(57)【要約】【課題】ホットスポット現象が発生するのを抑制することができる太陽電池を提供する。【解決手段】第１の主面１１、及び第１の主面１１と反対側に設けられる第２の主面１２を有する一導電型の結晶シリコン基板１０と、第１の主面１１側に設けられる他導電型の非晶質シリコン膜２３と、第２の主面１２側に設けられる一導電型の非晶質シリコン膜２４とを備え、結晶シリコン基板１０の周縁部Ｓに、他導電型の非晶質シリコン膜２３と結晶シリコン基板１０によるｐｎ接合が破壊されやすい脆弱部分２５及び３３が形成されている。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の主面、及び前記第１の主面と反対側に設けられる第２の主面を有する一導電型の結晶シリコン基板と、
前記第１の主面側に設けられる他導電型の非晶質シリコン膜と、
前記第２の主面側に設けられる一導電型の非晶質シリコン膜とを備え、
前記結晶シリコン基板の周縁部に、前記他導電型の非晶質シリコン膜と前記結晶シリコン基板によるｐｎ接合が破壊されやすい脆弱部分が形成されている、太陽電池。
【請求項２】
前記結晶シリコン基板の前記周縁部における前記他導電型の非晶質シリコン膜の厚みが、他の領域における前記他導電型の非晶質シリコン膜の厚みより薄くなることにより、前記脆弱部分が形成されている、請求項１に記載の太陽電池。
【請求項３】
前記他導電型の非晶質シリコン膜の上に設けられる第１の透明電極層と、
前記一導電型の非晶質シリコン膜の上に設けられる第２の透明電極層とをさらに備える、請求項１または２に記載の太陽電池。
【請求項４】
前記第１の透明電極層が、前記他導電型の非晶質シリコン膜と前記結晶シリコン基板に接触することにより、前記他導電型の非晶質シリコン膜と前記結晶シリコン基板が短絡して前記脆弱部分が形成されている、請求項３に記載の太陽電池。
【請求項５】
前記結晶シリコン基板の少なくとも前記第１の主面に、結晶シリコンの（１１１）面が露出する第１の凹凸構造が形成されており、前記結晶シリコン基板の前記周縁部に、前記第１の凹凸構造と異なる第２の凹凸構造が形成されることにより、前記脆弱部分が形成されている、請求項１〜４のいずれか一項に記載の太陽電池。
【請求項６】
前記結晶シリコン基板の周縁部において前記第２の透明電極層が形成されていない領域に、前記脆弱部分が形成されている、請求項３〜５のいずれか一項に記載の太陽電池。
【請求項７】
前記他導電型の非晶質シリコン膜と前記結晶シリコン基板との間に、第１の真性非晶質シリコン膜が設けられており、前記一導電型の非晶質シリコン膜と前記結晶シリコン基板との間に、第２の真性非晶質シリコン膜が設けられている、請求項１〜６のいずれか一項に記載の太陽電池。
【請求項８】
第１の主面、及び前記第１の主面と反対側に設けられる第２の主面を有する一導電型の結晶シリコン基板と、前記第１の主面側に設けられる他導電型の非晶質シリコン膜と、前記第２の主面側に設けられる一導電型の非晶質シリコン膜とを備える太陽電池を製造する方法であって、
少なくとも前記第１の主面に結晶シリコンの（１１１）面が露出する第１の凹凸構造が形成された前記結晶シリコン基板を準備する工程と、
前記結晶シリコン基板の前記第１の主面側に前記他導電型の非晶質シリコン膜を形成する工程と、
前記結晶シリコン基板の前記第２の主面側に前記一導電型の非晶質シリコン膜を形成する工程と、
前記結晶シリコン基板の周縁部に、前記他導電型の非晶質シリコン膜と前記結晶シリコン基板によるｐｎ接合が破壊されやすい脆弱部分を形成する工程とを備える、太陽電池の製造方法。
【請求項９】
前記脆弱部分を形成する工程が、前記他導電型の非晶質シリコン膜を形成する前に、前記結晶シリコン基板の周縁部の前記第１の主面に、前記第１の凹凸構造と異なる第２の凹凸構造を形成する工程を含む、請求項８に記載の太陽電池の製造方法。
【請求項１０】
