(57)【要約】【課題】光源である半導体レーザと該半導体レーザから出射された光信号が入射するレンズとの容易かつ高精度な調心を実現する。【解決手段】光通信モジュールは、波長の異なる光信号を出射する複数の半導体レーザ２０と、半導体レーザ２０が搭載された第１搭載面５０ａ及び第１搭載面５０ａと交差する第１側面５０ｂを備える複数の第１マウント５０と、複数の半導体レーザ２０から出射される光信号をコリメートするレンズアレイ３０及びレンズアレイ３０によってコリメートされた複数の光信号を合波させる合波光学系４０が搭載された第２搭載面６０ａと、第２搭載面６０ａと交差する第２側面６０ｂと、を備える第２マウント６０と、を有する。各第１マウント５０は、半導体レーザ２０がレンズアレイ３０と位置合わせされ、かつ、第１側面５０ｂが第２側面６０ｂに当接された状態で、第２マウント６０に固定されている。【選択図】図４
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
多重光信号を出力する光通信モジュールであって、
互いに波長の異なる光信号を出射する複数の半導体レーザと、
前記半導体レーザが搭載された第１搭載面と、該第１搭載面と交差する第１側面と、を備える複数の第１支持部材と、
前記複数の半導体レーザからそれぞれ出射される光信号をコリメートするレンズ部品及び該レンズ部品によってコリメートされた複数の光信号を合波させる合波光学系が搭載された第２搭載面と、該第２搭載面と交差する第２側面と、を備える第２支持部材と、
を有し、
それぞれの前記第１支持部材は、搭載されている前記半導体レーザが前記レンズ部品と位置合わせされ、かつ、前記第１側面が前記第２側面に当接された状態で、前記第２支持部材に固定されている、
光通信モジュール。
【請求項２】
請求項１に記載の光通信モジュールであって、
それぞれの前記第１支持部材は、レーザ溶接によって前記第２支持部材に固定されている、
光通信モジュール。
【請求項３】
請求項１又は２に記載の光通信モジュールであって、
前記レンズ部品は、前記複数の半導体レーザから出射された光信号をそれぞれコリメートする複数のレンズエレメントを備えるレンズアレイである、
光通信モジュール。
【請求項４】
多重光信号を出力する光通信モジュールの製造方法であって、
互いに波長の異なる光信号を出射する複数の半導体レーザを複数の第１支持部材の第１搭載面にそれぞれ搭載し、
前記複数の半導体レーザからそれぞれ出射される光信号をコリメートするレンズ部品及び該レンズ部品によってコリメートされた複数の光信号を合波させる合波光学系を第２支持部材の第２搭載面に搭載し、
それぞれの前記第１支持部材が備える第１側面を、前記第２支持部材が備える第２側面に当接させ、
それぞれの前記第１支持部材を前記第２側面上で移動させて、各第１支持部材に搭載されている前記半導体レーザと前記レンズ部品とを位置合わせし、
それぞれの前記第１支持部材を前記第２支持部材に固定する、
光通信モジュールの製造方法。
【請求項５】
請求項４に記載の光通信モジュールの製造方法であって、
それぞれの前記第１支持部材をレーザ溶接によって前記第２支持部材に固定する、
光通信モジュールの製造方法。
【請求項６】
請求項４又は５に記載の光通信モジュールの製造方法であって、
前記レンズ部品は、前記複数の半導体レーザから出射された光信号をそれぞれコリメートする複数のレンズエレメントを備えるレンズアレイであり、
それぞれの前記第１支持部材を前記第２側面上で移動させて、各第１支持部材に搭載されている前記半導体レーザと該半導体レーザに対応する前記レンズエレメントとを位置合わせする、
光通信モジュールの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、光通信モジュールに関し、特に、波長分割多重通信に用いられる光通信モジュールに関する。
【背景技術】
