(57)【要約】【課題】チャンバのクリーニング回数の低減を図りながら、高品質な金属化合物膜の成膜が可能な金属化合物膜の成膜方法、および有機発光デバイスの製造方法を提供する。【解決手段】反応性スパッタリング法を用い、ＳｉＯ膜上に対しＡｌＯX膜を成膜する工程を複数回繰り返す。ＡｌＯX膜の成膜では、連続してｍ回の成膜工程を実行した後、（ｍ＋１）回目の成膜工程を実行する前に、副スパッタリング処理を実行する。副スパッタリング処理により、チャンバ７０の内壁面７０ｄに対し、Ａｌ膜７０１１と、ＡｌＯX膜とがこの順に積層されてなる被覆膜７０１を形成する。副スパッタリング処理を複数回実行することにより、被覆積層体７００の合計堆積厚みｔ2が３００μｍに達した時点で、生産ラインの稼働を停止してチャンバ７０内のクリーニング処理を行い、内壁面７０ｄに堆積した被覆積層体７００を除去する。【選択図】図９
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
反応性スパッタリング法を用い、対象物の表面に対し金属化合物膜を成膜する工程を複数回繰り返す金属化合物膜の成膜方法であって、
連続してｍ回の成膜工程を実行した後、（ｍ＋１）回目の成膜工程を実行する前に、
前記チャンバの内壁面に対し、金属からなる第１被覆膜と金属化合物からなる第２被覆膜とを、この順に堆積させる工程を、実行する
ことを特徴とする金属化合物膜の成膜方法。
【請求項２】
前記対象物に対し成膜される前記金属化合物膜は、アルミニウムまたはタングステンの金属Ｍと、酸素または窒素の少なくとも一種とからなり、
前記第１被覆膜は、金属Ｍからなり、
前記第２被覆膜は、前記対象物に対し成膜される前記金属化合物膜と同じ組成からなる
ことを特徴とする請求項１記載の金属化合物膜の成膜方法。
【請求項３】
前記第１被覆膜と前記第２被覆膜とを順に堆積させる工程は、
前記反応性スパッタリングのための反応性ガスの導入を停止するサブ工程と、
前記成膜後の対象物をチャンバから搬出した後に、前記チャンバ内の残存ガスを排気するサブ工程と、
前記残存ガスの排気後に、前記金属Ｍからなるターゲットによる反応性スパッタリングを実行することで、前記第１被覆膜を堆積させるサブ工程と、
前記第１被覆膜を堆積させるサブ工程の実行後に、前記チャンバ内に前記反応性ガスを導入し、当該状態で、前記ターゲットと前記反応性ガスとによる反応性スパッタリングを実行することで、前記第２被覆膜を堆積させるサブ工程と、
を備える
ことを特徴とする請求項２記載の金属化合物膜の成膜方法。
【請求項４】
前記第１被覆膜と前記第２被覆膜とを順に堆積させる工程では、５μｍ以上１５μｍ以下の膜厚の前記第１被覆膜と、２μｍ以上の前記第２被覆膜とを堆積させる
ことを特徴とする請求項１から請求項３の何れかに記載の金属化合物膜の成膜方法。
【請求項５】
１回目の対象物に対する成膜工程の実行から、チャンバを開けてのメインテナンスまでの間に、前記第１被覆膜と前記第２被覆膜とを順に堆積させる工程を、間欠的にｎ回実行するものであって、
前記第１被覆膜と前記第２被覆膜とを順に体積させる工程の実行回数ｎは、前記チャンバの内壁面からの合計堆積厚みが３００μｍ以下の範囲で規定されている
ことを特徴とする請求項１から請求項４の何れか記載の金属化合物膜の成膜方法。
【請求項６】
前記チャンバの内壁面には、前記対象物に対する成膜工程の実行に際しても、当該対象物に成膜される前記金属化合物膜と同じ組成の膜が堆積され、
前記合計堆積厚みには、前記対象物に対する成膜工程の実行の際に堆積される膜の厚みも含まれる
ことを特徴とする請求項５記載の金属化合物膜の成膜方法。
【請求項７】
１回目の成膜工程を実行する前に、
前記チャンバの内壁面に対し、金属からなる第１被覆膜と金属化合物からなる第２被覆膜とを、この順に堆積させる工程を、実行する
ことを特徴とする請求項１から請求項６の何れか記載の金属化合物膜の成膜方法。
【請求項８】
アノードおよびカソードと、当該アノードとカソードとの間に配される有機発光層とを有し、さらに金属化合物膜を有する有機発光デバイスを量産する有機発光デバイスの製造方法であって、
前記金属化合物膜の成膜では、請求項１から請求項７の何れかの金属化合物膜の成膜方法が用いられる
ことを特徴とする有機発光デバイスの製造方法。
【請求項９】
製造対象である前記有機発光デバイスには、前記アノード、前記カソード、および前記有機発光層の積層体を覆う状態で、前記金属化合物膜である封止層が設けられている
ことを特徴とする請求項８記載の有機発光デバイスの製造方法。
【請求項１０】
製造対象である前記有機発光デバイスには、前記アノードまたは前記カソードに接続される薄膜トランジスタ層を有し、
前記薄膜トランジスタ層は、パッシベーション層を有し、
前記パッシベーション層には、前記金属化合物膜が含まれている
ことを特徴とする請求項７または請求項９記載の有機発光デバイスの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、金属化合物膜の成膜方法、および有機発光デバイスの製造方法に関し、特に反応性スパッタリング法を用いた成膜方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
有機発光デバイスなどをはじめとする電子デバイスの製造において、金属化合物膜の成膜のために反応性スパッタリング法が用いられることがある。反応性スパッタリング法を用いた金属化合物膜の成膜は、対象物（基板など）を搬入したチャンバ内に、アルゴン（Ａｒ）などの放電ガスとともに酸素（Ｏ2）や窒素（Ｎ2）などの反応性ガスを導入して、反応性ガスとターゲットとによりスパッタリングを行うことで行われる。
【０００３】
具体的な反応性スパッタリング法を用いた金属化合物膜の成膜は、チャンバ内に対象物を搬入してチャンバを外気から遮断し、内部の空気などを排気する。そして、チャンバ内に放電ガスおよび反応性ガスを導入し、当該状態で対向するターゲットと対象物との間に電圧を印加することでプラズマを発生させる。これにより、反応ガスとターゲットから放出されるスパッタ粒子との反応により金属化合物膜が対象物の表面に成膜される。
【０００４】
電子デバイスの量産における金属化合物膜の成膜では、上記のような一連の工程が繰り返して実行される。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開平０６−２１２４１３号公報
【特許文献２】特開２０１３−１８１２２３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
反応性スパッタリング法を用いた金属化合物膜の成膜では、一定の期間ごとにチャンバの内壁面などのクリーニングのためのメインテナンスが必要となる。即ち、応性スパッタリング法を用いた成膜では、金属化合物膜は対象物の表面だけでなく、チャンバの内壁面にも付着してしまうが、チャンバの内壁面にある程度まで金属化合物膜が堆積すると、一部が内壁面から剥離し、対象物の表面などに落ちることがある。一定の期間ごとのメインテナンスは、このようなチャンバの内壁面からの金属化合物膜の剥離・落下を抑制するためのものである。
【０００７】
しかし、一定の期間ごとにチャンバのクリーニングを行う場合には、その間、製造ラインを停止しておく必要があり、生産効率の向上を図るためには、その回数を減らすことが求められる。
