(57)【要約】【課題】  ダイボンドフィルムと半導体チップとの間やダイボンドフィルムと被着体との間に生じたとしても、ボイドによる影響を低減させることが可能なダイボンドフィルムを提供すること。【解決手段】  加熱処理前の１５０℃での貯蔵弾性率Ｅ’１が０．１ＭＰａ〜１０ＭＰａであり、Ｅ’１と１５０℃で１時間加熱後の１５０℃での貯蔵弾性率Ｅ’２との差（Ｅ’２−Ｅ’１）が５ＭＰａ以下であるダイボンドフィルム。【選択図】  図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
加熱処理前の１５０℃での貯蔵弾性率Ｅ’１が０．１ＭＰａ〜１０ＭＰａであり、
前記Ｅ’１と１５０℃で１時間加熱後の１５０℃での貯蔵弾性率Ｅ’２との差（Ｅ’２−Ｅ’１）が５ＭＰａ以下であることを特徴とするダイボンドフィルム。
【請求項２】
前記Ｅ’１と前記Ｅ’２との比（Ｅ’１／Ｅ’２）が０．２〜１であることを特徴とする請求項１に記載のダイボンドフィルム。
【請求項３】
加熱処理前の１５０℃での損失弾性率Ｅ’’１と１５０℃で１時間加熱後の１５０℃での損失弾性率Ｅ’’２との差（Ｅ’’２−Ｅ’’１）が１ＭＰａ以下であり、
前記Ｅ’’１と前記Ｅ’’２との比（Ｅ’’１／Ｅ’’２）が０．２〜１であることを特徴とする請求項１又は２に記載のダイボンドフィルム。
【請求項４】
加熱処理前の損失正接ｔａｎδ１のピーク温度と１５０℃で１時間加熱後の損失正接ｔａｎδ２のピーク温度との差（ｔａｎδ２−ｔａｎδ１）が１０℃以内であることを特徴とする請求項１〜３のいずれか１に記載のダイボンドフィルム。
【請求項５】
加熱処理前の２５℃での引張破断伸度Ｌ１と１５０℃で１時間加熱後の２５℃での引張破断伸度Ｌ２との比（Ｌ２／Ｌ１）が０．５〜１．０であることを特徴とする請求項１〜４のいずれか１に記載のダイボンドフィルム。
【請求項６】
アルキルアクリレート、又は、アルキルメタクリレートと、１重量％〜３０重量％のアクリロニトリルとを含むモノマー原料を重合して得られ、且つ、官能基としてエポキシ基、又は、カルボキシル基を有するアクリル系共重合体を含有することを特徴とする請求項１〜５のいずれか１に記載のダイボンドフィルム。
【請求項７】
実質的に熱架橋触媒を含有しないことを特徴とする請求項１〜６のいずれか１に記載のダイボンドフィルム。
【請求項８】
有機樹脂組成物全体に対して、０〜１５重量％の熱架橋剤を含有することを特徴とする請求項１〜７のいずれか１に記載のダイボンドフィルム。
【請求項９】
前記熱架橋剤が、エポキシ系熱架橋剤、フェノール系熱架橋剤、酸無水物系熱架橋剤からなる群から選ばれる少なくとも１種類以上であることを特徴とする請求項８に記載のダイボンドフィルム。
【請求項１０】
ダイシングシート上に請求項１〜９のいずれか１に記載のダイボンドフィルムが設けられたことを特徴とするダイシングシート付きダイボンドフィルム。
【請求項１１】
請求項１〜９のいずれか１に記載のダイボンドフィルム、又は、請求項１０に記載のダイシングシート付きダイボンドフィルムを用いて製造されたことを特徴とする半導体装置。
【請求項１２】
請求項１０に記載のダイシングシート付きダイボンドフィルムを準備する工程と、
前記ダイシングシート付きダイボンドフィルムのダイボンドフィルムと、半導体ウエハの裏面とを貼り合わせる貼り合わせ工程と、
前記半導体ウエハを前記ダイボンドフィルムと共にダイシングして、チップ状の半導体チップを形成するダイシング工程と、
前記半導体チップを、前記ダイシングシート付きダイボンドフィルムから前記ダイボンドフィルムと共にピックアップするピックアップ工程と、
前記ダイボンドフィルムを介して、前記半導体チップを被着体上にダイボンドするダイボンド工程と
前記ダイボンド工程の後、封止樹脂により前記半導体チップを封止する封止工程とを含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ダイボンドフィルム、ダイシングシート付きダイボンドフィルム、半導体装置、及び、半導体装置の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、半導体装置の製造過程においては、ダイボンドフィルムが用いられる場合がある（例えば、特許文献１参照）。ダイボンドフィルムは、半導体チップをリードフレーム等の被着体に固定する際に使用される。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開平０５−１７９２１１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、ダイボンドフィルムにおいては、ダイボンドフィルム付きの半導体チップをリードフレーム等にダイボンドした際に、ダイボンドフィルムと半導体チップとの間やダイボンドフィルムと被着体との間に気泡（ボイド）が生じるという問題がある。
【０００５】
本発明は、前記問題点に鑑みてなされたものであり、その目的は、ダイボンドフィルムと半導体チップとの間やダイボンドフィルムと被着体との間に生じたとしても、ボイドによる影響を低減させることが可能なダイボンドフィルム、及び、ダイシングシート付きダイボンドフィルムを提供することにある。また、当該ダイボンドフィルム、又は、当該ダイシングシート付きダイボンドフィルムを用いて製造された半導体装置を提供することにある。また、当該ダイシングシート付きダイボンドフィルムを用いた半導体装置の製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明者等は、前記問題点を解決すべく、鋭意検討した。その結果、下記構成のダイボンドフィルムを採用することにより、ダイボンドフィルムと半導体チップとの間やダイボンドフィルムと被着体との間に生じたとしても、ボイドによる影響を低減させることが可能となることを見出し、本発明を完成させるに至った。
【０００７】
すなわち、本発明に係るダイボンドフィルムは、加熱処理前の１５０℃での貯蔵弾性率Ｅ’１が０．１ＭＰａ〜１０ＭＰａであり、
前記Ｅ’１と１５０℃で１時間加熱後の１５０℃での貯蔵弾性率Ｅ’２との差（Ｅ’２−Ｅ’１）が５ＭＰａ以下であることを特徴とする。
【０００８】
前記構成によれば、加熱処理前の１５０℃での貯蔵弾性率Ｅ’１が１０ＭＰａ以下であり、比較的柔軟性を有する。従って、仮にダイボンド工程において、ボイドが生じたとしても、封止工程（封止樹脂により半導体チップを封止する工程）での圧力により、膨張させることなく樹脂中に分散させて、見た目上消失させることができる。その結果、ボイドによる影響を低減させることができる。
また、前記Ｅ’１と１５０℃で１時間加熱後の１５０℃での貯蔵弾性率Ｅ’２との差（Ｅ’２−Ｅ’１）が５ＭＰａ以下であり、封止工程前の熱履歴によって、硬くなりにくい性質を有する。従って、チップの多段化等による長い熱履歴を経た後でも、封止工程での圧力によりボイドを見た目上消失させることができる。その結果、ボイドによる影響を低減させることができる。
また、加熱処理前の１５０℃での貯蔵弾性率Ｅ’１が０．１ＭＰａ以上であるため、ワイヤーボンディング時のチップ割れを防ぐことができる。
【０００９】
前記構成において、前記Ｅ’１と前記Ｅ’２との比（Ｅ’１／Ｅ’２）が０．２〜１であることが好ましい。
【００１０】
前記比（Ｅ’１／Ｅ’２）が０．２以上であると、封止工程前の熱履歴によって、より硬くなりにくい性質を有する。従って、チップの多段化等による長い熱履歴を経た後でも、封止工程での圧力によりボイドを見た目上消失させることができる。その結果、ボイドによる影響をより低減させることができる。
【００１１】
前記構成においては、加熱処理前の１５０℃での損失弾性率Ｅ’’１と１５０℃で１時間加熱後の１５０℃での損失弾性率Ｅ’’２との差（Ｅ’’２−Ｅ’’１）が１ＭＰａ以下であり、
前記Ｅ’’１と前記Ｅ’’２との比（Ｅ’’１／Ｅ’’２）が０．２〜１であることが好ましい。
【００１２】
前記差（Ｅ’’２−Ｅ’’１）が１ＭＰａ以下であり、且つ、前記比（Ｅ’’１／Ｅ’’２）が０．２以上であると、封止工程前の熱履歴によって、より硬くなりにくい性質を有する。従って、チップの多段化等による長い熱履歴を経た後でも、封止工程での圧力によりボイドを見た目上消失させることができる。その結果、ボイドによる影響をより低減させることができる。
【００１３】
前記構成において、加熱処理前の損失正接ｔａｎδ１のピーク温度と１５０℃で１時間加熱後の損失正接ｔａｎδ２のピーク温度との差（ｔａｎδ２−ｔａｎδ１）が１０℃以内であることが好ましい。
【００１４】
前記差（ｔａｎδ２−ｔａｎδ１）が１０℃以内であると、封止工程前の熱履歴によって、反応が起りにくい性質を有する。従って、チップの多段化等による長い熱履歴を経た後でも、柔軟性を有する状態を維持でき、封止工程での圧力によりボイドを見た目上消失させることができる。その結果、ボイドによる影響をさらに低減させることができる。
【００１５】
前記構成において、加熱処理前の２５℃での引張破断伸度Ｌ１と１５０℃で１時間加熱後の２５℃での引張破断伸度Ｌ２との比（Ｌ２／Ｌ１）が０．５〜１．０であることが好ましい。
【００１６】
前記比（Ｌ２／Ｌ１）が０．５以上であると、ある程度の熱が加えられても引張破断伸度の変化が少ない。そのため、封止工程前の熱履歴によって、反応がより起りにくい性質を有する。従って、チップの多段化等による長い熱履歴を経た後でも、柔軟性を有する状態を維持でき、封止工程での圧力によりボイドを見た目上消失させることができる。その結果、ボイドによる影響をさらに低減させることができる。
【００１７】
前記構成において、アルキルアクリレート、又は、アルキルメタクリレートと、１重量％〜３０重量％のアクリロニトリルとを含むモノマー原料を重合して得られ、且つ、官能基としてエポキシ基、又は、カルボキシル基を有するアクリル系共重合体を含有することが好ましい。
【００１８】