【０００２】
光通信の分野では、１本の光ファイバケーブル当たりの伝送容量の大容量化が進んでおり、かかる大容量化を実現する通信方法の１つとして波長分割多重通信（ＷＤＭ：Wavelength Division Multiplex）が知られている。波長分割多重通信では、互いに波長の異なる複数の光信号が１本の光ファイバケーブルを用いて同時に伝送される。
【０００３】
波長分割多重通信に用いられる光通信モジュールの１つとして光トランシーバがある。波長分割多重通信に用いられる光トランシーバは、互いに波長の異なる光（光信号）を出射する複数の光源と、それぞれの光源から出射された光信号を集光させたり、コリメートしたりするレンズと、レンズによって集光され或いはコリメートされた光信号を合波する合波光学系と、を少なくとも有し、光源には半導体レーザが用いられることが多い。
【０００４】
従来の光トランシーバにおいては、光源である半導体レーザ及び集光レンズやコリメートレンズ（以下“レンズ”と総称する。）は、共通の支持部材に搭載されている。
【０００５】
ここで、半導体レーザ及びレンズが支持部材に搭載される際には、両者の位置合わせが行われる。具体的には、半導体レーザから出射される光信号の光軸とレンズの光軸とが一致するように、両者の相対的位置が微調整される。従来、上記のような調心作業は、半導体レーザを支持部材の搭載面に搭載した後に、レンズを２軸方向又は３軸方向に移動させて行われるのが一般的であった（特許文献１）。以下の説明では、支持部材の搭載面と平行であって、レンズ光軸と直交する方向を“Ｘ軸方向”と定義する。また、支持部材の搭載面と平行であって、レンズ光軸とも平行な方向を“Ｚ軸方向”と定義する。さらに、支持部材の搭載面に対して垂直であって、レンズ光軸と直交する方向を“Ｙ軸方向”と定義する。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開２０１３−８０９００号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
半導体レーザ及びレンズが共通の支持部材の搭載面上に搭載されている場合、Ｘ軸方向又はＺ軸方向における半導体レーザとレンズとの調心は、搭載面を基準面として行うことができる。すなわち、レンズを搭載面上でＸ軸方向又はＺ軸方向に移動させることによって、これらの方向における調心を行うことができる。一方、Ｙ軸方向における半導体レーザとレンズとの調心については基準面が存在しない。
【０００８】
この点、特許文献１には、レンズ（特許文献１では“レンズ部品１６”）をコレットなどの把持手段によって把持し、レンズを最適位置に保持して固定する調心方法が記載されている。すなわち、特許文献１に記載されている調心方法では、Ｙ軸方向に関して半導体レーザとレンズとを調心する際、レンズは搭載面から浮いた状態で保持される。
【０００９】
ここで、レンズ光軸と直交する２軸方向すなわちＸ軸方向及びＹ軸方向における調心は、レンズ光軸と平行な方向すなわちＺ軸方向における調心に比べて高い精度が要求される。しかし、特許文献１に記載されている調心方法では、Ｚ軸方向に比べて高い精度が要求されるＹ軸方向の調心を基準面なしで行わなければならず、高精度の調心を実現することは必ずしも容易ではない。
【００１０】
本発明の目的は、光通信モジュールの光源である半導体レーザと該半導体レーザから出射された光信号が入射するレンズとの容易かつ高精度な調心を実現することである。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
