(57)【要約】【課題】歩留りを向上させ、且つ画質を向上させた有機ＥＬ表示装置及びその製造方法を提供する。【解決手段】有機ＥＬ表示装置の製造方法は、有機ＥＬ発光層を含む複数の画素を備える表示部と、有機ＥＬ発光層に接続されて有機ＥＬ発光層の表面を封止する封止膜から一部が露出された複数の端子を備える端子部と、を備える有機ＥＬ表示装置の製造方法であって、第１基板上に各画素に対応させてＴＦＴ駆動回路層及びＴＦＴ駆動回路層に接続された複数の端子を形成し、ＴＦＴ駆動回路層上にＴＦＴ駆動回路層に接続された有機ＥＬ発光層を形成し、有機ＥＬ発光層上に封止膜を形成し、第１基板に対向して配置される第２基板を第１基板に接合し、第２基板上にタッチパネルのセンサ基板及び電極層を形成し、電極層の形成された側のセンサ基板上からエッチング処理を施すことにより、封止膜を除去して複数の端子を露出することを含む。【選択図】図３
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
有機ＥＬ発光層を含む複数の画素を備える表示部と、前記有機ＥＬ発光層にそれぞれ接続されて前記有機ＥＬ発光層の表面を封止する封止膜から一部が露出された複数の端子を備える端子部と、を備える有機ＥＬ表示装置の製造方法であって、
第１基板上に前記複数の画素にそれぞれ対応させてＴＦＴ駆動回路層及び前記ＴＦＴ駆動回路層に接続された前記複数の端子をそれぞれ形成し、
前記ＴＦＴ駆動回路層上に前記ＴＦＴ駆動回路層にそれぞれ接続された前記有機ＥＬ発光層を形成し、
前記有機ＥＬ発光層上に前記封止膜を形成し、
前記第１基板に対向して配置されて前記表示部を覆う第２基板を前記第１基板に接合し、
前記第２基板上にタッチパネルのセンサ基板及び電極層を形成し、
前記電極層の形成された側の前記センサ基板上からエッチング処理を施すことにより、前記封止膜を除去して前記複数の端子を露出することを含むことを特徴とする有機ＥＬ表示装置の製造方法。
【請求項２】
前記電極層に含まれる電極を、ＩＴＯを用いて形成することを特徴とする請求項１に記載の有機ＥＬ表示装置の製造方法。
【請求項３】
前記電極層を形成することは、前記電極層に含まれる電極に接続されて外部回路と接続される引き回し配線を形成することを含み、
前記引き回し配線は、前記電極に用いられる材料よりも高導電性の材料を用いることを特徴とする請求項１または２に記載の有機ＥＬ表示装置の製造方法。
【請求項４】
前記引き回し配線と前記第１基板の裏面とを電気的に接続する高熱伝導性の粘着フィルムを形成することをさらに含むことを特徴とする請求項３に記載の有機ＥＬ表示装置の製造方法。
【請求項５】
前記センサ基板の表面には前記エッチング処理により複数の凹部が形成されることを特徴とする請求項１乃至４のいずれか一項に記載の有機ＥＬ表示装置の製造方法。
【請求項６】
有機ＥＬ発光層を含む複数の画素を備える表示部と、前記有機ＥＬ発光層にそれぞれ接続されて前記有機ＥＬ発光層の表面を封止する封止膜から一部が露出された複数の端子を備える端子部と、を備える第１基板と、
前記第１基板に対向して配置されて前記表示部を覆って前記第１基板と接合された第２基板と、
前記第２基板上に配置されてセンサ基板及び電極層を含むタッチパネルと、を備え、
前記センサ基板の表面には複数の凹部を備えることを特徴とする有機ＥＬ表示装置。
【請求項７】
前記電極層に含まれる電極は、ＩＴＯからなることを特徴とする請求項６に記載の有機ＥＬ表示装置。
【請求項８】
前記電極層に含まれる電極は、外部回路と接続される引き回し配線に接続され、
前記引き回し配線は、前記電極に用いられる材料よりも高導電性の材料からなることを特徴とする請求項６または７に記載の有機ＥＬ表示装置。
【請求項９】
前記引き回し配線と前記第１基板の裏面とを電気的に接続する高熱伝導性の粘着フィルム備えることを特徴とする請求項８に記載の有機ＥＬ表示装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、有機ＥＬ（electro-luminescence）発光層の封止手段を備えた有機ＥＬ表示装置及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、ディスプレイパネルの薄型化や高輝度化や高速化を目的として、有機ＥＬ表示装置の開発が進められている。有機ＥＬ表示装置は、有機発光ダイオード（organic light-emitting diode）から構成された画素を備えた表示装置であり、機械的な動作がない為に反応速度が速く、各画素自体が発光するため高輝度表示が可能になるとともに、バックライトが不要となるため薄型化が可能になるので、次世代の表示装置として期待されている。
【０００３】
