(57)【要約】【課題】製造時のハンドリングが容易で、かつ、搭載される機能素子の冷却効率に優れている基板の製造方法および電子モジュールの製造方法を提供すること。【解決手段】搭載基板の製造方法は、複数の個片化領域Ｓを有する半導体基板２０の一方の面に個片化領域Ｓを仕切る溝２０９を形成する溝形成工程と、溝２０９を保護層７で埋める溝埋め工程と、半導体基板２０を第１支持基板９１に固定する第１支持工程と、半導体基板２０を反対の面側から溝２０９に到達するまで薄肉化して個片化領域Ｓを個片化する個片化工程と、個片化された各個片化領域Ｓに放熱層４を形成する放熱層形成工程と、半導体基板２０から第１支持基板９１を取り除く除去工程とを有する。【選択図】図４
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
機能素子を搭載するための搭載基板の製造方法であって、
複数の個片化領域を有する基板の一方の面に、前記複数の個片化領域を仕切る有底の溝を形成する溝形成工程と、
充填材によって前記溝を埋める溝埋め工程と、
前記基板を前記一方の面側にて第１支持基板に固定する第１支持工程と、
前記基板を前記一方の面と対向する他方の面側から前記溝に到達するまで薄肉化することによって前記複数の個片化領域を個片化する個片化工程と、
個片化された前記複数の個片化領域の各々の前記他方の面に、前記基板よりも熱伝導率の高い放熱層を形成する放熱層形成工程と、
前記基板から前記第１支持基板を取り除く除去工程と、を有することを特徴とする搭載基板の製造方法。
【請求項２】
前記薄肉化工程では、前記基板を５０μｍ以下とする請求項１に記載の搭載基板の製造方法。
【請求項３】
前記放熱層形成工程では、金属めっきによって前記放熱層を形成する請求項１または２に記載の搭載基板の製造方法。
【請求項４】
前記放熱層形成工程では、金属ペーストを焼成して前記放熱層を形成する請求項１または２に記載の搭載基板の製造方法。
【請求項５】
前記溝は、その幅が底部に向かって漸減するテーパー状をなしている請求項１ないし４のいずれか１項に記載の搭載基板の製造方法。
【請求項６】
前記放熱層形成工程に先立って、
前記基板の前記他方の面側に、前記複数の個片化領域を仕切る壁部を形成する壁部形成工程を有している請求項１ないし５のいずれか１項に記載の搭載基板の製造方法。
【請求項７】
前記基板支持工程に先立って、
前記複数の個片化領域の前記他方の面側に電極を形成する電極形成工程を有している請求項１ないし６のいずれか１項に記載の搭載基板の製造方法。
【請求項８】
前記除去工程に先立って、
前記基板を前記他方の面側にて第２支持基板に固定する第２支持工程を有している請求項１ないし７のいずれか１項に記載の搭載基板の製造方法。
【請求項９】
前記第２支持基板は、搭載基板を実装する実装基板である請求項８に記載の搭載基板の製造方法。
【請求項１０】
複数の個片化領域を有する基板の一方の面に、前記複数の個片化領域を仕切る有底の溝を形成する溝形成工程と、
充填材によって前記溝を埋める溝埋め工程と、
前記基板を前記一方の面側にて第１支持基板に固定する第１支持工程と、
前記基板を前記一方の面と対向する他方の面側から前記溝に到達するまで薄肉化することによって前記複数の個片化領域を個片化する個片化工程と、
個片化された前記複数の個片化領域の各々の前記他方の面に、前記基板よりも熱伝導率の高い放熱層を形成する放熱層形成工程と、
前記基板から前記第１支持基板を取り除く除去工程と、
前記複数の個片化領域の各々に機能素子を搭載する搭載工程と、を有することを特徴とする電子モジュールの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、搭載基板の製造方法および電子モジュールの製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来から発光デバイスとして、半導体基板に、ＬＤ（レーザーダイオード）、ＬＥＤ（発光ダイオード）、ＳＬＤ（スーパールミネッセントダイオード）等の各種発光素子を搭載したものが知られている。このような発光デバイスでは、発光効率を維持するために発光素子を冷却する必要がある。
特許文献１には、半導体基板と、この半導体基板に搭載された半導体レーザー素子とを有する発光デバイスが記載されている。特に、特許文献１では、半導体基板としてシリコン基板を用いることで、安価な発光デバイスを実現している。しかしながら、シリコン基板は、半導体基板として通常用いられる窒化アルミニウム基板と比較して熱抵抗が大きいため、特許文献１の発光デバイスでは発光素子の冷却を十分に行うことができないという問題がある。なお、特許文献１の発光デバイスでは、シリコン基板を２００μｍ以下程度に薄くして熱抵抗を抑えることで、発光素子の冷却効率を上げることができるが、この場合は、シリコン基板が薄く脆いため製造時のハンドリングが困難となる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開平０５−３１５７００号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
本発明の目的は、製造時のハンドリングが容易で、かつ、搭載される機能素子の冷却効率に優れている搭載基板の製造方法および電子モジュールの製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
このような目的は、下記の本発明により達成される。
本発明の搭載基板の製造方法は、機能素子を搭載するための搭載基板の製造方法であって、
複数の個片化領域を有する基板の一方の面に、前記複数の個片化領域を仕切る有底の溝を形成する溝形成工程と、
充填材によって前記溝を埋める溝埋め工程と、
前記基板を前記一方の面側にて第１支持基板に固定する第１支持工程と、
前記基板を前記一方の面と対向する他方の面側から前記溝に到達するまで薄肉化することによって前記複数の個片化領域を個片化する個片化工程と、
個片化された前記複数の個片化領域の各々の前記他方の面に、前記基板よりも熱伝導率の高い放熱層を形成する放熱層形成工程と、
前記基板から前記第１支持基板を取り除く除去工程と、を有することを特徴とする。
これにより、製造時のハンドリングが容易で、かつ、搭載される機能素子の冷却効率に優れている搭載基板の製造方法を提供することができる。
