(57)【要約】【課題】入射した外光を反射させて表示を行う液晶表示装置において、反射光の反射効率を向上させ、効率よく白表示を行うことを課題の一とする。より視認性の良好で高画質な液晶表示装置を提供することを課題の一とする。【解決手段】凹凸表面を有する画素電極層を用い、効率よく散乱させた反射光で白表示を行うことにより、反射光の反射効率を向上させ、効率よく白表示を行うことができる。また、より視認性の良好で高画質な液晶表示装置を提供することができる。【選択図】図１
2015228046.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の基板と、
前記第１の基板上の構造体と、
前記構造体上の第１の電極層と、
前記第１の電極層上の液晶層と、
前記液晶層上の第２の電極層と、
前記第２の電極層上の第２の基板と、
前記第２の基板上の偏光板と、を有し、
前記構造体は、表面に凹凸構造を有し、
前記第１の電極層は、反射性を有し、
前記第２の電極層は、透光性を有し、
前記第２の電極層の波長４００ｎｍ〜４５０ｎｍにおける透過率は、前記第２の電極層の可視光帯域における透過率の平均値よりも高く、
前記偏光板の波長４００ｎｍ〜４５０ｎｍにおける透過率は、前記偏光板の可視光帯域における透過率の平均値よりも低いことを特徴とする液晶表示装置。
【請求項２】
第１の基板と、
前記第１の基板上の構造体と、
前記構造体上の反射性を有する膜と、
前記反射性を有する膜上の平坦化膜と、
前記平坦化膜上の第１の電極層と、
前記第１の電極層上の液晶層と、
前記液晶層上の第２の電極層と、
前記第２の電極層上の第２の基板と、
前記第２の基板上の偏光板と、を有し、
前記構造体は、表面に凹凸構造を有し、
前記第１の電極層は、透光性を有し、
前記第２の電極層は、透光性を有し、
前記第２の電極層の波長４００ｎｍ〜４５０ｎｍにおける透過率は、前記第２の電極層の可視光帯域における透過率の平均値よりも高く、
前記偏光板の波長４００ｎｍ〜４５０ｎｍにおける透過率は、前記偏光板の可視光帯域における透過率の平均値よりも低いことを特徴とする液晶表示装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
入射した外光を反射させて表示を行う液晶表示装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
薄型、軽量化を図った表示装置（所謂フラットパネルディスプレイ）などに、液晶素子
を有する液晶表示装置は多く使われている。特に液晶表示装置の中でも、入射した外光を
反射させて表示を行う反射型液晶表示装置は、バックライトなどの光源を必要としないた
め、薄型、軽量化が容易であり、また消費電力を低く抑えることが可能である。
【０００３】
しかし、自然光を光源として用いる反射型液晶表示装置においては、偏光板などの光学
部材により自然光が吸収されるため、表示装置の射出光の光量が自然光の半分にも満たな
いという問題があった。
【０００４】
上記の問題に対して、光を反射する表示電極を凹凸形状とし、反射光強度を増加させた
反射型液晶表示装置が開示されている。（例えば特許文献１参照。）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開昭５７−１３２１９０号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
入射した外光を反射させて表示を行う液晶表示装置において、反射光の反射効率を向上
させ、効率よく白表示を行うことを課題の一とする。
【０００７】
より視認性の良好で高画質な液晶表示装置を提供することを課題の一とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
開示する発明の一態様は、第１の基板と第２の基板の間の液晶層と、第１の基板と液晶
層の間の反射性の電極層と、第２の基板と液晶層の間の透光性の電極層と、第２の基板の
液晶層側とは反対側の偏光板と、を有し、反射性の電極層は凹凸表面を有し、偏光板の可
視光帯域における透過率が低減する波長帯域に、透光性の電極層の透過率が増加するピー
ク波長帯域が含まれるように組み合わされている液晶表示装置である。
【０００９】
上記において、凹凸の傾斜角の平均値を、８°以上２２°以下としてもよい。また、凹
凸の間隔の平均値を、１０μｍより大きく３０μｍより小さくしてもよい。また、一画素
内において、凹凸の間隔の６０％以上が、１０μｍより大きく３０μｍより小さくなるよ
うに、凹凸を配置しても良い。また、反射性の電極層を、画素電極とし、凹凸が、画素電
極の平面形状における中心に関して点対称、かつ、画素電極の中心を通る直線に関して線
対称に配置されるようにしてもよい。また、偏光板の可視光帯域における透過率が低減す
る波長帯域の一部と、偏光板の可視光帯域における透過率が増加するピーク波長帯域の一
部と、における偏光板を通過して射出される光の強度の比は、０．８以上１．２以下とな
るようにしてもよい。
【００１０】
なお、第１、第２として付される序数詞は便宜上用いるものであり、工程順または積層
順を示すものではない。また、本明細書において発明を特定するための事項として固有の
名称を示すものではない。
【発明の効果】
【００１１】
凹凸表面を有する画素電極層を用い、効率よく散乱させた反射光で白表示を行うことに
より、反射光の反射効率を向上させ、効率よく白表示を行うことができる。
【００１２】
より視認性の良好で高画質な液晶表示装置を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１３】
【図１】液晶表示装置の一形態を説明する図。
【図２】画素電極層の凹凸で光が反射される様子を説明する模式図。
【図３】液晶表示装置の一形態を説明する図。
【図４】液晶表示装置の一形態を説明する図。
【図５】液晶表示装置の一形態を説明する図。
【図６】液晶表示装置の一形態を説明する図。
【図７】液晶表示装置の駆動方法の一形態を説明するタイミングチャート。
【図８】液晶表示装置の駆動方法の一形態を説明するタイミングチャート。
【図９】液晶表示装置の駆動方法の一形態を説明する図。
【図１０】電子機器を説明する図。
【図１１】電子機器を説明する図。
【図１２】実施例１の各画素電極層における平面の光学顕微鏡写真、および断面ＳＴＥＭ像。
【図１３】実施例１の各液晶表示装置における反射率およびコントラストを示す図。
【図１４】偏光板および共通電極層の透過率を示す図。
【図１５】実施例３の各画素電極層における平面の光学顕微鏡写真、および断面ＳＴＥＭ像。
【図１６】実施例３の各液晶表示装置における反射率を示す図。
【図１７】実施例３の各液晶表示装置におけるコントラストを示す図。
【図１８】液晶表示装置の一形態を説明する図。
【図１９】投光角を説明する図。
【発明を実施するための形態】
【００１４】
実施の形態について、図面を用いて詳細に説明する。但し、以下の説明に限定されず、
趣旨およびその範囲から逸脱することなくその形態および詳細を様々に変更し得ることは
当業者であれば容易に理解される。従って、以下に示す実施の形態の記載内容に限定して
解釈されるものではない。なお、以下に説明する構成において、同一部分または同様な機
能を有する部分には同一の符号を異なる図面間で共通して用い、その繰り返しの説明は省
略する。
【００１５】
（実施の形態１）
本明細書で開示する発明の構成の一形態である液晶表示装置を、図１を用いて説明する
。図１（Ａ）は液晶表示装置の平面図であり、図１（Ｂ）は図１（Ａ）における線Ａ１−
Ａ２の断面図である。なお、図１（Ａ）の平面図は第１の基板２００側を示したもので、
画素電極層２３０以外は省略している。また、図１（Ａ）に示す実線は、図１（Ｂ）に示
す破線と対応しており、画素電極層２３０の凹凸の高さを示している。
【００１６】
図１は、画素電極層２３０および構造体２３３が設けられた第１の基板２００と、共通
電極層２３１が設けられた第２の基板２０１とが、液晶層２０８を間に挟持して対向する
ように配置され、第２の基板２０１上に偏光板２３２が配置された液晶表示装置である。
画素電極層２３０は可視光を反射する反射性を有し、一方、共通電極層２３１は該光を透
過する透光性を有する。
【００１７】
画素電極層２３０は、第１の基板２００上に設けられた凹凸を有する構造体２３３を覆
うように形成されることによって、なだらかな凹凸表面を有している。このように、画素
電極層２３０の凹凸表面を形成することにより、凹凸で反射光を散乱させることができる
ので、優れた白表示を行うことができる。
【００１８】
本実施の形態では画素電極層２３０として反射性を有する導電性材料を用いる。例えば
、タングステン（Ｗ）、モリブデン（Ｍｏ）、ジルコニウム（Ｚｒ）、ハフニウム（Ｈｆ
）、バナジウム（Ｖ）、ニオブ（Ｎｂ）、タンタル（Ｔａ）、クロム（Ｃｒ）、コバルト
（Ｃｏ）、ニッケル（Ｎｉ）、チタン（Ｔｉ）、白金（Ｐｔ）、アルミニウム（Ａｌ）、
銅（Ｃｕ）、銀（Ａｇ）等の金属、またはその合金、若しくはその金属窒化物から一つ、
または複数種を用いて形成することができる。
【００１９】
ここで、画素電極層２３０の凹凸の傾斜角および凹凸の間隔について図２を用いて説明