本発明は、このような問題の解決を図ろうとなされたものであって、チャンバのクリーニング回数の低減を図りながら、高品質な金属化合物膜の成膜が可能な金属化合物膜の成膜方法、および有機発光デバイスの製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明の一態様に係る金属化合物膜の成膜方法は、反応性スパッタリング法を用い、対象物の表面に対し金属化合物膜を成膜する工程を複数回繰り返す成膜方法である。本態様に係る成膜方法では、連続してｍ回の成膜工程を実行した後、（ｍ＋１）回目の成膜工程を実行する前に、チャンバの内壁面に対し、金属からなる第１被覆膜と金属化合物からなる第２被覆膜とを、この順に堆積させる工程を、実行する。
【発明の効果】
【０００９】
上記態様に係る成膜方法では、ｍ回目の成膜工程を実行した後、（ｍ＋１）回目の成膜工程を実行する前に、チャンバの内壁面に対し第１被覆膜を堆積させる。第１被覆膜は、金属からなるため、対象物への金属化合物膜の成膜時にチャンバの内壁面に付着する金属化合物膜よりも高い結合力を有する。よって、第１被覆膜の形成により、（ｍ＋１）回目以降の成膜でチャンバの内壁面に堆積される金属化合物膜の剥離を抑制することができる。
【００１０】
また、上記態様に係る成膜方法では、ｍ回目の成膜工程を実行した後、（ｍ＋１）回目の成膜工程を実行する前に、先に堆積させた第１被覆膜の上に、第２被覆膜を堆積させる。第２被覆膜は、金属化合物からなる。よって、（ｍ＋１）回目の成膜における放電電圧を安定させることができ、成膜レートの変動を抑えることができる。即ち、金属からなる第１被覆膜がチャンバの内部空間を臨む状態の場合には、当該第１被覆膜の金属成分により、続く（ｍ＋１）回目の成膜での放電電圧が不安定になることが考えられる。
【００１１】
これに対して、本態様に係る成膜方法では、第１被覆膜を金属化合物からなる第２被覆膜で覆った状態で、（ｍ＋１）回目の成膜を実行するので、放電電圧の安定化を図ることができる。
従って、上記態様に係る成膜方法では、チャンバのクリーニング回数の低減を図りながら、高品質な金属化合物膜の成膜が可能である。
【図面の簡単な説明】
【００１２】
【図１】（ａ）は、本発明の実施の形態１に係る有機ＥＬ表示パネルの製造方法を模式的に示す工程図であり、（ｂ）は、ＴＦＴ層の製造方法を模式的に示す工程図である。
【図２】（ａ）〜（ｅ）は、有機ＥＬ表示パネルの製造工程を順に示す模式断面図である。
【図３】（ａ）〜（ｅ）は、ＴＦＴ層の製造工程を順に示す模式断面図である。
【図４】（ａ）〜（ｅ）は、ＴＦＴ層の製造工程を順に示す模式断面図である。
【図５】実施の形態１に係る製造で用いる反応性スパッタリング装置７の概略構成を示す模式図である。
【図６】反応性スパッタリング装置７の制御系統を示す模式ブロック図である。
【図７】制御部８３が実行する制御フローを示すフロー図である。
【図８】（ａ）は、主スパッタリング処理の制御フローを示すフロー図であり、（ｂ）は、副スパッタリング処理の制御フローを示すフロー図である。
【図９】（ａ）は、スパッタリング処理を開始する前のチャンバ７０の内壁面の状態を示す模式断面図であり、（ｂ）は、副スパッタリング処理を一度実行した後のチャンバ７０の内壁面の状態を示す模式断面図であり、（ｃ）は、副スパッタリング処理を複数回実行した後のチャンバ７０の内壁面の状態を示す模式断面図である。
【図１０】（ａ）は、副スパッタリング処理でチャンバ７０の内壁面上に成膜されるＡｌＯX膜の膜厚と、ワークに付着した異物数との関係を示すグラフであり、（ｂ）は、副スパッタリング処理でチャンバ７０の内壁面上に成膜されるＡｌ膜の膜厚と、その後に処理が可能なＡｌＯX膜の膜厚との関係を示すグラフである。
【図１１】（ａ）は、副スパッタリング処理でのチャンバ７０の内壁面上に成膜されるＡｌＯX膜の膜厚と、主スパッタリング処理の際の放電電圧との関係を示すグラフであり、（ｂ）は、比較例１に係る副スパッタリング処理でチャンバ７０の内壁面上に成膜された被覆膜９０１を示す模式断面図であり、（ｃ）は、比較例２に係る副スパッタリング処理でチャンバ７０の内壁面上に成膜された被覆膜９０２を示す模式断面図である。
【図１２】本発明の実施の形態２に係る製造で用いる反応性スパッタリング装置で制御部により実行される制御フローを示すフロー図である。
【図１３】本発明の実施の形態３に係る製造方法を用い製造された有機ＥＬ表示パネルの構成を示す模式断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１３】
［本発明の各態様に至った経緯］
反応性スパッタリング法を用い金属化合物膜を成膜する場合、チャンバの内壁面にも金属化合物膜が堆積される。チャンバの内壁面における金属化合物膜の堆積量（厚み）は、スパッタリング回数を重ねるごとに厚くなって行く。
ここで、金属化合物膜は、金属膜よりもはがれやすい性質を有する。これは、金属化合物膜は、複数の原子により構成されているため、内部応力が大きいためである。
【００１４】
よって、本発明者は、チャンバの内壁面に堆積する金属化合物膜の剥がれを抑制するために、金属膜を介挿し、サンドウィッチ構造とすることが望ましいとの結論に至った。
また、本発明者は、チャンバの内壁面に堆積した金属化合物膜の剥がれ抑制のために、チャンバの内壁面に金属膜を堆積させた場合に、その次にスパッタリングを行うときに放電電圧が不安定になることを見出した。これは、チャンバの内部空間を臨む内壁面が金属膜で構成されると、その導電性の影響を受けて放電電圧が不安定になることによるものと推測される。
【００１５】
本発明の各態様は、上記のような知見に基づきなされたものである。
［本発明の各態様］
本発明の一態様に係る金属化合物膜の成膜方法は、反応性スパッタリング法を用い、対象物の表面に対し金属化合物膜を成膜する工程を複数回繰り返す成膜方法である。本態様に係る成膜方法では、連続してｍ回の成膜工程を実行した後、（ｍ＋１）回目の成膜工程を実行する前に、チャンバの内壁面に対し、金属からなる第１被覆膜と金属化合物からなる第２被覆膜とを、この順に堆積させる工程を、実行する。
【００１６】
この態様に係る成膜方法では、ｍ回目の成膜工程を実行した後、（ｍ＋１）回目の成膜工程を実行する前に、チャンバの内壁面に対し第１被覆膜を堆積させる。第１被覆膜は、金属からなるため、対象物への金属化合物膜の成膜時にチャンバの内壁面に付着する金属化合物膜よりも高い結合力を有する。よって、第１被覆膜の形成により、（ｍ＋１）回目以降の成膜でチャンバの内壁面に堆積される金属化合物膜の剥離を抑制することができる。
【００１７】
また、上記態様に係る成膜方法では、ｍ回目の成膜工程を実行した後、（ｍ＋１）回目の成膜工程を実行する前に、先に堆積させた第１被覆膜の上に、第２被覆膜を堆積させる。第２被覆膜は、金属化合物からなる。よって、（ｍ＋１）回目の成膜における放電電圧を安定させることができ、成膜レートの変動を抑えることができる。即ち、金属からなる第１被覆膜がチャンバの内部空間を臨む状態の場合には、当該第１被覆膜の金属成分により、続く（ｍ＋１）回目の成膜での放電電圧が不安定になることが考えられる。
【００１８】
これに対して、本態様に係る成膜方法では、第１被覆膜を金属化合物からなる第２被覆膜で覆った状態で、（ｍ＋１）回目の成膜を実行するので、放電電圧の安定化を図ることができる。
従って、上記態様に係る成膜方法では、チャンバのクリーニング回数の低減を図りながら、高品質な金属化合物膜の成膜が可能である。
【００１９】
別態様に係る成膜方法では、上記方法において、対象物に対し成膜される金属化合物膜が、アルミニウム（Ａｌ）またはタングステン（Ｗ）の金属Ｍと、酸素（Ｏ）または窒素（Ｎ）の少なくとも一種とからなる。そして、第１被覆膜が金属Ｍからなり、第２被覆膜が、対象物に対し成膜される金属化合物膜と同じ組成からなる。これにより、第１被覆膜および第２被覆膜の形成に際して、ターゲットの切り替えなどを必要とせず、反応性ガスを導入するか否かを制御するだけで第１被覆膜および第２被覆膜を形成することができる。
