(57)【要約】【課題】イオンマイグレーションの発生が抑制された電子部品を提供する。【解決手段】電子部品１は、電子部品本体１０と、第１及び第２の外部電極１３，１４と、シリコーン樹脂膜２０とを備える。第１及び第２の外部電極１３，１４は、電子部品本体１０の上に設けられている。シリコーン樹脂膜２０は、電子部品本体１０の表面の、第１の外部電極１３と第２の外部電極１４との間に位置する部分の上設けられている。シリコーン樹脂膜２０の厚みが２００ｎｍ以下である。【選択図】図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
電子部品本体と、
前記電子部品本体の上に設けられた第１及び第２の外部電極と、
前記電子部品本体の表面の、前記第１の外部電極と前記第２の外部電極との間に位置する部分の上設けられたシリコーン樹脂膜と、
を備え、
前記シリコーン樹脂膜の厚みが２００ｎｍ以下である、電子部品。
【請求項２】
前記シリコーン樹脂膜の厚みが１００ｎｍ以下である、請求項１に記載の電子部品。
【請求項３】
前記シリコーン樹脂膜が、非架橋型シリコーン樹脂を含む、請求項１又は２に記載の電子部品。
【請求項４】
前記シリコーン樹脂膜が、前記電子部品本体の上と、前記第１及び第２の外部電極の少なくとも一方の上とに設けられている、請求項１〜３のいずれか一項に記載の電子部品。
【請求項５】
前記電子部品本体は、長さ方向及び幅方向に沿って延びる第１及び第２の主面と、長さ方向及び厚み方向に沿って延びる第１及び第２の側面と、幅方向及び厚み方向に沿って延びる第１及び第２の端面とを有し、
前記第２の主面上において、前記第１の外部電極の先端部と前記第２の外部電極の先端部とが長さ方向において対向しており、
前記第２の主面の前記第１の外部電極の先端部と前記第２の外部電極の先端部との間に位置する部分の上に前記シリコーン樹脂膜が位置している、請求項１〜４のいずれか一項に記載の電子部品。
【請求項６】
前記シリコーン樹脂膜が、前記電子部品本体の露出部並びに前記第１及び第２の外部電極の全体を覆っている、請求項１〜５のいずれか一項に記載の電子部品。
【請求項７】
前記外部電極の最外層が、Ｓｎ，Ｃｕ及びＡｇのうちの少なくとも一種を含む、請求項１〜６のいずれか一項に記載の電子部品。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電子部品に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、携帯電話機や携帯音楽プレイヤーなどの電子機器において、小型化及び薄型化が進んできている。それに伴って、たとえば、電子機器に内蔵される電子部品の小型化が求められている。また、このような電子機器を使用する環境は多様化しており、電子部品に対して、多様化した環境に対する信頼性の向上が望まれている。
【０００３】
近年、特許文献１に記載されているように、電子部品におけるイオンマイグレーションが問題となる場合がある。イオンマイグレーションは、例えば、電子部品と外気との温度差によって、電子部品の表面に結露が生じ、この結露により発生した水滴が、電子部品の表面において、外部電極間をつなぐ水膜を形成し、その状態で電子部品の外部電極間に電圧が印加されると、その水膜に外部電極からイオン化した金属種が溶解／析出して起こる。なお、この問題は厳しい環境下に置かれる車に搭載される場合により顕著に起きる。特許文献１には、イオンマイグレーションの発生を抑制するために、外部電極間の間に、シリコーン樹脂膜を設けることが記載されている。特許文献１には、フッ素を含むシランカップリング剤を用いてシリコーン樹脂膜を形成することが記載されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】国際公開第０２／０８２４８０号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
