(57)【要約】【課題】  本発明は微細共晶組織とＡｇとＢｉが濃化したＣｕＡｇＢｉ相とＣｕが濃化したＣｕＡｇ相が粉末組織内を占める効果を高める成分の制御をすることで、純Ａｇと遜色のない電気伝導度を有し、アトマイズままの合金粉末で、Ａｇコーティングが不要なＡｇＣｕＢｉ系導電フィラー用粉末の提供。【解決手段】  Ａｇが１〜３０質量％、Ｂｉが１〜３０質量％で残部がＣｕおよび不可避的不純物からなり、かつＡｇとＢｉの合計量２〜３５質量％であるＣｕ−Ａｇ−Ｂｉ合金からなる粉末で、該合金からなる粉末の組織は、ＡｇとＢｉが濃化した第一相の２とＣｕが濃化した第二相の３とで形成され、第一相はＣｕ−αＡｇ−βＢｉで、αが１〜６０質量％、βが５〜９０質量％、ただしα＋βは３５〜９９質量％であり、第二相はＣｕ−γＡｇで、１質量％≦γ≦２０質量％である、ＡｇＣｕＢｉ系導電フィラー用粉末。【選択図】    図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
Ａｇが１〜３０質量％、Ｂｉが１〜３０質量％で、残部がＣｕおよび不可避的不純物からなり、かつＡｇとＢｉの合計量２〜３５質量％であるＣｕ−Ａｇ−Ｂｉ合金からなり、この合金からなる粉末の組織は、ＡｇとＢｉが濃化した第一相とＣｕが濃化した第二相とで形成され、第一相はＣｕ−αＡｇ−βＢｉで、αが１〜６０質量％、βが５〜９０質量％、但しα＋βは３５〜９９質量％であり、第二相はＣｕ−γＡｇで、１質量％≦γ≦２０質量％であることを特徴とするＡｇＣｕＢｉ系導電フィラー用粉末。
【請求項２】
Ｃｕ−Ａｇ−Ｂｉ合金からなる粉末の組織は、ＡｇとＢｉが濃化した第一相とＣｕが濃化した第二相とで形成され、第一相はＣｕ−αＡｇ−βＢｉで、αが２０〜６０質量％、βが５０〜９０質量％、ただしα＋βは７０〜９９質量％であり、第二相はＣｕ−γＡｇで、１質量％≦γ≦１０質量％であることを特徴とする請求項１に記載のＡｇＣｕＢｉ系導電フィラー用粉末。
【請求項３】
Ｃｕ−Ａｇ−Ｂｉ合金からなる粉末の合金粉末の組織は、ＡｇとＢｉが濃化した第一相中において、ＣｕとＡｇに対するＢｉの質量比Ｘ＝ＭBi／（ＭCu＋ＭAg）が１．２以上のＡｇＣｕＢｉ相または純Ｂｉ相を有することを特徴とする請求項１または２に記載のＡｇＣｕＢｉ系導電フィラー用粉末。
【請求項４】
ＡｇＣｕＢｉ系導電フィラー用粉末は、アトマイズ粉末であることを特徴とする請求項１〜４のいずれか１項に記載のＡｇＣｕＢｉ系導電フィラー用粉末。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、導電性と放熱性に優れ、かつ製造コストが低く、導電性樹脂、導電性接着剤、基本回路用導電ペースト及び電子機器などに用いる導電フィラー用粉末に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、導電性接着剤として利用されるＡｇ導電フィラー用粉末では、配合される導電性フィラーとして、銀粒子が広く利用されている。銀自体、熱伝導性、電気伝導性に優れた金属であり、また、銀粒子の表面に形成される酸化被膜層の伸長も進み難いという利点を具えている。加えて、延性、展性に優れており、銀粒子相互の接触で凝集後、その銀粒子相互の接触部面積の拡大が容易に進むため、良好な導電性を示す導電性接着層が形成される。
