(57)【要約】【課題】積層体の積層方向に複数のコイルが並べて配置された構成において、特性が所望の特性からずれるのを抑制可能なインダクタ素子を提供する。【解決手段】インダクタ素子１は、第１基材層１０，１１，１２、第２基材層１３、第１基材層１４，１５が順に積層された積層体２１と、積層方向に直交する方向をコイル巻回軸とし、積層方向に並べられた第１のコイルＣ１及び第２のコイルＣ２とを備える。第１のコイルＣ１、及び第２のコイルＣ２は、それぞれ、内部に第１基材層１１，１４が位置するように巻回される。第２基材層１３は、第１基材層１０，１１，１２，１４，１５よりも比透磁率が高く、積層方向において第１のコイルＣ１及び第２のコイルＣ２の間に配置されている。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の第１基材層及び少なくとも１つの第２基材層を含む複数の基材層が積層された積層体と、
積層方向に直交する方向をコイル巻回軸とし、前記積層方向に並べられた第１のコイル及び第２のコイルと、
を備え、
前記第１のコイル及び前記第２のコイルは、それぞれ、内部に前記第１基材層が位置するように巻回され、
前記第２基材層は、前記第１基材層よりも比透磁率が高く、前記積層方向において前記第１のコイル及び前記第２のコイルの間に配置されている、
インダクタ素子。
【請求項２】
前記第１基材層は、前記第２基材層よりも比誘電率が小さい、
請求項１に記載のインダクタ素子。
【請求項３】
前記第１のコイル及び前記第２のコイルは、それぞれ、前記基材層の主面に形成された導体パターンにより一部が構成されており、
前記第１のコイルの内部に位置する前記第１基材層は、積層方向において、前記第１のコイルの一部を構成する前記導体パターンにより挟み込まれる位置に配置され、
前記第２のコイルの内部に位置する前記第１基材層は、積層方向において、前記第２のコイルの一部を構成する前記導体パターンにより挟み込まれる位置に配置されている、
請求項１又は２に記載のインダクタ素子。
【請求項４】
前記導体パターンの一部は、前記第２基材層の主面に形成されている、
請求項３に記載のインダクタ素子。
【請求項５】
前記第２基材層は、複数設けられており、積層方向において前記第１のコイル及び前記第２のコイルのそれぞれを両側から挟み込むように配置されている、
請求項１から４の何れかに記載のインダクタ素子。
【請求項６】
前記積層方向に直交する方向をコイル巻回軸とし、前記積層方向において前記第２のコイルに対して前記第１のコイルとは反対側に配置された第３のコイルをさらに備え、
前記第２基材層は、複数設けられており、前記積層方向において、少なくとも前記第１のコイル及び前記第２のコイルの間と前記第２のコイル及び前記第３のコイルの間とに配置されている、
請求項１から５の何れかに記載のインダクタ素子。
【請求項７】
前記第１基材層及び前記第２基材層は、同種の熱可塑性樹脂を母材としている、
請求項１から６の何れかに記載のインダクタ素子。
【請求項８】
前記熱可塑性樹脂は液晶ポリマ樹脂である、請求項７に記載のインダクタ素子。
【請求項９】
前記複数の基材層の最外層の表面には、前記第１のコイル及び前記第２のコイルの外部端子が形成されている、
請求項１から８の何れかに記載のインダクタ素子。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、導体パターンが巻回されたインダクタ素子に関する。
【背景技術】
【０００２】
特許文献１には、ヘリカルコイルが内蔵されたインダクタ素子が開示されている。特許文献１に記載のインダクタ素子は、絶縁体と導体とが交互に積層された積層体を素材として作製され、コイル巻回軸が積層方向に直交する方向に向いている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００４−２３５５８４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
ところで、複数のヘリカルコイルが一つの積層体に内蔵されたインダクタ素子を形成する場合、積層体の積層方向に直交する方向のサイズが大きくならないよう、積層方向に複数のヘリカルコイルを並べて配置することが考えられる。しかしながら、特許文献１に記載のインダクタ素子において、ヘリカルコイルを積層体の積層方向に複数並べて配置した場合、各ヘリカルコイルから生じる磁束によって複数のヘリカルコイルが互いに結合するおそれがある。この場合、複数のヘリカルコイルの結合に起因して、インダクタ素子の特性が所望の特性からずれてしまうおそれがある。
【０００５】
そこで、本発明の目的は、積層体の積層方向に直交する方向をコイル巻回軸とする複数のコイルが積層方向に並べて配置された構成において、特性が所望の特性からずれるのを抑制可能なインダクタ素子を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明は、複数の第１基材層及び少なくとも１つの第２基材層を含む複数の基材層が積層された積層体と、積層方向に直交する方向をコイル巻回軸とし、前記積層方向に並べられた第１のコイル及び第２のコイルと、を備え、前記第１のコイル及び前記第２のコイルは、それぞれ、内部に前記第１基材層が位置するように巻回され、前記第２基材層は、前記第１基材層よりも比透磁率が高く、前記積層方向において前記第１のコイル及び前記第２のコイルの間に配置されていることを特徴とする。
