(57)【要約】【課題】ハンダで基板に実装した場合に、ハンダが励振電極まで浸食することを回避できる圧電デバイスを提供する。【解決手段】圧電デバイス１００は、励振部１２４、枠部１２２、一対の励振電極１２８、及び一対の引出電極１３０を有する枠付きの圧電振動片１２０と、枠部と接合する第１主面及び第１主面の反対面で実装端子１４２を有する第２主面を有するベース１４０と、を備える。また、ベースには、一対のベース切欠き部１４８が形成され、ベース切欠き部の側面には実装端子及び引出電極に接続する切欠き部電極１４４が形成される。引出電極は金（Ａｕ）又は銀（Ａｇ）の少なくとも一方を含んで形成され、切欠き部電極の最表面に形成される最表面膜が、クロム（Ｃｒ）、ニッケル（Ｎｉ）、チタン（Ｔｉ）、タングステン（Ｗ）、モリブデン（Ｍｏ）、窒化ケイ素（Ｓｉ３Ｎ４）、又はガラス樹脂により形成される。【選択図】図２
2015167304.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
圧電材料からなり、励振部と、前記励振部の周囲を囲む枠部と、前記励振部と前記枠部とを接続する接続部と、前記励振部の両主面に形成された一対の励振電極と、前記励振電極に接続して前記枠部まで伸びる一対の引出電極と、を有する枠付きの圧電振動片と、
前記枠部と接合材で接合する第１主面と、前記第１主面の反対面で実装端子を有する第２主面と、を有するベースと、を備え、
前記ベースには、前記第１主面と前記第２主面とにつながる側面を含み、前記ベースの一部が切り取られるように一対のベース切欠き部が形成され、
前記ベース切欠き部の側面には、前記実装端子及び前記引出電極に接続する切欠き部電極が形成され、
前記引出電極は金（Ａｕ）又は銀（Ａｇ）の少なくとも一方を含んで形成され、
前記切欠き部電極は複数の膜により形成され、少なくとも前記ベース切欠き部の側面に形成される前記切欠き部電極の最表面に形成される最表面膜は、クロム（Ｃｒ）、ニッケル（Ｎｉ）、チタン（Ｔｉ）、タングステン（Ｗ）、モリブデン（Ｍｏ）、窒化ケイ素（Ｓｉ３Ｎ４）、又はガラス樹脂により形成される圧電デバイス。
【請求項２】
前記枠部の前記第１主面に面する主面は、前記圧電振動片と前記ベースとが接合した際に、前記ベース切欠き部に露出する露出領域を有し、
前記引出電極は前記露出領域まで引き出され、
前記切欠き部電極は、前記引出電極に重なるように前記露出領域にも形成される請求項１に記載の圧電デバイス。
【請求項３】
前記圧電振動片の前記枠部の両主面につながる側面を含み、一方の前記ベース切欠き部に重なり前記枠部の一部が切り取られるように枠部切欠き部が形成され、
前記圧電振動片において前記ベースと反対側の主面に形成される前記励振電極に接続される前記引出電極が、前記枠部切欠き部の側面を含んで形成され、
前記切欠き部電極は前記枠部切欠き部の側面にも形成され、
前記枠部切欠き部の側面に形成される前記切欠き部電極は、前記枠部切欠き部に重なる前記ベース切欠き部の側面に形成される前記切欠き部電極と一体的に形成される請求項１に記載の圧電デバイス。
【請求項４】
前記最表面膜は、５００Å以上の膜厚に形成される請求項１から請求項３のいずれか一項に記載の圧電デバイス。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は圧電デバイスに関する。特に、ハンダの浸食を抑制できる圧電デバイスに関する。
【背景技術】
【０００２】
