(57)【要約】【課題】  寄生容量に起因したインピーダンスの不整合の可能性が低減された配線基板を提供すること。【解決手段】  第１主面および第２主面を有する絶縁基板１と、絶縁基板１の第１主面に設けられた接続電極２と、絶縁基板１の内部および第２主面の少なくとも一方に設けられており、平面透視において接続電極２と重なる部分を有する接地導体層４と、絶縁基板１の第１主面において接続電極２に接して設けられており、絶縁基板１よりも比透磁率が高い材料からなる補助層５とを備える配線基板である。補助層５によって接続電極２のインダクタンスが高められ、寄生容量に起因したインピーダンスの低下によるインピーダンスの不整合が抑制される。【選択図】  図１
2015103745.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１主面および該第１主面と反対側の第２主面を有する絶縁基板と、
該絶縁基板の前記第１主面に設けられた接続電極と、
前記絶縁基板の内部および前記第２主面の少なくとも一方に設けられており、平面透視において前記接続電極と重なる部分を有する接地導体層と、
前記絶縁基板の前記第１主面において前記接続電極に接して設けられており、前記絶縁基板よりも比透磁率が高い材料からなる補助層とを備えることを特徴とする配線基板。
【請求項２】
前記絶縁基板がセラミック焼結体からなり、前記補助層がフェライト材料からなることを特徴とする請求項１に記載配線基板。
【請求項３】
前記補助層が前記接続電極の全周を囲んでいることを特徴とする請求項１または請求項２記載の配線基板。
【請求項４】
前記補助層の一部が前記絶縁基板の前記第１主面から前記接続電極の外周部にかけて設けられていることを特徴とする請求項１〜請求項３のいずれかに記載の配線基板。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、外部接続用の接続電極を有する配線基板に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
半導体素子等の電子部品が搭載される配線基板は、例えば、絶縁基板と、絶縁基板の主面に設けられた外部接続用の接続電極とを有している。絶縁基板の接続電極が設けられた主面以外の表面に電子部品が搭載され、電子部品が接続電極と電気的に接続されて電子装置が形成される。電子部品と接続電極との電気的な接続は、例えば絶縁基板に設けられた配線導体を介して行なわれる。この電子装置について、接続電極が外部電気回路の所定部位とはんだ等の導電性接続材を介して接続される。
【０００３】
また、配線基板において、絶縁基板の内部等に、半導体素子への電源供給等を目的として接地導体層が形成される。また、接地導体層は、一般に、平面視で絶縁基板のほぼ全域に（配線導体等の他の導体以外の部分に）設けられる。これは、配線導体を高周波信号の伝送に適した構造にすることや、電磁的なシールド、あるいは十分な電位（接地、電源）の確保のためである。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開2009−224638号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
上記従来技術の配線基板においては、接続電極と接地導体層との間に大きな寄生容量が生じる可能性がある。寄生容量が生じると、接続電極における特性インピーダンスが所定の値よりも小さくなり、接続電極と配線導体等の他の導体との間で特性インピーダンス不整合が生じ、伝送特性が劣化する。
【０００６】
このような問題点に対しては、例えば接地導体層と接続電極との間において絶縁基板の内部に空隙部等の比誘電率が比較的小さい低誘電率部分を設けて、寄生容量を小さくするという手段が考えられる。また、接地導体層と接続電極との間において絶縁基板の内部に比透磁率が比較的高い高透磁率部分を設けて、寄生容量による特性インピーダンスの低下をインダクタンスを増加させることで抑制し、伝送特性の劣化を低減する手段が考えられる（例えば特許文献１を参照）。
【０００７】
