(57)【要約】【課題】金属ナノワイヤの剥離、金属ナノワイヤ層のスクラッチを抑制するプレッシングを含む透明導電体の製造方法を提供する。【解決手段】本発明の一具現例によれば、基材層、及び前記基材層上に形成された金属ナノワイヤを含む導電性ネットワーク；を含む積層体を、表面硬度がショアＤ硬度でＤ−５０〜Ｄ−９０である第１のプレッシングロールでプレッシングすることを含む透明導電体の製造方法を構成する。本発明によれば、金属ナノワイヤの剥離、スクラッチを抑制するプレッシングを含む透明導電体の製造方法を提供し、面抵抗偏差が低い透明導電体の製造方法を提供し、外観が良好な透明導電体の製造方法を提供することができる。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基材層、及び前記基材層上に形成された金属ナノワイヤを含む導電性ネットワークを含む積層体を、
表面硬度がショアＤ硬度でＤ−５０〜Ｄ−９０である第１のプレッシングロールでプレッシングすることを含む、透明導電体の製造方法。
【請求項２】
前記第１のプレッシングロールの摩擦係数は０．８未満である、請求項１に記載の透明導電体の製造方法。
【請求項３】
前記第１のプレッシングロールは加硫含量２０質量％以上の加硫ゴム材質で形成されるロールである、請求項１または２に記載の透明導電体の製造方法。
【請求項４】
前記プレッシングは、前記第１のプレッシングロールと所定間隔で対向する第２のプレッシングロールをさらに用いて行うことを含む、請求項１〜３の何れか１項に記載の透明導電体の製造方法。
【請求項５】
前記第２のプレッシングロールのショアＤ硬度は、前記第１のプレッシングロールのショアＤ硬度より高い、請求項４に記載の透明導電体の製造方法。
【請求項６】
前記第２のプレッシングロールは、ＳＵＳロールまたはＳＵＳにＣｒがコーティングされたロールである、請求項４または５に記載の透明導電体の製造方法。
【請求項７】
前記第１のプレッシングロール及び前記第２のプレッシングロールが積層体に加えるプレッシング圧力は、０．２ＭＰａ〜１０ＭＰａである、請求項４〜６の何れか１項に記載の透明導電体の製造方法。
【請求項８】
前記プレッシングするステップの後に、前記導電性ネットワーク上にマトリックス用組成物を塗布・硬化させ、導電層を形成することをさらに含む、請求項１〜７の何れか１項に記載の透明導電体の製造方法。
【請求項９】
前記導電層をパターン化するステップをさらに含む、請求項８に記載の透明導電体の製造方法。
【請求項１０】
前記金属ナノワイヤは銀ナノワイヤを含む、請求項１〜９の何れか１項に記載の透明導電体の製造方法。
【請求項１１】
表面硬度がショアＤ硬度でＤ−５０〜Ｄ−９０である第１のプレッシングロール、及び前記第１のプレッシングロールと対向して設置された第２のプレッシングロールを含み、
基材層；及び前記基材層上に形成された金属ナノワイヤを含む導電性ネットワークを含む積層体をプレッシングする、透明導電体製造用プレッシングロール。
【請求項１２】
前記第１のプレッシングロールは加硫含量２０質量％以上の加硫ゴム材質で形成されるロールである、請求項１１に記載の透明導電体製造用プレッシングロール。
【請求項１３】
前記第２のプレッシングロールは、ＳＵＳロールまたはＳＵＳにＣｒがコーティングされたロールである、請求項１１または１２に記載の透明導電体製造用プレッシングロール。
【請求項１４】
基材層；及び前記基材層上に形成され、金属ナノワイヤ及びマトリックスを含む導電層；を含み、下記の式１による面抵抗偏差が２０％未満である透明導電体。
［式１］
面抵抗偏差（ＲＳｄ）＝│（ＲＳｍａｘ−ＲＳａｖｇ）／ＲＳａｖｇ×１００│
前記式１において、最大面抵抗（ＲＳｍａｘ）は、複数の区画から測定された各面抵抗値のうち最も大きな値で、面抵抗平均値（ＲＳａｖｇ）は、複数の区画から測定された各面抵抗値のうち最大値（ＲＳｍａｘ）と最小値（ＲＳｍｉｎ）の平均値で、前記最小値（ＲＳｍｉｎ）は、複数の区画から測定された各面抵抗値のうち最も小さい値である。
【請求項１５】
前記透明導電体は、基材層、及び前記基材層上に形成された金属ナノワイヤを含む導電性ネットワークを含む積層体を形成した後に、前記積層体を、表面硬度がショアＤ硬度でＤ−５０〜Ｄ−９０である第１のプレッシングロールでプレッシングすることで製造されたものである、請求項１４に記載の透明導電体。
【請求項１６】
前記第１のプレッシングロールは、加硫含量２０質量％以上の加硫ゴム材質で形成されるロールである、請求項１５に記載の透明導電体。
【請求項１７】
前記プレッシングは、前記第１のプレッシングロールと所定間隔で対向する第２のプレッシングロールをさらに用いて行うことを含む、請求項１５または１６に記載の透明導電体。
【請求項１８】
前記マトリックスは、６官能のアクリレート系モノマー及び３官能のアクリレート系モノマーを含む組成物で形成される、請求項１４〜１７の何れか１項に記載の透明導電体。
【請求項１９】
請求項１４〜１８の何れか１項に記載の透明導電体を含む表示装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、透明導電体の製造方法、これに使用されるプレッシングロール、透明導電体の製造方法によって製造された透明導電体及びこれを含む表示装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
透明導電体は、ディスプレイ装置に含まれるタッチスクリーンパネル、フレキシブルディスプレイなどの多方面に使用されている。透明導電体は、透明性、面抵抗などの物性が優秀でなければならない。透明導電体は、基材層及び導電層を含む積層体であってもよい。この場合、前記導電層は、基材層上に形成され、金属ナノワイヤ及びマトリックスを含む。
【０００３】
特に、透明導電体は、導電性が高くなければならないと同時に、面抵抗偏差が低くなければならない。このために、透明導電体は、プレッシングする方法で製造することができる。前記プレッシングは、プレッシングロールを用いて基材層及び導電層を含む積層体を圧着する方法である。従来のプレッシング方法では、ゴム材質のプレッシングロールを使用していた。しかし、ゴム材質のプレッシングロールは、金属ナノワイヤを剥離させたり、透明導電体の表面のスクラッチを発生させ得る。そのため、従来の透明導電体の製造方法は、透明導電体の面抵抗偏差が高く、且つ導電性が低く、外観品質も低いという問題を有していた。
【０００４】
これと関連して、特許文献１では、透明導電体の製造方法を開示している。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】米国公開特許第２００７／００７４３１６号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
