(57)【要約】【課題】裏面反射光に起因するフォーカス異常を防止できるインプリント用モールドブランクおよびインプリント用モールドを提供すること。【解決手段】光透過性基板１と、その表面１ａに形成されたハードマスク層２と、を有するインプリント用モールドブランク１０であって、ハードマスク層２の厚みが５ｎｍ以下であり、基板１の表面１ａに対向する裏面１ｂに位相シフト膜３が形成され、位相シフト膜３の厚みが２ｎｍ以上６ｎｍ以下であり、位相シフト膜３は、基板の表面に光が入射した場合に、基板１の裏面１ｂと位相シフト膜３との界面で反射し表面側に戻る光ＬＢ３と、位相シフト膜３と外部との界面で反射し表面側に戻る光ＬＢ７と、がほぼ相殺するように構成されているインプリント用モールドブランクである。位相シフト膜は、光ＬＢ３の位相と光ＬＢ７の位相とがほぼ反転するように構成されていることが好ましい。【選択図】図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
光透過性基板と、前記光透過性基板の表面に形成されたハードマスク層と、を有するインプリント用モールドブランクであって、
前記ハードマスク層の厚みが５ｎｍ以下であり、
前記光透過性基板の前記表面に対向する裏面に位相シフト膜が形成されており、
前記位相シフト膜の厚みが２ｎｍ以上６ｎｍ以下であり、
前記位相シフト膜は、前記光透過性基板の前記表面に光が入射した場合に、前記光透過性基板の前記裏面と前記位相シフト膜との界面において反射し、前記表面側に戻る光Ａと、前記光が前記光透過性基板内部を進行し前記位相シフト膜と外部との界面において反射し、前記表面側に戻る光Ｂと、がほぼ相殺するように構成されていることを特徴とするインプリント用モールドブランク。
【請求項２】
前記位相シフト膜は、前記光Ａの位相と、前記光Ｂの位相と、がほぼ反転するように構成されていることを特徴とする請求項１に記載のインプリント用モールドブランク。
【請求項３】
前記位相シフト膜は単層、またはその大気側に酸化膜を有する構造であることを特徴とする請求項１または２に記載のインプリント用モールドブランク。
【請求項４】
前記位相シフト膜において、前記光透過性基板と接している領域の複素屈折率をｎ−ｉｋ（ｉは虚数単位）と表した場合に、ｎが１．６〜３．０、ｋが１．６〜３．０の範囲内であることを特徴とする請求項３に記載のインプリント用モールドブランク。
【請求項５】
前記位相シフト膜により相殺される光ＡおよびＢの波長が１９０ｎｍ〜７５０ｎｍの範囲内であることを特徴とする請求項１から４のいずれかに記載のインプリントモールド用ブランク。
【請求項６】
前記位相シフト膜を構成する材料が、クロムまたはクロム化合物と、タングステンまたはタングステン化合物と、モリブデンまたはモリブデン化合物と、タンタルまたはタンタル化合物と、ハフニウムまたはハフニウム化合物と、からなる群から選ばれる少なくとも１つであることを特徴とする請求項１から５のいずれかに記載のインプリント用モールドブランク。
【請求項７】
前記位相シフト膜を構成する材料と、前記ハードマスク層を構成する材料と、が同質であることを特徴とする請求項１から６のいずれかに記載のインプリント用モールドブランク。
【請求項８】
前記位相シフト膜を構成する材料と、前記ハードマスク層を構成する材料と、がクロムまたはクロム化合物であることを特徴とする請求項７に記載のインプリント用モールドブランク。
【請求項９】
請求項１から８に記載のインプリント用モールドブランクを用いて製造されるインプリント用モールド。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、インプリント用モールドブランクおよびインプリント用モールドに関する。
【背景技術】
【０００２】
微細パターンを形成するための技術として、所定の微細パターンが形成されたモールドを被転写物に押しつけて転写を行い所望の微細パターンを形成するインプリント技術が知られている。近年、ｎｍレベルの微細パターンを形成可能なナノインプリント技術が、ハードディスクドライブ（ＨＤＤ）用の高密度記憶媒体として知られるディスクリートトラック型（ＤＴＲ）、ビットパターンド型（ＢＰＭ）等のディスク状記憶媒体の量産に適用されている。
【０００３】
このようなインプリント技術において用いられるインプリント用モールドは、たとえば、以下のようにして製造される。まず、基板上にハードマスク層およびレジスト層を順に形成し、レジスト層に対し電子線等を用いて露光し現像することで、レジストパターンを形成する。続いて、レジストパターンをマスクとして、ハードマスク層および基板をエッチングして、基板上に所定の微細パターンを形成する。その後、必要に応じて、レジスト層およびハードマスク層を除去する。
【０００４】
このような製造工程において、電子線等によりレジスト層を露光する際には、微細パターンを設計通りに形成するために、基板表面にフォーカスが合うように電子線の照射位置の制御を行う（たとえば、特許文献１を参照）。具体的には、レジスト層に対し電子線等を照射する際に、レーザー光を基板に照射して、その反射光を検出することにより基板の表面高さの情報を取得する。続いて、取得した表面高さの情報を、電子線等のフォーカス制御にフィードバックし、基板表面にフォーカスが合うように電子線等の照射位置を補正しながら描画露光を行う。
【０００５】
特許文献１には、表面高さを精度よく検出するために、基板において、微細パターンが形成される側の面（表面）とは逆の面（裏面）に反射防止部を設けていることが記載されている。この反射防止部を設けることにより、基板の裏面において反射する光の影響を低減できることが記載されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開２０１０−２６７７７７号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
特許文献１にも記載されているように、基板の表面高さを精度よく検出する際に、基板の裏面において反射する光（裏面反射光）の影響を低減する必要がある。裏面反射光の影響を低減する手法としては、たとえば、基板の表面高さを検出するために用いられる光検出器のセンサ部の前面に、開口部を狭くしたスリット（ピンホールスリット）を配置することが考えられる。このようなピンホールスリットを配置することにより、センサ部に基板の表面において反射する光（表面反射光）のみが取り込まれ、裏面反射光が入り込まないようにして、表面高さの情報を精度よく取得することができる。
