(57)【要約】【課題】基本波帯域の損失の増加を招くことなく、２次高調波帯域を十分に抑圧することができるようにする。【解決手段】第１の可変キャパシタ８ａと第１のインダクタ９ａからなる第１の直列共振回路１０ａを第１の経路５ａとグランド間に接続するとともに、第２の可変キャパシタ８ｂと第２のインダクタ９ｂからなる第２の直列共振回路１０ｂを第２の経路５ｂとグランド間に接続し、制御部１１が、経路５ａ，５ｂに直列に接続されている第１及び第２のスイッチ７ａ，７ｂのＯＮ／ＯＦＦ状態を制御するとともに、可変キャパシタ８ａ，８ｂのキャパシタンスを制御する。【選択図】図１
2015195449.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の周波数帯域の信号及び第２の周波数帯域の信号を増幅するトランジスタと、
一端が前記トランジスタの出力端子と接続され、他端が第１の出力端子と接続されており、途中に第１のスイッチが直列に挿入されている第１の経路と、
一端が前記トランジスタの出力端子と接続され、他端が第２の出力端子と接続されており、途中に第２のスイッチが直列に挿入されている第２の経路と、
一端が前記第１の経路と接続され、他端が接地されており、第１の可変キャパシタと第１のインダクタからなる第１の直列共振回路と、
一端が前記第２の経路と接続され、他端が接地されており、第２の可変キャパシタと第２のインダクタからなる第２の直列共振回路と、
前記第１及び第２のスイッチの開閉状態を制御するとともに、前記第１及び第２の可変キャパシタのキャパシタンスを制御する制御部と
を備えたマルチバンド高周波電力増幅器。
【請求項２】
前記制御部は、
前記第１の周波数帯域の信号が前記トランジスタに入力される場合、
前記第１のスイッチを閉の状態、前記第２のスイッチを開の状態に制御するとともに、
前記第１の出力端子から前記第１の直列共振回路を見込んだインピーダンスが前記第１の周波数帯域における基本波周波数の中心周波数に対してオープンの状態になり、前記第１の周波数帯域における２次高調波周波数の中心周波数に対してショートの状態になるように前記第１の可変キャパシタのキャパシタンスを制御し、
前記第２の周波数帯域の信号が前記トランジスタに入力される場合、
前記第１のスイッチを開の状態、前記第２のスイッチを閉の状態に制御するとともに、
前記第２の出力端子から前記第２の直列共振回路を見込んだインピーダンスが前記第２の周波数帯域における基本波周波数の中心周波数に対してオープンの状態になり、前記第２の周波数帯域における２次高調波周波数の中心周波数に対してショートの状態になるように前記第２の可変キャパシタのキャパシタンスを制御することを特徴とする請求項１記載のマルチバンド高周波電力増幅器。
【請求項３】
前記制御部は、
前記第１の周波数帯域の信号が前記トランジスタに入力される場合、
前記第２の出力端子から前記第２の直列共振回路を見込んだインピーダンスが前記第１の周波数帯域における基本波周波数の中心周波数に対してショートの状態になるように前記第２の可変キャパシタのキャパシタンスを制御し、
前記第２の周波数帯域の信号が前記トランジスタに入力される場合、
前記第１の出力端子から前記第１の直列共振回路を見込んだインピーダンスが前記第２の周波数帯域における基本波周波数の中心周波数に対してショートの状態になるように前記第１の可変キャパシタのキャパシタンスを制御することを特徴とする請求項２記載のマルチバンド高周波電力増幅器。
【請求項４】
第１の周波数帯域の信号及び第２の周波数帯域の信号を増幅するトランジスタと、
一端が前記トランジスタの出力端子と接続され、他端が第１の出力端子と接続されており、途中に前記第２の周波数帯域の中心周波数に対して１／４波長の長さを有する第１の伝送線路が直列に挿入されている第１の経路と、
一端が前記トランジスタの出力端子と接続され、他端が第２の出力端子と接続されており、途中に前記第１の周波数帯域の中心周波数に対して１／４波長の長さを有する第２の伝送線路が直列に挿入されている第２の経路と、
一端が前記第１の経路と接続され、他端が接地されており、第１の可変キャパシタと第１のインダクタからなる第１の直列共振回路と、
一端が前記第２の経路と接続され、他端が接地されており、第２の可変キャパシタと第２のインダクタからなる第２の直列共振回路と、
前記第１及び第２の可変キャパシタのキャパシタンスを制御する制御部と
を備えたマルチバンド高周波電力増幅器。
【請求項５】
前記制御部は、
前記第１の周波数帯域の信号が前記トランジスタに入力される場合、
前記第１の出力端子から前記第１の直列共振回路を見込んだインピーダンスが前記第１の周波数帯域における基本波周波数の中心周波数に対してオープンの状態になり、前記第１の周波数帯域における２次高調波周波数の中心周波数に対してショートの状態になるように前記第１の可変キャパシタのキャパシタンスを制御し、
前記第２の周波数帯域の信号が前記トランジスタに入力される場合、
前記第２の出力端子から前記第２の直列共振回路を見込んだインピーダンスが前記第２の周波数帯域における基本波周波数の中心周波数に対してオープンの状態になり、前記第２の周波数帯域における２次高調波周波数の中心周波数に対してショートの状態になるように前記第２の可変キャパシタのキャパシタンスを制御することを特徴とする請求項４記載のマルチバンド高周波電力増幅器。
【請求項６】
前記制御部は、
前記第１の周波数帯域の信号が前記トランジスタに入力される場合、
前記第２の出力端子から前記第２の直列共振回路を見込んだインピーダンスが前記第１の周波数帯域における基本波周波数の中心周波数に対してショートの状態になるように前記第２の可変キャパシタのキャパシタンスを制御し、
前記第２の周波数帯域の信号が前記トランジスタに入力される場合、
前記第１の出力端子から前記第１の直列共振回路を見込んだインピーダンスが前記第２の周波数帯域における基本波周波数の中心周波数に対してショートの状態になるように前記第１の可変キャパシタのキャパシタンスを制御することを特徴とする請求項５記載のマルチバンド高周波電力増幅器。