本発明の目的は、金属ナノワイヤの剥離、金属ナノワイヤ層のスクラッチを抑制するプレッシングを含む透明導電体の製造方法を提供することにある。本発明の他の目的は、面抵抗偏差が低い透明導電体の製造方法を提供することにある。本発明の更に他の目的は、外観が良好な透明導電体の製造方法を提供することにある。さらに、本発明の更に他の目的は、当該製造方法に使用されるプレッシングロール、当該製造方法によって製造された透明導電体、及び当該透明導電体を含む表示装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明の一具現例は、基材層；及び前記基材層上に形成された金属ナノワイヤを含む導電性ネットワーク；を含む積層体を、表面硬度が、ショアＤ硬度でＤ−５０〜Ｄ−９０である第１のプレッシングロールでプレッシングすることを含む透明導電体の製造方法に関する。
【０００８】
前記第１のプレッシングロールの摩擦係数は０．８未満であってもよい。
【０００９】
前記第１のプレッシングロールは、加硫含量２０質量％以上の加硫ゴム材質で形成されてもよい。
【００１０】
前記プレッシングは、前記第１のプレッシングロールと所定間隔で対向する第２のプレッシングロールをさらに用いて行ってもよい。
【００１１】
前記第２のプレッシングロールのショアＤ硬度は、前記第１のプレッシングロールのショアＤ硬度より高くてもよい。
【００１２】
前記第２のプレッシングロールは、ＳＵＳロールまたはＳＵＳにＣｒがコーティングされたロールであってもよい。
【００１３】
前記第１のプレッシングロール及び前記第２のプレッシングロールが積層体に加えるプレッシング圧力は、０．２ＭＰａ〜１０ＭＰａであってもよい。
【００１４】
前記プレッシングの後に、前記導電性ネットワーク上にマトリックス用組成物を塗布して硬化させ、導電層を形成することをさらに含んでもよい。
【００１５】
前記導電層をパターン化するステップをさらに含んでもよい。
【００１６】
前記金属ナノワイヤは、銀ナノワイヤを含んでもよい。
【００１７】
本発明の他の具現例は、表面硬度が、ショアＤ硬度でＤ−５０〜Ｄ−９０である第１のプレッシングロール、及び前記第１のプレッシングロールと対向して設置された第２のプレッシングロールを含み、基材層；及び前記基材層上に形成された金属ナノワイヤを含む導電性ネットワークを含む積層体をプレッシングする、透明導電体製造用プレッシングロールに関する。
【００１８】
本発明の更に他の具現例は、基材層；及び前記基材層上に形成され、金属ナノワイヤ及びマトリックスを含む導電層；を含み、下記の式１による面抵抗偏差が２０％未満である透明導電体に関する。
【００１９】
［式１］
面抵抗偏差（ＲＳｄ）＝│（ＲＳｍａｘ−ＲＳａｖｇ）／ＲＳａｖｇ×１００│
【００２０】
前記式１において、最大面抵抗（ＲＳｍａｘ）は、複数の区画から測定された各面抵抗値のうち最も大きな値で、面抵抗平均値（ＲＳａｖｇ）は、複数の区画から測定された各面抵抗値のうち最大値（ＲＳｍａｘ）と最小値（ＲＳｍｉｎ）の平均値で、前記最小値（ＲＳｍｉｎ）は、複数の区画から測定された各面抵抗値のうち最も小さい値である。
【００２１】
前記透明導電体は、基材層、及び前記基材層上に形成された金属ナノワイヤを含む導電性ネットワークを含む積層体を形成した後に、前記積層体を、表面硬度が、ショアＤ硬度でＤ−５０〜Ｄ−９０である第１のプレッシングロールでプレッシングすることで製造することができる。
【００２２】
前記マトリックスは、６官能のアクリレート系モノマー及び３官能のアクリレート系モノマーを含む組成物で形成されてもよい。
【００２３】
前記プレッシングは、前記第１のプレッシングロールと所定間隔で対向する第２のプレッシングロールをさらに用いて行うことを含んでもよい。
【００２４】
本発明の更に他の具現例は、上述した透明導電体を含む表示装置に関する。
【００２５】
前記表示装置は、タッチスクリーン、フレキシブルディスプレイなどを含む光学表示装置であってもよい。
【発明の効果】
【００２６】
本発明によれば、金属ナノワイヤの剥離、スクラッチを抑制するプレッシングを含む透明導電体の製造方法を提供し、面抵抗偏差が低い透明導電体の製造方法を提供し、外観が良好な透明導電体の製造方法を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００２７】
【図１】本発明の一実施形態に係る透明導電体の製造方法の模式図である。
【図２】本発明の他の実施形態に係る透明導電体の製造方法の模式図である。
【図３】本発明の一実施形態に係る透明導電体の断面図である。
【図４】本発明の他の実施形態に係る透明導電体の断面図である。
【図５】本発明の一実施形態に係る光学表示装置の断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００２８】
添付の図面を参考にして、本発明の実施形態を、本発明の属する技術分野で通常の知識を有する者が本発明を容易に実施できるように詳細に説明する。本発明は、多様な形態で具現することができ、ここで説明する実施形態に限定されない。図面において、本発明を明確に説明するために説明と関係のない部分は省略し、明細書全体にわたって同一または類似する構成要素に対しては、同一の図面符号を付した。
【００２９】
本明細書において、「（メタ）アクリレート」とは、アクリレート及び／又はメタクリレートを意味し得る。
【００３０】
以下、図１を参考にして本発明の一実施形態に係る透明導電体の製造方法を説明する。図１は、本発明の一実施形態に係る透明導電体の製造装置１００の模式図である。製造装置１００は、本発明に係る透明導電体の製造方法を具現する装置の一例である。
【００３１】
図１を参照すると、本発明の一実施形態に係る透明導電体の製造装置１００は、基材層１１０と、基材層１１０及び導電性ネットワーク１２０を含む積層体（以下、積層体という）を第１のプレッシングロール１３０でプレッシングする。ここで、導電性ネットワーク１２０は、金属ナノワイヤを含む。一実施形態の透明導電体の製造装置１００は、導電性ネットワーク１２０を第１のプレッシングロール１３０でプレッシングすることによって、金属ナノワイヤの稠密度を向上させることができる。この場合、透明導電体は、導電性が向上し、面抵抗偏差が低いので通電性が優秀になる。
【００３２】
第１のプレッシングロール１３０は、プレッシング過程で導電性ネットワーク１２０と接触する。プレッシングを行う第１のプレッシングロール１３０の表面硬度は、ショアＤ硬度でＤ−５０〜Ｄ−９０である。これによって、一実施形態の製造装置１００は、導電性ネットワーク１２０の金属ナノワイヤの剥離現象を防止し、積層体の表面にスクラッチが発生することを抑制することができる。
【００３３】
本明細書において、プレッシングロールのショアＤ硬度は、ＡＳＴＭ  Ｄ２２４０に規定された方法で測定する。
【００３４】
