(57)【要約】【課題】回路の高密度化の阻害を抑えて伝熱導体による放熱を効率良く行うことが可能な回路基板及びその製造方法を提供する。【解決手段】本発明の回路基板１０では、金属板１１Ｘに接続されているビア伝熱導体１７，１７同士が、導体伝熱層１３Ａ，１３Ｂで接続されることで伝熱ルートが多く形成されるので、効率よく放熱を行うことができる。また、導体伝熱層１３Ａ，１３Ｂには、ビア伝熱導体１７，１７上に位置する複数の円形伝熱部７０と、円形伝熱部７０，７０同士の間を接続する帯状伝熱部７１とが備えられ、帯状伝熱部７１の幅が円形伝熱部７０の直径より小さくなっていてスルーホール導電導体１５，１５同士の間に配置されているので、スルーホール導電導体１５，１５同士の間の空きスペースを有効利用して伝熱ルートを増やすことができる。これらにより、回路の高密度化の阻害を抑えて、伝熱導体による放熱を効率良く行うことができる。【選択図】図３
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁層とその絶縁層の厚さ方向の中間部に埋設されかつ複数の開口を有する金属板とを備える金属板内蔵基板と、
前記金属板内蔵基板の表裏の両面にそれぞれ形成される導体回路層と、
前記金属板内蔵基板の表裏の両面にそれぞれ形成され、前記導体回路層と同一面内に配置される導体伝熱層と、
前記金属板内蔵基板の前記絶縁層のうち前記金属板の複数の開口が配置されている部分を前記金属板に触れずに貫通して、前記金属板内蔵基板の表裏の前記導体回路層同士の間を接続する複数のスルーホール導電導体と、
前記金属板内蔵基板の表裏の両面における複数位置から前記金属板まで前記絶縁層を貫通して、前記金属板内蔵基板の表裏の前記導体伝熱層を前記金属板に接続する複数のビア伝熱導体と、を有する回路基板であって、
前記導体伝熱層には、複数の前記ビア伝熱導体上に位置する複数の円形伝熱部と、前記円形伝熱部同士の間を接続しかつ前記円形伝熱部の直径より幅が狭い帯状伝熱部とが備えられ、
前記帯状伝熱部は、少なくとも２つの前記スルーホール導電導体の間で、それらスルーホール導電導体同士の並び方向に対して交差する方向に延びている。
【請求項２】
請求項１に記載の回路基板において、
前記スルーホール導電導体は、前記金属板内蔵基板に形成される導電用貫通孔にめっきを充填してなると共に、前記導電用貫通孔は、前記絶縁層の表裏の両面からそれぞれ穿孔したテーパー孔が重複してなる連結部を有し、該連結部で孔の径が最小になり、
前記ビア伝熱導体は、前記金属板内蔵基板に形成される伝熱用ビアホールにめっきを充填してなると共に、前記伝熱用ビアホールは、前記絶縁層の表裏の両面から前記金属板まで穿孔されるテーパー孔である。
【請求項３】
請求項１又は２に記載の回路基板において、
前記ビア伝熱導体より前記円形伝熱部の直径が大きい。
【請求項４】
前記請求項１乃至３の何れか１の請求項に記載の回路基板において、
前記金属板内蔵基板の表裏の両方に積層されるビルドアップ絶縁層と、
前記ビルドアップ絶縁層上に積層されるビルドアップ導体回路層と、
前記ビルドアップ絶縁層上に積層され、前記ビルドアップ導体回路層と同一面内に配置されるビルドアップ導体伝熱層と、
前記ビルドアップ絶縁層を貫通する導電用ビアホールにめっきを充填してなり、前記ビルドアップ導体回路層を前記金属板内蔵基板上の前記導体回路層に導通するビア導電導体と、
前記ビルドアップ絶縁層を貫通する上部伝熱用ビアホールにめっきを充填してなり、前記ビルドアップ導体伝熱層を前記金属板内蔵基板上の前記導体伝熱層に接続する上部ビア伝熱導体とを有する。
【請求項５】
請求項４に記載の回路基板において、
前記ビルドアップ導体伝熱層には、複数の前記上部ビア伝熱導体上に位置する複数の上部円形伝熱部と、前記上部円形伝熱部同士の間を接続しかつ前記上部円形伝熱部の直径より幅が狭い上部帯状伝熱部とが備えられ、
前記ビルドアップ導体伝熱層の前記上部帯状伝熱部は、少なくとも２つの前記ビア導電導体の間で、それらビア導電導体同士の並び方向に対して交差する方向に延びている。
【請求項６】
請求項１乃至５の何れか１の請求項に記載の回路基板において、複数の前記帯状伝熱部が共通して接続される前記円形伝熱部を有する。
【請求項７】
請求項１乃至６の何れか１の請求項に回路基板において、前記帯状伝熱部に接続される前記円形伝熱部の近傍に配置され、前記帯状伝熱部に接続されていない前記円形伝熱部を有する。
【請求項８】
絶縁層とその絶縁層の厚さ方向の中間部に埋設されかつ複数の開口を有する金属板とを備える金属板内蔵基板と、
前記金属板内蔵基板の表裏の両方に積層される表裏のビルドアップ絶縁層と、
前記表裏の各ビルドアップ絶縁層を貫通する導電用ビアホールにめっきを充填してなり、前記金属板内蔵基板上の導体回路層に導通される複数のビア導電導体と、
前記表裏のビルドアップ絶縁層上に形成され、前記ビア導電導体に導通されるビルドアップ導体回路層と、
前記金属板内蔵基板の表裏の前記ビルドアップ絶縁層における複数位置から前記金属板まで穿孔される伝熱用ビアホールにめっきを充填してなる複数のビア伝熱導体と、
