(57)【要約】【課題】ＳｉＣなどのワイドバンドギャップ半導体素子を適用した樹脂封止型のパワー半導体モジュールにおいて、高い耐電圧特性と高い信頼性を有する半導体装置を提供する。【解決手段】半導体装置は、ベース板と、回路板、絶縁板及び金属板の３層構造を有し、ベース板上に固定された絶縁回路基板と、おもて面に電極を有し、裏面が回路板上に固定された半導体素子と、半導体素子の電極に一端が固定された導電性の接続部材と、絶縁板の端部、絶縁板の端部に隣接した回路板の端部、絶縁板の端部に隣接した金属板の端部、半導体素子のおもて面、及び接続部材を被覆する硬質樹脂と、硬質樹脂よりも弾性率が低く硬質樹脂を被覆する軟質樹脂とを備えた構成とする。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
主面を有するベース板と、
絶縁板、前記絶縁板の第１の主面に固定された回路板、及び、前記絶縁板の第２の主面に固定された金属板を有し、前記金属板の前記絶縁板に固定された面と反対の面が前記ベース板の主面に固定された絶縁回路基板と、
おもて面に電極を有し、裏面が前記回路板に固定された半導体素子と、
前記半導体素子の電極に一端が固定された導電性の接続部材と、
前記絶縁板の端部、前記絶縁板の端部に隣接した前記回路板の端部、前記絶縁板の端部に隣接した前記金属板の端部、前記半導体素子のおもて面、及び前記接続部材を被覆する硬質樹脂と、
前記硬質樹脂よりも弾性率が低く、前記硬質樹脂を被覆する軟質樹脂と、
を備えた半導体装置。
【請求項２】
主面に第１の開口部、前記主面との対向面に第２の開口部を有し、第１の開口部を覆うように前記ベース板が固定された枠状のケースと、
前記ケースの第２の開口部を覆うように固定された蓋を備え、
前記ベース板、前記ケース及び前記蓋により筐体が構成され、
前記筐体の内部は前記硬質樹脂及び前記軟質樹脂で封止されていることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
【請求項３】
前記ベース板の主面に底面を有する凹部が設けられ、
前記凹部の底面に前記絶縁回路基板が固定され、
前記凹部の内部が前記硬質樹脂で覆われていることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
【請求項４】
前記ベース板の主面に複数の前記凹部が設けられ、
前記複数の凹部のそれぞれに前記絶縁回路基板が固定されていることを特徴とする請求項３に記載の半導体装置。
【請求項５】
前記硬質樹脂は熱硬化性樹脂であり、前記軟質樹脂はゲル状樹脂であることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
【請求項６】
前記半導体素子は、ワイドバンドギャップ半導体素子であることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体装置に関し、特に樹脂封止型のパワー半導体モジュールに関する。
【背景技術】
【０００２】
図６は、従来のパワー半導体モジュール５００の要部断面図である。パワー半導体モジュール５００は、回路板１０３、絶縁板１０４及び金属板１０５で構成された絶縁回路基板１０２に半導体素子１０１がはんだ付けされている。さらに半導体素子１０１の表面に形成された電極と回路板１０３などの間にリードフレームなどの接続部材１０９が配置され、また外部端子１１０が回路板１０３に固定されている。上記で構成される部材は、ベース板１０６、ケース１１１及び蓋１１２で構成される筐体内に搭載される。さらに筐体内はシリコーン樹脂などの軟質樹脂１０８で充填され、構成部材を封止している。
【０００３】
パワー半導体モジュール５００は図示しない冷却フィンの上に取り付けられ、その動作時には半導体素子１０１や絶縁回路基板１０２などに高い電圧が印加されている。このため絶縁回路基板１０２の電界集中部をポリイミド樹脂やエポキシ樹脂などのコーティング膜（図示せず）で被覆することにより、電界緩和を行っている（特許文献１）。
【０００４】
