(57)【要約】【課題】チップコンデンサをチップコンデンサ接続パッド上に半田を介して確実に搭載することが可能なチップコンデンサの搭載方法を提供すること。【解決手段】チップコンデンサ接続パッド５上の全面に、チップコンデンサ接続パッド５の短辺方向の中央部に頂点を有するドーム形状の半田Ｓ３を溶着し、次にそれぞれ対応する電極Ｔ２と半田Ｓ３の頂点とが一対一で接触するように、チップコンデンサＣをチップコンデンサ接続パッド５に対して上面視で斜め向きに載置し、次に半田Ｓ３を加熱溶融させて、電極Ｔ２をそれぞれ対応する半田Ｓ３で濡らすとともに溶融した半田Ｓ３の表面張力によりチップコンデンサＣの向きをチップコンデンサ接続パッド５に対して平行な向きに回転させ、最後に半田Ｓ３を冷却固化させるチップコンデンサＣの搭載方法である。【選択図】図５
2015103760.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
上面視で長辺および短辺を有する直方体形状のチップコンデンサ本体の表面における各長辺側の下面から側面を介し上面にかけて一対の電極が被着されて成るチップコンデンサを、前記一対の電極の中心間距離より大きな中心間距離で前記一対の電極に対応して並設された長方形状の一対のチップコンデンサ接続パッド上に搭載するチップコンデンサの搭載方法であって、次の（１）〜（４）の工程を順次行うことを特徴とするチップコンデンサの搭載方法。
（１）前記チップコンデンサ接続パッド上の全面に、該チップコンデンサ接続パッドの短辺方向の中央部に頂点を有するドーム形状の半田を溶着する工程
（２）それぞれ対応する前記電極と前記半田の頂点とが一対一で接触するように、前記チップコンデンサを前記チップコンデンサ接続パッドに対して上面視で斜め向きに載置する工程
（３）前記半田を加熱溶融させて、前記電極をそれぞれ対応する前記半田で濡らすとともに該溶融した半田の表面張力により前記チップコンデンサの向きを前記チップコンデンサ接続パッドに対して平行な向きに回転させる工程
（４）前記半田を冷却固化させる工程
【請求項２】
内部および表面に配線導体が形成された絶縁基板の上面に半導体素子が搭載される搭載部を有するとともに、上面視で長辺および短辺を有する直方体形状のチップコンデンサ本体の表面における各長辺側の下面から側面を介し上面にかけて一対の電極が被着されて成るチップコンデンサを、前記一対の電極の中心間距離より大きな中心間距離で前記一対の電極に対応して前記絶縁基板上に並設された長方形状の一対のチップコンデンサ接続パッド上に搭載して成るチップコンデンサ付き配線基板の製造方法であって、次の（１）〜（４）の工程を順次行うことを特徴とするチップコンデンサ付き配線基板の製造方法。
（１）前記チップコンデンサ接続パッド上の全面に、該チップコンデンサ接続パッドの短辺方向の中央部に頂点を有するドーム形状の半田を溶着する工程
（２）それぞれ対応する前記電極と前記半田の頂点とが一対一で接触するように、前記チップコンデンサを前記チップコンデンサ接続パッドに対して上面視で斜め向きに載置する工程
（３）前記半田を加熱溶融させて、前記電極をそれぞれ対応する前記半田で濡らすとともに該溶融した半田の表面張力により前記チップコンデンサの向きを前記チップコンデンサ接続パッドに対して平行な向きに回転させる工程
（４）前記半田を冷却固化させる工程
【請求項３】
内部および表面に配線導体が形成された方形平板状の絶縁基板の上面に半導体素子が搭載される搭載部を有するとともに、チップコンデンサが搭載される長方形状の少なくとも一対のチップコンデンサ接続パッドを前記絶縁基板の上面に並設して成るチップコンデンサ接続パッド付き配線基板であって、前記チップコンデンサ接続パッドは、前記絶縁基板の外周辺に対して上面視で斜め向きに配置されていることを特徴とするチップコンデンサ接続パッド付き配線基板。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、チップコンデンサの搭載方法およびそれを用いたチップコンデンサ付き配線基板の製造方法ならびにチップコンデンサ接続パッド付き配線基板に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
