(57)【要約】【課題】回転テーブルにより公転している基板に対して処理ガスを用いて成膜処理を行うにあたり、良好な膜厚の面内均一性を得ること。【解決手段】回転テーブル２の表面に形成された凹部２４内に、凹部２４よりも平面形状が小さい載置部２５を設けると共に、凹部２４内における前記載置部２５の周囲の空間（溝部２６）と回転テーブル２の外側の空間とを連通するように、凹部２４の壁部に連通路をなすスリット２７を形成する。回転テーブル２の回転による遠心力により、ウエハＷの外端縁が凹部２４の内壁面に接触し、溝部２６の上方側がウエハＷで塞がれて、凹部２４内には回転テーブル２の外周側にガスが寄った状態になる。このガスはスリット２７を介して回転テーブル２の外側の空間に排出されるので、凹部２４内のガスが回転テーブル２の表面に巻き上がってウエハに付着することが抑えられ、膜厚の面内均一性が改善される。【選択図】図６
2015228404.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
真空容器内にて回転テーブルを回転させて回転テーブル上の基板を、原料ガスの供給領域、原料と反応する反応ガスの供給領域、を順次通過させることにより基板上に成膜する装置において、
前記回転テーブルの一面側に、前記基板が収まるように形成された凹部と、
この凹部内にて基板の周縁部よりも中央寄りの部位を支持するための載置部と、
前記回転テーブルの回転による遠心力により前記凹部内にて前記回転テーブルの外周側に寄ったガスを排出するために、凹部の中央から見て前記回転テーブルの中心とは反対側の凹部の端部領域において、前記凹部内における載置部の周囲の空間と前記回転テーブルの外側の空間とを連通するように当該凹部の壁部に形成された連通路と、
前記真空容器内を真空排気するための排気口と、を備えたことを特徴とする成膜装置。
【請求項２】
前記凹部は、平面形状が円形であることを特徴とする請求項１記載の成膜装置。
【請求項３】
前記凹部の端部領域は、凹部の中心と回転テーブルの回転中心とを結ぶ直線が回転テーブルの外周と交わる点をＰとすると、凹部の中心から点Ｐに対して左右に３０度ずつの開き角を各々形成する直線の間の領域であることを特徴とする請求項１又は２記載の成膜装置。
【請求項４】
前記回転テーブルの回転時に遠心力により基板が前記回転テーブルの外周側に寄って凹部の側壁に接触した状態になることを特徴とする請求項１ないし３のいずれか一項に記載の成膜装置。
【請求項５】
前記連通路は、前記凹部の側壁に形成され、
前記排気口は、平面的に見て前記回転テーブルの外周よりも外側位置にて真空容器内に開口していることを特徴とする請求項１ないし４のいずれか一項に記載の成膜装置。
【請求項６】
前記排気口は、反応ガスの供給領域においては、回転テーブルの回転方向の下流側に向かって排気流が形成される位置に設けられ、
前記連通路は、凹部の中心と回転テーブルの回転中心とを結ぶ直線から見て、回転テーブルの回転方向の上流側に配置されていることを特徴とする請求項１ないし５のいずれか一項に記載の成膜装置。
【請求項７】
前記連通路は、前記凹部の側壁に、周方向に互いに間隔を開けて複数本形成されていることを特徴とする請求項１ないし６のいずれか一項に記載の成膜装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、真空容器内にて回転テーブルを回転させて回転テーブル上の基板を、原料ガスの供給領域、原料と反応する反応ガスの供給領域、を順次通過させることにより基板上に成膜する装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体ウエハなどの基板（以下「ウエハ」という）にシリコン酸化膜（ＳｉＯ２）などの薄膜を成膜する手法として、いわゆるＡＬＤ（Atomic Layer Deposition）法が知られている。このＡＬＤ法を実施する装置として、特許文献１には、真空容器内の回転テーブル上に配置した複数のウエハを回転テーブルにより公転させ、原料ガスが供給される領域と、原料ガスと反応する反応ガスが供給される領域とを順番に通過させる装置が記載されている。回転テーブル上には、各々のウエハを落とし込んで保持するための凹部が配置されており、この凹部は、ウエハの外縁にクリアランスを設けるため（ウエハを着脱自在に保持するため）に、平面で見た時にウエハよりも一回り大きくなるように形成されている。
【０００３】
ウエハは、外部からの搬送アームにより、回転テーブルの凹部内に受け渡された直後に、加熱時の面内温度の不均一により、その中央部が周縁部よりも盛り上がるように反り、面内温度の均一性が高まるにつれて前記反りが収まっていくことが知られている。一方、回転テーブルを回転させているため、この回転に伴う遠心力によって、ウエハは凹部内において、前記クリアランス分回転テーブルの外周側に移動する。このようにウエハは、反った状態から平坦な状態に戻ろうとしながら移動するため、その周縁部が凹部底面を擦るようにして移動することになり、パーティクルが発生するおそれがある。
【０００４】
このため特許文献１では、前記凹部の底面に、平面形状がウエハより小さいウエハの載置台を設ける構成が提案されている。この構成によれば、ウエハの周縁部と凹部底面との擦れが抑えられるため、パーティクルの発生を抑制できる。しかしながら、本発明者らは、回転テーブルの回転数が高いプロセスや、処理雰囲気の圧力が高いプロセスを行う場合に、ウエハの周縁部の一部において、局所的に膜厚が大きくなる現象が発生するという知見を得ている。この現象は、ウエハが遠心力により回転テーブルの外周側に移動すると、ウエハの外端縁が凹部の内壁面に押し付けられ、載置台の側面と凹部の内壁面との間に形成された溝部の上部が部分的にウエハにより塞がれた状態になり、ガスがこの領域に封じ込められることに起因して発生すると推察される。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２０１３−２２２９４８号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
本発明はこのような事情に鑑みてなされたものであり、その目的は、真空容器内にて回転テーブルを回転させて回転テーブル上の基板に成膜処理を行うにあたり、基板における良好な膜厚の面内均一性を確保できる成膜装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
