(57)【要約】【課題】光沢が抑制された無機複合粉体の製造方法、及び無機複合粉体を提供する。【解決手段】［１］下記工程１及び２を有する、無機粉体上にシリカを成長させた、無機複合粉体の製造方法、［２］当該製造方法により得られる、無機複合粉体。  工程１：カチオン界面活性剤と、タルク、マイカ、及び硫酸バリウムからなる群から選ばれる１種以上の無機粉体と親水性有機溶媒と水とを混合して、無機粉体の水分散液を製造する工程  工程２：前記工程１で得られた水分散液に、シリカ源を添加して、シリカ源（ＳｉＯ2換算）／無機粉体の質量比が０．１以上１０以下の条件でシリカを成長させる工程【選択図】図１
2015113306.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
下記工程１及び２を有する、無機粉体上にシリカを成長させた、無機複合粉体の製造方法。
工程１：カチオン界面活性剤と、タルク、マイカ、及び硫酸バリウムからなる群から選ばれる１種以上の無機粉体と親水性有機溶媒と水とを混合して、無機粉体の水分散液を製造する工程
工程２：前記工程１で得られた水分散液に、シリカ源を添加して、シリカ源（ＳｉＯ2換算）／無機粉体の質量比が０．１以上１０以下の条件でシリカを成長させる工程
【請求項２】
シリカ源が、アルコキシシランである、請求項１に記載の無機複合粉体の製造方法。
【請求項３】
工程２のシリカ源添加後の水分散液中、無機粉体の含有量が、０．１質量％以上１０質量%以下である、請求項１又は２に記載の無機複合粉体の製造方法。
【請求項４】
工程２の水分散液中、シリカ源（ＳｉＯ2換算）／カチオン界面活性剤の質量比が０．１以上５以下である、請求項１〜３のいずれかに記載の無機複合粉体の製造方法。
【請求項５】
請求項1〜４のいずれかに記載の製造方法により得られる、無機複合粉体。
【請求項６】
無機粉体と、前記無機粉体の表面に結着した複数の光拡散子と、を有し、前記光拡散子が、中実粒状シリカが連結した連結粒状構造を有する、無機複合粉体。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、無機複合粉体の製造方法、及びその方法により得られる無機複合粉体に関する。
【背景技術】
【０００２】
マイカ、タルク、硫酸バリウム等の板状無機粉体は、例えば化粧料に一般に用いられている。化粧品等に用いる際に自然な仕上がりを与えるようにするため、板状無機粉体の光の正反射を抑制し光拡散反射を増加させることにより光沢を抑制することが行われている。例えば、他の粒子と複合化した板状無機複合粉体の製造方法としては、下記の方法が知られている。
特許文献１には、有機溶媒および／または水からなる分散媒に、薄片状物質と球状シリカ粒子を分散させた分散液を調製し、次いで該分散液から該分散媒を除去することにより、前記薄片状物質の表面に前記球状シリカ粒子が付着した薄片状微粉末を製造する方法が開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】ＷＯ９２／０３１１９号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、特許文献１の方法では、薄片状物質の表面に、予め得られた球状シリカ粒子を付着させるため、得られる薄片状微粉末の光沢を抑制する効果は充分ではなかった。
本発明は、光沢が抑制された無機複合粉体の製造方法、及び無機複合粉体を提供することを課題とする。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本発明は、以下の〔１〕〜〔２〕に関する。
〔１〕  下記工程１及び２を有する、無機粉体上にシリカを成長させた、無機複合粉体の製造方法。
工程１：カチオン界面活性剤と、タルク、マイカ、及び硫酸バリウムからなる群から選ばれる１種以上の無機粉体と親水性有機溶媒と水とを混合して、無機粉体の水分散液を製造する工程
工程２：前記工程１で得られた水分散液に、シリカ源を添加して、シリカ源（ＳｉＯ2換算）／無機粉体の質量比が０．１以上１０以下の条件でシリカを成長させる工程
〔２〕  〔１〕の製造方法により得られる無機複合粉体。
【発明の効果】
【０００６】