【請求項７】
前記第１及び第２の可変キャパシタは、キャパシタとスイッチからなる直列回路が複数並列に接続された構成であり、
前記制御部は、前記複数の直列回路におけるスイッチの開閉状態を制御することで、前記第１及び第２の可変キャパシタのキャパシタンスを切り替えることを特徴とする請求項１から請求項６のうちのいずれか１項記載のマルチバンド高周波電力増幅器。
【請求項８】
前記第１及び第２の可変キャパシタが、可変容量ダイオードで構成されており、
前記制御部は、前記可変容量ダイオードの容量を制御することを特徴とする請求項１から請求項６のうちのいずれか１項記載のマルチバンド高周波電力増幅器。
【請求項９】
第１の周波数帯域の信号及び第２の周波数帯域の信号を増幅するトランジスタと、
一端が前記トランジスタの出力端子と接続され、他端が第１の出力端子と接続されており、途中に前記第２の周波数帯域の中心周波数に対して１／４波長の長さを有する第１の伝送線路が直列に挿入されている第１の経路と、
一端が前記トランジスタの出力端子と接続され、他端が第２の出力端子と接続されており、途中に前記第１の周波数帯域の中心周波数に対して１／４波長の長さを有する第２の伝送線路が直列に挿入されている第２の経路と、
一端が前記第１の出力端子と接続されている第１のスイッチと、
一端が前記第２の出力端子と接続され、他端が前記第１のスイッチの他端と接続されている第２のスイッチと、
一端が前記第１及び第２のスイッチの他端と接続され、他端が接地されているキャパシタと、
前記第１及び第２のスイッチの開閉状態を制御する制御部と
を備えたマルチバンド高周波電力増幅器。
【請求項１０】
前記キャパシタは、前記第１及び第２のスイッチの他端から前記キャパシタを見込んだインピーダンスが、前記第１及び第２の周波数帯域における基本波周波数と２次高調波周波数において、５０オーム系のスミスチャートで絶対値が０．９５以上、位相が−４５度以上で０度以下になるキャパシタンスを有しており、
前記制御部は、
前記第１の周波数帯域の信号が前記トランジスタに入力される場合、前記第１のスイッチを開の状態、前記第２のスイッチを閉の状態に制御し、
前記第２の周波数帯域の信号が前記トランジスタに入力される場合、前記第１のスイッチを閉の状態、前記第２のスイッチを開の状態に制御することを特徴とする請求項９記載のマルチバンド高周波電力増幅器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は、複数の周波数帯域のＲＦ信号を増幅するマルチバンド高周波電力増幅器に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
近年、携帯端末においては、サービスエリアの拡大や、国際ローミングの普及に伴って、より多くの周波数バンドや通信方式への対応が求められている。
このため、携帯端末に搭載される電力増幅器モジュールは増加の一途を辿っており、実装面積やコストの増加が問題になっている。
そこで、１つの電力増幅器で複数の周波数バンドや複数の通信方式に対応可能なマルチモード・マルチバンド化が進められている。
広帯域整合によってマルチバンド化された電力増幅器では、広帯域な周波数帯域に対して低歪みで、かつ、高効率な動作が求められるだけでなく、出力信号に含まれる高調波帯域についても広帯域に亘って抑圧する必要がある。特に２次高調波帯域は、基本波帯域と周波数的に近いために電力レベルが高くなり易いので、対策が必要である。
【０００３】
例えば、シングルバンド高周波電力増幅器のように狭帯域な電力増幅器では、インダクタとキャパシタからなる直列共振回路を出力整合回路と並列に接続することで、ＲＦトランジスタから出力される２次高調波を抑圧する手法が一般的に用いられている。
従来の一般的なマルチバンド高周波電力増幅器では、広帯域に２次高調波の成分を抑圧するために、図１１に示すように、ＲＦトランジスタ１０１のコレクタ端子に接続されている広帯域整合回路１０２と並列に、２つの直列共振回路１０３を接続することがある。
しかし、２つの直列共振回路１０３を接続すると、基本波帯域の通過損失が増加してしまう問題が生じる。
【０００４】
以下の特許文献１には、ＲＦトランジスタ１１１のコレクタ端子に狭帯域な直列共振回路１１２と広帯域な直列共振回路１１３を接続しているマルチバンド高周波電力増幅器が開示されている（図１２を参照）。
このマルチバンド高周波電力増幅器では、狭帯域な直列共振回路１１２の共振周波数を２次高調波帯域の低域周波数に設定し、広帯域な直列共振回路１１３の共振周波数を２次高調波帯域の高域周波数に設定することで、基本波帯域の損失増加を抑えながら、２次高調波帯域における損失を増加させて、広帯域に２次高調波帯域を抑圧するようにしている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２００８−１０３８７４号公報（図１）
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
従来のマルチバンド高周波電力増幅器は以上のように構成されているので、特許文献１の場合、２次高調波帯域における損失を増加させて、広帯域に２次高調波の成分を抑圧することができる。しかし、対応する周波数帯域が更に広くなると、２次高調波帯域を抑圧する広帯域な直列共振回路１１３の通過特性を更に広帯域な通過特性に変更する必要がある。対応する周波数帯域が、例えば、比帯域が２０％程度まで広くなると、広帯域な直列共振回路１１３で基本波帯域の損失増加を招くことなく、２次高調波帯域を十分に抑圧することが可能な通過特性を実現することが困難になり、基本波帯域の損失が増加してしまう課題があった。
【０００７】
この発明は上記のような課題を解決するためになされたもので、基本波帯域の損失の増加を招くことなく、２次高調波帯域を十分に抑圧することができるマルチバンド高周波電力増幅器を得ることを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
