(57)【要約】【課題】表示装置の品質低下を抑制可能な表示装置の製造方法を実現することを目的とする。【解決手段】本発明の表示装置１は、表示領域Ｄと非表示領域Ｅとを有する基板１１０上に有機層を各画素に応じて形成する工程を備え、前記有機層を形成する工程が、枠状のフレーム７２と前記フレームに固定されたマスク箔７４とを有するマスク７０を用いて前記有機層の材料を成膜する工程を有し、前記マスク箔が、前記表示領域に対応する領域７６に設けられた開口８６と前記非表示領域に対応する領域７８に、前記表示領域に対応する領域の外周７６ａに沿って設けられた複数のダミー孔８８と、を有し、前記外周の角７６ｂに隣接する前記ダミー孔の平面視形状の面積と比べ、前記外周の一辺の中点７６ｃに隣接する前記ダミー孔の平面視形状の面積が大きい、ことを特徴とする。【選択図】図３
2015103427.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
平面視形状が矩形の表示領域と前記表示領域の外周を囲む非表示領域とを有する基板上に、発光層を有する有機層を各画素に応じて形成する工程を備え、
前記有機層を形成する工程が、
枠状のフレームと前記フレームに固定されたマスク箔とを有するマスクを用いて前記有機層の材料を成膜する工程を有し、
前記マスク箔が、
前記表示領域に対応する領域に設けられた、前記画素それぞれに対応する開口と
前記非表示領域に対応する領域に、前記表示領域に対応する領域の外周に沿って設けられた複数のダミー孔と、を有し、
前記外周の角に隣接する前記ダミー孔の平面視形状の面積と比べ、前記外周の一辺の中点に隣接する前記ダミー孔の平面視形状の面積が大きい、
ことを特徴とする、表示装置の製造方法。
【請求項２】
請求項１に記載の表示装置の製造方法であって、
前記フレームの平面視形状が矩形であり、
前記フレームの角に隣接する前記ダミー孔の平面視形状の面積と比べ、前記フレームの一辺の中点に隣接する前記ダミー孔の平面視形状の面積が大きい、
ことを特徴とする、表示装置の製造方法。
【請求項３】
請求項１又は２に記載の表示装置の製造方法であって、
前記表示領域に対応する領域の前記外周の角からの距離が大きい前記ダミー孔であるほど、前記ダミー孔の平面視形状の面積が大きい、
ことを特徴とする表示装置の製造方法。
【請求項４】
請求項１乃至３のいずれか一項に記載の表示装置であって、
前記ダミー孔の平面視形状が円形である、
ことを特徴とする表示装置の製造方法。
【請求項５】
請求項１乃至４のいずれか一項に記載の表示装置であって、
前記ダミー孔が、前記マスク箔を貫通する、
ことを特徴とする表示装置の製造方法。
【請求項６】
請求項１乃至４のいずれか一項に記載の表示装置であって、
前記ダミー孔における前記マスク箔の膜厚が、前記ダミー孔の外側における前記マスク箔の膜厚よりも小さい、
ことを特徴とする表示装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は表示装置の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
薄型で軽量な発光源として、有機エレクトロルミネッセンス発光（organic electro luminescent）素子が注目を集めており、多数の有機エレクトロルミネッセンス発光素子を備える表示装置が開発されている。有機エレクトロルミネッセンス発光素子は、発光層を有する有機層が、下部電極と上部電極とで挟まれた構造を有する。
【０００３】
このような表示装置の製造方法としては、例えば特許文献１において、張力がかけられた状態で額縁状のフレームに固定された金属箔からなる蒸着マスクを用いて、表示領域と非表示領域を有する基板に有機層を蒸着する方法が開示されている。特許文献１に記載の蒸着マスクの表示領域に対応する領域には、各画素に対応する開口パターン（マスクパターン）が設けられており、非表示領域に対応する領域には、マスクパターンよりも大きい開口パターンが設けられている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００５−１４８３３５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