しかしながら、近年の配線基板の小型化傾向から配線基板の内部に高透磁率または低誘電率部分を設けるスペースを確保すること困難になりつつある。また、絶縁基板とは異なる材料（異種材料）を絶縁基板の内部に設けることになるため、絶縁基板と異種材料との熱膨張率差に起因したクラックの発生の可能性等の問題もある。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明の一つの態様の配線基板は、第１主面および該第１主面と反対側の第２主面を有する絶縁基板と、該絶縁基板の前記第１主面に設けられた接続電極と、前記絶縁基板の内部および前記第２主面の少なくとも一方に設けられており、平面透視において前記接続電極と重なる部分を有する接地導体層と、前記絶縁基板の前記第１主面において少なくとも前記接続電極に接する部位に設けられており、前記絶縁基板よりも比透磁率が高い材料からなる補助層とを有している。
【発明の効果】
【０００９】
本発明の一つの態様の配線基板によれば、絶縁基板の第１主面において接続電極に接して、絶縁基板よりも比透磁率が高い材料からなる補助層が設けられていることから、この補助層の比透磁率に応じて接続電極のインダクタンスが増加する。そのため、接続電極と接地導体層との間で生じる寄生容量による接続電極の特性インピーダンスの低下が抑制され、伝送特性の劣化を低減することができる。
【００１０】
また、補助層が、絶縁基板の外表面である第１主面に設けられているため、例えば絶縁基板の内部に異種材料が設けられた場合に比べて補助層の変形等によって熱応力が低減されやすい。そのため絶縁基板のクラック等が発生する可能性を低減できる。
【図面の簡単な説明】
【００１１】
【図１】（ａ）は本発明の実施形態の配線基板を示す断面図であり、（ｂ）は（ａ）の下面図である。
【図２】（ａ）〜（ｃ）はそれぞれ図１に示す配線基板の変形例における要部を示す下面図である。
【図３】本発明の配線基板の接続電極の伝送特性のシミュレーション結果を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００１２】
添付の図面を参照して本発明の実施形態の配線基板について説明する。図１（ａ）は本発明の実施形態の配線基板を示す断面図であり、図１（ｂ）は、図１（ａ）の下面図である。なお、以下の実施形態における上下の区別は便宜的なものであり、実際に配線基板が用いられる際の上下を特定するものではない。
【００１３】
実施形態の配線基板10は、第１主面（例えば下面）および第１主面と反対側の第２主面（例えば上面）を有する絶縁基板１と、絶縁基板１の第１主面に設けられた接続電極２と、接続電極２と電気的に接続された配線導体３と、絶縁基板１の内部に設けられた接地導体層４と、第１主面において接続電極２に接して設けれられた補助層５とを有している。なお、図１（ｂ）は断面図ではないが、識別しやすくするために補助層５にハッチングを施している。
【００１４】
絶縁基板１は、例えば、四角板状（直方体状）であり、上面の中央部に電子部品が搭載される搭載部（符号なし）を有している。なお、実施形態の配線基板10においては、絶縁基板１の上面に搭載部を囲むように絶縁枠体６が設けられている。絶縁基板１と絶縁枠体６とによって電子部品収納用の基体（符号なし）が形成されている。この基体は、その上面に、絶縁基板１の上面と絶縁枠体２の内周面とからなる凹部（いわゆるキャビティ）を含んでいる。
【００１５】
このような絶縁基板１は、例えば酸化アルミニウム質焼結体からなる場合であれば、酸化アルミニウム、酸化珪素、酸化マグネシウムおよび酸化カルシウム等の原料粉末に適当な有機バインダおよび溶剤等を添加混合して作製したスラリーを、ドクターブレード法等のシート成形法によりシート状にすることにより複数枚のセラミックグリーンシートを成形し、これらを積層した後に、その積層体を高温で焼成することにより製作される。
【００１６】
また、絶縁枠体６は、絶縁基板１と同様の材料を用い、同様の方法で作製することができる。この場合、セラミックグリーンシートに打ち抜き加工を施して枠状等の所定の形状に加工する必要がある。枠状のセラミックグリーンシートを絶縁基板１となるセラミックグリーンシートの上に積層し、これらを一体焼成すれば、上面に凹部を含む上記基体を作
製することができる。
【００１７】