携帯電話やパーソナルコンピュータなどの様々な電子機器には、主に周波数の選択や制御のために圧電デバイスが広く使われている。圧電デバイスは機能によって圧電振動子、圧電発振器、ＳＡＷデバイスや光学デバイス等に分類できる。そして、圧電素子に水晶を用いた水晶振動子や水晶発振器等が広く知られており、一般的に使われている。
【０００３】
ここで水晶振動子として、例えば、特許文献１では次のようなものが開示されている。まず、両主面に励振電極が形成された振動部と、振動部と接続して、当該振動部の周囲を囲む枠部がある。枠部には板状のベースが接合する。ベースの側面には切欠き部が形成され、ベースの裏面（枠部と接合する面の反対面）には実装端子が形成される。ここで、励振電極からは、枠部まで伸びるように引出電極が形成される。引出電極は、ベースの切欠き部に対向する領域まで伸びる。そして、実装端子は、切欠き部の側面に形成された電極を経由して引出電極に導通する。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２０１３−０１７１６３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかし、当該水晶振動子が、ハンダによってプリント基板に実装された場合、ハンダが引出電極を浸食して励振電極まで到達するおそれがあった。特に、電子機器の製造のために、当該水晶振動子を実装した基板が複数回加熱されることにより、ハンダを構成する金属材料が引出電極を構成する金属材料と親和性がよいために、ハンダを構成する金属材料が励振電極まで拡散することがあるという問題があった。励振電極までハンダを構成する金属材料が拡散すると、水晶振動子が所定の周波数で振動できなくなる。
【０００６】
以上のような事情に鑑みて、本発明は圧電デバイスをハンダで基板に実装した場合に、ハンダが励振電極まで浸食することを回避できる圧電デバイスの提供を目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
第１観点の圧電デバイスは、圧電材料からなり、励振部、励振部の周囲を囲む枠部、励振部と枠部とを接続する接続部、励振部の両主面に形成された一対の励振電極、及び励振電極に接続して枠部まで伸びる一対の引出電極を有する枠付きの圧電振動片と、枠部と接合材で接合する第１主面及び第１主面の反対面で実装端子を有する第２主面を有するベースと、を備える。また、ベースには、第１主面と第２主面とにつながる側面を含みベースの一部が切り取られるように一対のベース切欠き部が形成され、ベース切欠き部の側面には実装端子及び引出電極に接続する切欠き部電極が形成される。引出電極は金（Ａｕ）又は銀（Ａｇ）の少なくとも一方を含んで形成される。切欠き部電極は複数の膜により形成され、少なくともベース切欠き部の側面に形成される切欠き部電極の最表面に形成される最表面膜が、クロム（Ｃｒ）、ニッケル（Ｎｉ）、チタン（Ｔｉ）、タングステン（Ｗ）、モリブデン（Ｍｏ）、窒化ケイ素（Ｓｉ３Ｎ４）、又はガラス樹脂により形成される。
【０００８】
第２観点の圧電デバイスは、第１観点において、枠部の第１主面に面する主面が、圧電振動片とベースとが接合した際にベース切欠き部に露出する露出領域を有し、引出電極が露出領域まで引き出され、切欠き部電極が引出電極に重なるように露出領域にも形成される。
【０００９】
第３観点の圧電デバイスは、第１観点において、圧電振動片の枠部の両主面につながる側面を含み、一方のベース切欠き部に重なり枠部の一部が切り取られるように枠部切欠き部が形成される。また、圧電振動片においてベースと反対側の主面に形成される励振電極に接続される引出電極が、枠部切欠き部の側面を含んで形成され、切欠き部電極が枠部切欠き部の側面にも形成され、枠部切欠き部の側面に形成される切欠き部電極が枠部切欠き部に重なるベース切欠き部の側面に形成される切欠き部電極と一体的に形成される。
