(57)【要約】      （修正有）【課題】有機半導体材料の塗布性を改善し、ＴＦＴ特性安定性を向上する熱もしくは光硬化性組成物と、本組成物を用いた絶縁膜及び薄膜トランジスタを提供する。【解決手段】少なくとも下記一般式（Ｉ）で表される構造ユニットＡ及び構造ユニットＢを有するポリオルガノシロキサン化合物（ＡＰ）を含む熱もしくは光硬化性組成物、該組成物を硬化してなる絶縁膜、及び該絶縁膜をゲート絶縁層として有する。2015198115.tif 000051式中、Ｒ１〜Ｒ３は各々独立に炭素数１〜４のアルキル基又はフェニル基を、Ｌ１は単結合又は２価の連結基、ＲｘはＯ、Ｎ及びＳの少なくとも１つとＣ３つ以上の、シアヌル環基を除くヘテロ環基を表す。ａ及びｂはそれぞれ１〜９９モル％である。【選択図】図１
2015198115.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくとも下記一般式（Ｉ）で表される構造ユニットＡ及び構造ユニットＢを有するポリオルガノシロキサン化合物（ＡＰ）を含む熱もしくは光硬化性組成物。
【化１】
2015198115.tif 000049
一般式（Ｉ）中、Ｒ１、Ｒ２及びＲ３はそれぞれ独立に炭素数１〜４のアルキル基又はフェニル基を表す。Ｌ１は単結合又は２価の連結基を表す。Ｒｘは、酸素原子、窒素原子及び硫黄原子の少なくとも１つを含み、炭素原子数が３つ以上の、脂肪族もしくは芳香族ヘテロ環基を表す。ただし、Ｒｘはシアヌル環基を除く。ａ及びｂは、それぞれ、ポリオルガノシロキサン化合物（ＡＰ）中の構造ユニットＡ及び構造ユニットＢの含有率を表し、１〜９９モル％である。
【請求項２】
前記ポリオルガノシロキサン化合物（ＡＰ）が下記一般式（ＩＩ）で表される構造ユニットＡ、構造ユニットＢ及び構造ユニットＣを有する請求項１に記載の熱もしくは光硬化性組成物。
【化２】
2015198115.tif 000050
一般式（ＩＩ）中、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｌ１及びＲｘはそれぞれ前記一般式（Ｉ）のＲ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｌ１及びＲｘと同義である。Ｒ４は炭素数１〜４のアルキル基又はフェニル基を表す。Ｌ２は単結合又は２価の連結基を表し、Ｒｙはラジカルもしくはカチオン重合性官能基を表す。ａ、ｂ及びｃは、それぞれ、ポリオルガノシロキサン化合物（ＡＰ）中の構造ユニットＡ、構造ユニットＢ及び構造ユニットＣの含有率を表し、１〜９８モル％である。
【請求項３】
前記Ｒｘが、含窒素脂肪族ヘテロ環又は含窒素芳香族ヘテロ環である請求項１又は２に記載の熱もしくは光硬化性組成物。
【請求項４】
前記Ｒｘが、ピペリジン環基、ピペラジン環基、モルホリン環基、キヌクリジン環基、ピロリジン環基、アゼチジン環基、アゼチジン−２−オン環基、アジリジン環基、トロパン環基、ピロール環基、フラン環基、チオフェン環基、イミダゾール環基、ピラゾール環基、１，２，３−トリアゾール環基、１，２，４−トリアゾール環基、テトラゾール環基、オキサゾール環基、イソオキサゾール環基、チアゾール環基、イソチアゾール環基、チアジアゾール環基、ホスホール環基、ピリジン環基、ピリミジン環基、ピリダジン環基、ピラジン環基、１，２，３−トリアジン環基、１，２，４−トリアジン環基、キノリン環基、イソキノリン環基、キナゾリン環基、フタラジン環基、プテリジン環基、クマリン環基、クロモン環基、１，４−ベンゾジアゼピン環基、インドール環基、ベンズイミダゾール環基、ベンゾトリアゾール環基、ベンゾフラン環基、プリン環基、アクリジン環基、フェノキサジン環基、フェノチアジン環基、ベンゾチアジアゾール環基、イソベンゾフラン環基、イソインドール環基、ベンゾ（ｂ）チオフェン環基、ベンゾ（ｃ）チオフェン環基、ベンゾホスホール環基、インダゾール環基、ベンゾオキサゾール環基、ベンゾイソオキサゾール環基、ベンゾチアゾール環基、キノキサリン環基、シンノリン環基からなる群より選択される少なくとも１種である請求項１〜３のいずれか１項に記載の熱もしくは光硬化性組成物。
【請求項５】
前記Ｒｙが、ラジカル重合性官能基である請求項１〜４のいずれか１項に記載の熱もしくは光硬化性組成物。
【請求項６】
前記Ｒｙが、（メタ）アクリロイルオキシ基又はスチリル基である請求項１〜５のいずれか１項に記載の熱もしくは光硬化性組成物。
【請求項７】
前記ポリオルガノポリシロキサン化合物（ＡＰ）の少なくとも一部がヒドロシリル基を有し、該ポリオルガノポリシロキサン化合物の該ヒドロシリル基と、ラジカル重合性を示さないアルケニル基を２つ以上有する化合物（ＭＣ）とが反応して得られる変性ポリオルガノシロキサン化合物（ｍＡＰ）を含む請求項１〜６のいずれか１項に記載の熱もしくは光硬化性組成物。
【請求項８】
前記ラジカル重合性を示さないアルケニル基が、ビニル基又はアリル基である請求項７に記載の熱もしくは光硬化性組成物。
【請求項９】
前記ラジカル重合性を示さないアルケニル基を２つ以上有する化合物（ＭＣ）が、多官能アリル化合物である請求項７又は８に記載の熱もしくは光硬化性組成物。
【請求項１０】
ラジカルもしくはカチオン重合性官能基を有する化合物（Ｂ）を含む請求項１〜９のいずれか１項に記載の熱もしくは光硬化性組成物。
【請求項１１】
前記化合物（Ｂ）が、ラジカル重合性官能基を有する化合物である請求項１０に記載の熱もしくは光硬化性組成物。
【請求項１２】
熱もしくは光重合開始剤を含有する請求項１〜１１のいずれか１項に記載の熱もしくは光硬化性組成物。
【請求項１３】
請求項１〜１２のいずれか１項に記載の熱もしくは光硬化性組成物を硬化してなる絶縁膜。
【請求項１４】
請求項１３に記載の絶縁膜をゲート絶縁層として有する薄膜トランジスタ。
【請求項１５】
前記ゲート絶縁層が、ゲート電極と該ゲート電極上に設けられた半導体層との間に設けられてなる請求項１４に記載の薄膜トランジスタ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、熱もしくは光硬化性組成物、並びに、それを用いた絶縁膜及び薄膜トランジスタに関する。
【背景技術】
【０００２】
液晶ディスプレイ、有機ＥＬディスプレイ及び電気泳動型ディスプレイ等の表示装置等は、薄膜トランジスタ（ＴＦＴという）等の半導体素子を備えている。
【０００３】
ＴＦＴは、ゲート電極、ゲート絶縁層、ソース電極及びドレイン電極を有し、ソース電極−ドレイン電極間が半導体層で連結された構造を有している。このようなＴＦＴにおいて、ゲート電極に電圧が印加されると、ソース電極−ドレイン電極間の半導体層と、この半導体層に隣接するゲート絶縁層との界面近傍に電流の流路（チャネル）が形成される。すなわち、ゲート電極に印加される入力電圧に応じてソース電極とドレイン電極との間を流れる電流が制御される。
このように半導体層に隣接して設けられるゲート絶縁層は、半導体層とともに電流の流路を形成する機能を有する。したがって、半導体層はもちろん、ゲート絶縁層やゲート絶縁層を形成する材料も、ＴＦＴの性能向上に、重要となる。
【０００４】
ゲート絶縁層を形成する材料として、ポリオルガノシロキサン化合物を含有する組成物が知られている。例えば、特許文献１には、シアヌル酸等の特定の環構造を有する変性ポリオルガノシロキサン化合物を含有する硬化性組成物が記載されている。他にも、アルキル基やアリール基を有するポリオルガノシロキサン化合物を含有する材料又は光硬化性組成物が特許文献２及び３に記載されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２０１０−２８５５１８号公報
【特許文献２】国際公開第２００９／１１６３７３号パンフレット
【特許文献３】特開２０１１−１８７５５８号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかし、従来のポリオルガノシロキサン化合物を含有する組成物を用いてゲート絶縁層を形成すると、有機半導体層を形成する有機半導体材料をゲート絶縁層上に均一に塗布できないことがある（ゲート絶縁層に対する有機半導体材料の塗布性が悪い）。したがって、形成される半導体層の膜質が低下し、このようなゲート絶縁層及び半導体層を有する薄膜トランジスタは十分なＴＦＴ特性を発揮しえない。また、湿熱環境下におけるＴＦＴ特性、例えばキャリア移動度が経時により低下し、ＴＦＴ特性の湿熱安定性も十分ではない。
ここで、湿熱環境とは、薄膜トランジスタの使用環境を想定したものであり、例えば、温度０〜６０℃、相対湿度３０〜６０％の環境をいう。
【０００７】
本発明は、有機半導体材料の塗布性を改善し、またＴＦＴ特性の湿熱安定性を向上させる熱もしくは光硬化性組成物、並びに、この熱もしくは光硬化性組成物を用いた絶縁膜及び薄膜トランジスタを提供することを課題とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明者らは、絶縁層を形成するための、ポリオルガノシロキサン化合物を含有する硬化性組成物について検討した。その結果、ポリオルガノシロキサン化合物に硬化反応に与らない特定のヘテロ環を導入することにより、この硬化性組成物の硬化物に対する、有機半導体材料の塗布性を改善できることを見出した。しかも、この硬化性組成物の硬化物をゲート絶縁層として設けるとＴＦＴ特性の湿熱安定性が向上することも見出した。本発明は、これらの知見に基づいて完成された。
【０００９】
上記の課題は以下の手段により解決された。
［１］少なくとも下記一般式（Ｉ）で表される構造ユニットＡ及び構造ユニットＢを有するポリオルガノシロキサン化合物（ＡＰ）を含む熱もしくは光硬化性組成物。
【００１０】
【化１】
2015198115.tif 000003
【００１１】
一般式（Ｉ）中、Ｒ１、Ｒ２及びＲ３はそれぞれ独立に炭素数１〜４のアルキル基又はフェニル基を表す。Ｌ１は単結合又は２価の連結基を表す。Ｒｘは、酸素原子、窒素原子及び硫黄原子の少なくとも１つを含み、炭素原子数が３つ以上の、脂肪族もしくは芳香族ヘテロ環基を表す。ただし、Ｒｘはシアヌル環基を除く。ａ及びｂは、それぞれ、ポリオルガノシロキサン化合物（ＡＰ）中の構造ユニットＡ及び構造ユニットＢの含有率を表し、１〜９９モル％である。
【００１２】
［２］ポリオルガノシロキサン化合物（ＡＰ）が下記一般式（ＩＩ）で表される構造ユニットＡ、構造ユニットＢ及び構造ユニットＣを有する［１］に記載の熱もしくは光硬化性組成物。
【００１３】
【化２】
2015198115.tif 000004
【００１４】
一般式（ＩＩ）中、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｌ１及びＲｘはそれぞれ一般式（Ｉ）のＲ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｌ１及びＲｘと同義である。Ｒ４は炭素数１〜４のアルキル基又はフェニル基を表す。Ｌ２は単結合又は２価の連結基を表し、Ｒｙはラジカルもしくはカチオン重合性官能基を表す。ａ、ｂ及びｃは、それぞれ、ポリオルガノシロキサン化合物（ＡＰ）中の構造ユニットＡ、構造ユニットＢ及び構造ユニットＣの含有率を表し、１〜９８モル％である。
【００１５】
［３］Ｒｘが、含窒素脂肪族ヘテロ環又は含窒素芳香族ヘテロ環である［１］又は［２］に記載の熱もしくは光硬化性組成物。
［４］Ｒｘが、ピペリジン環基、ピペラジン環基、モルホリン環基、キヌクリジン環基、ピロリジン環基、アゼチジン環基、アゼチジン−２−オン環基、アジリジン環基、トロパン環基、ピロール環基、フラン環基、チオフェン環基、イミダゾール環基、ピラゾール環基、１，２，３−トリアゾール環基、１，２，４−トリアゾール環基、テトラゾール環基、オキサゾール環基、イソオキサゾール環基、チアゾール環基、イソチアゾール環基、チアジアゾール環基、ホスホール環基、ピリジン環基、ピリミジン環基、ピリダジン環基、ピラジン環基、１，２，３−トリアジン環基、１，２，４−トリアジン環基、キノリン環基、イソキノリン環基、キナゾリン環基、フタラジン環基、プテリジン環基、クマリン環基、クロモン環基、１，４−ベンゾジアゼピン環基、インドール環基、ベンズイミダゾール環基、ベンゾトリアゾール環基、ベンゾフラン環基、プリン環基、アクリジン環基、フェノキサジン環基、フェノチアジン環基、ベンゾチアジアゾール環基、イソベンゾフラン環基、イソインドール環基、ベンゾ（ｂ）チオフェン環基、ベンゾ（ｃ）チオフェン環基、ベンゾホスホール環基、インダゾール環基、ベンゾオキサゾール環基、ベンゾイソオキサゾール環基、ベンゾチアゾール環基、キノキサリン環基、シンノリン環基からなる群より選択される少なくとも１種である［１］〜［３］のいずれかに記載の熱もしくは光硬化性組成物。
［５］Ｒｙが、ラジカル重合性官能基である［１］〜［４］のいずれかに記載の熱もしくは光硬化性組成物。
［６］Ｒｙが、（メタ）アクリロイルオキシ基又はスチリル基である［１］〜［５］のいずれかに記載の熱もしくは光硬化性組成物。
［７］ポリオルガノポリシロキサン化合物（ＡＰ）の少なくとも一部がヒドロシリル基を有し、ポリオルガノポリシロキサン化合物のヒドロシリル基と、ラジカル重合性を示さないアルケニル基を２つ以上有する化合物（ＭＣ）とが反応して得られる変性ポリオルガノシロキサン化合物（ｍＡＰ）を含む［１］〜［６］のいずれかに記載の熱もしくは光硬化性組成物。
［８］ラジカル重合性を示さないアルケニル基が、ビニル基又はアリル基である［７］に記載の熱もしくは光硬化性組成物。
［９］ラジカル重合性を示さないアルケニル基を２つ以上有する化合物（ＭＣ）が、多官能アリル化合物である［７］又は［８］に記載の熱もしくは光硬化性組成物。
［１０］ラジカルもしくはカチオン重合性官能基を有する化合物（Ｂ）を含む［１］〜［９］のいずれかに記載の熱もしくは光硬化性組成物。
［１１］化合物（Ｂ）が、ラジカル重合性官能基を有する化合物である［１０］に記載の熱もしくは光硬化性組成物。
［１２］熱もしくは光重合開始剤を含有する［１］〜［１１］のいずれかに記載の熱もしくは光硬化性組成物。
［１３］［１］〜［１２］のいずれかに記載の熱もしくは光硬化性組成物を硬化してなる絶縁膜。
［１４］［１３］に記載の絶縁膜をゲート絶縁層として有する薄膜トランジスタ。
［１５］ゲート絶縁層が、ゲート電極とゲート電極上に設けられた半導体層との間に設けられてなる［１４］に記載の薄膜トランジスタ。
【００１６】
本明細書において、特定の符号で表示された置換基や連結基等（以下、置換基等という）が複数あるとき、又は複数の置換基等を同時に規定するときには、それぞれの置換基等は互いに同一でも異なっていてもよいことを意味する。このことは、置換基等の数の規定についても同様である。また、式中に同一の表示で表された複数の部分構造の繰り返しがある場合は、各部分構造ないし繰り返し単位は同一でも異なっていてもよい。また、特に断らない場合であっても、複数の置換基等が近接（特に隣接）するときにはそれらが互いに連結したり縮環したりして環を形成していてもよい。
【００１７】
本明細書において化合物の表示については、その化合物そのもののほか、その塩、そのイオンを含む意味に用いる。また、目的の効果を奏する範囲で、構造の一部を変化させたものを含む意味である。
【００１８】
本明細書において置換・無置換を明記していない基（連結基についても同様）については、所望の効果を奏する範囲で、その基に任意の置換基を有していてもよい意味である。これは置換・無置換を明記していない化合物についても同義である。
【００１９】
なお、本明細書において「〜」を用いて表される数値範囲は、「〜」前後に記載される数値を下限値及び上限値として含む範囲を意味する。
【発明の効果】
【００２０】
本発明の熱もしくは光硬化性組成物及びこれを硬化してなる絶縁膜は、有機半導体材料の塗布性を改善し、しかもＴＦＴ特性の湿熱安定性を向上させることができる。
また、本発明の薄膜トランジスタは、ＴＦＴ特性が高く、その湿熱安定性にも優れる。
【図面の簡単な説明】
【００２１】
【図１】本発明の半導体素子の一例である有機薄膜トランジスタの構造を模式的に示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００２２】
［熱もしくは光硬化性組成物］
本発明の熱もしくは光硬化性組成物（本発明の硬化性組成物という）は、少なくとも下記一般式（Ｉ）で表される構造ユニットＡ及び構造ユニットＢを有するポリオルガノシロキサン化合物（ＡＰ）を含有する。好ましくは、ラジカルもしくはカチオン重合性官能基を有する化合物（Ｂ）を含有する。
本発明の硬化性組成物は、熱、光又は熱及び光により、硬化して、硬化物となる。
【００２３】
［ポリオルガノシロキサン化合物（ＡＰ）］
本発明に用いるポリオルガノシロキサン化合物（ＡＰ）は、下記一般式（Ｉ）で表される構造ユニットＡ及び構造ユニットＢを有する。
【００２４】
【化３】
2015198115.tif 000005
【００２５】
一般式（Ｉ）中、Ｒ１、Ｒ２及びＲ３は、それぞれ独立に、炭素数１〜４のアルキル基又はフェニル基を表す。アルキル基としては、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基が挙げられる。このアルキル基は、直鎖でも分岐鎖でもよい。アルキル基の炭素数は１又は２が好ましい。Ｒ１、Ｒ２及びＲ３は、それぞれ独立に、メチル基又はフェニル基が好ましく、メチル基がさらに好ましい。
【００２６】
Ｌ１は、単結合又は２価の連結基を表す。
２価の連結基としては、後述する連結基Ｌと同義であり、下記一般式（Ｌ−１）〜（Ｌ−２５）のいずれかで表される２価の連結基、又は、下記一般式（Ｌ−１）〜（Ｌ−２５）のいずれかで表される２価の連結基が２つ以上結合してなる２価の連結基が好ましい。各一般式において、波線部分はケイ素原子との結合位置、又は、一般式（Ｌ−１）〜（Ｌ−２５）の＊との結合位置を表す。＊はＲｘとの結合位置、又は、一般式（Ｌ−１）〜（Ｌ−２５）の波線部分との結合位置を表す。
