(57)【要約】【課題】外部のマザー基板への実装性を確保しつつ、薄型化を図ることができる多層配線基板を提供する。【解決手段】複数の絶縁層３ａ〜３ｅが積層されて成る積層体２を備える多層配線基板１は、積層体２の下面の中央部に形成された外部接続用のグランド電極５と、積層体２の下面の周縁部に並んで形成された複数の個別電極６ａ，６ｂと、グランド電極５の端縁部を被覆して設けられ該グランド電極５と各個別電極６ａ，６ｂとの間を絶縁する電極間絶縁部８ａと、グランド電極５の本体部５ａの表面に形成され該本体部５ａの表面を複数の領域に仕切る表面被覆部８ｂとを有する表面絶縁膜８とを備える。【選択図】図３
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の絶縁層が積層されて成る積層体を備える多層配線基板において、
前記積層体の一方主面の中央部に形成されたグランド電極と、
前記積層体の一方主面の周縁部に並んで形成された複数の個別電極と、
前記グランド電極の端縁部を被覆して設けられ前記グランド電極と前記各個別電極との間を絶縁する電極間絶縁部と、前記グランド電極の表面に形成され該グランド電極を複数の領域に仕切る表面被覆部とを有する表面絶縁膜とを備えることを特徴とする多層配線基板。
【請求項２】
前記グランド電極に接続された複数の第１層間接続導体をさらに備え、
前記各第１層間接続導体が、前記グランド電極の前記電極間絶縁部に被覆された部分にそれぞれ配置されていることを特徴とする請求項１に記載の多層配線基板。
【請求項３】
前記各第１層間接続導体が、前記グランド電極の端縁寄りにそれぞれ配置されていることを特徴とする請求項２に記載の多層配線基板。
【請求項４】
前記グランド電極は、隣接する前記個別電極間の隙間に、前記積層体の一方主面の端縁に向けて延出して形成された延出部をさらに備え、該延出部に第２層間接続導体が接続されていることを特徴とする請求項１ないし３のいずれかに記載の多層配線基板。
【請求項５】
前記各個別電極のうちの少なくとも１つが、それぞれ前記グランド電極に接続された前記第１層間接続導体と前記第２層間接続導体とにより囲まれていることを特徴とする請求項４に記載の多層配線基板。
【請求項６】
前記積層体の内部にそれぞれ形成された所定の配線パターンおよび容量を形成する容量電極をさらに備え、
前記配線パターンおよび前記容量電極の両方が、所定の前記絶縁層の一方主面における平面視で前記グランド電極に重なる領域に形成されていることを特徴とする請求項１ないし５のいずれかに記載の多層配線基板。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、その一方主面に形成された複数の外部接続用の電極と、隣接する外部接続用の電極間の短絡を防止する表面絶縁膜とを備える多層配線基板に関する。
【背景技術】
【０００２】
電子機器の小型化に伴って、該電子機器のマザー基板等に実装されるモジュールの電気回路形成用の配線基板には、立体的な配線構造が可能な多層配線基板が広く採用されている（例えば、特許文献１参照）。この種の多層配線基板１００は、図８に示すように、複数のセラミックシート１０１が積層されたセラミック積層体１０２で構成されている。また、各セラミックシート１０１には、その一方主面に各種配線電極１０３ａ，１０３ｂが形成されるとともに、その厚み方向で貫通する層間接続導体１０５がそれぞれ形成され、層間の所定の配線電極１０３ａ，１０３ｂ同士が層間接続導体１０５により接続される。
【０００３】
