導体装置１０の性能特性の低下が確実に防止される。
【０１３８】
ここで、室温から１００℃まで加熱したときの粘着層２の重量減少率Ａおよび室温から２６０℃まで加熱したときの粘着層２の重量減少率Ｂは、本明細書中では、それぞれ、５℃／ｍｉｎの昇温速度でＪＩＳ Ｋ７１２０プラスチックに規定の熱重量測定方法に準拠して求めることができる。
【０１３９】
また、重量減少率Ａは、０．００００１ｗｔ％以上、２．０ｗｔ％以下であればよいが、０．００００１％以上、１．５ｗｔ％以下であるのが好ましく、０．００００１ｗｔ％以上、１ｗｔ％以下であるのがより好ましい。さらに、重量減少率Ｂは、１．０ｗｔ％以上、１０．０ｗｔ％以下であればよいが、１．０ｗｔ％以上、７．０ｗｔ％以下であるのが好ましく、１．０ｗｔ％以上、５．０ｗｔ％以下であるのがより好ましい。これにより、前述したような効果をより顕著に発揮させることができる。
【０１４０】
さらに、１００℃〜２６０℃に加熱したときの粘着層２の重量減少率（前記重量減少率Ｂ−前記重量減少率Ａ）の傾きＸは、−０．１４℃／ｍｉｎ以上であることが好ましく、−０．１２℃／ｍｉｎ以上、０℃／ｍｉｎ未満であることがより好ましい。これにより、１００℃〜２６０℃の温度範囲において粘着層２の重量減少が低減されていると言える。したがって、半田リフロー工程で半導体装置１０が２６０℃程度にまで加熱されたとしても、半導体装置１０が備える半導体チップ２０に付着している構成成分が再度、気化するのがより的確に防止または抑制される。その結果、前記構成成分が半導体装置１０内で気化することに起因する半導体装置１０の性能特性の低下がより確実に防止される。
【０１４１】
なお、５℃／ｍｉｎの昇温速度でＪＩＳ Ｋ７１２０プラスチックに規定の熱重量測定方法において、１００℃〜２６０℃に加熱したときの粘着層２の重量減少率（前記重量減少率Ｂ−前記重量減少率Ａ）の傾きＸ［℃／ｍｉｎ］は、１００℃に達した際の時間を時間Ａとし２６０℃に達した際の時間を時間Ｂとしたとき、下記式Ａを用いて求めることができる。
【０１４２】
傾きＸ＝ 
−｛（重量減少率Ｂ − 重量減少率Ａ）／（時間Ｂ − 時間Ａ）｝・・・式Ａ
【０１４３】
また、１００℃〜２６０℃に加熱したときの重量減少率の傾きをＸ［℃／ｍｉｎ］、１００℃〜１８０℃に加熱したときの重量減少率の傾きをＹ［℃／ｍｉｎ］としたとき、Ｘ／Ｙは、１以上、３以下であることが好ましく、１以上、２以下であることがより好ましい。これにより、１００℃〜２６０℃の温度範囲における粘着層２の重量減少が、かかる温度範囲の全般に亘ってなだらかに減少していると言える。したがって、半田リフロー工程で半導体装置１０が２６０℃程度にまで加熱されて、半導体装置１０が備える半導体チップ２０に付着している構成成分が再度、気化したとしても、ある温度範囲において急激に気化するのがより的確に防止または抑制される。その結果、前記構成成分が半導体装置１０内で気化することに起因する半導体装置１０の性能特性の低下がより確実に防止される。
【０１４４】
なお、５℃／ｍｉｎの昇温速度でＪＩＳ Ｋ７１２０プラスチックに規定の熱重量測定方法において、１００℃〜１８０℃に加熱したときの粘着層２の重量減少率の傾きＹ［℃／ｍｉｎ］は、下記式Ａにおいて、２６０℃における重量減少率および時間の値を、１８０℃の重量減少率および時間の値に変更することで求めることができる。
【０１４５】