この発明に係るマルチバンド高周波電力増幅器は、第１の周波数帯域の信号及び第２の周波数帯域の信号を増幅するトランジスタと、一端がトランジスタの出力端子と接続され、他端が第１の出力端子と接続されており、途中に第１のスイッチが直列に挿入されている第１の経路と、一端がトランジスタの出力端子と接続され、他端が第２の出力端子と接続されており、途中に第２のスイッチが直列に挿入されている第２の経路と、一端が第１の経路と接続され、他端が接地されており、第１の可変キャパシタと第１のインダクタからなる第１の直列共振回路と、一端が第２の経路と接続され、他端が接地されており、第２の可変キャパシタと第２のインダクタからなる第２の直列共振回路とを設け、制御部が、第１及び第２のスイッチの開閉状態を制御するとともに、第１及び第２の可変キャパシタのキャパシタンスを制御するようにしたものである。
【発明の効果】
【０００９】
この発明によれば、第１の可変キャパシタと第１のインダクタからなる第１の直列共振回路を第１の経路とグランド間に接続するとともに、第２の可変キャパシタと第２のインダクタからなる第２の直列共振回路を第２の経路とグランド間に接続し、制御部が、第１及び第２の経路に直列に接続されている第１及び第２のスイッチの開閉状態を制御するとともに、第１及び第２の可変キャパシタのキャパシタンスを制御するように構成したので、基本波帯域の損失の増加を招くことなく、２次高調波帯域を十分に抑圧することができる効果がある。
【図面の簡単な説明】
【００１０】
【図１】この発明の実施の形態１によるマルチバンド高周波電力増幅器を示す構成図である。
【図２】この発明の実施の形態２によるマルチバンド高周波電力増幅器を示す構成図である。
【図３】基本波通過特性のシミュレーション結果を示す説明図である。
【図４】２次高調波通過特性のシミュレーション結果を示す説明図である。
【図５】基本波アイソレーション特性のシミュレーション結果を示す説明図である。
【図６】この発明の実施の形態３によるマルチバンド高周波電力増幅器を示す構成図である。
【図７】この発明の実施の形態４によるマルチバンド高周波電力増幅器を示す構成図である。
【図８】この発明の実施の形態５によるマルチバンド高周波電力増幅器を示す構成図である。
【図９】この発明の実施の形態６によるマルチバンド高周波電力増幅器を示す構成図である。
【図１０】この発明の実施の形態７によるマルチバンド高周波電力増幅器を示す構成図である。
【図１１】従来の一般的なマルチバンド高周波電力増幅器を示す構成図である。
【図１２】特許文献１に開示されているマルチバンド高周波電力増幅器を示す構成図である。
【発明を実施するための形態】
【００１１】
実施の形態１．
図１はこの発明の実施の形態１によるマルチバンド高周波電力増幅器を示す構成図である。
図１において、ＲＦ入力端子１は周波数帯域がｆＡ１からｆＡ２（ｆＡ１＜ｆＡ２）のＲＦ信号（第１の周波数帯域の信号）と、周波数帯域がｆＢ１からｆＢ２（ｆＢ１＜ｆＢ２）のＲＦ信号（第２の周波数帯域の信号）とを入力する端子である。
ＲＦトランジスタ２はベース端子（またはゲート端子）がＲＦ入力端子１と接続され、エミッタ端子（またはソース端子）が接地されており、コレクタ端子（またはドレイン端子）が広帯域整合回路３と接続されているエミッタ接地型のトランジスタであり、ＲＦ入力端子１から入力されたＲＦ信号を増幅して、増幅後のＲＦ信号を広帯域整合回路３に出力する。
図１では、ＲＦトランジスタ２がエミッタ接地型のトランジスタである例を示しているが、ベース接地型のトランジスタやコレクタ接地型のトランジスタであってもよい。
また、図１では、ＲＦトランジスタ２が１個だけ搭載されている例を示しているが、Ｍ（Ｍ＝２，３，・・・）個のＲＦトランジスタ２が直列に接続されているＭ段のＲＦトランジスタであってもよい。
【００１２】
広帯域整合回路３は入力側と出力側のインピーダンス整合を図る回路であり、例えば、一端がＲＦトランジスタ２の出力端子であるコレクタ端子と接続されて、他端がノード４と接続されているインダクタンスと、一端が前記インダクタンスと接続されて、他端が接地されているキャパシタとから構成される。
【００１３】
第１の経路５ａは一端がノード４と接続され、他端が第１のＲＦ出力端子６ａと接続されており、途中に第１のスイッチ７ａが直列に挿入されている信号出力経路である。
第２の経路５ｂは一端がノード４と接続され、他端が第２のＲＦ出力端子６ｂと接続されており、途中に第２のスイッチ７ｂが直列に挿入されている信号出力経路である。
第１のＲＦ出力端子６ａはＲＦトランジスタ２により増幅された周波数帯域がｆＡ１からｆＡ２のＲＦ信号を出力する端子である。
第２のＲＦ出力端子６ｂはＲＦトランジスタ２により増幅された周波数帯域がｆＢ１からｆＢ２のＲＦ信号を出力する端子である。
【００１４】
第１の直列共振回路１０ａは第１の可変キャパシタ８ａと第１のインダクタ９ａから構成されており、一端が第１の経路５ａと接続され、他端が接地されている。
第２の直列共振回路１０ｂは第２の可変キャパシタ８ｂと第２のインダクタ９ｂから構成されており、一端が第２の経路５ｂと接続され、他端が接地されている。
制御部１１は第１のスイッチ７ａ及び第２のスイッチ７ｂのＯＮ／ＯＦＦ状態（開閉状態）を制御するとともに、第１の可変キャパシタ８ａ及び第２の可変キャパシタ８ｂのキャパシタンスを制御する制御回路である。
【００１５】
次に動作について説明する。
この実施の形態１では、周波数帯域がｆＡ１からｆＡ２（ｆＡ１＜ｆＡ２）のＲＦ信号、または、ｆＢ１からｆＢ２（ｆＢ１＜ｆＢ２）のＲＦ信号がＲＦ入力端子１から入力されることを想定する。
ＲＦトランジスタ２は、ＲＦ入力端子１からＲＦ信号が入力されると、そのＲＦ信号を増幅して、増幅後のＲＦ信号を広帯域整合回路３に出力する。
これにより、ＲＦトランジスタ２により増幅された信号が広帯域整合回路３によって入力側と出力側で広帯域に整合が取られたのち、ノード４に出力される。
【００１６】
以下、ＲＦ入力端子１から周波数帯域がｆＡ１からｆＡ２のＲＦ信号が入力される場合の処理内容と、ＲＦ入力端子１から周波数帯域がｆＢ１からｆＢ２のＲＦ信号が入力される場合の処理内容を順番に説明する。
