(57)【要約】      （修正有）【課題】有機ＥＬデバイスの製造装置において、有機ＥＬデバイスが大型化しても測定精度の確保とリーク発生や真空度の低下を低コストで防止し、メンテナンス性の低下を低コストで防止できる、相互に対向配置される被処理体とマスクとの配置を高精度に計測する方法の提供。【解決手段】前段のプロセスを行う処理室Ａと後段のプロセスを行う処理室Ｂとの間に設けられた、減圧可能な単一の内部空間Ｓ１を有する成膜室Ｓ内に配された複数のゾーンＺ２を通過することにより有機ＥＬデバイスを製造する装置１０であって、被処理体ＷとマスクＭとの相対的な位置を計測する計測手段Ｃ１０，Ｃ２０がそれぞれの蒸着位置に設けられ、および計測結果に基づいて相対的位置を調整する調整手段ＸＹを有する有機ＥＬデバイスの製造装置。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
前段のプロセスを行う処理室Ａと後段のプロセスを行う処理室Ｂとの間に設けられた、減圧可能な単一の内部空間を有する成膜室を備え、前記処理室Ａから前記成膜室へ搬入された被処理体が、該成膜室の内部空間内に配された複数のゾーンを通過して前記処理室Ｂへ搬出されることにより有機ＥＬデバイスを製造する装置であって、
前記複数のゾーンとして、
保持手段を用いて前記被処理体の裏面を保持する第一ゾーン、
前記保持手段により保持された前記被処理体の表面上に蒸着膜を形成する第二ゾーン、
前記保持手段から前記被処理体の保持を解除する第三ゾーン、
が順に並んで構成されており、
前記第二ゾーンにおいて、蒸着源と前記被処理体の表面側との間に所望のマスクを設けて所定の成膜を行う前に前記被処理体と前記マスクとの相対的な位置を計測する計測手段、および、計測手段の計測結果に基づいて前記被処理体と前記マスクとの相対的な位置を調整する調整手段を有し、前記計測手段が位置調整機構に内蔵されていることを特徴とする有機ＥＬデバイスの製造装置。
【請求項２】
前記位置調整機構が前記内部空間内において密閉され、前記計測手段が前記被処理体と前記マスクとの相対的な位置を透過して計測する計測窓部を有することを特徴とする請求項１記載の有機ＥＬデバイスの製造装置。
【請求項３】
前記位置調整機構には、計測対象を照らす照射手段が搭載されることを特徴とする請求項１または２記載の有機ＥＬデバイスの製造装置。
【請求項４】
前記位置調整機構には、前記被処理体を計測する基板撮像装置と、前記マスクを計測するマスク撮像装置とが設けられることを特徴とする請求項１から３のいずれか記載の有機ＥＬデバイスの製造装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、有機ＥＬデバイスの製造装置に用いて好適な技術に関する。
【背景技術】
【０００２】
有機ＥＬデバイス等の製造工程においては、被処理体であるフィルムあるいは基板の表面に所定の薄膜を成膜する工程を有することがあり、この成膜工程には、基板等に対して所定のパターンで成膜する等、特定の領域に成膜範囲を制限（限定）して成膜する場合がある。真空蒸着法にて基板に対して所定のパターンで成膜する場合を例に説明すると、処理室内に蒸発源と基板とを配置し、真空下で蒸発源から所定の材料を蒸発させる。このとき、基板の蒸発源側に、成膜範囲を限定するマスクを配置し、マスク越しに成膜することで、特定の領域にのみ成膜される。ここで、基板の特定の領域に精度よく成膜するには、処理室内で相互に対向配置される基板とマスクとの配置を精度よく計測する必要がある。
【０００３】