図７は別の従来例であるパワー半導体モジュール６００の要部断面図である（特許文献２）。図６と異なる点としては、封止樹脂にエポキシ樹脂などの硬質樹脂１０７を用いている点である。
【０００５】
図８はさらに別の従来例であるパワー半導体モジュール７００の要部断面図である（特許文献３〜５）。これは半導体素子１０１や回路板１０３、接続部材１０９が配置された絶縁回路基板１０２の上面を弾性率の高い硬質樹脂１０７で被覆し、さらに硬質樹脂１０７や筐体内の他の箇所を軟質樹脂１０８で被覆するものである。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開平１１−２９７８６９号公報
【特許文献２】特開２０１３−１６６８４号公報
【特許文献３】特開２０００−２２３６２３号公報
【特許文献４】特開２０１０−２１９４２０号公報
【特許文献５】特開２０１３−４７６６号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
ＳｉＣなどのワイドバンドギャップ（ＷＢＧ）半導体素子は、従来のＳｉ半導体素子と比較して耐電圧が高いため、これを適用すればより高い耐電圧を有するパワー半導体モジュールが実現可能である。一方で、ＷＢＧ半導体素子を適用したパワー半導体モジュールでは、半導体素子以外の構成部材にも高い耐電圧特性が必要となる。例えばパワー半導体モジュールの定格電圧が１０ｋＶを超える場合、ＩＥＣ規格に準拠すると２０ｋＶ程度の耐破壊電圧が必要となり、また構成部材には１０ｋＶ程度の電圧での部分放電耐性も必要となる。
【０００８】
前述した従来例のパワー半導体モジュールのうち、図６で示した構成にＷＢＧ半導体素子を適用すると、構成部材である軟質樹脂１０８にも高い電圧が印加される。このような高い電圧下において軟質樹脂中に一旦放電が起こると、その放電電荷量が微小であっても放電トリーと呼ばれる樹枝状の破壊痕跡が発生する。そして放電電荷量が大きくなり、更に放電トリーが進展することで絶縁破壊を起こしてしまうという課題がある。また特許文献１に記載のように絶縁回路基板をコーティング膜で覆ったとしても、耐電圧特性を確保することは困難である。
【０００９】
一方、図７で示した硬質樹脂１０７を用いた封止では、微小放電が発生しても放電トリーの進展が抑制されるため、放電トリーに起因した絶縁破壊は発生しない。しかしながら、硬質樹脂を用いた封止の場合、樹脂自体の熱硬化時の硬化収縮や他の構成部材との線膨張係数の差異に起因する残留応力が大きい。このため、樹脂とその他の構成部材との間に界面剥離が発生し、あるいは残留応力により樹脂自体に割れが生じるなどの不具合が生じるという課題がある。
【００１０】
この課題に対しては、図８で示した構成が有効な手段となり得る。なぜなら図７の従来例よりも硬質樹脂の使用量が少なく、硬質樹脂に起因する残留応力を低減することができるからである。
【００１１】
しかしながら本発明者の鋭意研究により、図８で示した構成にＷＢＧ半導体素子を適用した場合、パワー半導体モジュールに必要な耐電圧特性が確保できないことが明らかとなった。その理由は以下の通りである。金属板１０５側の絶縁回路基板１０２の主面には、絶縁板１０４、金属板１０５の端部および軟質樹脂１０８が接し、電界が集中する三重点Ｘが存在する。前述のように軟質樹脂１０８は放電劣化が進展し易く、この放電劣化により回路板１０３側の絶縁板１０４、回路板１０３の端部および硬質樹脂１０７の三重点Ｙまでの絶縁距離が短くなる。このため封止樹脂として一部に硬質樹脂が適用されていても、耐電圧特性が低下する。
【００１２】
本発明はこのような点に鑑みてなされたものであり、ＳｉＣなどのワイドバンドギャップ半導体素子を適用したパワー半導体モジュールにおいて、高い耐電圧特性と高い信頼性を有する半導体装置を提供するものである。
【課題を解決するための手段】
【００１３】
