(57)【要約】【課題】基板の汚染を抑制すること。【解決手段】実施形態に係る剥離装置は、第１基板と第２基板とが接合された重合基板を第１基板と第２基板とに剥離する剥離装置であって、第１保持部と、第２保持部とを備える。第１保持部は、重合基板のうち第１基板を吸着保持する。第２保持部は、重合基板のうち第２基板を吸着保持する。また、第１保持部または第２保持部は、第１基板または第２基板の板面に接触する吸着パッドを備える。そして、吸着パッドは、少なくとも表面が、パーフロロエラストマーで形成される。【選択図】図６
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１基板と第２基板とが接合された重合基板を前記第１基板と前記第２基板とに剥離する剥離装置であって、
前記重合基板のうち前記第１基板を吸着保持する第１保持部と、
前記重合基板のうち前記第２基板を吸着保持する第２保持部と
を備え、
前記第１保持部または前記第２保持部は、
前記第１基板または前記第２基板の板面に接触する吸着パッド
を備え、
前記吸着パッドは、
少なくとも表面が、パーフロロエラストマーで形成されること
を特徴とする剥離装置。
【請求項２】
前記吸着パッドは、
全てがパーフロロエラストマーで形成されること
を特徴とする請求項１に記載の剥離装置。
【請求項３】
前記第１保持部の吸着パッドは、
前記第１基板の板面の略全面に接触し、
前記第２保持部の吸着パッドは、
前記第２基板の板面の一部に接触し、
前記第２保持部の吸着パッドが、パーフロロエラストマーで形成されること
を特徴とする請求項１または２に記載の剥離装置。
【請求項４】
前記吸着パッドは、
切削または３Ｄプリンタにより成形されること
を特徴とする請求項３に記載の剥離装置。
【請求項５】
前記第２基板が前記第１基板の板面から離れる方向に前記第２保持部の吸着パッドを移動させる第１移動機構と、
前記第２基板が前記第１基板から剥がれるきっかけとなる部位を前記重合基板の側面に形成する剥離誘引部と
を備え、
前記剥離誘引部は、
鋭利部材と、
前記重合基板の側面のうち、前記第２基板における前記第１基板と前記第２基板との接合部分寄りの側面に向けて前記鋭利部材を移動させる第２移動機構と
を備えることを特徴とする請求項１〜４のいずれか一つに記載の剥離装置。
【請求項６】
前記第２移動機構は、
前記第２基板の前記接合部分寄りの側面に前記鋭利部材が当接した後、前記鋭利部材をさらに前進させること
を特徴とする請求項５に記載の剥離装置。
【請求項７】
前記第１基板が前記第２基板の板面から離れる方向に前記第１保持部の吸着パッドを移動させる第３移動機構
を備え、
前記第３移動機構が前記第１保持部を移動させながら、前記第２移動機構が前記鋭利部材をさらに前進させること
を特徴とする請求項６に記載の剥離装置。
【請求項８】
前記鋭利部材は、超硬合金で形成されること
を特徴とする請求項５〜７のいずれか一つに記載の剥離装置。
【請求項９】
前記第２保持部は、
前記部位に対応する前記第２基板の周縁部に接触する第１吸着パッドと、
前記周縁部よりも前記第２基板の中央部寄りの領域に接触する第２吸着パッドと
を備えること
を特徴とする請求項５〜８のいずれか一つに記載の剥離装置。
【請求項１０】
前記第１吸着パッドは、
前記第２吸着パッドよりも接触面積が小さいこと
を特徴とする請求項９に記載の剥離装置。
【請求項１１】
前記第１移動機構は、
前記第２基板の周縁部を前記第１基板の板面から離す方向に前記第１吸着パッドを移動させた後で、前記周縁部よりも前記第２基板の中央部寄りの領域を前記第１基板の板面から離す方向に前記第２吸着パッドを移動させること
を特徴とする請求項９または１０に記載の剥離装置。
【請求項１２】
前記第２吸着パッドは、
前記第２基板の中央部に接触すること
を特徴とする請求項９〜１１のいずれか一つに記載の剥離装置。
【請求項１３】
前記第１吸着パッドは、
前記第２基板の外縁に対応する部分が該外縁に沿って弧状に形成されること
を特徴とする請求項９〜１２のいずれか一つに記載の剥離装置。
【請求項１４】
所定の測定基準位置から前記第１保持部の保持面までの距離または前記測定基準位置と前記保持面との間に介在する物体までの距離を計測する計測部と、
前記計測部の計測結果と、予め取得された前記重合基板の厚みに関する情報とに基づいて、前記鋭利部材の前記第２基板への当接位置を調整する位置調整部と
をさらに備えることを特徴とする請求項５〜１３のいずれか一つに記載の剥離装置。
【請求項１５】
前記第１保持部を回転させる回転機構
をさらに備えることを特徴とする請求項５〜１４のいずれか一つに記載の剥離装置。
【請求項１６】
第１基板と第２基板とが接合された重合基板が載置される搬入出ステーションと、
前記搬入出ステーションに載置された重合基板を搬送する基板搬送装置と、
前記基板搬送装置によって搬送された重合基板を前記第１基板と前記第２基板とに剥離する剥離装置が設置される剥離ステーションと
を備え、
前記剥離装置は、
前記重合基板のうち前記第１基板を吸着保持する第１保持部と、
前記重合基板のうち前記第２基板を吸着保持する第２保持部と
を備え、
前記第１保持部または前記第２保持部は、
前記第１基板または前記第２基板の板面に接触する吸着パッド
を備え、
前記吸着パッドは、
少なくとも表面が、パーフロロエラストマーで形成されること
を特徴とする剥離システム。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
開示の実施形態は、剥離装置および剥離システムに関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、たとえば、半導体デバイスの製造工程において、シリコンウェハや化合物半導体ウェハなどの半導体基板の大口径化および薄型化が進んでいる。大口径で薄い半導体基板は、搬送時や研磨処理時に反りや割れが生じるおそれがある。このため、半導体基板に支持基板を貼り合わせて補強した後に、搬送や研磨処理を行い、その後、支持基板を半導体基板から剥離する処理が行われている。
【０００３】
たとえば、特許文献１には、第１の保持部を用いて半導体基板を保持するとともに、第２の保持部を用いて支持基板を保持し、第２の保持部の周縁部を鉛直方向に移動させることにより、支持基板を半導体基板から剥離する技術が開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２０１２−６９９１４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、上述した従来技術には、基板の汚染を抑制するという点で更なる改善の余地があった。
【０００６】
たとえば、特許文献１に記載の技術では、第１の保持部としてセラミック製のポーラスチャックが用いられる。しかしながら、ポーラスチャックは、焼成などの製作工程において金属汚染を受けるおそれがあり、金属汚染されたポーラスチャックに基板が接触することによって、基板が金属汚染される可能性がある。このような基板の汚染は、デバイス特性を劣化させ、歩留まりに大きな影響を与えるため、抑制することが好ましい。かかる課題は、基板の剥離を伴うＳＯＩ（Silicon  On  Insulator）などの製造工程においても生じ得る課題である。
【０００７】
実施形態の一態様は、基板の汚染を抑制することのできる剥離装置および剥離システムを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
実施形態の一態様に係る剥離装置は、第１基板と第２基板とが接合された重合基板を第１基板と第２基板とに剥離する剥離装置であって、第１保持部と、第２保持部とを備える。第１保持部は、重合基板のうち第１基板を吸着保持する。第２保持部は、重合基板のうち第２基板を吸着保持する。また、第１保持部または第２保持部は、第１基板または第２基板の板面に接触する吸着パッドを備える。そして、吸着パッドは、少なくとも表面が、パーフロロエラストマーで形成される。
【発明の効果】
【０００９】
実施形態の一態様によれば、基板の汚染を抑制することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１０】
【図１】図１は、第１の実施形態に係る剥離システムの構成を示す模式平面図である。
【図２】図２は、ダイシングフレームに保持された重合基板の模式側面図である。
【図３】図３は、ダイシングフレームに保持された重合基板の模式平面図である。
【図４】図４は、剥離システムによって実行される基板処理の処理手順を示すフローチャートである。
【図５Ａ】図５Ａは、重合基板の搬送順路を示す模式図である。
【図５Ｂ】図５Ｂは、被処理基板および支持基板の搬送順路を示す模式図である。
【図６】図６は、第１の実施形態に係る剥離装置の構成を示す模式側面図である。
【図７】図７は、従来の吸着パッドに用いられるゴム材料の金属含有量の測定結果を示す図である。
【図８】図８は、鋭利部材の模式側面図である。
【図９Ａ】図９Ａは、剥離誘引処理の動作説明図である。
【図９Ｂ】図９Ｂは、剥離誘引処理の動作説明図である。
【図９Ｃ】図９Ｃは、剥離誘引処理の動作説明図である。
【図１０Ａ】図１０Ａは、第１吸着移動部が備える吸着パッドおよび第２吸着移動部が備える吸着パッドの模式平面図である。
【図１０Ｂ】図１０Ｂは、第１吸着移動部が備える吸着パッドの模式拡大図である。
【図１１】図１１は、剥離処理の処理手順を示すフローチャートである。
【図１２Ａ】図１２Ａは、剥離装置による剥離動作の説明図である。
【図１２Ｂ】図１２Ｂは、剥離装置による剥離動作の説明図である。
【図１２Ｃ】図１２Ｃは、剥離装置による剥離動作の説明図である。
【図１２Ｄ】図１２Ｄは、剥離装置による剥離動作の説明図である。
【図１２Ｅ】図１２Ｅは、剥離装置による剥離動作の説明図である。
【図１３Ａ】図１３Ａは、第１洗浄装置の構成を示す模式側面図である。
【図１３Ｂ】図１３Ｂは、第１洗浄装置の構成を示す模式側面図である。
【図１３Ｃ】図１３Ｃは、洗浄治具の構成を示す模式平面図である。
【図１４】図１４は、第３搬送装置の構成を示す模式側面図である。
【図１５Ａ】図１５Ａは、第２洗浄装置の構成を示す模式側面図である。
【図１５Ｂ】図１５Ｂは、第２洗浄装置の構成を示す模式平面図である。
【図１６Ａ】図１６Ａは、第２保持部の変形例を示す模式平面図である。
【図１６Ｂ】図１６Ｂは、第２保持部の変形例を示す模式平面図である。
【図１７】図１７は、第２の実施形態に係る剥離装置の構成を示す模式側面図である。
【図１８Ａ】図１８Ａは、第２の実施形態に係る第２保持部の構成を示す模式斜視図である。
【図１８Ｂ】図１８Ｂは、吸着パッドの構成を示す模式平面図である。
【図１９】図１９は、計測部による計測処理の動作例を示す図である。
【図２０Ａ】図２０Ａは、ＳＯＩ基板の製造工程を示す模式図である。
【図２０Ｂ】図２０Ｂは、ＳＯＩ基板の製造工程を示す模式図である。
【図２１】図２１は、第４の実施形態に係る剥離装置の構成を示す模式側面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１１】
以下、添付図面を参照して、本願の開示する剥離装置および剥離システムの実施形態を詳細に説明する。なお、以下に示す実施形態によりこの発明が限定されるものではない。
【００１２】
（第１の実施形態）
＜１．剥離システム＞
まず、第１の実施形態に係る剥離システムの構成について、図１〜３を参照して説明する。図１は、第１の実施形態に係る剥離システムの構成を示す模式平面図である。また、図２および図３は、ダイシングフレームに保持された重合基板の模式側面図および模式平面図である。なお、以下においては、位置関係を明確にするために、互いに直交するＸ軸方向、Ｙ軸方向およびＺ軸方向を規定し、Ｚ軸正方向を鉛直上向き方向とする。
【００１３】
図１に示す第１の実施形態に係る剥離システム１は、被処理基板Ｗと支持基板Ｓとが接着剤Ｇで接合された重合基板Ｔ（図２参照）を、被処理基板Ｗと支持基板Ｓとに剥離する。
【００１４】
以下では、図２に示すように、被処理基板Ｗの板面のうち、接着剤Ｇを介して支持基板Ｓと接合される側の板面を「接合面Ｗｊ」といい、接合面Ｗｊとは反対側の板面を「非接合面Ｗｎ」という。また、支持基板Ｓの板面のうち、接着剤Ｇを介して被処理基板Ｗと接合される側の板面を「接合面Ｓｊ」といい、接合面Ｓｊとは反対側の板面を「非接合面Ｓｎ」という。
【００１５】
被処理基板Ｗは、たとえば、シリコンウェハや化合物半導体ウェハなどの半導体基板に複数の電子回路が形成された基板であり、電子回路が形成される側の板面を接合面Ｗｊとしている。また、被処理基板Ｗは、たとえば非接合面Ｗｎが研磨処理されることによって薄型化されている。具体的には、被処理基板Ｗの厚さは、約２０〜２００μｍである。
