(57)【要約】【課題】製造時においてメモリにデータを記憶する時間を短縮することができる。【解決手段】撮像装置１は、マイコン１４、マイコン１４とシリアル通信線３１で接続された不揮発性メモリ（ＥＥＰＲＯＭ）１５ならびにマイコン１４とパラレルバス通信線３２で接続された不揮発性メモリ（ＦｌａｓｈＲＯＭ）１７およびＲＡＭ２０を備える。なお、不揮発性メモリ１７は、予め不揮発性メモリ１５に記憶させるデータの一部または全部を記憶している。マイコン１４は、不揮発性メモリ１７が記憶しているデータをＲＡＭ２０に複製し、更新データを受け付けてＲＡＭ２０のデータの一部または全部を更新処理した後、その更新後のＲＡＭ２０のデータを不揮発性メモリ１７に複製し、不揮発性メモリ１７への複製を完了した後、当該不揮発性メモリ１７のデータを不揮発性メモリ１５に複製する。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
処理部、前記処理部と第１の通信線で接続された第１のメモリならびに前記処理部と前記第１の通信線よりデータ転送速度の速い第２の通信線で接続された第２のメモリおよびＲＡＭ（Random Access Memory）を備える撮像装置であって、
前記第２のメモリは、予め前記第１のメモリに記憶させるデータの一部または全部を記憶しており、
前記処理部は、
前記第２のメモリが記憶しているデータを前記ＲＡＭに複製し、
更新データを受け付けて前記ＲＡＭのデータの一部または全部を更新処理した後、その更新後のＲＡＭのデータを前記第２のメモリに複製し、
前記第２のメモリへの複製を完了した後、当該第２のメモリのデータを前記第１のメモリに複製する
ことを特徴とする撮像装置。
【請求項２】
前記第１の通信線はシリアル通信線であり、前記第２の通信線はパラレルバス通信線である
ことを特徴とする請求項１に記載の撮像装置。
【請求項３】
前記第１のメモリは、データの書き込みを１バイトまたは複数バイトを単位として実行可能であり、
前記処理部は、
前記第２のメモリのデータを前記第１のメモリに複製する場合、複数バイトを単位としてデータの書き込みを実行する
ことを特徴とする請求項１また請求項２に記載の撮像装置。
【請求項４】
前記第２のメモリは、記憶しているデータの書き換えを複数バイトを単位として実行可能である
ことを特徴とする請求項１ないし請求項３のいずれか一項に記載の撮像装置。
【請求項５】
前記第１のメモリは、ＥＥＰＲＯＭ（Electrically Erasable Programmable Read-Only Memory）である
ことを特徴とする請求項１ないし請求項４のいずれか一項に記載の撮像装置。
【請求項６】
前記第２のメモリは、ＦｌａｓｈＲＯＭ（Flash Read Only Memory）である
ことを特徴とする請求項１ないし請求項４のいずれか一項に記載の撮像装置。
【請求項７】
処理部、前記処理部と第１の通信線で接続された第１のメモリならびに前記処理部と前記第１の通信線よりデータ転送速度の速い第２の通信線で接続された第２のメモリおよびＲＡＭを備える撮像装置のデータ記憶方法であって、
前記第２のメモリは、予め前記第１のメモリに記憶させるデータの一部または全部を記憶しており、
前記処理部は、
前記第２のメモリが記憶しているデータを前記ＲＡＭに複製し、
更新データを受け付けて前記ＲＡＭのデータの一部または全部を更新処理した後、その更新後のＲＡＭのデータを前記第２のメモリに複製し、
前記第２のメモリへの複製を完了した後、当該第２のメモリのデータを前記第１のメモリに複製する
ことを特徴とするデータ記憶方法。
【請求項８】
前記第１の通信線はシリアル通信線であり、前記第２の通信線はパラレルバス通信線である
ことを特徴とする請求項７に記載のデータ記憶方法。
【請求項９】
前記第１のメモリは、データの書き込みを１バイトまたは複数バイトを単位として実行可能であり、
前記処理部は、
前記第２のメモリのデータを前記第１のメモリに複製する場合、複数バイトを単位としてデータの書き込みを実行する
