(57)【要約】【課題】レジスト塗布性改善用及び除去用シンナー組成物、並びにこれを利用した半導体素子又は薄膜トランジスター液晶表示素子を製造する方法を提供すること。【解決手段】本発明は、アルキル（炭素数１〜５）２−ヒドロキシイソブチレート１０〜８０重量％と、プロピレングリコールアルキル（炭素数１〜５）エーテルアセテート２０〜９０重量％と、前記アルキル２−ヒドロキシイソブチレート及びプロピレングリコールアルキルエーテルアセテートの全重量に対して、化学式１の界面活性剤１０〜１０００ｐｐｍとを含むことで、多様なフォトレジスト及び下部反射防止膜（ＢＡＲＣ）に対する溶解力に優れ、ＥＢＲ性能が高く、且つフォトレジストが塗布されたウエハの再生工程に適用可能であり、ＲＲＣ工程及びフォトレジストの塗布性を顕著に向上させるレジスト塗布性改善用及び除去用シンナー組成物に関する。また、これを利用してフォトレジストを除去する段階を備える半導体素子又は薄膜トランジスター液晶表示素子を製造する方法に関する。【選択図】図１
2015232708.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
アルキル（炭素数１〜５）２−ヒドロキシイソブチレート１０〜８０重量％と、
プロピレングリコールアルキル（炭素数１〜５）エーテルアセテート２０〜９０重量％と、
前記アルキル２−ヒドロキシイソブチレート及び前記プロピレングリコールアルキルエーテルアセテートの全重量に対して、下記化学式１の界面活性剤１０〜１０００ｐｐｍと
を含む、レジスト塗布性改善用及び除去用シンナー組成物。
【化１】
2015232708.tif 000015
〔式中、Ｒ１及びＲ２は、互いに独立して、水素、炭素数１〜１０のアルキル基又は炭素数６〜１４のアリール基であり、ｎは、１〜５の整数である。〕
【請求項２】
前記アルキル２−ヒドロキシイソブチレートは、メチル２−ヒドロキシイソブチレート、エチル２−ヒドロキシイソブチレート、プロピル２−ヒドロキシイソブチレート、イソプロピル２−ヒドロキシイソブチレート、ブチル２−ヒドロキシイソブチレート、及びｔｅｒｔ−ブチル２−ヒドロキシイソブチレートからなる群から選択される少なくとも１種である、請求項１に記載のレジスト塗布性改善用及び除去用シンナー組成物。
【請求項３】
前記プロピレングリコールアルキルエーテルアセテートは、プロピレングリコールメチルエーテルアセテート、プロピレングリコールエチルエーテルアセテート、プロピレングリコールプロピルエーテルアセテート、プロピレングリコールイソプロピルエーテルアセテート、及びプロピレングリコールブチルエーテルアセテートからなる群から選択される少なくとも１種である、請求項１または２に記載のレジスト塗布性改善用及び除去用シンナー組成物。
【請求項４】
前記界面活性剤は、エチレングリコールメチルエーテル、エチレングリコールジメチルエーテル、エチレングリコールエチルエーテル、エチレングリコールメチルエチルエーテル、エチレングリコールジエチルエーテル、ジエチレングリコールメチルエーテル、ジエチレングリコールジメチルエーテル、ジエチレングリコールエチルエーテル、ジエチレングリコールメチルエチルエーテル、ジエチレングリコールジエチルエーテル、ジエチレングリコールプロピルエーテル、ジエチレングリコールメチルプロピルエーテル、ジエチレングリコールエチルプロピルエーテル、及びジエチレングリコールジプロピルエーテルからなる群から選択される少なくとも１種である、請求項１ないし３のいずれかに記載のレジスト塗布性改善用及び除去用シンナー組成物。
【請求項５】
前記アルキル２−ヒドロキシイソブチレートが２０〜６０重量％と、
前記プロピレングリコールアルキルエーテルアセテートが４０〜８０重量％と、
前記アルキル２−ヒドロキシイソブチレート及び前記プロピレングリコールアルキルエーテルアセテートの前記全重量に対して、前記界面活性剤が１０〜５００ｐｐｍと
