(57)【要約】【課題】液体原料タンク内の液体原料の使用量をモニタすることにより、液体原料タンクの交換時期を把握できる基板処理装置を提供する。【解決手段】  基板を収容する処理室と、液体原料を貯留する液体タンクと、前記液体原料の流量を制御する流量制御器を少なくとも含むガス供給系と、前記処理室内の雰囲気を排気する排気系と、をそれぞれ示すアイコンを有するガスパターンを表示する表示部と、前記液体タンクと前記流量制御器との関連性を設定するパラメータテーブルを少なくとも格納する記憶部と、を有する操作部を備え、前記操作部は、前記液体タンク内の前記液体原料の使用量を、前記パラメータテーブルに設定された換算レートに応じて前記流量制御器で検出される流量を積算した積算値で換算する。【選択図】図６
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板を収容する処理室と、液体原料を貯留する液体タンクと、前記液体原料の流量を制御する流量制御器を少なくとも含むガス供給系と、前記処理室内の雰囲気を排気する排気系と、をそれぞれ示すアイコンを有するガスパターンを表示する表示部と、
前記液体タンクと前記流量制御器との関連性を設定するパラメータテーブルを少なくとも格納する記憶部と、
を有する操作部を備え、
前記操作部は、前記液体タンク内の前記液体原料の使用量を、前記パラメータテーブルに設定された換算レートに応じて前記流量制御器で検出される流量を積算した積算値で換算する基板処理装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ウエハ等の基板に、酸化処理、拡散処理、薄膜の生成等の処理を行う基板処理装置に使用する液体原料タンク内の液体原料の使用量をモニタリング可能な基板処理装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
基板処理装置には、液体原料タンクを設置している。この液体原料タンクは液体原料が無くなると交換して使用していた。同一の基板処理装置において、同じ処理プロセスを繰り返し稼働している装置においては、操作者の経験から液体原料タンクの交換時期が予測できるが、異なるプロセスで稼働する場合や、経験の浅い操作者の場合、基板処理中に液体原料が無くなり、プロセスが異常終了する恐れがある。また、液体原料の残量がまだあるにもかかわらず、事前に原料タンクを交換することによって、メンテナンス間隔が短くなり、装置の稼働率に影響を与える恐れがあった。
【０００３】
【特許文献１】特開２０１０−１２９９５６号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
本発明は、斯かる実情に鑑み、液体原料タンク内の液体原料の使用量をモニタすることにより、液体原料タンクの交換時期を把握できる基板処理装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本発明の一態様によれば、基板を収容する処理室と、液体原料を貯留する液体タンクと、前記液体原料の流量を制御する流量制御器を少なくとも含むガス供給系と、前記処理室内の雰囲気を排気する排気系と、をそれぞれ示すアイコンを有するガスパターンを表示する表示部と、
前記液体タンクと前記流量制御器との関連性を設定するパラメータテーブルを少なくとも格納する記憶部と、
を有する操作部を備え、
前記操作部は、前記液体タンク内の前記液体原料の使用量を、前記パラメータテーブルに設定された換算レートに応じて前記流量制御器で検出される流量を積算した積算値で換算する基板処理装置が提供される。
【発明の効果】
【０００６】