【０００７】
この構成では、第１のコイルと第２のコイルとの間には、比透磁率が高い第２基材層が介在しているため、その第２基材層により第１のコイルと第２のコイルとが互いに結合することが抑制される。これにより、第１のコイルと第２のコイルとの結合に起因してインダクタ素子の特性が所望の特性からずれるのを抑制することができる。
【０００８】
前記第１基材層は、前記第２基材層よりも比誘電率が小さいことが好ましい。この構成では、第１のコイルの線間容量及び第２のコイルの線間容量を小さくすることができる。
【０００９】
前記第１のコイル及び前記第２のコイルは、それぞれ、前記基材層の主面に形成された導体パターンにより一部が構成されており、前記第１のコイルの内部に位置する前記第１基材層は、積層方向において、前記第１のコイルの一部を構成する前記導体パターンにより挟み込まれる位置に配置され、前記第２のコイルの内部に位置する前記第１基材層は、積層方向において、前記第２のコイルの一部を構成する前記導体パターンにより挟み込まれる位置に配置されていることが好ましい。
【００１０】
この構成では、各コイルにおいて、導体パターンにより第１基材層を積層方向に挟み込むことによって、第１基材層を容易にコイルの内部に設けることができる。
【００１１】
前記導体パターンの一部は、前記第２基材層の主面に形成されていることが好ましい。
【００１２】
この構成では、積層体を構成する第２基材層の層数を少なくすることができる。
【００１３】
前記第２基材層は、複数設けられており、積層方向において前記第１のコイル及び前記第２のコイルのそれぞれを両側から挟み込むように配置されていることが好ましい。
【００１４】
この構成では、第１のコイル、及び第２のコイルそれぞれは、比透磁率が高い第２基材層で挟まれているため、インダクタ素子が実装された場合に、インダクタ素子近傍にある回路等に、第１のコイル、及び第２のコイルそれぞれから生じる磁束による影響が及ぶことを抑制できる。
【００１５】
前記積層方向に直交する方向をコイル巻回軸とし、前記積層方向において前記第２のコイルに対して前記第１のコイルとは反対側に配置された第３のコイルをさらに備え、前記第２基材層は、複数設けられており、前記積層方向において、少なくとも前記第１のコイル及び前記第２のコイルの間と前記第２のコイル及び前記第３のコイルの間とに配置されている、ことが好ましい。
【００１６】
この構成では、コイル数を３つに増やしても、コイルが互いに結合することを抑制することができる。
【００１７】
前記第１基材層及び前記第２基材層は、同種の熱可塑性樹脂を母材としていることが好ましい。
【００１８】
この構成では、同種の熱可塑性樹脂であるため、複数の基材層を、加熱プレスを用いた簡単なプロセスで一体化できる。また、一体化された複数の基材層は、熱膨張係数差に起因する剥離が起こりにくく、形成後のインダクタ素子の形状を維持しやすい。これによっても、インダクタ素子の特性が所望の特性からずれるのを抑制することができる。
【００１９】
前記熱可塑性樹脂は液晶ポリマ樹脂であることが好ましい。
【００２０】
この構成では、比較的低誘電率の液晶ポリマ樹脂を用いることで、コイルの線間容量を小さくすることができる。
【００２１】
前記複数の基材層の最外層の表面には、前記第１のコイル及び前記第２のコイルの外部端子が形成されていることが好ましい。
【００２２】
この構成では、第１のコイルと第２のコイルとに対する外部端子を、積層体の同一表面に揃えることで、インダクタ素子の実装が容易となる。
【発明の効果】
【００２３】
本発明によれば、積層方向に並べられた第１のコイルと第２のコイルとが互いに結合するのを抑制できる。これにより、インダクタ素子の特性が所望の特性からずれるのを抑制することができる。
【図面の簡単な説明】
【００２４】
【図１】実施形態１に係るインダクタ素子の分解斜視図
【図２】図１に示すII-II線における断面図
【図３】実施形態２に係るインダクタ素子の分解斜視図
【図４】図３に示すIV-IV線における断面図
【図５】実施形態３に係るインダクタ素子の分解斜視図
【図６】実施形態４に係るインダクタ素子の分解斜視図
【図７】実施形態５に係るインダクタ素子の分解斜視図
【発明を実施するための形態】
【００２５】
以下、本発明に係るインダクタ素子の好適な実施の形態について図面を参照して説明する。
【００２６】
（実施形態１）
図１は、実施形態１に係るインダクタ素子の分解斜視図である。図２は、図１に示すII-II線における断面図である。本実施形態に係るインダクタ素子１は、積層体２１と、その積層体２１に、互いに独立して形成された二つの第１のコイルＣ１及び第２のコイルＣ２とを備えている。積層体２１は、第１基材層１０，１１，１２、第２基材層１３、第１基材層１４，１５が順に積層されている。