電子部品には、イオンマイグレーションの発生をより抑制したいという要望がある。
【０００６】
本発明の主な目的は、イオンマイグレーションの発生が抑制された電子部品を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明に係る電子部品は、電子部品本体と、第１及び第２の外部電極と、シリコーン樹脂膜とを備える。第１及び第２の外部電極は、電子部品本体の上に設けられている。シリコーン樹脂膜は、電子部品本体の表面の、第１の外部電極と第２の外部電極との間に位置する部分の上設けられている。シリコーン樹脂膜の厚みが２００ｎｍ以下である。
【０００８】
本発明に係る電子部品では、シリコーン樹脂膜の厚みが１００ｎｍ以下であることが好ましい。
【０００９】
本発明に係る電子部品では、シリコーン樹脂膜が、非架橋型シリコーン樹脂を含むことが好ましい。
【００１０】
本発明に係る電子部品では、シリコーン樹脂膜が、電子部品本体の上と、第１及び第２の外部電極の少なくとも一方の上とに設けられていることが好ましい。
【００１１】
本発明に係る電子部品では、電子部品本体は、長さ方向及び幅方向に沿って延びる第１及び第２の主面と、長さ方向及び厚み方向に沿って延びる第１及び第２の側面と、幅方向及び厚み方向に沿って延びる第１及び第２の端面とを有していてもよい。第２の主面上において、第１の外部電極の先端部と第２の外部電極の先端部とが長さ方向において対向していてもよい。  第２の主面の第１の外部電極の先端部と第２の外部電極の先端部との間に位置する部分の上にシリコーン樹脂膜が位置していてもよい。
【００１２】
本発明に係る電子部品では、シリコーン樹脂膜が、電子部品本体の露出部並びに第１及び第２の外部電極の全体を覆っていることが好ましい。
【００１３】
本発明に係る電子部品では、外部電極の最外層が、Ｓｎ，Ｃｕ及びＡｇのうちの少なくとも一種を含んでいてもよい。
【発明の効果】
【００１４】
本発明によれば、イオンマイグレーションの発生が抑制されてた電子部品を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１５】
【図１】本発明の一実施形態に係る電子部品の模式的斜視図である。
【図２】図１の線ＩＩ−ＩＩにおける模式的断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１６】
以下、本発明を実施した好ましい形態の一例について説明する。但し、下記の実施形態は、単なる例示である。本発明は、下記の実施形態に何ら限定されない。
【００１７】
また、実施形態等において参照する各図面において、実質的に同一の機能を有する部材は同一の符号で参照することとする。また、実施形態等において参照する図面は、模式的に記載されたものである。図面に描画された物体の寸法の比率などは、現実の物体の寸法の比率などとは異なる場合がある。図面相互間においても、物体の寸法比率等が異なる場合がある。具体的な物体の寸法比率等は、以下の説明を参酌して判断されるべきである。
【００１８】
図１は、本実施形態に係る電子部品の模式的斜視図である。図１に示されるように、図２は、図１の線ＩＩ−ＩＩにおける模式的断面図である。なお、図１においては、シリコーン樹脂膜２０の描画を省略している。
【００１９】
