(57)【要約】【課題】駆動トランジスタの特性変化を補償する。【解決手段】画素を、有機発光素子と、有機発光素子に流れる電流を制御し、半導体層を介して互いに重畳される第１及び第２ゲート電極を含む駆動トランジスタと、データラインに供給されるデータ電圧を第１ゲート電極に連結された第１ノードに選択的に供給する第１スイッチングトランジスタと、センシング用電圧を第２ゲート電極に選択的に供給する第２スイッチングトランジスタと、駆動トランジスタのソース電極に連結された第２ノードを第１ノードに選択的に接続させる第３スイッチングトランジスタと、リファレンスラインを第２ノードに選択的に接続させる第４スイッチングトランジスタと、第２ゲート電極と第２ノード間に接続されて駆動トランジスタのしきい値電圧を格納する第１キャパシタと、及び第１及び第２ノード間に接続されて第１及び第２ノードの差電圧を格納する第２キャパシタを含んで構成する。【選択図】図２
2015129934.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
データラインとゲートライングループ及びリファレンスラインに接続された画素を含み、前記画素は、有機発光素子と、
前記有機発光素子に流れる電流を制御し、半導体層を介して互いに重畳される第１及び第２ゲート電極を含む駆動トランジスタと、
前記データラインに供給されるデータ電圧を前記第１ゲート電極に連結された第１ノードに選択的に供給する第１スイッチングトランジスタと、
センシング用電圧を前記第２ゲート電極に選択的に供給する第２スイッチングトランジスタと、
前記駆動トランジスタのソース電極に連結された第２ノードを前記第１ノードに選択的に接続させる第３スイッチングトランジスタと、
前記リファレンスラインを前記第２ノードに選択的に接続させる第４スイッチングトランジスタと、
前記第２ゲート電極と前記第２ノード間に接続されて前記駆動トランジスタのしきい値電圧を格納する第１キャパシタと、
前記第１及び第２ノード間に接続されて前記第１及び第２ノードの差電圧を格納する第２キャパシタと、を含んで構成されることを特徴とする、有機発光表示装置。
【請求項２】
前記画素は、しきい値電圧センシング駆動によって初期化期間及び内部センシング期間に駆動され、
前記初期化期間において前記第１及び第２ノードの電圧は、前記リファレンスラインに供給されるリファレンス電圧に初期化され、前記第１キャパシタは、前記第２ゲート電極に供給されるセンシング用電圧と前記リファレンスラインから前記第２ノードに供給されるリファレンス電圧の差電圧に初期化されて、
前記内部センシング期間において前記駆動トランジスタは、前記第２ゲート電極に供給されるセンシング用電圧によってソースフォロワモードで駆動され、前記第１キャパシタは、前記駆動トランジスタの駆動によって前記駆動トランジスタのしきい値電圧を格納することを特徴とする、請求項１に記載の有機発光表示装置。
【請求項３】
前記第１スイッチングトランジスタは、前記初期化期間及び内部センシング期間にターン-オフされ、
前記第２及び第３スイッチングトランジスタは、前記初期化期間及び内部センシング期間にターン-オンされ、
前記第４スイッチングトランジスタは、前記初期化期間にだけターン-オンされることを特徴とする、請求項２に記載の有機発光表示装置。
【請求項４】
前記しきい値電圧センシング駆動は、垂直ブランク区間に行われることを特徴とする、請求項３に記載の有機発光表示装置。
【請求項５】
前記画素は、内部補償駆動によってデータアドレッシング期間及び発光期間に駆動され、
前記データアドレッシング期間において、前記第２キャパシタは、前記第１ノードに供給されるデータ電圧と前記リファレンスラインから前記第２ノードに供給されるリファレンス電圧の差電圧を格納し、
前記発光期間において、前記駆動トランジスタは、前記第１及び第２キャパシタの電圧によって駆動されて前記データ電圧と前記リファレンス電圧の差電圧によって決定される電流を前記有機発光素子に供給することを特徴とする、請求項２に記載の有機発光表示装置。
【請求項６】
前記リファレンスラインを通じて前記駆動トランジスタのしきい値電圧をセンシングしてセンシングデータを生成するセンシング部を更に含み、
前記画素は、外部センシング駆動によって初期化期間及び外部センシング期間に駆動され、
前記初期化期間において前記第１及び第２ノードの電圧は、前記リファレンスラインに供給されるリファレンス電圧に初期化され、前記第１キャパシタは、前記第２ゲート電極に供給されるセンシング用電圧と前記リファレンスラインから前記第２ノードに供給されるリファレンス電圧の差電圧に初期化されて、
前記外部センシング期間において、前記駆動トランジスタは、前記第２ゲート電極に供給されるセンシング用電圧によってソースフォロワモードで駆動され、前記センシング部は、前記リファレンスラインを通じて前記駆動トランジスタの駆動による前記駆動トランジスタのしきい値電圧をセンシングしてセンシングデータを生成することを特徴とする、請求項１に記載の有機発光表示装置。
【請求項７】
前記画素の外部補償駆動の時、前記第１スイッチングトランジスタはターン-オフされ、前記第２〜第４スイッチングトランジスタはターン-オンされて、
前記リファレンスラインは、前記初期化期間と前記外部センシング期間の間で一定時間の間フローティングされた後、前記センシング部に接続されることを特徴とする、請求項６に記載の有機発光表示装置。
【請求項８】
前記画素は、外部補償駆動によってデータアドレッシング期間及び発光期間に駆動され、
前記データアドレッシング期間において、前記第２キャパシタは、前記センシングデータに基づき補正されて前記第１ノードに供給されるデータ電圧と前記リファレンスラインから前記第２ノードに供給されるリファレンス電圧の差電圧を格納し、
前記発光期間において、前記駆動トランジスタは、前記第１及び第２キャパシタの電圧によって駆動され前記データ電圧と前記リファレンス電圧の差電圧によって決定される電流を前記有機発光素子に供給することを特徴とする、請求項６に記載の有機発光表示装置。
【請求項９】
前記画素は、外部補償駆動によって初期化期間、データアドレッシング期間及び発光期間に駆動され、
前記初期化期間において前記第１及び第２ノードの電圧は、前記リファレンスラインに供給されるリファレンス電圧に初期化され、
前記データアドレッシング期間において、前記第２キャパシタは、前記センシングデータに基づき補正されて前記第１ノードに供給されるデータ電圧と前記リファレンスラインから前記第２ノードに供給されるリファレンス電圧の差電圧を格納し、
前記発光期間において、前記駆動トランジスタは、前記第１及び第２キャパシタの電圧によって駆動され前記データ電圧と前記リファレンス電圧の差電圧によって決定される電流を前記有機発光素子に供給することを特徴とする、請求項６に記載の有機発光表示装置。
【請求項１０】
前記第１及び第４スイッチングトランジスタは、前記データアドレッシング期間にだけターン-オンされ、
前記第２及び第３スイッチングトランジスタは、前記データアドレッシング期間及び発光期間にターン-オフされることを特徴とする、請求項５、請求項８、及び請求項９のいずれか一項に記載の有機発光表示装置。
【請求項１１】
前記データアドレッシング期間において前記第４スイッチングトランジスタは、前記第１スイッチングトランジスタと同時にターン-オフされる、または設定された時間の差だけ前記第１スイッチングトランジスタより先にターン-オフされることを特徴とする、請求項１０に記載の有機発光表示装置。
【請求項１２】
前記第１ゲート電極は、前記半導体層上に形成され、
前記第２ゲート電極は、前記第１ゲート電極と重畳されるように前記半導体層下に形成されることを特徴とする、請求項１〜請求項９のいずれか一項に記載の有機発光表示装置。
【請求項１３】
データラインとゲートライングループ及びリファレンスラインに接続された画素を含み、前記画素は、
有機発光素子と、
前記有機発光素子に流れる電流を制御し、半導体層を介して互いに重畳される第１及び第２ゲート電極を含む駆動トランジスタと、
前記駆動トランジスタの前記第２ゲート電極とソース電極間に接続された第１キャパシタと、
前記第１ゲート電極とソース電極間に接続された第２キャパシタと、
前記ゲートライングループに供給される制御信号によってスイッチングされて前記駆動トランジスタのしきい値電圧を前記第１キャパシタに格納し、前記データラインに供給されるデータ電圧と前記リファレンスラインに供給されるリファレンス電圧の差電圧を前記第２キャパシタに格納した後、前記第１及び第２キャパシタの電圧で前記駆動トランジスタを駆動させ、前記有機発光素子を発光させるスイッチング部と、を含んで構成されることを特徴とする有機発光表示装置。
【請求項１４】
前記スイッチング部は、
前記データラインに供給されるデータ電圧を前記第１ゲート電極に連結された第１ノードに選択的に供給する第１スイッチングトランジスタと、
センシング用電圧を前記第２ゲート電極に選択的に供給する第２スイッチングトランジスタと、
前記ソース電極に連結された第２ノードを前記第１ノードに選択的に接続させる第３スイッチングトランジスタと、
前記リファレンスラインを前記第２ノードに選択的に接続させる第４スイッチングトランジスタと、を含んで構成されることを特徴とする、請求項１３に記載の有機発光表示装置。
【請求項１５】
有機発光素子、前記有機発光素子に流れる電流を制御し、半導体層を介して互いに重畳される第１及び第２ゲート電極を含む駆動トランジスタ、前記駆動トランジスタの第２ゲート電極とソース電極間に接続された第１キャパシタ、及び前記第１ゲート電極とソース電極間に接続された第２キャパシタを含む画素を有する有機発光表示装置の駆動方法であり、
