(57)【要約】【課題】アライメント精度およびスループットの向上に有利な露光装置を提供する。【解決手段】露光装置１００は、基板側マークを原版側マークと投影光学系４とを介して検出する第１検出部（アライメント計測部２）と、第１検出部よりも多く配置され、基板側マークを投影光学系４を介さずに検出する第２検出部（オフアクシス計測部９）と、基準マークを有する基準プレート１０と、制御部８とを含む。制御部８は、第２検出部に基準マークを検出させることで、第２検出部同士の間の第１距離に係る第１情報を取得し、第１検出部と第２検出部とに同一の基板側マークを検出させることで、第１検出部と第２検出部との間の第２距離に係る第２情報を取得し、第１情報と第２情報とに基づいて原版と基板とのアライメントを制御する。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
原版に形成されているパターンの像を、投影光学系を介して基板に転写する露光装置であって、
前記基板上に形成されている複数の基板側マークのうちの少なくとも１つを、前記原版に形成されている原版側マークと前記投影光学系とを介して検出する第１検出部と、
前記第１検出部よりも多く配置され、前記複数の基板側マークを、前記投影光学系を介さずにそれぞれ検出する複数の第２検出部と、
複数の基準マークを有する基準プレートと、
前記原版と前記基板とのアライメントを制御する制御部と、
を含み、
前記制御部は、前記第２検出部に前記複数の前記基準マークを検出させることで、前記複数の第２検出部同士の間の第１距離に係る第１情報を取得し、
前記第１検出部と前記第２検出部とに同一の前記基板側マークを検出させることで、前記第１検出部と前記第２検出部との間の第２距離に係る第２情報を取得し、
前記第１情報と前記第２情報とに基づいて前記原版と前記基板とのアライメントを制御する、
ことを特徴とする露光装置。
【請求項２】
前記第１検出部は、前記第２検出部による検出のタイミングに合わせて前記基板側マークを検出することを特徴とする請求項１に記載の露光装置。
【請求項３】
前記基板を保持して移動可能な基板保持部を含み、
前記基準プレートは、前記基板保持部を前記基板を交換する位置に移動させた際に、前記第２検出部で検出可能な位置に移動するように配置されている、
ことを特徴とする請求項１または２に記載の露光装置。
【請求項４】
前記制御部は、前記第１情報を基準として、前記複数の第２検出部が前記基板側マークを検出するときの前記第１距離を補正することを特徴とすることを特徴とする請求項１ないし３のいずれか１項に記載の露光装置。
【請求項５】
前記制御部は、前記第２情報を基準として、前記複数の第２検出部が前記基板側マークを検出するときの前記第２距離を補正することを特徴とすることを特徴とする請求項１ないし３のいずれか１項に記載の露光装置。
【請求項６】
前記制御部は、前記補正された第１距離または第２距離を用いて前記基板側マークの前記基板上における位置を特定し、該位置に基づいて前記原版と前記基板とのアライメントを行うことを特徴とする請求項４または５に記載の露光装置。
【請求項７】
前記露光時の前記基板または前記原版の走査方向における前記第１検出部と前記第２検出部との間の距離を可変とするよう、前記第１検出部または前記第２検出部を移動させる第２駆動部を含むことを特徴とする請求項１ないし６のいずれか１項に記載の露光装置。
【請求項８】
前記第２検出部同士の間の距離を可変とする第３駆動部を含む請求項１ないし７のいずれか１項に記載の露光装置。
【請求項９】
前記第１検出部または前記第２検出部は、前記露光時に用いられる光の波長とは異なる波長を有する光を用いて前記基板側マークを検出することを特徴とする請求項１ないし８のいずれか１項に記載の露光装置。
【請求項１０】
請求項１ないし９のいずれか１項に記載の露光装置を用いて基板を露光する工程と、
前記工程で露光された前記基板を現像する工程と、
を含むことを特徴とする物品の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、露光装置および物品製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