前記表裏のビルドアップ絶縁層上に設けられ、前記ビア伝熱導体により前記金属板に接続されるビルドアップ導体伝熱層と、を有する回路基板であって、
前記ビルドアップ導体伝熱層には、複数の前記ビア伝熱導体上に位置する複数の円形伝熱部と、前記円形伝熱部同士の間を接続しかつ前記円形伝熱部の直径より幅が狭い帯状伝熱部とが備えられ、
前記帯状伝熱部は、少なくとも２つの前記ビア導電導体の間で、それらビア導電導体同士の並び方向に対して交差する方向に延びている。
【請求項９】
絶縁層とその絶縁層の厚さ方向の中間部に埋設されかつ複数の開口を有する金属板とを備える金属板内蔵基板を用意することと、
前記金属板内蔵基板の前記絶縁層のうち前記金属板の複数の開口が配置されている部分を前記金属板に触れずに貫通する複数の導電用貫通孔を形成することと、
前記金属板内蔵基板の表裏の両面における複数位置から前記金属板まで前記絶縁層を貫通する複数の伝熱用ビアホールを形成することと、
前記複数の導電用貫通孔にめっきを充填して複数のスルーホール導電導体を形成することと、
前記複数の伝熱用ビアホールにめっきを充填して前記金属板に接続される複数のビア伝熱導体を形成することと、
前記金属板内蔵基板の表裏の両面に前記複数のスルーホール導電導体によって導通接続される導体回路層を形成することと、
前記金属板内蔵基板の表裏の両面に前記複数のビア伝熱導体によって前記金属板に接続される導体伝熱層を形成することと、を行う回路基板の製造方法であって、
前記複数のビア伝熱導体上に、前記導体伝熱層の一部として複数の円形伝熱部を形成することと、
前記円形伝熱部同士を接続しかつ前記円形伝熱部の直径より幅が狭い帯状伝熱部を、前記導体伝熱層の一部として、少なくとも２つの前記スルーホール導電導体の間で、それらビア導電導体同士の並び方向に対して交差する方向に延びる形状に形成することとを行う。
【請求項１０】
絶縁層とその絶縁層の厚さ方向の中間部に埋設されかつ複数の開口を有する金属板とを備える金属板内蔵基板を用意することと、
前記金属板内蔵基板の前記絶縁層のうち前記金属板の複数の開口が配置されている部分を前記金属板に触れずに貫通する複数の導電用貫通孔を形成することと、
前記金属板内蔵基板の表裏の両面に前記複数のスルーホール導電導体によって導通接続される導体回路層を形成することと、
前記金属板内蔵基板の表裏の両方の前記導体回路層上にビルドアップ絶縁層を積層することと、
前記ビルドアップ絶縁層を貫通する複数の導電用ビアホールを形成することと、
前記複数の導電用ビアホールにめっきを充填して、前記金属板内蔵基板上の前記導体回路層に接続される複数のビア導電導体を形成することと、
前記金属板内蔵基板の表裏の各前記ビルドアップ絶縁層における複数位置から前記金属板まで前記絶縁層を貫通する複数の伝熱用ビアホールを形成することと、
前記複数の伝熱用ビアホールにめっきを充填して前記金属板に接続される複数のビア伝熱導体を形成することと、
前記金属板内蔵基板の表裏の各前記ビルドアップ絶縁層上に前記複数のビア導電導体によって前記導体回路層に接続されるビルドアップ導体回路層を形成することと、
前記金属板内蔵基板の表裏の各前記ビルドアップ絶縁層上に前記複数のビア伝熱導体によって前記金属板に接続されるビルドアップ導体伝熱層を形成することと、を行う回路基板の製造方法であって、
前記複数のビア伝熱導体上に、前記ビルドアップ導体伝熱層の一部として複数の円形伝熱部を形成することと、
前記円形伝熱部同士を接続しかつ前記円形伝熱部の直径より幅が狭い帯状伝熱部を、前記ビルドアップ導体伝熱層の一部として、少なくとも２つの前記ビア導電導体の間で、それらビア導電導体同士の並び方向に対して交差する方向に延びる形状に形成することとを行う。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、放熱用の伝熱導体を内蔵する回路基板及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、この種の回路基板として、予めブロック状に形成された放熱用の伝熱導体を絶縁層に埋設して備えたものが知られている。そして、この回路基板は、伝熱導体が半導体チップの真下に配置されるように使用される（例えば、特許文献１参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】米国公開２０１２／０２５５１６５公報（ＦＩＧ．９、ＦＩＧ．１４）
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、上記した従来の回路基板では、伝熱導体が回路の高密度化を大きく阻害するという問題が生じていた。
【０００５】
本発明は、上記事情に鑑みてなされたもので、回路の高密度化の阻害を抑えて伝熱導体による放熱を効率良く行うことが可能な回路基板及びその製造方法の提供を目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
