(57)【要約】【課題】撮像素子へ到達する磁界量を低減する。【解決手段】第１磁性体２１１が、コイル３２１と撮像素子２０３との間に配置されている。第１磁性体２１１には、撮像光学系から撮像素子２０３に向かう光が通過する開口Ｈが形成されている。第２磁性体２１２が、矢印Ｘ方向で第１磁性体２１１に対してコイル３２１の側の位置に配置されている。この第２磁性体２１２は、矢印Ｘ方向に見て第１磁性体２１１に少なくとも一部が重なりかつ開口Ｈに対してコイル３２１の側となる位置に配置されている。第２磁性体２１２は、第１磁性体２１１よりも比透磁率の高い強磁性材からなり、矢印Ｘ方向に見て第１磁性体２１１よりも面積の小さく形成されている。【選択図】図２
2015225157.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
撮像光学系と、
前記撮像光学系に対向するよう配置され、前記撮像光学系により結像された光像を光電変換する撮像素子と、
電流が供給されることで磁界を発生する磁界発生源と、
前記磁界発生源と前記撮像素子との間に配置され、前記撮像光学系から前記撮像素子に向かう光が通過する開口が形成された環状の第１磁性体と、
前記撮像光学系の光軸方向で前記第１磁性体に対して前記磁界発生源の側の位置であって、前記光軸方向に見て前記第１磁性体に少なくとも一部が重なりかつ前記開口に対して前記磁界発生源の側となる位置に配置され、前記第１磁性体よりも比透磁率の高い強磁性材からなる、前記光軸方向に見て前記第１磁性体よりも面積の小さい第２磁性体と、を備えたことを特徴とする撮像装置。
【請求項２】
撮像光学系と電流が供給されることで磁界を発生する磁界発生源とを有する交換レンズが着脱可能な筐体と、
前記交換レンズが前記筐体に装着されたときに前記撮像光学系に対向する位置に前記筐体の内部に配置され、前記撮像光学系により結像された光像を光電変換する撮像素子と、
前記交換レンズが前記筐体に装着されたときに前記磁界発生源と前記撮像素子との間に位置するよう前記筐体の内部に配置され、前記撮像光学系から前記撮像素子に向かう光が通過する開口が形成された環状の第１磁性体と、
前記交換レンズが前記筐体に装着されたときに、前記撮像光学系の光軸方向で前記第１磁性体に対して前記磁界発生源の側の位置であって、前記光軸方向に見て前記第１磁性体に少なくとも一部が重なりかつ前記開口に対して前記磁界発生源の側となる位置に配置され、前記第１磁性体よりも比透磁率の高い強磁性材からなる、前記光軸方向に見て前記第１磁性体よりも面積の小さい第２磁性体と、を備えたことを特徴とする撮像装置。
【請求項３】
撮像光学系を有する交換レンズが着脱可能な筐体と、
前記交換レンズが前記筐体に装着されたときに前記撮像光学系に対向する位置に前記筐体の内部に配置され、前記撮像光学系により結像された光像を光電変換する撮像素子と、
電流が供給されることで磁界を発生する磁界発生源と、
前記磁界発生源と前記撮像素子との間に位置するよう前記筐体の内部に配置され、前記交換レンズが前記筐体に装着されたときに前記撮像光学系から前記撮像素子に向かう光が通過する開口が形成された、強磁性材からなる環状の第１磁性体と、
前記交換レンズが前記筐体に装着されたときに、前記撮像光学系の光軸方向で前記第１磁性体に対して前記磁界発生源の側の位置であって、前記光軸方向に見て前記第１磁性体に少なくとも一部が重なりかつ前記開口に対して前記磁界発生源の側となる位置に配置され、前記第１磁性体よりも比透磁率の高い強磁性材からなる、前記光軸方向に見て前記第１磁性体よりも面積の小さい第２磁性体と、を備えたことを特徴とする撮像装置。
【請求項４】
前記第１磁性体が前記撮像素子に隣接して配置されていることを特徴とすることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載の撮像装置。
【請求項５】
前記第２磁性体が前記第１磁性体に隣接して配置されていることを特徴とする請求項１乃至４のいずれか１項に記載の撮像装置。
【請求項６】
前記第１磁性体の比透磁率が、前記磁界発生源の駆動周波数において５０以上１０００未満であることを特徴とする請求項１乃至５のいずれか１項に記載の撮像装置。
【請求項７】
前記第１磁性体が、ＳＵＳ４３０及びＳＵＳ６３０、ＳＰＣＣのうち少なくとも１つを有して構成されていることを特徴とする請求項１乃至６のいずれか１項に記載の撮像装置。
【請求項８】
前記第２磁性体の比透磁率が、前記磁界発生源の駆動周波数において１０００以上２０００００未満であることを特徴とする請求項１乃至７のいずれか１項に記載の撮像装置。
【請求項９】
前記第２磁性体がナノ結晶軟磁性材料、パーマロイ、アモルファス磁性体、フェライト及び電磁鋼のうち少なくとも１つを有して構成されていることを特徴とする請求項１乃至８のいずれか１項に記載の撮像装置。
【請求項１０】
前記第２磁性体は、前記第１磁性体の開口の１辺に沿って配置され、前記１辺に沿う方向の長さが、前記１辺の長さよりも長く設定されていることを特徴とする請求項１乃至９のいずれか１項に記載の撮像装置。
