(57)【要約】【課題】大きな過電圧が印加されても抵抗体を確実に保護することのできるチップ抵抗器を提供する。【解決手段】本発明のチップ抵抗器においては、絶縁基板１の表面に設けられた一対の表面電極２，３が、抵抗体４の端部に接続する端子電極部２ａ，３ａと、端子電極部２ａ，３ａよりも短い電極間距離を形成するギャップ電極部２ｂ，３ｂとを有しており、これらギャップ電極部２ｂ，３ｂと抵抗体４が絶縁基板１の平坦な表面に所定間隔を存して並設されている。このような構成により、ギャップ電極部２ｂ，３ｂの電極間で放電する電圧が安定し、抵抗体４の抵抗値が低い場合でも、抵抗体４を確実に過電圧から保護することができる。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁基板と、この絶縁基板の表面に設けられた一対の表面電極と、これら一対の表面電極に接続するように前記絶縁基板の表面に設けられた抵抗体と、この抵抗体を被覆するように設けられた絶縁性の第１保護膜と、この第１保護膜とともに前記抵抗体に形成された抵抗値調整用のトリミング溝と、このトリミング溝の上から前記第１保護膜を覆うように設けられた絶縁性の第２保護膜とを備え、
前記一対の表面電極が、前記抵抗体を介して対向する端子電極部と、これら端子電極部よりも短い電極間距離を形成するギャップ電極部とを有しており、前記絶縁基板の表面に前記ギャップ電極部と前記抵抗体が所定間隔を存して並設されていることを特徴とするチップ抵抗器。
【請求項２】
請求項１の記載において、前記第１保護膜と前記第２保護膜の少なくとも一方が前記ギャップ電極部の電極間を被覆していることを特徴とするチップ抵抗器。
【請求項３】
請求項１の記載において、前記ギャップ電極部の電極間を絶縁材料と導電材料からなる過電圧保護層にて被覆し、この過電圧保護層の比抵抗が１０８〜１０１０Ω・ｍの範囲に設定されていることを特徴とするチップ抵抗器。
【請求項４】
請求項１の記載において、前記ギャップ電極部の先端部が先鋭状に形成されていることを特徴とするチップ抵抗器。
【請求項５】
請求項１の記載において、前記一対の表面電極にそれぞれ設けられた前記ギャップ電極部のうち、一方は前記端子電極部から屈曲して前記抵抗体の長さ方向に沿って突出していると共に、他方は前記端子電極部に連続して前記抵抗体の幅方向へ延びていることを特徴とするチップ抵抗器。
【請求項６】
請求項１の記載において、前記トリミング溝は前記ギャップ電極部と反対側の側面を始端として前記抵抗体に形成されていることを特徴とするチップ抵抗器。
【請求項７】
請求項１の記載において、前記ギャップ電極部は前記端子電極部よりも抵抗値が低く設定されていることを特徴とするチップ抵抗器。
【請求項８】
絶縁基板の表面に互いに平行な一対の端子電極部を帯状電極部で橋絡した平面視凹形状の電極本体を形成する電極本体形成工程と、
前記一対の端子電極部に接続するように抵抗体を形成する抵抗体形成工程と、
前記抵抗体を覆うように第１保護膜を形成する第１保護膜形成工程と、
前記帯状電極部を切断することによって前記端子電極部よりも短い電極間距離を有するギャップ電極部を形成するギャップ電極部形成工程と、
前記ギャップ電極部形成工程後に前記第１保護膜とともに前記抵抗体にトリミング溝を形成して抵抗値を調整するトリミング溝形成工程と、
前記トリミング溝の上から前記第１保護膜を覆うように第２保護膜を形成する第２保護膜形成工程と、
を含むことを特徴とするチップ抵抗器の製造方法。
【請求項９】
請求項８の記載において、前記帯状電極部の切断と前記トリミング溝の形成はいずれもレーザを照射することによって行われることを特徴とするチップ抵抗器の製造方法。
【請求項１０】
請求項９の記載において、前記帯状電極部を切断してスリットを形成した後、このスリットの直線上に前記トリミング溝を形成するようにしたことを特徴とするチップ抵抗器の製造方法。
【請求項１１】
請求項９の記載において、前記絶縁基板の表面に前記電極本体と前記抵抗体を含む素子が同一線上に複数組形成されており、これら複数の素子に対して前記抵抗体の抵抗値調整を順次行う際に、任意の素子の抵抗値調整は、次に加工される素子の前記帯状電極部を切断してスリットを形成した後、そのスリットを延長して前記トリミング溝を形成することによって行われることを特徴とするチップ抵抗器の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、絶縁基板上に設けられた抵抗体にトリミング溝を形成することによって抵抗値が調整されるチップ抵抗器に係り、特に、抵抗体を過電圧から保護するため対策が施されたチップ抵抗器に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
この種のチップ抵抗器においては、絶縁基板上に設けられた一対の表面電極と接続する抵抗体をアンダーコート層（第１保護膜）で覆い、このアンダーコート層とともに抵抗体にトリミング溝を形成して抵抗値を調整した後、トリミング溝の上からアンダーコート層を覆うようにオーバーコート層（第２保護膜）を設けるという構成が一般的である。しかし、このような構成のチップ抵抗器では、静電気やサージ電圧等の大きな過電圧が印加されると、抵抗体が過電圧によって破損してしまい、その抵抗値が大きく変化したり、場合によっては破断したりするケースがある。
