(57)【要約】【課題】微細な配線回路パターン（例えば配線太さ１０ｎｍ以下）を有する配線回路基板を効率的に形成する。【解決手段】回路パターン４ａに対応する型板１の凹凸パターン１ａ上に、熱硬化性の導電性ペースト２を塗布し、その上に未硬化の絶縁層３を積層し、型板１と絶縁層３とを加熱プレスし、導電性ペースト２を熱硬化させて、導電性配線の回路パターン４ａを形成し、回路パターン４ａが形成された絶縁層４ｂを型板１から剥離して配線回路基板４とする。【選択図】図１
2015153921.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁層上に導電性配線の回路パターンを有する配線回路基板を製造する方法であって、
・回路パターンに対応する凹凸パターンを有する型板の凹凸パターン上に、熱硬化性の導電性ペーストを塗布し、
・導電性ペーストを塗布した型板の凹凸パターン上に絶縁層を積層し、
・型板と絶縁層とを加熱プレスし、導電性ペーストを熱硬化させて、絶縁層上に導電性配線の回路パターンを形成し、
・回路パターンが形成された絶縁層を型板から剥離して配線回路基板とする
ことを含む方法。
【請求項２】
型板の凹凸パターン上の凹部に導電性ペーストを塗布し、これにより導電性配線の回路パターンが配線回路基板上の凸部に形成される、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
型板の凹凸パターン上の凸部に導電性ペーストを塗布し、これにより導電性配線の回路パターンが配線回路基板上の凹部に形成される、請求項１に記載の方法。
【請求項４】
絶縁層が熱硬化性樹脂層である、請求項１〜３の何れか一項に記載の方法。
【請求項５】
熱硬化性樹脂層が、基材に熱硬化性樹脂組成物が添着されてなるプリプレグである、請求項４に記載の方法。
【請求項６】
加熱プレスにより導電性ペーストと共に熱硬化性樹脂層を熱硬化させて、回路パターンの形成と共に導電性配線の絶縁層への接着を行う、請求項４又は５に記載の方法。
【請求項７】
型板の凹凸パターン上に剥離剤が塗布されている、請求項１〜６の何れか一項に記載の方法。
【請求項８】
導電性ペーストが銀ペースト及び／又は銅ペーストである、請求項１〜７の何れか一項に記載の方法。
【請求項９】
請求項１〜８の何れか一項に記載の方法により製造された配線回路基板。
【請求項１０】
導電性配線パターンの平均配線太さが１０μｍ以下である、請求項９に記載の配線回路基板。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、微細配線を有する配線回路基板を製造する方法と、それにより得られる微細配線を有する配線回路基板に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、微細配線を有する配線回路基板を形成する手法としては、絶縁性樹脂基板上にめっきやエッチングにより回路配線を形成する方法が用いられてきた。しかし、斯かる手法では、例えば１０μｍ以下の微細配線を形成することは極めて困難であった。配線回路基板の高集積化に伴い、より微細な配線からなる導電回路を形成することが要請されている。更に、斯かる手法ではめっきやエッチング時に有害な廃液が生じ、その処理が必要になるという課題があった。
【０００３】
より微細な導電回路を形成すべく、インクジェット装置により絶縁性樹脂基板上に導電性ペーストを吐出して回路配線を描画する方法も検討されてきた。しかし、斯かる方法では、インクジェットの吐出特性を考慮しつつ、樹脂基板表面を導電性ペーストの特性に合った表面接触角（濡れ性）に制御する必要がある。また、描画された微細な回路パターンを維持しながら、導電性ペーストの硬化及び樹脂基板への接着を行うことも求められる。更には、配線をインクジェットの吐出で描画するため、線が細いほど単位面積あたりの描画時間が長くなる。このように、技術的な困難性の高さに加えて、コストや時間の面でも課題があった。
【０００４】
