(57)【要約】      （修正有）【課題】有機ＥＬ素子の発光効率を向上させ、駆動電圧を低下させることが可能な、新規かつ改良された電荷発生材料、および該電荷発生材料を用いた有機エレクトロルミネッセンス素子を提供する。【解決手段】下記一般式（３）で表される四配位ほう素化合物を含む、電荷発生材料。2015225794.tif 000018上記一般式（３）において、Ｘは、Ｎ−Ｒ３またはＳであり、Ｒ１〜Ｒ３は、互いに独立した置換もしくは無置換のアリール基、または置換もしくは無置換のヘテロアリール基であるか、または互いに連結して縮合環構造を形成した置換もしくは無置換のアリール基、または置換もしくは無置換のヘテロアリール基である。【選択図】図１
2015225794.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
下記一般式（１）で表される四配位ほう素化合物を含む、電荷発生材料。
【化１】
2015225794.tif 000015
上記一般式（１）において、
Ａｒ１は、置換もしくは無置換のアリール基、または置換もしくは無置換のヘテロアリール基である。
【請求項２】
前記Ａｒ１は、置換基として、重水素または電子吸引基を少なくとも１つ以上有する、請求項１に記載の電荷発生材料。
【請求項３】
前記Ａｒ１は、置換基として、ハメットの置換基定数σが０．０７より大きい電子吸引基を少なくとも１つ以上有する、請求項２に記載の電荷発生材料。
【請求項４】
下記一般式（２）で表される四配位ほう素化合物を含む、電荷発生材料。
【化２】
2015225794.tif 000016
上記一般式（２）において、
Ａｒ１およびＡｒ２は、互いに独立して、置換もしくは無置換のアリール基、または置換もしくは無置換のヘテロアリール基である。
【請求項５】
前記Ａｒ１およびＡｒ２の少なくともいずれか一方は、置換基として、重水素または電子吸引基を少なくとも１つ以上有する、請求項４に記載の電荷発生材料。
【請求項６】
前記Ａｒ１およびＡｒ２の少なくともいずれか一方は、置換基として、ハメットの置換基定数σが０．０７より大きい電子吸引基を少なくとも１つ以上有する、請求項５に記載の電荷発生材料。
【請求項７】
下記一般式（３）で表される四配位ほう素化合物を含む、電荷発生材料。
【化３】
2015225794.tif 000017
上記一般式（３）において、
Ｘは、Ｎ−Ｒ３またはＳであり、
Ｒ１〜Ｒ３は、互いに独立して、置換もしくは無置換のアリール基、または置換もしくは無置換のヘテロアリール基である。
【請求項８】
前記Ｒ１〜Ｒ３の少なくともいずれか１つは、置換基として、重水素または電子吸引基を少なくとも１つ以上有する、請求項７に記載の電荷発生材料。
【請求項９】
前記Ｒ１〜Ｒ３の少なくともいずれか１つは、置換基として、ハメットの置換基定数σが０．０７より大きい電子吸引基を少なくとも１つ以上有する、請求項８に記載の電荷発生材料。
【請求項１０】
前記電子吸引基は、互いに独立して、ハロゲン原子、少なくとも１つ以上のハロゲン原子で置換されたメチル基、シアノ基、およびスルホン酸基からなる群より選択されたいずれかの官能基である、請求項３、６および９のいずれか一項に記載の電荷発生材料。
【請求項１１】
前記四配位ほう素化合物のＬＵＭＯ準位は、−６．０ｅＶ以上−３．４ｅＶ以下である、請求項１〜１０のいずれか一項に記載の電荷発生材料。
【請求項１２】
請求項１〜１１のいずれか一項に記載の電荷発生材料を電荷発生層に含む、有機エレクトロルミネッセンス素子。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電荷発生材料、および有機エレクトロルミネッセンス素子に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、自発光型の発光素子である有機エレクトロルミネッセンス素子（Ｏｒｇａｎｉｃ  Ｅｌｅｃｔｒｏｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｃｅ  Ｄｉｏｄｅ）の開発が盛んに行われている。有機エレクトロルミネッセンス素子（以下、有機ＥＬ素子という）は、陽極および陰極から注入された正孔および電子を発光層において再結合させることにより、発光層中の有機化合物を含む発光材料を発光させる素子である。
【０００３】
一般的な有機ＥＬ素子は、発光層、ならびに発光層にキャリア（ｃａｒｒｉｅｒ）である正孔や電子を輸送する正孔輸送層および電子輸送層などの特性の異なる層を複数積層させた構成を備える。従来、有機ＥＬ素子では、発光特性の向上および長寿命化のために、各層の材料として様々な化合物が検討されてきた。
【０００４】
例えば、特許文献１には、発光層のホスト（ｈｏｓｔ）材料として好適に用いられる四配位ほう素化合物が開示されている。
【０００５】
一方、発光効率をさらに向上させるために、電荷発生層を介して複数の発光層を積層させるマルチスタック（ｍｕｌｔｉ−ｓｔａｃｋ）型構造を備える有機ＥＬ素子が提案されている。このようなマルチスタック型の有機ＥＬ素子では、所定の電圧が印加された場合、各電荷発生層が素子の陰極方向に正孔を注入し、また、陽極方向に電子を注入することにより、各発光層を電気的に直列接続しているように発光させ、発光効率を向上させている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開２００７−３５７９１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