電子部品１は、直方体状の電子部品本体１０を備えている。電子部品本体１０は、第１及び第２の主面１０ａ、１０ｂと、第１及び第２の側面１０ｃ、１０ｄと、第１及び第２の端面１０ｅ、１０ｆ（図２を参照）とを有する。第１及び第２の主面１０ａ、１０ｂは、それぞれ、長さ方向Ｌ及び幅方向Ｗに沿って延びている。第１及び第２の側面１０ｃ、１０ｄは、それぞれ、厚み方向Ｔ及び長さ方向Ｌに沿って延びている。第１及び第２の端面１０ｅ、１０ｆは、それぞれ、厚み方向Ｔ及び幅方向Ｗに沿って延びている。長さ方向Ｌ、幅方向Ｗ及び厚み方向Ｔは、それぞれ直交している。
【００２０】
なお、本発明において、「直方体状」には、角部や稜線部が丸められた直方体が含まれるものとする。すなわち、「直方体状」の部材とは、第１及び第２の主面、第１及び第２の側面並びに第１及び第２の端面とを有する部材全般を意味する。また、主面、側面、端面の一部または全部に凹凸などが形成されていてもよい。
【００２１】
電子部品本体１０の寸法は特に限定されない。電子部品本体１０の厚み寸法は、例えば、０．１ｍｍ〜３．０ｍｍであることが好ましい。電子部品本体１０の長さ寸法は、例えば、０．２ｍｍ〜３．５ｍｍであることが好ましい。電子部品本体１０の幅寸法は、例えば、０．１ｍｍ〜３．０ｍｍであることが好ましい。
【００２２】
電子部品本体１０は、電子部品１の機能に応じた適宜のセラミックスからなる。具体的には、電子部品１がコンデンサである場合は、電子部品本体１０を誘電体セラミックスにより形成することができる。誘電体セラミックスの具体例としては、例えば、ＢａＴｉＯ３、ＣａＴｉＯ３、ＳｒＴｉＯ３、ＣａＺｒＯ３などが挙げられる。電子部品本体１０には、電子部品１に要求される特性に応じて、例えばＭｎ化合物、Ｍｇ化合物、Ｓｉ化合物、Ｆｅ化合物、Ｃｒ化合物、Ｃｏ化合物、Ｎｉ化合物、希土類化合物などの副成分が適宜添加されていてもよい。
【００２３】
電子部品１が圧電部品である場合は、電子部品本体１０を圧電セラミックスにより形成することができる。圧電セラミックスの具体例としては、例えばＰＺＴ（チタン酸ジルコン酸鉛）系セラミックスなどが挙げられる。
【００２４】
電子部品１が例えばサーミスタである場合は、電子部品本体１０を半導体セラミックスにより形成することができる。半導体セラミックスの具体例としては、例えばスピネル系セラミックなどが挙げられる。
【００２５】
電子部品１が例えばインダクタである場合は、電子部品本体１０を磁性体セラミックスにより形成することができる。磁性体セラミックスの具体例としては、例えばフェライトセラミックなどが挙げられる。
【００２６】
図２に示されるように、電子部品本体１０の内部には、複数の第１の内部電極１１と複数の第２の内部電極１２とが設けられる。
【００２７】
第１の内部電極１１は矩形状である。第１の内部電極１１は、第１及び第２の主面１０ａ、１０ｂと平行に設けられている。すなわち、第１の内部電極１１は、長さ方向Ｌ及び幅方向Ｗに沿って設けられている。第１の内部電極１１は、第１の端面１０ｅに露出しており、第１及び第２の主面１０ａ、１０ｂ、第１及び第２の側面１０ｃ、１０ｄ並びに第２の端面１０ｆには露出していない。
【００２８】
第２の内部電極１２は矩形状である。第２の内部電極１２は、第１及び第２の主面１０ａ、１０ｂと平行に設けられている。すなわち、第２の内部電極１２は、長さ方向Ｌ及び幅方向Ｗに沿って設けられている。第２の内部電極１２は、第２の端面１０ｆに露出している。第２の内部電極１２は、第１及び第２の主面１０ａ、１０ｂ、第１及び第２の側面１０ｃ、１０ｄ並びに第１の端面１０ｅには露出していない。
【００２９】
第１及び第２の内部電極１１、１２は、厚み方向Ｔに沿って交互に設けられている。厚み方向Ｔにおいて隣り合う第１の内部電極１１と第２の内部電極１２とは、セラミック部１０ｇを介して対向している。セラミック部１０ｇの厚みは、０．５μｍ〜１０μｍ程度とすることができる。
【００３０】