２価の連結基が有してもよい置換基としては後述の置換基Ｔが挙げられる。
【００２７】
【化４】
2015198115.tif 000006
【００２８】
なかでも、Ｌ１は、一般式（Ｌ−１）、（Ｌ−４）、（Ｌ−７）、（Ｌ−９）、（Ｌ−１０）、（Ｌ−１３）で表される２価の連結基、又は、これらのうち１つ以上の連結基が結合してなる２価の連結基が、より好ましい。
Ｌ１は、２つ以上の一般式（Ｌ−１）が結合してなる２価の連結基、１つ以上の一般式（Ｌ−１）と１つ以上の一般式（Ｌ−４）とが結合してなる２価の連結基、１つ以上の一般式（Ｌ−１）と１つ以上の一般式（Ｌ−７）とが結合してなる２価の連結基、１つ以上の一般式（Ｌ−１）と１つの一般式（Ｌ−９）とが結合してなる２価の連結基がさらに好ましい。
【００２９】
Ｌ１が、一般式（Ｌ−１）〜（Ｌ−２５）のいずれかで表される２価の連結基が結合してなる連結基である場合、一般式（Ｌ−１）〜（Ｌ−２５）のいずれかで表される２価の連結基の結合数は２〜１５であることが好ましく、２〜１０であることがさらに好ましく、２〜４であることが特に好ましい。
【００３０】
Ｌ１は、特に好ましくは、−（ＣＨ２）ｎ−、−（ＣＨ２）ｎ−Ｏ−Ｃ（＝Ｏ）−である。ここで、ｎは２〜４の整数を示す。
【００３１】
Ｒｘは、酸素原子、窒素原子及び硫黄原子の少なくとも１つのヘテロ原子と、３つ以上の炭素原子を環構成原子とする脂肪族ヘテロ環基又は芳香族ヘテロ環基を示す。
脂肪族ヘテロ環基又は芳香族ヘテロ環基のヘテロ環基は、電極との密着性の点で、環構成原子として少なくとも窒素原子を含有する含窒素脂肪族ヘテロ環、含窒素芳香族ヘテロ環が好ましく、含窒素芳香族ヘテロ環がさらに好ましい。環構成原子としてヘテロ原子を複数有する場合、複数のヘテロ原子はそれぞれ異なっても同一でもよい。
ヘテロ環を構成するヘテロ原子数は、少なくとも１つであればよく、好ましくは２〜４つであり、より好ましくは２又は３つであり、特に好ましくは２つである。環構成原子としての炭素原子数は３以上であればよく、ヘテロ原子数及び環員数に応じて適宜に決定される。炭素原子数は３〜５であることが好ましい。なお、Ｒｘが複数のヘテロ環基を有する場合、それぞれにつき、上記環構成原子数を満たすのが好ましい。
【００３２】
ヘテロ環基となるヘテロ環は、５又は６員環が好ましく、芳香族炭素環、芳香族ヘテロ環、脂肪族ヘテロ環又は脂環が縮環してもよい。縮環する環は芳香族炭素環が好ましく、ベンゼン環が特に好ましい。芳香族炭素環又は脂環はポリオルガノシロキサン化合物（ＡＰ）の主鎖側に縮環するのが好ましい。縮環する環の数は特に限定されないが、１〜４が好ましく、１〜３がより好ましく、１又は２がさらに好ましい。
【００３３】
本発明において、ヘテロ環基Ｒｘは、シアヌル環基（トリアジン−２，４，６−トリオール環及びトリアジン−２，４，６−トリオン環）、及び、トリアジン−２，４，６−トリオール環のアルキル置換体を含まない。
【００３４】
ヘテロ環基は、置換基を有していてもよい。このような置換基Ｔとしては、例えば、アルキル基（好ましくは炭素数１〜６）、シクロアルキル基（好ましくは炭素数３〜１０）、アリール基（好ましくは炭素数６〜１５）、ハロゲン原子、水酸基、アルコキシ基（好ましくは炭素数１〜６）、カルボキシル基、アルコキシカルボニル基（好ましくは炭素数２〜７）、オキソ基（＝Ｏ）及びこれら基を組み合わせてなる基（好ましくは総炭素数１〜３０、より好ましくは総炭素数１〜１５）が挙げられる。
【００３５】
脂肪族ヘテロ環基としては、特に限定されないが、例えば、ピペリジン環基、ピペラジン環基、モルホリン環基、チオモルホリン環基、キヌクリジン環基、ピロリジン環基、アゼチジン環基、オキセタン環基、アゼチジン−２−オン環基、アジリジン環基、トロパン環基が挙げられる。
【００３６】
芳香族ヘテロ環基としては、特に限定されないが、五員環芳香族ヘテロ環基、六員環芳香族ヘテロ環基又は多環芳香族ヘテロ環基等が好ましく挙げられる。
五員環芳香族ヘテロ環基としては、具体的には、ピロール環基、フラン環基、チオフェン環基、イミダゾール環基、ピラゾール環基、１，２，３−トリアゾール環基、１，２，４−トリアゾール環基、テトラゾール環基、オキサゾール環基、イソオキサゾール環基、チアゾール環基、イソチアゾール環基、チアジアゾール環基、ホスホール環基が挙げられる。
六員環芳香族ヘテロ環基としては、ピリジン環基、ピリミジン環基、ピリダジン環基、ピラジン環基、１，２，３−トリアジン環基、１，３，５−トリアジン環基等の含窒素ヘテロ環が挙げられる。
【００３７】
多環芳香族ヘテロ環基としては、キノリン環基、イソキノリン環基、キナゾリン環基、フタラジン環基、プテリジン環基、クマリン環基、クロモン環基、１，４−ベンゾジアゼピン環基、インドール環基、ベンズイミダゾール環基、ベンゾトリアゾール環基、ベンゾフラン環基、プリン環基、アクリジン環基、フェノキサジン環基、フェノチアジン環基、ベンゾチアジアゾール環基、イソベンゾフラン環基、イソインドール環基、ベンゾ（ｂ）チオフェン環基、ベンゾ（ｃ）チオフェン環基、ベンゾホスホール環基、インダゾール環基、ベンゾオキサゾール環基、ベンゾイソオキサゾール環基、ベンゾチアゾール環基、キノキサリン環基、シンノリン環基が挙げられる。
【００３８】
ヘテロ環基としては、ピリジン環基、１，２，３−トリアジン環基、１，３，５−トリアジン環基、ベンゾトリアゾール環基、ベンゾチアゾール環基、ベンズイミダゾール環基、ベンゾ（ｂ）チオフェン環基、ベンゾ（ｃ）チオフェン環基、ベンゾオキサゾール環基、ベンゾチアジアゾール環基が好ましく、ベンゾトリアゾール環基、ベンゾチアゾール環基、ベンゾチアジアゾール環基が特に好ましい。
【００３９】
ヘテロ環基の連結基Ｌ１との結合位置は、特に限定されないが、ヘテロ原子に隣接する環構成原子以外の原子であることが好ましい。例えば、連結基Ｌ１に結合する環構成原子を１位としたときにヘテロ原子が３位以上の位置にあるのが好ましい。
【００４０】
ポリオルガノシロキサン化合物（ＡＰ）が複数のヘテロ環基Ｒｘを有する場合、複数のヘテロ環基Ｒｘは互いに同一でも異なっていてもよい。
なお、Ｒｘは、連結基Ｌ１に１つ結合していることが好ましい。本発明ではこの結合数に限定されず、ｎ個（ｎは２以上の整数）のＲｘが連結基Ｌ１に結合してもよい。この場合、構造ユニットＢの側鎖は「−Ｌ１−（Ｒｘ）ｎ」で表され、Ｌ１はｎの連結基となる。
【００４１】
ポリオルガノシロキサン化合物（ＡＰ）は、下記一般式（ＩＩ）で表される構造ユニットＡ、構造ユニットＢ及び構造ユニットＣを有するのが好ましい。
【００４２】
【化５】
2015198115.tif 000007
【００４３】
一般式（ＩＩ）において、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｌ１及びＲｘは、それぞれ、一般式（Ｉ）のＲ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｌ１及びＲｘと同義であり、好ましいものも同じである。
【００４４】
Ｒ４は、炭素数１〜４のアルキル基又はフェニル基を表し、Ｒ１と同義であり、好ましいものも同じである。
Ｌ２は、単結合又は２価の連結基を表し、一般式（Ｉ）のＬ１と同義であり、好ましいものも同じである。
【００４５】
Ｒｙは、ラジカル重合性官能基又はカチオン重合性官能基を表し、ラジカル重合性官能基が好ましい。
ラジカル重合性官能基としては、ラジカルにより重合可能な官能基であれば特に限定されず、例えば、ラジカル重合可能なエチレン性不飽和結合（ラジカル重合性不飽和二重結合）又はエチレン性不飽和結合を有する重合性基が挙げられる。エチレン性不飽和結合を有する重合性基はエチレン性不飽和結合を少なくとも１つ以上有するものであればどのような基でもよいが、エチレン性不飽和結合を１つ有する基であることが好ましい。
具体的には、例えば、（メタ）アクリル酸エステル基（（メタ）アクリロイルオキシ基）、イタコン酸エステル基（イタコノイルオキシ基）、クロトン酸エステル基（クロトノイルオキシ基）、イソクロトン酸エステル基（イソクロトノイルオキシ基）、マレイン酸エステル基（マレイノイルオキシ基）等の不飽和カルボン酸エステル基（不飽和カルボノイルオキシ基）、スチリル基、アクリルアミド基、ビニルエーテル基等が挙げられる。なかでも、（メタ）アクリロイルオキシ基、スチリル基が好ましい。
このラジカル重合性官能基は置換基Ｔを有していてもよい。
【００４６】
カチオン重合性官能基としては、カチオンにより重合可能な官能基であれば特に限定されず、例えば、後述するカチオン重合性化合物が有する基が挙げられる。具体的には、エポキシ基、オキセタニル基、ビニルエーテル基、環状ラクトン基等が挙げられる。
エポキシ基及びオキセタニル基は、脂環等の環と縮合していてもよい。このようなエポキシ基又はオキセタニル基として、下記の基を好ましく挙げることができるが、本発明はこれらに限定されない。なお、下記の各基において、連結基Ｌ２と結合する位置は特に限定されない。
【００４７】
【化６】
2015198115.tif 000008
【００４８】
カチオン重合性官能基としては、エポキシ基、オキセタン基が好ましく、エポキシシクロヘキシル基がさらに好ましい。
カチオン重合性官能基は置換基Ｔを有していてもよい。
【００４９】
ポリオルガノシロキサン化合物（ＡＰ）は、上記構造ユニットＡ〜Ｃ以外の構造ユニット又は繰り返し単位を有していてもよい。
このような構造ユニットとして、ヒドロシリル（Ｓｉ−Ｈ）基を有する構造ユニットＤが挙げられる。構造ユニットＤを有するポリオルガノシロキサン化合物（ＡＰ）は、下記一般式（Ｉ−ａ）又は（ＩＩ−ａ）で表される各構造ユニットを有するのが好ましい。
【００５０】
【化７】
2015198115.tif 000009
【００５１】
一般式（Ｉ−ａ）中、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｌ１及びＲｘはそれぞれ一般式（Ｉ）のＲ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｌ１及びＲｘと同義である。Ｒ５は、炭素数１〜４のアルキル基又はフェニル基を表し、Ｒ１と同義であり、好ましいものも同じである。
【００５２】
【化８】
2015198115.tif 000010
【００５３】
一般式（ＩＩ−ａ）中、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４、Ｌ１、Ｌ２、Ｒｘ及びＲｙは、それぞれ、一般式（ＩＩ）のＲ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４、Ｌ１、Ｌ２、Ｒｘ及びＲｙと同義である。Ｒ５は上記の通りである。
【００５４】
オルガノポリシロキサン化合物（ＡＰ）は、その少なくとも一部がヒドロシリル基（構造ユニットＤ）を有し、このヒドロシリル基とラジカル重合性を示さないアルケニル基を２つ以上有する化合物（ＭＣ）とが反応して得られる変性ポリオルガノシロキサン化合物（ｍＡＰ）を含んでいてもよい。すなわち、本発明の硬化性組成物は、オルガノポリシロキサン化合物（ＡＰ）が有するヒドロシリル基と化合物（ＭＣ）とが反応して得られる変性ポリオルガノシロキサン化合物（ｍＰＡ）を、オルガノポリシロキサン化合物（ＡＰ）の少なくとも一部として、含んでいてもよい。
変性ポリオルガノシロキサン化合物（ｍＡＰ）は、化合物（ＭＣ）、反応条件、反応割合等によって、一義的には決定されないが、例えば、構造ユニットＤに化合物（ＭＣ）が付加反応してなる構造ユニットＥを有する化合物、化合物（ＭＣ）を架橋剤として構造ユニットＤが架橋してなる網目状高分子等が挙げられる。この網目状高分子は、本発明の熱もしくは光硬化性組成物の硬化物（絶縁膜として機能させるため目的とする架橋を有する）に対して、目的とする架橋に到達していない部分的な架橋を有するものである。部分的な架橋は、特に限定されないが、例えば、後述する構造ユニットＥの含有率ｅで規定できる。
【００５５】
変性ポリオルガノシロキサン化合物（ｍＡＰ）は、ポリオルガノシロキサン（ＡＰ）の少なくとも一部であればよく、ポリオルガノシロキサン化合物（ＡＰ）中の変性ポリオルガノシロキサン化合物（ｍＡＰ）の含有率は、特に限定されない。例えば１０〜１００質量％である。
ヒドロシリル基を有するポリオルガノシロキサン化合物（ＡＰ）としては、特に限定されないが、上記一般式（Ｉ−ａ）又は（ＩＩ−ａ）で表される化合物、及び、後述する市販品等が挙げられる。
【００５６】
アルケニル基は、ラジカル重合性を示さず、構造ユニットＤと反応するものであれば特に限定されない。ここで、「ラジカル重合性を示さないアルケニル基」は、Ｑ値が０．２以下の非共役二重結合性モノマーを構成するアルケニル基を示す。上記Ｑ値は、ビニルモノマーの重合反応性を推定する尺度として、ＡｌｆｒｅｙとＰｒｉｃｅが提唱した「Ｑ，ｅ−Ｓｃｈｅｍｅ」のＱ値である。「Ｑ，ｅ−Ｓｃｈｅｍｅ」についての説明、種々のモノマーのＱ値については、ポリマーハンドブック（２ｎｄ  ｅｄｉｔｉｏｎ  Ｊ．Ｂｒａｎｄｒｕｐ、Ｅ．Ｈ．Ｉｍｍｅｒｇｕｔ編）を参照することができる。また、実験によってもＱ値を推定することができる。
【００５７】
このようなアルケニル基としては、上記Ｒｙで示される重合性官能基とは異なるアルケニル基が挙げられ、具体的には、ビニル基、アリル基、メタリル基、２−ヒドロキシ−３−（アリルオキシ）プロピル基、２−アリルフェニル基、３−アリルフェニル基、４−アリルフェニル基、２−（アリルオキシ）フェニル基、３−（アリルオキシ）フェニル基、４−（アリルオキシ）フェニル基、２−（アリルオキシ）エチル基、２、２−ビス（アリルオキシメチル）ブチル基、３−アリルオキシ−２、２−ビス（アリルオキシメチル）プロピル基、ビニルエーテル基等が挙げられる。反応性の点から、ビニル基、アリル基、ビニルエーテル基等が好ましく、ビニル基、アリル基が特に好ましい。
【００５８】
化合物（ＭＣ）として、例えば多官能アリル化合物が好適に挙げられる。具体的には、ジアリルフタレート、トリアリルトリメリテート、ジエチレングリコールビスアリルカーボネート、トリメチロールプロパンジアリルエーテル、トリメチロールプロパントリアリルエーテル、ペンタエリスリトールトリアリルエーテル、ペンタエリスリトールテトラアリルエーテル、１，１，２，２−テトラアリロキシエタン、ジアリリデンペンタエリスリット、トリアリルシアヌレート、１，２，４−トリビニルシクロヘキサン、１，４−ブタンジオールジアリルエーテル、ノナンジオールジアリルエーテル、１，４−シクロへキサンジメタノールジアリルエーテル、トリエチレングリコールジアリルエーテル、トリメチロールプロパントリビニルエーテル、ペンタエリスリトールテトラビニルエーテル、ビスフェノールＳのジアリルエーテル、ジビニルベンゼン、ジビニルビフェニル、１，３−ジイソプロペニルベンゼン、１，４−ジイソプロペニルベンゼン、１，３−ビス（アリルオキシ）アダマンタン、１，３−ビス（ビニルオキシ）アダマンタン、１，３，５−トリス（アリルオキシ）アダマンタン、１，３，５−トリス（ビニルオキシ）アダマンタン、ジシクロペンタジエン、ビニルシクロへキセン、１，５−ヘキサジエン、１，９−デカジエン、ジアリルエーテル、ビスフェノールＡジアリルエーテル、２，５−ジアリルフェノールアリルエーテル、及びそれらのオリゴマー、１，２−ポリブタジエン（１、２比率１０〜１００％のもの、好ましくは１、２比率５０〜１００％のもの）、ノボラックフェノールのアリルエーテル、アリル化ポリフェニレンオキサイド、その他、公知のエポキシ樹脂のグリシジル基の全部をアリル基に置き換えたもの等が挙げられる。
他にも下記に示す多官能アリル化合物も好ましく挙げられる。
【００５９】
【化９】
2015198115.tif 000011
【００６０】
また、特許文献１の段落［００８１］に記載の有機重合体化合物及び同公報の段落［００７９］に記載のポリオルガノシロキサン化合物、アルケニル基を含む置換基で置換されたシアヌル環基（例えば、モノアリルイソシアヌル酸、ジアリルイソシアヌル酸、トリアリルイソシアヌル酸）、さらにアルケニル基以外の官能基を有する化合物も挙げられる。アルケニル基以外の基としては、特に限定されないが、例えば、上記カチオン重合性官能基等が挙げられる。
【００６１】
変性ポリオルガノシロキサン化合物（ｍＰＡ）は、オルガノポリシロキサン化合物（ＡＰ）のヒドロシリル基と化合物（ＭＣ）とを反応させてなる。
このヒドロシリル化反応においては、ヒドロシリル化触媒を用いるのが好ましい。ヒドロシリル化触媒は、公知のものを特に限定されることなく用いることができるが、触媒活性の点で、塩化白金酸、白金オレフィン錯体、白金ビニルシロキサン錯体等が好ましい。また、これらの触媒は単独で使用してもよく、２種以上併用してもよい。
触媒の使用量は、特に限定されないが、ヒドロシリル化反応を速やかに進行させるためには、アルケニル基１モルに対して好ましくは１０−８モル以上、より好ましくは１０−６モル以上であり、一方、アルケニル基１モルに対して好ましくは１０−１モル以下、より好ましくは１０−２モル以下である。
【００６２】
上記触媒に加えて、助触媒を用いることもできる。助触媒としては、例えば、トリフェニルホスフィン等のリン化合物、ジメチルマレート等の１、２−ジエステル化合物、２−ヒドロキシ−２−メチル−１−ブチン、１−エチニル−１−シクロヘキサノール等のアセチレンアルコール化合物、単体の硫黄等の硫黄化合物等が挙げられる。助触媒の使用量は、特に限定されないが、ヒドロシリル化触媒１モルに対して好ましくは１０−２モル以上、より好ましくは１０−１モル以上であり、一方、アルケニル基１モルに対して好ましくは１０２モル以下、より好ましくは１０モル以下である。
【００６３】
オルガノポリシロキサン化合物（ＡＰ）と化合物（ＭＣ）との反応割合は、特に限定されないが、総アルケニル基量に対する総ヒドロシリル基量が１〜３０であることが好ましく、１〜１５であることが好ましい。
【００６４】
