(57)【要約】【課題】半田付けした部品の隙間に残存するフラックス残渣の洗浄に好適なフラックス用洗浄剤組成物の提供。【解決手段】一又は複数の実施形態において、式（Ｉ）で表される（ポリ）エチレングリコールモノアルキルエーテル（成分Ａ）、式（ＩＩ）で表されるアルカノールアミン（成分Ｂ）、炭素数１〜６のアルキル基を有するアルキルベンゼンスルホン酸及び／又はその塩（成分Ｃ）、及び、水（成分Ｄ）を含有し、成分Ａの含有量が、８８．０質量％以上９４．４質量％以下であり、成分Ａ中、ジエチレングリコールモノブチルエーテルの含有量が、９０．０質量％以上１００．０質量％以下であり、成分Ｂの含有量が、０．３質量％以上５．０質量％以下であり、及び、成分Ｃの含有量が、０．３質量％以上５．０質量％以下である、半田フラックス残渣除去用洗浄剤組成物。2015113379.tif 000015【選択図】なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
下記式（Ｉ）で表される化合物（成分Ａ）、下記式（ＩＩ）で表される化合物（成分Ｂ）、炭素数１〜６のアルキル基を有するアルキルベンゼンスルホン酸及び／又はその塩（成分Ｃ）、及び、水（成分Ｄ）を含有し、
成分Ａの含有量が、８８．０質量％以上９４．４質量％以下であり、
成分Ａ中、ジエチレングリコールモノブチルエーテルの含有量が、９０．０質量％以上１００．０質量％以下であり、
成分Ｂの含有量が、０．３質量％以上５．０質量％以下であり、
成分Ｃの含有量が、０．３質量％以上５．０質量％以下である、
半田フラックス残渣除去用洗浄剤組成物。
【化１】
2015113379.tif 000013
［上記式（Ｉ）において、Ｒは炭素数３〜７の炭化水素基を示し、ｎは１〜５である。］
【化２】
2015113379.tif 000014
［上記式（ＩＩ）において、Ｒ1は水素原子、メチル基、エチル基又はアミノエチル基、Ｒ2は水素原子、ヒドロキシエチル基、ヒドロキシプロピル基、メチル基又はエチル基、Ｒ3はヒドロキシエチル基又はヒドロキシプロピル基である。］
【請求項２】
成分Ｄの含有量が、５．０質量％以上１０．０質量％以下である、請求項１記載の洗浄剤組成物。
【請求項３】
成分Ａと成分Ｄの質量比〔成分Ａ／成分Ｄ〕が１０．０以上１９．０以下である、請求項１又は２に記載の洗浄剤組成物。
【請求項４】
さらに、ポリアルキレングリコールアルキルアミン型非イオン界面活性剤を含む請求項１から３のいずれかに記載の洗浄剤組成物。
【請求項５】
リフローされた半田を有する被洗浄物を請求項１から４のいずれかに記載の洗浄剤組成物で洗浄する工程を有する、半田フラックス残渣の洗浄方法。
【請求項６】
被洗浄物が、部品が半田で半田付けされた電子部品の製造中間物である、請求項５記載の洗浄方法。
【請求項７】
半導体チップ、チップ型コンデンサ、及び回路基板からなる群から選択される少なくとも１つの部品を、フラックスを使用した半田付けにより回路基板上に搭載する工程、及び、前記搭載物を請求項５又は６記載のフラックス残渣の洗浄方法により洗浄する工程を含む、電子部品の製造方法。
【請求項８】
請求項１から４のいずれかに記載の洗浄剤組成物の電子部品の洗浄への使用。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本開示は、半田フラックス残渣除去用洗浄剤組成物、半田フラックス残渣の洗浄方法及び電子部品の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、プリント配線板やセラミック基板への電子部品の実装に関しては、低消費電力、高速処理といった観点から、部品が小型化し、半田フラックスの洗浄においては洗浄すべき隙間が狭くなってきている。また、環境安全面から鉛フリー半田が用いられるようになってきており、これに伴いロジン系フラックスが用いられている。
【０００３】
特許文献１には、半田付けした部品の隙間に残存するフラックス残渣の洗浄に好適なフラックス用洗浄剤組成物として、特定のグリコールエーテルと、アルカノールアミン、及び、炭素数１〜６のアルキル基を有するアルキルベンゼンスルホン酸及び／又はその塩及び水を含有するフラックス用洗浄剤組成物が開示されている。
【０００４】
特許文献２には、狭い隙間に存在するフラックス残渣に対する洗浄性が高いだけでなく、水によるすすぎ性が良好であり、泡立ちが抑制された、フラックス残渣が付着した被洗浄物の洗浄方法として、水を２質量％以上１０質量％以下、グリコールエーテルを５０質量％以上９７．７５質量％未満及び、アミン化合物を０．０５質量％以上５質量％以下含む洗浄剤を用いて、特定の洗浄条件及び洗浄装置で洗浄する方法が開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２００９−２９８９４０号公報
【特許文献２】ＷＯ２０１１／０８１０７１
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
近年の鉛フリー化に伴い、１）リフロー温度の高温化、２）半田金属中のスズ含有量増加が原因で除去困難なロジン酸等のスズ塩がフラックス残渣中に増えたため、既存の洗浄剤では残存してしまうという問題がある。一方で、洗浄性の良いものは電極に用いる銅を腐食してしまうという問題が生じる。さらに、低消費電力、高速処理といった観点から、部品が小型化し洗浄すべき隙間が狭くなってきている。表面張力の低い洗浄剤は浸透力が高く、狭い隙間のフラックス残渣を溶解できるものの、すすぎ工程で使用する水は表面張力が高いため、隙間への浸透速度が遅く十分にすすげないといった問題が起こってきている。特許文献１の洗浄剤でも更なる洗浄性とすすぎ性の向上が望まれる。
【０００７】
そこで、本開示は、一又は複数の実施形態において、半田フラックスを用いてリフローされた基板に対する洗浄性が優れる半田フラックス残渣除去用洗浄剤組成物を提供する。また、本開示は、一又は複数の実施形態において、半田フラックスを用いてリフローされた基板に対する洗浄性、並びに、狭い隙間への浸透性及びすすぎ性に優れ、さらには、良好な銅腐食抑制、発泡抑制、及び安全性（引火性の低減）を示す半田フラックス残渣除去用洗浄剤組成物を提供する。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本開示は、一又は複数の実施形態において、下記式（Ｉ）で表される化合物（成分Ａ）、下記式（ＩＩ）で表される化合物（成分Ｂ）、炭素数１〜６のアルキル基を有するアルキルベンゼンスルホン酸及び／又はその塩（成分Ｃ）、及び、水（成分Ｄ）を含有し、