を含む、請求項１ないし４のいずれかに記載のレジスト塗布性改善用及び除去用シンナー組成物。
【請求項６】
前記アルキル２−ヒドロキシイソブチレートが２０〜５０重量％と、
前記プロピレングリコールアルキルエーテルアセテートが５０〜８０重量％と、
前記アルキル２−ヒドロキシイソブチレート及び前記プロピレングリコールアルキルエーテルアセテートの前記全重量に対して、前記界面活性剤が１０〜５００ｐｐｍと
を含む、請求項１ないし５のいずれかに記載のレジスト塗布性改善用及び除去用シンナー組成物。
【請求項７】
基板にフォトレジストを塗布する前に、請求項１乃至６の何れか一項に記載のシンナー組成物で前記基板を処理する基板処理方法。
【請求項８】
基板にフォトレジストを塗布した後、露光工程の前に請求項１乃至６の何れか一項に記載のシンナー組成物で前記基板を処理する基板処理方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、レジスト塗布性改善用、除去用シンナー組成物、及びこれを利用した半導体素子又は薄膜トランジスター液晶表示素子の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体素子の製造工程において、ウエハ上に感光性樹脂組成物を塗布し、設計されたパターンを転写した後、これによって蝕刻工程を通じて半導体集積回路のように微細な回路パターンを作成する作業をフォトリソグラフィ（photolithography）工程と言う。これは、塗布、露光、現像、蝕刻及び剥離工程を経て、得ようとする微細回路パターンを作成する方法からなる。
【０００３】
この際、露光工程は、短波長である紫外線領域の光を利用して塗布膜に所望のパターンを微細に露光する方式で行われるため、汚染源に敏感である。従って、塗布工程で基板に塗布されたフォトレジストの残渣及び汚染物は、露光工程で汚染源となり得るため、予め除去される必要があり、この際、シンナー組成物がＥＢＲ（edge bead removing）工程に用いられてきた。
【０００４】
一方、最近では、短波長であるＫｒＦ及びＡｒＦ（ArF immersionを含む）光源を利用するフォトレジストが適用されることによって、集積回路の製造コストにフォトレジストの使用量が及ぼす影響が大きくなっている。従って、コスト節減のためにフォトレジストの使用量を低減することが求められている。このため、フォトレジスト塗布前に処理剤組成物を基板表面に処理して少量のフォトレジストのみでもフォトレジストが基板全面に均一に塗布されるＲＲＣ（reducing resist consumption）工程が適用されてきた。
【０００５】
日本国特開２００１−１８８３５９号公報には、プロピレングリコールエーテルアセテートとα−ヒドロキシイソ酪酸メチルとを含むエッジビーズリムーバーについて記載されている。しかしながら、これは、ＥＢＲ工程で用いられ得、リワーク性能に優れるが、ＲＲＣ工程で用いることができないといった問題がある。
【０００６】
また、日本国特開２００５−２２７７７０号公報には、プロピレングリコールエーテルアセテート及びメチル２−ヒドロキシ−２−メチルプロピオネートにエチルラクテート又はエチル３−エトキシプロピオネートを必須として含み、これにフッ素系、非イオン性又はイオン性界面活性剤をさらに含むことができるシンナー組成物について記載されている。しかしながら、界面活性剤を含まない場合には、ＲＲＣ工程に適用することが困難であり、前記のような界面活性剤を含む場合には、ＲＲＣ工程に適用され得るが、界面活性剤がウエハ表面に残留して、リワーク性能が低いといった問題がある。
【０００７】
従って、既存のＥＢＲ工程に充分に適用することができ、且つＲＲＣ効率が高い処理剤組成物の開発が求められている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００８】
【特許文献１】日本国特開２００１−１８８３５９号公報
