(57)【要約】【課題】ダイボンド剤の選択可能範囲を増やすことができる電子部品及び電子部品が設けられた電子装置を提供すること。【解決手段】センサチップ１０は、回路チップ２０にダイボンド剤３０を介して実装されており、回路チップ２０とボンディングワイヤ４０を介して電気的に接続されている。センサチップ１０は、ダイボンド剤３０が形成される部位であり回路チップ２０に対する実装面１１ａが設けられたセンサ基材１１と、センサ基材１１に設けられた誘導加熱によって発熱可能なパッド１２と、パッド１２から発せられた熱がダイボンド剤３０へ伝達することを抑制する熱抑制部１３と、を備えている。【選択図】図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
実装対象である被実装基板にダイボンド剤（３０）を介して実装されており、前記被実装基板とボンディングワイヤ（４０）を介して電気的に接続された電子部品であって、
前記ダイボンド剤が形成される部位であり前記被実装基板に対する実装面（１１ａ）が設けられた基材（１１）と、
前記基材に設けられた前記ボンディングワイヤが接続される部位であり、誘導加熱によって発熱可能なパッド（１２）と、
前記基材における前記パッドと前記実装面との間に設けられており、前記パッドから発せられた熱が前記ダイボンド剤へ伝達することを抑制する熱抑制部（１３，１３ａ，１３ｂ）と、を備えていることを特徴とする電子部品。
【請求項２】
前記パッドは、前記実装面に対向して設けられており、
前記熱抑制部は、前記パッドと前記実装面との対向領域に設けられていることを特徴とする請求項１に記載の電子部品。
【請求項３】
前記熱抑制部（１３）は、前記基材の構成材料よりも熱伝導率の値が小さい材料によって構成されていることを特徴とする請求項１又は２に記載の電子部品。
【請求項４】
前記熱抑制部（１３ａ）は、前記基材に設けられた空間であることを特徴とする請求項１又は２に記載の電子部品。
【請求項５】
前記熱抑制部（１３ｂ）は、金属からなり、前記基材の内部に設けられた埋設部（１３ｂ１）と、前記埋設部と繋がっており前記基材の外部空間に露出して設けられた露出部（１３ｂ２）と、を備えていることを特徴とする請求項１又は２に記載の電子部品。
【請求項６】
前記熱抑制部は、前記パッドと前記実装面との対向領域の周辺の一部において、前記基材の厚み方向に沿って設けられていることを特徴とする請求項１乃至５のいずれか一項に記載の電子部品。
【請求項７】
前記基材は、物理量を検出する検出部（１４）が形成されていることを特徴とする請求項１乃至６のいずれか一項に記載の電子部品。
【請求項８】
請求項１乃至７のいずれか一項に記載の前記電子部品と、
前記電子部品が実装された前記被実装基板と、
前記電子部品と前記被実装基板とを機械的に接続している前記ダイボンド剤と、
前記電子部品と前記被実装基板とを電気的に接続している前記ボンディングワイヤと、を備えた電子装置であって、
前記被実装基板は、
前記ダイボンド剤が形成される部位であり前記電子部品に対する基板側実装面（２１ａ）が設けられた基板側基材（２１）と、
前記基板側基材に設けられた前記ボンディングワイヤが接続される部位であり、誘導加熱によって発熱可能な基板側パッド（２２）と、
前記基板側基材における前記基板側パッドと前記ダイボンド剤との間に設けられており、前記基板側パッドから発せられた熱が前記ダイボンド剤へ伝達することを抑制する基板側熱抑制部（２３，２３ａ，２３ｂ）と、を備えていることを特徴とする電子装置。
【請求項９】
前記基板側パッドは、前記基板側実装面に設けられており、
前記基板側熱抑制部（２３ａ，２３ｂ）は、前記基板側基材の厚み方向に沿って設けられていることを特徴とする請求項８に記載の電子装置。
【請求項１０】
前記基板側熱抑制部（２３ａ）は、前記基材に設けられた空間であることを特徴とする請求項９に記載の電子装置。
【請求項１１】
前記基板側熱抑制部（２３ｂ）は、金属からなり、前記基材の内部に設けられた基板側埋設部（２３ｂ１）と、前記基板側埋設部と繋がっており前記基材の外部空間に露出して設けられた基板側露出部（２３ｂ２）と、を備えていることを特徴とする請求項８又は９に記載の電子装置。
【請求項１２】
前記基板側パッドは、前記基板側実装面に設けられており、
