(57)【要約】  【課題】  低背位化することが可能な弾性波モジュールおよび通信装置を提供する。  【解決手段】  本発明の弾性波モジュールは、絶縁基板４と、第１圧電基板７ａと、第１圧電基板７ａに配置された第１励振電極８ａとを有し、絶縁基板４の上面４Ａに実装された第１弾性波素子５、および第２圧電基板７ｂと、第２圧電基板７ｂに配置された第２励振電極８ｂとを有し、平面視して絶縁基板４の外周よりも小さい、絶縁基板４の下面４Ｂに実装された第２弾性波素子６を有する弾性波装置２と、平面視において、絶縁基板４の外周よりも小さく、且つ第２弾性波素子６よりも大きい凹部３’を上面３Ａ側に有する配線基板３と、を備え、弾性波装置２は、第２弾性波素子６が凹部３’内に位置するように配線基板３に実装されている。【選択図】  図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁基板と、
第１圧電基板と、該第１圧電基板に配置された第１励振電極とを有し、前記絶縁基板の上面に実装された第１弾性波素子、および第２圧電基板と、該第２圧電基板に配置された第２励振電極とを有し、平面視して前記絶縁基板の外周よりも小さい、前記絶縁基板の下面に実装された第２弾性波素子を有する弾性波装置と、
平面視において、前記絶縁基板の外周よりも小さく、且つ前記第２弾性波素子よりも大きい凹部を上面側に有する配線基板と、を備え、
前記弾性波装置は、前記第２弾性波素子が前記凹部内に位置するように前記配線基板に実装されている弾性波モジュール。
【請求項２】
平面視において前記絶縁基板の外周に沿って配置された環状封止材をさらに有し、
前記弾性波装置は、前記絶縁基板が前記環状封止材を介して前記配線基板に実装されている請求項１に記載の弾性波モジュール。
【請求項３】
前記環状封止材は、導電性材料で構成されており、前記環状封止材は基準電位となるように設定されている請求項２に記載の弾性波モジュール。
【請求項４】
前記配線基板は、下面から上面に導通した配線ビアを有しており、
該配線ビアの前記上面に位置する箇所が前記環状封止材よりも内側に配置されている請求項２または３に記載の弾性波モジュール。
【請求項５】
前記第２弾性波素子は、送信フィルタを構成している請求項１〜４のいずれかに記載の弾性波モジュール。
【請求項６】
前記凹部の底面に前記第２弾性波素子と接触する熱伝導性樹脂をさらに有している請求項１〜５のいずれかに記載の弾性波モジュール。
【請求項７】
請求項１〜６のいずれかに記載の弾性波モジュールと、
該弾性波モジュールが実装された回路基板とを有する通信装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、弾性波モジュールおよび通信装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来から、励振電極が圧電基板上に形成された弾性波素子が知られている。この弾性波素子は、励振電極と圧電基板との関係で電気信号と弾性表面波とを相互に変換することができる特性を利用して、特定の周波数を得るフィルタとして用いられている。
【０００３】
近年、データの送受信ができるように複数の弾性波素子が搭載された弾性波装置が、携帯電話等の移動体端末に用いられている。このような弾性波装置が配線基板に実装された弾性波モジュールは、コンデンサおよびＩＣ等が配置された回路基板に実装されて、通信装置として用いられる。移動体端末において、弾性波モジュールは、アンテナ部から送受信された電気信号をデュプレクサで受信信号と発信信号にフィルタリングする役割を有している（特許文献１等を参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００５−１２３９０９号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
ところで、弾性波モジュールには、移動体端末の薄型化に応じて低背位化が求められている。
