(57)【要約】【課題】欠陥品の市場流通を防止することができる有機エレクトロルミネッセンス装置の製造方法を提供する。【解決手段】基板に、有機エレクトロルミネッセンス素子を形成する第１工程と、第１工程の後に、有機エレクトロルミネッセンス素子上に封止層を形成する第２工程と、第２工程の後に、有機エレクトロルミネッセンス素子を高温高湿環境にさらす第３工程と、有機エレクトロルミネッセンス素子を検査する第４工程と、第４工程の後に、封止基板を貼り合わせる第５工程と、を有する有機エレクトロルミネッセンス装置の製造方法に関する。【選択図】図７
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板に、有機エレクトロルミネッセンス素子を形成する第１工程と、
前記第１工程の後に、前記有機エレクトロルミネッセンス素子上に封止層を形成する第２工程と、
前記第２工程の後に、前記有機エレクトロルミネッセンス素子を高温高湿環境にさらす第３工程と、
前記有機エレクトロルミネッセンス素子を検査する第４工程と、
前記第４工程の後に、封止基板を貼り合わせる第５工程と、を有する有機エレクトロルミネッセンス装置の製造方法。
【請求項２】
前記第２工程と前記第３工程との間に、前記封止層上にカラーフィルターを形成する第６工程をさらに有し、
前記第３工程においては、前記カラーフィルター、前記封止層、及び前記有機エレクトロルミネッセンス素子を高温高湿環境にさらす
請求項１に記載の有機エレクトロルミネッセンス装置の製造方法。
【請求項３】
前記第１工程においては、前記基板に前記有機エレクトロルミネッセンス素子を複数形成し、
前記第５工程の後に、前記基板を有機エレクトロルミネッセンス素子ごと複数に分断する第７工程と、
前記第７工程の後に、前記有機エレクトロルミネッセンス素子を高温高湿環境にさらす第８工程と、
前記有機エレクトロルミネッセンス素子を検査する第９工程とをさらに有する
請求項１又は２に記載の有機エレクトロルミネッセンス装置の製造方法。
【請求項４】
前記第２工程においては、無機材料、有機材料、および無機材料の三層構造からなる前記封止層を形成する
請求項１〜３のいずれか一項に記載の有機エレクトロルミネッセンス装置の製造方法。
【請求項５】
基板に、複数の有機エレクトロルミネッセンス素子を形成する第１工程と、
前記第１工程の後に、前記有機エレクトロルミネッセンス素子上に封止層を形成する第２工程と、
前記第２工程の後に、封止基板を貼り合わせる第５工程と、
前記第５工程後に、前記基板を前記有機エレクトロルミネッセンス素子ごと複数に分断する第７工程と、
前記第７工程の後に、前記有機エレクトロルミネッセンス素子を高温高湿環境にさらす第８工程と、
前記有機エレクトロルミネッセンス素子を検査する第９工程と、を有する有機エレクトロルミネッセンス装置の製造方法。
【請求項６】
前記第２工程と前記第５工程との間に、前記封止層上にカラーフィルターを形成する第６工程をさらに有し、
前記第８工程においては、前記カラーフィルター、前記封止層、及び前記有機エレクトロルミネッセンス素子を高温高湿環境にさらす
請求項５に記載の有機エレクトロルミネッセンス装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、有機エレクトロルミネッセンス装置の製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
有機エレクトロルミネッセンス装置の製造方法として、封止基板を貼り合せた後に、欠陥検査を行うことが知られている（例えば、特許文献１参照）。この場合、封止層等のデガスが封止基板を貼り合せた空間に残存するおそれがあった。
【０００３】
また、下記特許文献２のように、有機エレクトロルミネッセンス装置の製造方法として、封止層上に直接カラーフィルターを形成する技術と組み合わせることも考えられる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】再公表ＷＯ２００４／０３４７４６号公報
【特許文献２】特開２００１−１２６８６４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、上述のように組み合わせた製造方法では、上記従来の構成では、ベーク時の温度が制約されるため、カラーフィルターのデガス成分が残存してしまうおそれがあった。カラーフィルターや封止層等のデガスが残存すると経時的に欠陥が成長する可能性があった。
【０００６】
本発明の一つの態様は、上記の課題を解決するためになされたものであって、経時的な欠陥成長を抑制することができる有機エレクトロルミネッセンス装置の製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明の第１態様に従えば、基板に、有機エレクトロルミネッセンス素子を形成する第１工程と、前記第１工程の後に、前記有機エレクトロルミネッセンス素子上に封止層を形成する第２工程と、前記第２工程の後に、前記有機エレクトロルミネッセンス素子を高温高湿環境にさらす第３工程と、前記有機エレクトロルミネッセンス素子を検査する第４工程と、前記第４工程の後に、封止基板を貼り合わせる第５工程と、を有する有機エレクトロルミネッセンス装置の製造方法が提供される。