する。図２は、光が入射して画素電極層２３０の凹凸で反射する様子を模式的に表した図
である。図２の凹凸の傾斜角θは、画素電極層２３０の凹凸で、光が反射する際の光の反
射面と画素電極層２３０が形成された水平面とがなす角のことを指す。この傾斜角θの中
で、各凸部と当該凸部と隣接する凹部において最大となるθをθＭとする。また、図２の
凹凸の間隔Ｌは、画素電極層２３０の凸部の頂点と当該凸部と隣接する凸部の頂点との距
離を指す。
【００２０】
ここで、傾斜角θＭが過剰に小さくなると、画素電極層２３０の凹凸による反射光の散
乱効果が低減されるため、白表示を行うことが難しくなる。また、傾斜角θＭが過剰に大
きくなると、画素電極層２３０の凹凸による反射光と第２の基板の平面とでなす角度が小
さくなるため、反射光を取り出す効率が低減されて射出光の明るさが十分ではなくなる。
よって、一画素内において、画素電極層２３０の凹凸の傾斜角θＭの平均値は、５°以上
２５°以下とし、好ましくは８°以上２２°以下とし、より好ましくは１０°を超えて１
８°以下とする。
【００２１】
また、凹凸の間隔Ｌが過剰に大きくなると、画素電極層２３０の凹凸による反射光の散
乱効果が低減されるため、白表示を行うことが難しくなる。また、凹凸の間隔Ｌが過剰に
小さくなると、散乱が極細かくなり、液晶表示装置の使用者の視界から外れる成分が多く
なるため、射出光の明るさが十分ではなくなる。よって、画素電極層２３０の凹凸の間隔
Ｌの平均値は、１０μｍより大きく３０μｍより小さくするのが好ましく、１５μｍより
大きく２５μｍより小さくするのがさらに好ましい。
【００２２】
また、画素電極層２３０の凹凸は図１（Ａ）に示すように、その形状および配置を不規
則に設けることが好ましい。画素電極層２３０の凹凸を不規則に設けることにより、射出
光が干渉し合い、表示部にモアレ縞が形成されるのを防ぐことができる。ここで、一画素
内において、画素電極層２３０の凹凸の間隔Ｌの６０％以上が、１０μｍより大きく３０
μｍより小さくなるように、凹凸を配置するのが好ましい。
【００２３】
また、画素電極層２３０の凹凸を、一画素の平面形状における中心に関して点対称、か
つ、一画素の中心を通る直線に関して線対称に配置されるように設けてもよい。例えば、
図３（Ａ）、図３（Ｂ）に示すように、画素電極層２３０を平面形状に対して上下左右に
４等分した領域の凹凸が、お互いに線対称かつ点対称に配置されるように設ければよい。
なお、図３（Ａ）、図３（Ｂ）は、画素電極層２３０の凹凸の配置以外は、図１（Ａ）、
図１（Ｂ）と同様である。このように画素電極層２３０の凹凸を形成することにより、表
示部の平面形状における上下左右の方向に対して、視認方向に依存せず均一に表示するこ
とができる。
【００２４】
以上のような凹凸表面を有する画素電極層２３０を形成し、効率よく散乱させた反射光
で白表示を行うことにより、反射光の反射効率を向上させ、効率よく白表示を行うことが
できる。よって、より視認性の良好で高画質な液晶表示装置を提供することができる。
【００２５】
構造体２３３は有機材料および無機材料で形成することができる。代表的には可視光硬
化性、紫外線硬化性または熱硬化性の樹脂を用いるのが好ましい。例えば、アクリル樹脂
、エポキシ樹脂、アミン樹脂などを用いることができる。なお、構造体は複数の薄膜の積
層構造であってもよい。
【００２６】
構造体２３３の形成方法は特に限定されず、材料に応じて、蒸着法、スパッタリング法
、ＣＶＤ法などの乾式法、またはスピンコート、ディップ、スプレー塗布、液滴吐出法（
インクジェット法）、ナノインプリント、各種印刷法（スクリーン印刷、オフセット印刷
）等などの湿式法を用い、必要に応じてエッチング法（ドライエッチングまたはウエット
エッチング）により所望のパターンに加工すればよい。例えば感光性の有機樹脂にフォト
リソグラフィ工程を行って構造体２３３を形成することができる。
【００２７】
構造体の形状は、上記の画素電極層２３０の凹凸表面を形成できるように適宜決定すれ
ばよい。
【００２８】
なお、図１および図３に示す液晶表示装置では、凹凸を有する構造体２３３を用いて画
素電極層２３０の凹凸表面を形成したが、本実施の形態に係る発明はこれに限られるもの
ではない。例えば、画素電極層２３０をエッチングなどによって、直接加工して画素電極
層２３０に凹凸表面を形成しても良い。
【００２９】
また、共通電極層２３１は、可視光に対して透光性を有する導電性材料を用いる。例え
ば、インジウム錫酸化物（ＩＴＯ）、酸化インジウムに酸化亜鉛（ＺｎＯ）を混合したＩ
ＺＯ（ｉｎｄｉｕｍ  ｚｉｎｃ  ｏｘｉｄｅ）、酸化珪素を含むインジウム錫酸化物（Ｉ
ＴＳＯ）、酸化インジウムに酸化珪素（ＳｉＯ２）を混合した導電性材料、有機インジウ
ム、有機スズ、酸化タングステンを含むインジウム酸化物、酸化タングステンを含むイン
ジウム亜鉛酸化物、酸化チタンを含むインジウム酸化物、酸化チタンを含むインジウム錫
酸化物を用いて形成することができる。
【００３０】
偏光板２３２は、自然光や円偏光から直線偏光を作り出すことができるものであれば特
に限定されないが、例えば、二色性の物質を一定方向にそろえて配置することで、光学的
な異方性を持たせたものを用いることができる。このような偏光板は、例えば、ヨウ素系
の化合物などをポリビニルアルコールなどのフィルムに吸着させ、これを一方向に延伸す
ることで作製することができる。なお、二色性の物質としては、ヨウ素系の化合物のほか
、染料系の化合物などが用いられる。
【００３１】
ここで、偏光板２３２の透過率は液晶表示装置の表示特性に大きな影響を及ぼすことに
なるため、偏光板２３２は可視光帯域（例えば、４００ｎｍ〜８００ｎｍの波長帯域）に
おいてブロードな透過スペクトルを有することが望ましい。しかしながら、偏光板２３２
に使用することができる材料は限られており、現実的には、理想的な透過スペクトルを有
する偏光板２３２を作製するのは困難である。
【００３２】
例えば、液晶表示装置に用いられる一般的な偏光板では、５００ｎｍ以下の短波長領域
において吸収がみられる。このような偏光板を用いると、偏光板を通して射出される光に
青色の成分が不足することになるため、液晶表示装置に表示される画像が、茶色味がかっ
てしまう。
【００３３】
そこで、開示する発明の一態様では、可視光帯域での偏光板２３２による光吸収を補う
ように他の構成要素の光学特性を調節する。例えば、共通電極層２３１の膜厚を調節して
、偏光板の吸収領域付近で最大透過率（可視光帯域における最大透過率をいう）を有する
ような共通電極層２３１を作製する。つまり、偏光板２３２の可視光帯域における透過率
が低減する波長帯域に、共通電極層２３１の透過率が増加するピーク波長帯域が含まれる
ように各構成要素を組み合わせる。なお、偏光板の可視光帯域（例えば４００ｎｍ〜８０
０ｎｍ）における透過率が、その平均値より低い波長帯域（例えば４００ｎｍ〜５００ｎ
ｍ）の一部（例えば４５０ｎｍ）において、共通電極層２３１（透光性の電極層）の可視
光帯域における透過率が、その平均値より高い、と言い換えても良い。このとき、偏光板
２３２の可視光帯域における透過率が低減する波長帯域の一部と、偏光板２３２の可視光
帯域における透過率が増加するピーク波長帯域の一部と、における偏光板２３２を通して
射出される、光の強度の比が０．８以上１．２以下となるようにするのが好ましい。
【００３４】
このような構成を採用することで、偏光板２３２によって不足する可視光成分を補うこ
とができる。このため、可視光帯域における光学特性が良好な液晶表示装置を提供するこ
とができる。具体的には、例えば、白色表示に優れた反射型の液晶表示装置を提供するこ
とができる。なお、当該効果は、所定の凹凸を有することにより散乱特性を向上させた画
素電極層２３０（反射性を有する電極層）と組み合わせる場合にはさらに顕著になる。凹
凸によって、写り込みが防止されると共に、散乱光強度が高められ、優れた白色表示が実
現される上に、さらに、偏光板に起因する色味を抑制することができるためである。
【００３５】
なお、光学特性の調節対象である構成要素は、共通電極層２３１に限る必要はない。厚
みや材質を容易に変更しうる構成要素においては、光学特性の調節も容易である。よって
、このような構成要素を光学特性の調節対象とすることが可能である。具体的には、例え
ば、画素電極層２３０（反射性を有する電極層）や液晶層をその調節対象とすることがで
きる。
【００３６】
液晶層２０８は、ネマチック液晶、コレステリック液晶、スメクチック液晶、ディスコ
チック液晶、サーモトロピック液晶、リオトロピック液晶、低分子液晶、高分子分散型液
晶（ＰＤＬＣ）、強誘電液晶、反強誘電液晶、主鎖型液晶、側鎖型高分子液晶、バナナ型
液晶等を用いることができる。
【００３７】
また、紫外線硬化樹脂を含む液晶を用いて液晶層２０８を形成し、ＰＤＬＣ（Ｐｏｌｙ
ｍｅｒ  Ｄｉｓｐｅｒｓｅｄ  Ｌｉｑｕｉｄ  Ｃｒｙｓｔａｌ）モード、ＰＮＬＣ（Ｐｏ
ｌｙｍｅｒ  Ｎｅｔｗｏｒｋ  Ｌｉｑｕｉｄ  Ｃｒｙｓｔａｌ）モードまたはブルー相（
Ｂｌｕｅ  Ｐｈａｓｅ）モードに代表される、表示方式の液晶表示装置を作製しても良い
。
【００３８】
