(57)【要約】【課題】加熱効率が高く、消費電力を低くできる定着部材を有する加熱定着装置を提供すること。【解決手段】加熱定着装置は、発熱源１０と、発熱源１０を中心軸とし、加熱圧着に適した温度に加熱される加熱ローラ２０Ａと、加熱ローラ２０Ａに圧接する加圧ローラ３０とによって構成されている。圧接された加熱ローラ２０Ａと加圧ローラ３０とは適当なニップ部４０を形成する。トナー像５０ａが形成された記録媒体５０はこのニップ部４０によって挟持され、この結果、トナー像５０ａは熱及び圧力によって記録媒体５０に加熱定着される。加熱ローラ２０Ａは、基材２１、弾性層２２、表面層２３及び選択吸収層２４よりなる。加圧ローラ３０は、基材３１及び弾性層３２よりなる。選択吸収層２４は、所定の赤外波長λPよりも短波長側の光を吸収し、他方、この赤外波長λPよりも長波長側の光を反射するように作用する。【選択図】        図１
2015184608.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
発熱源によって加熱される基材と、
前記基材の前記発熱源の側の面に設けられ、所定の赤外波長より短波長側で小さくかつ該所定の赤外波長より長波長側で大きい反射率を有する第１の選択吸収層と
を具備する加熱定着装置。
【請求項２】
前記第１の選択吸収層は前記所定の赤外波長よりも短波長側で反射率が低くかつ前記所定遠赤外波長よりも長波長側で反射率が高い材料よりなる基層を具備する請求項１に記載の加熱定着装置。
【請求項３】
前記材料はW、TaC、HfC、ZrC、CrC、NbC、TiN、ZrN、HfN、ZrB、HfBの１つの金属あるいはその合金、またはこれらの混合物である請求項２に記載の加熱定着装置。
【請求項４】
前記第１の選択吸収層は、
前記所定の赤外波長よりも長波長側で反射率が高い第１の材料よりなる基層と、
前記基層上に設けられ、前記所定の赤外波長よりも短波長側で反射率が低い第２の材料よりなる吸収制御層と
を具備する請求項１に記載の加熱定着装置
【請求項５】
前記第１の材料は、Au、Ag、Al、Cu、Ni、W、Ir、Os、Re、Ru、Ta、TaC、HfC、  ZrC、CrC、NbC、TiN、ZrN、HfN、ZrB、HfB及びステンレスの１つであり、前記第２の材料は、金属酸化物、金属窒化物、金属ホウ化物、金属珪化物、金属フッ化物、金属硫化物、金属リン化物、有機物等の誘電体、あるいは酸化物、窒化物等の誘電体中に金属または半導体を分散させたサーメットの単層あるいは積層体よりなる請求項４に記載の加熱定着装置。
【請求項６】
前記第１の選択吸収層は、さらに、前記基層上に設けられた反射防止層を具備する請求項２に記載の加熱定着装置。
【請求項７】
前記第１の選択吸収層は、さらに、前記吸収制御層上に設けられた反射防止層を具備する請求項４に記載の加熱定着装置。
【請求項８】
前記所定の赤外波長は
1.7μm≦λP≦5.5μm
である請求項１に記載の加熱定着装置。
【請求項９】
さらに、
前記基材の発熱源の側とは反対の面に設けられた弾性層と、
前記基材と前記弾性層の間に設けられ、少なくとも前記所定の赤外波長より長波長側で大きい反射率を有する第２の選択吸収層と
を具備する請求項１に記載の加熱定着装置。
【請求項１０】
さらに、
前記基材の発熱源の側とは反対側の面に設けられた弾性層と、
前記弾性層の発熱源の側とは反対側に設けられた離型層と、
前記弾性層と前記離型層との間に設けられ、少なくとも前記所定の赤外波長より長波長側で大きい反射率を有する第２の選択吸収層と
を具備する請求項１に記載の加熱定着装置。
【請求項１１】
前記第２の選択吸収層は前記所定の赤外波長よりも長波長側で反射率が高い材料よりなる請求項１０に記載の加熱定着装置。
【請求項１２】
前記第２の選択吸収層はAu、Ag、Al、Cu、Ni、W、Ir、Os、Re、Ru、Ta、TaC、HfC、ZrC、CrC、NbC、TiN、ZrN、HfN、ZrB、HfBおよびステンレスの１つあるいはその合金、またはこれらの混合物である請求項１１に記載の加熱定着装置。