第１のプレッシングロールのショアＤ硬度は、例えば、Ｄ−７５〜Ｄ−９０になってもよい。この場合にも、積層体の表面にスクラッチが発生することをさらに抑制することができる。その結果、プレッシング後に形成される透明導電体の面抵抗偏差がさらに低くなり、導電性がさらに向上し得る。
【００３５】
第１のプレッシングロール１３０を用いてプレッシングされて製造される透明導電体は、面抵抗偏差が２０％未満になってもよい。例えば、透明導電体の面抵抗偏差は、１６％以下に低くなってもよい。前記面抵抗偏差の範囲を有する透明導電体は、反り及び面積拡大による抵抗の増加が低下し得る。このような透明導電体は、大面積ディスプレイ、フレキシブルディスプレイ、タッチスクリーンパネルなどに適用するのに有利である。
【００３６】
本明細書において、透明導電体の面抵抗偏差は、透明導電体の面積を分画した後で測定する。具体的に、プレッシングされた透明導電体の面積を、同一の面積を有する複数の区画、例えば、５０ｍｍ×５０ｍｍのサイズに１０個の区画に分画した後、前記１０個の区画からそれぞれ面抵抗を測定し、１０個の面抵抗値を得た後、下記の式１によって計算する。面抵抗は接触式面抵抗または非接触式面抵抗などであってもよい。
例えば、接触式面抵抗は接触式の測定装置Ｒ−ＣＨＥＫ  ＲＣ２１７５（ＥＤＴＭ社）で測定することができ、非接触式面抵抗は非接触式の測定装置ＥＣ−８０Ｐ（ＮＡＰＳＯＮ社）で測定することができる。
【００３７】
［式１］
面抵抗偏差（ＲＳｄ）＝│（ＲＳｍａｘ−ＲＳａｖｇ）／ＲＳａｖｇ×１００│
【００３８】
前記式１において、最大面抵抗（ＲＳｍａｘ）は、複数の区画から測定された各面抵抗値のうち最も大きな値で、面抵抗平均値（ＲＳａｖｇ）は、複数の区画から測定された各面抵抗値のうち最大値（ＲＳｍａｘ）と最小値（ＲＳｍｉｎ）の平均値である。前記最小値（ＲＳｍｉｎ）は、複数の区画から測定された各面抵抗値のうち最も小さい値を意味する。
【００３９】
第１のプレッシングロール１３０は、表面が加硫ゴム材質、ＳＵＳ（ｓｔｅｅｌ  ｕｓｅ  ｓｔａｉｎｌｅｓｓ）、またはＳＵＳロールにＣｒをコーティングした材質で形成されてもよい。具体的に、加硫ゴムは、合成ゴムに約２０質量％以上の硫黄を添加したものを意味する。前記合成ゴムは、天然ゴムまたはスチレンブタジエンゴムなどであってもよいが、これに制限されることはない。一具体例において、第１のプレッシングロール１３０は、エボナイト（ｅｂｏｎｉｔｅ）で形成されてもよい。この場合、透明導電体の金属ナノワイヤの剥離、及び／またはスクラッチの発生率が著しく低下し得る。また、プレッシングによる金属ナノワイヤの圧着効果に優れる。前記エボナイトは、加硫含量が２０質量％以上、例えば、３０質量％以上であってもよい。
【００４０】
第１のプレッシングロール１３０は、表面のショアＤ硬度がＤ−５０〜Ｄ−９０であれば、内部の硬度、材質、形状などに制限がない。具体的に、第１のプレッシングロールは、中空のロール、または内部が完全に充填されたロールになってもよい。また、第１のプレッシングロール１３０の内部は、表面と同一の材質で形成されたり、または異なる種の材質で形成されてもよい。
【００４１】
第１のプレッシングロール１３０としては、摩擦係数が低いものを使用してもよい。この場合、第１のプレッシングロール１３０は、金属ナノワイヤの剥離をさらに抑制することによって面抵抗偏差をより低下させることができる。例えば、プレッシングロールの摩擦係数は、０．８未満であってもよい。一具体例において、第１のプレッシングロールの摩擦係数は０．０８〜０．７２であってもよい。前記摩擦係数の範囲では、金属ナノワイヤの剥離の抑制効果が優秀になり得る。また、前記範囲では、プレッシングによる金属ナノワイヤの圧着効果に優れる。この場合、一具体例の製造方法は、透明導電体の面抵抗偏差をより低下させることができる。
【００４２】
第１のプレッシングロール１３０としては、表面粗度（中心線平均粗さ（算術平均粗さ）Ｒａまたは二乗平均平方根粗さＲｑ）が低いものを使用してもよい。この場合、プレッシングの遂行時に透明導電体に発生するスクラッチの発生を減少させることができる。具体的に、表面粗度は、０．８Ｓ以下であってもよい。前記範囲では、プレッシングの遂行時に積層体に発生するスクラッチの発生をさらに減少させることができ、透明導電体の面抵抗偏差をさらに低下させることができる。
【００４３】
なお、プレッシングは、積層体を所定範囲の走行速度で移動させながら第１のプレッシングロール１３０で積層体に所定範囲のプレッシング圧力を加えることで行われても良い。
【００４４】
具体的に、前記走行速度は、積層体がプレッシングロールを通過する移動速度であって、例えば、１ｍ／ｍｉｎ〜２０ｍ／ｍｉｎになってもよい。前記範囲で、プレッシングによる面抵抗偏差低下の効果が優秀になり得る。
【００４５】
具体的に、前記プレッシング圧力（ｎｉｐ  ｐｒｅｓｓｕｒｅ）は、第１のプレッシングロールが透明導電体に加える圧力であって、例えば、０．２ＭＰａ〜１０ＭＰａになってもよい。前記範囲で、プレッシングによる面抵抗偏差低下の効果を奏することができる。
【００４６】
図１には示していないが、積層体は、ロール−ツー−ロール（ｒｏｌｌ−ｔｏ−ｒｏｌｌ）方式、またはコンベヤーベルトによる方式で走行されてもよく、これに制限されることはない。
【００４７】
前記プレッシング方法を通じて、基材層１１０及び導電性ネットワーク１２０を含む積層体をプレッシングすると、基材層１１０及び稠密化された金属ナノワイヤを含む導電性ネットワーク１６０を含む透明導電体を得ることができる。この場合、
性ネットワーク１６０は、金属ナノワイヤ間の接触が向上し、導電性及び通電性が向上する。
【００４８】
導電性ネットワーク１２０の厚さは、例えば、６０ｎｍ〜２００ｎｍになってもよい。前記範囲内では、プレッシングによる金属ナノワイヤの圧着が効果的であるので、透明導電体の面抵抗偏差を低下させることができる。また、前記範囲では、製造される透明導電体を透明電極フィルムとして使用することができる。
【００４９】
一実施形態の製造装置１００は、第１のプレッシングロール１３０の加圧及び回転を用いて積層体の移動を行うことができる。この場合、第１のプレッシングロールの回転速度は、積層体の走行速度によって変わり得る。具体的に、第１のプレッシングロールの回転速度は１ｍ／ｍｉｎ〜２０ｍ／ｍｉｎにし、第１のプレッシングロールの回転方向は積層体の走行方向と同一の方向に設定することができる。この場合、積層体の移動が容易になり、第１のプレッシングロール１３０によるプレッシング効果が向上し得る。
【００５０】
図１に示してはいないが、本実施形態に係る透明導電体の製造方法は、プレッシング後、導電性ネットワーク１２０上にマトリックス形成用組成物を塗布して硬化させ、導電層を形成することをさらに含んでもよい。マトリックスは、外部環境による導電性ネットワーク、例えば、金属ナノワイヤの酸化を防止し、導電性ネットワーク１２０と基材層１１０との間の接着力を高めることができる。
【００５１】