前記基板側熱抑制部（２３）は、前記基材の構成材料よりも熱伝導率の値が小さい材料によって構成されており、前記基板側パッドと前記基板側実装面とに挟まれて設けられていることを特徴とする請求項８に記載の電子装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、実装対象である被実装基板とボンディングワイヤを介して電気的に接続された電子部品及び電子部品が設けられた電子装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、実装対象である被実装基板とボンディングワイヤを介して電気的に接続された電子部品の一例として、特許文献１に開示された部品がある。この部品は、回路基板に搭載されており、回路基板表面に設けられた導体回路パターンと、ボンディングワイヤによって接合された電極を有している。
【０００３】
また、特許文献１には、絶縁基材内部に電磁誘導によって加熱される発熱体層を設けて成る回路基板が開示されている。これによって、特許文献１では、はんだをリフローさせて、部品を回路基板の導体回路パターンに接合する際に、発熱体層を発熱させて内部からこの回路基板を加熱することができる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開平１１−１３５８９５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
ところで、電子部品は、ダイボンド剤を介して被実装基板に実装されることも考えられる。この場合、発熱体層から発せられた熱は、ダイボンド剤にまで伝達されることになる。よって、ダイボンド剤は、温度上昇によって分解などの性質変動してしまう物質を採用することができない。
【０００６】
本発明は、上記問題点に鑑みなされたものであり、ダイボンド剤の選択可能範囲を増やすことができる電子部品及び電子部品が設けられた電子装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上記目的を達成するために本発明は、
実装対象である被実装基板にダイボンド剤（３０）を介して実装されており、被実装基板とボンディングワイヤ（４０）を介して電気的に接続された電子部品であって、
ダイボンド剤が形成される部位であり被実装基板に対する実装面（１１ａ）が設けられた基材（１１）と、
基材に設けられたボンディングワイヤが接続される部位であり、誘導加熱によって発熱可能なパッド（１２）と、
基材におけるパッドと実装面との間に設けられており、パッドから発せられた熱がダイボンド剤へ伝達することを抑制する熱抑制部（１３，１３ａ，１３ｂ）と、を備えていることを特徴とする。
【０００８】
このように、電子部品は、基材の実装面に形成されたダイボンド剤を介して被実装基板に実装されており、ボンディングワイヤを介して被実装基板と電気的に接続されている。また、電子部品は、ボンディングワイヤが接続される部位であり誘導加熱によって発熱可能なパッドが設けられている。よって、電子部品は、誘導加熱によってパッドを発熱させることで、パッドとボンディングワイヤとを電気的に接続することができる。
【０００９】
更に、電子部品は、基材におけるパッドと実装面との間に設けられており、パッドから発せられた熱がダイボンド剤へ伝達することを抑制する熱抑制部が設けられている。このため、電子部品は、パッドとボンディングワイヤとを電気的に接続するために、パッドを誘導加熱した場合であっても、パッドから発せられた熱がダイボンド剤へ伝達することを抑制できる。従って、電子部品は、温度上昇によって分解などの性質変動してしまうダイボンド剤でも採用できるため、ダイボンド剤の選択可能範囲を増やすことができる。
【００１０】
また、本発明のさらなる特徴は、
上記電子部品と、
電子部品が実装された被実装基板と、
電子部品と被実装基板とを機械的に接続しているダイボンド剤と、
電子部品と被実装基板とを電気的に接続しているボンディングワイヤと、を備えた電子装置であって、
被実装基板は、
ダイボンド剤が形成される部位であり電子部品に対する基板側実装面（２１ａ）が設けられた基板側基材（２１）と、
基板側基材に設けられたボンディングワイヤが接続される部位であり、誘導加熱によって発熱可能な基板側パッド（２２）と、
基板側基材における基板側パッドとダイボンド剤との間に設けられており、基板側パッドから発せられた熱がダイボンド剤へ伝達することを抑制する基板側熱抑制部（２３，２３ａ，２３ｂ）と、を備えていることである。
【００１１】
このように、被実装基板は、基板側基材における基板側パッドとダイボンド剤との間に設けられており、基板側パッドから発せられた熱がダイボンド剤へ伝達することを抑制する基板側熱抑制部が設けられている。このため、被実装基板は、基板側パッドとボンディングワイヤとを電気的に接続するために、基板側パッドを誘導加熱した場合であっても、基板側パッドから発せられた熱がダイボンド剤へ伝達することを抑制できる。従って、被実装基板は、温度上昇によって分解などの性質変動してしまうダイボンド剤でも採用できるため、ダイボンド剤の選択可能範囲を増やすことができる。つまり、電子装置は、温度上昇によって分解などの性質変動してしまうダイボンド剤でも採用できるため、ダイボンド剤の選択可能範囲を増やすことができる。
