(57)【要約】      （修正有）【課題】応用が制限されない可変周波数共振器、フィルター及び可変周波数デバイスを提供する。【解決手段】圧電基板振動子上に圧電薄膜振動子を作成し、一方の振動子を可変インピーダンス８に接続し、インピーダンス８の変化により振動子の伝搬速度を変化させる。【選択図】図１
2015228638.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
図１のように、圧電基板上に圧電薄膜を付着させた弾性波共振器において、圧電基板及び圧電薄膜中を板の厚さ方向に伝搬する縦波、ＳＨ波を用いた薄膜共振器であり、圧電薄膜１−２の上下面に送受電極４とアース電極２を接続した弾性波振動子と圧電基板１−１の上下面にアース電極２と可変インピーダンスを接続した電極５からなる弾性波振動子をコリニヤに弾性的に結合した２層構造の弾性波薄膜共振器、及び圧電薄膜をインピーダンスに接続し、圧電基板を送受電極に接続した構造の共振器、及びこれらの共振器を多層に接続した構造の弾性波薄膜共振器、及びこれらのこの共振器を用いた電子装置。
【請求項２】
図２のように、圧電基板上に圧電基板を付着させた弾性波共振器において、圧電板中を板の厚さ方向に伝搬する縦波、ＳＨ波を用いた板波共振器であり、、圧電基板１−１の上下面にアース電極２と、圧電送受信電極４を接続した弾性波振動子と圧電基板１−１の上下面にアース電極２と可変インピーダンス８を接続した電極５からなる弾性波振動子をコリニヤに弾性的に結合した、２層構造の弾性波共振器、及びこれらの共振器を多層に接続した構造の弾性波共振器およびこの共振器を用いた電子装置。
【請求項３】
図３のように、圧電薄膜中を薄膜の厚さ方向に伝搬する縦波、ＳＨ波を用いた薄膜共振器において、基板１３の表面にギャップ１４を介して、圧電薄膜１−２の上下面にアース電極２と、圧電送受信電極４を接続した弾性波薄膜振動子と圧電薄膜１−２の上下面にアース電極２と可変インピーダンス８を接続した電極５からなる弾性波振動子をコリニヤに弾性的に結合した２層構造の弾性波薄膜共振器、及びこれらの共振器を多層に接続した構造の弾性波薄膜共振器およびこの共振器を用いた電子装置。
【請求項４】
図４のように、圧電薄膜中を薄膜の厚さ方向に伝搬する縦波、ＳＨ波を用いた薄膜共振器において、基板１５の表面に付着した弾性波反射器表面上に送受電極電極に接続した圧電薄膜振動子と圧電薄膜１−２の上下面にアース電極２と可変インピーダンス８を接続した電極５からなる弾性波振動子をコリニヤに弾性的に結合した、２層構造の弾性波薄膜共振器、及びこれらの共振器を多層に接続した構造の弾性波薄膜共振器およびこの共振器を用いた電子装置。
【請求項５】
、図５，６のように、圧電板或いは圧電薄膜中を板の厚さ方向に伝搬するＳＨ波、縦波を用いた板波共振器或いは薄膜共振器において、圧電基板或いは圧電薄膜１の上下面にアース電極２、及び送受信電極４を接続した電極とアース電極２と可変インピーダンスを接続した電極５を配置した構造の可変周波数弾性波共振器及びこれらの共振器を用いた電子装置。
【請求項６】
図７、８のように、圧電板或いは圧電薄膜中を板の厚さ方向に伝搬するＳＨ波、縦波を用いた傾斜型圧電基板或いは傾斜型圧電薄膜を用いた板波共振器或いは薄膜共振器において、圧電基板或いは圧電薄膜１１の上下面にアース電極２、及び送受信電極４を接続した電極とアース電極２と可変インピーダンスを接続した電極５を配置した構造の傾斜型板波共振器或いは傾斜型薄膜共振器とこれらの共振器を用いた電子装置。
【請求項７】