また、図１には示していないが、本実施形態に係る透明導電体の製造方法は、導電性ネットワーク上にマトリックス形成用組成物を塗布して硬化させ、導電層を形成した後、透明導電体をパターン化することをさらに含んでもよい。パターン化は、導電層の全体または一部に対して行ってもよく、パターン化により、透明導電体を表示装置の電極フィルムとして使用することができる。前記パターン化は、当業界で知られている通常の方法で行われてもよく、例えば、乾式エッチングまたは湿式エッチングなどの方法で行われてもよい。
【００５２】
以下、図２を参考にして、本発明の他の実施形態に係る透明導電体の製造装置２００の構成を説明する。図２は、本発明の他の実施形態に係る透明導電体の製造装置２００である。
【００５３】
他の実施形態に係る透明導電体の製造装置２００は、透明導電体を第１のプレッシングロール１３０及び第１のプレッシングロール１３０と対向する第２のプレッシングロール１７０でプレッシングすることを含む。本実施形態の透明導電体の製造装置２００は、第１のプレッシングロールとこれに対向する第２のプレッシングロール１７０を共に使用してプレッシングを行う点を除いては、本発明の一実施形態の製造装置１００と実質的に同一である。そのため、以下では、第２のプレッシングロール１７０及び第１のプレッシングロール１３０と第２のプレッシングロール１７０との関係を中心に説明する。
【００５４】
第２のプレッシングロール１７０は、プレッシング時に積層体の基材層１１０と接触する。この場合、基材層も所定範囲の圧力で加圧することができる。また、第１のプレッシングロール１３０のみを使用してプレッシングする場合に比べて、積層体をさらに圧着させることによって、面抵抗偏差をさらに低下させ、導電性をさらに高めることができる。
【００５５】
第２のプレッシングロール１７０は、第１のプレッシングロール１３０と対向し、第２のプレッシングロール１７０と第１のプレッシングロール１３０との間には所定範囲のギャップが形成される。すなわち、ギャップは、第１のプレッシングロール１３０と第２のプレッシングロール１７０との間の間隔である。前記積層体は、前記ギャップを通過しながら、第１のプレッシングロール１３０と第２のプレッシングロール１７０が加える圧力によってプレッシングされる。ギャップは、積層体の厚さによって適切なサイズに調節できる。具体的に、ギャップは、０μｍ〜１００μｍ、例えば、５０μｍ〜１００μｍになってもよい。前記範囲では、導電層内の導電性ネットワークをプレッシングし、導電性の均一度を高める効果が優秀になり得る。
【００５６】
第２のプレッシングロール１７０は、第１のプレッシングロール１３０に比べて弾性度が低くなってもよい。具体的に、第２のプレッシングロール１７０の弾性度は、第１のプレッシングロール１３０の弾性度の０．１倍〜０．９倍であってもよい。この場合、透明導電体の金属ナノワイヤを圧着する効果がさらに優秀になり、面抵抗偏差をさらに低下させることができる。
【００５７】
一実施形態の第２のプレッシングロール１７０は、例えば、硬度、表面粗度、及び／または摩擦係数などを第１のプレッシングロール１３０と同一にしてもよい。他の実施形態の第２のプレッシングロール１７０は、例えば、硬度、表面粗度、及び／または摩擦係数などを第１のプレッシングロール１３０と異ならせてもよい。
【００５８】
具体的に、第２のプレッシングロール１７０は、ショアＤ硬度が第１のプレッシングロール１３０と同一であるか、それより高くてもよい。この場合、プレッシングによる透明導電体の薄型化効果を具現することができる。具体的に、第２のプレッシングロールは、ショアＤ硬度がＤ−９０以上、例えば、Ｄ−１００以上であってもよい。前記範囲内では、第２のプレッシングロール１７０は、透明導電体をさらに薄型化することができる。
【００５９】
第２のプレッシングロール１７０は、表面粗度が第１のプレッシングロール１３０と同一であるか、それより高くてもよい。具体的に、第２のプレッシングロールの表面粗度は、０．８Ｓ以下であり、かつ第１のプレッシングロール１３０の表面粗度よりも高い値になってもよい。前記範囲では、第２のプレッシングロール１７０は、透明導電体の表面のスクラッチを減少させ、面抵抗偏差をより低下させることができる。
【００６０】
第２のプレッシングロール１７０は、加硫ゴムまたは金属材質で形成されてもよい。前記加硫ゴムは、例えば、合成ゴムに２０質量以上を加えたものであってもよい。前記金属材質は、例えば、ＳＵＳ（Ｓｔｅｅｌ  Ｕｓｅ  Ｓｔａｉｎｌｅｓｓ、またはＳｔａｉｎｌｅｓｓ  Ｓｔｅｅｌ）、またはＳＵＳロールにＣｔがコーティングされたものであってもよい。この場合、第２のプレッシングロール１７０は、積層体をさらに薄型化することができる。
【００６１】
第２のプレッシングロール１７０は、加圧及び回転を用いて積層体の移動を行うことができる。第２のプレッシングロール１７０の回転速度は、第１のプレッシングロール１３０と同一にするか、または異ならせてもよい。具体的に、第１のプレッシングロールの回転速度は、第２のプレッシングロールの速度の１倍〜１．１倍になってもよい。前記範囲では、積層体の外観を良好にし、面抵抗偏差を低下させることができる。また、第２のプレッシングロール１７０の回転方向は、積層体の走行方向と同一の方向に設定してもよい。この場合、プレッシング効果をさらに高めることができる。
【００６２】
一具体例の製造装置２００は、第１のプレッシングロール１３０と第２のプレッシングロール１７０の速度を実質的に同一にすることができる。この場合、金属ナノワイヤの損傷を防止することができる。
【００６３】
第２のプレッシングロール１７０の回転速度は、例えば、１ｍ／ｍｉｎ〜２０ｍ／ｍｉｎになってもよい。前記範囲で、プレッシングによる面抵抗偏差抵抗の効果が優秀になり得る。
【００６４】
一具体例の製造装置２００において、第１のプレッシングロール１３０と第２のプレッシングロール１７０が積層体に加えるプレッシング圧力（ｎｉｐ  ｐｒｅｓｓｕｒｅ）は、例えば、０．２ＭＰａ〜１０ＭＰａになってもよい。前記範囲では、プレッシングによる面抵抗偏差低下の効果に優れ、積層体の薄型化効果があり得る。
【００６５】
本明細書において、「プレッシング圧力」とは、０μｍ〜１００μｍのギャップ、１ｍ／ｍｉｎ〜２０ｍ／ｍｉｎのプレッシングロールの走行速度、０．２ＭＰａ〜１０ＭＰａのニップ圧（ｎｉｐ  ｐｒｅｓｓｕｒｅ）下で５０μｍ〜７５μｍの厚さの感圧紙（Ｆｕｊｉｆｉｌｍ社製造、ＰＲＥＳＣＡＬＥ）に加えられる圧力を測定したものである。このとき、プレッシングロールは、第１のプレッシングロール；または第１のプレッシングロール及び第２のプレッシングロールを意味し得る。前記感圧紙（Ｆｕｊｉｆｉｌｍ社製造、ＰＲＥＳＣＡＬＥ）を前記条件でプレッシングしたときに変色する程度を専用スキャナー（Ｆｕｊｉｆｉｌｍ、ＦＰＤ−８０１０Ｅ）を通じて数値化することによって、プレッシング圧力を算出する。
【００６６】
