(57)【要約】【課題】膜厚均一性を向上させること。【解決手段】実施形態に係る塗布方法は、間欠塗布工程と、拡散工程とを含む。間欠塗布工程は、基板を回転させつつ、基板に対して基板の径方向に間欠的に塗布材を塗布する。拡散工程は、間欠塗布工程によって基板上に径方向に間欠的に形成された塗布材の未塗布領域に、基板の回転に伴う遠心力を利用して基板上の塗布材を塗り広げる。【選択図】図９
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板を回転させつつ、前記基板に対して該基板の径方向に間欠的に塗布材を塗布する間欠塗布工程と、
前記間欠塗布工程によって前記基板上に前記径方向に間欠的に形成された前記塗布材の未塗布領域に、前記基板の回転に伴う遠心力を利用して前記基板上の塗布材を塗り広げる拡散工程と
を含むことを特徴とする塗布方法。
【請求項２】
前記間欠塗布工程は、
前記塗布材の吐出位置を前記基板の中心部側または外周部側へ移動させながら前記基板に前記塗布材を吐出することによって、前記基板に対して前記未塗布領域を形成しつつ前記塗布材を螺旋状に塗布すること
を特徴とする請求項１に記載の塗布方法。
【請求項３】
前記間欠塗布工程は、
前記吐出位置の移動速度を前記基板の中心部側ほど速くすること
を特徴とする請求項２に記載の塗布方法。
【請求項４】
前記間欠塗布工程は、
前記吐出位置が前記基板の中心部側に位置するときほど前記基板の回転数を遅くすること
を特徴とする請求項２または３に記載の塗布方法。
【請求項５】
前記間欠塗布工程は、
前記基板に塗布材を吐出する動作と前記塗布材の吐出位置を前記基板の中心部側または外周部側へ移動させる動作とを交互に行うことによって、前記基板に対して前記未塗布領域を形成しつつ前記塗布材を同心円状に塗布すること
を特徴とする請求項１に記載の塗布方法。
【請求項６】
前記間欠塗布工程は、
前記塗布材の吐出量を前記基板の中心部側ほど少なくすること
を特徴とする請求項２〜５のいずれか一つに記載の塗布方法。
【請求項７】
前記間欠塗布工程後または前記間欠塗布工程前に、前記基板の中心部に対して前記塗布材を吐出する中心部吐出工程
を含むことを特徴とする請求項１〜６のいずれか一つに記載の塗布方法。
【請求項８】
前記間欠塗布工程は、
前記塗布材の吐出位置を前記基板の外周部側から中心部へ移動させ、
前記中心部吐出工程は、
前記間欠塗布工程後、前記基板の中心部に対して前記塗布材を吐出すること
を特徴とする請求項７に記載の塗布方法。
【請求項９】
前記間欠塗布工程は、
前記基板を第１の回転数で回転させ、
前記中心吐出工程は、
前記基板を前記第１の回転数よりも高い第２の回転数で回転させ、
前記拡散工程は、
前記基板を前記第２の回転数よりも高い第３の回転数で回転させること
を特徴とする請求項７または８に記載の塗布方法。
【請求項１０】
基板を保持する保持部と、
前記保持部を回転させる回転機構と、
前記保持部に保持された基板に対して塗布材を吐出するノズルと、
前記ノズルを移動させる移動機構と、
前記保持部に保持された基板を前記回転機構を用いて回転させつつ、前記ノズルから前記基板に対して該基板の径方向に間欠的に塗布材を塗布する間欠塗布処理と、前記間欠塗布処理によって前記基板上に前記径方向に間欠的に形成された前記塗布材の未塗布領域に、前記基板の回転に伴う遠心力を利用して前記基板上の塗布材を塗り広げる拡散処理とを実行する制御部と
を備えることを特徴とする塗布装置。
【請求項１１】
前記保持部に保持された前記基板の周囲を囲み、前記基板の外方に飛散する塗布材を受け止めるカップ
を備え、
前記カップは、
開口部における周縁の一部が切り欠かれること
を特徴とする請求項１０に記載の塗布装置。
【請求項１２】
前記制御部は、
前記間欠塗布処理後または前記間欠塗布処理前に、前記基板の中心部に対して前記ノズルから前記塗布材を吐出する中心部吐出処理をさらに実行すること
を特徴とする請求項１０または１１に記載の塗布装置。
【請求項１３】
前記ノズルは、
第１ノズルと、第２ノズルとを含み、
前記制御部は、
前記第１ノズルを用いて前記間欠塗布処理を実行し、前記第２ノズルを用いて前記中心部吐出処理を実行すること
を特徴とする請求項１２に記載の塗布装置。
【請求項１４】
前記ノズルは、
前記基板の径方向に沿って所定の間隔をあけて並べて配置される複数の吐出口を備え、
前記制御部は、
前記間欠塗布処理において、前記保持部に保持された基板を前記回転機構を用いて回転させつつ、前記ノズルが備える前記複数の吐出口のうち少なくとも２つから前記基板に対して前記塗布材を吐出させることによって、前記基板に対して前記未塗布領域を形成しつつ前記塗布材を同心円状に塗布すること
を特徴とする請求項１０に記載の塗布装置。
【請求項１５】
第１基板および第２基板に対して所定の処理を行う処理ステーションと、
前記第１基板、前記第２基板または前記第１基板と前記第２基板とが接合された重合基板を前記処理ステーションに対して搬入出する搬入出ステーションと
を備え、
前記処理ステーションは、
前記第１基板に対して接着剤ならびに前記接着剤よりも接着力の低い剥離剤および保護剤の中から選択される少なくとも１つの塗布材を塗布する塗布装置と、
前記第１基板と前記第２基板とを少なくとも前記接着剤を介して接合する接合装置と
を備え、
前記塗布装置は、
前記第１基板を保持する保持部と、
前記保持部を回転させる回転機構と、
前記保持部に保持された前記第１基板に対して前記塗布材を吐出するノズルと、
前記ノズルを移動させる移動機構と、