また、別態様に係る成膜方法では、上記方法において、第１被覆膜と第２被覆膜とを順に堆積させる工程が、次のようなサブ工程を備える。
【００２０】
（ｉ）反応性スパッタリングのための反応性ガスの導入を停止するサブ工程
（ｉｉ）成膜後の対象物をチャンバから搬出した後に、チャンバ内の残存ガスを排気するサブ工程
（ｉｉｉ）残存ガスの排気後に、金属Ｍからなるターゲットによる反応性スパッタリングを実行することで、第１被覆膜を堆積させるサブ工程
（ｉｖ）第１被覆膜を堆積させるサブ工程の実行後に、チャンバ内に反応性ガスを導入し、当該状態で、ターゲットと反応性ガスとによる反応性スパッタリングを実行することで、第２被覆膜を堆積させるサブ工程
このような方法を採用することにより、新たな設備を設けることなく第１被覆膜および第２被覆膜をチャンバの内壁面に形成することが可能となる。
別態様に係る成膜方法では、上記方法において、５μｍ以上１５μｍ以下の膜厚の第１被覆膜と、２μｍ以上の第２被覆膜とを堆積させる。第１被覆膜の膜厚を上記のように規定することにより、対象物への成膜に際しチャンバの内壁面に金属化合物膜が堆積していった場合にも、その剥離が抑えられ、対象物に成膜される金属化合物膜の高い品質を確保することができる。また、第２被覆膜の膜厚を上記のように規定することにより、チャンバ内に金属膜である第１被覆膜の露出を抑え、放電電圧の安定を図ることができる。
【００２１】
別態様に係る成膜方法では、上記方法において、１回目の対象物に対する成膜工程の実行から、チャンバを開けてのメインテナンスまでの間に、第１被覆膜と第２被覆膜とを順に堆積させる工程を、間欠的にｎ回実行する。そして、第１被覆膜と第２被覆膜とを順に体積させる工程の実行回数ｎは、チャンバの内壁面からの合計堆積厚みが３００μｍ以下の範囲で規定する。このように、合計堆積厚みを３００μｍ以下と規定することにより、チャンバ壁内壁面からの膜剥離・落下リスクを低減させ、高い生産効率を維持することができる。即ち、堆積厚みが３００μｍを超えた場合には、厚膜化によって堆積膜の応力が増大し、膜剥離・落下リスクが高まる。この場合には、次のスパッタリング処理時に、剥離・落下した膜が対象物へ混入するリスクが高まり、品質の低下を招く危険性が増大する。
【００２２】
よって、合計堆積厚みが３００μｍ以下の範囲で定期的なメインテナンス作業（チャンバのクリーニング作業など）を実行することで、生産効率・品質の低下を最小限に抑えることが可能となる。
別態様に係る成膜方法では、上記方法において、チャンバの内壁面に、対象物に対する成膜工程の実行に際しても、当該対象物に成膜される金属化合物膜と同じ組成の膜が堆積され、上記合計堆積厚みには、対象物に対する成膜工程の実行の際に堆積される膜の厚みも含まれる。これにより、上記理由による生産効率・品質の低下を最小限に抑えることができる。
【００２３】
なお、合計堆積厚みについては、必ずしも定期的に実測する必要はなく、実験により予め求めた関係（スパッタリング回数、時間などと厚みとの関係）より推定することとしてもよい。
別態様に係る成膜方法では、上記方法において、１回目の成膜工程を実行する前に、チャンバの内壁面に対し、金属からなる第１被覆膜と金属化合物からなる第２被覆膜とを、この順に堆積させる工程を、実行する。このように、１回目の成膜工程（対象物への金属化合物膜の成膜）を実行する前に、チャンバの内壁面に対し第１被覆膜と第２被覆膜とを堆積させる場合には、チャンバの内部空間を第２被覆膜が臨むこととなり、２回目以降の成膜工程と同一条件での成膜が可能となる。
【００２４】
本発明の一態様に係る有機発光デバイスの製造方法は、アノードおよびカソードと、当該アノードとカソードとの間に配される有機発光層とを有し、さらに金属化合物膜を有する有機発光デバイスを量産する製造方法であって、金属化合物膜の成膜について、上記の何れかの金属化合物膜の成膜方法が用いられる。これにより、チャンバのクリーニング回数の低減を図りながら、高品質な金属化合物膜を備える有機発光デバイスの製造が可能となる。
【００２５】
別態様に係る有機発光デバイスの製造方法では、上記製造方法において、製造対象である有機発光デバイスには、金属化合物膜としての封止層が設けられている。封止層は、アノード、カソード、および有機発光層の積層体を覆う状態で設けられている。このように金属化合物からなる封止層を備える構成を採用すれば、水分や酸素、さらには水素などが有機発光層やＴＦＴ層のチャネル層に対して浸入するのを効果的に抑制することができる。よって、上記態様を採用することで、高い発光性能を有するデバイスを製造することができる。
【００２６】
別態様に係る有機発光デバイスの製造方法では、上記製造方法において、製造対象である有機発光デバイスには、アノードまたはカソードに接続される薄膜トランジスタ層を有し、薄膜トランジスタ層が有するパッシベーション層には、金属化合物膜が含まれている。このような方法を採用すれば、ＴＦＴ層におけるチャネル層として酸化物半導体からなる層を採用した場合にあっても、外部などからの水素をパッシベーション層で確実に遮断することができ、高い信頼性のデバイスを製造することができる。
【００２７】
［実施の形態１］
１．有機ＥＬ表示パネルの製造方法
有機ＥＬ（Ｅｌｅｃｔｒｏ  Ｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｃｅ）表示パネルの製造方法について、図１（ａ）および図２を用い概要を説明する。
図２（ａ）に示すように、基板１を準備する（図１（ａ）のステップＳ１）。
【００２８】
次に、図２（ｂ）に示すように、基板１の一方の主面（Ｚ軸方向上側の主面）上に、ＴＦＴ層２を形成する（図１（ａ）のステップＳ２）。なお、ＴＦＴ層２の形成については、後述する。
次に、図２（ｃ）に示すように、ＴＦＴ層２上を覆うように、平坦化層３を形成する（図１（ａ）のステップＳ３）。
【００２９】
次に、図２（ｄ）に示すように、平坦化層３上にＥＬ素子部４を形成する（図１（ａ）のステップＳ４）。図２（ｄ）に示すように、ＥＬ素子部４は、平坦化層３の上側主面上に設けられたアノード４１と、アノード４１の周縁上に形成されたバンク４２と、バンク４２の囲繞により構成された開口部内に形成された発光機能層４３と、発光機能層４３の上面およびバンク４２の頂面を覆うように形成されたカソード４４および封止層４５とから構成されている。
【００３０】
なお、アノード４１については、各サブピクセル単位で設けられており、平坦化層３に開設されたコンタクト孔を通してＴＦＴ層２の上部電極に対して接続されている。
また、発光機能層４３は、ウェットプロセスを用い形成され、有機発光層を含む複数層の積層構造を有する。
次に、図２（ｅ）に示すように、ＥＬ素子部４の上に樹脂層６を介した状態でＣＦ（カラーフィルタ）パネル部５を貼り合わせることで、有機ＥＬ表示パネルが完成する（図１（ａ）のステップＳ５）。ＣＦパネル部５は、基板５１と、基板５１の一方の主面（Ｚ軸方向下側の主面）に設けられたカラーフィルタ層５２およびブラックマトリクス層５３により構成されている。なお、カラーフィルタ層５２については、各サブピクセル単位で設けられている。
【００３１】
２．ＴＦＴ層２の形成方法
有機ＥＬ表示パネルにおけるＴＦＴ層２の形成方法について、図１（ｂ）と図３および図４を用い説明する。
