(57)【要約】【課題】  本発明は、テンプレートの乾燥工程の時間を短縮化することができるテンプレート基板、ナノインプリント用テンプレート、および、ナノインプリント用テンプレートの製造方法を提供することを目的とするものである。【解決手段】  テンプレート基板の転写パターンが形成される面とは反対側の面に形成する凹構造の底面を転写パターンが形成される面に対して平行とし、凹構造の壁面を底面から開口端に向かうに従って開口が広がる傾斜面を有する形態にすることにより、上記課題を解決する。【選択図】      図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
凹凸形状の転写パターンを有するナノインプリント用テンプレートを製造するためのテンプレート基板であって、
第１の側と、前記第１の側に対向する第２の側とを有し、
前記第１の側に、前記転写パターンが形成される主面を有し、
前記第２の側に、前記第２の側に向かって開口する凹構造が形成されており、
前記凹構造は、前記主面に対して平行な底面を有しており、
前記凹構造の壁面は、断面視において、前記凹構造の底面から開口端に向かうに従って開口が広がる傾斜面を有することを特徴とするテンプレート基板。
【請求項２】
前記凹構造の傾斜面が、前記テンプレート基板の平面中心を通る垂線を回転軸とする回転体の壁面を構成する形態であることを特徴とする請求項１に記載のテンプレート基板。
【請求項３】
前記回転体が円錐台であることを特徴とする請求項２に記載のテンプレート基板。
【請求項４】
前記凹構造の壁面は、前記凹構造の底面と接続する接続部を有し、
前記接続部は、断面視において、ラウンド形状であることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか一項に記載のテンプレート基板。
【請求項５】
前記凹構造の底面と前記傾斜面とのなす角度が１２０°以上１５０°以下の範囲であることを特徴とする請求項１乃至４のいずれか一項に記載のテンプレート基板。
【請求項６】
請求項１乃至５のいずれか一項に記載のテンプレート基板の前記主面に、凹凸形状の転写パターンを有することを特徴とするナノインプリント用テンプレート。
【請求項７】
ナノインプリント用テンプレートの製造方法であって、
請求項１乃至５のいずれか一項に記載のテンプレート基板を準備するテンプレート基板準備工程と、
前記テンプレート基板の前記主面に凹凸形状の転写パターンを形成する転写パターン形成工程と、
液体を用いる洗浄工程と、
前記液体を乾燥させる乾燥工程と、
を備えており、
前記乾燥工程が、前記凹構造に残存する前記液体を遠心力により除去するスピン乾燥工程であることを特徴とするナノインプリント用テンプレートの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ナノインプリントの技術分野に関するものであり、特に、テンプレート基板、ナノインプリント用テンプレート、および、ナノインプリント用テンプレートの製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
ナノインプリント技術は、表面に微細な凹凸形状の転写パターンが形成されたテンプレート（モールド、スタンパ、金型とも呼ばれる）を用い、この凹凸形状の転写パターンを、半導体ウェハなどの被転写基板の上に形成されたインプリント材料に等倍転写するパターン形成技術である（例えば、特許文献１、２）。
【０００３】
このナノインプリント技術に用いられるテンプレート（本明細書においては、適宜、ナノインプリント用テンプレートとも呼ぶ）として、転写パターンが形成される面とは反対側の面に、窪み部が形成されている形態が提案されている（例えば、特許文献３）。
【０００４】
このような形態であれば、窪み部によって肉厚が一様に薄くなっている領域を容易に湾曲させることができ、テンプレートをインプリント材料に接触させる工程において、上記の肉薄領域に圧力を加えて湾曲させながらインプリント材料に接触させることで、テンプレートとインプリント材料の間に気泡が残留することを抑制することができる点で、好ましい。また、テンプレートとインプリント材料との離型も容易に行うことができる点で、好ましい。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特表２００４−５０４７１８号公報
【特許文献２】特開２００２−９３７４８号公報