図１は、有機ＥＬ表示装置１０の積層構造の一例を示す縦断面図である。図１に示すように、有機ＥＬ発光層１は、ガラス等の硬質な基板２上に形成される。有機ＥＬ発光層１は、図１においては詳細な図示を省略しているが、例えば、基板２側から順に、ＴＦＴ駆動回路層、反射電極、正孔注入層、正孔輸送層、発光層、電子輸送層、電子注入層、透明電極が積層されることにより構成されてもよい。
【０００４】
有機ＥＬ発光層１は、雰囲気中の水分に曝されると急速に劣化するため、外気から密閉される必要がある。そこで、図１に示すように、有機ＥＬ発光層１の表面は、例えば、ＣＶＤ成膜された窒化シリコン（ＳｉＮ）膜等からなる透明な封止膜３によって覆われるとともに、封止膜３の表面は透明な樹脂４、５によって覆われることがある。以下では、図１に示す有機ＥＬ発光層１及び封止膜３の形成された基板７を「第１基板７」という。このような第１基板７上に、樹脂４、５を介してガラス等の硬質透明部材からなる対向基板６が接合されることにより有機ＥＬ表示装置１０が構成される。
【０００５】
このような構成を備える有機ＥＬ表示装置１０は、図２に示すように、画像を表示するための領域であって有機ＥＬ発光層１を含む複数の画素が配置される表示部１２と、外部回路と電気的な接続を行う複数の端子１３ａが配置される領域である端子部１３とを備える。図２は、有機ＥＬ表示装置１０の概略構成を示す斜視図であり、表示部１２及び端子部１３を備える第１基板７の構成と、第１基板７に対向して配置される第２基板８及び第３基板９の構成を図示したものである。ここで、図２に示す第２基板８及び第３基板９は、図１に示す対向基板６に対応する。対向基板６は、図示した構成に限定されず、有機ＥＬ表示装置１０の仕様に応じて他の複数の基板を含んで構成されるものであってもよい。第２基板８は、個々の画素に対応して形成されたカラーフィルタを備えるカラーフィルタ基板であってもよい。第３基板９は、タッチパネル機能を有するセンサデバイス等を備えたタッチパネルであってもよい。
【０００６】
図２に示すように、端子部１３において、複数の端子１３ａは、図１に示す封止膜３、樹脂４、５並びに第２基板８及び第３基板９を含む対向基板６に覆われずに露出されて形成される。複数の端子１３ａの露出された端部は、例えば、フレキシブルプリント回路基板（FPC:Flexible printed circuits）等の駆動信号を供給する外部回路に接続される。また、複数の端子１３ａは、基板２上に形成された配線等を介して有機ＥＬ発光層１に接続される。
【０００７】
このように、有機ＥＬ表示装置１０の製造工程上、有機ＥＬ発光層１を覆う封止膜３が基板２の全面を覆って形成される場合、端子部１３において複数の端子１３ａを封止膜３から露出させる処理（以下、「端子出し」ともいう。）を行う必要がある。
【０００８】
複数の端子１３ａを露出させる方法としては、従来、端子部１３上に封止膜３を形成した後、テープ剥離やエッチング（ドライまたはウェット）により端子部１３上の封止膜３を除去する方法が知られている。端子部１３上の封止膜３をエッチングにより除去する場合、第１基板７に第２基板８を貼り合せた後、エッチングを行う。これにより、端子部１３以外は第２基板８自体がハードマスクとなるため、表示部１２の封止膜３をエッチングすることなく、端子部１３上の封止膜３を除去することができる。
【０００９】
ここで、封止膜３には、例えば、５μｍ以下のＳｉＮ膜、または１μｍ程度のアクリル積層膜（例えば、ＳｉＮ／有機樹脂膜（アクリル）／ＳｉＮ、ＳｉＮ／ＳｉＯ(またはａ／Ｓｉ)／有機樹脂膜（アクリル）／ＳｉＮ）を用いることがある。このようなＳｉＮ膜またはアクリル積層膜からなる封止膜３に対してプラズマを用いたエッチング処理を施すと、第１基板７に形成された有機ＥＬ発光層１に、熱によるダメージを与える虞があった。例えば、第１基板７の温度が１００℃以上となると、有機ＥＬ発光層１に含まれる有機ＥＬ材料には劣化や結晶化が生じ、有機ＥＬ表示装置１０の信頼性を損なわせる虞があった。
【００１０】
このような熱による表示装置への影響を低減させるために、従来の表示装置には、例えば、発光パネルと拡散板との間に、線状又はメッシュ状の金属材からなる放熱板を配置する構成とするものがある（例えば、特許文献１参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【００１１】
【特許文献１】特開２００７−３２８３３９号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１２】