【０００３】
そこで従来より、アンダーコート層の上面に一対のギャップ電極を形成し、これら両ギャップ電極の一端部を互いに離間するように配置すると共に、両ギャップ電極の他端部をそれぞれ表面電極に接続したチップ抵抗器が提案されている（例えば、特許文献１参照）。
【０００４】
このようにアンダーコート層とオーバーコート層の間にギャップ電極が設けられたチップ抵抗器によれば、大きな過電圧が印加された場合でも、抵抗体よりも一対のギャップ電極間の方がインピーダンスが低くなるため、一対のギャップ電極間で放電が発生して、抵抗体に過電流は流れなくなり、大きな過電圧が印加されても抵抗体を保護することができる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２０１３−１１５１０６号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかし、上記特許文献１に開示された従来のチップ抵抗器では、スクリーン印刷等を用いて形成されるアンダーコート層の凹凸のある上面にギャップ電極を形成するようにしているため、ギャップ電極の形状を安定させることが困難となり、ギャップ電極間距離にばらつきが発生し易くなる。その結果、一対のギャップ電極間で放電する電圧にばらつきが発生し易くなり、特に、抵抗体の抵抗値が低いチップ抵抗器の場合、ギャップ電極間距離が基準値に対して大きくずれることにより、抵抗体に過電流が流れてしまうことになる。
【０００７】
本発明は、このような従来技術の実情に鑑みてなされたもので、その第１の目的は、大きな過電圧が印加されても抵抗体を確実に保護することのできるチップ抵抗器を提供することにある。また、本発明の第２の目的は、そのようなチップ抵抗器を簡単に製造することができるチップ抵抗器の製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
上記第１の目的を達成するために、本発明のチップ抵抗器は、絶縁基板と、この絶縁基板の表面に設けられた一対の表面電極と、これら一対の表面電極に接続するように前記絶縁基板の表面に設けられた抵抗体と、この抵抗体を被覆するように設けられた絶縁性の第１保護膜と、この第１保護膜とともに前記抵抗体に形成された抵抗値調整用のトリミング溝と、このトリミング溝の上から前記第１保護膜を覆うように設けられた絶縁性の第２保護膜とを備え、前記一対の表面電極が、前記抵抗体を介して対向する端子電極部と、これら端子電極部よりも短い電極間距離を形成するギャップ電極部とを有しており、前記絶縁基板の表面に前記ギャップ電極部と前記抵抗体が所定間隔を存して並設されているという構成にした。
【０００９】
このように構成されたチップ抵抗器では、ギャップ電極部が抵抗体と並列に絶縁基板の表面に形成されているため、ギャップ電極部の形状が安定してギャップ電極間距離のばらつきを少なくすることができる。その結果、ギャップ電極間で放電する電圧が安定し、抵抗体の抵抗値が低い場合でも、抵抗体を確実に過電圧から保護することができる。
【００１０】
上記の構成において、第１保護膜と第２保護膜の少なくとも一方がギャップ電極部の電極間を被覆していると、湿度に影響されないギャップ電極を実現することができると共に、端面電極等を覆う外部メッキを施したときに、メッキの付着によってギャップ電極間距離が変化してしまうことを防止できる。
【００１１】
また、上記の構成において、ギャップ電極部の電極間を絶縁材料と導電材料からなる過電圧保護層にて被覆し、この過電圧保護層の比抵抗が１０８〜１０１０Ω・ｍの範囲に設定されていると、ギャップ電極部の電極間に過電圧を安定して放電し易くなる。
【００１２】
また、上記の構成において、ギャップ電極部の先端部が先鋭状に形成されていると、ギャップ電極部の先端に電界が集中するため、ギャップ電極部の電極間に過電圧を放電し易くなる。
【００１３】
また、上記の構成において、一対の端子電極部からそれぞれギャップ電極部を突出させて抵抗体の近傍で対向させることも可能であるが、一対の表面電極にそれぞれ設けられたギャップ電極部のうち、一方は端子電極部から屈曲して抵抗体の長さ方向に沿って突出していると共に、他方は端子電極部に連続して抵抗体の幅方向へ延びているという構成であっても良い。
【００１４】
また、上記の構成において、トリミング溝がギャップ電極部と反対側の側面を始端として抵抗体に形成されていると、ギャップ電極部をトリミング溝から離すことができるため、トリミング溝によって露出した抵抗体とギャップ電極部とが短絡してしまうことを防止できる。
【００１５】
また、上記の構成において、ギャップ電極部と端子電極部は同じ抵抗値であっても良いが、例えば、抵抗値の同じ電極材料を用いてギャップ電極部の膜厚を端子電極部よりも厚く形成したり、ギャップ電極部と端子電極部を抵抗値の異なる電極材料で形成することにより、ギャップ電極部の抵抗値が端子電極部の抵抗値よりも低くなるように設定しておくと、ギャップ電極部の電極間に過電圧を安定して放電し易くなる。