【特許文献３】特許第５１３９４２１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
上述のように、ナノインプリント技術は、テンプレートをインプリント材料に接触させることでパターンの転写を行うものであるため、使用頻度に応じてテンプレートを洗浄することが必要になる。また、テンプレートの製造工程においても、通常、洗浄工程は必須である。そして、テンプレートの洗浄には、主に、酸性水溶液等の洗浄液が用いられ、その後のリンスには、主に、超純水が用いられる。
【０００７】
しかしながら、特許文献３に記載のテンプレートにおいては、窪み部の壁面が、窪み部の底面に対して垂直に形成されているため、テンプレートを洗浄した後に、乾燥工程としてスピン乾燥を用いても、窪み部の壁面と底面とが接続する部分に液体が残存してしまい、スピン乾燥だけでは、この残存した液体を除去することは困難である。
それゆえ、スピン乾燥に加えて、熱乾燥の工程が必要になるが、窪み部の壁面と底面とが接続する部分に残存する液体はメニスカスを形成するため、液体の表面積が小さくなり、熱乾燥工程の時間は長くなってしまう。
そして、熱乾燥を含めた乾燥工程の時間が長くなると、それに伴って、テンプレートの製造時間や、洗浄に出したテンプレートを再び用いるまでの待機時間が、長くなってしまうという問題がある。
【０００８】
本発明は、上記実情に鑑みてなされたものであり、テンプレートの乾燥工程の時間を短縮化することができるテンプレート基板、ナノインプリント用テンプレート、および、ナノインプリント用テンプレートの製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明者は種々研究した結果、テンプレート基板の転写パターンが形成される面とは反対側の面に形成する凹構造の底面を転写パターンが形成される面に対して平行とし、凹構造の壁面を底面から開口端に向かうに従って開口が広がる傾斜面を有する形態にすることで、上記課題を解決できることを見出して本発明を完成したものである。
【００１０】
すなわち、本発明の請求項１に係る発明は、凹凸形状の転写パターンを有するナノインプリント用テンプレートを製造するためのテンプレート基板であって、第１の側と、前記第１の側に対向する第２の側とを有し、前記第１の側に、前記転写パターンが形成される主面を有し、前記第２の側に、前記第２の側に向かって開口する凹構造が形成されており、前記凹構造は、前記主面に対して平行な底面を有しており、前記凹構造の壁面は、断面視において、前記凹構造の底面から開口端に向かうに従って開口が広がる傾斜面を有することを特徴とするテンプレート基板である。
【００１１】
また、本発明の請求項２に係る発明は、前記凹構造の傾斜面が、前記テンプレート基板の平面中心を通る垂線を回転軸とする回転体の壁面を構成する形態であることを特徴とする請求項１に記載のテンプレート基板である。
【００１２】
また、本発明の請求項３に係る発明は、前記回転体が円錐台であることを特徴とする請求項２に記載のテンプレート基板である。
【００１３】
また、本発明の請求項４に係る発明は、前記凹構造の壁面は、前記凹構造の底面と接続する接続部を有し、前記接続部は、断面視において、ラウンド形状であることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか一項に記載のテンプレート基板である。
【００１４】
また、本発明の請求項５に係る発明は、前記凹構造の底面と前記傾斜面とのなす角度が１２０°以上１５０°以下の範囲であることを特徴とする請求項１乃至４のいずれか一項に記載のテンプレート基板である。
【００１５】
また、本発明の請求項６に係る発明は、請求項１乃至５のいずれか一項に記載のテンプレート基板の前記主面に、凹凸形状の転写パターンを有することを特徴とするナノインプリント用テンプレートである。
【００１６】
また、本発明の請求項７に係る発明は、ナノインプリント用テンプレートの製造方法であって、請求項１乃至５のいずれか一項に記載のテンプレート基板を準備するテンプレート基板準備工程と、前記テンプレート基板の前記主面に凹凸形状の転写パターンを形成する転写パターン形成工程と、液体を用いる洗浄工程と、前記液体を乾燥させる乾燥工程と、を備えており、前記乾燥工程が、前記凹構造に残存する前記液体を遠心力により除去するスピン乾燥工程であることを特徴とするナノインプリント用テンプレートの製造方法である。
【発明の効果】
【００１７】