【００２７】
基材層１０〜１５はそれぞれ、長辺及び短辺を有する矩形状である。積層体２１は、基材層１０〜１５が積層され、加熱プレスされることで形成される。積層体２１は略直方体形状を有する。基材層１０〜１５は、絶縁性の同種の熱可塑性樹脂、例えばＬＣＰ樹脂（液晶ポリマ樹脂）を母材として形成されている。より詳しくは、第２基材層１３は、ＬＣＰ樹脂に磁性体、例えばパーマロイが含有され、第１基材層１０，１１，１２，１４，１５よりも比透磁率を高くしてある。また、第１基材層１０，１１，１２，１４，１５は、第２基材層１３よりも比誘電率が小さい。第２基材層１３には磁性体が含有されているため、第１基材層１０，１１，１２，１４，１５と、第２基材層１３とは、成分が完全同一ではないが、主たる材料をＬＣＰ樹脂とすることで、これらは、同種の熱可塑性樹脂を母材としているということができる。
【００２８】
なお、熱可塑性樹脂としては、例えばＰＥＥＫ（ポリエーテルエーテルケトン）、ＰＥＩ（ポリエーテルイミド）、ＰＰＳ（ポニフェニレンスルファイド）、ＰＩ（ポリイミド）等があり、ＬＣＰ樹脂に代えてこれらを用いてもよい。
【００２９】
第１基材層１０は、インダクタ素子１の実装面となる層であって、その表面には入出力電極１０Ａ，１０Ｂ，１０Ｃ，１０Ｄが形成されている。入出力電極１０Ａ，１０Ｂ，１０Ｃ，１０Ｄは、積層体２１に形成される第１のコイル及び第２のコイルに対する入出力端である。このように、入出力端を積層体２１の同一面に形成することで、インダクタ素子１の実装が容易となる。
【００３０】
第１基材層１０には、入出力電極１０Ａ，１０Ｂ，１０Ｃ，１０Ｄの位置にビア導体が形成されていて、入出力電極１０Ａ，１０Ｂ，１０Ｃ，１０Ｄと他層に形成された導体パターンとを導通している。なお、以下では、特に言及はしないが、他層についても同様に、適宜必要なビア導体が形成されているものとする。
【００３１】
第１基材層１１の表面（主面）には、帯状の導体パターン１１Ａ，１１Ｂ，１１Ｃ，１１Ｄ，１１Ｅが形成されている。導体パターン１１Ａ〜１１Ｅは、第１基材層１１の短辺に沿った方向（以下、短手方向と言う）に沿って平行に形成されている。また、第１基材層１２の表面（主面）には、帯状の導体パターン１２Ａ，１２Ｂ，１２Ｃ，１２Ｄが形成されている。導体パターン１２Ａ〜１２Ｄは、第１基材層１１に形成された導体パターン１１Ａ〜１１Ｅを架設するよう、導体パターン１１Ａ〜１１Ｅに対して傾斜して形成されている。
【００３２】
詳しくは、導体パターン１１Ａは、その一端が、ビア導体を通じて入出力電極１０Ａと導通し、その他端が、導体パターン１２Ａの一端に導通している。導体パターン１２Ａは、他端が、ビア導体１０１を通じて導体パターン１１Ｂの一端と導通している。導体パターン１１Ｂは、他端が、ビア導体１０２を通じて導体パターン１２Ｂの一端に導通している。導体パターン１２Ｂは、他端が導体パターン１１Ｃの一端に導通し、導体パターン１１Ｃは、他端が、ビア導体１０３を通じて導体パターン１２Ｃに導通している。さらに、導体パターン１２Ｃは、他端が導体パターン１１Ｄの一端に導通し、導体パターン１１Ｄは、他端が、ビア導体１０４を通じて導体パターン１２Ｄの一端に導通している。導体パターン１２Ｄは、他端が導体パターン１１Ｅの一端に導通し、導体パターン１１Ｄは、第１基材層１０に形成された入出力電極１０Ｄに接続されている。なお、全てに符号を付して説明していないが、各層の導体パターンは、基材層に形成されたビア導体を通じて導通している。
【００３３】
このように、第１基材層１１，１２の主面に形成された導体パターン１１Ａ〜１１Ｅ、導体パターン１２Ａ〜１２Ｄ及びビア導体により、第１のコイルＣ１が形成されている。第１のコイルＣ１は、積層方向に直交する方向をコイル巻回軸とし、内部に第１基材層が位置するよう巻回されている。第１基材層１１は、積層方向において、第１のコイルＣ１の一部を構成する導体パターン１１Ａ〜１１Ｅと導体パターン１２Ａ〜１２Ｄとにより挟み込まれる位置に配置されている。
【００３４】
第１基材層１４の表面（主面）には、矩形状の導体パターン１４Ａ，１４Ｅと、帯状の導体パターン１４Ｂ，１４Ｃ，１４Ｄが形成されている。導体パターン１４Ａ，１４Ｅは、平面視で、入出力電極１０Ｂ，１０Ｃと略同じ位置に形成されていて、ビア導体を通じて入出力電極１０Ｂ，１０Ｃと導通している。導体パターン１４Ｂ〜１４Ｄは、第１基材層１４の短手方向に沿って平行に形成されている。また、第１基材層１５の表面（主面）には、帯状の導体パターン１５Ａ，１５Ｂ，１５Ｃ，１５Ｄが形成されている。導体パターン１５Ａ〜１５Ｄは、第１基材層１４に形成された導体パターン１４Ａ〜１４Ｅを架設するよう、導体パターン１４Ｂ〜１４Ｄに対して傾斜して形成されている。
【００３５】