本発明によれば、光沢が抑制された無機複合粉体の製造方法、及び無機複合粉体を提供することができる。これにより、当該無機複合粉体を化粧料に用いた際にはテカリを抑制し自然な仕上がり感を与えることができる。
【図面の簡単な説明】
【０００７】
【図１】図１は実施例１により得られた無機複合粉体のＳＥＭ写真である。
【図２】図２は比較例１により得られた無機複合粉体のＳＥＭ写真である。
【発明を実施するための形態】
【０００８】
本発明は、下記工程１及び２を有する無機複合粉体の製造方法である。
工程１：カチオン界面活性剤と、タルク、マイカ、及び硫酸バリウムからなる群から選ばれる１種以上の無機粉体と親水性有機溶媒と水とを混合して、無機粉体の水分散液を製造する工程
工程２：前記工程１で得られた水分散液に、シリカ源を添加して、シリカ源（ＳｉＯ2換算）／無機粉体の質量比が０．１以上１０以下の条件でシリカを成長させる工程
【０００９】
本発明の製造方法によれば、無機粉体の光沢を効果的に抑制することができる。これは、工程１及び２によって、無機粉体上に、中実粒状シリカが成長し、更に当該中実粒状シリカに、更に別の中実粒子状シリカが成長することで、これらの中実粒状シリカが連結した樹状（分岐状）シリカ（例えば図１の構造）を成長させることができるためと考えられる。このように表面上に成長したシリカによって光拡散効果が得られ、光沢を抑制することができると考えられる。
以下、本発明に用いられる各成分について記載する。
【００１０】
［無機粉体］
無機粉体は、タルク、マイカ（雲母）、及び硫酸バリウムからなる群から選ばれる１種以上であり、光沢を抑制する観点から、より好ましくはタルク又はマイカである。これらの無機粉体は、疎水化の表面処理が施されたものでもよい。
通常、これらの無機粉体は、化粧料において、板状無機粉体として用いられるものである。
【００１１】
無機粉体は、表面にシリカを成長させる観点から、レーザー回折法による体積平均粒径が、好ましくは０．０１μｍ以上、より好ましくは０．０３μｍ以上、更に好ましくは０．１μｍ以上、更に好ましくは０．５μｍ以上、より好ましくは１μｍ以上、更に好ましくは３μｍ以上、より更に好ましくは７μｍ以上であり、また、好ましくは２００μｍ以下、より好ましくは１００μｍ以下、更に好ましくは５０μｍ以下、より好ましくは３０μｍ以下、より更に好ましくは２０μｍ以下である。
【００１２】
［親水性有機溶媒］
親水性有機溶媒は、シリカ源の加水分解の速度を制御して、無機粉体上にシリカを成長させる観点から用いられる。
親水性有機溶媒としては、メタノール、エタノール、イソプロピルアルコールなどの炭素数１以上３以下の低級アルコール類やアセトンが挙げられる。
シリカ源の加水分解の速度を制御する観点から、アルコキシシランを用いる場合は、該シランが有するアルコキシ基に対応するアルコールが好ましく、より具体的には、エチル基を有するアルコキシシラン（例えば、オルトケイ酸テトラエチル（以下「ＴＥＯＳ」ともいう））を用いる場合は、エタノールが好ましく、メチル基を有するアルコキシシラン（例えば、オルトケイ酸テトラメチル（以下「ＴＭＯＳ」ともいう））を用いる場合は、メタノールが好ましく用いられる。
親水性有機溶媒とは、２０℃において、水１００質量部に対して、３０質量部以上、好ましくは１００質量部以上の溶解量を示す有機溶媒である。
【００１３】
親水性有機溶媒の使用量は、シリカ源の加水分解を抑制して、無機粉体上にシリカを成長させる観点から、水１００質量部に対して、好ましくは５質量部以上、より好ましくは１０質量部以上、更に好ましくは２０質量部以上であり、また、シリカ源の加水分解を促進する観点から、好ましくは１００質量部以下、より好ましくは５０質量部以下、更に好ましくは４０質量部以下である。
【００１４】
［水］
本明細書において、水は、例えば、蒸留水、イオン交換水、超純水等が挙げられる。
【００１５】
［カチオン界面活性剤］
本発明の製造方法において、シリカ源をミセル化し、無機粉体上にシリカを成長させる観点から、カチオン界面活性剤が用いられる。
カチオン界面活性剤は、無機粉体上にシリカを成長させる観点から、好ましくは第四級アンモニウム塩型界面活性剤、より好ましくは下記一般式（１）及び（２）からなる群から選択される少なくとも１種類の第四級アンモニウム塩型界面活性剤である。