【００１２】
なお、特許請求の範囲、及びこの項に記載した括弧内の符号は、ひとつの態様として後述する実施形態に記載の具体的手段との対応関係を示すものであって、発明の技術的範囲を限定するものではない。
【図面の簡単な説明】
【００１３】
【図１】実施形態における電子装置の概略構成を示す平面図である。
【図２】図１のII−II線断面図である。
【図３】電子装置の製造方法を示す断面図である。
【図４】変形例１における電子装置の概略構成を示す平面図である。
【図５】図４のV−V線断面図である。
【図６】変形例２における電子装置の概略構成を示す平面図である。
【図７】図６のVII−VII線断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１４】
以下において、図面を参照しながら、発明を実施するための複数の形態を説明する。各形態において、先行する形態で説明した事項に対応する部分には同一の参照符号を付して重複する説明を省略する場合がある。各形態において、構成の一部のみを説明している場合は、構成の他の部分については先行して説明した他の形態を参照し適用することができる。
【００１５】
電子装置は、図１，図２に示すように、センサチップ１０と、センサチップ１０の実装対象である回路チップ２０と、ダイボンド剤３０と、ボンディングワイヤ（以下、ワイヤ）４０などとを備えて構成されている。センサチップ１０と回路チップ２０とは、ダイボンド剤３０を介して機械的に接続されている。つまり、センサチップ１０は、ダイボンド剤３０を介して回路チップ２０にダイボンディングされている、と言い換えることができる。このように、電子装置は、センサチップ１０と回路チップ２０とが積層されたスタック構造をなしている。
【００１６】
更に、センサチップ１０と回路チップ２０とは、ワイヤ４０を介して電気的に接続、すなわちワイヤボンディングされている。ワイヤ４０は、一方の端部が後程説明するセンサチップ１０のパッド１２と電気的及び機械的に接続されており、他方の端部が後程説明する回路チップ２０のパッド２２と電気的及び機械的に接続されている。よって、ワイヤ４０は、センサチップ１０のパッド１２から回路チップ２０のパッド２２に亘って設けられている。なお、ワイヤ４０は、例えば金などによって構成されている。このように、電子装置は、ダイボンド剤３０を介して回路チップ２０にセンサチップ１０が実装されて、且つ、回路チップ２０とセンサチップ１０とがワイヤ４０を介して電気的に接続されている。
【００１７】
ここで、ワイヤ４０と各パッド１２，２２との接続方法に関して説明する。ワイヤ４０と各パッド１２，２２とは、ワイヤ４０の材質と、各パッド１２，２２の材質の相互拡散によって接続している。詳述すると、ワイヤ４０と各パッド１２，２２とは、各パッド１２，２２の温度を上昇させて、ワイヤ４０の金属と各パッド１２，２２の金属との間で相互拡散させて接続している。そこで、本実施形態では、ワイヤ４０と各パッド１２，２２とを接続する際に、各パッド１２，２２を誘導加熱する方法を採用している。
【００１８】
まず、図３に示すように、センサチップ１０と回路チップ２０とがダイボンド剤３０を介して接続された構造体を第１コイル１１０と第２コイル１２０で挟み込む。つまり、第１コイル１１０と第２コイル１２０を各パッド１２，２２の周辺に配置する。この第１コイル１１０と第２コイル１２０とは、交流電源１００が接続されており、交流電源１００によって交流電流が流れるように構成されている。
【００１９】
その後、交流電源１００により第１コイル１１０と第２コイル１２０とに交流電流を流すことで、外部磁界を発生させる。各パッド１２，２２は、この外部磁界を打ち消す方向へ磁界が生じて電流が流れる。これによって、各パッド１２，２２は、電気抵抗でジュール熱が発生する。つまり、この方法によると、各パッド１２，２２をピンポイントで加熱できる。そして、このように発熱した状態の各パッド１２，２２にワイヤ４０を押し当てることで、ワイヤ４０の金属と各パッド１２，２２の金属との間で相互拡散させて接続する。なお、この磁界によって流れる電流は、詳述すると、うず電流である。
【００２０】