【００１７】
［ＲＦ入力端子１から周波数帯域がｆＡ１からｆＡ２のＲＦ信号が入力される場合］
制御部１１は、第１のスイッチ７ａをＯＮ状態に制御して、第２のスイッチ７ｂをＯＦＦ状態に制御する。
また、制御部１１は、第１のＲＦ出力端子６ａから第１の直列共振回路１０ａを見込んだインピーダンスが基本波帯域ｆＡ１〜ｆＡ２の中心周波数（第１の周波数帯域における基本波周波数の中心周波数）に対してオープンの状態になり、２次高調波帯域２ｆＡ１〜２ｆＡ２の中心周波数（第１の周波数帯域における２次高調波周波数の中心周波数）に対してショートの状態になるように、第１の可変キャパシタ８ａのキャパシタンスを制御する。
これにより、２次高調波帯域２ｆＡ１〜２ｆＡ２のみを接地することができるため、基本波帯域ｆＡ１〜ｆＡ２の損失を増加させることなく、２次高調波帯域２ｆＡ１〜２ｆＡ２だけを抑圧することができる。
【００１８】
また、このとき、制御部１１は、第２のＲＦ出力端子６ｂから第２の直列共振回路１０ｂを見込んだインピーダンスが基本波帯域ｆＡ１〜ｆＡ２の中心周波数に対してショートの状態になるように、第２の可変キャパシタ８ｂのキャパシタンスを制御する。
これにより、第１のＲＦ出力端子６ａから基本波帯域ｆＡ１〜ｆＡ２のＲＦ信号を出力する際に、基本波帯域ｆＡ１〜ｆＡ２のＲＦ信号が第２のＲＦ出力端子６ｂから漏れ出すのを抑圧することができる。
【００１９】
［ＲＦ入力端子１から周波数帯域がｆＢ１からｆＢ２のＲＦ信号が入力される場合］
制御部１１は、第１のスイッチ７ａをＯＦＦ状態に制御して、第２のスイッチ７ｂをＯＮ状態に制御する。
また、制御部１１は、第２のＲＦ出力端子６ｂから第２の直列共振回路１０ｂを見込んだインピーダンスが基本波帯域ｆＢ１〜ｆＢ２の中心周波数（第２の周波数帯域における基本波周波数の中心周波数）に対してオープンの状態になり、２次高調波帯域２ｆＢ１〜２ｆＢ２の中心周波数（第２の周波数帯域における２次高調波周波数の中心周波数）に対してショートの状態になるように、第２の可変キャパシタ８ｂのキャパシタンスを制御する。
これにより、２次高調波帯域２ｆＢ１〜２ｆＢ２のみを接地することができるため、基本波帯域ｆＢ１〜ｆＢ２の損失を増加させることなく、２次高調波帯域２ｆＢ１〜２ｆＢ２だけを抑圧することができる。
【００２０】
また、このとき、制御部１１は、第１のＲＦ出力端子６ａから第１の直列共振回路１０ａを見込んだインピーダンスが基本波帯域ｆＢ１〜ｆＢ２の中心周波数に対してショートの状態になるように、第１の可変キャパシタ８ａのキャパシタンスを制御する。
これにより、第２のＲＦ出力端子６ｂから基本波帯域ｆＢ１〜ｆＢ２のＲＦ信号を出力する際に、基本波帯域ｆＢ１〜ｆＢ２のＲＦ信号が第１のＲＦ出力端子６ａから漏れ出すのを抑圧することができる。
【００２１】
以上で明らかなように、この実施の形態１によれば、第１の可変キャパシタ８ａと第１のインダクタ９ａからなる第１の直列共振回路１０ａを第１の経路５ａとグランド間に接続するとともに、第２の可変キャパシタ８ｂと第２のインダクタ９ｂからなる第２の直列共振回路１０ｂを第２の経路５ｂとグランド間に接続し、制御部１１が、経路５ａ，５ｂに直列に接続されているスイッチ７ａ，７ｂのＯＮ／ＯＦＦ状態を制御するとともに、可変キャパシタ８ａ，８ｂのキャパシタンスを制御するように構成したので、基本波帯域ｆＡ１〜ｆＡ２，ｆＢ１〜ｆＢ２の損失の増加を招くことなく、２次高調波帯域２ｆＡ１〜２ｆＡ２，２ｆＢ１〜２ｆＢ２を十分に抑圧することができる効果を奏する。
即ち、制御部１１が、入力されるＲＦ信号の周波数帯域に応じて、直列共振回路１０ａ，１０ｂの共振周波数を切り替えるように構成しているので、狭帯域な通過特性でも、基本波帯域ｆＡ１〜ｆＡ２，ｆＢ１〜ｆＢ２の損失の増加を招くことなく、広帯域に２次高調波帯域２ｆＡ１〜２ｆＡ２，２ｆＢ１〜２ｆＢ２を抑圧することができるようになる。また、２次高調波以上の高次高調波帯域を抑圧することも可能である。
【００２２】
また、この実施の形態１によれば、直列共振回路１０ａ，１０ｂを比較的インピーダンスが高い５０ΩのＲＦ出力端子６ａ，６ｂの直近に接続することによって高い損失が得られるため、比較的インピーダンスが低いＲＦトランジスタ２の出力端子に接続する場合と比べて、２次高調波帯域の抑圧量を高くすることができる。
【００２３】
なお、この実施の形態１では、ＲＦ入力端子１からＲＦ信号が入力されるものを示しているが、ＲＦ入力端子１の前段に、他のＲＦトランジスタや整合回路が接続されていてもよい。
また、ＲＦ入力端子１から入力されるＲＦ信号の周波数帯域がｆＡ１〜ｆＡ２＜ｆＢ１〜ｆＢ２である場合、第２の直列共振回路１０ｂが実装されないことがある。また、第１の可変キャパシタ８ａのキャパシタンスが可変でないことがある。
【００２４】
実施の形態２．
図２はこの発明の実施の形態２によるマルチバンド高周波電力増幅器を示す構成図であり、図において、図１と同一符号は同一または相当部分を示すので説明を省略する。
キャパシタ１２ａとスイッチ１３ａからなる直列回路と、キャパシタ１４ａとスイッチ１５ａからなる直列回路とが並列に接続されており、この２つの直列回路が第１の可変キャパシタを構成している。
また、キャパシタ１２ｂとスイッチ１３ｂからなる直列回路と、キャパシタ１４ｂとスイッチ１５ｂからなる直列回路とが並列に接続されており、この２つの直列回路が第２の可変キャパシタを構成している。
制御部１６は第１のスイッチ７ａ及び第２のスイッチ７ｂのＯＮ／ＯＦＦ状態を制御するとともに、スイッチ１３ａ，１３ｂ，１５ａ，１５ｂのＯＮ／ＯＦＦ状態を制御する制御回路である。
【００２５】
上記実施の形態１では、制御部１１が、ＲＦ入力端子１から入力されるＲＦ信号の周波数帯域に応じて、可変キャパシタ８ａ，８ｂのキャパシタンスを制御するものを示したが、この実施の形態２では、ＲＦ入力端子１から入力されるＲＦ信号の周波数帯域に応じて、スイッチ１３ａ，１３ｂ，１５ａ，１５ｂのＯＮ／ＯＦＦ状態を制御することで、直列共振回路１０ａ，１０ｂの共振周波数を設定するようにしている。
