(57)【要約】      （修正有）【課題】信頼性の向上及びオン抵抗の低減が可能な半導体装置を提供する。【解決手段】半導体チップ１と、金属製のリードフレーム２と、樹脂製の封止部４と、金属製のコネクタ３とを備える。半導体チップ１は、表面電極を有する。リードフレーム２は、半導体チップ１を搭載する第１部分２１と第１部分２１から離間して設けられた第２部分２２とを有する。封止部４は、半導体チップ１を覆うように形成される。コネクタ３は、半導体チップ１の表面に接合された第１接合部と、リードフレーム２の第２部分２２の表面に接合された平板状の第２接合部と、第１接合部と第２接合部との間を連結する連結部３３とを有する。第２接合部は、リードフレーム２の第２部分２２に対して垂直に接合される。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
表面電極を有する半導体チップと、
前記半導体チップを搭載する第１部分と前記第１部分から離間して設けられた第２部分とを有する金属製のリードフレームと、
前記半導体チップを覆うように形成された樹脂製の封止部と、
前記半導体チップの表面に接合された第１接合部と、前記リードフレームの前記第２部分の表面に接合された平板状の第２接合部と、前記第１接合部と前記第２接合部との間を連結する連結部とを有し、前記第２接合部は、前記リードフレームの前記第２部分に対して垂直に接合された金属製のコネクタと、
を備える半導体装置。
【請求項２】
前記第２接合部は、金属により一体に形成された前記コネクタのうち、前記連結部から前記第２部分に向かって屈曲した平板上の部分であり、前記第２接合部の前記第２部分側の端部が前記第２部分に接合されることにより、前記第２接合部と前記第２部分とが垂直に接合される
請求項１に記載の半導体装置。
【請求項３】
前記第２部分の表面に、前記第２部分と前記第２接合部との接合面を囲むように、溶融した接合剤の濡れを抑制する濡れ防止部を備える
請求項１又は請求項２に記載の半導体装置。
【請求項４】
前記濡れ防止部は、酸化膜により形成される
請求項３に記載の半導体装置。
【請求項５】
前記コネクタの第１接合部は、裏面に複数の凸部を有する
請求項１〜請求項４のいずれか１項に記載の半導体装置。
【請求項６】
前記コネクタの第２接合部の下端部の側面の少なくとも一部には凹部が形成される
請求項１〜請求項５のいずれか１項に記載の半導体装置。
【請求項７】
前記コネクタの前記第２接合部の側面には、当該第２接合部の高さの３分の１以上の高さの接合剤によるフィレットが形成される
請求項１〜請求項６のいずれか１項に記載の半導体装置。
【請求項８】
前記コネクタの第１接合部及び連結部の少なくとも一方の表面には、少なくとも１つの凹部が形成される
請求項１〜請求項７のいずれか１項に記載の半導体装置。
【請求項９】
前記コネクタの第１接合部の表面の少なくとも一部に、シリコン、ポリイミド、及びポリアミドの少なくとも１つを含む絶縁部を有する
請求項１〜請求項８のいずれか１項に記載の半導体装置。
【請求項１０】
前記コネクタは、銅、ニッケルメッキされた銅、銀メッキされた銅、金メッキされた銅、銅合金、又はアルミニウムにより形成される
請求項１〜請求項９のいずれか１項に記載の半導体装置。
【請求項１１】
リードフレームの第１部分の表面に、表面電極を有する半導体チップを接合し、
前記半導体チップの表面と、前記第１部分から離間して設けられた前記リードフレームの第２部分の表面と、に接合剤を塗布し、
前記半導体チップの表面に接合される第１接合部と、前記リードフレームの前記第２部分の表面に接合される平板状の第２接合部と、前記第１接合部及び前記第２接合部との間を連結する連結部とを有する金属製のコネクタを、前記第２接合部が前記リードフレームの第２部分に対して垂直に接合されるように、前記接合剤により前記半導体チップと前記リードフレームとに接合し、