ここで、従来、電荷発生材料として知られた化合物を電荷発生層に用いた有機ＥＬ素子では、発光効率や駆動電圧の低電圧化が十分ではないという問題点があった。そのため、有機ＥＬ素子の発光効率を向上させ、駆動電圧を低下させることが可能な電荷発生材料が求められていた。
【０００８】
そこで、本発明は、上記問題に鑑みてなされたものであり、本発明の目的とするところは、有機ＥＬ素子の発光効率を向上させ、駆動電圧を低下させることが可能な、新規かつ改良された電荷発生材料、および該電荷発生材料を用いた有機ＥＬ素子を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
上記課題を解決するために、本発明のある観点によれば、下記一般式（１）で表される四配位ほう素化合物を含む、電荷発生材料が提供される。
【化１】
2015225794.tif 000003
上記一般式（１）において、
Ａｒ１は、置換もしくは無置換のアリール（ａｒｙｌ）基、または置換もしくは無置換のヘテロアリール（ｈｅｔｅｒｏａｒｙｌ）基である。
【００１０】
この構成によれば、上記電荷発生材料を有機ＥＬ素子に用いることにより、有機ＥＬ素子の発光効率を向上させ、駆動電圧を低下させることができる。
【００１１】
前記Ａｒ１は、置換基として、重水素または電子吸引基を少なくとも１つ以上有してもよい。
【００１２】
この構成によれば、上記電荷発生材料の電荷発生能が向上するため、有機ＥＬ素子の発光効率をさらに向上させ、駆動電圧をさらに低下させることができる。
【００１３】
前記Ａｒ１は、置換基として、ハメット（Ｈａｍｍｅｔｔ）の置換基定数σが０．０７より大きい電子吸引基を少なくとも１つ以上有してもよい。
【００１４】
この構成によれば、上記電荷発生材料の電荷発生能が向上するため、有機ＥＬ素子の発光効率をさらに向上させ、駆動電圧をさらに低下させることができる。
【００１５】
また、上記課題を解決するために、本発明の別の観点によれば、下記一般式（２）で表される四配位ほう素化合物を含む、電荷発生材料が提供される。
【化２】
2015225794.tif 000004
上記一般式（２）において、
Ａｒ１およびＡｒ２は、互いに独立して、置換もしくは無置換のアリール基、または置換もしくは無置換のヘテロアリール基である。
【００１６】
この構成によれば、上記電荷発生材料を有機ＥＬ素子に用いることにより、有機ＥＬ素子の発光効率を向上させ、駆動電圧を低下させることができる。
【００１７】
前記Ａｒ１およびＡｒ２の少なくともいずれか一方は、置換基として、重水素または電子吸引基を少なくとも１つ以上有してもよい。
【００１８】
この構成によれば、上記電荷発生材料の電荷発生能が向上するため、有機ＥＬ素子の発光効率をさらに向上させ、駆動電圧をさらに低下させることができる。
【００１９】
前記Ａｒ１およびＡｒ２の少なくともいずれか一方は、置換基として、ハメットの置換基定数σが０．０７より大きい電子吸引基を少なくとも１つ以上有してもよい。
【００２０】
この構成によれば、上記電荷発生材料の電荷発生能が向上するため、有機ＥＬ素子の発光効率をさらに向上させ、駆動電圧をさらに低下させることができる。
【００２１】
また、上記課題を解決するために、本発明の別の観点によれば、下記一般式（３）で表される四配位ほう素化合物を含む、電荷発生材料が提供される。
【化３】
2015225794.tif 000005
上記一般式（３）において、
Ｘは、Ｎ−Ｒ３またはＳであり、
Ｒ１〜Ｒ３は、互いに独立して、置換もしくは無置換のアリール基、または置換もしくは無置換のヘテロアリール基である。
【００２２】
この構成によれば、上記電荷発生材料を有機ＥＬ素子に用いることにより、有機ＥＬ素子の発光効率を向上させ、駆動電圧を低下させることができる。
【００２３】
前記Ｒ１〜Ｒ３の少なくともいずれか１つは、置換基として、重水素または電子吸引基を少なくとも１つ以上有してもよい。
【００２４】
この構成によれば、上記電荷発生材料の電荷発生能が向上するため、有機ＥＬ素子の発光効率をさらに向上させ、駆動電圧をさらに低下させることができる。
【００２５】
前記Ｒ１〜Ｒ３の少なくともいずれか１つは、置換基として、ハメットの置換基定数σが０．０７より大きい電子吸引基を少なくとも１つ以上有してもよい。
【００２６】
この構成によれば、上記電荷発生材料の電荷発生能が向上するため、有機ＥＬ素子の発光効率をさらに向上させ、駆動電圧をさらに低下させることができる。
【００２７】
前記電子吸引基は、互いに独立して、ハロゲン（ｈａｌｏｇｅｎ）原子、少なくとも１つ以上のハロゲン原子で置換されたメチル（ｍｅｔｈｙｌ）基、シアノ（ｃｙａｎｏ）基、およびスルホン酸（ｓｕｌｆｏｎｉｃ  ａｃｉｄ）基からなる群より選択されたいずれかの官能基であってもよい。
【００２８】
この構成によれば、上記電荷発生材料の電荷発生能が向上するため、有機ＥＬ素子の発光効率をさらに向上させ、駆動電圧をさらに低下させることができる。
【００２９】
前記四配位ほう素化合物のＬＵＭＯ準位は、−６．０ｅＶ以上−３．４ｅＶ以下であってもよい。
【００３０】
この構成によれば、上記電荷発生材料を有機ＥＬ素子に用いることにより、有機ＥＬ素子の発光効率を向上させ、駆動電圧を低下させることができる。
【００３１】
また、上記課題を解決するために、本発明の別の観点によれば、上記電荷発生材料を電荷発生層に含む、有機ＥＬ素子が提供される。
【００３２】
この構成によれば、有機ＥＬ素子の発光効率を向上させ、駆動電圧を低下させることができる。
【発明の効果】
【００３３】
以上説明したように本発明によれば、有機ＥＬ素子の発光効率を向上させ、駆動電圧を低下させることが可能である。
