(57)【要約】【課題】記憶装置における特性データの使用領域を小さくする。【解決手段】記憶部５８はコードフラッシュ６０とデータフラッシュ６２とを含み、コードフラッシュ６０に制御回路３６の基準特性データが記憶され、データフラッシュ６２に個体特性データと基準特性データとの偏差の偏差データが記憶される。基準特性データと偏差データとに基づいて個体特性データが取得され、個体特性データに基づいてデューティ比が決定され、コイル３０への供給電流が制御される。このように、個体特性データではなく偏差データが記憶されるため、記憶部５８の使用領域を小さくすることができる。また、データフラッシュ６２の空き領域を大きくすることができるため、アクセス性を向上させることができる。【選択図】図４
2015103544.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
コイルを含む制御回路における電圧と電流との関係である特性を表す特性データを記憶する記憶装置であって、
前記制御回路について予め定められた前記関係である基準特性を表す基準特性データを記憶する第１記憶部と、
前記制御回路の個別の実際の前記関係である個体特性を表す個体特性データと前記基準特性データとの偏差である偏差データを記憶する第２記憶部と
を含むことを特徴とする記憶装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、制御回路の特性を表す特性データを記憶する記憶装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
特許文献１に記載の記憶装置としてのＥＥＰＲＯＭには、ソレノイドのコイルと、トランジスタ、抵抗等の複数の回路要素とを含む制御回路について、それら回路要素の各々の特性を表す要素特性データが記憶されている。そして、そのＥＥＰＲＯＭに記憶された要素特性データに基づいてコイルへの供給電流が制御される。
特許文献２に記載の記憶装置としてのＲＡＭには、ソレノイドのコイルを含む制御回路の実際の特性を表す個体特性データが記憶されている。そのＲＡＭに記憶された個体特性データに基づいてコイルへの供給電流が制御される。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開平１１−３２７６０２号公報
【特許文献２】特開２００６−２５２４１６号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
本発明の課題は、記憶装置の改良を図ることであり、例えば、制御回路の特性を表す特性データの使用領域を小さくしたり、より正確な特性データが記憶されるようにしたりすること等である。
【課題を解決するための手段および効果】
【０００５】
本願発明に係る記憶装置は、制御回路の基準特性を表す基準特性データを記憶する第１記憶部と、制御回路の個体特性を表す個体特性データと基準特性データとの偏差である偏差データを記憶する第２記憶部とを含む。個体特性データと基準特性データとの差（偏差）を表す偏差データが取得され、偏差データが、基準特性データが記憶された第１記憶部とは異なる第２記憶部に記憶されるのである。
第１記憶部は、例えば、記憶容量が大きいが、記憶された情報が書き換えられることが少ないものとすることができる。具体的には、ＲＯＭ，コードフラッシュ等が該当する。第１記憶部は、主として、制御回路（スイッチング素子等の回路要素を含む）等の設計段階においてプログラムコード等を記憶するのに用いられることが多い。
第２記憶部は、例えば、第１記憶部より記憶容量が小さく、第１記憶部よりデータの書き換え（書き込み、消去）が容易なものとすることができる。具体的には、ＥＥＰＲＯＭ、データフラッシュ等が該当する。第２記憶部は、主として、設計後に取得されたデータ（工場内の学習値、ユーザ使用時の学習値等）の処理に用いられることが多い。