官能基としてエポキシ基、又は、カルボキシル基を有するアクリル系共重合体を含有すると、架橋形成工程における加熱により前記官能基により架橋を形成することができる。また、前記アクリル系共重合体が、アクリロニトリルを含むモノマー原料を重合して得られたものであると、架橋形成工程での凝集力を向上させることができる。その結果、架橋形成工程後の接着力を向上させることができる。
【００１９】
前記構成においては、実質的に熱架橋触媒を含有しないことが好ましい。
【００２０】
実質的に熱架橋触媒を含有しないと、封止工程前の熱履歴によって、架橋構造の形成が進行してしまうことを抑制することができる。
【００２１】
前記構成においては、有機樹脂組成物全体に対して、０〜１５重量％の熱架橋剤を含有することが好ましい。
【００２２】
有機樹脂組成物全体に対して、０〜１５重量％の熱架橋剤を含有すると、架橋形成工程における加熱により熱可塑性樹脂の有する官能基と架橋構造を形成することができる。その結果、架橋形成工程において反応性を抑えたかたちで硬化させることができる。
【００２３】
前記構成において、前記熱架橋剤が、エポキシ系熱架橋剤、フェノール系熱架橋剤、酸無水物系熱架橋剤からなる群から選ばれる少なくとも１種類以上であることが好ましい。
【００２４】
前記熱架橋剤が、エポキシ系熱架橋剤、フェノール系熱架橋剤、酸無水物系熱架橋剤からなる群から選ばれる少なくとも１種類以上であると、高い凝集力が得られ、リフロー評価での高い耐熱性を得ることができる。
【００２５】
また、本発明に係るダイシングシート付きダイボンドフィルムは、ダイシングシート上に前記ダイボンドフィルムが設けられたことを特徴とする。
【００２６】
また、本発明に係る半導体装置は、前記に記載のダイシングシート付きダイボンドフィルムを用いて製造されたことを特徴とする。
【００２７】
また、本発明に係る半導体装置の製造方法は、
前記に記載のダイシングシート付きダイボンドフィルムを準備する工程と、
前記ダイシングシート付きダイボンドフィルムのダイボンドフィルムと、半導体ウエハの裏面とを貼り合わせる貼り合わせ工程と、
前記半導体ウエハを前記ダイボンドフィルムと共にダイシングして、チップ状の半導体チップを形成するダイシング工程と、
前記半導体チップを、前記ダイシングシート付きダイボンドフィルムから前記ダイボンドフィルムと共にピックアップするピックアップ工程と、
前記ダイボンドフィルムを介して、前記半導体チップを被着体上にダイボンドするダイボンド工程と
前記ダイボンド工程の後、封止樹脂により前記半導体チップを封止する封止工程とを含むことを特徴とする。
【００２８】
前記構成によれば、前記ダイシングシート付きダイボンドフィルムを用いているため、仮にダイボンド工程において、ボイドが生じたとしても、封止工程での圧力により、膨張させることなく樹脂中に分散させて、見た目上消失させることができる。その結果、ボイドによる影響を低減させることができる。
また、前記Ｅ’１と１５０℃で１時間加熱後の１５０℃での貯蔵弾性率Ｅ’２との差（Ｅ’２−Ｅ’１）が５ＭＰａ以下であり、封止工程前の熱履歴によって、硬くなりにくい性質を有する。従って、チップの多段化等による長い熱履歴を経た後でも、封止工程での圧力によりボイドを見た目上消失させることができる。その結果、ボイドによる影響を低減させることができる。
【図面の簡単な説明】
【００２９】
【図１】本発明の一実施形態に係るダイシングシート付きダイボンドフィルムを示す断面模式図である。
【図２】本実施形態に係る半導体装置の一製造方法を説明するための断面模式図である。
【発明を実施するための形態】
【００３０】
（ダイシングシート付きダイボンドフィルム）
本発明の一実施形態に係るダイボンドフィルム、及び、ダイシングシート付きダイボンドフィルムについて、以下に説明する。本実施形態に係るダイボンドフィルムは、以下に説明するダイシングシート付きダイボンドフィルムにおいて、ダイシングシートが貼り合わせられていない状態のものを挙げることができる。従って、以下では、ダイシングシート付きダイボンドフィルムについて説明し、ダイボンドフィルムについては、その中で説明することとする。図１は、本発明の一実施形態に係るダイシングシート付きダイボンドフィルムを示す断面模式図である。
【００３１】
図１に示すように、ダイシングシート付きダイボンドフィルム１０は、ダイシングシート１１上にダイボンドフィルム１６が積層された構成を有する。ダイシングシート１１は基材１２上に粘着剤層１４を積層して構成されており、ダイボンドフィルム１６は、粘着剤層１４上に設けられている。
【００３２】
なお、本実施形態では、ダイシングシート１１には、ダイボンドフィルム１６に覆われていない部分１４ｂが存在する場合について説明するが、本発明に係るダイシングシート付きダイボンドフィルムは、この例に限定されず、ダイシングシート全体を覆うようにダイボンドフィルムがダイシングシートに積層されていてもよい。
【００３３】
ダイボンドフィルム１６は、加熱処理前の１５０℃での貯蔵弾性率Ｅ’１が０．１ＭＰａ〜１０ＭＰａであり、０．２ＭＰａ〜８ＭＰａであることが好ましく、０．２ＭＰａ〜５ＭＰａであることがより好ましい。
また、ダイボンドフィルム１６は、前記Ｅ’１と１５０℃で１時間加熱後の１５０℃での貯蔵弾性率Ｅ’２との差（Ｅ’２−Ｅ’１）が５ＭＰａ以下であり、４ＭＰａ以下であることが好ましく、３ＭＰａ以下であることがより好ましい。
ダイボンドフィルム１６は、加熱処理前の１５０℃での貯蔵弾性率Ｅ’１が１０ＭＰａ以下であり、比較的柔軟性を有する。従って、仮にダイボンド工程において、ボイドが生じたとしても、封止工程（封止樹脂により半導体チップを封止する工程）での圧力により、膨張させることなく樹脂中に分散させて、見た目上消失させることができる。その結果、ボイドによる影響を低減させることができる。
また、ダイボンドフィルム１６は、前記差（Ｅ’２−Ｅ’１）が５ＭＰａ以下であり、封止工程前の熱履歴によって、硬くなりにくい性質を有する。従って、チップの多段化等による長い熱履歴を経た後でも、封止工程での圧力によりボイドを見た目上消失させることができる。その結果、ボイドによる影響を低減させることができる。
また、ダイボンドフィルム１６は、加熱処理前の１５０℃での貯蔵弾性率Ｅ’１が０．１ＭＰａ以上であるため、ワイヤーボンディング時にチップを割れを防ぐことができる。
前記Ｅ’１及び前記Ｅ’２は、ダイボンドフィルム１６を構成する材料によりコントロールすることができる。例えば、ダイボンドフィルム１６を構成する熱可塑性樹脂の種類や含有量、熱架橋剤の種類や含有量を適宜選択することによりコントロールすることができる。
【００３４】
ダイボンドフィルム１６は、前記Ｅ’１と前記Ｅ’２との比（Ｅ’１／Ｅ’２）が０．２〜１であることが好ましく、０．３〜１．０であることがより好ましく、０．４〜１．０であることがさらに好ましい。
前記比（Ｅ’１／Ｅ’２）が０．２以上であると、封止工程前の熱履歴によって、より硬くなりにくい性質を有する。従って、チップの多段化等による長い熱履歴を経た後でも、封止工程での圧力によりボイドを見た目上消失させることができる。その結果、ボイドによる影響をより低減させることができる。
【００３５】
ダイボンドフィルム１６は、加熱処理前の１５０℃での損失弾性率Ｅ’’１と１５０℃で１時間加熱後の１５０℃での損失弾性率Ｅ’’２との差（Ｅ’’２−Ｅ’’１）が１ＭＰａ以下であることが好ましく０．５ＭＰａ以下であることがより好ましい。
また、ダイボンドフィルム１６は、前記Ｅ’’１と前記Ｅ’’２との比（Ｅ’’１／Ｅ’’２）が０．２〜１であることが好ましく、０．３〜１であることがより好ましく、０．４〜１であることがさらに好ましい。
ダイボンドフィルム１６の前記差（Ｅ’’２−Ｅ’’１）が１ＭＰａ以下であり、且つ、前記比（Ｅ’’１／Ｅ’’２）が０．２以上であると、封止工程前の熱履歴によって、より硬くなりにくい性質を有する。従って、チップの多段化等による長い熱履歴を経た後でも、封止工程での圧力によりボイドを見た目上消失させることができる。その結果、ボイドによる影響をより低減させることができる。
前記Ｅ’’１及び前記Ｅ’’２は、ダイボンドフィルム１６を構成する材料によりコントロールすることができる。例えば、ダイボンドフィルム１６を構成する熱可塑性樹脂の種類や含有量、熱架橋剤の種類や含有量を適宜選択することによりコントロールすることができる。
【００３６】
ダイボンドフィルム１６は、前記Ｅ’’１（加熱処理前の１５０℃での損失弾性率Ｅ’’１）が０．０１ＭＰａ〜２ＭＰａであることが好ましく、０．０５ＭＰａ〜１．５ＭＰａであることがより好ましく、０．１ＭＰａ〜１ＭＰａであることがさらに好ましい。
ダイボンドフィルム１６の加熱処理前の１５０℃での損失弾性率Ｅ’’１が２ＭＰａ以下であると、より柔軟性を有する。従って、仮にダイボンド工程において、ボイドが生じたとしても、封止工程（封止樹脂により半導体チップを封止する工程）での圧力により、膨張させることなく樹脂中に分散させて、見た目上消失させることができる。その結果、ボイドによる影響をさらに低減させることができる。
また、ダイボンドフィルム１６の加熱処理前の１５０℃での損失弾性率Ｅ’’１が０．０１ＭＰａ以上であると、ワイヤーボンディング工程でのチップ割れを防ぐことができる。
【００３７】
ダイボンドフィルム１６は、加熱処理前の損失正接ｔａｎδ１のピーク温度と１５０℃で１時間加熱後の損失正接ｔａｎδ２のピーク温度との差（ｔａｎδ２−ｔａｎδ１）が１０℃以内であることが好ましく、８℃以内であることがより好ましく、６℃以内であることがさらに好ましい。
前記差（ｔａｎδ２−ｔａｎδ１）が１０℃以内であると、封止工程前の熱履歴によって、反応が起りにくい性質を有する。従って、チップの多段化等による長い熱履歴を経た後でも、柔軟性を有する状態を維持でき、封止工程での圧力によりボイドを見た目上消失させることができる。その結果、ボイドによる影響をさらに低減させることができる。
