(57)【要約】【課題】処理液供給の要求があったときに希釈薬液を調合して複数の被処理体に対して同時に供給するにあたって、異なる温度要求に対応する。【解決手段】液処理装置は、第１温度の希釈液が流れる第１希釈液ライン（６０４）と、第１温度より高温の第２温度の希釈液が流れる第２希釈液ライン（５０４）と、薬液ライン（４０４等）とを備える。第１希釈液ラインから分岐した第１希釈液流量調整部（６１６）付きの複数の第１希釈液分岐ライン（６１２）、第２希釈液ラインから分岐した第２希釈液流量調整部（５１６）付きの複数の第２希釈液分岐ライン（５１２）、及び薬液ラインから分岐した薬液流量調整部（４１６）付きの複数の薬液分岐ライン（４１２）の各一つが、各液処理ユニットに希釈薬液を供給する希釈薬液供給ライン（８２０等）に接続されている。【選択図】図２Ａ
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
希釈薬液を被処理体に供給することにより被処理体に液処理を施す複数の液処理ユニットと、
前記液処理ユニットに前記希釈薬液を供給する希釈薬液供給機構と、を備え、
前記希釈薬液供給機構は、
第１温度の希釈液が流れる第１希釈液ラインと、
第１温度より高温である第２温度の希釈液が流れる第２希釈液ラインと、
薬液が流れる薬液ラインと、
前記第１希釈液ラインより分岐した複数の第１希釈液分岐ラインであって、各々の経路上に、前記第１希釈液ラインから流入する希釈液の流量を調整する第１希釈液流量調整部が設けられている、複数の第１希釈液分岐ラインと、
前記第２希釈液ラインより分岐した複数の第２希釈液分岐ラインであって、各々の経路上に、前記第２希釈液ラインから流入する希釈液の流量を調整する第２希釈液流量調整部が設けられている、複数の第２希釈液分岐ラインと、
前記薬液ラインより分岐した複数の薬液分岐ラインであって、各々の経路上に、前記薬液ラインから流入する希釈液の流量を調整する薬液流量調整部が設けられている、複数の薬液分岐ラインと、
前記複数の液処理ユニットにそれぞれ前記希釈薬液を供給する複数の希釈薬液供給ラインであって、各々に、前記第１希釈液分岐ライン、前記第２希釈液分岐ライン及び前記薬液分岐ラインの各一つが接続されている、複数の希釈薬液供給ラインと、
を有している液処理装置。
【請求項２】
前記各第１希釈液流量調整部、前記各第２希釈液流量調整部及び前記各薬液ラインの薬液流量調整部を個別に制御する制御部と、
をさらに有しており、
前記制御部は、
予め設定された前記液処理ユニットに供給する希釈薬液の組成に基づいて、前記希釈薬液供給ラインに流す第１温度の希釈液と第２温度の希釈液の合計流量と、前記希釈薬液供給ラインに流す薬液の流量と、を決定し、
さらに、予め設定された前記液処理ユニットに供給する希釈薬液の温度と、前記合計流量に基づいて、前記希釈薬液供給ラインに流す第１温度の希釈液の流量と、前記希釈薬液供給ラインに流す第２温度の希釈液の流量と、を決定し、
決定した前記各流量を元に前記第１希釈液流量調整部、前記第２希釈液流量調整部及び前記薬液ラインの薬液流量調整部を制御することを特徴とする液処理装置。
【請求項３】
前記制御部は、希釈薬液の温度を調節する際に、前記第１希釈液分岐ラインから前記処理液供給ラインに流入する第１温度の希釈液の流量と、前記第２希釈液分岐ラインから前記処理液供給ラインに流入する第２温度の希釈液の流量との和を一定に維持しつつ、第１温度の希釈液の流量と第２温度の希釈液の流量との比を変更するように前記第１希釈液流量調整部及び前記第２希釈液流量調整部を制御する、請求項２記載の液処理装置。
【請求項４】
前記希釈薬液供給機構は、混合後の希釈薬液の温度を測定する前記処理液供給ラインに設けられた温度計をさらに有しており、前記制御部は、前記温度計により測定された希釈薬液の実際温度が、希釈薬液の目標温度に一致するように第１温度の希釈液の流量と第２温度の希釈液の流量との比を補正する、請求項３記載の液処理装置。
【請求項５】
複数の被処理体の各々に対して対応する希釈液供給ラインから希釈薬液を供給して各被処理体に同時に液処理を施す液処理方法において、
各希釈薬液供給ラインに対して、第１希釈液ラインから第１温度の希釈液を流入させ、第２希釈液ラインから第１温度より高温である第２温度の希釈液を流入させ、かつ、少なくとも１つの薬液ラインから薬液を流入させることと、
前記各希釈薬液供給ライン内で前記第１温度の希釈液、前記第２温度の希釈液及び前記薬液を相互に混合して予め設定された組成になるように希釈薬液を生成するとともに、生成した希釈薬液を被処理体に供給することと、
予め設定された希釈薬液の温度に応じて、前記各希釈薬液供給ラインに流入する前記第１希釈液ラインからの第１温度の希釈液の流量と、前記第２希釈液ラインからの第２温度の希釈液の流量との比を変化させることと、
を備えた液処理方法。
【請求項６】
前記各希釈薬液供給ラインに流入する前記第１希釈液ラインからの第１温度の希釈液の流量と、前記第２希釈液ラインからの第２温度の希釈液の流量との比を変化させるときに、前記第１温度の希釈液の流量と前記第２温度の希釈液の流量との和を変化させない、請求項５記載の基板処理方法。
【請求項７】
前記各希釈薬液供給ラインを流れる希釈薬液の実際温度を測定することと、
測定された希釈薬液の実際温度が目標温度となるように、対応する希釈液供給ラインに流入する前記第１温度の希釈液の流量と前記第２温度の希釈液の流量との比を補正することと、
をさらに備えた請求項６記載の基板液処理方法。
【請求項８】
