(57)【要約】【課題】被検査体における欠陥の誤検出を防止する渦電流探傷技術を提供する。【解決手段】渦電流探傷装置１０は、クロスコイル２１に入力させる第１周波数の励磁信号を送信する第１送信部１１と、このクロスコイル２１の第１応答信号を受信する第１受信部１３と、パンケーキコイル２２（２２ａ，２２ｂ）に入力させる第２周波数の励磁信号を送信する第２送信部１２と、パンケーキコイル２２（２２ａ，２２ｂ）の第２応答信号を受信する第２受信部１４と、第１応答信号の第１強度Ｐ及び第１位相角θ並びに第２応答信号の第２強度Ｑ及び第２位相角φを導出する導出部１５と、導出されたこれら第１強度、第１位相角θ、第２強度Ｑ及び第２位相角φを閾値１６に照らし被検査体３０における欠陥の存在を判定する判定部１７と、を備えている。【選択図】  図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
被検査体に対向するセンジング面が十字交差するクロスコイルに入力させる第１周波数の励磁信号を送信する第１送信部と、
前記第１周波数の励磁信号の入力に伴い被検査体に生成した第１渦電流による誘導磁場を検出した前記クロスコイルの第１応答信号を受信する第１受信部と、
前記クロスコイルと同軸に環状配置されたパンケーキコイルに入力させる第２周波数の励磁信号を送信する第２送信部と、
前記第２周波数の励磁信号の入力に伴い被検査体に生成した第２渦電流による誘導磁場を検出した前記パンケーキコイルの第２応答信号を受信する第２受信部と、
前記第１応答信号の第１強度及び第１位相角並びに前記第２応答信号の第２強度及び第２位相角を導出する導出部と、
導出された前記第１強度、前記第１位相角、前記第２強度及び前記第２位相角を閾値に照らし前記被検査体における欠陥の存在を判定する判定部と、を備えることを特徴とする渦電流探傷装置。
【請求項２】
前記クロスコイルの軸方向に、複数の前記パンケーキコイルが配置されていることを特徴とする請求項１に記載の渦電流探傷装置。
【請求項３】
送信される励磁信号の前記第２位相角が共に等しく巻回方向が互いに逆方向である二つの前記パンケーキコイルが前記クロスコイルの上端と下端に位置することを特徴とする請求項２に記載の渦電流探傷装置。
【請求項４】
前記パンケーキコイルのそれぞれに送信される励磁信号の前記第２位相角を別々に変更できることを特徴とする請求項２に記載の渦電流探傷装置。
【請求項５】
前記判定部は、
前記第１強度が第１閾値を超え前記第１位相角が第１範囲である場合と、
前記第１強度が第２閾値から前記第１閾値の間をとり前記第１位相角が第１範囲でありさらに前記第２強度が第３閾値を超えない場合と、
前記第２強度が第３閾値を超えた場合であっても前記第２位相角が第２範囲を外れる場合とは、前記被検査体の対応する位置に欠陥が存在すると判定することを特徴とする請求項１から請求項４のいずれか１項に記載の渦電流探傷装置。
【請求項６】
前記クロスコイルと前記パンケーキコイルとで構成されるセンサユニットが複数配列してなり前記センサユニットの回転方向の位置が配列の順番に従って異なるセンサアレイを適用することを特徴とする請求項１から請求項５のいずれか一項に記載の渦電流探傷装置。
【請求項７】
被検査体に対向するセンジング面が十字交差するクロスコイルに入力させる第１周波数の励磁信号を送信するステップと、
前記第１周波数の励磁信号の入力に伴い被検査体に生成した第１渦電流による誘導磁場を検出した前記クロスコイルの第１応答信号を受信するステップと、
前記クロスコイルと同軸に環状配置されたパンケーキコイルに入力させる第２周波数の励磁信号を送信するステップと、
前記第２周波数の励磁信号の入力に伴い被検査体に生成した第２渦電流による誘導磁場を検出した前記パンケーキコイルの第２応答信号を受信するステップと、