図１０に示すように、半導体集積回路素子等の半導体素子Ｅを搭載するために用いられる配線基板２０は、例えばガラス−エポキシ板等から成る絶縁板やエポキシ樹脂等から成る絶縁層が複数層積層された絶縁基板１１の内部および表面に銅箔や銅めっき膜等の導体層から成る配線導体１２が配設されている。配線導体１２には半導体素子Ｅに接地電位を供給するための接地用の配線導体１２と、電源電位を供給するための電源用の配線導体１２と、半導体素子Ｅとの間で信号の入出力を行なうための信号用の配線導体１２とがある。
【０００３】
配線基板２０には、その上面中央部に半導体素子Ｅが搭載される搭載部１１ａがある。この搭載部１１ａには、多数の半導体素子接続パッド１３が例えば格子状の配列に配置されている。半導体素子接続パッド１３には、半導体素子Ｅの電極Ｔ１が半田バンプＳ１を介して電気的に接続される。また、絶縁基板１１の下面には、多数の外部接続パッド１４が例えば格子状の配列に配置されている。外部接続パッド１４は、外部電気回路基板の配線導体に半田ボールＳ２を介して電気的に接続される。これらの半導体素子接続パッド１３および外部接続パッド１４は、接地用、電源用および信号用の半導体素子接続パッド１３および外部接続パッド１４を有しており、それぞれ対応する接地用、電源用および信号用の配線導体１２に電気的に接続されている。
【０００４】
さらに、近時の高集積化および高速化した半導体素子Ｅを搭載する配線基板２０においては、例えば絶縁基板１１上面の搭載部１１ａ周辺にセラミックチップコンデンサ等の表面実装型のチップコンデンサＣを接続するためのチップコンデンサ接続パッド１５が設けられている。これらのチップコンデンサ接続パッド１５には、チップコンデンサＣの電極Ｔ２が半田Ｓ３を介して搭載されている。
【０００５】
図１１に示すように、チップコンデンサＣは、上面視で長辺および短辺を有する直方体形状をしており、その各長辺側の下面から側面を介して上面にかけて対をなすように電極Ｔ２が被着されている。
【０００６】
チップコンデンサ接続パッド１５は、搭載部１１ａの外周辺に沿って互いに並行して配置された一対の長方形状をしており、チップコンデンサＣの電極Ｔ２よりも若干大きめに形成されている。また、一対のチップコンデンサ接続パッド１５の中心間距離Ｄ１は、チップコンデンサＣの電極Ｔ２の中心間距離Ｄ２よりも大きなものとなっている。これらの一対のチップコンデンサ接続パッド１５は、その一方が接地用の配線導体１２に電気的に接続されており、他方が電源用の配線導体１２に電気的に接続されている。これらのチップコンデンサ接続パッド１５に搭載されたチップコンデンサＣは、接地用の配線導体１２と電源用の配線導体１２との間に電気的に接続されることにより接地電位や電源電位の変動を抑制して半導体素子Ｅの誤動作を防止するためのデカップリングコンデンサとして機能する。
【０００７】
チップコンデンサＣの搭載は、まず、図１２（ａ），（ｂ）に示すように、例えばチップコンデンサ接続パッド１５に半田Ｓ３を溶着する。半田Ｓ３を溶着するには、チップコンデンサ接続パッド１５上に半田ペーストを塗布するとともにそれを加熱溶融後に冷却固化させる方法が採用される。なお、半田Ｓ３は、溶融した際の表面張力により短辺方向の中央部に頂点を有するドーム形状となる。次に、図１３（ａ），（ｂ）に示すように、半田Ｓ３の上にチップコンデンサＣを載置する。チップコンデンサＣを載置するときは、チップコンデンサＣの各電極Ｔ２とこれに対応するチップコンデンサ接続パッド１５上の半田Ｓ３とが接触するようにチップコンデンサＣをチップコンデンサ接続パッド１５と平行な方向に向けて載置する。最後に、図１４（ａ），（ｂ）に示すように、半田Ｓ３を加熱溶融させた後、冷却固化させることによりチップコンデンサＣの搭載が完了する。
【０００８】
しかしながら、図１５（ａ），（ｂ）に示すように、チップコンデンサＣを載置する際に、チップコンデンサＣがどちらか一方のチップコンデンサ接続パッド１５に片寄って載置されると、半田Ｓ３が加熱溶融される際に、一方のコンデンサ接続パッド１５上の電極Ｔ２における下面と側面との角部を支点にしてチップコンデンサＣを起き上がらせる応力が、溶融した半田Ｔ２の表面張力によりって発生し、その結果、図１６（ａ），（ｂ）に示すように、他方の電極Ｔ２が半田Ｓ３から浮き上がった状態となるマンハッタン現象と呼ばれる搭載不良が発生することがある。このような搭載不良が発生すると、接地電位や電源電位の変動を抑制することができずに半導体素子Ｅの誤動作を防止することができなくなってしまう。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００９】