［Ｒ1（ＣＨ3）3Ｎ］+Ｘ- （１）
［Ｒ1Ｒ2（ＣＨ3）2Ｎ］+Ｘ- （２）
（式中、Ｒ1及びＲ2は、それぞれ独立に炭素数６以上２２以下の直鎖状又は分岐状アルキル基を示し、Ｘ-は１価陰イオンを示す。）
【００１６】
上記一般式（１）及び（２）におけるＲ1及びＲ2の炭素数は、それぞれ独立に、無機粉体上にシリカを成長させる観点から、好ましくは６以上、より好ましくは８以上であり、また、好ましくは２２以下、より好ましくは１８以下、更に好ましくは１６以下である。
炭素数６以上２２以下のアルキル基としては、各種ヘキシル基、各種ヘプチル基、各種オクチル基、各種ノニル基、各種デシル基、各種ドデシル基、各種テトラデシル基、各種ヘキサデシル基、各種オクタデシル基、各種エイコシル基等が挙げられる。
【００１７】
一般式（１）及び（２）におけるＸ-は、好ましくはハロゲンイオン、水酸化物イオン、硝酸化物イオン、硫酸化物イオン等の１価陰イオンから選ばれる１種以上である。Ｘ-としては、より好ましくはハロゲンイオンであり、更に好ましくは塩素イオン又は臭素イオンである。
【００１８】
一般式（１）で表されるアルキルトリメチルアンモニウム塩としては、ヘキシルトリメチルアンモニウムクロリド、オクチルトリメチルアンモニウムクロリド、デシルトリメチルアンモニウムクロリド、ドデシルトリメチルアンモニウムクロリド、テトラデシルトリメチルアンモニウムクロリド、ヘキサデシルトリメチルアンモニウムクロリド、ステアリルトリメチルアンモニウムクロリド、ブチルトリメチルアンモニウムブロミド、ヘキシルトリメチルアンモニウムブロミド、オクチルトリメチルアンモニウムブロミド、デシルトリメチルアンモニウムブロミド、ドデシルトリメチルアンモニウムブロミド、テトラデシルトリメチルアンモニウムブロミド、ヘキサデシルトリメチルアンモニウムブロミド、ステアリルトリメチルアンモニウムブロミド等が挙げられる。
【００１９】
一般式（２）で表されるジアルキルジメチルアンモニウム塩としては、ジヘキシルジメチルアンモニウムクロリド、ジオクチルジメチルアンモニウムクロリド、ジヘキシルジメチルアンモニウムブロミド、ジオクチルジメチルアンモニウムブロミド、ジドデシルジメチルアンモニウムブロミド、ジテトラデシルジメチルアンモニウムブロミド等が挙げられる。
【００２０】
これらの第四級アンモニウム塩型界面活性剤の中では、無機粉体上にシリカを成長させる観点から、一般式（１）で表されるアルキルトリメチルアンモニウム塩が好ましく、アルキルトリメチルアンモニウムブロミド又はクロリドがより好ましい。
【００２１】
工程１の親水性有機溶媒と水との合計１００質量部に対する、カチオン界面活性剤量は、無機粉体上にシリカを成長させる観点から、好ましくは０．０５以上、より好ましくは０．１以上、更に好ましくは０．２以上であり、また、同様の観点から、好ましくは５以下、より好ましくは３以下、更に好ましくは２以下、更により好ましくは１以下、より更に好ましくは０．６以下である。
【００２２】
［シリカ源］
本明細書において、シリカ源とは、アルコキシシラン等の加水分解によりシラノール化合物を生成するものであり、その加水分解により、無機粉体上にシリカを成長させるために用いる。
具体的には、下記一般式（３）〜（７）で示される化合物、又はこれらの組合せを挙げることができる。これらの化合物中でも、Ｙがアルコキシ基であるアルコキシシランが好ましい。
ＳｉＹ4 （３）
Ｒ3ＳｉＹ3 （４）
Ｒ32ＳｉＹ2 （５）
Ｒ33ＳｉＹ （６）
Ｙ3Ｓｉ−Ｒ4−ＳｉＹ3 （７）
（式中、Ｒ3はそれぞれ独立して、ケイ素原子に直接炭素原子が結合している有機基を示し、Ｒ4は炭素数１以上４以下の二価の炭化水素基、又はフェニレン基を示し、Ｙは加水分解によりヒドロキシ基になる１価の加水分解性基を示す。）
【００２３】
シリカ源は、無機粉体上にシリカを成長させる観点から、一般式（４）〜（６）において、Ｒ3は、それぞれ独立して、水素原子の一部がフッ素原子に置換していてもよく、炭素数は、好ましくは１以上、より好ましくは４以上、更に好ましくは８以上であり、また、好ましくは２２以下、より好ましくは１８以下、更に好ましくは１６以下である。