【請求項１１】
前記磁界発生源が、前記撮像光学系を駆動する駆動回路、電源回路またはモータに含まれるコイルであることを特徴とする請求項１乃至１０のいずれか１項に記載の撮像装置。
【請求項１２】
撮像素子を有する撮像装置本体に着脱可能な交換レンズ筐体と、
前記交換レンズ筐体の内部に配置され、前記撮像装置本体に装着されたときに前記撮像素子に光像を結像させる撮像光学系と、
前記交換レンズ筐体の内部に配置され、電流が供給されることで磁界を発生する磁界発生源と、
前記交換レンズが前記撮像装置本体に装着されたときに前記磁界発生源と前記撮像素子との間に位置するよう前記交換レンズ筐体の内部に配置され、前記撮像光学系から前記撮像素子に向かう光が通過する開口が形成された環状の第１磁性体と、
前記撮像光学系の光軸方向で前記第１磁性体に対して前記磁界発生源の側の位置であって、前記光軸方向に見て前記第１磁性体に少なくとも一部が重なりかつ前記開口に対して前記磁界発生源の側となる位置に配置され、前記第１磁性体よりも比透磁率の高い強磁性材からなる、前記光軸方向に見て前記第１磁性体よりも面積の小さい第２磁性体と、を備えたことを特徴とする交換レンズ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、磁界発生源から発生する漏洩磁界ノイズが撮像素子に入射するのを抑制する技術に関する。
【背景技術】
【０００２】
デジタルビデオカメラやデジタルスチルカメラ等の撮像装置に搭載される撮像素子は、近年ＩＳＯ感度が上がっており、夜景のような光量の少ない場面でも、より鮮明な画像での撮像が可能になっている。しかし、高感度化に伴い、従来問題とならなかった微弱なノイズの影響を、撮像素子が受けてしまい、画像に乱れが発生する問題が顕在化してきている。
【０００３】
例えば、デジタル一眼レフカメラにおいて、交換レンズの内部には、レンズ駆動用のモータ回路内にコイルが設けられており、このコイルから発生するごく僅かな漏れ磁束が撮像素子に影響を与え、生成される画像に乱れが発生する場合がある。
【０００４】
従来、撮像素子周辺に位置する磁界発生源からの磁界をシールドするために、パーマロイなどの比透磁率の高い強磁性体で撮像素子の一部を囲う提案がなされている（特許文献１）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２０１１−１２３４３２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
比透磁率の高い強磁性体（例えばパーマロイなど）の板状部材は、その表面積が大きければ、高い磁界シールド効果を発揮する。しかし、電子機器の筐体に一般的に用いられるステンレスや鋼板に比して高価である。そのため、廉価な製品においては、効果の高い大面積の比透磁率の高い強磁性体を使用することができない。そこで、比透磁率の高い強磁性体がたとえ小面積であっても、撮像素子へ到達する磁界量を低減する効果が高い構成を有することが求められている。
【０００７】
従って、本発明は、比透磁率の高い強磁性材からなる磁性体を少ない面積（体積）としても、撮像素子へ到達する磁界量を低減することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明の撮像装置は、撮像光学系と、前記撮像光学系に対向するよう配置され、前記撮像光学系により結像された光像を光電変換する撮像素子と、電流が供給されることで磁界を発生する磁界発生源と、前記磁界発生源と前記撮像素子との間に配置され、前記撮像光学系から前記撮像素子に向かう光が通過する開口が形成された環状の第１磁性体と、前記撮像光学系の光軸方向で前記第１磁性体に対して前記磁界発生源の側の位置であって、前記光軸方向に見て前記第１磁性体に少なくとも一部が重なりかつ前記開口に対して前記磁界発生源の側となる位置に配置され、前記第１磁性体よりも比透磁率の高い強磁性材からなる、前記光軸方向に見て前記第１磁性体よりも面積の小さい第２磁性体と、を備えたことを特徴とする。
【発明の効果】
【０００９】
本発明によれば、第１磁性体と、第１磁性体よりも小面積で比透磁率の高い第２磁性体とを用いることで、撮像素子へ到達する磁界を低減することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１０】
【図１】本発明の第１実施形態に係る撮像装置の概略構成を示す説明図である。
【図２】本発明の第１実施形態に係る撮像装置の要部を示す詳細を示す説明図である。
【図３】比透磁率を測定する測定系を示す説明図である。
【図４】ＳＵＳ４３０の周波数に対する比透磁率を示すグラフである。
【図５】撮像素子への到達磁界を電磁界シミュレーションで求めた結果を示すグラフである。
【図６】撮像素子への到達磁界を電磁界シミュレーションで求めた結果を示すグラフである。
