(57)【要約】【課題】  ＨＡＭＲ光学部品に対するイオンミル損傷を防ぐための犠牲保護層を提供する。【解決手段】  本明細書中に開示する実施形態は一般に、ＳＳＣがＮＦＴ近傍に作製されるＨＡＭＲヘッドに関し、ここで、ＳＳＣは、ＮＦＴ作製処理条件から保護された基板上に形成される。従って、基板は、その上に形成されるＳＳＣがＮＦＴ処理条件により悪影響を及ぼされないように、平滑のままである。【選択図】図２Ｆ
2015153450.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
熱アシスト磁気記録装置であって、
絶縁材料を含む基板と、
前記基板の第１の部分の上に配設される近接場トランスデューサと、
前記第１の部分とは異なる前記基板の第２の部分の上に配設されるスポットサイズ変換器とを備え、
前記基板は、前記第１および第２の部分間に配設される第３の部分を有し、前記第２の部分は、前記第３の部分の表面粗さよりも小さい表面粗さを有する、熱アシスト磁気記録装置。
【請求項２】
前記第１の部分は、約１ミクロンの距離によって前記第２の部分から間隔を空けられる、請求項１に記載の熱アシスト磁気記録装置。
【請求項３】
前記第２の部分は、前記第３の部分よりも大きい表面積を有する、請求項１に記載の熱アシスト磁気記録装置。
【請求項４】
前記スポットサイズ変換器は、クラッドによって囲まれるコアを備える、請求項１に記載の熱アシスト磁気記録装置。
【請求項５】
前記クラッドは酸化タンタルを備える、請求項４に記載の熱アシスト磁気記録装置。
【請求項６】
前記クラッドは前記第３の部分の上に配設される、請求項５に記載の熱アシスト磁気記録装置。
【請求項７】
熱アシスト磁気記録装置であって、
絶縁材料から形成される基板と、
前記基板の第１の部分の上に配設される近接場トランスデューサと、
前記第１の部分とは異なる前記基板の第２の部分の上に配設されるスポットサイズ変換器とを備え、
前記基板は前記第１および第２の部分間に配設される第３の部分を有し、前記第２の部分は前記第３の部分の表面粗さと異なる第１の表面粗さを有する、熱アシスト磁気記録装置。
【請求項８】
前記絶縁材料はアルミナを含む、請求項７に記載の熱アシスト磁気記録装置。
【請求項９】
前記第２の部分は、前記第３の部分よりも大きい表面積を有する、請求項７に記載の熱アシスト磁気記録装置。
【請求項１０】
前記スポットサイズ変換器は、クラッドによって囲まれるコアを備える、請求項７に記載の熱アシスト磁気記録装置。
【請求項１１】
前記クラッドは酸化タンタルを備える、請求項１０に記載の熱アシスト磁気記録装置。
【請求項１２】
前記クラッドは前記第３の部分の上に配設される、請求項１１に記載の熱アシスト磁気記録装置。
【請求項１３】
前記第１の部分は、約１ｎｍから約５ｎｍの間の距離によって前記第２の部分から間隔を空けられる、請求項７に記載の熱アシスト磁気記録装置。
【請求項１４】
熱アシスト磁気記録装置であって、
基板と、
前記基板の第１の部分の上に形成されるスポットサイズ変換器とを備え、
前記基板の第２の部分は前記第１の部分近傍に配設され、前記第２の部分は前記第１の部分の表面粗さと異なる表面粗さを有する、熱アシスト磁気記録装置。
【請求項１５】
前記第１の部分の前記表面粗さは、前記第２の部分の前記表面粗さよりも低い、請求項１４に記載の熱アシスト磁気記録装置。
【請求項１６】
前記第１の部分は、前記第２の部分よりも大きい表面積を有する、請求項１４に記載の熱アシスト磁気記録装置。
【請求項１７】
前記スポットサイズ変換器は、クラッドによって囲まれるコアを備える、請求項１４に記載の熱アシスト磁気記録装置。
【請求項１８】
前記クラッドは酸化タンタルを備える、請求項１７に記載の熱アシスト磁気記録装置。