図９のように、圧電板或いは圧電薄膜中を板の平行方向に伝搬するラム波、ＳＨ波を用いた板波共振器或いは薄膜共振器において、基板或いは薄膜の上下面に、正電極５と負電極２−１との間隔がλ／２，その電極幅がλ／４のすだれ状電極を２個コリニヤに配置し、取り出し電極２、４を入出力端子に接続し、一方の取り出し電極２，４を可変インピーダンス素子に接続した構造の弾性波共振器変換器及び共振器とこれらの変換器を用いた電子装置。
【請求項８】
図１０のように、圧電板或いは圧電薄膜中を板の平行方向に伝搬するラム波、ＳＨ波を板波共振器或いは薄膜共振器において、基板或いは薄膜の上下面に、正電極５と負電極２−１との間隔がλ／２，その電極幅がλ／４のすだれ状電極を取り出し電極２、４に接続したすだれ状電極とその両側に間隔がλ／２，その電極幅がλ／４のすだれ状電極２，５を可変インピーダンス素子に接続した反射器をコリニヤに配置した構造の弾性波共振器変換器及び共振器とこれらの変換器を用いた電子装置。
【請求項９】
許請求の範囲、第１項、第２項、第３項、第４項，第５項、第６項，第７項、第８項の共振器を振動子として用い、弾性体の両側にこれらの振動子を付着させた弾性波送受デバイスおよびこのデバイスを用いた電子装置。
【請求項１０】
特許請求の範囲、第１項、第２項、第３項、第４項，第５項、第６項，第７項、第８項、第９項において、上記の電極及び金属膜としてＡｌ，Ｃｕ，Ｍｏ、Ａｕ，Ａｇ，Ｗ，Ｔｉ、或いはこれらの合金、また上記の圧電薄膜として、ＫＮｂＯ３，ＬｉＮｂＯ３，ＬｉＴａＯ３，ＺｎＯ，ＳｉＯ２，ＡｌＮ，ＡｌＮＳｃ，Ｔａ２Ｏ５，ＰＺＴ，強誘電体薄膜、電極上に誘電体膜として、ＳｉＯ２，ＳｉＯ，ＺｎＯ，ＬｉＮｂＯ３，Ｔａ２Ｏ５，ＰＺＴ，ガラスの薄膜を付着させた構造の可変周波数変換器及びこれを用いた電子装置。
【発明の詳細な説明】
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】    本発明は弾性波変換器及びこれを用いた電子装置に関するもので、弾性波変換器を２個以上コリニヤ配置した構造の弾性波変換器であり、一方を入出力電極、他方に可変インピーダンスを接続し、そのインピーダンスを変化させて、その弾性波の伝搬速度を変化させることにより、中心周波数を変化させた弾性波変換器、及び厚さを変化させた傾斜型弾性波振動子の励振位置を変化させたことにより共振周波数を変化させた可変周波数共振器及びこの可変共振器を用いた電子装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】    通常の弾性波変換器の励振強度、及び受信強度が最大となる中心周波数ｆ０は、変換器の圧電振動子の厚さをＨとしたとき、励振中心周波数は、ｆ０＝２ｖ／Ｈ（Ｖ：速度）となるので、送受に変換器を用いた場合の中心周波数は変化しない。また、この振動子を共振器として用いる場合は、共振周波数はｆ０＝２ｖ／Ｈとなり、共振周波数は変化しない。従って、この変換器を用いたフィルター、この共振器を用いた共振器型のフィルタ、センサーデバイスでは、これらのデバイスの動作中心周波数は、振動子の膜厚と伝搬速度で決まるので、応用が制限される。【０００３】    一方、動作中心周波数を変える方法として、送受弾性波変換器全体に可変容量を付加する方法が提案されている。【０００４】  この方法は、可変周波数範囲が狭いこと、変換器の特性が大きく劣化すること、振動子のＱが低下すること、中心周波数はほとんど変化しないことなど難点がある。
