(57)【要約】【課題】  少なくとも透明基材、センサ電極及び外周金属配線で構成されたタッチパネルセンサにおいて、高湿度下で発生する外周金属配線を構成する金属のマイグレーションを抑止し得るタッチパネルセンサ及びその製造方法を提供する。【解決手段】  タッチパネルセンサの外周金属配線が、金、銀、銅、アルミニウムの金属のうち１種の金属又は２種以上を組み合わせた合金、又は、金、銀、銅、アルミニウムの金属のうち１種以上の金属とチタン、ニッケル、パラジウム、モリブデン、タンタル、白金、ニオビウム、ルテシウム、イリジウム、インジウム、タングステン及びロジウムの金属のうち１種以上の金属とを組み合わせた合金から構成されてなり、その外周金属配線を覆うように撥水層が形成されてなるタッチパネルセンサ及びその製造方法に特徴を有する。【選択図】  図４
2015129995.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくとも透明基材、センサ電極及び外周金属配線で構成されたタッチパネルセンサであって、
前記外周金属配線を覆うように撥水層が形成されてなり、
前記外周金属配線は、金、銀、銅、アルミニウムの金属のうち１種の金属又は２種以上を組み合わせた合金、又は、金、銀、銅、アルミニウムの金属のうち１種以上の金属と
チタン、ニッケル、パラジウム、モリブデン、タンタル、白金、ニオビウム、ルテシウム、イリジウム、インジウム、タングステン及びロジウムの金属のうち１種以上の金属とを組み合わせた合金から構成される
ことを特徴とするタッチパネルセンサ。
【請求項２】
請求項１に記載のタッチパネルセンサにおいて、
前記撥水層は、気相法により形成されてなる
ことを特徴とするタッチパネルセンサ。
【請求項３】
請求項１〜２のいずれか１項に記載のタッチパネルセンサにおいて、
前記撥水層の表面粗さＲａが５ｎｍ以上１μｍ以下である
ことを特徴とするタッチパネルセンサ。
【請求項４】
請求項１〜３のいずれか1項に記載のタッチパネルセンサにおいて、
前記撥水層の平均厚さが１ｎｍ以上１μｍ以下である
ことを特徴とするタッチパネルセンサ。
【請求項５】
請求項１〜４のいずれか1項に記載のタッチパネルセンサにおいて、
前記撥水層は、水との接触角が７０°以上１７０°以下である
ことを特徴とするタッチパネルセンサ。
【請求項６】
請求項１〜５のいずれか１項に記載のタッチパネルセンサにおいて
前記撥水層は、アルキル基を有する有機金属化合物、炭化水素化合物、及びフッ素含有化合物のうち少なくとも１種の化合物から構成されてなる
ことを特徴とするタッチパネルセンサ。
【請求項７】
請求項６に記載のタッチパネルセンサにおいて、
前記撥水層を構成する前記アルキル基を有する有機金属化合物は、ＳｉｘＯｙＣｚＨα（ただし、1≦ｘ≦10、0≦ｙ≦10、1≦ｚ≦50、1≦α≦122）で示される有機シリコン系材料及び／又はその重合体である
ことを特徴とするタッチパネルセンサ。
【請求項８】
請求項６に記載のタッチパネルセンサにおいて、
前記撥水層を構成する前記フッ素含有化合物は、
１）ＳｉｘＯｙＣｚＨαＦβ（ただし、１≦ｘ≦10、0≦ｙ≦10、1≦ｚ≦50、0≦α≦121、1≦β≦122）で示される有機フッ化シリコン材料及び／又はその重合体、
２）ＳｉｘＯｙＨαＦβ(ただし、1≦ｘ≦50、0≦ｙ≦10、0≦α≦101、1≦β≦102)
で示されるフッ化シリコン系材料及び／又はその重合体、及び
３）ＣｘＯｙＨｚＦα（ただし、1≦ｘ≦50、0≦ｙ≦50、0≦ｚ≦101、1≦α≦102）
で示されるフッ素含有炭化水素系材料及び／又はその重合体、のうち少なくとも一つからなる
ことを特徴とするタッチパネルセンサ。
【請求項９】
請求項６〜８のいずれか１項に記載のタッチパネルセンサにおいて、
前記撥水層は、自己組織化単分子膜からなる
ことを特徴とするタッチパネルセンサ。
【請求項１０】
請求項１〜５のいずれか1項に記載のタッチパネルセンサにおいて、
前記撥水層は、自己組織化単分子膜からなり、
前記自己組織化単分子膜が、下記一般式（１）で示される化合物を原材料として形成されたものである
ことを特徴とするタッチパネルセンサ。
（Ｒ1）ｍＸ（Ｒ2）ｎ・・・（１）
（ただし、Ｒ1は、アルキル基又はアリール基である。Ｒ2は、ハロゲン、又は−ＯＲ3（Ｒ3は、アルキル基、アリル基、又はアリール基である。）で示される置換基である。
Ｘは、Ｓｉ、Ｔｉ、Ａｌ、Ｃ及びＳからなる郡から選択される少なくとも一つである。ここで、１≦ｍ、１≦ｎ、２≦ｍ＋ｎ≦４である。）
【請求項１１】
少なくとも透明基材、センサ電極及び外周金属配線で構成され、前記外周金属配線を覆うように撥水層が形成されているタッチパネルセンサの製造方法であって、
前記撥水層が気相法により前記外周金属配線上に形成される工程を含む
ことを特徴とするタッチパネルセンサの製造方法。
【請求項１２】
請求項１１に記載のタッチパネルセンサの製造方法において、
前記気相法はＣＶＤ法である
ことを特徴とするタッチパネルセンサの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、タッチパネルセンサ及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、タッチパネルは、表示装置と組み合わされて表示画面に人間の手などで軽く触れるだけで情報を入力することができるため、携帯電話、ゲーム機、電子書籍リーダーなどのポータブルデバイスや、自動販売機、パーソナルコンピューター、デジタルサイネージなど種々の製品に展開されている。
【０００３】
タッチパネルは、タッチセンサ機能を有するアクティブ領域にセンサ電極を有し、その外の非アクティブ領域に外周配線を有するものであるが、その外周配線を構成する導電性金属は、高湿度の環境下では、配線と配線の間の絶縁層を横切って移動するマイグレーションが発生し易いため、最終的には短絡不良を起こすことになり、そのため様々な対策が提案されている（例えば特許文献１参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００５−２５１６９２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
少なくとも透明基材、センサ電極及び外周金属配線で構成されたタッチパネルセンサにおいて、外周金属配線を構成する金属のマイグレーションを抑止することができるタッチパネルセンサ及びその製造方法が求められている。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
上記の問題を解決する第１の発明の要旨は、少なくとも透明基材、センサ電極及び外周金属配線で構成されたタッチパネルセンサであって、  前記外周金属配線を覆うように撥水層が形成されてなり、前記外周金属配線は、金、銀、銅、アルミニウムの金属のうち１種の金属又は２種以上を組み合わせた合金、又は、金、銀、銅、アルミニウムの金属のうち１種以上の金属とチタン、ニッケル、パラジウム、モリブデン、タンタル、白金、ニオビウム、ルテシウム、イリジウム、インジウム、タングステン及びロジウムの金属のうち１種以上の金属とを組み合わせた合金から構成されることを特徴とするものである。