【０００３】
このようなＡｇ導電フィラー用粉末は、純Ａｇを用いたり、母材となるＣｕにＡｇをコーティングすることで得られるが、純Ａｇはコスト面、Ａｇコーティングはプロセス面がコスト高になる。上記問題を同時に解決する急速冷却によって、ＢｉとＡｇが濃化したＡｇＣｕＢｉ相をもつ導電フィラー用粉末の詳細な検討例はない。
【０００４】
現状、Ａｇ導電フィラー用粉末は、銅と銀との総重量を１００としたとき、銅の重量比率が５０以下であることを特徴とすることが知られている（例えば、特許文献１参照。）。
【０００５】
一方、粉末最表層にＡｇが濃化している合金粉末が記載されている（例えば、特許文献２参照。）。しかし、粉末表層におけるＡｇとＣｕの比率やＡｇＣｕ相の存在率が明確にされていない。
【０００６】
ＡｇＣｕに導電性の優れたＮｉやＺｎを添加した合金粉末が記載されている（例えば、特許文献３参照。）。しかし、ＡｇＣｕにＢｉを添加した合金粉末は記載されていない。
【０００７】
Ｂｉが添加されている導電フィラー粉末が記載されている（例えば、特許文献４参照。）。しかし、Ａｇの代替合金としてＳｎが用いられており、ＳｎＣｕＢｉ合金に関する検討例である。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００８】
【特許文献１】特開２００７−９９８５１号公報
【特許文献２】特開平１０−２１７４２号公報
【特許文献３】特開２０１４−００５５３１号公報
【特許文献４】特開２００１−１７２６０６号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
ところで、従来の銅系金属からなる芯材の表面を銀粒子で被覆してなる導電性フィラーでは、銅系金属を芯材にすることで、電子部品の電極に用いられるＳｎ電極とフィラーとの間の電位差を小さくし、ガルバニック腐食を防止するようにしている。
【００１０】
しかしながら、このものは、芯材の表面に銀粒子を配置したものであるため、銅系粉末製造後に、得られた銅系粉末に銀をコーティングする製法が存在する。
【００１１】
上記の様な、銅系粉末に銀をコーティングする製法は、アトマイズした粉末を製造し、回収後、コーティングを施す装置で処理するため、コストや時間が問題になる。また、コーティング処理を避けるために、銅系粉末の代わりに銀粉末を用いることは、尚更コスト面が問題になる。
【００１２】
本発明が解決しようとする課題は、前記の問題を解決するものとして、コーティング処理することなく、アトマイズ製法のみで純Ａｇと同程度の伝導率を示す導電フィラー粉末を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【００１３】
上述のような問題を解消するために、発明者らは鋭意開発を進めた結果、Ａｇ含有率が１〜３０質量％、Ｂｉ含有率が１〜３０質量％のＣｕ−Ａｇ−Ｂｉ合金からなるアトマイズ合金の成分で、１質量％≦α≦６０質量％および５質量％≦β≦９０質量％であるＡｇとＢｉの濃化相からなるＣｕ−αＡｇ−βＢｉ合金相と、１質量％≦γ≦２０質量％であるＣｕ濃化相からなるＣｕ−γＡｇ合金相との組織を有するＡｇＣｕＢｉ系導電フィラー粉末の生成を可能にした。
【００１４】
