(57)【要約】      （修正有）【課題】装置内における素子領域外への光のクロストークが大幅に抑制された高性能かつ高発光効率の半導体発光装置の製造方法を提供する。【解決手段】搭載基板１１上に少なくとも１つの半導体発光素子２０，３０及び電極パッド１２Ａ，１２Ｂを互いに隣接して並置する工程と、電極パッド上に犠牲層１３を形成する工程と、搭載基板上に電極パッド及び少なくとも１つの半導体発光素子を埋設するように蛍光体層を形成する工程と、電極パッド上の蛍光体層を部分的に除去する工程と、犠牲層にレーザ光を照射して犠牲層を除去し、電極パッドを露出させる工程と、を含む。【選択図】図１
2015103600.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
搭載基板上に少なくとも１つの半導体発光素子及び電極パッドを互いに隣接して並置する工程と、
前記電極パッド上に犠牲層を形成する工程と、
前記搭載基板上に前記電極パッド及び前記少なくとも１つの半導体発光素子を埋設するように蛍光体層を形成する工程と、
前記電極パッド上の前記蛍光体層を部分的に除去する工程と、
前記犠牲層にレーザ光を照射して前記犠牲層を除去し、前記電極パッドを露出させる工程と、を含むことを特徴とする半導体発光装置の製造方法。
【請求項２】
前記電極パッドを露出させる工程は、前記犠牲層を揮発させて前記犠牲層及び前記犠牲層上の前記蛍光体層の残渣を除去する工程を含むことを特徴とする請求項１に記載の製造方法。
【請求項３】
前記蛍光体層を部分的に除去する工程は、前記電極パッド上の前記蛍光体層にレーザ光を照射する工程を含むことを特徴とする請求項１又は２に記載の製造方法。
【請求項４】
前記蛍光体層を部分的に除去する工程及び前記電極パッドを露出させる工程は一連の工程で行われることを特徴とする請求項３に記載の製造方法。
【請求項５】
給電パッドが形成された実装基板上に前記搭載基板を固定する工程と、
前記電極パッド及び前記給電パッドをワイヤボンディングによって接続する工程と、を含むことを特徴とする請求項１乃至４のいずれか１つに記載の製造方法。
【請求項６】
前記犠牲層はＴｉからなることを特徴とする請求項１乃至５のいずれか１つに記載の製造方法。
【請求項７】
前記電極パッドは、前記少なくとも１つの半導体発光素子の隣接する前記半導体発光素子の配列方向に沿ってかつ前記隣接する前記半導体発光素子の外側に形成されることを特徴とする請求項１乃至６のいずれか１つに記載の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、発光ダイオード（ＬＥＤ）などの半導体発光素子を複数個用いた半導体発光装置の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体発光素子は、通常、成長用基板上に、ｎ型半導体層、発光層及びｐ型半導体層からなる半導体構造層を成長し、それぞれｎ型半導体層及びｐ型半導体層に電圧を印加するｎ電極及びｐ電極を形成して作製される。さらに、放熱性能の向上を図る半導体発光素子として、半導体構造層を成長用基板とは別の支持基板に接合した後、成長用基板を除去した半導体発光素子が知られている。また、複数の半導体発光素子を実装基板上に固定し、さらに波長変換用の蛍光体層を形成した後、樹脂などで封止することによって、半導体発光装置が作製される。
【０００３】
特許文献１には、ベース基板の主面に、発光素子であるＬＥＤが直列に接続されたＬＥＤアレイが配置され、当該ＬＥＤアレイを覆う蛍光体膜が設けられた半導体発光装置が開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開2011-044741号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