前記半導体チップ及び前記コネクタを覆うように樹脂により封止することを具備する半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明の実施形態は、半導体装置及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体チップとリードフレームとがコネクタにより電気的に接続された従来の半導体装置では、コネクタをリフロー処理により接合する際、溶融した半田の浮力によって、コネクタの位置ずれや傾斜が発生するという問題があった。コネクタの位置ずれや傾斜は、クラックの発生、歩留まりの低下、コネクタと樹脂の剥離、及び各種の信頼性の低下などの問題を招く恐れがあった。
【０００３】
また、従来の半導体装置では、半導体チップや、半導体チップとリードフレームとを接続する接続端子（ワイヤやコネクタ）は、絶縁性の樹脂により全体を覆われていた。このような従来の半導体装置では、金属と比較して熱伝導率の低い樹脂を介して放熱が行われるため、半導体チップで発生した熱を十分に放熱することが困難であった。例えば、車載用途や産業用途の半導体装置のように、使用の際に大電流が流れる半導体装置では、半導体チップで発生する熱が大きくなり問題であった。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開2002-076195号公報（米国特許6545364号明細書）
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
信頼性の向上及びオン抵抗の低減が可能な半導体装置を提供する。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本実施形態に係る半導体装置は、半導体チップと、金属製のリードフレームと、樹脂製の封止部と、金属製のコネクタとを備える。半導体チップは、表面電極を有する。リードフレームは、半導体チップを搭載する第１部分と第１部分から離間して設けられた第２部分とを有する。封止部は、半導体チップを覆うように形成される。コネクタは、半導体チップの表面に接合された第１接合部と、リードフレームの第２部分の表面に接合された平板状の第２接合部と、第１接合部と第２接合部との間を連結する連結部とを有する。第２接合部は、リードフレームの第２部分に対して垂直に接合される。
【図面の簡単な説明】
【０００７】
【図１】第１実施形態に係る半導体装置を示す概略構成図。
【図２】第１実施形態に係る半導体装置の他の例を示す概略構成図。
【図３】第１実施形態に係る半導体装置の他の例を示す概略構成図。
【図４】第１実施形態に係る半導体装置の他の例を示す概略構成図。
【図５】第１実施形態に係る半導体装置の他の例を示す概略構成図。
【図６】第１実施形態に係る半導体装置の製造工程を示す説明図。
【図７】第２実施形態に係る半導体装置を示す概略構成図。
【図８】第３実施形態に係る半導体装置を示す概略構成図。
【発明を実施するための形態】
【０００８】
以下、本発明の実施形態に係る半導体装置及びその製造方法について図面を参照して説明する。
【０００９】
（第１実施形態）
まず、第１実施形態に係る半導体装置について、図１〜図５を参照して説明する。本実施形態に係る半導体装置は、半導体チップ１とリードフレーム２とがコネクタ３により電気的に接続され、半導体チップ１が樹脂製の封止部４により封止されている。
【００１０】
ここで、図１（Ａ）は、本実施形態に係る半導体装置を示す平面図である。図１（Ａ）において、半導体チップ１を封止する封止部４は省略されている。また、図１（Ｂ）は、図１（Ａ）のＸ−Ｘ線断面図である。図１（Ｂ）において、半導体チップ１を封止する封止部４は図示されている。図２〜図７についても同様であり、平面図では封止部４が省略され、断面図では封止部４が図示されているものとする。図１に示すように、本実施形態に係る半導体装置は、半導体チップ１と、リードフレーム２と、コネクタ３と、封止部４と、接合部５１，５２，５３と、を備える。