図３（ａ）に示すように、基板１の一方の主面（Ｚ軸方向上側の主面）上にゲート電極２０ａ、２０ｂを形成する（図１（ｂ）のステップＳ２０）。ゲート電極２０ａ，２０ｂは、互いにＸ軸方向に間隔をあけた状態とする。ゲート電極２０ａ，２０ｂの形成は、メタルスパッタリング法を用い、銅（Ｃｕ）からなる金属膜とモリブデン（Ｍｏ）からなる金属膜とを積層形成し、その上にホトリソグラフィー法を用いてレジストパターンを形成した後、ウェットエッチングを行い、レジストパターンを除去することでなされる。
なお、本実施の形態では、１サブピクセル当たり２つのトランジスタ素子部を形成してなる形態を一例としている。
【００３２】
次に、図３（ｂ）に示すように、ゲート電極２０ａ，２０ｂおよび基板１の露出部分を覆うように、ゲート絶縁層２１を形成する（図１（ｂ）のステップＳ２１）。ゲート絶縁層２１の形成は、プラズマＣＶＤ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｖａｐｏｒ  Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法あるいはスパッタリング法を用い、ＳｉＯ膜とＳｉＮ膜とを順に積層形成することでなされる。
【００３３】
次に、図３（ｃ）に示すように、ゲート絶縁層２１上におけるゲート電極２０ａ，２０ｂの各上方に相当する領域に、チャネル層２２ａ，２２ｂを形成する（図１（ｂ）のステップＳ２２）。チャネル層２２ａ，２２ｂの形成は、スパッタリング法を用いて酸化物半導体膜を形成し、ホトリソグラフィー法およびウェットエッチング法を用いてパターニングすることでなされる。
【００３４】
次に、図３（ｄ）に示すように、チャネル層２２ａ，２２ｂおよびゲート絶縁層２１の露出部分を被覆するように、チャネル保護層２３を積層形成する（図１（ｂ）のステップＳ２３）。チャネル保護層２３の形成は、プラズマＣＶＤ法あるいはスパッタリング法を用い、ＳｉＯ膜を成膜した後、ドライエアーまたは酸素雰囲気下で成膜温度以上の温度でのアニール処理を施すことでなされる。ここで、アニール処理は、チャネル層２２ａ，２２ｂの酸素欠陥を修復し、半導体特性を維持するためになされる。
【００３５】
次に、チャネル保護層２３に複数のコンタクト孔を開設し、その後にソース電極２４ａ，２４ｂおよびドレイン電極２４ｃ，２４ｄを形成する（図１（ｂ）のステップＳ２４）。コンタクト孔の開設は、ホトリソグラフィー法およびドライエッチング法を用いてなされる。また、ソース電極２４ａ，２４ｂおよびドレイン電極２４ｃ，２４ｄの形成は、スパッタリング法を用いて銅マンガン（ＣｕＭｎ）膜とモリブデン（Ｍｏ）膜とを積層した後、ホトリソグラフィー法およびウェットエッチング法を用いてパターニングすることでなされる。
コンタクト孔を通して、ソース電極２４ａおよびドレイン電極２４ｃの各一部はチャネル層２２ａに接触し、ソース電極２４ｂおよびドレイン電極２４ｄの各一部はチャネル層２２ｂに接触する。また、コンタクト孔を通して、ドレイン電極２４ｃはゲート電極２０ｂに対して電気的に接続される。
【００３６】
次に、図４（ａ）に示すように、ソース電極２４ａ，２４ｂ、ドレイン電極２４ｃ，２４ｄ、およびチャネル保護層２３の露出部分を被覆するように、パッシベーション層の構成膜であるＳｉＯ膜２５を形成する（図１（ｂ）のステップＳ２５）。ＳｉＯ膜２５の形成は、プラズマＣＶＤ法またはスパッタリング法を用いて成膜し、その後、ドライエアーまたは酸素雰囲気下でアニール処理を施すことによりなされる。
【００３７】
次に、図４（ｂ）に示すように、ＳｉＯ膜２５を被覆するように、ＡｌＯX膜２６を成膜する（図１（ｂ）のステップＳ２６）。ＡｌＯX膜２６の形成は、反応性スパッタリング法を用いなされる。これについては、後述する。
次に、図４（ｃ）に示すように、ＡｌＯX膜２６を被覆するように、ＳｉＮ膜２７を成膜する（図１（ｂ）のステップＳ２７）。ＳｉＮ膜２７の形成は、プラズマＣＶＤ法あるいはスパッタリング法を用いなされる。
【００３８】
次に、図４（ｄ）に示すように、ＳｉＯ膜２５、ＡｌＯX膜２６、およびＳｉＮ膜２７の積層構造を有するパッシベーション層に対して、ソース電極２４ｂの上方の一部に相当する箇所にコンタクト孔を開設した後、上部電極２８を形成する（図１（ｂ）のステップＳ２８）。上部電極２８の形成は、スパッタリング法を用いて金属膜（銅（Ｃｕ）などからなる膜）を形成した後、ホトリソグラフィー法およびウェットエッチング法を用いてなされる。上部電極２８は、ソース電極２４ｂと電気的に接続される。
【００３９】
次に、図４（ｅ）に示すように、上部電極２８およびＳｉＮ膜２７の露出部分を被覆するように、絶縁層２９を成膜する（図１（ｂ）のステップＳ２９）。縁層２９の形成は、プラズマＣＶＤ法またはスパッタリング法を用いて成膜することでなされる。
なお、絶縁層２９に対しては、上部電極２８とアノード４１との接続のためのコンタクト孔を開設することになる。コンタクト孔の開設については、例えば、ドライエッチングで行うことができる。
【００４０】
３．構成材料
本実施の形態に係る有機ＥＬ表示パネルの構成材料としては、例えば、次のような材料を採用することができる。
（１）基板１，５１
基板１，５１の構成材料としては、例えば、ガラス基板、石英基板、シリコン基板、硫化モリブデン、銅、亜鉛、アルミニウム、ステンレス、マグネシウム、鉄、ニッケル、金、銀などの金属基板、ガリウム砒素基などの半導体基板、プラスチック基板等を採用することができる。
【００４１】
プラスチック基板としては、熱可塑性樹脂、熱硬化性樹脂いずれの樹脂を用いてもよい。例えば、ポリエチレン、ポリプロピレン、エチレン−プロピレン共重合体、エチレン−酢酸ビニル共重合体（ＥＶＡ）等のポリオレフィン、環状ポリオレフィン、変性ポリオレフィン、ポリ塩化ビニル、ポリ塩化ビニリデン、ポリスチレン、ポリアミド、ポリイミド（ＰＩ）、ポリアミドイミド、ポリカーボネート、ポリ−（４−メチルベンテン−１）、アイオノマー、アクリル系樹脂、ポリメチルメタクリレート、アクリル−スチレン共重合体（ＡＳ樹脂）、ブタジエン−スチレン共重合体、ポリオ共重合体（ＥＶＯＨ）、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリブチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）、プリシクロヘキサンテレフタレート（ＰＣＴ）等のポリエステル、ポリエーテル、ポリエーテルケトン、ポリエーテルスルホン（ＰＥＳ）、ポリエーテルイミド、ポリアセタール、ポリフェニレンオキシド、変形ポリフェニレンオキシド、ポリアリレート、芳香族ポリエステル（液晶ポリマー）、ポリテトラフルオロエチレン、ポリフッ化ビニリデン、その他フッ素系樹脂、スチレン系、ポリオレフィン系、ポリ塩化ビニル系、ポリウレタン系、フッ素ゴム系、塩素化ポリエチレン系等の各種熱可塑性エラストマー、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、ユリア樹脂、メラミン樹脂、不飽和ポリエステル、シリコーン樹脂、ポリウレタン等、またはこれらを主とする共重合体、ブレンド体、ポリマーアロイ等が挙げられ、これらのうち１種、または２種以上を積層した積層体を用いることができる。
（２）ＴＦＴ層２
ＴＦＴ層２におけるゲート電極２０ａ，２０ｂおよびソース電極２４ａ，２４ｂおよびドレイン電極２４ｃ，２４ｄの構成材料としては、例えば、銅（Ｃｕ）を含み構成されている。例えば、銅（Ｃｕ）からなる層とモリブデン（Ｍｏ）からなる層との積層体を採用することができる。上部電極２８についても同様の材料を用い形成することができる。
ただし、各電極の構成材料については、これに限定されず、例えば、Ｃｕ単層や、Ｃｕ／Ｗの積層体などを採用することもできるし、次のような材料を採用することも可能である。