本発明によれば、凹構造の壁面が、底面から開口端に向かって開口が広がる傾斜面を有していることにより、洗浄工程後の乾燥工程において、凹構造の壁面と底面とが接続する部分に残存する液体をスピン乾燥で除去することができ、乾燥工程の時間を短縮することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１８】
【図１】本発明に係るテンプレート基板の一例を示す説明図であり、（ａ）は概略平面図、（ｂ）は（ａ）におけるＡ−Ａ断面図である。
【図２】本発明に係るナノインプリント用テンプレートの一例を示す説明図である。
【図３】スピン乾燥における残存液体の動きを示す説明図である。
【図４】回転体の形態例を示す説明図である。
【図５】本発明に係るテンプレート基板における凹構造の壁面と底面の接続部の形態例を示す説明図である。
【発明を実施するための形態】
【００１９】
以下、本発明に係るテンプレート基板、ナノインプリント用テンプレート、および、ナノインプリント用テンプレートの製造方法について説明する。
【００２０】
［テンプレート基板およびナノインプリント用テンプレート］
まず、本発明に係るテンプレート基板およびナノインプリント用テンプレートについて、図面を用いて説明する。
図１は、本発明に係るテンプレート基板の一例を示す説明図であり、（ａ）は概略平面図、（ｂ）は（ａ）におけるＡ−Ａ断面図である。
【００２１】
例えば、図１に示すように、本発明に係るテンプレート基板１０は、第１の側１０ａと、第１の側１０ａに対向する第２の側１０ｂとを有し、第１の側１０ａに、メサ状の凸構造１１が形成されており、第２の側１０ｂに、第２の側１０ｂに向かって開口する凹構造１３が形成されている。
そして、凹構造１３は、メサ状の凸構造１１の主面１２に対して平行な底面１４を有しており、底面１４は、平面視において凸構造１１を包含し、凹構造１３の壁面１５は、底面１４から開口端１６に向かうに従って開口が広がる傾斜面を有している。
【００２２】
なお、本明細書において、「平行」とは、厳密な意味に拘束されず、本技術分野において実質的に平行とみなせる範囲のことであり、メサ状の凸構造１１の主面１２と凹構造１３の底面１４の間のテンプレート基板１０を構成する材料の厚みが、所定の範囲内にあることを意味する。
そして、上記の所定の範囲とは、反応性プラズマを用いたドライエッチングにより、メサ状の凸構造１１の主面１２に凹凸形状の転写パターンを形成する工程において、メサ状の凸構造１１の主面１２と凹構造１３の底面１４の間のテンプレート基板１０を構成する材料の厚みの分布によって生じる誘電率の分布が、転写パターンの形状等に影響を及ぼさない範囲である。
上記範囲は、ドライエッチング条件等によっても変化するが、本発明においては、例えば、上記厚みの範囲を設計値に対し±３％以内とすることができる。
【００２３】
本発明において、メサ状の凸構造１１は、例えばウェットエッチングの手法を用いて形成することができる。より具体的には、例えばテンプレート基板１０の材料に合成石英ガラスを用いる場合、まず、平板状の合成石英ガラス基板を準備し、その主面の所定の領域をレジストや金属膜等の被覆膜で覆い、被覆膜から露出する合成石英ガラス基板の領域を、フッ酸水溶液をエッチング液に用いてウェットエッチングすることで、形成することができる。上記のメサ状の凸構造１１の高さは、数十μｍ程度の範囲であり、典型的には３０μｍ程度である。
また、凹構造１３は、例えば機械的な研削の手法を用いて形成することができる。より具体的には、例えば、回転軸の先端に研削ディスクを有する研削治具を用いて研削する方法を挙げることができる。上記の凹構造１３の深さは、数ｍｍ程度の範囲であり、典型的には５ｍｍ程度である。
【００２４】
また、図２は、本発明に係るナノインプリント用テンプレートの一例を示す説明図である。例えば、図２に示すように、本発明に係るテンプレート２０は、上記のテンプレート基板１０のメサ状の凸構造１１の主面１２に、凹凸形状の転写パターン２１を有するものである。
【００２５】
上記のように、本発明に係るテンプレート基板１０およびテンプレート２０においては、凹構造１３を含む領域は、周囲の領域に比べて肉厚が薄くなっており、底面１４に第２の側１０ｂから圧力を加えると、第１の側１０ａに向かって凸状に湾曲可能となっている。そして、凹構造１３の壁面１５が、底面１４から開口端１６に向かって開口が広がる傾斜面を有している。