【図７】撮像素子への到達磁界を電磁界シミュレーションで求めた結果を示すグラフである。
【図８】本発明の第２実施形態に係る撮像装置の概略構成を示す説明図である。
【図９】本発明の第３実施形態に係る交換レンズの概略構成を示す説明図である。
【発明を実施するための形態】
【００１１】
［第１実施形態］
以下、本発明を実施するための形態を、図面を参照しながら詳細に説明する。図１は、本発明の第１実施形態に係る撮像装置としてのカメラの概略構成を示す説明図である。撮像装置としてのデジタルカメラ（カメラ）１００は、例えばデジタル一眼レフカメラであり、撮像装置本体であるカメラ本体２００と、カメラ本体２００に着脱可能な交換レンズ（レンズ鏡筒）３００と、を備えている。図１では、交換レンズ３００は、カメラ本体２００に装着されている。以下、交換レンズ３００は、カメラ本体２００に装着されているものとして説明する。
【００１２】
カメラ本体２００は、筐体２０１と、筐体２０１の内部に配置された、ミラー２２２、シャッター２２３、撮像ユニット２０２及び画像処理回路２２４と、を備えている。また、カメラ本体２００は、筐体２０１から外部に露出するよう筐体２０１に固定された液晶ディスプレイ２２５を備えている。撮像ユニット２０２は、半導体部（半導体チップ）２３１を有する撮像素子２０３を備えている。半導体部２３１は受光面２３１ａを有する。
【００１３】
交換レンズ３００は、交換レンズ筐体である筐体３０１と、筐体３０１の内部に配置され、筐体３０１（交換レンズ３００）が筐体２０１に装着されたときに撮像素子２０３の受光面２３１ａに光像を結像させる撮像光学系３１１とを有する。撮像光学系３１１は、複数のレンズを有して構成されている。
【００１４】
また、交換レンズ３００は、撮像光学系３１１の周辺に配置された、環状のレンズ駆動用モータ３１２と、レンズ駆動用モータ３１２を駆動（動作）させるための駆動回路３１３とを備えている。駆動回路３１３は、環状に形成されたプリント配線板と、プリント配線板に実装された昇圧用のコイル３２１とを有している。
【００１５】
筐体３０１は開口が形成されたレンズ側マウント３０１ａを有しており、筐体２０１は開口が形成されたカメラ側マウント２０１ａを有している。レンズ側マウント３０１ａとカメラ側マウント２０１ａとを嵌合させることで、交換レンズ３００（筐体３０１）がカメラ本体２００（筐体２０１）に装着される。
【００１６】
図１に示す矢印Ｘ方向は、撮像光学系３１１の光軸方向であり、撮像素子２０３の受光面２３１ａに垂直な方向である。
【００１７】
撮像光学系３１１により矢印Ｘ方向に進行する光は、レンズ駆動用モータ３１２の開口、駆動回路３１３の開口、筐体３０１におけるレンズ側マウント３０１ａの開口、筐体２０１におけるカメラ側マウント２０１ａの開口を通じて、筐体２０１内に導かれる。
【００１８】
筐体２０１の内部には、矢印Ｘ方向に沿って、ミラー２２２及びシャッター２２３などが撮像ユニット２０２の矢印Ｘ方向の手前（受光面２３１ａ側）に設けられている。
【００１９】
撮像素子２０３は、撮像光学系３１１によって結像された光像を光電変換するＣＭＯＳイメージセンサやＣＣＤイメージセンサ等のイメージセンサ（固体撮像素子）である。撮像素子２０３は、外形が正面視（撮像素子２０３の受光面２３１ａに垂直な矢印Ｘ方向から見て）四角形状に形成されている。
【００２０】
撮像素子２０３は、交換レンズ３００が筐体２０１に装着されたときに受光面２３１ａがミラー２２２及びシャッター２２３等を介して撮像光学系３１１に対向するよう筐体２０１の内部に配置されている。
【００２１】
撮像素子２０３は、交換レンズ３００が筐体２０１に装着されたときの撮像光学系３１１によって受光面２３１ａに結像された光像を光電変換し、画像信号を画像処理回路２２４に出力する。画像処理回路２２４は、得られた画像データに対して画像処理を施し、液晶ディスプレイ２２５やメモリ（不図示）などに出力する。
【００２２】
コイル３２１は、電流が供給されることで磁界を発生する磁界発生源であり、撮像素子２０３に対する磁界ノイズ源となる。
【００２３】
図２は、カメラ１００の要部であるコイル３２１及び撮像ユニット２０２を示す説明図である。図２（ａ）は、コイル３２１及び撮像ユニット２０２を矢印Ｘ方向に見たときの正面図である。図２（ｂ）は、コイル３２１及び撮像ユニット２０２を矢印Ｘ方向に直交する方向に見たときの側面図である。撮像素子２０３は、上述した半導体部２３１と、半導体部２３１が実装されたパッケージ基板２３２とを有しており、パッケージ基板２３２に複数の端子２３３が固定されて、プリント配線板２０４に実装（はんだ接合）されている。パッケージ基板２３２は、セラミック基板、樹脂基板、プリント配線板などで形成される。
【００２４】
撮像ユニット２０２は、磁界発生源であるコイル３２１と撮像素子２０３との間に配置された、開口Ｈを有する額縁状（環状）の第１磁性体２１１を有している。この第１磁性体２１１は、撮像素子２０３に隣接して配置されている。具体的に説明すると、第１磁性体２１１は、矢印Ｘ方向において、図２（ｂ）に示すように撮像素子２０３に対してコイル３２１が配置された側に撮像素子２０３に隣接して配置されている。