【００４２】
それ以外に採用することが可能な材料としては、クロム（Ｃｒ）、アルミニウム（Ａｌ）、タンタル（Ｔａ）、ニオブ（Ｎｂ）、銀（Ａｇ）、金（Ａｕ）、プラチナ（Ｐｔ）、パラジウム（Ｐｄ）、インジウム（Ｉｎ）、ニッケル（Ｎｉ）、ネオジム（Ｎｄ）などの金属もしくはそれらの合金、または、酸化亜鉛、酸化スズ、酸化インジウム、酸化ガリウムなどの導電性金属酸化物もしくは酸化インジウムスズ（ＩＴＯ）、酸化インジウム亜鉛（ＩＺＯ）、酸化アルミニウム亜鉛（ＡＺＯ）、酸化ガリウム亜鉛（ＧＺＯ）などの導電性金属複合酸化物、または、ポリアニリン、ポリピロール、ポリチオフェン、ポリアセチレンなどの導電性高分子もしくはそれらに、塩酸、硫酸、スルホン酸などの酸、六フッ化リン、五フッ化ヒ素、塩化鉄などのルイス酸、ヨウ素などのハロゲン原子、ナトリウム、カリウムなどの金属原子などのドーパントを添加したもの、もしくは、カーボンブラックや金属粒子を分散した導電性の複合材料などが挙げられる。また、金属微粒子とグラファイトのような導電性粒子を含むポリマー混合物を用いてもよい。これらは、１種または２種以上を組み合わせて用いることもできる。
【００４３】
ＴＦＴ層２のゲート絶縁層２１の構成としては、例えば、酸化シリコン（ＳｉＯ）と窒化シリコン（ＳｉＮ）との積層体を採用することができる。ただし、ゲート絶縁層の構成は、これに限定されるものではなく、  ゲート絶縁層２１の構成材料としては、例えば、電気絶縁性を有する材料であれば、公知の有機材料や無機材料のいずれも用いることができる。
【００４４】
有機材料としては、例えば、アクリル系樹脂、フェノール系樹脂、フッ素系樹脂、エポキシ系樹脂、イミド系樹脂、ノボラック系樹脂などを用い形成することができる。
また、無機材料としては、例えば、酸化ケイ素、酸化アルミニウム、酸化タンタル、酸化ジルコニウム、酸化セリウム、酸化亜鉛、酸化コバルトなどの金属酸化物、窒化ケイ素、窒化アルミニウム、窒化ジルコニウム、窒化セリウム、窒化亜鉛、窒化コバルト、窒化チタン、窒化タンタルなどの金属窒化物、チタン酸バリウムストロンチウム、ジルコニウムチタン酸鉛などの金属複合酸化物が挙げられる。これらは、１種または２種以上組み合わせて用いることができる。
【００４５】
さらに、表面処理剤（ODTS OTS HMDS βPTS）などでその表面を処理したものも含まれる。
ＴＦＴ層２のチャネル層２２ａｑ，２２ｂの構成としては、アモルファス酸化インジウムガリウム亜鉛（Ｉｎ−Ｇａ−Ｚｎ−Ｏ）からなる層を採用することができる。チャネル層の構成材料は、これに限定されるものではなく、インジウム（Ｉｎ）、ガリウム（Ｇａ）、亜鉛（Ｚｎ）から選択される少なくとも一種を含む酸化物半導体を採用することができる。
【００４６】
また、チャネル層２２ａ，２２ｂの層厚については、例えば、２０［ｎｍ］〜２００［ｎｍ］の範囲とすることができ、有機ＥＬ表示パネルに形成されている全てのチャネル層で層厚が同一である必要はなく、一部が異なるように設定することもできる。
ＴＦＴ層２のチャネル保護層２３の構成としては、酸化シリコン（ＳｉＯ）からなる層を採用することができる。ただし、チャネル保護層２３の構成材料は、これに限定されるものではなく、例えば、酸窒化シリコン（ＳｉＯＮ）、窒化シリコン（ＳｉＮ）、あるいは酸化アルミニウム（ＡｌＯX）を用いることができる。また、上記のような材料を用いた層を複数積層することで構成することもできる。
【００４７】
また、チャネル保護層２３の層厚については、例えば、５０［ｎｍ］〜５００［ｎｍ］の範囲とすることができる。
ＴＦＴ層２のパッシベーション層の構成としては、上述のように、ＳｉＯ膜２５、ＡｌＯX膜２６、およびＳｉＮ膜２７の積層構造を採用することができる。なお、ＡｌＯX膜２６の膜厚については、１００ｎｍ以下とすることが、コンタクト孔を加工に要する時間の短縮という観点から望ましい。
【００４８】
（３）平坦化層３
平坦化層３の構成は、ポリイミドからなる層を採用することができる。ただし、ポリイミドからなる層以外にも、ポリアミド、アクリル系樹脂材料などの有機化合物からなる層を採用することもできる。
なお、平坦化層３の層厚については、４．０［μｍ］〜５．０［μｍ］の範囲、例えば、４．５［μｍ］とすることができる。
【００４９】
（４）アノード電極４１
アノード電極４１は、銀（Ａｇ）またはアルミニウム（Ａｌ）を含む金属材料から構成されている。トップエミッション型の本実施の形態に係る有機ＥＬ表示パネルの場合には、その表面部が高い反射性を有することが好ましい。
なお、アノード電極４１については、上記のような金属材料からなる単層構造だけではなく、金属層と透明導電層との積層体を採用することもできる。透明導電層の構成材料としては、例えば、酸化インジウムスズ（ＩＴＯ）や酸化インジウム亜鉛（ＩＺＯ）などを用いることができる。
【００５０】
なお、本実施の形態では、アノード電極４１と発光機能層４３との間のホール注入層などについては図示および説明を省略しているが、上述のように、これらホール注入層を挿入した構成を採用することもできる。
ホール注入層が介挿された構成を採用する場合には、その構成材料の例として、例えば、銀（Ａｇ）、モリブデン（Ｍｏ）、クロム（Ｃｒ）、バナジウム（Ｖ）、タングステン（Ｗ）、ニッケル（Ｎｉ）、イリジウム（Ｉｒ）などの酸化物、あるいは、ＰＥＤＯＴ（ポリチオフェンとポリスチレンスルホン酸との混合物）などの導電性ポリマー材料を採用することができる。
なお、金属酸化物からなるホール注入層を採用する場合には、ＰＥＤＯＴなどの導電性ポリマー材料を用いる場合に比べて、ホールを安定的に、またはホールの生成を補助して、有機発光層に対しホールを注入する機能を有し、大きな仕事関数を有する、という観点から有効である。
【００５１】
また、ホール注入層として導電性ポリマー材料を用いる場合には、発光機能層の一部として塗布法を用い形成することもできる。
（５）バンク４２
バンク４２は、樹脂等の有機材料を用い形成されており絶縁性を有する。バンク４２の形成に用いる有機材料の例としては、アクリル系樹脂、ポリイミド系樹脂、ノボラック型フェノール樹脂等があげられる。バンク４２は、有機溶剤耐性を有することが好ましい。さらに、バンク１０４は、製造工程中において、エッチング処理、ベーク処理など施されることがあるので、それらの処理に対して過度に変形、変質などをしないような耐性の高い材料で形成されることが好ましい。また、表面に撥水性をもたせるために、表面をフッ素処理することもできる。
【００５２】
なお、バンク４２を親液性の材料を用い形成した場合には、バンク４２の表面と有機発光層の表面との親液性／撥液性の差異が小さくなり、有機発光層を形成するために有機物質を含んだインクを、バンク４２が規定する開口内に選択的に保持させることが困難となってしまうためである。
さらに、バンク４２の構造については、図２（ｄ）、（ｅ）に示すような一層構造だけでなく、二層以上の多層構造を採用することもできる。この場合には、層毎に上記材料を組み合わせることもできるし、層毎に無機材料と有機材料とを用いることもできる。
【００５３】
（６）発光機能層４３
図示を省略しているが、発光機能層４３は、ホール輸送層、有機発光層、電子輸送層の積層構造を有する。
（ｉ）ホール輸送層
ホール輸送層は、親水基を備えない高分子化合物を用い形成することができる。例えば、ポリフルオレンやその誘導体、あるいはポリアリールアミンやその誘導体などの高分子化合物であって、親水基を備えないものなどを用いることができる。
【００５４】
（ｉｉ）有機発光層
