(57)【要約】      （修正有）【課題】収縮率がマッチングされ、誘電体と磁性体との異種接合によるデラミネーション、拡散及びクラック、磁性体と挿入物との剥離を防止することができる積層型電子部品及びその製造方法を提供する。【解決手段】複数の磁性体層が積層されて形成されたセラミック本体１１０と、磁性体層の間に配置された非磁性体層１１２と、セラミック本体の内部に配置され、複数の内部コイルパターン１２１が電気的に接続されて形成された内部コイル部１２０と、セラミック本体の端面に形成され、内部コイル部と接続する外部電極１３０と、を含み、非磁性体層はＮｂ２Ｏ５系誘電体を含む。【選択図】図２ａ
2015198240.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の磁性体層を含むセラミック本体と、
前記磁性体層の間に配置された非磁性体層と、
前記セラミック本体の内部に配置され、前記複数の磁性体層及び前記非磁性体層のうち少なくともいずれか一つの層に配置された複数の内部コイルパターンが、電気的に接続されて形成された内部コイル部と、
前記セラミック本体に配置され、前記内部コイル部と接続された外部電極と、
含み、
前記非磁性体層はＮｂ２Ｏ５系誘電体を含む、積層型電子部品。
【請求項２】
前記Ｎｂ２Ｏ５系誘電体は、ＺｎＯ-Ｎｂ２Ｏ５、ＺｎＯ-ＴｉＯ２-Ｎｂ２Ｏ５、ＢａＯ-Ｎｂ２Ｏ５、ＢａＯ-ＴｉＯ２-Ｎｂ２Ｏ５及びＢｉ２Ｏ３-Ｎｂ２Ｏ５系のうち少なくともいずれか一つを含む、請求項１に記載の積層型電子部品。
【請求項３】
前記非磁性体層は、Ｖ２Ｏ５を含む、請求項１に記載の積層型電子部品。
【請求項４】
前記非磁性体層に含まれるＮｂ２Ｏ５とＶ２Ｏ５のモル比が０．９：０．１〜０．６：０．４である、請求項３に記載の積層型電子部品。
【請求項５】
前記非磁性体層は、ガラスフリットを７〜２０ｗｔ％含む、請求項１に記載の積層型電子部品。
【請求項６】
前記ガラスフリットは、ＣａＯ及びＢａＯのうち少なくともいずれか一つを含む、請求項５に記載の積層型電子部品。
【請求項７】
前記非磁性体層は、前記内部コイル部の内部に配置される、請求項１に記載の積層型電子部品。
【請求項８】
前記非磁性体層の一部の領域は前記誘電体を含み、前記誘電体を含まない領域は前記磁性体層の物質と同じ物質を含む、請求項１に記載の積層型電子部品。
【請求項９】
前記非磁性体層の一部の領域は前記誘電体を含み、前記誘電体を含まない領域は空いている、請求項１に記載の積層型電子部品。
【請求項１０】
複数の磁性体シートを製造する段階と、
単一又は複数のＮｂ２Ｏ５系誘電体を含む非磁性体シートを製造する段階と、
前記磁性体シート及び前記非磁性体シートのうち少なくともいずれか一つのシート上に内部コイルパターンを形成する段階と、
前記磁性体シート及び前記非磁性体シートを積層して内部コイル部及びセラミック本体を形成する段階と、
前記セラミック本体の端面に前記内部コイル部と接続する外部電極を形成する段階と、
を含む、積層型電子部品の製造方法。
【請求項１１】
前記Ｎｂ２Ｏ５系誘電体は、ＺｎＯ-Ｎｂ２Ｏ５、ＺｎＯ-ＴｉＯ２-Ｎｂ２Ｏ５、ＢａＯ-Ｎｂ２Ｏ５、ＢａＯ-ＴｉＯ２-Ｎｂ２Ｏ５及びＢｉ２Ｏ３-Ｎｂ２Ｏ５系のうち少なくともいずれか一つを含む、請求項１０に記載の積層型電子部品の製造方法。
【請求項１２】
前記非磁性体シートは、Ｖ２Ｏ５を含む、請求項１０に記載の積層型電子部品の製造方法。
【請求項１３】
前記非磁性体シートに含まれるＮｂ２Ｏ５とＶ２Ｏ５のモル比が０．９：０．１〜０．６：０．４である、請求項１２に記載の積層型電子部品の製造方法。
【請求項１４】
前記非磁性体シートは、ガラスフリットを７〜２０ｗｔ％含む、請求項１０に記載の積層型電子部品の製造方法。
【請求項１５】
前記ガラスフリットは、ＣａＯ及びＢａＯのうち少なくともいずれか一つを含む、請求項１４に記載の積層型電子部品の製造方法。
【請求項１６】
前記非磁性体シートは、前記内部コイル部の内部に配置される、請求項１０に記載の積層型電子部品の製造方法。
