(57)【要約】【課題】意図しない輝度の変化を抑制した点灯回路及び照明装置を提供する。【解決手段】実施形態によれば、電力変換部と温度検出部と制御部とを備えた点灯回路が提供される。電力変換部は、調光器及び照明負荷に接続され、調光器から供給された導通角制御された交流電力を直流電力に変換して照明負荷に供給する。温度検出部は、照明負荷の点灯にともなって変化する温度を検出する。制御部は、交流電力から調光器の調光度を検出し、調光度に応じて、電力変換部による電力の変換を制御する。制御部は、調光度が所定値以上の第１領域においては、調光度と温度検出部で検出された温度とを基に、電力変換部の出力を決定し、調光度が所定値未満の第２領域においては、温度を用いずに、調光度を基に、電力変換部の出力を決定する。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
調光器及び照明負荷に接続され、前記調光器から供給された導通角制御された交流電力を直流電力に変換して前記照明負荷に供給する電力変換部と、
前記照明負荷の点灯にともなって変化する温度を検出する温度検出部と、
前記交流電力から前記調光器の調光度を検出し、前記調光度に応じて、前記電力変換部による電力の変換を制御する制御部であって、前記調光度が所定値以上の第１領域においては、前記調光度と前記温度検出部で検出された前記温度とを基に、前記電力変換部の出力を決定し、前記調光度が前記所定値未満の第２領域においては、前記温度を用いずに、前記調光度を基に、前記電力変換部の出力を決定する制御部と、
を備えた点灯回路。
【請求項２】
前記制御部は、前記第１領域において、第１温度の時の前記出力を、前記第１温度よりも低い第２温度の時の前記出力よりも低下させる請求項１記載の点灯回路。
【請求項３】
前記制御部は、前記第１領域において、前記調光度と前記温度とを基に出力を決定する制御の開始を、前記調光度に応じて変化させる請求項１又は２に記載の点灯回路。
【請求項４】
前記制御部は、前記調光度が高い程、前記制御を開始する前記温度を低くする請求項３記載の点灯回路。
【請求項５】
照明負荷と、
前記照明負荷に電力を供給する請求項１〜４のいずれか１つに記載の点灯回路と、
を備えた照明装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明の実施形態は、点灯回路及び照明装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
調光器の調光度に応じて照明負荷に供給する出力を変化させるとともに、装置の温度に応じて出力を変化させる点灯回路がある。点灯回路と照明負荷とを含む照明装置がある。こうした点灯回路及び照明装置では、意図しない輝度の変化を抑制することが望まれる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００７−２２７１５５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
意図しない輝度の変化を抑制した点灯回路及び照明装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本発明の実施形態によれば、電力変換部と、温度検出部と、制御部と、を備えた点灯回路が提供される。前記電力変換部は、調光器及び照明負荷に接続され、前記調光器から供給された導通角制御された交流電力を直流電力に変換して前記照明負荷に供給する。前記温度検出部は、前記照明負荷の点灯にともなって変化する温度を検出する。前記制御部は、前記交流電力から前記調光器の調光度を検出し、前記調光度に応じて、前記電力変換部による電力の変換を制御する。前記制御部は、前記調光度が所定値以上の第１領域においては、前記調光度と前記温度検出部で検出された前記温度とを基に、前記電力変換部の出力を決定し、前記調光度が前記所定値未満の第２領域においては、前記温度を用いずに、前記調光度を基に、前記電力変換部の出力を決定する。
【発明の効果】
【０００６】
本発明の実施形態によれば、意図しない輝度の変化を抑制した点灯回路及び照明装置を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【０００７】
【図１】実施形態に係る照明装置を模式的に表すブロック図である。
【図２】実施形態に係る点灯回路を模式的に表す回路図である。
【図３】制御部の動作の一例を模式的に表すグラフ図である。
【発明を実施するための形態】
【０００８】
以下に、各実施の形態について図面を参照しつつ説明する。  
なお、図面は模式的または概念的なものであり、各部分の厚みと幅との関係、部分間の大きさの比率などは、必ずしも現実のものと同一とは限らない。また、同じ部分を表す場合であっても、図面により互いの寸法や比率が異なって表される場合もある。  
なお、本願明細書と各図において、既出の図に関して前述したものと同様の要素には同一の符号を付して詳細な説明は適宜省略する。
【０００９】
図１は、実施形態に係る照明装置を模式的に表すブロック図である。  
図１に表したように、照明装置１０は、照明負荷１２と、点灯回路１４と、を備える。照明負荷１２は、例えば、発光ダイオード（Light-emitting diode：ＬＥＤ）などの照明光源１６を有する。照明光源１６は、例えば、有機発光ダイオード（Organic light-emitting diode：ＯＬＥＤ）などでもよい。照明光源１６には、例えば、順方向降下電圧を有する発光素子が用いられる。照明負荷１２は、点灯回路１４からの出力電圧の印加及び出力電流の供給により、照明光源１６を点灯させる。出力電圧及び出力電流の値は、照明光源１６に応じて規定される。
【００１０】
点灯回路１４は、交流電源２及び調光器３と接続されている。なお、本願明細書において、「接続」とは、電気的な接続を意味し、物理的に接続されていない場合や他の要素を介して接続されている場合も含むものとする。また、トランスなどを介して磁気的に結合している場合も、「接続」に含むものとする。
【００１１】
