(57)【要約】【課題】凹部が形成された配線基板材料からなる被処理物を効率よく短時間で処理することのできる光源装置、およびその光源装置を備えたデスミア処理装置を提供すること。【解決手段】光源装置は、凹部が形成された配線基板材料からなる被処理物に向かって真空紫外線を放射する紫外線放射ランプ、並びに、前記被処理物の被処理面と前記紫外線放射ランプとの間に配置された光透過性窓ユニットを備え、光透過性窓ユニットは、紫外線放射ランプ側に配置された石英ガラスよりなる第１の板部材と、被処理物側に配置された第２の板部材とを備え、これらの板部材の間隙に処理用ガスを導入するガス導入部が設けられており、第２の板部材には、第２の板部材を厚み方向に貫通する貫通孔によるガス供給口が形成されており、ガス供給口から被処理物の被処理面に対して、紫外線放射ランプからの真空紫外線が照射された処理用ガスが供給されることを特徴とする。【選択図】図１
2015103545.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
凹部が形成された配線基板材料からなる被処理物に向かって波長２２０ｎｍ以下の真空紫外線を放射する紫外線放射ランプ、並びに、前記被処理物の被処理面と前記紫外線放射ランプとの間に、当該被処理面および当該紫外線放射ランプと対向するよう配置された、当該紫外線放射ランプからの真空紫外線を透過する光透過性窓ユニットを備えた光源装置において、
前記光透過性窓ユニットは、紫外線放射ランプ側に配置された石英ガラスよりなる第１の板部材と、当該第１の板部材と離間した状態で被処理物側に配置された第２の板部材とを備え、これらの第１の板部材と第２の板部材との間隙に、前記紫外線放射ランプからの真空紫外線により活性種を生成する活性種源を５０体積％以上含有する処理用ガスを導入するガス導入部が設けられており、
前記第２の板部材には、当該第２の板部材を厚み方向に貫通する貫通孔によるガス供給口が形成されており、当該ガス供給口から前記被処理物の被処理面に対して、前記紫外線放射ランプからの真空紫外線が照射された処理用ガスが供給されることを特徴とする光源装置。
【請求項２】
前記第２の板部材が石英ガラスよりなることを特徴とする請求項１に記載の光源装置。
【請求項３】
請求項１に記載の光源装置と、前記被処理物を配置する被処理物支持台とを備えたデスミア処理装置において、
前記被処理物が配置された前記被処理物支持台と前記光透過性窓ユニットとの間には、前記ガス供給口から供給された、前記紫外線放射ランプからの真空紫外線が照射された処理用ガスが流動する空間が形成されており、当該空間からガスを排出するガス排出部が前記被処理物の周縁位置に設けられていることを特徴とするデスミア処理装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、光源装置およびデスミア処理装置に関する。更に詳しくは、本発明は、例えばプリント基板製造工程におけるスミアの除去（デスミア）処理に好適な光源装置、および当該光源装置を備えたデスミア処理装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
現在、例えば、半導体や液晶等の製造工程におけるレジストの光アッシング処理、ナノインプリント装置におけるテンプレートのパターン面に付着したレジストの除去あるいは液晶用のガラス基板やシリコンウエハなどのドライ洗浄処理、プリント基板製造工程におけるスミアの除去処理、すなわちデスミア処理を行う方法として、紫外線を用いたドライ洗浄方法が知られている。そして、これらの処理を行うための処理装置としては、エキシマランプなどの真空紫外線を放射する紫外線放射ランプを備えた光源装置を紫外線光源として用いたものが提案されている（例えば、特許文献１〜特許文献３参照。）。これらの処理装置は、真空紫外線により生成される活性種（具体的には、例えばオゾンおよび活性酸素）を利用するものである。
【０００３】
このような真空紫外線を利用した処理装置の或る種のものは、例えば図３に示すように、真空紫外線を放射する紫外線放射ランプ５１からの光を、例えば酸素ガスを含む処理用ガスの雰囲気下に配置された被処理物（ワーク）Ｗの被処理面Ｗａに対して、光透過性窓部材５８を介して照射する構成とされている。
この処理装置においては、複数の紫外線放射ランプ５１によって光源ユニット５０が構成されている。この光源ユニット５０は、一方（図３における下方）に開口部を有する箱型状のケーシング５２を備えており、このケーシング５２の開口部には、当該開口部を気密に塞ぐよう平板状の光透過性窓部材５８が設けられている。ケーシング５２内には、複数の棒状の紫外線放射ランプ５１が、ランプ中心軸が同一水平面内において互いに平行に延びる状態で配置されている。また、反射ミラー５４と、複数の紫外線放射ランプ５１を冷却するための冷却ブロック５５とが設けられている。