【００１６】
一方、支持基板Ｓは、被処理基板Ｗと略同径の基板であり、被処理基板Ｗを支持する。支持基板Ｓの厚みは、約６５０〜７５０μｍである。かかる支持基板Ｓとしては、シリコンウェハの他、ガラス基板などを用いることができる。また、これら被処理基板Ｗおよび支持基板Ｓを接合する接着剤Ｇの厚みは、約４０〜１５０μｍである。
【００１７】
上記のように被処理基板Ｗは非常に薄く、破損し易いため、ダイシングフレームＦによってさらに保護される。ダイシングフレームＦは、図３に示すように、重合基板Ｔよりも大径の開口部Ｆａを中央に有する略矩形状の部材であり、ステンレス鋼等の金属で形成される。
【００１８】
かかるダイシングフレームＦの開口部Ｆａに重合基板Ｔを配置し、開口部Ｆａを裏面から塞ぐように被処理基板Ｗの非接合面ＷｎおよびダイシングフレームＦにダイシングテープＰを貼り付ける。これにより、重合基板ＴはダイシングフレームＦに保持された状態となる。なお、重合基板Ｔは、被処理基板Ｗが下面に位置し、支持基板Ｓが上面に位置した状態で、ダイシングフレームＦに保持される（図２参照）。
【００１９】
第１の実施形態に係る剥離システム１は、図１に示すように、第１処理ブロック１０と第２処理ブロック２０とを備える。第１処理ブロック１０および第２処理ブロック２０は、第２処理ブロック２０および第１処理ブロック１０の順にＸ軸方向に並べて配置される。
【００２０】
第１処理ブロック１０は、ダイシングフレームＦによって保持される基板、具体的には、重合基板Ｔまたは剥離後の被処理基板Ｗに対する処理を行うブロックである。かかる第１処理ブロック１０は、搬入出ステーション１１と、第１搬送領域１２と、待機ステーション１３と、エッジカットステーション１４と、剥離ステーション１５と、第１洗浄ステーション１６とを備える。
【００２１】
また、第２処理ブロック２０は、ダイシングフレームＦによって保持されない基板、具体的には、剥離後の支持基板Ｓに対する処理を行うブロックである。かかる第２処理ブロック２０は、受渡ステーション２１と、第２洗浄ステーション２２と、第２搬送領域２３と、搬出ステーション２４とを備える。
【００２２】
第１処理ブロック１０の第１搬送領域１２と、第２処理ブロック２０の第２搬送領域２３とは、Ｘ軸方向に並べて配置される。また、第１搬送領域１２のＹ軸負方向側には、搬入出ステーション１１および待機ステーション１３が、搬入出ステーション１１および待機ステーション１３の順でＸ軸方向に並べて配置され、第２搬送領域２３のＹ軸負方向側には、搬出ステーション２４が配置される。
【００２３】
また、第１搬送領域１２を挟んで搬入出ステーション１１および待機ステーション１３の反対側には、剥離ステーション１５および第１洗浄ステーション１６が、剥離ステーション１５および第１洗浄ステーション１６の順でＸ軸方向に並べて配置される。また、第２搬送領域２３を挟んで搬出ステーション２４の反対側には、受渡ステーション２１および第２洗浄ステーション２２が、第２洗浄ステーション２２および受渡ステーション２１の順にＸ軸方向に並べて配置される。そして、第１搬送領域１２のＸ軸正方向側には、エッジカットステーション１４が配置される。
【００２４】
まず、第１処理ブロック１０の構成について説明する。搬入出ステーション１１では、ダイシングフレームＦに保持された重合基板Ｔが収容されるカセットＣｔおよび剥離後の被処理基板Ｗが収容されるカセットＣｗが外部との間で搬入出される。かかる搬入出ステーション１１には、カセット載置台が設けられており、このカセット載置台に、カセットＣｔ，Ｃｗのそれぞれが載置される複数のカセット載置板１１０ａ，１１０ｂが設けられる。
【００２５】
第１搬送領域１２では、重合基板Ｔまたは剥離後の被処理基板Ｗの搬送が行われる。第１搬送領域１２には、重合基板Ｔまたは剥離後の被処理基板Ｗの搬送を行う第１搬送装置３０が設置される。
【００２６】
第１搬送装置３０は、水平方向への移動、鉛直方向への昇降および鉛直方向を中心とする旋回が可能な搬送アーム部と、この搬送アーム部の先端に取り付けられた基板保持部とを備える基板搬送装置である。かかる第１搬送装置３０は、基板保持部を用いて基板を保持するとともに、基板保持部によって保持された基板を搬送アーム部によって所望の場所まで搬送する。
【００２７】
なお、第１搬送装置３０が備える基板保持部は、吸着あるいは把持等によりダイシングフレームＦを保持することによって、重合基板Ｔまたは剥離後の被処理基板Ｗを略水平に保持する。
【００２８】
待機ステーション１３には、ダイシングフレームＦのＩＤ（Identification）の読み取りを行うＩＤ読取装置が配置され、かかるＩＤ読取装置によって、処理中の重合基板Ｔを識別することができる。
【００２９】
この待機ステーション１３では、上記のＩＤ読取り処理に加え、処理待ちの重合基板Ｔを一時的に待機させておく待機処理が必要に応じて行われる。かかる待機ステーション１３には、第１搬送装置３０によって搬送された重合基板Ｔが載置される載置台が設けられており、かかる載置台に、ＩＤ読取装置と一時待機部とが載置される。
【００３０】
エッジカットステーション１４では、接着剤Ｇ（図２参照）の周縁部を溶剤によって溶解させて除去するエッジカット処理が行われる。かかるエッジカット処理によって接着剤Ｇの周縁部が除去されることで、後述する剥離処理において被処理基板Ｗと支持基板Ｓとを剥離させ易くすることができる。かかるエッジカットステーション１４には、接着剤Ｇの溶剤に重合基板Ｔを浸漬させることによって、接着剤Ｇの周縁部を溶剤によって溶解させるエッジカット装置が設置される。
【００３１】
剥離ステーション１５では、第１搬送装置３０によって搬送された重合基板Ｔを被処理基板Ｗと支持基板Ｓとに剥離する剥離処理が行われる。かかる剥離ステーション１５には、剥離処理を行う剥離装置が設置される。かかる剥離装置の具体的な構成および動作については、後述する。
【００３２】
第１洗浄ステーション１６では、剥離後の被処理基板Ｗの洗浄処理が行われる。第１洗浄ステーション１６には、剥離後の被処理基板ＷをダイシングフレームＦに保持された状態で洗浄する第１洗浄装置が設置される。かかる第１洗浄装置の具体的な構成については、後述する。
【００３３】
かかる第１処理ブロック１０では、待機ステーション１３においてダイシングフレームＦのＩＤ読取処理を行い、エッジカットステーション１４において重合基板Ｔのエッジカット処理を行った後で、剥離ステーション１５において重合基板Ｔの剥離処理を行う。また、第１処理ブロック１０では、第１洗浄ステーション１６において剥離後の被処理基板Ｗを洗浄した後、洗浄後の被処理基板Ｗを搬入出ステーション１１へ搬送する。その後、洗浄後の被処理基板Ｗは、搬入出ステーション１１から外部へ搬出される。
【００３４】
つづいて、第２処理ブロック２０の構成について説明する。受渡ステーション２１では、剥離後の支持基板Ｓを剥離ステーション１５から受け取って第２洗浄ステーション２２へ渡す受渡処理が行われる。受渡ステーション２１には、剥離後の支持基板Ｓを非接触で保持して搬送する第３搬送装置５０が設置され、かかる第３搬送装置５０によって上記の受渡処理が行われる。第３搬送装置５０の具体的な構成については、後述する。
【００３５】
第２洗浄ステーション２２では、剥離後の支持基板Ｓを洗浄する第２洗浄処理が行われる。かかる第２洗浄ステーション２２には、剥離後の支持基板Ｓを洗浄する第２洗浄装置が設置される。かかる第２洗浄装置の具体的な構成については、後述する。
【００３６】
第２搬送領域２３では、第２洗浄装置によって洗浄された支持基板Ｓの搬送が行われる。第２搬送領域２３には、支持基板Ｓの搬送を行う第２搬送装置４０が設置される。
【００３７】
第２搬送装置４０は、水平方向への移動、鉛直方向への昇降および鉛直方向を中心とする旋回が可能な搬送アーム部と、この搬送アーム部の先端に取り付けられた基板保持部とを備える基板搬送装置である。かかる第２搬送装置４０は、基板保持部を用いて基板を保持するとともに、基板保持部によって保持された基板を搬送アーム部によって搬出ステーション２４まで搬送する。なお、第２搬送装置４０が備える基板保持部は、たとえば支持基板Ｓを下方から支持することによって支持基板Ｓを略水平に保持するフォーク等である。
【００３８】
搬出ステーション２４では、支持基板Ｓが収容されるカセットＣｓが外部との間で搬入出される。かかる搬出ステーション２４には、カセット載置台が設けられており、このカセット載置台に、カセットＣｓが載置される複数のカセット載置板２４ａ，２４ｂが設けられる。
【００３９】
かかる第２処理ブロック２０では、剥離後の支持基板Ｓが剥離ステーション１５から受渡ステーション２１を介して第２洗浄ステーション２２へ搬送され、第２洗浄ステーション２２において洗浄される。その後、第２処理ブロック２０では、洗浄後の支持基板Ｓを搬出ステーション２４へ搬送し、洗浄後の支持基板Ｓは、搬出ステーション２４から外部へ搬出される。
【００４０】
また、剥離システム１は、制御装置６０を備える。制御装置６０は、剥離システム１の動作を制御する装置である。かかる制御装置６０は、たとえばコンピュータであり、図示しない制御部と記憶部とを備える。記憶部には、剥離処理等の各種の処理を制御するプログラムが格納される。制御部は記憶部に記憶されたプログラムを読み出して実行することによって剥離システム１の動作を制御する。
【００４１】
なお、かかるプログラムは、コンピュータによって読み取り可能な記録媒体に記録されていたものであって、その記録媒体から制御装置６０の記憶部にインストールされたものであってもよい。コンピュータによって読み取り可能な記録媒体としては、たとえばハードディスク（ＨＤ）、フレキシブルディスク（ＦＤ）、コンパクトディスク（ＣＤ）、マグネットオプティカルディスク（ＭＯ）、メモリカードなどがある。
【００４２】
次に、上述した剥離システム１の動作について図４および図５Ａ，５Ｂを参照して説明する。図４は、剥離システム１によって実行される基板処理の処理手順を示すフローチャートである。また、図５Ａは、重合基板Ｔの搬送順路を示す模式図であり、図５Ｂは、被処理基板Ｗおよび支持基板Ｓの搬送順路を示す模式図である。なお、剥離システム１は、制御装置６０の制御に基づき、図４に示す各処理手順を実行する。
【００４３】
まず、第１処理ブロック１０の第１搬送領域１２に配置される第１搬送装置３０（図１参照）は、制御装置６０の制御に基づき、重合基板Ｔを待機ステーション１３へ搬入する処理を行う（図４のステップＳ１０１、図５ＡのＴ１参照）。
【００４４】
具体的には、第１搬送装置３０は、基板保持部を搬入出ステーション１１へ進入させ、カセットＣｔに収容された重合基板Ｔを保持してカセットＣｔから取り出す。このとき、重合基板Ｔは、被処理基板Ｗが下面に位置し、支持基板Ｓが上面に位置した状態で、第１搬送装置３０の基板保持部に上方から保持される。そして、第１搬送装置３０は、カセットＣｔから取り出した重合基板Ｔを待機ステーション１３へ搬入する。
【００４５】
つづいて、待機ステーション１３では、ＩＤ読取装置が、制御装置６０の制御に基づき、ダイシングフレームＦのＩＤを読み取るＩＤ読取処理を行う（図４のステップＳ１０２）。ＩＤ読取装置によって読み取られたＩＤは、制御装置６０へ送信される。
【００４６】
つづいて、第１搬送装置３０は、制御装置６０の制御に基づき、重合基板Ｔを待機ステーション１３から搬出し、エッジカットステーション１４へ搬送する（図５ＡのＴ２参照）。そして、エッジカットステーション１４では、エッジカット装置が、制御装置６０の制御に基づき、エッジカット処理を行う（図４のステップＳ１０３）。かかるエッジカット処理により接着剤Ｇの周縁部が除去され、後段の剥離処理において被処理基板Ｗと支持基板Ｓとが剥離し易くなる。これにより、剥離処理に要する時間を短縮させることができる。
【００４７】
第１の実施形態にかかる剥離システム１では、エッジカットステーション１４が第１処理ブロック１０に組み込まれているため、第１処理ブロック１０へ搬入された重合基板Ｔを第１搬送装置３０を用いてエッジカットステーション１４へ直接搬入することができる。このため、剥離システム１によれば、一連の基板処理のスループットを向上させることができる。また、エッジカット処理から剥離処理までの時間を容易に管理することができ、剥離性能を安定化させることができる。なお、剥離システム１は、必ずしもエッジカットステーション１４を備えることを要しない。
【００４８】
また、たとえば装置間の処理時間差等により処理待ちの重合基板Ｔが生じる場合には、待機ステーション１３に設けられた一時待機部を用いて重合基板Ｔを一時的に待機させておくことができ、一連の工程間でのロス時間を短縮することができる。
【００４９】
