(57)【要約】      （修正有）【課題】装置内における素子領域外への光のクロストークが大幅に抑制された高性能かつ高発光効率の半導体発光装置を提供する。【解決手段】搭載基板１１と、搭載基板１１上に配置された半導体発光素子１０と、半導体発光素子１０に隣接して搭載基板１１上に設けられた電極パッド１２Ａ、１２Ｂと、電極パッド１２Ａ、１２Ｂ上に設けられた尖端形状の複数の突起１３とを有する。【選択図】図１
2015103599.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
搭載基板と、
前記搭載基板上に配置された半導体発光素子と、
前記半導体発光素子に隣接して前記搭載基板上に設けられた電極パッドと、
前記電極パッド上に設けられた尖端形状の複数の突起と、を有することを特徴とする半導体発光装置。
【請求項２】
前記複数の突起の各々は、錐形状又は錐台形状を有していることを特徴とする請求項１に記載の半導体発光装置。
【請求項３】
前記半導体発光素子を前記搭載基板上に埋設するように設けられた蛍光体層を有することを特徴とする請求項１又は２に記載の半導体発光装置。
【請求項４】
前記突起はＡｕから構成され、
前記電極パッドと前記突起との間には、中間層としてＰｔ層、Ｒｈ層又はＰｄ層が形成されていることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１つに記載の半導体発光装置。
【請求項５】
前記電極パッド上の前記突起間の領域に前記蛍光体層の残渣を有することを特徴とする請求項３又は４に記載の半導体発光装置。
【請求項６】
前記搭載基板上には複数の半導体発光素子が互いに隣接して並置されており、
前記電極パッドは、前記複数の半導体発光素子の隣接する前記半導体発光素子の外側に、かつ前記隣接する前記半導体発光素子の配列方向に沿って設けられていることを特徴とする請求項１乃至５のいずれか１つに記載の半導体発光装置。
【請求項７】
前記搭載基板を保持する実装基板と、
前記実装基板上に設けられた給電パッドと、を有し、
前記電極パッド及び前記給電パッド間はボンディングワイヤによって接続されていることを特徴とする請求項１乃至６のいずれか１つのいずれか１つに記載の半導体発光装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、発光ダイオード（ＬＥＤ）などの半導体発光素子を複数個用いた半導体発光装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体発光素子は、通常、成長用基板上に、ｎ型半導体層、発光層及びｐ型半導体層からなる半導体構造層を成長し、それぞれｎ型半導体層及びｐ型半導体層に電圧を印加するｎ電極及びｐ電極を形成して作製される。さらに、放熱性能の向上を図る半導体発光素子として、半導体構造層を成長用基板とは別の支持基板に接合した後、成長用基板を除去した半導体発光素子が知られている。また、複数の半導体発光素子を実装基板上に固定し、さらに波長変換用の蛍光体層を形成した後、樹脂などで封止することによって、半導体発光装置が作製される。
【０００３】
特許文献１には、ベース基板の主面に、発光素子であるＬＥＤが直列に接続されたＬＥＤアレイが配置され、当該ＬＥＤアレイを覆う蛍光体膜が設けられた半導体発光装置が開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開2011-044741号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