この実施の形態２では、スイッチ１３ａ，１３ｂ，１５ａ，１５ｂのＯＮ／ＯＦＦ状態を制御することで、直列共振回路１０ａ，１０ｂのキャパシタンス成分を切り替えることができるため、直列共振回路１０ａ，１０ｂの共振周波数を基本波周波数と２次高調波周波数に設定するのに必要なキャパシタンスの差が大きい場合でも、容易に実現することが可能である。
【００２６】
次に動作について説明する。
［ＲＦ入力端子１から周波数帯域がｆＡ１からｆＡ２のＲＦ信号が入力される場合］
制御部１６は、第１のスイッチ７ａをＯＮ状態に制御して、第２のスイッチ７ｂをＯＦＦ状態に制御する。
また、制御部１６は、第１のＲＦ出力端子６ａから第１の直列共振回路１０ａを見込んだインピーダンスが基本波帯域ｆＡ１〜ｆＡ２の中心周波数に対してオープンの状態になり、２次高調波帯域２ｆＡ１〜２ｆＡ２の中心周波数に対してショートの状態になるように、スイッチ１３ａ，１５ａのＯＮ／ＯＦＦ状態を制御する。
これにより、２次高調波帯域２ｆＡ１〜２ｆＡ２のみを接地することができるため、基本波帯域ｆＡ１〜ｆＡ２の損失を増加させることなく、２次高調波帯域２ｆＡ１〜２ｆＡ２だけを抑圧することができる。
【００２７】
また、このとき、制御部１６は、第２のＲＦ出力端子６ｂから第２の直列共振回路１０ｂを見込んだインピーダンスが基本波帯域ｆＡ１〜ｆＡ２の中心周波数に対してショートの状態になるように、スイッチ１３ｂ，１５ｂのＯＮ／ＯＦＦ状態を制御する。
これにより、第１のＲＦ出力端子６ａから基本波帯域ｆＡ１〜ｆＡ２のＲＦ信号を出力する際に、基本波帯域ｆＡ１〜ｆＡ２のＲＦ信号が第２のＲＦ出力端子６ｂから漏れ出すのを抑圧することができる。
【００２８】
［ＲＦ入力端子１から周波数帯域がｆＢ１からｆＢ２のＲＦ信号が入力される場合］
制御部１６は、第１のスイッチ７ａをＯＦＦ状態に制御して、第２のスイッチ７ｂをＯＮ状態に制御する。
また、制御部１６は、第２のＲＦ出力端子６ｂから第２の直列共振回路１０ｂを見込んだインピーダンスが基本波帯域ｆＢ１〜ｆＢ２の中心周波数に対してオープンの状態になり、２次高調波帯域２ｆＢ１〜２ｆＢ２の中心周波数に対してショートの状態になるように、スイッチ１３ｂ，１５ｂのＯＮ／ＯＦＦ状態を制御する。
これにより、２次高調波帯域２ｆＢ１〜２ｆＢ２のみを接地することができるため、基本波帯域ｆＢ１〜ｆＢ２の損失を増加させることなく、２次高調波帯域２ｆＢ１〜２ｆＢ２だけを抑圧することができる。
【００２９】
また、このとき、制御部１６は、第１のＲＦ出力端子６ａから第１の直列共振回路１０ａを見込んだインピーダンスが基本波帯域ｆＢ１〜ｆＢ２の中心周波数に対してショートの状態になるように、スイッチ１３ａ，１５ａのＯＮ／ＯＦＦ状態を制御する。
これにより、第２のＲＦ出力端子６ｂから基本波帯域ｆＢ１〜ｆＢ２のＲＦ信号を出力する際に、基本波帯域ｆＢ１〜ｆＢ２のＲＦ信号が第１のＲＦ出力端子６ａから漏れ出すのを抑圧することができる。
【００３０】
ここで、図３は基本波通過特性のシミュレーション結果を示す説明図である。
図３において、Ａは図１１に示す従来のマルチバンド高周波電力増幅器における基本波通過特性のシミュレーション結果を示し、ＢはＲＦ信号の周波数帯域が７００ＭＨｚ〜８００ＭＨｚであるときのマルチバンド高周波電力増幅器（実施の形態２）における基本波通過特性のシミュレーション結果を示し、ＣはＲＦ信号の周波数帯域が８００ＭＨｚ〜９００ＭＨｚであるときのマルチバンド高周波電力増幅器（実施の形態２）における基本波通過特性のシミュレーション結果を示している。
【００３１】
また、図４は２次高調波通過特性のシミュレーション結果を示す説明図である。
図４において、Ａは図１１に示す従来のマルチバンド高周波電力増幅器における２次高調波通過特性のシミュレーション結果を示し、ＢはＲＦ信号の周波数帯域が７００ＭＨｚ〜８００ＭＨｚであるときのマルチバンド高周波電力増幅器（実施の形態２）における２次高調波通過特性のシミュレーション結果を示し、ＣはＲＦ信号の周波数帯域が８００ＭＨｚ〜９００ＭＨｚであるときのマルチバンド高周波電力増幅器（実施の形態２）における２次高調波通過特性のシミュレーション結果を示している。
【００３２】
さらに、図５は基本波アイソレーション特性のシミュレーション結果を示す説明図である。
図５において、Ａは図１１に示す従来のマルチバンド高周波電力増幅器における基本波アイソレーション特性のシミュレーション結果を示し、ＢはＲＦ信号の周波数帯域が７００ＭＨｚ〜８００ＭＨｚであるときのマルチバンド高周波電力増幅器（実施の形態２）における基本波アイソレーション特性のシミュレーション結果を示し、ＣはＲＦ信号の周波数帯域が８００ＭＨｚ〜９００ＭＨｚであるときのマルチバンド高周波電力増幅器（実施の形態２）における基本波アイソレーション特性のシミュレーション結果を示している。
【００３３】
図１１に示す従来のマルチバンド高周波電力増幅器では、図３のＡに示している基本波通過特性のシミュレーション結果より、特に基本波帯域の上限周波数である９００ＭＨｚの損失が１.３ｄＢとなっており、中心周波数が８００ＭＨｚの損失の０．６ｄＢと比べて大幅に高くなっていることがわかる。
また、図４のＡに示している２次高調波通過特性のシミュレーション結果より、特に１．５２ＧＨｚで２次高調波帯域の損失が−２２ｄＢと低くなっており、ＲＦトランジスタ２から出力される２次高調波を抑圧するには不十分な値となっていることが分かる。
また、図５のＡに示している基本波アイソレーション特性のシミュレーション結果より、基本波帯域の全体域で−３７ｄＢのアイソレーション特性が得られているが、スイッチ７ａ，７ｂ自体のアイソレーション特性によっては不十分となる場合もある。
【００３４】