交流電源２は、例えば、商用電源である。調光器３は、交流電源２の交流の電源電圧ＶＩＮから導通角制御した交流電圧ＶＣＴを生成する。点灯回路１４は、調光器３から供給される交流電圧ＶＣＴを直流電圧に変換して照明負荷１２に出力することにより、照明光源１６を点灯させる。また、点灯回路１４は、導通角制御された交流電圧ＶＣＴに同期して、照明光源１６の調光を行う。なお、調光器３は、必要に応じて設けられ、省略可能である。調光器３が設けられていない場合には、交流電源２の電源電圧ＶＩＮが、点灯回路１４に供給される。
【００１２】
調光器３の導通角制御には、例えば、交流電圧のゼロクロスから交流電圧の絶対値が最大値となる期間において導通する位相を制御する位相制御（leading edge）の方式と、交流電圧の絶対値が最大値となってから交流電圧がゼロクロスする期間において遮断する位相を制御する逆位相制御（trailing edge)の方式とがある。
【００１３】
位相制御する調光器３は、回路構成が簡単であり、比較的大きな電力負荷を扱うことができる。しかし、トライアックが使用されている場合は、軽負荷動作が困難で、電源電圧が一時的に低下するいわゆる電源ディップが発生すると不安定動作に陥りやすい。また、容量性負荷を接続した場合は、突入電流が発生するため容量性負荷との相性が悪いなどの特徴がある。
【００１４】
一方、逆位相制御する調光器３は、軽負荷でも動作可能であり、容量性負荷を接続しても突入電流が発生せず、また電源ディップが発生しても動作が安定である。しかし、回路構成が複雑であり、温度が上昇し易いため、重負荷に向かない。また、誘導性負荷を接続した場合は、サージが発生するなどの特徴がある。
【００１５】
本実施形態では、調光器３として、電源電圧ＶＩＮを供給する一対の電源ラインの一方の端子４、６間に直列に挿入された構成を例示している。すなわち、この例では、いわゆる２線式の調光器３を示している。調光器３は、これに限ることなく、他の構成でもよい。調光器３は、例えば、３線式や４線式などでもよい。
【００１６】
点灯回路１４は、電力変換部２０と、制御部２２と、制御用電源部２３と、電流調整部２４と、フィードバック回路２５と、を含む。電力変換部２０は、ＡＣ−ＤＣコンバータ２０ａと、ＤＣ−ＤＣコンバータ２０ｂと、を含む。ＡＣ−ＤＣコンバータ２０ａは、第１電源供給経路２６ａを介して調光器３に接続される。ＡＣ−ＤＣコンバータ２０ａは、第１電源供給経路２６ａを介して供給される交流電圧ＶＣＴを第１直流電圧ＶＤＣ１に変換する。
【００１７】
ＤＣ−ＤＣコンバータ２０ｂは、第２電源供給経路２６ｂを介してＡＣ−ＤＣコンバータ２０ａと接続される。ＤＣ−ＤＣコンバータ２０ｂは、第２電源供給経路２６ｂから供給される第１直流電圧ＶＤＣ１を照明負荷１２に応じた所定の電圧値の第２直流電圧ＶＤＣ２に変換して照明負荷１２に供給する。第２直流電圧ＶＤＣ２の絶対値は、第１直流電圧ＶＤＣ１の絶対値と異なる。第２直流電圧ＶＤＣ２の絶対値は、例えば、第１直流電圧ＶＤＣ１の絶対値よりも低い。この例において、ＤＣ−ＤＣコンバータ２０ｂは、降圧型のコンバータである。第２直流電圧ＶＤＣ２の供給により、照明負荷１２の照明光源１６が点灯する。このように、電力変換部２０は、調光器３及び照明負荷１２に接続され、調光器３から供給された位相制御された交流電力を直流電力に変換して照明負荷１２に供給する。
【００１８】
制御用電源部２３は、第１電源供給経路２６ａに接続された配線部２７を有する。配線部２７は、入力端子４に接続された配線２７ａと、入力端子５に接続された配線２７ｂと、を含む。制御用電源部２３は、配線部２７を介して入力される交流電圧ＶＣＴを制御部２２に応じた直流の駆動電圧ＶＤＤに変換して、その駆動電圧ＶＤＤを制御部２２に供給する。配線部２７は、例えば、第２電源供給経路２６ｂに接続してもよい。
【００１９】
電流調整部２４は、第１電源供給経路２６ａに電気的に接続された分岐経路２８を有し、第１電源供給経路２６ａを流れる電流の一部を分岐経路２８に流す導通状態と、流さない非導通状態と、を切り替え可能である。これにより、電流調整部２４は、例えば、第１電源供給経路２６ａに流れる電流を調整する。この例では、電流調整部２４の分岐経路２８が、制御用電源部２３を介して第１電源供給経路２６ａに接続されている。分岐経路２８は、制御用電源部２３を介することなく、第１電源供給経路２６ａに直接接続してもよい。なお、非導通状態には、動作に影響のない微小な電流が分岐経路２８に流れる場合も含む。非導通状態は、例えば、分岐経路２８に流れる電流が、導通状態よりも小さい状態である。分岐経路２８は、例えば、第２電源供給経路２６ｂに接続してもよい。
【００２０】
制御部２２は、交流電圧ＶＣＴの導通角を検出する。換言すれば、制御部２２は、調光器３の調光度を検出する。制御部２２は、検出した調光度（導通角）に対応する調光信号ＤＭＳを生成し、その調光信号ＤＭＳをフィードバック回路２５に入力する。これにより、制御部２２は、検出した調光度に応じて、電力変換部２０による電力の変換を制御する。すなわち、制御部２２は、検出した調光度に応じて、照明負荷１２を調光する。
【００２１】
また、制御部２２は、検出した導通角に応じて制御信号ＣＧＳを生成し、その制御信号ＣＧＳを電流調整部２４に入力することにより、電流調整部２４の導通状態と非導通状態との間の切り替えを制御する。このように、制御部２２は、検出した導通角に応じて電流調整部２４とフィードバック回路２５とを制御することにより、調光器３の導通角制御に同期して、照明光源１６を調光する。制御部２２には、例えば、マイクロプロセッサが用いられる。
【００２２】
フィードバック回路２５は、点灯回路１４の低電位側の出力端子８に接続される。すなわち、フィードバック回路２５は、照明負荷１２の低電位側の端部に接続される。フィードバック回路２５は、照明負荷１２（照明光源１６）に流れる電流を検出する。フィードバック回路２５は、制御部２２から入力された調光信号ＤＭＳと検出した電流とを基に、ＤＣ−ＤＣコンバータ２０ｂをフィードバック制御する。例えば、照明光源１６に過電流が流れている場合に、電流を小さくするようにＤＣ−ＤＣコンバータ２０ｂをフィードバック制御する。これにより、フィードバック回路２５は、照明光源１６に過電流が流れることを抑制する。
【００２３】
図２は、実施形態に係る点灯回路を模式的に表す回路図である。  
図２に表したように、ＡＣ−ＤＣコンバータ２０ａは、整流回路３０と、平滑コンデンサ３２と、インダクタ３４と、フィルタコンデンサ３６と、を有する。
【００２４】