絶縁基板１の第１主面に設けられた接続電極２は、例えば絶縁基板１の搭載部に搭載される電子部品７を外部電気回路（図示せず）に接続するための端子として機能する。搭載部に搭載された電子部品７が、ボンディングワイヤ等の導電性接続材（符号なし）および後述する配線導体３を介して接続電極２と電気的に接続される。
【００１８】
接続電極２が外部電気回路の所定部位に対向して位置合わせされ、はんだ等の導電性接続材を介して接続電極２と外部電気回路とが接合される。これにより、接続電極２（さらに配線導体３および電子部品７）が外部電気回路と電気的に接続される。
【００１９】
接続電極２は、例えばタングステン、モリブデン、マンガン、銅、銀、パラジウム、金等の金属材料によって形成されている。接続電極２は、例えばタングステンからなる場合であれば、タングステンの粉末を有機溶剤およびバインダ等とともに混練して作製した金属ペーストを、絶縁基板１となるセラミックグリーンシートの所定部位に塗布し、同時焼成することによって形成することができる。
【００２０】
電子部品７としては、例えば、ＣＭＯＳまたはＣＣＤ等の撮像素子および半導体集積回路素子（ＩＣ等）等の半導体素子、圧力センサ素子等のセンサ素子、水晶振動素子等の圧電素子、弾性表面波素子、容量素子、抵抗器および半導体基板上に微細な電子機械システムが設けられてなる素子（いわゆるＭＥＭＳ素子）等が挙げられる。
【００２１】
電子部品７の搭載部への固定は、例えば樹脂接着剤、ガラス（低融点ガラス）または金−シリコン、はんだ等の低融点ろう材によって行なわれる。
【００２２】
接続電極２は、搭載部から絶縁基板１の下面（各接続電極２の位置）まで設けられた配線導体３等によって電子部品７と電気的に接続される。配線導体３は、例えば、搭載部に配置された長方形城等の接続パッドと、接続パッドから絶縁基板１の内部にかけて設けられた貫通導体（いわゆるビア導体）、および絶縁基板の内部に設けられた内部配線等を含んでいる。
【００２３】
配線導体３は、例えば接続電極２と同様の材料を用い、同様の方法で形成することができる。配線導体３のうち貫通導体の部分は、あらかじめ絶縁基板となるセラミックグリーンシートの一部に貫通孔を打ち抜き加工等の方法で形成しておいて、この貫通孔内に上記の金属ペーストを充填することによって形成することができる。
【００２４】
絶縁基板１の内部には、接地導体層４が設けられている。接地導体層４は、搭載部に搭載される半導体素子等の電子部品７への電源供給等を目的として設けられている。この接地導体層４は、平面視（下面視）で絶縁基板１のほぼ全域に設けられている。ただし、配線導体３が位置している部分では、配線導体３との間に隙間（クリアランス）が設けられ、互いに電気的に絶縁されている。
【００２５】
この接地導体層４は、例えば、配線導体３について高周波信号の伝送に適したストリップラインやマイクロストリップライン等の伝送線路構造にするために設けられている。また、接地導体層４は、搭載部に搭載される電子部品と外部との間の電磁的なシールド、または電子部品に供給される電源の電位を効果的に安定させるためのものである。
【００２６】
接地導体層４は、上記のように広い範囲で設けられるため、平面透視において、その一部が接続電極２と重なりあっている。電子部品７が搭載されて作動する時に、接地導体層４における電位と接続電極２における電位とが互いに異なっている場合には、両者の間に
静電容量（寄生容量）が生じる。
【００２７】
なお、接地導体層４は、必ずしも絶縁基板１の内部に設けられている必要はなく、絶縁基板１の第２主面（例えば電子部品７が搭載される部位）に設けられていてもよい。また、絶縁基板１の内部および第２主面の両方に設けられていてもよい。
【００２８】
絶縁基板１の第１主面において接続電極２に接して設けられた補助層５は、絶縁基板１よりも比透磁率が高い材料からなり、上記の寄生容量に起因する伝送特性の劣化を低減するためのものである。すなわち、絶縁基板１の第１主面において、上記構成の補助層５が設けられていることから、この補助層５の比透磁率に応じて接続電極２のインダクタンスが増加する。そのため、接続電極２と接地導体層４との間で生じる寄生容量による接続電極２の特性インピーダンスの低下が抑制され、伝送特性の劣化を低減することができる。図１の例では、補助層５は、接続電極２の全周にわたって、その接続電極２を囲んで接しているため、接続電極２のインダクタンス増加の効果がより高い。