基準特性データは、例えば、設計段階で決められる制御回路の特性である基準特性を表す、画一的なデータとすることができる。個体特性データは、例えば、制御回路の個別の特性である個体特性を表すデータとすることができる。個体特性データは実際に取得される。特性データとは、制御回路の特性を表すデータであり、基準特性データ、個体特性データ、基準特性データおよび偏差データ、偏差データ等が該当する。偏差データは、個体特性の基準特性からの隔たりを表すデータであるため、特性データに該当するものであると考えることができる。
【０００６】
前述のように、本記憶装置においては、基準特性データと偏差データとが互いに異なる記憶部に記憶されるため、これら基準特性データと偏差データとが同じ記憶部に記憶される場合に比較して、その記憶部（第１記憶部または第２記憶部）の特性データを記憶するために使用される領域（以下、単に使用領域と称する）を小さくすることができる。
また、個体特性データと偏差データとを比較すると、偏差データの方が少ない桁数で表すことができる。そのため、基準特性データと個体特性データとが記憶される場合に比較して、記憶装置全体の使用領域を小さくすることができる。
さらに、第２記憶部には偏差データが記憶されるため、個体特性データが記憶される場合と比較して、使用領域を小さくすることができる。換言すれば、第２記憶部の使用領域を同じにする場合には、その分、偏差データの有効数字を多くすることができ、より正確な（高精度の）個体特性データを取得することが可能となる。
また、基準特性データと偏差データとが記憶されれば、基準特性データも個体特性データも取得することができるのであり、基準特性データと個体特性データとの両方が記憶される場合と同様のデータが取得可能とされ、記憶される情報量を少なくすることができる。
【０００７】
一方、本願発明に係る記憶装置はソレノイド制御装置に設けることができる。第１記憶部に記憶された基準特性データと、第２記憶部に記憶された偏差データとに基づいて個体特性データが取得され、取得された個体特性データに基づいてソレノイドのコイルへの供給電流が制御される。仮に、基準特性データと個体特性データとが第２記憶部に記憶された場合、あるいは、基準特性データが記憶されず、個体特性データのみが第２記憶部に記憶された場合において、第２記憶部に記憶された情報が消失した場合には、コイルへの供給電流の制御を良好に行うことが困難となる。それに対して、第１記憶部に基準特性データが記憶され、第２記憶部に偏差データが記憶されるようにすれば、第２記憶部に記憶されたデータが消失しても、第１記憶部に記憶された基準特性データに基づいてコイルへの供給電流を良好に制御することができる。
【０００８】
偏差データの取得等は、記憶装置の出荷前に、工場の設備（外部装置）等を利用して行われるようにしたり、記憶装置の出荷後（ユーザ使用時）に、例えば、ソレノイド制御装置等において行われるようにしたりすることができる。また、工場内において第２記憶部に記憶された偏差データがユーザ使用時に適宜変更されるようにすることもできる。
【図面の簡単な説明】
【０００９】
【図１】本発明の実施例に係る記憶装置を含むソレノイド制御装置によって制御される対象のソレノイドを有する電磁弁の断面図である。
【図２】(a)上記コイルを含む制御回路の回路図である。(b)(a)における電流の変化を示す図である。
【図３】上記ソレノイド制御装置を概念的に示す図である。
【図４】(a)上記制御回路の個体特性データ、偏差データを取得等する外部装置を概念的に示す図である。(b)上記外部装置に記憶された偏差データ取得等プログラムを表すフローチャートである。
【図５】上記制御回路における電流と電圧との関係である特性を概念的に示す図である。
【図６】上記外部装置において個体特性が取得される場合の(a)電流の変化を示す図である。(b)取得された個体特性を概念的に示す図である。
【図７】上記ソレノイド制御装置における制御を概念的に示すブロック図である。
【図８】補間法を説明するための図である。