【請求項１３】
前記第２の選択吸収層は、
前記所定の赤外波長よりも長波長側で反射率が高い第１の材料よりなる基層と、
前記基層上に設けられ、前記所定の赤外波長よりも短波長側で反射率が低い第２の材料よりなる吸収制御層と
を具備する請求項１に記載の加熱定着装置。
【請求項１４】
前記第１の材料は、Au、Ag、Al、Cu、Ni、W、Ir、Os、Re、Ru、Ta、TaC、HfC、ZrC、CrC、NbC、TiN、ZrN、HfN、ZrB、HfBおよびステンレスなど１つあるいは合金、またはこれらの混合物であり、
前記第２の材料は、金属酸化物、金属窒化物、金属ホウ化物、金属珪化物、金属フッ化物、金属硫化物、金属リン化物、有機物などの誘電体、あるいは酸化物、窒化物などの誘電体中に金属または半導体を分散させたサーメットの単層あるいは積層体よりなる請求項１３に記載の加熱定着装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、複写機、プリンタ、ファクシミリ装置等の電子写真装置に用いられる加熱定着装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
一般に、上述の電子写真装置においては、感光体ドラム等に形成されたトナー像を記録媒体に転写し、記録媒体に転写されたトナー像を加熱定着装置によって定着し、排出トレイに排出される。
【０００３】
図１５は従来の加熱定着装置を示す断面図である（参照：特許文献１の図１、特許文献２の図９）。
【０００４】
図１５において、加熱定着装置は、ハロゲンランプ等の発熱源１０と、発熱源１０を中心軸とし、加熱圧着に適した温度に加熱される加熱ローラ（定着部材）２０と、加熱ローラ２０に圧接する加圧ローラ３０とによって構成されている。圧接された加熱ローラ２０と加圧ローラ（回転部材）３０とは適当なニップ部４０を形成し、駆動手段（図示せず）によって回転駆動される。トナー像５０ａが形成された記録媒体５０はこのニップ部４０によって挟持され、この結果、トナー像５０ａは熱及び圧力によって記録媒体５０に加熱定着される。
【０００５】
加熱ローラ２０は、基材２１、弾性層２２及び離型層２３よりなる。また、加圧ローラ３０は、基材３１及び弾性層３２よりなる。基材２１、３１はアルミニウム等の金属あるいはポリイミド樹脂等の耐熱性樹脂よりなり、弾性層２２、３２はゴム、シリコーン樹脂等よりなり、離型層２３は低付着性のフッ素樹脂たとえばポリテトラフルオロエチレン（ＰＦＡ）等よりなる。
【０００６】
また、無端状の加熱ベルトを設けると共に、加熱ベルトを介して圧接される一対の回転部材を設け、これにより、ニップ部を長くし、加熱定着時間を長くすることも知られている（参照：特許文献１）。この場合、加熱ベルトと他の部材との接触面積を少なくすることにより、発熱源によって加熱された加熱ベルトの熱が他の部材に奪われるのを抑制している。
【０００７】
さらに、加熱ローラの内面に波状に加工された金属板を設けて加熱ローラの内周面の面積を大きくし、これにより、発熱源から放射される光の吸収効率を向上させている（参照：特許文献２）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００８】
【特許文献１】特開２００４−２４６０８４号公報（特許第３７５５５１６号公報）
【特許文献２】特開平８−１０６２２７号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
しかしながら、上述の従来の加熱定着装置においては、発熱源から放射される光の波長領域と、加熱ローラ、加熱ベルト、波状金属板等の定着部材の吸収光の波長領域とは必ずしも一致しておらず、この結果、定着部材が発熱源から放射される光を効率よく吸収できず、従って、定着部材の加熱効率が低く、消費電力が大きいという課題がある。
【００１０】