しかしながら、上述した従来の表示装置のように、発光パネル側に放熱板を備える構成の場合には、発光パネルに対応する第１基板７に形成された封止膜３をエッチングにより除去して端子出しの処理を行う場合に、第１基板７に接合された第２基板８の側からエッチング処理を施すことから、第２基板８を介して有機ＥＬ発光層１に熱が伝わり、第１基板７側に備えられた放熱板によっては有機ＥＬ発光層１に対する熱の影響を低減させることができない虞があった。
【００１３】
また、このようなエッチング法を用いずに、例えば、剥離法により端子部１３を覆う封止膜３を除去する場合は、剥離境界が不均一となり、剥離残りが生じる虞があった。また、端子部１３を覆わない封止膜３をマスクを用いてパターニングにより形成する場合、マスクのクリーニングに別途の工程が必要となり、位置合わせには高い精度が要求されることから、製造工程が複雑化し、歩留りが低下する虞があった。
【００１４】
そこで、本発明は、簡易な製造工程により、従来の製造工程を大幅に変更することなく、歩留りを向上させて製造することのできる有機ＥＬ表示装置及びその製造方法を提供することを課題とする。
【課題を解決するための手段】
【００１５】
本発明の一実施形態に係る有機ＥＬ表示装置の製造方法は、有機ＥＬ発光層を含む複数の画素を備える表示部と、前記有機ＥＬ発光層にそれぞれ接続されて前記有機ＥＬ発光層の表面を封止する封止膜から一部が露出された複数の端子を備える端子部と、を備える有機ＥＬ表示装置の製造方法であって、第１基板上に前記複数の画素にそれぞれ対応させてＴＦＴ駆動回路層及び前記ＴＦＴ駆動回路層に接続された前記複数の端子をそれぞれ形成し、前記ＴＦＴ駆動回路層上に前記ＴＦＴ駆動回路層にそれぞれ接続された前記有機ＥＬ発光層を形成し、前記有機ＥＬ発光層上に前記封止膜を形成し、前記第１基板に対向して配置されて前記表示部を覆う第２基板を前記第１基板に接合し、前記第２基板上にタッチパネルのセンサ基板及び電極層を形成し、前記電極層の形成された側の前記センサ基板上からエッチング処理を施すことにより、前記封止膜を除去して前記複数の端子を露出することを含むことを特徴とする。
【００１６】
前記電極層に含まれる電極は、ＩＴＯを用いて形成してもよい。
【００１７】
前記電極層を形成することは、前記電極層に含まれる電極に接続されて外部回路と接続される引き回し配線を形成することを含み、前記引き回し配線は、前記電極に用いられる材料よりも高導電性の材料を用いてもよい。
【００１８】
前記引き回し配線と前記第１基板の裏面とを電気的に接続する高熱伝導性の粘着フィルムを形成してもよい。
【００１９】
前記センサ基板の表面には前記エッチング処理により複数の凹部が形成されてもよい。
【００２０】
また、本発明の一実施形態に係る有機ＥＬ表示装置は、有機ＥＬ発光層を含む複数の画素を備える表示部と、前記有機ＥＬ発光層にそれぞれ接続されて前記有機ＥＬ発光層の表面を封止する封止膜から一部が露出された複数の端子を備える端子部と、を備える第１基板と、前記第１基板に対向して配置されて前記表示部を覆って前記第１基板と接合された第２基板と、前記第２基板上に配置されてセンサ基板及び電極層を含むタッチパネルと、を備え、前記センサ基板の表面には複数の凹部を備えることを特徴とする。
【図面の簡単な説明】
【００２１】
【図１】本発明の一実施形態に係る有機ＥＬ表示装置の積層構造の概略構成を示す断面図である。
【図２】本発明の一実施形態に係る有機ＥＬ表示装置の概略構成を示す斜視図である。
【図３】本発明の一実施形態に係る有機ＥＬ表示装置の製造工程を示すフロー図である。
【図４】本発明の一実施形態に係る有機ＥＬ表示装置の概略構成を示す断面図である。
【図５】本発明の一実施形態に係る有機ＥＬ表示装置の概略構成を示す断面図である。
【図６】本発明の一実施形態に係る有機ＥＬ表示装置の製造工程を説明するための図である。
【図７】本発明の一実施形態に係る有機ＥＬ表示装置の製造工程を説明するための図である。
【図８】本発明の一実施形態に係る有機ＥＬ表示装置の製造工程を説明するための図である。
【図９】本発明の一実施形態に係る有機ＥＬ表示装置の概略構成を示す断面図である。
【図１０】従来の有機ＥＬ表示装置の製造工程を示すフロー図である。
【発明を実施するための形態】
【００２２】
以下、本発明の実施形態について図面を参照して説明する。なお、本発明は以下の実施形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲において種々なる態様で実施することができる。
【００２３】
（有機ＥＬ表示装置１０の構成）
まず、図１及び図２を参照し、本発明の一実施形態に係る有機ＥＬ表示装置１０の概略構成について説明する。図１は、有機ＥＬ表示装置１０の積層構造の概略構成を示す断面図であり、図２は、有機ＥＬ表示装置１０の概略構成を示す斜視図である。なお、図１及び図２を参照して上述した構成については、以下、その詳細な説明を省略する。