有機発光層としては、ホールと電子とが注入され再結合されることにより励起状態が生成され発光する機能を有する。有機発光層の形成に用いる材料は、湿式印刷法を用い成膜できる発光性の有機材料を用いることが必要である。
具体的には、例えば、特許公開公報（日本国・特開平５−１６３４８８号公報）に記載のオキシノイド化合物、ペリレン化合物、クマリン化合物、アザクマリン化合物、オキサゾール化合物、オキサジアゾール化合物、ペリノン化合物、ピロロピロール化合物、ナフタレン化合物、アントラセン化合物、フルオレン化合物、フルオランテン化合物、テトラセン化合物、ピレン化合物、コロネン化合物、キノロン化合物及びアザキノロン化合物、ピラゾリン誘導体及びピラゾロン誘導体、ローダミン化合物、クリセン化合物、フェナントレン化合物、シクロペンタジエン化合物、スチルベン化合物、ジフェニルキノン化合物、スチリル化合物、ブタジエン化合物、ジシアノメチレンピラン化合物、ジシアノメチレンチオピラン化合物、フルオレセイン化合物、ピリリウム化合物、チアピリリウム化合物、セレナピリリウム化合物、テルロピリリウム化合物、芳香族アルダジエン化合物、オリゴフェニレン化合物、チオキサンテン化合物、アンスラセン化合物、シアニン化合物、アクリジン化合物、８−ヒドロキシキノリン化合物の金属錯体、２−ビピリジン化合物の金属錯体、シッフ塩とＩＩＩ族金属との錯体、オキシン金属錯体、希土類錯体などの蛍光物質で形成されることが好ましい。
【００５５】
（ｉｉｉ）電子輸送層
電子輸送層は、カソード４４から注入された電子を有機発光層へ輸送する機能を有し、例えば、オキサジアゾール誘導体（ＯＸＤ）、トリアゾール誘導体（ＴＡＺ）、フェナンスロリン誘導体（ＢＣＰ、Ｂｐｈｅｎ）などを用い形成されている。
（７）カソード４４
カソード４４は、例えば、酸化インジウムスズ（ＩＴＯ）若しくは酸化インジウム亜鉛（ＩＺＯ）などを用い形成される。本実施の形態のように、トップエミッション型の本実施の形態に係る有機ＥＬ表示パネルの場合においては、光透過性の材料で形成されることが必要となる。光透過性については、透過率が８０［％］以上とすることが好ましい。
【００５６】
（８）封止層４５
封止層４５は、有機発光層などの有機層が水分に晒されたり、空気に晒されたりすることを抑制する機能を有し、例えば、窒化シリコン（ＳｉＮ）、酸窒化シリコン（ＳｉＯＮ）などの材料を用い形成される。また、窒化シリコン（ＳｉＮ）、酸窒化シリコン（ＳｉＯＮ）などの材料を用い形成された層の上に、アクリル樹脂、シリコーン樹脂などの樹脂材料からなる封止樹脂層を設けてもよい。
【００５７】
封止層４５は、トップエミッション型である本実施の形態に係る有機ＥＬ表示パネルの場合においては、光透過性の材料で形成されることが必要となる。
（９）カラーフィルタ層５２
カラーフィルタ層５２としては、赤色（Ｒ）、緑色（Ｇ）、青色（Ｂ）の各色の波長域の可視光を選択的に透過する、公知の材料から構成される。例えば、アクリル樹脂をベースに形成されている。
（１０）ブラックマトリクス層５３
ブラックマトリクス層５３は、例えば、光吸収性および遮光性に優れる黒色顔料を含む紫外線硬化樹脂材料から構成されている。具体的な紫外線硬化樹脂材料としては、例えば、アクリル樹脂等がある。
【００５８】
４．反応性スパッタリング装置
（１）装置構成
本実施の形態では、上述のように、ＴＦＴ層２におけるパッシベーション層のＡｌＯX膜２６の形成に、反応性スパッタリング装置を用いる。反応性スパッタリング装置の構成について、図５および図６を用い概略説明をする。
【００５９】
図５に示すように、反応性スパッタリング装置７は、内部に基板ホルダ７１およびパッキングプレート７２が設けられたチャンバ７０を備える。基板ホルダ７１には、ワーク（スパッタリング対象物）Ｗが保持され、パッキングプレート７２には、ターゲットＴｇが保持される。なお、本実施の形態では、ＡｌＯX膜２６の形成に用いる反応性スパッタリング装置７を一例としているので、ターゲットＴｇにアルミニウム（Ａｌ）を用いる。
【００６０】
チャンバ７０には、ワークＷの搬入口７０ｂおよび搬出口７０ｃの２箇所の開口が設けられており、それぞれに搬入シャッタ８０および搬出シャッタ８１が設けられている。ワークＷは、搬入口７０ｂから矢印Ａのように内部７０ａに搬入され、スパッタリングが終われば、矢印Ｂのように搬出口７０ｃから搬出される。なお、搬出口７０ｃの外側には、搬出部センサ８２が設けられており、ワークＷの通過を検出できるようになっている。
【００６１】
チャンバ７０には、排気バルブ７４を介して排気ポンプ７３が接続されている。排気ポンプ７３の駆動により、チャンバ７０の内部７０ａの残留ガスなどの排気を行うことができる。
また、チャンバ７０には、Ａｒ供給バルブ７６を介してＡｒガス供給部７５が接続され、Ｏ2供給バルブ７８を介してＯ2ガス供給部７７が接続されている。これらは、バルブ７６，７８を開状態とすることにより、チャンバ７０の内部７０ａに各ガス（Ａｒ、Ｏ2）を供給することができる構成となっている。
【００６２】
さらに、反応性スパッタリング装置７には、基板ホルダ７１とパッキングプレート７２との間に電圧を印加するためのパワーサプライ７９が設けられている。パワーサプライ７９は、例えば、高周波交流電源装置である。
次に、図６に示すように、反応性スパッタリング装置７には、制御部８３が設けられている。さらに、反応性スパッタリング装置７には、メモリ８４、操作部８５、モニタ８６、第１カウンタ８７、および第２カウンタ８８も備える。制御部８３は、反応性スパッタリング装置７における各部に駆動信号の送出し、検出データの入力を受け付ける。
【００６３】
（２）駆動方法
反応性スパッタリング装置７の駆動方法について、図７および図８を用い説明する。
装置の駆動を開始すると、制御部８３は、第１カウンタ８７をリセット（ｉ⇒０）する（図７のステップＳ２６１）。制御部８３は、続いて第２カウンタ８８もリセット（ｊ⇒０）する（図７のステップＳ２６２）。
【００６４】
反応性スパッタリング装置７では、主スパッタリング処理が実行される（図７のステップＳ２６３）。
次に、主スパッタリング処理が終了し、成膜後のワークＷが搬出されると、制御部８３は、第２カウンタ８８のカウントアップ（ｊ⇒ｊ＋１）を行う（図７のステップＳ２６４）。第２カウンタ８８のカウントアップは、ワークＷが搬出口７０ｃから搬出される際の搬出部センサ８２の検知結果の入力に基づきなされる。
【００６５】
次に、制御部８３は、カウントアップされた第２カウンタ８８のカウンタ値ｊが、予め設定された値ｍ以上が否かを判定する（図７のステップＳ２６５）。カウンタ値ｊが値ｍ未満であると判断した場合には（ステップＳ２６５；Ｎｏ）、制御部８３は、ステップＳ２６３に戻り処理を実行する。
一方、カウンタ値ｊが値ｍ以上であると判断した場合には（ステップＳ２６５；Ｙｅｓ）、副スパッタリング処理を実行する（図７のステップＳ２６６）。副スパッタリング処理の実行後、第１カウンタ８７のカウンタ値をカウントアップ（ｉ⇒ｉ＋１）する（図７のステップＳ２６７）。
制御部８３は、カウントアップしたカウンタ値ｉが予め設定された値ｎ以上か否かを判定する（図７のステップＳ２６８）。カウンタ値ｉが値ｎ未満であると判断した場合には（ステップＳ２６８；Ｎｏ）、ステップＳ２６２に戻り処理を実行する。
【００６６】
一方、制御部８３は、カウンタ値ｉが値ｎ以上であると判断した場合には（ステップＳ２６８；Ｙｅｓ）、第２カウンタリセットを行った上で（図７のステップＳ２６９）、主スパッタリング処理をｍ回実行した後に（図７のステップＳ２７０〜ステップＳ２７２）、駆動を停止する。この理由についても後述する。
なお、値ｍおよび値ｎについては、予めメモリ８４に入力された値であるが、操作部８５からのオペレータの補正指示を受け付けた場合には、値の補正を行うこともできる。
