(57)【要約】【課題】低温焼結でも高い導電性を示し、かつ線幅均一性に優れた導電膜を形成することができる、連続吐出安定性に優れるインクジェット用導電インク組成物を提供する。【解決手段】平均１次粒子径１００ｎｍ以下の酸化銅粒子（Ａ）と、周期律表の第８〜１１族元素からなる群から選択される少なくとも１種の金属元素を含む金属粒子または塩（Ｂ）と、沸点２５０℃以上のアルコール化合物（Ｃ）と、水溶性有機溶媒（Ｄ）（ただし、アルコール化合物（Ｃ）を除く）と、水（Ｅ）とを含有し、水溶性有機溶媒（Ｄ）は、沸点１００℃以上２５０℃未満の水溶性有機溶媒（Ｄ２）を含有し、水溶性有機溶媒（Ｄ２）および水（Ｅ）の合計質量が、水溶性有機溶媒（Ｄ）および水（Ｅ）の合計質量の８０質量％以上である、インクジェット用導電インク組成物。【選択図】なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
平均１次粒子径１００ｎｍ以下の酸化銅粒子（Ａ）と、周期律表の第８〜１１族元素からなる群から選択される少なくとも１種の金属元素を含む金属粒子または塩（Ｂ）と、沸点２５０℃以上のアルコール化合物（Ｃ）と、水溶性有機溶媒（Ｄ）（ただし、前記アルコール化合物（Ｃ）を除く）と、水（Ｅ）とを含有し、
前記水溶性有機溶媒（Ｄ）は、沸点１００℃以上２５０℃未満の水溶性有機溶媒（Ｄ２）を含有し、
前記水溶性有機溶媒（Ｄ２）および前記水（Ｅ）の合計質量が、前記水溶性有機溶媒（Ｄ）および前記水（Ｅ）の合計質量の８０質量％以上である、インクジェット用導電インク組成物。
【請求項２】
前記水溶性有機溶媒（Ｄ２）が、分子内にエーテル構造、ケトン構造およびヘテロ環構造からなる群から選択される少なくとも１つの構造を有する、請求項１に記載のインクジェット用導電インク組成物。
【請求項３】
前記アルコール化合物（Ｃ）が３価以上のアルキルアルコールを含有する、請求項１または２に記載のインクジェット用導電インク組成物。
【請求項４】
前記アルコール化合物（Ｃ）の全質量の、前記水溶性有機溶媒（Ｄ）および前記水（Ｅ）の合計質量に対する比（アルコール化合物（Ｃ）の全質量／（水溶性有機溶媒（Ｄ）の全質量＋水（Ｅ）の全質量））が、０．２〜３．０である、請求項１〜３のいずれか１項に記載のインクジェット用導電インク組成物。
【請求項５】
前記酸化銅粒子（Ａ）の全質量が前記インクジェット用導電インク組成物の総質量の２０質量％以下である、請求項１〜４のいずれか１項に記載のインクジェット用導電インク組成物。
【請求項６】
前記アルコール化合物（Ｃ）の全質量の、前記酸化銅粒子（Ａ）の全質量に対する比（アルコール化合物（Ｃ）の全質量／酸化銅粒子（Ａ）の全質量）が、３．０〜１０．０である、請求項１〜６のいずれか１項に記載のインクジェット用導電インク組成物。
【請求項７】
前記金属粒子または塩（Ｂ）が、周期律表の第１０族元素からなる群から選択される少なくとも１種の金属元素を含む金属粒子または塩を含む、請求項１〜６のいずれか１項に記載のインクジェット用導電インク組成物。
【請求項８】
ＴＦＴ電極の形成に用いられる、請求項１〜７のいずれか１項に記載のインクジェット用導電インク組成物。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、インクジェット用導電インク組成物に関する。
【背景技術】
【０００２】
基材上に金属膜を形成する方法として、金属酸化物粒子の分散体を印刷法、殊にインクジェット印刷法により基材に塗布し、加熱処理して焼結させることによって金属膜や回路基板における配線、電極等の電気的導通部位を形成する技術が知られている。
上記方法は、従来の高熱・真空プロセス（スパッタ）やめっき処理、リソグラフィーによる配線・電極作製法に比べて、簡便・省エネルギー・省資源であることから、電子機器分野、電子デバイス分野において大きな期待を集めている。
【０００３】
一方、電子機器や電子デバイスの小型化、高機能化の要求に対応するため、配線や電極のより一層の微細化および高集積化が進んでいる。それに伴い、低温焼結でも高い導電性を示し、かつ、基材の上に線幅の均一性の高い導電膜（配線パターン）を形成することができる、連続吐出安定性に優れたインクジェット用導電インク組成物が求められている。
【０００４】
例えば、特許文献１には、銅、銀またはインジウムの高原子価化合物、直鎖、分岐または環状の炭素数１から１８のアルコール類およびＶＩＩＩ族の金属触媒から成ることを特徴とする、銅、銀またはインジウムの金属膜製造用組成物が開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２０１０−１２１２０６号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
本発明者らが特許文献１に記載された金属膜製造用組成物を用いて、インクジェット用導電インク組成物としての適性を検討したところ、連続吐出安定性、導電性および線幅均一性の少なくとも１つに関して、更なる改良の余地が残されていることを知見した。
【０００７】
そこで、本発明は、低温焼結でも高い導電性を示し、かつ、線幅均一性に優れた導電膜を形成することができる、連続吐出安定性に優れるインクジェット用導電インク組成物を提供することを課題とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明者は、上記課題を解決すべく鋭意検討を重ねた結果、所定の各種溶媒を使用することにより、所望の効果が得られることを知得し、本発明を完成させるに至った。
すなわち、以下の構成により、上記課題を解決できることを見出した。
【０００９】
（１）平均１次粒子径１００ｎｍ以下の酸化銅粒子（Ａ）と、周期律表の第８〜１１族元素からなる群から選択される少なくとも１種の金属元素を含む金属粒子または塩（Ｂ）と、沸点２５０℃以上のアルコール化合物（Ｃ）と、水溶性有機溶媒（Ｄ）（ただし、前記アルコール化合物（Ｃ）を除く）と、水（Ｅ）とを含有し、
水溶性有機溶媒（Ｄ）は、沸点１００℃以上２５０℃未満の水溶性有機溶媒（Ｄ２）を含有し、
沸点１００℃以上２５０℃未満の水溶性有機溶媒（Ｄ２）および水（Ｅ）の合計質量が、水溶性有機溶媒（Ｄ）および水（Ｅ）の合計質量の８０質量％以上である、インクジェット用導電インク組成物。
（２）沸点１００℃以上２５０℃未満の水溶性有機溶媒（Ｄ２）が、分子内にエーテル構造、ケトン構造およびヘテロ環構造からなる群から選択される少なくとも１つの構造を有する、（１）に記載のインクジェット用導電インク組成物。
（３）アルコール化合物（Ｃ）が３価以上のアルキルアルコールを含有する、（１）または（２）に記載のインクジェット用導電インク組成物。
