(57)【要約】【課題】リーク電流値を正確に求めてリーク補正を適切に行うことができるＸ線撮影装置を提供することを目的とする。【解決手段】アレイアンプは、回路基板におけるリーク電流値を信号線ごとに複数回読み出す（例えばリークＬＯ１１〜Ｌ１４，ＬＯ２１〜Ｌ２４）。リーク電流値を用いてデジタル信号を補正するにあたり、読み出し時間ｘを変数とした近似式Ｆ１（ｘ），Ｆ２（ｘ）でそれぞれ近似し、当該近似式の結果から補正に用いるパラメータを作成する。したがって、薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）がオフの状態で読み出されたデータが時間的に変動したとしても、上述した近似式Ｆ１（ｘ），Ｆ２（ｘ）の結果からリーク電流値を正確に求めてリーク補正を適切に行うことができる。【選択図】図５
2015198398.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
Ｘ線の検出に基づいてＸ線画像を出力してＸ線撮影を行うＸ線撮影装置であって、
Ｘ線情報を電荷情報に変換する変換層と、薄膜トランジスタのゲート線を制御して、画素の電荷情報を信号線から読み出す回路基板とを有するＸ線平面検出器と、
前記電荷情報を増幅してデジタル信号に変換する変換回路と、
前記デジタル信号を処理して画像化を行って前記Ｘ線画像を出力する信号処理機構と
を備えるとともに、
前記回路基板におけるリーク電流値を信号線ごとに複数回読み出すリーク電流読み出し機構と、
前記リーク電流値を用いて前記デジタル信号を補正するにあたり、前記複数回読み出されたリーク電流値を、読み出し時間を変数とした近似式で近似し、当該近似式の結果から補正に用いるパラメータを作成するパラメータ作成機構と
を備える、Ｘ線撮影装置。
【請求項２】
請求項１に記載のＸ線撮影装置において、
前記近似式は対数近似である、Ｘ線撮影装置。
【請求項３】
請求項１または請求項２に記載のＸ線撮影装置において、
前記信号線を複数に分割して前記Ｘ線平面検出器を構成する、Ｘ線撮影装置。
【請求項４】
請求項１から請求項３のいずれかに記載のＸ線撮影装置において、
前記Ｘ線画像を再構成する再構成機構を備える、Ｘ線撮影装置。
【請求項５】
請求項１から請求項４のいずれかに記載のＸ線撮影装置において、
前記薄膜トランジスタのゲート線をオンに制御した後にオフに制御し、
前記パラメータ作成機構は、前記近似式に基づいて、ゲート線のオンからオフに移行した最初の読み出しに対応するリーク電流値を算出して、当該算出されたリーク電流値を前記パラメータとする、Ｘ線撮影装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は、Ｘ線の検出に基づいてＸ線画像を出力してＸ線撮影を行うＸ線撮影装置に係り、特に、Ｘ線平面検出器を備えた技術に関する。
【背景技術】
【０００２】
Ｘ線撮影装置に使用されるＸ線平面検出器として、例えばフラットパネルディテクタ（FPD: Flat Panel Detector）が知られている。このフラットパネルディテクタ（以下、「ＦＰＤ」と略記する）は、薄膜トランジスタ（TFT: Thin Film Transistor）等のスイッチング素子が２次元アレイ（行列）状に配置された基板上に、ａ−Ｓｅ（アモルファス・セレン）等の変換膜を蒸着した構成を有する。
【０００３】
このＦＰＤにおいては、被検体を透過したＸ線像が変換膜上に投影されると、像の濃淡に比例した電荷信号（電荷情報）が変換膜内に発生する。この電荷信号は、２次元アレイ状に配置された画素電極により収集され、蓄積容量（キャパシタ）に蓄積される。蓄積容量に蓄積された電荷は、薄膜トランジスタ（以下、「ＴＦＴ」と略記する）のスイッチング素子の動作に伴って信号線を介して読み出され、電気信号として画像処理部（信号処理機構）に送信されて画像処理が行われる。
【０００４】
また、信号線が長くなると、信号線に起因する読み出し雑音が大きくなる、１フレームのＸ線画像を読み出す時間が長くなる。そこで、図１に示すように信号線（図１ではＳＬ１〜ＳＬ４，ＳＬ５〜ＳＬ８）を中央で２分割して両側にアレイアンプ２，３を配置することによって信号線を短くしている。
【０００５】
このようなＦＰＤにおいて、ＴＦＴを備えた回路基板にはＴＦＴがオフ時においても僅かながらリーク電流が存在するので、本来の信号成分にリーク電流成分が重畳された状態で信号が読み出される。このようにして重畳されるリーク電流成分は、その信号線に接続されている全スイッチのリーク電流成分の総和になる。各スイッチのリーク電流は、その画素の信号成分に依存するので、信号成分の大きな領域ほどリーク電流が大きくなる。例えば、得られたＸ線画像のうち明るい部分に相当する部分ほどリーク電流が大きいので、信号線ＳＬ１（図１を参照）と信号線ＳＬ５（図１を参照）との分割部分に輝度差（画素値の差）がより多く発生するという問題がある。
【０００６】
この輝度差を解消する手段として、ＴＦＴをオフの状態でデータを読み出すことでリーク電流成分を取得し、リーク電流成分に起因するデジタル信号の誤差を補償する方法が開示されている（例えば、特許文献１参照）。また、アレイアンプに起因する電気ノイズ成分を除去するためにＴＦＴがオフの状態で複数回データを読み出し、読み出された複数回のデータを平均処理することで電気ノイズ成分を低減させている。なお、リーク電流成分以外の残留電荷や暗電流を除去するために、ＴＦＴをオンの状態でデータを読み出すことで残留電荷成分や暗電流成分を取得し、残留電荷成分や暗電流成分に起因するデジタル信号の誤差を補償する方法が開示されている（例えば、特許文献２参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００７】
【特許文献１】特許第３９７９１６５号