また、この処理装置には、被処理物Ｗが載置される被処理物支持台（図示省略）と光透過性窓部材５８との間隙に処理用ガスを供給するためのノズル５９が設けられている。このノズル５９は、処理用ガスを、被処理物Ｗの被処理面Ｗａに沿うように一方向（図３においては右方向）に向かって流動させ、また一定量の処理用ガスを光透過性窓部材５８に吹き付けるように供給するものである。
図３において、５６は、窒素ガスなどの不活性ガスをケーシング５２内に導入するための不活性ガス供給部であり、５７は不活性ガス排出部である。
また、図３においては、ノズル５９からの処理用ガスの供給方向が矢印で示されている。
【０００４】
このような処理装置においては、配線基板材料を被処理物Ｗとする場合には、被処理物Ｗの被処理面Ｗａに対して高い均一性をもって処理を行うために、ノズル５９からの処理用ガスの供給条件が制御されている。
具体的に説明すると、光透過性窓部材５８と被処理物Ｗとの間隙によって形成されるガス流路においては、ガス流速が大きい場合には、上流側（図３における左側）において真空紫外線により生成された活性種（オゾンおよび活性酸素）が、ガスの流れによって大きく下流側（図３における右側）に移動されてしまう。その結果、被処理物Ｗの被処理面Ｗａにおいては、ガス流路の上流側に位置されていた部分が、下流側に位置されていた部分に比して処理が不十分となり、よって被処理物Ｗを均一に処理することができない。そのため、ノズル５９からの処理用ガスの供給が比較的小さなガス流速でなされている。
また、処理用ガスを比較的小さなガス流速で供給することによれば、ガス流路において乱流が生じにくくなり、ガスの流れの層流化が図られることから、被処理物Ｗの被処理面Ｗａ上におけるガスの流速分布に均一性を得ることができる。
【０００５】
しかしながら、このような処理装置においては、被処理物Ｗの処理時間の短縮化の要請があるところ、特に被処理物Ｗが配線基板材料よりなり、ビアホールなどの凹部を有するものである場合において、その要請に応じることができない、という問題がある。
具体的に説明すると、被処理物Ｗが凹部を有するものである場合には、ガス流路におけるガスの流れが層流化されていることに起因して、当該ガス流路を流動する処理用ガスが凹部の内部に流入しにくく、よって被処理面Ｗａが処理されることによって発生する反応生成ガス（具体的には、例えば二酸化炭素ガス）が凹部から排出されずに滞留しやすくなる。しかも、反応生成ガスには真空紫外線を吸収するガスが含まれていることから、凹部の底面に到達する真空紫外線量が小さくなる。そのため、凹部の底面においては、真空紫外線の照射量が小さく、しかも当該底面の処理に供されるオゾンおよび活性酸素の量が少なくなることから、被処理物Ｗの処理により多くの時間を要することとなる。
また、ガス流路、すなわち光透過性窓部材５８と被処理物Ｗとの間隙においては、光透過性窓部材５８から出射された真空紫外線が、被処理物Ｗに至るまでの過程において、処理用ガス中の酸素に吸収されることにより、オゾンおよび活性酸素が生成される。このため、光透過性窓部材５８の近傍においてより多くのオゾンおよび活性酸素が生成されることから、被処理物Ｗの近傍のオゾンおよび活性酸素の生成量が相対的に小さくなってしまう。しかも、ガス流路におけるガスの流れが層流化されていることに起因して、光透過性窓部材５８の近傍において生成されたオゾンおよび活性酸素は、被処理物Ｗの被処理面Ｗａ側に移動されにくく、よって被処理物Ｗの処理に有効に利用することができない。このような要因によっても被処理物Ｗの処理に多くの時間を要することとなる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特許第２７０５０２３号公報
【特許文献２】特開平８−１８０７５７号公報
【特許文献３】特開２００４−１５２８４２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
本発明は、以上のような事情に基づいてなされたものであって、その目的は、凹部が形成された配線基板材料からなる被処理物を効率よく短時間で処理することのできる光源装置、およびその光源装置を備えたデスミア処理装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明の光源装置は、凹部が形成された配線基板材料からなる被処理物に向かって波長２２０ｎｍ以下の真空紫外線を放射する紫外線放射ランプ、並びに、前記被処理物の被処理面と前記紫外線放射ランプとの間に、当該被処理面および当該紫外線放射ランプと対向するよう配置された、当該紫外線放射ランプからの真空紫外線を透過する光透過性窓ユニットを備えた光源装置において、
前記光透過性窓ユニットは、紫外線放射ランプ側に配置された石英ガラスよりなる第１の板部材と、当該第１の板部材と離間した状態で被処理物側に配置された第２の板部材とを備え、これらの第１の板部材と第２の板部材との間隙に、前記紫外線放射ランプからの真空紫外線により活性種を生成する活性種源を５０体積％以上含有する処理用ガスを導入するガス導入部が設けられており、
