(57)【要約】【課題】上アーム側駆動回路の動作電圧の低下を防ぐ。【解決手段】上アーム側駆動回路（71,72,73）は、電流駆動型の半導体素子で構成された上アーム側スイッチング素子（Q51a,Q52a,Q53a）を駆動する。昇圧回路（77,78,79）は、モータ（15）の状態に応じて直流電圧（Vdc2）を昇圧する。ブートストラップ回路（80,81,82）は、昇圧回路（77,78,79）が昇圧動作を行う場合、昇圧回路（77,78,79）による昇圧後の電圧の充放電を行うことで、昇圧後の電圧を上アーム側駆動回路（71,72,73）に供給する。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
互いに直列に接続された上アーム側スイッチング素子（Q51a,Q52a,Q53a）及び下アーム側スイッチング素子（Q51b,Q52b,Q53b）を含むインバータ回路（50）、を駆動するためのインバータ駆動装置であって、
電流駆動型の半導体素子で構成された上記上アーム側スイッチング素子（Q51a,Q52a,Q53a）の制御端子と接続され、上記上アーム側スイッチング素子（Q51a,Q52a,Q53a）を駆動する上アーム側駆動回路（71,72,73）と、
上記インバータ回路（50）に接続されたモータ（15）の状態に応じて、所定電圧（Vdc2）を昇圧可能な昇圧回路（77,78,79）と、
上記昇圧回路（77,78,79）が上記所定電圧（Vdc2）の昇圧動作を行う場合、上記昇圧回路（77,78,79）により昇圧された電圧である昇圧後電圧の充放電を行うことによって、上記昇圧後電圧を上記上アーム側駆動回路（71,72,73）に供給する蓄電回路（80,81,82）と、
を備えることを特徴とするインバータ駆動装置。
【請求項２】
請求項１において、
上記モータ（15）の状態が上記モータ（15）の起動時である場合に、上記昇圧回路（77,78,79）は上記所定電圧（Vdc2）を昇圧することを特徴とするインバータ駆動装置。
【請求項３】
請求項１または請求項２において、
上記モータ（15）の状態が、上記モータ（15）の回転数が所定回転数よりも低い状態である場合に、上記昇圧回路（77,78,79）は上記所定電圧（Vdc2）を昇圧することを特徴とするインバータ駆動装置。
【請求項４】
請求項３において、
上記昇圧回路（77,78,79）は、
コイル（L77）と当該コイル（L77）に並列に接続されたスイッチ（S77）とを含む昇圧チョッパ回路であって、
上記モータ（15）の回転数に応じて上記スイッチ（S77）のデューティ比を可変させて上記所定電圧（Vdc2）の昇圧量を調整する、
ことを特徴とするインバータ駆動装置。
【請求項５】
請求項１または請求項２において、
上記モータ（15）の状態が、上記モータ（15）に流れる電流の値が所定値よりも高い状態である場合に、上記昇圧回路（77,78,79）は上記所定電圧（Vdc2）を昇圧することを特徴とするインバータ駆動装置。
【請求項６】
請求項５において、
上記昇圧回路（77,78,79）は、
コイル（L77）と当該コイル（L77）に並列に接続されたスイッチ（S77）とを含む昇圧チョッパ回路であって、
上記モータ（15）に流れる電流の値に応じて上記スイッチ（S77）のデューティ比を可変させて上記所定電圧（Vdc2）の昇圧量を調整する、
ことを特徴とするインバータ駆動装置。
【請求項７】
請求項１から請求項３及び請求項５のいずれか１項において、
上記昇圧回路（77,78,79）は、チャージポンプ回路であることを特徴とするインバータ駆動装置。
【請求項８】
請求項１から請求項７のいずれか１項において、
上記昇圧回路（77,78,79）は、上記蓄電回路（80,81,82）の出力電圧が所定範囲内を保つように、上記所定電圧（Vdc2）の昇圧量を調整することを特徴とするインバータ駆動装置。
【請求項９】
請求項１から請求項８のいずれか１項において、
上記昇圧回路（77,78,79）が上記所定電圧（Vdc2）の昇圧動作を行わない場合、上記蓄電回路（80,81,82）は、上記所定電圧（Vdc2）を充放電することを特徴とするインバータ駆動装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、互いに直列に接続された上アーム側スイッチング素子及び下アーム側スイッチング素子を含むインバータ回路のインバータ駆動装置において、上アーム側駆動回路の動作電圧の低下防止策に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
空気調和装置の圧縮機及びファンの駆動源であるモータには、特許文献１に示すように、インバータ回路によって駆動されるものがある。
【０００３】
特許文献１のインバータ回路は、互いに直列に接続された上アーム側スイッチング素子及び下アーム側スイッチング素子で構成され、各スイッチング素子の制御端子には、駆動回路の出力が接続されている。上アーム側スイッチング素子の上アーム側駆動回路には、当該回路に動作電圧を供給するブートコンデンサが、当該回路に並列に接続されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２０１３−１１５９５４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
近年、絶縁ゲートバイポーラトランジスタ等である電圧駆動型の半導体素子に代えて、ＧａＮ等を用いた高電子移動度トランジスタ（HEMT）、或いはヘテロ接合電界効果トランジスタ（HFET）等である電流駆動型の半導体素子を、スイッチング素子として採用することが試みられつつある。
【０００６】
電流駆動型の半導体素子が上アーム側スイッチング素子として採用された場合、上アーム側駆動回路の出力から上アーム側スイッチング素子へと電流が流れ続けることで、当該スイッチング素子はオンする。この間、ブートコンデンサは、充電された電圧を動作電圧として上アーム側駆動回路に放電し続けるため、動作電圧は次第に低下していく。動作電圧の低下は、上アーム側駆動回路の動作を不安定にさせる場合がある。
【０００７】
また、動作電圧が低下すると、上アーム側スイッチング素子の制御端子へと流れる電流量も減少する。すると、オン抵抗が上昇し、スイッチング素子の電力損失が増加する。
【０００８】
本発明は、かかる点に鑑みてなされたものであり、その目的は、上アーム側駆動回路の動作電圧の低下を防ぐことである。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
