(57)【要約】      （修正有）【課題】ＭＲＴイメージングを最適化する。【解決手段】磁気共鳴トモグラフィシステム１０１のシムシステムＧＳＣ１，ＧＳＣ２，ＧＳＣ３，ＧＳＣ４，ＬＳＣ１，ＬＳＣ２が、磁気共鳴トモグラフィシステム１０１のボア１０３を包囲する領域ＢＲＧ，ＧＳＣ１，ＧＳＣ２，ＧＳＣ３，ＧＳＣ４，１１２ｘ，１１２ｙ，１１２ｚ内に少なくとも１つのグローバルシムコイルＧＳＣ１，ＧＳＣ２，ＧＳＣ３，ＧＳＣ４を含み、シムシステムＧＳＣ１，ＧＳＣ２，ＧＳＣ３，ＧＳＣ４，ＬＳＣ１，ＬＳＣ２が、磁気共鳴トモグラフィシステム１０１の１つの局所コイル１０６内に少なくとも１つの局所シムコイルＬＳＣ１，ＬＳＣ２を含み、シム制御部１１７が、グローバルシムコイルＧＳＣ１，ＧＳＣ２，ＧＳＣ３，ＧＳＣ４および局所シムコイルＬＳＣ１，ＬＳＣ２のためのシム電流ＩＧＳＣ，ＩＬＳＣ，ｎ×ＩＧＳＣ，ｍ×ＩＬＳＣを規定するように構成されている。【選択図】図１
2015039635.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
シムシステム（ＧＳＣ１，ＧＳＣ２，ＧＳＣ３，ＧＳＣ４，ＬＳＣ１，ＬＳＣ２）と、シム制御部（１１７）とを有する磁気共鳴トモグラフィシステム（１０１）であって、
シムシステム（ＧＳＣ１，ＧＳＣ２，ＧＳＣ３，ＧＳＣ４，ＬＳＣ１，ＬＳＣ２）が、磁気共鳴トモグラフィシステム（１０１）のボア（１０３）を包囲する領域（ＢＲＧ，ＧＳＣ１，ＧＳＣ２，ＧＳＣ３，ＧＳＣ４，１１２ｘ，１１２ｙ，１１２ｚ）内に少なくとも１つのグローバルシムコイル（ＧＳＣ１，ＧＳＣ２，ＧＳＣ３，ＧＳＣ４）を含み、
シムシステム（ＧＳＣ１，ＧＳＣ２，ＧＳＣ３，ＧＳＣ４，ＬＳＣ１，ＬＳＣ２）が、磁気共鳴トモグラフィシステム（１０１）の１つの局所コイル（１０６）内に少なくとも１つの局所シムコイル（ＬＳＣ１，ＬＳＣ２）を含み、
シム制御部（１１７）は、グローバルシムコイル（ＧＳＣ１，ＧＳＣ２，ＧＳＣ３，ＧＳＣ４）および局所シムコイル（ＬＳＣ１，ＬＳＣ２）のためのシム電流（ＩＧＳＣ，ＩＬＳＣ，ｎ×ＩＧＳＣ，ｍ×ＩＬＳＣ）を規定するように構成されている
磁気共鳴トモグラフィシステム（１０１）。
【請求項２】
シムシステム（ＧＳＣ１，ＧＳＣ２，ＧＳＣ３，ＧＳＣ４，ＬＳＣ１，ＬＳＣ２）が、磁気共鳴トモグラフィシステム（１０１）のボア（１０３）を包囲する領域（ＢＲＧ）内に複数のグローバルシムコイル（ＧＳＣ１，ＧＳＣ２，ＧＳＣ３，ＧＳＣ４）を含み、
および／または、
シムシステム（ＧＳＣ１，ＧＳＣ２，ＧＳＣ３，ＧＳＣ４，ＬＳＣ１，ＬＳＣ２）が、磁気共鳴トモグラフィシステム（１０１）の１つの局所コイル（１０６）内に複数の局所シムコイル（ＬＳＣ１，ＬＳＣ２）を含み、
シムシステム（ＧＳＣ１，ＧＳＣ２，ＧＳＣ３，ＧＳＣ４，ＬＳＣ１，ＬＳＣ２）の目標シム電流（ＩＧＳＣ，ＩＬＳＣ）を規定するように、シムシステム（ＧＳＣ１，ＧＳＣ２，ＧＳＣ３，ＧＳＣ４，ＬＳＣ１，ＬＳＣ２）が構成されていることを特徴とする請求項１記載の磁気共鳴トモグラフィシステム。
【請求項３】
記憶装置（ＳＰ−１０１，ＳＰ−１０６）内に記憶されたグローバルシムコイルデータ（ＧＳＣ−Ｄ）が、少なくとも１つのグローバルシムコイル（ＧＳＣ１，ＧＳＣ２，ＧＳＣ３，ＧＳＣ４）のシム特性および／または少なくとも１つのグローバルシムコイル（ＧＳＣ１，ＧＳＣ２，ＧＳＣ３，ＧＳＣ４）により生成可能なシム磁場（Ｂ−Ｓｈｉｍ−ＧＳＣ）の空間磁場分布に関する磁場分布データ（Ｂ−Ｓｈｉｍ−Ｖ−ＧＳＣ）に関係し、
および／または
記憶装置（ＳＰ−１０１，ＳＰ−１０６）内に記憶された局所シムコイルデータ（ＬＳＣ−Ｄ）が、局所シムコイル（ＬＳＣ１，ＬＳＣ２）のシム特性および／または少なくとも１つの局所シムコイル（ＬＳＣ１，ＬＳＣ２）により生成可能なシム磁場（Ｂ−Ｓｈｉｍ−ＬＳＣ）の空間磁場分布に関する磁場分布データ（Ｂ−Ｓｈｉｍ−Ｖ−ＬＳＣ）に関係し、
記憶されたグローバルシムコイルデータ（ＧＳＣ−Ｄ）および局所シムコイルデータ（ＬＳＣ−Ｄ）を考慮してグローバルシムコイル（ＧＳＣ１，ＧＳＣ２，ＧＳＣ３，ＧＳＣ４）および局所シムコイル（ＬＳＣ１，ＬＳＣ２）のための目標シム電流（ＩＧＳＣ，ＩＬＳＣ）を規定するように、シム制御部が構成されていることを特徴とする請求項１または２記載の磁気共鳴トモグラフィシステム。
【請求項４】
少なくとも１つのグローバルシムコイル（ＧＳＣ１，ＧＳＣ２，ＧＳＣ３，ＧＳＣ４）により生成可能なシム磁場（Ｂ−Ｓｈｉｍ−ＧＳＣ）の空間磁場分布に関する磁場分布データ（Ｂ−Ｓｈｉｍ−Ｖ−ＧＳＣ）および／または少なくとも１つの局所シムコイル（ＬＳＣ１，ＬＳＣ２）により生成可能なシム磁場（Ｂ−Ｓｈｉｍ−ＬＳＣ）の空間磁場分布に関する磁場分布データ（Ｂ−Ｓｈｉｍ−Ｖ−ＬＳＣ）が、局所コイル（１０６）の外部に記録されている、特にコイルファイル・コイル・データセットとしておよび／またはソフトウェアと一緒に記憶装置（ＳＰ−１０１）内に記憶されていることを特徴とする請求項１乃至３の１つに記載の磁気共鳴トモグラフィシステム。
【請求項５】
少なくとも１つの局所シムコイル（ＬＳＣ１，ＬＳＣ２）により生成可能なシム磁場（Ｂ−Ｓｈｉｍ−ＬＳＣ）の空間磁場分布に関する磁場分布データ（Ｂ−Ｓｈｉｍ−Ｖ−ＬＳＣ）が、局所コイル（１０６）内の記憶装置（ＳＰ−１０６）、特にＥＥＰＲＯＭまたはＦＬＡＳＨに記憶されていることを特徴とする請求項１乃至４の１つに記載の磁気共鳴トモグラフィシステム。
【請求項６】
局所シムコイル（ＬＳＣ１，ＬＳＣ２）の位置（Ｐｏｓ）を表す局所シムコイル位置データ（ＬＳＣ−ＰＯＳ）、特に患者用テーブル位置データおよび／または局所シムコイル（ＬＳＣ１，ＬＳＣ２）の形式を表すデータ（ＬＳＣ−Ｔｙｐ）を考慮して、
少なくとも１つのグローバルシムコイル（ＧＳＣ１，ＧＳＣ２，ＧＳＣ３，ＧＳＣ４）および少なくとも１つの局所シムコイル（ＬＳＣ１，ＬＳＣ２）のための目標シム電流（ＩＧＳＣ，ＩＬＳＣ）を規定するように、シム制御部（１１７）が構成されていることを特徴とする請求項１乃至５の１つに記載の磁気共鳴トモグラフィシステム。
【請求項７】
少なくとも１つのグローバルシムコイル（ＧＳＣ１，ＧＳＣ２，ＧＳＣ３，ＧＳＣ４）により生成可能なシム磁場（Ｂ−Ｓｈｉｍ−ＧＳＣ）の空間磁場分布に関する磁場分布データ（Ｂ−Ｓｈｉｍ−Ｖ−ＧＳＣ）および／または少なくとも１つの局所シムコイル（ＬＳＣ１，ＬＳＣ２）により生成可能なシム磁場（Ｂ−Ｓｈｉｍ−ＬＳＣ）の空間磁場分布に関する磁場分布データ（Ｂ−Ｓｈｉｍ−Ｖ−ＬＳＣ）は、それぞれ、１つのシムコイルにより生成可能な空間磁場分布を３Ｄ磁場マップとして、ピクセルマップとしてまたは関数の係数として特定することを特徴とする請求項１乃至６の１つに記載の磁気共鳴トモグラフィシステム。
【請求項８】
グローバルシムコイルデータ（ＧＳＣ−Ｄ）および／または局所シムコイルデータ（ＬＳＣ−Ｄ）は、それぞれ、少なくとも１つのシムコイル（ＧＳＣ１，ＧＳＣ２，ＧＳＣ３，ＧＳＣ４，ＬＳＣ）の感度を、１つのシムコイル（ＧＳＣ１，ＧＳＣ２，ＧＳＣ３，ＧＳＣ４，ＬＳＣ）におけるシム電流（ＩＧＳＣ，ＩＬＳＣ）の単位アンペア当たりどれくらいの磁場（Ｂ0シム）が生成可能であるかに基づいて特定することを特徴とする請求項１乃至７の１つに記載の磁気共鳴トモグラフィシステム。
【請求項９】
磁気共鳴装置（１０１）の静磁場磁石（１０７）だけによっておよび／またはシムコイル（ＧＳＣ１，ＧＳＣ２，ＧＳＣ３，ＧＳＣ４，ＬＳＣ）による磁場生成なしに生成される静磁場（Ｂ0）の調整測定で予め決定されて記憶（ＳＰ−１０１）されたＢ0磁場分布（ＦＭ１）を考慮して、
グローバルシムコイル（ＧＳＣ１，ＧＳＣ２，ＧＳＣ３，ＧＳＣ４）および局所シムコイル（ＬＳＣ）のための目標シム電流（ＩＧＳＣ，ＩＬＳＣ）を規定するように、シム制御部（１１７）が構成されていることを特徴とする請求項１乃至８の１つに記載の磁気共鳴トモグラフィシステム。
【請求項１０】
グローバルシムコイル（ＧＳＣ１，ＧＳＣ２，ＧＳＣ３，ＧＳＣ４）および局所シムコイル（ＬＳＣ１，ＬＳＣ２）のために測定されて記憶（ＳＰ−１０１）された、シム電流（ＩＬＣ１，ＩＬＣ２）の単位（アンペア）当たりに生成可能なシム磁場強度（ＳＶＣ）を考慮して、