前記駆動トランジスタのしきい値電圧を前記第１キャパシタに格納する段階（Ａ）と、
データラインに供給されるデータ電圧と前記リファレンスラインに供給されるリファレンス電圧の差電圧を前記第２キャパシタに格納する段階（Ｂ）と、
前記第１及び第２キャパシタの電圧で前記駆動トランジスタを駆動させ、前記有機発光素子を発光させる段階（Ｃ）と、を含んで構成されることを特徴とする有機発光表示装置の駆動方法。
【請求項１６】
前記段階（Ａ）は、
前記第２ゲート電極にセンシング用電圧を供給し、前記ソース電極に前記リファレンス電圧を供給して、前記第１キャパシタにセンシング用電圧とリファレンス電圧の差電圧を格納しながら、前記第１ゲート電極とソース電極の各々に前記リファレンス電圧を供給して前記第２キャパシタを初期化する段階と、
前記センシング用電圧によって前記駆動トランジスタをソースフォロワモードで駆動して前記駆動トランジスタのしきい値電圧を前記第１キャパシタに格納する段階と、を含んで構成されることを特徴とする、請求項１５に記載の有機発光表示装置の駆動方法。
【請求項１７】
前記段階（Ｂ）は、
前記第１ゲート電極に前記データ電圧を供給する段階と、
前記ソース電極に前記リファレンス電圧を供給する段階を含み、
前記第１ゲート電極に供給されるデータ電圧と前記ソース電極に供給されるリファレンス電圧は同時に遮断される、または前記リファレンス電圧が前記データ電圧より先に遮断されることを特徴とする、請求項１５に記載の有機発光表示装置の駆動方法。
【請求項１８】
有機発光素子、前記有機発光素子に流れる電流を制御し、半導体層を介して互いに重畳される第１及び第２ゲート電極を含む駆動トランジスタ、前記駆動トランジスタの第２ゲート電極とソース電極間に接続された第１キャパシタ、及び前記第１ゲート電極とソース電極間に接続された第２キャパシタを含む画素を有する有機発光表示装置の駆動方法であり、
リファレンスラインを通じて前記第２ゲート電極とソース電極の各々にリファレンス電圧を供給して前記第２キャパシタを初期化し、前記第１ゲート電極にセンシング用電圧を供給して前記センシング用電圧と前記リファレンス電圧の差電圧を前記第１キャパシタに格納する段階（Ａ）と、
前記センシング用電圧によって前記駆動トランジスタをソースフォロワモードで駆動させながら前記リファレンスラインを通じて前記駆動トランジスタのしきい値電圧をセンシングしてセンシングデータを生成する段階（Ｂ）と、を含んで構成されることを特徴とする有機発光表示装置の駆動方法。
【請求項１９】
前記センシングデータに基づいて画素に供給されるデータを補正して画素データを生成する段階（Ｃ）と、
前記リファレンス電圧を前記ソース電極に供給し、前記画素データをデータ電圧に変換して、前記第１ゲート電極に供給して前記第２キャパシタに格納する段階（Ｄ）と、
第２キャパシタの電圧で前記駆動トランジスタを駆動させ、前記有機発光素子を発光させる段階（Ｅ）と、を更に含んで構成されることを特徴とする、請求項１８に記載の有機発光表示装置の駆動方法。
【請求項２０】
前記段階（Ｄ）において、前記ソース電極に供給されるリファレンス電圧と前記第１ゲート電極に供給されるデータ電圧は同時に遮断される、または前記リファレンス電圧が前記データ電圧より先に遮断されることを特徴とする、請求項１９に記載の有機発光表示装置の駆動方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、平板表示装置に関するものであって、より具体的には、薄膜トランジスタを含む有機発光表示装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
最近、マルチメディアの発達とともに薄型化、軽量化、低消費電力化などの優秀な特性を有する平板表示装置の重要性が増大している。平板表示装置のうち、薄膜トランジスタを含む液晶表示装置及び有機発光表示装置は解像度、カラー表示、画質などで優秀なのでテレビ、ノートパソコン、タブレットコンピュータ、又はデスクトップコンピュータの表示装置に広く商用化されている。特に、有機発光表示装置は、高速の応答速度を有し、消費電力が低く、自己発光であるため視野角に問題がなく、そのため次世代の平板表示装置として注目されている。
【０００３】
図１は、一般的な有機発光表示装置の画素の構造を説明するための回路図である。
【０００４】
図１を参照すると、一般的な有機発光表示装置の画素（Ｐ）は、スイッチングトランジスタ（Ｔｓｗ）、駆動トランジスタ（Ｔｄｒ）、キャパシタ（Ｃｓｔ）、及び有機発光素子（ＯＬＥＤ）を具備する。
【０００５】
前記スイッチングトランジスタ(Ｔｓｗ)は、スキャンライン（ＳＬ）に供給されるスキャンパルス(ＳＰ)によってスイッチングされてデータライン（ＤＬ）に供給されるデータ電圧（Ｖｄａｔａ）を駆動トランジスタ(Ｔｄｒ)に供給する。
【０００６】
前記駆動トランジスタ(Ｔｄｒ)は、スイッチングトランジスタ(Ｔｓｗ)から供給されるデータ電圧(Ｖｄａｔａ)によってスイッチングされて駆動電源ラインから供給される駆動電源(ＥＶｄｄ)から有機発光素子(ＯＬＥＤ)に流れるデータ電流(Ｉｏｌｅｄ)を制御する。
【０００７】
前記キャパシタ(Ｃｓｔ)は、駆動トランジスタ(Ｔｄｒ)のゲート端子とソース端子の間に接続されて駆動トランジスタ(Ｔｄｒ)のゲート端子に供給されるデータ電圧(Ｖｄａｔａ)に対応する電圧を格納し、格納された電圧で駆動トランジスタ(Ｔｄｒ)をターン-オンさせる。
【０００８】
前記有機発光素子(ＯＬＥＤ)は、駆動トランジスタ(Ｔｄｒ)のソース端子とカソードライン(ＥＶｓｓ)の間に電気的に接続されて駆動トランジスタ(Ｔｄｒ)から供給されるデータ電流(Ｉｏｌｅｄ)によって発光する。
【０００９】
このような一般的な有機発光表示装置の各画素（Ｐ）は、データ電圧(Ｖｄａｔａ)による駆動トランジスタ(Ｔｄｒ)のスイッチングを利用して有機発光素子(ＯＬＥＤ)に流れるデータ電流(Ｉｏｌｅｄ)の大きさを制御し、有機発光素子(ＯＬＥＤ)を発光させることによって、所定の映像を表示するようになる。
【００１０】
しかし、一般的な有機発光表示装置においては、薄膜トランジスタ（Ｔｈｉｎ  Ｆｉｌｍ  Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）の製造工程の不均一性によってトランジスタ（Ｔｄｒ、Ｔｓｗ）、特に、駆動トランジスタ(Ｔｄｒ)のしきい値電圧（Ｖｔｈ）が画素別に異なるという問題がある。
【００１１】
従って、一般的な有機発光表示装置においては、各画素に含まれた薄膜トランジスタのしきい値電圧の初期の不均一性、又は経時的なしきい値電圧の変化（ｓｈｉｆｔ）によって薄膜トランジスタ及び表示パネルの信頼性が低下するという問題がある。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１２】
本発明は、前述した問題を解決するために案出されたものであって、駆動トランジスタの駆動特性変化を補償できるようにした有機発光表示装置及びその駆動方法を提供することを技術的課題とする。
【００１３】
また、本発明は、駆動トランジスタのしきい値電圧を補償しながら駆動トランジスタの補償のためのスイッチングトランジスタの信頼性及び寿命を延長させることができるようにした有機発光表示装置及びその駆動方法を提供することを他の技術的課題とする。
【００１４】
そして、本発明は、画素間の駆動トランジスタのしきい値電圧及び/又は移動度偏差を正確に補償して画質を改善できるようにした有機発光表示装置及びその駆動方法を提供することを他の技術的課題とする。
【００１５】
上述した本発明の技術的課題以外にも、本発明の他の特徴及び利点が以下において記述され、そのような記述及び説明から本発明の属する技術分野における通常の知識を有する者に明確に理解されることができるものである。
【課題を解決するための手段】
【００１６】
前述した技術的課題を達成するための本発明に係る有機発光表示装置は、データラインとゲートライングループ及びリファレンスラインに接続された画素を含み、前記画素は、有機発光素子と、前記有機発光素子に流れる電流を制御し、半導体層を介して互いに重畳される第１及び第２ゲート電極を含む駆動トランジスタと、前記データラインに供給されるデータ電圧を前記第１ゲート電極に連結された第１ノードに選択的に供給する第１スイッチングトランジスタと、センシング用電圧を前記第２ゲート電極に選択的に供給する第２スイッチングトランジスタと、前記駆動トランジスタのソース電極に連結された第２ノードを前記第１ノードに選択的に接続させる第３スイッチングトランジスタと、前記リファレンスラインを前記第２ノードに選択的に接続させる第４スイッチングトランジスタと、前記第２ゲート電極と前記第２ノード間に接続されて前記駆動トランジスタのしきい値電圧を格納する第１キャパシタと、前記第１及び第２ノード間に接続されて前記第１及び第２ノードの差電圧を格納する第２キャパシタを含んで構成されることができる。
【００１７】
前述した技術的課題を達成するための本発明に係る有機発光表示装置は、データラインとゲートライングループ及びリファレンスラインに接続された画素を含み、前記画素は、有機発光素子と、前記有機発光素子に流れる電流を制御し、半導体層を介して互いに重畳される第１及び第２ゲート電極を含む駆動トランジスタと、前記駆動トランジスタの前記第２ゲート電極とソース電極間に接続された第１キャパシタと、前記第１ゲート電極とソース電極間に接続された第２キャパシタと、前記ゲートライングループに供給される制御信号によってスイッチングされて前記駆動トランジスタのしきい値電圧を前記第１キャパシタに格納し、前記データラインに供給されるデータ電圧と前記リファレンスラインに供給されるリファレンス電圧の差電圧を前記第２キャパシタに格納した後、前記第１及び第２キャパシタの電圧で前記駆動トランジスタを駆動させ、前記有機発光素子を発光させるスイッチング部を含んで構成されることができる。