前記保持部に保持された第１基板を前記回転機構を用いて回転させつつ、前記ノズルから前記第１基板に対して該第１基板の径方向に間欠的に塗布材を塗布する間欠塗布処理と、前記間欠塗布処理によって前記第１基板上に前記径方向に間欠的に形成された前記塗布材の未塗布領域に、前記第１基板の回転に伴う遠心力を利用して前記第１基板上の塗布材を塗り広げる拡散処理とを実行する制御部と
を備えることを特徴とする接合システム。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
開示の実施形態は、塗布方法、塗布装置および接合システムに関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体ウェハやガラス基板等の基板に対して塗布材を塗布する手法の一つとして、スピンコート法が知られている。スピンコート法は、基板を回転させつつ基板の中心部に塗布材を吐出し、遠心力により塗布材を拡散させて基板上に塗布膜を形成する方法である（特許文献１参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００７−２９９９４１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、上述した従来技術には、膜厚均一性を向上させるという点でさらなる改善の余地があった。
【０００５】
実施形態の一態様は、膜厚均一性を向上させることのできる塗布方法、塗布装置および接合システムを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
実施形態の一態様に係る塗布方法は、間欠塗布工程と、拡散工程とを含む。間欠塗布工程は、基板を回転させつつ、基板に対して基板の径方向に間欠的に塗布材を塗布する。拡散工程は、間欠塗布工程によって基板上に径方向に間欠的に形成された塗布材の未塗布領域に、基板の回転に伴う遠心力を利用して基板上の塗布材を塗り広げる。
【発明の効果】
【０００７】
実施形態の一態様によれば、膜厚均一性を向上させることができる。
【図面の簡単な説明】
【０００８】
【図１】図１は、第１の実施形態に係る接合システムの構成を示す模式平面図である。
【図２】図２は、重合基板の一例を示す模式側面図である。
【図３】図３は、塗布装置の構成を示す模式平面図である。
【図４】図４は、塗布装置の構成を示す模式側面図である。
【図５】図５は、接合システムが実行する処理の処理手順を示すフローチャートである。
【図６】図６は、塗布処理の処理手順を示すフローチャートである。
【図７】図７は、塗布処理の動作例を示す図である。
【図８】図８は、塗布処理の動作例を示す図である。
【図９】図９は、塗布処理の動作例を示す図である。
【図１０】図１０は、塗布処理の動作例を示す図である。
【図１１】図１１は、塗布処理の動作例を示す図である。
【図１２】図１２は、塗布処理の動作例を示す図である。
【図１３】図１３は、塗布処理の動作例を示す図である。
【図１４】図１４は、塗布処理の動作例を示す図である。
【図１５】図１５は、塗布処理の他の動作例を示す図である。
【図１６】図１６は、塗布処理の他の動作例を示す図である。
【図１７】図１７は、塗布処理の他の動作例を示す図である。
【図１８】図１８は、第２の実施形態に係る塗布装置の構成を示す模式側面図である。
【図１９】図１９は、第３の実施形態に係る塗布装置の構成を示す模式平面図である。
【図２０】図２０は、バーノズルの構成を示す模式背面図である。
【図２１】図２１は、重合基板の他の一例を示す模式側面図である。
【図２２】図２２は、重合基板の他の一例を示す模式側面図である。
【発明を実施するための形態】
【０００９】
以下、添付図面を参照して、本願の開示する塗布方法、塗布装置および接合システムの実施形態を詳細に説明する。なお、以下に示す実施形態によりこの発明が限定されるものではない。
【００１０】
（第１の実施形態）
＜１．接合システムの構成＞
まず、第１の実施形態に係る接合システムの構成について、図１および図２を参照して説明する。図１は、第１の実施形態に係る接合システムの構成を示す模式平面図である。また、図２は、重合基板の一例を示す模式側面図である。なお、以下においては、位置関係を明確にするために、互いに直交するＸ軸方向、Ｙ軸方向およびＺ軸方向を規定し、Ｚ軸正方向を鉛直上向き方向とする。
【００１１】
図１に示す第１の実施形態に係る接合システム１は、被処理基板Ｗおよび支持基板Ｓ（図２参照）を接着剤Ｇを介して接合することによって重合基板Ｔを形成する。
【００１２】
被処理基板Ｗは、たとえば、シリコンウェハや化合物半導体ウェハなどの半導体基板に複数の電子回路が形成された基板であり、電子回路が形成される側の板面を支持基板Ｓとの接合面Ｗｊとしている。かかる被処理基板Ｗは、支持基板Ｓとの接合後、接合面Ｗｊとは反対側の面である非接合面Ｗｎが研磨処理されることによって薄型化される。
【００１３】
一方、支持基板Ｓは、被処理基板Ｗと略同径の基板であり、被処理基板Ｗを支持する。支持基板Ｓとしては、たとえばガラス基板の他、シリコンウェハや化合物半導体ウェハなどの半導体基板等を用いることができる。接着剤Ｇは、かかる支持基板Ｓの被処理基板Ｗとの接合面Ｓｊに塗布される。
【００１４】
接着剤Ｇは、たとえば熱硬化性樹脂系の接着剤である。熱硬化性とは、常温（たとえば２０℃程度）では変形しにくいが加熱によって軟化して成形し易くなり、さらに加熱することで重合が進んで硬化し、もとの状態に戻らなくなる性質をいう。接着剤Ｇとしては、たとえば軟化温度が１２０〜１４０℃程度、硬化温度が１８０℃程度のものが用いられる。
【００１５】
接合システム１は、搬入出ステーション２と、処理ステーション３とを備える。搬入出ステーション２および処理ステーション３は、Ｘ軸正方向にこの順番で一体的に接続される。
【００１６】