特許文献１に記載の蒸着マスクを用いた表示装置の製造方法によれば、蒸着マスクの金属箔は、フレームの角から離れた箇所になるほどフレームからの張力が強く加わり、非表示領域に対応する領域の開口パターンと、この開口パターン周辺のマスクパターンが変形しやすくなる。このため、表示領域における有機層が蒸着される位置の精度が低下し、表示装置の品質低下をもたらすおそれがある。
【０００６】
本発明は、このような事情に鑑みてなされたものであって、表示装置の品質低下を抑制可能な表示装置の製造方法を実現することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本出願において開示される発明のうち、代表的なものの概要を簡単に説明すれば、以下の通りである。
【０００８】
（１）本発明の表示装置は、平面視形状が矩形の表示領域と前記表示領域の外周を囲む非表示領域とを有する基板上に、発光層を有する有機層を各画素に応じて形成する工程を備え、前記有機層を形成する工程が、枠状のフレームと前記フレームに固定されたマスク箔とを有するマスクを用いて前記有機層の材料を成膜する工程を有し、前記マスク箔が、前記表示領域に対応する領域に設けられた、前記画素それぞれに対応する開口と、前記非表示領域に対応する領域に、前記表示領域に対応する領域の外周に沿って設けられた複数のダミー孔と、を有し、前記外周の角に隣接する前記ダミー孔の平面視形状の面積と比べ、前記外周の一辺の中点に隣接する前記ダミー孔の平面視形状の面積が大きい、ことを特徴とする。
【０００９】
（２）本発明の表示装置は、（１）において、前記フレームの平面視形状が矩形であり、前記フレームの角に隣接する前記ダミー孔の平面視形状の面積と比べ、前記フレームの一辺の中点に隣接する前記ダミー孔の平面視形状の面積が大きくてもよい。
【００１０】
（３）本発明の表示装置は、（１）又は（２）において、前記表示領域に対応する領域の前記外周の角からの距離が大きい前記ダミー孔であるほど、前記ダミー孔の平面視形状の面積が大きくてもよい。
【００１１】
（４）本発明の表示装置は、（１）乃至（３）のいずれか一項において、前記ダミー孔の平面視形状が円形であってもよい。
【００１２】
（５）本発明の表示装置は、（１）乃至（４）のいずれか一項において、前記ダミー孔が、前記マスク箔を貫通していてもよい。
【００１３】
（６）本発明の表示装置は、（１）乃至（４）のいずれか一項において、前記ダミー孔における前記マスク箔の膜厚が、前記ダミー孔の外側における前記マスク箔の膜厚よりも小さくてもよい。
【発明の効果】
【００１４】
本発明によれば、本構成を有さない表示装置の製造方法と比べ、表示領域の外周の一辺の中点に隣接するダミー孔周辺の開口への、フレームからの張力の作用が抑えられるため、表示領域において有機層が成膜される位置の精度の低下を防ぐことができる。このため、表示装置の品質低下を抑えることができる。
【図面の簡単な説明】
【００１５】
【図１】図１は、本発明の一実施形態に係る表示装置の製造方法を示す、母基板の概略斜視図である。
【図２】図２は本発明の一実施形態に係る表示装置の製造方法を説明するための、図１に示す母基板のＩＩ−ＩＩ切断線における概略断面図である。
【図３】図３は、図１に示す母基板上にマスクを配置した状態を図１と同様の視野において示す概略斜視図である。
【図４】図４は図３に示すマスクのＩＶ領域の部分拡大図である。
【図５】図５は、本発明の一実施形態に係る表示装置の製造方法を説明するための、図２と同様の視野において示す概略断面図である。
【図６】図６は、母基板にマスクを配置した状態で成膜を行う状態を示す概略断面図である。
【図７】図７は、本実施形態により製造された表示装置を示す概略平面図である。
【図８】図８は、マスクの変形例を図４と同様の視野において示す概略平面図である。
【図９】図９は、マスクの変形例を図４と同様の視野において示す概略平面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１６】