また、近年では、モジュールの更なる小型化に伴って、隣接する配線電極１０３ａ，１０３ｂの間隔、および、隣接する配線電極１０３と層間接続導体１０５の間隔を狭くすることが要求されている。そこで、この多層配線基板１００では、配線電極１０３ａ，１０３ｂの周縁を絶縁被覆膜１０４で被覆し、本来、接続すべきでない配線電極１０３ａ，１０３ｂ間や、配線電極１０３ａ，１０３ｂと層間接続導体１０５との間の短絡を防止している。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２０１３−３８３８５号公報（段落００３５〜００４９、図１等参照）
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
上記した多層配線基板１００の上面に形成された各配線電極１０３ａは、例えば、外部のマザー基板に接続するための外部接続電極として用いられる。この場合、各配線電極１０３ａの一部がグランド電極として使用される場合がある。グランド電極は、接地特性を向上させるために面積を大きくするのが好ましいが、その面積が大きくなるに連れて半田でマザー基板に接続する際の半田量の適正化が難しくなるため、マザー基板との接続時の実装不良のリスクが高まる。そこで、従来では、グランド電極を複数に分けて形成することで、多層配線基板の実装性を確保しつつ、グランド電極の総面積を維持する方策が採用されている。
【０００６】
ところで、上記したグランド電極が、マザー基板との電磁結合を防止する遮蔽電極として利用される場合がある。しかしながら、グランド電極を分けて形成した場合は、各グランド電極間に電極のないスペースが生まれるため、前記電磁結合を防止すべく、別のセラミックシート１０１に大面積のグランド電極を設ける必要があった。このような場合、セラミックシート１０１の層数が増加するため、多層配線基板１００の薄型化の妨げとなる。
【０００７】
本発明は、上記した課題に鑑みてなされたものであり、外部のマザー基板への実装性を確保しつつ、薄型化を図ることができる多層配線基板を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
上記した目的を達成するために、本発明の多層配線基板は、複数の絶縁層が積層されて成る積層体を備える多層配線基板において、前記積層体の一方主面の中央部に形成されたグランド電極と、前記積層体の一方主面の周縁部に並んで形成された複数の個別電極と、前記グランド電極の端縁部を被覆して設けられ前記グランド電極と前記各個別電極との間を絶縁する電極間絶縁部と、前記グランド電極の表面に形成され該グランド電極を複数の領域に仕切る表面被覆部とを有する表面絶縁膜とを備えることを特徴としている。
【０００９】
この場合、グランド電極の表面が、表面絶縁膜の表面被覆部により、複数の領域に仕切られる。このとき、仕切られたグランド電極の各領域の面積を、表面絶縁膜の表面被覆部により外部のマザー基板との接続に適した面積に形成することで、グランド電極を複数に分けて配置する従来の多層配線基板と同程度の実装性を確保することができる。
【００１０】
また、外部のマザー基板への実装性を確保するのにグランド電極を分割配置する必要がないため、内層に形成された配線電極等とマザー基板との電磁結合を防止する遮蔽電極にグランド電極を利用することができる。したがって、グランド電極を分割配置した従来の多層配線基板のように、別途、別の絶縁層に大面積のグランド電極を設ける必要がなく、このグランド電極を設けない分、絶縁層の層数を減らして多層配線基板の薄型化を図ることができる。
【００１１】
また、グランド電極の面積が大きくなると、絶縁層からの剥離が懸念されるが、この剥離の基点となるグランド電極の端縁部が表面絶縁膜の電極間絶縁部で被覆されているため、グランド電極の絶縁層からの剥離を防止することができる。
【００１２】