さらに、室温から２６０℃まで加熱したときに、示差熱分析における発熱ピークが１００℃以上、２００℃以下の温度領域で認められることが好ましい。このような発熱ピークは、粘着層２が硬化することにより認められる。そのため、発熱ピークがかかる範囲内で認められることで、粘着層２に含まれる樹脂組成物が２６０℃程度にまで加熱される半田リフロー工程において、未硬化の状態で残存する樹脂組成物を確実に硬化させることができる。
【０１４６】
また、この発熱ピークの大きさが７０ｍＪ／ｍｇ以上、１８００ｍＪ／ｍｇ以下であることが好ましい。これにより、粘着層２の硬化が円滑に行われていると言うことができ、粘着層２を２６０℃程度にまで加熱する半田リフロー工程において、未硬化の状態で残存する樹脂組成物をより確実に硬化させることができる。
【０１４７】
さらに、室温から３８０℃まで加熱したときに、示差熱分析における吸熱ピークが２６０℃以上の温度領域で認められることが好ましい。このような吸熱ピークは、粘着層２に含まれる樹脂組成物が気化することにより認められる。そのため、吸熱ピークがかかる範囲内で認められることで、粘着層２に含まれる樹脂組成物が２６０℃程度にまで加熱する半田リフロー工程を経たとしても、樹脂組成物が気化するのを的確に抑制または防止することができる。
【０１４８】
また、この吸熱ピークの大きさが１００ｍＪ／ｍｇ以上、２０００ｍＪ／ｍｇ以であることが好ましい。これにより、粘着層２の硬化が円滑に行われていると言うことができ、粘着層２を２６０℃程度にまで加熱する半田リフロー工程において、未硬化の状態で残存する樹脂組成物をより確実に硬化させることができる。
【０１４９】
なお、重量減少率Ａ、Ｂ等の大きさは、基材４を主として構成する樹脂材料や、任意の材料として挙げた軟化剤、充填材、酸化防止剤、光安定剤、帯電防止剤、滑剤、分散剤、中和剤、着色剤等の種類や含有量、および、粘着層２を構成する樹脂組成物に含まれるベース樹脂、硬化性樹脂の他、任意の材料として挙げた光重合開始剤、架橋剤、帯電防止剤、粘着付与剤、老化防止剤、粘着調整剤、充填材、着色剤、難燃剤、軟化剤、酸化防止剤、可塑剤、界面活性剤等の種類や含有量を適宜設定することにより、前述したような範囲内に設定することができる。
【０１５０】
次に、かかる構成の半導体用ウエハ加工用粘着テープ１００は、例えば、以下のようにして製造することができる。
【０１５１】
＜半導体用ウエハ加工用粘着テープの製造方法＞
図４は、図３に示す半導体用ウエハ加工用粘着テープを製造する方法を説明するための縦断面図である。なお、以下の説明では、図４中の上側を「上」、下側を「下」と言う。
【０１５２】
［１Ｂ］まず、基材４を用意し、この基材４上に粘着層２を形成する（図４（ａ）参照。）。
【０１５３】
基材４の製造方法としては、特に限定されないが、例えば、カレンダー法、インフレーション押出し法、Ｔダイ押出し法のような押出成形法、湿式キャスティング法等の一般的な成形方法が挙げられる。なお、基材４が積層体で構成される場合、かかる構成のその基材４の製造方法としては、例えば、共押出し法、ドライラミネート法等の成形方法が用いられる。
【０１５４】
また、基材４は、無延伸で用いることができるし、さらに、必要に応じて一軸または二軸の延伸処理を施したものを用いるようにしてもよい。また、基材４の表面には、基材４と粘着層２との密着性を向上させることを目的に、コロナ処理、クロム酸処理、マット処理、オゾン暴露処理、火炎暴露処理、高圧電撃暴露処理、イオン化放射線処理、プライマー処理、アンカーコート処理のような表面処理が施されていてもよい。
【０１５５】
また、粘着層２は、基材４上に、粘着層２の構成材料である樹脂組成物を溶剤に溶解してワニス状にした液状材料を、塗布または散布した後、溶剤を揮発させて粘着層２を形成することにより得ることができる。