第１の発明は、互いに直列に接続された上アーム側スイッチング素子（Q51a,Q52a,Q53a）及び下アーム側スイッチング素子（Q51b,Q52b,Q53b）を含むインバータ回路（50）、を駆動するためのインバータ駆動装置が対象である。インバータ駆動装置は、電流駆動型の半導体素子で構成された上記上アーム側スイッチング素子（Q51a,Q52a,Q53a）の制御端子と接続され、上記上アーム側スイッチング素子（Q51a,Q52a,Q53a）を駆動する上アーム側駆動回路（71,72,73）と、上記インバータ回路（50）に接続されたモータ（15）の状態に応じて、所定電圧（Vdc2）を昇圧可能な昇圧回路（77,78,79）と、上記昇圧回路（77,78,79）が上記所定電圧（Vdc2）の昇圧動作を行う場合、上記昇圧回路（77,78,79）により昇圧された電圧である昇圧後電圧の充放電を行うことによって、上記昇圧後電圧を上記上アーム側駆動回路（71,72,73）に供給する蓄電回路（80,81,82）と、を備えることを特徴とする。
【００１０】
ここでは、モータ（15）の状態に応じて必要な場合に、昇圧回路（77,78,79）は昇圧動作を行い、蓄電回路（80,81,82）は昇圧後電圧を充放電する。これにより、所定電圧（Vdc2）よりも高い電圧である昇圧後電圧が、上アーム側駆動回路（71,72,73）の動作電圧として供給されるため、当該動作電圧の低下が防がれる。従って、上アーム側駆動回路（71,72,73）は安定して動作を行うことができる。
【００１１】
第２の発明は、第１の発明において、上記モータ（15）の状態が上記モータ（15）の起動時である場合に、上記昇圧回路（77,78,79）は上記所定電圧（Vdc2）を昇圧することを特徴とする。
【００１２】
ここでは、モータ（15）の起動時に、昇圧回路（77,78,79）による昇圧動作が行われ、昇圧後電圧が上アーム側駆動回路（71,72,73）に供給される。従って、モータ（15）の起動時、上アーム側駆動回路（71,72,73）から上アーム側スイッチング素子（Q51a,Q52a,Q53a）の制御端子へと流れる電流量が比較的多くても、上アーム側スイッチング素子（Q51a,Q52a,Q53a）の動作電圧の低下が防がれる。
【００１３】
第３の発明は、第１の発明または第２の発明において、上記モータ（15）の状態が、上記モータ（15）の回転数が所定回転数よりも低い状態である場合に、上記昇圧回路（77,78,79）は上記所定電圧（Vdc2）を昇圧することを特徴とする。
【００１４】
ここでは、モータ（15）の回転数が所定回転数よりも低い場合、昇圧回路（77,78,79）による昇圧動作が行われ、昇圧後電圧が上アーム側駆動回路（71,72,73）に供給される。従って、モータ（15）の低速回転時、上アーム側駆動回路（71,72,73）から上アーム側スイッチング素子（Q51a,Q52a,Q53a）の制御端子へと流れる電流量が比較的多くても、上アーム側スイッチング素子（Q51a,Q52a,Q53a）の動作電圧の低下が防がれる。
【００１５】
第４の発明は、第３の発明において、上記昇圧回路（77,78,79）は、コイル（L77）と当該コイル（L77）に並列に接続されたスイッチ（S77）とを含む昇圧チョッパ回路である。上記昇圧回路（77,78,79）は、上記モータ（15）の回転数に応じて上記スイッチ（S77）のデューティ比を可変させて上記所定電圧（Vdc2）の昇圧量を調整することを特徴とする。
【００１６】
このように、昇圧回路（77,78,79）は、簡単な構成にて、その時々のモータ（15）の回転数に応じて昇圧量を可変させることができる。
【００１７】
第５の発明は、第１の発明または第２の発明において、上記モータ（15）の状態が、上記モータ（15）に流れる電流の値が所定値よりも高い状態である場合に、上記昇圧回路（77,78,79）は上記所定電圧（Vdc2）を昇圧することを特徴とする。
【００１８】
ここでは、モータ（15）に流れる電流（Im）の値が所定値よりも高い場合、昇圧回路（77,78,79）による昇圧動作が行われ、昇圧後電圧が上アーム側駆動回路（71,72,73）に供給される。従って、モータ（15）に流れる電流（Im）の値が所定値よりも高い場合、上アーム側駆動回路（71,72,73）から上アーム側スイッチング素子（Q51a,Q52a,Q53a）の制御端子へと流れる電流量が比較的多くても、上アーム側スイッチング素子（Q51a,Q52a,Q53a）の動作電圧の低下が防がれる。
【００１９】
第６の発明は、第５の発明において、上記昇圧回路（77,78,79）は、コイル（L77）と当該コイル（L77）に並列に接続されたスイッチ（S77）とを含む昇圧チョッパ回路である。昇圧回路（77,78,79）は、上記モータ（15）に流れる電流の値に応じて上記スイッチ（S77）のデューティ比を可変させて上記所定電圧（Vdc2）の昇圧量を調整することを特徴とする。
【００２０】
このように、昇圧回路（77,78,79）は、簡単な構成にて、その時々のモータ（15）に流れる電流（Im）の値に応じて昇圧量を可変させることができる。
【００２１】
第７の発明は、第１の発明から第３の発明及び第５の発明のいずれかにおいて、上記昇圧回路（77,78,79）は、チャージポンプ回路であることを特徴とする。
【００２２】
第８の発明は、第１の発明から第７の発明のいずれか１つにおいて、上記昇圧回路（77,78,79）は、上記蓄電回路（80,81,82）の出力電圧が所定範囲内を保つように、上記所定電圧（Vdc2）の昇圧量を調整することを特徴とする。
【００２３】
これにより、蓄電回路（80,81,82）の出力電圧（Vb）の値、即ち上アーム側駆動回路（71,72,73）の動作電圧の変動は、所定範囲内に抑えられる。そのため、上アーム側駆動回路（71,72,73）は、より安定して動作を行うことができる。
【００２４】
第９の発明は、第１の発明から第８の発明のいずれか１つにおいて、上記昇圧回路（77,78,79）が上記所定電圧（Vdc2）の昇圧動作を行わない場合、上記蓄電回路（80、81,82）は、上記所定電圧（Vdc2）を充放電することを特徴とする。
【００２５】
これにより、蓄電回路（80,81,82）の寿命を長く保つと共に、昇圧回路（77,78,79）による電力損失を抑えることができる。
【発明の効果】
【００２６】
本発明及び上記第７の発明によれば、動作電圧の低下が防がれるため、上アーム側駆動回路（71,72,73）は安定して動作を行うことができる。
