(57)【要約】【課題】保護テープ、剛性基板のどちらの貼着方法であっても効率よく冷却可能なプラズマエッチング装置を提供すること。【解決手段】プラズマエッチング装置は被加工物を保持するチャックテーブル２２の保持面２１に溝４０と複数の凸部４１とを備える。溝４０は保持面２１の全面に渡って正六角形が平面充填したハニカム形状で連通して形成されている。凸部４１はハニカム形状の正六角形の保持面２１ａに突出して形成されている。溝４０には冷却媒体ガスが供給される噴射孔が複数形成されている。凸部４１の保持面２１ａから突出している高さは被加工物の表面に貼着される保護テープが複数の凸部４１に当接して載置された際に保護テープの裏面が保持面２１ａに当接する高さに形成されている。【選択図】図４
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
プラズマ処理室を備えたハウジングと、該ハウジングの該プラズマ処理室内に配設された保持面に被加工物を静電吸着により保持するチャックテーブルを備える静電チャックテーブル機構と、該チャックテーブルに保持された被加工物にプラズマ発生用の処理ガスを噴射する処理ガス噴射手段と、該プラズマ処理室内を減圧する減圧手段と、を備えるプラズマエッチング装置であって、
該静電チャックテーブル機構は、被加工物を保持する保持面を備えたチャックテーブルと、該チャックテーブルの内部に配設され電圧が印加されることにより電荷が発生する電極と、該電極に電圧を印加する電圧印加手段と、該チャックテーブルを表面に配設し内部に該チャックテーブルを冷却する冷却手段を備えたテーブル基台と、を備え、
該チャックテーブルの該保持面には、全面に渡って正六角形が平面充填したハニカム形状で連通して形成された溝と、ハニカム形状の正六角形の該保持面に突出して形成された複数の凸部とを備え、
該溝には噴射孔が複数形成され、該噴射孔に連通し該溝内に冷却媒体ガスを供給する冷却媒体ガス供給源を備え、
各該凸部の該保持面から突出している高さは、被加工物の表面に貼着される保護テープが複数の該凸部に当接して載置された際に、該保護テープの裏面が該保持面に当接する高さに形成され、
被加工物の該保持面に当接する面に該保護テープが貼着された際には、該保護テープが複数の該凸部及び該保持面に当接して載置され、該保護テープの裏面と該チャックテーブルの該保持面とが当接し該冷却手段への熱伝導により且つ該溝から供給された冷却媒体ガスによる熱伝達により該保護テープ全体が冷却され、
被加工物の該保持面に当接する面に剛性基板が貼着された際には、該剛性基板が複数の該凸部に当接して載置され、該剛性基板の裏面と該チャックテーブルの保持面とは僅かな隙間が生じ、該溝から供給された冷却媒体ガスが該隙間に行き渡り熱伝達により該剛性基板全体が冷却されること、
を特徴とするプラズマエッチング装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、プラズマエッチング装置等の加工装置に装備され半導体ウエーハ等の被加工物を保持するチャックテーブル機構、更に詳しくは静電気による吸着力を利用して被加工物を吸着保持する静電チャックテーブル機構に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体デバイス製造工程においては、半導体ウエーハは個々のデバイスに分割される前にその裏面を研削装置によって研削して所定の厚さに形成されている。ウエーハの裏面を研削すると、ウエーハの裏面に研削歪が残存し、分割されたデバイスの抗折強度が低下するという問題がある。このような問題を解消するために、ウエーハの裏面にプラズマエッチング処理を施すことによって、ウエーハの裏面に生成された研削歪を除去し、デバイスの抗折強度を向上させるプラズマエッチング装置が提案されている（例えば、特許文献１参照）。