【０１５６】
なお、溶剤としては、特に限定されないが、例えば、メチルエチルケトン、アセトン、トルエン、ジメチルホルムアルデヒド等が挙げられ、これらのうちの１種または２種以上を組み合わせて用いることができる。
【０１５７】
また、基材４上への液状材料の塗布または散布は、例えば、ダイコート、カーテンダイコート、グラビアコート、コンマコート、バーコートおよびリップコート等の方法を用いて行うことができる。
【０１５８】
［２Ｂ］次に、基材４上に形成された粘着層２に対して、中心側と外周側とが分離されるように、粘着層２の厚さ方向に基材４を残存させて円環状に粘着層２の一部を除去することにより、粘着層２を中心部１２２と外周部１２１とを備えるものとする（図４（ｂ）参照。）。
【０１５９】
粘着層２の一部を円環状に除去する方法としては、例えば、除去すべき領域を取り囲むように打ち抜いた後、この打ち抜かれた領域に位置する粘着層２を除去する方法が挙げられる。
【０１６０】
また、除去すべき領域に対する打ち抜きは、例えば、ロール状金型を用いる方法や、プレス金型を用いる方法を用いて行うことができる。中でも、連続的に粘着テープ１００を製造することができるロール状金型を用いる方法が好ましい。
【０１６１】
なお、本工程では、粘着層２の一部をリング状（円形状）に打ち抜いて中心部１２２と外周部１２１とを形成したが、粘着層２の一部を打ち抜く形状は、前述した半導体装置の製造方法において、粘着層２の外周部１２１をウエハリングで固定できる形状となっていれば如何なる形状のものであってもよい。具体的には、打ち抜く形状としては、例えば、上述した円形状の他、楕円状、俵型状のような長円状や、四角形状、五角形状のような多角形状等が挙げられる。
【０１６２】
［２Ｂ］次に、基材４上に形成された粘着層２に対して、セパレーター１を積層することにより、粘着層２がセパレーター１で被覆された粘着テープ１００を得る（図４（ｃ）参照。）。
【０１６３】
粘着層２にセパレーター１を積層する方法としては、特に制限されないが、例えば、ロールを用いたラミネート方法、プレスを用いたラミネート方法を用いることができる。これらの中でも、連続的に生産できるという生産性の観点から、ロールを用いたラミネート方法が好ましい。
【０１６４】
なお、セパレーター１としては、特に限定されないが、ポリプロピレンフィルム、ポリエチレンフィルム、ポリエチレンテレフタラートフィルム等が挙げられる。
【０１６５】
また、セパレーター１は、粘着テープ１００の使用時に剥がされるために、表面を離型処理を施されたものを使用してもよい。離型処理としては離型剤をセパレーター１表面にコーティングする処理や、セパレーター１表面に細かい凹凸をつける処理等が挙げられる。なお、離型剤としては、シリコーン系、アルキッド系、フッ素系等のものが挙げられる。
【０１６６】
以上のような工程を経て、セパレーター１で被覆された粘着テープ１００を形成することができる。
【０１６７】
なお、本実施形態で製造されたセパレーター１で被覆された粘着テープ１００は、前述した粘着テープ１００を用いた半導体装置の製造方法において、粘着テープ１００をセパレーター１から剥離した後に使用される。
【０１６８】
また、セパレーター１が被覆する粘着層２から、このセパレーター１を剥がす際には、粘着層２の面に対してセパレーター１を９０度以上１８０度以下の角度で剥離を行うことが好ましい。セパレーター１を剥離する角度を前記範囲とすることで、粘着層２とセパレーター１との界面以外での剥離を確実に防止することができる。
【０１６９】