ことを特徴とする請求項７または請求項８に記載のデータ記憶方法。
【請求項１０】
前記第２のメモリは、記憶しているデータの書き換えを複数バイトを単位として実行可能である
ことを特徴とする請求項７ないし請求項９のいずれか一項に記載のデータ記憶方法。
【請求項１１】
前記第１のメモリは、ＥＥＰＲＯＭである
ことを特徴とする請求項７ないし請求項１０のいずれか一項に記載のデータ記憶方法。
【請求項１２】
前記第２のメモリは、ＦｌａｓｈＲＯＭである
ことを特徴とする請求項７ないし請求項１０のいずれか一項に記載のデータ記憶方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、撮像装置の製造時において不揮発性メモリにデータを記憶する技術に関する。
【背景技術】
【０００２】
撮像装置は、製品機能の切り替えを行ったり、ハードウェアのばらつき等を吸収するための各種調整値を設定したりするためのデータを、不揮発性メモリ（ＥＥＰＲＯＭ；Electrically Erasable Programmable Read-Only Memory）に記憶している。ＥＥＰＲＯＭにデータを書き込む場合、ブロック単位で一括して書き込むことにより、書き込み時間を短縮できることが知られている。特許文献１には、２つ以上の同一データがあった場合にその同一データを一括してメモリに書き込むことにより、書き込み時間を短縮することが記載されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００７−２３３６９９号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
従来、撮像装置の製造時において、ＥＥＰＲＯＭにデータを書き込む場合には、コントローラを用いて１バイトずつ書き込みを行っていた。また、特許文献１に記載の技術を用いた場合であっても、同一でないデータが多数あった場合は、それらのデータを１バイトずつ書き込まなければならない。そのため、同一データとなっているアドレスが少ない場合は、書き込み時間の短縮効果は得られないという問題がある。
【０００５】
そこで、本発明では、撮像装置の製造時において不揮発性メモリにデータを記憶する時間を短縮する技術を提供することを課題とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
前記課題を解決するために、本発明の撮像装置は、処理部、前記処理部と第１の通信線で接続された第１のメモリならびに前記処理部と前記第１の通信線よりデータ転送速度の速い第２の通信線で接続された第２のメモリおよびＲＡＭ（Random Access Memory）を備える撮像装置であって、前記第２のメモリが、予め前記第１のメモリに記憶させるデータの一部または全部を記憶しており、前記処理部が、前記第２のメモリが記憶しているデータを前記ＲＡＭに複製し、更新データを受け付けて前記ＲＡＭのデータの一部または全部を更新処理した後、その更新後のＲＡＭのデータを前記第２のメモリに複製し、前記第２のメモリへの複製を完了した後、当該第２のメモリのデータを前記第１のメモリに複製することを特徴とする。
【発明の効果】
【０００７】
本発明によれば、撮像装置の製造時において不揮発性メモリにデータを記憶する時間を短縮することができる。
【図面の簡単な説明】
【０００８】
【図１】撮像装置の機能例を示す図である。
【図２】比較例における製造時のデータの書き込み処理フロー例を示す図である。
【図３】比較例の製造時の各調整工程における第１のメモリ（ＥＥＰＲＯＭ）上のデータ例を示す図であり、（ａ）は初期状態を表し、（ｂ）は書き込み後の状態を表し、（ｃ）は第１の調整工程終了後の状態を表し、（ｄ）は第Ｎの調整工程終了後の状態を表す。
【図４】本実施形態における製造時のデータの書き込み処理フロー例を示す図である。
【図５】本実施形態の製造時の各調整工程における第２のメモリ（ＦｌａｓｈＲＯＭ）上のデータ例を示す図であり、（ａ）は初期状態を表し、（ｂ）は第１の調整工程終了後の状態を表し、（ｃ）は第Ｎの調整工程終了後の状態を表す。