前記第１応答信号の第１強度及び第１位相角並びに前記第２応答信号の第２強度及び第２位相角を導出するステップと、
導出された前記第１強度、前記第１位相角、前記第２強度及び前記第２位相角を閾値に照らし前記被検査体における欠陥の存在を判定するステップと、を備えることを特徴とする渦電流探傷方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明の実施形態は、被検査体に存在するき裂等の欠陥を非破壊で検出する渦電流探傷技術に関する。
【背景技術】
【０００２】
金属の表面近傍に存在するき裂等の欠陥の検出手段として渦電流探傷試験が利用される。この渦電流探傷試験は、交流電源に接続される励磁コイルから励磁磁場を被検査体に印加し、この被検査体表面に渦電流を発生させ、この渦電流に誘導された誘導磁場を検出コイルで検出する。
【０００３】
そして、コイルセンサを被検査体の表面に走査させ、この表面に存在する欠陥により変化する渦電流の分布を誘導磁場の変化として捉えることで、欠陥の検出が行われる。
この渦電流探傷試験装置は、励磁コイル及び検出コイルを一つのコイルセンサで構成する自己比較型と、それぞれ別々に構成する相互誘導型とがある。
【０００４】
このように渦電流探傷は電磁誘導を利用するため、コイルセンサを走査させる被検査体表面に導電率や透磁率の変化がある場合、存在しない欠陥を誤検出する可能性がある。
そこで、被検査体が強磁性体の場合は、コイルセンサの近傍に直流磁場を発生する磁石を設け、被検査体表面を強制的に磁化して透磁率の変化を抑制する技術が開示されている（例えば、特許文献１）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特許第４８８５０６８号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかし、被検査体に直流磁場を付与する技術は、発生する磁気引力によりコイルセンサの走査性が低下し、特に表面形状に変化を有する対象への適用が困難になる。
本発明の実施形態はこのような事情を考慮してなされたもので、被検査体における欠陥の誤検出を防止する渦電流探傷技術を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明の実施形態に係る渦電流探傷装置は、被検査体に対向するセンジング面が十字交差するクロスコイルに入力させる第１周波数の励磁信号を送信する第１送信部と、前記第１周波数の励磁信号の入力に伴い被検査体に生成した第１渦電流による誘導磁場を検出した前記クロスコイルの第１応答信号を受信する第１受信部と、前記クロスコイルと同軸に環状配置されたパンケーキコイルに入力させる第２周波数の励磁信号を送信する第２送信部と、前記第２周波数の励磁信号の入力に伴い被検査体に生成した第２渦電流による誘導磁場を検出した前記パンケーキコイルの第２応答信号を受信する第２受信部と、前記第１応答信号の第１強度及び第１位相角並びに前記第２応答信号の第２強度及び第２位相角を導出する導出部と、導出された前記第１強度、前記第１位相角、前記第２強度及び前記第２位相角を閾値に照らし前記被検査体における欠陥の存在を判定する判定部と、を備えることを特徴とする。
【発明の効果】
【０００８】
本発明の実施形態により、被検査体における欠陥の誤検出を防止する渦電流探傷技術が提供される。
【図面の簡単な説明】
【０００９】
【図１】本発明の実施形態に係る渦電流探傷装置のブロック図。
【図２】実施形態に係る渦電流探傷装置に適用されるセンサユニットの斜視図。
【図３】（Ａ）センサユニットの水平断面図、（Ｂ）センサユニットの縦断面図、（Ｃ）変形例に係るセンサユニットの水平断面図、（Ｄ）変形例に係るセンサユニットの縦断面図。