【０００７】
上記の問題を解決する第２の発明の要旨は、上記の第１の発明に記載のタッチパネルセンサにおいて、前記撥水層は、気相法により形成されてなることを特徴とするものである。
【０００８】
上記の問題を解決する第３の発明の要旨は、上記の第１〜２のいずれか一発明に記載のタッチパネルセンサにおいて、前記撥水層の表面粗さＲａが５ｎｍ以上１μｍ以下である
ことを特徴とするものである。
【０００９】
上記の問題を解決する第４の発明の要旨は、上記の第１〜３のいずれか一発明に記載のタッチパネルセンサにおいて、前記撥水層の平均厚さが１ｎｍ以上１μｍ以下であることを特徴とするものである。
【００１０】
上記の問題を解決する第５の発明の要旨は、上記の第１〜４のいずれか一発明に記載のタッチパネルセンサにおいて、  前記撥水層は、水との接触角が７０°以上１７０°以下であることを特徴とするものである。
【００１１】
上記の問題を解決する第６の発明の要旨は、上記の第１〜５のいずれか一発明に記載のタッチパネルセンサにおいて、前記撥水層は、アルキル基を有する有機金属化合物、炭化水素化合物、及びフッ素含有化合物のうち少なくとも１種の化合物から構成されてなることを特徴とするものである。
【００１２】
上記の問題を解決する第７の発明の要旨は、上記の第６の発明に記載のタッチパネルセンサにおいて、前記撥水層を構成する前記アルキル基を有する有機金属化合物は、ＳｉｘＯｙＣｚＨα（ただし、1≦ｘ≦10、0≦ｙ≦10、1≦ｚ≦50、1≦α≦122）で示される有機シリコン系材料及び／又はその重合体であることを特徴とするものである。
【００１３】
上記の問題を解決する第８の発明の要旨は、上記の第６の発明に記載のタッチパネルセンサにおいて、請求項６に記載のタッチパネルセンサにおいて、前記撥水層を構成する前記フッ素含有化合物は、１）ＳｉｘＯｙＣｚＨαＦβ（ただし、１≦ｘ≦10、0≦ｙ≦10、1≦ｚ≦50、0≦α≦121、1≦β≦122）で示される有機フッ化シリコン材料及び／又はその重合体、２）ＳｉｘＯｙＨαＦβ(ただし、1≦ｘ≦50、0≦ｙ≦10、0≦α≦101、1≦β≦102)で示されるフッ化シリコン系材料及び／又はその重合体、及び３）ＣｘＯｙＨｚＦα（ただし、1≦ｘ≦50、0≦ｙ≦50、0≦ｚ≦101、1≦α≦102）で示されるフッ素含有炭化水素系材料及び／又はその重合体、のうち少なくとも一つからなることを特徴とするものである。
【００１４】
上記の問題を解決する第９の発明の要旨は、上記の第６〜８のいずれか一発明に記載のタッチパネルセンサにおいて、前記撥水層は、自己組織化単分子膜からなることを特徴とするものである。
【００１５】
上記の問題を解決する第１０の発明の要旨は、上記の第１〜５のいずれか一発明に記載のタッチパネルセンサにおいて、前記撥水層は、自己組織化単分子膜からなり、前記自己組織化単分子膜が、下記一般式（１）で示される化合物を原材料として形成されたものであることを特徴とするものである。
【００１６】
（Ｒ1）ｍＸ（Ｒ2）ｎ・・・（１）
（ただし、Ｒ1は、アルキル基又はアリール基である。Ｒ2は、ハロゲン、又は−ＯＲ3（Ｒ3は、アルキル基、アリル基、又はアリール基である。）で示される置換基である。
Ｘは、Ｓｉ、Ｔｉ、Ａｌ、Ｃ及びＳからなる郡から選択される少なくとも一つである。ここで、１≦ｍ、１≦ｎ、２≦ｍ＋ｎ≦４である。）
上記の問題を解決する第１１の発明の要旨は、少なくとも透明基材、センサ電極及び外周金属配線で構成され、前記外周金属配線を覆うように撥水層が形成されているタッチパネルセンサの製造方法であって、前記撥水層が気相法により前記外周金属配線上に形成される工程を含むことを特徴とするものである。
【００１７】
上記の問題を解決する第１２の発明の要旨は、上記の第１１に記載のタッチパネルセンサにおいて、前記気相法はＣＶＤ法であることを特徴とするものである。
【発明の効果】
【００１８】
本発明によれば、上記の如く、タッチパネルセンサの外周金属配線が、金、銀、銅、アルミニウムの金属のうち１種の金属又は２種以上を組み合わせた合金、又は、金、銀、銅、アルミニウムの金属のうち１種以上の金属とチタン、ニッケル、パラジウム、モリブデン、タンタル、白金、ニオビウム、ルテシウム、イリジウム、インジウム、タングステン及びロジウムの金属のうち１種以上の金属とを組み合わせた合金から構成されてなり、その外周金属配線を覆うように撥水層が形成されることによって、外周金属配線を構成する金属のマイグレーションの発生を抑止することが可能なタッチパネルセンサ及びその製造方法を提供することができる作用効果を奏する。
【図面の簡単な説明】
【００１９】
【図１】タッチパネルセンサを用いた情報端末装置を示す概略図である。
【図２】タッチパネルセンサを用いた情報端末装置を示す断面図である。
【図３】タッチパネルセンサを示す平面図である。
【図４】タッチパネルセンサの部分を拡大して示す平面図及び断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００２０】
以下に本発明を実施するための形態について、図１〜４に基づいて説明する。
【００２１】
図１は、本発明のタッチパネルセンサを用いた情報端末装置である。
【００２２】
図１に示すように、情報端末装置１００は、タッチパネル装置２０と表示装置３０とが組み合わされて構成されている。
【００２３】
表示装置３０は、例えば液晶表示パネルのように、表示情報を表示する表示パネルと表示情報を制御する表示制御部６０からなる。
【００２４】
タッチパネル装置２０は、表示装置３０の表示面の位置情報を検出するタッチパネルセンサと位置情報の検出を制御する検出制御部５０からなるものである。
【００２５】
図２に示すように、情報端末装置１００は、表示装置３０の上にタッチパネル装置２０が組み込まれて構成されている。このタッチパネル装置２０は、静電容量結合方式であり、タッチパネルセンサ１０が積層され、その上にカバーシート４０が積層されて構成されている。
【００２６】
また、図２において、タッチパネルセンサ１０は、少なくとも透明基材１、センサ電極２及び外周配線３からなり、透明基材１を挟んで両側にセンサ電極２及び外周配線３が設けられて構成されている。
【００２７】
さらに透明基材１の両面に設けられた外周配線３の両方の上には、加飾層４が設けられている。
【００２８】
図３は、本発明のタッチパネルセンサを説明するための平面図である。
【００２９】
図３（ａ）は、本発明のタッチパネルセンサ１０であって、透明基材１上にセンサ電極２が中央部に設けられている。センサ電極２はその配列方向と直交する方向に沿って直線状に形成され、図面の左右方向に延びる帯状の配線として示されている。
【００３０】
タッチパネルセンサ１０において、外周配線３は、センサ電極２の周囲を引き回すように形成され、外周配線３の一方の端部は透明基材１の一辺に集められている。この外周配線３の端部には、制御部など外部装置と接続するための外部接続端子部Ｇが設けられている。
【００３１】
