(57)【要約】      （修正有）【課題】ナノサイズ突起物を広い領域に安定的に形成できるナノ構造薄膜の製造方法を提供する。【解決手段】スパッタリングにより基板上にナノサイズ突起物を形成するナノ構造薄膜の製造方法であって、前記基板とスパッタリングターゲットとを６０ｍｍ以上離した状態でスパッタリングを行うことにより、ナノサイズ突起物を広い領域に安定的に形成する、ナノ構造薄膜の製造方法。【選択図】なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
スパッタリングにより基板上にナノサイズ突起物を形成するナノ構造薄膜の製造方法であって、前記基板とスパッタリングターゲットとを６０ｍｍ以上離した状態でスパッタリングを行うことを特徴とするナノ構造薄膜の製造方法。
【請求項２】
酸素ガスを導入しないでスパッタリングを行うことを特徴とする請求項１記載のナノ構造薄膜の製造方法。
【請求項３】
スパッタリングにおいて基板を加熱する温度が、スパッタリングターゲットを構成する元素のうち、常温、常圧下で固体である金属元素の融点以上の温度であることを特徴とする請求項１又は２記載のナノ構造薄膜の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ナノサイズ突起物を広い領域に安定的に形成できるナノ構造薄膜の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、シリコン太陽電池、色素増感太陽電池、有機薄膜太陽電池等の様々な種類の太陽電池が研究されている。こられの太陽電池において、高い光電変換効率を得る方法として、表面に複数のナノサイズ突起物が形成された、表面積の大きいナノ構造薄膜を電極に用いる方法が検討されている。
【０００３】
特許文献１には、基材上に、緻密な金属酸化物層（１）と、柱状構造を有する金属酸化物層（２）を有してなる金属酸化物膜が記載されており、この金属酸化物膜を電極として用い、その電極に色素を吸着させ、対極との間に電解質を挟んだ構造の色素増感太陽電池も記載されている。特許文献２には、導電層の表面に、複数の酸化インジウムスズＩＴＯナノロッドを備えた酸化インジウムスズＩＴＯ立体電極が記載されており、この酸化インジウムスズＩＴＯ立体電極を、有機ソーラー電池、色素増感ソーラー電池、有機発光ダイオード等の有機光電デバイスに応用することができることも記載されている。
【０００４】
特許文献１又は２に記載されたナノ構造薄膜は、斜向蒸着によりナノサイズ突起物が形成されたものである。斜向蒸着によりナノサイズ突起物を形成させる方法は、非特許文献１〜４にも記載されている。しかしながら、斜向蒸着は蒸着金属の付着方向が面内でばらつきやすいという問題を抱えており、斜向蒸着に替わる別の方法が望まれていた。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２００６−３５１３５５号公報
【特許文献２】特開２０１０−２８３３１３号公報
【非特許文献】
【０００６】
【非特許文献１】Ｈｏｏｎ  Ｓｉｋ  Ｊａｎｇ  ｅｔ  ａｌ．，“Ｆｉｅｌｄ  ｅｍｉｓｓｉｏｎ  ｆｒｏｍ  ｃｏｎｅ−ｌｉｋｅ  ｓｉｎｇｌｅ  ｃｒｙｓｔａｌｌｉｎｅ  ｉｎｄｉｕｍ  ｔｉｎ  ｏｘｉｄｅ  ｎａｎｏｒｏｄｓ”，Ｍａｔｅｒｉａｌｓ  Ｌｅｔｔｅｒｓ，Ｖｏｌｕｍｅ  ５９，Ｉｓｓｕｅ  １２，Ｍａｙ  ２００５，１５２６−１５２９．
【非特許文献２】Ｒｉｃｈａｒｄ  Ｇａｕｇｈａｎ，“Ｌｏｗ−Ｒｅｆｒａｃｔｉｖｅ−Ｉｎｄｅｘ  Ｎａｎｏｒｏｄ  Ｌａｙｅｒ  Ｉｍｐｒｏｖｅｓ  ＬＥＤ  Ｅｘｔｒａｃｔｉｏｎ  Ｅｆｆｉｃｉｅｎｃｙ”，Ａｐｐｌｉｅｄ  Ｐｈｙｓｉｃｓ  Ｌｅｔｔｅｒｓ，Ｊａｎ．２，２００６，０１３５０１．