以下、本発明の一実施形態に係る表示装置の製造方法の一例として、有機エレクトロルミネッセンス表示装置の製造方法を図面に基づいて説明する。なお、以下の説明において参照する図面は、特徴をわかりやすくするために便宜上特徴となる部分を拡大して示している場合があり、各構成要素の寸法比率などは実際と同じであるとは限らない。また、以下の説明において例示される材料等は一例であって、各構成要素はそれらと異なっていてもよく、その要旨を変更しない範囲で変更して実施することが可能である。
【００１７】
まず、初めに母基板１１０を用意する。図１は、本発明の一実施形態に係る表示装置（有機エレクトロルミネッセンス表示装置）の製造方法を示す、母基板１１０の概略斜視図である。母基板１１０は絶縁性の基板であって、その上面１１０ａに、後述する回路層及び有機エレクトロルミネッセンス発光素子が形成される部材である。
【００１８】
母基板１１０には、有機エレクトロルミネッセンス表示装置形成領域Ａがマトリクス状に配列されている。母基板１１０は、有機エレクトロルミネッセンス表示装置形成領域Ａ同士の境界Ｂに沿って切断されることにより、後述する有機エレクトロルミネッセンス表示装置の基板１０となる。
【００１９】
有機エレクトロルミネッセンス表示装置形成領域Ａのそれぞれには、後述する画素Ｐがマトリクス状に配置された、平面視形状が矩形の表示領域Ｄと、平面視で各表示領域Ｄの周囲を囲む非表示領域Ｅと、が設けられている。
【００２０】
次いで、母基板１１０の各有機エレクトロルミネッセンス表示装置形成領域Ａ上に、薄膜トランジスタ１１を有する回路層１２を形成する。図２は本発明の一実施形態に係る表示装置（有機エレクトロルミネッセンス表示装置）の製造方法を説明するための、図１に示す母基板１１０のＩＩ−ＩＩ切断線における概略断面図である。
【００２１】
まず、母基板１１０の表示領域Ｄそれぞれの上に、ポリシリコン半導体層１１ａ、ゲート絶縁層１１ｂ、ゲート電極１１ｃの層、ソース・ドレイン電極１１ｄの層、層間絶縁膜１１ｅを順次積層するとともにパターニングを行う。これにより薄膜トランジスタ１１が、母基板１１０の表示領域Ｄそれぞれにおいて画素Ｐごとに形成される。
【００２２】
次いで、薄膜トランジスタ１１上を覆うように、薄膜トランジスタ１１を保護する絶縁膜であるパッシベーション膜１１ｆを形成する。以上により、薄膜トランジスタ１１とパッシベーション膜１１ｆとを有する回路層１２が形成される。
【００２３】
次いで、回路層１２上を覆うように、例えばＳｉＯ２やＳｉＮ、アクリル、ポリイミド等の、絶縁性を有する材料からなる平坦化膜１３を形成する。このように回路層１２上に平坦化膜１３を形成することにより、隣接する薄膜トランジスタ１１間や、薄膜トランジスタ１１と、後述する有機エレクトロルミネッセンス発光素子３０との間が、電気的に絶縁される。
【００２４】
次いで、画素Ｐ毎に、平坦化膜１３及びパッシベーション膜１１ｆを貫通し、ソース・ドレイン電極１１ｄの上面の一部を露出するコンタクトホール３２ａを形成する。
【００２５】
次いで、平坦化膜１３上に、有機エレクトロルミネッセンス発光素子を形成する。図３は、図１に示す母基板１１０上にマスク７０を配置した状態を図１と同様の視野において示す概略斜視図である。
【００２６】
まず初めにマスク７０の構成について説明する。マスク７０は有機エレクトロルミネッセンス発光素子を形成するための成膜用のマスクであり、平面視形状が矩形の枠状のフレーム７２と、フレーム７２に固定されたマスク箔７４とを有している。フレーム７２は、マスク箔７４を固定する部材であり、例えば枠状の金属からなる。マスク箔７４は、母基板１１０上に後述する有機層を画素Ｐ毎に成膜するための部材であり、例えば金属箔からなる。マスク箔７４は張力が印加された状態でフレーム７２に固定されている。
【００２７】