詳しくは、導体パターン１５Ａは、一端が導体パターン１４Ａに導通し、他端が導体パターン１４Ｂの一端に導通している。また、導体パターン１４Ｂは、他端が、ビア導体１０５を通じて導体パターン１５Ｂの一端に導通し、その導体パターン１５Ｂは、他端が導体パターン１４Ｃの一端に導通している。導体パターン１４Ｃは、他端が、ビア導体１０６を通じて導体パターン１５Ｃの一端に導通し、その導体パターン１５Ｃは、他端が導体パターン１４Ｄの一端に導通している。導体パターン１４Ｄは、他端が、ビア導体１０７を通じて導体パターン１５Ｄの一端に導通し、その導体パターン１５Ｄは、他端が導体パターン１４Ｅに導通している。なお、全てに符号を付して説明していないが、各層の導体パターンは、基材層に形成されたビア導体を通じて導通している。
【００３６】
このように、第１基材層１４，１５の主面に形成された導体パターン１４Ａ〜１１Ｅ、導体パターン１５Ａ〜１５Ｄ及びビア導体により、第２のコイルＣ２が形成されている。第２のコイルＣ２は、積層方向に直交する方向をコイル巻回軸とし、内部に第１基材層が位置するよう巻回されている。第１基材層１４は、積層方向において、第２のコイルＣ２の一部を構成する導体パターン１４Ａ〜１１Ｅと導体パターン１５Ａ〜１５Ｄとにより挟み込まれる位置に配置されている。
【００３７】
第２基材層１３は、第１基材層１１，１２に形成された第１のコイルＣ１と、第１基材層１４，１５に形成された第２のコイルＣ２との間に介在し、前記の通り、第１基材層１０，１１，１２，１４，１５よりも比透磁率を高くしてある。このため、前記二つの第１のコイルＣ１及び第２のコイルＣ２で発生する磁界は、主にこの第２基材層１３を通るため、互いのコイルに磁界の影響が及ぶことを抑制できる。より具体的には、第１のコイルＣ１で発生した磁束が第２のコイルＣ２を通り（又はその逆）、第１のコイルＣ１と第２のコイルＣ２とが結合することを防止できる。また、第１基材層１０，１１，１２，１４，１５は、第２基材層１３よりも比誘電率が小さい。このため、第１のコイルＣ１及び第２のコイルＣ２の線間容量は小さくなる。これにより、二つの第１のコイル及び第２のコイルそれぞれの特性を変えることなく、インダクタ素子１を適切に使用できる。
【００３８】
なお、各基材層１１〜１５に、低誘電率のＬＣＰ樹脂を用いることで、コイル導体の線間容量を小さくすることができ、また、各基材層１１〜１５は、同種の熱可塑性樹脂であるため、加熱プレスを用いた簡単なプロセスで一体化でき、熱膨張係数差に起因する剥離が起こりにくく、形成後のインダクタ素子１の状態を維持しやすい。
【００３９】
上述したインダクタ素子１の製造工程は以下のとおりである。
【００４０】
樹脂シートの一方主面に銅箔を貼り付ける、又は片面銅貼シートを用意する。そして、形成する信号線路のパターンに応じて、銅箔上にレジスト膜のパターニングを行う。エッチングを行って信号線路を形成し、レジスト膜を除去する。ビア導体が形成される。また、基材層１０〜１４については、樹脂シートの他方の面（銅箔を貼り付けていない面）から、孔を形成する各箇所（上記のエッチングで銅箔を除去した箇所）にレーザ光を照射して穴開けを行う。これにより、基材層１０〜１５ができる。
【００４１】
次に、基材層１０〜１５を順に重ねる。このとき、例えば、基材層１１に重ねる基材層１０は、入出力電極１０Ａ〜１０Ｄを形成していない主面を基材層１１側にして、基材層１１における導体パターン１１Ａ〜１１Ｅを形成した主面に重ねる。また、基材層１０に形成したビア導体と、導体パターン１１Ａ〜１１Ｅとの位置関係を考慮して、位置合わせを行っている。
【００４２】
積み重ねた基材層１０〜１５に対して、加熱、および加圧処理を行い、これらを接着する。樹脂シートは、上述したように熱可塑性であるので、接着剤を使用しなくてもよい。このように、簡単な工程で、インダクタ素子１を製造できる。
【００４３】
（実施形態２）
本実施形態に係るインダクタ素子は、積層体に形成される二つの第１のコイル及び第２のコイルそれぞれを、比透磁率の高い基材層で挟む構成としてある点が、実施形態１と相違する。
【００４４】
図３は、実施形態２に係るインダクタ素子の分解斜視図である。図４は、図３に示すIV-IV線における断面図である。本実施形態に係るインダクタ素子２は、積層体２２と、その積層体２２に、互いに独立して形成された第１のコイルＣ１、及び第２のコイルＣ２とを備えている。積層体２２は、第１基材層１０，１１，１４と、第２基材層１６，１７，１８とが交互に積層されている。
【００４５】
第２基材層１６は、第１基材層１０，１１の間に積層されている。この第２基材層１６は、第２基材層１３と同様に、ＬＣＰ樹脂等の熱可塑性樹脂を主たる材料とし、その熱可塑性樹脂に磁性体が含有され、第１基材層１０，１１，１４よりも比透磁率を高くしてある。
【００４６】
第２基材層１７は、第１基材層１１，１４の間に積層されている。第２基材層１７には、表面に帯状の導体パターン１７Ａ，１７Ｂ，１７Ｃ，１７Ｄが形成されている。この導体パターン１７Ａ〜１７Ｄは、第１基材層１１に形成された導体パターン１１Ａ〜１１Ｅとで第１のコイルＣ１を形成している。この第１のコイルＣ１は、第１基材層１１と第２基材層１７の主面に形成された導体パターンにより形成され、内部に第１基材層１１が位置するよう巻回されている。そして、第１のコイルＣ１は、比透磁率の高い第２基材層１６，１７で挟まれている。第１基材層１１は、積層方向において、第１のコイルＣ１の一部を構成する導体パターン１１Ａ〜１１Ｅと導体パターン１７Ａ〜１７Ｄとにより挟み込まれる位置に配置されている。