そこで、本発明の課題を解決するための手段としては、請求項１の手段では、Ａｇが１〜３０質量％、Ｂｉが１〜３０質量％で、残部がＣｕおよび不可避的不純物からなり、かつＡｇとＢｉの合計量２〜３５質量％であるＣｕ−Ａｇ−Ｂｉ合金からなっている。このＣｕ−Ａｇ−Ｂｉ合金からなる粉末の組織は、ＡｇとＢｉが濃化した第一相とＣｕが濃化した第二相とで形成され、第一相はＣｕ−αＡｇ−βＢｉで、αが１〜６０質量％、βが５〜９９質量％、ただしα＋βは３５〜９９質量％であり、第二相はＣｕ−γＡｇで、１質量％≦γ≦２０質量％であることを特徴とするＡｇＣｕＢｉ系導電フィラー用粉末である。
【００１５】
請求項２の手段では、Ｃｕ−Ａｇ−Ｂｉ合金からなる粉末の組織は、ＡｇとＢｉが濃化した第一相とＣｕが濃化した第二相とで形成され、第一相はＣｕ−αＡｇ−βＢｉで、αが２０〜６０質量％、βが５０〜９０質量％、ただし、α＋βは７０〜９９質量％であり、第二相はＣｕ−γＡｇで、１質量％≦γ≦１０質量％であることを特徴とする請求項１の手段のＡｇＣｕＢｉ系導電フィラー用粉末である。
【００１６】
請求項３の手段では、Ｃｕ−Ａｇ−Ｂｉ合金からなる合金粉末の、ＡｇとＢｉが濃化した第一相中において、ＣｕとＡｇに対するＢｉの質量比Ｘ＝ＭBi／（ＭCu＋ＭAg）が１．２以上のＡｇＣｕＢｉ相または純Ｂｉ相を有することを特徴とする請求項１または２の手段のＡｇＣｕＢｉ系導電フィラー用粉末である。
【００１７】
請求項４の手段では、粉末は、アトマイズ合金粉末であることを特徴とする請求項１〜３の手段のいずれか１項の手段のＡｇＣｕＢｉ系導電フィラー用粉末である。
【００１８】
上記アトマイズ合金粉末は、導電フィラー用粉末であり、導電性樹脂、導電性接着剤および基板回路用導電ペーストに用いる。
【００１９】
なお、上記のアトマイズ合金粉末は、ガスアトマイズ合金粉末、ディスクアトマイズ合金粉末、水アトマイズ合金粉末等であるが、この限りでない。
【発明の効果】
【００２０】
請求項１の手段では、Ａｇ−Ｃｕ−Ｂｉは微細共晶組織の形成に有効であり、製造されるアトマイズ合金粉末の組織は、ＡｇとＢｉが濃化したＣｕ−αＡｇ−βＢｉ（１質量％≦α≦６０質量％、５質量％≦β≦９０質量％）相と、Ｃｕが濃化したＣｕ−γＡｇ（１質量％≦γ≦２０質量％）相の２相が形成される。結果、純Ｃｕ粉末よりも接触抵抗が減少するため、純Ｃｕ粉末よりも電気伝導度が高く、かつ純Ａｇと遜色ない導電フィラー用粉末が製造できる。また酸化物を形成する場合でも、比抵抗の高いＣｕ系の酸化物形成を抑制し、比抵抗の低いＡｇ系の酸化物が形成されるため、電気伝導度の劣化を抑制することができる。
【００２１】
また、請求項２の手段のＡｇとＢｉが濃化したＣｕ−αＡｇ−βＢｉ（２０質量％≦α≦６０質量％、５０質量％≦β≦９０質量％）相中において、低い温度（１５０〜２５０℃）域で熱処理を行うことで、ＡｇＣｕＢｉ相中のＢｉが一部溶融する。粉末同士が金属結合で結合することによって、粉末同士の接触抵抗が低減し、純Ａｇと同等以上の電気伝導度を確保できる。さらに、熱処理中に応力負荷を加えることで、粉末同士の金属結合化がさらに顕著になり、純Ａｇと同等以上の電気伝導度を確保できる。
【００２２】