整流回路３０は、例えば、ダイオードブリッジである。整流回路３０の入力端子３０ａ、３０ｂは、一対の入力端子４、５に接続されている。整流回路３０の入力端子３０ａ、３０ｂには、調光器３を介して位相制御または逆位相制御された交流電圧ＶＣＴが入力される。整流回路３０は、例えば、交流電圧ＶＣＴを全波整流し、全波整流後の脈流電圧を高電位端子３０ｃと低電位端子３０ｄとの間に生じさせる。
【００２５】
平滑コンデンサ３２は、整流回路３０の高電位端子３０ｃと低電位端子３０ｄとの間に接続されている。平滑コンデンサ３２は、整流回路３０によって整流された脈流電圧を平滑化する。これにより、平滑コンデンサ３２の両端には、第１直流電圧ＶＤＣ１が現れる。
【００２６】
インダクタ３４は、入力端子４に直列に接続されている。インダクタ３４は、例えば、第１電源供給経路２６ａに対して直列に接続される。フィルタコンデンサ３６は、入力端子４、５の間に接続されている。フィルタコンデンサ３６は、例えば、第１電源供給経路２６ａに対して並列に接続される。インダクタ３４及びフィルタコンデンサ３６は、例えば、交流電圧ＶＣＴに含まれるノイズを除去する。
【００２７】
ＤＣ−ＤＣコンバータ２０ｂは、平滑コンデンサ３２の両端に接続される。これにより、第１直流電圧ＶＤＣ１が、ＤＣ−ＤＣコンバータ２０ｂに入力される。ＤＣ−ＤＣコンバータ２０ｂは、第１直流電圧ＶＤＣ１を絶対値の異なる第２直流電圧ＶＤＣ２に変換し、その第２直流電圧ＶＤＣ２を点灯回路１４の出力端子７、８に出力する。照明負荷１２は、出力端子７、８に接続されている。照明負荷１２は、点灯回路１４から供給された第２直流電圧ＶＤＣ２により、照明光源１６を点灯させる。
【００２８】
ＤＣ−ＤＣコンバータ２０ｂは、例えば、出力素子４０、電流制御素子４１、整流素子４２、インダクタ４３、出力素子４０を駆動する帰還巻き線（駆動素子）４４、結合コンデンサ４５、分圧抵抗４６、４７、出力コンデンサ４８、バイアス抵抗４９を有している。
【００２９】
出力素子４０及び電流制御素子４１は、例えば電界効果トランジスタ（ＦＥＴ）であり、例えば高電子移動度トランジスタ（High Electron Mobility Transistor：ＨＥＭＴ）であり、ノーマリオン形の素子である。
【００３０】
電流制御素子４１のドレインは、出力素子４０を介して第２電源供給経路２６ｂに電気的に接続される。電流制御素子４１のソースは、照明負荷１２に電気的に接続される。電流制御素子４１のゲートは、電流制御素子４１のドレイン−ソース間に流れる電流を制御するための電極である。
【００３１】
電流制御素子４１は、ドレインとソースとの間に電流が流れる第１状態と、ドレインとソースとの間に流れる電流が第１状態よりも小さい第２状態と、を有する。第１状態は、例えば、オン状態であり、第２状態は、例えば、オフ状態である。第１状態は、オン状態に限らない。第２状態は、オフ状態に限らない。第１状態は、第２状態よりも相対的に流れる電流が大きいような任意の状態でよい。第２状態は、第１状態よりも相対的に流れる電流が小さいような任意の状態でよい。
【００３２】
ノーマリオン形の素子である電流制御素子４１では、ゲートの電位をソースの電位よりも低下させることで、第１状態から第２状態に変化する。例えば、電流制御素子４１は、ゲートの電位をソースの電位に対して相対的に負電位にすることにより、オン状態からオフ状態に変化する。
【００３３】
出力素子４０のドレインは、整流回路３０の高電位端子３０ｃに接続される。出力素子４０のソースは、電流制御素子４１のドレインに接続される。出力素子４０のゲートは、結合コンデンサ４５を介して、帰還巻き線４４の一端に接続される。
【００３４】
電流制御素子４１のソースは、インダクタ４３の一端と帰還巻き線４４の他端とに接続される。電流制御素子４１のゲートには、電流制御素子４１のソース電位を分圧抵抗４６、４７で分圧した電圧が入力される。出力素子４０のゲートと電流制御素子４１のゲートには、それぞれ保護ダイオードが接続される。
【００３５】
バイアス抵抗４９は、出力素子４０のドレインと電流制御素子４１のソースとの間に接続され、分圧抵抗４６、４７に直流電圧を供給する。その結果、電流制御素子４１のゲートには、ソースよりも低い電位が供給される。
【００３６】
インダクタ４３と帰還巻き線４４とは、インダクタ４３の一端から他端に増加する電流が流れるとき、出力素子４０のゲートに正極性の電圧が供給される極性で磁気結合している。
【００３７】
整流素子４２は、電流制御素子４１のソースと整流回路３０の低電位端子３０ｄとの間に、低電位端子３０ｄから電流制御素子４１の方向を順方向として接続されている。
【００３８】
この例では、整流素子４２と電流制御素子４１のソースとの間に、半導体素子５０が設けられている。半導体素子５０には、例えば、ＦＥＴやＧａＮ−ＨＥＭＴなどが用いられる。半導体素子５０は、例えば、ノーマリオン形である。半導体素子５０のゲートは、整流回路３０の低電位端子３０ｄに接続される。これにより、半導体素子５０は、オン状態で保持される。
【００３９】
インダクタ４３の他端は、出力端子７に接続される。整流回路３０の低電位端子３０ｄは、出力端子８に接続される。出力コンデンサ４８は、出力端子７と出力端子８との間に接続される。照明負荷１２は、出力端子７と出力端子８との間に、出力コンデンサ４８と並列に接続される。
【００４０】
制御用電源部２３は、整流素子６１〜６３と、抵抗６４と、コンデンサ６５、６６と、レギュレータ６７と、ツェナーダイオード６８と、半導体素子７０と、を有している。
【００４１】
整流素子６１、６２は、例えば、ダイオードである。整流素子６１のアノードは、配線２７ａを介して整流回路３０の高電位端子３０ｃに接続されている。整流素子４２のアノードは、配線２７ｂを介して整流回路３０の低電位端子３０ｄに接続されている。
【００４２】
半導体素子７０には、例えば、ＦＥＴやＧａＮ−ＨＥＭＴなどが用いられる。以下では、半導体素子７０をＦＥＴとして説明を行う。この例において、半導体素子７０は、エンハンスメント型のｎチャネルＦＥＴである。半導体素子７０は、ソースと、ドレインと、ゲートと、を有する。ドレインの電位は、ソースの電位よりも高く設定される。ゲートは、ソースとドレインとの間に電流の流れる第１状態と、ソースとドレインとの間に流れる電流が第１状態よりも小さい第２状態と、を切り替えるために用いられる。第２状態では、ソースとドレインとの間に実質的に電流が流れない。半導体素子７０は、ｐチャネル形でもよいし、デプレッション型でもよい。例えば、半導体素子７０をｐチャネル形とする場合には、ソースの電位が、ドレインの電位よりも高く設定される。