【特許文献１】特開２００３−６９２０３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１０】
本発明の課題は、チップコンデンサをチップコンデンサ接続パッド上に半田を介して確実に搭載することが可能なチップコンデンサの搭載方法を提供することにある。また、チップコンデンサの搭載不良が発生することがなく、搭載される半導体素子の誤動作を有効に防止することが可能なチップコンデンサ付き配線基板の製造方法を提供することにある。さらには、これらの搭載方法および製造方法に好適なチップコンデンサ接続パッド付き配線基板を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
本発明のチップコンデンサの搭載方法は、上面視で長辺および短辺を有する直方体形状のチップコンデンサ本体の表面における各長辺側の下面から側面を介し上面にかけて一対の電極が被着されて成るチップコンデンサを、前記一対の電極の中心間距離より大きな中心間距離で前記一対の電極に対応して並設された長方形状の一対のチップコンデンサ接続パッド上に搭載するチップコンデンサの搭載方法であって、次の（１）〜（４）の工程を順次行うことを特徴とするものである。
（１）前記チップコンデンサ接続パッド上の全面に、該チップコンデンサ接続パッドの短辺方向の中央部に頂点を有するドーム形状の半田を溶着する工程
（２）それぞれ対応する前記電極と前記半田の頂点とが一対一で接触するように、前記チップコンデンサを前記チップコンデンサ接続パッドに対して上面視で斜め向きに載置する工程
（３）前記半田を加熱溶融させて、前記電極をそれぞれ対応する前記半田で濡らすとともに該溶融した半田の表面張力により前記チップコンデンサの向きを前記チップコンデンサ接続パッドに対して平行な向きに回転させる工程
（４）前記半田を冷却固化させる工程
【００１２】
本発明のチップコンデンサ付き配線基板の製造方法は、内部および表面に配線導体が形成された絶縁基板の上面に半導体素子が搭載される搭載部を有するとともに、上面視で長辺および短辺を有する直方体形状のチップコンデンサ本体の表面における各長辺側の下面から側面を介し上面にかけて一対の電極が被着されて成るチップコンデンサを、前記一対の電極の中心間距離より大きな中心間距離で前記一対の電極に対応して前記絶縁基板上に並設された長方形状の一対のチップコンデンサ接続パッド上に搭載して成るチップコンデンサ付き配線基板の製造方法であって、次の（１）〜（４）の工程を順次行うことを特徴とするものである。
（１）前記チップコンデンサ接続パッド上の全面に、該チップコンデンサ接続パッドの短辺方向の中央部に頂点を有するドーム形状の半田を溶着する工程
（２）それぞれ対応する前記電極と前記半田の頂点とが一対一で接触するように、前記チップコンデンサを前記チップコンデンサ接続パッドに対して上面視で斜め向きに載置する工程
（３）前記半田を加熱溶融させて、前記電極をそれぞれ対応する前記半田で濡らすとともに該溶融した半田の表面張力により前記チップコンデンサの向きを前記チップコンデンサ接続パッドに対して平行な向きに回転させる工程
（４）前記半田を冷却固化させる工程
【００１３】
本発明のチップコンデンサ接続パッド付き配線基板は、内部および表面に配線導体が形成された方形平板状の絶縁基板の上面に半導体素子が搭載される搭載部を有するとともに、チップコンデンサが搭載される長方形状の少なくとも一対のチップコンデンサ接続パッドを前記絶縁基板の上面に並設して成るチップコンデンサ接続パッド付き配線基板であって、前記チップコンデンサ接続パッドは、前記絶縁基板の外周辺に対して上面視で斜め向きに配置されていることを特徴とするものである。
【発明の効果】
【００１４】