斯かる課題を解決する手法として、紙やプラスチック等の転写基板に導電性回路を形成した後、これを絶縁性樹脂基板上に熱転写する方法も提案されている（特許文献１：特開２００８−１４７２０４）。しかし、斯かる方法では、描画された導電性回路を樹脂基板に転写する際に、微細な回路パターンを維持することが極めて困難である。また、転写された導電性配線と樹脂基板との接着性に乏しいという課題もある。
【０００５】
また、軟化させた絶縁性シートに、所望の配線パターンに応じた凸部を有する版面を有する金型を押し付け、絶縁性シートを硬化させてから金型を剥離することにより、配線パターンに応じた凹部を有する絶縁層を形成し、この凹部にビアフィルめっき法やインクジェット法により導電性材料を充填して、導電性配線パターンを形成する方法も提案されている（特開２０１３−１６１９５１）。しかし、斯かる方法では、微細な凹部を形成した後に、更にビアフィルめっき法などで導電性材料を充填するという工程が必要となり、操作が煩雑となる。一方、インクジェット法により微細な凹部に導電性材料を充填する場合、上述のように導電性配線と絶縁層との十分な接着性を得ることが困難である上に、コストの面でも課題がある。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開２００８−１４７２０４号公報
【特許文献２】特開２０１３−１６１９５１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
よって、微細な配線回路パターン（例えば配線太さ１０μｍ以下）を有する配線回路基板を効率的に形成することが可能な方法が、依然として求められている。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明者等は鋭意検討の結果、所望の回路パターンに対応する凹凸パターンを有する型板を用い、その凹凸パターン上に熱硬化性の導電性ペーストを塗布し、絶縁層を積層して加熱プレスすることにより導電性ペーストを熱硬化させた上で、型板から剥離することにより、微細な導電性配線（例えば配線太さ１０μｍ以下）を有する配線回路基板を効率的に形成することが可能となることを見出して、本発明に到達した。
【０００９】
即ち、本発明の主旨は以下に存する。
（１）絶縁層上に導電性配線の回路パターンを有する配線回路基板を製造する方法であって、
・回路パターンに対応する凹凸パターンを有する型板の凹凸パターン上に、熱硬化性の導電性ペーストを塗布し、
・導電性ペーストを塗布した型板の凹凸パターン上に絶縁層を積層し、
・型板と絶縁層とを加熱プレスし、導電性ペーストを熱硬化させて、絶縁層上に導電性配線の回路パターンを形成し、
・回路パターンが形成された絶縁層を型板から剥離して配線回路基板とする
ことを含む方法。
（２）型板の凹凸パターン上の凹部に導電性ペーストを塗布し、これにより導電性配線の回路パターンが配線回路基板上の凸部に形成される、（１）に記載の方法。
（３）型板の凹凸パターン上の凸部に導電性ペーストを塗布し、これにより導電性配線の回路パターンが配線回路基板上の凹部に形成される、（１）に記載の方法。
（４）絶縁層が熱硬化性樹脂層である、（１）〜（３）の何れか一項に記載の方法。
（５）熱硬化性樹脂層が、基材に熱硬化性樹脂組成物が添着されてなるプリプレグである、（４）に記載の方法。
（６）加熱プレスにより導電性ペーストと共に熱硬化性樹脂層を熱硬化させて、回路パターンの形成と共に導電性配線の絶縁層への接着を行う、（４）又は（５）に記載の方法。
（７）型板の凹凸パターン上に剥離剤が塗布されている、（１）〜（６）の何れか一項に記載の方法。
（８）導電性ペーストが銀ペースト及び／又は銅ペーストである、（１）〜（７）の何れか一項に記載の方法。
（９）（１）〜（８）の何れか一項に記載の方法により製造された配線回路基板。
（１０）導電性配線パターンの平均配線太さが１０μｍ以下である、請求項（９）に記載の配線回路基板。
【発明の効果】
【００１０】
本発明によれば、微細な配線回路パターン（例えば配線太さ１０μｍ以下）を有する配線回路基板を効率的に形成することが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【００１１】