【特許文献２】特開２０１３−２５５６０６号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
しかしながら、「トモシンセシス（tomosynthesis）」と呼ばれる任意の高さの裁断面を再構成する再構成処理では、フレーム加算平均処理と同等の効果があり、画像のランダムノイズ成分が減少する。このために、図８（ａ）において再構成前の画像では視認できない輝度差が、図８（ｂ）に示すように再構成後に視認されてしまう場合があるという問題がある。なお、信号線を複数に分割しない場合や、再構成せずに投影画像をＸ線画像として出力する場合には、かかる問題は発生しないが、リーク電流値を常に正確に求めて、リーク電流成分に起因するデジタル信号の誤差を補償するリーク補正を行うのが望ましい。
【０００９】
この発明は、このような事情に鑑みてなされたものであって、リーク電流値を正確に求めてリーク補正を適切に行うことができるＸ線撮影装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
発明者は、上記の問題を解決するために鋭意研究した結果、次のような知見を得た。
【００１１】
すなわち、調査の結果、ＴＦＴがオフの状態で複数回読み出されるデータは、図９に示すように時間的に変動していることが判明した。図９の黒塗りの菱形は実測値であり、実線は近似式である。また、図９中の「取得順番」は読み出し回数であり、一定時間毎にデータを複数回（図９では３２回）読み出してデジタル化して画素値として縦軸に出力する。この時間的な変動の原因は以下のことが考えられる。
【００１２】
ここで、図１０の等価回路は、図２と共通する構成については同じ符号を付する。すなわち、符号３１は共通電極であり、符号３２は変換膜であり、符号３３は画素電極であり、符号３４は蓄積容量であり、符号３５は薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）であり、符号ＳＬ１は信号線であり、符号ＧＬ１はゲート線である。また、符号３７は、ＴＦＴゲート／ドレイン間の寄生容量である。
【００１３】
なお、図１０の等価回路および図１１のタイミングチャートに示すようにＴＦＴ出力電流をＩｏｎとする。なお、図１１のタイミングチャートに示すようにＴＦＴオン電圧をＶｏｎとし、ＴＦＴオフ電圧をＶｏｆｆとする。また、ゲート線の抵抗，容量により図１１の各波形がなまる。
【００１４】
図１０の等価回路に示すように、Ｘ線非入射時でも薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）３５のオン・オフ時にＴＦＴゲート／ドレイン間の寄生容量３７を経由して、蓄積容量３４にゲート線ＧＬ１の電圧変化量｜Ｖｏｎ−Ｖｏｆｆ｜に比例した電荷が注入（ＯＦＦ→ＯＮ時）／排出（ＯＮ→ＯＦＦ時）される。オンからオフに移行時（ＯＮ→ＯＦＦ時）は電荷排出中にＴＦＴ３５がオフされる。すると、図１１のタイミングチャートに示すタイミングＴ１でゲート電圧がＶｏｆｆになる前にＩｏｎが流れなくなる。
【００１５】
このために、Ｖｏｎ→Ｖｏｆｆによる電荷排出中にＩｏｎが流れなくなって電荷が完全に排出されず、図１１のタイミングチャートに示すように蓄積容量３４の電荷量がマイナス（図１１の「Ｎｅｇａ」を参照）になってしまう。その後、ＴＦＴオフ時のリーク電流によって電荷が徐々に注入されていく。このために、ＴＦＴオフの状態で複数回読み出されるリーク電流成分が変動してしまう。
【００１６】
Ｘ線入射時には蓄積容量３４にＸ線による電荷が蓄積されている状態でＴＦＴ３５がオンされる。そのために、オフからオンに移行時（ＯＦＦ→ＯＮ時）の電荷注入量がＸ線非入射（非照射）時より少なくなる。しかし、オンからオフに移行時（ＯＮ→ＯＦＦ時）の電荷排出量はＸ線非照射時と同じになり、ＴＦＴ３５がオフ後の蓄積容量３４の電荷量はＸ線非入射時と比較してさらにマイナスとなる。そのために、ＴＦＴ３５がオフ時のリーク電流が大きくなり、ＴＦＴ３５がオフの状態で複数回読み出されるリーク電流成分の変動も大きくなる。
【００１７】
分割される部分から遠いゲート線をＧＬ１，ＧＬ４（図１および図６を参照）として、分割される部分に近いゲート線をＧＬ２，ＧＬ３（図１および図６を参照）とする。また、図６のタイミングチャートにおいて、ゲート線ＧＬ１をオンにして読み出されたデータをＳＯ１として、ゲート線ＧＬ２をオンにして読み出されたデータをＳＯ２として、ゲート線ＧＬ３をオンにして読み出されたデータをＳＯ３として、ゲート線ＧＬ４をオンにして読み出されたデータをＳＯ４とする。また、ＴＦＴ３５をオフにした状態で複数回読み出されたリーク電流成分のうち、ゲート線ＧＬ１，ＧＬ２に対応したラインＬ１，Ｌ２（図１および図６を参照）からの１回目のデータをＬＯ１１とし、ラインＬ１，Ｌ２からの２回目のデータをＬＯ１２とし、ラインＬ１，Ｌ２からの３回目のデータをＬＯ１３とし、ラインＬ１，Ｌ２からの４回目のデータをＬＯ１４とし、ゲート線ＧＬ３，ＧＬ４に対応したラインＬ３，Ｌ４（図１および図６を参照）からの１回目のデータをＬＯ２１とし、ラインＬ３，Ｌ４からの２回目のデータをＬＯ２２とし、ラインＬ３，Ｌ４からの３回目のデータをＬＯ２３とし、ラインＬ３，Ｌ４からの４回目のデータをＬＯ２４とする。
【００１８】
図６のタイミングチャートにおいて、データＳＯ２にはリーク電流成分ＬＯ１１が重畳され、データＳＯ３にはリーク電流成分ＬＯ２１が重畳されている。Ｘ線照射の分布により、ＬＯ１１≠ＬＯ２１となった場合にＳＯ２とＳＯ３との間に｜ＬＯ１１−ＬＯ２１｜の輝度差が発生する。補正処理として、ＳＯ２−ＬＯ１１，ＳＯ３−ＬＯ２１を行えば輝度差は発生しない。しかし、ＬＯ１１，ＬＯ２１には電気ノイズが重畳しているので補正誤差が生ずる。従来の補正処理では、図４のフローチャートのステップＴ１〜Ｔ２，Ｔ１１〜Ｔ１２に示すように、ＬＯ１１〜ＬＯ１４の平均値Ｌ１をＳＯ２から減算（ＳＯ２−Ｌ１）し、ＬＯ２１〜ＬＯ２４の平均値Ｌ２をＳＯ３から減算（ＳＯ３−Ｌ２）することで、リーク電流成分に重畳している電気ノイズの影響を低減させていた。