【特許文献２】日本国特開２００５−２２７７７０号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
本発明は、ＥＢＲ工程のみならず、ＲＲＣ工程に同時に用いられ得るシンナー組成物を提供することを目的とする。
【００１０】
また、本発明は、前記シンナー組成物を用いる基板処理方法を提供することを他の目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
１．アルキル（炭素数１〜５）２−ヒドロキシイソブチレート１０〜８０重量％と、プロピレングリコールアルキル（炭素数１〜５）エーテルアセテート２０〜９０重量％と、前記アルキル２−ヒドロキシイソブチレート及び前記プロピレングリコールアルキルエーテルアセテートの全重量に対して、下記化学式１の界面活性剤１０〜１０００ｐｐｍとを含む、レジスト塗布性改善用及び除去用シンナー組成物。
【００１２】
【化１】
2015232708.tif 000003
〔式中、Ｒ１及びＲ２は、互いに独立して、水素、炭素数１〜１０のアルキル基又は炭素数６〜１４のアリール基であり、ｎは、１〜５の整数である。〕
【００１３】
２．前記項目１において、前記アルキル２−ヒドロキシイソブチレートは、メチル２−ヒドロキシイソブチレート、エチル２−ヒドロキシイソブチレート、プロピル２−ヒドロキシイソブチレート、イソプロピル２−ヒドロキシイソブチレート、ブチル２−ヒドロキシイソブチレート、及びｔｅｒｔ−ブチル２−ヒドロキシイソブチレートからなる群から選択される少なくとも１種である、レジスト塗布性改善用及び除去用シンナー組成物。
【００１４】
３．前記項目１において、前記プロピレングリコールアルキルエーテルアセテートは、プロピレングリコールメチルエーテルアセテート、プロピレングリコールエチルエーテルアセテート、プロピレングリコールプロピルエーテルアセテート、プロピレングリコールイソプロピルエーテルアセテート、及びプロピレングリコールブチルエーテルアセテートからなる群から選択される少なくとも１種である、レジスト塗布性改善用及び除去用シンナー組成物。
【００１５】
４．前記項目１において、前記界面活性剤は、エチレングリコールメチルエーテル、エチレングリコールジメチルエーテル、エチレングリコールエチルエーテル、エチレングリコールメチルエチルエーテル、エチレングリコールジエチルエーテル、ジエチレングリコールメチルエーテル、ジエチレングリコールジメチルエーテル、ジエチレングリコールエチルエーテル、ジエチレングリコールメチルエチルエーテル、ジエチレングリコールジエチルエーテル、ジエチレングリコールプロピルエーテル、ジエチレングリコールメチルプロピルエーテル、ジエチレングリコールエチルプロピルエーテル、及びジエチレングリコールジプロピルエーテルからなる群から選択される少なくとも１種である、レジスト塗布性改善用及び除去用シンナー組成物。
【００１６】
５．前記項目１において、前記アルキル２−ヒドロキシイソブチレートが２０〜６０重量％と、前記プロピレングリコールアルキルエーテルアセテートが４０〜８０重量％と、前記アルキル２−ヒドロキシイソブチレート及び前記プロピレングリコールアルキルエーテルアセテートの前記全重量に対して、前記界面活性剤が１０〜５００ｐｐｍとを含む、レジスト塗布性改善用及び除去用シンナー組成物。
【００１７】
６．前記項目１において、前記アルキル２−ヒドロキシイソブチレートが２０〜５０重量％と、前記プロピレングリコールアルキルエーテルアセテートが５０〜８０重量％と、前記アルキル２−ヒドロキシイソブチレート及び前記プロピレングリコールアルキルエーテルアセテートの前記全重量に対して、前記界面活性剤が１０〜５００ｐｐｍとを含む、レジスト塗布性改善用及び除去用シンナー組成物。
【００１８】
７．基板にフォトレジストを塗布する前に、前記項目１乃至６のうち何れか一項目に記載のシンナー組成物で前記基板を処理する基板処理方法。
【００１９】