このため、本発明の成膜装置は、真空容器内にて回転テーブルを回転させて回転テーブル上の基板を、原料ガスの供給領域、原料と反応する反応ガスの供給領域、を順次通過させることにより基板上に成膜する装置において、
前記回転テーブルの一面側に、前記基板が収まるように形成された凹部と、
この凹部内にて基板の周縁部よりも中央寄りの部位を支持するための載置部と、
前記回転テーブルの回転による遠心力により前記凹部内にて前記回転テーブルの外周側に寄ったガスを排出するために、凹部の中央から見て前記回転テーブルの中心とは反対側の凹部の端部領域において、前記凹部内における載置部の周囲の空間と前記回転テーブルの外側の空間とを連通するように当該凹部の壁部に形成された連通路と、
前記真空容器内を真空排気するための排気口と、を備えたことを特徴とする。
【発明の効果】
【０００８】
本発明は、回転テーブルの一面側に形成された凹部内に、基板の周縁部よりも中央寄りの部位を支持するための載置部を設けると共に、前記凹部内における前記載置部の周囲の空間と前記回転テーブルの外側の空間とを連通するように、前記凹部の壁部に連通路を形成している。前記凹部内には前記回転テーブルの回転による遠心力により前記回転テーブルの外周側にガスが寄った状態になるが、このガスは前記連通路を介して前記回転テーブルの外側の空間に排出される。このため前記凹部内のガスが前記回転テーブルの表面に巻き上がって、基板に供給されることが抑えられる。これにより基板面内の一部に対してガスの供給量が多くなることが抑制されて、局所的に膜厚が大きくなる部位の発生が抑えられるため、基板における膜厚の面内均一性が改善される。
【図面の簡単な説明】
【０００９】
【図１】本発明の成膜装置の一例を示す縦断側面図である。
【図２】成膜装置の横断平面図である。
【図３】成膜装置の横断平面図である。
【図４】成膜装置の内部の一部を示す斜視図である。
【図５】成膜装置の回転テーブルの一部を示す斜視図である。
【図６】回転テーブルの一部を示す縦断側面図である。
【図７】回転テーブルを概略的に示す平面図である。
【図８】回転テーブルの一部を示す平面図である。
【図９】回転テーブルの一部を示す平面図である。
【図１０】回転テーブルの作用を示す縦断側面図である。
【図１１】回転テーブルの作用を示す縦断側面図である。
【図１２】成膜装置におけるガスの流れを示す平面図である。
【図１３】回転テーブルの作用を示す縦断側面図である。
【図１４】回転テーブルの作用を示す縦断側面図である。
【図１５】回転テーブルの他の例を示す平面図である。
【図１６】回転テーブルのさらに他の例を示す平面図である。
【図１７】回転テーブルの他の例の作用を示す縦断側面図である。
【図１８】回転テーブルのさらに他の例を示す平面図である。
【図１９】回転テーブルのさらに他の例の作用を示す縦断側面図である。
【図２０】回転テーブルのさらに他の例を示す縦断側面図である。
【図２１】回転テーブルのさらに他の例を示す縦断側面図である。
【図２２】成膜装置の他の例を示す縦断側面図である。
【図２３】回転テーブルのさらに他の例を示す平面図である。
【図２４】回転テーブルのさらに他の例を示す縦断側面図である。
【図２５】実施例１の結果を示す特性図である。
【図２６】比較例１の結果を示す特性図である。
【図２７】膜厚とウエハ上の位置との関係を示す特性図である。
【図２８】膜厚の面内均一性を示す特性図である。
【図２９】膜厚の面内均一性を示す特性図である。
【図３０】膜厚の面内均一性を示す特性図である。
【発明を実施するための形態】
【００１０】
（第１の実施の形態）
本発明の第１の実施の形態の成膜装置について図面を参照して説明する。この成膜装置は、図１〜図４に示すように、平面形状が概ね円形である真空容器１と、この真空容器１内に設けられ、当該真空容器１の中心に回転中心を有すると共に例えば石英により構成された回転テーブル２と、を備えており、ウエハＷに対して成膜処理を行う成膜装置として構成されている。  
真空容器１は、天板１１及び容器本体１２を備えており、天板１１が容器本体１２から着脱できるように構成されている。天板１１の上面側における中央部には、真空容器１内の中心部領域Ｃにおいて互いに異なる処理ガス同士が混ざり合うことを抑制するために、窒素（Ｎ２）ガスを分離ガスとして供給するための分離ガス供給管５１が接続されている。
【００１１】
真空容器１の底面部１４の上方側には、図１に示すように、加熱機構であるヒータユニット７が設けられており、回転テーブル２を介して回転テーブル２上のウエハＷを成膜温度例えば６２０℃に加熱するようになっている。図１中７１ａはヒータユニット７の側方側に設けられたカバー部材、７ａはこのヒータユニット７の上方側を覆う覆い部材である。また、底面部１４には、ヒータユニット７の下方側において、ヒータユニット７の配置空間をパージするためのパージガス供給管７３が周方向に亘って複数箇所に設けられている。
【００１２】
回転テーブル２は、中心部にて概略円筒形状のコア部２１に固定されており、このコア部２１の下面に接続されると共に鉛直方向に伸びる回転軸２２によって、鉛直軸周りこの例では時計周りに回転自在に構成されている。図１中２３は回転軸２２を鉛直軸周りに回転させる駆動部（回転機構）であり、２０は回転軸２２及び駆動部２３を収納するケース体である。また、このケース体２０には、回転テーブル２の下方領域に窒素ガスをパージガスとして供給するためのパージガス供給管７２が接続されている。真空容器１の底面部１４におけるコア部２１の外周側は、回転テーブル２に下方側から近接するようにリング状に形成されて突出部１２ａをなしている。
【００１３】
回転テーブル２の一面側（表面部）には、図２〜図５に示すように、円板状（円形）のシリコンにより構成されたウエハＷを落とし込んで保持するために、円形の凹部２４が、当該回転テーブル２の回転方向（周方向）に沿って複数箇所例えば６箇所に設けられている。各々の凹部２４は、ウエハＷの外縁との間に隙間領域（クリアランス）を設けるために、平面で見た時にウエハＷよりも径が大きくなるように形成されている。具体的には、ウエハＷの直径寸法ｒ及び凹部２４の直径寸法Ｒは、図６に示すように、夫々例えば３００ｍｍ及び３０２ｍｍとなっている。また回転テーブル２の直径寸法は例えば１０００ｍｍ程度となっている。図４中２４ａは、ウエハＷを下方側から突き上げて昇降させるための例えば３本の昇降ピン（図示せず）が突没する貫通孔である。この貫通孔２４ａについては図４以外では記載を省略している。