特許文献１に示されるように、基板とマスクとが処理チャンバ内で真空雰囲気に保たれるのに対して、センサであるカメラや照明手段等は、真空外であるチャンバ外に配置され、チャンバ壁に設けられた窓部から計測をおこなっている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２０１３−００１９４７号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかし、有機ＥＬデバイスの大型化に伴って、被処理体である基板が大型化しチャンバの容量が増えたにもかかわらず、チャンバ内における基板の搬送位置はほぼ変化させられないことにより、チャンバ外に位置するセンサと基板との距離が離間して、必要な精度で適確な測定ができなくなるという問題が生じてきた。特に、基板およびマスクと計測手段であるカメラとの距離は、ＷＤ（Working distance）とも称され、必要な精度を維持するために、これらの距離を極めて厳密に設定することが必要である。
【０００６】
さらに、センサ等の計測デバイスの多くは真空仕様に対応していないため、チャンバ壁部を必要な形状に変形させてセンサの位置が測定可能な配置となるように対応することが考えられるが、基板の大型化に伴いチャンバ壁が複雑な凹凸形状となってしまい、このような場合、蒸着装置のメンテナンス作業性が低下するという問題が起きる可能性があり、また、複雑な凹凸形状となってしまうチャンバ壁部からのリークや真空度の低下が発生するという問題が起きる可能性があり好ましくない。
さらに、これらの問題を解決する際に低コストに対応したいという要求があった。
【０００７】
本発明は、上記の事情に鑑みてなされたもので、以下の目的を達成しようとするものである。
１．被処理体とマスクとに対する測定精度を確保すること。
２．処理雰囲気におけるリーク発生や真空度の低下を低コストに防止すること。
３．メンテナンス性の低下を安価に防止すること。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明の有機ＥＬデバイスの製造装置は、前段のプロセスを行う処理室Ａと後段のプロセスを行う処理室Ｂとの間に設けられた、減圧可能な単一の内部空間を有する成膜室を備え、前記処理室Ａから前記成膜室へ搬入された被処理体が、該成膜室の内部空間内に配された複数のゾーンを通過して前記処理室Ｂへ搬出されることにより有機ＥＬデバイスを製造する装置であって、
前記複数のゾーンとして、
保持手段を用いて前記被処理体の裏面を保持する第一ゾーン、
前記保持手段により保持された前記被処理体の表面上に蒸着膜を形成する第二ゾーン、
前記保持手段から前記被処理体の保持を解除する第三ゾーン、
が順に並んで構成されており、
前記第二ゾーンにおいて、蒸着源と前記被処理体の表面側との間に所望のマスクを設けて所定の成膜を行う前に前記被処理体と前記マスクとの相対的な位置を計測する計測手段、および、計測手段の計測結果に基づいて前記被処理体と前記マスクとの相対的な位置を調整する調整手段を有し、前記計測手段が位置調整機構に内蔵されていることにより上記課題を解決した。
本発明は、前記位置調整機構が前記内部空間内において密閉され、前記計測手段が前記被処理体と前記マスクとの相対的な位置を透過して計測する計測窓部を有することが好ましい。
本発明の前記位置調整機構には、計測対象を照らす照射手段が搭載されることが好ましい。
本発明の前記位置調整機構には、前記被処理体を計測する基板撮像装置と、前記マスクを計測するマスク撮像装置とが設けられることができる。
【０００９】
本発明の有機ＥＬデバイスの製造装置は、前段のプロセスを行う処理室Ａと後段のプロセスを行う処理室Ｂとの間に設けられた、減圧可能な単一の内部空間を有する成膜室（チャンバ）Ｓを備え、前記処理室Ａから前記成膜室Ｓへ搬入された（平板状の）被処理体が、該成膜室Ｓの内部空間内に配された複数のゾーンを通過して前記処理室Ｂへ搬出されることにより有機ＥＬデバイスを製造する装置であって、
前記複数のゾーンとして、
保持手段（基板チャック）を用いて前記被処理体の裏面（一面）を保持する第一ゾーン、
前記保持手段により保持された前記被処理体の表面（他面）上に蒸着膜を蒸着する第二ゾーン、
前記保持手段から前記被処理体の保持を解除する第三ゾーン、
が順に並んで構成されており、