前記損失正接ｔａｎδ１のピーク温度及び損失正接ｔａｎδ２のピーク温度は、ダイボンドフィルム１６を構成する材料によりコントロールすることができる。例えば、ダイボンドフィルム１６を構成する熱可塑性樹脂の種類や含有量、熱架橋剤の種類や含有量を適宜選択することによりコントロールすることができる。
【００３８】
ダイボンドフィルム１６は、加熱処理前の２５℃での引張破断伸度Ｌ１と１５０℃で１時間加熱後の２５℃での引張破断伸度Ｌ２との比（Ｌ２／Ｌ１）が０．５〜１．０であることが好ましく、０．６〜１．０であることがより好ましく、０．７〜１．０であることがさらに好ましい。
前記比（Ｌ２／Ｌ１）が０．５以上であると、ある程度の熱が加えられても引張破断伸度の変化が少ない。そのため、封止工程前の熱履歴によって、反応がより起りにくい性質を有する。従って、チップの多段化等による長い熱履歴を経た後でも、柔軟性を有する状態を維持でき、封止工程での圧力によりボイドを見た目上消失させることができる。その結果、ボイドによる影響をさらに低減させることができる。
前記Ｌ１及び前記Ｌ２は、ダイボンドフィルム１６を構成する材料によりコントロールすることができる。例えば、ダイボンドフィルム１６を構成する熱可塑性樹脂の種類や含有量、熱架橋剤の種類や含有量を適宜選択することによりコントロールすることができる。
【００３９】
ダイボンドフィルム１６の前記Ｌ１は、１５００％以下であることが好ましく、１２００％以下であることがより好ましく、１０００％以下であることがさらに好ましい。ダイボンドフィルム１６の前記Ｌ１が１５００％以下であると、柔軟性に富み、封止工程での圧力によりボイドを見た目上消失させることができる。引張破断伸度の測定方法は、実施例記載の方法による。
【００４０】
ダイボンドフィルム１６を構成する材料としては、熱可塑性樹脂が挙げられる。
【００４１】
前記熱可塑性樹脂としては、天然ゴム、ブチルゴム、イソプレンゴム、クロロプレンゴム、エチレン−酢酸ビニル共重合体、エチレン−アクリル酸共重合体、エチレン−アクリル酸エステル共重合体、ポリブタジエン樹脂、ポリカーボネート樹脂、熱可塑性ポリイミド樹脂、６−ナイロンや６，６−ナイロン等のポリアミド樹脂、フェノキシ樹脂、アクリル樹脂、ＰＥＴやＰＢＴ等の飽和ポリエステル樹脂、ポリアミドイミド樹脂、又はフッ素樹脂等が挙げられる。これらの熱可塑性樹脂は単独で、又は２種以上を併用して用いることができる。これらの熱可塑性樹脂のうち、イオン性不純物が少なく耐熱性が高く、半導体チップの信頼性を確保できるアクリル樹脂が特に好ましい。
【００４２】
前記アクリル樹脂としては、特に限定されるものではなく、炭素数３０以下、特に炭素数４〜１８の直鎖若しくは分岐のアルキル基を有するアクリル酸のエステル又はメタクリル酸のエステル（アルキルアクリレート、又は、アルキルメタクリレート）の１種又は２種以上を成分とする重合体（アクリル系共重合体）等が挙げられる。前記アルキル基としては、例えばメチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、ｔ−ブチル基、イソブチル基、アミル基、イソアミル基、ヘキシル基、へプチル基、シクロヘキシル基、２−エチルヘキシル基、オクチル基、イソオクチル基、ノニル基、イソノニル基、デシル基、イソデシル基、ウンデシル基、ラウリル基、トリデシル基、テトラデシル基、ステアリル基、オクタデシル基、又はドデシル基等が挙げられる。
【００４３】
また、前記重合体を形成する他のモノマーとしては、特に限定されるものではなく、例えばアクリル酸、メタクリル酸、カルボキシエチルアクリレート、カルボキシペンチルアクリレート、イタコン酸、マレイン酸、フマール酸若しくはクロトン酸等の様なカルボキシル基含有モノマー、無水マレイン酸若しくは無水イタコン酸等の様な酸無水物モノマー、（メタ）アクリル酸２−ヒドロキシエチル、（メタ）アクリル酸２−ヒドロキシプロピル、（メタ）アクリル酸４−ヒドロキシブチル、（メタ）アクリル酸６−ヒドロキシヘキシル、（メタ）アクリル酸８−ヒドロキシオクチル、（メタ）アクリル酸１０−ヒドロキシデシル、（メタ）アクリル酸１２−ヒドロキシラウリル若しくは（４−ヒドロキシメチルシクロヘキシル）−メチルアクリレート等の様なヒドロキシル基含有モノマー、スチレンスルホン酸、アリルスルホン酸、２−（メタ）アクリルアミド−２−メチルプロパンスルホン酸、（メタ）アクリルアミドプロパンスルホン酸、スルホプロピル（メタ）アクリレート若しくは（メタ）アクリロイルオキシナフタレンスルホン酸等の様なスルホン酸基含有モノマー、２−ヒドロキシエチルアクリロイルホスフェート等の様な燐酸基含有モノマー、アクリロニトリルが挙げられる。
【００４４】
なかでも、ダイボンドフィルム１６は、アルキルアクリレート、又は、アルキルメタクリレートと、１重量％〜３０重量％のアクリロニトリルとを含むモノマー原料を重合して得られ、且つ、官能基としてエポキシ基、又は、カルボキシル基を有するアクリル系共重合体を含有することが好ましい。前記モノマー原料中の前記アクリロニトリルの含有量は、５重量％〜３０重量％であることがより好ましく、７重量％〜３０重量％であることがさらに好ましい。官能基としてエポキシ基、又は、カルボキシル基を有するアクリル系共重合体を含有すると、架橋形成工程における加熱により前記官能基により架橋を形成することができる。また、前記アクリル系共重合体が、アクリロニトリルを含むモノマー原料を重合して得られたものであると、架橋形成工程での凝集力を向上させることができる。その結果、架橋形成工程後の接着力を向上させることができる。また、前記アクリル系共重合体が、アルキルアクリレート、又は、アルキルメタクリレートを含むモノマー原料を重合して得られたものであると、柔軟性を付与することができる。
官能基としてエポキシ基を有する場合、架橋後の柔軟性および耐熱性の観点から、エポキシ基の含有率は、０．２ｅｑ／ｋｇ〜１．０ｅｑ／ｋｇであることが好ましい。
また、官能基としてカルボキシル基を有する場合、架橋後の柔軟性および耐熱性の観点から、カルボキシル基の含有率は、２ｍｇＫＯＨ／ｇ〜５０ｍｇＫＯＨ／ｇであることが好ましい。
【００４５】
前記熱可塑性樹脂の配合割合としては、特に限定されないが、柔軟性付与の観点から、有機樹脂組成物全体に対して、８５重量％以上であることが好ましく、８８重量％以上であることがより好ましい。また、耐熱性付与の観点から、有機樹脂組成物全体に対して、１００重量％以下であることが好ましく、９８重量％以下であることがより好ましい。
【００４６】
ダイボンドフィルム１６は、有機樹脂組成物全体に対して、０〜１５重量％の熱架橋剤を含有することが好ましい。前記熱架橋剤の含有量は、有機樹脂組成物全体に対して、０〜１３重量％であることがより好ましく、０〜１１重量％であることがさらに好ましい。ダイボンドフィルム１６が、有機樹脂組成物全体に対して、０〜１５重量％の熱架橋剤を含有すると、架橋形成工程における加熱により熱可塑性樹脂の有する官能基と架橋構造を形成することができる。その結果、架橋形成工程において反応性を抑えたかたちで硬化させることができる。本明細書において、熱架橋剤とは、熱可塑性樹脂の有する官能基と架橋構造を形成させるものをいう。
【００４７】
前記熱架橋剤の具体例としては、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、酸無水物を挙げることができる。ただし、複数種の熱架橋剤を添加する場合、熱架橋剤が、熱可塑性樹脂の有する官能基と好適に架橋構造を形成するように選択することが好ましく、熱架橋剤同士が反応しないように選択することが好ましい。前記熱架橋剤が、エポキシ系熱架橋剤、フェノール系熱架橋剤、酸無水物系熱架橋剤からなる群から選ばれる少なくとも１種類以上であると、高い凝集力が得られ、リフロー評価での高い耐熱性を得ることができる。
【００４８】
前記エポキシ樹脂は、特に限定されず、例えばビスフェノールＡ型、ビスフェノールＦ型、ビスフェノールＳ型、臭素化ビスフェノールＡ型、水添ビスフェノールＡ型、ビスフェノールＡＦ型、ビフェニル型、ナフタレン型、フルオンレン型、フェノールノボラック型、オルソクレゾールノボラック型、トリスヒドロキシフェニルメタン型、テトラフェニロールエタン型等の二官能エポキシ樹脂や多官能エポキシ樹脂、又はヒダントイン型、トリスグリシジルイソシアヌレート型若しくはグリシジルアミン型等のエポキシ樹脂を用いることができる。これらは単独で、又は２種以上を併用して用いることができる。
【００４９】
前記フェノール樹脂は、特に限定されず、例えば、フェノールノボラック樹脂、フェノールアラルキル樹脂、クレゾールノボラック樹脂、ｔｅｒｔ−ブチルフェノールノボラック樹脂、ノニルフェノールノボラック樹脂等のノボラック型フェノール樹脂、レゾール型フェノール樹脂、ポリパラオキシスチレン等のポリオキシスチレン等が挙げられる。これらは単独で、又は２種以上を併用して用いることができる。
【００５０】
前記酸無水物は、特に限定されず、無水フタル酸、無水ピロメリット酸、無水トリメリット酸、無水マレイン酸等が挙げられる。これらは単独で、又は２種以上を併用して用いることができる。
【００５１】
また、ダイボンドフィルム１６には、その用途に応じてフィラーを適宜配合することができる。前記フィラーの配合は、導電性の付与、熱伝導性の向上、弾性率の調節等を可能とする。前記フィラーとしては、無機フィラー、及び、有機フィラーが挙げられるが、取り扱い性の向上、熱電導性の向上、溶融粘度の調整、チキソトロピック性付与等の特性の観点から、無機フィラーが好ましい。前記無機フィラーとしては、特に制限はなく、例えば、水酸化アルミニウム、水酸化マグネシウム、炭酸カルシウム、炭酸マグネシウム、ケイ酸カルシウム、ケイ酸マグネシウム、酸化カルシウム、酸化マグネシウム、酸化アルミニウム、窒化アルミニウム、ほう酸アルミウィスカ、窒化ほう素、結晶質シリカ、非晶質シリカ等が挙げられる。これらは、単独で又は２種以上を併用して用いることができる。熱電導性の向上の観点からは、酸化アルミニウム、窒化アルミニウム、窒化ほう素、結晶質シリカ、非晶質シリカが好ましい。また、上記各特性のバランスがよいという観点からは、結晶質シリカ、又は、非晶質シリカが好ましい。また、導電性の付与、熱電導性の向上等の目的で、無機フィラーとして、導電性物質（導電フィラー）を用いることとしてもよい。導電フィラーとしては、銀、アルミニウム、金、胴、ニッケル、導電性合金等を球状、針状、フレーク状とした金属粉、アルミナ等の金属酸化物、アモルファスカーボンブラック、グラファイト等が挙げられる。