ここで、図１，２を用いて、センサチップ１０に関して説明する。センサチップ１０は、特許請求の範囲における電子部品に相当する。センサチップ１０は、例えば圧力や加速度などの物理量を検出するセンサを採用できる。
【００２１】
センサチップ１０は、図２に示すように、センサ基材１１、パッド１２、熱抑制部１３、検出部１４、配線１５などを備えて構成されている。センサ基材１１は、特許請求の範囲における基材に相当する。センサ基材１１は、例えばシリコンなどによって構成されている。センサ基材１１は、ダイボンド剤３０が形成される部位であり回路チップ２０に対する実装面１１ａが設けられている。言い換えると、センサ基材１１は、回路チップ２０との対向面にダイボンド剤３０が形成される。また、センサ基材１１は、物理量を検出する検出部１４が形成されている。なお、検出部１４に関しては、周知技術であるため詳しい説明は省略する。
【００２２】
パッド１２は、センサ基材１１に設けられたワイヤ４０が接続される部位である。パッド１２は、上記のように誘導加熱によってワイヤ４０と接続される。よって、パッド１２は、誘導加熱によって発熱可能な金属によって構成されている。例えば、パッド１２は、センサ基材１１における実装面１１ａの反対面に形成されている。つまり、パッド１２は、実装面１１ａに対向して設けられている、と言い換えることもできる。詳述すると、パッド１２は、後程説明する熱抑制部１３を介して実装面１１ａに設けられている。
【００２３】
このパッド１２は、図１に示すように、センサ基材１１に設けられた配線１５を介して、検出部１４と電気的に接続されている。なお、パッド１２の平面形状は、図１に図示されたものに限定されない。パッド１２の平面形状は、例えば円形状であってもよい。また、配線１５の平面形状、すなわちパターンは、図１に図示されたものに限定されない。
【００２４】
熱抑制部１３は、図２に示すように、センサ基材１１におけるパッド１２と実装面１１ａとの間に設けられている。つまり、熱抑制部１３は、センサチップ１０が回路チップ２０にダイボンディングされた状態において、パッド１２とダイボンド剤３０との間に設けられている。熱抑制部１３は、パッド１２から発せられた熱がダイボンド剤３０へ伝達することを抑制するための部材である。詳述すると、熱抑制部１３は、パッド１２にワイヤ４０を接続する際に、誘導加熱によってパッド１２が発熱し、その熱がダイボンド剤３０へ伝達することを抑制するための部材である。この熱抑制部１３は、センサ基材１１の構成材料よりも熱伝導率の値が小さい材料によって構成されており、例えばチタン、マンガン、スズなどを採用できる。
【００２５】
また、本実施形態では、一例として、パッド１２と実装面１１ａとの対向領域に設けられている熱抑制部１３を採用している。更に、熱抑制部１３は、一例として、センサ基材１１における実装面１１ａの反対面に設けられている。そして、熱抑制部１３は、パッド１２におけるセンサ基材１１との対向面と同等の広さ及び平面形状を有している。つまり、熱抑制部１３は、センサ基材１１の厚み方向に直交する仮想平面において、少なくともパッド１２と実装面１１ａとの対向領域の全域に設けられている。よって、熱抑制部１３は、上記仮想平面において、パッド１２と実装面１１ａとの対向領域の全域を含み、且つ、その全域よりも広い範囲に設けられていてもよい。更に、熱抑制部１３は、上記仮想平面において、パッド１２と実装面１１ａとの対向領域の一部に設けられていてもよい。なお、センサ基材１１の厚み方向とは、センサチップ１０と回路チップ２０との積層方向、と言い換えることもできる。しかしながら、本発明の熱抑制部１３はこれに限定されない。熱抑制部１３は、パッド１２から発せられた熱がダイボンド剤３０へ伝達することを抑制すべく、センサ基材１１におけるパッド１２と実装面１１ａとの間に設けられていればよい。
【００２６】
次に、図１，２を用いて、回路チップ２０に関して説明する。回路チップ２０は、特許請求の範囲における被実装基板に相当する。回路チップ２０は、例えばセンサチップ１０からの信号を処理する回路などを採用できる。
【００２７】
回路チップ２０は、図１に示すように、回路基材２１、パッド２２、熱抑制部２３などを備えて構成されている。回路基材２１は、特許請求の範囲における基板側基材に相当し、例えばシリコンや樹脂などによって構成されている。回路基材２１は、ダイボンド剤３０が形成される部位でありセンサチップ１０に対する基板側実装面２１ａが設けられている。言い換えると、回路基材２１は、センサチップ１０との対向面にダイボンド剤３０が形成される。また、回路基材２１は、図示を省略する配線や回路素子などが形成されている。
【００２８】