成分Ａの含有量が、８８．０質量％以上９４．４質量％以下であり、
成分Ａ中、ジエチレングリコールモノブチルエーテルの含有量が、９０．０質量％以上１００．０質量％以下であり、
成分Ｂの含有量が、０．３質量％以上５．０質量％以下であり、
成分Ｃの含有量が、０．３質量％以上５．０質量％以下である、
半田フラックス残渣除去用洗浄剤組成物に関する。
【化１】
2015113379.tif 000002
［上記式（Ｉ）において、Ｒは炭素数３〜７の炭化水素基を示し、ｎは１〜５である。］
【化２】
2015113379.tif 000003
［上記式（ＩＩ）において、Ｒ1は水素原子、メチル基、エチル基又はアミノエチル基、Ｒ2は水素原子、ヒドロキシエチル基、ヒドロキシプロピル基、メチル基又はエチル基、Ｒ3はヒドロキシエチル基又はヒドロキシプロピル基である。］
【０００９】
本開示は、その他の一又は複数の実施形態において、リフローされた半田を有する被洗浄物を本開示に係る洗浄剤組成物で洗浄する工程を有する、半田フラックス残渣の洗浄方法に関する。
【００１０】
本開示は、その他の一又は複数の実施形態において、半導体チップ、チップ型コンデンサ、及び回路基板からなる群から選択される少なくとも１つの部品を、フラックスを使用した半田付けにより回路基板上に搭載する工程、及び、前記搭載物を本開示に係るフラックス残渣の洗浄方法により洗浄する工程を含む電子部品の製造方法に関する。
【発明の効果】
【００１１】
本開示によれば、一又は複数の実施形態において、半田フラックスを用いてリフローされた基板に対する洗浄性が優れる半田フラックス残渣除去用洗浄剤組成物、それを用いた洗浄方法、及び、それを用いた電子部品の製造方法を提供できる。また、本開示によれば、一又は複数の実施形態において、半田フラックスを用いてリフローされた基板に対する洗浄性、並びに、狭い隙間への浸透性及びすすぎ性に優れ、さらには、良好な銅腐食抑制、発泡抑制、及び安全性（引火性の低減）を示す半田フラックス残渣除去用洗浄剤組成物、それを用いた洗浄方法、及び、それを用いた電子部品の製造方法を提供できる。
【発明を実施するための形態】
【００１２】
本開示は、ジエチレングリコールモノブチルエーテルを主成分とするグリコールエーテルが多量に配合された洗浄剤組成物は、従来よりも洗浄性が向上するという知見に基づく。また、本開示は、該洗浄剤組成物は、銅腐食抑制、発泡抑制、及び安全性（引火性の低減）が良好でありながら、洗浄性に加え、狭い隙間への浸透性及びすすぎ性が向上しうるという知見に基づく。
【００１３】
すなわち、本開示は一態様において、前記式（Ｉ）で表される化合物（成分Ａ）、前記式（ＩＩ）で表される化合物（成分Ｂ）、炭素数１〜６のアルキル基を有するアルキルベンゼンスルホン酸及び／又はその塩（成分Ｃ）、及び、水（成分Ｄ）を含有し、
成分Ａの含有量が、８８．０質量％以上９４．４質量％以下であり、
成分Ａ中、ジエチレングリコールモノブチルエーテルの含有量が、９０．０質量％以上１００．０質量％以下であり、
成分Ｂの含有量が、０．３質量％以上５．０質量％以下であり、
成分Ｃの含有量が、０．３質量％以上５．０質量％以下である、
半田フラックス残渣除去用洗浄剤組成物（以下、「本開示に係る洗浄剤組成物」ともいう。）に関する。
【００１４】
本開示に係る洗浄剤組成物における効果の作用メカニズムの詳細は不明な部分があるが、以下のように推定される。すなわち、ジエチレングリコールモノブチルエーテルは半田フラックスとの親和性が高く、ジエチレングリコールモノブチルエーテルを主成分とするグリコールエーテル（成分Ａ）を多量に含有することで、洗浄剤組成物の表面張力が低くなり狭い隙間の半田フラックス残渣を溶解し洗浄するところ、特定のアルカノールアミン（成分Ｂ）とアルキルベンゼンスルホン酸又はその塩（成分Ｃ）による半田フラックス残渣中への浸透による膨潤作用で成分Ａによる洗浄性が向上すると考えられる。また、水によるすすぎの際には、本開示に係る洗浄剤組成物中の特定のアルカノールアミン（成分Ｂ）とアルキルベンゼンスルホン酸又はその塩（成分Ｃ）及び水（成分Ｄ）により、ジエチレングリコールモノブチルエーテルとすすぎ水との親和性が高められすすぎ性に優れると考えられる。そして、アルカノールアミン（成分Ｂ）を特定範囲の量とすることで銅の腐食が抑制されると考えられる。さらに、各成分を特定量とすることで、発泡性と安全性が良好に維持されていると考えられる。但し、本開示はこのメカニズムに限定して解釈されなくてもよい。
【００１５】
本開示において「フラックス」とは半田付けに使用されるロジン又はロジン誘導体を含有するロジン系フラックスをいい、本開示において「半田付け」はリフロー方式及びフロー方式の半田付けを含む。本開示において「半田フラックス」とは、半田とフラックスとの混合物をいう。回路基板上に他の部品（例えば、半導体チップ、チップ型コンデンサ、他の回路基板など）が積層して搭載されると前記回路基板と前記他の部品との間に空間（隙間）が形成される。前記搭載のために使用されるフラックスは、リフローなどにより半田付けされた後に、フラックス残渣としてこの隙間にも残存しうる。本開示において「半田フラックス残渣除去用洗浄剤組成物」とは、フラックス又は半田フラックスを用いて半田付けした後のフラックス残渣を洗浄するための洗浄剤組成物をいう。本開示に係る洗浄剤組成物による洗浄性及び狭い隙間への浸透性の顕著な効果発現の点から、半田は鉛（Ｐｂ）フリー半田であることが好ましい。
【００１６】
［成分Ａ］
本開示に係る洗浄剤組成物における成分Ａは、下記式（Ｉ）で表される１又は１以上の（ポリ）エチレングリコールモノアルキルエーテルである。
【化３】
2015113379.tif 000004
［式（Ｉ）において、Ｒは炭素数３〜７の炭化水素基を示し、ｎは１〜５である。］
【００１７】
上記式（Ｉ）において、Ｒは、隙間に残存するフラックス残渣に対する洗浄性の向上の観点から、炭素数３〜７の炭化水素基であり、好ましくは炭素数３〜６の炭化水素基であることが好ましく、より好ましくは炭素数４〜６の炭化水素基である。Ｒは、一又は複数の実施形態において、プロピル基、ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基を含む。平均付加モル数ｎは、隙間に残存するフラックス残渣に対する洗浄性向上の観点から、１〜５であり、好ましくは１〜３、より好ましくは２又は３である。炭化水素基は、好ましくはアルキル基、アルケニル基及びアリール基であり、より好ましくはアルキル基である。