搬入出ステーション２は、カセット載置台１０と、第１搬送領域２０とを備える。カセット載置台１０は、複数枚（たとえば、２５枚）の基板を水平状態で収容するカセットＣｗ，Ｃｓ，Ｃｔが載置される場所である。かかる搬入出ステーション２には、たとえば４つの載置部１１が一列に並べて載置される。各載置部１１には、たとえば、被処理基板Ｗを収容するカセットＣｗ、支持基板Ｓを収容するカセットＣｓおよび重合基板Ｔを収容するカセットＣｔがそれぞれ載置される。
【００１７】
第１搬送領域２０には、Ｙ軸方向に延在する搬送路２１と、この搬送路２１に沿って移動可能な第１搬送装置２２とが配置される。第１搬送装置２２は、Ｘ軸方向にも移動可能かつＺ軸周りに旋回可能であり、載置部１１に載置されたカセットＣｗ，Ｃｓ，Ｃｔと、後述する処理ステーション３の第１受渡部３０との間で被処理基板Ｗ、支持基板Ｓおよび重合基板Ｔの搬送を行う。
【００１８】
処理ステーション３は、第１受渡部３０と、第２搬送領域４０とを備える。また、処理ステーション３は、塗布・熱処理ブロックＧ１と、接合処理ブロックＧ２とを備える。
【００１９】
第１受渡部３０は、第１搬送領域２０と第２搬送領域４０との間に配置される。第１受渡部３０では、第１搬送領域２０に配置される第１搬送装置２２と、第２搬送領域４０に配置される第２搬送装置４１との間で、被処理基板Ｗ、支持基板Ｓおよび重合基板Ｔの受け渡しが行われる。
【００２０】
第２搬送領域４０には、第２搬送装置４１が配置される。第２搬送装置４１は、Ｘ軸方向およびＹ軸方向に移動可能かつＺ軸周りに旋回可能であり、第１受渡部３０、塗布装置５０、熱処理装置６０および接合装置７０間での被処理基板Ｗ、支持基板Ｓおよび重合基板Ｔの搬送を行う。
【００２１】
塗布・熱処理ブロックＧ１と接合処理ブロックＧ２とは、第２搬送領域４０を挟んで対向配置される。
【００２２】
塗布・熱処理ブロックＧ１には、塗布装置５０と複数の熱処理装置６０とが、それぞれ第２搬送領域４０に隣接して並べて配置される。塗布装置５０は、支持基板Ｓの接合面Ｓｊに接着剤Ｇを塗布する装置である。熱処理装置６０は、接着剤Ｇが塗布された支持基板Ｓを所定の温度に加熱する装置である。
【００２３】
接合処理ブロックＧ２には、４つの接合装置７０が第２搬送領域４０に隣接して並べて配置される。接合装置７０は、被処理基板Ｗと支持基板Ｓとの接合を行う装置である。接合装置７０としては、いずれの公知技術を用いて構わないが、たとえば特開２０１４−０２７１１８号公報に記載の接合装置を用いることができる。
【００２４】
また、接合システム１は、制御装置４を備える。制御装置４は、接合システム１の動作を制御する。かかる制御装置４は、たとえばコンピュータであり、制御部５と記憶部６とを備える。記憶部６には、接合処理等の各種処理を制御するプログラムが格納される。制御部５は、たとえばＣＰＵ（Central  Processing  Unit）であり、記憶部６に格納されたプログラムを読み出して実行することによって接合システム１の動作を制御する。
【００２５】
なお、かかるプログラムは、コンピュータによって読み取り可能な記録媒体に記録されていたものであって、その記録媒体から制御装置４の記憶部６にインストールされたものであってもよい。コンピュータによって読み取り可能な記録媒体としては、たとえばハードディスク（ＨＤ）、フレキシブルディスク（ＦＤ）、コンパクトディスク（ＣＤ）、マグネットオプティカルディスク（ＭＯ）、メモリカードなどがある。また、制御部５は、プログラムを用いずにハードウェアのみで構成されてもよい。
【００２６】
＜２．塗布装置の構成＞
次に、塗布装置５０の構成について図３および図４を参照して説明する。図３は、塗布装置５０の構成を示す模式平面図であり、図４は、同模式側面図である。
【００２７】
図３および図４に示すように、塗布装置５０は、チャンバ５１と、保持部５２と、回転機構５３と、ノズル５４と、移動機構５５と、カップ５６とを備える。
【００２８】
チャンバ５１は、保持部５２、回転機構５３、ノズル５４、移動機構５５およびカップ５６を収容する。なお、チャンバ５１の天井部には、図示しないＦＦＵ（Fan  Filter  Unit）が設けられる。ＦＦＵは、チャンバ５１内にダウンフローを形成する。
【００２９】
保持部５２は、チャンバ５１の略中央に設けられる。保持部５２は、たとえばポーラスチャックであり、支持基板Ｓを水平に吸着保持する。回転機構５３は、保持部５２を鉛直軸まわりに回転させる。これにより、保持部５２に保持された支持基板Ｓが、水平方向に回転する。なお、支持基板Ｓは、接合面Ｓｊを上方に向けた状態で保持部５２に保持される。
【００３０】
ノズル５４は、バルブや流量調節部等を含む供給機器群５４１を介して接着剤供給源５４２に接続されており、接着剤供給源５４２から供給される接着剤Ｇを支持基板Ｓに吐出する。接着剤供給源５４２には、図示しない加圧装置が設けられており、かかる加圧装置によって接着剤供給源５４２内の接着剤Ｇが加圧されてノズル５４へ送り出される。
【００３１】
なお、ノズル５４から吐出される接着剤Ｇには、接着剤Ｇの粘性を低下させて接着剤Ｇを支持基板Ｓ上に塗り広げやすくするために、たとえばシンナー等の有機溶剤が混合される。
【００３２】
図４に示すように、ノズル５４は移動機構５５に接続される。移動機構５５は、レール５５１と、ベース部５５２と、ノズルアーム５５３とを備える。
【００３３】
レール５５１は、チャンバ５１の底部に水平方向（ここでは、Ｘ軸方向）に沿って敷設される。ベース部５５２は、レール５５１上を移動するための図示しない水平移動機構と、ノズルアーム５５３を昇降させるための図示しない昇降移動機構とを備える。ノズルアーム５５３は、基端部がベース部５５２に接続され、先端部においてノズル５４を支持する。
【００３４】
