(57)【要約】【課題】端子を大型化したり、極力複雑化したりすることなく、接触抵抗を低減できる端子を提供する。【解決手段】接点部２，１１の母材層３ａ，１１ａの表面に導電性金属のメッキ層５，１２が設けられた端子１，１０であって、メッキ層５，１２は、酸化する金属材より形成された酸化金属メッキ部５Ａ，１２Ａと、酸化金属メッキ部５Ａ，１２Ａに対し点在状態で配置され、酸化金属メッキ部５Ａ，１２Ａとは異なる金属材より形成されたスポット金属メッキ部５Ｂ，１２Ｂとから構成されている。【選択図】図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
接点部の母材層の表面に導電性金属のメッキ層が設けられた端子であって、
前記メッキ層は、酸化する金属材より形成された酸化金属メッキ部と、前記酸化金属メッキ部に対し点在状態で配置され、前記酸化金属メッキ部とは異なる金属材より形成されたスポット金属メッキ部とから構成されたことを特徴とする端子。
【請求項２】
請求項１記載の端子であって、
前記スポット金属メッキ部は、酸化する金属材より形成されているであることを特徴とする端子。
【請求項３】
請求項１記載の端子であって、
前記スポット金属メッキ部は、酸化しない金属材より形成されているであることを特徴とする端子。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、接点部を有する端子に関する。
【背景技術】
【０００２】
図４及び図５には、従来のメス端子とオス端子が示されている（類似技術として特許文献１参照）。図４及び図５に示すように、メス端子５１は、四角形状の箱部５２と、この箱部５２に一体に設けられ、箱部５２内に配置された弾性撓み部５３とを有する。弾性撓み部５３には、底面側に向かって突出するインデント部５４が設けられている。インデント部５４は、その外周面がほぼ球面形状であり、中心の頂点が最下方に位置している。
【０００３】
又、メス端子５１には、高温環境下での接続信頼性の向上、腐食環境下での耐食性の向上等の観点から錫メッキが施されている。
【０００４】
オス端子６０は、平板状のタブ部６１を有する。オス端子６０には、高温環境下での接続信頼性の向上、腐食環境下での耐食性の向上等の観点から錫メッキが施されている。
【０００５】
上記構成において、図４の位置にあって、オス端子６０のタブ部６１をメス端子５１の箱部５２に挿入すると、弾性撓み部５３が撓み変形してタブ部６１の挿入が許容される。タブ部６１の挿入過程では、タブ部６１が弾性撓み部５３のインデント部５４上を摺動し、端子挿入完了位置では、図５、図６に示すように、弾性撓み部５３のインデント部５４とタブ部６１の面が接触する。
【０００６】
この従来例では、弾性撓み部５３の撓み復帰力を接触荷重として、メス端子５１のインデント部５４とオス端子６０のタブ部６１の接触面とが電気的に接触する。そして、この接触面を電流が流れることによってメス端子５１とオス端子６０間が通電する。
【０００７】
ところで、弾性撓み部５２とタブ部６１等の外面には、全域に亘って錫メッキ処理されている。錫メッキし、その後にリフロー処理を行うと、次のような構造となる。図７に示すように、銅合金材の母材層５２ａ，６１ａの外面側に銅／錫合金層５２ｂ，６１ｂ、錫メッキ層５２ｃ，６１ｃが形成されると共に錫メッキ層５２ｃ，６１ｃの外面に酸化膜５２ｄ，６１ｄが形成される。酸化膜５２ｄ，６１ｄは、錫や銅に較べて電気比抵抗が非常に高い。そのため、接触抵抗の低減を図るために、酸化膜５２ｄ，６１ｄを破壊して錫メッキ層５２ｃ，６２ｃ同士の接触面（オーミック点）を多く作る必要がある。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００８】
【特許文献１】特開２００７−２８０８２５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
