(57)【要約】【課題】導電性に優れ、かつ低コストで得られうる導電フィラー用粉末の提供【解決手段】導電フィラー用粉末は、Ｃｕ−Ａｇ−Ｂｉ系合金から形成されている。この合金は、１質量％以上３０質量％以下のＡｇと、１質量％以上３０質量％以下のＢｉとを含有している。この粉末の、レーザー回折式粒度分布装置により測定された累積５０％粒子径（Ｄ５０）は、１μｍ以上１０μｍ以下である。その粒子径が粒子径（Ｄ５０）の０．８倍以下である粒子の比率Ｐαは、２０質量％以上４０質量％以下である。その粒子径が粒子径（Ｄ５０）の１．３倍以上である粒子の比率Ｐβは、２０質量％以上４０質量％以下である。比率Ｐαが１質量％以上１０質量％以下であってもよい。比率Ｐβが１質量％以上１０質量％以下であってもよい。【選択図】なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
１質量％以上３０質量％以下のＡｇと、１質量％以上３０質量％以下のＢｉとを含有し、残部がＣｕ及び不可避的不純物であるＣｕ−Ａｇ−Ｂｉ系合金から形成されており、
レーザー回折式粒度分布装置により測定された累積５０体積％粒子径（Ｄ５０）が１μｍ以上１０μｍ以下である導電フィラー用粉末。
【請求項２】
粉末に含まれる全ての粒子に対する、粒子径（Ｄ５０）の０．８倍以下である粒子径を有する粒子の比率Ｐαが、２０質量％以上４０質量％以下であり、
粉末に含まれる全ての粒子に対する、粒子径（Ｄ５０）の１．３倍以上である粒子径を有する粒子の比率Ｐβが、２０質量％以上４０質量％以下である請求項１に記載の導電フィラー用粉末。
【請求項３】
Ｂｉの含有率が１質量％以上１０質量％以下とされることにより、
２０質量％以上３０質量％以下である比率Ｐαが達成され、かつ
２０質量％以上３０質量％以下である比率Ｐβが達成されている請求項２に記載の導電フィラー用粉末。
【請求項４】
粉末に含まれる全ての粒子に対する、粒子径（Ｄ５０）の０．８倍以下である粒子径を有する粒子の比率Ｐαが、１質量％以上１０質量％以下であり、
粉末に含まれる全ての粒子に対する、粒子径（Ｄ５０）の１．３倍以上である粒子径を有する粒子の比率Ｐβが、１質量％以上１０質量％以下である請求項１に記載の導電フィラー用粉末。
【請求項５】
Ｂｉの含有率が１０質量％以上３０質量％以下とされることにより、
１質量％以上５質量％以下である比率Ｐαが達成され、かつ
１質量％以上５質量％以下である比率Ｐβが達成されている請求項４に記載の導電フィラー用粉末。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、導電性樹脂、導電性接着剤、回路用導電ペースト、電子機器等に用いられる導電フィラーに適した粉末に関する。
【背景技術】
【０００２】
導電性接着剤の導電フィラーに、銀を主成分とする合金粉末が用いられている。銀の電気抵抗は小さいので、銀を含む接着剤は導電性に優れる。銀粒子の凝集により粒子同士の大きな接触面積が得られるので、この観点からも銀は接着剤の導電性に寄与する。銀粒子の表面に形成される酸化皮膜は成長しにくく、従ってこの銀粒子は耐食性にも優れる。さらに銀は、熱伝導性にも優れる。
【０００３】
銀は貴金属であり、高価である。従って、純銀からなる粉末は、接着剤の材料コストを押し上げる。コスト低減の観点から、銀以外の元素を含む合金の検討が、種々なされている。
【０００４】
特開２００７−９９８５１公報には、ＡｇとＣｕとを含み、両者の合計質量に対するＣｕの質量が５０％以下である合金が開示されている。
【０００５】
特開平１０−２１７４２号公報には、ＡｇとＣｕとを含み、表面におけるＡｇの濃度が高い粒子が開示されている。
【０００６】
特開２０１４−５５３１公報には、Ｎｉ又はＳｎを含むＡｇ−Ｃｕ系合金からなる粉末が開示されている。Ｎｉ及びＳｎは、粉末の導電性に寄与する。