本発明のチップコンデンサの搭載方法によれば、チップコンデンサの一対の電極の中心間距離よりも大きな中心間距離で並設された長方形状の一対のチップコンデンサ接続パッド上の全面にチップコンデンサ接続パッドの短辺方向の中央部に頂点を有するドーム形状の半田を溶着した後、それぞれ対応するチップコンデンサの電極とチップコンデンサ接続パッド上の半田の頂点とが一対一で接触するようにチップコンデンサをチップコンデンサ接続パッドに対して上面視で斜め向きに載置し、しかる後、チップコンデンサ接続パッド上の半田を加熱溶融させてチップコンデンサの電極をそれぞれ対応するチップコンデンサ接続パッド上の半田で濡らすとともに溶融した半田の表面張力によりチップコンデンサの向きをチップコンデンサ接続パッドに対して平行な向きに回転させた後、半田を冷却固化させることによりチップコンデンサを搭載することから、チップコンデンサを載置後にチップコンデンサ接続パッド上の半田を加熱溶融させる際に、それぞれ対応するチップコンデンサの電極とチップコンデンサ接続パッド上の半田とを確実に接触させた状態で半田を溶融させることができ、さらに半田の溶融が始まった時点ではチップコンデンサはチップコンデンサ接続パッドに対して上面視で斜めに向いているため、溶融した半田の表面張力による応力はチップコンデンサを起き上がらせる方向には働きにくく、チップコンデンサの向きをチップコンデンサ接続パッドに対して平行な向きに回転させる方向に大きく働くので、チップコンデンサが回転する間にそれぞれ対応するチップコンデンサの電極とチップコンデンサ接続パッド上の半田とが十分に濡れてチップコンデンサが確実に搭載される。
【００１５】
また、本発明のチップコンデンサ付き配線基板の搭載方法によれば、チップコンデンサの一対の電極の中心間距離よりも大きな中心間距離で絶縁基板上に並設された長方形状の一対のチップコンデンサ接続パッド上の全面にチップコンデンサ接続パッドの短辺方向の中央部に頂点を有するドーム形状の半田を溶着した後、それぞれ対応するチップコンデンサの電極とチップコンデンサ接続パッド上の半田の頂点とが一対一で接触するようにチップコンデンサをチップコンデンサ接続パッドに対して上面視で斜め向きに載置し、しかる後、チップコンデンサ接続パッド上の半田を加熱溶融させてチップコンデンサの電極をそれぞれ対応するチップコンデンサ接続パッド上の半田で濡らすとともに溶融した半田の表面張力によりチップコンデンサの向きをチップコンデンサ接続パッドに対して平行な向きに回転させた後、半田を冷却固化させることによりチップコンデンサを搭載することから、チップコンデンサを載置後にチップコンデンサ接続パッド上の半田を加熱溶融させる際に、それぞれ対応するチップコンデンサの電極とチップコンデンサ接続パッド上の半田とを確実に接触させた状態で半田を溶融させることができ、さらに半田の溶融が始まった時点ではチップコンデンサはチップコンデンサ接続パッドに対して上面視で斜めに向いているため、溶融した半田の表面張力による応力はチップコンデンサを起き上がらせる方向には働きにくく、チップコンデンサの向きをチップコンデンサ接続パッドに対して平行な向きに回転させる方向に大きく働くので、チップコンデンサが回転する間にそれぞれ対応するチップコンデンサの電極とチップコンデンサ接続パッド上の半田とが十分に濡れてチップコンデンサが確実に搭載されるので、チップコンデンサの搭載不良がなく、搭載される半導体素子の誤動作を有効に防止することが可能なチップコンデンサ付き配線基板を歩留り高く製造することができる。
【００１６】
さらに本発明のチップコンデンサパッド付き配線基板によれば、絶縁基板の上面に並設された長方形状の一対のチップコンデンサ接続パッドは、絶縁基板の外周辺に対して上面視で斜め向きに配置されていることから、チップコンデンサをチップコンデンサ接続パッドに対して上面視で斜め向きに搭載しやすい。そのため、本発明のチップコンデンサの搭載方法や本発明のチップコンデンサ付き配線基板の製造方法に好適なチップコンデンサ接続パッド付き配線基板を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１７】
【図１】図１は、本発明のチップコンデンサ接続パッド付き配線基板の実施形態の一例を示す概略断面図である。
【図２】図２は、図１に示すチップコンデンサ接続パッド付き配線基板の概略上面図である。
【図３】図３は、チップコンデンサの概略斜視図である。
【図４】図４（ａ），（ｂ）は、本発明のチップコンデンサの搭載方法を説明するための要部断面図および要部上面図である。
【図５】図５（ａ），（ｂ）は、本発明のチップコンデンサの搭載方法を説明するための要部断面図および要部上面図である。