【０００６】
そこで、本発明は、上述の事情のもとで考え出されたものであって、低背位化することが可能な弾性波モジュールおよび通信装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明の弾性波モジュールは、絶縁基板と、第１圧電基板と、該第１圧電基板に配置された第１励振電極とを有し、前記絶縁基板の上面に実装された第１弾性波素子、および第２圧電基板と、該第２圧電基板に配置された第２励振電極とを有し、平面視して前記絶縁基板の外周よりも小さい、前記絶縁基板の下面に実装された第２弾性波素子を有する弾性波装置と、平面視において、前記絶縁基板の外周よりも小さく、且つ前記第２弾性波素子よりも大きい凹部を上面側に有する配線基板と、を備え、前記弾性波装置は、前記第２弾性波素子が前記凹部内に位置するように前記配線基板に実装されている。
【０００８】
本発明の通信装置は、上述の弾性波モジュールと、該弾性波モジュールが実装された回路基板とを有する。
【発明の効果】
【０００９】
本発明によれば、第２弾性波素子が配線基板の凹部内に位置することから低背化することが可能な弾性波モジュールおよび通信装置を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１０】
【図１】本発明の一実施形態に係る弾性波モジュールの断面図である。
【図２】図１の弾性波モジュールにおいて、弾性波装置の周辺を拡大した拡大断面図である。
【図３】図２の弾性波装置のみ示した断面図である。
【図４】図１の弾性波モジュールに用いられる弾性波素子の平面図であり、図１はＩ−Ｉ線で切断したときに相当する。
【図５】図４の弾性波素子の一部を拡大した拡大断面図である。
【図６】図１の弾性波モジュールの変形例であり、（ａ）は図２に相当する拡大断面図であり、（ｂ）は配線基板を上方からみた平面図である。
【図７】図１の弾性波モジュールの変形例を示すものであり、図２に相当する拡大断面図である。
【図８】図８の弾性波モジュールの変形例を示すものであり、図８の一部を拡大した拡大断面図である。
【図９】図１の弾性波モジュールの変形例を示すものであり、図２に相当する拡大断面図である。
【図１０】図９の弾性波モジュールの変形例を示すものであり、図２に相当する拡大断面図である。
【図１１】図１の弾性波モジュールの変形例を示すものであり、図２に相当する拡大断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１１】
以下、本発明の実施形態に係る弾性波（Surface Acoustic Wave：以下、ＳＡＷという
ことがある）モジュールについて、図面を参照して説明する。なお、以下の説明で用いられる図は模式的なものであり、図面上の寸法比率等は現実のものとは必ずしも一致していない。
【００１２】
＜ＳＡＷモジュールの各構成＞
（ＳＡＷ素子の構成）
本発明の一実施形態に係るＳＡＷモジュール１について以下説明する。本実施形態に係るＳＡＷモジュール１は、図１、２に示すように、ＳＡＷ装置２および配線基板３を備えている。またＳＡＷ装置２は、絶縁基板４、第１ＳＡＷ素子５および第２ＳＡＷ素子６を有している。第１ＳＡＷ素子５および第２ＳＡＷ素子６は、概略的に、圧電基板７、励振（Inter Digital Transducer：以下、ＩＤＴということがある）電極８、配線導体９および電極パッド１０を有している。
【００１３】
以下の説明において、第１ＳＡＷ素子５の構成は、圧電基板７ａ、ＩＤＴ電極８ａ、配線導体９ａおよび電極パッド１０ａと便宜上表記し、第２ＳＡＷ素子６の構成は、圧電基板７ｂ、ＩＤＴ電極８ｂ、配線導体９ｂおよび電極パッド１０ｂと便宜上表記する。なお、第１ＳＡＷ素子５および第２ＳＡＷ素子６の両方の構成を指すときは、特にａまたはｂを付記せず「圧電基板７」と表記する。
【００１４】