液処理装置の動作を制御する制御装置としてのコンピュータにより実行されることにより、前記コンピュータが前記液処理装置を制御して請求項５から７のうちのいずれか一項に記載された位置ずれ補正方法を実行するプログラムを格納した記憶媒体。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、薬液を希釈液で希釈してなる希釈薬液を用いて被処理体に所定の液処理を施す際の希釈薬液の温度制御技術に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体装置の製造工程には、半導体ウエハ等の被処理体に所定の処理液を供給して、洗浄あるいはウエットエッチング等の液処理を行う工程が含まれる。このような液処理を行う液処理装置に設けられる処理液供給機構の一例が特許文献１に記載されている。特許文献１に記載の処理液供給機構では、一つの純水供給ラインに、それぞれが異なる種類の薬液を供給する複数の薬液供給ラインが並列に接続されている。選択された１つまたは複数の薬液供給ラインからそれぞれ制御された流量で純水供給ラインに薬液を供給することにより、１種類または複数種類の薬液が純水供給ラインを流れる純水に混合され、希釈薬液が調合される。この生成された希釈薬液が処理液として被処理体に供給される。
【０００３】
液処理装置では、同一組成の希釈薬液からなる処理液を異なる温度で複数の被処理体に対して同時に供給することが求められる場合がある。しかし、特許文献１記載の処理液供給機構では、このような要求に対応することができない。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００７−２６６５５４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
本発明は、処理液供給の要求があったときに希釈薬液からなる処理液を調合して複数の被処理体に対して同時に供給するにあたって、異なる温度要求に対応することができる技術を提供するものである。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明は、希釈薬液を被処理体に供給することにより被処理体に液処理を施す複数の液処理ユニットと、前記液処理ユニットに前記希釈薬液を供給する希釈薬液供給機構と、を備え、前記希釈薬液供給機構は、第１温度の希釈液が流れる第１希釈液ラインと、第１温度より高温である第２温度の希釈液が流れる第２希釈液ラインと、薬液が流れる薬液ラインと、前記第１希釈液ラインより分岐した複数の第１希釈液分岐ラインであって、各々の経路上に、前記第１希釈液ラインから流入する希釈液の流量を調整する第１希釈液流量調整部が設けられている、複数の第１希釈液分岐ラインと、前記第２希釈液ラインより分岐した複数の第２希釈液分岐ラインであって、各々の経路上に、前記第２希釈液ラインから流入する希釈液の流量を調整する第２希釈液流量調整部が設けられている、複数の第２希釈液分岐ラインと、前記薬液ラインより分岐した複数の薬液分岐ラインであって、各々の経路上に、前記薬液ラインから流入する希釈液の流量を調整する薬液流量調整部が設けられている、複数の薬液分岐ラインと、前記複数の液処理ユニットにそれぞれ前記希釈薬液を供給する複数の希釈薬液供給ラインであって、各々に、前記第１希釈液分岐ライン、前記第２希釈液分岐ライン及び前記薬液分岐ラインの各一つが接続されている、複数の希釈薬液供給ラインと、を有している液処理装置を提供する。
【０００７】
また、本発明は、複数の被処理体の各々に対して対応する希釈液供給ラインから希釈薬液を供給して各被処理体に同時に液処理を施す液処理方法において、各希釈薬液供給ラインに対して、第１希釈液ラインから第１温度の希釈液を流入させ、第２希釈液ラインから第１温度より高温である第２温度の希釈液を流入させ、かつ、少なくとも１つの薬液ラインから薬液を流入させることと、前記各希釈薬液供給ライン内で前記第１温度の希釈液、前記第２温度の希釈液及び前記薬液を相互に混合して予め設定された組成になるように希釈薬液を生成するとともに、生成した希釈薬液を被処理体に供給することと、予め設定された希釈薬液の温度に応じて、前記各希釈薬液供給ラインに流入する前記第１希釈液ラインからの第１温度の希釈液の流量と、前記第２希釈液ラインからの第２温度の希釈液の流量との比を変化させることと、を備えた液処理方法を提供する。
【０００８】
さらに、本発明は、液処理装置において上記液処理方法を実行させるためのプログラムを記録した記憶媒体を提供する。
【発明の効果】
【０００９】
本発明によれば、各希釈薬液供給ラインに流入する温度の異なる希釈液の混合比を変更することにより希釈薬液の温度を変更できるので、複数の被処理体に対して希釈薬液を同時に供給するにあたって、異なる温度要求に対応することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１０】
【図１】本発明による液処理装置の一実施形態に係る基板処理システムの全体構成を概略的に示す平面図である。
【図２Ａ】基板処理システムの処理液供給機構の一部の流体回路図である。
【図２Ｂ】基板処理システムの処理液供給機構の他の一部の流体回路図である。
【図３】処理液供給機構における流量制御について説明する図である。
【図４】処理液供給機構における流量制御について説明する図である。
【図５】使用済み処理液を回収して再利用するための構成について説明する流体回路図である。
【発明を実施するための形態】
【００１１】