液晶パネルや有機ＥＬパネル等のフラットパネルや、半導体デバイスの製造には、マスクなどの原版のパターンを、レジストが塗布されたガラスプレートやウエハなどの基板に転写する露光装置が用いられる。このような露光装置では、基板上のショット領域に、原版のパターンを高精度に位置合わせすることが重要である。その一方で、露光装置には、スループット（生産性）を向上させることも求められている。
【０００３】
スループットを向上させる方法としては、例えば、原版と基板とのアライメント（位置合わせ）において、基板上の全てのマーク（アライメントマーク）を計測せず、一部のマークのみを計測する（計測するマークの数を減らす）方法がある。特許文献１は、ショット領域における一部のマークのみを計測し、当該ショット領域の補正量を、全てのマークを計測した別基板のショット領域に基づいて予測する方法を開示している。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特許第５００６７６１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、特許文献１に開示されている方法では、基板にランダムな変形が生じている場合、計測するマークの数を減らした分だけ、ショット領域の補正量に誤差が生じる可能性が高くなる。
【０００６】
本発明は、このような状況に鑑みてなされたものであり、例えば、アライメント精度およびスループットの向上に有利な露光装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上記課題を解決するために、本発明の一側面としての露光装置は、原版に形成されているパターンの像を、投影光学系を介して基板に転写する露光装置であって、基板上に形成されている複数の基板側マークのうちの少なくとも１つを、原版に形成されている原版側マークと投影光学系とを介して検出する第１検出部と、第１検出部よりも多く配置され、複数の基板側マークを、投影光学系を介さずにそれぞれ検出する複数の第２検出部と、複数の基準マークを有する基準プレートと、原版と基板とのアライメントを制御する制御部と、を含み、制御部は、第２検出部に複数の基準マークを検出させることで、複数の第２検出部同士の間の第１距離に係る第１情報を取得し、第１検出部と第２検出部とに同一の基板側マークを検出させることで、第１検出部と第２検出部との間の第２距離に係る第２情報を取得し、第１情報と第２情報とに基づいて原版と基板とのアライメントを制御することを特徴とする。
【発明の効果】
【０００８】
本発明によれば、例えば、アライメント精度およびスループットの向上に有利な露光装置を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【０００９】
【図１】本発明の一実施形態に係る露光装置の構成を示す図である。
【図２】一実施形態におけるマークおよび各スコープの配置を示す図である。
【図３】一実施形態におけるアライメントの流れを示すフローチャートである。
【発明を実施するための形態】
【００１０】
以下、本発明を実施するための形態について図面などを参照して説明する。
【００１１】
まず、本発明の一実施形態に係る露光装置の構成について説明する。図１は、本実施形態に係る露光装置１００の構成を示す概略図である。露光装置１００は、リソグラフィ装置として、例えば液晶表示デバイスや有機ＥＬデバイスなどのフラットパネルの製造工程に使用されるものである。特に本実施形態では、露光装置１００は、ステップ・アンド・スキャン方式にて、原版（マスク）３ａに形成されているパターンを、例えばガラスプレートである基板５ａ上（基板上）に転写（露光）する走査型投影露光装置とする。露光装置１００は、照明光学系１と、原版ステージ３ｂと、投影光学系４と、基板ステージ５ｂと、アライメント計測部２と、オフアクシス計測部９と、基準プレート１０と、制御部８とを備える。なお、図１および以下の図２では、鉛直方向であるＺ軸に垂直な平面内で露光時の原版３ａおよび基板５ａの走査方向にＹ軸を取り、Ｙ軸に直交する非走査方向にＸ軸を取っている。
【００１２】