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】    上記に示した如く、これまでの可変周波数弾性波変換器は、送受電極に直列或いは並列にインピーダンスを接続し、そのインピーダンスを変化させることにより動作中心周波数を変化させる方法を用いているため、圧電基板の電気機械結合係数の低下、Ｑ特性の劣化、中心周波数がほとんど変化しないことなどの欠陥がある。
【０００７】    また、所望の中心動作周波数の変化を得るため、大きなインピーダンスの変化が必要である、などの欠陥がある。
【発明が解決するための手段】
【０００８】    本発明は上述したごとき従来の可変周波数変換器の欠陥を除去すべくなされたものであって、デバイスの製造工程が簡易、かつ簡易な外部回路を用いることにより、大きな可変周波数範囲を得るものである。
【発明の効果】
【０００９】    本発明の弾性波変換器は、弾性波変換器を２個以上コリニヤに配置した構造の変換器において、一方を入出力電極、他方をインピーダンス素子を接続し、そのインピーダンスを変化させることにより、弾性波変換器中を伝搬する弾性波の速度を変化させることにより、中心周波数を変化させた弾性波変換器、及び励振電界と並列に可変インピーダンスを挿入し、厚さ方向に伝搬する面内の平均の伝搬速度を変化させることにより、共振中心周波数を変化させる方法、及び厚さを変化させた傾斜型弾性波共振の励振位置を変化させることにより共振周波数を変化させた可変周波数共振器を得ることができる。このような可変周波数変換器を用いることにより、、可変周波数共振器、フィルタ、可変周波数発振器、センサーなどが得られる。    図１１は、付加したインピーダンスの変化により弾性波の速度が変化することを示す図である。挿入したインピーダンスに可変電圧を印加し、その電圧の変化によりインピーダンスが変化することにより、その伝搬速度を変化させる方法であり、この場合は、容量が零付近では、伝搬速度は、ほぼオープンの速度、４０００ｍ／ｓ，容量が大きくなるにつれて、速度が低下し、無限大に近い値では、その速度は、短絡の速度、３９００ｍ／ｓまで低下することを示している。この容量の変化を用いて、弾性波変換器中を伝搬する速度を変化させることができる。    また、図１、図２、図３、図４の構造では、共振状態では、励振電極下では、その振動速度は、短絡の速度（Ｖｓ）であり、一方可変インピーダンス下の速度は、インピーダンス短絡の条件では、その振動速度は、短絡の速度（Ｖｓ）となるので、全体の共振速度は、（Ｖｓ＋Ｖｓ）／２＝Ｖｓとなる。一方、インピーダンス開放の条件では、その振動速度は、開放の速度（Ｖｆ）となるので、全体の共振速度は（Ｖｓ＋Ｖｆ）／２となる。したがって、インピーダンス短絡の条件では、共振周波数は、ｆ０ｓ＝（Ｖｓ／λ０）、一方、インピーダンス開放の条件では、共振周波数は、ｆ０ｆ＝（Ｖｓ＋Ｖｆ）／２λ（Ｈ＝λ／２）となる。また、インピーダンスが、開放と短絡の中間の値ではｆ０ｓとｆ０ｆの中間の値が得られる。  また、図５、図６の構造では、共振状態では励振直下の伝搬速度は、短絡速度であるが、インピーダンスに接続された電極直下の速度はインピーダンス開放状態では、開放状態の速度となるので、共振状態で全体の共振速度は（Ｖｓ＋Ｖｆ）／２となるので、インピーダンスの変化により、共振周波数が変化する。  また、図７、図８の構造では、共振状態では、励振電極を可変インピーダンスに接続した電極とすることにより、インピーダンスの変化により傾斜型共振器の最大励振電界の中心が、傾斜型電極上を移動し、共振状態は、最大電界の位置を中心に共振するので、可変インピーダンスの変化により、共振周波数が変化する弾性波共振器が得られる。また、図９、図１０の構造では、インピーダンスの変化により、基板中の速度が変化するので、共振周波数を変化させた共振器が得られる  図１２は、図２の構造の板波共振器のインピーダンスの変化に対する共振周波数のシフトを示す計算結果であり、電気機械結合係数ｋ２＝０．３の場合、約１５％の周波数変化が得られていることが判る。