タッチパネルのタッチ位置が検出される領域に対応しセンサ電極２を有するアクティブ領域（図中の二点鎖線で囲まれた矩形状の領域）と、アクティブ領域を囲む額縁状の領域であって外周配線３と外部接続端子部Ｇを有する非アクティブ領域（図中のタッチパネルセンサ外形と二点鎖線で囲まれた額縁状の領域）が示されている。
【００３２】
図３（ｂ）は、図３（ａ）のタッチパネルセンサ１０の透明基材１の面とは反対側の面（以下、「裏面」と云う）を示すものである。
【００３３】
図３（ｂ）に示すように、センサ電極２は図３（ａ）で示すセンサ電極２の配列方向と直交する方向に沿って直線状に形成され、図面の上下方向に延びる帯状の配線として示されている。
【００３４】
外周金属配線３は、センサ電極２の周囲を引き回すように形成され、外周金属配線３の一方の端部は透明基材１の一辺に集められている。この外周配線３の端部には、制御部など外部装置と接続するための外部接続端子部Ｇが設けられている。
【００３５】
図３（ａ）と同様に、タッチパネルのタッチ位置が検出される領域に対応しセンサ電極２を有するアクティブ領域（図中の二点鎖線で囲まれた矩形状の領域）と、アクティブ領域を囲む額縁状の領域であって外周配線３と外部接続端子部Ｇを有する非アクティブ領域（図中のタッチパネルセンサ外形と二点鎖線で囲まれた額縁状の領域）が示されている。
【００３６】
図４は、タッチパネルセンサの部分を拡大して示す平面図及び断面図である。
【００３７】
図４により、センサ電極と、センサ電極に接続される外周金属配線３と、外周金属配線３の上に撥水層４が積層されるタッチパネルセンサ部材の配置構成について説明する。
【００３８】
図４（ａ）は、図３（ａ）に示すタッチパネルセンサ１０の左下隅部を拡大して示す平面図である。
【００３９】
図４（ｂ）は、図４（ａ）におけるＡ−Ａ線の断面図である。
【００４０】
図４（ａ）に示すように、図中の右側部分では、透明基材１の上にセンサ電極２が積層されており、図中の左側部分では、同じ透明基材１の上に外周金属配線３と更にその上に撥水層４が積層されている。
【００４１】
図４（ａ）に示すように、透明基材１の上に、センサ電極２と外周金属配線３とが設けられている。センサ電極２は、配列方向と直交する方向に、即ち、図３（ａ）の左右方向に３本延びている。また、センサ電極２は、その延びる方向に帯状の形状をしている。
【００４２】
図４（ａ）のセンサ電極２の３本のうち２本の一方の端の各々は、外周金属配線３に電気的に接続されている。外周金属配線３は、センサ電極２とタッチパネルセンサの基板外部に制御部とを接続するため配線であり、センサ電極２の周囲を引き回して基板の一辺側に収束されている。
【００４３】
図４（ｂ）に示すように、外周金属配線３の上を含む透明基材１の上に、撥水層４が形成されている。
【００４４】
以下、本発明のタッチパネルセンサの構成要素毎に説明する。
＜透明基材＞
透明基材は、光透過性を有するものであればよく、従来公知のタッチパネルに使用されている透明基材を用いることができる。
【００４５】
形状としては、板状、シート状、フィルム状、膜状等を用いることができ、材料としては、ガラス、ポリエチレンテレフタレートやポリメチルメタクリレート等のプラスチックあるいは樹脂より構成されるものを用いることができる。
【００４６】
透明基材の厚さとしては、目的とするタッチパネルの種類に応じて適宜選択されるものであるが、２０μｍ〜１５００μｍの範囲内であることが好ましく、２０μｍ〜１０００μｍの範囲内であることがより好ましく、２０μｍ〜３００μｍの範囲内であることがさらに好ましい。
【００４７】
透明基材の厚さが上記範囲よりも厚いと、タッチパネルセンサの薄層化が難しくなる可能性があるからであり、一方、上記範囲よりも薄いと、製造ラインでのハンドリングが困難となる可能性があるからである。
【００４８】
透明基材は、より多くの光を透過することが好ましく、可視光領域における透過率としては、具体的には、８０％以上であることが好ましく、９０％以上であることがより好ましい。なお、透明基材の光透過率は、ＪＩＳ  Ｋ  ７１０５で規定する方法により測定した値（全光線透過率）とする。
【００４９】
透明基材は、センサ電極との密着性を向上させるために、プライマー処理等の表面処理を施してもよい。また、有機層からなるアンダーコート層や、酸化ケイ素、酸化ニオブ等からなる屈折率調整層等が形成されていてもよい。
【００５０】
透明基材は、透明性および絶縁性を有しているものであれば使用できる。
【００５１】
透明基材の材料としては、ガラスやポリエチレンテレフタレート、ポリプロピレン、ポリメチルメタクリレート等の合成樹脂を使用することができる。
【００５２】
透明基材としてフレキシブルなフィルム状のものを使用した場合には、大型のタッチパネルの製作に適している。
【００５３】
透明基材の上にアンカー層を形成してもよい。アンカー層としては、透明基材１との密着性、及びセンサ電極や外周金属配線との密着性がよいものであって、センサ電極や外周金属配線のパターン形成工程で使用される液体に対して溶解又は膨潤しないものであればよい。アンカー層の材料としては、熱可塑性樹脂、二液硬化型樹脂、電離放射線硬化型樹脂など適宜使用することができる。
＜センサ電極＞
センサ電極は、上述した透明基材上にパターン状に形成されるものであり、外部導体（例えば、指）による入力の位置情報を検出する働きを有するものである。
【００５４】
センサ電極は、一般的には、タッチパネル部材の使用者から視認されるため、光透過性の導電材料で形成されることが一般的である。なお、使用者に視認される画面において、視認されない程度の小さい領域となるセンサ電極の形成パターン部分においては、光透過性のない材料から形成されてもよい。
【００５５】
センサ電極は、透明性を有するものであれば従来公知のタッチパネルセンサで用いられる透明電極を使用することができ、例えば、インジウム錫オキサイド（ＩＴＯ）、酸化インジウム、インジウム亜鉛オキサイド（ＩＺＯ）等の酸化インジウム系材料、あるいは、酸化錫（ＳｎＯ２）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）等の金属酸化物、ポリアニリン、ポリアセチレン等の導電性高分子材料等を用いることができ、中でも、インジウム錫オキサイド（ＩＴＯ）が好ましいが、材料はこれに限定されない。また、センサ電極が、例えば、第１透明電極と第２透明電極というように複数有する場合、複数のセンサ電極は互いに同種の導電性高分子材料から構成されていてもよく、異種の導電性高分子材料が用いられていてもよい。
【００５６】
センサ電極は、膜状であることが好ましく、その厚さは１０ｎｍ〜５００ｎｍの範囲内であることが好ましく、１０ｎｍ〜３００ｎｍの範囲内であることがより好ましく、１０ｎｍ〜２００ｎｍの範囲内であることがさらに好ましい。
【００５７】
センサ電極の膜厚が、上記範囲よりも厚い場合、透明性に問題が生じる可能性があり、一方、上記範囲よりも薄い場合、所定の導電性が得られない等の問題が生じる可能性があるからである。
【００５８】