【請求項１７】
前記非磁性体層の一部の領域は前記誘電体を含み、前記誘電体を含まない領域は前記磁性体層の物質と同じ物質を含む、請求項１０に記載の積層型電子部品の製造方法。
【請求項１８】
前記非磁性体層の一部の領域は前記誘電体を含み、前記誘電体を含まない領域は空いている、請求項１０に記載の積層型電子部品の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、積層型電子部品及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
セラミック材料を用いる電子部品には、キャパシタ、インダクタ、圧電素子、バリスタ又はサーミスタ等がある。
【０００３】
このようなセラミック電子部品のうちインダクタは、抵抗及びキャパシタと共に電子回路をなす重要な受動素子の一つであり、ノイズを除去するか又はＬＣ共振回路をなす部品として用いられる。上記セラミック電子部品は、磁性体組成物を用いて製作される。
【０００４】
インダクタは、構造によって積層型、巻線型及び薄膜型等の多様な型に分けられ、それぞれ適用範囲及び製造方法に差異がある。
【０００５】
巻線型インダクタは、例えば、フェライト（ｆｅｒｒｉｔｅ）コアにコイルを巻いて形成されるが、コイル間に浮遊容量、即ち、導線間に静電容量が発生するため、高インダクタンスを得るために巻線数を増加させる場合は高周波特性が劣化してしまうという問題がある。
【０００６】
積層型インダクタは、多数のフェライト又は低誘電率の誘電体からなるセラミックシートが積層された積層体の形に製造され、上記セラミックシート上にコイル状の金属パターンが形成され、それぞれのセラミックシート上に形成されたコイル状の金属パターンがそれぞれのセラミックシートに形成された導電性ビアによって順次接続されて積層方向に沿って重なる構造をなす。
【０００７】
積層型インダクタは、巻線型と比べて構造が簡単且つ小型で原価競争力があるが、直流バイアス（ＤＣ-ｂｉａｓ）によるインダクタンスの変化率が大きいという短所がある。これを改善するために、非磁性体である誘電体材料をインダクタの中間に挿入すると、有効透磁率は減少するが、インダクタンスの変化率が非常に小さくなるため、高電流で用いる積層型パワーインダクタの製作が可能となる。
【０００８】
このような積層型インダクタにおいては、非磁性体である誘電体と磁性体材料が異種接合して誘電体と磁性体材料とのマッチングが可能でなければならない。異種接合による欠陥としては、デラミネーション、拡散及びクラック、磁性体と挿入物との剥離等が挙げられる。デラミネーションは、焼成前には層間接着力が弱いため切断時に発生する。しかしながら、焼成後には挿入物部分とセラミック本体との焼成収縮挙動の差による応力によって発生する。クラックと層間剥離も、挿入物とセラミック本体との焼成収縮挙動の差による内部応力の差によって焼成過程や焼成後の冷却過程で発生する。
【０００９】
例えば、磁性体層の材料がＺｎ-Ｃｕフェライト系の場合は、非磁性体層の材料が（Ｚｎ，Ｃｕ）Ｔｉ２Ｏ４である。Ｚｎ-Ｃｕフェライト系材料及び（Ｚｎ，Ｃｕ）Ｔｉ２Ｏ４は全てスピネル（ｓｐｉｎｅｌ）構造を有し、同じ元素であるＺｎ又はＣｕを含む材料であるため、磁性体層と非磁性体層との界面で拡散を起こして接合を容易にする。しかしながら、磁性体層と非磁性体層との間で拡散が起こることから、非磁性体の厚さが薄くなってチップの容量又はＲＤＣ等が変わり、磁性体層と非磁性体層との収縮挙動が異なるため、薄い非磁性体層によってデラミネーション又はクラックが発生する可能性がある。
【先行技術文献】
【特許文献】
【００１０】
【特許文献１】韓国特開２０１３-００７６２８５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１１】
本発明の目的は、非磁性体である誘電体と磁性体との異種接合によるデラミネーション、拡散及びクラック、磁性体と挿入物との剥離を防止することができる積層型電子部品及びその製造方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