それゆえ、テンプレート基板１０およびテンプレート２０の洗浄後の乾燥工程において、凹構造１３の壁面１５と底面１４とが接続する部分に残存する液体を、スピン乾燥で除去することができる。
【００２６】
上記の作用効果について、図３を用いて説明する。
ここで、図３は、スピン乾燥における残存液体の動きを示す説明図であり、（ａ）は本発明に係るテンプレートをスピン乾燥した場合を、（ｂ）は従来のテンプレートをスピン乾燥した場合を、それぞれ示す。
【００２７】
例えば、図３（ｂ）に示すように、窪み部１１３の壁面１１５が、窪み部１１３の底面１１４に対して垂直に形成されている従来のテンプレート１２０においては、回転軸１４１を回転中心にしてスピン乾燥を施しても、窪み部１１３の底面１１４に残存する液体は、スピン乾燥の遠心力で窪み部１１３の壁面１１５に到達するものの、その先は遠心力の方向（図３に示すＸ方向）に垂直な壁面１１５の抵抗を受け、窪み部１１３の壁面１１５と底面１１４とが接続する部分に留まってしまうことから、スピン乾燥で残存する液体を除去することは困難であった。
【００２８】
一方、図３（ａ）に示すように、本発明に係るテンプレート２０においては、凹構造１３の壁面１５が上記のような傾斜面を有しているため、回転軸４１を回転中心とするスピン乾燥の遠心力によって、凹構造１３の壁面１５と底面１４とが接続する部分に到達した液体は、さらに、遠心力の方向（図３に示すＸ方向）に移動していくことができ、壁面１５の傾斜面を伝って開口端１６に達し、その後は飛散していくことで、テンプレート２０から除去される。
なお、上述のように、テンプレートの洗浄工程においては、主に、酸性水溶液等の洗浄液が用いられ、その後のリンスには、主に、超純水が用いられることから、スピン乾燥によって除去される液体は、主に洗浄液と置換されたリンス液であり、典型的には水であるが、これに限らず、アルコールなどの親水性溶媒であってもよい。
【００２９】
すなわち、本発明によれば、熱乾燥の工程を省いてスピン乾燥だけで、テンプレート基板１０およびテンプレート２０を乾燥することが可能なため、熱乾燥の工程にかかる製造コストや時間を削減できる。
また、スピン乾燥に加えて熱乾燥の工程を施す場合でも、従来に比べて、スピン乾燥後に残存する液体の量は少ないため、乾燥工程の時間を大幅に短縮することができ、テンプレートの製造時間や、洗浄に出したテンプレートを再び転写に用いるまでの待機時間を、短くすることができる。
【００３０】
また、本発明に係るテンプレート基板１０においては、凹構造１３は、メサ状の凸構造１１の主面１２に対して平行な底面１４を有しており、底面１４は平面視において凸構造１１を包含しているため、メサ状の凸構造１１の主面１２と凹構造１３の底面１４との間の肉厚は、転写パターン２１を形成する際のエッチング分布に影響を与えない所定の範囲内の厚さになっている。
すなわち、本発明に係るテンプレート基板１０においては、凹構造１３の壁面１５は、底面１４から開口端１６に向かうに従って開口が広がる傾斜面を有しているが、転写パターン２１が形成される領域の肉厚は、どの場所でも所定の範囲内の厚さであるため、反応性プラズマを用いたドライエッチングによって転写パターン２１を形成する際に、そのエッチング分布を均一にすることができ、形状等が均一な転写パターンを形成することができる。
【００３１】
なお、本発明に係るテンプレート基板して、図１に示すテンプレート基板１０においては、メサ状の凸構造１１を有する形態を例示したが、本発明の効果を奏する形態としては、このような形態に限定されず、例えば、図１に示すテンプレート基板１０においてメサ状の凸構造１１が無い形態であってもよい。この場合、テンプレート基板の第１の側は平坦面となる。
そして、この場合は、凹凸形状の転写パターンは上記の第１の側の平坦面に形成されることになるが、転写パターンが形成される領域は、平面視において、凹構造の底面に包含される範囲内になる。
また、この場合は、上記の第１の側の平坦面に対して、凹構造の底面が平行の関係になる。
【００３２】
ここで、本発明に係るテンプレート基板１０においては、凹構造１３の傾斜面が、テンプレート基板１０の平面中心を通る垂線を回転軸とする回転体の壁面を構成する形態であることが好ましい。
凹構造１３の傾斜面が上記のような形態であれば、テンプレート基板１０の平面中心を通る垂線を回転中心とするスピン乾燥によって、テンプレート基板１０に残存する液体を効率よく除去することができるからである。
【００３３】
上記について、図４を用いて、より詳しく説明する。ここで、図４は、回転体の形態例を示す説明図である。