【図４】平面又は曲面を有する被検査体に存在する欠陥に対するクロスコイルの検出感度特性を示すグラフ。
【図５】（Ａ）自己誘導型クロスコイルを含むセンサユニットの接続回路の概略図、（Ｂ）相互誘導型クロスコイルを含むセンサユニットの接続回路の概略図。
【図６】被検査体の表面を走査するクロスコイルの第１応答信号の強度（検出電圧）の変化を示すグラフ。
【図７】クロスコイルの位置に欠陥が存在したときの第１応答信号の位相角を示すグラフ。
【図８】被検査体の表面を走査するパンケーキコイルの第２応答信号の強度（検出電圧）の変化を示すグラフ。
【図９】パンケーキコイルの位置に錆が存在したときの第２応答信号の位相角を示すグラフ。
【図１０】被検査体に存在する欠陥を検出したクロスコイルの第１応答信号より得られる極座標グラフ。
【図１１】被検査体に存在する錆を検出したパンケーキコイルの第２応答信号より得られる極座標グラフ。
【図１２】渦電流探傷装置に適用される判定部の動作を説明するフローチャート。
【図１３】（Ａ）平面を有する被検査体用途向けに複数のセンサユニットを配列させて構成したセンサアレイを示す斜視図、（Ｂ）曲面を有する被検査体用途向けのセンサアレイを示す斜視図。
【図１４】センサアレイに配列されるセンサユニットの回転方向の配置の説明図。
【図１５】（Ａ）センサアレイに配列されるセンサユニットの水平断面図、（Ｂ）縦断面図。
【図１６】センサアレイに配列されるセンサユニットのそれぞれに送信する励磁信号のタイミングを示す図。
【発明を実施するための形態】
【００１０】
以下、本発明の実施形態を添付図面に基づいて説明する。
図１に示すように実施形態に係る渦電流探傷装置１０は、被検査体３０に対向するセンジング面が十字交差するクロスコイル２１に入力させる第１周波数の励磁信号を送信する第１送信部１１と、この第１周波数の励磁信号の入力に伴い被検査体３０に生成した第１渦電流による誘導磁場を検出したクロスコイル２１の第１応答信号を受信する第１受信部１３と、クロスコイル２１と同軸に環状配置されたパンケーキコイル２２（２２ａ，２２ｂ）に入力させる第２周波数の励磁信号を送信する第２送信部１２と、この第２周波数の励磁信号の入力に伴い被検査体３０に生成した第２渦電流による誘導磁場を検出したパンケーキコイル２２（２２ａ，２２ｂ）の第２応答信号を受信する第２受信部１４と、第１応答信号の第１強度Ｐ及び第１位相角θ並びに第２応答信号の第２強度Ｑ及び第２位相角φを導出する導出部１５と、導出されたこれら第１強度Ｐ、第１位相角θ、第２強度Ｑ及び第２位相角φを閾値１６に照らし被検査体３０における欠陥の存在を判定する判定部１７と、を備えている。
【００１１】
このように構成される渦電流探傷装置１０は、金属等の導電性を有する構造材である被検査体３０の欠陥検査に適用することができる。
被検査体３０は、狭隘な形状、例えば、原子炉内構造物の溶接部、原子炉管台の管曲面部等を対象にすることができる。
【００１２】
図２はセンサユニット２０の斜視図を示す、図３（Ａ）はセンサユニット２０の水平断面図、図３（Ｂ）センサユニット２０の縦断面図を示している。
このようにセンサユニット２０は、素線を巻回させた二つのコイルを二点で直角に交差させこの二つの交差点を結ぶ直線が回転対称軸になるように構成したクロスコイル２１と、それぞれの交差点が中心となるようにかつ回転対称軸がクロスコイル２１と一致するように環状配置されるパンケーキコイル２２（２２ａ，２２ｂ）とから構成されている。
【００１３】
クロスコイル２１は、素線が一方向に巻回された帯状体を、さらに積層させた構成をとる。そして、これら二つのコイルが互いに交差する部分は、二つのコイルの帯状体が交互に積層した構成となっている。
