(57)【要約】【課題】封止部材の接着層と補助配線とが重なっても、封止部材の封止能力が低下しないようにする。【解決手段】第１電極１２０は基板１１０上に形成されている。第２電極１４０は、基板１１０上に形成されており、第１電極１２０と重なっている。有機層１３０は第１電極１２０と第２電極１４０の間に位置している。封止部材１８０は有機層１３０を封止している。第１補助配線１５４は、第１電極１２０または第２電極１４０に接触しており、発光領域１０４の外側に位置しており、かつ、発光領域１０４の縁の一部に沿って配置されている。封止部材１８０は、基板１１０または基板１１０に形成された構造物（例えば第１電極１２０）に接着している接着領域を有している。そして第１補助配線１５４は、この接着領域と重なっており、かつ、接着領域の外周側の縁と重なっていない。【選択図】図１
2015225694.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と、
前記基板に形成された第１電極と、
前記基板に形成され、前記第１電極と重なっている第２電極と、
前記基板に形成され、前記第１電極と前記第２電極の間に位置する有機層と、
前記有機層を封止する封止部材と、
前記第１電極又は前記第２電極に接触しており、かつ発光領域の外側に配置されている第１補助配線と、
を備え、
前記封止部材は、前記基板または前記基板に形成された構造物に接着している接着領域を有しており、
前記第１補助配線は、前記接着領域と重なっており、かつ、前記接着領域の外周側の縁と重なっていない発光装置。
【請求項２】
請求項１に記載の発光装置において、
前記第１補助配線は、複数の導電層を積層した積層構造を有し、かつ最上層の前記導電層の幅は、その一つ下の導電層の幅よりも狭い発光装置。
【請求項３】
請求項１に記載の発光装置において、
前記第１補助配線は、前記発光領域の幅よりも長い発光装置。
【請求項４】
請求項３に記載の発光装置において、
前記第１補助配線に接続しており、前記第１補助配線から前記発光領域まで延在している第２補助配線を備える発光装置。
【請求項５】
請求項４に記載の発光装置において、
前記第２補助配線は、複数の導電層を積層した積層構造を有し、かつ最上層の前記導電層の幅は、その一つ下の導電層の幅よりも狭い発光装置。
【請求項６】
請求項２または５に記載の発光装置において、
前記最上層の導電層はＭｏを有しており、かつ前記一つ下の導電層はＡｌを含む発光装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、発光装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年は、発光装置の光源に有機ＥＬ素子が用いられるようになっている。有機ＥＬ素子は、有機層を２つの電極で挟んだ構成を有している。そして、これら２つの電極は、端子に接続している。２つの電極のうち少なくとも一方の電極は、透光性の導電材料で形成されるため、金属の電極と比較して高い抵抗を有している。そこで、透光性の電極の上に、金属からなる補助配線を形成する場合が多い。
【０００３】
また、有機ＥＬ素子の有機層は酸素や水に弱いため、発光装置の発光領域は封止部材で封止される。例えば特許文献１には、有機ＥＬ素子を用いた表示装置において、封止部材のシーリング材は、表示領域を取り囲むように配置されている。そしてシーリング材と重なる領域には、電源供給ラインが配置されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００５−４９８０８号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