つづいて、第１搬送装置３０は、制御装置６０の制御に基づき、エッジカット処理後の重合基板Ｔをエッジカットステーション１４から搬出して、剥離ステーション１５へ搬送する（図５ＡのＴ３参照）。そして、剥離ステーション１５では、剥離装置が、制御装置６０の制御に基づいて剥離処理を行う（図４のステップＳ１０４）。
【００５０】
その後、剥離システム１では、剥離後の被処理基板Ｗについての処理が第１処理ブロック１０で行われ、剥離後の支持基板Ｓについての処理が第２処理ブロック２０で行われる。なお、剥離後の被処理基板Ｗは、ダイシングフレームＦによって保持されている。
【００５１】
まず、第１処理ブロック１０では、第１搬送装置３０が、制御装置６０の制御に基づき、剥離後の被処理基板Ｗを剥離装置から搬出して、第１洗浄ステーション１６へ搬送する（図５ＢのＷ１参照）。
【００５２】
そして、第１洗浄装置は、制御装置６０の制御に基づき、剥離後の被処理基板Ｗの接合面Ｗｊを洗浄する被処理基板洗浄処理を行う（図４のステップＳ１０５）。かかる被処理基板洗浄処理によって、被処理基板Ｗの接合面Ｗｊに残存する接着剤Ｇが除去される。
【００５３】
つづいて、第１搬送装置３０は、制御装置６０の制御に基づき、洗浄後の被処理基板Ｗを第１洗浄装置から搬出して、搬入出ステーション１１へ搬送する被処理基板搬出処理を行う（図４のステップＳ１０６、図５ＢのＷ２参照）。その後、被処理基板Ｗは、搬入出ステーション１１から外部へ搬出されて回収される。こうして、被処理基板Ｗについての処理が終了する。
【００５４】
一方、第２処理ブロック２０では、ステップＳ１０５およびステップＳ１０６の処理と並行して、ステップＳ１０７〜Ｓ１０９の処理が行われる。
【００５５】
まず、第２処理ブロック２０では、受渡ステーション２１に設置された第３搬送装置５０が、制御装置６０の制御に基づいて、剥離後の支持基板Ｓの受渡処理を行う（図４のステップＳ１０７）。
【００５６】
このステップＳ１０７において、第３搬送装置５０は、剥離後の支持基板Ｓを剥離装置から受け取り（図５ＢのＳ１参照）、受け取った支持基板Ｓを第２洗浄ステーション２２の第２洗浄装置へ載置する（図５ＢのＳ２参照）。
【００５７】
ここで、剥離後の支持基板Ｓは、剥離装置によって上面側すなわち非接合面Ｓｎ側が保持された状態となっており、第３搬送装置５０は、支持基板Ｓの接合面Ｓｊ側を下方から非接触で保持する。そして、第３搬送装置５０は、保持した支持基板Ｓを第２洗浄ステーション２２へ搬入した後、支持基板Ｓを反転させて、第２洗浄装置へ載置する。これにより、支持基板Ｓは、接合面Ｓｊが上方を向いた状態で第２洗浄装置に載置される。そして、第２洗浄装置は、制御装置６０の制御に基づき、支持基板Ｓの接合面Ｓｊを洗浄する支持基板洗浄処理を行う（図４のステップＳ１０８）。かかる支持基板洗浄処理によって、支持基板Ｓの接合面Ｓｊに残存する接着剤Ｇが除去される。
【００５８】
つづいて、第２搬送装置４０は、制御装置６０の制御に基づき、洗浄後の支持基板Ｓを第２洗浄装置から搬出して、搬出ステーション２４へ搬送する支持基板搬出処理を行う（図４のステップＳ１０９、図５ＢのＳ３参照）。その後、支持基板Ｓは、搬出ステーション２４から外部へ搬出されて回収される。こうして、支持基板Ｓについての処理が終了する。
【００５９】
このように、第１の実施形態に係る剥離システム１は、ダイシングフレームＦに保持された基板用のフロントエンド（搬入出ステーション１１および第１搬送装置３０）と、ダイシングフレームＦに保持されない基板用のフロントエンド（搬出ステーション２４および第２搬送装置４０）とを備える構成とした。これにより、洗浄後の被処理基板Ｗを搬入出ステーション１１へ搬送する処理と、洗浄後の支持基板Ｓを搬出ステーション２４へ搬送する処理とを並列に行うことが可能となるため、一連の基板処理を効率的に行うことができる。
【００６０】
また、第１の実施形態に係る剥離システム１は、第１処理ブロック１０と第２処理ブロック２０とが、受渡ステーション２１によって接続される。これにより、剥離後の支持基板Ｓを剥離ステーション１５から直接取り出して第２処理ブロック２０へ搬入することが可能となるため、剥離後の支持基板Ｓを第２洗浄装置へスムーズに搬送することができる。
【００６１】
したがって、第１の実施形態に係る剥離システム１によれば、一連の基板処理のスループットを向上させることができる。
【００６２】
＜２．各装置の構成＞
＜２−１．剥離装置＞
次に、剥離システム１が備える各装置の構成について具体的に説明する。まず、剥離ステーション１５に設置される剥離装置の構成および剥離装置を用いて行われる重合基板Ｔの剥離動作について説明する。図６は、第１の実施形態に係る剥離装置の構成を示す模式側面図である。
【００６３】
図６に示すように、剥離装置５は処理部１００を備える。処理部１００の側面には、搬入出口（図示せず）が形成され、この搬入出口を介して、重合基板Ｔの処理部１００への搬入や、剥離後の被処理基板Ｗおよび支持基板Ｓの処理部１００からの搬出が行われる。搬入出口には、たとえば開閉シャッタが設けられ、この開閉シャッタによって処理部１００と他の領域とが仕切られ、パーティクルの進入が防止される。なお、搬入出口は、第１搬送領域１２に隣接する側面と受渡ステーション２１に隣接する側面とにそれぞれ設けられる。
【００６４】
剥離装置５は、第１保持部１１０と、フレーム保持部１２０と、下側ベース部１３０と、回転昇降機構１４０と、第２保持部１５０と、上側ベース部１６０と、剥離誘引部１７０と、位置調整部１８０とを備える。これらは処理部１００の内部に配置される。
【００６５】
第１保持部１１０は、重合基板Ｔのうち被処理基板Ｗを下方から保持し、第２保持部１５０は、重合基板Ｔのうち支持基板Ｓを上方から保持する。そして、第２保持部１５０は、保持した支持基板Ｓを被処理基板Ｗの板面から離す方向へ移動させる。これにより、剥離装置５は、重合基板Ｔを支持基板Ｓと被処理基板Ｗとに剥離する。以下、各構成要素について具体的に説明する。
【００６６】
第１保持部１１０は、重合基板Ｔを構成する被処理基板ＷをダイシングテープＰを介して吸着保持する。
【００６７】
第１保持部１１０は、円盤状の本体部１１１と、本体部１１１を支持する支柱部材１１２とを備える。支柱部材１１２は、下側ベース部１３０に支持される。
【００６８】
本体部１１１は、たとえばアルミニウムなどの金属部材で構成される。かかる本体部１１１の上面には、吸着パッド１１１ａが設けられる。吸着パッド１１１ａは、重合基板Ｔと略同径であり、重合基板Ｔの下面、すなわち、被処理基板Ｗの非接合面Ｗｎの略全面に接触する。この吸着パッド１１１ａは、たとえば炭化ケイ素等の多孔質体や多孔質セラミックで形成される。
【００６９】
本体部１１１の内部には、吸着パッド１１１ａを介して外部と連通する吸引空間１１１ｂが形成される。吸引空間１１１ｂは、吸気管１１３を介して真空ポンプなどの吸気装置１１４と接続される。
【００７０】
かかる第１保持部１１０は、吸気装置１１４の吸気によって発生する負圧を利用し、被処理基板Ｗの非接合面ＷｎをダイシングテープＰを介して吸着パッド１１１ａに吸着させる。これにより、第１保持部１１０は被処理基板Ｗを保持する。なお、ここでは、第１保持部１１０がポーラスチャックである場合の例を示したが、第１保持部は、たとえば静電チャック等であってもよい。
【００７１】
第１保持部１１０の外方には、ダイシングフレームＦを下方から保持するフレーム保持部１２０が配置される。かかるフレーム保持部１２０は、ダイシングフレームＦを吸着保持する複数の吸着パッド１２１と、吸着パッド１２１を支持する支持部材１２２と、下側ベース部１３０に固定され、支持部材１２２を鉛直方向に沿って移動させる移動機構１２３とを備える。
【００７２】
吸着パッド１２１は、ゴムなどの弾性部材によって形成され、たとえば図３に示すダイシングフレームＦの前後左右の４箇所に対応する位置にそれぞれ設けられる。この吸着パッド１２１には、吸気口（図示せず）が形成され、真空ポンプなどの吸気装置１２５が支持部材１２２および吸気管１２４を介して上記の吸気口に接続される。
【００７３】
フレーム保持部１２０は、吸気装置１２５の吸気によって発生する負圧を利用し、ダイシングフレームＦを吸着する。これにより、フレーム保持部１２０は、ダイシングフレームＦを保持する。また、フレーム保持部１２０は、ダイシングフレームＦを保持した状態で、移動機構１２３によって支持部材１２２および吸着パッド１２１を鉛直方向に沿って移動させる。これにより、フレーム保持部１２０は、ダイシングフレームＦを鉛直方向に沿って移動させる。
【００７４】
下側ベース部１３０は、第１保持部１１０およびフレーム保持部１２０の下方に配置され、第１保持部１１０およびフレーム保持部１２０を支持する。下側ベース部１３０は、処理部１００の床面に固定された回転昇降機構１４０によって支持される。
【００７５】
回転昇降機構１４０は、下側ベース部１３０を鉛直軸回りに回転させる。これにより、下側ベース部１３０に支持された第１保持部１１０およびフレーム保持部１２０が一体的に回転する。また、回転昇降機構１４０は、下側ベース部１３０を鉛直方向に移動させる。これにより、下側ベース部１３０に支持された第１保持部１１０およびフレーム保持部１２０が一体的に昇降する。
【００７６】
第１保持部１１０の上方には、第２保持部１５０が対向配置される。第２保持部１５０は、第１吸着移動部１９０と、第２吸着移動部２００とを備える。第１吸着移動部１９０および第２吸着移動部２００は、上側ベース部１６０に支持される。上側ベース部１６０は、処理部１００の天井部に取り付けられた固定部材１０１に支柱１０２を介して支持される。
【００７７】
第１吸着移動部１９０は、支持基板Ｓの周縁部を吸着保持する。また、第２吸着移動部２００は、支持基板Ｓの周縁部よりも支持基板Ｓの中央部寄りの領域を吸着保持する。そして、第１吸着移動部１９０および第２吸着移動部２００は、吸着保持した領域をそれぞれ独立に被処理基板Ｗの板面から離す方向へ移動させる。
【００７８】
第１吸着移動部１９０は、第１吸着パッド１９１と、支柱部材１９２と、移動機構１９３とを備える。また、第２吸着移動部２００は、第２吸着パッド２０１と、支柱部材２０２と、移動機構２０３とを備える。
【００７９】
第１吸着パッド１９１および第２吸着パッド２０１には、吸気口（図示せず）が形成されており、それぞれの吸気口には、吸気管１９４，２０４を介して真空ポンプなどの吸気装置１９５，２０５が接続される。
【００８０】
支柱部材１９２，２０２は、先端部において第１吸着パッド１９１および第２吸着パッド２０１を支持する。支柱部材１９２，２０２の基端部は、移動機構１９３，２０３によって支持される。移動機構１９３，２０３は、上側ベース部１６０の上部に固定されており、支柱部材１９２，２０２を鉛直方向に移動させる。
【００８１】
第１吸着移動部１９０および第２吸着移動部２００は、吸気装置１９５，２０５の吸気によって発生する負圧を利用して支持基板Ｓを吸着する。これにより、第１吸着移動部１９０および第２吸着移動部２００は、支持基板Ｓを保持する。
【００８２】
また、第１吸着移動部１９０および第２吸着移動部２００は、支持基板Ｓを保持した状態で、それぞれ移動機構１９３，２０３によって支柱部材１９２，２０２ならびに第１吸着パッド１９１および第２吸着パッド２０１を鉛直方向に沿って移動させる。これにより、支持基板Ｓを鉛直方向に沿って移動させる。
【００８３】
剥離装置５は、移動機構１９３を移動機構２０３よりも先に動作させることにより、すなわち、支持基板Ｓを周縁部から先に引っ張ることにより、支持基板Ｓを、その周縁部から中央部へ向けて被処理基板Ｗから連続的に剥離させる。このように、移動機構１９３，２０３は、支持基板Ｓが被処理基板Ｗの板面から離れる方向に第２保持部１５０の第１吸着パッド１９１および第２吸着パッド２０１を移動させる第１移動機構の一例に相当する。
【００８４】
第１吸着パッド１９１および第２吸着パッド２０１は、支持基板Ｓを被処理基板Ｗから剥離させる力に「粘り」を加えて、支持基板Ｓを被処理基板Ｗから効率良く剥離させるために、柔軟性を有する材料で形成されることが好ましい。
【００８５】
また、第１吸着パッド１９１および第２吸着パッド２０１は、支持基板Ｓに接触する部材であるため、金属の含有量が少ない材料で形成されることが好ましい。金属の含有量が少ない材料を用いることで、第１吸着パッド１９１および第２吸着パッド２０１に接触する支持基板Ｓの金属汚染を抑制することができる。また、転写などによる被処理基板Ｗの金属汚染も抑制することができる。
【００８６】
このように、第１吸着パッド１９１および第２吸着パッド２０１は、柔軟性を有し、かつ、不純物金属の含有量が少ない材料で形成されることが好ましい。このような材料として、第１の実施形態に係る剥離装置５では、パーフロロエラストマーが用いられる。パーフロロエラストマーとしては、たとえばカルレッツ（登録商標）、デュプラ（登録商標）、ダイエル（登録商標）Ｇ９０２等が挙げられる。