【００５２】
ダイボンドフィルム１６は、実質的に熱架橋触媒を含有しないことが好ましい。実質的に熱架橋触媒を含有しないとは、含有しないか、含有していたとしても、ダイボンドフィルム１６全体に対して、０．０５重量％以下で含有する場合をいう。ダイボンドフィルム１６が、実質的に熱架橋触媒を含有しないと、封止工程前の熱履歴によって、架橋構造の形成が進行してしまうことを抑制することができる。
【００５３】
前記熱架橋触媒としては、例えば、アミン系熱架橋触媒、リン系熱架橋触媒、イミダゾール系熱架橋触媒、ホウ素系熱架橋触媒、リン−ホウ素系熱架橋触媒などを用いることができる。
【００５４】
前記アミン系熱架橋触媒としては、例えば、モノエタノールアミントリフルオロボレート（ステラケミファ（株）製）、ジシアンジアミド（ナカライテスク（株）製）等が挙げられる。
【００５５】
前記リン系熱架橋触媒としては、例えば、トリフェニルフォスフィン、トリブチルフォスフィン、トリ（ｐ−メチルフェニル）フォスフィン、トリ（ノニルフェニル）フォスフィン、ジフェニルトリルフォスフィン等のトリオルガノフォスフィン、テトラフェニルホスホニウムブロマイド（商品名；ＴＰＰ−ＰＢ）、メチルトリフェニルホスホニウム（商品名；ＴＰＰ−ＭＢ）、メチルトリフェニルホスホニウムクロライド（商品名；ＴＰＰ−ＭＣ）、メトキシメチルトリフェニルホスホニウム（商品名；ＴＰＰ−ＭＯＣ）、ベンジルトリフェニルホスホニウムクロライド（商品名；ＴＰＰ−ＺＣ）等が挙げられる（いずれも北興化学（株）製）。
【００５６】
前記イミダゾール系熱架橋触媒としては、２−メチルイミダゾール（商品名；２ＭＺ）、２−ウンデシルイミダゾール（商品名；Ｃ１１−Ｚ）、２−ヘプタデシルイミダゾール（商品名；Ｃ１７Ｚ）、１，２−ジメチルイミダゾール（商品名；１．２ＤＭＺ）、２−エチル−４−メチルイミダゾール（商品名；２Ｅ４ＭＺ）、２−フェニルイミダゾール（商品名；２ＰＺ）、２−フェニル−４−メチルイミダゾール（商品名；２Ｐ４ＭＺ）、１−ベンジル−２−メチルイミダゾール（商品名；１Ｂ２ＭＺ）、１−ベンジル−２−フェニルイミダゾール（商品名；１Ｂ２ＰＺ）、１−シアノエチル−２−メチルイミダゾール（商品名；２ＭＺ−ＣＮ）、１−シアノエチル−２−ウンデシルイミダゾール（商品名；Ｃ１１Ｚ−ＣＮ）、１−シアノエチル−２−フェニルイミダゾリウムトリメリテイト（商品名；２ＰＺＣＮＳ−ＰＷ）、２，４−ジアミノ−６−［２’−メチルイミダゾリル−（１’）］−エチル−ｓ−トリアジン（商品名；２ＭＺ−Ａ）、２，４−ジアミノ−６−［２’−ウンデシルイミダゾリル−（１’）］−エチル−ｓ−トリアジン（商品名；Ｃ１１Ｚ−Ａ）、２，４−ジアミノ−６−［２’−エチル−４’−メチルイミダゾリル−（１’）］−エチル−ｓ−トリアジン（商品名；２Ｅ４ＭＺ−Ａ）、２，４−ジアミノ−６−［２’−メチルイミダゾリル−（１’）］−エチル−ｓ−トリアジンイソシアヌル酸付加物（商品名；２ＭＡ−ＯＫ）、２−フェニル−４，５−ジヒドロキシメチルイミダゾール（商品名；２ＰＨＺ−ＰＷ）、２−フェニル−４−メチル−５−ヒドロキシメチルイミダゾール（商品名；２Ｐ４ＭＨＺ−ＰＷ）等が挙げられる（いずれも四国化成工業（株）製）。
【００５７】
前記ホウ素系熱架橋触媒としては特に限定されず、例えば、トリクロロボラン等が挙げられる。
【００５８】
前記リン−ホウ素系熱架橋触媒としては特に限定されず、例えば、テトラフェニルホスホニウムテトラフェニルボレート（商品名；ＴＰＰ−Ｋ）、テトラフェニルホスホニウムテトラ−ｐ−トリボレート（商品名；ＴＰＰ−ＭＫ）、ベンジルトリフェニルホスホニウムテトラフェニルボレート（商品名；ＴＰＰ−ＺＫ）、トリフェニルホスフィントリフェニルボラン（商品名；ＴＰＰ−Ｓ）等が挙げられる（いずれも北興化学(株)製）。
【００５９】
前記フィラーの平均粒径は、０．０１〜０．９μｍであることが好ましく、０．０５〜０．７μｍであることがより好ましい。前記フィラーの平均粒径を０．０１μｍ以上とすることにより、ダイボンドフィルムの柔軟性を確保できる。また、０．９μｍ以下とすることにより、ダイボンドフィルムからのフィラーの飛び出しを防止することができる。なお、フィラーの平均粒径は、例えば、光度式の粒度分布計（ＨＯＲＩＢＡ製、装置名；ＬＡ−９１０）により求めた値である。
前記フィラーの添加量としては、ダイボンドフィルム１６全体に対して、０〜８０重量％が好ましく、０〜６０重量％がより好ましい。
【００６０】
なお、ダイボンドフィルム１６には、前記フィラー以外に、必要に応じて他の添加剤を適宜に配合することができる。他の添加剤としては、例えば難燃剤、シランカップリング剤又はイオントラップ剤等が挙げられる。前記難燃剤としては、例えば、三酸化アンチモン、五酸化アンチモン、臭素化エポキシ樹脂等が挙げられる。これらは、単独で、又は２種以上を併用して用いることができる。前記シランカップリング剤としては、例えば、β−（３、４−エポキシシクロヘキシル）エチルトリメトキシシラン、γ−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、γ−グリシドキシプロピルメチルジエトキシシラン等が挙げられる。これらの化合物は、単独で又は２種以上を併用して用いることができる。前記イオントラップ剤としては、例えばハイドロタルサイト類、水酸化ビスマス等が挙げられる。これらは、単独で又は２種以上を併用して用いることができる。
【００６１】
ダイボンドフィルム１６の厚さ（積層体の場合は、総厚）は特に限定されないが、５〜１００μｍが好ましく、より好ましくは５〜６０μｍ、さらに好ましくは５〜３０μｍである。
【００６２】
ダイシングシート１１は、上述の通り、基材１２上に粘着剤層１４が積層された構成を有している。
【００６３】
基材１２は、ダイシングシート付きダイボンドフィルム１０の強度母体となるものである。例えば、低密度ポリエチレン、直鎖状ポリエチレン、中密度ポリエチレン、高密度ポリエチレン、超低密度ポリエチレン、ランダム共重合ポリプロピレン、ブロック共重合ポリプロピレン、ホモポリプロレン、ポリブテン、ポリメチルペンテン等のポリオレフィン、エチレン−酢酸ビニル共重合体、アイオノマー樹脂、エチレン−（メタ）アクリル酸共重合体、エチレン−（メタ）アクリル酸エステル（ランダム、交互）共重合体、エチレン−ブテン共重合体、エチレン−ヘキセン共重合体、ポリウレタン、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート等のポリエステル、ポリカーボネート、ポリイミド、ポリエーテルエーテルケトン、ポリエーテルイミド、ポリアミド、全芳香族ポリアミド、ポリフェニルスルフイド、アラミド（紙）、ガラス、ガラスクロス、フッ素樹脂、ポリ塩化ビニル、ポリ塩化ビニリデン、セルロース系樹脂、シリコーン樹脂、金属（箔）等が挙げられる。基材１２は、後述する粘着剤層１４が放射線硬化型粘着剤で形成されている場合、当該放射線を透過させる材料から形成されていることが好ましい。
【００６４】
基材１２の表面は、隣接する層との密着性、保持性等を高める為、慣用の表面処理、例えば、クロム酸処理、オゾン暴露、火炎暴露、高圧電撃暴露、イオン化放射線処理等の化学的又は物理的処理、下塗剤（例えば、後述する粘着物質）によるコーティング処理を施すことができる。基材１２は、同種又は異種のものを適宜に選択して使用することができ、必要に応じて数種の材料をブレンドしたものを用いることができる。
【００６５】
基材１２の厚さは、特に制限されず適宜に決定できるが、一般的には５〜２００μｍ程度である。
【００６６】
粘着剤層１４の形成に用いる粘着剤としては特に制限されず、例えば、アクリル系粘着剤、ゴム系粘着剤等の一般的な感圧性粘着剤を用いることができる。前記感圧性粘着剤としては、半導体ウエハやガラス等の汚染をきらう電子部品の超純水やアルコール等の有機溶剤による清浄洗浄性等の点から、アクリル系ポリマーをベースポリマーとするアクリル系粘着剤が好ましい。
【００６７】
前記アクリル系ポリマーとしては、例えば、（メタ）アクリル酸アルキルエステル（例えば、メチルエステル、エチルエステル、プロピルエステル、イソプロピルエステル、ブチルエステル、イソブチルエステル、ｓ−ブチルエステル、ｔ−ブチルエステル、ペンチルエステル、イソペンチルエステル、ヘキシルエステル、ヘプチルエステル、オクチルエステル、２−エチルヘキシルエステル、イソオクチルエステル、ノニルエステル、デシルエステル、イソデシルエステル、ウンデシルエステル、ドデシルエステル、トリデシルエステル、テトラデシルエステル、ヘキサデシルエステル、オクタデシルエステル、エイコシルエステル等のアルキル基の炭素数１〜３０、特に炭素数４〜１８の直鎖状又は分岐鎖状のアルキルエステル等）及び（メタ）アクリル酸シクロアルキルエステル（例えば、シクロペンチルエステル、シクロヘキシルエステル等）の１種又は２種以上を単量体成分として用いたアクリル系ポリマー等が挙げられる。なお、（メタ）アクリル酸エステルとはアクリル酸エステル及び／又はメタクリル酸エステルをいい、本発明の（メタ）とは全て同様の意味である。
【００６８】