図３から図５のシミュレーションにおいて、この実施の形態２のマルチバンド高周波電力増幅器では、第１のＲＦ出力端子６ａから基本波帯域が７００ＭＨｚ〜８００ＭＨｚのＲＦ信号が出力され、第２のＲＦ出力端子６ｂから基本波帯域が８００ＭＨｚ〜９００ＭＨｚのＲＦ信号が出力される場合において、周波数帯域が７００ＭＨｚ〜８００ＭＨｚのＲＦ信号が入力される際には、第１の直列共振回路１０ａの共振周波数が２次高調波帯域の下限周波数である１．４ＧＨｚ付近になるようにキャパシタ１２ａが１．２５ｐＦに設定され、第２の直列共振回路１０ｂの共振周波数が基本波帯域の中心周波数である７５０ＭＨｚ付近になるようにキャパシタ１２ｂの値が４．５ｐＦに設定されているものとする。
また、周波数帯域が８００ＭＨｚ〜９００ＭＨｚのＲＦ信号が入力される際には、第２の直列共振回路１０ｂの共振周波数が２次高調波帯域の上限周波数である１．８ＧＨｚ付近になるようにキャパシタ１４ｂが０．８ｐＦに設定され、第１の直列共振回路１０ａの共振周波数が基本波帯域の中心周波数である８５０ＭＨｚ付近になるようにキャパシタ１４ａが３．５ｐＦに設定されているものとする。
また、インダクタ９ａ，９ｂについては基本波帯域において損失が増加しない程度の１０ｎＨに設定されているものとする。
【００３５】
このとき、図３のＢ，Ｃに示している基本波通過特性のシミュレーション結果より、周波数帯域が７００ＭＨｚ〜８００ＭＨｚのＲＦ信号が入力される際には、特に高域周波数の９００ＭＨｚ以上で基本波損失が０．８ｄＢとなり、８００ＭＨｚの基本波損失０．６ｄＢと比べて高くなるが、周波数帯域が８００ＭＨｚ〜９００ＭＨｚのＲＦ信号が入力される際には、８００ＭＨｚ以上の基本波損失が抑えられて、９００ＭＨｚの基本波損失が０．６ｄＢとなり、８００ＭＨｚの基本波損失とほぼ同等の損失が実現されていることがわかる。
【００３６】
また、図４のＢ，Ｃに示している２次高調波通過特性のシミュレーション結果より、周波数帯域が７００ＭＨｚ〜８００ＭＨｚのＲＦ信号が入力される際には、１．４ＧＨｚから１．６ＧＨｚで２次高調波帯域の損失が約−４５ｄＢ以下になり、また、周波数帯域が８００ＭＨｚ〜９００ＭＨｚのＲＦ信号が入力される際には、１．６ＧＨｚから１．８ＧＨｚで２次高調波帯域の損失が約−５０ｄＢ以下になっており、ＲＦトランジスタ２から出力される２次高調波帯域を抑圧するのに十分な損失が得られることがわかる。
【００３７】
また、図５のＢ，Ｃに示している基本波アイソレーション特性のシミュレーション結果より、入力されるＲＦ信号の周波数帯域に応じて直列共振回路１０ａ，１０ｂの共振周波数を切り替えることで、基本波帯域の全域で約−５４ｄＢ以下のアイソレーション特性が得られることがわかる。
また、直列共振回路１０ａ，１０ｂは、比較的インピーダンスが高い５０ΩのＲＦ出力端子６ａ，６ｂに接続されるため、２次高調波帯域の抑圧量を高くすることができ、スイッチ７ａ，７ｂに寄生抵抗が数Ω程度になった場合においても、十分な２次高調波帯域の抑圧効果を得ることができる。よって、ＯＮ抵抗が高い小形のスイッチで、スイッチ７ａ，７ｂを構成することが可能である。
【００３８】
実施の形態３．
図６はこの発明の実施の形態３によるマルチバンド高周波電力増幅器を示す構成図であり、図において、図１と同一符号は同一または相当部分を示すので説明を省略する。
第１の直列共振回路１０ａは第１の可変容量ダイオードであるバラクタダイオード１７ａとインダクタ９ａから構成されており、バラクタダイオード１７ａは制御部１８の制御の下で容量が変化する。なお、バラクタダイオード１７ａは第１の可変キャパシタを構成している。
第２の直列共振回路１０ｂは第２の可変容量ダイオードであるバラクタダイオード１７ｂとインダクタ９ｂから構成されており、バラクタダイオード１７ｂは制御部１８の制御の下で容量が変化する。なお、バラクタダイオード１７ｂは第２の可変キャパシタを構成している。
制御部１８は第１のスイッチ７ａ及び第２のスイッチ７ｂのＯＮ／ＯＦＦ状態を制御するとともに、バラクタダイオード１７ａ，１７ｂの端子間に印加される電圧を制御することで、バラクタダイオード１７ａ，１７ｂの容量を制御する制御回路である。
【００３９】
次に動作について説明する。
［ＲＦ入力端子１から周波数帯域がｆＡ１からｆＡ２のＲＦ信号が入力される場合］
制御部１８は、第１のスイッチ７ａをＯＮ状態に制御して、第２のスイッチ７ｂをＯＦＦ状態に制御する。
また、制御部１８は、第１のＲＦ出力端子６ａから第１の直列共振回路１０ａを見込んだインピーダンスが基本波帯域ｆＡ１〜ｆＡ２の中心周波数に対してオープンの状態になり、２次高調波帯域２ｆＡ１〜２ｆＡ２の中心周波数に対してショートの状態になるように、バラクタダイオード１７ａの容量を制御する。
これにより、２次高調波帯域２ｆＡ１〜２ｆＡ２のみを接地することができるため、基本波帯域ｆＡ１〜ｆＡ２の損失を増加させることなく、２次高調波帯域２ｆＡ１〜２ｆＡ２だけを抑圧することができる。
【００４０】
また、このとき、制御部１８は、第２のＲＦ出力端子６ｂから第２の直列共振回路１０ｂを見込んだインピーダンスが基本波帯域ｆＡ１〜ｆＡ２の中心周波数に対してショートの状態になるように、バラクタダイオード１７ｂの容量を制御する。
これにより、第１のＲＦ出力端子６ａから基本波帯域ｆＡ１〜ｆＡ２のＲＦ信号を出力する際に、基本波帯域ｆＡ１〜ｆＡ２のＲＦ信号が第２のＲＦ出力端子６ｂから漏れ出すのを抑圧することができる。
【００４１】
［ＲＦ入力端子１から周波数帯域がｆＢ１からｆＢ２のＲＦ信号が入力される場合］
制御部１８は、第１のスイッチ７ａをＯＦＦ状態に制御して、第２のスイッチ７ｂをＯＮ状態に制御する。
また、制御部１８は、第２のＲＦ出力端子６ｂから第２の直列共振回路１０ｂを見込んだインピーダンスが基本波帯域ｆＢ１〜ｆＢ２の中心周波数に対してオープンの状態になり、２次高調波帯域２ｆＢ１〜２ｆＢ２の中心周波数に対してショートの状態になるように、バラクタダイオード１７ｂの容量を制御する。
これにより、２次高調波帯域２ｆＢ１〜２ｆＢ２のみを接地することができるため、基本波帯域ｆＢ１〜ｆＢ２の損失を増加させることなく、２次高調波帯域２ｆＢ１〜２ｆＢ２だけを抑圧することができる。
【００４２】
また、このとき、制御部１８は、第１のＲＦ出力端子６ａから第１の直列共振回路１０ａを見込んだインピーダンスが基本波帯域ｆＢ１〜ｆＢ２の中心周波数に対してショートの状態になるように、バラクタダイオード１７ａの容量を制御する。