【００１１】
半導体チップ１は、例えば、ＩＧＢＴ（Insulated Gate Bipolar Transistor）、パワーＭＯＳ（Metal Oxide Semiconductor)トランジスタ、及びパワーＩＣ（Integrated Circuit）などを内部に有しており、これらを駆動するための電極を表面及び裏面に有している。半導体チップ１の表面に形成された電極（以下、「表面電極」という）は、半導体チップ１の表面の全体又は一部に設けられる。表面電極は、例えば、高圧側電源と接続される。半導体チップ１の裏面に形成された電極（以下、「裏面電極」という）は、半導体チップ１の裏面の全体又は一部に設けられる。裏面電極は、例えば、低圧側電源と接続される。なお、本説明において、表面とは断面図における上側の面を示し、裏面とは断面図における下側の面を示すものとする。半導体チップ１は、リードフレーム２のベッド部２１に接合されている。
【００１２】
リードフレーム２は、半導体チップ１が固定される金属製の板状部材であり、ベッド部２１と、ポスト部２２，２３とを備える。図１（Ａ）に示すように、ベッド部２１及びポスト部２２，２３は、半導体チップ１と外部配線とを接続するためのアウターリード２４をそれぞれ備えている。また、図１（Ｂ）に示すように、リードフレーム２のベッド部２１は、裏面が封止部４から露出している。
【００１３】
ベッド部２１（第１部分）の表面には、半導体チップ１が搭載されている。半導体チップ１は、接合部５１により、ベッド部２１の表面に接合されている。接合部５１は、導電性の接合剤により形成され、接合剤として、例えば、半田や、銀を含む導電性の樹脂が用いられる。導電性の接合部５１により、ベッド部２１の表面と半導体チップ１の裏面とが接合され、ベッド部２１と半導体チップ１の裏面電極とが電気的に接続される。また、これによりベッド部２１のアウターリード２４に接続された外部配線（例えば低圧側電源）と、半導体チップ１の裏面電極と、が電気的に接続される。
【００１４】
上述の通り、ベッド部２１は、金属製のため樹脂に比べて熱伝導率が高い。また、封止部４からベッド部２１の裏面が露出している。本実施形態に係る半導体装置は、このように構成されたベッド部２１を介して半導体チップ１で発生した熱を放熱することができるため、半導体装置の放熱性を向上させることができる。
【００１５】
ポスト部２２（第２部分）は、コネクタ３を介して半導体チップ１の表面電極と電気的に接続される。ポスト部２２は、アウターリード２４を介して外部配線と接続される。ポスト部２２は、ベッド部２１から離間して設けられている。
【００１６】
ポスト部２３は、半導体チップ１の制御電極と電気的に接続される。半導体チップ１の制御電極は、ポスト部２３と電気的に接続されることにより、ポスト部２３のアウターリード２４と接続された外部配線（例えば制御回路）と電気的に接続される。半導体チップ１の制御電極とポスト部２３とは、ワイヤやコネクタなど任意の接続端子により電気的に接続される。ポスト部２３は、ベッド部２１及びポスト部２２から離間して設けられている。
【００１７】
なお、ベッド部２１及びポスト部２２，２３は、互いに絶縁されていればよく、例えば、ベッド部２１とポスト部２２，２３との間に絶縁性の樹脂が埋め込まれていてもよい。
【００１８】
コネクタ３は、半導体チップ１の表面電極とポスト部２２とを電気的に接続するための金属製の板状部材である。コネクタ３が半導体チップ１の表面電極とポスト部２２とを電気的に接続することにより、半導体チップ１の表面電極とポスト部２２のアウターリード２４に接続された外部配線（例えば高圧側電源）とが電気的に接続される。
【００１９】