なお、本実施形態では、半導体装置１０を、クワッド・フラット・パッケージ（ＱＦＰ）に適用し、かかる構成の半導体装置１０を、粘着テープ１００を用いて製造する場合について説明したが、かかる場合に限定されず、各種の形態の半導体パッケージの製造に、粘着テープ１００を適用することができ、例えば、デュアル・インライン・パッケージ（ＤＩＰ）、プラスチック・リード付きチップ・キャリヤ（ＰＬＣＣ）、ロー・プロファイル・クワッド・フラット・パッケージ（ＬＱＦＰ）、スモール・アウトライン・パッケージ（ＳＯＰ）、スモール・アウトライン・Ｊリード・パッケージ（ＳＯＪ）、薄型スモール・アウトライン・パッケージ（ＴＳＯＰ）、薄型クワッド・フラット・パッケージ（ＴＱＦＰ）、テープ・キャリア・パッケージ（ＴＣＰ）、ボール・グリッド・アレイ（ＢＧＡ）、チップ・サイズ・パッケージ（ＣＳＰ）、マトリクス・アレイ・パッケージ・ボール・グリッド・アレイ（ＭＡＰＢＧＡ）、チップ・スタックド・チップ・サイズ・パッケージ等のメモリやロジック系素子に適用することができる。
【０１７０】
また、本実施形態では、本発明の半導体用ウエハ加工用粘着テープを、１２インチのような大型の半導体用ウエハのダイシングおよび得られた切断片のピックアップに用いる場合について説明したが、当然、１２インチの半導体用ウエハに代えて８インチのような小型の半導体用ウエハにも適用できることは言うまでもないし、１２インチよりも大型の１８インチの半導体用ウエハにも適用できる。
【０１７１】
以上、本発明の半導体用ウエハ加工用粘着テープについて説明したが、本発明は、これらに限定されるものではない。
【０１７２】
例えば、本発明の半導体用ウエハ加工用粘着テープが備える各層には、同様の機能を発揮し得る、任意の成分が添加されていてもよい。
【０１７３】
また、本発明の半導体用ウエハ加工用粘着テープが備える各層の構成は、同様の機能を発揮し得る任意のものと置換することができ、あるいは、任意の構成のものを付加することもできる。
【実施例】
【０１７４】
次に、本発明の具体的実施例について説明する。
なお、本発明はこれらの実施例の記載に何ら限定されるものではない。
【０１７５】
１．原材料の準備
まず、各実施例および各比較例の半導体用ウエハ加工用粘着テープの製造に用いた原材料を以下に示す。
【０１７６】
（樹脂材料１）
樹脂材料１として、ポリプロピレン６０重量部と、下記一般式（１）で示されるポリスチレンセグメントと下記一般式（２）で示されるビニルポリイソプレンセグメントとから成るブロック共重合体４０重量部とを含有するものを用意した。
【０１７７】
【化３】
2015185590.tif 000005
（式（１）中、ｎは２以上の整数）
【０１７８】
【化４】
2015185590.tif 000006
（式（２）中、ｎは２以上の整数）
【０１７９】
（樹脂材料２）
樹脂材料２として、塩化ビニル樹脂７０重量部と、可塑剤としてジオクチルフタレート（ＤＯＰ）３０重量部とを含有するものを用意した。
【０１８０】
（樹脂材料３）
樹脂材料３として、直鎖状低密度ポリエチレンを用意した。
【０１８１】
（樹脂材料４）
樹脂材料４として、プロピレン成分及びエチレンプロピレンゴム成分を含むプロピレン系熱可塑性エラストマー（三菱化学（株）製、「商品名：ゼラス」）を用意した。
【０１８２】
（樹脂材料５）
樹脂材料５として、メタアクリル酸エステル樹脂（（株）クラレ製、「商品名：パラペットＳＡ−Ｆ」）を用意した。
【０１８３】
（樹脂材料６）
樹脂材料６として、ポリエステルエラストマー樹脂（帝人化成（株）製の「商品名：ヌーベラン」）を用意した。