【００１８】
前記スイッチング部は、前記データラインに供給されるデータ電圧を前記第１ゲート電極に連結された第１ノードに選択的に供給する第１スイッチングトランジスタと、センシング用電圧を前記第２ゲート電極に選択的に供給する第２スイッチングトランジスタと、前記ソース電極に連結された第２ノードを前記第１ノードに選択的に接続させる第３スイッチングトランジスタと、前記リファレンスラインを前記第２ノードに選択的に接続させる第４スイッチングトランジスタを含んで構成されることができる。
【００１９】
前述した技術的課題を達成するための本発明に係る有機発光表示装置の駆動方法は、有機発光素子、前記有機発光素子に流れる電流を制御し、半導体層を介して互いに重畳される第１及び第２ゲート電極を含む駆動トランジスタ、前記駆動トランジスタの第２ゲート電極とソース電極間に接続された第１キャパシタ、及び前記第１ゲート電極とソース電極間に接続された第２キャパシタを含む画素を有する有機発光表示装置の駆動方法であり、前記駆動トランジスタのしきい値電圧を前記第１キャパシタに格納する段階（Ａ）と、前記データラインに供給されるデータ電圧と前記リファレンスラインに供給されるリファレンス電圧の差電圧を前記第２キャパシタに格納する段階（Ｂ）と、前記第１及び第２キャパシタの電圧で前記駆動トランジスタを駆動させ、前記有機発光素子を発光させる段階（Ｃ）を含んで構成されることができる。
【００２０】
前記段階（Ａ）は、前記第２ゲート電極にセンシング用電圧を供給し、前記ソース電極に前記リファレンス電圧を供給して、前記第１キャパシタにセンシング用電圧とリファレンス電圧の差電圧を格納しながら、前記第１ゲート電極とソース電極の各々に前記リファレンス電圧を供給して前記第２キャパシタを初期化する段階と、前記センシング用電圧によって前記駆動トランジスタをソースフォロワモードで駆動して前記駆動トランジスタのしきい値電圧を前記第１キャパシタに格納する段階を含んで構成されることができる。
【００２１】
前記段階（Ｂ）は、前記第１ゲート電極に前記データ電圧を供給する段階と、前記ソース電極に前記リファレンス電圧を供給する段階を含み、前記第１ゲート電極に供給されるデータ電圧と前記ソース電極に供給されるリファレンス電圧は同時に遮断される、または前記リファレンス電圧が前記データ電圧より先に遮断されることができる。
【００２２】
前述した技術的課題を達成するための本発明に係る有機発光表示装置の駆動方法は、有機発光素子、前記有機発光素子に流れる電流を制御し、半導体層を介して互いに重畳される第１及び第２ゲート電極を含む駆動トランジスタ、前記駆動トランジスタの第２ゲート電極とソース電極間に接続された第１キャパシタ、及び前記第１ゲート電極とソース電極間に接続された第２キャパシタを含む画素を有する有機発光表示装置の駆動方法であり、リファレンスラインを通じて前記第２ゲート電極とソース電極の各々にリファレンス電圧を供給して前記第２キャパシタを初期化し、前記第１ゲート電極にセンシング用電圧を供給して前記センシング用電圧と前記リファレンス電圧の差電圧を前記第１キャパシタに格納する段階（Ａ）と、前記センシング用電圧によって前記駆動トランジスタをソースフォロワモードで駆動しながら前記リファレンスラインを通じて前記駆動トランジスタのしきい値電圧をセンシングしてセンシングデータを生成する段階（Ｂ）を含んで構成されることができる。
【００２３】
前記有機発光表示装置の駆動方法は、前記センシングデータに基づいて画素に供給されるデータを補正して画素データを生成する段階（Ｃ）と、前記リファレンス電圧を前記ソース電極に供給し、前記画素データをデータ電圧に変換して、前記第１ゲート電極に供給して前記第２キャパシタに格納する段階（Ｄ）と、第２キャパシタの電圧で前記駆動トランジスタを駆動させ、前記有機発光素子を発光させる段階（Ｅ）を更に含んで構成されることができる。この時、前記段階（Ｄ）において、前記ソース電極に供給されるリファレンス電圧と前記第１ゲート電極に供給されるデータ電圧は同時に遮断される、または前記リファレンス電圧が前記データ電圧より先に遮断されることができる。
【発明の効果】
【００２４】
本発明によれば、駆動トランジスタのしきい値電圧をセンシングしてキャパシタに格納し、キャパシタに格納された駆動トランジスタのしきい値電圧を持続的に維持しながら有機発光素子を発光させることで、駆動トランジスタのしきい値電圧を補償しながら駆動トランジスタの補償のためのスイッチングトランジスタの劣化を減らし信頼性及び寿命を延長させることができるという効果がある。
【００２５】
また、本発明によれば、駆動トランジスタのしきい値電圧を外部でセンシングしてデータ補正を通じて駆動トランジスタのしきい値電圧を外部補償方式で補償することができ、これを通じて画素間の駆動トランジスタのしきい値電圧偏差を正確に補償して画質を改善できるという効果がある。
【００２６】
また、本発明によれば、画素に含まれた駆動トランジスタの駆動特性変化を内部補償方式と外部補償方式に選択して補償することができるという効果がある。
【図面の簡単な説明】
【００２７】
【図１】一般的な有機発光表示装置の画素の構造を説明するための回路図である。
【図２】本発明の実施例による有機発光表示装置において、本発明の第１実施例による画素の構造を示す図面である。
【図３】図２に図示された駆動トランジスタの構造を説明するための図面である。
【図４ａ−４ｃ】本発明の実施例による有機発光表示装置の内部補償モードにおいて、画素のしきい値電圧センシング駆動を説明するための図面である。
【図５ａ−５ｃ】本発明の実施例による有機発光表示装置の内部補償モードにおいて、画素の内部補償駆動を説明するための図面である。
【図６ａ−６ｂ】本発明の実施例による有機発光表示装置の外部補償モードにおいて、画素の外部センシング駆動を説明するための図面である。
【図７】本発明の第２実施例による画素の構造を示す図面である。
【図８】本発明の第３実施例による画素の構造を示す図面である。
【図９】本発明の実施例による有機発光表示装置を説明するための図面である。
【図１０】本発明の実施例による有機発光表示装置の駆動を概念的に説明するための図面である。
【図１１】図９に図示されたカラム（ｃｏｌｕｍｎ）駆動部を説明するための図面である。
【発明を実施するための形態】
【００２８】
本明細書において記述される用語の意味は、次の通り理解されるべきである。
【００２９】
単数の表現は、文脈上明らかに他の意味として定義しない限り、複数の表現を含むものと理解しなければならず、「第１」、「第２」などの用語は、一つの構成要素を他の構成要素から区別するためのもので、これらの用語によって権利範囲が限定されてはならない。
【００３０】
「含む」または「有する」などの用語は、一つまたはそれ以上の他の特徴や数字、段階、動作、構成要素、部品、又はこれらを組み合わせたものの存在または付加可能性をあらかじめ排除しないものとして理解されなければならない。
【００３１】
「少なくとも一つ」という用語は、一つ以上の関連項目から提示可能な全ての組み合わせを含むものとして理解されなければならない。例えば、「第１項目、第２項目、及び第３項目のうち少なくとも一つ」という意味は、第１項目、第２項目、または第３項目それぞれだけでなく第１項目、第２項目、及び第３項目のうち二つ以上から提示されることができる全ての項目の組み合わせを意味する。
【００３２】
「上に」という用語は、ある構成が他の構成のすぐ上面に形成される場合だけでなく、これらの構成の間に第３の構成が介在される場合まで含むことを意味する。
【００３３】
以下では、本発明による有機発光表示装置及びその駆動方法の好ましい実施例を添付した図面を参照して詳細に説明する。
【００３４】
図２は、本発明の実施例による有機発光表示装置において、本発明の第１実施例による画素の構造を示す図面である。
【００３５】
図２を参照すると、本発明の第１実施例による画素（Ｐ）は、データライン(ＤＬ)、ゲートライングループ（ＧＬＧ）、リファレンスライン（ＲＬ）、第１駆動電源ライン（ＰＬ１）、及び第２駆動電源ライン（ＰＬ２）に接続される。
【００３６】
前記データライン(ＤＬ)は、表示パネル（未図示）の第１方向、例えば、縦方向に沿って形成される。このような前記データライン(ＤＬ)には、データ駆動部（未図示）からデータ電圧(Ｖｄａｔａ)が供給される。
【００３７】
前記ゲートライングループ（ＧＬＧ）は、前記データライン(ＤＬ)と交差するように表示パネルの第２方向、例えば、横方向に沿って形成される。前記ゲートライングループ（ＧＬＧ）は、スキャン制御ライン（Ｌｓｃａｎ）、センシング制御ライン（Ｌｓｅｎｓｅ）、及びリセット制御ライン（Ｌｒｅｓｅｔ）を含んで構成される。
【００３８】
前記リファレンスライン（ＲＬ）は、前記データライン(ＤＬ)と並ぶように形成される。このようなリファレンスライン（ＲＬ）は、一定の直流レベルのリファレンス電圧（Ｖｒｅｆ）が供給されるリファレンス電源ラインに選択的に連結されていたり、後述されるセンシング部にされたりフローティング状態にされることができる。
【００３９】
前記第１駆動電源ライン（ＰＬ１）は、前記データライン(ＤＬ)と並ぶように形成され、外部から高電位電圧（ＥＶｄｄ）が供給される。
【００４０】
前記第２駆動電源ライン（ＰＬ２）は、前記有機発光素子に接続されるように丸ごと形成されたりライン形態に形成され、外部から低電位電圧（ＥＶｓｓ）が供給される。
【００４１】