上記のように構成された移動機構５５は、ベース部５５２の図示しない水平移動機構を用いてベース部５５２をレール５５１に沿って移動させることにより、ノズル５４を水平方向（ここでは、Ｘ軸方向）に水平移動させる。また、移動機構５５は、ベース部５５２の図示しない昇降移動機構を用いてノズルアーム５５３を昇降させることにより、ノズル５４を昇降させる。
【００３５】
カップ５６は、保持部５２に保持された支持基板Ｓの周囲を取り囲むように配置され、保持部５２の回転によって支持基板Ｓの外方に飛散する接着剤Ｇを受け止める。カップ５６の底部には、排液口５６１が形成されており、カップ５６によって受け止められた接着剤Ｇは、かかる排液口５６１から塗布装置５０の外部へ排出される。また、カップ５６の底部には、図示しないＦＦＵから供給されるダウンフローガスを塗布装置５０の外部へ排出する排気口５６２が形成される。
【００３６】
ここで、カップ５６には、支持基板Ｓの出し入れが行われる開口部における周縁の一部に切欠部５６３が形成される。切欠部５６３は、ノズル５４が収まる程度の大きさに形成される。
【００３７】
このように、カップ５６に切欠部５６３を設けることにより、たとえばカップ５６が支持基板Ｓに対して近接配置される場合であっても、カップ５６に阻害されることなく、ノズル５４を支持基板Ｓにおける外周部のより際に近い位置に配置させることができる。そして、これにより、後述する塗布処理において、支持基板Ｓに対して外周部のより際に近い位置から接着剤Ｇの吐出を開始させることが可能となる。
【００３８】
＜３．接合システムの具体的動作＞
次に、第１の実施形態に係る接合システム１が実行する接合処理の処理手順について図５を参照して説明する。図５は、接合システム１が実行する処理の処理手順を示すフローチャートである。なお、接合システム１が備える各装置は、制御装置４の制御に従って、図５に示す各処理手順を実行する。
【００３９】
接合システム１では、第１搬送装置２２が、搬入出ステーション２の載置部１１に載置されたカセットＣｓから支持基板Ｓを取り出して処理ステーション３の第１受渡部３０へ搬送する。このとき、支持基板Ｓは、非接合面Ｓｎが下方を向いた状態で搬送される。
【００４０】
第１受渡部３０に搬送された支持基板Ｓは、第２搬送装置４１によって第１受渡部３０から取り出された後、塗布装置５０へ搬送される。そして、塗布装置５０では、支持基板Ｓに対して接着剤Ｇを塗布する塗布処理が行われる（ステップＳ１０１）。
【００４１】
ここで、従来のスピンコート法を用いた塗布処理では、基板の中心部に供給された塗布材を基板の表面全体に塗り広げるために、基板を高速回転させる。しかしながら、基板を高速で回転させると、基板の外周部側の膜厚が中央部側と比べて大きくなり、膜厚均一性が低下するおそれがある。このため、膜厚均一性を向上させるためには、基板の回転数を抑えることが好ましい。
【００４２】
基板の回転数を抑えるために、たとえば特許文献１には、シンナー等の溶剤によるプリウェットを行ったうえで、塗布材の塗布を行うことが記載されている。プリウェットを行うことで、基板の表面を塗布材が拡散し易い状態となるため、低い回転数でも塗布材を基板の表面全体に塗布することが可能となる。
【００４３】
しかしながら、たとえば接着剤Ｇのように、溶剤に溶ける性質を有する塗布材を用いる場合、上記のようなプリウェットを行うことは困難である。
【００４４】
また、回転数を抑える他の方法として、多量の塗布材を基板に吐出することも考えられるが、塗布材の消費量が増えるためコスト面で好ましくない。
【００４５】
そこで、塗布材の消費量を抑えつつ、基板の回転数を抑えて膜厚均一性の高い接着剤Ｇの塗布膜を形成するために、第１の実施形態に係る塗布装置５０は、まず、支持基板Ｓを回転させつつ、支持基板Ｓに対して支持基板Ｓの径方向に間欠的に接着剤Ｇを塗布する。
【００４６】
これにより、支持基板Ｓ上には、接着剤Ｇが塗布された塗布領域と接着剤Ｇが塗布されていない未塗布領域とが、支持基板Ｓの径方向に沿って交互に形成される。そして、塗布装置５０は、支持基板Ｓの回転に伴う遠心力を利用し、塗布領域の接着剤Ｇを未塗布領域に塗り広げる。
【００４７】
かかる塗布処理によれば、従来のスピンコート法のように塗布材を基板の中心部から塗り広げる場合と比べ、低い回転数で接着剤Ｇを支持基板Ｓの表面全体に塗り広げることができ、膜厚均一性の高い塗布膜を得ることができる。
【００４８】
上述した塗布処理の内容について図６および図７〜図１４を参照してより具体的に説明する。図６は、塗布処理の処理手順を示すフローチャートである。また、図７〜図１４は、塗布処理の動作例を示す図である。
【００４９】
図６に示すように、支持基板Ｓが塗布装置５０の保持部５２に保持されると、回転機構５３を用いて保持部５２を回転させて、支持基板Ｓを回転させる（ステップＳ２０１）。このとき、塗布装置５０は、支持基板Ｓを第１の回転数で回転させる。第１の回転数は、たとえば３０ｒｐｍである。
【００５０】
つづいて、塗布装置５０は、移動機構５５を用いてノズル５４を支持基板Ｓの外周部に配置する（ステップＳ２０２）。上述したように、カップ５６には、切欠部５６３が形成されている（図３および図４参照）。このため、塗布装置５０は、図７に示すように、ノズル５４を支持基板Ｓにおける外周部のより際に近い位置に配置させることができる。
【００５１】
つづいて、塗布装置５０は、ノズル５４から支持基板Ｓへの接着剤Ｇの吐出を開始する（ステップＳ２０３）。
【００５２】