【００１８】
本開示に係る洗浄剤組成物における成分Ａは、少なくともジエチレングリコールモノブチルエーテル（式（Ｉ）において、Ｒがブチル基、ｎ＝２）を含む。なお、本開示において、ブチル基は、特に言及がない場合、ｎ−ブチル基をいう。
【００１９】
ジエチレングリコールモノブチルエーテル以外の成分Ａとしては、一又は複数の実施形態において、隙間に残存するフラックス残渣に対する洗浄性向上の観点から、ジエチレングリコールモノイソプロピルエーテル、ジエチレングリコールモノイソブチルエーテル、ジエチレングリコールモノヘキシルエーテル等のジエチレングリコールモノアルキルエーテル；ジエチレングリコールモノアリルエーテル等のジエチレングリコールモノアルケニルエーテル；ジエチレングリコールモノベンジルエーテル等のジエチレングリコールモノアリールエーテル；トリエチレングリコールモノイソプロピルエーテル、トリエチレングリコールモノブチルエーテル、トリエチレングリコールモノイソブチルエーテル等のトリエチレングリコールモノアルキルエーテル；トリエチレングリコールモノアリルエーテル等のトリエチレングリコールモノアルケニルエーテル；テトラエチレングリコールモノブチルエーテル等のテトラエチレングリコールモノアルキルエーテル；ペンタエチレングリコールモノブチルエーテル等のペンタエチレングリコールモノアルキルエーテルが好ましい。これらの中でも、同様の観点から、ジエチレングリコールモノイソプロピルエーテル、ジエチレングリコールモノイソブチルエーテル、ジエチレングリコールモノヘキシルエーテル；トリエチレングリコールモノイソプロピルエーテルがより好ましい。また、ジエチレングリコールモノブチルエーテル以外の成分Ａは、一又は複数の実施形態において、狭い隙間への浸透性向上の観点から、トリエチレングリコールモノブチルエーテルが好ましい。
【００２０】
また、本開示に係る洗浄剤組成物における成分Ａは、ジエチレングリコールモノブチルエーテル（引火点１２０℃）以外の成分として、一又は複数の実施形態において、引火点が高く安全性に優れ、隙間に残存するフラックス残渣に対する洗浄性にも優れるという観点から、ジエチレングリコールモノイソブチルエーテル（引火点１１２℃）、ジエチレングリコールモノヘキシルエーテル（引火点１４１℃）、ジエチレングリコールモノベンジルエーテル（引火点１５８℃）、トリエチレングリコールモノイソプロピルエーテル、トリエチレングリコールモノブチルエーテル（引火点１５６℃）、トリエチレングリコールモノイソブチルエーテル、トリエチレングリコールモノアリルエーテルが好ましい。これらの中でも、同様の観点から、ジエチレングリコールモノブチルエーテル、ジエチレングリコールモノイソブチルエーテル、ジエチレングリコールモノヘキシルエーテル、トリエチレングリコールモノイソプロピルエーテルがより好ましい。
【００２１】
さらに、本開示に係る洗浄剤組成物における成分Ａは、ジエチレングリコールモノブチルエーテル以外の成分として、一又は複数の実施形態において、引火点からの安全性及び隙間に残存するフラックス残渣に対する洗浄性に加えて、水溶性に優れ製剤化にも優れるという観点から、ジエチレングリコールモノイソブチルエーテル、ジエチレングリコールモノベンジルエーテル、トリエチレングリコールモノイソプロピルエーテル、トリエチレングリコールモノブチルエーテル、トリエチレングリコールモノイソブチルエーテル、トリエチレングリコールモノアリルエーテルが好ましい。これらの中でも、同様の観点から、ジエチレングリコールモノブチルエーテル、ジエチレングリコールモノイソブチルエーテル、ジエチレングリコールモノベンジルエーテル、トリエチレングリコールモノイソプロピルエーテル、トリエチレングリコールモノブチルエーテル、トリエチレングリコールモノイソブチルエーテル、トリエチレングリコールモノアリルエーテルがより好ましく、ジエチレングリコールモノブチルエーテル、ジエチレングリコールモノイソブチルエーテル、トリエチレングリコールモノイソプロピルエーテルがさらに好ましい。
【００２２】
本開示に係る洗浄剤組成物における成分Ａの含有量は、一又は複数の実施形態において、隙間に残存するフラックス残渣に対する洗浄性向上の観点から、８８．０質量％以上であり、好ましくは８８．５質量％以上、より好ましくは８９．０質量％以上、さらに好ましくは８９．４質量％以上である。また、成分Ａの含有量は、一又は複数の実施形態において、同様の観点から、９４．４質量％以下であり、好ましくは９３．０質量％以下、より好ましくは９２．０質量％以下、さらに好ましくは９１．０質量％以下である。また、成分Ａの含有量は、一又は複数の実施形態において、同様の観点から、８８．０質量％以上９４．４質量％以下であって、好ましくは８８．５質量％以上９３．０質量％以下、より好ましくは８９．０質量％以上９２．０質量％以下、さらに好ましくは８９．４質量％以上９１．０質量％以下である。上述のとおり、成分Ａは、ジエチレングリコールモノブチルエーテルを含むが、ジエチレングリコールモノブチルエーテル単独であってもよく、ジエチレングリコールモノブチルエーテル以外の上記式（Ｉ）で表される１又は複数種類の化合物からなるものであってもよい。
【００２３】
本開示に係る洗浄剤組成物におけるジエチレングリコールモノブチルエーテルの成分Ａ中の含有量は、一又は複数の実施形態において、隙間に残存するフラックス残渣に対する洗浄性向上の観点から、９０．０質量％以上であり、好ましくは９３．０質量％以上、より好ましくは９４．０質量％以上、さらに好ましくは９６．０質量％以上、よりさらに好ましくは９８．０質量％以上である。また、ジエチレングリコールモノブチルエーテルの成分Ａ中の含有量は、一又は複数の実施形態において、同様の観点から、１００．０質量％以下である。
【００２４】
本開示に係る洗浄剤組成物におけるジエチレングリコールモノブチルエーテルの洗浄剤組成物中の含有量は、一又は複数の実施形態において、隙間に残存するフラックス残渣に対する洗浄性向上の観点から、好ましくは８８．０質量％以上、より好ましくは８８．５質量％以上、さらに好ましくは８９．０質量％以上、よりさらに好ましくは８９．４質量％以上である。また、ジエチレングリコールモノブチルエーテルの洗浄剤組成物中の含有量は、一又は複数の実施形態において、同様の観点から、好ましくは９４．４質量％以下、より好ましくは９３．０質量％以下、さらに好ましくは９２．０質量％以下、よりさらに好ましくは９１．０質量％以下である。また、ジエチレングリコールモノブチルエーテルの含有量は、一又は複数の実施形態において、同様の観点から、好ましくは８８．０質量％以上９４．４質量％以下、より好ましくは８８．５質量％以上９３．０質量％以下、さらに好ましくは８９．０質量％以上９２．０質量％以下、よりさらに好ましくは８９．４質量％以上９１．０質量％以下である。