【００２４】
図１に示すように、本発明の一実施形態に係る有機ＥＬ表示装置１０は、有機ＥＬ発光層１を含む複数の画素が配置された第１基板７と、第１基板７に対向して配置される対向基板６とを、ダム材４及び充填材５を介して貼り合わせた構成を有する。このとき、有機ＥＬ発光層１は、封止膜３によって覆われて形成される。
【００２５】
また、図２に示すように、有機ＥＬ表示装置１０は、有機ＥＬ発光層１を含む複数の画素が配置された表示部１２と、外部素子との電気的な接続を行うための複数の端子１３ａが配置される領域である端子部１３とを含む。端子部１３において、封止膜３は、複数の端子１３ａが露出されるようにその一部が除去されて形成される。
【００２６】
このような構成を備える本発明の一実施形態に係る有機ＥＬ表示装置１０の製造工程について、以下、図３乃至図９を参照して説明する。また、本発明の一実施形態に係る有機ＥＬ表示装置１０の比較として、図１０に示す従来の有機ＥＬ表示装置の製造工程を参照して説明する。
【００２７】
（有機ＥＬ表示装置１０の製造工程）
図３は、本発明の一実施形態に係る有機ＥＬ表示装置１０の製造工程を示すフロー図である。図４及び図５は、本発明の一実施形態に係る有機ＥＬ表示装置１０の概略構成を示す断面図であり、図２に示すＡ−Ａ´線の断面図に対応する。図６乃至図８は、本発明の一実施形態に係る有機ＥＬ表示装置１０の製造工程を説明するための図である。図９は、本発明の一実施形態に係る有機ＥＬ表示装置１０の概略構成を示す断面図であり、図２に示すＢ−Ｂ´線の断面図に対応する。図１０は、従来の有機ＥＬ表示装置の製造工程を示すフロー図である。以下、図３に示すフロー図に基づき、本発明の一実施形態に係る有機ＥＬ表示装置１０の製造工程を工程順に説明する。
【００２８】
（１）アレイ工程（Ｓ２１０）
まず、図３に示すアレイ工程Ｓ２１０において、製造用基板（図示せず）上に各有機ＥＬ表示装置１０の形成領域に対応させて、それぞれ複数の配線及び複数の配線にそれぞれ接続される発光制御素子（ＴＦＴ）を備えるＴＦＴ駆動回路層を形成する。ここで、製造用基板は、後述する工程において複数の有機ＥＬ表示装置１０が個片化されて取り出される基板であり、各有機ＥＬ表示装置１０においては図１に示す基板２に対応する。
【００２９】
ＴＦＴ駆動回路層は、各画素に含まれる有機ＥＬ発光層１の発光を制御する発光制御素子を含む。発光制御素子は、各画素を選択的且つ発光量を調整して駆動するための駆動回路（Ｘドライバ、Ｙドライバ、シフトレジスタ等）及び各駆動回路に導通して各駆動回路に電源電圧や駆動信号を供給するとともにグランドへの接地を行う多数の配線に接続されるように形成する。
【００３０】
ＴＦＴ駆動回路層上には、例えば、平坦化膜として、ＣＶＤ法によって酸化シリコンや窒化シリコン等からなる絶縁層（図示せず）を形成する。絶縁層上には、図２に示す端子部１３に対応する領域に、複数の端子１３ａを形成する。複数の端子１３ａは、絶縁層内部に形成されたコンタクトホール及びコンタクトホール内に形成された配線等を介して各発光制御素子に接続されている配線パターンの端部にそれぞれ接続される。
【００３１】
（２）ＥＬ工程（Ｓ２２０）
次に、ＥＬ工程Ｓ２２０において、上述した有機ＥＬ発光層１のうち、ＴＦＴ駆動回路層を除く、例えば、反射電極、正孔注入層、正孔輸送層、発光層、電子輸送層、電子注入層、透明電極が積層された構造を形成する。有機ＥＬ発光層１は、図２に示す表示部１２に対応する領域に、各画素に対応させて、公知の方法を用いて形成する。
【００３２】
（３）封止形成（Ｓ２３０）
次に、封止形成の工程Ｓ２３０において、有機ＥＬ発光層１及び複数の端子１３ａを覆う封止膜３を形成する。封止膜３には、５μｍ以下の窒化シリコン（ＳｉＮ）厚膜、または、１μｍ程度のアクリル積層膜（ＳｉＮ／有機樹脂膜（アクリル）／ＳｉＮやＳｉＮ／ＳｉＯ（ｏｒ ａ-Ｓｉ）／有機樹脂膜（アクリル）／ＳｉＮ）を形成する。封止膜３は、ＣＶＤ法等の公知の方法を用いて製造用基板の全面を覆って形成する。なお、ここまでの構成が、図１に示す第１基板７の構成に対応する。
【００３３】
酸素や水分から有機ＥＬ発光層１を保護する封止膜３は、単層構造や積層構造が適用される。単層構造では窒化シリコン（ＳｉＮ）が用いられ、５μｍ以下の膜厚で形成される。一方、積層構造では、２層積層構造、３層積層構造およびそれらの繰り返し構造が利用される。一例として、３層積層構造では、第１無機膜／樹脂／第２無機膜が利用され、第1無機膜と有機樹脂膜との間に、さらに薄膜の無機膜を形成してもよい。第１および第２無機膜にはＳｉ含有無機膜が適しており、具体的にはＳｉＮ、ＳｉＯＮ（ＳｉＯｘＮｙ）、ＳｉＯ２（ＳｉＯｘ）がある。また、樹脂は、有機樹脂ではアクリル樹脂、ポリイミド樹脂、エポキシ樹脂など、また無機樹脂では、シロキサンなどのシリコーン樹脂などが適している。例えば、膜厚は、Ｓｉ含有無機膜で２００〜６００ｎｍ、有機樹脂で２００〜８００ｎｍが適している。