【図６】本実施形態の製造時の第１のメモリ（ＥＥＰＲＯＭ）上のデータ例を示す図であり、（ａ）は初期状態を表し、（ｂ）は書き込み後の状態を表す。
【図７】製造時に掛かる時間の一例を示す図であり、（ａ）は比較例の場合を表し、（ｂ）は本実施形態の場合を表す。
【発明を実施するための形態】
【０００９】
ここで、本発明を実施するための形態（以降、「本実施形態」と称す。）について、適宜図面を参照しながら詳細に説明する。
【００１０】
（撮像装置）
はじめに、撮像装置の機能例について、図１を用いて説明する。図１は、撮像装置１の機能例を示している。
【００１１】
レンズ１１から入射した光は、撮像センサ１２で光電変換され各種処理がなされ、デジタルデータに変換される。その後、撮像センサ１２から出力されるデジタルデータは、ＤＳＰ（Digital Signal Processor；デジタル信号処理装置）１３に入力される。ＤＳＰ１３は、入力されたデジタルデータに対して、輝度信号処理、色信号処理等の各種画像処理を実行し、映像フォーマット化した信号を線３３を介してモニタ２等の表示装置に出力する。モニタ２は、映像出力フォーマット化した信号を映像として表示する。
【００１２】
マイコン１４は、ＤＳＰ１３からデータを取得し、そのデータに応じてレンズ１１を制御し、被写体の焦点を常に最適に保つＡＦ(Auto Focus；自動焦点）処理を実行する機能を有する。また、マイコン１４は、取得したデータに応じて、アイリスや電子シャッター等を制御することで明るさを最適に保つＡＥ（Auto Exposure；露光制御）処理を実行する機能を有する。また、マイコン１４は、ＤＳＰ１３の設定値を被写体にあわせて更新し、操作者によって操作されるコントローラ３から線３４を介して取得したコマンドを解釈し、そのコマンドに基づきレンズ１１、ＤＳＰ１３等を制御して常に最適な映像とするための各種画質制御処理を実行する機能を有する。また、マイコン１４は、不揮発性メモリ(ＥＥＰＲＯＭ)１５（第１のメモリ）に記憶されている制御データ１６、不揮発性メモリ（ＦｌａｓｈＲＯＭ；Flash Read Only Memory）１７（第２のメモリ）に記憶されているＥＥＰＲＯＭ用データ１９およびＲＡＭ２０のデータを読み書きする機能を有する。
【００１３】
マイコン１４の各機能は、不揮発性メモリ（ＦｌａｓｈＲＯＭ）１７に記憶されている制御プログラム１８によって実現される。また、制御プログラム１８によって実現される処理に必要な制御データ１６は、不揮発性メモリ(ＥＥＰＲＯＭ)１５に記憶されている。また、不揮発性メモリ（ＦｌａｓｈＲＯＭ）１７に記憶されているＥＥＰＲＯＭ用データ１９は、制御データ１６のバックアップであり、各機能の設定値を初期値（例えば、工場出荷状態）に戻す場合等に使用される。
【００１４】
ＥＥＰＲＯＭは、１バイト単位でデータの書き込み・消去ができるとともに、所定領域へのデータ書き込みをまとめて（一括で）処理できる。それに対して、ＦｌａｓｈＲＯＭは、データの消去単位が１バイトよりも大きいため、データの書き換えのために、データをＲＡＭ２０へ退避させる必要がある。
【００１５】
図１に示す撮像装置１は、不揮発性メモリ（ＥＥＰＲＯＭ）１５と不揮発性メモリ（ＦｌａｓｈＲＯＭ）１７とを有している。この理由は、マイコン１４の性能に依存して、パラレルバス通信線３２（第２の通信線）に接続できるメモリ容量やシリアル通信線３１（第１の通信線）に接続できるメモリ容量それぞれに制約があるためである。
【００１６】
パラレルバス通信線３２は、マイコン１４、不揮発性メモリ（ＦｌａｓｈＲＯＭ）１７（第２のメモリ）、ＲＡＭ２０およびＤＳＰ１３の間を接続する実線で表されている。また、シリアル通信線３１は、マイコン１４、撮像センサ１２、レンズ１１および不揮発性メモリ（ＥＥＰＲＯＭ）１５（第１のメモリ）の間を接続する破線で表されている。シリアル通信線３１のデータ転送速度とパラレスバス通信線３２のデータ転送速度とを比較すると、パラレルバス通信線３２の方がシリアル通信線３１よりも高速である。