【００２５】
本開示に係る洗浄剤組成物にジエチレングリコールモノブチルエーテル以外の成分Ａが含まれる場合、成分Ａ中のその含有量（複数種類の場合は合計の含有量）は、一又は複数の実施形態において、隙間に残存するフラックス残渣に対する洗浄性向上を阻害しない観点から、好ましくは１０質量％以下、より好ましくは７．０質量％以下、さらに好ましくは６．０質量％以下、よりさらに好ましくは４．０質量％以下、よりさらに好ましくは２．０質量％以下である。
【００２６】
本開示に係る洗浄剤組成物にジエチレングリコールモノブチルエーテル以外の成分Ａが含まれる場合、洗浄剤組成物中のその含有量（複数種類の場合は合計の含有量）は、一又は複数の実施形態において、隙間に残存するフラックス残渣に対する洗浄性向上を阻害しない観点から、好ましくは８．０質量％以下、より好ましくは６．０質量％以下、さらに好ましくは５．０質量％以下である。また、本開示に係る洗浄剤組成物にジエチレングリコールモノブチルエーテル以外の成分Ａが含まれる場合、洗浄剤組成物中のその含有量（複数種類の場合は合計の含有量）は、一又は複数の実施形態において、好ましくは１．０質量％以上、より好ましくは２．０質量％以上、さらに好ましくは３．０質量％以上である。
【００２７】
［成分Ｂ］
本開示に係る洗浄剤組成物における成分Ｂは、下記式（ＩＩ）で表される１又は複数種類のアルカノールアミンである。
【化４】
2015113379.tif 000005
［上記式（ＩＩ）において、Ｒ1は水素原子、メチル基、エチル基又はアミノエチル基、Ｒ2は水素原子、ヒドロキシエチル基、ヒドロキシプロピル基、メチル基又はエチル基、Ｒ3はヒドロキシエチル基又はヒドロキシプロピル基である。］
【００２８】
成分Ｂのアルカノールアミンとしては、一又は複数の実施形態において、モノエタノールアミン、ジエタノールアミン、並びに、これらのアルキル化物及びアミノアルキル化物が挙げられ、隙間に残存するフラックス残渣に対する洗浄性向上の観点から、モノエタノールアミン、ジエタノールアミン、モノメチルモノエタノールアミン、モノメチルジエタノールアミン、ジメチルモノエタノールアミン、モノエチルモノエタノールアミン、モノエチルジエタノールアミン及びモノアミノエチルイソプロパノールアミンが好ましく、ジエタノールアミン、モノエチルモノエタノールアミン、モノメチルジエタノールアミン及びモノアミノエチルイソプロパノールアミンがより好ましく、モノエチルモノエタノールアミン及びモノメチルジエタノールアミンがより好ましい。
【００２９】
本開示に係る洗浄剤組成物における成分Ｂの含有量は、一又は複数の実施形態において、隙間に残存するフラックス残渣に対する洗浄性向上の観点から、０．３質量％以上であり、好ましくは０．５質量％以上、より好ましくは１．０質量％以上、さらに好ましくは１．５質量％以上である。また、成分Ｂの含有量は、一又は複数の実施形態において、同様の観点から、５．０質量％以下であり、好ましくは４．５質量％以下、より好ましくは４．０質量％以下、さらに好ましくは３．５質量％以下である。また、成分Ｂの含有量は、一又は複数の実施形態において、同様の観点から、０．３質量％以上５．０質量％以下であって、好ましくは０．５質量％以上４．５質量％以下、より好ましくは１．０質量％以上４．０質量％以下、さらに好ましくは１．５質量％以上３．５質量％以下である。上述のとおり、成分Ｂは、上記式（ＩＩ）で表される単独の化合物であってもよく、上記式（ＩＩ）で表される複数種類の化合物からなるものであってもよい。
【００３０】
［成分Ｃ］
本開示に係る洗浄剤組成物における成分Ｃは、１又は複数種類の、炭素数１〜６のアルキル基を有するアルキルベンゼンスルホン酸及び／又はその塩からなる。アルキルベンゼンスルホン酸中に複数のアルキル基を有してもよく、その場合は、複数のアルキル基の炭素数の合計で炭素数１〜６である。成分Ｃのアルキルベンゼンスルホン酸及び／又はその塩におけるアルキル基の炭素数は、一又は複数の実施形態において、隙間に残存するフラックス残渣に対する洗浄力を向上させる点から、１〜６であって、１〜４が好ましく、１〜３がより好ましく、１又は２がさらに好ましく、１がさらにより好ましい。炭素数１〜６のアルキル基を有するアルキルベンゼンスルホン酸の塩としては、洗浄剤組成物として許容される点から、ナトリウム、カリウムなどのアルカリ金属塩、アンモニウム塩、有機アミン塩が好ましく、半導体品質の安定性の観点から金属イオンが残留しない、アンモニウム塩、有機アミン塩がさらに好ましい。なお、有機アミン塩が成分Ｂによる塩であってもよい。
【００３１】
成分Ｃに含まれるアルキルベンゼンスルホン酸及び／又はその塩としては、一又は複数の実施形態において、隙間に残存するフラックス残渣に対する洗浄力を向上させる点から、トルエンスルホン酸、キシレンスルホン酸、エチルベンゼンスルホン酸、プロピルベンゼンスルホン酸、イソプロピルベンゼンスルホン酸、ブチルベンゼンスルホン酸、ペンチルベンゼンスルホン酸、ヘキシルベンゼンスルホン酸、２，４−ジメチルベンゼンスルホン酸、ジプロピルベンゼンスルホン酸、及び／又はこれらの塩が挙げられ、これらはオルト位、メタ位、パラ位のいずれでもよい。成分Ｃは、一又は複数の実施形態において、同様の観点から、ｐ−トルエンスルホン酸、キシレンスルホン酸、エチルベンゼンスルホン酸、ブチルベンゼンスルホン酸、及び／又はこれらの塩がより好ましく、ｐ−トルエンスルホン酸がさらに好ましい。
【００３２】
本開示に係る洗浄剤組成物における成分Ｃの含有量は、一又は複数の実施形態において、０．３質量％以上５．０質量％以下であり、隙間に残存するフラックス残渣に対する洗浄力を向上させる観点から、好ましくは０．４質量％以上、より好ましくは０．５質量％以上であり、そして、洗浄剤組成物の隙間への浸透性を向上させる観点から、好ましくは４．５質量％以下、より好ましくは４．０質量％以下、さらに好ましくは３．０質量％以下である。上述のとおり、成分Ｃは、単独の化合物であってもよく、複数種類の化合物からなるものであってもよい。成分Ｃが塩の場合の成分Ｃの含有量は、酸型に換算して含有量を計算する。
【００３３】
［成分Ｄ］
