(57)【要約】【課題】プリント配線板の表面の平坦性向上および反りの抑制。【解決手段】実施形態のプリント配線板１０は、第１層間樹脂絶縁層３０と、第１層間樹脂絶縁層３０の第１面Ｆ１に形成される第１導体層２１と、第２面Ｆ２に形成される第２導体層２５と、第１面Ｆ１上に形成され、第１面Ｆ１側から層間樹脂絶縁層と導体層とが積層されてなる第１ビルドアップ層４０と、第２面Ｆ２上に形成され、第２面Ｆ２側から層間樹脂絶縁層と導体層とが積層されてなる第２ビルドアップ層５０とを有している。そして、第１導体層２１は一面が第１面Ｆ１に露出するように第１層間樹脂絶縁層３０に埋め込まれており、第１ビルドアップ層４０を構成する層間樹脂絶縁層のうちの第１導体層２１に隣接する第２層間樹脂絶縁層４２の厚さは、第１層間樹脂絶縁層３０、ならびに、第１および第２ビルドアップ層４０、５０内の層間樹脂絶縁層の中で一番厚い。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１面および該第１面と反対側の第２面を有する第１層間樹脂絶縁層と、
該第１層間樹脂絶縁層の前記第１面に形成される第１導体層と、
前記第１層間樹脂絶縁層の前記第２面に形成される第２導体層と、
前記第１層間樹脂絶縁層の前記第１面上および前記第１導体層上に形成され、該第１面側から層間樹脂絶縁層と導体層とが積層されてなる第１ビルドアップ層と、
前記第１層間樹脂絶縁層の前記第２面上および前記第２導体層上に形成され、該第２面側から層間樹脂絶縁層と導体層とが積層されてなる第２ビルドアップ層と、
を有するプリント配線板であって、
前記第１導体層は一面が前記第１面に露出するように前記第１層間樹脂絶縁層に埋め込まれており、
前記第２導体層は前記第２面上に形成されており、
前記第１ビルドアップ層を構成する層間樹脂絶縁層のうちの前記第１導体層に隣接する第２層間樹脂絶縁層の厚さは、前記第１層間樹脂絶縁層、前記第１ビルドアップ層内の層間樹脂絶縁層、および前記第２ビルドアップ層内の層間樹脂絶縁層の中で一番厚い。
【請求項２】
請求項１記載のプリント配線板であって、前記第１および第２ビルドアップ層は、いずれも、複数の層間樹脂絶縁層と複数の導体層とを含み、該層間樹脂絶縁層と該導体層とが交互に積層されて形成されており、前記第２ビルドアップ層を構成する層間樹脂絶縁層の数が、前記第１ビルドアップ層を構成する層間樹脂絶縁層の数よりも多い。
【請求項３】
請求項２記載のプリント配線板であって、前記第１ビルドアップ層側の最も外側に積層される第３層間樹脂絶縁層と、前記第２ビルドアップ層側の最も外側に積層される第４層間樹脂絶縁層とが、同じ材料で同じ厚さに形成されている。
【請求項４】
請求項３記載のプリント配線板であって、前記第１ビルドアップ層を構成する各層間樹脂絶縁層それぞれが、該各層間樹脂絶縁層それぞれの前記第３層間樹脂絶縁層側から数えた階層数と同一の前記第４層間樹脂絶縁層側から数えた階層数の層に積層されている前記第２ビルドアップ層内の層間樹脂絶縁層とが同じ材料で形成されている。
【請求項５】
請求項４記載のプリント配線板であって、前記第１層間樹脂絶縁層と前記第３層間樹脂絶縁層とが異なる材料で形成されている。
【請求項６】
請求項１〜５のいずれか１項に記載のプリント配線板であって、前記第１および第２ビルドアップ層内の層間樹脂絶縁層は、芯材と該芯材に含浸されている樹脂材料とを含むプリプレグからなる。
【請求項７】
請求項１〜５のいずれか１項に記載のプリント配線板であって、前記第１ビルドアップ層内の層間樹脂絶縁層は、３０〜７０重量％の無機フィラーを含有し無機繊維の芯材に含浸されない樹脂材料からなる。
【請求項８】
請求項１〜７のいずれか１項に記載のプリント配線板であって、前記第１ビルドアップ層の表面に半導体素子が実装される。
【請求項９】
請求項１〜７のいずれか１項に記載のプリント配線板であって、前記第１層間樹脂絶縁層、前記第１ビルドアップ層を構成する層間樹脂絶縁層の少なくとも１つ、および前記第２ビルドアップ層を構成する層間樹脂絶縁層の少なくとも１つに、各層間樹脂絶縁層を貫通するビア導体がそれぞれ形成され、前記第１ビルドアップ層を構成する層間樹脂絶縁層を貫通するビア導体とその他の層間樹脂絶縁層を貫通するビア導体とが、相反する方向に向かって断面が拡大するように形成される。
【請求項１０】
一方の面に第１半導体素子が実装されているプリント配線板と、
該プリント配線板の前記一方の面上に搭載される基板と、
を有する半導体パッケージであって、
前記プリント配線板は、
第１面および該第１面と反対側の第２面を有する第１層間樹脂絶縁層と、
該第１層間樹脂絶縁層の前記第１面に形成される第１導体層と、
前記第１層間樹脂絶縁層の前記第２面に形成される第２導体層と、
前記第１層間樹脂絶縁層の前記第１面上および前記第１導体層上に形成され、該第１面側から層間樹脂絶縁層と導体層とが積層されて最表面に第３導体層が積層されてなる第１ビルドアップ層と、
前記第１層間樹脂絶縁層の前記第２面上および前記第２導体層上に形成され、該第２面側から層間樹脂絶縁層と導体層とが積層されてなる第２ビルドアップ層と、
前記第３導体層上に形成されるソルダーレジスト層と、
を有し、
前記第１導体層は一面が前記第１面に露出するように前記第１層間樹脂絶縁層に埋め込まれており、
前記第２導体層は前記第２面上に形成されており、
前記第１ビルドアップ層を構成する層間樹脂絶縁層のうちの前記第１導体層に隣接する第２層間樹脂絶縁層は、前記第１層間樹脂絶縁層、前記第１ビルドアップ層内の層間樹脂絶縁層、および前記第２ビルドアップ層内の層間樹脂絶縁層の中で一番厚くされており、
前記基板は、前記プリント配線板側の面にバンプを備えており、
前記バンプが、前記ソルダーレジスト層に設けられている開口部に露出する前記第３導体層に接続されている。
【請求項１１】
請求項１０記載の半導体パッケージであって、前記第１半導体素子が前記プリント配線板と前記基板との間で前記第３導体層に接続されており、前記プリント配線板と前記基板の間にモールド樹脂が充填されている。
【請求項１２】
請求項１０または１１記載のパッケージオンパッケージ構造の半導体パッケージであって、前記基板に第２半導体素子が実装されている。
【請求項１３】
層間樹脂絶縁層と導体層とが交互に積層されてなり、一方の面および該一方の面と反対側の他方の面それぞれに導体層が設けられる配線集合体と、
前記配線集合体の前記一方の面上に形成され、層間樹脂絶縁層と導体層とが交互に複数組積層されてなる第１ビルドアップ層と、
前記配線集合体の前記他方の面上に設けられ、層間樹脂絶縁層と導体層とが交互に複数組積層されてなる第２ビルドアップ層と、
を有するプリント配線板であって、
前記一方の面に設けられる導体層は、前記配線集合体の前記一方の面側の最表層の層間樹脂絶縁層内に埋め込まれ、該層間樹脂絶縁層から一面が露出しており、
前記他方の面に設けられる導体層は、前記配線集合体の前記他方の面側の最表層の層間樹脂絶縁層上に形成されており、
前記第１ビルドアップ層内の前記層間樹脂絶縁層のうちの前記配線集合体の前記一方の面に隣接する層間樹脂絶縁層の厚さは、前記第１ビルドアップ層の層間樹脂絶縁層、前記第２ビルドアップ層内の層間樹脂絶縁層、および前記配線集合体内の層間樹脂絶縁層の中で一番厚い。
【請求項１４】
請求項１３記載のプリント配線板であって、前記第１ビルドアップ層内の層間樹脂絶縁層と前記第２ビルドアップ層内の層間樹脂絶縁層とにおいて、前記配線集合体側から数えて同じ階層数の層に積層されている層間樹脂絶縁層同士が、それぞれ同じ材料で形成されている。
【請求項１５】
プリント配線板の製造方法であって、
支持板の少なくとも一面側に所定のパターンを有する第１導体層を形成することと、
前記第１導体層上に、第１層間樹脂絶縁層および金属箔を積層することと、
前記第１層間樹脂絶縁層および前記金属箔を貫通する導通用孔を形成することと、
前記導通用孔内および前記金属箔上にシード層を形成することと、
前記シード層上の所定の部分に電気めっきによりビア導体および第２導体層を形成することと、
前記支持板と前記第１導体層および前記第１層間樹脂絶縁層とを分離することと、
前記第１導体層上に絶縁性材料を積層することにより第２層間樹脂絶縁層を形成すると共に、前記第２導体層上または前記第２導体層上に積層されているビルドアップ層上に絶縁性材料を積層することにより層間樹脂絶縁層を形成することと、を含み、
前記第１導体層が、一面が前記第１層間樹脂絶縁層から露出するように前記第１面に埋め込まれ、
前記第２層間樹脂絶縁層が、前記第１層間樹脂絶縁層、および、該第１層間樹脂絶縁層の前記第２導体層側に積層されている層間樹脂絶縁層のいずれよりも厚く形成される。
【請求項１６】
請求項１５記載のプリント配線板の製造方法であって、さらに、前記第２層間樹脂絶縁層上に所定の導体パターンを有する導体層が形成されると共に、前記ビルドアップ層上に形成される前記層間樹脂絶縁層上に、所定の導体パターンを有する導体層が形成される。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、プリント配線板および半導体パッケージ、ならびにプリント配線板の製造方法に関し、特に、反りが小さく、かつ、表面が平坦で、半導体素子などの電子部品を歩留まり良く実装することができるプリント配線板、および、そのようなプリント配線板を効率よく製造する方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、電子機器の回路が複雑化すると共に電子部品の電極数が増加し、その一方で、電子機器の小型化が急速に進められている。このため、配線パターンを高密度で配置することができ、かつ、バンプやランド形式の多数の電極が狭ピッチで配置された半導体素子などを高い歩留まりで実装することができるプリント配線板が求められている。高密度でパターンが形成され得るプリント配線板としては、両面銅張積層板もしくは複数の絶縁層と導体層とが交互に積層された積層板をコア基板として、その両表面に、絶縁層と導体層とからなるビルドアップ層が積層されてなるビルドアップ配線板が用いられている。すなわち、図６に示されるように、ビルドアップ配線板９００は、たとえば、導体層９１１、９１２と２つの絶縁層９１５とからなるコア基板９１０の両側の表面上に、導体層９２１と絶縁層９２５とからなるビルドアップ層９２０が積層されて形成される。また、ビルドアップ層９２０上の所定の部分にソルダーレジスト９３０が形成されている（たとえば特許文献１参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２０００−３４９４３５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