８．基板にフォトレジストを塗布した後、露光工程の前に前記項目１乃至６のうち何れか一項目に記載のシンナー組成物で前記基板を処理する基板処理方法。
【発明の効果】
【００２０】
本発明のレジスト塗布性改善用及び除去用シンナー組成物は、ＡｒＦ用フォトレジストを含む多様なフォトレジスト及び下部反射防止膜（ＢＡＲＣ）に対して、溶解力に優れ、ＥＢＲ特性が顕著に高くなる。
【００２１】
本発明のレジスト塗布性改善用及び除去用シンナー組成物は、フォトレジストが塗布されたウエハの再生工程にも用いることができる。
【００２２】
また、本発明のレジスト塗布性改善用及び除去用シンナー組成物は、少量のフォトレジストのみ用いてもフォトレジストが基板全面に均一に塗布されるようにして塗布性能を向上することができ、フォトレジストの使用量を最小限にするためのＲＲＣ工程で優れた効果を示す。
【図面の簡単な説明】
【００２３】
【図１】図１は、８インチのウエハ上に、実施例１のシンナー組成物０．５ｃｃを塗布し、フォトレジストを塗布することで、フォトレジストがウエハ上に９８％以上塗布された場合を示す。
【図２】図２は、８インチのウエハ上に、比較例７のシンナー組成物０．５ｃｃを塗布し、フォトレジストを塗布することで、フォトレジストがウエハ上に９４％未満塗布された場合を示す。
【発明を実施するための形態】
【００２４】
本発明は、アルキル（炭素数１〜５）２−ヒドロキシイソブチレート１０〜８０重量％と、プロピレングリコールアルキル（炭素数１〜５）エーテルアセテート２０〜９０重量％と、前記アルキル２−ヒドロキシイソブチレート及びプロピレングリコールアルキルエーテルアセテートの全重量に対して、化学式１の界面活性剤１０〜１０００ｐｐｍとを含むことで、多様なフォトレジスト及び下部反射防止膜（ＢＡＲＣ）に対する溶解力に優れ、ＥＢＲ（エッジビーズ除去；edge bead removing）性能が高く、且つフォトレジストが塗布されたウエハの再生工程に適用可能であり、ＲＲＣ（reducing resist consumption）工程及びフォトレジストの塗布性を顕著に向上させるレジスト塗布性改善用及び除去用シンナー組成物、並びにこれを利用してフォトレジストを除去する段階を備える半導体素子又は薄膜トランジスター液晶表示素子を製造する方法に関する。
【００２５】
以下、本発明を詳しく説明する。
【００２６】
＜シンナー組成物＞
本発明のレジスト塗布性改善用及び除去用シンナー組成物は、アルキル（炭素数１〜５）２−ヒドロキシイソブチレートを、組成物全重量に対して１０〜８０重量％、好ましくは２０〜６０重量％含み、より好ましくは２０〜５０重量％含むことで、フォトレジストに対する優れた溶解性を確保することができる。具体的には、アルキル２−ヒドロキシイソブチレートの含有量が１０重量％未満であれば、フォトレジストに対する溶解性が低下してＥＢＲ特性が低下し、８０重量％超過であれば、フォトレジストに対する溶解性向上効果が充分でなく、組成物の粘度が上昇し、ＲＲＣ工程で問題を誘発する。
【００２７】
本発明によるアルキル２−ヒドロキシイソブチレートは、例えば、当分野において公知のものを特に制限なく用いることができる。好ましくは、メチル２−ヒドロキシイソブチレート、エチル２−ヒドロキシイソブチレート、プロピル２−ヒドロキシイソブチレート、イソプロピル２−ヒドロキシイソブチレート、ブチル２−ヒドロキシイソブチレート、ｔｅｒｔ−ブチル２−ヒドロキシイソブチレートが挙げられ、これらは、それぞれ単独に又は２種以上混合して用いることができる。
【００２８】
また、本発明のレジスト塗布性改善用及び除去用シンナー組成物は、プロピレングリコールアルキル（炭素数１〜５）エーテルアセテートを、組成物全重量に対して２０〜９０重量％、好ましくは４０〜８０重量％含み、より好ましくは５０〜８０重量％含む。これにより、適切な揮発速度で優れたＥＢＲ及びＲＲＣ特性を示すことができる。具体的には、プロピレングリコールアルキルエーテルアセテートの含有量が２０重量％未満であれば、組成物の揮発速度が遅くなり、ＥＢＲプロファイルが不良となり、９０重量％超過であれば、組成物の揮発速度が速くなり、ＲＲＣ特性が低下する。