自動車用ヘッドライトはその配光形状が規格によって定められている。例えば自動車用ヘッドライトに使用する光源を作製する場合、全体として当該配光形状に対応するように複数の半導体発光素子を配置した半導体発光装置を作製する。また、並置された複数の半導体発光素子の周囲には、半導体発光素子への給電用に電極パッドが設けられる。さらに、半導体発光素子及び電極パッドを埋設するように蛍光体層を形成して装置が作製される。このような半導体発光装置において、半導体発光素子から放出された光は、その一部が蛍光体層を介して素子領域以外の領域、例えば電極パッド上の領域から外部に取出される場合がある。この素子領域外から外部に取出される光の量はわずかであるため、全体として規格に適合した配光形状を満足することはできる。しかし、配光形状は厳密に制御できることが一層望ましい。例えば、厳密には発光装置の照射領域の縁部分がより明確になること、すなわち明暗の境界が明確になることが望ましい。光源装置の種々の応用分野において、配光形状を厳密に制御できることは、発光装置からの眩惑光（グレア）の発生を抑制することができるのみならず、発光装置における照射領域の制御や発光装置の配置シミュレーションなどを容易にする。
【０００６】
本発明は上記した点に鑑みてなされたものであり、装置内における素子領域外への光のクロストークが大幅に抑制された高性能かつ高発光効率の半導体発光装置を提供することを目的としている。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明による半導体発光装置は、搭載基板と、搭載基板上に配置された半導体発光素子と、半導体発光素子に隣接して搭載基板上に設けられた電極パッドと、電極パッド上に設けられた尖端形状の複数の突起と、を有することを特徴としている。
【図面の簡単な説明】
【０００８】
【図１】（ａ）及び（ｂ）は、実施例１の半導体発光装置の構成を示す図である。
【図２】（ａ）及び（ｂ）は実施例１の半導体発光装置における突起の上面図である。
【図３】実施例１の半導体発光装置における半導体発光素子の構造を示す断面図である。
【図４】（ａ）〜（ｃ）は、実施例１の半導体発光装置の製造方法を説明する断面図である。
【図５】（ａ）〜（ｄ）は、実施例１の半導体発光装置の製造方法を説明する断面図である。
【図６】（ａ）〜（ｄ）は、実施例１の半導体発光装置の製造方法を説明する部分拡大断面図である。
【発明を実施するための形態】
【０００９】
本願の発明者らは、素子領域外の発光不要な領域である例えば電極パッド上の蛍光体層を除去することを検討した。蛍光体層の主成分は例えばガラス材料であり、例えばレーザを照射することによって蛍光体層を除去することができた。これによって素子領域外から光が外部に放出されることが抑制され、照射領域の明暗の境界が明確なものとなり、配光形状がより明確なものとなった。しかし、電極パッド上の蛍光体層は完全には除去されず、電極パッド上には蛍光体層の一部が残ったままでであった。この状態で電極パッドにワイヤボンディングを行うと、パッドとワイヤとの間の電気的接続が阻害され、これによって両者の間で高抵抗となり、場合によっては絶縁状態を引き起こした。本願の発明者らはこの製造上の不具合に着目し、素子外領域への光のクロストークを抑制するのみならず確実に電極パッドとボンディングワイヤとの電気的接続を得ることを検討した結果、本発明に至った。
【００１０】
以下に本発明の実施例について詳細に説明する。なお、以下の説明及び添付図面においては、実質的に同一又は等価な部分には同一の参照符号を付している。
【実施例１】
【００１１】