【０００８】
ところが、インプリント用モールドに用いられる基板に微細なパターンを形成するためには、ハードマスク層の厚みを、たとえば５ｎｍ以下にまで薄くする必要が生じる。ハードマスク層は厚みが１００ｎｍ程度であれば、光学濃度（Optical Density：OD）が高く、光を吸収するが、ハードマスク層が５ｎｍ以下まで薄くなると、ハードマスク層で吸収されずに透過する光が多くなる。その結果、表面反射光の強度に対し、ハードマスク層を透過した光の一部である裏面反射光の強度が相対的に強くなるため、裏面反射光の光量分布のすそ野が広がり、このすそ野の端部が、ピンホールスリットの内側まで及んでしまうことがある。そうすると、このすそ野の端部がセンサ部により検出されてしまい、基板表面高さの情報が精度よく取得できず、基板表面にフォーカスが合うように電子線等の照射位置を制御できなくなってしまう（以降、この現象をフォーカス異常ともいう）。特に、表面高さを精度よく検出するために高精度のセンサを用いた場合には、すそ野の端部を検出しやすいため、フォーカス異常が発生する恐れが潜在的に高まってしまう。さらに、ハードマスク層の薄膜化が進むと、透過率向上とともに表面反射率低下が生じる事も有り、５ｎｍよりも薄膜化を進めるとフォーカス異常発生率が増す。また、描画露光を高速で行う場合にも、センサ感度を高める必要を生じ、ノイズの影響を受け易くなるために、フォーカス異常を発生する恐れが高まる。
【０００９】
裏面反射光の光量分布のすそ野の端部がスリットの内側に及んでも、必ずしもフォーカス異常が発生するとは限らず、その発生率は低い。しかしながら、インプリント用モールドの製造における描画時間は数百時間に及ぶこともあるため、フォーカス異常の発生を防止することは重要である。フォーカス異常の発生率の低さは、すそ野の端部を検出するか否かが、たとえば、描画露光時の微小なバラツキに左右され、すそ野の端部の検出が一定のレベルに達した際に、フォーカス異常として顕在化することを意味していると考えられる。また、このようなフォーカス異常の問題は、レーザー光の反射を利用する他の機器、たとえば、検査機等にも生じると考えられる。
【００１０】
本発明者は、フォーカス異常の発生率が低いことを考慮して、フォーカス異常を引き起こす要因を完全に除去せずとも、フォーカス異常が生じない程度まで押さえ込むことができれば、フォーカス異常の問題は解決できると考えた。
【００１１】
本発明は、上記の状況を鑑みてなされ、裏面反射光に起因するフォーカス異常を防止できるインプリント用モールドブランクおよびインプリント用モールドを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
特許文献１に記載されている裏面反射光強度を低減する方法は、裏面の表面を粗くしたことに起因する散乱により低減する方法、あるいは屈折率（実数部）のみから算出した位相差が１８０°となる膜により入射光と反射光とを相殺する方法である。後者は、特許文献１の００１０段落に記載されている以下の式１から算出でき、たとえばλを６３３ｎｍとし、ｎ＝１．３５において、ｍ＝１としてもＬ＝１１７ｎｍとなる。
ｎＬ＝（２ｍ−１）λ／４・・・式１
なお、式１中において、ｎ:反射防止層の屈折率（実数部）、Ｌ：膜厚、ｍ：整数、λ：検査光波長である。
【００１３】
これに対し、本発明者は、上述した裏面反射光の問題に対し、光を吸収する物質の界面を光が反射または透過する際に、それぞれの物質の屈折率および消衰係数に由来する複素屈折率により、該光の位相が変化することに着目した。複素屈折率は下記の式２のように表すことができる。
Ｎ＝ｎ−ｉｋ・・・式２
なお、式２中において、Ｎ：複素屈折率、ｎ：屈折率（実数部）、ｋ：消衰係数である。
【００１４】
具体的には、前述の複素屈折率の考え方を導入し、適切な屈折率（実数部）と消衰係数を有する材質とで反射防止膜を裏面に設ける事により、わずか数ｎｍの裏面反射防止膜によりほぼ１８０°の位相差で、しかも薄膜であるがゆえに減衰の少ない同程度の反射光強度で相殺する事が出来る事に着目した。この裏面反射防止膜は、散乱による反射光を低減するものと異なり、あるいは屈折率（実数部）から膜厚による１８０°位相差による相殺を行う従来法とは膜厚の違いから明白なように、設計的にまったく異なるものである。また、このように複素屈折率による位相差を利用する技術であれば、光路差を利用する技術に比較して、基板に入射する光の波長依存性を極めて小さくすることができる。
【００１５】
すなわち、本発明の態様は、
光透過性基板と、光透過性基板の表面に形成されたハードマスク層と、を有するインプリント用モールドブランクであって、
ハードマスク層の厚みが５ｎｍ以下であり、
光透過性基板の表面に対向する裏面に位相シフト膜が形成されており、
位相シフト膜の厚みが２ｎｍ以上６ｎｍ以下であり、
位相シフト膜は、光透過性基板の表面に光が入射した場合に、光透過性基板の裏面と位相シフト膜との界面において反射し、表面側に戻る裏面反射光と、位相シフト膜と外部との界面において反射し、表面側に戻る最表面反射光と、がほぼ相殺するように構成されていることを特徴とするインプリント用モールドブランクである。
【００１６】
上記の態様において、位相シフト膜は、裏面反射光の位相と、最表面反射光の位相と、がほぼ反転するように構成されていることが好ましい。
【００１７】
上記の態様において、位相シフト膜は単層、またはその大気側に酸化膜を有する構造であることが好ましい。
【００１８】
上記の態様において、位相シフト膜において、光透過性基板と接している領域の複素屈折率をｎ−ｉｋ（ｉは虚数単位）と表した場合に、ｎが１．６〜３．０、ｋが１．６〜３．０の範囲内であることが好ましい。
【００１９】
上記の態様において、位相シフト膜により相殺される裏面反射光および最表面反射光の波長が１９０ｎｍ〜７５０ｎｍの範囲内であることが好ましい。
【００２０】
上記の態様において、位相シフト膜を構成する材料が、クロムまたはクロム化合物と、タングステンまたはタングステン化合物と、モリブデンまたはモリブデン化合物と、タンタルまたはタンタル化合物と、ハフニウムまたはハフニウム化合物と、からなる群から選ばれる少なくとも１つであることが好ましい。
【００２１】
上記の態様において、位相シフト膜を構成する材料と、ハードマスク層を構成する材料と、が同質であることが好ましい。特に、位相シフト膜を構成する材料と、ハードマスク層を構成する材料と、がクロムまたはクロム化合物であることが好ましい。