【００１７】
（比較例の処理）
次に、比較例における撮像装置１の製造時のデータの書き込み処理例について、図２，３を用いて説明する（適宜、図１参照）。図２は、比較例における製造時のデータの書き込み処理フロー例を示している。図３（ａ）は、比較例の製造時の各調整工程における第１のメモリ（不揮発性メモリ(ＥＥＰＲＯＭ)１５）の制御データ１６の初期状態例を表し、図３（ｂ）は書き込み後の状態を表し、図３（ｃ）は第１の調整工程終了後の状態を表し、図３（ｄ）は第Ｎの調整工程終了後の状態を表している。
【００１８】
図２のステップＳ２０１では、不揮発性メモリ(ＥＥＰＲＯＭ)１５にデータの書き込みが行われる。具体的には、マイコン１４は、コントローラ３から、書き込み命令、ＥＥＰＲＯＭのアドレス、書き込みデータを受信する。製造時の初期状態では、不揮発性メモリ（ＥＥＰＲＯＭ)１５の制御データ１６には、図３（ａ）に示すように、初期データとして、すべてのアドレスに書き込まれる値は、例えば、Ｈ’ＦＦである。「Ｈ’」は、１６進表記であることを表している。なお、ここでは分かりやすいようにＨ’ＦＦとしているがＨ’ＦＦ以外であってもよい。マイコン１４は、受信した書き込み命令、ＥＥＰＲＯＭアドレス、書き込みデータに基づいて、シリアル通信線３１を介して１バイトずつ書き込みを行う。
【００１９】
ＥＥＰＲＯＭは、１バイトの書き込みが終了するまでには待ち時間ｔ[sec]が必要となる。例えば、書き込みバイト総数がＳバイトの場合、待ち時間は合計でＳ×ｔ[sec]となる。具体的に数値で一例を示すと、書き込みデータ総数Ｓが１６ｋByte、待ち時間ｔが５msecである場合、待ち時間の合計は８０秒となる。
【００２０】
ステップＳ２０１の不揮発性メモリ(ＥＥＰＲＯＭ)１５の制御データ１６への書き込みが終了した状態の一例は、図３（ｂ）のようになる。アドレス$0006，$0007，$0088，$0089，$008A，$01FD，$01FE，$01FFの数値Ｈ’ＦＦは、未調整であることを示している。なお、図３（ｂ）のアドレスは、「0000」と「6」の交点を「$0006」と表している。また、未調整の値は、ここでは分かりやすいようにＨ’ＦＦとしているがＨ’ＦＦ以外でもよく、例えば調整範囲の中心の値または調整開始時の初期値であっても構わない。
【００２１】
ステップＳ２０２では、マイコン１４は、第１の調整工程に入るために、再起動処理を実行する。再起動後、マイコン１４は、不揮発性メモリ(ＥＥＰＲＯＭ)１５の制御データ１６のデータすべてをシリアル通信線３１およびパラレルバス通信線３２を介してＲＡＭ２０に複製する。複製後、マイコン１４はＲＡＭ２０を参照してデータの書き込みを実行する。そのことにより、シリアル通信線３１を介してデータを書き込む必要が無くなるので、処理時間が低減される。
【００２２】
ステップＳ２０３では、マイコン１４は、第１の調整工程を行う上での準備処理等を実行し、第１の調整工程を開始する。
【００２３】
ステップＳ２０４では、マイコン１４は、ＲＡＭ２０のデータの変更処理を実行する。具体的には、マイコン１４は、調整パラメータを観測しながら更新データを受け付けて、調整パラメータの観測値が目標範囲内に収まった時点でＲＡＭ２０のデータを更新する。
【００２４】
ステップＳ２０５では、マイコン１４は、更新したＲＡＭ２０のデータをパラレルバス通信線３２およびシリアル通信線３１を介して不揮発性メモリ(ＥＥＰＲＯＭ)１５の制御データ１６に書き込む処理を実行する。
【００２５】
ステップＳ２０６では、マイコン１４は、第１の調整工程を終了する。具体的には、マイコン１４は、ステップＳ２０３で実行した準備処理を元に戻す処理等を実行する。
【００２６】
ここで、ステップＳ２０５の不揮発性メモリ(ＥＥＰＲＯＭ)１５の制御データ１６への書き込みが終了した状態の一例を図３（ｃ）に示す。アドレス$0006，$0007の数値は、Ｈ’ＦＦではなく、それぞれ、Ｈ’０Ｂ，Ｈ’Ａ４になっており、調整済みであることを示している。
【００２７】