【０００６】
本発明の搭載基板の製造方法では、前記薄肉化工程では、前記基板を５０μｍ以下とすることが好ましい。
これにより、基板の熱抵抗を十分低く抑えることができる。
本発明の搭載基板の製造方法では、前記放熱層形成工程では、金属めっきによって前記放熱層を形成することが好ましい。
これにより、放熱層を簡単に形成することができる。
【０００７】
本発明の搭載基板の製造方法では、前記放熱層形成工程では、金属ペーストを焼成して前記放熱層を形成することが好ましい。
これにより、放熱層を簡単に形成することができる。
本発明の搭載基板の製造方法では、前記溝は、その幅が底部に向かって漸減するテーパー状をなしていることが好ましい。
これにより、より広い面積に放熱層を形成することができ、放熱効果が高まる。
【０００８】
本発明の搭載基板の製造方法では、前記放熱層形成工程に先立って、
前記基板の前記他方の面側に、前記複数の個片化領域を仕切る壁部を形成する壁部形成工程を有していることが好ましい。
これにより、溝に被ることなく、各個片化領域に放熱層を形成することができる。
本発明の搭載基板の製造方法では、前記基板支持工程に先立って、
前記複数の個片化領域の前記他方の面側に電極を形成する電極形成工程を有していることが好ましい。
これにより、工程の煩雑化を招くことなく、基板上に電極を簡単に作り込むことができる。
【０００９】
本発明の搭載基板の製造方法では、前記除去工程に先立って、
前記基板を前記他方の面側にて第２支持基板に固定する第２支持工程を有していることが好ましい。
これにより、個片化した個片化領域がばらばらになるのを防止できる。
本発明の搭載基板の製造方法では、前記第２支持基板は、搭載基板を実装する実装基板であることが好ましい。
これにより、実装基板への実装の手間が省けるため、製造が容易となる。
【００１０】
本発明の電子モジュールの製造方法は、複数の個片化領域を有する基板の一方の面に、前記複数の個片化領域を仕切る有底の溝を形成する溝形成工程と、
充填材によって前記溝を埋める溝埋め工程と、
前記基板を前記一方の面側にて第１支持基板に固定する第１支持工程と、
前記基板を前記一方の面と対向する他方の面側から前記溝に到達するまで薄肉化することによって前記複数の個片化領域を個片化する個片化工程と、
個片化された前記複数の個片化領域の各々の前記他方の面に、前記基板よりも熱伝導率の高い放熱層を形成する放熱層形成工程と、
前記基板から前記第１支持基板を取り除く除去工程と、
前記複数の個片化領域の各々に機能素子を搭載する搭載工程と、を有することを特徴とする。
これにより、製造時のハンドリングが容易で、かつ、搭載される機能素子の冷却効率に優れている電子モジュールの製造方法を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１１】
【図１】本発明の第１実施形態に係る電子モジュールの製造方法によって製造される電子モジュールの断面図である。
【図２】図２は、本発明の第１実施形態に係る電子モジュールの製造方法を説明するための平面図である。
【図３】本発明の第１実施形態に係る電子モジュールの製造方法を説明するための断面図である。
【図４】本発明の第１実施形態に係る電子モジュールの製造方法を説明するための断面図である。
【図５】本発明の第１実施形態に係る電子モジュールの製造方法を説明するための断面図である。
【図６】本発明の第１実施形態に係る電子モジュールの製造方法を説明するための断面図である。
【図７】本発明の第１実施形態に係る電子モジュールの製造方法を説明するための断面図である。
【図８】本発明の第２実施形態に係る電子モジュールの製造方法を説明するための断面図である。
【図９】本発明の第３実施形態に係る電子モジュールの製造方法によって製造される電子モジュールの断面図である。
【図１０】本発明の第３実施形態に係る電子モジュールの製造方法を説明するための断面図である。
【図１１】本発明の第３実施形態に係る電子モジュールの製造方法を説明するための断面図である。
【図１２】本発明の第３実施形態に係る電子モジュールの製造方法を説明するための断面図である。
【図１３】本発明の第４実施形態に係る電子モジュールの製造方法によって製造される電子モジュールの断面図である。
【図１４】本発明の第４実施形態に係る電子モジュールの製造方法を説明するための断面図である。
【図１５】本発明の第４実施形態に係る電子モジュールの製造方法を説明するための断面図である。
【図１６】本発明の第５実施形態に係る電子モジュールの製造方法を説明するための断面図である。
【図１７】本発明の第６実施形態に係る電子モジュールの製造方法によって製造される電子モジュールの断面図である。
【図１８】本発明の第６実施形態に係る電子モジュールの製造方法を説明するための断面図である。
【図１９】電子モジュールを用いたプロジェクターの光学系の構成図である。
【発明を実施するための形態】
【００１２】
以下、本発明の搭載基板の製造方法および電子モジュールの製造方法を添付図面に示す実施形態に基づいて詳細に説明する。
１．電子モジュール
＜第１実施形態＞
図１は、本発明の第１実施形態に係る電子モジュールの製造方法によって製造される電子モジュールの断面図である。図２は、本発明の第１実施形態に係る電子モジュールの製造方法を説明するための平面図である。図３ないし図７は、それぞれ、本発明の第１実施形態に係る電子モジュールの製造方法を説明するための断面図である。なお、以下では、説明の便宜上、図１中の上側を「上」と言い、下側を「下」とも言う。
【００１３】
≪電子モジュール≫
まず、本発明の電子モジュールの製造方法によって製造される電子モジュールについて簡単に説明する。
図１に示す電子モジュール１は、搭載基板１０と、搭載基板１０に搭載されている発光素子（機能素子）３とを有している。また、搭載基板１０は、半導体基板（基板）２と、半導体基板２の上面に設けられている絶縁層５と、絶縁層５上に設けられている電気配線６と、半導体基板２の下面に設けられている放熱層４と、を有している。
【００１４】
半導体基板２としては、特に限定されないが、シリコン（Ｓｉ）、ヒ化ガリウム（ＧａＡｓ）、窒化アルミニウム（ＡｌＮ）、窒化ガリウム（ＧａＮ）、窒化インジウム（ＩｎＮ）等で構成された基板を用いることができる。この中でも、安価で、かつ、ハンドリングし易い観点からシリコン（Ｓｉ）で構成された基板を用いることが好ましい。