【００２２】
本発明の別の態様は、
上記の態様のいずれかに記載のインプリント用モールドブランクを用いて製造されるインプリント用モールドである。
【発明の効果】
【００２３】
本発明によれば、裏面反射光に起因するフォーカス異常を防止できるインプリント用モールドブランクおよびインプリント用モールドを提供することができる。特に、本発明に係るインプリント用モールドブランクに形成された位相シフト膜は、位相差を用いて反射光の強度を低減するので、波長依存性が極めて小さく、基板に入射する光の波長によらず機能する。
【図面の簡単な説明】
【００２４】
【図１】図１は、本実施形態に係るインプリント用モールドブランクおよびインプリント用モールドの模式的な断面図である。
【図２】図２は、本実施形態に係るインプリント用モールドブランクに形成された位相シフト膜が、フォーカス異常を低減する膜として機能する仕組みを説明するための模式図である。
【図３】図３は、裏面反射光の光量分布のすそ野が光検出器により検出される様子を説明するための模式図である。
【図４】図４は、複素平面上において、基板の内部を進む光が裏面反射光となる場合の位相の変化と、基板の内部を進む光が最表面反射光となる場合の位相の変化と、を示す模式的なグラフである。
【図５】図５は、本実施形態に係るインプリント用モールドブランクおよびインプリント用モールドを製造する方法を説明するための模式図である。
【図６】図６は、実施例に係るインプリント用モールドブランクにおいて、基板に入射する光の波長と、該光に起因する裏面反射光の反射率と、の関係を示すグラフである。
【図７】図７は、石英基板に位相シフト膜のみを形成した構成において、位相シフト膜の厚みと、裏面反射光の反射率と、の関係を示すグラフである。
【発明を実施するための形態】
【００２５】
（第１実施形態）
第１実施形態では、本発明を図面に示す実施形態に基づき、以下の順序で詳細に説明する。
１．インプリント用モールドブランク
２．インプリント用モールド
３．インプリント用モールドの製造方法
４．本実施形態の効果
５．変形例等
【００２６】
（１．インプリント用モールドブランク）
図１に示すように、本実施形態に係るインプリント用モールドブランクは、基板１の両主面の一方の面（以降、表面１ａともいう）上にはハードマスク層２およびレジスト層４がこの順で形成されており、両主面の他方の面（以降、裏面１ｂともいう）上には、位相シフト膜３が形成されている構成を有している。
【００２７】
（基板）
基板１は光透過性基板で構成されている。該基板を構成する材料としては、インプリント用モールドブランクに用いられる材料であれば特に制限されないが、たとえば、石英、サファイア等が例示される。本実施形態では、基板として、石英基板を用いる例について説明する。石英基板は、平坦性および平滑性に優れるため、たとえばインプリント用モールドとして用いてパターンの転写を行う場合に、転写パターンの歪み等が生じさせることなく高精度の転写を行えるからである。
【００２８】
基板１の厚みは、高精度のパターン転写が可能なインプリント用モールドが得られる程度において、薄いことが好ましい。具体的には、１１ｍｍ厚以下の基板にパターン描画作成した後に薄板加工するのに対して、予め描画用基板の少なくとも描画領域を０．３ｍｍ〜１ｍｍ程度までに薄板加工した基板を用いる場合である。
【００２９】
後述するように、基板１の表面には、微細なパターン（たとえば、凹凸パターン）が形成されることによりインプリント用モールドとして機能する。
【００３０】
（ハードマスク層）
基板１の表面１ａ上にはハードマスク層２が形成されている。このハードマスク層２は、インプリント用モールドの製造工程において、所定のパターン（ハードマスクパターン）に形成され、その後、基板１のマスクとして働く。その結果、ハードマスクパターンに対応するパターンが基板１に形成されることとなる。
【００３１】
ハードマスク層２を構成する材料としては、導電性を有する材料、たとえば、クロム（Ｃｒ）またはクロム化合物、タングステン（Ｗ）またはタングステン化合物、モリブデン（Ｍｏ）またはモリブデン化合物、タンタル（Ｔａ）またはタンタル化合物、ハフニウム（Ｈｆ）またはハフニウム化合物等が例示される。本実施形態では、クロムを含有する材料またはタングステンを含有する材料が好ましく、クロム（Ｃｒ）またはクロム化合物としては、窒化クロム（ＣｒＮ）が好ましく、タングステン（Ｗ）またはタングステン化合物としては、窒化タングステン（ＷＮ）が好ましい。中でも、窒化クロムが好ましい。窒化クロムは、レジストパターンを形成する際に、電子線による描画時のチャージアップを防止するのに十分な導電性を有しているからである。さらに、窒化クロムは、レジストパターンを構成する材料を除去するために用いられるアンモニア水、硫酸過水（硫酸と過酸化水素水との混合物）等に対して十分な耐性を有するからである。
【００３２】
ハードマスク層２の厚みは５ｎｍ以下である。インプリント用モールドに形成されるパターンは微細化が進んでおり、たとえば、基板１の表面１ａに数十ｎｍピッチの凹凸パターンを形成する場合には、レジストの薄膜化を進める必要があり、これを忠実に転写するためにハードマスク層２の膜厚を小さくする必要があるからである。
【００３３】
（レジスト層）
ハードマスク層２上には、レジスト層４が形成されている。レジスト層４は、電子線等の照射により露光する材料で形成されており、レジスト層４を露光、現像して得られるレジストパターンは、インプリント用モールドに形成される微細パターンに対応する。レジスト層４を構成する材料は上述した微細パターンを形成できる材料であれば特に制限されず、公知の材料を用いることができる。
【００３４】
レジスト層がポジ型レジストで構成されている場合、電子線により描画した部分が基板１上の溝（凹部）に対応することとなる。一方、レジスト層がネガ型レジストで構成されている場合、その逆の位置となる。図１では、ポジ型レジストを用いた場合を例示する。
【００３５】
（位相シフト膜）
基板１の裏面１ｂ上には、単層の位相シフト膜３が形成されている。この位相シフト膜３により描画露光時のフォーカス異常は効果的に抑制される。まず、フォーカス異常について詳細に説明する。
【００３６】
図２（ａ）に示すように、基板１の表面１ａに入射する光ＬＢは、基板１とハードマスク層２との界面で反射する光（表面反射光ＬＢ１）と、基板１の内部を進行する光ＬＢ２と、に分かれる。表面反射光ＬＢ１は、矢印に示す方向に進み、該方向の延長線上に存在する光検出器２０により検出され、基板１の表面高さの情報を取得するために用いられる。