また、前記グランド電極に接続された複数の第１層間接続導体をさらに備え、前記各第１層間接続導体が、前記グランド電極の前記電極間絶縁部に被覆された部分にそれぞれ配置されていてもよい。この場合、各第１層間接続導体はグランド電極の電極間絶縁部に被覆された部分、すなわち、グランド電極の端縁部にそれぞれ配置される。そうすると、グランド電極の端縁部を除く内側の領域が、第１層間接続導体を配置しない領域となるため、グランド電極が形成された絶縁層の内層に位置する絶縁層において、配線電極の設計自由度が向上する。
【００１３】
また、各第１層間接続導体は、グランド電極内で、絶縁層から剥離しにくい表面絶縁膜の電極間絶縁部に被覆された部分に配置されるため、グランド電極と各第１層間接続導体との接続信頼性が向上する。
【００１４】
また、前記各第１層間接続導体が、前記グランド電極の端縁寄りにそれぞれ配置されていてもよい。この場合、グランド電極の各第１層間接続導体が配置されない内側の領域の面積をより広くすることができるため、グランド電極が形成された絶縁層の内層に位置する絶縁層において、配線電極の設計自由度がさらに向上する。
【００１５】
また、前記グランド電極は、隣接する前記個別電極間の隙間に、前記積層体の一方主面の端縁に向けて延出して形成された延出部をさらに備え、該延出部に第２層間接続導体が接続されていてもよい。この場合、隣接する個別電極間にグランド電極の延出部と第２層間接続導体とが配置されることになるため、両個別電極間の信号等の相互干渉を低減することができる。
【００１６】
また、前記各個別電極のうちの少なくとも１つが、それぞれ前記グランド電極に接続された前記第１層間接続導体と前記第２層間接続導体とにより囲まれていてもよい。この場合、第１層間接続導体と第２層間接続導体とにより囲まれた個別電極のアイソレーション特性が向上する。
【００１７】
また、前記積層体の内部にそれぞれ形成された所定の配線パターンおよび容量を形成する容量電極をさらに備え、前記配線パターンおよび前記容量電極の両方が、所定の前記絶縁層の一方主面における平面視で前記グランド電極に重なる領域に形成されていてもよい。このように、グランド電極との間で容量を形成する容量電極、および、マザー基板との電磁結合を防止したい配線パターンの両方を、所定の絶縁層の一方主面に形成することで、多層配線基板の薄型化が容易になる。
【発明の効果】
【００１８】
本発明によれば、グランド電極の表面が、表面絶縁膜の表面被覆部により複数の領域に仕切られる。このとき、仕切られたグランド電極の各領域の面積を、表面絶縁膜の表面被覆部により外部のマザー基板との接続に適した面積に形成することで、グランド電極を複数に分けて配置する従来の多層配線基板と同程度の実装性を確保することができる。
【００１９】
また、外部のマザー基板への実装性を確保するのにグランド電極を分割配置する必要がないため、グランド電極を、内層に形成された配線電極等とマザー基板との電磁結合を防止する遮蔽電極に利用することができる。したがって、グランド電極を分割配置した従来の多層配線基板のように、別途、別の絶縁層に大面積のグランド電極を設ける必要がなく、このグランド電極を設けない分、絶縁層の層数を減らして多層配線基板の薄型化を図ることができる。
【００２０】
また、グランド電極の面積が大きくなると、絶縁層からの剥離が懸念されるが、この剥離の基点となるグランド電極の端縁部が表面絶縁膜の電極間絶縁部で被覆されているため、グランド電極の絶縁層からの剥離を防止することができる。
【図面の簡単な説明】
【００２１】
【図１】本発明の第１実施形態にかかる多層配線基板の断面図である。
【図２】図１の多層配線基板の表面絶縁膜を除いた状態の下面図である。
【図３】図１の多層配線基板の下面図である。
【図４】図１の多層配線基板の下から２番目の絶縁層の下面図である。
【図５】本発明の第２実施形態にかかる多層配線基板の表面絶縁膜を除いた状態の下面図である。
【図６】図５の多層配線基板の下面図である。
【図７】図５の多層配線基板の下から２番目の絶縁層の下面図である。