なお、半導体基板２の厚さとしては、薄いほど好ましいが、具体的には、５０μｍ以下であることが好ましく、３０μｍ以下であることがより好ましい。これにより、半導体基板２の厚さを十分に薄くすることができるため、半導体基板２の熱抵抗が抑えられ、優れた放熱特性を有する電子モジュール１となる。言い換えると、発光素子３から発生する熱が半導体基板２を介して放熱層４に伝達され易くなるため、優れた放熱特性を有する電子モジュール１となる。特に、上記厚さの数値は、半導体基板２をシリコン基板で構成した場合に有効である。
【００１５】
このような半導体基板２の上面には、絶縁層５が形成されている。例えば、半導体基板２がシリコン基板である場合、絶縁層５は、酸化シリコン膜によって形成することができる。この構成によれば、シリコン基板の表面を熱酸化することによって、簡単に絶縁層５を形成することができる。なお、絶縁層５の厚さとしては、その機能を発揮することができれば、特に限定されず、例えば、５０００Å程度とすることができる。
なお、半導体基板２の上面には、絶縁層５の他にも、窒化シリコン膜などの各種層が形成されていてもよい。
【００１６】
そして、絶縁層５上には電気配線６が形成されている。電気配線６は、少なくとも発光素子３と電気的に接続される一対の接続端子６１、６２を有している。この内、接続端子６１は、例えば、半田等の導電性を有するろう材６３を用いて発光素子３に電気的に接続されており、接続端子６２は、ボンディングワイヤー６４を介して発光素子３に電気的に接続されている。
電気配線６の構成としては、導電性を有していれば特に限定されず、例えば、Ｃｒ（クロム）、Ｗ（タングステン）、Ｔｉ（チタン）、Ｎｉ（ニッケル）などの下地層に、Ａｕ（金）、Ａｇ（銀）、Ｃｕ（銅）などの被膜を積層した金属被膜で構成することができる。
【００１７】
半導体基板２に搭載されている発光素子３としては、発光することができれば、特に限定されず、例えば、ＬＤ（レーザーダイオード：Ｌａｓｅｒ  Ｄｉｏｄｅ）、ＳＬＤ（スーパールミネッセントダイオード：Ｓｕｐｅｒ  Ｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｔ  Ｄｉｏｄｅ）、ＬＥＤ（ライトエミッティングダイオード：Ｌｉｇｈｔ  Ｅｍｉｔｔｉｎｇ  Ｄｉｏｄｅ）等を用いることができる。
【００１８】
このような発光素子３は、前述したように、ろう材６３によって接続端子６１上に固定されている。そして、ろう材６３によって接続端子６１と電気的に接続されているとともに、ボンディングワイヤー６４によって接続端子６２に電気的に接続されている。そのため、これら接続端子６１、６２間に所定の電圧を印加することによって、発光素子３を発光させることができる。
【００１９】
一方で、半導体基板２の下面には放熱層４が設けられている。放熱層４は、発光素子３を冷却する機能を有している。より具体的には、放熱層４は、半導体基板２を介して伝わった発光素子３の熱を放散することで、発光素子３を冷却する機能を有している。このような放熱層４を有することで、発光素子３を効果的に冷却することがき、発光素子３の発光効率を維持することができる（発光効率の低下を抑制することができる）。
【００２０】
このような放熱層４の厚さとしては、特に限定されないが、１００μｍ以上、２００μｍ以下程度とすることが好ましく、１５０μｍ程度とすることがより好ましい。これにより、大型化を抑制しつつ、放熱効果を十分に発揮することができる電子モジュール１となる。
また、放熱層４の構成材料としては、半導体基板２の構成材料よりも熱伝導率の高い材料であれば、特に限定されないが、金（Ａｕ）、銀（Ａｇ）、銅（Ｃｕ）、アルミニウム（Ａｌ）等の金属材料を用いることが好ましい。これら金属材料の中でも、特に、銅（Ｃｕ）を用いることが好ましい。銅を用いることによって、他の金属材料と比較して同程度の放熱性を有する放熱層４をより安価に形成することができる。
以上、電子モジュール１の構成について説明した。
【００２１】
≪電子モジュールの製造方法≫
次に、上述した電子モジュール１の製造方法および搭載基板１０の製造方法について説明する。
電子モジュール１の製造方法は、［１］複数の個片化領域Ｓ（半導体基板２）を有する半導体基板２０の一方の面２０１側に、各個片化領域Ｓに対応した電気配線６を形成する電極形成工程と、［２］半導体基板２０の面２０１に複数の個片化領域Ｓを仕切る有底の溝２０９を形成する溝形成工程と、［３］保護層７によって溝２０９を埋める溝埋め工程と、［４］半導体基板２０を面２０１側にて第１支持基板９１に固定する第１支持工程と、［５］半導体基板２０を面２０１と対向する他方の面２０２側から溝２０９に到達するまで薄肉化することによって複数の個片化領域Ｓを個片化する個片化工程と、［６］半導体基板２０の面２０２側に、複数の個片化領域Ｓを仕切る壁部８を形成する壁部形成工程と、［７］個片化された複数の個片化領域Ｓの各々の面２０２に半導体基板２０よりも熱伝導率の高い放熱層４を形成する放熱層形成工程と、［８］半導体基板２０を面２０２側にてダイシングテープ（第２支持基板）９２に固定する第２支持工程と、［９］半導体基板２０から第１支持基板９１および保護層７を取り除く除去工程と、［１０］複数の個片化領域Ｓの各々に発光素子３を搭載する搭載工程と、を有している。なお、搭載基板１０の製造方法は、上記［１］〜［９］の工程を有している。
【００２２】
以下、これら各工程について詳細に説明する。
［１］電極形成工程
まず、図２に示すように、ウエハ状の半導体基板２０を用意する。この半導体基板２０は、半導体基板２となる基板であり、ここでは、シリコン基板で構成されている。また、半導体基板２０には、複数の個片化領域Ｓが行列状に設けられており、最終的に、各個片化領域Ｓが１つの電子モジュール１となる。
【００２３】
なお、半導体基板２０は、半導体基板２の設定厚みｔよりも十分に厚い厚みＴを有している。例えば、半導体基板２の設定厚みｔが５０μｍである場合には、半導体基板２０の厚みＴは、１００μｍ〜２００μｍ程度に設定することが好ましい。これにより、半導体基板２０の機械的強度が確保されるため、ハンドリングし易い半導体基板２０となる。また、半導体基板２０を薄肉化して半導体基板２の厚みｔとする際の薄肉化量（除去厚さ）を抑えることができるため、スムーズな製造が可能となる。