グローバルシムコイル（ＧＳＣ１，ＧＳＣ２，ＧＳＣ３，ＧＳＣ４）および局所シムコイル（ＬＳＣ１，ＬＳＣ２）のための目標シム電流（ＩＧＳＣ，ＩＬＳＣ）を規定するように、シム制御部（１１７）が構成されていることを特徴とする請求項１乃至９の１つに記載の磁気共鳴トモグラフィシステム。
【請求項１１】
局所シムコイル（ＬＳＣ１，ＬＳＣ２）により目標シム電流（ＩＧＳＣ，ＩＬＳＣ）によって生成可能なシム磁場（Ｂ−Ｓｈｉｍ−ＬＳＣ）および局所シムコイル（ＬＳＣ，１０６）の位置（Ｐｏｓ）を表す位置データ（ＬＳＣ−ＰＯＳ）を考慮して、
グローバルシムコイル（ＧＳＣ１，ＧＳＣ２，ＧＳＣ３，ＧＳＣ４）および局所シムコイル（ＬＳＣ１，ＬＳＣ２）のための目標シム電流（ＩＧＳＣ，ＩＬＳＣ）を規定するように、シム制御部（１１７）が構成されていることを特徴とする請求項１乃至１０の１つに記載の磁気共鳴トモグラフィシステム。
【請求項１２】
局所シムコイル（ＬＳＣ１，ＬＳＣ２）により目標シム電流（ＩＧＳＣ，ＩＬＳＣ）によって生成可能なシム磁場の磁場分布を表す磁場分布データ（Ｂ−Ｓｈｉｍ−Ｖ−ＬＳＣ）を考慮して、グローバルシムコイル（ＧＳＣ１，ＧＳＣ２，ＧＳＣ３，ＧＳＣ４）および局所シムコイル（ＬＳＣ１，ＬＳＣ２）のための目標シム電流（ＩＧＳＣ，ＩＬＳＣ）を規定するように、シム制御部（１１７）が構成されており、
その磁場分布データ（Ｂ−Ｓｈｉｍ−Ｖ−ＬＳＣ）が１つのシムコイル（ＬＳＣ，ＧＳＣ１，ＧＳＣ２，ＧＳＣ３，ＧＳＣ４）についてそれぞれ３つのデータセットを含み、これらの３つのデータセットはそれぞれ、可能なシム空間の互いに直交する３つの基礎ベクトル（ｘ，ｙ，ｚ）の１つの方向における磁場分布に関する磁場分布データであり、一緒に線形結合として、シムコイル（ＬＳＣ，ＧＳＣ１，ＧＳＣ２，ＧＳＣ３，ＧＳＣ４）により生成可能なシム磁場（Ｂ−Ｓｈｉｍ−ＬＳＣ，Ｂ−Ｓｈｉｍ−ＧＳＣ）の磁場分布を表すことを特徴とする請求項１乃至１１の１つに記載の磁気共鳴トモグラフィシステム。
【請求項１３】
検査されるべき患者（１０５）によって生じ静磁場（Ｂ0）の変化を表す磁場誤差に関する記憶データを考慮して、グローバルシムコイル（ＧＳＣ１，ＧＳＣ２，ＧＳＣ３，ＧＳＣ４）および局所シムコイル（ＬＳＣ１，ＬＳＣ２）のための目標シム電流（ＩＧＳＣ，ＩＬＳＣ）を規定するように、シム制御部（１１７）が構成されており、
前記磁場誤差は、とりわけ、目標シム電流（ＩＧＳＣ，ＩＬＳＣ）によりグローバルシムコイル（ＧＳＣ１，ＧＳＣ２，ＧＳＣ３，ＧＳＣ４）と局所シムコイル（ＬＳＣ１，ＬＳＣ２）とにおいて生成可能なシム磁場（Ｂ−Ｓｈｉｍ−ＧＳＣ，Ｂ−Ｓｈｉｍ−ＬＳＣ）によって低減可能であることを特徴とする請求項１乃至１２の１つに記載の磁気共鳴トモグラフィシステム。
【請求項１４】
検査されるべき患者（１０５）によって生じ静磁場（Ｂ0）の変化を表す磁場誤差に関する記憶データを考慮して、グローバルシムコイル（ＧＳＣ１，ＧＳＣ２，ＧＳＣ３，ＧＳＣ４）および局所シムコイル（ＬＳＣ１，ＬＳＣ２）のための目標シム電流（ＩＧＳＣ，ＩＬＳＣ）を規定するように、シム制御部（１１７）が構成されており、
前記磁場誤差は、それぞれ可能なシム空間の互いに直交する３つの基礎ベクトル（ｘ，ｙ，ｚ）のうちの１つのベクトルの方向における磁場分布の変化に関する磁場分布データであり、一緒に線形結合として静磁場（Ｂ0）の磁場分布の変化を表す３つのデータセットを含み、
前記磁場誤差に関するデータセットと、シムコイル（ＬＳＣ，ＧＳＣ１，ＧＳＣ２，ＧＳＣ３，ＧＳＣ４）により生成可能なシム磁場の磁場分布に関するデータセット（Ｂ−Ｓｈｉｍ−ＬＳＣ，Ｂ−Ｓｈｉｍ−ＧＳＣ）とに基づいて、グローバルシムコイル（ＧＳＣ１，ＧＳＣ２，ＧＳＣ３，ＧＳＣ４）および局所シムコイル（ＬＳＣ１，ＬＳＣ２）のための目標シム電流（ＩＧＳＣ，ＩＬＳＣ）が規定される請求項１乃至１３の１つに記載の磁気共鳴トモグラフィシステム。
【請求項１５】
グローバルシムコイル（ＧＳＣ１，ＧＳＣ２，ＧＳＣ３，ＧＳＣ４）および局所シムコイル（ＬＳＣ１，ＬＳＣ２）のための静磁場不均一性の最小化をもたらす目標シム電流を探し求める最適化方法により、グローバルシムコイル（ＧＳＣ１，ＧＳＣ２，ＧＳＣ３，ＧＳＣ４）および局所シムコイル（ＬＳＣ１，ＬＳＣ２）によって生成可能なシム磁場（Ｂ−Ｓｈｉｍ−ＬＳＣ，Ｂ−Ｓｈｉｍ−ＧＳＣ）の３次元の線形結合を考慮して、
グローバルシムコイル（ＧＳＣ１，ＧＳＣ２，ＧＳＣ３，ＧＳＣ４）および局所シムコイル（ＬＳＣ１，ＬＳＣ２）のための目標シム電流（ＩＧＳＣ，ＩＬＳＣ）を規定するように、シム制御部（１１７）が構成されていることを特徴とする請求項１乃至１４の１つに記載の磁気共鳴トモグラフィシステム。
【請求項１６】
先ず広範囲の不均一性を減らすべくグローバルシムコイル（ＧＳＣ１，ＧＳＣ２，ＧＳＣ３，ＧＳＣ４）のための目標シム電流（ＩＧＳＣ）を規定し、その後グローバルシムコイル（ＧＳＣ１，ＧＳＣ２，ＧＳＣ３，ＧＳＣ４）における目標シム電流（ＩＧＳＣ）によって生成可能なシム磁場（Ｂ−Ｓｈｉｍ−ＧＳＣ）と、患者（１０５）によって引き起こされる静磁場不均一性と、静磁場（Ｂ0）とを考慮した新たな磁場マップ（ＦＭ２）を決定し、その後局所シムコイル（ＬＳＣ１，ＬＳＣ２）のための目標シム電流（ＩＬＳＣ）を規定することによって、
グローバルシムコイル（ＧＳＣ１，ＧＳＣ２，ＧＳＣ３，ＧＳＣ４）および局所シムコイル（ＬＳＣ１，ＬＳＣ２）のための目標シム電流（ＩＧＳＣ，ＩＬＳＣ）を規定するように、シム制御部（１１７）が構成されていることを特徴とする請求項１乃至１５の１つに記載の磁気共鳴トモグラフィシステム。
【請求項１７】
先ず広範囲の不均一性を減らすべくグローバルシムコイル（ＧＳＣ１，ＧＳＣ２，ＧＳＣ３，ＧＳＣ４）のための目標シム電流（ＩＧＳＣ）を規定し、その後、グローバルシムコイル（ＧＳＣ１，ＧＳＣ２，ＧＳＣ３，ＧＳＣ４）における目標シム電流（ＩＧＳＣ）によって生成されて測定される、特に患者（１０５）の検査されるべき領域においてのみ測定されるシム磁場（Ｂ−Ｓｈｉｍ−ＧＳＣ）と、患者（１０５）によって引き起こされる静磁場不均一性と、静磁場（Ｂ0）とを考慮した新たな磁場マップ（ＦＭ２）を決定し、その後局所シムコイル（ＬＳＣ１，ＬＳＣ２）のための目標シム電流（ＩＬＳＣ）を規定することによって、グローバルシムコイル（ＧＳＣ１，ＧＳＣ２，ＧＳＣ３，ＧＳＣ４）および局所シムコイル（ＬＳＣ１，ＬＳＣ２）のための目標シム電流（ＩＧＳＣ，ＩＬＳＣ）を規定するように、シム制御部（１１７）が構成されていることを特徴とする請求項１乃至１６の１つに記載の磁気共鳴トモグラフィシステム。
【請求項１８】
先ず、磁気共鳴装置（１０１）の静磁場磁石（１０７）だけによっておよび／またはシムコイル（ＧＳＣ１，ＧＳＣ２，ＧＳＣ３，ＧＳＣ４，ＬＳＣ）による磁場生成なしに生成された静磁場（Ｂ0）の調整測定で決定されたＢ0磁場分布（ＦＭ１）から、グローバルシムコイル（ＧＳＣ１，ＧＳＣ２，ＧＳＣ３，ＧＳＣ４）のための目標シム電流（ＩＧＳＣ）を算出し、
その後、局所シムコイル（ＬＳＣ１，ＬＳＣ２）の目標シム電流（ＩＬＳＣ）の可能な範囲にわたり分布させられた異なる設定を有する複数の磁場マップを、それぞれ、検査視野（ＦｏＶ）においてまたは関心領域（Ｂ，ＷＳ）の１つのスライスまたは複数のスライスにおいて測定し、
それに基づいて、局所シムコイル（ＬＳＣ１，ＬＳＣ２）の目標シム電流（ＩＬＳＣ）のうち、静磁場（Ｂ0）の変化を表す測定された磁場誤差が最小である目標シム電流（ＩＬＳＣ）または最適化からもたらされる目標シム電流（ＩＬＳＣ）を選定することによって、
グローバルシムコイル（ＧＳＣ１，ＧＳＣ２，ＧＳＣ３，ＧＳＣ４）および局所シムコイル（ＬＳＣ１，ＬＳＣ２）のための目標シム電流（ＩＧＳＣ，ＩＬＳＣ）を規定するように、シム制御部（１１７）が構成されていることを特徴とする請求項１乃至１７の１つに記載の磁気共鳴トモグラフィシステム。
【請求項１９】
