(57)【要約】【課題】端子を大型化したり、極力複雑化したりすることなく、接触抵抗を低減できる端子を提供する。【解決手段】インデント部４が突設され、外面に第１メッキ層５が形成された箱部２と、外面に第２メッキ層１２が形成されたタブ部１１とを有し、端子挿入過程では、インデント部４がタブ部１１の接触面を摺動し、端子挿入完了位置では、インデント部４がタブ部１１の接触面に接触する接点接続構造であって、第１メッキ層５と第２メッキ層１２は、少なくといずれか一方が酸化する金属材より形成されていると共に、第１メッキ層５と第２メッキ層１２の厚みが異なる。【選択図】図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
インデント部が突設され、外面に第１メッキ層が形成された第１接点部と、外面に第２メッキ層が形成された第２接点部とを有し、端子挿入過程では、前記インデント部が前記第２接点部の接触面を摺動し、端子挿入完了位置では、前記インデント部が前記第２接点部の接触面に接触する接点接続構造であって、
前記第１メッキ層と前記第２メッキ層は、少なくといずれか一方が酸化する金属材より形成されていると共に、前記第１メッキ層と前記第２メッキ層の厚みが異なることを特徴とする接点接続構造。
【請求項２】
請求項１記載の接点接続構造であって、
前記第１メッキ層と前記第２メッキ層は、錫材よりそれぞれ形成されていることを特徴とする接点接続構造。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、第１端子と第２端子間の電気的接続を行う接点接続構造に関する。
【背景技術】
【０００２】
図４及び図５には、従来の接点接続構造を適用したメス端子とオス端子が示されている（類似技術として特許文献１参照）。図４及び図５に示すように、メス端子５１は、四角形状の箱部５２と、この箱部５２に一体に設けられ、箱部５２内に配置された弾性撓み部５３とを有する。弾性撓み部５３には、底面側に向かって突出するインデント部５４が設けられている。インデント部５４は、その外周面がほぼ球面形状であり、中心の頂点が最下方に位置している。
【０００３】
又、メス端子５１には、高温環境下での接続信頼性の向上、腐食環境下での耐食性の向上等の観点から錫メッキが施されている。
【０００４】
オス端子６０は、平板状のタブ部６１を有する。オス端子６０には、高温環境下での接続信頼性の向上、腐食環境下での耐食性の向上等の観点から錫メッキが施されている。
【０００５】
上記構成において、図４の位置にあって、オス端子６０のタブ部６１をメス端子５１の箱部５２に挿入すると、弾性撓み部５３が撓み変形してタブ部６１の挿入が許容される。タブ部６１の挿入過程では、タブ部６１が弾性撓み部５３のインデント部５４上を摺動し、端子挿入完了位置では、図５に示すように、弾性撓み部５３のインデント部５４とタブ部６１の面が接触する。
【０００６】
この従来例では、弾性撓み部５３の撓み復帰力を接触荷重として、メス端子５１のインデント部５４とオス端子６０のタブ部６１の接触面とが電気的に接触する。そして、この接触面を電流が流れることによってメス端子５１とオス端子６０間が通電する。
【０００７】
ところで、弾性撓み部５２とタブ部６１等の外面には、全域に亘って錫メッキ処理されている。錫メッキし、その後にリフロー処理を行うと、図６に示すような構造となる。図６において、銅合金材の母材層５２ａ，６１ａの外面側に銅／錫合金層５２ｂ，６１ｂ、錫層５２ｃ，６１ｃが形成されると共に錫層５２ｃ，６１ｃの外面に酸化膜５２ｄ，６１ｄが形成される。酸化膜５２ｄ，６１ｄは、錫や銅に較べて電気比抵抗が非常に高い。そのため、接触抵抗の低減を図るために、酸化膜５２ｄ，６１ｄを破壊して錫層５２ｃ，６１ｃ同士の接触面（オーミック点）を多く作る必要がある。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００８】
【特許文献１】特開２００７−２８０８２５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
前記従来例の構造にあって、酸化膜５２ｄ，６１ｄの破壊を促進させるには、接点部間の接点圧力を大きくすることが考えられるが、端子５１，６０が大型化したり、複雑化したりする。
【００１０】