さらに、請求項３の手段では、Ｃｕ−Ａｇ−Ｂｉ合金からなる合金粉末の、ＡｇとＢｉが濃化した第一相中において、ＣｕとＡｇに対するＢｉの質量比Ｘ＝ＭBi／（ＭCu＋ＭAg）が１．２以上のＡｇＣｕＢｉ相または純Ｂｉ相を有することで、Ｃｕが大気に露出することを極力防止することができ、その結果、請求項１または２の手段のＡｇＣｕＢｉ系導電フィラー用粉末からなる導電フィラーは、比抵抗の高いＣｕ系の酸化物形成を抑制できる。
【００２３】
請求項４の手段では、Ｃｕ−Ａｇ−Ｂｉの微細共晶組織の形成にさらに有効であるアトマイズ粉末を用いることで、ＡｇとＢｉが濃化したＣｕ−Ａｇ−Ｂｉ相と、Ｃｕが濃化したＣｕ−Ａｇ相の２相が形成されやすくなる。
【００２４】
導電フィラー用粉末は、導電性樹脂、導電性接着剤、および基板回路用導電ペーストに用いる導電フィラー用粉末であり、この粉末からなる導電フィラーは、純Ａｇと遜色ない電気伝導度をもち、かつアトマイズままの合金粉末からなり、Ａｇコーティングが不要なＡｇＣｕＢｉ系導電フィラー用粉末であって、極めて優れた効果を奏するものである。
【図面の簡単な説明】
【００２５】
【図１】本発明に係るＡｇ−Ｃｕ−Ｂｉの共晶合金のアトマイズ合金粉末の断面の模式図を示す図である。
【図２】図１のアトマイズ合金粉末の断面図の円で囲む拡大部分Ａの拡大図を示す。
【発明を実施するための形態】
【００２６】
以下に、本発明について詳細に説明する。
導電フィラー用粉末の電気伝導度は電子の移動量で決まってくる。電子を多量に移動、かつ移動を阻害するようなものの存在がない状態が求められる。そこで、導電フィラー材料に純Ａｕ、純Ａｇ、純Ｃｕを使用すれば良いのだが、純Ａｕと純Ａｇはコスト面に、純Ｃｕは酸化のされ易さに、それぞれ問題がある。そこで、電子をより多く移動できる合金の研究を進めたところ、それら合金の中でもＣｕ系合金表面にＡｇを存在させた合金が有望であることがわかった。そこで、本発明ではＡｇを採用するものとする。
【００２７】
本発明の特徴は、ＡｇＣｕＢｉ系導電フィラー用粉末に、ＡｇとＢｉが濃化したＣｕ−αＡｇ−βＢｉ（１質量％≦α≦６０質量％、５質量％≦β≦９０質量％）相と、Ｃｕが濃化したＣｕ−γＡｇ（１質量％≦γ≦２０質量％）相の２相が形成されることである。
【００２８】
ＡｇＣｕＢｉ合金の溶融金属が冷却される際、Ｃｕが多くＡｇが少ないと、ＣｕＡｇが高融点であるため先に凝固し始め、凝固したＣｕＡｇの周囲に、ＡｇとＢｉが多くＣｕが少ないＡｇＣｕＢｉが覆う形で凝固する。
【００２９】
上記のＡｇ、Ｃｕ、Ｂｉの共晶組織に加えて、Ｂｉの比率を制御することで、さらにＡｇＣｕＢｉ系導電フィラー用粉末の改善が見込まれる。Ｂｉ含有率が少なすぎると、ＡｇとＢｉが濃化したＣｕＡｇＢｉ相と、Ｃｕが濃化したＣｕＡｇ相の２相が現れにくくなる。また、Ｂｉ含有率が多すぎると、Ｂｉ自身の電気伝導度の低さが影響し、粉末全体の電気伝導度が低くなる。このことより、粉末全体のＢｉ含有率は１〜３０質量％とする。
【００３０】
上記のＡｇ、Ｃｕ、Ｂｉの共晶組織に加えて、Ａｇの比率を制御することで、さらにＡｇＣｕＢｉ系導電フィラー用粉末の改善が見込まれる。Ａｇ含有率が少なすぎると、ＡｇとＢｉが濃化したＣｕＡｇＢｉ相と、Ｃｕが濃化したＣｕＡｇ相の２相が現れにくくなる。また、Ａｇ含有率が多すぎると、ＡｇとＢｉが濃化したＣｕＡｇＢｉ相と、Ｃｕが濃化したＣｕＡｇ相の２相が現れ易くなるが、コスト面で問題がある。このことより、粉末全体のＡｇ含有率は１〜３０質量％とする。
【００３１】