【００６７】
また、上記ステップＳ２７２の実行が終了した時点、あるいはそれよりも前の時点で、モニタ８６を介してオペレータに駆動終了に関する情報が表示される。
（ｉ）主スパッタリング処理
主スパッタリング処理は、次のような手順で実行される。
主スパッタリング処理の実行において、制御部８３は、搬入シャッタ８０を開状態とし、外部の搬入コンベヤ（図示を省略。）などに搬入許可の信号を送出する。これにより、ワーク搬入が実行される（図８（ａ）のステップＳ２６３１）。そして、ワークＷの搬入が終わった時点で、搬入シャッタ８０を閉状態とする信号を送出する。
【００６８】
次に、制御部８３は、排気バルブ７４を開状態とする信号を送出して、チャンバ７０の内部７０ａの排気を実行させる（図８（ａ）のステップＳ２６３２）。続いて、Ａｒ供給バルブ７６およびＯ2供給バルブ７８を順次あるいは同時に開状態として、Ａｒガス供給部７５およびＯ2ガス供給部７７からチャンバ７０の内部に規定量のＡｒガスおよびＯ2を供給させる（図８（ａ）のステップＳ２６３３）。
【００６９】
次に、規定量のＡｒガスおよびＯ2ガスの供給が行われた後、制御部８３は、パワーサプライ７９に対して電圧印加の指示信号を送出する。これにより、スパッタリングが実行され、ワークＷの所定面にＡｌＯX膜が成膜される（図８（ａ）のステップＳ２６３４）。
次に、排気バルブ７４を開状態として、チャンバ７０の内部７０ａの排気を実行した後（図８（ａ）のステップＳ２６３５）、搬出シャッタ８１を開状態とする旨の信号を送出するとともに、外部の搬出コンベヤ（図示を省略。）などに搬出許可の信号を送出する。これにより、ワークＷの搬出がなされ（図８（ａ）のステップＳ２６３６）、１回の主スパッタリング処理が終了する。
【００７０】
（ｉｉ）副スパッタリング処理
副スパッタリング処理は、次のような手順で実行される。
副スパッタリング処理は、先ず、チャンバ７０の内部７０ａにワークＷを入れない状態で、排気バルブ７４を開状態としてチャンバ７０の内部７０ａの排気を実行する（図８（ｂ）のステップＳ２６６１）。次に、Ａｒ供給バルブ７６を開状態として、放電ガスであるＡｒガスをチャンバ７０の内部７０ａに導入する（図８（ｂ）のステップＳ２６６２）。そして、パワーサプライ７９に対して電圧印加の指示を送出することで、副スパッタリング処理における１回目のスパッタリングが実行される（図８（ｂ）のステップＳ２６６３）。これにより、チャンバ７０における内部７０ａを臨む内壁面にＡｌ膜が被覆形成される。
【００７１】
続いて、Ｏ2供給バルブ７８についても開状態とし、チャンバ７０の内部７０ａにＡｒガスとともにＯ2ガスを導入する（図８（ｂ）のステップＳ２６６４）。そして、パワーサプライ７９に対して電圧印加の指示を送出することで、副スパッタリング処理における２回目のスパッタリングが実行される（図８（ｂ）のステップＳ２６６５）。これにより、チャンバ７０における内壁面を被覆するように形成されたＡｌ膜の上に更にＡｌＯX膜が被覆形成される（図８（ｂ）のステップＳ２６６５）。
【００７２】
最後に、排気バルブ７４を開状態として、チャンバ７０の内部７０ａのガスを排気することで（図８（ｂ）のステップＳ２６６６）、１回の副スパッタリング処理が終了する。
（３）チャンバ７０の内部７０ａを臨む内壁面の状態
上記のような駆動方法を採用することによる、チャンバ７０の内壁面へのＡｌ膜およびＡｌＯX膜の被覆形成について、図９を用い説明する。
【００７３】
図９（ａ）に示すように、反応性スパッタリング装置７の駆動開始時においては、チャンバ７０の内壁面７０ｄは、チャンバ７０の内部７０ａを臨んだ状態で露出した状態となっている。
次に、図９（ｂ）に示すように、複数回の主スパッタリング処理を実行した後、１回目の副スパッタリング処理を実行することにより、Ａｌ膜７０１１とＡｌＯX膜７０１２との積層体である被覆膜７０１が形成される。なお、図９（ｂ）などでは、主スパッタリング処理の実行により、チャンバ７０の内壁面７０ｄに堆積されるＡｌＯX膜の図示については省略しているが、図９（ｂ）において、チャンバ７０の内壁面７０ｄとＡｌ膜７０１１との間に挟まれた状態で存在する。
【００７４】
ここで、被覆膜７０１におけるＡｌ膜７０１１の膜厚をｔ1、ＡｌＯＸ膜７０１２の膜厚をｔ2とするとき、それぞれについて次のような範囲であることが望ましい。
［数１］５μｍ＜ｔ1＜１５μｍ
［数２］ｔ2≒２μｍ
これより、１回の副スパッタリング処理の実行により、ｔ1＋ｔ2＝ｔ4の膜厚の被覆膜７０１がチャンバ７０の内壁面７０ｄ上に被覆形成されてゆく。
【００７５】
次に、図９（ｂ）に示すように、ｎ回の副スパッタリング処理の実行により、被覆膜７０１，７０２，・・が積層されてゆき、被覆積層体７００が構成されることになる。被覆積層体７００の厚みｔ5については、５００μｍ以下、より望ましくは３００μｍ以下の範囲となるように、副スパッタリング処理の実行回数ｎが設定されている。これは、被覆積層体７００の厚みｔ5が増大して行くに従って、被覆積層体７００の応力が増大し、膜剥離・落下リスクが高まることを考慮したものである。このため、上記のように、被覆積層体７００の厚みｔ5を、５００μｍ、さらには３００μｍ以下に制限することが望ましい。
【００７６】
なお、副スパッタリング処理をｎ回実行する場合においては、ｔ5≒ｔ4×ｎ＋α×ｎの関係となる。αは、ｍ回の主スパッタリング処理でチャンバ７０の内壁面７０ｄに堆積するＡｌＯX膜の膜厚である。
５．Ａｌ膜７０１１およびＡｌＯX膜７０１２の膜厚ｔ1，ｔ2についての考察
（１）Ａｌ膜７０１１の膜厚ｔ1
１回の副スパッタリング処理の実行により積層されるＡｌ膜７０１１の膜厚ｔ1について、図１０（ａ）、（ｂ）を用い説明する。図１０（ａ）には、チャンバ７０の内壁面７０ｄをＡｌ膜７０１１で被覆した後における、堆積されるＡｌＯX膜の膜厚と異物数との関係を示す。図１０（ｂ）は、被覆するＡｌ膜７０１１の膜厚と、その後でチャンバ７０の内壁面７０ｄに堆積可能なＡｌＯX膜の膜厚との関係を示す。
【００７７】
図１０（ａ）に示すように、被覆ＡｌＯX膜の膜厚が４μｍとなった当たりで３．８μｍの異物数が多くなっている。そのほかの膜厚では、３．８μｍ、５．６μｍ、７．０μｍ、１０．０μｍ、１３．５μｍの何れについても概ね１０ａｒｂ．ｕｎｉｔ以下となっている。
次に、図１０（ｂ）に示すように、副スパッタリング処理においてチャンバ７０の内壁面７０ｄを被覆するＡｌ膜７０１１の膜厚ｔ1については、５μｍ以上とすることで、処理可能なＡｌＯX膜（主スパッタリング処理で堆積されても剥離しないＡｌＯX膜）を５μｍ以上確保することができる。そして、Ａｌ膜７０１１の膜厚ｔ1を１０μｍとすれば、処理可能なＡｌＯX膜の膜厚を１０μｍ確保することができ、Ａｌ膜７０１１の膜厚ｔ1を１５μｍとすれば、処理可能なＡｌＯX膜の膜厚を１５μｍ確保することができる。
【００７８】
ただし、副スパッタリング処理で余りに厚い膜厚ｔ1のＡｌ膜７０１１を形成してしまうと、それだけチャンバ７０の壁の合計厚みが厚くなってしまい、主スパッタリング処理と次の主スパッタリング処理との間での冷却期間を長時間とすることが必要である。このため、高い生産効率の確保という観点から、副スパッタリング処理で被覆形成するＡｌ膜７０１１の膜厚については、必要最小限に抑えることが望ましい。これより、Ａｌ膜７０１１の膜厚ｔ1については、５μｍ以上１５μｍ以下とすることが望ましい。
【００７９】
（２）ＡｌＯX膜７０１２の膜厚ｔ2