【０００８】
第１態様に係る有機エレクトロルミネッセンス装置の製造方法によれば、封止層で覆われた有機エレクトロルミネッセンス素子が高温高湿環境にさらされることによって、短時間でデガス成分による欠陥を発生させることができる。よって、第４工程により、欠陥品を選別することができる。
また、封止基板の貼り合せ前に、欠陥が生じた有機エレクトロルミネッセンス素子が除外されるので、欠陥品に封止基板を貼り合せてしまうことがなくなり、封止基板を無駄にすることが防止される。
【０００９】
上記第１態様において、前記第２工程と前記第３工程との間に、前記封止層上にカラーフィルターを形成する第６工程をさらに有し、前記第３工程においては、前記カラーフィルター、前記封止層、及び前記有機エレクトロルミネッセンス素子を高温高湿環境にさらす構成としてもよい。
この構成によれば、カラーフィルターの硬化を促進させることができる。また、例えば、カラーフィルターをフォトリソ工程で形成する場合、当該工程における大気暴露に起因したデガス成分による欠陥を短時間で発生させることができる。
【００１０】
上記第１態様において、前記第１工程においては、前記基板に前記有機エレクトロルミネッセンス素子を複数形成し、前記第５工程の後に、前記基板を有機エレクトロルミネッセンス素子ごと複数に分断する第７工程と、前記第７工程の後に、前記有機エレクトロルミネッセンス素子を高温高湿環境にさらす第８工程と、前記有機エレクトロルミネッセンス素子を検査する第９工程とをさらに有する構成としてもよい。
この構成によれば、分断後の有機エレクトロルミネッセンス素子が高温高湿環境にさらされることによって、短時間で分断工程による欠陥を発生させることができる。よって、欠陥品を選別することで市場に欠陥品が流通するのを防止することができる。
【００１１】
上記第１態様において、前記第２工程においては、無機材料、有機材料、および無機材料の三層構造からなる前記封止層を形成する構成としてもよい。
この構成によれば、有機エレクトロルミネッセンス素子を良好に封止することができる。
【００１２】
本発明の第２態様に従えば、基板に、複数の有機エレクトロルミネッセンス素子を形成する第１工程と、前記第１工程の後に、前記有機エレクトロルミネッセンス素子上に封止層を形成する第２工程と、前記第２工程の後に、封止基板を貼り合わせる第５工程と、前記第５工程後に、前記基板を前記有機エレクトロルミネッセンス素子ごと複数に分断する第７工程と、前記第７工程の後に、前記有機エレクトロルミネッセンス素子を高温高湿環境にさらす第８工程と、前記有機エレクトロルミネッセンス素子を検査する第９工程と、を有する有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法が提供される。
【００１３】
第２態様に係る有機エレクトロルミネッセンス装置の製造方法によれば、分断後の有機エレクトロルミネッセンス素子が高温高湿環境にさらされることによって、短時間でデガス成分による欠陥および分断工程による欠陥を発生させることができる。よって、欠陥品を選別することができる。
【００１４】
上記第２態様において、前記第２工程と前記第５工程との間に、前記封止層上にカラーフィルターを形成する第６工程をさらに有し、前記第８工程においては、前記カラーフィルター、前記封止層、及び前記有機エレクトロルミネッセンス素子を高温高湿環境にさらす構成としてもよい。
この構成によれば、カラーフィルターの硬化を促進させることができる。また、例えば、カラーフィルターをフォトリソ工程で形成する場合、当該工程における大気暴露に起因したデガス成分による欠陥を短時間で発生させることができる。
【図面の簡単な説明】
【００１５】
【図１】有機ＥＬ装置の電気的な構成を示す等価回路図である。
【図２】有機ＥＬ装置の構成を示す概略平面図である。
【図３】サブ画素の配置を示す概略平面図である。
【図４】図３のＡ−Ａ’線に沿ったサブ画素の構造を示す概略断面図である。
【図５】サブ画素における凸部と着色層の配置を示す概略平面図である。
【図６】有機ＥＬ装置の製造方法を示すフローチャートである。
【図７】（ａ）、（ｂ）は有機ＥＬ装置の製造方法を示す概略断面図である。
【図８】（ａ）〜（ｆ）は有機ＥＬ装置の製造方法を示す概略断面図である。
【図９】（ａ）〜（ｇ）は分断・個片化工程を示す概略断面図である。
【図１０】第１変形例に係る有機ＥＬ装置の製造方法を示すフローチャートである。
【図１１】第２変形例に係る有機ＥＬ装置の製造方法を示すフローチャートである。
【発明を実施するための形態】
【００１６】
以下、本発明の実施の形態について、図面を参照して詳細に説明する。
なお、以下の説明で用いる図面は、特徴をわかりやすくするために、便宜上特徴となる部分を拡大して示している場合があり、各構成要素の寸法比率などが実際と同じであるとは限らない。
【００１７】
はじめに本実施形態の有機エレクトロルミネッセンス装置（以下、有機ＥＬ装置と称す）の製造方法を説明するに先立ち、該製造方法により製造した有機ＥＬ装置の構造について、図１〜図５を参照して説明する。図１は本実施形態の有機ＥＬ装置の電気的な構成を示す等価回路図、図２は本実施形態の有機ＥＬ装置の構成を示す概略平面図、図３はサブ画素の配置を示す概略平面図、図４は図３のＡ−Ａ’線に沿ったサブ画素の構造を示す概略断面図、図５はサブ画素における凸部と着色層の配置を示す概略平面図である。