【００１０】
第４観点の圧電デバイスは、第１観点から第３観点において、最表面膜が５００Å以上の膜厚に形成される。
【発明の効果】
【００１１】
本発明の圧電デバイスによれば、圧電デバイスをハンダで基板に実装した場合に、ハンダが励振電極まで浸食することを回避できる。
【図面の簡単な説明】
【００１２】
【図１】圧電デバイス１００の分解斜視図である。
【図２】図１のＡ−Ａ断面図である。
【図３】（ａ）は、圧電振動片１２０の上面図である。  （ｂ）は、圧電振動片１２０の下面図である。
【図４】ベース１４０の下面図である。
【図５】（ａ）は、圧電デバイス１００の一部を拡大した断面図である。  （ｂ）は、図５（ａ）の点線１８１の拡大図である。
【図６】圧電デバイス２００の分解斜視図である。
【図７】図６のＢ−Ｂ断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１３】
以下、本発明の実施の形態を図面に基づいて詳細に説明する。なお、本発明の範囲は以下の説明において特に本発明を限定する旨の記載がない限り、これらの形態に限られるものではない。
【００１４】
（第１実施形態）
＜圧電デバイス１００の全体構成＞
図１は、圧電デバイス１００の分解斜視図である。圧電デバイス１００は外形が直方体状の圧電振動子である。圧電デバイス１００は図１に示される通り、ベース１４０と、圧電振動片１２０と、リッド１１０とが積層された構成になっている。圧電振動片１２０には、例えばＡＴカットの水晶振動片が用いられる。ＡＴカットの水晶振動片は、主面（ＹＺ面）が結晶軸（ＸＹＺ）のＹ軸に対して、Ｘ軸を中心としてＺ軸からＹ軸方向に３５度１５分傾斜されている。以下の説明では、ＡＴカットの水晶振動片の軸方向を基準とし、傾斜された新たな軸をＹ’軸及びＺ’軸として用いる。すなわち、圧電デバイス１００において、圧電デバイス１００の長手方向をＸ軸方向、圧電デバイス１００の高さ方向をＹ’軸方向、Ｘ軸方向及びＹ’軸方向に垂直な方向をＺ’軸方向として説明する。
【００１５】
圧電振動片１２０は、中央に矩形状の振動部１２４が設けられる。振動部１２４の外側には、振動部１２４と離間して振動部１２４を囲む枠部１２２が設けられる。振動部１２４と枠部１２２とは、振動部１２４の−Ｘ軸側から−Ｘ軸方向に伸びて枠部１２２に到達する接続部１２６によって、接続される。
【００１６】
振動部１２４の両主面である＋Ｙ’軸側の面及び−Ｙ’軸側の面には、図１に示される通り、互いに対向する励振電極１２８が形成される。また、各励振電極１２８からは、接続部１２６を介して枠部１２２に引出電極１３０が引き出されている。
【００１７】
ベース１４０は平板状に形成され、枠部１２２の−Ｙ’軸側の面に接合される。ベース１４０は振動部１２４に対向するように配置される。ベース１４０はガラス又は水晶等を基材として形成される。また、ベース１４０の−Ｘ軸側の＋Ｚ’軸側及び＋Ｘ軸側の−Ｚ’軸側の角には、ベース１４０の角が切り取られるように形成されるベース切欠き部１４８が形成されている。ベース１４０のベース切欠き部１４８及び−Ｙ’軸側の面には、それぞれ切欠き部電極１４４及び実装端子１４２（図２参照）が形成される。
【００１８】
リッド１１０は平板状に形成され、枠部１２２の＋Ｙ’軸側の面に接合される。リッド１１０は振動部１２４に対向するように配置される。リッド１１０はガラス又は水晶等で形成される。
【００１９】