第１及び第２の内部電極１１、１２は、適宜の導電材料により構成することができる。第１及び第２の内部電極１１、１２は、例えばＮｉ，Ｃｕ，Ａｇ，Ｐｄ及びＡｕからなる群から選ばれた金属、またはＮｉ，Ｃｕ，Ａｇ，Ｐｄ及びＡｕからなる群から選ばれた一種以上の金属を含む合金（例えば、Ａｇ−Ｐｄ合金など）により構成することができる。
【００３１】
第１及び第２の内部電極１１、１２の厚みは、例えば０．３μｍ〜２．０μｍ程度であることが好ましい。
【００３２】
電子部品本体１０の上には、第１の外部電極１３と第２の外部電極１４とが設けられている。具体的には、第１の外部電極１３は、第１の端面１０ｅの上と、第１及び第２の主面１０ａ、１０ｂ並びに第１及び第２の側面１０ｃ、１０ｄのそれぞれの上とに跨がって設けられている。第１の外部電極１３は、第１の端面１０ｅにおいて第１の内部電極１１と電気的に接続されている。
【００３３】
第２の外部電極１４は、第２の端面１０ｆの上と、第１及び第２の主面１０ａ、１０ｂ並びに第１及び第２の側面１０ｃ、１０ｄのそれぞれの上とに跨がって設けられている。第２の外部電極１４は、第２の端面１０ｆにおいて第２の内部電極１２と電気的に接続されている。
【００３４】
第１及び第２の主面１０ａ、１０ｂ並びに第１及び第２の側面１０ｃ、１０ｄのそれぞれにおいて、第１の外部電極１３の長さ方向Ｌにおける先端と、第２の外部電極１４の長さ方向Ｌにおける先端とは、長さ方向Ｌにおいて対向している。
【００３５】
第１の外部電極１３の最外層は、Ｓｎ，Ｃｕ及びＡｇの少なくとも一種を含んでいる。具体的には、第１の外部電極１３は、第１の電極層１３ａと、第２の電極層１３ｂと、第３の電極層１３ｃとを有する。
【００３６】
第１の電極層１３ａは、電子部品本体１０の上に設けられている。第１の電極層１３ａは、焼成電極層により構成されている。焼成電極層とは、導電性粒子を含むペーストを塗布して得られたペースト層を焼成することにより得られた電極層をいう。焼成電極層に含まれる導電性粒子は、例えば、Ｃｕ，Ｎｉ，Ａｇ，Ｐｄ，Ａｇ−Ｐｄ合金，Ａｕなどの少なくとも一種を含む粒子であってもよい。
【００３７】
第２の電極層１３ｂは、第１の電極層１３ａの上に設けられている。第２の電極層１３ｂは、めっき層により構成されていてもよい。本実施形態では、第２の電極層１３ｂは、Ｎｉめっき層により構成されている。
【００３８】
第３の電極層１３ｃは、第２の電極層１３ｂの上に設けられている。第３の電極層１３ｃは、めっき層により構成されていてもよい。本実施形態では、第３の電極層１３ｃは、Ｓｎめっき層により構成されている。
【００３９】
第２の外部電極１４の最外層は、Ｓｎ，Ｃｕ及びＡｇの少なくとも一種を含んでいる。具体的には、第２の外部電極１４は、第１の電極層１４ａと、第２の電極層１４ｂと、第３の電極層１４ｃとを有する。
【００４０】
第１の電極層１４ａは、電子部品本体１０の上に設けられている。第１の電極層１４ａは、焼成電極層により構成されている。焼成電極層とは、導電性粒子を含むペーストを塗布して得られたペースト層を焼成することにより得られた電極層をいう。焼成電極層に含まれる導電性粒子は、例えば、Ｃｕ，Ｎｉ，Ａｇ，Ｐｄ，Ａｇ−Ｐｄ合金，Ａｕなどの少なくとも一種を含む粒子であってもよい。
【００４１】
第２の電極層１４ｂは、第１の電極層１４ａの上に設けられている。第２の電極層１４ｂは、めっき層により構成されていてもよい。本実施形態では、第２の電極層１４ｂは、Ｎｉめっき層により構成されている。
【００４２】
第３の電極層１４ｃは、第２の電極層１４ｂの上に設けられている。第３の電極層１４ｃは、めっき層により構成されていてもよい。本実施形態では、第３の電極層１４ｃは、Ｓｎめっき層により構成されている。
【００４３】