【００４７】
第２基材層１８は、第１基材層１４に積層されている。第２基材層１８には、表面に帯状の導体パターン１８Ａ，１８Ｂ，１８Ｃ，１８Ｄが形成されている。この導体パターン１８Ａ〜１８Ｄは、第１基材層１４に形成された導体パターン１４Ａ〜１４Ｅとで第２のコイルＣ２を形成している。この第２のコイルＣ２は、第１基材層１４と第２基材層１８の主面に形成された導体パターンにより形成され、内部に第１基材層１４が位置するよう巻回されている。そして、第２のコイルＣ２は、比透磁率の高い第２基材層１７，１８で挟まれている。第１基材層１４は、積層方向において、第２のコイルＣ２の一部を構成する導体パターン１４Ａ〜１４Ｅと導体パターン１８Ａ〜１８Ｄとにより挟み込まれる位置に配置されている。
【００４８】
以上のように、インダクタ素子２は、第１のコイルＣ１、及び第２のコイルＣ２を、比透磁率を高くした第２基材層１６，１７，１８で挟み込んだ構成である。これにより、実施形態１と同様に、第１のコイルＣ１と第２のコイルＣ２とが結合することを防止できるとともに、コイルそれぞれから生じる磁束により、基板等に実装されたインダクタ素子２の周囲にある素子や回路等と磁界結合することを防ぐことができる。
【００４９】
また、本実施形態では、第１、及び第２のコイルＣ１，Ｃ２の一部を構成する導体パターンを、比透磁率を高くした第２基材層１７，１８の表面に形成しているため、積層体２２の積層数が増えることを抑制している。
【００５０】
なお、本実施形態に係るインダクタ素子２は、実施形態１と同様の製造工程で製造できる。
【００５１】
（実施形態３）
本実施形態に係るインダクタ素子は、積層体に形成される二つの第１のコイル及び第２のコイルが直列接続された構成としてある点が、実施形態１と相違する。
【００５２】
図５は、実施形態３に係るインダクタ素子の分解斜視図である。
【００５３】
本実施形態に係るインダクタ素子３は、積層体２３と、その積層体２３に形成され、直列接続された二つの第１のコイルＣ１及び第２のコイルＣ２とを備えている。積層体２３は、第１基材層３０，３２，３４と、第２基材層３１，３３，３５とが交互に積層されている。
【００５４】
基材層３０〜３５それぞれは、長辺及び短辺を有する矩形状であって、積層体２３は略直方体形状を有する。基材層３０〜３５は、実施形態１と同様に、同種の熱可塑性樹脂、例えばＬＣＰ樹脂を母材として形成されている。また、第２基材層３１，３３，３５は、ＬＣＰ樹脂に磁性体、例えばパーマロイが含有され、第１基材層３０，３２，３４よりも比透磁率を高くしてある。第１基材層３０，３２，３４は、第２基材層３１，３３，３５よりも比誘電率を低くしてある。
【００５５】
第１基材層３０は、インダクタ素子３の実装面となる層であって、その表面には入出力電極３０Ａ，３０Ｂが形成されている。第１基材層３０には、入出力電極３０Ａ，３０Ｂの位置にビア導体が形成されていて、入出力電極３０Ａ，３０Ｂと他層に形成された導体パターンとを導通している。
【００５６】
第１基材層３２の表面には、帯状の導体パターン３２Ａ，３２Ｂ，３２Ｃ，３２Ｄ，３２Ｅが形成されている。導体パターン３２Ａ〜３２Ｅは、第１基材層３２の短手方向に沿って平行に形成されている。また、第２基材層３３の表面には、帯状の導体パターン３３Ａ，３３Ｂ，３３Ｃ，３３Ｄが形成されている。導体パターン３３Ａ〜３３Ｄは、第１基材層１１に形成された導体パターン３２Ａ〜３２Ｅを架設するよう、導体パターン３２Ａ〜３２Ｅに対して傾斜して形成されている。
【００５７】
導体パターン３２Ａは、入出力電極３０Ａと導通していて、以下、導体パターン３２Ａ，３３Ａ，３２Ｂ，３３Ｂ，３２Ｃ，３３Ｃ，３２Ｄ，３３Ｄ，３２Ｅの順に導通している。第１基材層３２、及び第２基材層３３の主面に形成された導体パターンにより、第１のコイルＣ１が形成される。第１のコイルＣ１は、積層方向に直交する方向をコイル巻回軸とし、内部に第１基材層３２が位置するよう巻回されている。また、第１基材層３２には、第２基材層３１が積層されていて、第１のコイルＣ１は、比透磁率が高い第２基材層３１，３３により挟まれている。
【００５８】
第１基材層３４の表面には、矩形状の導体パターン３４Ａと、帯状の導体パターン３４Ｂ，３４Ｃ，３Ｄ，３４Ｅが形成されている。導体パターン３４Ａは、積層方向において、入出力電極３０Ｂと略同じ位置に形成されていて、ビア導体を通じて入出力電極３０Ｂと導通している。導体パターン３４Ｂ〜３４Ｅは、第１基材層３４の短手方向に沿って平行に形成されている。また、第２基材層３５の表面には、帯状の導体パターン３５Ａ，３５Ｂ，３５Ｃ，３５Ｄが形成されている。導体パターン３５Ａ〜３５Ｄは、第２基材層３５に形成された導体パターン３４Ａ〜３４Ｅを架設するよう、導体パターン３４Ｂ〜３４Ｅに対して傾斜して形成されている。
【００５９】