液晶層２０８の厚さであるセルギャップは５μｍ以上３０μｍ以下（好ましくは１０μ
ｍ以上２０μｍ以下）とすればよい。なお、本明細書においてセルギャップの厚さとは、
液晶層の厚さ（膜厚）の最大値とする。
【００３９】
また、画素電極層２３０と液晶層２０８との間、および液晶層２０８と共通電極層２３
１との間には配向膜を設けるのが好ましい。配向膜は、ポリイミド、ポリビニルアルコー
ルなどの有機樹脂や、酸化珪素などの無機材料を用いることができる。
【００４０】
第１の基板２００、第２の基板２０１にはバリウムホウケイ酸ガラスやアルミノホウケ
イ酸ガラスなどのガラス基板、石英基板、プラスチック基板などを用いることができる。
なお、第１の基板２００と第２の基板２０１との固着は、液晶層２０８を間に挟持させて
シール材によって行う。シール材としては、代表的には可視光硬化性、紫外線硬化性また
は熱硬化性の樹脂を用いるのが好ましい。代表的には、アクリル樹脂、エポキシ樹脂、ア
ミン樹脂などを用いることができる。また、光（代表的には紫外線）重合開始剤、熱硬化
剤、フィラー、カップリング剤を含んでもよい。
【００４１】
ここで、液晶表示装置は外光の光を反射することによって表示を行う反射型の液晶表示
装置である。よって、少なくとも画素領域において視認側に設けられる基板、電極層や絶
縁層は光を透過させる必要がある。よって光が透過する画素領域に存在する基板、絶縁層
、電極層などの薄膜はすべて可視光の波長領域の光に対して透光性とする。一方、光を反
射する視認側と反対側には反射性を有する電極層や膜、および表示を行う着色層を設ける
。
【００４２】
また、図４に示すように、トランジスタを形成したアクティブマトリクス基板を用いる
ことで、アクティブマトリクス型の液晶表示装置を用いることができる。
【００４３】
図４（Ａ）は液晶表示装置の平面図であり１画素分の画素を示している。図４（Ｂ）は
図４（Ａ）の線Ｘ１−Ｘ２における断面図である。
【００４４】
図４は、トランジスタ４６０上に層間膜４１７を介して画素電極層２３０、構造体２３
３が設けられた第１の基板２００と、共通電極層２３１、偏光板２３２が設けられた第２
の基板２０１とが、液晶層２０８を間に挟持して対向するように配置された液晶表示装置
である。なお、第１の基板２００、構造体２３３、画素電極層２３０、液晶層２０８、共
通電極層２３１、第２の基板２０１および偏光板２３２は、上述の図１または図３で示し
たものと同様である。
【００４５】
図４（Ａ）において、複数のソース配線層（ソース電極層４０５ａを含む）が互いに平
行（図中上下方向に延伸）かつ互いに離間した状態で配置されている。複数のゲート配線
層（ゲート電極層４０１を含む）は、ソース配線層に略直交する方向（図中左右方向）に
延伸し、かつ互いに離間するように配置されている。容量配線層４０８は、複数のゲート
配線層それぞれに隣接する位置に配置されており、ゲート配線層に概略平行な方向、つま
り、ソース配線層に概略直交する方向（図中左右方向）に延伸している。ソース配線層と
、ゲート配線層とによって、略長方形の空間が囲まれているが、この空間に液晶表示装置
の画素電極層２３０が配置され、液晶層２０８を介して共通電極層２３１が配置されてい
る。画素電極層を駆動するトランジスタ４６０は、図中左上の角に配置されている。画素
電極層およびトランジスタは、マトリクス状に複数配置されている。なお、画素電極層２
３０と容量配線層４０８によって容量が形成されている。
【００４６】
なお、図４（Ａ）の平面図は素子基板である第１の基板２００側を示したもので、液晶
層２０８、共通電極層２３１、第２の基板２０１は省略している。
【００４７】
画素電極層２３０には、トランジスタの半導体層と電気的に接続するソース電極層また
はドレイン電極層を介して、画像信号の電位が与えられる。一方、液晶素子の共通電極層
２３１には、画素電極層に供給される画像信号の電位に対して基準となる固定電位（一例
としてはグラウンド電位（接地電位））が与えられる。共通電位はデータとして送られる
画像信号の中間電位近傍でフリッカーの生じないレベルに設定すると好ましい。また、共
通電極層はフローティング状態（電気的に孤立した状態）として動作させることも可能で
ある。
【００４８】
図４（Ｂ）に示すように、トランジスタ４６０は逆スタガ型の薄膜トランジスタであり
、絶縁表面を有する基板である第１の基板２００上に、ゲート電極層４０１、ゲート絶縁
層４０２、半導体層４０３、ソース電極層４０５ａ、ドレイン電極層４０５ｂを含む。ト
ランジスタ４６０を覆い、半導体層４０３に接する絶縁膜４０７、保護絶縁層である絶縁
層４０９が設けられ、絶縁層４０９上に層間膜４１７が積層されている。また、トランジ
スタ４６０のドレイン電極層４０５ｂは、絶縁膜４０７、絶縁層４０９および層間膜４１
７に形成された開口を介して画素電極層２３０と電気的に接続されている。
【００４９】
なお、本実施の形態では、画素電極層２３０はトランジスタ４６０のドレイン電極層４
０５ｂと接し、構造体２３３上にまで連続的に成膜される例であるが、ドレイン電極層４
０５ｂと接する電極層を形成し、その電極層を介して画素電極層２３０を形成してもよい
。
【００５０】
下地膜となる絶縁膜を第１の基板２００とゲート電極層４０１の間に設けてもよい。下
地膜は、第１の基板２００からの不純物元素の拡散を防止する機能があり、窒化シリコン
膜、酸化シリコン膜、窒化酸化シリコン膜、または酸化窒化シリコン膜から選ばれた一ま
たは複数の膜による積層構造により形成することができる。
【００５１】
ゲート電極層４０１は、モリブデン、チタン、タンタル、タングステン、アルミニウム
、銅、ネオジム、スカンジウム等の金属材料またはこれらを主成分とする合金材料を用い
て、単層でまたは積層して形成することができる。
【００５２】
ゲート絶縁層４０２は、プラズマＣＶＤ法またはスパッタリング法等を用いて、酸化シ
リコン層、窒化シリコン層、酸化窒化シリコン層、窒化酸化シリコン層、酸化アルミニウ
ム層、窒化アルミニウム層、酸化窒化アルミニウム層、窒化酸化アルミニウム層、酸化ガ
リウム層、または酸化ハフニウム層を単層でまたは積層して形成することができる。
【００５３】
ソース電極層４０５ａ、ドレイン電極層４０５ｂに用いる導電膜としては、例えば、Ａ
ｌ、Ｃｒ、Ｃｕ、Ｔａ、Ｔｉ、Ｍｏ、Ｗから選ばれた元素を含む金属膜、または上述した
元素を成分とする金属窒化物膜（窒化チタン膜、窒化モリブデン膜、窒化タングステン膜
）等がある。また、Ａｌ、Ｃｕなどの金属膜の下側または上側の一方または双方にＴｉ、
Ｍｏ、Ｗなどの高融点金属膜またはそれらの金属窒化物膜（窒化チタン膜、窒化モリブデ
ン膜、窒化タングステン膜）を積層させた導電膜を用いても良い。
【００５４】
また、ソース電極層４０５ａおよびドレイン電極層４０５ｂに用いる導電膜は、導電性
の金属酸化物で形成しても良い。導電性の金属酸化物としては酸化インジウム（Ｉｎ２Ｏ
３）、酸化スズ（ＳｎＯ２）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）、酸化インジウム酸化スズ合金（Ｉｎ
２Ｏ３―ＳｎＯ２、ＩＴＯと略記する）、酸化インジウム酸化亜鉛合金（Ｉｎ２Ｏ３―Ｚ
ｎＯ）またはこれらの金属酸化物材料に酸化シリコンを含ませたものを用いることができ
る。
【００５５】
半導体層４０３は、酸化物半導体膜を用いて形成することができる。酸化物半導体膜に
用いる材料としては例えば、インジウムを含有する酸化物半導体材料や、インジウムおよ
びガリウムを含有する酸化物半導体材料などがある。
【００５６】
また、酸化物半導体膜に用いる材料としては、四元系金属酸化物であるＩｎ−Ｓｎ−Ｇ
ａ−Ｚｎ−Ｏ系の材料や、三元系金属酸化物であるＩｎ−Ｇａ−Ｚｎ−Ｏ系の材料、Ｉｎ
−Ｓｎ−Ｚｎ−Ｏ系の材料、Ｉｎ−Ａｌ−Ｚｎ−Ｏ系の材料、Ｓｎ−Ｇａ−Ｚｎ−Ｏ系の
材料、Ａｌ−Ｇａ−Ｚｎ−Ｏ系の材料、Ｓｎ−Ａｌ−Ｚｎ−Ｏ系の材料や、二元系金属酸
化物であるＩｎ−Ｚｎ−Ｏ系の材料、Ｓｎ−Ｚｎ−Ｏ系の材料、Ａｌ−Ｚｎ−Ｏ系の材料
、Ｚｎ−Ｍｇ−Ｏ系の材料、Ｓｎ−Ｍｇ−Ｏ系の材料、Ｉｎ−Ｍｇ−Ｏ系の材料、Ｉｎ−
Ｇａ−Ｏ系の材料や、単元系金属酸化物であるＩｎ−Ｏ系の材料、Ｓｎ−Ｏ系の材料、Ｚ
ｎ−Ｏ系の材料などがある。また、上記の材料にＳｉＯ２を含ませてもよい。ここで、例
えば、Ｉｎ−Ｇａ−Ｚｎ−Ｏ系の材料とは、インジウム（Ｉｎ）、ガリウム（Ｇａ）、亜
鉛（Ｚｎ）を有する酸化物膜、という意味であり、その組成比は特に問わない。また、Ｉ
ｎとＧａとＺｎ以外の元素を含んでいてもよい。
【００５７】
また、酸化物半導体膜としては、化学式ＩｎＭＯ３（ＺｎＯ）ｍ（ｍ＞０）で表記され
る材料を用いた薄膜とすることができる。ここで、Ｍは、Ｇａ、Ａｌ、ＭｎおよびＣｏか
ら選ばれた一または複数の金属元素を示す。例えば、Ｍとして、Ｇａ、ＧａおよびＡｌ、
ＧａおよびＭｎ、またはＧａおよびＣｏなどを用いることができる。
【００５８】
酸化物半導体としてＩｎ−Ｇａ−Ｚｎ−Ｏ系の材料を用いる場合、用いるターゲットと
しては、例えば、組成比として、Ｉｎ２Ｏ３：Ｇａ２Ｏ３：ＺｎＯ＝１：１：１［ｍｏｌ
比］の酸化物ターゲットを用いることができる。また、このターゲットの材料および組成