本発明にかかる基板処理装置によれば、液体タンクの交換時期を液体原料の使用量のモニタ値またはアラーム等で知ることが可能となる。また、液体タンク内の液体原料の使用量のモニタ値を複数の値で監視可能であるため、液体タンクに付属する他の部品（フィルタ、バルブ等）の交換時期やクリーニング時期も液体タンクと並行して監視することができる。更に、ＭＦＣと液体タンクの関連付けを表示することにより、パラメータ設定の内容が一目で確認することが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【０００７】
【図１】本発明の一実施形態にかかる基板処理装置の概要構成図である。
【図２】本発明の一実施形態にかかる制御手段ＣＮＴの構成例である。
【図３】本発明の一実施形態にかかるＭＦＣの流量のモニタ値のメモリテーブルの設定例である。
【図４】本発明の一実施形態にかかる部品ごとのアラート、アラーム値の設定するメモリテーブルの例である。
【図５】本発明の一実施形態にかかる液体タンクとＭＦＣと換算レートとのメモリテーブルの設定例である。
【図６】図５で設定した、ＭＦＣと液体タンクとの関連付けをアイコンにより示したものである。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００８】
＜本発明の一実施形態＞
以下に、本発明の一実施形態にかかる基板処理装置の構成及び動作について説明する。
【０００９】
（１）基板処理装置の構成
まず、本発明の一実施形態にかかる基板処理装置の構成について、図１を用いて説明する。図１は、本発明の一実施形態にかかるクラスタ型基板処理装置の概要構成図である。本実施形態にかかるクラスタ型基板処理装置は、真空側と大気側とに分れている。
【００１０】
（真空側の構成）
クラスタ型基板処理装置の真空側には、真空気密可能な真空搬送室（トランスファチャンバ）ＴＭと、予備室としてのバキュームロックチャンバ（ロードロック室）ＶＬ１、ＶＬ２と、基板としてのウエハＷを処理する処理室を備えた処理炉としてのプロセスチャンバＰＭ１、ＰＭ２と、ウエハＷを冷却する冷却チャンバＣＳ１、ＣＳ２と、が設けられている。バキュームロックチャンバＶＬ１、ＶＬ２、プロセスチャンバＰＭ１、ＰＭ２、冷却チャンバＣＳ１、ＣＳ２は、真空搬送室ＴＭの外周に星状（クラスタ状）に配置されている。
【００１１】
真空搬送室ＴＭは、真空状態などの大気圧未満の圧力（負圧）に耐えることが出来るロードロックチャンバ構造に構成されている。なお、本発明の一実施形態においては、真空搬送室ＴＭの筐体は、平面視が六角形で、上下両端が閉塞した箱形状に形成されている。
【００１２】
真空搬送室ＴＭ内には、真空搬送機構としての真空ロボットＶＲが設けられている。真空ロボットＶＲは、バキュームロックチャンバＶＬ１、ＶＬ２、プロセスチャンバＰＭ１、ＰＭ２、冷却チャンバＣＳ１、ＣＳ２との間で、ウエハＷの搬送を基板載置部であるアームに載せることで相互に行なう。なお、真空ロボットＶＲは、エレベータＥＶによって、真空搬送室ＴＭの機密性を維持しつつ昇降できるようになっている。また、バキュームロックチャンバＶＬ１、ＶＬ２、プロセスチャンバＰＭ１、ＰＭ２、及び冷却チャンバＣＳ１、ＣＳ２の前の所定の位置（ゲートバルブ近傍）には、ウエハＷの有無を検知する基板検知手段としてのウエハ有無センサ（図示しない）が設置されている。
【００１３】
プロセスチャンバＰＭ１、ＰＭ２は、例えばＣＶＤ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｖａｐｏｒ  Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法又はＰＶＤ（Ｐｈｙｓｉｃａｌ  Ｖａｐｏｒ  Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法によりウエハＷ上に薄膜を形成する工程、あるいはウエハＷ表面に酸化膜又は窒化膜を形成する工程、あるいはウエハＷ上に金属箔膜を形成する工程を実施して、ウエハＷに付加価値を与えるように構成されている。