反応温度は、特に限定されず、適宜に設定できるが、好ましく３０℃以上、より好ましくは５０℃以上であり、一方、好ましくは２００℃以下、より好ましくは１５０℃以下である。反応温度が低いと十分に反応させるための反応時間が長くなり、反応温度が高いと実用的でない。反応は一定の温度で行ってもよいが、必要に応じて多段階又は連続的に温度を変化させてもよい。
【００６５】
反応時間、反応時の圧力も必要に応じて適宜に設定できる。またヒドロシリル化反応の際に酸素を使用できる。反応容器の気相部に酸素を添加することで、ヒドロシリル化反応を促進できる。酸素の添加量を爆発限界下限以下とする点から、気相部の酸素体積濃度は３％以下に管理する必要がある。酸素添加によるヒドロシリル化反応の促進効果が見られるという点からは、気相部の酸素体積濃度は０．１％以上が好ましく、１％以上がより好ましい。
【００６６】
ヒドロシリル化反応において、溶媒を使用することもできる。溶媒としては、ヒドロシリル化反応を阻害しない限り特に限定されない。例えば、ベンゼン、トルエン、ヘキサン、ヘプタン等の炭化水素溶媒、テトラヒドロフラン、１，４−ジオキサン、１，３−ジオキソラン、ジエチルエーテル等のエーテル溶媒、アセトン、メチルエチルケトン等のケトン溶媒、クロロホルム、塩化メチレン、１，２−ジクロロエタン等のハロゲン溶媒が挙げられる。溶媒は２種類以上の混合溶媒として用いることもできる。溶媒としては、トルエン、テトラヒドロフラン、１，３−ジオキソラン、クロロホルムが好ましい。使用する溶媒量も適宜設定できる。
【００６７】
ポリオルガノシロキサン化合物（ＡＰ）は、上記各構造ユニットのランダム共重合体でもよく、ブロック共重合体でもよい。
ポリオルガノシロキサン化合物（ＡＰ）の重量平均分子量（Ｍｗ）は、特に限定されないが、１０００〜５０００００であることが好ましく、１５００〜１０００００であることがより好ましく、２０００〜８００００であることがさらに好ましい。
本発明において、Ｍｗは、例えば、ＨＬＣ−８１２０（東ソー社製）を用い、カラムとしてＴＳＫ  ｇｅｌ  Ｍｕｌｔｉｐｏｒｅ  ＨＸＬ−Ｍ（東ソー社製、７．８ｍｍＨＤ×３０．０ｃｍ）を用いて、溶離液としてＴＨＦ（テトラヒドロフラン）又はＮＭＰ（Ｎ−メチル−２−ピロリドン）を用いることで求めることができる。Ｍｗはポリスチレン換算値である。
【００６８】
ポリオルガノシロキサン化合物（ＡＰ）を形成する各構造ユニットの含有率は、特に限定されず、各構造ユニットの合計が１００モル％となるように、下記範囲から選択される。したがって、ポリオルガノシロキサン化合物（ＡＰ）が一般式（Ｉ）で表される場合、構造ユニットＡ及び構造ユニットＢ以外の構造ユニットが存在するときは、構造ユニットＡ及び構造ユニットＢの両含有率の合計が１００モル％にならなくてもよい。
【００６９】
ポリオルガノシロキサン化合物（ＡＰ）が一般式（Ｉ）で表される場合、ポリオルガノシロキサン化合物（ＡＰ）中、−（Ｓｉ（Ｒ１）（Ｒ２）−Ｏ）−で表される構造ユニットＡの含有率ａは、１〜９９モル％であることが好ましく、１〜９０モル％であることがより好ましく、１〜４０モル％であることが特に好ましい。
また、−（Ｓｉ（Ｒ３）（Ｌ１−Ｒｘ））−で表される構造ユニットＢの含有率ｂは、１〜９９モル％であることが好ましく、１〜９０モル％であることがより好ましく、１〜６０モル％であることが特に好ましい。
【００７０】
ポリオルガノシロキサン化合物（ＡＰ）が一般式（Ｉ−ａ）で表される場合、構造ユニットＡの含有率ａは、１〜９８モル％であることが好ましく、１〜６０モル％であることがより好ましく、１〜４０モル％であることが特に好ましい。
構造ユニットＢの含有率ｂは、１〜９８モル％であることが好ましく、１〜９０モル％であることがより好ましく、１〜６０モル％であることが特に好ましい。
ポリオルガノシロキサン化合物（ＡＰ）中、−（Ｓｉ（Ｒ５）（Ｈ））−で表される構造ユニットＤの含有率ｄは、１〜９０モル％であることが好ましく、１〜６０モル％であることがより好ましく、１〜４０モル％であることが特に好ましい。
【００７１】
ポリオルガノシロキサン化合物（ＡＰ）が一般式（ＩＩ）で表される場合、構造ユニットＡの含有率ａは、１〜９８モル％であることが好ましく、１〜９０モル％であることがより好ましく、１〜４０モル％であることが特に好ましい。
また、構造ユニットＢの含有率ｂは、１〜９８モル％であることが好ましく、１〜９０モル％であることがより好ましく、１〜６０モル％であることが特に好ましい。
ポリオルガノシロキサン化合物（ＡＰ）中、−（Ｓｉ（Ｒ４）（Ｌ２−Ｒｙ））−で表される構造ユニットＣの含有率ｃは、１〜９８モル％であることが好ましく、１〜９０モル％であることがより好ましく、１〜６０モル％であることがさらに好ましく、１〜４０モル％であることが特に好ましい。
【００７２】
ポリオルガノシロキサン化合物（ＡＰ）が一般式（ＩＩ−ａ）で表される場合、構造ユニットＡの含有率ａは、１〜９７モル％であることが好ましく、１〜９０モル％であることがより好ましく、１〜４０モル％であることが特に好ましい。
構造ユニットＢの含有率ｂは、１〜９７モル％であることが好ましく、１〜９０モル％であることがより好ましく、１〜６０モル％であることが特に好ましい。
構造ユニットＣの含有率ｃは、１〜９７モル％であることが好ましく、１〜９０モル％であることがより好ましく、１〜６０モル％であることが特に好ましい。
構造ユニットＤの含有率ｄは、１〜９７モル％であることが好ましく、１〜９０モル％であることがより好ましく、１〜４０モル％であることが特に好ましい。
【００７３】
また、上記構造ユニットＥの、ポリオルガノシロキサン化合物中の含有率は、１〜４０モル％であることが好ましく、１〜２０モル％であることがより好ましく、１〜１０モル％であることが特に好ましい。
【００７４】
各構造ユニットの含有率は、例えば、ＮＭＲ測定装置（ブルカー・バイオスピン社製；ＡＶＡＮＣＥＩＩＩ４００型）を用い、１Ｈ−ＮＭＲ又は１３Ｃ−ＮＭＲにより、求めることができる。
【００７５】
本発明に用いるポリオルガノシロキサン化合物（ＡＰ）の具体例を以下に示すが、本発明はこれらに限定されるものではない。なお、下記具体的において各構造ユニットの含有率は上記範囲内にある。
【００７６】
【化１０】
2015198115.tif 000012
【００７７】
ポリオルガノシロキサン化合物（ＡＰ）は、各構造ユニットを構成する繰り返し単位となる前駆体、例えばケイ素のアルコキシド等を用いて、加水分解、縮合反応、付加反応又は開環重合等の従来公知の方法に準じて、合成できる。
また、上記のように、ヒドロシリル化反応により、−（Ｌ１−Ｒｘ）、−（Ｌ２−Ｒｙ）等を導入して合成することもできる。
このヒドロシリル化反応に使用できる、ヒドロシリル基を有するポリオルガノシロキサンとしては、特に限定されないが、以下のものが挙げられる。
ポリヒドロシロキサンとして、例えば、ＨＭＳ−９９１、ＨＭＳ９９２、ＨＭＳ−９９３（商品名、いずれも、Ｇｅｌｅｓｔ社製）、ヒドロシロキサンとジメチルシロキサンとの共重合体として、例えば、ＨＭＳ−０１３、０３１、０６４、０７１、０８２、１５１、３０１、５０１（商品名、いずれも、Ｇｅｌｅｓｔ社製）、メチルヒドロシロキサンとフェニルメチルシロキサンとの共重合体として、例えば、ＨＰＭ−５０２（商品名、Ｇｅｌｅｓｔ社製）等が挙げられる。
【００７８】
ポリオルガノシロキサン化合物（ＡＰ）の硬化性組成物中の含有率は、硬化性組成物の全固形分に対して、好ましくは３０〜１００質量％、より好ましくは４０〜９０質量％、特に好ましくは４５〜９０質量％である。
【００７９】
［ラジカルもしくはカチオン重合性官能基を有する化合物（Ｂ）］
本発明の硬化性組成物は、ラジカルもしくはカチオン重合性官能基を有する化合物（単に、化合物（Ｂ）という）を含有することが、硬化性の点で、好ましい。
硬化性の点で、ラジカル重合性官能基及びカチオン重合性官能基は２つ以上であることが好ましく、３つ以上であることがより好ましい。
【００８０】
＜ラジカル重合性官能基を有する化合物（Ｂ１）＞
化合物（Ｂ１）は、ラジカル重合可能なラジカル重合性官能基としてエチレン性不飽和基を有する化合物であるのが好ましく、分子中にラジカル重合性官能基を少なくとも１つ有する化合物であれば特に限定されない。化合物（Ｂ１）は分子中にラジカル重合性官能基を２つ以上有するのが好ましく、２〜６つ有するのがさらに好ましい。化合物（Ｂ１）は１種又は２種以上を併用できる。
【００８１】
化合物（Ｂ１）としては、例えば、（メタ）アクリル酸、イタコン酸、クロトン酸、イソクロトン酸、マレイン酸等の不飽和カルボン酸及びこれらの塩、エチレン性不飽和基を有する無水物、アクリロニトリル、スチレン、不飽和ポリエステル、不飽和ポリエーテル、不飽和ポリアミド、不飽和ウレタン等が挙げられる。
【００８２】
アクリル酸化合物として、具体的には、２−エチルヘキシルアクリレート、２−ヒドロキシエチルアクリレート、ブトキシエチルアクリレート、カルビトールアクリレート、シクロヘキシルアクリレート、テトラヒドロフルフリルアクリレート、ベンジルアクリレート、ビス（４−アクリロキシポリエトキシフェニル）プロパン、ネオペンチルグリコールジアクリレート、１，６−ヘキサンジオールジアクリレート、エチレングリコールジアクリレート、ジエチレングリコールジアクリレート、トリエチレングリコールジアクリレート、テトラエチレングリコールジアクリレート、ポリエチレングリコールジアクリレート、ポリプロピレングリコールジアクリレート、ペンタエリスリトールトリアクリレート、ペンタエリスリトールテトラアクリレート、ジペンタエリスリトールテトラアクリレート、トリメチロールプロパントリアクリレート、テトラメチロールメタンテトラアクリレート、オリゴエステルアクリレート、Ｎ−メチロールアクリルアミド、ジアセトンアクリルアミド、エポキシアクリレート等が挙げられる。
【００８３】
メタクリル酸化合物として、具体的には、メチルメタクリレート、ｎ−ブチルメタクリレート、２−エチルヘキシルメタクリレート、ラウリルメタクリレート、アリルメタクリレート、グリシジルメタクリレート、ベンジルメタクリレート、ジメチルアミノメチルメタクリレート、１，６−ヘキサンジオールジメタクリレート、エチレングリコールジメタクリレート、トリエチレングリコールジメタクリレート、ポリエチレングリコールジメタクリレート、ポリプロピレングリコールジメタクリレート、トリメチロールエタントリメタクリレート、トリメチロールプロパントリメタクリレート、２，２−ビス（４−メタクリロキシポリエトキシフェニル）プロパン等が挙げられる。
【００８４】
その他には、例えば、アリルグリシジルエーテル、ジアリルフタレート、トリアリルトリメリテート等のアリル化合物が挙げられる。
また、「架橋剤ハンドブック」（山下晋三編、１９８１年大成社）、「ＵＶ・ＥＢ硬化ハンドブック（原料編）」（加藤清視編、１９８５年、高分子刊行会）、「ＵＶ・ＥＢ硬化技術の応用と市場」（ラドテック研究会編、７９頁、１９８９年、シーエムシー）、「ポリエステル樹脂ハンドブック」（滝山栄一郎著、１９８８年、日刊工業新聞社）等に記載の市販品若しくは公知のラジカル重合性又は架橋性のモノマー、オリゴマー及びポリマーを用いることができる。
【００８５】
また、化合物（Ｂ１）として、例えば、特開平７−１５９９８３号、特公平７−３１３９９号、特開平８−２２４９８２号、特開平１０−８６３号、特開平９−１３４０１１号等の各公報に記載されている光重合性組成物に用いられる、光硬化型の重合性化合物材料も、挙げることができる。
【００８６】
化合物（Ｂ１）の硬化性組成物中の含有率は、硬化性組成物の全固形分に対して、好ましくは１〜８０質量％、より好ましくは５〜７０質量％、特に好ましくは１０〜６０質量％である。
【００８７】
＜カチオン重合性官能基を有する化合物（Ｂ２）＞
化合物（Ｂ２）は、カチオン重合可能なカチオン重合性官能基としてエポキシ基、オキセタニル基、ビニルエーテル基のいずれかを有する化合物であるのが好ましく、分子中にカチオン重合性官能基を少なくとも１つ有する化合物であれば特に限定されない。化合物（Ｂ２）は分子中にカチオン重合性官能基を２つ以上有するのが好ましく、２〜６つ有するのがさらに好ましい。化合物（Ｂ２）は１種又は２種以上を併用できる。
【００８８】
化合物（Ｂ２）は、例えば、特開平６−９７１４号、特開２００１−３１８９２号、特開２００１−４００６８号、特開２００１−５５５０７号、特開２００１−３１０９３８号、特開２００１−３１０９３７号及び特開２００１−２２０５２６号等の各公報に記載されている、エポキシ化合物、ビニルエーテル化合物及びオキセタン化合物等が挙げられる。
【００８９】
エポキシ化合物としては、芳香族エポキシド、脂環式エポキシド、脂肪族エポキシド等が挙げられる。
芳香族エポキシドとしては、少なくとも１個の芳香族核を有する多価フェノールあるいはそのアルキレンオキサイド付加体とエピクロルヒドリンとの反応によって製造されるジ又はポリグリシジルエーテルが挙げられる。具体的には、例えば、ビスフェノールＡあるいはそのアルキレンオキサイド付加体のジ又はポリグリシジルエーテル、水素添加ビスフェノールＡあるいはそのアルキレンオキサイド付加体のジ又はポリグリシジルエーテル、並びに、ノボラック型エポキシ樹脂等が挙げられる。ここでアルキレンオキサイドとしては、エチレンオキサイド及びプロピレンオキサイド等が挙げられる。
【００９０】
脂環式エポキシドとしては、少なくとも１個のシクロへキセン又はシクロペンテン環等のシクロアルカン環を有する化合物を、過酸化水素、過酸等の適当な酸化剤でエポキシ化することによって得られる、シクロヘキセンオキサイド又はシクロペンテンオキサイド含有化合物が好ましく挙げられる。具体的には、脂環等の環と縮合した上記エポキシ基及びオキセタニル基が挙げられる。
【００９１】
脂肪族エポキシドとしては、脂肪族多価アルコールあるいはそのアルキレンオキサイド付加体のジ又はポリグリシジルエーテル等が挙げられる。その代表例としては、エチレングリコールのジグリシジルエーテル、プロピレングリコールのジグリシジルエーテル又は１，６−ヘキサンジオールのジグリシジルエーテル等のアルキレングリコールのジグリシジルエーテル、グリセリンあるいはそのアルキレンオキサイド付加体のジ又はトリグリシジルエーテル等の多価アルコールのポリグリシジルエーテル、ポリエチレングリコールあるいはそのアルキレンオキサイド付加体のジグリシジルエーテル、ポリプロピレングリコールあるいはそのアルキレンオキサイド付加体のジグリシジルエーテルに代表されるポリアルキレングリコールのジグリシジルエーテル等が挙げられる。ここでアルキレンオキサイドとしては、エチレンオキサイド及びプロピレンオキサイド等が挙げられる。
【００９２】
本発明では、単官能エポキシ化合物及び多官能エポキシ化合物を用いることができる。
単官能エポキシ化合物の例としては、例えば、フェニルグリシジルエーテル、ｐ−ｔｅｒｔ−ブチルフェニルグリシジルエーテル、ブチルグリシジルエーテル、２−エチルヘキシルグリシジルエーテル、アリルグリシジルエーテル、１，２−ブチレンオキサイド、１，３−ブタジエンモノオキサイド、１，２−エポキシドデカン、エピクロロヒドリン、１，２−エポキシデカン、スチレンオキサイド、シクロヘキセンオキサイド、３−メタクリロイルオキシメチルシクロヘキセンオキサイド、３−アクリロイルオキシメチルシクロヘキセンオキサイド、３−ビニルシクロヘキセンオキサイド等が挙げられる。
【００９３】
多官能エポキシ化合物の例としては、例えば、ビスフェノールＡジグリシジルエーテル、ビスフェノールＦジグリシジルエーテル、ビスフェノールＳジグリシジルエーテル、臭素化ビスフェノールＡジグリシジルエーテル、臭素化ビスフェノールＦジグリシジルエーテル、臭素化ビスフェノールＳジグリシジルエーテル、エポキシノボラック樹脂、水添ビスフェノールＡジグリシジルエーテル、水添ビスフェノールＦジグリシジルエーテル、水添ビスフェノールＳジグリシジルエーテル、３，４−エポキシシクロヘキシルメチル−３’，４’−エポキシシクロヘキサンカルボキシレート、２−（３，４−エポキシシクロヘキシル−５，５−スピロ−３，４−エポキシ）シクロヘキサン−メタ−ジオキサン、ビス（３，４−エポキシシクロヘキシルメチル）アジペート、ビニルシクロヘキセンオキサイド、４−ビニルエポキシシクロヘキサン、ビス（３，４−エポキシ−６−メチルシクロヘキシルメチル）アジペート、３，４−エポキシ−６−メチルシクロヘキシル−３’，４’−エポキシ−６’−メチルシクロヘキサンカルボキシレート、メチレンビス（３，４−エポキシシクロヘキサン）、ジシクロペンタジエンジエポキサイド、エチレングリコールのジ（３，４−エポキシシクロヘキシルメチル）エーテル、エチレンビス（３，４−エポキシシクロヘキサンカルボキシレート）、エポキシヘキサヒドロフタル酸ジオクチル、エポキシヘキサヒドロフタル酸ジ−２−エチルヘキシル、１，４−ブタンジオールジグリシジルエーテル、１，６−ヘキサンジオールジグリシジルエーテル、グリセリントリグリシジルエーテル、トリメチロールプロパントリグリシジルエーテル、ポリエチレングリコールジグリシジルエーテル、ポリプロピレングリコールジグリシジルエーテル、１，１，３−テトラデカジエンジオキサイド、リモネンジオキサイド、１，２，７，８−ジエポキシオクタン、１，２，５，６−ジエポキシシクロオクタン等が挙げられる。
【００９４】
これらのエポキシ化合物のなかでも、芳香族エポキシド及び脂環式エポキシドが、硬化速度に優れる点で、好ましく、特に脂環式エポキシドが好ましい。
【００９５】
ビニルエーテル化合物としては、単官能ビニルエーテル化合物及び多官能ビニルエーテル化合物が挙げられる。