例えば、図４（ａ）に示すように、Ｐ1、Ｐ2、Ｐ3、Ｐ4を頂点とする台形であって、Ｐ1とＰ2を結ぶ辺と、Ｐ3とＰ4を結ぶ辺とが、互いに平行であり、Ｐ1とＰ2を結ぶ辺と、Ｐ2とＰ3を結ぶ辺となす角が９０°であり、Ｐ1とＰ2を結ぶ辺の長さが、Ｐ3とＰ4を結ぶ辺の長さよりも短い台形３１を、Ｐ2とＰ3を結ぶ線を回転軸として回転させれば、回転体として、Ｐ1とＰ4を結ぶ辺から構成される壁面を有する円錐台が得られる。
【００３４】
したがって、例えば本発明に係るテンプレート基板１０において、上記の台形３１のＰ2とＰ3を結ぶ線がテンプレート基板１０の平面中心を通る垂線に一致し、上記の台形３１のＰ1とＰ4を結ぶ辺から構成される壁面が、凹構造１３の傾斜面に一致するように構成すれば、凹構造１３の傾斜面はテンプレート基板１０の平面中心を通る垂線に対して対称構造になることから、テンプレート基板１０の平面中心を通る垂線を回転中心とするスピン乾燥によって、テンプレート基板１０に残存する液体を均一に除去することができることになる。
【００３５】
なお、一般に、ナノインプリント用テンプレートの外形は、平面視において略正方形であることから、正方形の平面中心を求める場合と同様に、各頂点を結ぶ対角線の交点や、四辺に内接する円の中心を、テンプレート基板１０の平面中心とすることができる。
【００３６】
また、上記においては、Ｐ1、Ｐ2、Ｐ3、Ｐ4を頂点とする台形３１から得られる回転体（円錐台）を用いて説明したが、本発明に係るテンプレート基板１０においては、凹構造１３の壁面１５が、凹構造１３の底面１４から開口端１６に向かうに従って開口が広がる傾斜面を有することになるものであれば良く、例えば、図４（ｂ）に示すように、上記の台形３１のＰ1とＰ4を結ぶ辺が曲線から構成されているナイフ状の形態を有する図形３２を回転させて得られる回転体の壁面を凹構造１３の傾斜面に一致するように構成しても良い。
【００３７】
次に、本発明に係るテンプレート基板における凹構造の壁面が底面と接続する接続部の形態について説明する。
図５は、本発明に係るテンプレート基板における凹構造の壁面が底面と接続する接続部の形態例を示す説明図である。
本発明においては、例えば、図５（ａ）に示すように、凹構造１３の壁面１５が底面１４と角度θ1で接続するような形態であっても良いし、図５（ｂ）に示すように、凹構造１３の壁面１５が底面１４と接続する接続部が、断面視において、丸みを帯びたラウンド形状であっても良い。
【００３８】
窪み部の壁面が、窪み部の底面に対して垂直に形成されていた従来のテンプレートにおいては、窪み部によって肉厚が薄くなっている領域を湾曲させる際に、壁面と底面とが接続する接続部に応力が集中し、上記の肉薄領域にクラックが生じるおそれもあったが、本発明に係るテンプレート基板１０から製造されるテンプレート２０においては、凹構造１３の壁面１５と底面１４とが接続する接続部にかかる応力を緩和することができ、上記のようなクラックが生じることを抑制する効果も得られる。
【００３９】
ここで、図５（ａ）に示す角度θ1は、９０°より大きく１８０°未満の範囲とすることができるが、角度θ1は、１２０°以上１５０°以下であることが好ましい。
テンプレートの材質、テンプレートの表面状態や表面粗さ、および、リンス液の種類等にも依存するが、角度θ1が１２０°未満である場合、短時間では液体が除去しきれず、乾燥に長時間を要してしまうおそれがあり、また、角度θ1が１５０°より大きい場合、湾曲を要する領域以外も広範囲に肉薄となってしまい、テンプレート基板の強度が損なわれるおそれがあるためである。
また、図５（ｂ）に示すように、壁面１５が底面１４と接続する接続部が、断面視において、丸みを帯びたラウンド形状である場合も、断面視における、底面１４の輪郭線の接線５１と壁面１５の輪郭線の接線５２で形成される角度θ2は、上記と同様に、１２０°以上１５０°以下であることが好ましい。
【００４０】
本発明に係るテンプレート基板１０を構成する材料は、従来ナノインプリント用テンプレートに用いられてきた材料であれば用いることができるが、光インプリント技術に用いられる露光光を透過可能な光透過性の材料であることが好ましい。
その材料としては、例えば、合成石英ガラス、ソーダガラス、蛍石、フッ化カルシウムなどが挙げられる。中でも合成石英ガラスはフォトマスク用基板の材料として実績があり、高品質な基板を安定して入手できることから好ましい。
【００４１】