照明光学系１は、光源（不図示）を有し、原版３ａに対してスリット状（例えば円弧形状）に成形された照明光を照射する。原版ステージ３ｂは、原版３ａを保持し、Ｙ軸方向に移動可能である。投影光学系４は、例えば、複数のミラーにより構成されたミラープロジェクション方式を採用し、原版３ａに形成されているパターンの像を、基板ステージ５ｂに保持されている基板５ａに例えば等倍で投影する。基板ステージ（基板保持部）５ｂは、定盤６上に設置され、基板５ａを保持し、例えば、Ｘ、Ｙ、Ｚ、ωｘ、ωｙ、ωｚの６方向に移動可能である。露光時には、原版ステージ３ｂに保持されている原版３ａと、基板ステージ５ｂに保持されている基板５ａとは、投影光学系４を介して共役な位置関係（投影光学系４の物体面および像面）に配置される。
【００１３】
アライメント計測部２は、照明光学系１と原版３ａとの間に設置され、第１検出部としての少なくとも２つのアライメントスコープ２ａ、２ｂ（図２（ｃ）参照）を含む。露光装置１００は、基板５ａ上の複数のショット領域に原版３ａのパターンを転写するに際して、当該ショット領域（基板５ａ）と原版３ａとのアライメント（位置合わせ）を行う。このとき、アライメント計測部２は、基板５ａ上に形成されているマーク（基板側マーク）と、原版３ａに形成されている複数のマーク（原版側マーク）とを、投影光学系４を介して同時に検出（観察）する。なお、アライメント計測部２を用いた計測の際に、基板５ａを露光する際に用いられる光の波長と同じ波長を有する光を使用すると、基板５ａが露光される（基板５ａ上のレジストが感光される）可能性がある。そこで、アライメント計測の際に用いる光は、基板５ａを露光する際に用いられる光の波長とは異なる波長を有する光、すなわち非露光光とする。
【００１４】
オフアクシス計測部９は、投影光学系４と基板５ａ（基板ステージ５ｂ）との間に配置され、第２検出部としての少なくとも２つ（本実施形態では６つ）のオフアクシススコープ９ａ〜９ｆ（図２（ｄ）参照）を含む。オフアクシス計測部９は、基板５ａ上のショット領域に設けられている複数のマークを、投影光学系４を介さずに検出（観察）する。なお、オフアクシス計測部９による計測の際に用いる光も、アライメント計測部２による計測の際と同様に、基板５ａを露光する際に用いられる光の波長とは異なる波長を有する光（非露光光）である。
【００１５】
基準プレート１０は、オフアクシス計測部９が検出可能な位置、例えばオフアクシス計測部９と相対する位置に配置され、各オフアクシススコープ９ａ〜９ｆのそれぞれの位置（配置）に対応した複数の基準マーク１０ａ〜１０ｆを含む。すなわち、オフアクシス計測部９の各オフアクシススコープ９ａ〜９ｆは、それぞれに対応する位置にある各基準マーク１０ａ〜１０ｆを個々に検出し得る。また、露光装置１００は、各オフアクシススコープ９ａ〜９ｆによる検出のときに、検出範囲に各基準マーク１０ａ〜１０ｆが位置するように、基準プレート１０を移動可能とする駆動部（第１駆動部：不図示）を設置してもよい。または、基準プレート１０を移動させるための専用の駆動部を設置せず、例えば、基板ステージ５ｂに一体的に設置することで、基板ステージ５ｂの移動とともに基準プレート１０を移動させる構成としてもよい。
【００１６】
制御部８は、例えばコンピューターなどで構成され、露光装置１００の各構成要素に回線を介して接続されて、プログラムなどに従って各構成要素の動作および調整などを制御し得る。なお、制御部８は、露光装置１００の他の部分と一体で（共通の筐体内に）構成してもよいし、露光装置１００の他の部分とは別体で（別の筐体内に）構成してもよい。
【００１７】
制御部８は、アライメント計測部２により計測されたショット領域上の各マークの位置と、オフアクシス計測部９により計測されたショット領域上のマークの位置とに基づいて当該ショット領域の形状情報を取得する。ショット領域の形状情報には、例えば、ショット領域における回転成分や、シフト成分、倍率成分または直交度成分などが含まれる。このうち、シフト成分、倍率成分および直交度成分は、Ｘ方向の成分とＹ方向の成分とをそれぞれ含み得る。ここで、制御部８は、オフアクシス計測部９に基準プレート１０を計測させることにより、その計測結果に基づいて複数のオフアクシススコープ９ａ〜９ｆ間（第２検出部同士の間）の距離（第１距離：以下「第１ベースライン」という。）に係る第１情報を取得し得る。また、制御部８は、走査平面（ＸＹ平面）におけるアライメント計測部２（アライメントスコープ）とオフアクシス計測部９（オフアクシススコープ）との間の距離（第２距離：以下「第２ベースライン」という。）