単官能ビニルエーテル化合物としては、具体的には、メチルビニルエーテル、エチルビニルエーテル、ｎ−プロピルビニルエーテル、イソプロピルビニルエーテル、ｎ−ブチルビニルエーテル、イソブチルビニルエーテル、ｔ−ブチルビニルエーテル、２−エチルヘキシルビニルエーテル、オクタデシルビニルエーテル、ドデシルビニルエーテル、ｎ−ノニルビニルエーテル、ラウリルビニルエーテル、シクロヘキシルビニルエーテル、シクロヘキシルメチルビニルエーテル、４−メチルシクロヘキシルメチルビニルエーテル、シクロヘキサンジメタノールモノビニルエーテル、ベンジルビニルエーテル、ジシクロペンテニルビニルエーテル、２−ジシクロペンテノキシエチルビニルエーテル、メトキシエチルビニルエーテル、エトキシエチルビニルエーテル、ブトキシエチルビニルエーテル、メトキシエトキシエチルビニルエーテル、エトキシエトキシエチルビニルエーテル、メトキシポリエチレングリコールビニルエーテル、テトラヒドロフリフリルビニルエーテル、２−ヒドロキシエチルビニルエーテル、２−ヒドロキシプロピルビニルエーテル、４−ヒドロキシブチルビニルエーテル、４−ヒドロキシメチルシクロヘキシルメチルビニルエーテル、ジエチレングリコールモノビニルエーテル、ポリエチレングリコールビニルエーテル、クロルエチルビニルエーテル、クロルブチルビニルエーテル、クロルエトキシエチルビニルエーテル、フェニルエチルビニルエーテル、フェノキシポリエチレングリコールビニルエーテル、イソプロペニルエーテル−ｏ−プロピレンカーボネート等が挙げられる。
【００９６】
多官能ビニルエーテル化合物としては、具体的には、エチレングリコールジビニルエーテル、ジエチレングリコールジビニルエーテル、トリエチレングリコールジビニルエーテル、ポリエチレングリコールジビニルエーテル、プロピレングリコールジビニルエーテル、ジプロピレングリコールジビニルエーテル、ブチレングリコールジビニルエーテル、ブタンジオールジビニルエーテル、ヘキサンジオールジビニルエーテル、シクロヘキサンジメタノールジビニルエーテル、ビスフェノールＡアルキレンオキサイドジビニルエーテル、ビスフェノールＦアルキレンオキサイドジビニルエーテル、などのジビニルエーテル類；トリメチロールエタントリビニルエーテル、トリメチロールプロパントリビニルエーテル、ジトリメチロールプロパンテトラビニルエーテル、グリセリントリビニルエーテル、ペンタエリスリトールテトラビニルエーテル、ジペンタエリスリトールペンタビニルエーテル、ジペンタエリスリトールヘキサビニルエーテル、エチレンオキサイド付加トリメチロールプロパントリビニルエーテル、プロピレンオキサイド付加トリメチロールプロパントリビニルエーテル、エチレンオキサイド付加ジトリメチロールプロパンテトラビニルエーテル、プロピレンオキサイド付加ジトリメチロールプロパンテトラビニルエーテル、エチレンオキサイド付加ペンタエリスリトールテトラビニルエーテル、プロピレンオキサイド付加ペンタエリスリトールテトラビニルエーテル、エチレンオキサイド付加ジペンタエリスリトールヘキサビニルエーテル、プロピレンオキサイド付加ジペンタエリスリトールヘキサビニルエーテルなどの多官能ビニルエーテル類等が挙げられる。
ビニルエーテル化合物としては、ジ又はトリビニルエーテル化合物が硬化性等の点で好ましく、特にジビニルエーテル化合物が好ましい。
【００９７】
オキセタン化合物は、オキセタン環を有する化合物であればよく、例えば、特開２００１−２２０５２６号、特開２００１−３１０９３７号、特開２００３−３４１２１７号の各公報に記載されるオキセタン化合物を用いることができる。
【００９８】
また、分子内に１〜４個のオキセタン環を有する化合物として、特開２００７−９１９４６号公報の段落［００３７］〜段落［００５１］に記載された、一般式（１）〜（４）で示される化合物も挙げられる。
オキセタン化合物は、その構造内にオキセタン環を１〜４個有する化合物が好ましい。
【００９９】
化合物（Ｂ２）の硬化性組成物中の含有率は、硬化性組成物の全固形分に対して、好ましくは１〜８０質量％、より好ましくは５〜７０質量％、特に好ましくは１０〜６０質量％である。
【０１００】
［重合開始剤］
本発明の硬化性組成物は、重合開始剤を含有するのが好ましい。重合開始剤は、Ｒｙ、化合物（Ｂ）に応じて、ラジカル重合開始剤、カチオン重合開始剤が用いられる。
【０１０１】
＜ラジカル重合開始剤＞
ラジカル重合開始剤としては、公知のものを特に限定されることなく用いることができる。好ましくは、芳香族ケトン類、アシルホスフィンオキシド化合物、芳香族オニウム塩化合物、有機過酸化物、チオ化合物、ヘキサアリールビイミダゾール化合物、ケトオキシムエステル化合物、ボレート化合物、アジニウム化合物、メタロセン化合物、活性エステル化合物、炭素ハロゲン結合を有する化合物及びアルキルアミン化合物等が挙げられる。
ラジカル重合開始剤は、単独で用いてもよいし、併用してもよい。硬化の点からは、２種以上のラジカル重合開始剤を併用することが好ましい。
本発明の硬化性組成物中のラジカル重合開始剤の含有率は、硬化性組成物の全固形分換算で、０．０１〜２０質量％が好ましく、より好ましくは０．０５〜１０質量％、さらに好ましくは０．１〜７質量％である。
【０１０２】
＜カチオン重合開始剤＞
カチオン重合開始剤としては、公知のものを特に限定されることなく用いることができる。例えば、スルホニウム化合物としてＣＰ−１００Ｐ（商品名、サンアプロ社製）、ヨードニウム化合物としてＷＰＩ−１１３（商品名、和光純薬工業社製）等が挙げられる。
また、特開２００７−９１９４６号公報に記載の「放射線の照射により酸を発生する化合物及び放射線の照射により分解するオニウム塩ハロゲン化物」を用いることもできる。
カチオン重合開始剤は、単独で用いてもよいし、併用してもよい。
【０１０３】
本発明の硬化性組成物中のカチオン重合開始剤の含有率は、硬化性組成物の全固形分換算で、０．１〜１０質量％が好ましく、より好ましくは０．１〜８質量％、さらに好ましくは０．１〜５質量％である。
【０１０４】
［その他の成分］
本発明の硬化性組成物は、上記成分の他に、各種の添加剤を含有していてもよい。例えば、溶媒、バインダーとしての樹脂、酸化防止剤、紫外線吸収剤、界面活性剤、粘度調整剤、ゲル化剤、無機又は有機物からなるフィラー等が挙げられる。
【０１０５】
溶媒としては、特に限定されないが、例えば、エチレングリコールモノメチルエーテル、メチルセロソルブアセテート、ジエチレングリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコール、プロピレングリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコールモノブチルエーテル、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、トルエン、キシレン、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン、シクロヘキサノン、２−ヒドロキシプロピオン酸エチル、酢酸ブチル、乳酸エチル、乳酸ブチル、エタノール、１−プロパノール、２−プロパノール、１−ブタノール、２−ブタノール、イソブタノール等を用いることができる。これらの有機溶剤は単独で、又は二種以上を併用できる。
なかでも、トルエン、プロピレングリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、乳酸エチル、乳酸ブチル、シクロヘキサノン、エタノール、１−ブタノールが、レベリング性の向上の観点から好ましい。
【０１０６】
［調製方法］
本発明の硬化性組成物は、上記成分を混合することにより、調製できる。このときの条件は、特に限定されない。例えば、スターラー攪拌、超音波分散、ボールミル分散等により混合して調製できる。
【０１０７】
［用途］
本発明の硬化性組成物は、半導体素子の絶縁層、好ましくはＴＦＴのゲート絶縁層、特に好ましくは電極及び電極上に設けられた半導体層の間に設けられる絶縁層を、形成する材料として、用いられる。
【０１０８】
［絶縁膜］
本発明の絶縁膜は、本発明の硬化性組成物を硬化してなる膜である。
本発明の硬化性組成物を硬化すると、例えば、ポリオルガノシロキサン化合物（ＡＰ）の構造ユニットＣ及び化合物（Ｂ）が有するラジカルもしくはカチオン重合性官能基が重合（硬化）反応して、ポリオルガノシロキサン化合物（ＡＰ）が網目状に架橋した硬化物となる。このとき、ヘテロ環基Ｒｘは、重合反応に与らず、硬化性組成物が硬化した後もフリー（未反応）の状態で存在する。これにより、有機半導体材料の塗布性を改善し、またＴＦＴ特性の安定性を向上させることができる。
【０１０９】
本発明の硬化性組成物を熱硬化させる場合、硬化条件は、硬化反応が進行すれば特に限定されないが、例えば、加熱温度は２０〜２３０℃が好ましく、４０〜２００℃がより好ましく、加熱時間は５分〜２４時間が好ましく、１０分〜１２時間がより好ましい。
本発明の硬化性組成物を光硬化させる場合、硬化条件は、硬化反応が進行すれば特に限定されないが、例えば、高圧水銀灯、低圧水銀灯、メタルハライド、キセノンランプ、発光ダイオード（ＬＥＤ）等による照射条件が挙げられる。
照射する放射線は、重合開始剤から開始種を発生させうるエネルギーを付与できるものであれば特に限定されず、例えば、α線、γ線、Ｘ線、紫外線、可視光線、電子線が挙げられる。
【０１１０】
［薄膜トランジスタ］
本発明の薄膜トランジスタは、本発明の硬化性組成物を硬化してなる絶縁膜をゲート絶縁層として有するものであれば、その他の構成等は特に限定されない。
本発明の薄膜トランジスタとしては、有機半導体材料からなる有機半導体層を備えた有機薄膜トランジスタ（ＯＴＦＴ）が特に好ましい。
【０１１１】
以下に、本発明の好ましいＴＦＴについて説明するが、本発明のＴＦＴはこれに限定されるものではない。
【０１１２】
本発明のＴＦＴは、基板上に、ゲート電極と、半導体層と、ゲート電極及び半導体層の間に設けられたゲート絶縁層と、半導体層に接して設けられ、半導体層を介して連結されたソース電極及びドレイン電極とを有する。ＴＦＴにおいては、通常、半導体層とゲート絶縁層が隣接して設けられる。このようなＴＦＴでは、上記のようにしてソース電極とドレイン電極との間を流れる電流が制御される。
【０１１３】
本発明のＴＦＴの好ましい構造を図面に基づいて説明する。各図面に示されるＴＦＴは、本発明の理解を容易にするための模式図であり、各部材のサイズないし相対的な大小関係等は説明の便宜上大小を変えている場合があり、実際の関係をそのまま示すものではない。また、本発明で規定する事項以外はこれらの図面に示された外形、形状に限定されるものでもない。例えば、図１（Ａ）及び（Ｂ）において、ゲート電極５は必ずしも基板６のすべてを覆っている必要はなく、基板６の中央部分に設けられた形態も、本発明のＴＦＴの形態として好ましい。
【０１１４】
図１（Ａ）〜（Ｄ）は、各々、ＴＦＴの代表的な好ましい構造を模式的に表わす縦断面図である。図１（Ａ）〜（Ｄ）において、１は半導体層、２はゲート絶縁層、３はソース電極、４はドレイン電極、５はゲート電極、６は基板を示す。
また、図１（Ａ）は、ボトムゲート・ボトムコンタクト構造、図１（Ｂ）は、ボトムゲート・トップコンタクト構造、図１（Ｃ）はトップゲート・ボトムコンタクト構造、図１（Ｄ）はトップゲート・トップコンタクト構造のＴＦＴを示している。
本発明のＴＦＴには上記４つの形態のすべてが包含される。図示を省略するが、各ＴＦＴの図面最上部（基板６に対して反対側の最上部）には、オーバーコート層が形成されている場合もある。
【０１１５】
ボトムゲート構造は、ゲート絶縁層２がゲート電極５とゲート電極５上の半導体層１との間に設けられるものであり、具体的には、基板６上にゲート電極５、ゲート絶縁層２及び半導体層１がこの順で配置されたものである。一方、トップゲート構造は、基板６上に半導体層１、ゲート絶縁層２及びゲート電極５がこの順で配置されたものである。
また、ボトムコンタクト構造は、半導体層１に対して基板６側（すなわち、図１において下方）にソース電極３及びドレイン電極４が配置されたものである。一方、トップコンタクト構造は、半導体層１に対して基板６の反対側にソース電極３及びドレイン電極４が配置されたものである。
【０１１６】
［基板］
基板は、ＴＦＴ及びその上に作製される表示パネル等を支持できるものであればよい。基板は、表面に絶縁性があり、シート状で、表面が平坦であれば特に限定されない。
【０１１７】
基板の材料として、無機材料を用いてもよい。無機材料からなる基板として、例えば、ソーダライムガラス、石英ガラス等の各種ガラス基板や、表面に絶縁膜が形成された各種ガラス基板、表面に絶縁膜が形成されたシリコン基板、サファイヤ基板、ステンレス鋼、アルミニウム、ニッケル等の各種合金や各種金属からなる金属基板、金属箔、紙等を挙げることができる。
基板がステンレスシート、アルミ箔、銅箔又はシリコンウェハ等の導電性あるいは半導体性の材料で形成されている場合、通常は、表面に絶縁性の高分子材料あるいは金属酸化物等を塗布又は積層して用いられる。
【０１１８】
また、基板の材料として、有機材料を用いてもよい。例えば、ポリメチルメタクリレート（ポリメタクリル酸メチル、ＰＭＭＡ）やポリビニルアルコール（ＰＶＡ）、ポリビニルフェノール（ＰＶＰ）、ポリエーテルスルホン（ＰＥＳ）、ポリイミド、ポリアミド、ポリアセタール、ポリカーボネート（ＰＣ）、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）、ポリエチルエーテルケトン、ポリオレフィン、ポリシクロオレフィンに例示される有機ポリマーから構成された可撓性を有するプラスチック基板（プラスチックフィルム、プラスチックシートともいう）を挙げることができる。また雲母で形成したものも挙げることができる。
このような可撓性を有するプラスチック基板等を使用すれば、例えば曲面形状を有するディスプレイ装置や電子機器へのＴＦＴの組込みあるいは一体化が可能となる。
【０１１９】
基板を形成する有機材料は、他の層の積層時や加熱時に軟化し難いことから、ガラス転移点が高いことが好ましく、ガラス転移点が４０℃以上であるのが好ましい。また、製造時の熱処理により寸法変化を起こし難く、トランジスタ性能の安定性に優れる点から、線膨張係数が小さいことが好ましい。例えば、線膨張係数が２５×１０−５ｃｍ／ｃｍ・℃以下である材料が好ましく、１０×１０−５ｃｍ／ｃｍ・℃以下である材料がさらに好ましい。
また、基板を構成する有機材料は、ＴＦＴ作製時に用いる溶媒に対する耐性を有する材料が好ましく、また、ゲート絶縁層及び電極との密着性に優れる材料が好ましい。
さらに、ガスバリア性の高い有機ポリマーからなるプラスチック基板を用いることも好ましい。
基板の少なくとも片面に緻密なシリコン酸化膜等を設けたり、無機材料を蒸着又は積層したりすることも好ましい。
【０１２０】
基板として、上記の他に、導電性基板（金やアルミニウム等の金属からなる基板、高配向性グラファイトからなる基板、ステンレス鋼製基板等）も挙げることができる。
【０１２１】
基板には、密着性や平坦性を改善するためのバッファー層、ガスバリア性を向上させるためのバリア膜等の機能性膜、また表面に易接着層等の表面処理層を形成してもよいし、コロナ処理、プラズマ処理、ＵＶ／オゾン処理等の表面処理を施してもよい。
【０１２２】
基板の厚みは、１０ｍｍ以下であるのが好ましく、２ｍｍ以下であるのがさらに好ましく、１ｍｍ以下であるのが特に好ましい。また、一方で、０．０１ｍｍ以上であるのが好ましく、０．０５ｍｍ以上であるのがさらに好ましい。特に、プラスチック基板の場合は、厚みが０．０５〜０．１ｍｍ程度であるのが好ましい。また、無機材料からなる基板の場合は、厚みが０．１〜１０ｍｍ程度であるのが好ましい。
【０１２３】
［ゲート電極］
ゲート電極は、ＴＦＴのゲート電極として用いられている従来公知の電極を用いることができる。ゲート電極を構成する導電性材料（電極材料ともいう）としては、特に限定されない。例えば、白金、金、銀、アルミニウム、クロム、ニッケル、銅、モリブデン、チタン、マグネシウム、カルシウム、バリウム、ナトリウム、パラジウム、鉄、マンガン等の金属；ＩｎＯ２、ＳｎＯ２、インジウム・錫酸化物（ＩＴＯ）、フッ素ドープ酸化錫（ＦＴＯ）、アルミニウムドープ酸化亜鉛（ＡＺＯ）、ガリウムドープ酸化亜鉛（ＧＺＯ）等の導電性金属酸化物；ポリアニリン、ポリピロール、ポリチオフェン、ポリアセチレン、ポリ（３，４−エチレンジオキシチオフェン）／ポリスチレンスルホン酸（ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ）等の導電性高分子；塩酸、硫酸、スルホン酸等の酸、ＰＦ６、ＡｓＦ５、ＦｅＣｌ３等のルイス酸、ヨウ素等のハロゲン原子、ナトリウム、カリウム等の金属原子等のドーパントを添加した上記導電性高分子、並びに、カーボンブラック、グラファイト粉、金属微粒子等を分散した導電性の複合材料等が挙げられる。これらの材料は、１種のみを用いても、２種以上を任意の組み合わせ及び比率で併用してもよい。
また、ゲート電極は、上記導電性材料からなる１層でもよく、２層以上を積層してもよい。
【０１２４】
ゲート電極の形成方法に制限は無い。例えば、真空蒸着法等の物理蒸着法（ＰＶＤ）、化学蒸着法（ＣＶＤ法）、スパッタ法、印刷法（塗布法）、転写法、ゾルゲル法、メッキ法等により形成された膜を、必要に応じて所望の形状にパターンニングする方法が挙げられる。
塗布法では、上記材料の溶液、ペースト又は分散液を調製、塗布し、乾燥、焼成、光硬化又はエージング等により、膜を形成し、又は直接電極を形成できる。
また、インクジェット印刷、スクリーン印刷、（反転）オフセット印刷、凸版印刷、凹版印刷、平版印刷、熱転写印刷、マイクロコンタクトプリンティング法等は、所望のパターニングが可能であり、工程の簡素化、コスト低減、高速化の点で好ましい。
スピンコート法、ダイコート法、マイクログラビアコート法、ディップコート法を採用する場合も、下記フォトリソグラフィー法等と組み合わせてパターニングすることができる。
【０１２５】
フォトリソグラフィー法としては、例えば、フォトレジストのパターニングと、エッチング液によるウェットエッチングや反応性のプラズマによるドライエッチング等のエッチングやリフトオフ法等とを組み合わせる方法等が挙げられる。
他のパターニング方法として、上記材料に、レーザーや電子線等のエネルギー線を照射して、研磨し、又は材料の導電性を変化させる方法も挙げられる。