【００４３】
半導体素子７０のドレインは、整流素子６１のカソード及び整流素子６２のカソードに接続されている。すなわち、半導体素子７０のドレインは、整流素子６１、６２を介して第１電源供給経路２６ａに接続されている。半導体素子７０のソースは、整流素子６３のアノードに接続されてる。半導体素子７０のゲートは、ツェナーダイオード６８のカソードに接続されている。また、半導体素子７０のゲートは、抵抗６４を介して整流回路３０の高電位端子３０ｃに接続されている。
【００４４】
整流素子６３のカソードは、コンデンサ６５の一端及びレギュレータ６７の入力端子に接続されている。レギュレータ６７の出力端子は、制御部２２及びコンデンサ６６の一端に接続されている。
【００４５】
交流電圧ＶＣＴの印加にともなう各極性の電流は、整流素子６１を介して半導体素子７０のドレインに流れる。これにより、半導体素子７０のドレインには、交流電圧ＶＣＴを全波整流した脈流の電圧が印加される。
【００４６】
ツェナーダイオード６８のカソードには、抵抗６４及び整流素子６１を介して、脈流の電圧が印加される。これにより、半導体素子７０のゲートには、ツェナーダイオード６８の降伏電圧に応じた実質的に一定の電圧が印加される。これにともない、半導体素子７０のドレイン−ソース間に、実質的に一定の電流が流れる。半導体素子７０は、例えば、定電流素子として機能する。半導体素子７０は、配線部２７に流れる電流を調整する。
【００４７】
コンデンサ６５は、半導体素子７０のソースから整流素子６３を介して供給される脈流の電圧を平滑化し、脈流の電圧を直流電圧に変換する。レギュレータ６７は、入力された直流電圧から実質的に一定の直流の駆動電圧ＶＤＤを生成し、制御部２２に出力する。コンデンサ６６は、例えば、駆動電圧ＶＤＤのノイズの除去などに用いられる。これにより、駆動電圧ＶＤＤが制御部２２に供給される。
【００４８】
また、制御用電源部２３には、抵抗７１、７２が、さらに設けられている。抵抗７１の一端は、整流素子６１、６２のカソードに接続されている。抵抗７１の他端は、抵抗７２の一端に接続されている。抵抗７２の他端は、整流回路３０の低電位端子３０ｄに接続されている。抵抗７１、７２の接続点は、制御部２２に接続されている。これにより、抵抗７１、７２の分圧比に応じた電圧が、交流電圧ＶＣＴの絶対値を検出するための検出電圧として制御部２２に入力される。
【００４９】
制御部２２は、例えば、検出電圧を基に、交流電圧ＶＣＴの導通角の検出を行う。制御部２２は、この検出結果に基づいて、調光信号ＤＭＳを生成し、その調光信号ＤＭＳをフィードバック回路２５に入力する。制御部２２は、例えば、検出した導通角に対応するＰＷＭ信号を調光信号ＤＭＳとしてフィードバック回路２５に入力する。
【００５０】
電流調整部２４は、抵抗７５、７６と、スイッチング素子７８と、を有している。スイッチング素子７８には、例えば、ＦＥＴやＧａＮ−ＨＥＭＴなどが用いられる。以下では、スイッチング素子７８をＦＥＴとして説明を行う。
【００５１】
抵抗７５の一端は、半導体素子７０のソースに接続されている。抵抗７５の他端は、スイッチング素子７８のドレインに接続されている。スイッチング素子７８のゲートは、抵抗７６を介して制御部２２に接続されている。制御部２２は、スイッチング素子７８のゲートに制御信号ＣＧＳを入力する。スイッチング素子７８には、例えば、ノーマリオフ形が用いられる。例えば、制御部２２から入力される制御信号ＣＧＳをＬｏからＨｉに切り替えることで、スイッチング素子７８が、オフ状態からオン状態に変化する。
【００５２】
スイッチング素子７８をオン状態にすると、例えば、整流素子６１、６２、及び半導体素子７０を介して、第１電源供給経路２６ａを流れる電流の一部が、分岐経路２８に流れる。すなわち、スイッチング素子７８をオン状態にすることによって、電流調整部２４が導通状態となり、スイッチング素子７８をオフ状態にすることによって、電流調整部２４が非導通状態となる。
【００５３】
フィードバック回路２５は、差動増幅回路８０と、半導体素子１００と、を有する。この例において、半導体素子１００は、ｎｐｎトランジスタである。半導体素子１００は、ノーマリオフ形の素子である。半導体素子１００は、ｐｎｐトランジスタやＦＥＴなどでもよい。半導体素子１００は、ノーマリオン形でもよい。
【００５４】
差動増幅回路８０は、例えば、オペアンプ８１と、抵抗８２と、コンデンサ８３と、を有する。抵抗８２は、オペアンプ８１の出力端子と、オペアンプ８１の反転入力端子と、の間に接続されている。コンデンサ８３は、抵抗８２に対して並列に接続されている。すなわち、差動増幅回路８０は、負帰還を有する。
【００５５】
オペアンプ８１の非反転入力端子は、抵抗８４の一端に接続されている。抵抗８４の他端は、抵抗８５の一端、抵抗８６の一端、及び、コンデンサ８７の一端に接続されている。コンデンサ８７の他端は、整流回路３０の低電位端子３０ｄに接続されている。抵抗８５の他端は、出力端子７に接続されている。抵抗８６の他端は、出力端子８及び抵抗８８の一端に接続されている。抵抗８８の他端は、整流回路３０の低電位端子３０ｄに接続されている。
【００５６】
これにより、オペアンプ８１の非反転入力端子には、出力端子７、８の間に印加される第２直流電圧ＶＤＣ２を抵抗８５、８６で分圧した直流の電圧が、検出電圧として入力される。すなわち、オペアンプ８１の非反転入力端子は、照明負荷１２の低電位側の端部に接続される。これにより、照明光源１６に流れる電流を検出することができる。照明光源１６にＬＥＤなどの発光素子が用いられている場合、照明光源１６の電圧は、順方向降下電圧に応じて実質的に一定である。従って、照明光源１６にＬＥＤなどの発光素子が用いられている場合には、照明負荷１２の低電位側の端部に接続することで、照明光源１６に流れる電流を適切に検出することができる。
【００５７】
オペアンプ８１の反転入力端子は、抵抗９０の一端に接続されている。抵抗９０の他端は、抵抗９１の一端、及び、コンデンサ９２の一端に接続されている。コンデンサ９２の他端は、整流回路３０の低電位端子３０ｄに接続されている。抵抗９１の他端は、制御部２２に接続されている。このように、オペアンプ８１の反転入力端子は、抵抗９０、９１を介して制御部２２に接続されている。これにより、オペアンプ８１の反転入力端子には、制御部２２からの調光信号ＤＭＳが入力される。