に限定されず、例えば、Ｉｎ２Ｏ３：Ｇａ２Ｏ３：ＺｎＯ＝１：１：２［ｍｏｌ比］の酸
化物ターゲットを用いてもよい。
【００５９】
また、酸化物半導体としてＩｎ−Ｚｎ−Ｏ系の材料を用いる場合、用いるターゲットの
組成比は、原子数比で、Ｉｎ：Ｚｎ＝５０：１〜１：２（モル比に換算するとＩｎ２Ｏ３
：ＺｎＯ＝２５：１〜１：４）、好ましくはＩｎ：Ｚｎ＝２０：１〜１：１（モル比に換
算するとＩｎ２Ｏ３：ＺｎＯ＝１０：１〜１：２）、さらに好ましくはＩｎ：Ｚｎ＝１５
：１〜１．５：１（モル比に換算するとＩｎ２Ｏ３：ＺｎＯ＝１５：２〜３：４）とする
。例えば、Ｉｎ−Ｚｎ−Ｏ系酸化物半導体の形成に用いるターゲットは、原子数比がＩｎ
：Ｚｎ：Ｏ＝Ｘ：Ｙ：Ｚのとき、Ｚ＞１．５Ｘ＋Ｙとする。
【００６０】
酸化物半導体膜は、水素や水などが混入しにくい方法で作製するのが望ましい。例えば
、スパッタリング法などを用いて作製することができる。また、酸化物半導体膜の厚さは
、３ｎｍ以上３０ｎｍ以下とするのが望ましい。酸化物半導体膜を厚くしすぎると（例え
ば、膜厚を５０ｎｍ以上）、トランジスタがノーマリーオンとなってしまうおそれがある
ためである。
【００６１】
酸化物半導体膜の成膜の雰囲気は、希ガス（代表的にはアルゴン）雰囲気下、酸素雰囲
気下、または、希ガスと酸素の混合雰囲気下などとすればよい。また、酸化物半導体膜へ
の水素、水、水酸基、水素化物などの混入を防ぐために、水素、水、水酸基、水素化物な
どの水素原子を含む不純物が十分に除去された高純度ガスを用いた雰囲気とすることが望
ましい。
【００６２】
また、成膜後、酸化物半導体膜に熱処理を行うのが望ましい。熱処理を行うことにより
、酸化物半導体膜中の水や水素などの不純物を除去する、または酸化物半導体膜中に酸素
を供給することができる。
【００６３】
このような酸化物半導体膜を半導体層４０３として用いることにより、オフ状態におけ
る電流値（オフ電流値）を低くすることができる。よって、画像信号等の電気信号の保持
時間を長くすることができ、電源オン状態では書き込み間隔も長く設定できる。よって、
リフレッシュ動作の頻度を少なくすることができるため、消費電力をより抑制する効果を
奏する。
【００６４】
半導体層、電極層、配線層の作製工程において、薄膜を所望の形状に加工するためにエ
ッチング工程を用いる。エッチング工程は、ドライエッチングやウエットエッチングを用
いることができる。
【００６５】
ドライエッチングに用いるエッチング装置としては、反応性イオンエッチング法（ＲＩ
Ｅ法）を用いたエッチング装置や、ＥＣＲ（Ｅｌｅｃｔｒｏｎ  Ｃｙｃｌｏｔｒｏｎ  Ｒ
ｅｓｏｎａｎｃｅ）やＩＣＰ（Ｉｎｄｕｃｔｉｖｅｌｙ  Ｃｏｕｐｌｅｄ  Ｐｌａｓｍａ
）などの高密度プラズマ源を用いたドライエッチング装置を用いることができる。
【００６６】
所望の加工形状にエッチングできるように、エッチング条件（コイル型の電極に印加さ
れる電力量、基板側の電極に印加される電力量、基板側の電極温度等）を適宜調節する。
【００６７】
所望の加工形状にエッチングできるように、材料に合わせてエッチング条件（エッチン
グ液、エッチング時間、温度等）を適宜調節する。
【００６８】
なお、トランジスタ４６０の半導体層４０３は一部のみがエッチングされ、溝部（凹部
）を有する半導体層の例である。
【００６９】
トランジスタ４６０を覆う絶縁膜４０７、絶縁層４０９は、乾式法や湿式法で形成され
る無機絶縁膜、有機絶縁膜を用いることができる。例えば、ＣＶＤ法やスパッタリング法
などを用いて得られる窒化シリコン膜、酸化シリコン膜、酸化窒化シリコン膜、酸化アル
ミニウム膜、酸化タンタル膜または酸化ガリウム膜などを単層または積層で用いることが
できる。
【００７０】
また、層間膜４１７は、ポリイミド、アクリル、ベンゾシクロブテン、ポリアミド、エ
ポキシ等の有機材料を用いることができる。また上記有機材料の他に、低誘電率材料（ｌ
ｏｗ−ｋ材料）、シロキサン系樹脂、ＰＳＧ（リンガラス）、ＢＰＳＧ（リンボロンガラ
ス）等を用いることができる。
【００７１】
なお、シロキサン系樹脂とは、シロキサン系材料を出発材料として形成されたＳｉ−Ｏ
−Ｓｉ結合を含む樹脂に相当する。シロキサン系樹脂は置換基としては有機基（例えばア
ルキル基やアリール基）やフルオロ基を用いても良い。また、有機基はフルオロ基を有し
ていても良い。シロキサン系樹脂は塗布法により成膜し、焼成することによって絶縁膜４
０７として用いることができる。
【００７２】
層間膜４１７の形成法は、特に限定されず、その材料に応じて、スピンコート、ディッ
プ、スプレー塗布、液滴吐出法（インクジェット法、スクリーン印刷、オフセット印刷等
）、ロールコート法、カーテンコート法、ナイフコート法等を用いることができる。
【００７３】
また、層間膜４１７上に構造体２３３を設けるのではなく、層間膜４１７の上部を凹凸
形状に直接加工しても良い。
【００７４】
以上のように、凹凸表面を有する画素電極層を用い、効率よく散乱させた反射光で白表
示を行うことにより、反射光の反射効率を向上させ、効率よく白表示を行うことができる
。よって、より視認性の良好で高画質な液晶表示装置を提供することができる。
【００７５】
なお、図１乃至図４に示す液晶表示装置では、画素電極層２３０を可視光を反射する反
射性を有する電極とし、共通電極層２３１を可視光を透過する透光性を有する電極とした
が、本実施の形態に係る発明はこれに限られるものではない。例えば、画素電極層を可視
光を透過する透光性を有する電極とし、共通電極層を該光を反射する反射性を有する電極
としてもよい。この場合、共通電極層に上述の画素電極層２３０と同様の凹凸表面を設け
る必要がある。
【００７６】
なお、図１乃至図４に示す液晶表示装置では、凹凸を有する構造体２３３を用いて画素
電極層２３０の凹凸表面を形成したが、本実施の形態に係る発明はこれに限られるもので
はない。例えば、画素電極層２３０をエッチングなどによって、直接加工して画素電極層
２３０に凹凸表面を形成しても良い。
【００７７】
また、図１乃至図４に示す液晶表示装置では、構造体２３３上に画素電極層２３０を直
接設けて、画素電極層２３０を凹凸形状としたが、本実施の形態に係る発明はこれに限ら
れるものではない。図１８（Ａ）、図１８（Ｂ）に示すように、構造体２３３上に凹凸を
有する反射膜２４０を設け、反射膜２４０上に平坦化膜２４２を設け、平坦化膜２４２上
に平坦性の高い画素電極層２４４を設ける構造としても良い。このような構成とすること
で、液晶層２０８の下部を平坦化することができるので、構造体２３３の凹凸形状により
、共通電極層２３１と画素電極層２４４の間の電界が乱れることを抑制できる。ここで、
反射膜２４０は画素電極層２３０と同様の材料を用いることができ、平坦化膜２４２は、
構造体２３３と同様の材料を用いることができ、画素電極層２４４は共通電極層２３１と
同様の材料を用いることができる。なお、図１８（Ａ）、図１８（Ｂ）は、反射膜２４０
、平坦化膜２４２および画素電極層２４４以外は、図１（Ａ）、図１（Ｂ）と同様である
。
【００７８】
以上、本実施の形態に示す構成、方法などは、他の実施の形態に示す構成、方法などと
適宜組み合わせて用いることができる。
【００７９】
（実施の形態２）
本実施の形態では、実施の形態１に組み合わせることで低消費電力化を図れる液晶表示
装置の駆動方法を示す。
【００８０】
液晶表示装置は、複数のフレーム期間に時分割した複数の画像を高速に切り替えて動作
させて画面に表示を行う。しかし、複数のフレーム期間に時分割した複数の画像を高速に
切り替えて動作させていても、連続するフレーム期間、例えばｎフレーム目と、（ｎ＋１
）フレーム目とで変化しない画像表示（静止画表示ともいう）の場合がある。なお本明細
書では、静止画表示の時に表示される画像を静止画像ともよぶ。
【００８１】
本実施の形態では、連続するフレームの画像信号が異なる表示（動画表示ともいう）の
場合は、フレーム毎に画像信号を書き込むが、連続するフレームの画像信号が同一な静止
画表示の場合は、新たに画像信号は書き込まず、液晶素子に電圧を印加する画素電極およ
び共通電極を浮遊状態（フローティング）にして液晶素子にかかる電圧を保持し、新たに
電位を供給することなく静止画の表示を行う表示モードを用いる。なお、本明細書におい
て、動画表示とは、連続するフレームの画像信号が異なり、新たに画像データを書き込む
必要のある表示の場合をいい、１フレームの書き換えであっても動画表示を行うというこ
ととする。
【００８２】
本実施の形態における液晶表示装置、および液晶表示装置の表示モードの切り替えにつ
いて、図５乃至図９を用いて説明する。
【００８３】
本実施の形態の液晶表示装置１００の各構成を、図５のブロック図を用いて説明する。
液晶表示装置１００は、画素において外光の反射を利用して表示を行う反射型液晶表示装
置であり、画像処理回路１１０、電源１１６、および表示パネル１２０を有する。
【００８４】
液晶表示装置１００は、接続された外部機器から画像信号（画像信号Ｄａｔａ）が供給
されている。なお、電源電位（高電源電位Ｖｄｄ、低電源電位Ｖｓｓ、および共通電位Ｖ
ｃｏｍ）は液晶表示装置の電源１１６をオン状態として電力供給を開始することによって
供給され、制御信号（スタートパルスＳＰ、およびクロック信号ＣＫ）は表示制御回路１
