(57)【要約】【課題】キャビティーに設けられた機能素子の特性変化を抑制することが可能な電子デバイスおよび電子デバイスの製造方法と、その電子デバイスが搭載された電子機器および移動体を提供する。【解決手段】基材と、基材に包囲されているキャビティーと、基材に設けられ、キャビティーに貫通している孔部に配置されている封止部と、キャビティー内に設けられている機能素子と、を備えた電子デバイスの製造方法であって、孔部に配置された封止部材にレーザー光を照射して封止部材を溶融して封止部を形成する工程を含み、孔部を平面視した場合にレーザー光のスポット幅が封止部材の幅より狭いことを特徴とする。【選択図】図１
2015103685.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基材と、
前記基材に包囲されているキャビティーと、
前記基材に設けられ、前記キャビティーに貫通している孔部に配置されている封止部と、
前記キャビティー内に設けられている機能素子と、を備えた電子デバイスの製造方法であって、
前記孔部に配置された封止部材にレーザー光を照射して前記封止部材を溶融して前記封止部を形成する工程を含み、
前記孔部を平面視した場合に前記レーザー光のスポット幅が前記封止部材の幅より狭いことを特徴とする電子デバイスの製造方法。
【請求項２】
前記基材には、第１基材と、前記孔部が設けられている第２基材とを備え、
前記封止部材を溶融する工程は、前記第２基材を加熱しつつ、前記封止部材を溶融することで前記孔部を閉塞することを特徴とする請求項１に記載の電子デバイスの製造方法。
【請求項３】
前記孔部は、前記キャビティー側に開口を有している第１開口と、前記キャビティーとは反対側に開口を有している第２開口とを有し、前記孔部を平面視した場合に前記第１開口の幅より広く、前記第２開口の幅より狭い前記封止部材に前記レーザー光を照射して前記封止部材を溶融することで前記孔部を閉塞することを特徴とする請求項１または請求項２に記載の電子デバイスの製造方法。
【請求項４】
前記封止部材を溶融する工程の前に、前記キャビティーを減圧する工程を含むことを特徴とする請求項１ないし請求項３のいずれか一項に記載の電子デバイスの製造方法。
【請求項５】
基材と、
前記基材に包囲されているキャビティーと、
前記基材に設けられ前記キャビティーに貫通している孔部と、
前記孔部を閉塞する様に設けられている封止部と、
前記キャビティー内に設けられている機能素子と、を備え、
前記封止部は、前記孔部を平面視した場合、前記封止部を形成する封止部材の幅よりも狭いスポット幅を有するレーザー光にて溶融されていることを特徴とする電子デバイス。
【請求項６】
前記基材は、第１基材と第２基材とを有し、
前記第２基材に前記孔部が設けられていることを特徴とする請求項５に記載の電子デバイス。
【請求項７】
前記第２基材は、シリコンを含む材料で構成されていることを特徴とする請求項６に記載の電子デバイス。
【請求項８】
前記孔部の内壁に金属膜が設けられていることを特徴とする請求項５ないし請求項７のいずれか一項に記載の電子デバイス。
【請求項９】
請求項５ないし請求項８のいずれか一項に記載の電子デバイスが搭載された電子機器。
【請求項１０】
請求項５ないし請求項８のいずれか一項に記載の電子デバイスが搭載された移動体。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電子デバイス、電子デバイスの製造方法、電子機器、および移動体に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来から、角速度や加速度等の物理量を検出するセンサーとして機能素子が搭載された空間（キャビティー）を封止する封止部を備える電子デバイスが知られている。一般にこの様なキャビティーは、キャビティー内を減圧、若しくは不活性ガス等で置換された状態で封止されている。キャビティーの封止は、キャビティーに貫通する孔を設け、孔に封止部材を配置し、封止部材にレーザー光を照射して溶融させ、孔を閉塞することでおこなわれている。
例えば、特許文献１では、キャビティーから外部に貫く孔に封止部材となる金属を配置し、封止部材にレーザー光を照射することで当該封止部材を溶融させ、孔を閉塞するとともにキャビティーが封止された構造の電子デバイスが開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特許第４１１３０６２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、上述の電子デバイスは、封止部材を溶融させるために照射するレーザー光によって封止部材以外の部材が発熱し、部材の発熱により離脱したガスがキャビティー内に放出されるという課題があった。これらのガスがキャビティー内に放出されると、キャビティー内の圧力の変化や、キャビティー内のガス組成の変化が生じ、搭載されている機能素子の動作特性に影響をおよぼす虞もあった。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本発明は、上述した課題の少なくとも一部を解決するためになされたものであり、以下の形態、又は適用例として実現することが可能である。
【０００６】
［適用例１］
本適用例に係る電子デバイスの製造方法は、基材と、基材に包囲されているキャビティーと、基材に設けられ、キャビティーに貫通している孔部に配置されている封止部と、キャビティー内に設けられている機能素子と、を備えた電子デバイスの製造方法であって、孔部に配置された封止部材にレーザー光を照射して封止部材を溶融して封止部を形成する工程を含み、孔部を平面視した場合にレーザー光のスポット幅が封止部材の幅より狭いことを特徴とする。
【０００７】
この様な電子デバイスの製造方法によれば、孔部を閉塞する封止部材に照射するレーザー光のスポット幅が当該封止部材の幅よりも狭いことで、封止部材以外にレーザー光が照射されることを抑制することができる。よって、基材や、基材に設けられている孔部にレーザー光が照射されることが抑制されるため、基材の発熱と、発熱に伴って基材に内包するガスが離脱してキャビティー内に放出されることを抑制することができる。したがって、キャビティー内の圧力や、ガス組成の変化を抑制し、キャビティー内に設けられている機能素子の動作に影響をおよぼすことを抑制することができる。
【０００８】
［適用例２］
上記適用例に係る電子デバイスの製造方法において、基材には、第１基材と、孔部が設けられている第２基材とを備え、封止部材を溶融する工程は、第２基材を加熱しつつ、封止部材を溶融することで孔部を閉塞することが好ましい。
【０００９】
この様な電子デバイスの製造方法によれば、孔部が設けられている第２基材を加熱することで封止部材が接する孔部の内壁を加熱することができる。よって、レーザー光が照射されることで溶融した封止部材が、孔部の内壁に熱を奪われ内壁面での凝固、および内壁面での表面張力を抑制することができる。したがって、均等な封止部材の厚みをもって孔部を閉塞し、キャビティーを封止することができる。
【００１０】