本発明の一実施形態によれば、複数の磁性体層を含むセラミック本体と、上記磁性体層の間に配置される非磁性体層と、上記セラミック本体の内部に配置され、上記複数の磁性体層及び上記非磁性体層のうち少なくともいずれか一つの層に配置され、複数の内部コイルパターンが電気的に接続される内部コイル部と、上記セラミック本体の端面に配置され、上記内部コイル部と接続する外部電極と、を含み、上記非磁性体層はＮｂ２Ｏ５系誘電体を含む積層型電子部品が提供される。
【００１３】
上記Ｎｂ２Ｏ５系誘電体は、ＺｎＯ-Ｎｂ２Ｏ５、ＺｎＯ-ＴｉＯ２-Ｎｂ２Ｏ５、ＢａＯ-Ｎｂ２Ｏ５、ＢａＯ-ＴｉＯ２-Ｎｂ２Ｏ５及びＢｉ２Ｏ３-Ｎｂ２Ｏ５系のうち少なくともいずれか一つを含むことができる。
【００１４】
上記非磁性体層は、Ｖ２Ｏ５を含むことができる。
【００１５】
上記非磁性体層に含まれるＮｂ２Ｏ５とＶ２Ｏ５のモル比が０．９：０．１〜０．６：０．４であれば良い。
【００１６】
上記非磁性体層は、ガラスフリットを７〜２０ｗｔ％含むことができる。
【００１７】
上記ガラスフリットは、ＣａＯ及びＢａＯのうち少なくともいずれか一つを含むことができる。
【００１８】
上記非磁性体層は、上記内部コイル部の内部に配置されることができる。
【００１９】
上記非磁性体層の一部の領域は上記誘電体を含み、上記誘電体を含まない領域は上記磁性体層の物質と同じ物質からなることができる。
【００２０】
上記非磁性体層の一部の領域は上記誘電体を含み、上記誘電体を含まない領域は空いていることができる。
【００２１】
本発明の他の実施形態によれば、複数の磁性体シートを製造する段階と、単一又は複数のＮｂ２Ｏ５系誘電体を含む非磁性体シートを製造する段階と、上記磁性体シート及び上記非磁性体シートのうち少なくともいずれか一つのシート上に内部コイルパターンを形成する段階と、上記磁性体シート及び非磁性体シートを積層して内部コイル部及びセラミック本体を形成する段階と、セラミック本体の端面に上記内部コイル部と接続する外部電極を形成する段階と、を含む積層型電子部品の製造方法が提供される。
【００２２】
上記Ｎｂ２Ｏ５系誘電体は、ＺｎＯ-Ｎｂ２Ｏ５、ＺｎＯ-ＴｉＯ２-Ｎｂ２Ｏ５、ＢａＯ-Ｎｂ２Ｏ５、ＢａＯ-ＴｉＯ２-Ｎｂ２Ｏ５及びＢｉ２Ｏ３-Ｎｂ２Ｏ５系のうち少なくともいずれか一つを含むことができる。
【００２３】
上記非磁性体シートは、Ｖ２Ｏ５を含むことができる。
【００２４】
上記非磁性体シートに含まれるＮｂ２Ｏ５とＶ２Ｏ５のモル比が０．９：０．１〜０．６：０．４であれば良い。
【００２５】
上記非磁性体シートは、ガラスフリットを７〜２０ｗｔ％含むことができる。
【００２６】
上記ガラスフリットは、ＣａＯ及びＢａＯのうち少なくともいずれか一つを含むことができる。
【００２７】
上記非磁性体シートは、上記内部コイル部の内部に形成されることができる。
【００２８】
上記非磁性体層の一部の領域は上記誘電体を含み、上記誘電体を含まない領域は上記磁性体層の物質と同じ物質からなることができる。
【００２９】
上記非磁性体層の一部の領域は上記誘電体を含み、上記誘電体を含まない領域は空いていることができる。
【発明の効果】
【００３０】
本発明の一実施形態による積層型電子部品及びその製造方法によれば、磁性体層と非磁性体層の焼成収縮プロファイルを一致させて内部残留応力を最小化させることによりデラミネーション、拡散、剥離、クラック、層間剥離等のような欠陥を減少させることができる。
【図面の簡単な説明】
【００３１】
【図１】本発明の一実施形態による積層型電子部品の斜視図である。
【図２ａ】本発明の第１の実施形態による積層型電子部品の図１のＡ-Ａ’線に沿う断面図である。
【図２ｂ】本発明の第２の実施形態による積層型電子部品の図１のＡ-Ａ’線に沿う断面図である。
【図２ｃ】本発明の第３の実施形態による積層型電子部品の図１のＡ-Ａ’線に沿う断面図である。
【図２ｄ】本発明の第４の実施形態による積層型電子部品の図１のＡ-Ａ’線に沿う断面図である。