【００１９】
しかし、従来方式の輝度差補正値（ＬＯ１１〜ＬＯ１４の平均値Ｌ１とＬＯ２１〜ＬＯ２４の平均値Ｌ２との差）と、実際の輝度差（ＬＯ１１とＬＯ２１との差）には若干のズレがあり、トモシンセシスなどの再構成処理後に輝度差が発生する場合がある。このように時間的な変動に起因して輝度差が発生すると考えられる。そこで、リーク電流値を複数回読み出して、複数回読み出されたリーク電流値を、図９に示すように読み出し時間（図９では「取得順番」）を変数とした近似式で近似すれば、リーク電流値を正確に求めてリーク補正を適切に行うことができるという知見を得た。
【００２０】
このような知見に基づくこの発明は、次のような構成をとる。
すなわち、この発明に係るＸ線撮影装置は、Ｘ線の検出に基づいてＸ線画像を出力してＸ線撮影を行うＸ線撮影装置であって、Ｘ線情報を電荷情報に変換する変換層と、薄膜トランジスタのゲート線を制御して、画素の電荷情報を信号線から読み出す回路基板とを有するＸ線平面検出器と、前記電荷情報を増幅してデジタル信号に変換する変換回路と、前記デジタル信号を処理して画像化を行って前記Ｘ線画像を出力する信号処理機構とを備えるとともに、前記回路基板におけるリーク電流値を信号線ごとに複数回読み出すリーク電流読み出し機構と、前記リーク電流値を用いて前記デジタル信号を補正するにあたり、前記複数回読み出されたリーク電流値を、読み出し時間を変数とした近似式で近似し、当該近似式の結果から補正に用いるパラメータを作成するパラメータ作成機構とを備えるものである。
【００２１】
［作用・効果］この発明に係るＸ線撮影装置によれば、リーク電流読み出し機構は、回路基板におけるリーク電流値を信号線ごとに複数回読み出す。リーク電流値を用いてデジタル信号を補正するにあたり、パラメータ作成機構は、複数回読み出されたリーク電流値を、読み出し時間を変数とした近似式で近似し、当該近似式の結果から補正に用いるパラメータを作成する。したがって、薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）がオフの状態で読み出されたデータが時間的に変動したとしても、上述した近似式の結果からリーク電流値を正確に求めてリーク補正を適切に行うことができる。
【発明の効果】
【００２２】
この発明に係るＸ線撮影装置によれば、リーク電流読み出し機構は、回路基板におけるリーク電流値を信号線ごとに複数回読み出し、リーク電流値を用いてデジタル信号を補正するにあたり、パラメータ作成機構は、複数回読み出されたリーク電流値を、読み出し時間を変数とした近似式で近似し、当該近似式の結果から補正に用いるパラメータを作成する。その結果、リーク電流値を正確に求めてリーク補正を適切に行うことができる。
【図面の簡単な説明】
【００２３】
【図１】実施例に係るＸ線撮影装置の概略構成を示すブロック図である。
【図２】Ｘ線平面検出器の一つのセンサ画素について概略構成を示した縦断面図である。
【図３】実施例に係る画像処理部の概略構成を示すブロック図である。
【図４】比較のための従来の読み出しおよびリーク補正のフローチャートである。
【図５】実施例に係る読み出しおよびリーク補正のフローチャートである。
【図６】実施例に係る撮影シーケンスを示すタイミングチャートである。
【図７】変形例に係る撮影シーケンスを示すタイミングチャートである。
【図８】（ａ）は再構成前の画像、（ｂ）は再構成後の画像である。
【図９】ＴＦＴオフ状態での読み出しデータの変動を表すグラフである。
【図１０】寄生容量を併記した１画素の等価回路である。
【図１１】Ｘ線非照射時のＴＦＴオン／オフによる電荷注入／排出のタイミングチャートである。
【実施例】
【００２４】
以下、図面を参照してこの発明の実施例を説明する。
図１は、実施例に係るＸ線撮影装置の概略構成を示すブロック図であり、図２は、Ｘ線平面検出器の一つのセンサ画素について概略構成を示した縦断面図であり、図３は、実施例に係る画像処理部の概略構成を示すブロック図である。
【００２５】
実施例に係るＸ線撮影装置は、図１に示すように、被検体を透過した透過Ｘ線をＸ線像として検出するＸ線平面検出器１と、このＸ線平面検出器１で検出された電荷情報である電荷信号を増幅してデジタル信号に変換するアレイアンプ２，３と、デジタル信号を処理して画像化を行ってＸ線画像を出力する画像処理部４とを備えている。画像処理部４は、Ｘ線画像や後述する再構成後の画像を表示するＣＲＴ（Cathode Ray Tube）や液晶表示装置などの画像表示部５が接続されている。アレイアンプ２，３は、後述するセンサ画素からの電荷信号を増幅してデジタル信号に変換する機能を有する。Ｘ線平面検出器１は、この発明におけるＸ線平面検出器に相当し、アレイアンプ２，３は、この発明における変換回路に相当し、画像処理部４は、信号処理機構に相当する。また、アレイアンプ２，３は、この発明におけるリーク電流読み出し機構にも相当する。
【００２６】
さらに、Ｘ線撮影装置は、Ｘ線平面検出器１の各センサ画素を駆動するゲートドライバ１１と、このゲートドライバ１１およびアレイアンプ２，３を制御する制御回路１２とを備えている。なお、アレイアンプ２，３、ゲートドライバ１１および制御回路１２をＸ線平面検出器１に内蔵して集積してもよい。
【００２７】
Ｘ線平面検出器１は、フラットパネルディテクタ（ＦＰＤ）で構成されており、複数個のセンサ画素を２次元アレイ状に配置して構成されている。図１では、図示の便宜上、縦横に４×４個のセンサ画素を２次元アレイ状に配置したものを図示しているが、センサ画素の個数については４×４個に限定されない。図１では、１番上の左から右に向かってセンサ画素１−１〜１−４の４個のセンサ画素が設けられ、２番目にはセンサ画素２−１〜２−４の４個のセンサ画素が設けられ、３番目にはセンサ画素３−１〜３−４の４個のセンサ画素が設けられ、４番目にはセンサ画素４−１〜４−４の４個のセンサ画素が設けられている。