【図８】従来の多層配線基板の断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００２２】
＜第１実施形態＞
本発明の第１実施形態にかかる多層配線基板１について、図１〜図４を参照して説明する。なお、図１は本発明の第１実施形態にかかる多層配線基板１の断面図、図２は図１の多層配線基板１の表面絶縁膜８を除いた状態の下面図、図３は多層配線基板１の下面図、図４は多層配線基板１の下から２番目の絶縁層３ｄの下面図である。なお、図１は図３のＡ−Ａ矢視断面図である。
【００２３】
この実施形態にかかる多層配線基板１は、図１に示すように、複数の（この実施形態では５層）の絶縁層３ａ〜３ｅが積層されて成る積層体２と、積層体２の上面に形成された部品実装用の複数の実装電極４と、積層体２の下面に形成された外部接続用の複数の外部電極５，６ａ，６ｂとを備え、例えば、携帯電話のマザー基板に搭載される高周波モジュールの回路形成基板として用いられる。
【００２４】
各絶縁層３ａ〜３ｅを形成する材料としては、低温同時焼成セラミック（ＬＴＣＣ）、ガラスエポキシ樹脂等を用いることができる。なお、この実施形態では、各絶縁層３ａ〜３ｅが低温同時焼成セラミックでそれぞれ形成されており、積層体２の内部には、図１中図示省略の各種配線電極やビア導体が形成されている。
【００２５】
各実装電極４および各外部電極５，６ａ，６ｂは、それぞれ、Ｃｕ、Ａｇ、Ａｌ等の金属で形成されている。ここで、各実装電極４は、半田等により、実装部品にそれぞれ接続されるとともに、各外部電極５，６ａ，６ｂは、半田等により、外部のマザー基板等に設けられた接続電極にそれぞれ接続される。なお、図１において、各実装電極４は絶縁層３ａ内に埋設される構成となっているが、各実装電極４は絶縁層３ａの主面上に埋設されることなく配置されても構わない。
【００２６】
各外部電極５，６ａ，６ｂは、上記したように、積層体２の下面（本発明の「積層体の一方主面」に相当）、すなわち、最下層の絶縁層３ｅの下面にそれぞれ形成されている。これらの各外部電極５，６ａ，６ｂは、図２に示すように、接地用のグランド電極５と、信号の送受信用や電源供給用の複数の個別電極６ａ，６ｂで構成されている。
【００２７】
具体的には、グランド電極５は、本体部５ａと複数の延出部５ｂとを有し、本体部５ａが積層体２の下面の中央部に形成される。また、各個別電極６ａ，６ｂが、積層体２の下面の周縁部であって、グランド電極５の本体部５ｂを囲むように並んで配置される。このとき、グランド電極５の各延出部５ｂは、本体部５ｂの端縁から、隣接する所定の個別電極６ａ，６ｂ間の隙間に、積層体２の下面の端縁に向けて延出してそれぞれ形成される。したがって、積層体２の下面においては、各個別電極６ａ，６ｂの形成領域を除いた略全て領域にグランド電極５が配置されることになる。なお、図２において、破線で囲まれた領域は、グランド電極５の本体部５ａを示している。
【００２８】
また、図２に示すように、グランド電極５には複数のビア導体７ａが接続される。このとき、各ビア導体７ａが、グランド電極５の本体部５ａの外側に位置する各延出部５ｂにそれぞれ配置される。このように、各延出部５ｂに接続されたビア導体７ａが本発明における「第２層間接続導体」に相当する。なお、各ビア導体７ａの代わりに、例えば、Ｃｕ、Ａｇ、Ａｌなどの金属から成る線材を所定の長さに加工して形成されたピン状導体を使用してもかまわない。また、各個別電極６ａ，６ｂの中には、図示省略のビア導体が接続されているものもある。
【００２９】
また、積層体２の下面には、図３に示すように、隣接する外部電極５，６ａ，６ｂ間の短絡を防止したり、各外部電極５，６ａ，６ｂの外部との接続面積を最適化したりするための表面絶縁膜８が形成される。この表面絶縁膜８は、図３における点描写された部分であり、セラミックペーストやソルダーレジスト（この実施形態ではセラミックペースト）などを用いた印刷技術等により、外部電極５，６ａ，６ｂが形成された積層体２の下面に塗布される。