コネクタ３は、例えば、銅、ニッケルメッキされた銅、銀メッキされた銅、金メッキされた銅、銅合金、又はアルミニウムなどの金属材料により形成される。これにより、コネクタ３は、アルミニウム、金、銅などの金属材料により形成されるワイヤと比べて、優れた低オン抵抗特性を示すとともに、接合剤との高い密着性を示す。コネクタ３は、チップ接合部３１と、ポスト接合部３２と、連結部３３とを備える。
【００２０】
チップ接合部３１（第１接合部）の裏面は、接合部５２により、半導体チップ１の表面に接合される。接合部５２は、導電性の接合剤により形成され、接合剤として、例えば、半田や、銀を含む導電性の樹脂材が用いられる。導電性の接合部５２により、チップ接合部３１と半導体チップ１の表面とが接合される。これにより、チップ接合部３１と半導体チップ１の表面電極とが電気的に接続される。
【００２１】
チップ接合部３１は、図１に示すように、平板状であり、半導体チップ１の表面の全部又は一部を覆うように配置され、裏面、すなわち、半導体チップ１と接合される側の面に複数の凸部３４が形成されている。凸部３４は、半抜き加工などのプレス加工により形成されており、平面視形状は矩形である。複数の凸部３４の少なくとも一部は、Ｘ方向（図１のＸ−Ｘ線方向）及びＹ方向（図１のＸ−Ｘ線と垂直な方向）のそれぞれに対して平行でない位置に配置されるのが好ましい。このように凸部３４を配置することで、後述するリフロー処理における接合剤の溶融時に、凸部３４が半導体チップ１を押さえ込むように働き、接合部５２の高さのばらつきが抑制される。したがって、コネクタ３が半導体チップ１に対して傾いて接合されることを防ぐことができる。
【００２２】
図１において、接合面の面積に対する凸部３４の総面積の割合は所定値以下とされるのが好ましい。これは、凸部３４の総面積の割合が所定値より大きくなると、凸部３４に起因するボイドの発生や応力の増加により、オン抵抗の増大や、接合強度及び信頼性の低下などの問題が生じるおそれがあるためである。このような問題を避けるために、凸部３４の総面積の割合は、例えば、５％以下とされる。なお、凸部３４の数、形状、配置は任意に設計可能である。
【００２３】
また、チップ接合部３１の表面には、少なくとも１つの凹部３５が形成される。図１において、チップ接合部３１の裏面の凸部３４をプレス加工で形成したことにより、凸部３４の反対側の表面に凹部３５が形成されている。チップ接合部３１の表面に凹部３５を形成すると、アンカー効果によりチップ接合部３１と封止部４との密着強度が向上する。これにより、リフロー処理などの熱処理の際に、チップ接合部３１と封止部４との剥離を抑制し、接合部５２に負荷される応力を低減することができる。
【００２４】
なお、凹部３５は、図１のようにプレス加工により凸部３４と一体に形成されてもよいし、図２に示すように、凸部３４とは別に形成されてもよい。図２に示すような凹部３５は、例えば、レーザ加工などにより形成することができる。
【００２５】
また、凹部３５は、図３に示すように、切り欠き加工により、チップ接合部３１の外周部に形成されてもよい。いずれの場合も、凹部３５の数、形状、及び配置は、任意に設計することができる。
【００２６】
いずれの場合であっても、チップ接合部３１の表面の面積が裏面の面積より大きくなるように、凸部３４及び凹部３５を形成するのが好ましい。これにより、チップ接合部３１と封止部４との密着強度を向上させることができる。
【００２７】
ポスト接合部３２（第２接合部）は、接合部５３により、リードフレーム２のポスト部２２の表面と接合される。接合部５３は、導電性の接合剤により形成され、接合剤として、例えば、半田や、銀を含む導電性の樹脂材が用いられる。導電性の接合部５３により、ポスト接合部３２とポスト部２２とが接合されることにより、ポスト接合部３２とポスト部２２とが電気的に接続される。
【００２８】