【００２４】
次に、図３（ａ）に示すように、半導体基板２０の面２０１上に絶縁層５０を形成する。この絶縁層５０は、絶縁層５として機能する層である。なお、絶縁層５０の形成方法としては、特に限定されないが、例えば、半導体基板２０の面２０１を熱酸化することで形成することができる。絶縁層５の厚さは、特に限定されないが、例えば、５０００Å程度とすることができる。
なお、必要に応じて、絶縁層５０と半導体基板２０との間、絶縁層５０上に更なる膜（例えば、窒化シリコン膜等）を形成してもよい。
【００２５】
次に、図３（ｂ）に示すように、スパッタリングや蒸着等によって、絶縁層５０上に金属膜６０Ａを形成する。この金属膜６０Ａは、電気配線６の下地層として機能する層である。金属膜６０Ａの構成材料としては、特に限定されず、前述したように、Ｃｒ（クロム）、Ｗ（タングステン）、Ｔｉ（チタン）、Ｎｉ（ニッケル）などの金属材料を用いることができる。
【００２６】
次に、図３（ｃ）に示すように、金属膜６０Ａ上に電気配線６のパターンに対応する開口を有しているレジストマスクＭ１を形成する。レジストマスクＭ１は、フォトリソグラフィー技法を用いて形成することができる。すなわち、レジストマスクＭ１は、まず、スピンコーター等によって金属膜６０Ａ上にフォトレジスト膜を形成し、このフォトレジスト膜を露光・現像によってパターニングすることで形成することができる。
【００２７】
次に、図３（ｄ）に示すように、金属膜６０ＡのレジストマスクＭ１から露出している部分に金属膜６０Ｂを形成する。この金属膜６０Ｂは、電気配線６の皮膜として機能する層である。金属膜６０Ｂの形成方法としては、特に限定されないが、めっき処理（電界めっき、無電解めっき等）によって形成することが好ましい。これにより、金属膜６０Ｂを簡単に形成することができる。なお、金属膜６０Ｂの構成材料としては、特に限定されず、前述したように、Ａｕ（金）、Ａｇ（銀）、Ｃｕ（銅）などの比較的抵抗の小さい金属材料を用いることが好ましく、これらの中でもＣｕ（銅）を用いることがより好ましい。これにより、より安価な電子モジュール１を製造することができる。
【００２８】
次に、レジストマスクＭ１を除去した後、金属膜６０Ｂをマスクとして用いて金属膜６０Ａの金属膜６０Ｂから露出している部分を除去する。当該除去は、例えば、エッチング（ウエットエッチング、ドライエッチング）技法によって行うことができる。これにより、図４（ａ）に示すように、各個片化領域Ｓに対応して、絶縁層５０上に電気配線６が形成される。なお、場合によっては、本工程のエッチングによってマスクとして用いる金属膜６０Ｂも若干除去される。そのため、金属膜６０Ｂの厚さは、エッチングによって除去される分を加味して設計することが好ましい。
【００２９】
［２］溝形成工程
次に、図４（ｂ）に示すように、隣り合う個片化領域Ｓの間に位置する格子状の除去部Ｓ２（図２に参照）に対応する開口を有するレジストマスクＭ２を形成する。レジストマスクＭ２は、前述したレジストマスクＭ１と同様に、フォトリソグラフィー技法を用いて形成することができる。
【００３０】
次に、図４（ｃ）に示すように、レジストマスクＭ２を介して絶縁層５０および半導体基板２０をエッチングすることで、半導体基板２０に各個片化領域Ｓを仕切る有底の溝２０９を形成する。これにより、各個片化領域Ｓの周囲に溝２０９が形成され、各個片化領域Ｓがその全周を溝２０９で囲まれた状態となる。同図に示すように、溝２０９は、半導体基板２の厚さｔよりも深く形成される。目安としては、厚さｔよりも２０μｍ程度深ければ十分である。すなわち、厚さｔが５０μｍであれば、溝２０９の深さは７０μｍ程度すればよい。このような深さであれば、エッチング時間が過度に長くなることがないため、電子モジュール１をより円滑に製造することができるという効果もある。ここで、溝２０９が深過ぎると半導体基板２０の機械的強度が低下するおそれがあるため、機械的強度を確保する観点から、例えば、溝２０９を面２０２側から５０μｍ程度の領域には侵入しないように形成することも好ましい。
【００３１】
また、溝２０９は、特に、ドライエッチングによって形成することが好ましい。ドライエッチングは、異方性のエッチング法であるため、ドライエッチングを用いることで、面２０１に対してほぼ垂直で、幅が深さ方向にほぼ一定な溝２０９を形成することができる。これにより、溝２０９の幅が不本意に広がってしまったり、溝２０９の断面形状がいびつになったりすることを防止することができる。
【００３２】
［３］溝埋め工程
次に、レジストマスクＭ２を除去した後、半導体基板２０の面２０１側に、溝２０９を埋めつつ、電気配線６および絶縁層５０を覆う保護層７を形成する。保護層７の形成方法としては、特に限定されず、例えば、半導体基板２０の面２０１側に熱硬化性の樹脂材料である充填材７１を塗布し、次に、スピンコート法を用いて充填材７１を半導体基板２０上に一様に広げ、次に、加熱して硬化させることによって形成することができる。
【００３３】
［４］第１支持工程
次に、図５（ａ）に示すように、例えば、シリコン基板、ガラス基板、セラミックス基板等で構成された第１支持基板９１を用意し、この第１支持基板９１に半導体基板２０を面２０１側から貼り付ける。貼り付け方法としては、特に限定されないが、後に簡単に剥がすことのできる方法を用いることが好ましい。このような貼り付け方法としては、例えば、ホットワックス等の熱可塑性樹脂を用いて貼り付ける方法、静電引力を利用して貼り付ける方法（静電チャック法）、特定の溶剤に可溶な樹脂を用いて貼り付ける方法等が挙げられる。本実施形態では、第１支持基板９１上に均一に塗布したホットワックス９３を用いて半導体基板２０を貼り付けている。
【００３４】
［５］個片化工程
次に、図５（ｂ）に示すように、半導体基板２０を面（他方の面）２０２側から薄肉化し、半導体基板２０の厚さを設定された厚さｔとする。前述したように、溝２０９の深さが厚さｔよりも深いため、薄肉化の途中で面２０２が溝２０９に到達し、各個片化領域Ｓが半導体基板２として個片化される。ここで、半導体基板２０を前もって第１支持基板９１に貼り付けてあるため、個片化された半導体基板２がばらばらになってしまうことがない。そのため、その後のハンドリングが容易となる。