実施形態においてクロスコイル２１は欠陥検出用の主コイルとして、パンケーキコイル２２は被検査体３０の電磁気的性質の変化に依存したノイズ識別用の補助コイルとして機能する。
クロスコイル２１及びパンケーキコイル２２は、被検査体３０上の同じ位置を同じタイミングで検出する必要があるため、互いに回転対称軸を共有するように構成されることが望まれる。
【００１４】
図３（Ｃ）、（Ｄ）は変形例に係るセンサユニットの水平断面図及び縦断面図を示している。このようにパンケーキコイル２２は、クロスコイル２１の上端と下端とを挟み込むように配置してもよい。
また、これまで説明した実施形態においてパンケーキコイル２２（２２ａ，２２ｂ）は、クロスコイル２１の軸方向に二つ配置されるものを開示したが、配置される数に限定はない。パンケーキコイル２２は、クロスコイル２１の下側に一つのみ配置される場合もあるし、所定の間隔で三つ以上配置される場合もある。
【００１５】
図４のグラフは、平面又は曲面を有する被検査体３０に存在する欠陥に対するクロスコイル２１の検出感度特性を示している。
この図４に示すように、クロスコイル２１は、被検査体３０の表面が曲面形状を有する場合であっても、平面形状である場合と同じ欠陥検出感度を示す特性を有している。
【００１６】
図５に基づいて、センサユニット２０の回路型式について説明する。
図５（Ａ）はクロスコイル２１が自己誘導型のものであり、図５（Ｂ）はクロスコイル２１が相互誘導型のものであり、パンケーキコイル２２はいずれも自己誘導型となっている。
このように、自己誘導型は、直列接続した二つのコイルに連結する一つの回路で、励磁と検出を実行するものである。これに対し相互誘導型は、二つのコイルがそれぞれ別々の回路を形成し、励磁と検出をそれぞれ別々のコイルで実行するものである。
【００１７】
なお、回路上に形成される第１送信部１１、第２送信部１２、第１受信部１３及び第２受信部１４の接続形式は例示であって、走査中のクロスコイル２１及びパンケーキコイル２２の各々のインピーダンス変化を検出することができるものであれば適宜採用される。
【００１８】
図１に戻って説明を続ける。
第１送信部１１からクロスコイル２１に送信される励磁信号の第１周波数と、第２送信部１２からパンケーキコイル２２（２２ａ，２２ｂ）に送信される励磁信号の第２周波数とはそれぞれ異なるものである。
これら第１周波数と第２周波数の選び方としては、クロスコイル２１の第１応答信号とパンケーキコイル２２の第２応答信号との混信を防止するために、高調波成分を含まない組み合わせとする。
【００１９】
第１送信部１１から第１周波数の励磁信号が送信されるとクロスコイル２１に励磁磁場が生じ、被検査体３０に第１周波数の渦電流が励起される。
そして、この渦電流により発生する第１周波数の誘導磁場がクロスコイル２１に鎖交すると、このクロスコイル２１に発生した第１周波数の誘導起電圧が第１応答信号として第１受信部１３に受信される。
【００２０】
同様に第２送信部１２から第２周波数の励磁信号が送信されるとパンケーキコイル２２に励磁磁場が生じ、被検査体３０に第２周波数の渦電流が励起される。
そして、この渦電流により発生する第２周波数の誘導磁場がパンケーキコイル２２に鎖交すると、このパンケーキコイル２２に発生した第２周波数の誘導起電圧が第２応答信号として第２受信部１４に受信される。
【００２１】
そして、被検査体３０の表面にセンサユニット２０を走査して欠陥の近傍を通過させると、この欠陥を迂回して渦電流が流れて誘導磁場の分布が変化する。
また、欠陥が存在していなくても被検査体３０の表面に錆等の電磁気的性質が異なる領域が存在する場合も誘導磁場の分布が変化する。
このため被検査体３０の表面における、錆等の電磁気的性質が異なる領域が存在すると、欠陥として誤検出されるおそれがある。