電子部品１は、撥水性を有するシリコーン樹脂膜２０を備える。シリコーン樹脂膜２０は、シリコーン樹脂を含む膜であればよい。シリコーン樹脂膜２０は、例えば、シリコーン樹脂のみにより構成されていてもよいし、フィラー等を含むシリコーン樹脂組成物により構成されていてもよい。
【００４４】
シリコーン樹脂膜２０は、電子部品本体１０の表面の第１の外部電極１３と第２の外部電極１４との間に位置する部分の上に少なくとも設けられている。具体的には、シリコーン樹脂膜２０は、第１及び第２の主面並びに第１及び第２の側面のそれぞれの露出部に少なくとも設けられている。本実施形態では、より具体的には、シリコーン樹脂膜２０は、電子部品本体１０の露出部並びに第１及び第２の外部電極１３，１４の全体を覆っている。ここで、シリコーン樹脂膜２０が電子部品本体１０の露出部並びに第１及び第２の外部電極１３，１４の全体を覆っているとは、シリコーン樹脂膜２０が電子部品本体１０の露出部並びに第１及び第２の外部電極１３，１４の全表面のうちの９０％以上を覆っていることをいう。シリコーン樹脂膜２０が覆っている部分は、飛行時間型二次イオン質量分析法（Ｔｉｍｅ−ｏｆ−Ｆｌｉｇｈｔ  Ｓｅｃｏｎｄａｒｙ  Ｉｏｎ  Ｍａｓｓ  Ｓｐｅｃｔｒｏｍｅｔｒｙ：ＴＯＦ−ＳＩＭＳ）により電子部品本体１０の露出部並びに第１及び第２の外部電極１３、１４を５０μｍ□の視野でＳｉをマッピングした場合に、例えばシリコーン樹脂の場合は、Ｓｉを含むイオンが検出される部分である。すなわち、シリコーン樹脂膜２０が電子部品本体１０の露出部並びに第１及び第２の外部電極１３，１４の全体を覆っているとは、ＴＯＦ−ＳＩＭＳにより分析した場合に、Ｓｉを含むイオンが、電子部品本体１０の露出部並びに第１及び第２の外部電極１３，１４の全表面のうちの９０％以上の部分において検出されることを意味する。
【００４５】
ところで、例えば、電子部品本体の表面等にシランカップリング剤を修飾させた場合、表面に修飾させることができる単位面積あたりのシランカップリング剤の量には上限がある。特に、優れた撥液性を実現するために、直鎖の長い撥水性基を導入するほど隣接するシランカップリング剤同士の立体障害が大きくなるため、表面に修飾させることができる単位面積あたりのシランカップリング剤の量が少なくなる。このため、直鎖の長い撥水性基を有するシランカップリング剤を表面に緻密に修飾させることは困難である。また、シランカップリング剤により形成された処理膜は、Ｓｉを１個有する単体（モノマー）の状態で電子部品の表面に結合するため、モノマー同士の結合がされない部分が生じる。そのため、シランカップリング剤からなる処理膜では緻密な膜構造を実現することが困難であった。よって、電子部品本体の表面等にシランカップリング剤を修飾させたのでは、十分に優れた撥液性を実現することは困難である。従って、電子部品本体の表面等にシランカップリング剤を修飾させたのでは、緻密な撥水膜を付与する実ことは困難である。
【００４６】
電子部品１では、シリコーン樹脂膜２０が設けられている。シリコーン樹脂膜２０は、シランカップリング剤により形成された撥水膜と比較して、緻密で、高い撥水性を有する。シリコーン樹脂膜２０を成膜するときには、架橋反応は生じない。このため、シリコーン樹脂膜２０では、シロキサン結合の繰り返し単位数を制御することが容易である。シリコーン樹脂膜２０におけるシリコーン樹脂の分子量が不所望に大きくなることを防止できる。このため、シリコーン樹脂膜２０の溶剤への溶解性が低下するという問題を回避することができる。また、シリコーン樹脂は、−Ｓｉ−Ｏ−Ｓｉ  というシロキサン結合でできた重合体（ポリマー）で構成されている。この重合体（ポリマー）を含むシリコーン樹脂膜２０は、緻密な膜構造を有している。従って、シリコーン樹脂膜２０を設けることにより、イオンマイグレーションの発生を効果的に抑制することができる。