【００１４】
各々の凹部２４の内部には、図４〜図６に示すように、ウエハＷの周縁部よりも中央寄りの部位を支持するための載置部２５が設けられている。各々の載置部２５は、扁平な円筒形状となるように構成されると共に、上端面が水平面として形成されている。これら載置部２５は、ウエハＷの周縁部を周方向に亘って凹部２４の底面から浮かせるために、平面で見たときにウエハＷよりも小さい円状となるように形成されており、例えば平面で見たときに載置部２５の中心と、凹部２４の中心とは重なるように構成されている。こうして凹部２４の内壁面と載置部２５の外壁面との間には、リング状の溝部２６が形成されていると言える。
【００１５】
載置部２５の高さ寸法ｈは、０．１ｍｍ〜１．０ｍｍ例えば０．４ｍｍとなっており、この例では、載置部２５上にウエハＷを載置すると、当該ウエハＷの表面と回転テーブル２の表面との高さ位置が互いに揃うように設定されている。載置部２５の直径寸法ｄは例えば２９７ｍｍであり、既述の溝部２６を平面で見たときの幅寸法（凹部２４の内壁面と載置部２５の外壁面との間の寸法）を「幅寸法Ｌ１」と呼ぶと、幅寸法Ｌ１は例えば３ｍｍとなっている。尚、図６などでは、幅寸法Ｌ１や高さ寸法ｈについて誇張して大きく描画している。
【００１６】
また凹部２４の壁部には、凹部２４内における載置部２５の周囲の空間と回転テーブル２の外側の空間とを連通するように連通路が形成され、この例では幅狭なスリット２７よりなる連通路が複数本設けられている。前記複数本のスリット２７（２７１〜２７５）は、凹部２４の中央から見て回転テーブル２の中心とは反対側の凹部２４の端部領域に形成されている。この端部領域について図７〜図９を用いて説明する。回転テーブル２の回転中心Ｏ１と、凹部２４の中心Ｏ２とを結ぶ直線Ａが回転テーブル２の外周と交わる点をＰとすると、端部領域は、前記中心Ｏ２から点Ｐに対して左に３０度の開き角を形成する直線Ｓ１と、前記中心Ｏ２から点Ｐに対して右に３０度の開き角を形成する直線Ｓ２との間の領域である。なお図８はウエハＷが載置部２５に受け渡されたときの様子を示し、図９は回転テーブル２の回転に伴い、ウエハＷが遠心力により回転テーブル２の外周側に移動したときの様子を示している。この例では、ウエハＷは載置部２５に対して、ノッチＮが前記端部領域、例えば点Ｐに臨む向きになるように受け渡される。
【００１７】
図５〜図９に示すように、前記スリット２７１〜２７５は、凹部２４の溝部２６と、凹部２４よりも回転テーブル２の外周側の表面及び回転テーブル２の外周側の空間とに夫々連通するように形成されている。これらスリット２７１〜２７５は、回転テーブル２の周方向に互いに間隔を開けて並ぶように形成され、例えば回転テーブル２の表面に、凹部２４の内壁面から回転テーブル２の外周に至る長さの切欠きを形成することにより構成される。
【００１８】
この例では、５本のスリット２７１〜２７５の周方向の中央のスリット２７３が、回転テーブル２の回転中心Ｏ１と、凹部２４の中心Ｏ２とを結ぶ直線Ａ上に位置するように形成されている。そしてこのスリット２７３を中心にして回転テーブル２の回転方向の上流側に２本のスリット２７１、２７２が設けられると共に、前記スリット２７３を中心にして回転テーブル２の回転方向の下流側に２本のスリット２７４、２７５が設けられている。これらスリット２７１〜２７５は、図９に示すように、例えば夫々のスリットの幅（周方向の大きさ）の中心と凹部２４の中心Ｏ２とを結ぶ直線Ａ１、Ａ２、Ａ、Ａ４、Ａ５を描いたときに、隣接する直線同士のなす角θが夫々同じになるように放射状に形成され、この例ではなす角θは例えば１０度に設定されている。また各スリット２７１〜２７５は、例えばその長さ方向（径方向）に沿って同じ幅で形成されると共に、５本のスリット２７１〜２７５の幅Ｌ２は互いに揃うように設定されている。スリット２７１〜２７５の大きさの一例を挙げると、前記幅Ｌ２は２ｍｍ〜１０ｍｍ例えば６ｍｍである。
【００１９】
上述の例では、スリット２７１〜２７５よりなる複数の連通路が前記端部領域に形成されているが、当該端部領域にだけに連通路が形成されている場合に限られない。例えば複数の連通路（スリット）を形成した場合に、そのうちの一つが前記端部領域に形成され、他の連通路が当該端部領域から外れた領域に形成されている場合であっても、本発明の範囲に当然含まれる。
【００２０】
続いて成膜装置の各部の説明に戻る。図２及び図３に示すように、凹部２４の通過領域と各々対向する位置には、各々例えば石英からなる５本のノズル３１、３２、３４、４１、４２が真空容器１の周方向に互いに間隔をおいて放射状に配置されている。この例では、後述の搬送口１５から見て時計周り（回転テーブル２の回転方向）にプラズマ発生用ガスノズル３４、分離ガスノズル４１、第１の処理ガスノズル３１、分離ガスノズル４２及び第２の処理ガスノズル３２がこの順番で配列されている。プラズマ発生用ガスノズル３４の上方側には、図１に示すように、後述のプラズマ発生部８０が設けられている。処理ガスノズル３１、３２は、夫々第１の処理ガス供給部、第２の処理ガス供給部をなし、分離ガスノズル４１、４２は、各々分離ガス供給部をなしている。尚、図２及び図４はプラズマ発生部８０及び後述の筐体９０を取り外した状態、図３はこれらプラズマ発生部８０及び筐体９０を取り付けた状態を表している。
【００２１】
各ノズル３１、３２、３４、４１、４２は、流量調整バルブを介して夫々以下の各ガス供給源（図示せず）に夫々接続されている。即ち、第１の処理ガスノズル３１は、シリコン（Ｓｉ）を含む原料ガス例えば３ＤＭＡＳ（Ｔｒｉｓ（ｄｉｍｅｔｈｙｌａｍｉｎｏ）ｓｉｌａｎｅ：ＳｉＨ［Ｎ（ＣＨ３ ）２ ］３ ）などの供給源に接続されている。第２の処理ガスノズル３２は、原料ガスと反応する反応ガスである第２の処理ガス例えばオゾン（Ｏ３）ガスと酸素（Ｏ２）ガスとの混合ガスの供給源（詳しくはオゾナイザーの設けられた酸素ガス供給源）に接続されている。プラズマ発生用ガスノズル３４は、例えばアルゴン（Ａｒ）ガスと酸素ガスとの混合ガスからなるプラズマ発生用ガスの供給源に接続されている。分離ガスノズル４１、４２は、分離ガスである窒素（Ｎ２）ガスのガス供給源に各々接続されている。これらガスノズル３１、３２、３４、４１、４２の例えば下面側には、回転テーブル２の半径方向に沿って複数箇所にガス吐出孔（図示せず）が形成されている。