前記の目的を達成するために、この発明の一態様では、半導体装置は、主面を有するベース板と、絶縁板、前記絶縁板の第１の主面に固定された回路板、及び、前記絶縁板の第２の主面に固定された金属板を有し、前記金属板の前記絶縁板に固定された面と反対の面が前記ベース板の主面に固定された絶縁回路基板と、おもて面に電極を有し、裏面が前記回路板に固定された半導体素子と、前記半導体素子の電極に一端が固定された導電性の接続部材と、前記絶縁板の端部、前記絶縁板の端部に隣接した前記回路板の端部、前記絶縁板の端部に隣接した前記金属板の端部、前記半導体素子のおもて面、及び前記接続部材を被覆する硬質樹脂と、前記硬質樹脂よりも弾性率が低く、前記硬質樹脂を被覆する軟質樹脂と、を備えた構成とする。
【発明の効果】
【００１４】
上記の手段によれば、ＳｉＣなどのワイドバンドギャップ半導体素子を適用したパワー半導体モジュールで、高い耐圧特性と高い信頼性を有するパワー半導体モジュールが実現可能となる。
【図面の簡単な説明】
【００１５】
【図１】この発明の実施例１に係るパワー半導体モジュールの断面図である。
【図２】この発明の実施例１に係る耐圧効果を示すグラフである。
【図３】この発明の実施例１に係るモジュール内の硬質樹脂のせん断応力を示すグラフである。
【図４】この発明の実施例２に係るパワー半導体モジュールの断面図である。
【図５】この発明の実施例２に係るパワー半導体モジュールの平面図である。
【図６】この発明の従来例に係るパワー半導体モジュールの断面図である。
【図７】この発明の別の従来例に係るパワー半導体モジュールの断面図である。
【図８】この発明のさらに別の従来例に係るパワー半導体モジュールの断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１６】
以下に、本発明の好適な実施形態（実施例）を図面に基づいて説明する。
【００１７】
実施の形態を通して共通の構成には同一の符号を付すものとし、重複する説明は省略する。
【００１８】
なおこの実施例は、説明された実施形態に限定されるものではなく、本発明の技術的思想の範囲を逸脱しない限り様々な形態に変更することができる。
[実施例１]
図１は、この発明の実施例１に係る樹脂封止型のパワー半導体モジュール５０の断面図である。
【００１９】
図示するパワー半導体モジュール５０は、半導体素子１、絶縁回路基板２、ベース板６、硬質樹脂７、軟質樹脂８、接続部材９、外部端子１０、ケース１１、蓋１２などで構成されている。
【００２０】
半導体素子１は、例えばパワーＭＯＳＦＥＴ、ＩＧＢＴ（絶縁ゲートバイポーラトランジスタ）、ＦＷＤ（還流ダイオード）等の縦型のパワー半導体素子が該当する。これらの半導体素子１はＳｉ半導体素子のみならず、ＳｉＣやＧａＮなどのＷＢＧ半導体素子も適用できる。半導体素子１はおもて面におもて面電極（例えばソース電極やゲート電極）を、裏面に裏面電極（例えばドレイン電極）を備える（いずれも図示せず）。
【００２１】
絶縁回路基板２は、回路板３、絶縁板４及び金属板５の積層構造で構成されている。回路板３は絶縁板４の第１の主面（図では上面）に固定されている。回路板３はＣｕやＡｌなどの金属で構成され、パワー半導体モジュール５０に必要な所定の回路が形成されている。また回路板３は半導体素子１の裏面電極とはんだや金属焼結材などの導電性の接合材を介して接合されており、半導体素子１の絶縁回路基板２への固定、及び裏面電極と回路板３との電気的接続が確保されている。
【００２２】
絶縁板４はＡｌ２Ｏ３やＡｌＮ、Ｓｉ３Ｎ４などのセラミックスを主材として構成されている。絶縁板４は半導体素子１や回路板３へ印加される高い電圧に対し、外部との絶縁性を確保する目的で配置される。
【００２３】
金属板５は、絶縁板４の第１の主面に対向する第２の主面（図では下面）に固定されている。金属板５はＣｕやＡｌなどの金属で構成される。
【００２４】
絶縁板４の両主面への回路板３及び金属板５の接合は、例えばＤＣＢ（Ｄｉｒｅｃｔ  Ｃｏｐｐｅｒ  Ｂｏｎｄｉｎｇ）法やＤＡＢ（Ｄｉｒｅｃｔ  Ａｌｕｍｉｎｕｍ  Ｂｏｎｄｉｎｇ）法を適用することができる。
【００２５】
絶縁回路基板２の金属板５はベース板６の主面上に、はんだや金属焼結材などの接合材を用いて接合されている。ベース板６はＣｕやＡｌ、ＡｌＳｉＣなどの熱伝導性の大きい金属で構成され、半導体素子１から発生する高熱を外部へ効率的に放出する目的で配置される。