に係る第２情報を取得し得る。そして、制御部８は、第１情報と第２情報とに基づいて基板５ａ上における各マークの位置を計測し得る。制御部８は、原版３ａ上のマークとショット領域上のマークとが重なり合うように、取得した形状情報に基づいて原版ステージ３ｂや基板ステージ５ｂの移動速度または投影光学系４の投影倍率を決定する。そして、制御部８は、原版ステージ３ｂおよび基板ステージ５ｂを、Ｙ軸方向に互いに同期させながら、投影光学系４の投影倍率に応じた速度比で走査させる。これにより、原版３ａに形成されているパターンを、基板５ａ上におけるショット領域に転写することができる。露光装置１００は、このような走査露光を、基板ステージ５ｂをステップ移動させながら、基板５ａ上における複数のショット領域の各々について順次繰り返すことで、１枚の基板５ａにおける露光処理を行う。
【００１８】
ここで、本実施形態におけるアライメントについて、従来の露光装置におけるアライメントと比較しながら説明する。この説明にあたり、まず、原版３ａおよび基板５ａにそれぞれ形成されているマークや、それらを検出するための各計測部２、９が有するスコープなどの位置関係について説明する。図２は、原版３ａおよび基板５ａにそれぞれ形成されているマーク、アライメント計測部２およびオフアクシス計測部９が有する各スコープ、および基準プレート１０上のマークのそれぞれの位置ならびに対応関係を説明するための概略平面図である。
【００１９】
図２（ａ）は、基板５ａ上に形成されているマーク（アライメントマーク）の位置を例示する図である。基板５ａは、その表面上に複数（本実施形態では３×２配列の計６つ）のショット領域５１〜５６を含む。また、各ショット領域５１〜５６の周辺には、それぞれ複数（本実施形態では２×３配列の計６つ）のマーク（例えばショット領域５１ではマーク５１１〜５１６）が形成されている。
【００２０】
図２（ｂ）は、原版３ａ上に形成されているマーク（アライメントマーク）の位置を例示する図である。原版３ａは、基板５ａ上の各ショット領域５１〜５６に転写されるパターンが形成されている領域３１を含む。そして、領域３１の周辺には、例えば、各ショット領域５１〜５６の周辺に配置されている６つのマークにそれぞれ対応するように、複数（本実施形態では６つ）のマーク３１１〜３１６が形成されている。
【００２１】
図２（ｃ）は、アライメント計測部２のアライメントスコープの位置を例示する図である。アライメント計測部２は、例えば、Ｘ方向に沿って配列されている２つのアライメントスコープ２ａ、２ｂを有する。また、図２（ｃ）に示す例では、アライメントスコープ２ａとアライメントスコープ２ｂとの間の距離（間隔）は、１つのショット領域における基板側マークのＸ方向の間隔（例えばマーク５１１とマーク５１４との間の距離）に合っている。
【００２２】
図２（ｄ）は、オフアクシス計測部９のオフアクシススコープの位置を例示する図である。オフアクシス計測部９は、例えば、Ｘ方向に沿って配列されている６つのオフアクシススコープ９ａ〜９ｆを有する。このように、オフアクシススコープの設置数は、アライメント計測部２のアライメントスコープの設置数よりも多い。これにより、オフアクシス計測部９（オフアクシススコープ９ａ〜９ｆ）は、アライメント計測部２（アライメントスコープ２ａ、２ｂ）が同時に検出する数よりも多くの基板側マークを同時に検出することができる。なお、以下の説明では、「同時に」とは、タイミングを広義に解釈するものであり、完全同一の時点を含むだけでなく、許容され得る時間間隔を有する、いわゆる略同一のときをも含む。
【００２３】
図２（ｅ）は、基準プレート１０上に形成されている基準マークの位置を例示する図である。基準マーク１０ａ〜１０ｂは、オフアクシススコープ９ａ〜９ｆで個々に、かつ望ましくは全てを同時に検出可能な位置に配置されている。
【００２４】