本発明の光通信モジュールは、多重光信号を出力する光通信モジュールである。本発明の光通信モジュールは、互いに波長の異なる光信号を出射する複数の半導体レーザと、前記半導体レーザが搭載された第１搭載面と、該第１搭載面と交差する第１側面と、を備える複数の第１支持部材と、前記複数の半導体レーザからそれぞれ出射される光信号をコリメートするレンズ部品及び該レンズ部品によってコリメートされた複数の光信号を合波させる合波光学系が搭載された第２搭載面と、該第２搭載面と交差する第２側面と、を備える第２支持部材と、を有する。それぞれの前記第１支持部材は、搭載されている前記半導体レーザが前記レンズ部品と位置合わせされ、かつ、前記第１側面が前記第２側面に当接された状態で、前記第２支持部材に固定されている。
【００１２】
本発明の一態様では、それぞれの前記第１支持部材は、レーザ溶接によって前記第２支持部材に固定される。
【００１３】
本発明の他の態様では、前記レンズ部品は、前記複数の半導体レーザから出射された光信号をそれぞれコリメートする複数のレンズエレメントを備えるレンズアレイである。
【００１４】
本発明の製造方法は、多重光信号を出力する光通信モジュールの製造方法である。本発明の製造方法では、互いに波長の異なる光信号を出射する複数の半導体レーザを複数の第１支持部材の第１搭載面にそれぞれ搭載する。前記複数の半導体レーザからそれぞれ出射される光信号をコリメートするレンズ部品及び該レンズ部品によってコリメートされた複数の光信号を合波させる合波光学系を第２支持部材の第２搭載面に搭載する。それぞれの前記第１支持部材が備える第１側面を前記第２支持部材が備える第２側面に当接させる。それぞれの前記第１支持部材を前記第２側面上で移動させて、各第１支持部材に搭載されている前記半導体レーザと前記レンズ部品とを位置合わせする。それぞれの前記第１支持部材を前記第２支持部材に固定する。
【００１５】
本発明の一態様では、それぞれの前記第１支持部材をレーザ溶接によって前記第２支持部材に固定する。
【００１６】
本発明の他の態様では、前記レンズ部品は、前記複数の半導体レーザから出射された光信号をそれぞれコリメートする複数のレンズエレメントを備えるレンズアレイである。この態様では、それぞれの前記第１支持部材を前記第２側面上で移動させて、各第１支持部材に搭載されている前記半導体レーザと該半導体レーザに対応する前記レンズエレメントとを位置合わせする。
【発明の効果】
【００１７】
本発明によれば、光通信モジュールの光源である半導体レーザと該半導体レーザから出射された光信号が入射するレンズとを容易かつ高精度に調心させることができる。
【図面の簡単な説明】
【００１８】
【図１】光トランシーバの外観斜視図である。
【図２】光トランシーバの内部構造を示す断面図である。
【図３】光送信サブアセンブリの内部構造を示す斜視図である。
【図４】第１支持部材に搭載された半導体レーザ並びに第２支持部材に搭載されたレンズアレイ及び合波光学系の拡大斜視図である。
【図５】第１支持部材の第１側面及び第２支持部材の第２側面を示す拡大斜視図である。
【図６】半導体レーザを第１支持部材に搭載する工程を示す説明図である。
【図７】レンズアレイ及び合波光学系を第２支持部材に搭載する工程を示す説明図である。
【図８】半導体レーザとレンズアレイとを調心させる工程を示す説明図である。
【発明を実施するための形態】
【００１９】
以下、本発明が適用された光通信モジュールの一例について図面を参照しながら詳細に説明する。以下に説明する光通信モジュールは、ＱＳＦＰ＋（Quad Small Form-factor Pluggable Plus）規格に準拠したＷＤＭ用光トランシーバであって、互いに波長の異なる複数の光信号が合波された多重光信号を出力する。
【００２０】
図１に示されるように、本実施形態に係る光トランシーバ１は、上ケース２と下ケース３とから構成されるモジュール筐体４を有する。モジュール筐体４は、全体として略直方体の外観を呈し、ＱＳＦＰ＋規格に準拠した寸法を有する。モジュール筐体４の長手方向一端には光アダプタ５が設けられ、モジュール筐体４の長手方向他端にはカードエッジ６が設けられている。尚、カードエッジは“エッジコネクタ”と呼ばれることもある。以下の説明では、モジュール筐体４の長手方向両端部のうち、光アダプタ５が設けられている一端部を“フロント側”、カードエッジ６が設けられている他端部を“リア側”と呼ぶ場合がある。すなわち、光アダプタ５は、モジュール筐体４のフロント側に設けられており、カードエッジ６はモジュール筐体４のリア側に設けられている。