パッド２２は、特許請求の範囲における基板側パッドに相当する。パッド２２は、回路基材２１に設けられたワイヤ４０が接続される部位である。パッド２２は、パッド１２と同様に、誘導加熱によってワイヤ４０と接続される。よって、パッド２２は、誘導加熱によって発熱可能な金属によって構成されている。例えば、パッド２２は、回路基材２１における基板側実装面２１ａに形成されている。つまり、パッド２２は、ダイボンド剤３０と同じ面に設けられている。詳述すると、パッド２２は、後程説明する熱抑制部２３を介して基板側実装面２１ａに設けられている。このパッド２２は、回路基材２１に設けられた配線を介して回路素子と電気的に接続されている。なお、パッド２２の平面形状は、図１に図示されたものに限定されない。パッド２２の平面形状は、例えば円形状であってもよい。
【００２９】
熱抑制部２３は、特許請求の範囲における基板側熱抑制部に相当する。熱抑制部２３は、図２に示すように、回路基材２１におけるパッド２２とダイボンド剤３０との間に設けられている。熱抑制部２３は、パッド２２から発せられた熱がダイボンド剤３０へ伝達することを抑制するための部材である。つまり、熱抑制部２３は、パッド２２にワイヤ４０を接続する際に、誘導加熱によってパッド２２が発熱し、その熱がダイボンド剤３０へ伝達することを抑制するための部材である。この熱抑制部２３は、回路基材２１の構成材料よりも熱伝導率の値が小さい材料によって構成されており、例えばチタン、マンガン、スズなどを採用できる。また、熱抑制部２３は、上記熱抑制部１３と同様の材料を採用することもできる。
【００３０】
また、本実施形態では、一例として、パッド２２と基板側実装面２１ａとの対向領域に設けられている熱抑制部２３を採用している。更に、熱抑制部２３は、一例として、回路基材２１における基板側実装面２１ａに設けられている。そして、熱抑制部２３は、パッド２２における回路基材２１との対向面と同等の広さ及び平面形状を有している。つまり、熱抑制部２３は、回路基材２１の厚み方向に直交する仮想平面において、少なくともパッド２２と基板側実装面２１ａとの対向領域の全域に設けられている。よって、熱抑制部２３は、上記仮想平面において、パッド２２と基板側実装面２１ａとの対向領域の全域を含み、且つ、その全域よりも広い範囲に設けられていてもよい。更に、熱抑制部２３は、上記仮想平面において、パッド２２と基板側実装面２１ａとの対向領域の一部に設けられていてもよい。なお、回路基材２１の厚み方向とは、センサチップ１０と回路チップ２０との積層方向、と言い換えることもできる。しかしながら、本発明はこれに限定されない。熱抑制部２３は、パッド２２から発せられた熱がダイボンド剤３０へ伝達することを抑制すべく、回路基材２１におけるパッド２２とダイボンド剤３０との間に設けられていればよい。
【００３１】
ここまでに説明したように、センサチップ１０は、センサ基材１１の実装面１１ａに形成されたダイボンド剤３０を介して回路チップ２０に実装されており、ワイヤ４０を介して回路チップ２０と電気的に接続されている。また、センサチップ１０は、ワイヤ４０が接続される部位であり誘導加熱によって発熱可能なパッド１２が設けられている。よって、センサチップ１０は、誘導加熱によってパッド１２を発熱させることで、パッド１２とワイヤ４０とを電気的に接続することができる。つまり、これによれば、センサチップ１０の全体を加熱することなく、パッド１２とワイヤ４０とを電気的に接続することができる。
【００３２】
更に、センサチップ１０は、センサ基材１１におけるパッド１２と実装面１１ａとの間に設けられており、パッド１２から発せられた熱がダイボンド剤３０へ伝達することを抑制する熱抑制部１３が設けられている。このため、センサチップ１０は、パッド１２とワイヤ４０とを電気的に接続するために、パッド１２を誘導加熱した場合であっても、パッド１２から発せられた熱がダイボンド剤３０へ伝達することを抑制できる。従って、センサチップ１０は、温度上昇によって分解などの性質変動してしまうダイボンド剤３０でも採用できるため、ダイボンド剤３０の選択可能範囲を増やすことができる。
【００３３】
また、回路チップ２０は、回路基材２１におけるパッド２２とダイボンド剤３０との間に設けられており、パッド２２から発せられた熱がダイボンド剤３０へ伝達することを抑制する熱抑制部２３が設けられている。このため、回路チップ２０は、パッド２２とワイヤ４０とを電気的に接続するために、パッド２２を誘導加熱した場合であっても、パッド２２から発せられた熱がダイボンド剤３０へ伝達することを抑制できる。従って、回路チップ２０は、温度上昇によって分解などの性質変動してしまうダイボンド剤３０でも採用できるため、ダイボンド剤３０の選択可能範囲を増やすことができる。つまり、電子装置は、温度上昇によって分解などの性質変動してしまうダイボンド剤３０でも採用できるため、ダイボンド剤３０の選択可能範囲を増やすことができる。