【００２６】
接続部材９はＣｕやＡｌなどの金属で構成され、回路板３と半導体素子１のおもて面電極の間、回路板３の各回路パターン間などを電気的に接続する目的で配置される。接続部材９はボンディングワイヤやリードフレームで構成可能であるが、本実施例ではリードフレームを用いている。
【００２７】
外部端子１０は、ＣｕやＡｌなどの金属で構成され、回路板３にはんだや金属焼結材などの接合材を介して接合されている。外部端子１０は、外部電源からの電力や信号の入力、外部への電力や信号の出力などのために配置される。
【００２８】
ケース１１は第１主面及び第１主面に対向する第２主面の両主面に開口部を有する枠形状であり、第１主面側の第１の開口部（図では下面）を覆うようにベース板６が固定されている。またケース１１の第２主面側の第２の開口部（図では上面）を覆うように蓋１２が固定されている。このようにベース板６、ケース１１および蓋１２は一体となってパワー半導体モジュール５０の筐体を構成している。ケース１１及び蓋１２は、ＰＰＳ（Ｐｏｌｙ Ｐｈｅｎｙｌｅｎｅ Ｓｕｌｆｉｄｅ）樹脂などの耐熱性および耐トラッキング性が高い樹脂で構成されている。さらにケース１１の外部には、外部端子１０の間および外部端子１０とベース板６との絶縁のため、ヒダ構造を設けることもできる。
【００２９】
なお各構成部材の接合面には、必要に応じてＮｉ−Ｐ、Ａｕ、Ａｇめっきなどで構成された薄膜が形成されている。
【００３０】
パワー半導体モジュール５０の筐体内部は、硬質樹脂７及び軟質樹脂８で封止されている。硬質樹脂７は例えばエポキシ樹脂などの弾性率が１０８Ｎ／ｍ２以上の熱硬化性樹脂で構成され、高い絶縁性および耐熱性を有する。なお硬質樹脂７はエポキシ系樹脂に限定されるものではなく、絶縁性および耐熱性を有する硬質樹脂であれば良く、ポリイミド樹脂、シリコーン樹脂、フェノール樹脂、アミノ樹脂やこれらの混合樹脂を用いることもできる。
【００３１】
軟質樹脂８は例えばシリコーン樹脂などのゲル状樹脂で構成され、高い絶縁性および耐熱性を有する。さらに軟質樹脂８は弾性率が１０６Ｎ／ｍ２以下であり、硬質樹脂７よりも軟らかいため、パワー半導体モジュール筐体内の封止樹脂に起因する残留応力を小さくすることができる。なお軟質樹脂８はシリコーン系樹脂に限定されるものではなく、絶縁性および耐熱性を有するゲル状の樹脂であれば良く、ポリイミド樹脂、ポリアミド樹脂、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、アミノ樹脂やこれらの混合樹脂を用いることもできる。
【００３２】
図１で示す通り、本実施例では絶縁板４の端部、絶縁板４の端部に隣接した回路板３の端部、絶縁板４の端部に隣接した金属板５の端部、半導体素子１のおもて面及び接続部材９が硬質樹脂７で一体に被覆されている。すなわち前述の三重点Ｙ（絶縁板４、回路板３の端部および封止樹脂が接する点）のみならず、絶縁板４の端部及び前述の三重点Ｘ（絶縁板４、金属板５の端部および封止樹脂が接する点）もすべて硬質樹脂７で被覆されている。これにより、電界が集中する三重点Ｘ、Ｙのいずれでも放電トリーの進展を抑制することができる。さらに回路板３の端部から絶縁板４の端部を通じて金属板５の端部に繋がる沿面破壊を防止することができる。
【００３３】
また硬質樹脂７により、高電圧が印加される半導体素子１および接続部材９も一体に被覆されている。このように樹脂による封止工程を別途設けることなく、高電圧が印加される筐体内の部材を硬質樹脂７で一体に被覆することができることから、コストアップすること無くさらなる高耐電圧化が可能となる。このように、本実施例では図６や図８に記載の従来例よりも高い耐電圧特性を実現することができる。
【００３４】
さらに図７で示す従来例と異なり、硬質樹脂７を被覆する軟質樹脂８を同時に用いている。このように筐体内の封止樹脂における硬質樹脂７の使用量を低減させているため、パワー半導体モジュール筐体内の封止樹脂に起因する残留応力を低減させることができる。このため封止樹脂とその他の構成部材との間の界面剥離や、封止樹脂自体の割れの発生を防止することができる。