上記目的を達成するためなされた請求項１に係る発明は、絶縁層とその絶縁層の厚さ方向の中間部に埋設されかつ複数の開口を有する金属板とを備える金属板内蔵基板と、前記金属板内蔵基板の表裏の両面にそれぞれ形成される導体回路層と、前記金属板内蔵基板の表裏の両面にそれぞれ形成され、前記導体回路層と同一面内に配置される導体伝熱層と、前記金属板内蔵基板の前記絶縁層のうち前記金属板の複数の開口が配置されている部分を前記金属板に触れずに貫通して、前記金属板内蔵基板の表裏の前記導体回路層同士の間を接続する複数のスルーホール導電導体と、前記金属板内蔵基板の表裏の両面における複数位置から前記金属板まで前記絶縁層を貫通して、前記金属板内蔵基板の表裏の前記導体伝熱層を前記金属板に接続する複数のビア伝熱導体と、を有する回路基板であって、前記導体伝熱層には、複数の前記ビア伝熱導体上に位置する複数の円形伝熱部と、前記円形伝熱部同士の間を接続しかつ前記円形伝熱部の直径より幅が狭い帯状伝熱部とが備えられ、前記帯状伝熱部は、前記スルーホール導電導体同士の間に配置されている。
【図面の簡単な説明】
【０００７】
【図１】本発明の第１実施形態に係る回路基板の平面図
【図２】回路基板における製品領域の平面図
【図３】図２のＡ−Ａ切断面における回路基板の側断面図
【図４】（Ａ）回路基板の側断面図、（Ｂ）Ｂ−Ｂ切断面における平断面図、（Ｃ）Ｃ−Ｃ切断面における平断面図
【図５】回路基板の製造工程を示す側断面図
【図６】回路基板の製造工程を示す側断面図
【図７】回路基板の製造工程を示す側断面図
【図８】回路基板の製造工程を示す側断面図
【図９】回路基板を含むＰｏＰの側断面図
【図１０】（Ａ）第２実施形態の回路基板の側断面図、（Ｂ）Ｄ−Ｄ切断面における平断面図、（Ｃ）Ｅ−Ｅ切断面における平断面図
【図１１】第２実施形態の回路基板の製造工程を示す側断面図
【図１２】第２実施形態の回路基板の製造工程を示す側断面図
【図１３】他の実施形態の回路基板の平断面図
【発明を実施するための形態】
【０００８】
［第１実施形態］
以下、本発明の第１実施形態を図１から図９に基づいて説明する。本実施形態の回路基板１０は、図１の平面図に示されているように、例えば、外縁部に沿った枠状の捨て領域Ｒ１を有し、その捨て領域Ｒ１の内側が正方形の複数の製品領域Ｒ２に区画されている。図２には、１つの製品領域Ｒ２が拡大して示され、その製品領域Ｒ２を対角線に沿って切断した回路基板１０の断面構造が図３に拡大して示されている。
【０００９】
図３に示すように、回路基板１０は、コア基板１１の表裏の両面にビルドアップ層２０Ａ，２０Ｂを有する構造になっている。コア基板１１は、本発明に係る「金属板内蔵基板」に相当し、絶縁層１１Ｚと、その絶縁層１１Ｚの厚さ方向の中間部に埋設されかつ複数の開口１１Ｙを有する金属板１１Ｘとからなる。このとき、開口１１Ｙは絶縁層１１Ｚから浸み出した樹脂で充填されている。また、コア基板１１には、絶縁層１１Ｚのうち金属板１１Ｘの複数の開口１１Ｙが配置されている部分に複数の導電用貫通孔１４が形成されると共に、金属板１１Ｘの開口１１Ｙが配置されていない部分に、複数の第１の伝熱用ビアホール１６と第２の伝熱用ビアホール１８とが形成されている。
【００１０】
導電用貫通孔１４は、コア基板１１の表側の面であるＦ面１１Ｆに穿孔されかつ奥側に向かって徐々に縮径したテーパー孔の小径側端部と、コア基板１１の裏側の面であるＳ面１１Ｓに穿孔されかつ奥側に向かって徐々に縮径したテーパー孔の小径側端部とを互いに連通させた中間括れ形状をなしている。そして、導電用貫通孔１４における軸方向の中間の小径部分が、開口１１Ｙのうち金属板１１Ｘから内側に離れた中心部分を貫通している。一方、第１及び第２の伝熱用ビアホール１６，１８はテーパー孔になっていて、それら第１及び第２の伝熱用ビアホール１６，１８の奥部に金属板１１Ｘが位置している。また、本実施形態では、金属板１１Ｘの表裏の第１の伝熱用ビアホール１６，１６同士が同軸上に配置され、金属板１１Ｘの表裏の第２の伝熱用ビアホール１８，１８同士が同軸上に配置されている。但し、これに限定されず、表裏の伝熱用ビアホール同士が互いの中心軸をずらした位置関係になっていてもよい。
【００１１】
各導電用貫通孔１４内にはめっきが充填されて複数のスルーホール導電導体１５が形成されている。また、第１及び第２の伝熱用ビアホール１６，１８にもめっきが充填されて第１及び第２のビア伝熱導体１７，１９が形成されて、それぞれ金属板１１Ｘに接続されている。
【００１２】
コア基板１１のＦ面１１Ｆには、導体層１１Ｖが形成され、その導体層１１Ｖは、同一面内に配置されて互いに離間している導体回路層１２Ａと導体伝熱層１３Ａとからなる。また、コア基板１１のＳ面１１Ｓにも、導体層１１Ｗが形成され、その導体層１１Ｗも、同一面内に配置されて互いに離間している導体回路層１２Ｂと導体伝熱層１３Ｂとからなる。そして、Ｆ面１１Ｆの導体回路層１２ＡとＳ面１１Ｓの導体回路層１２Ｂとが、スルーホール導電導体１５を介して接続されると共に、Ｆ面１１Ｆの導体伝熱層１３ＡとＳ面１１Ｓの導体伝熱層１３Ｂとの間が、第１と第２のビア伝熱導体１７，１９及び金属板１１Ｘを介して接続されている。
【００１３】