【００２９】
本発明によるプロピレングリコールアルキルエーテルアセテートは、当分野において公知のものを特に制限なく用いることができる。好ましくは、プロピレングリコールメチルエーテルアセテート、プロピレングリコールエチルエーテルアセテート、プロピレングリコールプロピルエーテルアセテート、プロピレングリコールイソプロピルエーテルアセテート、プロピレングリコールブチルエーテルアセテート等が挙げられ、これらは、それぞれ単独に又は２種以上混合して用いることができる。
【００３０】
また、本発明のレジスト塗布性改善用及び除去用シンナー組成物は、化学式１の界面活性剤を、前記アルキル２−ヒドロキシイソブチレート及びプロピレングリコールアルキルエーテルアセテートの全重量に対して１０〜１０００ｐｐｍ、好ましくは１０〜５００ｐｐｍ含む。
【００３１】
【化２】
2015232708.tif 000004
〔式中、Ｒ１及びＲ２は、互いに独立して、水素、炭素数１〜１０のアルキル基又は炭素数６〜１４のアリール基であり、ｎは、１〜５の整数である。〕
【００３２】
本発明は、前記界面活性剤を含むことで表面張力を低くして、少量のフォトレジストのみでも基板全面にフォトレジストが均一に塗布され得、ＲＲＣ工程に適用され得るのみならず、従来のシンナー組成物に含まれるフッ素系、非イオン性、及びイオン性界面活性剤を用いる場合と比較して、界面活性剤が基板表面に残留する問題を防ぐことができ、リワーク性能も改善することができると共に、その他の後工程における問題を防ぐことができるといった効果がある。
【００３３】
前記界面活性剤の含有量が１０ｐｐｍ未満であれば、シンナー組成物の表面張力の減少効果が充分でなく、フォトレジスト塗布の際にフォトレジストが均一にコーティングされず、ウエハ上の微細板のパターン段差を克服することができず、周縁部が割れる現象が発生してしまうことがある。また、１０００ｐｐｍ超過であれば、ウエハ上に界面活性剤が残留する問題が生じることがある。
【００３４】
本発明による界面活性剤は、当分野において公知のものを特に制限なく用いることができる。好ましくは、エチレングリコールメチルエーテル、エチレングリコールジメチルエーテル、エチレングリコールエチルエーテル、エチレングリコールメチルエチルエーテル、エチレングリコールジエチルエーテル、ジエチレングリコールメチルエーテル、ジエチレングリコールジメチルエーテル、ジエチレングリコールエチルエーテル、ジエチレングリコールメチルエチルエーテル、ジエチレングリコールジエチルエーテル、ジエチレングリコールプロピルエーテル、ジエチレングリコールメチルプロピルエーテル、ジエチレングリコールエチルプロピルエーテル、ジエチレングリコールジプロピルエーテル等が挙げられる。これらは、それぞれ単独に又は２種以上混合して用いることができる。
【００３５】
このような本発明のシンナー組成物は、多様なフォトレジスト膜及び下部反射防止板（ＢＡＲＣ）に対して、優れた溶解度を有しており、ＥＢＲ特性、リワーク特性、及びフォトレジストの塗布性能を向上し得るのみならず、ＲＲＣ特性も優れる。特に、ｉ−ライン、ＫｒＦ、ＡｒＦ、及びＥＵＶ用フォトレジストの場合、構成するフォトレジストの基本構造が異なるため、これら全ての溶解性及び塗布性を向上するために、有機溶媒の組成含有量を調節することが必要であるが、本発明のシンナー組成物は、これを満たすものである。
【００３６】
＜基板処理方法＞
本発明は、本発明によるシンナー組成物を用いる基板処理方法を提供する。
【００３７】
本発明の基板処理方法は、前記シンナー組成物で前記基板を処理する段階と、前記基板にフォトレジストを塗布する段階とを備える。
【００３８】