【図１】図１は、本発明の配線回路基板の製造方法の一例を説明するためのフローチャートである。
【図２】図２（ａ）〜（ｃ）は、実施例１（ライン深さ５μｍ、ライン幅１０μｍ、押し込み温度１３０℃）において得られた配線回路基板の離型前断面のＳＥＭ及びＳＥＭ−ＥＤＸ画像である。図２（ａ）はＳＥＭ画像、図２（ｂ）はアルミニウム（Ａｌ）分布を示すＳＥＭ−ＥＤＸ画像、図２（ｃ）は銅（Ｃｕ）分布を示すＳＥＭ−ＥＤＸ画像である。
【図３】図３（ａ）〜（ｃ）は、実施例２（ライン深さ５μｍ、ライン幅１０μｍ、押し込み温度１５０℃）において得られた配線回路基板の離型前断面のＳＥＭ及びＳＥＭ−ＥＤＸ画像である。図３（ａ）はＳＥＭ画像、図３（ｂ）はアルミニウム（Ａｌ）分布を示すＳＥＭ−ＥＤＸ画像、図３（ｃ）は銅（Ｃｕ）分布を示すＳＥＭ−ＥＤＸ画像である。
【図４】図４（ａ）〜（ｃ）は、実施例３（ライン深さ５μｍ、ライン幅３μｍ、押し込み温度１５０℃）において得られた配線回路基板の離型前断面のＳＥＭ及びＳＥＭ−ＥＤＸ画像である。図４（ａ）はＳＥＭ画像、図４（ｂ）はアルミニウム（Ａｌ）分布を示すＳＥＭ−ＥＤＸ画像、図４（ｃ）は銅（Ｃｕ）分布を示すＳＥＭ−ＥＤＸ画像である。
【図５】図５（ａ）、（ｂ）は、実施例４（ライン深さ２μｍ、ライン幅３μｍ、押し込み温度１３０℃）において得られた離型後表面の３Ｄ測定レーザー顕微鏡画像を示す。図５（ａ）は２０倍、図５（ｂ）は１００倍の画像である。また、図５（ｃ）は、図５（ｂ）に示す離型後表面の表面凹凸を示すグラフである。
【発明を実施するための形態】
【００１２】
以下、本発明について、具体的な実施の形態を用いて詳細に説明するが、本発明は以下の具体的な実施の形態に限定されるものではない。
【００１３】
本発明の一側面によれば、絶縁層上に導電性配線の回路パターンを有する配線回路基板を製造する方法（以下適宜「本発明の方法」という。）が提供される。
図１は、本発明の方法を模式的に示すフローチャートである。但し、本発明の方法は、図１のフローチャートに限定されるものではない。
【００１４】
まず、図１（ａ）に示すように、形成対象となる回路パターンに対応する凹凸パターン（１ａ）を有する型板（１）を用意する。
型板（１）の素材は、後述の加熱プレスに耐えられると共に、熱硬化後の導電性配線と剥離可能な素材であれば、特に制限されない。例としては、樹脂（例えば炭化水素系樹脂、フッ素系樹脂、シリコーン系樹脂等）、ガラス、石英、セラミック、カーボン、アルミニウム、鉄、ステンレス、シリコン、炭化ケイ素、コバルト、チタン、ニッケル、ニッケルリン等、又はこれらのうち二以上の組合せが挙げられる。中でも、均一な高熱伝導性、加工性、安定性、強度から、アルミニウム、ニッケル、ニッケルリン等が好ましい。
【００１５】
型板（１）は１種類の素材からなるものでもよく、２種類以上の素材を任意の組み合わせ及び比率で有するものでもよい。また、部分により異なる素材（又は素材の組み合わせ）からなるものであってもよい。この場合、少なくとも型板（１）の凹凸パターン（１ａ）を有する面（版面）の素材が、前記の好ましい素材から選択されることが好ましい。
【００１６】
型板（１）は、少なくともその一表面（版面）に、目的とする配線回路基板の導電性配線の回路パターン形状に応じた凹凸パターン（１ａ）を有する。本発明では特に、配線太さ１０μｍ以下の微細な配線回路パターンに応じた、ライン＆スペースが１０μｍ以下の微細な凹凸パターンを有することが好ましい。斯かる凹凸パターン（１ａ）の形成方法は限定されないが、例えば切削加工、フォトリソグラフィー、パターンめっき、レーザー加工等により、ミクロンレベル（およそ２μｍ以上）の加工が可能である。さらに、２μｍ以下のナノレベルの微細な凹凸パターンは、例えば電子線リソグラフィーを用いることにより加工することが可能である。
【００１７】
型板（１）の形状及び寸法は制限されず、凹凸パターン（１ａ）を包含し得る平面形状及び平面寸法を有すると共に、凹凸パターン（１ａ）の深さよりも大きな厚みを有していればよい。