図６に示されるビルドアップ配線板９００では、コア基板９１０の両表面部の導体層９１１は、絶縁層９１５の表面上に所定のパターンにパターニングされて設けられている。このため、ビルドアップ層９２０が積層されるコア基板９１０の表裏両方の表面に、導体層９１１の厚さに応じた凹凸が存在する。このような凹凸があると、ビルドアップ配線板９００の両表面にも起伏が生じることがある。また、平面サイズの小型化と配線数の増加に伴って、コア基板９１０および／またはビルドアップ層９２０を構成する導体層および絶縁層の層数が増えると、各導体層による凹凸が積み重なり、さらに高低差の大きな起伏が配線板の両表面に生じることになり得る。そのような起伏があると、半導体素子（図示せず）などが導体層９２１に接続される場合に、導体層９２１が半導体素子の電極の全てと接触することができずに、半導体素子などの実装歩留りが低下することがある。
【０００５】
本発明の目的は、表面が平坦なプリント配線板、およびそのようなプリント配線板を含む半導体パッケージを提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明のプリント配線板は、第１面および該第１面と反対側の第２面を有する第１層間樹脂絶縁層と、該第１層間樹脂絶縁層の前記第１面に形成される第１導体層と、前記第１層間樹脂絶縁層の前記第２面に形成される第２導体層と、前記第１層間樹脂絶縁層の前記第１面上および前記第１導体層上に形成され、該第１面側から層間樹脂絶縁層と導体層とが積層されてなる第１ビルドアップ層と、前記第１層間樹脂絶縁層の前記第２面上および前記第２導体層上に形成され、該第２面側から層間樹脂絶縁層と導体層とが積層されてなる第２ビルドアップ層と、を有している。そして、前記第１導体層は一面が前記第１面に露出するように前記第１層間樹脂絶縁層に埋め込まれており、前記第２導体層は前記第２面上に形成されており、前記第１ビルドアップ層を構成する層間樹脂絶縁層のうちの前記第１導体層に隣接する第２層間樹脂絶縁層の厚さは、前記第１層間樹脂絶縁層、前記第１ビルドアップ層内の層間樹脂絶縁層、および前記第２ビルドアップ層内の層間樹脂絶縁層の中で一番厚い。
【０００７】
また、本発明の半導体パッケージは、一方の面に第１半導体素子が実装されているプリント配線板と、該プリント配線板の前記一方の面上に搭載される基板と、を有している。そして、前記プリント配線板は、第１面および該第１面と反対側の第２面を有する第１層間樹脂絶縁層と、該第１層間樹脂絶縁層の前記第１面に形成される第１導体層と、前記第１層間樹脂絶縁層の前記第２面に形成される第２導体層と、前記第１層間樹脂絶縁層の前記第１面上および前記第１導体層上に形成され、該第１面側から層間樹脂絶縁層と導体層とが積層されて最表面に第３導体層が積層されてなる第１ビルドアップ層と、前記第１層間樹脂絶縁層の前記第２面上および前記第２導体層上に形成され、該第２面側から層間樹脂絶縁層と導体層とが積層されてなる第２ビルドアップ層と、前記第３導体層上に形成されるソルダーレジスト層とを有しており、前記第１導体層は一面が前記第１面に露出するように前記第１層間樹脂絶縁層に埋め込まれ、前記第２導体層は前記第２面上に形成され、前記第１ビルドアップ層を構成する層間樹脂絶縁層のうちの前記第１導体層に隣接する第２層間樹脂絶縁層は、前記第１層間樹脂絶縁層、前記第１ビルドアップ層内の層間樹脂絶縁層、および前記第２ビルドアップ層内の層間樹脂絶縁層の中で一番厚くされており、前記基板は、前記プリント配線板側の面にバンプを備えており、前記バンプが、前記ソルダーレジスト層に設けられている開口部に露出する前記第３導体層に接続されている。
【０００８】
また、本発明のプリント配線板は、層間樹脂絶縁層と導体層とが交互に積層されてなり、一方の面および該一方の面と反対側の他方の面それぞれに導体層が設けられる配線集合体と、前記配線集合体の前記一方の面上に形成され、層間樹脂絶縁層と導体層とが交互に複数組積層されてなる第１ビルドアップ層と、前記配線集合体の前記他方の面上に設けられ、層間樹脂絶縁層と導体層とが交互に複数組積層されてなる第２ビルドアップ層と、を有していてもよい。そして、前記一方の面に設けられる導体層は、前記配線集合体の前記一方の面側の最表層の層間樹脂絶縁層内に埋め込まれ、該層間樹脂絶縁層から一面が露出しており、前記他方の面に設けられる導体層は、前記配線集合体の前記他方の面側の最表層の層間樹脂絶縁層上に形成されており、前記第１ビルドアップ層内の前記層間樹脂絶縁層のうちの前記配線集合体の前記一方の面に隣接する層間樹脂絶縁層の厚さは、前記第１ビルドアップ層の層間樹脂絶縁層、前記第２ビルドアップ層内の層間樹脂絶縁層、および前記配線集合体内の層間樹脂絶縁層の中で一番厚い。
【０００９】
また、本発明のプリント配線板の製造方法は、支持板の少なくとも一面側に所定のパターンを有する第１導体層を形成することと、前記第１導体層上に、第１層間樹脂絶縁層および金属箔を積層することと、前記第１層間樹脂絶縁層および前記金属箔を貫通する導通用孔を形成することと、前記導通用孔内および前記金属箔上にシード層を形成することと、前記シード層上の所定の部分に電気めっきによりビア導体および第２導体層を形成することと、前記支持板と前記第１導体層および前記第１層間樹脂絶縁層とを分離することと、前記第１導体層上に絶縁性材料を積層することにより第２層間樹脂絶縁層を形成すると共に、前記第２導体層上または前記第２導体層上に積層されているビルドアップ層上に絶縁性材料を積層することにより層間樹脂絶縁層を形成することと、を含んでいる。そして、前記第１導体層が、一面が前記第１層間樹脂絶縁層から露出するように前記第１面に埋め込まれ、前記第２層間樹脂絶縁層が、前記第１層間樹脂絶縁層、および、該第１層間樹脂絶縁層の前記第２導体層側に積層されている層間樹脂絶縁層のいずれよりも厚く形成される。
【発明の効果】
【００１０】
本発明によれば、第１導体層が、一面が第１層間樹脂絶縁層の第１面に露出するように第１層間樹脂絶縁層に埋め込まれているので、第１層間樹脂絶縁層の第１面と第１導体層の一面とが略面一となるため、第１面上に第１ビルドアップ層が形成される場合でも、第１ビルドアップ層の表面、すなわち、プリント配線板の表面に生じる起伏が少なくなる。また、各導体層の凹凸が積み重なることが少なくなるので、プリント配線板の表面に高低差の大きな起伏が生じることも少なくなる。その結果、プリント配線板に実装される電子部品とプリント配線板の導体パターンとの接触不良が発生し難くなり、プリント配線板の電子部品の実装歩留まりが向上する。同様に、プリント配線板を用いる半導体パッケージの歩留まりが向上する。
【図面の簡単な説明】
【００１１】
【図１】本発明の一実施形態のプリント配線板の断面図。
【図２】図１に示される配線板の中央部の拡大図。
【図３】本発明の一実施形態のプリント配線板の図２に示される例と別の例を示す拡大図。
【図４Ａ】図１に示されるプリント配線板の製造方法の各工程の説明図。
【図４Ｂ】図１に示されるプリント配線板の製造方法の各工程の説明図。
【図４Ｃ】図１に示されるプリント配線板の製造方法の各工程の説明図。
【図４Ｄ】図１に示されるプリント配線板の製造方法の各工程の説明図。
【図４Ｅ】図１に示されるプリント配線板の製造方法の各工程の説明図。
【図４Ｆ】図１に示されるプリント配線板の製造方法の各工程の説明図。
【図４Ｇ】図１に示されるプリント配線板の製造方法の各工程の説明図。
【図４Ｈ】図１に示されるプリント配線板の製造方法の各工程の説明図。
【図４Ｉ】図１に示されるプリント配線板の製造方法の各工程の説明図。
【図４Ｊ】図１に示されるプリント配線板の製造方法の各工程の説明図。
【図４Ｋ】図１に示されるプリント配線板の製造方法の各工程の説明図。
【図５Ａ】本発明の一実施形態の半導体パッケージの一例の断面図。
【図５Ｂ】本発明の一実施形態の半導体パッケージの別の例の断面図。
【図５Ｃ】本発明の一実施形態の半導体パッケージのさらに別の例の断面図。
【図６】従来技術によるプリント配線板の断面図。
【発明を実施するための形態】
【００１２】
つぎに、本発明の一実施形態のプリント配線板が図面を参照しながら説明される。本発明の一実施形態のプリント配線板１０（以下、プリント配線板は単に配線板とも称される）は、図１に示されるように、第１面Ｆ１および第１面Ｆ１と反対側の第２面Ｆ２を有する第１層間樹脂絶縁層３０と、第１層間樹脂絶縁層３０の第１面Ｆ１に形成されている第１導体層２１と、第１層間樹脂絶縁層３０の第２面Ｆ２に形成されている第２導体層２５と、第１層間樹脂絶縁層３０の第１面Ｆ１上に形成されている第１ビルドアップ層４０と、第１層間樹脂絶縁層３０の第２面Ｆ２上に形成されている第２ビルドアップ層５０とを有している。また、第２導体層２５は、第１層間樹脂絶縁層３０の第２面Ｆ２上に形成されている。そして、本実施形態の配線板１０では、第１導体層２１は、第１ビルドアップ層側の一面が第１層間樹脂絶縁層３０の第１面Ｆ１に露出するように、第１層間樹脂絶縁層３０内に埋め込まれている。このため、図２に示されるように、第１層間樹脂絶縁層３０の第１面Ｆ１と第１導体層２１の一面とが略面一となっており、両者により略平坦な面が第１面Ｆ１に形成されている。また、第１ビルドアップ層４０を構成する層間樹脂絶縁層であって第１導体層２１に隣接する第２層間樹脂絶縁層４２が厚くされており、本実施形態では、第１層間樹脂絶縁層３０、第１ビルドアップ層４０内の層間樹脂絶縁層（図２に示される例では、第２層間樹脂絶縁層４２および第３層間樹脂絶縁層４５）、ならびに第２ビルドアップ層５０内の各層間樹脂絶縁層（図２に示される例では、層間樹脂絶縁層５２ａ、５２ｂおよび５３、ならびに第４層間樹脂絶縁層５５）の中で一番厚くされている。なお、以下の説明では、配線板１０の厚さ方向の相対的な位置関係が示される場合、特に断りがなければ、第１層間樹脂絶縁層３０から遠い側が「上側」または「外側」と称され、近い側が「下側」または「内側」と称される。またこの定義に沿って「上側」に位置する面は「上面」とも、「下側」に位置する面は「下面」とも、それぞれ称される。