【００３０】
具体的には、表面絶縁膜８は、グランド電極５の端縁部を被覆して設けられグランド電極５と各個別電極６ａ，６ｂとの間を絶縁する電極間絶縁部８ａと、グランド電極５の本体部５ａの表面に形成され、該本体部５ａを複数の領域（この実施形態では６つの領域）に仕切る表面被覆部８ｂとを有している。なお、図３における点描写された部分中の破線は、電極間絶縁部８ａと表面被覆部８ｂの境界を示している。
【００３１】
ここで、電極間絶縁部８ａは、グランド電極５の本体部５ａの周縁部（端縁部）、延出部５ｂの周縁部、各個別電極６ａ，６ｂの周縁部および隣接する外部電極５，６ａ，６ｂ間の積層体２の下面を被覆することにより、隣接する外部電極５，６ａ，６ｂ間に介在し、隣接する外部電極５，６ａ，６ｂ間を絶縁する。
【００３２】
また、表面被覆部８ｂは、図３に示すように、横長矩形状のグランド電極５の本体部５ａの縦方向の略中心を通り、本体部５ａの長辺方向と平行に伸びる横長短冊パターン８ｂ１と、それぞれ該横長短冊パターン８ｂ１に直交する２つの縦長短冊パターン８ｂ２とが合成されたパターン形状をなしている。そして、このパターン形状で本体部５ａの表面を被覆することにより、本体部５ａの表面を、それぞれ略同じ面積を有する６つの矩形状の電極露出領域に仕切っている。これらの各電極露出領域は、外部のマザー基板に半田を用いて接続する際、対応するマザー基板側の接続電極に対して適切な半田接続が得られるように、それぞれ面積設定がなされている。なお、上記した表面被覆部８ｂのパターン形状は一例であり、グランド電極５を複数の領域に仕切るものであれば、適宜、変更可能である。また、各電極露出領域の形状も、矩形状に限らず、例えば、円状であってもかまわない。
【００３３】
ところで、この実施形態では、グランド電極５に接続される各ビア導体７ａが、グランド電極５の各延出部５ｂに配置されているため、最下層の絶縁層３ｅの一つ上の絶縁層３ｄの下面の中央部（平面視でグランド電極５の本体部５ａに重なる領域）に、広い空きスペースが形成されることになる。したがって、図４に示すように、絶縁層３ｄの下面には、この空きスペースを利用して所定の複数の配線パターン９と、グランド電極５との間で容量を形成する複数の容量電極１０とが形成される。このとき、絶縁層３ｄの下面における平面視でグランド電極５の本体部５ａに重なる領域に、各容量電極１０、および、各配線パターン９の略全体が形成される。このようにすると、多層配線基板１を外部のマザー基板に搭載した際、マザー基板と配線パターン９間の電磁結合を防止することができる。
【００３４】
（多層配線基板１の製造方法）
次に、多層配線基板１の製造方法について説明する。この多層配線基板１の製造方法では、まず、各絶縁層３ａ〜３ｅが個別に準備される。例えば、最下層の絶縁層３ｅを準備する場合、当該絶縁層３ｅを形成するセラミックグリーンシートを用意し、その一方主面の所定位置に、レーザ光を照射してビアホールを形成する。
【００３５】
続いて、形成したビアホールに、例えば、Ｃｕ、Ａｇ、Ａｌのいずれかの金属や有機溶剤等を含有する導電性ペーストを印刷技術などを用いて充填し、最下層の絶縁層３ｅに各ビア導体７ａを形成する。
【００３６】
次に、絶縁層３ｅの下面に、Ｃｕ、Ａｇ、Ａｌ等の金属で形成された各外部電極５，６ａ，６ｂを印刷技術等を用いて形成する。
【００３７】
次に、各外部電極５，６ａ，６ｂが形成された状態の絶縁層３ｅの下面に、表面絶縁膜８を形成して絶縁層３ｅが完成する。このとき、表面絶縁膜８は、絶縁層３ｅの下面に、印刷技術を用いてセラミックペーストを塗布することにより形成することができる。
