(57)【要約】【課題】光源から出射された光信号を集光させたりコリメートしたりするレンズと、該レンズによって集光され或いはコリメートされた光信号を合波する合波光学系とに、線膨張率の異なる材料を使用可能とする。【解決手段】光通信モジュールは、互いに波長の異なる光信号を出射する複数の半導体レーザ２０と、複数の半導体レーザ２０からそれぞれ出射された光信号を合波するための複数の光学フィルタ及びそれら光学フィルタが設けられた基材４５を備える合波光学系４０と、前記光学フィルタのそれぞれに接合され、半導体レーザ２０から出射された光信号をコリメートして前記光学フィルタに入射させる複数のレンズ３０と、を有する。複数のレンズ３０は互いに独立しており、かつ、基材４５と異なる線膨張率を有する。さらに、複数のレンズ３０は、基材４５が搭載されている第２マウント６０と非接触である。【選択図】図４
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
多重光信号を出力する光通信モジュールであって、
互いに波長の異なる光信号を出射する複数の半導体レーザと、
前記複数の半導体レーザからそれぞれ出射された光信号を合波するための複数の光学フィルタ及びそれら光学フィルタが設けられた基材を備える合波光学系と、
前記複数の光学フィルタのそれぞれに接合され、前記半導体レーザから出射された光信号を前記光学フィルタに集光させ、或いは、コリメートして前記光学フィルタに入射させる複数のレンズと、を有し、
前記複数のレンズは互いに独立しており、かつ、前記基材と異なる線膨張率を有し、
前記複数のレンズは、前記基材が搭載されている支持部材と非接触である、
光通信モジュール。
【請求項２】
請求項１に記載の光通信モジュールであって、
前記基材はガラス製であり、前記レンズは合成樹脂製である、
光通信モジュール。
【請求項３】
請求項１又は２に記載の光通信モジュールであって、
前記光学フィルタの光出射面が前記基材の一面に接合され、
前記光学フィルタの光入射面に前記レンズが接合されている、
光通信モジュール。
【請求項４】
請求項１〜３のいずれかに記載の光通信モジュールであって、
前記レンズに無反射コーティングが施されている、
光通信モジュール。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、光通信モジュールに関し、特に、波長分割多重通信に用いられる光通信モジュールに関する。
【背景技術】
【０００２】
光通信の分野では、１本の光ファイバケーブル当たりの伝送容量の大容量化が進んでおり、かかる大容量化を実現する通信方法の１つとして波長分割多重通信（ＷＤＭ：Wavelength Division Multiplex）が知られている。波長分割多重通信では、互いに波長の異なる複数の光信号が１本の光ファイバケーブルを用いて同時に伝送される。
【０００３】
波長分割多重通信に用いられる光通信モジュールの１つとして光トランシーバがある。波長分割多重通信に用いられる光トランシーバは、互いに波長の異なる光（光信号）を出射する複数の光源と、それぞれの光源から出射された光信号を集光させたり、コリメートしたりするレンズと、レンズによって集光され或いはコリメートされた光信号を合波する合波光学系と、を少なくとも有する発光モジュールを有する。尚、発光モジュールは、光送信モジュールや光送信サブアセンブリ等と呼ばれることもある。
【０００４】
特許文献１には、複数の半導体レーザ４４と、各半導体レーザ４４から出射された光信号（信号光）を集光させる複数のレンズ部品４６ａと、各レンズ部品４６ａによって集光された光信号を合波させる光導波路が形成された光合波器４８と、を有する発光モジュールが記載されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２０１３−８０９００号公報（段落［００５６］〜［００５８］、図１１（Ｂ））
