(57)【要約】【課題】半導体レーザから所望の光波形を安定して出力させることができる半導体レーザ制御装置を提供できる。【解決手段】  ＬＤ制御回路２３は、ＬＤ１４にパルス状の駆動電流を供給する半導体レーザ制御装置であり、駆動電流の立ち上がり時にＬＤ１４にオーバーシュート電流を供給するオーバーシュート電流供給部、及び駆動電流の立ち下がり時にＬＤ１４にアンダーシュート電流を供給するアンダーシュート電流供給部を備え、オーバーシュート電流供給部は、駆動電流の変化に応じてオーバーシュート電流を調整し、アンダーシュート電流供給部は、駆動電流の変化に応じてアンダーシュート電流を調整する。【選択図】図３
2015103680.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくとも１つの半導体レーザにパルス状の駆動電流を供給する半導体レーザ制御装置において、
前記駆動電流の立ち上がり時に前記半導体レーザにオーバーシュート電流を供給するオーバーシュート電流供給部、及び前記駆動電流の立ち下がり時に前記半導体レーザにアンダーシュート電流を供給するアンダーシュート電流供給部の少なくとも一方を備え、
前記オーバーシュート電流供給部は、前記駆動電流の変化に応じて前記オーバーシュート電流を調整し、
前記アンダーシュート電流供給部は、前記駆動電流の変化に応じて前記アンダーシュート電流を調整することを特徴とする半導体レーザ制御装置。
【請求項２】
前記オーバーシュート電流供給部及び前記アンダーシュート電流供給部の双方を備えることを特徴とする請求項１に記載の半導体レーザ制御装置。
【請求項３】
前記アンダーシュート電流の調整量と該アンダーシュート電流が供給される時間とを乗じた値と、前記オーバーシュート電流の調整量と該オーバーシュート電流が供給される時間とを乗じた値とは、ほぼ等しいことを特徴とする請求項２に記載の半導体レーザ制御装置。
【請求項４】
前記アンダーシュート電流及び前記オーバーシュート電流の少なくとも一方は、前記駆動電流の複数の値に応じて個別に定められた複数の調整値を含むテーブルに基づいて調整されることを特徴とする請求項１〜３のいずれか一項に記載の半導体レーザ制御装置。
【請求項５】
前記アンダーシュート電流及び前記オーバーシュート電流の少なくとも一方は、予め前記駆動電流の変化に応じて定められた比例定数に基づいて調整されることを特徴とする請求項１〜３のいずれか一項に記載の半導体レーザ制御装置。
【請求項６】
周囲の温度変化及び起動開始後の経過時間の少なくとも一方に基づいて、前記アンダーシュート電流の調整及び前記オーバーシュート電流の調整の少なくとも一方が開始されることを特徴とする請求項１〜５のいずれか一項に記載の半導体レーザ制御装置。
【請求項７】
前記半導体レーザからの光の光量変化を検出し、
前記駆動電流の変化を、前記光量変化に基づいて求めることを特徴とする請求項１〜６のいずれか一項に記載の半導体レーザ制御装置。
【請求項８】
前記半導体レーザは、面発光レーザであることを特徴とする請求項１〜７のいずれか一項に記載の半導体レーザ制御装置。
【請求項９】
感光体ドラムと、
少なくとも１つの半導体レーザを有し、該半導体レーザからの光により前記感光体ドラムを走査する光走査装置と、
画像情報に応じたパルス状の駆動電流を前記半導体レーザに供給する請求項１〜８のいずれか一項に記載の半導体レーザ制御装置と、を備える画像形成装置。
【請求項１０】
前記半導体レーザにパルス状の駆動電流を供給する工程と、
前記駆動電流の立ち上がり時に前記半導体レーザにオーバーシュート電流を供給する工程、及び前記駆動電流の立ち下り時に前記半導体レーザにアンダーシュート電流を供給する工程の少なくとも一方と、を含み、
前記オーバーシュート電流を供給する工程では、前記駆動電流の変化に応じて前記オーバーシュート電流を調整し、調整後の前記オーバーシュート電流を前記半導体レーザに供給し、
前記アンダーシュート電流を供給する工程では、前記駆動電流の変化に応じて前記アンダーシュート電流を調整し、調整後の前記アンダーシュート電流を前記半導体レーザに供給することを特徴とする半導体レーザ制御方法。
【請求項１１】
前記オーバーシュート電流を供給する工程及び前記アンダーシュート電流を供給する工程の双方を含むことを特徴とする請求項１０に記載の半導体レーザ制御方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体レーザ制御装置、画像形成装置及び半導体レーザ制御方法に係り、更に詳しくは、半導体レーザにパルス状の駆動電流を供給する半導体レーザ制御装置、該半導体レーザ制御装置を備える画像形成装置及び半導体レーザを制御する半導体レーザ制御方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、半導体レーザに供給するバイアス電流及び／又はスイッチング電流の設定値に応じて、該半導体レーザに供給するオーバーシュート電流及びアンダーシュート電流を設定する半導体レーザ駆動装置が知られている（例えば特許文献１参照）。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
しかしながら、特許文献１に開示されている半導体レーザ駆動装置では、半導体レーザから所望の光波形を安定して出力させることができなかった。
【課題を解決するための手段】
【０００４】
本発明は、少なくとも１つの半導体レーザにパルス状の駆動電流を供給する半導体レーザ制御装置において、前記駆動電流の立ち上がり時に前記半導体レーザにオーバーシュート電流を供給するオーバーシュート電流供給部、及び前記駆動電流の立ち下がり時に前記半導体レーザにアンダーシュート電流を供給するアンダーシュート電流供給部の少なくとも一方を備え、前記オーバーシュート電流供給部は、前記駆動電流の変化に応じて前記オーバーシュート電流を調整し、前記アンダーシュート電流供給部は、前記駆動電流の変化に応じて前記アンダーシュート電流を調整することを特徴とする半導体レーザ制御装置である。
【発明の効果】
【０００５】
本発明によれば、半導体レーザから所望の光波形を安定して出力させることができる。
【図面の簡単な説明】
【０００６】
【図１】一実施形態に係るレーザプリンタの概略構成を示す図である。
【図２】図１における光走査装置を説明するための図である。
【図３】ＬＤ制御回路を説明するためのブロック図である。
【図４】比較例１の印加電流、ＬＤ電位及び光波形のタイミングチャートである。
【図５】比較例２の印加電流、ＬＤ電位及び光波形のタイミングチャート（その１）である。
【図６】比較例２の印加電流、ＬＤ電位及び光波形のタイミングチャート（その２）である。
【図７】実施例１の印加電流、ＬＤ電位及び光波形のタイミングチャートである。
【図８】比較例３の印加電流、ＬＤ電位及び光波形のタイミングチャートである。
【図９】実施例２の印加電流、ＬＤ電位及び光波形のタイミングチャートである。
【図１０】オーバーシュート電流及びアンダーシュート電流の初期設定の手順を説明するためのフローチャートである。
【図１１】駆動電流の変化に応じてアンダーシュート電流を調整する方法の一例（実施例３）を説明するための印加電流、ＬＤ電位及び光波形のタイミングチャートである。
【図１２】駆動電流の変化に応じてアンダーシュート電流及びオーバーシュート電流を調整する方法の一例（実施例４）を説明するための印加電流、ＬＤ電位及び光波形のタイミングチャートである。
【図１３】駆動電流の変化とアンダーシュート電流の変化との関係を示すグラフである。
【図１４】駆動電流の変化とオーバーシュート電流の変化との関係を示すグラフである。
【図１５】各光量に対応する駆動電流、最適アンダーシュート電流及び最適オーバーシュート電流を示すテーブルである。
【図１６】光量の変化量に対応する駆動電流の変化量、最適アンダーシュート電流調整量及び最適オーバーシュート電流調整量の関係を示す図である。
【図１７】印加電流の生成方法の一例を説明するための図である。
【図１８】印加電流の生成方法の他の例を説明するための図である。
【図１９】図１９（Ａ）は、印加電流と光出力との関係を示すグラフであり、図１９（Ｂ）は、経過時間と電流波形との関係を示すグラフである。
【図２０】ドライバ（ＬＤ制御回路）と総寄生容量ＣとＬＤとの関係を説明するための図である。
【図２１】カラープリンタの概略構成を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【０００７】
以下、本発明の一実施形態を、図１〜図２０を用いて説明する。図１には、一実施形態に係るレーザプリンタ１０００の概略構成が示されている。
【０００８】