第１ＳＡＷ素子５および第２ＳＡＷ素子６は、送信フィルタまたは受信フィルタとなるように設定される。第１ＳＡＷ素子５および第２ＳＡＷ素子６は、両方ともが送信フィルタまたは受信フィルタであってもよいし、送信と受信が別のフィルタで構成されていてもよい。
【００１５】
圧電基板７は、タンタル酸リチウム単結晶、二オブ酸リチウム単結晶、四ホウ酸リチウム単結晶など圧電性を有する単結晶の基板によって構成されている。圧電基板７は、例えば、直方体状に形成されている。圧電基板７は、大きさが適宜に設定される。圧電基板７は、厚さが、例えば、０．２ｍｍ以上０．５ｍｍ以下に設定することができる。圧電基板７は、一辺の長さが、例えば、０．６ｍｍ以上３ｍｍ以下に設定することができる。
【００１６】
圧電基板７上にはＩＤＴ電極８が設けられている。ＩＤＴ電極８は、図５に示すように
、櫛歯状電極で構成されている。以下の説明において、櫛歯状電極８と示すことがある。櫛歯状電極８は、少なくとも２本のバスバー電極８Ａが対向するように配置され、互いの方向に延びるとともに、両者が交差する電極指８Ｂとを有している。複数の櫛歯状電極８は、直接接続または並列接続などにより接続されたラダー型ＳＡＷフィルタを構成していてもよい。また、複数の櫛歯状電極８が、複数のＩＤＴ電極８が一方向に配列された２重モードＳＡＷ共振器フィルタを構成していてもよい。なお、図５に示すように、反射器８Ｃを有していてもよい。
【００１７】
電極パッド１０は、図４、５等に示すように、圧電基板７上に配置されている。電極パッド１０の平面視形状は適宜設定すればよい。本実施形態では、電極パッド１０は円形状である。電極パッド１０の数および配置位置は、複数のＩＤＴ電極８によって構成されるフィルタの構成に応じて適宜設定すればよい。電極パッド１０の幅は、例えば６０μｍ以上１００μｍ以下となるように設定することができる。
【００１８】
電極パッド１０は、図４、５等に示すように、配線導体９によってＩＤＴ電極８（バスバー電極８Ａ）と電気的に接続されている。配線導体９は、上面７Ａの上に層状に形成されている。なお、配線導体９は上面７Ａに形成されている必要はなく、例えば絶縁体を介して立体交差させる部分があってもよい。
【００１９】
ＩＤＴ電極８、電極パッド１０および配線導体９（上面７Ａに形成された部分）は、同じ製造プロセスで形成することができる。そのため、ＩＤＴ電極８、配線導体９および電極パッド１０は、例えば同じ導電材料によって構成されている。導電材料としては、例えばＡｌ−Ｃｕ合金等のＡｌ合金を用いることができる。また、ＩＤＴ電極８、配線導体９および電極パッド１０は、例えば、同じ膜厚に設定される。これらの厚さとしては、例えば１００ｎｍ以上５００ｎｍ以下に設定することができる。
【００２０】
ＩＤＴ電極８、配線導体９および電極パッド１０は、スパッタリング法、蒸着法、ＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）法等の薄膜形成法により形成した金属膜を、微小投影
露光機（ステッパー）またはＲＩＥ（Reactive Ion Etching）装置を用いたフォトリソグラフィ法により形成することができる。
【００２１】
ＩＤＴ電極８、配線導体９および電極パッド１０上には、保護膜が形成されていてもよい。保護膜は、絶縁性材料によって構成されており、例えば、酸化ケイ素（ＳｉＯ２）、窒化ケイ素（Ｓｉ３Ｎ４）またはシリコン（Ｓｉ）等を用いることができる。保護膜の厚みは、５ｎｍ以上５０ｎｍ以下に設定することができる。
【００２２】
保護膜は、ＣＶＤ法、スパッタリング法等の薄膜形成法により形成した膜をフォトリソグラフィ法によりパターニングすることにより得ることができる。このような保護膜を形成することにより、ＩＤＴ電極８および配線導体９を保護し、酸化されにくくすることができる。なお、保護膜は、電極パッド１０の上面が露出するように設けられる。
【００２３】