これにより、第２のＲＦ出力端子６ｂから基本波帯域ｆＢ１〜ｆＢ２のＲＦ信号を出力する際に、基本波帯域ｆＢ１〜ｆＢ２のＲＦ信号が第１のＲＦ出力端子６ａから漏れ出すのを抑圧することができる。
【００４３】
この実施の形態３によれば、上記実施の形態１と同様の効果が得られる他に、可変キャパシタの小型化を図ることができる効果が得られる。
【００４４】
実施の形態４．
図７はこの発明の実施の形態４によるマルチバンド高周波電力増幅器を示す構成図であり、図において、図１と同一符号は同一または相当部分を示すので説明を省略する。
第１の伝送線路１９ａは周波数帯域がｆＢ１〜ｆＢ２の中心周波数に対して１／４波長の長さを有する特性インピーダンスが５０Ωの線路であって、第１の経路５ａに対して直列に挿入されている。
第２の伝送線路１９ｂは周波数帯域がｆＡ１〜ｆＡ２の中心周波数に対して１／４波長の長さを有する特性インピーダンスが５０Ωの線路であって、第２の経路５ｂに対して直列に挿入されている。
制御部２０は第１の可変キャパシタ８ａ及び第２の可変キャパシタ８ｂのキャパシタンスを制御する制御回路である。
【００４５】
次に動作について説明する。
［ＲＦ入力端子１から周波数帯域がｆＡ１からｆＡ２のＲＦ信号が入力される場合］
制御部２０は、図１の制御部１１と同様に、第１のＲＦ出力端子６ａから第１の直列共振回路１０ａを見込んだインピーダンスが基本波帯域ｆＡ１〜ｆＡ２の中心周波数に対してオープンの状態になり、２次高調波帯域２ｆＡ１〜２ｆＡ２の中心周波数に対してショートの状態になるように、第１の可変キャパシタ８ａのキャパシタンスを制御する。
このとき、第１のスイッチ７ａの代わりに、第１の伝送線路１９ａが第１の経路５ａに対して直列に挿入され、第２のスイッチ７ｂの代わりに、第２の伝送線路１９ｂが第２の経路５ｂに対して直列に挿入されているので、第２のＲＦ出力端子６ｂから第２の直列共振回路１０ｂを見込んだインピーダンスが基本波周波数付近でショートになる一方、ノード４から第２のＲＦ出力端子６ｂを見込んだインピーダンスが、第２の伝送線路１９ｂを介することで位相が９０度変化してオープンとなる。したがって、基本波帯域ｆＡ１〜ｆＡ２のＲＦ信号が流れる経路を第１のＲＦ出力端子６ａへ切り替えることができる。
これにより、２次高調波帯域２ｆＡ１〜２ｆＡ２のみを接地することができるため、基本波帯域ｆＡ１〜ｆＡ２の損失を増加させることなく、２次高調波帯域２ｆＡ１〜２ｆＡ２だけを抑圧することができる。
【００４６】
また、制御部２０は、図１の制御部１１と同様に、第２のＲＦ出力端子６ｂから第２の直列共振回路１０ｂを見込んだインピーダンスが基本波帯域ｆＡ１〜ｆＡ２の中心周波数に対してショートの状態になるように、第２の可変キャパシタ８ｂのキャパシタンスを制御する。
これにより、第１のＲＦ出力端子６ａから基本波帯域ｆＡ１〜ｆＡ２のＲＦ信号を出力する際に、基本波帯域ｆＡ１〜ｆＡ２のＲＦ信号が第２のＲＦ出力端子６ｂから漏れ出すのを抑圧することができる。
【００４７】
［ＲＦ入力端子１から周波数帯域がｆＢ１からｆＢ２のＲＦ信号が入力される場合］
制御部２０は、図１の制御部１１と同様に、第２のＲＦ出力端子６ｂから第２の直列共振回路１０ｂを見込んだインピーダンスが基本波帯域ｆＢ１〜ｆＢ２の中心周波数に対してオープンの状態になり、２次高調波帯域２ｆＢ１〜２ｆＢ２の中心周波数に対してショートの状態になるように、第２の可変キャパシタ８ｂのキャパシタンスを制御する。
このとき、第１のスイッチ７ａの代わりに、第１の伝送線路１９ａが第１の経路５ａに対して直列に挿入され、第２のスイッチ７ｂの代わりに、第２の伝送線路１９ｂが第２の経路５ｂに対して直列に挿入されているので、第１のＲＦ出力端子６ａから第１の直列共振回路１０ａを見込んだインピーダンスが基本波周波数付近でショートになる一方、ノード４から第１のＲＦ出力端子６ａを見込んだインピーダンスが、第１の伝送線路１９ａを介することで位相が９０度変化してオープンとなる。したがって、基本波帯域ｆＢ１〜ｆＢ２のＲＦ信号が流れる経路を第２のＲＦ出力端子６ｂへ切り替えることができる。
これにより、２次高調波帯域２ｆＢ１〜２ｆＢ２のみを接地することができるため、基本波帯域ｆＢ１〜ｆＢ２の損失を増加させることなく、２次高調波帯域２ｆＢ１〜２ｆＢ２だけを抑圧することができる。
【００４８】
また、制御部２０は、図１の制御部１１と同様に、第１のＲＦ出力端子６ａから第１の直列共振回路１０ａを見込んだインピーダンスが基本波帯域ｆＢ１〜ｆＢ２の中心周波数に対してショートの状態になるように、第１の可変キャパシタ８ａのキャパシタンスを制御する。
これにより、第２のＲＦ出力端子６ｂから基本波帯域ｆＢ１〜ｆＢ２のＲＦ信号を出力する際に、基本波帯域ｆＢ１〜ｆＢ２のＲＦ信号が第１のＲＦ出力端子６ａから漏れ出すのを抑圧することができる。
【００４９】
この実施の形態４によれば、上記実施の形態１と同様の効果が得られる他に、スイッチ７ａ，７ｂを省略することができるため、構成の簡略化を図ることができる効果が得られる。
【００５０】
実施の形態５．
図８はこの発明の実施の形態５によるマルチバンド高周波電力増幅器を示す構成図であり、図において、図２及び図７と同一符号は同一または相当部分を示すので説明を省略する。
制御部２１はスイッチ１３ａ，１３ｂ，１５ａ，１５ｂのＯＮ／ＯＦＦ状態を制御する制御回路である。
【００５１】
上記実施の形態４では、上記実施の形態１における図１の第１のスイッチ７ａの代わりに、第１の伝送線路１９ａを第１の経路５ａに対して直列に挿入し、第２のスイッチ７ｂの代わりに、第２の伝送線路１９ｂを第２の経路５ｂに対して直列に挿入しているものを示したが、図８に示すように、上記実施の形態２における図２の第１のスイッチ７ａの代わりに、第１の伝送線路１９ａを第１の経路５ａに対して直列に挿入し、第２のスイッチ７ｂの代わりに、第２の伝送線路１９ｂを第２の経路５ｂに対して直列に挿入するようにしてもよい。