自動車用ヘッドライトはその配光形状が規格によって定められている。例えば自動車用ヘッドライトに使用する光源を作製する場合、全体として当該配光形状に対応するように複数の半導体発光素子を配置した半導体発光装置を作製する。また、並置された複数の半導体発光素子の周囲には、半導体発光素子への給電用に電極パッドが並置して設けられる。さらに、半導体発光素子及び電極パッドを埋設するように蛍光体層を形成して装置が作製される。このような半導体発光装置において、半導体発光素子から放出された光は、その一部が蛍光体層を介して素子領域以外の領域、例えば電極パッド上の領域から外部に取出される場合がある。この素子領域外から外部に取出される光の量はわずかであるため、全体として規格に適合した配光形状を満足することはできる。しかし、配光形状は厳密に制御できることが一層望ましい。例えば、厳密には発光装置の照射領域の縁部分がより明確になること、すなわち明暗の境界が明確になることが望ましい。光源装置の種々の応用分野において、配光形状を厳密に制御できることは、発光装置からの眩惑光（グレア）の発生を抑制することができるのみならず、発光装置における照射領域の制御や発光装置の配置シミュレーションなどを容易にする。
【０００６】
本発明は上記した点に鑑みてなされたものであり、装置内における素子領域外への光のクロストークが大幅に抑制された高性能かつ高発光効率の半導体発光装置の製造方法を提供することを目的としている。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明による半導体発光装置の製造方法は、搭載基板上に少なくとも１つの半導体発光素子及び電極パッドを互いに隣接して並置する工程と、電極パッド上に犠牲層を形成する工程と、搭載基板上に電極パッド及び少なくとも１つの半導体発光素子を埋設するように蛍光体層を形成する工程と、電極パッド上の蛍光体層を部分的に除去する工程と、犠牲層にレーザ光を照射して犠牲層を除去し、電極パッドを露出させる工程と、を含むことを特徴としている。
【図面の簡単な説明】
【０００８】
【図１】（ａ）〜（ｃ）は、実施例１の半導体発光装置の製造方法を説明する断面図である。
【図２】（ａ）〜（ｄ）は、実施例１の半導体発光装置の製造方法を説明する断面図である。
【図３】（ａ）〜（ｄ）は、実施例１の半導体発光装置の製造方法を説明する部分拡大断面図である。
【発明を実施するための形態】
【０００９】
本願の発明者らは、素子領域外の発光不要な領域である例えば電極パッド上の蛍光体層を除去することを検討した。蛍光体層の主成分は例えばガラス材料であり、例えばレーザを照射することによって蛍光体層を除去することができた。これによって素子領域外から光が外部に放出されることが抑制され、照射領域の明暗の境界が明確なものとなり、配光形状がより明確なものとなった。しかし、電極パッド上の蛍光体層は完全には除去されず、電極パッド上には蛍光体層の一部が残ったままでであった。この状態で電極パッドにワイヤボンディングを行うと、パッドとワイヤとの間の電気的接続が阻害され、これによって両者の間で高抵抗となり、場合によっては絶縁状態を引き起こした。本願の発明者らはこの製造上の不具合に着目し、素子外領域への光のクロストークを抑制するのみならず確実に電極パッドとボンディングワイヤとの電気的接続を得ることを検討した結果、本発明に至った。
【００１０】
以下に本発明の実施例について詳細に説明する。なお、以下の説明及び添付図面においては、実質的に同一又は等価な部分には同一の参照符号を付している。
【実施例１】
【００１１】
［１．搭載基板上に半導体発光素子及び電極パッドを並置する工程及び電極パッド上に犠牲層を形成する工程］
図１（ａ）〜（ｃ）は、実施例１の半導体発光装置１０の製造方法において、搭載基板１１上に半導体発光素子２０及び３０並びに電極パッド１２Ａ及び１２Ｂを並置する工程と、電極パッド１２Ａ及び１２Ｂ上に犠牲層１３を形成する工程と、を説明する断面図である。以下、その詳細について説明する。