電極パッド１０上には、後述するバンプ１１との密着性または電気特性を向上させるために、金属材料を積層させた接続電極を配置してもよい。接続電極の厚みは、例えば１μｍ以上２μｍ以下となるように設定することができる。このような接続電極は、リフトオフ法により形成することができる。接続電極の材料は、適宜を選択すればよい。バンプ１１として銅からなる金属バンプを用いる場合には、例えばチタンおよび銅を順次積層させたものを用いることができる。
【００２４】
（ＳＡＷ装置の構成）
第１ＳＡＷ素子５および第２ＳＡＷ素子６は、図３に示すように、絶縁基板４に実装さ
れている。絶縁基板４は、例えばセラミック基板または有機基板を用いることができる。本実施形態では、絶縁基板４として有機基板を用いた場合について説明する。
【００２５】
有機基板からなる絶縁基板４は、例えばエポキシ樹脂等の有機材料からなる基材の中にガラス等からなる繊維が配置された基板を用いることができる。繊維は、平面方向（ｘｙ方向）に延在している。ｘ方向に延在する繊維とｙ方向に延在する繊維は、平面視において網目状となるように編み込まれている。
【００２６】
絶縁基板４の厚みは、例えば５０μｍ以上８０μｍ以下となるように設定することができる。絶縁基板４の平面視形状は、例えば四角形状となるように設定することができる。絶縁基板４の幅は、例えば０．５μｍ以上１ｍｍ以下となるように設定することができる。
【００２７】
このような絶縁基板４の上面４Ａに第１ＳＡＷ素子５が実装され、下面４Ｂに第２ＳＡＷ素子６が実装されている。第２ＳＡＷ素子６は、外周が、絶縁基板４の外周よりも小さくなるように設定されている。このように設定されていることにより、絶縁基板４の下面４Ｂを露出させることができ、ＳＡＷ装置２を配線基板３に実装しやすくすることができる。
【００２８】
具体的には、絶縁基板４には基板電極パッド１２が設けられており、第１ＳＡＷ素子５および第２ＳＡＷ素子６は電極パッド１０と基板電極パッド１２とがバンプ１１を介して電気的に接続されている。絶縁基板４の上面４Ａまたは下面４Ｂにはインダクタパターンなどが形成されていてもよい。その場合、従来、インダクタパターンをＩＤＴ電極を封止する封止部材内に設けていたＳＡＷ素子の構成に対して、ＳＡＷ素子内にインダクタパターンを作らなくてもよくなるため、生産性を向上させることができるとともに、設計の自由度を広げることができる。なお、インダクタパターンに限定されず、バンドパスフィルタ、半導体スイッチまたはコンデンサ等を設けてもよい。
【００２９】
第１ＳＡＷ素子５と絶縁基板４との間の空隙には、第１ＳＡＷ素子５の周縁部に渡って、封止部材１３が配置されている。封止部材１３が周縁部に渡って配置されていることにより、第１ＳＡＷ素子５を絶縁基板４に固定するとともに、空隙を封止することができる。また、後述する封止樹脂１６が空隙（ＩＤＴ電極８等の構成）に流れ込むことを抑制することができる。封止部材１３は、例えばエポキシ樹脂等を用いることができる。
【００３０】
（ＳＡＷモジュールの構成）
上述してきたＳＡＷ装置２は、図１、２等に示すように、配線基板３に実装されている。具体的には、ＳＡＷ装置２は、第２ＳＡＷ素子６が配線基板３の凹部３’に位置するように、配線基板３の上面３Ａに実装される。以下、具体的な構成について説明する。
【００３１】
配線基板３は、同一寸法形状の５〜１５層の誘電体層が積層された多層基板構造であり、寸法は例えば、縦寸法が３．０ｍｍ以上６．０ｍｍ以下、横寸法が３．０ｍｍ以上６．０ｍｍ以下、一層の厚みが０．３ｍｍ以上０．６ｍｍ以下である。多層配線基板の材料としては、例えば、ガラスエポキシ樹脂などの有機系誘電体基板に対して、銅箔などの導体によって配線導体層（金属パターン）を形成し、同時に焼成したもの、または、セラミック材料などの無機系誘電体基板に種々の配線導体層（金属パターン）を形成し、誘電体基板と同時に焼成したものを用いることができる。
【００３２】
セラミック材料としては、（１）Ａｌ2Ｏ3、ＡｌＮ、Ｓｉ3Ｎ4、ＳｉＣなどを主成分とする焼成温度が１１００℃以上のセラミック材料、（２）金属酸化物の混合物からなる１１００℃以下、特に１０５０℃以下で焼成される低温焼成セラミック材料、（３）ガラス粉末、あるいはガラス粉末とセラミックフィラー粉末との混合物からなる１１００℃以下、特に１０５０℃以下で焼成される低温焼成セラミック材料の群から選択すればよい。