【００３８】
他の絶縁層３ａ〜３ｄも同様にして準備する。このとき、最上層の絶縁層３ａの上面に形成された各実装電極４、および、下から２番目の絶縁層３ｄの下面に形成された各配線パターン９や各容量電極１０を含む各種配線電極も、各外部電極５，６ａ，６ｂと同様に、印刷技術を用いて形成することができる。
【００３９】
次に、準備した各絶縁層３ａ〜３ｅを所定の順序で積層した上で、圧着することにより、各絶縁層３ａ〜３ｅが積層されて成る積層体２を形成する。
【００４０】
最後に、加圧された状態の積層体２を所定の温度（例えば、８５０℃）で焼成することで、多層配線基板１が完成する。
【００４１】
したがって、上記した実施形態によれば、積層体２の下面の中央部に形成されたグランド電極５の本体部５ａの表面が、表面絶縁膜８の表面被覆部８ｂにより、６つの電極露出領域に仕切られる。このとき、本体部５ａの各電極露出領域が、外部のマザー基板に半田を用いて接続する際に、対応するマザー基板側の接続電極に対して適切な半田接続が得られるように、それぞれ面積設定がなされているため、グランド電極５を複数に分けて配置する従来の多層配線基板と同程度の実装性を確保することができる。
【００４２】
また、外部のマザー基板への実装性を確保するのにグランド電極を分割配置する必要がないため、グランド電極５を、内層に形成された配線電極（例えば、配線パターン９）等とマザー基板との電磁結合を防止する遮蔽電極に利用することができる。したがって、グランド電極５を分割配置した従来の多層配線基板のように、別途、別の絶縁層に大面積のグランド電極を設ける必要がなく、このグランド電極を設けない分、絶縁層３ａ〜３ｅの層数を減らして多層配線基板１の薄型化を図ることができる。
【００４３】
また、グランド電極５の面積が大きくなると、絶縁層３ｅからの剥離が懸念されるが、この剥離の基点となるグランド電極５の端縁部が表面絶縁膜８の電極間絶縁部８ａで被覆されているため、グランド電極５の絶縁層３ｅからの剥離を防止することができる。
【００４４】
また、グランド電極５は、それぞれ隣接する所定の個別電極６ａ，６ｂ間の隙間に、積層体２の下面の端縁に向けて延出して形成された複数の延出部５ｂを備え、各延出部５ｂそれぞれに、グランド電極５に接続されるビア導体７ａが配置される。このようにすると、間に延出部５ｂが形成された両個別電極６ａ，６ｂ間の信号等の相互干渉を低減することができる。
【００４５】
また、グランド電極５に接続される各ビア導体７ａを、グランド電極５の各延出部５ｂに配置することにより、最下層の絶縁層３ｅの１つ上の絶縁層３ｄの下面の中央部（平面視でグランド電極５の本体部５ａに重なる領域）に広い空きスペースが形成されるため、絶縁層３ｄの下面に形成する各種配線電極（例えば、配線パターン９、容量電極１０）の設計自由度が向上する。
【００４６】
また、この実施形態では、当該広い空きスペースを利用して絶縁層３ｄの下面に、複数の容量電極１０と複数の配線パターン９が形成されるため、多層配線基板１の薄型化が容易になる。
【００４７】
＜第２実施形態＞
本発明の第２実施形態にかかる多層配線基板１ａについて、図５〜図７を参照して説明する。なお、図５は多層配線基板１ａの表面電極膜８を除いた状態の下面図、図６は多層配線基板１ａの下面図、図７は多層配線基板１ａの下から２番目の絶縁層３ｄの下面図である。
【００４８】
この実施形態にかかる多層配線基板１ａが、図１〜図４を参照して説明した第１実施形態の多層配線基板１と異なるところは、図５に示すように、グランド電極５の延出部５ｂに加えて、本体部５ａにもビア導体７ｂが接続されていることである。その他の構成は第１実施形態の多層配線基板１と同じであるため、同一符号を付すことにより説明を省略する。
【００４９】