前記画素（Ｐ）は、赤色画素、緑色画素、青色画素、または白色画素などであることができる。このような前記画素（Ｐ）は、有機発光素子（ＯＬＥＤ）、駆動トランジスタ（Ｔｄｒ）、第１〜第４スイッチングトランジスタ（Ｔｓｗ１、Ｔｓｗ２、Ｔｓｗ３、Ｔｓｗ４）、第１及び第２キャパシタ（Ｃ１、Ｃ２）を含んで構成される。ここで、前記トランジスタ（Ｔｓｗ１、Ｔｓｗ２、Ｔｓｗ３、Ｔｓｗ４、Ｔｄｒ）各々は、Ｎ型薄膜トランジスタ（Ｔｈｉｎ  Ｆｉｌｍ  Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ；ＴＦＴ）であって、ａ−Ｓｉ  ＴＦＴ、ｐｏｌｙ−Ｓｉ  ＴＦＴ、Ｏｘｉｄｅ  ＴＦＴ、又はＯｒｇａｎｉｃ  ＴＦＴなどであることができる。
【００４２】
前記有機発光素子（ＯＬＥＤ）は、高電位電圧（ＥＶｄｄ）が供給される第１駆動電源ライン（ＰＬ１）と低電位電圧（ＥＶｓｓ）が供給される第２駆動電源ライン（ＰＬ２）の間に接続される。このような前記有機発光素子（ＯＬＥＤ）は、前記駆動トランジスタ（Ｔｄｒ）のソース電極である第２ノード（ｎ２）に連結されたアノード電極、アノード電極上に形成された有機層（未図示）、及び有機層に連結されたカソード電極を含む。この時、有機層は、正孔輸送層/有機発光層/電子輸送層の構造または正孔注入層/正孔輸送層/有機発光層/電子輸送層/電子注入層の構造を有するように形成されることができる。さらに、前記有機層は、有機発光層の発光効率及び/又は寿命などを向上させるための機能層を更に含んで形成されることができる。そして、前記カソード電極は、ゲートライングループ（ＧＬＧ）、又はデータライン(ＤＬ)の長さ方向に沿って画素行、または画素列別に形成されたり、全ての画素（Ｐ）に共通的に連結されるように形成された第２駆動電源ライン（ＰＬ２）に連結される。このような、前記有機発光素子（ＯＬＥＤ）は、前記駆動トランジスタ（Ｔｄｒ）の駆動によって第１駆動電源ライン（ＰＬ１）から第２駆動電源ライン（ＰＬ２）に流れる電流によって発光する。
【００４３】
前記駆動トランジスタ（Ｔｄｒ）は、前記第１駆動電源ライン（ＰＬ１）と前記有機発光素子（ＯＬＥＤ）のアノード電極の間に接続され、ゲート-ソース間の電圧によって前記有機発光素子（ＯＬＥＤ）に流れる電流量を制御する。このために、前記駆動トランジスタ（Ｔｄｒ）は、図３に示されたように、第１ゲート電極（ｇ１＿Ｔｄｒ）、ゲート絶縁層１２、半導体層１４、ソース電極（ｓ＿Ｔｄｒ）、ドレイン電極（ｄ＿Ｔｄｒ）、保護層１６、及び第２ゲート電極（ｇ２＿Ｔｄｒ）を含んで構成される。
【００４４】
前記第１ゲート電極（ｇ１＿Ｔｄｒ）は、表示パネルのトランジスタアレイ基板１０に形成される。
【００４５】
前記ゲート絶縁層１２は、前記第１ゲート電極（ｇ１＿Ｔｄｒ）を覆うようにトランジスタアレイ基板１０上に形成される。前記半導体層１４は、前記第１ゲート電極（ｇ１＿Ｔｄｒ）に重畳されるように前記ゲート絶縁層１２上に形成される。このような前記半導体層１４は、非晶質シリコン（ａ−Ｓｉ）、多結晶シリコン（ｐｏｌｙ−Ｓｉ）、酸化物（Ｏｘｉｄｅ）、または有機物（Ｏｒｇａｎｉｃ）で構成されることができる。ここで、酸化物半導体層は、Ｚｉｎｃ  Ｏｘｉｄｅ，Ｔｉｎ  Ｏｘｉｄｅ，Ｇａ−Ｉｎ−Ｚｎ  Ｏｘｉｄｅ，Ｉｎ−Ｚｎ  Ｏｘｉｄｅ，またはＩｎ−Ｓｎ  Ｏｘｉｄｅなどの酸化物で構成されたり、前記酸化物にＡｌ，Ｎｉ，Ｃｕ，Ｔａ，Ｍｏ，Ｚｒ，Ｖ，ＨｆまたはＴｉ物質のイオンがドーピングされた酸化物で構成されることができる。
【００４６】
前記ソース電極（ｓ＿Ｔｄｒ）は、前記第１ゲート電極（ｇ１＿Ｔｄｒ）に重畳される半導体層１４の一側領域に形成される。前記ドレイン電極（ｄ＿Ｔｄｒ）は、前記ソース電極（ｓ＿Ｔｄｒ）と離隔されながら前記第１ゲート電極（ｇ１＿Ｔｄｒ）に重畳される半導体層１４の他側領域に形成される。
【００４７】
前記保護層１６は、前記半導体層１４と前記ソース及びドレイン電極（ｓ＿Ｔｄｒ、ｄ＿Ｔｄｒ）を覆うようにトランジスタアレイ基板１０上に形成される。
【００４８】
前記第２ゲート電極（ｇ２＿Ｔｄｒ）は、前記半導体層１４を介して、前記第１ゲート電極（ｇ１＿Ｔｄｒ）と一部または全部重畳されるように保護層１６に形成される。
【００４９】
このような、前記駆動トランジスタ（Ｔｄｒ）のしきい値電圧は、半導体層１４を介して互いに重畳される第１ゲート電極（ｇ１＿Ｔｄｒ）と第２ゲート電極（ｇ２＿Ｔｄｒ）に印加される電圧によって変化（ｓｈｉｆｔ）するようになる。具体的に、前記第２ゲート電極（ｇ２＿Ｔｄｒ）を含む駆動トランジスタ（Ｔｄｒ）は、第２ゲート電極（ｇ２＿Ｔｄｒ）に高い電圧が印加されるほどゲート-ソース電圧（Ｖｇｓ）が低くなる特性があり、前記駆動トランジスタ（Ｔｄｒ）のしきい値電圧（Ｖｔｈ）は、前記第２ゲート電圧が高い電圧レベルを有するほど低くなる特性がある。これによって前記駆動トランジスタ（Ｔｄｒ）のしきい値電圧（Ｖｔｈ）は、前記第２ゲート電極（ｇ２＿Ｔｄｒ）に供給される電圧に負（ｎｅｇａｔｉｖｅ）の相関関係を有するように変化される。
【００５０】
再び図２及び図３を参照すると、前記第１スイッチングトランジスタ（Ｔｓｗ１）は、前記スキャン制御ライン(Ｌｓｃａｎ)に供給されるスキャン制御信号（ＣＳ１）によってターン-オンされてデータライン(ＤＬ)に供給されるデータ電圧（Ｖｄａｔａ）を前記駆動トランジスタ（Ｔｄｒ）の第１ゲート電極（ｇ１＿Ｔｄｒ）に連結されている第１ノード（ｎ１）に供給する。このために、前記第１スイッチングトランジスタ（Ｔｓｗ１）は、スキャン制御ライン(Ｌｓｃａｎ)に連結されたゲート電極、データライン(ＤＬ)に連結された第１電極、及び前記第１ノード（ｎ１）に連結された第２電極を含む。ここで、前記第１スイッチングトランジスタ（Ｔｓｗ１）の第１及び第２電極は、電流の方向によってソース電極またはドレイン電極であることができる。
【００５１】
前記第２スイッチングトランジスタ（Ｔｓｗ２）は、前記センシング制御ライン（Ｌｓｅｎｓｅ）に供給されるセンシング制御信号（ＣＳ２）によってターン-オンされて前記データライン(ＤＬ)に供給されるセンシング用電圧（Ｖｄａｔａ＿ｓｅｎ）を前記駆動トランジスタ（Ｔｄｒ）の第２ゲート電極（ｇ２＿Ｔｄｒ）に供給する。このために、前記第２スイッチングトランジスタ（Ｔｓｗ２）は、前記センシング制御ライン（Ｌｓｅｎｓｅ）に連結されたゲート電極、前記データライン(ＤＬ)に連結された第１電極、及び前記駆動トランジスタ（Ｔｄｒ）の第２ゲート電極（ｇ２＿Ｔｄｒ）に連結された第２電極を含む。ここで、前記第２スイッチングトランジスタ（Ｔｓｗ２）の第１及び第２電極は、電流の方向によってソース電極またはドレイン電極であることができる。
【００５２】
前記第３スイッチングトランジスタ（Ｔｓｗ３）は、前記センシング制御ライン（Ｌｓｅｎｓｅ）に供給されるセンシング制御信号（ＣＳ２）によってターン-オンされて前記駆動トランジスタ（Ｔｄｒ）のソース電極（ｓ＿Ｔｄｒ）に連結されている第２ノード（ｎ２）を前記第１ノード（ｎ１）に接続（ｓｈｏｒｔ）させる。即ち、前記第３スイッチングトランジスタ（Ｔｓｗ３）は、前記駆動トランジスタ（Ｔｄｒ）の第１ゲート電極（ｇ１＿Ｔｄｒ）とソース電極（ｓ＿Ｔｄｒ）を選択的に接続（ｓｈｏｒｔ）させる。このために、前記第３スイッチングトランジスタ（Ｔｓｗ３）は、前記センシング制御ライン（Ｌｓｅｎｓｅ）に連結されたゲート電極、前記第１ノード（ｎ１）に連結された第１電極、及び前記第２ノード（ｎ２）に連結された第２電極を含む。ここで、前記第３スイッチングトランジスタ（Ｔｓｗ３）の第１及び第２電極は、電流の方向によってソース電極またはドレイン電極であることができる。
【００５３】
前記第４スイッチングトランジスタ（Ｔｓｗ４）は、前記リセット制御ライン（Ｌｒｅｓｅｔ）に供給されるリセット制御信号（ＣＳ３）によってターン-オンされてリファレンスライン（ＲＬ）を前記第２ノード（ｎ２）に接続させる。このために、前記第４スイッチングトランジスタ（Ｔｓｗ４）は、前記リセット制御ライン（Ｌｒｅｓｅｔ）に連結されたゲート電極、前記リファレンスライン（ＲＬ）に連結された第１電極、及び前記第２ノード（ｎ２）に連結された第２電極を含む。ここで、前記第４スイッチングトランジスタ（Ｔｓｗ４）の第１及び第２電極は、電流の方向によってソース電極またはドレイン電極であることができる。
【００５４】
前記第１キャパシタ（Ｃ１）は、前記駆動トランジスタ（Ｔｄｒ）の第２ゲート電極（ｇ２＿Ｔｄｒ）と前記第２ノード（ｎ２）間に接続されて第２スイッチングトランジスタ（Ｔｓｗ２）のスイッチングによって前記駆動トランジスタ（Ｔｄｒ）のゲート-ソース電圧、即ち、しきい値電圧（Ｖｔｈ）を格納する。このために、前記第１キャパシタ（Ｃ１）の第１電極は、前記駆動トランジスタ（Ｔｄｒ）の第２ゲート電極（ｇ２＿Ｔｄｒ）に連結され、前記第１キャパシタ（Ｃ１）の第２電極は、前記第２ノード（ｎ２）に連結される。
【００５５】
前記第２キャパシタ（Ｃ２）は、前記第１ノード（ｎ１）と前記第２ノード（ｎ２）間に接続され、前記第１〜第３スイッチングトランジスタ（Ｔｓｗ１、Ｔｓｗ２、Ｔｓｗ３）のスイッチングによって前記データライン(ＤＬ)に供給されるデータ電圧（Ｖｄａｔａ）を格納し、格納された電圧で駆動トランジスタ（Ｔｄｒ）を駆動させる。このために、前記第２キャパシタ（Ｃ２）の第１電極は前記第１ノード（ｎ１）に連結され、前記第２キャパシタ（Ｃ２）の第２電極は前記第２ノード（ｎ２）に連結される。
【００５６】