【０１８４】
（樹脂材料７）
樹脂材料７として、低密度ポリエチレン（商品名：スミカセン、ＭＦＲ＝１．５、三井住友ポリオレフィン（株）製）を用意した。
【０１８５】
（樹脂材料８）
樹脂材料８として、エチレン−メタクリル酸共重合物（商品名：ニュクレル、ＭＦＲ＝２．０、三井デュポンポリケミカル（株）製）を用意した。
【０１８６】
（樹脂材料９）
樹脂材料９として、軟化ポリ塩化ビニル（商品名：KMフィルム、三菱化学MKV社製）を用意した。
【０１８７】
（樹脂材料１０）
樹脂材料１０として、ポリブチレンテレフタレート（商品名：ノバデュラン５５１０Ｓ、三菱エンジニアリングプラスチック社製）を用意した。
【０１８８】
（樹脂材料１１）
樹脂材料１１として、メタクリル樹脂（商品名：パラペットＳＡ、クラレ社製）を用意した。
【０１８９】
（樹脂材料１２）
樹脂材料１２として、アイオノマー（商品名：ハイミラン１７０６、三井デュポン社製）を用意した。
【０１９０】
（樹脂材料１３）
樹脂材料１３として、軟質ポリエチレンテレフタレート（商品名：ダイアホイル  軟質Ｃタイプ、三菱化学ポリエステルフィルム社製）を用意した。
【０１９１】
（樹脂材料１４）
樹脂材料１４として、アイオノマー樹脂（ハイミラン（ＨＭ）１８５５（商品名）、三井デュポン社製）１００質量部に対し、熱可塑性エラストマー（ＨＳＢＲ、水素添加スチレン・ブタジエン共重合体、ダイナロン１３２０Ｐ（商品名）、ＪＳＲ社製）１０質量部を混合したものを用意した。
【０１９２】
（樹脂材料１５）
樹脂材料１５として、アイオノマー樹脂（ハイミラン（ＨＭ）１８５５（商品名）、三井デュポン社製）１００質量部に対し、熱可塑性エラストマー（ＨＳＢＲ、水素添加スチレン・ブタジエン共重合体、ダイナロン１３２０Ｐ（商品名）、ＪＳＲ社製）１００質量部を混合したものを用意した。
【０１９３】
（樹脂材料１６）
樹脂材料１６として、アイオノマー樹脂（ハイミラン（ＨＭ）１８５５（商品名）、三井デュポン社製）１００質量部に対し、熱可塑性エラストマー（ＨＳＢＲ、水素添加スチレン・ブタジエン共重合体、ダイナロン１３２０Ｐ（商品名）、ＪＳＲ社製）３００質量部を混合したものを用意した。
【０１９４】
（ベース樹脂１）
ベース樹脂１として、第１の共重合体を１０重量部と、第２の共重合体を９０重量部とからなるものを用意した。なお、第１の共重合体としては、アクリル酸ブチル７０重量部と、アクリル酸２−エチルヘキシル２５重量部と、酢酸ビニル５重量部とを共重合させて得られた重量平均分子量が５０００００の共重合体を用いた。また、第２の共重合体としては、アクリル酸２−エチルヘキシル５０重量部と、アクリル酸ブチル１０重量部と、酢酸ビニル３７重量部と、メタクリル酸２−ヒドロキシエチル３重量部とを共重合させて得られた重量平均分子量が３０００００の共重合体を用いた。
【０１９５】
（ベース樹脂２）
ベース樹脂２として、アミド基を含有するガラス転移温度−１５℃のアクリル系樹脂を用意した。
【０１９６】
（ベース樹脂３）
ベース樹脂３として、アクリル酸メチル（ホモポリマ−でのＴｇ：８℃）４５重量部、アクリル酸エチル（ホモポリマ−でのＴｇ：−２４℃）４０重量部、およびアクリル酸２−ヒドロキシルエチル（ホモポリマ−でのＴｇ：５５℃）１５重量部を、２，２’−アゾビスイソブチロニトリル０．２重量部の存在下、酢酸エチル中で共重合させて得られた重量平均分子量８０万のアクリル系ポリマーを含有する溶液に、２−メタクリロイルオキシエチルイソシアネート１０重量部を添加して付加反応させ、前記アクリル系ポリマー分子内に炭素−炭素二重結合を導入した二重結合導入型アクリル系ポリマー（炭素−炭素二重結合を有する側鎖数は、全側鎖数の８％である）を用意した。