【０００７】
特開２００１−１７２６０６公報には、ＳｎＣｕＢｉ合金からなる導電性フィラーが開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００８】
【特許文献１】特開２００７−９９８５１公報
【特許文献２】特開平１０−２１７４２号公報
【特許文献３】特開２０１４−５５３１公報
【特許文献４】特開２００１−１７２６０６公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
一般的なＡｇ−Ｃｕ系フィラー粉末では、Ｃｕの芯の表面にＡｇがコーティングされている。このコーティングには、手間がかかる。この粉末の製造コストは、高い。導電性と低コストとの両立は、容易ではない。同様の問題は、導電性樹脂、回路用導電ペースト、電子機器等に用いられる導電フィラーでも生じている。
【００１０】
本発明の目的は、導電性に優れ、かつ低コストで得られうる導電フィラー用粉末の提供にある。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
本発明に係る導電フィラー用粉末は、１質量％以上３０質量％以下のＡｇと、１質量％以上３０質量％以下のＢｉとを含有し、残部がＣｕ及び不可避的不純物であるＣｕ−Ａｇ−Ｂｉ系合金から形成されている。この粉末の、レーザー回折式粒度分布装置により測定された累積５０体積％粒子径（Ｄ５０）は、１μｍ以上１０μｍ以下である。
【００１２】
好ましくは、Ｃｕ−Ａｇ−Ｂｉ系合金粉末の全ての粒子に占める、粒子径が粒子径（Ｄ５０）の０．８倍以下である粒子の比率Ｐαは、２０質量％以上４０質量％以下である。好ましくは、Ｃｕ−Ａｇ−Ｂｉ系合金粉末の全ての粒子に占める、粒子径が粒子径（Ｄ５０）の１．３倍以上である粒子の比率Ｐβは、２０質量％以上４０質量％以下である。
【００１３】
好ましい実施形態では、Ｂｉの含有率は１質量％以上１０質量％以下であり、比率Ｐαは２０質量％以上３０質量％以下であり、比率Ｐβは２０質量％以上３０質量％以下である。
【００１４】
比率Ｐαが１質量％以上１０質量％以下であり、比率Ｐβが１質量％以上１０質量％以下であってもよい。
【００１５】
他の好ましい実施形態では、Ｂｉの含有率は１０質量％以上３０質量％以下であり、比率Ｐαは１質量％以上５質量％以下であり、比率Ｐβは１質量％以上５質量％以下である。
【００１６】
好ましくは、粉末は、アトマイズによって得られる。
【発明の効果】
【００１７】
本発明に係る導電フィラー用粉末は、Ｃｕ−Ａｇ−Ｂｉ系合金から形成されているので、純銀粉末よりも材料コストが低い。Ｂｉの融点は低く、かつ、Ｂｉの溶湯では表面張力及び粘性が小さい。このＢｉを含む合金の溶湯が急冷凝固されて得られる粉末の累積５０体積％粒子径（Ｄ５０）は、小さい。この粉末は、小さな粒子径（Ｄ５０）が好まれる用途（例えば導電性ペースト）に適している。本発明に係る粉末では、適切な粒度分布と低コストとが両立されうる。
【図面の簡単な説明】
【００１８】
【図１】図１は、本発明の一実施形態に係る粉末の粒度分布が示されたグラフである。
【図２】図１は、本発明の他の実施形態に係る粉末の粒度分布が示されたグラフである。
【発明を実施するための形態】
【００１９】
以下、適宜図面が参照されつつ、好ましい実施形態に基づいて本発明が詳細に説明される。
【００２０】
本発明に係る導電フィラー用粉末は、Ｃｕ−Ａｇ−Ｂｉ系合金から形成されている。典型的なＣｕ−Ａｇ−Ｂｉ系合金は、所定量のＡｇと所定量のＢｉとを含み、残部はＣｕと不可避的不純物である。他の典型的なＣｕ−Ａｇ−Ｂｉ系合金は、所定量のＡｇと所定量のＢｉと所定量の添加元素とを含み、残部がＣｕと不可避的不純物である。本発明において各元素の比率は、ＦＥ−ＳＥＭ像の分析によって決定される。無作為に抽出された２０点において比率が決定され、その平均が算出される。