図２を参照すると、積層体は、ロール１９０、１９５によってロール−ツー−ロール方式で走行してもよいが、これに制限されることはない。
【００６７】
以下、図３を参考にして本発明の一実施形態に係る透明導電体３００の構成を説明する。図３は、本発明の一実施形態に係る透明導電体３００の断面図である。
【００６８】
図３を参照すると、本発明の一実施形態に係る透明導電体３００は、基材層１１０と、基材層１１０上に形成され、金属ナノワイヤ及びマトリックスを含む導電層１８０とを含んでもよい。
【００６９】
基材層１１０は、可撓性絶縁フィルムであってもよい。例えば、基材層１１０は、ポリエチレンテレフタレート（ｐｏｌｙｅｔｈｙｌｅｎｅ  ｔｅｒｅｐｈｔｈａｌａｔｅ、ＰＥＴ）、ポリエチレンナフタレートなどを含むポリエステルフィルム；ポリカーボネート樹脂；環状オレフィンポリマー；ポリオレィン樹脂；ポリスルホン樹脂、ポリイミド樹脂、シリコン樹脂、ポリスチレン樹脂、ポリアクリル樹脂、ポリビニルクロライド樹脂、またはこれらの混合物などを含むフィルムになってもよいが、これに制限されることはない。また、基材層は、単一層であってもよく、または、２種以上の樹脂フィルムが接着剤などによって積層された形態になってもよい。
【００７０】
基材層１１０の厚さは、１０μｍ〜１００μｍ、具体的に３０μｍ〜１００μｍ、４０μｍ〜９０μｍ、より具体的に３０μｍ〜８０μｍになってもよい。前記範囲では、ディスプレイ、例えば、フレキシブルディスプレイに有利に使用することができる。
【００７１】
導電層１８０は、基材層１１０の上部面に形成されてもよい。導電層１８０は、金属ナノワイヤ１２１及びマトリックス１２２を含む。導電層１８０は、金属ナノワイヤ１２１で形成された導電性ネットワーク（すなわち図１、図２に示す導電性ネットワーク１６０）を含んでもよく、これを通じて、導電性、良好な柔軟性及び屈曲性を有することができる。このような導電層は、エッチングなどのパターニング方法によってパターン化されて電極を形成することができ、柔軟性を確保するのでフレキシブル装置に使用することができる。具体例において、前記電極は、第１の方向と第２の方向に複数のライン形態を有してもよい。
【００７２】
金属ナノワイヤ１２１は、ナノワイヤの形状を有するので、金属ナノ粒子に比べて分散性が良い。また、金属ナノワイヤ１２１は、粒子形状とナノワイヤ形状との相違点により、透明導電性フィルムの面抵抗を著しく低下させる効果を提供することができる。金属ナノワイヤ１２１は、特定断面を有する極微細線の形態を有する。具体例において、金属ナノワイヤの断面の直径（ｄ）に対するナノワイヤの長さ（Ｌ）の比（Ｌ／ｄ、アスペクト比）は１０〜２，０００になってもよい。例えば、ナノワイヤのＬ／ｄは、５００〜１，０００、より具体的に５００〜７００になってもよい。前記範囲では、低いナノワイヤの密度でも高い伝導性ネットワークを具現することができ、面抵抗が低くなり得る。
【００７３】
金属ナノワイヤは、断面の直径（ｄ）が１００ｎｍ以下になってもよい。例えば、金属ナノワイヤの断面の直径（ｄ）は、３０ｎｍ〜１００ｎｍまたは６０ｎｍ〜１００ｎｍになってもよい。前記範囲では、高いＬ／ｄを確保するので、伝導性が高く、且つ面抵抗が低い透明導電体を具現することができる。金属ナノワイヤは、長さ（Ｌ）が２０μｍ以上になってもよい。例えば、金属ナノワイヤの長さ（Ｌ）は、２０μｍ〜５０μｍになってもよい。前記範囲では、高いＬ／ｄを確保するので、伝導性が高く、且つ面抵抗が低い導電性フィルムを具現することができる。金属ナノワイヤ１２１は、任意の金属で製造されたナノワイヤを含んでもよい。例えば、金属ナノワイヤ１２１は、銀ナノワイヤ、銅ナノワイヤ、金ナノワイヤまたはこれらの混合物になってもよい。一具体例において、ナノワイヤとしては、銀ナノワイヤまたはこれを含む混合物を使用してもよい。
【００７４】
金属ナノワイヤ１２１は、通常の方法で製造したり、商業的に市販される製品であってもよい。製造して使用する場合は、例えば、ポリオールとポリ（ビニルピロリドン）の存在下で、金属塩（例えば、窒酸銀、ＡｇＮＯ３）の還元反応を通じて合成することができる。商業的に市販される製品を使用する場合は、例えば、Ｃａｍｂｒｉｏｓ社の製品（例えば、ＣｌｅａｒＯｈｍ  Ｉｎｋ．，金属ナノワイヤ含有溶液）を使用することができる。金属ナノワイヤは、塗布容易性及び基材層１１０との付着力向上のために液体に分散された状態で使用されてもよく、金属ナノワイヤが液体に分散された状態を、本願では「金属ナノワイヤ分散液」という。前記金属ナノワイヤ分散液は、基材層１１０との付着などの向上のためにバインダーを含んでもよい。金属ナノワイヤ１２１は、前記金属ナノワイヤ分散液中に０．１質量％〜２．５質量％、例えば、１質量％〜２．５質量％で含まれてもよい。前記範囲で、金属ナノワイヤは、伝導性ネットワークを形成することによって十分な伝導性を確保することができ、基材層に対する付着力効果があり得る。
【００７５】
マトリックス１２２は、金属ナノワイヤ１２１を含有する。マトリックス１２２内に金属ナノワイヤ１２１が散在されているか、埋没されていてもよい。マトリックス１２２は、金属ナノワイヤ１２１が導電層１８０の上部に露出して酸化及び磨耗されることを防止することができる。このようなマトリックス１２２は、導電層１８０と基材層１１０との間の接着力を付与し、透明導電体の光学特性、耐化学性、耐溶剤性などを高めることもできる。また、一部の金属ナノワイヤ１２１は、マトリックス１２２の表面に突出して露出してもよい。
【００７６】
マトリックス１２２は、マトリックス用組成物で形成されてもよい。マトリックス用組成物は、マトリックスの形成を容易にするためにバインダー及び開始剤を含んでもよい。
【００７７】
前記バインダーは、単官能または多官能モノマーのうち一つ以上を含んでもよい。多官能モノマーは、具体的に、２官能〜６官能のモノマーであってもよい。前記単官能または多官能モノマーは、例えば、（メタ）アクリレート系であってもよい。
【００７８】
前記（メタ）アクリレート系単官能または多官能モノマーは、フッ素を含有するフッ素系モノマー、またはフッ素を含有しない非フッ素系モノマーであってもよい。また、（メタ）アクリレート系単官能または多官能モノマーは、ウレタン基を含まない非ウレタン系であって、線形の炭素数１〜２０のアルキル基、または分枝型の炭素数１〜２０のアルキル基を有する（メタ）アクリレート、ヒドロキシ基を有する炭素数１〜２０の（メタ）アクリレート、脂環族基を有する炭素数３〜２０の（メタ）アクリレート、炭素数３〜２０の多価アルコールの多官能（メタ）アクリレート、またはこれらの混合物になってもよい。
【００７９】
具体的に、バインダーは、５官能または６官能モノマー；及び３官能モノマーを含んでもよい。前記５官能または６官能モノマーは、（メタ）アクリレート基を有する５官能または６官能（メタ）アクリレートモノマーであってもよく、具体的に、炭素数３〜２０の多価アルコールの５官能モノマーまたは６官能モノマーになってもよい。一具体例において、ウレタン基を有さない非ウレタン系５官能または６官能モノマーを含む場合、特に、金属ナノワイヤ１２１の構造内の硬化物の積層が稠密になり、基材層１１０に対する付着性が向上し得る。