【００１３】
一般に、プリント配線板に積層される絶縁層は、配線板への薄板化の要求に対応しつつ、適度な剛性を保持できるように、２０〜１００μｍ程度の厚さに形成される。一方、第１導体層２１のような導体層は、所定の導電性を備えるように、少なくとも５〜３０μｍ程度の厚さに形成される。このため、プリント配線板の内部に積層されている絶縁層上に導体層が形成され、パターニングされていると、導体層の厚さによる段差が、その導体層上に積層される絶縁層内で吸収されずに表面に現れる（たとえば、図６において導体層９１１の表面と絶縁層９１５の表面との段差が絶縁層９２５の表面上に現れる）ことがある。その結果、プリント配線板の表面に、内部の導体層のパターンに応じた起伏が生じることがある。プリント配線板の多層化が進むと、各導体層による段差が積み重なり、より高低差の大きな起伏がプリント配線板の表面に生じることとなり得る。このような起伏が生じる傾向は、配線板への薄板化の要求の高まりに伴って絶縁層の薄層化が進められると益々強まると考えられる。そして、配線板の表面に起伏が存在すると、配線板の表面の接続パッドが、配線板に実装される電子部品などの電極の全てと接触できなくなる可能性がある。この結果、配線板に電子部品を実装するときの歩留まりが低下するおそれがある。このような傾向は、高機能化に伴う半導体素子などのサイズの大型化、および、その電極のファインピッチ化に伴って顕著になると考えられる。
【００１４】
本実施形態の配線板１０では、図２に示されるように、第１層間樹脂絶縁層３０の第１面Ｆ１に形成される第１導体層２１が、その一面だけを第１層間樹脂絶縁層３０から露出させて第１層間樹脂絶縁層３０内に埋め込まれているので、第１面Ｆ１が、図１に示されるように、段差部分の無い略平坦な面になる。従って、少なくとも第１導体層２１のパターンに応じた起伏が配線板１０の第１ビルドアップ層４０側の表面（以下、配線板１０の第１ビルドアップ層４０側の表面は単に第１表面ＳＦ１とも称される）に生じることが防がれる。加えて、たとえば、導体層４６による段差と重なって大きな起伏が生じることも防がれる。このため、半導体素子９０（図４Ｋ参照）などの電子部品の電極９１（図４Ｋ参照）の全てと、配線板１０の第１表面ＳＦ１に形成される接続パッド４１ａとが接触できないような事態が起こり難くなる。その結果、配線板１０への電子部品の実装歩留りの低下が防がれる。従って、配線板１０に、たとえば、ファインピッチの端子（電極）を有する大型の半導体素子などが実装されるときは、配線板１０の第２ビルドアップ層５０側の表面（以下、配線板１０の第２ビルドアップ層４０側の表面は単に第２表面ＳＦ２とも称される）よりも第１表面ＳＦ１上、すなわち、本実施形態では、第３導体層４１上に実装されるのが好ましい。そうすることにより、ファインピッチの端子を有する大型の半導体素子などが良好な歩留まりで実装され得る。
【００１５】
また、大型の半導体素子などが、たとえば、配線板の一方の側だけに実装されると、一般的に、半導体素子などの熱膨張率は配線板に使用される絶縁層の熱膨張率よりも小さいため、半導体素子が実装される側が、高温時に凹み、低温時に凸となる反りが生じ易い。この反りの発生は、配線板の一方の側だけに大型の部品が実装されると、この一方の側に形成されるソルダーレジストの面積が配線板の他方側に比べて小さくされ易く、その結果、一方の側の温度変化による伸縮量が他方側よりも少なくなることにも助長される。プリント配線板が反ると、プリント配線板に実装された各電子部品の接続部にストレスが生じるため、電子部品の接続信頼性が低下するおそれがある。
【００１６】
このようなプリント配線板の反りは、温度変化に対する、半導体素子が実装される側の膨張／収縮量が増えることにより抑制され得る。そのように膨張／収縮量を増やす手段の一つとして、半導体素子が実装される側において、プリント配線板を構成する材料のうち熱膨張率が大きい樹脂組成物の量を増やすことが挙げられる。これは、具体的には、半導体素子が実装される側に積層される絶縁層の厚さを厚くすることにより実現され得る。
【００１７】
本実施形態の配線板１０では、前述のように、第１導体層２１に隣接する第２層間樹脂絶縁層４２が、プリント配線板１０を構成するその他の層間樹脂絶縁層よりも厚くされる。すなわち、図２に示される例では、第２層間樹脂絶縁層４２の厚さｔ１は、第１層間樹脂絶縁層３０、第１ビルドアップ層４０内の第３層間樹脂絶縁層４５、第２ビルドアップ層５０内の層間樹脂絶縁層５２ａ、層間樹脂絶縁層５２ｂ、層間樹脂絶縁層５３、および第４層間樹脂絶縁層５５それぞれの厚さｔ２〜ｔ７のいずれよりも厚くされている。従って、このように厚く形成される第２層間樹脂絶縁層４２が、配線板１０の厚さ方向の中心よりも、大型の半導体素子が実装される側に積層されることにより、前述のようなプリント配線板の反りが軽減され得る。図２に示される例では、第１ビルドアップ層４０を構成する層間樹脂絶縁層の数（２つ）よりも多い４つの層間樹脂絶縁層を含んで第２ビルドアップ層５０が構成されている。このため、第２層間樹脂絶縁層４２は、配線板１０の厚さ方向の中心よりも第１表面ＳＦ１寄りに位置するようになり、温度変化に対する第１表面ＳＦ１側の膨張／収縮量を増やすように作用する。このため、前述のように、第１表面ＳＦ１上に大型の半導体素子などが実装され、かつ、第２表面ＳＦ２側にはそのような半導体素子などが実装されない場合であっても、半導体素子が実装される側が高温時に凹み、低温時に凸となる前述の配線板１０の反りが抑制される。この結果、配線板１０に実装される電子部品（図示せず）の接続信頼性の低下が防がれ得る。
【００１８】
第１ビルドアップ層４０は、図２に示されるように、第１層間樹脂絶縁層３０の第１面Ｆ１側から層間樹脂絶縁層と導体層とが積層されて形成され、第２ビルドアップ層５０は、第１層間樹脂絶縁層３０の第２面Ｆ２側から層間樹脂絶縁層と導体層とが積層されて形成される。図２に示される例では、第１ビルドアップ層４０は２つの層間樹脂絶縁層と２つの導体層とを有している。具体的には、第１ビルドアップ層４０は、第１面Ｆ１側から、第２層間樹脂絶縁層４２、導体層４６、第３層間樹脂絶縁層４５および第３導体層４１の順に、層間樹脂絶縁層と導体層とが交互に積層されて形成されている。また、第２ビルドアップ層５０は、４つの層間樹脂絶縁層と４つの導体層とを有している。具体的には、第２ビルドアップ層５０は、第１層間樹脂絶縁層３０の第２面Ｆ２側から、層間樹脂絶縁層５２ａ、導体層５４ａ、層間樹脂絶縁層５２ｂ、導体層５４ｂ、層間樹脂絶縁層５３、導体層５６、第４層間樹脂絶縁層５５、第４導体層５１の順に、層間樹脂絶縁層と導体層とが交互に積層されて形成されている。
【００１９】
第１ビルドアップ層４０および第２ビルドアップ層５０は、配線板１０内に形成される回路配線の規模や配線密度などに応じて、さらに多くの層間樹脂絶縁層と導体層とが積層されて、それぞれ構成されてもよい。また、第１ビルドアップ層４０および第２ビルドアップ層５０は、図２に示される例よりも少ない数の層間樹脂絶縁層と導体層とで、それぞれ形成されてもよく、たとえば、１つの層間樹脂絶縁層および１つの導体層だけが積層されて、それぞれ形成されてもよい。たとえば、第１ビルドアップ層４０が少ない導体層で形成されていると、略平坦な面となる第１層間樹脂絶縁層３０の第１面Ｆ１上と、配線板１０の第１表面ＳＦ１との間に存在する導体層が少なくなるので、第１表面ＳＦ１に生じる起伏が少なくなるという利点がある。また、たとえば、第２ビルドアップ層５０が第１ビルドアップ層４０よりも多層構造にされることにより、他の層間樹脂絶縁層よりも厚く形成される第２層間樹脂絶縁層４２が第１表面ＳＦ１寄りに配置されると、第１表面ＳＦ１だけに大型の半導体素子などが実装された場合に生じがちな配線板１０の反りが抑制され得るという利点がある。
【００２０】
第１層間樹脂絶縁層３０、第２層間樹脂絶縁層４２、第３層間樹脂絶縁層４５、第４層間樹脂絶縁層５５、層間樹脂絶縁層５２ａ、５２ｂ（以下、層間樹脂絶縁層５２ａ、５２ｂは、個々の特定を要しない場合は、一括して層間樹脂絶縁層５２とも称される）および層間樹脂絶縁層５３は、図２に示されるように、本実施形態では、芯材３２と樹脂組成物からなる樹脂材料３４とを含んでいる。第１〜第４層間樹脂絶縁層３０、４２、４５および５５、ならびに、層間樹脂絶縁層５２ａ、５２ｂおよび５３は、芯材３２に樹脂材料３２が含浸されて半硬化状態にされたプリプレグ材から形成されてよい。芯材３２は特に限定されず、好ましくは、絶縁性や剛性に優れるガラス繊維などの無機繊維が用いられる。樹脂材料３４も、配線板１０に要求される耐圧や絶縁性を備えるものであれば特に限定されず、たとえば、エポキシ樹脂やビスマレイミドトリアジン樹脂（ＢＴ樹脂）などが用いられ、好ましくはエポキシ樹脂が用いられる。また、樹脂材料３４には、シリカやアルミナなどからなる無機フィラーなどが充填されていてもよい。しかしながら、第１〜第４層間樹脂絶縁層３０、４２、４５および５５、ならびに、層間樹脂絶縁層５２ａ、５２ｂおよび５３の構成材料は、それぞれ任意であり、前述の材料と異なる材料が芯材３２および樹脂材料３４に用いられてもよい。
【００２１】