図１は、本実施形態に係る基板処理システムの概略構成を示す図である。以下では、位置関係を明確にするために、互いに直交するＸ軸、Ｙ軸およびＺ軸を規定し、Ｚ軸正方向を鉛直上向き方向とする。
【００１２】
図１に示すように、基板処理システム１は、搬入出ステーション２と、処理ステーション３とを備える。搬入出ステーション２と処理ステーション３とは隣接して設けられる。
【００１３】
搬入出ステーション２は、キャリア載置部１１と、搬送部１２とを備える。キャリア載置部１１には、複数枚のウエハＷを水平状態で収容する複数のキャリアＣが載置される。
【００１４】
搬送部１２は、キャリア載置部１１に隣接して設けられ、内部に基板搬送装置１３と、受渡部１４とを備える。基板搬送装置１３は、ウエハＷを保持する基板保持機構を備える。また、基板搬送装置１３は、水平方向および鉛直方向への移動ならびに鉛直軸を中心とする旋回が可能であり、基板保持機構を用いてキャリアＣと受渡部１４との間でウエハＷの搬送を行う。
【００１５】
処理ステーション３は、搬送部１２に隣接して設けられる。処理ステーション３は、搬送部１５と、複数の処理ユニット１６とを備える。複数の処理ユニット１６は、搬送部１５の両側に並べて設けられる。
【００１６】
搬送部１５は、内部に基板搬送装置１７を備える。基板搬送装置１７は、ウエハＷを保持する基板保持機構を備える。また、基板搬送装置１７は、水平方向および鉛直方向への移動ならびに鉛直軸を中心とする旋回が可能であり、基板保持機構を用いて受渡部１４と処理ユニット１６との間でウエハＷの搬送を行う。
【００１７】
処理ユニット１６は、基板搬送装置１７によって搬送されるウエハＷに対して所定の基板処理を行う。
【００１８】
また、基板処理システム１は、制御装置４を備える。制御装置４は、たとえばコンピュータであり、制御部１８と記憶部１９とを備える。記憶部１９には、基板処理システム１において実行される各種の処理を制御するプログラムが格納される。制御部１８は、記憶部１９に記憶されたプログラムを読み出して実行することによって基板処理システム１の動作を制御する。
【００１９】
なお、かかるプログラムは、コンピュータによって読み取り可能な記憶媒体に記録されていたものであって、その記憶媒体から制御装置４の記憶部１９にインストールされたものであってもよい。コンピュータによって読み取り可能な記憶媒体としては、たとえばハードディスク（ＨＤ）、フレキシブルディスク（ＦＤ）、コンパクトディスク（ＣＤ）、マグネットオプティカルディスク（ＭＯ）、メモリカードなどがある。
【００２０】
上記のように構成された基板処理システム１では、まず、搬入出ステーション２の基板搬送装置１３が、キャリア載置部１１に載置されたキャリアＣからウエハＷを取り出し、取り出したウエハＷを受渡部１４に載置する。受渡部１４に載置されたウエハＷは、処理ステーション３の基板搬送装置１７によって受渡部１４から取り出されて、処理ユニット１６へ搬入される。
【００２１】
処理ユニット１６へ搬入されたウエハＷは、処理ユニット１６によって処理された後、基板搬送装置１７によって処理ユニット１６から搬出されて、受渡部１４に載置される。そして、受渡部１４に載置された処理済のウエハＷは、基板搬送装置１３によってキャリア載置部１１のキャリアＣへ戻される。
【００２２】
次に、各処理ユニット（液処理ユニット）１６に処理液を供給する処理液供給機構について図２Ａ及び図２Ｂを参照して説明する。処理液供給機構は、図面のサイズの制約により、図２Ａと図２Ｂとに分割して表示されている。図２Ａに示す第１処理液供給ライン８１０及び第２処理液ライン８２０（詳細後述）と、図２Ｂに示す第１処理液供給ライン８１０及び第２処理液ライン８２０が、点８２０ａ，８２０ｂでそれぞれ接続される。図２Ｂには、図１に示した複数の処理ユニット１６のうちの一つが示されており、図２Ａには、図２Ｂに示す処理ユニット１６への処理液の供給に関与する処理液供給機構のみが詳細に示されている。なお、図２Ａの右端部には、他の処理ユニット１６への処理液の供給に関与する処理液供給機構が簡略化されて（ラインのみ示す）示されている。
【００２３】
処理液供給機構は、ＳＣ−１洗浄、ＳＣ−２洗浄、純水リンスなどの各種処理のための処理液の供給を行うことができるように構成されており、
−  過酸化水素水（Ｈ２Ｏ２）供給機構
−  塩酸（ＨＣｌ）供給機構
−  アンモニア水（ＮＨ４ＯＨ）供給機構
−  加熱純水（ＨＤＩＷ）供給機構
−  常温純水（ＤＩＷ）供給機構
を備えている。
【００２４】
過酸化水素水（Ｈ２Ｏ２）供給機構は、過酸化水素水供給源に接続され、各処理ユニット１６の処理液供給機構に過酸化水素水を供給する主供給ライン２０４を有している。
【００２５】
塩酸（ＨＣｌ）供給機構は、塩酸供給源に接続され、各処理ユニット１６の処理液供給機構に塩酸を供給する主供給ライン３０４を有している。
【００２６】
アンモニア水（ＮＨ４ＯＨ）供給機構は、アンモニア水供給源に接続され、各処理ユニット１６の処理液供給機構にアンモニア水を供給する主供給ライン４０４を有している。
【００２７】
加熱純水（ＨＤＩＷ）供給機構は、加熱純水供給源から各処理ユニット１６の処理液供給機構に加熱された純水（加熱純水）を供給する主供給ライン５０４を有している。
【００２８】
常温純水（ＤＩＷ）供給機構は、常温純水供給源から各処理ユニット１６の処理液供給機構に常温純水（例えばクリーンルーム温度に等しい温度を有する）を供給する主供給ライン６０４を有している。
【００２９】