前記第２の板部材には、当該第２の板部材を厚み方向に貫通する貫通孔によるガス供給口が形成されており、当該ガス供給口から前記被処理物の被処理面に対して、前記紫外線放射ランプからの真空紫外線が照射された処理用ガスが供給されることを特徴とする。
【０００９】
本発明の光源装置においては、前記第２の板部材が石英ガラスよりなることが好ましい。
【００１０】
本発明のデスミア処理装置は、本発明の光源装置と、前記被処理物を配置する被処理物支持台とを備えたデスミア処理装置において、
前記被処理物が配置された前記被処理物支持台と前記光透過性窓ユニットとの間には、前記ガス供給口から供給された、前記紫外線放射ランプからの真空紫外線が照射された処理用ガスが流動する空間が形成されており、当該空間からガスを排出するガス排出部が前記被処理物の周縁位置に設けられていることを特徴とする。
【発明の効果】
【００１１】
本発明の光源装置においては、被処理物の被処理面に対して、第１の板部材と第２の板部材との間隙にガス導入部から導入され、当該間隙を流動する過程において紫外線放射ランプからの真空紫外線が照射された処理用ガスが、当該第２の板部材に形成されたガス供給口から供給される。そして、このガス供給口が被処理物の被処理面に対向するように設けられたものであることから、当該ガス供給口からは、真空紫外線が照射された処理用ガスを、被処理物の被処理面に向かって噴出させることができる。
従って、被処理物の被処理面における凹部の内部に、真空紫外線が照射された処理用ガスを流入させることができることから、当該凹部において被処理面が処理されることによって発生する反応生成ガスが滞留することがない。そのため、凹部に反応生成ガスが滞留することに起因して、当該凹部の底面に到達する真空紫外線の照射量が小さくなったり、当該底面の処理に供される、真空紫外線により生成された活性種の量が少なくなることがないことから、被処理面に対して均一に処理を行うことができる。
また、第１の板部材と第２の板部材との間隙において、第１の板部材から第２の板部材に向かう方向にもガスの流れが生じることから、第１の板部材の近傍において生成された活性種を、被処理物の被処理面に向かって移動させて、被処理物の処理に有効に利用することができる。
従って、本発明の光源装置によれば、凹部が形成された配線基板材料からなる被処理物を効率よく短時間で処理することができる。
【００１２】
本発明のデスミア処理装置においては、本発明の光源装置が設けられていると共に、被処理物の周縁位置にガス排出部が設けられている。そのため、ガス導入部から第１の板部材と第２の板部材との間隙に導入され、紫外線放射ランプからの真空紫外線が照射された処理用ガスが、ガス供給口から被処理物の被処理面に向かって噴出し、更に被処理物の被処理面に沿って流動するように誘導することができる。従って、凹部が形成された配線基板材料からなる被処理物を効率よく短時間で処理することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１３】
【図１】本発明のデスミア処理装置の構成の一例における、当該デスミア処理装置を構成する紫外線放射ランプの管軸方向に垂直な方向の断面を示す説明用断面図である。
【図２】図１のデスミア処理装置における紫外線放射ランプの管軸方向の断面を示す説明用断面図である。
【図３】従来の処理装置の構成の一例を示す説明用断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１４】
以下、本発明の実施の形態について説明する。
図１は、本発明のデスミア処置装置の構成の一例における、当該デスミア処理装置を構成する紫外線放射ランプの管軸方向に垂直な方向の断面を示す説明用断面図であり、図２は、図１のデスミア処理装置における紫外線放射ランプの管軸方向の断面を示す説明用断面図である。
デスミア処理装置１０は、ビアホールなどの凹部Ｗｂが形成された配線基板材料を被処理物（ワーク）Ｗとして処理するものである。
この被処理物Ｗは、多層構造を有し、複数の凹部Ｗｂが形成されたものである。
この図の例において、被処理物Ｗは、略矩形平板状の形状を有するものである。
【００１５】
このデスミア処理装置１０は、被処理物Ｗを配置する直方体状の被処理物支持台１１を有する保持装置と、被処理物支持台１１の上方（図１および図２における上方）に配置された光源装置２０とを備えてなるものである。
このデスミア処理装置１０において、光源装置２０は、複数（図の例においては８本）の紫外線放射ランプ２２を有する光源ユニット２１、および複数の紫外線放射ランプ２２と被処理物支持台１１の被処理物載置面１１ａ上に載置される被処理物Ｗの被処理面（上面）Ｗａとの間に配設される光透過性窓ユニット３０を備えている。