【非特許文献３】Ｃ．Ｈ．Ｃｈｉｕ  ｅｔ  ａｌ．，“Ｏｂｌｉｑｕｅ  ｅｌｅｃｔｒｏｎ−ｂｅａｍ  ｅｖａｐｏｒａｔｉｏｎ  ｏｆ  ｄｉｓｔｉｎｃｔｉｖｅ  ｉｎｄｉｕｍ−ｔｉｎ−ｏｘｉｄｅ  ｎａｎｏｒｏｄｓ  ｆｏｒ  ｅｎｈａｎｃｅｄ  ｌｉｇｈｔ  ｅｘｔｒａｃｔｉｏｎ  ｆｒｏｍ  ＩｎＧａＮ／ＧａＮ  ｌｉｇｈｔ  ｅｍｉｔｔｉｎｇ  ｄｉｏｄｅｓ”，Ｏｐｔｉｃｓ  Ｅｘｐｒｅｓｓ，Ｖｏｌ．１７，Ｉｓｓｕｅ  ２３，２１２５０−２１２５６（２００９）．
【非特許文献４】Ｙｕｎｇ−Ｃｈｉ  Ｙａｏ  ｅｔ  ａｌ．，“Ｕｓｅ  ｏｆ  ｔｗｏ−ｄｉｍｅｎｓｉｏｎａｌ  ｎａｎｏｒｏｄ  ａｒｒａｙｓ  ｗｉｔｈ  ｓｌａｎｔｅｄ  ＩＴＯ  ｆｉｌｍ  ｔｏ  ｅｎｈａｎｃｅ  ｏｐｔｉｃａｌ  ａｂｓｏｒｐｔｉｏｎ  ｆｏｒ  ｐｈｏｔｏｖｏｌｔａｉｃ  ａｐｐｌｉｃａｔｉｏｎｓ”，Ｏｐｔｉｃｓ  Ｅｘｐｒｅｓｓ，Ｖｏｌ．２０，Ｉｓｓｕｅ  ４，３４７９−３４８９（２０１２）．
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
本発明は、ナノサイズ突起物を広い領域に安定的に形成できるナノ構造薄膜の製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明は、スパッタリングにより基板上にナノサイズ突起物を形成するナノ構造薄膜の製造方法であって、前記基板とスパッタリングターゲットとを６０ｍｍ以上離した状態でスパッタリングを行うナノ構造薄膜の製造方法である。
以下、本発明を詳述する。
【０００９】
本発明者は、従来の斜向蒸着の替わりに、スパッタリングにより基板上にナノサイズ突起物を形成することを検討した。
図１に、スパッタリング方法の一例を模式的に示す。図１に示すように、スパッタリング方法においては、基板ホルダ１に保持した基板２に対して、ターゲット電極３に取り付けたスパッタリングターゲット４を対向させた状態でスパッタリングを行う。これにより、スパッタリングターゲット４と同素材のスパッタ原子４’が基板２の表面に入射し、基板２の表面に堆積する。なお、通常は基板ホルダ１を回転させながらスパッタリングを行う。
しかしながら、単にこのようなスパッタリング方法によりスパッタリングを行っただけでは、ナノ構造薄膜を得ようとして同一条件で製膜したとしても原因不明の理由によりナノサイズ突起物が形成されず平坦な薄膜が得られてしまう場合があり、製膜のたびに製膜条件を微調整する必要があった。このため、ナノサイズ突起物を安定的に形成することは難しかった。
これに対して本発明者は、スパッタリングにより基板上にナノサイズ突起物を形成するナノ構造薄膜の製造方法において、基板とスパッタリングターゲットとを一定距離以上離した状態でスパッタリングを行うことにより、ナノサイズ突起物を広い領域に安定的に形成できることを見出し、本発明を完成させるに至った。
【００１０】
本発明のナノ構造薄膜の製造方法は、スパッタリングにより基板上にナノサイズ突起物を形成するものである。
上記基板は特に限定されないが、透明であることが好ましく、例えば、ガラス基板、金属基板等の無機基板、プラスチックフィルム等が挙げられる。上記プラスチックフィルムとして、ＰＥＴフィルム、ポリエチレンナフトエートフィルム、ポリカーボネートフィルム、ポリイミドフィルム、シクロオレフィン樹脂フィルム等が好ましい。
上記基板の厚みは特に限定されないが、上記ガラス基板等の無機基板の厚みは、５０μｍ〜１０ｍｍが好ましく、上記プラスチックフィルムの厚みは、８〜２００μｍが好ましい。
【００１１】
上記スパッタリングに使用するスパッタ装置は特に限定されず、バッチ式のスパッタ装置であってもよいし、ロールｔｏロール方式のスパッタ装置であってもよい。
【００１２】
上記スパッタリングの条件を調整することにより、上記基板上に目的とするナノサイズ突起物を形成することができる。