加熱純水供給源及び常温純水供給源は、通常は、基板処理システム１が設置されている半導体装置製造工場に用意されている。加熱純水供給源から供給される加熱純水の温度は、半導体装置製造工場により異なるが、例えば７０℃〜８０℃程度である。
【００３０】
各液用の主ライン２０４，３０４，４０４，５０４，６０４は複数の処理ユニット１６で共用されている。
【００３１】
基板処理システム１は、１つの処理ユニット１６毎に、第１処理液供給ライン８１０及び第２処理液ライン８２０を有している。第１処理液供給ライン８１０及び第２処理液ライン８２０は、処理ユニット１６に設けられた第１処理液ノズル２１及び第２処理液ノズル２２に処理液としての希釈薬液を供給することができる。この点については後に詳述する。
【００３２】
以下において、まずは、第１処理液供給ライン８１０及び第２処理液ライン８２０に純水類（加熱純水、常温純水）を供給するための構成について説明する。
【００３３】
加熱純水供給用の主供給ライン５０４上の分岐点５１１において、加熱純水ライン５１２が分岐している。加熱純水ライン５１２は、接続点５２２において第１処理液供給ライン８１０に合流している。加熱純水ライン５１２には、上流側から順に、流量計５１４、定圧弁５１６及び開閉弁５２０が介設されている。加熱純水ライン５１２上の分岐点５２４において、加熱純水ライン（「分岐加熱純水ライン」とも呼ぶ）５２６が分岐している。加熱純水ライン５２６は、接続点５３２において第２処理液供給ライン８２０に合流している。加熱純水ライン５２６には、開閉弁５３０が介設されている。
【００３４】
常温純水供給用の主供給ライン６０４上の分岐点６１１において、常温純水ライン６１２が分岐している。常温純水ライン６１２は、接続点６２２において第１処理液供給ライン８１０に合流している。常温純水ライン６１２には、上流側から順に、流量計６１４、定圧弁６１６及び開閉弁６２０が介設されている。常温純水ライン６１２上の分岐点６２４において、常温純水ライン（「分岐常温純水ライン」とも呼ぶ）６２６が分岐している。常温純水ライン６２６は、接続点６３２において第２処理液供給ライン８２０に合流している。常温純水ライン６２６には、開閉弁６３０が介設されている。
【００３５】
ここで、図２及び図３を参照して、第１処理液供給ライン８１０に対して、加熱純水ライン５１２及び常温純水ライン６１２の少なくとも１つから液を流入させる際の作用について、加熱純水ライン５１２を例にとって説明する。
【００３６】
加熱純水ライン５１２の開閉弁５２０を開状態とし、加熱純水ライン５２６の開閉弁５３０を閉状態とする。この状態で、定圧弁５１６の制御を行うことにより、加熱純水ライン５１２から第１処理液供給ライン８１０に流入する加熱純水の流量制御を行う。
【００３７】
定圧弁５１６は、一次側圧力の変動に関わらず、二次側圧力を指定された一定圧力に維持するよう減圧制御を行う機能を有している。主供給ライン５０４から供給される加熱純水の圧力は、各処理ユニット１６の稼働状況等に応じて変動するため、精確な流量制御を行うために定圧弁の使用が好ましい。本実施形態で使用している定圧弁５１６は、パイロットポートに導入される加圧空気の圧力（パイロット圧）を変化させることにより、二次側圧力の設定値を変化させることができる形式のものである。パイロット圧の調節は、電空レギュレータ（ＥＰＲ）５１５ｂ（図３にのみ示す）により行われる。
【００３８】
定圧弁５１６の二次側圧力を変化させることにより、加熱純水ライン５１２を流れる加熱純水の流量を調節することができる。運転に際して、加熱純水の目標流量が、制御装置４（図１参照）から、その下位コントローラである流量コントローラ（ＣＮＴＬ）５１５ａ（図３にのみ示す）に与えられる。流量コントローラ５１５ａは、流量計５１４の検出値に基づいて、電空レギュレータ５１５ｂから定圧弁５１６に与えられるパイロット圧を調節し、定圧弁５１６の二次側圧力を調節することにより、加熱純水ライン５１２を流れる加熱純水の流量を目標値となるように制御する。
【００３９】
なお、上述した流量コントローラ５１５ａ及び電空レギュレータ５１５と同じデバイスが定圧弁６１６，２１６，３１６，４１６に付設されており、これらの定圧弁も上記と同様に制御される。
【００４０】
第２処理液供給ライン８２０に対して、加熱純水ライン５２６及び常温純水ライン６２６の少なくとも一つから液を流入させる際の作用について、加熱純水ライン５２６を例にとって説明する。このときには、加熱純水ライン５１２の開閉弁５２０を閉状態とし、加熱純水ライン５２６の開閉弁５３０を開状態とする。この状態で、上記と同様にして定圧弁５１６の制御を行うことにより、加熱純水ライン５２６から第２処理液供給ライン８２０に流入する加熱純水の流量制御を行うことができる。
【００４１】
第１処理液供給ライン８１０に対して常温純水ライン６１２から液を流入させる際にも、加熱純水ライン５１２から第１処理液供給ライン８１０に液を流入させる際と同様の流量制御を行うことができる。また、第２処理液供給ライン８２０に対して常温純水ライン６２６から液を流入させる際にも、加熱純水ライン５２６から第２処理液供給ライン８２０に液を流入させる際と同様の流量制御を行うことができる。
【００４２】
次に、第１処理液供給ライン８１０及び第２処理液ライン８２０に薬液類（過酸化水素水、塩酸、アンモニア水）を供給するための構成について説明する。
【００４３】