ポスト接合部３２は、チップ接合部３１に対して垂直な平板状に形成されている。すなわち、ポスト接合部３２は、金属により一体に形成されたコネクタ３のうち、連結部３３からポスト部２２に向かって屈曲した平板上の部分である。ポスト接合部３２のポスト部２２側の端部がポスト部２２に接合されることにより、ポスト接合部３２は、ポスト部２２に対して垂直に接合される。このような構成により、ポスト接合部３２をポスト部２２に接合する際、ポスト接合部３２に負荷される溶融した接合剤の浮力が小さくなる。したがって、接合部５３の厚さのばらつきを抑制し、コネクタ３が傾斜して接合されることを防ぐことができるとともに、溶融した接合剤の浮力によりポスト接合部３２が位置ずれすることを防ぐことができる。
【００２９】
また、溶融した接合剤は、ポスト接合部３２の側面を這い上がってフィレットを形成するため、ポスト接合部３２とポスト部２２の接合強度を十分に確保し、応力によるクラックの発生などを防ぐことができる。本実施形態において、接合部５３のフィレットの高さは、ポスト接合部３２とポスト部２２の接合強度が十分に確保されるように、ポスト接合部３２の高さの３分の１以上であることが好ましい。
【００３０】
また、ポスト接合部３２は、図４に示すように、ポスト部２２と接合される下端部の側面の少なくとも一部に凹部３６を有するのが好ましい。凹部３６は、切り欠き加工などにより形成することができる。凹部３６の長さ及び高さは任意に設計可能であるが、例えば、長さがポスト接合部３２の下端部の長さの３分の１、高さがポスト接合部３２の高さの３分の１になるように形成される。このような構成により、ポスト接合部３２をポスト部２２に接合する際、溶融した接合剤による浮力がさらに小さくなるため、コネクタ３の傾きやポスト接合部３２の位置ずれを抑制することができる。また、溶融した接合剤が凹部３６に侵入し、接合部５３の水平方向の面積が小さくなるため、接合部５３に負荷される応力を低減することができる。
【００３１】
連結部３３は、チップ接合部３１とポスト接合部３２との間を連結する部分である。連結部３３は、チップ接合部３１とポスト接合部３２とを接続可能な任意の形状に形成することが可能であり、図１に示すように、連結部３３は、チップ接合部３１と平行な平板状に形成されてもよい。
【００３２】
また、連結部３３の表面には、少なくとも１つの凹部３７が形成されるのが好ましい。連結部３３の表面に凹部３７を形成すると、アンカー効果により連結部３３と封止部４との密着強度が向上する。これにより、リフロー処理などの熱処理の際に、連結部３３と封止部４との剥離を抑制することができる。
【００３３】
凹部３７は、図２に示すように、レーザ加工により連結部３３の表面に形成されてもよいし、図３に示すように、切り欠き加工により連結部３３の表面の外周部に形成されてもよい。また、凹部３７は、図５に示すように、打ち抜き加工により連結部３３の表面から裏面まで貫通するように形成されてもよい。いずれの場合も、凹部３７の数、形状、及び配置は、任意に設計することができる。
【００３４】
封止部４は、半導体チップ１の全体を覆うように形成され、半導体チップ１を外力や外気から保護するとともに、半導体装置の筐体を構成する。封止部４は、裏面からリードフレーム２が露出し、側面からアウターリード２４が突出するように、絶縁性の樹脂により形成される。
【００３５】
以上説明したとおり、本実施形態に係る半導体装置は、平板状のポスト接合部３２をポスト部２２に対して垂直に接合するため、接合剤の溶融時にポスト接合部３２に対して負荷される接合剤の浮力が小さくなる。これにより、接合部５３を均一な厚さに形成され、コネクタ３の傾斜を抑制されるとともに、ポスト接合部３２の位置ずれが抑制される。このように、コネクタ３の傾斜や位置ずれによる信頼性の低下が抑制されるため、本実施形態に係る半導体装置は、高い信頼性を有する。
【００３６】
また、本実施形態に係る半導体装置は、半導体チップ１で発生した熱が、リードフレーム２のベッド部２１を介して放熱される。ベッド部２１は、裏面が封止部４から露出し、熱伝導性の高い金属製である。したがって、本実施形態に係る半導体装置は高い放熱性を有する。このような構成により、本実施形態に係る半導体装置は、高い放熱性を要求される、ＩＧＢＴ、パワーＭＯＳトランジスタ、及びパワーＩＣなどを備えたパワーモジュールとして好適に利用することができる。