導体パターン３４Ｅは、第１のコイルの端部である、第１基材層３２に形成された導体パターン３２Ｅの一端と導通していて、以下、導体パターン３４Ｅ，３５Ｄ，３４Ｄ，３５Ｃ，３４Ｃ，３５Ｂ，３４Ｂ，３５Ａ，３４Ａの順に導通している。第１基材層３４，３５の主面に形成された導体パターンにより、第２のコイルＣ２が形成される。この第２のコイルＣ２は、積層方向に直交する方向をコイル巻回軸とし、内部に第１基材層３４が位置するよう巻回されている。また、第２のコイルＣ２は、比透磁率が高い第２基材層３３，３５により挟まれている。
【００６０】
このように、インダクタ素子３は、第１のコイルＣ１と第２のコイルＣ２とが直列接続されてなる一つのコイルを備えている。第１のコイルＣ１と第２のコイルＣ２とは、積層方向に並んで配置されているため、本実施形態では、平面方向（積層方向に直交する方向）のインダクタ素子３のサイズが大きくなることなく、コイルの巻き数比を増やす、すなわち、インダクタンス値を上げることができる。その結果、インダクタンス値を上げた場合であっても、実装基板の省スペース化が図れる。
【００６１】
また、第１のコイルＣ１と第２のコイルＣ２との間には、比透磁率が高い第２基材層３３が介在しているため、第１のコイルＣ１と第２のコイルＣ２とで発生する磁界は、主にこの第２基材層３３を通るため、互いのコイルに磁界の影響が及ぶことを抑制できる。より具体的には、第１のコイルＣ１で発生した磁束が第２のコイルＣ２を通り（又はその逆）、第１のコイルＣ１と第２のコイルＣ２とが結合することを防止できる。これにより、インダクタ素子３のインダクタンス値を変えることなく、インダクタ素子３を適切に使用できる。
【００６２】
また、実施形態２と同様に、第１のコイルＣ１、及び第２のコイルＣ２それぞれから生じる磁束により、基板等に実装されたインダクタ素子３の周囲にある素子や回路等と磁界結合することを防ぐことができる。
【００６３】
なお、本実施形態に係るインダクタ素子３は、実施形態１と同様の製造工程で製造できる。
【００６４】
（実施形態４）
本実施形態に係るインダクタ素子は、積層体に三つの第１のコイル、第２のコイル及び第３のコイルが形成された構成としてある点、及び、三つの第１のコイル、第２のコイル及び第３のコイルそれぞれが直列接続された構成としてある点が、実施形態１と相違する。
【００６５】
図６は、実施形態４に係るインダクタ素子の分解斜視図である。本実施形態に係るインダクタ素子４は、積層体２４を備え、その積層体２４には、三つの第１のコイルＣ１、第２のコイルＣ２及び第３のコイルＣ３が形成されている。そして、三つの第１のコイルＣ１、第２のコイルＣ２及び第３のコイルＣ３、直列接続されている。積層体２４は、第１基材層４０，４２，４４，４６と、第２基材層４１，４３，４５，４７とが交互に積層されている。
【００６６】
基材層４０〜４７それぞれは、長辺及び短辺を有する矩形状であって、積層体２４は略直方体形状を有する。基材層４０〜４７は、実施形態１と同様に、同種の熱可塑性樹脂、例えばＬＣＰ樹脂を母材として形成されている。また、第２基材層４１，４３，４５，４７は、ＬＣＰ樹脂に磁性体、例えばパーマロイが含有され、第１基材層４０，４２，４４，４６よりも比透磁率を高くしてある。第１基材層４０，４２，４４，４６は、第２基材層４１，４３，４５，４７よりも比誘電率を低くしてある。
【００６７】
第１基材層４０は、インダクタ素子４の実装面となる層であって、その表面には入出力電極４０Ａ，４０Ｂが形成されている。第１基材層４０には、入出力電極４０Ａ，４０Ｂの位置にビア導体が形成されていて、入出力電極４０Ａ，４０Ｂと他層に形成された導体パターンとを導通している。
【００６８】
第１基材層４２の表面には、帯状の導体パターン４２Ａ，４２Ｂ，４２Ｃ，４２Ｄ，４２Ｅが形成されている。導体パターン４２Ａ〜４２Ｅは、第１基材層４２の短手方向に沿って平行に形成されている。また、第２基材層４３の表面には、帯状の導体パターン４３Ａ，４３Ｂ，４３Ｃ，４３Ｄが形成されている。導体パターン４３Ａ〜４３Ｄは、第１基材層４２に形成された導体パターン４２Ａ〜４２Ｅを架設するよう、導体パターン４２Ａ〜４２Ｅに対して傾斜して形成されている。
【００６９】
導体パターン４２Ａは、入出力電極４０Ａと導通していて、以下、導体パターン４３Ａ，４２Ｂ，４３Ｂ，４２Ｃ，４３Ｃ，４２Ｄ，４３Ｄ，４２Ｅの順に導通している。第１基材層４２と第２基材層４３との主面に形成された導体パターンにより、第１のコイルＣ１が形成される。この第１のコイルＣ１は、積層方向に直交する方向をコイル巻回軸とし、内部に第１基材層４２が位置するよう巻回されている。第１基材層４２には、第２基材層４１が積層されていて、この第１のコイルＣ１は、比透磁率が高い第２基材層４１，４３により挟まれている。
【００７０】
第１基材層４４の表面には、帯状の導体パターン４４Ａ，４４Ｂ，４４Ｃ，４４Ｄ，４４Ｅが形成されている。導体パターン４４Ａ〜４４Ｅは、第１基材層４４の短手方向に沿って平行に形成されている。また、第２基材層４５の表面には、帯状の導体パターン４５Ａ，４５Ｂ，４５Ｃ，４５Ｄが形成されている。導体パターン４４Ａ〜４４Ｄは、第１基材層４４に形成された導体パターン４４Ａ〜４４Ｅを架設するよう、導体パターン４４Ａ〜４４Ｅに対して傾斜して形成されている。