先ず、磁気共鳴装置（１０１）の静磁場磁石（１０７）だけによっておよび／またはシムコイル（ＧＳＣ１，ＧＳＣ２，ＧＳＣ３，ＧＳＣ４，ＬＳＣ）による磁場生成なしに生成された静磁場（Ｂ0）の調整測定で決定されたＢ0磁場分布（ＦＭ１）から、グローバルシムコイル（ＧＳＣ１，ＧＳＣ２，ＧＳＣ３，ＧＳＣ４）のための目標シム電流（ＩＧＳＣ）を算出し、
その後、局所シムコイル（ＬＳＣ１，ＬＳＣ２）の目標シム電流（ＩＬＳＣ）の異なる設定を有する複数の磁場マップをそれぞれ検査視野（ＦｏＶ）においてまたは関心領域（ＰＯＩ）の１つのスライスまたは複数のスライスにおいて最小値が生じるまで測定し、
それに基づいて、局所シムコイル（ＬＳＣ１，ＬＳＣ２）の目標シム電流（ＩＬＳＣ）のうち、静磁場（Ｂ0）の変化を表す測定された磁場誤差が最小である目標シム電流（ＩＬＳＣ）または最適化からもたらされる目標シム電流（ＩＬＳＣ）を選定することによって、
グローバルシムコイル（ＧＳＣ１，ＧＳＣ２，ＧＳＣ３，ＧＳＣ４）および局所シムコイル（ＬＳＣ１，ＬＳＣ２）のための目標シム電流（ＩＧＳＣ，ＩＬＳＣ）を規定するように、シム制御部（１１７）が構成されていることを特徴とする請求項１乃至１８の１つに記載の磁気共鳴トモグラフィシステム。
【請求項２０】
先ず、磁気共鳴装置（１０１）の静磁場磁石（１０７）だけによっておよび／またはシムコイル（ＧＳＣ１，ＧＳＣ２，ＧＳＣ３，ＧＳＣ４，ＬＳＣ）による磁場生成なしに生成された静磁場（Ｂ0）の調整測定で決定されたＢ0磁場分布（ＦＭ−１）から、グローバルシムコイル（ＧＳＣ１，ＧＳＣ２，ＧＳＣ３，ＧＳＣ４）のための目標シム電流（ＩＧＳＣ）を算出し、
既にＢ0磁場分布（ＦＭ−１）の測定時において、グローバルシムコイル（ＧＳＣ１，ＧＳＣ２，ＧＳＣ３，ＧＳＣ４）および／または局所シムコイル（ＬＳＣ１，ＬＳＣ２）に、シム電流（ＩＧＳＣ，ＩＬＳＣ）、特に検査されるべき領域内の典型的な静磁場不均一性を改善するシム電流（ＩＧＳＣ，ＩＬＳＣ）を予め割り当てることによって、
グローバルシムコイル（ＧＳＣ１，ＧＳＣ２，ＧＳＣ３，ＧＳＣ４）および局所シムコイル（ＬＳＣ１，ＬＳＣ２）のための目標シム電流（ＩＧＳＣ，ＩＬＳＣ）を規定するように、シム制御部（１１７）が構成されていることを特徴とする請求項１乃至１９の１つに記載の磁気共鳴トモグラフィシステム。
【請求項２１】
局所シムコイル（ＬＳＣ１，ＬＳＣ２）のシム磁場（Ｂ−Ｓｈｉｍ−ＬＳＣ）を、全シムボリュームのうちの少なくとも一部に対してのみ、特に、全シムボリュームのうち局所シムコイル自体のパラメータによって規定されて記憶された一部に対してのみまたは低い磁場成分を有する領域を除外することにより自動的に算出された一部に対してのみ最適化することによって、
グローバルシムコイル（ＧＳＣ１，ＧＳＣ２，ＧＳＣ３，ＧＳＣ４）および局所シムコイル（ＬＳＣ１，ＬＳＣ２）のための目標シム電流（ＩＧＳＣ，ＩＬＳＣ）を規定するように、シム制御部（１１７）が構成されていることを特徴とする請求項１乃至２０の１つに記載の磁気共鳴トモグラフィシステム。
【請求項２２】
局所シムコイル（ＬＳＣ１，ＬＳＣ２）の目標シム電流（ＩＬＳＣ）の可能な範囲にわたり分布させられた異なる設定を有する複数の磁場マップ（Ｎ）を、それぞれ検査視野（ＦｏＶ）においてまたは関心領域（Ｂ，ＷＳ）の１つのスライスまたは複数のスライスにおいて測定し、
その後、１つの局所シムコイル（ＬＳＣ１，ＬＳＣ２）にとって最大の電流限界が到達された際に、新たなグローバルシム電流設定により、最大許容電流限界に突き当たらないＬＳＣ設定を見つけるべく探索することによって、
グローバルシムコイル（ＧＳＣ１，ＧＳＣ２，ＧＳＣ３，ＧＳＣ４）および局所シムコイル（ＬＳＣ１，ＬＳＣ２）のための目標シム電流（ＩＧＳＣ，ＩＬＳＣ）を規定するように、シム制御部（１１７）が構成されていることを特徴とする請求項１乃至２１の１つに記載の磁気共鳴トモグラフィシステム。
【請求項２３】
各方法の終端で、検査視野（ＦｏＶ）の一部において、測定されたＢ0磁場を算出されたＢ0磁場と比較し、
良好な一致の際には測定を続行し、不十分な一致の際に照会を行うかまたはシム電流のための他の開始パラメータにより新たに測定を開始することによって、
グローバルシムコイル（ＧＳＣ１，ＧＳＣ２，ＧＳＣ３，ＧＳＣ４）および局所シムコイル（ＬＳＣ１，ＬＳＣ２）のための目標シム電流（ＩＧＳＣ，ＩＬＳＣ）を規定するように、シム制御部（１１７）が構成されていることを特徴とする請求項１乃至２２の１つに記載の磁気共鳴トモグラフィシステム。
【請求項２４】
磁気共鳴トモグラフィシステム（１０１）の局所コイル（１０６）の領域内の１つまたは複数の局所シムコイル（ＬＳＣ１，ＬＳＣ２）が、局所コイル装置（１０６）の高周波送信アンテナの領域内に、および／またはそれらの高周波送信アンテナの一部として、および／または患者テーブル（１０４）内に設けられていることを特徴とする請求項１乃至２３の１つに記載の磁気共鳴トモグラフィシステム。
【請求項２５】
特に局所コイルによって検査可能な身体部位（Ｂ，Ｋ，ＷＳ）に関してどの形式の局所シムコイル（１０６，１０６ａ）が磁気共鳴トモグラフィシステム（１０１）および／または患者テーブル（１０４）内で接続および／または検出されたかを考慮して、
グローバルシムコイル（ＧＳＣ１，ＧＳＣ２，ＧＳＣ３，ＧＳＣ４）および／または局所シムコイル（ＬＳＣ１，ＬＳＣ２）のための目標シム電流（ＩＧＳＣ，ＩＬＳＣ）を規定するように構成されているシム制御部（１１７）を備えている請求項１乃至２４の１つに記載の磁気共鳴トモグラフィシステム。
【請求項２６】
少なくとも１つのグローバルシムコイル（ＧＳＣ１，ＧＳＣ２，ＧＳＣ３，ＧＳＣ４）および／または少なくとも１つの局所シムコイル（ＬＳＣ１，ＬＳＣ２）が、傾斜磁場を生成するための傾斜磁場コイル（１１２ｚ）、または、高周波磁場を生成するためのＲＦ送信および／または受信コイル（ＲＸ，ＴＸ；１０８ａ〜１０８ｃ）でもあることを特徴とする請求項１乃至２５の１つに記載の磁気共鳴トモグラフィシステム。
【請求項２７】
少なくとも１つのグローバルシムコイル（ＧＳＣ１，ＧＳＣ２，ＧＳＣ３，ＧＳＣ４）および少なくとも１つの局所シムコイル（ＬＳＣ１，ＬＳＣ２）のほかに、さらに磁気共鳴装置（１０１）内の少なくとも１つの傾斜磁場コイル（１１２ｚ）および／または傾斜磁場を生成するための局所コイル（１０６）も設けられていることを特徴とする請求項１乃至２６の１つに記載の磁気共鳴トモグラフィシステム。
【請求項２８】
１つのまたは各グローバルシムコイル（ＧＳＣ１，ＧＳＣ２，ＧＳＣ３，ＧＳＣ４）が、磁気共鳴装置（１０１）のボア（１０３）の半径方向外側に配置されたシムコイルおよび／または磁気共鳴装置（１０１）のボア（１０３）のハウジングカバー（ＵＭ）の半径方向外側に配置されたシムコイルおよび／または磁気共鳴装置ハウジングシムコイルであることを特徴とする請求項１乃至２７の１つに記載の磁気共鳴トモグラフィシステム。
【請求項２９】
磁気共鳴トモグラフィシステム（１０１）のグローバルシムコイル（ＧＳＣ１，ＧＳＣ２，ＧＳＣ３，ＧＳＣ４）および局所シムコイル（ＬＳＣ１，ＬＳＣ２）の目標シム電流（ＩＧＳＣ，ＩＬＳＣ）を規定する、特に請求項１乃至２８の１つに記載の磁気共鳴トモグラフィシステム（１０１）を用いた磁気共鳴トモグラフィシステムのシム方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、種々の形式のシムコイルを使用する磁気共鳴トモグラフィシステムの特に患者に適応した静磁場（Ｂ0）均一化方法、具体的には特に磁気共鳴トモグラフィのための方法および装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
磁気共鳴トモグラフィによって検査対象または患者を検査するための磁気共鳴装置（ＭＲＴ）は公知である（例えば、特許文献１、特許文献２、特許文献３、特許文献４、特許文献５、特許文献６参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】独国特許第１０３１４２１５号明細書