【００２５】
開口Ｈは、撮像光学系３１１から撮像素子２０３の受光面２３１ａに向かう光が通過する大きさに形成されている。具体的には、開口Ｈは、矢印Ｘ方向に見て、受光面２３１ａよりも大面積に形成されている。また、開口Ｈは、矢印Ｘ方向に見て、撮像素子２０３の外形（半導体部２３１が実装されたパッケージ基板２３２の面）よりも小面積に形成されている。受光面２３１ａは、矢印Ｘ方向から見て四角形状に形成されており、開口Ｈも矢印Ｘ方向から見て四角形状に形成されている。
【００２６】
更に、撮像ユニット２０２は、第１磁性体２１１に対して矢印Ｘ方向でコイル３２１の側の位置に配置された第２磁性体２１２を有している。第１磁性体２１１は、矢印Ｘ方向でコイル３２１が配置された側の面２１１ａを有し、第２磁性体２１２は、面２１１ａに隣接して配置されている。その際、第２磁性体２１２は、第１磁性体２１１に対して僅かな隙間を有して配置されるか、第１磁性体２１１に接触して配置されるのが好ましい。第１磁性体２１１と第２磁性体２１２とを接触させると磁気抵抗が小さくなるのでより好ましい。
【００２７】
第２磁性体２１２は、図２（ａ）に示すように、矢印Ｘ方向に見て第１磁性体２１１に少なくとも一部（本実施形態では全部）が重なりかつ開口Ｈに対してコイル３２１の側となる位置に配置されている。具体的には、第２磁性体２１２は、開口Ｈの４辺のうちコイル３２１に最も近接する１辺に隣接して配置されている。つまり、第２磁性体２１２は、第１磁性体２１１のコイル側の面２１１ａにおいて、コイル３２１と最も近接する開口辺の額縁部に設けられている。
【００２８】
第１及び第２磁性体２１１，２１２は、強磁性材で板状又はフィルム状に形成されている。第２磁性体２１２は、第１磁性体２１１よりも比透磁率の高い強磁性材で形成されている。第２磁性体２１２は、矢印Ｘ方向に見て第１磁性体２１１よりも小さい面積に形成されている。また、第２磁性体２１２は、第１磁性体２１１よりも矢印Ｘ方向の厚みが薄く形成されている。
【００２９】
第１磁性体２１１は、ステンレスＳＵＳ４３０で低い比透磁率を有する材料で形成されているのが好ましい。第１磁性体２１１は、磁性体として一般的に使用されるパーマロイなどの高い比透磁率を有する高価な材料ではないので、大面積で使用しても高価になるのを抑えることができる。
【００３０】
なお、第１磁性体２１１として、ＳＵＳ４３０の他に、低い比透磁率の磁性体である、ＳＵＳ６３０やＳＰＣＣ鋼板（冷間圧延鋼板）や一部のシルバートップ（登録商標）などの亜鉛メッキ鋼）を使用してもよい。ここで、低い比透磁率の磁性体とは、特に比透磁率が５０以上で１０００以下のものであり、これらを第１磁性体２１１の材料として好適に使用することが出来る。即ち、第１磁性体２１１が、ＳＵＳ４３０、ＳＵＳ６３０及びＳＰＣＣ鋼板、一部の亜鉛メッキ鋼のうち少なくとも１つを有して構成されていればよい。換言すれば、第１磁性体２１１が、ＳＵＳ４３０、ＳＵＳ６３０、ＳＰＣＣ鋼板及び一部の亜鉛メッキ鋼のうちいずれか１つの単体、又はこれらのうち２つ以上の組み合わせで構成されていてもよい。例えば、第１磁性体２１１が、ＳＵＳ４３０とＳＵＳ６３０とを組み合わせて構成されていてもよい。ただし、第１磁性体２１１として、アルミや銅、ＳＵＳ３０４、導電性プラスティックなどの比透磁率がほぼ１のいわゆる磁性体ではないものは使用することはできない。
【００３１】
一方で、第２磁性体２１２は、第１磁性体２１１よりも高い比透磁率の強磁性材であるファインメット（登録商標）等のナノ結晶軟磁性体で形成されている。その他に、第２磁性体２１２として、高い比透磁率を有するパーマロイ、アモルファス磁性体、フェライト、電磁鋼、バスタレイド（登録商標）等の高透磁率のノイズ抑制シート（磁性粉や磁性体フィラー、磁性体膜を含有したもの）などを使用することもできる。即ち、第２磁性体２１２が、ナノ結晶磁性体、パーマロイ、アモルファス磁性体、フェライト、電磁鋼、及び高透磁率のノイズ抑制シート（磁性粉や磁性体フィラー、磁性体膜を含有したもの）のうち少なくとも１つを有して構成されていればよい。換言すれば、第２磁性体２１２が、ナノ結晶軟磁性体、パーマロイ、アモルファス磁性体、フェライト、電磁鋼及び高透磁率のノイズ抑制シートのうちいずれか１つの単体、又はこれらのうち２つ以上の組み合わせで構成されていてもよい。このノイズ抑制シートは、磁性粉や磁性体フィラー、磁性体膜を含有したものである。
【００３２】
第２磁性体２１２の矢印Ｘ方向から見た面積は、第１磁性体２１１よりも大幅に小さくしているため、部品として高価になるのを抑えることができる。
【００３３】