【００５８】
例えば、ＰＷＭ信号をコンデンサ９２で平滑化した直流の電圧が、調光信号ＤＭＳとしてオペアンプ８１の反転入力端子に入力される。オペアンプ８１の反転入力端子には、例えば、調光器３の調光度に応じた直流の電圧が、調光信号ＤＭＳとして入力される。調光信号ＤＭＳの電圧レベルは、非反転入力端子に入力される検出電圧の電圧レベルに対応して設定される。より詳しくは、例えば、所望の調光度に対応する調光信号ＤＭＳの電圧レベルが、その調光度に対応する輝度で照明光源１６が発光した場合の検出電圧の電圧レベルと実質的に同じとなるように設定される。
【００５９】
このように、オペアンプ８１の非反転入力端子には、照明光源１６に流れる電流に対応する検出電圧が入力され、オペアンプ８１の反転入力端子には、調光信号ＤＭＳが入力される。これにより、オペアンプ８１の出力端子からは、検出電圧と調光信号ＤＭＳとの差分に対応した信号が出力される。検出電圧が調光信号ＤＭＳよりも大きくなるに従って、オペアンプ８１の出力も大きくなる。すなわち、照明光源１６に過電流が流れている場合に、オペアンプ８１の出力が大きくなる。このように、この例においては、調光信号ＤＭＳが基準値として用いられる。なお、調光を行わない場合には、基準値となる実質的に一定の直流電圧を、オペアンプ８１の反転入力端子に入力してもよい。
【００６０】
半導体素子１００のコレクタは、分圧抵抗４７の一端に接続されている。半導体素子１００のコレクタは、分圧抵抗４７を介して電流制御素子４１のゲートに電気的に接続される。半導体素子１００のエミッタは、抵抗１０１の一端に接続されている。抵抗１０１の他端は、整流回路３０の低電位端子３０ｄに接続されている。これにより、半導体素子１００のエミッタは、電流制御素子４１のソースの電位よりも低い電位に設定される。半導体素子１００のベースは、オペアンプ８１の出力端子に接続されている。これにより、半導体素子１００のエミッタ−コレクタ間に流れる電流は、オペアンプ８１からの出力によって制御される。
【００６１】
半導体素子１００は、コレクタとエミッタとの間に電流が流れる第３状態と、コレクタとエミッタとの間に流れる電流が第３状態よりも小さい第４状態と、を有する。第３状態は、例えば、オン状態であり、第４状態は、例えば、オフ状態である。第３状態は、オン状態に限らない。第４状態は、オフ状態に限らない。第３状態は、第４状態よりも相対的に流れる電流が大きいような任意の状態でよい。第４状態は、第３状態よりも相対的に流れる電流が小さいような任意の状態でよい。
【００６２】
この例では、半導体素子１００が、ノーマリオフ形であり、ベースの電位をエミッタの電位よりも高くすることによって、第４状態から第３状態に変化する。例えば、ベースの電位をエミッタの電位よりも高くすることによって、半導体素子１００が、オフ状態からオン状態に変化する。
【００６３】
前述のように、検出電圧が調光信号ＤＭＳよりも大きい場合に、オペアンプ８１の出力が大きくなる。従って、半導体素子１００は、例えば、検出電圧が調光信号ＤＭＳよりも大きい場合に、オン状態となり、検出電圧が調光信号ＤＭＳ以下の場合に、オフ状態となる。例えば、検出電圧が調光信号ＤＭＳよりも大きくなるに従って、半導体素子１００のエミッタ−コレクタ間の電流が大きくなる。
【００６４】
また、半導体素子１００のコレクタは、抵抗１０２の一端、及び、コンデンサ１０３の一端に、さらに接続されている。抵抗１０２の他端は、半導体素子１００のベースに接続されている。コンデンサ１０３の他端は、整流回路３０の低電位端子３０ｄに接続されている。半導体素子１００のベースは、抵抗１０４の一端に、さらに接続されている。抵抗１０４の他端は、整流回路３０の低電位端子３０ｄに接続されている。このように、フィードバック回路２５の基準電位は、整流回路３０の低電位端子３０ｄの電位に設定される。すなわち、フィードバック回路２５の基準電位は、ＤＣ−ＤＣコンバータ２０ｂの基準電位と共通である。フィードバック回路２５の基準電位は、ＤＣ−ＤＣコンバータ２０ｂの基準電位と実質的に同じである。
【００６５】
点灯回路１４は、温度検出部１１０をさらに含む。温度検出部１１０は、照明負荷１２の点灯にともなって変化する温度を検出する。温度検出部１１０は、例えば、照明負荷１２、点灯回路１４、または、照明負荷１２や点灯回路１４の周辺の温度を検出する。温度検出部１１０の検出する温度は、例えば、点灯回路１４などが設けられた基板の温度などでもよい。
【００６６】
温度検出部１１０は、例えば、照明負荷１２の点灯時の温度変化の大きい部分の温度を検出する。換言すれば、温度検出部１１０は、例えば、照明負荷１２の点灯にともなって高温になりやすい部分の温度を検出する。温度検出部１１０の検出する温度の位置は、上記に限ることなく、照明負荷１２の点灯にともなって変化する任意の位置の温度でよい。
【００６７】
温度検出部１１０は、制御部２２に接続されている。温度検出部１１０は、温度の検出結果を制御部２２に入力する。例えば、複数の温度検出部１１０を設け、照明装置１０の複数の位置の温度を検出してもよい。
【００６８】
温度検出部１１０は、例えば、感温素子１１２と、抵抗素子１１３と、コンデンサ１１４と、を含む。抵抗素子１１３の一端は、レギュレータ６７の出力端子に接続されている。これにより、抵抗素子１１３の一端には、レギュレータ６７から出力された駆動電圧ＶＤＤが入力される。
【００６９】
抵抗素子１１３の他端は、感温素子１１２の一端に接続されている。感温素子１１２の他端は、整流回路３０の低電位端子３０ｄに接続されている。コンデンサ１１４は、感温素子１１２に並列に接続されている。
【００７０】
感温素子１１２は、例えば、温度に応じて抵抗値を変化させる。感温素子１１２は、例えば、正の温度特性を有する。すなわち、感温素子１１２は、温度の上昇にともなって抵抗値を増加させる。感温素子１１２には、例えば、ＰＴＣ（Positive Temperature Coefficient）サーミスタが用いられる。
【００７１】