【図６】図６（ａ），（ｂ）は、本発明のチップコンデンサの搭載方法を説明するための要部断面図および要部上面図である。
【図７】図７（ａ），（ｂ）は、本発明のチップコンデンサの搭載方法を説明するための要部断面図および要部上面図である。
【図８】図８は、図１に示すチップコンデンサ接続パッド付き配線基板にチップコンデンサを搭載した状態を示す概略断面図である。
【図９】図９は、本発明の実施例の結果を示す写真である。
【図１０】図１０は、従来のチップコンデンサ付き配線基板を示す概略断面図である。
【図１１】図１１は、図１０に示すチップコンデンサ付き配線基板の概略上面図である。
【図１２】図１２（ａ），（ｂ）は、従来のチップコンデンサの搭載方法を説明するための要部断面図および要部上面図である。
【図１３】図１３（ａ），（ｂ）は、従来のチップコンデンサの搭載方法を説明するための要部断面図および要部上面図である。
【図１４】図１４（ａ），（ｂ）は、従来のチップコンデンサの搭載方法を説明するための要部断面図および要部上面図である。
【図１５】図１５（ａ），（ｂ）は、従来のチップコンデンサの搭載方法における問題点を説明するための要部断面図および要部上面図である。
【図１６】図１６（ａ），（ｂ）は、従来のチップコンデンサの搭載方法における問題点を説明するための要部断面図および要部上面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１８】
次に、本発明を添付の図面に基づき説明する。図１は、本例に係るチップコンデンサ接続パッド付き配線基板１０の概略断面図であり、図２は図１に示すチップコンデンサ接続パッド付き配線基板１０の概略上面図である。図１に示すように、チップコンデンサ接続パッド付き配線基板１０は、絶縁基板１と配線導体２と半導体素子接続パッド３と外部接続パッド４とチップコンデンサ接続パッド５とを備えている。
【００１９】
絶縁基板１は、例えばガラス繊維を縦横に織り込んだガラス織物にエポキシ樹脂やビスマレイミドトリアジン樹脂等の熱硬化性樹脂を含浸させて成る板状のコア用の絶縁板１ａの上下面にエポキシ樹脂やビスマレイミドトリアジン樹脂等の熱硬化性樹脂から成るビルドアップ用の絶縁層１ｂをそれぞれ複数層ずつ積層して成る。絶縁基板１は、その上面中央部に半導体素子Ｅが搭載される搭載部１ａが形成されており、その下面が外部電気回路基板と接続するための外部接続面となっている。そして、その上面から下面にかけて銅箔や銅めっき膜等の導体層から成る複数の配線導体２が形成されている。
【００２０】
絶縁基板１を構成するコア用の絶縁板１ａは、厚みが０．３〜１．５ｍｍ程度であり、その上面から下面にかけて直径が１００〜２００μｍ程度の複数のスルーホール６を有している。そして、その上下面および各スルーホール６の内面には配線導体２の一部が被着されており、上下面の配線導体２がスルーホール６を介して電気的に接続されている。
【００２１】
このような絶縁板１ａは、ガラス織物に未硬化の熱硬化性樹脂を含浸させたシートを熱硬化させた後、これに上面から下面にかけてドリル加工を施すことにより製作される。なお、絶縁板１ａ上下面の配線導体２は、絶縁板１ａ用のシートの上下全面に厚みが５〜５０μｍ程度の銅箔を貼着しておくとともに、この銅箔をシートの硬化後にエッチング加工することにより所定のパターンに形成される。また、スルーホール６内面の配線導体２は、絶縁板１ａにスルーホール６を設けた後に、このスルーホール６内面に無電解めっき法および電解めっき法により厚みが５〜５０μｍ程度の銅めっき膜を析出させることにより形成される。
【００２２】
さらに、絶縁板１ａのスルーホール６の内部には、エポキシ樹脂やビスマレイミドトリアジン樹脂等の熱硬化性樹脂から成る孔埋め樹脂７が充填されている。孔埋め樹脂７は、スルーホール６を塞ぐことによりスルーホール６の直上および直下にビルドアップ用の絶縁層１ｂを形成可能とするためのものであり、未硬化のペースト状の熱硬化性樹脂をスルーホール６内にスクリーン印刷法により充填し、これを熱硬化させた後、その上下面を平坦に研磨することにより形成される。そして、この孔埋め樹脂７を含むコア用の絶縁板１ａの上下面にビルドアップ用の絶縁層１ｂが積層されている。
【００２３】