また、第１〜第４層間樹脂絶縁層３０、４２、４５および５５、ならびに、層間樹脂絶縁層５２ａ、５２ｂおよび５３は、芯材３２を含まない構成、すなわち、芯材３２に含浸されていない樹脂材料３４だけで構成されてもよい。第１〜第４層間樹脂絶縁層３０、４２、４５および５５、ならびに、層間樹脂絶縁層５２ａ、５２ｂおよび５３が樹脂材料３４だけで構成されると、その表面への無電解めっき膜の密着性が向上することがある。このため、たとえば、後述の配線板１０の製造方法において説明するような第２層間樹脂絶縁層４２と共に積層する図示しない金属箔を要しないで、導体層４６が形成されることも可能になり得る。また、芯材３２に含浸されるか否かに関わらず、樹脂材料３４には、シリカやアルミナなどからなる図示しない無機フィラーなどが充填されていてもよい。その場合、無機フィラーの含有量は、各層間樹脂絶縁層全体に対して３０〜７０重量％とされることが、第１〜第４層間樹脂絶縁層３０、４２、４５および５５、ならびに、層間樹脂絶縁層５２ａ、５２ｂおよび５３の熱膨張率と配線板１０に実装される電子部品（図示せず）の熱膨張率とが近似されながら、各層間樹脂絶縁層上に形成される導体層との密着性が維持される点で好ましい。
【００２２】
また、第１〜第４層間樹脂絶縁層３０、４２、４５および５５、ならびに、層間樹脂絶縁層５２ａ、５２ｂおよび５３は、互いに異なる材料で形成されてもよい。たとえば、第１層間樹脂絶縁層３０と、第３層間樹脂絶縁層４５などの第１ビルドアップ層４０を構成する層間樹脂絶縁層または第２ビルドアップ層５０を構成する層間樹脂絶縁層とが異なる材料で形成されてもよい。たとえば、後述のように、上面に金属箔２５１（図４Ｃ参照）を用いて第２導体層２５が形成される第１層間樹脂絶縁層３０には芯材３２を含んだ樹脂材料が用いられ、一方、第３層間樹脂絶縁層４５上への第３導体層４１の形成において、たとえば、第３層間樹脂絶縁層４５上に直接無電解めっきによる金属膜が形成される場合には、前述のように、めっき膜の密着性の良好な、芯材３２を含まない層間絶縁用フィルム（たとえば、味の素株式会社製：商品名：ＡＢＦ−４５ＳＨ）が第３層間樹脂絶縁層４５に用いられてもよい。
【００２３】
しかしながら、配線板１０を構成する層間樹脂絶縁層のうちで、第１ビルドアップ層４０側の最も外側に積層される第３層間樹脂絶縁層４５と、第２ビルドアップ層５０側の最も外側に積層される第４層間樹脂絶縁層５５とが同じ材料で同じ厚さに形成されるのが好ましい。配線板１０の製造工程において、配線板１０の工程途上品１０ａ（図４Ｉ参照）の両側に第３層間樹脂絶縁層４５と第４層間樹脂絶縁層５５とを同時に形成することが容易になり、配線板１０が効率的に製造されるからである。また、第１ビルドアップ層４０が、さらに多くの層間樹脂絶縁層から構成される場合は、同じ理由により、最表層の第３層間樹脂絶縁層４５および第４層間樹脂絶縁層５５に加えて、それぞれの内側に隣接する層間樹脂絶縁層同士も同じ材料および／または同じ厚さで形成するものとされると、これら内側に隣接する層間樹脂絶縁層同士も同時に形成され易くなる。すなわち、第１ビルドアップ層４０を構成する層間樹脂絶縁層それぞれが、少なくとも、第３層間樹脂絶縁層４５側を基準とする自身の階層（第３層間樹脂絶縁層４５から数えた自身の層までの層数）と同一の第４層間樹脂絶縁層５５側を基準とする階層（第４層間樹脂絶縁層５５から数えて同じ層数）にある第２ビルドアップ層５０内の層間樹脂絶縁層と、それぞれ同じ材料で形成されていると、そのような層間樹脂絶縁層同士を同時に形成することが容易になる。こうすることにより、第１ビルドアップ層４０の全ての層間樹脂絶縁層が、第２ビルドアップ層５０の対応する位置（階層）にある層間樹脂絶縁層と同時に形成され易くなる。従って、第１ビルドアップ層４０を構成する全ての層間樹脂絶縁層が、少なくとも、第３層間樹脂絶縁層４５からの自身の階層と同じ第４層間樹脂絶縁層５５からの階層にある第２ビルドアップ層５０の層間樹脂絶縁層と同じ材料で、それぞれ形成されるのが好ましい。図２に示される例では、第２層間樹脂絶縁層４２と層間樹脂絶縁層５３とが同じ材料とされ、第３層間樹脂絶縁層４５と第４層間樹脂絶縁層５５とが同じ材料とされれば、第１ビルドアップ層４０を第２ビルドアップ層５０の対応部分と同時に形成することが容易になる。
【００２４】
このように、第１ビルドアップ層４０と第２ビルドアップ層５０の対応部分とが、同時に形成され得ることに鑑みると、本実施形態の配線板１０は、図３を参照して、つぎに示されるようにも解釈され得る。すなわち、本実施形態の配線板１０は、第１層間樹脂絶縁層３０および層間樹脂絶縁層５２ａ、５２ｂなどの層間樹脂絶縁層と第２導体層２５および導体層５４ａなどの導体層とが交互に積層されてなり、一方の面Ｆ３に第１導体層２１が設けられ、一方の面Ｆ３と反対側の他方の面Ｆ４に導体層５４ｂが設けられる配線集合体１１と、配線集合体１１の一方の面Ｆ３上に形成される第１ビルドアップ層４０と、配線集合体１１の他方の面Ｆ４上に設けられる第２ビルドアップ層５０ａとを有している。第１ビルドアップ層４０は、第２層間樹脂絶縁層４２、導体層４６、第３層間樹脂絶縁層４５、そして第３導体層４１の順で、すなわち層間樹脂絶縁層と導体層とが交互に複数組積層されて構成されている。また、第２ビルドアップ層５０ａは、層間樹脂絶縁層５３、導体層５６、第４層間樹脂絶縁層５５、そして第４導体層５１の順で、すなわち層間樹脂絶縁層と導体層とが交互に複数組積層されて構成されている。従って、図３に示される例の配線板１０の製造工程においては、まず配線集合体１１が形成され、形成された配線集合体１１の一方の面Ｆ３に第１ビルドアップ層４０が、他方の面Ｆ４に第２ビルドアップ層５０が、好ましくは同時に形成される。ここで、第１ビルドアップ層４０内の層間樹脂絶縁層と第２ビルドアップ層５０ａ内の層間樹脂絶縁層とにおいて、配線集合体１１側から数えて同じ階層数の層に積層されている層間樹脂絶縁層同士が、それぞれ同じ材料で形成されていると、第１ビルドアップ層４０と第２ビルドアップ層５０ａとが同時に形成され易い。すなわち、図３に示される例では、第２層間樹脂絶縁層４２と層間樹脂絶縁層５３とが、および、第３層間樹脂絶縁層４５と第４層間樹脂絶縁層５５とが、それぞれ同じ材料で形成されていることが好ましい。
【００２５】
なお、図３に示される例においても、導体層５４ｂが配線集合体１１の他方の面Ｆ４側の最表層の層間樹脂絶縁層である層間樹脂絶縁層５２ｂ上に形成されているのに対して、第１導体層２１は、配線集合体１１の一方の面Ｆ３側の最表層の層間樹脂絶縁層である第１層間樹脂絶縁層３０内から一面が露出するように第１層間樹脂絶縁層３０内に埋め込まれている。このため、第１導体層２１のパターンに応じた起伏が配線板１０の第１表面ＳＦ１に生じることが防がれる。また、図３に示される例においても、第１ビルドアップ層４０内の層間樹脂絶縁層であって配線集合体１１の一方の面Ｆ３に隣接する第２層間樹脂絶縁層４２の厚さは、第１ビルドアップ層４０内の層間樹脂絶縁層、第２ビルドアップ層５０ａ内の層間樹脂絶縁層、および配線集合体１１内の層間樹脂絶縁層の中で一番厚くされている。このため、図３に示される例においても同様に、配線板１０の反りが抑制され、配線板１０に実装される電子部品（図示せず）の接続信頼性の低下が防がれ得る。なお、配線集合体１１、第１ビルドアップ層４０および第２ビルドアップ層５０ａを構成する導体層および層間樹脂絶縁層の数は、図３に示されるものに限定されず、より多くの、または、より少ない数の導体層および層間樹脂絶縁層により構成されてもよい。
【００２６】
第１導体層２１は、図２に示されるように、第１ビルドアップ層４０側の一面だけを第１層間樹脂絶縁層３０の第１面Ｆ１から露出させて、第１層間樹脂絶縁層３０内に埋め込まれている。このように第１導体層２１が第１層間樹脂絶縁層３０内に埋め込まれることには、前述のように第１面Ｆ１に略平坦な面が形成されることの他に、第１導体層２１と第１層間樹脂絶縁層３０とがより強固に密着するという利点がある。このため、第１導体層２１に幅の細い配線パターン（図示せず）が形成されても、配線パターンが第１層間樹脂絶縁層３０から剥離し難くなる。また、隣接する配線パターン同士の間に第１層間樹脂絶縁層３０が介在することになるので、配線パターンが狭ピッチで並列されても、図示しない電子部品を接続するはんだなどを介した配線パターン同士のショートが起こり難くなる。第１導体層２１の形成方法は特に限定されないが、好ましくは、後述のように、短時間で厚く製膜できる電気めっき法が用いられる。第１導体層２１の材料は、特に限定されないが、導電性が高く、安価で、かつ、前述の電気めっき法での析出性も良好な銅が用いられる。
【００２７】
図２に示されるように、第２導体層２５は第１層間樹脂絶縁層３０の第２面Ｆ２上に形成されている。また、本実施形態では、導体層５４ａおよび導体層５４ｂが、それぞれ、層間樹脂絶縁層５２ａおよび５２ｂ上に形成されている。第２導体層２５ならびに導体層５４ａ、５４ｂ（以下、導体層５４ａ、５４ｂは、個々の特定を要しない場合は、一括して導体層５４とも称される）の形成方法は特に限定されない。たとえば、第２導体層２５は、後述のように、第１層間樹脂絶縁層３０の表面に、たとえば銅からなる金属箔２５１（図４Ｃ参照）が積層され、この金属箔２５１の表面に無電解めっきによる第１金属膜２５２（図４Ｄ参照）および電気めっきによる第２金属膜２５３（図４Ｅ参照）が析出されることにより形成されてよく、導体層５４ａ、５４ｂも同様に形成されてよい。この場合、第２導体層２５および導体層５４ａ、５４ｂは、金属箔、無電解めっき膜および電気めっき膜の３層で構成される。しかしながら、このような３層構造に限定されず、第２導体層２５および導体層５４ａ、５４ｂは、たとえば、電気めっき膜だけで形成されてもよい。第２導体層２５および導体層５４ａ、５４ｂの材料も特に限定されず、任意の導電性材料、好ましくは、銅やニッケルなどの金属材料が用いられるが、特に好ましくは、前述の第１導体層２１と同様の理由で、金属箔、無電解めっき膜および電気めっき膜のいずれにおいても銅が用いられる。
【００２８】
図２に示されるように、第１ビルドアップ層４０を構成する第２層間樹脂絶縁層４２は、第１導体層２１上および第１導体層２１が埋め込まれていない部分の第１層間樹脂絶縁層３０上に積層されている。前述のように、第２層間樹脂絶縁層４２の厚さｔ１（本実施形態では、第１導体層２１の上面と導体層４６の下面との間の長さ）が、第１層間樹脂絶縁層３０の厚さｔ２（本実施形態では、第２導体層２５の第１導体層２１側の面と第１導体層２１の第２導体層２５側の面との間の長さ）、第３層間樹脂絶縁層４５、層間樹脂絶縁層５２ａ、層間樹脂絶縁層５２ｂ、層間樹脂絶縁層５３、および第４層間樹脂絶縁層５５それぞれの厚さｔ３〜ｔ７（それぞれ、各層間樹脂絶縁層の下側に形成されている導体層の上面と、上側に形成されている導体層の下面との間の長さ。たとえば、ｔ３については、導体層４６の上面と第３導体層４１の下面との間の長さ）のいずれよりも厚くされている。この結果、前述のように、配線板１０の反りが抑制されることがある。