【特許文献２】独国特許出願公開第１０２０１１０８０２７５号明細書
【特許文献３】独国特許出願公開第１０２０１１０８７４８５号明細書
【特許文献４】独国特許出願公開第１０２０１１０８６６５８号明細書
【特許文献５】独国特許出願公開第１０２０１１０８１０３９号明細書
【特許文献６】独国特許出願公開第１０２０１１０７７７２４号明細書
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
本発明の課題はＭＲＴイメージングを最適化することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
この課題は、本発明によれば、シムシステムと、シム制御部とを有する磁気共鳴トモグラフィシステムであって、
シムシステムが、磁気共鳴トモグラフィシステムのボアを包囲する領域内に少なくとも１つのグローバルシムコイルを含み、
シムシステムが、磁気共鳴トモグラフィシステムの１つの局所コイル内に少なくとも１つの局所シムコイルを含み、
シム制御部が、グローバルシムコイルおよび局所シムコイルのためのシム電流を規定するように構成されている、磁気共鳴トモグラフィシステムによって解決される（請求項１）。
前述の課題は、本願発明によれば、磁気共鳴トモグラフィシステムのグローバルシムコイルおよび局所シムコイルの目標シム電流を規定する、特に本発明による磁気共鳴トモグラフィシステムを用いた磁気共鳴トモグラフィシステムのシム方法によっても解決される（請求項２９）。
磁気共鳴トモグラフィシステムに関する本発明の実施態様は次の通りである。
(1) シムシステムが、磁気共鳴トモグラフィシステムのボアを包囲する領域内に複数のグローバルシムコイルを含み、および／または、
シムシステムが、磁気共鳴トモグラフィシステムの１つの局所コイル内に複数の局所シムコイルを含み、
シムシステムの目標シム電流を規定するように、シムシステムが構成されている（請求項２）。
(2) 記憶装置内に記憶されたグローバルシムコイルデータが、少なくとも１つのグローバルシムコイルのシム特性および／または少なくとも１つのグローバルシムコイルにより生成可能なシム磁場の空間磁場分布に関する磁場分布データに関係し、および／または
記憶装置内に記憶された局所シムコイルデータが、局所シムコイルのシム特性および／または少なくとも１つの局所シムコイルにより生成可能なシム磁場の空間磁場分布に関する磁場分布データに関係し、
記憶されたグローバルシムコイルデータおよび局所シムコイルデータを考慮してグローバルシムコイルおよび局所シムコイルのための目標シム電流を規定するように、シム制御部が構成されている（請求項３）。
(3) 少なくとも１つのグローバルシムコイルにより生成可能なシム磁場の空間磁場分布に関する磁場分布データおよび／または少なくとも１つの局所シムコイルにより生成可能なシム磁場の空間磁場分布に関する磁場分布データが、局所コイルの外部に記録されている、特にコイルファイル・コイル・データセットとしておよび／またはソフトウェアと一緒に記憶装置内に記憶されている（請求項４）。
(4) 少なくとも１つの局所シムコイルにより生成可能なシム磁場の空間磁場分布に関する磁場分布データが、局所コイル内の記憶装置、特にＥＥＰＲＯＭまたはＦＬＡＳＨに記憶されている（請求項５）。
(5) 局所シムコイルの位置を表す局所シムコイル位置データ、特に患者用テーブル位置データおよび／または局所シムコイルの形式を表すデータを考慮して、
少なくとも１つのグローバルシムコイルおよび少なくとも１つの局所シムコイルのための目標シム電流を規定するように、シム制御部を構成する（請求項６）。
(6) 少なくとも１つのグローバルシムコイルにより生成可能なシム磁場の空間磁場分布に関する磁場分布データおよび／または少なくとも１つの局所シムコイルにより生成可能なシム磁場の空間磁場分布に関する磁場分布データは、それぞれ、１つのシムコイルにより生成可能な空間磁場分布を３Ｄ磁場マップとして、ピクセルマップとしてまたは関数の係数として特定する（請求項７）。
(7) グローバルシムコイルデータおよび／または局所シムコイルデータは、それぞれ、少なくとも１つのシムコイルの感度を、１つのシムコイルにおけるシム電流の単位アンペア当たりどれくらいの磁場（Ｂ0シム）が生成可能であるかに基づいて特定する（請求項８）。
(8) 磁気共鳴装置の静磁場磁石だけによっておよび／またはシムコイルによる磁場生成なしに生成される静磁場の調整測定で予め決定されて記憶されたＢ0磁場分布を考慮して、
グローバルシムコイルおよび局所シムコイルのための目標シム電流を規定するように、シム制御部が構成されている（請求項９）。
(9) グローバルシムコイルおよび局所シムコイルのために測定されて記憶された、シム電流の単位（アンペア）当たりに生成可能なシム磁場強度を考慮して、
グローバルシムコイルおよび局所シムコイルのための目標シム電流を規定するように、シム制御部が構成されている（請求項１０）。
(10) 局所シムコイルにより目標シム電流によって生成可能なシム磁場および局所シムコイルの位置を表す位置データを考慮して、グローバルシムコイルおよび局所シムコイルのための目標シム電流を規定するように、シム制御部が構成されている（請求項１１）。
(11) 局所シムコイルにより目標シム電流によって生成可能なシム磁場の磁場分布を表す磁場分布データを考慮して、グローバルシムコイルおよび局所シムコイルのための目標シム電流を規定するように、シム制御部が構成されており、
その磁場分布データが１つのシムコイル）についてそれぞれ３つのデータセットを含み、これらの３つのデータセットはそれぞれ、可能なシム空間の互いに直交する３つの基礎ベクトルの１つの方向における磁場分布に関する磁場分布データであり、一緒に線形結合として、シムコイルにより生成可能なシム磁場の磁場分布を表す（請求項１２）。
(12) 検査されるべき患者によって生じ静磁場の変化を表す磁場誤差に関する記憶データを考慮して、グローバルシムコイルおよび局所シムコイルのための目標シム電流を規定するように、シム制御部が構成されており、
前記磁場誤差は、とりわけ、目標シム電流によりグローバルシムコイルと局所シムコイルとにおいて生成可能なシム磁場によって低減可能である（請求項１３）。
(13) 検査されるべき患者によって生じ静磁場の変化を表す磁場誤差に関する記憶データを考慮して、グローバルシムコイルおよび局所シムコイルのための目標シム電流を規定するように、シム制御部が構成されており、
前記磁場誤差は、それぞれ可能なシム空間の互いに直交する３つの基礎ベクトルのうちの１つのベクトルの方向における磁場分布の変化に関する磁場分布データであり、一緒に線形結合として静磁場の磁場分布の変化を表す３つのデータセットを含み、
前記磁場誤差に関するデータセットと、シムコイルにより生成可能なシム磁場の磁場分布に関するデータセットとに基づいて、グローバルシムコイルおよび局所シムコイルのための目標シム電流が規定される（請求項１４）。
(14) グローバルシムコイルおよび局所シムコイルのための静磁場不均一性の最小化をもたらす目標シム電流を探し求める最適化方法により、グローバルシムコイルおよび局所シムコイルによって生成可能なシム磁場の３次元の線形結合を考慮して、
グローバルシムコイルおよび局所シムコイルのための目標シム電流を規定するように、シム制御部が構成されている（請求項１５）。
(15) 先ず広範囲の不均一性を減らすべくグローバルシムコイルのための目標シム電流を規定し、その後グローバルシムコイルにおける目標シム電流によって生成可能なシム磁場と、患者によって引き起こされる静磁場不均一性と、静磁場とを考慮した新たな磁場マップを決定し、その後局所シムコイルのための目標シム電流を規定することによって、
グローバルシムコイルおよび局所シムコイルのための目標シム電流を規定するように、シム制御部が構成されている（請求項１６）。