上記透明電極の膜は、検出した入力位置情報を外部の情報処理部へ確実に伝達するために、表面抵抗が低いことが好ましく、例えば、２００Ω／□以下の範囲内であることが好ましい。なお、上記透明電極の膜の表面抵抗は、ロレスタＧＰ  ＭＣＰ-Ｔ６０１型  （ＪＩＳ  Ｋ７１９４準拠）を用い、４端子４探針法  定電流印加方式により確認することができる。
【００５９】
本発明における透明電極の形成方法としては、例えば、フォトリソグラフィー法、スクリーン印刷法等を挙げることができるが、中でも、フォトリソグラフィー法を用いることが好ましい。透明電極を形成する際にライン幅やその均一性等高精度のパターンを安定的に形成することが可能となるからである。また、透明基材の両面に透明電極をパターン状に形成する場合に、フォトリソグラフィー法により両面同時にパターニングすることができ、位置精度が良好であり、微細なパターンを精度良く形成することが可能となるからである。
【００６０】
透明電極のパターン形状としては、タッチパネルセンサとして機能しうる透明電極のパターン形状を適宜選択することができ、例えば、ストライプ形状、菱形形状等の任意のパターン形状とすることができる。
＜外周金属配線＞
次に、本発明における外周金属配線について説明する。本発明における外周金属配線は、透明基材上に形成され、上述したセンサ部に配置された透明電極と接続された配線が形成され、上記配線上にマイグレーション抑制機能を有する撥水層が形成される領域を示し、透明基材と、配線と、撥水層とを含むものである。本発明における外周金属配線は、上記センサ部の周囲であって、少なくとも配線が配置されている領域を示すものであるが、上記センサ部の周囲であって、配線が配置されていない領域を含む場合もある。
【００６１】
外周金属配線は、上述したセンサ部の透明電極で検出した位置情報の信号等をタッチパネルセンサの外部に有する情報処理部に送るために用いられるものである。
【００６２】
外周金属配線は、一般的には、タッチパネルセンサの使用者から視認される領域の外側に形成される。したがって、配線を構成する材料は導電性材料であればよく、光透過性の有無は問わない。
【００６３】
外周金属配線に用いられる材料としては、高い導電性を有する金属単体や、金属の複合体や、金属と金属化合物の複合体や、金属合金等を挙げることができ、具体的には、金、銀、銅、アルミニウムの金属のうち１種の金属又は２種以上を組み合わせた合金、又は、金、銀、銅、アルミニウムの金属のうち１種以上の金属とチタン、ニッケル、パラジウム、モリブデン、タンタル、白金、ニオビウム、ルテシウム、イリジウム、インジウム、タングステン及びロジウムの金属のうち１種以上の金属とを組み合わせた合金等を挙げることができる。中でも、本発明の効果をより発揮するという観点から、銀および銅を用いることが好ましい。
【００６４】
また、外周金属配線を構成する材料には、適宜、樹脂組成物が混在してもよい。
また、スクリーン印刷等の印刷方法により配線を形成する場合には、配線の形成材料として、数十ｎｍ〜数μｍの粒径の銀や銅等の金属粒子と樹脂バインダとを含有し、溶媒を用いて適度に調製された金属粒子含有ペーストが汎用される。樹脂バインダとしては、例えば、アクリル樹脂、エポキシ樹脂、ポリエステル樹脂、ポリ塩化ビニル、ポリビニルアルコール、ポリ酢酸ビニル、ポリスチレン等の単体あるいは混合物が用いられる。
【００６５】
外周金属配線は微細な配線パターンであることが好ましく、その幅寸法は特に限定されない。例えば、上記配線をフォトリソグラフィー法により形成する場合、上記配線の幅寸法は５μｍ〜２００μｍの範囲内が好ましい。一方、上記配線をスクリーン印刷等の印刷により形成する場合、上記配線の幅寸法は２０μｍ〜３００μｍの範囲内が好ましい。
【００６６】
また、外周金属配線は膜状であることが好ましく、その厚さは特に限定されない。例えば、上記配線をフォトリソグラフィー法により形成する場合、上記配線の厚さは、１０ｎｍ〜５００ｎｍの範囲内であることが好ましい。一方、上記配線をスクリーン印刷等の印刷により形成する場合、上記配線の厚さは５μｍ〜２０μｍの範囲内であることが好ましい。
【００６７】
外周金属配線の形成方法としては、一般的なタッチパネルセンサに用いられる配線と同様とすることができ、例えば、フォトリソグラフィー法、スクリーン印刷法等を挙げることができるが、中でも、フォトリソグラフィー法を用いることが好ましい。配線の幅やその均一性等高精細のパターンを安定的に形成することが可能となるからである。
また、外周金属配線は、その一方の端部に外部接続端子を有することができる。外部接続端子は、タッチパネルセンサとタッチパネルセンサの外部に有する情報処理部とを接続する部材である。
【００６８】
外部接続端子の材料としては、従来公知のタッチパネルセンサに用いられる接続端子の材料と同様のものを用いることができ、例えば、金、銅、銀、アルミニウム、モリブデン、タンタル、チタン、タングステン等を用いることができる。
【００６９】
なお、通常、外部接続端子上には、後述する、接着助剤及び撥水層は形成されない。
＜撥水層＞
撥水層は、透明基材に設けられた外周金属配線を覆うように気相法により形成されて撥水性を現すものである。  上記外周金属配線は、金、銀、銅、アルミニウムの金属のうち１種の金属又は２種以上を組み合わせた合金、又は、金、銀、銅、アルミニウムの金属のうち１種以上の金属とチタン、ニッケル、パラジウム、モリブデン、タンタル、白金、ニオビウム、ルテシウム、イリジウム、インジウム、タングステン及びロジウムの金属のうち１種以上の金属とを組み合わせた合金から構成されるものである。
【００７０】
撥水層の表面粗さＲａが５ｎｍ〜１μｍである
撥水層の平均厚さが１ｎｍ〜１μｍである
撥水層は、水との接触角が７０〜１７０°である
撥水層を構成する材料としては、撥水性能を有する物質である限り、特に制限されない。例えば、炭素含有基を有する有機金属化合物；炭化水素化合物；フッ素含有化合物；窒素含有化合物等が挙げられる。これらの中でも、高撥水性を有する観点から、炭素含有基を有する有機金属化合物；炭化水素化合物；フッ素含有化合物が好ましい。
以下、これらについて、それぞれ説明する。
（ｉ）炭素含有基を有する有機金属化合物
炭素含有基を有する有機金属化合物は、分子中に少なくとも一つ以上の金属−炭素結合を有するものであれば、特に制限はされない。
【００７１】
中心金属は特に制限されず、例えば、Ｓｉ、Ｔｉ、Ａｌ、Ｚｎ、Ｃｕ、Ｎｉ、Ｃｏ、Ｆｅ等及びこれらの組み合わせ等が挙げられる。これらの中でも、Ｓｉ，Ｔｉ及びＡｌの少なくとも１種が好ましい。より好ましくはＳｉである。
【００７２】
炭素含有基としては、例えばアルキル基等が挙げられる。アルキル基の炭素数は特に制限されない。本発明では、炭素数が１〜３０の範囲内のものが好ましく、中でも炭素数１〜６がより好ましく、メチル基及びエチル基が最も好ましい。
【００７３】
好ましい具体例としては、ＳｉａＯｂＣｃＨｄ（１≦ａ≦１０、０≦ｂ≦１０、１≦ｃ≦５０、１≦ｄ≦１２２）で示される有機シリコン系材料又はこれらの重合体が挙げられる。
【００７４】