本開示に係る洗浄剤組成物における成分Ｄは、水である。水は、蒸留水、イオン交換水、又は超純水等が使用され得る。本開示に係る洗浄剤組成物における成分Ｄの含有量は、一又は複数の実施形態において、引火性を低減する観点から、好ましくは５．０質量％以上、より好ましくは５．５質量％以上、さらに好ましくは６．５質量％以上である。また、成分Ｄの含有量は、一又は複数の実施形態において、隙間に残存するフラックス残渣に対する洗浄力を向上させる観点から、好ましくは１０．０質量％以下、より好ましくは９．０質量％以下、さらに好ましくは８．０質量％以下である。成分Ｄの含有量は、一又は複数の実施形態において、隙間に残存するフラックス残渣に対する洗浄力を向上させる点及び引火性を低減する観点から、好ましくは５．０質量％以上１０．０質量％以下、より好ましくは５．５質量％以上９．０質量％以下、さらに好ましくは６．５質量％以上８．０質量％以下である。
【００３４】
成分Ａと成分Ｄの質量比〔Ａ／Ｄ〕は、一又は複数の実施形態において、隙間に残存するフラックス残渣に対する洗浄性向上の観点から、好ましくは１０．０以上、より好ましくは１１．０以上、さらに好ましくは１２．０以上である。成分Ａと成分Ｄの質量比〔Ａ／Ｄ〕は、一又は複数の実施形態において、隙間に残存するフラックス残渣に対する洗浄性向上の観点及び引火点を下げて安全性を向上する観点から、好ましくは１９．０以下、より好ましくは１７．０以下、さらに好ましくは１４．０以下である。
【００３５】
本開示に係る洗浄剤組成物において成分Ａ、Ｂ及びＣの質量比（成分Ａ／成分Ｂ／成分Ｃ）は、一又は複数の実施形態において、洗浄剤組成物の取り扱い性及び隙間に残存するフラックス残渣に対する洗浄力の向上の点から、好ましくは８９．７〜９９．４／０．３〜５．４／０．３〜５．４、より好ましくは９１．０〜９８．６／１．０〜５．０／０．４〜４．０、さらに好ましくは９４．０〜９８．０／１．５〜４．０／０．５〜２．０である。ただし、成分Ａ、成分Ｂ、成分Ｃの合計は１００．０である。
【００３６】
［洗浄剤組成物のその他の成分］
本開示に係る洗浄剤組成物において成分Ａ、Ｂ、Ｃ及びＤの総含有量は、一又は複数の実施形態において、隙間に残存するフラックス残渣に対する洗浄力を向上させる点から、９８．０質量％以上１００質量％以下であることが好ましく、より好ましくは９９．０質量％以上１００質量％以下、さらに好ましくは９９．５質量％以上１００質量％以下、さらにより好ましくは９９．７質量％以上１００質量％以下である。したがって、本開示に係る洗浄剤組成物は、一又は複数の実施形態において、好ましくは０質量％以上２．０質量％以下、より好ましくは０質量％以上１．０質量％以下、さらに好ましくは０質量％以上０．３質量％以下、さらにより好ましくは０質量％以上０．１質量％以下の範囲で、その他の成分を含んでもよい。
【００３７】
本開示に係る洗浄剤組成物におけるその他の成分としては、一又は複数の実施形態において、すすぎ性向上の観点から、ポリアルキレングリコールアルキルアミン型非イオン界面活性剤が挙げられる。ポリアルキレングリコールアルキルアミン型非イオン界面活性剤としては、一又は複数の実施形態において、下記式（ＩＩＩ）で表されるものが挙げられる。
【化５】
2015113379.tif 000006
［式（ＩＩＩ）において、Ｒ4は炭素数８〜１８の炭化水素基、ＥＯはオキシエチレン基、ｎ及びｍは、それぞれ、ＥＯの平均付加モル数を示す。］
【００３８】
上記式（ＩＩＩ）において、Ｒ4は、すすぎ性向上の点から、好ましくは炭素数１０〜１４の炭化水素基であり、ｎ＋ｍは、同様の観点から、好ましくは３以上６以下である。
【００３９】
本開示に係る洗浄剤組成物におけるその他の成分としては、その他の一又は複数の実施形態において、発泡性の抑制の観点から、炭素数１０〜１８の不飽和結合を有する又は有さない炭化水素が挙げられる。炭化水素としては、一又は複数の実施形態において、同様の観点から、ドデセン、テトラデセンが挙げられる。
【００４０】
本開示に係る洗浄剤組成物におけるその他の成分としては、その他の一又は複数の実施形態において、下記式（ＩＶ）で表される非イオン界面活性剤が挙げられる。
【化６】
2015113379.tif 000007
［式（ＩＶ）において、Ｒ5は炭素数８〜１８の炭化水素基、ＥＯはオキシエチレン基、ＰＯはオキシプロピレン基を示す。ｐ、ｑ、及びｒは、それぞれ、ＥＯ、ＰＯの平均付加モル数を示し、それぞれ、０〜１５の数であって、ｐ及びｒは同時に０とならず、かつ、ｑ＞０の場合はｑ≦ｐ＋ｒ≦３０、ｑ＝０の場合はｒ＝０である。］
【００４１】
さらなるその他の成分として、本開示に係る洗浄剤組成物は、本開示の効果を損なわない範囲で、必要に応じて、通常洗浄剤に用いられる、ヒドロキシエチルアミノ酢酸、ヒドロキシエチルイミノ２酢酸、エチレンジアミンテトラ酢酸等のアミノカルボン酸塩等のキレート力を持つ化合物、防腐剤、防錆剤、殺菌剤、抗菌剤、シリコーン系消泡剤、酸化防止剤、ヤシ脂肪酸メチルや酢酸ベンジル等のエステルあるいはアルコール類等を適宜併用することができる。
【００４２】
［洗浄剤組成物の調製方法］
本開示における洗浄剤組成物の調製方法は、何ら制限されず、成分Ａ、成分Ｂ、成分Ｃ及び成分Ｄを混合することによって調製できる。
【００４３】
［洗浄剤組成物のｐＨ］
本開示に係る洗浄剤組成物のｐＨは、一又は複数の実施形態において、隙間に残存するフラックス残渣に対する洗浄力を向上させる点から、ｐＨ８以上ｐＨ１４以下が好ましい。ｐＨは、必要により、硝酸、硫酸等の無機酸、オキシカルボン酸、多価カルボン酸、アミノポリカルボン酸、アミノ酸等の成分Ｃ以外の有機酸、及びそれらの金属塩やアンモニウム塩、アンモニア、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、アミン等の成分Ｂ以外の塩基性物質を適宜、所望量で配合することで調整することができる。
【００４４】
［フラックス残渣の洗浄方法］