図２は、図１のＡ−Ａ断面図である。リッド１１０と枠部１２２とは、ポリイミド等の樹脂接着剤又は低融点ガラス等の非導電性の接合材１５１で接合される。また、ベース１４０と枠部１２２とは、ポリイミド等の樹脂接着剤又は低融点ガラス等の非導電性の接合材１５０で接合される。こうして振動部１２４は、リッド１１０、枠部１２２、及びベース１４０で囲まれた空間に密閉封入される。また、振動部１２４は、圧電デバイス１００の周波数を調整するため、及び振動部１２４がリッド１１０及びベース１４０に接触しないように枠部１２２よりも薄く形成される。
【００２０】
ベース１４０の−Ｙ’軸側の面には一対の実装端子１４２が形成される。また、ベース切欠き部１４８の側面には切欠き部電極１４４が形成されている。実装端子１４２の一方はベース１４０の＋Ｘ軸側に形成され、実装端子１４２の他方はベース１４０の−Ｘ軸側に形成される。それぞれの実装端子１４２はベース切欠き部１４８まで伸びて切欠き部電極１４４に接続される。切欠き部電極１４４は、ベース切欠き部１４８からさらに枠部１２２の−Ｙ’軸側の面のベース切欠き部１４８に露出する領域に伸びて引出電極１３０に接続されている。これにより、実装端子１４２は励振電極１２８に電気的に接続される。
【００２１】
実装端子１４２及び切欠き部電極１４４は、それぞれ複数の層により形成されている。切欠き部電極１４４は、切欠き部電極１４４の最表面に形成される最表面膜１４４Ｂ及び最表面膜１４４Ｂ以外の膜でありベース１４０の基材の表面に形成される基膜１４４Ａにより形成されている。基膜１４４Ａは、実装端子１４２と同じ膜の積層構造により形成されている。
【００２２】
図３（ａ）は、圧電振動片１２０の上面図である。振動部１２４と枠部１２２との間には圧電振動片１２０をＹ’軸方向に貫通する貫通溝１３２が形成されている。また、振動部１２４と枠部１２２とは接続部１２６を介して接続されている。振動部１２４には励振電極１２８が形成されており、励振電極１２８からは接続部１２６を介して枠部１２２に引出電極１３０が引き出されている。振動部１２４の＋Ｙ’軸側の面に形成される励振電極１２８から引き出される引出電極１３０は、貫通溝１３２の側面１３４を介して枠部１２２の−Ｙ’軸側の面に引き出されている。
【００２３】
図３（ｂ）は、圧電振動片１２０の下面図である。振動部１２４の−Ｙ’軸側の面に形成された励振電極１２８から引き出されている引出電極１３０は、−Ｙ’軸側の面の励振電極１２８から−Ｘ軸方向に伸び、枠部１２２の−Ｘ軸側及び−Ｚ’軸側の部分を通って、枠部１２２の−Ｙ’軸側の面であって、−Ｚ’軸側かつ＋Ｘ軸側の角部まで伸びる。
【００２４】
また、＋Ｙ’軸側の面に形成された励振電極１２８から引き出される引出電極１３０は、貫通溝１３２の側面１３４を介して枠部１２２の−Ｙ’軸側の面に引き出されている。−Ｙ’軸側の面に引き出された引出電極１３０は、枠部１２２の−Ｙ’軸側の面であって、＋Ｚ’軸側かつ−Ｘ軸側の角部まで伸びる。
【００２５】
枠部１２２の−Ｙ’軸側の面の一部は、枠部１２２がベース１４０に接合される場合に、ベース１４０のベース切欠き部１４８に露出する。図３（ｂ）では、枠部１２２の−Ｙ’軸側の面のベース切欠き部１４８に露出する領域である露出領域１７０が点線で示されている。枠部１２２に形成される各引出電極１３０は、この露出領域１７０にまで引き出されている。
【００２６】
図４は、ベース１４０の下面図である。ベース１４０は、主面が略長方形に形成されており、−Ｘ軸側の＋Ｚ’軸側及び＋Ｘ軸側の−Ｚ’軸側の角にはベース切欠き部１４８が形成されている。ベース１４０の−Ｙ’軸側の面の＋Ｘ軸側及び−Ｘ軸側にはそれぞれ実装端子１４２が形成されている。また、ベース切欠き部１４８の側面には切欠き部電極１４４が形成される。ベース切欠き部１４８のＸＺ’平面の大きさは、Ｚ’軸方向の長さをＬ２とし、Ｘ方向の長さをＬ１としたとき、Ｌ１が例えば０．０８ｍｍであり、Ｌ２が例えば０．４ｍｍである。