【０１９７】
（ベース樹脂４）
ベース樹脂４として、アクリル酸メチル（ホモポリマ−でのＴｇ：８℃）５０重量部、アクリル酸２−エチルヘキシル（ホモボリマ−でのＴｇ：−５０℃）３０重量部、及びアクリル酸２−ヒドロキシルエチル（ホモポリマ−でのＴｇ：５5 ℃）２０重量部を、２，２’−アゾビスイソブチロニトリル０．２重量部の存在下、酢酸エチル中で共重合させて得られた重量平均分子量１００万のアクリル系ポリマーを含有する溶液に、２−メタクリロイルオキシエチルイソシアネート１０重量部を添加して付加反応させ、前記アクリル系ポリマー分子内に炭素−炭素二重結合を導入した二重結合導入型アクリル系ポリマー（炭素−炭素二重結合を有する側鎖数は、全側鎖数の９％である）を用意した。
【０１９８】
（ベース樹脂５）
ベース樹脂５として、アクリル酸ブチル９０重量部およびアクリル酸１０重量部をトルエン溶液中で常法により共重合させて得られた重量平均分子量５０万のアクリル系共重合体を用意した。
【０１９９】
（ベース樹脂６）
ベース樹脂６として、アクリル酸メチル：７５重量部、アクリル酸メトキシエチル：１０重量部、Ｎ−ビニルピロリドン：１０重量部、及びアクリル酸２−ヒドロキシエチル：５重量部を酢酸エチル中で共重合させて、アクリル系共重合体を含む溶液（Ａ）を得、次いで、この溶液（Ａ）に、２−メタクリロイルオキシエチルイソシアネートを６０重量部加え、さらに、触媒としてジラウリン酸ジブチルスズを０．１重量部加えて、５０℃で２４時間反応させることで、側鎖の末端に炭素−炭素二重結合を有している二重結合導入型アクリル系ポリマー（重量平均分子量：５０万）を用意した。なお、この二重結合導入型アクリル系ポリマーは、アクリル系共重合体における側鎖末端のヒドロキシル基（アクリル酸２−ヒドロキシエチルに由来するヒドロキシル基）の９０モル％に、２−メタクリロイルオキシエチルイソシアネートのイソシアネート基が付加反応した形態を有している。
【０２００】
（ベース樹脂７）
ベース樹脂７として、２−エチルヘキシルアクリレート、メチルアクリレート、２−ヒドロキシルエチルアクリレートからなるアクリル系共重合体（重量平均分子量２０万、Tg＝-35℃）を用意した。
【０２０１】
（ベース樹脂８）
ベース樹脂８として、ブチルアクリレート、２−ヒドロキシエチルアクリレートを主成分としたアクリル系共重合体（重量平均分子量５０万、Tg＝-30℃）を用意した。
【０２０２】
（硬化性樹脂１）
硬化性樹脂１として、１５官能のオリゴマーのウレタンアクリレート（Ｍｉｗｏｎ  Ｓｐｅｃｉａｌｔｙ  Ｃｈｅｍｉｃａｌ社製、品番：Ｍｉｒａｍｅｒ  ＳＣ２１５２）を用意した。
【０２０３】
（硬化性樹脂２）
硬化性樹脂２として、１５官能のオリゴマーのウレタンアクリレート（新中村化学工業株式会社製、品番：ＵＡ−５３Ｈ）を用意した。
【０２０４】
（硬化性樹脂３）
硬化性樹脂３として、重量平均分子量が１１０００の２官能ウレタンアクリレートと、重量平均分子量が５００の５官能アクリレートモノマーとを含有するものを用意した。
【０２０５】
（硬化性樹脂４）
硬化性樹脂４として、重量平均分子量が１１０００の２官能ウレタンアクリレートを用意した。
【０２０６】
（硬化性樹脂５）
硬化性樹脂５として、９官能のオリゴマーのウレタンアクリレート（新中村化学工業株式会社製、品番：ＵＡ−３２Ｐ）を用意した。
【０２０７】
（硬化性樹脂６）
硬化性樹脂６として、ペンタエリスリトールトリアクリレートとジイソシアネートを反応させたものを用意した（２５℃での粘度１０Ｐａ・ｓ）。