【００２７】
また、上記第２の発明、上記第３の発明及び上記第５の発明によれば、上アーム側駆動回路（71,72,73）から上アーム側スイッチング素子（Q51a,Q52a,Q53a）の制御端子へと流れる電流量が比較的多くても、上アーム側スイッチング素子（Q51a,Q52a,Q53a）の動作電圧の低下が防がれる。
【００２８】
また、上記第４の発明によれば、昇圧回路（77,78,79）は、簡単な構成にて、その時々のモータ（15）の回転数に応じて昇圧量を可変させることができる。
【００２９】
また、上記第６の発明によれば、昇圧回路（77,78,79）は、簡単な構成にて、その時々のモータ（15）に流れる電流（Im）の値に応じて昇圧量を可変させることができる。
【００３０】
また、上記第８の発明によれば、上アーム側駆動回路（71,72,73）は、より安定して動作を行うことができる。
【００３１】
また、上記第９の発明によれば、蓄電回路（80,81,82）の寿命を長く保つと共に、昇圧回路（77,78,79）による電力損失を抑えることができる。
【図面の簡単な説明】
【００３２】
【図１】図１は、インバータ駆動装置を含むモータ駆動システムの概略構成図である。
【図２】図２は、電圧駆動型の半導体素子及び電流駆動型の半導体素子のＩ−Ｖ特性それぞれを表した図である。
【図３】図３は、図１からインバータ回路の一相分のスイッチング素子対及びこれに対応するインバータ駆動装置を抜き出すと共に、昇圧回路の構成を具体的に表している。
【図４】図４は、スイッチがオンした場合の昇圧回路内の電流経路を表している。
【図５】図５は、スイッチがオフした場合の昇圧回路内の電流経路を表している。
【図６】図６は、実施形態１に係るインバータ駆動装置の全体的な動作を表すフローチャートである。
【図７】図７は、パターン２及びパターン３の場合の、ブート電圧及びスイッチの動作の経時的変化を表したタイミングチャートである。
【図８】図８は、ブート電圧が所定範囲内となるようにインバータ駆動装置が行う動作を表すフローチャートである。
【図９】図９は、実施形態１の変形例２に係るインバータ駆動装置の一部分の回路構成を表している。
【図１０】図１０は、実施形態２に係るインバータ回路の一相分のスイッチング素子対及びこれに接続されたインバータ駆動装置の構成を表している。
【図１１】図１１は、昇圧回路がオフした場合の昇圧回路内の電流経路を表している。
【図１２】図１２は、第１充電動作中の昇圧回路内の電流経路を表している。
【図１３】図１３は、第２充電動作中の昇圧回路内の電流経路を表している。
【図１４】図１４は、実施形態２に係るインバータ駆動装置の全体的な動作を表すフローチャートである。
【図１５】図１５は、実施形態２におけるパターン２及びパターン３の場合の、ブート電圧及びスイッチの動作の経時的変化を表したタイミングチャートである。
【発明を実施するための形態】
【００３３】
以下、本発明の実施形態を図面に基づいて詳細に説明する。なお、以下の実施形態は、本質的に好ましい例示であって、本発明、その適用物、あるいはその用途の範囲を制限することを意図するものではない。
≪実施形態１≫
図１は、インバータ駆動装置（70）を含むモータ駆動システム（10）の概略構成図である。図１に示すように、モータ駆動システム（10）は、モータ（15）と、電力変換装置（20）とを備える。モータ（15）は、空気調和装置に含まれる圧縮機の駆動源である。故に、モータ駆動システム（10）は、空気調和装置内に搭載されている。
【００３４】
モータ（15）は、例えば同期式の３相モータであって、ステータ、ロータ及びホール素子等によって構成されている。
【００３５】
＜電力変換装置の構成＞
電力変換装置（20）は、商用電源（90）からの入力交流を出力交流に変換する。図１に示すように、電力変換装置（20）は、整流回路（30）、平滑コンデンサ（C40）、インバータ回路（50）、電流検出回路（60）及びインバータ駆動装置（70）を有する。
【００３６】
−整流回路―
整流回路（30）は、商用電源（90）からの交流電圧（Vac）を全波整流する。整流回路（30）は、複数（本実施形態では４つ）のダイオード（D31a,D31b,D32a,D32b）がブリッジ状に接続されることで構成されている。
【００３７】
−平滑コンデンサ−
平滑コンデンサ（C40）の一端は、整流回路（30）の出力側に接続され、他端は、ＧＮＤ配線（L2）に接続されている。平滑コンデンサ（C40）は、例えば電解コンデンサで構成されており、整流回路（30）の出力電圧を平滑する。
【００３８】
−インバータ回路−
インバータ回路（50）は、平滑コンデンサ（C40）の後段において当該コンデンサ（C40）の両端に接続されている。インバータ回路（50）は、平滑コンデンサ（C40）の両端電圧（Vdc1）をスイッチングして交流の駆動電圧（SU,SV,SW）を生成し、モータ（15）に出力する。インバータ回路（50）は、複数（本実施形態では、６つ）のスイッチング素子（Q51a,Q52a,Q53a,Q51b,Q52b,Q53b）がブリッジ状に接続されることで構成されている。
【００３９】
具体的に、複数のスイッチング素子（Q51a,Q52a,Q53a,Q51b,Q52b,Q53b）のうち２つずつが互いに直列に接続されることで、３つのスイッチング素子対（51,52,53）が形成されており、各スイッチング素子対（51,52,53）は、上アーム側スイッチング素子（Q51a,Q52a,Q53a）及び下アーム側スイッチング素子（Q51b,Q52b,Q53b）を有する。特に、スイッチング素子（Q51a,Q52a,Q53a,Q51b,Q52b,Q53b）は、絶縁ゲートバイポーラトランジスタ（以下、ＩＧＢＴ：Insulated Gate Bipolar Transistor）及びＭＯＳ−ＦＥＴ（Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor）等の電圧駆動型の半導体素子ではなく、ＧａＮ−ＦＥＴ等の電流駆動型の半導体素子で構成されている。
【００４０】