【０００３】
上述したプラズマエッチング装置は、プラズマ処理室を真空状態にしてプラズマエッチング処理を実施することから、被加工物を保持するチャックテーブルが被加工物を真空吸引保持する方式であると、被加工物をチャックテーブル上に確実に吸引保持することが困難である。従って、プラズマエッチング装置のチャックテーブルは、一般に静電気による吸着力を利用して被加工物を吸着保持する静電チャックテーブルが用いられている（特許文献２参照）。
【０００４】
静電チャックテーブルには、プラズマの熱が被加工物に入斜することにより被加工物の温度が表面膜（レジスト等）の耐熱温度以上に上昇することを防ぐため、また、温度分布を均一にする等の目的で、静電チャックテーブルと被加工物の間に冷却媒体ガスを供給するための溝を静電チャックテーブルの保持面に形成している（特許文献３参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２００６−７３５９２号公報
【特許文献２】特開２００７−３１１４６２号公報
【特許文献３】特開２０００−３３２０９１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
被加工物は処理されない面に保護テープあるいは剛性基板が貼着されて搬送される。保護テープが貼着された場合には、保護テープが保持面に密着して被加工物を冷却することは可能であるが、剛性基板が貼着された場合には、保持面の微細な凹凸により剛性基板と保持面とが点接触となり冷却効率が低下してしまう。
【０００７】
本発明の目的は、保護テープ、剛性基板のどちらの貼着方法であっても効率よく冷却可能なプラズマエッチング装置を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
上述した課題を解決し、目的を達成するために、本発明のプラズマエッチング装置は、プラズマ処理室を備えたハウジングと、該ハウジングの該プラズマ処理室内に配設された保持面に被加工物を静電吸着により保持するチャックテーブルを備える静電チャックテーブル機構と、該チャックテーブルに保持された被加工物にプラズマ発生用の処理ガスを噴射する処理ガス噴射手段と、該プラズマ処理室内を減圧する減圧手段と、を備えるプラズマエッチング装置であって、該静電チャックテーブル機構は、被加工物を保持する保持面を備えたチャックテーブルと、該チャックテーブルの内部に配設され電圧が印加されることにより電荷が発生する電極と、該電極に電圧を印加する電圧印加手段と、該チャックテーブルを表面に配設し内部に該チャックテーブルを冷却する冷却手段を備えたテーブル基台と、を備え、該チャックテーブルの該保持面には、全面に渡って正六角形が平面充填したハニカム形状で連通して形成された溝と、ハニカム形状の正六角形の該保持面に突出して形成された複数の凸部とを備え、該溝には噴射孔が複数形成され、該噴射孔に連通し該溝内に冷却媒体ガスを供給する冷却媒体ガス供給源を備え、各該凸部の該保持面から突出している高さは、被加工物の表面に貼着される保護テープが複数の該凸部に当接して載置された際に、該保護テープの裏面が該保持面に当接する高さに形成され、被加工物の該保持面に当接する面に該保護テープが貼着された際には、該保護テープが複数の該凸部及び該保持面に当接して載置され、該保護テープの裏面と該チャックテーブルの該保持面とが当接し該冷却手段への熱伝導により且つ該溝から供給された冷却媒体ガスによる熱伝達により該保護テープ全体が冷却され、被加工物の該保持面に当接する面に剛性基板が貼着された際には、該剛性基板が複数の該凸部に当接して載置され、該剛性基板の裏面と該チャックテーブルの保持面とは僅かな隙間が生じ、該溝から供給された冷却媒体ガスが該隙間に行き渡り熱伝達により該剛性基板全体が冷却されることを特徴とする。