【発明の実施形態】
【００１０】
以下、本発明の一実施形態に係る記憶装置について説明する。本記憶装置は車両に搭載されたソレノイド制御装置に設けられる。ソレノイド制御装置は、電磁弁に含まれるソレノイドへの供給電流を制御するものである。電磁弁は、車載装置（流体圧作動装置、流体圧制御対象装置と称することができる）の流体圧を制御するものであり、例えば、車輪の回転を抑制する流体圧ブレーキの流体圧を制御するものとしたり、車体側部材と車輪側部材との間の間隔を調整する車高調整アクチュエータにおける流体圧（流体の流入・流出）を制御するものとしたり、トランスミッションのクラッチ油圧を制御するものとしたりすること等ができる。
なお、流体は液体であっても気体であってもよい。また、ソレノイド制御装置の制御対象であるソレノイドは、電磁弁以外のアクチュエータに含まれるものとすることができる。
さらに、偏差データは、車両の外部の、例えば、工場等に設置された外部装置を利用して取得されるようにしても、車両に搭載された、例えば、ソレノイド制御装置において取得されるようにしてもよい。
【実施例】
【００１１】
[ソレノイド制御装置]
以下、本発明の一実施例である記憶装置を備えたソレノイド制御装置について図面に基づいて詳細に説明する。
ソレノイド制御装置の制御対象であるソレノイドを含む電磁弁の一例を図１に示す。電磁弁１０は、ポペット弁部１２とソレノイド１４とを含む。ポペット弁部１２は、弁子２０、弁座２１、スプリング２２等を備える。ソレノイド１４は、コイル３０とプランジャ３２とを備える。コイル３０への供給電流の制御によりプランジャ３２が作動させられ、それに伴って弁子２０が弁座２１に対して接近・離間させられる。電磁弁１０は、高圧側と低圧側との間の差圧に応じた力が弁子２０を弁座２１から離間させる向きに作用する姿勢で設けられる。図１に記載の電磁弁１０においては、高圧側に高圧源が接続され、低圧側に流体圧作動装置が接続され、流体圧作動装置の流体圧が制御される。
【００１２】
コイル３０を含む制御回路３６を図２(a)に示す。制御回路３６は、コイル３０、電源４０、スイッチング素子４２等が直列に接続されて構成される。抵抗４４はコイル３０、スイッチング素子４２を有するＩＣの抵抗等、制御回路３６の全体の抵抗を等価的に記載したものである。制御回路３６には電流モニタ４６が接続される。
スイッチング素子４２は例えばトランジスタとすることができ、デューティ制御されることにより、コイル３０に印加される電圧が制御されて、コイル３０に流れる電流が制御される。コイル３０に印加される電圧は、デューティ比が大きい場合は小さい場合より大きくなるため、本実施例においては、電圧をデューティ比で表す。
図２(a)に示す制御回路３６において、
ｕ(ｔ)＝Ｒ・ｉ(ｔ)＋Ｌ・ｄｉ(ｔ)／ｄｔ
が成立する。u(t)はスイッチング素子４２のデューティ制御によりコイル３０に印加された電圧であり、ｉ(ｔ)はコイル３０に流れる電流である。また、Ｌはコイル３０のインダクタンスであり、Ｒは制御回路３６全体の抵抗値である。
上式をラプラス変換すると（ｄ／ｄｔ＝ｓ）、下式が得られる。
Ｉ(ｓ)＝｛１／(Ｌ・ｓ＋Ｒ)｝・Ｕ(ｓ)
上式に示すように、電圧（デューティ比）と電流との間の伝達関数は一次遅れ応答の式で表される。図２(b)に示すように、電流値は、デューティ比の変化に対して（過渡的に）、遅れて増加し、その後（定常的に）、デューティ比および抵抗値で決まる一定の大きさとなる。
【００１３】
スイッチング素子４２等を含む駆動回路４８はコントローラ５０により制御され、コイル３０への供給電流が制御される。本実施例においては、図３に示すように、駆動回路４８、コントローラ５０等によりソレノイド制御装置としてのＥＣＵ５２が構成される。コントローラ５０は、コンピュータを主体とするものであり、入出力部５４、実行部５６、記憶部５８等を含む。入出力部５４には、図示しない複数のセンサが接続されるとともに駆動回路４８等が接続される。入出力部５４には、複数の駆動回路が接続されることが多いが、図３には、そのうちの１つを示した。実行部５６においては、入出力部５４を介して入力されたセンサ検出値等と記憶部５８に記憶されたプログラム、データ等に基づいて制御指令値が作成される。記憶部５８は、コードフラッシュ６０とデータフラッシュ６２とを含み、複数のプログラム、データ等を記憶する。