【００２１】
この合金は、Ａｇを含んでいる。Ａｇの電気抵抗は、金属の中では最も小さい。Ａｇを含む合金から形成された粉末は、導電性に優れる。導電性の観点から、合金におけるＡｇの含有率は１質量％以上が好ましく、５質量％以上がより好ましく、１０質量％以上が特に好ましい。Ａｇは貴金属であり、高価である。Ａｇを多量に含む粉末の材料コストは高い。コストの観点から、合金におけるＡｇの含有率は３０質量％以下が好ましく、２５質量％以下がより好ましく、２０質量％以下が特に好ましい。
【００２２】
この合金は、Ｃｕを含んでいる。Ｃｕの電気抵抗は、金属の中ではＡｇに次いで小さい。Ｃｕを含む合金から形成された粉末は、導電性に優れる。Ｃｕの電気抵抗は、Ａｇのそれと比べれば大きい。一方、ＣｕはＡｇよりも低価格である。ＡｇとＣｕとを含む粉末では、高導電性と低コストとが両立されうる。合金におけるＣｕの含有率は２０質量％以上が好ましく、３０質量％以上がより好ましく、４０質量％以上が特に好ましい。Ｃｕの含有率は、９８質量％以下が好ましい。
【００２３】
Ｃｕ−Ａｇ合金の融点は、１０００℃以上である。アトマイズに供されるＣｕ−Ａｇ合金の溶湯の粘度は、融点が１０００℃以下を示す他金属の溶湯の粘度と比較すると大きい。この溶湯から得られる粉末の粒子径（Ｄ５０）は、通常は大きい。粒子径（Ｄ５０）が小さな粉末を得るには、溶湯温度を通常の温度よりも高くして粘度を低くする必要がある。しかし、高温の溶湯を得るには、コストがかかる。また、ガスアトマイズの噴射圧を高くすることでも、粒子径（Ｄ５０）が小さな粒子が得られうる。しかし、高い噴射圧を得るには、コストがかかる。
【００２４】
Ｂｉの融点は、２７１．４℃である。Ｂｉは、金属の中でも低い融点を有する金属である。しかも、溶融したＢｉの粘度は、他の金属の粘度に比べて低い。Ｃｕ−Ａｇ−Ｂｉ系合金は、Ｂｉを含むので、この合金の溶湯の粘度は、Ｃｕ−Ａｇ系合金の溶湯の粘度に比べて低い。この溶湯からは、粒子径（Ｄ５０）が小さな粉末が得られうる。Ｃｕ−Ａｇ−Ｂｉ系合金では、粒子径（Ｄ５０）が小さな粉末を得る目的で溶湯温度を高くする必要は、無い。この合金ではさらに、粒子径（Ｄ５０）が小さな粉末を得る目的で噴射圧を通常よりも高くする必要は、無い。
【００２５】
粒子径（Ｄ５０）が小さな粉末が得られうるとの観点から、合金におけるＢｉの含有率は１質量％以上が好ましく、５質量％以上がより好ましく、１０質量％以上が特に好ましい。Ｂｉの電気抵抗は、金属の中では大きい部類に入る。粉末の導電性の観点から、合金におけるＢｉの含有率は３０質量％以下が好ましく、２５質量％以下がより好ましく、２０質量％以下が特に好ましい。
【００２６】
粒子径（Ｄ５０）が小さな粉末が望まれる用途が、存在する。粒子径（Ｄ５０）は１０μｍ以下が好ましく、８μｍ以下がより好ましく、７μｍ以下が特に好ましい。粉末が凝集しにくいとの観点から、粒子径（Ｄ５０）は１μｍ以上が好ましく、３μｍ以上がより好ましく、４μｍ以上が特に好ましい。本発明における粒子径（Ｄ５０）は、レーザー回折式粒度分布装置により測定された累積５０体積％粒子径である。この装置によって１０回の測定が行われ、これらの結果が平均されて、粒子径（Ｄ５０）が算出される。
【００２７】
Ｃｕ−Ａｇ−Ｂｉ系合金が、他の元素を含有してもよい。他の元素として、金属元素中で、低融点でありかつ電気抵抗が小さな金属が好ましい。他の元素として、Ｚｎ、Ｉｎ、Ｇａ、Ｓｎ及びＰｂが例示される。合金における他の元素の含有量は、０．５質量％以上５質量％以下が好ましい。
【００２８】
図１は、本発明の一実施形態に係る粉末の粒度分布が示されたグラフである。このグラフにおいて、左上がりのハッチングが施されたゾーンには、その粒子径が粒子径（Ｄ５０）の０．８倍以下である粒子が属している。その粒子径が粒子径（Ｄ５０）の０．８倍以下である粒子の、全粒子に占める比率Ｐαは、２０質量％以上４０質量％以下が好ましい。