［適用例３］
上記適用例に係る電子デバイスの製造方法において、孔部は、キャビティー側に開口を有している第１開口と、キャビティーとは反対側に開口を有している第２開口とを有し、孔部を平面視した場合に第１開口の幅より広く、第２開口の幅より狭い封止部材にレーザー光を照射して封止部材を溶融することで孔部を閉塞することが好ましい。
【００１１】
この様な電子デバイスの製造方法によれば、キャビティーに開口する第１開口より幅の広い封止部材を孔部に配置することで、溶融前の封止部材がキャビティー内に侵入することを抑制するとともに、キャビティーの封止効果を高めることができる。また、第２開口より幅の狭い封止部材を孔部に配置することで、封止部材を溶融させるレーザー光が封止部材以外の部分に照射されることを抑制することができる。したがって、基材や、基材に設けられている孔部にレーザー光が照射されることが抑制されるため、基材の発熱と、発熱に伴って基材に内包するガスが離脱してキャビティー内に放出されることを抑制することができる。よって、キャビティーの気密性を高め、キャビティー内の圧力や、ガス組成の変化を抑制し、キャビティー内に設けられている機能素子の動作に影響をおよぼすことを抑制することができる。
【００１２】
［適用例４］
上記適用例に係る電子デバイスの製造方法において、封止部材を溶融する工程の前に、キャビティーを減圧する工程を含むことが好ましい。
【００１３】
この様な電子デバイスの製造方法によれば、封止部材を溶融する工程に先立ち、キャビティー内を減圧する工程をおこなうことで、キャビティー内のガスや水分を取り除くことができる。
【００１４】
［適用例５］
本適用例に係る電子デバイスは、基材と、基材に包囲されているキャビティーと、基材に設けられキャビティーに貫通している孔部と、孔部を閉塞する様に設けられている封止部と、キャビティー内に設けられている機能素子と、を備え、封止部は、孔部を平面視した場合、封止部を形成する封止部材の幅よりも狭いスポット幅を有するレーザー光にて溶融されていることを特徴とする。
【００１５】
この様な電子デバイスによれば、孔部を閉塞する封止部材に照射するレーザー光のスポット幅が当該封止部材の幅よりも狭いことで、封止部材以外にレーザー光が照射されることを抑制することができる。よって、基材や、基材に設けられている孔部にレーザー光が照射されることが抑制されるため、基材の発熱と、発熱に伴って基材に内包するガスが離脱してキャビティー内に放出されることを抑制することができる。したがって、キャビティー内の圧力や、ガス組成の変化を抑制し、キャビティー内に設けられている機能素子の動作に影響をおよぼすことを抑制することができる。
【００１６】
［適用例６］
上記適用例に係る電子デバイスにおいて、基材は、第１基材と第２基材とを有し、第２基材に孔部が設けられていることが好ましい。
【００１７】
この様な電子デバイスによれば、キャビティーを包囲する基材が第１基材と第２基材とで構成されているため、キャビティー内に機能素子を容易に配設することができる。また、第２基材に孔部が設けられているため、容易に孔部を設けることができる。
【００１８】
［適用例７］
上記適用例に係る電子デバイスにおいて、第２基材は、シリコンを含む材料で構成されていることが好ましい。
【００１９】
この様な電子デバイスによれば、第２基材がシリコンを含む材料で構成されているため、第２基材に設けられる孔部と、孔部を閉塞する封止部との密着性を高めることができる。したがって、封止されるキャビティーの気密性を高めることができる。よって、キャビティー内の圧力変化を抑制し、キャビティー内に設けられている機能素子の動作に影響をおよぼすことを抑制した電子デバイスを実現することができる。
【００２０】
［適用例８］
上記適用例に係る電子デバイスにおいて、孔部の内壁に金属膜が設けられていることが好ましい。
【００２１】
この様な電子デバイスによれば、孔部の内壁に金属膜が設けられていることで、孔部を閉塞する封止部との密着性をさらに高めることができる。したがって、封止されるキャビティーの気密性を高めることができる。よって、キャビティー内の圧力変化を抑制し、キャビティー内に設けられている機能素子の動作に影響をおよぼすことを抑制した電子デバイスを実現することができる。
【００２２】
［適用例９］
本適用例に係る電子機器は、上述した電子デバイスが搭載されていることを特徴とする。
【００２３】
この様な電子機器によれば、上述した電子デバイスが搭載されていることで、信頼度の高い電子機器を得ることができる。
【００２４】
［適用例１０］
本適用例に係る移動体は、上述した電子デバイスが搭載されていることを特徴とする。
【００２５】
この様な移動体によれば、上述した電子デバイスが搭載されていることで、信頼度の高い移動体を得ることができる。
【図面の簡単な説明】
【００２６】
【図１】本実施形態に係る電子デバイスの概略を示す断面図。
【図２】電子デバイスを模式的に示す平面図。
【図３】電子デバイスを構成する機能素子を模式的に示す平面図。
【図４】電子デバイスの動作を説明する図。
【図５】電子デバイスの動作を説明する図。
【図６】電子デバイスの動作を説明する図。
【図７】電子デバイスの動作を説明する図。
【図８】本実施形態に係る電子デバイスの製造方法を説明する図。
【図９】電子デバイスの製造方法を説明する図。
【図１０】電子デバイスの製造方法を説明する図。
【図１１】本実施形態の電子デバイスと、従来例における電子デバイスとの比較実験をおこない、それぞれの封止部を拡大して示す断面図。
【図１２】本実施形態の電子デバイスと、従来例における電子デバイスとの共振特性Ｑ値を比較したグラフ。
【図１３】実施例に係る電子機器を模式的に示す図。
【図１４】実施例に係る電子機器を模式的に示す図。
【図１５】実施例に係る電子機器を模式的に示す図。
【図１６】実施例に係る移動体を模式的に示す図。
【発明を実施するための形態】
【００２７】
以下、本発明の実施形態について図面を用いて説明する。なお、以下に示す各図においては、各構成要素を図面上で認識され得る程度の大きさとするため、各構成要素の寸法や比率を実際の構成要素とは適宜に異ならせて記載する場合がある。
【００２８】
［実施形態］
実施形態に係る電子デバイス、および電子デバイスの製造方法について、角速度等を検出する機能素子が搭載された態様を実施例として図１から図１２を用いて説明する。
図１は、本実施形態の電子デバイスの概略を示す断面図である。図２は、第２基材側から電子デバイスを視た平面図である。図３は、電子デバイスに搭載された機能素子の構造を示す平面図である。図４ないし図７は、機能素子の動作を説明する説明図である。図８ないし図１０は、本実施形態の電子デバイスの製造工程を説明する工程図である。図１１は、本実施形態の電子デバイスと、従来例における電子デバイスとの比較実験をおこない、それぞれの封止部を拡大して示す断面図である。図１２は、本実施形態の電子デバイスと、従来例における電子デバイスとの共振特性Ｑ値を比較したグラフである。図１ないし図９では、互いに直交する３つの軸として、Ｘ軸、Ｙ軸、Ｚ軸を図示し、Ｚ軸は、Ｘ軸、Ｙ軸と直交する方向で重力が作用する方向を示す軸である。