感温素子１１２の温度特性は、負の温度特性でもよい。すなわち、感温素子１１２は、温度の上昇にともなって抵抗値を減少させてもよい。感温素子１１２は、例えば、ＮＴＣ（Negative Temperature Coefficient）サーミスタでもよい。感温素子１１２は、ＰＴＣサーミスタやＮＴＣサーミスタに限ることなく、温度に応じて特性を変化させる任意の素子でよい。温度に応じて変化する感温素子１１２の特性は、抵抗値に限ることなく、例えば、静電容量などでもよい。
【００７２】
制御部２２は、感温素子１１２と抵抗素子１１３との間に接続されている。これにより、制御部２２には、駆動電圧ＶＤＤを感温素子１１２と抵抗素子１１３とで分圧した電圧が、温度の検出結果として入力される。温度に応じて感温素子１１２の抵抗値が変化すると、抵抗素子１１３との分圧比が変化する。これにともなって、制御部２２に入力される電圧の電圧値が変化する。これにより、制御部２２は、温度検出部１１０の検出結果を基に、照明負荷１２の点灯にともなって変化する温度の情報を取得する。温度検出部１１０の構成は、上記に限ることなく、照明負荷１２の点灯にともなって変化する温度を検出可能な任意の構成でよい。
【００７３】
図３は、制御部の動作の一例を模式的に表すグラフ図である。  
図３の横軸は、調光器３の調光度（％）である。換言すれば、交流電圧ＶＣＴの導通角である。  
図３の縦軸は、点灯回路１４の出力（％）である。  
図３に表したように、制御部２２は、調光器３の調光度と電力変換部２０の出力とを関連付けた関数を有する。制御部２２は、調光器３の調光度を検出した後、関数を基に電力変換部２０の出力を決定する。そして、制御部２２は、決定した出力に応じて、電力変換部２０による電力の変換を制御する。出力の決定に用いられる関数は、例えば、一次関数状である。出力の決定に用いられる関数は、例えば、二次関数状でもよいし、指数関数状でもよい。この関数は、例えば、調光カーブと呼ばれる場合もある。
【００７４】
制御部２２は、調光度が所定値以上の第１領域Ｒ１においては、調光度と温度検出部１１０で検出された温度とを基に、電力変換部２０の出力を決定する。制御部２２は、例えば、複数の関数を有し、第１領域Ｒ１においては、温度検出部１１０で検出された温度に応じて、関数を変化させる。これにより、制御部２２は、第１領域Ｒ１においては、第１温度の時の出力を、第１温度よりも低い第２温度の時の出力よりも低下させる。例えば、検出温度６０℃の時の調光度１００％の出力は、検出温度２５℃の時の調光度１００％の出力よりも低い。
【００７５】
このように、比較的高い調光度においては、温度に応じて出力を低下させる。これにより、例えば、高温による照明装置１０の故障などを抑制することができる。第１領域Ｒ１における出力は、温度に対して段階的に変化させてもよいし、連続的に変化させてもよい。
【００７６】
一方、制御部２２は、調光度が所定値未満の第２領域Ｒ２においては、温度検出部１１０で検出された温度を用いずに、調光度を基に、電力変換部２０の出力を決定する。第２領域Ｒ２においては、例えば、調光度のみで電力変換部２０の出力を決定する。
【００７７】
この例では、調光度４０％以上の領域を第１領域Ｒ１としている。第１領域Ｒ１と第２領域Ｒ２とを仕切る所定値は、これに限らない。所定値は、例えば、全光状態（出力１００％）における装置の発熱量、装置の熱容量、装置に用いられる各種の部品の温度耐性などに応じて適宜設定すればよい。
【００７８】
また、制御部２２は、第１領域Ｒ１において、調光度と温度とを基に出力を決定する制御の開始を、調光度に応じて変化させる。制御部２２は、例えば、調光度が高い程、前記制御を開始する温度を低くする。例えば、調光度が４０％の場合には、６０℃から制御を開始する。一方、調光度が１００％の場合には、２５℃から制御を開始する。
【００７９】
さらに、制御部２２は、第１領域Ｒ１において、所定の温度における出力の低下率を調光度に応じて変化させる。制御部２２は、例えば、同じ温度における出力の低下率を、調光度が高い程大きくする。例えば、調光度１００％の時の検出温度６０℃の出力の低下率は、調光度７０％の時の検出温度６０℃の出力の低下率よりも大きい。
【００８０】
次に、点灯回路１４の動作について説明する。  
まず、調光器３の調光度がほぼ１００％に設定され、入力される電源電圧ＶＩＮがほぼそのまま伝達される場合、すなわちＤＣ−ＤＣコンバータ２０ｂに最も高い第１直流電圧ＶＤＣ１が入力される場合について説明する。
【００８１】
電源電圧ＶＩＮが、点灯回路１４に供給されるとき、出力素子４０及び電流制御素子４１は、ノーマリオン形の素子であるため、いずれもオンしている。そして、出力素子４０、電流制御素子４１、インダクタ４３、出力コンデンサ４８の経路で電流が流れ、出力コンデンサ４８が充電される。出力コンデンサ４８の両端の電圧、すなわち出力端子７、８の間の電圧は、第２直流電圧ＶＤＣ２として、照明負荷１２の照明光源１６に供給される。なお、出力素子４０及び電流制御素子４１がオンしているため、整流素子４２には、逆電圧が印加される。整流素子４２には、電流は流れない。
【００８２】
第２直流電圧ＶＤＣ２が所定電圧に達すると、照明光源１６に電流が流れ、照明光源１６が点灯する。このとき、出力素子４０、電流制御素子４１、インダクタ４３、出力コンデンサ４８及び照明光源１６の経路で電流が流れる。例えば、照明光源１６がＬＥＤの場合、この所定電圧は、ＬＥＤの順方向降下電圧であり、照明光源１６に応じて定まる。また、照明光源１６が消灯した場合、電流が流れないため、出力コンデンサ４８は、出力電圧の値を保持する。
【００８３】
ＤＣ−ＤＣコンバータ２０ｂに入力される第１直流電圧ＶＤＣ１は、第２直流電圧ＶＤＣ２と比較して十分に高い。すなわち、入出力間の電位差ΔＶは、十分に大きい。このため、インダクタ４３を流れる電流は増加していく。帰還巻き線４４は、インダクタ４３と磁気結合しているため、帰還巻き線４４には、結合コンデンサ４５側を高電位とする極性の起電力が誘起される。そのため、出力素子４０のゲートには、結合コンデンサ４５を介してソースに対して正の電位が供給され、出力素子４０はオンの状態を維持する。
【００８４】
電流制御素子４１を流れる電流が上限値を超えると、電流制御素子４１のドレイン−ソース間電圧は、急激に上昇する。そのため、出力素子４０のゲート−ソース間電圧がしきい値電圧よりも低くなり、出力素子４０はオフする。上限値は、電流制御素子４１の飽和電流値であり、電流制御素子４１のゲートに入力される電位により規定される。電流制御素子４１のゲート電位は、バイアス抵抗４９を介して分圧抵抗４６、４７に供給される直流電圧、照明光源１６の電圧、分圧抵抗４６、４７の分圧比、及び、半導体素子１００のエミッタ−コレクタ間の電流によって設定される。なお、上記のとおり、電流制御素子４１のゲート電位は、ソースに対して負電位のため、飽和電流値を適正値に制限することができる。