前記結晶シリコン基板の周縁部の前記第１の主面に対して、レーザーを照射するか、あるいは機械的に表面を荒らすことにより、前記第２の凹凸構造を形成する、請求項９に記載の太陽電池の製造方法。
【請求項１１】
前記脆弱部分を形成する工程が、前記他導電型の非晶質シリコン膜を形成した後、前記結晶シリコン基板の周縁部にレーザーを照射する工程を含む、請求項８に記載の太陽電池の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、太陽電池及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
太陽電池モジュールは、複数の太陽電池を接続することにより構成されている。このような太陽電池モジュールにおいて、複数の太陽電池の内の一部の太陽電池が、障害物の影に入ることなどにより、太陽光を受光することができなくなると、該一部の太陽電池に他の太陽電池の総発生電圧が逆方向電圧として印加され、該一部の太陽電池が発熱する現象（ホットスポット現象）が生じることが知られている（例えば、特許文献１）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２０１３−３３８３２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
本発明の目的は、ホットスポット現象が発生するのを抑制することができる太陽電池及びその製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本発明の太陽電池は、第１の主面、及び前記第１の主面と反対側に設けられる第２の主面を有する一導電型の結晶シリコン基板と、前記第１の主面側に設けられる他導電型の非晶質シリコン膜と、前記第２の主面側に設けられる一導電型の非晶質シリコン膜とを備え、前記結晶シリコン基板の周縁部に、前記他導電型の非晶質シリコン膜と前記結晶シリコン基板によるｐｎ接合が破壊されやすい脆弱部分が形成されている。
【０００６】
本発明の太陽電池の製造方法は、第１の主面、及び前記第１の主面と反対側に設けられる第２の主面を有する一導電型の結晶シリコン基板と、前記第１の主面側に設けられる他導電型の非晶質シリコン膜と、前記第２の主面側に設けられる一導電型の非晶質シリコン膜とを備える太陽電池を製造する方法であって、少なくとも前記第１の主面に結晶シリコンの（１１１）面が露出する第１の凹凸構造が形成された前記結晶シリコン基板を準備する工程と、前記結晶シリコン基板の前記第１の主面側に前記他導電型の非晶質シリコン膜を形成する工程と、前記結晶シリコン基板の前記第２の主面側に前記一導電型の非晶質シリコン膜を形成する工程と、前記結晶シリコン基板の周縁部に、前記他導電型の非晶質シリコン膜と前記結晶シリコン基板によるｐｎ接合が破壊されやすい脆弱部分を形成する工程とを備える。
【発明の効果】
【０００７】
本発明によれば、ホットスポット現象が発生するのを抑制することができる。
【図面の簡単な説明】
【０００８】
【図１】実施形態の太陽電池の周縁部近傍を示す模式的断面図である。
【図２】レーザー照射により表面を荒らす前の結晶シリコン基板の周縁部近傍を示す模式的断面図である。
【図３】レーザー照射により表面を荒らした後の結晶シリコン基板の周縁部近傍を示す模式的断面図である。
【図４】結晶シリコン基板の上に非晶質シリコン膜及び透明電極層を形成した後、結晶シリコン基板にレーザーを照射する状態を示す模式的断面図である。
【発明を実施するための形態】
【０００９】
以下、好ましい実施形態について説明する。但し、以下の実施形態は単なる例示であり、本発明は以下の実施形態に限定されるものではない。また、各図面において、実質的に同一の機能を有する部材は同一の符号で参照する場合がある。
【００１０】