１回の副スパッタリング処理の実行により積層されるＡｌＯX膜７０１２の膜厚ｔ2について、図１１（ａ）〜（ｃ）を用い説明する。図１１（ａ）は、１回の副スパッタリング処理で被覆形成されるＡｌＯX膜７０１２の膜厚ｔ2と主スパッタリング処理における放電電圧との関係を示す図である。図１１（ｂ），（ｃ）は、比較例１，２に係るチャンバ７０への被覆膜の状態を示す断面図である。
【００８０】
図１１（ａ）に示すように、ＡｌＯX膜７０１２の膜厚ｔ2が１μｍ未満の範囲においては、放電電圧が２４０Ｖ〜２６５Ｖ程度で安定しない。これに対して、膜厚ｔ2が１μｍ以上、より望ましくは２μｍ以上の範囲においては、放電電圧が安定している。
図１１（ｂ）に示す比較例１のように、ＡｌＯX膜を構成として含まず、Ａｌ膜だけからなる被覆膜９０１の場合や、図１１（ｃ）に示す比較例２のように、Ａｌ膜９０２１の表面を１μｍ未満の膜厚ｔ92のＡｌＯX膜９０２２で被覆してなる被覆膜９０２の場合では、チャンバ７０の内部７０ａにおける電界へのＡｌ膜の影響が避けられず、このため、放電電圧が不安定になるものと考えられる。
【００８１】
これに対して、本実施の形態のように、副スパッタリング処理によりＡｌ膜７０１１とＡｌＯX膜７０１２の積層体である被覆膜７０１，７０２を構成する場合には、Ａｌ膜７０１１の電界への影響を抑えることができ、放電電圧の安定を図ることができる。
［実施の形態２］
実施の形態２に係る反応性スパッタリング装置を用いた成膜方法について、図１２を用い説明する。本実施の形態では、上記実施の形態１に係る反応性スパッタリング装置７と同様の装置を用い、制御部８３における制御方法の一部が相違している。
【００８２】
図１２に示すように、装置の駆動を開始すると、制御部８３は、第１カウンタ８７をリセット（ｉ⇒０）する（ステップＳ３６１）。本実施の形態においては、制御部８３は、続いて副スパッタリング処理を実行する（ステップＳ３６２）。副スパッタリング処理の処理過程は、上記同様である。そして、副スパッタリング処理が１回実行された後、制御部８３は、第１カウンタ８７のカウントアップ（ｉ⇒ｉ＋１）を行う（ステップＳ３６３）。
【００８３】
次に、制御部８３は、第１カウンタ８７のカウンタ値ｉが、予め設定された値ｎ以上か否かを判定する（ステップＳ３６４）。第１カウンタ８７のカウンタ値ｉが値ｎ未満であると判断した場合には（ステップＳ３６４；Ｎｏ）、第２カウンタ８８をリセット（ｊ⇒０）する（ステップＳ３６５）。そして、主スパッタリング処理を実行し（ステップＳ３６６）、第２カウンタ８８のカウントアップ（ｊ⇒Ｊ＋１）を行う（ステップＳ３６７）。主スパッタリング処理の処理過程についても、上記同様である。
【００８４】
次に、制御部８３は、第２カウンタ８８のカウンタ値ｊが、予め設定された値ｍ以上であるか否かを判定する（ステップＳ３６８）。第２カウンタ８８のカウンタ値ｊが、値ｍ未満であると判断した場合には（ステップＳ３６８；Ｎｏ）、ステップＳ３６６に戻って処理を実行する。
一方、制御部８３が第２カウンタ８８のカウンタ値ｊが、値ｍ以上であると判断した場合には（ステップＳ３６８；Ｙｅｓ）、ステップＳ３６２に戻って処理を実行する。
【００８５】
上記ステップＳ３６４において、制御部８３が第１カウンタ８７のカウンタ値ｉが、値ｎ以上であると判断した場合には（ステップＳ３６４；Ｙｅｓ）、第２カウンタ８８をリセット（ｊ⇒０）した上で（ステップＳ３６９）、主スパッタリング処理をｍ回だけ実行した後（ステップＳ３７０〜ステップＳ３７２）、駆動を停止する。
なお、本実施の形態においても、値ｍおよび値ｎについては、予めメモリ８４に入力された値であるが、操作部８５からのオペレータの補正指示を受け付けた場合には、値の補正を行うこともできる。また、上記ステップＳ３６９の実行の直後に、“あとｍ回の主スパッタリング処理の実行を以って駆動が終了する”旨の情報をモニタ８６に表示させる。
【００８６】
本実施の形態においては、上記実施の形態１に対して、駆動開始の直後に副スパッタリング処理を実行するという点で異なっている（ステップＳ３６２）。この最初の副スパッタリング処理の実行により、駆動の当初よりチャンバ７０の内部７０ａにおける電界状態が安定化され、ｍ×ｎ回の主スパッタリング処理の全ての処理における放電電圧の安定化を図ることができる。
【００８７】
ここで、副スパッタリング処理（ステップＳ３６２）で被覆形成する被覆膜７０１，７０２の各膜７０１１，７０１２の膜厚などに関しては、上記同様である。
［実施の形態３］
実施の形態３に係る有機ＥＬ表示パネルの製造方法が対象とするパネル構成について、図１３を用い説明する。なお、上記実施の形態１に係る有機ＥＬ表示パネルと同様の構成部位については、同一の符号を付し、説明を省略する。
【００８８】
図１３に示すように、本実施の形態において製造対象とする有機ＥＬ表示パネルでは、ＥＬ素子部８における封止層４６の構成が、上記実施の形態１において対象とする有機ＥＬ表示パネルと異なっている。具体的には、二点鎖線で囲んだ部分に示すように、封止層４６は、Ｚ軸方向下側から順に、ＳｉＯ膜４６１、ＡｌＯX膜４６２、ＳｉＮ膜４６３の３層が積層されてなる構成を有する。
【００８９】
本実施の形態では、封止層５６におけるＡｌＯＸ膜４６２の成膜に、上記実施の形態１に係る反応性スパッタリング装置７を用い、上記実施の形態１または上記実施の形態２の何れかの方法を採用する。これにより、上記同様の効果を得られる。
［その他の事項］
上記実施の形態１，２，３では、ＡｌＯX膜の成膜に反応性スパッタリング装置を用いた上記方法を採用したが、金属化合物膜の成膜であれば、これ以外にも適用が可能である。例えば、金属として、Ａｌ以外にタングステン（Ｗ）などを採用することができ、酸化物以外に、窒化物や酸窒化物などの膜形成に適用が可能である。
【００９０】
また、上記実施の形態１，３では、トップエミッション型の有機ＥＬ表示パネルの構成を採用したが，ボトムエミッション型の有機ＥＬ表示パネルの構成を採用することも可能である。
また、上記成膜方法は、有機ＥＬ表示パネルの製造方法以外にも、有機ＥＬ照明装置などにも適用が可能あるし、さらにＣＣＤ型固体撮像デバイスやＣＭＯＳ型固体撮像デバイスなどの製造にも適用が可能である。
【産業上の利用可能性】
【００９１】
本発明は、高品質な金属化合物膜を有する電子デバイスを、高い生産効率を以って生産するのに有用である。
【符号の説明】
【００９２】
１，５１．基板
２．ＴＦＴ層
３．平坦化層
４，８．ＥＬ素子部
５．ＣＦパネル部
６．樹脂層
７．反応性スパッタリング装置
２０ａ，２０ｂ．ゲート電極
２１．ゲート絶縁層
２２ａ，２２ｂ．チャネル層
２３．チャネル保護層
２４ａ，２４ｂ．ソース電極
２４ｃ，２４ｄ．ドレイン電極
２５．ＳｉＯ膜
２６．ＡｌＯX膜
２７．ＳｉＮ膜
２８．上部電極
２９．絶縁層
４１．アノード
４２．バンク
４３．発光機能層
４４．カソード
４５，４６．封止層
５２．カラーフィルタ層
５３．ブラックマトリクス層
７０．チャンバ
７１．基板ホルダ
７２．パッキングプレート
７３．排気ポンプ
７４．排気バルブ
７５．Ａｒガス供給部
７６．Ａｒ供給バルブ
７７．Ｏ2ガス供給部
７８．Ｏ2供給バルブ
７９．パワーサプライ
８０．搬入シャッタ
８１．搬出シャッタ
８２．搬出部センサ
８３．制御部
８４．メモリ
８５．操作部
８６．モニタ
８７．第１カウンタ
８８．第２カウンタ
４６１．ＳｉＯ膜
４６２．ＡｌＯX膜
４６３．ＳｉＮ膜
７００．被覆積層体
７０１，７０２．被覆膜
７０１１．Ａｌ膜
７０１２．ＡｌＯX膜
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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