【００１２】
［１．１．半導体発光素子の形成工程］
図１（ａ）は、半導体発光素子２０及び３０の構造を示す断面図である。図１（ａ）を用いて、半導体発光素子２０及び３０を形成する工程について説明する。まず、成長用基板１９上に半導体構造層２１及び３１を成長する。本実施例においては、成長用基板１９としてサファイア基板を用いた。また、半導体構造層２１及び３１として、ＡｌxＩｎyＧａ1-x-yＮ（０≦ｘ≦１、０≦ｙ≦１）の組成を有するｎ型半導体層２１Ａ及び３１Ａ、発光層２１Ｂ及び３１Ｂ並びにｐ型半導体層２１Ｃ及び３１Ｃをこの順で成長した。
【００１３】
次に、ｎ電極２２及び３２を形成する。本実施例においては、ｐ型半導体層２１Ｃ上においてｐ型半導体層２１Ｃ及び発光層２１Ｂを貫通してｎ型半導体層２１Ａに至るコンタクトホールを形成し、当該コンタクトホールにｎ電極２２を形成した。また、同様に、ｐ型半導体層３１Ｃ上においてｐ型半導体層３１Ｃ及び発光層３１Ｂを貫通してｎ型半導体層３１Ａに至るコンタクトホールを形成し、当該コンタクトホールにｎ電極３２を形成した。ｎ電極２２及び３２の形成には、Ｔｉ、Ａｌ、Ｐｔ及びＡｕなどの金属材料を用いることができる。
【００１４】
次に、ｐ電極２３及び３３を形成する。本実施例においては、ｐ型半導体層２１の表面に、ｐ電極２３として、反射性の高い金属からなる反射金属層２３Ａ及び反射金属層２３Ａの全体を覆うように形成されたキャップ層２３Ｂを形成した。反射金属層２３Ａの形成には、例えばＡｇ、Ｐｔ、Ｎｉ、Ａｌ及びＰｄなどの金属材料並びにこれらを含む合金を用いることができる。また、キャップ層２３Ｂの形成には、例えばＴｉ、Ｗ、Ｐｔ、Ｐｄ、Ｍｏ、Ｒｕ、Ｉｒ、Ａｕなど、自身が他の層にマイグレーションしにくく、反射金属層２３Ａのマイグレーションを防止する金属材料を用いることができる。また、ｐ電極３３として、ｐ電極２３と同様の材料を用いて、ｐ型半導体層３１Ｃ上に反射金属層３３Ａ及びキャップ層３３Ｂを形成した。半導体発光素子２０及び３０を形成する工程は、以上の工程を含む。
【００１５】
なお、より具体的には、半導体発光素子２０及び３０の形成工程である半導体構造層２１及び３１の形成、ｎ電極２２及び３２の形成、並びにｐ電極２３及び３３の形成は、以下のように行った。まず、成長用基板１９としてサファイア基板を準備した。次に、成長用基板１９上に半導体構造層２１及び３１となる、ｎ型半導体層、発光層及びｐ型半導体層からなる半導体膜をこの順で順次成長した。次に、当該半導体膜上にスパッタリングを行い、ｐ電極２３及び３３として、反射金属層２３Ａ及び３３Ａ並びにキャップ層２３Ｂ及び３３Ｂを形成した。このとき、半導体膜の一部の表面にはｐ電極２５及び３５が形成されないようにした。
【００１６】
次に、当該半導体膜にエッチングを行うことによって、ｐ電極２３及び３３（反射金属層２３Ａ及び３３Ａ並びにキャップ層２３Ｂ及び３３Ｂ）が形成されていない半導体膜の領域の表面から、ｎ型半導体層に至るｎ電極２６及び３６用のコンタクトホールを形成した。次に、ｐ電極２３及び３３を含む半導体膜の全体を覆うように絶縁膜２４及び３４となる絶縁膜を形成した。絶縁膜としては、例えばＳｉＯ2及びＳｉ3Ｎ4などの絶縁材料用いた。
【００１７】
続いて、コンタクトホール内に形成された絶縁膜の一部を除去し、当該コンタクトホール内にそれぞれｎ電極２２及び３２を形成した。また、ｐ電極２３及び３３上に形成された絶縁膜の一部を除去してｐ電極２３及び３３に至る開口部を形成し、当該開口部にそれぞれｐ側接続電極２３Ｃ及び３３Ｃを形成した。また、絶縁膜上において、ｎ電極２２及び３２に至るコンタクトホールを形成し、当該コンタクトホールにおいてｎ電極２２及び３２に接続されるように、それぞれｎ側接続電極２２Ｃ及び３２Ｃを形成した。その後、ｐ型半導体層上に直接絶縁膜が形成されている領域にエッチングを行って成長用基板１９に至る溝部ＴＲを形成し、これによって半導体膜を半導体構造層２１及び３１に分割した。このとき、溝部ＴＲが成長用基板１９に向かってテーパ形状をなすようにエッチング条件を調整した。このようにして、半導体発光装置１０の半導体発光素子２０及び３０となる、搭載基板１１に接合する半導体ウェハを作製した。