コードフラッシュ６０は、データフラッシュ６２より記憶容量が大きく、主として、ＥＣＵ５２、電磁弁１０（ソレノイド１４）等の設計段階において作成されたプログラムコード、データ等が記憶される。本実施例においては、制御回路３６の特性の１つとしての基準特性を表す基準特性データが記憶される。
データフラッシュ６２は、コードフラッシュ６０より記憶容量が小さく、書き換え（書き込み、消去）が容易なものである。主として、設計後に工場、ユーザ使用時に取得された学習値等が記憶されるのであり、制御回路３６の特性の１つとしての個体特性を表す個体特性データと基準特性データとの偏差を表す偏差データが記憶される。
図３から明らかなように、記憶部５８は、ＥＣＵ５２の構成要素であり、コードフラッシュ６０もデータフラッシュ６２もＥＣＵ５２内に設けられたものである。
【００１４】
本実施例において、制御回路３６の特性とは、コイル３０に印加される電圧（本実施例においては、デューティ比で表す）とコイル３０に流れる電流（制御回路３６に流れる電流と同じであると考えることができる）との関係である。基準特性（基準モデル）とは、設計段階において決められた特性であり、画一的な特性である。基準特性を表す基準特性データの一例を図５の実線で示す（電流ｘ、電圧としてのデューティ比ｙ）。
ｙ＝ａ・ｘ＋ｂ
なお、基準特性データは、設計段階においてコードフラッシュ６０に記憶させられる。
そして、その基準特性に基づいて、駆動回路４８、ソレノイド１４等が設計、製造されるのであるが、駆動回路４８（スイッチング素子４２を含むＩＣ回路等）、コイル３０等の個々のばらつき等に起因して、制御回路３６の個々の特性が基準特性からずれることがある。そこで、本実施例においては、制御回路３６の個別の実際の特性である個体特性（個体モデル）が、車両の出荷前に、車両組み付け工場の設備等を利用して取得される。そして、個体特性を表す個体特性データから基準特性データを引くことにより偏差データが得られ、データフラッシュ６２に記憶させられる。
【００１５】
[偏差データの取得]
偏差データは、前述のように、車両組み付け工場の設備（外部装置７０と称する）を利用して取得される。外部装置７０は、図４(a)に示すように、コンピュータを主体とするものであり、ＥＣＵ５２に接続される。外部装置７０とＥＣＵ５２との間のデータ通信等により、制御回路３６についての個体特性データ、偏差データの取得等が行われるのであり、外部装置７０に記憶された図４(b)のフローチャートで表されるプログラムの実行に従って行われる。なお、図４(a)には、外部装置７０とＥＣＵ５２とが接続された場合を示すが、外部装置７０の機能により、外部装置７０と制御回路３６とが接続されたり、外部装置７０とコントローラ５０とが接続されたりする場合もある。また、電源、電流モニタ等については、工場にある設備を使用することもできる。
【００１６】
ステップ１（以下、Ｓ１と略称する。他のステップについても同様とする）において、制御回路３６についての個体特性データが取得される。個体特性データは、例えば、複数の実測点（ｘｋ、ｈｋ）に基づいて取得される１つの直線で表すことができる。
実測点（ｘｋ、ｈｋ）は、電流モニタ４６によって検出された制御回路３６に実際に流れた電流と、実際のスイッチング素子４２の制御に用いられたデューティ比とで表されるｘ−ｈ座標上の点である。実測点は、それぞれ、複数回ずつ検出されて統計的に処理された代表値（例えば、平均値）として取得されるようにすることができる。