１３によって供給される。また、電源電位（高電源電位Ｖｄｄ、低電源電位Ｖｓｓ、およ
び共通電位Ｖｃｏｍ）の供給の停止は、電源１１６をオフ状態とし表示パネルへの電源電
位の供給を停止する。
【００８５】
また、画像信号がアナログの信号の場合には、Ａ／Ｄコンバータ等を介してデジタルの
信号に変換して、液晶表示装置１００の画像処理回路１１０に供給する構成とすれば、後
に画像信号の差分を検出する際、検出を容易に行うことができ好適である。
【００８６】
画像処理回路１１０の構成、および画像処理回路１１０が信号を処理する手順について
説明する。
【００８７】
画像処理回路１１０は、記憶回路１１１、比較回路１１２、表示制御回路１１３、およ
び選択回路１１５を有する。画像処理回路１１０は、入力されたデジタル画像信号Ｄａｔ
ａから表示パネル画像信号を生成する。表示パネル画像信号は、表示パネル１２０を制御
する画像信号である。また、共通電極１２８を制御する信号をスイッチング素子１２７に
出力する。
【００８８】
記憶回路１１１は、複数のフレームに関する画像信号を記憶するための複数のフレーム
メモリを有する。記憶回路１１１が有するフレームメモリの数は特に限定されるものでは
なく、複数のフレームに関する画像信号を記憶できる素子であればよい。なお、フレーム
メモリは、例えばＤＲＡＭ（Ｄｙｎａｍｉｃ  Ｒａｎｄｏｍ  Ａｃｃｅｓｓ  Ｍｅｍｏｒ
ｙ）、ＳＲＡＭ（Ｓｔａｔｉｃ  Ｒａｎｄｏｍ  Ａｃｃｅｓｓ  Ｍｅｍｏｒｙ）等の記憶
素子を用いて構成すればよい。
【００８９】
なお、フレームメモリは、フレーム期間毎に画像信号を記憶する構成であればよく、フ
レームメモリの数について特に限定されるものではない。また、フレームメモリの画像信
号は、比較回路１１２および表示制御回路１１３により選択的に読み出されるものである
。なお、図中のフレームメモリ１１１ｂは、１フレーム分のメモリ領域を概念的に図示す
るものである。
【００９０】
比較回路１１２は、記憶回路１１１に記憶された連続するフレーム期間の画像信号を選
択的に読み出して、当該画像信号の連続するフレーム間での比較を画素毎に行い、差分を
検出するための回路である。
【００９１】
なお、本実施の形態ではフレーム間の画像信号の差分の有無により、表示制御回路１１
３および選択回路１１５の動作を決定する。当該比較回路１１２がフレーム間のいずれか
の画素で差分を検出した場合（差分「有」の場合）、比較回路１１２は画像信号が静止画
ではないと判断し、差分を検出した連続するフレーム期間を動画であると判断する。
【００９２】
なお、フレーム間の差分の検出が一部の画素だけの場合、該差分が検出された画素のみ
画像データを書き込む構成としてもよい。この場合、駆動回路部１２１のゲート線側駆動
回路１２１Ａおよびソース線側駆動回路１２１Ｂとしてデコーダ回路を用いる。
【００９３】
一方、比較回路１１２での画像信号の比較により、全ての画素で差分が検出されない場
合（差分「無」の場合）、当該差分を検出しなかった連続するフレーム期間は、静止画で
あると判断する。すなわち比較回路１１２は、連続するフレーム期間の画像信号の差分の
有無を検出することによって、動画を表示するための画像信号であるか、または静止画を
表示するための画像信号であるかの判断をするものである。
【００９４】
なお、当該比較により「差分が有る」と検出される基準は、差分の大きさが一定のレベ
ルを超えたときに、差分有りとして検出したと判断されるように設定してもよい。なお、
比較回路１１２の検出する差分は、差分の絶対値によって判断をする設定とすればよい。
【００９５】
また、本実施の形態においては、液晶表示装置１００内部に設けられた比較回路１１２
が連続するフレーム期間の画像信号の差分を検出することにより当該画像が画像データを
書き込む必要のある動画か、または、静止画かであることの判断を行う構成について示し
たが、この構成に限定されず、外部から動画であるか静止画であるかの信号を供給する構
成としてもよい。
【００９６】
選択回路１１５は、例えばトランジスタで形成される複数のスイッチを設ける構成とす
る。比較回路１１２が連続するフレーム間に差分を検出した場合、すなわち、画像が動画
の際、記憶回路１１１内のフレームメモリから動画の画像信号を選択して表示制御回路１
１３に出力する。
【００９７】
なお、選択回路１１５は、比較回路１１２が連続するフレーム間に差分を検出しない場
合、すなわち、画像が静止画の際、記憶回路１１１内のフレームメモリから表示制御回路
１１３に画像信号を出力しない。画像信号をフレームメモリより表示制御回路１１３に出
力しない構成とすることにより、液晶表示装置の消費電力を削減できる。
【００９８】
なお、本実施の形態の液晶表示装置において、比較回路１１２が画像を静止画と判断し
ておこなう動作が静止画表示モード、比較回路１１２が画像を動画と判断しておこなう動
作が動画表示モードとなる。
【００９９】
表示制御回路１１３は、表示パネル１２０に選択回路１１５で選択された画像信号、並
びに制御信号（具体的にはスタートパルスＳＰ、およびクロック信号ＣＫ等の制御信号の
供給または停止の切り替えを制御するための信号）、電源電位（高電源電位Ｖｄｄ、低電
源電位Ｖｓｓ、および共通電位Ｖｃｏｍ）を供給する回路である。
【０１００】
なお、本実施の形態で例示される画像処理回路は、表示モード切り替え機能を有してい
てもよい。表示モード切り替え機能は、当該液晶表示装置の利用者が手動または外部接続
機器を用いて当該液晶表示装置の動作モードを選択することで動画表示モードまたは静止
画表示モードを切り替える機能である。
【０１０１】
選択回路１１５は表示モード切り替え回路から入力される信号に応じて、画像信号を表
示制御回路１１３に出力することもできる。
【０１０２】
例えば、静止画表示モードで動作している際に、表示モード切り替え回路から選択回路
１１５にモード切り替え信号が入力された場合、比較回路１１２が連続するフレーム期間
での画像信号の差分を検出していない場合であっても、選択回路１１５は入力される画像
信号を順次表示制御回路１１３に出力するモード、すなわち、動画表示モードを実行でき
る。また、動画表示モードで動作している際に、表示モード切り替え回路から選択回路１
１５にモード切り替え信号が入力された場合、比較回路１１２が連続するフレーム期間で
の画像信号の差分を検出している場合であっても、選択回路１１５は選択した１フレーム
の画像信号の信号のみを出力するモード、すなわち静止画表示モードを実行できる。その
結果、本実施の形態の液晶表示装置には、動画中の１フレームが静止画として表示される
。
【０１０３】
表示パネル１２０には、実施の形態１で示した構成を採用することができる。本実施の
形態では、表示パネル１２０は、画素部１２２の他に、スイッチング素子１２７を有する
。本実施の形態では、表示パネル１２０は第１の基板と、第２の基板を有し、第１の基板
には駆動回路部１２１、画素部１２２、およびスイッチング素子１２７が設けられている
。
【０１０４】
また、画素１２３はスイッチング素子としてトランジスタ１４４、該トランジスタ１４
４に接続された容量素子１４０、および液晶素子１４５を有する（図６参照）。
【０１０５】
トランジスタ１４４は、オフ電流が低減されたトランジスタを用いることが好ましい。
トランジスタ１４４がオフ状態のとき、オフ電流が低減されたトランジスタ１４４に接続
された液晶素子１４５、および容量素子１４０に蓄えられた電荷は、トランジスタ１４４
を介して漏れ難く、トランジスタ１４４がオフ状態になる前に書き込まれた状態を長時間
に渡って保持できる。
【０１０６】
なお、トランジスタ１４４としては、例えば、酸化物半導体を用いたトランジスタを好
適に用いることができる。また、酸化物半導体を用いたトランジスタの作製工程において
、酸化物半導体層に脱水化または脱水素化を目的とした熱処理を行うことにより、酸化物
半導体層を、その主成分以外の不純物が極力含まれないように高純度化することが好まし
い。また、該脱水または脱水素化のための熱処理後に、酸素欠陥を補填するための熱処理
をさらに行っても良い。酸化物半導体層を高純度化することで、含有する水素濃度は、５
×１０１９ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以下、望ましくは５×１０１８ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以下、
より望ましくは５×１０１７ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以下とすることができる。高純度化し、
真性化した酸化物半導体層を用いることで、トランジスタのオフ電流をより低減すること
ができる。
【０１０７】
本実施の形態では、液晶は、第１の基板に設けられた画素電極と対向する第２の基板に
設けられた共通電極によって形成された縦方向の電界によって制御される。
【０１０８】
スイッチング素子１２７は、表示制御回路１１３が出力する制御信号に応じて、共通電
位Ｖｃｏｍを共通電極１２８に供給する。スイッチング素子１２７としては、トランジス