【請求項１９】
前記クラッドは前記第３の部分の上に配設される、請求項１８に記載の熱アシスト磁気記録装置。
【請求項２０】
前記基板はアルミナを備える、請求項１４に記載の熱アシスト磁気記録装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本明細書に開示する実施形態は一般に、熱アシスト磁気記録（ＨＡＭＲ）ヘッドに関する。
【背景技術】
【０００２】
ディスクドライブに用いられる磁気媒体の高い記憶ビット密度により、磁気ビットの寸法が磁性材料の粒径によって制限される点まで、磁気ビットのサイズ（容量）が減少している。粒径はさらに縮小できるが、セル内部に格納されるデータは熱的に安定しない可能性がある。すなわち、周囲温度でのランダムな熱変動が、データを消去するのに十分であるかもしれない。この状態は、所定の磁気媒体に対する最大理論記憶密度を決定する超常磁性限界（superparamagnetic limit）として説明される。この限界は、磁気媒体の保磁力を高めることによって、または温度を低下させることによって引き上げることができる。温度を低下させることは、商業用および民生用にハードディスクドライブを設計する場合、常に実用的ではない。一方で、保磁力を上昇させるには、高い磁気モーメント材料を組み込む書込みヘッド、または垂直記録等の技術（あるいは両方）を必要とする。
【０００３】
熱を利用して磁気媒体表面上の局所領域の実効飽和保磁力を低下させ、この加熱した領域にデータを書き込む１つの追加の解決法が提案されている。媒体が周囲温度に冷却されると、データ状態は「固定」される。この技術は、大まかに「サーマルアシスト（磁気）記録」（ＴＡＲまたはＴＡＭＲ）、「エネルギーアシスト磁気記録」（ＥＡＭＲ）、またはＨＡＭＲと称され、本明細書中では同義で用いる。それは、長手記録および垂直記録システム、並びに「ビットパターンドメディア」にも適用できる。媒体表面の加熱は、集光レーザビームまたは近接場光源等の多くの技術によって達成されている。
【０００４】
ＨＡＭＲは、２つの光学部品、マイクロフォトニックスポットサイズ変換器（ＳＳＣ）および近接場トランスデューサ（ＮＦＴ）を含んでいる。ＳＳＣは、半導体レーザーダイオード（ＬＤ）等の外部光源の出力を、光をＮＦＴに送出する良好に制限された導波モードに変換する。ＮＦＴは、光をさらに、回析限界をはるかに超え、高密度磁気記録に必要とされる極小スポットサイズに集束させるプラズモニックナノアンテナである。
【０００５】
上記の変換を実行できる多くの光学システムがあるが、最も簡単で、最も効果的な実現はテーパＳＳＣに関係する。テーパＳＳＣは、自由空間ビーム（すなわち、光ファイバーモード）とオンチップフォトニック部品との間の著しいモード不一致を克服するために用いられる。テーパ付ＳＳＣは、光変換損失を最小限にするよう特定の入射ＬＤ入力のために設計されている。しかし、ＳＳＣは、ＮＦＴが作製された後に作製され、従って、ＳＳＣが形成される基板は、ＮＦＴを作製するために用いられる処理条件に曝露される。従って、ＮＦＴ処理条件がＳＳＣに悪影響を及ぼす恐れがある。
【０００６】
従って、ＨＡＭＲヘッド用の改良されたＳＳＣに対する技術の必要性が存在する。
【発明の概要】
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本明細書中に開示する実施形態は一般に、ＳＳＣがＮＦＴ近傍に作製されるＨＡＭＲヘッドに関し、ここで、ＳＳＣは、ＮＦＴ作製処理条件から保護された基板上に形成される。従って、基板は、その上に形成されるＳＳＣがＮＦＴ処理条件により悪影響を及ぼされないように、平滑のままである。
【０００８】