マスク箔７４は、図３に示すように、表示領域対応領域７６と、非表示領域対応領域７８と、を有している。表示領域対応領域７６は母基板１１０の表示領域Ｄに対応する領域であり、矩形の平面視形状を有している。また、非表示領域対応領域７８は母基板１１０の非表示領域Ｅに対応する領域である。また、後述するダミー孔が設けられる領域であるダミー孔形成領域１８８が、各表示領域対応領域７６の外周を囲むように設けられている。以下、マスク箔７４の構成について、図３，４を用いてその詳細を説明する。
【００２８】
図４は図３に示すマスク７０のＩＶ領域の部分拡大図である。図４においては、説明の便宜上、フレーム７２の角７２ａに隣接する表示領域対応領域７６（１７６）と、フレーム７２の一辺７２ｂの中点に隣接する表示領域対応領域７６（２７６）の両方の領域を示す。また、図４においては、説明の便宜上、フレーム７２や表示領域対応領域７６の寸法比率やダミー開孔８８の数を、実際とは異なる構成で示している。
【００２９】
マスク箔７４の表示領域対応領域７６には、画素Ｐそれぞれに対応する開口８６が設けられている。また、非表示領域対応領域７８のダミー孔形成領域１８８には、表示領域対応領域７６の外周７６ａに沿って設けられた、複数のダミー孔８８が設けられている。なお、図３に示すように、表示領域対応領域７６の外周７６ａは、母基板１１０の表示領域Ｄの外周に対応している。
【００３０】
図４に示すように、本実施形態における、マスク箔７４におけるダミー孔８８の平面視形状の大きさは均一ではない。平面視形状が枠状の非表示領域対応領域７８においては、角７２ａから一定の範囲内の領域よりも、中点７２ｃから一定の範囲内の領域である方が、ダミー孔８８の占める比率が大きくなるように形成されている。
【００３１】
具体的には、図４に示すように、フレーム７２の角７２ａに隣接するダミー孔８８ａの平面視形状の面積と比べ、フレーム７２の一辺７２ｂの中点７２ｃに隣接するダミー孔８８ｂの平面視形状の面積の方が大きくなる。また、図４に示すように、表示領域対応領域１７６の角７６ｂに隣接するダミー開孔８８ａの平面視形状の面積よりも、表示領域対応領域２７６の角７６ｂに隣接するダミー開孔８８ａの平面視形状の面積の方が大きくてもよい。
【００３２】
なお、本実施形態における「角７２ａに隣接するダミー孔８８ａ」とは、マスク箔７４に設けられた複数のダミー孔８８のうち、角７２ａからの距離が最も近いダミー孔８８を示す。同様に、本実施形態における「一辺７２ｂの中点７２ｃに隣接するダミー孔８８ｂ」とは、フレーム７２の一辺の中点（隣接する二つの角７２ａから等しい距離にある点）からの距離が最も近いダミー孔８８を示す。
【００３３】
また、図４に示すように、表示領域対応領域７６毎においても、表示領域対応領域７６の外周７６ａに隣接するダミー孔８８ａの大きさは均一でなくてもよい。具体的には、各表示領域対応領域７６の外周７６ａの角７６ｂに隣接するダミー孔８８ａの平面視形状の面積と比べ、表示領域対応領域７６の平面視形状の外周７６ａの一辺の中点７６ｃに隣接するダミー孔８８ｃの平面視形状の面積の方が大きいことが好ましい。
【００３４】
なお、本実施形態における「角７６ｂに隣接するダミー孔８８ａ」とは、表示領域対応領域７６の平面視形状の角７６ｂからの距離も最も近いダミー孔８８を示す。同様に、「外周７６ａの一辺の中点７６ｃに隣接するダミー孔８８ａ」とは、表示領域対応領域７６の平面視形状の一辺の中点（隣接する二つの角７６ｂから等しい距離にある点）からの距離が最も近いダミー孔８８を示す。
【００３５】
また、各表示領域対応領域７６の外周７６ａに隣接するダミー孔８８ａの平面視形状の面積は、図４に示すように、表示領域対応領域７６の外周７６ａの角７６ｂからの距離が大きいダミー孔８８であるほど、その面積が大きいことが好ましい。
【００３６】
なお、ダミー孔８８は、マスク箔７４を貫通する孔であっても、マスク箔７４を貫通しない凹形状であってもよい。凹形状とは、具体的には、ダミー孔８８内におけるマスク箔７４の膜厚が、ダミー孔８８の外側の領域７８ａ（非表示領域対応領域７８のうち、ダミー孔８８の設けられていない領域）におけるマスク箔７４の膜厚よりも小さい形状を示す。このような凹形状のダミー孔８８は、具体的にはハーフエッチング処理により形成される。
【００３７】