【００２８】
なお、説明の便宜上、センサ画素１−１〜１−４をラインＬ１と、センサ画素２−１〜２−４をラインＬ２と、センサ画素３−１〜３−４をラインＬ３と、センサ画素４−１〜４−４をラインＬ４と適宜に称する。
【００２９】
「背景技術」の欄でも述べたように、信号線が長くなると、信号線に起因する読み出し雑音が大きくなる、１フレームのＸ線画像を読み出す時間が長くなる。そこで、本実施例では、図１に示すように信号線を中央で２分割して両側にアレイアンプ２，３を配置することによって信号線を短くしている。具体的には、ラインＬ１，Ｌ２からの電荷信号を図中の上方向から下方向に向かってアレイアンプ２で読み出し、ラインＬ３，Ｌ４からの電荷信号を図中の下方向から上方向に向かってアレイアンプ３で読み出すようにＸ線平面検出器１は構成されている。
【００３０】
上記の構成について、より詳細に説明する。ラインＬ１のセンサ画素１−１およびラインＬ２のセンサ画素２−１の電荷信号を、信号線ＳＬ１を介してアレイアンプ２に読み出す。同様に、ラインＬ１のセンサ画素１−２およびラインＬ２のセンサ画素２−２の電荷信号を、信号線ＳＬ２を介してアレイアンプ２に読み出し、ラインＬ１のセンサ画素１−３およびラインＬ２のセンサ画素２−３の電荷信号を、信号線ＳＬ３を介してアレイアンプ２に読み出し、ラインＬ１のセンサ画素１−４およびラインＬ２のセンサ画素２−４の電荷信号を、信号線ＳＬ４を介してアレイアンプ２に読み出す。
【００３１】
一方、ラインＬ３のセンサ画素３−１およびラインＬ４のセンサ画素４−１の電荷信号を、信号線ＳＬ５を介してアレイアンプ３に読み出す。同様に、ラインＬ３のセンサ画素３−２およびラインＬ４のセンサ画素４−２の電荷信号を、信号線ＳＬ６を介してアレイアンプ３に読み出し、ラインＬ３のセンサ画素３−３およびラインＬ４のセンサ画素４−３の電荷信号を、信号線ＳＬ７を介してアレイアンプ３に読み出し、ラインＬ３のセンサ画素３−４およびラインＬ４のセンサ画素４−４の電荷信号を、信号線ＳＬ８を介してアレイアンプ３に読み出す。
【００３２】
上述した各センサ画素１−１〜１−４，２−１〜２−４，３−１〜３−４，４−１〜４−４は、ゲートドライバ１１によってオン・オフ制御される。具体的には、ゲート線ＧＬ１がラインＬ１の各センサ画素１−１〜１〜４のゲートに接続され、ゲート線ＧＬ２がラインＬ２の各センサ画素２−１〜２〜４のゲートに接続され、ゲート線ＧＬ３がラインＬ３の各センサ画素３−１〜３〜４のゲートに接続され、ゲート線ＧＬ４がラインＬ４の各センサ画素４−１〜４〜４のゲートに接続されている。これらはゲートドライバ１１により、例えばゲート線ＧＬ１，ＧＬ４が同時に駆動され、次にゲート線ＧＬ２，ＧＬ３が同時に駆動されるように順次選択的に駆動される。
【００３３】
次に、図２を参照して、各センサ画素１−１，…，４−４について説明する。なお、各センサ画素１−１，…，４−４は同じ構造であるので、センサ画素１−１を代表して説明する。
【００３４】
センサ画素１−１は積層構造を有している。図２に示すように、センサ画素１−１は共通電極３１と変換膜３２と画素電極３３と蓄積容量３４と薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）３５とを備えている。共通電極３１は、バイアス電圧を印加するための電極である。変換膜３２は、被検体を透過した透過Ｘ線を電荷情報である電荷信号に変換する。この変換膜３２内で発生した電荷信号を画素電極３３は収集する。収集された電荷信号を蓄積容量３４に蓄積する。この蓄積容量３４の電荷信号を外部に導くようにＴＦＴ３５は回路を信号線ＳＬ１に切り換える。変換膜３１は、この発明における変換層に相当する。
【００３５】
ゲート線や信号線などの配線，画素電極３３，蓄積容量３４およびＴＦＴ３５を回路基板３６上にパターン形成し、さらに変換膜３２および共通電極３１を蒸着により形成する。これらを、フォトリソグラフィ技術などを用いて回路基板３６上に形成すればよい。
【００３６】
変換膜３２は、例えばａ−Ｓｅ（アモルファス・セレン）やＣｄＺｎＴｅ等の半導体層で構成されている。なお、変換膜としては上記の半導体層以外にシンチレータ等を採用することができる。この場合には、シンチレータでＸ線を光に一旦変換した後に、フォトダイオード等で電荷信号に変換して蓄積容量に蓄積する構成とすればよい。
【００３７】
変換膜３２に入射した透過Ｘ線は、変換膜３２内で電荷信号に変換され、印加されている内部電界で駆動されている画素電極３３に到達する。そして、蓄積容量３４に電荷信号として蓄積される。蓄積容量３４に蓄積された電荷信号は、ゲート線ＧＬ１が駆動されるとＴＦＴ３５がオンになって信号線ＳＬ１を介して外部（図１のアレイアンプ２）に読み出される。このＴＦＴ３５にはリーク電流が存在するので、ゲート線ＧＬ１を駆動しないＴＦＴ３５がオフの状態であっても微弱な信号として信号線ＳＬ１を介して外部に読み出される。
【００３８】
図１の説明に戻る。このように、Ｘ線平面検出器１は、Ｘ線情報を電荷信号（電荷情報）に変換する変換膜３２（図２を参照）と、ＴＦＴ３５（図２を参照）のゲート線を制御して、画素の電荷情報を信号線から読み出す回路基板３６（図２を参照）とを有している。また、変換回路に相当するアレイアンプ２，３は、電荷信号（電荷情報）を増幅してデジタル信号に変換して、信号処理機構に相当する画像処理部４は、デジタル信号を処理して画像化を行ってＸ線画像を出力する。以上をまとめると、Ｘ線平面検出器１によるＸ線の検出に基づいてＸ線画像を出力してＸ線撮影を行う。
【００３９】
また、リーク電流値を読み出す場合にはゲート線を駆動せずにＴＦＴ３５をオフにした状態で、リーク電流読み出し機構にも相当するアレイアンプ２，３は、回路基板３６（図２を参照）におけるリーク電流値を信号線ごとに複数回読み出す。具体的なリーク電流値の読み出しについては、詳しく後述する。