また、デスミア処理装置１０には、被処理物支持台１１の側面を包囲するように矩形環状の光源ユニット支持台１４が設けられており、この光源ユニット支持台１４の上面に光源ユニット２１が配置されている。そして、光源ユニット２１は、被処理物載置面１１ａと平行な状態で対向配置されている。また、光源ユニット支持台１４には、被処理物支持台１１を上下方向（図１および図２における上下方向）に摺動可能に収容する収容空間が形成されていると共に、内周面の全周にわたって伸びる凹部１４ａによって光透過性窓ユニット配置部が形成されている。そして、この光透過性窓ユニット配置部に光透過性窓ユニット３０が配設されることにより、光透過性窓ユニット３０は被処理物載置面１１ａと平行な状態で対向配置されている。このようにして、光透過性窓ユニット３０と被処理物支持台１１との間に一定の厚みを有する処理用空間Ｓが形成されている。すなわち、処理用空間Ｓは、被処理物支持台１１、光透過性窓ユニット３０および光源ユニット支持台１４によって区画されて密閉されている。この処理用空間Ｓにおいて、被処理物載置面１１ａには、被処理物Ｗの被処理面Ｗａを、真空紫外線および活性種（具体的には、例えばオゾンおよび活性酸素）によって処理することのできる有効処理領域が形成されている。そして、この有効処理領域には、被処理物Ｗが、被処理面Ｗａが間隙を介して光透過性窓ユニット３０と対向するように配置される。
【００１６】
保持装置を構成する被処理物支持台１１は、被処理物載置面１１ａが、平坦面とされ、被処理物Ｗの被処理面Ｗａよりも大きな縦横寸法を有するものである。
また、保持装置には、被処理物支持台１１を上下方向に駆動する駆動機構が設けられている。この駆動機構によって被処理物支持台１１を上下動することより、被処理物Ｗと光透過性窓ユニット３０との離間距離を調整することができる。すなわち、デスミア処理装置１０においては、被処理物Ｗの厚みによらず、被処理物Ｗと光透過性窓ユニット３０との離間距離を所期の大きさにすることができる。
ここに、被処理物Ｗと光透過性窓ユニット３０との離間距離は、１ｍｍ以下とされ、好ましくは０．１〜１.０ｍｍであり、更に好ましくは０．１〜０．５ｍｍであり、特に好ましくは０．３〜０．５ｍｍである。
被処理物Ｗと光透過性窓ユニット３０との離間距離が１ｍｍ以下であることにより、処理用空間Ｓにおいて、活性種を安定して生成することができると共に、被処理物Ｗの被処理面Ｗａに到達する真空紫外線を十分な大きさの強度（光量）とすることができる。
この図の例において、被処理物Ｗと光透過性窓ユニット３０との離間距離は０．５ｍｍである。
【００１７】
光源装置を構成する光源ユニット２１は、一方（図１および図２において下方）に開口部を有する略直方体の箱型形状のケーシング２３を備えている。このケーシング２３内には、複数の棒状の紫外線放射ランプ２２が配設されている。これらの複数の紫外線放射ランプ２２は、中心軸が同一水平面内において互いに平行に伸びるよう一定の間隔（図２においては等間隔）で並列している。また、ケーシング２３には、例えば窒素ガスなどの不活性ガスをパージする不活性ガスパージ手段（図示省略）が設けられている。この不活性ガスパージ手段が設けられていることにより、紫外線放射ランプ２２からの真空紫外線を光源ユニット２１からの出射光として有効に利用することができる。すなわち、ケーシング２３内において、紫外線放射ランプ２２からの真空紫外線がケーシング２３内の雰囲気を構成するガスによって吸収されることを防止することができる。
そして、光源ユニット２１は、光源ユニット支持台１４の上面に配置されることにより、ケーシング２３の開口部が、光透過性窓ユニット３０、光源ユニット支持台１４および被処理物支持台１１によって閉塞され、ケーシング２３の内部に密閉されたランプ収容空間が形成されている。また、複数の紫外線放射ランプ２２が光透過性窓ユニット３０を介して被処理物Ｗの被処理面Ｗａと対向した状態とされる。
【００１８】
紫外線放射ランプ２２としては、波長２２０ｎｍ以下の真空紫外線を放射するものであれば、被処理物Ｗの種類に応じて、公知の種々のランプを用いることができる。具体的には、紫外線放射ランプ２２としては、中心波長が１７２ｎｍの真空紫外線を放射するキセノンエキシマランプなどを例示することができる。
この図の例において、紫外線放射ランプ２２としては、特定方向（図１および図２における下方向）に光を照射する角型のエキシマランプが用いられている。
【００１９】
光源装置２０を構成する光透過性窓ユニット３０は、石英ガラスよりなる第１の板部材３１と、この第１の板部材３１に離間した状態で対向配置された第２の板部材３２とを備えており、これらの第１の板部材３１と第２の板部材３２との間隙（以下、「ガス流通間隙」ともいう。）に処理用ガスを導入するためのガス導入部４５が設けられたものである。
この光透過性窓ユニット３０において、第１の板部材３１と第２の板部材３２とは、第１の板部材３１が紫外線放射ランプ２２側（図１および図２における上側）に位置し、第２の板部材３２が被処理物支持台１１側（図１および図２における下側）に位置するよう、矩形環状の支持部材４１によって支持されている。そして、第１の板部材３１と第２の板部材３２とは、各々、複数の紫外線放射ランプ２２および被処理物載置面１１ａと対向配置されている。