【００２１】
光アダプタ５には、不図示の光ファイバケーブルの一端に装着されている光コネクタが差し込まれる２つの差込口５ａ，５ｂが設けられている。一方の差込口５ａは送信用（ＴＸ）であり、他方の差込口５ｂは受信用（ＲＸ）である。また、カードエッジ６が不図示のネットワーク機器（ルータやサーバ等）が備えるスロットに挿入されると、光トランシーバ１とネットワーク機器とが接続される。光トランシーバ１は、接続されたネットワーク機器から入力された電気信号を光信号に変換し、送信用の差込口５ａに接続されている光ファイバケーブルへ出力する一方、受信用の差込口５ｂに接続されている光ファイバケーブルから入力された光信号を電気信号に変換してネットワーク機器へ出力する。
【００２２】
図２に示されるように、モジュール筐体４の内部には、上記のような光電変換を実現するための光送信サブアセンブリ（TOSA：Transmitter Optical Sub-Assembly）１１及び光受信サブアセンブリ（ROSA：Receiver Optical Sub-Assembly）１２が収容されている。
【００２３】
図３に示されるように、光送信サブアセンブリ１１は、パッケージ１１ａと、パッケージ１１ａに収容された複数の半導体レーザ２０と、を備えている。具体的には、光送信サブアセンブリ１１は、第１半導体レーザ２１，第２半導体レーザ２２，第３半導体レーザ２３及び第４半導体レーザ２４を備えている。第１半導体レーザ２１，第２半導体レーザ２２，第３半導体レーザ２３及び第４半導体レーザ２４は、不図示のボンディングワイヤを介して駆動ドライバ２５と接続されている。
【００２４】
さらに、光送信サブアセンブリ１１は、第１半導体レーザ２１，第２半導体レーザ２２，第３半導体レーザ２３及び第４半導体レーザ２４から出射された光信号をコリメートするレンズ部品３０と、レンズ部品３０によってコリメートされた複数の光信号を合波する合波光学系４０と、を備えている。以下の説明では、第１半導体レーザ２１，第２半導体レーザ２２，第３半導体レーザ２３及び第４半導体レーザ２４を“半導体レーザ２０”と総称する場合がある。
【００２５】
第１半導体レーザ２１〜第４半導体レーザ２４は、端面発光レーザ（ＥＥＬ：Edge Emitting Laser）であり、パッケージされていないベアチップの形態で実装されている。半導体レーザ２０をベアチップの形態で実装しているのは、半導体レーザ２０の配列ピッチを狭くして光送信サブアセンブリ１１の小型化を実現し、ひいては光トランシーバ１の小型化を実現するためである。以下の説明では、第１半導体レーザ２１から出射される光信号を“第１の光信号”と呼び、第２半導体レーザ２２から出射される光信号を“第２の光信号”と呼び、第３半導体レーザ２３から出射される光信号を“第３の光信号”と呼び、第４半導体レーザ２４から出射される光信号を“第４の光信号”と呼ぶ場合がある。一方、第１〜第４の光信号を“光信号”と総称する場合もある。
【００２６】
図４に示されるように、それぞれの半導体レーザ２０は、第１支持部材としての第１マウント５０に、サブマウント５１を介して搭載されている。それぞれの第１マウント５０は、四角柱状の金属ブロックである。半導体レーザ２０は、第１マウント５０の長手方向一方の端面（上端面５０ａ）にサブマウント５１を介して搭載されている。すなわち、第１マウント５０の上端面５０ａは、半導体レーザ２０が搭載される第１搭載面である。本実施形態におけるサブマウント５１はセラミックス製である。
【００２７】