【００１６】
また、上記第２の目的を達成するために、本発明によるチップ抵抗器の製造方法は、絶縁基板の表面に互いに平行な一対の端子電極部を帯状電極部で橋絡した平面視凹形状の電極本体を形成する電極本体形成工程と、前記一対の端子電極部に接続するように抵抗体を形成する抵抗体形成工程と、前記抵抗体を覆うように第１保護膜を形成する第１保護膜形成工程と、前記帯状電極部を切断することによって前記端子電極部よりも短い電極間距離を有するギャップ電極部を形成するギャップ電極部形成工程と、前記ギャップ電極部形成工程後に前記第１保護膜とともに前記抵抗体にトリミング溝を形成して抵抗値を調整するトリミング溝形成工程と、前記トリミング溝の上から前記第１保護膜を覆うように第２保護膜を形成する第２保護膜形成工程と、を含むこととした。
【００１７】
このように絶縁基板の表面に一対の端子電極部を帯状電極部で橋絡した平面視凹形状の電極本体を形成し、これら端子電極部と接続するように抵抗体を形成した後、レーザの照射等によって帯状電極部を切断してギャップ電極部を形成すると、印刷に比べてギャップ電極間距離を高精度に設定することができる。
【００１８】
この場合において、帯状電極部の切断とトリミング溝の形成がいずれもレーザを照射することによって行われると、ギャップ電極部とトリミング溝の両方をレーザ加工によって形成することができて好ましい。
【００１９】
また、上記の構成において、帯状電極部を切断してスリットを形成した後、このスリットの直線上にトリミング溝を形成すると、レーザ加工における加工タクトが早くなって好ましい。
【００２０】
また、上記の構成において、絶縁基板の表面に電極本体と抵抗体を含む素子が同一線上に複数組形成されており、これら複数の素子に対して抵抗体の抵抗値調整を順次行う際に、任意の素子の抵抗値調整が、次に加工される素子の帯状電極部を切断してスリットを形成した後、そのスリットを延長してトリミング溝を形成することによって行われると、レーザ加工の加工時間を短縮することができて好ましい。
【発明の効果】
【００２１】
本発明のチップ抵抗器は、絶縁基板の平坦な表面にギャップ電極部が抵抗体と並列に形成されているため、ギャップ電極部の形状が安定してギャップ電極間距離のばらつきを少なくすることができる。その結果、ギャップ電極間で放電する電圧が安定し、抵抗体の抵抗値が低い場合でも、抵抗体を確実に過電圧から保護することができる。
【００２２】
また、本発明によるチップ抵抗器の製造方法は、絶縁基板の表面に一対の端子電極部を帯状電極部で橋絡した平面視凹形状の電極本体を形成し、これら端子電極部と接続するように抵抗体を形成した後、レーザの照射等によって帯状電極部を切断してギャップ電極部を形成するようにしたので、印刷に比べてギャップ電極間距離を高精度に設定することができ、その結果、ギャップ電極間で放電する電圧が安定し、抵抗体の抵抗値が低い場合でも、抵抗体を確実に過電圧から保護することができる。
【図面の簡単な説明】
【００２３】
【図１】本発明の第１実施形態例に係るチップ抵抗器の平面図である。
【図２】図１のII−II線に沿う断面図である。
【図３】図１のIII−III線に沿う断面図である。
【図４】第１実施形態例に係るチップ抵抗器の製造工程を示す説明図である。
【図５】本発明の第２実施形態例に係るチップ抵抗器の製造工程を示す説明図である。
【図６】本発明の第３実施形態例に係るチップ抵抗器の製造工程を示す説明図である。
【図７】本発明の第４実施形態例に係るチップ抵抗器の製造工程を示す説明図である。
【図８】本発明の第５実施形態例に係るチップ抵抗器の製造工程を示す説明図である。
【図９】本発明の第６実施形態例に係るチップ抵抗器の製造工程を示す説明図である。
【図１０】本発明の第７実施形態例に係るチップ抵抗器の製造工程を示す説明図である。
【図１１】本発明の第８実施形態例に係るチップ抵抗器の製造工程を示す説明図である。
【図１２】本発明の第９実施形態例に係るチップ抵抗器の製造工程を示す説明図である。
【図１３】本発明の第１０実施形態例に係るチップ抵抗器の製造工程を示す説明図である。
【図１４】本発明の第１１実施形態例に係るチップ抵抗器の製造工程を示す説明図である。
【発明を実施するための形態】
【００２４】
発明の実施の形態について図面を参照して説明すると、図１〜図３に示すように、本発明の第１実施形態例に係るチップ抵抗器は、直方体形状の絶縁基板１と、絶縁基板１の表面の長手方向両端部に設けられた一対の表面電極２，３と、これら一対の表面電極２，３に接続する長方形状の抵抗体４と、この抵抗体４を被覆するアンダーコート層（第１保護膜）５と、アンダーコート層５を被覆するオーバーコート層（第２保護膜）６等によって主に構成されており、抵抗体４には抵抗値を調整するためのトリミング溝７が形成されている。なお、図示省略されているが、絶縁基板１の裏面には表面電極２，３に対応するように一対の裏面電極が設けられており、絶縁基板１の長手方向の両端面には対応する表面電極と裏面電極を橋絡する端面電極が設けられている。