前記従来例の構造にあって、酸化膜５２ｄ，６１ｄの破壊を促進させるには、接点部間の接点圧力を大きくすることが考えられるが、端子５１，６０が大型化したり、複雑化したりする。
【００１０】
そこで、本発明は、前記した課題を解決すべくなされたものであり、端子を大型化したり、極力複雑化したりすることなく、接触抵抗を低減できる端子を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
本発明は、接点部の母材層の表面に導電性金属のメッキ層が設けられた端子であって、前記メッキ層は、酸化する金属材より形成された酸化金属メッキ部と、前記酸化金属メッキ部に対し点在状態で配置され、前記酸化金属メッキ部とは異なる金属材より形成されたスポット金属メッキ部とから構成されたことを特徴とする端子である。
【００１２】
前記スポット金属メッキ部は、酸化する金属材より形成されるものであっても良い。前記スポット金属メッキ部は、酸化しない金属材より形成されるものであっても良い。
【発明の効果】
【００１３】
本発明によれば、酸化金属メッキ部の表面には酸化膜が生成されるとともに、スポット金属メッキ部の表面には、スポット金属メッキ部が酸化する金属材のときには酸化金属メッキ部の酸化膜とは異種の酸化膜が形成さり、又、スポット金属メッキ部が酸化しない金属材のときには酸化膜自体が形成されない。このように、強度的に弱い酸化膜が形成されるため、接触荷重によって破壊されやすい。以上より、端子を大型化したり、極力複雑化したりすることなく、接触抵抗を低減できる。
【図面の簡単な説明】
【００１４】
【図１】本発明の第１実施形態を示し、端子接続前のメス端子とオス端子の断面図である。
【図２】本発明の第１実施形態を示し、（ａ）は端子接続状態のメス端子とオス端子の断面図、（ｂ）は弾性撓み部やタブ部の要部断面構成図、（ｃ）は弾性撓み部やタブ部の要部平面図である。
【図３】本発明の第２実施形態を示し、（ａ）は弾性撓み部やタブ部の要部断面構成図、（ｂ）は弾性撓み部やタブ部の要部平面図である。
【図４】従来例を示し、端子接続前のメス端子とオス端子の断面図である。
【図５】従来例を示し、端子接続状態のメス端子とオス端子の断面図である。
【図６】従来例を示し、接点部の要部側面図である。
【図７】従来例を示し、弾性撓み部やタブ部のメッキ層の腰部断面構成図である。
【発明を実施するための形態】
【００１５】
以下、本発明の実施形態を図面に基づいて説明する。
【００１６】
（第１実施形態）
図１及び図２は本発明の第１実施形態を示す。図１及び図２（ａ）に示すように、メス端子１は、メス側コネクタハウジング（図示せず）内の端子収容室に配置されている。メス端子１は、所定形状に打ち抜かれた導電性金属（例えば銅合金）を折り曲げ加工して形成されている。メス端子１は、第１接点部である箱部２を有する。箱部２は、前方が開口された方形状である。箱部２内には、箱部２の上面部より折り曲げられた弾性撓み部３が配置されている。弾性撓み部３には、底面側に向かって突出するインデント部４が設けられている。インデント部４は、その外周面がほぼ球面形状であり、中心の頂点が最下方に位置している。インデント部４は、撓み変形部３の撓み変形によって上方に変移できる。弾性撓み部３と固定面部である箱部２の底面部２ａは、間隔を置いて配置されている。弾性撓み部３と箱部２の底面部２ａの間に、オス端子１０が挿入される。
【００１７】
又、メス端子１の外面には、導電性金属のメッキ層５が形成されている。このメッキ層５については、下記に詳述する。
【００１８】
オス端子１０は、オス側コネクタハウジング（図示せず）内の端子収容室に配置されている。オス端子１０は、所定形状に打ち抜かれた導電性金属（例えば銅合金）を折り曲げ加工して形成されている。オス端子１０は、第２接点部であるタブ部１１を有する。タブ部１１は、フラットな板形状である。又、オス端子１０の外面には、導電性金属のメッキ層１２が形成されている。