図２は、電圧駆動型の半導体素子及び電流駆動型の半導体素子のＩ−Ｖ特性それぞれを、並べて示している。図２によると、電圧駆動型の半導体素子では、ゲート電圧（VGE）が２０Ｖである場合と１５Ｖである場合とでは、コレクタ−エミッタ間の電圧（VCE）が１Ｖから２Ｖへと変化する際のコレクタ電流（Ic）の増加量（即ち、VCEが１Ｖから２Ｖへと変化する際のグラフの傾き）は、概ね同様である。つまり、ゲート電圧（VGE）が仮に２０Ｖから１５Ｖへと低下しても、Ｉ−Ｖ特性に大きな変化はない。一方、電流駆動型の半導体素子では、ゲート電圧（VGS）が例えば２．５Ｖから１．０Ｖへと１．５Ｖ低下しただけで、２０Ａ以上でも飽和しなかったドレイン電流（IDS）が２Ａ以下で飽和する特性へと変化する。すると、このようなゲート電圧（VGS）の低下に伴いオン抵抗が増加し、電力損失も増加する。従って、電流駆動型の半導体素子では、ゲート電圧（VGS）の変動に伴うＩ−Ｖ特性の変化が、電圧駆動型の半導体素子に比して顕著な傾向にあると言える。
【００４１】
なお、本実施形態のインバータ回路（50）では、図１に示すように、還流用ダイオードが設けられていない。図２に示すように、ＩＧＢＴとは異なり、電流駆動型の半導体素子は、双方向に耐圧を確保して電流を流すことができる性質を有するためである。
【００４２】
−電流検出回路−
電流検出回路（60）は、駆動中のモータ（15）を通電した電流であるモータ電流（Im）を検出する。電流検出回路（60）は、シャント抵抗（R61）等で構成されている。シャント抵抗（R61）は、モータ電流（Im）の通電経路であるＧＮＤ配線（L2）上に直列に接続されており、シャント抵抗（R61）の両端電圧に基づき、モータ電流（Im）が検出される。
【００４３】
−インバータ駆動装置−
インバータ駆動装置（70）は、インバータ回路（50）と接続され、インバータ回路（50）を駆動する。図１及び図３〜５に示すように、インバータ駆動装置（70）は、上アーム側駆動回路（71,72,73）、下アーム側駆動回路（74,75,76）、昇圧回路（77,78,79）、蓄電回路であるブートストラップ回路（80,81,82）、及びコントローラ（86）を備える。
【００４４】
なお、図３は、図１から、インバータ回路（50）の一相分のスイッチング素子対（51）及びこれに対応するインバータ駆動装置（70）を部分的に抜き出すと共に、昇圧回路（77）の構成を具体的に表している。図４は、スイッチ（S77）がオンした場合の昇圧回路（77）内の電流経路を表し、図５は、スイッチ（S77）がオフした場合の昇圧回路（77）内の電流経路を表している。図４,５では、スイッチ（S77）を簡略化させている。
【００４５】
−上アーム側駆動回路−
上アーム側駆動回路（71,72,73）は、各上アーム側スイッチング素子（Q51a,Q52a,Q53a）に対応して設けられ、対応する上アーム側スイッチング素子（Q51a,Q52a,Q53a）を駆動する。
【００４６】
上アーム側駆動回路（71）は、上側に位置するＰｃｈトランジスタ（71a）及び下側に位置するＮｃｈトランジスタ（71b）が互いに直列に接続されることで構成され、各トランジスタ（71a,71b）のベース端子は、コントローラ（86）に接続されている。互いに直列に接続されたトランジスタ（71a,71b）は、ブートストラップ回路（80）のブートコンデンサ（C80）の両端と接続され、当該コンデンサ（C80）の両端電圧であるブート電圧（Vb）が印加される。
【００４７】
Ｐｃｈトランジスタ（71a）及びＮｃｈトランジスタ（71b）同士の接続点は、対応する上アーム側スイッチング素子（Q51a）の制御端子であるゲート端子と接続されている。上述のように、上アーム側スイッチング素子（Q51a）は、電流駆動型の半導体素子で構成されているため、上アーム側スイッチング素子（Q51a）がオンの際、上アーム側駆動回路（71）から上アーム側スイッチング素子（Q51a）のゲート端子へと電流が流れ続ける。
【００４８】
他の上アーム側駆動端子（72,73）は、上アーム側駆動回路（71）と同様の構成を有する。
【００４９】
−下アーム側駆動回路−
下アーム側駆動回路（74,75,76）は、各下アーム側スイッチング素子（Q51b,Q52b,Q53b）に対応して設けられ、対応する下アーム側スイッチング素子（Q51b,Q52b,Q53b）を駆動する。
【００５０】
下アーム側駆動回路（74）は、上側に位置するＰｃｈトランジスタ（74a）及び下側に位置するＮｃｈトランジスタ（74b）が互いに直列に接続されることで構成され、各トランジスタ（74a,74b）のベース端子は、コントローラ（86）に接続されている。互いに直列に接続されたトランジスタ（74a,74b）は、コンデンサ（C83）の両端と接続され、Ｐｃｈトランジスタ（74a）のエミッタ端子は、抵抗（R83）及びダイオード（D83）を介して昇圧回路（77）内の直流電源（Reg77）の正側端子に接続されている。Ｐｃｈトランジスタ（74a）及びＮｃｈトランジスタ（74b）同士の接続点は、対応する下アーム側スイッチング素子（Q51b）の制御端子であるゲート端子と接続されている。
【００５１】
他の下アーム側駆動端子（75,76）は、下アーム側駆動回路（74）と同様の構成を有する。
【００５２】
−昇圧回路−
図１に示すように、昇圧回路（77,78,79）は、各上アーム側駆動回路（71,72,73）に対応して設けられ、図３〜５に示すように、所定電圧に相当する直流電源（Reg77）の直流電圧（Vdc2）を昇圧する。
【００５３】
昇圧回路（77）は、直流電源（Reg77）、コイル（L77）、スイッチ（S77）、ダイオード（D77）及びコンデンサ（C77）を有する昇圧チョッパ回路で構成されている。コイル（L77）の一端とダイオード（D77）のアノード端子とが接続されると共に、コイル（L77）の他端が直流電源（Reg77）の正側端子に接続されている。コンデンサ（C77）は、ダイオード（D77）のカソード端子と直流電源（Reg77）の負側端子との間に接続されている。スイッチ（S77）は、トランジスタで構成され、コイル（L77）とダイオード（D77）との間にて、コイル（L77）に並列、即ちコンデンサ（C77）の両端に接続されている。スイッチ（S77）の制御端子は、コントローラ（86）に接続されている。
【００５４】
図４に示すように、スイッチ（S77）がオンすると、直流電源（Reg77）の正側端子からコイル（L77）、スイッチ（S77）、直流電源（Reg77）の負側端子への電流経路が形成され、これによりコイル（L77）にはエネルギーが蓄えられる。
【００５５】
図５に示すように、スイッチ（S77）がオフすると、図４の電流経路が絶たれる。この場合、電流は、直流電源（Reg77）からコイル（L77）、ダイオード（D77）、コンデンサ（C77）へと流れ、コイル（L77）におけるエネルギーがコンデンサ（C77）へと蓄えられる。
【００５６】