【００２９】
（電子デバイス１の構造）
本実施形態の電子デバイス１は、図１に示す様に、第１基材１０と、第２基材２０と、機能素子１００とが設けられている。電子デバイス１は、第１基材１０と、第２基材２０との間に機能素子１００が配設されている。第１基材１０と、第２基材２０とが対向することで生じる空間をキャビティー３２とすることで、機能素子１００の振動動作が可能となっている。
なお、便宜上、図１、図２、図８、および図９では、機能素子１００を簡略化して図示している。また、図２においては、封止部６０の図示を省略している。
【００３０】
（第１基材１０）
第１基材１０は、機能素子１００が支持される基材である。第１基材１０には、凹部１２が設けられている。第１基材１０には、機能素子１００が接続されている。第１基材１０と、機能素子１００との接続は、凹部１２の頂面１２ａと、機能素子１００の外周縁１０３とが接続されることでおこなわれている。
後述するが、機能素子１００は、角速度等を検出するために一定の振動動作を伴っている。機能素子１００は、凹部１２の頂面１２ａに外周縁１０３が接続されていることで第１基材１０に干渉されることなく、所望の振動動作をすることができる。
【００３１】
第１基材１０は、その材料として、例えば、ガラス、シリコン、および水晶を含む基材を用いることができる。本実施形態の電子デバイス１において第１基材１０は、ホウ珪酸ガラスを含むガラス基材を用いている。第１基材１０にホウ珪酸ガラスを用いると、弗酸などのウェットエッチング法により凹部１２を容易に形成することができる。更には、陽極接合法により、機能素子１００との接合を強固におこなうことができる。なお、第１基材１０を構成する材料は、特に限定されることなく、凹部１２の形成が可能で、第２基材２０との接合性能が良好な材料であれば適宜変更しても良い。
また、第１基材１０の頂面１２ａには、金属板１１が設けられている。金属板１１は、第２基材２０が接合される主面１０ａと交差する方向から第１基材１０を平面視した場合に、少なくとも後述する孔部４０と重なる主面１０ａ上に設けられている。
【００３２】
（第２基材２０）
第２基材２０は、機能素子１００を覆う様に第１基材１０と接続されている。第２基材２０は、いわゆる蓋部材である。
第２基材２０には、機能素子１００を覆う凹形状をなした凹部２２が設けられている。凹部２２は、第１基材１０と対向する側の第２基材２０の主面２０ａに設けられている。第２基材２０は、第１基材１０における凹部１２の頂面１２ａと、当該第２基材２０における凹部２２の頂面２２ａとが対向する様に接続されている。
第１基材１０と第２基材２０とが接続されることで、凹部１２と凹部２２とが対向して生じる空間を機能素子１００が収容されるキャビティー３２として用いることができる。
【００３３】
第２基材２０には、主面２０ａと、その反対側の面となる副面２０ｂとを貫く孔部４０が設けられている。孔部４０は、主面２０ａ側に開口する第１開口４１と、副面２０ｂ側に開口する第２開口４２とを有する。孔部４０は、キャビティー３２の雰囲気を封止するための封止口として設けられ、後述する封止部６０が配設されている。孔部４０は、その形状は特に限定されないが孔部４０を平面視した場合に、副面２０ｂ側の第２開口４２と比して、主面２０ａ側の第１開口４１の幅が狭いことが好ましい。なぜなら、第２基材２０を上面にした場合、封止部材６０Ｂを配置し易いからである。本実施例では、直径２５０μｍの封止部材６０Ｂを配置するために、第１開口４１を１００μｍ以下、第２開口４２を３００μｍ以上とした。
更に、孔部４０は、図２（ａ）に示す様に角錐形状を有することができる。この時、封止部材６０Ｂとしては例えば球形のものを配置することができる。角錐形状の穴に球形の封止部材６０Ｂを配置することで、穴と封止部材の間に空隙を残すことができる。空隙があることで、後述する減圧時にキャビティー３２内の残留ガスを効率的に抜き出すことができる。なお、角錘形状を有する孔部４０は、その辺４０ｅに曲面が設けられている。辺４０ｅに曲面が設けられていることで後述する封止部材６０Ｂを溶融させた時に、クラックの発生を抑制することができる。或いは、穴の形状を図２（ｂ）に示す様に円錐形状を有することができる。この時、封止部材６０Ｂとしては例えば立方体、或いは直方体のものを配置することができる。
【００３４】
第２基材２０には、副面２０ｂ側には金属膜５０が設けられている。
金属膜５０は、孔部４０の内壁４０ａから第２基材２０の副面２０ｂ側に延設されている。金属膜５０としては、下地層にチタン（Ｔi）、表層に金（Ａｕ）を用いると好適である。金属膜５０は、表層に金（Ａｕ）を用いることで後述する封止部材６０Ｂの濡れ性を高めるとともに、下地層にチタン（Ｔｉ）を用いることで封止部材６０Ｂと孔部４０（内壁４０ａ）の密着性を向上させることができる。下地層はチタンの他に、クロム（Ｃｒ）やタングステン（Ｗ）であっても良い。
なお、金属膜５０を構成する材料は、特に限定されること無く、第２基材２０や封止部６０を構成する材料によって適宜変更して良い。
【００３５】
第２基材２０は、その材料として、例えば、ガラス、シリコン、および水晶を含む基材を用いることができる。本実施形態の電子デバイス１において第２基材２０は、その材料としてシリコン基材を用いている。シリコン基材を用いることで、公知のフォトリソグラフィー法を用いて凹部２２や孔部４０を容易に形成することができる。なお、第２基材２０を構成する材料は、特に限定されることなく、凹部２２および孔部４０の形成が可能で、第１基材１０との接合性能が良好な材料であれば適宜変更しても良い。
【００３６】
第１基材１０、および第２基材２０の平面形状（Ｚ軸方向から見た形状）は、キャビティー３２に機能素子１００を収容できれば特に限定されることはない。本実施形態においては、図２に示す様に矩形状とした。
【００３７】
（キャビティー３２）
キャビティー３２は、機能素子１００が配設され、減圧状態や不活性ガス（例えば窒素ガス）で充満された状態で密閉されている。
例えば、角速度等を検出するセンサーとして機能素子１００を用いる場合、キャビティー３２は、減圧状態（より好ましくは真空状態）であることが好ましい。これにより、機能素子１００の振動が空気の粘性によって減衰することを抑制できる。
また、加速度等を検出するセンサーとして機能素子１００を用いる場合、キャビティー３２は、大気圧状態が一般的であるが、窒素等の不活性気体と置換された状態がより好ましい。キャビティー３２は、不活性気体と置換されることで、機能素子１００の酸化を抑制し、信頼性に寄与することができる。
【００３８】
（封止部６０）
封止部６０は、孔部４０を閉塞する様に配設されている。
封止部６０は、孔部４０を閉塞することでキャビティー３２を封止することができる。封止部６０（封止部材６０Ｂ）は、その材料として、例えば、金・ゲルマニウム（Ａｕ・Ｇｅ）、金・ケイ素（Ａｕ・Ｓｉ）、金・錫（Ａｕ・Ｓｎ）、錫・鉛（Ｓｎ・Ｐｂ）、鉛・銀（Ｐｂ・Ａｇ）、錫・銀・銅（Ｓｎ・Ａｇ・Ｃｕ）、錫・亜鉛・ビスマス（Ｓｎ・Ｚｎ・Ｂｉ）等の合金を用いることができる。本実施形態の封止部６０は、前述した金属膜５０との密着性を高めるため、金・ゲルマニウム（Ａｕ・Ｇｅ）を含む合金を用いている。