なかでも、酸素ガスを導入しないでスパッタリングを行うことが好ましく、アルゴンガス雰囲気下でスパッタリングを行うことがより好ましい。なお、酸素ガスを導入しないでスパッタリングを行うとは、少なくとも、酸素ガスを導入しないでスパッタリングを行う工程が含まれていればよく、その工程の前に酸素ガスを導入してスパッタリングを行ってもよい。酸素ガスを導入する場合は、アルゴンガスと酸素ガスとの混合ガス雰囲気下でスパッタリングを行い、続いて、酸素ガスを含まないアルゴンガス雰囲気下でスパッタリングを行うことが好ましい。
【００１３】
上記スパッタリングにおいて、上記基板を加熱する温度（製膜温度）は特に限定されないが、スパッタリングターゲットを構成する元素のうち、常温、常圧下で固体である金属元素の融点以上の温度であることが好ましく、より具体的には、好ましい下限が１３０℃、好ましい上限が５００℃である。このような製膜温度とすることにより、ナノサイズ突起物を充分に形成することができる。
なかでも、上記基板が上記ガラス基板等の無機基板である場合、製膜温度の好ましい下限は１５０℃、より好ましい下限は１７５℃である。製膜温度を１７５℃以上とすることにより、目的とする形状のナノサイズ突起物を形成しやすくなる。
また、上記プラスチックフィルムは一般的に薄く熱伝導性が高いため、上記基板が上記プラスチックフィルムである場合、製膜温度の好ましい下限は１３０℃である。このような製膜温度とすることにより、上記基板として上記プラスチックフィルムを用いることができ、得られたナノ構造薄膜は、太陽電池等の光電デバイスの電極のうちフレキシブルなものにも好適に利用されうるものとなる。
【００１４】
上記スパッタリングターゲットは特に限定されず、例えば、ＳｎＯ２３．０〜５０重量％のＩＴＯターゲット等が挙げられる。このようなＳｎＯ２含有量とすることにより、ナノサイズ突起物を充分に形成することができる。また、ＳｎＯ２含有量が多くなるにつれて、ナノサイズ突起物が長くなり密度が高くなるとともに円錐の先端に存在する球の直径が小さくなる傾向がある。ＳｎＯ２含有量のより好ましい下限は５重量％、より好ましい上限は４５重量％であり、更に好ましい下限は７重量％、更に好ましい上限は３５重量％である。
【００１５】
上記スパッタリングの様式は特に限定されず、ＤＣスパッタであってもＲＦスパッタであってよく、ＤＣスパッタとＲＦスパッタとの重畳スパッタであってもよい。上記スパッタリングの圧力、投入電力等は特に限定されず、例えば、圧力０．６６６Ｐａ、投入電力３００Ｗ等を用いることができる。
【００１６】
本発明のナノ構造薄膜の製造方法においては、上記基板とスパッタリングターゲットとを６０ｍｍ以上離した状態でスパッタリングを行う。これにより、ナノサイズ突起物を広い領域に安定的に形成することができる。
この理由ははっきりとは判っていないが、上記基板とスパッタリングターゲットとを６０ｍｍ以上離した状態にすることで、アルゴンプラズマによるナノサイズ突起物へのダメージ（逆スパッタ）を抑制できるためと推察される。即ち、アルゴンプラズマのダメージによりナノサイズ突起物が選択的に消失して膜が平坦化することを抑制できるためと考えられる。
【００１７】
上記基板とスパッタリングターゲットとの距離が６０ｍｍ未満であると、ナノ構造薄膜を得ようとして同一条件で製膜したとしても原因不明の理由によりナノサイズ突起物が形成されず平坦な薄膜が得られてしまう場合があり、製膜のたびに製膜条件を微調整する必要がある。上記基板とスパッタリングターゲットとの距離の好ましい下限は１００ｍｍ、より好ましい下限は１５０ｍｍである。
上記基板とスパッタリングターゲットとの距離の上限は特に限定されないが、製造上の実現性及び製膜効率の観点から、好ましい上限は５００ｍｍである。