上記したように、有機ＥＬ素子の有機層は酸素や水に弱いため、発光装置の発光領域は封止部材で封止される。ここで、封止部材を基板に接着する接着層と、基板との間に隙間が生じた場合、封止部材の封止能力が低下する。一方、透光性の電極とこの接着層とが重なる場合、この重なった領域に補助配線が存在すると、この補助配線の存在に起因して、透光性の電極または補助配線と接着層の間に隙間が生じる可能性が出てくる。この場合、補助配線の膜厚が厚いこと、端部形状が垂直に近いこと、更に補助配線が積層構造の場合、端部形状が複雑になってしまことが要因としてあげられる。したがって、封止部材の封止能力が低下する可能性が出てくる。
【０００６】
本発明が解決しようとする課題としては、封止部材の接着層と補助配線とが重なっても、封止部材の封止能力が低下しないようにすることが一例として挙げられる。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
請求項１に記載の発明は、基板と、
前記基板に形成された第１電極と、
前記基板に形成され、前記第１電極と重なっている第２電極と、
前記基板に形成され、前記第１電極と前記第２電極の間に位置する有機層と、
前記有機層を封止する封止部材と、
前記第１電極又は前記第２電極に接触しており、かつ発光領域の外側に配置されている第１補助配線と、
を備え、
前記封止部材は、前記基板または前記基板に形成された構造物に接着している接着領域を有しており、
前記第１補助配線は、前記接着領域と重なっており、かつ、前記接着領域の外周側の縁と重なっていない発光装置である。
【図面の簡単な説明】
【０００８】
【図１】発光装置の平面図である。
【図２】発光装置の平面図である。
【図３】発光装置の平面図である。
【図４】図１のＡ−Ａ断面図である。
【図５】図１のＢ−Ｂ断面図である。
【図６】第１補助配線の厚さ方向の構造を説明するための断面図である。
【図７】実施例１に係る発光装置の構成を示す平面図である。
【図８】図７の変形例に係る発光装置の構成を示す平面図である。
【図９】実施例３に係る発光装置の構成を示す平面図である。
【発明を実施するための形態】
【０００９】
以下、本発明の実施の形態について、図面を用いて説明する。尚、すべての図面において、同様な構成要素には同様の符号を付し、適宜説明を省略する。
【００１０】
（実施形態）
図１、図２、及び図３は、発光装置１００の平面図である。図２は、図３から封止部材１８０を取り除いた図であり、図１は、図２から第２電極１４０を取り除いた図である。本図に示す発光装置１００は、照明装置として使用される。
【００１１】
本実施形態に係る発光装置１００は、基板１１０、第１電極１２０、第２電極１４０、有機層１３０、封止部材１８０、及び第１補助配線１５４を備えている。第１電極１２０は基板１１０上に形成されている。第２電極１４０は、基板１１０上に形成されており、第１電極１２０と重なっている。有機層１３０は第１電極１２０と第２電極１４０の間に位置している。封止部材１８０は有機層１３０を封止している。第１補助配線１５４は、第１電極１２０または第２電極１４０に接触しており、発光領域１０４の外側に位置しており、かつ発光領域１０４の縁の一部に沿って配置されている。封止部材１８０は、基板１１０または基板１１０に形成された構造物（例えば第１電極１２０）に接着している接着領域を有している。そして第１補助配線１５４は、この接着領域と重なっており、かつ、接着領域の外周側の縁と重なっていない。以下、第１補助配線１５４が第１電極１２０に接している場合を例に挙げて、詳細に説明する。
【００１２】
発光装置１００は、例えば矩形などの多角形であり、有機ＥＬ素子１０２（図１に図示）、第１端子１５０、及び第２端子１６０を有している。そして、有機ＥＬ素子１０２によって発光装置１００の発光領域１０４が形成されている。発光領域１０４は、発光装置１００のうち光を外部に放射する領域であり、例えば矩形である。また、以下に示す発光装置１００の各構成のレイアウトは、あくまで一例である。