【００２９】
また、補助層５は、絶縁基板１の外表面である第１主面に設けられている。そのため、例えば絶縁基板１の内部に平面透視で接続電極２と重なるように、絶縁基板１とは異なる比透磁率が高い材料（後述するフェライト材料等）が設けられた場合に比べて、熱応力が緩和されやすい。したがって、絶縁基板１のクラック等が発生する可能性が低減できるという効果も得られる。
【００３０】
なお、補助層５は、必ずしも接続電極２の全周にわたって、これを囲んで設けられたものである必要はなく、接続電極２に接していれば、その接続電極２のインダクタンスを増加させる作用を有する。したがって、例えば、配線導体３等の配置形態等の条件に応じて、接続電極２に対する補助層５の配置位置を設定することができる。
【００３１】
また、補助層５による接続電極２のインダクタンスの増加効果を極力大きくする上では、接続電極２の全周にわたって補助層５が囲むように設けられていることが、より好ましい。
【００３２】
補助層５は、絶縁基板１よりも透磁率が高い材料（高透磁率材料）によって形成されている。この高透磁率材料としては、鉄、ニッケルおよびコバルト等の金属材料（磁性体）またはフェライト材料が挙げられる。補助層５が金属材料からな部分を含む場合には、その金属材料からなる部分と接続電極２とが互いに離間している必要がある。この離間距離は、例えば接続電極２と外部電気回路とを接続する導電性接続材の流れ出し（いわゆるはんだブリッジ等）による接続電極２（金属材料からなる部分）と補助層５との電気的な短絡が防止できる程度の距離に設定される。また、この場合、補助層５のうち接続電極２に接する部分はフェライト材料等の絶縁材料によって形成される。補助層５について、その全体が金属材料からなるものは適していない。
【００３３】
補助層５は、接続電極２との電気的な短絡等の不具合の可能性を低減すること、および生産性等を考慮すれば、その全部がフェライト材料からなることが好ましい。
【００３４】
フェライト材料は上記高透磁率材料としての磁性材料の中でも比較的大きな比透磁率を持ち、金属の磁石と比べてセラミックス磁石であることから絶縁性に優れている。
【００３５】
フェライト材料としては、例えば、Ｍｎ−Ｚｎ系、Ｃｕ−Ｚｎ系またはＮｉ−Ｚｎ系の材料が挙げられる。具体的な組成としては、例えば、ＭｎＦｅ２Ｏ４、ＦｅＦｅ２Ｏ４、ＣｏＦｅ２Ｏ４、ＮｉＦｅ２Ｏ４、ＢａＦｅ２Ｏ４、ＳｒＦｅ２Ｏ４またはＣｕＦｅ２Ｏ４等が挙げられる。
【００３６】
なお、各材料の比透磁率は、例えばＭｎ-Ｚｎ系では約5000程度Ｃｕ-Ｚｎ系では約500
程度、Ｎｉ-Ｚｎ系では約50程度である。
【００３７】
フェライト材料の中でも、特にＮｉ−Ｚｎ材料系のフェライト材料は高周波領域(〜数100MHz）で他のフェライト材料に比べて低損失である。そのため、半導体集積回路素子（
ＩＣ）等の高周波信号を伝送する配線基板には補助層５を形成する材料としてフェライト材料を利用することが望ましい。
【００３８】
補助層５は、例えば、補助層５となる高透磁率材料の粉末を有機溶剤およびバインダ等とともに混練して作製したペーストを絶縁基板１の所定部位に塗布し、加熱して焼き付けることによって形成することができる。
【００３９】
補助層５がフェライト材料からなる場合に、絶縁基板１をセラミック材料からなるものとしたときには、フェライト材料の粉末を用いて作製したペーストを、絶縁基板１となるセラミックグリーンシートの所定部位に塗布してもよい。その後、セラミックグリーンシートとペーストとを同時焼成すれば、所定部位にフェライト材料の層（つまり補助層５）が設けられた絶縁基板１を作製することができる。
【００４０】
なお、絶縁基板１が酸化アルミニウム質焼結体等のセラミック材料からなるときに、補助層５を形成する材料としてフェライト材料を用いれば、両者を同時焼成で形成することができるという利点がある。これにより、絶縁基板１と補助層５との接合の強度を高くすることが容易であり、生産性を高めることも容易である。したがって、配線基板10は、絶縁基板１がセラミック材料からなるときに、補助層５がフェライト材料からなるものであることが好ましい。
【００４１】