【００８７】
ここで、従来の吸着パッドに用いられるゴム材料には、製造工程において、弾性や強度を確保するために金属が加えられるため、金属含有量が多い。この点について図７を参照して説明する。図７は、従来の吸着パッドに用いられるゴム材料の金属含有量の測定結果を示す図である。
【００８８】
図７には、表面洗浄を行わなかった場合（処置なし）と、ＩＰＡ（イソプロピルアルコール）による表面洗浄を行った場合（ＩＰＡ洗浄後）の測定結果をそれぞれ示している。また、図７には、比較例としてＰＥＥＫ（ポリエーテルエーテルケトン）材の金属含有量の測定結果も示している。
【００８９】
図７に示すように、従来の吸着パッドに用いられるゴム材料からは、Ｎｉ，Ｃｒ，Ｆｅ，Ｚｎ，Ｔｉ，ＫおよびＣａといった金属が検出された（図７における右下がりハッチング参照）。また、ＩＰＡ洗浄を施しても、ＦｅおよびＺｎは依然として検出されることがわかる（図７における右上がりハッチング参照）。このように、従来の吸着パッドに用いられるゴム材料には金属が含有されている。
【００９０】
これに対し、パーフロロエラストマーは、従来の吸着パッドに用いられるゴム材料と比べて金属含有量が大幅に少なく、かつ、柔軟性を有するため、第１吸着パッド１９１および第２吸着パッド２０１の材料に適している。
【００９１】
このように、第１の実施形態に係る剥離装置５では、第１吸着パッド１９１および第２吸着パッド２０１の材料としてパーフロロエラストマーを用いることとしたため、被処理基板Ｗおよび支持基板Ｓの汚染を抑制することができる。また、パーフロロエラストマーは、柔軟性も有するため、支持基板Ｓを被処理基板Ｗから剥離させる力に「粘り」を加えることができ、支持基板Ｓを被処理基板Ｗから効率良く剥離させることができる。
【００９２】
なお、ＰＥＥＫ材は、従来の吸着パッドに用いられるゴム材料と比較して、金属含有量が少ない（図７における格子状のハッチング参照）。しかしながら、ＰＥＥＫ材は、柔軟性を有しないため、第１吸着パッド１９１および第２吸着パッド２０１に用いる材料としては好ましくない。
【００９３】
第１吸着パッド１９１および第２吸着パッド２０１は、切削または３Ｄプリンタにより形成されることが好ましい。これは、第１吸着パッド１９１および第２吸着パッド２０１を金型で形成した場合に、金型からの転写により第１吸着パッド１９１および第２吸着パッド２０１が金属汚染を受けるおそれがあるためである。なお、第１吸着パッド１９１および第２吸着パッド２０１は、転写の可能性がより低い３Ｄプリンタで形成されることがより好ましい。また、金型からの転写のおそれがない場合、第１吸着パッド１９１および第２吸着パッド２０１は、金型で形成されてもよい。
【００９４】
第２保持部１５０の外方には、剥離誘引部１７０が配置される。剥離誘引部１７０は、支持基板Ｓが被処理基板Ｗから剥がれるきっかけとなる部位を重合基板Ｔの側面に形成する。
【００９５】
剥離誘引部１７０は、鋭利部材１７１と、移動機構１７２とを備える。鋭利部材１７１は、たとえば刃物であり、先端が重合基板Ｔへ向けて突出するように移動機構１７２に支持される。ここで、鋭利部材１７１の形状について図８を参照して説明する。図８は、鋭利部材１７１の模式側面図である。
【００９６】
図８に示すように、鋭利部材１７１は、胴体部１７１ａと、胴体部１７１ａの先端に形成された刃先部１７１ｂとを有する。また、胴体部１７１ａは、刃先部１７１ｂに連接し、一定の厚みｔ１を有する第１平坦部１７１ａ１と、第１平坦部１７１ａ１の基端側に位置し、第１平坦部１７１ａ１よりも厚い一定の厚みｔ２を有する第２平坦部１７１ａ３と、第１平坦部１７１ａ１と第２平坦部１７１ａ３とを連接する傾斜部１７１ａ２とを有する。第１平坦部１７１ａ１の厚みｔ１は、たとえば５０μｍであり、第２平坦部１７１ａ３の厚みｔ２は、たとえば４００μｍである。
【００９７】
このように、鋭利部材１７１の胴体部１７１ａは、第１平坦部１７１ａ１を有する。これにより、第１平坦部１７１ａ１を有さない通常の刃物を用いた場合と比較して、支持基板Ｓと接着剤Ｇとの間に鋭利部材１７１を進入させた際に被処理基板Ｗに掛かる負荷を小さくすることができる。また、鋭利部材１７１の胴体部１７１ａは、第１平坦部１７１ａ１よりも厚い第２平坦部１７１ａ３を有する。これにより、鋭利部材１７１の強度を確保することができ、後述するように鋭利部材１７１を支点として支持基板Ｓに力を加えた際に、鋭利部材１７１が曲がったり欠けたりすることを防止することができる。
【００９８】
また、鋭利部材１７１は、超硬合金で形成される。これによっても、鋭利部材１７１を支点として支持基板Ｓに力を加える際の鋭利部材１７１の強度を確保することができる。
【００９９】
なお、鋭利部材１７１として、セラミック樹脂系の刃物あるいはフッ素コーティングされた刃物を用いることにより、重合基板Ｔに対して鋭利部材１７１を挿入した際のパーティクルの発生を抑えることができる。なお、鋭利部材１７１としては、たとえばカミソリ刃やローラ刃あるいは超音波カッター等を用いることができる。
【０１００】
移動機構１７２は、Ｙ軸方向に延在するレールに沿って鋭利部材１７１を移動させる。剥離装置５は、移動機構１７２を用いて鋭利部材１７１を移動させることにより、支持基板Ｓの接着剤Ｇ寄りの側面に鋭利部材１７１を当接させる。これにより、剥離装置５は、支持基板Ｓが被処理基板Ｗから剥がれるきっかけとなる部位（以下、「剥離開始部位」と記載する）を重合基板Ｔの側面に形成する。
【０１０１】
また、移動機構１７２は、位置調整部１８０によって上方から支持される。位置調整部１８０は、たとえば上側ベース部１６０の下部に固定され、移動機構１７２を鉛直方向に沿って移動させる。これにより、鋭利部材１７１の高さ位置、すなわち、重合基板Ｔの側面への当接位置を調整することができる。
【０１０２】
ここで、剥離誘引部１７０を用いて行われる剥離誘引処理の内容について図９Ａ〜図９Ｃを参照して具体的に説明する。図９Ａ〜図９Ｃは、剥離誘引処理の動作説明図である。
【０１０３】
なお、図９Ａ〜図９Ｃに示す剥離誘引処理は、重合基板Ｔのうちの被処理基板Ｗが第１保持部１１０（図６参照）によって保持された後、かつ、支持基板Ｓが第２保持部１５０によって保持される前に行われる。すなわち、剥離誘引処理は、支持基板Ｓがフリーな状態で行われる。また、剥離装置５は、制御装置６０の制御に基づき、図９Ａ〜図９Ｃに示す剥離誘引処理を行う。
【０１０４】
剥離装置５は、位置調整部１８０を用いて鋭利部材１７１の高さ位置を調整した後、移動機構１７２（図６参照）を用いて鋭利部材１７１を重合基板Ｔの側面へ向けて移動させる。具体的には、図９Ａに示すように、重合基板Ｔの側面のうち、支持基板Ｓの接着剤Ｇ寄りの側面に向けて鋭利部材１７１を略水平に移動させる。
【０１０５】
「支持基板Ｓの接着剤Ｇ寄りの側面」とは、支持基板Ｓの側面のうち、支持基板Ｓの厚みの半分の位置ｈ１よりも接合面Ｓｊ寄りの側面である。すなわち、支持基板Ｓの側面は略円弧状に形成されており、「支持基板Ｓの接着剤Ｇ寄りの側面」は、鋭利部材１７１と接合面Ｓｊとのなす角度を０度とした場合における鋭利部材１７１とのなす角度θが０度以上９０度未満の側面である。
【０１０６】
剥離装置５は、まず、鋭利部材１７１を予め決められた位置まで前進させる（予備前進）。その後、剥離装置５は、鋭利部材１７１をさらに前進させて鋭利部材１７１を支持基板Ｓの接着剤Ｇ寄りの側面に当接させる。なお、剥離誘引部１７０には、たとえばロードセル（図示せず）が設けられており、剥離装置５は、かかるロードセルを用いて鋭利部材１７１にかかる負荷を検出することによって、鋭利部材１７１が支持基板Ｓに当接したことを検出する。
【０１０７】
上述したように支持基板Ｓの側面は略円弧状に形成されている。したがって、鋭利部材１７１が支持基板Ｓの接着剤Ｇ寄りの側面に当接することにより、支持基板Ｓには、上方向きの力が加わることとなる。
【０１０８】
つづいて、図９Ｂに示すように、剥離装置５は、鋭利部材１７１をさらに前進させる。これにより、支持基板Ｓは、側面の湾曲に沿って上方へ押し上げられる。この結果、支持基板Ｓの一部が接着剤Ｇから剥離して剥離開始部位Ｍが形成される。
【０１０９】
なお、支持基板Ｓは第２保持部１５０によって保持されておらずフリーな状態であるため、支持基板Ｓの上方への移動が阻害されることがない。本処理において、鋭利部材１７１を前進させる距離ｄ１は、たとえば２ｍｍ程度である。
【０１１０】
つづいて、図９Ｃに示すように、剥離装置５は、回転昇降機構１４０（図６参照）を用いて第１保持部１１０を降下させつつ、鋭利部材１７１をさらに前進させる。これにより、被処理基板Ｗおよび接着剤Ｇには下方向きの力が加わり、鋭利部材１７１によって支持された支持基板Ｓには上方向きの力が加わる。このように、回転昇降機構１４０によって第１保持部１１０を降下させながら、移動機構１７２によって鋭利部材１７１をさらに前進させることにより、剥離開始部位Ｍを拡大させることができる。なお、回転昇降機構１４０は、被処理基板Ｗが支持基板Ｓから離れる方向に第１保持部１１０を移動させる第３移動機構の一例である。
【０１１１】
また、鋭利部材１７１を図８に示す形状としたため、支持基板Ｓと接着剤Ｇとの間に鋭利部材１７１を進入させた際に被処理基板Ｗに掛かる負荷を小さくすることができる。本処理において、鋭利部材１７１を前進させる距離ｄ２は、たとえば１ｍｍ程度である。
【０１１２】
このように、剥離装置５は、支持基板Ｓの接着剤Ｇ寄りの側面に鋭利部材１７１を突き当てることにより、支持基板Ｓが被処理基板Ｗから剥がれるきっかけとなる剥離開始部位Ｍを重合基板Ｔの側面に形成することができる。
【０１１３】
支持基板Ｓは、接着剤Ｇの約５〜１５倍程度の厚みを有する。したがって、鋭利部材１７１を接着剤Ｇに当接させて剥離開始部位を形成する場合と比較して、鋭利部材１７１の鉛直方向の位置制御が容易である。
【０１１４】
また、支持基板Ｓの接着剤Ｇ寄りの側面に鋭利部材１７１を当接させることによって、支持基板Ｓを被処理基板Ｗから引き剥がす方向の力（すなわち、上向きの力）を支持基板Ｓに加えることができる。しかも、支持基板Ｓの最外縁部に近い部位を持ち上げるため、支持基板Ｓを被処理基板Ｗから引き剥がす方向の力を支持基板Ｓに対して効率的に加えることができる。
【０１１５】
また、鋭利部材１７１を接着剤Ｇに突き当てる場合と比較して、鋭利部材１７１が被処理基板Ｗに接触する可能性を低下させることができる。
【０１１６】
なお、「支持基板Ｓの接着剤Ｇ寄りの側面」は、より好ましくは、図９Ａに示すように、支持基板Ｓの接合面Ｓｊから支持基板Ｓの厚みの１／４の位置ｈ２までの側面、すなわち、鋭利部材１７１とのなす角度θが０度以上４５度以下の側面であるのが好ましい。鋭利部材１７１とのなす角度θが小さいほど、支持基板Ｓを持ち上げる力を大きくすることができるためである。
【０１１７】
また、支持基板Ｓと接着剤Ｇとの接着力が比較的弱い場合には、図９Ａに示すように、鋭利部材１７１を支持基板Ｓの接着剤Ｇ寄りの側面に当接させるだけで剥離開始部位Ｍを形成することができる。このような場合、剥離装置５は、図９Ｂおよび図９Ｃに示す動作を省略することができる。
【０１１８】
次に、第１吸着移動部１９０および第２吸着移動部２００の配置等について図１０Ａおよび図１０Ｂを参照して説明する。図１０Ａは、第１吸着移動部１９０が備える第１吸着パッド１９１および第２吸着移動部２００が備える第２吸着パッド２０１の模式平面図である。また、図１０Ｂは、第１吸着移動部１９０が備える第１吸着パッド１９１の模式拡大図である。
【０１１９】
図１０Ａに示すように、第１吸着移動部１９０が備える第１吸着パッド１９１は、剥離開始部位Ｍに対応する支持基板Ｓの周縁部を吸着する。また、第２吸着移動部２００が備える第２吸着パッド２０１は、支持基板Ｓの中央部を吸着する。
【０１２０】
第１吸着パッド１９１は、第２吸着パッド２０１よりも吸着面積が小さく形成される。これは、第１吸着パッド１９１を小さく形成することで、剥離開始部位Ｍが形成された部分に対応する支持基板Ｓの周縁部のみを吸着して引き上げることができるためである。これにより、剥離開始部位Ｍが形成されていない周縁部まで吸着して引き上げることで剥離力が低下することを防止することができる。このように、第２保持部１５０の第１吸着パッド１９１および第２吸着パッド２０１は、支持基板Ｓの一部に接触する。
【０１２１】
図１０Ｂに示すように、第１吸着パッド１９１は、鋭利部材１７１の刃幅ｗ１よりも小さく形成されることが好ましい。これにより、剥離開始部位Ｍが形成されていない支持基板Ｓの周縁部を第１吸着パッド１９１が吸着してしまうことを確実に防止することができる。言い換えれば、剥離開始部位Ｍが形成された支持基板Ｓの周縁部のみを正確に吸着することができる。なお、第２吸着パッド２０１は、刃幅ｗ１よりも大きく形成される。