図１（ａ）は、実施例１の半導体発光装置１０の構造を示す断面図である。図１（ｂ）は、半導体発光装置１０の上面を模式的に示す図である。なお、図１（ａ）は、図１（ｂ）のＶ−Ｖ線に沿った断面図である。半導体発光装置１０は、搭載基板１１と、搭載基板１１上に互いに隣接して並置された２つの半導体発光素子２０及び３０と、を有している。また、搭載基板１１上の半導体発光素子２０及び３０の配列方向に沿って、かつ隣接する半導体発光素子２０及び３０の外側には、電極パッドとして、第１の電極パッド１２Ａ及び第２の電極パッド１２Ｂがそれぞれ並置されている。第１及び第２の電極パッド１２Ａ及び１２Ｂは、外部（空気又は封止ガス雰囲気中）に露出している。
【００１２】
第１及び第２の電極パッド１２Ａ及び１２Ｂ上には、複数の突起１３が形成されている。突起１３は、図１（ａ）に示すように、尖端形状すなわち先の尖った形状を有している。また、突起１３は、錐形状又は錐台形状を有している。第１及び第２の電極パッド１２Ａ及び１２Ｂは、例えばＡｕ、Ａｌ、Ｎｉ及びＴｉなどの金属材料からなる。突起１３は、例えばＡｕからなる。突起１３は、例えば第１及び第２の電極パッド１２Ａ及び１２Ｂ上にスパッタリングによってパターニングされた金属のベース構造体を形成した後、当該ベース構造体にレーザを照射することによって形成することができる。なお、尖端形状の突起１３を容易に形成するために、第１及び第２の電極パッド１２Ａ及び１２Ｂと突起１３との間に中間層としてＰｔ層、Ｒｈ層又はＰｄ層が形成されていてもよい。中間層としての例えばＰｔ層は、レーザ照射によって突起１３のＡｕ層に応力を与え、突起１３が尖端形状となることを促進させる。
【００１３】
搭載基板１１上には、半導体発光素子２０及び３０を埋設するように蛍光体層１４が設けられている。蛍光体層１４は、樹脂材料又はガラス材料からなるバインダからなり、蛍光体層１４内には、波長変換部材としての蛍光体１４Ａが多数分散して設けられている。蛍光体１４Ａは、例えば青色波長の光を黄色波長の光に変換する。第１及び第２の電極パッド１２Ａ及び１２Ｂ並びに突起１３は外部（空気又は封止ガス雰囲気中）に露出しており、搭載基板１１上の第１及び第２の電極パッド１２Ａ及び１２Ｂ上の領域には蛍光体層１４は設けられていない。従って、蛍光体層１４を介して素子２０又は３０からの光が電極パッド上の領域に進むことが抑制され、これによって装置内の素子領域以外の領域への光のクロストークが抑制される。蛍光体層１４は、例えば蛍光体１４Ａを含むガラスバインダを第１及び第２の電極パッド１２Ａ及び１２Ｂを含む搭載基板１１上の領域に塗布し、第１及び第２の電極パッド１２Ａ及び１２Ｂ上のガラスバインダを除去することによって形成することができる。
【００１４】
搭載基板１１は、実装基板１５上に保持されている。実装基板１５上には、給電パッドとして、第１の給電パッド１６Ａ及び第２の給電パッド１６Ｂが形成されている。実装基板１５は、例えばアルミナやＡｌＮなどのセラミック材料からなる。また、第１及び第２の給電パッド１６Ａ及び１６Ｂは、例えばＡｕ、Ａｌ、Ｎｉ及びＴｉなどの金属材料からなる。なお、図示していないが、搭載基板１１の裏面、すなわち半導体発光素子２０及び３０などが形成されていない側の主面には金属層が形成されており、実装基板１５上の搭載基板１１を固定する領域には接合層が形成されている。搭載基板１１は、当該金属層を実装基板１５の接合層に接合することによって、実装基板１５に固定されている。
【００１５】