【００３４】
次に、封止膜３の形成された製造用基板上に、硬化前の粘度が比較的高い樹脂をディスペンサーによって塗布してダム材４を形成する。ダム材４は、例えば、エポキシ系樹脂、アクリル系樹脂等の、ＵＶ硬化型又は熱硬化型の透明樹脂を用いて形成してもよい。ダム材４の形状は、表示部１２と端子部１３との間の仕切り部材及び隣接する複数の有機ＥＬ表示装置１０の間の仕切り部材として機能するバンク層であることから、表示部１２を囲む額縁状の形状に形成してもよい。ダム材４を表示部１２と端子部１３との間に形成することにより、後述する製造工程においてダム材４の内側に充填される充填材５が端子部１３に流出しないように構成することができる。このように、ダム材４は充填材５の領域を画定するものでもあることから、ダム材４に用いる樹脂は充填材５に用いる樹脂よりも硬化前の粘度が高い樹脂を用いるようにする。
【００３５】
このように形成された複数のダム材４の内側の表示部１２上に、それぞれ充填材５として硬化前の粘度が比較的低い樹脂を所定のピッチで点状に滴下する。充填材５としては、例えば、エポキシ系樹脂、アクリル系樹脂等のＵＶ硬化型又は熱硬化型の透明樹脂を用いて形成してもよい。
【００３６】
（４）第１基板７と第２基板８との貼り合せ（Ｓ２４０）
次に、貼り合せの工程Ｓ２４０において、減圧下のチャンバー内で、第１基板７に対応する製造用基板上に第２基板８に対応する製造用基板を貼り合わせ、両基板とダム材４によって囲まれる空間の全域に充填材５を押し広げ、大気圧下でダム材４及び充填材５を硬化させて接合させる。ここで、第２基板８に対応する製造用基板は、有機ＥＬ表示装置１０の各画素に対応させてカラーフィルタが形成されたものとする。カラーフィルタは、第２基板８の第１基板７と対向する側面に形成され、第２基板８に形成された各カラーフィルタを、第１基板７上の各画素領域に対応させて位置合わせを行いながら第１基板７と第２基板８とを位置合わせして貼り合わせを行う。
【００３７】
なお、図示していないが、第２基板８に対応する製造用基板は、個々の有機ＥＬ表示装置１０の表示部１２を覆う大きさを備え、第２基板８の端子部１３側の端部が端子部１３上を覆わない形状を有するものであってもよい。例えば、第２基板８に対応する製造用基板は、図４に示す第２基板８のように、端子部１３側の端部が端子部１３上に突出しない形状とし、第２基板８の端子部１３側の端と、センサ基板１１の端子部１３側の端とが略同一面上に揃った形状としてもよい。また、第２基板８に対応する製造用基板は、貼り合わせの工程Ｓ２４０において、第１基板７に対応する製造用基板の全面を覆って貼り合わされた後、後述する個片化の工程Ｓ２５０において個々の有機ＥＬ表示装置１０毎に端子部１３上を覆わない形状にそれぞれ切断されてもよい。このように、第２基板８は、端子部１３上においては封止膜３から露出される複数の端子１３ａを覆わない形状に形成する。
【００３８】
第１基板７に対応する製造用基板と第２基板８に対応する製造用基板とを位置合わせを行って貼り合わせた後、ダム材４及び充填材５を硬化させることにより、第１基板７に対応する製造用基板と第２基板８に対応する製造用基板とを互いに接合させる。例えば、ダム材４に紫外線硬化型の樹脂を用いて、充填材５に熱硬化型の樹脂を用いた場合には、第２基板８を通してダム材４に紫外線を照射した後、加熱炉内で充填材５を熱硬化してもよい。このような貼り合わせの工程Ｓ２４０により、第１基板７に対応する製造用基板と第２基板８に対応する製造用基板とが接合された構成を得ることができる。
【００３９】
（５）個片化（Ｓ２５０）
次に、個片化の工程Ｓ２５０において、スクライブ・ブレーク等の公知の方法を用いて、第１基板７に対応する製造用基板と第２基板８に対応する製造用基板とが接合された構成を個々の有機ＥＬ表示装置１０に対応する領域毎にそれぞれ切断する。なお、個片化の工程Ｓ２５０の後、図３に示すフロー図には図示していないが、有機ＥＬ表示装置１０の仕様に応じて第２基板８上に偏光板を形成してもよい。
【００４０】
（６）タッチパネル（ＴＰ）の形成（Ｓ２６０）
個片化の工程Ｓ２５０の後、第２基板８上にそれぞれタッチパネル９の構造のうち、センサ基板１１及びＩＴＯ層１２を形成する（Ｓ２６０）。本発明の一実施形態に用いられるタッチパネル９は、例えば、抵抗膜方式または静電容量方式のタッチパネルである。タッチパネル９は、図４に示すように、センサ基板１１と、センサ基板１１上に形成されるＩＴＯ層１２とを含む。
【００４１】