【００２７】
＜圧電デバイス１００の電極＞
図５（ａ）は、圧電デバイス１００の一部を拡大した断面図である。図５（ａ）では、図２の点線１８０で囲まれた領域が示されている。また、図５（ａ）では、圧電デバイス１００が基板１６０に載置された状態の断面図として示されている。以下に、図５（ａ）を参照して引出電極１３０、及び、引出電極１３０と実装端子１４２との導通について説明する。
【００２８】
圧電デバイス１００は、例えば基板１６０に実装されることにより用いられる。この場合、圧電デバイス１００の実装端子１４２は、基板１６０上に形成される基板電極１６１にハンダ１５２を介して接合され、電気的に接続される。また、図５（ａ）に示されるように、ハンダ１５２は切欠き電極１４４には接合されない。
【００２９】
実装端子１４２は、ベース１４０の基材上に形成される第１実装膜１４２Ａと第１実装膜１４２Ａの表面に形成される第２実装膜１４２Ｂとの２層で形成される。また、切欠き部電極１４４の基膜１４４Ａは、ベース１４０の基材上に形成される第１基膜１４４Ｃと、第１基膜１４４Ｃの表面に形成される第２基膜１４４Ｄと、により形成されている。第１実装膜１４２Ａと第１基膜１４４Ｃとは同じ膜の積層構造により一体的に形成されており、第２実装膜１４２Ｂと第２基膜１４４Ｄとが同じ膜の積層構造により一体的に形成されている。
【００３０】
第１実装膜１４２Ａ及び第１基膜１４４Ｃは、スパッタ又は蒸着などで形成される膜である。第２実装膜１４２Ｂ及び第２基膜１４４Ｄは、無電解メッキで形成される膜である。第２実装膜１４２Ｂ及び第２基膜１４４Ｄは、第１実装膜１４２Ａ及び第１基膜１４４Ｃよりも厚く形成される。これにより、実装端子１４２及び切欠き部電極１４４の全体が厚く形成されるため、切欠き部電極１４４の引出電極１３０に接触する領域から実装端子１４２に至るまでの断線が防止され、導通が確保される。
【００３１】
図５（ｂ）は、図５（ａ）の点線１８１の拡大図である。第１基膜１４４Ｃは、さらに３層からなる。ベース１４０の基材に接する層である第１層１９３Ａは、例えばクロム（Ｃｒ）層として形成される。当該第１層１９３Ａの表面に形成される第２層１９３Ｂは、ニッケル（Ｎｉ）及びタングステン（Ｗ）の合金であるニッケルタングステン（ＮｉＷ）層として形成される。当該第２層１９３Ｂの表面に形成される第３層１９３Ｃは、金（Ａｕ）層として形成される。第１実装膜１４２Ａは第１基膜１４４Ｃと一体的に形成されるため、第１実装膜１４２Ａも第１基膜１４４Ｃと同様に第１層１９３Ａ、第２層１９３Ｂ、及び第３層１９３Ｃにより形成される。
【００３２】
また、第２基膜１４４Ｄは２層からなる。第１基膜１４４Ｃの表面に接するように形成される層である第２基膜１４４Ｄの第１層１９４Ａは、ニッケル（Ｎｉ）層として形成される。当該第１層１９４Ａの表面に形成される第２層１９４Ｂは金（Ａｕ）層として形成される。第２実装膜１４２Ｂは第２基膜１４４Ｄと一体的に形成されるため、第２実装膜１４２Ｂも第２基膜１４４Ｄと同様に第１層１９４Ａ及び第２層１９４Ｂにより形成される。実装端子１４２では、第２層１９４Ｂが最表面に露出される。
【００３３】
切欠き部電極１４４では、第２基膜１４４Ｄの表面に最表面膜１４４Ｂが形成される。最表面膜１４４Ｂは、スズ（Ｓｎ）を含むハンダ１５２に対して濡れ性が悪いクロム（Ｃｒ）、ニッケル（Ｎｉ）、チタン（Ｔｉ）、タングステン（Ｗ）、モリブデン（Ｍｏ）、窒化ケイ素（Ｓｉ３Ｎ４）、又はガラス樹脂等により形成される。また、最表面膜１４４Ｂの膜厚は、例えば５００Å以上に形成される。