【００１９】
次に、弾性撓み部３とタブ部１１箇所のメッキ層５，１２について説明する。メッキ層５，１２は、図２（ｂ）に示すように、銅合金材の母材層３ａ，１１ａの上に形成されている。メッキ層５，１２は、酸化する金属材より形成された酸化金属メッキ部５Ａ，１２Ａと、酸化金属メッキ部５Ａ，１２Ａとは材料が異なるが同じく酸化する金属材より形成されたスポット金属メッキ部５Ｂ，１２Ｂとから構成されている。この実施形態では、酸化金属メッキ部５Ａ，１２Ａの金属材は、錫（Ｓｎ）であり、スポット金属部５Ｂ，１２Ｂの金属材は、アルミニウム（ＡＬ）である。スポット金属メッキ部５Ｂ，１２Ｂは、酸化金属メッキ部５Ａ，１２Ａに対して領域が狭く、且つ、点在して配置されている（図２（ｃ）参照）。錫酸化膜７，１４とアルミ酸化膜６，１３は、厚みが異なる。これにより、メッキ層５，１２の表面は、凹凸面に形成されている。
【００２０】
銅合金材の母材層３ａ，１１ａの上にメッキ処理し、その後にリフロー処理を行うと、図２（ｂ）に示す構造となる。つまり、酸化金属メッキ部５Ａ，１２Ａは、銅／錫合金層５ａ，１２ａと錫層５ｂ，１２ｂとなる。そして、錫層５ｂ，１２ｂの表面側に錫酸化膜６，１３が生成される。スポット金属メッキ部５Ｂ，１２Ｂは、アルミニウム材の中に銅が拡散されないために合金層に変化しないが、その表面側にはアルミ酸化膜７，１４が生成される。つまり、双方の接点部の表面側は、均一な錫酸化膜６，１３ではなく、錫酸化膜６，１３の中にアルミ酸化膜７，１７が点在された酸化膜が形成される。
【００２１】
上記構成において、メス側コネクタハウジング（図示せず）とオス側コネクタハウジング（図示せず）間をかん合すると、そのかん合過程ではオス端子１０のタブ部１１がメス端子１の箱部２に挿入される。すると、先ずタブ部１１の先端が弾性撓み部３に当接し、この当接箇所より更に挿入が進むと、弾性撓み部３が撓み変形してタブ部１１の挿入が許容される。タブ部１１の挿入過程では、インデント部４がタブ部１１の接触面を摺動し、端子挿入完了位置に達する（図２（ａ）参照）。
【００２２】
以上説明したように、接点接続構造では、メッキ層５，１２は、酸化する金属材より形成された酸化金属メッキ部５Ａ，１２Ａと、酸化金属メッキ部５Ａ，１２Ａに対し点在状態で配置され、酸化金属メッキ部５Ａ，１２Ａとは材料が異なるが同じく酸化する金属材より形成されたスポット金属メッキ部５Ｂ，１２Ｂとから構成されている。従って、酸化金属メッキ部５Ａ，１２Ａの表面側とスポット金属メッキ部５Ｂ，１２Ｂの表面側には共に酸化膜６，１３、７，１４が生成されるため、均一な錫酸化膜６，１３ではなく、錫酸化膜６，１３の中にアルミ酸化膜７，１７が点在された酸化膜が形成される。その上、酸化膜は凹凸形状となる。このような酸化膜は、同一酸化材で、且つ、表面が均一な酸化膜よりも割れ易い、つまり、強度的に弱いため、接触荷重によって破壊されやすい。そのため、錫層５ｂ，１２ｂ同士の接触面（オーミック点）が多くできる。以上より、メス端子１やオス端子１０を大型化したり、極力複雑化したりすることなく、接触抵抗を低減できる。
【００２３】
メッキ層５，１２は、酸化金属メッキ部５Ａ，１２Ａとスポット金属メッキ部５Ｂ，１２Ｂから構成するので、端子挿入力の増大を招来することなく、接触抵抗の低減を図ることができる。
【００２４】
酸化金属メッキ部５Ａ，１２Ａの金属材は錫であり、スポット金属メッキ部５Ｂ，１２Ｂの金属材はアルミニウム（ＡＬ）であるため、錫層５ｂ、１２ｂとアルミニウム層との接触面（オーミック点）も形成されるため、接触抵抗の更なる向上が図れる。この実施形態では、酸化する金属材は、アルミニウムであるが、それ以外の導電性金属でも良い。
【００２５】
（第２実施形態）