【００１８】
なお、導電性ペーストの塗布前に、型板（１）の版面上（特に凹凸パターン（１ａ）上）に、剥離剤を塗布しておくことが好ましい。剥離剤としては、型板（１）と、熱硬化した導電性配線及び絶縁層との剥離を可能とするものであれば、制限されるものではないが、シリコーン系離型剤、ポリエチレンワックス、アミドワックス、テトラフルオロエチレンパウダー等の固形ワックス、フッ素系、リン酸エステル系化合物等が挙げられる。これらは１種類を単独で用いてもよく、２種類以上を任意の組み合わせ及び比率で用いてもよい。
【００１９】
次いで、図１（ｂ）及び（ｃ）に示すように、型板（１）の凹凸パターン（１ａ）上に、熱硬化性の導電性ペースト（２）を塗布する。
熱硬化性の導電性ペースト（２）としては、導電性ナノ粒子を分散媒に分散させたものが挙げられる。導電性ナノ粒子としては、金属ナノ粒子が好ましく、具体的には金、銀、銅、ニッケル等のナノ粒子が挙げられる。中でも、回路配線形成用の導電性ナノ粒子としては、銀及び／又は銅の粒子が好ましい。これらは１種類を単独で用いてもよく、２種類以上を任意の組み合わせ及び比率で用いてもよい。分散媒としては、導電性粒子を好適に分散させると共に、導電性粒子の焼結による熱硬化を妨げず、且つ、熱硬化後の導電性粒子による導通を許容するものであれば、制限されない。例としては、低沸点溶剤、界面活性剤等が挙げられる。低沸点溶剤としては、水や、メタノール、エタノール、１−プロパノール、２−プロパノール、各種ブタノール等の有機溶媒が挙げられる。これらは１種類を単独で用いてもよく、２種類以上を任意の組み合わせ及び比率で用いてもよい。
【００２０】
型板（１）の凹凸パターン（１ａ）のどの部分に導電性ペースト（２）を塗布するかは、限定されるものではなく、所望の配線回路基板の構成に応じて適宜選択すればよい。主な態様としては、凹凸パターン（１ａ）上の凹部に導電性ペースト（２）を塗布する態様（これにより導電性配線の回路パターンが配線回路基板上の凸部に形成される）と、凹凸パターン（１ａ）上の凸部に導電性ペースト（２）を塗布する態様（これにより導電性配線の回路パターンが配線回路基板上の凹部に形成される）とが挙げられる。
【００２１】
図１（ｂ）及び（ｃ）では、凹凸パターン（１ａ）上の凹部に導電性ペースト（２）を塗布する態様の例を示している。この態様においては、制限されるものではないが、図１（ｂ）に示すように、凹凸パターン（１ａ）を有する版面全体に導電性ペースト（２）を塗布した後、図１（ｃ）に示すように、余分の導電性ペースト（２）をマスキングテープ（ＭＴ）等で除去し、凹凸パターン（１ａ）の凹部内のみに導電性ペースト（２）を残すようにすることが好ましい。マスキングテープとしては、余剰の導電性ペースト（２）を適切に吸着して除去可能なものであれば、公知のマスキングテープを適宜選択して用いることができる。
【００２２】
続いて、図１（ｄ）に示すように、導電性ペースト（２）を塗布した型板（１）の凹凸パターン（１ａ）上に、絶縁層（３）を積層する。
絶縁層（３）の材料としては、電気絶縁性を有すると共に、その表面に導電性配線を形成することができ、配線回路基板の絶縁層として使用することが可能な材料であれば、その材料は制限されない。絶縁層（３）の形状や厚みも限定されず、作製対象となる配線回路基板に応じて適宜選択すればよい。
【００２３】
絶縁層（３）としては、電気絶縁性を有する熱硬化性樹脂層を用いることが好ましい。この場合、導電性ペースト（２）を塗布した型板（１）の凹凸パターン（１ａ）上に、半硬化状態の熱硬化性樹脂層を絶縁層（３）として積層し、加熱プレスにより導電性ペースト（２）と共に絶縁層（３）たる熱硬化性樹脂層を熱硬化させて、導電性配線からなる回路パターンの形成と、絶縁層（３）への接着とを行うことが好ましい。
【００２４】
熱硬化性樹脂層は、熱硬化性樹脂組成物から形成される。斯かる熱硬化性樹脂組成物は、制限されるものではないが、通常は熱硬化性樹脂成分を含むと共に、任意により硬化剤、硬化促進剤、無機充填剤、その他各種成分（例えば熱可塑性樹脂やその低分子量品、シリコーン樹脂等の他の樹脂成分、難燃剤等）、溶剤等を配合したものである。