このレーザプリンタ１０００は、光走査装置１０１０、感光体ドラム１０３０、帯電チャージャ１０３１、現像ローラ１０３２、転写チャージャ１０３３、除電ユニット１０３４、クリーニングユニット１０３５、トナーカートリッジ１０３６、給紙コロ１０３７、給紙トレイ１０３８、レジストローラ対１０３９、定着ローラ１０４１、排紙ローラ１０４２、排紙トレイ１０４３、通信制御装置１０５０、及び上記各部を統括的に制御するプリンタ制御装置１０６０などを備えている。なお、これらは、プリンタ筐体１０４４の中の所定位置に収容されている。
【０００９】
通信制御装置１０５０は、ネットワークなどを介した上位装置（例えばパソコン）との双方向の通信を制御する。
【００１０】
感光体ドラム１０３０は、円柱状の部材であり、その表面には感光層が形成されている。すなわち、感光体ドラム１０３０の表面が被走査面である。そして、感光体ドラム１０３０は、図１における矢印方向に回転するようになっている。
【００１１】
帯電チャージャ１０３１、現像ローラ１０３２、転写チャージャ１０３３、除電ユニット１０３４及びクリーニングユニット１０３５は、それぞれ感光体ドラム１０３０の表面近傍に配置されている。そして、感光体ドラム１０３０の回転方向に沿って、帯電チャージャ１０３１→現像ローラ１０３２→転写チャージャ１０３３→除電ユニット１０３４→クリーニングユニット１０３５の順に配置されている。
【００１２】
帯電チャージャ１０３１は、感光体ドラム１０３０の表面を均一に帯電させる。
【００１３】
光走査装置１０１０は、帯電チャージャ１０３１で帯電された感光体ドラム１０３０の表面を、上位装置からの画像情報（画像データ）に基づいて変調されたレーザ光により走査し、感光体ドラム１０３０の表面に画像情報に対応した静電潜像を形成する。ここで形成された静電潜像は、感光体ドラム１０３０の回転に伴って現像ローラ１０３２の方向に移動する。なお、この光走査装置１０１０の構成については後述する。
【００１４】
トナーカートリッジ１０３６にはトナーが格納されており、該トナーは現像ローラ１０３２に供給される。
【００１５】
現像ローラ１０３２は、感光体ドラム１０３０の表面に形成された静電潜像にトナーカートリッジ１０３６から供給されたトナーを付着させて画像情報を顕像化させる。ここでトナーが付着した静電潜像（以下では、便宜上「トナー像」ともいう）は、感光体ドラム１０３０の回転に伴って転写チャージャ１０３３の方向に移動する。
【００１６】
給紙トレイ１０３８には記録紙１０４０が格納されている。この給紙トレイ１０３８の近傍には給紙コロ１０３７が配置されており、該給紙コロ１０３７は、記録紙１０４０を給紙トレイ１０３８から１枚ずつ取り出し、レジストローラ対１０３９に搬送する。該レジストローラ対１０３９は、給紙コロ１０３７によって取り出された記録紙１０４０を一旦保持するとともに、該記録紙１０４０を感光体ドラム１０３０の回転に合わせて感光体ドラム１０３０と転写チャージャ１０３３との間隙に向けて送り出す。
【００１７】
転写チャージャ１０３３には、感光体ドラム１０３０の表面のトナーを電気的に記録紙１０４０に引きつけるために、トナーとは逆極性の電圧が印加されている。この電圧により、感光体ドラム１０３０の表面のトナー像が記録紙１０４０に転写される。ここで転写された記録紙１０４０は、定着ローラ１０４１に送られる。
【００１８】
定着ローラ１０４１では、熱と圧力とが記録紙１０４０に加えられ、これによってトナーが記録紙１０４０上に定着される。ここで定着された記録紙１０４０は、排紙ローラ１０４２を介して排紙トレイ１０４３に送られ、排紙トレイ１０４３上に順次スタックされる。
【００１９】
除電ユニット１０３４は、感光体ドラム１０３０の表面を除電する。
【００２０】
クリーニングユニット１０３５は、感光体ドラム１０３０の表面に残ったトナー（残留トナー）を除去する。残留トナーが除去された感光体ドラム１０３０の表面は、再度帯電チャージャ１０３１に対向する位置に戻る。
【００２１】
次に、前記光走査装置１０１０の構成について説明する。この光走査装置１０１０は、一例として図２に示されるように、光源としてのＬＤ１４（レーザダイオード）、ポリゴンミラー１３、走査レンズ１１、光検出器としてのＰＤ１２（フォトディテクタ）、走査制御装置１５などを備えている。そして、これらは、図示しないハウジングの中の所定位置に組み付けられている。
【００２２】
なお、以下では、便宜上、主走査方向に対応する方向を「主走査対応方向」と略述し、副走査方向に対応する方向を「副走査対応方向」と略述する。
【００２３】
ＬＤ１４は、端面発光レーザとも呼ばれ、一端面からポリゴンミラー１３の偏向反射面に向けてレーザ光を射出する。ＬＤ１４の他端面側には、ＬＤから射出された光を検出する光検出器としてのＰＤ３０（フォトディテクタ）（図３参照）が配置されている。
【００２４】
ポリゴンミラー１３は、一例として内接円の半径が１８ｍｍの６面鏡を有し、各鏡がそれぞれ偏向反射面となる。このポリゴンミラー１３は、副走査対応方向に平行な軸の周りを等速回転しながら、ＬＤ１４からのレーザ光を偏向する。
【００２５】
なお、ＬＤ１４とポリゴンミラー１３との間に、ＬＤ１４から射出されたレーザ光をポリゴンミラー１３の偏向反射面近傍に副走査対応方向に関して結像する光学系（偏向器前光学系とも呼ばれる）を設けても良い。偏向器前光学系を構成する光学素子としては、例えばカップリングレンズ、アパーチャ部材、シリンドリカルレンズ、反射ミラーなどが挙げられる。
【００２６】
走査レンズ１１は、ポリゴンミラー１３で偏向されたレーザ光の光路上に配置されている。そして、この走査レンズ１１を介したレーザ光が、感光体ドラム１０３０の表面に照射（集光）され、光スポットが形成される。この光スポットは、ポリゴンミラー１３の回転に伴って感光体ドラム１０３０の長手方向に移動する。すなわち、感光体ドラム１０３０上を走査する。このときの光スポットの移動方向が「主走査方向」である。また、感光体ドラム１０３０の回転方向が「副走査方向」である。
【００２７】
ポリゴンミラー１３と感光体ドラム１０３０との間の光路上に配置された光学系は、走査光学系とも呼ばれている。本実施形態では、走査光学系は、走査レンズ１１で構成されている。なお、走査光学系は、走査レンズを複数有していても良い。また、走査レンズ１１と感光体ドラム１０３０との間の光路上の少なくとも一方に、少なくとも１つの折り返しミラーが配置されても良い。
【００２８】
ＰＤ１２は、ポリゴンミラー１３で偏向され走査レンズ１１を介したレーザ光の光路上に配置されている。なお、ＰＤ１２は、感光体ドラム１０３０に対して走査方向下流側に配置されても良いし、走査方向上流側に配置されても良い。
【００２９】
そこで、ポリゴンミラー１３により偏向されたレーザ光は、１ラインの走査が終わる毎にＰＤ１２に入射する。ＰＤ１２は、レーザ光を検出すると、検出信号（出力信号）を後述する位相同期回路２５に出力する。
【００３０】
走査制御装置１５は、一例として、画像処理ユニット２１、ＬＤ制御回路２３、位相同期回路２５、クロック生成回路２７などを含む。
【００３１】
位相同期回路２５は、ＰＤ１２からの出力信号に基づいて、１ライン毎に、位相同期のとれた画像クロックを生成する。位相同期回路２５には、クロック生成回路２７から高周波クロック信号が入力され、これにより画素クロックの位相同期が図られている。位相同期回路２５で生成された画素クロックは、画像処理ユニット２１及びＬＤ制御回路２３に供給される。
【００３２】
画像処理ユニット２１は、上位装置からの画像データ（画像情報）及び位相同期回路２５からの画素クロックに基づいて書込制御信号を生成し、ＬＤ制御回路２３へ供給する。書込制御信号は、ＬＤ１４の発光レベル（発光強度）と点灯／消灯タイミング（書込タイミング）を制御する信号である。
【００３３】
ＬＤ制御回路２３は、位相同期回路２５からの画素クロック及び画像処理ユニット２１からの書込制御信号に基づいてＬＤ１４を駆動制御する。
【００３４】
結果として、ＬＤ１４からのレーザ光は、回転するポリゴンミラー１３により偏向され、走査レンズ１１を介して、被走査媒体である感光体ドラム１０３０上に照射される。照射されたレーザ光は感光体ドラム１０３０上で光スポットとなり、感光体ドラム１０３０上に画像情報に応じた静電潜像が形成される。
【００３５】
なお、本実施形態では、説明を簡略化するため、光源は、半導体レーザの一例としての単一のＬＤ（レーザダイオード）とされているが、１次元又は２次元に配列された複数のＬＤ含むＬＤＡ（Ｌａｓｅｒ  Ｄｉｏｄｅ  Ａｒｒａｙ）であっても良いし、単一のＶＣＳＥＬ（Ｖｅｒｔｉｃａｌ  Ｃａｖｉｔｙ  Ｓｕｒｆａｃｅ  Ｅｍｉｔｔｉｎｇ  Ｌａｓｅｒ）や１次元又は２次元に配列された複数のＶＣＳＥＬ（面発光レーザ）を含むＶＣＳＥＬＡ（面発光レーザアレイ）であっても良い。
【００３６】
ところで、画像形成装置などで用いられる光源として、ＬＤやＶＣＳＥＬ等の半導体レーザ、該半導体レーザが複数集積された半導体レーザアレイ、ＶＣＳＥＬ（面発光レーザ）などが現在良く利用されているが、これらは、構造、波長特性、出力特性などによる様々な光の応答特性を有している。
【００３７】