このとき、塗布装置５０は、図示しない加圧装置によって接着剤供給源５４２内の接着剤Ｇを予め加圧しておくとともに、供給機器群５４１のバルブをゆっくり開くことにより、接着剤Ｇをノズル５４から緩やかに吐出させる。これにより、接着剤Ｇがノズル５４から勢い良く吐出されて、支持基板Ｓ上に接着剤Ｇのかたまりが付着することを防止することができる。かかる接着剤Ｇのかたまりは、支持基板Ｓの回転に伴う遠心力によって支持基板Ｓの外方へ飛散してしまうため、上記のように制御することで、接着剤Ｇの無駄な消費を抑えることができる。
【００５３】
つづいて、塗布装置５０は、ノズル５４から接着剤Ｇを吐出させた状態で、移動機構５５を用いてノズル５４を支持基板Ｓの外周部から中心部へ向けて移動させる（ステップＳ２０４）。このとき、塗布装置５０は、接着剤Ｇが支持基板Ｓの径方向において互いに重ならない移動速度、具体的には、接着剤Ｇ同士の間に隙間が生じる移動速度でノズル５４を移動させる。すなわち、図８に示すように、塗布装置５０は、支持基板Ｓに対して径方向に間欠的に接着剤Ｇの未塗布領域Ｎを形成しつつ、接着剤Ｇを螺旋状に塗布する。
【００５４】
ここで、かかる処理においてノズル５４を等速で移動させた場合、支持基板Ｓ上における単位面積当たりの接着剤Ｇの供給量は、支持基板Ｓの外周部側よりも中心部側のほうが多くなる。
【００５５】
そこで、塗布装置５０は、移動機構５５を制御して、ノズル５４の移動速度を支持基板Ｓの中心部側ほど速くしてもよい。これにより、支持基板Ｓの中心部側への接着剤Ｇの供給量を減らすことができるため、支持基板Ｓ上における単位面積当たりの接着剤Ｇの供給量を均等に揃えることができる。
【００５６】
なお、塗布装置５０は、ノズル５４の移動速度を支持基板Ｓの外周部から中心部に向けて直線的または曲線的に増加させるのが好ましい。移動速度を階段状に変化させると接着剤Ｇの螺旋がいびつになり、膜厚均一性に影響を及ぼすおそれがあるためである。
【００５７】
また、塗布装置５０は、接着剤Ｇの吐出量を支持基板Ｓの中心部側ほど少なくしてもよい。かかる場合も、支持基板Ｓの中心部側への接着剤Ｇの供給量が減るため、支持基板Ｓ上における単位面積当たりの接着剤Ｇの供給量を均等に揃えることができる。
【００５８】
また、塗布装置５０は、ノズル５４が支持基板Ｓの中心部側に位置するときほど支持基板Ｓの回転数を遅くすることとしてもよい。かかる場合も同様に、支持基板Ｓ上における単位面積当たりの接着剤Ｇの供給量を均等に揃えることができる。
【００５９】
なお、ステップＳ２０１〜２０４の処理は、基板を回転させつつ、基板に対して基板の径方向に間欠的に塗布材を塗布する間欠塗布工程の一例に相当する。
【００６０】
つづいて、図９に示すように、ノズル５４が支持基板Ｓの中心部に到達すると、塗布装置５０は、ノズル５４からの接着剤Ｇの供給を継続しつつ、ノズル５４をその場で所定時間停止させるとともに、支持基板Ｓの回転を第１の回転数から第２の回転数に増速させる（ステップＳ２０５）。
【００６１】
図１０には、ステップＳ２０４までの処理を終えた支持基板Ｓの表面状態を示している。同図に示すように、支持基板Ｓ上には、接着剤Ｇが塗布された塗布領域と、接着剤Ｇが塗布されていない未塗布領域Ｎとが支持基板Ｓの径方向に沿って交互に形成されている。
【００６２】
そして、ステップＳ２０５において支持基板Ｓの回転を第２の回転数に増速させることで、図１１に示すように、支持基板Ｓ上の接着剤Ｇは、支持基板Ｓの回転に伴う遠心力によって未塗布領域Ｎに塗り広げられる。これにより、従来のスピンコート法のように塗布材を基板の中心部から塗り広げる場合と比べ、低い回転数で接着剤Ｇを支持基板Ｓの表面全体に塗り広げることができる。なお、第２の回転数は、たとえば１００ｒｐｍである。
【００６３】
塗布装置５０は、ノズル５４が支持基板Ｓの中心部に到達してから所定時間が経過すると、ノズル５４からの接着剤Ｇの吐出を終了する（ステップＳ２０６）。なお、ステップＳ２０５およびステップＳ２０６の処理は、基板の中心部に対して塗布材を吐出する中心部吐出工程の一例に相当する。また、ステップＳ２０５の処理は、間欠塗布工程によって基板上に径方向に間欠的に形成された塗布材の未塗布領域に、基板の回転に伴う遠心力を利用して基板上の塗布材を塗り広げる拡散工程の一例にも相当する。
【００６４】
つづいて、塗布装置５０は、支持基板Ｓの回転を第２の回転数から第３の回転数に増速させる（ステップＳ２０７）。第３の回転数は、たとえば２００ｒｐｍである。これにより、ステップＳ２０５において支持基板Ｓの中心部に吐出された接着剤Ｇが支持基板Ｓの表面全体に塗り広げられる。その後、塗布装置５０は、支持基板Ｓの回転を停止し（ステップＳ２０８）、塗布処理を終了する。
【００６５】
図１２に示すように、支持基板Ｓ上には、ステップＳ２０１〜Ｓ２０５によって接着剤Ｇの薄膜が形成された状態となっている。言い換えれば、支持基板Ｓの表面が接着剤Ｇによってプリウェットされた状態となっているため、塗布装置５０は、支持基板Ｓの中心部に吐出された接着剤Ｇを比較的低い回転数で支持基板Ｓの外周部まで拡散させることができる（図１３参照）。そして、支持基板Ｓの中心部に吐出された接着剤Ｇが支持基板Ｓの表面全体に塗り広げられることで、図１４に示すように接着剤Ｇの厚膜が形成される。なお、接着剤Ｇの膜厚は、たとえば４０〜１５０μｍである。
【００６６】
このように、第１の実施形態に係る塗布装置５０によれば、比較的低い回転数で接着剤Ｇの塗布膜を形成することができるため、従来のスピンコート法による塗布処理と比較して塗布膜の膜厚均一性を向上させることができる。また、多量の接着剤Ｇを吐出する必要もないため、コスト面で不利になることもない。
【００６７】
上述した塗布処理の例では、ステップＳ２０５において、支持基板Ｓの表面全体に接着剤Ｇの薄膜が形成されることとしたが、接着剤Ｇの薄膜は、ステップＳ２０５〜Ｓ２０７の処理にかけて形成されてもよい。すなわち、ステップＳ２０３，Ｓ２０４において支持基板Ｓに吐出された接着剤Ｇの未塗布領域Ｎへの拡散と、ステップＳ２０５において支持基板Ｓの中心部に吐出された接着剤Ｇの拡散とが並行して行われても構わない。