【図面の簡単な説明】
【００３４】
【図１】本発明の一実施形態に係る有機ＥＬ素子の一例を示す概略図である。
【図２】本発明の一実施形態に係る電荷発生材料を用いて作製した有機ＥＬ素子の概略図である。
【発明を実施するための形態】
【００３５】
以下に添付図面を参照しながら、本発明の好適な実施の形態について詳細に説明する。なお、本明細書及び図面において、実質的に同一の機能構成を有する構成要素については、同一の符号を付することにより重複説明を省略する。
【００３６】
＜本発明の一実施形態に係る電荷発生材料＞
まず、本発明の一実施形態に係る電荷発生材料について説明する。本発明の一実施形態に係る電荷発生材料は、下記一般式（１）〜（３）のいずれかで表される四配位ほう素化合物を含む。
【００３７】
【化４】
2015225794.tif 000006
【００３８】
上記一般式（１）において、Ａｒ１は、置換もしくは無置換のアリール基、または置換もしくは無置換のヘテロアリール基である。
【００３９】
【化５】
2015225794.tif 000007
【００４０】
上記一般式（２）において、Ａｒ１およびＡｒ２は、互いに独立して、置換もしくは無置換のアリール基、または置換もしくは無置換のヘテロアリール基である。
【００４１】
【化６】
2015225794.tif 000008
【００４２】
上記一般式（３）において、Ｘは、Ｎ−Ｒ３またはＳであり、Ｒ１〜Ｒ３は、互いに独立して、置換もしくは無置換のアリール基、または置換もしくは無置換のヘテロアリール基である。
【００４３】
ここで、四配位ほう素化合物は、例えば、特許文献１に開示されるように、発光層のホスト材料として好適であることが知られている。具体的には、特許文献１では、四配位ほう素化合物に対してバイポーラ（ｂｉｐｏｌａｒ）性を付与し、正孔輸送能および電子輸送能を備えさせることにより、陽極側および陰極側のそれぞれから正孔および電子が注入される発光層のホスト材料として好適な特性を付与している。
【００４４】
しかし、特許文献１では、四配位ほう素化合物の他の好適な用途について、十分な検討がされていなかった。そこで、本発明者らは、四配位ほう素化合物が備える特性について詳細に検討した結果、四配位ほう素化合物にアクセプタ（ａｃｃｅｐｔｏｒ）性を付与することにより、電荷発生材料として好適に用いることができることを見出した。
【００４５】
ここで、電荷発生材料は、マルチスタック型の有機ＥＬ素子の電荷発生層に用いられ、該有機ＥＬ素子に所定の電圧が印加された場合、素子の陰極方向に正孔を注入し、陽極方向に電子を注入する機能を果たす。このため、電荷発生材料は、電子が欠乏し、電子のアクセプタ性が高い化合物を含むことが好ましい。より具体的には、電荷発生材料は、ＬＵＭＯ（Ｌｏｗｅｓｔ  Ｕｎｏｃｃｕｐｉｅｄ  Ｍｏｌｅｃｕｌａｒ  Ｏｒｂｉｔａｌ）の値が低い化合物を含むことが好ましい。
【００４６】
上記一般式（１）〜（３）のいずれかで表される四配位ほう素化合物は、強い有機金属ルイス酸（Ｌｅｗｉｓ  ａｃｉｄ）であるＢ（Ｃ６Ｆ５）３を有するため、配位中心のほう素が強い電子欠乏状態となっている。したがって、上記一般式（１）〜（３）のいずれかで表される四配位ほう素化合物は、強いアクセプタ性を有し、ＬＵＭＯの値が低いため、上述した電荷発生材料として好適に用いることができる。
【００４７】
また、上記一般式（１）〜（３）のいずれかで表される四配位ほう素化合物は、置換基として、重水素または電子吸引基を少なくとも１つ以上有することが好ましい。
【００４８】
具体的には、上記一般式（１）において、Ａｒ１は、置換基として重水素または電子吸引基を少なくとも１つ以上有することが好ましく、上記一般式（２）において、Ａｒ１およびＡｒ２の少なくともいずれか一方は、置換基として重水素または電子吸引基を少なくとも１つ以上有することが好ましく、上記一般式（３）において、Ｒ１〜Ｒ３の少なくともいずれか１つは、置換基として重水素または電子吸引基を少なくとも１つ以上有することが好ましい。
【００４９】
上記一般式（１）〜（３）のいずれかで表される四配位ほう素化合物が、置換基として重水素または電子吸引基を少なくとも１つ以上有する場合、配位中心のほう素はさらに電子欠乏状態となる。したがって、上記一般式（１）〜（３）のいずれかで表される四配位ほう素化合物は、さらにアクセプタ性が強くなり、ＬＵＭＯの値が低くなるため、電荷発生材料の電荷発生能をさらに向上させることができる。
【００５０】
なお、本実施形態に係る四配位ほう素化合物において、置換基として有する重水素または電子吸引基の数が多いほど、四配位ほう素化合物の配位中心のほう素はより電子欠乏状態となる。したがって、本実施形態に係る四配位ほう素化合物は、置換基として有する重水素または電子吸引基の数が多い方がよりＬＵＭＯの値が低くなり、電荷発生材料の電荷発生能をさらに向上させることができるため、より好ましい。
【００５１】
また、上記一般式（１）〜（３）のいずれかで表される四配位ほう素化合物は、置換基として、ハメットの置換基定数σが０．０７より大きい電子吸引基を少なくとも１つ以上有することが好ましい。
【００５２】
具体的には、上記一般式（１）において、Ａｒ１は、置換基としてハメットの置換基定数σが０．０７より大きい電子吸引基を少なくとも１つ以上有することが好ましく、上記一般式（２）において、Ａｒ１およびＡｒ２の少なくともいずれか一方は、置換基としてハメットの置換基定数σが０．０７より大きい電子吸引基を少なくとも１つ以上有することが好ましく、上記一般式（３）において、Ｒ１〜Ｒ３の少なくともいずれか１つは、置換基としてハメットの置換基定数σが０．０７より大きい電子吸引基を少なくとも１つ以上有することが好ましい。