【図３ａ】本発明の第５の実施形態による積層型電子部品の分解斜視図である。
【図３ｂ】本発明の第６の実施形態による積層型電子部品の分解斜視図である。
【図３ｃ】本発明の第７の実施形態による積層型電子部品の分解斜視図である。
【図３ｄ】本発明の第８の実施形態による積層型電子部品の分解斜視図である。
【図４ａ】本発明の第９の実施形態による積層型電子部品の図１のＡ-Ａ’線に沿う断面図である。
【図４ｂ】本発明の第１０の実施形態による積層型電子部品の図１のＡ-Ａ’線に沿う断面図である。
【図４ｃ】本発明の第１１の実施形態による積層型電子部品の図１のＡ-Ａ’線に沿う断面図である。
【図５ａ】図４ａに示されている本発明の第９の実施形態による非磁性体層を示す図である。
【図５ｂ】図４ｂに示されている本発明の第１０の実施形態による非磁性体層を示す図である。
【図５ｃ】図４ｃに示されている本発明の第１１の実施形態による非磁性体層を示す図である。
【図６】ＣｕＯが９ｍｏｌ％含まれた（Ｎｉ，Ｍｎ，Ｃｕ，Ｚｎ）Ｆｅ２Ｏ４フェライト磁性体組成物のか焼温度及び維持時間による焼成収縮カーブを示す図である。
【図７】Ｂａ５（Ｎｂ０．８Ｖ０．２）４Ｏ１５のガラスフリット添加量によるフェライト磁性体組成物と誘電体との焼成収縮カーブのマッチングを示す図である。
【図８】本発明の一実施形態による積層型電子部品１００の製造方法を示す工程図である。
【発明を実施するための形態】
【００３２】
以下では、添付の図面を参照して本発明の好ましい実施形態について説明する。しかし、本発明の実施形態は様々な他の形態に変形されることができ、本発明の範囲は以下で説明する実施形態に限定されない。また、本発明の実施形態は、当該技術分野で平均的な知識を有する者に本発明をより完全に説明するために提供されるものである。したがって、図面における要素の形状及び大きさなどはより明確な説明のために誇張されることがある。
【００３３】
積層型電子部品
以下では、本発明の一実施形態による積層型電子部品を説明するが、これに制限されるものではない。
【００３４】
図１は本発明の一実施形態による積層型電子部品１００の斜視図であり、図２ａ〜図２ｄは本発明の第１〜第４の実施形態による積層型電子部品１００の図１のＡ-Ａ’線に沿う断面図であり、図３ａ〜図３ｄは本発明の第５〜第８の実施形態による積層型電子部品１００の分解斜視図であり、図４ａ〜図４ｃは本発明の第９〜第１１の実施形態による積層型電子部品１００の図１のＡ-Ａ’線に沿う断面図であり、図５ａ〜図５ｃは第９〜第１１の実施形態による非磁性体層１１２を示す図である。
【００３５】
本発明の一実施形態による積層型電子部品１００は、複数の磁性体層が積層されて形成されたセラミック本体１１０と、磁性体層１１１’と、セラミック本体の内部に配置される内部コイル部１２０と、磁性体層の間に配置される非磁性体層１１２と、セラミック本体１１０の端面に形成される外部電極１３０と、を含む。
【００３６】
セラミック本体１１０を形成する複数の磁性体層１１１’及び非磁性体層１１２は焼結された状態で、隣接する磁性体層１１１’間の境界は走査電子顕微鏡（ＳＥＭ：Ｓｃａｎｎｉｎｇ  Ｅｌｅｃｔｒｏｎ  Ｍｉｃｒｏｓｃｏｐｅ）を用いなくては確認できないほどに一体化されることができる。
【００３７】
セラミック本体１１０は六面体状であれば良い。本発明の実施形態を明確に説明するために六面体の方向を定義すると、図１に表示されたＬ、Ｗ及びＴはそれぞれ長さ方向、幅方向、厚さ方向を示す。
【００３８】
磁性体層１１１’の製造に用いられる磁性体は、特に制限されず、例えば、フェライト（ｆｅｒｒｉｔｅ）材料を含むことができる。磁性体層１１１’は、通常、Ｆｅ２Ｏ３、ＺｎＯ、ＮｉＯ、ＣｕＯ、ＭｇＯ、ＭｎＯ、ＣｏＯ等の組成からなり、ＭＦｅ２Ｏ４（Ｍ：Ｚｎ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｍｎ、Ｍｇ）の化学式を有し、組成比によって多様な透磁率を有することができる。
【００３９】