【００６８】
かかる場合、少なくとも、ステップＳ２０５において支持基板Ｓの中心部に吐出された接着剤Ｇが支持基板Ｓ上の未塗布領域Ｎに到達する前に、その未塗布領域Ｎに接着剤Ｇが塗り広げられた状態となっていればよい。未塗布領域Ｎに接着剤Ｇが塗り広げられるより先に、支持基板Ｓの中心部に吐出された接着剤Ｇがその未塗布領域Ｎに到達した場合、接着剤Ｇ中にボイドが生じるおそれがあるためである。
【００６９】
また、上述した塗布処理の例では、ステップＳ２０２〜Ｓ２０４において、ノズル５４を支持基板Ｓの外周部から中心部へ向けて移動させることとしたが、塗布装置５０は、ノズル５４を支持基板Ｓの中心部から外周部へ向けて移動させてもよい。なお、上述した例のようにノズル５４を支持基板Ｓの外周部から中心部へ向けて移動させた場合、そのままステップＳ２０５の処理に移行できるため、ノズル５４を支持基板Ｓの中心部から外周部へ向けて移動させる場合と比較して、処理時間を短くすることができる。
【００７０】
また、上述した塗布処理の例では、間欠塗布工程（ステップＳ２０２〜Ｓ２０４）を行った後、中心部吐出工程（ステップＳ２０５，Ｓ２０６）を行うこととしたが、中心部吐出工程を行った後で、間欠塗布工程を行ってもよい。かかる場合、塗布装置５０は、ノズル５４を支持基板Ｓの中心部から外周部へ向けて移動させることが好ましい。
【００７１】
また、たとえば接着剤Ｇの膜厚が比較的薄くてもよい場合には、中心部吐出工程（ステップＳ２０５，Ｓ２０６）は、必ずしも実行されることを要しない。かかる場合でも、間欠塗布工程および拡散工程によって膜厚均一性を向上させることが可能である。
【００７２】
ステップＳ１０１（図５参照）の塗布処理が終了すると、支持基板Ｓは、第２搬送装置４１によって塗布装置５０から取り出されて、熱処理装置６０へ搬送される。
【００７３】
熱処理装置６０では、支持基板Ｓを所定の温度に加熱する処理が行われる（ステップＳ１０２）。これにより、支持基板Ｓに塗布された接着剤Ｇに含まれる有機溶剤が気化する。その後、支持基板Ｓは、熱処理装置６０内で所定の温度、たとえば常温に冷却される。なお、有機溶剤が気化した接着剤Ｇは、支持基板Ｓを傾けても垂れない程度に硬くなる。
【００７４】
つづいて、支持基板Ｓは、第２搬送装置４１によって熱処理装置６０から取り出された後、接合装置７０へ搬送される（ステップＳ１０３）。支持基板Ｓは、たとえば接合面Ｓｊを上方に向けた状態で、接合装置７０の第１保持部に保持される。
【００７５】
一方、上述したステップＳ１０１〜Ｓ１０３の処理と重複して、被処理基板Ｗに対する処理も行われる。
【００７６】
被処理基板Ｗは、第１搬送装置２２によってカセットＣｗから取り出されて処理ステーション３の第１受渡部３０へ搬送される。このとき、被処理基板Ｗは、非接合面Ｗｎが下方を向いた状態で搬送される。
【００７７】
第１受渡部３０に搬送された被処理基板Ｗは、第２搬送装置４１によって第１受渡部３０から取り出された後、接合装置７０へ搬送される（ステップＳ１０４）。この際、被処理基板Ｗは、接合装置７０が備える反転機構によって表裏が反転されて、接合面Ｗｊが下方を向いた状態となる。そして、被処理基板Ｗは、接合面Ｗｊを下方に向けた状態で、支持基板Ｓを保持する第１保持部と対向配置される第２保持部に保持される。
【００７８】
つづいて、接合装置７０では、被処理基板Ｗと支持基板Ｓとの接合処理を行う（ステップＳ１０５）。たとえば、接合装置７０は、第２保持部を降下させて、被処理基板Ｗと支持基板Ｓとを接触および加圧する。これにより、被処理基板Ｗと支持基板Ｓとは接合されて重合基板Ｔが形成される。
【００７９】
その後、重合基板Ｔは、第２搬送装置４１によって接合装置７０から取り出された後、第１受渡部３０を介して第１搬送装置２２へ受け渡され、第１搬送装置２２によってカセットＣｔへ収容される。こうして、一連の接合処理は終了する。
【００８０】
上述してきたように、第１の実施形態に係る接合システム１は、処理ステーション３と、搬入出ステーション２とを備える。処理ステーション３は、支持基板Ｓ（「第１基板」の一例に相当）および被処理基板Ｗ（「第２基板」の一例に相当）に対して所定の処理を行う。搬入出ステーション２は、支持基板Ｓ、被処理基板Ｗまたは重合基板Ｔを処理ステーション３に対して搬入出する。また、処理ステーション３は、塗布装置５０と、接合装置７０とを備える。塗布装置５０は、支持基板Ｓに対して接着剤Ｇを塗布する。接合装置７０は、支持基板Ｓと被処理基板Ｗとを接着剤Ｇを介して接合する。
【００８１】
また、塗布装置５０は、保持部５２と、回転機構５３と、ノズル５４と、移動機構５５と、制御部５とを備える。保持部５２は、支持基板Ｓを保持する。回転機構５３は、保持部５２を回転させる。ノズル５４は、保持部５２に保持された支持基板Ｓに対して接着剤Ｇを吐出する。移動機構５５は、ノズル５４を移動させる。制御部５は、保持部５２に保持された支持基板Ｓを回転機構５３を用いて回転させつつ、ノズル５４から支持基板Ｓに対して支持基板Ｓの径方向に間欠的に接着剤Ｇを塗布する間欠塗布処理と、間欠塗布処理によって支持基板Ｓ上に径方向に間欠的に形成された接着剤Ｇの未塗布領域Ｎに対し、支持基板Ｓの回転に伴う遠心力を利用して支持基板Ｓ上の接着剤Ｇを塗り広げる拡散処理とを実行する。
【００８２】
したがって、第１の実施形態に係る接合システム１によれば、膜厚均一性を向上させることができる。
【００８３】
なお、上述した例では、支持基板Ｓ上に接着剤Ｇを螺旋状に塗布する場合の例について説明したが、塗布装置５０は、支持基板Ｓ上に接着剤Ｇを同心円状に塗布してもよい。かかる場合について、図１５〜図１７を参照して説明する。図１５は、塗布処理の他の動作例を示す図である。