ここで、第１磁性体２１１を構成する板状のＳＵＳ４３０の比透磁率について補足する。ＳＵＳ４３０の比透磁率を、ＪＩＳ２５６１Ｃで定められている１［μＴ］以下の磁束密度を印加して初透磁率を求める条件で測定した。ただし、ＪＩＳ２５６１Ｃはリング状の測定サンプルでの測定となっている。そのため、そのままの測定方法では、実際に使用される板状磁性体の透磁率を正確に求めることはできない。従って、板状サンプルが測定可能な治具を用いる必要がある。
【００３４】
図３は、比透磁率を測定する測定系を示す説明図である。図３に示す複ヨーク枠４１（継鉄４１２、及び継鉄４１２で囲まれたコイル４１１）は、ＪＩＳＣ２５５６「電磁鋼板単板磁気特性試験方法」で用いられるものであり、この枠内に板状に成形した測定サンプル４１３を挿入する。この複ヨーク枠４１のコイル４１１にＬＣＲメータ（インピーダンスアナライザでも可）４２を接続し、インダクタンス値を取得する。サンプル非挿入状態のインダクタンス値を基準として、測定サンプル４１３を挿入した場合のインダクタンス値と抵抗値から以下の式（１）によって、透磁率の実部μ’を求めた。
【００３５】
【数１】
2015225157.tif 000003
【００３６】
ここでＮ＝コイルの巻き数、真空の透磁率μ０=４π×１０７［Ｈ／ｍ］、Ａ＝測定サンプルの断面積、Ｌ＝測定サンブルの長さ、Ｌｅｆｆ＝ＬＣＲメータで得られたインダクタンス測定値、Ｌｗ＝サンプルを挿入しない場合のインダクタンス測定値である。
【００３７】
この方法によって求めたステンレスであるＳＵＳ４３０の比透磁率を図４に示す。図４は、ＳＵＳ４３０の周波数に対する比透磁率を示すグラフである。横軸が周波数で縦軸が比透磁率を示している。低い周波数においては、概ね比透磁率１５０［無単位］を有している。高い周波数になると、渦電流の効果で磁界が入りにくくなるため、実効的な比透磁率が低下しているのがわかる。
【００３８】
比透磁率は、厚みが０．３［ｍｍ］、０．５［ｍｍ］、０．９［ｍｍ］と厚くなるほど、低い周波数において低下し始めるのがわかる。従って厚みが薄いほうが高い周波数でも高い比透磁率を得る上で有利であると言える。
【００３９】
よって、本実施形態における第１磁性体２１１の厚みは０．９［ｍｍ］とし、コイル３２１に流れる電流が約３０［ｋＨｚ］である場合、図４から第１磁性体２１１の比透磁率は約５０［無単位］である。この厚みに依存した比透磁率測定を実施することで、実際に使用される厚みに応じた板材の磁性体材料を、低い透磁率の第１磁性体２１１として選定することができる。
【００４０】
また、第２磁性体２１２であるナノ結晶軟磁性材料の３０［ｋＨｚ］における比透磁率は約２００００［無単位］である。その他のパーマロイや、電磁鋼、フェライト、純鉄、などの高い比透磁率は、周波数にもよるが一般的に表１の値をとる。
【００４１】
【表１】
2015225157.tif 000004
【００４２】
この中で、第１磁性体２１１よりも高い比透磁率を有する強磁性材を、第２磁性体２１２として使用することができる。特に比透磁率が１０００［無単位］以上であり、工業的に生成できる限界の２０００００未満のものを第２磁性体２１２の材料として好適に使用することができる。
【００４３】
本実施形態によれば、以下のように作用する。レンズ駆動用モータ３１２を回転させるために、昇圧用のコイル３２１に例えば駆動周波数３０［ｋＨｚ］の交流電流が流れると、コイル３２１周辺の空間には僅かな漏洩磁界が発生する。発生した漏洩磁界は、減衰しながら空間を伝搬する。
【００４４】
撮像素子２０３の近くに達した磁界は、交流のため、その時間周期によって切り替わりながら定常的な振動として向きが切り替わる。磁気回路の観点から、図２において、撮像素子２０３の近くに達した磁界は、破線矢印で示す撮像素子２０３に到達する磁気伝達経路Ｒ１と、実線矢印で示す磁性体２１１，２１２を通過する磁気伝達経路Ｒ２の２種類の経路に分流される。
【００４５】
それぞれの経路Ｒ１，Ｒ２の磁気抵抗に応じて磁界の分流率が変化するため、磁性体２１１，２１２を通過する磁気伝達経路Ｒ２の磁気抵抗を、撮像素子２０３に到達する磁気伝達経路Ｒ１の磁気抵抗より低くすることが重要である。磁性体２１１，２１２を通過する磁気伝達経路Ｒ２全体の磁気抵抗は、水平方向に磁界を曲げて伝達する必要のある第２磁性体２１２を設けた領域の磁気抵抗が支配的である。その領域の磁気抵抗を比透磁率の高い第２磁性体２１２を水平方向に長尺に設けて減少させることで、磁性体２１１，２１２を通過する経路Ｒ２全体の磁気抵抗を減少させることができる。
【００４６】
換言すると、他の部分（例えば第１磁性体２１１の左右両側の額縁部や、下側の額縁部、上側の額縁部でも撮像素子側の内周面）の磁気抵抗を減少させても、磁性体２１１，２１２全体の磁気抵抗は、少し減少されるが、効果的に減少させることはできない。
【００４７】
本実施形態では、第１磁性体２１１と第２磁性体２１２とを組み合わせることで、磁性体２１１，２１２を通過する経路Ｒ２全体の磁気抵抗を減少させることができる。よって、磁気伝達経路Ｒ２に分流される磁界が増え、撮像素子２０３に到達する磁気伝達経路Ｒ１に分流される磁界を減らすことができる。結果として、昇圧用のコイル３２１から発生する漏洩磁界が撮像素子２０３に到達する量を抑制することができる。そのため、撮像素子２０３の半導体部２３１が画像信号を読み出しする動作をしても、磁界の影響が少なく、画像乱れが発生しにくくなり、本来の画像信号が読み出される。