一実施形態において、熱アシスト磁気記録装置は、絶縁材料を含む基板と、基板の第１の部分の上に配設される近接場トランスデューサと、第１の部分とは異なる基板の第２の部分の上に配設されるスポットサイズ変換器とを備え、基板は第１および第２の部分間に配設される第３の部分を有し、第２の部分は第３の部分の表面粗さよりも小さい表面粗さを有する。
【０００９】
別の実施形態において、熱アシスト磁気記録装置は、絶縁材料から形成される基板と、基板の第１の部分の上に配設される近接場トランスデューサと、第１の部分とは異なる基板の第２の部分の上に配設されるスポットサイズ変換器とを備え、基板は第１および第２の部分間に配設される第３の部分を有し、第２の部分は第３の部分の表面粗さと異なる第１の表面粗さを有する。
【００１０】
別の実施形態において、熱アシスト磁気記録装置は、基板と、基板の第１の部分の上に形成されるスポットサイズ変換器とを備え、基板の第２の部分は第１の部分近傍に配設され、第２の部分は第１の部分の表面粗さと異なる表面粗さを有する。
【００１１】
上記で説明した特徴を詳細に理解するため、上で簡単に要約した本発明のより詳細な説明を、実施形態を参照することによって説明し、そのうちのいくつかを添付図面に示す。しかし、添付図面は本発明の代表的な実施形態のみを示し、従って、その適用範囲を限定するものと考えるべきではなく、本発明は他の等しく効果的な実施形態も可能であることに留意されたい。
【図面の簡単な説明】
【００１２】
【図１Ａ】本明細書中で説明する実施形態によるディスクドライブシステムを示す。
【図１Ｂ】本明細書中で説明する実施形態によるディスクドライブシステムを示す。
【図２Ａ】一実施形態による様々な製造段階におけるＨＡＭＲヘッドの略図である。
【図２Ｂ】一実施形態による様々な製造段階におけるＨＡＭＲヘッドの略図である。
【図２Ｃ】一実施形態による様々な製造段階におけるＨＡＭＲヘッドの略図である。
【図２Ｄ】一実施形態による様々な製造段階におけるＨＡＭＲヘッドの略図である。
【図２Ｅ】一実施形態による様々な製造段階におけるＨＡＭＲヘッドの略図である。
【図２Ｆ】一実施形態による様々な製造段階におけるＨＡＭＲヘッドの略図である。
【発明を実施するための形態】
【００１３】
理解を容易にするため、同一符号が、可能であれば、各図に共通する同一の構成要素を指定するために使用されている。一実施形態において開示される構成要素は、特に説明することなく、他の実施形態において有用に活用することを意図している。
【００１４】
以下に、本発明の実施形態を説明する。しかし、本発明は説明する特定の実施形態に限定されないことは言うまでもない。代わりに、以下の特徴および構成要素のいずれの組み合わせも、異なる実施形態に関係あろうとなかろうと、本発明を実現し、実施するものと考えられる。さらに、本発明の実施形態は、他の可能性のある解決法に勝る、および／または、先行技術に勝る利点を達成できるが、特定の利点が所定の実施形態によって達成されるか否かは、本発明の制限とはならない。従って、以下の態様（aspect）、特徴、実施形態、および利点は、単に例示のものであり、特許請求の範囲において明示的に引用するものを除いて、添付特許請求の範囲の構成要素または制限と考えるべきではない。同様に、「発明」と言及するものは、本明細書中に開示するいずれの発明の要旨の一般概念として解釈すべきではなく、特許請求の範囲において明示的に引用するものを除いて、添付特許請求の範囲の構成要素または制限と考えるべきではない。
【００１５】
本明細書中で検討する実施形態は一般に、ＳＳＣがＮＦＴ近傍に作製されるＨＡＭＲヘッドに関し、ここで、ＳＳＣは、ＮＦＴ作製処理条件から保護された基板上に形成される。従って、基板は、その上に形成されるＳＳＣがＮＦＴ処理条件により悪影響を及ぼされないように、平滑のままである。
【００１６】