【００８０】
５官能または６官能モノマーは、ジペンタエリスリトールペンタ（メタ）アクリレート、ジペンタエリスリトールヘキサ（メタ）アクリレート、カプロラクトン変性ジペンタエリスリトールペンタ（メタ）アクリレート、及びカプロラクトン変性ジペンタエリスリトールヘキサ（メタ）アクリレートのうち一つ以上を含んでもよいが、これに制限されることはない。
【００８１】
３官能モノマーは、（メタ）アクリレート基を有する３官能（メタ）アクリレートモノマーであってもよい。一具体例において、ウレタン基を有さない非ウレタン系３官能モノマーを含むことによって、金属ナノワイヤ１２１の構造内の硬化物の積層が稠密になり、基材層１１０に対する付着性がさらに向上し得る。３官能モノマーは、炭素数３〜２０の多価アルコールの３官能モノマー、及びアルコキシ基に改質された炭素数３〜２０の多価アルコールの３官能モノマーのうち一つ以上を含んでもよい。
【００８２】
炭素数３〜２０の多価アルコールの３官能モノマーは、より具体的に、トリメチロールプロパントリ（メタ）アクリレート、グリセロールトリ（メタ）アクリレート、ペンタエリスリトールトリ（メタ）アクリレート、及びジペンタエリスリトールトリ（メタ）アクリレートうち一つ以上を含んでもよいが、これに制限されることはない。アルコキシ基に改質された炭素数３〜２０の多価アルコールの３官能モノマーは、アルコキシ基を有さない３官能モノマーに比べて、透明導電体の透過度及び信頼性をさらに高めることができ、透過ｂ＊値を低下させ、導電層が黄色に歪曲されたように見える現象を防止することができる。アルコキシ基（例えば、炭素数１〜５のアルコキシ基）を有する３官能モノマーは、具体的に、アルコキシ基に改質された（メタ）アクリレート系モノマーであってもよく、例えば、エトキシ化されたトリメチロールプロパントリ（メタ）アクリレート、及びプロポキシ化されたグリセリルトリ（メタ）アクリレートのうち一つ以上を含んでもよいが、これに制限されることはない。前記５官能または６官能モノマー：３官能モノマーは、マトリックス用組成物中に１：１〜５：１、より具体的に１：１〜３．５：１の質量比で含まれてもよい。前記範囲では、透明導電体の透過度及び信頼性が高くなり、基材層１１０との付着力が向上し得る。
【００８３】
開始剤は、通常の光重合開始剤であって、開始剤としては、例えば、α−ヒドロキシケトン系列、より具体的には、１−ヒドロキシシクロヘキシルフェニルケトンまたはこれを含む混合物を使用してもよい。
【００８４】
導電層１８０は、基材層上に前記金属ナノワイヤ分散液を塗布することによって導電成ネットワークを形成し、この導電性ネットワークをプレッシングした後、導電成ネットワーク上にマトリックス用組成物を塗布して形成することができる。
【００８５】
金属ナノワイヤ分散液は、塗布容易性及び基材層との付着力を向上させるために金属ナノワイヤ用バインダーを含んでもよい。前記金属ナノワイヤ用バインダーとしては、特別に限定されることなく、例えば、カルボキシメチルセルロース（ｃａｒｂｏｘｙ  ｍｅｔｈｙｌ  ｃｅｌｌｕｌｏｓｅ；ＣＭＣ）、２−ヒドロキシエチルセルロース（２−ｈｙｄｒｏｘｙ  ｅｔｈｙｌ  ｃｅｌｌｕｌｏｓｅ；ＨＥＣ）、ヒドロキシプロピルメチルセルロース（ｈｙｄｒｏｘｙ  ｐｒｏｐｙｌ  ｍｅｔｈｙｌ  ｃｅｌｌｕｌｏｓｅ；ＨＰＭＣ）、メチルセルロース（ｍｅｔｈｙｌｃｅｌｌｕｌｏｓｅ；ＭＣ）、ポリビニルアルコール（ｐｏｌｙ  ｖｉｎｙｌ  ａｌｃｏｈｏｌ；ＰＶＡ）、トリプロピレングリコール（ｔｒｉｐｒｏｐｙｌｅｎｅ  ｇｌｙｃｏｌ；ＴＰＧ）、ポリビニルピロリドン系、キサンタンゴム（ｘａｎｔｈａｎ  ｇｕｍ；ＸＧ）、エトキシレート、アルコキシレート、酸化エチレン、酸化プロピレンまたはそれらの共重合体を使用してもよい。金属ナノワイヤ分散液を基材層上にコーティングする方法は、特別に制限されないが、バーコーティング、スピンコーティング、ディップコーティング、ロールコーティング、フローコーティング、ダイコーティングなどによってもよい。金属ナノワイヤ分散液を基材層上にコーティングした後で乾燥させ、基材層上に導電成ネットワークを形成することができる。乾燥は、例えば、８０℃〜１４０℃で１分〜３０分間行ってもよい。
【００８６】
マトリックス用組成物は、上述したバインダー及び開始剤を含んでもよく、場合によって溶剤をさらに含んでもよい。マトリックス用組成物は、具体的に、上述した通りである。導電成ネットワーク上にマトリックス用組成物をコーティングする方法は、特別に制限されないが、バーコーティング、スピンコーティング、ディップコーティング、ロールコーティング、フローコーティング、ダイコーティングなどによってもよい。
【００８７】
導電成ネットワーク上にコーティングされたマトリックス用組成物は、導電成ネットワーク内に浸透される。これにより、金属ナノワイヤは、マトリックス用組成物内に含浸され、金属ナノワイヤ及びマトリックスを含む導電層を形成することができる。金属ナノワイヤは、マトリックスに全体的に含浸されたり、導電層の表面に部分的に露出した状態で存在し得る。マトリックス用組成物をコーティングした後、乾燥させるステップをさらに含んでもよい。例えば、８０℃〜１２０℃で１分〜３０分間乾燥させてもよく、乾燥後、光硬化及び熱硬化のうち一つ以上を行ってもよい。光硬化は、４００ｎｍ以下の波長で３００ｍＪ／ｃｍ２〜１０００ｍＪ／ｃｍ２の光量を照射して行ってもよく、熱硬化は、５０℃〜２００℃で１時間〜１２０時間の熱硬化を含んでもよい。
【００８８】
他の各例示において、透明導電体は、基材層とは別途に導電層を製造し、別途に製造された導電層を基材層上に積層して製造することもできる。積層体の製造時、基材層に、例えば、プラズマ処理、洗浄処理などを行うことによって、表面が均一な透明導電体３００を具現することができる。
【００８９】
以下、図４を参考にして、本発明の他の実施形態に係る透明導電体４００の構成を説明する。図４は、本発明の他の実施形態に係る透明導電体４００の断面図である。
【００９０】
図４を参照すると、本発明の他の実施形態に係る透明導電体４００は、基材層１１０と、基材層１１０上に形成され、金属ナノワイヤ及びマトリックスを含む導電層１８０と、導電層１８０上に形成されるオーバーコーティング層１８５とを含む。本実施形態の透明導電体４００は、オーバーコーティング層１８５がさらに形成された点を除いては、本発明の一実施形態に係る透明導電体３００（図３）と実質的に同一であるので、以下では、オーバーコーティング層１８５を中心に説明する。
【００９１】