図４,５の動作が繰り返されることで、コンデンサ（C77）の両端電圧が直流電圧（Vdc）よりも高くなり、当該両端電圧が昇圧後電圧として出力される。また、コイル（L77）に蓄えられるエネルギー量は、スイッチ（S77）のオン時間が長い程多くなるため、昇圧回路（77）は、スイッチ（S77）のデューティ比を可変させて昇圧量を調節することができる。
【００５７】
なお、昇圧回路（77）が昇圧動作を行わない場合、スイッチ（S77）は、図５に示すオフの状態を採り続ける。この場合、昇圧回路（77）は、直流電圧（Vdc2）を出力する。
【００５８】
他の昇圧回路（78,79）は、昇圧回路（77）と同様の構成を有する。
【００５９】
−ブートストラップ回路−
ブートストラップ回路（80,81,82）は、図１に示すように、各昇圧回路（77,78,79）と各上アーム側駆動回路（71,72,73）との間において、各上アーム側駆動回路（71,72,73）に対応して設けられている。ブートストラップ回路（80,81,82）は、昇圧回路（77,78,79）から出力される直流電圧（Vdc2）または昇圧後電圧の充放電を行うことによって、直流電圧（Vdc2）または昇圧後電圧を上アーム側駆動回路（71,72,73）の動作電圧として当該上アーム側駆動回路（71,72,73）に供給する。具体的に、ブートストラップ回路（80,81,82）は、昇圧動作時には昇圧後電圧を、昇圧動作停止時には直流電圧（Vdc2）を、それぞれ充放電する。
【００６０】
図３〜図５に示すように、ブートストラップ回路（80）は、ダイオード（D80）、抵抗（R80）及びブートコンデンサ（C80）で構成されている。ダイオード（D80）のカソード端子と抵抗（R80）の一端とが接続され、ダイオード（D80）のアノード端子が昇圧回路（77）の出力に接続されている。抵抗（R80）の他端には、ブートコンデンサ（C80）及び上アーム側駆動回路（71）が互いに並列に接続されている。
【００６１】
上アーム側スイッチング素子（Q51a）がオフ及び下アーム側スイッチング素子（Q51b）がオンの場合、ブートコンデンサ（C80）から下アーム側スイッチング素子（Q51b）への電流経路が形成されるため、ブートコンデンサ（C80）は、昇圧回路（77）から出力された電圧を充電する。次いで、上アーム側スイッチング素子（Q51a）がオン及び下アーム側スイッチング素子（Q51b）がオフの場合、ブートコンデンサ（C80）から上アーム側駆動回路（71）への電流経路が形成されるため、ブートコンデンサ（C80）は放電する。
【００６２】
他のブートストラップ回路（81,82）も、ブートストラップ回路（80）と同様の構成を有する。
【００６３】
−コントローラ−
コントローラ（86）は、ＣＰＵ及びメモリで構成され、各駆動回路（71,72,73,74,75,76）及び各昇圧回路（77,78,79）におけるスイッチ（S77）の制御端子、電流検出回路（60）、モータ（15）のホール素子と接続されている。コントローラ（86）は、空気調和装置の統括制御部（図示せず）からのモータ（15）に関する運転指令に基づいて、各駆動回路（71,72,73,74,75,76）の駆動制御を行う。また、コントローラ（86）は、ホール素子の検出結果、電流検出回路（60）の検出結果であるモータ電流（Im）等に応じて、各昇圧回路（77,78,79）の昇圧動作の制御を行う。
【００６４】
＜インバータ駆動装置の動作＞
上述のように、各ブートストラップ回路（80,81,82）の充電動作中、下アーム側スイッチング素子（Q51b,Q52b,Q53b）はオンしているため、下アーム側スイッチング素子（Q51b,Q52b,Q53b）にはオン抵抗によるオン電圧が発生する。オン抵抗は、モータ（15）回転時の下アーム側スイッチング素子（Q51b,Q52b,Q53b）へのモータ電流（Im）による温度上昇に応じて、大きくなる。また、下アーム側スイッチング素子（Q51b,Q52b,Q53b）のオン時に仮に昇圧動作が行われていないとすると、図３〜５の回路構成上、直流電圧（Vdc2）とオン電圧との差がブートコンデンサ（C80）の両端電圧、即ちブート電圧（Vb）となる。従って、オン電圧が大きい程、ブート電圧（Vb）は低くなってしまう。
【００６５】
また、上アーム側スイッチング素子（Q51a,Q52a,Q53a）をオンさせておくのに必要な当該スイッチング素子（Q51a,Q52a,Q53a）への電流量に対して、各ブートストラップ回路（80,81,82）の充電量が十分でないと、上アーム側スイッチング素子（Q51a,Q52a,Q53a）のオン時には、ブート電圧（Vb）の低下が著しくなる。
【００６６】
ブート電圧（Vb）の低下は、場合によっては上アーム側スイッチング素子（Q51a,Q52a,Q53a）の駆動を妨げる。電流駆動型の半導体素子で構成された上アーム側スイッチング素子（Q51a,Q52a,Q53a）では、図２に示すように、上アーム側スイッチング素子（Q51a,Q52a,Q53a）がオンするために最低限必要となる制御端子への制御電圧の閾値（図２のVGS）が、電圧駆動型に比して小さい。そのため、ブート電圧（Vb）が低下すると、当該ブート電圧（Vb）を動作電圧とする上アーム側駆動回路（71,72,73）の出力電圧が閾値以下となり、上アーム側スイッチング素子（Q51a,Q52a,Q53a）が駆動できなくなる虞がある。
【００６７】
そこで、本実施形態１に係るインバータ駆動装置（70）は、ブート電圧（Vb）が低下する虞のあるモータ（15）の状態に応じて、昇圧回路（77,78,79）を動作させてブート電圧（Vb）の低下を防ぐ。モータ（15）の状態としては、以下のパターン１〜３が挙げられる。
パターン１：モータ（15）が起動状態である場合
パターン２：モータ（15）の回転数が所定回転数よりも低い状態となった場合
パターン３：モータ電流（Im）の値が所定値よりも高い状態である場合
上記パターン１〜３は、インバータ回路（50）の負荷が比較的高い状態と言える。特に、パターン１，２では、モータ（15）の回転数を上昇させるため、上アーム側スイッチング素子（Q51a,Q52a,Q53a）がオンする時間も増加する。すると、上アーム側駆動回路（71,72,73）から上アーム側スイッチング素子（Q51a,Q52a,Q53a）への電流の積算量やモータ電流（Im）も増加する。パターン３には、過電流の状態が挙げられる。
【００６８】
次に、インバータ駆動装置（70）の動作について、図６及び図７を用いて説明する。図６は、実施形態１に係るインバータ駆動装置（70）の全体的な動作を表すフローチャートである。図７は、上記パターン２及びパターン３の場合の、ブート電圧（Vb）及びスイッチ（S77）の動作の経時的変化を表したタイミングチャートである。