前記アクリル系ポリマーは、凝集力、耐熱性等の改質を目的として、必要に応じ、前記（メタ）アクリル酸アルキルエステル又はシクロアルキルエステルと共重合可能な他のモノマー成分に対応する単位を含んでいてもよい。この様なモノマー成分として、例えば、アクリル酸、メタクリル酸、カルボキシエチル（メタ）アクリレート、カルボキシペンチル（メタ）アクリレート、イタコン酸、マレイン酸、フマル酸、クロトン酸等のカルボキシル基含有モノマー；無水マレイン酸、無水イタコン酸等の酸無水物モノマー；（メタ）アクリル酸２−ヒドロキシエチル、（メタ）アクリル酸２−ヒドロキシプロピル、（メタ）アクリル酸４−ヒドロキシブチル、（メタ）アクリル酸６−ヒドロキシヘキシル、（メタ）アクリル酸８−ヒドロキシオクチル、（メタ）アクリル酸１０−ヒドロキシデシル、（メタ）アクリル酸１２−ヒドロキシラウリル、（４−ヒドロキシメチルシクロヘキシル）メチル（メタ）アクリレート等のヒドロキシル基含有モノマー；スチレンスルホン酸、アリルスルホン酸、２−（メタ）アクリルアミド−２−メチルプロパンスルホン酸、（メタ）アクリルアミドプロパンスルホン酸、スルホプロピル（メタ）アクリレート、（メタ）アクリロイルオキシナフタレンスルホン酸等のスルホン酸基含有モノマー；２−ヒドロキシエチルアクリロイルホスフェート等のリン酸基含有モノマー；アクリルアミド、アクリロニトリル等が挙げられる。これら共重合可能なモノマー成分は、１種又は２種以上使用できる。これら共重合可能なモノマーの使用量は、全モノマー成分の４０重量％以下が好ましい。
【００６９】
さらに、前記アクリル系ポリマーは、架橋させるため、多官能性モノマー等も、必要に応じて共重合用モノマー成分として含むことができる。この様な多官能性モノマーとして、例えば、ヘキサンジオールジ（メタ）アクリレート、（ポリ）エチレングリコールジ（メタ）アクリレート、（ポリ）プロピレングリコールジ（メタ）アクリレート、ネオペンチルグリコールジ（メタ）アクリレート、ペンタエリスリトールジ（メタ）アクリレート、トリメチロールプロパントリ（メタ）アクリレート、ペンタエリスリトールトリ（メタ）アクリレート、ジペンタエリスリトールヘキサ（メタ）アクリレート、エポキシ（メタ）アクリレート、ポリエステル（メタ）アクリレート、ウレタン（メタ）アクリレート等が挙げられる。これらの多官能性モノマーも１種又は２種以上用いることができる。多官能性モノマーの使用量は、粘着特性等の点から、全モノマー成分の３０重量％以下が好ましい。
【００７０】
前記アクリル系ポリマーは、単一モノマー又は２種以上のモノマー混合物を重合に付すことにより得られる。重合は、溶液重合、乳化重合、塊状重合、懸濁重合等の何れの方式で行うこともできる。清浄な被着体への汚染防止等の点から、低分子量物質の含有量が小さいのが好ましい。この点から、アクリル系ポリマーの数平均分子量は、好ましくは１０万以上、さらに好ましくは２０万〜３００万程度であり、特に好ましくは３０万〜１００万程度である。
【００７１】
また、前記粘着剤には、ベースポリマーであるアクリル系ポリマー等の数平均分子量を高めるため、外部架橋剤を適宜に採用することもできる。外部架橋方法の具体的手段としては、ポリイソシアネート化合物、エポキシ化合物、アジリジン化合物、メラミン系架橋剤等のいわゆる架橋剤を添加し反応させる方法が挙げられる。外部架橋剤を使用する場合、その使用量は、架橋すべきベースポリマーとのバランスにより、さらには、粘着剤としての使用用途によって適宜決定される。一般的には、前記ベースポリマー１００重量部に対して、５重量部程度以下、さらには０．１〜５重量部配合するのが好ましい。さらに、粘着剤には、必要により、前記成分のほかに、従来公知の各種の粘着付与剤、老化防止剤等の添加剤を用いてもよい。
【００７２】
粘着剤層１４は、放射線硬化型粘着剤により形成してもよい。放射線硬化型粘着剤は、紫外線等の放射線の照射により架橋度を増大させてその粘着力を容易に低下させることができる。
【００７３】
例えば、図１に示すダイボンドフィルム１６のウエハ貼り付け部分１６ａに合わせて放射線硬化型の粘着剤層１４を硬化させることにより、粘着力が著しく低下した前記部分１４ａを容易に形成できる。硬化し、粘着力の低下した前記部分１４ａにダイボンドフィルム１６が貼付けられるため、粘着剤層１４の前記部分１４ａとダイボンドフィルム１６との界面は、ピックアップ時に容易に剥がれる性質を有する。一方、放射線を照射していない部分は十分な粘着力を有しており、前記部分１４ｂを形成する。前記部分１４ｂには、ウエハリングを強固に固定することができる。
なお、ダイシングシート全体を覆うようにダイボンドフィルムをダイシングシートに積層する場合には、ダイボンドフィルムの外周部分にウエハリングを固定することができる。
【００７４】
放射線硬化型粘着剤は、炭素−炭素二重結合等の放射線硬化性の官能基を有し、かつ粘着性を示すものを特に制限なく使用することができる。放射線硬化型粘着剤としては、例えば、前記アクリル系粘着剤、ゴム系粘着剤等の一般的な感圧性粘着剤に、放射線硬化性のモノマー成分やオリゴマー成分を配合した添加型の放射線硬化型粘着剤を例示できる。
【００７５】
配合する放射線硬化性のモノマー成分としては、例えば、ウレタンオリゴマー、ウレタン（メタ）アクリレート、トリメチロールプロパントリ（メタ）アクリレート、テトラメチロールメタンテトラ（メタ）アクリレート、ペンタエリスリトールトリ（メタ）アクリレート、ペンタエリストールテトラ（メタ）アクリレート、ジペンタエリストールモノヒドロキシペンタ（メタ）アクリレート、ジペンタエリスリトールヘキサ（メタ）アクリレート、１，４−ブタンジオールジ（メタ）アクリレート等が挙げられる。また放射線硬化性のオリゴマー成分はウレタン系、ポリエーテル系、ポリエステル系、ポリカーボネート系、ポリブタジエン系等種々のオリゴマーがあげられ、その分子量が１００〜３００００程度の範囲のものが適当である。放射線硬化性のモノマー成分やオリゴマー成分の配合量は、前記粘着剤層の種類に応じて、粘着剤層の粘着力を低下できる量を、適宜に決定することができる。一般的には、粘着剤を構成するアクリル系ポリマー等のベースポリマー１００重量部に対して、例えば５〜５００重量部、好ましくは４０〜１５０重量部程度である。
【００７６】
また、放射線硬化型粘着剤としては、前記説明した添加型の放射線硬化型粘着剤のほかに、ベースポリマーとして、炭素−炭素二重結合をポリマー側鎖又は主鎖中もしくは主鎖末端に有するものを用いた内在型の放射線硬化型粘着剤が挙げられる。内在型の放射線硬化型粘着剤は、低分子成分であるオリゴマー成分等を含有する必要がなく、又は多くは含まないため、経時的にオリゴマー成分等が粘着剤在中を移動することなく、安定した層構造の粘着剤層を形成することができるため好ましい。
【００７７】
前記炭素−炭素二重結合を有するベースポリマーは、炭素−炭素二重結合を有し、かつ粘着性を有するものを特に制限なく使用できる。この様なベースポリマーとしては、アクリル系ポリマーを基本骨格とするものが好ましい。アクリル系ポリマーの基本骨格としては、前記例示したアクリル系ポリマーが挙げられる。
【００７８】
前記アクリル系ポリマーへの炭素−炭素二重結合の導入法は特に制限されず、様々な方法を採用できるが、炭素−炭素二重結合はポリマー側鎖に導入するのが分子設計の点で容易である。例えば、予め、アクリル系ポリマーに官能基を有するモノマーを共重合した後、この官能基と反応しうる官能基及び炭素−炭素二重結合を有する化合物を、炭素−炭素二重結合の放射線硬化性を維持したまま縮合又は付加反応させる方法が挙げられる。
【００７９】
これら官能基の組合せの例としては、カルボン酸基とエポキシ基、カルボン酸基とアジリジル基、ヒドロキシル基とイソシアネート基等が挙げられる。これら官能基の組合せのなかでも反応追跡の容易さから、ヒドロキシル基とイソシアネート基との組合せが好適である。また、これら官能基の組み合わせにより、前記炭素−炭素二重結合を有するアクリル系ポリマーを生成するような組合せであれば、官能基はアクリル系ポリマーと前記化合物のいずれの側にあってもよいが、前記の好ましい組み合わせでは、アクリル系ポリマーがヒドロキシル基を有し、前記化合物がイソシアネート基を有する場合が好適である。この場合、炭素−炭素二重結合を有するイソシアネート化合物としては、例えば、メタクリロイルイソシアネート、２−メタクリロイルオキシエチルイソシアネート、ｍ−イソプロペニル−α，α−ジメチルベンジルイソシアネート等が挙げられる。また、アクリル系ポリマーとしては、前記例示のヒドロキシ基含有モノマーや２−ヒドロキシエチルビニルエーテル、４−ヒドロキシブチルビニルエーテル、ジエチレングルコールモノビニルエーテルのエーテル系化合物等を共重合したものが用いられる。
【００８０】
前記内在型の放射線硬化型粘着剤は、前記炭素−炭素二重結合を有するベースポリマー（特にアクリル系ポリマー）を単独で使用することができるが、特性を悪化させない程度に前記放射線硬化性のモノマー成分やオリゴマー成分を配合することもできる。放射線硬化性のオリゴマー成分等は、通常ベースポリマー１００重量部に対して３０重量部の範囲内であり、好ましくは０〜１０重量部の範囲である。
【００８１】
前記放射線硬化型粘着剤には、紫外線等により硬化させる場合には光重合開始剤を含有させる。光重合開始剤としては、例えば、４−（２−ヒドロキシエトキシ）フェニル（２−ヒドロキシ−２−プロピル）ケトン、α−ヒドロキシ−α，α’−ジメチルアセトフェノン、２−メチル−２−ヒドロキシプロピオフェノン、１−ヒドロキシシクロヘキシルフェニルケトン等のα−ケトール系化合物；メトキシアセトフェノン、２，２−ジメトキシ−２−フェニルアセトフエノン、２，２−ジエトキシアセトフェノン、２−メチル−１−［４−（メチルチオ）−フェニル］−２−モルホリノプロパン−１等のアセトフェノン系化合物；ベンゾインエチルエーテル、ベンゾインイソプロピルエーテル、アニソインメチルエーテル等のベンゾインエーテル系化合物；ベンジルジメチルケタール等のケタール系化合物；２−ナフタレンスルホニルクロリド等の芳香族スルホニルクロリド系化合物；１−フェノン−１，１―プロパンジオン−２−（ｏ−エトキシカルボニル）オキシム等の光活性オキシム系化合物；ベンゾフェノン、ベンゾイル安息香酸、３，３’−ジメチル−４−メトキシベンゾフェノン等のベンゾフェノン系化合物；チオキサンソン、２−クロロチオキサンソン、２−メチルチオキサンソン、２，４−ジメチルチオキサンソン、イソプロピルチオキサンソン、２，４−ジクロロチオキサンソン、２，４−ジエチルチオキサンソン、２，４−ジイソプロピルチオキサンソン等のチオキサンソン系化合物；カンファーキノン；ハロゲン化ケトン；アシルホスフィノキシド；アシルホスフォナート等が挙げられる。光重合開始剤の配合量は、粘着剤を構成するアクリル系ポリマー等のベースポリマー１００重量部に対して、例えば０．０５〜２０重量部程度である。