【００１３】
第１端子１５０及び第２端子１６０は、有機ＥＬ素子１０２に電力を供給するために設けられている。このため、第１端子１５０及び第２端子１６０には、発光装置１００に電力を供給するための接続部材（例えば金属配線）が接続される。第１端子１５０は、第１の方向（図中左右方向）に延在しており、第２端子１６０は第１の方向に交わる第２の方向（例えば図中上下方向）に延在している。
【００１４】
有機ＥＬ素子１０２は、基板１１０に、第１電極１２０、有機層１３０、及び第２電極１４０を積層した構成を有している。本図に示す例では、基板１１０の上に、第１電極１２０、有機層１３０、及び第２電極１４０がこの順に積層されている。
【００１５】
基板１１０は、例えばガラス基板や樹脂基板などの透明基板である。基板１１０は、可撓性を有していてもよい。この場合、基板１１０の厚さは、例えば１０μｍ以上１０００μｍ以下である。この場合においても、基板１１０は無機材料及び有機材料のいずれで形成されていてもよい。基板１１０は、例えば矩形などの多角形である。基板１１０が正方形である場合、基板１１０の一辺は、例えば５０ｍｍ以上１２０ｍｍ以下である。
【００１６】
第１電極１２０は有機ＥＬ素子１０２の陽極として機能する。第１電極１２０は、光透過性を有する透明電極である。有機ＥＬ素子１０２が発光した光は、第１電極１２０を介して外部に出射する。透明電極の材料は、例えば、ＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ  Ｔｉｎ  Ｏｘｉｄｅ）やＩＺＯ（Ｉｎｄｉｕｍ  Ｚｉｎｃ  Ｏｘｉｄｅ）等の無機材料、またはポリチオフェン誘導体などの導電性高分子を含んでいる。
【００１７】
また、第１電極１２０は、図１に示すように、第１端子１５０に接続している。そして第１電極１２０は、基板１１０のうち、発光部となる領域から第１端子１５０まで連続して形成されている。本図に示す例では、基板１１０は矩形であり、第１端子１５０は基板１１０のうち互いに対向する２辺に沿って設けられている。第１電極１２０は、この２辺の間に形成されている。
【００１８】
第１電極１２０の上には、絶縁層１７０が形成されている。絶縁層１７０は、例えばポリイミドなどの感光性の樹脂によって形成されている。絶縁層１７０は、第１電極１２０のうち有機層１３０が形成される領域を囲んでいる。また、絶縁層１７０の一部は、第１電極１２０の縁のうち第２端子１６０と対向する領域の上に位置している。ただし、図５を用いて後述する、第１電極１２０と第２電極１４０の短絡が発生しないのであれば、絶縁層１７０は形成されなくてもよい。
【００１９】
有機層１３０は、発光層を有している。有機層１３０は、例えば、正孔注入層、発光層、及び電子注入層をこの順に積層させた構成を有している。正孔注入層と発光層との間には正孔輸送層が形成されていてもよい。また、発光層と電子注入層との間には電子輸送層が形成されていてもよい。有機層１３０の少なくとも一つの層は、塗布法によって形成されている。なお、有機層１３０の残りの層は、蒸着法によって形成されている。なお、有機層１３０は塗布材料を用いて、インクジェット法、印刷法、スプレー法で形成しても構わない。有機層１３０は、第１電極１２０の一部の上に形成されている。そして、例えば第１電極１２０のうち有機層１３０が形成されている領域が発光領域１０４となる。
【００２０】
第２電極１４０は有機ＥＬ素子１０２の陰極として機能する。第２電極１４０は、Ａｌ、Ａｕ、Ａｇ、Ｐｔ、Ｓｎ、Ｚｎ、及びＩｎからなる第１群の中から選択される金属、又はこの第１群から選択される金属の合金からなる金属層を含んでいる。第２電極１４０は、有機層１３０の上に形成されており、また、第２端子１６０に接続している。本図に示す例では、第２端子１６０は、基板１１０のうち互いに対向する２辺に沿って形成されている。そして第２電極１４０は、これら２つの第２端子１６０の間の領域を覆うように形成されている。