【００２９】
本実施形態では、第２層間樹脂絶縁層４２上に導体層４６が形成されており、導体層４６上に積層されている第３層間樹脂絶縁層４５上に第３導体層４１が形成されている。また、層間樹脂絶縁層５３上に導体層５６が形成されており、導体層５６上に積層されている第４層間樹脂絶縁層５５上に第４導体層が形成されている。
【００３０】
図１に示されるように、第３導体層４１は、配線板１０の第１表面ＳＦ１に形成され、第４導体層５１は、第２表面ＳＦ２に形成される。第３導体層４１には、たとえば、半導体素子９０（図４Ｋ参照）の電極９１（図４Ｋ参照）が接続される接続パッド４１ａが形成されてよく、また、図示しないその他の電子部品を接続する接続パッドが形成されてもよい。また、第４導体層５１にも、図示しない電子部品や配線板１０が搭載される外部の配線板と接続するための接続パッド５１ａなどを含む任意の導体パターンが形成されてよい。
【００３１】
第３および第４導体層４１、５１、ならびに、導体層４６、５６の形成方法は特に限定されないが、たとえば、前述の第２導体層２５および導体層５４と同様の方法で形成される。すなわち、たとえば、第３導体層４１は、第３層間樹脂絶縁層４５に、たとえば銅からなる金属箔（図示せず）が積層され、この金属箔上に図示しない無電解めっき膜および電気めっき膜が析出されることにより形成されてよい。しかしながら、このような構造に限定されず、第３および第４導体層４１、５１、ならびに、導体層４６、５６は、たとえば、電気めっき膜だけで形成されてもよい。第３および第４導体層４１、５１、ならびに、導体層４６、５６の材料も特に限定されず、前述の第２導体層２５および導体層５４と同様に、好ましくは、銅やニッケルなどの金属材料が用いられ、特に好ましくは、金属箔、無電解めっき膜および電気めっき膜のいずれにおいても銅が用いられる。
【００３２】
図２に示されるように、本実施形態の配線板１０には、第１層間樹脂絶縁層３０を貫通するビア導体３８が形成されている。ビア導体３８は第１導体層２１と第２導体層２５とを接続している。また、層間樹脂絶縁層５２ａにはビア導体５８ａが形成され、層間樹脂絶縁層５２ｂにはビア導体５８ｂが形成されている。ビア導体５８ａは第２導体層２５と導体層５４ａとを接続し、ビア導体５８ｂは導体層５４ａと導体層５４ｂとを接続している。また、配線板１０には、図１に示されるように、第２層間樹脂絶縁層４２を貫通し、第１導体層２１と導体層４６とを接続するビア導体４９ａ、および、第３層間樹脂絶縁層４５を貫通し、導体層４６と第３導体層４１とを接続するビア導体４９ｂが形成されており、さらに、層間樹脂絶縁層５３を貫通し、導体層５４ｂと導体層５６とを接続するビア導体５９ａ、および、第４層間樹脂絶縁層５５を貫通し、導体層５６と第４導体層５１とを接続するビア導体５９ｂが形成されている。各ビア導体は、任意の位置に形成されてよく、たとえば、平面視上、一箇所、または複数個所において、各ビア導体が全て重なる位置に形成されてもよい。すなわち、図３に示されるように、ビア導体４９ｂ、４９ａ、３８、５８ａ、５８ｂ、５９ａおよび５９ｂが、互いに、略真上（真下）に位置するように形成され、その結果、第３導体層４１と第４導体層５１とが略直線状の導通経路で電気的に接続されるように形成されてもよい。
【００３３】
ビア導体３８、ビア導体４９ａ、４９ｂ（以下、ビア導体４９ａ、４９ｂは、個々の特定を要しない場合は、一括してビア導体４９とも称される）、ビア導体５８ａ、５８ｂ（以下、ビア導体５８ａ、５８ｂは、個々の特定を要しない場合は、一括してビア導体５８とも称される）、およびビア導体５９ａ、５９ｂ（以下、ビア導体５９ａ、５９ｂは、個々の特定を要しない場合は、一括してビア導体５９とも称される）の形成方法は、特に限定されない。たとえば、ビア導体３８は、後述されるように、たとえばＣＯ2レーザーの照射により第１層間樹脂絶縁層３０を貫通して形成される導通用孔３７（図４Ｄ参照）内に、無電解めっきによる第１金属膜２５２（図４Ｄ参照）、および電気めっきによる第２金属膜２５３（図４Ｅ参照）が埋め込まれることにより形成される。ビア導体４９ａ、４９ｂ、５８ａ、５８ｂ、５９ａおよび５９ｂも、同様の方法で、第２層間樹脂絶縁層４２、第３層間樹脂絶縁層４５、層間樹脂絶縁層５２ａ、層間樹脂絶縁層５２ｂ、層間樹脂絶縁層５３および第４層間樹脂絶縁層５５内に、それぞれ形成されてよい。なお、図４Ｅに示される例では、ビア導体３８が形成される導通用孔３７は、第２金属膜２５３によって完全に埋められているが、これに限定されず、導通用孔３７は完全に埋められていなくてもよく、これは、ビア導体４９、５８および５９についても同様である。ビア導体３８、４９、５８および５９の材料は特に限定されないが、好ましくは、導電性が高く、安価で、めっきによる析出性も良好な銅が用いられる。
【００３４】
本実施形態では、図１に示されるように、ビア導体４９ａ、４９ｂは、配線板１０の厚さ方向と垂直な平面による断面（以下、このような平面による断面は、単に水平断面と称される）が、第３導体層４１側よりも第１導体層２１側で小さくなる形状にされている。一方、ビア導体５８およびビア導体５９ａ、５９ｂは、第４導体層５１側よりも第２導体層２５側の水平断面が小さくなる形状にされており、ビア導体３８は、第２導体層２５側よりも第１導体層２１側の水平断面が小さくなる形状にされている。すなわち、ビア導体４９と、ビア導体５８、５９および３８とは、相反する方向に向かって水平断面が拡大するように、換言すると、相反する方向に向かって水平断面が縮小するように形成されている。後述されるように、たとえばＣＯ2レーザーなどが、第２導体層２５側から第１層間樹脂絶縁層３０に照射されることにより導通用孔３７（図４Ｄ参照）などが形成され、また、第４導体層５１側から第４層間樹脂絶縁層５５や層間樹脂絶縁層５２などに照射されることによりビア導体５８やビア導体５９の導通用孔（図示せず）などが形成されるのに対して、第３導体層４１側から第３層間樹脂絶縁層４５などにＣＯ2レーザーなどが照射されることによりビア導体４９の導通用孔（図示せず）がそれぞれ形成される場合、ビア導体３８、４９ａ、４９ｂ、５８、５９ａおよび５９ｂは、それぞれ、図１に示されるような向きに水平断面が拡大（縮小）する形状になり易い。
【００３５】
本実施形態では、図１に示されるように、第３層間樹脂絶縁層４５上、および、第３導体層４１の半導体素子９０（図４Ｋ参照）が接続される接続パッド４１ａを除いた部分上に、ソルダーレジスト層６０が形成されている。また、第４層間樹脂絶縁層５５上、および、第４導体層５１の接続パッド５１ａを除いた部分上に、ソルダーレジスト層６１が形成されている。ソルダーレジスト層６０、６１が形成される部分は、これに限定されず、配線板１０に実装される電子部品（図示せず）の種類や数に応じて、第３および第４導体層４１、５１上の任意の部分に設けられてよく、また、導体層４１、５１の任意の部分が、ソルダーレジスト層６０、６１に覆われずに露出していてもよい。
【００３６】
ソルダーレジスト層６０、６１の材料は、はんだ耐熱性や絶縁性が良好なものであれば特に限定されないが、たとえば、エポキシ樹脂やアクリル樹脂などにより形成され、好ましくは、エポキシ樹脂に４０〜７０重量％の無機フィラー、たとえばＳｉＯ2などが含有された材料により形成される。
【００３７】
また、第３および第４導体層４１、５１のソルダーレジスト層６０、６１が形成されずに露出している部分、たとえば接続パッド４１ａ、５１ａなどには、たとえば、Ｎｉ／Ａｕ、Ｎｉ／Ｐｄ／Ａｕ、Ｓｎもしくは有機保護膜（ＯＳＰ）などからなる、図示しない耐食層、または、はんだコート層が形成されていてもよい。
【００３８】
つぎに、本実施形態の配線板１０の製造方法が、図４Ａ〜４Ｋを参照して説明される。
【００３９】
本実施形態の配線板１０の製造方法では、まず、図４Ａに示されるように、出発材料として、支持板８０、支持銅箔８０ａおよびベース金属箔８１が用意され、支持板８０の両面にキャリア銅箔８０ａが積層され、加圧および加熱されて接合される。支持板８０には、好ましくは、ガラスクロスなどの芯材にエポキシなどの絶縁性樹脂を含浸させた材料などからなる半硬化状態のプリプレグ材などが用いられるが、これに限定されず、他の材料が用いられてもよい。ベース金属箔８１の材料は、表面上に、後述の第１導体層２１（図４Ｂ参照）が形成され得るものであれば特に限定されないが、好ましくは、２〜６μｍの厚さの銅箔もしくはニッケル箔、より好ましくは５μｍの厚さの銅箔が用いられる。また、キャリア銅箔８０ａは、たとえば、１５〜３０μｍ、好ましくは１８μｍの厚さの銅箔が用いられる。しかしながら、ベース金属箔８１およびキャリア銅箔８０ａの厚さは、これらに限定されず、他の厚さにされてもよい。
【００４０】
キャリア銅箔８０ａとベース金属箔８１との接合方法は、特に限定されないが、たとえば、両者の貼り付け面の略全面において図示されない熱可塑性の接着剤により接着されてよく、或いは、後述の第１導体層２１（図４Ｂ参照）の導体パターンが設けられない外周付近の余白部において、接着剤または超音波接続により接合されてもよい。また、キャリア銅箔８０ａとベース金属箔８１とは、キャリア銅箔８０ａが支持板８０に接合される前に接合されてもよいが、これに限定されず、たとえば、支持板８０に両面銅張積層板が用いられ、両面銅張積層板の両面に既に接合されている銅箔をキャリア銅箔８０ａとして、その上に単体のベース金属箔８１が前述の方法などを用いて接合されてもよい。
【００４１】