【００１８】
本実施形態の有機ＥＬ装置は、後述する製造方法により製造されたため、デガス成分による欠陥の発生が防止された信頼性の高いものとなっている。
【００１９】
図１に示すように、本実施形態の有機ＥＬ装置１００は、互いに交差する複数の走査線１２及び複数のデータ線１３と、電源線１４とを有している。複数の走査線１２が接続される走査線駆動回路１６と、複数のデータ線１３が接続されるデータ線駆動回路１５とを有している。また、複数の走査線１２と複数のデータ線１３との各交差部に対応してマトリックス状に配置された発光画素である複数のサブ画素１８を有している。
【００２０】
サブ画素１８は、発光素子としての有機ＥＬ素子３０と、有機ＥＬ素子３０の駆動を制御する画素回路２０とを有している。
【００２１】
有機ＥＬ素子３０は、陽極としての画素電極３１と、陰極としての対向電極３３と、画素電極３１と対向電極３３との間に設けられた機能層３２とを有している。このような有機ＥＬ素子３０は電気的にダイオードとして表記することができる。なお、詳しくは後述するが、機能層３２及び対向電極３３は複数のサブ画素１８に亘る共通の膜として形成されている。
【００２２】
画素回路２０は、スイッチング用トランジスター２１と、蓄積容量２２と、駆動用トランジスター２３とを含んでいる。２つのトランジスター２１，２３は、例えばｎチャネル型もしくはｐチャネル型の薄膜トランジスター（ＴＦＴ；Thin  Film  Transistor）やＭＯＳトランジスターを用いて構成することができる。
【００２３】
スイッチング用トランジスター２１のゲートは走査線１２に接続され、ソースまたはドレインのうち一方がデータ線１３に接続され、ソースまたはドレインのうち他方が駆動用トランジスター２３のゲートに接続されている。
駆動用トランジスター２３のソースまたはドレインのうち一方が有機ＥＬ素子３０の画素電極３１に接続され、ソースまたはドレインのうち他方が電源線１４に接続されている。駆動用トランジスター２３のゲートと電源線１４との間に蓄積容量２２が接続されている。
【００２４】
走査線１２が駆動されてスイッチング用トランジスター２１がオン状態になると、そのときにデータ線１３から供給される画像信号に基づく電位がスイッチング用トランジスター２１を介して蓄積容量２２に保持される。該蓄積容量２２の電位すなわち駆動用トランジスター２３のゲート電位に応じて、駆動用トランジスター２３のオン・オフ状態が決まる。そして、駆動用トランジスター２３がオン状態になると、電源線１４から駆動用トランジスター２３を介して画素電極３１と対向電極３３とに挟まれた機能層３２にゲート電位に応じた量の電流が流れる。有機ＥＬ素子３０は、機能層３２を流れる電流量に応じて発光する。
【００２５】
図２に示すように、有機ＥＬ装置１００は、素子基板１０を有している。素子基板１０には、表示領域Ｅ０（図中、一点鎖線で表示）と、表示領域Ｅ０の外側に非表示領域Ｅ３とが設けられている。表示領域Ｅ０は、実表示領域Ｅ１（図中、二点鎖線で表示）と、実表示領域Ｅ１を囲むダミー領域Ｅ２とを有している。
【００２６】
実表示領域Ｅ１には、発光画素としてのサブ画素１８がマトリックス状に配置されている。サブ画素１８は、前述したように発光素子としての有機ＥＬ素子３０を備えており、スイッチング用トランジスター２１及び駆動用トランジスター２３の動作に伴って、青（Ｂ）、緑（Ｇ）、赤（Ｒ）のうちいずれかの色の発光が得られる構成となっている。
【００２７】
本実施形態では、同色の発光が得られるサブ画素１８が第１の方向に配列し、異なる色の発光が得られるサブ画素１８が第１の方向に対して交差（直交）する第２の方向に配列した、所謂ストライプ方式のサブ画素１８の配置となっている。以降、上記第１の方向をＹ方向とし、上記第２の方向をＸ方向として説明する。なお、素子基板１０におけるサブ画素１８の配置はストライプ方式に限定されず、モザイク方式、デルタ方式であってもよい。
【００２８】
ダミー領域Ｅ２には、主として各サブ画素１８の有機ＥＬ素子３０を発光させるための周辺回路が設けられている。例えば、図２に示すように、Ｘ方向において実表示領域Ｅ１を挟んだ位置にＹ方向に延在して一対の走査線駆動回路１６が設けられている。一対の走査線駆動回路１６の間で実表示領域Ｅ１に沿った位置に検査回路１７が設けられている。
【００２９】
素子基板１０のＸ方向に平行な一辺部（図中の下方の辺部）に、外部駆動回路との電気的な接続を図るためのフレキシブル回路基板（以下、ＦＰＣと称す）４３が接続されている。ＦＰＣ４３には、ＦＰＣ４３の配線を介して素子基板１０側の周辺回路と接続される駆動用ＩＣ４４が実装されている。駆動用ＩＣ４４は前述したデータ線駆動回路１５を含むものであり、素子基板１０側のデータ線１３や電源線１４は、ＦＰＣ４３を介して駆動用ＩＣ４４に電気的に接続されている。
【００３０】
表示領域Ｅ０と素子基板１０の外縁との間、つまり非表示領域Ｅ３には、例えば各サブ画素１８の有機ＥＬ素子３０の対向電極３３に電位を与えるための配線２９、端子部４０などが形成されている。配線２９は、ＦＰＣ４３が接続される素子基板１０の辺部を除いて、表示領域Ｅ０を囲むように素子基板１０に設けられている。端子部４０は、ＦＰＣ４３が接続される素子基板１０の辺部に形成されている。