また、定着部材の加熱温度における放射率が0.7〜0.9と大きいので、定着部材からの放射による放熱が生じ、この結果、定着部材の温度低下を招く。このため、定着部材の温度を一定温度に保持するためには、上述の温度低下分を補償するための発熱源の余分のエネルギーを必要とし、つまり、トナー加熱定着以外の無駄なエネルギーを必要とし、この結果、やはり、加熱効率が低く、消費電力が大きいという課題がある。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
上述の課題を解決するために、本発明に係る加熱定着装置は、発熱源によって加熱される基材と、基材の発熱源の側の面に設けられ、所定の赤外波長より短波長側で小さくかつ所定の赤外波長より長波長側で大きい反射率を有する選択吸収層を具備するものである。
【発明の効果】
【００１２】
本発明によれば、選択吸収層により発熱源からの放射光を効率よく吸収できると共に、所定の赤外波長より長波長側の光の放射は抑制されて放射放熱による温度低下を抑制できるので、加熱効率を向上でき、従って、消費電力を低減できる。
【図面の簡単な説明】
【００１３】
【図１】本発明に係る加熱定着装置の第１の実施の形態を示す断面図である。
【図２】図１の発熱源の放射スペクトル分布図である。
【図３】図１の加熱ローラの第１の例を示す部分拡大断面図である。
【図４】図１の加熱ローラの第２の例を示す部分拡大断面図である。
【図５】図１の加熱ローラの第３の例を示す部分拡大断面図である。
【図６】本発明に係る加熱定着装置の第２の実施の形態を示す断面図である。
【図７】図６の加熱ローラの第１の例を示す部分拡大断面図である。
【図８】図６の加熱ローラの第２の例を示す部分拡大断面図である。
【図９】図６の加熱ローラの第３の例を示す部分拡大断面図である。
【図１０】図３の選択吸収層に対する実施例１を示し、（Ａ）は断面図、（Ｂ）は反射率特性を示すグラフである。
【図１１】図４の選択吸収層に対する実施例２を示し、（Ａ）は断面図、（Ｂ）は反射率特性を示すグラフである。
【図１２】図５の（Ｂ）の選択吸収層に対する実施例３を示し、（Ａ）は断面図、（Ｂ）は反射率特性を示すグラフである。
【図１３】図９の（Ｂ）の選択吸収層に対する実施例４を示し、（Ａ）は断面図、（Ｂ）は反射率特性を示すグラフである。
【図１４】加熱特性を示すグラフであって、（Ａ）は図１５の従来の加熱ローラの場合、（Ｂ）は図１３の実施例４の場合を示す。
【図１５】従来の加熱定着装置を示す断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１４】
図１は本発明に係る加熱定着装置の第１の実施の形態を示す断面図である。図１の加熱ローラ２０Ａにおいては、図１５の加熱ローラ２０の基材２１の内面に選択吸収層２４を付加してある。
【００１５】
選択吸収層２４は、所定の赤外波長λPよりも短波長側の光を吸収し、他方、所定の赤外波長λPよりも長波長側の光を反射するように作用する。
【００１６】
すなわち、加熱ローラ２０Ａを効率よく加熱するためには、発熱源１０から放射された光を効率よく加熱ローラ２０Ａに吸収させる必要があり、従って、この点からは、理想的には、加熱ローラ２０Ａの選択吸収層２４が発熱源１０からの放射された光をすべて吸収することが好ましい。
【００１７】
他方、加熱ローラ２０Ａは発熱源１０によってたとえば180℃程度に加熱され、この結果、加熱ローラ２０Ａは自身の放射により放熱する。従って、この放射による放熱により加熱ローラ２０Ａは冷却される。この冷却を抑制するために、加熱ローラ２０Ａの選択吸収層２４が所定の赤外波長λPよりも長波長側の光を放射しにくく、つまり、反射するように作用する必要がある。この場合、放射率ε(λ)、反射率R(λ)は、キルヒホッフの法則：
ε(λ) = 1 - R(λ)
に従う。従って、選択吸収層２４においては、所定の赤外波長λPよりも長波長側（λ＞λP）で、放射率ε(λ)を小さくし、つまり、反射率R(λ)を大きくする。
【００１８】