【００８５】
インダクタ４３は、整流素子４２、出力コンデンサ４８及び照明負荷１２の経路で電流を流し続ける。このとき、インダクタ４３は、エネルギーを放出するため、インダクタ４３の電流は、減少していく。このため、帰還巻き線４４には、結合コンデンサ４５側を低電位とする極性の起電力が誘起される。出力素子４０のゲートには、結合コンデンサ４５を介してソースに対して負の電位が供給され、出力素子４０はオフの状態を維持する。
【００８６】
インダクタ４３に蓄積されていたエネルギーがゼロになると、インダクタ４３を流れる電流はゼロになる。帰還巻き線４４に誘起される起電力の方向が再び反転し、結合コンデンサ４５側を高電位とする起電力が誘起される。これにより、出力素子４０のゲートにソースよりも高い電位が供給され、出力素子４０が再びオンする。これにより、上記の所定電圧に達した状態に戻る。
【００８７】
以後、上記の動作を繰り返す。これにより、出力素子４０のオン及びオフへの切替が自動的に繰り返されて、照明光源１６には電源電圧ＶＩＮを降下した第２直流電圧ＶＤＣ２が供給される。すなわち、点灯回路１４においては、出力素子４０のスイッチング周波数が、分圧抵抗４６、４７及びフィードバック回路２５によって設定される。また、照明光源１６に供給される電流は、電流制御素子４１により上限値の制限された実質的に一定の電流となる。そのため、照明光源１６を安定に点灯させることができる。
【００８８】
フィードバック回路２５の差動増幅回路８０は、照明光源１６に流れる電流に対応する検出電圧と、調光信号ＤＭＳとの差に応じて、半導体素子１００のベース電位を変化させる。差動増幅回路８０は、例えば、照明光源１６に過電流が流れ、調光信号ＤＭＳの電圧レベルに対して、検出電圧の電圧レベルが所定値以上高い場合に、半導体素子１００のベースに高い電位を設定し、半導体素子１００を実質的にオン状態とする。
【００８９】
半導体素子１００がオン状態になると、電流制御素子４１のゲート電位が、例えば、整流回路３０の低電位端子３０ｄに設定される。すなわち、電流制御素子４１のゲート電位に負電位が設定され、電流制御素子４１がオフ状態になる。これにより、照明光源１６に流れる電流が小さくなり、照明光源１６に過電流が流れることが抑制される。このように、この例では、フィードバック回路２５が、検出電圧と調光信号ＤＭＳとを基に、ＤＣ−ＤＣコンバータ２０ｂをフィードバック制御する。
【００９０】
調光器３の調光度が１００％よりも小さい値に設定され、入力される交流電圧ＶＣＴが導通角制御されて伝達される場合、すなわちＤＣ−ＤＣコンバータ２０ｂに高い第１直流電圧ＶＤＣ１が入力される場合についても、出力素子４０が発振を継続できる場合は、上記と同様である。調光器３の調光度に応じて、ＤＣ−ＤＣコンバータ２０ｂに入力される第１直流電圧ＶＤＣ１の値が変化して、出力電流の平均値を制御することができる。従って、調光度に応じて、照明負荷１２の照明光源１６を調光することができる。
【００９１】
また、調光器３の調光度がさらに小さい値に設定される場合、すなわちＤＣ−ＤＣコンバータ２０ｂに入力される第１直流電圧ＶＤＣ１がさらに低い場合には、出力素子４０がオンしてもインダクタ４３の両端の電位差が小さいため、インダクタ４３を流れる電流が増加することができない。したがって、出力素子４０は、オフの状態にならず、一定の直流電流を出力する。すなわち、点灯回路１４は、調光器３の調光度が小さい場合、すなわち、入出力間の電位差ΔＶが小さい場合、シリーズレギュレータのような動作をする。
【００９２】
このように、点灯回路１４は、電位差ΔＶが所定値よりも大きいとスイッチング動作し、電位差ΔＶが小さいと、シリーズレギュレータのような動作をする。電位差ΔＶが大きい場合は、電位差ΔＶと電流との積が大きく、シリーズレギュレータの動作を行うと損失が大きくなる。したがって、電位差ΔＶが大きい場合に、スイッチング動作をすることは、低消費電力化に適する。また、電位差ΔＶが小さい場合は、損失は小さいため、シリーズレギュレータとして動作をすることは問題ない。
【００９３】
また、点灯回路１４では、電位差ΔＶが所定値よりも小さいときは、出力素子４０はオフの状態にならずにオンの状態を継続したまま電流が振動して、電流の平均値で照明負荷１２の照明光源１６を点灯させる。また、電位差ΔＶがさらに小さいときは、出力素子４０は、オンの状態を継続したまま、直流電流を照明負荷１２に出力して照明光源１６を点灯させる。その結果、点灯回路１４では、出力電流をゼロまで連続的に変化させることができる。例えば、照明装置１０において、照明負荷１２の照明光源１６をスムーズに消灯させることができる。
【００９４】
点灯回路１４では、電位差ΔＶに応じて、出力素子４０のスイッチング動作時における最大値から、出力素子４０のオンの状態を継続したまま直流電流を出力する際の最小値まで出力電流を連続的に変化させることができる。例えば、照明装置１０において、照明光源１６を連続的に０〜１００％の範囲で調光することができる。
【００９５】
点灯回路１４では、フィードバック回路２５を照明負荷１２の低電位側の端部に接続し、照明光源１６に流れる電流を検出し、その検出結果に応じてＤＣ−ＤＣコンバータ２０ｂの動作をフィードバック制御している。照明光源１６の電圧は、電源電圧ＶＩＮや交流電圧ＶＣＴなどの入力電圧が歪んでも、ある程度安定する。従って、上記のように、フィードバック回路２５を照明負荷１２の低電位側の端部に接続して照明光源１６に流れる電流を検出することにより、例えば、電流の検出精度を高めることができる。例えば、過電流が発生した場合に、照明光源１６に流れる電流を即座に停止させることができる。さらには、ノーマリオン形の電流制御素子４１のゲートに対して、負電位を容易に設定することもできる。これにより、点灯回路１４では、より確実な電流制御及び過電流保護を行うことができる。
【００９６】
また、点灯回路１４では、フィードバック回路２５の基準電位が、ＤＣ−ＤＣコンバータ２０ｂの基準電位と共通である。これにより、例えば、出力電圧である第２直流電圧ＶＤＣ２の変動を抑制することができる。