【０１２２】
また、図１０Ｂに示すように、第１吸着パッド１９１は、支持基板Ｓの外縁に対応する部分１９１ａが支持基板Ｓの外縁に沿って弧状に形成される。これにより、支持基板Ｓの最外縁部により近い領域に第１吸着パッド１９１を配置することができる。したがって、支持基板Ｓを被処理基板Ｗから引き剥がす方向の力を支持基板Ｓに対して効率的に加えることができる。なお、第１吸着パッド１９１の形状は、必ずしも図１０Ｂに示した形状であることを要しない。たとえば、第１吸着パッド１９１は、第２吸着パッド２０１と同様に、平面視円形状であってもよい。
【０１２３】
図１０Ａに示すように、第１吸着パッド１９１および第２吸着パッド２０１は、鋭利部材１７１の移動方向に沿って配置される。剥離装置５は、第１吸着パッド１９１を第２吸着パッド２０１よりも先に引き上げることにより、すなわち、支持基板Ｓを周縁部から先に引っ張ることにより、支持基板Ｓを、その周縁部から中央部へ向けて被処理基板Ｗから連続的に剥離させる。
【０１２４】
かかる剥離動作の具体的な内容について図１１および図１２Ａ〜図１２Ｅを参照して説明する。図１１は、剥離処理の処理手順を示すフローチャートである。また、図１２Ａ〜図１２Ｅは、剥離装置５による剥離動作の説明図である。なお、剥離装置５は、制御装置６０の制御に基づき、図１１に示す各処理手順を実行する。
【０１２５】
まず、剥離装置５は、第１搬送装置３０によって剥離ステーション１５へ搬入された重合基板ＴのダイシングフレームＦをフレーム保持部１２０を用いて下方から吸着保持する（ステップＳ２０１）。このとき、重合基板Ｔは、フレーム保持部１２０によってのみ保持された状態である（図１２Ａ参照）。
【０１２６】
つづいて、剥離装置５は、移動機構１２３（図６参照）を用いてフレーム保持部１２０を降下させる（ステップＳ２０２）。これにより、重合基板Ｔのうちの被処理基板Ｗが、ダイシングテープＰを介して第１保持部１１０に当接する（図１２Ｂ参照）。その後、剥離装置５は、第１保持部１１０を用い、被処理基板ＷをダイシングテープＰを介して吸着保持する（ステップＳ２０３）。これにより、重合基板Ｔは、第１保持部１１０によって被処理基板Ｗが保持され、フレーム保持部１２０によってダイシングフレームＦが保持された状態となる。
【０１２７】
その後、剥離装置５は、図９Ａ〜図９Ｃを参照して説明した剥離誘引処理を行う（ステップＳ２０４）。これにより、重合基板Ｔの側面に剥離開始部位Ｍ（図９Ｂ参照）が形成される。
【０１２８】
つづいて、剥離装置５は、第１吸着移動部１９０の第１吸着パッド１９１および第２吸着移動部２００の第２吸着パッド２０１を降下させる（ステップＳ２０５）。これにより、第１吸着パッド１９１および第２吸着パッド２０１が支持基板Ｓの非接合面Ｓｎ（図２参照）に当接する（図１２Ｃ参照）。その後、剥離装置５は、第１吸着移動部１９０および第２吸着移動部２００を用いて支持基板Ｓの非接合面Ｓｎを吸着保持する（ステップＳ２０６）。上述したように、第１吸着移動部１９０は、剥離開始部位Ｍに対応する支持基板Ｓの周縁部を吸着保持し、第２吸着移動部２００は、支持基板Ｓの中央部を吸着保持する。
【０１２９】
つづいて、剥離装置５は、第１吸着移動部１９０の第１吸着パッド１９１を上昇させる（ステップＳ２０７）。すなわち、剥離装置５は、剥離開始部位Ｍに対応する支持基板Ｓの周縁部を引っ張る。これにより、支持基板Ｓが、その周縁部から中心部へ向けて被処理基板Ｗから連続的に剥離し始める（図１２Ｄ参照）。
【０１３０】
その後、剥離装置５は、第２吸着移動部２００の第２吸着パッド２０１を上昇させる（ステップＳ２０８）。すなわち、剥離装置５は、剥離開始部位Ｍに対応する支持基板Ｓの周縁部を引っ張りつつ、支持基板Ｓの中央部をさらに引っ張る。これにより、支持基板Ｓが被処理基板Ｗから剥離する（図１２Ｅ参照）。
【０１３１】
その後、剥離装置５は、第２吸着移動部２００のみを上昇させ、あるいは、第１吸着移動部１９０のみを降下させることによって支持基板Ｓを水平にし、鋭利部材１７１を後退させて、剥離処理を終了する。
【０１３２】
このように、第１の実施形態に係る剥離装置５では、第１吸着移動部１９０が支持基板Ｓの周縁部を被処理基板Ｗの板面から離す方向へ移動させた後で、第２吸着移動部２００が支持基板Ｓの中央部を被処理基板Ｗの板面から離す方向へ移動させることとした。
【０１３３】
これにより、支持基板Ｓに対して大きな負荷をかけることなく、重合基板Ｔを支持基板Ｓと被処理基板Ｗとに剥離することができる。
【０１３４】
すなわち、たとえば特表２００７−５２６６２８号公報に記載の技術のように、重合基板の一方の周縁部を支点とし他方の周縁部に引張力を加えることによって重合基板を剥離する場合、剥離が進むに連れて支持基板が大きく反ってしまうという問題がある。これに対し、剥離装置５によれば、支持基板Ｓの周縁部を吸着保持する第１吸着移動部１９０と、支持基板Ｓの中央部を吸着保持する第２吸着移動部２００とを用いて剥離動作を行うことで、支持基板Ｓの変形を抑えつつ剥離を進めることができる。
【０１３５】
また、剥離装置５によれば、第１吸着移動部１９０のみを用いる場合と比較して、重合基板Ｔを短時間で剥離することができる。
【０１３６】
なお、剥離装置５は、被処理基板Ｗと支持基板Ｓとが剥離した後、回転昇降機構１４０を用いて第１保持部１１０およびフレーム保持部１２０を回転させてもよい。これにより、仮に、支持基板Ｓと被処理基板Ｗとに跨って貼り付いた接着剤Ｇが存在する場合に、かかる接着剤Ｇをねじ切ることができる。
【０１３７】
剥離装置５が剥離処理を終えると、第３搬送装置５０（図１参照）は、剥離後の支持基板Ｓを剥離装置５から受け取り、受け取った支持基板Ｓを第２洗浄ステーション２２（図１参照）の第２洗浄装置へ載置する。
【０１３８】
ここで、剥離後の支持基板Ｓは、第１吸着移動部１９０および第２吸着移動部２００によって非接合面Ｓｎ側が保持された状態となっており、第３搬送装置５０は、支持基板Ｓの接合面Ｓｊ側を下方から非接触で保持する。このように、第２保持部１５０は、剥離後の支持基板Ｓを第３搬送装置５０へ受け渡す受渡部としても機能する。第１の実施形態では、第２吸着移動部２００が支持基板Ｓの中央部を吸着することとしたため、剥離後の支持基板Ｓを安定して保持しておくことができる。
【０１３９】
また、第１搬送装置３０（図１参照）は、剥離後の被処理基板Ｗを剥離装置５から搬出して、第１洗浄ステーション１６へ搬送する。このとき、剥離後の被処理基板Ｗは、図１２Ｅに示すように、洗浄すべき接合面Ｗｊが上面に位置した状態で、第１保持部１１０に保持されている。このため、第１搬送装置３０は、剥離後の被処理基板Ｗを剥離装置５から搬出した後、かかる被処理基板Ｗを反転させることなくそのまま第１洗浄ステーション１６へ搬送することができる。
【０１４０】
このように、剥離装置５では、第１保持部１１０が被処理基板Ｗを下方から保持し、第２保持部１５０が重合基板Ｔのうち支持基板Ｓを上方から保持するため、剥離後の被処理基板Ｗを反転させる必要がなく、剥離処理を効率化させることができる。
【０１４１】
＜２−２．第１洗浄装置の構成＞
次に、第１洗浄装置の構成について図１３Ａ〜図１３Ｃを参照して説明する。図１３Ａおよび図１３Ｂは、第１洗浄装置の構成を示す模式側面図である。また、図１３Ｃは、洗浄治具の構成を示す模式平面図である。
【０１４２】
図１３Ａに示すように、第１洗浄装置７０は、処理容器７１を有する。処理容器７１の側面には、被処理基板Ｗの搬入出口（図示せず）が形成され、かかる搬入出口には開閉シャッタ（図示せず）が設けられる。なお、処理容器７１内には内部の雰囲気を清浄化するためのフィルタ（図示せず）が設けられる。
【０１４３】
処理容器７１内の中央部には、基板保持部７２が配置される。基板保持部７２は、ダイシングフレームＦおよび被処理基板Ｗを保持して回転させるスピンチャック７２１を有する。
【０１４４】
スピンチャック７２１は水平な上面を有し、かかる上面には例えばダイシングテープＰを吸引する吸引口（図示せず）が設けられている。そして吸引口からの吸引により、ダイシングテープＰを介して被処理基板Ｗをスピンチャック７２１上に吸着保持する。このとき、被処理基板Ｗは、その接合面Ｗｊが上方を向くようにスピンチャック７２１に吸着保持される。
【０１４５】
スピンチャック７２１の下方には、たとえばモータなどを備えたチャック駆動部７２２が配置される。スピンチャック７２１は、チャック駆動部７２２により所定の速度で回転する。また、チャック駆動部７２２は、たとえばシリンダなどの昇降駆動源を備えており、かかる昇降駆動源によってスピンチャック７２１を昇降させる。
【０１４６】
基板保持部７２の周囲には、被処理基板Ｗから飛散又は落下する液体を受け止め、回収するカップ７２３が配置される。かかるカップ７２３の下面には、回収した液体を排出する排出管７２４と、カップ７２３内の雰囲気を排気する排気管７２５が接続される。
【０１４７】
基板保持部７２の上方には、被処理基板Ｗの接合面Ｗｊを洗浄するための洗浄治具７３が配置される。洗浄治具７３は、基板保持部７２に保持された被処理基板Ｗに対向して配置されている。ここで、洗浄治具７３の構成について図１３Ｂおよび図１３Ｃを参照して説明する。
【０１４８】
図１３Ｂおよび図１３Ｃに示すように、洗浄治具７３は、略円板形状を有している。洗浄治具７３の下面には、少なくとも被処理基板Ｗの接合面Ｗｊを覆うように供給面７３１が形成されている。なお、本実施形態において、供給面７３１は、被処理基板Ｗの接合面Ｗｊとほぼ同じ大きさに形成される。
【０１４９】
洗浄治具７３の中央部には、供給面７３１および接合面Ｗｊ間に接着剤Ｇの溶剤、たとえばシンナーを供給する溶剤供給部７４と、溶剤のリンス液を供給するリンス液供給部７５と、不活性ガス、たとえば窒素ガスを供給する不活性ガス供給部７６とが設けられている。溶剤供給部７４、リンス液供給部７５、不活性ガス供給部７６は、洗浄治具７３の内部において合流し、洗浄治具７３の供給面７３１に形成された供給口７３２に連通している。すなわち、溶剤供給部７４から供給口７３２までの溶剤の流路、リンス液供給部７５から供給口７３２までのリンス液の流路、不活性ガス供給部７６から供給口７３２までの不活性ガスの流路は、それぞれ洗浄治具７３の厚み方向に貫通している。なお、リンス液には接着剤Ｇの主溶媒の成分に応じて種々の液が用いられ、たとえば純水やＩＰＡ（イソプロピルアルコール）が用いられる。また、リンス液の乾燥を促進させるため、リンス液には揮発性の高い液を用いるのが好ましい。
【０１５０】
溶剤供給部７４には、内部に溶剤を貯留する溶剤供給源７４１に連通する供給管７４２が接続されている。供給管７４２には、溶剤の流れを制御するバルブや流量調節部等を含む供給機器群７４３が設けられている。リンス液供給部７５には、内部にリンス液を貯留するリンス液供給源７５１に連通する供給管７５２が接続されている。供給管７５２には、リンス液の流れを制御するバルブや流量調節部等を含む供給機器群７５３が設けられている。不活性ガス供給部７６には、内部に不活性ガスを貯留する不活性ガス供給源７６１に連通する供給管７６２が接続されている。供給管７６２には、溶剤の流れを制御するバルブや流量調節部等を含む供給機器群７６３が設けられている。
【０１５１】
洗浄治具７３の外周部には、供給面７３１と接合面Ｗｊとの間の隙間の溶剤やリンス液を吸引するための吸引部７７が設けられている。吸引部７７は、洗浄治具７３の厚み方向に貫通して設けられている。また吸引部７７は、洗浄治具７３と同一円周上に等間隔に複数、例えば８箇所に配置されている（図１３Ｃ参照）。各吸引部７７には、例えば真空ポンプなどの負圧発生装置７７１に連通する吸気管７７２が接続されている。
【０１５２】
図１３Ａに示すように、処理容器７１の天井面であって、洗浄治具７３の上方には、洗浄治具７３を鉛直方向及び水平方向に移動させる移動機構７８が設けられている。移動機構７８は、洗浄治具７３を支持する支持部材７８１と、支持部材７８１を支持し、洗浄治具７３を鉛直方向及び水平方向に移動させるための治具駆動部７８２とを有している。
【０１５３】
第１搬送装置３０は、剥離装置５のフレーム保持部１２０（図６参照）によって下方から保持されたダイシングフレームＦを上方から保持することにより、剥離後の被処理基板Ｗを保持する。そして、第１搬送装置３０は、保持した被処理基板Ｗを第１洗浄装置７０のスピンチャック７２１上に載置する。これにより、剥離後の被処理基板Ｗは、接合面Ｗｊが上面に位置した状態でスピンチャック７２１上に載置される。
【０１５４】