例えば、外部装置７０からＥＣＵ５２に、図６(a)に示す設定電流値（ｘ１、ｘ２、ｘ３、・・）を表す情報が順番に供給される。ＥＣＵ５２において、デューティ比を変化させることにより、電流モニタ４６によって検出される電流が設定電流値となるデューティ比（ｈ１、ｈ２、ｈ３・・）が取得される。そして、ＥＣＵ５２から外部装置７０に、取得されたデューティ比（ｈ１、ｈ２、ｈ３・・）を表す情報が供給される。外部装置７０において、図６(b)に示すように、複数個の互いに異なる実測点（ｘｋ、ｈｋ）が取得される。
取得された複数の実測点（ｘｋ、ｈｋ）に基づいて（例えば、最小二乗法等により）個体特性データを表す直線が取得されるが、その一例を図５の一点鎖線で示す。
ｈ＝γ・ｘ＋ｃ
なお、電流０（ｘ０）の場合のデューティ比（ｈ０）は、一点鎖線の切片（ｈ０＝ｃ）として取得することができる。
【００１７】
Ｓ２において偏差データが取得される。偏差は、同じ電流に対する、個体特性データのデューティ比と基準特性データのデューティ比との差である。例えば、図５に示すように、設定電流値（ｘｋ）の各々に対応する個体特性データのデューティ比（ｈｋ）から基準特性データのデューティ比（ｙｋ）を引くことによって偏差データΔｙｋが取得される。
Δｙｋ＝ｈｋ−ｙｋ
（Δｙ０、Δｙ１、Δｙ２、Δｙ３・・）
例えば、ＥＣＵ５２においてコードフラッシュ６０から読み出された基準特性データが外部装置７０へ供給され、外部装置７０において、Ｓ１において取得された個体特性データを用いて、偏差データΔｙｋが取得されるようにすることができる。
そして、Ｓ３において、取得された偏差データΔｙｋがデータフラッシュ６２に記憶される。例えば、外部装置７０はＥＣＵ５２に、偏差データΔｙｋを供給するとともに、それら偏差データΔｙｋを記憶部５８のデータフラッシュ６２に記憶する指令等を出力する。ＥＣＵ５２において、偏差データΔｙｋがデータフラッシュ６２に記憶させられる。
なお、偏差データを取得する際に用いられる個体特性データのデューティ比ｈｋとして実測点のデューティ比を用いてもよい。複数の実測点により個体特性データが表されると考えることができるからである。
【００１８】
このように、本実施例においては、基準特性データと個体特性データとの偏差を表す偏差データが取得されて、記憶されて、記憶装置としての記憶部５８が製造される。データフラッシュ６２の記憶容量はコードフラッシュ６０と比較して少なく、また、データの書き込み、消去が容易であることから、多くのデータの処理に使用される。そのため、データフラッシュ６２の使用可能領域（空き領域）は大きくしておくことが望ましい。
一方、個体特性データと偏差データとを比較すると、偏差データの方が使用されるデータ量が少ない。例えば、データフラッシュ６２にｎ個のデューティ比ｈ（ｈ０、ｈ１、ｈ２、・・・ｈｎ−１）から構成される個体特性データが記憶される場合に使用される容量は、Ｑ(byte)×ｎ（個）×αとなる。αは、複数の記憶方法で記憶される場合（例えば、フェールセーフのため）に、それに応じて決まる値である。それに対して、ｎ個の偏差（Δｙ０、Δｙ１、Δｙ２、・・・Δｙｎ−１）から構成される偏差データが記憶される場合に使用される容量は、Ｑ′(byte)×ｎ（個）×αとなる。データ１個が使用する容量は、デューティ比の絶対値より偏差（デューティ比の差）の方が小さいため（Ｑ′＜Ｑ）、偏差データが記憶されるようにすれば、その分、データフラッシュ６２の使用領域を小さくすることができる。その結果、データフラッシュ６２の空き領域を大きくすることができ、データフラッシュ６２のアクセス性を向上させることができる。
また、使用領域を同じにすれば、その分、偏差データの有効数字を多くすることができ、個体特性データを精度よく取得することができる。
なお、設定電流値（ｘｋ）が予め決められているため、特性を表すデューティ比を電流値と関係付けて記憶する必要はなく、それによっても使用領域を小さくすることができる。
以上のように、コードフラッシュ６０に基準特性データが記憶され、データフラッシュ６２に偏差データが記憶されて記憶部５８が製造された後に、車両が出荷される。