炭化水素基は、例えば、上記炭素数を有するアルキル基、アルケニル基等の脂肪族炭化水素基、フェニル基、アルキルフェニル基等のアリール基、又はベンジル基、アルキルベンジル基等のアラルキル基である。
一般式（７）において、Ｒ4は、無機粉体上にシリカを成長させる観点から、炭素数１以上４以下のアルカンジイル基（メチレン基、エチレン基、トリメチレン基、プロパン−１，２−ジイル基、テトラメチレン基等）又はフェニレン基が好ましい。
一般式（３）〜（７）において、Ｙは、無機粉体上にシリカを成長させる観点から、好ましくは炭素数１以上であり、好ましくは炭素数２２以下、より好ましくは炭素数８以下、更に好ましくは炭素数４以下、より更に好ましくは炭素数３以下、更により好ましくは炭素数２以下のアルコキシ基又はフッ素を除くハロゲン基である。
【００２４】
より具体的には、シリカ源の加水分解により、無機粉体上にシリカを成長させる観点から、一般式（３）で示される化合物が好ましい。
より好ましくは、一般式（３）において、Ｙが炭素数１以上３以下のアルコキシ基であるアルコキシシランであり、これらの中でも、シリカ源の加水分解により、無機粉体上にシリカを成長させ、光沢を低減する観点から、好ましくはオルトケイ酸テトラメチル（テトラメトキシシラン）、オルトケイ酸テトラエチル（テトラエトキシシラン）であり、より好ましくはオルトケイ酸テトラメチルである。
【００２５】
シリカ源（ＳｉＯ2換算）／無機粉体の質量比は、無機粉体上にシリカを成長させ、光沢を低減する観点から、０．１以上であり、好ましくは０．１５以上、より好ましくは０．２以上、更に好ましくは０．３以上、更により好ましくは０．４以上であり、また、同様の観点から、１０以下であり、好ましくは５以下、より好ましくは２以下、更に好ましくは１．５以下、更により好ましくは１以下、より更に好ましくは０．８以下、より更に好ましくは０．７以下である。
シリカ源（ＳｉＯ２換算）／カチオン界面活性剤の質量比は、無機粉体上に成長させる観点から、好ましくは０．１以上、より好ましくは０．３以上、更に好ましくは０．５以上であり、また、同様の観点から、好ましくは１０以下、より好ましくは５以下、更に好ましくは３以下、更により好ましくは２以下である。
【００２６】
［アルカリ剤］
本発明の製造方法において、シリカ源の加水分解触媒として、アルカリ剤が含まれていることが好ましい。
アルカリ剤としては、アミン類が挙げられる。アミン類としては、炭素数１以上５以下のアルキル基、アルケニル基及びヒドロキシアルキル基から選ばれる有機基又は水素原子を含む第一級アミン、第二級アミン、第三級アミン、及び第四級アンモニウムヒドロキシドから選ばれる少なくとも一種以上が用いられる。なおアミン類の水素原子の数は、有機基の数すなわちアミンの等級によって設定され、当然ながら０であってもよく、一般に省略される。
第一級アミンの具体例としては、エチルアミン、ｎ−プロピルアミン、ｎ−ブチルアミン、１，３−ジアミノプロパン、ペンチルアミン等が挙げられる。
第二級アミンの具体例としては、ジエチルアミン、ジ−ｎ−プロピルアミン、ジ−ｎ−ブチルアミン、ジペンチルアミン等が挙げられ、ジエチルアミン、ジ−ｎ−プロピルアミンがより好ましい。
第三級アミンの具体例としては、ジメチルエチルアミン、ジエチルメチルアミン、トリエチルアミン、トリプロピルアミン、トリブチルアミン、トリペンチルアミン等が挙げられ、トリエチルアミン、トリプロピルアミンがより好ましい。
また、モノエタノールアミン、ジエタノールアミン、トリエタノールアミン、ジエチルエタノールアミン、プロパノールアミン等のアルカノールアミン等の置換アミン類も用いることができる。
【００２７】
第四級アンモニウムヒドロキシドの具体例としては、テトラメチルアンモニウムヒドロキシド、テトラエチルアンモニウムヒドロキシド、テトラプロピルアンモニウムヒドロキシド、テトラブチルアンモニウムヒドロキシド、トリブチルメチルアンモニウムヒドロキシド、トリメチルヒドロキシエチルアンモニウムヒドロキシド（コリン）、テトラキス（ヒドロキシエチル）アンモニウムヒドロキシド、メチルトリス（ヒドロキシエチル）アンモニウムヒドロキシド等が挙げられ、テトラメチルアンモニウムヒドロキシド、テトラエチルアンモニウムヒドロキシドがより好ましい。これらは、単独で又は二種以上を混合して用いることができる。