さらに、基板以外の支持体に印刷したゲート電極用組成物を基板等の下地層の上に転写させる方法も挙げられる。
【０１２６】
ゲート電極の厚みは、任意であるが、１ｎｍ以上が好ましく、１０ｎｍ以上が特に好ましい。また、５００ｎｍ以下が好ましく、２００ｎｍ以下が特に好ましい。
【０１２７】
［ゲート絶縁層］
ゲート絶縁層は、絶縁性を有する層であれば特に限定されず、単層であってもよいし、多層であってもよい。
ゲート絶縁層は、本発明の絶縁膜により形成されている。ゲート絶縁膜は、ゲート電極５又は半導体層１等の表面に、本発明の硬化性組成物を塗布、硬化して、成膜できる。
本発明の硬化性組成物、硬化方法及び条件は上記の通りである。
【０１２８】
ゲート絶縁層は、ヘテロ環基Ｒｘがフリーの状態で存在する硬化物で形成されている。これにより、有機半導体材料の塗布性を改善し、またＴＦＴ特性の安定性を向上させることができる。その詳細についてはまだ定かではないが、次のように考えられる。すなわち、フリーのヘテロ環基Ｒｘは、疎水的な絶縁膜中でドメインを形成しているが、絶縁膜上に比較的極性の高い溶媒有機半導体材料が塗布されると、表面近傍で分子の再構造化により表面の極性が変化し、塗膜が均一になりやすいと考えられる。また、フリーのヘテロ環基Ｒｘにより、絶縁膜に接する電極との相互作用が強固になり、絶縁膜及び電極との密着性が向上する。密着性が向上すると、界面等からの水分混入抑制や空隙発生が抑制されることにより、電極からのマイグレーションが抑えられ、その結果、ＴＦＴ特性の湿熱安定性が向上すると考えられる。
また、ポリオルガノシロキサン化合物（ＡＰ）が一般式（ＩＩ）で表される構造を有していると、ＴＦＴ特性の湿熱安定性の向上効果がさらに高くなる。その詳細についてはまだ定かではないが、疎水的な架橋構造が導入されることにより、半導体内部への水分の浸透が抑制され、またアニールなどの加熱処理の際の耐熱性向上によるものと考えられる。
【０１２９】
ゲート絶縁層は、コロナ処理、プラズマ処理、ＵＶ／オゾン処理等の表面処理を施してもよいが、この場合、処理による表面粗さが粗くしないのが好ましい。好ましくは、ゲート絶縁層表面の算術平均粗さＲａ又は二乗平均粗さＲＭＳは０．５ｎｍ以下である。
【０１３０】
［自己組織化単分子膜層（ＳＡＭ）］
ゲート絶縁層上には、自己組織化単分子膜層を形成することもできる。
自己組織化単分子膜層を形成する化合物としては、自己組織化する化合物であれば特に限定されず、例えば、自己組織化する化合物として、下記式１Ｓで表される一種類以上の化合物を用いることができる。
式１Ｓ：Ｒ１Ｓ−ＸＳ
【０１３１】
式１Ｓ中、Ｒ１Ｓは、アルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アリール基、アルコキシ基、アリールオキシ基、又は、ヘテロ環基（チエニル、ピロリル、ピリジル、フルオレニル等）のいずれかを表す。
ＸＳは吸着性又は反応性置換基を表し、具体的には、−ＳｉＸ４Ｘ５Ｘ６基（Ｘ４は、ハライド基又はアルコキシ基を表し、Ｘ５、Ｘ６はそれぞれ独立にハライド基、アルコキシ基、アルキル基、アリール基を表す。Ｘ４、Ｘ５、Ｘ６はそれぞれ同じであることが好ましく、クロロ基、メトキシ基、エトキシ基であることがより好ましい）、ホスホン酸基（−ＰＯ３Ｈ２）、ホスフィン酸基（−ＰＲＯ２Ｈ、Ｒはアルキル基）、リン酸基、亜リン酸基、アミノ基、ハライド基、カルボキシ基、スルホン酸基、ホウ酸基（−Ｂ（ＯＨ）２）、ヒドロキシ基、チオール基、エチニル基、ビニル基、ニトロ基又はシアノ基のいずれかを表す。
【０１３２】
Ｒ１Ｓは、好ましくは分岐しておらず、例えば、直鎖状のノルマルアルキル（ｎ−アルキル）基や、フェニル基が三個直列に配置されたｔｅｒ−フェニル基や、フェニル基のパラ位の両側にｎ−アルキル基が配置されたような構造が好ましい。また、アルキル鎖の中にエーテル結合を有していてもよく、炭素−炭素の二重結合や三重結合を有していてもよい。
【０１３３】
自己組織化単分子膜層は、吸着性又は反応性置換基ＸＳが、対応するゲート絶縁層表面の反応性部位（例えば−ＯＨ基）と相互作用、吸着又は反応し結合を形成することにより、ゲート絶縁層上に形成される。分子がより緻密に充填されることにより、自己組織化単分子膜層の表面は、より平滑で表面エネルギーの低い表面を与えることから、上記式１Ｓで表される化合物は、主骨格が直線状であり、分子長が揃っていることが好ましい。
【０１３４】
式１Ｓで表される化合物の特に好ましい例として具体的には、例えば、メチルトリクロロシラン、エチルトリクロロシラン、ブチルトリクロロシラン、オクチルトリクロロシラン、デシルトリクロロシラン、オクタデシルトリクロロシラン、フェネチルトリクロロシラン、等のアルキルトリクロロシラン化合物、メチルトリメトキシシラン、エチルトリメトキシシラン、ブチルトリメトキシシラン、オクチルトリメトキシシラン、デシルトリメトキシシラン、オクタデシルトリメトキシシラン等のアルキルトリアルコキシシラン化合物、アルキルホスホン酸、アリールホスホン酸、アルキルカルボン酸、アリールホスホン酸、アルキルホウ酸基、アリールホウ酸基、アルキルチオール基、アリールチオール基等が挙げられる。
【０１３５】
自己組織化単分子膜層は、上記化合物を真空下でゲート絶縁層に蒸着する方法、上記化合物の溶液中にゲート絶縁層を浸漬する方法、Ｌａｎｇｍｕｉｒ−Ｂｌｏｄｇｅｔｔ法等を用いて、形成することができる。また、例えば、アルキルクロロシラン化合物又はアルキルアルコキシシラン化合物を有機溶媒中に１〜１０質量％溶解した溶液でゲート絶縁層を処理することにより形成できる。本発明において、自己組織化単分子膜層を形成する方法はこれらに限るものではない。
例えば、より緻密な自己組織化単分子膜層を得る好ましい方法として、Ｌａｎｇｍｕｉｒ  １９，  １１５９  （２００３）及びＪ．  Ｐｈｙｓ．  Ｃｈｅｍ．  Ｂ  １１０，  ２１１０１  （２００６）等に記載の方法が挙げられる。
【０１３６】
具体的には、上記化合物を分散させた揮発性の高い脱水溶媒中にゲート絶縁層を浸漬させて膜を形成し、ゲート絶縁層を取り出し、必要に応じてアニール等の上記化合物とゲート絶縁層の反応工程を行なった後、脱水溶媒で洗い流してから、乾燥させて自己組織化単分子膜層を形成できる。
脱水溶媒としては、特に限定されないが、例えば、クロロホルム、トリクロロエチレン、アニソール、ジエチルエーテル、ヘキサン、トルエン等を単独又は混合して用いることかできる。
さらに、乾燥雰囲気中又は乾燥気体の噴きつけによって、膜を乾燥させることが好ましい。乾燥気体には窒素等の不活性気体を用いるのが好ましい。このような自己組織化単分子膜層の製造方法を用いることにより、緻密で凝集や欠損のない自己組織化単分子膜層が形成されることから、自己組織化単分子膜層の表面粗さを０．３ｎｍ以下に抑えることができる。
【０１３７】
［半導体層］
半導体層は、半導体性を示し、キャリアを蓄積可能な層である。
半導体層は、有機半導体化合物（単に有機半導体ともいう）で形成される。
以下に説明する有機半導体は、１種を用いても２種以上を併用してもよい。
【０１３８】
有機半導体としては、特に限定されず、有機ポリマー及びその誘導体、低分子化合物等が挙げられる。
本発明において、低分子化合物は、有機ポリマー及びその誘導体以外の化合物を意味する。すなわち、繰り返し単位を有さない化合物をいう。低分子化合物は、このような化合物である限り、分子量は特に限定されるものではない。低分子化合物の分子量は、好ましくは３００〜２０００であり、さらに好ましくは４００〜１０００である。
【０１３９】
低分子化合物としては、縮合多環芳香族化合物が挙げられる。例えば、ナフタセン、ペンタセン（２，３，６，７−ジベンゾアントラセン）、ヘキサセン、ヘプタセン、ジベンゾペンタセン、テトラベンゾペンタセン等のアセン、アントラジチオフェン、ピレン、ベンゾピレン、ジベンゾピレン、クリセン、ペリレン、コロネン、テリレン、オバレン、クオテリレン、サーカムアントラセン、及び、これらの炭素原子の一部をＮ、Ｓ、Ｏ等の原子で置換した誘導体又は上記炭素原子に結合している少なくとも１つの水素原子をカルボニル基等の官能基で置換した誘導体（ペリキサンテノキサンテン及びその誘導体を含むジオキサアンタントレン系化合物、トリフェノジオキサジン、トリフェノジチアジン、ヘキサセン−６，１５−キノン等）、並びに、上記水素原子を他の官能基で置換した誘導体を挙げることができる。
【０１４０】
また、銅フタロシアニンで代表される金属フタロシアニン、テトラチアペンタレン及びその誘導体、ナフタレン−１，４，５，８−テトラカルボン酸ジイミド、Ｎ，Ｎ’−ビス（４−トリフルオロメチルベンジル）ナフタレン−１，４，５，８−テトラカルボン酸ジイミド、Ｎ，Ｎ’−ビス（１Ｈ，１Ｈ−ペルフルオロオクチル）、Ｎ，Ｎ’−ビス（１Ｈ，１Ｈ−ペルフルオロブチル）、Ｎ，Ｎ’−ジオクチルナフタレン−１，４，５，８−テトラカルボン酸ジイミド誘導体、ナフタレン−２，３，６，７−テトラカルボン酸ジイミド等のナフタレンテトラカルボン酸ジイミド、アントラセン−２，３，６，７−テトラカルボン酸ジイミド等のアントラセンテトラカルボン酸ジイミド等の縮合環テトラカルボン酸ジイミド、Ｃ６０、Ｃ７０、Ｃ７６、Ｃ７８、Ｃ８４等のフラーレン及びこれらの誘導体、ＳＷＮＴ等のカーボンナノチューブ、メロシアニン色素、ヘミシアニン色素等の色素とこれらの誘導体等を挙げることもできる。
【０１４１】
さらに、ポリアントラセン、トリフェニレン、キナクリドンを挙げることができる。
【０１４２】
また、低分子化合物としては、例えば、４，４’−ビフェニルジチオール（ＢＰＤＴ）、４，４’−ジイソシアノビフェニル、４，４’−ジイソシアノ−ｐ−テルフェニル、２，５−ビス（５’−チオアセチル−２’−チオフェニル）チオフェン、２，５−ビス（５’−チオアセトキシル−２’−チオフェニル）チオフェン、４，４’−ジイソシアノフェニル、ベンジジン（ビフェニル−４，４’−ジアミン）、ＴＣＮＱ（テトラシアノキノジメタン）、テトラチアフルバレン（ＴＴＦ）及びその誘導体、テトラチアフルバレン（ＴＴＦ）−ＴＣＮＱ錯体、ビスエチレンテトラチアフルバレン（ＢＥＤＴＴＴＦ）−過塩素酸錯体、ＢＥＤＴＴＴＦ−ヨウ素錯体、ＴＣＮＱ−ヨウ素錯体に代表される電荷移動錯体、ビフェニル−４，４’−ジカルボン酸、１，４−ジ（４−チオフェニルアセチリニル）−２−エチルベンゼン、１，４−ジ（４−イソシアノフェニルアセチリニル）−２−エチルベンゼン、１，４−ジ（４−チオフェニルエチニル）−２−エチルベンゼン、２，２”−ジヒドロキシ−１，１’：４’，１”−テルフェニル、４，４’−ビフェニルジエタナール、４，４’−ビフェニルジオール、４，４’−ビフェニルジイソシアネート、１，４−ジアセチニルベンゼン、ジエチルビフェニル−４，４’−ジカルボキシレート、ベンゾ［１，２−ｃ；３，４−ｃ’；５，６−ｃ”］トリス［１，２］ジチオール−１，４，７−トリチオン、α−セキシチオフェン、テトラチアテトラセン、テトラセレノテトラセン、テトラテルルテトラセン、ポリ（３−アルキルチオフェン）、ポリ（３−チオフェン−β−エタンスルホン酸）、ポリ（Ｎ−アルキルピロール）ポリ（３−アルキルピロール）、ポリ（３，４−ジアルキルピロール）、ポリ（２，２’−チエニルピロール）、ポリ（ジベンゾチオフェンスルフィド）を例示することができる。
【０１４３】
有機半導体は、低分子化合物が好ましく、なかでも、縮合多環芳香族化合物が好ましい。縮合多環芳香族化合物はキャリア移動度及び耐久性の向上効果が高く、さらには優れた閾値電圧の低減効果をも示す。
【０１４４】
縮合多環芳香族化合物は、一般式（Ａ１）〜（Ａ４）のいずれかで表されるアセン、及び、下記一般式（Ｃ）〜（Ｔ）のいずれかで表される化合物が好ましく、樹脂（Ｃ）と偏在しやすい点で、下記一般式（Ｃ）〜（Ｔ）のいずれかで表される化合物がより好ましい。
【０１４５】
縮合多環芳香族化合物として好ましいアセンは、下記一般式（Ａ１）又は（Ａ２）で表されるものである。
【０１４６】
【化１１】
2015198115.tif 000013
【０１４７】
式中、ＲＡ１〜ＲＡ６、ＸＡ１及びＸＡ２は、水素原子又は置換基を表す。
ＺＡ１及びＺＡ２は、Ｓ、Ｏ、Ｓｅ又はＴｅを表す。
ｎＡ１及びｎＡ２は０〜３の整数を表す。ただし、ｎＡ１及びｎＡ２が同時に０になることはない。
【０１４８】
ＲＡ１〜ＲＡ６、ＸＡ１及びＸＡ２で各々表される置換基としては、特に限定されないが、アルキル基（例えば、メチル、エチル、プロピル、イソプロピル、ｔｅｒｔ−ブチル、ペンチル、ｔｅｒｔ−ペンチル、ヘキシル、オクチル、ｔｅｒｔ−オクチル、ドデシル、トリデシル、テトラデシル、ペンタデシル等）、シクロアルキル基（例えば、シクロペンチル、シクロヘキシル等）、アルケニル基（例えば、ビニル、アリル、１−プロペニル、２−ブテニル、１，３−ブタジエニル、２−ペンテニル、イソプロペニル等）、アルキニル基（例えば、エチニル、プロパルギル等）、芳香族炭化水素基（芳香族炭素環基、アリール基等ともいい、例えば、フェニル、ｐ−クロロフェニル、メシチル、トリル、キシリル、ナフチル、アントリル、アズレニル、アセナフテニル、フルオレニル、フェナントリル、インデニル、ピレニル、ビフェニリル等）、芳香族複素環基（ヘテロアリール基ともいい、例えば、ピリジル基、ピリミジニル基、フリル基、ピロリル基、イミダゾリル基、ベンゾイミダゾリル基、ピラゾリル基、ピラジニル基、トリアゾリル基（例えば、１，２，４−トリアゾール−１−イル基、１，２，３−トリアゾール−１−イル基等）、オキサゾリル基、ベンゾオキサゾリル基、チアゾリル基、イソオキサゾリル基、イソチアゾリル基、フラザニル基、チエニル基、キノリル基、ベンゾフリル基、ジベンゾフリル基、ベンゾチエニル基、ジベンゾチエニル基、インドリル基、カルバゾリル基、カルボリニル基、ジアザカルバゾリル基（カルボリニル基のカルボリン環を構成する炭素原子の一つが窒素原子で置き換わったものを示す）、キノキサリニル基、ピリダジニル基、トリアジニル基、キナゾリニル基、フタラジニル基等）、複素環基（ヘテロアリール環基等ともいい、例えば、ピロリジル基、イミダゾリジル基、モルホリル基、オキサゾリジル基等）、アルコキシ基（例えば、メトキシ、エトキシ、プロピルオキシ、ペンチルオキシ、ヘキシルオキシ、オクチルオキシ、ドデシルオキシ等）、シクロアルコキシ基（例えば、シクロペンチルオキシ、シクロヘキシルオキシ等）、アリールオキシ基（例えば、フェノキシ、ナフチルオキシ等）、アルキルチオ基（例えば、メチルチオ、エチルチオ、プロピルチオ、ペンチルチオ、ヘキシルチオ、オクチルチオ、ドデシルチオ等）、シクロアルキルチオ基（例えば、シクロペンチルチオ、シクロヘキシルチオ等）、アリールチオ基（例えば、フェニルチオ、ナフチルチオ等）、アルコキシカルボニル基（例えば、メチルオキシカルボニル、エチルオキシカルボニル、ブチルオキシカルボニル、オクチルオキシカルボニル、ドデシルオキシカルボニル等）、アリールオキシカルボニル基（例えば、フェニルオキシカルボニル、ナフチルオキシカルボニル等）、スルファモイル基（例えば、アミノスルホニル、メチルアミノスルホニル、ジメチルアミノスルホニル、ブチルアミノスルホニル、ヘキシルアミノスルホニル、シクロヘキシルアミノスルホニル、オクチルアミノスルホニル、ドデシルアミノスルホニル、フェニルアミノスルホニル、ナフチルアミノスルホニル、２−ピリジルアミノスルホニル等）、アシル基（例えば、アセチル、エチルカルボニル、プロピルカルボニル、ペンチルカルボニル、シクロヘキシルカルボニル、オクチルカルボニル、２−エチルヘキシルカルボニル、ドデシルカルボニル、フェニルカルボニル、ナフチルカルボニル、ピリジルカルボニル等）、アシルオキシ基（例えば、アセチルオキシ、エチルカルボニルオキシ、ブチルカルボニルオキシ、オクチルカルボニルオキシ、ドデシルカルボニルオキシ、フェニルカルボニルオキシ等）、アミド基（例えば、メチルカルボニルアミノ、エチルカルボニルアミノ、ジメチルカルボニルアミノ、プロピルカルボニルアミノ、ペンチルカルボニルアミノ、シクロヘキシルカルボニルアミノ、２−エチルヘキシルカルボニルアミノ、オクチルカルボニルアミノ、ドデシルカルボニルアミノ、フェニルカルボニルアミノ、ナフチルカルボニルアミノ等）、カルバモイル基（例えば、アミノカルボニル、メチルアミノカルボニル、ジメチルアミノカルボニル、プロピルアミノカルボニル、ペンチルアミノカルボニル、シクロヘキシルアミノカルボニル、オクチルアミノカルボニル、２−エチルヘキシルアミノカルボニル、ドデシルアミノカルボニル、フェニルアミノカルボニル、ナフチルアミノカルボニル、２−ピリジルアミノカルボニル等）、ウレイド基（例えば、メチルウレイド、エチルウレイド、ペンチルウレイド、シクロヘキシルウレイド、オクチルウレイド、ドデシルウレイド、フェニルウレイド、ナフチルウレイド、２−ピリジルアミノウレイド等）、スルフィニル基（例えば、メチルスルフィニル、エチルスルフィニル、ブチルスルフィニル、シクロヘキシルスルフィニル、２−エチルヘキシルスルフィニル、ドデシルスルフィニル、フェニルスルフィニル、ナフチルスルフィニル、２−ピリジルスルフィニル等）、アルキルスルホニル基（例えば、メチルスルホニル、エチルスルホニル、ブチルスルホニル、シクロヘキシルスルホニル、２−エチルヘキシルスルホニル、ドデシルスルホニル等）、アリールスルホニル基（フェニルスルホニル、ナフチルスルホニル、２−ピリジルスルホニル等）、アミノ基（例えば、アミノ、エチルアミノ、ジメチルアミノ、ブチルアミノ、シクロペンチルアミノ、２−エチルヘキシルアミノ、ドデシルアミノ、アニリノ、ナフチルアミノ、２−ピリジルアミノ等）、ハロゲン原子（例えば、フッ素原子、塩素原子、臭素原子等）、フッ化炭化水素基（例えば、フルオロメチル、トリフルオロメチル、ペンタフルオロエチル、ペンタフルオロフェニル等）、シアノ基、ニトロ基、ヒドロキシ基、メルカプト基、シリル基（例えば、トリメチルシリル、トリイソプロピルシリル、トリフェニルシリル、フェニルジエチルシリル等）、下記一般式（ＳＧ１）で表される基（ただし、ＸＡはＧｅ又はＳｎ）等が挙げられる。