有機シリコン系材料には、下記一般式（２）で表されるシラン、一般式（３）で表されるジシロキサン及び一般式（４）で表されるジシラザンが包含される。
【００７５】
【化１】
2015129995.tif 000003
（Ｒ4、Ｒ5、Ｒ6及びＲ7は、同一又は異なって、アルキル基又はアルコキシル基を示す。Ｒ4、Ｒ5、Ｒ6及びＲ7のうち少なくとも１つはアルケニル基であってもよい。）
（Ｒ8）3Ｓｉ−Ｏ−Ｓｉ（Ｒ9）3        （３）
（Ｒ８及びＲ９は、同一又は異なって、アルキル基又はアルコキシル基を示す。但し、３個のＲ８及び３個のＲ９のうち少なくとも２つは水素原子であってもよい。）
（Ｒ10）3Ｓｉ−ＮＨ−Ｓｉ（Ｒ11）3      （４）
（Ｒ7及びＲ10は、同一又は異なって、アルキル基又はアルコキシル基を示す。但し、３個のＲ10及び３個のＲ11のうち少なくとも２つは水素原子であってもよい。）
一般式（２）で表されるシランの具体例としては、テトラメチルシラン（ＴＭＳ）、ビニルトリメトキシシラン、ビニルトリメチルシラン、テトラメトキシシラン（ＴＭＯＳ）、メチルトリメトキシシラン、ジメチルジメトキシシラン、トリメチルメトキシシラン、テトラエトキシシラン（ＴＥＯＳ）、ジメチルジエトキシシラン、メチルジメトキシシラン、メチルジエトキシシラン、メチルトリメトキシシラン等が挙げられる。
【００７６】
一般式（３）で表されるジシロキサンの具体例としては、ヘキサメチルジシロキサン（ＨＭＤＳＯ）、テトラメチルジシロキサン（ＴＭＤＳＯ）等が挙げられる。
【００７７】
一般式（４）で表されるジシラザンの具体例としては、ヘキサメチルジシラザン等が挙げられる。
これらは、一種単独又は二種以上用いることができる。
【００７８】
これらの中でも、撥水性がより向上する観点から、特に分子内に炭素−珪素結合を多くもつ有機珪素化合物が好適に用いられる。具体的には、ヘキサメチルジシロキサン（ＨＭＤＳＯ）、テトラメチルジシロキサン（ＴＭＤＳＯ）、テトラメチルシラン（ＴＭＳ）、ビニルトリメトキシシラン、ビニルトリメチルシラン、メチルトリメトキシシラン、ジメチルジメトキシシラン、トリメチルメトキシシラン、ジメチルジエトキシシラン、メチルジメトキシシラン、メチルジエトキシシラン、ヘキサメチルジシラザン等を挙げることができる。
【００７９】
さらに分子内に炭素−珪素結合をより多く有する観点から、ヘキサメチルジシロキサン（ＨＭＤＳＯ；（ＣＨ3）3ＳｉＯＳｉ（ＣＨ3）3）、テトラメチルジシロキサン（ＴＭＤＳＯ；（ＣＨ3）2ＨＳｉＯＳｉＨ（ＣＨ3）2）、テトラメチルシラン（ＴＭＳ；Ｓｉ（ＣＨ3）4）がより好ましい。
（ｉｉ）炭化水素化合物
炭化水素化合物はＣ及びＨからなる限り、特に制限されず、例えば、炭化水素系材料又はその重合体等が挙げられる。
【００８０】
具体例としては、ポリエチレン樹脂、環状ポリオレフィン樹脂等のポリオレフィン系材料及び／又はその重合体のほか、ＣＨ4、Ｃ2Ｈ2、Ｃ2Ｈ4、Ｃ2Ｈ6、Ｃ3Ｈ8等が挙げられる。
（ｉｉｉ）フッ素含有化合物
フッ素含有化合物としては、フッ素を含んでいる限り、特に制限されない。例えば、ＳｉａＯｂＣｃＨｄＦｅ（ただし、１≦ａ≦１０、０≦ｂ≦１０、１≦ｃ≦５０、１≦ｄ≦１２２、１≦ｅ≦１２２を示す。）で示される有機フッ化シリコン材料又はその重合体；ＳｉａＯｂＨｄＦｅ（ただし、１≦ａ≦１０、０≦ｂ≦１０、１≦ｄ≦２１、１≦ｅ≦２２を示す。）で示されるフッ化シリコン系材料又はその重合体；ＣａＯｂＨｃＦｄ（ただし、１≦ａ≦５０、０≦ｂ≦１０、０≦ｃ≦１０２、１≦ｄ≦１０２を示す。）で示されるフッ素含有炭化水素系材料又はその重合体等が挙げられる。
【００８１】
具体的な例としては、ＰＴＦＥ（ポリテトラフルオロエチレン）、ＰＶＤＦ（ポリビニリデンフルオロエチレン）、ＰＶＦ（ポリビニルフルオリド）、ＥＴＦＥ（エチレン／テトラフルオロエチレン共重合体）のほか、ＣＦ4、Ｃ2Ｆ2、Ｃ2Ｆ4、Ｃ2Ｆ6等が挙げられる。
【００８２】
ここで、上記撥水層が酸素原子及び珪素原子を含有する酸化珪素層である場合には、当該撥水層中の酸素原子の割合は特に制限されないが、Ｓｉ原子数１００に対して上限が好ましくは５０程度、より好ましくは２５程度である。
【００８３】
酸素原子は、水分子との水素結合を容易に形成することから、撥水層  中に酸素原子を有すると、水分子を引き寄せる結果、撥水性が低下する原因となる。上記撥水層において、酸素原子の濃度が上述した範囲内であることから、酸素原子による撥水性の低下を抑えることが可能となり、高撥水性能を発揮することが可能となる。
（ｉｖ）窒素含有化合物
窒素含有化合物としては、アミノ基を含んでいる限り、特に制限されない。例えば、メチルアミン 、エチルアミン 、メチルエチルアミン 、トリメチルアミン 、トリエチルアミン ヘキサメチレンジアミン等のアミン等が挙げられる。
【００８４】
ここで、本発明の撥水層の各部分における成分割合は、ＸＰＳ（Ｘ−ｒａｙ  Ｐｈｏｔｏｅｌｅｃｔｒｏｎ  Ｓｐｅｃｔｒｏｓｃｏｐｙ）で測定された値である。ＸＰＳによる分析法を以下説明する。真空中で固体表面にＸ線を照射すると、Ｘ線によりエネルギ−を与えられた表面原子から電子が飛散する。この電子は、Ｘ線などの光照射によって発生するため光電子と呼ばれる。この光電子は、元素固有のエネルギ−を有するため、エネルギー分布を測定することにより元素の定性分析や定量分析が可能となる。また、表面から深いところで発生した光電子は、表面に出てくる前にそのエネルギーを失うため測定が困難であり、１０００ｅＶの運動エネルギーを有する電子の脱出深さは、数ｎｍ（数十原子層）であることから、最表面の情報を得ることが可能となる。
さらに、深部を測定するためには、表面をアルゴン等のイオンによりスパッタリングすればよい。元素の種類により選択的なスパッタリングが生じるため、定量の際には公知の補正方法を行えばよい。
（ｖ）自己組織化単分子膜
本発明における撥水層は、上述した他、自己組織化単分子膜であってもよい。
自己組織化単分子膜とは、通常、固体／液体界面又は固体／気体界面で、有機分子同士が自発的に集合して、会合体を形成しながら、自発的に単分子膜を形作っていく有機薄膜をいう。例えば、ある特定の材料でできた基板を、その基板材料と化学的親和性の高い有機分子の溶液又は蒸気にさらすと、有機分子は基板表面で化学反応して吸着する。その有機分子が、化学的親和性の高い官能基と、基板との化学反応を全く起こさないアルキル基との２つのパートからなり、親和性の高い官能基がその末端にある場合、分子は反応性末端が基板側を向き、アルキル基が外側を向いて吸着する。アルキル基同士が集合すると、全体として安定になるため、化学吸着の過程で有機分子同士は自発的に集合する。分子の吸着には、基板と末端官能基との間で化学反応が起こることが必要であることから、いったん基板表面が有機分子で覆われて単分子膜ができあがると、それ以降は分子の吸着は起こらない。その結果、分子が密に集合し、配向性のそろった有機単分子膜ができる。このような膜を本発明においては、自己組織化単分子膜とする。ここで、上記の基板と結合する反応性末端基を吸着基、外側を向いて配向する基を配向基とする。
【００８５】