【００３５】
このように高い耐電圧特性と低い残留応力を両立させることができることから、高い信頼性を有するパワー半導体モジュール実現することができる。
【００３６】
次に実施例１に係るパワー半導体モジュールの製造工程について述べる。
【００３７】
ベース板６上に絶縁回路基板２を、絶縁回路基板２上に半導体素子１を接合材で接合した後、接続部材９と外部端子１０を半導体素子１や回路板３にはんだや超音波などで接合する。接続部材９と外部端子１０をはんだで接合する場合、半導体素子１と絶縁回路基板２の接合時に同時に接合することも可能である。
【００３８】
次にベース板６の主面の外縁部に、枠状のケース１１を接着材で接着する。
【００３９】
ケース１１を接着した後、硬質樹脂７として例えばエポキシ系の熱硬化性樹脂を筐体内の接続部材９が覆われる高さまで注入し、熱処理により硬化させる。この際、絶縁回路基板２はベース板６、半導体素子１、接続部材９および外部端子１０が接合された部位以外、全て硬質樹脂７で被覆されている。硬質樹脂７は金属板５とケース１１の間を満たし、ケース１１の内壁に接するように筐体内を封止している。
【００４０】
硬質樹脂７を硬化させた後、蓋１２をケース１１の上部に接着剤で接着する。なお蓋１２には外部端子１０の取出し孔およびゲル状の軟質樹脂８を注入するための孔が具備されており、場合によっては熱膨張した軟質樹脂８を逃がす孔も形成されている。
【００４１】
蓋１２を接着した後、軟質樹脂８として例えばシリコーン系のゲル状樹脂を、筐体内の硬質樹脂７の表面から蓋１２に形成されている孔の高さまで、筐体内部がすべて硬質樹脂７及び軟質樹脂８で満たされるように注入して、筐体内部を封止する。この際、特に筐体内部の各外部端子１０の間を確実に封止するようにする。このようにパワー半導体モジュール５０の筐体内部を硬質樹脂７及び軟質樹脂８で封止することにより、高い絶縁性を確保することができる。
【００４２】
本実施例のパワー半導体モジュールを用いて、絶縁試験を行った結果を図２に示す。
【００４３】
絶縁試験の方法は、ベース板６を接地電位とし、外部端子１０の間を短絡して外部端子１０側に周波数６０Ｈｚの交流電圧を印加して実施した。そして印加する交流電圧を０Ｖから徐々に上昇させ、部分放電の発生が開始する電圧、部分放電の放電電荷量が１０ｐＣを超える電圧、絶縁破壊を起こす電圧のそれぞれを測定した。また比較例として、図６に示す構成で封止樹脂を全て軟質樹脂であるシリコーン系樹脂としたパワー半導体モジュールにおいても同じ試験を行った。
【００４４】
図２に示す結果から、部分放電が発生する電圧は実施例と比較例で大きな差はないことがわかる。しかしながら比較例は直ぐに放電電荷量が上昇して１０ｐＣを超えたのに対し、実施例で放電電荷量が１０ｐＣを超えたのは、部分放電発生電圧からおよそ２倍の電圧を印加した時点であった。更に印加電圧を上昇させ、絶縁破壊電圧を測定すると、比較例では１４．７ｋＶであったが実施例では２７．１ｋＶとなり、絶縁破壊電圧は２倍近い値に改善した。
【００４５】
またそれぞれの絶縁破壊の原因を調べた結果、実施例では絶縁板４のセラミック貫通破壊であったのに対し、比較例では回路板３の端部から金属板５の端部に繋がる沿面破壊であることが分かった。このことから比較例の場合、前述のように放電が発生すると樹脂劣化が急速に進展し、放電トリーが成長することで絶縁破壊に至ると考えられる。一方で本実施例では、比較例のように放電電荷量が直ぐに大きくなることは無く、印加電圧の上昇に応じて放電電荷量が上昇している。このことから部分放電による樹脂劣化が抑制された結果、先に絶縁板４の耐電圧限界に達したためセラミックの貫通破壊が発生したと考えられる。この結果から、本実施例の耐電圧特性の改善が確認できた。
【００４６】
パワー半導体モジュールの筐体内部を硬質樹脂で封止した場合の、ベース板と樹脂との界面にかかる最大せん断応力を、解析により求めた結果を図３に示す。なおこの解析における樹脂封止面積は１３０ｍｍ２である。
【００４７】