【００２５】
絶縁基板１はセラミック等からなり、この絶縁基板１は大判の集合基板を縦横の分割溝に沿って分割して多数個取りしたものである。一対の表面電極２，３はＡｇ系ペースト等をスクリーン印刷して乾燥・焼成させたものであり、抵抗体４は酸化ルテニウム等の抵抗体ペーストをスクリーン印刷して乾燥・焼成させたものである。
【００２６】
一方の表面電極２は、抵抗体４の一端部に接続する端子電極部２ａと、抵抗体４の一側辺に沿って平行に延びるギャップ電極部２ｂとを有しており、これら端子電極部２ａとギャップ電極部２ｂは平面視Ｌ字状に連続している。他方の表面電極３は、抵抗体４の他端部に接続する端子電極部３ａと、抵抗体４の一側辺に沿って平行に延びるギャップ電極部３ｂとを有しており、これら端子電極部３ａとギャップ電極部３ｂは平面視逆Ｌ字状に連続している。両ギャップ電極部２ｂ，３ｂは互いの先端どうしを離間した状態で一直線上に配置されており、これらギャップ電極部２ｂ，３ｂの電極間距離は両端子電極部２ａ，３ａの電極間距離に比べて十分に短く設定されている。なお、抵抗体４の一側辺と両ギャップ電極部２ｂ，３ｂとは所定間隔を存して離反しており、この間隔は両ギャップ電極部２ｂ，３ｂの電極間距離よりも大きく設定されている。
【００２７】
アンダーコート層５はガラスペーストをスクリーン印刷して焼成させたものであり、このアンダーコート層５はトリミング溝７を形成する前に抵抗体４を覆うように形成されている。オーバーコート層６はエポキシ系樹脂ペーストをスクリーン印刷して加熱硬化させたものであり、このオーバーコート層６は抵抗体４にトリミング溝７を形成した後にアンダーコート層５と両ギャップ電極部２ｂ，３ｂを覆うように形成されている。
【００２８】
次に、このように構成されたチップ抵抗器の製造工程について、図４を参照しながら説明する。
【００２９】
まず、絶縁基板１が多数個取りされる集合基板１Ａを準備する。この集合基板１Ａには予め１次分割溝と２次分割溝（いずれも図示省略）が格子状に設けられており、両分割溝によって区切られたマス目の１つ１つが１個分のチップ領域となる。図４には１個分のチップ領域に相当する集合基板１Ａが代表して示されているが、実際は多数個分のチップ領域に相当する集合基板１Ａに対して以下に説明する各工程が一括して行われる。
【００３０】
すなわち、この集合基板１Ａの表面にＡｇ−Ｐｄペーストをスクリーン印刷した後、これを乾燥・焼成することにより、図４（ａ）に示すように、端子電極部２ａとギャップ電極部２ｂを有する平面視Ｌ字状の表面電極２と、端子電極部３ａとギャップ電極部３ｂを有する平面視逆Ｌ字状の表面電極３とを形成する（電極形成工程）。なお、これに前後して集合基板１Ａの裏面にＡｇ−Ｐｄペーストをスクリーン印刷し、これを乾燥・焼成することにより、集合基板１Ａの裏面に図示せぬ一対の裏面電極を形成する。
【００３１】
次に、集合基板１Ａの表面に酸化ルテニウム等の抵抗体ペーストをスクリーン印刷した後、これを乾燥・焼成することにより、図４（ｂ）に示すように、長手方向の両端部を端子電極部２ａ，３ａに重ね合わせた長方形状の抵抗体４を形成する（抵抗体形成工程）。その際、抵抗体４は両ギャップ電極部２ｂ，３ｂに対して幾分離れた位置に形成されるため、集合基板１Ａの表面に抵抗体４と両ギャップ電極部２ｂ，３ｂが所定間隔を存して並設されることになる。
【００３２】
次に、抵抗体４を覆う領域にガラスペーストをスクリーン印刷し、これを焼成することにより、図４（ｃ）に示すように、抵抗体４を覆うアンダーコート層５を形成する（第１保護膜形成工程）。次に、端子電極部２ａ，３ａに図示せぬプローブを接触させて抵抗体４の抵抗値を測定しながら、アンダーコート層５および抵抗体４にレーザを照射することにより、図４（ｄ）に示すように、抵抗体４にトリミング溝７を形成して抵抗体４を所望の抵抗値に調整する（トリミング溝形成工程）。その際、トリミング溝７はギャップ電極部２ｂ，３ｂと反対側に位置する抵抗体４の側面を始端としてＬ字状に形成されているが、トリミング溝７の形状や本数はこれに限定されず、ストレートカットやダブルカット等のトリミング溝を形成して抵抗体４の抵抗値に調整するようにしても良い。また、トリミング溝はギャップ電極部２ｂ，３ｂと対向する側に位置する抵抗体４の側面を始端として形成することも可能であり、その場合においても、抵抗体４と両ギャップ電極部２ｂ，３ｂの離反間隔が両ギャップ電極部２ｂ，３ｂの電極間距離よりも大きく設定されているため、トリミング溝によって露出した抵抗体４とギャップ電極部２ｂ，３ｂとが短絡してしまうことを防止できる。
【００３３】
次に、アンダーコート層５と両ギャップ電極部２ｂ，３ｂを覆うようにエポキシ系等の樹脂ペーストをスクリーン印刷した後、これを加熱硬化することにより、図４（ｅ）に示すように、アンダーコート層５と両ギャップ電極部２ｂ，３ｂを覆うオーバーコート層６を形成する（第２保護膜形成工程）。このオーバーコート層６は抵抗体４を外部環境から保護するためのものであるが、オーバーコート層６によって両ギャップ電極部２ｂ，３ｂを同時に覆うことにより、湿度に影響されないギャップ電極が実現されるようになっている。