図１（ｂ）は、半導体発光装置１０の上面を模式的に示す図である。図１（ｂ）においては、蛍光体層１４の領域を破線で示している。図１（ｂ）に示すように、本実施例においては、半導体発光素子２０及び３０は、搭載基板１１に垂直な方向から見たとき、矩形形状を有している。半導体発光素子２０及び３０は、第１及び第２の電極パッド１２Ａ及び１２Ｂ間において互いに直列に接続されている。搭載基板１１上の第１及び第２の電極パッド１２Ａ及び１２Ｂは、それぞれ実装基板１５上の第１及び第２の給電パッド１６Ａ及び１６Ｂに、ボンディングワイヤＢＷによって接続されている。後述するが、ボンディングワイヤＢＷは、第１及び第２の電極パッド１２Ａ及び１２Ｂ上の突起１３上に形成されている。
【００１６】
図２（ａ）及び（ｂ）は、第１の電極パッド１２Ａの上面を拡大した図である。突起１３の各々は、例えば図２（ａ）に示すように円形状の底面を有している。すなわち、突起１３の各々は、円錐形状を有している。また、突起１３の各々は、第１の電極パッド１２Ａ上においてハニカム状に配列されている。突起１３の各々は、第２の電極パッド１２Ｂ上にも同様に形成されている。なお、突起１３の各々は、図２（ａ）に示す円錐形状を有する場合に限定されない。突起１３は、例えば図２（ｂ）に示すように、底面が三角形の三角錐形状を有していても良い。突起１３は、突起１３の形成時に使用するマスクのパターン形状を変更することによって様々な形状で形成することができる。なお、マスクの製造の容易さすなわち製造コストを考慮すると、図２（ａ）のような円錐形状の突起１３を形成することが望ましい。
【００１７】
図３は、半導体発光装置１０の詳細構造を示す断面図である。半導体発光素子２０は、半導体構造層２１、ｎ電極（第１の電極）２２及びｐ電極（第２の電極）２３からなる。半導体構造層２１は発光層２１Ｂがｎ型半導体層（第１の半導体層）２１Ａ及びｐ型半導体層（第２の半導体層）２１Ｃに挟まれるように形成された構造を有している。半導体構造層２１は、例えば、ＡｌxＩｎyＧａ1-x-yＮ（０≦ｘ≦１、０≦ｙ≦１）の組成を有するｎ型半導体層２１Ａ、発光層２１Ｂ及びｐ型半導体層２１Ｃが搭載基板１１上に順次積層された構造を有している。半導体構造層２１は、ｎ型半導体層２１Ａの表面に、複数の突起２１Ｐからなる凹凸構造面を有している。ｎ型半導体層２１Ａの当該凹凸構造面は光取出し面として機能する。
【００１８】
ｎ電極２２は、ｐ型半導体層２１Ｃの表面からｐ型半導体層２１Ｃ及び発光層２１Ｂを貫通し、ｎ型半導体層２１Ａに接続されている。ｎ電極２２は、例えばＴｉ、Ａｌ、Ｐｔ及びＡｕなどの金属材料を用いて形成される。ｐ電極２３はｐ型半導体層２１Ｃ上に形成され、反射性の高い金属からなる反射金属層２３Ａ及び反射金属層２３Ａの全体を覆うように形成されたキャップ層２３Ｂからなる。反射金属層２３Ａは、例えばＡｇ、Ｐｔ、Ｎｉ、Ａｌ及びＰｄなどの金属材料並びにこれらを含む合金を用いて形成される。キャップ層２３Ｂは、例えばＴｉ、Ｗ、Ｐｔ、Ｐｄ、Ｍｏ、Ｒｕ、Ｉｒ、Ａｕなど、自身が他の層にマイグレーションしにくく、反射金属層２３Ａのマイグレーションを防止する金属材料を用いて形成される。
【００１９】
半導体発光素子３０は、半導体発光素子２０と同様の構成を有している。半導体発光素子３０は半導体構造層３１、ｎ電極３２及びｐ電極３３を有し、半導体構造層３１（ｎ型半導体層３１Ａ、突起３１Ｐ、発光層３１Ｂ及びｐ型半導体層３１Ｃ）は半導体構造層２１と、ｎ電極３２はｎ電極２２と、ｐ電極３３（反射金属層３３Ａ及びキャップ層３３Ｂ）はｐ電極３３と、それぞれ同様の構成を有している。
【００２０】