また、絶縁基板１と補助層５とが同時焼成で製作される場合に、絶縁基板１となるセラミックグリーンシートの外表面に補助層となるフェライト材料のペーストが塗布されて焼成されるため、焼成時の収縮に伴う応力も、絶縁基板１の内部にフェライト材料の層（図示せず）を形成する場合に比べて低減できる。そのため、焼成時に絶縁基板１のクラック等が発生する可能性も低減される。
【００４２】
補助層５の厚みは、用いる高透磁率材料の種類（透磁率の値等）、絶縁基板１または絶縁基板１となるセラミックグリーンシートに対するペーストの印刷性、接続電極２の伝送特性に影響を与える寄生容量の大きさ、伝送特性の要求条件、および生産性、ならびに経済性等の条件に応じて適宜設定される。
【００４３】
例えば、絶縁基板１（セラミックグリーンシート）が酸化アルミニウム質焼結体からなるものであり、補助層５がＮｉ−Ｚｎ材料系等のフェライト材料からなるものである場合には、補助層５の厚みは約25〜35μｍ程度であればよい。
【００４４】
また、補助層５は、接続電極２におけるインダクタンスを効果的に高める（寄生容量に起因したインピーダンスの低下を抑制する）ために接続電極２に接しているが、接している部分以外の部分も接続電極２の近くに位置している方が好ましい。これにより、接続電極２のインダクタンスをさらに効果的に増加させることができる。例えば、接続電極２が円形状のパターンであるとともに補助層５が長方形状のパターンであるときには、補助層５の短辺側の一部が接続電極２の外周（円周）の一部に接している（補助層５が接続電極２の外周の接線に直交しているような形態）よりも、補助層５の長辺側の一部が接続電極２の外周に接し、その長辺部分の他の部分も接続電極２に近接して配置されている方が好ましい。
【００４５】
また、補助層５は、接続電極２におけるインダクタンスを効果的に高める（寄生容量に起因したインピーダンスの低下を抑制する）上では、接続電極２を、その全周にわたって囲むものであることがより好ましい。
【００４６】
また、一つの補助層５複数の接続電極２と接している場合には、フェライト材料等の絶縁材料で補助層５を形成する必要がある。複数の接続電極２の間に絶縁材料からなる補助層５が設けられていれば、これらの複数の接続電極２に対してインダクタンス増加の効果をより確実に得ることができる。
【００４７】
図１に示した例においては、補助層５が、接続電極２の全周にわたって囲んでいる。また、補助層５の一部が、絶縁基板１の第１主面から接続電極２の外周部にかけて設けられている。そのため、補助層５による接続電極２のインダクタンスを高める効果がさらに得られやすい。
【００４８】
また、この場合には、補助層５によって接続電極２の外周部分の絶縁基板１に対する接合強度を高める効果も得られる。そのため、例えば外部電気回路が設けられた回路基板（図示せず）と配線基板９との熱膨張係数の差に起因した熱応力が接続電極２に作用したときに、その熱応力による接続電極２の剥がれを抑制する効果も得られる。
【００４９】
上記実施形態の配線基板において、凹部内に電子部品７が収容され、電子部品７が配線導体３と導電性接続材を介して電気的に接続された後、蓋体８等の封止材で凹部が封止されて、電子装置が作製される。この電子装置は、接続電極２が外部電気回路と電気的に接続されて、各種の電子機器に実装されて使用される。
【００５０】
図２（ａ）〜（ｃ）はそれぞれ図１に示す配線基板９の変形例における要部（接続電極２およびその周辺）を示す下面図である。図２において図１と同様の部位には同様の符号を付している。なお、図２は断面図ではないが、識別しやすくするために接地導体導体４および補助層５にハッチングを施している。
【００５１】
図２（ａ）〜（ｃ）の各例において、補助層５は接続電極２を完全には囲んでいない。補助層５が設けられていない部分において、例えば接続電極２を配線導体３等の他の導体と接続するための接続導体（図示せず）を設けることができる。言い換えれば、接続電極２および配線導体３を含めた導体部分の設計の自由度がより高い。
【００５２】
図２（ａ）の例は、長方形状の接続電極２のうち長辺方向の両端側に補助層５が設けられている。補助層５の一部は接続電極２の長辺方向の両端の一部を覆っている。この場合にも、補助層５によって接続電極２のインダクタンスが高められている（インピーダンスの低下が抑制されている）。また、より熱応力が高くなる可能性がある長辺方向の両端において接続電極２の絶縁基板１に対する接合の強度が高められている。したがって、この場合には、設計の自由度が高く、インピーダンスの整合が容易であり、外部電気回路に対する電気的な接続の信頼性が高い配線基板９を提供できる。