はじめに、従来の露光装置におけるアライメントについて、本実施形態に係る露光装置１００の構成要素と同一のものには同一の符号を付して説明する。まず、制御部８は、基板ステージ５ｂと原版ステージ３ｂとを移動させ、アライメントスコープ２ａに基板側マーク５１１と原版側マーク３１１とを検出させ、アライメントスコープ２ｂに基板側マーク５１４と原版側マーク３１４とを検出させる。すなわち、アライメント計測部２は、基板側マーク５１１の基板５ａ上における位置と、基板側マーク５１４の基板５ａ上における位置とをそれぞれ同時に計測する。次に、制御部８は、さらに基板ステージ５ｂと原版ステージ３ｂとを移動させ、アライメントスコープ２ａに基板側マーク５１２と原版側マーク３１２とを検出させ、アライメントスコープ２ｂに基板側マーク５１５と原版側マーク３１５とを検出させる。すなわち、アライメント計測部２は、基板側マーク５１２の基板５ａ上における位置と、基板側マーク５１５の基板５ａ上における位置とをそれぞれ同時に計測する。そして、制御部８は、さらに基板ステージ５ｂと原版ステージ３ｂとを移動させ、アライメントスコープ２ａに基板側マーク５１３と原版側マーク３１３とを検出させ、アライメントスコープ２ｂに基板側マーク５１６と原版側マーク３１６とを検出させる。すなわち、アライメント計測部２は、基板側マーク５１３の基板５ａ上における位置と、基板側マーク５１６の基板５ａ上における位置とをそれぞれ同時に計測する。
【００２５】
このように、従来の露光装置では、制御部８は、基板ステージ５ｂと原版ステージ３ｂとをステップ移動させて、ショット領域５１の周辺に配置されている全ての基板側マークの基板５ａ上における位置を計測させた後、ショット領域５１の形状情報を取得する。以下、他のショット領域５２〜５６についても同様の計測が行われる。したがって、各ショット領域５１〜５６における全ての基板側マークについて基板５ａ上における位置が計測されるので、各ショット領域５１〜５６と原版３ａ上の領域３１とを高精度にアライメントすることができる。
【００２６】
しかしながら、従来の露光装置におけるアライメントでは、アライメント計測部２のみを用いて各ショット領域５１〜５６における全ての基板側マークの位置が検出するため、スループットが低下する場合がある。これに対して、一部のマークのみを計測したショット領域の補正量を、全ての基板側マークを計測した別基板のショット領域に基づいて予測し、アライメント精度を保ちながらスループットを向上させる方法も存在する。しかしながら、近年のフラットパネルの省スペース化に伴って基板の薄膜化が進んでおり、基板を薄くした場合には、フラットパネルの製造プロセス中、基板にランダムな変形が生じる場合がある。この場合、上記のような方法では、計測する基板側マークの数を減らした分だけ、ショット領域の補正量に許容できない誤差が生じる可能性が高まる。そこで、本実施形態では、露光前のアライメントを、アライメント計測部２とオフアクシス計測部９とを用いて以下のように実施する。
【００２７】
次に、本実施形態に係る露光装置におけるアライメントについて説明する。図３は、本実施形態におけるアライメントの流れを示すフローチャートである。まず、制御部８は、基板ステージ５ｂを移動させ、オフアクシス計測部９の各オフアクシススコープ９ａ〜９ｆに、基準プレート１０上の各基準マーク１０ａ〜１０ｆをそれぞれ同時に検出させる（ステップＳ１０１）。このとき、オフアクシス計測部９は、基準マーク１０ａ〜１０ｆに対するオフアクシススコープ９ａ〜９ｆの位置を計測することになる。制御部８は、この計測結果に基づいて上記第１情報を取得し、第１ベースラインを補正する補正値（第１補正値）として用いる。
【００２８】
次に、制御部８は、基板ステージ５ｂと原版ステージ３ｂとを移動させ、各アライメントスコープ２ａ、２ｂに、複数の基板側マークのうち、ある１つのショット領域のおいてＸ軸方向に沿って並ぶ一組（２つ）の基板側マークを検出させる（ステップＳ１０２）。例えば、制御部８は、ショット領域５２における第１列目に存在する２つの基板側マーク５２１、５２４の組を選択する。そして、制御部８は、アライメントスコープ２ａに基板側マーク５２１と原版側マーク３１１とを検出させ、アライメントスコープ２ｂに基板側マーク５２４と原版側マーク３１４とを検出させる。すなわち、アライメント計測部２は、基板側マーク５２１の基板５ａ上における位置と、基板側マーク５２４の基板５ａ上における位置とをそれぞれ同時に計測する。
【００２９】