【図面の簡単な説明】
【００１０】
【図１】圧電振動子基板上に圧電薄膜振動子を付着させた構造の弾性波共振器の図である。（Ａ）断面図、（Ｂ）平面図
【図２】圧電振動子基板上に圧電基板振動子を付着させた構造の弾性波共振器の図である。（Ａ）断面図、（Ｂ）平面図
【図３】ギャップ構造の圧電薄膜共振器において、圧電薄膜振動子上に圧電薄膜振動子を付着させた構造の弾性波薄膜共振器の図である。ｇ  （Ａ）断面図、（Ｂ）平面図
【図４】反射器型圧電薄膜共振器において、圧電薄膜振動子上に圧電薄膜振動子を付着させた構造の弾性波薄膜共振器の図である。ｇ  （Ａ）断面図、（Ｂ）平面図
【図５】圧電基板或いは圧電薄膜基板を用いた振動子において、基板面に２種類の電極を配置した構造の圧電基板共振器、薄膜共振器の図である。（Ａ）断面図、（Ｂ）平面図
【図６】圧電基板或いは圧電薄膜基板を用いた振動子において、基板面に円筒状の２種類の電極を配置した構造の圧電基板共振器、薄膜共振器の図である。（Ａ）断面図、（Ｂ）平面図
【図７】傾斜型圧電基板或いは圧電薄膜基板を用いた振動子において、基板面に２種類の電極を配置した構造の圧電基板共振器、薄膜共振器の図である。（Ａ）断面図、（Ｂ）平面図
【図８】傾斜型圧電基板或いは圧電薄膜基板を用いた振動子において、基板面に２種類の電極を配置した構造の圧電基板共振器、薄膜共振器の図である。（Ａ）断面図、（Ｂ）平面図
【図９】ラム波、ＳＨ型の圧電基板、薄膜振動子において、基板面に２種類の電極を交互に配置した構造の圧電基板共振器、薄膜共振器の図である。（Ａ）断面図、（Ｂ）平面図
【図１０】ラム波、ＳＨ型の圧電基板、薄膜振動子において、基板面の中央に励振電極、両側に反射器を配置した構造の圧電基板共振器、薄膜共振器の図である。（Ａ）断面図、（Ｂ）平面図
【図１１】電極間に接続した容量の変化に対する伝搬速度の変化を示す図である。
【図１２】図２の構造の板波可変共振器の電気機械結合係数ｋ２＝０．３の場合の容量の変化に対する共振中心周波数の変化を示す図である。
【符号の説明】
【００１１】１…圧電基板或いは圧電薄膜、１−１…圧電基板、１−２…圧電薄膜、２…接地電極及びアース取り出し電極、２−１…アースすだれ電極，３…接地電極、４…送受電極に接続した電極、５…インピーダンスに接続した電極、６…電源、７…負荷インピーダンス、８…可変負荷インピーダンス、１０…固定付加インピーダンス、１１…傾斜型圧電基板或いは圧電薄膜基板、１２…円筒型圧電基板或るいは圧電薄膜基板、１３…基板、１４…空隙、１５…基板、１６…反射器、１７…反射器、１８…全体の反射器、１９…弾性波伝搬速度、２０…開放の速度、２１…短絡の速度、２２…容量の変化、２３…容量の減少方向
【発明を実施するための形態】
【００１２】  以下に、本発明を図面に示した実施例に基づいて説明する。  実施例の１は、図１のように、圧電基板上に圧電薄膜を付着させた弾性波共振器において、圧電基板及び圧電薄膜中を板の厚さ方向に伝搬する縦波、ＳＨ波を用いた薄膜共振器であり、圧電薄膜１−２の上下面に送受電極４とアース電極２を接続した弾性波振動子と圧電基板１−１の上下面にアース電極２と可変インピーダンスを接続した電極５からなる弾性波振動子をコリニヤに弾性的に結合した２層構造の弾性波薄膜共振器、及び圧電薄膜をインピーダンスに接続し、圧電基板を送受電極に接続した構造の共振器、及びこれらの共振器を多層に接続した構造の弾性波薄膜共振器、及びこれらの共振器を用いた電子装置が実施例の１である。  