（４）アルコール化合物（Ｃ）の全質量の、水溶性有機溶媒（Ｄ）および水（Ｅ）の合計質量に対する比（アルコール化合物（Ｃ）の全質量／（水溶性有機溶媒（Ｄ）の全質量＋水（Ｅ）の全質量））が、０．２〜３．０である、（１）〜（３）のいずれか１項に記載のインクジェット用導電インク組成物。
（５）酸化銅粒子（Ａ）の全質量がインクジェット用導電インク組成物の総質量の２０質量％以下である、（１）〜（４）のいずれか１項に記載のインクジェット用導電インク組成物。
（６）アルコール化合物（Ｃ）の全質量の、酸化銅粒子（Ａ）の全質量に対する比（アルコール化合物（Ｃ）の全質量／酸化銅粒子（Ａ）の全質量）が、３．０〜１０．０である、（１）〜（６）のいずれか１項に記載のインクジェット用導電インク組成物。
（７）金属粒子または塩（Ｂ）が、周期律表の第１０族元素からなる群から選択される少なくとも１種の金属元素を含む金属粒子または塩を含む、（１）〜（６）のいずれか１項に記載のインクジェット用導電インク組成物。
（８）ＴＦＴ電極の形成に用いられる、（１）〜（７）のいずれか１項に記載のインクジェット用導電インク組成物。
【発明の効果】
【００１０】
本発明によれば、低温焼結でも高い導電性を示し、かつ、線幅均一性に優れた導電膜を形成することができる、連続吐出安定性に優れるインクジェット用導電インク組成物を提供することができる。
【発明を実施するための形態】
【００１１】
以下に、本発明のインクジェット用導電インク組成物の好適態様について詳細に説明する。
なお、本明細書において、「〜」で記載される数値範囲は上限値および下限値を含むものとする。例えば、「１０〜２０」という数値範囲は「１０」および「２０」を含む。
また、沸点は常圧（１００ｋＰａ）下での沸点である。
【００１２】
本発明の特徴は、インクジェット用導電インク組成物中に、平均１次粒子径１００ｎｍ以下の酸化銅粒子（Ａ）と、周期律表の第８〜１１族元素からなる群から選択される少なくとも１種の金属元素を含む金属粒子または塩（Ｂ）と、沸点２５０℃以上のアルコール化合物（Ｃ）と、水溶性有機溶媒（Ｄ）（ただし、アルコール化合物（Ｃ）は除く）と、水（Ｅ）とを含有し、水溶性有機溶媒（Ｄ）は、沸点１００℃以上２５０℃未満の水溶性有機溶媒（Ｄ２）を含有し、水溶性有機溶媒（Ｄ２）および水（Ｅ）の合計質量が水溶性有機溶媒（Ｄ）および水（Ｅ）の合計質量の８０質量％以上である点にある。
【００１３】
驚くべきことに、本発明のインクジェット用導電インク組成物は、水溶性有機溶媒（Ｄ２）および水（Ｅ）の合計質量を、水溶性有機溶媒（Ｄ）および水（Ｅ）の合計質量の８０質量％以上とすることにより、優れた連続吐出安定性、導電膜の高い導電性および良好な線幅均一性を獲得することができた。
【００１４】
［インクジェット用導電インク組成物］
以下ではまず、本発明のインクジェット用導電インク組成物の各種成分について説明し、その後、導電膜の製造方法について詳述する。
【００１５】
〈平均１次粒子径１００ｎｍ以下の酸化銅粒子（Ａ）〉
本発明のインクジェット用導電インク組成物は、平均１次粒子径１００ｎｍ以下の酸化銅粒子（Ａ）（以下、単に「酸化銅粒子（Ａ）」という場合がある。）を含む。酸化銅粒子（Ａ）は、後述する焼結処理によって酸化銅が金属銅に還元され、導電膜中の金属導体を構成する。
【００１６】
酸化銅は、酸化銅（Ｉ）、酸化銅（ＩＩ）またはこれらの混合物が好ましく、安価に入手可能であること、空気中でより安定であることから酸化銅（ＩＩ）がより好ましい。
【００１７】
本発明における「酸化銅」とは、酸化されていない銅を実質的に含まない化合物であり、具体的には、Ｘ線回折による結晶解析において、酸化銅由来のピークが検出され、かつ金属銅由来のピークが検出されない化合物のことを指す。銅を実質的に含まないとは、銅の含有量が酸化銅粒子に対して１質量％以下であることをいう。
【００１８】
酸化銅粒子（Ａ）の平均１次粒子径は、１００ｎｍ以下であれば特に限定されないが、１〜８０ｎｍが好ましく、１０〜５０ｎｍがより好ましい。平均１次粒子径が小さいほど酸化銅の還元がされやすく、より低い焼結温度で焼結した場合でも、高い導電性を有する導電膜を作製することができる。平均１次粒子径が１０ｎｍ以上では、より良好な分散安定性が得られる。
なお、酸化銅粒子（Ａ）の平均１次粒子径は、走査型電子顕微鏡（以下「ＳＥＭ」という場合がある。）像の中から無作為に選んだ１００個の粒子の水平フェレ径および垂直フェレ径を測定し、それらのうちの大きい方の測定値をその粒子の１次粒子径として、算術平均して算出したものである。なお、水平フェレ径と垂直フェレ径の大きさが同じの場合は、いずれの値を使用してもよい。
【００１９】
〈周期律表の第８〜１１族元素からなる群から選択される少なくとも１種の金属元素を含む金属粒子または塩（Ｂ）〉
本発明のインクジェット用導電インク組成物は、周期律表の第８〜１１族元素からなる群から選択される少なくとも１種の金属元素を含む金属粒子または塩（Ｂ）（以下、単に「第８〜１１族元素の金属粒子または塩（Ｂ）」という場合がある。）を含む。
【００２０】
本発明において、第８〜１１族元素とは、ＩＵＰＡＣ周期表の第８〜１１族のうち、安定同位体が存在する、鉄（Ｆｅ）、ルテニウム（Ｒｕ）、オスミウム（Ｏｓ）、コバルト（Ｃｏ）、ロジウム（Ｒｈ）、イリジウム（Ｉｒ）、ニッケル（Ｎｉ）、パラジウム（Ｐｄ）、白金（Ｐｔ）、銅（Ｃｕ）、銀（Ａｇ）、および金（Ａｕ）をいう。第８〜１１族元素のうちでは、第９族元素および／または第１０族元素が好ましく、第１０族元素がより好ましい。第８〜１１族元素としては、ロジウム、白金、パラジウムまたはこれらのうち２以上の元素の組合せが好ましく、パラジウム、ロジウム、白金またはこれらのうち２以上の元素の組合せが好ましく、パラジウム、白金またはこれらの組合せがより好ましく、パラジウムがさらに好ましい。
【００２１】
本発明のインクジェット用導電インク組成物を用いて導電膜を作製する際の焼結処理において、上記金属元素を含む金属粒子、または上記金属元素の塩に含まれる金属イオンが還元されて生成する元素の単体は、酸化銅粒子（Ａ）の還元を促進するとともに、酸化銅粒子（Ａ）の酸化銅が還元されて生成した銅粒子同士の焼結を促進し、より低い焼結温度で、高い導電性を有する導電膜を作製することを可能とする。
【００２２】
（金属粒子）
周期律表の第８〜１１族元素からなる群から選択される少なくとも１種の金属元素を含む金属粒子（以下、単に「第８〜１１族金属粒子（Ｂ１）」という場合がある。）は、鉄、ルテニウム、オスミウム、コバルト、ロジウム、イリジウム、ニッケル、パラジウム、白金、銅、銀および金から選ばれる１または２種類以上の元素を含む金属粒子である。