【００３１】
次に、図３を参照してサブ画素１８の平面的な配置、とりわけ画素電極３１の平面的な配置について説明する。図３に示すように、青（Ｂ）の発光が得られるサブ画素１８Ｂ、緑（Ｇ）の発光が得られるサブ画素１８Ｇ、赤（Ｒ）の発光が得られるサブ画素１８ＲがＸ方向に順に配列している。同色の発光が得られるサブ画素１８はＹ方向に隣り合って配列している。Ｘ方向に配列した３つのサブ画素１８Ｂ，１８Ｇ，１８Ｒを１つの画素１９として表示がなされる構成になっている。Ｘ方向におけるサブ画素１８Ｂ，１８Ｇ，１８Ｒの配置ピッチは５μｍ未満である。Ｘ方向に０．５μｍ〜１．０μｍの間隔を置いてサブ画素１８Ｂ，１８Ｇ，１８Ｒが配置されている。Ｙ方向におけるサブ画素１８Ｂ，１８Ｇ，１８Ｒの配置ピッチはおよそ１０μｍ未満である。
【００３２】
サブ画素１８における画素電極３１は略矩形状であって、長手方向がＹ方向に沿って配置されている。画素電極３１を発光色に対応させて画素電極３１Ｂ，３１Ｇ，３１Ｒと呼ぶこともある。各画素電極３１Ｂ，３１Ｇ，３１Ｒの外縁を覆って絶縁膜２７が形成されている。これによって、各画素電極３１Ｂ，３１Ｇ，３１Ｒ上に開口部２７ａが形成され、開口部２７ａ内において画素電極３１Ｂ，３１Ｇ，３１Ｒのそれぞれが露出している。
開口部２７ａの平面形状もまた略矩形状となっている。
なお、図３では、異なる色のサブ画素１８Ｂ，１８Ｇ，１８Ｒの配置は、Ｘ方向において左側から青（Ｂ）、緑（Ｇ）、赤（Ｒ）の順になっているが、これに限定されるものではない。例えば、Ｘ方向において、左側から赤（Ｒ）、緑（Ｇ）、青（Ｂ）の順であってもよい。
【００３３】
次に、図４を参照してサブ画素１８Ｂ，１８Ｇ，１８Ｒの構造について説明する。図４に示すように、有機ＥＬ装置１００は、本発明における基板としての基材１１と、基材１１上に順に形成された反射層２５、透明層２６、画素電極３１Ｂ，３１Ｇ，３１Ｒ、機能層３２、共通陰極である対向電極３３を有する。また、対向電極３３を覆う封止層３４と、封止層３４上に形成されたカラーフィルター３６とを有する。さらに、カラーフィルター３６を保護するために、透明樹脂層４２を介して配置された対向基板４１を有する。素子基板１０は基材１１からカラーフィルター３６までを含むものである。なお、図４では、素子基板１０における画素回路２０の駆動用トランジスター２３などの構成について、図示を省略した。
【００３４】
有機ＥＬ装置１００は、機能層３２から発した光がカラーフィルター３６を透過して対向基板４１側から取り出されるトップエミッション方式が採用されている。したがって、基材１１は透明な例えばガラスなどの基板だけでなく、不透明な例えばシリコンやセラミックスなどの基板を用いることができる。対向基板４１は透明な例えばガラスなどの基板である。
【００３５】
基材１１上に形成される反射層２５は、Ａｌ（アルミニウム）やＡｇ（銀）、あるいはこれらの光反射性を有する金属の合金を用いることができる。本実施形態において、反射層２５の光反射率は好ましくは４０％以上、より好ましくは８０％以上である。
【００３６】
透明層２６は、後に形成される画素電極３１と反射層２５との電気的な絶縁を図るものであって、例えばＳｉＯｘ（酸化シリコン）などの無機絶縁膜を用いることができる。本実施形態において、透明層２６の光透過率は好ましくは５０％以上、より好ましくは８０％以上である。
【００３７】
サブ画素１８Ｂ，１８Ｇ，１８Ｒに対応して、透明層２６上に設けられた画素電極３１Ｂ，３１Ｇ，３１Ｒは、例えばＩＴＯ（Indium  Tin  Oxide）やＩＺＯ（Indium  Zinc  Oxide）などの透明導電膜からなり、互いに膜厚が異なっている。具体的には、青（Ｂ）、緑（Ｇ）、赤（Ｒ）の順に膜厚が厚くなっている。本実施形態において、画素電極３１Ｂ，３１Ｇ，３１Ｒの光透過率は好ましくは５０％以上、より好ましくは８０％以上である。
【００３８】
機能層３２は白色光が得られる有機発光層を含み、サブ画素１８Ｂ，１８Ｇ，１８Ｒに跨って共通に形成されている。なお、白色光は、青（Ｂ）、緑（Ｇ）、赤（Ｒ）の発光が得られる有機発光層を組み合わせることにより実現できる。また、青（Ｂ）と黄（Ｙ）の発光が得られる有機発光層を組み合わせても擬似白色光を得ることができる。
このように、サブ画素１８Ｒ，１８Ｂ，１８Ｇの機能層３２は白色光を放射するが、後述のように、サブ画素１８Ｂ，１８Ｇ，１８Ｒごとの光共振器における光学的な距離が異なっている。これにより、対向電極３３から放出される光のスペクトルが異なる。有機機能層３２の内部発光スペクトルは同じであるとも解釈できるが、共振構造を用いて放出される光のスペクトルが異なるため、便宜上、サブ画素１８は異なる波長領域の光を射出する、すなわち、サブ画素１８は赤（Ｒ）、緑（Ｇ）、青（Ｂ）のうちいずれかの色の発光が得られると説明している。さらに本実施形態に置いて、同色の発光が得られるサブ画素１８、あるいは、異なる色の発光が得られるサブ画素１８とは、共振構造を用いて放出される光のスペクトルに応じて説明したものである。
【００３９】
機能層３２を覆う対向電極３３は、例えばＭｇＡｇ（マグネシウム銀）合金からなり、光透過性と光反射性とを兼ね備えるように膜厚が制御されている。