【００１８】
［１．２．搭載基板を準備する工程］
図１（ｂ）は、半導体発光素子２０及び３０を搭載する搭載基板１１の構造を示す断面図である。搭載基板１１を準備する工程は、搭載基板１１上に絶縁層１７を形成する工程、絶縁層１７上に接合層１８を形成する工程、接合層１８上に電極パッド（第１の電極パッド１２Ａ及び第２の電極パッド１２Ｂ）を形成する工程及び電極パッド上に犠牲層１３を形成する工程を含む。搭載基板１１としては、例えばＳｉ、ＡｌＮ、Ｍｏ、Ｗ、ＣｕＷなどの放熱性の高い材料を用いることができる。絶縁層１７としては、例えばＳｉＯ2及びＳｉ3Ｎ4などの絶縁材料を用いることができる。電極パッド１２Ａ及び１２Ｂとしては、例えばＡｕ、Ａｌ、Ｎｉ及びＴｉなどの金属材料を用いることができる。犠牲層１３としては、例えばＴｉ、Ｐｔ、Ｎｉ、Ａｇ、Ａｌなど、レーザ光の照射によって揮発又は昇華する材料を用いる。
【００１９】
本実施例においては、まず、搭載基板１１を準備し、搭載基板１１上に絶縁層１７を形成した。次に、絶縁層１７上にパターニングされたマスクを形成した後、スパッタリングを行うことによって、接合層１８を形成した。次に、接合層１８上に第１の電極パッド１２Ａ及び第２の電極パッド１２Ｂを互いに並置して形成した。続いて、第１及び第２の電極パッド１２Ａ及び１２Ｂ上に、犠牲層１３を形成した。なお、搭載基板１１上に第１及び第２の電極パッド１２Ａ及び１２Ｂを並置する工程及び第１及び第２の電極パッド１２Ａ及び１２Ｂ上に犠牲層１３を形成する工程は、後述する搭載基板１１に半導体発光素子２０及び３０を搭載する工程において行われても良い。
【００２０】
［１．３．搭載基板に半導体発光素子を搭載する工程］
図１（ｃ）は、搭載基板上に半導体発光素子２０及び３０が並置された状態を示す断面図である。図１（ｃ）を用いて、搭載基板上に半導体発光素子２０及び３０を搭載する工程について説明する。本実施例においては、まず、接合層１８とｎ側及びｐ側接続電極２２Ｃ、２３Ｃ、３２Ｃ及び３３Ｃとが接するように、搭載基板１１に半導体ウェハを密着させ、加熱及び圧着によって両者を接合した。これによって、半導体発光素子２０及び３０が互いに直列に接続される。接合層１８及び各接続電極としては、Ａｕ及びＳｎ、Ａｕ及びＩｎ、Ｐｄ及びＩｎ、Ｃｕ及びＳｎ、Ａｇ及びＳｎ、Ａｇ及びＩｎ並びにＮｉ及びＳｎなど、互いに融着して接合される材料の組み合わせか、又はＡｕなどの互いに拡散して接合される材料を用いる。
【００２１】
次に、成長用基板１９をレーザリフトオフによって除去した。このとき、レーザ光が半導体発光素子２０及び３０上の領域のみに照射されるようにレーザ装置を調節した。また、成長用基板１９が除去されることによって露出したｎ型半導体層２１Ａ及び３１Ａの表面にエッチングを行い、複数の突起２１Ｐ及び３１Ｐを形成し、凹凸構造面を形成した。以上の工程を経て、搭載基板１１上に半導体発光素子２０及び３０並びに第１及び第２の電極パッド１２Ａ及び１２Ｂを互いに隣接して並置した。本実施例においては、図１（ｃ）に示すように、搭載基板１１上において半導体発光素子２０及び３０が互いに隣接して並置されるように配置した。また第１及び第２の電極パッド１２Ａ及び１２Ｂが隣接する半導体発光素子２０及び３０の配列方向に沿ってかつ半導体発光素子２０及び３０の外側に並置されるように形成した。これによって、搭載基板１１に垂直な方向から見たとき、隣接する半導体発光素子２０及び３０からなる発光領域（素子領域）及び発光しない領域である素子領域外の領域が構成される。なお、本実施例においては２つの半導体発光素子２０及び３０を搭載基板１１上に並置する場合について説明したが、搭載基板１１上には少なくとも１つの半導体発光素子が電極パッドに対して並置されていればよい。