【００４０】
次に、図３を参照して、画像処理部４の具体的な構成について説明する。画像処理部４はＧＰＵ（Graphics Processing Unit）などで構成されている。画像処理部４は、パラメータ作成部４１とリーク補正部４２と再構成部４３とを備えている。パラメータ作成部４１は、この発明におけるパラメータ作成機構に相当し、再構成部４３は、この発明における再構成機構に相当する。
【００４１】
パラメータ作成部４１は、リーク電流値を用いてデジタル信号を補正するにあたり、複数回読み出されたリーク電流値を、読み出し時間を変数とした近似式で近似し、当該近似式の結果から補正に用いるパラメータを作成する。本実施例では、後述する図６のタイミングチャートに示すように、ＴＦＴ３５（図１を参照）のゲート線をオンに制御した後にオフに制御する。よって、パラメータ作成部４１は、上述した近似式に基づいて、ゲート線のオンからオフに移行した最初の読み出しに対応するリーク電流値（図１のアレイアンプ２に読み出す場合には図５のＬ１１，図１のアレイアンプ３に読み出す場合には図５のＬ２１）を算出して、当該算出されたリーク電流値を上述したパラメータとする。
【００４２】
リーク補正部４２は、パラメータ作成部４１で作成されたリーク電流値に関するパラメータを用いて、ＴＦＴ３５（図２を参照）をオンにした状態で読み出されたデジタル信号を補正する。上述したようにデジタル信号にはリーク電流成分が重畳されているので、デジタル信号から当該パラメータを減算することで、リーク電流成分が除去されたデジタル信号が得られる。センサ画素で得られリーク補正されたデジタル信号を画素値として出力し、センサ画素に対応する画素毎に画素値を並べることで、Ｘ線平面検出器１（図１および図２を参照を参照）の検出面に投影されたＸ線像（すなわち投影画像）をＸ線画像として出力することができる。
【００４３】
再構成部４３は、得られた複数のＸ線画像に基づいて再構成して再構成後の画像を出力する。再構成法については公知の手法であれば特に限定されず、シフト加算法やＦＢＰ（Filtered Back Projection）法や逐次近似法などを用いればよい。
【００４４】
次に、Ｘ線撮影装置の動作について、図４〜図６を参照して説明する。図４は、比較のための従来の読み出しおよびリーク補正のフローチャートであり、図５は、実施例に係る読み出しおよびリーク補正のフローチャートであり、図６は、実施例に係る撮影シーケンスを示すタイミングチャートである。なお、従来の図４のフローチャートおよび本実施例の図５のフローチャートでは、ステップＳ１，Ｓ２〜Ｓ７，Ｓ１２〜Ｓ１７まで共通して同じである。
【００４５】
（ステップＳ１）画像読み出し開始
先ず、被検体をＸ線平面検出器１（図１および図２を参照）の上に載置してＸ線を照射する。被検体を透過したＸ線（透過Ｘ線）をＸ線平面検出器１に入射する。図４および図５のフローチャートに示すように、Ｘ線を入射した状態で画像読み出しを開始する。
【００４６】
（ステップＳ２）データＳＯ１出力／（ステップＳ１２）データＳＯ４出力
具体的に、制御回路１２（図１を参照）がゲートドライバ１１（図１を参照）を制御してゲート線ＧＬ１，ＧＬ４（図１および図６を参照）を同時に駆動する。この駆動によって、ラインＬ１（図１および図６を参照）のセンサ画素１−１〜１−４（図１を参照）およびラインＬ４（図１および図６を参照）のセンサ画素４−１〜４−４（図１を参照）のＴＦＴ３５（図２を参照）を同時にオンする。次に、制御回路１２がアレイアンプ２，３（図１を参照）を動作させて、ラインＬ１からの電荷信号をアレイアンプ２が増幅してデジタル信号に変換し（図６の信号ＳＣ１）、ラインＬ４からの電荷信号をアレイアンプ３が増幅してデジタル信号に変換する（図６の信号（図６の信号ＳＣ４）。次いで、画像処理部４（図１を参照）に対して、ラインＬ１およびラインＬ４からのデジタル信号をデータとして出力する（ラインＬ１からのデジタル信号ＳＣ１の場合には図６のデータＳＯ１，ラインＬ４からのデジタル信号ＳＣ４の場合には図６のデータＳＯ４）。
【００４７】
（ステップＳ３）データＳＯ２出力／（ステップＳ１３）データＳＯ３出力
上述したステップＳ１，Ｓ１１と同じ動作を、ラインＬ２（図１および図６を参照）およびラインＬ３（図１および図６を参照）についても行う。つまり、ゲート線ＧＬ２，ＧＬ３（図１および図６を参照）を同時に駆動し、ラインＬ２のセンサ画素２−１〜２−４（図１を参照）およびラインＬ３のセンサ画素３−１〜３−４（図１を参照）のＴＦＴ３５を同時にオンする。ラインＬ２からの電荷信号をアレイアンプ２（図１を参照）が増幅してデジタル信号に変換し（図６の信号ＳＣ２）、ラインＬ３からの電荷信号をアレイアンプ３（図１を参照）が増幅してデジタル信号に変換する（図６の信号ＳＣ３）。ラインＬ２およびラインＬ３からのデジタル信号をデータとして出力する（ラインＬ２からのデジタル信号ＳＣ２の場合には図６のデータＳＯ２，ラインＬ３からのデジタル信号ＳＣ３の場合には図６のデータＳＯ３）。
【００４８】
（ステップＳ４）リークＬＯ１１出力／（ステップＳ１４）リークＬＯ２１出力
次に、Ｘ線平面検出器１の全てのセンサ画素１−１，…，４−４（図１を参照）のＴＦＴ３５をオフにした状態で、アレイアンプ２，３を動作させる。これにより、ラインＬ１，Ｌ２のリーク信号を含む電荷信号を、信号線ＳＬ１〜ＳＬ４（図１を参照）を介してアレイアンプ２に読み出すとともに、ラインＬ３，Ｌ４のリーク信号を含む電荷信号を、信号線ＳＬ５〜ＳＬ８を介してアレイアンプ３に読み出す。ラインＬ１，Ｌ２からの電荷信号をアレイアンプ２が増幅してリーク信号を含むデジタル信号（リーク電流に相当する信号）に変換し（図６の信号ＬＣ１１）、ラインＬ３，Ｌ４からの電荷信号をアレイアンプ３が増幅してリーク信号を含むデジタル信号（リーク電流に相当する信号）に変換する（図６の信号ＬＣ２１）。次いで、画像処理部４に対して、ラインＬ１，Ｌ２およびラインＬ３，Ｌ４からのリーク信号を含むデジタル信号（リーク電流に相当する信号）をリークデータとして出力する（ラインＬ１，Ｌ２からの信号ＬＣ１１の場合には図６のリークＬＯ１１，ラインＬ３，Ｌ４からの信号ＬＣ２１の場合には図６のリークＬＯ２１）。