【００２５】
熱硬化性樹脂としては、配線回路基板用材料に使用される公知の熱硬化性樹脂であれば特に限定されない。例としては、エポキシ樹脂、シアン酸エステル樹脂、ビスマレイミド樹脂、イミド樹脂、フェノール樹脂、２重結合付加ポリフェニレンエーテル樹脂、不飽和ポリエステル樹脂等が挙げられる。これらは１種類を単独で用いてもよく、２種類以上を任意の組み合わせ及び比率で用いてもよい。中でも、熱硬化性樹脂としては、エポキシ樹脂、シアン酸エステル樹脂、ビスマレイミド樹脂等が好ましい。
【００２６】
硬化剤としては、上述の熱硬化性樹脂の硬化剤として通常使用されているものであれば、特に限定されない。例としては、ポリフェノール化合物、シアン酸エステル化合物、ジシアンジアミド、カルボン酸アミド、アミン化合物、各種酸無水物、ルイス酸錯体等が挙げられる。これらは１種類を単独で用いてもよく、２種類以上を任意の組み合わせ及び比率で用いてもよい。好ましい硬化剤としては、熱硬化性樹脂の種類によるが、ポリフェノール化合物、シアン酸エステル化合物、ジシアンジアミド等が好ましい。硬化剤を使用する場合、その使用比率は限定されるものではないが、例えば熱硬化性樹脂１００質量部に対して、通常１質量部以上、中でも５質量部以上、また、通常１００質量部以下、中でも７０質量部以下とすることが好ましい。また、熱硬化性樹脂と硬化剤との使用比率は、熱硬化性樹脂及び硬化剤の種類によって異なるが、例えば、熱硬化性樹脂の反応性基（これをＲＦ１と表す。）と、これと反応する硬化剤の反応性基数（これをＲＦ２と表す。）との比（ＲＦ２／ＲＦ１）が、通常０．３以上、中でも０．７以上、また、通常３以下、好ましくは２．５以下となるような比率で用いることが好ましい。
【００２７】
硬化促進剤としては、上述の熱硬化性樹脂及び硬化剤による硬化を促進するために通常使用されているものであれば、特に限定されない。例としては、尿素化合物、リン化合物、銅、亜鉛、コバルト、ニッケル等の有機金属塩、イミダゾール類及びその誘導体、第３級アミン等が挙げられる。これらは１種類を単独で用いてもよく、２種類以上を任意の組み合わせ及び比率で用いてもよい。中でも、硬化促進剤としては、尿素化合物、リン化合物等が好ましい。硬化促進剤を使用する場合、その使用比率は限定されるものではないが、例えば熱硬化性樹脂１００質量部に対して、通常０．０１質量部以上、中でも０．１質量部以上、また、通常３０質量部以下、中でも２０質量部以下とすることが好ましい。
【００２８】
無機充填材としては、合成樹脂の無機充填剤として使用されるものであれば、特に限定されない。例としては、天然シリカ、溶融シリカ、合成シリカ、タルク、焼成タルク、水酸化アルミニウム、ベーマイト、酸化アルミニウム、水酸化マグネシウム、酸化マグネシウム、酸化亜鉛、二酸化チタン等が挙げられる。これらは１種類を単独で用いてもよく、２種類以上を任意の組み合わせ及び比率で用いてもよい。中でも、無機充填材としては、合成シリカ、溶融シリカ、タルク、焼成タルク、水酸化アルミニウム、ベーマイト等が好ましい。粒度分布や平均粒径を変化させた無機充填材を適宜組み合わせて使用してもよい。また、シランカップリング剤、チタネートカップリング剤、ポリジメチルシロキサン系界面活性剤等による処理を無機充填材に施してもよい。無機充填材の平均粒径は、通常０．０１〜５μｍ、中でも０．１〜３μｍである。無機充填材を使用する場合、その使用比率は限定されるものではないが、例えば熱硬化性樹脂１００質量部に対して、通常５質量部以上、中でも２０質量部以上、また、通常２００質量部以下、中でも１００質量部以下とすることが好ましい。
【００２９】
溶剤としては、熱硬化性樹脂を溶解させると共に、その他各種成分を適切に溶解又は分散させることが可能なものであれば、特に限定されない。例としては、アセトン、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン、シクロヘキサノンなどのケトン類、ベンゼン、トルエン、キシレン等の芳香族炭化水素類、ジメチルホルムアミドやジメチルアセトアミド等のアミド類等が挙げられる。これらは１種類を単独で用いてもよく、２種類以上を任意の組み合わせ及び比率で用いてもよい。溶剤を使用する場合、その使用比率は限定されるものではなく、熱硬化性樹脂層の形成時の操作性を考慮して、熱硬化性樹脂を溶解させると共に、その他各種成分を適切に溶解又は分散させることが可能な範囲で、適宜選択すればよい。