【００５３】
ここで、ハメット則とは、安息香酸に対する反応速度と、官能基で置換された安息香酸に対する反応速度との違いから、該官能基の電子吸引性および電子供与性の強度を示した指標である。具体的には、ハメット則では、ハメットの置換基定数σの値によって置換基の電子吸引性および電子供与性を評価しており、σ＝０を境界として、σの値が正側に大きくなるほど電子吸引性が強く、負側に大きくなるほど電子供与性が強いことを示す。
【００５４】
なお、ハメットの置換基定数σは、置換基の位置によってパラ（ｐａｒａ）効果とメタ（ｍｅｔａ）効果との２通りが定義されるが、本明細書において「ハメットの置換基定数σが０．０７より大きい」とは、パラ効果およびメタ効果の両方において、ハメットの置換基定数σが０．０７より大きいことを表す。
【００５５】
上記一般式（１）〜（３）のいずれかで表される四配位ほう素化合物は、置換基としてハメットの置換基定数σが０．０７より大きい電子吸引基を少なくとも１つ以上有することにより、配位中心のほう素をさらに電子欠乏状態にすることができる。したがって、上記一般式（１）〜（３）のいずれかで表される四配位ほう素化合物は、さらにアクセプタ性が強くなり、ＬＵＭＯの値が低くなるため、電荷発生材料の電荷発生能をさらに向上させることができる。
【００５６】
ただし、上記一般式（１）〜（３）のいずれかで表される四配位ほう素化合物が、電子吸引性が弱い電子吸引基で置換されている場合、配位中心のほう素の電子欠乏状態に対する影響が小さい。そのため、本実施形態に係る四配位ほう素化合物が置換基として有する電子吸引基は、配位中心のほう素の電子欠乏状態に大きく影響を与えるような強い電子吸引性を有することが好ましい。このような電子吸引基が有する電子吸引性の強さは、例えば、ハメットの置換基定数σにおいて、σ＞０．０７である。
【００５７】
なお、本実施形態に係る四配位ほう素化合物において、置換基として有する電子吸引基の電子吸引性が強い（すなわち、ハメットの置換基定数σが大きい）ほど、配位中心のほう素はより電子欠乏状態となる。したがって、本実施形態に係る四配位ほう素化合物は、より電子吸引性が強い（すなわち、ハメットの置換基定数σがより大きい）電子吸引基を置換基として有する方が、よりＬＵＭＯの値が低くなり、電荷発生材料の電荷発生能をさらに向上させることができるため、好ましい。
【００５８】
ここで、本実施形態に係る四配位ほう素化合物が置換基として有する電子吸引基は、具体的には、ハロゲン原子、少なくとも１つ以上のハロゲン原子で置換されたメチル基、シアノ基、およびスルホン酸基等であってもよい。本実施形態に係る四配位ほう素化合物は、置換基として、このような電子吸引性の高い電子吸引基を少なくとも１つ以上有することにより、ＬＵＭＯの値を低くすることできるため、電荷発生材料の電荷発生能を向上させることができる。
【００５９】
なお、上述した本実施形態に係る四配位ほう素化合物のＬＵＭＯ準位は、具体的には、−６．０ｅＶ以上−３．４ｅＶ以下であることが好ましい。本実施形態に係る四配位ほう素化合物のＬＵＭＯ準位が上述した範囲内である場合、本実施形態に係る四配位ほう素化合物は、電荷発生材料の電荷発生能をさらに向上させることができる。
【００６０】
以下において、上述した本実施形態に係る四配位ほう素化合物の具体的な例である化合物１〜２４の構造を示す。しかしながら、本実施形態に係る四配位ほう素化合物は、下記の化合物に限定されるものではない。
【００６１】
【化７】
2015225794.tif 000009
【００６２】
【化８】
2015225794.tif 000010
【００６３】
以上説明したように、本実施形態に係る電荷発生材料は、上記一般式（１）〜（３）のいずれかで表される四配位ほう素化合物を含む。上記一般式（１）〜（３）のいずれかで表される四配位ほう素化合物は、強いアクセプタ性を有し、ＬＵＭＯの値が低いため、電荷発生材料の電荷発生能を向上させることができる。したがって、本実施形態に係る電荷発生材料は、有機ＥＬ素子の電荷発生層に好適に用いることができ、有機ＥＬ素子の発光効率を向上させ、駆動電圧を低下させることができる。
【００６４】
＜本発明の一実施形態に係る有機ＥＬ素子＞
次に、図１を参照して、本発明の一実施形態に係る有機ＥＬ素子について説明する。図１は、本発明の一実施形態に係る有機ＥＬ素子の一例を示す概略図である。
【００６５】
図１に示すように、本発明の一実施形態に係る有機ＥＬ素子１００は、基板１０１と、基板１０１上に配置された陽極１０３と、陽極１０３上に配置された第１発光ユニット１１０と、第１発光ユニット（ｕｎｉｔ）１１０上に配置された電荷発生層１０５と、電荷発生層１０５上に配置された第２発光ユニット１２０と、第２発光ユニット上に配置された陰極１０７と、を備える。
【００６６】
ここで、第１発光ユニット１１０は、陽極１０３上に配置された第１正孔注入層１１１と、第１正孔注入層１１１上に配置された第１正孔輸送層１１３と、第１正孔輸送層１１３上に配置された第１発光層１１５と、第１発光層１１５上に配置された第１電子輸送層１１７と、第１電子輸送層１１７上に配置された第１電子注入層１１９とを備える。
【００６７】
また、第２発光ユニット１２０は、電荷発生層１０５上に配置された第２正孔注入層１２１と、第２正孔注入層１２１上に配置された第２正孔輸送層１２３と、第２正孔輸送層１２３上に配置された第２発光層１２５と、第２発光層１２５上に配置された第２電子輸送層１２７と、第２電子輸送層１２７上に配置された第２電子注入層１２９とを備える。
【００６８】