【００２２】
［２．蛍光体層を形成する工程］
図２（ａ）は、搭載基板１１上に蛍光体層１４が形成された状態を示す断面図である。なお、図２及び後述する図３においては、半導体発光素子２０及び３０の詳細構造の図示は省略してある。また、以下においては、第１及び第２の電極パッドを区別せず、単に電極パッドと称する場合がある。本工程では、複数の蛍光体１４Ａを含むバインダを搭載基板１１上に塗布することによって搭載基板１１上に蛍光体層１４を形成する。蛍光体層１４は、図２（ａ）に示すように、半導体発光素子２０及び３０、電極パッド１２Ａ及び１２Ｂ並びに犠牲層１３を搭載基板１１に埋設するように形成される。蛍光体層１４としては、例えばガラス材料を用いることができる。
【００２３】
［３．蛍光体層を部分的に除去する工程］
図２（ｂ）は、蛍光体層１４の一部が除去されている途中の状態を示す断面図である。図２（ｂ）を用いて、電極パッド１２Ａ及び１２Ｂ上の蛍光体層１４を部分的に除去する工程について説明する。本実施例においては、電極パッド１２Ａ及び１２Ｂ上の蛍光体層１４の領域にレーザ光ＬＢを照射することによって、電極パッド１２Ａ及び１２Ｂ上の蛍光体層１４を部分的に除去する。蛍光体層１４にレーザ光ＬＢを照射すると、蛍光体層１４が蛍光体１４Ａと共に破壊されるように徐々に除去されていく。なお、図示していないが、犠牲層１３上にはわずかに蛍光体層１４のバインダが残渣として残る場合がある。
【００２４】
［４．犠牲層を除去する工程］
図２（ｃ）は、犠牲層１３が除去されて電極パッド１２Ａ及び１２Ｂが露出した状態を示す断面図である。図２（ｃ）を用いて犠牲層１３を除去して電極パッド１２Ａ及び１２Ｂを露出させる工程について説明する。本実施例においては、犠牲層１３にレーザ光を照射して犠牲層１３を除去する。レーザ光が犠牲層１３に照射されると、犠牲層１３は徐々に揮発して除去されていき、電極パッド１２Ａ及び１２Ｂが露出する。犠牲層１３が除去されると、わずかに残っていた蛍光体層１４の残渣も完全に除去され、電極パッド１２Ａ及び１２Ｂが完全に露出する。すなわち、本工程では、犠牲層１３にレーザ光を照射することによって犠牲層１３を揮発させ、これによって犠牲層１３及び犠牲層１３上の蛍光体層１４の残渣を除去する。なお、本実施例においては、本工程は、蛍光体層１４を部分的に除去する工程と同一工程で、すなわち一連の工程にて行った。しかし、蛍光体層を部分的に除去する工程及び犠牲層を除去する工程は別工程で行ってもよい。
【００２５】
［５．実装基板に搭載基板を固定する工程及びワイヤボンディング工程］
図２（ｄ）は、搭載基板１１が実装基板１５に固定され、実装基板１５上の給電パッド１６Ａ及び１６Ｂに半導体発光素子２０及び３０が接続された状態を示す断面図である。図２（ｄ）を用いて、給電パッド１６Ａ及び１６Ｂが形成された実装基板１５上に搭載基板１１を固定する工程及び電極パッド１２Ａ及び１２Ｂ並びに給電パッド１６Ａ及び１６Ｂをワイヤボンディングによってそれぞれ接続する工程について説明する。まず、実装基板１５上に第１の給電パッド１６Ａ及び第２の給電パッドを形成し、搭載基板１１を固定する実装基板１５上の領域に接合層を形成する。次に搭載基板１１の裏面である素子が形成されていない側の主面に金属層を形成する。そして、実装基板１５の接合層と搭載基板１１の金属層とを接合することによって、実装基板１５上に搭載基板１１を固定する。その後、第１の電極パッド１２Ａ及び第１の給電パッド１６Ａと、第２の電極パッド１２Ｂ及び第２の給電パッド１６Ｂと、をそれぞれボンディングワイヤＢＷによって接続する。実装基板１５としては、例えばアルミナやＡｌＮなどのセラミック材料を用いることができる。第１及び第２の給電パッド１６Ａ及び１６Ｂとしては、例えばＡｕ、Ａｌ、Ｎｉ及びＴｉなどの金属材料を用いることができる。半導体発光装置１０は上記した工程を経て作製される。