なお、半導体基板２の厚さｔとしては、薄いほど好ましいが、具体的には、５０μｍ以下であることが好ましく、３０μｍ以下であることがより好ましい。これにより、半導体基板２の厚さを十分に薄くすることができるため、半導体基板２の熱抵抗が抑えられ、優れた放熱特性を有する電子モジュール１となる。
【００３５】
半導体基板２０を薄肉化する方法としては、特に限定されず、シリコン基板を薄肉化するのに通常用いられている方法を用いることができる。このような方法としては、ダイヤモンドホイール等で構成されているバックグラインディングホイールを用いたバックグラインディング加工が挙げられる。このような方法によれば、半導体基板２０の薄肉化を簡単に行うことができる。なお、仕上げに、化学機械研磨（ＣＭＰ）等のポリッシング加工を行って、面２０２を平坦化してもよい。これにより、半導体基板２の抗折強度を高めることができ、破損し難い半導体基板２となる。
【００３６】
［６］壁部形成工程
次に、図５（ｃ）に示すように、スパッタリングや蒸着等によって、半導体基板２０の面２０２上に金属膜４０Ａを形成する。この金属膜４０Ａは、放熱層４の一部を構成する層である。金属膜４０Ａの構成材料としては、特に限定されず、Ｃｒ（クロム）、Ｗ（タングステン）、Ｔｉ（チタン）、Ｎｉ（ニッケル）などの金属材料を用いることができる。
【００３７】
次に、図６（ａ）に示すように、金属膜４０Ａ上に、複数の半導体基板２に対応する開口を有し、溝２０９と重なっている壁部８を形成する。これにより、各半導体基板２が壁部８によって仕切られた状態となる。このような壁部８は、例えば、レジストマスクで構成することができ、フォトリソグラフィー技法を用いて形成することができる。すなわち、壁部８は、まず、スピンコーター等によって金属膜４０Ａ上にフォトレジスト膜を形成し、このフォトレジスト膜を露光・現像によってパターニングすることで形成することができる。
【００３８】
［７］放熱層形成工程
次に、図６（ｂ）に示すように、金属膜４０Ａの壁部８から露出している部分に金属膜４０Ｂを形成する。この金属膜４０Ｂは、金属膜４０Ａと共に放熱層４として機能する層である。金属膜４０Ａの厚さとしては、特に限定されないが、１００μｍ以上、２００μｍ以下程度であるのが好ましく、１５０μｍ程度であることがより好ましい。これにより、放熱層４としての機能を十分に発揮することができるとともに、放熱層４の過度な厚肉化を防止することができる。
【００３９】
金属膜４０Ｂの形成方法としては、特に限定されないが、めっき処理（電界めっき、無電解めっき等）によって形成することが好ましい。これにより、金属膜４０Ｂを簡単に形成することができる。金属膜４０Ｂの構成材料としては、半導体基板２の構成材料よりも熱伝導率の高い材料であれば特に限定されず、前述したように、Ａｕ（金）、Ａｇ（銀）、Ｃｕ（銅）などの金属材料を用いることが好ましく、これらの中でもＣｕ（銅）を用いることがより好ましい。これにより、より安価な電子モジュール１を製造することができる。
特に、前工程にて、隣り合う半導体基板２同士を仕切る壁部８を形成しているため、金属膜４０Ａが隣り合う半導体基板２を跨ぐようにして形成されることがなく、各半導体基板上に正確に金属膜４０Ａを形成することができる。
【００４０】
次に、壁部８を除去した後、金属膜４０Ｂをマスクとして用いて金属膜４０Ａの金属膜４０Ｂから露出している部分を除去する。当該除去は、例えば、エッチング（ウエットエッチング、ドライエッチング）によって行うことができる。これにより、図６（ｃ）に示すように、各半導体基板２上に放熱層４が形成され、搭載基板１０が得られる。なお、場合によっては、本工程のエッチングによってマスクとして用いる金属膜４０Ｂも若干除去される。そのため、金属膜４０Ｂの厚さは、エッチングによって除去される分を加味して設計することが好ましい。
【００４１】
［８］第２支持工程
次に、図７（ａ）に示すように、第２支持基板としてのダイシングテープ９２を用意し、このダイシングテープ９２の粘着面に半導体基板２０を面２０２側から貼り付ける。すなわち、各搭載基板１０の放熱層４をダイシングテープ９２に貼り付ける。ここで、ダイシングテープ９２の粘着層は、所定の処理（例えば、紫外線照射、加熱等）を施すことによって粘着力が低下する性質を有しており、これにより、ダイシングテープ９２から搭載基板１０を剥がし易くなる。なお、第２支持基板としては、搭載基板１０を支持することができればダイシングテープ９２に限定されず、第１支持基板９１と同様に、シリコン基板、ガラス基板、セラミックス基板等を用いてもよく、この場合は、第１支持基板９１と同様に、ホットワックス９３等を用いて搭載基板１０を貼り付ければよい。
【００４２】
［９］除去工程
次に、図７（ｂ）に示すように、半導体基板２０（各搭載基板１０）から第１支持基板９１を剥がし、さらに、保護層７を除去する。これにより、各搭載基板１０が露出した状態なる。第１支持基板９１は、ホットワックス９３を加熱することで簡単に剥がすことができ、保護層７は、所定の溶剤で溶かすことで簡単に除去することができる。なお、前工程において、各搭載基板１０をダイシングテープ９２に貼り付けておいたため、保護層７を除去しても、搭載基板１０がばらばらにならない。そのため、ハンドリングが容易となり、スムーズに電子モジュール１を製造することができる。
【００４３】
［１０］搭載工程
次に、ダイシングテープ９２の粘着層に例えば紫外線を照射して粘着層の粘着力を低下させ、図７（ｃ）に示すように、ダイシングテープ９２から搭載基板１０を剥がす。そして、搭載基板１０に発光素子３を搭載し、ろう材６３およびボンディングワイヤー６４を用いて接続端子６１、６２と電気接続を行うことによって、電子モジュール１が得られる。
以上、電子モジュール１の製造方法および搭載基板１０の製造方法について詳細に説明した。
【００４４】
このような製造方法では、半導体基板２０を第１支持基板９１で支持した状態で薄肉化し、薄肉化した後も放熱層４を形成するまでは、半導体基板２０を第１支持基板９１で支持している。このように、半導体基板２に放熱層４が形成されておらず、半導体基板２の強度が低い状態のときに半導体基板２を第１支持基板９１で支持しておくことで、製造時における半導体基板２の破損を効果的に防止することができる。