前記シンナー組成物で基板を処理した後、フォトレジストを塗布することで、少ない量のフォトレジストで基板を塗布することができるようにすることができ、工程コスト及び生産性が向上される。
【００３９】
本発明の基板処理段階は、前記シンナー組成物処理後、フォトレジストを塗布し、露光工程前に、さらに前記シンナー組成物で前記基板を処理する段階をさらに備えることができる。
【００４０】
前記段階において、さらにシンナー組成物で基板を処理することで、露光工程前に、基板の周縁部又は後面部に塗布された不要なフォトレジストを迅速且つ効果的に除去することができる。
【００４１】
本発明による基板処理方法は、フォトレジストが用いられる製品、例えば、電子素子の製造方法であれば、特に制限なく適用することができる。具体的には、例えば、半導体素子又は薄膜トランジスター液晶表示素子の製造方法に適用することができる。
【００４２】
以下、本発明の理解を助けるために、好適な実施例を示すが、これら実施例は本発明を例示するに過ぎず、添付された特許請求の範囲を制限するわけではなく、本発明の範疇及び技術思想の範囲内において実施例に対し変更が多様であること且つ修正が可能であることは、当業者にとって明らかなものであり、このような変更及び修正が添付された特許請求の範囲に属するのも当然のことである。
【００４３】
実施例及び比較例
撹拌機が設けられた混合槽に、表１に示す成分をその組成比で添加した後、常温で１時間、５００ｒｐｍの速度で撹拌してシンナー組成物を調製した。
【００４４】
【表１】
2015232708.tif 000005
【００４５】
実験例１：シンナー組成物によるＥＢＲ（edge bid removing）性能評価 
８インチ（inch）酸化シリコーン基板に表２に示すフォトレジストを塗布した後、実施例及び比較例のシンナー組成物に対して、表３に示す条件でエッジ部位の不要な感光膜を除去するＥＢＲ実験を行った。各実施例及び比較例のシンナー組成物は、圧力計が設けられた加圧筒から供給され、この際の圧力は、１ｋｇｆであり、ＥＢＲノズルから放出されるシンナー組成物の流量は、１０〜３０ｃｃ／ｍｉｎとした。そして、光学顕微鏡を用いて不要な感光膜の除去性能を評価し、その結果を下記の表４に示した。
【００４６】
＜評価基準＞
◎:ＥＢＲ後に感光膜に対するＥＢＲラインの均一性（line uniformity）が一定
○:ＥＢＲ後に感光膜に対するＥＢＲラインの均一性が７５％以上であり、良好な直線状態
△:ＥＢＲ後にエッジ部分の形状がシンナーの溶解作用によって歪んだ状態
Χ:ＥＢＲ後にエッジ部位の膜にテーリング（tailing）現象が発生した状態
【００４７】
【表２】
2015232708.tif 000006
【００４８】
【表３】
2015232708.tif 000007
【００４９】
【表４】
2015232708.tif 000008
【００５０】
表４から分かるように、本発明のシンナー組成物の場合、優れたＥＢＲ特性を示す確認することができた。
【００５１】
具体的には、本発明によるプロピレングリコールアルキルエーテルアセテート又はアルキル２−ヒドロキシイソブチレートをその含有量範囲内で含まない場合には、ＥＢＲ特性が低下することが分かる（比較例１、２、６〜９、１４、１５）。一方、本発明による界面活性剤を含まない場合（比較例３〜５）には、ＥＢＲ特性が実施例と近似しているが、後述するＲＲＣ性能、コーティング均一性及び／又はリワーク性能では、本発明と比較して顕著に低下する。
【００５２】
実験例２：フォトレジスト種類によるＲＲＣ（reducing resist consumption）性能評価
【００５３】
実施例及び比較例のシンナー組成物を用いて、表２に示す５種のフォトレジスト及びＢＡＲＣに対するＲＲＣ性能を試験した。表５のような手法によって、８インチの酸化シリコーン基板にシンナー０．５ｃｃを塗布した。その後、ＰＲ１：１．２ｃｃ、ＰＲ２：１．０ｃｃ、ＰＲ３：０．８ｃｃ、ＢＡＲＣ−１：０．５ｃｃ、ＢＡＲＣ−２：０．４ｃｃをそれぞれ塗布した後、ウエハ上のフォトレジスト塗布状態を評価して表６にその結果を示した。