半導体発光素子２０の半導体構造層２１は、その隣接する半導体発光素子３０に対向する側面が、隣接する半導体発光素子３０の半導体構造層３１との間隔、すなわち隣接する半導体構造層２１及び３１間の間隔が搭載基板１１に向かって拡大するように傾斜している。本実施例においては、半導体構造層２１の全ての側面が傾斜している。半導体発光素子３０の半導体構造層３１の側面は、半導体構造層２１の側面と同様に傾斜している。これによって、半導体発光素子２０から半導体発光素子２０の側面に向かって放出された光が当該側面によって全反射される確率が高くなる。全反射された光は半導体発光素子２０自身の光取出し面であるｎ型半導体層２１Ａの表面に向かって進んだ後、外部に取出される。従って、半導体発光素子２０からの光が隣接する半導体発光素子３０に向かって漏れることを抑制することができる。
【００２１】
搭載基板１１上には絶縁層１７及び接合層１８が形成されている。また、半導体発光素子２０は、それぞれｎ電極２２及びｐ電極２３に接続されたｎ側接続電極２２Ｃ及びｐ側接続電極２３Ｃを有している。同様に、半導体発光素子３０は、それぞれｎ電極３２及びｐ電極３３に接続されたｎ側接続電極３２Ｃ及びｐ側接続電極３３Ｃを有している。搭載基板１１と半導体発光素子２０及び３０とは、接合層１８と、ｎ側接続電極２２Ｃ及び３２Ｃ並びにｐ側接続電極２３Ｃ及び３３Ｃとを介して接合されている。このようにして、半導体発光素子２０及び３０は、搭載基板１１上に並置されている。
【００２２】
第１の電極パッド１２Ａは、接合層１８を介して半導体発光素子２０のｐ側接続電極２３Ｃに接続されている。第２の電極パッド１２Ｂは、接合層１８を介して半導体発光素子３０のｎ側接続電極３２Ｃに接続されている。また、接合層１８は、隣接する一方の素子２０のｎ側接続電極２２Ｃと他方の素子３０のｐ側接続電極３３Ｃとを接続するように形成されている。従って、半導体発光装置１０は、半導体発光素子２０及び３０が互いに直列に接続された構造を有している。半導体発光素子２０において、ｎ電極２２及びｎ側接続電極２２Ｃとｐ電極２３及びｐ側接続電極２３Ｃとの間は、絶縁膜２４によって絶縁されている。半導体発光素子３０についても同様に絶縁層３４が形成されている。
【００２３】
搭載基板１１は、例えばＳｉ、ＡｌＮ、Ｍｏ、Ｗ、ＣｕＷなどの放熱性の高い材料からなる。絶縁層１７並びに絶縁膜２４及び３４は、例えばＳｉＯ2及びＳｉ3Ｎ4などの絶縁材料からなる。接合層１８及び各接続電極は、Ａｕ及びＳｎ、Ａｕ及びＩｎ、Ｐｄ及びＩｎ、Ｃｕ及びＳｎ、Ａｇ及びＳｎ、Ａｇ及びＩｎ並びにＮｉ及びＳｎなど、互いに融着して接合される材料の組み合わせか、又はＡｕなどの互いに拡散して接合される材料を用いて形成される。
【００２４】
次に、図４乃至図６を用いて、半導体発光装置１０の製造方法について説明する。図４（ａ）は、搭載基板１１に接合する直前における半導体発光素子２０及び３０を含む半導体ウェハを示す断面図である。本実施例においては、まず、成長用基板１９としてサファイア基板を準備した。次に、成長用基板１９上に半導体構造層２１及び３１となる、ｎ型半導体層、発光層及びｐ型半導体層からなる半導体膜をこの順で順次成長した。次に、当該半導体膜上にスパッタリングを行い、ｐ電極２３及び３３として、反射金属層２３Ａ及び３３Ａ並びにキャップ層２３Ｂ及び３３Ｂを形成した。このとき、半導体膜の一部の表面にはｐ電極２３及び３３が形成されないようにした。
【００２５】