【００８２】
また放射線硬化型粘着剤としては、例えば、特開昭６０−１９６９５６号公報に開示されている、不飽和結合を２個以上有する付加重合性化合物、エポキシ基を有するアルコキシシラン等の光重合性化合物と、カルボニル化合物、有機硫黄化合物、過酸化物、アミン、オニウム塩系化合物等の光重合開始剤とを含有するゴム系粘着剤やアクリル系粘着剤等が挙げられる。
【００８３】
放射線硬化型の粘着剤層１４中には、必要に応じて、放射線照射により着色する化合物を含有させることもできる。放射線照射により、着色する化合物を粘着剤層１４に含ませることによって、放射線照射された部分のみを着色することができる。即ち、図１に示すウエハ貼り付け部分１６ａに対応する部分１４ａを着色することができる。従って、粘着剤層１４に放射線が照射されたか否かが目視により直ちに判明することができ、ウエハ貼り付け部分１６ａを認識し易く、ワークの貼り合せが容易である。また光センサー等によって半導体チップを検出する際に、その検出精度が高まり、半導体チップのピックアップ時に誤動作が生ずることがない。
【００８４】
放射線照射により着色する化合物は、放射線照射前には無色又は淡色であるが、放射線照射により有色となる化合物である。かかる化合物の好ましい具体例としてはロイコ染料が挙げられる。ロイコ染料としては、慣用のトリフェニルメタン系、フルオラン系、フェノチアジン系、オーラミン系、スピロピラン系のものが好ましく用いられる。具体的には３−［Ｎ−（ｐ−トリルアミノ）］−７−アニリノフルオラン、３−［Ｎ−（ｐ−トリル）−Ｎ−メチルアミノ］−７−アニリノフルオラン、３−［Ｎ−（ｐ−トリル）−Ｎ−エチルアミノ］−７−アニリノフルオラン、３−ジエチルアミノ−６−メチル−７−アニリノフルオラン、クリスタルバイオレットラクトン、４，４’，４”−トリスジメチルアミノトリフエニルメタノール、４，４’，４”−トリスジメチルアミノトリフェニルメタン等が挙げられる。
【００８５】
これらロイコ染料とともに好ましく用いられる顕色剤としては、従来から用いられているフェノールホルマリン樹脂の初期重合体、芳香族カルボン酸誘導体、活性白土等の電子受容体があげられ、さらに、色調を変化させる場合は種々公知の発色剤を組合せて用いることもできる。
【００８６】
この様な放射線照射によって着色する化合物は、一旦有機溶媒等に溶解された後に放射線硬化型接着剤中に含ませてもよく、また微粉末状にして当該粘着剤中に含ませてもよい。この化合物の使用割合は、粘着剤層１４中に１０重量％以下、好ましくは０．０１〜１０重量％、更に好ましくは０．５〜５重量％であるのが望ましい。該化合物の割合が１０重量％を超えると、粘着剤層１４に照射される放射線がこの化合物に吸収されすぎてしまう為、粘着剤層１４の前記部分１４ａの硬化が不十分となり、十分に粘着力が低下しないことがある。一方、充分に着色させるには、該化合物の割合を０．０１重量％以上とするのが好ましい。
【００８７】
粘着剤層１４を放射線硬化型粘着剤により形成する場合には、粘着剤層１４に於ける前記部分１４ａの粘着力＜その他の部分１４ｂの粘着力、となるように粘着剤層１４の一部を放射線照射してもよい。
【００８８】
粘着剤層１４に前記部分１４ａを形成する方法としては、基材１２に放射線硬化型の粘着剤層１４を形成した後、前記部分１４ａに部分的に放射線を照射し硬化させる方法が挙げられる。部分的な放射線照射は、ダイボンドフィルム１６ウエハ貼り付け部分１６ａ以外の部分に対応するパターンを形成したフォトマスクを介して行うことができる。また、スポット的に放射線を照射し硬化させる方法等が挙げられる。放射線硬化型の粘着剤層１４の形成は、セパレータ上に設けたものを基材１２上に転写することにより行うことができる。部分的な放射線硬化はセパレータ上に設けた放射線硬化型の粘着剤層１４に行うこともできる。
【００８９】
また、粘着剤層１４を放射線硬化型粘着剤により形成する場合には、基材１２の少なくとも片面の、ウエハ貼り付け部分１６ａに対応する部分以外の部分の全部又は一部が遮光されたものを用い、これに放射線硬化型の粘着剤層１４を形成した後に放射線照射して、ウエハ貼り付け部分１６ａに対応する部分を硬化させ、粘着力を低下させた前記部分１４ａを形成することができる。遮光材料としては、支持フィルム上でフォトマスクになりえるものを印刷や蒸着等で作成することができる。かかる製造方法によれば、効率よくダイシングシート付きダイボンドフィルム１０を製造可能である。
【００９０】
なお、放射線照射の際に、酸素による硬化阻害が起こる場合は、放射線硬化型の粘着剤層１４の表面よりなんらかの方法で酸素（空気）を遮断するのが望ましい。例えば、粘着剤層１４の表面をセパレータで被覆する方法や、窒素ガス雰囲気中で紫外線等の放射線の照射を行う方法等が挙げられる。
【００９１】
粘着剤層１４の厚さは、特に限定されないが、チップ切断面の欠け防止やダイボンドフィルム１６の固定保持の両立性等の点よりは、１〜５０μｍ程度であるのが好ましい。好ましくは２〜３０μｍ、更には５〜２５μｍが好ましい。
【００９２】
ダイシングシート付きダイボンドフィルム１０のダイボンドフィルム１６は、セパレータにより保護されていることが好ましい（図示せず）。セパレータは、実用に供するまでダイボンドフィルム１６を保護する保護材としての機能を有している。また、セパレータは、更に、粘着剤層１４にダイボンドフィルム１６を転写する際の支持基材として用いることができる。セパレータはダイシングシート付きダイボンドフィルム１０のダイボンドフィルム１６上にワーク（半導体ウエハ）を貼着する際に剥がされる。セパレータとしては、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリエチレン、ポリプロピレンや、フッ素系剥離剤、長鎖アルキルアクリレート系剥離剤等の剥離剤により表面コートされたプラスチックフィルムや紙等も使用可能である。
【００９３】
本実施の形態に係るダイシングシート付きダイボンドフィルム１０は、例えば、次の通りにして作製される。
先ず、基材１２は、従来公知の製膜方法により製膜することができる。当該製膜方法としては、例えばカレンダー製膜法、有機溶媒中でのキャスティング法、密閉系でのインフレーション押出法、Ｔダイ押出法、共押出し法、ドライラミネート法等が例示できる。
【００９４】
次に、基材１２上に粘着剤組成物溶液を塗布して塗布膜を形成した後、該塗布膜を所定条件下で乾燥させ（必要に応じて加熱架橋させて）、粘着剤層１４を形成する。塗布方法としては特に限定されず、例えば、ロール塗工、スクリーン塗工、グラビア塗工等が挙げられる。また、乾燥条件としては、例えば乾燥温度８０〜１５０℃、乾燥時間０．５〜５分間の範囲内で行われる。また、セパレータ上に粘着剤組成物を塗布して塗布膜を形成した後、前記乾燥条件で塗布膜を乾燥させて粘着剤層１４を形成してもよい。その後、基材１２上に粘着剤層１４をセパレータと共に貼り合わせる。これにより、ダイシングシート１１が作製される。
【００９５】
ダイボンドフィルム１６は、例えば、次の通りにして作製される。
先ず、ダイボンドフィルム１６の形成材料である接着剤組成物溶液を作製する。当該接着剤組成物溶液には、前述の通り、前記樹脂や、その他必要に応じて各種の添加剤等が配合されている。
【００９６】
次に、接着剤組成物溶液を基材セパレータ上に所定厚さとなる様に塗布して塗布膜を形成した後、該塗布膜を所定条件下で乾燥させ、ダイボンドフィルム１６を形成する。塗布方法としては特に限定されず、例えば、ロール塗工、スクリーン塗工、グラビア塗工等が挙げられる。また、乾燥条件としては、例えば乾燥温度７０〜１６０℃、乾燥時間１〜５分間の範囲内で行われる。また、セパレータ上に接着剤組成物溶液を塗布して塗布膜を形成した後、前記乾燥条件で塗布膜を乾燥させてダイボンドフィルム１６を形成してもよい。その後、基材セパレータ上に接着剤層をセパレータと共に貼り合わせる。
【００９７】
続いて、ダイシングシート１１及びダイボンドフィルム１６からそれぞれセパレータを剥離し、接着剤層１４とダイボンドフィルム１６とが貼り合わせ面となる様にして両者を貼り合わせる。貼り合わせは、例えば圧着により行うことができる。このとき、ラミネート温度は特に限定されず、例えば３０〜５０℃が好ましく、３５〜４５℃がより好ましい。また、線圧は特に限定されず、例えば０．１〜２０ｋｇｆ／ｃｍが好ましく、１〜１０ｋｇｆ／ｃｍがより好ましい。これにより、ダイシングシート付きダイボンドフィルム１０が得られる。
【００９８】
（半導体装置の製造方法）
次に、半導体装置の製造方法について説明する。
以下では、ダイシングシート付きダイボンドフィルム１０を用いた半導体装置の製造方法について説明する。
【００９９】
本実施形態に係る半導体装置の製造方法は、前記に記載のダイシングシート付きダイボンドフィルムを準備する工程と、
前記ダイシングシート付きダイボンドフィルムのダイボンドフィルムと、半導体ウエハの裏面とを貼り合わせる貼り合わせ工程と、
前記半導体ウエハを前記ダイボンドフィルムと共にダイシングして、チップ状の半導体チップを形成するダイシング工程と、