コア用の絶縁板１ａの上下面に積層されたビルドアップ用の絶縁層１ｂは、それぞれの厚みが２０〜５０μｍ程度であり、各層の上面から下面にかけて直径が３０〜１００μｍ程度の複数のビアホール８を有している。これらの絶縁層１ｂは、配線導体２を高密度に配線するための絶縁間隔を提供するためのものであり、各絶縁層１ｂにはその表面およびビアホール８内に配線導体２の一部が被着されている。そして、上層の配線導体２と下層の配線導体２とをビアホール８の内部を介して電気的に接続することにより高密度配線を立体的に形成可能としている。
【００２４】
このようなビルドアップ用の絶縁層１ｂは、厚みが２０〜５０μｍ程度の未硬化の熱硬化性樹脂フィルムをコア用の絶縁板１ａの上下面に貼着し、これを熱硬化させるとともにレーザ加工によりビアホール８を穿孔し、さらにその上に同様にして次のビルドアップ用の絶縁層１ｂを順次積み重ねることによって形成される。なお、各絶縁層１ｂ表面およびビアホール８内に被着された配線導体２は、各絶縁層１ｂを形成する毎に各絶縁層１ｂの表面およびビアホール８内に５〜５０μｍ程度の厚みの銅めっき膜を公知のセミアディティブ法やサブトラクティブ法等のパターン形成法により所定のパターンに被着させることによって形成される。
【００２５】
絶縁基板１の上面から下面にかけて形成された配線導体２は、半導体素子Ｅの各電極Ｔ１を外部電気回路基板に接続するための導電路として機能する。なお、配線導体２には半導体素子Ｅに接地電位を供給するための接地用の配線導体２と、電源電位を供給するための電源用の配線導体２と、半導体素子Ｅとの間で信号の入出力を行なうための信号用の配線導体２とがある。
【００２６】
配線導体２の一部は、搭載部１ａにおいて複数の半導体素子接続パッド３を形成している。半導体素子接続パッド３は、直径が５０〜１００μｍ程度の円形のパターンから成り、例えば格子状に配列されている。半導体素子接続パッド３には、半導体素子Ｅの各電極Ｔ１が半田バンプＳ１を介して接続される。また、配線導体２の一部は、絶縁基体１の下面において複数の外部接続パッド４を形成している。外部接続パッド４は、直径が３００〜５００μｍ程度の円形のパターンから成り、例えば格子状に配列されている。外部接続パッド４は、外部電気回路基板に半田ボールＳ２を介して接続される。そして、これらの半導体素子接続パッド３および外部接続パッド４は、接地用、電源用および信号用の半導体素子接続パッド３および外部接続パッド４を有しており、それぞれ対応する接地用、電源用および信号用の配線導体２に接続されている。
【００２７】
さらに、本例のチップコンデンサ接続パッド付き配線基板１０においては、絶縁基板１の搭載部１ａ周辺の上面にセラミックチップコンデンサ等の表面実装型のチップコンデンサＣを接続するためのチップコンデンサ接続パッド５が設けられている。そして、これらのチップコンデンサ接続パッド５には、チップコンデンサＣの電極Ｔ２が半田Ｓ３を介して接続される。
【００２８】
チップコンデンサ接続パッド５は、図２に示すように、チップコンデンサＣの一対の電極Ｔ２に対応して並設されている。これらの一対のチップコンデンサ接続パッド５は、その一方が接地用の配線導体２に電気的に接続されており、他方が電源用の配線導体２に電気的に接続されている。チップコンデンサ接続パッド５は、上面視でチップコンデンサＣの電極Ｔ２よりも大きい長方形である。また、一対のチップコンデンサ接続パッド５の中心間距離Ｄ１は、チップコンデンサＣの電極Ｔ２の中心間距離Ｄ２よりも大きなものとなっている。さらに、チップコンデンサ接続パッド５は、絶縁基板１の外周辺に対して上面視で斜め向きに配置されている。このように、チップコンデンサ接続パッド５を絶縁基板１の外周辺に対して上面視で斜め向きに配置することにより、後述するように、チップコンデンサＣをチップコンデンサ接続パッド５上の半田Ｓ３上に載置する際、チップコンデンサＣをチップコンデンサ接続パッド５に対して上面視で斜め向きに搭載することが容易となる。この場合、チップコンデンサ接続パッド５が絶縁基板１の外周辺に平行な方向となす角度θを１５〜４０度の範囲とすることが好ましい。
【００２９】