本発明の製造法の工程２において、シリカ源を添加する際、カチオン界面活性剤と無機粉体と親水性有機溶媒とを含有する水分散液中のｐＨは、上記アルカリ剤により調整されていることが好ましい。
工程２で、シリカ源を添加する際の工程1で得られた水分散液のｐＨは、シリカ源の加水分解により、無機粉体上にシリカを成長させる観点から、好ましくは１０以上、より好ましくは１１以上、更に好ましくは１２以上であり、また、同様の観点から、好ましくは１３．５以下、より好ましくは１３以下である。
【００２８】
［製造方法］
本発明の製造方法は、下記工程１及び２を有する、無機粉体上にシリカを成長させた、無機複合粉体の製造方法である。
工程１：カチオン界面活性剤と、タルク、マイカ、及び硫酸バリウムからなる群から選ばれる１種以上の無機粉体と親水性有機溶媒と水とを混合して、無機粉体の水分散液を製造する工程
工程２：前記工程１で得られた水分散液に、シリカ源を添加して、シリカ源（ＳｉＯ2換算）／無機粉体の質量比が０．１以上１０以下の条件でシリカを成長させる工程。
【００２９】
（工程１）
工程１で得られる水分散液には、シリカ源の加水分解触媒として、アルカリ剤を更に混合することが好ましい。アルカリ剤の量としては、前述の好ましいｐＨとなる量が挙げられる。
工程１において、水分散液中の、カチオン界面活性剤、及び無機粉体の含有量は次のとおりである。
【００３０】
工程１の水分散液中、カチオン界面活性剤の含有量は、効率的に無機粉体上にシリカを成長させる観点から、好ましくは０．０１質量％以上、より好ましくは０．０５質量％以上、更に好ましくは０．０８質量％以上、更により好ましくは０．１質量％以上、より更に好ましくは０．１５質量％以上であり、また、無機粉体上に均一にシリカを成長させる観点から、好ましくは５質量％以下、より好ましくは１質量％以下、更に好ましくは０．８質量％以下、更により好ましくは０．５質量％以下、より更に好ましくは０．３質量％以下である。
工程１の水分散液中、無機粉体の含有量は、効率的に無機粉体上にシリカを成長させて、光沢を低減する観点から、好ましくは０．１質量％以上、より好ましくは０．３質量％以上、更に好ましくは０．５質量％以上、更により好ましくは０．８質量％以上であり、また、無機粉体上に均一にシリカを成長させる観点から、好ましくは１０質量％以下、より好ましくは５質量％以下、更に好ましくは３質量％以下、更により好ましくは２質量％以下、更により好ましくは１．５質量％以下である。
その他の水分散液中の成分の質量比は、前述のとおりである。
【００３１】
水分散液の分散方法としては、例えば、ヘンシェルミキサー等の攪拌機、超音波洗浄器等の超音波処理機が挙げられる。
カチオン界面活性剤（（ａ）成分）、アルカリ剤（（ｂ）成分）、無機粉体（（ｃ）成分）、親水性有機溶媒及び水を配合させる順序は特に制限はない。混合効率の観点から、好ましくは（i）（ａ）成分、（ｂ）成分、親水性有機溶媒及び水を混合撹拌した後、（ｃ）成分を投入することが好ましい。
【００３２】
（工程２）
工程２は、前記工程１で得られた水分散液に、シリカ源を添加して、シリカ源（ＳｉＯ2換算）／無機粉体の質量比が０．１以上１０以下の条件でシリカを成長させる工程である。すなわち、上記条件にて分散液を処理することでシリカ源を加水分解及び縮合させて、無機粉体上にシリカを成長させる工程である。
シリカ源の添加量は前述のシリカ源（ＳｉＯ2換算）／無機粉体の質量比となるように添加される。
工程２のシリカ源添加後の水分散液中、無機粉体の含有量は、効率的に無機粉体上にシリカを成長させる観点から、好ましくは０．１質量％以上、より好ましくは０．３質量％以上、更に好ましくは０．５質量％以上、更により好ましくは０．８質量％以上であり、また、無機粉体上に均一にシリカを成長させる観点から、好ましくは１０質量％以下、より好ましくは５質量％以下、更に好ましくは３質量％以下、更により好ましくは２質量％以下、より更に好ましくは１．５質量％以下である。
【００３３】
シリカ源を添加した後、無機粉体上にシリカを成長させる観点から、好ましくは水分散液を撹拌する。