図１Ａは、本発明を具現化するディスクドライブ１００を示している。図示のように、少なくとも１つの回転可能な磁気ディスク１１２がスピンドル１１４に支持され、ディスクドライブモータ１１８によって回転される。各ディスク上の磁気記録は、磁気ディスク１１２上のデータトラック（不図示）の環状パターンの形となっている。
【００１７】
少なくとも１つのスライダ１１３が磁気ディスク１１２近傍に位置決めされ、各スライダ１１３は、ディスク表面１２２を加熱するための放射源（例えば、レーザまたは電気抵抗ヒータ）を含んでもよい１つ以上の磁気ヘッドアセンブリ１２１を支持している。磁気ディスクが回転する際、所望のデータが書かれている磁気ディスク１１２の異なるトラックに磁気ヘッドアセンブリ１２１がアクセスできるように、スライダ１１３はディスク表面１２２の上を径方向で内側および外側に移動する。各スライダ１１３は、サスペンション１１５によってアクチュエータアーム１１９に取り付けられる。サスペンション１１５は、スライダ１１３をディスク表面１２２に付勢する僅かなばね力を提供する。各アクチュエータアーム１１９はアクチュエータ手段１２７に取り付けられる。図１Ａに示すようなアクチュエータ手段１２７はボイスコイルモータ（ＶＣＭ）であってもよい。ＶＣＭは一定の磁界内部で移動できるコイルを備え、コイル移動の方向および速度は、制御ユニット１２９によって供給されるモータ電流信号によって制御される。
【００１８】
ＴＡＲまたはＨＡＭＲ対応ディスクドライブ１００の稼働中、磁気ディスク１１２の回転により、スライダ１１３とディスク表面１２２との間で、スライダ１１３上で上向きの力または揚力を作用させる空気ベアリングが生じる。空気ベアリングは従って、通常の動作中に、サスペンション１１５の僅かなばね力と平衡し、小さな、実質的に一定の間隔だけスライダ１１３をディスク１１２の表面から離れて、僅かに上に支持する。磁気ヘッドアセンブリ１２１の書込み素子が媒体においてデータビットを正しく磁化できるように、放射源は高保磁力媒体を加熱する。
【００１９】
ディスクドライブ１００の種々の構成部品は、アクセス制御信号および内部クロック信号等の、制御ユニット１２９によって生成される制御信号によって稼働中に制御される。通常、制御ユニット１２９は、論理制御回路、記憶手段、およびマイクロプロセッサを備えている。制御ユニット１２９は、ライン１２３上のドライブモータ制御信号およびライン１２８上のヘッド位置およびシーク制御信号等の制御信号を生成して、種々のシステム動作を制御する。ライン１２８上の制御信号は、望ましい電流プロファイルを供給して、スライダ１１３をディスク１１２上の所望のデータトラックに最適に移動し、位置決めする。読みおよび書き信号は、記録チャネル１２５を経由してアセンブリ１２１上の読み書きヘッドに通信され、また、読み書きヘッドから通信される。
【００２０】
典型的な磁気ディスク記憶システムの上記説明および図１Ａの添付図面は、表示することのみを目的としている。ディスク記憶システムが多数のディスクおよびアクチュエータを収容していてもよく、各アクチュエータが多くのスライダを支持してもよいことは明白である。
【００２１】
図１Ｂは、本明細書中で説明する一実施形態によるＨＡＭＲ対応書込みヘッド１０１の断面略図である。ヘッド１０１は、レーザドライバ１５０によって駆動されるレーザ１５５（すなわち、放射源）に動作可能に取り付けられる。レーザ１５５はヘッド１０１に直接設置されてもよく、または、放射をスライダから離れて位置するレーザ１５５から光ファイバまたは導波路を介して送出してもよい。同様に、レーザドライバ１５０回路は、スライダ１１３、または、図１Ａに示す制御ユニット１２９等のディスクドライブ１００に関するシステムオンチップ（ＳＯＣ）に位置してもよい。