【００９７】
例えば、全ての調光度の領域において、調光度と温度とを基に出力を決定する点灯回路がある。このような点灯回路において、調光度を１００％に設定し、温度によって出力が低下した状態から調光度を低下させる。この場合、出力の低下にともなって温度が低下し、意図せず出力が変化してしまう場合がある。こうした出力の変化は、照明負荷１２の輝度の変化として表れる。例えば、出力の回復にともなって照明負荷１２が次第に明るくなったり、関数の変化にともなって照明負荷１２にチラツキが生じたりする。
【００９８】
これに対して、本実施形態に係る点灯回路１４では、調光度が所定値未満の第２領域Ｒ２においては、温度検出部１１０で検出された温度を用いずに、調光度を基に、電力変換部２０の出力を決定する。従って、例えば、調光度の高い状態から低い状態に遷移させた場合に、調光度に応じた実質的に一定の出力が照明負荷１２に供給される。これにより、点灯回路１４では、意図しない輝度の変化を抑制することができる。
【００９９】
また、点灯回路１４では、制御部２２が、第１領域Ｒ１において、調光度と温度とを基に出力を決定する制御の開始を、調光度に応じて変化させる。これにより、例えば、高温による装置の故障を抑制しつつ、意図しない輝度の変化をより適切に抑制することができる。
【０１００】
さらに、点灯回路１４では、制御部２２は、第１領域Ｒ１において、所定の温度における出力の低下率を調光度に応じて変化させる。これにより、例えば、高温時の出力低下を抑制することができる。
【０１０１】
以上、具体例を参照しつつ実施形態について説明したが、それらに限定されるものではなく、種々の変形が可能である。
【０１０２】
例えば、出力素子４０及び電流制御素子４１はＧａＮ系ＨＥＭＴには限定されない。例えば、半導体基板に炭化珪素（ＳｉＣ）や窒化ガリウム（ＧａＮ）やダイヤモンドのようなワイドバンドギャップを有する半導体（ワイドバンドギャップ半導体）を用いて形成した半導体素子でもよい。ここで、ワイドバンドギャップ半導体とは、バンドギャップが約１．４ｅＶのヒ化ガリウム（ＧａＡｓ）よりもバンドギャップの広い半導体をいう。例えば、バンドギャップが１．５ｅＶ以上の半導体、リン化ガリウム（ＧａＰ、バンドギャップ約２．３ｅＶ）、窒化ガリウム（ＧａＮ、バンドギャップ約３．４ｅＶ）、ダイアモンド（Ｃ、バンドギャップ約５．２７ｅＶ）、窒化アルミニウム（ＡｌＮ、バンドギャップ約５．９ｅＶ）、炭化ケイ素（ＳｉＣ）などが含まれる。このようなワイドバンドギャップ半導体素子は、耐圧を等しくする場合、シリコン半導体素子よりも小さくできるために寄生容量が小さく、高速動作が可能なため、スイッチング周期を短くすることができ、巻線部品やコンデンサなどの小形化が可能となる。
【０１０３】
上記実施形態では、出力素子４０と電流制御素子４１とをカスコード接続し、出力素子４０でスイッチングを行い、電流制御素子４１で電流の制御を行っている。これに限ることなく、例えば、電流制御素子４１のみで、スイッチングと電流の制御とを行ってもよい。
【０１０４】
電力変換部２０の構成は、上記に限ることなく、導通角制御された交流電力を直流電力に変更可能な任意の構成でよい。上記実施形態では、制御部２２が、調光信号ＤＭＳをフィードバック回路２５に入力することにより、電力変換部２０による電力の変換を制御している。制御部２２による電力変換部２０の制御方法は、上記に限ることなく、電力変換部２０の構成に応じた任意の方法でよい。例えば、電力変換部２０がスイッチング素子を含むチョッパ回路である場合には、スイッチング素子のスイッチングを制御することにより、電力変換部２０での電力の変換を制御すればよい。
【０１０５】
なお、照明光源１６はＬＥＤに限らず、例えば、有機ＥＬ（Electro-Luminescence）やＯＬＥＤ（Organic light-emitting diode）などでもよい。照明負荷１２には、複数の照明光源１６が直列又は並列に接続されていてもよい。
【０１０６】
本発明のいくつかの実施形態および実施例を説明したが、これらの実施形態または実施例は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これら新規な実施形態または実施例は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これら実施形態または実施例やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれるとともに、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる。
【符号の説明】
【０１０７】
２…交流電源、  ３…調光器、  １０…照明装置、  １２…照明負荷、  １４…点灯回路、  １６…照明光源、  ２０…電力変換部、  ２０ａ…ＡＣ−ＤＣコンバータ、  ２０ｂ…ＤＣ−ＤＣコンバータ、  ２２…制御部、  ２３…制御用電源部、  ２４…電流調整部、  ２５…フィードバック回路、  ２６ａ…第１電源供給経路、  ２６ｂ…第２電源供給経路、  ２７…配線部、  ２８…分岐経路、  ３０…整流回路、  ３２…平滑コンデンサ、  ３４…インダクタ、  ３６…フィルタコンデンサ、  ４０…出力素子、  ４１…電流制御素子、  ４２…整流素子、  ４３…インダクタ、  ４４…帰還巻き線、  ４５…結合コンデンサ、  ４６、４７…分圧抵抗、  ４８…出力コンデンサ、  ４９…バイアス抵抗、５０…半導体素子、  ６１〜６３…整流素子、  ６４…抵抗、  ６５、６６…コンデンサ、  ６７…レギュレータ、  ６８…ツェナーダイオード、  ７０…半導体素子、  ７１、７２…抵抗、  ８０…差動増幅回路、  ８１…オペアンプ、  ８２、８４〜８６、８８、９０、９１…抵抗、  ８３、８７、９２…コンデンサ、  １００…半導体素子、  １０１、１０２、１０４…抵抗、  １０３…コンデンサ、１１０…温度検出部、  １１２…感温素子、  １１３…抵抗素子、  １１４…コンデンサ
【図１】
2015185329.tif 000003
【図２】
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【図３】
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