【００８４】
塗布装置５０は、ノズル５４を支持基板Ｓの外周部に配置させた後、ノズル５４から支持基板Ｓへの接着剤Ｇの吐出を開始する。つづいて、塗布装置５０は、支持基板Ｓを一回転させることによって、支持基板Ｓの外周部に接着剤Ｇを環状に塗布する（図１５参照）。その後、塗布装置５０は、ノズル５４から支持基板Ｓへの接着剤Ｇの吐出を停止する。
【００８５】
つづいて、塗布装置５０は、ノズル５４を支持基板Ｓの中心部側へ所定距離、具体的には、支持基板Ｓに塗布される接着剤Ｇの幅よりも長い距離だけ移動させる。そして、塗布装置５０は、再びノズル５４から支持基板Ｓへの接着剤Ｇの吐出を開始するとともに、支持基板Ｓを一回転させて、支持基板Ｓの外周部に接着剤Ｇを環状に塗布する。これにより、図１６に示すように、支持基板Ｓには、接着剤Ｇが塗布された塗布領域と、接着剤Ｇが塗布されていない未塗布領域Ｎとが交互に形成される。その後、塗布装置５０は、ノズル５４から支持基板Ｓへの接着剤Ｇの吐出を停止する。
【００８６】
塗布装置５０は、支持基板Ｓに接着剤Ｇを吐出する動作と接着剤Ｇの吐出位置を支持基板Ｓの中心部へ移動させる動作とを交互に行う。これにより、図１７に示すように、支持基板Ｓには、接着剤Ｇが同心円状に塗布される。
【００８７】
このように、支持基板Ｓに対して接着剤Ｇを同心円状に塗布した場合も、支持基板Ｓに対して接着剤Ｇを螺旋状に塗布した場合と同様に、膜厚均一性を向上させることができる。
【００８８】
（第２の実施形態）
上述した第１の実施形態では、１つのノズル５４を用いて間欠塗布工程および中心部吐出工程を実行する場合の例を示したが、塗布装置は、間欠塗布工程用のノズルと中心部吐出工程用のノズルとをそれぞれ備えていてもよい。かかる場合の例について図１８を参照して説明する。図１８は、第２の実施形態に係る塗布装置の構成を示す模式側面図である。なお、以下の説明では、既に説明した部分と同様の部分については、既に説明した部分と同一の符号を付し、重複する説明を省略する。
【００８９】
図１８に示すように、第２の実施形態に係る塗布装置５０Ａは、ノズル５７と移動機構５８とをさらに備える。
【００９０】
ノズル５７は、バルブや流量調節部等を含む供給機器群を介して接着剤供給源に接続されており、接着剤供給源から供給される接着剤Ｇを支持基板Ｓに吐出する。なお、ノズル５７は、ノズル５４と接着剤供給源５４２を共用してもよい。
【００９１】
また、ノズル５７は、移動機構５８に接続される。移動機構５８は、ベース部５８２と、ノズルアーム５８３とを備える。
【００９２】
ベース部５８２は、レール５５１上を移動するための図示しない水平移動機構と、ノズルアーム５８３を昇降させるための図示しない昇降移動機構とを備える。ノズルアーム５８３は、基端部がベース部５８２に接続され、先端部においてノズル５７を支持する。
【００９３】
なお、ここでは、移動機構５８が、移動機構５５のレール５５１を共用する場合の例を示したが、たとえばカップ５６を挟んでレール５５１と反対側の領域に移動機構５８用のレールを別途設けてもよい。
【００９４】
上記のように構成された塗布装置５０Ａは、ノズル５４を用いて間欠塗布工程を行い、ノズル５７を用いて中心部吐出工程を行う。
【００９５】
たとえば、塗布装置５０Ａは、支持基板Ｓの回転を開始させた後、ノズル５４を支持基板Ｓの中心部に配置させ、ノズル５４から支持基板Ｓに接着剤Ｇを吐出させつつノズル５４を支持基板Ｓの外周側へ移動させる。
【００９６】
つづいて、塗布装置５０Ａは、ノズル５４が支持基板Ｓの中心部から移動した後、かつ、ノズル５４が支持基板Ｓの外周部に到達する前に、ノズル５７を支持基板Ｓの中心部へ移動させて、ノズル５７から支持基板Ｓの中心部に接着剤Ｇを吐出する。
【００９７】
このように、塗布装置５０Ａは、間欠塗布工程用のノズル５４（第１ノズルの一例に相当）と、中心部吐出工程用のノズル５７（第２ノズルの一例に相当）とを備えることにより、間欠塗布工程と中心部吐出工程とを並行して行うことができるため、処理時間を短くすることができる。
【００９８】
（第３の実施形態）
次に、ノズルの変形例について図１９を参照して説明する。図１９は、第３の実施形態に係る塗布装置の構成を示す模式平面図である。
【００９９】
図１９に示すように、第３の実施形態に係る塗布装置５０Ｂは、バーノズル５９を備える。バーノズル５９は、支持基板Ｓの半径と略同等の長さを有する棒状のノズルであり、複数の吐出口５９１ａ〜５９１ｆを備える。複数の吐出口５９１ａ〜５９１ｆは、バーノズル５９の長手方向すなわち支持基板Ｓの径方向に沿って所定の間隔をあけて並べて配置される。バーノズル５９は、これらの吐出口５９１ａ〜５９１ｆから支持基板Ｓに対して接着剤Ｇを吐出する。
【０１００】
バーノズル５９が備える吐出口５９１ａ〜５９１ｆのうち、吐出口５９１ｆは、中心部吐出工程用の吐出口であり、その他の吐出口５９１ａ〜５９１ｅは、間欠塗布工程用の吐出口である。なお、吐出口５９１ｆが支持基板Ｓの中心部に対向する位置に配置された状態で、吐出口５９１ａは、支持基板Ｓの外周部に対向する位置に配置される。
【０１０１】
吐出口５９１ａ〜５９１ｅは、バルブや流量調節部等を含む供給機器群５９２を介して接着剤供給源５９３に接続され、吐出口５９１ｆは、バルブや流量調節部等を含む供給機器群５９４を介して接着剤供給源５９５に接続される。なお、吐出口５９１ａ〜５９１ｅおよび吐出口５９１ｆは、接着剤供給源５９３または接着剤供給源５９５を共用してもよい。
【０１０２】
塗布装置５０Ｂは、吐出口５９１ｆの位置が支持基板Ｓの中心部に一致するようにバーノズル５９を支持基板Ｓ上に配置させた後、吐出口５９１ａ〜５９１ｅから支持基板Ｓに接着剤Ｇを吐出させるとともに、支持基板Ｓを一回転させる。これにより、一回の動作で、接着剤Ｇを支持基板Ｓに対して同心円状に塗布することができる。