図４に示されるように、第１半導体レーザ２１，第２半導体レーザ２２，第３半導体レーザ２３及び第４半導体レーザ２４は、この順で一列に並んでいる。第１半導体レーザ２１の発振波長（中心波長）はλ１[ｎｍ]、第２半導体レーザ２２の発振波長（中心波長）はλ２[ｎｍ]、第３半導体レーザ２３の発振波長（中心波長）はλ３[ｎｍ]、第４半導体レーザ２４の発振波長（中心波長）はλ４[ｎｍ]である。換言すれば、第１の光信号の波長はλ１[ｎｍ]、第２の光信号の波長はλ２[ｎｍ]、第３の光信号の波長はλ３[ｎｍ]、第４の光信号の波長はλ４[ｎｍ]である。これらの波長の大小関係は、λ１＜λ２＜λ３＜λ４である。また、各光信号の波長間隔は２０ｎｍである。
【００２８】
図４に示されるように、レンズ部品３０及び合波光学系４０は、第２支持部材としての第２マウント６０に搭載されている。第２マウント６０は、第１マウント５０とは別体の金属ブロックであり、第１マウント５０に比べて扁平な形状を有する。
【００２９】
レンズ部品３０及び合波光学系４０は、第１搭載面５０ａと平行な第２マウント６０の一面（上面６０ａ）に搭載されている。すなわち、第２マウント６０の上面６０ａは、レンズ部品３０及び合波光学系４０が搭載される第２搭載面である。
【００３０】
レンズ部品３０は、各半導体レーザ２０から出射された光信号が入射する光入射面３０ａと、光入射面３０ａと対向し、コリメートされた光信号が出射される光出射面３０ｂと、を備えるレンズアレイである。レンズアレイ３０の光入射面３０ａには、それぞれの半導体レーザ２０に対応する複数のレンズエレメントが形成されている。具体的には、レンズアレイ３０には、第１半導体レーザ２１に対応する第１レンズエレメント３１と、第２半導体レーザ２２に対応する第２レンズエレメント３２と、第３半導体レーザ２３に対応する第３レンズエレメント３３と、第４半導体レーザ２４に対応する第４レンズエレメント３４と、が形成されている。
【００３１】
各半導体レーザ２０とレンズアレイ３０とは位置合わせされている。具体的には、対応する半導体レーザ２０とレンズエレメントとが位置合わせされている。より具体的には、第１半導体レーザ２１から出射される第１の光信号の光軸と第１レンズエレメント３１の光軸とが一致するように、第１半導体レーザ２１と第１レンズエレメント３１とが調心されている。また、第２半導体レーザ２２から出射される第２の光信号の光軸と第２レンズエレメント３２の光軸とが一致するように、第２半導体レーザ２２と第２レンズエレメント３２とが調心されている。また、第３半導体レーザ２３から出射される第３の光信号の光軸と第３レンズエレメント３３の光軸とが一致するように、第３半導体レーザ２３と第３レンズエレメント３３とが調心されている。また、第４半導体レーザ２４から出射される第４の光信号の光軸と第４レンズエレメント３４の光軸とが一致するように、第４半導体レーザ２４と第４レンズエレメント３４とが調心されている。尚、半導体レーザ２０とレンズアレイ３０（レンズエレメント）との調心方法については後述する。
【００３２】
合波光学系４０は、ＡＲ（Antireflective）フィルタ４１、バンドパスフィルタ４２，４３，４４、直方体形状のガラス基材４５、反射ミラー４６及びＡＲ（Antireflective）フィルタ４７を備えている。ＡＲフィルタ４１及びバンドパスフィルタ４２，４３，４４は、レンズアレイ３０の光出射面３０ｂと対向するガラス基材４５の一面に設けられている。反射ミラー４６及びＡＲフィルタ４７は、ＡＲフィルタ４１及びバンドパスフィルタ４２，４３，４４が設けられている一面と反対側のガラス基材４５の他の一面に設けられている。
【００３３】