【００３４】
引出電極１３０は、３つの層からなる。圧電振動片１２０の基材である水晶の表面には、第１層１９１Ａとしてクロム（Ｃｒ）層が形成される。当該第１層１９１Ａの表面に形成される第２層１９１Ｂは、ニッケル（Ｎｉ）及びタングステン（Ｗ）の合金であるニッケルタングステン（ＮｉＷ）層として形成される。当該第２層１９１Ｂの表面に形成される第３層１９１Ｃは、金（Ａｕ）層として形成される。なお、第３層１９１Ｃでは、金（Ａｕ）層が形成されたが、金（Ａｕ）層の代わりに銀（Ａｇ）、又は金（Ａｕ）、銀（Ａｇ）、及びパラジウム（Ｐｄ）の合金により形成されても良い。
【００３５】
また、励振電極１２８も、引出電極１３０と同様の３つの層により形成される。すなわち、第１層１９１Ａのクロム（Ｃｒ）層、第２層１９１Ｂのニッケルタングステン（ＮｉＷ）層、及び第３層１９１Ｃの金（Ａｕ）層により形成される。
【００３６】
＜圧電デバイス１００の基板１６０への実装方法＞
圧電デバイス１００は、図５（ａ）に示されるように、基板１６０に実装されることにより用いられる。このような実装は次のようにして行われる。まず、基板電極１６１が形成された基板１６０を用意する。次に、基板電極１６１の表面にハンダ１５２のペーストを塗布する。次に、ハンダ１５２のペースト上に実装端子１４２が接触するように基板１６０に圧電デバイス１００を載置する。次に、少なくともハンダ１５２のペーストを加熱して溶融させることにより、圧電デバイス１００が基板１６０に接合される。ハンダ１５２のペーストが加熱された際、ハンダ１５２は、切欠き部電極１４４の表面を這い上がろうとする。
【００３７】
ここで、ハンダは鉛（Ｐｂ）及びスズ（Ｓｎ）を主成分とした合金であり、ハンダの主成分であるスズ（Ｓｎ）は、金（Ａｕ）と合金を形成しやすい性質があることが知られている。よって、スズ（Ｓｎ）と金（Ａｕ）とが接触した状態で加熱されると、スズ（Ｓｎ）は金（Ａｕ）を浸食していく。また、図５（ｂ）に示されるように、引出電極１３０の金（Ａｕ）を含む第３層１９１Ｃは、枠部１２２の最外辺において圧電デバイス１００の外側に露出する。その為、ハンダ１５２が切欠き部電極１４４の表面を這い上がり圧電デバイス１００の外側に露出した第３層１９１Ｃに接触する場合には、ハンダ１５２が第３層１９１Ｃを構成する金（Ａｕ）を浸食して励振電極１２８の方向に進み、励振電極１２８を浸食する場合がある。
【００３８】
従来の圧電デバイスでは、このようにハンダのスズ（Ｓｎ）が引出電極に含まれる金（Ａｕ）を介して圧電振動片の励振電極に到達し、励振電極をも浸食することで圧電振動片の周波数をずらし、又は圧電振動片の発振を妨げる場合があった。
【００３９】
圧電デバイス１００では、切欠き部電極１４４の最表面にハンダ１５２と濡れ性の悪いクロム（Ｃｒ）等の材料により最表面膜１４４Ｂを形成することで、ハンダ１５２が切欠き部電極１４４を＋Ｙ’軸方向に這い上がることを防いでいる。実際には、図５（ａ）に示されるように、ハンダ１５２が行き場を失って最表面膜１４４Ｂの一部に接触する場合があるが、ハンダ１５２と最表面膜１４４Ｂとは接触しているだけであり、最表面膜１４４Ｂがハンダ１５２と濡れ性の悪い材料により形成されるため、ハンダ１５２は最表面膜１４４Ｂを浸食しない。これにより、ハンダ１５２が圧電デバイス１００の外側に露出した第３層１９１Ｃの位置にまで這い上がらないようにされており、ハンダ１５２と引出電極１３０の第３層１９１Ｃとの接触を防いでいる。これにより、圧電デバイス１００では、引出電極１３０及び励振電極１２８がハンダ１５２に浸食されることが防がれている。