磁性体層１１１’の組成のうちＺｎＯとＣｕＯ組成は、１１００℃以下の温度で溶融されることができる。磁性体層１１１’に含まれたＺｎＯとＣｕＯの添加量が高いほど、磁性体層１１１’の組成物はより低い温度で合成及び焼結されることができる。磁性体層１１１’に含まれたＺｎＯとＣｕＯを合わせた含量は１５〜３６ｍｏｌ％であれば良い。
【００４０】
磁性体層において、ＮｉＯの含量が多いほど、透磁率は上昇する。
【００４１】
図６は、ＣｕＯが９ｍｏｌ％含まれた（Ｎｉ，Ｍｎ，Ｃｕ，Ｚｎ）Ｆｅ２Ｏ４フェライト磁性体組成物のか焼温度及び維持時間による焼成収縮カーブを示すものである。
【００４２】
図６を参照すると、低温（７８０℃）で維持時間を長くしたフェライト磁性体組成物を焼成した方が、高温（９００℃）で維持時間を短くしたフェライト（ｆｅｒｒｉｔｅ）磁性体組成物を焼成した方より粒界エネルギーが高くて低温で速やかに収縮される。
【００４３】
図３ａ、３ｂ、３ｃ、３ｄを参照すると、複数の磁性体シート１１１’上に形成された内部コイルパターン１２１がビア電極によって電気的に接続されて内部コイル部１２０を形成することができる。また、複数の磁性体シート１１１’の間に積層される非磁性体シート１１２’上に形成された内部コイルパターン１２１を含んで内部コイル部１２０が形成されることができる。
【００４４】
上記内部コイルパターン１２１は、導電性金属を含む導電性ペーストを印刷して形成されることができる。上記導電性金属は、電気伝導度に優れた金属であれば特に制限されず、例えば、銀（Ａｇ）、パラジウム（Ｐｄ）、アルミニウム（Ａｌ）、ニッケル（Ｎｉ）、チタニウム（Ｔｉ）、金（Ａｕ）、銅（Ｃｕ）又は白金（Ｐｔ）等の単独又は混合型であれば良い。
【００４５】
上記内部コイル部１２０の上部及び下部に複数の磁性体シート１１１’がさらに積層されて上部及び下部カバー層を形成することができる。
【００４６】
上記非磁性体層１１２は、磁性体層１１１’と非磁性体層１１２の焼成収縮プロファイルを一致させて内部残留応力を最小化させることによりデラミネーション、拡散、剥離、クラック、層間剥離等のような欠陥を減少させることができるようにセラミック本体１１０の内部に配置されることができる。
【００４７】
図２ａ、図２ｂ、図３ａ、図３ｂを参照すると、非磁性体層１１２は、磁性体層１１１’の間に単一で配置されても良く、複数で配置されても良い。
【００４８】
図２ｃ、図２ｄ、図３ａ、図３ｂを参照すると、非磁性体層１１２は、内部コイル部１２０の内部に配置されても良く、内部コイル部１２０の外部に配置されても良く、内部コイル部１２０の内部及び外部に配置されても良い。
【００４９】
図４ａ〜図４ｃを参照すると、非磁性体層１１２は、一部の領域が誘電体を含むことができる。誘電体は、多様な形で非磁性体層１１２の一部の領域に含まれることができ、図４ａ〜図４ｃの例に限定されない。非磁性体層１１２をなす誘電体は、図４ａのように一部の領域に含まれても良く、図４ｂのように磁性体層１１１’を横切る形で含まれても良く、図４ｃのように一定のパターンを有する領域に含まれても良い。非磁性体層１１２の一部の領域が誘電体を含む場合、誘電体を含まない領域は、磁性体層１１１’をなす物質と同じ物質を含んでも良く、空いていても良い。
【００５０】
磁性体層１１１’と非磁性体層１１２の異種接合によって発生する欠陥を最小化するために、非磁性体層１１２の材料の選定を固相焼結と液相焼結によって異ならせても良く、非磁性体層１１２の材料として異種接合時に低温焼結が可能な素材を選定するか又は非磁性体層１１２の材料として磁性体層１１１’の材料と同じような構造を有するセラミック素材を選定しても良い。
【００５１】
本発明の一実施形態による非磁性体層１１２は、Ｎｂ２Ｏ５（ニオブ酸塩、ｎｉｏｂａｔｅ）系誘電体を含むことができる。非磁性体層１１２がＮｂ２Ｏ５系誘電体を含むことにより、磁性体層１１１’と非磁性体層１１２との間の拡散を抑制し、内部残留応力を最小化し、磁性体層１１１’と非磁性体層１１２との焼成収縮挙動を一致させることができる。