【００４０】
封止層３４は、対向電極３３側から第１封止層３４ａ、平坦化層３４ｂ、第２封止層３４ｃが順に積層された構造となっている。封止層３４の光の透過率は、サブ画素１８Ｒ，１８Ｂ，１８Ｇの射出光に対し８０％以上であることが好ましい。
なお、封止層３４のガスバリア性としては、有機ＥＬ素子３０を大気中の酸素および水等から保護することが可能な程度であれば特に限定されないが、酸素透過率が０．０１ｃｃ／ｍ２／ｄａｙ以下であることが好ましく、水蒸気透過率が７×１０−３ｇ／ｍ２／ｄａｙ以下、中でも５×１０−４ｇ／ｍ２／ｄａｙ以下、特に５×１０−６ｇ／ｍ２／ｄａｙ以下であることが好ましい。
第１封止層３４ａと第２封止層３４ｃとは、無機材料を用いて形成されている。無機材料としては、水分や酸素などを通し難い、例えばＳｉＯｘ（酸化シリコン）、ＳｉＮｘ（窒化シリコン）、ＳｉＯｘＮｙ（酸窒化シリコン）、ＡｌｘＯｙ（酸化アルミニウム）などが挙げられる。第１封止層３４ａ及び第２封止層３４ｃを形成する方法としては真空蒸着法、イオンプレーティング法、スパッター法、ＣＶＤ法などが挙げられる。有機ＥＬ素子３０に熱などのダメージを与え難い点で、真空蒸着法やイオンプレーティング法を採用することが望ましい。第１封止層３４ａ及び第２封止層３４ｃの膜厚は、成膜時にクラックなどが生じ難く、且つ透明性が得られるように、５０ｎｍ〜１０００ｎｍ、好ましくは２００ｎｍ〜４００ｎｍとなっている。
【００４１】
平坦化層３４ｂは、透明性を有し、例えば、熱または紫外線硬化型のエポキシ樹脂、アクリル樹脂、ウレタン樹脂、シリコーン樹脂のいずれかの樹脂材料を用いて形成することができる。また、塗布型の無機材料（酸化シリコンなど）を用いて形成してもよい。平坦化層３４ｂは、複数の有機ＥＬ素子３０を覆った第１封止層３４ａに積層して形成されている。第１封止層３４ａの表面は、厚みが異なる画素電極３１Ｂ，３１Ｇ，３１Ｒの影響を受けて凹凸が生ずるので、該凹凸を緩和するため、１μｍ〜５μｍの膜厚で平坦化層３４ｂを形成することが好ましい。これによって、封止層３４上に形成されるカラーフィルター３６が該凹凸の影響を受け難くなる。
【００４２】
平坦化層３４ｂを覆う第２封止層３４ｃは、前述した無機材料を用いて形成されている。
【００４３】
カラーフィルター３６は、封止層３４の上に、フォトリソグラフィー法で形成された青（Ｂ）、緑（Ｇ）、赤（Ｒ）の着色層３６Ｂ，３６Ｇ，３６Ｒを含んで構成されている。着色層３６Ｂ，３６Ｇ，３６Ｒは、サブ画素１８Ｂ，１８Ｇ，１８Ｒに対応して形成されまた、封止層３４上において、異なる色のサブ画素１８Ｂ，１８Ｇ，１８Ｒの着色層３６Ｂ，３６Ｇ，３６Ｒの間に光透過性の凸部３５が設けられている。封止層３４上における凸部３５の高さは、着色層３６Ｂ，３６Ｇ，３６Ｒの膜厚と略等しい。
【００４４】
本実施形態の有機ＥＬ装置１００は、反射層２５と対向電極３３との間で光共振器が構成されている。サブ画素１８Ｂ，１８Ｇ，１８Ｒごとの画素電極３１Ｂ，３１Ｇ，３１Ｒの膜厚が異なることにより、それぞれの光共振器における光学的な距離が異なっている。これにより、サブ画素１８Ｂ，１８Ｇ，１８Ｒのそれぞれにおいて各色に対応した共振波長の光が得られる構成となっている。
なお、光共振器における光学的な距離の調整方法は、これに限定されず、例えばサブ画素１８Ｂ，１８Ｇ，１８Ｒごとに、基材１１上における透明層２６の膜厚や透明層２６を構成する材料を異ならせてもよい。
【００４５】
各サブ画素１８Ｂ，１８Ｇ，１８Ｒの光共振器から発せられた共振光は、各着色層３６Ｂ，３６Ｇ，３６Ｒを透過して透明な対向基板４１側から射出される。カラーフィルター３６が封止層３４上に形成されているため、カラーフィルター３６が対向基板４１側に形成される場合に比べて、サブ画素１８Ｂ，１８Ｇ，１８Ｒ間での光漏れによる混色が低減される。このようなサブ画素１８Ｂ，１８Ｇ，１８Ｒの構造は、サブ画素１８Ｂ，１８Ｇ，１８Ｒの平面的な大きさが小さくなる、つまり高精細になるほど混色を効果的に低減できる。
【００４６】
次に、封止層３４上における凸部３５と着色層３６Ｂ，３６Ｇ，３６Ｒとの関係について、図５を参照して説明する。
【００４７】
図５に示すように、本実施形態の有機ＥＬ装置１００のカラーフィルター３６は、Ｙ方向に同色の着色層が延在して配置されている。つまり、青（Ｂ）の着色層３６Ｂは、Ｙ方向に配列する複数のサブ画素１８Ｂ（画素電極３１Ｂ）に跨ってストライプ状に配置されている。同様に、緑（Ｇ）の着色層３６Ｇは、Ｙ方向に配列する複数のサブ画素１８Ｇ（画素電極３１Ｇ）に跨ってストライプ状に配置されている。赤（Ｒ）の着色層３６Ｒは、Ｙ方向に配列する複数のサブ画素１８Ｒ（画素電極３１Ｒ）に跨ってストライプ状に配置されている。各着色層３６Ｂ，３６Ｇ，３６Ｒの境は、Ｘ方向に配列する隣り合うサブ画素１８の画素電極３１の間のほぼ中央に位置している。
【００４８】
異なる色の着色層３６Ｂ，３６Ｇ，３６Ｒの間には、これらの着色層３６Ｂ，３６Ｇ，３６Ｒをそれぞれ区分するように、封止層３４上に凸部３５が配置されている。したがって、封止層３４上において凸部３５もＹ方向に延在するようにストライプ状（スジ状）に配置されている。
【００４９】