上述の所定の赤外波長λPとは、加熱ローラ２０Ａの加熱温度が180℃とすれば、180℃の黒体放射において5.5μmよりも長波長側の波長領域が全放射エネルギーの約70％を含む。他方、加熱ローラ２０Ａの加熱源１０とし2600Ｋに加熱されたハロゲンランプを用いると、図２よりハロゲンランプからの放射において1.7μmよりも短波長側の波長領域が全放射エネルギーの約70％を含む。従って、所定の赤外波長λPは、
1.7μm≦λP≦5.5μm
である。
【００１９】
また、180℃の黒体放射において4.9μmよりも長波長側の波長領域が全放射エネルギーの約80％を含む。他方、2600Ｋのハロゲンランプからの放射において2.1μmよりも短波長側の波長領域が全放射エネルギーの約80％を含む。従って、上述の所定の赤外波長λPは、好ましくは、
2.1μm≦λP≦4.9μm
である。
【００２０】
さらに、180℃の黒体放射において4.1μmよりも長波長側の波長領域が全放射エネルギーの約90％を含む。他方、2600Ｋのハロゲンランプからの放射において2.8μmよりも短波長側の波長領域が全放射エネルギーの約90％を含む。従って、上述の所定の赤外波長λPは、さらに好ましくは、
2.8μm≦λP≦4.1μm
である。
【００２１】
図３は図１の加熱ローラ２０Ａの第１の例を示す部分拡大断面図である。図３の選択吸収層２４は基層２４ａよりなる。
【００２２】
基層２４ａは所定の赤外波長λPよりも短波長側で反射率が低くかつ所定の赤外波長λPよりも長波長側で反射率が高い材料、たとえば、W、TaC、HfC、ZrC、CrC、TiN、ZrN、HfN、ZrB、HfB等の１つの金属あるいはその合金、またはこれらの混合物により構成される。尚、基材２１が基層２１ａと同一材料を含んでいれば、基材２１が基層２１ａの作用をする。
【００２３】
図４は図１の加熱ローラ２０Ａの第２の例を示す部分拡大断面図である。図４の選択吸収層２４は基層２４ａ及び吸収制御層２４ｂよりなる。
【００２４】
基層２４ａは、所定の赤外波長λPよりも長波長側で反射率が高い材料、たとえば、Au、Ag、Al、Cu、Ni、W、Ir、Os、Re、Ru、Ta、TaC、TiN、ZrN、HfN、ZrB、HfB、ステンレス等の金属により構成される。尚、基材２１が基層２４ａと同一材料を含んでいれば、基材２１が基層２４ａ’の作用をする。
【００２５】
吸収制御層２４ｂは、所定の赤外波長λPよりも短波長側で反射率が低い材料、たとえば、金属酸化物、金属窒化物、金属ホウ化物、金属珪化物、金属フッ化物、金属硫化物、金属リン化物、有機物等の誘電体、あるいは酸化物や窒化物等の誘電体中に金属または半導体を分散させたサーメットにより構成される。この場合、これらの材料の単層または２層以上の積層体でもよい。積層体には、複数種類のサーメットも含まれる。
【００２６】
図５は図１の加熱ローラ２０Ａの第３の例を示す部分拡大断面図である。図５の選択吸収層２４においては、図３の基層２４ａ及び図４の吸収制御層２４ｂ上に反射防止層２４ｃを付加してある。これにより、所定の赤外波長λPよりも短波長側での光の反射率がさらに低くなる。
【００２７】
図６は本発明に係る加熱定着装置の第２の実施の形態を示す断面図である。図６の加熱ローラ２０Ｂにおいては、図１の加熱ローラ２０Ａの基材２１と弾性体２２との間に選択吸収層２４’を付加してある。この選択吸収層２４’は、選択吸収層２４と同一の作用をする。つまり所定の赤外波長λPよりも短波長側の光を吸収し、他方、所定の赤外波長λPよりも長波長側の光を反射するように作用する。
【００２８】
図７は図６の加熱ローラ２０Ｂの第１の例を示す部分拡大断面図である。図７の選択吸収層２４、２４’は、共に、同一の基層２４ａ、２４ａ’よりなる。
【００２９】
つまり、基層２４ａ、２４ａ’は所定の赤外波長λPよりも短波長側で反射率が低くかつ所定の赤外波長λPよりも長波長側で反射率が高い材料、たとえば、W、TaC、HfC、ZrC、CrC、NbC、TiN、ZrN、HfN、ZrB、HfB等の１つの金属あるいはその合金、またはこれらの混合物により構成される。尚、基材２１が選択吸収層２４、２４’の基層２４ａ、２４ａ’と同一材料を含んでいれば、基材２１が選択吸収層２４、２４’の基層２４ａ、２４ａ’の作用をする。
【００３０】