撥水層が前記自己組織化単分子膜であることにより、基材（本発明においてはセパレータ）のガス流路表面の凹凸に沿って、単分子で膜を形成することが可能であり、ガス流路表面の凹凸及び自己組織化単分子膜の配向基の撥水性により高撥水性積層体とすることが可能となる。
【００８６】
ここで、上記自己組織化単分子膜形成物質は、下記の一般式（５）で示される化合物により形成されていることが好ましい。
Ｒ1ＸＲ2    （５）
（ここで、Ｒ1は、アルキル基、アリール基等であり、これらの基は置換基を有していてもよい。Ｒ2は、水素、ハロゲン、−ＯＲ3（Ｒ3は、アルキル基、アルケニル基、アリール基等であって、置換基を有していてもよい。）等を示す。
Ｘは、Ｓｉ、Ｔｉ、Ａｌ、Ｃ又はＳを示す。）
より具体的には、例えば下記一般式（１）で示される化合物等が挙げられる。
（Ｒ1）ｍＸ（Ｒ2）ｎ            （１）
（ここで、Ｒ1は、アルキル基、アリール基等であり、これらの基は置換基を有していてもよい。Ｒ2は、水素、ハロゲン、−ＯＲ3（Ｒ3は、アルキル基、アルケニル基、アリール基等であって、置換基を有していてもよい。）等を示す。Ｘは、Ｓｉ、Ｔｉ、Ａｌ、Ｃ又はＳを示す。ｍは１〜３の整数、ｎは１〜３の整数である。但し、ＸがＳｉ、Ｔｉ又はＣの場合、ｍとｎとの合計は４である。ＸがＡｌの場合、ｍとｎとの合計は３である。ＸがＳの場合、ｍとｎとの合計は２である。）
Ｒ1は、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、ペンチル基、オクチル基、ノニル基、オクタデシル基等のアルキル基；フェニル基等のアリール基；シクロヘキシル等のシクロアルキル基；アリル基、ヘキセニル基、オクテニル基等のアルケニル基；等の配向基である。炭素数は特に制限されないが、好ましくは１〜５０、より好ましくは１〜３０である。また、部分的に分鎖基、多重結合等を含んでいてもよい。さらに、炭素に結合する基として、フッ素、塩素等のハロゲン、水素、窒素等を含んでいてもよい。Ｒ１が上記配向基であることにより、本発明の撥水層は高い撥水性を有する。Ｒ１が有する置換基は限定的でないが、例えば、フェニル基等のアリール基、メチル基等のアルキル基が挙げられる。また、置換基の位置、数等は特に限定されない。
【００８７】
Ｒ2は、水素、ハロゲン、−ＯＲ３等の吸着基である。
【００８８】
Ｒ3は、メチル基、エチル基等のアルキル基；アリル基等のアルケニル基；フェニル基等のアリール基等であって、置換基を有していてもよい。Ｒ３が有する置換基は限定的でないが、例えば、メチル基等のアルキル基、フェニル基等のアリール基が挙げられる。ここで、炭素に結合する基として、フッ素、塩素等のハロゲン、水素、窒素等を含んでいてもよい。また、置換基の位置、数等は特に限定されない。
【００８９】
上記に示した自己組織化単分子膜形成物質の中でも、下記一般式（６）で示される化合物が好適に挙げられる。
【００９０】
【化２】
2015129995.tif 000004
（Ｒ12、Ｒ13、Ｒ14及びＲ15は、同一又は異なって、アルキル基又はアルコキシル基を示す。Ｒ12、Ｒ13、Ｒ14及びＲ15のうち少なくとも１つは、アルケニル基、アミノ基、ハロゲン又は水素であってもよい。）
具体的には、例えば、オクタデシルトリメトキシシラン、オクタデシルトリエトキシシラン、オクタデシルトリクロロシラン、オクタデシルメチルジエトキシシラン、オクタデシルジメチルメトキシシラン、オクタデシルメチルジメトキシシラン、オクタデシルメトキシジクロロシラン、オクタデシルメチルジクロロシラン、オクタデシルジメチル（ジメチルアミノ）シラン、オクタデシルジメチルクロロシラン、ノニルクロロシラン、オクテニルトリクロロシラン、オクテニルトリメトキシシラン、オクチルメチルジクロロシラン、オクチルメチルジエトキシシラン、オクチルトリクロロシラン、オクチルトリエトキシシラン、オクチルトリメトキシシラン、ペンタフルオロフェニルプロピルトリクロロシラン、ペンタフルオロフェニルプロピルトリメトキシシラン、ペンチルトリエトキシシラン、ペンチルトリクロロシラン、フェネチルトリクロロシラン、フェネチルトリメトキシシラン、フェニルジクロロシラン、フェニルジエトキシシラン、フェニルエチルジクロロシラン、フェニルメチルジメトキシシラン、フェニルトリメトキシシラン、フェニルトリクロロシラン、フェニルトリエトキシシラン、プロピルトリエトキシシラン、プロピルトリメトキシシラン、プロピルトリクロロシラン、テトラデシルトリクロロシラン、（３，３，３−トリフルオロプロピル）ジメチルクロロシラン、（３，３，３−トリフルオロプロピル）トリクロロシラン、（３，３，３−トリフルオロプロピル）トリメトキシシラン、（３，３，３−トリフルオロプロピル）トリエトキシシラン、３，３，４，４，５，５，６，６，６−ノナフルオロヘキシルメチルジクロロシラン、３，３，４，４，５，５，６，６，６−ノナフルオロヘキシルトリクロロシラン、イソオクチルトリメトキシシラン、イソブチルメチルジクロロシラン、イソブチルトリエトキシシラン、イソブチルトリクロロシラン、ヘキシルトリクロロシラン、ヘキシルトリエトキシシラン、ヘキシルトリメトキシシラン、ヘキセニルトリクロロシラン、ヘキシルジクロロシラン、ヘキサデシルトリクロロシラン、ヘキサデシルトリメトキシシラン、ヘキサデシルトリエトキシシラン、ヘプチルトリクロロシラン、（ヘプタデカフルオロ−１，１，２，２−テトラヒドロデシル）トリエトキシシラン、（ヘプタデカフルオロ−１，１，２，２−テトラヒドロデシル）トリクロロシラン、（ヘプタデカフルオロ−１，１，２，２−テトラヒドロデシル）メチルジクロロシラン、（ヘプタデカフルオロ−１，１，２，２−テトラヒドロデシル）ジメチルクロロシラン、エイコシルトリクロロシラン、ドデシルトリメトキシシラン、ドデシルトリエトキシシラン、ドデシルトリクロロシラン、ドデシルメチルジクロロシラン、ドデシルジメチルクロロシラン、ジフェニルジエトキシシラン、ジフェニルジクロロシラン、ジフェニルジエトキシシラン、ジフェニルジメトキシシラン、ジメトキシメチル−３，３，３−トリフルオロプロピルシラン、デシルメチルジクロロシラン、デシルトリクロロシラン、デシルトリエトキシシラン、デシルトリメトキシシラン、デシルジメチルクロロシラン、シクロヘキシルメチルトリクロロシラン、シクロヘキシルトリクロロシラン、３−クロロプロピルメチルジメトキシシラン、３−クロロプロピルトリメトキシシラン、３−クロロプロピルトリエトキシシラン、３−クロロプロピルトリクロロシラン、クロロフェニルトリクロロシラン、ブチルトリメトキシシラン、ブチルトリクロロシランが挙げられる。
【００９１】