そして、第１洗浄装置７０は、制御装置６０の制御に基づき、基板保持部７２上に載置された被処理基板Ｗの洗浄処理（第１洗浄処理）を行う。
【０１５５】
第１洗浄装置７０は、まず、スピンチャック７２１を用い、ダイシングテープＰを介して被処理基板ＷおよびダイシングフレームＦを吸着保持する。つづいて、第１洗浄装置７０は、移動機構７８によって洗浄治具７３の水平方向の位置を調整した後、洗浄治具７３を所定の位置まで下降させる。このとき、洗浄治具７３の供給面７３１と被処理基板Ｗの接合面Ｗｊとの間の距離は、後述するように供給面７３１および接合面Ｗｊ間において、接着剤Ｇの溶剤が表面張力によって拡散することができる距離に設定される。
【０１５６】
その後、第１洗浄装置７０は、スピンチャック７２１によって被処理基板Ｗを回転させながら、溶剤供給源７４１から溶剤供給部７４に溶剤を供給する。かかる溶剤は、供給口７３２から供給面７３１および接合面Ｗｊ間の空間に供給され、この空間において溶剤の表面張力と被処理基板Ｗの回転による遠心力により、被処理基板Ｗの接合面Ｗｊ上を拡散する。このとき、第１洗浄装置７０は、吸引部７７によって溶剤を適宜吸引することにより、溶剤がダイシングテープＰ上に流入しないようにする。これにより、ダイシングテープＰの強度が溶剤によって弱まることを防ぐことができる。このようにして、被処理基板Ｗの接合面Ｗｊの全面に溶剤が供給される。
【０１５７】
その後、第１洗浄装置７０は、被処理基板Ｗの接合面Ｗｊを溶剤に浸した状態を所定の時間、たとえば数分間維持する。そうすると、接合面Ｗｊに残存していた接着剤Ｇ等の不純物が溶剤によって除去される。
【０１５８】
その後、第１洗浄装置７０は、スピンチャック７２１による被処理基板Ｗの回転と、吸引部７７による溶剤の吸引を引き続き行った状態で、洗浄治具７３を所定の位置まで上昇させる。つづいて、第１洗浄装置７０は、リンス液供給源７５１からリンス液供給部７５にリンス液を供給する。リンス液は、溶剤と混合されつつ、表面張力と遠心力によって被処理基板Ｗの接合面Ｗｊ上を拡散する。これにより、溶剤とリンス液との混合液が、被処理基板Ｗの接合面Ｗｊの全面に供給される。
【０１５９】
その後、スピンチャック７２１による被処理基板Ｗの回転と、吸引部７７による吸引を引き続き行った状態で、洗浄治具７３を所定の位置まで下降させる。そして、不活性ガス供給源７６１から不活性ガス供給部７６および供給口７３２を介して不活性ガスが供給される。不活性ガスは、溶剤とリンス液の混合液を被処理基板Ｗの外方へ押し流す。これにより、溶剤とリンス液の混合液は、吸引部７７から吸引され、被処理基板Ｗの接合面Ｗｊから混合液が除去される。
【０１６０】
その後、第１洗浄装置７０は、スピンチャック７２１による被処理基板Ｗの回転と、不活性ガスの供給を引き続き行うことにより、被処理基板Ｗを乾燥させる。これにより、被処理基板Ｗの洗浄処理（第１洗浄処理）が完了する。洗浄後の被処理基板Ｗは、第１搬送装置３０によって第１洗浄装置７０から搬出され、搬入出ステーション１１のカセットＣｗへ搬送される。
【０１６１】
＜２−３．第３搬送装置の構成＞
次に、受渡ステーション２１に設置される第３搬送装置５０の構成について図１４を参照して説明する。図１４は、第３搬送装置５０の構成を示す模式側面図である。
【０１６２】
図１４に示すように、第３搬送装置５０は、被処理基板Ｗを保持するベルヌーイチャック５１を備える。ベルヌーイチャック５１は、吸着面に設けられた噴射口から被処理基板Ｗの板面へ向けて気体を噴射させ、吸着面と被処理基板Ｗの板面との間隔に応じて気体の流速が変化することに伴う負圧の変化を利用して被処理基板Ｗを非接触状態で保持する。
【０１６３】
また、第３搬送装置５０は、第１アーム５２と第２アーム５３と基部５４とを備える。第１アーム５２は、水平方向に延在し、先端部においてベルヌーイチャック５１を支持する。第２アーム５３は、鉛直方向に延在し、先端部において第１アーム５２の基端部を支持する。かかる第２アーム５３の先端部には、第１アーム５２を水平軸回りに回転させる駆動機構が設けられており、かかる駆動機構を用いて第１アーム５２を水平軸回りに回転させることにより、ベルヌーイチャック５１を反転させることができる。
【０１６４】
第２アーム５３の基端部は、基部５４によって支持される。基部５４には、第２アーム５３を回転および昇降させる駆動機構が設けられている。かかる駆動機構を用いて第２アーム５３を回転または昇降させることにより、ベルヌーイチャック５１を鉛直軸回りに旋回または昇降させることができる。
【０１６５】
第３搬送装置５０は、上記のように構成されており、制御装置６０の制御に基づき、剥離後の支持基板Ｓを剥離装置５から受け取って第２洗浄装置８０へ渡す受渡処理を行う。
【０１６６】
具体的には、第３搬送装置５０は、ベルヌーイチャック５１を用い、剥離装置５の第１保持部１１０によって上方から保持された支持基板Ｓを下方から保持する。これにより、支持基板Ｓは、非接合面Ｓｎが上方を向いた状態で、ベルヌーイチャック５１に保持される。つづいて、第３搬送装置５０は、第２アーム５３を鉛直軸回りに回転させることによってベルヌーイチャック５１を旋回させる。これにより、ベルヌーイチャック５１に保持された支持基板Ｓが剥離ステーション１５から受渡ステーション２１を経由して第２洗浄ステーション２２へ移動する。
【０１６７】
つづいて、第３搬送装置５０は、第１アーム５２を水平軸回りに回転させることによって、ベルヌーイチャック５１を反転させる。これにより、支持基板Ｓは、非接合面Ｓｎが下方を向いた状態となる。そして、第３搬送装置５０は、第２アーム５３を降下させることによりベルヌーイチャック５１を降下させて、ベルヌーイチャック５１に保持された支持基板Ｓを第２洗浄装置へ載置する。これにより、支持基板Ｓは、接合面Ｓｊが上方を向いた状態で第２洗浄装置へ載置され、第２洗浄装置によって接合面Ｓｊが洗浄される。
【０１６８】
＜２−４．第２洗浄装置の構成＞
次に、第２洗浄ステーション２２に設置される第２洗浄装置の構成について図１５Ａおよび図１５Ｂを参照して説明する。図１５Ａは、第２洗浄装置の構成を示す模式側面図であり、図１５Ｂは、第２洗浄装置の構成を示す模式平面図である。
【０１６９】
図１５Ａに示すように、第２洗浄装置８０は、処理容器８１を有している。処理容器８１の側面には、支持基板Ｓの搬入出口（図示せず）が形成され、当該搬入出口には開閉シャッタ（図示せず）が設けられている。
【０１７０】
処理容器８１内の中央部には、支持基板Ｓを保持して回転させるスピンチャック８２が配置される。スピンチャック８２は、水平な上面を有しており、かかる上面には支持基板Ｓを吸引する吸引口（図示せず）が設けられている。この吸引口からの吸引により、支持基板Ｓは、スピンチャック８２上で吸着保持される。
【０１７１】
スピンチャック８２の下方には、たとえばモータなどを備えたチャック駆動部８３が配置される。チャック駆動部８３は、スピンチャック８２を所定の速度で回転させる。また、チャック駆動部８３には、たとえばシリンダなどの昇降駆動源が設けられており、スピンチャック８２は昇降自在になっている。
【０１７２】
スピンチャック８２の周囲には、支持基板Ｓから飛散又は落下する液体を受け止め、回収するカップ８４が配置される。カップ８４の下面には、回収した液体を排出する排出管８４１と、カップ８４内の雰囲気を真空引きして排気する排気管８４２とが接続される。
【０１７３】
図１５Ｂに示すように、処理容器８１にはレール８５が設けられており、かかるレール８５には、アーム８６の基端部が取り付けられる。また、アーム８６の先端部には、支持基板Ｓに洗浄液、たとえば有機溶剤を供給する洗浄液ノズル８７が支持される。
【０１７４】
アーム８６は、ノズル駆動部８６１により、レール８５上を移動自在である。これにより、洗浄液ノズル８７は、カップ８４の側方に設置された待機部８８からカップ８４内の支持基板Ｓの中心部上方まで移動することができ、さらに支持基板Ｓ上を支持基板Ｓの径方向に移動することができる。また、アーム８６は、ノズル駆動部８６１によって昇降自在であり、これにより、洗浄液ノズル８７の高さを調節することができる。
【０１７５】
洗浄液ノズル８７には、図１５Ａに示すように、洗浄液ノズル８７に洗浄液を供給する供給管８９１が接続される。供給管８９１は、内部に洗浄液を貯留する洗浄液供給源８９２に連通している。供給管８９１には、洗浄液の流れを制御するバルブや流量調節部等を含む供給機器群８９３が設けられている。
【０１７６】
第２洗浄装置８０は、上記のように構成されており、制御装置６０の制御に基づき、第３搬送装置５０によって搬送された支持基板Ｓの洗浄処理（第２洗浄処理）を行う。
【０１７７】
具体的には、剥離後の支持基板Ｓは、第３搬送装置５０によって接合面Ｓｊを上方に向けた状態で第２洗浄装置８０のスピンチャック８２に載置される。第２洗浄装置８０は、スピンチャック８２を用いて支持基板Ｓを吸着保持した後、スピンチャック８２を所定の位置まで下降させる。つづいて、アーム８６によって待機部８８の洗浄液ノズル８７を支持基板Ｓの中心部の上方まで移動させる。その後、スピンチャック８２によって支持基板Ｓを回転させながら、洗浄液ノズル８７から支持基板Ｓの接合面Ｓｊに洗浄液を供給する。供給された洗浄液は遠心力により支持基板Ｓの接合面Ｓｊの全面に拡散されて、接合面Ｓｊが洗浄される。
【０１７８】
洗浄後の支持基板Ｓは、第２搬送装置４０によって第２洗浄装置８０から搬出され、搬出ステーション２４のカセットＣｓに収容される。
【０１７９】
なお、スピンチャック８２の下方には、支持基板Ｓを下方から支持し昇降させるための昇降ピン（図示せず）が設けられていてもよい。かかる場合、昇降ピンはスピンチャック８２に形成された貫通孔（図示せず）を挿通し、スピンチャック８２の上面から突出可能になっている。そして、スピンチャック８２を昇降させる代わりに昇降ピンを昇降させて、スピンチャック８２との間で支持基板Ｓの受け渡しが行われる。
【０１８０】
また、第２洗浄装置８０において、スピンチャック８２の下方には、支持基板Ｓの裏面、すなわち非接合面Ｓｎ（図２参照）に向けて洗浄液を噴射するバックリンスノズル（図示せず）が設けられていてもよい。このバックリンスノズルから噴射される洗浄液によって、支持基板Ｓの非接合面Ｓｎと支持基板Ｓの外周部が洗浄される。
【０１８１】
上述してきたように、第１の実施形態に係る剥離装置５は、第１保持部１１０と、第２保持部１５０とを備える。第１保持部１１０は、重合基板Ｔのうち被処理基板Ｗ（第１基板の一例）を吸着保持する。第２保持部１５０は、重合基板Ｔのうち支持基板Ｓ（第２基板の一例）を吸着保持する。また、第２保持部１５０は、支持基板Ｓの板面に接触する第１吸着パッド１９１および第２吸着パッド２０１を備える。そして、第１吸着パッド１９１および第２吸着パッド２０１は、パーフロロエラストマーで形成される。
【０１８２】
したがって、第１の実施形態に係る剥離装置５によれば、被処理基板Ｗおよび支持基板Ｓの汚染を抑制することができる。
【０１８３】
また、第１の実施形態に係る剥離装置５は、剥離誘引部１７０を備える。剥離誘引部１７０は、支持基板Ｓが被処理基板Ｗから剥がれるきっかけとなる剥離開始部位Ｍを重合基板Ｔの側面に形成する。そして、第１の実施形態に係る剥離装置５では、剥離誘引部１７０が、鋭利部材１７１と、重合基板Ｔの側面のうち、支持基板Ｓにおける被処理基板Ｗと支持基板Ｓとの接合部分である接着剤Ｇ寄りの側面に向けて鋭利部材１７１を移動させる移動機構１７２とを備える。したがって、第１の実施形態に係る剥離装置５によれば、剥離処理の効率化を図ることができる。また、鋭利部材１７１が被処理基板Ｗに接触して被処理基板Ｗが傷つく可能性も低下させることができる。
【０１８４】
また、第１の実施形態に係る剥離装置５では、第２保持部１５０が、第１吸着移動部１９０と、第２吸着移動部２００とを備える。第１吸着移動部１９０は、剥離開始部位Ｍに対応する支持基板Ｓの周縁部を吸着し、この周縁部を被処理基板Ｗの板面から離す方向へ移動させる。また、第２吸着移動部２００は、支持基板Ｓの中央部を吸着し、この中央部を被処理基板Ｗの板面から離す方向へ移動させる。したがって、第１の実施形態に係る剥離装置５によれば、支持基板Ｓに大きな負荷をかけることなく、重合基板Ｔを支持基板Ｓと被処理基板Ｗとに剥離することができる。また、重合基板Ｔを短時間で剥離することができる。
【０１８５】
ところで、第２保持部の構成は、第１の実施形態において示した構成に限定されない。そこで、以下では、第２保持部の変形例について図１６Ａおよび図１６Ｂを参照して説明する。図１６Ａおよび図１６Ｂは、第２保持部の変形例を示す模式平面図である。
【０１８６】
上述した第１の実施形態では、第２吸着移動部２００が支持基板Ｓの中央部を吸着保持する場合の例を示したが、第２吸着移動部２００が吸着保持する領域は、支持基板Ｓの中央部よりもわずかに第１吸着移動部１９０の第１吸着パッド１９１寄りの領域であってもよい。