これらの置換基は、さらに置換基を複数有していてもよい。複数有していてもよい置換基としては、上記、ＲＡ１〜ＲＡ６で表される置換基が挙げられる。
【０１４９】
上記アセンのなかでも、下記一般式（Ａ３）又は（Ａ４）で表されるものがより好ましい。
【０１５０】
【化１２】
2015198115.tif 000014
【０１５１】
式中、ＲＡ７、ＲＡ８、ＸＡ１及びＸＡ２は、水素原子又は置換基を表す。ＲＡ７、ＲＡ８、ＸＡ１及びＸＡ２は同じであっても異なっていてもよい。ＲＡ７及びＲＡ８で表される置換基は一般式（Ａ１）及び（Ａ２）のＲＡ１〜ＲＡ６として採用しうる置換基として上記で列挙したものが好ましい。
ＺＡ１及びＺＡ２は、Ｓ、Ｏ、Ｓｅ又はＴｅを表す。
ｎＡ１及びｎＡ２は０〜３の整数を表す。ただし、ｎＡ１とｎＡ２が同時に０になることはない。
【０１５２】
一般式（Ａ３）又は（Ａ４）において、ＲＡ７及びＲＡ８は、下記一般式（ＳＧ１）で表されるものが好ましい。
【０１５３】
【化１３】
2015198115.tif 000015
【０１５４】
式中、ＲＡ９〜ＲＡ１１は置換基を表す。ＸＡはＳｉ、Ｇｅ又はＳｎを表す。ＲＡ９〜ＲＡ１１で表される置換基は、一般式（Ａ１）及び（Ａ２）のＲＡ１〜ＲＡ６として採用しうる置換基として上記で列挙したものであることが好ましい。
【０１５５】
以下に、一般式（Ａ１）〜（Ａ４）で表されるアセン又はアセン誘導体の具体例を示すが、これらに限定されるものではない。
【０１５６】
【化１４】
2015198115.tif 000016
【０１５７】
【化１５】
2015198115.tif 000017
【０１５８】
【化１６】
2015198115.tif 000018
【０１５９】
【化１７】
2015198115.tif 000019
【０１６０】
縮合多環芳香族化合物としては、さらに、下記一般式（Ｃ）〜（Ｔ）で表される化合物も好ましい。
【０１６１】
【化１８】
2015198115.tif 000020
【０１６２】
一般式（Ｃ）中、ＡＣ１、ＡＣ２は酸素原子、硫黄原子又はセレン原子を表す。好ましくはＡＣ１、ＡＣ２共に酸素原子、硫黄原子を表し、より好ましくは硫黄原子を表す。ＲＣ１〜ＲＣ６は水素原子又は置換基を表す。ＲＣ１〜ＲＣ６のうち少なくとも１つが下記一般式（Ｗ）で表される置換基である。
一般式（Ｄ）中、ＸＤ１及びＸＤ２はＮＲＤ９、酸素原子又は硫黄原子を表す。ＡＤ１はＣＲＤ７又はＮ原子を表し、ＡＤ２はＣＲＤ８又はＮ原子を表し、ＲＤ９は水素原子、アルキル基、アルケニル基、アルキニル基又はアシル基を表す。ＲＤ１〜ＲＤ８は水素原子又は置換基を表し、ＲＤ１〜ＲＤ８のうち少なくとも１つが下記一般式（Ｗ）で表される置換基である。
一般式（Ｅ）中、ＸＥ１及びＸＥ２は酸素原子、硫黄原子又はＮＲＥ７を表す。ＡＥ１及びＡＥ２はＣＲＥ８又は窒素原子を表す。ＲＥ１〜ＲＥ８は水素原子又は置換基を表す。ＲＥ１〜ＲＥ８のうち少なくとも１つが下記一般式（Ｗ）で表される置換基である。
【０１６３】
一般式（Ｆ）中、ＸＦ１及びＸＦ２は酸素原子、硫黄原子又はセレン原子を表す。好ましくはＸＦ１及びＸＦ２は酸素原子、硫黄原子を表し、より好ましくは、硫黄原子を表す。ＲＦ１〜ＲＦ１０、ＲＦａ及びＲＦｂは水素原子又は置換基を表す。ＲＦ１〜ＲＦ１０、ＲＦａ及びＲＦｂのうち少なくとも一つは一般式（Ｗ）で表される置換基である。ｐ及びｑは０〜２の整数を表す。
一般式（Ｇ）中、ＸＧ１及びＸＧ２はＮＲＧ９、酸素原子又は硫黄原子を表す。ＡＧ１はＣＲＧ７又はＮ原子を表す。ＡＧ２はＣＲＧ８又はＮ原子を表す。ＲＧ９は水素原子、アルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アシル基、アリール基又はヘテロアリール基を表す。ＲＧ１〜ＲＧ８は水素原子又は置換基を表す。ＲＧ１〜ＲＧ８のうち少なくとも１つが下記一般式（Ｗ）で表される置換基である。
【０１６４】
一般式（Ｈ）中、ＸＨ１〜ＸＨ４は、ＮＲＨ７、酸素原子又は硫黄原子を表す。ＸＨ１〜ＸＨ４は、好ましくは硫黄原子を表す。ＲＨ７は水素原子、アルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アシル基、アリール基又はヘテロアリール基を表す。ＲＨ１〜ＲＨ６は水素原子又は置換基を表す。ＲＨ１〜ＲＨ６のうち少なくとも１つが下記一般式（Ｗ）で表される置換基である。
【０１６５】
一般式（Ｊ）中、ＸＪ１及びＸＪ２は酸素原子、硫黄原子、セレン原子又はＮＲＪ９を表す。ＸＪ３及びＸＪ４は酸素原子、硫黄原子又はセレン原子を表す。ＸＪ１、ＸＪ２、ＸＪ３及びＸＪ４は好ましくは硫黄原子を表す。ＲＪ１〜ＲＪ９は水素原子又は置換基を表す。ＲＪ１〜ＲＪ９のうち少なくとも１つが下記一般式（Ｗ）で表される置換基である。
一般式（Ｋ）中、ＸＫ１及びＸＫ２は酸素原子、硫黄原子、セレン原子又はＮＲＫ９を表す。ＸＫ３及びＸＫ４は酸素原子、硫黄原子又はセレン原子を表す。ＸＫ１、ＸＫ２、ＸＫ３及びＸＫ４は好ましくは硫黄原子を表す。ＲＫ１〜ＲＫ９は水素原子又は置換基を表す。ＲＫ１〜ＲＫ９のうち少なくとも１つが下記一般式（Ｗ）で表される置換基である。
一般式（Ｌ）中、ＸＬ１及びＸＬ２は酸素原子、硫黄原子又はＮＲＬ１１を表す。ＸＬ１及びＸＬ２は好ましくは酸素原子又は硫黄原子を表す。ＲＬ１〜ＲＬ１１は水素原子又は置換基を表し、ＲＬ１〜ＲＬ１１のうち少なくとも１つが下記一般式（Ｗ）で表される置換基である。
【０１６６】
一般式（Ｍ）中、ＸＭ１及びＸＭ２は酸素原子、硫黄原子、セレン原子又はＮＲＭ９を表す。ＸＭ１及びＸＭ２は好ましくは硫黄原子を表す。ＲＭ１〜ＲＭ９は水素原子又は置換基を表す。ＲＭ１〜ＲＭ９のうち少なくとも１つは下記一般式（Ｗ）で表される置換基である。
一般式（Ｎ）中、ＸＮ１及びＸＮ２は酸素原子、硫黄原子、セレン原子又はＮＲＮ１３を表す。ＸＮ１及びＸＮ２は好ましくは硫黄原子を表す。ＲＮ１〜ＲＮ１３は水素原子又は置換基を表す。ＲＮ１〜ＲＮ１３のうち少なくとも１つは下記一般式（Ｗ）で表される置換基である。
一般式（Ｐ）中、ＸＰ１及びＸＰ２は酸素原子、硫黄原子、セレン原子又はＮＲＰ１３を表す。ＸＰ１及びＸＰ２は好ましくは硫黄原子を表す。ＲＰ１〜ＲＰ１３は水素原子又は置換基を表す。ＲＰ１〜ＲＰ１３のうち少なくとも１つは下記一般式（Ｗ）で表される置換基である。
【０１６７】
一般式（Ｑ）中、ＸＱ１及びＸＱ２は酸素原子、硫黄原子、セレン原子又はＮＲＱ１３を表す。ＸＱ１及びＸＱ２は好ましくは硫黄原子を表す。ＲＱ１〜ＲＱ１３は水素原子又は置換基を表す。ＲＱ１〜ＲＱ１３のうち少なくとも１つは下記一般式（Ｗ）で表される置換基である。
一般式（Ｒ）中、ＸＲ１、ＸＲ２及びＸＲ３は酸素原子、硫黄原子、セレン原子又はＮＲＲ９を表す。ＸＲ１、ＸＲ２及びＸＲ３は好ましくは硫黄原子を表す。ＲＲ１〜ＲＲ９は水素原子又は置換基を表す。ＲＲ１〜ＲＲ９のうち少なくとも１つは下記一般式（Ｗ）で表される置換基である。
【０１６８】
一般式（Ｓ）中、ＸＳ１、ＸＳ２、ＸＳ３及びＸＳ４は酸素原子、硫黄原子、セレン原子又はＮＲＳ７を表す。ＸＳ１、ＸＳ２、ＸＳ３及びＸＳ４は好ましくは硫黄原子を表す。ＲＳ１〜ＲＳ７は水素原子又は置換基を表す。ＲＳ１〜ＲＳ７のうち少なくとも１つは下記一般式（Ｗ）で表される置換基である。
一般式（Ｔ）中、ＸＴ１、ＸＴ２、ＸＴ３、及びＸＴ４は酸素原子、硫黄原子、セレン原子又はＮＲＴ７を表す。ＸＴ１、ＸＴ２、ＸＴ３及びＸＴ４は好ましくは硫黄原子を表す。ＲＴ１〜ＲＴ７は水素原子又は置換基を表す。ＲＴ１〜ＲＴ７のうち少なくとも１つは下記一般式（Ｗ）で表される置換基である。
【０１６９】
以下に、上記一般式（Ｃ）〜（Ｔ）において、水素原子又は置換基を表す、ＲＣ１〜ＲＣ６、ＲＤ１〜ＲＤ８、ＲＥ１〜ＲＥ８、ＲＦ１〜ＲＦ１０、ＲＦａ及びＲＦｂ、ＲＧ１〜ＲＧ８、ＲＨ１〜ＲＨ６、ＲＪ１〜ＲＪ９、ＲＫ１〜ＲＫ９、ＲＬ１〜ＲＬ１１、ＲＭ１〜ＲＭ９、ＲＮ１〜ＲＮ１３、ＲＰ１〜ＲＰ１３、ＲＱ１〜ＲＱ１３、ＲＲ１〜ＲＲ９、ＲＳ１〜ＲＳ７及びＲＴ１〜ＲＴ７（以下、置換基ＲＣ〜ＲＴという）について、説明する。
【０１７０】
置換基ＲＣ〜ＲＴが、とりうる置換基として、ハロゲン原子、アルキル基（メチル、エチル、プロピル、ブチル、ペンチル、ヘキシル、ヘプチル、オクチル、ノニル、デシル、ウンデシル、ドデシル、トリデシル、テトラデシル、ペンタデシル等の炭素数１〜４０のアルキル基、ただし、２，６−ジメチルオクチル、２−デシルテトラデシル、２−ヘキシルドデシル、２−エチルオクチル、２−デシルテトラデシル、２−ブチルデシル、１−オクチルノニル、２−エチルオクチル、２−オクチルテトラデシル、２−エチルヘキシル、シクロアルキル、ビシクロアルキル、トリシクロアルキル等を含む）、アルケニル基（１−ペンテニル、シクロアルケニル、ビシクロアルケニル等を含む）、アルキニル基（１−ペンチニル、トリメチルシリルエチニル、トリエチルシリルエチニル、トリ−ｉ−プロピルシリルエチニル、２−ｐ−プロピルフェニルエチニル等を含む）、アリール基（フェニル、ナフチル、ｐ−ペンチルフェニル、３，４−ジペンチルフェニル、ｐ−ヘプトキシフェニル、３，４−ジヘプトキシフェニルの炭素数６〜２０のアリール基等を含む）、複素環基（ヘテロ環基といってもよい。２−ヘキシルフラニル等を含む）、シアノ基、ヒドロキシ基、ニトロ基、アシル基（ヘキサノイル、ベンゾイル等を含む。）、アルコキシ基（ブトキシ等を含む）、アリールオキシ基、シリルオキシ基、ヘテロ環オキシ基、アシルオキシ基、カルバモイルオキシ基、アミノ基（アニリノ基を含む）、アシルアミノ基、アミノカルボニルアミノ基（ウレイド基含む）、アルコキシ及びアリールオキシカルボニルアミノ基、アルキル及びアリールスルホニルアミノ基、メルカプト基、アルキル及びアリールチオ基（メチルチオ、オクチルチオ等を含む）、ヘテロ環チオ基、スルファモイル基、スルホ基、アルキル及びアリールスルフィニル基、アルキル及びアリールスルホニル基、アルキル及びアリールオキシカルボニル基、カルバモイル基、アリール及びヘテロ環アゾ基、イミド基、ホスフィノ基、ホスフィニル基、ホスフィニルオキシ基、ホスフィニルアミノ基、ホスホノ基、シリル基（ジトリメチルシロキシメチルブトキシ基等）、ヒドラジノ基、ウレイド基、ボロン酸基（−Ｂ（ＯＨ）２）、ホスファト基（−ＯＰＯ（ＯＨ）２）、スルファト基（−ＯＳＯ３Ｈ）、その他の公知の置換基が挙げられる。
【０１７１】
これら置換基は、さらに上記置換基を有していてもよい。
【０１７２】
これらの中でも、置換基ＲＣ〜ＲＴがとりうる置換基として、アルキル基、アリール基、アルケニル基、アルキニル基、複素環基、アルコキシ基、アルキルチオ基、後述の一般式（Ｗ）で表される基が好ましく、炭素数１〜１２のアルキル基、炭素数６〜２０のアリール基、炭素数２〜１２のアルケニル基、炭素数２〜１２のアルキニル基、炭素数１〜１１のアルコキシ基、炭素数５〜１２の複素環基、炭素数１〜１２のアルキルチオ基、後述の一般式（Ｗ）で表される基がより好ましく、後述の一般式（Ｗ）で表される基が特に好ましく、後述の一般式（Ｗ）で表される基がより特に好ましい。
【０１７３】
上記ＲＤ９、ＲＧ９及びＲＨ７の、アルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アシル基、アリール基は、それぞれ、置換基ＲＣ〜ＲＴがとりうる置換基で説明した、アルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アシル基、アリール基と同義である。
また、ヘテロアリール基は、ＲＡ１〜ＲＡ６の置換基で説明したヘテロアリール基と同義である。
【０１７４】
一般式（Ｗ）：−Ｌ−ＲＷ  で表される基について説明する。
【０１７５】
一般式（Ｗ）中、Ｌは下記一般式（Ｌ−１）〜（Ｌ−２５）のいずれかで表される２価の連結基又は２以上の下記一般式（Ｌ−１）〜（Ｌ−２５）のいずれかで表される２価の連結基が結合した２価の連結基を表す。ＲＷは置換又は無置換のアルキル基、シアノ基、ビニル基、エチニル基、オキシエチレン基、オキシエチレン単位の繰り返し数ｖが２以上のオリゴオキシエチレン基、シロキサン基、ケイ素原子数が２以上のオリゴシロキサン基、あるいは、置換又は無置換のトリアルキルシリル基を表す。
【０１７６】
【化１９】
2015198115.tif 000021
【０１７７】
一般式（Ｌ−１）〜（Ｌ−２５）中、波線部分は上記一般式（Ｃ）〜（Ｔ）で表される各骨格を形成するいずれかの環との結合位置を表す。なお、本明細書中、Ｌが一般式（Ｌ−１）〜（Ｌ−２５）のいずれかで表される２価の連結基が２つ以上結合した２価の連結基を表す場合、波線部分は上記一般式（Ｃ）〜（Ｔ）で表される各骨格を形成するいずれかの環との結合位置及び一般式（Ｌ−１）〜（Ｌ−２５）で表される２価の連結基のいずれかとの結合位置を表してもよい。
＊はＲｗとの結合位置又は一般式（Ｌ−１）〜（Ｌ−２５）の波線部分との結合位置を表す。
一般式（Ｌ−１３）におけるｍは４を表し、一般式（Ｌ−１４）及び（Ｌ−１５）におけるｍは３を表し、一般式（Ｌ−１６）〜（Ｌ−２０）におけるｍは２を表し、（Ｌ−２２）におけるｍは６を表す。
一般式（Ｌ−１）、（Ｌ−２）、（Ｌ−６）及び（Ｌ−１３）〜（Ｌ−１９）及び（Ｌ−２１）〜（Ｌ−２４）におけるＲ’はそれぞれ独立に水素原子又は置換基を表し、一般式（Ｌ−１）及び（Ｌ−２）中のＲ’はそれぞれＬに隣接するＲＷと結合して縮合環を形成してもよい。
ＲＮは水素原子又は置換基を表し、Ｒｓｉはそれぞれ独立に水素原子、アルキル基、アルケニル基又はアルキニル基を表す。
【０１７８】
この中でも、一般式（Ｌ−１７）〜（Ｌ−２１）、（Ｌ−２３）及び（Ｌ−２４）で表される２価の連結基は、下記一般式（Ｌ−１７Ａ）〜（Ｌ−２１Ａ）、（Ｌ−２３Ａ）及び（Ｌ−２４Ａ）で表される２価の連結基であることがより好ましい。
【０１７９】
【化２０】
2015198115.tif 000022
【０１８０】
ここで、置換又は無置換のアルキル基、オキシエチレン基、オキシエチレン単位の繰り返し数ｖが２以上のオリゴオキシエチレン基、シロキサン基、ケイ素原子数が２以上のオリゴシロキサン基、あるいは、置換又は無置換のトリアルキルシリル基が置換基の末端に存在する場合は、一般式（Ｗ）における−ＲＷ単独と解釈することもでき、一般式（Ｗ）における−Ｌ−ＲＷと解釈することもできる。
本発明では、主鎖が炭素数Ｎ個の置換又は無置換のアルキル基が置換基の末端に存在する場合は、置換基の末端から可能な限りの連結基を含めた上で一般式（Ｗ）における−Ｌ−ＲＷと解釈することとし、一般式（Ｗ）における−ＲＷ単独とは解釈しない。具体的には「一般式（Ｗ）におけるＬに相当する（Ｌ−１）１個」と「一般式（Ｗ）におけるＲＷに相当する主鎖が炭素数Ｎ−１個の置換又は無置換のアルキル基」とが結合した置換基として解釈する。例えば、炭素数８のアルキル基であるｎ−オクチル基が置換基の末端に存在する場合、２個のＲ’が水素原子である（Ｌ−１）１個と、炭素数７のｎ−ヘプチル基とが結合した置換基として解釈する。また、一般式（Ｗ）で表される置換基が炭素数８のアルコキシ基である場合、−Ｏ−である一般式（Ｌ−４）で表される連結基１個と、２個のＲ’が水素原子である（Ｌ−１）で表される連結基１個と、炭素数７のｎ−ヘプチル基とが結合した置換基として解釈する。
一方、本発明では、オキシエチレン基、オキシエチレン単位の繰り返し数ｖが２以上のオリゴオキシエチレン基、シロキサン基、ケイ素原子数が２以上のオリゴシロキサン基、あるいは、置換又は無置換のトリアルキルシリル基が置換基の末端に存在する場合は、置換基の末端から可能な限りの連結基を含めた上で、一般式（Ｗ）におけるＲＷ単独と解釈する。例えば、−（ＯＣＨ２ＣＨ２）−（ＯＣＨ２ＣＨ２）−（ＯＣＨ２ＣＨ２）−ＯＣＨ３基が置換基の末端に存在する場合、オキシエチレン単位の繰り返し数ｖが３のオリゴオキシエチレン基単独の置換基として解釈する。
【０１８１】
Ｌが一般式（Ｌ−１）〜（Ｌ−２５）のいずれかで表される２価の連結基が結合した連結基を形成する場合、一般式（Ｌ−１）〜（Ｌ−２５）のいずれかで表される２価の連結基の結合数は２〜４であることが好ましく、２又は３であることがより好ましい。
【０１８２】
一般式（Ｌ−１）、（Ｌ−２）、（Ｌ−６）及び（Ｌ−１３）〜（Ｌ−２４）中の置換基Ｒ’としては、一般式（Ｃ）〜（Ｔ）の置換基ＲＣ〜ＲＴが採りうる置換基として例示したものを挙げることができる。その中でも一般式（Ｌ−６）中の置換基Ｒ’はアルキル基であることが好ましく、（Ｌ−６）中のＲ’がアルキル基である場合は、アルキル基の炭素数は１〜９であることが好ましく、４〜９であることが化学的安定性、キャリア輸送性の観点からより好ましく、５〜９であることがさらに好ましい。（Ｌ−６）中のＲ’がアルキル基である場合は、アルキル基は直鎖アルキル基であることが、キャリア移動度を高めることができる観点から好ましい。
ＲＮとしては、置換基ＲＣ〜ＲＴが採りうる置換基として例示したものを挙げることができる。その中でもＲＮとしては水素原子又はメチル基が好ましい。
Ｒｓｉは、アルキル基であることが好ましい。Ｒｓｉがとり得るアルキル基としては特に制限はないが、Ｒｓｉがとり得るアルキル基の好ましい範囲はＲＷがシリル基である場合にシリル基がとり得るアルキル基の好ましい範囲と同様である。Ｒｓｉがとり得るアルケニル基としては特に制限はないが、置換又は無置換のアルケニル基が好ましく、分枝アルケニル基であることがより好ましく、アルケニル基の炭素数は２〜３であることが好ましい。Ｒｓｉがとり得るアルキニル基としては特に制限はないが、置換又は無置換のアルキニル基が好ましく、分枝アルキニル基であることがより好ましく、アルキニル基の炭素数は２〜３であることが好ましい。
【０１８３】