図８は図６の加熱ローラ２０Ｂの第２の例を示す部分拡大断面図である。図８の選択吸収層２４、２４’は共に、同一の基層２４ａ、２４ａ’及び吸収制御層２４ｂよりなる。
【００３１】
つまり、基層２４ａ、２４ａ’は少なくとも所定の赤外波長λPよりも長波長側で反射率が高い材料、たとえば、Au、Ag、Al、Cu、Ni、W、Ir、Os、Re、Ru、TaC、HfC、ZrC、CrC、NbC、TiN、ZrN、HfN、ZrB、HfB等により構成される。尚、選択吸収層２４の基材２１が基層２４ａと同一材料を含んでいれば、基材２１が選択吸収層２４の基層２４ａの作用をする。
【００３２】
また、吸収制御層２４ｂは、所定の赤外波長λPよりも短波長側で反射率が低い材料、たとえば、金属酸化物、金属窒化物、金属ホウ化物、金属珪化物、金属フッ化物、金属硫化物、金属リン化物、有機物等の誘電体、あるいは酸化物や窒化物等の誘電体中に金属微粒子を含んだサーメットにより構成される。この場合、これらの材料の単層または２層以上の積層体でもよい。積層体には、複数種類のサーメットも含まれる。
【００３３】
図９は図６の加熱ローラ２０Ｂの第３の例を示す部分拡大断面図である。図９の選択吸収層２４、２４’においては、図７の選択吸収層２４の基層２４ａ及び図８の選択吸収層２４の吸収制御層２４ｂ上に反射防止層２４ｃを付加してある。これにより、所定の赤外波長λPよりも短波長側での光の反射率がさらに低くなる。
【００３４】
尚、図７、図８、図９の選択吸収層２４、２４’の基層及び吸収制御層については同一構成をなしているが、選択吸収層２４、２４’の一方に基層を含ませ、選択吸収層２４、２４’の他方に基層及び吸収制御層２４ｂを含ませることにより選択吸収層２４、２４’の基層及び吸収制御層を異なる構成になし得る。
【００３５】
また、上述の第２の実施の形態においては、選択制御層２４’を基材２１と弾性層２２との間を設けているが、選択制御層２４’を弾性層２２と離型層２３との間に設けることもできる。
【００３６】
また、発熱源１０で加熱ローラ２０Bを内側からのみ加熱する場合、上述の第2の実施の形態において、選択吸収層２４’は基層２４ａ’のみから構成してもよい。加熱ローラ２０Ｂは外側から加熱されないので、所定の赤外波長λpよりも短波長側の吸収を高めなくてもよいからである。
【００３７】
尚、上述の第2の実施の形態においては、弾性層２２および離型層２３は、所定の赤外波長λpよりも長波長側の波長領域において吸収がないことが好ましい。弾性層２２および離型層２３において、所定の赤外波長λpよりも長波長側の波長領域に吸収を有する場合、その波長領域における放射が生じ、定着部材が冷却されるからである。
【実施例】
【００３８】
次に、加熱ローラ２０Ａ、２０Ｂの選択吸収層２４の実施例を説明する。
【００３９】
図３の選択吸収層２４に対する実施例１は、図１０に示すごとく、基層２４ａを厚さ約200ｎｍのHfBにより構成する。この場合、選択吸収層２４の反射スペクトル分布は、赤外波長λP=2μmよりも短波長側の光に対して小さい反射率Ｒを示し、他方、赤外波長λP=2μmよりも長波長側の光に対して大きい反射率Ｒを示す。
【００４０】
図４の選択吸収層２４に対する実施例２は、図１１の（Ａ）に示すごとく、基層２４ａを厚さ約100nmのNiにより構成し、吸収制御層２４ｂを厚さ約80nmのCr2O3/Crサーメット層２４ｂ−１及び厚さ約40nmのCr2O3層２４ｂ−２により構成する。この場合の選択吸収層２４の反射スペクトル分布は、図１１の（Ｂ）に示すごとく、赤外波長λP=2μmよりも短波長側の光に対して小さい反射率を示し、他方、赤外波長λP=2μmよりも長波長側の光に対して大きい反射率95％以上を示す。
【００４１】
図１１の（Ａ）のCr2O3/Crサーメット層２４ｂ−１は、基層２４ａ上に、金属Crと誘電体Cr2O3とを同時にスパッタリングすることにより形成される。たとえば、加熱ローラ２０Ｂのように、円筒状の基材２１内に金属Cr及び誘電体Cr2O3の各ターゲット棒を挿入し、これらターゲット棒と被成膜面との間に高周波電圧を印加して各ターゲット棒をスパッタリングすることにより形成される。さらに、基材２１がポリイミド樹脂のような高温処理が困難な材料を用いる場合には、Cr2O3/Crサーメット層２４ｂ−１は低温でも密着が達成されるイオンプレーティング法によって成膜される。