【００５２】
Ｎｂ２Ｏ５系誘電体は、ＺｎＯ-Ｎｂ２Ｏ５、ＺｎＯ-ＴｉＯ２-Ｎｂ２Ｏ５、ＢａＯ-Ｎｂ２Ｏ５、ＢａＯ-ＴｉＯ２-Ｎｂ２Ｏ５、Ｂｉ２Ｏ３-Ｎｂ２Ｏ５系のうち少なくともいずれか一つを含むことができる。ＺｎＯ-Ｎｂ２Ｏ５、ＺｎＯ-ＴｉＯ２-Ｎｂ２Ｏ５、ＢａＯ-Ｎｂ２Ｏ５、ＢａＯ-ＴｉＯ２-Ｎｂ２Ｏ５、Ｂｉ２Ｏ３-Ｎｂ２Ｏ５系セラミック組成を含むことにより、１２００℃以下の温度で合成されることができる。
【００５３】
非磁性体層１１２に含まれたＮｂ２Ｏ５の一部をＶ２Ｏ５に置換することができる。非磁性体層１１２に含まれたＮｂ２Ｏ５の一部をＶ２Ｏ５に置換すると、より低い温度での合成及び焼結が可能となり、磁性体層１１１’の焼成収縮カーブのプロファイルと非磁性体層１１２の焼成収縮カーブのプロファイルとを一致させることができる。Ｎｂ２Ｏ５からＶ２Ｏ５に置換する置換量は０．１〜０．４モルであれば良い。この場合、非磁性体層１１２のＮｂ２Ｏ５とＶ２Ｏ５の成分比は０．９：０．１〜０．６：０．４であれば良い。
【００５４】
非磁性体層１１２は、ＣａＯ又はＢａＯ等のアルカリ土類酸化物が含まれたガラスフリットを含むことができる。非磁性体層１１２に含まれたガラスフリットは、低温焼結剤として用いられることができる。非磁性体層１１２にガラスフリットが含まれることにより、界面拡散を抑制させて焼結温度を低めることができ、インダクタ本体の磁性体層１１１’の焼成収縮カーブのプロファイルと非磁性体層１１２の焼成収縮カーブのプロファイルとを一致させることができる。
【００５５】
図７は、Ｂａ５（Ｎｂ０．８Ｖ０．２）４Ｏ１５のガラスフリット添加量によるフェライト磁性体組成物と誘電体との焼成収縮カーブのマッチングを示すものである。
【００５６】
図７を参照すると、Ｂａ５（Ｎｂ０．８Ｖ０．２）４Ｏ１５に１０ｗｔ％のＣａ-ボロシリケイト（Ｃａ-ｂｏｒｏｓｉｌｉｃａｔｅ）ガラスフリットを含む誘電体の焼成収縮カーブのプロファイルがフェライト磁性体組成物の焼成収縮カーブのプロファイルと一致することが確認できる。
【００５７】
表１は、本発明の一実施例を示したものであって、磁性体層１１１’の組成物である（Ｎｉ，Ｍｎ，Ｃｕ，Ｚｎ）Ｆｅ２Ｏ４磁性体組成物及び非磁性体層１１２の材料についての界面接合性及び欠陥の有無を確認して示したものである。
【００５８】
３０μｍの同一の厚さを有する磁性体シートＡと非磁性体シートＢを成形してＡ-Ｂ-Ａ構造で接合させて焼成したときの、デラミネーション、クラック又は剥離、界面での拡散の発生程度を観察した。
【００５９】
【表１】
2015198240.tif 000003
【００６０】
非磁性体層１１２の材料におけるＶ２Ｏ５置換量が０．４モル以上の場合は、非置換のＶ２Ｏ５が生じて界面での拡散が発生した。
【００６１】
焼成収縮カーブのプロファイルが一致しない場合は、デラミネーション、クラック又は剥離が発生した。
【００６２】
低温焼結剤としてＣａ２＋又はＢａ２＋のアルカリ土類が含有されたガラスフリットが用いられる場合は、フェライトのＮｉ、Ｍｎ、Ｃｕ、Ｚｎが全て２＋陽イオンであるため、インダクタ本体と非磁性体層１１２との界面から二次相を析出させて界面拡散を抑制させることができる。
【００６３】
但し、界面接合性が不良となるため、ガラスフリットを７ｗｔ％〜２０ｗｔ％添加して初めて接合性が良好となることが分かる。
【００６４】
外部電極１３０は、セラミック本体１１０の対向する両端面に形成され且つ内部コイル部１２０と接続するように形成されることができる。
【００６５】
外部電極１３０は、セラミック本体１１０の厚さ方向（Ｔ方向）の両端面及び幅方向（Ｗ方向）のうち少なくともいずれか一つの面に伸びて形成されることができる。
【００６６】
外部電極１３０は、電気伝導性に優れた金属を含んで形成され、例えば、ニッケル（Ｎｉ）、銅（Ｃｕ）、スズ（Ｓｎ）又は銀（Ａｇ）等の単独又はこれらの合金等で形成されることができる。
【００６７】
積層型電子部品の製造方法
図８は、本発明の一実施形態による積層型電子部品１００の製造方法を示す工程図である。