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
上記構造を有する発光モジュール、光送信モジュール又は光送信サブアセンブリ等では、共通の搭載面に搭載されている合波光学系とレンズとの線膨張率（線膨張係数）が異なると、温度変化によってこれらが膨張した際に、光軸がずれてしまう。特に、搭載面に対して垂直な方向に関して光軸のずれが生じやすい。そこで従来は、合波光学系及びレンズの材料には、線膨張率が同一の材料又は同一に調整された材料が用いられていた。例えば、特許文献１に記載されている光合波器４８及びレンズ部品４６ａの材料には、一般的にガラスが用いられる。すなわち、従来の発光モジュール、光送信モジュール又は光送信サブアセンブリ等では、光源から出射された光信号を集光させたり、コリメートしたりするレンズにガラスレンズが用いられていた。
【０００７】
しかし、ガラスレンズは樹脂レンズ（プラスチックレンズ）に比べて高価であり、光トランシーバを含む光通信モジュールのコスト高の一因となっていた。
【０００８】
本発明の目的は、光源から出射された光信号を集光させたりコリメートしたりするレンズと、該レンズによって集光され或いはコリメートされた光信号を合波する合波光学系とに、線膨張率の異なる材料を使用可能とすることである。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明の光通信モジュールは、多重光信号を出力する光通信モジュールであって、互いに波長の異なる光信号を出射する複数の半導体レーザと、前記複数の半導体レーザからそれぞれ出射された光信号を合波するための複数の光学フィルタ及びそれら光学フィルタが設けられた基材を備える合波光学系と、前記複数の光学フィルタのそれぞれに接合され、前記半導体レーザから出射された光信号を前記光学フィルタに集光させ、或いは、コリメートして前記光学フィルタに入射させる複数のレンズと、を有する。前記複数のレンズは互いに独立しており、かつ、前記基材と異なる線膨張率を有する。さらに、前記複数のレンズは、前記基材が搭載されている支持部材と非接触である。
【００１０】
本発明の一態様では、前記基材はガラス製であり、前記レンズは合成樹脂製である。
【００１１】
本発明の他の態様では、前記光学フィルタの光出射面が前記基材の一面に接合され、前記光学フィルタの光入射面に前記レンズが接合される。
【００１２】
本発明の他の態様では、前記レンズに無反射コーティングが施される。
【発明の効果】
【００１３】
本発明によれば、光源から出射された光信号を集光させたりコリメートしたりするレンズと、該レンズによって集光され或いはコリメートされた光信号を合波する合波光学系とに、線膨張率の異なる材料が使用可能となる。
【図面の簡単な説明】
【００１４】
【図１】光トランシーバの外観斜視図である。
【図２】光トランシーバの内部構造を示す断面図である。
【図３】光送信サブアセンブリの内部構造を示す斜視図である。
【図４】半導体レーザ、レンズ及び合波光学系の拡大斜視図である。
【図５】第１マウントの第１側面及び第２マウントの第２側面を示す拡大斜視図である。
【図６】レンズ及びＡＲフィルタを基材に貼り付ける工程を示す説明図である。
【図７】第１マウントに半導体レーザを搭載する工程を示す説明図である。
【図８】半導体レーザとレンズとを調心させる工程を示す説明図である。
【発明を実施するための形態】
【００１５】
以下、本発明が適用された光通信モジュールの一例について図面を参照しながら詳細に説明する。以下に説明する光通信モジュールは、ＱＳＦＰ＋（Quad Small Form-factor Pluggable Plus）規格に準拠したＷＤＭ用光トランシーバであって、互いに波長の異なる複数の光信号が合波された多重光信号を出力する。
【００１６】