【００３４】
なお、本実施形態では、電子部品としてセンサチップ１０を採用した。しかしながら、本発明はこれに限定されない。本発明は、電子部品として回路チップ２０を採用できる。同様に、本実施形態では、被実装基板として回路チップ２０を採用した。しかしながら、本発明はこれに限定されない。本発明は、被実装基板としてセンサチップ１０を採用できる。また、被実装基板（ここでは回路チップ２０）は、熱抑制部２３が設けられていないものであっても採用できる。
【００３５】
また、本発明は、センサ基材１１に内蔵された熱抑制部１３であっても採用できる。同様に、本発明は、回路基材２１に内蔵された熱抑制部２３であっても採用できる。
【００３６】
以上、本発明の好ましい実施形態について説明した。しかしながら、本発明は、上述した実施形態に何ら制限されることはなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲において、種々の変形が可能である。以下に、本発明の変形例１，２に関して説明する。上述の実施形態及び変形例１，２は、夫々単独で実施することも可能であるが、適宜組み合わせて実施することも可能である。本発明は、実施形態において示された組み合わせに限定されることなく、種々の組み合わせによって実施可能である。
【００３７】
（変形例１）
図４，５を用いて、変形例１のセンサチップ１０ａ、及びこのセンサチップ１０ａを備えた電子装置に関して説明する。変形例１は、熱抑制部１３ａ，２３ａの構成が上記実施形態と異なる。変形例１は、熱抑制部１３ａ，２３ａ以外の構成要素は上記実施形態と同様である。よって、変形例１では、上記実施形態と同じ構成要素に同じ符号を付与して、説明を省略する。
【００３８】
本変形例の電子装置は、図４，図５に示すように、センサチップ１０ａ、回路チップ２０ａ、ダイボンド剤３０、ワイヤ４０などを備えて構成されている。センサチップ１０ａは、センサチップ１０と同様に、センサ基材１１、パッド１２、検出部１４、配線１５を備えて構成されている。更に、センサチップ１０ａは、センサ基材１１の内部に設けられた熱抑制部１３ａを備えて構成されている。この熱抑制部１３ａは、センサ基材１１に設けられた空間である。また、熱抑制部１３ａは、センサ基材１１に設けられた空気層、と言い換えることもできる。
【００３９】
また、本変形例では、一例として、パッド１２と実装面１１ａとの対向領域に設けられている熱抑制部１３ａを採用している。そして、熱抑制部１３ａは、図４に示すように、パッド１２におけるセンサ基材１１との対向面よりも広い範囲に設けられている。つまり、熱抑制部１３ａは、センサ基材１１の厚み方向に直交する仮想平面において、パッド１２と実装面１１ａとの対向領域の全域を含み、且つ、その全域よりも広い範囲に設けられている。なお、熱抑制部１３ａは、センサ基材１１の厚み方向に直交する仮想平面において、パッド１２と実装面１１ａとの対向領域の全域のみに設けられていてもよい。また、熱抑制部１３ａは、センサ基材１１の厚み方向に直交する仮想平面において、パッド１２と実装面１１ａとの対向領域の一部に設けられていてもよい。
【００４０】
更に、本変形例では、図５に示すように、パッド１２と実装面１１ａとの対向領域に設けられている熱抑制部１３ａに加えて、その対向領域の周辺の一部において、センサ基材１１の厚み方向に沿って設けられた熱抑制部１３ａを採用している。よって、熱抑制部１３ａは、パッド１２と実装面１１ａとの対向領域の全域を含み、且つ、その全域よりも広い範囲に設けられた部位と、その対向領域の周辺の一部において、センサ基材１１の厚み方向に沿って設けられた部位を含んでいる。このため、センサ基材１１は、図５に示すように、Ｌ字形状の穴である熱抑制部１３ａが設けられている、と言い換えることができる。
【００４１】
しかしながら、本発明はこれに限定されない。熱抑制部１３ａは、パッド１２から発せられた熱がダイボンド剤３０へ伝達することを抑制すべく、センサ基材１１におけるパッド１２とダイボンド剤３０との間に設けられていればよい。このセンサチップ１０ａは、熱抑制部１３ａによって、パッド１２から発せられた熱がダイボンド剤３０へ伝達することを抑制できるため、センサチップ１０と同様の効果を奏することができる。
【００４２】