例えば、半導体レーザ及びレーザ駆動回路（レーザドライバ）をパッケージに収容される基板上に実装した場合、半導体レーザとレーザ駆動回路との間の配線やレーザ自身のパッケージ内配線での寄生容量やインダクタンス、抵抗成分など、光の応答特性に影響する複数の要因がある。特にレーザの数が多くなると、レーザ等が実装されるパッケージも大きくなり、その結果、パッケージでの寄生容量が増加するなどの光の応答特性の変動要因が発生する。
【００３８】
例えば、赤外の７８０ｎｍ帯の半導体レーザに比較して、赤色の６５０ｎｍ帯の半導体レーザでは一般的に微分抵抗が大きいため、駆動する回路や基板等の構成により光波形として常に高速の応答性が得られるわけではなく、波形の鈍りが発生する場合がある。赤外の半導体レーザでも、ＶＣＳＥＬ（面発光レーザ）は、端面発光レーザとの構造上の違いにより、微分抵抗（数百Ω程度）が端面発光レーザ（ＬＤ）の微分抵抗（数〜数１０Ω）に比べて非常に大きい。このため、ＶＣＳＥＬ自身の端子容量やパッケージ容量、ＶＣＳＥＬが実装されている基板の配線における寄生容量やドライバの端子容量等などからなる寄生容量とＶＣＳＥＬの微分抵抗によって、ＬＤよりも大きいＣＲの時定数が発生してＶＣＳＥＬ自身は高速に変調できる素子特性やカットオフ周波数Ｆｔを持っていても基板に搭載するときに、思うような高速の応答波形が得られないという問題がある。
【００３９】
また、このような光の応答特性の変動要因を持つ半導体レーザが複数ある場合においては、配線長のばらつきやレーザの寄生容量のばらつきなどによりレーザ間の応答特性のばらつきが大きくなり、発振遅延や光量変動の遷移時間の差などによって、画像形成における濃度ばらつきや色ずれなどを引き起こしてしまうという問題がある。
【００４０】
また半導体レーザの電流、光出力特性を考えたとき、しきい値電流未満のＬＥＤ領域（自然発光領域）と、しきい値電流以上のＬＤ領域（誘導放出領域）とでは、電流変化量に対する発光光量（発光強度）の変動量が大きく異なるため、画像形成装置などにおいてしきい値電流以下のバイアス電流を印加した状態から発光レベルまで電流を上げて駆動する場合に、ＬＥＤ領域での発光レベルが低いことにより駆動信号に対しての波形の立ち上がりで発振遅延や点灯時間のばらつき、パルス細りなどが生じてしまう場合がある。
【００４１】
このような変動要因を持つ半導体レーザでは、特に複数のレーザが用いられる場合において、レーザ間の応答特性のばらつきが大きくなり、発振遅延や光量変動の遷移時間の差などによって、画像形成における濃度ばらつきや色ずれなどを引き起こす。
【００４２】
次にレーザ点灯時の条件として、ＬＤにバイアス電流を常に印加するレーザ駆動回路の構成において、消灯期間が長く続いた状態から連続してパルス点灯する場合を考える。
【００４３】
ＬＤを点灯したとき、ＬＤの発光レベルに応じたＬＤ電位がＬＤ端子に発生するが、そのＬＤが消灯するタイミングでは点灯状態のＬＤ電位から消灯状態、つまりバイアス電位（バイアス電流のみが供給されているときのＬＤ電位）への遷移が起きる。
【００４４】
最初のパルスと次のパルスの光波形を比較した場合、立ち上がり時のＬＤ電位が同じ消灯ＬＤ電位レベルとなっていれば、同じ電位から発光レベルに点灯させるための電流を印加することとなるため、両者共に同等の立ち上がり波形が得られることになる。
【００４５】
一方、点灯状態から消灯状態への遷移時間内に次のパルス発光が生じる場合、ＬＤ電位が消灯状態にまで下がりきらずに、次のパルス発光の発光電流が印加されるため、光波形の立ち上がり特性に変化が生じてしまう。
【００４６】
光波形の立ち上り特性を安定化させるために、消灯時のタイミングでバイアス電位とするためのアンダーシュート電流（以下では、ＵＤ電流とも称する）を印加することで、消灯時間によらず安定した光波形応答を実現できる。また、アンダーシュート電流を最適化した状態でオーバーシュート電流（以下では、ＯＶ電流とも称する）を調整し、光波形の立ち上り応答性を改善することで、点灯時の立ち上り応答を改善し発光パルス幅の安定化を実現する光波形制御が可能となる。
【００４７】
しかしながら、上記調整を行った系において、経時や温度変化による光量変動が生じ、駆動電流が変化すると、ＵＤ電流及びＯＶ電流は最適値から外れ、消灯時間による立ち上り応答のばらつきや、立ち上り時の波形鈍りや過発光などの問題が生じるおそれがある。
【００４８】
以下に、ＬＤ制御回路２３について、図３を参照して説明する。ここでは、ＣＰＵ５０を含むＬＤ制御回路２３を構成する各構成要素は、同一基板上に実装されている。
【００４９】
ＣＰＵ５０は、ＬＤ１４の発光レベルと点灯／消灯タイミングを制御する書込制御信号に基づいて、ＬＤ１４の発光レベル（駆動電流の振幅）を設定する発光レベル設定信号を生成し、オペアンプＯＰＡを介して駆動電流源ＯＰＳに送る。
【００５０】
駆動電流源ＯＰＳは、ＣＰＵ５０からの発光レベル設定信号に基づいて、駆動電流を生成する。駆動電流源ＯＰＳは、例えば複数のトランジスタを含んで構成されている。
【００５１】
また、ＣＰＵ５０は、画像処理ユニット２１からの書込制御信号、及び位相同期回路２５からの１ライン毎に位相が設定された画素クロックに基づいて、パルス状の変調信号（ＬＤ１４の点灯／消灯を制御するタイミング信号）を生成し、スイッチＳＷ１（例えばトランジスタ）に送る。
【００５２】
スイッチＳＷ１は、変調信号がハイレベルのときにＯＮとなり、ローベルのときにＯＦＦとなる。
【００５３】
そこで、スイッチＳＷ１がＯＮのとき、駆動電流源ＯＰＳ及びＬＤ１４を含む閉回路が構成され、駆動電流源ＯＰＳからＬＤ１４にパルス状の駆動電流が流れる。
【００５４】
また、ＣＰＵ５０は、スイッチＳＷ２（例えばトランジスタ）にバイアスＯＮ信号を出力する。スイッチＳＷ２は、バイアスＯＮ信号が入力されている間、ＯＮとなる。
【００５５】
そこで、スイッチＳＷ２がＯＮのとき、バイアス電流源ＢＡＳ及びＬＤ１４を含む閉回路が構成され、バイアス電流源ＢＡＳからＬＤ１４にバイアス電流が流れる。バイアス電流の値は、ＬＤ１４のしきい値電流近傍であることが好ましい。
【００５６】
また、ＣＰＵ５０は、ＯＶ電流の初期値又は調整値をＤＡＣ３１（デジタル／アナログ変換回路）を介してオーバーシュート電流源ＯＶＳに送るとともに、ＵＤ電流の初期値又は調整値をＤＡＣ３１を介してアンダーシュート電流源ＵＤＳに送る。オーバーシュート電流源ＯＶＳ及びアンダーシュート電流源ＵＤＳそれぞれは、例えば複数のトランジスタを含んで構成されている。なお、ＵＤ電流及びＯＶ電流の初期値及び調整値については、後に詳述する。
【００５７】
また、ＣＰＵ５０は、書込制御信号に基づいて、ＵＤ電流の供給タイミングを設定するための、変調信号（発光指令信号）を含む複数の信号をセレクタＳＥＬ１に送る。また、ＣＰＵ５０は、書込制御信号に基づいて、ＯＶ電流の供給タイミングを設定するための、変調信号（発光指令信号）を含む複数の信号をセレクタＳＥＬ２に送る。
【００５８】
セレクタＳＥＬ１は、ＣＰＵ５０からの複数の信号を用いて、ＵＤ電流の供給タイミングを設定するアンダーシュートＯＮ信号を生成し、スイッチＳＷ３（例えばトランジスタ）に出力する。
【００５９】
スイッチＳＷ３は、アンダーシュートＯＮ信号が入力されている間、ＯＮとなる。
【００６０】
そこで、スイッチＳＷ３がＯＮのとき、アンダーシュート電流源ＵＤＳ及びＬＤ１４を含む閉回路が構成され、アンダーシュート電流源ＵＤＳからＬＤ１４に例えば矩形パルス状のＵＤ電流が流れる。なお、アンダーシュート電流源ＵＤＳは、ＣＰＵ５０からのＵＤ電流の振幅の初期値又は調整値に基づいて、ＵＤ電流を生成する。
【００６１】
セレクタＳＥＬ２は、ＣＰＵ５０からの複数の信号を用いて、オーバーシュート電流の供給タイミングを設定するオーバーシュートＯＮ信号を生成し、スイッチＳＷ４（例えばトランジスタ）に出力する。
【００６２】
スイッチＳＷ４は、オーバーシュートＯＮ信号が入力されている間、ＯＮとなる。
【００６３】
そこで、スイッチＳＷ４がＯＮのとき、オーバーシュート電流源ＯＶＳ及びＬＤ１４を含む閉回路が構成され、オーバーシュート電流源ＯＶＳからＬＤ１４に例えば矩形パルス状のＯＶ電流が流れる。なお、オーバーシュート電流源ＯＶＳは、ＣＰＵ５０からのＯＶ電流の振幅の初期値又は調整値に基づいて、ＯＶ電流を生成する。
【００６４】
ＰＤ３０は、ＬＤ１４からの光を検出すると、その検出光量を電気信号に変換して、ＬＰＦ３２（ローパスフィルタ）、ＡＤＣ（アナログ−デジタルコンバータ）３４を介してＣＰＵ５０に出力する。
【００６５】
そこで、ＣＰＵ５０は、駆動電流の振幅を目標光量レベル（発光レベル）に基づいて設定し、設定された振幅を発光レベル設定信号として、オペアンプＯＰＡを介して駆動電流源ＯＰＳに出力する。
【００６６】
さらに、ＣＰＵ５０は、経時や温度変化による駆動電流の振幅の変化に応じて、ＵＤ電流及びＯＶ電流を調整し、ＵＤ電流の調整値、ＯＶ電流の調整値をそれぞれＤＡＣ３１を介してアンダーシュート電流源ＵＤＳ、オーバーシュート電流源ＯＶＳに送る。ここでは、ＵＤ電流及びＯＶ電流は、駆動電流の振幅の変化後の値に応じた値に調整される。ＵＤ電流及びＯＶ電流の調整量は、駆動電流の振幅変化量と同じにされることが好ましい。