なお、「基板とスパッタリングターゲットとを６０ｍｍ以上離した状態」とは、基板表面の中心から基板側に向いたスパッタリングターゲットの表面の中心までの距離（最短距離）を６０ｍｍ以上離した状態を意味する。
【００１８】
本発明のナノ構造薄膜の製造方法においては、上記基板に対して、上記スパッタリングターゲットを傾けて対向させた状態でスパッタリングを行うことが好ましい。
図２に、基板に対して、スパッタリングターゲットを傾けて対向させた状態でスパッタリングを行うスパッタリング方法の一例を模式的に示す。図２に示すスパッタリング方法では、上記基板の鉛直軸と上記スパッタリングターゲットの鉛直軸とがなす角度θ（図２参照）の好ましい下限が５°、好ましい上限が６０°であり、より好ましい下限が１０°、より好ましい上限が５５°であり、更に好ましい下限が１５°、更に好ましい上限が４５°である。このような好ましい範囲の角度で製膜することで、ナノサイズ突起物の密度を高密度にすることができる。
なお、図２において基板２は水平に図示されているが、基板２に対してスパッタリングターゲット４を傾けて対向させている限りにおいて、基板２及びスパッタリングターゲット４はいずれも水平であってもよいし、水平でなくてもよい。
【００１９】
本発明のナノ構造薄膜の製造方法においては、結晶性を高めるために、得られたナノ構造薄膜に対して加熱、プラズマ処理等を行ってもよい。
【００２０】
本発明のナノ構造薄膜の製造方法によれば、ナノサイズ突起物を広い領域に安定的に形成することができる。
上記ナノサイズ突起物は、１ｍｍ２以上の領域、好ましくは１００ｍｍ２〜１ｍ２もの広い領域に１ｍｍ２あたり１×１０２〜３×１０９個の密度で形成されることが好ましい。密度のより好ましい下限は１ｍｍ２あたり１×１０４個、より好ましい上限は１ｍｍ２あたり５×１０８個であり、更に好ましい下限は１ｍｍ２あたり１×１０５個、更に好ましい上限は１ｍｍ２あたり１×１０８個である。
【００２１】
なお、「ナノサイズ突起物が１ｍｍ２以上の領域に１ｍｍ２あたり１×１０２〜３×１０９個の密度で形成されている」とは、ナノ構造薄膜の表面を観察した電子顕微鏡写真（ＳＥＭ像）を用いて、１ｍｍ２以上の領域にわたる任意の５以上の箇所について算出したナノサイズ突起物の密度の平均値が、１ｍｍ２あたり１×１０２〜３×１０９個であることを意味する。
【００２２】
上記ナノサイズ突起物は、上記基板に対して垂直方向の高さＨと、上記基板に対して水平方向の断面の幅Ｗとの比率Ｈ／Ｗが１〜１０００であることが好ましい。得られたナノ構造薄膜のいずれの箇所においても実質的に比率Ｈ／Ｗが同比率のナノサイズ突起物が同一密度で形成されていることが好ましい。比率Ｈ／Ｗが１未満であると、ナノサイズ突起物が充分に形成されず、得られたナノ構造薄膜の導通性能が低下することがある。比率Ｈ／Ｗが１０００を超えると、ナノサイズ突起物が物理的な力で破壊されやすくなることがある。
【００２３】
上記ナノサイズ突起物の形状は特に限定されず、例えば、ロッド状（円錐状、円筒状）、こぶ状、四角柱状、四角錐状等が挙げられるが、ロッド状が好ましく、円錐状がより好ましい。これらの形状は、単一の形状のみが存在していてもよいし、２種以上の形状が混在していてもよい。
上記円錐状として、高さ１０ｎｍ〜１５０μｍ、底面直径１〜５００ｎｍの円錐状が好ましく、この場合、円錐の先端に直径１〜５００ｎｍの球を有する形状であることがより好ましい。上記四角柱状及び／又は四角錐状として、高さ１０ｎｍ〜１００μｍ、底面の辺が１〜５００ｎｍの四角柱状及び／又は四角錐状が好ましい。
また、上記ナノサイズ突起物は、分岐構造を有するものを含んでいてもよい。上記分岐構造は、ランダムな構造であってもよいが、上記基板から伸びる主たる幹となる突起部分からほぼ９０°方向に分岐した枝を有する構造が好ましく、このような枝を多数有する樹状（ツリー状）構造がより好ましい。上記樹状構造においては、主たる幹となる突起部分と各枝とがクロス状を形成していることが更に好ましい。