図４に示したように凸部３５の断面形状は台形であって、凸部３５の底面は図５に示すように、隣り合うサブ画素１８の画素電極３１間に位置している。
なお、各画素電極３１の外縁は、絶縁膜２７により被覆され、絶縁膜２７に設けられた開口部２７ａにおいて画素電極３１は機能層３２と接している。サブ画素１８において開口部２７ａが実質的に発光に寄与する領域であるため、凸部３５の底面が開口部２７ａ以外の画素電極３１と重なるように凸部３５を形成してもよい。
【００５０】
本実施形態において、光透過性の凸部３５は、着色材料を含まない感光性樹脂材料を用いてフォトリソグラフィー法で形成されている。すなわち、凸部３５と着色層３６Ｂ，３６Ｇ，３６Ｒの主材料は同じである。封止層３４上における凸部３５の幅はおよそ０．５μｍ〜１．０μｍ（好ましくは底面の幅が０．７μｍ、頭頂部３５ａの幅が０．５μｍ）、高さはおよそ１．１μｍである。凸部３５の高さは、着色層３６Ｂ，３６Ｇ，３６Ｒの平均膜厚と略等しくなっている。
【００５１】
なお、着色層３６Ｂ，３６Ｇ，３６Ｒの膜厚については、例えば、ホワイトバランスを考慮し、それぞれ異ならせても良い。
【００５２】
なお、凸部３５は、図５に示すようにＹ方向に延在したストライプ状に配置されることに限定されない。例えば、各サブ画素１８の画素電極３１における開口部２７ａを囲むように、Ｘ方向とＹ方向とに延在して格子状に配置されていてもよい。また、着色層３６Ｒ，３６Ｇ，３６Ｂによって凸部３５の頭頂部の少なくとも一部が覆われた構成を採用しても良い。
【００５３】
（有機ＥＬ装置の製造方法）
次に、本実施形態の有機ＥＬ装置の製造方法について、図６、図７および図８を参照して説明する。図６は本実施形態の有機ＥＬ装置の製造方法を示すフローチャート、図７（ａ）、（ｂ）および図８（ａ）〜（ｆ）は本実施形態の有機ＥＬ装置の製造方法を示す概略断面図である。
【００５４】
本実施形態の有機ＥＬ装置１００は、大型のアレイ基板上に複数の素子基板１０を形成し、該素子基板１０にガラス基板を貼り合せた後、個片化することで構成されたものである。
【００５５】
具体的に、本実施形態の有機ＥＬ装置１００の製造方法は、図７に示すように、有機ＥＬ素子形成工程（ステップＳ１）と、封止層形成工程（ステップＳ２）と、カラーフィルター形成工程（ステップＳ３）と、高温高湿雰囲気放置工程（ステップＳ４）と、検査工程（ステップＳ５）と、保護ガラスの貼り合せ工程（ステップＳ６）と、分断・個片化工程（ステップＳ７）とを備えている。
【００５６】
図６の有機ＥＬ素子形成工程（ステップＳ１）では、図７（ａ）に示すように、アレイ基板１上における素子形成領域１Ａごとに有機ＥＬ素子３０を形成し、素子形成領域１Ａの近傍に端子部４０を形成する。なお、アレイ基板１上に端子部４０や有機ＥＬ素子３０などを形成する方法は、公知の方法を採用することができる。これにより、アレイ基板１の素子形成領域１Ａには、図７（ｂ）に示すように、画素電極３１（３１Ｒ，３１Ｇ，３１Ｂ）、機能層３２、対向電極３３を含む有機ＥＬ素子３０が形成される。なお、以下では、素子形成領域１Ａに着目した断面工程図に基づいて説明する。
【００５７】
図６の封止層形成工程（ステップＳ２）では、図８（ａ）に示すように、まず、対向電極３３を覆う第１封止層３４ａを形成する。第１封止層３４ａを形成する方法としては、例えばシリコンの酸化物を真空蒸着する方法が挙げられる。第１封止層３４ａの膜厚はおよそ２００ｎｍ〜４００ｎｍである。
次に、第１封止層３４ａを覆う平坦化層３４ｂを形成する。平坦化層３４ｂの形成方法としては、例えば、透明性を有するエポキシ樹脂と、エポキシ樹脂の溶媒とを含む溶液を用い、印刷法やスピンコート法で該溶液を塗布して乾燥することにより、エポキシ樹脂からなる平坦化層３４ｂを形成する。平坦化層３４ｂの膜厚は１μｍ〜５μｍが好ましく、この場合、３μｍとした。
【００５８】
なお、平坦化層３４ｂは、エポキシ樹脂などの有機材料を用いて形成することに限定されず、前述したように、塗布型の無機材料を印刷法により塗布し、これを乾燥・焼成することによって、平坦化層３４ｂとして膜厚がおよそ３μｍの酸化シリコン膜を形成してもよい。
続いて、平坦化層３４ｂを覆う第２封止層３４ｃを形成する。第２封止層３４ｃの形成方法は、第１封止層３４ａと同じであって、例えばシリコンの酸化物を真空蒸着する方法が挙げられる。第２封止層３４ｃの膜厚もおよそ２００ｎｍ〜４００ｎｍである。そして、ステップＳ３へ進む。
【００５９】
図６のカラーフィルター形成工程（ステップＳ３）において、カラーフィルター３６はフォトリソ工程により形成される。
まず、封止層３４上に凸部３５を形成する。凸部３５の形成方法としては、着色材料を含まない感光性樹脂材料をスピンコート法を用いて塗布してプレベークすることにより、膜厚がおよそ１μｍ程度の感光性樹脂層を形成する。感光性樹脂材料はポジタイプでもネガタイプでもよい。フォトリソグラフィー法を用いて、感光性樹脂層を露光・現像することにより、図８（ｂ）に示すように、封止層３４上に凸部３５を形成する。露光及び現像条件を調整して、底面の幅がおよそ０．７μｍとなるように台形状の凸部３５を形成する。基材１１上における凸部３５の形成位置は、隣り合う異なる色のサブ画素１８Ｂ，１８Ｇ，１８Ｒに対応する画素電極３１Ｂ，３１Ｇ，３１Ｒの間である。
【００６０】