【００３４】
ここまでの各工程は多数個取り用の集合基板１Ａに対する一括処理であるが、次なる工程では、集合基板１Ａを１次分割溝に沿って短冊状に分割するという１次ブレーク加工を行うことより、複数個分のチップ領域が設けられた図示せぬ短冊状基板を得る。しかる後、短冊状基板の分割面に表面電極２，３と裏面電極を橋絡する図示せぬ端面電極を形成した後、短冊状基板を２次分割溝に沿って分割するという２次ブレーク加工を行うことにより、チップ抵抗器と同等の大きさの個片（チップ単体）を得る。
【００３５】
最後に、個片化された各チップ単体の絶縁基板１の長手方向両端部に電解メッキを施すことにより、オーバーコート層６から露出する表面電極２，３の端子電極部２ａ，３ａや図示せぬ裏面電極と端面電極を覆う外部メッキを形成することにより、図１〜図３に示すようなチップ抵抗器が得られる。なお、かかる外部メッキの形成時に、両ギャップ電極部２ｂ，３ｂはオーバーコート層６によって覆われているため、メッキの付着によってギャップ電極間距離が変化してしまうことを防止できる。
【００３６】
以上説明したように、本実施形態例に係るチップ抵抗器は、絶縁基板１の表面に設けられた一対の表面電極２，３が、抵抗体４の端部に接続する端子電極部２ａ，３ａと、端子電極部２ａ，３ａよりも短い電極間距離を形成するギャップ電極部２ｂ，３ｂとを有しており、これらギャップ電極部２ｂ，３ｂと抵抗体４が絶縁基板１の平坦な表面に所定間隔を存して並設されているため、ギャップ電極部２ｂ，３ｂの形状が安定してギャップ電極間距離のばらつきを少なくすることができる。その結果、ギャップ電極部２ｂ，３ｂの電極間で放電する電圧が安定し、抵抗体４の抵抗値が低い場合でも、抵抗体４を確実に過電圧から保護することができる。
【００３７】
また、ギャップ電極部２ｂ，３ｂがオーバーコート層６によって覆われているため、湿度に影響されないギャップ電極を実現することができると共に、端面電極等を覆う外部メッキを施したときに、メッキの付着によってギャップ電極間距離が変化してしまうことを防止できる。しかも、これらギャップ電極部２ｂ，３ｂは抵抗体４と共に絶縁基板１の表面側に設けられており、絶縁基板１の裏面側には一対の裏面電極が設けられているだけであるため、チップ抵抗器をフェースアップ実装したとき、はんだボールに起因する短絡を防止することができる。
【００３８】
また、トリミング溝７がギャップ電極部２ｂ，３ｂと反対側の側面を始端として抵抗体４に形成されているため、ギャップ電極部２ｂ，３ｂをトリミング溝７から十分に離すことができ、トリミング溝７によって露出した抵抗体４とギャップ電極部２ｂ，３ｂとが短絡してしまうことを防止できる。
【００３９】
図５は本発明の第２実施形態例に係るチップ抵抗器の製造工程を示す説明図であり、この第２実施形態例が前述した第１実施形態例と相違する点は、ギャップ電極部２ｂ，３ｂがアンダーコート層５とオーバーコート層６の両方によって覆われていることにある。
【００４０】
すなわち、図５（ａ）,（ｂ）に示す各工程は前述した図４（ａ）,（ｂ）と同じであるが、図５（ｃ）に示す第１保護膜形成工程において、抵抗体４だけでなく両ギャップ電極部２ｂ，３ｂも覆うようにアンダーコート層５を形成する。次に、図５（ｄ）に示すように、抵抗体４を覆う部分のアンダーコート層５にレーザを照射してトリミング溝７を形成することにより、抵抗体４を所望の抵抗値に調整する（トリミング溝形成工程）。しかる後、図５（ｅ）に示すように、アンダーコート層５を覆うオーバーコート層６を形成する（第２保護膜形成工程）。
【００４１】
このように第２実施形態例に係るチップ抵抗器では、ギャップ電極部２ｂ，３ｂがアンダーコート層５とオーバーコート層６の両方によって覆われているため、より一層湿度に影響されにくいギャップ電極を実現することができると共に、マイグレーションによるギャップ電極間の変化や短絡を防止することができる。
【００４２】
図６は本発明の第３実施形態例に係るチップ抵抗器の製造工程を示す説明図であり、この第３実施形態例が前述した第１実施形態例と相違する点は、ギャップ電極部２ｂ，３ｂの電極間を過電圧保護層８にて被覆したことにある。
【００４３】
すなわち、図６（ａ）〜 （ｄ）に示す各工程は前述した図４（ａ）〜（ｄ）と同じであるが、図６（ｅ）に示すように、トリミング溝形成工程の後に、ギャップ電極部２ｂ，３ｂの電極間を覆うように過電圧保護層８を形成する（過電圧保護層形成工程）。この過電圧保護層８は、シリコーン等の絶縁材料にＡｇやＣｕ等の導電材料を混入したものからなり、その比抵抗が１０８〜１０１０Ω・ｍの材料であるため、ギャップ電極部２ｂ，３ｂの電極間に過電圧を安定して放電し易くなる。しかる後、図６（ｆ）に示すように、過電圧保護層８を含めてアンダーコート層５と両ギャップ電極部２ｂ，３ｂを覆うオーバーコート層６を形成する（第２保護膜形成工程）。
【００４４】