なお、図４Ａ〜４Ｆには、支持板８０の両側の面にベース金属箔８１が接合され、それぞれの面において、第１および第２導体層２１、２５、第１層間樹脂絶縁層３０、および第２ビルドアップ層５０の一部が形成される製造方法の例が示されている。このような方法で製造されれば、第１および第２導体層２１、２５や、第２ビルドアップ層４０の多くの部分が２つ同時に形成されるという点で好ましい。しかしながら、支持板８０の一方の面だけに第１導体層２１などが形成されてもよく、また、両側で互いに異なる回路パターンの導体層などが形成されても良い。以下の説明は、両面に同じ回路パターンが形成される例が示される図４Ａ〜４Ｆを参照して説明されるため、一方の面だけについて説明され、他面側に関しての説明、および、各図面における他面側の符号は省略される。
【００４２】
つぎに、図４Ｂに示されるように、ベース金属箔８１上に第１導体層２１が形成される。第１導体層２１の形成方法は特に限定されないが、たとえば、電気めっき法が用いられる。具体的には、まず、ベース金属箔８１上の第１導体層２１が形成される部分以外の所定の領域にめっきレジスト膜（図示せず）が形成される。続いて、めっきレジスト膜が形成されていないベース金属箔８１上に、ベース金属箔８１をシード層として、たとえば、電気めっきによるめっき膜が形成される。その後、めっきレジスト膜が除去される。その結果、図４Ｂに示されるように、ベース金属箔８１上に電気めっき膜からなる第１導体層２１が形成される。第１導体層２１は、好ましくは銅からなる電気めっき膜である。
【００４３】
つぎに、ベース金属箔８１上および第１導体層２１上に、半硬化状態の絶縁材（プリプレグ）が積層され、この絶縁材上に金属箔２５１が積層される。その後、金属箔２５１および絶縁材は支持板８０側に向かってプレスされ、さらに加熱される。この結果、絶縁材が完全に硬化され、図４Ｃに示されるように、ベース金属箔８１および第１導体層２１、ならびに金属箔２５１と接合されている第１層間樹脂絶縁層３０となる。なお、図４Ｃにおいて、第１層間樹脂絶縁層３０は、芯材３２と、樹脂組成物からなる樹脂材料３４とで構成されているように示されているが、第１層間樹脂絶縁層３０は、芯材３２を含まずに樹脂材料３４だけで構成されていてもよい。また、芯材３２は、ガラスクロスなどの無機繊維であってよい。
【００４４】
つぎに、図４Ｄに示されるように、金属箔２５１および第１層間樹脂絶縁層３０を貫通し、第１導体層２１を露出させる導通用孔３７が形成される。具体的には、金属箔２５１の表面側から、金属箔２５１上の所定の位置に、たとえば、ＣＯ2レーザーを用いてレーザー光が照射される。この結果、図４Ｄに示されるように導通用孔３７が形成される。導通用孔３７の形成後、好ましくは、導通用孔３７についてデスミアが行われる。また、レーザー光の吸収効率が高まるように、レーザー光の照射の前に金属箔２５１の表面が黒化処理されてもよい。図４Ｄに示される例では、導通用孔３７は、ＣＯ2レーザーが照射される側、すなわち金属箔２５１側の方が、第１導体層２１側よりも孔の大きさが大きくなるように形成されている。導通用孔３７が、このような形状に形成されると、たとえば、次工程の第１金属膜２５２の形成や第２金属膜２５３の形成が湿式めっき法で行われる場合、めっき液が導通用孔３７の奥まで入り込み易くなるという利点がある。
【００４５】
続いて、金属箔２５１上および導通用孔３７内に第１金属膜２５２が形成される。第１金属膜２５２は、後述のように、第２金属膜２５３が電気めっきにより形成される場合にシード層として機能する。第１金属膜２５２は、好ましくは、無電解めっきにより形成される。無電解めっきにより形成される場合、第１金属膜２５２は、好ましくは０．３〜１μｍの厚さに形成される。第１金属膜２５２は、他の好ましい例において、スパッタリング法により形成される。スパッタリング法により形成される場合、第１金属膜２５２は、好ましくは、０．０５〜０．２μｍの厚さに形成される。第１金属膜２５２の材料は特に限定されないが、好ましくは銅が用いられる。しかしながら、第１金属膜２５２の形成方法および材料は、これらに限定されず、他の方法および材料が用いられてもよい。
【００４６】
つぎに、図４Ｅに示されるように、第１金属膜２５２上に第２金属膜２５３が形成される。第２金属膜２５３の形成方法は特に限定されないが、短い時間で厚い膜が形成され得る点で、電気めっき法により形成されるのが好ましい。電気めっき法により形成される場合、まず、第１金属膜２５２に図示しないめっきレジスト膜が形成される。めっきレジスト膜は、導通用孔３７の上部以外で、かつ、第１金属膜２５２の第２導体層２５が形成されない部分上に形成される。続いて、導通用孔３７内、および、めっきレジスト膜が形成されていない第１金属膜２５２上に、電気めっきにより第２金属膜２５３が形成される。その結果、導通用孔３７に第２金属膜２５３が充填され、図４Ｅに示されるように、第１および第２金属膜２５２、２５３からなるビア導体３８が形成される。
【００４７】
続いて、めっきレジスト膜が剥離され、めっきレジスト膜の剥離により露出する第１金属膜２５２、および、その下方の金属箔２５１が、たとえばエッチングにより除去される。この結果、図４Ｅに示されるように、第１導体層２１が埋め込まれていない側の第１層間樹脂絶縁層３０の表面上に、金属箔２５１、第１金属膜２５２、第２金属膜２５３からなる第２導体層２５が形成される。
【００４８】
つぎに、図４Ｆに示されるように、第２導体層２５上および第２導体層２５が形成されていない第１層間樹脂絶縁層３０上に、層間樹脂絶縁層５２ａ、導体層５４ａ、層間樹脂絶縁層５２ｂおよび導体層５４ｂが、順に積層されて形成される。また、導体層５４ａの形成と共に、導体層５４ａと第２導体層２５とを接続するビア導体５８ａが形成され、導体層５４ｂの形成と共に、導体層５４ｂと導体層５４ａとを接続するビア導体５８ｂがそれぞれ形成される。層間樹脂絶縁層５２ａ、導体層５４ａおよびビア導体５８ａ、ならびに、層間樹脂絶縁層５２ｂ、導体層５４ｂおよびビア導体５８ｂは、図４Ｃ〜４Ｅに示される工程と同様の工程を繰り返すことにより、第１層間樹脂絶縁層３０、第２導体層２５およびビア導体３８と同様に、それぞれ形成され得る。なお、図４Ｃ〜４Ｅに示される工程が繰り返される回数が多く（少なく）されることにより、より多い（少ない）数の層間樹脂絶縁層５２（図１参照）、導体層５４（図１参照）およびビア導体５８（図１参照）がそれぞれ形成され得る。たとえば、配線板１０が多くの積層を必要としない場合は、図４Ｃ〜４Ｅに示される工程が１度も繰り返されることなく、後述の支持板８０などを分離する工程に進められてもよい。
【００４９】
図４Ｆにおいて、層間樹脂絶縁層５２ａおよび層間樹脂絶縁層５２ｂは、芯材３２を含むように示されているが、これらの層間樹脂絶縁層は、芯材３２を含まずに樹脂組成物からなる樹脂材料３４だけで構成されていてもよい。また、芯材３２は、ガラスクロスなどの無機繊維であってよい。また、樹脂材料３４に、たとえば、シリカなどの無機フィラー（図示せず）が、３０〜７０重量％程度の含有率で含まれていてもよい。
【００５０】
なお、導体層５４ｂを形成する工程では、図示しないめっきレジスト膜が形成されていた部分の金属箔５４ｂ１および第１金属膜５４ｂ２が、めっきレジスト膜の剥離に続けて直ぐに除去されることなく、図４Ｆに示されるように残されていてもよい。残された部分の金属箔５４ｂ１および第１金属膜５４ｂ２は、後述のように、ベース金属箔８１と共に除去され得るからである。なお、図４Ｆに示される例では、ビア導体５８ａ、５８ｂは、ビア導体３８の水平断面が拡大（縮小）している方向と同じ方向に向かって水平断面が拡大（縮小）するように形成されている。
【００５１】
続いて、支持板８０およびキャリア銅箔８０ａと、ベース金属箔８１とが分離される。具体的には、まず、たとえば、図４Ｆに示される配線板の工程途上品１０ａａが加熱され、キャリア銅箔８０ａとベース金属箔８１とを接合している図示しない熱可塑性接着剤が軟化している状態で、支持板８０と共にキャリア銅箔８０ａにベース金属箔８１との界面に沿った方向の力が加えられ、両者が引き離される。或いは、前述のように、両者が外周付近の余白部において接着剤または超音波接続により接合されている場合は、接合箇所よりも内周側で、キャリア銅箔８０ａ、ベース金属箔８１、および支持板８０が、第１層間樹脂絶縁層３０などと共に切断され、接着剤などによる接合箇所が切除されることによりキャリア銅箔８０ａとベース金属箔８１とが分離されてもよい。その結果、図４Ｆに示される配線板の工程途上品１０ａａは、２つの個別の工程途上品となる。この状態の配線板の工程途上品１０ａが図４Ｇに示されている。なお、図４Ｇには、図４Ｆにおいて支持板８０の上面側に示されている配線板の工程途上品だけが示されている。
【００５２】
続いて、ベース金属箔８１が、たとえばエッチングなどにより除去される。前述のように、図示しないめっきレジスト膜が形成されていた部分の金属箔５４ｂ１および第１金属膜５４ｂ２が除去されずに残されていても、このベース金属箔８１の除去工程において、ベース金属箔８１と共に除去され得る。このように、金属箔５４ｂ１および第１金属膜５４ｂ２がベース金属箔８１と同じ工程で除去されると、エッチングプロセスなどを少なくとも１回分省略することができるので、配線板の製造工程が短縮されると共に製造コストが低減される。このベース金属箔８１の除去により、図４Ｈに示されるように、第１導体層２１の一面が露出する。なお、図４Ｈには、図１に示される配線板１０と整合するように、図４Ｇに示される配線板の工程途上品１０ａが、図面に垂直な軸で１８０°回転された向きで示されている。配線板の工程途上品１０ａおよび配線板１０は、以下の説明において参照する図４Ｉ〜４Ｋにおいても、図４Ｈと同じ向きで示される。
【００５３】
つぎに、ベース金属箔８１が除去されることにより露出する第１層間樹脂絶縁層３０の第１面Ｆ１、および第１面Ｆ１に露出している第１導体層２１の一面上に第２層間樹脂絶縁層４２が積層され、さらに、第２層間樹脂絶縁層４２を貫通するビア導体４９ａが形成されると共に、第２層間樹脂絶縁層４２上に導体層４６が形成される。また、導体層５４ｂ上および導体層５４ｂが形成されていない部分の層間樹脂絶縁層５２ｂ上に層間樹脂絶縁層５３が積層され、さらに、層間樹脂絶縁層５３を貫通するビア導体５９ａが形成されると共に、層間樹脂絶縁層５３上に導体層５６が形成される。第２層間樹脂絶縁層４２、導体層４６およびビア導体４９ａ、ならびに、層間樹脂絶縁層５３、導体層５６およびビア導体５９ａは、図４Ｃ〜４Ｅに示される工程と同様の工程を繰り返すことにより、第１層間樹脂絶縁層３０、導体層２５およびビア導体３８と同様に、それぞれ形成され得る。このため、これらの各工程については、図面を参照した詳細な説明は省略され、概略的に以下に説明される。