【０１８７】
たとえば、図１６Ａに示すように、第２吸着パッド２０１Ａは、その中心ｃ１が支持基板Ｓの中心ｃ２よりも第１吸着パッド１９１寄りに位置し、かつ、その吸着領域内に支持基板Ｓの中心ｃ２が含まれる領域を吸着することとしてもよい。
【０１８８】
このように、支持基板Ｓの中央部よりもわずかに第１吸着パッド１９１寄りの領域、すなわち、剥離の進行方向手前の領域を吸着して引っ張ることで、大きな引張力を必要とする支持基板Ｓの中央部を効率的に剥離することができる。
【０１８９】
また、第２保持部は、第２吸着移動部を複数備える構成であってもよい。たとえば、図１６Ｂに示すように、第２保持部は、第３吸着パッド２１１をさらに備える。第３吸着パッド２１１は、第１吸着パッド１９１と第２吸着パッド２０１との間に配置され、第１吸着パッド１９１および第２吸着パッド２０１と同様、支柱部材を介して移動機構に接続される。
【０１９０】
このように、第２吸着移動部を複数備えることにより、第２吸着移動部が１つである場合と比較して重合基板Ｔをより短時間で剥離することができる。
【０１９１】
なお、第３吸着パッド２１１の吸着面積は、剥離の進行方向の基端側に設けられる第１吸着パッド１９１よりも大きく、剥離の進行方向の先端側に設けられる第２吸着パッド２０１よりも小さい。すなわち、第１吸着パッド１９１、第２吸着パッド２０１および第３吸着パッド２１１は、剥離の進行方向の先端側に設けられるものほど吸着面積が大きく形成される。
【０１９２】
（第２の実施形態）
第２の実施形態では、剥離装置の他の構成について説明する。図１７は、第２の実施形態に係る剥離装置の構成を示す模式側面図である。なお、以下の説明では、既に説明した部分と同様の部分については、既に説明した部分と同一の符号を付し、重複する説明を省略する。
【０１９３】
図１７に示すように、第２の実施形態に係る剥離装置５Ａは、第１の実施形態に係る剥離装置５が備える固定部材１０１、支柱１０２、第２保持部１５０、上側ベース部１６０に代えて、上側ベース部２３０と、第２保持部２４０と、局所移動部２５０と、移動機構２６０とを備える。
【０１９４】
第２保持部２４０は、上側ベース部２３０によって上方から支持される。上側ベース部２３０は移動機構２６０に支持されており、移動機構２６０が上側ベース部２３０を鉛直方向に移動させることによって、第２保持部２４０は鉛直方向に昇降する。
【０１９５】
第２保持部２４０は、後述する局所移動部２５０によって引っ張られた際に、その形状を柔軟に変化させることができるように、柔軟性を有する部材で形成される。ここで、第２保持部２４０の具体的な構成について図１８Ａおよび図１８Ｂを参照して説明する。図１８Ａは、第２の実施形態に係る第２保持部２４０の構成を示す模式斜視図であり、図１８Ｂは、吸着パッドの構成を示す模式平面図である。
【０１９６】
図１８Ａに示すように、第２保持部２４０は、薄板状の本体部２４１と、本体部２４１の表面に貼り付けられた吸着パッド２４２とを備える。本体部２４１は、たとえば板バネなどの弾性部材で形成され、吸着パッド２４２は、樹脂部材で形成される。
【０１９７】
本体部２４１は、重合基板Ｔと略同径の円盤部２４１ａを有し、かかる円盤部２４１ａの下面に吸着パッド２４２が貼り付けられる。
【０１９８】
円盤部２４１ａの外周部には、引張部２４１ｂが設けられており、かかる引張部２４１ｂの先端に、後述する局所移動部２５０のシリンダ２５２を取り付けるための取付部２４１ｂ１が形成される。
【０１９９】
吸着パッド２４２は、重合基板Ｔの吸着領域が形成された円盤状の樹脂部材である。具体的には、かかる吸着パッド２４２も、第１の実施形態に係る第１吸着パッド１９１および第２吸着パッド２０１と同様に、パーフロロエラストマーで形成される。したがって、第２の実施形態に係る剥離装置５Ａも、被処理基板Ｗおよび支持基板Ｓの汚染を抑制することができる。吸着パッド２４２の吸着領域は、図１８Ｂに示すように、中心から径方向に伸びる複数の直線Ｌ１，Ｌ２と複数の円弧ａ１〜ａ３とによって、複数の個別領域Ｒ１〜Ｒ４に分割される。
【０２００】
各個別領域Ｒ１〜Ｒ４には、吸気口２４３ａ〜２４３ｄがそれぞれ形成されており、各吸気口２４３ａ〜２４３ｄは、図１７に示す吸気管２４３を介して真空ポンプなどの吸気装置２４４と接続される。第２保持部２４０は、吸気装置２４４の吸気によって各吸気口２４３ａ〜２４３ｄから重合基板Ｔを構成する支持基板Ｓを吸引することによって、支持基板Ｓを個別領域Ｒ１〜Ｒ４ごとに吸着保持する。
【０２０１】
このように、吸着パッド２４２の吸着領域を複数の個別領域Ｒ１〜Ｒ４に分割し、個別領域Ｒ１〜Ｒ４ごとに支持基板Ｓを吸着保持することにより、たとえば一部の個別領域で空気漏れ等が生じた場合であっても、他の個別領域によって支持基板Ｓを適切に保持しておくことができる。
【０２０２】
また、各個別領域Ｒ１〜Ｒ４は、剥離の進行方向の基端側に設けられる個別領域よりも進行方向の先端側に設けられる個別領域が大きく形成される。たとえば、個別領域Ｒ１〜Ｒ３は、剥離の進行方向に沿って個別領域Ｒ１、個別領域Ｒ２、個別領域Ｒ３の順に配置されており、個別領域Ｒ１よりも個別領域Ｒ２が大きく、個別領域Ｒ２よりも個別領域Ｒ３が大きく形成される。
【０２０３】
吸着領域が小さくなるほど、その吸着領域における吸着力は大きくなるため、上記のように構成することにより、剥離の進行方向の基端側に配置される個別領域Ｒ１の吸着力を他の個別領域Ｒ２〜Ｒ４と比較して大きくすることができる。また、剥離の進行方向の基端側の領域は、被処理基板Ｗと支持基板Ｓとを剥離する際に最も大きな力が必要となる領域である。したがって、かかる領域の吸着力を高めることにより、被処理基板Ｗと支持基板Ｓとを確実に剥離させることができる。
【０２０４】
また、各個別領域Ｒ１〜Ｒ４の吸気口２４３ａ〜２４３ｄを、剥離の進行方向に沿って並べて形成することで、剥離動作中に支持基板Ｓをより確実に保持しておくことができる。
【０２０５】
図１７に戻り、剥離装置５Ａの構成についての説明を続ける。第２保持部２４０の上方には、上側ベース部２３０が第２保持部２４０と空隙を介して対向配置される。上側ベース部２３０の下面には複数の支持部材２２１が第２保持部２４０へ向けて突設される。かかる支持部材２２１と第２保持部２４０とが固定されることによって、第２保持部２４０は、上側ベース部２３０に支持された状態となる。
【０２０６】
局所移動部２５０は、第２保持部２４０の周縁部の一部を第１保持部１１０から離す方向へ移動させる。具体的には、局所移動部２５０は、上側ベース部２３０に固定された本体部２５１と、基端部が本体部２５１に固定され、本体部２５１によって鉛直方向に沿って昇降するシリンダ２５２とを備える。シリンダ２５２の先端部は、第２保持部２４０の本体部２４１に設けられた引張部２４１ｂの取付部２４１ｂ１（図１８Ａ参照）に固定される。
【０２０７】
かかる局所移動部２５０は、本体部２５１を用いてシリンダ２５２を鉛直上方に移動させることにより、シリンダ２５２に固定された引張部２４１ｂを鉛直上方へ移動させる。これにより、第２保持部２４０に保持された支持基板Ｓの周縁部の一部が鉛直上方へ移動し、第２保持部２４０に保持された被処理基板Ｗから剥離される。
【０２０８】
また、局所移動部２５０には、ロードセル２５３が設けられており、局所移動部２５０は、シリンダ２５２にかかる負荷をロードセル２５３によって検出することができる。局所移動部２５０は、ロードセル２５３による検出結果に基づいて、支持基板Ｓにかかる鉛直上向きの力を制御しながら、第２保持部２４０を引っ張ることができる。
【０２０９】
上側ベース部２３０の上方には、移動機構２６０が配置される。移動機構２６０は、処理部１００の天井部に固定された本体部２６１と、基端部が本体部２６１に固定されて鉛直方向に沿って昇降する駆動手段２６２とを備える。駆動手段２６２としては、たとえばモータやシリンダ等を用いることができる。駆動手段２６２の先端部は、上側ベース部２３０に固定される。
【０２１０】
かかる移動機構２６０は、本体部２６１を用いて駆動手段２６２を鉛直上方に移動させることにより、駆動手段２６２に固定された上側ベース部２３０を鉛直方向に沿って移動させる。これにより、上側ベース部２３０に支持された第２保持部２４０および局所移動部２５０が昇降する。
【０２１１】
上記のように構成された剥離装置５Ａは、図１１に示すステップＳ２０１〜Ｓ２０４までの処理を行った後、移動機構２６０を用いて第２保持部２４０を降下させる。これにより、第２保持部２４０が支持基板Ｓに当接する。その後、剥離装置５Ａは、第２保持部２４０を用いて支持基板Ｓを吸着保持する。
【０２１２】
つづいて、剥離装置５Ａは、局所移動部２５０を用いて第２保持部２４０の周縁部の一部を引っ張る。具体的には、局所移動部２５０は、第２保持部２４０の本体部２４１に設けられた引張部２４１ｂをシリンダ２５２の動作によって鉛直上向きに移動させる。これにより、重合基板Ｔの周縁部が鉛直上向きに引っ張られて、支持基板Ｓが、その周縁部から中心部へ向けて被処理基板Ｗから連続的に剥離し始める。
【０２１３】
ここで、上述したように、第２保持部２４０は、柔軟性を有する部材で形成されるため、局所移動部２５０が第２保持部２４０の引張部２４１ｂを鉛直上向きに引っ張った際に、かかる引っ張りに伴って柔軟に変形する。これにより、剥離装置５Ａは、被処理基板Ｗに対して大きな負荷をかけることなく、支持基板Ｓを被処理基板Ｗから剥離させることができる。
【０２１４】
そして、剥離装置５Ａは、移動機構２６０を用いて第２保持部２４０を上昇させる。これにより、支持基板Ｓが被処理基板Ｗから剥離する。その後、剥離装置５Ａは、剥離処理を終了する。
【０２１５】
このように、第２の実施形態に係る剥離装置５Ａは、第２保持部２４０が柔軟性を有する部材で形成される。したがって、被処理基板Ｗに対して大きな負荷をかけることなく、支持基板Ｓを被処理基板Ｗから剥離させることができる。
【０２１６】
（第３の実施形態）
剥離装置は、鋭利部材１７１の高さ位置を計測する計測部をさらに備えていてもよい。以下では、かかる場合の例について説明する。図１９は、計測部による計測処理の動作例を示す図である。
【０２１７】
図１９に示すように、第３の実施形態に係る剥離装置５Ｂは、第１の実施形態に係る剥離装置５が備える各構成要素に加え、計測部３１０をさらに備える。
【０２１８】
計測部３１０は、たとえばレーザ変位計であり、たとえば上側ベース部２３０に設けられる。かかる計測部３１０は、所定の測定基準位置から第１保持部１１０の保持面までの距離または測定基準位置と第１保持部１１０の保持面との間に介在する物体までの距離を計測する。
【０２１９】
計測部３１０による計測結果は、制御装置６０（図１参照）へ送信される。制御装置６０は、図示しない記憶部に、外部装置によって予め取得された重合基板Ｔの厚みに関する情報（以下、「事前厚み情報」と記載する）を記憶する。かかる事前厚み情報には、重合基板Ｔの厚み、被処理基板Ｗの厚み、支持基板Ｓの厚み、接着剤Ｇの厚みおよびダイシングテープＰの厚みが含まれる。
【０２２０】
制御装置６０は、計測部３１０から取得した計測結果と、記憶部に記憶された事前厚み情報とに基づき、支持基板Ｓの接着剤Ｇ寄りの側面に鋭利部材１７１が当接するように鋭利部材１７１の高さ位置を決定する。そして、制御装置６０は、決定した高さ位置に鋭利部材１７１の先端が位置するように位置調整部１８０を制御して剥離誘引部１７０を移動させる。
【０２２１】
ここで、剥離誘引部１７０の位置調整処理の内容について具体的に説明する。まず、剥離装置５Ｂは、計測部３１０を用いて第１保持部１１０の保持面までの距離Ｄ１を計測する。このとき、剥離装置５Ｂには、重合基板Ｔが未だ搬入されていない状態である。
【０２２２】
なお、図１９に示す重合基板Ｔの厚みＤ４、被処理基板Ｗの厚みＤ４ｗ、接着剤Ｇの厚みＤ４ｇ、支持基板Ｓの厚みＤ４ｓおよびダイシングテープＰの厚みＤ４ｐは、事前厚み情報として制御装置６０の記憶部に記憶された情報である。
【０２２３】
つづいて、剥離装置５Ｂは、重合基板ＴおよびダイシングフレームＦを第１保持部１１０およびフレーム保持部１２０を用いて吸着保持した後、第１保持部１１０によって吸着保持された重合基板Ｔの上面すなわち支持基板Ｓの非接合面Ｓｎまでの距離Ｄ２を計測する。かかる計測結果は、制御装置６０へ送信される。制御装置６０は、計測部３１０の計測結果より算出される重合基板Ｔの厚み（Ｄ１−Ｄ２）と、事前厚み情報に含まれる重合基板Ｔの厚み（Ｄ４）との差が所定範囲内であるか否かを判定する。
【０２２４】