図１に示されるように、本実施形態に係る光トランシーバ１は、上ケース２と下ケース３とから構成されるモジュール筐体４を有する。モジュール筐体４は、全体として略直方体の外観を呈し、ＱＳＦＰ＋規格に準拠した寸法を有する。モジュール筐体４の長手方向一端には光アダプタ５が設けられ、モジュール筐体４の長手方向他端にはカードエッジ６が設けられている。尚、カードエッジは“エッジコネクタ”と呼ばれることもある。以下の説明では、モジュール筐体４の長手方向両端部のうち、光アダプタ５が設けられている一端部を“フロント側”、カードエッジ６が設けられている他端部を“リア側”と呼ぶ場合がある。すなわち、光アダプタ５は、モジュール筐体４のフロント側に設けられており、カードエッジ６はモジュール筐体４のリア側に設けられている。
【００１７】
光アダプタ５には、不図示の光ファイバケーブルの一端に装着されている光コネクタが差し込まれる２つの差込口５ａ，５ｂが設けられている。一方の差込口５ａは送信用（ＴＸ）であり、他方の差込口５ｂは受信用（ＲＸ）である。また、カードエッジ６が不図示のネットワーク機器（ルータやサーバ等）が備えるスロットに挿入されると、光トランシーバ１とネットワーク機器とが接続される。光トランシーバ１は、接続されたネットワーク機器から入力された電気信号を光信号に変換し、送信用の差込口５ａに接続されている光ファイバケーブルへ出力する一方、受信用の差込口５ｂに接続されている光ファイバケーブルから入力された光信号を電気信号に変換してネットワーク機器へ出力する。
【００１８】
図２に示されるように、モジュール筐体４の内部には、上記のような光電変換を実現するための光送信サブアセンブリ（TOSA：Transmitter Optical Sub-Assembly）１１及び光受信サブアセンブリ（ROSA：Receiver Optical Sub-Assembly）１２が収容されている。
【００１９】
図３に示されるように、光送信サブアセンブリ１１は、パッケージ１１ａと、パッケージ１１ａに収容された複数の半導体レーザ２０と、を備えている。具体的には、光送信サブアセンブリ１１は、第１半導体レーザ２１，第２半導体レーザ２２，第３半導体レーザ２３及び第４半導体レーザ２４を備えている。第１半導体レーザ２１，第２半導体レーザ２２，第３半導体レーザ２３及び第４半導体レーザ２４は、不図示のボンディングワイヤを介して駆動ドライバ２５と接続されている。
【００２０】
さらに、光送信サブアセンブリ１１は、第１半導体レーザ２１，第２半導体レーザ２２，第３半導体レーザ２３及び第４半導体レーザ２４から出射された光信号をコリメートする複数のレンズ３０を備えている。具体的には、光送信サブアセンブリ１１は、第１レンズ３１，第２レンズ３２，第３レンズ３３及び第４レンズ３４を備えている。
【００２１】
さらに、光送信サブアセンブリ１１は、第１レンズ３１，第２レンズ３２，第３レンズ３３及び第４レンズ３４によってコリメートされた複数の光信号を合波する合波光学系４０を備えている。
【００２２】
以下の説明では、第１半導体レーザ２１，第２半導体レーザ２２，第３半導体レーザ２３及び第４半導体レーザ２４を“半導体レーザ２０”と総称する場合がある。また、第１レンズ３１，第２レンズ３２，第３レンズ３３及び第４レンズ３４を“レンズ３０”と総称する場合がある。さらに、第１半導体レーザ２１から出射される光信号を“第１の光信号”と呼び、第２半導体レーザ２２から出射される光信号を“第２の光信号”と呼び、第３半導体レーザ２３から出射される光信号を“第３の光信号”と呼び、第４半導体レーザ２４から出射される光信号を“第４の光信号”と呼ぶ場合がある。一方、第１〜第４の光信号を“光信号”と総称する場合もある。
【００２３】
半導体レーザ２０は、端面発光レーザ（ＥＥＬ：Edge Emitting Laser）であり、パッケージされていないベアチップの形態で実装されている。半導体レーザ２０をベアチップの形態で実装しているのは、半導体レーザ２０の配列ピッチを狭くして光送信サブアセンブリ１１の小型化を実現し、ひいては光トランシーバ１の小型化を実現するためである。