【００４５】
さらには、本製造方法によれば、ダイシングソー等を用いた個片化を必要としないため、搭載基板１０の個片化を簡単に行うことができる。特に、放熱層４が銅などの比較的柔らかい金属材料で構成されている場合、放熱層４をダイシングソーで切断しようとすると、ダイシングソーが目詰まりを起こし、個片化をスムーズに行うことができないと言った問題がある。
【００４６】
また、放熱層４の形成方法として、例えば、個片化された半導体基板２の一方の面に銅板等で構成されている放熱層４を貼り付けるといった方法も考えられるが、このような方法では、半導体基板２にひとつひとつ放熱層４を貼り付ける必要があり、形成が煩雑となってしまう。これに対して、本製造方法によれば、放熱層４を複数の半導体基板２上に一括で形成することができるため、放熱層４の形成が容易となる。
【００４７】
＜第２実施形態＞
図８は、本発明の第２実施形態に係る電子モジュールの製造方法を説明するための断面図である。
以下、第２実施形態について、前述した実施形態との相違点を中心に説明し、同様の事項については、その説明を省略する。
第２実施形態は、放熱層の形成方法が異なること以外は、前述した第１実施形態と同様である。なお、図８では、前述した実施形態と同様の構成には、同一符号を付してある。
【００４８】
≪電子モジュールの製造方法≫
本実施形態の電子モジュール１の製造方法は、［１］電極形成工程と、［２］溝形成工程と、［３］溝埋め工程と、［４］第１支持工程と、［５］個片化工程と、［７］放熱層形成工程と、［８］第２支持工程と、［９］除去工程と、［１０］搭載工程と、を有している。すなわち、本実施形態の電子モジュール１の製造方法は、前述した第１実施形態の電子モジュール１の製造方法から、［６］壁部形成工程を省略した工程となっている。なお、本実施形態の電子モジュール１の製造方法では、［７］放熱層形成工程以外の工程については、前述した第１実施形態の電子モジュール１の製造方法と同様であるため、以下では、主に［７］放熱層形成工程について説明する。
【００４９】
［７］放熱層形成工程
まず、図８（ａ）に示すように、スクリーン印刷によって、各半導体基板２の面２０２上に金属ペースト４０Ｃを塗布する。このとき、各半導体基板２の面２０２から金属ペースト４０Ｃがはみ出ないように、言い換えれば、隣り合う半導体基板２に塗布された金属ペースト４０Ｃ同士が繋がってしまわないようにする。なお、金属ペースト４０Ｃとしては、特に限定されず、例えば、金属粉末、ガラス粉末、無機酸化物等を有機溶媒中に混錬、分散させてインク状としたものを用いることができる。また、金属粉末としては、例えば、Ａｕ（金）、Ａｇ（銀）、Ｃｕ（銅）などの熱伝導率の高い金属材料を用いることが好ましく、これらの中でもＣｕ（銅）を用いることがより好ましい。これにより、より安価な電子モジュール１を製造することができる。
【００５０】
次に、金属ペースト４０Ｃを焼成することで、図８（ｂ）に示すように、放熱層４を形成する。
このような方法によれば、簡単に放熱層４を形成することができる。特に、第１実施形態の電子モジュール１の製造方法と比較して、［６］壁部形成工程を省略することができる点で有効であり、また、めっき処理のための下地層（金属膜４０Ａ）の形成が不要な点でも有効である。
以上のような第２実施形態によっても、前述した第１実施形態と同様の効果を発揮することができる。
【００５１】
＜第３実施形態＞
図９は、本発明の第３実施形態に係る電子モジュールの製造方法によって製造される電子モジュールの断面図である。図１０および図１２は、それぞれ、本発明の第３実施形態に係る電子モジュールの製造方法を説明するための断面図である。
以下、第３実施形態について、前述した実施形態との相違点を中心に説明し、同様の事項については、その説明を省略する。
第３実施形態は、溝２０９および壁部８の形状が異なること以外は、前述した第１実施形態と同様である。なお、図９ないし図１２では、それぞれ、前述した実施形態と同様の構成には、同一符号を付してある。
【００５２】
≪電子モジュール≫
図９に示すように、本実施形態の電子モジュール１は、搭載基板１０がテーパー状をなしている。すなわち、搭載基板１０の横断面積が上面から下面に向けて漸増している。このような形状とすることで、放熱層４の面積（体積）をより大きくすることができるため、発光素子３の放熱効果をより高めることができる。
【００５３】
≪電子モジュールの製造方法≫
本実施形態の電子モジュール１の製造方法は、［１］電極形成工程と、［２］溝形成工程と、［３］溝埋め工程と、［４］第１支持工程と、［５］個片化工程と、［６］壁部形成工程と、［７］放熱層形成工程と、［８］第２支持工程と、［９］除去工程と、［１０］搭載工程と、を有している。これら工程の内、［２］溝形成工程および［６］壁部形成工程以外の工程は、前述した第１実施形態の電子モジュール１の製造方法の各工程と同様であるため、以下では、主に［２］溝形成工程および［６］壁部形成工程について説明する。
【００５４】
［２］溝形成工程
まず、図１０（ａ）に示すように、隣り合う個片化領域Ｓの間に位置する格子状の除去部Ｓ２に対応する開口を有するレジストマスクＭ２を形成する。次に、図１０（ｂ）に示すように、レジストマスクＭ２を介して絶縁層５０および半導体基板２０をエッチングすることで、半導体基板２０に各個片化領域Ｓを仕切る有底の溝２０９を形成する。このとき、溝２０９をその幅Ｗ１が底部に向けて漸減するテーパー状とする。
【００５５】
［６］壁部形成工程
まず、図１１（ａ）に示すように、スパッタリングや蒸着等によって、半導体基板２０の面２０２上に金属膜４０Ａを形成する。次に、図１１（ｂ）に示すように、金属膜４０Ａ上に、複数の半導体基板２に対応する開口を有し、溝２０９と重なっている壁部８を形成する。このとき、壁部８をその幅Ｗ２が頂部に向けて漸減するテーパー状とする。また、そのテーパー角を溝２０９のテーパー角に合わせることが好ましい。
【００５６】
［７］放熱層形成工程
まず、図１２（ａ）に示すように、金属膜４０Ａの壁部８から露出している部分に金属膜４０Ｂを形成する。次に、壁部８を除去した後、金属膜４０Ｂをマスクとして用いて金属膜４０Ａの金属膜４０Ｂから露出している部分を除去する。これにより、図１２（ｂ）に示すように、テーパー状の搭載基板１０が得られる。