オーバーコーティング層１８５は、金属ナノワイヤの外部環境による酸化を防止し、透明性及びヘーズなどの透明導電体４００の光学的特性を向上させることができる。オーバーコーティング層１８５は、オーバーコーティング層用組成物を塗布・硬化させて形成されてもよく、前記オーバーコーティング層用組成物は、紫外線硬化型樹脂、熱硬化型樹脂、紫外線硬化型モノマー及び熱硬化型モノマーのうち一つ以上を含んでもよい。また、オーバーコーティング層用組成物は、開始剤、付着増進剤及び酸化防止剤のうち１種以上をさらに含んでもよい。
【００９２】
付着増進剤は、通常のシランカップリング剤であって、付着増進剤としては、例えば、３−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、３−グリシドキシプロピルメチルジメトキシシラン、２−（３，４−エポキシシクロヘキシル）エチルトリメトキシシラン、３−アミノプロピルトリメトキシシラン、Ｎ−（２−アミノエチル）−３−アミノプロピルトリメトキシシラン、Ｎ−（２−アミノエチル）−３−アミノプロピルメチルジメトキシシランを使用してもよい。
【００９３】
酸化防止剤としては、例えば、リン系酸化防止剤、フェノール系酸化防止剤、ＨＡＬＳ（ｈｉｎｄｅｒｅｄ  ａｍｉｎｅ  ｌｉｇｈｔ  ｓｔａｂｉｌｉｚｅｒ）系酸化防止剤を使用してもよい。
【００９４】
開始剤は、通常の光重合開始剤として、開始剤としては、例えば、α−ヒドロキシケトン系列、特に、１−ヒドロキシシクロヘキシルフェニルケトンまたはこれを含む混合物を使用してもよい。
【００９５】
本発明の各実施形態に係る透明導電体３００、４００は、面抵抗偏差が２０％未満になってもよい。例えば、透明導電体の面抵抗偏差は、１６％以下に低くなってもよい。前記面抵抗偏差の範囲を有する透明導電体は、反り及び面積拡大による抵抗の増加が低下し得る。このような透明導電体は、大面積ディスプレイ、フレキシブルディスプレイ、タッチスクリーンパネルなどに有利に適用することができる。
【００９６】
前記透明導電体の面抵抗偏差は、上述したように、透明導電体の面積を分画した後で測定する。具体的に、プレッシングされた透明導電体の面積を、同一の面積を有する複数の区画に分画する。その後、前記複数の区画からそれぞれ面抵抗を測定し、複数の面抵抗値を得た後、下記の式１によって計算する。面抵抗は接触式面抵抗または非接触式面抵抗などであってもよい。
例えば、接触式面抵抗は接触式の測定装置Ｒ−ＣＨＥＫ  ＲＣ２１７５（ＥＤＴＭ社）で測定することができ、非接触式面抵抗は非接触式の測定装置ＥＣ−８０Ｐ（ＮＡＰＳＯＮ社）で測定することができる。
【００９７】
［式１］
面抵抗偏差（ＲＳｄ）＝│（ＲＳｍａｘ−ＲＳａｖｇ）／ＲＳａｖｇ×１００│
【００９８】
前記式１において、最大面抵抗（ＲＳｍａｘ）は、複数の区画から測定された各面抵抗値のうち最も大きな値で、面抵抗平均値（ＲＳａｖｇ）は、複数の区画から測定された各面抵抗値のうち最大値（ＲＳｍａｘ）と最小値（ＲＳｍｉｎ）の平均値である。前記最小値（ＲＳｍｉｎ）は、複数の区画から測定された各面抵抗値のうち最も小さい値を意味する。
【００９９】
透明導電体３００は、可視光線領域、例えば、４００ｎｍ〜７００ｎｍで透明性を有することができる。具体例において、透明導電体３００は、４００ｎｍ〜７００ｎｍの波長でヘーズメーターで測定されたヘーズが１．５％以下、具体的に１．０％以下であってもよい。また、透明導電体３００は、前記波長での全光線透過率が９０％以上、具体的に９０％〜９５％になってもよい。前記範囲で、透明導電体３００を透明導電体として使用することができる。
【０１００】
透明導電体３００は、４−プローブで測定された面抵抗が１５０（Ω／ｓｑ）以下、具体的に５０（Ω／ｓｑ）〜１５０（Ω／ｓｑ）、より具体的に５０（Ω／ｓｑ）〜１００（Ω／ｓｑ）になってもよい。前記範囲では、面抵抗が低いので、タッチパネル用電極フィルムとして有利に使用される。
【０１０１】
本発明の各実施形態の表示装置は、上述した透明導電体を含んでもよい。前記表示装置は、具体的に、タッチスクリーンパネル、フレキシブルディスプレイなどを含む光学表示装置、Ｅ−ペーパーなどであってもよい。また、透明導電体は、太陽電池などに使用されても良い。もちろん、透明導電体の用途は上記に制限されることはない。
【０１０２】
以下、本発明の一実施形態に係る表示装置を図５を参考にして説明する。図５は、本発明の一実施形態に係る表示装置の断面図である。
【０１０３】
図５を参照すると、本発明の一実施形態に係る光学表示装置５００は、基材層１１０、基材層１１０の上部面に形成された第１の電極２５５と第２の電極２６０、及び基材層１１０の下部面に形成された第３の電極２６５と第４の電極２７０を含む透明電極体２３０と、第１の電極２５５及び第２の電極２６０の上部に形成されたウィンドウ２０５と、第３の電極２６５及び第４の電極２７０の下部に形成された第１の偏光板２３５と、第１の偏光板２３５の下部面に形成されたＣＦ（ＣＯＬＯＲ  ＦＩＬＴＥＲ）ガラス２４０と、ＣＦガラス２４０の下部面に形成され、ＴＦＴ（ＴＨＩＮ  ＦＩＬＭ  ＴＲＡＮＳＩＳＴＯＲ）ガラス２４５を含むパネルと、ＴＦＴガラス２４５の下部面に形成された第２の偏光板２５０とを含んでもよい。透明電極体２３０は、本発明の実施形態に係る透明導電体をそれぞれ所定の方法（例えば、エッチングなど）でパターニングし、第１の電極、第２の電極、第３の電極及び第４の電極を形成することによって製造することができる。
【０１０４】
第１の電極２５５と第２の電極２６０はＲｘ電極になり、第３の電極２６５と第４の電極２７０はＴｘ電極になってもよく、その逆の場合も本発明の範囲に含まれ得る。ウィンドウ２０５は、光学表示装置で画面表示機能を行うものであって、通常のガラス材質またはプラスチック材質で製造することができる。第１の偏光板２３５及び第２の偏光板２５０は、光学表示装置に偏光性能を付与するためのものであって、外部光または内部光を偏光させることができ、偏光子、または偏光子と保護フィルムの積層体を含んでもよく、偏光子及び保護フィルムは、偏光板分野で知られている通常のものを含んでもよい。ウィンドウ２０５と透明電極体２３０との間及び透明電極体２３０と第１の偏光板２３５との間にそれぞれ粘着フィルム２１０、２１２を付加することによって、透明電極体２３０、ウィンドウ２０５及び第１の偏光板２３５の間の結合を維持することができる。粘着フィルム２１０、２１２は、通常の粘着フィルムであって、例えば、ＯＣＡ（ｏｐｔｉｃａｌ  ｃｌｅａｒ  ａｄｈｅｓｉｖｅ）フィルムになってもよい。
【実施例】
【０１０５】
以下、本発明の好ましい実施例を通じて本発明の構成及び作用をより詳細に説明する。ただし、これは、本発明の好ましい例示として提示されたものであって、如何なる意味でも、これによって本発明が制限されると解釈してはならない。
【０１０６】
（実施例１）
金属ナノワイヤ（銀ナノワイヤ）含有溶液（Ｃｌｅａｒｏｈｍ  Ｉｎｋ、Ｃａｍｂｒｉｏｓ社）４８質量部を超純水蒸留水５２質量部に入れて撹拌し、金属ナノワイヤ分散液を製造した。