【発明の効果】
【０００９】
本発明は、被加工物を保持する保持面に複数の溝と複数の凸部とを形成したので、剛性基板に貼着された被加工物の場合には、凸部により保持面と被加工物との間に隙間が形成され隙間に冷却媒体ガスが供給されることで剛性基板が冷却される。保護テープに貼着された被加工物の場合には、保護テープが保持面に密着するので、保護テープが複数の溝による熱伝達と保護テープが直接保持面に当接することによる熱伝導により冷却される。したがって、本発明のプラズマエッチング装置は、どちらの貼着方法であっても効率良く冷却することが可能である。
【図面の簡単な説明】
【００１０】
【図１】図１は、実施形態に係るプラズマエッチング装置の構成例を示す図である。
【図２】図２は、実施形態に係るプラズマエッチング装置の静電チャックテーブル機構を一部断面で示す斜視図である。
【図３】図３は、実施形態に係るプラズマエッチング装置の静電チャックテーブル機構のチャックテーブルの平面図である。
【図４】図４は、図３中のＩＶ部を拡大して示す平面図である。
【図５】図５は、図３に示されたチャックテーブルが剛性基板に貼着された被加工物を保持する状態を示す断面図である。
【図６】図６は、図３に示されたチャックテーブルが保護テープに貼着された被加工物を保持する状態を示す断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１１】
本発明を実施するための形態（実施形態）につき、図面を参照しつつ詳細に説明する。以下の実施形態に記載した内容により本発明が限定されるものではない。また、以下に記載した構成要素には、当業者が容易に想定できるもの、実質的に同一のものが含まれる。さらに、以下に記載した構成は適宜組み合わせることが可能である。また、本発明の要旨を逸脱しない範囲で構成の種々の省略、置換又は変更を行うことができる。
【００１２】
〔実施形態〕
実施形態に係るプラズマエッチング装置を、図１から図６に基づいて説明する。図１は、実施形態に係るプラズマエッチング装置の構成例を示す図である。図２は、実施形態に係るプラズマエッチング装置の静電チャックテーブル機構を一部断面で示す斜視図である。図３は、実施形態に係るプラズマエッチング装置の静電チャックテーブル機構のチャックテーブルの平面図である。図４は、図３中のＩＶ部を拡大して示す平面図である。図５は、図３に示されたチャックテーブルが剛性基板に貼着された被加工物を保持する状態を示す断面図である。図６は、図３に示されたチャックテーブルが保護テープに貼着された被加工物を保持する状態を示す断面図である。
【００１３】
実施形態に係るプラズマエッチング装置１は、被加工物Ｗの処理面にプラズマエッチング処理を施すものである。なお、本実施形態に係るプラズマエッチング装置１によりプラズマエッチング処理が施される被加工物Ｗは、例えば、シリコン、サファイア、ガリウムなどを母材とする円板状の半導体ウエーハや光デバイスウエーハを用いることができる。被加工物Ｗは、表面Ｗａ（図５及び図６に示す）に格子状に形成された分割予定ラインで区画された各領域にデバイスが形成され、デバイスに分割される前に処理面としての裏面Ｗｂ（図５及び図６に示す）が研削装置によって研削されて、裏面Ｗｂに研削歪が残存していることがある。被加工物Ｗは、プラズマエッチング装置１により裏面Ｗｂにプラズマエッチング処理が施されて、裏面Ｗｂに残存した研削歪が除去される。被加工物Ｗは、プラズマエッチング装置１に搬送される際に、表面Ｗａに剛性の高く変形することのないガラス板などで構成された剛性基板Ｓ（図５に示す）が貼着されたり、変形しやすい合成樹脂などで構成された保護テープＴ（図６に示す）が貼着される。
【００１４】