また、ガス流通間隙は、一定の厚みを有するものであってもよく、厚みが連続的または断続的に変化するものあってもよい。
この図の例において、第１の板部材３１と第２の板部材３２とは被処理物載置面１１ａと平行な状態とされており、よって第１の板部材３１と第２の板部材３２とは平行とされ、ガス流通間隙が一定の厚みを有するものとされている。
【００２０】
第１の板部材３１は、石英ガラスよりなるものであって紫外線放射ランプ２２からの真空紫外線に対する透過性を有している。
そして、第１の板部材３１は、矩形平板状の形状を有しており、光透過性窓ユニット３０におけるガス流通間隙と、光源ユニット２１におけるランプ収容空間とを隔離している。
また、第１の板部材３１の厚みは、第１の板部材３１と第２の板部材３２との離間距離などを考慮して定められるが、例えば２ｍｍである。
この図の例において、第１の板部材３１は、被処理物載置面１１ａより僅かに大きな縦横寸法を有するものである。また、ガス流通間隙とランプ収容空間とは、第１の板部材３１、支持部材４１および光源ユニット支持台１４によって隔離されている。
【００２１】
第２の板部材３２は、略矩形平板状の形状を有しており、当該第２の板部材３２を厚み方向に貫通する貫通孔３３が複数形成されてなる多孔板である。そして、この複数の貫通孔３３により、紫外線放射ランプ２２が点灯された状態において、ガス導入部４５からガス流通間隙に導入され、紫外線放射ランプ２２からの真空紫外線が照射された処理用ガス（以下、「活性種生成ガス」ともいう。）を、被処理物Ｗの被処理面Ｗａに対して供給するためのガス供給口が構成されている。
この第２の板部材３２において、複数の貫通孔３３は、少なくとも被処理物載置面１１ａにおける有効処理領域に対向する領域に、一定の間隔（図１および図２においては等間隔）で二次元的に配列されている。
この図の例において、第２の板部材３２は、第１の板部材３１と同様の縦横寸法を有するものである。また、複数の貫通孔３３は、被処理物載置面１１ａに垂直な方向に伸びている。
【００２２】
第２の板部材３２を構成する多孔体の形態は、図１および図２に示されているような貫通孔３３が形成された多孔質板であってもよく、また網目によって貫通孔が構成された網状板であってもよい。
また、ガス供給口を構成する複数の貫通孔３３において、貫通孔３３の大きさおよび互いに隣接する貫通孔３３の離間距離は、被処理物Ｗの被処理面Ｗａの形状（具体的には、凹部Ｗｂの形状および凹部Ｗｂの形成位置等）および第２の板部材３２の材質および厚みなどに応じ、また有効処理領域の大きさなどを考慮して適宜に設定することができる。また、貫通孔３３の形状は、円形、矩形等の多角形、その他適宜の形状に設定することができるが、第２の板部材３２の厚み方向の断面形状は、矩形または台形であることが好ましい。
更に、ガス供給口を構成する複数の貫通孔３３は、そのすべてが同一の大きさを有していることが好ましいが、例えばガス供給機構によるガス供給条件（具体的にはガス流速等）などによっては異なる大きさを有するものであってもよい。具体的には、ガス導入部４５の近傍、すなわちガス流通間隙の上流側（図１における右側）に位置する貫通孔が、当該ガス流通間隙の下流側（図１における左側）位置する貫通孔に比して小さいものであってもよい。
ここに、第２の板部材３２が複数の貫通孔３３が等間隔で配列された多孔質板よりなり、当該複数の貫通孔３３の形状が円形である場合において、貫通孔３３の大きさおよび互いに隣接する貫通孔３３の離間距離の一例としては、当該貫通孔３３の内径が１〜３ｍｍであり、等間隔ピッチが３〜５ｍｍである。
この図の例において、第２の板部材３２には、当該第２の板部材３２の厚み方向の断面形状が矩形であって、内径が２ｍｍの円形の複数の貫通孔３３が、等間隔（等間隔ピッチ５ｍｍ）で二次元的に配列されている。
【００２３】
第２の板部材３２の厚みは、第２の板部材３２の材質、および第１の板部材３１と第２の板部材３２との離間距離などを考慮して定められるが、例えば２ｍｍである。
【００２４】
第２の板部材３２の材質としては、紫外線放射ランプ２２からの真空紫外線に対する耐性を有すると共に、処理用ガス、真空紫外線により生成される活性種および被処理面Ｗａが処理されることによって発生する反応生成ガスに対する耐性を有するものが挙げられる。
また、第２の板部材３２の材質は、紫外線放射ランプ２２からの真空紫外線に対する透過性を有するものが好ましいが、透過性を有さないものであってもよい。
第２の板部材３２の材質が真空紫外線に対する透過性を有するものであることにより、第２の板部材３２によって紫外線放射ランプ２２からの真空紫外線が遮光されることがないため、紫外線放射ランプ２２からの真空紫外線を有効に利用することができる。また、紫外線放射ランプ２２からの真空紫外線が遮光されるという弊害を伴うことなく、貫通孔３３を小径化したり、互いに隣接する貫通孔３３の離間距離を大きくすることができるため、第２の板部材３２に大きな設計の自由度が得られる。