【０２０８】
（硬化性樹脂７）
硬化性樹脂７として、テトラエチレングリコールジアクリレート（分子量２４７）を用意した。
【０２０９】
（硬化性樹脂８）
硬化性樹脂８として、トリプロピレングリコ−ルジアクリレート（分子量３００）を用意した。
【０２１０】
（硬化性樹脂９）
硬化性樹脂９として、ジペンタエリスリトールヘキサアクリレート（商品名「カヤラッドＤＰＨＡ」，日本化薬（株）製）を用意した。
【０２１１】
（硬化性樹脂１０）
硬化性樹脂１０として、テトラメチロールメタンテトラアクリレートを用意した。
【０２１２】
（架橋剤１）
架橋剤１として、ポリイソシアネート（日本ポリウレタン工業株式会社製、品番：コロネートＬ）を用意した。
【０２１３】
（架橋剤２）
架橋剤２として、イソシアネート系アクリロイル基含有モノマーを用意した。
【０２１４】
（光重合開始剤１）
光重合開始剤１として、ベンジルジメチルケタール（チバスペシャルティケミカルズ株式会社製、品番：イルガキュア６５１）を用意した。
【０２１５】
（光重合開始剤２）
光重合開始剤２として、1-[4-(2-ヒドロキシエトキシ)-フェニル]-2-ヒドロキシ-2-メチル-1-プロパン-1-オン（チバスペシャルティケミカルズ株式会社製、品番：イルガキュア２９５９）を用意した。
【０２１６】
（光重合開始剤３）
光重合開始剤３として、2-ベンジル-2-ジメチルアミノ-1-（4-モルフォリノフェニル）-ブタノン-1（チバスペシャルティケミカルズ株式会社製、品番：イルガキュア３６９）を用意した。
【０２１７】
（光重合開始剤４）
光重合開始剤４として、α−ヒドロキシシクロヘキシルフェニルケトンを用意した。
【０２１８】
２．半導体用ウエハ加工用粘着テープの作製
［実施例１］
樹脂材料１を２軸混練機で混練した後、混練したものを押出し機で押し出して、厚さ１００μｍの基材４を作製した。
【０２１９】
次に、ベース樹脂１（１００重量部）、硬化性樹脂１（ベース樹脂１００重量部に対して１４０重量部）、架橋剤１（ベース樹脂１００重量部に対して５重量部）および光重合開始剤１（ベース樹脂１００重量部に対して３重量部）が配合された樹脂組成物を含有する液状材料を作製した。この液状材料を、乾燥後の粘着層２の厚さが１０μｍになるようにして基材４にバーコート塗工した後、８０℃で１０分間乾燥させて、実施例１の粘着テープ１００を得た。
【０２２０】
［実施例２〜２０、比較例１、２］
基材４および粘着層２に含まれる構成材料およびその含有量を表１に示すように変更したこと以外は前記実施例１と同様にして、実施例２〜２０、比較例１、２の半導体用ウエハ加工用粘着テープを得た。
【０２２１】
３．評価
得られた各実施例および各比較例の半導体用ウエハ加工用粘着テープを、以下の方法で評価した。
【０２２２】
３−１．重量減少率の評価
まず、各実施例および各比較例の半導体用ウエハ加工用粘着テープについて、前述した重量減少率ＡおよびＢの測定方法用いて、重量減少率ＡおよびＢを求めた。
【０２２３】
また、得られた重量減少率Ａ、Ｂ、１００℃に達した際の時間Ａ、２６０℃に達した際の時間Ｂに基づいて、下記式Ａを用いて１００℃〜２６０℃に加熱したときの重量減少率の傾きＸを求めた。
【０２２４】
さらに、１００℃〜１８０℃に加熱したときの重量減少率の傾Ｙきを、前記式Ａにおいて、２６０℃における重量減少率および時間の値を、１８０℃の重量減少率および時間の値に変更することで求めて、Ｘ／Ｙを求めた。
【０２２５】
３−２．示差熱分析の評価