【００３０】
上述の熱硬化性樹脂成分、及び、任意により硬化剤、硬化促進剤、無機充填剤、その他各種成分等を、任意により溶剤の存在下で混合することにより、熱硬化性樹脂組成物が得られる。斯かる熱硬化性樹脂組成物を、適切な温度及び時間で加熱し、熱硬化性樹脂を半硬化させることにより、熱硬化性樹脂層が得られる。
【００３１】
熱硬化性樹脂層の形態としては、その熱硬化性樹脂組成物を半硬化させたものであれば、限定されるものではないが、上述の熱硬化性樹脂組成物を単独で半硬化させた樹脂単層、上述の樹脂組成物が銅箔、有機フィルム等の支持体に塗布された状態で半硬化させた樹脂積層体、上述の熱硬化性樹脂組成物を基材に添着された状態で半硬化させたプリプレグ等が挙げられる。中でもプリプレグが好ましい。
【００３２】
プリプレグの基材としては、各種プリント配線板材料に用いられる公知のものを使用することが出来る。例としては、Ｅガラス、Ｄガラス、Ｓガラス、ＮＥガラス、クォーツ等の無機繊維、ポリイミド、ポリアミド、ポリエステル等の有機繊維が挙げられる。これらは１種類を単独で用いてもよく、２種類以上を任意の組み合わせ及び比率で用いてもよい。形状としては織布、不織布等が挙げられる。織布の織り方としては、平織り、ななこ織り、綾織り等が挙げられる。また、これらを開繊処理したものや、シランカップリング剤などで表面処理したものも、基材として好適に使用される。
【００３３】
プリプレグは、上述の熱硬化性樹脂組成物を、一般的な含浸法や塗布法等を用いて上述の基材に含浸又は塗布させ、乾燥して添着させることにより製造される。具体的には、前記基材に、前記熱硬化性樹脂組成物を含浸又は塗布した後、１００〜２００℃の乾燥機中で１〜３０分間加熱する等の方法によりＢステージ化させ、プリプレグとする方法等が例示される。基材への含浸または塗布に際しては、必要に応じて、前記した、熱硬化性樹脂と相溶する有機溶剤を用いて、粘度等の調整を行うことができる。基材に対する熱硬化性樹脂組成物の添着量は、プリプレグに対する熱硬化性樹脂組成物の固形分の割合が２０〜９０重量％の範囲となるようにすることが好ましい。また、樹脂層の厚さ（ガラスクロスと表面との距離）は、通常１μｍ以上、中でも５μｍ、更には１０μｍ以上とすることが好ましい。
【００３４】
或いは、絶縁層（３）として、電気絶縁性を有する熱可塑性樹脂層を用いることもできる。熱可塑性樹脂としては、特に限定されないが、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリスチレン、ポリエステル、ポリカーボネート、ナイロン、アクリル、ポリイミド等を用いることができる。
【００３５】
次に、図１（ｅ）に示すように、型板（１）と絶縁層（３）とを、加熱プレス機（ＨＰ）によって加熱プレスする。これにより、導電性ペースト（２）が熱硬化して導電性配線の回路パターンが形成されると共に、斯かる導電性配線の回路パターンが絶縁層（３）に接着される。
【００３６】
特に、絶縁層（３）として熱硬化性樹脂層を用いる場合には、加熱プレスにより導電性ペースト（２）と共に絶縁層（３）たる熱硬化性樹脂層を熱硬化させて、導電性配線からなる回路パターンの形成と、絶縁層（３）への接着とを行う。
【００３７】