【００５４】
まず、第１層間樹脂絶縁層３０の第１面Ｆ１上、ならびに、導体層５４ｂ上および導体層５４ｂが形成されていない部分の層間樹脂絶縁層５２ｂ上に、それぞれ半硬化状態の絶縁性材料（プリプレグ）と金属箔とが積層され、プレスおよび加熱されて接合され、第１面Ｆ１上に第２層間樹脂絶縁層４２が形成されると共に、層間樹脂絶縁層５２ｂ上および導体層５４ｂ上に層間樹脂絶縁層５３が形成される。つぎに、第２層間樹脂絶縁層４２側の金属箔および第２層間樹脂絶縁層４２を貫通し、第１導体層２１を露出させる導通用孔が形成されると共に、層間樹脂絶縁層５３側の金属箔および層間樹脂絶縁層５３を貫通し、導体層５４ｂを露出させる導通用孔が形成される。この導通用孔は、各金属箔の表面側から、たとえばレーザー光が照射されることにより形成される。続いて、各金属箔上および各導通用孔内に、好ましくは無電解めっき法やスパッタリング法により第１金属膜が形成される。つぎに、第１金属膜上に、好ましくは電気めっき法により第２金属膜が形成される。この場合、まず、導通用孔の上部以外で、導体層４６および導体層５６が形成されない部分の第１金属膜上にめっきレジスト膜が形成され、続いて、導通用孔内、および、めっきレジスト膜が形成されていない第１金属膜上に、電気めっきにより第２金属膜が形成される。この結果、各導通用孔内に第２金属膜が充填され、図４Ｉに示されるように、第２層間樹脂絶縁層４２内にビア導体４９ａが形成され、層間樹脂絶縁層５３内にビア導体５９ａが形成される。続いて、めっきレジスト膜が剥離され、めっきレジスト膜の剥離により露出する第１金属膜、および、その下方の金属箔がエッチングなどにより除去される。この結果、図４Ｉに示されるように、第２層間樹脂絶縁層４２上に導体層４６が形成されると共に、層間樹脂絶縁層５３上に導体層５６が形成される。
【００５５】
本実施形態の配線板１０の製造方法では、さらに層間樹脂絶縁層と導体層とが積層される。具体的には、導体層４６上および導体層４６が形成されていない部分の第２層間樹脂絶縁層４２上に第３層間樹脂絶縁層４５が積層され、さらに、第３層間樹脂絶縁層４５を貫通するビア導体４９ｂが形成されると共に、第３層間樹脂絶縁層４５上に第３導体層４１が形成される。また、導体層５６上および導体層５６が形成されていない部分の層間樹脂絶縁層５３上に第４層間樹脂絶縁層５５が積層され、さらに、第４層間樹脂絶縁層５５を貫通するビア導体５９ｂが形成されると共に、第４層間樹脂絶縁層５５上に第４導体層５１が形成される。第３層間樹脂絶縁層４５、第３導体層４１およびビア導体４９ｂ、ならびに、第４層間樹脂絶縁層５５、第４導体層５１およびビア導体５９ｂは、前述の、第２層間樹脂絶縁層４２、導体層４６およびビア導体４９ａ、ならびに、層間樹脂絶縁層５３、導体層５６およびビア導体５９ａを形成する工程と同様の工程を繰り返すことにより、それぞれ形成され得る。このように第３および第４導体層４１、５１まで形成された状態が図４Ｊに示されている。第３導体層４１は、前述の導体層４６の形成工程で述べられた第１金属膜上に形成するめっきレジスト膜に相当するめっきレジスト膜を、第３導体層４１の形成工程において適切なパターンで設けることにより、図４Ｊに示されるように、接続パッド４１ａなどを含む所定の導体パターンにパターニングされて形成されている。同様に、第４導体層５１は、たとえば、接続パッド５１ａなどを含む所定の導体パターンにパターニングされて形成されている。
【００５６】
なお、第３および第４層間樹脂絶縁層４５、５５、ならびに、第３および第４導体層４１、５１を形成する前に、導体層４６および／または導体層５６上に、さらに多くの層間樹脂絶縁層、導体層およびビア導体が形成されてもよい。このような層間樹脂絶縁層、導体層およびビア導体は、前述の第３および第４層間樹脂絶縁層４５、５５、第３および第４導体層４１、５１、ならびにビア導体４９ｂ、５９ｂと同様の工程により形成され得る。また、このような場合に、層間樹脂絶縁層５２（図１参照）、導体層５４（図１参照）を形成する数が調整されてもよい。すなわち、配線板１０に形成されるべき多数の導体パターンそれぞれは、支持板８０が分離される図４Ｇに示される工程よりも前に形成される導体層、および、図４Ｇに示される工程よりも後に形成される導体層のうちのいずれに形成されてもよく、その選択の結果、支持板８０が分離される前に形成される層間樹脂絶縁層および導体層の数、および、支持板８０が分離された後に形成される層間樹脂絶縁層および導体層の数が増減されてよい。
【００５７】
一般的に、第１導体層２１のように、層間樹脂絶縁層内に埋め込むように形成される導体層は、エッチングを用いずにパターニングでき、また、前述のように、層間樹脂絶縁層との強固な密着性が得られるうえ配線間のショートのリスクも低いため、狭ピッチの配線パターンを形成するのに有利となる。このような埋め込み型の導体層は、図４Ｂおよび図４Ｃに示されるように、最終的に分離される支持板８０の一面上に形成されるため、多層構造とする場合、層間樹脂絶縁層や導体層は一方向にしか積層され得ない。このため、図４Ａ〜４Ｆに示されるように、支持板８０の両面に第１層間樹脂絶縁層３０などが形成されるとしても、１つの配線板１０が完成するまでの工程が長くなり、製造リードタイムが長くなると共に仕掛品が多くなることがある。
【００５８】
本実施形態の配線板１０の製造方法では、第１導体層２１が形成された後、支持板８０が分離され、その後は、第２層間樹脂絶縁層４２や第３層間樹脂絶縁層４５などを形成する工程と、層間樹脂絶縁層５３や第４層間樹脂絶縁層５５などを形成する工程とが、配線板の工程途上品１０ａの両側の面において同時に進められ得る。このため、支持板８０を分離する前に全ての層間樹脂絶縁層や導体層を形成するよりも、投入から完成までの配線板１０の製造リードタイムが短縮され得る。
【００５９】
また、本実施形態の配線板１０の製造方法では、第１層間樹脂絶縁層３０の第１面Ｆ１に第１導体層２１が埋め込まれているため、図４Ｊに示されるように、第１面Ｆ１上に積層される第２層間樹脂絶縁層４２が、第１層間樹脂絶縁層３０、第３および第４層間樹脂絶縁層４５、５５、層間樹脂絶縁層５２ならびに層間樹脂絶縁層５３よりも厚くされている。また、第１導体層２１が第１面Ｆ１に埋め込まれているため、第１層間樹脂絶縁層３０の第１面Ｆ１が略平坦な面となる。そして、本実施形態の配線板１０の製造方法では、第１導体層２１が形成された後、すぐに支持板８０が分離されるのではなく、第１層間樹脂絶縁層３０の第２面Ｆ２側に層間樹脂絶縁層５２や導体層５４が形成された後に支持板８０（図４Ｆ参照）が分離され、その後、層間樹脂絶縁層や導体層が両面に同時に形成される。このため、他の層間樹脂絶縁層よりも厚く形成される第２層間樹脂絶縁層４２が、配線板１０の第１表面ＳＦ１（図１参照）寄りに位置するようになる。このため、前述のように配線板１０の反りが効果的に抑制され、配線板１０に実装される電子部品（図示せず）の接続信頼性の低下が防がれ得る。また、略平坦な面となる第１面Ｆ１が配線板１０の第１表面ＳＦ１の近隣に位置付けられ得る。このため、配線板１０の第１表面ＳＦ１に生じる起伏が効果的に抑制され、第１表面ＳＦ１に電子部品を実装するときの実装歩留りの低下が防がれ得る。
【００６０】
前述のビア導体４９の形成において、ビア導体４９が形成される導通用孔は、第３導体層４１が形成される側から、第２層間樹脂絶縁層４２または第３層間樹脂絶縁層４５にレーザー光が照射されることにより形成される。一方、ビア導体５９が形成される導通用孔を形成するレーザー光は、第４導体層５１が形成される側から層間樹脂絶縁層５３または第４層間樹脂絶縁層５５に照射されており、前述のビア導体３８（図４Ｅ参照）およびビア導体５８ａ、５８ｂ（図４Ｆ参照）が形成される導通用孔（図示せず）を形成するレーザー光と同方向に照射されている。このため、図１に示されるように、ビア導体４９ａ、４９ｂと、ビア導体３８、５８、５９ａおよび５９ｂとは、相反する方向に向かって水平断面が拡大（縮小）するような形状となっている。
【００６１】
なお、図４Ｊにおいて、第２〜第４層間樹脂絶縁層４２、４５、５５、および層間樹脂絶縁層５３は、芯材３２を含むように示されているが、これらの層間樹脂絶縁層は、芯材３２を含まずに樹脂組成物からなる樹脂材料３４だけで構成されていてもよい。また、芯材３２は、ガラスクロスなどの無機繊維であってよい。また、樹脂材料３４に、たとえば、シリカなどの無機フィラー（図示せず）が、３０〜７０重量％程度の含有率で含まれていてもよい。
【００６２】
本実施形態の配線板１０の製造方法では、図４Ｋに示されるように、接続パッド４１ａを除く第３導体層４１の一部の表面上、および、第３導体層４１が形成されていない第３層間樹脂絶縁層４５の表面上にソルダーレジスト層６０が形成される。また、接続パッド５１ａを除く第４導体層５１の一部の表面上、および、第４導体層５１が形成されていない第４層間樹脂絶縁層５５の表面上にソルダーレジスト層６１が形成される。
【００６３】
ソルダーレジスト層６０、６１は、たとえば、感光性のエポキシ材などの層が、第３層間樹脂絶縁層４５および第３導体層４１上の全面、ならびに第４層間樹脂絶縁層５５および第４導体層５１上の全面に形成された後、ソルダーレジスト層６０、６１が設けられる所定の部分が露光され、露光されない部分のエポキシ材が現像により除去されて形成される。しかしながら、これに限定されず、ソルダーレジスト層６０、６１は、所定のパターンに開口されたマスクを用いるスクリーン印刷などの他の方法で設けられてもよい。また、ソルダーレジスト層６０、６１は、たとえば、非感光性のエポキシ材などからなる層が、第３層間樹脂絶縁層４５および第３導体層４１上の全面、ならびに、第４層間樹脂絶縁層５５および第４導体層５１上の全面に形成された後、ソルダーレジスト層６０、６１の形成が不要な部分がレーザーで除去されることにより形成されてもよい。