【００２９】
図１のグラフにおいて、右上がりのハッチングが施されたゾーンには、その粒子径が粒子径（Ｄ５０）の１．３倍以上である粒子が属している。その粒子径が粒子径（Ｄ５０）の１．３倍以上である粒子の、全粒子に占める比率Ｐβは、２０質量％以上４０質量％以下が好ましい。
【００３０】
比率Ｐα及び比率Ｐβが２０質量％以上である粉末は、粒度分布曲線の裾が広い。この粉末の充填密度は、高い。充填密度が高い粉末は、例えば、導電樹脂に適している。導電樹脂では、粉末が基材樹脂と混合されて組成物が得られ、この組成物が固化することで得られる。基材樹脂は、一般的には非導電性である。導電樹脂の導電性は、主として粉末に由来する。充填密度が高い粉末が採用されることにより、導電樹脂の優れた導電性が達成される。同様に、充填密度が高い粉末は、固化されて用いられる導電性接着剤にも適している。
【００３１】
比率Ｐα及び比率Ｐβが４０質量％以下である粉末は、均一性が高い。従って、過大な粒子を除去するための分級は不要であり、歩留まりが高い。
【００３２】
Ｂｉの含有率の変動により、比率Ｐα及びＰβが制御されうる。Ｂｉの含有率が１質量％以上１０質量％以下である場合に、比率Ｐαが２０質量％以上３０質量％以下であり、比率Ｐβが２０質量％以上３０質量％以下である粉末が得られうる。この粉末の粒度分布は、適正である。この粉末は、径が１０μｍ以上である粒子をほとんど含まない。従って、過大な粒子を除去するための分級は不要であり、歩留まりが高い。
【００３３】
図２は、本発明の他の実施形態に係る粉末の粒度分布が示されたグラフである。図１との対比から明らかなように、図２の粉末の粒度曲線のピークは高い。この粉末の粒度分布の幅は、狭い。この粉末は、粉末と溶媒とが混合された後、溶媒が揮発させられる用途に適している。このような用途の具体例として、導電ペーストが挙げられる。電子機器、回路基板等に導電ペーストを塗布する場合、塗布箇所は狭小であり、隙間を望まないこともある。このような用途では、粒径の大きさが均一な粉末が求められる。同様に、この粉末は、溶媒を揮発させて用いる導電性接着剤にも適している。
【００３４】
図２のグラフにおいて、左上がりのハッチングが施されたゾーンには、その粒子径が粒子径（Ｄ５０）の０．８倍以下である粒子が属している。その粒子径が粒子径（Ｄ５０）の０．８倍以下である粒子の、全粒子に占める比率Ｐαは、１質量％以上１０質量％以下である。
【００３５】
図２のグラフにおいて、右上がりのハッチングが施されたゾーンには、その粒子径が粒子径（Ｄ５０）の１．３倍以上である粒子が属している。その粒子径が粒子径（Ｄ５０）の１．３倍以上である粒子の、全粒子に占める比率Ｐβは、１質量％以上１０質量％以下である。
【００３６】
比率Ｐα及び比率Ｐβが上記範囲内である粉末は、均一性が高い。従って、過大な粒子を除去するための分級は不要であり、歩留まりが高い。
【００３７】
Ｂｉの含有率が１０質量％以上である場合、比率Ｐαが１質量％以上５質量％以下であり、比率Ｐβが１質量％以上５質量％以下である粉末が得られうる。Ｂｉの含有率が１０質量％以上である場合、累積１０体積％粒子径（Ｄ１０）と累積９０体積％粒子径（Ｄ９０）とがほぼ等しい粉末が得られうる。
【００３８】
本発明に係る粉末は、アトマイズによって得られうる。粉末の特性は、材質のみならず、アトマイズの冷却速度にも依存する。ガスアトマイズ法、ディスクアトマイズ法、水アトマイズ法等が、採用されうる。粒子径（Ｄ５０）が小さな粉末が容易に得られるとの観点から、ガスアトマイズ法及びディスクアトマイズ法が好ましい。この粉末の製造では、コーティング工程は不要である。この粉末の製造コストは、低い。