【００３３】
配線基板３には、上面３Ａに上部電極パッド３ａ、下面３Ｂに下部電極パッド３ｂ、上部電極パッド３ａおよび下部電極パッド３ｂを電気的に接続する配線ビア３ｃを有している。
【００３４】
配線ビア３ｃは、誘電体基板３ｄと同時焼成して形成するために、誘電体基板３ｄを形成するセラミック材料の焼成温度に応じて種々組み合わせられる。例えば、セラミック材料が前記（１）の場合、タングステン、モリブデン、マンガン、銅の群から選ばれる少なくとも１種を主成分とする導体材料が好適に用いられる。また、低抵抗化のために、銅などとの混合物としてもよい。セラミック材料が前記（２）、（３）の低温焼成セラミック材料を用いる場合、銅、銀、金、アルミニウムの群から選ばれる少なくとも１種を主成分とする低抵抗導体材料が用いられる。
【００３５】
ＳＡＷ装置２は、絶縁基板４の下面４Ｂに設けられた基板電極パッド１２と、配線基板３の上部電極パッド３ａとがバンプ１１を介して実装されている。また、配線基板３の上面３Ａには、例えば半導体スイッチ、コンデンサまたは抵抗等の電子部品５０が実装されている。
【００３６】
さらに、配線基板３上に封止樹脂１６が配置される。具体的に、封止樹脂１６は、ＳＡＷ装置２を覆うように配線基板３上に配置される。封止樹脂１６は、例えばエポキシ系の樹脂等を用いることができる。封止樹脂１６は、例えば樹脂を塗布した後、例えば１５０℃で３０分〜６０分加熱することにより硬化させることにより配置することができる。
【００３７】
本実施形態のＳＡＷモジュールでは、第１ＳＡＷ素子５および第２ＳＡＷ素子６が、絶縁基板４を介して上下方向に積層されたＳＡＷ装置２を、絶縁基板４を介して配線基板３に実装する。このようなＳＡＷ装置２を用いることから、同一平面に２つのＳＡＷ素子を設ける場合と比較して、配線基板３上の占有面積を小さくすることができる。また、ＳＡＷ装置２の一部（第２ＳＡＷ素子６）を凹部３’に収容することで、ＳＡＷモジュール１の低背化を実現することができる。
【００３８】
（ＳＡＷモジュールの変形例１）
ＳＡＷモジュール１は、平面視において絶縁基板４の外周に沿って配置された環状封止材１４をさらに有していてもよい。環状封止材１４は、図６に示すようにエポキシ樹脂等からなる樹脂材料を用いてもよいし、図７に示すように環状電極パッド１４ａ、１４ｃおよび環状導体１４ｂで構成される導電材料を用いてもよい。
【００３９】
環状封止材１４が導電材料で形成されている場合について説明する。環状封止材１４は、第１環状電極パッド１４ａ、環状導体１４ｂおよび第２環状電極パッド１４ｃから構成されている。環状電極パッド１４ａは、絶縁基板４の下面４Ｂに外周の周縁を取り囲むように配置されている。一方、配線基板３の上面３Ａには、第２環状電極パッド１４ｃが、凹部３’を囲むように配置されている。環状電極パッド１４ａと第２環状電極パッド１４ｃとが半田等の環状導体１４ｂによって強固に固定されることにより、凹部３’が封止されるとともにＳＡＷ装置２が配線基板３に実装される。
【００４０】
環状導体１４ｂは、予め配線基板３の上面３Ａに形成された第２環状電極パッド１４ｃの上にスクリーン印刷等で印刷して形成される。その後、塗布された環状導体に、絶縁基板４の下面４Ｂに形成された基板電極パッド１２が当接されて、加圧および加熱することにより、環状封止材１４が形成される。
【００４１】
また、図８に示すように、環状封止材１４の環状導体１４ｂが、絶縁基板４の側面４Ｃに接触するように配置されていてもよい。このように環状導体１４ｂが側面４Ｃに接触して固定されることにより、ＳＡＷ装置２を強固に固定することができる。またＳＡＷ装置２が封止部材１３を有している場合には、側面４Ｃに接触した環状導体１４ｂ（例えば、半田）の一部が第１ＳＡＷ素子５のＩＤＴ電極８ａ側に流れることを抑制することができる。