本発明においては、中でもオクタデシルトリメトキシシラン、オクタデシルトリエトキシシラン、オクタデシルトリクロロシラン、ノニルクロロシラン、オクテニルトリクロロシラン、オクテニルトリメトキシシラン、オクチルトリクロロシラン、オクチルトリエトキシシラン、オクチルトリメトキシシラン、ペンタフルオロフェニルプロピルトリクロロシラン、ペンタフルオロフェニルプロピルトリメトキシシラン、ペンチルトリエトキシシラン、ペンチルトリクロロシラン、フェネチルトリクロロシラン、フェネチルトリメトキシシラン、フェニルトリメトキシシラン、フェニルトリクロロシラン、フェニルトリエトキシシラン、プロピルトリエトキシシラン、プロピルトリメトキシシラン、プロピルトリクロロシラン、テトラデシルトリクロロシラン、（３，３，３−トリフルオロプロピル）トリクロロシラン、（３，３，３−トリフルオロプロピル）トリメトキシシラン、（３，３，３−トリフルオロプロピル）トリエトキシシラン、３，３，４，４，５，５，６，６，６−ノナフルオロヘキシルトリクロロシラン、イソオクチルトリメトキシシラン、イソブチルトリエトキシシラン、イソブチルトリクロロシラン、ヘキシルトリクロロシラン、ヘキシルトリエトキシシラン、ヘキシルトリメトキシシラン、ヘキセニルトリクロロシラン、ヘキサデシルトリクロロシラン、ヘキサデシルトリメトキシシラン、ヘキサデシルトリエトキシシラン、ヘプチルトリクロロシラン、（ヘプタデカフルオロ−１，１，２，２−テトラヒドロデシル）トリエトキシシラン、（ヘプタデカフルオロ−１，１，２，２−テトラヒドロデシル）トリクロロシラン、エイコシルトリクロロシラン、ドデシルトリメトキシシラン、ドデシルトリエトキシシラン、ドデシルトリクロロシラン、ジメトキシメチル−３，３，３−トリフルオロプロピルシラン、デシルトリクロロシラン、デシルトリエトキシシラン、デシルトリメトキシシラン、デシルジメチルクロロシラン、シクロヘキシルメチルトリクロロシラン、シクロヘキシルトリクロロシラン、３−クロロプロピルトリメトキシシラン、３−クロロプロピルトリエトキシシラン、３−クロロプロピルトリクロロシラン、クロロフェニルトリクロロシラン、ブチルトリメトキシシラン、ブチルトリクロロシランが好ましい。
【００９２】
特にオクタデシルトリメトキシシラン、オクタデシルトリエトキシシラン、オクタデシルトリクロロシラン、オクチルトリエトキシシラン、フェニルトリエトキシシラン、（トリデカフルオロ−１，１，２，２−テトラヒドロオクチル）トリエトキシシラン、イソブチルトリメトキシシラン、（ヘプタデカフルオロ−１，１，２，２−テトラヒドロデシル）トリエトキシシラン、ドデシルトリエトキシシラン、３−クロロプロピルトリメトキシシランがより好ましい。
【００９３】
また、撥水層がセパレータ表面に存在している場合、当該撥水層は、水との接触角が、好ましくは７０〜１７０°である。より好ましくは１００〜１６０°、最も好ましくは１２０〜１５０°である。これにより、生成水をより効果的に排出することができる。
【００９４】
上記接触角は、接触角測定装置（協和界面化学社製、型番ＣＡ−Ｚ）を用いて測定するものである。具体的には、被測定対象物の表面上に、純水を一定量（一滴程度）滴下させ、一定時間（１０秒間程度）経過後顕微鏡又はＣＣＤカメラを用いて水滴形状を目視にて観察することにより、物理的に接触角を求める。
【００９５】
次に、本発明のタッチパネルセンサの製造方法の一実施形態について説明する。
【００９６】
本発明のタッチパネルセンサの製造方法は、薄板状の透明基材１の表裏両面にセンサ電極２を有し、透明基材１の表裏各面に互いに対応して、前記センサ電極を有するアクティブ領域及び前記アクティブ領域以外の非アクティブ領域を有するタッチパネルセンサの製造方法であって、透明基材１の表裏両面の非アクティブ領域に少なくとも外周金属配線３及び外部接続端子部Ｇを形成する工程と、透明基材１の表裏両面の外周金属配線３上を含む非アクティブ領域であって、少なくとも外部接続端子部Ｇの一部を除いた領域に加飾層を形成する工程と、を含むものである。
【００９７】
センサ電極２の形成工程は、透明基材１の表裏両面上のアクティブ領域に上記のセンサ電極についての説明の方法により形成する。また、外周金属配線３の形成工程は、透明基材１の表裏両面上のアクティブ領域に上記の外周金属配線の説明の方法により形成する。
（撥水層の形成）
本発明における撥水層の形成工程は、上述した流路形成工程により流路が形成されたセパレータ上に、気相法により、撥水層を形成する工程である。気相法を用いるため、撥水層とセパレータとの密着性が向上し、剥離が生じにくい。よって、本発明の製造方法では、密着性を高めるための前処理は行わなくてもよい。
【００９８】
気相法は、気相を介して行う限り特に制限されない。例えば、反応性スパッタリング法、反応性蒸着法、イオンプレーティング法等のＰＶＤ法、熱ＣＶＤ法、プラズマＣＶＤ法、レーザーＣＶＤ法等のＣＶＤ法などの成膜法が挙げられる。本発明では、ＣＶＤ法が好ましい。ＣＶＤ法の中でもプラズマＣＶＤ法及び熱ＣＶＤ法が好ましい。
（１）プラズマＣＶＤ法
プラズマＣＶＤ法を採用することにより、透明基材上の外周金属配線に熱的ダメージが加わらない程度の低温（−２０〜２００℃程度の範囲）で所望の材料の撥水層を形成でき、さらに原料ガスの種類・流量、成膜圧力、投入電力等によって、形成させる撥水層の種類及び物性を制御できる。
【００９９】
本発明におけるプラズマＣＶＤ法の撥水層形成条件を説明する。
【０１００】
透明基材上の外周金属配線の温度は特に制限されないが、通常−２０〜１００℃の範囲内、好ましくは−１０〜５０℃の範囲内である。
【０１０１】
原料ガスとしては、所望の撥水層を構成する物質を含有するガスであれば、特に制限はされない。
【０１０２】
プラズマＣＶＤ法のエネルギー帯も、特に限定的でなく、高周波、超高周波、マイクロ波等を使用するものであってもよい。
【０１０３】
ここで、プラズマＣＶＤ法により撥水層を透明基材上の外周金属配線に形成させる場合、当該撥水層は、（ｉ）炭素含有基を有する有機金属化合物（ｉｉ）炭化水素化合物及び（ｉｉｉ）フッ素含有化合物の少なくとも１種であることが好ましい。これにより撥水性の高い撥水層を透明基材上の外周金属配線表面に形成できる。これらに用いられる原料ガスは、上述した化合物をガス化したものを用いればよい。
【０１０４】
原料ガスのうち有機珪素化合物ガスとして炭素−珪素結合を多く有する有機化合物を用い、かつ、上述したような開始時の基材の温度とすることにより、より優れた撥水層が得られる。これは、上記（ｉ）及び（ｉｉｉ）の化合物は、有機珪素化合物ガスの分解性が低く、膜中にアルキル基（通常は炭素数が１〜３０である）又はフッ素が取り込まれやすくなるからである。また、上記（ｉｉ）の化合物は、撥水層がＣＨ結合のみで構成される結果、撥水効果の高い撥水層を透明基材上の外周金属配線表面上に形成できるからである。
（２）熱ＣＶＤ法
熱ＣＶＤ法は、原料となる物質を気化し、基材上に均一になるように原料を送り込み、酸化、還元、置換等の反応を行うため、透明基材上の外周金属配線表面上に均一に形成することができる。
【０１０５】
熱ＣＶＤ法の好ましい条件としては、用いるセパレータの耐熱温度以下であれば、高ければ高いほどよいが、５０〜２００℃であることが特に好ましい。これにより、上記撥水層形成物質のアルコキシ基の加水分解反応がより促進され、外周金属配線表面との反応性を高くできる。
【０１０６】
熱ＣＶＤ法により形成される撥水層としては、自己組織化単分子膜が好ましい。自己組織化単分子膜の材料としては、上述した自己組織化単分子膜形成物質と同様である。
【０１０７】