ここで、上記の光インプリント技術は、インプリント材料に光硬化性の材料を用い、テンプレートとインプリント材料を接触させた状態で光を照射してインプリント材料を硬化させ、その後テンプレートを離型して、硬化したインプリント材料の表面にテンプレートの転写パターンの凹凸形状が反転したパターンを形成する技術である。
ナノインプリント技術としては、この光インプリント技術の他に、熱インプリント技術が知られているが、熱インプリント技術では加熱と冷却のサイクルが必要となり、テンプレートや被転写基板が熱によって寸法変化が生じるおそれがある。
一方、光インプリント技術は、上記の加熱と冷却のサイクルが不要であることから、熱による寸法変化を防止できる。すなわち、光インプリント技術を用いることで、熱インプリントに比べて、解像性、アライメント精度、生産性等の点で優れた転写を達成することができる。
【００４２】
［ナノインプリント用テンプレートの製造方法］
次に、本発明に係るナノインプリント用テンプレートの製造方法について説明する。
本発明に係るナノインプリント用テンプレートの製造方法は、上述のテンプレート基板を準備するテンプレート基板準備工程と、前記テンプレート基板の前記主面に凹凸形状の転写パターンを形成する転写パターン形成工程と、液体を用いた洗浄工程と、前記液体を乾燥させる乾燥工程を有しており、
前記乾燥工程が、前記凹構造に残存する前記液体を遠心力により除去するスピン乾燥工程であることを特徴とするものである。
【００４３】
通常、ナノインプリント用テンプレートの製造工程においては、各工程において付着した異物等を除去するために洗浄工程を含んでいる。このテンプレートの洗浄には、主に、酸性水溶液等の洗浄液が用いられ、その後のリンスには、主に、超純水が用いられる。
従来のテンプレートにおいては、窪み部の壁面が、窪み部の底面に対して略垂直に形成されているため、テンプレートを洗浄した後の乾燥工程にスピン乾燥を用いても、窪み部の壁面と底面とが接続する部分に液体が残存してしまい、スピン乾燥だけで残存した液体を除去することは困難であった。
【００４４】
一方、上記のように、本発明に係るテンプレート２０においては、凹構造１３の壁面１５が、底面１４から開口端１６に向かって開口が広がる傾斜面を有している。それゆえ、テンプレート２０の凹構造１３の壁面１５と底面１４とが接続する部分に残存する液体を、スピン乾燥だけで除去することができる。
【００４５】
より詳しく説明すると、上記の図３（ａ）に示すように、本発明に係るテンプレート２０においては、凹構造１３の壁面１５が上記のような傾斜面を有しているため、回転軸４１を回転中心とするスピン乾燥の遠心力によって、凹構造１３の壁面１５と底面１４とが接続する部分に到達した液体は、さらに、遠心力の方向（図３に示すＸ方向）に移動していくことができ、壁面１５の傾斜面を伝って開口端１６に達し、その後は飛散していくことで、テンプレート２０から除去される。
【００４６】
上記のように、本発明によれば、加熱手段を用いずにスピン乾燥だけで、テンプレート２０を乾燥することが可能なため、加熱手段にかかる装置コストや、加熱手段にかかる時間を削減できる。
【００４７】
以上、本発明に係るテンプレート基板、ナノインプリント用テンプレート、および、ナノインプリント用テンプレートの製造方法についてそれぞれの実施形態を説明したが、本発明は、上記実施形態に限定されるものではない。上記実施形態は例示であり、本発明の特許請求の範囲に記載された技術的思想と、実質的に同一の構成を有し、同様な作用効果を奏するものは、いかなる場合であっても本発明の技術的範囲に包含される。
【符号の説明】
【００４８】
１０・・・テンプレート基板
１０ａ・・・第１の側
１０ｂ・・・第２の側
１１・・・凸構造
１２・・・主面
１３・・・凹構造
１４・・・底面
１５・・・壁面
１６・・・開口端
２０・・・テンプレート
２１・・・転写パターン
３１・・・台形
３２・・・平面図形
４１・・・回転軸
５１、５２・・・接線
１１０ａ・・・第１の側
１１０ｂ・・・第２の側
１１１・・・凸構造
１１２・・・主面
１１３・・・窪み部
１１４・・・底面
１１５・・・壁面
１２０・・・テンプレート
１２１・・・転写パターン
１４１・・・回転軸
【図１】
2015009408.tif 000003
【図２】
2015009408.tif 000004
【図３】
2015009408.tif 000005
【図４】
2015009408.tif 000006
【図５】
2015009408.tif 000007