【００４７】
イオンマイグレーションは、マイグレーションするイオンの発生と、イオンの移動とを伴う。このため、イオンマイグレーションの発生を抑制する観点からは、イオンの発生源と水分との接触を抑制することが好ましい。従って、イオンマイグレーションの発生をより効果的に抑制する観点からは、シリコーン樹脂膜２０を、第１及び第２の外部電極１３，１４の少なくとも一部を覆うように設けることが好ましい。シリコーン樹脂膜２０を、第１及び第２の外部電極１３，１４の先端部を覆うように設けることがより好ましい。
【００４８】
第１及び第２の外部電極１３，１４の一方で発生したイオンが他方に到達することを抑制する観点からは、第１及び第２の主面１０ａ、１０ｂ並びに第１及び第２の側面１０ｃ、１０ｄの少なくともひとつにおいて、シリコーン樹脂膜２０が、第１の外部電極１３と第２の外部電極１４とを隔離するように設けられていることが好ましい。
【００４９】
シリコーン樹脂膜２０に対する、２５℃における水の接触角は、９０°以上であることが好ましく、１００°以上であることがより好ましく、１３０°以上であることがさらに好ましい。  水の接触角は、以下の要領で、例えば、協和界面科学製微小接触角計（ＭＣＡ−３）を用いて測定することができる。まず、水平な基盤の上に、第２の主面が基盤側を向くように電子部品を配置する。次に、表面温度が２５℃の電子部品を電子部品の周囲の気温が２５℃となる環境下で電子部品の第１の主面の上に、水滴を滴下して形成された液滴を横方向から撮影し、接触角を求めることができる。ここでの接触角は、滴下した直後に測定した、静的接触角をいう。
【００５０】
本発明者らが、実際にシリコーン樹脂膜を設けた電子部品を作製したところ、複数の電子部品が接触したときに、電子部品同士が付着するという不具合や、吸着機構を用いて搬送したときに、吸着機構から電子部品が好適に脱離しないという不具合が生じることがあった。本発明者らは、さらに鋭意研究した結果、シリコーン樹脂膜２０の厚みを２００ｎｍ以下とすることによって電子部品の付着性を低下させることができ、上述の問題を解消できることを見出した。
【００５１】
そこで、電子部品１では、シリコーン樹脂膜２０の厚みが２００ｎｍとされている。このため、電子部品１の他の部材に対する密着力が低い。よって、例えば、複数の電子部品が付着したり、吸着機構から好適に脱離しにくくなったりすることを効果的に抑制することができる。
【００５２】
電子部品１の他の部材に対する密着力をより低くする観点からは、シリコーン樹脂膜２０の厚みが１００ｎｍ以下であることが好ましい。シリコーン樹脂膜２０を非架橋性シリコーン樹脂を含む樹脂膜とすることが好ましい。
【００５３】
但し、シリコーン樹脂膜２０が薄すぎると、イオンマイグレーションの発生を十分に抑制できなくなる場合がある。従って、シリコーン樹脂膜２０の厚みは、１ｎｍ以上であることが好ましい。
【００５４】
電子部品１の製造方法は、特に限定されない。電子部品１は、例えば、以下の要領で製造することができる。
【００５５】
まず、第１及び第２の内部電極１１，１２を有する電子部品本体１０を用意する。電子部品本体１０は、例えば公知の方法により製造することができる。具体的には、電子部品本体１０は、例えば、以下の要領で作製することができる。まず、セラミックグリーンシートを用意する。次に、セラミックグリーンシートの上に、導電性ペーストを印刷することにより、導電性ペースト層を形成する。次に、導電性ペースト層が印刷されていないセラミックグリーンシートを複数積層した後に、導電性ペーストを印刷したセラミックグリーンシートを積層し、さらにその上に、導電性ペースト層を印刷したセラミックグリーンシートを積層する。これにより、マザー積層体を作製する。マザー積層体を、静水圧プレス法等によりプレスしてもよい。次に、マザー積層体を複数に分断することにより、生のセラミック素体を複数作製する。次に、生のセラミック素体を焼成することにより、電子部品本体１０を完成させることができる。