各実施例および各比較例の半導体用ウエハ加工用粘着テープについて、示差熱分析を室温から３８０℃までの温度範囲で行なって、吸熱ピークが認められる温度、発熱ピークが認められる温度、吸熱ピークの大きさ、および、発熱ピークの大きさを求めた。
【０２２６】
３−３．半導体装置の特性の評価
各実施例および各比較例の半導体用ウエハ加工用粘着テープについて、それぞれ、１８インチの半導体用ウエハを粘着層２の上に置き、軽く押圧することで、半導体用ウエハ７を積層した後、この半導体用ウエハをダイシングソー（ＤＩＳＣＯ社製、ＤＦＤ６４５０）を用いてダイシングすることで、10ｍｍ×10ｍｍのサイズに個片化した。
【０２２７】
次に、粘着テープの裏面側から、紫外線を照射した（照射時間：２０秒間、照射強度：５００ｍＪ／ｃｍ2）。
【０２２８】
次に、ダイシングにより得られた個片化物（半導体チップ）を、ピックアップし、その後、接着層を介してダイパッド上に搭載した後、個片化物が備える電極パッドとリードとをワイヤーボンディングすることで電気的に接続した。そして、個片化物をモールド部で封止することで半導体装置を得た。
【０２２９】
このようにして、各実施例および各比較例の半導体用ウエハ加工用粘着テープから得られた半導体装置について、恒温恒湿器中で３０℃６０％ＲＨ１９２ｈ吸湿処理した後、ＴＡＭＵＲＡ製ＩＲリフロー装置（パッケージ表面ピーク温度：２６５℃、温度プロファイル：パッケージ表面温度を基準にし、ＪＥＤＥＣ規格に沿って調整）に３回繰り返し投入し、パッケージの中心部を切断し、切断面を研磨した後、オリンパス製金属顕微鏡を用いて、パッケージの断面を観察し、パッケージの破壊の有無を調べた。
そして、耐リフロー性の評価基準を、以下のような破壊の有無で評価することとした。
【０２３０】
＜耐リフロー性の評価基準＞
○：破壊がない。
×：破壊がある。
以上のようにして実施した、各種評価の評価結果を表１に示す。
【０２３１】
【表１】
2015185590.tif 000007
【０２３２】
表１に示したように、各実施例の半導体用ウエハ加工用粘着テープでは、粘着層の重量減少率Ａが０．００００１ｗｔ％以上、２．０ｗｔ％以下で、かつ、粘着層の重量減少率Ｂが１．０ｗｔ％以上、１０．０ｗｔ％以下となっており、かかる関係を満足することで、各実施例の半導体用ウエハ加工用粘着テープから得られた半導体装置は、優れた耐リフロー性を示す結果となった。
【０２３３】
これに対して、各比較例の半導体用ウエハ加工用粘着テープでは、前記関係を満足することができず、これに起因して、各比較例の半導体用ウエハ加工用粘着テープから得られた半導体装置では、優れた耐リフロー性を示すことができなかったものと推察された。
【符号の説明】
【０２３４】
１        セパレーター
２        粘着層
４        基材
７        半導体用ウエハ
９        ウエハリング
１０      半導体装置
２０      半導体チップ
２１      電極パッド
２２      ワイヤー
３０      ダイパッド
４０      リード
５０      モールド部
６０      接着層
１００    半導体用ウエハ加工用粘着テープ
１２１    外周部
１２２    中心部
【図１】
2015185590.tif 000008
【図２】
2015185590.tif 000009
【図３】
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【図４】
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