【００３７】
一方、基板１の内部を進行する光ＬＢ２は、基板１の裏面１ｂ（基板１と外部との界面）に到達すると、裏面１ｂで反射し、基板１の表面１ａ側に戻る方向に進む光（裏面反射光ＬＢ３）と、裏面を透過し外部に抜ける光ＬＢ６と、に分かれる。この裏面反射光ＬＢ３は、図２（ａ）に示すように、表面反射光ＬＢ１と同じ方向に進み光検出器２０に検出されることとなる。
【００３８】
ハードマスク層２の厚みが大きい場合、たとえば１００ｎｍ程度では、光学濃度（ＯＤ）が高く、基板１に入射する光の多くがハードマスク層２に吸収され、ハードマスク層２に吸収されずに透過する光ＬＢ２の強度は必然的に小さくなるため、裏面反射光ＬＢ３の反射率は、その影響を無視できる程度に小さい。したがって、フォーカス異常は生じない（図３（ａ）を参照）。
【００３９】
ところが、ハードマスク層２の厚みが小さい場合、たとえば５ｎｍ以下になると、ハードマスク層２に吸収されずに透過する光ＬＢ２の強度が大きくなるため、これに伴い、裏面反射光ＬＢ３の強度（反射率）が比較的に大きくなる。その結果、裏面反射光ＬＢ３の光量分布が広がるため、そのすそ野３０がセンサ部の前面に配置されているピンホールスリット２２の内側まで及んでしまう。その結果、センサ部２１が、表面反射光ＬＢ１だけでなく、裏面反射光ＬＢ３も検出してしまうと、表面高さに誤差が生じてしまう（図３（ｂ）を参照）。すなわち、基板１の表面１ａでのフォーカス異常が生じる原因となってしまう。なお、図２においては、レジスト層の図示を省略した。
【００４０】
そこで、本実施形態では、図２（ｂ）に示すように、基板１の裏面１ｂ上に位相シフト膜３を形成している。位相シフト膜３を設けることにより、基板１の裏面１ｂ（基板１と位相シフト膜３との界面）を透過した光ＬＢ４は、位相シフト膜３の内部を進行し、位相シフト膜の最表面３ａ（位相シフト膜と空気との界面）を透過し外部に抜ける光ＬＢ６と、該最表面で反射し基板１の表面１ａ側に戻る方向に進む光ＬＢ５と、に分かれる。さらに、該光ＬＢ５は、基板１の裏面１ｂにおいて透過または反射し、透過した光ＬＢ７は、裏面反射光ＬＢ３と同じ方向に進み、光検出器２０に検出されることとなる。本実施形態では、光ＬＢ５が基板１の裏面１ｂを透過した後の光ＬＢ７を、最表面反射光ＬＢ７と呼ぶ。すなわち、裏面反射光ＬＢ３と最表面反射光ＬＢ７とは同じ方向に進む。
【００４１】
ここで、光を吸収する物質に光が入射すると、入射光の一部は該物質を通過または反射する。このとき、位相が変化することが知られている。図２（ｂ）においては、基板１の内部を進む光ＬＢ２は、基板１と位相シフト膜３との界面（裏面１ｂ）を透過または反射する際に位相が変化するが、透過した光ＬＢ４の位相変化量と反射する光（裏面反射光ＬＢ３）の位相変化量とは異なる。さらに、界面を透過した光ＬＢ４は位相シフト膜３の内部を進み、位相シフト膜３と外部との界面（位相シフト膜３の最表面３ａ）において通過または反射する際に位相が変化する。そして、位相シフト膜３の最表面３ａで反射した光ＬＢ５は、位相シフト膜３の内部を基板１の表面１ａ側に進み、基板１と位相シフト膜３との界面（裏面１ｂ）を再び透過または反射する際に位相が変化し、透過光は最表面反射光ＬＢ７となる。
【００４２】
したがって、図２（ｂ）においては、基板１の内部を進む光ＬＢ２に対して、裏面反射光ＬＢ３は位相が１回変化しており（ＬＢ２→ＬＢ３）、位相シフト膜３の最表面３ａにおいて反射し、基板１の裏面１ｂを透過する光（最表面反射光ＬＢ７）は位相が３回変化している（ＬＢ２→ＬＢ４→ＬＢ５→ＬＢ７）。
【００４３】
そこで、本実施形態では、図４に示すように、裏面反射光ＬＢ３における１回の位相変化量と、最表面反射光ＬＢ７における３回の位相変化量と、を制御して、裏面反射光ＬＢ３の位相に対して、最表面反射光ＬＢ７の位相が反転する（ほぼ１８０°ずれる）ように構成している。併せて、位相シフト膜の薄い膜厚と適当な複素屈折率により、透過した光ＬＢ４から反射した光ＬＢ５の吸収と反射強度とを制御し、裏面反射光ＬＢ３と同程度の強い光強度である最表面反射光ＬＢ７となる。
【００４４】
このようにすることにより、裏面反射光ＬＢ３と、最表面反射光ＬＢ７と、は位相が逆で、かつ同等の強度なので、それらは相殺される。その結果、光検出器においては、裏面反射光ＬＢ３は、見かけ上、フォーカス異常が生じない程度に反射率が低くなり、裏面反射光ＬＢ３はほとんど検出されない。したがって、表面高さの情報を精度よく取得でき、基板１の表面１ａ上でのフォーカス異常を防止することができる。
【００４５】
位相シフト膜３を構成する材料としては、光をある程度吸収する物質で、裏面反射光ＬＢ３の位相に対して、最表面反射光ＬＢ７の位相が反転するように制御可能な材料であることが求められる。位相変化量を制御する方法としては、たとえば、位相シフト膜を構成する材料が有する複素屈折率のパラメータを変化させることが例示される。複素屈折率Ｎは、上述したように、Ｎ＝ｎ−ｉｋ（ｉは虚数単位）で表されるので、屈折率「ｎ」および消衰係数「ｋ」を制御すればよい。この「ｎ」および「ｋ」は、該材料を構成する元素、元素の組成比等により制御できる。なお、屈折率（ｎ）は１．６〜３．０、消衰係数（ｋ）は１．６〜３．０である事が望ましい。
【００４６】
本発明者は「ｎ」および「ｋ」の値を検討し、位相シフト膜３を構成する材料を、ハードマスク層２を構成する材料と同質の材料とすることができることを見い出した。本実施形態では、ハードマスク層２を窒化クロムで構成しているため、位相シフト膜３も窒化クロム（ＣｒＮ）で構成している。なお、本明細書において、「同質」とは、材料を構成する元素は同じであるが、その組成比は同じであってもよいし異なっていてもよいことを意味する。
【００４７】
位相シフト膜３を構成する材料が、ハードマスク層２を構成する材料と同質であれば、以下の点で好ましい。すなわち、ハードマスク層２を形成するための手法と同じ手法を用いて、位相シフト膜３を形成することができ、位相シフト膜３を形成する工程を別途設ける必要がなく、工程の増加に伴う不純物の混入も防止できるからである。さらに、基板１の両面に同質の材料が形成されるため、たとえばベーク処理等の熱処理において生じる応力を緩和することができる。また、基板１の両面が導電性を有する材料で構成されることになるため、該基板１を載置するステージとして静電チャック式のステージを用いることができる。
【００４８】