前述した前記第１〜第４スイッチングトランジスタ（Ｔｓｗ１、Ｔｓｗ２、Ｔｓｗ３、Ｔｓｗ４）は、前記表示用データ電圧（Ｖｄａｔａ）とリファレンス電圧（Ｖｒｅｆ）の差電圧（Ｖｄａｔａ-Ｖｒｅｆ）によって決定される電流で有機発光素子（ＯＬＥＤ）を発光させるスイッチング部を構成する。即ち、前記スイッチング部は、ゲートライングループ（ＧＬＧ）に供給される制御信号（ＣＳ１、ＣＳ２、ＣＳ３）によってスイッチングされて前記駆動トランジスタ（Ｔｄｒ）のしきい値電圧を前記第１キャパシタ（Ｃ１）に格納し、表示用データ電圧（Ｖｄａｔａ）とリファレンス電圧（Ｖｒｅｆ）の差電圧（Ｖｄａｔａ-Ｖｒｅｆ）を格納した後、前記第１及び第２キャパシタ（Ｃ１、Ｃ２）各々に格納された電圧を利用して表示用データ電圧（Ｖｄａｔａ）とリファレンス電圧（Ｖｒｅｆ）の差電圧（Ｖｄａｔａ-Ｖｒｅｆ）によって決定される電流で有機発光素子（ＯＬＥＤ）を発光させる。したがって、本発明の第１実施例による画素（Ｐ）は、駆動トランジスタ（Ｔｄｒ）のしきい値電圧変化を自動的に補償することができる。
【００５７】
このような、本発明の第１実施例による画素（Ｐ）は、内部補償モードまたは外部補償モードで駆動されることができる。
【００５８】
前記内部補償モードは、第１乃至第４スイッチングトランジスタ（Ｔｓｗ１、Ｔｓｗ２、Ｔｓｗ３、Ｔｓｗ４）のスイッチングによって駆動トランジスタ（Ｔｄｒ）のしきい値電圧（Ｖｔｈ）とモビリティを自動的に補償する駆動方式であり、駆動トランジスタ（Ｔｄｒ）のしきい値電圧（Ｖｔｈ）をセンシングしてしきい値電圧センシング駆動、及び内部補償駆動で行われることができる。ここで、前記しきい値電圧センシング駆動は、垂直ブランク区間ごとに少なくとも一つの水平ラインに対して行われることができるが、これに限定されない。ここで、前記垂直ブランク区間は、垂直同期信号のブランク区間、または以前フレームの最後のデータイネーブル信号と現在フレームの最初のデータイネーブル信号の間の区間で前記垂直同期信号のブランク区間に重畳されるように設定されることができる。
【００５９】
前記外部補償モードは、前記リファレンスライン（ＲＬ）を通じて画素の駆動トランジスタ（Ｔｄｒ）のしきい値電圧（Ｖｔｈ）をセンシングして補償する駆動方式であり、前記リファレンスライン（ＲＬ）を通じて前記駆動トランジスタ（Ｔｄｒ）のしきい値電圧をセンシングしてセンシングデータを生成する外部センシング駆動、及び外部センシング駆動によりセンシングされたセンシングデータによって入力データを補償して前記駆動トランジスタ（Ｔｄｒ）のしきい値電圧を補償する外部補償駆動から構成されることができる。ここで、前記外部センシング駆動は、ユーザーの設定、設定された周期（または時間）ごと、垂直ブランク区間ごとに少なくとも一つの水平ラインずつセンシングする方式で複数のフレームの間に行われたり、有機発光表示装置の電源オン区間、有機発光表示装置の電源オフ区間、設定された駆動時間以後の電源オン区間、または設定された駆動時間以後の電源オフ区間ごとに少なくとも一つのフレーム内で全ての水平ラインに対して順次的に行われることができる。
【００６０】
図４ａ〜図４ｃは、本発明の実施例による有機発光表示装置の内部補償モードにおいて、画素のしきい値電圧センシング駆動を説明するための図面である。
【００６１】
図４ａ〜図４ｃを参照して、本発明の第１実施例による画素のしきい値電圧センシング駆動を説明すると次の通りである。本発明の第１実施例による画素（Ｐ）は、前記しきい値電圧センシング駆動によって初期化期間（ｔ１）、及び内部センシング期間（ｔ２）に駆動されることができる。
【００６２】
先ず、図４ａに示されたように、前記初期化期間（ｔ１）においては、第１スイッチングトランジスタ（Ｔｓｗ１）がゲートオフ電圧（Ｖｏｆｆ）のスキャン制御信号（ＣＳ１）によってターン-オフされ、第２及び第３スイッチングトランジスタ（Ｔｓｗ２、Ｔｓｗ３）がゲートオン電圧（Ｖｏｎ）のセンシング制御信号（ＣＳ２）によってターン-オンされ、第４スイッチングトランジスタ（Ｔｓｗ４）がゲートオン電圧（Ｖｏｎ）のリセット制御信号（ＣＳ３）によってターン-オンされる。この時、前記データライン（ＤＬ）にはセンシング用電圧（Ｖｓｅｎ）が供給され、前記リファレンスライン（ＲＬ）にはリファレンス電圧（Ｖｒｅｆ）が供給される。ここで、センシング用電圧（Ｖｓｅｎ）は、前記駆動トランジスタ（Ｔｄｒ）をソースフォロワモードで駆動させるためのバイアス電圧レベルを有し、前記リファレンス電圧（Ｖｒｅｆ）は、０Ｖ〜１Ｖ範囲の電圧レベルを有することができる。
【００６３】
これによって前記初期化期間（ｔ１）において、前記第１及び第２ノード（ｎ１）には前記リファレンス電圧（Ｖｒｅｆ）が供給されるので、前記第２キャパシタ（Ｃ２）の電圧は、前記リファレンス電圧（Ｖｒｅｆ）に初期化される。そして、前記駆動トランジスタ（Ｔｄｒ）の第２ゲート電極（ｇ２＿Ｔｄｒ）にはセンシング用電圧（Ｖｓｅｎ）が供給されるので、前記第１キャパシタ（Ｃ１）はセンシング用電圧（Ｖｓｅｎ）とリファレンス電圧（Ｖｒｅｆ）の差電圧（ Ｖｓｅｎ-Ｖｒｅｆ）に初期化される。この時、前記有機発光素子（ＯＬＥＤ）は、第４スイッチングトランジスタ（Ｔｓｗ４）を通じて第２ノード（ｎ２）に供給されるリファレンス電圧（Ｖｒｅｆ）によって発光しない。
【００６４】
続いて、図４ｂに示されたように、前記内部センシング期間（ｔ２）においては、第１スイッチングトランジスタ（Ｔｓｗ１）がターン-オフ状態を維持し、第２及び第３スイッチングトランジスタ（Ｔｓｗ２、Ｔｓｗ３）がターン-オン状態を維持して、第４スイッチングトランジスタ（Ｔｓｗ４）がゲートオフ電圧（Ｖｏｆｆ）のリセット制御信号（ＣＳ３）によってターン-オフされる。この時、前記データライン（ＤＬ）にはセンシング用電圧（Ｖｓｅｎ）が持続的に供給される。
【００６５】
これによって前記内部センシング期間（ｔ２）において、第４スイッチングトランジスタ（Ｔｓｗ４）がターン-オフされるによって前記駆動トランジスタ（Ｔｄｒ）は、図４ｃに示されたように、前記第２ゲート電極（ｇ２＿Ｔｄｒ）に供給されるセンシング用電圧（Ｖｓｅｎ）によってソースフォロワモードで駆動されて駆動トランジスタ（Ｔｄｒ）のしきい値電圧（Ｖｔｈ）に対応される電圧が、第１キャパシタ（Ｃ１）に格納されるようになる。即ち、第４スイッチングトランジスタ（Ｔｓｗ４）がターン-オフされると、前記駆動トランジスタ（Ｔｄｒ）に電流が流れ、この電流によって前記駆動トランジスタ（Ｔｄｒ）のソース電圧（Ｖｓ＿Ｔｄｒ）である第２ノード（ｎ２）の電圧が、前記駆動トランジスタ（Ｔｄｒ）の第２ゲート電極（ｇ２＿Ｔｄｒ）に供給されるセンシング用電圧（Ｖｓｅｎ）の電圧レベルに向かって上昇するようになり、第２ノード（ｎ２）の電圧は、前記駆動トランジスタ（Ｔｄｒ）のしきい値電圧（Ｖｔｈ）だけの電荷が前記第１キャパシタ（Ｃ１）に充電される時まで上昇するようになる。
【００６６】
前記内部センシング期間（ｔ２）において、前記第１キャパシタ（Ｃ１）に格納された前記駆動トランジスタ（Ｔｄｒ）のしきい値電圧（Ｖｔｈ）は、次のしきい値電圧センシング駆動の初期化期間（ｔ１）によって初期化される前まで維持されるようになる。
【００６７】
図５ａ〜図５ｃは、本発明の実施例による有機発光表示装置の内部補償モードにおいて、画素の内部補償駆動を説明するための図面である。
【００６８】
図５ａ〜図５ｃを参照して、本発明の第１実施例による画素の内部補償駆動を説明すると次の通りである。本発明の第１実施例による画素（Ｐ）は、前記内部補償駆動によってデータアドレッシング期間（ＡＰ）、及び発光期間（ＥＰ）に駆動されることができる。
【００６９】
先ず、図５ａに示されたように、前記データアドレッシング期間（ＡＰ）においては、第２及び第３スイッチングトランジスタ（Ｔｓｗ２、Ｔｓｗ３）がゲートオフ電圧（Ｖｏｆｆ）のセンシング制御信号（ＣＳ２）によってターン-オフ状態を維持し、第４スイッチングトランジスタ（Ｔｓｗ４）がゲートオン電圧（Ｖｏｎ）のリセット制御信号（ＣＳ３）によってターン-オンされ、第１スイッチングトランジスタ（Ｔｓｗ１）がゲートオン電圧（Ｖｏｎ）のスキャン制御信号（ＣＳ１）によってターン-オンされる。この時、前記データアドレッシング期間（ＡＰ）に前記有機発光素子（ＯＬＥＤ）が発光することを防止するために、前記第１スイッチングトランジスタ（Ｔｓｗ１）は第４スイッチングトランジスタ（Ｔｓｗ４）がターン-オンされた後、一定時間以後にターン-オンされる。そして、前記データライン(ＤＬ)には表示用データ電圧（Ｖｄａｔａ）が供給され、前記リファレンスライン（ＲＬ）にはリファレンス電圧（Ｖｒｅｆ）が供給されて、リファレンス電圧（Ｖｒｅｆ）は、各画素（Ｐ）の有機発光素子（ＯＬＥＤ）が正常に動作して発光できるようにする基準電圧レベルを有する。
【００７０】
これによって前記データアドレッシング期間（ＡＰ）において、前記第１ノード（ｎ１）には前記表示用データ電圧（Ｖｄａｔａ）が供給され、前記第２ノード（ｎ２）には前記リファレンス電圧（Ｖｒｅｆ）が供給されるので、前記第２キャパシタ（Ｃ２）には、前記表示用データ電圧（Ｖｄａｔａ）とリファレンス電圧（Ｖｒｅｆ）の差電圧（Ｖｄａｔａ-Ｖｒｅｆ）が格納される。この時、第４スイッチングトランジスタ（Ｔｓｗ４）がターン-オンされるによって、前記第２ノード（ｎ２）の電圧が前記リファレンス電圧（Ｖｒｅｆ）に変動され、これによって前記駆動トランジスタ（Ｔｄｒ）の第２ゲート電極（ｇ２＿Ｔｄｒ）の電圧も第２ノード（ｎ２）の電圧変化量だけ変動されるので前記第１キャパシタ（Ｃ１）に格納された電圧は、変化されず維持されるようになる。
【００７１】
続いて、図５ｂに示されたように、前記発光期間（ＥＰ）においては、第２及び第３スイッチングトランジスタ（Ｔｓｗ２、Ｔｓｗ３）がターン-オフ状態を維持して、第１及び第４スイッチングトランジスタ（Ｔｓｗ１、Ｔｓｗ４）が該当するゲートオフ電圧（Ｖｏｆｆ）の制御信号（ＣＳ１、ＣＳ３）によって同時にターン-オフされる。
【００７２】