過酸化水素水供給用の主供給ライン２０４上の分岐点２１１ａにおいて、大流量用の過酸化水素水ライン２１２ａが分岐している。主供給ライン２０４上の分岐点２１１ｂにおいて、小流量用の過酸化水素水ライン２１２ｂが分岐している。過酸化水素水ライン２１２ａには、上流側から順に、開閉弁２１３ａ及び流量計２１４ａが介設されている。過酸化水素水ライン２１２ｂにも、上流側から順に、開閉弁２１３ｂ及び流量計２１４ｂが介設されている。過酸化水素水ライン２１２ａ及び過酸化水素水ライン２１２ｂは合流点２１５で合流して１つの過酸化水素水ライン２１２となる。過酸化水素水ライン２１２は分岐点２１７で再び大流量用の過酸化水素水ライン２１２ａａ及び小流量用の過酸化水素水ライン２１２ｂｂに分岐する。過酸化水素水ライン２１２ａａには、開閉弁２２０ａが介設されている。過酸化水素水ライン２１２ｂｂには、開閉弁２２０ｂが介設されている。過酸化水素水ライン２１２ａａ及び過酸化水素水ライン２１２ｂｂは、それぞれ接続点２２２ａ及び２２２ｂにおいて、第１処理液ライン８１０に接続されている。
【００４４】
分岐点２２４において、過酸化水素水ライン２１２から過酸化水素水ライン２２６（「分岐過酸化水素水ライン」とも呼ぶ）が分岐している。過酸化水素水ライン２２６は、分岐点２２７において、大流量用の過酸化水素水ライン２２６ａと小流量用の過酸化水素水ライン２２６ｂに分岐している。過酸化水素水ライン２２６ａには、開閉弁２３０ａが介設されている。過酸化水素水ライン２２６ｂには、開閉弁２３０ｂが介設されている。過酸化水素水ライン２２６ａ及び過酸化水素水ライン２２６ｂは、それぞれ接続点２３２ａ及び２３２ｂにおいて、第２処理液ライン８２０に接続されている。
【００４５】
塩酸供給用の主供給ライン３０４上の分岐点３１１において、塩酸ライン３１２が分岐している。塩酸ライン３１２には、上流側から順に、流量計３１４、定圧弁３１６及び開閉弁３２０が介設されている。塩酸ライン３１２は、接続点３２２において、第１処理液ライン８１０に接続されている。
【００４６】
アンモニア水供給用の主供給ライン４０４上の分岐点４１１において、アンモニア水ライン４１２が分岐している。アンモニア水ライン４１２には、上流側から順に、流量計４１４、定圧弁４１６及び開閉弁４２０が介設されている。アンモニア水ライン４１２は、接続点４２２において、第２処理液ライン８２０に接続されている。
【００４７】
なお、塩酸ライン３１２及びアンモニア水ライン４１２についても、過酸化水素水ライン２１２と同様に大流量用のライン及び小流量用の２つのラインを設けてもよい。
【００４８】
次に、第１処理液供給ライン８１０及び第２処理液ライン８２０に薬液類（過酸化水素水、塩酸、アンモニア水）を供給する際の作用について、第１処理液供給ライン８１０に過酸化水素水を供給する場合を例にとって説明する。
【００４９】
過酸化水素水を大流量で第１処理液供給ライン８１０に供給するときには、開閉弁２１３ａ及び２２０ａを開状態とし、開閉弁２１３ｂ及び２２０ｂを閉状態とする。なお、このとき、開閉弁２３０ａ及び２３０ｂを閉状態として、過酸化水素水２２６を通って第２処理液供給ライン８２０に過酸化水素水が流れないようにする。この状態で、先に定圧弁５１６に関連して説明した手順と同様の手順で定圧弁２１６を制御することにより、制御された所定の大流量で過酸化水素水を第１処理液供給ライン８１０に供給することができる。
【００５０】
一方、過酸化水素水を小流量で第１処理液供給ライン８１０に供給するときには、開閉弁２１３ｂ及び２２０ｂを開状態とし、開閉弁２１３ａ及び２２０ａを閉状態とする。この状態で、定圧弁２１６を同様に制御することにより、制御された所定の小流量で過酸化水素水第１処理液供給ライン８１０に供給することができる。
【００５１】
大流量用の過酸化水素水ライン２１２ａに設けられた流量計２１４ａは大流量を精度良く測定できるものであり、小流量用の過酸化水素水ライン２１２ａに設けられた流量計２１４ａは小流量を精度良く測定できるものである。想定される流量のレンジが比較的狭い場合には、流量計は１つでもよく、この場合、小流量用の過酸化水素ラインと大流量用の過酸化水素ラインは１つに統合することができる。一方、想定される流量のレンジが比較的広い場合には、流量計の数、並びに過酸化水素ラインを３つ以上設けることもできる。この点については他の薬液（塩酸、過酸化水素水）の供給用のラインについても同じである。
【００５２】
過酸化水素水を第２処理液供給ライン８２０に供給するときには、開閉弁２２０ａ及び２２０ｂを閉状態とする。そして、上記と同様に、要求流量に応じた過酸化水素水ライン２１２ａ，２１２ａａの組（大流量時）、または２１２ｂ，２１２ｂｂの組（小流量時）を択一的に用いて、流量制御を行えばよい。
【００５３】
上記制御を行うにあたって、図４に示すように、１つの定圧弁２１６が大流量時の流量制御及び小流量時の流量制御の両方で共用される。また、定圧弁２１６に付設される流量コントローラ（ＣＮＴＬ）及び電空レギュレータ（ＥＰＲ）も大流量制御及び小流量制御の両方で共用される。さらに、過酸化水素水の供給においては、過酸化水素水を第１処理液供給ライン８１０に供給するとき及び第２処理液供給ライン８２０に供給するときの両方で１つの定圧弁２１６が共用される。
【００５４】
塩酸を第１処理液供給ライン８１０に供給するとき、アンモニア水を第２処理液供給ライン８２０に供給するときも上記と同様に定圧弁３１６、４１６（及びこれに付設された図示しない流量コントローラ及び電空レギュレータ）による流量制御を行えばよい。なお、塩酸は第１処理液供給ライン８１０にしか供給されないし、また、アンモニア水は第２処理液供給ライン８２０に供給されないので、液供給対象となる処理液ラインの切り換えのための開閉弁切り換えが不要である点において上記の過酸化水素水の供給制御より操作は単純である。