第８〜１１族金属粒子（Ｂ１）は第８〜１１族元素を、好ましくは８５質量％以上、より好ましくは９０質量％以上、さらに好ましくは９５質量％以上含む金属粒子である。
第８〜１１族金属粒子（Ｂ１）は、酸化、凝集等を防止するため、その表面がポリアクリル酸ナトリウム等のコーティング剤や保護コロイドなどで被覆されていてもよい。
第８〜１１族金属粒子（Ｂ１）の平均１次粒子径は、特に限定されないが、１〜５０ｎｍが好ましく、１〜１０ｎｍがより好ましく、１〜５ｎｍがさらに好ましい。
【００２３】
なお、第８〜１１族金属粒子（Ｂ１）の平均１次粒子径は、ＳＥＭ像の中から無作為に選んだ１００個の粒子の水平フェレ径および垂直フェレ径を測定し、それらのうちの大きい方の測定値をその粒子の１次粒子径として、算術平均して算出したものである。なお、水平フェレ径と垂直フェレ径の大きさが同じの場合は、いずれの値を使用してもよい。
【００２４】
（塩）
周期律表の第８〜１１族元素からなる群から選択される少なくとも１種の金属元素の塩（以下「第８〜１１族金属塩（Ｂ２）」という場合がある。）は、鉄、ルテニウム、オスミウム、コバルト、ロジウム、イリジウム、ニッケル、パラジウム、白金、銅、銀および金から選ばれる１または２種類以上の元素を含む塩（錯体を含む。）である。第８〜１１族金属塩（Ｂ２）としては、塩化パラジウム（II）、カリウムテトラクロロパラデートのような塩化物等のハロゲン化物塩；硝酸パラジウム等の硝酸塩；硫酸塩；炭酸塩；酢酸パラジウム（II）のような酢酸塩等のカルボン酸塩；アンミン錯体；硝酸テトラアンミンパラジウム（II）、硝酸テトラアンミン白金（II）のような硝酸テトラアンミン錯体；トリルテニウムドデカカルボニル（ドデカカルボニル三ルテニウム）等の金属カルボニル錯体；ジ（アセチルアセトナト）パラジウム等のアセチルアセトナト塩；テトラキス（トリフェニルホスフィン）パラジウム、テトラキス（トリフェニルホスフィン）白金、ジクロロ［ビス（１，２−ジフェニルホスフィノ）エタン］ニッケル等のホスフィン錯体；ビス（１，５−シクロオクタジエン）白金、ビス（１，５−シクロオクタジエン）ニッケル等のジエン錯体；クロロ（π−アリル）パラジウム  ダイマー等のπ−アリル錯体；ペンタキス（トリクロロスタナト）パラデート、ペンタキス（トリクロロスタナト）プラチネート等のトリクロロスタナト錯体；ジエチル（２，２’−ビピリジル）パラジウム等のビピリジル錯体；ジ（ベンザルアセトン）パラジウム、トリ（ベンザルアセトン）ジパラジウム等のベンザルアセトン錯体などが挙げられる。
なかでも、形成される導電膜の導電性がより優れる点で、周期律表の第１０族元素からなる群から選択される少なくとも１種の金属元素を含む金属粒子または塩が好ましく、パラジウムを含む塩（パラジウム塩）がより好ましい。
【００２５】
〈沸点２５０℃以上のアルコール化合物（Ｃ）〉
沸点２５０℃以上のアルコール化合物（Ｃ）（以下、単に「アルコール化合物（Ｃ）」という場合がある。）は、焼結処理の際に酸化銅粒子（Ａ）の酸化銅を還元するための還元剤として作用する。
【００２６】
アルコール化合物（Ｃ）は、常圧（１００ｋＰａ）下の沸点が２５０℃以上で、１分子中にアルコール性ヒドロキシ基を１個以上有する化合物であれば特に限定されない。また、アルコール化合物（Ｃ）は、１種類を単独で、または２種類以上を組み合わせて使用することができる。
【００２７】
アルコール化合物（Ｃ）としては、例えば、１−イコサノール（沸点３７２℃）、１−テトラコサノール（沸点３９５℃）等の１価のアルキルアルコール；１，６−ヘキサンジオール（沸点２５０℃）、１，７−ヘプタンジオール（沸点２５９℃）等の２価のアルキルアルコール；トリエチレングリコール（沸点２８７℃）、トリプロピレングリコール（沸点２７３℃）等のトリアルキレングリコール；グリセリン（プロパン−１，２，３−トリオール）（沸点２９０℃）、トリメチロールプロパン（沸点２５０℃以上）、トリメチロールエタン（沸点２５０℃以上）等の３価のアルキルアルコール；エリトリトール（沸点３２９℃）等の４価のアルキルアルコール；ペンタエリトリトール（沸点２５０℃以上）等の５価アルコール；マンニトール（沸点２９０℃）等の６価のアルキルアルコールなどが挙げられる。
【００２８】
アルコール化合物（Ｃ）は、２価以上のアルキルアルコールを含むことが好ましく、３価以上のアルキルアルコールを含むことがより好ましく、トリメチロールプロパンまたはトリメチロールエタンを含むことがさらに好ましく、トリメチロールプロパンを含むことが特に好ましい。３価以上のアルキルアルコールは、ＣｕＯを還元し、生成した酸化分解物の沸点が２価以下のアルキルアルコールより高く、膜中に残存することで、更なる還元反応を生じ、還元力の高い還元剤として機能し、導電性の高い導電膜が形成できると推定される。
【００２９】
〈水溶性有機溶媒（Ｄ）、水（Ｅ）〉
水溶性有機溶媒（Ｄ）および水（Ｅ）は、酸化銅粒子（Ａ）、第８〜１１族元素の金属粒子または塩（Ｂ）およびアルコール化合物（Ｃ）の溶媒または分散媒として用いられる。なお、水溶性有機溶媒（Ｄ）には、上述した沸点２５０℃以上のアルコール化合物（Ｃ）は含まれない。
【００３０】
《水溶性有機溶媒（Ｄ）》
水溶性有機溶媒（Ｄ）は、沸点１００℃以上２５０℃未満の水溶性有機溶媒（Ｄ２）を含有する。水溶性有機溶媒（Ｄ）は１種類を単独で、または２種類以上を組み合わせて用いることができる。なお、水溶性有機溶媒（Ｄ）は、常温常圧下で液体であることが好ましい。
なお、水溶性有機溶媒（Ｄ）とは、水と相溶性を示す有機溶媒であり、より具体的には、水と任意の割合で混合して、均一の系を形成する溶媒である。
【００３１】
沸点１００℃以上２５０℃未満の水溶性有機溶媒（Ｄ２）（以下、単に「水溶性有機溶媒（Ｄ２）」という場合がある。）は、特に限定されるものではないが、分子内にエーテル構造、ケトン構造およびヘテロ環構造からなる群から選択される少なくとも１つの構造を有することが好ましい。このような水溶性有機溶媒を含有することにより、連続吐出安定性および線幅均一性がより優れたものとなる。
【００３２】
水溶性有機溶媒（Ｄ２）のうち、分子内にエーテル構造を有する有機溶媒としては、ジエチレングリコール（融点−１０℃、沸点２４４℃）、ジプロピレングリコール（融点−４０℃、沸点２３２℃）、２−メトキシエタノール（融点−８５℃、沸点１２４℃）、３−メトキシブタノール（融点−８５℃、沸点１６１℃）、エチレングリコールモノメチルエーテル（融点−８５℃、沸点１２４℃）、エチレングリコールモノエチルエーテル（融点−７０℃、沸点１３５℃）、エチレングリコールモノブチルエーテル(融点−７５℃、沸点１７１℃)、ジエチレングリコールモノメチルエーテル（融点−７０℃、沸点１９４℃）、ジエチレングリコールモノエチルエーテル（融点−８０℃、沸点２０２℃）、ジエチレングリコールモノブチルエーテル(融点−６８℃、沸点２３０℃)、１，４−ジオキサン（融点１１．８℃、沸点１０１℃）、フルフリルアルコール（融点−２９℃、沸点１７０℃）、テトラヒドロフルフリルアルコール（融点−８０℃、沸点１７８℃）等が挙げられる。