【００１９】
なお、第１記憶部、第２記憶部の少なくとも一方は、ＥＣＵの外に設けられたものであってもよい（例えば、第１記憶部をＲＯＭとして、第２記憶部をＥＥＰＲＯＭとすることもできる。）。その場合には、ＥＣＵと外部メモリとによってソレノイド制御装置が構成される。
また、本実施例においては、車両の組み立て工場等において、個体特性データが取得されてデータフラッシュ６２に記憶されるようにされているが、車両の出荷後の、実際のソレノイド制御中に個体特性データが取得されて、データフラッシュ６２に記憶されるようにしたり、ソレノイド制御中に取得された個体特性データによってデータフラッシュ６２に記憶されたデータが適宜変更されるようにしたりすることもできる。
さらに、個体特性データと基準特性データとの偏差である偏差データに限定されず、偏差と１対１に対応する偏差関連データが記憶されるようにすることもできる。偏差関連データと基準特性データとに基づいて個体特性データが取得され、それに基づいてコイル３０への供給電流が制御されることになる。
【００２０】
[ソレノイドへの供給電流の制御]
次に、記憶部５８を備えたＥＣＵ５２におけるコイル３０への供給電流の制御の一例について図７に基づいて説明する。
目標電流演算部８０において、複数のセンサの検出値等に基づいてコイル３０への供給電流の目標値である目標電流ｘｒｅｆが決定される。例えば、流体圧作動装置の目標流体圧が実現されるように目標電流ｘｒｅｆを決定することができる。目標デューティ比決定部８２において、コードフラッシュ６０に記憶された基準特性データと、データフラッシュ６２に記憶された偏差データとに基づいて制御回路３６の個体特性データが取得され、取得された個体特性データと目標電流ｘｒｅｆとに基づいて、スイッチング素子４２を制御する場合の目標デューティ比Ｄｒｅｆが、補間法を用いて決定される。
具体的に、目標電流ｘｒｅｆが入力されると、図８に示すように、目標電流ｘｒｅｆが間に位置する２つの設定電流値ｘｋ、ｘｋ＋１が取得され（ｘｋ＜ｘｒｅｆ＜ｘｋ＋１）、それらに対応する基準特性データ（ｙｋ、ｙｋ＋１）、偏差（Δｙｋ、Δｙｋ＋１）が取得され、個体特性データ（ｈｋ、ｈｋ＋１）が取得される。
ｈｋ＝ｙｋ＋Δｙｋ
ｈｋ＋１＝ｙｋ＋１＋Δｙｋ＋１
そして、２つの設定電流値ｘｋ、ｘｋ＋１の間の個体特性を表す直線の傾きβが取得され、目標電流ｘｒｅｆが得られるような目標デューティ比Ｄｒｅｆが決定される。
β＝（ｈｋ＋１−ｈｋ）／（ｘｋ＋１−ｘｋ）
Ｄｒｅｆ＝β・ｘｒｅｆ＋ｃ
ｃ＝ｙ０＋Δｙ０＝ｂ＋Δｙ０
【００２１】
温度対応補正部８４において、目標デューティ比決定部８２において決定されたデューティ比Ｄｒｅｆが温度補正係数ＫＴを用いて補正されて、出力される（デューティ比Ｄｏｕｔ）。制御回路３６の抵抗値Ｒは温度の変化に伴って変化するため、制御回路３６の特性も変化する。そこで、コイル３０の温度が実際の温度あるいはそれに近い温度である場合の抵抗値等に基づいて温度補正係数ＫＴが取得され、補正されるのである。また、温度対応補正部８４によって出力されるデューティ比Ｄｏｕｔはフィードフォワード制御指令値ＤＦＦである。また、温度に限らず特性が影響を受ける環境で補正されるようにすることもできるのであり、その場合には、環境対応補正部と称することもできる。
【００２２】
電源電圧対応補正部８６においては、電源４０の電圧の大きさに基づいて、入力されたデューティ比Ｄｏｕｔが補正されて、出力される（Ｄｏｕｔ１）。電源電圧が低い場合は高い場合より、入力されたデューティ比Ｄｏｕｔを大きくする補正が行われる。電源電圧とデューティ比の補正値との関係は予め取得されて、例えば、マップ化されて記憶されている。ノイズ除去部８８においては、入力されたデューティ比Ｄｏｕｔ１が下限値（例えば、０とすることができる）と上限値（例えば、１００％とすることができる）との間にない場合には、下限値、あるいは、上限値に決定されて、出力される（Ｄｏｕｔ２）。デューティ出力部９０は、デューティ比Ｄｏｕｔ２でスイッチング素子４２を駆動させることにより、それに応じた電流をコイル３０に供給する。