図１は、実施形態の太陽電池の周縁部近傍を示す模式的断面図である。本実施形態の太陽電池１は、第１の主面１１、及び第１の主面１１と反対側に設けられる第２の主面１２を有する一導電型の結晶シリコン基板１０と、第１の主面１１側に設けられる他導電型の非晶質シリコン膜２３と、第２の主面１２側に設けられる一導電型の非晶質シリコン膜２４とを備えている。太陽電池１は、他導電型の非晶質シリコン膜２３の上に設けられる第１の透明電極層３１と、一導電型の非晶質シリコン膜２４の上に設けられる第２の透明電極層３２とをさらに備えている。
【００１１】
本実施形態において、一導電型はｎ型であり、他導電型はｐ型である。以下、一導電型をｎ型、他導電型をｐ型として、本実施形態の太陽電池１について説明する。
【００１２】
ｎ型結晶シリコン基板１０の第１の主面１１の上には、第１の真性非晶質シリコン膜２１が設けられている。第１の真性非晶質シリコン膜２１の上には、ｐ型非晶質シリコン膜２３が設けられている。ｎ型結晶シリコン基板１０の第２の主面１２の上には、第２の真性非晶質シリコン膜２２が設けられている。第２の真性非晶質シリコン膜２２の上には、ｎ型非晶質シリコン膜２４が設けられている。ｐ型非晶質シリコン膜２３の上には、第１の透明電極層３１が設けられている。ｎ型非晶質シリコン膜２４の上には、第２の透明電極層３２が設けられている。第１の透明電極層３１及び第２の透明電極層３２の上には、フィンガー電極及びバスバー電極などの集電極（図示省略）が形成される。バスバー電極を形成しないバスバーレスの集電極であってもよい。
【００１３】
図１に示すように、ｎ型結晶シリコン基板１０の第１の主面１１には、結晶シリコンの（１１１）面が露出する第１の凹凸構造１１ａが形成されている。ｎ型結晶シリコン基板１０の第１の主面１１の周縁部Ｓにおいては、第１の凹凸構造１１ａと異なる第２の凹凸構造１１ｂが形成されている。本実施形態では、後述するように、第１の主面１１の周縁部Ｓにおいて、第１の凹凸構造１１ａをレーザー照射等で荒らすことにより、第２の凹凸構造１１ｂが形成されている。
【００１４】
本実施形態では、ｎ型結晶シリコン基板１０の第２の主面１２にも、結晶シリコンの（１１１）面が露出する第１の凹凸構造１２ａが形成されている。第２の主面１２の周縁部Ｓにおいても、第１の凹凸構造１２ａと異なる第２の凹凸構造１２ｂが形成されている。第２の凹凸構造１２ｂは、第１の凹凸構造１２ａをレーザー照射等で荒らすことにより形成されている。
【００１５】
周縁部Ｓの第２の凹凸構造１１ｂの上には、周縁部Ｓ以外の領域と同様に、第１の真性非晶質シリコン膜２１及びｐ型非晶質シリコン膜２３が形成されている。しかしながら、第２の凹凸構造１１ｂは、第１の凹凸構造１１ａより大きくかつ不規則な凹凸を有しているため、脆弱部分２５及び３３が形成されている。脆弱部分２５及び３３は、ｐ型非晶質シリコン膜２３とｎ型結晶シリコン基板１０によるｐｎ接合が破壊されやすい部分である。本実施形態では、ｐ型非晶質シリコン膜２３とｎ型結晶シリコン基板１０の間に第１の真性非晶質シリコン膜２１が形成されているので、脆弱部分２５及び３３は、ｐｉｎ接合が破壊されやすい部分である。
【００１６】
脆弱部分２５は、ｎ型結晶シリコン基板１０の周縁部Ｓにおける第１の真性非晶質シリコン膜２１及びｐ型非晶質シリコン膜２３の厚みが、他の領域における第１の真性非晶質シリコン膜２１及びｐ型非晶質シリコン膜２３の厚みより薄くなることにより形成されている。
【００１７】
脆弱部分３３は、第１の透明電極層３１が、ｐ型非晶質シリコン膜２３とｎ型結晶シリコン基板１０に接触することにより、ｐ型非晶質シリコン膜２３とｎ型結晶シリコン基板１０が短絡することで形成されている。
【００１８】
したがって、本実施形態において、脆弱部分２５及び３３は、ｎ型結晶シリコン基板１０の周縁部Ｓに、第１の凹凸構造１１ａと異なる第２の凹凸構造１１ｂが形成されることにより形成されている。