図７は本発明の第４実施形態例に係るチップ抵抗器の製造工程を示す説明図であり、この第４実施形態例が前述した第１実施形態例と相違する点は、ギャップ電極部２ｂ，３ｂの先端部が先鋭状に形成されていることにある。
【００４５】
すなわち、図７（ａ）に示す電極形成工程において、まず集合基板１Ａの表面に先端部を三角形状にしたギャップ電極部２ｂを有する平面視Ｌ字状の表面電極２と、同じく先端部を三角形状にしたギャップ電極部３ｂを有する平面視逆Ｌ字状の表面電極３とを形成する（電極形成工程）。このようにギャップ電極部２ｂ，３ｂの先端部が先鋭状に形成されていると、ギャップ電極部２ｂ，３ｂの先端に電界が集中するため、ギャップ電極部２ｂ，３ｂの電極間に過電圧を放電し易くなる。なお、その後に行われる図７（ｂ）〜（ｅ）に示す各工程は前述した図４（ｂ）〜（ｅ）と同じである。
【００４６】
図８は本発明の第５実施形態例に係るチップ抵抗器の製造工程を示す説明図であり、この第４実施形態例が前述した第１実施形態例と相違する点は、一方（図示左側）のギャップ電極部２ｂを端子電極部２ａと同一幅で抵抗体４の幅方向へ延ばし、他方（図示右側）のギャップ電極部３ｂを抵抗体４の長さ方向に沿って延長させたことにある。
【００４７】
すなわち、図８（ａ）に示す電極形成工程において、集合基板１Ａの表面に、端子電極部２ａとギャップ電極部２ｂが上下方向に同一幅で連続する直方体形状の表面電極２と、端子電極部３ａとギャップ電極部３ｂが鉤形に連続する平面視逆Ｌ字状の表面電極３とを形成する（電極形成工程）。このようにすると、一方のギャップ電極部２ｂの先端部が端子電極部２ａの端面と同一線上になるため、表面電極２の印刷時にペーストの表面張力に起因するにじみを抑えることができ、他方のギャップ電極部３ｂとの電極間距離を安定化させることができる。なお、その後に行われる図８（ｂ）〜（ｅ）に示す各工程は前述した図４（ｂ）〜（ｅ）と同じである。
【００４８】
図９は本発明の第６実施形態例に係るチップ抵抗器の製造工程を示す説明図であり、この第６実施形態例が前述した第１実施形態例と相違する点は、ギャップ電極部２ｂ，３ｂの電極間に過電圧を安定して放電し易くするために、ギャップ電極部２ｂ，３ｂを二層構造にして抵抗値を低くしたことにある。
【００４９】
すなわち、図９（ａ）に示す電極形成工程において、集合基板１Ａの表面に、端子電極部２ａとギャップ電極部２ｂを有する平面視Ｌ字状の表面電極２と、端子電極部３ａとギャップ電極部３ｂを有する平面視逆Ｌ字状の表面電極３とを形成した後、ギャップ電極部２ｂ, ３ｂの上に同一材料を重ねることにより、二層構造のギャップ電極部２ｂ，３ｂを形成する（電極形成工程）。このように端子電極部２ａ，３ａと同じ電極材料を用いて二層構造のギャップ電極部２ｂ，３ｂを形成すると、ギャップ電極部２ｂ，３ｂの抵抗値が端子電極部２ａ，３ａの抵抗値よりも低くなり、ギャップ電極部２ｂ，３ｂの電極間に過電圧を安定して放電し易くなる。なお、ギャップ電極部２ｂ，３ｂだけでなく端子電極部２ａ，３ａを含めた表面電極２，３の全体を二層構造にしても良く、その場合もギャップ電極部２ｂ，３ｂの抵抗値が低くなるため、ギャップ電極部２ｂ，３ｂの電極間に過電圧を安定して放電し易くなる。また、その後に行われる図９（ｂ）〜（ｅ）に示す各工程は前述した図４（ｂ）〜（ｅ）と同じである。
【００５０】
図１０は本発明の第７実施形態例に係るチップ抵抗器の製造工程を示す説明図であり、この第７実施形態例が前述した第１実施形態例と相違する点は、ギャップ電極部２ｂ，３ｂを端子電極部２ａ，３ａよりも抵抗値が低い電極材料で形成したことにある。
【００５１】
すなわち、図１０（ａ）に示すように、まず集合基板１Ａの表面にＡｇ−Ｐｄペーストをスクリーン印刷した後、これを乾燥・焼成することにより、端子電極部２ａと延長部２ｃが上下方向に同一幅で連続する直方体形状の電極本体部２Ａと、同じく端子電極部３ａと延長部３ｃが上下方向に同一幅で連続する直方体形状の電極本体部３Ａを形成する。次に、図１０（ｂ）に示すように、Ａｇ−Ｐｄよりも抵抗値が低いＣｕ等からなる電極ペーストを延長部２ｃ,３ｃと一部重なるようにスクリーン印刷した後、これを乾燥・焼成することにより、端子電極部２ａとギャップ電極部２ｂを有する平面視Ｌ字状の表面電極２と、端子電極部３ａとギャップ電極部３ｂを有する平面視逆Ｌ字状の表面電極３とを形成する（電極形成工程）。このようにギャップ電極部２ｂ，３ｂを端子電極部２ａ，３ａよりも抵抗値が低い電極材料で形成した場合も、第６実施形態例と同様にギャップ電極部２ｂ，３ｂの抵抗値が端子電極部２ａ，３ａの抵抗値よりも低くなるため、ギャップ電極部２ｂ，３ｂの電極間に過電圧を安定して放電し易くなる。なお、その後に行われる図１０（ｃ）〜（ｆ）に示す各工程は前述した図４（ｂ）〜（ｅ）と同じである。
【００５２】
図１１は本発明の第８実施形態例に係るチップ抵抗器の製造工程を示す説明図であり、この第８実施形態例が前述した第１実施形態例と相違する点は、予め一対の端子電極部２ａ，３ａを帯状電極部９で橋絡した平面視凹形状の電極本体を形成した後、この帯状電極部９を切断して一対のギャップ電極部２ｂ, ３ｂとなしたことにある。