ヘッド１０１は、レーザ１５５によって導波路１３５に伝送される放射を集束させるためのＳＳＣ１３０を含んでいる。いくつかの実施形態において、導波路１３５はＳＳＣ１３０の一部であり、これはＳＳＣ１３０が導波路としても機能することを意味している。別の実施形態において、ヘッド１０１は、発せられた放射がＳＳＣ１３０に到達する前にレーザ１５５のビームスポットを集束させるための１つ以上のレンズを含んでもよい。導波路１３５は、上記の放射を、ヘッド１０１の高さを通って、光変換器１４０（例えば、プラズモニックデバイス）へ伝送するチャネルであり、ここで、光変換器１４０は、媒体対向面（ＭＦＳ、空気ベアリング面（ＡＢＳ）等）に、またはその近傍に位置するものである。光変換器１４０（すなわち、ＮＦＴ）は、さらに、ビームスポットを集束させてディスク１１２上のデータの隣接するトラックを加熱することを防いでおり、すなわち、回析限界よりもずっと小さいビームスポットを生成する。矢印１４２で示すように、この光エネルギーは、光変換器１４０から、ヘッド１０１のＭＦＳの下のディスク１１２の表面に放出される。しかし、本明細書中の実施形態は、放射源からＭＦＳへ放出されるエネルギーを伝達するためのいずれの特定の種類の放射源または技法に限定されない。
【００２２】
ＳＳＣおよびＮＦＴは共通の基板の上に形成される。作製中、ＮＦＴが最初に作製され、次いでＳＳＣが作製される。ＮＦＴに対して、１つ以上のミリング（milling）プロセスが行われる。基板には予測できない表面粗さがあるため、ミリングは基板（すなわち、この場合はクラッド）を傷つける可能性がある。従って、ＳＳＣは、損傷したクラッドの上に作製される場合、不均一な特性を持っている恐れがある。クラッド特性の差により、ＳＳＣは効率よく動作しないことになるであろう。
【００２３】
ＮＦＴ作製中の基板への損傷を防ぐために、基板は保護される。図２Ａ〜２Ｆは、様々な製造段階のＨＡＭＲヘッドを示しており、ここで、ＳＳＣの基板上での位置はＮＦＴ作製中に保護されている。図２Ａ〜２Ｆに関して以下で説明するＳＳＣおよびＮＦＴは、図１Ｂに関して上で説明したＳＳＣ１３０およびＮＦＴ１４０の例である。
【００２４】
図２Ａは、ＮＦＴまたはＳＳＣの作製前の基板２００の等角図である。基板２００は、絶縁材料を含む。一実施形態において、基板２００はアルミナから構成されている。基板２００は、ＳＳＣまたはＮＦＴの作製前に初期表面粗さを有している。実際、ＳＳＣが均一な特性を持つことを確実にするために、基板２００はＮＦＴの形成前に平坦化されてもよい。基板２００は化学的機械的研磨（ＣＭＰ：chemical mechanical polishing）プロセスによって平坦化されてもよい。基板２００は３つの部分を有している。第１の部分２０２は、その上にＮＦＴが作製される位置である。第２の部分２０４は、その上にＳＳＣが作製される位置である。第３の部分２０６は、第１の部分２０２と第２の部分２０４との間の位置である。第３の部分２０６は、第１の部分２０２または第２の部分２０４のいずれかよりも相当に小さい表面積を有している。
【００２５】
図２Ｂに示すように、犠牲層または保護層２０８が、基板２００の第２の部分２０４の上に堆積される。犠牲層または保護層２０８は、第１の部分２０２の上のＮＦＴの作製中に、基板２００の第２の部分２０４を保護するよう作用する。しかし、第３の部分２０６は犠牲層または保護層２０８によって被覆されておらず、従って、第３の部分２０６は、第１の部分２０２の上のＮＦＴの作製中に生じるプロセス条件に曝露されている。犠牲層または保護層２０８に使用できる適切な材料には、ダイヤモンドライクカーボン（ＤＬＣ）またはアモルファスカーボン等の、ＮＦＴ作製中に行われるミリングに対する耐性を有する材料が含まれる。
【００２６】