【００５３】
図２（ｂ）の例は、長方形状の接続電極２を、その長辺部分の一部を除いて囲むように補助層５が設けられている。また、補助層５の縁（接続電極２に対応した四角形状の開口部分の内周）が接続電極２の外周とほぼ同じ位置にある。この場合にも、接続電極２のほぼ全周を囲む補助層５によって接続電極２のインダクタンスがより効果的に高められている。また、接続電極２の外部電気回路に対する接続面積を大きくすることが容易である。したがって、この場合には、設計の自由度が高く、インピーダンスの整合が容易であり、外部電気回路に対する電気的な接続がより容易な配線基板９を提供できる。
【００５４】
図２（ｃ）の例は、円形状の接続電極２について、その外周の一部に接するように長方形状の二つの補助層５が設けられている。この場合にも、接続電極２に接する補助層５によって接続電極２のインダクタンスが高められている。また、例えば補助層５を、円形状の接続電極２に対するアライメントマーク等として利用することもできる。したがって、この場合には、設計の自由度が高く、インピーダンスの整合が容易であり、実用上の有利な配線基板９を提供できる。
【００５５】
なお、補助層５について、接続電極２に接する部分およびその周辺以外における配置形態は、例えば絶縁基板１の第１主面における補助層５の配置形態、補助層５を形成する際の作業性、および経済性等に応じて適宜設定して構わない。例えば、図１の例では第１主面のほぼ全面に補助層５が設けられており、図２（ｃ）の例では接続電極２周辺のみに補助層５が設けられているが、いずれの場合にもインピーダンス整合の効果を得ることはできる。
【実施例】
【００５６】
本発明の実施例の配線基板、および比較例（従来技術）の配線基板を作製して、それぞれの配線基板における伝送特性をシミュレーションによって算出した。実施例の配線基板および比較例の配線基板ともに上記実施形態における図１の形態とした。また、実施例の配線基板については下記の補助層を設けたものとして伝送特性を算出、比較例の配線基板については補助層を設けないものとした。補助層以外の条件は、次の通り実施例および比較例ともに同じ条件とした。
【００５７】
絶縁基板および絶縁枠体は酸化アルミニウム質焼結体で構成されたものとした。酸化アルミニウム質焼結体の比誘電率を9.8とした。また、絶縁基板の厚みを1.9ｍｍとした。
【００５８】
接続電極は平面視で350μｍ×800μｍの長方形状とし、その厚みを10μｍとした。配線導体は、直径（Via径）70μｍ、絶縁基板の厚み方向の長さ（Via長）1.2ｍｍの貫通導体
と、配線長５ｍｍ、配線幅75μｍの内部導体を有するものとした。接地導体は、平面透視でほぼ絶縁基板の全域に及ぶ大きさとして、一部が接続電極に平面透視で重なるように配置した。また補助層は比透磁率が30で、比誘電率が10の材料（フェライト材料）からなるものとし、接続電極の全周を囲むような形状とした。また、補助層は、厚みが30μｍとして、接続電極上にその外周（面積比で10％）を覆うように設けられたものとした。
【００５９】
シミュレーション結果を図３に示す。図３は、そのシミュレーション結果における伝送特性のうち、透過特性（Ｓ21）を示すグラフであり、縦軸は透過量を、横軸は接続電極を通って伝送される信号の周波数を示している。また、図３において、実線は実施例の配線基板の特性を示し、破線は比較例の配線基板の特性を示している。図３に示す透過特性から、実施例の配線基板は、比較例の配線基板と比較して、その透過特性を向上させる特徴を有することが分かる。例えば、具体的な透過特性の改善効果は、１ＧＨｚにおいて5.6
％であることを確認した。
【符号の説明】
【００６０】
１・・・絶縁基板
２・・・接続電極
３・・・配線導体
４・・・接地導体
５・・・補助層
６・・・絶縁枠体
７・・・電子部品
８・・・蓋体
【図１】
2015103745.tif 000003
【図２】
2015103745.tif 000004
【図３】
2015103745.tif 000005