【００２５】
第２の板部材３２の材質の好ましい具体例としては、石英ガラスが挙げられる。
この図の例において、第２の板部材３２は石英ガラスよりなる多孔質板であり、よって第２の板部材３２は第１の板部材３１と同様に、紫外線放射ランプ２２からの真空紫外線に対する透過性を有するものである。
【００２６】
光透過性窓ユニット３０において、第１の板部材３１と第２の板部材３２との離間距離は、０．３〜１ｍｍであることが好ましく、更に好ましくは０．３〜０．５ｍｍである。
第１の板部材３１と第２の板部材３２との離間距離が上記の範囲であることにより、ガス流通間隙において活性種を安定して生成することができると共に、被処理物Ｗの被処理面Ｗａに到達する真空紫外線を十分な大きさの強度（光量）とすることができる。更に、処理用空間Ｓにおいても活性種を安定して生成することができる。
【００２７】
支持部材４１は、矩形環状の形状を有しており、その内周面の全周にわたって伸びる凹部よりなる第１の挟持部４３および第２の挟持部４４が設けられたものである。そして、支持部材４１は、第１の板挟持部４３によって第１の板部材３１の外周縁部を密着挟持し、また第２の挟持部４４によって第２の板部材３２の外周縁部を密着挟持している。
この支持部材４１の材質としては、紫外線放射ランプ２２からの真空紫外線、処理用ガスおよび真空紫外線により生成される活性種に対する耐性を有し、また必要に応じて被処理面Ｗａが処理されることによって発生する反応生成ガスに対する耐性を有するものが挙げられる。支持部材４１の材質の具体例としては、例えばステンレス鋼（ＳＵＳ）およびチタンなどの耐腐食性を有する金属が挙げられる。
【００２８】
そして、光源装置２０には、紫外線放射ランプ２２が点灯された状態において、処理用空間Ｓに活性種生成ガスを供給するガス供給機構が設けられている。
このガス供給機構は、ガス導入部４５と、ガス流通間隙と、ガス供給口とにより構成されており、紫外線放射ランプ２２が点灯されている場合には、処理用空間Ｓに活性種生成ガスを供給し、また、紫外線放射ランプ２２が点灯されていない場合には、処理用空間Ｓに処理用ガスを供給するものである。
【００２９】
ガス導入部４５は、ガス流通間隙に処理用ガスを導入するものであって、紫外線放射ランプ２２からの真空紫外線を含む光を遮光することがないように設けられている。
このガス導入部４５は、ガス流通間隙に対して処理用ガスを一方向（図１における左方向）に向かって導入するものであって、支持部材４１の４つの辺部のうちの１つの辺部４２Ａに形成された処理用ガス流通用貫通孔４６と、この処理用ガス流通用貫通孔４６に接続された筒状のガス導入管４７によって構成されている。
処理用ガス流通用貫通孔４６は、第１の挟持部４３および第２の挟持部４４を構成する２つの凹部の間の位置において、支持部材４１を厚み方向に垂直な方向（図１における左右方向）に貫通するものである。
また、処理用ガス流通用貫通孔４６は、辺部４２Ａのガス流通間隙を臨む内面に、辺部４２Ａの伸びる方向（図１における紙面に垂直な方向）に沿って配置された横長の内側開口４６ａを有するものである。また、辺部４２Ａにおける内面に対向する外面には、外側開口４６ｂを有している。そして、処理用ガス流通用貫通孔４６は、外側開口４６ｂに接続されたガス導入管４７を介して処理用ガス供給源（図示省略）に接続されている。
ここに、処理用ガス流通用貫通孔４６は、１つの横長スリットによって形成されていてもよく、また複数のスリットにより形成されていてもよい。また、内側開口４６ａが外側開口４６ｂに比して大面積を有するものであってもよい。
この図の例において、ガス導入部４５は、ガス流通間隙に対して処理用ガスを紫外線放射ランプ２２の管軸方向に向かって供給するものである。また、処理用ガス流通用貫通孔４６は、内側開口４６ａが外側開口４６ｂに比して大面積の横長スリットよりなるものである。
【００３０】
処理用ガスとしては、波長２２０ｎｍ以下の真空紫外線が照射されることによって活性種を生成する活性種源を５０体積％以上含有するものが用いられる。ここに、活性種源としては、例えば酸素ガスなどが挙げられる。
処理用ガスの具体例としては、例えば酸素ガス、および酸素ガスとオゾンガスとの混合ガスなどが挙げられる。これらのうちでは、処理時間の短縮化を図る観点からは、酸素ガスとオゾンガスとの混合ガスが好ましい。また、処理用ガスは、水蒸気を含むものであってもよい。
【００３１】
処理用ガスにおける活性種源ガスの濃度は、５０体積％以上とされるが、好ましくは８８体積％以上である。
処理用ガスにおける活性種ガスの濃度が上記の範囲とされることにより、紫外線放射ランプ２２からの真空紫外線により生成される活性種の量を多くすることができて所期の処理を確実に行うことができる。特に、処理用ガスが酸素ガスとオゾンガスとの混合ガスである場合には、酸素ガスの濃度が８８体積％以上、すなわちオゾンガスの濃度が１２体積％以下であることによって高い安全性が得られる。
【００３２】