【００２２】
処理ガスノズル３１、３２の下方領域は、夫々第１の処理ガスをウエハＷに吸着させるための第１の処理領域Ｐ１及びウエハＷに吸着した第１の処理ガスの成分と第２の処理ガスとを反応させるための第２の処理領域Ｐ２となる。分離ガスノズル４１、４２は、各々第１の処理領域Ｐ１と第２の処理領域Ｐ２とを分離する分離領域Ｄを形成するためのものである。この分離領域Ｄにおける真空容器１の天板１１には、図２〜図４に示すように、概略扇形の凸状部４が設けられており、分離ガスノズル４１、４２は、この凸状部４内に収められている。こうして分離ガスノズル４１、４２における回転テーブル２の周方向両側には、各処理ガス同士の混合を阻止するために、前記凸状部４の下面である低い天井面が配置され、この天井面の前記周方向両側には、当該天井面よりも高い天井面が配置されている。凸状部４の周縁部（真空容器１の外縁側の部位）は、各処理ガス同士の混合を阻止するために、回転テーブル２の外端面に対向すると共に容器本体１２に対して僅かに離間するように、Ｌ字型に屈曲している。
【００２３】
前記プラズマ発生部８０は、金属線からなるアンテナ８３をコイル状に巻回して構成され、このアンテナ８３は、整合器８４を介して周波数が例えば１３．５６ＭＨｚ及び出力電力が例えば５０００Ｗの高周波電源８５に接続されている。またプラズマ発生用ガスノズル３４の上方側における天板１１は、平面的に見た時に概略扇形に開口すると共に、例えば石英などからなる筐体９０によって気密に塞がれており、この筐体９０の内側に前記アンテナ８３が収納されている。図１中８６は、プラズマ発生部８０と整合器８４及び高周波電源８５とを電気的に接続するための接続電極であり、９２は筐体９０の下方領域へのＮ２ガスやＯ３ガスなどの侵入を阻止するためのガス規制用の突起部である。
【００２４】
筐体９０とアンテナ８３との間には、図１及び図３に示すように、上面側が開口する導電性材料によりなる概略箱型であって、接地されたファラデーシールド９５が配置されている。このファラデーシールド９５の底面には、アンテナ８３において発生する電界及び磁界（電磁界）のうち、磁界をウエハＷに到達させると共に、電界成分が下方に向かうことを阻止するために、スリット９７が形成されている。ファラデーシールド９５とアンテナ８３との間には、例えば石英からなる絶縁板９４が介在している。
【００２５】
回転テーブル２の外周よりも外側位置には、リング状のサイドリング１００が配置されており、このサイドリング１００の上面には、互いに周方向に離間すると共に、夫々真空容器１内に開口する第１の排気口６１及び第２の排気口６２が形成されている。第１の排気口６１は、第１の処理ガスノズル３１と、当該第１の処理ガスノズル３１よりも回転テーブル２の回転方向下流側における分離領域Ｄとの間において、当該分離領域Ｄ側に寄った位置に形成されている。第２の排気口６２は、プラズマ発生用ガスノズル３４と、当該プラズマ発生用ガスノズル３４よりも回転テーブル２の回転方向下流側における分離領域Ｄとの間において、当該分離領域Ｄ側に寄った位置に形成されている。
【００２６】
第１の排気口６１は、第１の処理ガス及び分離ガスを排気するためのものであり、第２の排気口６２は、第２の処理ガス及び分離ガスに加えて、プラズマ発生用ガスを排気するためのものである。そして、筐体９０の外縁側におけるサイドリング１００の上面には、ガスを第２の排気口６２に通流させるための溝状のガス流路１０１が形成されている。これら第１の排気口６１及び第２の排気口６２は、図１に示すように、各々バタフライバルブなどの圧力調整部６５が介設された排気管６３により、真空排気機構である例えば真空ポンプ６４に接続されている。
【００２７】
天板１１の下面における中央部には、図２に示すように、凸状部４における中心部領域Ｃ側の部位と連続して周方向に亘って概略リング状に形成されると共に、その下面が凸状部４の下面と同じ高さに形成された突出部５が設けられている。この突出部５よりも回転テーブル２の回転中心側におけるコア部２１の上方側には、中心部領域Ｃにおいて第１の処理ガスと第２の処理ガスとが互いに混ざり合うことを抑制するためのラビリンス構造部１１０が配置されている。
【００２８】
真空容器１の側壁には、図２及び図３に示すように図示しない外部の搬送アームと回転テーブル２との間においてウエハＷの受け渡しを行うための搬送口１５が形成されており、この搬送口１５はゲートバルブＧより気密に開閉自在に構成されている。またこの搬送口１５を臨む位置における回転テーブル２の下方側には、回転テーブル２の貫通口２４ａを介してウエハＷを裏面側から持ち上げるための図示しない昇降ピンが設けられている。
【００２９】
またこの成膜装置には、装置全体の動作のコントロールを行うためのコンピュータからなる制御部１２０が設けられており、この制御部１２０のメモリ内には後述の成膜処理及び改質処理を行うためのプログラムが格納されている。このプログラムは、後述の装置の動作を実行するようにステップ群が組まれており、ハードディスク、コンパクトディスク、光磁気ディスク、メモリカード、フレキシブルディスクなどの記憶媒体である記憶部１２１から制御部１２０内にインストールされる。
【００３０】
次に上述実施の形態の作用について説明する。回転テーブル２は、当該回転テーブル２上に載置されるウエハＷが成膜温度例えば６２０℃程度となるように、ヒータユニット７によって既に加熱されている。先ずゲートバルブＧを開放して、回転テーブル２を間欠的に回転させながら、図示しない搬送アームにより搬送口１５を介して回転テーブル２上に例えば６枚のウエハＷを載置する。これらウエハＷは、図８及び図１０に示すように、例えば凹部２４の中央位置に各々載置される。
【００３１】
次いでゲートバルブＧを閉じ、真空ポンプ６４により引き切りの状態にすると共に、回転テーブル２を２０ｒｐｍ〜２４０ｒｐｍ例えば１８０ｒｐｍで時計周りに回転させる。各々のウエハＷは、図９及び図１１に示すように、回転テーブル２の回転による遠心力により、凹部２４内において当該回転テーブル２の外周側に寄って、ウエハＷの外端縁が凹部２４の側壁（内壁面）に接触した状態となる。このようにウエハが凹部２４に接触した時、ウエハＷの外端縁では、図９に示すように、凹部２４の中央側から見て回転テーブル２の中心Ｏ１に近い部位が最も凹部２４との隙間が大きくなり、載置部２５からウエハＷの外端縁が突き出す長さ寸法ｔが小さくなる。この例では長さ寸法ｔは１〜２ｍｍ程度になるように設定されている（図１１参照）。