(16) 先ず広範囲の不均一性を減らすべくグローバルシムコイルのための目標シム電流を規定し、その後、グローバルシムコイルにおける目標シム電流によって生成されて測定される、特に患者の検査されるべき領域においてのみ測定されるシム磁場と、患者によって引き起こされる静磁場不均一性と、静磁場とを考慮した新たな磁場マップを決定し、その後局所シムコイルのための目標シム電流を規定することによって、グローバルシムコイルおよび局所シムコイルのための目標シム電流を規定するように、シム制御部が構成されている（請求項１７）。
(17) 先ず、磁気共鳴装置の静磁場磁石だけによっておよび／またはシムコイルによる磁場生成なしに生成された静磁場（Ｂ0）の調整測定で決定されたＢ0磁場分布から、グローバルシムコイルのための目標シム電流を算出し、
その後、局所シムコイルの目標シム電流の可能な範囲にわたり分布させられた異なる設定を有する複数の磁場マップを、それぞれ検査視野においてまたは関心領域の１つのスライスまたは複数のスライスにおいて測定し、
それに基づいて、局所シムコイルの目標シム電流のうち、静磁場の変化を表す測定された磁場誤差が最小である目標シム電流または最適化からもたらされる目標シム電流を選定することによって、
グローバルシムコイルおよび局所シムコイルのための目標シム電流を規定するように、シム制御部が構成されている（請求項１８）。
(18) 先ず、磁気共鳴装置の静磁場磁石だけによっておよび／またはシムコイルによる磁場生成なしに生成された静磁場の調整測定で決定されたＢ0磁場分布から、グローバルシムコイルのための目標シム電流を算出し、
その後、局所シムコイルの目標シム電流の異なる設定を有する複数の磁場マップをそれぞれ検査視野においてまたは関心領域の１つのスライスまたは複数のスライスにおいて最小値が生じるまで測定し、
それに基づいて、局所シムコイルの目標シム電流のうち、静磁場の変化を表す測定された磁場誤差が最小である目標シム電流または最適化からもたらされる目標シム電流を選定することによって、
グローバルシムコイルおよび局所シムコイルのための目標シム電流を規定するように、シム制御部が構成されている（請求項１９）。
(19) 先ず、磁気共鳴装置の静磁場磁石だけによっておよび／またはシムコイルによる磁場生成なしに生成された静磁場（Ｂ0）の調整測定で決定されたＢ0磁場分布から、グローバルシムコイルのための目標シム電流を算出し、
既にＢ0磁場分布の測定時において、グローバルシムコイルおよび／または局所シムコイルに、シム電流、特に検査されるべき領域内の典型的な静磁場不均一性を改善するシム電流を予め割り当てることによって、
グローバルシムコイルおよび局所シムコイルのための目標シム電流を規定するように、シム制御部を構成する（請求項２０）。
(20) 局所シムコイルのシム磁場を、全シムボリュームのうちの少なくとも一部に対してのみ、特に、全シムボリュームのうち局所シムコイル自体のパラメータによって規定されて記憶された一部に対してのみまたは低い磁場成分を有する領域を除外することにより自動的に算出された一部に対してのみ最適化することによって、
グローバルシムコイルおよび局所シムコイルのための目標シム電流を規定するように、シム制御部が構成されている（請求項２１）。
(21) 局所シムコイルの目標シム電流の可能な範囲にわたり分布させられた異なる設定を有する複数の磁場マップを、それぞれ検査視野においてまたは関心領域の１つのスライスまたは複数のスライスにおいて測定し、
その後、１つの局所シムコイルにとって最大の電流限界が到達された際に、新たなグローバルシム電流設定により、最大許容電流限界に突き当たらないＬＳＣ設定を見つけるべく探索することによって、
グローバルシムコイルおよび局所シムコイルのための目標シム電流を規定するように、シム制御部が構成されている（請求項２２）。
(22) 各方法の終端で検査視野の一部において、測定されたＢ0磁場を算出されたＢ0磁場と比較し、
良好な一致の際には測定を続行し、不十分な一致の際に照会を行うかまたはシム電流のための他の開始パラメータにより新たに測定を開始することによって、
グローバルシムコイルおよび局所シムコイルのための目標シム電流を規定するように、シム制御部が構成されている（請求項２３）。
(23) 磁気共鳴トモグラフィシステムの局所コイルの領域内の１つまたは複数の局所シムコイルが、局所コイル装置の高周波送信アンテナの領域内に、および／またはそれらの高周波送信アンテナの一部として、および／または患者テーブル内に設けられている（請求項２４）。
(24) 特に局所コイルによって検査可能な身体部位に関してどの形式の局所シムコイルが磁気共鳴トモグラフィシステムおよび／または患者テーブル内で接続および／または検出されたかを考慮して、
グローバルシムコイルおよび／または局所シムコイルのための目標シム電流を規定するように構成されているシム制御部を備えている（請求項２５）。
(25) 少なくとも１つのグローバルシムコイルおよび／または少なくとも１つの局所シムコイルが、傾斜磁場を生成するための傾斜磁場コイル、または、高周波磁場を生成するためのＲＦ送信および／または受信コイルでもある（請求項２６）。
(26) 少なくとも１つのグローバルシムコイルおよび少なくとも１つの局所シムコイルのほかに、さらに磁気共鳴装置内の少なくとも１つの傾斜磁場コイルおよび／または傾斜磁場を生成するための局所コイルも設けられている（請求項２７）。
(27) １つのまたは各グローバルシムコイルが、磁気共鳴装置のボアの半径方向外側に配置されたシムコイルおよび／または磁気共鳴装置のボアのハウジングカバーの半径方向外側に配置されたシムコイルおよび／または磁気共鳴装置ハウジングシムコイルである（請求項２８）。
【０００６】
本発明の実現可能な実施形態の他の特徴事項および利点を、以下における図面に基づく実施例の説明から明らかにする。
【図面の簡単な説明】
【０００７】
【図１】図１は本発明によるＭＲＴシステムを概略的に示すブロック図である。
【発明を実施するための形態】
【０００８】
図１は、（遮蔽された空間またはファラデーケージＦ内にある）磁気共鳴イメージング装置ＭＲＴ１０１を、（とりわけ、特に技術的背景の説明のためにも）示している。この磁気共鳴イメージング装置ＭＲＴ１０１は、ここでは管状の空間１０３を有する全身コイル１０２を備えており、その空間１０３内において被検体（例えば患者）１０５のボディを載せた患者用テーブル１０４（局所コイル装置１０６を有するかまたは有さない）を矢印ｚの方向に移動して、イメージング法により患者１０５の画像を生成することができる。ここでは、その患者の上に局所コイル装置１０６が配置されており、その局所コイル装置１０６により、前記ＭＲＴの局所領域（検査視野またはＦｏＶと称される）において、そのＦｏＶ内におけるボディ１０５の部分領域の画像を生成することができる。その局所コイル装置１０６の信号は、その局所コイル装置１０６に例えば同軸ケーブルまたは無線（１６７）等を介して接続可能である前記ＭＲＴ１０１の評価装置（１６８，１１５，１１７，１１９，１２０，１２１等）によって評価することができる（例えば、画像に変換、記憶または表示することができる）。
【０００９】
磁気共鳴装置（ＭＲＴ）１０１を用いて、被検体１０５（検査対象または患者）を磁気共鳴イメージングによって検査するために、時間的特性および空間的特性が互いに非常に高精度に調整された異なる磁場が、被検体１０５に照射される。ここではトンネル状の開口１０３を有する測定キャビン内の強い磁石（しばしば、クライオマグネット１０７）が、例えば０．２Ｔ〜３Ｔ、またはそれ以上の強い主静磁場Ｂ0を生成する。被検体１０５は、患者用テーブル１０４上に載せられた状態で、観察領域ＦｏＶ（“field of view”）内において主磁場Ｂ0のほぼ均一な領域内へ移動される。被検体１０５の原子核の核スピンの励起は、磁気的な高周波励起パルスＢ1（ｘ，ｙ，ｚ，ｔ）により行われる。この高周波励起パルスＢ1は、ここでは（例えば、複数部分＝１０８ａ，１０８ｂ，１０８ｃからなる）ボディコイル１０８として簡略的に示された高周波アンテナか、場合によっては局所コイル装置かのいずれか一方または両方を介して照射される。高周波励起パルスは例えばパルス生成ユニット１０９によって生成され、このパルス生成ユニット１０９はパルスシーケンス制御ユニット１１０によって制御される。それらの高周波励起パルスは、高周波増幅器１１によって増幅された後、高周波アンテナ１０８へ導かれる。ここに図示されている高周波システムは概略的に示されているだけである。しばしば、１つよりも多いパルスシーケンスユニット１０９と、１つよりも多い高周波増幅器１１１と、複数の高周波アンテナ１０８ａ，１０８ｂ，１０８ｃとが１つの磁気共鳴装置１０１において使用される。