本開示は、その他の態様において、リフローされた半田を有する被洗浄物を本開示に係る洗浄剤組成物に接触させることを含む、半田フラックス残渣の洗浄方法に関する（以下、本開示に係る洗浄方法ともいう）。本開示に係る洗浄方法は、一又は複数の実施形態において、リフローされた半田を有する被洗浄物を本開示に係る洗浄剤組成物で洗浄する工程を有する。被洗浄物に本開示に係る洗浄剤組成物を接触させる方法、又は、被洗浄物を本開示に係る洗浄剤組成物で洗浄する方法としては、一又は複数の実施形態において、超音波洗浄装置の浴槽内で接触させる方法や、洗浄剤組成物をスプレー状に射出して接触させる方法（シャワー方式）などが挙げられる。本開示に係る洗浄剤組成物は、希釈することなくそのまま洗浄に使用できる。本開示の洗浄方法は、洗浄剤組成物に被洗浄物を接触させた後、水でリンスし、乾燥する工程を含むことが好ましい。本開示の洗浄方法であれば、半田付けした部品の隙間に残存するフラックス残渣を効率よく洗浄できる。本開示の洗浄方法による洗浄性及び狭い隙間への浸透性の顕著な効果発現の点から、半田は鉛（Ｐｂ）フリー半田であることが好ましい。本開示の洗浄方法は、一又は複数の実施形態において、本開示に係る洗浄剤組成物の洗浄力が発揮されやすい点から、本開示に係る洗浄剤組成物と被洗浄物との接触時に超音波を照射することが好ましく、その超音波は比較的強いものであることがより好ましい。前記超音波としては、一又は複数の実施形態において、２６〜７２Ｈｚ、８０〜１５００Ｗが好ましく、３６〜７２Ｈｚ、８０〜１５００Ｗがより好ましい。
【００４５】
［被洗浄物］
本開示に係る洗浄剤組成物は、一又は複数の実施形態において、電子部品の洗浄に使用される。被洗浄物としては、一又は複数の実施形態において、リフローされた半田を有する被洗浄物が挙げられ、その他の一又は複数の実施形態において、部品が半田付けされた電子部品の製造中間物が挙げられ、或いは、半田付けされた部品の隙間にフラックス残渣を含む製造中間物が挙げられる。前記製造中間物は、半導体パッケージや半導体装置を含む電子部品の製造工程における中間製造物であって、例えば、回路基板上にフラックスを使用した半田付けにより半導体チップ、チップ型コンデンサ、及び回路基板などが搭載された物を含む。被洗浄物における隙間とは、例えば、回路基板とその回路基板に半田付けされて搭載された部品（半導体チップ、チップ型コンデンサ、回路基板など）との間に形成される空間であって、その高さ（部品間の距離）が、例えば、５〜５００μｍ、１０〜２５０μｍ、或いは２０〜１００μｍの空間をいう。隙間の幅及び奥行きは、搭載される部品や回路基板上の電極（ランド）の大きさや間隔に依存する。
【００４６】
［電子部品の製造方法］
本開示の電子部品の製造方法は、半導体チップ、チップ型コンデンサ、及び回路基板からなる群から選択される少なくとも１つの部品を、フラックスを使用した半田付により回路基板上に搭載する工程、及び、本開示の洗浄方法により前記搭載物を洗浄する工程を含む。フラックスを使用した半田付けは、一又は複数の実施形態において、鉛フリー半田で行われるものであり、リフロー方式でもよく、フロー方式でもよい。電子部品は、半導体チップが未搭載の半導体パッケージ、半導体チップが搭載された半導体パッケージ、及び、半導体装置を含む。本開示の電子部品の製造方法は、本開示の洗浄方法を行うことにより、半田付けされた部品の隙間に残存するフラックス残渣が低減され、フラックス残渣が残留することに起因する電極間でのショートや接着不良が抑制されるから、信頼性の高い電子部品の製造が可能になる。また、本開示の洗浄方法を行うことにより、半田付けされた部品の隙間に残存するフラックス残渣の洗浄が容易になることから、洗浄時間が短縮化でき、電子部品の製造効率を向上できる。
【００４７】
本開示はさらに以下の一又は複数の実施形態に関する。
【００４８】
＜１＞  下記式（Ｉ）で表される化合物（成分Ａ）、下記式（ＩＩ）で表される化合物（成分Ｂ）、炭素数１〜６のアルキル基を有するアルキルベンゼンスルホン酸及び／又はその塩（成分Ｃ）、及び、水（成分Ｄ）を含有し、
成分Ａの含有量が、８８．０質量％以上９４．４質量％以下であり、
成分Ａ中、ジエチレングリコールモノブチルエーテルの含有量が、９０．０質量％以上１００．０質量％以下であり、
成分Ｂの含有量が、０．３質量％以上５．０質量％以下であり、
成分Ｃの含有量が、０．３質量％以上５．０質量％以下である、
半田フラックス残渣除去用洗浄剤組成物。
【化７】
2015113379.tif 000008
［上記式（Ｉ）において、Ｒは炭素数３〜７の炭化水素基を示し、ｎは１〜５である。］
【化８】
2015113379.tif 000009
［上記式（ＩＩ）において、Ｒ1は水素原子、メチル基、エチル基又はアミノエチル基、Ｒ2は水素原子、ヒドロキシエチル基、ヒドロキシプロピル基、メチル基又はエチル基、Ｒ3はヒドロキシエチル基又はヒドロキシプロピル基である。］
【００４９】
＜２＞  成分Ａの含有量が、好ましくは８８．０質量％以上、より好ましくは８８．５質量％以上、さらに好ましくは８９．０質量％以上、さらにより好ましくは８９．４質量％以上である、＜１＞記載の洗浄剤組成物。
＜３＞  成分Ａの含有量が、好ましくは９４．４質量％以下、より好ましくは９３．０質量％以下、さらに好ましくは９２．０質量％以下、さらにより好ましくは９１．０質量％以下である、＜１＞又は＜２＞に記載の洗浄剤組成物。
＜４＞  成分Ａの含有量が、好ましくは８８．５質量％以上９３．０質量％以下、より好ましくは８９．０質量％以上９２．０質量％以下、さらに好ましくは８９．４質量％以上９１．０質量％以下である、＜１＞から＜３＞のいずれかに記載の洗浄剤組成物。
＜５＞  成分Ａの１つであるジエチレングリコールモノブチルエーテルの成分Ａ中の含有量が、好ましくは９３．０質量％以上、より好ましくは９４．０質量％以上、さらに好ましくは９６．０質量％以上、よりさらに好ましくは９８．０質量％以上であり、そして１００．０質量％以下である。＜１＞から＜４＞のいずれかに記載の洗浄剤組成物。
＜６＞  成分Ａの１つであるジエチレングリコールモノブチルエーテルの含有量が、好ましくは８８．０質量％以上、より好ましくは８８．５質量％以上、さらに好ましくは８９．０質量％以上、よりさらに好ましくは８９．４質量％以上である、＜１＞から＜５＞のいずれかに記載の洗浄剤組成物。
＜７＞  成分Ａの１つであるジエチレングリコールモノブチルエーテルの含有量が、好ましくは９４．４質量％以下、より好ましくは９３．０質量％以下、さらに好ましくは９２．０質量％以下、よりさらに好ましくは９１．０質量％以下である、＜１＞から＜６＞のいずれかに記載の洗浄剤組成物。
＜８＞  成分Ａの１つであるジエチレングリコールモノブチルエーテルの含有量が、好ましくは８８．０質量％以上９４．４質量％以下、より好ましくは８８．５質量％以上９３．０質量％以下、さらに好ましくは８９．０質量％以上９２．０質量％以下、よりさらに好ましくは８９．４質量％以上９１．０質量％以下である、＜１＞から＜７＞のいずれかに記載の洗浄剤組成物。