【００５３】
すなわち、まず集合基板１Ａの表面にＡｇ−Ｐｄペーストをスクリーン印刷した後、これを乾燥・焼成することにより、図１１（ａ）に示すように、一対の端子電極部２ａ，３ａを帯状電極部９で橋絡した平面視凹形状の電極本体を形成する（電極本体形成工程）。次に、集合基板１Ａの表面に酸化ルテニウム等の抵抗体ペーストをスクリーン印刷した後、これを乾燥・焼成することにより、図１１（ｂ）に示すように、長手方向の両端部を端子電極部２ａ，３ａに重ね合わせた長方形状の抵抗体４を形成する（抵抗体形成工程）。
【００５４】
次に、抵抗体４と帯状電極部９を覆う領域にガラスペーストをスクリーン印刷し、これを焼成することにより、図１１（ｃ）に示すように、抵抗体４と帯状電極部９を覆うアンダーコート層５を形成する（第１保護膜形成工程）。次に、図１１（ｄ）に示すように、帯状電極部９を覆う部分のアンダーコート層５にレーザを照射してスリット１０を形成することにより、帯状電極部９を切断して一対のギャップ電極部２ｂ, ３ｂを形成する（ギャップ電極部形成工程）。この時点で集合基板１Ａの表面に、端子電極部２ａとギャップ電極部２ｂを有する平面視Ｌ字状の表面電極２と、端子電極部３ａとギャップ電極部３ｂを有する平面視逆Ｌ字状の表面電極３とが形成され、これら表面電極２,３の端子電極部２ａ，３ａに抵抗体４の両端部が接続された状態となる。なお、帯状電極部９の切断時にレーザの照射を少なくとも１往復させることが好ましく、このようにすると帯状電極部９を確実に切断することが可能となり、レーザ照射によって飛散した電極材料がスリット１０上に残留しなくなる。
【００５５】
次に、端子電極部２ａ，３ａに図示せぬプローブを接触させて抵抗体４の抵抗値を測定しながら、抵抗体４を覆う部分のアンダーコート層５にレーザを照射することにより、図１１（ｅ）に示すように、抵抗体４にトリミング溝７を形成して抵抗体４を所望の抵抗値に調整する（トリミング溝形成工程）。次に、アンダーコート層５とスリット１０を覆うようにエポキシ系等の樹脂ペーストをスクリーン印刷した後、これを加熱硬化することにより、図１１（ｆ）に示すように、アンダーコート層５と両ギャップ電極部２ｂ，３ｂを覆うオーバーコート層６を形成する（第２保護膜形成工程）。なお、その後の各工程は前述した第１実施形態例と同じであるため、ここでは重複説明を省略する。
【００５６】
このような各工程を経て製造される第８実施形態例に係るチップ抵抗器においても、絶縁基板１の表面に設けられた一対の表面電極２，３が、抵抗体４の端部に接続する端子電極部２ａ，３ａと、端子電極部２ａ，３ａよりも短い電極間距離（スリット１０）を形成するギャップ電極部２ｂ，３ｂとを有しており、これらギャップ電極部２ｂ，３ｂと抵抗体４が絶縁基板１の平坦な表面に所定間隔を存して並設されているため、ギャップ電極部２ｂ，３ｂの形状が安定してギャップ電極間距離のばらつきを少なくすることができる。その結果、ギャップ電極部２ｂ，３ｂの電極間で放電する電圧が安定し、抵抗体４の抵抗値が低い場合でも抵抗体４を確実に過電圧から保護できる、という第１実施形態例と同様の作用効果を奏することができる。
【００５７】
また、一対の端子電極部２ａ，３ａを橋絡するように形成された帯状電極部９にレーザを照射してスリット１０を形成することにより、帯状電極部９を切断して一対のギャップ電極部２ｂ，３ｂが形成されるため、後工程のレーザでの加工を可能にすると共に、ギャップ電極部２ｂ，３ｂの電極間距離が印刷の精度によって決定されるものに比べると，ギャップ電極間距離をより一層高精度に設定することができる。
【００５８】
図１２は本発明の第９実施形態例に係るチップ抵抗器の製造工程を示す説明図であり、この第９実施形態例が前述した第８実施形態例（図１１参照）と相違する点は、帯状電極部９にレーザを照射して切断する際に、レーザスポットの軌跡を電極間方向にずらしてスリット１０の幅寸法を広くしたことにある。
【００５９】
すなわち、図１２（ａ）〜（ｃ）に示す各工程は前述した図１１（ａ）〜（ｃ）と同じであるが、図１２（ｄ）に示すギャップ電極部形成工程において、帯状電極部９を覆う部分のアンダーコート層５にレーザを照射してスリット１０を形成した後、図１２（ｅ）に示すように、レーザスポットの軌跡を電極間方向（図の左右方向）にずらして幅寸法の広いスリット１０を形成する。このようにすると、レーザスポットの径寸法よりも幅広な任意幅のギャップ電極間を形成することができ、電極材料の残留をより確実に回避することができる。なお、ギャップ電極部形成工程の後に行われる図１２（ｆ）, （ｇ）に示す各工程は、第８実施形態例における図１１（ｅ）, （ｆ）と同じである。
【００６０】
図１３は本発明の第１０実施形態例に係るチップ抵抗器の製造工程を示す説明図であり、この第１０実施形態例が前述した第９実施形態例（図１２参照）と相違する点は、帯状電極部９を切断してスリット１０を形成した後、このスリット１０の直線上にトリミング溝７を形成するようにしたことにある。
【００６１】