【００４９】
（ステップＳ５）リークＬＯ１２出力／（ステップＳ１５）リークＬＯ２２出力
上述したステップＳ４，Ｓ１４と同じ動作を複数回繰り返す。図４および図５のフローチャートでは、ステップＳ４，Ｓ１４と同じ動作を３回繰り返すことによって、ステップＳ４，Ｓ１４も含めると、回路基板３６（図２を参照）におけるリーク電流値を信号線ＳＬ１〜ＳＬ４，ＳＬ５〜ＳＬ８ごとに４回読み出す。ステップＳ５では、ラインＬ１，Ｌ２からの電荷信号をアレイアンプ２が増幅してリーク信号を含むデジタル信号（リーク電流に相当する信号）に変換し（図６の信号ＬＣ１２）、画像処理部４に対して、ラインＬ１，Ｌ２からのリーク信号を含むデジタル信号（リーク電流に相当する信号）をリークデータとして出力する（図６のリークＬＯ１２）。一方、ステップＳ１５では、ラインＬ３，Ｌ４からの電荷信号をアレイアンプ３が増幅してリーク信号を含むデジタル信号（リーク電流に相当する信号）に変換し（図６の信号ＬＣ２２）、ラインＬ３，Ｌ４からのリーク信号を含むデジタル信号（リーク電流に相当する信号）をリークデータとして出力する（図６のリークＬＯ２２）。これにより、ステップＳ５では、ラインＬ１，Ｌ２からの２回目のリーク電流値を読み出し（図６のリークＬＯ１２）、ステップＳ１５では、ラインＬ３，Ｌ４からの２回目のリーク電流値を読み出す（図６のリークＬＯ２２）。
【００５０】
（ステップＳ６）リークＬＯ１３出力／（ステップＳ１６）リークＬＯ２３出力
ステップＳ６では、ラインＬ１，Ｌ２からの電荷信号をアレイアンプ２が増幅してリーク信号を含むデジタル信号（リーク電流に相当する信号）に変換し（図６の信号ＬＣ１３）、画像処理部４に対して、ラインＬ１，Ｌ２からのリーク信号を含むデジタル信号（リーク電流に相当する信号）をリークデータとして出力する（図６のリークＬＯ１３）。一方、ステップＳ１６では、ラインＬ３，Ｌ４からの電荷信号をアレイアンプ３が増幅してリーク信号を含むデジタル信号（リーク電流に相当する信号）に変換し（図６の信号ＬＣ２３）、ラインＬ３，Ｌ４からのリーク信号を含むデジタル信号（リーク電流に相当する信号）をリークデータとして出力する（図６のリークＬＯ２３）。これにより、ステップＳ６では、ラインＬ１，Ｌ２からの３回目のリーク電流値を読み出し（図６のリークＬＯ１３）、ステップＳ１６では、ラインＬ３，Ｌ４からの３回目のリーク電流値を読み出す（図６のリークＬＯ２３）。
【００５１】
（ステップＳ７）リークＬＯ１４出力／（ステップＳ１７）リークＬＯ２４出力
ステップＳ７では、ラインＬ１，Ｌ２からの電荷信号をアレイアンプ２が増幅してリーク信号を含むデジタル信号（リーク電流に相当する信号）に変換し（図６の信号ＬＣ１４）、画像処理部４に対して、ラインＬ１，Ｌ２からのリーク信号を含むデジタル信号（リーク電流に相当する信号）をリークデータとして出力する（図６のリークＬＯ１４）。一方、ステップＳ１７では、ラインＬ３，Ｌ４からの電荷信号をアレイアンプ３が増幅してリーク信号を含むデジタル信号（リーク電流に相当する信号）に変換し（図６の信号ＬＣ２４）、ラインＬ３，Ｌ４からのリーク信号を含むデジタル信号（リーク電流に相当する信号）をリークデータとして出力する（図６のリークＬＯ２４）。これにより、ステップＳ７では、ラインＬ１，Ｌ２からの４回目のリーク電流値を読み出し（図６のリークＬＯ１４）、ステップＳ１７では、ラインＬ３，Ｌ４からの４回目のリーク電流値を読み出す（図６のリークＬＯ２４）。
【００５２】
（ステップＴ１）Ｌ１＝ＬＯ１１〜ＬＯ１４平均／（ステップＴ１１）Ｌ２＝ＬＯ２１〜ＬＯ２４平均
従来では、図４のフローチャートに示すように、ステップＳ４〜Ｓ７で得られたリークＬＯ１１〜ＬＯ１４の平均を求めて、得られた平均値をＬ１とし、ステップＳ１４〜Ｓ１７で得られたリークＬＯ２１〜ＬＯ２４の平均を求めて、得られた平均値をＬ２とする。
【００５３】
（ステップＴ２）Ｓ１＝ＳＯ１−Ｌ１  Ｓ２＝ＳＯ２−Ｌ１／（ステップＴ１２）Ｓ３＝ＳＯ３−Ｌ２  Ｓ４＝ＳＯ４−Ｌ２
さらに、従来では、データＳＯ１から平均値Ｌ１を減算することで、リーク補正後のデータが得られ（リーク補正後のデータをＳ１とした場合に、Ｓ１＝ＳＯ１−Ｌ１）、データＳＯ２から平均値Ｌ１を減算することで、リーク補正後のデータが得られる（リーク補正後のデータをＳ２とした場合に、Ｓ２＝ＳＯ２−Ｌ１）。同様に、データＳＯ３から平均値Ｌ２を減算することで、リーク補正後のデータが得られ（リーク補正後のデータをＳ３とした場合に、Ｓ３＝ＳＯ３−Ｌ２）、データＳＯ４から平均値Ｌ２を減算することで、リーク補正後のデータが得られる（リーク補正後のデータをＳ４とした場合に、Ｓ４＝ＳＯ４−Ｌ２）。
【００５４】
（ステップＴ３）Ｓ１、Ｓ２、Ｓ３、Ｓ４を出力
さらに、従来では、リーク補正後のデータＳ１、Ｓ２、Ｓ３、Ｓ４を出力する。また、再構成する場合にはリーク補正後のデータに基づいて行う。従来の補正では、「発明が解決しようとする課題」の欄でも述べたように、再構成後に輝度差（画素値の差）が視認されてしまう場合があるという問題がある。
【００５５】
（ステップＳ８）ＬＯ１１〜ＬＯ１４から近似式Ｆ１（ｘ）作成／（ステップＳ１８）ＬＯ２１〜ＬＯ２４から近似式Ｆ２（ｘ）作成