【００６９】
図６に示すように、コントローラ（86）は、モータ（15）を起動させる内容の運転指令を受け取ると（ステップＳ１）、インバータ回路（50）を駆動させてモータ（15）を起動させると共に、各昇圧回路（77,78,79）をオンさせる。これにより、スイッチ（S77）がオン及びオフを第１所定デューティ比で繰り返すことで、各昇圧回路（77,78,79）は、直流電圧（Vdc2）の昇圧動作を開始する（ステップＳ２）。
【００７０】
次いで、コントローラ（86）は、ホール素子の検出結果から現時点でのモータ（15）の回転数を求め、電流検出回路（60）の検出結果から現時点でのモータ電流（Im）を求める。モータ（15）の回転数が所定回転数よりも低い場合（ステップＳ３のＹｅｓ）、または、モータ電流（Im）の値が所定値よりも高い場合（ステップＳ４のＹｅｓ）、昇圧回路（77,78,79）は、スイッチ（S77）のデューティ比を第１所定デューティ比からこれより大きい第２所定デューティ比へと増大させる（ステップＳ５）。これにより、昇圧量が上昇するため、ブート電圧（Vb）は、第１所定デューティ比の場合よりも高くなる。
【００７１】
モータ（15）の回転数が所定回転数よりも高く（ステップＳ３のＮｏ）、且つ、モータ電流（Im）の値が所定値よりも低い場合（ステップＳ４のＮｏ）、スイッチ（S77）のデューティ比は、第１所定デューティ比に保たれる。
【００７２】
上記ステップＳ３〜Ｓ５の動作は、同期運転（いわゆる通常運転）が開始されるまでの間、繰り返し行われる（ステップＳ６のＮｏ）。同期運転の開始後（ステップＳ６のＹｅｓ）、昇圧回路（77,78,79）はオフとなり、昇圧動作は一旦終了する（ステップＳ７）。
【００７３】
ステップＳ７の後も、コントローラ（86）は、最新のホール素子の検出結果及び電流検出回路（60）の検出結果から、その時々のモータ（15）の回転数及びモータ電流（Im）を求める。モータ（15）の回転数が所定回転数よりも低い場合（ステップＳ８のＹｅｓ）、または、モータ電流（Im）の値が所定値よりも高い場合（ステップＳ１１のＹｅｓ）、昇圧回路（77,78,79）は、再び昇圧動作を開始し（ステップＳ９，Ｓ１２）、モータ（15）の回転数またはモータ電流（Im）の値に応じてスイッチ（S77）のデューティ比を可変させる（ステップＳ１０，Ｓ１３）。これにより、昇圧量は、モータ（15）の回転数またはモータ電流（Im）の値に応じて高くなるように調整され、ブート電圧（Vb）は、第１所定デューティ比の場合よりも高くなる。
【００７４】
モータ（15）の回転数が所定回転数よりも高く（ステップＳ８のＮｏ）、且つ、モータ電流（Im）の値が所定値よりも低い場合（ステップＳ１１のＮｏ）、昇圧回路（77,78,79）は、未だ昇圧動作中であれば、オフして昇圧動作を停止する（ステップＳ１４）。
【００７５】
ステップＳ８からステップＳ１４の動作は、モータ（15）を駆動停止させる旨の運転指令をコントローラ（86）が受け取るまで（ステップＳ１５のＮｏ）、繰り返し行われる。モータ（15）を駆動停止させる旨の運転指令をコントローラ（86）が受け取った場合（ステップＳ１５のＹｅｓ）、インバータ駆動装置（70）は、一連の動作を終了する。
【００７６】
図７の（Ａ）は、上記ステップＳ８〜Ｓ１０及びＳ１４の一例を表している。この図では、モータ（15）の回転数が所定回転数を下回る間、昇圧動作が行われている。特に、モータ（15）の回転数と所定回転数との差が大きい程、スイッチ（S77）のデューティ比は増え、逆にモータ(15)の回転数と所定回転数との差が小さい程、スイッチ（S77）のデューティ比は減っている。
【００７７】
図７の（Ｂ）は、上記ステップＳ１１〜Ｓ１４の一例を表している。この図では、周期的に流れるモータ電流（Im）のピーク値が所定値を上回っている間、昇圧動作が行われている。特に、モータ電流（Im）のピーク値と所定値との差が大きい程、スイッチ（S77）のデューティ比は増え、逆にモータ電流（Im）の値と所定値との差が小さい程、スイッチ（S77）のデューティ比は減っている。
【００７８】
図７の（Ａ）（Ｂ）のいずれも、ブート電圧（Vb）は基準値以上となっている。
【００７９】
なお、基準値は、例えば上アーム側スイッチング素子（Q51a,Q52a,Q53a）をオンさせるために最低限必要となる上アーム側駆動回路（71,72,73）の動作電圧の値に決定されることができる。所定回転数及び所定値は、例えばブート電圧（Vb）が基準値にまで低下した場合の、モータ（15）の回転数及びモータ電流（Im）の値に決定することができる。
【００８０】
＜実施形態１の効果＞
本実施形態１に係るインバータ駆動装置（70）によれば、モータ（15）の状態に応じて必要な場合に、昇圧回路（77,78,79）は昇圧動作を行い、ブートコンデンサ（C80）は昇圧後電圧を充放電する。これにより、上アーム側駆動回路（71,72,73）の動作電圧であるブート電圧（Vb）の低下が防がれる。従って、上アーム側駆動回路（71,72,73）は安定して動作を行うことができる。
【００８１】
また、モータ（15）の起動時（パターン１）、モータ（15）の回転数が所定回転数以下である場合（パターン２）、及びモータ（15）に流れる電流（Im）の値が所定値よりも高い場合（パターン３）のいずれか１つが成立した場合、昇圧回路（77,78,79）による昇圧動作が行われ、昇圧後電圧が上アーム側駆動回路（71,72,73）に供給される。従って、上記パターン１〜３のいずれか１つが成立しており、たとえ上アーム側駆動回路（71,72,73）から上アーム側スイッチング素子（Q51a,Q52a,Q53a）の制御端子へと流れる電流量が比較的多くても、上アーム側スイッチング素子（Q51a,Q52a,Q53a）の動作電圧であるブート電圧（Vb）の低下が防がれる。
【００８２】
また、昇圧回路（77,78,79）が昇圧チョッパ回路で構成されている。昇圧回路（77,78,79）がこのような簡単な構成であるため、モータ（15）の回転数またはモータ電流（Im）の値に応じて昇圧チョッパ回路に含まれるスイッチ（S77）のデューティ比が可変することで、昇圧量の調整が簡単にできる。
【００８３】
また、モータ（15）の状態が昇圧動作を必要としない状態である場合、昇圧動作は行われない。この場合、ブートストラップ回路（80,81,82）は、直流電圧（Vdc2）を充放電するため、上アーム側駆動回路（71,72,73）には、直流電圧（Vdc2）が動作電圧として供給される。従って、ブートストラップ回路（80,81,82）の寿命を長く保つと共に、昇圧回路（77,78,79）における電力損失を抑えることができる。