【００２１】
第１端子１５０及び第２端子１６０は発光領域１０４の外側に配置されている。詳細には、２つの第１端子１５０が第２の方向に互いに離れて配置されており、かつ、２つの第２端子１６０が第１の方向に互いに離れて配置されている。
【００２２】
より具体的には、上記したように、発光装置１００は矩形である。そして、発光装置１００の互いに対向する２辺のそれぞれに沿って第１端子１５０が形成されており、発光装置１００の残りの２辺のそれぞれに沿って第２端子１６０が形成されている。そして、複数の有機ＥＬ素子１０２は、第１端子１５０が延在している方向（第１の方向）に並んでいる。本図に示す例において、有機ＥＬ素子１０２は長方形であり、短辺が第１端子１５０と平行な方向を向いている。第１端子１５０の長さは、有機ＥＬ素子１０２の短辺よりも大きくなっている。第１端子１５０及び第２端子１６０には、導電部材、例えばリード端子またはボンディングワイヤが接続する。
【００２３】
第１端子１５０は、第１電極１２０と同一の層により形成されており、かつ第１電極１２０と一体になっている。このため、第１端子１５０と第１電極１２０の間の距離を短くして、これらの間の抵抗値を小さくすることができる。また、発光装置１００の縁に存在する非発光領域を狭くすることができる。
【００２４】
そして、第１電極１２０のうち第１端子１５０と発光領域１０４の間に位置する部分の上には、第１補助配線１５４が形成されている。第１補助配線１５４は第１電極１２０を形成する透明導電材料よりも抵抗が低い材料（例えば金属材料）によって形成されている。第１補助配線１５４は単層であってもよいし、複数の層を積層した構造であってもよい。第１補助配線１５４が形成されることにより、第１電極１２０のうち発光領域１０４の外部に位置する部分の抵抗は低くなる。
【００２５】
また、第２端子１６０は、第１層１６２を有している。第１層１６２は第１電極１２０と同様の材料により形成されている。ただし、第１層１６２は第１電極１２０から分離している。第１層１６２のうち第２電極１４０の近くに位置する領域の上には、第１補助配線１６４が形成されている。第１補助配線１６４は、第１補助配線１５４と同様の構成を有しており、第１補助配線１５４と同一工程で形成される。第１補助配線１６４を設けることにより、第２端子１６０の抵抗値を小さくすることができる。
【００２６】
なお、図１〜図３に示す例において、第１補助配線１６４は、発光領域１０４の幅よりも長くなっている。これにより、第２端子１６０を発光領域１０４の幅よりも長くすることができる。
【００２７】
また、図３に示すように、複数の有機ＥＬ素子１０２は封止部材１８０によって封止されている。封止部材１８０は、基板１１０と同様の多角形の金属箔又は金属板（例えばＡｌ箔又はＡｌ板）の縁部１８２の全周を押し下げた形状を有している。そして縁部１８２は接着層１８４で基板１１０に固定されている。言い換えると、縁部１８２は、封止部材１８０が基板１１０または基板１１０に形成された構造物（例えば第１電極１２０）に接着している領域（接着領域）になっている。縁部１８２は、発光領域１０４を囲んでいる。そして、第１補助配線１５４、１６４は、接着層１８４と重なっており、かつ、接着層１８４の外周側の縁、すなわち基板１１０の縁に対向する縁と重なっていない。言い換えると、第１補助配線１５４，１６４は、封止部材１８０で封止された領域の外部には位置していない。第１補助配線１５４，１６４を接着層１８４と重ねることにより、第１補助配線１５４，１６４を接着層１８４と重ねない場合と比較して、基板１１０の縁と発光領域１０４の間の領域を狭くすることができる。
【００２８】
ただし、封止部材１８０はラミネート構造を有していてもよい。この場合、封止部材１８０の全面が接着層１８４を介して基板１１０（又は基板１１０上の構造物）に接着される。