【００３３】
水溶性有機溶媒（Ｄ２）のうち、分子内にケトン構造を有する有機溶媒としては、ジエチルケトン（融点−４２℃、沸点１０１℃）、メチルイソブチルケトン（融点−８４℃、沸点１１６℃）、アセトフェノン（融点２０．５℃、沸点２０２℃）、イソホロン（融点−８℃、沸点２１５℃）、シクロヘキサノン（融点−１６℃、沸点１５５℃）等が挙げられる。
【００３４】
水溶性有機溶媒（Ｄ２）のうち、分子内にヘテロ環構造を有する有機溶媒としては、Ｎ−メチルピロリドン（融点−２４℃、沸点２０２℃）、１，４−ジオキサン（融点１１．８℃、沸点１０１℃）、フルフリルアルコール（融点−２９℃、沸点１７０℃）、テトラヒドロフルフリルアルコール（融点−８０℃、沸点１７８℃）等が挙げられる。
【００３５】
また、水溶性有機溶媒（Ｄ２）として、沸点１００℃以上２５０℃未満の水溶性アルコール化合物を含有してもよく、例えば、ブタノール（沸点１１７℃）、２−ブタノール（沸点１００℃）、ペンタノール（沸点１３８℃）、２−ペンタノール（沸点１１８℃）、３−ペンタノール（沸点１１４℃）、シクロペンタノール（沸点１４０．９℃）、１−ヘキサノール（沸点１５７℃）、２−ヘキサノール（沸点１３９℃）、３−ヘキサノール（沸点１３４．４℃）、シクロヘキサノール（沸点１６１℃）、２−フェネチルアルコール（沸点２１９℃）、エチレングリコールモノメチルエーテル（融点−８５℃、沸点１２４℃）、エチレングリコールモノエチルエーテル（融点−７０℃、沸点１３５℃）、エチレングリコールモノブチルエーテル(融点−７５℃、沸点１７１℃)、ジエチレングリコールモノメチルエーテル（融点−７０℃、沸点１９４℃）、ジエチレングリコールモノエチルエーテル（融点−８０℃、沸点２０２℃）、ジエチレングリコールモノブチルエーテル(融点−６８℃、沸点２３０℃)、１，４−ジオキサン（融点１１．８℃、沸点１０１℃）、フルフリルアルコール（融点−２９℃、沸点１７０℃）、テトラヒドロフルフリルアルコール（融点−８０℃、沸点１７８℃）等の１価のアルコール；エチレングリコール（沸点１９８℃）、プロピレングリコール（１，２−プロパンジオール）（沸点１８６℃）、１，３−プロパンジオール（沸点１８８．２℃）、１，２−ブタンジオール（沸点１９３℃）、１，３−ブタンジオール(沸点２０３℃)、１，４−ブタンジオール（沸点２２８℃）、２，３−ブタンジオール（沸点１８３℃）、１，５−ペンタンジオール（沸点２４２℃）等の２価のアルコールなどが挙げられる。
【００３６】
水溶性有機溶媒（Ｄ）は、沸点１００℃以上２５０℃未満の水溶性有機溶媒（Ｄ２）に該当しない水溶性有機溶媒（以下、単に「水溶性有機溶媒（Ｄ３）」という場合がある。）を含有してもよい。
水溶性有機溶媒（Ｄ３）としては、例えば、沸点１００℃未満の水溶性アルコール類、沸点１００℃未満の水溶性エーテル類、沸点１００℃未満の水溶性エステル類、沸点１００℃未満の水溶性ケトン類などが挙げられる。
【００３７】
沸点１００℃未満の水溶性アルコール類としては、例えば、メタノール（沸点６４．７℃）、エタノール（沸点７８．４℃）、プロパノール（沸点９７℃）、２−プロパノール(沸点８２．４℃)、アリルアルコール（沸点９７℃）等が挙げられる。
沸点１００℃未満の水溶性エーテル類としては、例えば、エチルエーテル（沸点３４．６℃）、イソプロピルエーテル（沸点６８．４℃）、テトラヒドロフラン（融点−１０８℃、沸点６５．４℃）、１，３−ジオキソラン（沸点７５℃）、メチルｔｅｒｔ−ブチルエーテル（沸点５５．３℃）等が挙げられる。
沸点１００℃未満の水溶性エステル類としては、例えば、酢酸メチル（沸点５６．９℃）、酢酸エチル（沸点７７℃）、酢酸イソプロピル（沸点８９℃）等が挙げられる。
沸点１００℃未満の水溶性ケトン類としては、アセトン（沸点５６．１℃）、メチルエチルケトン（沸点８０℃）等が挙げられる。
【００３８】
《水（Ｅ）》
水（Ｅ）は、イオン交換水以上のレベルの純度を有するもの、例えば、逆浸透ろ過水（ＲＯ水）、ミリＱ水、蒸留水等が好ましい。
【００３９】
〈その他成分〉
インクジェット用導電インク組成物には、酸化銅粒子（Ａ）、第８〜１１族元素の金属粒子または塩（Ｂ）、アルコール化合物（Ｃ）、水溶性有機溶媒（Ｄ）、および水（Ｅ）以外にも他の成分が含まれていてもよい。
【００４０】
例えば、インクジェット用導電インク組成物には、界面活性剤が含まれていてもよい。界面活性剤は、酸化銅粒子の分散性を向上させる役割を果たす。界面活性剤の種類は特に制限されず、アニオン系界面活性剤、カチオン系界面活性剤、ノニオン系界面活性剤、フッ素系界面活性剤、両性界面活性剤などが挙げられる。これら界面活性剤は、１種類を単独で、または２種類以上を混合して用いることができる。
【００４１】
本発明のインクジェット用導電インク組成物中の酸化銅粒子（Ａ）の含有量は、特に限定されるものではないが、インクジェット用導電インク組成物の粘度の上昇が抑制され、取扱い性により優れる点から、酸化銅粒子（Ａ）の全質量がインクジェット用導電インク組成物の総質量の２０質量％以下であることが好ましく、１５質量％以下がより好ましい。下限は特に制限されないが、導電膜の厚みの制御がしやすい点で、３質量％以上が好ましい。
【００４２】
本発明のインクジェット用導電インク組成物中の第８〜１１族元素の金属粒子または塩（Ｂ）の含有量は、特に限定されるものではないが、酸化銅粒子（Ａ）１００質量部に対して、０．５〜１０質量部であることが好ましく、１．０〜５．０質量部であることがより好ましい。この範囲内であると、焼結処理の際に酸化銅の還元が十分に行われるため、導電性がより優れる。
【００４３】
本発明のインクジェット用導電インク組成物中のアルコール化合物（Ｃ）の含有量は、特に限定されるものではないが、アルコール化合物（Ｃ）の酸化銅粒子（Ａ）に対する質量比（アルコール化合物（Ｃ）の全質量／酸化銅粒子（Ａ）の全質量）が、３．０〜１０．０であることが好ましく、３．０〜６．０であることがより好ましい。この範囲内であると、酸化銅の還元が十分に行われるため、導電性がより優れたものとなる。
【００４４】
本発明のインクジェット用導電インク組成物中の水溶性有機溶媒（Ｄ）および水（Ｅ）の合計含有量は、特に限定されるものではないが、インクジェット用導電インク組成物の粘度の上昇が抑制され、取扱い性により優れる点から、インクジェット用導電インク組成物の総質量に対する水溶性有機溶媒（Ｄ）および水（Ｅ）の合計質量の割合が、１０〜９５質量％が好ましく、連続吐出安定性および線幅均一性がより優れることから、２０〜８５質量％がより好ましい。