【００２４】
なお、ナノサイズ突起物の比率Ｈ／Ｗ、及び、形状は、ナノ構造薄膜の断面又は表面を観察した電子顕微鏡写真（ＳＥＭ像）から求めることができる。ナノサイズ突起物の比率Ｈ／Ｗとは、３０個以上のナノサイズ突起物の平均値を意味する。
【００２５】
本発明のナノ構造薄膜の製造方法により得られたナノ構造薄膜は、上記基板と上記ナノサイズ突起物との間に、上記ナノサイズ突起物と同素材からなる下地導電層を有していてもよい。このような下地導電層の厚みは特に限定されないが、５ｎｍ〜１００μｍが好ましい。
従来のナノ構造薄膜の製造方法においては、通常の各種製膜方法で基板上に下地導電層を形成した後、斜向蒸着により下地導電層上にナノサイズ突起物を形成していた（即ち、下地導電層とナノサイズ突起物とをそれぞれ別の手段で形成していた）。従って、ナノ構造薄膜を製造するには手間がかかるうえに、下地導電層と電気的に導通できていない突起が形成されることがあり、導通性能が低下する原因となっていた。
これに対して本発明のナノ構造薄膜の製造方法においては、上記基板上に同素材からなる上記下地導電層と上記ナノサイズ突起物とを１工程で形成させることができるため、得られたナノ構造薄膜の導通性能が向上する。なお、「同素材からなる」とは、構成元素が同一であることを意味する。構成元素が同一であれば、必ずしも各構成元素の組成比が同一である必要はない。
【００２６】
上記下地導電層及び上記ナノサイズ突起物の素材は、導電性を有する限り特に限定されないが、上記下地導電層及び上記ナノサイズ突起物が、少なくとも、インジウム、スズ及び酸素を含有することが好ましく、更に、窒素を含有することが好ましい。上記下地導電層及び上記ナノサイズ突起物の素材として、具体的には例えば、インジウムを含有する酸化スズ、アルミニウムを含有する酸化スズ、亜鉛を含有する酸化スズ、ガリウムを含有する酸化スズ、窒素を含有する酸化スズ等が挙げられる。
【００２７】
本発明のナノ構造薄膜の製造方法により得られたナノ構造薄膜においては、上記基板上に上記下地導電層が直接形成されていてもよいが、上記基板の表面に表面処理が施されていたり、上記基板と上記下地導電層との間に薄膜層が形成されていたりしてもよい。
上記薄膜層として、例えば、上記基板が上記プラスチックフィルムである場合に該プラスチックフィルムのガスバリア性を高めることのできる薄膜層等が挙げられる。上記薄膜層は、得られたナノ構造薄膜が太陽電池等の光電デバイスの電極として使用される場合には、透明であることが好ましい。上記薄膜層として、具体的には例えば、ＳｉＯ２、Ａｌ２Ｏ３等の金属酸化物層、アクリル、シリコーン等からなる透明樹脂層等が挙げられる。
【００２８】
図３に、本発明のナノ構造薄膜の製造方法により得られたナノ構造薄膜の一例を模式的に示す。図３に示すナノ構造薄膜５は、基板６上に形成された下地導電層７と、下地導電層７に接する、下地導電層７と同素材からなるナノサイズ突起物８とを有する。
【００２９】
本発明により得られたナノ構造薄膜は、太陽電池等の光電デバイスの電極として好適に利用されうるものである。即ち、例えば、本発明により得られたナノ構造薄膜を電極として用いることにより、太陽電池の光電変換効率を高めることができる。この理由としては、電極面積の増加と、電荷発生部への電極の近接化とにより、電荷キャリアの効率的な収集がなされるためと推察される。
光電デバイスとしては、太陽電池のほかに、ＬＥＤ、有機ＥＬ等も挙げられる。
更に、本発明により得られたナノ構造薄膜は、センサー用電極としても好適に利用することができる。
【発明の効果】
【００３０】
本発明によれば、ナノサイズ突起物を広い領域に安定的に形成できるナノ構造薄膜の製造方法を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００３１】