封止部６０（封止部材６０Ｂ）は、その材料が特に限定されるものでなく、孔部４０を閉塞し、キャビティー３２の気密性を確保することができる材料であれば適宜変更してよい。なお、封止部６０は、低融点かつ凝固しやすい材料が好ましい。融点が低いことで、封止される機能素子１００の変形や損傷を防ぎ、キャビティー３２の気密性能を高めることができる。また、封止される際の第２基材２０の温度上昇を抑制し、第２基材２０等に内包するガスが離脱し、キャビティー３２内に放出することを抑制することができる。
【００３９】
（機能素子１００の構造）
機能素子１００は、第１基材１０上に設けられている。機能素子１００は、第１基材１０、および第２基材２０によって形成されたキャビティー３２に収容されている。機能素子１００の形態としては、特に限定されず、例えば、角速度（ジャイロ）センサー、加速度センサー、振動子、ＳＡＷ（弾性表面波）素子、マイクロアクチュエーターなどの各種形態とすることができる。
【００４０】
本実施形態では、角速度センサーとして機能素子１００を用いた電子デバイス１について説明する。
図３は、本実施形態の電子デバイス１にかかる機能素子１００を模式的に示す平面図である。なお、図３ないし図７において、互いに直交する３つの軸として、Ｘ軸、Ｙ軸、Ｚ軸を図示している。
【００４１】
機能素子１００は、図３に示す様に構造体１０４と、駆動用固定電極１３０と、検出用固定電極１４０と、固定部１５０と、を有する。
【００４２】
構造体１０４は、例えば、第１基材１０に接合されたシリコン基板１００ａ（図８参照）を加工することにより、一体的に設けられている。これにより、シリコン半導体デバイスの製造に用いられる微細な加工技術の適用が可能となり、構造体１０４の小型化を図ることができる。
【００４３】
構造体１０４は、第１基材１０（図１参照）に固定された固定部１５０（外周縁１０３）によって支持されており、第１基材１０と離間して配置されている。構造体１０４は、第１振動体１０６と、第２振動体１０８と、を有する。第１振動体１０６、および第２振動体１０８は、Ｘ軸方向に沿って互いに連結されている。
【００４４】
第１振動体１０６および第２振動体１０８は、それぞれの境界線Ｂ（Ｙ軸方向に沿った直線）に対して対称となる形状を有する。換言すると第１振動体１０６および第２振動体１０８は、同様の構成を有する。したがって、以下では、第１振動体１０６の構成について説明し、第２振動体１０８の構成の説明については省略する。
【００４５】
第１振動体１０６は、駆動部１１０と、検出部１２０と、を有する。駆動部１１０は、駆動用支持部１１２と、駆動用バネ部１１４と、駆動用可動電極１１６と、を有する。
【００４６】
駆動用支持部１１２は、例えば、矩形（フレーム状）の形状を有し、駆動用支持部１１２の内側には、検出部１２０が配置されている。図示の例では、駆動用支持部１１２は、Ｘ軸方向に沿って延在する第１延在部１１２ａと、Ｙ軸方向に沿って延在する第２延在部１１２ｂと、によって構成されている。
【００４７】
駆動用バネ部１１４は、駆動用支持部１１２の外側に配置されている。図示の例では、駆動用バネ部１１４の一端は、駆動用支持部１１２の角部（第１延在部１１２ａと第２延在部１１２ｂとの接続部）近傍に接続されている。駆動用バネ部１１４の他端は、固定部１５０に接続されている。
【００４８】
図示の例では、駆動用バネ部１１４は、第１振動体１０６において４つ設けられている。そのため、第１振動体１０６は、４つの固定部１５０によって第１基材１０に支持されている。なお、第１振動体１０６と第２振動体１０８との境界線Ｂ上の固定部１５０は、設けられていなくてもよい。
【００４９】
駆動用バネ部１１４は、Ｙ軸方向に沿って往復しながらＸ軸方向に沿って延在する形状を有している。複数の駆動用バネ部１１４は、駆動用支持部１１２の中心を通るＸ軸方向に沿った仮想線（図示せず）、および駆動用支持部１１２の中心を通るＹ軸方向に沿った仮想線（図示せず）に対して対称に設けられている。駆動用バネ部１１４を上記のような形状とすることにより、駆動用バネ部１１４がＹ軸方向、およびＺ軸方向に変形することを抑制し、駆動用バネ部１１４を駆動部１１０の振動方向であるＸ軸方向にスムーズに伸縮させることができる。そして、駆動用バネ部１１４の伸縮に伴い駆動用支持部１１２を（駆動部１１０を）Ｘ軸方向に沿って振動させることができる。なお、駆動用バネ部１１４は、駆動用支持部１１２をＸ軸方向に沿って振動させることができれば、その数は特に限定されない。
【００５０】
駆動用可動電極１１６は、駆動用支持部１１２に接続されて駆動用支持部１１２の外側に配置されている。より具体的には、駆動用可動電極１１６は、駆動用支持部１１２の第１延在部１１２ａに接続されている。
【００５１】
駆動用固定電極１３０は、駆動用支持部１１２の外側に配置されている。駆動用固定電極１３０は、第１基材１０（図１参照）上に固定されている。図示の例では、駆動用固定電極１３０は、複数設けられ、駆動用可動電極１１６を介して対向配置されている。図示の例では、駆動用固定電極１３０は、櫛歯状の形状を有しており駆動用可動電極１１６は、駆動用固定電極１３０の櫛歯の間に挿入可能な突出部１１６ａを有している。駆動用固定電極１３０と突出部１１６ａとの距離（ギャップ）を小さくすることにより、駆動用固定電極１３０と駆動用可動電極１１６との間に作用する静電力を大きくすることができる。
【００５２】
駆動用固定電極１３０および駆動用可動電極１１６に、電圧を印加すると、駆動用固定電極１３０と駆動用可動電極１１６との間に静電力を発生させることができる。これにより、駆動用バネ部１１４がＸ軸方向に沿って伸縮し、駆動用支持部１１２（駆動部１１０）を、Ｘ軸方向に沿って振動させることができる。
【００５３】
なお、図示の例では、駆動用可動電極１１６は、第１振動体１０６において、４つ設けられているが、駆動用支持部１１２をＸ軸方向に沿って振動させることができれば、その数は特に限定されない。また、図示の例では、駆動用固定電極１３０は、駆動用可動電極１１６を介して、対向配置されているが、駆動用支持部１１２をＸ軸方向に沿って振動させることができれば、駆動用固定電極１３０は、駆動用可動電極１１６の一方側にのみ配置されていてもよい。
【００５４】
検出部１２０は、駆動部１１０に連結されている。図示の例では、検出部１２０は、駆動用支持部１１２の内側に配置されている。検出部１２０には、検出用支持部１２２と、検出用バネ部１２４と、検出用可動電極１２６と、を有することができる。なお、図示はしないが、検出部１２０は、駆動部１１０に連結されていれば駆動用支持部１１２の外側に配置されていてもよい。
【００５５】
検出用支持部１２２は、例えば、矩形（フレーム状）の形状を有している。図示の例では、検出用支持部１２２は、Ｘ軸に沿って延在する第３延在部１２２ａと、Ｙ軸に沿って延在する第４延在部１２２ｂと、によって構成されている。
【００５６】