【００４５】
また、水溶性有機溶媒（Ｄ）および水（Ｅ）中の水溶性有機溶媒（Ｄ２）および水（Ｅ）の含有量は、水溶性有機溶媒（Ｄ２）および水（Ｅ）の合計質量が水溶性有機溶媒（Ｄ）および水（Ｅ）の合計質量の８０質量％以上であり、連続吐出安定性がより優れることから、９０質量％以上が好ましく、９５質量%以上がより好ましい。
８０質量％未満の場合、連続吐出安定性または線幅均一性に劣る。
【００４６】
また、アルコール化合物（Ｃ）の水溶性有機溶媒（Ｄ）および水（Ｅ）に対する質量比（アルコール化合物（Ｃ）の全質量／（水溶性有機溶媒（Ｄ）の全質量＋水（Ｅ）の全質量））は、特に限定されるものではないが、連続吐出安定性および線幅均一性がより優れることから、０．１〜５．０が好ましく、０．２〜５．０がより好ましく、０．３〜２．０がさらに好ましい。
【００４７】
水溶性有機溶媒（Ｄ）と水（Ｅ）との質量比（水溶性有機溶媒（Ｄ）の全質量／水（Ｅ）の全質量））は、特に限定されるものではないが、連続吐出安定性および線幅均一性がより優れることから、１／２〜１０／１が好ましく、１／１〜８／１がより好ましい。
【００４８】
インクジェット用導電インク組成物の粘度は、インクジェット印刷に適するような粘度に調整させることが好ましい。インクジェット吐出を行う場合、１〜５０ｃＰが好ましく、１〜４０ｃＰがより好ましい。
【００４９】
インクジェット用導電インク組成物の調製方法は特に制限されず、公知の方法を採用できる。例えば、酸化銅粒子（Ａ）と、第８〜１１族元素の金属粒子または塩（Ｂ）と、アルコール化合物（Ｃ）と、水溶性有機溶媒（Ｄ）と、水（Ｅ）と、所望により、その他の成分とを添加した後、超音波法（例えば、超音波ホモジナイザーによる処理）、ミキサー法、３本ロール法、ボールミル法などの公知の手段により成分を分散させることによって、組成物を得ることができる。
【００５０】
［導電膜の製造方法］
本発明のインクジェット用導電インク組成物を用いて基材上に導電膜を製造する方法は、少なくとも塗膜形成工程と焼結工程とを備える。さらに、所望により、乾燥工程を備えていてもよい。
【００５１】
〈塗膜形成工程〉
塗膜形成工程は、本発明のインクジェット用導電インク組成物をインクジェット法にて基材上に吐出して塗膜を形成する工程である。本工程により、焼結工程において焼結処理が施される前の塗膜が得られる。焼結処理を施す前に基材上に付与した塗膜を乾燥する乾燥工程を行ってもよい。
【００５２】
本工程で使用される基材としては、公知のものを用いることができる。基材に使用される材料としては、例えば、樹脂、紙、ガラス、シリコン系半導体、化合物半導体、金属酸化物、金属窒化物、木材、またはこれらの複合物が挙げられる。
より具体的には、低密度ポリエチレン樹脂、高密度ポリエチレン樹脂、ＡＢＳ樹脂、アクリル樹脂、スチレン樹脂、塩化ビニル樹脂、ポリエステル樹脂（ポリエチレンテレフタラート（ＰＥＴ）、ポリトリメチレンテレフタラート（ＰＴＴ）、ポリブチレンテレフタラート（ＰＢＴ）、ポリエチレンナフタラート（ＰＥＮ）、ポリブチレンナフタラート（ＰＢＮ）等）、ポリアセタール樹脂、ポリサルフォン樹脂、ポリエーテルイミド樹脂、ポリエーテルケトン樹脂、ポリイミド樹脂、セルロース誘導体等の樹脂基材；非塗工印刷用紙、微塗工印刷用紙、塗工印刷用紙（アート紙、コート紙）、特殊印刷用紙、コピー用紙（ＰＰＣ用紙）、未晒包装紙（重袋用両更クラフト紙、両更クラフト紙）、晒包装紙（晒クラフト紙、純白ロール紙）、コートボール、チップボール、段ボール等の紙基材；ソーダガラス、ホウケイ酸ガラス、シリカガラス、石英ガラス等のガラス基材；アモルファスシリコン、ポリシリコン等のシリコン系半導体基材；ＣｄＳ、ＣｄＴｅ、ＧａＡｓ等の化合物半導体基材；銅板、鉄板、アルミ板等の金属基材；アルミナ、サファイア、ジルコニア、チタニア、酸化イットリウム、酸化インジウム、インジウム錫酸化物（ＩＴＯ）、インジウム亜鉛酸化物（ＩＺＯ）、ネサ（酸化錫）、アンチモンドープ酸化錫（ＡＴＯ）、フッ素ドープ酸化錫（ＦＴＯ）、酸化亜鉛、アルミドープ酸化亜鉛（ＡＺＯ）、ガリウムドープ酸化亜鉛（ＧＺＯ）、窒化アルミニウム基材、炭化ケイ素等のその他無機基材；紙−フェノール樹脂、紙−エポキシ樹脂、紙−ポリエステル樹脂等の紙−樹脂複合物、ガラス布−エポキシ樹脂（ガラスエポキシ樹脂）、ガラス布−ポリイミド系樹脂、ガラス布−フッ素樹脂等のガラス−樹脂複合物等の複合基材等が挙げられる。これらの中でも、ポリエステル樹脂基材、ポリエーテルイミド樹脂基材、紙基材、ガラス基材が好ましく使用される。
【００５３】
インクジェット法は、液体吐出孔から記録信号（デジタルデータ）に応じたピコリットルオーダーの液体を基材に向けて吐出するものであり、パターン状にインクを付与して微細なパターンが形成可能である。
本工程で使用されるインクジェット法は特に限定されず、インクジェット用導電インク組成物を連続的に噴射し電場によって制御する方法、圧電素子を用いて間欠的にインクジェットインクを噴射する方法、インクジェット用導電インク組成物を加熱してその発泡を利用して間欠的に噴射する方法等の、各種の従来公知の方法を採用できる。つまり、インクジェット法による描画は、ピエゾインクジェット方式や、熱インクジェット方式等、従来公知のいずれの方式によって行なってもよい。また、通常のインクジェット描画装置はもちろん、ヒーター等を搭載した描画装置なども使用できる。
【００５４】
使用されるインクジェットヘッドとしては、コンティニュアス型やオンデマンド型のピエゾ方式、サーマル方式、ソリッド方式、静電吸引方式等の種々の方式のインクジェットヘッド（吐出ヘッド）を用いることができる。また、インクジェットヘッドの吐出部（ノズル）は、単列配置に限定されず、複数列としても千鳥格子状に配置としてもよい。
【００５５】
上記インクジェット方式により、インクジェット用導電インク組成物を基材上の導電膜を形成すべき場所に吐出する。このとき、インクジェット用導電インク組成物を基材の全面に付与してもよいし、所望のパターン状に付与してもよい。
インクジェット法による吐出する液滴量は特に制限されないが、導電膜の線幅均一性がより優れる、または、連続吐出性により優れる点で、０．８〜４５ｐＬが好ましく、０．８〜２０ｐＬがより好ましい。
【００５６】
基材上へのインクジェット用導電インク組成物の塗布量としては、所望する導電膜の膜厚に応じて適宜調整すればよいが、通常、塗膜の膜厚（厚み）は１０ｎｍ〜１０００μｍが好ましく、１００ｎｍ〜１００μｍがより好ましく、１００ｎｍ〜１０μｍがさらに好ましく、１００〜１０００ｎｍがいっそう好ましい。