【００４０】
（第２実施形態）
圧電デバイスでは、枠部にも切欠き部が形成されても良い。以下に、枠部に枠部切欠き部が形成された圧電デバイス２００について説明する。なお、以下の説明において、第１実施形態と同じ部分に関しては第１実施形態と同じ符号を付してその説明を省略する。
【００４１】
＜圧電デバイス２００の全体構成＞
図６は、圧電デバイス２００の分解斜視図である。圧電デバイス２００は、ベース１４０と、圧電振動片２２０と、リッド１１０とが積層されることにより構成されている。
【００４２】
圧電振動片２２０には、例えばＡＴカットの水晶振動片が用いられる。また、圧電振動片２２０は、中央に矩形状の振動部１２４が設けられ、振動部１２４の外側には、振動部１２４と離間して振動部１２４を囲む枠部２２２が設けられる。振動部１２４と枠部２２２とは、振動部１２４の−Ｘ軸側から−Ｘ軸方向に伸びて枠部２２２に到達する接続部１２６によって、接続される。
【００４３】
圧電振動片２２０の振動部１２４の両主面である＋Ｙ’軸側の面及び−Ｙ’軸側の面には互いに対向する励振電極１２８が形成される。また、各励振電極１２８からは、接続部１２６を介して枠部２２２に引出電極２３０が引き出されている。また、枠部２２２の−Ｘ軸側の＋Ｚ’軸側の角には、枠部２２２の角が切り取られるように形成される枠部切欠き部２３８が形成されている。枠部切欠き部２３８は、ＸＺ’平面の形状がベース切欠き部１４８と同様の形状になるように形成されている。
【００４４】
引出電極２３０は、−Ｙ’軸側の面の励振電極１２８から−Ｘ軸方向に伸び、枠部２２２の−Ｘ軸側及び−Ｚ’軸側の部分を通って、枠部２２２の−Ｙ’軸側の面であって、−Ｚ’軸側かつ＋Ｘ軸側の角部まで伸びる。また、＋Ｙ’軸側の面に形成された励振電極１２８から引き出される引出電極２３０は、接続部１２６を介して枠部２２２の＋Ｙ’軸側の面に引き出され、枠部切欠き部２３８の側面にまで伸びる。
【００４５】
図７は、図６のＢ−Ｂ断面図である。リッド１１０と枠部２２２とは、ポリイミド等の樹脂接着剤又は低融点ガラス等の非導電性の接合材１５１で接合される。また、ベース１４０と枠部２２２とは、ポリイミド等の樹脂接着剤又は低融点ガラス等の非導電性の接合材１５０で接合される。こうして振動部１２４は、リッド１１０、枠部２２２、及びベース１４０で囲まれた空間に密閉封入される。
【００４６】
枠部２２２に形成される枠部切欠き部２３８は、ベース１４０の−Ｘ軸側に形成されるベース切欠き部１４８に対してＹ’軸方向に重なる。枠部切欠き部２３８に形成される切欠き部電極２４４は、引出電極２３０を覆うように、引出電極２３０の表面に形成される基膜２４４Ａと、基膜２４４Ａの表面に形成される最表面膜２４４Ｂと、により形成される。
【００４７】
引出電極２３０は、図５（ｂ）に示される引出電極１３０と同様に、クロム（Ｃｒ）層である第１層１９１Ａと、第１層１９１Ａの表面にニッケルタングステン（ＮｉＷ）層として形成される第２層１９１Ｂと、第２層１９１Ｂの表面に金（Ａｕ）層として形成される第３層１９１Ｃと、により形成される。また、基膜２４４Ａ及び最表面膜２４４Ｂはそれぞれ切欠き部電極１４４の基膜１４４Ａ及び最表面膜１４４Ｂと一体的に同じ構成で形成されている。基膜２４４Ａ及び最表面膜２４４Ｂは、枠部切欠き部２３８からさらにリッド１１０の−Ｙ’軸側の面の枠部切欠き部２３８に露出する領域に伸びて形成されている。
【００４８】