そこで、本発明は、前記した課題を解決すべくなされたものであり、端子を大型化したり、極力複雑化したりすることなく、接触抵抗を低減できる接点接続構造を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
本発明は、インデント部が突設され、外面に第１メッキ層が形成された第１接点部と、外面に第２メッキ層が形成された第２接点部とを有し、端子挿入過程では、前記インデント部が前記第２接点部の接触面を摺動し、端子挿入完了位置では、前記インデント部が前記第２接点部の接触面に接触する接点接続構造であって、前記第１メッキ層と前記第２メッキ層は、少なくといずれか一方が酸化する金属材より形成されていると共に、前記第１メッキ層と前記第２メッキ層の厚みが異なることを特徴とする接点接続構造である。
【００１２】
前記第１メッキ層と前記第２メッキ層は、錫材よりそれぞれ形成されるものを含む。
【発明の効果】
【００１３】
本発明によれば、端子挿入完了位置では、第１接点部と第２接点部の双方の接触面は互いに接触荷重を受けて伸びるが、第１メッキ層と第２メッキ層の厚みが異なることによって双方の伸び量が異なり、この伸び量の相違によって第１メッキ層と第２メッキ層の少なくともいずれか一方の表面に生成された酸化膜の破壊が促進される。以上より、端子を大型化したり、極力複雑化したりすることなく、接触抵抗を低減できる。
【図面の簡単な説明】
【００１４】
【図１】本発明の一実施形態を示し、端子接続前のメス端子とオス端子の断面図である。
【図２】本発明の一実施形態を示し、（ａ）は端子接続状態のメス端子とオス端子の断面図、（ｂ）はメス端子のインデント部とオス端子のタブ部の接触箇所の要部断面図、（ｃ）は酸化膜の破壊が促進される理由を説明する図である。
【図３】本発明の一実施形態を示し、（ａ）は弾性撓み部の第１メッキ層の構成図、（ｂ）はタブ部の第２メッキ層の構成図である。
【図４】従来例を示し、端子接続前のメス端子とオス端子の断面図である。
【図５】従来例を示し、端子接続状態のメス端子とオス端子の断面図である。
【図６】従来例を示し、弾性撓み部やタブ部のメッキ層の構成図である。
【発明を実施するための形態】
【００１５】
以下、本発明の一実施形態を図面に基づいて説明する。
【００１６】
図１〜図３は本発明の一実施形態を示す。図１及び図２（ａ）に示すように、メス端子１は、メス側コネクタハウジング（図示せず）内の端子収容室に配置されている。メス端子１は、所定形状に打ち抜かれた導電性金属（例えば銅合金）を折り曲げ加工して形成されている。メス端子１は、第１接点部である箱部２を有する。箱部２は、前方が開口された方形状である。箱部２内には、箱部２の上面部より折り曲げられた弾性撓み部３が配置されている。弾性撓み部３には、底面側に向かって突出するインデント部４が設けられている。インデント部４は、その外周面がほぼ球面形状であり、中心の頂点が最下方に位置している。インデント部４は、弾性撓み部３の撓み変形によって上方に変移できる。弾性撓み部３と箱部２の底面部２ａは、間隔を置いて配置されている。弾性撓み部３と箱部２の底面部２ａの間に、オス端子１０が挿入される。
【００１７】
又、メス端子１の外面には、導電性金属の第１メッキ層５が形成されている。この第１メッキ層５については、下記に詳述する。
【００１８】
オス端子１０は、オス側コネクタハウジング（図示せず）内の端子収容室に配置されている。オス端子１０は、所定形状に打ち抜かれた導電性金属（例えば銅合金）を折り曲げ加工して形成されている。オス端子１０は、第２接点部であるタブ部１１を有する。タブ部１１は、フラットな板形状である。又、オス端子１０の外面には、導電性金属の第２メッキ層１２が形成されている。
【００１９】
次に、弾性撓み部３の第１メッキ層５とタブ部１１の第２メッキ層１２について説明する。図３（ａ）、（ｂ）に詳しく示すように、第１及び第２メッキ層５，１２は、銅合金材の母材層３ａ，１１ａ上に形成されている。この実施形態では、第１及び第２メッキ層５，１２の金属材は、共に錫（Ｓｎ）である。第１メッキ層５と第２メッキ層１２は、異なる厚みに形成されている。この実施形態では、第１メッキ層５の厚みｄ１は薄く、第２メッキ層１２の厚みｄ２は厚く形成されている。
【００２０】
銅合金材の母材層３ａ，１１ａの上にメッキ処理し、その後にリフロー処理を行うと、図３（ａ）、（ｂ）に示す構造となる。つまり、第１及び第２メッキ層５，１２は、銅／錫合金層５ａ，１２ａと錫層５ｂ，１２ｂとなる。そして、錫層５ｂ，１２ｂの表面側に錫酸化膜６，１３が生成される。