図２Ｃに示すように、アンテナ２１２を有するＮＦＴ２１０が、基板２００の第１の部分２０２の上に配設される。ＮＦＴ作製中にミリングが行われると、第３の部分２０６、並びに犠牲層または保護層２０８が傷つく（ダメージを受ける）。ミリングは犠牲層または保護層２０８の上に形成される（いくつかの）層上で行われてもよいことは言うまでもない。犠牲層または保護層２０８の目的は、基板２００の第２の部分２０４を保護することにある。犠牲層または保護層２０８へのいずれの損傷（ダメージ）も、第２の部分２０４（すなわち、底部クラッド）が傷つかない限りは重要ではない。犠牲層または保護層２０８は、次いで、基板２００の第２の部分２０４を図２Ｄに示すように曝露するよう除去される。犠牲層または保護層２０８は、ＣＯ２またはＯ２プラズマへの曝露すなわちアッシングプロセス等のプロセスによって除去されてもよい。一実施形態において、犠牲層または保護層２０８は、元の光学的に平滑な基板２００表面を曝露する高選択性ＲＩＥプロセスにより除去されてもよい。第２の部分２０４がＮＦＴ２１０作製中に傷つかなければ、ＣＭＰプロセス後と同じ表面粗さが第２の部分２０４に存在する。一方で、第３の部分２０６はＣＭＰプロセス後よりも相当粗くなる。実際、第３の部分２０６は異なる表面粗さを有しており、より詳細には、第２の部分２０４と比較して大きい表面粗さを有している。
【００２７】
犠牲層または保護層２０８が除去されると、クラッド２０４が曝露される。クラッド材料２０４は、酸化シリコン、窒化シリコン、またはシリコンオキシナイトライド（silicon oxynitride）から構成されてもよい。次いで、ＳＳＣのコア２１６が、図２Ｅに示すようにクラッド材料２０４の上に形成されてもよい。コア２１６は、材料を堆積させ、リソグラフィプロセスを行い、次いで、エッチングを行って望ましくない材料を除去することによって、残ったコアがテーパ形状を有するように、形成されてもよい（ここで、上記のテーパ形状は、幅広の端部がＮＦＴ２１０の近傍に配設され、狭い端部が幅広の端部の反対に配設されるような形状である）。最終的に、上部クラッド２２０が、図２Ｆに示すように、曝露された基板２００およびコア２１６の上に堆積される。クラッド材料２０４、２２０およびコア２１６は集合的にＳＳＣを形成する。
【００２８】
犠牲層または保護層２０８の結果として、基板２００の第２の部分２０４は、第３の部分２０６と比較して異なる表面粗さを有する。処理中に犠牲層または保護層２０８が無い場合では、第２の部分２０４は、第３の部分２０６が損傷すると同時に損傷することになるだろう。
【００２９】
第１の部分は、第３の部分２０６の幅と等しい、約１μｍ又は１μｍ未満の距離によって第２の部分から間隔を空けられる。また、第１の部分は、約１ｎｍから約５ｎｍの間の距離によって第２の部分から間隔を空けて配置されてもよい。第２の部分２０４は、第３の部分２０６よりも大きい表面積を有する。ＨＡＭＲヘッドのコアはクラッドによって囲まれ、クラッドは酸化アルミニウム又は酸化タンタルから構成されている。ＳＳＣは、第２の部分２０４に加えて、第３の部分２０６の上に配設されてもよい。
【００３０】
第２の部分２０４を平滑化するためのＣＭＰすなわち研磨プロセスはＮＦＴ２１０の存在により実行できない。ＮＦＴ２１０が存在するため、いずれのＣＭＰもＮＦＴ２１０を損傷する結果を招き、また、ＣＭＰシステムの研磨パッドは、第２の部分２０４全体に到達することができない。これは、ＮＦＴ２１０が基板２００の上部に延在し、従って、パッドが第２の部分２０４全体に到達することを妨げているためである。
【００３１】