Ａｇ、Ｃｕ、Ｂｉの共晶組織の制御については、上記に定めた成分の制御に加えて、原料金属を溶解した後の凝固時の冷却速度の制御によって可能である。製造方法としては、ガスアトマイズ法、ディスクアトマイズ法、水アトマイズ法等のアトマイズ法があるが、この限りではない。
【００３２】
ガスアトマイズ法は、溶融金属を出湯する際に噴霧ガスの圧力を調整することで、溶融金属の凝固速度を変化させることができる。例えば、噴霧ガスの圧力を下げることや他の製造条件最適化を図ることで、溶融金属の凝固する冷却速度が遅くなり、ＡｇとＢｉが濃化したＡｇＣｕＢｉ相と、Ｃｕが濃化したＣｕＡｇ相の２相が現れ易くなる。
【００３３】
ディスクアトマイズ法は、溶融金属を出湯する際に噴霧ガスを用いないので、ガスアトマイズ法と比較すると冷却速度を遅く制御できる。これより、他の製造条件の最適化と合わせて、ＡｇとＢｉが濃化したＡｇＣｕＢｉ相と、Ｃｕが濃化したＣｕＡｇ相の２相が現れ易くなる。
【００３４】
ＢｉとＡｇの比率を制御して作製したＡｇＣｕＢｉ系導電フィラー用粉末を用いることにより、アトマイズままの合金粉末で、Ａｇコーティングが不要であり、かつ純Ａｇと遜色ない優れた電気伝導度を示す粉末が得られる。
【００３５】
Ｃｕ、Ａｇ、Ｂｉの他に、低融点を示すＺｎ、Ｉｎ、Ｇａ、Ｓｎ、Ｐｂ等の中から１つ以上を添加してもよい。これらの低融点金属を添加することで、ＡｇとＢｉが濃化したＡｇＣｕＢｉ相と、Ｃｕが濃化したＣｕＡｇ相の２相がより現れ易くなる。さらに、添加した低融点金属は、ＡｇとＢｉが濃化したＡｇＣｕＢｉ相にのみ存在するので、低い温度域で熱処理を行った場合、Ｂｉと同様に低融点金属の一部が溶融する。粉末同士が金属結合で結合することによって、粉末同士の接触抵抗が低減し、純Ａｇと同等以上の電気伝導度を確保できる。また、Ｂｉ、Ｚｎ、Ｉｎ、Ｇａ、Ｓｎ、Ｐｂ等の低融点金属は、アトマイズ時に溶湯の粘性を下げる効果があるので、微粉化の製造に繋がる。
【実施例】
【００３６】
以下、本発明について、実施例により具体的に説明する。
表１に示す組成のＡｇＣｕＢｉ系導電フィラー用粉末を、ガスアトマイズ法およびディスクアトマイズ法により作製した。
【００３７】
ガスアトマイズ法については、所定組成の原料を、底部に細孔を設けた石英坩堝内に入れ、Ａｒガス雰囲気中で高周波誘導溶解炉により加熱溶融した後、Ａｒガス雰囲気中で、ガス噴射により出湯させて、急冷凝固することで、ガスアトマイズ微粉末を得た。
【００３８】
ガス噴射圧を調整することで、急冷凝固する速度を変化させることができる。ガス噴射圧を下げると、ガスによる溶融金属の冷却が小さくなるので、急冷凝固する速度は遅くなる。対して、ガス噴射圧を上げると、ガスによる溶融金属の冷却が大きくなるので、急冷凝固する速度は早くなる。
【００３９】
ディスクアトマイズ法による粉末の製造について説明する。所定組成になるよう調合した原料を、底部に細孔を設けた石英坩堝内に入れ、この原料をＡｒガス雰囲気中で高周波誘導溶解炉により加熱溶融した後、この溶湯をＡｒガス雰囲気中で、４００００〜６００００ｒ．ｐ．ｍ．の回転ディスク上に出湯させて、急冷凝固させることで微粉末を得た。ガスアトマイズについても同様にして微粉末を得た。
【００４０】
ガスアトマイズ法、ディスクアトマイズ法などで作製したアトマイズ合金粉末を評価するために、東陽テクニカ製の粉体インピーダンス測定用４端子サンプルホルダーを用いて、アトマイズ合金粉末の電気伝導度を測定した。