回路チップ２０ａは、回路チップ２０と同様に、回路基材２１、パッド２２などを備えている。更に、回路チップ２０ａは、回路基材２１の内部に設けられた熱抑制部２３ａを備えて構成されている。熱抑制部２３ａは、回路基材２１におけるパッド２２とダイボンド剤３０との間に設けられている。本変形例では、一例として、パッド２２の対向領域に設けられている熱抑制部２３ａを採用している。この熱抑制部２３ａは、回路基材２１に設けられた空間である。また、熱抑制部２３ａは、回路基材２１に設けられた空気層、と言い換えることもできる。
【００４３】
そして、熱抑制部２３ａは、図４に示すように、パッド２２における回路基材２１との対向面よりも広い範囲に設けられている。つまり、熱抑制部２３ａは、回路基材２１の厚み方向に直交する仮想平面において、パッド２２と基板側実装面２１ａとの対向領域の全域を含み、且つ、その全域よりも広い範囲に設けられている。なお、熱抑制部２３ａは、上記仮想平面において、パッド２２と基板側実装面２１ａとの対向領域の全域のみに設けられていてもよい。また、熱抑制部２３ａは、上記仮想平面において、パッド２２と基板側実装面２１ａとの対向領域の一部に設けられていてもよい。
【００４４】
更に、本変形例では、図５に示すように、パッド２２と基板側実装面２１ａとの対向領域に設けられている熱抑制部２３ａに加えて、その対向領域の周辺の一部において、回路基材２１の厚み方向に沿って設けられた熱抑制部２３ａを採用している。よって、熱抑制部２３ａは、パッド２２と基板側実装面２１ａとの対向領域の全域を含み、且つ、その全域よりも広い範囲に設けられた部位と、その対向領域の周辺の一部において、回路基材２１の厚み方向に沿って設けられた部位を含んでいる。このため、回路基材２１は、図５に示すように、Ｌ字形状の穴である熱抑制部２３ａが設けられている、と言い換えることができる。
【００４５】
しかしながら、本発明はこれに限定されない。熱抑制部２３ａは、パッド２２から発せられた熱がダイボンド剤３０へ伝達することを抑制すべく、回路基材２１におけるパッド２２とダイボンド剤３０との間に設けられていればよい。この回路チップ２０ａは、熱抑制部２３ａによって、パッド２２から発せられた熱がダイボンド剤３０へ伝達することを抑制できるため、回路チップ２０と同様の効果を奏することができる。よって、本変形例の電子装置は、上記実施形態の電子装置と同様の効果を奏することができる。
【００４６】
（変形例２）
図６，７を用いて、変形例２のセンサチップ１０ｂ、及びこのセンサチップ１０ｂを備えた電子装置に関して説明する。変形例２は、熱抑制部１３ｂ，２３ｂの構成が上記実施形態と異なる。変形例２は、熱抑制部１３ｂ，２３ｂ以外の構成要素は上記実施形態と同様である。よって、変形例２では、上記実施形態と同じ構成要素に同じ符号を付与して、説明を省略する。
【００４７】
本変形例の電子装置は、図６，図７に示すように、センサチップ１０ｂ、回路チップ２０ｂ、ダイボンド剤３０、ワイヤ４０などを備えて構成されている。センサチップ１０ｂは、センサチップ１０と同様に、センサ基材１１、パッド１２、検出部１４、配線１５を備えて構成されている。更に、センサチップ１０ｂは、センサ基材１１の内部に設けられた熱抑制部１３ｂを備えて構成されている。
【００４８】
図７に示すように、熱抑制部１３ｂは、金属からなり、センサ基材１１の内部に設けられた埋設部１３ｂ１と、埋設部１３ｂ１と繋がっておりセンサ基材１１の外部空間に露出して設けられた露出部１３ｂ２と、を含むものである。本変形例では、一例として、パッド１２と実装面１１ａとの対向領域に設けられている埋設部１３ｂ１を採用している。そして、埋設部１３ｂ１は、図６に示すように、パッド１２におけるセンサ基材１１との対向面よりも広い範囲に設けられている。つまり、埋設部１３ｂ１は、センサ基材１１の厚み方向に直交する仮想平面において、パッド１２と実装面１１ａとの対向領域の全域を含み、且つ、その全域よりも広い範囲に設けられている。なお、埋設部１３ｂ１は、センサ基材１１の厚み方向に直交する仮想平面において、パッド１２と実装面１１ａとの対向領域の全域のみに設けられていてもよい。また、埋設部１３ｂ１は、センサ基材１１の厚み方向に直交する仮想平面において、パッド１２と実装面１１ａとの対向領域の一部に設けられていてもよい。
【００４９】
更に、埋設部１３ｂ１は、図７に示すように、パッド１２と実装面１１ａとの対向領域の周辺の一部において、センサ基材１１の厚み方向に沿って設けられた部位を含んでいる。よって、埋設部１３ｂ１は、パッド１２と実装面１１ａとの対向領域の全域を含み、且つ、その全域よりも広い範囲に設けられた部位と、その対向領域の周辺の一部において、センサ基材１１の厚み方向に沿って設けられた部位を含んでいる。よって、埋設部１３ｂ１は、図７に示すように、Ｌ字形状をなしている、と言い換えることができる。