【００３２】
ここで回転テーブル２を静止状態から回転させると、各々のウエハＷは静止したままでいようとするので、当該回転テーブル２の回転方向後方側（回転テーブル２の進行方向とは反対方向）に移動しようとする。しかし既述のようにウエハＷの外端縁が凹部２４の内壁面に接触するように、前記遠心力によりウエハＷがいわば押されるので、凹部２４及び遠心力により回転テーブル２の回転方向におけるウエハＷの位置が規制される。これによりウエハＷはノッチＮと点Ｐとの周方向における相対的な位置関係がほとんど変わらない状態で移動する。
【００３３】
そして処理ガスノズル３１、３２から夫々第１の処理ガス及び第２の処理ガスを吐出すると共に、プラズマ発生用ガスノズル３４からプラズマ発生用ガスを吐出する。また分離ガスノズル４１、４２から分離ガスを所定の流量で吐出し、分離ガス供給管５１及びパージガス供給管７２、７３からも窒素ガスを所定の流量で吐出する。そして圧力調整部６５により真空容器１内を予め設定した処理圧力である１３３Ｐａ〜１３３３Ｐａ例えば１２６０Ｐａ（９．５Ｔｏｒｒ）の圧力に調整すると共に、プラズマ発生部８０に対して高周波電力を供給する。
【００３４】
こうしてウエハＷの表面では、回転テーブル２の回転によって第１の処理領域Ｐ１において第１の処理ガス（原料ガス）が吸着し、次いで第２の処理領域Ｐ２においてウエハＷ上に吸着した第１の処理ガス（原料ガス）と第２の処理ガス（反応ガス）との反応が起こり、薄膜成分であるシリコン酸化膜（ＳｉＯ２）の分子層が１層あるいは複数層形成されて反応生成物が形成される。一方、プラズマ発生部８０の下方側では、高周波電源８５から供給される高周波電力により発生した電界及び磁界のうち、磁界のみがファラデーシールド９５のスリット９７を通過して真空容器１内に到達する。従ってプラズマ発生用ガスノズル３４から吐出されたプラズマ発生用ガスは、前記磁界によって活性化されて、例えばイオンやラジカルなどのプラズマ（活性種）が生成し、このプラズマにより反応生成物の改質処理が行われる。具体的にはプラズマがウエハＷの表面に衝突することにより、例えば反応生成物からの不純物の放出や、反応生成物内の元素の再配列による緻密化（高密度化）が図られる。こうして回転テーブル２の回転を続けることにより、ウエハＷ表面への第１の処理ガスの吸着、ウエハＷ表面に吸着した第１の処理ガスの成分の反応及び反応生成物のプラズマ改質がこの順番で多数回に亘って行われ、反応生成物が積層されて薄膜が形成される。
【００３５】
図１２は真空容器１１の横断面図であり、この成膜処理時の各部のガス流を矢印で示している。この図に示すように、第１の処理領域Ｐ１と第２の処理領域Ｐ２との間の２つの分離領域Ｄに夫々分離ガスを供給しているので、第１の処理ガスと第２の処理ガスとの混合が阻止されるように、第１の処理ガス、第２の処理ガス及び分離ガスが第１及び第２の排気口６１、６２側へと夫々流れ、排気される。また回転テーブル２の下方側にパージガスを供給しているため、回転テーブル２の下方側に拡散しようとするガスは、前記パージガスにより第１及び第２の排気口６１、６２側へと押し戻される。
【００３６】
続いてウエハに対して供給される第１及び第２の処理ガスについて述べる。ウエハＷに対して供給される各処理ガスは、図１３及び図１４に示すようにウエハＷの外端縁と凹部２４の内壁面との間の隙間を介してウエハＷの裏面側の領域（溝部２６）に回り込もうとする。そして溝部２６内のガスの挙動については次のように推測される。先ずスリット２７を設けない場合については、次のように捉えている。既述のように、ウエハＷは回転テーブル２の回転に伴う遠心力により、ウエハＷの外端縁が凹部２４の内壁面に押し付けられ、図１３に示すように、溝部２６の上面がウエハＷにより塞がれた状態になる。そして回転テーブル２の回転数が１８０ｐｒｍ程度に大きいと、回転の遠心力によって、処理ガスは凹部２４の溝部２６内を回転テーブル２の外周側に寄っていく。このように凹部２４内において処理ガスが寄っていく領域は、ウエハＷにより上面が塞がれた領域であるため、処理ガスが流出していきにくく、この領域に処理ガスが留まることになる。また処理雰囲気の圧力が１．２６ｋＰａ（９．５Ｔｏｒｒ）程度に高い場合には、真空容器１内に供給される処理ガスの量が多いということであるため、結果として回転テーブル２の外周側、つまり凹部２４の内壁面に押し付けられたウエハＷの外端縁の下面近傍に留まるガスの量が多くなる。
【００３７】
このように前記ウエハＷの下面近傍に留まるガスは、図９及び図１３に示すように、ウエハＷの外端縁が凹部２４の内壁面に接触している部位の両側におけるウエハＷと凹部２４の内壁面との間の隙間ｃ１、ｃ２から回転テーブル２の表面側へ流出していく。一方、第２の処理ガスノズル３２と、この処理ガスノズル３２の下流側の分離領域Ｄとの間においては、図１２に示すように、第２の排気口６２に向かって、つまり回転方向下流側に向かってガスが通流していく。このため、前記ウエハＷの両側の隙間ｃ１、ｃ２から流出したガスは、回転テーブル２の表面側に巻き上がり、排気口６２に向けて流れて行くが、前記隙間ｃ１、ｃ２からは、排気口６２に近い隙間ｃ２からより処理ガスが流出しやすいと考えられる。そして隙間ｃ２を介して回転テーブル２の表面側に巻き上がったガスの上をウエハＷが通過するため、隙間ｃ２から流出したガスが当該隙間ｃ２から見て回転方向上流側のウエハＷ表面に付着すると推察される。
【００３８】
更に、既述のようにノッチＮが凹部２４の回転テーブル２の外周側に位置する場合には、ノッチＮからも処理ガスが流出し、ウエハＷの表面に付着する。このようなことが相俟って、ウエハＷの回転テーブル２の外周に近い部位（この例ではノッチＮ近傍）に供給されるガス量が多くなり、当該部位の膜厚が他の領域よりも局所的に大きくなるものと推察される。またノッチＮの位置が、例えば凹部２４における回転テーブル２の中心側に設定されている場合であっても、ウエハＷの回転テーブル２の外周に近い部位においては、膜厚が大きくなる程度は小さくなるものの、やはり他の部位よりも厚くなることは確認している。
【００３９】