【００２４】
図４に示されるように、それぞれの半導体レーザ２０は、支持部材としての第１マウント５０に、サブマウント５１を介して搭載されている。それぞれの第１マウント５０は、四角柱状の金属ブロックである。半導体レーザ２０は、第１マウント５０の長手方向一方の端面（上端面５０ａ）にサブマウント５１を介して搭載されている。すなわち、第１マウント５０の上端面５０ａは、半導体レーザ２０が搭載される第１搭載面である。本実施形態におけるサブマウント５１はセラミックス製である。
【００２５】
第１半導体レーザ２１，第２半導体レーザ２２，第３半導体レーザ２３及び第４半導体レーザ２４は、この順で一列に並んでいる。第１半導体レーザ２１の発振波長（中心波長）はλ１[ｎｍ]、第２半導体レーザ２２の発振波長（中心波長）はλ２[ｎｍ]、第３半導体レーザ２３の発振波長（中心波長）はλ３[ｎｍ]、第４半導体レーザ２４の発振波長（中心波長）はλ４[ｎｍ]である。換言すれば、第１の光信号の波長はλ１[ｎｍ]、第２の光信号の波長はλ２[ｎｍ]、第３の光信号の波長はλ３[ｎｍ]、第４の光信号の波長はλ４[ｎｍ]である。これらの波長の大小関係は、λ１＜λ２＜λ３＜λ４である。また、各光信号の波長間隔は２０ｎｍである。
【００２６】
合波光学系４０は、支持部材としての第２マウント６０に搭載されている。第２マウント６０は、第１マウント５０とは別体の金属ブロックであり、第１マウント５０に比べて扁平な形状を有する。第２マウント６０は、第１搭載面５０ａと平行な一面（上面６０ａ）を有し、この上面６０ａに合波光学系４０が搭載されている。すなわち、第２マウント６０の上面６０ａは、合波光学系４０が搭載される第２搭載面である。
【００２７】
それぞれのレンズ３０は、第２マウント６０に搭載されている合波光学系４０に固定されており、第２マウント６０とは接触していない。レンズ３０と合波光学系４０との関係については後述する。
【００２８】
図５に示されるように、それぞれの第１マウント５０は、半導体レーザ２０が搭載される第１搭載面５０ａと交差する第１側面５０ｂを備えている。一方、第２マウント６０は、合波光学系４０が搭載される第２搭載面６０ａと交差する第２側面６０ｂを備えている。
【００２９】
第１マウント５０は、第１側面５０ｂが第２側面６０ｂに当接された状態で第２マウント６０に固定されている。具体的には、第１マウント５０の第１側面５０ｂが第２マウント６０の第２側面６０ｂにレーザ溶接（本実施形態ではＹＡＧレーザ溶接）されている。すなわち、半導体レーザ２０と合波光学系４０とは、互いに異なる支持部材に搭載されている。
【００３０】
再び図４を参照する。第２マウント６０に搭載されている合波光学系４０は、ガラスプレート４１、バンドパスフィルタ４２，４３，４４、直方体形状の基材４５、反射ミラー４６及びＡＲ（Antireflective）フィルタ４７を備えている。ガラスプレート４１及びバンドパスフィルタ４２，４３，４４は、半導体レーザ２０と対向する基材４５の一面（側面４５ａ）に接合されている。反射ミラー４６及びＡＲフィルタ４７は、ガラスプレート４１及びバンドパスフィルタ４２，４３，４４が設けられている一面と反対側の基材４５の他の一面（側面４５ｂ）に接合されている。
【００３１】
ガラスプレート４１は表面に何らの処理も施されていない単なるガラスプレートである。一方、ＡＲフィルタ４７は、ガラスプレートの少なくとも片面に無反射コーティング（ＡＲコーティング）が施された光学フィルタである。また、バンドパスフィルタ４２，４３，４４は、ガラスプレートの少なくとも片面に誘電体多層膜が形成された光学フィルタである。ガラスプレート４１及びバンドパスフィルタ４２，４３，４４は、半導体レーザ２０の配列方向に沿って一列に配置されている。
【００３２】