なお、制御部２１は、図２の制御部１６のように、スイッチ７ａ，７ｂのＯＮ／ＯＦＦ状態の制御を行わないが、スイッチ１３ａ，１３ｂ，１５ａ，１５ｂのＯＮ／ＯＦＦ状態の制御は図２の制御部１６と同様である。
この実施の形態５によれば、上記実施の形態２と同様の効果が得られる他に、スイッチ７ａ，７ｂを省略することができるため、構成の簡略化を図ることができる効果が得られる。
【００５２】
実施の形態６．
図９はこの発明の実施の形態６によるマルチバンド高周波電力増幅器を示す構成図であり、図において、図６及び図７と同一符号は同一または相当部分を示すので説明を省略する。
制御部２２はバラクタダイオード１７ａ，１７ｂの端子間に印加される電圧を制御することで、バラクタダイオード１７ａ，１７ｂの容量を制御する制御回路である。
【００５３】
上記実施の形態４では、上記実施の形態１における図１の第１のスイッチ７ａの代わりに、第１の伝送線路１９ａを第１の経路５ａに対して直列に挿入し、第２のスイッチ７ｂの代わりに、第２の伝送線路１９ｂを第２の経路５ｂに対して直列に挿入しているものを示したが、図９に示すように、上記実施の形態３における図６の第１のスイッチ７ａの代わりに、第１の伝送線路１９ａを第１の経路５ａに対して直列に挿入し、第２のスイッチ７ｂの代わりに、第２の伝送線路１９ｂを第２の経路５ｂに対して直列に挿入するようにしてもよい。
なお、制御部２２は、図６の制御部１８のように、スイッチ７ａ，７ｂのＯＮ／ＯＦＦ状態の制御を行わないが、バラクタダイオード１７ａ，１７ｂの容量の制御は図６の制御部１８と同様である。
この実施の形態６によれば、上記実施の形態３と同様の効果が得られる他に、スイッチ７ａ，７ｂを省略することができるため、構成の簡略化を図ることができる効果が得られる。
【００５４】
実施の形態７．
図１０はこの発明の実施の形態７によるマルチバンド高周波電力増幅器を示す構成図であり、図において、図７と同一符号は同一または相当部分を示すので説明を省略する。
第１のスイッチ２３ａは一端が第１のＲＦ出力端子６ａと接続され、他端がノード２４と接続されている。
第２のスイッチ２３ｂは一端が第２のＲＦ出力端子６ｂと接続され、他端がノード２４と接続されている。
【００５５】
キャパシタ２５は一端がノード２４と接続されて、他端が接地されており、ノード２４からキャパシタ２５を見込んだインピーダンスが、周波数帯域がｆＡ１〜ｆＡ２，ｆＢ１〜ｆＢ２における基本波周波数と２次高調波周波数において、５０オーム系のスミスチャートでＭａｇｎｉｔｕｄｅ（絶対値）が０．９５以上、Ａｎｇｌｅ（位相）が−４５度以上で０度以下になるキャパシタンスを有している。
制御部２６は第１のスイッチ２３ａ及び第２のスイッチ２３ｂのＯＮ／ＯＦＦ状態（開閉状態）を制御する制御回路である。
【００５６】
次に動作について説明する。
［ＲＦ入力端子１から周波数帯域がｆＡ１からｆＡ２のＲＦ信号が入力される場合］
制御部２６は、第１のスイッチ２３ａをＯＦＦ状態に制御して、第２のスイッチ２３ｂをＯＮ状態に制御する。
これにより、ノード２４のショート近傍から第２の伝送線路１９ｂを介して、ノード４から第２の経路５ｂを見込んだインピーダンスが基本波帯域ｆＡ１〜ｆＡ２でオープンになり、２次高調波帯域２ｆＡ１〜２ｆＡ２でショートとなる。
このため、２次高調波帯域２ｆＡ１〜２ｆＡ２だけが第２の経路５ｂ及びキャパシタ２５を介してグランドに流れ、基本波帯域ｆＡ１〜ｆＡ２が第１の経路５ａを介して第１のＲＦ出力端子６ａに出力される。
【００５７】
［ＲＦ入力端子１から周波数帯域がｆＢ１からｆＢ２のＲＦ信号が入力される場合］
制御部２６は、第１のスイッチ２３ａをＯＮ状態に制御して、第２のスイッチ２３ｂをＯＦＦ状態に制御する。
これにより、ノード２４のショート近傍から第１の伝送線路１９ａを介して、ノード４から第１の経路５ａを見込んだインピーダンスが基本波帯域ｆＢ１〜ｆＢ２でオープンになり、２次高調波帯域２ｆＢ１〜２ｆＢ２でショートとなる。
このため、２次高調波帯域２ｆＢ１〜２ｆＢ２だけが第１の経路５ａ及びキャパシタ２５を介してグランドに流れ、基本波帯域ｆＢ１〜ｆＢ２が第２の経路５ｂを介して第２のＲＦ出力端子６ｂに出力される。
【００５８】
この実施の形態７によれば、上記実施の形態１と同様の効果が得られる他に、スイッチ７ａ，７ｂや直列共振回路１０ａ，１０ｂを省略することができるため、構成の簡略化を図ることができる効果が得られる。
【００５９】
なお、本願発明はその発明の範囲内において、各実施の形態の自由な組み合わせ、あるいは各実施の形態の任意の構成要素の変形、もしくは各実施の形態において任意の構成要素の省略が可能である。
【符号の説明】
【００６０】
１  ＲＦ入力端子、２  ＲＦトランジスタ、３  広帯域整合回路、４  ノード、５ａ  第１の経路、５ｂ  第２の経路、６ａ  第１のＲＦ出力端子、６ｂ  第２のＲＦ出力端子、７ａ  第１のスイッチ、７ｂ  第２のスイッチ、８ａ  第１の可変キャパシタ、８ｂ  第２の可変キャパシタ、９ａ  第１のインダクタ、９ｂ  第２のインダクタ、１０ａ  第１の直列共振回路、１０ｂ  第２の直列共振回路、１１  制御部、１２ａ，１４ａ  キャパシタ（第１の可変キャパシタ）、１３ａ，１５ａ  スイッチ（第１の可変キャパシタ）、１２ｂ，１４ｂ  キャパシタ（第２の可変キャパシタ）、１３ｂ，１５ｂ  スイッチ（第２の可変キャパシタ）、１６  制御部、１７ａ  バラクタダイオード（第１の可変キャパシタ）、１７ｂ  バラクタダイオード（第２の可変キャパシタ）、１８  制御部、１９ａ  第１の伝送線路、１９ｂ  第２の伝送線路、２０，２１，２２  制御部、２３ａ  第１のスイッチ、２３ｂ  第２のスイッチ、２４  ノード、２５  キャパシタ、２６  制御部、１０１  ＲＦトランジスタ、１０２  広帯域整合回路、１０３  直列共振回路、１１１  ＲＦトランジスタ、１１２  狭帯域な直列共振回路、１１３  広帯域な直列共振回路。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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