被検査体３０の表面における誘導磁場の分布の変化は、クロスコイル２１及びパンケーキコイル２２のインピーダンス変化としてそれぞれ第１応答信号及び第２応答信号に反映される。
【００２２】
第１受信部１３はクロスコイル２１から受信した第１応答信号を、第２受信部１４はパンケーキコイル２２から受信した第２応答信号を、導出部１５に送信する。
導出部１５は、第１応答信号の第１強度Ｐ及び第１位相角θ並びに第２応答信号の第２強度Ｑ及び第２位相角φを導出する
【００２３】
図６のグラフは、被検査体３０の表面を走査するクロスコイル２１から受信した第１応答信号の第１強度Ｐ（検出電圧）の変化を示している。
この第１強度Ｐは、クロスコイル２１のインピーダンス変化を表しており、振れ幅が大きい位置に、欠陥の存在が推定される。
【００２４】
図７のグラフは、被検査体３０の表面を走査するクロスコイル２１から受信した第１応答信号の第１位相角θを示している。
クロスコイル２１が欠陥を検出した場合、第１応答信号の第１位相角θは所定の範囲を示すことが知られている。
図７においては、｜θ−π／２｜＜α又は｜θ−３π／２｜＜αの範囲を、欠陥検出に対応付けしている。
【００２５】
図８のグラフは、被検査体３０の表面を走査するパンケーキコイル２２から受信した第２応答信号の第２強度Ｑ（検出電圧）の変化を示している。
この第２強度Ｑは、パンケーキコイル２２のインピーダンス変化を表しており、振れ幅が大きい位置に、錆の存在が推定される。
【００２６】
図９のグラフは、被検査体３０の表面を走査するパンケーキコイル２２から受信した第２応答信号の第２位相角φを示している。
パンケーキコイル２２が錆を検出した場合、第２応答信号の第２位相角φは所定の範囲を示すことが知られている。
図９においては、｜φ｜＜β又は｜φ−π｜＜βの範囲を、錆検出に対応付けしている。
【００２７】
ところで、第１強度Ｐ及び第１位相角θは、クロスコイル２１の第１励磁信号及び第１応答信号と被検査体３０の表面の電磁気的性質との関係から定まる。
同様に、第２強度Ｑ及び第２位相角φは、パンケーキコイル２２の第２励磁信号及び受信された第２応答信号と被検査体３０の表面の電磁気的性質との関係から定まる。
【００２８】
そこで、被検査体３０と同等材質に模擬欠陥（例えば深さ１ｍｍ、幅０．３ｍｍのスリット状欠陥）を付与した試験片を準備する。この試験片の欠陥を検出したクロスコイル２１の第１応答信号の振動波形が一定の振幅値（第１強度Ｐ）及び第１位相角θ（π／２）をとるように調整を行う。なお、模擬欠陥の無い部分の第１応答信号の振動波形の振幅値が０になるように第１強度Ｐを規格化してもよい。
パンケーキコイル２２の第２応答信号の第２強度Ｑ及び第２位相角φについても同様の調整を行う。
【００２９】
較正処理部１８は、被検査体３０の試験本番に先立って行われた試験片による調整結果を保持し、導出部１５で導出される第１強度Ｐ、第１位相角θ、第２強度Ｑ、第２位相角φに、この調整結果を反映させて較正する。
【００３０】
グラフ作成部１９は、クロスコイル２１の第１応答信号の第１強度Ｐ及び第１位相角θより得られる極座標グラフ、パンケーキコイル２２の第２応答信号の第２強度Ｑ及び第２位相角φより得られる極座標グラフを作成し、表示部２３に表示させるものである。
【００３１】
図１０は、欠陥を含む被検査体３０の領域を走査したクロスコイル２１が検出した第１応答信号から作成された極座標グラフである。
このように、クロスコイル２１で欠陥が検出された場合は、極座標系内の軌跡が、原点を中心とする偏角が±π／２の近傍で、原点からの距離が所定の閾値よりも大きくなるように描画される。
【００３２】
しかし、欠陥が存在していなくても、錆や加工履歴といった電磁気特性を変化させてしまう領域が被検査体３０に存在する場合は、急峻なノイズ信号が重畳する場合がある。