【００７１】
導体パターン４４Ｅは、第１のコイルの端部となる、第１基材層４２に形成された導体パターン４１Ｅの一端と導通していて、以下、導体パターン４４Ｅ，４５Ｄ，４４Ｄ，４５Ｃ，４４Ｃ，４５Ｂ，４４Ｂ，４５Ａ，４４Ａの順に導通している。第１基材層４４と、第２基材層４５との主面に形成された導体パターンにより、第２のコイルＣ２が形成される。この第２のコイルＣ２は、積層方向に直交する方向をコイル巻回軸とし、内部に第１基材層４４が位置するよう巻回されている。この第２のコイルＣ２は、比透磁率が高い第２基材層４３，４５により挟まれている。
【００７２】
第１基材層４６の表面には、帯状の導体パターン４６Ａ，４６Ｂ，４６Ｃ，４６Ｄ，４６Ｅが形成されている。導体パターン４６Ａ〜４６Ｅは、第１基材層４６の短手方向に沿って平行に形成されている。また、第２基材層４７の表面には、帯状の導体パターン４７Ａ，４７Ｂ，４７Ｃ，４７Ｄが形成されている。導体パターン４７Ａ〜４７Ｄは、第１基材層４６に形成された導体パターン４６Ａ〜４６Ｅを架設するよう、導体パターン４６Ａ〜４６Ｅに対して傾斜して形成されている。
【００７３】
導体パターン４６Ａは、第２のコイルの端部となる、第１基材層４４に形成された導体パターン４４Ａの一端と導通していて、以下、導体パターン４６Ａ，４７Ａ，４６Ｂ，４７Ｂ，４６Ｃ，４７Ｃ，４６Ｄ，４７Ｄ，４６Ｅの順に導通している。導体パターン４６Ｅは、第１基材層４０に形成された入出力電極４０Ｂに導通している。第１基材層４６と、第２基材層４７との主面に形成された導体パターンにより、第３のコイルＣ３が形成される。この第３のコイルＣ３は、積層方向に直交する方向をコイル巻回軸とし、内部に第１基材層４６が位置するよう巻回されている。この第３のコイルＣ３は、比透磁率が高い第２基材層４５，４７により挟まれている。
【００７４】
このように、インダクタ素子４は、第１のコイルＣ１と、第２のコイルＣ２と、第３のコイルＣ３とが直列接続されて形成された一つのコイルを備えている。第１のコイルＣ１、第２のコイルＣ２、及び第３のコイルＣ３それぞれは、比透磁率が高い第２基材層４１，４３，４５，４７により挟まれているため、それぞれのコイルで発生する磁界が他のコイルに影響を及ぼすことを抑制できる。これにより、インダクタ素子４のインダクタンス値を変えることなく、インダクタ素子４を適切に使用できる。
【００７５】
また、実施形態３と同様に、コイルの巻線数を増やした場合であっても、平面方向のインダクタ素子４のサイズが大きくなることを防止できるため、実装基板の省スペース化が図れる。
【００７６】
また、実施形態２，３と同様に、第１のコイルＣ１、第２のコイルＣ２、及び第３のコイルＣ３それぞれから生じる磁束により、基板等に実装されたインダクタ素子４の周囲にある素子や回路等と磁界結合することを防ぐことができる。
【００７７】
なお、本実施形態に係るインダクタ素子４は、実施形態１と同様の製造工程で製造できる。
【００７８】
（実施形態５）
本実施形態に係るインダクタ素子は、積層体に形成される二つの第１のコイル及び第２のコイルそれぞれが並列接続された構成としてある点が、実施形態１と相違する。
【００７９】
図７は、実施形態５に係るインダクタ素子の分解斜視図である。本実施形態に係るインダクタ素子５は、積層体２５と、積層体２５に形成された二つの第１のコイルＣ１及び第２のコイルＣ２とを備えている。この二つの第１のコイルＣ１及び第２のコイルＣ２は、並列接続されている。積層体２５は、第１基材層５０，５２，５４と、第２基材層５１，５３，５５とが交互に積層されている。
【００８０】
基材層５０〜５５それぞれは、長辺及び短辺を有する矩形状であって、積層体２５は略直方体形状を有する。基材層５０〜５５は、実施形態１と同様に、同種の熱可塑性樹脂、例えばＬＣＰ樹脂を母材として形成されている。また、第２基材層５１，５３，５５は、ＬＣＰ樹脂に磁性体、例えばパーマロイが含有され、第１基材層５０，５２，５４よりも比透磁率を高くしてある。第１基材層５０，５２，５４は、第２基材層５１，５３，５５よりも比誘電率を低くしてある。
【００８１】
第１基材層５０は、インダクタ素子５の実装面となる層であって、その表面には入出力電極５０Ａ，５０Ｂが形成されている。第１基材層５０には、入出力電極５０Ａ，５０Ｂの位置にビア導体が形成されていて、入出力電極５０Ａ，５０Ｂと他層に形成された導体パターンとを導通している。
【００８２】
第１基材層５２の表面には、帯状の導体パターン５２Ａ，５２Ｂ，５２Ｃ，５２Ｄ，５２Ｅが形成されている。導体パターン５２Ａ〜５２Ｅは、第１基材層５２の短手方向に沿って平行に形成されている。また、第２基材層５３の表面には、帯状の導体パターン５３Ａ，５３Ｂ，５３Ｃ，５３Ｄが形成されている。導体パターン５３Ａ〜５３Ｄは、第１基材層５２に形成された導体パターン５２Ａ〜５２Ｅを架設するよう、導体パターン５２Ａ〜５２Ｅに対して傾斜して形成されている。
【００８３】