図４（Ａ），（Ｃ）に示すように、導体伝熱層１３Ａ，１３Ｂ（図４（Ｃ）には、一方の導体伝熱層１３Ａのみが示されている）のうち第１のビア伝熱導体１７に接続される部分は、複数の円形伝熱部７０と、円形伝熱部７０の直径より幅狭の帯状伝熱部７１とからなる。そして、円形伝熱部７０，７０同士の間が帯状伝熱部７１によって接続され、各円形伝熱部７０が、各ビア伝熱導体１７に接続されている。また、円形伝熱部７０の直径は、第１のビア伝熱導体１７の大径側の直径より大きくなっていて、第１のビア伝熱導体１７より円形伝熱部７０が側方に張り出した状態になっている。さらに、帯状伝熱部７１は、前記したスルーホール導電導体１５，１５の間に配置され、スルーホール導電導体１５，１５上の導体回路層１２Ａ，１２Ａと帯状伝熱部７１との間隔Ｌ１は、１５〜２０［μｍ］になっている。
【００１４】
図３に示すように、コア基板１１のＦ面１１Ｆ側のビルドアップ層２０Ａは、導体層１１Ｖ上に積層されるビルドアップ絶縁層２１Ａと、そのビルドアップ絶縁層２１Ａ上に積層されるビルドアップ導体層２２Ａとからなる。また、ビルドアップ導体層２２Ａ上には、ソルダーレジスト層２３Ａが積層されている。
【００１５】
ビルドアップ導体層２２Ａは、同一面内に配置されて互いに離間しているビルドアップ導体回路層２２Ａ１とビルドアップ導体伝熱層２２Ａ２とからなる。
【００１６】
ビルドアップ絶縁層２１Ａには、複数の導電用ビアホール２４Ａと複数の第３の伝熱用ビアホール２６Ａと複数の第４の伝熱用ビアホール２８Ａとが形成されている。導電用ビアホール２４Ａ及び第３及び第４の伝熱用ビアホール２６Ａ，２８Ａは、共にコア基板１１側に向かって徐々に縮径したテーパー孔になっている。
【００１７】
導電用ビアホール２４Ａ内にはめっきが充填されて複数のビア導電導体２５Ａがそれぞれ形成され、それらビア導電導体２５Ａによりビルドアップ導体回路層２２Ａ１と導体回路層１２Ａとの間が接続されている。また、第３及び第４の伝熱用ビアホール２６Ａ，２８Ａ内にもめっきが充填されて複数の第３及び第４のビア伝熱導体２７Ａ，２９Ａがそれぞれ形成され、それら第３及び第４のビア伝熱導体２７Ａ，２９Ａによりビルドアップ導体伝熱層２２Ａ２と導体伝熱層１３Ａとが接続されている。また、図４（Ａ），（Ｂ）に示すように、ビルドアップ導体伝熱層２２Ａ２のうち第３のビア伝熱導体２７Ａに接続される部分は、導体伝熱層１３Ａと同様に、複数の円形伝熱部７２と、円形伝熱部７２の直径より幅狭の帯状伝熱部７３とからなり、各円形伝熱部７２が、各第３のビア伝熱導体２７Ａに接続されている。
【００１８】
また、ソルダーレジスト層２３Ａには、複数のパッド用孔が形成され、ビルドアップ導体回路層２２Ａ１の一部がパッド用孔内に位置して導電用パッド３２Ａになり、ビルドアップ導体伝熱層２２Ａ２の一部がパッド用孔内に位置して伝熱用パッド３１Ａになっている。
【００１９】
コア基板１１のＳ面１１Ｓ側のビルドアップ層２０Ｂは、上述したＦ面１１Ｆ側のビルドアップ層２０Ａと同様の層構造になしている。なお、図３，図５〜図９におけるＳ面１１Ｓ側のビルドアップ層２０Ｂの各部位には、それら各部位に相当するＦ面１１Ｆ側のビルドアップ層２０Ａの各部位の符号中の「Ａ」を「Ｂ」に変更した符号が付されている。なお、本実施形態の第１の伝熱用ビアホール１６が本発明に係る「伝熱用ビアホール」に相当し、第１のビア伝熱導体１７が本発明に係る「ビア伝熱導体」に相当し、第３の伝熱用ビアホール２６Ａ，２６Ｂが本発明に係る「上部伝熱用ビアホール」に相当し、第３のビア伝熱導体２７Ａ，２７Ｂが本発明に係る「上部ビア伝熱導体」に相当する。また、本実施形態の円形伝熱部７０が本発明に係る「円形伝熱部」に相当し、帯状伝熱部７１が本発明に係る「帯状伝熱部」に相当し、円形伝熱部７２が本発明に係る「上部円形伝熱部」に相当し、帯状伝熱部７３が本発明に係る「上部帯状伝熱部」に相当する。
【００２０】
図２に示すように、回路基板１０におけるＦ面１０Ｆ（表側面）の複数のパッドは、製品領域Ｒ２の外縁部に沿って２列に並べられた大パッド群と、それら大パッド群に囲まれた内側の領域に縦横複数列に並べられた小パッド群とからなる。そして、例えば、小パッド群の中央で製品領域Ｒ２の対角線方向に並んだ２つの小パッドと、それら２つの小パッドから離れた位置に配置された３つの小パッドと、製品領域Ｒ２の２つの角部に位置した大パッドとが伝熱用パッド３１Ａになっていて、それ以外の小パッド及び大パッドは導電用パッド３２Ａになっている。一方、回路基板１０のＳ面１０Ｓ（表側面）の複数のパッドは、均一の大きさの中パッドになっていて、それら中パッドのうち回路基板１０のＦ面１０Ｆ側の伝熱用パッド３１Ａの真下のパッドが伝熱用パッド３１Ｂをなし、それ以外のパッドは、導電用パッド３２Ａになっている。
【００２１】
本実施形態の回路基板１０は、以下のようにして製造される。
（１）図５（Ａ）に示すように、コア基板１１としてエポキシ樹脂又はＢＴ（ビスマレイミドトリアジン）樹脂とガラスクロスなどの補強材からなる絶縁性基材１１Ｋの表裏の両面に、銅箔１１Ｃがラミネートされているものが用意される。