チップコンデンサＣは、図３に斜視図で示すように、チップコンデンサ本体Ｂと、チップコンデンサ本体Ｂの表面に被着された電極Ｔ２とを有している。チップコンデンサ本体Ｂは、セラミック誘電体層とメタライズ金属層とを多層に一体的に積層してなり、上面視で長辺および短辺を有する直方体形状をしている。電極Ｔ２は、メタライズ金属層から成り、チップコンデンサ本体Ｂの各長辺側の下面から側面を介して上面にかけて対をなすように被着されている。これらのチップコンデンサ接続パッド５に搭載されるチップコンデンサＣは、接地用の配線導体２と電源用の配線導体２との間に電気的に接続されることにより接地電位や電源電位の変動を抑制して半導体素子Ｅの誤動作を防止するためのデカップリングコンデンサとして機能する。
【００３０】
ここで、チップコンデンサ接続パッド５にチップコンデンサＣを搭載する方法を説明する。まず、図４（ａ），（ｂ）に示すように、チップコンデンサ接続パッド５に半田Ｓ３を溶着する。半田Ｓ３を溶着するには、チップコンデンサ接続パッド５上に半田ペーストを印刷塗布した後、その半田ペースト中の半田を加熱溶融させた後に冷却固化する方法が採用される。このとき、チップコンデンサ接続パッド５に溶着された半田Ｓ３は、溶融時の表面張力によりチップコンデンサ接続パッド５の短辺方向の中央部に頂点を有するドーム形状となる。
【００３１】
次に、図５（ａ），（ｂ）に示すように、それぞれ対応する電極Ｔ２と半田Ｓ３の頂点とが一対一で接触するように、チップコンデンサＣをチップコンデンサ接続パッド５に対して上面視で斜め向きに載置する。このとき、半田Ｓ３は、チップコンデンサ接続パッド５の短辺方向の中央部に頂点を有するドーム形状となっていることから、チップコンデンサＣの電極Ｔ２と半田Ｓ３とは半田Ｓ３の頂点のみで接触する。そのため、例えば図６（ａ），（ｂ）に示すように、両方の電極Ｔ２が一つのチップコンデンサ接続パッド５上に大きく重なる角度θまで斜めにしたとしても、それぞれ対応する電極Ｔ２と半田Ｓ３の頂点とを一対一で接触させることが可能である。したがって、本発明によれば、チップコンデンサＣを載置する際の角度θの自由度が大きく、高精度の載置を必要としない。
【００３２】
なお、チップコンデンサＣとチップコンデンサ接続パッド５との成す角度θは１５〜４０度であることが好ましい。角度θがこの範囲内であると、それぞれ対応する電極Ｔ２と半田Ｓ３の頂点とを一対一で接触させることが容易となる。角度θが１５度未満であると、チップコンデンサＣの一方の電極Ｔ２が半田Ｓ３の頂点に接しない危険性が大きくなる。角度θが４０度を超えると、チップコンデンサＣの両方の電極Ｔ２が少なくとも一方の半田Ｓ３の頂点と接してしまう危険性が大きくなる。ところで、図２に示したように、チップコンデンサ接続パッド５を絶縁基板１の外周辺に対して上面視で所定の角度θで斜め向きに配置しておけば、チップコンデンサＣをチップコンデンサ接続パッド５上の半田Ｓ３上に載置する際、チップコンデンサＣの角度をいちいち調整することなく容易に載置することができる。この場合、チップコンデンサＣを載置するには、チップコンデンサＣを絶縁基板１の外周辺に対して平行または直角な方向でチップコンデンサ接続パッド５上に載置することが可能なチップマウンターを用いて載置すればよい。
【００３３】
次に図７（ａ），（ｂ）に示すように、半田Ｓ３を例えばリフロー装置により加熱溶融させる。このとき、チップコンデンサＣの電極Ｔ２とチップコンデンサ接続パッド５上の半田Ｓ３の頂点とが一対一で接触するようにチップコンデンサＣがチップコンデンサ接続パッド５に対して上面視で斜め向きに載置されていることから、それぞれ対応するチップコンデンサＣの電極Ｔ２とチップコンデンサ接続パッド５上の半田Ｓ３とを確実に接触させた状態で半田Ｓ３を溶融させることができる。さらに半田Ｓ３の溶融が始まった時点では、チップコンデンサＣはチップコンデンサ接続パッド５に対して上面視で斜めに向いているため、溶融した半田Ｔ３の表面張力による応力はチップコンデンサＣを起き上がらせる方向には働きにくく、チップコンデンサＣの向きをチップコンデンサ接続パッド５に対して平行な向きに回転させる方向に大きく働くので、チップコンデンサＣが回転する間にそれぞれ対応するチップコンデンサＣの電極Ｔ２とチップコンデンサ接続パッド５上の半田Ｓ３とが十分に濡れてチップコンデンサＣがチップコンデンサ接続パッド５に対して平行な向きで確実に接続される。しかる後、溶融した半田Ｓ３を冷却することにより、チップコンデンサＣが半田Ｓ３を介してチップコンデンサ接続パッド５上に実装される。かくして、図８に示すように、チップコンデンサ接続パッド付き配線基板１０のチップコンデンサ接続パッド５にチップコンデンサＣが搭載されたチップコンデンサ付き配線基板が完成する。