ここで、計測部３１０の計測結果より算出される重合基板Ｔの厚み（Ｄ１−Ｄ２）と、事前厚み情報が示す厚み（Ｄ４）との誤差が所定範囲を超える場合には、たとえば本来搬入されるべき重合基板Ｔとは異なる重合基板Ｔが誤って搬入された可能性がある。このような場合には、支持基板Ｓの接着剤Ｇ寄りの側面に鋭利部材１７１を適切に当接させることができず、場合によっては、鋭利部材１７１が被処理基板Ｗに接触して被処理基板Ｗが損傷するおそれがある。
【０２２５】
このため、計測部３１０の計測結果を用いて算出される重合基板Ｔの厚みと、事前厚み情報に含まれる重合基板Ｔの厚みとの誤差が所定範囲を超える場合には、剥離装置５Ｂは、その後の処理を中止する。
【０２２６】
一方、事前厚み情報との誤差が所定範囲内である場合、制御装置６０は、支持基板Ｓの接着剤Ｇ寄りの側面の範囲、すなわち、支持基板Ｓの厚みの半分の位置から接合面Ｓｊまでの高さ範囲を事前厚み情報に基づいて算出する。具体的には、支持基板Ｓの接着剤Ｇ寄りの側面の範囲は、Ｄ２＋Ｄ４ｓ／２〜Ｄ２＋Ｄ４ｓとなる。そして、制御装置６０は、かかる高さ範囲内に鋭利部材１７１の高さ位置を決定する。
【０２２７】
制御装置６０によって剥離誘引部１７０の切り込み位置が決定されると、剥離装置５Ｂは、制御装置６０の制御に基づき、位置調整部１８０を用いて剥離誘引部１７０を移動させることによって鋭利部材１７１の高さ位置を調整する。
【０２２８】
このように、第３の実施形態に係る剥離装置５Ｂは、計測部３１０と、位置調整部１８０とを備える。計測部３１０は、所定の測定基準位置から第１保持部１１０の保持面までの距離または測定基準位置と第１保持部１１０の保持面との間に介在する物体までの距離を計測する。位置調整部１８０は、計測部３１０の計測結果と、予め取得された重合基板Ｔの厚みに関する情報とに基づいて、鋭利部材１７１の支持基板Ｓへの当接位置を調整する。これにより、支持基板Ｓの接着剤Ｇ寄りの側面に対して鋭利部材１７１を精度よく当接させることができる。
【０２２９】
なお、剥離装置５Ｂは、計測部３１０を用いて鋭利部材１７１の損傷の有無を診断することとしてもよい。かかる場合、剥離装置５Ｂは、移動機構１７２を用いて鋭利部材１７１を水平方向へ移動させながら、計測部３１０を用いて鋭利部材１７１の上面までの距離を計測し、計測結果を制御装置６０へ送信する。制御装置６０は、たとえば鋭利部材１７１の上面までの距離の変化率が所定の範囲を超える場合、あるいは、新品の鋭利部材１７１を用いて予め計測しておいた基準距離との誤差が所定の範囲を超える場合に、鋭利部材１７１が損傷していると判定する。
【０２３０】
鋭利部材１７１が損傷していると判定された場合、剥離装置５Ｂは、その後の処理を中止する。これにより、損傷した鋭利部材１７１を用いて剥離誘引処理を行うことで、支持基板Ｓの損傷や刃こぼれによるパーティクルの発生を未然に防ぐことができる。
【０２３１】
ここでは、第１の実施形態に係る剥離装置５に対して計測部３１０を設けた場合の例を示したが、計測部３１０は、第２の実施形態に係る剥離装置５Ａに設けることも可能である。
【０２３２】
（第４の実施形態）
上述してきた各実施形態では、剥離対象となる重合基板が、被処理基板Ｗと支持基板Ｓとが接着剤Ｇによって接合された重合基板Ｔである場合の例について説明した。しかし、剥離装置の剥離対象となる重合基板は、この重合基板Ｔに限定されない。たとえば、上述してきた各実施形態の剥離装置では、ＳＯＩ基板を生成するために、絶縁膜が形成されたドナー基板と被処理基板とが張り合わされた重合基板を剥離対象とすることも可能である。
【０２３３】
ここで、ＳＯＩ基板の製造方法について図２０Ａおよび図２０Ｂを参照して説明する。図２０Ａおよび図２０Ｂは、ＳＯＩ基板の製造工程を示す模式図である。図２０Ａに示すように、ＳＯＩ基板を形成するための重合基板Ｔａは、ドナー基板Ｋとハンドル基板Ｈとを接合することによって形成される。
【０２３４】
ドナー基板Ｋは、表面に絶縁膜６が形成されるとともに、ハンドル基板Ｈと接合する方の表面近傍の所定深さに水素イオン注入層７が形成された基板である。また、ハンドル基板Ｈとしては、たとえばシリコンウェハ、ガラス基板、サファイア基板等を用いることができる。
【０２３５】
次に、ＳＯＩ基板の剥離装置の構成について図２１を参照して説明する。図２１は、第４の実施形態に係る剥離装置の構成を示す模式側面図である。
【０２３６】
図２１に示すように、第４の実施形態に係る剥離装置５Ｃは、処理部４００を備えており、処理部４００の内部には、第１保持部４１０と、昇降機構４２０と、第２保持部４３０と、剥離誘引部１７０と、位置調整部１８０とが配置される。
【０２３７】
第１保持部４１０は、重合基板Ｔａのうちハンドル基板Ｈを下方から保持し、第２保持部４３０はドナー基板Ｋを保持する。そして、剥離誘引部１７０は、ドナー基板Ｋに形成された水素イオン注入層７に対して切り込みを入れる。
【０２３８】
これにより、図２０Ｂに示すように、水素イオン注入層７内のシリコン−シリコン結合が切断され、ドナー基板Ｋからシリコン層８が剥離する。その結果、ハンドル基板Ｈの上面に絶縁膜６とシリコン層８とが転写され、ＳＯＩ基板Ｗａが形成される。なお、第１保持部４１０でドナー基板Ｋを保持し、第２保持部４３０でハンドル基板Ｈを保持してもよい。
【０２３９】
第１保持部４１０は、第１の実施形態に係る第１保持部１１０と同様、円盤状の本体部４１１と、本体部４１１を支持する支柱部材４１２とを備える。支柱部材４１２は、昇降機構４２０によって支持される。
【０２４０】
本体部４１１の上面には、ハンドル基板Ｈに接触する吸着パッド４１１ａが設けられる。この吸着パッド４１１ａは、たとえば炭化ケイ素等の多孔質体や多孔質セラミックで形成される。
【０２４１】
本体部４１１の内部には、吸着パッド４１１ａを介して外部と連通する吸引空間４１１ｂが形成される。吸引空間４１１ｂは、吸気管４１３を介して真空ポンプなどの吸気装置４１４と接続される。
【０２４２】
第１保持部４１０の上方には、第２保持部４３０が対向配置される。第２保持部４３０は、第１吸着部４４０と、第２吸着部４５０とを備える。第１吸着部４４０および第２吸着部４５０は、上側ベース部４０３に支持されており、上側ベース部４０３は、処理部４００の天井部に取り付けられた固定部材４０１に支柱４０２を介して支持される。なお、剥離誘引部１７０および位置調整部１８０も上側ベース部４０３に支持される。
【０２４３】
第１吸着部４４０は、ドナー基板Ｋの周縁部を吸着保持する。また、第２吸着部４５０は、ドナー基板Ｋの周縁部よりもドナー基板Ｋの中央部寄りの領域を吸着保持する。第１吸着部４４０および第２吸着部４５０は、それぞれ吸着パッド４４１，４５１と、吸着パッド４４１，４５１を支持する支柱部材４４２，４５２とを備える。
【０２４４】
吸着パッド４４１，４５１には、吸気口（図示せず）が形成されており、それぞれの吸気口には、吸気管４４３，４５３を介して真空ポンプなどの吸気装置４４４，４５４が接続される。
【０２４５】
これら吸着パッド４４１，４５１も、第１の実施形態に係る第１吸着パッド１９１および第２吸着パッド２０１と同様に、パーフロロエラストマーで形成される。したがって、第４の実施形態に係る剥離装置５Ｃによれば、ハンドル基板Ｈおよびドナー基板Ｋの汚染を抑制することができる。
【０２４６】
このように、ＳＯＩ基板Ｗａの製造に用いられる剥離装置５Ｃにおいても、吸着パッド４４１，４５１をパーフロロエラストマーで形成してもよい。
【０２４７】
（その他の実施形態）
上述してきた各実施形態では、第２保持部１５０，２４０，４３０の吸着パッド１９１，２０１，２４２，４４１，４５１の全てがパーフロロエラストマーで形成される場合の例について説明したが、吸着パッド１９１，２０１，２４２，４４１，４５１は、少なくとも表面がパーフロロエラストマーで形成されていればよい。たとえば、吸着パッド１９１，２０１，２４２，４４１，４５１は、従来の吸着パッドに用いられるゴム材料の表面をパーフロロエラストマーでコーティングしたものであってもよい。なお、長時間の使用によりコーティングが剥げるおそれがあるため、吸着パッド１９１，２０１，２４２，４４１，４５１は、全てがパーフロロエラストマーで形成されることが好ましい。
【０２４８】
また、上述してきた各実施形態では、第１保持部１１０，４１０の吸着パッド１１１ａ，４１１ａが、炭化ケイ素等の多孔質体や多孔質セラミックで形成される場合の例について説明したが、第１保持部１１０，４１０の吸着パッド１１１ａ，４１１ａもパーフロロエラストマーで形成されてもよい。これにより、基板の汚染をより確実に抑制することができる。
【０２４９】
また、第１保持部１１０，４１０や第２保持部１５０，２４０，４３０以外にも、たとえばフレーム保持部１２０が備える吸着パッド１２１（図６参照）をパーフロロエラストマーで形成してもよい。
【０２５０】
また、上述した実施形態では、被処理基板Ｗと支持基板Ｓとを接着剤Ｇを用いて接合する場合の例について説明したが、接合面Ｗｊ，Ｓｊを複数の領域に分け、領域ごとに異なる接着力の接着剤を塗布してもよい。
【０２５１】
また、上述した実施形態では、第２保持部が、重合基板Ｔを上方から保持する場合の例を示したが、第２保持部は、重合基板Ｔを下方から保持してもよい。
【０２５２】
また、上述した実施形態では、重合基板Ｔが、ダイシングフレームＦに保持される場合の例について説明したが、重合基板Ｔは、必ずしもダイシングフレームＦに保持されることを要しない。
【０２５３】
さらなる効果や変形例は、当業者によって容易に導き出すことができる。このため、本発明のより広範な態様は、以上のように表しかつ記述した特定の詳細および代表的な実施形態に限定されるものではない。したがって、添付の特許請求の範囲およびその均等物によって定義される総括的な発明の概念の精神または範囲から逸脱することなく、様々な変更が可能である。
【符号の説明】
【０２５４】
１  剥離システム
５  剥離装置
６０  制御装置
１１０  第１保持部
１２０  フレーム保持部
１４０  回転昇降機構
１５０  第２保持部
１７０  剥離誘引部
１８０  位置調整部
１９０  第１吸着移動部
１９１  第１吸着パッド
２００  第２吸着移動部
２０１  第２吸着パッド
Ｆ  ダイシングフレーム
Ｐ  ダイシングテープ
Ｓ  支持基板
Ｔ  重合基板
Ｗ  被処理基板
【図１】
2015138954.tif 000003
【図２】
2015138954.tif 000004
【図３】
2015138954.tif 000005
【図４】
2015138954.tif 000006
【図５Ａ】
2015138954.tif 000007
【図５Ｂ】
2015138954.tif 000008
【図６】
2015138954.tif 000009
【図７】
2015138954.tif 000010
【図８】
2015138954.tif 000011
【図９Ａ】
2015138954.tif 000012
【図９Ｂ】
2015138954.tif 000013
【図９Ｃ】
2015138954.tif 000014
【図１０Ａ】
2015138954.tif 000015
【図１０Ｂ】
2015138954.tif 000016
【図１１】
2015138954.tif 000017
【図１２Ａ】
2015138954.tif 000018
【図１２Ｂ】
2015138954.tif 000019
【図１２Ｃ】
2015138954.tif 000020
【図１２Ｄ】
2015138954.tif 000021
【図１２Ｅ】
2015138954.tif 000022
【図１３Ａ】
2015138954.tif 000023
【図１３Ｂ】
2015138954.tif 000024
【図１３Ｃ】
2015138954.tif 000025
【図１４】
2015138954.tif 000026
【図１５Ａ】
2015138954.tif 000027
【図１５Ｂ】
2015138954.tif 000028
【図１６Ａ】
2015138954.tif 000029
【図１６Ｂ】
2015138954.tif 000030
【図１７】
2015138954.tif 000031
【図１８Ａ】
2015138954.tif 000032
【図１８Ｂ】
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【図１９】
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【図２０Ａ】
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【図２０Ｂ】
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【図２１】
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