図２（ｂ）に示すように裏面反射光ＬＢ３の位相に対して、最表面反射光ＬＢ７の位相が反転していても（ほぼ１８０°ずれていても）、裏面反射光ＬＢ３の強度（反射率）に対して、最表面反射光ＬＢ７の強度（反射率）が小さければ、裏面反射光ＬＢ３の強度をフォーカス異常が生じない程度まで低減できない可能性がある。そこで、裏面反射光ＬＢ３の反射率と、最表面反射光ＬＢ７の反射率と、を同程度とするために、本実施形態では位相シフト膜３の厚みを制御している。具体的には、位相シフト膜３の厚みは２ｎｍ以上６ｎｍ以下であり、２ｎｍ以上５ｎｍ以下であることが好ましい。すなわち、位相シフト膜３は、ハードマスク層２と同様に極めて薄く形成されている。
【００４９】
この位相シフト膜３は、位相差を利用して裏面反射光ＬＢ３を低減していることに加え、その厚みがレーザー光の波長λ（たとえば、６３３ｎｍ）よりも極めて小さく、光の光路差の影響をほぼ無視できるため、裏面反射光の波長に対する依存性が極めて小さい膜として機能する。
【００５０】
なお、位相シフト膜３が形成されていないインプリント用モールドブランクの裏面反射光ＬＢ３の反射率を１とすると、該インプリント用モールドブランクに位相シフト膜を形成した場合、裏面反射光ＬＢ３の反射率と最表面反射光ＬＢ７の反射率との差、すなわち、裏面反射光ＬＢ３の見かけ上の反射率は０．９以下であることが好ましく、０．６以下であることがより好ましく、０．２以下であることが特に好ましい。より薄い（透過率が高い）ハードマスクを用いる場合、あるいは高いセンサ感度で描画する場合、裏面反射率ＬＢ３の見かけ上の反射率を厳格に制御することが望ましい。
【００５１】
基板が石英基板での裏面反射光ＬＢ３は、反射率３．５％程度である。これに、表面反射光ＬＢ１が１０〜１２％程度の窒化クロムよりなるハードマスク層を設けた場合、透過率が大きくなる５ｎｍ以下にて、フォーカス異常が顕在化し始める。さらにハードマスクを薄く、たとえば２．５ｎｍ程度とすると、透過率が上昇するだけでなく、表面反射率が６％程度まで下降し、フォーカス異常は悪化する。したがって、本実施形態に係るインプリント用モールドブランクにおいて、裏面反射光ＬＢ３の見かけ上の反射率は３．５％未満であることが好ましく、装置状態の変動、ハードマスクの薄膜化等を考慮すれば、２％以下であることがより好ましく、０．５％以下であることが特に好ましい。
【００５２】
裏面反射光の反射率の測定方法としては、裏面反射光の反射率を直接測定できる装置がないため、表面反射光の反射率を測定できる装置、表裏面の反射光の反射率を測定できる装置等を用いて、裏面反射光の反射率を換算して算出する方法が例示される。
【００５３】
（２．インプリント用モールド）
上記のインプリント用モールドブランク１０を用いることにより、フォーカス異常が生じることなく、設計通りのレジストパターンを形成することができる。そして、レジストパターンをマスクとして、ハードマスク層２および基板１をエッチングすることにより、図１（ｂ）に示すように、基板１の表面１ａに微細なパターンが形成された本実施形態に係るインプリント用モールド１２が得られる。
【００５４】
基板１上に残存しているハードマスク層２およびレジスト層４は必要に応じて除去される。たとえば、熱インプリントにより、インプリント用モールド１２を用いてパターンを転写する場合には、ハードマスク層等が残存していてもよい。また、ハードマスク層２およびレジスト層４を除去すると、インプリント用モールド１２の裏面側からＵＶ光等を照射する光インプリントを行う場合であっても、全く問題なく転写できる。
【００５５】
（３．インプリント用モールドの製造方法）
次に、インプリント用モールドを製造する方法について詳細に説明する。上記のインプリント用モールドは、まず、上記のインプリント用モールドブランクを製造し、該ブランクを基にして製造される。図５は、本実施形態に係るインプリント用モールドの製造方法の製造工程を示す説明図である。
【００５６】
（ハードマスク層および位相シフト膜の形成）
まず、図５（ａ）に示すように、石英から構成される基板１（光透過性基板）を準備する。続いて、図５（ｂ）に示すように、基板１の一方の主面１ａ上にハードマスク層２を形成すると共に、他方の主面１ｂ上に位相シフト膜３を形成する。ハードマスク層２を形成するための成膜手法としては、公知技術を利用すればよく、たとえば、スパッタリング法が例示される。
【００５７】
具体的には、窒化クロム（ＣｒＮ）から構成されるハードマスク層２をスパッタリングにより形成する場合、クロム（Ｃｒ）からなるターゲットを、反応ガスとしてのアルゴン（Ａｒ）と窒素（Ｎ）との混合ガスを用いてスパッタリングを行い、基板１の表面１ａ上に窒化クロムを成膜すればよい。窒化クロム中のクロムと窒素との組成比は、混合ガスのアルゴンと窒素との混合比を変化させることにより制御することができる。その他の成膜条件は適宜決定すればよい。
【００５８】
本実施形態では、ハードマスク層２を構成する材料と、位相シフト膜３を構成する材料と、は同質であるため、ハードマスク層２を形成するために用いる手法を、位相シフト膜を形成するために用いる手法に適用することができる。したがって、位相シフト膜を形成する場合にも、スパッタリング法を採用することができ、ハードマスク層２の形成と同様に、クロムをターゲットとし、反応ガスとしてアルゴンと窒素との混合ガスを用いる。
【００５９】
また、ハードマスク層２を構成する窒化クロムの組成比と、位相シフト膜３を構成する窒化クロムの組成比と、は同じであってもよいし、異なっていてもよい。本実施形態では、ハードマスク層２を構成する窒化クロム中の窒素の組成比を、位相シフト膜３を構成する窒化クロム中の窒素の組成比よりも大きくすることが好ましい。このようにすることにより、ハードマスク層２と基板１との界面における光（表面反射光）の反射率を大きくできるからである。
【００６０】
（レジストパターンの形成）
続いて、図５（ｃ）に示すように、ハードマスク層２の上にレジスト層４を形成する。レジスト層４を形成する方法としては公知の方法を用いればよく、たとえばスピンコート法が例示される。レジスト層４を形成した後には、レジスト層４に含まれる溶剤を除去するため等にベーク処理を行ってもよい。
【００６１】
レジスト層４の厚みは特に制限されないが、ハードマスク層２に対するエッチングが完了するまでに残存する厚みであればよい。レジスト層４を形成することにより、図５（ｃ）に示す本実施形態に係るインプリント用モールドブランク１０が得られる。
【００６２】