次に、当該半導体膜にエッチングを行うことによって、ｐ電極２３及び３３（反射金属層２３Ａ及び３３Ａ並びにキャップ層２３Ｂ及び３３Ｂ）が形成されていない半導体膜の領域の表面から、ｎ型半導体層に至るｎ電極２６及び３６用のコンタクトホールを形成した。次に、ｐ電極２３及び３３を含む半導体膜の全体を覆うように絶縁膜２４及び３４となる絶縁膜を形成した。続いて、コンタクトホール内に形成された絶縁膜の一部を除去し、当該コンタクトホール内にそれぞれｎ電極２２及び３２を形成した。また、ｐ電極２３及び３３上に形成された絶縁膜の一部を除去してｐ電極２３及び３３に至る開口部を形成し、当該開口部にそれぞれｐ側接続電極２３Ｃ及び３３Ｃを形成した。また、絶縁膜上において、ｎ電極２２及び３２に至るコンタクトホールを形成し、当該コンタクトホールにおいてｎ電極２２及び３２に接続されるように、それぞれｎ側接続電極２２Ｃ及び３２Ｃを形成した。その後、ｐ型半導体層上に直接絶縁膜が形成されている領域にエッチングを行って成長用基板１９に至る溝部ＴＲを形成し、これによって半導体膜を半導体構造層２１及び３１に分割した。このとき、溝部ＴＲが成長用基板１９に向かってテーパ形状をなすようにエッチング条件を調整した。このようにして、搭載基板１１に接合する半導体ウェハを作製した。
【００２６】
図４（ｂ）は、半導体発光素子２０及び３０を含む半導体ウェハを接合する直前の搭載基板１１を示す断面図である。まず、搭載基板１１を準備し、搭載基板１１上に絶縁層１７を形成した。次に、絶縁層１７上にパターニングされたマスクを形成した後、スパッタリングを行うことによって、接合層１８を形成した。次に、接合層１８上に第１の電極パッド１２Ａ及び第２の電極パッド１２Ｂを形成した。続いて、第１及び第２の電極パッド１２Ａ及び１２Ｂ上に、突起１３となるベース構造体１３Ｐを形成した。
【００２７】
図４（ｃ）は、蛍光体層１４を形成する直前の搭載基板１１及び搭載基板１１上の半導体発光素子及び電極パッドを示す断面図である。ベース構造体１３Ｐを形成した後、接合層１８とｎ側及びｐ側接続電極２２Ｃ、２３Ｃ、３２Ｃ及び３３Ｃとが接するように、搭載基板１１に半導体ウェハを密着させ、加熱及び圧着によって両者を接合した。次に、成長用基板１９をレーザリフトオフによって除去した。続いて、露出したｎ型半導体層２１Ａ及び３１Ａの表面にエッチングを行い、複数の突起２１Ｐ及び３１Ｐを形成し、凹凸構造面とした。
【００２８】
図５（ａ）は、蛍光体層１４を形成した状態の半導体発光素子及び電極パッドを示す断面図である。なお、図５乃至図６においては、半導体発光素子２０及び３０の詳細構造の図示は省略してある。本実施例においては、搭載基板１１上に半導体発光素子２０及び３０並びに第１及び第２の電極パッド１２Ａ及び１２Ｂが埋設されるように、蛍光体１４Ａを含む蛍光体層１４を形成した。
【００２９】
次に、図５（ｂ）に示すように、搭載基板１１上の第１及び第２の電極パッド１２Ａ及び１２Ｂ上の領域にレーザ光ＬＢを照射した。これによって電極パッド上の蛍光体層１４を部分的に除去した。さらにレーザ照射を継続し、図５（ｃ）に示すように、ベース構造体１３Ｐを先鋭化させて突起１３を形成した。続いて、搭載基板１１を実装基板１５上に固定し、各電極パッド１２Ａ及び１２Ｂと各給電パッド１６Ａ及び１６ＢとをボンディングワイヤＢＷによって接続した。上記の工程を経て、図５（ｄ）に示すように半導体発光装置１０を作製した。
【００３０】
図６（ａ）〜（ｄ）は、それぞれ図５（ａ）〜（ｄ）の破線で囲んだ部分を拡大して示す部分拡大断面図である。以下においては、第２の電極パッド１２Ｂを単に電極パッド１２Ｂと称する。まず、図６（ａ）に示すように、レーザ照射前の電極パッド１２Ｂ上には、ベース構造体１３Ｐが形成されている。ベース構造体１３Ｐは、錐台形状の突起が複数個配列された凹凸構造を有している。レーザ光ＬＢの照射から、図６（ｂ）に示すように、電極パッド１２Ｂ上の蛍光体層１４が除去され始める。この電極パッド１２Ｂ上の蛍光体層１４の領域の除去に伴って、蛍光体１４Ａが除去される。
【００３１】