前記第二ゾーンにおいて、蒸着源と前記被処理体の表面側との間に所望のマスクを設けて所定の成膜を行う前に前記被処理体と前記マスクとの相対的な位置を計測する計測手段（光学系カメラ）、および、計測手段の計測結果に基づいて前記被処理体と前記マスクとの相対的な位置を調整する調整手段（ＸＹステージ等）を有し、前記計測手段が位置調整機構（大気ボックス）に内蔵されていることにより、基板サイズが大型化した場合であってもこれに対応して、成膜室内の真空度の低下やリークを生じることなく、計測手段（光学系カメラ）におけるＷＤ（Working distance）を所定の範囲内に設定して、被処理体（基板）とマスクとの計測を精度よくおこなうことを安価に可能とすることができる。これにより、被処理体（基板）とマスクとを所望の位置関係とし、また、メンテナンスの作業性の低下を防止し、製品コストの増大を防止することが可能となる。
【００１０】
本発明は、前記位置調整機構が前記内部空間内において密閉され、前記計測手段が前記被処理体と前記マスクとの相対的な位置を透過して計測する計測窓部を有することで、処理室内に位置する位置調整機構内部に収納された計測手段と、前記被処理体および前記マスクとの距離を所定の範囲内に設定しても、真空内部での動作仕様とされていない計測デバイス等の計測手段が良好に動作して精度よく測定することが可能となる。
【００１１】
本発明の前記位置調整機構には、計測対象を照らす照射手段が搭載されることにより、真空内部での動作仕様とされていない照射手段が良好に動作して必要な光量を照射して精度よく測定することが可能となる。
【００１２】
本発明の前記位置調整機構には、前記被処理体を計測する基板撮像装置と、前記マスクを計測するマスク撮像装置とが設けられることにより、被処理体（基板）とマスクとをそれぞれ正確に撮像して、精度よく測定することができる。
【発明の効果】
【００１３】
本発明によれば、基板サイズの大型化に対応し、成膜室内の真空度の低下やリークを生じることなく、計測手段におけるＷＤ（Working distance）を所定の範囲内に設定して被処理体（基板）とマスクとの計測を高精度かつ安価に可能とし、被処理体（基板）とマスクとを所望の位置関係とし、また、メンテナンスの作業性の低下を防止し、製品コストの増大を防止することが可能となる、という効果を奏することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１４】
【図１】本発明に係る有機ＥＬデバイスの製造装置の一実施形態を示す模式正面図である。
【図２】有機ＥＬデバイスの製造工程を示す模式断面図である。
【図３】本発明に係る有機ＥＬデバイスの製造装置の一実施形態における位置調整機構を示す模式平面図である。
【図４】本発明に係る有機ＥＬデバイスの製造装置の一実施形態における位置調整機構を示す模式正段面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１５】
以下、本発明に係る有機ＥＬデバイスの製造装置の一実施形態を、図面に基づいて説明する。
図１は、本実施形態における有機ＥＬデバイスの製造装置を示す模式正面図であり、図において、符号１０は、有機ＥＬデバイスの製造装置である。
【００１６】
本実施形態における有機ＥＬデバイスの製造装置１０は、図１に示すように、前段のプロセスを行う処理室Ａと後段のプロセスを行う処理室Ｂとの間に、仕切りバルブＡ１、Ｂ１を介して設けられた、減圧可能な単一の内部空間Ｓ１を有する成膜室（チャンバ）Ｓを備え、前記処理室Ａから前記成膜室Ｓへ搬入された平板状の被処理体Ｗが、該成膜室Ｓの内部空間Ｓ１内に配された複数のゾーンＺ１〜Ｚ３を通過して前記処理室Ｂへ搬出されることにより有機ＥＬデバイスを製造する装置である。
【００１７】