【００４１】
電気伝導度測定に用いるアトマイズ合金粉末は、篩を用いて４５μｍ以下の粒度に揃えた後、直径２５ｍｍ、高さ１０ｍｍの円柱状のサンプルホルダーに充填させた後、高さ方向上下から４ニュートンメートルの荷重をかけた。
【００４２】
電気伝導度測定は、荷重方向上に電流Ｉのプラス端子と電圧Ｖのプラス端子を、荷重方向下に電流Ｉのマイナス端子と電圧Ｖのマイナス端子を取り付けて、電流を流して電圧を測定する四端子法を用いた。
【００４３】
【表１】
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【００４４】
【表２】
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【００４５】
表１は、本発明における実施例１〜２８を、表２は比較例１〜３４を表す。これらの特性として、表１では、ＡｇとＢｉが濃化した第一相であるＣｕ−αＡｇ−βＢｉにおけるＡｇはαが１質量％以上で６０質量％以下、Ｂｉはβが５質量％以上で９０質量％以下を満たし、したがってα＋βは３５〜９９質量％、かつ、Ｃｕが濃化した第二相であるＣｕ−γＡｇにおけるＡｇはγが１質量％以上で２０質量％以下を満たしている。さらに、表１において、Ａｇと同程度の電気伝導度４０００ＡＶ-1ｍ-1以上を示すものを評価Ａとする。評価Ｂは電気伝導度が３５００ＡＶ-1ｍ-1以上で４０００ＡＶ-1ｍ-1未満のものであり、評価Ｃは電気伝導度が３５００ＡＶ-1ｍ-1未満のものである。
【００４６】
表２は、表１の比較例であり、表２の評価Ｄは以下に該当するものである。すなわち、ＡｇとＢｉが濃化した第一相であるＣｕ−αＡｇ−βＢｉにおけるＡｇはαが１質量％未満または６０質量％より大きく、Ｂｉはβが５質量％未満または９０質量％より大きく、かつα＋βは３５質量％未満または９９質量％より大きく、もしくは、Ｃｕが濃化した第二相であるＣｕ−γＡｇにおけるＡｇはγが１質量％未満または２０質量％よりも大きいのいずれかに該当しているものであり、これらの該当箇所は下線を引いて示している。
【００４７】
すなわち、表１の実施例では、一番良い実施例が評価Ａ、二番目に良い実施例が評価Ｂ、三番目に良い実施例が評価Ｃである。これに対して、表２の比較例では、全ての比較例が四番目であり、評価Ｄである。
【００４８】
例えば、実施例２２は、Ｃｕ−Ａｇ−Ｂｉアトマイズ合金におけるＣｕが７０質量％、Ａｇが２０質量％、Ｂｉが１０質量％である。これから製造されたフィラー材では、ＡｇとＢｉが濃化した第一相であるＣｕ−αＡｇ−βＢｉではαが５質量％、βが６５質量％で、Ｃｕが濃化した第二相であるＣｕ−γＡｇではγが４質量％であり、本発明の請求項２の条件を満たしている。このような本発明の請求項２の条件を満たし、かつ電気伝導度が４１１０ＡＶ-1ｍ-1である本実施例は一番良い特性を示している。
【００４９】
比較例１〜３４は、アトマイズ合金の成分Ｃｕ−Ａｇ−Ｂｉの、Ａｇが１質量％未満または３０質量％よりも大きい、Ｂｉが１質量％未満または３０質量％よりも大きい、すなわち、ＡｇとＢｉが濃化した第一相であるＣｕ−αＡｇ−βＢｉの、Ａｇはαが１質量％未満または６０質量％よりも大きい、Ｂｉはβが５質量％未満で９０質量％よりも大きい、もしくは、Ｃｕが濃化した第二相であるＣｕ−γＡｇの、Ａｇはγが１質量％未満で２０質量％よりも大きいのいずれかに当てはまるため、本発明の請求項の条件を満たさない。