タッチパネル９は、一般に、ＩＴＯ層１２を設けたセンサ基板１１上に、ハードコート基板（図示せず）が形成され、さらに筐体（図示せず）が形成されてその構造が完成する。しかし、本工程Ｓ２６０においては、タッチパネル９の構造のうち、センサ基板１１上にＩＴＯ層１２が形成された構造までを形成する。従って、後述する端子出しの工程Ｓ２７０においては、ＩＴＯ層１２が最上層にある状態で封止膜３のエッチング処理が行われる。
【００４２】
ＩＴＯ層１２には、ＩＴＯからなる透明電極が所定のパターンで形成される。例えば、ＩＴＯ層１２に含まれる透明電極は格子状に形成され、外部ＩＣ等によって制御される。なお、タッチパネル９に使用される透明電極がＩＴＯであるとして、以下、ＩＴＯ層１２を備える構成を述べるが、ＩＴＯに限らず、センサ基板１１上に形成される電極として、例えば、ＩＺＯ、Ａｇワイヤ、Ａｇナノ粒子、グラフェン、ＣＮＴ等の材料を用いてもよい。
【００４３】
センサ基板１１及びＩＴＯ層１２は、第２基板８の端子部１３側の端から突出して複数の端子１３ａの露出部分までを覆わない形状とする。このように、センサ基板１１及びＩＴＯ層１２を端子部１３上の露出される端子１３ａを覆わない形状とすることにより、後述する端子出しの工程Ｓ２７０において、端子部１３上の封止膜３を除去することを物理的に阻害しない形状とすることができる。
【００４４】
例えば、センサ基板１１及びＩＴＯ層１２は、図４に示すように、第２基板８の端子部１３側の端と、センサ基板１１の端子部１３側の端とが略同一面上に揃った形状に形成してもよい。また、複数の端子１３ａと外部回路（ＦＰＣ：フレキシブルプリント基板）１６とが接続される領域以外の端子部１３の領域については封止膜３を除去する必要はないことから、図５に示すように、外部回路１６に直接接続されない領域上をセンサ基板１１によって覆う構成としてもよい。このとき、図５には図示していないが、センサ基板１１上のＩＴＯ層１２についてもセンサ基板１１の形状に合わせて第２基板８の端から延長された形状に形成してもよい。
【００４５】
（７）端子出しの工程（Ｓ２７０）
次に、端子部１３において複数の端子１３ａを覆う封止膜３を除去して複数の端子１３ａをそれぞれ露出させる端子出しの処理を行う（Ｓ２７０）。端子出しの処理は、個片化された構造（以下、「セル」ともいう。）をトレイ２０に載せ、ドライエッチングプロセスによる一括処理にて行う。図６は、個片化された複数のセル１０´がトレイ２０上に配置された構成を図示したものである。なお、図６は、既に端子部１３上の封止膜３が除去された構成を図示している。
【００４６】
トレイ２０の材質は、熱伝導性の高いアルミニウム合金（A5052など）を利用し、さらにアルマイト処理にてコートしたものを用いる。また、トレイ２０は一般的なエッチング装置に備えられているチラー（図示せず）により２０℃程度に冷却される。トレイ２０にパネル温度を熱移動させることで、エッチング処理による熱を短時間で放熱することができる。このような装置を用いてトレイ２０を冷却しながらエッチング処理を行うことにより、有機ＥＬ発光層１を構成する有機材料に対して熱による劣化が生じることを防ぎ、有機ＥＬ発光層１の信頼性を損なわないようにすることができる。
【００４７】
ここで、図１０に示す従来の製造工程のフロー図を参照すると、従来の端子出し処理Ｓ２７０は、第１基板７と第２基板８とを貼り合わせて個片化した後であって、タッチパネル９の形成工程Ｓ２６０よりも前に行われる。従って、従来の端子出し処理Ｓ２７０によると、直接的にエッチング処理による熱の影響を受けるのは、絶縁性のガラス基板にカラーフィルタ等が形成された第２基板８となる。このように、第２基板８が最上層にある場合にエッチング処理を行うと、エッチング処理によるプラズマ熱を絶縁性のガラス基板が直接的に受けることから、熱伝導されずにパネル温度が上昇する虞がある。また、従来の端子出し処理Ｓ２７０によると、第２基板８から有機ＥＬ発光層１を備える第１基板７までの距離が近いことから、プラズマ処理による熱が有機ＥＬ発光層１に直接的に影響する虞がある。
【００４８】
一方、本発明の一実施形態に係る有機ＥＬ表示装置１０の製造工程においては、タッチパネル９の形成工程Ｓ２６０の後工程において、端子出しの処理Ｓ２７０が行われる。すなわち、タッチパネル９の構造のうち、ＩＴＯ層１２の形成後に端子出しの処理Ｓ２７０が行われるため、エッチング処理によるプラズマ熱を直接的に受けるのは最上層に配置されたＩＴＯ層１２となる。このとき、ＩＴＯ層１２には格子状のＩＴＯからなる透明電極が形成されていることから熱伝導されやすい。従って、エッチング処理によるプラズマ熱は、最上層に配置されたＩＴＯ層１２の格子状の電極によって放熱させることができる。
【００４９】