【００５５】
先に簡単に説明したように、第１処理液供給ライン８１０には処理ユニット１６に設けられた第１処理液ノズル２１が接続されている。また、第２処理液供給ライン８２０には処理ユニット１６に設けられた第２処理液ノズル２２が接続されている（図２Ｂを参照）。
【００５６】
第１処理液供給ライン８１０には、開閉弁８１１が介設されている。開閉弁８１１を開けることにより、第１処理液供給ライン８１０を流れてきた処理液を第１処理液ノズル２１から吐出させることができる。
【００５７】
第２処理液供給ライン８２０には、開閉弁８２１が介設されている。開閉弁８２１を開けることにより、第２処理液供給ライン８２０を流れてきた処理液を第２処理液ノズル２２から吐出させることができる。
【００５８】
第１処理液供給ライン８１０上の分岐点８１６から、第１処理液分岐供給ライン８１７が分岐している。第１処理液分岐供給ライン８１７には、開閉弁８１８が介設されている。第２処理液供給ライン８２０上の分岐点８２６から、第１処理液分岐供給ライン８２７が分岐している。第２処理液分岐供給ライン８２７には、開閉弁８２８が介設されている。
【００５９】
第１処理液分岐供給ライン８１７及び第２処理液分岐供給ライン８２７は、接続点８１９及び８２９において、裏面処理液供給ライン８３０に接続されている。裏面処理液供給ライン８３０は、ウエハＷの裏面に処理液を供給するための裏面ノズル２３に接続されている。裏面処理液供給ライン８３０には、開閉弁８３１が介設されている。
【００６０】
裏面ノズル２３からウエハＷの裏面（下面）に処理液を供給する場合には、開閉弁８３１を開くとともに開閉弁８１８または８２８の一方を開き他方を閉じればよい。そうすれば、第１処理液供給ライン８１０または第２処理液供給ライン８２０を流れている処理液が、第１処理液分岐供給ライン８１７または第２処理液分岐供給ライン８２７を介して裏面処理液供給ライン８３０に流入し、裏面ノズル２３から吐出される。
【００６１】
図２に概略的に示されるように、処理ユニット１６は、チャンバ２０と、基板保持機構３０と、回収カップ４０とを備える。チャンバ２０内には、前述した第１及び第２処理液ノズル２１，２２及びこれらのノズルを移動させるアーム２１Ａ，２２Ａ、基板保持機構３０、回収カップ４０などが収容されている。チャンバ２０の天井部には、図示しないファンフィルタユニット（ＦＦＵ）が設けられて、チャンバ２０内にダウンフローを形成する。
【００６２】
基板保持機構３０は、保持部３１と、支柱部３２と、駆動部３３とを備える。保持部３１は、ウエハＷを水平に保持する。支柱部３２は、鉛直方向に延在する部材であり、基端部が駆動部３３によって回転可能に支持され、先端部において保持部３１を水平に支持する。駆動部３３は、支柱部３２を鉛直軸まわりに回転させる。かかる基板保持機構３０は、駆動部３３を用いて支柱部３２を回転させることによって支柱部３２に支持された保持部３１を回転させ、これにより、保持部３１に保持されたウエハＷを回転させる。なお、支柱部３２の内部に形成された空洞（図示せず）の内部には、裏面処理液供給ライン８３０をなす配管が、支柱部３２と一緒に回転しないように設けられている。
【００６３】
回収カップ４０は、保持部３１を取り囲むように配置され、保持部３１の回転によってウエハＷから飛散する処理液を捕集する。回収カップ４０の底部には、排液口４１が形成されており、回収カップ４０によって捕集された処理液は、かかる排液口４１から処理ユニット１６の外部へ排出される。また、回収カップ４０の底部には、図示しないＦＦＵから供給される気体を処理ユニット１６の外部へ排出する排気口４２が形成される。
【００６４】
チャンバ２０内には、第１及び第２処理液ノズル２１，２２によりダミーディスペンスが行われた場合に、ノズルから吐出された液を受け止める液受け４４が設けられている。液受け４４にはドレンライン４５が接続されている。アーム２１Ａ，２２Ａはそれぞれ、第１及び第２処理液ノズル２１，２２を液受け４４の上方に位置させることができる。液受け４４は、第１及び第２処理液ノズル２１，２２のホームポジション（ウエハＷ上から退避した待機位置）にそれぞれ１つずつ設けてもよい。
【００６５】
なお、「ダミーディスペンス」とは、ウエハＷの無い位置にノズルから液を供給することを意味し、例えば、ノズルに繋がる配管を温める（冷やす）こと、温度または組成が安定していない処理液を安定するまでの間廃棄することなどを目的として行われる。
【００６６】
次に、基板処理システム１の処理ユニット１６を用いてウエハＷを処理する手順について説明する。
【００６７】
ウエハＷをチャンバ２０内に搬入して、基板保持機構３０によりウエハＷを水平に保持して、ウエハＷを鉛直方向の回転軸線周りに回転させる。そして、所定の処理液を第１処理液ノズル２１、第２処理液ノズル２２及び裏面ノズル２３のうちの任意の１つまたは複数から、処理液をウエハＷの表面／裏面の中央部に供給する。供給された処理液は遠心力によりウエハＷの周縁に向けて広がり、ウエハの表面／裏面が処理液の液膜により覆われた状態になる。この状態で、ウエハＷの表面／裏面が処理液により処理される。遠心力によりウエハＷの外方に飛散した処理液は、回収カップ４０により回収され排液口４１から排出される。このとき行われる液処理としては、ＳＣ−１洗浄（アンモニア水及び過酸化水素水を純水で希釈した希釈薬液による洗浄）、ＳＣ−２洗浄（塩酸及び過酸化水素水を純水で希釈した希釈薬液による洗浄）、純水リンス等が挙げられる。