【００６７】
以上の説明から分かるように、ＣＰＵ５０、ＤＡＣ３１、アンダーシュート電流源ＵＤＳ、セレクタＳＥＬ１及びスイッチＳＷ３を含んで、ＬＤ１４にアンダーシュート電流を供給するアンダーシュート電流供給部が構成されている。また、ＣＰＵ５０、ＤＡＣ３１、オーバーシュート電流源ＯＶＳ、セレクタＳＥＬ２及びスイッチＳＷ４を含んで、ＬＤ１４にオーバーシュート電流を供給するオーバーシュート電流供給部が構成されている。
【００６８】
なお、アンダーシュート電流供給部及びオーバーシュート電流供給部の構成は、上述したものに限らず、適宜変更可能である。
【００６９】
ここで、光源であるＬＤ１４を、駆動電流をＬＤ１４に供給するための駆動電流源ＯＰＳ、ＯＶ電流をＬＤ１４に供給するためのオーバーシュート電流源ＯＶＳ、バイアス電流をＬＤ１４に供給するためのバイアス電流源ＢＡＳ及びＵＤ電流をＬＤ１４に供給するためのアンダーシュート電流源ＵＤＳを含む複数の電流源を用いて、例えばある特定の点灯パターン（１画素ＯＮ、１画素ＯＦＦ）でＬＤ１４を駆動する場合を考える。なお、ＯＶ電流及びＵＤ電流は、ＤＡＣコードによりデジタル的に設定可能な構成であるとする。
【００７０】
ＬＤ１４から射出された光は、光量モニタ用の受光素子であるＰＤ３０に入射され、ＰＤ３０では光量に応じたＰＤ電流が流れる。このとき例えば抵抗を用いてＰＤ電流をＰＤ電圧に変換し、検出した信号をＬＰＦ３２で積分することで、ＤＣレベルの信号として信号検出し、ＡＤＣ３４でその量をデジタル化して、ＣＰＵでその量を判断する。ＣＰＵ５０は、書込制御信号の目標光量レベル（発光レベル）と検出信号レベルを比較し、目標光量より検出信号が小さい場合にはＤＡＣコードを増やしてオーバーシュート電荷量を増やし、上記信号検出とＣＰＵ５０での信号比較を行う。なお、オーバーシュート電荷量は、ＯＶ電流の振幅とＯＶ電流の供給時間との積である。
【００７１】
半導体レーザを駆動する際、図４に示される比較例１のように、印加電流（半導体レーザに供給される電流）を普通に印加（供給）した場合の光波形は、半導体レーザ及びレーザドライバ、それらを実装したパッケージや基板、配線等により半導体レーザに並列に付加される寄生容量によって発振遅延や立ち上りの鈍りなどの影響を受けた波形となる。その影響の度合いは微分抵抗の大きい赤色ＬＤ、ＶＣＳＥＬなどの素子で顕著に現れる。また、印加電流信号に対する光波形の発振遅延は、ｎｓオーダーの値となるため、パルス幅が１０ｎｓ以下の高速パルスが必要となる系において、その影響度合いがより高くなる。
【００７２】
また、連続したパルス状の光波形を生成する際に、半導体レーザの点灯前の消灯時間が長い場合と短い場合とでは、光波形の立ち上がり応答に差が生じる場合がある。
【００７３】
図４には、バイアス電流を常に印加した状態で、半導体レーザに点灯タイミングにのみ駆動電流を供給すること、すなわちパルス状の駆動電流を供給することにより、半導体レーザの発光制御を行う場合の印加電流、ＬＤ電位、光波形のタイミングチャートが示されている。
【００７４】
図４における左と中央の光波形では、消灯時間Ｔ１が充分長く、該消灯時間Ｔ１後の光波形の立ち上がり応答は同等になる。これは、点灯直前でのＬＤ電位を比較したときに、消灯後に充分時間が経つとＬＤ電位はバイアス電位Ｖｂｉとなり、同じＬＤ電位（ここではバイアス電位Ｖｂｉ）の状態から駆動電流を印加した際の光波形の立ち上がり応答は同等となるためである。
【００７５】
一方、図４における右の光波形では、点灯前の消灯時間Ｔ２が消灯時間Ｔ１に比べて非常に短く、点灯時のレベルからバイアス電位Ｖｂｉまで下がりきる前に次のパルスが来ることにより（寄生容量の放電がしきらないうちに次の点灯が始まることにより）、立ち上がり時のＬＤ電位のレベルが高くなってしまう。
【００７６】
結果として、点灯前の消灯時間が長く光波形の立ち上り時におけるＬＤ電位がバイアス電位Ｖｂｉとなる場合と、点灯前の消灯時間が短く光波形の立ち上がり時におけるＬＤ電位がＶｂｉよりも高い値となる場合とでは、半導体レーザに点灯時に同じ電荷量を供給しても、光波形の応答性、形状が異なってくる。
【００７７】
立ち上り時のＬＤ電位がバイアス電位Ｖｂｉよりも高い状態では、従来よりも発振遅延が低減したより高速な応答波形となる。しかしながら、この場合、入力データ幅が同じでも、出力される光波形の幅や形状が異なる原因となり、例えばこのＬＤ制御回路を画像形成装置に適用した場合には画像の安定性を低下させるおそれがある。
【００７８】
次に、駆動電流に対してアンダーシュート電流を付加する一例である比較例２の問題点を、図５及び図６を参照して説明する。図５及び図６には、図４に示されるＬＤに対する印加電流、ＬＤ電位、光波形のタイミングチャートを、印加電流の立ち下がりのタイミングで供給されるアンダーシュート電荷量が異なる２条件下で示した例が示されている。なお、アンダーシュート電荷量は、ＵＤ電流の振幅とＵＤ電流の供給時間との積である。
【００７９】
図５には、点灯時間Ｔ１、消灯時間Ｔ２で繰り返しパルス発光（パルス点灯）したときの例が示されている。図６には、点灯時間Ｔ１、消灯時間Ｔ３（＜Ｔ２）で繰り返しパルス発光したときの例が示されている。図５、図６の実線は、アンダーシュート電荷量が最適値よりも小さい場合を示し、図５、図６の一点鎖線は、アンダーシュート電荷量が最適値よりも大きい場合を示している。
【００８０】
ここで、最適（理想的）なアンダーシュート電荷量が印加され、印加後のＬＤ電位が最短時間でバイアス電位Ｖｂｉに到達することを前提として考える。アンダーシュート電荷量が最適値よりも小さい場合には、アンダーシュート電流の印加終了直後のＬＤ電位がバイアス電位Ｖｂｉまで下がりきらないため、バイアスＶｂｉまで下がる前に次のパルスが印加される。この結果、特に、図６に示されるように消灯時間が短い場合には、パルスの光波形の立ち上がり応答性が鋭くなり過ぎて、過発光してしまうおそれがある。
【００８１】
このときの点灯時間分の光量を積分した量を、図５のときをＰ１ａ、図６のときをＰ１ｂとすると、Ｐ１ａ＜Ｐ１ｂの関係となり、同じ点灯時間Ｔ１であるにも関わらず、消灯時間の短い図６の方が、総発光量が大きくなってしまう。
【００８２】
一方、アンダーシュート電荷量が最適値よりも大きい場合には、アンダーシュート電流の印加終了直後のＬＤ電位はバイアス電位Ｖｂｉよりも下がるため、バイアス電位Ｖｂｉまで上がる前に次のパルスが印加される。この結果、特に、図６のように消灯時間が短い場合には、発振遅延が生じたり、波形なまりが生じたりするおそれがある。
【００８３】
このときの点灯時間分の光量を積分した量を、図５のときをＰ２ａ、図６のときをＰ２ｂとすると、Ｐ２ａ＞Ｐ２ｂの関係となり、同じ点灯時間Ｔ１であるにも関わらず、図６よりも消灯時間の長い図５の方が、総発光量が大きくなるという、アンダーシュート電荷量が不足する場合とは逆の現象が生じてしまう。
【００８４】
このような総発光量の差が生じるのは、アンダーシュート電流印加後のＬＤ電位が、消灯時に安定するバイアス電位Ｖｂｉとは異なる電位からバイアス電位に遷移する間に次の点灯が始まることによって、光波形の立ち上がり時の応答性が最適な状態とは異なってくるからである。
【００８５】
そこで、アンダーシュート電流印加後のＬＤ電位がバイアス電位Ｖｂｉと同等のレベルとなる最適アンダーシュート電荷量を印加することにより、消灯時間によらず安定した光波形、光量の積分量を持つ光波形を実現できる。
【００８６】
ところで、アンダーシュート電流を印加（供給）する時間であるアンダーシュート電流印加時間ｔｕｄは消灯時間であるＴ２又はＴ３よりも短く設定する必要がある。Ｔ２、Ｔ３よりもｔｕｄが長い場合には、次の点灯波形の立ち上がりにＵＤ電流がタイミング的にかかってしまい、波形の立ち上がり特性になまりが生じてしまうためである。
【００８７】
ここで、ＵＤ電流を調整する場合の点灯パターンとしては、ＬＤ１４及びＬＤ制御回路２３を含む系における寄生容量などの要因により変化する、電位変化の応答時間に留意する必要がある。例えば消灯時間がＴ２の場合はアンダーシュート電荷量によらずバイアス電位Ｖｂｉとなるため、この状態でアンダーシュート電流を変化させてもその立ち上がり応答に変化がないため、波形の立ち上がり応答を安定させるためにアンダーシュート電荷量を調整する必要がない。
【００８８】
一方、例えば図６のように消灯時間が短い場合には、アンダーシュート電荷量がＬＤ電位（光波形）の立ち上がり特性に影響するため、アンダーシュート電荷量の調整を行う必要性がある。
【００８９】