＜９＞  ジエチレングリコールモノブチルエーテル以外の成分Ａが含まれる場合、成分Ａ中のその含有量が、好ましくは１０質量％以下、より好ましくは７．０質量％以下、さらに好ましくは６．０質量％以下、よりさらに好ましくは４．０質量％以下、よりさらに好ましくは２．０質量％以下である、＜１＞から＜８＞のいずれかに記載の洗浄剤組成物。
＜１０＞  ジエチレングリコールモノブチルエーテル以外の成分Ａが含まれる場合、その含有量が、好ましくは８．０質量％以下、より好ましくは６．０質量％以下、さらに好ましくは５．０質量％以下である、＜１＞から＜９＞のいずれかに記載の洗浄剤組成物。
＜１１＞ジエチレングリコールモノブチルエーテル以外の成分Ａが含まれる場合、その含有量が、好ましくは１．０質量％以上、より好ましくは２．０質量％以上、さらに好ましくは３．０質量％以上である、＜１＞から＜１０＞のいずれかに記載の洗浄剤組成物。
＜１２＞  式（Ｉ）において、Ｒが、好ましくは炭素数３〜６の炭化水素基、より好ましくは炭素数４〜６の炭化水素基である、＜１＞から＜１１＞のいずれかに記載の洗浄剤組成物。
＜１３＞  式（Ｉ）において、平均付加モル数ｎが、好ましくは１〜３、より好ましくは２又は３である、＜１＞から＜１２＞のいずれかに記載の洗浄剤組成物。
＜１４＞  成分Ｂの含有量が、好ましくは０．３質量％以上、より好ましくは０．５質量％以上、さらに好ましくは１．０質量％以上、さらにより好ましくは１．５質量％以上である、＜１＞から＜１３＞のいずれかに記載の洗浄剤組成物。
＜１５＞  成分Ｂの含有量が、好ましくは５．０質量％以下、より好ましくは４．５質量％以下、さらに好ましくは４．０質量％以下、さらにより好ましくは３．５質量％以下である、＜１＞から＜１４＞のいずれかに記載の洗浄剤組成物。
＜１６＞  成分Ｂの含有量が、好ましくは０．５質量％以上４．５質量％以下、より好ましくは１．０質量％以上４．０質量％以下、さらに好ましくは１．５質量％以上３．５質量％以下である、＜１＞から＜１５＞のいずれかに記載の洗浄剤組成物。
＜１７＞  成分Ｃの含有量が、好ましくは０．４質量％以上、より好ましくは０．５質量％以上である、＜１＞から＜１６＞のいずれかに記載の洗浄剤組成物。
＜１８＞  成分Ｃの含有量が、好ましくは４．５質量％以下、より好ましくは４．０質量％以下、さらに好ましくは３．０質量％以下である、＜１＞から＜１７＞のいずれかに記載の洗浄剤組成物。
＜１９＞  成分Ｄの含有量が、好ましくは５．０質量％以上、より好ましくは５．５質量％以上、さらに好ましくは６．５質量％以上である、＜１＞から＜１８＞のいずれかに記載の洗浄剤組成物。
＜２０＞  成分Ｄの含有量が、好ましくは１０．０質量％以下、より好ましくは９．０質量％以下、さらに好ましくは８．０質量％以下である、＜１＞から＜１９＞のいずれかに記載の洗浄剤組成物。
＜２１＞  成分Ｄの含有量が、好ましくは５．０質量％以上１０．０質量％以下、より好ましくは５．５質量％以上９．０質量％以下、さらに好ましくは６．５質量％以上８．０質量％以下である、＜１＞から＜２０＞のいずれかに記載の洗浄剤組成物。
＜２２＞  成分Ａと成分Ｄの質量比〔成分Ａ／成分Ｄ〕が、好ましくは１０．０以上、より好ましくは１１．０以上、さらに好ましくは１２．０以上である、＜１＞から＜２１＞のいずれかに記載の洗浄剤組成物。
＜２３＞  成分Ａと成分Ｄの質量比〔成分Ａ／成分Ｄ〕が、好ましくは１９．０以下、より好ましくは１７．０以下、さらに好ましくは１４．０以下である、＜１＞から＜２２＞のいずれかに記載の洗浄剤組成物。
＜２４＞  成分Ａ、Ｂ及びＣの質量比（成分Ａ／成分Ｂ／成分Ｃ）が、好ましくは８９．７〜９９．４／０．３〜５．４／０．３〜５．４、より好ましくは９１．０〜９８．６／１．０〜５．０／０．４〜４．０、さらに好ましくは９４．０〜９８．０／１．５〜４．０／０．５〜２．０であり、成分Ａと成分Ｂと成分Ｃの合計が１００．０である、＜１＞から＜２２＞のいずれかに記載の洗浄剤組成物。
＜２５＞  さらに、ポリアルキレングリコールアルキルアミン型非イオン界面活性剤を含む、＜１＞から＜２３＞のいずれかに記載の洗浄剤組成物。
＜２６＞  半田が、鉛（Ｐｂ）フリー半田である、＜１＞から＜２５＞のいずれかに記載の洗浄剤組成物。
＜２７＞  リフローされた半田を有する被洗浄物を＜１＞から＜２６＞のいずれかに記載の洗浄剤組成物で洗浄する工程を有する、半田フラックス残渣の洗浄方法。
＜２８＞  被洗浄物が、部品が半田で半田付けされた電子部品の製造中間物である、＜２７＞記載の洗浄方法。
＜２９＞  半導体チップ、チップ型コンデンサ、及び回路基板からなる群から選択される少なくとも１つの部品を、フラックスを使用した半田付けにより回路基板上に搭載する工程、及び、前記搭載物を＜２７＞又は＜２８＞記載のフラックス残渣の洗浄方法により洗浄する工程を含む、電子部品の製造方法。
＜３０＞  ＜１＞から＜２６＞のいずれかに記載の洗浄剤組成物の電子部品の洗浄への使用。
【実施例】
【００５０】
１．洗浄剤組成物の調製（実施例１〜１３、比較例１〜１６）
下記表１に示す成分Ａ〜Ｄ、及び必要に応じてその他の成分（表１）を混合し、実施例１〜１３、比較例１〜１６の洗浄剤組成物を調製した。下記表１の成分Ａ〜Ｄ及びその他の成分の数値は、調製した洗浄剤組成物における含有量（質量％）を示す。
【００５１】
その他の成分として表１において「＊１」「＊２」及び「＊３」で示されるのは、下記の化合物である。
成分＊１：下記式（ＩＩＩ）で表されるポリアルキレングリコールアルキルアミン型非イオン界面活性剤。そのなかでも、Ｒ4が炭素数１２の炭化水素基であり、ｎ＋ｍが４のものを使用した。
【化９】
2015113379.tif 000010
［式（ＩＩＩ）において、Ｒ4は炭素数８〜１８の炭化水素基、ＥＯはオキシエチレン基、ｎ及びｍは、それぞれ、ＥＯの平均付加モル数を示す。］
【００５２】
成分＊２：下記式（ＩＶ）で表されるポリオキシエチレンオキシプロピレンアルキルエーテル型非イオン界面活性剤。そのなかでも、Ｒ5が炭素数１２又は１４の炭化水素基であり、ｐ＝５、ｑ＝２、ｒ＝５のものを使用した。
【化１０】
2015113379.tif 000011
［式（ＩＶ）において、Ｒ5は炭素数８〜１８の炭化水素基、ＥＯはオキシエチレン基、ＰＯはオキシプロピレン基を示す。ｐ、ｑ、及びｒは、それぞれ、ＥＯ、ＰＯの平均付加モル数を示し、それぞれ、０〜１５の数であって、ｐ及びｒは同時に０とならず、かつ、ｑ＞０の場合はｑ≦ｐ＋ｒ≦３０、ｑ＝０の場合はｒ＝０である。］
【００５３】