【００４２】
図５の（Ｂ）の選択吸収層２４に対する実施例３は、図１２の（Ａ）に示すごとく、基層２４ａを厚さ約100nmのNiにより構成し、吸収制御層２４ｂを厚さ約80nmのCr2O3/Crサーメット層２４ｂ−１及び厚さ約35nmのCr2O3層２４ｂ−２により構成し、反射防止層２４ｃを厚さ約80nmのCaF2で構成する。この場合の選択吸収層２４の反射スペクトル分布は、図１２の（Ｂ）に示すごとく、赤外波長λP=2.5μmよりも短波長側の光に対してさらに小さい反射率を示し、他方、赤外波長λp=2.5μmよりも長波長側の光に対して大きな反射率95%以上を示す。
【００４３】
図９の（Ｂ）の選択吸収層２４、２４’に対する実施例４は、図１３の（Ａ）に示すごとく、基層２４ａ、２４ａ’を厚さ約200nmのCuにより構成し、吸収制御層２４ｂ、２４ｂ’を厚さ約200nmのZrO2/Zrサーメット層２４ｂ、及び厚さ約275nmのCaF2層２４ｃにより構成する。この場合の選択吸収層２４、２４’の反射スペクトル分布は、図１３の（Ｂ）に示すごとく、赤外波長λp＝3.0μmよりも短波長側の光に対して小さい反射率を示し、他方、赤外波長λp＝3.0μmよりも長波長側の光に対して大きい反射率90％を示す。尚、選択吸収層２４’にはCaF2層２４ｃは存在しない。
【００４４】
発熱源１０にフィラメント温度が２６００Ｋに加熱されたハロゲンランプを使用し、加熱ローラを１８０℃まで加熱したところ、１８０℃における放射率が０．９程度の図１５の従来の加熱ローラ２０では、図１４の（Ａ）に示すごとく加熱に９秒程度必要とする。一方、実施例４のように選択吸収層２４、２４’により加熱ローラ２０Ｂの１８０℃における放射率を０．１程度にすることで、加熱ローラ２０Ｂを１８０℃まで加熱する時間は、図１４の（Ｂ）に示すごとく、４．５秒程度となり、加熱時間を短縮、延いては加熱に要するエネルギーを低減することができる。
【００４５】
上述の実施の形態においては、選択吸収層を定着部材としての加熱ローラに設けているが、本発明は定着部材としての加熱ベルト、板状金属板にも適用でき、つまり、選択吸収層を加熱ベルト、板状金属板に設けることもできる。
【００４６】
また、本発明は上述の実施の形態の目的の範囲内のいかなる変更にも適用し得る。
【符号の説明】
【００４７】
１０：発熱源
２０、２０Ａ、２０Ｂ：加熱ローラ
２１：基材
２２：弾性層
２３：離型層
２４、２４’：選択吸収層
２４ａ、２４ａ’：基層
２４ｂ、２４ｂ−１、２４ｂ−２：吸収制御層
２４ｃ：反射防止層
３０：加圧ローラ
３１：基材
３２：弾性層
４０：ニップ部
５０：記録媒体 
５０ａ：トナー像
【図１】
2015184608.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
2015184608.tif 000015
【図１４】
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【図１５】
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【手続補正書】
【提出日】平成26年5月1日(2014.5.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項４】
前記第１の選択吸収層は、
前記所定の赤外波長よりも長波長側で反射率が高い第１の材料よりなる基層と、
前記基層上に設けられ、前記所定の赤外波長よりも短波長側で反射率が低い第２の材料よりなる吸収制御層と
を具備する請求項１に記載の加熱定着装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図１４】
2015184608.tif 000018