なお、図４に示すように、表示領域対応領域１７６に隣接するダミー孔８８は等間隔に形成されているが、隣接するダミー孔８８同士の間隔は、表示領域対応領域７６に印加する張力に応じて適宜調整してもよい。具体的には例えば、表示領域対応領域１７６に隣接するダミー孔８８同士の間隔よりも、表示領域対応領域２７６に隣接するダミー孔８８同士の間隔の方が小さく形成されていてもよい。また、張力を印加したい領域に合わせて、ダミー孔８８が形成されない領域を設けてもよい。
【００３８】
次いで、母基板１１０の各画素Ｐに対応する領域に、下部電極３２と有機層３３と上部電極３４を順次成膜することにより、有機エレクトロルミネッセンス発光素子３０を形成する。図５は、本発明の一実施形態に係る表示装置（有機エレクトロルミネッセンス表示装置）の製造方法を説明するための、図２と同様の視野において示す概略断面図である。
【００３９】
まず、図５に示すように、平坦化膜１３上の各画素Ｐに対応する領域を覆うように下部電極３２を形成する。これにより、下部電極３２はそれぞれ、コンタクトホール３２ａを介して薄膜トランジスタ１１に電気的に接続される。
【００４０】
下部電極３２の材料としては、具体的には例えば、ＩＴＯ（Indium Tin Oxide）が用いられることが好ましいが、ＩＺＯ（インジウム亜鉛複合酸化物）、酸化錫、酸化亜鉛、酸化インジウム、酸化アルミニウム複合酸化物等の透光性及び導電性を有する材料であってもよい。
【００４１】
なお、この下部電極３２を形成する工程においてには、マスク７０を用いてもよい。マスク７０を用いた成膜方法については、説明の便宜上、有機層３３の形成工程においてその詳細を説明する。
【００４２】
次いで、表示領域Ｄに、隣接する画素Ｐ同士の境界に沿って絶縁材料からなる画素分離膜１４を形成する。これにより、隣接する下部電極３２同士の接触と、下部電極３２と上部電極３４の間の漏れ電流が抑制される。
【００４３】
次いで、マスク７０を用いて下部電極３２上に有機層３３を形成する。図６は、母基板１１０にマスク７０を配置した状態で成膜を行う状態を示す概略断面図である。まず、図６に示すように、下部電極３２の形成された母基板１１０上にマスク７０を配置し、チャンバ９０内に配置する。チャンバ９０は母基板１１０に有機層３３を成膜するための装置であり、その内部には、母基板１１０を取り付けるための図示しない取付け手段と、有機層の材料１３３を入れる容器９２と、が配置されている。母基板１１０とマスク７０は取付け手段により、有機層の材料１３３に対向させて下向きに取り付けられる。
【００４４】
次いで、例えば図示しない電子銃により、有機層の材料１３３を真空にされたチャンバ９０内に昇華させる。昇華した有機層の材料１３３は蒸発流Ｖとなって母基板１１０に到達し、マスク７０の開口８６に対応する領域に成膜される。
【００４５】
有機層の材料１３３としては例えば、ホール注入層の材料、ホール輸送層の材料、発光層の材料、電子輸送層の材料、及び電子注入層の材料が挙げられる。これらを順次、マスク７０を用いて成膜することにより、図５に示すように、少なくとも発光層を有する有機層３３が各画素Ｐに応じて形成される。なお、有機層３３の積層構造はここに挙げたものに限られず、少なくとも発光層を含むものであればその他の構造であってもよい。
【００４６】
次いで、マスク７０を母基板１１０上から除去する。次いで、複数の有機層３３上にわたってＩＴＯなどの透光性の導電材料を蒸着することにより、上部電極３４を形成する。なお、上部電極３４を形成する方法は蒸着に限られず、スパッタ法など、その他の方法であってもよい。以上により、図５に示すように、有機エレクトロルミネッセンス発光素子３０が形成される。
【００４７】
次いで、表示領域Ｄと非表示領域Ｅとを覆うように、例えば窒化珪素（ＳｉＮ）からなる封止膜４０を形成する。次いで、各表示領域Ｄを囲むように、封止膜４０上に図示しないシール材を配置する。次いで、シール材で囲まれた領域の内側に充填材４５を充填する。次いで、充填材４５を介して封止膜４０の上面を覆うように対向母基板１５０を配置する。対向母基板１５０は、例えば複数のカラーフィルタ基板などの対向基板５０が連なることにより構成されている。