そこで、本実施例では、図５のフローチャートに示すように、ステップＳ４〜Ｓ７で得られたリークＬＯ１１〜ＬＯ１４から近似式Ｆ１（ｘ）を作成し、ステップＳ１４〜Ｓ１７で得られたリークＬＯ２１〜ＬＯ２４から近似式Ｆ２（ｘ）を作成する。具体的には、読み出し時間をｘとした場合に、複数回読み出されたリーク電流値（ＬＯ１１〜ＬＯ１４，ＬＯ２１〜ＬＯ２４）を、読み出し時間ｘを変数とした近似式Ｆ１（ｘ），Ｆ２（ｘ）でそれぞれ近似する。リーク電流成分は対数で変動すると考えられるので、図９に示すように対数近似とする。図５のフローチャートおよび図６のタイミングチャートでは読み出し回数を４回としているが、読み出し回数については特に限定されない。読み出し回数は多ければ多いほど近似式の精度が向上するが、その分演算処理が遅くなるので、演算処理との関係で読み出し回数を適宜設定すればよい。また、図９では一定時間毎にデータを複数回読み出しているが、変動の大きい時間帯において読み出し時間を短くして読み出し回数を多く設定して、変動の小さい時間帯において読み出し時間を長くして読み出し回数を少なく設定してもよい。
【００５６】
（ステップＳ９）近似式Ｆ１（ｘ）からパラメータＬ１１算出／（ステップＳ１９）近似式Ｆ２（ｘ）からパラメータＬ２１算出
本実施例では、近似式に基づいて、ゲート線のオンからオフに移行（図６のタイミングチャートではゲート線ＧＬ２，ＧＬ３のオンからオフに移行）した最初の読み出しに対応するリーク電流値を算出して、当該算出されたリーク電流値をパラメータ作成部４１（図３を参照）はパラメータとする。リーク電流値（図６のリークＬＯ１１，ＬＯ２１）の１回目の読み出しが最初の読み出しに対応する。実際には、図９に示すように実測値（黒塗りの菱形を参照）と近似式（実線を参照）との間にはズレがあり、図６においても実際に読み出された１回目のリークＬＯ１１，ＬＯ２１（すなわち実測値）と、近似式Ｆ１（ｘ），Ｆ２（ｘ）との間にはズレがある。そこで、本実施例では、実際に読み出された１回目のリークＬＯ１１，ＬＯ２１（すなわち実測値）をリーク補正に用いずに、近似式Ｆ１（ｘ），Ｆ２（ｘ）において最初の読み出しに対応するリーク電流値をパラメータとしてリーク補正に用いる。近似式Ｆ１（ｘ）において最初の読み出しに対応するリーク電流値（パラメータ）をＬ１１とし、近似式Ｆ２（ｘ）において最初の読み出しに対応するリーク電流値（パラメータ）をＬ２１とする。
【００５７】
（ステップＳ１０）Ｓ１１＝ＳＯ１−Ｌ１１  Ｓ１２＝ＳＯ２−Ｌ１１／（ステップＳ２０）Ｓ１３＝ＳＯ３−Ｌ２１  Ｓ１４＝ＳＯ４−Ｌ２１
さらに、本実施例では、リーク補正部４２（図３を参照）は下記の演算を行う。すなわち、データＳＯ１からパラメータＬ１１を減算することで、リーク補正後のデータが得られ（リーク補正後のデータをＳ１１とした場合に、Ｓ１１＝ＳＯ１−Ｌ１１）、データＳＯ２からパラメータＬ１１を減算することで、リーク補正後のデータが得られる（リーク補正後のデータをＳ１２とした場合に、Ｓ１２＝ＳＯ２−Ｌ１１）。同様に、データＳＯ３からパラメータＬ２１を減算することで、リーク補正後のデータが得られ（リーク補正後のデータをＳ１３とした場合に、Ｓ１３＝ＳＯ３−Ｌ２１）、データＳＯ４からパラメータＬ２１を減算することで、リーク補正後のデータが得られる（リーク補正後のデータをＳ１４とした場合に、Ｓ１４＝ＳＯ４−Ｌ２１）。
【００５８】
（ステップＳ３０）Ｓ１１、Ｓ１２、Ｓ１３、Ｓ１４を出力
さらに、本実施例では、リーク補正後のデータＳ１１、Ｓ１２、Ｓ１３、Ｓ１４を出力する。また、再構成する場合には再構成部４３（図３を参照）はリーク補正後のデータに基づいて行う。図５のフローチャートに示す演算を行うことで、再構成後の画像における輝度差を解消することができる。
【００５９】
本実施例に係るＸ線撮影装置によれば、リーク電流読み出し機構に相当するアレイアンプ２，３は、回路基板３６におけるリーク電流値を信号線ごとに複数回（図５のフローチャートおよび図６のタイミングチャートでは４回，図９では３２回）読み出す。リーク電流値を用いてデジタル信号を補正するにあたり、パラメータ作成機構に相当するパラメータ作成部４１は、複数回読み出されたリーク電流値を、読み出し時間を変数とした近似式（本実施例では近似式Ｆ１（ｘ），Ｆ２（ｘ））で近似し、当該近似式の結果から補正に用いるパラメータを作成する。したがって、薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）３５がオフの状態で読み出されたデータが時間的に変動したとしても、上述した近似式Ｆ１（ｘ），Ｆ２（ｘ）の結果からリーク電流値を正確に求めてリーク補正を適切に行うことができる。
【００６０】
なお、リーク電流成分以外の残留電荷や暗電流を除去するために、ＴＦＴをオンの状態でデータを読み出す手法（例えば、特許文献２：特開２０１３−２５５６０６号公報）の場合には、ＴＦＴオン／オフを繰り返し行う。そのために、オン／オフの都度にリーク電流成分が増える。その結果、上述した手法では本実施例のような近似式（本実施例では対数近似）で表すことができない。本実施例を含む本発明は、薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）をオフにした状態で、複数回読み出されたリーク電流値を、読み出し時間を変数とした近似式で近似し、当該近似式の結果から補正に用いるパラメータを作成することに技術的特徴があることに留意されたい。
【００６１】
本実施例では、上述した近似式は対数近似である。リーク電流成分は対数で変動すると考えられるので、対数近似とすることでリーク電流値を正確に求めてリーク補正を適切に行うことができる。
【００６２】
本実施例では、信号線を複数に分割（本実施例では信号線ＳＬ１〜ＳＬ４，ＳＬ５〜ＳＬ８を中央で２分割）してＸ線平面検出器１を構成している。よって、分割部分に輝度差（画素値の差）が発生する可能性があるが、信号線を複数に分割して構成されたＸ線平面検出器１に本発明を適用することによって輝度差を解消することができる。したがって、信号線を複数に分割して構成されたＸ線平面検出器１に本発明を適用することは有効である。