なお、図１で示した有機ＥＬ素子１００の構造は、あくまでも一例であって、本実施形態に係る有機ＥＬ素子は、図１の構造に限定されるものではない。例えば、有機ＥＬ素子１００は、一部の層が省略されていてもよく、また他の層が追加されていてもよい。さらに、有機ＥＬ素子１００の各層は、複数層で形成されていてもよい。
【００６９】
また、本実施形態に係る有機ＥＬ素子１００は、さらに複数の電荷発生層と、複数の発光ユニットと、を備えていてもよい。例えば、有機ＥＬ素子１００は、第２発光ユニット１２０と陰極１０７との間に配置された第３発光ユニットと、第２発光ユニット１２０と第３発光ユニットとの間に挟持された電荷発生層とをさらに備えていてもよい。
【００７０】
基板１０１は、例えば、透明ガラス（ｇｌａｓｓ）基板、シリコン（Ｓｉ）等の半導体基板、高分子化合物等の樹脂基板を使用することができる。
【００７１】
陽極１０３は、基板１０１上に配置され、第１正孔注入層１１１に正孔を供給する。陽極１０３は、例えば、仕事関数が大きい金属、合金、金属酸化物、および導電性化合物等によって形成することができ、具体的には、酸化インジウムスズ（ＩＴＯ）やインジウム亜鉛酸化物（ＩＺＯ）等を用いて形成される。なお、陽極１０３の膜厚は、材料により適宜選択可能であるが、例えば、１００ｎｍ〜５００ｎｍである。
【００７２】
第１正孔注入層１１１は、陽極１０３上に配置され、陽極１０３から第１正孔輸送層１１３への正孔の注入を容易にする。第１正孔注入層１１１は、例えば、４，４’，４’’−Ｔｒｉｓ［２−ｎａｐｈｔｈｙｌ（ｐｈｅｎｙｌ）ａｍｉｎｏ］ｔｒｉｐｈｅｎｙｌａｍｉｎｅ（２−ＴＮＡＴＡ）、Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−Ｔｅｔｒａｋｉｓ（３−ｍｅｔｈｙｌｐｈｅｎｙｌ）−３，３’−ｄｉｍｅｔｈｙｌｂｅｎｚｉｄｉｎｅ（ＨＭＴＰＤ）、Ｄｉｐｙｒａｚｉｎｏ［２，３−ｆ：２’，３’−ｈ］ｑｕｉｎｏｘａｌｉｎｅ−２，３，６，７，１０，１１−ｈｅｘａｃａｒｂｏｎｉｔｒｉｌｅ（ＨＡＴ（ＣＮ）６）等を含んで形成される。なお、第１正孔注入層１１１の膜厚は、材料により適宜選択可能であるが、例えば、１０ｎｍ〜１００ｎｍである。
【００７３】
第１正孔輸送層１１３は、第１正孔注入層１１１上に配置され、陽極１０３から注入された正孔を第１発光層１１５に輸送する。第１正孔輸送層１１３は、例えば、Ｎ，Ｎ’−Ｂｉｓ（３−ｍｅｔｈｙｌｐｈｅｎｙｌ）−Ｎ，Ｎ’−ｄｉｐｈｅｎｙｌｂｅｎｚｉｄｉｎｅ（ＴＰＤ）、４，４’，４’’−Ｔｒｉｓ（Ｎ−ｃａｒｂａｚｏｌｙｌ）ｔｒｉｐｈｅｎｙｌａｍｉｎｅ（ＴＣＴＡ）、Ｎ，Ｎ’−Ｄｉ（１−ｎａｐｈｔｙｌ）−Ｎ，Ｎ’−ｄｉｐｈｅｎｙｌｂｅｎｚｉｄｉｎｅ（ＮＰＤ）等を含んで形成される。なお、第１正孔輸送層１１３の膜厚は、材料により適宜選択可能であるが、例えば、１０ｎｍ〜１５０ｎｍである。
【００７４】
第１発光層１１５は、第１正孔輸送層１１３上に配置され、正孔と電子との再結合の場を提供することで発光を行う層である。具体的には、第１発光層１１５は、ホスト材料中に発光材料であるドーパント（ｄｏｐａｎｔ）材料を含有させることで形成される。なお、ドーパント材料は、公知の蛍光材料およびりん光材料を用いることが可能であり、例えば、第１発光層１１５は、ホスト材料として、９，１０−Ｄｉ（２−ｎａｐｈｔｈｙｌ）ａｎｔｈｒａｃｅｎｅ（ＡＤＮ）を含み、ドーパント材料として、２，５，８，１１−Ｔｅｔｒａ−ｔ−ｂｕｔｙｌｐｅｒｙｌｅｎｅ（ＴＢＰ）を含んで形成される。なお、第１発光層１１５の膜厚は、特に限定されるものではないが、例えば、１０ｎｍ〜１００ｎｍである。
【００７５】
第１電子輸送層１１７は、第１発光層１１５上に配置され、電荷発生層１０５から注入された電子を第１発光層１１５に輸送する。第１電子輸送層１１７は、例えば、Ｔｒｉｓ（８−ｈｙｄｒｏｘｙｑｕｉｎｏｌｉｎａｔｏ）ａｌｕｍｉｎｉｕｍ（Ａｌｑ３）、３−（４−Ｂｉｐｈｅｎｙｌｙｌ）−４−ｐｈｅｎｙｌ−５−（４−ｔｅｒｔ−ｂｕｔｙｌｐｈｅｎｙｌ）−４Ｈ−１，２，４−ｔｒｉａｚｏｌｅ（ＴＡＺ）等を含んで形成される。なお、第１電子輸送層１１７の膜厚は、材料により適宜選択可能であるが、例えば、５ｎｍ〜１００ｎｍである。
【００７６】
第１電子注入層１１９は、第１電子輸送層１１７上に配置され、電荷発生層１０５から第１電子輸送層１１７への電子の注入を容易にする。第１電子注入層１１９は、例えば、フッ化リチウム（ＬｉＦ）、塩化ナトリウム（ＮａＣｌ）、フッ化セシウム（ＣｓＦ）、酸化リチウム（Ｌｉ２Ｏ）、酸化バリウム（ＢａＯ）等を含んで形成される。なお、第１電子注入層１１９の膜厚は、材料により適宜選択可能であるが、例えば、０．１ｎｍ〜１０ｎｍである。
【００７７】
電荷発生層１０５は、第１電子注入層１１９上に配置され、陽極１０３側の第１発光層１１５に電子を供給し、陰極１０７側の第２発光層１２５に正孔を供給する。具体的には、電荷発生層１０５は、第１電子注入層１１９上に形成された金属ドーピング（ｄｏｐｉｎｇ）層と、金属ドーピング層上に配置されたアクセプタ層と、からなる。
【００７８】
金属ドーピング層は、有機化合物と、電子供与性ドーパントとして機能する金属と、を含み、陽極１０３側の第１発光層１１５に電子を供給する。具体的には、金属ドーピング層は、アルカリ（ａｌｋａｌｉ）金属、アルカリ土類金属および希土類金属からなる群より選択された１種以上の金属または該金属の化合物を含むことが好ましい。例えば、金属ドーピング層が含む金属は、リチウム（Ｌｉ）、セシウム（Ｃｓ）等であってもよい。なお、金属ドーピング層は、有機化合物を含まず、電子供与性ドーパントとして機能する金属からなる金属層として形成されてもよい。