プラズマエッチング装置１は、図１に示すように、プラズマ処理室１１を備えたハウジング１０と、プラズマ処理室１１内に配設されかつ被加工物Ｗを静電吸着により保持するチャックテーブル２２を備える静電チャックテーブル機構２０と、被加工物Ｗにプラズマ発生用の処理ガスを噴射する処理ガス噴射手段５０と、プラズマ処理室１１内を減圧する減圧手段６０と、制御手段１００を備える。
【００１５】
ハウジング１０は、上側の開口が閉塞された円筒形状をなしており、内側にプラズマ処理室１１を形成する。ハウジング１０は、その側面に被加工物Ｗ搬出入用の開口１２が設けられている。ハウジング１０には、エアシリンダーなどにより開口１２を開閉するゲート１３が上下方向に移動可能に取り付けられている。プラズマ処理室１１は、ゲート１３により開口１２が閉塞されると密閉される。
【００１６】
処理ガス噴射手段５０は、ハウジング１０の下側の開口を閉塞して、チャックテーブル２２に保持された被加工物Ｗに第１ガス供給源５１及び第２ガス供給源５２から供給される処理ガスを噴射するものである。処理ガス噴射手段５０が噴射する処理ガスとして、ＣＦ４、ＳＦ６等のフッ素系ガスと酸素を主体とするガスが用いられる。処理ガス噴射手段５０は、下部電極としても作用する。処理ガス噴射手段５０は、ハウジング１０の下側の開口を閉塞しかつ処理ガスを噴射する噴射口（図示せず）が設けられた収容容器５３と、収容容器５３内に収容されたＩＰＣアンテナ５４を収容している。ＩＰＣアンテナ５４の端子５４ａ，５４ｂは、高周波電源５６に接続されている。収容容器５３は、アルミニウム合金等の金属で構成され、内部にポーラスセラミックス等の中空体５５が充填されている。また、収容容器５３には、収容容器５３内を真空排気するターボポンプ５７及びドライポンプ６３が接続された排出口５３ｂが形成されている。
【００１７】
減圧手段６０は、ハウジング１０の上端部に形成された二つの排気口６１と、排気口６１に接続してプラズマ処理室１１内を真空排気するターボポンプ６２及びドライポンプ６３と、ターボポンプ６２とドライポンプ６３との間に設けられたバッファータンク６４を備えている。
【００１８】
静電チャックテーブル機構２０は、ハウジング１０の上部で、かつ、プラズマ処理室１１内に配設されている。静電チャックテーブル機構２０は、図２に示すように、被加工物Ｗを保持する保持面２１を備えたチャックテーブル２２と、チャックテーブル２２の内部に配設され電圧が印加されることにより電荷が発生する電極２３と、電極２３に電圧を印加する電源２４（電圧印加手段に相当）と、テーブル基台２５とを備えている。
【００１９】
テーブル基台２５は、上部電極としても作用する。テーブル基台２５は、導電性の金属で構成され、高周波電源２６（図１に示す）に接続されている。テーブル基台２５は、図５及び図６に示すように、チャックテーブル２２を表面２５ａに配設しており、内部にチャックテーブル２２を冷却する冷却手段２７を備えている。冷却手段２７は、テーブル基台２５の内部に形成された空間である冷却室２８と、テーブル基台２５に形成されかつ流量調整バルブ２９（図１に示す）を介して液体源３０（図１に示す）に接続された液体導入口（図示せず）と、テーブル基台２５に形成されかつ気液分離タンク３１（図１に示す）等を介して水ポンプ３２（図１に示す）に接続された気体排出口（図示せず）とを備えている。冷却手段２７は、液体源３０から冷却室２８に液体（例えば、純水）が供給され、水ポンプ３２により冷却室２８内が減圧され、この減圧により冷却室２８内の液体の核沸騰によってテーブル基台２５の表面２５ａに配設されたチャックテーブル２２を冷却する。なお、図５及び図６は、図１に示された静電チャックテーブル機構２０を反転して記載している。
【００２０】
チャックテーブル２２は、テーブル基台２５の表面２５ａに配設される。なお、チャックテーブル２２は、テーブル基台２５の表面２５ａに配設されて、テーブル基台２５の下方に位置し、保持面２１が処理ガス噴射手段５０に対向する。