検出用バネ部１２４は、検出用支持部１２２の外側に配置されている。検出用バネ部１２４は、検出用支持部１２２と駆動用支持部１１２とを接続している。より具体的には、検出用バネ部１２４の一端は、検出用支持部１２２の角部（第３延在部１２２ａと第４延在部１２２ｂとの接続部）近傍に接続されている。検出用バネ部１２４の他端は、駆動用支持部１１２の第１延在部１１２ａに接続されている。
【００５７】
検出用バネ部１２４は、Ｘ軸方向に沿って往復しながらＹ軸方向に沿って延在する形状を有している。図示の例では、検出用バネ部１２４は、第１振動体１０６において４つ設けられている。複数の検出用バネ部１２４は、検出用支持部１２２の中心を通るＸ軸方向に沿った仮想線（図示せず）、および検出用支持部１２２の中心を通るＹ軸方向に沿った仮想線（図示せず）に対して、対称に設けられている。検出用バネ部１２４を上記の様な形状とすることにより、検出用バネ部１２４が、Ｘ軸方向及びＺ軸方向に変形することを抑制し、検出用バネ部１２４を、検出部１２０の振動方向であるＹ軸方向にスムーズに伸縮させることができる。そして、検出用バネ部１２４の伸縮に伴い、検出用支持部１２２を（検出部１２０を）、Ｙ軸方向に沿って振動させることができる。なお、検出用バネ部１２４は、検出用支持部１２２をＹ軸方向に沿って振動させることができれば、その数は特に限定されない。
【００５８】
検出用可動電極１２６は、検出用支持部１２２の内側に検出用支持部１２２に接続し、配置されている。図示の例では、検出用可動電極１２６は、Ｘ軸方向に沿って延在しており、検出用支持部１２２の２つの第４延在部１２２ｂに接続されている。
【００５９】
検出用固定電極１４０は、検出用支持部１２２の内側に配置されている。検出用固定電極１４０は、第１基材１０（図１参照）上に固定されている。図示の例では、検出用固定電極１４０は、複数設けられ、検出用可動電極１２６を介して対向配置されている。
【００６０】
検出用可動電極１２６と検出用固定電極１４０との数、及び形状は、検出用可動電極１２６と検出用固定電極１４０との間の静電容量の変化を検出することができれば、特に限定されない。
【００６１】
（機能素子１００の動作）
次に、機能素子１００の動作について説明する。図４から図７は、本実施形態に係る封止構造が電子デバイス１に設けられている機能素子１００の動作を説明するための図である。なお、便宜上、図４から図７では、機能素子１００の各部分を簡略化して図示している。
【００６２】
駆動用固定電極１３０及び駆動用可動電極１１６に、駆動回路（図示省略）によって電圧を印加すると、駆動用固定電極１３０と駆動用可動電極１１６との間に静電力を発生させることができる。これにより、図４および図５に示す様に、駆動用バネ部１１４をＸ軸方向に沿って伸縮させることができ、駆動部１１０をＸ軸方向に沿って振動させることができる。
【００６３】
より具体的には、第１振動体１０６の駆動用可動電極１１６と駆動用固定電極１３０との間に第１交番電圧を印加し、第２振動体１０８の駆動用可動電極１１６と駆動用固定電極１３０との間に第１交番電圧と位相が１８０度ずれた第２交番電圧を印加する。これにより、第１振動体１０６の第１駆動部１１０ａ、および第２振動体１０８の第２駆動部１１０ｂを、互いに逆位相、かつ所定の周波数で、Ｘ軸方向に沿って振動させることができる。即ち、Ｘ軸方向に沿って互いに連結された第１駆動部１１０ａ及び第２駆動部１１０ｂは、Ｘ軸方向に沿って、互いに逆位相で振動（第１振動）する。例えば、先ず、図４に示す様に、第１駆動部１１０ａはα１方向に変位し、第２駆動部１１０ｂはα１方向と反対方向のα２方向に変位する。次に、図５に示す様に、第１駆動部１１０ａはα２方向に変位し、第２駆動部１１０ｂはα１方向に変位する。第１駆動部１１０ａおよび第２駆動部１１０ｂは、この動作を繰り返す。この様にして、第１駆動部１１０ａおよび第２駆動部１１０ｂは、互いに逆位相で振動する。
【００６４】
なお、検出部１２０は、駆動部１１０に連結されているため、検出部１２０も駆動部１１０の振動に伴い、Ｘ軸方向に沿って振動する。すなわち、第１振動体１０６および第２振動体１０８は、Ｘ軸に沿って、互いに逆位相で振動する。
【００６５】
図６および図７に示す様に、双方の駆動部１１０ａ，１１０ｂが第１振動を行っている状態で、機能素子１００にＺ軸回りの角速度ωが加わると、コリオリの力が働き、検出部１２０は、Ｙ軸方向に沿って変位する。即ち、第１駆動部１１０ａに連結された第１検出部１２０ａ、および第２駆動部１１０ｂに連結された第２検出部１２０ｂは、第１振動およびコリオリ力によって、Ｙ軸方向に沿って、互いに反対方向に変位する。
【００６６】
例えば、図６に示す様に、第１検出部１２０ａはβ１方向に変位し、第２検出部１２０ｂはβ１方向と反対方向のβ２方向に変位する。また、図７に示す様に、第１検出部１２０ａはβ２方向に変位し、第２検出部１２０ｂはβ１方向に変位する。第１検出部１２０ａおよび第２検出部１２０ｂは、コリオリ力を受けている間、この動作を繰り返す。
【００６７】
双方の検出部１２０ａ，１２０ｂがＹ軸方向に沿って変位することにより、検出用可動電極１２６と検出用固定電極１４０との間の距離Ｌは変化する。そのため、検出用可動電極１２６と検出用固定電極１４０との間の静電容量が変化する。機能素子１００では、検出用可動電極１２６および検出用固定電極１４０に電圧を印加することにより、検出用可動電極１２６と検出用固定電極１４０との間の静電容量の変化量を検出し、Ｚ軸回りの角速度ωを求めることができる。
【００６８】
なお、上記では、静電力によって、駆動部１１０を駆動させる形態（静電駆動方式）について説明したが、駆動部１１０を駆動させる方法は特に限定されず、圧電駆動方式や、磁場のローレンツ力を利用した電磁駆動方式等を適用することができる。
【００６９】
（電子デバイス１の製造方法）
次に、本実施形態に係る電子デバイス１の製造方法について、図８ないし図１０を参照しながら説明する。
【００７０】
図８（ａ）は、第１基材１０と、機能素子１００となるシリコン基板１００ａとが接合（接続）された状態を示している。第１基材１０には、凹部１２と、主面１０ａに金属板１１とを形成する。
凹部１２の形成は、例えば、凹部１２となる第１基材１０の領域を図示しない金属薄膜（例えば、クロム）でコーティングを施し、フォトリソグラフィー技術を用いて金属薄膜をパターニングする。そのパターニングされた金属薄膜をマスクとして、第１基材１０を弗酸などの薬液でウェットエッチングする。また、金属板１１を形成する領域の凹部（不図示）は、前述した凹部１２と同時に形成することができる。
金属板１１の形成は、例えば、金属板１１の形成する領域（凹部）が開口したマスクパターンを施し、スパッタリング法によっておこなうことができる。
【００７１】
シリコン基板１００ａは、第１基材１０の頂面１２ａ（主面１０ａ）と接合される。
第１基材１０と、シリコン基板１００ａとの接合は、陽極接合法を用いておこなうことができる。第１基材１０と、シリコン基板１００ａとの接合は、陽極接合法に限定されることなく、ウェハー直接接合などの接合方法を用いることができる。また、第１基材１０と、シリコン基板１００ａとが接合される面のそれぞれに金属薄膜を設け、その金属薄膜相互を共晶結合させる金属共晶接合法を用いてもよい。