【００５４】
＜評価基準>
◎:フォトレジストがウエハ上に９８％以上塗布された場合
○:フォトレジストがウエハ上に９６％以上塗布された場合
△:フォトレジストがウエハ上に９４％以上塗布された場合
Χ:フォトレジストがウエハ上に９４％未満塗布された場合
【００５５】
【表５】
2015232708.tif 000009
【００５６】
【表６】
2015232708.tif 000010
【００５７】
表６から分かるように、本発明によるシンナー組成物は、比較例と比較して優れたＲＲＣ特性を示すことが分かる。
【００５８】
参考までに、実施例１及び比較例７のシンナー組成物を用いてＲＲＣ性能評価結果を示した写真を図１（実施例１）及び図２（比較例７）に示した。
【００５９】
実験例３：フォトレジスト種類によるコーティング均一性評価
実施例及び比較例のシンナー組成物を用いて、表２に示す５種類のフォトレジスト及びＢＡＲＣに対するコーティング均一性を試験した。表７のような手法によって、８インチの酸化シリコーン基板の上にフォトレジストを塗布した。その後、ウエハの中央とウエハの中央から上、下、左、右にそれぞれ３ポイントずつ全部で１３ポイントに対するフォトレジストの膜の厚さを測定し、標準偏差を算出した。算出された標準偏差でフォトレジストのコーティング均一性を評価し、その結果を表８に示した。
【００６０】
<評価基準>
◎:塗布膜厚さの標準偏差が平均膜厚さの１％以下である場合
○:塗布膜厚さの標準偏差が平均膜厚さの２％以下である場合
△:塗布膜厚さの標準偏差が平均膜厚さの３％以下である場合
Χ:塗布膜厚さの標準偏差が平均膜厚さの３％超過である場合
【００６１】
【表７】
2015232708.tif 000011
【００６２】
【表８】
2015232708.tif 000012
【００６３】
表８から分かるように、本発明のシンナー組成物は、フォトレジスト及びＢＡＲＣの種類にかかわらず、コーティングが均一になり、フォトレジストの塗布性能が向上することが分かった。
【００６４】
実験例４：フォトレジスト種類によるリワーク性能評価
実施例及び比較例のシンナー組成物を用いて、表２に示す５種類のフォトレジスト及びＢＡＲＣに対するリワーク性能を試験した。表９のような手法によって、８インチの酸化シリコーン基板に５種類のフォトレジストを塗布した。それ以後、ソフトベイキング工程を終えたウエハをそれぞれのシンナー組成物を用いてリワーク工程を実施した。
【００６５】
リワークされた酸化シリコーン基板をＴＯＰＣＯＮ社の表面スキャン装置（モデル名:ＷＭ−１５００）を用いて表面状態を評価した。その結果を下記の表１０に示した。
【００６６】
＜評価基準>
◎：表面スキャンした結果、リワークされた酸化シリコーン表面の粒子の個数が１０００個未満である場合
○：表面スキャンした結果、リワークされた酸化シリコーン表面の粒子の個数が１０００個以上２０００個未満である場合
△：表面スキャンした結果、リワークされた酸化シリコーン表面の粒子の個数が２０００個以上３０００個未満である場合
Χ：表面スキャンした結果、リワークされた酸化シリコーン表面の粒子の個数が３０００個以上である場合 
【００６７】
【表９】
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【００６８】
【表１０】
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【００６９】
表１０から分かるように、本発明のシンナー組成物は、リワーク性能が優れていることを確認することができた。
【図１】
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【図２】
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