図７には、アンダーシュート電荷量が最適化された場合の一例である実施例１が示されている。すなわち、図７には、図５及び図６に示されるバイアス電流、駆動電流、アンダーシュート電流を含んで印加電流を構成する場合において、駆動電流の立ち下りのタイミング（立ち下がり時）に電流を引くアンダーシュート電荷量の最適値（最適アンダーシュート電荷量）を印加した場合が示されている。
【００９０】
最適アンダーシュート電荷量を光波形の立ち下りのタイミング（立ち下がり時）に印加することによって、配線やドライバ、ＬＤ１４などに起因する寄生容量によって生じる波形応答を安定化させ、遅延量のばらつきを低減することが可能となる。また、最適アンダーシュート電荷量を印加した場合、その直後にバイアス電位Ｖｂｉに高速に遷移させることが可能となり、消灯後の次の点灯信号が入力されるまでにＬＤ電位をバイアス電位Ｖｂｉにすることができ、消灯時間によらず最適な（理想的な）立ち上がり特性を有する光波形を実現できる。
【００９１】
次に、オーバーシュート電流を印加する一例である比較例４の問題点を、図８を参照して説明する。
【００９２】
比較例４では、図８に示されるように、バイアス電流、駆動電流及びオーバーシュート電流を含んで構成される印加電流を用いて半導体レーザが駆動される。
【００９３】
ところで、一般に、半導体レーザを駆動電流のみで点灯する場合、該半導体レーザを駆動するレーザドライバ等を含む駆動系に起因する各要因により、その立ち上り応答波形に遅延や鈍りなどが発生する。
【００９４】
そこで、比較例４では、駆動電流の立ち上がり時に瞬間的に大電流であるオーバーシュート電流を付加することにより、波形の遅延や鈍りを改善することができる。
【００９５】
但し、比較例４では、その立ち上り応答が改善される一方、駆動電流を印加する直前のＬＤ電位によって、その応答特性に変動が生じてしまう。
【００９６】
例えば図８の左、中央の波形は、消灯時間Ｔ１が長く設定され、立ち上がり時のＬＤ電位がバイアス電位Ｖｂｉとなる。
【００９７】
一方、図８の右の光波形は点灯前の消灯時間Ｔ２が短く設定され、中央の波形の消灯時のＬＤ電位がバイアス電位Ｖｂｉまで下がりきらず、バイアス電位Ｖｂｉよりも大きいある電位からオーバーシュート電流が印加され、左、中央の光波形と比べて立ち上り時に過剰な発光を起こすおそれがある。
【００９８】
このように、比較例４では、消灯時間の長さにより波形の立ち上り応答にばらつきが生じるとともに、過発光によるレーザ寿命の劣化を招くおそれがある。
【００９９】
そこで、最適アンダーシュート電荷量を印加することにより、発光時（点灯時）のＬＤ電位を常に同じレベルに設定し、消灯時間によらず安定した光応答波形を得ることが可能となる。
【０１００】
このようにオーバーシュート電流を印加して波形の立ち上がり応答を改善する方法と、アンダーシュート電流を印加して消灯時間によらず安定した立ち上がり応答を実現する方法とを両立するためには、両電流を目標とする光波形に基づいて調整する必要がある。
【０１０１】
その方法としては、先にアンダーシュート電流を調整し、その後、オーバーシュート電流を調整する第１の方法と、先にオーバーシュート電流を調整し、その後、アンダーシュート電流を調整する第２の方法の２つの方法が考えられる。
【０１０２】
先ず、第１の方法、すなわち先にアンダーシュート電流を調整する場合を考える。アンダーシュート電流を調整する必要があるのは、アンダーシュート電荷量により波形の立ち上がり応答に差異が生じる、消灯時間の短い発光パターンの場合であることを先に述べた。この場合、アンダーシュート電流を変化させると、波形の立ち下り形状と共に立ち上がり形状も変化するため、オーバーシュート電流を印加していない状態での目標とする光波形及びその積分光量をどのように設定すれば良いのか、その値を決めるのが困難である。
【０１０３】
次に、第２の方法、すなわち先にオーバーシュート電流を調整する場合を考える。オーバーシュート電流を調整するには、立ち上がり前のＬＤ電位がバイアス電位で安定している必要がある。また、オーバーシュート電流を印加する目的は、光波形の立ち上がり部における鈍りにより、理想的な光波形よりも積分光量が減ってしまう分を、オーバーシュート電流により過発光させて補償することである。
【０１０４】
また、比較例２においてアンダーシュート電流の最適値について説明した際に、その最適値は、光源（例えばＬＤ）及び光源制御装置（ＬＤ制御回路）を含む系の寄生容量により決まると述べた。よって、光源及び光源制御装置を実装する基板構成が決まればその寄生容量は凡そ見当がつき、大幅には変動しないと考えられる。
【０１０５】
そこで、上記系が決まった構成においては、予想される寄生容量に応じたアンダーシュート電流の初期値を予め印加することにより、波形の立ち上がり応答性を安定化させるために必要な最適アンダーシュート電流との差異が小さい値（該アンダーシュート電流と近似する値）に設定できる。
【０１０６】
このアンダーシュート電流の初期値を印加した状態で、さらにオーバーシュート電流を印加した状態を考える。アンダーシュート電流の初期値により、消灯後のＬＤ電位は、最適アンダーシュート電流ほどではないにしても、相応の短時間にてバイアス電位Ｖｂｉにまで収束することとなる。
【０１０７】
この場合、その収束時間よりも長い消灯時間を持つ発光パターンにて目標波形となる積分光量（光量の時間積分値）となるようにオーバーシュート電流を調整することにより、目標とする積分光量（目標積分光量）に対してオーバーシュート電荷量の調整が可能となる。
【０１０８】
次に、オーバーシュート電流調整により決まった最適なオーバーシュート電流を印加した状態で、アンダーシュート電流調整を行う場合を考える。ここで、オーバーシュート電流調整時には、立ち上り前のＬＤ電位がバイアス電位Ｖｂｉとなる、最適アンダーシュート電流が印加された状態でのＬＤ電位で立ち上がり波形及び積分光量が調整されることが望まれる。
【０１０９】
そこで、オーバーシュート電流調整時よりも消灯時間が短く、かつ寄生容量によるＬＤ電位変化が生じるくらい短い消灯時間で繰り返し点灯を行う発光パターン（点灯パターン）にてアンダーシュート電流調整を行うことにより、その立ち上がり応答が変わらない積分光量を目標値として設定し、アンダーシュート電流調整を行うことにより、先にオーバーシュート電流調整で得られた理想的な立ち上がり応答波形を保ったまま、消灯時間によらず安定した立ち上がり応答を実現するアンダーシュート電流の調整が可能となる。
【０１１０】
図９には、オーバーシュート電流とアンダーシュート電流を最適に調整した場合の印加電流、ＬＤ電位、光波形のフローチャートが示されている。
【０１１１】
結果として、オーバーシュート電流を調整した後に、アンダーシュート電流を調整することにより、それぞれの電流を最適化することができ、光波形の立ち上り特性を向上させ、かつ消灯時間によらず光波形の立ち上がり再現性を安定化させることができる。
【０１１２】
以下に、ＯＶ電流及びＵＤ電流の初期値の設定方法の一例を、図１０を参照して説明する。図１０は、少なくとも１つのＬＤに対してＯＶ電流調整、ＵＤ電流調整を行う手順を示すフローチャートである。このフローチャートは、ＣＰＵ５０によって実行される処理アルゴリズムに基づいており、ＬＤが単一の場合のみならず複数の場合にも対応している。なお、ＬＤが複数の場合とは、例えばカラー画像を形成するための各色に対応するＬＤが設けられている場合や複数のＬＤを含むＬＤＡからの複数の光で少なくとも１つの感光体ドラム上を同時に走査する場合などが挙げられる。
【０１１３】
最初のステップＳ１では、ＬＤが複数であるか否かを判断する。ステップＳ１での判断が肯定されると、ステップＳ２に移行する。一方、ステップＳ１での判断が否定されると、ステップＳ３に移行する。
【０１１４】
ステップＳ２では、複数のＬＤの中から調整対象の１つのＬＤを設定する。ステップＳ２が実行されると、ステップＳ３に移行する。
【０１１５】
ステップＳ３では、ＬＤを、点灯時間Ｔ１かつ消灯時間Ｔ２のパルスを繰り返すＯＶ電流調整パターンで点灯させる（ステップＳ２）。そこで、ＬＤからの各光パルスの光量が、ＰＤで検出され、ＬＰＦで平滑化（積分）され、ＡＤＣで複数の光パルスの積分光量の平均値が取得される。
【０１１６】
次のステップＳ４では、ＯＶ電流を調整する。具体的には、ＯＶ電流をある程度小さい値から徐々に大きくしていく。ＯＶ電流を増大させると積分光量も増大する。そこで、ＣＰＵにて、ステップＳ３においてＡＤＣで取得された積分光量の平均値と、目標積分光量とが比較される。
【０１１７】
次のステップＳ５では、ＯＶ電流の調整値を保存する。具体的には、上記平均値が目標積分光量よりも小さい場合には、オーバーシュート電流を更に大きくし、同等か大きくなった時点でのオーバーシュート電流を最適オーバーシュート電流（ＯＶ電流調整値）としてメモリ（不図示）に保存する。
【０１１８】
次のステップＳ６では、点灯時間Ｔ１かつ消灯時間Ｔ３（＜Ｔ２）のパルスを繰り返すＵＤ電流調整パターンを点灯させる。そこで、ＬＤからの各光パルスの光量が、ＰＤで検出され、ＬＰＦで平滑化（積分）され、ＡＤＣで複数の光パルスの積分光量の平均値が取得される。