図５に示されるように、それぞれの第１マウント５０は、半導体レーザ２０が搭載される第１搭載面５０ａと交差する第１側面５０ｂを備えている。一方、第２マウント６０は、レンズアレイ３０及び合波光学系４０が搭載される第２搭載面６０ａと交差する第２側面６０ｂを備えている。本実施形態では、第１マウント５０の第１側面５０ｂは、第１搭載面５０ａに搭載されている半導体レーザ２０の出射端面２０ａと平行であり、かつ、第１搭載面５０ａと直交している。また、第２マウント６０の第２側面６０ｂは、第２搭載面６０ａに搭載されているレンズアレイ３０の光入射面３０ａと平行であり、かつ、第２搭載面６０ａと直交している。
【００３４】
第１マウント５０は、第１側面５０ｂが第２側面６０ｂに当接された状態で第２マウント６０に固定されている。具体的には、第１マウント５０の第１側面５０ｂが第２マウント６０の第２側面６０ｂにレーザ溶接（本実施形態ではＹＡＧレーザ溶接）されている。すなわち、半導体レーザ２０とレンズアレイ３０は、互いに異なる支持部材に搭載されている。
【００３５】
再び図４を参照する。ＡＲフィルタ４１及び３つのバンドパスフィルタ４２，４３，４４は、半導体レーザ２０の配列方向に沿って一列に配置されている。ＡＲフィルタ４１は、第１半導体レーザ２１に対応しており、このＡＲフィルタ４１には、第１半導体レーザ２１から出射され、第１レンズエレメント３１によってコリメートされた第１の光信号が入射する。バンドパスフィルタ４２は、第２半導体レーザ２２に対応しており、このバンドパスフィルタ４２には、第２半導体レーザ２２から出射され、第２レンズエレメント３２によってコリメートされた第２の光信号が入射する。バンドパスフィルタ４３は、第３半導体レーザ２３に対応しており、このバンドパスフィルタ４３には、第３半導体レーザ２３から出射され、第３レンズエレメント３３によってコリメートされた第３の光信号が入射する。バンドパスフィルタ４４は、第４半導体レーザ２４に対応しており、このバンドパスフィルタ４４には、第４半導体レーザ２４から出射され、第４レンズエレメント３４によってコリメートされた第４の光信号が入射する。
【００３６】
ＡＲフィルタ４１は、いわゆる無反射コートであり、第１の光信号を低損失で通過させる。また、それぞれのバンドパスフィルタは互いに異なる通過帯域を有する。具体的には、バンドパスフィルタ４２は、少なくとも第１の光信号は反射し、第２の光信号は通過させる。バンドパスフィルタ４３は、少なくとも第１の光信号及び第２の光信号は反射し、第３の光信号は通過させる。バンドパスフィルタ４４は、少なくとも第１の光信号，第２の光信号及び第３の光信号は反射し、第４の光信号は通過させる。一方、反射ミラー４６は、いわゆる全反射ミラーであり、少なくとも第１の光信号，第２の光信号，第３の光信号及び第４の光信号を反射する。
【００３７】
ＡＲフィルタ４７は、いわゆる無反射コートであり、第１の光信号，第２の光信号，第３の光信号及び第４の光信号を低損失で通過させる。すなわち、第１の光信号，第２の光信号，第３の光信号及び第４の光信号が波長分割多重された多重光信号がＡＲフィルタ４７を通して出射される。ＡＲフィルタ４７を通して出射される多重光信号は、図２，図３に示されるパッケージ１１ａとレセプタクル１１ｂとの間に介在する不図示の集光レンズに入射し、該集光レンズによってレセプタクル１１ｂ内の不図示のフェルールに集光される。尚、図３に示されるＡＲフィルタ４７（合波光学系４０）と上記集光レンズとの間に、合波光学系４０から出射される多重光信号の光路を変換して上記集光レンズに入射させるプリズム等が配置される場合もある。また、ＡＲフィルタ４７（合波光学系４０）と上記集光レンズとの間にアイソレータが配置される場合もある。
【００３８】
次に、本実施形態に係る光トランシーバ１の製造方法の一例について説明する。もっとも、本明細書では、図４に示される半導体レーザ２０及びレンズアレイ３０を実装する工程について主に説明し、その他の工程についての説明は省略する。
【００３９】