本実施形態における有機ＥＬデバイスの製造装置１０によって製造される有機ＥＬデバイスは、図３にその一例を示すように、ガラスや可撓性材料等とされる透明基板Ｗに、陽極として機能するＩＴＯ等の第一導電膜Ｖ１が形成され、前記第一導電膜Ｖ１上に正孔輸送層Ｖ２が形成され、前記正孔輸送層Ｖ２上に発光層Ｖ３が形成され、前記発光層Ｖ３上に電子輸送層Ｖ４が形成され、前記電子輸送層Ｖ４上に陰極として機能する第二導電膜Ｖ５が形成されている。
【００１８】
有機ＥＬデバイスの製造装置１０において、図１に示すように、チャンバＳに前記複数のゾーンＺ１〜Ｚ３として、保持手段（基板チャック）Ｔを用いて前記被処理体Ｗの裏面（一面）を保持する第一ゾーンＺ１、前記保持手段Ｔにより保持された前記被処理体Ｗの表面（他面）上に陽極として機能するＩＴＯ等の第一導電膜Ｖ１を形成し、前記第一導電膜Ｖ１上に正孔輸送層Ｖ２を形成し、前記正孔輸送層Ｖ２上に発光層Ｖ３を形成し、前記発光層Ｖ３上に電子輸送層Ｖ４を形成し、前記電子輸送層Ｖ４上に陰極として機能する第二導電膜Ｖ５を形成する第二ゾーンＺ２、前記被処理体Ｗの移動方向における前記第二ゾーンＺ２の下流側位置で保持手段Ｔから被処理体Ｗの保持を解除する第三ゾーン（検査ゾーン）Ｚ３、が順に並んで構成されている。なおこれらの第二ゾーンＺ２における各蒸着源Ｅ等は、模式的に示されたものであり、それぞれの蒸着膜Ｖ１〜Ｖ５等に対応して設けられるものであり、また、蒸着源を加熱する加熱手段、温度測定手段、膜厚制御用のシャッター等は図示を省略する。また、有機ＥＬデバイスの製造装置１０における雰囲気ガス制御手段も図示を省略する。
【００１９】
有機ＥＬデバイスの製造装置１０において、図１に示すように、第一ゾーンＺ１〜第三ゾーンＺ３に亘って、基板Ｗを吸着した基板チャックＴを搬送する基板搬送部（搬送手段）Ｌ１として、基板チャックＴの移動方向と直交する軸線を有するローラＬａが水平方向に多数並設され、図示しない駆動手段により、基板チャックＴを搬送方向Ｈに搬送する。
【００２０】
有機ＥＬデバイスの製造装置１０は、第二ゾーンにおいて、それぞれ蒸着源Ｅと被処理体（基板）Ｗの表面側との間に所望のマスクＭを設けて所定の成膜を行う前に、マスクＭの位置を計測する計測手段（光学系カメラ）Ｃ１０、基板ＷとマスクＭとの相対的な位置を計測する計測手段（光学系カメラ）Ｃ２０、および、計測手段Ｃ１０，Ｃ２０の計測結果に基づいて被処理体ＷとマスクＭとの相対的な位置を調整する調整手段（ＸＹステージ）ＸＹを有する。これらの光学系カメラとしては、ＣＣＤカメラやＣＭＯＳカメラなど、発熱の少ないものを採用することが好ましい。計測手段Ｃ１０，Ｃ２０が位置調整機構（大気ボックス）ＢＯに内蔵され、位置調整機構（大気ボックス）ＢＯは基台に載置されている。
【００２１】
計測手段（光学系カメラ）Ｃ１０は、第二ゾーンＺ２の各蒸着位置において基板搬送部Ｌ１よりも上側位置となるように設けられ、第二ゾーンＺ２の各蒸着位置において基板搬送部Ｌ１より下側位置には、被処理体ＷとマスクＭとの相対的な位置を計測する計測手段（光学系カメラ）Ｃ２０が固設されている。
【００２２】
計測手段Ｃ１０および計測手段Ｃ２０としては、それぞれの蒸着位置において計測可能なように、第一の蒸着位置には計測手段Ｃ１１および計測手段Ｃ２１が設けられ、第二の蒸着位置には計測手段Ｃ１２および計測手段Ｃ２２が設けられ、第三の蒸着位置には計測手段Ｃ１３および計測手段Ｃ２３が設けられる。これらの計測手段Ｃ１１、計測手段Ｃ１２、計測手段Ｃ１３はいずれも略同等の構成とされ、同様に、計測手段Ｃ２１、計測手段Ｃ２２、計測手段Ｃ２３はいずれも略同等の構成とされる。
【００２３】
計測手段Ｃ１０としてはマスクＭに焦点を合わせてその位置を計測する撮像装置（カメラ）Ｃ１０ａと、計測対象を照らす照射手段ＬＥＤとが搭載される。
計測手段Ｃ２０としては被処理体（基板）ＷとマスクＭに焦点を合わせてその位置を計測する撮像装置（カメラ）Ｃ２０ａと、計測対象を照らす照射手段ＬＥＤが搭載される。
【００２４】