【００５７】
〈乾燥工程〉
本工程は、形成された塗膜に対して乾燥処理を行い、インクジェット用導電インク組成物に含まれる溶媒の少なくとも一部を除去する工程である。本工程は、所望により、前述した塗膜形成工程の後、かつ、後述する焼結工程の前に実施することができる。
【００５８】
乾燥工程において、残存する溶媒を除去することにより、後述する焼結工程において、溶媒の気化膨張に起因する微小なクラックや空隙の発生を抑制することができ、得られる導電膜の導電性および導電膜と基材との密着性の点で好ましい。
乾燥処理は、温風乾燥機などを用いて加熱することにより行うことができ、乾燥温度としては、５０℃以上１５０℃未満が好ましく、７０℃〜１２０℃がより好ましい。本発明においては、乾燥処理は、非酸化的雰囲気および酸化的雰囲気のいずれで行われてもよい。非酸化的雰囲気としては、窒素、アルゴン等の不活性ガス雰囲気、水素等の還元性ガス雰囲気などが挙げられる。酸化的雰囲気としては、大気雰囲気、酸素雰囲気などが挙げられる。
【００５９】
〈焼結工程〉
本工程は、基材上に形成した塗膜（乾燥工程を行った場合には乾燥した塗膜）に対して加熱処理および／または光照射処理を行い、導電膜を形成する工程である。
加熱処理および／または光照射処理を行うことにより、酸化銅粒子（Ａ）の酸化銅が還元されて金属銅が生成するとともに、還元されて生成した金属銅粒子の焼結が促進され、金属導電膜中に金属導体が形成される。
【００６０】
加熱処理の条件は、短時間で、導電性により優れる導電膜を形成することができる点で、加熱温度は、特に限定されないが、１５０〜２２０℃が好ましく、１６０〜２００℃がより好ましい。また、加熱時間は５〜１２０分が好ましく、５〜３０分がより好ましい。
なお、加熱手段は特に制限されず、オーブン、ホットプレート等公知の加熱手段を用いることができる。
本発明では、比較的低温の加熱処理により導電膜の形成が可能であり、従って、プロセスコストが安いという利点を有する。
【００６１】
光照射処理は、上述した加熱処理とは異なり、室温にて塗膜が付与された部分に対して光を短時間照射することで金属銅への還元および焼結が可能となり、長時間の加熱による基材の劣化が起こらず、導電膜の基材との密着性がより良好となる。
光照射処理で使用される光源は特に制限されず、例えば、水銀灯、メタルハライドランプ、キセノンランプ、ケミカルランプ、カーボンアーク灯等がある。放射線としては、電子線、Ｘ線、イオンビーム、遠赤外線等がある。また、ｇ線、ｉ線、Ｄｅｅｐ−ＵＶ光、高密度エネルギービーム（レーザービーム）も使用される。
具体的な態様としては、赤外線レーザーによる走査露光、キセノン放電灯などの高照度フラッシュ露光、赤外線ランプ露光などが好適に挙げられる。
光照射は、フラッシュランプによる光照射が好ましく、フラッシュランプによるパルス光照射であることがより好ましい。高エネルギーのパルス光の照射は、塗膜を付与した部分の表面を、極めて短い時間で集中して加熱することができるため、基材への熱の影響を極めて小さくすることができる。
パルス光の照射エネルギーとしては、１〜１００Ｊ／ｃｍ2が好ましく、１〜３０Ｊ／ｃｍ2がより好ましく、パルス幅としては１μ秒〜１００ｍ秒が好ましく、１０μ秒〜１０ｍ秒がより好ましい。パルス光の照射時間は、１〜１００ｍ秒が好ましく、１〜５０ｍ秒がより好ましく、１〜２０ｍ秒が更に好ましい。
なお、光照射処理を実施した場合、酸化銅粒子が光を吸収し、熱に変換する光熱変換物質として働き、塗膜中に熱を伝達させる役割を果たしていると推測される。
【００６２】
上記加熱処理および光照射処理は、単独で実施してもよく、両者を同時に実施してもよい。また、一方の処理を施した後、さらに他方の処理を施してもよい。
【００６３】
本発明においては、加熱処理および光照射処理は、非酸化的雰囲気および酸化的雰囲気のいずれで行われてもよい。非酸化的雰囲気としては、窒素、アルゴン等の不活性ガス雰囲気、水素等の還元性ガス雰囲気などが挙げられる。酸化的雰囲気としては、大気雰囲気、酸素雰囲気などが挙げられる。
【００６４】
［導電膜］
本発明のインクジェット用導電インク組成物を用いて上述した導電膜の製造方法を実施することにより、実質的に金属銅からなる金属導体を含む導電膜が製造される。
導電膜の膜厚（厚み）は特に制限されず、使用される用途に応じて適宜最適な膜厚が選択される。例えば、有機薄膜トランジスタ電極用途の点からは、１０〜１０００ｎｍが好ましく、１０〜５００ｎｍがより好ましく、２０〜２００ｎｍがさらに好ましく、５０〜１５０ｎｍがいっそう好ましい。また、例えば、プリント配線基板用途の点からは、０．０１〜１０００μｍが好ましく、０．１〜１００μｍがより好ましく、０．１〜５０μｍがさらに好ましく、１〜３０μｍがいっそう好ましい。
なお、膜厚は、導電膜の任意の点における厚みを３箇所以上測定し、その値を算術平均して得られる値（平均値）である。
【００６５】
導電膜は基材の全面、または、パターン状に設けられてもよい。パターン状の導電膜は、プリント配線基板などの導体配線（配線）として有用である。
パターン状の導電膜を得る方法としては、上記インクジェット用導電インク組成物をパターン状に基材に付与して、上記加熱処理および／または光照射処理を行う方法や、基材全面に設けられた導電膜をパターン状にエッチングする方法などが挙げられる。
エッチングの方法は特に制限されず、公知のサブトラクティブ法、セミアディティブ法などを採用できる。
【００６６】
パターン状の導電膜を多層配線基板として構成する場合、パターン状の導電膜の表面に、さらに絶縁層（絶縁樹脂層、層間絶縁膜、ソルダーレジスト）を積層して、その表面にさらなる配線（金属パターン）を形成してもよい。
【００６７】
絶縁膜の材料は特に制限されないが、例えば、エポキシ樹脂、ガラスエポキシ樹脂、アラミド樹脂、結晶性ポリオレフィン樹脂、非晶性ポリオレフィン樹脂、フッ素含有樹脂（ポリテトラフルオロエチレン、全フッ素化ポリイミド、全フッ素化アモルファス樹脂など）、ポリイミド樹脂、ポリエーテルスルフォン樹脂、ポリフェニレンサルファイド樹脂、ポリエーテルエーテルケトン樹脂、液晶樹脂など挙げられる。
これらの中でも、密着性、寸法安定性、耐熱性、電気絶縁性等の観点から、エポキシ樹脂、ポリイミド樹脂、または液晶樹脂を含有するものであることが好ましく、より好ましくはエポキシ樹脂である。具体的には、味の素ファインテクノ（株）製、ＡＢＦ−ＧＸ１３などが挙げられる。
【００６８】