これによって前記発光期間（ＥＰ）において、第１及び第４スイッチングトランジスタ（Ｔｓｗ１、Ｔｓｗ４）がターン-オフされるによって、第１キャパシタ（Ｃ１）に格納された電圧（Ｖｔｈ）と第２キャパシタ（Ｃ２）に格納された電圧（Ｖｄａｔａ-Ｖｒｅｆ）によって駆動トランジスタ（Ｔｄｒ）が駆動されながら第１駆動電源ライン（ＰＬ１）から第２駆動電源ライン（ＰＬ２）に電流が流れ、この電流に比例して有機発光素子（ＯＬＥＤ）が発光するようになる。そして、前記有機発光素子（ＯＬＥＤ）が発光するによって流れる電流により第２ノード（ｎ２）の電圧が上昇するようになり、第２ノード（ｎ２）の電圧上昇だけ前記第１ノード（ｎ１）の電圧が上昇することで前記第２キャパシタ（Ｃ２）の電圧によって駆動トランジスタ（Ｔｄｒ）のゲート-ソース電圧（Ｖｇｓ）が持続的に維持され、次のフレームのデータアドレッシング期間（ＡＰ）前まで有機発光素子（ＯＬＥＤ）が持続的に発光するようになる。
【００７３】
このような前記発光期間（ＥＰ）においては、第１及び第２キャパシタ（Ｃ１、Ｃ２）に格納された電圧（Ｖｄａｔａ-Ｖｒｅｆ、Ｖｔｈ）によって前記駆動トランジスタ（Ｔｄｒ）が駆動されることにより有機発光素子（ＯＬＥＤ）は、下記の数式１のように、データ電圧（Ｖｄａｔａ）と基準電圧（Ｖｒｅｆ）の差電圧（Ｖｄａｔａ-Ｖｒｅｆ）によって決定される駆動トランジスタ（Ｔｄｒ）の電流（Ｉｄｓ＿Ｔｄｒ）によって発光するようになる。
【００７４】
【数１】
2015129934.tif 000003
【００７５】
前記数学式１において、Ｋは、正孔または電子のモビリティ（ｍｏｂｉｌｉｔｙ）を意味し、Ｃｏｘは、絶縁膜のキャパシタンスを意味し、Ｗ/Ｌは、駆動トランジスタ（Ｔｄｒ）のチャンネルの幅（Ｗ）とチャンネルの長さ（Ｌ）の比を意味する。
【００７６】
前記数学式１から分かるように、本発明の第１実施例による画素（Ｐ）の内部補償駆動によると、駆動トランジスタ（Ｔｄｒ）のしきい値電圧（Ｖｔｈ）が除去されることにより前記発光期間（ＥＰ）の間、駆動トランジスタ（Ｔｄｒ）の電流（Ｉｄｓ）は、自分のしきい値電圧（Ｖｔｈ）に影響を受けずに、ただデータ電圧（Ｖｄａｔａ）とリファレンス電圧（Ｖｒｅｆ）の差電圧（Ｖｄａｔａ-Ｖｒｅｆ）によって決定される。
【００７７】
追加的に、図５ａに示されたデータアドレッシング期間（ＡＰ）においては、第１及び第４スイッチングトランジスタ（Ｔｓｗ１、Ｔｓｗ４）が同時にターン-オフされることを示し、これについて説明したが、データアドレッシング期間（ＡＰ）に第１及び第４スイッチングトランジスタ（Ｔｓｗ１、Ｔｓｗ４）は同時にターン-オフされずに、図５ｃに示されたように、第４スイッチングトランジスタ（Ｔｓｗ４）が設定された時間差（Δｔ）だけ先にターン-オフされることもできる。即ち、本発明の第１実施例による画素（Ｐ）の補償駆動は、データアドレッシング期間（ＡＰ）において、前記第４スイッチングトランジスタ（Ｔｓｗ４）を先にターン-オフさせた後、設定された時間差（Δｔ）以後に前記第１スイッチングトランジスタ（Ｔｓｗ１）をターン-オフさせることにより前記駆動トランジスタ（Ｔｄｒ）のモビリティ特性変化を補償する。
【００７８】
具体的に、前記第１スイッチングトランジスタ（Ｔｓｗ１）がターン-オン状態で前記第４スイッチングトランジスタ（Ｔｓｗ４）が先にターン-オフされると、表示用データ電圧（Ｖｄａｔａ）による前記駆動トランジスタ（Ｔｄｒ）のモビリティ（Ｋ）によって前記駆動トランジスタ（Ｔｄｒ）のソース電圧（Ｖｓ＿Ｔｄｒ）が上昇するようになり、前記ソース電圧（Ｖｓ＿Ｔｄｒ）の上昇によって前記駆動トランジスタ（Ｔｄｒ）のゲート-ソース電圧（Ｖｇｓ）が減少して有機発光素子（ＯＬＥＤ）に流れる電流が減少するようになる。したがって、図５ｃに示された画素の他の駆動方法は、データアドレッシング期間（ＡＰ）において、前記スキャン制御信号（ＣＳ１）とリセット制御信号（ＣＳ３）のタイミングを可変して前記第４スイッチングトランジスタ（Ｔｓｗ４）を前記第１スイッチングトランジスタ（Ｔｓｗ１）より先にターン-オフさせることで前記駆動トランジスタ（Ｔｄｒ）のモビリティ（Ｋ）特性を補償することができる。
【００７９】
図６ａ及び図６ｂは、本発明の実施例による有機発光表示装置の外部補償モードにおいて、画素の外部センシング駆動を説明するための図面である。
【００８０】
図６ａ及び図６ｂを参照して、本発明の第１実施例による画素の外部センシング駆動を説明すると次の通りである。本発明の第１実施例による画素（Ｐ）は、前記外部センシング駆動によって初期化期間（Ｔ１）、及び外部センシング期間（Ｔ２）に駆動されることができる。
【００８１】
先ず、図６ａに示されたように、前記初期化期間（Ｔ１）は、図４ａに示された初期化期間（ｔ１）と同一なので、これに関する重複説明は省略することにする。
【００８２】
続いて、図６ｂに示されたように、前記外部センシング期間（ｔ２）においては、第１〜第４スイッチングトランジスタ（Ｔｓｗ１〜Ｔｓｗ４）各々が、前記初期化期間（Ｔ１）のスイッチング状態を維持し、センシング用データ電圧（Ｖｓｅｎ）が、前記駆動トランジスタ（Ｔｄｒ）の第２ゲート電極（ｇ２＿Ｔｄｒ）に持続的に供給されている状態で、前記リファレンスライン（ＲＬ）が外部のセンシング部２３６に接続される。ここで、前記リファレンスライン（ＲＬ）は、一定時間の間、フローティング状態を維持した後、前記センシング部２３６に接続されることもできる。
【００８３】
これによって前記外部センシング期間（ｔ２）において、前記駆動トランジスタ（Ｔｄｒ）が、第２ゲート電極（ｇ２＿Ｔｄｒ）に供給されるセンシング用データ電圧（Ｖｓｅｎ）によってソースフォロワモードで駆動するによって前記駆動トランジスタ（Ｔｄｒ）を流れる電流に対応する電圧が前記リファレンスライン（ＲＬ）に充電され、特定時点で前記センシング部２３６が前記リファレンスライン（ＲＬ）の電圧をセンシング（またはサンプリング）してアナログ-デジタル変換を通じてセンシングデータ（Ｓｄａｔａ）を生成するようになる。
【００８４】
前記センシングデータ（Ｓｄａｔａ）は、有機発光表示装置のタイミング制御部（未図示）に提供され、タイミング制御部は、画素のセンシングデータ（Ｓｄａｔａ）に基づいて前記駆動トランジスタ（Ｔｄｒ）のしきい値電圧変化を算出し、これを補償するための補償データを算出した後、外部補償駆動の時に補償データに基づいて入力データを補正することでデータ補正を通じて前記駆動トランジスタ（Ｔｄｒ）のしきい値電圧を補償する。
【００８５】
前記外部補償駆動は、前述した内部補償駆動とは違って前記駆動トランジスタ（Ｔｄｒ）のしきい値電圧を自体的にセンシングして補償せずに、前記センシングデータ（Ｓｄａｔａ）に基づいた前記駆動トランジスタ（Ｔｄｒ）のしきい値電圧を画素に供給されるデータ電圧に反映して前記駆動トランジスタ（Ｔｄｒ）のしきい値電圧を補償する駆動方式である。
【００８６】
第１実施例の外部補償駆動による画素（Ｐ）は、図５ａまたは図５ｃに示されたデータアドレッシング期間（ＡＰ）と図５ｂに示された発光期間（ＥＰ）を含んでいても良い。
【００８７】
第２実施例の外部補償駆動による画素（Ｐ）は、図４ａに示された初期化期間（ｔ１）、図５ａまたは図５ｃに示されたデータアドレッシング期間（ＡＰ）、及び図５ｂに示された発光期間（ＥＰ）を含んでいても良い。
【００８８】
前記第１及び第２実施例による外部補償駆動の前記データアドレッシング期間（ＡＰ）においては、前記センシングデータ（Ｓｄａｔａ）に基づいて補正された補正データから変換されたデータ電圧、即ち、前記駆動トランジスタ（Ｔｄｒ）のしきい値電圧を補償するための補償電圧を含むデータ電圧が該当データラインに供給される。
【００８９】
図７は、本発明の第２実施例による画素の構造を示す図面であり、これは、第２スイッチングトランジスタにセンシング用電圧を供給するためのセンシング用電圧ラインを追加で構成したものである。
【００９０】
先ず、前述した本発明の第１実施例による画素（Ｐ）においては、前記第２スイッチングトランジスタ（Ｔｓｗ２）の第１電極は、データライン（ＤＬ）に連結されて前記センシング制御信号（ＣＳ２）によってデータライン（ＤＬ）に供給されるセンシング用電圧（Ｖｓｅｎ）を前記駆動トランジスタ（Ｔｄｒ）の第２ゲート電極（ｇ２）に供給する。
【００９１】
一方、図７から分かるように、本発明の第２実施例による画素（Ｐ）においては、前記第２スイッチングトランジスタ（Ｔｓｗ２）の第１電極に連結されるセンシング用電圧ライン（ＳＶＬ）が追加で形成されている。前記センシング用電圧ライン（ＳＶＬ）には外部からセンシング用電圧（Ｖｓｅｎ）が独立的に供給されるようになる。
【００９２】
したがって、本発明の第２実施例による画素（Ｐ）は、本発明の第１実施例の画素（Ｐ）と同一の効果を提供することができる。ただ、本発明の第１実施例の画素（Ｐ）と対比すると、本発明の第２実施例による画素（Ｐ）の場合、前記センシング用電圧ライン（ＳＶＬ）が占める領域だけ開口率が減少するが、データライン（ＤＬ）にデータ電圧（Ｖｄａｔａ）とセンシング用電圧（Ｖｓｅｎ）を供給するカラム（ｃｏｌｕｍｎ）駆動部（未図示）の電圧トランジションを減らし消費電力減少などの効果を有することができる。
【００９３】
図８は、本発明の第３実施例による画素の構造を示す図面であり、これは、駆動トランジスタ（Ｔｄｒ）の第１及び第２ゲート電極の連結構造を変更して構成したものである。以下では、異なる構成に対してのみ説明することにする。
【００９４】
先ず、前述した本発明の第１実施例の画素（Ｐ）において、前記駆動トランジスタ（Ｔｄｒ）の第１ゲート電極（ｇ１）は、第１ノード（ｎ１）を通じて第１及び第３スイッチングトランジスタ（Ｔｓｗ１、Ｔｓｗ３）及び第２キャパシタ（Ｃ２）に連結され、前記駆動トランジスタ（Ｔｄｒ）の第２ゲート電極（ｇ２）は、第２スイッチングトランジスタ（Ｔｓｗ２）及び第１キャパシタ（Ｃ１）に連結される。
【００９５】