【００７９】
アクセプタ層は、本発明の一実施形態に係る電荷発生材料により形成され、陰極１０７側の第２発光層１２５に正孔を供給する。本発明の一実施形態に係る電荷発生材料が含む四配位ほう素化合物は、アクセプタ性が強く、ＬＵＭＯの値が低いため、電荷発生層１０５は、高い電荷発生能を有することができる。したがって、本実施形態に係る有機ＥＬ素子１００は、発光効率が向上し、駆動電圧が低下する。
【００８０】
第２正孔注入層１２１は、電荷発生層１０５上に配置され、電荷発生層１０５から第２正孔輸送層１２３への正孔の注入を容易にする。第２正孔注入層１２１は、第１正孔注入層１１１と同様の材料および膜厚で形成することができる。なお、第１正孔注入層１１１および第２正孔注入層１２１は、同一の材料および膜厚で形成されてもよく、異なる材質および膜厚で形成されてもよい。
【００８１】
第２正孔輸送層１２３は、第２正孔注入層１２１上に配置され、電荷発生層１０５から注入された正孔を第２発光層１２５に輸送する。第２正孔輸送層１２３は、第１正孔輸送層１１３と同様の材料および膜厚で形成することができる。なお、第１正孔輸送層１１３および第２正孔輸送層１２３は、同一の材料および膜厚で形成されてもよく、異なる材質および膜厚で形成されてもよい。
【００８２】
第２発光層１２５は、第２正孔輸送層１２３上に配置され、正孔と電子との再結合の場を提供することで発光を行う層である。第２発光層１２５は、第１発光層１１５と同様の材料および膜厚で形成することができる。なお、第１発光層１１５および第２発光層１２５は、同一の材料および膜厚で形成されてもよく、異なる材質および膜厚で形成されてもよい。
【００８３】
第２電子輸送層１２７は、第２発光層１２５上に配置され、陰極１０７から注入された電子を第２発光層１２５に輸送する。第２電子輸送層１２７は、第１電子輸送層１１７と同様の材料および膜厚で形成することができる。なお、第１電子輸送層１１７および第２電子輸送層１２７は、同一の材料および膜厚で形成されてもよく、異なる材質および膜厚で形成されてもよい。
【００８４】
第２電子注入層１２９は、第２電子輸送層１２７上に配置され、陰極１０７から注入された電子を第２発光層１２５に輸送する。第２電子注入層１２９は、第１電子注入層１１９と同様の材料および膜厚で形成することができる。なお、第１電子注入層１１９および第２電子注入層１２９は、同一の材料および膜厚で形成されてもよく、異なる材質および膜厚で形成されてもよい。
【００８５】
陰極１０７は、第２電子注入層１２９上に配置され、第２電子注入層１２９に電子を供給する。陰極１０７は、例えば、仕事関数が小さい金属、合金、金属酸化物、および導電性化合物等で形成される。具体的には、陰極１０７は、アルミニウム（Ａｌ）等の金属、および酸化インジウムスズ（ＩＴＯ）やインジウム亜鉛酸化物（ＩＺＯ）等の透明材料により形成される。なお、陰極１０７の膜厚は、材料により適宜選択可能であるが、例えば、１００ｎｍ〜５００ｎｍである。
【００８６】
なお、図１にて示した有機ＥＬ素子１００の構造のうち、電荷発生層１０５のアクセプタ層を除いた各層を形成する材料については、特に限定されるものではなく、公知の有機ＥＬ素子用材料を利用することも可能である。
【００８７】
ここで、上述した本発明の一実施形態に係る有機ＥＬ素子１００の各層は、真空蒸着、スパッタ、各種塗布法など、材料に応じた適切な成膜方法を選択することにより形成することができる。
【００８８】
例えば、陽極１０３および陰極１０７などの電極層は、電子ビーム蒸着（ｅｌｅｃｔｒｏｎ  ｂｅａｍ  ｅｖａｐｏｒａｔｉｏｎ）法、熱フィラメント蒸着（ｈｏｔ  ｆｉｌａｍｅｎｔ  ｅｖａｐｏｒａｔｉｏｎ）法および真空蒸着法を含む蒸着法、スパッタリング（ｓｐｕｔｔｅｒｉｎｇ）法、メッキ（ｐｌａｔｉｎｇ）法（電気メッキ法および無電解メッキ法）などにより形成することができる。
【００８９】
また、第１正孔注入層１１１、第１正孔輸送層１１３、第１発光層１１５、第１電子輸送層１１７、第１電子注入層１１９、電荷発生層１０５、第２正孔注入層１２１、第２正孔輸送層１２３、第２発光層１２５、第２電子輸送層１２７、および第２電子注入層１２９などの各層は、例えば、真空蒸着法等の物理的気相成長法（ＰＶＤ法）、スクリーン印刷（ｓｃｒｅｅｎ  ｐｒｉｎｔｉｎｇ）法およびインクジェット（ｉｎｋ  ｊｅｔ）印刷法といった印刷法、レーザ（ｌａｓｅｒ）転写法、およびスピンコート（ｓｐｉｎ  ｃｏａｔ）法等の塗布法などにより形成することができる。
【００９０】
以上にて、本実施形態に係る有機ＥＬ素子１００の構成の一例について説明した。
【実施例】
【００９１】
以下では、実施例及び比較例を参照しながら、本発明の一実施形態に係る電荷発生材料および該電荷発生材料を含む有機ＥＬ素子について、具体的に説明する。なお、以下に示す実施例は、あくまでも一例であって、本発明の一実施形態に係る電荷発生材料および有機ＥＬ素子が下記の例に限定されるものではない。
【００９２】
［四配位ほう素化合物の合成］
まず、本実施形態に係る電荷発生材料が含む四配位ほう素化合物の合成方法について、上記化合物１〜３、７および１４の合成方法を例示して具体的に説明する。なお、以下に述べる合成方法はあくまでも一例であって、本実施形態に係る電荷発生材料が含む四配位ほう素化合物の合成方法が下記の例に限定されるものではない。
【００９３】
（化合物３の合成）
以下の反応式１によって、本実施形態に係る四配位ほう素化合物である化合物３を合成した。
【００９４】
【化９】
2015225794.tif 000011