【００１０】
更に、磁気共鳴装置１０１は傾斜磁場コイル１１２ｘ，１１２ｙ，１１２ｚを持ち、それらの傾斜磁場コイルにより、測定時にスライス選定励起と測定信号の空間エンコーディングとを行うための傾斜磁場ＢG（ｘ，ｙ，ｚ，ｔ）が照射される。これらの傾斜磁場コイル１１２ｘ，１１２ｙ，１１２ｚは傾斜磁場コイル制御ユニット１１４によって（場合によっては更に増幅器Ｖｘ，Ｖｙ，Ｖｚを介して）制御され、この傾斜磁場コイル制御ユニット１１４はパルス生成ユニット１０９と同様にパルスシーケンス制御ユニット１１０に接続されている。
【００１１】
（被検体内の原子核の）励起された核スピンから送出された信号は、ボディコイル１０８および／または少なくとも１つの局所コイル装置１０６によって受信され、付設の高周波前置増幅器１１６によって増幅され、受信ユニット１１７によって継続処理されてディジタル化される。このようにして記録された測定データは、ディジタル化されて複素数値としてｋ空間マトリックス内に格納される。値を割り当てられたｋ空間から、多次元フーリエ変換により付属のＭＲ画像を再構成することができる。
【００１２】
例えばボディコイル１０８または局所コイル１０６のように送信モードでも受信モードでも動作可能であるコイルの場合には、正確な信号転送が前置接続された送受信切替器１１８によって制御される。
【００１３】
画像処理ユニット１１９が前記測定データから画像を生成し、その生成された画像がオペレータコンソール１２０を介して使用者に対して表示されるか、記憶ユニット１２１に記憶されるかのいずれか一方または両方が行われる。中央コンピュータユニット１２２が個々の設備構成要素を制御する。
【００１４】
ＭＲトモグラフィにおいて、高い信号雑音比（ＳＮＲ）を有する画像は、現在では一般にいわゆる局所コイル装置（Coils, Local Coils）により撮像される。この局所コイル装置は、被検体１０５の上部（anterior）または下部（posterior）の直近に、または被検体１０５の表面または内部に取り付けられるアンテナシステムである。ＭＲ測定では、励起された核が局所コイルの個々のアンテナに電圧を誘起し、その誘起された電圧が低ノイズの前置増幅器（例えば、ＬＮＡ、プリアンプ）により増幅され、最後に受信電子回路に伝送される。高分解能画像の場合にも信号雑音比を改善するために、いわゆる高磁場装置（１．５Ｔ〜１２Ｔまたはそれ以上）が使用される。存在する受信器よりも多い個別アンテナが、１つのＭＲ受信システムに接続される場合には、受信アンテナと受信器との間に、例えばマトリックススイッチ（ＲＣＣＳとも称される）が組み込まれる。このマトリックススイッチは、現在動作中の受信チャネル（大抵は、磁石の検査視野内にある受信チャネル）を、存在する受信器に導く。それにより、存在する受信器よりも多いコイル素子を接続することができる。というのは、全身をカバーする際に、磁石のＦｏＶ（Field of View）内もしくは均一ボリューム内にあるコイルのみを読み出せばよいからである。
【００１５】
局所コイル装置１０６とは、例えば一般に、例えば１つのアンテナ素子、またはアレイコイルとして複数のアンテナ素子（特にコイル素子）から構成することができるアンテナシステムのことを意味する。これらの個々のアンテナ素子は、例えばループアンテナ（Loops）、バタフライアンテナ、フレックスコイルまたは鞍型コイルとして構成されている。１つの局所コイル装置は、例えば複数のコイル素子と、前置増幅器と、他の電子回路（シース波防止回路等）と、ハウジングと、載置台と、大抵はその局所コイル装置をＭＲＴ装置に接続するコネクタを有するケーブルとを含む。ＭＲＴ装置側に取り付けられた受信器１６８は、局所コイル１０６によって例えば無線通信等により受信した信号をフィルタ処理してディジタル化し、それからこれらのデータをディジタル信号処理装置に転送する。このディジタル信号処理装置は、測定によって得られたそれらのデータから、大抵は画像またはスペクトルを導出し、その画像またはスペクトルを、例えば使用者によって後で行われる診断や記憶処理のために、使用者に提供する。
【００１６】
図１は、シムのための本発明による方法および装置も明確に示している。
【００１７】
特に次の２つの形式のシムコイルを区別することができる。
【００１８】
１．「グローバルシムコイル」（Global Shim Coils）ＧＳＣ（以下において、ボアシムコイルとも称する）：
これらのグローバルシムコイルは、例えば、傾斜磁場コイル（１１２ｘ，１１２ｙ，１１２ｚ）の領域内に組み込まれており、１次および２次の項、場合によってはそれよりも高次の項を補償するための、例えば図１におけるグローバルシムコイルの２つのシムコイル対ＧＳＣ１，ＧＳＣ２およびＧＳＣ３，ＧＳＣ４のような３個以上のシムコイルであり、例えば、シーメンスヘルスケア（Siemens Healthcare）社の「高磁場磁石の２次シミング（Second Oder Shimming of HigＲＦield Magnets）」におけるように電流を供給することができる;（http://healthcare.siemens.com/siemens＿hwem-hwem＿ssxa＿websites-context-root/wcm/idc/siemens＿hwem-hwem＿ssxa＿websites-context-root/wcm/idc/groups/public/@global/@imaging/@mri/documents/download/mdaw/mtqy/~edisp/second＿hot＿topic＿brochure-00017029.pdf参照）
図１では、グローバルシムコイルにおけるシム電流ＩＧＳＣは等しい値であり、（ここではＩＧＳＣの例えばｎ＝４倍の電流（つまり、ｎ×ＩＧＳＣ，ｎ＝４）を有する）シムケーブルを介して供給されているが、各シムが個別に電流供給可能であってもよい。局所シムコイルにおけるシム電流ＩＬＳＣは等しい値であり、（ここではＩＬＳＣのｍ＝２倍の電流（つまり、ｍ×ＩＬＳＣ，ｍ＝２）を有する）シムケーブルを介して供給されるが、この場合にも各シムコイルが個別に電流を供給可能であってもよい。
【００１９】
例えば、図１の（ボア長手方向）軸ｚの方向のシムのためにグローバルシムコイルＧＳＣ１，ＧＳＣ２およびＧＳＣ３，ＧＳＣ４を設けるか、図１の（ボア水平方向）軸ｘの方向のシムのためにグローバルシムコイルを設けるか、図１の（ボア垂直方向）軸ｙの方向のシムのためにグローバルシムコイルを設けるかのうち、いずれか１つまたはいずれか２つまたは全てであってよい。
【００２０】
２．「局所シムコイル」ＬＳＣ１，ＬＳＣ２：
これらの「局所シムコイル」ＬＳＣ１，ＬＳＣ２は、（例えば、図１において（乳房（Ｂ）用）局所コイル１０６内に示されているように２つの局所シムコイルＬＳＣ１，ＬＳＣ２、もしくは（脊柱（ＷＳ）用）局所コイル１０６ａ内に示された局所コイルの２対以上のＬＳＣ１，ＬＳＣ２のような）局所シムコイルであり、患者１０５の近くに取り付けられており、１つまたは複数の局所コイル１０６，１０６ａのＲＦ送信および／または受信コイル（ＲＸおよび／またはＲＸ，ＴＸ）の一部であってもよい。
【００２１】
特に強く（例えば局所コイル１０６の乳房ポットＢＴ１内の乳房Ｂの如き被検査領域＝ＲＯＩの範囲内に）局在する０〜１０ｐｐｍの範囲内のＢ0磁場不均一性を補償するために、局所シムコイルＬＳＣ１，ＬＳＣ２が格別に好適であり、これらの局所シムコイルＬＳＣ１，ＬＳＣ２は患者１０５の近く、例えば受信コイルまたは送信／受信コイルＴＸ，ＲＸの範囲内に取り付けられるとよい。局所シムコイルＬＳＣ１，ＬＳＣ２の利点は、非常に少ない電流および組立費用（コスト）で、現在例えば傾斜磁場コイルの領域内に組み込まれる「グローバル（全域的）」シムコイルＧＳＣ１，ＧＳＣ２，ＧＳＣ３，ＧＳＣ４よりも明らかに良好に、かつコスト効率よく、局所不均一性を補償することができることにある。