成分＊３：上記式（ＩＶ）で表されるポリオキシエチレンオキシプロピレンアルキルエーテル型非イオン界面活性剤。そのなかでも、Ｒ5が炭素数１２の第２級炭化水素基であり、ｐ＝７、ｑ＝ｒ＝０のものを使用した。
【００５４】
２．洗浄剤組成物の評価
調製した実施例１〜１３及び比較例１〜１６の洗浄剤組成物を用いてテスト基板の洗浄性（洗浄性１及２）、ガラス毛細管試験、すすぎ性、腐食性、発泡性、並びに安全性について試験を行い、評価した。その結果を表１に示す。
【００５５】
［洗浄性試験（洗浄性１）］
以下の条件でテスト基板を洗浄する洗浄性試験を行った。
〔テスト基板〕
チップコンデンサ（０８１６）を１０個搭載したテスト基板（５０ｍｍ×５０ｍｍ、チップコンデンサと基板の隙間は約５０μｍ）を用いた。ソルダーペーストには鉛フリーのエコソルダーＭ７０５−ＢＰＳ（千住金属工業（株）製）、リフロー炉にはエコリフローＳＮＲ８２５（千住金属工業（株）製）を用い、リフローピーク温度２４０℃、半田溶融時間４５秒、窒素雰囲気下（酸素濃度１００ｐｐｍ）で半田接続した。
〔洗浄方法〕
洗浄はスプレー洗浄を行った。テスト基板のチップコンデンサを半田付けした面を上に向け、扇形ノズルＶＶＰ９０６０（いけうち製）、圧力０．３ＭＰａ（流量６Ｌ／分）で上から下へ（距離５ｃｍ）スプレーし、テスト基板を左右に０．５ｍ／分で移動させ、２分間洗浄を行った。洗浄後、プレリンス及び仕上げリンスを各１回次の条件で行った。水平に対向する距離２７ｃｍの充円錐ノズルＪ０５０（いけうち製）、圧力０．３ＭＰａ（流量０．６Ｌ／分）でノズル間の中間に２分間テスト基板を固定する。仕上げリンス後にテスト基板を送風乾燥機（８５℃、１５分）で乾燥した。なお、使用する各洗浄剤組成物及びリンス用イオン交換水は６０℃に加温した。
〔洗浄性の評価〕
乾燥後のテスト基板からチップコンデンサを剥離し、光学顕微鏡にてフラックス残渣の残存有無を確認した。評価基準は以下の通り。その結果を表１の「洗浄性１」の欄に示す。
Ａ：１０個中残渣あるものゼロ
Ｂ：１０個中残渣あるもの１個
Ｃ：１０個中残渣あるもの２個以上
【００５６】
［洗浄性試験（洗浄性２）］
上記洗浄性試験（洗浄性１）と同様の方法で、洗浄時間を１分間に短くして評価した。その結果を表１の「洗浄性２」の欄に示す。
【００５７】
［ガラス毛細管試験］
窒素雰囲気下にて銅板上でエコソルダーＭ７０５−ＢＰＳ（千住金属工業（株）製）を２５０℃、３０分間加熱して、液状のフラックス残渣を分離採取する。ＤＲＵＭＭＯＮＤ製ガラスキャップ（ガラス毛細管）（長さ３２ｍｍ、内径１４０μm）に上記方法にて作成したフラックス残渣を充填し一方の開口部を封止して試験片を作成した。１００ｍＬビーカーに各洗浄剤組成物及びすすぎ用イオン交換水を各１００ｇ加え６０℃に加温する。試験片を各洗浄剤組成物に浸漬し超音波（４０ｋＨｚ、２００Ｗ）を５分間照射後、すすぎ用イオン交換水に移し超音波（４０ｋＨｚ、２００Ｗ）を５分間照射後取り出した。取り出した試験片を光学顕微鏡にて観察し、開口部から溶解したフラックス残渣の距離を測定し、５点の平均値を算出した。フラックス残渣が溶解した距離が長いほど溶解速度が速く洗浄性が良いと評価できる。その結果を表１に示す。
【００５８】
［すすぎ性］
窒素雰囲気下にて銅板上でエコソルダーＭ７０５−ＢＰＳ（千住金属工業（株）製）を２５０℃、３０分間加熱して、液状のフラックス残渣を分離採取する。このフラックス残渣を各洗浄剤組成物と混合し１質量％の混合液を作成した。角カバーグラス（１８ｍｍ×１８ｍｍ、松浪硝子工業（株）製）に上記方法にて作成した混合液を約０．１ｇ滴下し、その上にもう一枚の角カバーグラスを重ね、クリップ（口幅１９ｍｍ、コクヨ（株）製）で一辺を挟み固定し試験片を作成した。１００ｍＬビーカーにすすぎ用イオン交換水を１００ｇ加え６０℃に加温する。試験片をピンセットで保持してすすぎ用イオン交換水に上下に１０回揺動しながら１分間浸漬し、取り出す。取り出した試験片を真空乾燥機（１２０℃、１５分）で乾燥した。試験片を観察し、角カバーグラス間に残存物がなくなるまでのすすぎ回数を数えた。すすぎ回数が少ないほどすすぎ性が良いと評価できる。その結果を表１に示す。なお、５回ですすげないものは「＞５」とした。
【００５９】
［腐食性］
各洗浄剤組成物を１Ｌビーカーに満たして６０℃に加温し、その中へ厚さ１ｍｍの銅板（３０ｍｍ×５０ｍｍ）を入れ１０分間浸漬。その後イオン交換水にて十分にすすぎ、送風乾燥機（８５℃、１５分）で乾燥し、銅板の表面状態を観察した。評価基準は以下の通り。その結果を表１に示す。
Ａ：変色無し
Ｂ：変色あり
【００６０】
［発泡性］
窒素雰囲気下にて銅板上でエコソルダーＭ７０５−ＢＰＳ（千住金属工業（株）製）を２５０℃、３０分間加熱して、液状のフラックス残渣を分離採取した。上記条件にて作成したフラックス残渣を１質量％含有する各洗浄剤組成物をイオン交換水にて１０倍に希釈し、その５０ｍＬを２００ｍＬ共栓付きメスフラスコに加え、６０℃に加温し、上下に激しく３０回振とうした。１分後の泡高さを測定し、下記の基準にて評価した。その結果を表１に示す。
Ａ：泡無し
Ｂ：５ｍＬ未満
Ｃ：５ｍＬ以上
【００６１】
［安全性］
各洗浄剤組成物の引火点により、以下のように評価した。なお、水の沸点の１００℃において引火すると火災となる危険性が高くなる。水の沸点より１０℃高い１１０℃を基準に引火点により安全性を評価した。その結果を表１に示す。
Ａ：引火点が１１０℃以上
Ｂ：引火点が１１０℃未満
【００６２】
【表１】
2015113379.tif 000012
【００６３】
上記表１に示すとおり、実施例１〜１３の洗浄剤組成物は、比較例１〜１０、１２〜１６の洗浄剤組成物と比べて優れた洗浄性を示し、かつ、ガラス毛細管試験の結果（浸透性）及びすすぎ性も概ね優れた結果を示した。また、実施例１〜１３の洗浄剤組成物は、比較例１１の洗浄剤組成物よりも安全性の点が優れていた（引火点が高い）。
【００６４】
上記表１に示すとおり、ポリアルキレングリコールアルキルアミン型非イオン界面活性剤が添加された実施例８の洗浄剤組成物は、すすぎ性が特に優れていた。また、炭化水素又はシリコーン系消泡剤を含有する実施例７及び１２の洗浄剤組成物は、低発泡性に特に優れていた。
【産業上の利用可能性】
【００６５】
本開示を用いることにより、半田付けされた部品の隙間に残存するフラックス残渣の洗浄が良好に行えることから、例えば、電子部品の製造プロセスにおけるフラックス残渣の洗浄工程の短縮化及び製造される電子部品の性能・信頼性の向上が可能となり、半導体装置の生産性を向上できる。