【００６８】
図８を参照すると、まず、複数の磁性体シートを製造することができる。
【００６９】
磁性体シートの製造に用いられる磁性体は、特に制限されず、例えば、フェライト（ｆｅｒｒｉｔｅ）材料を含むことができる。磁性体シートは、通常、Ｆｅ２Ｏ３、ＺｎＯ、ＮｉＯ、ＣｕＯ、ＭｇＯ、ＭｎＯ、ＣｏＯ等の組成からなり、ＭＦｅ２Ｏ４（Ｍ：Ｚｎ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｍｎ、Ｍｇ）の化学式を有し、組成比によって多様な透磁率を有することができる。
【００７０】
次に、非磁性体シートを製造することができる。
【００７１】
非磁性体シートの製造に用いられる非磁性体は、Ｎｂ２Ｏ５系誘電体を含むことができる。非磁性体シートにＮｂ２Ｏ５系誘電体が含まれることにより、磁性体層１１１’と非磁性体層１１２との間の拡散を抑制し、内部残留応力を最小化し、磁性体層１１１’と非磁性体層１１２との焼成収縮挙動を一致させることができる。
【００７２】
Ｎｂ２Ｏ５系誘電体は、ＺｎＯ-Ｎｂ２Ｏ５、ＺｎＯ-ＴｉＯ２-Ｎｂ２Ｏ５、ＢａＯ-Ｎｂ２Ｏ５、ＢａＯ-ＴｉＯ２-Ｎｂ２Ｏ５、Ｂｉ２Ｏ３-Ｎｂ２Ｏ５系のうち少なくともいずれか一つであれば良い。ＺｎＯ-Ｎｂ２Ｏ５、ＺｎＯ-ＴｉＯ２-Ｎｂ２Ｏ５、ＢａＯ-Ｎｂ２Ｏ５、ＢａＯ-ＴｉＯ２-Ｎｂ２Ｏ５、Ｂｉ２Ｏ３-Ｎｂ２Ｏ５系セラミック組成を含むことにより、１２００℃以下の温度で合成されることができる。
【００７３】
非磁性体シートに含まれたＮｂ２Ｏ５の一部をＶ２Ｏ５に置換することができる。非磁性体シートに含まれたＮｂ２Ｏ５の一部をＶ２Ｏ５に置換すると、より低い温度での合成及び焼結が可能となり、磁性体層１１１’の焼成収縮カーブのプロファイルと非磁性体層１１２の焼成収縮カーブのプロファイルとを一致させることができる。Ｎｂ２Ｏ５からＶ２Ｏ５に置換する置換量は０．１〜０．４モルであれば良い。この場合、非磁性体シートのＮｂ２Ｏ５とＶ２Ｏ５の成分比は０．９：０．１〜０．６：０．４であれば良い。
【００７４】
非磁性体シートは、ＣａＯ又はＢａＯ等のアルカリ土類酸化物が含まれたガラスフリットを含むことができる。非磁性体シートに含まれたガラスフリットは、低温焼結剤として用いられることができる。非磁性体シートにガラスフリットが含まれることにより、界面拡散を抑制させて焼結温度を低めることができ、インダクタ本体の磁性体層１１１’の焼成収縮カーブのプロファイルと非磁性体層１１２の焼成収縮カーブのプロファイルとを一致させることができる。非磁性体シートにＮｂ２Ｏ５系誘電体が含まれることにより、磁性体層１１１’と非磁性体層１１２との間の拡散を抑制し、内部残留応力を最小化し、磁性体層１１１’と非磁性体層１１２との焼成収縮挙動を一致させることができる。
【００７５】
次に、磁性体シート及び非磁性体シートのうち少なくともいずれか一つのシート上に内部コイルパターン１２１を形成することができる。
【００７６】
内部コイルパターン１２１は、導電性金属を含む導電性ペーストを磁性体シート上に印刷工法等で塗布して形成されることができる。
【００７７】
導電性金属は、電気伝導度に優れた金属であれば特に制限されず、例えば、銀（Ａｇ）、パラジウム（Ｐｄ）、アルミニウム（Ａｌ）、ニッケル（Ｎｉ）、チタニウム（Ｔｉ）、金（Ａｕ）、銅（Ｃｕ）又は白金（Ｐｔ）等の単独又は混合型であれば良い。
【００７８】
導電性ペーストの印刷方法としては、スクリーン印刷法又はグラビア印刷法等を用いることができるが、本発明はこれに限定されるものではない。
【００７９】
次に、磁性体シート及び非磁性体シートを積層して内部コイル部１２０及びセラミック本体１１０を形成することができる。
【００８０】
図２ａ及び図２ｂを参照すると、非磁性体シートは、磁性体層１１１’の間に単一で積層されても良く、複数で積層されても良い。
【００８１】