撹拌温度は、無機粉体上にシリカを成長させる観点から、好ましくは１０℃以上、より好ましくは２０℃以上であり、また、好ましくは８０℃以下、より好ましくは６０℃以下、更に好ましくは５０℃以下である。
撹拌時間は温度によって異なるが、通常、２時間以上、好ましくは４時間以上、より好ましくは６時間以上であり、また、上限は特にないが、好ましくは４８時間以下、より好ましくは２４時間以下、更に好ましくは１６時間以下である。
上記撹拌回転数は、装置により異なるが、好ましくは１００ｒｐｍ以上、より好ましくは２００ｒｐｍ以上であり、また、好ましくは２０００ｒｐｍ以下、より好ましくは１５００ｒｐｍ以下、更に好ましくは１０００ｒｐｍ以下である。
【００３４】
シリカ源は、一括添加であっても、分割添加であってもよいが、無機粉体上にシリカを成長させる観点から、分割添加が好ましい。分割による添加回数は、好ましくは２回以上であり、また、上限は特にないが、生産上、好ましくは１０回以下、より好ましくは６回以下である。
分割添加における１回の添加量は均等に分割してもよいし、不均一に分割してもよい。
分割添加の時間間隔は、分割回数にもよるが、無機粉体上にシリカを成長させる観点から、好ましくは１０分以上、より好ましくは３０分以上、更に好ましくは１時間以上であり、また、上限は特にないが、生産性の観点から、好ましくは２４時間以下、より好ましくは１２時間以下、更に好ましくは８時間以下である。
【００３５】
得られた無機複合粉体は、親水性有機溶媒を含む水中に懸濁した状態で得られる。用途によってはこれをそのまま使用することもできるが、好ましくは複合体を分離して使用する。分離方法としは、ろ過法、遠心分離法等を採用することができる。
工程２で得られた複合体は、通常カチオン界面活性剤等を含む状態で得られるが、工程２で得られた複合体を酸性溶液と１回又は複数回接触させること、例えば複合体を酸性水溶液中で混合することによりカチオン界面活性剤を除去してもよい。酸性水溶液に用いる酸としては、塩酸、硝酸、硫酸等の無機酸、及び、酢酸、クエン酸等の有機酸が挙げられるが、塩酸が特に好ましい。得られた複合体は、乾燥させてもよい。
上記により得られた複合体粒子は、無機粉体上にシリカが連珠状に、成長（玉状に連続して成長）した複合体である。
【００３６】
［無機複合粉体］
本発明方法により得られる無機複合粉体は、例えば、図１に示されるように、無機粉体上にシリカが連珠状に成長（玉状に連続して成長）したものであり、より具体的には、本発明の無機複合粉体は、無機粉体と、前記無機粉体の表面に結着した複数の、光を拡散しうる光拡散子とを有する。
前記光拡散子は、中実粒状シリカが連結した連結粒状構造を有する。光拡散子は、より好ましくは分岐構造を有する。
前記光拡散子は、例えば、前記無機粉体表面に結着した中実粒状シリカａ１及び前記中実粒状シリカａ１と結着した中実粒状シリカａ２を少なくとも有する。更に、一つの中実粒状シリカに２以上の中実粒状シリカが結合することで、分岐構造を有する樹木状の連結粒状構造を有する光拡散子が得られる。
本発明の光拡散子は、中実粒状シリカ上に別の中実粒状シリカが成長して連結するため、無機粉体の略垂直方向に成長した光拡散子が得られる。したがって、当該光拡散子が、無機粉体の反射光を拡散するため、光沢度を効率的に抑制することができると考えられる。
本発明の無機複合粉体は、例えば、化粧料等に用いられる。
本発明の無機複合粉体は、化粧料に用いることでテカリを抑制することができる。
【実施例】
【００３７】
本実施例において、ＳＥＭ観察、光沢度は、以下の方法により行った。
【００３８】
［ＳＥＭ観察］
無機複合粉体は、イオンスパッタ（Ｅ−１０１０：株式会社日立ハイテクフィールディング製）を用いて金蒸着し、走査型電子顕微鏡（ＶＥ−７８００：株式会社キーエンス製）を用いてＳＥＭ観察を行った。
【００３９】
［光沢度］
試料（無機複合粉体又は原料の無機粉体）を、１０ｃｍ×５ｃｍのポリウレタン製黒色人工皮革（ＯＫ−７：オカモト株式会社製）に、塗布量が５ｍｇになるよう調製しながら均一に塗布し、光沢計（日本電色工業株式会社；ＰＧ−１Ｍ）を用いて６０°における光沢度を１０か所測定し、平均した。