また、配線保護のために用いられる絶縁層の材料の一種であるソルダーレジストについては、例えば、特開平１０−２０４１５０号公報や、特開２００３−２２２９９３号公報等に詳細に記載され、ここに記載の材料を所望により本発明にも適用することができる。ソルダーレジストは市販品を用いてもよく、具体的には、例えば、太陽インキ製造（株）製ＰＦＲ８００、ＰＳＲ４０００（商品名）、日立化成工業（株）製  ＳＲ７２００Ｇ、などが挙げられる。
【００６９】
上記で得られた導電膜を有する基材（導電膜付き基材）は、種々の用途に使用することができる。例えば、プリント配線基板、ＴＦＴ、ＦＰＣ、ＲＦＩＤなどが挙げられる。
【００７０】
［ＴＦＴ電極用］
本発明のインクジェット用導電インク組成物は、薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）電極用、特に有機ＴＦＴ電極用として好適である。つまり、ソース電極、ドレイン電極、および、ゲート電極からなる群から選択される少なくとも１つの電極を形成するために使用されることが好ましい。
【実施例】
【００７１】
以下の実施例において、平均１次粒子径１００ｎｍ以下の酸化銅粒子をＡ成分、周期律表の第８〜１１族元素からなる群から選択される少なくとも１種の金属元素を含む金属粒子または塩をＢ成分、沸点２５０℃以上のアルコール化合物をＣ成分、水溶性有機溶媒（ただし、沸点２５０℃以上のアルコール化合物を除く）をＤ成分、Ｄ成分のうち常温常圧下で液体であり、かつ、沸点１００℃以上２５０℃未満の水溶性有機溶媒をＤ２成分、Ｄ成分のうちＤ２成分に該当しないものをＤ３成分、水をＥ成分、という場合がある。
【００７２】
［実施例１］
（１）インクジェット用導電インク組成物の調製
酸化銅粒子（Ａ成分：ＮａｎｏＴｅｋ  ＣｕＯ，シーアイ化学社製；平均１次粒子径  ４８ｎｍ）（４５質量部）と、水（Ｅ成分：２０質量部）とを混合し、自転公転ミキサー（あわとり練太郎ＡＲＥ−３１０，シンキー社製）で５分間処理することで酸化銅粒子・水分散を得た。
得られた酸化銅粒子・水分散液に、トリメチロールプロパン（ＴＭＰ）（沸点２５０℃以上）（Ｃ成分：２２５質量部）、酢酸パラジウム（Ｂ成分：２質量部）、およびテトラヒドロフルフリルアクリレート（ＴＨＦＡ）（沸点１７８℃）（Ｄ２成分：１００質量部）を添加し、自転公転ミキサー（あわとり練太郎ＡＲＥ−３１０，シンキー社製）で５分間処理することでインクジェット用導電インク組成物を得た。得られたインクジェット用導電インク組成物を組成物１とする。
【００７３】
（２）導電膜の作製
ポリエチレンナフタラート（ＰＥＮ）基材（テオネックスＱ６５Ｆ／帝人デュポン社製）上に、インクジェット用導電インク組成物１を、１ｐＬ打滴が吐出可能なＤ１２８−ＤＰＮヘッド（１２８ノズル）設置の吐出装置を用い、ヘッドに、インクを充填し、駆動周波数２ｋＨｚで駆動できるよう、波形、電圧を調整して吐出を行った。なお、インクジェット用導電インク組成物１の液滴量は、１０ｐＬであった。
着弾打滴の中心間距離が２０μｍになるよう、線長が５ｃｍの配線５０本の直線状配線パターンを５００μｍ間隔で描画した。また、体積抵抗率評価用に、５ｃｍ×５ｃｍのベタ画像を作製した。得られたパターンをＮ２雰囲気下（グローブボックス中、１００ｐｐｍ以下の酸素濃度）１８０℃で６０分間加熱するこことで、導電膜（銅配線）を形成した。
【００７４】
（３）インクジェット用導電インク組成物および導電膜（銅配線）の性能評価
３．１）連続吐出安定性
インクジェット用導電インク組成物を、打滴サイズ１ｐＬ、駆動周波数２ｋＨｚで３０分間の連続吐出した。連続吐出後、不吐出になったノズル数（ノズルロス）をカウントし、以下の評価基準に基づいて連続吐出安定性の評価を行った。評価結果を表１の「連続吐出性」の欄に示す。
（評価基準）
Ａ：ノズルロス  ０本
Ｂ：ノズルロス  １〜２本
Ｃ：ノズルロス  ３〜５本
Ｄ：ノズルロス  ６〜１０本
Ｅ：ノズルロス  １１本以上
【００７５】
３．２）導電性
得られた５ｃｍ×５ｃｍの導電膜について、四探針法抵抗率計を用いて体積抵抗率を測定し、以下の評価基準に基づいて導電性の評価を行った。評価結果を表１の「導電性」の欄に示す。
（評価基準）
Ａ：体積抵抗率が１０μΩ・ｃｍ未満
Ｂ：体積抵抗率が１０μΩ・ｃｍ以上５０μΩ・ｃｍ未満
Ｃ：体積抵抗率が５０μΩ・ｃｍ以上１００μΩ・ｃｍ未満
Ｄ：体積抵抗率が１００μΩ・ｃｍ以上１０００μΩ・ｃｍ未満
Ｅ：体積抵抗率が１０００μΩ・ｃｍ以上
【００７６】
３．２）線幅均一性
得られた５０本の配線パターンのうち、中心部端から２．５ｃｍの位置の線幅（配線の長さ方向の中心位置での線幅）を測定し、その平均値（線幅平均値Ｙ）を求める。次に、５０本の配線パターンの上記「中心端部から２．５ｃｍの位置の線幅」と、線幅平均値Ｙとの差の絶対値（線幅のバラツキに該当）をそれぞれ算出し、それらを算術平均して、５０本分の線幅のバラツキの平均値（バラツキ平均値Ｘ）を算出する。さらに、バラツキ平均値Ｘと線幅平均値Ｙとの比（＝バラツキ平均値Ｘ／線幅平均値Ｙ）を算出し、これを「平均値に対するバラツキの平均」として、以下の評価基準に基づいて線幅均一性の評価を行った。評価結果を表１の「線幅均一性」の欄に示す。
Ａ：平均値に対するバラツキの平均が１０％未満
Ｂ：平均値に対するバラツキの平均が１０％以上２０％未満
Ｃ：平均値に対するバラツキの平均が２０％以上３０％未満
Ｄ：平均値に対するバラツキの平均が３０％以上５０％未満
Ｅ：平均値に対するバラツキの平均が１００％以上
【００７７】
［実施例２〜４］
実施例２〜４では、表１に示すように、ＴＨＦＡ（沸点１７８℃）（Ｄ２成分：１００質量部）に代えて、それぞれ、Ｎ−メチルピロリドン（ＮＭＰ）（沸点１７８℃）（Ｄ２成分：１００質量部）、２−メトキシエタノール（沸点１２４℃）（Ｄ２成分：１００質量部）、アセトフェノン（沸点２０２℃）（Ｄ２成分：１００質量部）を使用した点を除き、実施例１と同様にしてインクジェット用導電インク組成物を調製し、導電膜（銅配線）を作製し、インクジェット用導電インク組成物および導電膜（銅配線）の性能評価を行った。
【００７８】
［実施例５、６］
実施例５、６では、表１に示すように、ＴＨＦＡ（沸点１７８℃）（Ｄ２成分：１００質量部）に代えて、それぞれ、分子内にエーテル構造、ケトン構造およびヘテロ環構造のいずれも有しない、ブタノール（沸点１１７℃）（Ｄ２成分：１００質量部）、エチレングリコール（沸点１９７℃）（Ｄ２成分：１００質量部）を使用した点を除き、実施例１と同様にしてインクジェット用導電インク組成物を調製し、導電膜（銅配線）を作製し、インクジェット用導電インク組成物および導電膜（銅配線）の性能評価を行った。
【００７９】
［実施例７〜９］