実施例の２は、図２のように、圧電基板上に圧電基板を付着させた弾性波共振器において、圧電板中を板の厚さ方向に伝搬する縦波、ＳＨ波を用いた板波共振器であり、圧電基板１−１の上下面にアース電極２と、圧電送受信電極４を接続した弾性波振動子と圧電基板１−１の上下面にアース電極２と可変インピーダンス８を接続した電極５からなる弾性波振動子をコリニヤに弾性的に結合した、２層構造の弾性波共振器、及びこれらの共振器を多層に接続した構造の弾性波共振器およびこの共振器を用いた電子装置が実施例の２である。  実施例の３は、図３のように、圧電薄膜中を薄膜の厚さ方向に伝搬する縦波、ＳＨ波を用いた薄膜共振器において、基板１３の表面にギャップ１４を介して、圧電薄膜１−２の上下面にアース電極２と、圧電送受信電極４を接続した弾性波薄膜振動子と圧電薄膜１−２の上下面にアース電極２と可変インピーダンス８を接続した電極５からなる弾性波振動子をコリニヤに弾性的に結合した２層構造の弾性波薄膜共振器、及びこれらの共振器を多層に接続した構造の弾性波薄膜共振器およびこの共振器を用いた電子装置が実施例の３である。  実施例の４は、図４のように、圧電薄膜中を薄膜の厚さ方向に伝搬する縦波、ＳＨ波を用いた薄膜共振器において、基板１５の表面に付着した弾性波反射器表面上に送受電極電極に接続した圧電薄膜振動子と圧電薄膜１−２の上下面にアース電極２と可変インピーダンス８を接続した電極５からなる弾性波振動子をコリニヤに弾性的に結合した、２層構造の弾性波薄膜共振器、及びこれらの共振器を多層に接続した構造の弾性波薄膜共振器およびこの共振器を用いた電子装置が実施例の４である。  実施例の５は、図５，６のように、圧電板或いは圧電薄膜中を板の厚さ方向に伝搬するＳＨ波、縦波を用いた板波共振器或いは薄膜共振器において、圧電基板或いは圧電薄膜１の上下面にアース電極２、及び送受信電極４を接続した電極とアース電極２と可変インピーダンスを接続した電極５を配置した構造の可変周波数弾性波共振器及びこれらの共振器を用いた電子装置が、実施例の５である。  実施例の６は、図７、８のように、圧電板或いは圧電薄膜中を板の厚さ方向に伝搬するＳＨ波、縦波を用いた傾斜型圧電基板或いは傾斜型圧電薄膜を用いた板波共振器或いは薄膜共振器において、圧電基板或いは圧電薄膜１１の上下面にアース電極２、及び送受信電極４を接続した電極とアース電極２と可変インピーダンスを接続した電極５���配置した構造の傾斜型板波共振器或いは傾斜型薄膜共振器とこれらの共振器を用いた電子装置が実施例の６である。  実施例の７は、図９のように、圧電板或いは圧電薄膜中を板の平行方向に伝搬するラム波、ＳＨ波を用いた板波共振器或いは薄膜共振器において、基板或いは薄膜の上下面に、正電極５と負電極２−１との間隔がλ／２，その電極幅がλ／４のすだれ状電極を２個コリニヤに配置し、取り出し電極２、４を入出力端子に接続し、一方の取り出し電極２，４を可変インピーダンス素子に接続した構造の弾性波共振器変換器及び共振器とこれらの変換器を用いた電子装置が実施例の７である。  実施例の８は、図１０のように、圧電板或いは圧電薄膜中を板の平行方向に伝搬するラム波、ＳＨ波を板波共振器或いは薄膜共振器において、基板或いは薄膜の上下面に、正電極５と負電極２−１との間隔がλ／２，その電極幅がλ／４のすだれ状電極を取り出し電極２、４に接続したすだれ状電極とその両側に間隔がλ／２，その電極幅がλ／４のすだれ状電極２，５を可変インピーダンス素子に接続した反射器をコリニヤに配置した構造の弾性波共振器変換器及び共振器とこれらの変換器を用いた電子装置が、実施例の８である。  