【００２２】
（２）図５（Ｂ）に示すように、コア基板１１にＦ面１１Ｆ側から例えばＣＯ２レーザが照射されて導電用貫通孔１４（図３参照）を形成するためのテーパー孔１４Ａが、金属板１１Ｘのうち開口１１Ｙが形成されている部分に向けて穿孔されると共に、第１及び第２の伝熱用ビアホール１６，１８が、金属板１１Ｘのうち開口１１Ｙが形成されていない部分に向けて穿孔される。
【００２３】
（３）図５（Ｃ）に示すように、コア基板１１のＳ面１１Ｓのうち前述したＦ面１１Ｆ側のテーパー孔１４Ａの真裏となる位置にＣＯ２レーザが照射されてテーパー孔１４Ｂが穿孔され、それらテーパー孔１４Ａ，１４Ｂから導電用貫通孔１４が形成される。また、コア基板１１におけるＳ面１１Ｓのうち前述したＦ面１１Ｆ側の第１及び第２の伝熱用ビアホール１６，１８の真裏となる位置にＣＯ２レーザが照射されてＳ面１１Ｓ側にも第１及び第２の伝熱用ビアホール１６，１８が穿孔される。
【００２４】
（４）無電解めっき処理が行われ、銅箔１１Ｃ上と導電用貫通孔１４の内面と、第１及び第２の伝熱用ビアホール１６，１８の内面とに無電解めっき膜（図示せず）が形成される。
【００２５】
（５）図５（Ｄ）に示すように、銅箔１１Ｃ上の無電解めっき膜上に、所定パターンのめっきレジスト３３が形成される。
（６）電解めっき処理が行われ、図６（Ａ）に示すように、電解めっきが導電用貫通孔１４内に充填されてスルーホール導電導体１５が形成され、電解めっきが第１及び第２の伝熱用ビアホール１６，１８内に充填されて第１及び第２のビア伝熱導体１７，１９が形成され、さらには、無電解めっき膜（図示せず）のうちめっきレジスト３３から露出している部分に電解めっき膜３４が形成される。
【００２６】
（７）めっきレジスト３３が剥離されると共に、めっきレジスト３３の下方の無電解めっき膜（図示せず）及び銅箔１１Ｃが除去され、図６（Ｂ）に示すように、残された電解めっき膜３４、無電解めっき膜及び銅箔１１Ｃにより、コア基板１１のＦ面１１Ｆ上に導体回路層１２Ａと導体伝熱層１３Ａとからなる導体層１１Ｖが形成されると共に、コア基板１１のＳ面１１Ｓ上に導体回路層１２Ｂと導体伝熱層１３Ｂとからなる導体層１１Ｗが形成される。そして、Ｆ面１１Ｆの導体回路層１２ＡとＳ面１１Ｓの導体回路層１２Ｂとがスルーホール導電導体１５によって接続され、Ｆ面１１Ｆの導体伝熱層１３Ａと、Ｓ面１１Ｓの導体伝熱層１３Ｂとが、第１及び第２のビア伝熱導体１７，１９と金属板１１Ｘとによって接続された状態になる。
【００２７】
（８）図６（Ｃ）に示すように、コア基板１１のＦ面１１Ｆ上の導体回路層１２Ａ及び導体伝熱層１３Ａからなる導体層１１Ｖ上に、ビルドアップ絶縁層２１Ａとしてのプリプレグ（Ｂステージのガラスエポキシ）と銅箔３７が積層されると共に、コア基板１１のＳ面１１Ｓ上の導体回路層１２Ｂ及び導体伝熱層１３Ｂからなる導体層１１Ｗ上にビルドアップ絶縁層２１Ｂとしてのプリプレグと銅箔３７が積層されてから、加熱プレスされる。その際、コア基板１１のＦ面１１Ｆ側の導体回路層１２Ａ，１２Ａ同士及び導体回路層１２Ａと導体伝熱層１３Ａとの間が樹脂フィルムの樹脂にて埋められ、コア基板１１のＳ面１１Ｓ側でも同様に導体回路層１２Ｂ，１２Ｂ同士及び導体回路層１２Ｂと導体伝熱層１３Ｂとの間がビルドアップ絶縁層２１Ｂの樹脂にて埋められる。
【００２８】
（９）図７（Ａ）に示すように、コア基板１１のＦ面１１Ｆ側の銅箔３７にＣＯ２レーザが照射されて、銅箔３７及びビルドアップ絶縁層２１Ａを貫通する導電用ビアホール２４Ａと第３及び第４の伝熱用ビアホール２６Ａ，２８Ａが形成されると共に、コア基板１１のＳ面１１Ｓ側の銅箔３７にＣＯ２レーザが照射されて、銅箔３７及びビルドアップ絶縁層２１Ｂを貫通する導電用ビアホール２４Ｂと第３及び第４の伝熱用ビアホール２６Ｂ，２８Ｂが形成される。
【００２９】
（１０）無電解めっき処理が行われ、コア基板１１の表裏の銅箔３７，３７上と、導電用ビアホール２４Ａ，２４Ｂ内、第３の伝熱用ビアホール２６Ａ，２６Ｂ内及び第４の伝熱用ビアホール２８Ａ，２８Ｂ内とに無電解めっき膜（図示せず）が形成される。
【００３０】
（１１）図７（Ｂ）に示すように、銅箔３７上の無電解めっき膜上に、所定パターンのめっきレジスト４０が形成される。
【００３１】
（１２）電解めっき処理が行われ、図７（Ｃ）に示すように、電解めっきが導電用ビアホール２４Ａ，２４Ｂ内に充填されてビア導電導体２５Ａ，２５Ｂが形成されると共に、電解めっきが第３の伝熱用ビアホール２６Ａ，２６Ｂ内と第４の伝熱用ビアホール２８Ａ，２８Ｂ内に充填されて第３のビア伝熱導体２７Ａ，２７Ｂと第４のビア伝熱導体２９Ａ，２９Ｂとが形成され、さらには、コア基板１１のＦ面１１ＦとＳ面１１Ｓの無電解めっき膜（図示せず）のうちめっきレジスト４０から露出している部分に電解めっき膜３９，３９が形成される。
【００３２】