【００３７】
なお、半導体装置は、半導体チップを複数備える構成も可能である。例えば、高電圧側の半導体チップと低電圧側の半導体チップとを備え、２つの半導体チップがコネクタ３を介して接続されたインバータなどに適用することができる。
【００３８】
次に、本実施形態に係る半導体装置の製造方法について、図６を参照して説明する。ここで、図６は、本実施形態に係る半導体装置の製造方法を示す説明図であり、図６（Ａ）〜（Ｄ）は、各工程における半導体装置の断面図を示している。
【００３９】
まず、リードフレーム２のベッド部２１の表面の所定の位置に、半田ペーストや銀を含む樹脂ペーストなどの接合剤を塗布し、当該接合剤上に半導体チップ１を載置する。そして、半導体チップ１をリフロー処理によりベッド部２１に接合する。すなわち、半導体チップ１が載置された状態で加熱し、接合剤を溶融させ、除熱により接合剤を凝固させる。これにより、接合部５１が形成され、接合部５１により半導体チップ１がベッド部２１の表面に接合される（図６（Ａ）参照）。
【００４０】
次に、半導体チップ１の表面の所定の位置及びリードフレーム２のポスト部２２の表面の所定の位置に、半田ペーストや銀を含む樹脂などの接合剤を塗布し、当該接合剤上にコネクタ３を載置する（図６（Ｂ）参照）。そして、コネクタ３をリフロー処理によりに接合する。すなわち、コネクタ３が載置された状態で加熱し、接合剤を溶融させ、除熱により接合剤を凝固させる。これにより、接合部５２，５３が形成され、接合部５２によりポスト接合部３２がポスト部２２に接合され、接合部５３によりチップ接合部３１が半導体チップ１の表面に接合される（図６（Ｃ）参照）。この際、接合部５３には、ポスト接合部３２の高さの３分の１以上の高さのフィレットが形成されるのが好ましい。
【００４１】
次に、図６（Ｃ）の状態の半導体装置をモールド金型に導入して樹脂成形する。すなわち、半導体チップ１の全体が覆われるように絶縁性の樹脂により封止する（図６（Ｄ）参照）。図６（Ｄ）において、コネクタ３、リードフレーム２のベッド部２１及びポスト部２２，２３は、封止部４により全体が覆われており、リードフレーム２のアウターリード２４は、封止部４の側面から突出している。
【００４２】
このようにして形成された封止部４の裏面を、例えば、ＣＭＰ（Chemical Mechanical Polishing）法を用いて研磨することにより、図１に示す本実施形態に係る半導体装置が製造される。封止部４の裏面は、リードフレーム２のベッド部２１の裏面の少なくとも一部が露出するまで研磨される。
【００４３】
このように、樹脂成形後に封止部４の裏面を研磨することにより、封止部４を平坦化し、封止部４の表面側及び裏面側の応力を低減することができる。これにより、半導体装置の信頼性を向上させることができる。また、封止部４の表面を研磨することにより、封止部４を平坦化させてもよい。
【００４４】
以上説明したとおり、本実施形態に係る半導体装置の製造方法によれば、平板状のポスト接合部３２をポスト部２２に対して垂直に載置した後、リフロー処理により接合剤を溶融させ、ポスト接合部３２をポスト部２２に接合する。したがって、リフロー処理の際の接合剤の溶融時にポスト接合部３２に対して負荷される接合剤の浮力を小さくすることができる。これにより、溶融した接合剤によるコネクタ３の傾斜や位置ずれを抑制し、半導体装置の信頼性を向上させることができる。
【００４５】
なお、本実施形態に係る半導体装置の製造方法において、リードフレーム２のベッド部２１に接合剤を塗布した後のリフロー処理を省略し、当該リフロー処理を、コネクタ３を接合するためのリフロー処理と一括して行うこともできる。
【００４６】