【００５０】
また、露出部１３ｂ２は、一例として、センサ基材１１のパッド１２が取り付けられた面、すなわち、実装面１１ａの反対面において、センサ基材１１の外部空間に露出している。しかしながら、本発明はこれに限定されない。熱抑制部１３ｂは、パッド１２から発せられた熱がダイボンド剤３０へ伝達することを抑制すべく、センサ基材１１におけるパッド１２とダイボンド剤３０との間に設けられていればよい。
【００５１】
センサチップ１０ｂは、パッド１２から発せられた熱が埋設部１３ｂ１及び露出部１３ｂ２に伝達されて、露出部１３ｂ２から自身の外部に放熱される。つまり、センサチップ１０ｂは、パッド１２から発せられた熱がダイボンド剤３０に熱伝達されることを抑制すべく自身の外部に放熱する構造をなしている。よって、センサチップ１０ｂは、センサチップ１０と同様の効果を奏することができる。また、センサチップ１０ｂは、実装面１１ａの反対面に露出した露出部１３ｂ２が設けられているため、パッド１２から発せられた熱がダイボンド剤３０に伝達されることをより一層抑制できる。
【００５２】
回路チップ２０ｂは、回路基材２１、パッド２２などを備えて構成されている。更に、回路チップ２０ｂは、回路基材２１の内部に設けられた熱抑制部２３ｂを備えて構成されている。熱抑制部２３ｂは、回路基材２１におけるパッド２２とダイボンド剤３０との間に設けられている。本変形例では、一例として、パッド２２の対向領域に設けられている熱抑制部２３ｂを採用している。
【００５３】
熱抑制部２３ｂは、金属からなり、回路基材２１の内部に設けられた埋設部２３ｂ１と、埋設部２３ｂ１と繋がっており回路基材２１の外部空間に露出して設けられた露出部２３ｂ２と、を含むものである。埋設部２３ｂ１は、特許請求の範囲における基板側埋設部に相当する。一方、露出部２３ｂ２は、特許請求の範囲における基板側露出部に相当する。
【００５４】
埋設部２３ｂ１は、図７に示すように、回路基材２１におけるパッド２２の対向領域の周辺の一部において、回路基材２１の厚み方向に沿って設けられている。埋設部２３ｂ１は、後程説明する露出部２３ｂ２に対して垂直方向に設けられている。熱抑制部１３ｂは、図７に示すように、Ｔ字形状をなしている、と言い換えることができる。
【００５５】
露出部２３ｂ２は、図６に示すように、回路基材２１の厚み方向に直交する仮想平面において、パッド２２の対向領域の一部に設けられており、且つ、パッド２２の回路基材２１との対向面よりも広い範囲に設けられている。なお、露出部２３ｂ２は、回路基材２１の厚み方向に直交する仮想平面におけるパッド２２の対向領域の全域を含み、且つ、その全域よりも広い範囲に設けられていてもよい。また、露出部２３ｂ２は、その仮想平面において、パッド２２との対向領域の全域のみに設けられていてもよい。また、露出部２３ｂ２は、一例として、回路基材２１のパッド２２が取り付けられた面、すなわち、基板側実装面２１ａの反対面において、回路基材２１の外部空間に露出している。
【００５６】
しかしながら、本発明はこれに限定されない。熱抑制部１３ｂは、パッド１２から発せられた熱がダイボンド剤３０へ伝達することを抑制すべく、回路基材２１におけるパッド２２とダイボンド剤３０との間に設けられていればよい。
【００５７】
回路チップ２０ｂは、パッド２２から発せられた熱が埋設部２３ｂ１及び露出部２３ｂ２に伝達されて、露出部２３ｂ２から自身の外部に放熱される。つまり、回路チップ２０ｂは、パッド２２から発せられた熱がダイボンド剤３０に熱伝達されることを抑制すべく自身の外部に放熱する構造をなしている。よって、回路チップ２０ｂは、回路チップ２０と同様の効果を奏することができる。また、回路チップ２０ｂは、基板側実装面２１ａの反対面に露出した露出部２３ｂ２が設けられているため、パッド２２から発せられた熱がダイボンド剤３０に伝達されることをより一層抑制できる。
【符号の説明】
【００５８】
１０，１０ａ，１０ｂ  センサチップ、１１  センサ基材、１２  パッド、１３，１３ａ，１３ｂ，１３ｃ  熱抑制部、１４  検出部、１５  配線、２０，２０ａ，２０ｂ  回路チップ、２１  回路基材、２２  パッド、２３，２３ａ，２３ｂ，２３ｃ  熱抑制部、
３０  ダイボンド剤、４０  ボンディングワイヤ、１００  交流電源、１１０  第１コイル、１２０  第２コイル
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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