【００９５】
０℃に設定したトリス（ペンタフルオロフェニル）ボラン（Ｔｒｉｓ（ｐｅｎｔａｆｌｕｏｒｏｐｈｅｎｙｌ）ｂｏｒａｎｅ）（５ｇ，９．８ｍｍｏｌ）のペンタン（Ｐｅｎｔａｎｅ）溶液（３００ｍｌ）に、ベンゾチアゾール（Ｂｅｎｚｏｔｈｉａｚｏｌｅ）（０．３ｍｌ，２．８ｍｍｏｌ）を滴下した。滴下後、混合物を０℃で１時間攪拌し、さらに室温で２４時間攪拌した。反応後、生成物をろ別し、ペンタンで洗浄した後、真空乾燥することにより化合物Ａを（１．９ｇ，収率９５％）得た。
【００９６】
合成した化合物Ａに対して、ＮＭＲ（Ｎｕｃｌｅａｒ  Ｍａｇｎｅｔｉｃ  Ｒｅｓｏｎａｎｃｅ）測定を行ったところ、１Ｈ−ＮＭＲ（４００ＭＨｚ，ＣＤＣｌ３）測定で測定された化合物Ａのケミカルシフト（ｃｈｅｍｉｃａｌ  ｓｈｉｆｔ）値は、δ９．４４（ｄ，１Ｈ），δ８．０３（ｍ，２Ｈ）、δ７．６３（ｍ，２Ｈ）であった。また、１９Ｆ−ＮＭＲ測定で測定された化合物Ａのケミカルシフト値は、δ−１３３．９（ｔ，６Ｆ），δ−１５５．４（ｔ，３Ｆ）、δ−１６３．４（ｍ，６Ｆ）であった。さらに、合成した化合物Ａに対して、ＨＲＭＳ（Ｈｉｇｈ−Ｒｅｓｏｌｕｔｉｏｎ  Ｍａｓｓ  Ｓｐｅｃｔｒｏｍｅｔｒｙ）測定を行ったところ、測定された化合物Ａの分子量は６４６．９９９６であった。したがって、化合物Ａは、Ｃ２５Ｈ５ＢＦ１５ＮＳ（分子量６４６．９９８３）であると同定された。
【００９７】
また、化合物Ａ（１．２ｇ，１．８ｍｍｏｌ）に、ベンゼン／テトロヒドロフラン（Ｂｅｎｚｅｎｅ／Ｔｅｔｒａｈｙｄｒｏｆｕｒａｎ）（体積比１０／１にて２００ｍｌ）を加え、−１０℃まで冷却した。冷却後、混合物にメチルリチウム（Ｍｅｔｈｙｌｌｉｔｈｉｕｍ）（２ｍｌ，２．３ｍｍｏｌ）を滴下し、さらに室温で一晩撹拌した。反応終了後、溶媒を揮発させて濃縮し、アルミナカラム（Ａｌｕｍｉｎａ  ｃｏｌｕｍｎ）にて生成を行い、化合物３を得た（７５０ｍｇ，収率６６％）。
【００９８】
合成した化合物３に対して、ＮＭＲ測定を行ったところ、１Ｈ−ＮＭＲ（４００ＭＨｚ，ＣＤＣｌ３）測定で測定された化合物Ａのケミカルシフト値は、δ８．０６（ｍ，１Ｈ），δ７．８９（ｍ，１Ｈ）、δ６．３９（ｍ，２Ｈ）であった。また、１９Ｆ−ＮＭＲ測定で測定された化合物３のケミカルシフト値は、δ−１３０．８（ｍ，１Ｆ），δ−１３１．８（ｍ，４Ｆ）、δ−１３７．５（ｍ，１Ｆ）、δ−１４４．４（ｍ，１Ｆ）、δ−１５４．９（ｍ，１Ｆ）、δ−１５５．７（ｍ，２Ｆ）、δ−１６２．５（ｍ，４Ｆ）であった。であった。さらに、合成した化合物３に対して、ＨＲＭＳ測定を行ったところ、測定された化合物３の分子量は６２６．９９３３であった。したがって、化合物３は、Ｃ２５Ｈ４ＢＦ１４ＮＳ（６２６．９９３７）であると同定された。
【００９９】
なお、上記のＮＭＲ測定には、ＢＲＵＫＥＲ社製ＡＶＡＮＣＥ  ＩＩＩ  ３００を用い、ＨＲＭＳ測定には、ＪＥＯＬ社製ＪＭＳ−７００を用いた。
【０１００】
（化合物１の合成）
上記化合物３の合成において、ベンゾチアゾールをチアゾール（Ｔｈｉａｚｏｌｅ）に変更した以外は、同様にして、化合物１を合成した。
【０１０１】
（化合物２の合成）
上記化合物３の合成において、ベンゾチアゾールを４−トリフルオロメチルチアゾール（４−（Ｔｒｉｆｌｕｏｒｏｍｅｔｈｙｌ）ｔｈｉａｚｏｌｅ）に変更した以外は、同様にして、化合物２を合成した。
【０１０２】
（化合物７の合成）
上記化合物３の合成において、ベンゾチアゾールを６−トリフルオロメチルベンゾチアゾール（６−（Ｔｒｉｆｌｕｏｒｏｍｅｔｈｙｌ）ｂｅｎｚｏｔｈｉａｚｏｌｅ）に変更した以外は、同様にして、化合物２を合成した。
【０１０３】
（化合物１４の合成）
上記化合物３の合成において、ベンゾチアゾールを１−フェニルイミダゾール（１−Ｐｈｅｎｙｌｉｍｉｄａｚｏｌｅ）に変更した以外は、同様にして、化合物１４を合成した。
【０１０４】
以上にて合成した化合物１〜３、７および１４は、それぞれＮＭＲ測定およびＨＲＭＳ測定を行い、構造を同定した。ＮＭＲ測定には、同様に、ＢＲＵＫＥＲ社製ＡＶＡＮＣＥ  ＩＩＩ  ３００を用い、ＨＲＭＳ測定には、ＪＥＯＬ社製ＪＭＳ−７００を用いた。なお、以上にて合成した化合物１〜３、７および１４の収率、分子量（計算値）および分子量（ＨＲＭＳ測定値）を表１にまとめて示す。
【０１０５】
【表１】
2015225794.tif 000012
【０１０６】
表１に示す結果を参照すると、合成した化合物１〜３、７および１４は、計算上の分子量と、ＨＲＭＳ測定結果の分子量とが高い精度で一致しており、目的とする化合物１〜３、７および１４が合成できたことが分かる。
【０１０７】
［有機ＥＬ素子の作製］
次に、真空蒸着を用いて、以下の手順にて本発明の一実施形態に係る有機ＥＬ素子を作製した。なお、以下に述べる有機ＥＬ素子の構造および作製方法はあくまでも一例であって、本実施形態に係る有機ＥＬ素子の構造および作製方法が下記の例に限定されるものではない。
【０１０８】
（実施例１）
まず、あらかじめパターニング（ｐａｔｔｅｒｎｉｎｇ）して洗浄処理を施したＩＴＯ−ガラス基板にオゾン（Ｏｚｏｎｅ）による表面処理を行った。なお、該ガラス基板におけるＩＴＯ膜の膜厚は、１３０ｎｍであった。オゾン処理後、直ちに正孔輸送材料として、Ｎ，Ｎ’−Ｄｉ（１−ｎａｐｈｔｙｌ）−Ｎ，Ｎ’−ｄｉｐｈｅｎｙｌｂｅｎｚｉｄｉｎｅ（ＮＰＤ）を上記ＩＴＯ膜上に膜厚７０ｎｍで成膜した。
【０１０９】