この結果から、封止する硬質樹脂の厚みを減らすことにより、内部応力が大きく低減できることがわかる。また前述のとおり本実施例により、どのような筐体内部の高さであっても、硬質樹脂７の厚みを絶縁性能が確保できる範囲で薄くすることができる。このため信頼性の高いパワー半導体モジュールが可能となる。
［実施例２］
図４に本発明の実施例２に係る樹脂封止型のパワー半導体モジュール６０の断面図を、図５に軟質樹脂８および蓋１２を除いた状態での平面図を示す。
【００４８】
実施例２の構成は、ベース板６の形状および外部端子１０の形状を除き実施例1と同構成であることから、実施例1と異なる点を説明する。
【００４９】
ベース板６には、あらかじめ底面が絶縁回路基板２より大きい寸法の凹部１３を設けておく。凹部１３の底面に絶縁回路基板２が固定されている。凹部１３の内側は硬質樹脂７で覆われている。凹部１３の寸法は回路板３の端部から凹部１３の角部までが、硬質樹脂７で封止された際に十分絶縁を確保できる距離となるよう適宜最適な寸法とする。また、凹部１３の深さは、絶縁回路基板２上に接合した半導体素子１、および接続部材９が完全に埋没する寸法が望ましい。すなわち、接続部材９は硬質樹脂７の表面より低く、また凸部表面は硬質樹脂７の表面と高さが等しいか、もしくは高く配置している。しかしながら凹部１３によりベース板６の厚さが薄くなり過ぎると、ベース板６と絶縁回路基板２との線膨張係数差で接合部に変形が起こる場合がある。このように接合部に大きな応力が加わるような場合は、ベース板６の厚さを確保するため、凹部１３の深さを浅くして接続部材９の一部を露出させても良い。
【００５０】
絶縁回路基板２の間を電気的に接続するブリッジ形状の外部端子１０は、ベース板６に設けた凹部１３の間にある凸部表面より、軟質樹脂８で封止した際に十分絶縁が取れる距離を確保した寸法とする。図４では便宜上、各外部端子１０のブリッジ高さを変えているが、図５に記載のように平面方向に絶縁距離が取れる場合、各外部端子１０のブリッジ高さを変える必要はない。
硬質樹脂７による封止を凹部１３の内部のみとすることで、硬質樹脂７による封止面積および厚みを小さくすることができる。このため硬質樹脂７とベース板６の剥離や硬質樹脂７自体の割れを抑制できる。但し凹部１３の間の凸部表面に薄い硬質樹脂層が形成されていても、その厚みが十分薄い場合は残留応力の原因とはならず、同等の信頼性を確保することができる。
【００５１】
なお本発明に係る各実施例では、絶縁回路基板２一枚当たりの半導体素子１の搭載数を一個としたが、実際のモジュールでは半導体素子１が複数個での構成の場合もある。また実施例２においてはベース板６に対して絶縁回路基板２を２枚としたが、絶縁回路基板２が更に多い場合もある。
例えば、いわゆる６ｉｎ１モジュールにおいて絶縁回路基板を各アーム毎に設けると、絶縁回路基板は計６枚必要になる。その場合には、凹部は６個形成して各絶縁回路基板をそれぞれの凹部に搭載してもよい。また凹部を３個形成して、上下アームを形成する２枚の絶縁回路基板を一つの凹部にまとめて搭載してもよい。
【符号の説明】
【００５２】
１    半導体素子
２    絶縁回路基板
３    回路板
４    絶縁板
５    金属板
６    ベース板
７    硬質樹脂
８    軟質樹脂
９    接続部材
１０    外部端子
１１    ケース
１２    蓋
１３    凹部
５０、６０    パワー半導体モジュール
【図１】
2015198227.tif 000003
【図２】
2015198227.tif 000004
【図３】
2015198227.tif 000005
【図４】
2015198227.tif 000006
【図５】
2015198227.tif 000007
【図６】
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【図７】
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【図８】
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