まず、必要な部材を用意する。具体的には、図４に示される第１半導体レーザ２１，第２半導体レーザ２２，第３半導体レーザ２３及び第４半導体レーザ２４を用意する（半導体レーザ準備工程）。また、４つの第１マウント５０を用意する（第１マウント準備工程）。さらに、レンズアレイ３０及び合波光学系４０を用意する（光学系準備工程）。加えて、第２マウント６０を用意する（第２マウント準備工程）。
【００４０】
次に、各半導体レーザ２０を第１マウント５０に搭載する（半導体レーザ搭載工程）。具体的には、図６に示されるように、第１マウント５０の第１搭載面５０ａ上の所定位置にサブマウント５１を搭載し、サブマウント５１上の所定位置に半導体レーザ２０を搭載する。或いは、予め半導体レーザ２０が搭載されたサブマウント５１を第１マウント５０の第１搭載面５０ａ上の所定位置に搭載する。
【００４１】
次に、レンズアレイ３０及び合波光学系４０を第２マウント６０に搭載する（光学系搭載工程）。具体的には、図７に示されるように、第２マウント６０の第２搭載面６０ａ上の所定位置にレンズアレイ３０及び合波光学系４０を搭載する。合波光学系４０に関しては、ＡＲフィルタ４１、バンドパスフィルタ４２，４３，４４、反射ミラー４６及びＡＲフィルタ４７が設けられたガラス基材４５を第２搭載面６０ａ上に搭載する。尚、半導体レーザ搭載工程と光学系搭載工程とは、どちらを先に実行してもよい。
【００４２】
次に、図８に示されるように、第４半導体レーザ２４と第４レンズエレメント３４とを調心させた上で、第４半導体レーザ２４が搭載されている第１マウント５０を第２マウント６０に固定する。具体的には、第４半導体レーザ２４が搭載されている第１マウント５０の第１側面５０ｂ（図６）を第２マウント６０の第２側面６０ｂに当接させる。その後、第１マウント５０を第２マウント６０の第２側面６０ｂの上で上下左右（Ｘ軸方向及びＹ軸方向）に移動させ、第４半導体レーザ２４から出射される光（光信号である必要はない。）の光軸を第４レンズエレメント３４の光軸に一致させる。換言すれば、第１マウント５０を第２マウント６０の第２側面６０ｂと平行な面内でＸ軸方向及びＹ軸方向に移動させ、第４半導体レーザ２４と第４レンズエレメント３４とを調心する。例えば、ＡＲフィルタ４７から出射される光をカメラやパワーメータ等でモニタしながら第１マウント５０を移動させ、第１マウント５０の位置を決定する。第１マウント５０の位置が決定したら、その位置に第１マウント５０をＹＡＧレーザ溶接によって固定する。
【００４３】
次に、第４半導体レーザ２４が搭載されている第１マウント５０が固定された第２マウント６０をパッケージ１１ａ（図３）に収容する。その後、図３に示されるレセプタクル１１ｂ内の不図示のフェルールから出射される光の出力が最大となるように、パッケージ１１ａとレセプタクル１１ｂとの間に介在する不図示の集光レンズ及びレセプタクル１１ｂの位置を調整し、集光レンズ及びレセプタクル１１ｂをパッケージ１１ａに固定する。
【００４４】
次に、残りの第１マウント５０を第２マウント６０にＹＡＧレーザ溶接によって固定する。具体的には、図３に示されるレセプタクル１１ｂ内の不図示のフェルールから出射される光の出力が最大となるように第３半導体レーザ２３と第３レンズエレメント３３（図４）とを調心させた上で、第３半導体レーザ２３が搭載されている第１マウント５０を第２マウント６０に固定する。尚、第３半導体レーザ２３と第３レンズエレメント３３（図４）との調心方法は、第４半導体レーザ２４と第４レンズエレメント３４との調心方法（図８）と同じである。以下、同様にして、第２半導体レーザ２２が搭載されている第１マウント５０を第２マウント６０に固定し、その後、第１半導体レーザ２１が搭載されている第１マウント５０を第２マウント６０に固定する。かかる順序で第１マウント５０を第２マウント６０に固定するのは、ＹＡＧレーザを打つ面が先に固定された第１マウント５０によって隠されてしまうことを回避するためである。よって、ＹＡＧレーザを打つ面を変更し、固定順序を上記とは異なる順序に変更してもよい。