（１３）めっきレジスト４０が剥離されると共に、めっきレジスト４０の下方の無電解めっき膜（図示せず）及び銅箔３７が除去され、図８（Ａ）に示すように、残された電解めっき膜３９、無電解めっき膜及び銅箔３７により、コア基板１１のＦ面１１Ｆ側にビルドアップ導体回路層２２Ａ１とビルドアップ導体伝熱層２２Ａ２とからなるビルドアップ導体層２２Ａが形成されると共に、コア基板１１のＳ面１１Ｓ側にビルドアップ導体回路層２２Ｂ１とビルドアップ導体伝熱層２２Ｂ２とからなるビルドアップ導電層２２Ｂが形成される。そして、ビルドアップ導体回路層２２Ａ１，２２Ｂ１と導体回路層１２Ａ，１２Ｂとが、ビア導電導体２５Ａ，２５Ｂによって接続され、ビルドアップ導体伝熱層２２Ａ２，２２Ｂ２と導体伝熱層１３Ａ，１３Ｂとが、第１及び第２のビア伝熱導体２７Ａ，２７Ｂ，２９Ａ，２９Ｂによって接続された状態になる。なお、ビルドアップ絶縁層２１Ａ，２１Ｂとして、プリプレグの代わりに樹脂フィルムを用いてもよい。樹脂フィルムを用いる場合は、銅箔３７を介さず、直接、無電解めっき膜を形成する。
【００３３】
（１４）図８（Ｂ）に示すように、ビルドアップ導体層２２Ａ，２２Ｂ上にソルダーレジスト層２３Ａ，２３Ｂが積層される。
【００３４】
（１５）図８（Ｃ）に示すように、ソルダーレジスト層２３Ａ，２３Ｂの所定箇所にテーパー状のパッド用孔が形成されてビルドアップ導体層２２Ａ，２２Ｂにおけるビルドアップ導体回路層２２Ａ１，２２Ｂ１の一部がソルダーレジスト層２３Ａ，２３Ｂから露出して上記した導電用パッド３２Ａ，３２Ｂになると共に、ビルドアップ導体層２２Ａ，２２Ｂにおけるビルドアップ導体伝熱層２２Ａ２，２２Ｂ２の一部がソルダーレジスト層２３Ａ，２３Ｂから露出して上記した伝熱用パッド３１Ａ，３１Ｂになる。
【００３５】
（１５）図３に示すように、導電用パッド３２Ａ，３２Ｂ上及び伝熱用パッド３１Ａ，３１Ｂ上に、ニッケル層、金層の順に積層されて金属膜４１が形成される。以上で回路基板１０が完成する。
【００３６】
本実施形態の回路基板１０の構造及び製造方法に関する説明は以上である。次に回路基板１０の作用効果を、回路基板１０の使用例と共に説明する。本実施形態の回路基板１０は、例えば、以下のようにして使用される。即ち、図９に示すように、回路基板１０の有する前述の大、中、小のパッド上に、それら各パッドの大きさに合った大、中、小の半田バンプ７９Ａ，７９Ｂ，７９Ｃが形成される。そして、例えば、回路基板１０のＦ面１０Ｆの小パッド群と同様に配置されたパッド群を下面に有するＣＰＵ８０が、各製品領域Ｒ２の小半田バンプ７９Ｃ群上に搭載されて半田付けされて、第１パッケージ基板１０Ｐが形成される。このときＣＰＵ８０が有する例えばグランド用のパッドが回路基板１０における伝熱用パッド３１Ａに半田付けされる。
【００３７】
次いで、メモリ８１を回路基板８２のＦ面８２Ｆに実装してなる第２パッケージ基板８２Ｐが、ＣＰＵ８０の上方から第１パッケージ基板１０Ｐ上に配されて、その第２パッケージ基板８２Ｐにおける回路基板８２のＳ面８２Ｓに備えるパッドに第１パッケージ基板１０Ｐにおける回路基板１０の大半田バンプ７９Ａが半田付けされてＰｏＰ８３（Ｐａｃｋａｇｅ  ｏｎ  Ｐａｃｋａｇｅ８３）が形成される。なお、ＰｏＰ８３における回路基板１０，８２の間には図示しない樹脂が充填される。
【００３８】
次いで、ＰｏＰ８３がマザーボード８４上に配されて、そのマザーボード８４が有するパッド群にＰｏＰ８３における回路基板１０の中半田バンプ７９Ｂが半田付けされる。このとき、マザーボード８４が有する例えばグランド用のパッドが回路基板１０における伝熱用パッド３１Ｂと半田付けされる。なお、ＣＰＵ８０及びマザーボード８４が放熱専用のパッドを有している場合には、それら放熱専用のパッドと回路基板１０の伝熱用パッド３１Ａ，３１Ｂとが半田付けされてもよい。
【００３９】
さて、ＣＰＵ８０が発熱すると、その熱は、ＣＰＵ８０が実装されている回路基板１０のビルドアップ層２０Ａ，２０Ｂ内のビルドアップ導体伝熱層２２Ａ２，２２Ｂ２、ビルドアップ層２０Ａ，２０Ｂ内のビア伝熱導体２７Ａ，２７Ｂ、コア基板１１上の導体伝熱層１３Ａ，１３Ｂ、コア基板１１内のビア伝熱導体１７、及び金属板１１Ｘを通して回路基板１０の反対側のマザーボード８４へと放熱される。
【００４０】
ここで、本実施形態の回路基板１０では、金属板１１Ｘに接続されているビア伝熱導体１７，１７同士が、導体伝熱層１３Ａ，１３Ｂで接続されることで伝熱ルートが多く形成され、それに加えて、導体伝熱層１３Ａ，１３Ｂに接続されているビア伝熱導体２７Ａ，２７Ａ同士及びビア伝熱導体２７Ｂ，２７Ｂ同士が、ビルドアップ導体伝熱層２２Ａ２，２２Ｂ２で接続されることで、さらに多くの伝熱ルートが形成されている。これにより、効率よく放熱を行うことができる。また、導体伝熱層１３Ａ，１３Ｂには、ビア伝熱導体１７，１７上に位置する複数の円形伝熱部７０と、円形伝熱部７０，７０同士の間を接続する帯状伝熱部７１とが備えられ、帯状伝熱部７１の幅が円形伝熱部７０の直径より小さくなっていてスルーホール導電導体１５，１５同士の間に配置されているので、スルーホール導電導体１５，１５同士の間の空きスペースを有効利用して伝熱ルートを増やすことができる。また、ビルドアップ導体伝熱層２２Ａ２，２２Ｂ２に関しても同様に、円形伝熱部７２と帯状伝熱部７３とが備えられ、帯状伝熱部７３がビア導電導体２５Ａ，２５Ａ（２５Ｂ，２５Ｂ）同士の間に配置されているので、空きスペースを有効利用して伝熱ルートを増やすことができる。これらにより、本実施形態の回路基板１０によれば、回路の高密度化の阻害を抑えて、伝熱導体による放熱を効率良く行うことができる。また、導体伝熱層１３Ａ，１３Ｂの一部である円形伝熱部７０の直径は、帯状伝熱部７１の幅より広く、さらに、ビア伝熱導体１７の直径よりも大きいので、ビルドアップ層２０Ａ，２０Ｂのビア伝熱導体２７Ａ，２７Ｂを円形伝熱部７０に接続することで、容易にビルドアップを行うことができる。