【００８４】
＜実施形態１の変形例１＞
インバータ駆動装置（70）は、図６のステップＳ１０及びＳ１３の後、更に図８の動作を行っても良い。図８は、ブート電圧（Vb）が所定範囲内となるように昇圧量の調整が行われる場合の動作を表すフローチャートである。
【００８５】
図６のステップＳ１０，Ｓ１３の動作が行われた際、インバータ駆動装置（70）内にて、ブート電圧（Vb）の検出が行われる（ステップＳ２１）。ブート電圧（Vb）が所定範囲内ではあるが、ブート電圧（Vb）と所定範囲の上限電圧値との電圧差が第１電圧差より小さい場合（ステップＳ２２のＹｅｓ）、昇圧回路（77,78,79）は、スイッチ（S77）のデューティ比を直前のデューティ比から減少させることで、昇圧量を下げる調整を行う（ステップＳ２３）。ブート電圧（Vb）が所定範囲内ではあるが、ブート電圧（Vb）と所定範囲の下限電圧値との電圧差が第２電圧差より小さい場合（ステップＳ２４のＹｅｓ）、昇圧回路（77,78,79）は、スイッチ（S77）のデューティ比を直前のデューティ比から増大させることで、昇圧量を上げる調整を行う（ステップＳ２５）。ブート電圧（Vb）が所定範囲内であって、ブート電圧（Vb）と上限電圧値との電圧差が第１電圧差よりも大きく、且つブート電圧（Vb）と下限電圧値との電圧差が第２電圧差よりも大きい場合、ステップＳ１０，Ｓ１３の状態が保たれる。
【００８６】
この動作により、ブート電圧（Vb）、即ち上アーム側駆動回路（71,72,73）の動作電圧の変動は、所定範囲内に抑えられる。そのため、上アーム側駆動回路（71,72,73）は、より安定して動作を行うことができる。
【００８７】
なお、所定範囲は、例えば、上アーム側駆動回路（71,72,73）が問題なく動作することのできる動作電圧範囲に決定されることができる。第１電圧差及び第２電圧差は、ブートコンデンサ（C80）の容量等を考慮して適宜決定され、昇圧量の上げ幅及び下げ幅は、ブート電圧（Vb）が所定範囲外とならない程度に適宜決定されることができる。
【００８８】
＜実施形態１の変形例２＞
図９に示すように、ブートストラップ回路（80）と上アーム側駆動回路（71）との間に、上アーム側電源回路（87）が更に設けられていてもよい。上アーム側電源回路（87）の入力端子及び出力端子は、ブートコンデンサ（C80）の両端に接続され、出力端子は、上アーム側駆動回路（71）のＰｃｈトランジスタ（71a）のエミッタ端子に接続されている。上アーム側電源回路（87）は、例えばスイッチング電源であって、ブート電圧（Vb）を安定した電圧に変換して上アーム側駆動回路（71）に供給する。
【００８９】
また、下アーム側においても、上アーム側電源回路（87）と同様、下アーム側電源回路（89）が設けられていてもよい。
【００９０】
インバータ回路（50）の他相においても、各種電源回路（87,89）が設けられてもよい。
【００９１】
＜実施形態１の変形例３＞
インバータ駆動装置（70）が備える昇圧回路の数は、図１に示すように、３相分の各上アーム側駆動回路（71,72,73）に対応して３つではなく、１つであっても良い。各相に対応するブートストラップ回路（80,81,82）それぞれがダイオードを有しているため、１つの昇圧回路は、各蓄電回路（80,81,82）に昇圧電圧を供給することができる。
≪実施形態２≫
本実施形態２では、昇圧回路（77,78,79）がチャージポンプ回路で構成されている。
【００９２】
なお、実施形態１と実施形態２とでは、昇圧回路（77,78,79）の構成が異なるが、その他の構成は上記実施形態１と同様である。故に、以下では、昇圧回路（77,78,79）の構成及び昇圧動作、インバータ駆動装置（70）の動作について説明する。
【００９３】
＜昇圧回路の構成及び昇圧動作＞
図１０は、実施形態２に係るインバータ回路（50）の一相分のスイッチング素子対（51）及びこれに接続されたインバータ駆動装置（70）の構成を表す図である。図１１は、昇圧回路（77）がオフした場合の昇圧回路（77）内の電流経路を表している。図１２及び図１３は、充電動作中の昇圧回路（77）内の電流経路を表している。
【００９４】
図１０〜１３に示すように、昇圧回路（77）は、直流電源（Reg177）、４つのスイッチ（S177a,S177b,S177c,S177d）、及び２つの昇圧コンデンサ（C177a,C177b）を有する。
【００９５】
４つのスイッチ（S177a,S177b,S177c,S177d）は、それぞれＭＯＳ−ＦＥＴで構成され、その制御端子は、コントローラ（86）に接続されている。互いに直列に接続された２つのスイッチ（S177a,S177b）と、互いに直列に接続された２つのスイッチ（S177c,S177d）とは、直流電源（Reg177）に対し並列に接続されている。
【００９６】
昇圧コンデンサ（C177a）（以下、第１昇圧コンデンサ）の各端子は、スイッチ（S177a,S177b）同士の接続点及びスイッチ（S177c,S177d）同士の接続点に接続されている。昇圧コンデンサ（C177b）（以下、第２昇圧コンデンサ）の両端は、直流電源（Reg177）の負側端子に接続された各スイッチ（S177b,S177d）の端子間に接続されている。
【００９７】
図１１に示すように、昇圧回路（77）がオフの場合、スイッチ（S177a,S177b）がオンし、スイッチ（S177c,S177d）がオフする。すると、矢印で示す電流経路が形成され、第２昇圧コンデンサ（C177b）は直流電源（Reg177）の直流電圧（Vdc2）を充電する。この際、上アーム側スイッチング素子（Q51a）がオフし下アーム側スイッチング素子（Q51b）がオンしていれば、ブートコンデンサ（C80）は、直流電圧（Vdc2）の充放電を行う。
【００９８】
昇圧回路（77）がオンの場合、先ずは図１２に示すように、スイッチ（S177a,S177d）がオンし、スイッチ（S177b,S177c）がオフする。すると、図１２の矢印で示す電流経路が形成され、第１昇圧コンデンサ（C177a）は、直流電圧（Vdc2）を充電する（第１充電動作）。次いで、図１３に示すように、スイッチ（S177a,S177d）がオフし、スイッチ（S177b,S177c）がオンする。すると、図１３の矢印で示す電流経路が形成され、第２昇圧コンデンサ（C177b）には、直流電源（Reg177）の直流電圧（Vdc2）と第１昇圧コンデンサ（C177a）の両端電圧（即ち、直流電圧（Vdc2））とを合計した電圧、つまりは直流電圧（Vdc2）の２倍の電圧が充電される（第２充電動作）。