【０１０３】
つづいて、塗布装置５０Ｂは、吐出口５９１ａ〜５９１ｅからの接着剤Ｇの吐出を停止した後、支持基板Ｓの回転を増速させたうえで、吐出口５９１ｆから支持基板Ｓに接着剤Ｇを吐出させる。その後、塗布装置５０Ｂは、上述したステップＳ２０６〜Ｓ２０８と同様の処理を行って支持基板Ｓ上に接着剤Ｇの塗布膜を形成する。
【０１０４】
ここで、バーノズル５９の構成について図２０を参照して説明する。図２０は、バーノズル５９の構成を示す模式背面図である。
【０１０５】
図２０に示すように、バーノズル５９が備える吐出口５９１ａ〜５９１ｆのうち、間欠塗布工程用の吐出口５９１ａ〜５９１ｅは、支持基板Ｓの中心部に近いものほど径が小さく形成される。すなわち、吐出口５９１ａ〜５９１ｅの径は、支持基板Ｓの外周部に対応する吐出口５９１ａが最も大きく、支持基板Ｓの中心部に最も近い吐出口５９１ｅが最も小さく形成される。これにより、支持基板Ｓの中心部側への接着剤Ｇの供給量を減らすことができるため、支持基板Ｓ上における単位面積当たりの接着剤Ｇの供給量を均等に揃えることができる。
【０１０６】
なお、バーノズル５９は、吐出口５９１ａ〜５９１ｅごとに、供給機器群および接着剤供給源を設けてもよい。かかる場合、接着剤Ｇの吐出量を支持基板Ｓの中心部に近い吐出口ほど少なくすることで、支持基板Ｓ上における単位面積当たりの接着剤Ｇの供給量を均等に揃えることができる。この場合、吐出口５９１ａ〜５９１ｅは、すべて同じ径を有していてもよい。
【０１０７】
（その他の実施形態）
上述した各実施形態では、支持基板Ｓと被処理基板Ｗとを接着剤Ｇを介して接合する場合の例について説明した。しかしながら、これに限らず、支持基板Ｓと被処理基板Ｗとは、接着剤Ｇに加えて「剥離剤」を介して接合されてもよい。図２１は、重合基板の他の一例を示す模式側面図である。
【０１０８】
図２１に示すように、剥離剤Ｒは、被処理基板Ｗの接合面Ｗｊ側に設けられる。かかる剥離剤Ｒは、重合基板Ｔを被処理基板Ｗと支持基板Ｓとに剥離する際に、被処理基板Ｗと支持基板Ｓとの剥離を円滑に行う目的で塗布される。剥離剤Ｒとしては、接着剤Ｇよりも接着力が低く、粘性が低い材料が用いられる。
【０１０９】
また、支持基板Ｓと被処理基板Ｗとは、接着剤Ｇおよび剥離剤Ｒに加えて「保護剤」をさらに介して接合されてもよい。図２２は、重合基板の他の一例を示す模式側面図である。
【０１１０】
図２２に示すように、保護剤Ｐ、剥離剤Ｒおよび接着剤Ｇは、被処理基板Ｗ側からこの順番で設けられる。保護剤Ｐとしては、接着剤Ｇよりも接着力が低く、粘性が低い材料が用いられる。また、保護剤Ｐとしては、剥離剤Ｒよりも接着力が高いものが使用される。
【０１１１】
かかる保護剤Ｐは、被処理基板Ｗの接合面Ｗｊに形成される回路やバンプ等を保護する目的で被処理基板Ｗに塗布される。
【０１１２】
すなわち、剥離剤Ｒは、接着剤Ｇと比べて接着力が低いため、剥離剤Ｒを厚く塗布すると、重合基板Ｔの接合力が弱くなってしまう。このため、剥離剤Ｒは、薄く塗布することが好ましい。しかしながら、被処理基板Ｗの接合面Ｗｊにはバンプ等が形成されているため、剥離剤Ｒを薄く塗布するとバンプが剥離剤Ｒに埋まらずに、剥離剤Ｒが塗布された後の接合面Ｗｊに段差が生じる可能性がある。このように、被処理基板Ｗの接合面Ｗｊに段差がある状態すなわち接合面Ｗｊの表面積が大きい状態で支持基板Ｓとの接合を行うと、接着剤Ｇによって被処理基板Ｗと支持基板Ｓとが強力に接合されてしまうため、被処理基板Ｗと支持基板Ｓとを剥離する際に大きな力が必要となる。
【０１１３】
そこで、図２２に示すように、剥離剤Ｒよりも接着力の強い保護剤Ｐを被処理基板Ｗの接合面Ｗｊに塗布し、保護剤Ｐでバンプを埋めたうえで剥離剤Ｒをさらに塗布する。これにより、被処理基板Ｗの接合面Ｗｊの表面積を小さく抑えつつ、剥離剤Ｒを薄く塗布することができる。したがって、後の剥離工程において、被処理基板Ｗと支持基板Ｓとを容易に剥離することができる。
【０１１４】
塗布装置５０，５０Ａ，５０Ｂは、被処理基板Ｗに剥離剤Ｒや保護剤Ｐを塗布する場合にも用いることができる。すなわち、剥離剤Ｒは、たとえば上述したステップＳ２０１〜Ｓ２０８と同様の処理によって被処理基板Ｗの接合面Ｗｊに塗布される。
【０１１５】
上述した実施形態では、支持基板Ｓが第１基板の一例であり、被処理基板Ｗが第２基板の一例である場合の例について説明したが、被処理基板Ｗが第１基板であり、支持基板Ｓが第２基板であってもよい。すなわち、被処理基板Ｗに接着剤Ｇが塗布されてもよい。
【０１１６】
さらなる効果や変形例は、当業者によって容易に導き出すことができる。このため、本発明のより広範な態様は、以上のように表しかつ記述した特定の詳細および代表的な実施形態に限定されるものではない。したがって、添付の特許請求の範囲およびその均等物によって定義される総括的な発明の概念の精神または範囲から逸脱することなく、様々な変更が可能である。
【符号の説明】
【０１１７】
Ｗ  被処理基板
Ｓ  支持基板
Ｔ  重合基板
Ｇ  接着剤
Ｎ  未塗布領域
１  接合システム
２  搬入出ステーション
３  処理ステーション
４  制御装置
５  制御部
５０  塗布装置
５１  チャンバ
５２  保持部
５３  回転機構
５４  ノズル
５５  移動機構
５６  カップ
６０  熱処理装置
７０  接合装置
【図１】
2015167908.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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