前記半導体チップを、前記ダイシングシート付きダイボンドフィルムから前記ダイボンドフィルムと共にピックアップするピックアップ工程と、
前記ダイボンドフィルムを介して、前記半導体チップを被着体上にダイボンドするダイボンド工程と
前記ダイボンド工程の後、封止樹脂により前記半導体チップを封止する封止工程とを含むものである。
【０１００】
本実施形態に係る半導体装置の製造方法においては、まず、ダイシングシート付きダイボンドフィルム１０を準備する（準備する工程）。ダイシングシート付きダイボンドフィルム１０は、ダイボンドフィルム１６上に任意に設けられたセパレータを適宜に剥離して、次の様に使用される。以下では、図１、及び、図２を参照しながらダイシングシート付きダイボンドフィルム１０を用いた場合を例にして説明する。
【０１０１】
まず、ダイシングシート付きダイボンドフィルム１０におけるダイボンドフィルム１６の半導体ウエハ貼り付け部分１６ａ上に半導体ウエハ４を圧着し、これを接着保持させて固定する（貼り合わせ工程）。本工程は、圧着ロール等の押圧手段により押圧しながら行う。マウントの際の貼り付け温度は特に限定されず、例えば４０〜９０℃の範囲内であることが好ましい。本工程は、ダイボンドフィルム１６の反応（例えば、架橋構造の形成）を実質的に伴うことのない範囲内で条件を設定することが好ましい。
【０１０２】
次に、半導体ウエハ４のダイシングを行う（ダイシング工程）。これにより、半導体ウエハ４を所定のサイズに切断して個片化し、半導体チップ５を製造する。ダイシングの方法は特に限定されないが、例えば半導体ウエハ４の回路面側から常法に従い行われる。また、本工程では、例えばダイシングシート付きダイボンドフィルム１０まで切込みを行なうフルカットと呼ばれる切断方式等を採用できる。本工程で用いるダイシング装置としては特に限定されず、従来公知のものを用いることができる。また、半導体ウエハ４は、ダイシングシート付きダイボンドフィルム１０により接着固定されているので、チップ欠けやチップ飛びを抑制できると共に、半導体ウエハ４の破損も抑制できる。
【０１０３】
次に、ダイシングシート付きダイボンドフィルム１０に接着固定された半導体チップ５を剥離するために、半導体チップ５のピックアップを行う（ピックアップ工程）。ピックアップの方法としては特に限定されず、従来公知の種々の方法を採用できる。例えば、個々の半導体チップ５をダイシングシート付きダイボンドフィルム１０側からニードルによって突き上げ、突き上げられた半導体チップ５をピックアップ装置によってピックアップする方法等が挙げられる。
【０１０４】
ピックアップ条件としては、チッピング防止の点で、ニードル突き上げ速度を５〜１００ｍｍ／秒とすることが好ましく、５〜１０ｍｍ／秒とすることがより好ましい。
【０１０５】
ここでピックアップは、粘着剤層２が放射線硬化型である場合、該粘着剤層２に放射線を照射した後に行う。これにより、粘着剤層２のダイボンドフィルム１６に対する粘着力が低下し、半導体チップ５の剥離が容易になる。その結果、半導体チップ５を損傷させることなくピックアップが可能となる。放射線照射の際の照射強度、照射時間等の条件は特に限定されず、適宜必要に応じて設定すればよい。また、放射線照射に使用する光源としては、公知のものを使用することができる。なお、粘着剤層に予め放射線照射し硬化させておき、この硬化した粘着剤層とダイボンドフィルムとを貼り合わせている場合は、ここでの放射線照射は不要である。
【０１０６】
次に、ピックアップした半導体チップ５を、ダイボンドフィルム１６を介して被着体６に接着固定する（ダイボンド工程）。被着体６としては、リードフレーム、ＴＡＢフィルム、基板又は別途作製した半導体チップ等が挙げられる。被着体６は、例えば、容易に変形されるような変形型被着体であってもよく、変形することが困難である非変形型被着体（半導体ウエハ等）であってもよい。本工程は、ダイボンドフィルム１６の反応（例えば、架橋構造の形成）を実質的に伴うことのない範囲内で条件を設定することが好ましい。
【０１０７】
前記基板としては、従来公知のものを使用することができる。また、前記リードフレームとしては、Ｃｕリードフレーム、４２Ａｌｌｏｙリードフレーム等の金属リードフレームやガラスエポキシ、ＢＴ（ビスマレイミド−トリアジン）、ポリイミド等からなる有機基板を使用することができる。しかし、本発明はこれに限定されるものではなく、半導体チップをマウントし、半導体チップと電気的に接続して使用可能な回路基板も含まれる。
【０１０８】
次に、必要に応じて、図２に示すように、被着体６の端子部（インナーリード）の先端と半導体チップ５上の電極パッド（図示しない）とをボンディングワイヤー７で電気的に接続する（ワイヤーボンディング工程）。前記ボンディングワイヤー７としては、例えば金線、アルミニウム線又は銅線等が用いられる。ワイヤーボンディングを行う際の温度は、８０〜２５０℃、好ましくは８０〜２２０℃の範囲内で行われる。また、その加熱時間は数秒〜数分間行われる。結線は、前記温度範囲内となる様に加熱された状態で、超音波による振動エネルギーと印加加圧による圧着工ネルギーの併用により行われる。本工程は、ダイボンドフィルム１６の反応（例えば、架橋構造の形成）を実質的に伴うことのない範囲内で条件を設定することが好ましい。
【０１０９】
次に、半導体チップを複数段に設置する場合、半導体チップ５の上に、さらに、ダイボンドフィルム付きの他の半導体チップをダイボンドしてもよい（図示せず）。このとき、ダイボンドフィルムとしては、他のダイボンドフィルムを用いてもよいが、ダイボンドフィルム１６を用いるのが好ましい。ダイボンド条件としては、半導体チップ５のダイボンド条件と同様とすることができる。その後、必要に応じて、被着体６の端子部の先端と前記他の半導体チップ上の電極パッドとをボンディングワイヤーで電気的に接続する（ワイヤーボンディング工程）。ワイヤーボンディング条件としては、半導体チップ５のワイヤーボンディング条件と同様とすることができる。
【０１１０】
次に、図２に示すように、封止樹脂８により半導体チップ５を封止する（封止工程）。本工程は、被着体６に搭載された半導体チップ５やボンディングワイヤー７を保護するために行われる。本工程は、封止用の樹脂を金型で成型することにより行うことができる。封止樹脂８としては、例えばエポキシ系の樹脂を使用する。半導体チップを複数段に設置した場合には、封止樹脂８により半導体チップ５及び前記他の半導体チップを封止する（図示せず）。樹脂封止の際の加熱温度は、通常１７５℃で６０〜９０秒間行われるが、本発明はこれに限定されず、例えば１６５〜１８５℃で、数分間キュアすることができる。
ダイボンドフィルム１６は、加熱処理前の１５０℃での貯蔵弾性率Ｅ’１が１０ＭＰａ以下であり、比較的柔軟性を有する。従って、仮に前記ダイボンド工程において、ボイドが生じたとしても、この封止工程での圧力により、膨張させることなく樹脂中に分散させて、見た目上消失させることができる。その結果、ボイドによる影響を低減させることができる。
また、ダイボンドフィルム１６は、前記Ｅ’１と１５０℃で１時間加熱後の１５０℃での貯蔵弾性率Ｅ’２との差（Ｅ’２−Ｅ’１）が５ＭＰａ以下であり、封止工程前の熱履歴（例えば、複数回のダイボンド工程における熱）によっても、硬くなりにくい性質を有する。従って、チップの多段化等による長い熱履歴を経た後でも、封止工程での圧力によりボイドを見た目上消失させることができる。その結果、ボイドによる影響を低減させることができる。
なお、本封止工程では、封止樹脂８としてのシート状の封止用シートに半導体チップ５を埋め込む方法（例えば、特開２０１３−７０２８号公報参照）を採用することもできる。
【０１１１】
次に、ダイボンドフィルム１６を加熱して架橋構造を形成させ、半導体チップ５を被着体６に接着固定し、耐熱強度を向上させる（架橋形成工程）。加熱温度は、８０〜２００℃、好ましくは１００〜１７５℃、より好ましくは１００〜１４０℃で行うことができる。また、加熱時間は、０．１〜２４時間、好ましくは０．１〜３時間、より好ましくは０．２〜１時間で行うことができる。また、架橋形成は、加圧条件下で行なってもよい。加圧条件としては、１〜２０ｋｇ／ｃｍ２の範囲内が好ましく、３〜１５ｋｇ／ｃｍ２の範囲内がより好ましい。加圧下での架橋形成は、例えば、不活性ガスを充填したチャンバー内で行なうことができる。
ダイボンドフィルム１６は、架橋形成工程よりも前の工程における熱（例えば、ダイボンド工程における熱等）によっては、架橋形成に係る反応がおこりにくく、且つ、架橋形成工程での熱によって、架橋が形成するように設計されていることが好ましい。また、当該機能が発揮できるように、ダイボンド工程における加熱条件や、架橋形成工程における加熱条件が設定されることが好ましい。
【０１１２】
次に、必要に応じてさらに加熱を行い、前記封止工程で硬化不足の封止樹脂８を完全に硬化させる（後硬化工程）。本工程における加熱温度は、封止樹脂の種類により異なるが、例えば１６５〜１８５℃の範囲内であり、加熱時間は０．５〜８時間程度である。
【実施例】
【０１１３】
以下に、この発明の好適な実施例を例示的に詳しく説明する。但し、この実施例に記載されている材料や配合量等は、特に限定的な記載がない限りは、この発明の要旨をそれらのみに限定する趣旨のものではない。なお、以下において、部とあるのは重量部を意味する。
【０１１４】
＜ダイボンドフィルムの作製＞
（実施例１）
下記（ａ）〜（ｂ）をメチルエチルケトンに溶解させ、濃度２３重量％の接着剤組成物溶液を得た。
（ａ）エチルアクリレート、ブチルアクリレート、及び、アクリロニトリルを主モノマーとするアクリル酸エステル共重合体（ナガセケムテックス（株）社製、商品名：ＳＧ−Ｐ３、各主モノマーの含有量：エチルアクリレート３０重量％、ブチルアクリレート３９重量％、アクリロニトリル２８重量％）
９０部
（ｂ）フィラー（アドマテックス社製、製品名：ＳＯ−Ｅ２、平均粒径：０．５μｍ）