【０１１９】
次のステップＳ７では、ＵＤ電流を調整する。具体的には、アンダーシュート電流の初期値をＬＤ及びＬＤ制御回路を含む系の寄生容量分よりも若干大きめに設定し、アンダーシュート電流を徐々に小さくしていく。アンダーシュート電流を小さくしていくと光波形の立ち下り部の応答が悪くなり、立ち下り部の積分光量が大きくなる。一方、光波形の立ち上り部は、アンダーシュート電流が過剰な状態、すなわちＬＤ電位がバイアス電位よりも低い状態からバイアス電位に近づくため、積分光量が小さくなる。そこで、ＣＰＵにて、ステップＳ６においてＡＤＣで取得された積分光量の平均値と、目標積分光量とが比較される。
【０１２０】
次のステップＳ８では、ＵＤ調整値を保存する。具体的には、アンダーシュート電流を減らしていき、上記平均値が目標積分光量と同等か小さくなった時点のアンダーシュート電流を最適アンダーシュート電流（ＵＤ電流調整値）としてメモリ（不図示）に保存する。ステップＳ８が実行されると、１つのＬＤの調整が完了する。
【０１２１】
次のステップＳ９では、未調整のＬＤがあるか否かを判断する。未調整のＬＤがある場合には、ステップＳ９での判断が肯定され、ステップＳ２に戻る。未調整のＬＤがない場合には、ステップＳ９での判断が否定され、フローは終了する。
【０１２２】
すなわち、ＬＤが複数ある場合には、ステップＳ２〜ステップＳ９の一連の手順をＬＤ毎に繰り返すことにより、全てのＬＤについてオーバーシュート電流の初期値及びアンダーシュート電流の初期値を最適に設定することができ、消灯時間によらず安定し、かつ目標積分光量を有する光波形を再現することができる。
【０１２３】
次に、図１１を参照して、駆動電流の変化に応じたアンダーシュート電流の調整方法の一例（実施例３）を説明する。ここで、「駆動電流の変化」は、環境温度の変化による変化やレーザの発光特性の経時変化による変化を含む。そこで、環境温度の変化が経時的な変化であることに鑑みて、「駆動電流の変化」を「駆動電流の経時的な変化」と呼んでも差し支えない。
【０１２４】
ここでは、ＬＤ１４に対する印加電流、ＬＤ電位、光波形のタイミングチャートを用いて、駆動電流Ｉｏｐが変化したときのアンダーシュート電流の調整方法を説明する。Ｉｏｐの変化量をΔＩｏｐとする。
【０１２５】
先ず、ＵＤ電流を、目標光量レベルに応じて設定された駆動電流Ｉｏｐの初期値に対する最適なＵＤ電流である初期値Ｉｕｄ１に設定する。
【０１２６】
ＵＤ電流を初期値Ｉｕｄ１に設定後、レーザ特性の経時変化や環境温度の変化などの要因により、ＬＤ１４からの光の光量（発光レベル）が目標光量レベルから微小変化すると、すなわち駆動電流Ｉｏｐが初期値から微小変化すると、波形の立ち上り応答のばらつきを招く。これは、駆動電流Ｉｏｐの変化により、ＵＤ電流の最適値が初期値Ｉｕｄ１からずれるためである。
【０１２７】
そこで、本実施形態では、発光レベルの変化量ΔＰに伴う駆動電流の変化量ΔＩｏｐに応じて、アンダーシュート電流変化量ΔＩｕｄを設定することで、駆動電流Ｉｏｐの変化に対するアンダーシュート電流Ｉｕｄの最適化を簡易的に行うことができる。
【０１２８】
図１３には、駆動電流Ｉｏｐと、該駆動電流Ｉｏｐに対する最適アンダーシュート電流（以下では、最適Ｉｕｄとも称する）との関係がグラフにて示されている。
【０１２９】
そして、光波形を出力する上で、図１２に示されるように消灯時にバイアス電流Ｉｂｉ、点灯時に合成電流＝バイアス電流Ｉｂｉ＋駆動電流Ｉｏｐを印加する場合を考える。この場合、最適アンダーシュート電流は、合成電流＝バイアス電流Ｉｂｉ＋駆動電流Ｉｏｐで決まる電位Ｖｏｐから、バイアス電位Ｖｂｉに速やかに電位を遷移させるための電流となる。
【０１３０】
ここで、光量Ｐ１のときの合成電流をＩｂｉ＋Ｉｏｐ１としたときの最適アンダーシュート電流をＩｕｄ１、光量２のときの合成電流をＩｂｉ＋Ｉｏｐ２としたときの最適アンダーシュート電流をＩｕｄ２、Ｉｏｐ２とＩｏｐ１の差をΔＩｏｐ、Ｉｕｄ２とＩｕｄ１の差をΔＩｕｄとすると、ΔＩｏｐとΔＩｕｄは、アンダーシュート電流の印加時間が一定のときは、ほぼ比例関係となる。
【０１３１】
すなわち、図１３に示されるように、駆動電流がＩｏｐ１からＩｏｐ２へ変化したとき、最適アンダーシュート電流はＩｕｄ１からＩｕｄ２へ変化し、ΔＩｕｄ／ΔＩｏｐは光量によらずほぼ一定値をとる。よって、駆動電流がΔＩｏｐ変化した際には、ΔＩｏｐに対応した最適なアンダーシュート電流変化量ΔＩｕｄを設定すれば、初期調整の手順を踏むことなく、簡易な構成で最適アンダーシュート電流を設定可能となる。
【０１３２】
結果として、本実施形態によれば、ＵＤ電流の初期設定後に、経時でプロセスや光学系の影響によりＬＤ１４からの光量が変動した場合でも、ＵＤ電流の初期設定のようなプロセスを経ずに、簡易な手順で光量変動後のＵＤ電流を最適値相当に補正することが可能となり、点灯／消灯パルスの消灯時間によらず安定した光波形応答を実現できる。
【０１３３】
以下に、アンダーシュート電流とオーバーシュート電流の両方について調整を行う一例（実施例４）を、図１２を用いて説明する。
【０１３４】
ここでは、光量Ｐ１、駆動電流Ｉｏｐ１、ＬＤ電位Ｖｏｐ１で発光し、消灯時はバイアス電流Ｉｂｉ、バイアス電位ＶｂｉでＬＤ１４の点灯、消灯を繰り返すＬＤ制御回路において、アンダーシュート電流を初期値Ｉｕｄ１に設定し、波形の立ち上り応答を安定化する場合を考える。
【０１３５】
経時の光量変動ΔＰ１により発光レベルがＰ１＋ΔＰ１となるとき、駆動電流はＩｏｐ＋ΔＩｏｐ１となり、ＵＤ電流を初期値Ｉｕｄ１に維持する場合には、ＬＤ電位が上昇した分、ＬＤ電位をバイアス電位まで下げることができなくなる。すなわち、ＵＤ電流が最適値に対して不足し、光波形応答では消灯時間が短い場合に波形の立ち上りが急峻となる不具合が生じる。
【０１３６】
そこで、駆動電流の変化量ΔＩｏｐ１に対し、ＵＤ電流もΔＩｕｄ１変化させて最適値に設定することで、消灯時間によらず安定した光波形応答を実現できる。
【０１３７】
また、図１２において、アンダーシュート電流印加時間をｔｕｄ、オーバーシュート電流印加時間をｔｏｖとしたとき、駆動電流Ｉｏｐの微小変化ΔＩｏｐに対して、ＵＤ電流の微小変化分ΔＩｕｄとＯＶ電流の微小変化分ΔＩｏｖは、ＬＤ電位の変化を最適化する考えに基づけば、印加時間と印加電流とで決まる印加電荷量が同等となるような電流量に設定することにより、それぞれ最適なアンダーシュート電流量、オーバーシュート電流量を設定できるはずである。そこで、ｔｕｄ×ΔＩｕｄ＝ｔｏｖ×ΔＩｏｖとなるようなアンダーシュート電荷量及びオーバーシュート電荷量を設定することで、消灯時間によらず安定した光波形を形成可能となる。この場合、アンダーシュート電流変化量ΔＩｕｄとオーバーシュート電流変化量ΔＩｏｖを等しくし、かつアンダーシュート電流印加時間ｔｕｄとオーバーシュート電流印加時間ｔｏｖを等しくしても良いし、ΔＩｕｄとΔＩｏｖを異ならせ、かつｔｕｄとｔｏｖを異ならせても良い。
【０１３８】
図１４には、駆動電流と、該駆動電流に対する最適オーバーシュート電流（以下では、最適Ｉｏｖとも称する）との関係がグラフにて示されている。図１４から分かるように、駆動電流Ｉｏｐの変化ΔＩｏｐとオーバーシュート電流Ｉｏｖの変化ΔＩｏｖとがほぼ比例関係を有することから、Ｉｏｐの変化量に応じた適正なＩｏｖの変化量を求めることができ、ＯＶ電流の初期設定を行うことなく高精度な光波形補正を実現できる。
【０１３９】
すなわち、ＵＤ電流の変化量ΔＩｕｄをＵＤ電流に加算し、ＯＶ電流の変化量ΔＩｏｐをＯＶ電流に加算することで、設定時間を要する初期設定プロセスを実行することなく、簡易な構成で高精度な光波形応答を実現できる。
【０１４０】
図１５には、光量Ｐ１〜Ｐ４それぞれにおける駆動電流Ｉｏｐ、最適Ｉｕｄ、最適Ｉｏｖの値を示すテーブルの一例が示されている。
【０１４１】
このテーブルは、予め各光量に対する駆動電流（Ｉｏｐ１〜Ｉｏｐ４）、最適Ｉｕｄ（Ｉｕｄ１〜Ｉｕｄ４）、最適Ｉｏｖ（Ｉｏｖ１〜Ｉｏｖ４）を求め、これらを対応付けて配列することで作成される。
【０１４２】
そして、駆動電流が変化（光量が変化）した際には上記テーブルの値に基づいて、駆動電流の変化後の値に応じた最適Ｉｕｄ及び最適Ｉｏｖを選択することにより、ＵＤ電流及びＯＶ電流を調整することにより、ＵＤ電流及びＯＶ電流の初期設定プロセスを経ることなく、簡易化した補正値による安定した光波形形成が可能となる。
【０１４３】
なお、図１５のテーブルを用いる場合、例えば、駆動電流の変化後の値がＩｏｐ１未満のときは該値をＩｏｐ１と見做し、駆動電流の変化後の値がＩｏｐ１〜Ｉｏｐ２のときは該値をＩｏｐ１及びＩｏｐ２のうちより近似する値と見做し、駆動電流の変化後の値がＩｏｐ２〜Ｉｏｐ３のときは該値をＩｏｐ２及びＩｏｐ３のうちより近似する値と見做し、駆動電流の変化後の値がＩｏｐ３〜Ｉｏｐ４のときは該値をＩｏｐ３及びＩｏｐ４のうちより近似する値と見做し、駆動電流の変化後の値がＩｏｐ４より大きいときは該値をＩｏｐ４と見做しても良い。