【００１９】
本実施形態では、ｎ型結晶シリコン基板１０の周縁部Ｓに、ｐｎ接合（ｐｉｎ接合）が破壊されやすい脆弱部分２５及び３３が形成されている。このため、太陽電池１に逆方向電圧が印加された際、脆弱部分２５及び３３が電流のリークパスとなり、ホットスポット現象が発生するのを抑制することができる。また、ｎ型結晶シリコン基板１０の周縁部Ｓに脆弱部分２５及び３３が形成されているので、太陽電池１のセル特性を低減させることなく、ホットスポット現象の発生を抑制することができる。また、ｎ型結晶シリコン基板１０の周縁部Ｓは、中央部に比べ表面積が大きくなっているので、脆弱部分２５及び３３からなるリークパスに電流が流れても、大きな電池密度になることはなく、発熱量は少ない。
【００２０】
本実施形態では、ｎ型結晶シリコン基板１０の周縁部Ｓにおいて、第２の透明電極層３２が形成されていない領域に、脆弱部分２５及び３３が形成されている。
【００２１】
ｎ型結晶シリコン基板１０の周縁部Ｓの領域の幅は、ｎ型結晶シリコン基板１０全体の幅の０．２〜５％の範囲内であることが好ましい。
【００２２】
図２は、レーザー照射により表面を荒らす前の結晶シリコン基板の周縁部近傍を示す模式的断面図である。図２に示すように、レーザー照射により表面を荒らす前において、ｎ型結晶シリコン基板１０の周縁部Ｓの第１の主面１１には、第１の凹凸構造１１ａが形成されている。同様に、第２の主面１２には、第１の凹凸構造１２ａが形成されている。この状態で、図２に示すように、ｎ型結晶シリコン基板１０の周縁部Ｓの第１の主面１１側から、レーザー４０を照射する。
【００２３】
レーザー照射の照射条件としては、例えば、波長１０６４ｎｍ、パルス幅２０ｎｍ、繰り返し周波数１０〜１００ｋＨｚ、出力１０ＷのＮｄ：ＹＡＧパルスレーザーを用い、スポット径０．１〜１ｍｍ程度、走査速度１０〜１００ｍｍ／秒でレーザー走査照射する条件が挙げられる。
【００２４】
図３は、レーザー照射により表面を荒らした後の結晶シリコン基板の周縁部近傍を示す模式的断面図である。図３に示すように、ｎ型結晶シリコン基板１０の周縁部Ｓにおいて、第１の主面１１の第１の凹凸構造１１ａが、レーザー照射によって荒らされ、第２の凹凸構造１１ｂが形成される。同様に、第２の主面１２の第１の凹凸構造１２ａが、レーザー照射によって荒らされ、第２の凹凸構造１２ｂが形成される。また、ｎ型結晶シリコン基板１０の端面１０ａにも、凹凸構造１０ｂが形成されている。
【００２５】
図１に示す実施形態の太陽電池１は、図３に示すｎ型結晶シリコン基板１０の第１の主面１１の上に、第１の真性非晶質シリコン膜２１、ｐ型非晶質シリコン膜２３、及び第１の透明電極層３１をこの順序で形成し、第２の主面１２の上に、第２の真性非晶質シリコン膜２２、ｎ型非晶質シリコン膜２４、及び第２の透明電極層３２をこの順序で形成することにより、作製することができる。
【００２６】
以上のように、本実施形態の製造方法では、脆弱部分２５及び３３を形成する工程が、第１の真性非晶質シリコン膜２１及びｐ型非晶質シリコン膜２３を形成する前に、ｎ型結晶シリコン基板１０の周縁部Ｓの第１の主面１１に、第１の凹凸構造１１ａと異なる第２の凹凸構造１１ｂを形成する工程を含んでいる。
【００２７】
上記実施形態では、第２の凹凸構造１１ｂを形成する方法として、レーザーを照射する方法を示しているが、本発明はこれに限定されるものではない。例えば、機械的に表面を荒らす方法を用いて第２の凹凸構造１１ｂを形成してもよい。機械的に表面を荒らす方法としては、例えば、表面の機械的研磨、サンドブラストなどのブラスト法、プラズマエッチングなどのエッチング法などが挙げられる。
【００２８】