一方、回転テーブル２にスリット２７１〜２７５を形成した場合には、次のように推察される。つまりスリット２７１〜２７５の外方側に設けられた第１及び第２の排気口６１、６２を介して真空容器１内が排気されているため、図１４に示すように、凹部２４内において回転テーブル２の外周側に寄ってきたガスがこのスリット２７を介して、凹部２４よりも回転テーブル２の外周側に排気されていく。スリット２７１〜２７５は回転テーブル２の表面にも開口しているが、回転テーブル２の外周側から排気されていることから、凹部２４内のガスの大部分は回転テーブル２の側方を介して排気口６１、６２に向けて流れて行く。これにより回転テーブル２のウエハＷの載置領域に流れ込むガスの量が極めて少なくなるため、ウエハＷの周縁部の一部に集中して処理ガスが供給される状態が抑えられる。こうしてウエハＷの周縁部のある部位において、局所的に膜厚が他の領域よりも大きくなるといった現象の発生が抑制される。
【００４０】
上述の実施の形態によれば、凹部２４の回転テーブル２の外周側に寄った位置において、凹部２４内の溝部２６と回転テーブル２の外側の空間とを連通するように、凹部２４の壁部に連通路（スリット２７）を形成している。このため回転テーブル２の回転による遠心力によって、凹部２４内において回転テーブル２の外周側に寄ったガスが、このスリット２７を介して速やかに排出される。これにより回転テーブル２の回転数が大きく、処理圧力が高いプロセスであって、凹部２４内の回転テーブル２の外周側に多量の処理ガスが寄って行きやすい状態であっても、凹部２４内に処理ガスが留まらずに回転テーブル２の外方に向けて流出していく。
【００４１】
このようにウエハＷの裏面側に回り込んだ処理ガスが、ウエハＷ表面には到達せずに排気されていくので、ウエハＷの周縁部において局所的にガスの供給量が多くなることがなく、膜厚が大きくなる部位の発生が抑えられて良好な膜厚の面内均一性が得られる。なお回転テーブル２の回転数が大きく、処理圧力が高いプロセス以外であっても、つまり回転テーブル２の回転数が１２０ｒｐｍ程度、処理圧力が０．８９ｋＰａ（６．７Ｔｏｒｒ）程度のプロセスを行う場合であっても、良好な膜厚の面内均一性が得られることが確認されている。従って本発明のように凹部２４に連通路を設けて凹部２４内のガスを回転テーブル２の外方に排出する構成は、種々のプロセス条件において、良好な膜厚の面内均一性が得られる処理を行うことができる。これにより１台の成膜装置において実施できるプロセスの幅が大きくなり、装置の汎用性が高くなる。
【００４２】
また既述のように複数のスリット２７１〜２７５を形成することにより、凹部２４内のガスが複数のスリット２７１〜２７５から分散して排出され、各スリット２７１〜２７５を介して排出されるガスの量が均される。このためスリットからガスが排出されるときに、よりウエハＷ表面にガスが巻き上がりにくくなり、局所的に膜厚が大きくなる部位の発生が抑えられることから、複数本の連通路を形成する構成は一層好ましい。
【００４３】
この例では、スリット２７は凹部２４の中心Ｏ２から前記点Ｐに対して左右に３０度ずつの開き角を各々形成する直線Ｓ１、Ｓ２の間の端部領域に形成されているが、回転テーブル２の回転に伴う遠心力により、当該端部領域近傍の溝部２６内に処理ガスが留まりやすいので、この領域にスリット２７を形成することにより、確実にかつ速やかにガスが排出される。またスリット２７を凹部２４の内壁面（側壁）に形成し、排気口６１、６２を平面的に見て回転テーブル２の外周よりも外側位置にて真空容器１内の開口するように設けている。このため凹部２４内のガスは、回転テーブル２の側方に抜けていきやすく、ウエハＷの表面側へのガスの巻き上がりを確実に抑えることができる。
【００４４】
既述のように回転テーブル２の回転方向下流側の隙間ｃ２から流出するガスがウエハＷ表面に付着して、膜厚が局所的に大きくなると考えられることから、連通路は、少なくとも凹部２４の中心Ｏ２と回転テーブル２の回転中心Ｏ１とを結ぶ直線Ａから見て回転テーブル２の回転方向の上流側に配置されていればよい。連通路がこの領域に形成されれば、凹部２４内のガスが連通路を介して、前記直線Ａよりも前記回転方向の上流側から回転テーブル２の外方に排出されるので、前記隙間ｃ２からのガスの流出が抑えられて、ウエハ表面への局所的な供給を防ぐことができるからである。このため図１５に示すように、前記直線Ａ上に形成されたスリット２７３と、当該スリット２７３よりも回転テーブル２の回転方向の上流側に設けられたスリット２７４、２７５を備える構成であっても、良好な膜厚の面内均一性を確保することができる。
【００４５】
（第２の実施の形態）
続いて本発明の他の実施の形態について図１６及び図１７を用いて説明する。この実施の形態が第１の実施の形態と異なる点は、幅狭な複数本のスリットに代えて、回転テーブル２の凹部２４の中央から見て回転テーブル２の中心Ｏ１とは反対側の凹部２４の端部領域に、幅の大きい切欠部２８よりなる連通路を形成したことである。この切欠部２８は、凹部２４の溝部２６と、回転テーブル２の外周側の表面側及び側方側の空間とを連通するように凹部２４の壁部に形成されている。その他の構成は上述の第１の実施の形態と同様である。この構成においても、凹部２４内において回転テーブル２の外周側に寄ったガスが切欠部２８を介して回転テーブル２の外方に排出されるため、前記隙間ｃ２から回転テーブル２の表面側へのガスの流出が抑えられ、結果として良好な膜厚の面内均一性を確保することができる。
【００４６】
また図１６に示す切欠部２８の幅（周方向の長さ）をさらに大きくして、図１８及び図１９に示す形状の切欠部２８１を連通路としてもよい。この構成は、切欠部２８１の幅が大きい以外は、図１６に示す切欠部２８を備えた構成と同様である。この切欠部２８１は、ウエハＷが回転テーブル２の外方へ飛び出さないように、平面的に見たときに、切欠部２８１の幅がウエハＷの直径よりも小さくなるように形成されている。この例では、切欠部２８１が、前記直線Ｓ１、Ｓ２の間の端部領域を含み、当該端部領域よりも大きく形成されているが、この場合も本発明の範囲に含まれる。
【００４７】