【００２２】
グローバルシムコイルＧＳＣ１，ＧＳＣ２，ＧＳＣ３，ＧＳＣ４と局所シムコイルＬＳＣ１，ＬＳＣ２との同時使用は、（ＭＲ静磁場）磁石１０７および／または検査されるべき患者１０５によって引き起こされる広範囲のＢ0磁場偏差をグローバルシムコイルが補償し、空間的に集中した不均一性を局所シムコイルＬＳＣ１，ＬＳＣ２が補償することによって、良好な画像結果をもたらすことができる。
【００２３】
それに関しては次の課題がある。即ち、グローバルシムコイルＧＳＣ１，ＧＳＣ２，ＧＳＣ３，ＧＳＣ４と局所シムコイルＬＳＣ１，ＬＳＣ２とを同時使用する際に、全てのシムコイルの（場合によってはさまざまの）シム電流（ＩＬＳＣ，ＩＧＳＣ）に関して、ＭＲＴシステム１０１が、最適結果をもたらす電流設定を、またはアルゴリズム費用と結果との間の有利な妥協である電流設定を、どのようにして一番良く見つけるべきかという課題である。グローバルシムコイルＧＳＣ１，ＧＳＣ２，ＧＳＣ３，ＧＳＣ４と違って局所シムコイルＬＳＣ１，ＬＳＣ２が移動可能なユニットであるという事実のほかに、局所シムコイルＬＳＣ１，ＬＳＣ２は、患者用テーブル（ＰＴＡＢ）上において磁石に対して位置固定して取り付けられていないことによっても、グローバルシムコイルＧＳＣ１，ＧＳＣ２，ＧＳＣ３，ＧＳＣ４と区別することができる。
【００２４】
現在、従来技術に基づいて製品ではグローバルシムコイルＧＳＣ１，ＧＳＣ２，ＧＳＣ３，ＧＳＣ４のみが使用されている。更に、シム電流（ＩＬＳＣ，ＩＧＳＣ）に関して患者および解剖学的構造に応じた個別的な電流設定を決定するために、例えば予めＢ0磁場マップ（大抵は３ＤのＢ0磁場マップであり、かつ大抵は位相マップである）が取得される。グローバルシムコイルＧＳＣ１，ＧＳＣ２，ＧＳＣ３，ＧＳＣ４が生成する磁場は、例えば磁気共鳴（ＭＲＴ）システム１０１にとって、記憶されている記述データによって既知であり、ＭＲＴ１０１のアルゴリズムは、計算されたシム磁場と測定されたＢ0磁場波形との重ね合わせによりトータルとして最大限に均一なＢ0磁場波形が生じるまで、シム電流を変化させることができる。１つのシムコイルにより生成可能な磁場の記述データは、例えば直交球関数の係数および／またはピクセルマップによる係数を含む（これらの係数は、例えば、どれだけの磁場（成分）がどのシムコイルによって空間内のどの個所にそのシムコイルの電流の関数として生成されるかを特定する）。
【００２５】
グローバルシムコイルＧＳＣ１，ＧＳＣ２，ＧＳＣ３，ＧＳＣ４により生成される磁場と局所シムコイルＬＳＣ１，ＬＳＣ２により生成される磁場との重ね合わせに関して、全自動的に診療作業経過に組み込み可能であると思われる現在公知の専用の方法は存在していない。
【００２６】
次に、本発明の一実施形態を説明する。
【００２７】
（記憶装置ＳＰ１０１における磁場分布データＢ−Ｓｈｉｍ−Ｖ−ＬＳＣ内に記憶された）グローバルシムコイルＧＳＣ１，ＧＳＣ２，ＧＳＣ３，ＧＳＣ４の（生成可能な磁場の）磁場記述データに対して付加的に、（例えば磁場分布データＢ−Ｓｈｉｍ−Ｖ−ＬＳＣ内に）記憶された、局所シムコイルＬＳＣ１，ＬＳＣ２の（生成可能な磁場の）記述データが存在する。
【００２８】
（磁場分布データＢ−Ｓｈｉｍ−Ｖ−ＬＳＣ内の）この記述データは、ＭＲＴシステム１０１の制御部１１０，１１７におけるソフトウェアの一部であってよい（例えば、シムコイル特性に関する、いわゆるコイルファイル、即ちコイルデータセットとして）。そのソフトウェアの一部は、局所シムコイルＬＳＣ１，ＬＳＣ２を使用する際（およびＭＲＴによってそれらを認識する際）に呼び出されるか、１つの局所コイル１０６のディジタル記憶装置（ＥＥＰＲＯＭ，ＦＬＡＳＨ等）ＳＰ−１０６および／または局所シムコイルＬＳＣ１，ＬＳＣ２内に保存されてそこから例えばＭＲＴ１０１の制御部１０７によって呼び出されるかの少なくともいずれか一方である。後者は各局所シムコイルＬＳＣ１，ＬＳＣ２のシム特性の個別的な調整を可能にする。
【００２９】
それに関して、ＭＲＴ１０１の制御部１０７には次が知られている。
【００３０】
１．シムアルゴリズム：
シリアルアルゴリズムは、例えば、（例えば、レーザ測定によるまたはセンサ等を用いた患者用テーブルの位置測定に基づく）１つまたは複数の局所シムコイルＬＳＣ１，ＬＳＣ２の位置Ｐｏｓの認識（例えば軸ｘ，ｙ，ｚの方向のシムコイルＬＳＣ１，ＬＳＣ２の中心点の位置および場合によって空間内の２つの角度）を有する。
【００３１】
コイル形式（＝例えば、乳房用コイル１０６または脊柱用コイル１０６ａ）が、（例えば局所コイル１０６；１０６ａが患者用テーブル１０４に固定結合されているので）既に、例えば２つの方向ｘ，ｙにおけるこの位置Ｐｏｓを規定している場合、静磁場磁石１０７のアイソセンタ（例えば、ＦｏＶの中心）に対する位置Ｐｏｓを求めるのに、場合によっては、これらのパラメータの一部のみ（例えば、ボア長手軸ｚの方向の患者用テーブル位置）でも十分である。
【００３２】
２．磁場分布データ（Ｂ−Ｓｈｉｍ−Ｖ−ＧＳＣ，Ｂ−Ｓｈｉｍ−Ｖ−ＬＳＣ）：
これらの磁場分布データは、シムコイルＧＳＣ，ＬＳＣ１，ＬＳＣ２の１つによってそれぞれ生成可能な（上述のように例として、例えば３Ｄ磁場マップとして、ピクセルマップとして、または直交関数（球面調和関数）の係数、または多項式係数等として実施された）空間的な磁場分布に関係する。
【００３３】
３．グローバルシムコイルデータ（ＧＳＣ−Ｄおよび／またはＬＳＣ−Ｄ）：
これらのグローバルシムコイルデータは、１つのシムコイルＧＳＣ，ＬＳＣ１，ＬＳＣ２におけるシム電流ＩＬＳＣ，ＩＧＳＣのアンペア当たりに該シムコイルがどれだけのＢ0シム磁場（例えばテスラ）を発生するかに基づいて、および／または局所シムコイルＬＳＣ１，ＬＳＣ２およびグローバルシムコイルＧＳＣ１，ＧＳＣ２，ＧＳＣ３，ＧＳＣ４の磁場が共通の最適化（Ｂ0不均一性の低減）のためにどのように利用できるかに基づいて、シムコイル（ＧＳＣおよび／またはＬＳＣ）の感度に関係する。
【００３４】
先ず、例えば調整測定において現在のＢ0磁場分布（例えば、磁場マップ１＝ＦＭ１）が測定され、その後制御部（１１７）におけるアルゴリズムが、グローバルシムコイルＧＳＣ１，ＧＳＣ２，ＧＳＣ３，ＧＳＣ４および局所シムコイルＬＳＣ１，ＬＳＣ２に対するシム電流ＩＬＳＣ，ＩＧＳＣの適切なシム電流設定を決定しなければならない。
【００３５】
これは、例えば次のアプローチによって行われる。
直交化：
【００３６】
１）１つのシムコイルにおけるシム電流ＩＬＳＣ，ＩＧＳＣの単位当たりに（例えばアンペア当たりに）生成される３Ｄ磁場分布（ここでは、シムベクトル（コイル）ＳＶｃとも称する）が、グローバルシムコイルＧＳＣ１，ＧＳＣ２，ＧＳＣ３，ＧＳＣ４および局所シムコイルＬＳＣ１，ＬＳＣ２について（例えば、ＭＲＴ製品の開発時に１回限りのステップとして）測定され、記憶される（ＳＰ１０１）。
【００３７】
２）その後、局所シムコイルＬＳＣ１，ＬＳＣ２の位置Ｐｏｓに応じて、これらの局所コイルによって生成可能な磁場分布が、（例えば直交化前のｚ方向位置に応じた磁場分布シフトとして）患者における実際のイメージング測定の際に考慮される。
【００３８】
３）これらの磁場分布ＳＶｃが直交化され、それによって直交化された磁場分布ＳＶｏは実現可能なシム空間の基礎ベクトルを表す。従って、直交化された磁場分布ＳＶｏは、現実のシムコイルの線形結合として記述されたいわば仮想のシムコイルである。
【００３９】
４）例えば患者１０５等によって引き起こされる磁場誤差（磁場Ｂ0の変化による。この磁場Ｂ0の変化はシムにより補正しなければならない）は、ＭＲ方法により算出される。
【００４０】
５）この磁場誤差は磁場分布ＳＶｏへの直交投影によって描出される。それによって、仮想シムコイルにおいてどのシム電流が必要であるかが直接的に明らかになる。