プロセスチャンバＰＭ１、ＰＭ２には、図示しないガス導入・排気機構、およびプラズマ放電機構に加え、図１に示すプロセスチャンバ内へ供給する処理ガスの流量を制御する流量制御器であるマスフローコントローラ（ＭＦＣ）１１、プロセスチャンバ内の圧力を制御するオートプレッシャコントローラ（ＡＰＣ）１２、プロセスチャンバ内の温度を制御する温度調整器１３、処理ガスの供給や排気用バルブのオン／オフを制御するための入出力バルブＩ／Ｏ１４、などが設けられる。ガス排気機構によりプロセスチャンバＰＭ１、ＰＭ２内（処理室内）を排気しつつ、ガス導入機構により処理室内に処理ガスを供給すると共に、プラズマ放電機構に高周波電力を供給して処理室内にプラズマを生成することで、ウエハＷの表面が処理されるように構成されている。
【００１４】
バキュームロックチャンバＶＬ１、ＶＬ２は、真空搬送室ＴＭ内へウエハＷを搬入するための予備室として、あるいは真空搬送室ＴＭ内からウエハＷを搬出するための予備室として機能する。バキュームロックチャンバＶＬ１、ＶＬ２の内部には、基板の搬入搬出用にウエハＷを一時的に支持するためのバッファステージＳＴ１、ＳＴ２が、それぞれ設けられている。
【００１５】
バキュームロックチャンバＶＬ１、ＶＬ２は、それぞれゲートバルブＧ１、Ｇ２を介して真空搬送室ＴＭと連通可能に構成されており、また、それぞれゲートバルブＧ３、Ｇ４を介して後述する大気搬送室ＬＭと連通可能に構成されている。したがって、ゲートバルブＧ１、Ｇ２を閉じたまま、ゲートバルブＧ３、Ｇ４を開けることにより、真空搬送室ＴＭ内の真空気密を保持したまま、バキュームロックチャンバＶＬ１、ＶＬ２と大気搬送室ＬＭとの間でウエハＷの搬送を行うことが可能である。
【００１６】
また、バキュームロックチャンバＶＬ１、ＶＬ２は、真空状態などの大気圧未満の負圧に耐えることが出来るロードロックチャンバ構造として構成されており、その内部をそれぞれ真空排気することが可能となっている。したがって、ゲートバルブＧ３、Ｇ４を閉じてバキュームロックチャンバＶＬ１、ＶＬ２の内部を真空排気した後で、ゲートバルブＧ３、Ｇ４を開けることにより、真空搬送室ＴＭ内の真空状態を保持したまま、バキュームロックチャンバＶＬ１、ＶＬ２と真空搬送室ＴＭとの間で、ウエハＷの搬送を行うことが可能となっている。
【００１７】
冷却チャンバＣＳ１、ＣＳ２は、ウエハＷを格納して冷却させるように機能する。冷却チャンバＣＳ１、ＣＳ２も、その内部を真空排気することが可能となっている。なお、冷却チャンバＣＳ１、ＣＳ２と真空搬送室ＴＭとの間にも、ゲートバルブがそれぞれ設けられている。
【００１８】
（大気側の構成）
一方、クラスタ型基板処理装置の大気側には、バキュームロックチャンバＶＬ１、ＶＬ２に接続された大気搬送室としての大気搬送室ＬＭと、この大気搬送室ＬＭに接続された基板収容部としてのロードポートＬＰ１〜ＬＰ３と、が設けられる。ロードポートＬＰ１〜ＬＰ３上には、基板収納容器としてのポッドＰＤ１〜ＰＤ３が載置されるようになっている。ポッドＰＤ１〜ＰＤ３内には、ウエハＷをそれぞれ収納する収納部としてのスロットが複数設けられている。
【００１９】
大気搬送室ＬＭには、図示しないが、大気搬送室ＬＭ内にクリーンエアを供給するためのクリーンエアユニットが設けられている。
【００２０】
大気搬送室ＬＭ内には、大気搬送機構としての１台の大気ロボットＡＲが設けられている。大気ロボットＡＲは、バキュームロックチャンバＶＬ１、ＶＬ２とロードポートＬＰ１〜ＬＰ３上に載置されたポッドＰＤ１〜ＰＤ３との間で、基板としてのウエハＷの搬送を相互に行なうようになっている。大気ロボットＡＲも、真空ロボットＶＲと同様に基板載置部であるアームを有する。また、大気搬送室ＬＭの前の所定の位置（ゲートバルブ近傍）にも、同様に、ウエハＷの有無を検知する基板検知手段としてのウエハ有無センサ（図示しない）が設置されている。