次に、制御部８は、基板ステージ５ｂを移動させ、各オフアクシススコープ９ａ〜９ｆに、基板５ａ上の第１列目に存在する６つの基板側マーク５１１、５１４、５２１、５２４、５３１、５３４をそれぞれ同時に検出させる（ステップＳ１０３）。すなわち、オフアクシス計測部９は、各基板側マーク５１１、５１４、５２１、５２４、５３１、５３４の位置を計測する。さらに、制御部８は、ステップＳ１０２にて取得した基板側マーク５２１、５２４の計測結果と、ステップＳ１０３にて取得した基板側マーク５２１、５２４の計測結果との差（上記第２情報）を取得する。そして、制御部８は、この差を、第２ベースラインを補正する補正値（第２補正値）として用いる。
【００３０】
次に、制御部８は、基板５ａ上の基板側マークの全ての列について検出したかどうかを判断する（ステップＳ１０４）。ここで、制御部８は、全ての列について検出が終了していないと判断した場合には（Ｎｏ）、ステップＳ１０３に戻り、次の列（例えば上記の流れで進むならば第２列目）に存在する基板側マークを検出させる。具体的には、制御部８は、基板ステージ５ｂを移動させ、各オフアクシススコープ９ａ〜９ｆに、基板５ａ上の第２列目に存在する各基板側マーク５１２、５１５、５２２、５２５、５３２、５３５をそれぞれ同時に検出させる。すなわち、オフアクシス計測部９は、各基板側マーク５１２、５１５、５２２、５２５、５３２、５３５の位置を計測する。以下、制御部８は、最終列（第６列目）にある６つの基板側マーク５４３、５４６、５５３、５５６、５６３、５６６の位置の計測まで繰り返し、ステップＳ１０４にて全ての列について検出が終了したと判断した場合には（Ｙｅｓ）、ステップＳ１０５に移行する。
【００３１】
そして、制御部８は、必要であれば、ステップＳ１０１にて取得した第１補正値を用いて（基準として）第１ベースラインを補正し、ステップＳ１０３にて取得した第２補正値を用いて（基準として）第２ベースラインを補正する（ステップＳ１０５）。ここで、「必要であれば」とは、例えば、それぞれのベースラインの誤差が、予め規定されている許容範囲を超えた場合などが相当する。そして、制御部８は、補正された第１ベースラインまたは第２ベースラインを用いて各基板側マークの基板５ａ上における位置を特定し、該位置に基づいて原版３ａと基板５ａとのアライメントを行う。
【００３２】
このように、露光装置１００におけるアライメントでは、各基板側マーク間の計測位置の誤差を低減させ、各ショット領域５１〜５６の形状情報を精度良く取得することができる。特に本実施形態では、走査平面におけるアライメント計測部２とオフアクシス計測部９との間の距離である第２ベースラインの補正のみならず、複数のオフアクシススコープ９ａ〜９ｆ間の距離である第１ベースラインの補正も行うので、その効果は顕著である。また、露光装置１００におけるアライメントでは、従来の露光装置におけるアライメントよりも少ない工程で基板５ａ上の全てのマークの位置を計測することができるので、露光装置１００全体のスループットの向上に有利となる。
【００３３】
以上のように、本実施形態によれば、アライメント精度およびスループットの向上に有利な露光装置を提供することができる。
【００３４】
なお、本実施形態では、オフアクシス計測部９に含まれるオフアクシススコープの数を６つとしたが、これ以外では、例えば、４つや８つとし得る。また、必ずしも全てのオフアクシススコープを使用する必要はなく、例えば８つのオフアクシススコープが設置されている露光装置において６つショット領域に対する露光を行う場合には、それらに対応した６つのオフアクシススコープのみを用いればよい。また、基準プレート１０に形成されている基準マークの数は、必ずしもオフアクシススコープの数と同一とする必要はない。例えば、オフアクシススコープの位置が可変である場合には、想定されるオフアクシススコープの位置に合わせて、基準プレート１０上に、オフアクシススコープの数よりも多くの基準マークを設けておいてもよい。
【００３５】
また、本実施形態では、ベースライン補正用の計測を基板５ａごと、すなわち１つの基板５ａについて１回行うものとしたが、この計測の間隔は、これに限定されるものではなく、必要に応じて計測頻度または回数を増減させてもよい。さらに、アライメント計測部２による計測も、１回に限定されるものではなく、必要に応じて、複数回または複数マークの計測を行うものとしてもよい。
【００３６】