実施例７〜９では、表１に示すように、ＴＨＦＡ（沸点１７８℃）（Ｄ２成分：１００質量部）に代えて、それぞれ、ＴＨＦＡ（Ｄ２成分：７６質量部）およびアセトン（沸点５６℃）（Ｄ３成分：２４質量部）、ＴＨＦＡ（Ｄ２成分：８８質量部）およびアセトン（Ｄ３成分：１２質量部）、ＴＨＦＡ（Ｄ２成分：８８質量部）およびテトラヒドロフラン（ＴＨＦ）（Ｄ３成分：沸点６５℃）（１２質量部）を使用し、沸点２５０℃以上のアルコール化合物以外の溶媒中、水および沸点１００℃以上２５０℃未満の水溶性有機溶媒の割合を８０質量％（実施例７）、９０質量％（実施例８、９）に変更した点を除き、実施例１と同様にしてインクジェット用導電インク組成物を調製し、インクジェット用導電インク組成物および導電膜（銅配線）を作製し、導電膜（銅配線）の性能評価を行った。
【００８０】
［実施例１０、１１］
実施例１０、１１では、表１に示すように、酢酸パラジウム（Ｂ成分：２質量部）に代えて、それぞれ、トリルテニウムドデカカルボニル（Ｒｕ３（ＣＯ）１２）（Ｂ成分：２質量部）、硝酸テトラアンミン白金（ＩＩ）（Ｐｔ（ＮＨ３）４（ＮＯ３）２）（Ｂ成分：２質量部）を使用した点を除き、実施例１と同様にしてインクジェット用導電インク組成物を調製し、インクジェット用導電インク組成物および導電膜（銅配線）を作製し、導電膜（銅配線）の性能評価を行った。
【００８１】
［実施例１２、１３］
実施例１２、１３では、表１に示すように、ＴＭＰ（沸点２５０℃以上）（Ｃ成分：２２５質量部）に代えて、それぞれ、トリメチロールエタン（沸点２５０℃以上）（Ｃ成分：２２５質量部）、１，９−ノナンジオール（沸点２８８℃）（Ｃ成分：２２５質量部）を使用した点を除き、実施例１と同様にしてインクジェット用導電インク組成物を調製し、インクジェット用導電インク組成物および導電膜（銅配線）を作製し、導電膜（銅配線）の性能評価を行った。
【００８２】
［実施例１４〜１８］
実施例１４〜１８では、表１に示すように、沸点２５０℃以上のアルコール化合物以外の水溶性溶媒として、水（Ｅ成分：２０質量部）およびＴＨＦＡ（Ｄ２成分：１００質量部）に代えて、それぞれ、水（Ｅ成分：７５質量部）およびＴＨＦＡ（Ｄ２成分：６００質量部）、水（Ｅ成分：１００質量部）およびＴＨＦＡ（Ｄ２成分：１０００質量部）、水（Ｅ成分：２００質量部）およびＴＨＦＡ（Ｄ２成分：２０００質量部）、水（Ｅ成分：１５質量部）およびＴＨＦＡ（Ｄ２成分：６０質量部）、水（Ｅ成分：５質量部）およびＴＨＦＡ（Ｄ２成分：４０質量部）を使用し、沸点２５０℃以上のアルコール化合物の沸点２５０℃以上のアルコール化合物以外の水溶性溶媒に対する質量比（沸点２５０℃以上のアルコール化合物の全質量／沸点２５０℃以上のアルコール化合物以外の水溶性溶媒の全質量）を、それぞれ、１／３、１／５、１／１０、３／１、５／１に変更した点を除き、実施例１と同様にしてインクジェット用導電インク組成物を調製し、インクジェット用導電インク組成物および導電膜（銅配線）を作製し、導電膜（銅配線）の性能評価を行った。
【００８３】
［比較例１］
比較例１では、酢酸パラジウム（Ｂ成分）を使用しなかった点を除き、実施例１と同様にしてインクジェット用導電インク組成物を調製し、インクジェット用導電インク組成物および導電膜（銅配線）を作製し、導電膜（銅配線）の性能評価を行った。
【００８４】
［比較例２］
比較例２では、ＴＨＦＡ（Ｄ２成分：１００質量部）に代えて、アセトン（沸点５６℃）（Ｄ３成分：１００質量部）を使用した点を除き、実施例１と同様にしてインクジェット用導電インク組成物を調製し、インクジェット用導電インク組成物および導電膜（銅配線）を作製し、導電膜（銅配線）の性能評価を行った。
【００８５】
［比較例３］
比較例３では、ＴＨＦＡ（Ｄ２成分：１００質量部）に代えて、ＴＨＦＡ（Ｄ２成分：６０質量部）およびアセトン（沸点５６℃）（Ｄ３成分：４０質量部）を使用した点を除き、実施例１と同様にしてインクジェット用導電インク組成物を調製し、インクジェット用導電インク組成物および導電膜（銅配線）を作製し、導電膜（銅配線）の性能評価を行った。
【００８６】
［比較例４］
比較例４では、ＴＭＰ（Ｃ成分）を使用しなかった点を除き、実施例１と同様にしてインクジェット用導電インク組成物を調製し、インクジェット用導電インク組成物および導電膜（銅配線）を作製し、導電膜（銅配線）の性能評価を行った。
【００８７】
［比較例５］
比較例５では、酢酸パラジウム（Ｂ成分：２質量部）に代えてトリルテニウムドデカカルボニル（Ｂ成分：３．８質量部）を使用した点、ＴＭＰ（Ｃ成分）を使用しなかった点、ＴＨＦＡ（Ｄ２成分：１００質量部）に代えてＴＨＦＡ（Ｄ２成分：１８００質量部）を使用した点、および水（Ｅ成分）を使用しなかった点を除き、実施例１と同様にしてインクジェット用導電インク組成物を調製し、インクジェット用導電インク組成物および導電膜（銅配線）を作製し、導電膜（銅配線）の性能評価を行った。
【００８８】
【表１】
2015140418.tif 000002
【００８９】
表１中、「Ａ」〜「Ｅ」欄の数値は、質量部を表す。また、「-」はその成分を含有しないことを表す。
【００９０】
（１）実施例１、７〜９と比較例２、３とを対比すると、水溶性有機溶媒（Ｄ２）および水（Ｅ）の合計質量が水溶性有機溶媒（Ｄ）および水（Ｅ）の合計質量の８０質量％以上であると、連続吐出安定性と線幅均一性が優れることがわかる。
（２）実施例１４〜１８を対比すると、比（アルコール化合物（Ｃ）の全質量／（水溶性有機溶媒（Ｄ）の全質量＋水（Ｅ）の全質量））が０．２〜３．０（１／５〜３／１）であると、連続吐出安定性および線幅均一性がさらに優れることがわかる。
（３）実施例１、１０、１１と、比較例１とを対比すると、酸化銅粒子（Ａ）１００質量部に対して、第８〜１１族元素を含む金属粒子または第８〜１１族元素の塩（Ｂ）を０．５〜１０質量部含有すると導電性がさらに優れることがわかる。
（４）実施例１、１０および１１を対比すると、第８〜１１族元素を含む金属粒子または第８〜１１族元素の塩（Ｂ）として、酢酸パラジウムが特に優れ、導電性および線幅均一性の向上に効果があることがわかる。
（５）実施例１〜４と実施例５、６とを対比すると、沸点１００℃以上２５０℃未満の水溶性有機溶媒（Ｄ２）として、分子内にエーテル構造、ケトン構造またはヘテロ環構造を有する化合物を使用すると、連続吐出安定性、導電性および線幅均一性がさらに優れることがわかる。
（６）実施例１、１２と実施例１３とを対比すると、アルコール化合物（Ｃ）として３価アルコールを使用すると、得られる導電膜の導電性がさらに優れることがわかる。
（７）実施例１と比較例５とを対比すると、水（Ｅ）を使用しない場合には、水溶性有機溶媒（Ｄ）および沸点１００℃以上２５０℃未満の水溶性有機溶媒（Ｄ２）を使用しても、優れた連続吐出安定性、導電性および線幅均一性は得られないことがわかる。