加熱プレスは、公知の加熱プレス機によって行えばよい。加熱プレスの条件は、導電性ペースト（２）及び絶縁層（３）たる熱硬化性樹脂層が硬化すると共に、硬化後の導電性配線が硬化後の樹脂層に接着する条件であれば、限定されるものではなく、導電性ペースト及び熱硬化性樹脂層の種類に応じて適宜選択すればよい。但し、一般的には、熱硬化性樹脂層を徐々に加熱すると、６０℃〜１７０℃程度の温度領域でいったん軟化した後、約１７０℃の温度を超えると熱硬化が生じる場合が多い。一方、導電性ペーストの焼結による熱硬化は、通常は約２００℃を超える温度で生じる。よって、好適な態様によれば、積層された型板と絶縁層とを、まずは１００℃〜１７０℃程度の温度領域まで加熱して、熱硬化性樹脂層を軟化させる。その後、当該温度領域で加圧プレスして、軟化した熱硬化性樹脂層を型板の凹凸パターンの凹部に十分に圧入し、導電性ペーストを凹部底面に押圧した状態とする。この際の圧力としては、熱硬化性樹脂層及び導電性ペーストの種類にもよるが、通常０．１ＭＰａ以上、中でも１ＭＰａ以上、また、通常１５ＭＰａ以下、好ましくは１０ＭＰａ以下の範囲で選択することが好ましい。その後、更に約２００℃以上まで加熱して、熱硬化性樹脂層及び導電性ペーストを熱硬化させる。これにより、導電性ペーストが型板の凹凸パターンの凹部底面に押圧された状態で、熱硬化性樹脂層及び導電性ペーストの熱硬化が生じるので、凹凸パターンの凹部形状に極めて一致した導電性配線の回路パターンが形成されると共に、樹脂層と十分に接着されることになる。
【００３８】
なお、斯かる加熱プレスは、真空条件下（好ましくは０．０１ＭＰａ以下）で行うことが好ましい。これにより、導電性ペースト（２）から形成される導電性配線と絶縁層（３）との間に隙間が生じるのを避けると共に、導電性ペースト（２）の酸化を防ぐことが可能となる。
【００３９】
一方、絶縁層（３）として熱可塑性樹脂層を用いる場合には、加熱プレスにより導電性ペースト（２）を熱硬化させて導電性配線の回路パターンを形成すると共に、絶縁層（３）たる熱可塑性樹脂層を熱軟化させて導電性配線の絶縁層（３）への接着を行う。絶縁層（３）として熱可塑性樹脂層を用いる場合には、加熱は真空加熱プレスの他に、超音波加圧によっても行うことができる。
【００４０】
その後、図１（ｆ）に示すように、導電性配線（４ａ）の回路パターンが形成された絶縁層（４ｂ）を型板（１）から剥離する。これにより、絶縁層（４ｂ）上に所望の導電性配線（４ａ）の回路パターンを有する配線回路基板（４）が得られる。
【００４１】
本発明の別の側面によれば、上述の本発明の方法により製造される、絶縁層上に導電性配線の回路パターンを有する配線回路基板が提供される。
本発明の方法によれば、極めて微細な配線、例えば導電性配線パターンの平均配線太さが１０μｍ以下の配線が形成された、精密な配線回路基板を得ることが可能となる。また、本発明の方法によれば、従来の製法では極めて困難だった、絶縁層の凸部上に導電性配線が形成された配線回路基板を、容易に作製することができる。更には、型板（１）の凹凸パターン（１ａ）の深さを適宜調節することにより、導電性配線の高さを効率的且つ精密に調節することができると共に、従来の製法では極めて困難だった、導電性配線の高さが部位により異なる回路パターンの形成も可能となる。
【実施例】
【００４２】
以下、実施例に基づき本発明を更に詳細に説明するが、本発明は以下の実施例によっても何ら限定されるものではない。
【００４３】
［実施例１］
型板としては、ライン深さ５μｍ、ライン幅１０μｍ、スペース幅１０μｍのライン＆スペース構造の凹凸パターンを切削加工で作製した、０．９ｃｍ×０．９ｃｍ×０．５ｍｍのアルミニウム製金型を用いた。
導電性ペーストとしては、平均粒子径６５ｎｍの銅ナノ粒子を５０質量％エタノール水溶液に分散させた銅ペースト（福田金属箔粉工業製ＳＦＣ−１０ａｘ）を用いた。
【００４４】
この銅ナノ粒子を、スピンコーター（ミカサ社製１Ｈ−３６０Ｓ）を用いて金型に塗布し、マスキングテープで金型表面の銅ナノ粒子を除去した。
その後、銅ナノ粒子が塗布された金型の凹凸パターン上に、１．２ｃｍ×１．２ｃｍ×０．１ｍｍの熱硬化性プリプレグ（三菱瓦斯化学（株）製ＧＨＰＬ−８３０ＮＳ）を載置した。
【００４５】
続いて、熱硬化性プリプレグと金型との積層体を、真空熱プレス機（井元製作所製ＩＭＣ−１１ＦＡ）を用いて加熱プレスし、銅ナノ粒子を焼結させた。加熱プレス条件は以下のとおりである。即ち、真空下において、まず１１０℃でプリプレグを３０分間溶融させた後、１３０℃の温度（押し込み温度）で１５分間放置してから３ＭＰａで加圧し、プリプレグを金型へプレスした。その後、プリプレグを硬化させるために、３ＭＰａの圧力をかけながら２２０℃まで加熱し、更に１０５分間加熱した。