【００６３】
本実施例では、Ｘ線画像を再構成する再構成機構に相当する再構成部４３を備えている。上述したように信号線を複数に分割して構成されたＸ線平面検出器１を備えている場合には、たとえ図８（ａ）において再構成前の画像では輝度差が視認されていなかったとしても、図８（ｂ）において再構成後に輝度差が視認されてしまう可能性がある。信号線を複数に分割して構成されたＸ線平面検出器１、および再構成部４３に本発明を適用することによって再構成後においても輝度差を解消することができる。したがって、信号線を複数に分割して構成されたＸ線平面検出器１、および再構成部４３に本発明を適用することは有効である。
【００６４】
本実施例では、図６のタイミングチャートに示すように、薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）３５のゲート線をオンに制御した後にオフに制御している。さらに、パラメータ作成機構に相当するパラメータ作成部４１は、上述した近似式に基づいて、ゲート線のオンからオフに移行（図６のタイミングチャートではゲート線ＧＬ２，ＧＬ３のオンからオフに移行）した最初の読み出しに対応するリーク電流値を算出して、当該算出されたリーク電流値をパラメータ（図５のフローチャートではパラメータＬ１１，Ｌ２１）としている。Ｘ線画像読み出し後のリーク電流値をリーク補正に用いて、かつ信号線ＳＬ１〜ＳＬ４，ＳＬ５〜ＳＬ８を中央で２分割してＸ線平面検出器１を構成している場合には、図６のタイミングチャートに示すように、分割される部分から遠いゲート線ＧＬ１，ＧＬ４を先に駆動してから、分割される部分に近いゲート線ＧＬ２，ＧＬ３を後に駆動している。よって、輝度差が現れるゲート線ＧＬ２，ＧＬ３での読み出しのタイミングの直後である最初の読み出しに対応するリーク電流値を算出してリーク補正に用いることで、輝度差を確実に解消することができる。
【００６５】
この発明は、上記実施形態に限られることはなく、下記のように変形実施することができる。
【００６６】
（１）上述した実施例では、信号線を複数に分割（実施例では信号線ＳＬ１〜ＳＬ４，ＳＬ５〜ＳＬ８を中央で２分割）して構成されたＸ線平面検出器を備えたＸ線撮影装置に適用したが、必ずしも信号線を複数に分割して構成されたＸ線平面検出器を備えたＸ線撮影装置に適用する必要はない。
【００６７】
（２）上述した実施例では、信号線ＳＬ１〜ＳＬ４，ＳＬ５〜ＳＬ８（図１を参照）を中央で２分割して構成されたＸ線平面検出器を備えたＸ線撮影装置に適用したが、必ずしも信号線を２つに分割して構成されたＸ線平面検出器を備えたＸ線撮影装置に適用する必要はない。信号線を３つ以上の複数に分割して構成されたＸ線平面検出器を備えたＸ線撮影装置に適用してもよい。
【００６８】
（３）上述した実施例では、Ｘ線画像を再構成する再構成機構に相当する再構成部４３（図３を参照）を備えたＸ線撮影装置に適用したが、必ずしも再構成機構を備えたＸ線撮影装置に適用する必要はない。再構成せずに投影画像をＸ線画像として出力するＸ線撮影装置に適用してもよい。
【００６９】
（４）上述した実施例では、上述した近似式は対数近似であったが、必ずしも対数近似である必要はない。例えば、読み出しの前半では曲線関数で近似して、読み出しの後半では線形近似（すなわち一次関数で近似）してもよい。また、図９のグラフでは、読み出しの後半において、ある値に実際には限りなく近づくので、ある値を例えばａとすると、近似式Ｆ（ｘ）をａ−ｂ／ｘで近似してもよい。なお、ｂの値は実際の近似に応じて適宜に設定する。また、最小自乗法等で近似式を適宜に設定してもよい。
【００７０】
（５）上述した実施例では、Ｘ線画像読み出し後のリーク電流値をリーク補正に用いたが、Ｘ線画像読み出し前のリーク電流値をリーク補正に用いてもよい。例えば、ゲート線のオフからオンに移行（図７のタイミングチャートではオフからゲート線ＧＬ２，ＧＬ３のオンに移行）する直前の読み出しに対応するリーク電流値を算出して、当該算出されたリーク電流値をパラメータとしてリーク補正に用いてもよい。具体的には、Ｘ線画像読み出し前のリーク電流値をリーク補正に用いて、かつ信号線ＳＬ１〜ＳＬ４，ＳＬ５〜ＳＬ８を中央で２分割してＸ線平面検出器１を構成している場合には、図７のタイミングチャートに示すように、分割される部分に近いゲート線ＧＬ２，ＧＬ３を先に駆動してから、分割される部分から遠いゲート線ＧＬ１，ＧＬ４を後に駆動している。よって、輝度差が現れるゲート線ＧＬ２，ＧＬ３での読み出しのタイミングの直前の読み出しに対応するリーク電流値を算出してリーク補正に用いることで、輝度差を確実に解消することができる。
【産業上の利用可能性】
【００７１】
以上のように、この発明は、信号線を複数に分割して構成されたＸ線平面検出器を備えたＸ線撮影装置や、Ｘ線画像を再構成する再構成機構を備えたＸ線撮影装置に適している。
【符号の説明】
【００７２】
１  …  Ｘ線平面検出器
２，３  …  アレイアンプ
４  …  画像処理部
３１  …  変換膜
３５  …  薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）
３６  …  回路基板
４１  …  パラメータ作成部
４３  …  再構成部
ＳＬ１〜ＳＬ８  …  信号線
ＧＬ１〜ＧＬ４  …  ゲート線
ＳＣ１〜ＳＣ４  …  デジタル信号
ＬＯ１１〜ＬＯ１４，ＬＯ２１〜ＬＯ２４  …  リーク
ｘ  …  読み出し時間
Ｆ１（ｘ），Ｆ２（ｘ）  …  近似式
【図１】
2015198398.tif 000003
【図２】
2015198398.tif 000004
【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図８】
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