【００２１】
なお、大気搬送室ＬＭ内には、基板位置補正装置として、ウエハＷの結晶方位の位置合わせ等を行うためのオリフラ（Ｏｒｉｅｎｔａｔｉｏｎ  Ｆｌａｔ）合わせ装置ＯＦＡが設けられている。
【００２２】
（制御手段の構成）
クラスタ型基板処理装置の各構成部は、制御手段ＣＮＴにより制御される。図２に、制御手段ＣＮＴの構成例を示す。制御手段ＣＮＴは、統合制御部としての統括制御コントローラ（ＣＣ）９０と、処理炉制御部としてのプロセスモジュールコントローラ（ＰＭＣ１）９１と、処理炉制御部としてのプロセスモジュールコントローラ（ＰＭＣ２）９２と、操作員による操作を受け付ける第１の操作部（ＯＵ）１００と、を備えている。
【００２３】
プロセスモジュールコントローラ（ＰＭＣ１、ＰＭＣ２）９１、９２は、プロセスチャンバＰＭ１、ＰＭ２にそれぞれ接続されて、プロセスチャンバＰＭ１、ＰＭ２の動作を個別に制御するように構成されている。具体的には、プロセスモジュールコントローラ９１、９２は、プロセスチャンバＰＭ１、ＰＭ２が備えるＭＦＣ１１、ＡＰＣ１２、温度調整器１３、入出力バルブＩ／Ｏ１４等にそれぞれ接続されている。そして、プロセスモジュールコントローラ９１、９２は、プロセスチャンバＰＭ１、ＰＭ２へのガス導入・排気機構、温度制御・プラズマ放電機構、冷却チャンバＣＳ１、ＣＳ２の冷却機構等の各動作をそれぞれ制御するように構成されている。
【００２４】
統括制御コントローラ（ＣＣ）９０は、ＬＡＮ回線８０を介してプロセスモジュールコントローラ９１、９２にそれぞれ接続可能に構成され、プロセスモジュールコントローラ９１、９２を介してプロセスチャンバＰＭ１、ＰＭ２の動作を統合的に制御するように構成されている。また、統括制御コントローラ９０は、真空ロボットＶＲ、大気ロボットＡＲ、ゲートバルブＧ１〜Ｇ４、バキュームロックチャンバＶＬ１、ＶＬ２に、それぞれ接続されている。そして、統括制御コントローラ９０は、真空ロボットＶＲ及び大気ロボットＡＲの動作、ゲートバルブＧ１〜Ｇ４の開閉動作、バキュームロックチャンバＶＬ１、ＶＬ２内部の排気動作を制御するように構成されている。また、統括制御コントローラ９０は、上述のウエハ有無センサ（図示しない）にそれぞれ接続されており、ウエハ有無センサからの検知信号に基づいて、基板処理装置内のウエハＷの位置を示す位置情報を作成して随時更新するように構成されている。そして、統括制御コントローラ９０は、ウエハＷをポッドＰＤ１〜ＰＤ３の内のどのスロットに収納するかをそれぞれ指定する収納情報と前記位置情報とに加え、ウエハＷについてのプロセス処理状況、ウエハＷを識別するためのウエハＩＤ、ウエハＷに対して実施するレシピ等のデータに基づいて、搬送手段としての真空ロボットＶＲ、大気ロボットＡＲ、ゲートバルブＧ１〜Ｇ４等の動作を制御するように構成されている。
【００２５】
第１の操作部（ＯＵ）１００は、ＬＡＮ回線８０を介して統括制御コントローラ９０及びプロセスモジュールコントローラ９１、９２にそれぞれ接続可能に構成されている。第１の操作部１００は、ＣＰＵ、メモリ、通信インタフェース、ハードディスクを備えた汎用のコンピュータとして構成されている。第１の操作部１００のハードディスクには、システム全体総括制御用プログラム、ＰＭ１操作用プログラム、ＰＭ２操作用プログラム等が格納されている。システム全体総括制御用プログラムは、第１の操作部１００のハードディスクからメモリに読み出され、ＣＰＵにより実行されることにより、統括制御コントローラ９０に動作命令（メッセージ）を送信すると共に、統括制御コントローラ９０から動作報告（メッセージ）を受信する機能を第１の操作部１００に実現するように構成されている。また、ＰＭ１操作用プログラム、ＰＭ２操作用プログラムは、第１の操作部１００のハードディスクからメモリに読み出され、ＣＰＵにより実行されることにより、統括制御コントローラ９０を介してプロセスモジュールコントローラ９１、９２に動作命令（メッセージ）を送信すると共に、統括制御コントローラ９０を介してプロセスモジュールコントローラ９１、９２から動作報告（メッセージ）を受信する機能を第１の操作部１００に実現するように構成されている。その他、第１の操作部１００は、モニタ表示、ロギングデータ、アラーム解析、パラメータ編集などの画面表示・入力受付機能を担うように構成されている。