そのような場合は、クロスコイル２１の第１応答信号のみに欠陥の判定基準を委ねると、欠陥が存在していないにもかかわらず、存在していると誤判定するリスクがある。
【００３３】
図１１は、錆を含む被検査体３０の領域を走査したパンケーキコイル２２が検出した第２応答信号から作成された極座標グラフである。
このように、パンケーキコイル２２で錆等が検出された場合は、極座標系内の軌跡が、原点を中心とする偏角がπ又は０の近傍で、原点からの距離が所定の閾値よりも大きくなるように描画される。
そのような場合は、クロスコイル２１の第１応答信号から欠陥の存在が疑われる場合であっても、パンケーキコイル２２の第２応答信号から欠陥ではないことが確認される。
【００３４】
図１２のフローチャートに基づいて、判定部１７（図１）が、第１強度Ｐ、第１位相角θ、第２強度Ｑ及び第２位相角φを閾値１６に照らし、被検査体３０に存在する欠陥を判定する動作について説明する。
ます、クロスコイル２１に第１周波数の励磁信号を送信し（Ｓ１２）、パンケーキコイル２２には第２周波数の励磁信号を送信する（Ｓ１３）。
【００３５】
被検査体３０に生成した第１渦電流による第１周波数の誘導磁場をクロスコイル２１で検出した第１応答信号を受信し（Ｓ１４）、被検査体３０に生成した第２渦電流による第２周波数の誘導磁場をパンケーキコイル２２で検出した第２応答信号を受信する（Ｓ１５）。そして、第１応答信号の第１強度Ｐ及び第１位相角θ並びに第２応答信号の第２強度Ｑ及び第２位相角φを導出する（Ｓ１６，Ｓ１７）。
【００３６】
そして、第１強度Ｐが第１閾値ｍ1を超え（Ｓ１８：Ｙｅｓ）、第１位相角θが第１範囲（｜θ−π／２｜＜α又は｜θ−３π／２｜＜α）である場合は（Ｓ１９：Ｙｅｓ）は、欠陥と判定される（Ｓ２０）。
一方で、（Ｓ１９：Ｎｏ）の場合は、再検証の必要がある（Ｓ２１）。
【００３７】
第１強度Ｐが第２閾値ｍ2から第１閾値ｍ1の間をとり（Ｓ１８：Ｎｏ, Ｓ２２：Ｙｅｓ）、第１位相角θが第１範囲（｜θ−π／２｜＜α又は｜θ−３π／２｜＜α）であり（Ｓ２４：Ｙｅｓ）、さらに第２強度Ｑが第３閾値ｍ3を超えない場合（Ｓ２５：Ｎｏ）も、欠陥と判定される（Ｓ２０）。
一方で、（Ｓ２２：Ｎｏ）又は（Ｓ２４：Ｎｏ）の場合は、欠陥は存在しないとの正常判定となる（Ｓ２３）。
【００３８】
また第２強度Ｑが第３閾値ｍ3を超えた場合であっても（Ｓ２５：Ｙｅｓ）、第２位相角φが第２範囲（｜φ｜＜β又は｜φ−π｜＜β）を外れる場合は（Ｓ２６：Ｎｏ）、欠陥と判定される（Ｓ２０）。
一方で、（Ｓ２６：Ｙｅｓ）の場合は、正常判定となる（Ｓ２３）。
これら、欠陥判定（Ｓ２０）、再検証（Ｓ２１）、正常判定（Ｓ２３）の結果は、表示部２３（図１）に表示される。
【００３９】
図２に戻って説明を続ける。
クロスコイル２１の上端と下端に位置する二つのパンケーキコイル２２ａ，２２ｂは、素線の巻回方向が互いに逆方向であることとする。
二つのパンケーキコイル２２ａ，２２ｂが直列接続されていれば、それぞれに送信される励磁信号の第２位相角φは共に等しくなるが、巻回方向が互いに逆方向であるために、クロスコイル２１の配置される空間に形成される誘導磁場が互いにキャンセルされる。
これにより、クロスコイル２１の第１応答信号に含まれるノイズを低減させる効果が得られる。
【００４０】
また、図示を省略するが、複数設けられたパンケーキコイル２２のそれぞれに送信される励磁信号の第２位相角φを別々に変更できるようにしてもよい。
これにより、クロスコイル２１の第１応答信号のＳ／Ｎ比を最適化することができる。
【００４１】
（応用例）
図１３（Ａ）は、平面を有する被検査体用途向けに複数のセンサユニット２０を配列させて構成したセンサアレイ２４ａを示す斜視図である。図１３（Ｂ）は、曲面を有する被検査体用途向けのセンサアレイ２４ｂを示す斜視図である。