続いて、得られたインプリント用モールドブランクを基にして、インプリント用モールドを製造する。
【００６３】
まず、図５（ｄ）に示すように、インプリント用モールドブランク１０のレジスト層４に対してパターニングを行い、レジストパターン４ａを形成する。レジスト層４に対するパターニングは、たとえば、電子線描画機を用いた電子線露光によるパターン描画の後、描画されたパターンを現像することにより行う。このパターン描画の際には、上述したように、レーザー光を用いて基板表面に電子線のフォーカスが合うように照射距離を制御している。本実施形態では、基板１の裏面１ｂに位相シフト膜３が形成されているため、フォーカス異常を効果的に抑制することができる。
【００６４】
続いて、レジスト層４における電子線により描画した部分（露光部分）をエッチングにより除去して、露光後のレジスト層を現像する（レジストパターン４ａを形成する）。レジスト層４はポジ型レジストであるので、電子線により描画した部分が、基板１上の溝（凹部）に対応することになる。
【００６５】
（ハードマスク層２に対するエッチング）
レジストパターン４ａを形成した後は、図５（ｅ）に示すように、該レジストパターン４ａをマスクにして、ハードマスク層２に対するエッチングを行う。エッチングは、ドライエッチングであってもよいしウェットエッチングであってもよく、公知の手法を用いればよい。このエッチングにより、ハードマスクパターン２ａが形成される。
【００６６】
（基板に対するエッチング）
エッチングにより、ハードマスクパターン２ａを形成した後は、図５（ｆ）に示すように、エッチング後のハードマスクパターン２ａをマスクにして、基板１に対するエッチングを行い、ハードマスクパターン２ａ自体が有するパターンを基板１に転写して、該基板１への所望パターンの形成を行う。エッチングは、公知の手法を用いればよいが、本実施形態では、ドライエッチングにより基板１をエッチングする。
【００６７】
ドライエッチングに用いるガスとしては、基板を侵食して掘り込むことができ、微細なパターンを形成できるガスであれば特に制限されないが、たとえば、フッ素系ガスが例示される。フッ素系ガスとしては、たとえば、ＣｘＦｙ（例えば、ＣＦ４、Ｃ２Ｆ６、Ｃ３Ｆ８）、ＣＨＦ３、これらの混合ガス、または、これらに希ガス（Ｈｅ、Ａｒ、Ｘｅ等）を添加したガスが例示される。
【００６８】
基板１に対するエッチングを行うことで、基板１については、所望パターンに対応する溝加工（凹凸部形成）が施されることになる。
【００６９】
基板１に対するエッチングを行った後は、必要に応じて、基板１上の残存膜（ハードマスクパターン２ａ、位相シフト膜３、レジストパターン４ａ等）の除去を行う。残存膜の除去は、公知の手法を用いて行えばよい。そして、基板１から残存膜を除去した後は、必要に応じて、基板１の洗浄等を行う。
【００７０】
以上のような各工程を経て、図５（ｃ）に示すインプリント用モールドブランク１０を製造し、該ブランクを基にして、図５（ｇ）に示すインプリント用モールド１２が製造される。
【００７１】
（４．本実施形態の効果）
インプリント用モールドは、ハードマスク層が形成されたインプリント用モールドブランクを描画露光することにより所定の微細パターンを形成して製造される。このとき、基板の表面にレーザー光を照射して、該表面における反射光を利用して、該基板の表面高さの情報を取得し、この情報をフィードバックして、該基板の表面にフォーカスが合うように補正しながら電子線を照射してレジスト層の描画露光を行う。ところが、基板の表面で反射せず基板に入射した光が基板の裏面と外部との界面で反射すると、基板の表面側に戻っていく光（裏面反射光）となる。これが検出されるとフォーカス異常が生じてしまうことがある。フォーカス異常の発生率は低いものの、インプリント用モールドブランクの描画には数十時間から数百時間を要するため、このようなフォーカス異常は無視できない。
【００７２】
そこで、本実施形態では、微細パターンが形成されることになる基板の表面（基板の一方の主面）と対向する面（基板の他方の主面）に、位相シフト膜を形成している。この位相シフト膜は、微細パターンを形成するために用いられるのではなく、位相シフト膜に入射し位相シフト膜と外部との界面（位相シフト膜の最表面）で反射し、基板の表面側に戻っていく光（最表面反射光）を生じさせ、かつ裏面反射光の位相に対し、最表面反射光の位相が反転する（ほぼ１８０°ずれる）ように、それぞれの光の位相変化量を制御している。そうすると、裏面反射光と最表面反射光とがほぼ相殺されるため、フォーカス異常の原因となる裏面反射光が見かけ上ほとんど生じない。したがって、フォーカス異常の発生を効果的に抑制することができる。
【００７３】
しかも、本実施形態では、位相シフト膜の厚みを特定の範囲とすることにより、裏面反射光の強度と、最表面反射光の強度と、を同程度にすることができる。したがって、裏面反射光の強度を、フォーカス異常を生じさせない程度まで確実に小さくすることができる。さらに、この位相シフト膜は、光の位相差を利用して裏面反射光を低減するものであり、かつ位相シフト膜の厚みが、基板に入射する光（たとえば、レーザー光）の波長（たとえば、６３３ｎｍ）よりも極めて小さいため、位相シフト膜を設けることにより得られる効果は、光の光路差にほとんど依存しない。換言すれば、位相シフト膜は、基板に入射する光の波長に依存することなく、基板に入射する光の一部である裏面反射光の強度を低減できる膜として機能する。
【００７４】
さらに、本実施形態では、上記の効果を有する位相シフト膜を、ハードマスク層の構成材料と同じまたは同質の材料で構成している。したがって、ハードマスク層を形成するために用いられる手法と同じ手法を用いて、位相シフト膜を形成することができる。したがって、発生率の低いフォーカス異常の原因となる裏面反射光の強度を低減するためだけに、位相シフト膜の形成工程を別途設ける必要はなく、工程の増加に起因する不純物等の混入を生じない。また、位相シフト膜の吸光により基板を透過する光量を減ずる事により、裏面異物による散乱光等のノイズを低減できる効果も期待できる。
【００７５】
また、位相シフト膜を窒化クロム（ＣｒＮ）で構成することにより、複素屈折率Ｎにおける屈折率（ｎ）と、消衰係数（ｋ）と、を本発明の効果を奏する範囲内とすることができる。具体的には、窒化クロムの組成比を変化させることにより、屈折率（ｎ）および消衰係数（ｋ）は、制御することができる。
【００７６】
（５．変形例等）