【００２９】
図４は、図１のＡ−Ａ断面図である。上記したように、第１電極１２０のうち有機層１３０と接触している領域と第１端子１５０の間に位置する領域の上には、第１補助配線１５４が形成されている。第１補助配線１５４は、接着層１８４の外周側の縁から食み出していない。ただし、第１端子１５０は封止部材１８０及び接着層１８４の外側に位置している。
【００３０】
図５は、図１のＢ−Ｂ断面図である。上記したように、第２端子１６０は、第１層１６２の上に第１補助配線１６４を積層した構成を有している。封止部材１８０の縁部１８２は、絶縁性の接着層１８４を介して、第２端子１６０の一部に固定されている。第１補助配線１６４は接着層１８４の内側に位置している。そして、第１層１６２のうち縁部１８２から露出している部分には、上記した導電部材が接続される。なお、絶縁層１７０の一部は、第１電極１２０の縁のうち第２端子１６０と対向する領域の上に位置している。これにより、第１電極１２０と第２電極１４０が短絡することが防止される。
【００３１】
図６は、第１補助配線１５４の厚さ方向の構造を説明するための断面図である。なお、第１補助配線１６４も第１補助配線１５４と同様の構造を有している。
【００３２】
第１補助配線１５４は、複数の導電層を積層した積層構造を有している。そして最上層の第３導電層２３０の幅は、その一つ下の層である第２導電層２２０の幅よりも狭い。第３導電層２３０はＭｏを含んでおり、第２導電層２２０はＡｌを含んでいる。
【００３３】
詳細には、第１補助配線１５４は、第１導電層２１０、第２導電層２２０、及び第３導電層２３０をこの順に積層した多層構造になっている。第２導電層２２０は、例えばＡｌ又はＡｌ合金で形成されており、第３導電層２３０及び第１導電層２１０は、Ｍｏ又はＭｏ合金で形成されている。第２導電層２２０がＡｌＮｄ合金で形成されている場合、第３導電層２３０及び第１導電層２１０は、ＭｏＮｂ合金で形成されている。第３導電層２３０の幅は第２導電層２２０の幅よりも狭い。このため、第２導電層２２０の縁は第３導電層２３０で覆われていない。
【００３４】
また、第３導電層２３０は第１導電層２１０よりも薄い。第１導電層２１０の厚さは、例えば４０ｎｍ以上６０ｎｍ以下であり、第３導電層２３０の厚さは、例えば５ｎｍ以上２０ｎｍ以下である。そして、第２導電層２２０の側面は、上に行くにつれて第２導電層２２０の幅が細くなる方向に傾斜している。第２導電層２２０の厚さは、例えば１００ｎｍ以上１０００ｎｍ以下である。
【００３５】
ここで、有機ＥＬ素子１０２の第１電極１２０は、ＩＴＯを利用する場合が多い。この場合、第１補助配線１５４，１６４は、ＭｏＮｂ／ＡｌＮｄ／ＭｏＮｂの積層構造を採用している場合が多い。この理由は、以下の通りである。
【００３６】
まず、アルミニウムとＩＴＯとを直接接触させた場合、電気化学的効果により、ＩＴＯの化学的耐性が弱まる。また、アルミニウムとＩＴＯとの電気的な接触は粗悪であり、これらの間の接触抵抗は経時劣化してしまう。これらの問題を避けるため、アルミニウムとＩＴＯとの間にモリブデン（Ｍｏ）、クロム（Ｃｒ）など異種金属を介在させ、直接の接触を絶つことが好ましい。特に、Ｍｏは、アルミニウムとＩＴＯとの反応を遮断し、両者との接触抵抗も低い。
【００３７】
更に、アルミニウムやアルミニウムにネオジウム（Ｎｄ）を含有したＡｌＮｄ合金には酸化しやすいものが多い。第２層２２０を形成する材料が酸化された場合、その酸化物中の酸素がアルミニウムやＡｌＮｄ合金に拡散するおそれが生じる。この現象を抑制するために、特定の数量のニオブ（Ｎｂ）を含有したＭｏＮｂ合金層（第３導電層２３０）を第２導電層２２０の表面に保護膜として形成する。この保護層（ＭｏＮｂ）およびＡｌＮｄ合金の第２導電層２２０は燐酸、酢酸、及び硝酸の混合水溶液よりなるエッチング液で一括エッチングすることも可能である。