【００４１】
［第２実施形態］
本実施形態は、図１０〜図１２に示されている。図１０に示すように、実施形態の回路基板５０は、ビア伝熱導体５３の伝熱部分の構造のみが第１実施形態の回路基板１０と異なる。以下、本実施形態の回路基板５０のうち第１実施形態の回路基板１０と同一構造に関しては、第１実施形態と同じ符号を付して重複した説明を省略し、第１実施形態の回路基板１０と異なる構造に関してのみ説明する。
【００４２】
回路基板５０は、前記した第１の伝熱用ビアホール１６及び第３の伝熱用ビアホール２６Ａ，２６Ｂの代わりにコア基板１１の表裏のビルドアップ絶縁層２１Ａ，２１Ｂから金属板１１Ｘまで穿孔されているテーパー状の複数の伝熱用ビアホール５１を備え、それら伝熱用ビアホール５１内にめっきが充填されてビア伝熱導体５３が形成されている。そして、コア基板１１の表裏のビルドアップ絶縁層２１Ａ，２１Ｂ上のビルドアップ導体伝熱層２２Ａ２，２２Ｂ２の複数の円形伝熱部７２が複数のビア伝熱導体５３に接続され、円形伝熱部７２，７２同士の間の帯状伝熱部７３が、ビア導電導体２５Ａ，２５Ａ（２５Ｂ、２５Ｂ）同士の間に配置されている。
【００４３】
回路基板５０は、以下のようにして製造される。
（１）コア基板１１に前記第１実施形態の第１の伝熱用ビアホール１６（図５（Ｃ）参照）を形成しないこと以外は、前記第１実施形態と同じ工程を経て、図１１（Ａ）に示すように、コア基板１１にスルーホール導電導体１５、第２のビア伝熱導体１９、導体回路層１２Ａ，１２Ｂ及び導体伝熱層１３Ａ，１３Ｂが形成されると共に、導体回路層１２Ａ，１２Ｂの上からコア基板１１のＦ面１１Ｆ上及びＳ面１１Ｓ上に、ビルドアップ絶縁層２１Ａ，２１Ｂとしての樹脂フィルムと銅箔３７とが積層される。
【００４４】
（２）図１１（Ｂ）に示すように、コア基板１１のＦ面１１Ｆ側の銅箔３７にＣＯ２レーザが照射されて、銅箔３７及びビルドアップ絶縁層２１Ａを貫通する導電用ビアホール２４Ａ及び第２の伝熱用ビアホール２８Ａが形成されると共に、銅箔３７から金属板１１Ｘに至る深さの伝熱用ビアホール５１が形成される。次いで、コア基板１１のＳ面１１Ｓ側の銅箔３７にＣＯ２レーザが照射されて、銅箔３７及びビルドアップ絶縁層２１Ｂを貫通するテーパー状の導電用ビアホール２４Ｂ及び第４の伝熱用ビアホール２８Ｂが形成されると共に、銅箔３７から金属板１１Ｘに至る深さの伝熱用ビアホール５１が形成される。
【００４５】
（３）無電解めっき処理が行われ、コア基板１１の表裏の銅箔３７，３７上と導電用ビアホール２４Ａ，２４Ｂ内と、第４の伝熱用ビアホール２８Ａ，２８Ｂ内と、伝熱用ビアホール５１内とに無電解めっき膜（図示せず）が形成される。
【００４６】
（４）図１２（Ａ）に示すように、銅箔３７上の無電解めっき膜上に、所定パターンのめっきレジスト４０が形成される。
【００４７】
（５）電解めっき処理が行われ、図１２（Ｂ）に示すように、電解めっきが導電用ビアホール２４Ａ，２４Ｂ内及び第４の伝熱用ビアホール２８Ａ，２８Ｂ内に充填されてビア導電導体２５Ａ，２５Ｂ、第４のビア伝熱導体２９Ａ，２９Ｂが形成されると共に、電解めっきが伝熱用ビアホール５１内に充填されてビア伝熱導体５３が形成され、さらには、コア基板１１のＦ面１１ＦとＳ面１１Ｓの無電解めっき膜（図示せず）のうちめっきレジスト４０から露出している部分に電解めっき膜３９，３９が形成される。
【００４８】
（６）めっきレジスト４０が除去されると共に、めっきレジスト４０の下方の無電解めっき膜（図示せず）及び銅箔３７が除去され、残された電解めっき膜３９、無電解めっき膜及び銅箔３７により、コア基板１１のＦ面１１Ｆ側にビルドアップ導体回路層２２Ａ１とビルドアップ導体伝熱層２２Ａ２とからなるビルドアップ導体層２２Ａ（図１０参照）が形成される。これと同様に、コア基板１１のＳ面１１Ｓ側にも、ビルドアップ導体回路層２２Ｂ１とビルドアップ導体伝熱層２２Ａ２とからなるビルドアップ導体層２２Ｂ（図１０参照）が形成される。
【００４９】
（７）図１０に示すように、ビルドアップ導体層２２Ａ，２２Ｂ上にソルダーレジスト層２３Ａ，２３Ｂが積層される。そして、それらソルダーレジスト層２３Ａ，２３Ｂの所定箇所にテーパー状のパッド用孔が形成されてビルドアップ導体層２２Ａ，２２Ｂにおけるビルドアップ導体回路層２２Ａ１，２２Ｂ１の一部がソルダーレジスト層２３Ａ，２３Ｂから露出して上記した導電用パッド３２Ａ，３２Ｂになると共に、ビルドアップ導体層２２Ａ，２２Ｂにおけるビルドアップ導体伝熱層２２Ａ２，２２Ｂ２の一部がソルダーレジスト層２３Ａ，２３Ｂから露出して上記した伝熱用パッド３１Ａ，３１Ｂになる。