また、本発明の一実施形態に係る製造工程によれば、センサ基板１１及びＩＴＯ層１２を形成した後に端子出しの処理Ｓ２７０を行うことから、エッチング処理による熱を直接的に受けやすい最上層部との間に距離を生じさせることもできる。また、エッチング処理による熱を直接的に受けるセンサ基板１１の下には、熱伝導率の低いガラス基板（酸化シリコン）からなる第２基板８や樹脂４、５等が配置されているため、熱を有機ＥＬ発光層１に伝わり難くすることができる。従って、本発明の一実施形態に係る有機ＥＬ表示装置１の製造工程によれば、従来の端子出しの処理Ｓ２７０と比較して、有機ＥＬ発光層１が受ける熱によるダメージを低減させて封止膜３を除去することができる。
【００５０】
このような端子出し処理に使用するエッチングガスは、フッ素系ガス（例えば、ＳＦ６、ＣＦ４、ＮＦ６など）および酸素（Ｏ２）の単体ガスもしくは混合ガスである。さらにアルゴン（Ａｒ）や窒素（Ｎ２）を添加する場合もある。このようなエッチングガスを用いることにより、封止膜３に窒化シリコン（ＳｉＮ）膜を用いる場合においては、ＩＴＯに対するＳｉＮの選択比が高いことからＩＴＯ層１２へのエッチングによるダメージを小さいものとすることができる。
【００５１】
ここで、ＩＴＯ層１２は塩素系のエッチングガスによりエッチングされる一方、フッ素系ガスによってはほぼエッチングされないという特徴を備える。従って、本発明においては、塩素系のエッチングガスは用いずに、フッ素系ガスを用いる。例えば、エッチングガスとしてＳＦ６／Ｏ２の混合ガスを利用した場合、ＩＴＯ層１２はほぼエッチングされない一方、センサ基板１１に対してはＳＦ６／Ｏ２はエッチングが進むため、センサ基板１１においては若干の膜減り（目減り）が起こる。このとき、図７（ａ）に示すエッチング処理前の構成においては平坦であったセンサ基板１１の表面Ｋ１に、図７（ｂ）に示すように、縦方向もしくは横方向の格子状に配列されたＩＴＯ層１２の形状に沿って膜減りが生じ、複数の凹部Ｋ２が形成される。なお、センサ基板１１の主成分が酸化シリコン（ＳｉＯ）のガラスであっても、ポリイミド樹脂（ＰＩ）のようなフレキシブル基板であっても同様に、ＩＴＯ層１２の配置位置を除いた位置に若干の膜減りが生じる。
【００５２】
また、エッチング処理前の端子部１３においては、図８（ａ）に一例として図示するように、端子電極２２上には２層のＩＴＯ膜３１、３２が形成され、ＩＴＯ膜３２上に封止膜３が形成された構成を備える。ここで、配線２１に接続された端子電極２２は、発光制御素子（ＴＦＴ）のソース／ドレイン電極の形成と同時に形成されてもよく、端子電極２２上のＩＴＯ膜３１、３２は、有機ＥＬ発光層１の透明電極の形成と同時に形成されてもよい。封止膜３をエッチングして除去することにより、端子部１３においても、図８（ｂ）に示すように、基板２の表面上には膜減りにより凹部Ｋ２が形成されることがある。
【００５３】
さらに、封止膜３に対するエッチング処理により、センサ基板１１等に対してはエッチングガスによるドーピングが生じることがある。例えば、エッチングガスにＳＦ６を用いた場合にはＳやＦがドーピングされる可能性がある。しかし、ＩＴＯ層１２に対してＦドーピングすることは、Ｆがドナーとなるため、低抵抗化するために好適である。
【００５４】
このように、本発明の一実施形態に係る製造工程によると、エッチング処理が施されていないセンサ基板と比較して、センサ基板１１は例えばＦドーピングによるとＦ濃度が高くなることがある。また、センサ基板１１上のＩＴＯ層１２は、プラズマ熱による温度上昇により表面が結晶化することがある。さらに、ＩＴＯ層１２の引き回し配線にメタルを使用している場合にはエッチングガスに酸素を使用することによって配線の表面に酸化膜が形成されることがある。従って、このような特徴がセンサ基板１１及びＩＴＯ層１２上に見られる場合には、本発明のように、センサ基板１１及びＩＴＯ層１２の形成後に封止膜３を除去したことが分かる。また、図７（ｂ）及び図８（ｂ）に示す凹部Ｋ２がセンサ基板１１上に見られる場合にも、センサ基板１１及びＩＴＯ層１２の形成後に封止膜３を除去したことがわかる。なお、同様の特徴は、プロセスガスに、ＳＦ６／Ｏ２に限らず、ＣＦ４やＮＦ３等を使用する場合にも確認することができる。
【００５５】
ＩＴＯ層１２の電極が外部ＩＣに接続される引き回し配線には、ＩＴＯからなる透明電極よりも高導電性の材料を用いることとする。これにより、表示部１２に受ける熱を表示部１２から外部ＩＣへと繋がる引き回し配線によって逃がすことが可能となる。例えば、ＩＴＯの熱伝導率は、約８Ｗ／ｍＫである一方、アルミニウムは約２００Ｗ／ｍＫであることから、引き回し配線にはアルミニウムを用いることもできる。このように、表示部１２における透明導電膜をＩＴＯ等で形成し、外部へと繋がる引き回し配線を高導電性および高熱導電性のメタルで構成することにより、表示部１２上から周辺へ熱が伝わりやすくなる。なお、引き回し配線は、額縁状のブラックマトリクス下に形成されることから、透明である必要はない。