【００３８】
次に、発光装置１００の製造方法について説明する。まず、基板１１０の上に第１電極１２０となる材料を、例えばスパッタリング法または蒸着法を用いて形成する。次いで、この導電層をエッチング（例えばドライエッチング又はウェットエッチング）などを利用し、選択的に除去する。これにより、基板１１０上には、第１電極１２０、第１層１５２，１６２が形成される。
【００３９】
次いで、第１電極１２０上に、第１導電層２１０となる導電層、第２導電層２２０となる導電層、及び第３導電層２３０となる導電層をこの順に形成する。これらの各層は、例えばスパッタリング法や蒸着法を用いて形成される。次いで、これらの導電層の上にレジストパターンを形成し、このレジストパターンをマスクとしてエッチング（例えばウェットエッチング）を行う。これにより、第１補助配線１５４，１６４が形成される。
【００４０】
ここで、第２導電層２２０は第３導電層２３０よりもエッチングされやすい。このため、第３導電層２３０を厚く形成した場合、第３導電層２３０のうちレジストパターンで覆われていない領域が除去される前に、第２導電層２２０が側面からエッチングされていく。このため、第２導電層２２０の側面は第３導電層２３０の側面よりも第１補助配線１５４，１６４の内側に位置してしまう。これに対して本実施形態では、第３導電層２３０の厚さは２０ｎｍ以下である。このため、第２導電層２２０の側面が第３導電層２３０の側面よりも第１補助配線１５４，１６４の内側に位置することを抑制できる。さらに、第２導電層２２０の側面は、上に行くにつれて第２導電層２２０の幅が狭くなる方向に傾斜する。
【００４１】
次いで、基板１１０上及び第１電極１２０上に絶縁層を形成し、この絶縁層を、薬液（例えば現像液）を利用して選択的に除去する。これにより、絶縁層１７０が形成される。絶縁層１７０が感光性の絶縁層で形成されている場合、絶縁層１７０は、露光処理及び現像処理によって形成される。絶縁層１７０がポリイミドで形成されている場合、絶縁層１７０には、さらに加熱処理が行われる。これにより、絶縁層１７０のイミド化が進む。
【００４２】
次いで、第１電極１２０のうち絶縁層１７０で囲まれている領域の上に、有機層１３０を形成する。有機層１３０を構成する少なくとも一つの層（例えば正孔輸送層）は、例えばスプレー塗布、ディスペンサー塗布、インクジェット、又は印刷などの塗布法を用いて形成されてもよい。なお、有機層１３０の残りの層は、例えば蒸着法を用いて形成されるが、これらの層も塗布法を用いて形成されてもよい。
【００４３】
次いで、有機層１３０上に第２電極１４０を、例えば蒸着法やスパッタリング法を用いて形成する。次いで、接着層１８４を用いて封止部材１８０を基板１１０に固定する。このとき、第１補助配線１５４，１６４は接着層１８４で覆われる。
【００４４】
以上、本実施形態によれば、第１電極１２０のうち第１端子１５０と発光領域１０４の間に位置する部分の上には、第１補助配線１５４が形成されている。これにより、第１電極１２０のうち発光領域１０４の外部に位置する部分の抵抗は低くなる。また、第１補助配線１５４は接着層１８４と重なっているため、基板１１０の縁と発光領域１０４の間の領域を狭くすることができる。さらに、第１補助配線１５４は、接着層１８４の外周側の縁と重なっていない。従って、基板１１０または基板１１０上の構造物のうち、接着層１８４の外周側の縁と重なる部分に凹凸は形成されにくくなる。従って、接着層１８４の外周側の縁と、基板１１０または基板１１０上の構造物との間に隙間が生じることを抑制できる。このため、封止部材１８０の封止能力が低下することを抑制できる。
【実施例】
【００４５】
（実施例１）
図７は、実施例１に係る発光装置１００の構成を示す平面図であり、実施形態における図１から有機層１３０及び絶縁層１７０を取り除いた図に対応している。本実施例に係る発光装置１００は、複数の第２補助配線１２４を備えている点を除いて、実施形態に係る発光装置１００と同様の構成である。