この場合、図５に示すように、本体部５ａに接続される複数のビア導体７ｂ（本発明の「第１層間接続導体」に相当）が、当該本体部５ａの端縁に並んで配置される。これにより、グランド電極５の延出部５ｂおよび本体部５ａの端縁の両方にビア導体７ａ，７ｂが配置されることになるため、例えば、図５の紙面左上に位置する個別電極６ａは、その左右の両隣の延出部７ｂに接続された各ビア導体７ａと、本体部５ａの端縁に配置された各ビア導体７ｂとにより囲まれる。
【００５０】
また、各ビア導体７ｂが、本体部５ａの端縁でそれぞれ接続されるため、各ビア導体７ｂは、図６に示すように、表面絶縁膜８の電極間絶縁部８ａに被覆された部分にそれぞれ配置されることになる。なお、各層間接続導体７ｂの配置箇所は、グランド電極５の本体部５ａの端縁に限らず、本体部５ａにおける表面絶縁膜８の電極間絶縁部８ｂに被覆されている領域内であれば、適宜、変更可能である。
【００５１】
また、グランド電極５の本体部５ａに接続される各ビア導体７ｂが、該本体部５ａの端縁にそれぞれ配置されているため、図７に示すように、最下層の絶縁層３ｅの１つ上の絶縁層３ｄの下面の中央部には、第１実施形態の多層配線基板１と同程度の空きスペースが確保される。
【００５２】
したがって、この実施形態によれば、グランド電極５の本体部５ａにも、複数のビア導体７ｂが接続されるため、グランド電極５の接地特性が向上する。
【００５３】
また、各ビア導体７ｂが、本体部５ａの端縁にそれぞれ配置されるため、下から２番目の絶縁層３ｄの下面において、第１実施形態の多層配線基板１と同等の配線電極の設計自由度を確保することができる。
【００５４】
また、各ビア導体７ｂは、グランド電極５の本体部５ａにおける表面絶縁膜８の電極間絶縁部８ａに被覆された部分、すなわち、絶縁層３ｅから剥離しにくい部分にそれぞれ接続されているため、グランド電極５と各ビア導体７ｂとの接続信頼性が向上する。
【００５５】
また、グランド電極５の本体部５ａの端縁にもビア導体７ｂを配置することで、所定の個別電極６ａ，６ｂ（例えば、個別電極６ａ）が、グランド電極５の延出部７ａに接続されたビア導体７ａと、本体部５ａに接続されたビア続導体７ｂとにより囲まれるため、当該囲まれた個別電極６ａ，６ｂのアイソレーション特性が向上する。
【００５６】
なお、本発明は上記した各実施形態に限定されるものではなく、その趣旨を逸脱しない限りにおいて、上記したもの以外に種々の変更を行なうことが可能である。例えば、上記した各実施形態では、各個別電極６ａ，６ｂを、積層体２の下面の周縁部であって、グランド電極５の本体部５ａの周囲の略全体を囲むように配置した場合について説明したが、必ずしも本体部５ａの周囲全体を囲まなくてもよく、積層体２の下面の周縁部の一部に並べて配置する構成であってもかまわない。
【００５７】
また、グランド電極５に、各延出部５ｂを設けなくてもよい。
【００５８】
また、本発明は、その一方主面に形成された複数の外部電極と、各外部電極間の短絡を防止する表面絶縁膜とを備える種々の多層配線基板に適用することができる。
【符号の説明】
【００５９】
１，１ａ      多層配線基板
２            積層体
３ａ〜３ｅ    絶縁層
５            グランド電極
５ｂ          延出部
６ａ，６ｂ    個別電極
７ａ          ビア導体（第２層間接続導体）
７ｂ          ビア導体（第１層間接続導体）
８            表面絶縁膜
８ａ          電極間絶縁部
８ｂ          表面被覆部
９            配線パターン
１０          容量電極
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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