次に、発光材料としてＴｒｉｓ（８−ｈｙｄｒｏｘｙｑｕｉｎｏｌｉｎａｔｏ）ａｌｕｍｉｎｉｕｍ（Ａｌｑ３）を膜厚５０ｎｍで成膜し、さらに、電子注入材料としてフッ化リチウム（ＬｉＦ）を膜厚０．５ｎｍで成膜した。続いて、アルミニウム（Ａｌ）を膜厚１００ｎｍで成膜した後、電荷発生材料（ｃｈａｒｇｅ  ｇｅｎｅｒａｔｉｏｎ  ｍａｔｅｒｉａｌ：ＣＧＭ）として上記化合物１を膜厚１０ｎｍで成膜し、電荷発生層を形成した。
【０１１０】
次に、正孔輸送材料として、ＮＰＤを上記電荷発生層上に膜厚７０ｎｍで成膜した。次に、発光材料としてＡｌｑ３を膜厚５０ｎｍで成膜し、さらに、電子注入材料としてフッ化リチウムを膜厚０．５ｎｍで成膜した。その後、陰極としてアルミニウムを膜厚１００ｎｍで成膜し、有機ＥＬ素子２００を作製した。
【０１１１】
（実施例２）
実施例１で用いた化合物１の代わりに化合物２を用いた以外は、実施例１と同様にして、有機ＥＬ素子を作製した。
【０１１２】
（実施例３）
実施例１で用いた化合物１の代わりに化合物３を用いた以外は、実施例１と同様にして、有機ＥＬ素子を作製した。
【０１１３】
（実施例４）
実施例１で用いた化合物１の代わりに化合物７を用いた以外は、実施例１と同様にして、有機ＥＬ素子を作製した。
【０１１４】
（実施例５）
実施例１で用いた化合物１の代わりに化合物１４を用いた以外は、実施例１と同様にして、有機ＥＬ素子を作製した。
【０１１５】
（比較例）
実施例１で用いた化合物１の代わりに、以下で構造を示すＨＡＴ（ＣＮ）６を用いた以外は、実施例１と同様にして、有機ＥＬ素子を作製した。なお、ＨＡＴ（ＣＮ）６は、一般的な電荷発生材料である。
【０１１６】
【化１０】
2015225794.tif 000013
【０１１７】
作製した有機ＥＬ素子２００の実施例１〜５、比較例の概略図を図２に示す。作製した有機ＥＬ素子２００は、例えば、基板２０１、基板２０１上に配置された陽極２０３、陽極２０３上に配置された第１正孔輸送層２０５、第１正孔輸送層２０５上に配置された第１発光層２０７、第１発光層２０７上に配置された第１電子注入層２０９、第１電子注入層２０９上に配置された電荷発生層２１１、２１３、電荷発生層２１１、２１３上に配置された第２正孔輸送層２１５、第２正孔輸送層２１５上に配置された第２発光層２１７、第２発光層２１７上に配置された第２電子注入層２１９、第２電子注入層２１９上に配置された陰極２２１から構成されている。
【０１１８】
［評価結果］
作製した実施例１〜５、比較例１〜４の有機ＥＬ素子２００の評価結果を以下の表２に示す。なお、作製した有機ＥＬ素子２００の発光特性の評価には、浜松ホトニクス製Ｃ９９２０−１１輝度配向特性測定装置を用いた。また、下記の表１において、駆動電圧および発光効率の測定は、１０ｍＡ／ｃｍ２の電流密度にて行った。
【０１１９】
【表２】
2015225794.tif 000014
【０１２０】
表２に示す結果を参照すると、本実施形態に係る電荷発生材料（化合物１〜３、７および１４）を用いた実施例１〜５は、一般的な電荷発生材料（ＨＡＴ−ＣＮ６）を用いた比較例に対して、発光効率が向上し、駆動電圧が低下していることがわかる。
【０１２１】
また、電子吸引基（トリフルオロメチル基）を有する化合物２を電荷発生材料として用いた実施例２は、化合物２に対して電子吸引基（トリフルオロメチル基）を有していない点のみが異なる化合物１を用いた実施例１に対して、発光効率が向上し、駆動電圧が低下していることがわかる。同様に、電子吸引基（トリフルオロメチル基）を有する化合物７を電荷発生材料として用いた実施例４は、化合物７に対して電子吸引基（トリフルオロメチル基）を有していない点のみが異なる化合物３を用いた実施例３に対して、発光効率が向上し、駆動電圧が低下していることがわかる。したがって、本実施形態に係る四配位ほう素化合物は、電子吸引基を置換基として有することによりアクセプタ性が強くなり、電荷発生材料の電荷発生能を向上させるため、有機ＥＬ素子の発光効率を向上させ、駆動電圧を低下させることができることがわかる。
【０１２２】
なお、前述した実施例においては、本発明の一実施形態に係る電荷発生材料を用いた有機ＥＬ素子について説明したが、本発明は前述の実施例に限定されない。例えば、本発明の一実施形態に係る電荷発生材料は、その他の発光素子又は発光装置に利用することも可能である。また、図１および図２に示す有機ＥＬ素子は、パッシブ・マトリクス（ｐａｓｓｉｖｅ−ｍａｔｒｉｘ）駆動方式の有機ＥＬディスプレイ（ｄｉｓｐｌａｙ）に利用することができるが、アクティブ・マトリクス（ａｃｔｉｖｅ−ｍａｔｒｉｘ）駆動方式の有機ＥＬディスプレイに利用することも可能である。
【０１２３】
以上、添付図面を参照しながら本発明の好適な実施形態について詳細に説明したが、本発明はかかる例に限定されない。本発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者であれば、特許請求の範囲に記載された技術的思想の範疇内において、各種の変更例または修正例に想到し得ることは明らかであり、これらについても、当然に本発明の技術的範囲に属するものと了解される。
【符号の説明】
【０１２４】
１００    有機ＥＬ素子
１０１    基板
１０３    陽極
１０５    電荷発生層
１０７    陰極
１１０    第１発光ユニット
１１１    第１正孔注入層
１１３    第１正孔輸送層
１１５    第１発光層
１１７    第１電子輸送層
１１９    第１電子注入層
１２０    第２発光ユニット
１２１    第２正孔注入層
１２３    第２正孔輸送層
１２５    第２発光層
１２７    第２電子輸送層
１２９    第２電子注入層
【図１】
2015225794.tif 000019
【図２】
2015225794.tif 000020