さらに連通路は、図２０に示すように構成するようにしてもよい。この例は、回転テーブル２の凹部２４の中央から見て回転テーブル２の中心Ｏ１とは反対側の凹部２４の端部領域に、凹部２４の側壁部２４１を貫通する略水平な連通路２７０を形成したことである。この連通路２７０は、凹部２４の溝部２６と、回転テーブル２の外周側の側方側の空間とを連通するように形成されている。その他の構成は上述の第１の実施の形態と同様である。この構成においても、凹部２４内において回転テーブル２の外周側に寄ったガスが連通路２７０を介して回転テーブル２の外方に排出されるため、結果として良好な膜厚の面内均一性を確保することができる。また連通路２７０の一端側を回転テーブル２の側方側に開口させる代わりに、連通路２７０をＬ字型に屈曲させて、回転テーブル２の表面側や下面側に開口させるようにしてもよい。
【００４８】
（第３の実施の形態）
続いて本発明の他の実施の形態について図２１を用いて説明する。この実施の形態が第１の実施の形態と異なる点は、連通路２９を凹部２４の側壁部に設ける代わりに、凹部２４の底部に形成したことである。この連通路２９は、回転テーブル２の凹部２４の中央から見て回転テーブル２の中心Ｏ１とは反対側の凹部２４の端部領域における、凹部２４の溝部２６の底部２６１に形成されている。連通路２９は、前記溝部２６と、回転テーブル２の外周側近傍の下方側空間とを連通するように形成されている。連通路２９を凹部２４の側壁部２４１ではなく、底部２６１に設けた点以外の構成は第１の実施の形態と同様である。
【００４９】
このように連通路２９を設けた場合であっても、連通路２９よりも、回転テーブル２の外周側の側方に排気口６１、６２が形成されているので、凹部２４内のガスは連通路２９を介して回転テーブル２の下方側へと流れて、排気口６１、６２により排出される。従って前記隙間ｃ２から回転テーブル２の表面側へのガスの流出が抑えられるので、結果として良好な膜厚の面内均一性を確保することができる。  
また図２２に示すように、第１の実施の形態の排気口６１、６２に加えて、さらに回転テーブル２の下方側における、連通路２９の通過領域の近傍に排気口６０を設けて、連通路２９からガスを排出させるようにしてもよい。図２２中６３１は排気管、６５１は圧力調整部、６４１は真空ポンプである。
【００５０】
さらに図２３に示すように、載置部２５１における、回転テーブル２の凹部２４の中央から見て回転テーブル２の中心Ｏ１とは反対側の領域を凹部２４の中心Ｏ２側に平面で見て窪ませ、その窪みの底面に連通路２９１を設けてもよい。この例では溝部２６２は、載置部２５１側に一部が食い込んだ形状を成しており、当該載置部２５１側に窪んだ領域の底面に連通路２９１が形成されている。連通路２９１の位置が異なる以外は、図２１及び図２２の構成と同様である。
【００５１】
さらにまた本発明は、図２４に示すように、円筒状の載置部２５の代わりに、複数の突起部２５２を設け、この上にウエハＷを支持させるようにしてもよい。この場合にも、第１の実施の形態、第２の実施の形態、第３の実施の形態の連通路が適用され、載置部２５の代わりに複数の突起部２５２が設けられている点以外は、上述の夫々の実施の形態と同様に構成される。図２４は第１の実施の形態のスリット２７を設けた構成であり、凹部２４内に入り込んだガスは、突起部２５２の間を通過して回転テーブル２の外周側に移動し、スリット２７から排出される。このため前記隙間ｃ２から回転テーブル２の表面側へのガスの流出が抑えられるので、結果として良好な膜厚の面内均一性を確保することができる。
【００５２】
以上において、本発明の凹部は、凹部の中心と載置部の中心とが一致せず、載置部の中心が凹部の中心に対して例えば回転テーブルの外周側に偏心している構成であってもよいし、凹部及び載置部の平面形状は円形には限られない。さらに載置部に静電チャックを設け、回転テーブルの回転時においてもウエハが載置部から移動せず、ウエハの外端縁が凹部の内壁に接触しない場合にも適用される。さらにまた載置部に載置されたウエハの表面と、回転テーブルの表面との高さ位置は、一方が他方に対して高い場合や低い場合であってもよい。
【００５３】
さらに以上説明した成膜装置における成膜処理としては、既述のシリコン酸化膜以外にも、以下の表１の左欄に示す反応生成物を成膜しても良い。この表１において反応生成物の右側には、各々の成膜処理に用いられる各処理ガスの一例についても併記しており、またシリコン酸化膜を成膜する時に用いられるガス種についても既に説明した各ガスとは別の例を示している。
（表１）
2015228404.tif 000003
従って、プラズマ発生用ガスについても、反応生成物の種別に応じて適宜変更しても良い。
【００５４】
また、以上説明した成膜装置としては、成膜処理と共にプラズマ改質処理を行う例を挙げたが、必ずしもプラズマ改質処理を行う必要はなく、この場合には例えばプラズマ発生部８０等、改質処理に用いる構成部材については設ける必要はない。
【００５５】
以上の各例では、回転テーブル２を石英により構成した例について説明したが、石英に代えて、カーボン（Ｃ）、炭化シリコン（ＳｉＣ）、アルミニウム（Ａｌ）などにより回転テーブル２を構成しても良い。更に、回転テーブル２を鉛直軸周りに回転させるにあたり、既述の各例では時計回りに回転させる例について説明したが、反時計回りに回転させて以上述べた各処理を行うようにしても良い。
【実施例】
【００５６】
（評価試験１）
既述の図１の成膜装置を用いて、６枚のモニタウエハ１〜６に対して、上述の成膜処理を行い、エリプソメータを用いて膜厚を測定した。成膜処理の条件は、ウエハ温度が６２０℃、処理圧力は１．２６ｋＰａ（９．５Ｔｏｒｒ）、回転テーブル２の回転速度が１８０ｒｐｍとした（実施例１）。この結果を図２５に示す。図中縦軸は膜厚、横軸はウエハ直径上の位置であり、０ｍｍは回転テーブル２の中心Ｏ１側の位置、３００ｍｍは回転テーブル２の外周側の位置を夫々示す。この例では３００ｍｍの位置にノッチＮが形成されている。実際には６枚のウエハについて膜厚を測定したが、その内の最も膜厚の面内均一性が良好なウエハ６について○で、最も面内均一性が不良なウエハ４について△で、これらの間の面内均一性を備えるウエハ５については□でプロットしている。
【００５７】
回転テーブル２に連通路をなすスリット２７１〜２７５が形成されていない以外は、図１の成膜装置と同様に構成された成膜装置を用い、実施例と同様のプロセス条件で６枚のモニタウエハに対して成膜処理を行って膜厚を測定した（比較例１）。この結果を図２６に示す。図中縦軸は膜厚、横軸はウエハ直径上の位置であり、実施例１と同様にウエハ６については○、ウエハ４については△、ウエハ５については□でプロットしている。