合波光学系４０の基材４５はガラス製である。一方、第１レンズ３１，第２レンズ３２，第３レンズ３３及び第４レンズ３４は、互いに独立した合成樹脂製のレンズであって、それぞれに無反射コーティング（ＡＲコーティング）が施されている。図６に示されるように、第１レンズ３１はガラスプレート４１の光入射面に接合され、第２レンズ３２はバンドパスフィルタ４２の光入射面に接合され、第３レンズ３３はバンドパスフィルタ４３の光入射面に接合され、第４レンズ３４はバンドパスフィルタ４４の光入射面に接合されている。本実施形態では、各レンズ３０は、ガラスプレート４１又はバンドパスフィルタ４２，４３，４４の光入射面に接着されている（貼り付けられている）。尚、ガラスプレート４１又はバンドパスフィルタ４２，４３，４４の光入射面とは、基材４５の側面４５ａに接合されている一面と反対側の他の一面である。換言すれば、基材４５の側面４５ａに接合されている一面は光出射面である。
【００３３】
図４に示されるように、第１レンズ３１及びガラスプレート４１は第１半導体レーザ２１に対応しており、第１半導体レーザ２１から出射された第１の光信号は、第１レンズ３１によってコリメートされてガラスプレート４１に入射する。第２レンズ３２及びバンドパスフィルタ４２は第２半導体レーザ２２に対応しており、第２半導体レーザ２２から出射された第２の光信号は、第２レンズ３２によってコリメートされてバンドパスフィルタ４２に入射する。第３レンズ３３及びバンドパスフィルタ４３は第３半導体レーザ２３に対応しており、第３半導体レーザ２３から出射された第３の光信号は、第３レンズ３３によってコリメートされてバンドパスフィルタ４３に入射する。第４レンズ３４及びバンドパスフィルタ４４は第４半導体レーザ２４に対応しており、第４半導体レーザ２４から出射された第４の光信号は、第４レンズ３４によってコリメートされてバンドパスフィルタ４４に入射する。
【００３４】
光信号を低損失で合波光学系４０に入射させるべく、対応する第１半導体レーザ２１，第１レンズ３１及びガラスプレート４１は調心されている。同様の理由により、第２半導体レーザ２２，第２レンズ３２及びバンドパスフィルタ４２は調心され、第３半導体レーザ２３，第３レンズ３３及びバンドパスフィルタ４３は調心され、第４半導体レーザ２４，第４レンズ３４及びバンドパスフィルタ４４は調心されている。
【００３５】
ガラスプレート４１は、第１の光信号を低損失で通過させる。また、それぞれのバンドパスフィルタは互いに異なる通過帯域を有する。具体的には、バンドパスフィルタ４２は、少なくとも第１の光信号は反射し、第２の光信号は通過させる。バンドパスフィルタ４３は、少なくとも第１の光信号及び第２の光信号は反射し、第３の光信号は通過させる。バンドパスフィルタ４４は、少なくとも第１の光信号，第２の光信号及び第３の光信号は反射し、第４の光信号は通過させる。一方、反射ミラー４６は、いわゆる全反射ミラーであり、少なくとも第１の光信号，第２の光信号，第３の光信号及び第４の光信号を反射する。
【００３６】
無反射コートを備えるＡＲフィルタ４７は、第１の光信号，第２の光信号，第３の光信号及び第４の光信号を低損失で通過させる。すなわち、第１の光信号，第２の光信号，第３の光信号及び第４の光信号が波長分割多重された多重光信号がＡＲフィルタ４７を通して出射される。ＡＲフィルタ４７を通して出射される多重光信号は、図２，図３に示されるパッケージ１１ａとレセプタクル１１ｂとの間に介在する不図示の集光レンズに入射し、該集光レンズによってレセプタクル１１ｂ内の不図示のフェルールに集光される。尚、図３に示されるＡＲフィルタ４７（合波光学系４０）と上記集光レンズとの間に、合波光学系４０から出射される多重光信号の光路を変換して上記集光レンズに入射させるプリズム等が配置される場合もある。また、ＡＲフィルタ４７（合波光学系４０）と上記集光レンズとの間にアイソレータが配置される場合もある。
【００３７】
次に、本実施形態に係る光トランシーバ１の製造方法の一例について説明する。もっとも、本明細書では、図４に示される半導体レーザ２０，レンズ３０及び合波光学系４０を実装する工程について主に説明し、その他の工程についての説明は省略する。