【０１０７】
ジペンタエリスリトールヘキサアクリレート（ＳＫ  ＣＹＴＥＣ社）６５．４質量部、エトキシ化されたトリメチロールプロパントリアクリレート（ＳＡＲＴＯＭＥＲ社）２０．８質量部、開始剤Ｉｒｇａｃｕｒｅ  １８４（ＣＩＢＡ社）４．３質量部、付着増進剤ＫＢＥ−９０３（ＳＨＩＮ−ＥＴＳＵ社）８．６質量部、及び酸化防止剤Ｉｒｇａｎｏｘ  １０１０とＩｒｇａｆｏｓ  １６８（ＢＡＳＦ社）混合物０．９質量部を含むマトリックス用組成物を製造した。
【０１０８】
前記金属ナノワイヤ分散溶液をポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）フィルム上にコーティングし、８０℃のオーブンで２分間乾燥させ、基材層及び導電性ネットワークを含む積層体を製造した。
【０１０９】
前記積層体をコンベヤーベルトで走行させながらエボナイトロール(加硫含量が２５質量％)を回転させ、積層体をプレッシングすることによって透明導電体を製造した。
【０１１０】
このとき、プレッシング圧力（ｎｉｐ  ｐｒｅｓｓｕｒｅ）は０．７ＭＰａ、積層体の走行速度は１ｍ／分にした。
【０１１１】
その後、導電性ネットワーク上にマトリックス用組成物をコーティングし、コーティング層を５０ｎｍの厚さに形成した。その後、８０℃のオーブンで２分間乾燥させ、３００ｍＪ／ｃｍ２でＵＶ硬化させて、基材層及び導電層を含む積層体を製造した。
【０１１２】
（実施例２）
金属ナノワイヤ（Ｃｌｅａｒｏｈｍ  Ｉｎｋ、Ｃａｍｂｒｉｏｓ社）４８質量部を超純水蒸留水５２質量部に入れて撹拌し、金属ナノワイヤ分散溶液を製造した。
【０１１３】
ジペンタエリスリトールヘキサアクリレート（ＳＫ  ＣＹＴＥＣ社）６５．４質量部、エトキシ化されたトリメチロールプロパントリアクリレート（ＳＡＲＴＯＭＥＲ社）２０．８質量部、開始剤Ｉｒｇａｃｕｒｅ  １８４（ＣＩＢＡ社）４．３質量部、付着増進剤ＫＢＥ−９０３（ＳＨＩＮ−ＥＴＳＵ社）８．６質量部、及び酸化防止剤Ｉｒｇａｎｏｘ  １０１０とＩｒｇａｆｏｓ  １６８（ＢＡＳＦ社）混合物０．９質量部を含むマトリックス用組成物を製造した。
【０１１４】
前記金属ナノワイヤ分散溶液をポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）フィルム上にコーティングし、８０℃のオーブンで２分間乾燥させ、基材層及び導電性ネットワークを含む積層体を製造した。
【０１１５】
エボナイトロール（第１のプレッシングロール）と、エボナイト材質のロールと所定のギャップで隣接しているＳＵＳ／Ｃｒロール（第２のプレッシングロール）との間に積層体を通過させながらプレッシングした。プレッシング時、エボナイトロールは導電層と接触させ、ＰＥＴフィルムはＳＵＳ／Ｃｒロールと接触させた。プレッシング圧力は０．７ＭＰａにし、ギャップ間隔は０μｍにし、積層体の走行速度は１ｍ／ｍｉｎにし、エボナイトロールとＳＵＳ／Ｃｒロールの回転速度は同一にした。
【０１１６】
その後、導電性ネットワーク上にマトリックス用組成物を再びコーティングし、コーティング層を５０ｎｍの厚さに形成した。その後、８０℃のオーブンで２分間乾燥させ、３００ｍＪ／ｃｍ２でＵＶ硬化させることによって基材層及び導電層を含む積層体を製造した。
【０１１７】
（比較例１）
エボナイトロールを同一直径のＮＢＲ（ｎｉｔｒｉｌｅ  ｂｕｔａｄｉｅｎｅ  ｒｕｂｂｅｒ）ロールに変更したことを除いては、実施例２と同一の方法で透明導電体を製造した。
【０１１８】
（比較例２）
エボナイトロールを同一直径のシリコンゴムロール（ＲＴＶ）に変更したことを除いては、実施例２と同一の方法で透明導電体を製造した。このとき、シリコンゴムロールの表面粗度は０．８Ｓであった。
【０１１９】
（比較例３）
エボナイトロールを同一直径のＳＵＳ／Ｃｒロールに変更したことを除いては、実施例２と同一の方法で透明導電体を製造した。
【０１２０】
＜物性評価方法＞
実施例と比較例の透明導電体に対して下記の方法で物性を評価し、その結果を下記の表１に示した。
【０１２１】
（１）面抵抗偏差：上記の各実施例及び比較例で作製された透明導電体から試験片を切り出した。そして、この試験片の表面を同一面積の複数の区画（５０ｍｍ×５０ｍｍ）に分画し、それぞれの区画で面抵抗（単位：Ω／ｓｑ）を測定した。面抵抗は非接触式の測定装置ＥＣ−８０Ｐ（ＮＡＰＳＯＮ社）で測定した。前記複数の区画から測定した面抵抗値を下記の式１に代入して計算した。
【０１２２】
［式１］
面抵抗偏差（ＲＳｄ）＝│（ＲＳｍａｘ−ＲＳａｖｇ）／ＲＳａｖｇ×１００│
【０１２３】
前記式１において、最大面抵抗（ＲＳｍａｘ）は、複数の区画から測定された各面抵抗値のうち最も大きな値で、面抵抗平均値（ＲＳａｖｇ）は、複数の区画から測定された各面抵抗値のうち最大値（ＲＳｍａｘ）と最小値（ＲＳｍｉｎ）の平均値である。前記最小値（ＲＳｍｉｎ）は、複数の区画から測定された各面抵抗値のうち最も小さい値を意味する。
【０１２４】
（２）外観：透明導電体のうち導電層側の表面を光学顕微鏡で観察し、イメージを比較した。銀ナノワイヤ剥離の有無、スクラッチの有無を評価した。銀ナノワイヤの剥離とスクラッチがない場合は「良好」と評価し、銀ナノワイヤの剥離及び／またはスクラッチがある場合は「不良」と評価した。
【０１２５】
【表１】
2015138557.tif 000003
＊プレッシングロールの表面硬度：ＡＳＴＭ  Ｄ２２４０に規定される方法で測定した結果。
【０１２６】
前記表１に示すように、本発明の製造方法で製造された透明導電体の場合、金属ナノワイヤの剥離とスクラッチがないので、面抵抗偏差が低く、且つ外観が良好な透明導電体を得ることができる。
【０１２７】
その一方、表１に示すように、ショア硬度が本発明に比べて低いＮＢＲまたはシリコンロールを第１のプレッシングロールとして使用して製造された比較例１と２の透明導電体の場合、スクラッチはないが、金属ナノワイヤの剥離があり、面抵抗偏差が本発明に比べて高く、且つ外観も不良であった。
【０１２８】
また、表１に示すように、ショア硬度が本発明に比べて著しく高いＳＵＳ／Ｃｒロールを第１のプレッシングロールとして使用して製造された比較例３の透明導電体の場合、銀ナノワイヤの剥離はないが、スクラッチがあり、面抵抗偏差が本発明に比べて高く、且つ外観も不良であった。
【０１２９】
本発明の単純な変形及び変更は、この分野で通常の知識を有する者によって容易に実施することができ、このような変形や変更は、いずれも本発明の領域に含まれるものと見なすことができる。
【符号の説明】
【０１３０】
１１０：基材層、１２０：導電性ネットワーク、１３０：第１のプレッシングロール、１６０：導電性ネットワーク
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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