図３は、本発明の第２実施形態を示す。第２実施形態は、前記第１実施形態と比較して、弾性撓み部３とタブ部１１箇所のメッキ層５，１２の構成のみが相違する。メッキ層５，１２は、図３（ａ）に示すように、銅合金材の母材層３ａ，１１ａの上に形成されている。メッキ層５，１２は、酸化する金属材より形成された酸化金属メッキ部５Ａ，１２Ａと酸化しない金属材より形成されたスポット金属メッキ部５Ｃ，１２Ｃとから構成されている。この実施形態では、酸化金属メッキ部５Ａ，１２Ａの金属材は、錫（Ｓｎ）であり、スポット金属部５Ｂ，１２Ｂの金属材は、金（Ａｕ）である。スポット金属メッキ部５Ｃ，１２Ｃは、酸化金属メッキ部５Ａ，１２Ａに対して領域が狭く、且つ、点在して配置されている（図３（ｂ）参照）。
【００２６】
銅合金材の母材層３ａ，１１ａの上にメッキ処理し、その後にリフロー処理を行うと、図３（ａ）に示す構造となる。つまり、酸化金属メッキ部５Ａ，１２Ａは、銅／錫合金層５ａ，１２ａと錫層５ｂ，１２ｂとなる。そして、錫層５ｂ，１２ｂの表面側に錫酸化膜６，１３が生成される。スポット金属メッキ部５Ｃ，１２Ｃは、金材の中に銅が拡散されないために合金層に変化せず、その表面側に酸化膜も生成されない。
【００２７】
他の構成は、前記第１実施形態と同様であるため、説明を省略する。
【００２８】
この第２実施形態の接点接続構造では、メッキ層５，１２は、酸化する金属材より形成された酸化金属メッキ部５Ａ，１２Ａと、酸化金属メッキ部５Ａ，１２Ａに対し点在状態で配置され、酸化しない金属材より形成されたスポット金属メッキ部５Ｃ，１２Ｃとから構成されている。従って、酸化金属メッキ部５Ａ，１２Ａの表面には錫酸化膜６，１３が生成されるが、スポット金属メッキ部５Ｃ，１２Ｃの表面側には酸化膜が生成されないため、接点部の表面には、欠落箇所のある錫酸化膜６，１３が生成される。欠落箇所のある錫酸化膜６，１３は、強度的に弱いため、接触荷重によって破壊されやすい。そのため、錫層５ｂ，１２ｂ同士の接触面（オーミック点）が多くできる。以上より、メス端子１やオス端子１０を大型化したり、極力複雑化したりすることなく、接触抵抗を低減できる。
【００２９】
メッキ層５，１２が酸化金属メッキ部５Ａ，１２Ａとスポット金属メッキ部５Ｃ，１２Ｃから構成するので、端子挿入力の増大を招来することなく、接触抵抗の低減を図ることができる。
【００３０】
酸化金属メッキ部５Ａ，１２Ａの金属材は錫であり、スポット金属メッキ部５Ｃ，１２Ｃの金属材は金（Ａｕ）であるため、金（Ａｕ）からなるスポット金属メッキ部５Ｃ，１２Ｃと錫層５ｂ，１２ｂの接触面（オーミック点）も形成されるため、接触抵抗の更なる向上が図れる。この実施形態では、酸化しない金属材は、金であるが、銀（Ａｇ）であってもよく、その以外の導電性金属でも良い。
【００３１】
（その他）
各実施形態では、本発明に係るメッキ層５，１２は、メス端子１とオス端子１０の双方の端子に適用されているが、いずれか一方に適用しても良いことはもちろんである。酸化金属メッキ部５Ａ，１２Ａとスポット金属メッキ部５Ｂ，１２Ｂ（５Ｃ，１２Ｃ）からなるメッキ層５，１２は、第１接点部である箱部２（弾性撓み部３と底面部２ａ）と第２接点部であるタブ部１１にのみ少なくとも設ければ良い。より詳細には、相手端子側の接点が摺動し、端子挿入完了位置で相手側接点が位置する領域に設ければ良い。
【符号の説明】
【００３２】
１  メス端子（第１端子）
２  箱部（第１接点部）
３ａ，１１ａ  母材層
５，１２  メッキ層
５Ａ，１２Ａ  酸化金属メッキ部
５Ｂ，５Ｃ，１２Ｂ，１２Ｃ  スポット金属メッキ部
１０  オス端子（第２端子）
１１  タブ部（第２接点部）
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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