このような製造方法によれば、図９に示す電子モジュール１を簡単に製造することができる。
以上のような第３実施形態によっても、前述した第１実施形態と同様の効果を発揮することができる。
【００５７】
＜第４実施形態＞
図１３は、本発明の第４実施形態に係る電子モジュールの製造方法によって製造される電子モジュールの断面図である。図１４および図１５は、それぞれ、本発明の第４実施形態に係る電子モジュールの製造方法を説明するための断面図である。
以下、第４実施形態について、前述した実施形態との相違点を中心に説明し、同様の事項については、その説明を省略する。
第４実施形態は、壁部８の構成が異なること以外は、前述した第１実施形態と同様である。なお、図１３ないし図１５では、それぞれ、前述した実施形態と同様の構成には、同一符号を付してある。
【００５８】
≪電子モジュール≫
図１３に示すように、本実施形態の電子モジュール１では、半導体基板２の下面に設けられている放熱層４が半導体基板２の側面にまで及んでおり、半導体基板２の下側の領域が放熱層４に埋没したような構成となっている。このような構成とすることで、発光素子３の熱が半導体基板２を介して放熱層４に伝わり易くなり、発光素子３の冷却効果をより高めることができる。また、搭載基板１０の厚みを押えつつ、放熱層４の表面積を大きく確保することができる。
【００５９】
≪電子モジュールの製造方法≫
本実施形態の電子モジュール１の製造方法は、［１］電極形成工程と、［２］溝形成工程と、［３］溝埋め工程と、［４］第１支持工程と、［５］個片化工程と、［６］壁部形成工程と、［７］放熱層形成工程と、［８］第２支持工程と、［９］除去工程と、［１０］搭載工程と、を有している。これら工程の内、［６］壁部形成工程以外の工程は、前述した第１実施形態の電子モジュール１の製造方法の各工程と同様であるため、以下では［６］壁部形成工程について説明する。
【００６０】
［６］壁部形成工程
まず、図１４（ａ）に示すように、例えば溶剤等を用いて半導体基板２０の面２０２側から保護層７の一部を除去する。次に、図１４（ｂ）に示すように、スパッタリングや蒸着等によって、半導体基板２０の面２０２上に金属膜４０Ａを形成する。次に、図１４（ｃ）に示すように、金属膜４０Ａ上に、複数の半導体基板２に対応する開口を有し、溝２０９と重なっている壁部８を形成する。このとき、壁部８を、その幅Ｗ２が溝２０９の幅よりも小さく、かつ溝２０９の中央部に位置するように形成する。
【００６１】
［７］放熱層形成工程
まず、図１５（ａ）に示すように、金属膜４０Ａの壁部８から露出している部分に金属膜４０Ｂを形成する。次に、壁部８を除去した後、金属膜４０Ｂをマスクとして用いて金属膜４０Ａの金属膜４０Ｂから露出している部分を除去する。これにより、図１５（ｂ）に示すように、半導体基板２の側面を覆う放熱層４が形成される。
このような製法方法によれば、図１３に示す電子モジュール１を簡単に製造することができる。
以上のような第４実施形態によっても、前述した第１実施形態と同様の効果を発揮することができる。
【００６２】
＜第５実施形態＞
図１６は、本発明の第５実施形態に係る電子モジュールの製造方法を説明するための断面図である。
以下、第５実施形態について、前述した実施形態との相違点を中心に説明し、同様の事項については、その説明を省略する。
第５実施形態は、第２支持基板の構成が異なること以外は、前述した第１実施形態と同様である。なお、図１６では、前述した実施形態と同様の構成には、同一符号を付してある。
【００６３】
≪電子モジュールの製造方法≫
本実施形態の電子モジュール１の製造方法は、［１］電極形成工程と、［２］溝形成工程と、［３］溝埋め工程と、［４］第１支持工程と、［５］個片化工程と、［６］壁部形成工程と、［７］放熱層形成工程と、［８］第２支持工程と、［９］除去工程と、［１０］搭載工程と、を有している。これら工程の内、［８］第２支持工程および［１０］搭載工程以外の工程は、前述した第１実施形態の電子モジュール１の製造方法の各工程と同様であるため、以下では、主に［８］第２支持工程および［１０］搭載工程について説明する。
【００６４】
［８］第２支持工程
まず、図１６（ａ）に示すように、第２支持基板としての実装基板９５を用意し、この実装基板９５に各半導体基板２を面２０２側から貼り付ける（実装する）。実装基板９５への半導体基板２の貼り付けは、特に限定されないが、ろう材等を用いて行うことができる。なお、実装基板９５には、電子モジュール１と電気的に接続するための図示しない回路等が形成されている。
［９］除去工程
次に、図１６（ｂ）に示すように、半導体基板２０（各搭載基板１０）から第１支持基板９１を剥がし、さらに、保護層７を除去する。これにより、各搭載基板１０が露出した状態となる。
【００６５】
［１０］搭載工程
次に、図１６（ｃ）に示すように、実装基板９５に実装されている各搭載基板１０に発光素子３を搭載し、ろう材６３およびボンディングワイヤー６４を用いて接続端子６１、６２と電気接続を行う。これにより、電子モジュール１が得られる。また、図示しないが、各電子モジュールと実装基板９５に形成されている回路とをボンディングワイヤー等を用いて電気的に接続する。
【００６６】
このような電子モジュール１の製造方法によれば、電子モジュール１の製造中に、実装基板９５への実装を行うことができるため便利である。また、このような製造方法によれば、１つの実装基板９５に複数の電子モジュール１が実装されるため、その製造物は、例えばＬＥＤ照明、プロジェクターの光源装置などの各種装置に好適に用いることができる。
以上のような第５実施形態によっても、前述した第１実施形態と同様の効果を発揮することができる。
【００６７】
＜第６実施形態＞
図１７は、本発明の第６実施形態に係る電子モジュールの製造方法によって製造される電子モジュールの断面図である。図１８は、本発明の第６実施形態に係る電子モジュールの製造方法を説明するための断面図である。
以下、第６実施形態について、前述した実施形態との相違点を中心に説明し、同様の事項については、その説明を省略する。
第６実施形態は、搭載基板の構成が異なること以外は、前述した第１実施形態と同様である。なお、図１８では、前述した実施形態と同様の構成には、同一符号を付してある。
【００６８】
≪電子モジュール≫