ガス供給機構によるガス供給条件は、被処理物Ｗの被処理面Ｗａの大きさ、第２の板部材３２の形状（具体的には、貫通孔３３の形状および大きさ、並びに互いに隣接する貫通孔３３の離間距離等）および第１の板部材と第２の板部材との離間距離などに応じ、被処理物Ｗの種類、処理用ガスの種類および組成などを考慮して適宜に定められる。
【００３３】
そして、デスミア処理装置１０には、処理用空間Ｓからガスを排出するためのガス排出部が設けられている。このガス排出部は、被処理物の周縁位置に配置されている。
このガス排出部は、光源ユニット支持台１４における４つの辺部１５Ａ，１５Ｂ，１５Ｃ，１５Ｄに形成されたガス排出用貫通孔１６，１７，１８，１９により構成されている。ガス排出用貫通孔１６は、辺部１５Ａの処理用空間Ｓを臨む内面に、辺部１５Ａの伸びる方向（図１における紙面に垂直な方向）に沿って配置された横長のガス排出用開口１６ａを有するものである。また、ガス排出用貫通孔１８は、辺部１５Ｃの処理用空間Ｓを臨む内面に、辺部１５Ｃの伸びる方向（図１における紙面に垂直な方向）に沿って配置された横長のガス排出用開口１８ａを有するものである。すなわち、ガス排出用開口１８ａは、ガス排出用開口１６ａに対向配置されている。
また、ガス排出用貫通孔１７は、辺部１５Ｂの処理用空間Ｓを臨む内面に、辺部１５Ｂの伸びる方向（図２における紙面に垂直な方向）に沿って配置された横長のガス排出用開口１７ａを有するものである。また、ガス排出用貫通孔１９は、辺部１５Ｄの処理用空間Ｓを臨む内面に、辺部１５Ｄの伸びる方向（図２における紙面に垂直な方向）に沿って配置された横長のガス排出用開口１９ａを有するものである。すなわち、ガス排出用開口１９ａは、ガス排出用開口１７ａに対向配置されている。
ここに、ガス排出用開口１６，１７，１８，１９は、各々、１つの横長スリットによって形成されていてもよく、また複数のスリットにより形成されていてもよい。
この図の例において、ガス排出用開口１６ａ，１７ａ，１８ａ，１９ａは、辺部１５Ａ，１５Ｂ，１５Ｃ，１５Ｄの内面における被処理物支持台１１と対向する領域の全域わたって伸びる横長スリットよりなるものである。
【００３４】
また、デスミア処置装置１０には、被処理物支持台１１に、被処理物Ｗを加熱する加熱手段（図示せず）が設けられた構成とされていることが好ましい。
このような構成によれば、被処理物Ｗの被処理面Ｗａの温度が上昇されることに伴って活性種による作用を促進させることができるので、効率よく処理を行うことができる。
また、被処理物支持台１１においては、被処理物載置面１１ａの縦横寸法が被処理物Ｗの被処理面Ｗａの縦横寸法より大きいため、被処理物Ｗの被処理面Ｗａを均一に加熱することができる。
加熱手段による加熱条件は、被処理物載置面１１ａの温度が、例えば１００〜１５０℃となる条件である。
【００３５】
このような構成のデスミア処理装置１０においては、紫外線放射ランプ２２からの真空紫外線を含む光を、処理用空間Ｓに配置された被処理物Ｗに対して、光透過性窓ユニット３０を介して照射することにより、処理用空間Ｓが活性種生成ガス雰囲気とされて被処理物Ｗの表面処理が行われる。
具体的に説明すると、先ず、被処理物Ｗが配置された処理用空間Ｓに、ガス供給機構によって所期のガス供給条件で処理用ガスを供給することにより、処理用空間Ｓを処理用ガス（具体的には、例えば酸素ガス）雰囲気とする。次いで、ガス導入部４５からガス流通間隙に絶え間なく処理用ガスを導入しつつ、光源ユニット２１を構成する複数の紫外線放射ランプ２２を一斉に点灯することにより、複数の紫外線放射ランプ２２からの真空紫外線が第１の板部材３１、ガス流通間隙および第２の板部材３２を介して被処理物Ｗの被処理面Ｗａに向かって照射される。
このようにして、ガス流通間隙を第１の板部材３１および第２の板部材３２に沿って紫外線放射ランプ２２の管軸方向に流動する処理用ガスに真空紫外線が照射されることによって、当該ガス流通間隙において活性種（具体的には、例えばオゾンガスおよび活性酸素）が生成される。そして、この活性種が生成されたガス（活性種生成ガス）が、ガス流通間隙からガス供給口を介して処理用空間Ｓに供給されて、処理用空間Ｓが活性種生成ガス雰囲気とされる。また、処理用空間Ｓにおいては、雰囲気を構成するガス（紫外線放射ランプ２２が点灯される前に供給された処理用ガスおよび活性種生成ガス）に真空紫外線が照射されることによって活性種が生成される。それと共に、ガス流通間隙およびガス処理用空間Ｓを通過する過程において活性種源（具体的には、酸素ガス）に吸収されることなく被処理物Ｗの被処理面Ｗａに到達した真空紫外線と、生成された活性種とによって、被処理物Ｗの被処理面Ｗａの処理が行われる。更に、処理用空間Ｓにおいては、ガス供給口から供給された活性種生成ガスに、当該活性種生成ガスが処理用空間Ｓを流動する過程において、被処理面Ｗａが処理されることによって発生する反応生成ガス（具体的には、例えば二酸化炭素ガス）が混入される。そして、この反応生成ガスが混入されたガス（以下、「排ガス」ともいう。）は、ガス排出部を介して処理用空間Ｓの外部に排出される。