【００４８】
次いで、図７に示すように、対向母基板１５０及び母基板１１０を境界Ｂに沿って切断することにより、複数の個片（対向基板５０及び基板１０）に分割する。図７は、本実施形態により製造された表示装置（有機エレクトロルミネッセンス表示装置１）を示す概略平面図である。
【００４９】
次いで、対向基板５０と図示しないシール材と封止膜４０の一部を除去し、露出した基板１０の上面１０ａに端子３を形成する。その後、上面１０ａにフレキシブル回路基板２を設けることにより、表示装置（有機エレクトロルミネッセンス表示装置）１が製造される。
【００５０】
本実施形態における表示装置１の製造方法は、表示領域Ｄの外周７６ａの角７６ｂに隣接するダミー孔８８ａの平面視形状の面積と比べ、外周７６ａの一辺の中点７６ｃに隣接するダミー孔８８ａの平面視形状の面積が大きいことにより、本構成を有さない表示装置の製造方法と比べ、各表示領域Ｄにおいても、平面視形状が矩形の表示領域Ｄの外周７６ａの中点７６ｃに隣接するダミー孔８８ａの方がフレーム７２からの張力が作用しやすい。
【００５１】
このため、表示領域Ｄの外周７６ａの中点７６ｃに隣接するダミー孔８８ａ周辺における開口８６への、フレーム７２からの張力の作用を抑えることができる。これにより、各表示領域Ｄにおける開口８６の変形が抑えられ、表示領域Ｄにおいて有機層３３が成膜される位置の精度の低下を防ぐことができる。このため、表示装置１の品質低下を抑制可能な製造方法を実現することができる。
【００５２】
また、本実施形態における表示装置１の製造方法は、フレーム７２の角７２ａに隣接するダミー孔８８ａの平面視形状の面積よりも、フレーム７２の中点７２ｃに隣接するダミー孔８８ａの平面視形状の面積の方が大きいことにより、本構成を有さない表示装置の製造方法と比べ、フレーム７２の角７２ａに隣接するダミー孔８８ａよりも、フレーム７２の中点７２ｃに隣接するダミー孔８８ａの方がフレーム７２からの張力が作用しやすくなる。
【００５３】
このため、フレーム７２の中点７２ｃに隣接するダミー孔８８ａ周辺の開口８６への、フレーム７２からの張力の作用を抑えることができる。これにより、表示領域Ｄにおける開口８６の変形が抑えられ、表示領域Ｄにおいて有機層３３が成膜される位置の精度の低下を防ぐことができ、表示装置１の品質低下を抑制可能な製造方法を実現することができる。
【００５４】
また、本実施形態における表示装置１の製造方法は、表示領域Ｄの角７６ｂからの距離が大きいダミー孔８８ａであるほど、ダミー孔８８ａの平面視形状の面積が大きいことにより、表示領域Ｄの角７６ｂから離れた箇所に位置するダミー孔８８ａほど、フレーム７２からの張力が作用して変形しやすくなる。このため、開口８６へのフレーム７２からの張力の作用を抑えることができる。また、表示領域Ｄにおける開口８６の変形が抑えられるため、表示領域Ｄにおいて有機層３３が成膜される位置の精度の低下を防ぐことができる。このため、表示装置１の品質低下を抑制可能な製造方法を実現することができる。
【００５５】
また、本実施形態における表示装置１の製造方法は、ダミー孔８８ａが、マスク箔７４を貫通する孔であることにより、本構成を有さない表示装置１の製造方法と比べ、ダミー孔８８ａにフレーム７２からの張力を作用させやすい。このため、表示領域Ｄにおける開口８６の変形が抑えられ、表示装置１の品質低下を抑制可能な製造方法を実現することができる。
【００５６】
また、本実施形態における表示装置１の製造方法は、ダミー孔８８ａにおけるマスク箔７４の膜厚が、ダミー孔８８ａの外側におけるマスク箔７４の膜厚よりも小さい凹形状であることにより、本構成を有さない表示装置１の製造方法と比べ、ダミー孔８８ａにフレーム７２からの張力を作用させつつ、マスク箔７４全体の変形を押さえることができる。このため、表示領域Ｄにおける開口８６の変形が抑えられ、表示装置１の品質低下を抑制可能な製造方法を実現することができる。
【００５７】