３０部
【０１１５】
この接着剤組成物溶液を、シリコーン離型処理した厚さが３８μｍのポリエチレンテレフタレートフィルムからなる離型処理フィルム（剥離ライナー）上に塗布した後、１３０℃で２分間乾燥させた。これにより、厚さ２０μｍのダイボンドフィルムＡを作製した。
【０１１６】
（実施例２）
下記（ａ）〜（ｃ）をメチルエチルケトンに溶解させ、濃度２３重量％の接着剤組成物溶液を得た。
（ａ）エチルアクリレート、ブチルアクリレート、及び、アクリロニトリルを主モノマーとするアクリル酸エステル共重合体（ナガセケムテックス（株）社製、商品名：ＳＧ−Ｐ３、各主モノマーの含有量：エチルアクリレート３０重量％、ブチルアクリレート３９重量％、アクリロニトリル２８重量％）
７５部
（ｂ）熱架橋剤（フェノール樹脂、明和化成社製、製品名：ＭＥＨ−７８００）
１５部
（ｃ）フィラー（アドマテックス社製、製品名：ＳＯ−Ｅ２、平均粒径：０．５μｍ）
１０部
【０１１７】
この接着剤組成物溶液を、シリコーン離型処理した厚さが３８μｍのポリエチレンテレフタレートフィルムからなる離型処理フィルム（剥離ライナー）上に塗布した後、１３０℃で２分間乾燥させた。これにより、厚さ２０μｍのダイボンドフィルムＢを作製した。
【０１１８】
（実施例３）
下記（ａ）〜（ｂ）をメチルエチルケトンに溶解させ、濃度２３重量％の接着剤組成物溶液を得た。
（ａ）エチルアクリレート、ブチルアクリレート、及び、アクリロニトリルを主モノマーとするアクリル酸エステル共重合体（ナガセケムテックス（株）社製、商品名：ＳＧ−７０８−６（カルボキシル基含有）、各主モノマーの含有量：エチルアクリレート５１重量％、ブチルアクリレート２６重量％、アクリロニトリル１９重量％）
７５部
（ｂ）熱架橋剤（エポキシ樹脂、ＤＩＣ社製、製品名：ＨＰ−４７００）
１５部
（ｃ）フィラー（アドマテックス社製、製品名：ＳＯ−Ｅ１、平均粒径：０．２５μｍ）
７０部
【０１１９】
この接着剤組成物溶液を、シリコーン離型処理した厚さが３８μｍのポリエチレンテレフタレートフィルムからなる離型処理フィルム（剥離ライナー）上に塗布した後、１３０℃で２分間乾燥させた。これにより、厚さ２０μｍのダイボンドフィルムＣを作製した。
【０１２０】
（比較例１）
下記（ａ）〜（ｅ）をメチルエチルケトンに溶解させ、濃度２３重量％の接着剤組成物溶液を得た。
（ａ）エチルアクリレート、ブチルアクリレート、及び、アクリロニトリルを主モノマーとするアクリル酸エステル共重合体（ナガセケムテックス（株）社製、商品名：ＳＧ−Ｐ３、各主モノマーの含有量：エチルアクリレート３０重量％、ブチルアクリレート３９重量％、アクリロニトリル２８重量％）
９０部
（ｂ）エポキシ樹脂（ＤＩＣ社製、製品名：ＨＰ−４７００）
２０部
（ｃ）フェノール樹脂（明和化成社製、製品名：ＭＥＨ−７８００Ｍ）
２０部
（ｄ）熱架橋触媒（四国化成工業（株）社製、商品名：「キュアゾール（登録商標）」、２ＰＨＺ−ＰＷ、２−フェニル−４，５−ジヒドロキシメチルイミダゾール）
１部
（ｅ）フィラー（アドマテックス社製、製品名：ＳＯ−Ｅ２、平均粒径：０．５μｍ）
１０部
【０１２１】
この接着剤組成物溶液を、シリコーン離型処理した厚さが３８μｍのポリエチレンテレフタレートフィルムからなる離型処理フィルム（剥離ライナー）上に塗布した後、１３０℃で２分間乾燥させた。これにより、厚さ２０μｍのダイボンドフィルムＤを作製した。
【０１２２】
（比較例２）
下記（ａ）〜（ｅ）をメチルエチルケトンに溶解させ、濃度２３重量％の接着剤組成物溶液を得た。
（ａ）エチルアクリレート、ブチルアクリレート、及び、アクリロニトリルを主モノマーとするアクリル酸エステル共重合体（ナガセケムテックス（株）社製、商品名：ＳＧ−７０８−６（カルボキシル基含有）、各主モノマーの含有量：エチルアクリレート５１重量％、ブチルアクリレート２６重量％、アクリロニトリル１９重量％）
７０部
（ｂ）エポキシ樹脂（ＤＩＣ社製、製品名：ＨＰ−４７００）
３５部
（ｃ）酸無水物（新日本理化社製、製品名：リカジットＴＭＥＧ−１００）
３７部
（ｄ）熱架橋触媒（四国化成工業（株）製、商品名：「キュアゾール（登録商標）」、２ＰＨＺ−ＰＷ、２−フェニル−４，５−ジヒドロキシメチルイミダゾール）
２部
（ｅ）  熱架橋剤（三菱ガス化学社製、商品名：テトラッドＸ）
１部
（ｅ）フィラー（アドマテックス社製、製品名：ＳＯ−Ｅ２、平均粒径：０．５μｍ）
１４０部
【０１２３】
この接着剤組成物溶液を、シリコーン離型処理した厚さが３８μｍのポリエチレンテレフタレートフィルムからなる離型処理フィルム（剥離ライナー）上に塗布した後、１３０℃で２分間乾燥させた。これにより、厚さ２０μｍのダイボンドフィルムＥを作製した。
【０１２４】
（ダイボンドフィルムの加熱処理前の１５０℃での貯蔵弾性率Ｅ’１、及び、損失弾性率Ｅ’’１の測定）
実施例、比較例のダイボンドフィルムについて、それぞれ厚さ２００μｍに積層し、幅１０ｍｍ、長さ４０ｍｍの測定サンプルとした。次に、動的粘弾性測定装置（ＲＳＡ（ＩＩＩ）、レオメトリックサイエンティフィック社製）を用いて、−３０〜２６０℃での引張貯蔵弾性率、及び、損失弾性率を、引張モードで、チャック間距離２２．５ｍｍ、周波数１０Ｈｚ、昇温速度１０℃／分の条件下にて測定した。その際の、１５０℃における貯蔵弾性率、及び、１５０℃における損失弾性率を表１に示す。また、この測定を行なった際の損失正接ｔａｎδ１のピーク値も表１に示す。
【０１２５】
（ダイボンドフィルムの１５０℃で１時間加熱後の１５０℃での貯蔵弾性率Ｅ’２、及び、損失弾性率Ｅ’’２の測定）
実施例、及び、比較例に係るダイボンドフィルムを１５０℃で１時間加熱した。次に、それぞれ厚さ２００μｍに積層し、幅１０ｍｍ、長さ４０ｍｍの測定サンプルとした。次に、動的粘弾性測定装置（ＲＳＡ（ＩＩＩ）、レオメトリックサイエンティフィック社製）を用いて、−３０〜２６０℃での引張貯蔵弾性率、及び、損失弾性率を、引張モードで、チャック間距離２２．５ｍｍ、周波数１０Ｈｚ、昇温速度１０℃／分の条件下にて測定した。その際の、１５０℃における貯蔵弾性率、及び、１５０℃における損失弾性率を表１に示す。また、この測定を行なった際の損失正接ｔａｎδ２のピーク値も表１に示す。
【０１２６】
上記測定の結果から、差（Ｅ’２−Ｅ’１）、比（Ｅ’１／Ｅ’２）、差（Ｅ’’２−Ｅ’’１）、比（Ｅ’’１／Ｅ’’２）、差（ｔａｎδ２−ｔａｎδ１）を求めた。結果を表１に示す。
【０１２７】
（ダイボンドフィルムの加熱処理前の２５℃での引張破断伸度Ｌ１（％））
実施例、比較例のダイボンドフィルムについて、それぞれ厚さ２００μｍに積層し、幅１０ｍｍ、初期長さ４０ｍｍの測定サンプルとした。次に、引っ張り試験機（オートグラフ、島津製作所社製）を用いて引張速度３００ｍｍ／分、チャック間距離１０ｍｍの条件下で、２５℃に於ける引張破断伸度を測定した。結果を表１に示す。
【０１２８】
（ダイボンドフィルムの１５０℃で１時間加熱後の２５℃での引張破断伸度Ｌ２（％））
実施例、及び、比較例に係るダイボンドフィルムを１５０℃で１時間加熱した。次に、それぞれ厚さ２００μｍに積層し、幅１０ｍｍ、初期長さ４０ｍｍの測定サンプルとした。次に、引っ張り試験機（オートグラフ、島津製作所社製）を用いて引張速度３００ｍｍ／分、チャック間距離１０ｍｍの条件下で、２５℃に於ける引張破断伸度を測定した。結果を表１に示す。
【０１２９】
（ボイド評価）
各実施例及び比較例で得られたダイボンドフィルムを６０℃で９．５ｍｍ角のミラーチップに貼り付け、ミラーチップ付きのダイボンドフィルムを温度１２０℃、圧力０．１ＭＰａ、時間１秒の条件でＢＧＡ基板にボンディングした。次に、乾燥機にて１５０℃で１時間の熱処理を施した。次いで、モールドマシン（ＴＯＷＡプレス社製、マニュアルプレスＹ−１）を用いて、成形温度１７５℃、クランプ圧力１８４ｋＮ、トランスファー圧力５ｋＮ、時間１２０秒の条件下で封止工程を行った。封止工程後、ダイボンドフィルムとミラーチップとの間のボイドを、超音波映像装置（日立ファインテック社製、ＦＳ２００ＩＩ）を用いて観察した。観察画像においてボイドが占める面積を、二値化ソフト（ＷｉｎＲｏｏｆ  ｖｅｒ．５．６）を用いて算出した。ボイドの占める面積がダイボンドフィルムの表面積に対して１０％未満であった場合を「○」、１０％以上３０％未満であった場合を「△」、３０％以上の場合を「×」として評価した。結果を表１に示す。
【０１３０】
（耐湿半田リフロー試験）
各実施例及び比較例で得られたダイボンドフィルムを６０℃で９．５ｍｍ角のミラーチップに貼り付け、ミラーチップ付きのダイボンドフィルムを温度１２０℃、圧力０．１ＭＰａ、時間１秒の条件でＢＧＡ基板にボンディングした。次に、乾燥機にて１５０℃で１時間の熱処理を施した。次いで、モールドマシン（ＴＯＷＡプレス社製、マニュアルプレスＹ−１）を用いて、成形温度１７５℃、クランプ圧力１８４ｋＮ、トランスファー圧力５ｋＮ、時間１２０秒の条件下で封止工程を行った。次に、１７５℃で５時間、熱硬化を行った。その後、温度３０℃、湿度６０％ＲＨ、時間７２時間の条件で吸湿操作を行った。次に、２６０℃以上の温度を１０秒間保持するように温度設定したＩＲリフロー炉にサンプルを通した。９個のミラーチップについて、ダイボンドフィルムとＢＧＡ基板との界面に剥離が発生しているか否かを超音波顕微鏡で観察し、剥離が生じている割合を算出した。結果を表１に示す。
【０１３１】
【表１】
2015195267.tif 000003
【符号の説明】
【０１３２】
１０    ダイシングシート付きダイボンドフィルム
１１    ダイシングシート
１２    基材
１４    粘着剤層
１６    ダイボンドフィルム
４    半導体ウエハ
５    半導体チップ
６    被着体
７    ボンディングワイヤー
８    封止樹脂
【図１】
2015195267.tif 000004
【図２】
2015195267.tif 000005