【００４８】
この画像乱れを抑制する効果について、デジタル一眼レフのカメラ１００でコイル３２１に交流電流を流す状態で光を入射せずにダーク画像取得することで調べた。ダーク画像であれば画像全体がある一定の輝度を示すはずなので、ここでは、その輝度値からのずれ（偏差量）を画像乱れ量としている。第１磁性体２１１及び第２磁性体２１２のない場合の画像乱れ量を１００％とすると、第１磁性体２１１及び第２磁性体２１２を有する本実施形態のカメラ１００では、画像乱れ量が約７２％まで低減した。
【００４９】
次に第２磁性体２１２の形状が与える影響について実施例をもとに詳細に説明する。
【００５０】
（実施例１）
撮像素子２０３を正面視した図２（ａ）において、半導体部２３１が横幅２５［ｍｍ］、縦幅が１８［ｍｍ］の撮像素子２０３を用いた。撮像素子２０３の周囲には、横幅３６［ｍｍ］×縦幅２５［ｍｍ］の開口Ｈを有し、額縁が７［ｍｍ］幅、厚みが０．９［ｍｍ］の形状をした第１磁性体２１１（導電率σ＝１．０×１０７［Ｓ／ｍ］、比透磁率５０［無単位］）を設けた。第１磁性体２１１に対して０．１［ｍｍ］離れて、横幅２０［ｍｍ］、縦幅７［ｍｍ］、厚みが１８［μｍ］の矩形状の第２磁性体２１２（導電率σ＝１．０×１０７［Ｓ／ｍ］、比透磁率１００００［無単位］）を設けた。磁界を発生するコイル３２１は、撮像素子２０３の中心の縦上方向に１９．５［ｍｍ］、右横方向に１０［ｍｍ］の位置から、紙面直交する手前方向５０［ｍｍ］の位置に、コイル巻き線軸が紙面直交方向と一致するように配置した。
【００５１】
なお、撮像素子２０３の裏側１．７［ｍｍ］の位置に、プリント配線板２０４内のグラウンドパターンとして横幅４２［ｍｍ］、縦幅３８［ｍｍ］、厚み０．０７［ｍｍ］の磁性体ではない導電体を設けた。この導電体は、導電率σ＝５．７×１０７［Ｓ／ｍ］、比透磁率１．０［無単位］とした。
【００５２】
（実施例２）
撮像素子２０３の半導体部２３１の横幅２５［ｍｍ］よりも長い、横幅が３０［ｍｍ］の第２磁性体２１２を設けた。その他の点は、実施例１と同じであるので省略する。
【００５３】
（実施例３）
第１磁性体２１１の開口Ｈの横幅３６［ｍｍ］よりも長い、横幅が５０［ｍｍ］の第２磁性体２１２を設けた。即ち、第２磁性体２１２は、第１磁性体２１１の開口Ｈの１辺に沿って配置され、１辺に沿う方向の長さが、開口Ｈの１辺の長さよりも長く設定されている。その他の点は、実施例１と同じであるので省略する。
【００５４】
（実施例４）
縦幅が１［ｍｍ］、横幅が５０［ｍｍ］の第２磁性体２１２を設けた。その他の点は、実施例１と同じであるので省略する。
【００５５】
（実施例５）
縦幅が２［ｍｍ］、横幅が５０［ｍｍ］の第２磁性体２１２を設けた。その他の点は、実施例１と同じであるので省略する。
【００５６】
（実施例６）
縦幅が３［ｍｍ］、横幅が５０［ｍｍ］の第２磁性体２１２を設けた。その他の点は、実施例１と同じであるので省略する。
【００５７】
（比較例１）
第２磁性体２１２を設けず、第１磁性体２１１のみ設けた。その他の点は、実施例１と同じであるので省略する。
【００５８】
それぞれの実施例１〜６及び比較例１について、市販の電磁界シミュレーション（ＡＮＳＹＳ社製「Ｍａｘｗｅｌｌ３Ｄ」）を用いて、撮像素子２０３の半導体部２３１に到達する磁界を求めた。コイル３２１に印加する電流は周波数３０［ｋＨｚ］の正弦波とした。
【００５９】
図５は、実施例１〜３及び比較例１における撮像素子２０３の半導体部２３１への到達磁界の電磁界シミュレーションで求めた結果を示すグラフである。図５に示すように、実施例１〜３の撮像素子２０３の半導体部２３１への到達磁界は、比較例１と比べて、減少している。特に実施例３で大きく減少している。これは、第１磁性体２１１の開口Ｈの長さより、横幅の長い比透磁率の高い第２磁性体２１２を設けることで、磁性体２１１，２１２全体の横幅方向へ磁界を伝達する磁気抵抗が下げられているためである。
【００６０】
図６は、実施例３〜６と比較例１における到達磁界の電磁界シミュレーションで求めた結果を示すグラフである。図６に示すように、実施例３〜６における撮像素子２０３の半導体部２３１への到達磁界は、比較例１の到達磁界と比べて、減少している。
【００６１】
特に実施例４では、比透磁率の高い第２磁性体２１２の縦幅が１［ｍｍ］で面積が僅か５０［ｍｍ２］であるにも関わらず、それでも面積が１４０［ｍｍ２］の実施例１よりも、到達磁界が低くなっている。
【００６２】
これは、縦幅が細くても、第１磁性体２１１の開口Ｈの長さより、横幅の長い比透磁率の高い第２磁性体２１２を設けていることで、横幅方向へ磁界を伝達する磁気抵抗が効果的に下げられているためである。そのため、比透磁率の高い第２磁性体２１２をさらに少ない面積とする場合は、縦幅は細くとも第１磁性体２１１の開口Ｈの辺長よりも長くすることが重要である。