斜めに第２の部分２０４をウェットエッチングすること、またはＮＦＴ２１０をイオンミリングすることは、実質的に平滑な第２の部分２０４を維持するのに十分ではない。さらに、基板２００を実質的に平滑な表面にリフロー（reflow）させるために必要な温度がＮＦＴ２１０を損傷させるので、基板２００をリフローさせることは実行できない。第２の部分２０４はできる限り平滑にする必要がある。いずれの表面粗さも、光がＳＳＣを通過する際に、光の散乱に悪影響を及ぼす。例えば、理論上ゼロの表面粗さを有する表面（すなわち、完全に平滑な表面）は、基板の材料特性だけに基づく、光の散乱および反射率を有する。一方で、表面が表面粗さを有している場合、材料特性が散乱および反射率を決定するだけでなく、表面粗さが、光が反射または散乱する方向に悪影響を及ぼすだろう。コア２１６に堆積されるクラッド材料は、コア２１６に対向する実質的に平滑な表面を有することになる。
【００３２】
コア２１６に対向する表面が、第２の部分２０４と接触するクラッド材料２１４の表面の表面粗さと等しい表面粗さを有することが理想的である。第２の部分２０４と接触するクラッド材料２１４の表面が第２の部分２０４の表面と同じ表面粗さを有することは、言うまでもない。従って、第２の部分２０４が可能な限り平滑な表面を維持することが望ましい。第２の部分２０４の表面は、表面を研磨するＣＭＰプロセス後に最も低い表面粗さとなる。従って、第２の部分２０４の表面粗さが、犠牲層または保護層２０８の除去後に、ＣＭＰ後の表面粗さと実質的に同一となるように、犠牲層または保護層２０８が第２の部分２０４を保護するよう作用する。犠牲層または保護層２０８は、第２の部分２０４の表面との相互作用がほとんど無いプロセスによって除去すべきである。言い換えれば、第２の部分２０４の表面は、犠牲層または保護層を除去するために行われるいずれのプロセスにも実質的に不活性であるべきである。
【００３３】
犠牲層または保護層を、ＳＳＣが形成される基板の一部の上に設置することによって、基板を、ＮＦＴ作製中に行われるイオンミリングから保護することができる。従って、ＳＳＣ、および、特にＳＳＣのコアの上および下のクラッドは実質的に同一とすることができ、ＨＡＭＲヘッドはＮＦＴに対するムラの無い均一な光を送出する。
【００３４】
上記説明は例示の実施形態に向けられる一方で、本発明の他の、および更なる実施形態は、その基本的な適用範囲から逸脱することなく考案されてもよく、その適用範囲は以下の特許請求の範囲によって決定される。
【符号の説明】
【００３５】
１００  ディスクドライブ
１０１  ＨＡＭＲ対応書込みヘッド
１１２  磁気ディスク
１１３  スライダ
１１４  スピンドル
１１５  サスペンション
１１８  ディスクドライブモータ
１１９  アクチュエータアーム
１２１  磁気ヘッドアセンブリ
１２２  ディスク表面
１２３、１２８  ライン
１２５  記録チャネル
１２７  アクチュエータ手段
１２９  制御ユニット
１３０  スポットサイズ変換器
１３５  導波路
１４０  光変換器
１５０  レーザドライバ
１５５  レーザ
２００  基板
２０２  第１の部分
２０４  第２の部分（クラッド）
２０６  第３の部分
２０８  犠牲層または保護層
２１０  近接場トランスデューサ
２１２  アンテナ
２１６  コア
２２０  クラッド材料
ＡＢＳ  空気ベアリング面
ＶＣＭ  ボイスコイルモータ
【図１Ａ】
2015153450.tif 000003
【図１Ｂ】
2015153450.tif 000004
【図２Ａ】
2015153450.tif 000005
【図２Ｂ】
2015153450.tif 000006
【図２Ｃ】
2015153450.tif 000007
【図２Ｄ】
2015153450.tif 000008
【図２Ｅ】
2015153450.tif 000009
【図２Ｆ】
2015153450.tif 000010