【００５０】
例えば、比較例１６は、アトマイズ合金成分のＣｕが７０質量％、Ａｇが２０質量％、Ｂｉが１０質量％であり、本発明の条件を満たしている。しかし、製造されたフィラー材の、ＡｇとＢｉが濃化した第一相であるＣｕ−αＡｇ−βＢｉでは、αが１質量％で、βが３２質量％であり、従ってα＋βは３３質量％であり、本発明の請求項の条件を満たしておらず、電気伝導度が９３０ＡＶ-1ｍ-1、表かはＤであり、良い特性を示していない。
【００５１】
比較例２６では、フィラー材の、ＡｇとＢｉが濃化した第一相であるＣｕ−αＡｇ−βＢｉでは、αが４３質量％、βが２４質量％を示しており、電気伝導度４０９０ＡＶ-1ｍ-1と良い特性を示しているが、アトマイズ合金成分であるＣｕ−Ａｇ−ＢｉにおけるＡｇが５０質量％、Ｂｉが１０質量％であり、本発明の粉末の条件であるＡｇが１〜３０質量％でＢｉが１〜３０質量％で残部がＣｕおよび不可避的不純物からなり、かつＡｇとＢｉの合計量が２〜３５質量％を満たしていないので、評価はＤである。
【００５２】
ＡｇとＢｉが濃化したＣｕ−αＡｇ−βＢｉと、Ｃｕが濃化したＣｕ−γＡｇのα、β、γの数値は、任意箇所２０点を計測したＦＥ−ＳＥＭ像の分析結果の平均値から求めている。
【００５３】
表１および表２における比Ｘは、ＡｇとＢｉが濃化した第一相であるＣｕ−αＡｇ−βＢｉ中において、ＣｕとＡｇに対するＢｉの質量比Ｘ＝ＭBi／（ＭCu＋ＭAB）を、任意箇所２０点を計測したＦＥ−ＳＥＭ像の分析結果の平均値から求めている。
【００５４】
以上のように、本発明では図２に示すように、アトマイズ合金の成分Ｃｕ−Ａｇ−Ｂｉ（６５質量％≦Ｃｕ≦９８質量％、１質量％≦Ａｇ≦３０質量％、１質量％≦Ｂｉ≦３０質量％）に対し、アトマイズ粉末の組織を、ＡｇとＢｉが濃化した第一相であるＣｕ−αＡｇ−βＢｉ（１質量％≦α≦６０質量％、５質量％≦β≦９０質量％）相２と、Ｃｕが濃化したＣｕ−γＡｇ（１質量％≦γ≦２０質量％）相３が、図１に示すアトマイズ合金粉末１の拡大部分Ａに存在するように制御することで、純Ａｇと遜色ない電気伝導度を有し、かつアトマイズままでの合金粉末で、Ａｇコーティングが不要なＡｇＣｕＢｉ系導電フィラー粉末の提供が可能になる。
【００５５】
なお、表１の実施例の評価結果として、実施例１〜２８は、本願の請求項１に係る発明の条件を満たしているものであるが、この中の実施例２２〜２８は、特にＣｕ−αＡｇ−βＢｉにおける、α＋βが７０〜９９質量％であり、本願の請求項２に係る発明の条件を満たすものである。さらに、表１の実施例の評価結果として、実施例２０〜２８は、比Ｘが１．２以上であり、本願の請求項３に係る発明の条件を満たすものである。
【符号の説明】
【００５６】
１  アトマイズ合金粉末
２  ＡｇとＢｉが濃化したＣｕ−αＡｇ−βＢｉ
３  Ｃｕが濃化したＣｕ−γＡｇ
Ａ  拡大部分
【図１】
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【図２】
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