【００４０】
［ＳｉＯ２の換算量］
シリカ源のＳｉＯ２換算量は、以下の式により換算した。
シリカ源の量（ＳｉＯ２換算）＝シリカ源質量×｛［６０．０８（ＳｉＯ２分子量）×１分子中のＳｉ原子数］／［シリカ源分子量］｝
シリカ源分子量として、ＴＭＯＳ：分子量１５２．２２、ＴＥＯＳ：分子量２０８．３３を用いた。
【００４１】
［無機粉体の体積平均粒径］
体積平均粒子径はレーザー回折／散乱式粒度分布測定装置（株式会社堀場製作所製、ＬＡ−９２０）にて、溶媒をイオン交換水、屈折率を１．２、循環速度を４とし、循環３ｍｉｎの条件で測定した。
【００４２】
実施例１
容量２００ｍＬのガラスビーカーに水酸化テトラメチルアンモニウム（以下「ＴＭＡＨ」ともいう）（和光純薬工業株式会社製）の２５質量％水溶液０．１６８ｇ、塩化ドデシルトリメチルアンモニウムの３０質量％水溶液（カチオーゲンＴＭＬ：第一工業製薬株式会社製）０．５９２ｇ、イオン交換水６０．０ｇ、メタノール（和光純薬工業株式会社製）２０．０ｇを仕込み混合液を得た。混合液の温度は２４．７℃、ｐＨは１２．６であった。ここへタルク粉体（レーザー回折法による体積平均粒径１０〜１５μｍ、和光純薬工業株式会社製  ）１．００ｇを投入し、超音波洗浄器（ＡＳＵ−３：アズワン株式会社製）を用いて５分間超音波処理し分散液を得た。室温（２５℃）にて撹拌下、オルトケイ酸テトラメチル（以下「ＴＭＯＳ」ともいう）（和光純薬工業株式会社製）０．５１０ｇを投入し、１２時間撹拌反応させたのち無機複合粉体の分散液を得た。この際、撹拌はマグネチックスターラー（ＳＷ−６００Ｎ−１：株式会社日伸理化製）と４０×８ｍｍの回転子を用い、６００ｒｐｍで行った。得られた分散液を、濾紙（Ｎｏ．５Ｃ：アドバンテック株式会社製）を用いて濾過し、１０５℃にて減圧乾燥して無機複合粉体を得た。
ＳＥＭ観察を行った結果、得られた５０００倍のＳＥＭ写真を図１に示した。当該ＳＥＭ写真に示されたスケールバーは２μｍに相当する。
ＳＥＭ観察の結果、タルクの表面においてシリカ粒子が固定化し、略垂直方向へ成長した突起物が形成された。
光沢度の測定の結果、原体のタルクの光沢度２．５９に対し、無機複合粉体の光沢度は１．８４と低下した。
【００４３】
実施例２
実施例１と同様の操作を利用し、オルトケイ酸テトラメチル（和光純薬工業株式会社製）の投入量を０．７６３ｇに変更し、表１に示される配合とすることにより無機複合粉体を得た。
得られた無機複合粉体はＳＥＭ観察の結果、タルクの表面においてシリカ粒子が固定化し略垂直方向へ成長した突起物が形成された。
この無機複合粉体の光沢度を測定した結果、原体のタルクの光沢度２．５９に対し、無機複合粉体の光沢度は１．８１と低下した。
【００４４】
実施例３
実施例２と同様の操作を利用し、塩化ドデシルトリメチルアンモニウムの３０質量％水溶液（カチオーゲンＴＭＬ：第一工業製薬株式会社製）の投入量を１．１８ｇに変更し、表１に示される配合とすることにより無機複合粉体を得た。得られた無機複合粉体はＳＥＭ観察の結果、タルクの表面においてシリカ粒子が固定化し、略垂直方向へ成長した突起物が形成された。
この無機複合粉体の光沢度を測定した結果、原体のタルクの光沢度２．５９に対し、無機複合粉体の光沢度は１．８６と低下した。
【００４５】
実施例４
実施例３と同様の操作を利用し、オルトケイ酸テトラメチル（和光純薬工業株式会社製）の投入量を１．２８ｇに変更し、表１に示される配合とすることにより無機複合粉体を得た。得られた無機複合粉体はＳＥＭ観察の結果、タルクの表面においてシリカ粒子が固定化し、略垂直方向へ成長した突起物が形成された。
この無機複合粉体の光沢度を測定した結果、原体のタルクの光沢度２．５９に対し、無機複合粉体の光沢度は１．６５と低下した。
【００４６】
実施例５
実施例１と同様の操作を利用し、メタノール（和光純薬工業株式会社製）２０．０ｇを仕込むところをエタノール（和光純薬工業株式会社製）２０．０ｇに変更し、オルトケイ酸テトラメチル（和光純薬工業株式会社製）１．２８ｇ仕込むところをオルトケイ酸テトラエチル（和光純薬工業株式会社製）２．０９ｇに変更し、塩化ドデシルトリメチルアンモニウムの３０質量％水溶液（カチオーゲンＴＭＬ：第一工業製薬株式会社製）の投入量を１．１７ｇに変更し、表１に示される配合とすることにより無機複合粉体を得た。得られた無機複合粉体はＳＥＭ観察の結果、タルクの表面においてシリカ粒子が固定化し、略垂直方向へ成長した突起物が形成された。