【００３８】
まず、必要な部材を用意する。具体的には、図４に示される第１半導体レーザ２１，第２半導体レーザ２２，第３半導体レーザ２３及び第４半導体レーザ２４を用意する（半導体レーザ準備工程）。また、４つの第１マウント５０を用意する（第１マウント準備工程）。さらに、第１レンズ３１，第２レンズ３２，第３レンズ３３，第４レンズ３４及び合波光学系４０を用意する（光学系準備工程）。加えて、第２マウント６０を用意する（第２マウント準備工程）。
【００３９】
次に、各半導体レーザ２０を第１マウント５０に搭載する（半導体レーザ搭載工程）。具体的には、図７に示されるように、第１マウント５０の第１搭載面５０ａ上の所定位置にサブマウント５１を搭載し、サブマウント５１上の所定位置に半導体レーザ２０を搭載する。或いは、予め半導体レーザ２０が搭載されたサブマウント５１を第１マウント５０の第１搭載面５０ａ上の所定位置に搭載する。
【００４０】
次に、各レンズ３０及び合波光学系４０を第２マウント６０に搭載する（光学系搭載工程）。具体的には、図６に示されるように、基材４５の側面４５ａにガラスプレート４１、バンドパスフィルタ４２，４３，４４を貼り付け、基材４５の側面４５ｂに反射ミラー４６及びＡＲフィルタ４７を貼り付ける。さらに、ガラスプレート４１と第１レンズ３１とを調心させた上で、ガラスプレート４１の光入射面に第１レンズ３１を貼り付ける。同様に、バンドパスフィルタ４２と第２レンズ３２とを調心させた上で、バンドパスフィルタ４２の光入射面に第２レンズ３２を貼り付ける。また、バンドパスフィルタ４３と第３レンズ３３とを調心させた上で、バンドパスフィルタ４３の光入射面に第３レンズ３３を貼り付ける。また、バンドパスフィルタ４４と第４レンズ３４とを調心させた上で、バンドパスフィルタ４４の光入射面に第４レンズ３４を貼り付ける。その後、基材４５を第２マウント６０の第２搭載面６０ａ上の所定位置に搭載する。尚、半導体レーザ搭載工程と光学系搭載工程とは、どちらを先に実行してもよい。
【００４１】
次に、図８に示されるように、第４半導体レーザ２４と第４レンズ３４とを調心させた上で、第４半導体レーザ２４が搭載されている第１マウント５０を第２マウント６０に固定する。具体的には、第４半導体レーザ２４が搭載されている第１マウント５０の第１側面５０ｂ（図７）を第２マウント６０の第２側面６０ｂに当接させる。その後、第１マウント５０を第２マウント６０の第２側面６０ｂの上で上下左右（Ｘ軸方向及びＹ軸方向）に移動させ、第４半導体レーザ２４から出射される光（光信号である必要はない。）の光軸を第４レンズ３４の光軸に一致させる。換言すれば、第１マウント５０を第２マウント６０の第２側面６０ｂと平行な面内でＸ軸方向及びＹ軸方向に移動させ、第４半導体レーザ２４と第４レンズ３４とを調心する。例えば、ＡＲフィルタ４７から出射される光をカメラやパワーメータ等でモニタしながら第１マウント５０を移動させ、第１マウント５０の位置を決定する。第１マウント５０の位置が決定したら、その位置に第１マウント５０をＹＡＧレーザ溶接によって固定する。
【００４２】
次に、第４半導体レーザ２４が搭載されている第１マウント５０が固定された第２マウント６０をパッケージ１１ａ（図３）に収容する。その後、図３に示されるレセプタクル１１ｂ内の不図示のフェルールから出射される光の出力が最大となるように、パッケージ１１ａとレセプタクル１１ｂとの間に介在する不図示の集光レンズ及びレセプタクル１１ｂの位置を調整し、集光レンズ及びレセプタクル１１ｂをパッケージ１１ａに固定する。
【００４３】