以上、本発明の実施形態を説明してきたが、本発明は、上述した実施形態には限られない。例えば、上述した実施形態で説明した構成は、実質的に同一の構成、同一の作用効果を奏する構成、又は同一の目的を達成することができる構成により置き換えてもよい。
【００５８】
例えば、本実施形態におけるマスク７０は、複数の有機エレクトロルミネッセンス表示装置形成領域Ａを覆うものであるが、マスク７０の構成は上述した例に限られず、１つの有機エレクトロルミネッセンス表示装置形成領域Ａのみを覆うものであってもよい。
【００５９】
また、本実施形態におけるダミー孔８８ａは、フレーム７２の角７２ａに隣接するダミー孔８８ａの平面視形状の面積と比べ、フレーム７２の一辺７２ｂの中点７２ｃに隣接するダミー孔８８ｂの平面視形状の面積の方が大きいのであれば、上述した構成に限られず、その他の構成であってもよい。
【００６０】
図８は、マスク７０の変形例を図４と同様の視野において示す概略平面図である。なお、説明の便宜上、図８においては、表示領域対応領域２７６の図示を省略する。具体的には例えば、図８に示すように、任意の箇所に複数のダミー孔８８ａが平面視で、表示領域対応領域７６の外周７６ａに沿って並列に配置されていてもよい。
【００６１】
本実施形態における表示装置１の製造方法はこのような構成を有することにより、本構成を有さない表示装置の製造方法と比べ、フレーム７２からの張力が、複数のダミー孔８８ａが並列に配置された領域に作用しやすくなる。このため、任意の箇所に複数のダミー孔８８ａを並列に配置することにより、フレーム７２からの張力を任意の箇所に集中して作用させることができる。以上により、開口８６の変形が抑えられ、有機層３３が成膜される位置の精度の低下を防ぐことができる。
【００６２】
なお、図８に示す例においては、表示領域対応領域７６の中点７６ｃに隣接するダミー孔８８ｃが並列に配置されている。このように、中点７６ｃに隣接するダミー孔８８ｃを並列に配置することにより、本構成を有さない表示装置の製造方法と比べ、フレーム７２から非表示領域対応領域７８に作用する張力を、並列に配置されたダミー孔８８ｃに、より効果的に作用させることができる。
【００６３】
また、本実施形態におけるダミー孔８８ａの平面視形状は矩形に限られず、その他の形状であってもよい。図９は、マスク７０の変形例を図４と同様の視野において示す概略平面図である。なお、説明の便宜上、図９においては、表示領域対応領域２７６の図示を省略する。具体的には、図９に示すように、ダミー孔８８ａの平面視形状が円形であってもよい。なお、本実施形態における「円形」とは、完全な円形に限られず、製造の工程により円形から誤差の範囲でずれたものも含む。
【００６４】
本実施形態における表示装置１の製造方法はこのような構成を有することにより、ダミー孔８８ａに、フレーム７２からの張力が均等に作用しやすく、開口８６への、フレーム７２からの張力の作用を抑えることができる。このため、開口８６の変形が抑えられ、有機層３３が成膜される位置の精度の低下を防ぐことができる。
【符号の説明】
【００６５】
１  表示装置、２  フレキシブル回路基板、３  ドライバＩＣ、１０  基板、１０ａ  上面、１１  薄膜トランジスタ、１２  回路層、１３  平坦化膜、３０  有機エレクトロルミネッセンス発光素子、３２  下部電極、３３  有機層、３４  上部電極、４０  封止膜、４５  充填材、５０  対向基板、７０  マスク、７２  フレーム、７２ａ  角、７２ｂ  辺、７２ｃ  中点、７４  マスク箔、７６  表示領域対応領域、７６ａ  外周、７６ｂ  角、７６ｃ  中点、７８  非表示領域対応領域、７８ａ  領域、８６  開口、８８,８８ａ,８８ｂ,８８ｃ  ダミー孔、９０  チャンバ、１１０  母基板、１１０ａ  上面、１５０  対向母基板、Ａ  有機エレクトロルミネッセンス表示装置形成領域、Ｂ  境界、Ｄ  表示領域、Ｄ１  外周、Ｅ  非表示領域、Ｐ  画素。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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