【図１】スパッタリング方法の一例を模式的に示した図である。
【図２】基板に対して、スパッタリングターゲットを傾けて対向させた状態でスパッタリングを行うスパッタリング方法の一例を模式的に示した図である。
【図３】本発明のナノ構造薄膜の製造方法により得られたナノ構造薄膜の一例を模式的に示した断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００３２】
以下に実施例を掲げて本発明を更に詳しく説明するが、本発明はこれら実施例のみに限定されない。
【００３３】
（実施例１）
ＤＣマグネトロンスパッタ装置のターゲット電極にスパッタリングターゲットとしてＳｎＯ２７．０重量％のＩＴＯターゲットを取り付け、アルゴンガス雰囲気下で基板（コーニングガラス＃１７３７基板、厚み０．７ｍｍ）を加熱して該基板にスパッタリングを行い、基板上に下地導電層とナノサイズ突起物とを有するナノ構造薄膜を得た。
このときの基板表面の中心から基板側に向いたスパッタリングターゲットの表面の中心までの距離（基板−ターゲット間距離）は６０ｍｍであった。また、基板の鉛直軸とスパッタリングターゲットの鉛直軸とがなす角度θは５°であった。また、アルゴン圧は０．６６６Ｐａ、製膜温度は３００℃、投入電力は３００Ｗ、製膜時間は１０分であった。
【００３４】
（実施例２〜９）
基板表面の中心から基板側に向いたスパッタリングターゲットの表面の中心までの距離（基板−ターゲット間距離）を表１に示すように変更したこと以外は実施例１と同様にして、基板上に下地導電層とナノサイズ突起物とを有するナノ構造薄膜を得た。
【００３５】
（比較例１）
基板表面の中心から基板側に向いたスパッタリングターゲットの表面の中心までの距離（基板−ターゲット間距離）を表１に示すように変更したこと以外は実施例１と同様にして、薄膜を得た。
【００３６】
＜評価＞
実施例、比較例で得られたナノ構造薄膜又は薄膜について、下記の評価を行った。結果を表１に示した。なお、実施例１〜３、及び、実施例４〜６はそれぞれ同一条件で製造を行っており、表１に示す結果から、本発明のナノ構造薄膜の製造方法の再現性を確認した。
【００３７】
（１）ナノサイズ突起物の観察
ナノ構造薄膜の表面を観察した電子顕微鏡写真（ＳＥＭ像）を用いて、１ｍｍ２以上の領域にわたる任意の５以上の箇所について算出したナノサイズ突起物の密度の平均値を求めた。また、電子顕微鏡写真（ＳＥＭ像）から、ナノサイズ突起物の比率Ｈ／Ｗ、及び、形状を求めた。なお、比較例１で得られた薄膜はナノサイズ突起物が充分に形成されていない平坦な薄膜であり、比率Ｈ／Ｗが１以上となるナノサイズ突起物は得られなかったことがわかった。
【００３８】
（２）導通性能
実施例で得られたナノ構造薄膜について、抵抗率計（Ｌｏｒｅｓｔａ  ＡＸ  ＭＣＰ−Ｔ３７０、三菱化学アナリテック社製）を用いて４探針法により表面抵抗（Ω／ｓｑ）を測定した。なお、ナノサイズ突起物は得られなかったが参考までに比較例１で得られた薄膜についても表面抵抗を測定した。なお、表面抵抗が１００Ω／ｓｑ以下であれば、太陽電池等の光電デバイスの電極として好適に利用可能であるとみなすことができる。
【００３９】
【表１】
2015232165.tif 000002
【産業上の利用可能性】
【００４０】
本発明によれば、ナノサイズ突起物を広い領域に安定的に形成できるナノ構造薄膜の製造方法を提供することができる。
【符号の説明】
【００４１】
１    基板ホルダ
２    基板
３    ターゲット電極
４    スパッタリングターゲット
４’  スパッタ原子
５    ナノ構造薄膜
６    基板
７    下地導電層
８    ナノサイズ突起物
【図１】
2015232165.tif 000003
【図２】
2015232165.tif 000004
【図３】
2015232165.tif 000005