図２ｃ及び図２ｄを参照すると、非磁性体シートの積層工程は、非磁性体シートが内部コイル部１２０の内部に積層されるように内部コイル部１２０の形成段階中に行われても良く、非磁性体シートが内部コイル部１２０の外部に積層されるように内部コイル部１２０の形成段階の前後に行われても良い。
【００８２】
図４ａ〜図４ｃを参照すると、非磁性体シートは、一部の領域が誘電体を含むことができる。非磁性体シートをなす誘電体は、図４ａのように非磁性体シートの一部の領域に含まれても良く、図４ｂのように磁性体層１１１’を横切る形で含まれても良く、図４ｃのように一定のパターンを有する領域に含まれても良い。非磁性体シートの一部の領域が誘電体を含む場合、誘電体を含まない領域は、磁性体シートをなす物質と同じ物質を含んでも良く、空いていても良い。
【００８３】
外部電極１３０は、セラミック本体１１０の対向する両端面に形成され且つ内部コイル部１２０と接続するように形成されることができる。
【００８４】
外部電極１３０は、セラミック本体１１０の厚さ方向（Ｔ方向）の両端面及び／又は幅方向（Ｗ方向）の両端面に伸びて形成されることができる。
【００８５】
外部電極１３０は、電気伝導性に優れた金属を含んで形成され、例えば、ニッケル（Ｎｉ）、銅（Ｃｕ）、スズ（Ｓｎ）又は銀（Ａｇ）等の単独又はこれらの合金等で形成されることができる。
【００８６】
外部電極１３０を形成する方法としては、外部電極の形状によってプリンティング法のみならずディッピング（ｄｉｐｐｉｎｇ）法等を用いても良い。
【００８７】
以上、本発明の実施形態について詳細に説明したが、本発明の権利範囲はこれに限定されず、請求の範囲に記載された本発明の技術的思想から外れない範囲内で多様な修正及び変形が可能であるということは、当技術分野の通常の知識を有する者には明らかである。
【符号の説明】
【００８８】
１００  積層型電子部品
１１０  セラミック本体
１１１’  磁性体層
１１２  非磁性体層
１２０  内部コイル部
１２１  内部コイルパターン
１３０  外部電極
【図１】
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【図２ａ】
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【図２ｂ】
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【図２ｃ】
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【図２ｄ】
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【図３ａ】
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【図３ｂ】
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【図３ｃ】
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【図３ｄ】
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【図４ａ】
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【図４ｂ】
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【図４ｃ】
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【図５ａ】
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【図５ｂ】
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【図５ｃ】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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