図１においては、デスミア処理装置１０内におけるガスの流動方向が矢印で示されている。
【００３６】
而して、デスミア処理装置１０においては、ガス流通間隙およびガス供給口によってガス導入部４５から処理用空間Ｓに至るまでのガス流路が形成されおり、当該ガス供給口が被処理物Ｗの被処理面Ｗａに対向するように設けられている。そのため、ガス流通間隙にガス導入部４５から導入され、紫外線放射ランプ２２からの真空紫外線が照射された処理用ガス（活性種生成ガス）を、ガス供給口から被処理物Ｗの被処理面Ｗａに向かって噴出させることができる。すなわち、被処理物Ｗの被処理面Ｗａに対して活性種生成ガスを吹き付けることができる。
その結果、被処理物Ｗの被処理面Ｗａにおける凹部Ｗｂの内部に、活性種生成ガスを流入させることができることから、凹部Ｗｂにおいて被処理面Ｗａが処理されることによって発生する反応生成ガスが滞留することがない。そのため、凹部Ｗｂに反応生成ガスが滞留することに起因して、凹部Ｗｂの底面に到達する真空紫外線の照射量が小さくなったり、当該底面の処理に供される活性種の量が少なくなることがないことから、被処理物Ｗの被処理面Ｗａに対して均一に処理を行うことができる。
また、ガス流通間隙においては、第１の板部材３１および第２の板部材３２に沿うようにガスの流れが生じると共に、第１の板部材３１から第２の板部材３２に向かう方向にもガスの流れが生じる。そのため、第１の板部材３１の近傍において生成された活性種を、被処理物Ｗの被処理面Ｗａに向かって移動させることができることから、被処理物Ｗの処理に有効に利用することができる。
しかも、ガス流通間隙において生成された活性種は、その大部分が生成された位置の近傍の貫通孔３３に移動されることから、ガス流速が比較的大きい場合であっても、ガス流通間隙の上流側において生成された活性種が大きく下流側に移動することが抑制される。よってガス供給口を構成する複数の貫通孔３３から噴出されるガスに含まれる活性種の量に高い均一性が得られる。
更に、ガス排出部が被処理物Ｗの周縁位置に設けられていることから、ガス導入部４５からガス流通間隙に導入され、紫外線放射ランプ２２からの真空紫外線が照射された処理用ガス（活性種生成ガス）が、ガス供給口から被処理物の被処理面に向かって噴出し、更に被処理物の被処理面に沿って流動するように誘導することができる。
従って、デスミア処理装置１０によれば、凹部Ｗｂが形成された配線基板材料からなる被処理物Ｗを効率よく短時間で処理することができる。
【００３７】
本発明の光源装置およびデスミア処理装置は、上記の実施の形態に限定されず、種々の変更を加えることが可能である。
例えば、光源装置は、デスミア処理装置の紫外線光源として用いることに限定されず、凹部を有する配線基板材料を被処理物とする、デスミア処理装置以外の装置の紫外線光源としても用いることができる。具体的には、ナノインプリント装置におけるテンプレートのパターン面に付着したレジストの除去あるいは液晶用のガラス基板やシリコンウエハなどのドライ洗浄処理などの紫外線を用いたドライ洗浄方法によって処理を行うための処理装置に用いることができる。このような装置の紫外線光源として用いる場合において、紫外線放射ランプとしては、被処理物の種類などに応じ、中心波長が１７２ｎｍの真空紫外線を放射するキセノンエキシマランプの他、波長１８５ｎｍの真空紫外線を放射する低圧水銀ランプ、あるいは、発光管内にキセノンガスが封入されると共に、発光管の内面に例えば波長１９０ｎｍの真空紫外線を出射する蛍光体が塗布されてなる蛍光エキシマランプなどを用いることができる。
【符号の説明】
【００３８】
１０    デスミア処理装置
１１    被処理物支持台
１１ａ    被処理物載置面
１４    光源ユニット支持台
１４ａ    凹部
１５Ａ，１５Ｂ，１５Ｃ，１５Ｄ    辺部
１６，１７，１８，１９    ガス排出用貫通孔
１６ａ，１７ａ，１８ａ，１９ａ    ガス排出用開口
２０    光源装置
２１    光源ユニット
２２    紫外線放射ランプ
２３    ケーシング
３０    光透過性窓ユニット
３１    第１の板部材
３２    第２の板部材
３３    貫通孔
４１    支持部材
４２Ａ    辺部
４３    第１の挟持部
４４    第２の挟持部
４５    ガス導入部
４６    処理用ガス流通用貫通孔
４６ａ    内側開口
４６ｂ    外側開口
４７    ガス導入管
５０    光源ユニット
５１    紫外線放射ランプ
５２    ケーシング
５４    反射ミラー
５５    冷却ブロック
５６    不活性ガス供給部
５７    不活性ガス排出部
５８    光透過性窓部材
５９    ノズル
Ｗ    被処理物
Ｗａ    被処理面
Ｗｂ    凹部
Ｓ    処理用空間
【図１】
2015103545.tif 000003
【図２】
2015103545.tif 000004
【図３】
2015103545.tif 000005