【００６４】
また、ソルダーレジスト６０、６１に覆われないで露出している接続パッド４１ａ、５１ａの表面上に、たとえばＮｉ／Ａｕ、Ｎｉ／Ｐｄ／ＡｕまたはＳｎなどからなる耐食層（図示せず）が形成されてもよい。また、液状の保護材料内への浸漬や保護材料の吹付けなどにより有機保護膜（ＯＳＰ）からなる耐食層が形成されてもよく、或いは、はんだコート層（図示せず）が形成されてもよい。
【００６５】
図４Ａ〜４Ｋに示される工程を経ることにより、図１に示される本実施形態の配線板１０が完成する。完成した配線板１０には、図４Ｋに示されるように、たとえば、接続パッド４１ａに半導体素子９０などの電子部品が接続されてよい。同様に、実装パッド５１ａに、図示しない別の電子部品が接続されてもよい。また、配線板１０が、接続パッド４１ａ、５１ａを介して、別の配線板などの外部回路と接続されてもよい。
【００６６】
本実施形態の配線板１０の製造方法は、図４Ａ〜４Ｋを参照して説明された方法に限定されず、その条件や順序などは任意に変更され得る。また、特定の工程が省略されてもよく、別の工程が追加されてもよい。
【００６７】
つぎに、本発明の一実施形態の半導体パッケージが図面を参照しながら説明される。図５Ａに示されるように、一実施形態の半導体パッケージ１００は、一方の表面ＳＦ１に第１半導体素子１１５が実装されているプリント配線板１１０と、プリント配線板１１０の一方の表面ＳＦ１上に搭載される基板１３０とを有している。プリント配線板１１０には、好ましくは、図１に一例が示されるプリント配線板が用いられる。図５Ａには、そのような、図１に一例が示されるプリント配線板をプリント配線板１１０とする例が示されている。従って、図５Ａに示されるプリント配線板１１０の大半の構成要素は、図１に示されるプリント配線板１０と同様であり、そのような構成要素は同一の符号が付され、詳細な説明は省略される。しかしながら、プリント配線板１１０は、図１に示されるプリント配線板１０に限定されず、前述のプリント配線板１０の説明中に示された、各構成要素に対する各種の変更、変形が取り入れられてもよい。
【００６８】
図５Ａに示されるように、プリント配線板１１０は、図１に示されるプリント配線板１０と同様に第１ビルドアップ層１４０を有している。第１ビルドアップ層１４０のプリント配線板１１０の一方の表面ＳＦ１側の最表面には第３導体層１４１が形成され、第３導体層１４１上にソルダーレジスト層１６０が形成されている。ソルダーレジスト層１６０は、所定の部分に開口部１６１を有しており、第３導体層１４１の一部である接続パッド１４１ａ、１４１ｂが、開口部１６１においてソルダーレジスト層１６０から露出している。
【００６９】
基板１３０は、プリント配線板１１０側の面にバンプ１２４を備えており、バンプ１２４がプリント配線板１１０の第３導体層１４１の一部である接続パッド１４１ｂに接続されている。
【００７０】
また、第１半導体素子１１５は、プリント配線板１１０と基板１２０との間であってバンプ１２４の高さに応じた高さで確保される空間内に配置されている。また、第１半導体素子１１５は電極１１６を有しており、電極１１６が、接合材１２２を介して、プリント配線板１１０の第３導体層１４１の一部である接続パッド１４１ａに接続されている。
【００７１】
本実施形態の半導体パッケージ１００は、図１に一実施形態が示される前述のプリント配線板１０と同様のプリント配線板１１０を有しているので、前述のようにプリント配線板１１０の反りが軽減され、第１半導体素子１１５および基板１２０の接続信頼性の低下が防がれ得る。また、プリント配線板１１０の表面の凹凸の発生が抑制されるので、第１半導体素子１１５の実装歩留りの低下が防がれ得る。
【００７２】
基板１３０の構造や材料は特に限定されず、樹脂材料からなる層間樹脂絶縁層と銅箔などからなる導体層とで構成されるプリント配線板や、アルミナまたは窒化アルミなどの無機材料からなる絶縁性基材の表面に導体膜が形成された配線板や、たとえば、国際公開第１１／１２２２４６号の図８〜図１３に開示された製法で製造されたマザーボード基板であってよく、任意の基板が用いられ得る。また、第１半導体素子１１５も、特に限定されず、マイコン、メモリ、ＡＳＩＣなど、任意の半導体素子が用いられ得る。なお、第３導体層１４１およびソルダーレジスト層１６０は、前述のプリント配線板１０の第３導体層４１およびソルダーレジスト層６０と同様の材料および製法を用いて形成され得る。
【００７３】
接合材１２２およびバンプ１２４の材料も特に限定されず、任意の導電性材料が用いられ、好ましくは、はんだ、金、銅などの金属が用いられる。また、接合材１２２を用いずに、第１半導体素子１１５の電極１１６と接続パッド１４１ａとが、加熱、加圧、および／または加振されることにより両者の間に金属間接合部が形成されて接続されてもよい。
【００７４】
図５Ｂには、図５Ａに示される半導体パッケージ１００のプリント配線板１１０と基板１３０との間にモールド樹脂１２６が充填されている例が示されている。このように、モールド樹脂１２６が充填されると、第１半導体素子１１５が機械的なストレスから保護されると共に、周囲の温度変化によるプリント配線板１１０の挙動が制限され、第１半導体素子１１５との接合部に生じる応力が軽減されて接続信頼性が向上するという利点がある。なお、モールド樹脂１２６の材料は特に制限されないが、たとえば、第１半導体素子１１５の熱膨張率と近い熱膨張率を有し、絶縁性の良好な材料が用いられる。好ましくは、モールド樹脂１２６には、適度にシリカなどのフィラーが含有された熱硬化性のエポキシ樹脂が用いられる。モールド樹脂１２６の充填方法は特に限定されず、たとえば、金型（図示せず）内でトランスファーモールドされて充填されてもよく、液状の樹脂が注入された後に加熱されて硬化されてもよい。
【００７５】
図５Ｃには、図５Ｂに示される半導体パッケージ１００の基板１３０上に第２半導体素子１３５が実装されている例が示されている。第２半導体素子１３５の一面に設けられている電極（図示せず）は、図５Ｃに示されるように、ボンディングワイヤ１３７により基板１３０に接続されるか、電極が設けられている面が下に向くように第２半導体素子１３５を反転させて、フリップチップ実装方式により接続されてよい。このように、第２半導体素子１３５が実装されているパッケージオンパッケージ構造の半導体パッケージとすることで、平面視におけるサイズが小さく、かつ、高機能の半導体装置が提供され得る。
【符号の説明】
【００７６】
１０    プリント配線板
１１    配線集合体
２１    第１導体層
２５    第２導体層
３０    第１層間樹脂絶縁層
３８    ビア導体
４０    第１ビルドアップ層
４１    第３導体層
４１ａ  接続パッド
４２    第２層間樹脂絶縁層
４５    第３層間樹脂絶縁層
４６、５４、５４ａ、５４ｂ、５６  導体層
４９、４９ａ、４９ｂ  ビア導体
５０    第２ビルドアップ層
５１    第４導体層
５１ａ  接続パッド
５２、５２ａ、５２ｂ、５３  層間樹脂絶縁層
５５    第４層間樹脂絶縁層
５８、５８ａ、５８ｂ  ビア導体
５９、５９ａ、５９ｂ  ビア導体
６０、６１  ソルダーレジスト層
８０    支持板
８０ａ  キャリア銅箔
８１    ベース金属箔
９０    半導体素子
１００  半導体パッケージ
１１０  プリント配線板
１１５  第１半導体素子
１２４  バンプ
１２６  モールド樹脂
１３０  基板
１３５  第２半導体素子
１４０  第１ビルドアップ層
１４１  第３導体層
１４１ａ  接続パッド
１４１ｂ  接続パッド
１６０  ソルダーレジスト層
Ｆ１    第１層間樹脂絶縁層の第１面
Ｆ２    第２層間樹脂絶縁層の第２面
ＳＦ１  プリント配線板の第１表面
ＳＦ２  プリント配線板の第２表面
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４Ａ】
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【図４Ｂ】
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【図４Ｃ】
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【図４Ｄ】
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【図４Ｅ】
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【図４Ｆ】
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【図４Ｇ】
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【図４Ｈ】
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【図４Ｉ】
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【図４Ｊ】
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【図４Ｋ】
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【図５Ａ】
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【図５Ｂ】
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【図５Ｃ】
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【図６】
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