導体パターン５２Ａは、入出力電極５０Ａと導通していて、以下、導体パターン５２Ａ，５３Ａ，５２Ｂ，５３Ｂ，５２Ｃ，５３Ｃ，５２Ｄ，５３Ｄ，５２Ｅの順に導通している。導体パターン５２Ｅは、入出力電極５０Ｂに導通している。第１基材層５２と第２基材層５３との主面に形成された導体パターンにより、第１のコイルＣ１が形成される。この第１のコイルＣ１は、積層方向に直交する方向をコイル巻回軸とし、内部に第１基材層５２が位置するよう巻回されている。第１基材層５２には、第２基材層５１が積層されていて、この第１のコイルＣ１は、比透磁率が高い第２基材層５１，５３により挟まれている。
【００８４】
第１基材層５４の表面には、矩形状の５４Ａ，５４Ｅと、帯状の導体パターン５４Ｂ，５４Ｃ，５４Ｄが形成されている。導体パターン５４Ｂ〜５４Ｄは、第１基材層５４の短手方向に沿って平行に形成されている。また、第２基材層５５の表面には、帯状の導体パターン５５Ａ，５５Ｂ，５５Ｃ，５５Ｄが形成されている。導体パターン５５Ａ〜５５Ｄは、第１基材層５４に形成された導体パターン５４Ａ〜５４Ｅを架設するよう、導体パターン５４Ｂ〜５４Ｄに対して傾斜して形成されている。
【００８５】
導体パターン５４Ａは、第１基材層５０に形成された入出力電極５０Ａと導通していて、以下、導体パターン５４Ａ，５５Ａ，５４Ｂ，５５Ｂ，５４Ｃ，５５Ｃ，５４Ｄ，５５Ｄ，５４Ｅの順に導通している。導体パターン５４Ｅは、第１基材層５０に形成された入出力電極５０Ｂと導通している。第１基材層５４と第２基材層５５との主面に形成された導体パターンにより、第２のコイルＣ２が形成される。この第２のコイルＣ２は、積層方向に直交する方向をコイル巻回軸とし、内部に第１基材層５４が位置するよう巻回されている。また、第２のコイルＣ２は、比透磁率が高い第２基材層５３，５５により挟まれている。
【００８６】
このように、インダクタ素子５は、第１のコイルＣ１と、第２のコイルＣ２とが並列接続されて形成された一つのコイルを備えている。第１のコイルＣ１、及び第２のコイルＣ２それぞれは、比透磁率が高い第２基材層５１，５３，５５により挟まれているため、それぞれのコイルで発生する磁界が他のコイルに影響を及ぼすことを抑制できる。これにより、インダクタ素子５のインダクタンス値を変えることなく、インダクタ素子５を適切に使用できる。
【００８７】
また、コイルそれぞれから生じる磁束により、基板等に実装されたインダクタ素子５の周囲にある素子や回路等と磁界結合することを防ぐことができる。
【００８８】
なお、本実施形態に係るインダクタ素子５は、実施形態１と同様の製造工程で製造できる。
【００８９】
なお、上述した各実施形態に係るインダクタ素子は、適宜変更可能である。例えば、インダクタ素子が備える積層体の層数を増やしてもよい。また、実施形態１，２，４，５に係るインダクタ素子は、２つのコイルを備えているが、３つ以上のコイルを備えていてもよい。実施形態３に係るインダクタ素子は、３つのコイルを備えているが、４つ以上のコイルを備えていてもよい。
【符号の説明】
【００９０】
１，２，３，４，５…インダクタ素子
１０，１１，１２，１４，１５…第１基材層
１３，１６，１７，１８…第２基材層
１０Ａ，１０Ｂ，１０Ｃ，１０Ｄ…入出力電極
１１Ａ，１１Ｂ，１１Ｃ，１１Ｄ，１１Ｅ…導体パターン
１２Ａ，１２Ｂ，１２Ｃ，１２Ｄ…導体パターン
１４Ａ，１４Ｂ，１４Ｃ，１４Ｄ，１４Ｅ…導体パターン
１５Ａ，１５Ｂ，１５Ｃ，１５Ｄ…導体パターン
１７Ａ，１７Ｂ，１７Ｃ，１７Ｄ…導体パターン
２１，２２，２３，２４，２５…積層体
３０，３２，３４…第１基材層
３１，３３，３５…第２基材層
３０Ａ，３０Ｂ…入出力電極
３２Ａ，３２Ｂ，３２Ｃ，３２Ｄ，３２Ｅ…導体パターン
３３Ａ，３３Ｂ，３３Ｃ，３３Ｄ…導体パターン
３４Ａ，３４Ｂ，３４Ｃ，３４Ｄ，３４Ｅ…導体パターン
３５Ａ，３５Ｂ，３５Ｃ，３５Ｄ…導体パターン
４０，４２，４４，４６…第１基材層
４１，４３，４５，４７…第２基材層
４０Ａ，４０Ｂ…入出力電極
４２Ａ，４２Ｂ，４２Ｃ，４２Ｄ，４２Ｅ…導体パターン
４３Ａ，４３Ｂ，４３Ｃ，４３Ｄ…導体パターン
４４Ａ，４４Ｂ，４４Ｃ，４４Ｄ，４４Ｅ…導体パターン
４５Ａ，４５Ｂ，４５Ｃ，４５Ｄ…導体パターン
４６Ａ，４６Ｂ，４６Ｃ，４６Ｄ，４６Ｅ…導体パターン
４７Ａ，４７Ｂ，４７Ｃ，４７Ｄ…導体パターン
５０，５２，５４…第１基材層
５１，５３，５５…第２基材層
５０Ａ，５０Ｂ…入出力電極
５２Ａ，５２Ｂ，５２Ｃ，５２Ｄ，５２Ｅ…導体パターン
５３Ａ，５３Ｂ，５３Ｃ，５３Ｄ…導体パターン
５４Ａ，５４Ｂ，５４Ｃ，５４Ｄ，５４Ｅ…導体パターン
５５Ａ，５５Ｂ，５５Ｃ，５５Ｄ…導体パターン
１０１，１０２，１０３，１０４，１０５，１０６，１０７…ビア導体
Ｃ１…第１のコイル
Ｃ２…第２のコイル
Ｃ３…第３のコイル
【図１】
2015103723.tif 000003
【図２】
2015103723.tif 000004
【図３】
2015103723.tif 000005
【図４】
2015103723.tif 000006
【図５】
2015103723.tif 000007
【図６】
2015103723.tif 000008
【図７】
2015103723.tif 000009