次に、ステップＳ２１１では、マイコン１４は、第Ｎの調整工程に入るために、再起動処理を実行する。再起動後、マイコン１４は、不揮発性メモリ(ＥＥＰＲＯＭ)１５の制御データ１６をシリアル通信線３１およびパラレルバス通信線３２を介してＲＡＭ２０に複製する。
【００２８】
そして、ステップＳ２１２〜Ｓ２１５では、マイコン１４は、第Ｎの調整工程を実行する。なお、ステップＳ２１２〜Ｓ２１５の処理は、ステップＳ２０３〜Ｓ２０６の第１の調整工程とは調整パラメータが異なる点以外は同様の処理工程であるので、説明を省略する。
【００２９】
ここで、ステップＳ２１４の不揮発性メモリ(ＥＥＰＲＯＭ)１５の制御データ１６への書き込みが終了した状態の一例を図３（ｄ）に示す。アドレス$01FD，$01FE，$01FFの数値は、Ｈ’ＦＦではなく、それぞれ、Ｈ’Ｃ３，Ｈ’Ｃ３，Ｈ’Ｃ３になっており、調整済みであることを示している。
【００３０】
第１〜第Ｎの調整工程のすべてが終了した後、ステップＳ２１６では、マイコン１４は、不揮発性メモリ(ＥＥＰＲＯＭ)１５の制御データ１６のバックアップ処理を実行する。具体的には、マイコン１４は、不揮発性メモリ(ＥＥＰＲＯＭ)１５からシリアル通信線３１およびパラレルバス通信線３２を介して、不揮発性メモリ（ＦｌａｓｈＲＯＭ)１７に制御データ１６を複製する。
【００３１】
なお、撮像装置１は、使用時には、不揮発性メモリ(ＥＥＰＲＯＭ)１５の制御データ１６に調整データ以外に、ユーザーが使用する際の各機能の設定値（例えば、ＯＮ／ＯＦＦ設定値）等を記憶する。つまり、ユーザーの操作によって不揮発性メモリ(ＥＥＰＲＯＭ)１５の制御データ１６が書き換えられている。そのため、各機能の設定値を初期値（工場出荷状態）に戻したい場合等に備えて、不揮発性メモリ(ＥＥＰＲＯＭ)１５の制御データ１６が不揮発性メモリ（ＦｌａｓｈＲＯＭ)１７にＥＥＰＲＯＭ用データ１９としてバックアップされる。
【００３２】
（本実施形態の処理）
次に、本実施形態における撮像装置１の製造時のデータの書き込み処理例について、図４，５を用いて説明する（適宜、図１参照）。図４は、本実施形態における製造時のデータの書き込み処理フロー例を示している。図５（ａ）は、本実施形態の製造時の各調整工程における第２のメモリ（不揮発性メモリ（ＦｌａｓｈＲＯＭ)１７）のＥＥＰＲＯＭ用データ１９の初期状態を表し、図５（ｂ）は第１の調整工程終了後の状態を表し、図５（ｃ）は第Ｎの調整工程終了後の状態を表している。
【００３３】
図４のステップＳ４０１では、撮像装置１が起動される。そして、マイコン１４は、不揮発性メモリ（ＦｌａｓｈＲＯＭ)１７に記憶されているＥＥＰＲＯＭ用データ１９をパラレルバス通信線３２を介してＲＡＭ２０に複製する。ＥＥＰＲＯＭ用データ１９は、制御データ１６に記憶させるデータの一部または全部である。
【００３４】
なお、ＥＥＰＲＯＭ用データ１９は、予めＲＯＭライターによって、制御ブログラム１８と共に不揮発性メモリ（ＦｌａｓｈＲＯＭ)１７に書き込まれている。そして、当該不揮発性メモリ（ＦｌａｓｈＲＯＭ)１７は基板に搭載される。ＥＥＰＲＯＭ用データ１９の初期状態では、図５（ａ）に示すように、すべてのアドレスに書き込まれる値は、Ｈ’ＦＦである。この理由は、ＦｌａｓｈＲＯＭでは、Ｈ’ＦＦ’以外に設定された場合には、ブロック単位（複数バイト）での消去を行い、再書き込みが必要となるので、却って時間のロスになってしまうことを防ぐためである。
【００３５】
ステップＳ４０２では、マイコン１４は、第１の調整工程を行う上での準備処理等を実行し、第１の調整工程を開始する。
【００３６】
ステップＳ４０３では、マイコン１４は、ＲＡＭ２０のデータの変更処理を実行する。具体的には、マイコン１４は、調整パラメータを観測しながら更新データを受け付けて、調整パラメータの観測値が目標範囲内に収まった時点でＲＡＭ２０のデータを更新する。
【００３７】
ステップＳ４０４では、マイコン１４は、ＲＡＭ２０のデータをパラレルバス通信線３２を介して不揮発性メモリ（ＦｌａｓｈＲＯＭ)１７のＥＥＰＲＯＭ用データ１９にブロック単位で書き込む処理を実行する。