【００５６】
さらに、センサ基板１１の引き回し配線の一部もしくは全てを、金属製（アルミニウム、マグネシウムなど）のトレイ２０、またはエッチングチャンバー内の部材に接続させる構成としてもよい。このような構成を備えることにより、エッチング処理時のパネル温度を低減させることが可能となる。なお、トレイ２０に接続させる構成の場合はチラーにより２０℃程度に冷却されているのでより効果的である。
【００５７】
また、ＩＴＯ層１２の透明電極と、第１基板７の裏面とを電気的に接続することにより、エッチング処理による熱の放熱効果を得てもよい。図９に示すように、基板の積層構造の端部を覆うように高熱伝導性の粘着フィルム１７を配置してＩＴＯ層１２の引き回し配線と第１基板７の裏面とを接続してもよい。このとき、ＩＴＯ層１２の引き回し配線が高熱伝導性の粘着フィルム１７に接続されるように形成し、センサ基板１１のＩＴＯ層１２の透明電極と、第１基板７の裏面とを接続させる。このような構成を備えることにより、エッチング処理の際にパネル温度が上昇したとしても、冷却されたトレイ２０と第１基板７の裏面とが接触していることから、端部に配置された高熱伝導性の粘着フィルム１７を放熱経路としてさらなる放熱効果を期待できる。
【００５８】
なお、タッチパネル９に使用される電極がＩＴＯであるとしてＩＴＯ層１２を備える構成について上述したが、センサ基板１１上に形成される電極には、ＩＴＯの他にも、例えば、ＩＺＯ、Ａｇワイヤ、Ａｇナノ粒子、グラフェン、ＣＮＴ等の材料を用いてもよい。これらの材料を用いてセンサ基板１１上に電極を形成した場合にも、上述したＩＴＯ層１２と同様に、パネル温度を低減させる効果を得ることができる。また、エッチング処理に用いるエッチングガス及び引き回し配線に用いる材料等についても、それぞれ電極の材料に応じて決定することにより、上述したＩＴＯ層１２と同様の放熱効果を得ることができる。
【００５９】
端子出し処理Ｓ２７０の後、タッチパネル９のセンサ基板１１及びＩＴＯ層１２上には、ハードコート基板（図示せず）が形成され、さらに筐体（図示せず）が形成される。上述したように、端子出しの処理Ｓ２７０によってセンサ基板１１の表面には膜減りによる凹部Ｋ２が形成されることから、センサ基板１１の表面に形成された複数の凹部Ｋ２によって、凹部Ｋ２上にハードコート基板を形成することとなるため、センサ基板１１に対するハードコート基板の密着性を高めることも可能となる。
【００６０】
（８）ＣＯＧ、ＦＰＣの形成工程（Ｓ２８０）
上述した端子出しの工程Ｓ２７０により、端子部１３上の封止膜３は一部除去され、複数の端子１３ａが露出される。露出された複数の端子１３ａは、図４及び図５に示すように、ＣＯＧ実装方式により、異方性導電膜（ＡＣＦ）１５を介してＦＰＣ１６を接続する（Ｓ２８０）。また、図示していないが、タッチパネル９においても外部ＩＣ等との接続が形成される。このような工程により、本発明の一実施形態に係る有機ＥＬ表示装置１０は形成される。
【００６１】
以上のとおり、本発明の一実施形態に係る有機ＥＬ表示装置１０の製造方法によれば、タッチパネル９のセンサ基板１１及びＩＴＯ層１２を形成した後に端子部１３を覆う封止膜３を除去するエッチング処理を施すことにより、従来の製造工程を大幅に変更することなく、エッチング処理の熱をＩＴＯ層１２によって放熱させることができる。従って、パネル温度の上昇によって有機ＥＬ発光層１が受けるダメージを低減させることができる。これにより、本発明の一実施形態に係る有機ＥＬ表示装置１０の製造方法によれば、有機ＥＬ発光層１の信頼性を向上させることができるため、画質を向上させた有機ＥＬ表示装置１０を提供することが可能となる。
【００６２】
従って、本発明の一実施形態に係る有機ＥＬ表示装置１０の製造方法によれば、簡易な製造工程により製造原価を低減しつつ、歩留りを向上させ、且つ画質を向上させた有機ＥＬ表示装置１０を提供することができる。
【符号の説明】
【００６３】
１  有機ＥＬ発光層
２  基板
３  封止膜
４  ダム材（樹脂）
５  充填材（樹脂）
６  対向基板
７  第１基板
８  第２基板
９  タッチパネル（第３基板）
１０  有機ＥＬ表示装置
１１  センサ基板
１２  ＩＴＯ層
１３  端子部
１３ａ  端子
２０  トレイ
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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