【００４６】
第２補助配線１２４は、第１電極１２０の上に位置しており、第１補助配線１５４と同一工程で形成されている。第２補助配線１２４の間隔は、例えば０．５ｍｍ以上２ｍｍ以下、好ましくは０．７５ｍｍ以上１．２５ｍｍ以下である。第２補助配線１２４が形成されることにより、第１電極１２０の面内で電圧降下が生じることを抑制できる。これにより、発光装置１００の輝度に分布が生じることを抑制できる。また、第２補助配線１２４は絶縁層１７０に覆われている。これにより、第２補助配線１２４を介して第１電極１２０と第２電極１４０とが短絡することを防止できる。
【００４７】
なお、本図に示す例において、第２補助配線１２４は２つの第１端子１５０の間を延在しているが、２つの第１補助配線１５４のいずれにも直接接続していない。ただし、図８に示すように、第２補助配線１２４は、第１補助配線１５４に直接接続していてもよい。この場合、第２補助配線１２４は第１補助配線１５４と一体になっている。そして図８に示す例では、第２補助配線１２４は、接着層１８４のうち封止部材１８０の内側の縁と重なっている。この場合、接着層１８４と第２補助配線１２４の間に隙間が生じる可能性があるが、この隙間は封止部材１８０の外側の領域にはつながっていないため、封止部材１８０の封止能力は低下しない。
【００４８】
本実施例によっても、封止部材１８０の封止能力が低下することを抑制できる。また、第２補助配線１２４を設けることにより、発光装置１００の輝度に分布が生じることを抑制できる。
【００４９】
（実施例２）
図９は、実施例２に係る発光装置１００の構成を示す平面図であり、実施形態における図１に対応している。本実施例に係る発光装置１００は、第３補助配線１５５，１６５を有している点を除いて、実施形態に係る発光装置１００と同様の構成である。
【００５０】
第３補助配線１５５は第１端子１５０の上に形成されており、第３補助配線１６５は第２端子１６０のうち接着層１８４よりも外側に位置する領域に形成されている。第３補助配線１５５，１６５は、第１補助配線１５４，１６４と同一工程で形成されている。ただし、第３補助配線１５５，１６５は、第１補助配線１５４，１６４から分離している。そしてこれらの間に、接着層１８４の外周側の縁が位置している。
【００５１】
本実施例によっても、封止部材１８０の封止能力が低下することを抑制できる。また、第３補助配線１５５，１６５を設けることにより、第１端子１５０及び第２端子１６０とリード端子やボンディングワイヤなどの導電部材の間の接続抵抗を低くすることができる。
【００５２】
なお、実施例１及びその変形例に係る発光装置１００に第３の補助配線１５５，１６５を設けてもよい。
【００５３】
以上、図面を参照して実施形態及び実施例について述べたが、これらは本発明の例示であり、上記以外の様々な構成を採用することもできる。
【符号の説明】
【００５４】
１００ 発光装置
１０４ 発光領域
１１０ 基板
１２０ 第１電極
１２４ 第２補助配線
１３０ 有機層
１４０ 第２電極
１５４ 第１補助配線
１８０ 封止部材
１８４ 接着層（接着領域）
２１０ 第１導電層
２２０ 第２導電層
２３０ 第３導電層
【図１】
2015225694.tif 000003
【図２】
2015225694.tif 000004
【図３】
2015225694.tif 000005
【図４】
2015225694.tif 000006
【図５】
2015225694.tif 000007
【図６】
2015225694.tif 000008
【図７】
2015225694.tif 000009
【図８】
2015225694.tif 000010
【図９】
2015225694.tif 000011