そして、図８（ｃ）に示すように、凸部３５が形成された封止層３４の表面に、緑色の着色材料を含む感光性樹脂材料をスピンコート法により塗布して、ベークすることで乾燥させて感光性樹脂層５０ｇを形成する。感光性樹脂層５０ｇを露光・現像することにより、図８（ｄ）に示すように、画素電極３１Ｇの上方に位置する凸部３５間を埋める着色層３６Ｇを形成する。
次に、着色層３６Ｇが形成された封止層３４の表面に、青色の着色材料を含む感光性樹脂材料をスピンコート法により塗布して、ベークすることで乾燥させて感光性樹脂層５０ｂを形成する。感光性樹脂層５０ｂを露光・現像することにより、着色層３６Ｂを形成する。
次に、着色層３６Ｂと着色層３６Ｇとが形成された封止層３４の表面に、赤色の着色材料を含む感光性樹脂材料をスピンコート法により塗布して、ベークすることで乾燥させて感光性樹脂層５０ｒを形成する。感光性樹脂層５０ｒを露光・現像することにより、着色層３６Ｒを形成する。
【００６１】
これにより、図８（ｅ）に示すように、画素電極３１Ｂの上方に位置する凸部３５間に着色層３６Ｂが形成され、画素電極３１Ｇの上方に位置する凸部３５間に着色層３６Ｇが形成され、画素電極３１Ｒの上方に位置する凸部３５間に着色層３６Ｒが形成される。
【００６２】
ところで、平坦化層３４ｂの下層には有機材料からなる機能層３２が形成されているため、該機能層３２の劣化を防止すべく、乾燥時の温度が１２０℃以下に制限される。そのため、平坦化層３４ｂを乾燥した際、デガス成分が残存してしまうことがある。
また、有機ＥＬ素子３０は有機材料を含むため、該有機ＥＬ素子３０の劣化を防止すべく、プリベーク（乾燥）時の温度が１２０℃以下に制限される。そのため、着色層３５Ｒ，３６Ｇ，３６Ｂを乾燥した際、デガス成分が残存してしまうことがある。
さらに、上述のようにして形成された封止層３４には微小異物が付着することがある。この微小異物は、後述の検査において欠陥品と判定されない程度の極微小欠陥を封止層３４に生じさせるおそれがある。
【００６３】
上述のようなデガス成分が残存している場合において、封止層３４に極微小欠陥が存在すると、製品出荷前の検査においてはダークスポットにはならず、欠陥品と判定されないものの、出荷後にダークスポットに成長することで経時的な欠陥を生じさせる可能性が有る。
【００６４】
このような問題に対し、本実施形態の有機ＥＬ装置の製造方法では、カラーフィルターの形成後に、高温高湿雰囲気放置工程（ステップＳ４）を行うようにしている。
図６の高温高湿雰囲気放置工程（ステップＳ４）では、各素子形成領域１Ａに着色層３６Ｒ，３６Ｇ，３６Ｂが形成されたアレイ基板１を高温高湿雰囲気に放置する。具体的に、温度６０℃〜１１０℃、湿度７０％〜９５％の雰囲気中に、１時間〜８０時間の間放置する。本実施形態では、例えば、アレイ基板１を８５℃、８５％の環境下に２４時間程度放置した。
【００６５】
高温高湿雰囲気に放置されると、デガス成分によるダークスポットの発生が促進されて短時間で封止層３４あるいはカラーフィルター３６に欠陥を生じさせることとなる。すなわち、本実施形態では、高温高湿雰囲気放置工程（ステップＳ４）により、欠陥箇所のあぶり出しを行うようにしている。続いて、ステップＳ５へと進む。
【００６６】
図６の検査工程（ステップＳ５）では、例えば、表示検査（画素１９の点灯検査）、電気特性検査（画素１９に電流を流してＩＶ特性（暗点、輝点、ムラ、ドライバー）を検査）、外観検査（気泡の有無）の少なくともいずれかを行う。
【００６７】
本実施形態によれば、上記高温高湿雰囲気放置工程により、デガス成分によるダークスポットが発生した場合であっても、検査工程により欠陥品となり得る有機ＥＬ素子３０を予め判別しておくことができる。検査工程後、ステップＳ６へと進む。
【００６８】
図６の保護ガラスの貼り合せ工程（ステップＳ６）では、図８（ｆ）に示すように、カラーフィルター３６を覆うように接着性を有する透明樹脂層４２を塗布する。そして、透明樹脂層４２が塗布されたアレイ基板１に対して保護ガラス６０を所定の位置に対向配置して、例えば保護ガラス６０をアレイ基板１側に押圧する。
これにより、透明樹脂層４２を介してアレイ基板１と保護ガラス６０とを貼り合わせる。透明樹脂層４２は、例えば熱硬化型のエポキシ樹脂である。透明樹脂層４２の厚みはおよそ１０μｍ〜１００μｍである。保護ガラス６０の貼付後、ステップＳ７へと進む。
【００６９】
続いて、図６の分断・個片化工程（ステップＳ７）について、図９（ａ）〜（ｇ）を参照しながら説明する。分断・個片化工程（ステップＳ７）では、保護ガラス６０とアレイ基板１とが貼り付けられた接合体６１を切断することで個片化して、複数の有機ＥＬ装置１００のベース体１００Ａを製造する。
まず、図９（ａ）に示すように、アレイ基板１に形成された端子部４０の一端側において、保護ガラス６０に切目６０ａ（スクライブライン）を入れ、該切目に沿って折曲力を加えて保護ガラス６０を分断する。
【００７０】
続いて、図９（ｂ）に示すように、保護ガラス６０における端子部４０の他端側をダイシングブレード６２により切断し、図９（ｃ）に示すように、ロボットハンドにより切断したガラスを取り除く。
【００７１】