【００６３】
また、第１磁性体２１１と第２磁性体２１２と離間距離は短いことが望ましいが、０．１［ｍｍ］〜３［ｍｍ］の範囲であれば、撮像素子２０３への到達磁界量はほぼ変わらない結果が得られている。
【００６４】
次に第１磁性体２１１の比透磁率が与える影響について説明する。図７は、実施例３の、第１磁性体の比透磁率を５０から変化させて、撮像素子２０３に到達する磁界を電磁界シミュレーションで求めた結果を示すグラフである。第２磁性体２１２やその他の条件は実施例３と同じである。ただし、磁気伝達経路Ｒ１の磁界の内、特に大きいセンサ面（受光面２３１ａ）に水平な縦方向の磁界のみを抽出している。なお、第２磁性体２１２の比透磁率は４００００とした。
【００６５】
第１磁性体２１１の比透磁率が１（いわゆる非磁性体の場合）で、かつ第２磁性体もない場合の到達磁界は０．１３８［μＴ］であった。そして、第１磁性体２１１の比透磁率＝１で、第２磁性体２１２が設けられている場合は、図７に示すように、０．１３５［μＴ］であった。そのため、第２磁性体２１２があっても磁界迂回効果がほとんど得られていない。
【００６６】
第１磁性体２１１の比透磁率が５０になると急速に磁界迂回効果が得られ始め、それ以上の比透磁率であれば、比透磁率が高くなるほど撮像素子２０３に到達する磁界は減少している。
【００６７】
従って、第１磁性体２１１として、比透磁率が高いほどよく、比透磁率が５０以上であるのが好ましい。ただし、比透磁率が１０００を超えて高くすると磁性体材料が高価となるため、実質的には比透磁率の低い１０００未満の材料とするのがよい。
【００６８】
よって、第１磁性体２１１の比透磁率は、コイル３２１の駆動周波数において５０以上１０００未満であることが好ましい。また、上記した通り、第２磁性体２１２の比透磁率は、コイル３２１の駆動周波数において１０００以上２０００００未満であるのが好ましい。
【００６９】
以上、第１磁性体２１１と、第１磁性体２１１よりも小面積で比透磁率の高い第２磁性体２１２とを用いることで、撮像素子２０３へ到達する磁界を低減することができる。そのため、撮像素子２０３によって得られる画像の乱れを抑制することができる。また、高価な比透磁率の高い第２磁性体２１２を少ない面積とできるため、廉価な構成で画像乱れを抑制することが可能となる。
【００７０】
なお、本発明は、以上説明した実施形態に限定されるものではなく、本発明の技術的思想内で多くの変形が可能である。例えばコイルに流れる電流の駆動周波数、配置、数が異なっていても、その場合に応じた、磁性体の配置をとることで本発明を実施可能である。また、第１，第２磁性体については上記実施形態に示した以外の材料をここに示した透磁率測定を行って使用することも可能である。
【００７１】
また、上記実施形態では、カメラ本体２００に対して交換レンズ３００が着脱可能であり、交換レンズ３００の筐体３０１にコイル３２１、カメラ本体２００の筐体２０１に第１，第２磁性体２１１，２１２が設けられている場合について説明した。しかし、本発明は、これに限定するものではなく、撮像装置本体にレンズが組み込まれている一体型の撮像装置についても適用可能である。例えば、デジタル一眼レフカメラに限らず、コンパクトデジタルカメラについても本発明は適用可能である。この場合、カメラの筐体にコイル及び第１，第２磁性体が設けられていることになる。
【００７２】
［第２実施形態］
次に、本発明を実施する第２実施形態を、図８を参照しながら説明する。図８は、本発明の第２実施形態に係る撮像装置としてのカメラの概略構成を示す説明図である。電源回路である電源変換回路５０１の磁界発生源であるコイル５０２がカメラ本体２００の筐体２０１内部に配置されている。
【００７３】
撮像ユニット２０２は、磁界発生源であるコイル５０２と撮像素子２０３との間に配置された、開口Ｈを有する額縁状（環状）の第１磁性体５０５を有している。この第１磁性体５０５は、撮像素子２０３に隣接して配置されている。具体的に説明すると、第１磁性体５０５は、矢印Ｘ方向において、図８（ｂ）に示すように撮像素子２０３に対してコイル５０２が配置された側に撮像素子２０３に隣接して配置されている。
【００７４】
更に、撮像ユニット２０２は、第１磁性体５０５に対して、コイル５０２の側の位置に配置された第２磁性体５０４を有している。第１磁性体５０５は矢印Ｘ方向でコイル５０２が配置された側の面を有し、第２磁性体５０４はその面に隣接して配置されている。その際、第２磁性体５０４は、第１磁性体５０５に対して僅かな隙間を有して配置されるか、第１磁性体５０５に接触して配置されるのが好ましい。第１磁性体５０５と第２磁性体５０４とを接触させると磁気抵抗が小さくなるのでより好ましい。
【００７５】