計測手段Ｃ１０においては、図３および図４に示すように、それぞれのカメラＣ１１，Ｃ１２，Ｃ１３に対応するカメラＣ１０ａのレンズＣ１０ｂが大気ボックスＢＯに設けられた測定窓部Ｂｂを通して測定可能な位置に設けられる。同様に、計測手段Ｃ１０としてのそれぞれのカメラＣ２１，Ｃ１２，Ｃ１３には、照射手段ＬＥＤが、大気ボックスＢＯに設けられた測定窓部Ｂｃに対応してレンズＣ１０ｂと基板Ｗ進行方向に離間した位置に設けられる。
【００２５】
なお、図３，図４においては、計測手段Ｃ１０のみを記載しているが、計測手段Ｃ２０も略同等の構成とされる。また、計測手段Ｃ２０において、基板ＷとマスクＭに焦点を合わせてその位置を計測するカメラＣ２０ａを、同一の撮像装置として、撮像対称を切り替えて基板ＷとマスクＭとを撮像して計測する構成とすることも、撮像装置Ｃ２０ａとして、基板Ｗに焦点を合わせてその位置を計測する撮像装置とマスクＭに焦点を合わせてその位置を計測する撮像装置とを異なるカメラとして同じ大気ボックスＢＯ内に収納する構成、あるいは、撮像装置Ｃ２０ａとして、基板Ｗに焦点を合わせてその位置を計測する撮像装置とマスクＭに焦点を合わせてその位置を計測する撮像装置とを異なるカメラとして別々の大気ボックスＢＯ内に収納する構成とすることもできる。
また、図３，図４においては、計測手段Ｃ１０の撮像装置Ｃ１０ａを代表して示しているが、撮像装置Ｃ２０ａはこの撮像装置Ｃ１０ａと略同一の構成として、上下反転して配置されるとともに、撮像装置Ｃ１０ａとはマスクＭの反対側から、基板ＷおよびマスクＭに焦点を合わせてその位置を計測する撮像装置とすることができる。
【００２６】
計測手段Ｃ１０または計測手段Ｃ２０においては、図４に計測手段Ｃ１０として示すように、レンズ（撮像装置）Ｃ１０ｂから計測窓部Ｂｂまでの大気圧距離Ｄａに対する計測窓部Ｂｂから計測対象であるマスクＭまたは被処理体（基板）Ｗまでの真空距離Ｄｖの和の値を所定の範囲に設定することで、撮像装置Ｃ１０ａおよび撮像装置Ｃ２０ａにおけるＷＤ（Working distance）値を所定の範囲内に設定して高精度な計測を確保することができる。
【００２７】
大気ボックスＢＯは、真空性能として、収納側となる内部が大気圧、外部が例えば１×１０−５Ｐａ程度の高真空であっても、歪み発生がないという条件を設定することができる。
測定窓部Ｂｂに光学的反射防止膜が設けられることができる。
【００２８】
次に、本実施形態の有機ＥＬデバイスの製造装置１０における有機ＥＬデバイスの製造動作について説明する。
【００２９】
本実施形態においては、処理室Ａにおいて前段のプロセスを行い、この前処理が終了した基板Ｗを図示しない、搬送手段により仕切りバルブＡ１を介してチャンバＳ内に搬送する。
次いで、第一ゾーンＺ１において、基板チャック（保持手段）Ｔを用いて基板（被処理体）Ｗの裏面（一面）を保持する。
【００３０】
次いで、第二ゾーンＺ２の第一の蒸着位置において、光学系カメラ（計測手段）Ｃ１１の照射手段ＬＥＤによって計測対象であるマスクＭを照射しつつ撮像装置Ｃ１０ａでマスクＭを撮像することによって、マスクＭの位置を計測して所望の位置にあることを確認するか計測手段Ｃ１１の計測結果に基づいてマスクＭの位置を所望の状態に設定する。
その後、基板チャックＴを基板搬送部Ｌ１によって第二ゾーンＺ２の第一の蒸着位置に移動し、この第一の蒸着位置に基板Ｗを停止させる。計測手段Ｃ２１の照射手段ＬＥＤによって計測対象である基板ＷとマスクＭとを照射しつつ撮像装置Ｃ２１ａで基板Ｗを撮像してその位置を計測するとともにマスクＭを撮像してその位置を計測する。
計測手段Ｃ２１の計測結果に基づいて必要があればＸＹステージ（調整手段）ＸＹを用いて基板ＷとマスクＭとの相対的な位置を調整した後、第二ゾーンＺ２の第一の蒸着位置において、基板チャックＴにより保持された基板Ｗの表面（下面）上に陽極として機能するＩＴＯ等の第一導電膜Ｖ１を形成する。
【００３１】