【００２１】
チャックテーブル２２は、被加工物Ｗが保持面２１上に載置されて、剛性基板Ｓ又は保護テープＴを介して被加工物Ｗを保持するものである。チャックテーブル１０は、誘電体セラミックスから形成された円盤形状であり、電源２４から電極２３に高圧の直流電圧が印加されることで、保持面２１に分極による電荷（静電気）が発生し、そのクーロン力により被加工物Ｗを保持面２１に静電吸着することで保持する。
【００２２】
チャックテーブル２２の保持面２１には、図３及び図４に示すように、全面に渡って正六角形が平面充填したハニカム形状で連通して形成された溝４０と、ハニカム形状の正六角形の保持面２１に突出して形成された複数の凸部４１（図４に示す）とを備えている。溝４０は、保持面２１から凹に形成されている。溝４０は、図４に示すように、平面視において、内側に囲む保持面２１（以下、符号２１ａで示す）が正六角形となるようにハニカム形状に形成されており、隣り合う正六角形の保持面２１ａ間に一本のみ設けられている。なお、本実施形態では、溝４０は、内側に囲む正六角形の保持面２１ａの一辺の長さＬが２．８９ｍｍとなるようにハニカム形状に形成され、溝４０の幅Ｈが０．５ｍｍに形成されている。また、溝４０の保持面２１ａからの深さＤ（図５及び図６に示す）は、５〜１０μｍに形成されている。このように、チャックテーブル２２には、多数の正六角形の保持面２１ａを備えている。なお、本発明では、溝４０が内側に囲む保持面２１ａが正六角形に限らずに種々の図形（円、多角形）となるように、溝４０がハニカム形状に形成されてもよい。
【００２３】
凸部４１は、円柱状に形成され、正六角形の保持面２１ａから凸に形成されている。凸部４１は、保持面２１ａに剛性基板Ｓが載置（貼着）された際には、図５に示すように、正六角形の保持面２１ａと剛性基板Ｓとの間に隙間Ｃを形成する。また、凸部４１の正六角形の保持面２１ａから突出している高さＫ（図５及び図６に示す）は、被加工物Ｗの表面Ｗａに貼着される保護テープＴが、図６に示すように、複数の凸部４１に当接して載置された際に、保護テープＴの裏面が保持面２１ａに当接する高さに形成されている。本実施形態では、凸部４１の保持面２１ａからの高さＫは、５〜１０μｍで、かつ、溝４０の底からの凸部４１までの高低差は、１０〜１５μｍに形成されている。ヘリウム分子の平均自由工程が１０μｍであるからである。
【００２４】
凸部４１は、本発明では、すべての正六角形の保持面２１ａから凸に形成されてもよく、すべての正六角形の保持面２１ａから凸に形成されていなくてもよい。要するに、凸部４１は、剛性基板Ｓと保持面２１ａとの間に隙間Ｃを形成することができれば、なるべく少ないのが望ましい。なお、本実施形態では、図４中の上下に一つおきの正六角形の保持面２１ａに形成されている。また、本実施形態では、凸部４１は、直径が０．５ｍｍで、かつ正六角形の保持面２１ａの中央に形成されている。本発明では、凸部４１は、正六角形の保持面２１ａの任意の位置に形成されればよい。
【００２５】
また、溝４０には、図５及び図６に示すように、チャックテーブル２２を貫通した噴射孔４２が複数設けられている（なお、図５及び図６には、噴射孔４２を一つのみ示し、他を省略している）。噴射孔４２は、テーブル基台２５に設けられた連通配管部４３と連通している。プラズマエッチング装置１は、連通配管部４３を介して少なくとも一つの噴射孔４２に連通し、溝４０内に冷却媒体ガスを供給する冷却媒体ガス供給源４４を備えている。冷却媒体ガス供給源４４から噴射孔４２に供給された冷却媒体ガスは、噴射孔４２から溝４０内に供給されて、剛性基板Ｓ又は保護テープＴを冷却した後、ハウジング１０内のプラズマ処理室１１内に拡散し、被加工物Ｗ交換時にゲート１３が開いた際に外部に排出される。なお、冷却媒体ガスとして、ヘリウムガス等の希ガスを用いることができる。