第２磁性体５０４は、図８（ａ）に示すように、矢印Ｘ方向に見て第１磁性体５０５に少なくとも一部（本実施形態では全部）が重なりかつ開口Ｈに対してコイル５０２の側となる位置に配置されている。具体的には、第２磁性体５０４は、開口Ｈの４辺のうちコイル５０２に最も近接する１辺に隣接して配置されている。つまり、第２磁性体５０４は、第１磁性体５０５のコイル側の面において、コイル５０２と最も近接する開口辺の額縁部に設けられている。
【００７６】
第１及び第１磁性体５０５，５０４は、強磁性材で板状又はフィルム状に形成されている。第２磁性体５０４は、第１磁性体５０５よりも比透磁率の高い強磁性材で形成されている。第２磁性体５０４は、矢印Ｘ方向に見て第１磁性体５０５よりも小さい面積に形成されている。また、第２磁性体５０４は、第１磁性体５０５よりも矢印Ｘ方向の厚みが薄く形成されている。
【００７７】
この構成によれば、磁界発生源であるコイル５０２から発生した磁界５０３の多くは、磁気抵抗の低い第２磁性体５０４を通過し、続いて、第１磁性体５０５を通過することになる。そのため、撮像素子２０３へ到達する磁界は低減することができる。第１磁性体と第２磁性体の材料については、第１実施形態と同様に選択することができる。
【００７８】
このように、第１磁性体５０５と、第１磁性体５０５よりも小面積で比透磁率の高い第２磁性体５０４とを用いることで、撮像素子２０３へ到達する磁界を低減することができる。そのため、撮像素子２０３によって得られる画像の乱れを抑制することができる。また、高価な比透磁率の高い第２磁性体５０４を少ない面積とできるため、廉価な構成で画像乱れを抑制することが可能となる。
【００７９】
本実施形態のように、磁界発生源がカメラ本体の筐体に配置されている場合であっても本発明は適用可能であり、カメラ本体自体が撮像装置に相当する。
【００８０】
［第３実施形態］
次に、本発明を実施する第３実施形態を、図９を参照しながら説明する。図９は、本発明の第３実施形態に係る交換レンズの概略構成を示す説明図である。第３実施形態では、モータ制御回路３１３の磁界発生源であるコイル３２１が交換レンズ３００の筐体３０１の内部に配置されている。交換レンズ３００（筐体３０１）は、撮像装置本体（カメラ本体）に装着可能に構成されている。
【００８１】
図９において、磁界発生源であるコイル３２１と撮像素子（図示せず）との間に配置された、開口を有する環状の第１磁性体６０２が設けられている。また、第１磁性体６０２に対して、コイル３２１の側の位置に配置された第２磁性体６０１を有している。第１磁性体６０２は矢印Ｘ方向でコイル３２１が配置された側の面を有し、第２磁性体６０１はその面に隣接して配置されている。その際、第２磁性体６０１は、第１磁性体６０２に対して僅かな隙間を有して配置されるか、第１磁性体６０２に接触して配置されるのが好ましい。第１磁性体６０２と第２磁性体６０１とを接触させると磁気抵抗が小さくなるのでより好ましい。
【００８２】
第２磁性体６０１は、図９に示すように、矢印Ｘ方向に見て第１磁性体６０２に少なくとも一部（本実施形態では全部）が重なりかつ開口に対してコイル３２１の側となる位置に配置されている。具体的には、第２磁性体６０１は、開口辺のうちコイル３２１に最も近接する額縁部に設けられている。
【００８３】
第１及び第２磁性体６０２，６０１は、強磁性材で板状又はフィルム状に形成されている。第２磁性体６０１は、第１磁性体６０２よりも比透磁率の高い強磁性材で形成されている。第２磁性体６０１は、矢印Ｘ方向に見て第１磁性体６０２よりも小さい面積に形成されている。また、第２磁性体６０１は、第１磁性体６０２よりも矢印Ｘ方向の厚みが薄く形成されている。
【００８４】
この構成によれば、磁界発生源であるコイル３２１から発生した磁界６００の多くは、磁気抵抗の低い第２磁性体６０１を通過し、続いて、第１磁性体６０２を通過することになる。そのため、撮像素子（図示せず）へ到達する磁界は低減することができる。第１磁性体６０２と第２磁性体６０１の材料については、第１実施形態と同様に選択することができる。
【００８５】
このように、第１磁性体６０２と、第１磁性体６０２よりも小面積で比透磁率の高い第２磁性体６０１とを用いることで、撮像素子へ到達する磁界を低減することができる。そのため、撮像素子によって得られる画像の乱れを抑制することができる。また、高価な比透磁率の高い第２磁性体６０１を少ない面積とできるため、廉価な構成で画像乱れを抑制することが可能となる。
【００８６】
本実施形態のように、交換レンズが第１，第２磁性体を有する場合であっても本発明は適用可能である。
【符号の説明】
【００８７】
１００…カメラ（撮像装置）、２００…カメラ本体（撮像装置本体）、２０１…筐体、２０３…撮像素子、２１１…第１磁性体、２１２…第２磁性体、３００…交換レンズ、３０１…筐体（交換レンズ筐体）、３１１…撮像光学系、３２１…コイル（磁界発生源）
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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