一方、図８から分かるように、本発明の第３実施例による画素（Ｐ）の構造においては、前記駆動トランジスタ（Ｔｄｒ）の第１及び第２ゲート電極（ｇ１、ｇ２）の位置が互いに変わって形成される。即ち、前記駆動トランジスタ（Ｔｄｒ）の第１ゲート電極（ｇ１）は、第２スイッチングトランジスタ（Ｔｓｗ２）及び第１キャパシタ（Ｃ１）に連結され、前記駆動トランジスタ（Ｔｄｒ）の第２ゲート電極（ｇ２）は、第１ノード（ｎ１）を通じて第１及び第３スイッチングトランジスタ（Ｔｓｗ１、Ｔｓｗ３）及び第２キャパシタ（Ｃ２）に連結される。即ち、前記第１ゲート電極（ｇ１）は前記半導体層上に形成され、前記第２ゲート電極（ｇ２）は前記第１ゲート電極（ｇ１）と重畳されるように前記半導体層下に形成される。
【００９６】
前記駆動トランジスタ（Ｔｄｒ）の第１及び第２ゲート電極（ｇ１、ｇ２）は、図３に示されたように、半導体層を介して互いに重畳されるように形成されるため前記駆動トランジスタ（Ｔｄｒ）の第１及び第２ゲート電極（ｇ１、ｇ２）の連結構造が互いに変わっても本発明の第３実施例による画素（Ｐ）は、本発明の第１実施例の画素（Ｐ）と同じく駆動されるようになる。
【００９７】
追加的に、本発明の第３実施例による画素（Ｐ）は、図７に示されたように、前記センシング用電圧ライン（ＳＶＬ）をさらに含んで構成されることができる。
【００９８】
したがって、本発明の第３実施例による画素（Ｐ）は、本発明の第１または第２実施例の画素（Ｐ）と同一の効果を提供することができる。
【００９９】
図９は、本発明の実施例による有機発光表示装置を説明するための図面であり、図１０は、本発明の実施例による有機発光表示装置の駆動を概念的に説明するための図面であり、図１１は、図９に図示されたカラム（ｃｏｌｕｍｎ）駆動部を説明するための図面である。
【０１００】
図９〜図１１を参照すると、本発明の実施例による有機発光表示装置は、表示パネル１００、及びパネル駆動部２００を含む。
【０１０１】
表示パネル１００は、複数のデータライン（ＤＬ１〜ＤＬｎ）、複数のリファレンスライン（ＲＬ１〜ＲＬｎ）、複数のゲートライングループ（ＧＬＧ１〜ＧＬＧｍ）、及び複数の画素（Ｐ）を含む。
【０１０２】
前記複数のデータライン（ＤＬ１〜ＤＬｎ）各々は、前記表示パネル１００の第１方向、即ち、縦方向に沿って一定の間隔を有するように並んで形成される。
【０１０３】
前記複数のリファレンスライン（ＲＬ１〜ＲＬｎ）各々は、前記複数のデータライン（ＤＬ１〜ＤＬｎ）各々と並ぶように一定の間隔で形成され、一定の直流レベルを有するリファレンス電圧（Ｖｒｅｆ）を外部から供給される。
【０１０４】
複数のゲートライングループ（ＧＬＧ１〜ＧＬＧｍ）各々は、前記データライン（ＤＬ）と交差するように表示パネルの第２方向、例えば、横方向に沿って形成される。前記複数のゲートライングループ（ＧＬＧ１〜ＧＬＧｍ）各々は、スキャン制御ライン(Ｌｓｃａｎ)、センシング制御ライン(Ｌｓｅｎｓｅ)及びリセット制御ライン（Ｌｒｅｓｅｔ）を含んで構成される。
【０１０５】
追加的に、前記表示パネル１００は、各画素（Ｐ）に接続される第１駆動電源ライン（ＰＬ１）、及び第２駆動電源ライン（ＰＬ２）を更に含んで構成されることができ、場合によって前述したセンシング用電圧ライン（ＳＶＬ）を更に含んで構成されることもできる。
【０１０６】
前記第１駆動電源ライン（ＰＬ１）は、前記データライン（ＤＬ）と並ぶように形成されて画素列に形成された画素（Ｐ）に連結され、外部から高電位電圧（ＥＶｄｄ）が供給される。前記第２駆動電源ライン（ＰＬ２）は、前記有機発光素子に接続されるように丸ごとまたはライン形態で形成され、外部から低電位電圧（ＥＶｓｓ）が供給される。
【０１０７】
複数の画素（Ｐ）各々は、赤色画素、緑色画素、青色画素、及び白色画素のうちいずれか一つであることができる。一つの映像を表示する一つの単位画素は、隣接した赤色画素、緑色画素、青色画素、及び白色画素を含んだり、赤色画素、緑色画素及び青色画素を含むことができる。このような複数の画素（Ｐ）各々は、図２、図７、または図８に示された画素構造を有するので、これに関する重複説明は省略することにする。
【０１０８】
前記パネル駆動部２００は、前述したように、前記表示パネル１００に形成された各画素（Ｐ）を内部補償モードまたは外部補償モードで駆動させる。
【０１０９】
前記内部補償モードの内部補償駆動は、各フレームの表示区間（ＤＰ）に水平ラインごと順次的に行われることができる。
【０１１０】
前記内部補償モードのしきい値電圧センシング駆動または前記外部補償モードの外部センシング駆動は、図１０に示されたように、フレーム間の垂直ブランク区間（ＢＰ）ごとに少なくとも一つの水平ラインの画素（Ｐ）に対して行われることができる。例えば、前記表示パネル１００に１０８０個の水平ラインが存在する場合、前記しきい値電圧センシング駆動または前記外部センシング駆動は、垂直ブランク区間（ＢＰ）ごとに一つの水平ラインずつ順次的に行われ、総１０８０フレームにわたって行われることができる。この場合、垂直ブランク区間ごとに少なくとも一つの水平ラインずつ行うことによって、内部補償モードまたは外部補償モードのためのフレーム当りスイッチングトランジスタ（Ｔｓｗ１〜Ｔｓｗ４）のスイッチングデューティーを非常に小さく減少させることによって、スイッチングトランジスタ（Ｔｓｗ１〜Ｔｓｗ４）の信頼性を向上させる。
【０１１１】
追加的に、前記外部補償モードは、垂直ブランク区間（ＢＰ）のみで行われるのでなく、有機発光表示装置の電源オン区間、有機発光表示装置の電源オフ区間、設定された駆動時間以後の電源オン区間、または設定された駆動時間以後の電源オフ区間の少なくとも一つのフレームの表示区間（ＤＰ）を通じて、または表示区間（ＤＰ）と垂直ブランク区間（ＢＰ）を通じて全ての水平ラインに対して順次的に行われることができる。
【０１１２】
前記パネル駆動部２００は、外部補償モードの時、前記複数のリファレンスライン（ＲＬ１〜ＲＬｎ）各々を通じて前記画素別駆動トランジスタ（Ｔｄｒ）のしきい値電圧をセンシングしてセンシングデータ（Ｓｄａｔａ）を生成する。
【０１１３】
前記パネル駆動部２００は、タイミング制御部２１０、ゲート駆動回路部２２０、及びカラム（ｃｏｌｕｍｎ）駆動部２３０を含んで構成されることができる。
【０１１４】
前記タイミング制御部２１０は、外部から入力されるタイミング同期信号（ＴＳＳ）に基づいて前記ゲート駆動回路部２２０、及びカラム（ｃｏｌｕｍｎ）駆動部２３０を内部補償モードまたは外部補償モードで制御するためのゲート制御信号（ＧＣＳ）とデータ制御信号（ＤＣＳ）を各々生成する。
【０１１５】
前記内部補償モードのしきい値電圧センシング駆動または内部補償駆動、または外部補償モードの外部センシング駆動において、前記タイミング制御部２１０は、外部から入力される入力データ（ＲＧＢ）を表示パネル１００の画素配置構造に適するように整列して画素別画素データ（ＤＡＴＡ）を生成したり、センシング用データ（ＤＡＴＡ）を生成してカラム（ｃｏｌｕｍｎ）駆動部２３０に提供する。
【０１１６】
前記外部補償モードの外部補償駆動において、前記タイミング制御部２１０は、前記カラム（ｃｏｌｕｍｎ）駆動部２３０から提供される画素別センシングデータ（Ｓｄａｔａ）に基づいて画素別駆動トランジスタ（Ｔｄｒ）のしきい値電圧を補償するための画素別センシング補償データを算出し、算出された画素別補償値とメモリー２１２に格納されている画素以前補償データを比較して偏差値を算出した後、算出された偏差値を前記画素別以前補償データに加算したり減算する方式で反映して画素別補償データを生成して前記メモリー２１２に格納することによって、前記メモリー２１２に格納されている画素別補償データを更新する。その後、前記タイミング制御部２１０は、外部から入力される画素別入力データ（ＲＧＢ）を前記メモリー２１２に格納されている画素別補償データに応じて補正して画素別画素データ（ＤＡＴＡ）を生成する。
【０１１７】
前記ゲート駆動回路部２２０は、モードによって前記タイミング制御部２１０から供給されるゲート制御信号（ＧＣＳ）に応答して、図４ａ、図５ａ、図５ｃ、または図６ａに示されたような制御信号（ＣＳ１、ＣＳ２、ＣＳ３）を生成して表示パネル１００に形成された制御ライン（Ｌｓｃａｎ，Ｌｓｅｎｓｅ，Ｌｒｅｓｅｔ）に供給する。
【０１１８】
一例によるゲート駆動回路部２２０は、スキャンライン駆動部２２１、センシングライン駆動部２２３、及びリセットライン駆動部２２５を含んで構成されることができる。
【０１１９】
前記スキャンライン駆動部２２１は、各ゲートライングループ（ＧＬＧ１〜ＧＬＧｍ）のスキャン制御ライン（Ｌｓｃａｎ）に連結される。このような前記スキャンライン駆動部２２１は、前記ゲート制御信号（ＧＣＳ）に応答して、図４ａ、図５ａ、図５ｃ、または図６ａに示されたようなスキャン制御信号（ＣＳ１）を生成して各ゲートライングループ（ＧＬＧ１〜ＧＬＧｍ）のスキャン制御ライン（Ｌｓｃａｎ）に順次的に供給する。
【０１２０】
前記センシングライン駆動部２２３は、各ゲートライングループ（ＧＬＧ１〜ＧＬＧｍ）のセンシング制御ライン（Ｌｓｅｎｓｅ）に連結される。このような前記センシングライン駆動部２２３は、前記ゲート制御信号（ＧＣＳ）に応答して、図４ａ、図５ａ、図５ｃ、または図６ａに示されたようなセンシング制御信号（ＣＳ２）を生成して各ゲートライングループ（ＧＬＧ１〜ＧＬＧｍ）のセンシング制御ライン（Ｌｓｅｎｓｅ）に順次的に供給する。
【０１２１】
前記リセットライン駆動部２２５は、各ゲートライングループ（ＧＬＧ１〜ＧＬＧｍ）のリセット制御ライン（Ｌｒｅｓｅｔ）に連結される。このような前記リセットライン駆動部２２５は、前記ゲート制御信号（ＧＣＳ）に応答して、図４ａ、図５ａ、図５ｃ、または図６ａに示されたようなリセット制御信号（ＣＳ３）を生成して各ゲートライングループ（ＧＬＧ１〜ＧＬＧｍ）のリセット制御ライン（Ｌｒｅｓｅｔ）に順次的に供給する。