タを用いることができる。トランジスタのゲート電極およびソース電極またはドレイン電
極の一方を表示制御回路１１３に接続し、ソース電極またはドレイン電極の一方に、端子
部１２６を介して表示制御回路１１３から共通電位Ｖｃｏｍが供給されるようにし、他方
を共通電極１２８に接続すればよい。なお、スイッチング素子１２７は駆動回路部１２１
、または画素部１２２と同じ基板に形成されるものでもよいし、別の基板に形成されるも
のであってもよい。
【０１０９】
スイッチング素子１２７としてオフ電流が低減されたトランジスタを用いることにより
、液晶素子１４５の両端子に加わる電圧が経時的に低下する現象を抑制できる。スイッチ
ング素子１２７としては、例えば、酸化物半導体を用いたトランジスタを好適に用いるこ
とができる。
【０１１０】
共通接続部は、スイッチング素子１２７のソース電極またはドレイン電極と接続された
端子と、共通電極１２８を電気的に接続する。
【０１１１】
スイッチング素子の一態様であるトランジスタを用いるスイッチング素子１２７のソー
ス電極またはドレイン電極の一方は、トランジスタ１４４と接続されていない容量素子１
４０の他方の電極、および液晶素子１４５の他方の電極と接続され、スイッチング素子１
２７のソース電極またはドレイン電極の他方は、共通接続部を介して端子１２６Ｂに接続
される。また、スイッチング素子１２７のゲート電極は端子１２６Ａに接続される。
【０１１２】
次に、画素に供給する信号の様子を、図６に示す液晶表示装置の等価回路図、および図
７に示すタイミングチャートを用いて説明する。
【０１１３】
図７に、表示制御回路１１３がゲート線側駆動回路１２１Ａに供給するクロック信号Ｇ
ＣＫ、およびスタートパルスＧＳＰを示す。また、表示制御回路１１３がソース線側駆動
回路１２１Ｂに供給するクロック信号ＳＣＫ、およびスタートパルスＳＳＰを示す。なお
、クロック信号の出力のタイミングを説明するために、図７ではクロック信号の波形を単
純な矩形波で示す。
【０１１４】
また、図７に、Ｄａｔａ  ｌｉｎｅ（ソース線ともいう）の電位、画素電極の電位、端
子１２６Ａの電位、端子１２６Ｂの電位、並びに共通電極の電位を示す。
【０１１５】
図７において期間１４０１は、動画を表示するための画像信号を書き込む期間に相当す
る。期間１４０１では画像信号、共通電位が画素部１２２の各画素、共通電極に供給され
るように動作する。
【０１１６】
また、期間１４０２は、静止画を表示する期間に相当する。期間１４０２では、画素部
１２２の各画素への画像信号、共通電極への共通電位を停止することとなる。なお、図７
に示す期間１４０２では、駆動回路部の動作を停止するよう各信号を供給する構成につい
て示したが、期間１４０２の長さおよびリフレッシュレートによって、定期的に画像信号
を書き込むことで静止画の画像の劣化を防ぐ構成とすることが好ましい。
【０１１７】
まず、期間１４０１におけるタイミングチャートを説明する。期間１４０１では、クロ
ック信号ＧＣＫとして、常時クロック信号が供給され、スタートパルスＧＳＰとして、垂
直同期周波数に応じたパルスが供給される。また、期間１４０１では、クロック信号ＳＣ
Ｋとして、常時クロック信号が供給され、スタートパルスＳＳＰとして、１ゲート選択期
間に応じたパルスが供給される。
【０１１８】
また、各行の画素に画像信号Ｄａｔａがソース線１２５を介して供給され、ゲート線１
２４の電位に応じて画素電極にソース線１２５の電位が供給される。
【０１１９】
また、表示制御回路１１３がスイッチング素子１２７の端子１２６Ａにスイッチング素
子１２７を導通状態とする電位を供給し、端子１２６Ｂを介して共通電極に共通電位を供
給する。
【０１２０】
一方、期間１４０２は、静止画を表示する期間である。次に、期間１４０２におけるタ
イミングチャートを説明する。期間１４０２では、クロック信号ＧＣＫ、スタートパルス
ＧＳＰ、クロック信号ＳＣＫ、およびスタートパルスＳＳＰは共に停止する。また、期間
１４０２において、ソース線１２５に供給していた画像信号Ｄａｔａは停止する。クロッ
ク信号ＧＣＫおよびスタートパルスＧＳＰが共に停止する期間１４０２では、トランジス
タ１４４が非導通状態となり画素電極が浮遊状態となる。
【０１２１】
また、表示制御回路１１３がスイッチング素子１２７の端子１２６Ａにスイッチング素
子１２７を非導通状態とする電位を供給し、共通電極を浮遊状態にする。
【０１２２】
期間１４０２では、液晶素子１４５の両端の電極、即ち画素電極および共通電極を浮遊
状態にして、新たに電位を供給することなく、静止画の表示を行うことができる。
【０１２３】
また、ゲート線側駆動回路１２１Ａ、およびソース線側駆動回路１２１Ｂに供給するク
ロック信号、およびスタートパルスを停止することにより低消費電力化を図ることができ
る。
【０１２４】
特に、トランジスタ１４４およびスイッチング素子１２７をオフ電流が低減されたトラ
ンジスタを用いることにより、液晶素子１４５の両端子に加わる電圧が経時的に低下する
現象を抑制できる。
【０１２５】
次に、動画から静止画に切り替わる期間（図７中の期間１４０３）、および静止画から
動画に切り替わる期間（図７中の期間１４０４）における表示制御回路の動作を、図８（
Ａ）、図８（Ｂ）を用いて説明する。図８（Ａ）、図８（Ｂ）は表示制御回路が出力する
、高電源電位ＶＤＤ、クロック信号（ここではＧＣＫ）、スタートパルス信号（ここでは
ＧＳＰ）、および端子１２６Ａの電位を示す。
【０１２６】
動画から静止画に切り替わる期間１４０３の表示制御回路の動作を図８（Ａ）に示す。
表示制御回路は、スタートパルスＧＳＰを停止する（図８（Ａ）のＥ１、第１のステップ
）。次いで、スタートパルス信号ＧＳＰの停止後、パルス出力がシフトレジスタの最終段
まで達した後に、複数のクロック信号ＧＣＫを停止する（図８（Ａ）のＥ２、第２のステ
ップ）。次いで、電源電圧の高電源電位Ｖｄｄを低電源電位Ｖｓｓにする（図８（Ａ）の
Ｅ３、第３のステップ）。次いで、端子１２６Ａの電位を、スイッチング素子１２７が非
導通状態となる電位にする（図８（Ａ）のＥ４、第４のステップ）。
【０１２７】
以上の手順をもって、駆動回路部１２１の誤動作を引き起こすことなく、駆動回路部１
２１に供給する信号を停止できる。動画から静止画に切り替わる際の誤動作はノイズを生
じ、ノイズは静止画として保持されるため、誤動作が少ない表示制御回路を搭載した液晶
表示装置は画像の劣化が少ない静止画を表示できる。
【０１２８】
次に静止画から動画に切り替わる期間１４０４の表示制御回路の動作を図８（Ｂ）に示
す。表示制御回路は、端子１２６Ａの電位をスイッチング素子１２７が導通状態となる電
位にする（図８（Ｂ）のＳ１、第１のステップ）。次いで、電源電圧を低電源電位Ｖｓｓ
から高電源電位Ｖｄｄにする（図８（Ｂ）のＳ２、第２のステップ）。次いで、クロック
信号ＧＣＫとし先にハイの電位を与えた後、複数のクロック信号ＧＣＫを供給する（図８
（Ｂ）のＳ３、第３のステップ）。次いでスタートパルス信号ＧＳＰを供給する（図８（
Ｂ）のＳ４、第４のステップ）。
【０１２９】
以上の手順をもって、駆動回路部１２１の誤動作を引き起こすことなく駆動回路部１２
１に駆動信号の供給を再開できる。各配線の電位を適宜順番に動画表示時に戻すことで、
誤動作なく駆動回路部の駆動を行うことができる。
【０１３０】
また、図９に、動画を表示する期間６０１、または静止画を表示する期間６０２におけ
る、フレーム期間毎の画像信号の書き込み頻度を模式的に示す。図９中、「Ｗ」は画像信
号の書き込み期間であることをあらわし、「Ｈ」は画像信号を保持する期間であることを
示している。また、図９中、期間６０３は１フレーム期間を表したものであるが、別の期
間であってもよい。
【０１３１】
このように、本実施の形態の液晶表示装置の構成において、期間６０２で表示される静
止画の画像信号は期間６０４に書き込まれ、期間６０４で書き込まれた画像信号は、期間
６０２の他の期間で保持される。
【０１３２】
本実施の形態に例示した液晶表示装置は、静止画を表示する期間において画像信号の書
き込み頻度を低減できる。その結果、静止画を表示する際の低消費電力化を図ることがで
きる。
【０１３３】
また、同一の画像を複数回書き換えて静止画を表示する場合、画像の切り替わりが視認
できると、人間は目に疲労を感じることもあり得る。本実施の形態の液晶表示装置は、画
像信号の書き込み頻度が削減されているため、目の疲労を減らすといった効果もある。
【０１３４】
特に、本実施の形態の液晶表示装置は、オフ電流が低減されたトランジスタを各画素、
並びに共通電極のスイッチング素子に適用することにより、保持容量で電圧を保持できる
期間（時間）を長く取ることができる。その結果、画像信号の書き込み頻度を画期的に低
減することが可能になり、静止画を表示する際の低消費電力化、および目の疲労の低減に
、顕著な効果を有する。
【０１３５】
また、表示パネルとして、実施の形態１で示した構成を用いることによって、特に目に
優しい自然な白の表示に優れた液晶表示装置とすることができる。
【０１３６】
本実施の形態は、他の実施の形態に記載した構成と適宜組み合わせて実施することが可
能である。
【０１３７】
（実施の形態３）