次に、残りの第１マウント５０を第２マウント６０にＹＡＧレーザ溶接によって固定する。具体的には、図３に示されるレセプタクル１１ｂ内の不図示のフェルールから出射される光の出力が最大となるように第３半導体レーザ２３と第３レンズ３３とを調心させた上で、第３半導体レーザ２３が搭載されている第１マウント５０を第２マウント６０に固定する。尚、第３半導体レーザ２３と第３レンズ３３との調心方法は、第４半導体レーザ２４と第４レンズ３４との調心方法（図８）と同じである。以下、同様にして、第２半導体レーザ２２が搭載されている第１マウント５０を第２マウント６０に固定し、その後、第１半導体レーザ２１が搭載されている第１マウント５０を第２マウント６０に固定する。かかる順序で第１マウント５０を第２マウント６０に固定するのは、ＹＡＧレーザを打つ面が先に固定された第１マウント５０によって隠されてしまうことを回避するためである。よって、ＹＡＧレーザを打つ面を変更し、固定順序を上記とは異なる順序に変更してもよい。
【００４４】
以上のように、本実施形態では、合波光学系の基材はガラス製である一方、レンズは合成樹脂製である。すなわち、合波光学系の基材とレンズとは線膨張率が異なる。しかし、各レンズは、基材の側面に固定されており、かつ、第２マウントとは非接触である。さらに、それぞれのレンズは互いに独立している。したがって、線膨張率が異なる基材及びレンズがそれぞれ熱膨張しても、レンズと該レンズが貼り付けられている光学部材（ガラスプレートやバンドパスフィルタ）との光軸がずれることがないか、光軸がずれたとしてもそのずれ量が少ない。また、レンズと該レンズが対応する半導体レーザとの光軸がずれることがないか、光軸がずれたとしてもそのずれ量が少ない。
【００４５】
本発明は上記実施形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能である。例えば、合波光学系の基材の材料はガラスに限定されず、レンズの材料は合成樹脂に限定されない。上記レンズはコリメートレンズに限定されず、集光レンズに置換することもできる。また、光源としての半導体レーザの個数は、３個以下でも５個以上でもよい。すなわち、波長分割多重される光信号の数は３つ以下でも４つ以上でもよい。
【００４６】
半導体レーザは端面発光レーザに限定されず、垂直共振器面発光レーザ（ＶＣＳＥＬ:Vertical Cavity Surface Emitting Laser）等の面発光レーザ（ＳＥＬ：Surface Emitting Laser）でもよい。
【００４７】
支持部材としての第１マウントや第２マウントの材質は適宜変更することができる。また、半導体レーザと第１マウントとの間に介在するサブマウントの材質も適宜変更することができる。例えば、絶縁性よりも放熱性を重視する場合には、セラミックス製のサブマウントに代えて金属製のサブマウントを用いることができる。また、導電性が必要とされる場合には、セラミックス製のサブマウントに代えて誘電体製のサブマウントを用いることができる。さらに、サブマウントを介さず、第１マウントの第１搭載面に半導体レーザを直接搭載してもよい。
【００４８】
また、第２マウントの搭載面上に半導体レーザを搭載してもよい。すなわち、上記実施形態における第１マウントを省略してもよい。
【００４９】
本発明は、光トランシーバ以外の光通信モジュールにも適用することができる。
【符号の説明】
【００５０】
１    光トランシーバ
１１    光送信サブアセンブリ
２０    半導体レーザ
２１    第１半導体レーザ
２２    第２半導体レーザ
２３    第３半導体レーザ
２４    第４半導体レーザ
３０    レンズ
３１    第１レンズ
３２    第２レンズ
３３    第３レンズ
３４    第４レンズ
４０    合波光学系
４１    ガラスプレート
４２，４３，４４    バンドパスフィルタ
４５    基材
４６    反射ミラー
４７    ＡＲフィルタ
５０    第１マウント
５１    サブマウント
６０    第２マウント
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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