【００４１】
６）これは、直交化から予め決定された線形結合が（上述のステップ２において）相応に逆に適用されることによって、現実のシム電流に換算される。
【００４２】
アプローチ１：
「全最適化方式」
【００４３】
局所シムコイルＬＳＣ１，ＬＳＣ２およびグローバルシムコイルＧＳＣ１，ＧＳＣ２，ＧＳＣ３，ＧＳＣ４の磁場は、線形結合において完全に（３Ｄ＝３次元）加算することができる。
【００４４】
最適化法（例えば最小二乗法）において、シム電流ＩＧＳＣ，ＩＬＳＣおよびそれから結果的に生じる磁場を、測定されたＢ0磁場と比較し、Ｂ0不均一性が（シムにより）最小化されるように調整する設定が探し求められる。
【００４５】
アプローチ２：
「ステップバイステップ方式」
【００４６】
最初に広範囲の不均一性がグローバルシムコイルＧＳＣ１，ＧＳＣ２，ＧＳＣ３，ＧＳＣ４によって除去され、その後局所シムコイルＬＳＣ１，ＬＳＣ２のためのシム電流が算出される。
【００４７】
変形例１：
先ず、グローバルシムコイルＧＳＣ１，ＧＳＣ２，ＧＳＣ３，ＧＳＣ４の電流が算出される。これらのグローバルシムコイルＧＳＣ１，ＧＳＣ２，ＧＳＣ３，ＧＳＣ４の設定磁場が、測定された磁場と重ね合わされる。それにより新たな磁場マップ（ＦＭ２）が生じる。第２ステップにおいて、この磁場マップを使用して、局所シムコイルＬＳＣ１，ＬＳＣ２の最適設定が見つけ出される。
【００４８】
変形例２：
上記のようにグローバルシムコイルＧＳＣ１，ＧＳＣ２，ＧＳＣ３，ＧＳＣ４の電流を設定することによって第２の磁場マップＦＭ２が適用されると、第２の磁場マップＦＭ２は新たな測定から得られる。この測定は上記のように３Ｄボリュームをカバーすることができるが、しかし、その過程を加速するために１つまたは少数のスライスのみから構成されてもよい。測定のためのスライス選定は、シミングされるべきボリュームに合わせるとよい（例えば、頸部においては、完全な３Ｄ測定の代わりに１つのサジタルスライスのみ）。
【００４９】
変形例３：
「Ｎ個の測定によるブラインドサーチ方式」
グローバルシムコイルＧＳＣ１，ＧＳＣ２，ＧＳＣ３，ＧＳＣ４の電流は、第１の磁場マップ（一般にＦＭ１と称せられる）から算出される。その後、局所シムコイルの電流ＩＬＳＣの異なる設定（例えば最小電流から最大電流まで）により複数の磁場マップ（Ｎ）が測定される。これらの多重の測定を加速するためには、低分解能の３Ｄ領域または１つの単独スライスまたは少数のスライスの測定で間に合わせるとよい。その後最善の最適結果をもたらすＮ個の磁場マップからシム電流ＩＬＳＣが算出される。
【００５０】
アプローチ４：
「的確な最適化方式」
グローバルシムコイルＧＳＣ１，ＧＳＣ２，ＧＳＣ３，ＧＳＣ４のシム電流ＩＧＳＣは第１の磁場マップＦＭ１から算出される。その後、局所シムコイルＬＳＣ１，ＬＳＣ２の電流ＩＬＳＣの異なる設定を有する複数の磁場マップ（Ｎ）が測定される。これらの多重の測定を加速するために、低分解能の３Ｄ領域または１つの単独スライスまたは少数のスライスの測定で間に合わせるとよい。局所シムコイルＬＳＣ１，ＬＳＣ２の動的領域の全部をくまなく探索し、それから（例えば線形の）補間をするアプローチ３における方式と違って、この方式では、このアルゴリズムが、変形によってＢ0不均一性の最小値を探し求め、この最小値を見つけたときに新たな磁場マップの取得を停止する。
【００５１】
「変形例」
上述のアプローチは、事情によっては、グローバルシムコイルＧＳＣ１，ＧＳＣ２，ＧＳＣ３，ＧＳＣ４または局所シムコイルＬＳＣ１，ＬＳＣ２または両方が、第１の磁場マップＦＭ１の測定時に既に、該当解剖学的構造領域における典型的な不均一性を改善し（経験的に求められた値を特定の解剖学的構造／コイルに対して固定的に設定する）、従って第１の磁場マップＦＭ１を有する最適化の開始点を最適な点の近くにもたらすシム電流ＩＧＳＣ，ＩＬＳＣを予め割り当てられている場合には有利である。そのためには、グローバルシムコイルＧＳＣ１，ＧＳＣ２，ＧＳＣ３，ＧＳＣ４および局所シムコイルＬＳＣ１，ＬＳＣ２の電流が、解剖学的構造に固有に予め設定されているとよい。これは、特に局所シムコイルＬＳＣ１，ＬＳＣ２にとって有利なアプローチである。
【００５２】
他の実施形態は次のとおりである。
【００５３】
変形例「サブ調整ボリューム」：
アルゴリズミック法では、場合によっては、局所シムコイルＬＳＣ１，ＬＳＣ２のシム磁場を全シムボリュームの一部に対してのみ最適化すると有利である。というのは（局所シム磁場の大きさに対して相対的に）大きいシムボリュームの場合に、局所シムコイルＬＳＣ１，ＬＳＣ２が殆ど磁場を発生しない多数の点が最適化に関与するならば、事情によっては局所シムコイルＬＳＣ１，ＬＳＣ２が磁場に殆ど寄与せずに最適化が間違った方へ導かれる領域が生じ得るからである。従って、全シムボリュームをサブボリュームに分割して局所シム磁場を１つのサブボリューム上でのみ最適化することが有効である。サブボリュームの定義は、場合によっては、局所シムコイルＬＳＣ１，ＬＳＣ２自体の（例えばコイルファイル内の）パラメータによって規定することができ、または低い磁場成分を有する領域を除外することによって自動的に算出することができる。
【００５４】
変形例「電流限界に到達」
局所シムコイルＬＳＣ１，ＬＳＣ２に対して最大の電流限界が到達された場合、一般的なシム電流設定により、最大の電流限界に突き当たらないＬＳＣ１，ＬＳＣ２設定を見つけるべく探索を行うようにアルゴリズムを構成すると有利である。各方法の終端で、ＦｏＶの一部（小さい３Ｄボリュームまたは１つまたは少数のスライス）において、測定されたＢ0磁場を算出されたＢ0磁場と比較する検証ステップが実行されるとよい。良好な一致の際には測定が続行され、不十分な一致の際には使用者との対話処理（警告、照会）が行われるか、または測定が新たに（例えば、シム電流のための他の開始パラメータにより）開始される。
【００５５】
従って、１つ（または複数）の局所シムコイルＬＳＣ１，ＬＳＣ２を、ＭＲＴ１０１のＧＳＣ１，ＧＳＣ２，ＧＳＣ３，ＧＳＣ４からなる組込みシムコイルシステムと組み合わせることができる。それらの組込みシムコイルＧＳＣ１，ＧＳＣ２，ＧＳＣ３，ＧＳＣ４は、患者１０５の全ボディ領域（Ｂ，ＷＳ）に適したシステムであるとよい。局所シムコイルＬＳＣ１，ＬＳＣ２は、例えばボディ形状（３Ｄ磁化率分布）に起因する不均一性に対して最適化されている。脊柱コイルＷＳおよび／または頸部コイルはむしろ乳房検査には使用されなかった。１つの局所シムコイルＬＳＣ１，ＬＳＣ２は、複数のチャネルを含むことができ、組込み（グローバル）シムコイルによる既存の均一性によって、異なる被検者の残留バラツキ分だけを補正すればよい。このことと、患者１０５に直接に配置することとによって、所要電力を明確に低減することができ、容易に複雑な磁場分布を得ることができる。
【符号の説明】
【００５６】
１０１        磁気共鳴装置（ＭＲＴ）
１０２        全身コイル
１０３        開口
１０４        患者用テーブル
１０５        被検体（ボディ、患者）
１０６        局所コイル装置
１０７        クライオマグネット
１０８        ボディコイル
１０９        パルス生成ユニット
１１０        パルスシーケンス制御ユニット
１１１        高周波増幅器
１１２        傾斜磁場コイル
１１４        傾斜磁場コイル制御ユニット
１１５        評価装置
１１６        前置増幅器
１１７        受信ユニット
１１８        送受信切替器
１１９        画像処理ユニット
１２０        オペレータコンソール
１２１        記憶ユニット
１２２        中央コンピュータユニット
１６７        無線
１６８        受信器
ＧＳＣ１〜ＧＳＣ４  グローバルシムコイル
ＬＳＣ１，ＬＳＣ２  局所シムコイル
【図１】
2015039635.tif 000003