【０１４４】
また、図１５のテーブルでは、光量、駆動電流、最適Ｉｕｄ及び最適Ｉｏｖは、４段階で表示されているが、３段階以下又は５段階以上で表示されても良い。
【０１４５】
また、図１５のテーブルには、ＵＤ電流の最適値及びＯＶ電流の最適値の双方が含まれているが、要は、少なくとも一方が含まれていれば良い。
【０１４６】
図１６には、光量の範囲（Ｐ１〜Ｐ２）に対して、Ｉｕｄ、Ｉｏｖの補正係数を求めて、光量が変化した際にはその係数に基づいてＩｏｐに比例した電流量を印加する方式のテーブルが示されている。ここで、ＵＤ電流の比例係数をＡ、ＯＶ電流の比例係数をＢとすると、ＡとＢは、ＵＤ電流の印加時間及びＯＶ電流の印加時間などに応じて変化する値となる。
【０１４７】
この場合、駆動電流が変化（光量が変化）した際に、駆動電流の変化量ΔＩｏｐにＡを乗じた値であるΔＩｏｐ×ＡをＵＤ電流として印加し、駆動電流Ｉｏｐの変化量ΔＩｏｐにＢを乗じた値であるΔＩｏｐ×ＢをＯＶ電流として印加することで、初期設定時の状態を維持する場合に比べて、消灯時間や光量によらず安定した光波形を生成可能となる。
【０１４８】
なお、図１６のテーブルには、ＵＤ電流の変化量及びＯＶ電流の変化量の双方が含まれているが、要は、少なくとも一方が含まれていれば良い。
【０１４９】
図１７には、上位装置からの画像データに応じた発光指令信号（変調信号）、オーバーシュートＯＮ信号及びアンダーシュートＯＮ信号に基づいて変調電流（印加電流）を生成する過程の一例が示されている。
【０１５０】
先ず、発光指令信号に対してｔ１だけ遅れた遅延パルス１を生成し、発光指令信号及び遅延パルス１からオーバーシュートＯＮ信号とアンダーシュートＯＮ信号を生成する。オーバーシュートＯＮ信号及びアンダーシュートＯＮ信号を、それぞれ対応するスイッチに信号入力し、対応する電流源からの電流をＯＮ、ＯＦＦすることで、変調電流（印加電流）の波形が得られる。
【０１５１】
詳述すると、図１７では、発光指令信号が遅延され遅延パルス１となり、発光指令信号と遅延パルス１の反転とのＡＮＤを取ることによりオーバーシュートＯＮ信号を生成することができる。この遅延は、例えば簡単にはインバータ列やバッファ列により行わせても良いし、抵抗とコンデンサ等からなるローパスフィルタで遅延させその後波形整形した信号を用いても良い。どちらの場合も、遅延量を変更することは段数やフィルタ定数の変更により容易に行うことができる。
【０１５２】
このとき、変調電流は、駆動電流とＯＶ電流との和になる。オーバーシュートＯＮ信号は、駆動電流がＯＮとなるタイミングからの短い間、例えば０．４ｎｓ〜５ｎｓの間ＯＮとされるが、この時間は、例えばＬＤの特性、感光体ドラムの感度特性等を考慮し、階調再現性が最も良好となる時間に設定されることが好ましい。また、ＯＶ電流の大きさ（駆動電流×Ｃ）もＬＤの特性や感光体ドラムの感度特性等を考慮し、設定を行うことが好ましいが、通常はＣ＝０．１〜１程度に設定される。なぜなら、それ以上大きい場合にはＬＤの定格を超える光量となる可能性が高くなり、ＬＤを破壊する危険性が高くなり、ＬＤの寿命及び安全性の点で問題となるからである。
【０１５３】
図１８には、遅延パルス１、及び該遅延パルス１とは遅延時間が異なる遅延パルス２を用いて、ＯＶ電流とＵＤ電流の印加時間を異ならせた例が示されている。図１８から分かるように、発光指令信号（変調信号）から遅延パルスを複数個生成することで、ＯＶ電流の印加時間ｔ１及びＵＤ電流の印加時間ｔ２を必要に応じて容易に変更することができる。例えば複数のパルスの消灯時間の最小値が小さいほど、ＵＤ電流の印加時間を小さくすることが考えられる。
【０１５４】
図１９（Ａ）には、半導体レーザのＩＬ特性（電流−光出力特性）がグラフにて示されている。なお、説明のため、図１９には、以下のように各電流の略称が示されている。
Ｉｏｐ：レーザ動作電流（駆動電流）
Ｉｔｈ：レーザ閾値電流
Ｉｄｒｖ：Ｉｏｐ：高速に駆動するレーザドライブ電流
Ｉｄｒｖ＝Ｉｌｄ＋Ｉｌｅｄ
Ｉｌｄ：レーザのＬＤ領域に相当する電流分
Ｉｌｅｄ：レーザのＬＥＤ領域に相当する電流分
Ｖｏｐ：発光時動作電圧
Ｖｔｈ：閾値電流印加時の電圧
【０１５５】
また、図１９（Ｂ）には、半導体レーザを点灯する場合の印加電流波形の一例が示されている。図１９（Ｂ）では、駆動電流の立ち上がり特性を、説明の簡単のため、直線近似で示している。ここでは、時間ｔ１から立ち上り、時間ｔ２でＩｌｅｄとなり、時間ｔ３でＩｏｐ＝Ｉｌｅｄ＋Ｉｌｄとなる。
【０１５６】
図１９（Ａ）及び図１９（Ｂ）から分かるように、印加電流波形の時間ｔ２までは、半導体レーザのＬＥＤ領域のため、電流増加に対する光出力の上昇率は非常に小さい。一方、ｔ２以降は、半導体レーザのＬＤ領域となるため、電流増加に対する光出力の上昇率が大きく、光波形の立ち上り特性として現れる。
【０１５７】
図１９（Ａ）では、ある状態におけるＬＤのＩＬ特性が実線（ａ）で示され、仕様上の最大電流値Ｉｏｐ＿ｍａｘでＬＤの最大光出力ＰＯに到達すると仮定した場合のＩＬ特性が破線（ｂ）で示されている。
【０１５８】
ところで、複数の半導体レーザとドライバ（ＬＤ制御回路）が実装された基板上において、両者間を配線で接続する場合、一例として図２０に示されるように、半導体レーザが収容されるパッケージの寄生容量、ドライバが収容されるパッケージの寄生容量、配線による寄生容量など、複数の寄生容量が存在する。この場合、半導体レーザの点灯時には、これらの寄生容量を併せた総寄生容量Ｃに対するチャージ（Ｉｃ）が行われた後に、各半導体レーザに対して本来与えられるべき電流（Ｉｌｅｄ＋Ｉｌｄ）が流れるため、半導体レーザ間の総寄生容量Ｃのばらつきによって、半導体レーザ間で応答特性や発振遅延時間等の時間差が生じる。また、消灯時にもこの総寄生容量Ｃの放電が立ち下り特性や次の立ち上がり応答に対して影響を及ぼす。
【０１５９】
そこで、総寄生容量Ｃ分の電荷量をＵＤ電流によって高速に放電し、ＬＤ電位をバイアス電位に高速に遷移させることにより、次の発光時（点灯時）の立ち上り応答波形の再現性を向上させることができる。
【０１６０】
以上説明した本実施形態のＬＤ制御回路２３は、ＬＤ１４にパルス状の駆動電流を供給する半導体レーザ制御装置であり、駆動電流の立ち上がり時にＬＤ１４にオーバーシュート電流を供給するオーバーシュート電流供給部、及び駆動電流の立ち下がり時にＬＤ１４にアンダーシュート電流を供給するアンダーシュート電流供給部を備え、オーバーシュート電流供給部は、駆動電流の変化（例えば周囲の温度変化やＬＤ１４の発光特性の経時変化による変化）に応じてオーバーシュート電流を調整し、アンダーシュート電流供給部は、駆動電流の変化に応じてアンダーシュート電流を調整する。
【０１６１】
この場合、駆動電流の変化により、オーバーシュート電流及びアンダーシュート電流が駆動電流の変化後の値に応じた適正値からずれても、該適正値に調整することができる。
【０１６２】
この結果、ＬＤ１４から所望の光波形を安定して出力させることができる。
【０１６３】
そして、オーバーシュート電流供給部及びアンダーシュート電流供給部の双方を備えることで、駆動電流の変化に応じてＯＶ電流及びＵＤ電流の双方を適正値に調整することができ、光波形の再現性を向上させることができる。
【０１６４】
また、アンダーシュート電流の調整量と該アンダーシュート電流が供給される時間とを乗じた値と、前記オーバーシュート電流の調整量と該オーバーシュート電流が供給される時間とを乗じた値とをほぼ等しくすることで、消灯時間によらず安定した光波形を出力することができる。
【０１６５】
また、アンダーシュート電流及びオーバーシュート電流の少なくとも一方を、駆動電流の複数の値（例えばＩｏｐ１〜Ｉｏｐ４）に応じて個別に定められた複数の調整値（例えばＩｕｄ１〜Ｉｕｄ４、Ｉｏｖ１〜Ｉｏｖ４）を含むテーブルに基づいて調整することで、調整動作の簡略化及び調整時間の短縮化を図ることができる。
【０１６６】
また、アンダーシュート電流及びオーバーシュート電流の少なくとも一方を、予め駆動電流の変化ΔＩｏｐに応じて定められた比例定数（例えばＡ、Ｂ）に基づいて調整することで、調整動作の簡略化及び調整時間の短縮化を図ることができる。
【０１６７】
また、周囲の温度変化及び起動開始後の経過時間の少なくとも一方に基づいて、アンダーシュート電流の調整及びオーバーシュート電流の調整の少なくとも一方を開始することで、例えばＬＤ１４からの光の光量を参照しなくても、駆動電流の変化に応じてアンダーシュート電流及びオーバーシュート電流の少なくとも一方を調整することができる。具体的には、予め周囲の温度変化及び起動開始後の経過時間の少なくとも一方に応じた駆動電流の変化を示すテーブルを作成し、該テーブルに基づいて調整を行っても良い。起動開始後の経過時間に基づいて調整する例としては、例えば起動開始後、所定時間毎（定期的）に調整する場合が挙げられる。周囲の温度変化に基づいて調整する例としては、例えば所定温度を基準値として、温度が該基準値を上回ったとき又は下回ったときに調整する場合が挙げられる。