実施例の９は、許請求の範囲、第１項、第２項、第３項、第４項，第５項、第６項，第７項、第８項の共振器を振動子として用い、弾性体の両側にこれらの振動子を付着させた弾性波送受デバイスおよびこの出さ椅子を用いた電子装置が実施例の９である。  実施例の１０は、実施例の９は、特許請求の範囲、第１項、第２項、第３項、第４項，第５項、第６項，第７項、第８項において、上記の電極及び金属膜としてＡｌ，Ｃｕ，Ｍｏ、Ａｕ，Ａｇ，Ｗ，Ｔｉ、或いはこれらの合金、また上記の圧電薄膜として、ＫＮｂＯ３，ＬｉＮｂＯ３，ＬｉＴａＯ３，ＺｎＯ，ＳｉＯ２，ＡｌＮ，ＡｌＮＳｃ，Ｔａ２Ｏ５，ＰＺＴ，強誘電体薄膜、電極上に誘電体膜として、ＳｉＯ２，ＳｉＯ，ＺｎＯ，ＬｉＮｂＯ３，Ｔａ２Ｏ５，ＰＺＴ，ガラスの薄膜を付着させた構造の可変周波数変換器及びこれを用いた電子装置が、実施例の１０である。  上記の可変周波数共振器は、λ／２共振をを基準としたが、λ／２のｎ倍の共振器及び（ｎ±１／２）倍の共振器も本特許に含まれる。また、この共振器を振動子として用い、弾性体の両側にこの振動子を用いた遅延線、フィルター、可変周波数発振器、センサー、スペクトル拡散信号処理デバイスーも本特許に含まれる。
【図１】
2015228638.tif 000003
【図２】
2015228638.tif 000004
【図３】
2015228638.tif 000005
【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
2015228638.tif 000009
【図８】
2015228638.tif 000010
【図９】
2015228638.tif 000011
【図１０】
2015228638.tif 000012
【図１１】
2015228638.tif 000013
【図１２】
2015228638.tif 000014
【手続補正書】
【提出日】平成27年8月11日(2015.8.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
圧電基板上に圧電薄膜を付着させた弾性波共振器において、弾性波共振器の厚さは、λ/2又は(λ/2)×n 倍であり、その圧電基板及び圧電薄膜中を板の厚さ方向に伝搬する縦波、SH波を用いた薄膜共振器であり、圧電薄膜１-２の上下面に送受電極４とアース電極２を接続した弾性波振動子と圧電基板１-１の上下面にアース電極２と可変インピーダンスを接続した電極５からなる弾性波振動子をコリニヤに弾性的に結合した２層構造の弾性波薄膜共振器、及び圧電薄膜をインピーダンスに接続し、圧電基板を送受電極に接続した構造の共振器、及びこれらの共振器を用いた電子装置。
【請求項２】
圧電基板上に圧電基板を付着させた弾性波共振器において、弾性波共振器の厚さはλ/2又は(λ/2)×n 倍であり、圧電板中を板の厚さ方向に伝搬する縦波、SH波を用いた板波共振器であり、圧電基板１-１の上下面にアース電極２と、圧電送受信電極４を接続した弾性波振動子と圧電基板１-１の上下面にアース電極２と可変インピーダンス８を接続した電極５からなる弾性波振動子をコリニヤに弾性的に結合した、２層構造の弾性波共振器、及びこの共振器を用いた電子装置。
【請求項３】
圧電薄膜中を薄膜の厚さ方向に伝搬する縦波、SH波を用いた薄膜共振器において、薄膜共振器の厚さはλ/2又は(λ/2)×n 倍であり、基板１３の表面にギャップ１４を介して、圧電薄膜１-２の上下面にアース電極２と、圧電送受信電極４を接続した弾性波薄膜振動子と圧電薄膜１-２の上下面にアース電極２と可変インピーダンス８を接続した電極５からなる弾性波振動子をコリニヤに弾性的に結合した２層構造の弾性波薄膜共振器、及びこの共振器を用いた電子装置。