【００９９】
これにより、昇圧回路（77）は、第２昇圧コンデンサ（C177b）が充電した直流電圧（Vdc2）の２倍の電圧を、昇圧後電圧として出力する。この際、上アーム側スイッチング素子（Q51a）がオフし下アーム側スイッチング素子（Q51b）がオンしていれば、ブートコンデンサ（C80）は、上記昇圧後電圧の充放電を行う。
【０１００】
なお、各スイッチ（S177a,S177b,S177c,S177d）のオン及びオフの周期及びデューティ比は、一定であってもよいし、モータ（15）の回転数やモータ電流（Im）の量に応じて可変されてもよい。オン及びオフの周期及びデューティ比の少なくとも１つが可変される場合、昇圧量の調整が可能となる。
【０１０１】
他の昇圧回路（78,79）は、昇圧回路（77）と同様の構成を有する。
【０１０２】
＜インバータ駆動装置の動作＞
図１４は、実施形態２に係るインバータ駆動装置（70）の全体的な動作を表すフローチャートである。ここでは、説明を簡単にするため、昇圧動作中の各スイッチ（S177a,S177b,S177c,S177d）のオン及びオフの周期、ならびにデューティ比が一定である場合を例に採る。
【０１０３】
コントローラ（86）は、モータ（15）を起動させる内容の運転指令を受け取ると（ステップＳ４１）、インバータ回路（50）を駆動させてモータ（15）を起動させる。昇圧回路（77,78,79）は、同期運転（いわゆる通常運転）が開始されるまでの間（ステップＳ４３のＮｏ）、第１充電動作及び第２充電動作を繰り返し行うことで昇圧動作を行う（ステップＳ４２）。この間、ブートコンデンサ（C80）は、昇圧後電圧を充放電し、上アーム側駆動回路（71,72,73）には、昇圧後電圧が動作電圧として供給される。
【０１０４】
同期運転の開始後（ステップＳ４３のＹｅｓ）、昇圧回路（77,78,79）はオフとなり、昇圧動作は一旦終了する（ステップＳ４４）。これにより、上アーム側駆動回路（71,72,73）には、直流電圧（Vdc2）が動作電圧として供給されるようになる。
【０１０５】
ステップＳ４４の後、モータ（15）の回転数が所定回転数よりも低い場合（ステップＳ４５のＹｅｓ）、または、モータ電流（Im）の値が所定値よりも高い場合（ステップＳ４６のＹｅｓ）、各昇圧回路（77,78,79）は、再びオンして昇圧動作を開始する（ステップＳ４７）。これにより、上アーム側駆動回路（71,72,73）には、再び昇圧後電圧が供給される。
【０１０６】
モータ（15）の回転数が所定回転数よりも高く（ステップＳ４５のＮｏ）、且つ、モータ電流（Im）の値が所定値よりも低い場合（ステップＳ４６のＮｏ）、昇圧回路（77,78,79）は、未だ昇圧動作中であれば、オフして昇圧動作を停止する（ステップＳ４８）。
【０１０７】
ステップＳ４５以降の動作は、モータ（15）を駆動停止させる旨の運転指令をコントローラ（86）が受け取るまで（ステップＳ４９のＮｏ）、繰り返し行われる。モータ（15）を駆動停止させる旨の運転指令をコントローラ（86）が受け取った場合（ステップＳ４９のＹｅｓ）、インバータ駆動装置（70）は、一連の動作を終了する。
【０１０８】
図１５では、ブート電圧（Vb）及び各スイッチ（S177a,S177b,S177c,S177d）の動作の経時的変化を、上記ステップＳ４５，Ｓ４７が行われた場合（即ちパターン２の場合）と、上記ステップＳ４６，Ｓ４７が行われた場合（即ちパターン３の場合）とで分けて表している。図１５の（Ａ）では、モータ（15）の回転数が所定回転数を下回る間、昇圧動作が行われている。図１５の（Ｂ）では、周期的に流れるモータ電流（Im）のピーク値が所定値を上回っている間、昇圧動作が行われている。図１５の（Ａ）（Ｂ）のいずれも、ブート電圧（Vb）は基準値以上となっている。
【０１０９】
＜実施形態２の効果＞
本実施形態２に係るインバータ駆動装置（70）によれば、昇圧回路（77,78,79）がチャージポンプ回路で構成されていても、パターン１〜３のいずれか１つが成立した場合に、昇圧回路（77,78,79）は昇圧動作を行い、ブートコンデンサ（C80）は昇圧後電圧を充放電する。従って、上記実施形態１と同様、ブート電圧（Vb）の低下が防がれ、上アーム側駆動回路（71,72,73）は安定して動作を行うことができる。
【０１１０】
また、同期運転時のように昇圧動作が必要ではない場合には、上アーム側駆動回路（71,72,73）には、直流電圧（Vdc2）が動作電圧として供給される。従って、ブートストラップ回路（80,81,82）の寿命を長く保つと共に、昇圧回路（77,78,79）における電力損失を抑えることができる。
【０１１１】
＜実施形態２の変形例１＞
図８と同様、ブート電圧（Vb）が所定範囲内を保つように、ブート電圧（Vb）の値に応じて各スイッチ（S177a,S177b,S177c,S177d）のオン及びオフの周期及びデューティ比の少なくとも１つが可変させてもよい。これにより、昇圧量が調整されるため、上アーム側駆動回路（71,72,73）は、より安定して動作を行うことができる。
【０１１２】
＜実施形態２の変形例２＞
図９と同様、上アーム側電源回路（87）及び下アーム側電源回路（89）が更に設けられていてもよい。
【０１１３】
＜実施形態２の変形例３＞
＜実施形態１の変形例３＞と同様、インバータ駆動装置（70）が備える昇圧回路の数は、３相分の各上アーム側駆動回路（71,72,73）に対応して３つではなく、１つであっても良い。
【産業上の利用可能性】
【０１１４】
以上説明したように、本発明は、上アーム側スイッチング素子及び下アーム側スイッチング素子を含むインバータ回路のインバータ駆動装置について有用である。
【符号の説明】
【０１１５】
15  モータ
50  インバータ回路
Q51a,Q52a,Q53a  上アーム側スイッチング素子
Q51b,Q52b,Q53b  下アーム側スイッチング素子
71,72,73  上アーム側駆動回路
77,78,79  昇圧回路
L77  コイル
S77  スイッチ
80,81,82  ブートストラップ回路（蓄電回路）
Vdc2  直流電圧（所定電圧）
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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