図１３（Ｂ）は被検査体３０の曲率変化に応じて、可撓性を有する構造としてもよい。またアレイ状に配列するセンサユニット２０の列数、間隔、距離を適宜変更することができる。
【００４２】
図１４は、センサアレイ２４に配列されるセンサユニット２０の回転方向の配置を示している。
センサユニット２０の回転方向の位置が配列の順番に従って異なるように、センサユニット２０が複数配列している。
これは、十字型に巻線されたクロスコイル２１は検出感度が高い方向と低い方向が４５°間隔で交互に存在する。そこで、図１４に示す様に、１列目と２列目を同一の方向で、３列目と４列目を４５°回転した方向に配置する。これによって、１列目と２列目の欠陥検出感度が低い方向を３列目と４列目が補う効果が得られる。
【００４３】
図１５（Ａ）は、センサアレイ２４に配列されるセンサユニット２０の水平断面図を示し、図１５（Ｂ）はその縦断面図を示している。
センサユニット２０の間隔が狭いセンサアレイ２４では、特に可撓性を有する場合に、センサユニット２０の相互間の距離が変動することがある。
この場合、あるセンサユニット２０から漏洩している磁場が、他のセンサユニット２０へ影響してノイズを発生させる要因になる。
そこで、図１５に示すようにセンサユニット２０の周囲に磁性体２５を配置して、他のユニット２０側への磁場の漏れを防止する方法が考えられる。
磁性体２５の代表的なものとしてはフェライト、パーマロイが挙げられる。
【００４４】
図１６は、センサアレイ２４に配列されるセンサユニット２０のそれぞれに送信する励磁信号のタイミングを示している。
センサユニット２０の相互間の影響を低減させるために、図１６に示す様に、励磁信号を送信するタイミングをずらすこととする。
図１６は４つのセンサユニット２０を、ずらして励磁する例を示している。
励磁信号を供給するタイミングは任意に指定できるが、互いに距離が離れたセンサユニット２０が順番に励磁されるようにすれば、漏洩磁場の影響を低減する効果が得られる。
【００４５】
以上述べた少なくともひとつの実施形態の渦電流探傷装置によれば、クロスコイルの応答信号とパンケーキコイルの応答信号とを同時に検出することにより、被検査体における欠陥の誤検出を防止することが可能となる。
【００４６】
本発明のいくつかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これら実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更、組み合わせを行うことができる。これら実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれると同様に、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれるものである。
また、渦電流探傷装置の構成要素は、コンピュータのプロセッサで実現することも可能である。
【符号の説明】
【００４７】
１０…渦電流探傷装置、１１…第１励磁信号の送信部、１２…第２励磁信号の送信部、１３…第１応答信号の受信部、１４…第２応答信号の受信部、１５…導出部、１６…閾値、１７…判定部、１９…グラフ作成部、２０…センサユニット、２１…クロスコイル、２２（２２ａ，２２ｂ）…パンケーキコイル、２３…表示部、２４（２４ａ，２４ｂ）…センサアレイ、２５…磁性体、３０…被検査体、Ｐ…第１強度、Ｑ…第２強度、θ…第１位相角、φ…第２位相角、ｍ1…第１閾値、ｍ2…第２閾値、ｍ3…第３閾値。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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