すなわち、図１３（ａ）〜（ｅ）,（ｇ）に示す各工程は前述した図１２（ａ）〜（ｅ）,（ｇ）と同じであるが、図１３（ｆ）に示すトリミング溝形成工程において、帯状電極部９を切断した後のレーザ照射をそのままスリット１０の直線上に延ばすことにより、抵抗体４にトリミング溝７を形成して抵抗体４を所望の抵抗値に調整する。このようにすると、帯状電極部９にレーザを照射してギャップ電極部２ｂ, ３ｂに切断するギャップ電極部形成工程と、抵抗体４にトリミング溝７を形成して抵抗値を調整するトリミング溝形成工程とが連続的に行われることになるため、レーザ加工における加工タクトを早くすることができる。
【００６２】
図１４は本発明の第１１実施形態例に係るチップ抵抗器の製造工程を示す説明図であり、この第１１実施形態例が前述した第８実施形態例（図１１参照）と相違する点は、集合基板１Ａの表面に形成された複数組の素子に対してトリミング溝形成工程を実行するとき、次に加工される素子の帯状電極部９を切断してスリット１０を形成した後、そのスリット１０を延長してトリミング溝７を形成するようにしたことにある。
【００６３】
すなわち、図１４（ａ）は第８実施形態例の第１保護膜形成工程に対応しており、同図に示すように、集合基板１Ａの表面には、平面視凹形状の電極本体と抵抗体４を含む素子が上下方向に沿って複数組（図では３組）形成されており、各組の抵抗体４と帯状電極部９はアンダーコート層５によって覆われている。この場合、各素子の端子電極部２ａ，３ａは帯状電極部９を介して橋絡されているため、端子電極部２ａ，３ａにプローブを接触させても抵抗体４の抵抗値を測定することはできない。なお、図１４において、最上段と中段および最下段に位置する素子の対応する部分には全て同一符号を付してある。
【００６４】
次に、図１４（ｂ）に示すように、まず最下段に位置する素子の帯状電極部９を覆う部分のアンダーコート層５にレーザを照射してスリット１０を形成することにより、この帯状電極部９を切断して一対のギャップ電極部２ｂ, ３ｂを形成する。したがって、この時点で最下段素子の端子電極部２ａ，３ａにプローブを接触させれば、これら端子電極部２ａ，３ａに接続する抵抗体４の抵抗値を測定することができる。
【００６５】
次に、図１４（ｃ）に示すように、中段に位置する素子の帯状電極部９を覆う部分のアンダーコート層５にレーザを照射してスリット１０を形成することにより、この帯状電極部９を切断して一対のギャップ電極部２ｂ, ３ｂを形成すると共に、そのスリット１０を下方へ延長して最下段の抵抗体４にトリミング溝７を形成する。この時点で中段素子の端子電極部２ａ，３ａにプローブを接触させれば、これら端子電極部２ａ，３ａに接続する抵抗体４の抵抗値を測定することができる。
【００６６】
次に、図１４（ｄ）に示すように、最上段に位置する素子の帯状電極部９を覆う部分のアンダーコート層５にレーザを照射してスリット１０を形成することにより、この帯状電極部９を切断して一対のギャップ電極部２ｂ, ３ｂを形成すると共に、そのスリット１０を下方へ延長して中段の抵抗体４にトリミング溝７を形成する。以下、かかる動作を隣接する素子の帯状電極部９と抵抗体４に対して順次行うことにより、集合基板１Ａの表面に形成された各組全ての素子に対するギャップ電極部形成工程とトリミング溝形成工程を短時間レーザ加工することができる。その結果、各組全ての素子においてトリミング溝７がギャップ電極部２ｂ, ３ｂと反対側に形成されるため、ギャップ電極部２ｂ, ３ｂをトリミング溝７から離すことができ、トリミング溝７によって露出した抵抗体４とギャップ電極部２ｂ，３ｂとが短絡してしまうことを防止できる。なお、このように全ての素子に対してギャップ電極部形成工程とトリミング溝形成工程を実行した後、前述した第８実施形態例と同様の工程を実行することにより、集合基板１Ａから個々のチップ抵抗器を多数個取りすることができる。
【符号の説明】
【００６７】
１  絶縁基板
１Ａ  集合基板
２，３  表面電極
２ａ，３ａ  端子電極部
２ｂ，３ｂ  ギャップ電極部
２ｃ  延長部
２Ａ, ３Ａ  電極本体部
４  抵抗体
５  アンダーコート層（第１保護膜）
６  オーバーコート層（第２保護膜）
７  トリミング溝
８  過電圧保護層
９  帯状電極部
１０  スリット
【図１】
2015167215.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
2015167215.tif 000006
【図５】
2015167215.tif 000007
【図６】
2015167215.tif 000008
【図７】
2015167215.tif 000009
【図８】
2015167215.tif 000010
【図９】
2015167215.tif 000011
【図１０】
2015167215.tif 000012
【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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