図４は、他の実施形態の製造方法を説明するための断面図である。本実施形態では、結晶シリコン基板の上に非晶質シリコン膜及び透明電極層を形成した後、結晶シリコン基板にレーザーを照射する。図４に示すように、ｎ型結晶シリコン基板１０の周縁部Ｓの第１の主面１１及び第２の主面１２には、それぞれ第１の凹凸構造１１ａ及び１２ａが形成されている。ｎ型結晶シリコン基板１０の第１の主面１１の上には、第１の真性非晶質シリコン膜２１、ｐ型非晶質シリコン膜２３、及び第１の透明電極層３１がこの順序で形成されている。また、第２の主面１２の上には、第２の真性非晶質シリコン膜２２、ｎ型非晶質シリコン膜２４、及び第２の透明電極層３２がこの順序で形成されている。
【００２９】
この状態で、図４に示すように、ｎ型結晶シリコン基板１０の周縁部Ｓの第１の主面１１側から、レーザー４０を照射する。このレーザー照射により、図１に示す実施形態と同様に、ｎ型結晶シリコン基板１０の周縁部Ｓに脆弱部分を形成することができる。この方法は、例えば、複数の太陽電池を母材として作製し、レーザー照射して個々の太陽電池に分割する際に用いることができる。
【００３０】
図１に示す実施形態では、脆弱部分として、非晶質シリコン膜の厚みが薄くなる脆弱部分２５、及び非晶質シリコン膜と結晶シリコン基板の短絡による脆弱部分３３を示しているが、本発明の脆弱部分は、これらの態様に限定されるものではない。また、図１に示す実施形態のように、非晶質シリコン膜の厚みが薄くなる脆弱部分２５と非晶質シリコン膜と結晶シリコン基板の短絡による脆弱部分３３の両方が存在している必要はなく、いずれか一方のみが存在していてもよい。
【００３１】
ｐ型非晶質シリコン膜２３におけるドーパント濃度は、第１の真性非晶質シリコン膜２１におけるドーパント濃度よりも高く、１×１０２０ｃｍ−３以上であることが好ましい。また、ｐ型非晶質シリコン膜２３の厚みは、光の吸収をできるだけ少なくするように薄くし、一方で光電変換部で発生したキャリアを接合部で効果的に分離し、かつキャリアを第１の透明電極層３１で効率よく収集できる程度に厚くすることが好ましく、具体的には、ｐ型非晶質シリコン膜２３の厚みは、１ｎｍ以上５０ｎｍ以下であることが好ましい。
【００３２】
ｎ型非晶質シリコン膜２４におけるドーパント濃度は、第２の真性非晶質シリコン膜２２におけるドーパント濃度よりも高く、１×１０２０ｃｍ−３以上であることが好ましい。また、ｎ型非晶質シリコン膜２４の厚みは、ｎ型結晶シリコン基板１０内部で発生したキャリアを接合部で効果的に分離し、かつキャリアを第２の透明電極層３２で効率よく収集できる程度に厚くすることが好ましい。具体的には、ｎ型非晶質シリコン膜２４の厚みは、１ｎｍ以上５０ｎｍ以下であることが好ましい。
【００３３】
ｎ型結晶シリコン基板１０におけるドーパント濃度は、第１の真性非晶質シリコン膜２１及び第２の真性非晶質シリコン膜２２におけるドーパント濃度よりも高く、１×１０２０ｃｍ−３以上であることが好ましい。
【００３４】
第１及び第２の真性非晶質シリコン膜２１及び２２におけるｐ型またはｎ型のドーパント濃度は、５×１０１８ｃｍ−３以下であることが好ましい。また、第１及び第２の真性非晶質シリコン膜２１及び２２の厚みは、光の吸収をできるだけ抑えられるように薄くし、一方でｎ型結晶シリコン基板１０の表面が十分にパッシベーションされる程度に厚くすることが好ましい。具体的には、１ｎｍ以上２５ｎｍ以下であることが好ましく、さらには２ｎｍ以上１０ｎｍ以下であることが好ましい。
【００３５】
本実施形態の太陽電池１は、第１の主面１１側を受光面側としてもよいし、第２の主面１２側を受光面側としてもよい。また、両面受光タイプの太陽電池としてもよい。
【００３６】
第１及び第２の透明電極層３１及び３２の厚みは、５０ｎｍ以上１５０ｎｍ以下であることが好ましく、さらには７０ｎｍ以上１２０ｎｍ以下であることが好ましい。第１及び第２の透明電極層３１及び３２の厚みを上記の範囲内にすることにより、入射する光の吸収を抑えつつ、電気抵抗が高くなることを抑制できる。
【００３７】