【００７２】
図８（ｂ）は、第１基材１０に接合されたシリコン基板１００ａが加工され、機能素子１００が形成された状態を示している。
機能素子１００の形成は、例えば、研削装置によってシリコン基板１００ａを研削することで機能素子１００に必要な厚さに薄板化をおこなう。次に、薄板化されたシリコン基板１００ａにマスクとなる薄膜（例えば酸化シリコン薄膜）を形成し、公知のフォトリソグラフィー技術を用いてパターニングを施す。そして、薄膜パターンをマスクとしてシリコン基板１００ａをドライエッチング法により機能素子１００を形成する。尚、ドライエッチング法としては、エッチング工程とデポジション（堆積）工程を繰り返すＢｏｓｃｈ法を用いた。
【００７３】
図８（ｃ）は、第２基材２０に凹部２２と、孔部４０とが形成された状態を示している。
第２基材２０には、凹部２２、孔部４０、および金属膜５０を形成する。
凹部２２の形成は、例えば、凹部２２となる第２基材２０の領域を、フォトリソグラフィー技術を用いてパターニングし、そのパターニングされた第２基材２０をエッチングすることで形成することができる。本実施例では、ドライエッチング法で凹部２２を形成した。孔部４０の形成は、例えば、第２基材２０の主面２０ａ側、および副面２０ｂ側において、孔部４０を形成する領域をフォトリソグラフィー技術にてパターニングし、主面２０ａ側と副面２０ｂ側との両面から異方性ウェットエッチング法を用いておこなうことができる。本実施例では、水酸化カリウム水溶液（ＫＯＨ）を用いて実施した。また、孔部４０の形成は、孔部４０が形成された第２基材２０を弗硝酢酸に浸漬し、孔部４０の辺４０ｅに曲面（丸み）の形成をおこなう。なお、本実施形態において辺４０ｅへの曲面の形成は、弗硝酢酸の混合比をＨＦ：ＨＮＯ３：ＣＨ３ＣＯＯＨ＝１３：８４：３とし、当該弗硝酢酸に第２基材２０をおおよそ２分間浸漬することでおこなった。孔部４０の辺４０ｅに曲面（丸み）を形成することにより、封止部材６０Ｂの充填時にクラックが発生するのを防ぐことができる。
さらに、第２基材２０には、金属膜５０の形成をおこなう。金属膜５０の形成は、例えば、スパッタリング法を用いることができる。本実施形態の金属膜５０は、チタン（Ｔｉ）を下地として金（Ａｕ）をスパッタリングすることで形成することができる。チタンの他にクロム（Ｃｒ）やタングステン（Ｗ）などの材料であっても良い。
【００７４】
図９（ｄ）は、第１基材１０と、第２基材２０とが接合（接続）された状態を示している。
第１基材１０と、第２基材２０との接続は、凹部１２の頂面１２ａと、凹部２２の頂面２２ａとを接合することでおこなう。第１基材１０と、第２基材２０との接続は、凹部１２の底面１２ｂと、凹部２２の底面２２ｂとを対向させて接続することで、凹部１２および凹部２２によって構成されるキャビティー３２を設けることができる。また、当該キャビティー３２に機能素子１００を収容することができる。
【００７５】
第１基材１０と、第２基材２０との接合は、陽極接合法を用いておこなうことができる。第１基材１０と、第２基材２０との接合は、陽極接合法に限定されることなく、ガラスフリット等の接着部材を用いた接合方法を用いることができる。また、第１基材１０と、第２基材２０とが接合される面（頂面１２ａおよび頂面２２ａ）のそれぞれに金属薄膜を設け、その金属薄膜相互を共晶結合させる金属共晶接合法を用いてもよい。これにより、第１基材１０と、第２基材２０との密着性を高めることができるとともに、後述する封止部材６０Ｂによって封止されるキャビティー３２の気密性を高めることができる。
【００７６】
図９（ｅ）は、封止部６０によって孔部４０が閉塞され、キャビティー３２が封止された状態を示している。
孔部４０の閉塞は、孔部４０に封止部材６０Ｂを配設し、その封止部材６０Ｂを溶融させることでおこなう。封止部材６０Ｂは、その形状は特に限定されないが球形状が好ましい。封止部材６０Ｂは、球形状を有することで均等に溶融（融解）することができる。
図９（ｆ）は、第１基材１０と、第２基材２０との接合工程から、封止部材６０Ｂによる封止工程までを説明する工程図である。第１基材１０と第２基材２０を接合した後に、キャビティー３２内に付着した水分や有機物を熱処理工程により除去する。例えば、温度２００[℃]以上に加熱し、１時間以上放置する。必要に応じて真空雰囲気や窒素ガスなど不活性ガス雰囲気中で行っても良い。その後に封止部材６０Ｂを孔部４０に配設し、雰囲気を減圧する（減圧工程）。本実施形態では、電子デバイス１として角速度センサーを適用したので、減圧雰囲気として１００[Ｐａ]以下とした。その他に電子デバイス１として加速度センサーを適用する場合には、例えば、一旦３[ｋＰａ]程度までの減圧雰囲気として水蒸気などの不要なガスを除去した後に、窒素などの不活性ガスを導入して大気圧（１０１３[ｈＰａ]）まで加圧する。一般的な加速度センサーでは気体の粘性抵抗を利用して特性設計を行うからである。その後に、封止部材６０Ｂを溶融させ、孔部４０を閉塞させる（封止工程）。以下に、封止工程の詳細を述べる。
図１０（ａ）および図１０（ｂ）は、孔部４０に封止部材６０Ｂが配置され、その封止部材６０Ｂにレーザー光Ｌが照射されている状態を示している。
孔部４０の閉塞は、孔部４０の第１開口４１を塞ぐ様に封止部材６０Ｂを配置し、配置された封止部材６０Ｂにレーザー光Ｌを照射する。孔部４０の閉塞は、照射されたレーザー光Ｌによって封止部材６０Ｂが発熱して溶融されることでおこなう。また、孔部４０が閉塞されることで封止されるキャビティー３２は、そのキャビティー３２内に設けられる機能素子１００に応じて減圧状態、もしくは不活性ガスを充満させた状態で封止されることが好ましい。よって、孔部４０の閉塞は、減圧状態、もしくは不活性ガスで充満された状態に保たれたチャンバー内でおこなう。孔部４０の閉塞は、減圧状態でおこなう場合、おおよそ１０［Ｐａ］以下に減圧しておこなう。また、孔部４０の閉塞は、不活性ガスで充満された状態でおこなう場合、予めキャビティー３２内に残留するガスを減圧雰囲気下で除去してから不活性ガスの置換をおこなう。
【００７７】
ここでレーザー光Ｌは、封止部材６０Ｂに合焦する様に集光される。集光されるレーザー光Ｌの幅Ｗは、封止部材６０Ｂの幅と比べて狭いことが好ましい。本実施形態において、球形状を有する封止部材６０Ｂを用いるため、以下の説明においては封止部材６０Ｂの幅は、直径Ｄとして説明する。
レーザー光Ｌの幅Ｗが封止部材６０Ｂの直径Ｄより大きい場合には、レーザー光Ｌが孔部４０の内壁４０ａに照射され、第２基材２０が加熱されるおそれがある。第２基材２０が加熱されると、第２基材２０に内包されるガス（例えば、アルゴン（Ａｒ）や窒素（Ｎ）等のプロセスガス）が離脱し、キャビティー３２に放出するおそれがある。例えば、減圧状態で封止されるキャビティー３２の場合、そのキャビティー３２内の減圧低下を来たし、機能素子１００の動作に影響をおよぼすおそれがある。また、例えば、不活性ガスで充満された状態で封止されるキャビティー３２の場合、そのキャビティー３２内のガス組成が変化することで機能素子１００の動作に影響をおよぼすおそれがある。よって、レーザー光Ｌの幅Ｗは、封止部材６０Ｂの直径Ｄより小さくすることで、レーザー光Ｌが封止部材６０Ｂ以外に照射され、その照射された部分が発熱することを抑制することができる。