上述した実施形態では、ハードマスク層と位相シフト膜とを同じ材料で構成しているが、ハードマスク層を構成する材料と、位相シフト膜を構成する材料と、が異なっていてもよい。たとえば、ハードマスク層を窒化クロムで構成し、位相シフト膜を窒化タングステンで構成してもよい。ただし、コスト等の観点から、ハードマスク層と位相シフト膜とを同じ材料で構成することが好ましい。
【００７７】
上述した実施形態では、基板の裏面上に単層の位相シフト膜を形成している構成について説明したが、基板の裏面上に複数層の位相シフト膜を形成してもよい。
【００７８】
そうすると、複数の位相シフト膜における反射光の位相変化量の合計をほぼ１８０°とすることにより、裏面反射光をほぼ相殺できる。なお、反射光の強度は、位相シフト膜を構成する層の数により制御すればよい。したがって、位相シフト膜を複数形成した場合であっても、上述した効果を奏することができる。
【００７９】
（第２実施形態）
以下、その他の好ましい形態を、第２実施形態として付記する。本実施形態は、熱処理を行うか否かを考慮し、熱処理を行う場合にはさらに熱処理条件も考慮して、形成する位相シフト膜の厚みを制御する点で第１実施形態とは異なる。その他の点は第１実施形態と同一であるため、詳細な説明を省略する。
【００８０】
本発明者は、レジスト層を形成した後に行うベーク処理により、位相シフト膜の厚みに対応する裏面反射光の反射率が変化することを見い出した。換言すれば、ベーク処理により、裏面反射光の反射率をフォーカス異常が生じない程度まで低減できる位相シフト膜の厚みの範囲が変化することを見い出した。そうすると、位相シフト膜を所定の厚みで形成した時点では、その厚みであれば裏面反射光の反射率をフォーカス異常が生じない程度まで低減できるが、ベーク処理を行うと、その厚みにおける裏面反射光の反射率が変化し、裏面反射光の反射率をフォーカス異常が生じない程度まで低減できない可能性が生じてしまう。
【００８１】
本発明者は、この知見に基づき、インプリント用モールドブランクの構成要素、たとえば、基板に形成されるレジスト層を構成する材料に関して、ベーク処理等の熱処理が必要か否かを判断し、熱処理が必要な場合には、該構成要素に適した熱処理条件を考慮して、形成する位相シフト膜の厚みを制御できることを見い出した。
【００８２】
熱処理要件を考慮して、インプリント用モールドブランクを製造することにより、裏面反射光の反射率を、フォーカス異常が生じない程度まで確実に低減できる。なお、本明細書では、「熱処理要件」とは、熱処理が必要か否かの判断および熱処理が必要な場合に行われる熱処理条件をいう。位相シフト膜の厚みは上述したように２〜６ｎｍの範囲であるのに対し、ベーク処理等により、裏面反射光の反射率が最も小さくなる位相シフト膜の厚みは、位相シフト膜の厚みの範囲の数十％に相当する１ｎｍ程度も変化することがある。したがって、熱処理要件を考慮して、位相シフト膜の厚みを制御することは重要である。
【００８３】
上記では、熱処理として、レジスト層のベーク処理を例示している。なお、ベーク処理としては、プリベーク（ＰＡＢ）であってもよいし、露光後ベーク（ＰＥＢ）であってもよいし、現像後ベーク（ＰＤＢ）であってもよいし、これらの組み合わせであってもよい。なお、位相シフト膜の表面が、加工処理、あるいは環境による変化を受け易い場合、予めＣｒ酸化膜を大気側に成膜しておいても良い。
【００８４】
以下、本実施形態における特徴的な構成を付記する。
[付記１]
光透過性基板と、前記光透過性基板の表面に形成されたハードマスク層と、レジスト層と、を有するインプリント用モールドにおいて、
前記ハードマスク層の厚みが５ｎｍ以下であり、
前記光透過性基板の前記表面に対向する裏面に位相シフト膜が形成されており、
前記位相シフト膜の厚みが２ｎｍ以上６ｎｍ以下であり、
前記位相シフト膜は、前記光透過性基板の前記表面に光が入射した場合に、前記光透過性基板の前記裏面と前記位相シフト膜との界面において反射し、前記表面側に戻る光Ａと、前記位相シフト膜と外部との界面において反射し、前記表面側に戻る光Ｂと、がほぼ相殺するように構成されているインプリント用モールドブランクを製造する方法であって、
前記インプリント用モールドブランクの製造工程における熱処理要件を考慮して、前記位相シフト膜の厚みを制御することを特徴とするインプリント用モールドブランクの製造方法。
【００８５】
[付記２]
前記熱処理要件は、前記レジスト層のベーク処理を含むことを特徴とするインプリント用モールドブランクの製造方法。
【００８６】
以上、本発明の実施形態について説明してきたが、本発明は、上述した実施形態に何ら限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲内において種々に改変することができる。
【実施例】
【００８７】
以下、本発明を、さらに詳細な実施例に基づき説明するが、本発明は、これら実施例に限定されない。
【００８８】
（実施例１）
まず、寸法が１５２．４ｍｍ×１５２．４ｍｍ×６．３５ｍｍである石英基板を準備した。続いて、この石英基板の両主面上にスパッタリング法を用いて窒化クロムを両面とも４ｎｍの厚みで成膜した。ターゲットとしてクロムを用い、反応ガスとしてアルゴンと窒素との混合ガスを用いた。混合ガスにおける組成比は、Ａｒ：９０％、Ｎ：１０％であった。なお、位相シフト膜の特性を確認する為に、同寸法の石英基板の裏面にのみ窒化クロムを同様に成膜したものも作成した。
【００８９】
スパッタリングにより両主面に形成した窒化クロム膜について、膜品質、異物の吸着等の観点から評価して良好であると判断した窒化クロム膜をハードマスク層とし、他方の窒化クロム膜を位相シフト膜とした。続いて、ハードマスク層の上に、日本ゼオン社製ＺＥＰ５２０をスピンコート法により塗布してレジスト層を形成した。ハードマスク層および位相シフト膜が形成された基板を、ホットプレート上に載置し、２００℃−１５分の条件でレジスト層に対しベーク処理を行い、インプリント用モールドブランクを得た。位相シフト膜の特性を評価する為の基板（位相シフト膜特性評価用基板）は、レジストを塗布する事無しに、同様なベーク処理を行い作製した。
【００９０】
得られた位相シフト膜特性評価用基板に対し、種々の波長の光を基板に入射させて、基板の裏面反射光の反射率を測定した。この測定は、オリンパス社製レンズ反射率測定器（USPM-RU）を用いて行った。このレンズ反射率測定器を用いて、位相シフト膜特性評価用基板の裏面にフォーカスを合わせることにより、裏面反射光の反射率を測定した。なお、入射させる光の入射角は０°（基板に垂直）であり、反射率を測定する領域は、φ１ｍｍ以下とした。結果を図６に示す。なお、本実施例１において、位相シフト膜の屈折率は２．３４、消衰係数は２．５４であった。