また、本実施形態に係る半導体装置の製造方法において、リードフレーム２の裏面が、封止部４により覆われないように樹脂成形することできる。このような構成により、上述の研磨工程を削減、あるいは簡略化することができる。
【００４７】
（第２実施形態）
次に、第２実施形態に係る半導体装置について図７を参照して説明する。本実施形態に係る半導体装置は、リードフレーム２のポスト部２２とコネクタ３のポスト接合部３２との接合面を囲むように、濡れ防止部６１が形成されている。他の構成及び製造方法については第１実施形態と同様であるため説明を省略する。
【００４８】
濡れ防止部６１は、溶融した接合剤の濡れ性が悪く（接触角が小さく）なるように加工された部分であり、例えば、リードフレーム２のポスト部２２の表面をレーザ加工することにより形成可能である。レーザ加工により加工部位に形成される酸化膜は、周囲に比べて濡れ性が悪くなるため、濡れ防止部６１として機能する。
【００４９】
濡れ防止部６１は、例えば、接合面から５０μｍ以上離間して接合面を取り囲むように所定間隔で形成される。濡れ防止部６１の長さや配置などのデザインは、接合面の電圧特性や面積に応じて任意に選択可能である。
【００５０】
本実施形態によれば、ポスト部２２とポスト接合部３２とを接合するためのリフロー処理の際、接合面の外側への溶融した接合剤の流れが抑制されるため、ポスト接合部３２を接合する接合剤の量を適量化することができる。したがって、接合剤の量の多寡による半導体素子の信頼性の低下を抑制することができる。
【００５１】
（第３実施形態）
次に、第３実施形態に係る半導体装置について、図８を参照して説明する。本実施形態に係る半導体装置は、コネクタ３のチップ接合部３１の表面の一部に、エンキャップ剤からなる絶縁部３８を有する。他の構成及び製造方法については第１実施形態と同様であるため説明を省略する。
【００５２】
絶縁部３８は、チップ接合部３１の表面にエンキャップ剤を塗布することにより形成される。エンキャップ剤には、例えば、一液熱硬化性のシリコンゲル、ポリイミド、及びポリアミドの少なくとも１つが含まれる。チップ接合部３１の表面には、エンキャップ剤が流れて半導体チップ１を覆わないように、絶縁部３８の周囲を囲むように濡れ防止部６２が形成される。あるいは、チップ接合部３１の表面に絶縁部３８の周囲を囲むように半抜き加工が施されてもよい。
【００５３】
以上のような構成により、本実施形態によれば、チップ接合部３１の表面に絶縁部３８を設けることにより、チップ接合部３１の耐湿性を向上させることができるとともに、チップ接合部３１と封止部４との密着強度を向上させ、リフロー処理などの熱処理において封止部４がコネクタ３から剥離することを防ぐことができる。また、絶縁部３８が半導体チップ１を覆わないように構成されるため、半導体素子の動作時及び高温・低温サイクル時のアルミニウム電極のスライド（Ａｌスライド）を防ぐことができる。
【００５４】
本発明のいくつかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これら新規な実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これら実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれるとともに、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる。
【符号の説明】
【００５５】
１：半導体チップ
２：リードフレーム
２１：ベッド部
２２，２３：ポスト部
３：コネクタ
３１：チップ接合部
３２：ポスト接合部
３３：連結部
３４：凸部
３５，３６，３７：凹部
３８：絶縁部
４：封止部
５１，５２，５３：接合部
６１，６２：濡れ防止部
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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