【００４５】
以上のように、本実施形態に係る製造方法では、レンズアレイ３０が搭載された第２マウント６０とは別体の第１マウント５０に搭載された半導体レーザ２０をＸ軸方向又は／及びＹ軸方向に移動させて、半導体レーザ２０とレンズアレイ３０とが位置合わせ（調心）される。さらに、半導体レーザ２０をＸ軸方向又は／及びＹ軸方向に移動させる際には、第２マウント６０の第２側面６０ｂが基準面となる。よって、Ｚ軸方向に比べて高い精度が要求されるＸ軸方向及びＹ軸方向の調心を容易かつ確実に行うことができる。また、本実施形態に係る製造方法によって製造された光トランシーバ１では、半導体レーザ２０とレンズアレイ３０とがＸ軸方向及びＹ軸方向において高精度で調心されている。
【００４６】
本発明は上記実施形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能である。例えば、光源としての半導体レーザの個数は、３個以下でも５個以上でもよい。すなわち、波長分割多重される光信号の数は３つ以下でも４つ以上でもよい。
【００４７】
また、半導体レーザは端面発光レーザに限定されず、垂直共振器面発光レーザ（ＶＣＳＥＬ:Vertical Cavity Surface Emitting Laser）等の面発光レーザ（ＳＥＬ：Surface Emitting Laser）でもよい。
【００４８】
第１支持部材としての第１マウントや第２支持部材としての第２マウントの材質は適宜変更することができる。また、半導体レーザと第１マウントとの間に介在するサブマウントの材質も適宜変更することができる。例えば、絶縁性よりも放熱性を重視する場合には、セラミックス製のサブマウントに代えて金属製のサブマウントを用いることができる。また、導電性が必要とされる場合には、セラミックス製のサブマウントに代えて誘電体製のサブマウントを用いることができる。さらに、サブマウントを介さず、第１マウントの第１搭載面に半導体レーザを直接搭載してもよい。
【００４９】
レンズ部品はレンズアレイに限られない。上記実施形態におけるレンズアレイに代えて、独立した複数のコリメートレンズを用いてもよい。もっとも、製造コスト低減の観点からはレンズアレイの使用が好ましい。
【００５０】
第１支持部材と第２支持部材との固定方向はＹＡＧレーザ溶接に限られない。例えば、レーザ溶接以外の溶接方法によって第１支持部材を第２マウントに固定してもよく、接着や半田付けによって第１支持部材を第２支持部材に固定してもよい。同様に、レセプタクルやレンズの固定方法もＹＡＧレーザ溶接に限られない。
【００５１】
本発明は、光トランシーバ以外の光通信モジュールにも適用することができる。
【符号の説明】
【００５２】
１    光トランシーバ
１１    光送信サブアセンブリ
２０    半導体レーザ
２０ａ    出射端面
２１    第１半導体レーザ
２２    第２半導体レーザ
２３    第３半導体レーザ
２４    第４半導体レーザ
３０    レンズ部品（レンズアレイ）
３０ａ    光入射面
３０ｂ    光出射面
３１    第１レンズエレメント
３２    第２レンズエレメント
３３    第３レンズエレメント
３４    第４レンズエレメント
４０    合波光学系
４１，４７    ＡＲフィルタ
４２，４３，４４    バンドパスフィルタ
４５    ガラス基材
４６    反射ミラー
５０    第１マウント
５０ａ    第１搭載面（上端面）
５０ｂ    第１側面
５１    サブマウント
６０    第２マウント
６０ａ    第２搭載面（上面）
６０ｂ    第２側面
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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