【００３８】
ステップＳ４０５では、マイコン１４は、第１の調整工程を終了する。具体的には、マイコン１４は、ステップＳ４０２で行った準備処理を元に戻す処理等を実行する。
【００３９】
ここで、ステップＳ４０４の不揮発性メモリ（ＦｌａｓｈＲＯＭ)１７のＥＥＰＲＯＭ用データ１９への書き込みが終了した状態の一例を、図５（ｂ）に示す。アドレス$0006，$0007の数値は、Ｈ’ＦＦではなく、それぞれ、Ｈ’０Ｂ，Ｈ’Ａ４になっており、調整済みであることを示している。
【００４０】
次に、ステップＳ４１１では、マイコン１４は、第Ｎの調整工程に入るために、再起動処理を実行する。再起動後、マイコン１４は、不揮発性メモリ（ＦｌａｓｈＲＯＭ)１７のＥＥＰＲＯＭ用データ１９をパラレルバス通信線３２を介してＲＡＭ２０に複製する。
【００４１】
そして、ステップＳ４１２〜Ｓ４１５では、マイコン１４は、第Ｎの調整工程を実行する。なお、ステップＳ４１２〜Ｓ４１５の処理は、ステップＳ４０２〜Ｓ４０５の第１の調整工程とは調整パラメータが異なる点以外は同様の処理工程であるので、説明を省略する。
【００４２】
ステップＳ４１４の不揮発性メモリ（ＦｌａｓｈＲＯＭ)１７のＥＥＰＲＯＭ用データ１９への書き込みが終了した状態の一例を、図５（ｃ）に示す。アドレス$01FD，$01FE，$01FFの数値は、Ｈ’ＦＦではなく、それぞれ、Ｈ’Ｃ３，Ｈ’Ｃ３，Ｈ’Ｃ３になっており、調整済みであることを示している。
【００４３】
第１〜第Ｎの調整工程のすべてが終了した後、ステップＳ４１６では、マイコン１４は、不揮発性メモリ(ＥＥＰＲＯＭ)１５の書き込み処理を実行する。具体的には、マイコン１４は、ＥＥＰＲＯＭの一括書き込み機能を利用して、不揮発性メモリ（ＦｌａｓｈＲＯＭ)１７からパラレルバス通信線３２およびシリアル通信線３１を介して、ＥＥＰＲＯＭ用データ１９のデータを不揮発性メモリ(ＥＥＰＲＯＭ)１５の制御データ１６に一括書き込み（複製）する。
【００４４】
ここで、不揮発性メモリ(ＥＥＰＲＯＭ)１５への書き込みに掛かる時間について示す。比較例では、書き込みバイト総数Ｓが１６ｋByte、待ち時間ｔが５msecの場合、１バイトずつ書き込むため、待ち時間のトータルは８０sec掛かっていた。それに対して、本実施形態では、一括書き込みの単位ブロックを３２Byteとしたとき、単位ブロック当たりの待ち時間ｔが５msecであるので、待ち時間のトータルは比較例の場合の１／３２となり、２．５secとなる。つまり、本実施形態の書き込みのための待ち時間は、比較例の書き込みのための待ち時間より、小さくなる。
【００４５】
ステップＳ４１６の不揮発性メモリ(ＥＥＰＲＯＭ)１５への書き込み処理の前後の制御データ１６の一例について、図６（ａ）（ｂ）を用いて示す。図６（ａ）は、不揮発性メモリ(ＥＥＰＲＯＭ)１５の制御データ１６の初期状態を表し、図６（ｂ）は書き込み後の状態を表している。不揮発性メモリ(ＥＥＰＲＯＭ)１５への書き込み前の初期状態では、図６（ａ）に示すように、すべてのデータがＨ’ＦＦとなっている。そして、不揮発性メモリ(ＥＥＰＲＯＭ)１５への書き込み終了後は、図６（ｂ）に示すようになる。
【００４６】
なお、比較例では、図２のステップＳ２１６の不揮発性メモリ(ＥＥＰＲＯＭ)１５の制御データ１６のバックアップ処理によって、制御データ１６を不揮発性メモリ（ＦｌａｓｈＲＯＭ)１７にＥＥＰＲＯＭ用データ１９として記憶するバックアップ処理が必要であった。しかし、本実施形態では、図４のステップＳ４１５までの調整工程において、バックアップデータが不揮発性メモリ（ＦｌａｓｈＲＯＭ)１７のＥＥＰＲＯＭ用データ１９として既に出来あがっており、バックアップ処理を実行する必要が無くなるため、処理時間を短縮することができる。
【００４７】
次に、比較例の場合と本実施形態の場合との製造時に掛かる時間について、図７（ａ）（ｂ）を用いて説明する（適宜、図２，４参照）。図７（ａ）は、比較例の場合に製造時に掛かる時間を表し、図７（ｂ）は本実施形態の場合に製造時に掛かる時間を表す。