【００２６】
＜本発明の実施の形態＞
本発明の実施の形態について、図３〜図６を用いて説明する。  図３には、部品ごとに交換時期やクリーニング時期を監視するためのマスフローコントローラの流量のモニタ値のメモリテーブルの設定例を示している。この例では、部品情報Ｎｏ．１の部品が、タンク１内の液体原料の使用積算量が１０リットルになったら交換時期或いはクリーニング時期に来たと判断できるように設定したものである。また、部品情報Ｎｏ．２の部品の場合は、タンク１内の液体原料の使用積算量が２０リットル、部品情報Ｎｏ．３の部品の場合は、タンク２内の液体原料の使用積算量が５０リットルになったらそれぞれ交換時期或いはクリーニング時期に来たと判断できるように設定したものである。この場合、マスフローコントローラの流量を監視して、流量の増分を積算していく。この情報は、部品情報モニタとして保持しておく。
また、モニタしている積算値をリセットする機能も備えている。部品情報のモニタ値は、部品情報Ｎｏ．毎にリセット及び値の変更が可能である。例えば、部品情報Ｎｏ．１のモニタ値が１０リットルになったら、部品Ｎｏ．１を交換し、積算値をリセットする。また、モニタ値を部品情報Ｎｏごとに変更することも可能である。
【００２７】
図４には、部品ごとのアラート（警告）、アラーム（エラー、故障）値の設定するメモリテーブルの例を示している。この例では、部品Ｎｏ．１については、タンク１の使用量の積算値が１００リットルに達したらアラート（警告）を出力し、１５０リットルに達したらアラーム（エラー、故障）を出力する。部品Ｎｏ．２については、タンク１の使用量の積算値が２００リットルに達したらアラート（警告）を出力し、２１０リットルに達したらアラーム（エラー、故障）を出力する。
部品Ｎｏ．３については、タンク２の使用量の積算値が５０リットルに達したらアラート（警告）を出力し、６０リットルに達したらアラーム（エラー、故障）を出力する。
【００２８】
図５には、液体タンクとＭＦＣ（流量制御器）と換算レートとのメモリテーブルの設定例を示し、図６には、図５で設定した、ＭＦＣ(流量制御器)と液体タンクとの関連付けをアイコンにより示したものである。
図６に示すように、液体タンクＴ１の上流側にはバルブＶ２、第１のマスフローコントローラ（ＭＦＣ）Ｍ１、バルブＶ１の順で接続され、液体タンクＴ１の下流側は処理室ＰＭ１やＰＭ２へ接続されている。液体タンクＴ１の上流側には更に、バルブＶ４、第２のマスフローコントローラ（ＭＦＣ）Ｍ２、バルブＶ３の順で接続されている。また、液体タンクＴ２の上流側にはバルブＶ６、第３のマスフローコントローラ（ＭＦＣ）Ｍ３、バルブＶ５の順で接続され、液体タンクＴ２の下流側は処理室ＰＭ１やＰＭ２へ接続されている。
【００２９】
前述の液体タンクＴ１、Ｔ２の中には液体原料が入っており、この液体原料がＭＦＣからの気体に押し出されて、気化器を通りＰＭ１、ＰＭ２に供給される。或いは、気体を液体タンクＴ１、Ｔ２に入れ気泡状態にして、ＰＭ１、ＰＭ２に供給される。液体原料が基板処理に使用され、無くなると新たな液体タンクと交換する。基板処理において、同じ処理プロセスを繰り返し稼働している場合には、経験から液体タンクの交換時期が予測できるが、そうでない場合は、基板処理中に液体原料が無くなり、基板処理が異常終了する恐れがある。また、まだ液体タンク内に液体原料の残量があるにもかかわらず、交換することは、メンテナンスの間隔が短くなり、装置の稼働率に影響を与える恐れがある。