【００３４】
このように本発明のチップコンデンサの搭載方法によれば、チップコンデンサＣをチップコンデンサ接続パッド５に確実に搭載することが可能である。また、本発明のチップコンデンサ付き配線基板の製造方法によれば、チップコンデンサＣの搭載不良が発生することがなく、搭載される半導体素子Ｅの誤動作を有効に防止することが可能なチップコンデンサ付き配線基板を歩留り高く製造することができる。さらに本発明のチップコンデンサ接続パッド付き配線基板によれば、本発明のチップコンデンサの搭載方法および本発明のチップコンデンサ付き配線基板の製造方法に好適なチップコンデンサ接続パッド付き配線基板１０を提供することができる。
【００３５】
なお、本発明は、上述の実施形態例に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲であれば、種々の変更は可能である。例えば上述の実施形態例では、チップコンデンサ接続パッド５を絶縁基板１の外周辺に対して上面視で斜め向きに配置していたが、チップコンデンサ接続パッド５を絶縁基板１の外周辺と平行な向きに配置してもよい。この場合、チップコンデンサＣを搭載する際に、チップコンデンサＣを水平方向に自在に回転可能な機構を有するチップマウンターを用いてチップコンデンサＣを搭載することにより、それぞれ対応する電極Ｔ２と半田Ｓ３の頂点とが一対一で接触するように、チップコンデンサＣをチップコンデンサ接続パッド５に対して上面視で斜め向きに載置することができる。
【実施例１】
【００３６】
次に本発明の実施例について説明する。先ず、チップコンデンサを用意した。チップコンデンサは、長辺が１ｍｍ、短辺が０．５ｍｍ、高さが０．３ｍｍの略直方体であり、各長辺側の下面から側面を介して上面にかけて一対の電極を有している。上面視における電極の幅は０．１８ｍｍである。電極の表面はニッケルおよび金めっきされている。
【００３７】
また、絶縁基板の上面にチップコンデンサの電極に対応して対をなすチップコンデンサ接続パッドを設けた。チップコンデンサ接続パッドは、長さが１．２５ｍｍ、幅が０．３ｍｍ、厚みが２０μｍであり、対をなすチップコンデンサ接続パッド同士の間隔は０．２ｍｍとした。チップコンデンサ接続パッドは、銅めっきにより形成した。
【００３８】
次に、チップコンデンサ接続パッド上に半田を溶着させた。半田の溶着は、チップコンデンサ接続パッド上に半田ペーストを塗布した後、リフローする方法を採用した。これにより、チップコンデンサ接続パッド上に３０μｍの高さのドーム形状の半田が溶着された。
【００３９】
次に、それぞれ対応するチップコンデンサ電極と半田の頂点とが一対一で接触するように、チップコンデンサをチップコンデンサ接続パッドに対して上面視で斜め向きに載置した。チップコンデンサ接続パッドの長辺に対するチップコンデンサの長辺の角度は、１０〜４５度の範囲とした。
【００４０】
次に、リフロー装置を用いて半田を溶融させた後、冷却することによってチップコンデンサをチップコンデンサ接続パッド上に半田を介して搭載した。
【００４１】
図９に、チップコンデンサをチップコンデンサ接続パッドの半田上に載置した後の写真と、それをリフローした後の写真とを上下に並べて示す。図９に示すように、本発明によれば、チップコンデンサ接続パッドに対して斜めに載置されたチップコンデンサは、リフロー後には両方の電極に対して半田が良好に濡れるとともに溶融した半田の表面張力によりチップコンデンサ接続パッドと平行な位置に回転して確実に搭載された。
【符号の説明】
【００４２】
１        ：絶縁基板
２        ：配線導体
１ａ      ：搭載部
３        ：半導体素子接続パッド
５        ：チップコンデンサ接続パッド
１０      ：チップコンデンサ接続パッド付き配線基板
Ｂ        ：チップコンデンサ本体
Ｃ        ：チップコンデンサ
Ｔ２      ：チップコンデンサの電極
Ｓ３      ：半田
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図９】
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