【００５０】
（８）導電用パッド３２Ａ，３２Ｂ上及び伝熱用パッド３１Ａ，３１Ｂ上に、ニッケル層、金層の順に積層されて金属膜４１が形成される。以上で回路基板５０が完成する。
【００５１】
本実施形態の回路基板５０では、前記第１実施形態の回路基板１０と同様に、例えば、実装したＣＰＵ８０の熱を、ビルドアップ導体伝熱層２２Ａ２，２２Ｂ２、ビア伝熱導体５３及び金属板１１Ｘを通して回路基板５０の反対側に放熱することができる。そして、金属板１１Ｘに接続されているビア伝熱導体５３，５３同士が、ビルドアップ導体伝熱層２２Ａ２，２２Ｂ２の円形伝熱部７２及び帯状伝熱部７３によって接続されることで伝熱ルートが多く形成される。これにより、効率よく放熱を行うことができる。また、ビア伝熱導体５３，５３の間で延びる帯状伝熱部７３が、ビア導電導体２５Ａ，２５Ａ（２５Ｂ，２５Ｂ）同士の間に配置されているので、空きスペースを有効利用して伝熱ルートを増やすことができる。これらにより、本実施形態の回路基板５０によれば、回路の高密度化の阻害を抑えて、伝熱導体による放熱を効率良く行うことができる。
［他の実施形態］
【００５２】
本発明は、前記実施形態に限定されるものではなく、例えば、以下に説明するような実施形態も本発明の技術的範囲に含まれ、さらに、下記以外にも要旨を逸脱しない範囲内で種々変更して実施することができる。
【００５３】
（１）前記第１実施形態の伝熱用ビアホール１６及び前記第２実施形態の伝熱用ビアホール５１は、レーザーによって形成されていたが、回転工具によって伝熱用ビアホール１６及び伝熱用ビアホール５１を形成してもよい。
【００５４】
（２）前記第１及び第２実施形態のビア伝熱導体１７，５３は、それぞれがグランドであるコア基板１１の金属板１１Ｘに接続されていたが、金属板１１Ｘを例えば電源用とグランド用などの複数の区画に分割して、一部のビア伝熱導体を電源供給用に使用し、他のビア伝熱導体をグランド用に使用するなどしてもよい。
【００５５】
（３）前記第１実施形態の回路基板１０は、コア基板１１にビルドアップ層２０Ａ，２０Ｂが積層されていたが、ビルドアップ層を有しない回路基板に本発明を適用してもよい。
【００５６】
（４）前記第１及び第２実施形態のビア伝熱導体１７，５３上の円形伝熱部７０は、図４（Ｃ）、図１０（Ｂ）に示すように、それぞれ１つの帯状伝熱部７１に接続されていたが、図１３に示す円形伝熱部７０Ｖのように、複数の帯状伝熱部７１に接続されていてもよいし、同図に示す円形伝熱部７０Ｖ２のように、帯状伝熱部７１に接続されていなくてもよい。そして、円形伝熱部７０Ｖ２は帯状伝熱部７１に接続されている円形伝熱部７０、７０Ｖと同じ発熱部品（例えば、ＣＰＵ８０）の放熱に使用される。換言すれば、円形伝熱部７０Ｖ２は帯状伝熱部７１に接続されている円形伝熱部７０の近傍に配置される。また、前記第１実施形態のビア伝熱導体２７Ａ，２７Ｂ上の円形伝熱部７２を円形伝熱部７０Ｖ，７０Ｖ２と同様に構成してもよい。なお、図１３では導体回路層１２Ａと導体伝熱層１３Ａとを区別するため、それぞれを異なるハッチングで示している。
【符号の説明】
【００５７】
１０，５０    回路基板
１１    コア基板（金属板内蔵基板）
１２Ａ，１２Ｂ    導体回路層
１３Ａ，１３Ｂ    導体伝熱層
１４    導電用貫通孔
１５    スルーホール導電導体
１６，２６Ａ，２６Ｂ，５１    伝熱用ビアホール（伝熱用ビアホール，上部伝熱用ビアホール）
１７，２７Ａ，２７Ｂ，５３    ビア伝熱導体（ビア伝熱導体，上部ビア伝熱導体）
２１Ａ，２１Ｂ    ビルドアップ絶縁層
２２Ａ１，２２Ｂ１    ビルドアップ導体回路層
２２Ａ２，２２Ｂ２    ビルドアップ導体伝熱層
２４Ａ，２４Ｂ    導電用ビアホール
２５Ａ，２５Ｂ    ビア導電導体
７０，７０Ｖ，７０Ｖ２，７２    円形伝熱部（円形伝熱部，上部円形伝熱部）
７１，７３    帯状伝熱部（帯状伝熱部，上部帯状伝熱部）
【図１】
2015225984.tif 000003
【図２】
2015225984.tif 000004
【図３】
2015225984.tif 000005
【図４】
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【図５】
2015225984.tif 000007
【図６】
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【図７】
2015225984.tif 000009
【図８】
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【図９】
2015225984.tif 000011
【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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