次いで、第二ゾーンＺ２の第二の蒸着位置において、光学系カメラ（計測手段）Ｃ１２の照射手段ＬＥＤによって計測対象であるマスクＭを照射しつつ撮像装置Ｃ１０ａでマスクＭを撮像することによって、マスクＭの位置を計測して所望の位置にあることを確認するか計測手段Ｃ１２の計測結果に基づいてマスクＭの位置を所望の状態に設定する。
その後、基板チャックＴを基板搬送部Ｌ１によって第二ゾーンＺ２の第二の蒸着位置に移動し、この第二の蒸着位置に基板Ｗを停止させる。計測手段Ｃ２２の照射手段ＬＥＤによって計測対象である基板ＷとマスクＭとを照射しつつ撮像装置Ｃ２２ａで基板Ｗを撮像してその位置を計測するとともにマスクＭを撮像してその位置を計測する。
計測手段Ｃ２２の計測結果に基づいて必要があればＸＹステージ（調整手段）ＸＹを用いて基板ＷとマスクＭとの相対的な位置を調整した後、第二ゾーンＺ２の第二の蒸着位置において、第一導電膜Ｖ１上にマスクＭのパターンＭａに応じた正孔輸送層Ｖ２を形成する。
【００３２】
次いで、第二ゾーンＺ２の第三の蒸着位置において、光学系カメラ（計測手段）Ｃ１３の照射手段ＬＥＤによって計測対象であるマスクＭを照射しつつ撮像装置Ｃ１０ａでマスクＭを撮像することによって、マスクＭの位置を計測して所望の位置にあることを確認するか計測手段Ｃ１３の計測結果に基づいてマスクＭの位置を所望の状態に設定する。
その後、基板チャックＴを基板搬送部Ｌ１によって第二ゾーンＺ２の第三の蒸着位置に移動し、この第三の蒸着位置に基板Ｗを停止させる。計測手段Ｃ２３の照射手段ＬＥＤによって計測対象である基板ＷとマスクＭとを照射しつつ撮像装置Ｃ２３ａで基板Ｗを撮像してその位置を計測するとともにマスクＭを撮像してその位置を計測する。
計測手段Ｃ２３の計測結果に基づいて必要があればＸＹステージ（調整手段）ＸＹを用いて基板ＷとマスクＭとの相対的な位置を調整した後、この第三の蒸着位置において、正孔輸送層Ｖ２上にマスクＭのパターンＭａに応じた発光層Ｖ３を形成する。
【００３３】
同様にして、第四の蒸着位置において、発光層Ｖ３上にマスクＭのパターンＭａに応じた電子輸送層Ｖ４を形成し、第五の蒸着位置において、電子輸送層Ｖ４上にマスクＭのパターンＭａに応じた第二導電膜Ｖ５を形成する。
【００３４】
次いで、基板チャックＴを基板搬送部Ｌ１によって第三ゾーンＺ３に移動し、基板チャックＴによる基板Ｗの保持を解除するとともに、このチャンバＳ内における処理が終了した基板Ｗを、図示しない搬送手段により仕切りバルブＢ１を介して処理室Ｂにおける後段のプロセスへと搬送する。
【００３５】
本実施形態における有機ＥＬデバイスの製造装置１０によれば、連続した内部空間Ｓ１内で並設されたゾーンＺ２において順次おこなわれる蒸着処理において、光学系カメラ（計測手段）Ｃ１０および光学系カメラ（計測手段）Ｃ２０におけるＷＤ（Working distance）を所望の範囲内に設定して基板ＷとマスクＭとの計測を高精度に可能とすることができる。また、計測手段Ｃ１０，Ｃ１０を位置調整機構（大気ボックス）ＢＯ内部に収納したことで、真空中では正常動作が確実でない計測デバイスを用いても安価にかつ精度よく計測をおこなうことができる。また、チャンバＳの内壁形状を、この計測用に複雑な凹凸形状とする必要がないので、メンテナンス性を確保し、また、リーク発生の可能性を低減して、同時に、製品コストの増大を防止することが可能となる、
【符号の説明】
【００３６】
１０…有機ＥＬデバイスの製造装置
Ｃ１０…計測手段
Ｚ１〜Ｚ３…ゾーン
Ｌ１…基板搬送部（搬送手段）
Ｌ２…計測手段搬送部（搬送手段）
ＢＯ…大気ボックス（位置調整機構）
Ｂｂ…計測窓部
Ｈ…搬送方向(進行方向）
Ｍ…マスク
Ｅ…蒸着源
Ｗ…基板（被処理体）
Ｔ…基板チャック（保持手段）
Ｓ…チャンバ（成膜室）
Ｓ１…内部空間
ＸＹ…ＸＹステージ（調整手段）
ＬＥＤ…照射手段
Ａ１，Ｂ１…仕切りバルブ
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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