この無機複合粉体の光沢度を測定した結果、原体のタルクの光沢度２．５９に対し、無機複合粉体の光沢度は１．９７と低下した。
【００４７】
実施例６
実施例１と同様の操作を利用し、タルク粉体（和光純薬工業株式会社製）１．００ｇをマイカ粉体（和光純薬工業株式会社製）１．００ｇに変更し、表１に示される配合とすることにより無機複合粉体を得た。得られた無機複合粉体はＳＥＭ観察の結果、マイカの表面においてシリカ粒子が固定化し、略垂直方向へ成長した突起物が形成された。
この無機複合粉体の光沢度を測定した結果、原体のマイカの光沢度３．３６に対し、無機複合粉体の光沢度は２．４３と低下した。
【００４８】
実施例７
実施例５と同様の操作を利用し、オルトケイ酸テトラエチル（和光純薬工業株式会社製）の投入方法を、一括投入から分割投入に変更することにより無機複合粉体を得た。
分割の方法は、先ずオルトケイ酸テトラエチル（和光純薬工業株式会社製）１．０４ｇを一括投入し、６時間後にオルトケイ酸テトラエチル（和光純薬工業株式会社製）１．０４ｇを一括投入した。得られた無機複合粉体はＳＥＭ観察の結果、タルクの表面においてシリカ粒子が固定化し、略垂直方向へ成長した突起物が形成された。
この無機複合粉体の光沢度を測定した結果、原体のタルクの光沢度２．５９に対し、無機複合粉体の光沢度は１．６１と低下した。
【００４９】
実施例８
実施例７と同様の操作を利用し、エタノール（和光純薬工業株式会社製）２０．０ｇを仕込むところをエタノール（和光純薬工業株式会社製）１０．０ｇとメタノール（和光純薬工業株式会社製）１０．０ｇに変更し、オルトケイ酸テトラエチル（和光純薬工業株式会社製）の投入方法を、先ずオルトケイ酸テトラエチル（和光純薬工業株式会社製）１．０５ｇ（ＳｉＯ2換算で０．３）を一括投入し、６時間後にオルトケイ酸テトラメチル（和光純薬工業株式会社製）０．７６７ｇ（ＳｉＯ2換算で０．３）を一括投入した。得られた無機複合粉体はＳＥＭ観察の結果、タルクの表面においてシリカ粒子が固定化し、略垂直方向へ成長した突起物が形成された。
この無機複合粉体の光沢度を測定した結果、原体のタルクの光沢度２．５９に対し、無機複合粉体の光沢度は１．３５と低下した。
【００５０】
比較例１
実施例１と同様の操作を利用し、オルトケイ酸テトラメチル（和光純薬工業株式会社製）の投入量を０．３５０ｇに変更し、塩化ドデシルトリメチルアンモニウムの３０質量％水溶液（カチオーゲンＴＭＬ：第一工業製薬株式会社製）の投入量を１．１９ｇに変更し、タルク粉体（和光純薬工業株式会社製）の投入量を１．７０ｇに変更することにより無機複合粉体を得た。得られた無機複合粉体はＳＥＭ観察の結果、タルクの表面において球状シリカ粒子が固定化し、略垂直方向へ成長した突起物の形成は見られなかった。
ＳＥＭ観察を行った結果、得られた５０００倍のＳＥＭ写真を図２に示した。当該ＳＥＭ写真に示されたスケールバーは２μｍに相当する。
この無機複合粉体の光沢度を測定した結果、原体のタルクの光沢度２．５９に対し、無機複合粉体の光沢度は２．５３とほとんど低下しなかった。
【００５１】
【表１】
2015113306.tif 000003
【００５２】
実施例１の写真から、本願で得られた無機粉体は、シリカが樹状に成長していることがわかる。
実施例１〜３と４との比較から、シリカ源（ＳｉＯ2換算）／無機粉体の質量比がより大きい実施例４では、光沢が低下していることがわかる。
実施例４と５との比較から、ＴＭＯＳの方が光沢をより抑制していることがわかる。
また、実施例７、８では、シリカ源を分割して添加しているため、光沢の低下が大きい。これは、無機粉体上に、効率よくシリカが成長したためと考えられる。
シリカ源（ＳｉＯ2換算）／無機粉体の質量比が、０．１より小さい比較例１では、図２に示されるように、無機粉体上に、シリカが成長しておらず、光沢の低下は、ほとんどなかった。
【図１】
2015113306.tif 000004
【図２】
2015113306.tif 000005