【００６８】
一例としてＳＣ−１洗浄を行う場合について説明する。この場合、第２処理液ライン８２０に所定の組成（アンモニア水、過酸化水素水、純水の混合比）及び所定の温度を有するＳＣ−１液を流す必要がある。アンモニア水、過酸化水素水、純水の混合比としては、例えば、１：１：５、１：１：１００、１：４：２０、１：２：５０等処理に応じて様々に変更される可能性があり、温度も例えば３５℃、６０℃等処理に応じて様々に変更される可能性がある。どのような組成、温度とするかは、プロセスレシピにより予め定義されている。
【００６９】
アンモニア水を、ライン４１２を用い、先に説明した手順に従い、第２処理液ライン８２０に送り込む。また、過酸化水素水を、要求流量に応じて、大流量用のライン（２１２ａ，２２６ａ）または小流量用のライン（２１２ｂ，２２６ｂ）のいずれかを用い、先に説明した手順に従い、第２処理液ライン８２０に送り込む。アンモニア水及び過酸化水素水の流量は、制御装置４から定圧弁４１６，２１６にそれぞれ付設された流量コントローラ（ＣＮＴＬ）（図４を参照）送られた流量指令に基づいて制御される。なおこのとき、制御装置４は、要求流量に基づいて大流量用のライン及び小流量用のラインのいずれを用いるかを選択し、その選択結果に基づいて関連する開閉弁の開閉制御も行う。
【００７０】
また、ライン５１２、５１６を用い、先に説明した手順に従い、加熱純水及び常温純水を第２処理液ライン８２０に送り込む。このとき、制御装置４は、上記の混合比が達成されるような加熱純水及び常温純水の合計流量を決定するとともに、混合の結果得られるＳＣ−１液の温度がプロセスレシピにより定義された温度となるように、第２処理液ライン８２０に送り込む加熱純水の流量及び常温純水の流量（両者の流量比）を決定する。ＳＣ−１液の温度を高くする場合には、加熱純水の流量と常温純水の流量との和を一定に維持しつつ、加熱純水の流量を増大させて常温純水の流量を減少させる（流量比の変更）。ＳＣ−１液の温度を低くする場合には、加熱純水の流量と常温純水の流量との和を一定に維持しつつ、加熱純水の流量を減少させて常温純水の流量を増大させる。
【００７１】
制御装置４は、決定した加熱純水の流量と常温純水の流量に基づいて、制御装置４から定圧弁５１６，６１６にそれぞれ付設された流量コントローラ（ＣＮＴＬ）（図４を参照）流量指令を送り、この流量指令に基づいて、第２処理液ライン８２０に送り込まれる加熱純水の流量と常温純水の流量の制御がなされる。
【００７２】
この場合、勿論のこと、関係ない液（この場合、塩酸）が第２処理液ライン８２０に流入しないように、また、第１処理液ライン８１０を液が流れないように、必要な開閉弁の開閉制御がなされる。
【００７３】
上記の加熱純水と常温純水の流量比を変更することによる処理液の温度調整は、薬液を純水で希釈してなる希釈薬液を処理液として用いる任意の場合に用いることができる。例えば、ＳＣ−２洗浄を行う際に、第１処理液ライン８１０に所定の組成（塩酸、過酸化水素水、純水の混合比）及び所定の温度を有するＳＣ−２液を流す場合にも用いることができる。
【００７４】
制御装置４は、処理液の種類（組成）が同じであってかつ当該処理液の指定温度も同じであるならば、当該処理液を調合する際の加熱純水の流量及び常温純水の流量を常時同じ値に制御してもよい。このようにすれば、制御が簡単になるため、処理液の温度精度要求レベルが比較的低い場合には有効である。
【００７５】
しかし、半導体装置製造工場に備えられている加熱純水供給源及び常温純水供給源により供給される純水、特に常温純水の温度は、季節により若干変動することがあり、処理液の温度精度要求レベルが比較的高い場合には、上記の手法では対応しきれないこともある。この場合は、例えば次に例示した方法により加熱純水の流量及び常温純水の流量を補正することができる。
【００７６】
第１処理液ライン８１０の第１処理液ノズル２１になるべく近い位置に温度計８１０ｔを設け、第２処理液ライン８２０の第２処理液ノズル２２になるべく近い位置に温度計８２０ｔを設ける。例えば、第１処理液ノズル２１から処理液のダミーディスペンスを所定時間行い、そのときの温度計８１０ｔの検出値と、第１処理液ノズル２１からウエハＷに供給すべき第１処理液の目標温度との差に基づき、制御装置４が、定圧弁５１６，６１６にそれぞれ付設された流量コントローラ（ＣＮＴＬ）（図３を参照）に与える流量指令値を変更する。具体的には、温度計８１０ｔの検出値が目標温度より低（高）ければ加熱純水の流量を増大（減少）させて常温純水の流量を減少（増大）させて、加熱純水と常温純水の流量比を補正する。第２処理液ライン８２０を流れる希釈薬液についても上記と同様の補正を行うことができる。
【００７７】
このような補正は、ダミーディスペンス時以外にも行うことができる。例えば、第１処理液ライン８１０及び第２処理液ライン８２０を流れる希釈薬液の温度を常時監視して、常時（リアルタイム）温度補正が行われるようにしてもよい。なお、上記の補正をあまり高頻度で行うと、流量調節機器の寿命低下あるいは流量調節機器からのパーティクルの発生等の原因となり得るので、時間間隔を空けて定期的に行う方が好ましい。また、目標温度に対してある程度の幅の許容範囲を設けて、実際温度がこの許容範囲を外れたときだけ補正を行うようにすることも好ましい。
【００７８】
上記に代えて、加熱純水用の主ライン５０４及び常温純水用の主ライン６０４にそれぞれ温度計５０５、６０５（図２を参照）を設け、これらの温度計５０５、６０５の測定結果に基づいて加熱純水と常温純水の流量比を補正することも可能である。