【００２１】
上記構成において、図１の離間位置にあって、メス側コネクタハウジング（図示せず）とオス側コネクタハウジング（図示せず）間をかん合すると、そのかん合過程ではオス端子１０のタブ部１１がメス端子１の箱部２に挿入される。すると、先ずタブ部１１の先端が弾性撓み部３に当接し、この当接箇所より更に挿入が進むと、弾性撓み部３が撓み変形してタブ部１１の挿入が許容される。タブ部１１の挿入過程では、インデント部４がタブ部１１の接触面を摺動し、端子挿入完了位置に達する（図２（ａ）、（ｂ）参照）。
【００２２】
この接点接続構造では、インデント部４が突設され、酸化する金属材の第１メッキ層５が外面に形成された箱部２と、酸化する金属材の第２メッキ層１２が外面に形成されたタブ部１１とを有し、端子挿入過程では、第１接点部２のインデント部４がタブ部１１の接触面を摺動し、端子挿入完了位置では、インデント部４がタブ部１１の接触面に接触する接点接続構造であって、第１メッキ層５と第２メッキ層１２のメッキ厚みが異なる。従って、端子挿入完了位置では、メス端子１とオス端子１０の双方の接触面は互いに接触荷重を受けて表面方向に伸びるが、第１メッキ層５と第２メッキ層１２の厚み、詳細には、第１及び第２メッキ層５，１２のやわらかい層である錫層５ｂと錫層１２ｂの厚みが異なることによって双方の伸び量が異なり、この伸び量の相違によって第１メッキ層５と第２メッキ層１２の各表面に生成された錫酸化膜６，１３の破壊が促進される。錫酸化膜６，１３の破壊（ひび割れ）箇所より内部の錫が接触荷重等によって表面側に押し出される。このように錫の表面側に押し出される箇所が増加するため、錫層５ｂ，１２ｂ同士の接触点（オーミック点）が増加する。以上より、メス端子１及びオス端子１０を大型化したり、極力複雑化したりすることなく、接触抵抗を低減できる。
【００２３】
錫酸化膜６．１３の破壊が促進される理由をより詳細に説明する。図２（ｃ）において、第１メッキ層５の錫層５ｂは、薄いために接触荷重によって表面方向に大きく伸びる。これに対し、第２メッキ層１２の錫層１２ｂは、厚いために接触荷重によって表面方向に小さくしか伸びない。この伸び量の相違によって、第１メッキ層５の錫酸化膜６と第２メッキ層１２の錫酸化膜１３の面間に摺動摩擦力（表面ずれ力）が発生し、この摺動摩擦力（表面ずれ力）によって錫酸化膜６，１３の破壊が促進される。
【００２４】
第１メッキ層５と第２メッキ層１２に使用する金属材は、錫材よりそれぞれ形成されている。錫材は、柔らかいので、双方が大きな接触面で互いに接触し、双方の接触面の伸び量の相違による錫酸化膜６，１３の破壊が広い範囲に発生する。これにより、錫層５ｂ，１２ｂ同士の接触点（オーミック点）が更に増加し、接触抵抗の低減を図ることができる。この実施形態では、第１メッキ層５及び第２メッキ層１２は、錫材であるが、それ以外の酸化する導電性金属（例えばアルミニウム（ＡＬ））でも良い。
【００２５】
この実施形態では、銅合金材の母材層３ａ，１１ａ上に錫材をメッキしたが、ニッケル材をメッキし、そのうえに錫材をメッキしても良い。このようにニッケル材を介在させれば、錫層５ｂ、１２ｂ内に銅材が拡散して合金化しないため、硬度が低い錫層５ｂ、１２ｂの厚みが合金化によって薄くなるという事態を防止できる。
【００２６】
この実施形態では、第１メッキ層５と第２メッキ層１２の双方が、酸化する金属材である錫材より形成されているが、第１メッキ層５と第２メッキ層１２のいずれか一方のみが酸化する金属材より形成され、他方が酸化しない金属材より形成しても同様の効果が得られる。
【００２７】
この実施形態では、第１メッキ層５の厚みｄ１が薄く、第２メッキ層１２の厚みｄ２が厚く形成されているが、第１メッキ層５の厚みｄ１を厚く、第２メッキ層１２の厚みｄ２を薄く形成しても良い。
【符号の説明】
【００２８】
１  メス端子（第１端子）
２  箱部（第１接点部）
５  第１メッキ層
１０  オス端子（第２端子）
１１  タブ部（第２接点部）
１２  第２メッキ層
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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