図７（ａ）は、図２に示す比較例の処理時間を示している。比較例では、ＥＥＰＲＯＭ書き込み７０１、再起動７０２、第１の調整工程７０３、再起動７１１、第Ｎの調整工程７１２およびＥＥＰＲＯＭバックアップ７１３に掛かる時間が必要となる。ＥＥＰＲＯＭ書き込み７０１、再起動７０２、第１の調整工程７０３、再起動７１１、第Ｎの調整工程７１２およびＥＥＰＲＯＭバックアップ７１３は、それぞれ図２に示したステップＳ２０１、Ｓ２０２、Ｓ２０３〜Ｓ２０６、Ｓ２１１、Ｓ２１２〜Ｓ２１５およびステップＳ２１６の処理時間を表している。ＥＥＰＲＯＭ書き込み７０１の時間をｔａ１、再起動７０２から第Ｎの調整工程７１２までの時間をｔａ２、ＥＥＰＲＯＭバックアップ７１３の時間をｔａ３と表すと、全体の時間はｔａ＝ｔａ１＋ｔａ２＋ｔａ３となる。
【００４８】
図７（ｂ）は、図４に示す本実施形態の処理時間を示している。本実施形態では、起動７２２、第１の調整工程７２３、再起動７３１、第Ｎの調整工程７３２およびＥＥＰＲＯＭ書き込み７３３に係る時間が必要となる。起動７２２、第１の調整工程７２３、再起動７３１、第Ｎの調整工程７３２およびＥＥＰＲＯＭ書き込み７３３は、それぞれ図４に示したステップＳ４０１、Ｓ４０２〜Ｓ４０５、Ｓ４１１、Ｓ４１２〜Ｓ４１５およびステップＳ４１６の処理時間を表している。起動７２２から第Ｎの調整工程７３２までの時間をｔｂ２、ＥＥＰＲＯＭ書き込み７３３の時間をｔｂ３と表すと、全体の時間はｔｂ＝ｔｂ２＋ｔｂ３となる。
【００４９】
まず、ｔａ２とｔｂ２とを比較する。図７（ａ）の再起動７０２および再起動７１１は、いずれも不揮発性メモリ(ＥＥＰＲＯＭ)１５からシリアル通信線３１およびパラレルバス通信線３２を介してＲＡＭ２０へ制御データ１６を複製する処理である。それに対して、図７（ｂ）の起動７２２および再起動７３１は、いずれも不揮発性メモリ（ＦｌａｓｈＲＯＭ)１７からパラレルバス通信線３２を介してＲＡＭ２０へＥＥＰＲＯＭ用データ１９を複製する処理である。シリアル通信線３１のデータ転送速度は、パラレルバス通信線のデータ転送速度より遅い。したがって、（再起動７０２の時間＋再起動７１１の時間）＞（起動７２２の時間＋再起動７３１の時間）となる。
【００５０】
次に、図７（ａ）の第１の調整工程７０３および第Ｎの調整工程７１２では、ＲＡＭ２０のデータがパラレルバス通信線３２およびシリアル通信線３１を介して不揮発性メモリ(ＥＥＰＲＯＭ)１５に書き込まれる処理が実行される。それに対して、図７（ｂ）の第１の調整工程７２３および第Ｎの調整工程７３２では、ＲＡＭ２０のデータがパラレルバス通信線３２を介して不揮発性メモリ（ＦｌａｓｈＲＯＭ)１７に書き込まれる処理が実行される。シリアル通信線３１のデータ転送速度は、パラレルバス通信線のデータ転送速度より遅い。したがって、（第１の調整工程７０３および第Ｎの調整工程７１２の時間）＞（第１の調整工程７２３および第Ｎの調整工程７３２の時間）となる。
【００５１】
つまり、ｔａ２＞ｔｂ２となる。
【００５２】
また、図７（ａ）のＥＥＰＲＯＭ書き込み７０１の時間ｔａ１は、図２のステップＳ２０１の処理時間を示しており、１バイトずつデータの書き込みが行われる。それに対して、図７（ｂ）のＥＥＰＲＯＭ書き込み７３３の時間ｔｂ３は、図４のステップＳ４１６の処理時間を示しており、１バイトより大きな複数バイトの単位ブロックで書き込みが行われる。したがって、ｔａ１＞ｔｂ３となる。
【００５３】
また、図７（ａ）のＥＥＰＲＯＭバックアップ７１３の時間ｔａ３は、図２のステップＳ２１６の処理時間を示している。それに対して、図７（ｂ）では、ＥＥＰＲＯＭバックアップ７１３に相当する工程は存在しない。
【００５４】
したがって、本実施形態の全体の時間ｔｂ＝ｔｂ２＋ｔｂ３は、比較例の全体の時間ｔａ＝ｔａ１＋ｔａ２＋ｔａ３に比べて、小さい。つまり、本実施形態では、製造時においてデータを記憶する時間が短縮されている。
【００５５】