【００２６】
制御手段１００は、プラズマエッチング装置１を構成する上述した構成要素をそれぞれ制御して、被加工物Ｗに対するプラズマエッチング処理をプラズマエッチング装置１に行わせるものである。なお、制御手段１００は、例えばＣＰＵ等で構成された演算処理装置やＲＯＭ、ＲＡＭ等を備える図示しないマイクロプロセッサを主体として構成されており、加工動作の状態や画像などを表示する図示しない表示手段や、オペレータが加工内容情報などを登録する際に用いる図示しない操作手段と接続されている。
【００２７】
次に、実施形態に係るプラズマエッチング装置１の加工動作について説明する。まず、オペレータが加工内容情報を制御手段１００に登録し、オペレータから加工動作の開始指示があった場合に、プラズマエッチング装置１が加工動作を開始する。加工動作を開始すると、まず、制御手段１００は、ゲート１３を上下動させて、開口１２を開放し、図示しない搬出手段によって被加工物Ｗを開口１２を通してハウジング１０内に搬入し、電源２４を作動して電極２３に電圧を印加して、チャックテーブル２２で被加工物Ｗを静電吸着する。さらに、制御手段１００は、ゲート１３を上下動させて、開口１２を閉塞する。
【００２８】
次に、制御手段１００は、ターボポンプ５７，６２及びドライポンプ６３を作動して、ハウジング１０内のプラズマ処理室１１及び収容容器５３の内部を真空排気する。また、制御手段１００は、ハウジング１０内のプラズマ処理室１１及び収容容器５３の内部の真空排気とほぼ同時に、水ポンプ３２を作動してテーブル基台２５内の冷却室２８内を排気して減圧し、液体源３０から供給された冷却室２８内の液体を核沸騰させ、テーブル基台２５の表面２５ａに配設されたチャックテーブル２２を冷却する。さらに、制御手段１００は、ハウジング１０内のプラズマ処理室１１及び収容容器５３の内部の真空排気とほぼ同時に、冷却媒体ガス供給源４４から溝４０内に冷却媒体ガスを供給して、チャックテーブル２２及び被加工物Ｗを冷却する。
【００２９】
このとき、被加工物Ｗの保持面２１ａに当接する表面Ｗａに保護テープＴが貼着された際には、チャックテーブル２２の静電吸着力により保護テープＴが変形し、図６に示すように、保護テープＴが凸部４１及び凸部４１近傍を除く保持面２１ａに当接して載置される。そして、チャックテーブル２２の静電吸着力により保護テープＴが保持面２１ａに設けられる微細な凹凸にある程度入り込んで、保護テープＴの裏面とチャックテーブル２２の保持面２１ａとが面で当接し、冷却手段２７の温度が図６中の点線で示す矢印のように熱伝導されて、保護テープＴから冷却手段２７への熱伝導により保護テープＴ全体が冷却される。さらに、保護テープＴ内に凸部４１が食い込んだ状態となるので、溝４０から供給された冷却媒体ガスは保護テープＴに噴射されて、冷却媒体ガスの温度が図６中の点線で示す矢印のように熱伝達されて、冷却媒体ガスによる熱伝達により保護テープＴ全体が冷却される。
【００３０】
また、被加工物Ｗの保持面２１ａに当接する表面Ｗａに剛性基板Ｓが貼着された際には、チャックテーブル２２の静電吸着力により、図５に示すように、剛性基板Ｓが複数の凸部４１に当接して載置される。そして、剛性基板Ｓの裏面とチャックテーブル２２の保持面２１ａとは僅かな隙間Ｃが生じる。溝４０から供給された冷却媒体ガスは、図５中の実線で示す矢印のように流れて、隙間Ｃ内に行き渡り、冷却媒体ガスの温度が図５中の点線で示す矢印のように熱伝達されて、熱伝達により剛性基板Ｓ全体が冷却される。さらに、剛性基板Ｓが複数の凸部４１に当接して載置されるので、冷却手段２７の温度が図５中の点線で示す矢印のように熱伝導されて、剛性基板Ｓから冷却手段２７への熱伝導により剛性基板Ｓ全体が冷却される。
【００３１】