本明細書に開示する液晶表示装置は、さまざまな電子機器に適用することができる。特
に本明細書に開示する液晶表示装置は、光散乱によって白を表示し、紙面のような良質な
画質を有するので、使用者の目に優しく、電子ペーパーとして好適に適用することができ
る。電子ペーパーは、情報を表示するものであればあらゆる分野の電子機器に用いること
が可能である。例えば、電子ペーパーを用いて、電子書籍（電子ブック）、ポスター、電
車などの乗り物の車内広告、クレジットカード等の各種カードにおける表示等に適用する
ことができる。
【０１３８】
また、他の電子機器としては、デジタルフォトフレーム、携帯電話機（携帯電話、携帯
電話装置ともいう）などに用いてもよい。上記実施の形態で説明した液晶表示装置を具備
する電子機器の例について説明する。
【０１３９】
図１０（Ａ）は電子書籍（Ｅ−ｂｏｏｋともいう）であり、筐体９６３０、表示部９６
３１、操作キー９６３２、太陽電池９６３３、充放電制御回路９６３４を有することがで
きる。図１０（Ａ）に示した電子書籍は、様々な情報（静止画、動画、テキスト画像など
）を表示する機能、カレンダー、日付または時刻などを表示部に表示する機能、表示部に
表示した情報を操作または編集する機能、様々なソフトウェア（プログラム）によって処
理を制御する機能、等を有することができる。なお、図１０（Ａ）では充放電制御回路９
６３４の一例としてバッテリー９６３５、ＤＣＤＣコンバータ（以下、コンバータと略記
）９６３６を有する構成について示している。実施の形態１または実施の形態２で示した
液晶表示装置を表示部９６３１に適用することにより、良好な白表示を可能とした電子書
籍とすることができる。
【０１４０】
図１０（Ａ）に示す構成とすることにより、太陽電池９６３３による発電、およびバッ
テリー９６３５での充電を行うことができ、好適である。なお太陽電池９６３３は、筐体
９６３０の空きスペース（表面や裏面）に適宜設けることができるため、効率的なバッテ
リー９６３５の充電を行う構成とすることができ、好適である。なお、バッテリー９６３
５としては、リチウムイオン電池を用いると、小型化を図れる等の利点がある。
【０１４１】
また、図１０（Ａ）に示す充放電制御回路９６３４の構成、および動作について図１０
（Ｂ）にブロック図を示し説明する。図１０（Ｂ）には、太陽電池９６３３、バッテリー
９６３５、コンバータ９６３６、コンバータ９６３７、スイッチＳＷ１乃至スイッチＳＷ
３、表示部９６３１について示しており、バッテリー９６３５、コンバータ９６３６、コ
ンバータ９６３７、スイッチＳＷ１乃至スイッチＳＷ３が充放電制御回路９６３４に対応
する箇所となる。
【０１４２】
まず、外光により太陽電池９６３３により発電がされる場合の動作の例について説明す
る。太陽電池で発電した電力は、バッテリー９６３５を充電するための電圧となるようコ
ンバータ９６３６で昇圧または降圧がなされる。そして、表示部９６３１の動作に太陽電
池９６３３からの電力が用いられる際にはスイッチＳＷ１をオンにし、コンバータ９６３
７で表示部９６３１に必要な電圧に昇圧または降圧をすることとなる。また、表示部９６
３１での表示を行わない際には、スイッチＳＷ１をオフにし、スイッチＳＷ２をオンにし
てバッテリー９６３５の充電を行う構成とすればよい。
【０１４３】
次いで、外光により太陽電池９６３３により発電がされない場合の動作の例について説
明する。バッテリー９６３５に蓄電された電力は、スイッチＳＷ３をオンにすることでコ
ンバータ９６３７により昇圧または降圧がなされる。そして、表示部９６３１の動作にバ
ッテリー９６３５からの電力が用いられることとなる。
【０１４４】
なお、太陽電池９６３３については、充電手段の一例として示したが、他の手段による
バッテリー９６３５の充電を行う構成であってもよい。また、他の充電手段を組み合わせ
て行う構成としてもよい。
【０１４５】
図１１（Ａ）、図１１（Ｂ）は、上記実施の形態を適用して形成される液晶表示装置を
、可撓性を有する電子書籍に適用した例である。図１１（Ａ）は、電子書籍を開いた状態
であり、図１１（Ｂ）は電子書籍を閉じた状態である。第１の表示パネル４３１１、第２
の表示パネル４３１２、第３の表示パネル４３１３に上記実施の形態を適用して形成され
る液晶表示装置を用いることができる。光散乱によって白を表示する液晶表示装置を適用
することにより、視認性の良好な電子書籍とすることができる。よって、使用者の目に優
しく、疲労感を低減させることができる。
【０１４６】
第１の筐体４３０５は第１の表示部４３０１を有する第１の表示パネル４３１１を有し
、第２の筐体４３０６は操作部４３０４および第２の表示部４３０７を有する第２の表示
パネル４３１２を有し、両面表示型パネルである第３の表示パネル４３１３は、第３の表
示部４３０２および第４の表示部４３１０を有し、第３の表示パネル４３１３は、第１の
表示パネル４３１１と第２の表示パネル４３１２の間に挿入されている。第１の筐体４３
０５、第１の表示パネル４３１１、第３の表示パネル４３１３、第２の表示パネル４３１
２、および第２の筐体４３０６は駆動回路が内部に設けられた綴じ部４３０８によって接
続されている。図１１の電子ブックは第１の表示部４３０１、第２の表示部４３０７、第
３の表示部４３０２、および第４の表示部４３１０の４つの表示画面を有している。
【０１４７】
また、図１１（Ａ）、図１１（Ｂ）に示す電子書籍の入力操作は、第１の表示部４３０
１や第２の表示部４３０７に指や入力ペンなどで触れること、または操作部４３０４の操
作により行われる。なお、図１１（Ａ）では、第２の表示部４３０７に表示された表示ボ
タン４３０９を図示しており、指などで触れることにより入力を行うことができる。
【０１４８】
第１の筐体４３０５、第１の表示パネル４３１１、第３の表示パネル４３１３、第２の
表示パネル４３１２、および第２の筐体４３０６は可撓性を有しており、フレキシビリテ
ィが高い。また、第１の筐体４３０５、第２の筐体４３０６にプラスチック基板を用い、
第３の表示パネル４３１３に薄いフィルムを用いると、薄型な電子書籍とすることができ
る。
【０１４９】
第３の表示パネル４３１３は第３の表示部４３０２および第４の表示部４３１０を有す
る両面表示型パネルである。第３の表示パネル４３１３は、片面射出型の表示パネルを貼
り合わせて用いればよい。また、第３の表示パネル４３１３を省略し、見開きの電子書籍
としてもよい。
【０１５０】
本実施の形態は、他の実施の形態に記載した構成と適宜組み合わせて実施することが可
能である。
【実施例１】
【０１５１】
本実施例では、画素電極層に設けられた凹凸の傾斜角θＭが、表示装置の反射率（標準
白色板を１００％とした場合）およびコントラストに与える影響について示す。
【０１５２】
はじめに、本実施例で作製した液晶表示装置の作製工程について説明する。本実施例で
は、トランジスタを有する基板上に層間膜として酸化シリコン膜を設け、酸化シリコン膜
上に、構造体を形成するための樹脂層間膜として感光性のアクリル樹脂膜を４．５μｍの
膜厚で形成した。次いで、フォトリソグラフィ工程によってアクリル樹脂膜に凹凸を形成
した後、画素電極層として、アルミニウム膜を３００ｎｍの膜厚で成膜し、これを第１の
基板とした。本実施例においては、アクリル樹脂膜のフォトリソグラフィ条件を調整する
ことで、形成する凹凸の傾斜角θＭの平均値を、７．２°、１４．５°、２２．８°およ
び４５．５°の４条件とした。なお、各条件において一画素内の凹凸の配置を同様にする
ために、各条件において凹凸の形成には同じマスクを用いた。
【０１５３】
第１の基板に対向させる第２の基板としては、共通電極として機能する膜厚１１０ｎｍ
の酸化珪素を含むインジウム錫酸化物からなる、透光性を有する導電膜と、偏光板とを有
する基板を用い、第１の基板と第２の基板とを液晶層を間に挟持して対向するように配置
して、本実施例の液晶表示装置とした。
【０１５４】
作製した各液晶表示装置における画素電極層の平面の光学顕微鏡写真、および断面ＳＴ
ＥＭ像を図１２に示す。図１２（Ａ−１）、図１２（Ａ−２）は、傾斜角θＭの平均値が
７．２°の画素電極層、図１２（Ｂ−１）、図１２（Ｂ−２）は、傾斜角θＭの平均値が
１４．５°の画素電極層、図１２（Ｃ−１）、図１２（Ｃ−２）は、傾斜角θＭの平均値
が２２．８°の画素電極層、図１２（Ｄ−１）、図１２（Ｄ−２）は、傾斜角θＭの平均
値が４５．５°の画素電極層の平面および断面写真を示す。
【０１５５】
また、作製した各液晶表示装置における、反射率およびコントラストの比較を図１３に
示す。図１３より、傾斜角θＭの平均値が４５．５°の場合には、反射率およびコントラ
ストが低く、視認性が不良であるのに対して、傾斜角θＭの平均値が７．２°、１４．５
°、２２．８°の場合には、反射率およびコントラストが高い良好な表示が得られた。ま
た、傾斜角θＭの平均値が７．２°の場合には、画素電極層に用いたアルミニウムに近い
表示色が得られたのに対して、傾斜角θＭの平均値が１４．５°および２２．８°の場合
には、良好な白色表示が得られた。
【０１５６】
以上示したように、凹凸表面を有する画素電極層を用いることで、効率よく白表示を行
うことができる。また、傾斜角θＭの平均値を５°以上２５°以下とし、好ましくは８°