図示省略のバスバー電極及びフィンガー電極は、一般的な太陽電池におけるバスバー電極及びフィンガー電極の形成方法より形成することができる。例えば、Ａｇ（銀）ペーストを印刷することにより形成することができる。
【００３８】
太陽電池１の各層は、以下のようにして形成することができる。まず、ｎ型結晶シリコン基板１０の表面は、各層の成膜前に洗浄されていることが好ましい。具体的には、フッ化水素酸溶液やＲＣＡ洗浄液を用いて行うことができる。ｎ型結晶シリコン基板１０の第１の主面１１における第１の凹凸構造１１ａ及び第２の主面１２における第１の凹凸構造１２ａは、例えば、水酸化カリウム水溶液（ＫＯＨ水溶液）等のアルカリ性エッチング液を用いて形成することができる。この場合、（１００）面を有するｎ型結晶シリコン基板１０をアルカリ性エッチング液で異方性エッチングすることによって、ピラミッド型の（１１１）面を有する第１の凹凸構造１１ａ及び１２ａを形成することができる。
【００３９】
また、第１の真性非晶質シリコン膜２１及び第２の真性非晶質シリコン膜２２との整合性を良くするために、第１の真性非晶質シリコン膜２１及び第２の真性非晶質シリコン膜２２の成膜前に所定の酸化処理をして、酸化界面を形成してもよい。所定の酸化処理としては、大気や湿度制御された雰囲気中に所定時間放置するか、オゾン水処理、過酸化水素水処理、オゾナイザー処理などを適宜使用することができる。
【００４０】
第１の真性非晶質シリコン膜２１、第２の真性非晶質シリコン膜２２、ｐ型非晶質シリコン膜２３、及びｎ型非晶質シリコン膜２４は、プラズマ化学気相成長、熱化学気相成長、光化学気相成長およびスパッタリングなどの方法により形成することができる。プラズマ化学気相成長には、ＲＦプラズマ方式、ＶＨＦプラズマ方式、さらにマイクロ波プラズマ方式などいずれの手法を用いてもよい。例えばＲＦプラズマ化学気相成長を用いる場合は、シラン（ＳｉＨ４）等のケイ素含有ガス、ジボラン（Ｂ２Ｈ６）等のｐ型ドーパント含有ガスおよびホスフィン（ＰＨ３）等のｎ型ドーパント含有ガスを水素で希釈して供給し、平行平板電極等にＲＦ高周波電力を印加してプラズマ化して、加熱されたｎ型結晶シリコン基板１０の表面に供給することによって形成することができる。なお、成膜時の基板温度は１５０℃から２５０℃の範囲にあることが好ましい。また、成膜時のＲＦ電力密度は１ｍＷ／ｃｍ２から１０ｍＷ／ｃｍ２の範囲にあることが好ましい。
【００４１】
上記実施形態では、ｎ型結晶シリコン基板１０とｐ型非晶質シリコン膜２３及びｎ型非晶質シリコン膜２４の間に、それぞれ第１及び第２の真性非晶質シリコン膜２１及び２２が設けられているが、本発明はこれに限定されるものではない。ｎ型結晶シリコン基板１０の上に、直接ｐ型非晶質シリコン膜２３またはｎ型非晶質シリコン膜２４が設けられていてもよい。
【００４２】
上記実施形態では、一導電型をｎ型、他導電型をｐ型とした例を示したが、本発明はこれに限定されるものではなく、一導電型をｐ型、他導電型をｎ型としてもよい。また、上記実施形態では、結晶シリコン基板１０をｎ型、つまり一導電型とした例を示したが、本発明はこれに限定されるものでなく、ｐ型、つまり他導電型としてもよい。
【符号の説明】
【００４３】
１…太陽電池
１０…ｎ型結晶シリコン基板
１０ａ…端面
１０ｂ…凹凸構造
１１，１２…第１，第２の主面
１１ａ，１２ａ…第１の凹凸構造
１１ｂ，１２ｂ…第２の凹凸構造
２１，２２…第１，第２の真性非晶質シリコン膜
２３…ｐ型非晶質シリコン膜
２４…ｎ型非晶質シリコン膜
２５，３３…脆弱部分
３１，３２…第１，第２の透明電極層
４０…レーザー
Ｓ…周縁部
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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