【００７８】
封止部材６０Ｂは、内壁４０ａに沿って凝固する。より詳しくは封止部材６０Ｂは、レーザー光Ｌが照射されることで溶融し、孔部４０の内壁４０ａに接することで急速に冷却されることで凝固する。封止部材６０Ｂの凝固は、表面張力によって第２開口４２に向かって上昇する様に生じる。この際に、溶融した封止部材６０Ｂは、表面張力の作用によって内壁４０ａによって引き寄せられ、第１開口４１の中心付近の封止部６０の厚みが薄くなる。
また、溶融された封止部材６０Ｂが凝固する際の熱が、第２基材２０に吸収され、第２基材２０の温度が上昇し、ひいては機能素子１００の温度上昇につながる。機能素子１００の温度上昇が生じると、機能素子１００を形成する際に用いたガス（例えば、アルゴン（Ａｒ）や窒素（Ｎ）が離脱（析出）するおそれがある。これらのガスが離脱すると、キャビティー３２内に放出され、キャビティー３２内の減圧状態の低下や、キャビティー３２内のガス組成が変化することで機能素子１００の動作に影響をおよぼすおそれがある。
【００７９】
そこで、孔部４０の閉塞は、第２基材２０を加熱しておこなうことが好ましい。
第２基材２０を加熱し、レーザー光Ｌを照射することで封止部材６０Ｂは、孔部４０の内壁４０ａに沿って凝固することが抑制され、図１０（ｃ）に示す様に封止部６０の厚みの均一化を図ることができる。
【００８０】
本実施形態において、孔部４０の閉塞は、封止部材６０Ｂとして、おおよそ直径Ｄが２５０［μｍ］の球形状で、金・ゲルマニウム（Ａｕ・Ｇｅ）を含む合金を用いている。なお、第１開口４１より大きく第２開口４２より小さい封止部材６０Ｂを用いている。また、封止部材６０Ｂに照射されるレーザー光Ｌのエネルギーは、３．０から５．０［Ｊ］とし、封止部材６０Ｂに照射されるレーザー光Ｌの幅Ｗは、おおよそ３０［μｍ］とした。また、孔部４０の閉塞は、第２基材２０を、おおよそ３００［℃］に加熱した後に、封止部材６０Ｂにレーザー光Ｌを照射し、封止部材６０Ｂを溶解させた。
【００８１】
（レーザー光Ｌの幅Ｗを可変させた実験）
ここで発明者等は、封止部材６０Ｂに照射するレーザー光Ｌの幅Ｗを可変させて封止部材６０Ｂを溶融する実験をおこなった。
かかる実験は、機能素子１００としてジャイロセンサーを形成し、封止部材６０Ｂに照射するレーザー光Ｌの幅Ｗを可変させてキャビティー３２の封止をおこなった２つの電子デバイス１（サンプルＡおよびサンプルＢ）を形成し、その電子デバイス１の封止部６０の形状および共振特性Ｑ値の評価をおこなった。
【００８２】
評価をおこなう電子デバイス１は、サンプルＡおよびサンプルＢともに、第１基材１０、第２基材２０、機能素子１００などの形状や、封止部材６０Ｂも同じものを用いている。
サンプルＡは、封止部材６０Ｂに照射するレーザー光Ｌの幅Ｗを封止部材６０Ｂの直径Ｄよりも大きい３００［μｍ］とした。また、４．５［Ｊ］（レーザー光Ｌの出力０．１５［Ｋｗ］、レーザー光Ｌの照射時間０．０３［Ｓｅｃ］）のエネルギーを封止部材６０Ｂに与えた。
サンプルＢは、封止部材６０Ｂに照射するレーザー光Ｌの幅Ｗを封止部材６０Ｂの直径Ｄよりも小さい３０［μｍ］とした。また、３．６［Ｊ］（レーザー光Ｌの出力０．０４［Ｋｗ］、レーザー光Ｌの照射時間０．０９［Ｓｅｃ］）のエネルギーを封止部材６０Ｂに与えた。
【００８３】
図１１（ａ）はサンプルＡ、図１１（ｂ）はサンプルＢにおける封止部６０の断面をそれぞれ拡大した模式図である。また、図１２は、サンプルＡおよびサンプルＢにおける機能素子１００に関する共振特性Ｑ値の評価結果をまとめたグラフである。電子デバイス１として角速度センサーを適用した本実施形態では、機能素子１００の共振特性は角速度センサーの特性に大きく影響する。具体的には、機能素子１００の共振特性Ｑ値が大きいと感度や消費電力の性能向上に有利である。
サンプルＡにおいて封止部６０は、図１１（ａ）に示す様に、封止部６０中心部分に陥没が生じた。また、溶融した封止部材６０Ｂが孔部４０の内壁４０ａに沿って第２開口付近まで表面張力により上昇し、弧を描く厚みをもって封止部６０が形成された。また、サンプルＡにおいては図１２に示す様にＱ値が４５００程度となった。
サンプルＢにおいて封止部６０は、図１１（ｂ）に示す様に、溶融した封止部材６０Ｂが孔部４０の内壁４０ａに沿って上昇することが抑制され、ほぼ均一な厚みをもって封止部６０が形成された。また、サンプルＡにおいては図１２に示す様にＱ値が１５０００程度となった。
よって、第２基材２０や機能素子１００からのガスの離脱を抑制することで、電子デバイス１の性能を示す共振特性Ｑ値が向上することを当該実験によって知らしめたものである。従って、本実施形態の角速度センサーでは感度や消費電力などのセンサー特性が向上した。一方、電子デバイス１として加速度センサーを適用した場合には、水蒸気などの不要ガスを除去しつつ、良好な気密状態を保てるので信頼性の高いデバイス性能を提供できる。
【００８４】
本実施形態の電子デバイス１の製造は、孔部４０を閉塞し、キャビティー３２を封止することで完了する。
【００８５】
上述した実施形態によれば、以下の効果が得られる。
この様な電子デバイス１、および電子デバイス１の製造方法によれば、孔部４０を閉塞する封止部材６０Ｂに照射するレーザー光Ｌのスポット幅（レーザーの光束の直径）が、当該封止部材６０Ｂの直径Ｄよりも狭いことで、封止部材６０Ｂ以外にレーザー光Ｌが照射されることを抑制することができる。よって、第１基材１０、第２基材２０、および機能素子１００や、第２基材２０に設けられている孔部４０にレーザー光Ｌが照射されることが抑制される。また、照射に伴う発熱と、発熱に伴って第１基材１０、第２基材２０、および機能素子１００に内包するガスが離脱し、キャビティー３２内に放出されることを抑制することができる。したがって、キャビティー３２内の圧力や、ガス組成の変化を抑制し、キャビティー３２内に設けられている機能素子１００の動作に影響をおよぼすことを抑制することができる。
【００８６】
（実施例）
本発明の実施形態に係る電子デバイス１が適用された実施例について、図１３ないし図１６を参照しながら説明する。
【００８７】
［電子機器］
本発明の実施形態に係る電子デバイス１を適用した電子機器について、図１３から図１５を参照しながら説明する。
【００８８】
図１３は、本発明の実施形態に係る電子デバイス１を備える電子機器としてのラップトップ型（またはモバイル型）のパーソナルコンピューターの構成の概略を示す斜視図である。この図において、ラップトップ型パーソナルコンピューター１１００は、キーボード１１０２を備えた本体部１１０４と、表示部１００８を備えた表示ユニット１１０６とにより構成され、表示ユニット１１０６は、本体部１１０４に対しヒンジ構造部を介して回動可能に支持されている。この様なラップトップ型パーソナルコンピューター１１００には、その落下や傾斜を計測するための加速度や角速度等の物理量を計測する電子デバイス１が搭載されている。この様な電子デバイス１は、機能素子１００が設けられているキャビティー３２の気密が高められ、第１基材１０、第２基材２０、および機能素子１００からのガスの離脱が抑制されるとともに、検出精度が高められている。よって、上述した電子デバイス１が搭載されることで、信頼性の高い小型化を成し得たラップトップ型パーソナルコンピューター１１００を得ることができる。