以上説明したように、本発明の撮像装置１は、マイコン１４、マイコン１４とシリアル通信線３１で接続された不揮発性メモリ（ＥＥＰＲＯＭ）１５（第１のメモリ）ならびにマイコン１４とパラレルバス通信線３２で接続された不揮発性メモリ（ＦｌａｓｈＲＯＭ）１７（第２のメモリ）およびＲＡＭ２０を備える。なお、不揮発性メモリ１７は、予め不揮発性メモリ１５に記憶させるデータの一部または全部を記憶している。マイコン１４は、不揮発性メモリ１７が記憶しているデータをＲＡＭ２０に複製し、更新データを受け付けてＲＡＭ２０のデータの一部または全部を更新処理した後、その更新後のＲＡＭ２０のデータを不揮発性メモリ１７に複製し、不揮発性メモリ１７への複製を完了した後、当該不揮発性メモリ１７のデータを不揮発性メモリ１５に複製する。このような構成により、本実施形態の撮像装置１は、製造時においてメモリにデータを記憶する時間を短縮することができる。
【００５６】
また、製造時には、撮像装置１は、第２のメモリのデータ（最後に第１のメモリに記憶されるデータのバックアップとなるデータ）を先に生成した後で、その生成したデータを第１のメモリに複製している。この時、第１のメモリがＥＥＰＲＯＭの場合には、比較例のステップＳ２０1では１バイトずつしか書き込みできなかった処理を、本実施形態のステップＳ４１６では、ＥＥＰＲＯＭに書き込む処理を複数バイトを単位ブロックとして書き込みできる処理とすることができる。そのため、本実施形態の撮像装置１は、製造時においてメモリにデータを記憶する時間を短縮することができる。
【００５７】
なお、比較例および本実施形態では、撮像装置の場合で説明したが、撮像装置に限られることはなく、ＣＰＵ（Central Processing Unit）と第１の通信線で接続された第１のメモリ、ＣＰＵと第１の通信線よりデータ転送速度の速い第２の通信線で接続された第２のメモリおよびＲＡＭを備え、第１のメモリにデータを記憶し、第２のメモリに当該データのバックアップを記憶する構成の装置の場合であっても同様の手法を適用することができる。
【００５８】
なお、本発明は上記した実施形態に限定されるものではなく、様々な変形例が含まれる。例えば、上記した実施形態は、本発明を分かりやすく説明するために詳細に説明したものであり、必ずしも、説明したすべての構成を備えるものに限定されるものではない。また、ある実施形態の構成の一部を他の変形例の構成に置き換えることが可能であり、ある実施形態の構成に他の変形例の構成を加えることも可能である。また、実施形態の構成の一部について、他の構成の追加・削除・置換をすることが可能である。
また、撮像装置１の各機能等は、それらの一部または全部を、例えば、集積回路で設計する等によりハードウェアで実現してもよい。また、マイコン１４の各機能等は、プロセッサがそれぞれの機能を実現するプログラムを解釈し、実行することによりソフトウェアで実現してもよい。各機能を実現するプログラム、テーブル、ファイル等の情報は、メモリや、ハードディスク、ＳＳＤ（Solid State Drive）等の記録装置、またはＩＣカード、ＳＤカード、ＤＶＤ（Digital Versatile Disc）等の記録媒体に置くことができる。
また、制御線や情報線は説明上必要と考えられるものを示しており、製品上必ずしもすべての制御線や情報線を示しているとは限らない。実際には、ほとんどすべての構成が相互に接続されていると考えてもよい。
【符号の説明】
【００５９】
１    撮像装置
２    モニタ
３    コントローラ
１１  レンズ
１２  撮像センサ
１３  ＤＳＰ
１４  マイコン（処理部）
１５  不揮発性メモリ（ＥＥＰＲＯＭ）（第１のメモリ）
１６  制御データ
１７  不揮発性メモリ（ＦｌａｓｈＲＯＭ）（第２のメモリ）
１８  制御プログラム
１９  ＥＥＰＲＯＭ用データ
２０  ＲＡＭ
３１  シリアル通信線（第１の通信線）
３２  パラレルバス通信線（第２の通信線）
３３  映像信号ライン
３４  制御信号ライン
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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