図１７に示すように、本実施形態の電子モジュール１では、半導体基板２の下面の中央部（発光素子３と重なる部分）に凹部２１が設けられており、それに合わせるようにして、放熱層４の下面の中央部にも凹部４１が形成されている。このような構成とすることで、発光素子３と放熱層４の離間距離をより短くすることができるため、放熱層４の放熱効果をより高めることができる。
【００６９】
≪電子モジュールの製造方法≫
本実施形態の電子モジュール１の製造方法は、［１］電極形成工程と、［２］溝形成工程と、［３］溝埋め工程と、［４］第１支持工程と、［５］個片化工程と、［６］壁部形成工程と、［７］放熱層形成工程と、［８］第２支持工程と、［９］除去工程と、［１０］搭載工程と、を有している。これら工程の内、［５］個片化工程以外の工程は、前述した第１実施形態の電子モジュール１の製造方法の各工程と同様であるため、以下では、主に［５］個片化工程について説明する。
【００７０】
［５］個片化工程
まず、図１８（ａ）に示すように、半導体基板２０を面２０２側から薄肉化し、半導体基板２０の厚さを設定された厚さとする。これにより、各個片化領域Ｓが半導体基板２として個片化される。次に、図１８（ｂ）に示すように、半導体基板２０の面２０２上に凹部２１に対応する開口を有するレジストマスクＭ４を形成する。なお、レジストマスクＭ４は、レジストマスクＭ１と同様にして形成することができる。次に、図１８（ｃ）に示すように、レジストマスクＭ４を介して各半導体基板２をハーフエッチングし、各半導体基板２に凹部２１を形成する。
このような製法方法によれば、図１７に示す電子モジュール１を簡単に製造することができる。
以上のような第６実施形態によっても、前述した第１実施形態と同様の効果を発揮することができる。
【００７１】
２．プロジェクター
次に、電子モジュール１を用いたプロジェクターについて、図１９に基づいて説明する。図１９は、電子モジュールを用いたプロジェクターの光学系の構成図である。
図１９に示すように、プロジェクター１００の光学系は、赤色光、緑色光、青色光を出射する赤色光源１１０Ｒ、緑色光源１１０Ｇ、青色光源１１０Ｂと、コリメーターレンズ１２０Ｒ、１２０Ｇ、１２０Ｂと、透過型の液晶ライトバルブ（光変調装置）１３０Ｒ、１３０Ｇ、１３０Ｂと、クロスダイクロイックプリズム１４０と、投射レンズ１５０とを有している。そして、赤色光源１１０Ｒ、緑色光源１１０Ｇ、青色光源１１０Ｂとして電子モジュール１が用いられている。
【００７２】
赤色光源１１０Ｒから射出された赤色光は、コリメーターレンズ１２０Ｒで平行化され、液晶ライトバルブ１３０Ｒに入射する。液晶ライトバルブ１３０Ｒは、複数の画素を走査し、画像信号に応じて画素毎に制御した透過率で赤色光を変調する。そして、液晶ライトバルブ１３０Ｒにより変調された赤色光は、クロスダイクロイックプリズム１４０に入射する。
【００７３】
同様に、緑色光源１１０Ｇから射出された緑色光は、コリメーターレンズ１２０Ｇで平行化され、液晶ライトバルブ１３０Ｇに入射する。液晶ライトバルブ１３０Ｇは、複数の画素を走査し、画像信号に応じて画素毎に制御した透過率で赤色光を変調する。そして、液晶ライトバルブ１３０Ｇにより変調された緑色光は、クロスダイクロイックプリズム１４０に入射する。
【００７４】
同様に、青色光源１１０Ｂから射出された青色光は、コリメーターレンズ１２０Ｂで平行化され、液晶ライトバルブ１３０Ｂに入射する。液晶ライトバルブ１３０Ｂは、複数の画素を走査し、画像信号に応じて画素毎に制御した透過率で赤色光を変調する。そして、液晶ライトバルブ１３０Ｂにより変調された青色光は、クロスダイクロイックプリズム１４０に入射する。
【００７５】
クロスダイクロイックプリズム１４０は、赤色光、緑色光および青色光を合成する光学系である。このクロスダイクロイックプリズム１４０は、ほぼ直交して配置されているダイクロイック膜１４１、１４２を有している。ダイクロイック膜１４１は、赤色光を反射し、緑色光および青色光を透過させる。一方、ダイクロイック膜１４２は、青色光を反射し、赤色光および緑色光を透過させる。これにより、赤色光、緑色光および青色光は、合成されて投射レンズ１５０に入射する。そして、投射レンズ１５０は、クロスダイクロイックプリズム１４０により合成された光をスクリーン１６０に投射する。これにより、画像信号に応じた画像がスクリーン１６０に投射される。
以上、本発明の搭載基板の製造方法および電子モジュールの製造方法を、図示の実施形態に基づいて説明したが、本発明はこれに限定されるものではなく、各部の構成は、同様の機能を有する任意の構成のものに置換することができる。また、本発明に他の任意の構成物が付加されていてもよい。また、前述した各実施形態を組み合わせてもよい。
【符号の説明】
【００７６】
１……電子モジュール  ２……半導体基板  ３……発光素子  ４……放熱層  ５……絶縁層  ６……電気配線  ７……保護層  ８……壁部  １０……搭載基板  ２０……半導体基板  ２１……凹部  ４０Ａ……金属膜  ４０Ｂ……金属膜  ４０Ｃ……金属ペースト  ４１……凹部  ５０……絶縁層  ６０Ａ……金属膜  ６０Ｂ……金属膜  ６１……接続端子  ６２……接続端子  ６３……ろう材  ６４……ボンディングワイヤー  ７１……充填材  ９１……第１支持基板  ９２……ダイシングテープ  ９３……ホットワックス  ９５……実装基板  １００……プロジェクター  １１０Ｂ……青色光源  １１０Ｇ……緑色光源  １１０Ｒ……赤色光源  １２０Ｂ……コリメーターレンズ  １２０Ｇ……コリメーターレンズ  １２０Ｒ……コリメーターレンズ  １３０Ｂ……液晶ライトバルブ  １３０Ｇ……液晶ライトバルブ  １３０Ｒ……液晶ライトバルブ  １４０……クロスダイクロイックプリズム  １４１、１４２……ダイクロイック膜  １５０……投射レンズ  １６０……スクリーン  ２０１、２０２……面  ２０９……溝  Ｍ１、Ｍ２、Ｍ４……レジストマスク  Ｓ……個片化領域  Ｓ２……除去部  Ｔ、ｔ……厚み  Ｗ１、Ｗ２……幅
【図１】
2015103684.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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