加熱プレス後、得られた硬化銅パターンを有する硬化プリプレグ（配線回路基板）を、金型に嵌った状態のまま（離型前）切断し、得られた離型前断面を走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）（日本電子（株）製ＪＳＭ−６５１０）及び電界放出形走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ−ＥＤＸ）（日本電子（株）製ＪＳＭ−７６００ＦＡ）による観察に供した。
【００４６】
［実施例２］
実施例１と同様の材料を用い、加熱プレス時の加圧温度（押し込み温度）を１３０℃から１５０℃に変更した他は、実施例１と同様の条件で操作を行った。加熱プレス後、得られた硬化銅パターンを有する硬化プリプレグ（配線回路基板）を、金型に嵌った状態のまま切断し、断面をＳＥＭ及びＳＥＭ−ＥＤＸによる観察に供した。
【００４７】
［実施例３］
金型の凹部のライン幅を１０μｍから３μｍに変更した他は、実施例１と同様の材料を用い、実施例２と同様の条件（押し込み温度は１５０℃）で操作を行った。加熱プレス後、得られた硬化銅パターンを有する硬化プリプレグ（配線回路基板）を、金型に嵌った状態のまま切断し、断面をＳＥＭ及びＳＥＭ−ＥＤＸによる観察に供した。
【００４８】
［評価］
実施例１〜３において得られた離型前断面のＳＥＭ／ＳＥＭ−ＥＤＸ画像をそれぞれ図２〜４に示す。図２〜４においてそれぞれ、（ａ）はＳＥＭ画像、（ｂ）はアルミニウム（Ａｌ）分布を示すＳＥＭ−ＥＤＸ画像、（ｃ）は銅（Ｃｕ）分布を示すＳＥＭ−ＥＤＸ画像である。これらの画像より、実施例１〜３の何れにおいても、金型（アルミニウム（Ａｌ）存在領域）の凹部に対応するプリプレグ（酸素（Ｏ）及びケイ素（Ｓｉ）存在領域）の凸部の端面（画像中の下向き凸部の下面）のみに広範囲に銅（Ｃｕ）が存在し、銅パターンのプリプレグへの転写及び定着に成功していることが分かる。
【００４９】
［実施例４］
金型の凹部のライン深さを５μｍから２μｍに、ライン幅及びスペース幅を何れも１０μｍから３μｍに変更した他は、実施例１と同様の材料を用い、実施例１と同様の条件（押し込み温度は１３０℃）で操作を行った。加熱プレス後、得られた硬化銅パターンを有する硬化プリプレグ（配線回路基板）を金型から離型し、表面を３Ｄ測定レーザー顕微鏡（オリンパス社製ＬＥＸＴ ＯＬＳ４０００）による観察に供した。
【００５０】
［評価］
実施例４において得られた離型後表面の３Ｄ測定レーザー顕微鏡画像を図５（ａ）、（ｂ）に示す。図５（ａ）は２０倍、図５（ｂ）は１００倍の画像である。また、図５（ｃ）は、図５（ｂ）に示す離型後表面の表面凹凸を示すグラフである。これらの画像より、金型の凹部に対応するプリプレグの凸部上に銅（Ｃｕ）配線が形成されており、銅パターンのプリプレグへの転写及び定着に成功していることが分かる。
【産業上の利用可能性】
【００５１】
本発明によれば、微細な配線回路パターン（例えば配線太さ１０μｍ以下）を有する配線回路基板を効率的に形成することが可能となる。よって、本発明は、配線回路基板や集積回路の分野において、多大なる利用可能性を有する。
【符号の説明】
【００５２】
１    型板
１ａ    凹部（凹凸パターン）
２    導電性ペースト
３    絶縁層（回路パターン形成前）
４    配線回路基板
４ａ    導電性配線（回路パターン）
４ｂ    絶縁層（回路パターン形成後）
ＨＰ    加熱プレス機
ＭＴ    マスキングテープ
【図１】
2015153921.tif 000003
【図２】
2015153921.tif 000004
【図３】
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【図４】
2015153921.tif 000006
【図５】
2015153921.tif 000007