以上２２°以下とし、より好ましくは１０°を超えて１８°以下とすることで、反射率お
よびコントラストが高く、視認性の良好な白表示を行うことができる。
【実施例２】
【０１５７】
本実施例では、λ／４の位相差板が設けられた偏光板の可視光帯域における透過率が低
減する波長帯域を共通電極層（ＩＴＯ）の透過率が増加するピーク波長帯域によって補い
、光学特性を調節する効果について説明する。
【０１５８】
図１４（Ａ）はλ／４の位相差板が設けられた偏光板の透過率を示し、図１４（Ｂ）は
共通電極層（ＩＴＯ）の透過率を示している。図１４（Ａ）、図１４（Ｂ）の横軸は波長
［ｎｍ］、縦軸は透過率［％］を示す。
【０１５９】
図１４（Ａ）に示すようにλ／４の位相差板が設けられた偏光板は、波長４００ｎｍ〜
４５０ｎｍ付近において、透過率が低減しているのに対し、図１４（Ｂ）に示すように、
共通電極層（ＩＴＯ）は、波長４００ｎｍ〜４５０ｎｍ付近において、透過率が高いこと
が確認できる。
【０１６０】
λ／４の位相差板が設けられた偏光板の可視光帯域における透過率が低減する波長帯域
の一部と、共通電極層（ＩＴＯ）の可視光帯域における透過率が増加するピーク波長帯域
の一部とが組み合わされると、波長が４００ｎｍ〜４５０ｎｍ付近において偏光板によっ
て不足する可視光成分を補うことができるため、可視光帯域における光学特性が良好にな
り、優れた白色表示が実現される上に、さらに、λ／４の位相差板が設けられた偏光板に
起因する色味を抑制することができる。
【実施例３】
【０１６１】
本実施例では、画素電極層に設けられた凹凸の傾斜角θＭが、表示装置の反射率（標準
白色板を１００％とした場合）およびコントラストに与える影響について示す。
【０１６２】
はじめに、本実施例で作製した液晶表示装置の作製工程について説明する。本実施例で
は、トランジスタを有する基板上に層間膜として酸化シリコン膜を設け、酸化シリコン膜
上に、構造体を形成するための樹脂層間膜として感光性のアクリル樹脂膜を４．５μｍの
膜厚で形成した。次いで、フォトリソグラフィ工程によってアクリル樹脂膜に凹凸を形成
した後、画素電極層として、アルミニウム膜を３００ｎｍの膜厚で成膜し、これを第１の
基板とした。本実施例においては、アクリル樹脂膜のフォトリソグラフィ条件を調整する
ことで、形成する凹凸の傾斜角θＭの平均値を、１１．５°、１２．０°の２条件とした
。なお、各条件において一画素内の凹凸の配置を同様にするために、各条件において凹凸
の形成には同じマスクを用いた。
【０１６３】
また、感光性のアクリル樹脂膜の時と同様に酸化シリコン膜を形成した後、酸化シリコ
ン膜上に、構造体を形成するための樹脂層間膜としてポリイミド樹脂膜を３．０μｍの膜
厚で形成した。次いで、フォトリソグラフィ工程によってポリイミド樹脂膜に凹凸を形成
した後、画素電極層として、アルミニウム膜を３００ｎｍの膜厚で成膜し、これを第１の
基板とした。本実施例においては、ポリイミド樹脂膜のフォトリソグラフィ条件を調整す
ることで、形成する凹凸の傾斜角θＭの平均値を、１１．５°、１２．０°の２条件とし
た。なお、各条件において一画素内の凹凸の配置を同様にするために、各条件において凹
凸の形成には同じマスクを用いた。
【０１６４】
第１の基板に対向させる第２の基板としては、共通電極として機能する膜厚９０ｎｍの
酸化珪素を含むインジウム錫酸化物からなる、透光性を有する導電膜と、偏光板とを有す
る基板を用い、第１の基板と第２の基板とを液晶層を間に挟持して対向するように配置し
て、本実施例の液晶表示装置とした。
【０１６５】
作製した各液晶表示装置における画素電極層の平面の光学顕微鏡写真、および断面ＳＴ
ＥＭ像を図１５に示す。図１５（Ａ−１）、図１５（Ａ−２）は、樹脂層間膜が感光性の
アクリル樹脂膜であり、傾斜角θＭの平均値が１１．５°の画素電極層、図１５（Ｂ−１
）、図１５（Ｂ−２）は、樹脂層間膜が感光性のアクリル樹脂膜であり、傾斜角θＭの平
均値が１２．０°の画素電極層、図１５（Ｃ−１）、図１５（Ｃ−２）は、樹脂層間膜が
ポリイミド樹脂膜であり、傾斜角θＭの平均値が１１．５°の画素電極層、図１５（Ｄ−
１）、図１５（Ｄ−２）は、樹脂層間膜がポリイミド樹脂膜であり、傾斜角θＭの平均値
が１２．０°の画素電極層の平面および断面写真を示す。
【０１６６】
本実施例において、傾斜角θＭの平均値が１２°付近である画素電極層は、画素電極層
の凹凸による反射光の散乱効果が低減され、白表示を行うことが難しくなったり、反射光
を取り出す効率が低減されて射出光の明るさが十分でなくなったりすることがなく、優れ
た白表示を行うことができた。
【０１６７】
また、樹脂層間膜が感光性のアクリル樹脂膜またはポリイミド樹脂膜である各液晶表示
装置における、投光角に対する反射率の推移をそれぞれ図１６に示す。グラフの横軸は投
光角［°］、縦軸は反射率［％］を示し、実線は感光性のアクリル樹脂膜の特性、破線は
ポリイミド樹脂膜の特性を示す。ここで、投光角とは、図１９に示すように光源（ハロゲ
ンランプ）と受光部との間でなす角度θ１のことを言う。図１６より、人がものを見る標
準的な投光角である２５°〜３０°付近では、反射率が高い良好な表示が得られた。
【０１６８】
さらに、樹脂層間膜が感光性のアクリル樹脂膜である各液晶表示装置における、投光角
に対するコントラストの推移を図１７に示す。グラフの横軸は投光角［°］、縦軸はコン
トラストを示す。図１７より、人がものを見る標準的な投光角である２５°〜３０°付近
では、コントラストが高い良好な表示が得られた。
【０１６９】
以上示したように、凹凸表面を有する画素電極層を用いることで、効率よく白表示を行
うことができる。また、傾斜角θＭの平均値を５°以上２５°以下とし、好ましくは８°
以上２２°以下とし、より好ましくは１０°を超えて１８°以下、さらに好ましくは１１
°以上１３°以下とすることで、反射率およびコントラストが高く、視認性の良好な白表
示を行うことができる。
【符号の説明】
【０１７０】
１００    液晶表示装置
１１０    画像処理回路
１１１    記憶回路
１１１ｂ    フレームメモリ
１１２    比較回路
１１３    表示制御回路
１１５    選択回路
１１６    電源
１２０    表示パネル
１２１    駆動回路部
１２１Ａ    ゲート線側駆動回路
１２１Ｂ    ソース線側駆動回路
１２２    画素部
１２３    画素
１２４    ゲート線
１２５    ソース線
１２６    端子部
１２６Ａ    端子
１２６Ｂ    端子
１２７    スイッチング素子
１２８    共通電極
１４０    容量素子
１４４    トランジスタ
１４５    液晶素子
２００    第１の基板
２０１    第２の基板
２０８    液晶層
２３０    画素電極層
２３１    共通電極層
２３２    偏光板
２３３    構造体
２４０    反射膜
２４２    平坦化膜
２４４    画素電極層
４０１    ゲート電極層
４０２    ゲート絶縁層
４０３    半導体層
４０５ａ    ソース電極層
４０５ｂ    ドレイン電極層
４０７    絶縁膜
４０８    容量配線層
４０９    絶縁層
４１７    層間膜
４６０    トランジスタ
６０１    期間
６０２    期間
６０３    期間
６０４    期間
１４０１    期間
１４０２    期間
１４０３    期間
１４０４    期間
４３０１    第１の表示部
４３０２    第３の表示部
４３０４    操作部
４３０５    第１の筐体
４３０６    第２の筐体
４３０７    第２の表示部
４３０８    綴じ部
４３０９    表示ボタン
４３１０    第４の表示部
４３１１    第１の表示パネル
４３１２    第２の表示パネル
４３１３    第３の表示パネル
９６３０    筐体
９６３１    表示部
９６３２    操作キー
９６３３    太陽電池
９６３４    充放電制御回路
９６３５    バッテリー
９６３６    コンバータ
９６３７    コンバータ
【図１】
2015228046.tif 000003
【図２】
2015228046.tif 000004
【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
2015228046.tif 000008
【図７】
2015228046.tif 000009
【図８】
2015228046.tif 000010
【図９】
2015228046.tif 000011
【図１０】
2015228046.tif 000012
【図１１】
2015228046.tif 000013
【図１３】
2015228046.tif 000014
【図１４】
2015228046.tif 000015
【図１６】
2015228046.tif 000016
【図１７】
2015228046.tif 000017
【図１８】
2015228046.tif 000018
【図１９】
2015228046.tif 000019
【図１２】
2015228046.tif 000020
【図１５】
2015228046.tif 000021