【００３０】
そこで、液体タンク内の液体原料の使用量をモニタリングすることにより、液体タンクの交換時期が分かるような方法とした。まず、図５に示すパラメータ設定例の様に、マスフローコントローラ（ＭＦＣ）１は、タンク１と関連し、換算レートは５０％である。また、マスフローコントローラ２は、タンク１と関連し、換算レートは５０％である。さらに、マスフローコントローラ３は、タンク２と関連し、換算レートは８０％である。とパラメータ設定する。このような設定例の場合は、タンク１内の液体原料の使用量は、ＭＦＣ１とＭＦＣ２の流量の５０％の和であり、タンク２内の液体原料の使用量は、ＭＦＣ３の流量の８０％がそれぞれのタンク内の液体原料の使用量と換算する。
【００３１】
この例では、マスフローコントローラＭ１（ＭＦＣ１）はタンク１（Ｔ１）と関連しており、更にマスフローコントローラＭ２（ＭＦＣ２）はタンク１（Ｔ１）と関連しており、ＭＦＣ１の流量の５０％の和がタンク１の使用量となる。また、マスフローコントローラＭ３（ＭＦＣ３）はタンク２（Ｔ２）と関連しており、ＭＦＣ３の流量の８０％の量がタンク２の使用量となる。
関連のあるＭＦＣと液体タンクを同じ模様で表示し、ＭＦＣの模様の面積は換算値を表している。
【００３２】
以上の方法により、液体タンクの交換時期を液体原料の使用量のモニタ値またはアラーム等で知ることが可能となる。また、液体タンク内の液体原料の使用量のモニタ値を複数の値で監視可能であるため、液体タンクに付属する他の部品（フィルタ、バルブ等）の交換時期やクリーニング時期も液体タンクと並行して監視することができる。更に、ＭＦＣと液体タンクの関連付けを表示することにより、パラメータ設定の内容が一目で確認することができる。
【００３３】
上記では基板処理装置の一例として半導体製造装置を示しているが、半導体製造装置に限らず、ＬＣＤ装置のようなガラス基板を処理する装置であってもよい。また、基板処理の具体的内容は不問であり、成膜処理だけでなく、アニール処理、酸化処理、窒化処理、拡散処理等の処理であってもよい。また、成膜処理は、例えばＣＶＤ、ＰＶＤ、酸化膜、窒化膜を形成する処理、金属を含む膜を形成する処理であってもよい。
【００３４】
以上のように、上記実施例ではクラスタ型の基板処理装置を用いて説明したが、縦型の基板処理装置にも同様に適用可能である。
また、本発明は、上記実施例に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々に変更が可能であることはいうまでもない。
【００３５】
なお、本発明は、ＣＶＤ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｖａｐｏｒ  Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法、ＡＬＤ（Ａｔｏｍｉｃ  Ｌａｙｅｒ  Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法、ＰＶＤ（Ｐｈｙｓｉｃａｌ  Ｖａｐｏｒ  Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法等による酸化膜や窒化膜、金属膜等の種々の膜を形成する成膜処理を行う場合に適用できるほか、プラズマ処理、拡散処理、アニール処理、酸化処理、窒化処理、リソグラフィ処理等の他の基板処理を行う場合にも適用できる。また、本発明は、薄膜形成装置の他、エッチング装置、アニール処理装置、酸化処理装置、窒化処理装置、露光装置、塗布装置、モールド装置、現像装置、ダイシング装置、ワイヤボンディング装置、乾燥装置、加熱装置、検査装置等の他の基板処理装置にも適用できる。また、本発明では、クラスタ型の基板処理装置１００に限らず、枚葉方式、横型の基板処理装置や、縦型の各種基板処理装置であってもよい。