【０１６８】
また、ＬＤ１４からの光の光量変化を検出し、駆動電流の変化を、該光量変化に基づいて求めることで、駆動電流の変化を精度良く検出でき、ひいてはアンダーシュート電流及びオーバーシュート電流の調整を精度良く行うことができる。
【０１６９】
また、ＬＤ制御回路２３が複数の半導体レーザ（例えばＬＤ）の制御を行うことで、半導体レーザ間の立ち上がり特性のばらつきを抑制できる。
【０１７０】
また、レーザプリンタ１０００は、感光体ドラム１０３０と、ＬＤ１４を有し、該ＬＤ１４からの光により感光体ドラム１０３０を走査する光走査装置１０１０と、画像情報に応じたパルス状の駆動電流をＬＤ１４に供給するＬＤ制御回路２３と、を備えている。
【０１７１】
この場合、ＬＤ制御回路２３により、ＬＤ１４から所望の光波形を安定して出力させることができるため、感光体ドラム１０３０上に安定して精度良く画像を形成することができる。
【０１７２】
以上の説明から分かるように本発明の半導体レーザ制御装置は、従来技術の問題点を解決するため、オーバーシュート電流及びアンダーシュート電流の少なくとも一方の初期設定後、光量や温度、時間経過に伴う特性変化が生じた場合に、予め作成したテーブルや、駆動電流に対する最適アンダーシュート電流やオーバーシュート電流の変換式などに基づいて、オーバーシュート電流やアンダーシュート電流を設定する機能を有することにより、各電流の調整時間を短縮しつつ、高精度高安定な光波形を実現することができる。
【０１７３】
この結果、光波形のパルス再現性を向上させるオーバーシュート電流調整やアンダーシュート電流調整機能について、初期設定後に半導体レーザの特性変動や環境温度の変動が生じて駆動電流が変化しても、その変化量に応じてオーバーシュート電流、アンダーシュート電流を変化させることにより、画素の点灯周期（半導体レーザの点灯周期）や消灯時間によらず安定した光波形が得られ、画素の再現性の高い画像形成装置を実現できる。
【０１７４】
なお、上記実施形態では、ＬＤ制御回路２３は、オーバーシュート電流供給部及びアンダーシュート電流供給部の双方を備えているが、これに限らず、要は、少なくとも一方を備えていれば良い。すなわち、オーバーシュート電流の供給及び調整並びにアンダーシュート電流の供給及び調整を行っても良いし、オーバーシュート電流の供給及び調整のみを行っても良いし、アンダーシュート電流の供給及び調整のみを行っても良い。
【０１７５】
また、上記実施形態では、バイアス電流Ｉｂｉを印加しているが、必ずしも印加しなくても良い。
【０１７６】
また、上記実施形態において、ＬＤ１４からの光量、すなわちＰＤ３０からの出力信号に基づいて駆動電流を調整し、その調整量（変化量）に基づいてＵＤ電流及びＯＶ電流の少なくとも一方を調整しても良い。
【０１７７】
また、上記実施形態では、上記半導体レーザとして、ＬＤ（レーザダイオード：端面発光レーザ）が用いられているが、これに代えて、面発光レーザ（ＶＣＳＥＬ）を用いても良い。面発光レーザは、ＬＤに比べて立ち上がり特性が鈍いため、本発明による効果がより一層期待できる。
【０１７８】
また、上記実施形態では、本発明の画像形成装置として、レーザプリンタ１０００を採用しているが、これに限られない。例えば、本発明の画像形成装置は、一例として図２１に示されるように、複数の感光体ドラムを備えるカラープリンタ２０００であっても良い。
【０１７９】
このカラープリンタ２０００は、４色（ブラック、シアン、マゼンタ、イエロー）を重ね合わせてフルカラーの画像を形成するタンデム方式の多色カラープリンタであり、ブラック用のステーション（感光体ドラムＫ１、帯電装置Ｋ２、現像装置Ｋ４、クリーニングユニットＫ５、及び転写装置Ｋ６）と、シアン用のステーション（感光体ドラムＣ１、帯電装置Ｃ２、現像装置Ｃ４、クリーニングユニットＣ５、及び転写装置Ｃ６）と、マゼンタ用のステーション（感光体ドラムＭ１、帯電装置Ｍ２、現像装置Ｍ４、クリーニングユニットＭ５、及び転写装置Ｍ６）と、イエロー用のステーション（感光体ドラムＹ１、帯電装置Ｙ２、現像装置Ｙ４、クリーニングユニットＹ５、及び転写装置Ｙ６）と、光走査装置２０１０と、転写ベルト２０８０と、定着ユニット２０３０などを備えている。
【０１８０】
各感光体ドラムは、図２１中の矢印の方向に回転し、各感光体ドラムの周囲には、回転方向に沿って、それぞれ帯電装置、現像装置、転写装置、クリーニングユニットが配置されている。各帯電装置は、対応する感光体ドラムの表面を均一に帯電する。帯電装置によって帯電された各感光体ドラム表面に光走査装置２０１０によりレーザ光が照射され、各感光体ドラムに潜像が形成されるようになっている。そして、対応する現像装置により各感光体ドラム表面にトナー像が形成される。さらに、対応する転写装置により、転写ベルト２０８０上の記録紙に各色のトナー像が転写され、最終的に定着ユニット２０３０により記録紙に画像が定着される。
【０１８１】
光走査装置２０１０は、上記実施形態のＬＤ１４と同様のＬＤを色毎に有し、各ＬＤを制御する、ＬＤ制御回路２３と同様の構成のＬＤ制御回路を有している。そこで、上記光走査装置１０１０と同様な効果を得ることができるとともに、色ずれの発生を抑制することができる。また、カラープリンタ２０００は、光走査装置２０１０を備えているため、上記レーザプリンタ１０００と同様な効果を得ることができる。
【０１８２】
ところで、カラープリンタ２０００では、各部品の製造誤差や位置誤差等によって色ずれが発生する場合がある。このような場合であっても、光走査装置２０１０が各ＬＤを制御するＬＤ制御回路を有しているため、該色ずれの発生を防止することができる。
【０１８３】
また、カラープリンタ２０００では、光走査装置が一体的に構成される場合について説明したが、これに限定されるものではない。例えば、画像形成ステーション毎に光走査装置が設けられても良いし、２つの画像形成ステーション毎に光走査装置が設けられても良い。
【０１８４】
また、カラープリンタ２０００では、感光体ドラムが４つある場合について説明したが、これに限定されるものではない。例えば、感光体ドラムを５つ以上備えていても良い。
【０１８５】
また、本発明の画像形成装置は、例えば、レーザ光によって発色する媒体（例えば、用紙）に直接、レーザ光を照射する画像形成装置であっても良い。
【０１８６】
また、本発明の画像形成装置は、像担持体として銀塩フィルムを用いた画像形成装置であっても良い。この場合には、光走査により銀塩フィルム上に潜像が形成され、この潜像は通常の銀塩写真プロセスにおける現像処理と同等の処理で可視化することができる。そして、通常の銀塩写真プロセスにおける焼付け処理と同等の処理で印画紙に転写することができる。このような画像形成装置は光製版装置や、ＣＴスキャン画像等を描画する光描画装置として実施できる。
【０１８７】
また、本発明は、例えばレーザプリンタ、カラープリンタ、デジタル複写機等の画像形成装置に加えて、例えば光ディスク装置、光通信装置、レーザレーダ装置等の半導体レーザ及び該半導体レーザを制御する半導体レーザ制御装置を備える機器に適用可能である。
【符号の説明】
【０１８８】
１４…ＬＤ（半導体レーザ）、２３…ＬＤ制御回路（半導体レーザ制御装置）、１０００…レーザプリンタ（画像形成装置）、１０１０…光走査装置、１０３０…感光体ドラム、２０００…カラープリンタ（画像形成装置）、２０１０…光走査装置。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０１８９】
【特許文献１】特開２０１１−１９８８７７号公報
【図１】
2015103680.tif 000003
【図２】
2015103680.tif 000004
【図３】
2015103680.tif 000005
【図４】
2015103680.tif 000006
【図７】
2015103680.tif 000007
【図８】
2015103680.tif 000008
【図９】
2015103680.tif 000009
【図１０】
2015103680.tif 000010
【図１３】
2015103680.tif 000011
【図１４】
2015103680.tif 000012
【図１５】
2015103680.tif 000013
【図１６】
2015103680.tif 000014
【図１７】
2015103680.tif 000015
【図１８】
2015103680.tif 000016
【図１９】
2015103680.tif 000017
【図２０】
2015103680.tif 000018
【図２１】
2015103680.tif 000019
【図５】
2015103680.tif 000020
【図６】
2015103680.tif 000021
【図１１】
2015103680.tif 000022
【図１２】
2015103680.tif 000023