【００５６】
次に、電子部品本体１０の上に、第１及び第２の外部電極１３，１４を形成する。第１及び第２の外部電極１３，１４は、例えば、以下の要領で形成することができる。電子部品本体１０の上に導電性ペーストを塗布し、焼き付けることにより第１の電極層１３ａ、１４ａを形成する。第１の電極層１３ａ、１４ａの上に、Ｎｉメッキを施すことにより第２の電極層１３ｂ、１４ｂを形成する。第２の電極層１３ｂ、１４ｂの上にＳｎメッキを施すことにより第３の電極層１３ｃ、１４ｃを形成する。以上の工程により第１及び第２の外部電極１３，１４を完成させることができる。
【００５７】
次に、シリコーン樹脂膜２０を形成する。シリコーン樹脂膜２０は、例えば、以下の要領で形成することができる。まず、シリコーン樹脂に対して、パラフィン系溶媒などの溶媒を添加し、希釈することにより処理剤を調製する。処理剤において、シリコーン樹脂の濃度は、例えば、３質量％〜１０質量％程度とすることができる。次に、第１及び第２の外部電極１３，１４が形成された電子部品本体１０をその処理在中に、例えば、１分〜１０分程度浸漬する。その後、例えば、１００℃〜２００℃程度で１０分〜６０分程度乾燥させることにより、シリコーン樹脂膜２０を形成することができる。
【００５８】
シリコーン樹脂膜２０の厚みは、例えば、処理剤におけるシリコーン樹脂の濃度等を適宜調製することにより制御することができる。
【００５９】
以下、本発明について、具体的な実施例に基づいて、さらに詳細に説明するが、本発明は以下の実施例に何ら限定されるものではなく、その要旨を変更しない範囲において適宜変更して実施することが可能である。
【００６０】
（実施例１）
上記実施形態に係る電子部品１と実質的に同様の構成を有する電子部品を、下記の条件で作製した。実施例１では、厚みが６０ｎｍのシリコーン樹脂膜を有する電子部品が作製された。
【００６１】
電子部品の寸法（設計値）：長さ寸法：１．６ｍｍ、幅寸法：０．８ｍｍ、厚み寸法：０．８ｍｍ
セラミック部：ＢａＴｉＯ３
内部電極：Ｎｉ
第１の電極層：Ｃｕを含む焼成電極層
第２の電極層：Ｎｉめっき層
第３の電極層：Ｓｎめっき層
第１及び第２の主面のそれぞれにおける第１の外部電極と第２の外部電極との間の長さ方向に沿った距離：０．８ｍｍ
処理液におけるシリコーン樹脂の濃度：０．００８質量％
シリコーン樹脂膜の形成方法：処理剤への浸漬と乾燥とを７回繰り返した。
【００６２】
（実施例２）
処理液におけるシリコーン樹脂の濃度を０．０１質量％としたこと以外は、実施例１と同様にして電子部品を作製した。形成されたシリコーン樹脂膜の厚みは、９０ｎｍであった。
【００６３】
（実施例３）
処理液におけるシリコーン樹脂の濃度を０．０１３質量％としたこと以外は、実施例１と同様にして電子部品を作製した。形成されたシリコーン樹脂膜の厚みは、１００ｎｍであった。
【００６４】
（比較例１）
処理液におけるシリコーン樹脂の濃度を０．０４２質量％としたこと以外は、実施例１と同様にして電子部品を作製した。形成されたシリコーン樹脂膜の厚みは、３００ｎｍであった。
【００６５】
（比較例２）
処理液におけるシリコーン樹脂の濃度を０．０５７質量％としたこと以外は、実施例１と同様にして電子部品を作製した。形成されたシリコーン樹脂膜の厚みは、５００ｎｍであった。
【００６６】
（比較例３）