【請求項４】
圧電薄膜中を薄膜の厚さ方向に伝搬する縦波、SH波を用いた薄膜共振器において、薄膜共振器の厚さはλ/2又は(λ/2)×n 倍であり、基板１５の表面に付着した弾性波反射器表面上に送受電極に接続した圧電薄膜振動子と圧電薄膜１-２の上下面にアース電極２と可変インピーダンス８を接続した電極５からなる弾性波振動子をコリニヤに弾性的に結合した、２層構造の弾性波薄膜共振器、及びこの共振器を用いた電子装置。
【請求項５】
圧電板或いは圧電薄膜中を板の厚さ方向に伝搬するＳＨ波、縦波を用いた板波共振器或いは薄膜共振器において、板波共振器或いは薄膜共振器の厚さはλ/2又は(λ/2)×n 倍であり、圧電基板或いは圧電薄膜１の上下面にアース電極２、及び送受信電極４を接続した電極とアース電極２と可変インピーダンスを接続した電極５を配置した構造の可変周波数弾性波共振器及びこれらの共振器を用いた電子装置。
【請求項６】
圧電板或いは圧電薄膜中を板の厚さ方向に伝搬するＳＨ波、縦波を用いた傾斜型圧電基板或いは傾斜型圧電薄膜を用いた板波共振器或いは薄膜共振器において、傾斜型圧電基板或は傾斜型圧電薄膜を用いた板波共振器或は薄膜共振器の厚さは、中心ではλ/2であり、両端ではλ/2+δとλ/2―δ （δの値は、傾斜の大きさによる値）又は(λ/2+δからλ/2―δ)×n 倍であり、圧電基板或いは圧電薄膜１１の上下面にアース電極２、及び送受信電極４を接続した電極とアース電極２と可変インピーダンスを接続した電極５を配置した構造の傾斜型板波共振器或いは傾斜型薄膜共振器とこれらの共振器を用いた電子装置。
【請求項７】
圧電板或いは圧電薄膜中を板の平行方向に伝搬するラム波、ＳＨ波を用いた板波共振器或いは薄膜共振器において、基板或いは薄膜の上下面に、基本動作周波数での波長をλとして、正電極５と負電極２-１との間隔がλ/2, その電極幅がλ/4のすだれ状電極を２個コリニヤに配置し、取り出し電極２、４を入出力端子に接続し、一方の取り出し電極２，５を可変インピーダンス素子に接続した構造の弾性波共振器及び変換器とこれらの変換器を用いた電子装置。
【請求項８】
圧電板或いは圧電薄膜中を板の平行方向に伝搬するラム波、ＳＨ波を板波共振器或いは薄膜共振器において、基板或いは薄膜の上下面に、基本動作周波数での波長をλとして、正電極５と負電極２-１との間隔がλ/2, その電極幅がλ/4のすだれ状電極を取り出し電極２、４に接続したすだれ状電極とその両側に間隔がλ/2,その電極幅がλ/4のすだれ状電極２、５を可変インピーダンス素子に接続した反射器をコリニヤに配置した構造の弾性波共振器及び変換器とこれらの変換器を用いた電子装置。
【請求項９】
許請求の範囲、第1項、第2項、第3項、第４項,第５項、第６項,第７項、第８項の共振器を振動子として用い、弾性体の両側にこれらの振動子を付着させた弾性波送受デバイスおよびこのデバイスを用いた電子装置。
【請求項１０】
特許請求の範囲、第1項、第2項、第3項、第４項,第５項、第６項,第７項、第８項、第９項において、上記の電極及び金属膜としてAl,  Cu,  Mo、 Au, Ag, W, Ti、或いはこれらの合金、また上記の圧電薄膜として、ＫＮｂＯ３，ＬｉＮｂＯ３，ＬｉＴａＯ３，ＺｎＯ，ＳｉＯ２，ＡｌＮ，ＡｌＮＳｃ，Ｔａ２Ｏ５，ＰＺＴ，強誘電体薄膜、電極上に誘電体膜として、SiO2, SiO, ZnO, LiNbO３, Ta2O5, PZT, ガラスの薄膜を付着させた構造の可変周波数共振器、変換器及びこれを用いた電子装置。