【００４２】
また環状封止材１４が導電性材料で構成されている場合には、環状封止材１４をグランド端子に電気的に接続してもよい。このように構成することにより、環状封止材１４を基準（接地）電位となるように設定することができる。これにより、第２ＳＡＷ素子６の周囲が電磁的に遮蔽されることとなり、第１ＳＡＷ素子５および第２ＳＡＷ素子６間の電磁的な干渉を低減することができるため、例えばアイソレーション特性または減衰特性等を向上させることができる。
【００４３】
さらに、ＳＡＷモジュール１が環状封止材１４を有している場合には、上部電極パッド３ａが、環状封止材１４よりも内側（第２ＳＡＷ素子６側）に位置していてもよい。このように配置されていることにより、バンプ１１が封止空間内に存在することになるため、バンプ１１が腐食されにくくすることができる。
【００４４】
（ＳＡＷモジュールの変形例２）
第２ＳＡＷ素子６は、送信フィルタを構成していてもよい。送信フィルタは、一般的に、受信フィルタよりも熱を持ちやすいことから、配線基板３側の第２ＳＡＷ素子６が発熱した場合でもその熱を配線基板３に逃がし易くすることができる。その結果、第２ＳＡＷ素子６の耐電力特性を向上させることができる。
【００４５】
また、ＳＡＷモジュール１は、図９に示すように、凹部３’の底面に第２ＳＡＷ素子６と接触する熱伝導性樹脂１５をさらに有してもよい。このように第２ＳＡＷ素子６に接触する熱伝導性樹脂１５を配置することにより、第２ＳＡＷ素子６の熱をより効率よく配線基板３側に伝導することができる。熱伝導性樹脂１５としては、空気よりも熱伝導率の高い材料を用いることができる。具体的には、エポキシ樹脂またはシリコーン樹脂等に、窒化ホウ素、アルミナ、銅、アルミニウムまたは酸化亜鉛等の熱伝導性フィラーを添加した樹脂を用いることができる。
【００４６】
さらに、図１０に示すように、凹部３’の底面に放熱パッド１７を形成してもよい。放熱パッド１７を設けた場合には、熱伝導性樹脂１５は、放熱パッド１７および第２ＳＡＷ素子６と接触するように配置される。このように放熱パッド１７と熱伝導性樹脂１５が接触することにより、第２ＳＡＷ素子６で発生した熱を放熱パッド１７に熱伝導しやすくすることができ、第２ＳＡＷ素子６の温度を低減することができる。なお、放熱パッド１７は配線基板３内に配置された放熱ビア１７ａ等に接続されて、配線基板３側若しくは配線基板３の外側に熱伝導しやすく設定されていてもよい。
【００４７】
（ＳＡＷモジュールの変形例３）
ＳＡＷ装置２は、図１１に示すように、平面視して、第１ＳＡＷ素子５が絶縁基板４の外周よりも小さくなっていてもよい。このように構成することにより、絶縁基板４の上面４Ａが露出するようになるため、封止樹脂１６で封止した際に、上面４Ａにも封止樹脂１６が配置されるようになり、ＳＡＷ装置２をさらに強固に固定することができる。その結果、ＳＡＷモジュール１の長期信頼性を向上させることができる。
【符号の説明】
【００４８】
１…弾性波モジュール（ＳＡＷモジュール）
２…弾性波装置（ＳＡＷ装置）
３…配線基板
３Ａ…上面
３Ｂ…下面
３’…凹部
３ａ…上部電極パッド
３ｂ…下部電極パッド
３ｃ…配線ビア
３ｄ…誘電体基板
４…絶縁基板
４Ａ…上面
４Ｂ…下面
４Ｃ…側面
５…第１弾性波素子（第１ＳＡＷ素子）
６…第２弾性波素子（第２ＳＡＷ素子）
７…圧電基板
８…励振電極（ＩＤＴ電極）、櫛歯状電極
８Ａ…バスバー電極
８Ｂ…電極指
８Ｃ…反射器
９…配線導体
１０…電極パッド
１１…バンプ
１２…基板電極パッド
１３…封止部材
１４…環状封止材
１４ａ…第１環状電極パッド
１４ｂ…環状導体
１４ｃ…第２環状電極パッド
１５…熱伝導性樹脂
１６…封止樹脂
１７…放熱パッド
１７ａ…放熱ビア
５０…電子部品
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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