続いて、接合体６１を９０度回転させ、図９（ｄ）に示すように、スペーサ部材６５を避けるように保護ガラス６０をダイシングブレード６２により切断する。続いて、図９（ｅ）に示すように、接合体６１を９０度回転させ、端子部４０の他端側においてアレイ基板１をダイシングブレード６２により切断する。続いて、図９（ｆ）に示すように、接合体６１を再度９０度回転させ、切断済みの保護ガラス６０の隙間６０ｂからダイシングブレード６２を挿入することでアレイ基板１を切断する。以上により、図９（ｇ）に示すように、接合体６１からベース体１００Ａを形成する。この後に、図２に示すように、ベース体１００Ａの端子部４０にＦＰＣ４３を実装して、有機ＥＬ装置１００が完成する。
【００７２】
上記第１実施形態の有機ＥＬ装置１００及びその製造方法によれば、封止層３４で覆われた有機ＥＬ素子３０が高温高湿環境にさらされることによって、短時間でデガス成分による欠陥を発生させることができる。よって、検査工程により、有機ＥＬ装置１００の欠陥品が予め選別されることで市場に欠陥品が流通するのを防止できる。
【００７３】
本発明は、上記した実施形態に限られるものではなく、請求の範囲及び明細書全体から読み取れる発明の要旨あるいは思想に反しない範囲で適宜変更可能であり、そのような変更を伴う有機ＥＬ装置及び該有機ＥＬ装置の製造方法ならびに該有機ＥＬ装置を適用する電子機器もまた本発明の技術的範囲に含まれるものである。上記実施形態以外にも様々な変形例が考えられる。以下、変形例を挙げて説明する。
【００７４】
（第１変形例）
例えば、上記実施形態において、図１０に示すように、分断・個片化工程（ステップＳ７）の後に、高温高湿雰囲気放置工程（ステップＳ８）と、検査工程（ステップＳ９）とを行うようにしても良い。
本変形例の製造方法によれば、分断・個片化工程において、保護ガラス６０のダイシング時に生じた切粉によって封止層３４に生じた欠けや傷などに起因して生じる欠陥を、上記ステップＳ８，Ｓ９により短時間であぶり出して選別することができる。
【００７５】
（第２変形例）
また、上記実施形態においては、カラーフィルターを形成した後、高温高湿雰囲気放置工程（ステップＳ４）と、検査工程（ステップＳ５）とを行う場合を例に挙げたが、これら高温高湿雰囲気放置工程と検査工程とを行うタイミングはこれに限定されない。
本変形例の有機ＥＬ装置の製造方法は、図１１に示すように、有機ＥＬ素子形成工程（ステップＳ１）と、封止層形成工程（ステップＳ２）と、カラーフィルター形成工程（ステップＳ３）と、保護ガラスの貼り合せ工程（ステップＳ６）と、分断・個片化工程（ステップＳ７）と、高温高湿雰囲気放置工程（ステップＳ８）と、検査工程（ステップＳ９）とを備えている。
【００７６】
本変形例の製造方法によれば、分断・個片化工程後に１回実施される高温高湿雰囲気放置工程および検査工程によって、デガス成分による欠陥および保護ガラス６０のダイシング時の傷や欠けによる欠陥を短時間であぶり出して選別することができる。
また、上記実施形態においては、封止層形成工程（ステップＳ２）及びカラーフィルター形成工程（ステップＳ３）の後、高温高湿雰囲気放置工程（ステップＳ４）と、検査工程（ステップＳ５）とを行う場合を例に挙げたが、これに限定されない。カラーフィルター形成工程（ステップＳ３）を省略して、封止層形成工程（ステップＳ２）の後、高温高湿雰囲気放置工程（ステップＳ４）と、検査工程（ステップＳ５）とを行ってもよい。この場合、高温高湿雰囲気放置工程（ステップＳ４）において、封止層３４及び有機ＥＬ素子３０が高温高湿環境にさらされ、検査工程（ステップＳ５）において封止層３４等のデガスによる欠陥を選別することができる。
【００７７】
また、上記実施形態では、アレイ基板１に保護ガラス６０を貼り合せた接合体６１を個片化することで複数の有機ＥＬ装置１００を製造する場合を例に挙げたが、各有機ＥＬ装置１００を個別に製造するようにしてもよい。すなわち、素子基板１０を１枚ずつ製造した後、高温高湿雰囲気に放置し、欠陥のあぶり出しを行うようにしても良い。これによれば、検査工程により欠陥品と判別された素子基板１０に対して、対向基板４１を貼り付ける必要が無くなるので、対向基板４１を無駄にすることが防止される。
【００７８】
また、上記第１実施形態の有機ＥＬ装置１００において、実表示領域Ｅ１に設けられる発光画素は、青（Ｂ）、緑（Ｇ）、赤（Ｒ）の発光に対応したサブ画素１８Ｂ，１８Ｇ，１８Ｒに限定されない。例えば、上記３色以外の黄（Ｙ）の発光が得られるサブ画素１８Ｙを備えてもよい。これにより、色再現性をさらに高めることが可能となる。
【符号の説明】
【００７９】
１…アレイ基板（基板）、１０…素子基板、３０…有機ＥＬ素子、３４…封止層、３６…カラーフィルター、４１…封止基板、１００…有機ＥＬ装置。
【図１】
2015198032.tif 000003
【図２】
2015198032.tif 000004
【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
2015198032.tif 000009
【図８】
2015198032.tif 000010
【図９】
2015198032.tif 000011
【図１０】
2015198032.tif 000012
【図１１】
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