【００２３】
一方、コイル３０に流れた実際の電流である実電流は電流モニタ４６によって検出され、フィードバックされる。
Ａ／Ｄ変換部９２において、電流モニタ４６において検出された実電流ｘａ（アナログ値）がディジタル値に変換されて出力される。電流モニタ補正部９４において、電流モニタ４６の温度等に基づいて入力されたディジタル値の補正等が行われる。ディジタルフィルタ９６において、ノイズ等が除去されて、平滑化される。本実施例においては、移動平均値が取得されて、出力される（ｘａｆ）。
実デューティ比取得部９８において、入力された実電流ｘａｆと個体特性データとに基づいて実電流ｘａｆに対応するデューティ比Ｄａｆが取得される。
具体的には、実電流ｘａｆが中間に位置する２つの設定電流値ｘｍ、ｘｍ＋１が取得され（ｘｍ＜ｘａｆ＜ｘｍ＋１）、それらに対応する基準特性データ（ｙｍ、ｙｍ＋１）、偏差（Δｙｍ、Δｙｍ＋１）が取得され、個体特性データ（ｈｍ、ｈｍ＋１）が取得される。そして、２つの設定電流値ｘｍ、ｘｍ＋１の間の傾きβ′が取得され、実電流ｘａｆに対応する実デューティ比Ｄａｆが決定される。
β′＝（ｈｍ＋１−ｈｍ）／（ｘｍ＋１−ｘｍ）
Ｄａｆ＝β′・ｘａｆ＋ｃ
そして、実電流ｘａｆに対応するデューティ比Ｄａｆと目標電流Ｉｒｅｆに対応するデューティ比Ｄｒｅｆとの差である偏差（Ｄｒｅｆ−Ｄａｆ）が取得され、ＰＩＤ制御部００に供給される。ＰＩＤ制御部１００においては、デューティ比の偏差（Ｄｒｅｆ−Ｄａｆ）が小さくなるように、フィードバック制御値ＤＦＢが取得される。そして、温度対応補正部３０４から出力されたフィードフォワード指令値ＤＦＦに加えられる。
【００２４】
以上のように、本実施例においては、コードフラッシュ６０に記憶された基準特性データとデータフラッシュ６２に記憶された偏差データとに基づいて個体特性データが取得され、個体特性データに基づいてスイッチング素子４２へのデューティ比が決定される。コイル３０への供給電流の制御が制御回路３６の実際の個別の特性に基づいて行われるのであり、供給電流の制御を精度よく行うことができる。その結果、流体圧作動装置の応答性の向上を図ることができ、流体圧の制御精度を向上させることができる。
また、基準特性データがコードフラッシュ６０に記憶されているため、データフラッシュ６２に記憶された偏差データが何等かの原因により消失しても、基準特性データに基づいてフィードフォワード制御値ＤＦＦを作成することが可能となる。
【００２５】
本実施例においては、記憶部５８が記憶装置に対応し、コードフラッシュ６０が第１記憶部、データフラッシュ６２が第２記憶部に対応する。また、外部装置７０は、偏差データ取得装置と称したり、偏差データ取得・記憶制御装置と称したり、記憶装置作成装置と称したりすることができる。
【００２６】
本発明は、上記実施例に記載の態様の他、当業者の知識に基づき、種々の変更、改良を施した態様で実施することができる。
【符号の説明】
【００２７】
１０：電磁弁  １４：ソレノイド  ３０：コイル  ４２：スイッチング素子  ４６：電流モニタ  ４８：駆動回路  ５０：コントローラ  ５２：ＥＣＵ  ５８：記憶部  ６０：コードフラッシュ  ６２：データフラッシュ  ７０：外部装置  ８２：目標デューティ比決定部  ９８：実デューティ比決定部
【図１】
2015103544.tif 000003
【図２】
2015103544.tif 000004
【図３】
2015103544.tif 000005
【図４】
2015103544.tif 000006
【図５】
2015103544.tif 000007
【図６】
2015103544.tif 000008
【図７】
2015103544.tif 000009
【図８】
2015103544.tif 000010