電極パッド１２Ｂ上の蛍光体層１４が除去されることによって、ベース構造体１３Ｐの一部が露出し始める。これによってレーザ光ＬＢがベース構造体１３Ｐに照射される。ベース構造体１３Ｐの材料であるＡｕは、レーザ光ＬＢの熱によって凝集し、変形する。具体的には、ベース構造体１３Ｐは、その幅が小さくなるとともに、高さが大きくなり、先鋭化される。従って、図６（ｃ）に示すような錐形状又は錐形状に近い錐台形状の先が尖った突起１３が形成される。なお、電極パッド１２Ｂ上の突起１３間の領域には依然として蛍光体層１４の残渣１４Ｒが残っている場合がある。すなわち、半導体発光装置１０は、電極パッド１２Ｂ上の突起１３間の領域に蛍光体層１４の残渣１４Ｒを有している。しかし、突起１３は残渣１４Ｒに覆われず、その上部が完全に露出している。
【００３２】
図６（ｄ）に示すように、この突起１３の上にワイヤボンディングを行うと、ボールＢＬが突起１３を押し潰すように形成され、突起１３を介してボールＢＬ及びボンディングワイヤＢＷが十分に電極パッド１２Ｂに接触する。このようにして、仮に電極パッド１２Ｂ上に蛍光体層１４のバインダが残渣として残っていた場合であっても、電極パッド１２ＢとボンディングワイヤＢＷとの良好な電気的接続を得ることができる。また、機械的な接続強度も大きいものとなる。なお、突起１３及びボンディングワイヤＢＷは、第１の電極パッド１２Ａについても同様に形成される。
【００３３】
なお、本実施例においては、突起はレーザ光の照射によって形成する場合について説明したが、他の方法によっても形成することが可能である。例えば、電極パッド上に金属層を形成する際のスパッタリングの条件を制御して直接形成することもできる。
【００３４】
また、第１及び第２の半導体層がそれぞれｐ型半導体層及びｎ型半導体層である場合について説明したが、第１及び第２の半導体層の導電型は反対であってもよい。また、光取出し面である半導体構造層の表面が複数の突起からなる凹凸構造面である場合について説明したが、半導体構造層の表面は平坦であってもよい。また、半導体発光装置における並置された複数の発光素子が直列に接続された場合について説明したが、複数の発光素子は、並列に接続されていてもよく、また、互いに電気的に分離されていてもよい。また、搭載基板上に複数の半導体発光素子が並置されている場合について説明したが、搭載基板上には少なくとも１つの半導体発光素子が配置され、当該半導体発光素子に隣接して電極パッドが設けられていればよい。
【００３５】
上記した実施例においては、電極パッド上に尖端形状の突起が形成されている。従って、電極パッド上に蛍光体層の一部が残っていた場合であっても確実に電極パッド上に金属接点を形成することができる。従って、電極パッドと実装基板上の給電パッドへの接続用のボンディングワイヤとの電気的接点を確保することができる。また、電極パッドは空気又は封止ガス雰囲気中に露出しているため、蛍光体層を介して電極パッド上の領域に素子からの光が漏れることが抑制される。従って、素子領域外への光のクロストークが抑制され、配光形状の制御が容易な高性能の半導体発光装置を提供することができる。
【符号の説明】
【００３６】
１０  半導体発光装置
１１  搭載基板
２０、３０  半導体発光素子
１２Ａ、１２Ｂ  （第１及び第２の）電極パッド
１３  突起
１４  蛍光体層
１５  実装基板
１６Ａ、１６Ｂ  （第１及び第２の）給電パッド
ＢＷ  ボンディングワイヤ
【図１】
2015103599.tif 000003
【図２】
2015103599.tif 000004
【図３】
2015103599.tif 000005
【図４】
2015103599.tif 000006
【図５】
2015103599.tif 000007
【図６】
2015103599.tif 000008