以下に、実施例及び比較例を用いて本発明の具体的な実施形態を説明するが、本発明は、以下の実施例に限定されるものではない。
（実施例１）
まず、図２に示す情報端末装置１００のカバーシート４０として、約０．５mmの厚みを有する強化ガラスを用意する。
【０１０８】
次に、図２、３に示すタッチパネルセンサ１０の透明基材１として約１００umの厚みを有するＰＥＴ(ポリエチレンテレフタラート)フィルムを用意する。
【０１０９】
さらに前記透明基材１であるＰＥＴフィルムの表裏両面の全面に約３０ｎｍのＩＴＯ薄膜を形成し、その上に約２００ｎｍのＣｕ薄膜を製膜する。
【０１１０】
フォトリソグラフィ法により、形成されたＣｕ薄膜上全面にフォトレジストを塗布し乾燥した後に、フォトマスクを介して紫外線露光、現像してレジストパターンを形成する。この際に使用するフォトマスクは、アクティブ領域に対応する部分はセンサ電極のパターンであり、非アクティブ領域に対応する部分は外周金属配線を形成する部分を含む全面を有するものを用いる。アクティブ領域はセンサ電極のパターンに合せたレジスト層が残り、非アクティブ領域は、外周金属配線を形成する部分を含む全面に合せたレジスト層が残る。
【０１１１】
次に、最初にアクティブ領域と非アクティブ領域の銅薄膜とＩＴＯ膜をエッチング液を用いてエッチングした後に、レジスト層を剥離する。
【０１１２】
次に、非アクティブ領域のみに、フォトレジストを塗布し乾燥した後に、フォトマスクを介して紫外線露光、現像してレジストパターンを形成する。この際に使用するフォトマスクは外周金属配線のパターンであり、外周金属配線のパターンに合せたレジスト層が残る。エッチング液を用いてエッチングした後に、レジスト層を剥離する。
【０１１３】
以上のエッチング工程により、アクティブ領域にはＩＴＯ薄膜のセンサ電極のパターンが形成され、非アクティブ領域には外周金属配線３のパターンが形成される。
【０１１４】
以上の工程を透明基材１の表裏各面において、アクティブ領域にはセンサ電極２である透明電極パターンとしてのＩＴＯのみ残るように、非アクティブ領域には外周金属配線３としてのＣｕが残るように形成される（図３（ａ）、（ｂ））。
＜プラズマＣＶＤ法による撥水層の形成；シリカ系薄膜層＞
外周金属配線が形成されたタッチパネルの非アクティブ領域に、シリカ系薄膜を容量結合型高周波プラズマＣＶＤにより形成した。プラズマエッチングを行った後、再度チャンバー内の真空度を１．０×１０-4Ｐａ以下にした。
【０１１５】
次に、原料ガスを反応チャンバー内に導入した。原料ガスとしては、テトラメチルシラン（チッソ（株）社製、Ｔ２０５０）を用いた。
【０１１６】
チャンバー全圧が１０Ｐａとなるように圧力調整した。プラズマ生成及び原料分解には、１３．５６ＭＨｚの高周波を用いた。
【０１１７】
被覆時間１５秒間、２００Ｗの電力で、テトラメチルシランからなる薄膜を被覆した。被覆時における基材表面温度は５０℃以下であった。
【０１１８】
水との接触角は１４０°、膜厚は約３ｎｍであった。
（実施例２）
＜外周金属配線の形成＞
実施例１と同様にして、透明基材１の表裏各面にアクティブ領域にはセンサ電極、非アクティブ領域には外周金属配線３を形成した。
＜熱ＣＶＤ工程法による撥水層形成；自己組織化単分子膜成膜）
上記で得られたタッチパネルの外周金属配線が形成された非アクティブ領域を露出しその他の領域をフォトレジストによりカバーする。
【０１１９】
上記のように処理されたタッチパネルとガラス容器に入れたオクタデシルトリメトキシシラン（東京化成工業（株）社製、００２５６）約０．２ｍｌとを、テフロン(登録商標）容器内に設置した。その後１００℃のオーブン中に５時間放置することにより、熱ＣＶＤによる自己組織化単分子膜（以下、「ＯＤＳ−ＳＡＭ」と略称する。）の形成を行った。
【０１２０】
アクティブ領域上のフォトレジストを剥離してＯＤＳ−ＳＡＭと共に除去する。
【０１２１】
ＯＤＳ−ＳＡＭ成膜後、水滴接触角及び膜厚を測定したところ、水との接触角が約１４０°であり、膜厚は１．８ｎｍであった。
（比較例１）
外周金属配線上にテトラメチルシランの薄膜を形成しないこと以外は、実施例１と同様にタッチパネルを形成した。外周金属配線の水との接触角は６８°であった。
【０１２２】
実施例１及び２、比較例１で作製したタッチパネルを用いて、タッチパネル装置を作製した
＜マイグレーション測定＞
実施例1及び２、比較例１について、以下のとおり金属マイグレーションの発生の有無を測定し、評価した。
【０１２３】
タッチパネルセンサを、楠本化成株式会社製の絶縁劣化評価システムＳＩＲ−１２に接続し、電圧を印加した状態で恒温恒湿槽（恒温恒湿試験機楠本化成（株）品ＥＴＡＣ事業部ＨＩＦＬＥＸ  ＦＨ１４ＰＨ）に投入した。この際、恒温恒湿槽は、温度６０℃、相対湿度９０％ＲＨとした。タッチパネルセンサには、表示面側上に形成された配線において、互いに隣接する配線片間に電位差（３．３Ｖ）が発生するように直流電流が印加された。すなわち、互いに隣接する配線片に対して、一方端位置の配線片から、それぞれ０Ｖ、３．３Ｖ、０Ｖ、３．３Ｖ・・・の順に、交互に直流電圧が印加された。この状態で、タッチパネルセンサを２４０時間放置し、上記絶縁劣化評価システムで配線片間の絶縁抵抗値をモニタリングした。マイグレーションが生じれば、配線片間の絶縁抵抗値が下がるため、このモニタリングにより、マイグレーションの発生を確認することができる。
【０１２４】
なお、モニタリングのパターンは、原則、毎秒１回ずつ絶縁抵抗値を測定し、絶縁抵抗値が１．０×１０６（Ω）（閾値）を下回ると、０．２秒ごとに１回ずつ絶縁抵抗値を測定するようなパターンとなっている。
【０１２５】
上述の通りの試験において、
（１）絶縁抵抗値が１．０×１０６（Ω）を下回った値として測定された場合に、マイグレーションが１回発生したと判定した。
（２）絶縁抵抗値が１．０×１０６（Ω）以下の測定が積算２００回となったときに、測定を中止した。
（３）３２７μＡ以上の電流（１．０×１０４（Ω）以下）が計測され、配線部間でショートが確認された場合、測定中止した。
【０１２６】
上記（１）、（２）および（３）のいずれもが確認されなかったものを良好と評価し、上記（１）、（２）および（３）のいずれかが確認されたものを不良と評価した。
【０１２７】
実施例１及び２で得られたタッチパネルセンサでは、評価結果は良好であり、マイグレーション抑制機能を有することが確認された。
【０１２８】
一方、比較例１で得られたタッチパネルセンサでは、評価結果は不良となり、マイグレーション抑制機能を有しないことが確認された。
【符号の説明】
【０１２９】
１      透明基材
２      センサ電極
３      外周金属配線
４      撥水層
１０    タッチパネルセンサ
２０    タッチパネル装置
３０    表示装置
４０    カバーシート
５０    検出制御部
６０    表示制御部
１００  情報端末装置
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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