Ｌは、一般式（Ｌ−１）〜（Ｌ−５）、（Ｌ−１３）、（Ｌ−１７）もしくは（Ｌ−１８）のいずれかで表される２価の連結基、又は一般式（Ｌ−１）〜（Ｌ−５）、（Ｌ−１３）、（Ｌ−１７）もしくは（Ｌ−１８）のいずれかで表される２価の連結基が２以上結合した２価の連結基であることが好ましく、一般式（Ｌ−１）、（Ｌ−３）、（Ｌ−１３）もしくは（Ｌ−１８）のいずれかで表される２価の連結基又は一般式（Ｌ−１）、（Ｌ−３）、（Ｌ−１３）もしくは（Ｌ−１８）で表される２価の連結基が２以上結合した２価の連結基であることがより好ましく、（Ｌ−１）、（Ｌ−３）、（Ｌ−１３）もしくは（Ｌ−１８）で表される２価の連結基、あるいは一般式（Ｌ−３）、（Ｌ−１３）又は（Ｌ−１８）のいずれか１つで表される２価の連結基と一般式（Ｌ−１）で表される２価の連結基が結合した２価の連結基であることが特に好ましい。一般式（Ｌ−３）、（Ｌ−１３）又は（Ｌ−１８）のいずれか１つで表される２価の連結基と一般式（Ｌ−１）で表される２価の連結基が結合した２価の連結基は、一般式（Ｌ−１）で表される２価の連結基がＲＷ側に結合することが好ましい。
化学的安定性、キャリア輸送性の観点から一般式（Ｌ−１）で表される２価の連結基を含む２価の連結基であることが特に好ましく、一般式（Ｌ−１）で表される２価の連結基であることがより特に好ましく、Ｌが一般式（Ｌ−１８）及び（Ｌ−１）で表される２価の連結基であり、（Ｌ−１）を介してＲＷと結合し、ＲＷが置換又は無置換のアルキル基であることがさらにより特に好ましく、Ｌが一般式（Ｌ−１８Ａ）及び（Ｌ−１）で表される２価の連結基であり、（Ｌ−１）を介してＲＷと結合し、ＲＷが置換又は無置換のアルキル基であることがさらにより特に好ましい。
【０１８４】
一般式（Ｗ）において、ＲＷは、好ましくは、置換又は無置換のアルキル基である。一般式（Ｗ）において、ＲＷに隣接するＬが一般式（Ｌ−１）で表される２価の連結基である場合は、ＲＷは置換又は無置換のアルキル基、オキシエチレン基、オキシエチレン単位の繰り返し数が２以上のオリゴオキシエチレン基、シロキサン基、ケイ素原子数が２以上のオリゴシロキサン基であることが好ましく、置換又は無置換のアルキル基であることがより好ましい。
一般式（Ｗ）において、ＲＷに隣接するＬが一般式（Ｌ−２）及び（Ｌ−４）〜（Ｌ−２５）で表される２価の連結基である場合は、ＲＷは置換又は無置換のアルキル基であることがより好ましい。
一般式（Ｗ）において、ＲＷに隣接するＬが一般式（Ｌ−３）で表される２価の連結基である場合は、ＲＷは置換又は無置換のアルキル基、置換又は無置換のシリル基であることが好ましい。
【０１８５】
ＲＷが置換又は無置換のアルキル基の場合、炭素数は４〜１７であることが好ましく、６〜１４であることが化学的安定性、キャリア輸送性の観点からより好ましく、６〜１２であることがさらに好ましい。ＲＷが上記の範囲の長鎖アルキル基であること、特に長鎖の直鎖アルキル基であることが、分子の直線性が高まり、キャリア移動度を高めることができる観点から好ましい。
ＲＷがアルキル基を表す場合、直鎖アルキル基でも、分枝アルキル基でも、環状アルキル基でもよいが、直鎖アルキル基であることが、分子の直線性が高まり、キャリア移動度を高めることができる観点から好ましい。
これらの中でも、一般式（Ｗ）におけるＲＷとＬの組み合わせとしては、一般式（Ｃ）〜（Ｔ）のＬが一般式（Ｌ−１）で表される２価の連結基であり、かつ、ＲＷが直鎖の炭素数４〜１７のアルキル基であるか、あるいは、Ｌが一般式（Ｌ−３）、（Ｌ−１３）又は（Ｌ−１８）のいずれか１つで表される２価の連結基と一般式（Ｌ−１）で表される２価の連結基が結合した２価の連結基であり、かつ、ＲＷが直鎖のアルキル基であることが、キャリア移動度を高める観点から好ましい。
【０１８６】
Ｌが一般式（Ｌ−１）で表される２価の連結基であり、かつ、ＲＷが直鎖の炭素数４〜１７のアルキル基である場合、ＲＷが直鎖の炭素数６〜１４のアルキル基であることがキャリア移動度を高める観点からより好ましく、直鎖の炭素数６〜１２のアルキル基であることが特に好ましい。
【０１８７】
Ｌが一般式（Ｌ−３）、（Ｌ−１３）又は（Ｌ−１８）のいずれか１つで表される２価の連結基と一般式（Ｌ−１）で表される２価の連結基が結合した２価の連結基であり、かつ、ＲＷが直鎖のアルキル基である場合、ＲＷが直鎖の炭素数４〜１７のアルキル基であることがより好ましく、直鎖の炭素数６〜１４のアルキル基であることが化学的安定性、キャリア輸送性の観点からより好ましく、直鎖の炭素数６〜１２のアルキル基であることがキャリア移動度を高める観点から特に好ましい。
一方、有機溶媒への溶解度を高める観点からは、ＲＷが分枝アルキル基であることが好ましい。
【０１８８】
ＲＷが置換基を有するアルキル基である場合の置換基としては、ハロゲン原子等を挙げることができ、フッ素原子が好ましい。なお、ＲＷがフッ素原子を有するアルキル基である場合はアルキル基の水素原子が全てフッ素原子で置換されてパーフルオロアルキル基を形成してもよい。ただし、ＲＷは無置換のアルキル基であることが好ましい。
【０１８９】
ＲＷがエチレンオキシ基又はオリゴエチレンオキシ基の場合、ＲＷが表す「オリゴオキシエチレン基」とは本明細書中、−（ＯＣＨ２ＣＨ２）ｖＯＹで表される基のことを言う（オキシエチレン単位の繰り返し数ｖは２以上の整数を表し、末端のＹは水素原子又は置換基を表す）。なお、オリゴオキシエチレン基の末端のＹが水素原子である場合はヒドロキシ基となる。オキシエチレン単位の繰り返し数ｖは２〜４であることが好ましく、２〜３であることがさらに好ましい。オリゴオキシエチレン基の末端のヒドロキシ基は封止されていること、すなわちＹが置換基を表すことが好ましい。この場合、ヒドロキシ基は、炭素数が１〜３のアルキル基で封止されること、すなわちＹが炭素数１〜３のアルキル基であることが好ましく、Ｙがメチル基やエチル基であることがより好ましく、メチル基であることが特に好ましい。
【０１９０】
ＲＷが、シロキサン基又はオリゴシロキサン基の場合、シロキサン単位の繰り返し数は２〜４であることが好ましく、２〜３であることがさらに好ましい。また、Ｓｉ原子には、水素原子やアルキル基が結合することが好ましい。Ｓｉ原子にアルキル基が結合する場合、アルキル基の炭素数は１〜３であることが好ましく、例えば、メチル基やエチル基が結合することが好ましい。Ｓｉ原子には、同一のアルキル基が結合してもよく、異なるアルキル基又は水素原子が結合してもよい。また、オリゴシロキサン基を構成するシロキサン単位はすべて同一であっても異なっていてもよいが、すべて同一であることが好ましい。
【０１９１】
ＲＷに隣接するＬが一般式（Ｌ−３）で表される２価の連結基である場合、ＲＷが置換又は無置換のシリル基であることも好ましい。ＲＷが置換又は無置換のシリル基である場合はその中でも、ＲＷが置換シリル基であることが好ましい。シリル基の置換基としては特に制限はないが、置換又は無置換のアルキル基が好ましく、分枝アルキル基であることがより好ましい。ＲＷがトリアルキルシリル基の場合、Ｓｉ原子に結合するアルキル基の炭素数は１〜３であることが好ましく、例えば、メチル基やエチル基やイソプロピル基が結合することが好ましい。Ｓｉ原子には、同一のアルキル基が結合してもよく、異なるアルキル基が結合してもよい。ＲＷがアルキル基上にさらに置換基を有するトリアルキルシリル基である場合の置換基としては、特に制限はない。
【０１９２】
一般式（Ｗ）において、Ｌ及びＲＷに含まれる炭素数の合計は５〜１８であることが好ましい。Ｌ及びＲＷに含まれる炭素数の合計が上記範囲の下限値以上であると、キャリア移動度が高くなり、駆動電圧を低くなる。Ｌ及びＲＷに含まれる炭素数の合計が上記範囲の上限値以下であると、有機溶媒に対する溶解性が高くなる。
Ｌ及びＲＷに含まれる炭素数の合計は５〜１４であることが好ましく、６〜１４であることがより好ましく、６〜１２であることが特に好ましく、８〜１２であることがより特に好ましい。
【０１９３】
一般式（Ｃ）〜（Ｔ）で表される各化合物において置換基ＲＣ〜ＲＴのうち、一般式（Ｗ）で表される基は１〜４個であることが、キャリア移動度を高め、有機溶媒への溶解性を高める観点から好ましく、１又は２個であることがより好ましく、２個であることが特に好ましい。
【０１９４】
置換基ＲＣ〜ＲＴのうち、一般式（Ｗ）で表される基の位置に特に制限はない。
一般式（Ｃ）で表される化合物においては、ＲＣ１、ＲＣ２、ＲＣ３、ＲＣ６のいずれかが一般式（Ｗ）で表される基であることが好ましく、ＲＣ１とＲＣ２との両方又はＲＣ３とＲＣ６の両方が一般式（Ｗ）で表される基であることがより好ましい。
一般式（Ｄ）で表される化合物においては、ＲＤ６が一般式（Ｗ）で表される基であることが好ましく、ＲＤ５とＲＤ６との両方が一般式（Ｗ）で表される基であることがより好ましい。
一般式（Ｅ）で表される化合物においては、ＲＥ６が一般式（Ｗ）で表される基であることが好ましく、ＲＥ５とＲＥ６との両方が一般式（Ｗ）で表される基であることがより好ましい。また、ＲＥ５及びＲＥ６が一般式（Ｗ）で表される基以外の置換基である場合、２つのＲＥ７が一般式（Ｗ）で表される基であるのも好ましい。
【０１９５】
一般式（Ｆ）で表される化合物においては、ＲＦ２、ＲＦ３、ＲＦ８及びＲＦ９のうち少なくとも一つは一般式（Ｗ）で表される置換基であるのが好ましい。
一般式（Ｇ）で表される化合物においては、ＲＧ５又はＲＧ６が一般式（Ｗ）で表される基であることが、キャリア移動度を高め、有機溶媒への溶解性を高める観点から好ましい。
一般式（Ｈ）で表される化合物においては、ＲＨ４又はＲＨ６が一般式（Ｗ）で表される基であるのが好ましく、ＲＨ４又はＲＨ６、及び、ＲＨ３又はＲＨ５が一般式（Ｗ）で表される基であるのがより好ましい。
【０１９６】
一般式（Ｊ）で表される化合物においては、ＲＪ８が一般式（Ｗ）で表される基であるのが好ましく、ＲＪ８とＲＪ４との両方が一般式（Ｗ）で表される基であるのがより好ましい。
一般式（Ｋ）で表される化合物においては、ＲＫ７が一般式（Ｗ）で表される基であるのが好ましく、ＲＫ７とＲＫ３との両方が一般式（Ｗ）で表される基であるのがより好ましい。
一般式（Ｌ）で表される化合物においては、ＲＬ２、ＲＬ３、ＲＬ６及びＲＬ７のうち少なくとも一つが一般式（Ｗ）で表される基であるのがより好ましい。
【０１９７】
一般式（Ｍ）で表される化合物においては、ＲＭ２が一般式（Ｗ）で表される基であるのが好ましく、ＲＭ２とＲＭ６との両方が一般式（Ｗ）で表される基であるのがより好ましい。
一般式（Ｎ）で表される化合物においては、ＲＮ３が一般式（Ｗ）で表される基であるのが好ましく、ＲＮ３とＲＮ９との両方が一般式（Ｗ）で表される基であるのがより好ましい。
一般式（Ｐ）で表される化合物においては、ＲＰ３が一般式（Ｗ）で表される基であるのが好ましく、ＲＰ３とＲＰ９との両方が一般式（Ｗ）で表される基であるのがより好ましい。
【０１９８】
一般式（Ｑ）で表される化合物においては、ＲＱ３が一般式（Ｗ）で表される基であるのが好ましく、ＲＱ３とＲＱ９との両方が一般式（Ｗ）で表される基であるのがより好ましい。
一般式（Ｒ）で表される化合物においては、ＲＲ２が一般式（Ｗ）で表される基であるのが好ましく、ＲＲ２とＲＲ７との両方が一般式（Ｗ）で表される基であるのがより好ましい。
【０１９９】
一般式（Ｓ）で表される化合物においては、ＲＳ２が一般式（Ｗ）で表される基であるのが好ましく、ＲＳ２とＲＳ５との両方が一般式（Ｗ）で表される基であるのがより好ましい。
一般式（Ｔ）で表される化合物においては、ＲＴ２が一般式（Ｗ）で表される基であるのが好ましく、ＲＴ２とＲＴ５との両方が一般式（Ｗ）で表される基であるのがより好ましい。
【０２００】
置換基ＲＣ〜ＲＴのうち、一般式（Ｗ）で表される基以外の置換基は、０〜４個であることが好ましく、０〜２個であることがより好ましい。
【０２０１】
以下に、一般式（Ｃ）〜一般式（Ｔ）で表される各化合物の具体例を以下に示すが、本発明に用いることができる化合物は、これらの具体例により限定的に解釈されるべきものではない。
【０２０２】
一般式（Ｃ）で表される化合物Ｃの具体例を示す。
【０２０３】
【化２１】
2015198115.tif 000023
【０２０４】
一般式（Ｃ）で表される化合物は、分子量が３０００以下であることが好ましく、２０００以下であることがより好ましく、１０００以下であることがさらに好ましく、８５０以下であることが特に好ましい。分子量が上記範囲内にあると、溶媒への溶解性を高めることができる。
一方で、薄膜の膜質安定性の観点からは、分子量は３００以上であることが好ましく、３５０以上であることがより好ましく、４００以上であることがさらに好ましい。
【０２０５】
一般式（Ｄ）で表される化合物Ｄの具体例を示す。
【０２０６】
【化２２】
2015198115.tif 000024
【０２０７】
【化２３】
2015198115.tif 000025
【０２０８】
一般式（Ｄ）で表される化合物の分子量は、上限が一般式（Ｃ）で表される化合物と同じであるのが、溶媒への溶解性を高めることができ、好ましい。一方で、薄膜の膜質安定性の観点からは、分子量は４００以上であることが好ましく、４５０以上であることがより好ましく、５００以上であることがさらに好ましい。
【０２０９】
一般式（Ｅ）で表される化合物Ｅ、一般式（Ｆ）で表される化合物Ｆ、一般式（Ｇ）で表される化合物Ｇ及び一般式（Ｈ）で表される化合物Ｈそれぞれの具体例を、順に示す。
【０２１０】
【化２４】
2015198115.tif 000026
【０２１１】
【化２５】
2015198115.tif 000027
【０２１２】
【化２６】
2015198115.tif 000028
【０２１３】
【化２７】
2015198115.tif 000029
【０２１４】
【化２８】
2015198115.tif 000030
【０２１５】
【化２９】
2015198115.tif 000031
【０２１６】
上記化合物Ｅ、化合物Ｆ、化合物Ｇ及び化合物Ｈの分子量は、それぞれ、上限が一般式（Ｃ）で表される化合物Ｃと同じであるのが、溶媒への溶解性を高めることができ、好ましい。一方で、薄膜の膜質安定性の観点から、分子量の下限は一般式（Ｄ）で表される化合物と同じである。
【０２１７】
一般式（Ｊ）及び一般式（Ｋ）で表される化合物Ｊ及び化合物Ｋの具体例を示す。
【０２１８】
【化３０】
2015198115.tif 000032
【０２１９】
【化３１】
2015198115.tif 000033
【０２２０】
上記化合物Ｊ及び化合物Ｋの分子量は、それぞれ、上限が一般式（Ｃ）で表される化合物Ｃと同じであるのが、溶媒への溶解性を高めることができ、好ましい。一方で、薄膜の膜質安定性の観点から、分子量の下限は一般式（Ｄ）で表される化合物と同じである。
【０２２１】
一般式（Ｌ）で表される化合物Ｌ、一般式（Ｍ）で表される化合物Ｍ、一般式（Ｎ）で表される化合物Ｎ、一般式（Ｐ）で表される化合物Ｐ及び一般式（Ｑ）で表される化合物Ｑそれぞれの具体例を、順に示す。
【０２２２】
【化３２】
2015198115.tif 000034
【０２２３】
【化３３】
2015198115.tif 000035
【０２２４】
【化３４】
2015198115.tif 000036
【０２２５】
【化３５】
2015198115.tif 000037
【０２２６】
【化３６】
2015198115.tif 000038
【０２２７】
上記化合物Ｌ、化合物Ｍ、化合物Ｎ、化合物Ｐ及び化合物Ｑの分子量は、それぞれ、上限が一般式（Ｃ）で表される化合物Ｃと同じであるのが、溶媒への溶解性を高めることができ、好ましい。一方で、薄膜の膜質安定性の観点から、分子量の下限は一般式（Ｄ）で表される化合物と同じである。
【０２２８】
一般式（Ｒ）で表される化合物Ｒ、一般式（Ｓ）で表される化合物Ｓ及び一般式（Ｔ）で表される化合物Ｔそれぞれの具体例を、順に示す。
【０２２９】
【化３７】
2015198115.tif 000039
【０２３０】
【化３８】
2015198115.tif 000040
【０２３１】
【化３９】
2015198115.tif 000041
【０２３２】
上記化合物Ｒ、化合物Ｓ及び化合物Ｔの分子量は、それぞれ、上限が一般式（Ｃ）で表される化合物Ｃと同じであるのが、溶媒への溶解性を高めることができ、好ましい。一方で、薄膜の膜質安定性の観点から、分子量の下限は一般式（Ｄ）で表される化合物と同じである。
【０２３３】
有機ポリマー及びその誘導体としては、例えば、ポリピロール及びその置換体、ポリジケトピロール及びその置換体、ポリチオフェン及びその誘導体、ポリイソチアナフテン等のイソチアナフテン、ポリチエニレンビニレン等のチエニレンビニレン、ポリ（ｐ−フェニレンビニレン）等のポリ（ｐ−フェニレンビニレン）、ポリアニリン及びその誘導体、ポリアセチレン、ポリジアセチレン、ポリアズレン、ポリピレン、ポリカルバゾール、ポリセレノフェン、ポリフラン、ポリ（ｐ−フェニレン）、ポリインドール、ポリピリダジン、ポリテルロフェン、ポリナフタレン、ポリビニルカルバゾール、ポリフェニレンスルフィド、ポリビニレンスルフィド等のポリマー及び縮合多環芳香族化合物の重合体等を挙げることができる。
ポリチオフェン及びその誘導体としては、特に限定されないが、例えば、ポリチオフェンにヘキシル基を導入したポリ−３−ヘキシルチオフェン（Ｐ３ＨＴ）、ポリエチレンジオキシチオフェン、ポリ（３，４−エチレンジオキシチオフェン）／ポリスチレンスルホン酸（ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ）等が挙げられる。
また、これらのポリマーと同じ繰返し単位を有するオリゴマー（例えば、オリゴチオフェン）を挙げることもできる。
【０２３４】
また、有機ポリマーとして、下記一般式（Ｃ）〜（Ｔ）で表される化合物が繰り返し構造を有する高分子化合物が挙げられる。
このような高分子化合物としては、一般式（Ｃ）〜（Ｔ）で表される化合物が少なくとも１つ以上のアリーレン基、ヘテロアリーレン基（チオフェン、ビチオフェン等）を介して繰り返し構造を示すπ共役ポリマーや、一般式（Ｃ）〜（Ｔ）で表される化合物が高分子主鎖に側鎖を介して結合したペンダント型ポリマーが挙げられる。高分子主鎖としては、ポリアクリレート、ポリビニル、ポリシロキサン等が好ましく、側鎖としては、アルキレン基、ポリエチレンオキシド基等が好ましい。ペンダント型ポリマーの場合、高分子主鎖は置換基ＲＣ〜ＲＴの少なくとも１つが重合性基由来の基を有し、これが重合してなるものであってもよい。