圧電デバイス２００では、枠部切欠き部２３８において基部２４４Ａと引出電極２３０とが互いに接触することにより、−Ｘ軸側の実装端子１４２と引出電極２３０とが互いに導通する。これにより、実装端子１４２は励振電極１２８に電気的に接続される。＋Ｘ軸側の実装端子１４２は、圧電デバイス１００と同様に、切欠き部電極１４４がベース切欠き部１４８の側面及び露出領域１７０に形成されることにより、引出電極２３０に電気的に接続される。
【００４９】
圧電デバイス２００においても、圧電デバイス１００と同様に、切欠き部電極１４４の最表面にハンダ１５２と濡れ性の悪いクロム（Ｃｒ）等の材料により最表面膜１４４Ｂを形成することによりハンダ１５２が切欠き部電極１４４の表面を＋Ｙ’軸方向に這い上がることが防がれ、これによりハンダ１５２と引出電極２３０との接触が防がれ、引出電極２３０及び励振電極１２８がハンダ１５２に浸食されることが防がれている。また、圧電デバイス２００では、枠部切欠き部２３８の側面に形成される引出電極２３０が切欠き部電極２４４により覆われるため、枠部切欠き部２３８において引出電極２３０が露出せず、引出電極２３０とハンダ１５２とが接触することが防がれている。
【００５０】
以上、本発明の最適な実施形態について詳細に説明したが、当業者に明らかなように、本発明はその技術的範囲内において実施形態に様々な変更・変形を加えて実施することができる。また、各実施形態の特徴を様々に組み合わせて実施することができる。
【００５１】
例えば、上記実施形態では、引出電極が３つの層により形成されたが、２つの層により形成されていても良い。この２つの層は、例えば、基材の表面に形成されるクロム（Ｃｒ）層及びクロム（Ｃｒ）層の表面に形成される金（Ａｕ）層とすることができる。また、金（Ａｕ）の代わりに銀（Ａｇ）、又は金（Ａｕ）、銀（Ａｇ）、及びパラジウム（Ｐｄ）の合金が用いられてもよい。銀（Ａｇ）も、金（Ａｕ）と同様にハンダ１５２の浸食が進みやすいが、ベース切欠き部１４８にハンダ１５２と濡れ性の悪い最表面膜１４４Ｂが形成されることによりハンダ１５２の浸食が防がれる。
【００５２】
また、上記の実施形態では、振動部は矩形であってが、音叉型、楕円形、円形など他の形状であってもよい。また、圧電振動片はＡＴカットの水晶であったが、Ｚカット又はＢＴカットなどの水晶を用いてもよい。また、圧電デバイス１００、２００は水晶振動子であったが、発振回路を備えたＩＣを搭載した圧電発振器であってもよい。また、圧電振動片１２０、２２０は水晶で形成されたが、水晶以外の圧電材料、例えばタンタル酸リチウム、ニオブ酸リチウム又は圧電セラミックを用いてもよい。
【符号の説明】
【００５３】
１００、２００  …  圧電デバイス
１１０  …  リッド
１２０、２２０  …  圧電振動片
１２２、２２２  …  枠部
１２４  …  振動部
１２６  …  接続部
１２８  …  励振電極
１３０、２３０  …  引出電極
１３２  …  貫通溝
１３４  …  貫通溝の側面
１４０  …  ベース
１４２  …  実装端子
１４２Ａ  …  第１実装膜
１４２Ｂ  …  第２実装膜
１４４、２４４  …  切欠き部電極
１４４Ａ、２４４Ａ  …  基膜
１４４Ｂ、２４４Ｂ  …  最表面膜
１４４Ｃ  …  第１基膜
１４４Ｄ  …  第２基膜
１４８  …  ベース切欠き部
１５０、１５１  …  接合材
１５２  …  ハンダ
１６０  …  基板
１６１  …  基板電極
１７０  …  露出領域
２３８  …  枠部切欠き部
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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