【００２６】
図３（ａ）〜（ｄ）は、それぞれ図２（ａ）〜（ｄ）の破線で囲んだ部分を拡大して示す部分拡大断面図である。以下においては、第２の電極パッド１２Ｂを単に電極パッド１２Ｂと称する。まず、図３（ａ）に示すように、レーザ照射前の電極パッド１２Ｂ上には、犠牲層１３が形成されている。レーザ光ＬＢの照射から、図３（ｂ）に示すように、電極パッド１２Ｂ上の蛍光体層１４が部分的に除去され始める。蛍光体層１４の部分的な除去に伴って、蛍光体１４Ａが除去される。
【００２７】
電極パッド１２Ｂ上の蛍光体層１４が部分的に除去されることによって、犠牲層１３の一部が露出し始める。これによってレーザ光ＬＢが犠牲層１３に照射される。犠牲層１３の材料である例えばＴｉは、レーザ光ＬＢによって電極パッド１２Ｂから揮発又は昇華し始める。従って、図３（ｃ）に示すよう犠牲層１３が電極パッド１２Ｂから除去される。なお、犠牲層１３上には依然として蛍光体層１４の残渣１４Ｒが残っている場合がある。しかし、残渣１４Ｒは犠牲層１３の破片１３Ｐと共に完全に除去され、電極パッド１２Ｂは完全に露出する。従って、図３（ｄ）に示すように、犠牲層１３が除去されることによって完全に露出した電極パッド１２Ｂ上にワイヤボンディングを行うと、ボールＢＬ及びボンディングワイヤＢＷが十分に電極パッド１２Ｂに接触する。このようにして、確実に電極パッド１２ＢとボンディングワイヤＢＷとの電気的接続を得ることができる。
【００２８】
なお、本実施例においては、第１及び第２の半導体層としてそれぞれｐ型半導体層及びｎ型半導体層を形成する場合について説明したが、第１及び第２の半導体層の導電型は反対であってもよい。また、光取出し面である半導体構造層の表面に複数の突起からなる凹凸構造面を形成する場合について説明したが、半導体構造層の表面に突起を形成せず、平坦面としてもよい。また、半導体発光装置における並置された複数の発光素子を直列に接続する場合について説明したが、複数の発光素子が並列に接続されるように形成してもよく、また、互いに電気的に分離されるように形成してもよい。
【００２９】
上記した実施例においては、搭載基板上において半導体発光素子に並置された電極パッド上に犠牲層を形成する工程と、電極パッド及び少なくとも１つの半導体発光素子を埋設するように蛍光体層を形成する工程と、電極パッド上の蛍光体層を部分的に除去する工程と、犠牲層にレーザ光を照射して犠牲層を除去し、電極パッドを露出させる工程と、を含む。従って、犠牲層上に蛍光体層の一部が残っていた場合であっても、その残存する蛍光体層の一部を犠牲層と共に確実に除去することができる。従って、電極パッドを確実に露出させることができ、電極パッドとワイヤとの金属接点が十分に形成される。従って、電極パッドと実装基板上の給電パッドへの接続用のボンディングワイヤとの電気的接点を確保することができる。また、電極パッド上の蛍光体層は除去されているため、電極パッドは空気又は封止ガス雰囲気中に露出している。従って、蛍光体層を介して電極パッド上の領域に素子からの光が漏れることが抑制される。これらにより、素子領域外への光のクロストークが抑制され、配光形状の制御が容易な高性能の半導体発光装置を提供することができる。
【符号の説明】
【００３０】
１０  半導体発光装置
１１  搭載基板
２０、３０  半導体発光素子
１２Ａ、１２Ｂ  （第１及び第２の）電極パッド
１３  犠牲層
１４  蛍光体層
１５  実装基板
１６Ａ、１６Ｂ  （第１及び第２の）給電パッド
ＢＷ  ボンディングワイヤ
【図１】
2015103600.tif 000003
【図２】
2015103600.tif 000004
【図３】
2015103600.tif 000005