また、本実施形態では、アライメントの際に、基板ステージ５ｂを移動させて、オフアクシス計測部９が基準プレート１０の計測を行うものとしたが、このとき、必ずしも基板ステージ５ｂを移動させる必要はない。例えば、基板５ａを交換する位置に基板ステージ５ｂが移動したとき、基準プレート１０がオフアクシス計測部９で検出可能な位置に移動するように、基準プレート１０を予め配置するものとしてもよい。これにより、オフアクシス計測部９による基準プレート１０の計測を基板５ａの交換中に実施することができ、基準プレート１０の計測のための基板ステージ５ｂの移動時間や計測時間によるタクトの増大を抑え、スループットをさらに向上させることができる。
【００３７】
また、本実施形態では、アライメントの際に、アライメント計測部２がマークを計測した後にオフアクシス計測部９が同一のマークを計測することで第２ベースライン補正用の第２補正値を取得したが、計測の順序は、これに限られるものではない。例えば、アライメントスコープ２ａ、２ｂがマーク５２２、５２５を計測すると同時に、オフアクシススコープ９ａ〜９ｆがマーク５１１、５１４、５２１、５２４、５３１、５３４を計測するものとしてもよい。このような同時計測より、スループットをさらに向上させることができる。ただし、この場合には、アライメント計測部２とオフアクシス計測部９との間の距離は、マーク５２２、５２５とマーク５２１、５２４との間の距離と等しくしておく必要がある。
【００３８】
また、オフアクシス計測部９に駆動部（第２駆動部）を設け、投影光学系４に対する相対位置を可変とする構成としてもよい。例えば、オフアクシス計測部９にＹ方向に可動の駆動部を設けることで、アライメント計測部２とオフアクシス計測部９との間の距離、すなわち第２ベースラインを調整することができる。これにより、仮にＹ方向についてショットレイアウトやマーク配置が変更した場合でも、当該距離の調整後、アライメント計測部２とオフアクシス計測部９との同時計測を行うことができるので、スループットをさらに向上させることができる。なお、同様の効果を得るために、オフアクシス計測部９ではなく、アライメント計測部２に第２駆動部を設ける構成としてもよい。
【００３９】
さらに、例えば、オフアクシススコープ９ａ〜９ｆの個々にＸ方向に可動の駆動部（第３駆動部）を設けることで、オフアクシススコープ９ａ〜９ｆ間の距離、すなわち第１ベースラインを調整することができる。これにより、仮にＸ方向についてショットレイアウトやマーク配置が変更した場合でも、スループットをさらに向上させることができる。ただし、この場合には、想定されるオフアクシススコープ９ａ〜９ｆの位置（間隔）に対応した基準マークを予め用意しておくことが望ましい。これは、それぞれの位置でのオフアクシススコープ９ａ〜９ｆ間の距離を計測可能とし、それぞれの位置で第１ベースラインの補正を可能とするためである。
【００４０】
（物品の製造方法）
本発明の実施形態にかかる物品の製造方法は、例えば、半導体デバイス等のマイクロデバイスや微細構造を有する素子等の物品を製造するのに好適である。本実施形態の物品の製造方法は、基板に塗布された感光剤に上記の走査露光装置を用いて潜像パターンを形成する工程（基板を露光する工程）と、かかる工程で潜像パターンが形成された基板を現像する工程とを含む。更に、かかる製造方法は、他の周知の工程（酸化、成膜、蒸着、ドーピング、平坦化、エッチング、レジスト剥離、ダイシング、ボンディング、パッケージング等）を含む。本実施形態の物品の製造方法は、従来の方法に比べて、物品の性能・品質・生産性・生産コストの少なくとも１つにおいて有利である。
【００４１】
以上、本発明の好ましい実施形態について説明したが、本発明は、これらの実施形態に限定されず、その要旨の範囲内で種々の変形および変更が可能である。
【符号の説明】
【００４２】
２ａ、２ｂ      アライメントスコープ
４              投影光学系
８              制御部
９ａ〜９ｆ      オフアクシススコープ
１０            基準プレート
１０ａ〜１０ｆ  基準マーク
１００          露光装置
【図１】
2015198202.tif 000003
【図２】
2015198202.tif 000004
【図３】
2015198202.tif 000005