【０２３５】
これらの有機ポリマーは、重量平均分子量が３万以上であることが好ましく、５万以上であることがより好ましく、１０万以上であることがさらに好ましい。重量平均分子量が上記下限値以上とすることにより、分子間相互作用を高めることができ、高い移動度が得られる。
【０２３６】
上記有機ポリマーに加えて、さらにそれ以外の樹脂（Ｄ）を用いることも好ましい。樹脂（Ｄ）としては、ポリスチレン、ポリα−メチルスチレン、ポリカーボネート、ポリアリレート、ポリエステル、ポリアミド、ポリイミド、ポリウレタン、ポリシロキサン、ポリシルセスキオキサン、ポリスルフォン、ポリメチルメタクリレートに代表されるポリメタクリレート、ポリメチルアクリレートに代表されるポリアクリレート、トリアセチルセルロースに代表されるセルロース、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリビニルフェノール、ポリビニルアルコール、ポリビニルブチラールなどの絶縁性ポリマー、及び、これらの構成成分を２種以上共重合して得られる共重合体を挙げることができる。
【０２３７】
樹脂（Ｄ）を用いる場合、有機ポリマーと樹脂（Ｄ）の総量に対する有機ポリマーの質量割合は１０質量％以上１００質量％未満であることが好ましく、２０質量％以上１００質量％未満であることがより好ましい。
【０２３８】
有機半導体層中、有機ポリマー及び樹脂（Ｄ）の合計含有率は、１〜８０質量％が好ましく、５〜６０質量％がより好ましく、１０〜５０質量％がさらに好ましい。
【０２３９】
有機半導体層はゲート絶縁層上に湿式法（ウエットコーティング法）で形成されると、簡便で低コストに高性能なＯＴＦＴを得やすいうえに、大面積化にも適している。また、ゲート絶縁層は本発明の硬化性組成物を硬化して成膜されており、有機半導体を含有する有機半導体材料の塗布性を改善し、均一な塗布を可能にする。したがって、有機半導体層の形成方法は湿式法が好ましい。
湿式法としては、特に限定されないが、例えば、スピンコート法、インクジェット法、ノズルプリント、スタンプ印刷、スクリーン印刷、グラビア印刷、エレクトロスプレイデポジション法等により有機半導体材料を塗布した後、乾燥させることにより形成することができる。
【０２４０】
ゲート絶縁層上に有機半導体層をウエットコーティング法により形成する場合、ＯＴＦＴが高性能になりやすいことから、有機半導体層は結晶化処理が施されているのが好ましく、加熱やレーザー照射による結晶化処理が施されているのが特に好ましい。
結晶化処理の方法としては、特に限定されないが、ホットプレート、オーブン等による加熱又はレーザー照射等が挙げられる。加熱温度については、結晶化が進行しやすい点では高温が好ましく、また、一方で、基板等に熱の影響を与え難い点では低温が好ましい。具体的には、５０℃以上が好ましく、１００℃以上が特に好ましく、また、一方で、３００℃以下が好ましく、２５０℃以下が特に好ましい。
【０２４１】
［ソース電極、ドレイン電極］
本発明のＴＦＴにおいて、ソース電極は、配線を通じて外部から電流が流入する電極である。また、ドレイン電極は、配線を通じて外部に電流を送り出す電極であり、通常、上記半導体層に接して設けられる。
図１（Ａ）、（Ｄ）のようにソース電極及びドレイン電極がゲート絶縁層に接して設けられる場合には、ＴＦＴ特性の安定性が向上する。
ソース電極及びドレイン電極の材料としては、従来の有機薄膜トランジスタに用いられている導電性材料を用いることができ、例えば、上記ゲート電極で説明した導電性材料等が挙げられる。
【０２４２】
ソース電極及びドレイン電極は、それぞれ、上記ゲート電極の形成方法と同様の方法により形成することができる。
【０２４３】
上記フォトリソグラフィー法としては、リフトオフ法又はエッチング法を採用できる。
特に、ゲート絶縁層がエッチング液や剥離液に対する耐性に優れていることから、ソース電極及びドレイン電極はエッチング法でも好適に形成することができる。エッチング法は、導電性材料を成膜した後に不要部分をエッチングにより除去する方法である。エッチング法によりパターニングすると、レジスト除去時に下地に残った導電性材料の剥がれ、レジスト残渣や除去された導電性材料の下地への再付着を防止でき、電極エッジ部の形状に優れる。この点で、リフトオフ法よりも好ましい。
【０２４４】
リフトオフ法は、下地の一部にレジストを塗布し、この上に導電性材料を成膜し、レジスト等を溶媒により溶出又は剥離等することにより、レジスト上の導電性材料ごと除去して、レジストが塗布されていなかった部分にのみ導電性材料の膜を形成する方法である。
【０２４５】
ソース電極及びドレイン電極の厚みは、任意であるが、それぞれ、１ｎｍ以上が好ましく、１０ｎｍ以上が特に好ましい。また、５００ｎｍ以下が好ましく、３００ｎｍ以下が特に好ましい。
ソース電極とドレイン電極との間の間隔（チャネル長）は、任意であるが、１００μｍ以下が好ましく、５０μｍ以下が特に好ましい。また、チャネル幅は、５０００μｍ以下が好ましく、１０００μｍ以下が特に好ましい。
【０２４６】
［オーバーコート層］
本発明のＴＦＴは、オーバーコート層を有していてもよい。オーバーコート層は、通常、ＴＦＴの表面に保護層として形成される層である。単層構造でも多層構造でもよい。
オーバーコート層は、有機系のオーバーコート層でも無機系のオーバーコート層でもよい。
有機系のオーバーコート層を形成する材料としては、特に限定されないが、例えば、ポリスチレン、アクリル樹脂、ポリビニルアルコール、ポリオレフィン、ポリイミド、ポリウレタン、ポリアセナチレン、エポキシ樹脂等の有機ポリマー、及び、これらの有機ポリマーに架橋性基や撥水基等を導入した誘導体等が挙げられる。これらの有機ポリマーやその誘導体は、架橋成分、フッ素化合物、シリコン化合物等と併用することもできる。
無機系のオーバーコート層を形成する材料としては、特に限定されないが、酸化ケイ素、酸化アルミニウム等の金属酸化物、窒化ケイ素等の金属窒化物等が挙げられる。
これらの材料は、１種を用いても、２種以上を任意の組み合わせ及び比率で併用してもよい。
【０２４７】
オーバーコート層の形成方法に制限は無く、公知の各種の方法により形成することができる。
例えば、有機系のオーバーコート層は、例えば、その下地となる層に、オーバーコート層となる材料を含む溶液を塗布後に乾燥させる、オーバーコート層となる材料を含む溶液を塗布、乾燥後に露光、現像してパターニングする等の方法により形成することができる。なお、オーバーコート層のパターニングは、印刷法やインクジェット法等により直接形成することもできる。また、オーバーコート層のパターニング後に、露光や加熱することにより、オーバーコート層を架橋させてもよい。
一方、無機系のオーバーコート層は、スパッタリング法、蒸着法等の乾式法やゾルゲル法のような湿式法により形成することができる。
【０２４８】
［その他の層］
本発明のＴＦＴは、上記以外の層や部材を設けてもよい。
その他の層又は部材としては、例えば、バンク等が挙げられる。バンクは、インクジェット法等により半導体層やオーバーコート層等を形成するときに、吐出液を所定の位置に塞き止める目的等で用いられる。このため、バンクには、通常、撥液性がある。バンクの形成方法としては、フォトリソグラフィー法等によりパターニングした後にフッ素プラズマ法等の撥液処理を施す方法、フッ素化合物等の撥液成分を含む感光性組成物等を硬化させる方法等が挙げられる。
本発明の有機薄膜トランジスタの場合、ゲート絶縁層が有機層であることから、後者の撥液成分を含む感光性組成物を硬化させる方法が、ゲート絶縁層が撥液処理の影響を受ける可能性がなく、好ましい。なお、バンクを用いずに下地に撥液性のコントラストを持たせてバンクと同じ役割を持たせる技術を用いてもよい。
【０２４９】
［製造方法］
本発明のＴＦＴは、ゲート電極、ゲート絶縁層、半導体層、ソース電極及びドレイン電極等を、上記した方法により、基板上に成膜又は設けて、製造できる。
【０２５０】
本発明の硬化性組成物を塗布する方法は、例えば、スピンキャスト法、ディッピング法、ダイコーティング法、スリットコーティング法、滴下法、オフセット又はスクリーンやオフセット等の印刷法、インクジェット法等が挙げられる。また、得られた膜の表面平滑性を保つために不純物等の混入を防止することが好ましく、塗布前にメンブランフィルタ等でろ過することが好ましい。
【０２５１】
ＴＦＴの製造において、本発明の硬化性組成物を用いると、また半導体層を形成する材料として有機材料を用いると、溶液塗布法の利点を生かしつつ、優れた特性を発揮するＴＦＴを製造することができる。
さらに、本発明の硬化性組成物を用いると、有機半導体材料の塗布性を改善し、またＴＦＴ特性の安定性向上に資するゲート絶縁層を形成でき、ＴＦＴ特性が高く安定性にも優れたＴＦＴを、溶液塗布法にて製造できる。
【０２５２】
［表示パネル］
本発明の有機薄膜トランジスタの用途の一例として表示パネルが挙げられる。表示パネルとしては、例えば、液晶パネル、有機ＥＬパネル、電子ペーパーパネル等が挙げられる。
【実施例】
【０２５３】
以下に実施例に基づき本発明を更に詳細に説明するが、本発明はこれらの実施例により限定されるものではない。
【０２５４】
［合成例］
各例において、ポリオルガノシロキサン化合物ＡＰ１〜ＡＰ１０及び（テトラメチルピペリジニロキシ）プロピルメチルシロキサンジメチルシロキサン共重合体（商品名：ＵＢＳ−０８２２、Ｇｅｌｅｓｔ社製）を用いた。
【０２５５】
【化４０】
2015198115.tif 000042
【０２５６】
（ポリオルガノシロキサン化合物ＡＰ１〜ＡＰ１０の合成）
次のようにしてポリオルガノシロキサン化合物ＡＰ２を合成した。すなわち、５００ｍＬ三口フラスコに、トルエン１００ｍｌ、ポリメチルヒドロシロキサンとジメチルシロキサンとの共重合体「ＨＭＳ−０３１」（商品名、ｇｅｌｅｓｔ社製）１０ｇ、アリルメタクリレート１ｇ、５−ビニルベンゾトリアゾール１．５３ｇ、白金ビニルシロキサン錯体のキシレン溶液０．０１８６ｇを入れて、窒素置換中、１０５℃にて６時間反応を行った。１Ｈ−ＮＭＲにてビニル基の消失を確認した後、減圧留去にて溶媒を除去し、ポリオルガノシロキサン化合物を得た。
また、表１に示す、ポリメチルヒドロシロキサンとジメチルシロキサンとの共重合体（表１において「共重合体」と記す。）及び化合物を用いたこと以外はポリオルガノシロキサン化合物ＡＰ２の合成と同様にして、ポリオルガノシロキサン化合物ＡＰ１、ＡＰ３〜ＡＰ１０を合成した。
【０２５７】
【表１】
2015198115.tif 000043
【０２５８】
（変性ポリオルガノシロキサン化合物ｍＡＰ−４及びｍＡＰ−８）の合成
上記のようにして合成したポリオルガノシロキサン化合物ＡＰ−４  １ｇと、トルエン１ｇ、１，３，５−ベンゼントリカルボン酸トリアリル０．２ｇと、白金ビニルシロキサン錯体０．０１ｇとを混合し、１００℃にて５時間反応を行った。反応物を冷却した後、減圧留去にて残存したトルエンを除去し、変性ポリオリガノシロキサン化合物ｍＡＰ−４を得た。
変性ポリオリガノシロキサン化合物ｍＡＰ−４の合成と同様にして、ポリオリガノシロキサン化合物ＡＰ−８を用いて反応を行い、変性ポリオリガノシロキサン化合物ｍＡＰ−８を得た。
【０２５９】
合成した各ポリオルガノシロキサン化合物ＡＰ１〜３、ＡＰ５〜７、９及び１０、並びに、変性ポリオリガノシロキサン化合物ｍＡＰ−４及びｍＡＰ−８の重量平均分子量（Ｍｗ）及び各構造ユニットの含有率を上記方法により測定した。なお、変性ポリオリガノシロキサン化合物ｍＡＰ−４及びｍＡＰ−８において１，３，５−ベンゼントリカルボン酸トリアリルが反応した構造ユニットの含有率を「ｅ」で表す。測定結果を表１に示す。
【０２６０】
【表２】
2015198115.tif 000044
【０２６１】
比較のためのポリオリガノシロキサン化合物として、下記ＵＭＳ−９９２、下記構造ユニットを有するＢＳ−１及び下記化合物の混合反応物ＢＳ−２を準備した。
ＵＭＳ−９９２：メタクリロキシプロピルメチルシロキサン（ａ＝１モル％未満、ｂ＝９９モル％以上、ｃ＝０モル％）
【０２６２】
【化４１】
2015198115.tif 000045
ＢＳ−１において、ａ＝２０モル％、ｂ＝２５モル％、ｃ＝５５モル％
【０２６３】
【化４２】
2015198115.tif 000046
【０２６４】
混合反応物ＢＳ−２は、次のようにして得た。すなわち、５００ｍＬ三口フラスコに、トルエン１００ｇ（和光純薬社製）、１，３，５，７−テトラメチルシクロテトラシロキサン５７．４９ｇ（アルドリッチ社製）を入れ、気相部を窒素置換した後、内温１０５℃で加熱、攪拌した。トリアリルイソシアヌル酸１０．０ｇ、トルエン７０．０ｇ及び白金ビニルシロキサン錯体のキシレン溶液０．０１８６ｇ（アルドリッチ社製）の混合液を３０分かけて滴下した。６時間反応後に溶媒を減圧留去してポリシロキサンとイソシアヌル酸の反応物Ａを得た。
次いで、１００ｍＬ三口フラスコに、反応物Ａ１０ｇとトルエン２０ｇを入れ、窒素置換の後内温１０５℃にし、ビニルシクロヘキセンオキシド３．８１ｇとトルエン３．８１ｇの混合溶液を３０分で滴下した。１Ｈ−ＮＭＲによりビニル基の消失を確認後、溶媒を減圧留去してＢＳ−２を得た。
【０２６５】
［実施例１］
［ＴＦＴの製造］
図１（Ｂ）に示すボトムゲート・トップコンタクト型のＯＴＦＴを製造した。
２５ｍｍ角非アルカリガラス「イーグルＸＧ」（商品名、コーニング社製）からなる基板６上に、銀ナノインク（ＤＯＷＡ社製、水性インク４０％）を使用して、ゲート電極５を作成した。
【０２６６】
次いで、ペンタエリスリトールテトラアクリレート１ｇ、表３に示すポリオリガノシロキサン化合物１ｇ、重合開始剤「ＤａｒｏｃｕｒｅＴＰＯ」（商品名）０．１ｇ、ジプロピレングリコールモノメチルエーテル２ｇを混合して、硬化性組成物ＭＳ−１〜１４を、それぞれ、調製した。
調製した硬化性組成物それぞれを、ゲート電極５を形成した基板６上にスピンコート法（回転数１０００ｒｐｍ、１分）にて塗布して塗膜を作成した。その後、塗膜に高圧水銀ランプ３０００ｍＷ／ｃｍ２を用いて、１０秒間露光し、硬化させて、ゲート絶縁層２を成膜した。
【０２６７】
次いで、ゲート絶縁層２上に、有機半導体として下記に示す化合物Ｍ３（Ｃ８ＢＴＢＴ）をトルエンに溶解して有機半導体濃度が０．３質量％のトルエン溶液（有機半導体材料）を調製し、このトルエン溶液をスピンコート法にて塗布、乾燥し、１３０℃で２時間アニーリングして、半導体層１を成膜した。
【０２６８】
【化４３】
2015198115.tif 000047
【０２６９】
続いて、図１（Ｂ）に示すようにソース電極３及びドレイン電極４（ゲート幅Ｗ＝１００ｍｍ、ゲート長Ｌ＝１００μｍ）を、銀ナノインク（ＤＯＷＡ社製水性インク４０％）を使用して、形成した。
このようにして、図１（Ｂ）に示される構造のＯＴＦＴ（試料Ｎｏ、１〜１２及びｃ１〜ｃ３）をそれぞれ製造した。
【０２７０】
［有機半導体の塗布性の評価］
ＯＴＦＴの製造において、形成した半導体層１を光学顕微鏡及び偏光顕微鏡にて観察し、有機半導体がゲート電極５上とゲート絶縁層２上に均等に塗布されているかを確認した。有機半導体が均一に塗布されているものを「Ａ」、ゲート電極５又はゲート絶縁層２上のいずれかに偏っているものを「Ｂ」として、評価した。その結果を表３に示す。
【０２７１】
［ＴＦＴ特性の湿熱安定性の評価］
各ＯＴＦＴにつき、耐湿熱性試験を行い、ＴＦＴ特性の湿熱安定性を評価した。
具体的には、製造した各ＯＴＦＴのソース電極３及びドレイン電極４間に−４０Ｖの電圧を印加し、ゲート電圧Ｖｇを４０Ｖ〜−４０Ｖの範囲で変化させ、ドレイン電流Ｉｄを表わす下記式を用いて初期キャリア移動度μ１（ｃｍ２／Ｖｓ）を算出した。
【０２７２】
Ｉｄ＝（ｗ／２Ｌ）μＣｉ（Ｖｇ−Ｖｔｈ）２
式中、Ｌはゲート長、ｗはゲート幅、Ｃｉはゲート絶縁層２の単位面積当たりの容量、Ｖｇはゲート電圧、Ｖｔｈは閾値電圧
【０２７３】
次いで、４０℃、５０ＲＨ％の湿熱環境下に２４時間放置した後に、湿熱耐久後のキャリア移動度μ２（ｃｍ２／Ｖｓ）を上記初期キャリア移動度μ１と同様にして算出した。
得られた初期キャリア移動度μ１及び湿熱耐久後のキャリア移動度μ２を用いて、下記式よりキャリア移動度の維持率を算出し、その値によりＯＴＦＴの湿熱安定性を評価した。
キャリア移動度の維持率（％）＝湿熱耐久後のキャリア移動度μ２／初期キャリア移動度μ１
【０２７４】
キャリア移動度の維持率（％）が８０％以上である場合を「Ａ」、６０％以上８０％未満である場合を「Ｂ」、６０％未満である場合を「Ｃ」として、評価した。その結果を表３に示す。
【０２７５】
【表３】
2015198115.tif 000048
【０２７６】
表３に示されるように、一般式（Ｉ）で表される構造ユニットＡ及び構造ユニットＢを少なくとも有するポリオルガノシロキサン化合物（ＡＰ）を含む本発明の硬化性組成物で形成した本発明の絶縁膜は、いずれも、有機半導体材料の塗布性を改善できた。また、この絶縁膜をゲート絶縁層として有する本発明のＯＴＦＴは、いずれも、高い湿熱安定性を発揮した。
このように、本発明の硬化性組成物及びこれを硬化してなる絶縁膜は、有機半導体材料の塗布性を改善し、しかもＴＦＴ特性の湿熱安定性を向上できることが分かった。また、本発明のＯＴＦＴＦは、半導体層が均一に成膜されて高いＴＦＴ特性を発揮するうえ、電極等との密着性が高くＴＦＴ特性の湿熱安定性にも優れることが分かった。
【０２７７】
特に、ポリオルガノシロキサン化合物（ＡＰ）が一般式（ＩＩ）で表される構造ユニットＡ、構造ユニットＢ及び構造ユニットＣを有していると、湿熱安定性の改善効果が高いことが分かった。
【０２７８】
これに対して、硬化物がフリーのヘテロ環を有しない試料Ｎｏ．ｃ１〜ｃ３は、いずれも、有機半導体材料の塗布性が悪かった。試料Ｎｏ．ｃ１は湿熱耐久性にも劣るものであった。
【符号の説明】
【０２７９】
１  半導体層（有機半導体層）
２  ゲート絶縁層
３  ソース電極
４  ドレイン電極
５  ゲート電極
６  基板
【図１】
2015198115.tif 000052