【００９１】
図６から明らかなように、幅広い波長域において、裏面反射光の反射率が０．４％以下であることが確認できた。なお、４００ｎｍ以下の波長域では、ノイズのために測定不良であったが、波長に対する膜厚が小さい場合には、さらに広い領域での制御、たとえば１９０ｎｍ程度まで反射率の測定が可能である。
【００９２】
一方、位相シフト膜を形成していないインプリント用モールドブランクの基板における裏面反射光の反射率は３．５％であった。すなわち、位相シフト膜を設けることにより、裏面反射光は最表面反射光により相殺され、裏面反射光の強度（反射率）がフォーカス異常を生じない程度まで低減され、しかも最表面反射光による相殺効果は、裏面反射光の波長にはほとんど依存しないことが確認できた。
【００９３】
続いて、得られたインプリント用モールドブランクに対し、電子線描画機を用いて、６０ｎｍ幅のラインアンドスペースを描画露光した。描画露光時には、フォーカスハイトセンサ（Focus Height Sensor）を用いて、波長が６３３ｎｍのレーザー光をインプリント用モールドブランクの基板表面に照射し、その反射光を検出して、基板の表面高さを算出し電子線の描画位置にフィードバックした。通算約１０００時間の描画露光を、５０枚のインプリント用モールドブランクに対して行ったが、フォーカスハイトセンサの読み取り値に異常はなく、フォーカス異常は全く生じなかった。なお、位相シフト膜を形成しなかったインプリント用モールド作成においては、１／１０枚（１回／２０時間）程度の異常発生であった。
【００９４】
次に、レジスト層を現像液により現像しレジストパターンを形成した後、このレジストパターンをマスクにして、ドライエッチングによりハードマスク層をエッチングし、ハードマスクパターンを形成した。さらに、形成したハードマスクパターンをマスクにして、石英基板をドライエッチングすることにより、石英基板の表面に６０ｎｍのラインアンドスペースパターンを形成した。続いて、該パターン上に残るレジストパターンを熱濃硫酸処理により剥がし、さらにハードマスクパターンをウェットエッチングにより除去した。この時、位相シフト膜も同時に除去した。
【００９５】
（実施例２）
石英基板の両主面上に両面とも厚みが５ｎｍの窒化クロム膜を成膜した以外は、実施例１と同様にして、インプリント用モールドブランクを得た。得られたインプリント用モールドブランクに対し、７０ｎｍのホールパターンを描画露光した以外は、実施例１と同様にして、描画露光を行った。その結果、実施例１と同様に、フォーカス異常は全く生じなかった。
【００９６】
（実施例３）
石英基板の一方の主面上に、ハードマスク層として厚みが４ｎｍの窒化クロム膜を成膜し、他方の主面上に、位相シフト膜として厚みが３ｎｍの窒化クロム膜を成膜した以外は、実施例１と同様にして、インプリント用モールドブランクを得た。得られたインプリント用モールドブランクに対し、３０ｎｍのラインアンドスペースパターンを描画露光した以外は、実施例１と同様にして、描画露光を行った。その結果、実施例１と同様に、フォーカス異常は全く生じなかった。
【００９７】
（実施例４〜７）
実施例４〜７では、ベーク処理により、裏面反射光の反射率に対応する位相シフト膜の特性の変化（たとえば、裏面反射光の反射率が最も小さくなる位相シフト膜の厚み）を評価した。なお、ベーク処理は膜表面の酸化を進行させる為、膜全体としての複素屈折率が変化する。
【００９８】
実施例４では、位相シフト膜の厚みが２〜５ｎｍの範囲内にある試料を複数準備し、レジスト層形成後にベーク処理を行わなかった以外は実施例１と同様にして、位相シフト膜特性評価用基板を複数製造した。
【００９９】
実施例５では、位相シフト膜の厚みが２〜５ｎｍの範囲内にある試料を複数準備した以外は実施例１と同様にして、位相シフト膜特性評価用基板を複数製造した。
【０１００】
実施例６では、反応ガスとしての混合ガスの組成比を、Ａｒ：７０％、Ｎ：３０％として、位相シフト膜の厚みが２〜５ｎｍの範囲内にある試料を複数準備し、レジスト層形成後にベーク処理を行わなかった以外は実施例１と同様にして、位相シフト膜特性評価用基板を複数製造した。
【０１０１】
実施例７では、反応ガスとしての混合ガスの組成比を、Ａｒ：７０％、Ｎ：３０％として、位相シフト膜の厚みが２〜５ｎｍの範囲内にある試料を複数準備した以外は実施例１と同様にして、位相シフト膜特性評価用基板を複数製造した。
【０１０２】
得られた実施例４〜７の位相シフト膜特性評価用基板について、ｎ＆ｋテクノロジー社製ｎ＆ｋアナライザを用いて、該ブランクの基板の表裏面の反射率を測定し、測定値から裏面反射光の反射率を算出した。なお、入射させる光の入射角は５〜１０°であり、反射率を測定する領域は、φ５ｍｍ程度とした。結果を図７に示す。
【０１０３】
図７より、ベーク処理により、裏面反射光の反射率が最も小さくなる位相シフト膜の厚みが変化すること（実施例４および５）、ベーク処理により裏面反射光の反射率が変化すること（実施例６および７）が確認できた。このように付随する処理で位相シフト膜全体としての特性変化が想定される場合、あるいは、洗浄性を向上させるための機能性膜等を別途で設けた多層構造とするような場合に、予め異なる膜厚の位相シフト膜にて影響量を想定して、適切な膜厚に設定すればよい。たとえば、レジスト層を形成する材料として、２００℃−１５ｍｉｎのベーク処理が必要なものを採用する場合には、Ｃｒ：９０％、Ｎ：１０％で構成される位相シフト膜の厚みを４ｎｍ程度とすることにより、裏面反射光の反射率を最も低減することができる。
【符号の説明】
【０１０４】
１０…インプリント用モールドブランク
１…基板
２…ハードマスク層
２ａ…ハードマスクパターン
３…位相シフト膜
４…レジスト層
４ａ…レジストパターン
１２…インプリント用モールド
２０…光検出器
２１…センサ部
２２…ピンホールスリット
【図１】
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【図２】
2015167199.tif 000004
【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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