そして、ハウジング１０のプラズマ処理室１１内等の圧力が所定の圧力まで減圧され、テーブル基台２５の冷却室２８内の液体の核沸騰によりチャックテーブル２２が所定温度まで冷却されると、プラズマエッチング処理の準備が完了する。
【００３２】
プラズマエッチング処理の準備が完了した後、制御手段１００は、高周波電源２６を作動して所定周波数でかつ所定出力の電力を上部電極としてのテーブル基台２５に印加する。これと同時に、制御手段１００は、高周波電源５６を作動して所定周波数でかつ所定出力の電力を端子５４ａ，５４ｂを介してＩＰＣアンテナ５４に印加する。さらに、制御手段１００は、高周波電源２６の作動と同時に第１ガス供給源５１及び第２ガス供給源５２を作動して、処理ガスの供給を開始する。第１ガス供給源５１及び第２ガス供給源５２から供給された処理ガスは、収容容器５３の噴射口からチャックテーブル２２に保持された被加工物Ｗに噴射される。
【００３３】
このとき、高周波電源５６からＩＰＣアンテナ５４に電力が印加されているために、噴射される処理ガスは、ＩＰＣアンテナ５４によりプラズマ化されて処理ガス噴射手段５０からハウジング１０内のプラズマ処理室１１に噴射されて、被加工物Ｗの裏面Ｗｂにプラズマエッチング処理を施す。制御手段１００は、所定時間被加工物Ｗの裏面Ｗｂにプラズマエッチング処理を施すと、プラズマエッチング装置１の構成要素を適宜停止し、裏面Ｗｂにプラズマエッチング処理が施された被加工物Ｗを開口１２を通してハウジング１０外に搬出させるとともに、プラズマエッチング処理前の被加工物Ｗをハウジング１０内に搬入して、先ほどと同様の工程でプラズマエッチング処理を施す。
【００３４】
以上のように、実施形態に係るプラズマエッチング装置１によれば、被加工物Ｗを保持する保持面２１，２１ａに複数の溝４０と複数の凸部４１を形成したので、剛性基板Ｓに貼着された被加工物Ｗの場合には、凸部４１により保持面２１，２１ａとの間に隙間Ｃが形成され隙間Ｃに冷却媒体ガスが供給されることで剛性基板Ｓ全体が冷却される。また、保護テープＴに貼着された被加工物Ｗの場合には、保護テープＴが保持面２１，２１ａに当接するので、保護テープＴが複数の溝４０から噴射される冷却媒体ガスによる熱伝達と、保護テープＴが直接保持面２１，２１ａに当接することによる冷却手段２７の熱伝導により保護テープＴ全面が冷却される。したがって、プラズマエッチング装置１は、保護テープＴ、剛性基板Ｓのどちらの貼着方法であっても効率よく冷却可能となる。また、プラズマエッチング装置１は、保護テープＴ、剛性基板Ｓのどちらの貼着方法であっても効率よく冷却可能となるので、保護テープＴに貼着された被加工物Ｗと、剛性基板Ｓに貼着された被加工物Ｗとが変更されても、チャックテーブル２２などを交換する必要も生じないので、生産性が低下することを抑制できる。
【００３５】
なお、本発明は上記実施形態に限定されるものではない。即ち、本発明の骨子を逸脱しない範囲で種々変形して実施することができる。
【符号の説明】
【００３６】
１  プラズマエッチング装置
１０  ハウジング
１１  プラズマ処理室
２０  静電チャックテーブル機構
２１，２１ａ  保持面
２２  チャックテーブル
２３  電極
２４  電源（電圧印加手段）
２５  テーブル基台
２５ａ  表面
２７  冷却手段
４０  溝
４１  凸部
５０  処理ガス噴射手段
６０  減圧手段
Ｗ  被加工物
Ｋ  高さ
【図１】
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【図２】
2015138807.tif 000004
【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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