【０１２２】
このような前記ゲート駆動回路部２２０は、各画素（Ｐ）の薄膜トランジスタ形成工程と共に前記表示パネル１００上に直接形成されたり集積回路（ＩＣ）形態に形成されて前記制御ライン（Ｌｓｃａｎ，Ｌｓｅｎｓｅ，Ｌｒｅｓｅｔ）の一側に連結されることができる。
【０１２３】
前記カラム（ｃｏｌｕｍｎ）駆動部２３０は、前記複数のデータライン（ＤＬ１〜ＤＬｎ）と前記複数のリファレンスライン（ＲＬ１〜ＲＬｎ）各々に連結され、前記タイミング制御部２１０のモード制御によって前記内部補償モードまたは外部補償モードで動作して該当モードに必要なデータ電圧（Ｖｄａｔａ）またはセンシング用電圧（Ｖｓｅｎ）を該当データライン（ＤＬ）に供給する。
【０１２４】
前記各画素（Ｐ）が、図２または図８のような構造を有しながら、前記しきい値電圧センシング駆動で動作する場合、前記カラム（ｃｏｌｕｍｎ）駆動部２３０は、センシング用データによってセンシング用電圧（Ｖｓｅｎ）を生成し、生成されたセンシング用電圧（Ｖｓｅｎ）を、図４ａの初期化期間（ｔ１）または図４ｂの内部センシング期間（ｔ２）に該当データライン（ＤＬ）に供給する。そして、前記内部補償駆動において前記カラム（ｃｏｌｕｍｎ）駆動部２３０は、入力される画素別画素データ（ＤＡＴＡ）をデジタル-アナログ変換して表示用データ電圧（Ｖｄａｔａ）を生成し、図５ａのデータアドレッシング期間（ＡＰ）または図５ｃのデータアドレッシング期間（ＡＰ）に該当データライン（ＤＬ）に供給する。このような前記しきい値電圧センシング駆動または前記内部補償駆動のための、一例によるカラム（ｃｏｌｕｍｎ）駆動部２３０は、シフトレジスター部（未図示）、ラッチ部（未図示）、階調電圧生成部（未図示）、及び第１〜第ｎデジタル-アナログコンバーター（未図示）を含んで構成されることができる。
【０１２５】
前記シフトレジスター部は、前記データ制御信号（ＤＣＳ）のソーススタート信号とソースシフトクロックを利用して前記ソースシフトクロックによって前記ソーススタート信号をシフトさせることによって、サンプリング信号を順次的に出力する。前記ラッチ部は、前記サンプリング信号によって入力される画素データ（ＤＡＴＡ）を順次的にサンプリングしてラッチし、前記データ制御信号（ＤＣＳ）のソース出力イネーブル信号によって１水平ライン分のラッチデータを同時に出力する。前記階調電圧生成部は、外部から入力される複数の基準ガンマ電圧を利用して画素データ（ＤＡＴＡ）の階調数に対応されるそれぞれ異なる複数の階調電圧を生成する。前記第１〜第ｎデジタル-アナログコンバーター各々は、前記階調電圧生成部から供給される複数の階調電圧のうち、ラッチデータに対応される階調電圧をデータ電圧（Ｖｄａｔａ）として選択して該当データライン（ＤＬ１〜ＤＬｎ）に出力する。
【０１２６】
前記外部センシング駆動において、前記カラム（ｃｏｌｕｍｎ）駆動部２３０は、センシング用データによってセンシング用電圧（Ｖｓｅｎ）を生成して、生成されたセンシング用電圧（Ｖｓｅｎ）を、図６ａの初期化期間（Ｔ１）、または図６ｂの外部センシング期間（ｔ２）に、該当データライン（ＤＬ）に供給しながら、図６ｂの外部センシング期間（ｔ２）に前記リファレンスライン（ＲＬ）を通じて画素別駆動トランジスタ（Ｔｄｒ）のしきい値電圧をセンシングしてセンシングデータ（Ｓｄａｔａ）を生成して前記タイミング制御部２１０に提供する。前記外部補償駆動において、前記カラム（ｃｏｌｕｍｎ）駆動部２３０は、前記タイミング制御部２１０から供給される前記画素別画素データ（ＤＡＴＡ）を表示用データ電圧（Ｖｄａｔａ）に変換してデータアドレッシング期間に該当データライン（ＤＬ）に供給する。このような前記外部センシング駆動及び前記外部補償駆動のための他の例によるカラム（ｃｏｌｕｍｎ）駆動部２３０は、図１１に示されたように、データ駆動部２３２、スイッチング部２３４、及びセンシング部２３６を含んで構成される。
【０１２７】
前記データ駆動部２３２は、前記内部補償モードまたは前記外部補償モードによって前記タイミング制御部２１０から供給されるデータ制御信号（ＤＣＳ）に応答して、前記タイミング制御部２１０から供給される表示用画素データ（またはセンシング用データ）（ＤＡＴＡ）をデータ電圧（Ｖｄａｔａ）に変換して該当するデータライン（ＤＬ１〜ＤＬｎ）に供給する。このような前記データ駆動部２３２は、前述したシフトレジスター部、ラッチ部、階調電圧生成部、及び第１〜第ｎデジタル-アナログコンバーターを含んで構成されることができる。
【０１２８】
前記スイッチング部２３４は、前記タイミング制御部２１０から供給されるスイッチング制御信号（未図示）に応答して、前記リファレンスライン（ＲＬ）にリファレンス電圧（Ｖｒｅｆ）を供給したり前記リファレンスライン（ＲＬ）を前記センシング部２３６に接続させたり、前記リファレンスライン（ＲＬ）を一定時間の間フローティングさせた後、前記センシング部２３６に接続させることができる。即ち、外部補償モードの時、前記スイッチング部２３４は、図６ａに示された初期化期間（Ｔ１）において前記リファレンス電圧（Ｖｒｅｆ）をリファレンスライン（ＲＬ）に供給する。又、前記スイッチング部２３４は、図６ｂに示された外部センシング期間（ｔ２）において前記リファレンスライン（ＲＬ）をセンシング部２３６に接続させることができ、前記リファレンスライン（ＲＬ）を一定時間の間フローティングさせた後、前記センシング部２３６に接続させることができる。このために、一例によるスイッチング部２３４は、複数のリファレンスライン（ＲＬ１〜ＲＬｎ）の各々とセンシング部２３６に連結される複数の選択器（２３４ａ〜２３４ｎ）を含んで構成されることができ、前記選択器（２３４ａ〜２３４ｎ）は、マルチプレクサで構成されることができる。
【０１２９】
前記センシング部２３６は、外部補償モード、即ち図６ｂに示された外部センシング期間（ｔ２）において、前記スイッチング部２３４を通じて複数のリファレンスライン（ＲＬ１〜ＲＬｎ）に連結されて複数のリファレンスライン（ＲＬ１〜ＲＬｎ）各々の電圧をセンシングし、センシング電圧に対応されるセンシングデータ（Ｓｄａｔａ）を生成してタイミング制御部２１０に提供する。このために、前記センシング部２３６は、前記スイッチング部２３４を通じて複数のリファレンスライン（ＲＬ１〜ＲＬｎ）に連結されてセンシング電圧をアナログ-デジタル変換して前記センシングデータ（Ｓｄａｔａ）を生成する複数のアナログ-デジタル変換器（２３６ａ〜２３６ｎ）を含んで構成されることができる。
【０１３０】
以上のような、本発明による有機発光表示装置は、４個のスイッチングトランジスタ（Ｔｓｗ１〜Ｔｓｗ４）のスイッチング変更を通じて画素を内部補償方式と外部補償方式で選択的に駆動することができる。即ち、本発明は、４個のスイッチングトランジスタ（Ｔｓｗ１〜Ｔｓｗ４）のスイッチングによって駆動トランジスタ（Ｔｄｒ）のしきい値電圧を第１キャパシタ（Ｃ１）に格納することによって、駆動トランジスタ（Ｔｄｒ）のしきい値電圧を内部補償方式で補償することができ、この場合、第１キャパシタ（Ｃ１）に格納された駆動トランジスタ（Ｔｄｒ）のしきい値電圧を持続的に維持させながら有機発光素子（ＯＬＥＤ）を発光させることによって、駆動トランジスタ（Ｔｄｒ）の補償のためのスイッチングトランジスタ（Ｔｓｗ１乃至Ｔｓｗ４）の劣化を減らして信頼性及び寿命を延ばすことができる。又、本発明は、４個のスイッチングトランジスタ（Ｔｓｗ１〜Ｔｓｗ４）のスイッチングによって駆動トランジスタ（Ｔｄｒ）のしきい値電圧を外部からセンシングし、データ補正を通じて駆動トランジスタ（Ｔｄｒ）のしきい値電圧を外部補償方式で補償することができ、これを通じて画素間の駆動トランジスタ（Ｔｄｒ）のしきい値電圧偏差を正確に補償して画質を改善することができる。
【０１３１】
以上で説明した本発明は、前述した実施例及び添付された図面に限定されるものではなく、本発明の技術的思想を逸脱しない範囲内で様々な置換、変形及び変更が可能であるということが、本発明の属する技術分野における通常の知識を有する者にとって明らかである。したがって、本発明の範囲は、後述する特許請求の範囲によって示され、特許請求の範囲の意味及び範囲、そしてその等価概念から導かれるすべての変更又は変形された形態が本発明の範囲に属するものと解釈しなければならない。
【符号の説明】
【０１３２】
１００    表示パネル
２００    パネル駆動部
２１０    タイミング制御部
２２０    ゲート駆動回路部
２２１    スキャンライン駆動部
２２３    センシングライン駆動部
２２５    リセットライン駆動部
２３０    カラム（ｃｏｌｕｍｎ）駆動部
２３２    データ駆動部
２３４    スイッチング部
２３６    センシング部
【図１】
2015129934.tif 000004
【図２】
2015129934.tif 000005
【図３】
2015129934.tif 000006
【図４ａ】
2015129934.tif 000007
【図４ｂ】
2015129934.tif 000008
【図４ｃ】
2015129934.tif 000009
【図５ａ】
2015129934.tif 000010
【図５ｂ】
2015129934.tif 000011
【図５ｃ】
2015129934.tif 000012
【図６ａ】
2015129934.tif 000013
【図６ｂ】
2015129934.tif 000014
【図７】
2015129934.tif 000015
【図８】
2015129934.tif 000016
【図９】
2015129934.tif 000017
【図１０】
2015129934.tif 000018
【図１１】
2015129934.tif 000019