【００３６】
また、本発明は、本実施形態に係る基板処理装置１００のような半導体ウエハを処理する半導体製造装置等に限らず、ガラス基板を処理するＬＣＤ（Ｌｉｑｕｉｄ  Ｃｒｙｓｔａｌ  Ｄｉｓｐｌａｙ）製造装置や太陽電池製造装置等の基板処理装置にも適用できる。
【００３７】
＜本発明の好ましい態様＞
以下に、本発明の好ましい態様について付記する。
【００３８】
＜付記１＞
基板を収容する処理室と、液体原料を貯留する液体タンクと、前記液体原料の流量を制御する流量制御器を少なくとも含むガス供給系と、前記処理室内の雰囲気を排気する排気系と、をそれぞれ示すアイコンを有するガスパターンを表示する表示部と、
前記液体タンクと前記流量制御器との関連性を設定するパラメータテーブルを少なくとも格納する記憶部と、
を有する操作部を備え、
前記操作部は、前記液体タンク内の前記液体原料の使用量を、前記パラメータテーブルに設定された換算レートに応じて前記流量制御器で検出される流量を積算した積算値で換算する基板処理装置。
【００３９】
＜付記２＞
更に、前記操作部は、前記パラメータテーブルに基づいて前記液体タンクと前記流量制御器をそれぞれ示すアイコンを所定の色に設定し、前記パラメータテーブルで指定された換算レートに応じて前記流量制御器を示すアイコンを所定の色に変化させて前記ガスパターンに表示する付記１の基板処理装置。
【００４０】
＜付記３＞
更に、前記液体原料の使用量又は前記流量制御器の流量積算値を監視するモニタテーブルを有し、前記モニタテーブルは、書き換え可能に構成されている付記１の基板処理装置。
【００４１】
＜付記４＞
更に、前記記憶部は、前記液体タンク内の前記液体原料の使用量または前記流量制御器の積算値の閾値を設定するエラー設定テーブルを有し、前記操作部は、前記モニタテーブルで指定されたモニタ値（流量積算値）が前記エラー設定テーブルに設定された設定値を越えた場合にエラーを通知する付記３の基板処理装置。
【００４２】
＜付記５＞
更に、基板を収容する処理室と、液体原料を貯留する液体タンクと、前記液体原料の流量を制御する流量制御器を少なくとも含むガス供給系と、前記処理室内の雰囲気を排気する排気系と、をそれぞれ示すアイコンを有するガスパターンを表示し、
前記液体タンクと前記流量制御器との関連性を設定するパラメータテーブルを少なくとも格納し、
前記液体タンク内の前記液体原料の使用量を、前記パラメータテーブルに設定された換算レートに応じて前記流量制御器で検出される流量を積算した積算値で換算して表示するガスパターン表示方法。
【００４３】
＜付記６＞
更に、基板を収容する処理室と、液体原料を貯留する液体タンクと、前記液体原料の流量を制御する流量制御器を少なくとも含むガス供給系と、前記処理室内の雰囲気を排気する排気系と、をそれぞれ示すアイコンを有するガスパターンを表示し、
前記液体タンクと前記流量制御器との関連性を設定するパラメータテーブルを少なくとも格納し、
前記液体タンク内の前記液体原料の使用量を、前記パラメータテーブルに設定された換算レートに応じて前記流量制御器で検出される流量を積算した積算値で換算して表示する表示プログラム。
【００４４】
１００  操作部
Ｍ１    ＭＦＣ
Ｍ２    ＭＦＣ
Ｍ３    ＭＦＣ
Ｔ１    液体タンク
Ｔ２    液体タンク
５５    操作部
ＣＮＴ  制御手段
【図１】
2015185827.tif 000003
【図２】
2015185827.tif 000004
【図３】
2015185827.tif 000005
【図４】
2015185827.tif 000006
【図５】
2015185827.tif 000007
【図６】
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