アルコキシラン系のシランカップリング剤ＫＢＭ−３０６３（信越化学工業製）をプロパノールで１０体積％に希釈することにより調製した処理剤を用いて形成したこと以外は、実施例１同様にして電子部品を作成した。
【００６７】
（厚みの測定方法）
各条件で作製した電子部品１のシリコーン樹脂膜の測定方法は以下のように行った。まず、電子部品１の実装面とは反対側の主面（ＬＷ面）において、１/２Ｗ、かつ、ＬＷ面に形成されるＬ方向に沿った片方の外部電極の長さの１/２の長さとなる箇所（図２において丸で囲んだ部分）を起点に、Ｌ方向に沿って他方の外部電極側に向かって３０μｍ、Ｔ方向に沿って３０μｍの加工範囲となるように鉛直方向に対して角度４５°の条件で集束イオンビーム（ＦＩＢ）を用いて部分的に断面を露出させた。次に、露出断面において露出断面のＬ方向の長さの１/２となる箇所におけるシリコーン樹脂膜をＳＥＭで投影し厚みを測定した。その値をシリコーン樹脂膜の厚みとした。
【００６８】
（付着力評価）
実施例１〜３及び比較例１〜３のそれぞれにおいて作製した２つの電子部品同士を、第１の主面同士が対向するように配し、厚み方向に５Ｎの圧力を付与した後に、２ｃｍの高さから２つの電子部品を基盤の上に落下させた。落下により２つの電子部品が分離したものを、付着力が低いとして、「○」と評価した。落下後に２つの電子部品が分離していないものを、付着力が高いとして、「×」と評価した。実施例１〜３及び比較例１〜３のそれぞれにおいて、この付着力評価を１００回行った。表１に、１００回中の「×」と評価された回数を示す。
【００６９】
（イオンマイグレーションの評価）
半田（千住金属工業製Ｓｎ−３Ａｇ−０．５Ｃｕペースト、Ｍ７０５−ＧＲＮ３６０−Ｋ２−Ｖ）を用いて、実施例１〜３及び比較例１〜３のそれぞれにおいて作製したサンプルを基板に半田実装した後、以下の条件で結露サイクル試験を実施した。
【００７０】
作製した実装構造体を、−３０℃の低温の環境下で１時間保持した。その後、温度２５℃、湿度９０％の高温高湿の環境下で１時間保持した。最後に、温度２５℃で１．５時間かけて湿度を５０％まで低下させ、サンプルを乾燥させた。これを１サイクルとし、４８サイクル実施した。
【００７１】
その後、マイクロスコープにより１００倍に第２の主面の一部分を拡大して観察した。その結果、第２の主面に白色または黒色の生成物が存在したことが確認された場合、イオンマイグレーションが生じていたと判断し、「×」とした。一方、２の主面に白色または黒色の生成物が確認されなかった場合、イオンマイグレーションが生じていなかったとして「○」と評価した。表１に、総サンプル数に対する「×」と判断されたサンプル数の比（（「×」と判断されたサンプル数）／（総サンプル数））を示す。
【００７２】
なお、波長分散型Ｘ線分光器（ＷＤＸ）にて生成物を分析すると、ＳｎまたはＮｉまたはＣｕを検出することができた。従って、観察された白色又は黒色の生成物は、イオンマイグレーションによる生成物であることが確認された。
【００７３】
【表１】
2015198236.tif 000003
【符号の説明】
【００７４】
１  電子部品
１０  電子部品本体
１０ａ  第１の主面
１０ｂ  第２の主面
１０ｃ  第１の側面
１０ｄ  第２の側面
１０ｅ  第１の端面
１０ｆ  第２の端面
１０ｇ  セラミック部
１１  第１の内部電極
１２  第２の内部電極
１３  第１の外部電極
１４  第２の外部電極
１３ａ，１４ａ  第１の電極層
１３ｂ，１４ｂ  第２の電極層
１３ｃ，１４ｃ  第３の電極層
２０  シリコーン樹脂膜
【図１】
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【図２】
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