【００７９】
なお、希釈薬液の温度は以下の式により計算することができので、これに基づいて加熱純水と常温純水との混合比を決定または変更することができる。
希釈薬液の温度＝［加熱純水の温度×加熱純水の流量＋常温純水の温度×常温純水の流量＋（各薬液についての薬液の温度×薬液の流量の和）］÷（加熱純水の流量＋常温純水の流量＋薬液の流量の総和）＋（混合反応による発熱または吸熱寄与分）−（混合後の配管等を介した放熱寄与分）
【００８０】
混合反応による発熱または吸熱寄与分は希釈薬液の組成が同じなら定数と見なして良く、また混合後の放熱寄与分についても希釈薬液の目標温度が同じなら定数と見なして良いので、加熱純水及び常温純水の総流量を一定に維持しつつ加熱純水と常温純水との混合比を変更する際の計算では無視して良い。なお、上記２つの定数は、実験により予め把握しておくことが可能であり、最初に加熱純水と常温純水との混合比を決定するときに用いることができる。
【００８１】
ところで、希釈薬液は再利用できるものも多く、希釈薬液を一度の使用で廃棄してしまうのは、省資源の観点から好ましくない。以下に、図５を参照して、希釈薬液の再利用を可能とする構成について説明する。
【００８２】
液受けカップ４０の排液口４１には、排液ライン９００が接続されている。排液ライン９００は分岐点９００において、回収ライン９０２と、廃液ライン９０４とに分岐する。回収ライン９０２及び廃液ライン９０４にはそれぞれ開閉弁９０３，９０５が設けられている。回収ライン９０２は回収タンク９０６に接続されている。
【００８３】
回収タンク９０６には、回収タンク９０６から出て回収タンク９０６に戻ってくる循環ライン９０７が接続されている。循環ライン９０７には、上流側から順に、ポンプ９０８、ヒータ９０９及びフィルタ９１０が介設されている。
【００８４】
分岐点９１１において、循環ライン９０７から回収液再供給ライン９１２が分岐している。回収液再供給ライン９１２には、上流側から順に、開閉弁９１３と、定圧弁９１４及びオリフィス９１５等を含む流量調整機器とが設けられている。回収液再供給ライン９１２の末端には、回収液再供給ノズル２２’が接続されている。
【００８５】
一枚のウエハＷに希釈薬液、例えばＳＣ−１液を供給するとき、ＳＣ−１供給期間の前半においては、第１処理液ノズル２２からの新しいＳＣ−１液の供給は行わず、回収液再供給ノズル２２’から使用済みのＳＣ−１液をウエハＷに供給する。すなわち開閉弁９１３が開かれ、循環ライン９０７を循環する使用済みのＳＣ−１液がウエハＷに供給される。このとき、開閉弁９０３が閉状態とされ、開閉弁９０５が開状態とされる。すなわち、ウエハＷの処理に二回使用されたＳＣ−１液は再度回収されることなく廃棄される。
【００８６】
一方、ＳＣ−１供給期間の後半においては、回収液再供給ノズル２２’から使用済みのＳＣ−１液の供給は行わず、清浄な新しいＳＣ−１液を第１処理液ノズル２２から供給する。この新しいＳＣ−１液は、図２に示した処理液供給機構により供給されたものである。このとき、開閉弁９０３が開状態とされ、開閉弁９０５が閉状態とされる。すなわち、ウエハＷの処理に供された後液受けカップ４０の排液口４１から排出されたＳＣ−１液を回収タンク９０６に回収する。回収タンク９０６に回収されたＳＣ−１液は、ポンプ９０８により循環ライン９０７を循環する。この循環中において、ＳＣ−１液はヒータ９０９により、ウエハＷの処理に適した温度に維持される。
【００８７】
図５では、図面の簡略化のため、ＳＣ−１液の回収及び再利用に関する部分についてのみ示したが、他の薬液例えばＳＣ−２液の回収及び再利用を可能とする構成を、同様に設けてもよい。
【００８８】
上記実施形態によれば、温度だけが異なる同じ希釈液（ここでは純水）の混合比を変更することにより希釈薬液の温度を変更できるので、同じ組成（希釈液及び薬液の混合比）の異なる温度の希釈薬液を容易に供給することができる。勿論、異なる組成の異なる温度の多様な希釈薬液を容易に供給することもできる。また、季節の変化等により希釈液の温度が変化した場合でも、混合比を変更することにより、希釈液の実際温度を容易に目標温度に調節することができる。
【００８９】
上記実施形態では、被処理体を処理する液処理装置が半導体ウエハ（シリコン基板）を処理する基板処理システム１であったが、これに限定されるものではなく、ガラス基板、セラミック基板等の他の基板を被処理体とするものであててもよい。
【符号の説明】
【００９０】
４  制御部
１６  液処理ユニット
６０４  第１希釈液ライン（主ライン）
６１２  第１希釈液分岐ライン
５０４  第２希釈液ライン（主ライン）
５１２  第２希釈液分岐ライン
２０４，３０４，４０４  薬液ライン（主ライン）
２１２，３１２，４１２  薬液分岐ライン
８１０、８２０  希釈薬液ライン（処理液ライン）
６１４，６１６など  第１希釈液流量調整部
５１４，５１６など  第２希釈液流量調整部
２１４ａ，２１４ｂ、２１６など  薬液流量調整部
８１０ｔ、８２０ｔ  温度計
【図１】
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【図２Ａ】
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【図２Ｂ】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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