これら図２５及び図２６より、比較例１の成膜装置では、３００ｍｍの位置において局所的に急激に膜厚が大きくなること、実施例１の成膜装置においても３００ｍｍの位置において膜厚の増加が認められるウエハもあるが、増加量は比較例に比べてかなり小さいことが認められた。これにより、本発明のように凹部２４に連通路を設けて、凹部２４内のガスを回転テーブル２の外方に排出することによって、膜厚の面内均一性が改善されることが理解される。
【００５８】
（評価試験２）
実施例１と同じ装置及びプロセス条件でモニタウエハに対して成膜処理を行い、ウエハの面内の４９カ所の測定ポイントについて膜厚を測定した（実施例２）。その結果について図２７に□のプロットで示す。図中縦軸は膜厚、横軸はウエハ上の位置である。前記４９カ所の測定ポイントは、ウエハの中心を中心とし、半径が５０ｍｍずつ大きくなる複数の同心円を描いたときに、夫々の同心円上の複数個所とした。位置Ｐ１はウエハの中心、位置Ｐ３８はウエハＷの回転テーブル２の外周に最も近い位置であり、ノッチＮが形成されている位置である。同様に比較例１と同じ装置及びプロセス条件でモニタウエハに対して成膜処理を行った場合（比較例２）についても、同じ測定ポイントで膜厚の測定を行った。この結果について、図２７に◇のプロットで示す。
【００５９】
この図２７により、連通路が設けられた成膜装置にて成膜したウエハについては、ウエハＷの膜厚がほぼ一定であり、ノッチＮ近傍においても膜厚の増加が認められないことが確認された。一方連通路が形成されていない成膜装置にて成膜したウエハについては、ノッチＮ近傍において急激に膜厚が大きくなることが認められた。この結果からも、凹部内のガスを連通路を介して回転テーブル２の外方に排出することによって、局所的な膜厚の増加を抑えて良好な膜厚の面内均一性が得られることが確認された。
【００６０】
（評価試験３）
実施例１と同じ装置及びプロセス条件にて成膜処理を行った６枚のモニタウエハについて、膜厚の面内均一性を測定した（実施例３）。この面内均一性は、実施例２と同様にウエハ面内の４９カ所の測定ポイントの膜厚を測定し、次の（１）式により求めている。
｛（最大膜厚−最小膜厚）／（平均膜厚×２）｝×１００・・・（１）
この結果を図２８に□のプロットにて示す。図中縦軸は面内均一性、横軸は６枚のウエハであり、夫々に１〜６と符号を付している。同様に比較例１と同じ装置及びプロセス条件で６枚のモニタウエハに対して成膜処理を行った場合（比較例３）についても、面内均一性の測定を行った。この結果について、図２８に◇のプロットで示す。  
この図２８により、連通路が設けられた成膜装置にて成膜したウエハについては、連通路が形成されていない成膜装置にて成膜したウエハよりも格段に面内均一性が改善されることが認められた。
【００６１】
（評価試験４）
既述の図１の成膜装置を用いて、６枚のモニタウエハ１〜６に対して、プロセス条件を変えて成膜処理を行い、実施例３と同様に面内均一性を測定した（実施例４）。このときのプロセス条件は、ウエハ温度が６２０℃、処理圧力は０．８９ｋＰａ（６．７Ｔｏｒｒ）、回転テーブル２の回転速度が１２０ｒｐｍとした。この結果を図２９に□でプロットにて示す。図中縦軸は面内均一性、横軸は６枚のウエハである。また同様に、比較例１と同じ装置にて、実施例４と同じプロセス条件で６枚のモニタウエハに対して成膜処理を行った場合（比較例４）についても、面内均一性の測定を行った。この結果について、図２９に◇のプロットで示す。  
この図２９により、処理圧力が０．８９ｋＰａ、回転テーブル２の回転速度が１２０ｒｐｍである場合には、連通路の有無に関わらず、面内均一性がほぼ同じであることが認められた。従って、本発明の成膜装置によれば、処理圧力の高低や、回転テーブル２の回転速度の大小に関わらず、良好な膜厚の面内均一性が得られることが確認された。これにより本発明の成膜装置を用いることにより、実施可能なプロセスが多くなり、装置の汎用性が高いことが理解される。
【００６２】
また実施例３及び４、比較例３及び４の夫々条件で成膜処理を行った夫々６枚のモニタウエハの膜厚について、ウエハ間の膜厚のばらつきを、夫々のウエハの膜厚の平均値を用いて（１）式により求めた。（１）式中、最大膜厚とは６枚のウエハの中で前記平均値が最も大きい膜厚、最小膜厚とは６枚のウエハの中で前記平均値が最も小さい膜厚、平均膜厚とは６枚のウエハの膜厚（夫々の前記平均値）の平均を求めて得られた膜厚である。
【００６３】
この結果を図３０に示し、図３０中縦軸は膜厚のばらつきを示している。また図３０中、「有」とはスリットがある場合、「無」とはスリットがない場合を夫々示し、プロセス条件を合わせて示している。従って、実施例３は、１．２６ｋＰａ、１８０ｒｐｍ、「有」のデータ、比較例３は、１．２６ｋＰａ、１８０ｒｐｍ、「無」のデータ、実施例４は、０．８９ｋＰａ、１２０ｒｐｍ、「有」のデータ、比較例４は、０．８９ｋＰａ、１２０ｒｐｍ、「無」のデータに相当する。これにより、プロセス条件が異なっても、スリット（連通路）が形成されている成膜装置を用いて成膜処理を行うことにより、膜厚のばらつきが小さくなり、ウエハ間の膜厚の面内均一性が改善されることが確認された。
【符号の説明】
【００６４】
Ｗ  ウエハ
１  真空容器
２  回転テーブル
２４  凹部
２５  載置部
２６  溝部
２７  スリット（連通路）
３１、３２  処理ガスノズル
６１、６２  排気口
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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【図２５】
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【図２６】
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【図２７】
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【図２８】
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【図２９】
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【図３０】
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