【００８９】
図１４は、本発明の実施形態に係る電子デバイス１を備える電子機器としての携帯電話機（ＰＨＳも含む）の構成の概略を示す斜視図である。この図において、携帯電話機１２００は、複数の操作ボタン１２０２、受話口１２０４および送話口１２０６を備え、操作ボタン１２０２と受話口１２０４との間には、表示部１２０８が配置されている。この様な携帯電話機１２００には、その落下や傾斜を計測するための加速度や角速度等の物理量を計測する電子デバイス１が搭載されている。この様な電子デバイス１は、機能素子１００が設けられているキャビティー３２の気密が高められ、第１基材１０、第２基材２０、および機能素子１００からのガスの離脱が抑制されるとともに、検出精度が高められている。よって、上述した電子デバイス１が搭載されることで、信頼性の高い小型化を成し得た携帯電話機１２００を得ることができる。
【００９０】
図１５は、本発明の実施形態に係る電子デバイス１を備える電子機器としてのデジタルスチールカメラの構成の概略を示す斜視図である。なお、この図には、外部機器との接続についても簡易的に示されている。ここで、通常のカメラは、被写体の光像により銀塩写真フィルムを感光するのに対し、デジタルスチールカメラ１３００は、被写体の光像をＣＣＤ（Charge  Coupled  Device）等の撮像素子により光電変換して撮像信号（画像信号）を生成する。
デジタルスチールカメラ１３００におけるケース（ボディー）１３０２の背面には、表示部１３０８が設けられ、ＣＣＤによる撮像信号に基づいて表示をおこなう構成になっており、表示部１３０８は、被写体を電子画像として表示するファインダーとして機能する。また、ケース１３０２の正面側（図中裏面側）には、光学レンズ（撮像光学系）やＣＣＤ等を含む受光ユニット１３０４が設けられている。
撮影者が表示部１３０８に表示された被写体像を確認し、シャッターボタン１３０６を押下すると、その時点におけるＣＣＤの撮像信号が、メモリー１３１０に転送・格納される。また、このデジタルスチールカメラ１３００においては、ケース１３０２の側面に、ビデオ信号出力端子１３１２と、データ通信用の入出力端子１３１４とが設けられている。そして、図示される様に、ビデオ信号出力端子１３１２には液晶ディスプレイ１４３０が、データ通信用の入出力端子１３１４にはパーソナルコンピューター１４４０が、それぞれ必要に応じて接続される。さらに、所定の操作により、メモリー１３１０に格納された撮像信号が、液晶ディスプレイ１４３０や、パーソナルコンピューター１４４０に出力される構成になっている。この様なデジタルスチールカメラ１３００には、その落下や傾斜を計測するための加速度や角速度等の物理量を計測する電子デバイス１が搭載されている。この様な電子デバイス１は、機能素子１００が設けられているキャビティー３２の気密が高められ、第１基材１０、第２基材２０、および機能素子１００からのガスの離脱が抑制されるとともに、検出精度が高められている。
【００９１】
なお、本発明の実施形態に係る電子デバイス１は、図１３に示すラップトップ型パーソナルコンピューター（モバイル型パーソナルコンピューター）、図１４に示す携帯電話機、図１５に示すデジタルスチールカメラの他にも、例えば、スマートフォン、インクジェット式吐出装置（例えばインクジェットプリンター）、テレビ、ビデオカメラ、ビデオテープレコーダー、カーナビゲーション装置、ページャー、電子手帳（通信機能付も含む）、電子辞書、電卓、電子ゲーム機器、ワードプロセッサー、ワークステーション、テレビ電話、防犯用テレビモニター、電子双眼鏡、ＰＯＳ端末、医療機器（例えば電子体温計、血圧計、血糖計、心電図計測装置、超音波診断装置、電子内視鏡）、魚群探知機、各種測定機器、計器類（例えば、車両、航空機、船舶の計器類）、フライトシミュレーター等の電子機器に適用することができる。
【００９２】
［移動体］
図１６は、移動体の一例としての自動車を概略的に示す斜視図である。自動車１５００は、種々の制御信号を処理する電子デバイス１を備えた各種制御ユニットが搭載されている。例えば、同図に示す様に、移動体としての自動車１５００には、当該自動車１５００の加速度を検知するセンサーを内蔵してエンジンの出力を制御する電子制御ユニット（ＥＣＵ：electronic  Control  Unit）１５０８が車体１５０７に搭載されている。電子制御ユニット１５０８には、車体１５０７の加速度や角速度等の物理量を計測する電子デバイス１が搭載されている。この様な電子デバイス１は、機能素子１００が設けられているキャビティー３２の気密が高められ、第１基材１０、第２基材２０、および機能素子１００からのガスの離脱が抑制されるとともに、検出精度が高められている。よって、車体１５０７の姿勢に応じた適切なエンジン出力制御を高精度に実行し、燃料等の消費を抑制した効率的な移動体としての自動車１５００を得ることができる。
また、電子デバイス１は、他にも、車体姿勢制御ユニット、アンチロックブレーキシステム（ＡＢＳ）、エアバック、タイヤ・プレッシャー・モニタリング・システム（ＴＰＭＳ：Tire  Pressure  Monitoring  System）等に広く適用できる。
【符号の説明】
【００９３】
１…電子デバイス、１０…第１基材、１０ａ…主面、１１…金属板、１２…凹部、１２ａ…頂面、１２ｂ…底面、２０…第２基材、２０ａ…主面、２０ｂ…副面、２２…凹部、２２ａ…頂面、２２ｂ…底面、３２…キャビティー、４０…孔部、４０ａ…内壁、４０ｅ…辺、４１…第１開口、４２…第２開口、５０…金属膜、６０…封止部、６０Ｂ…封止部材、１００…機能素子、１００ａ…シリコン基板、１０３…外周縁、１１００…ラップトップ型パーソナルコンピューター、１２００…携帯電話機、１３００…デジタルスチールカメラ、１５００…自動車。
【図１】
2015103685.tif 000003
【図２】
2015103685.tif 000004
【図３】
2015103685.tif 000005
【図４】
2015103685.tif 000006
【図５】
2015103685.tif 000007
【図６】
2015103685.tif 000008
【図７】
2015103685.tif 000009
【図８】
2015103685.tif 000010
【図９】
2015103685.tif 000011
【図１０】
2015103685.tif 000012
【図１１】
2015103685.tif 000013
【図１２】
2015103685.tif 000014
【図１３】
2015103685.tif 000015
【図１４】
2015103685.tif 000016
【図１５】
2015103685.tif 000017
【図１６】
2015103685.tif 000018