【００３９】
ガスアトマイズ法では、底部に細孔を有する石英坩堝の中に、原料が投入される。この原料が、アルゴンガス雰囲気中で、高周波誘導炉によって加熱され、溶融する。アルゴンガス雰囲気において、細孔から流出する原料に、アルゴンガスが噴射される。原料は急冷されて凝固し、粉末が得られる。噴射圧の調整により、凝固速度がコントロールされうる。噴射圧が大きいほど、凝固速度は大きい。凝固速度のコントロールにより、所望の粒度分布を有する粉末が得られうる。凝固速度が速いほど、粒度分布の幅は小さい。
【００４０】
ディスクアトマイズ法では、底部に細孔を有する石英坩堝の中に、原料が投入される。この原料が、アルゴンガス雰囲気中で、高周波誘導炉によって加熱され、溶融する。アルゴンガス雰囲気において、細孔から流出する原料が、高速で回転するディスクの上に落とされる。回転速度は、４００００ｒｐｍから６００００ｒｐｍである。ディスクによって原料は急冷され、凝固して、粉末が得られる。この粉末にミリングが施されてもよい。
【実施例】
【００４１】
以下、実施例によって本発明の効果が明らかにされるが、この実施例の記載に基づいて本発明が限定的に解釈されるべきではない。
【００４２】
［実験１］  Ｂｉ含有率が１〜１０質量％の場合
表１及び２に示される実施例１〜１８及び比較例１〜２４の粉末を得た。各粉末は、表１及び２に示された成分以外に、不可避的不純物を含む。
【００４３】
【表１】
2015232154.tif 000002
【００４４】
【表２】
2015232154.tif 000003
【００４５】
各粉末のゆるめカサ密度ρａを測定した。まず、篩を用いて径が４５μｍを超える粒子を粉末から除去した。この粉末を、直径が５０ｍｍであり高さが３０ｍｍである円柱状のサンプルホルダーに充填した。このサンプルホルダーに収まらない余分な粉末を摺りきった後、天秤にて粉末の質量を測定し、密度を算出した。この結果が、下記の表３及び４に示されている。
【００４６】
各粉末の固めカサ密度ρｐを測定した。まず、篩を用いて径が４５μｍを超える粒子を粉末から除去した。この粉末を、直径が５０ｍｍであり高さが３０ｍｍである円柱状のサンプルホルダーに充填した。このサンプルホルダーを、上下に１００回タップさせた。このサンプルホルダーに収まらない余分な粉末を摺りきった後、天秤にて粉末の質量を測定し、密度を算出した。この結果が、下記の表３及び４に示されている。
【００４７】
下記数式に基づき、粉末の圧縮度Ｃｐを算出した。この結果が、下記の表３及び４に示されている。
Ｃｐ＝（ρｐ−ρａ）／ρｐ×１００
この圧縮度Ｃｐは、固めカサ密度ρｐとゆるめカサ密度ρａとの変化分を表わす。粉末の粒度分布の幅が狭い場合、この粉末の流動性は高く、従ってこの粉末の圧縮度Ｃｐは小さい。一方、粉末の粒度分布の幅が広い場合、この粉末の流動性は低く、従って圧縮度Ｃｐは大きい。
【００４８】
各粉末を、下記の基準に従って格付けした。この結果が、下記の表３及び４に示されている。
【００４９】
格付けＡの条件
Ａｇの含有率：１質量％以上３０質量％以下
粒子径（Ｄ５０）：１μｍ以上１０μｍ以下
比率Ｐα：２０質量以上３０質量％以下
比率Ｐβ：２０質量以上３０質量％以下
圧縮度Ｃｐ：２．００以上
【００５０】
格付けＢの条件
格付けＡに属しない
比率Ｐα：２０質量以上４０質量％以下
比率Ｐβ：２０質量以上４０質量％以下
【００５１】
格付けＣの条件
格付けＡ及びＢに属しない
比率Ｐα：１０質量以上４０質量％以下
比率Ｐβ：１０質量以上４０質量％以下
圧縮度Ｃｐ：１．５０以上
【００５２】
格付けＤの条件
格付けＡ、Ｂ及びＣに属しない
比率Ｐα：１質量以上４０質量％以下
比率Ｐβ：１質量以上４０質量％以下
【００５３】
格付けＥの条件
Ａｇの含有率が１質量％以上３０質量％以下の範囲を外れるか、又は、粒子径（Ｄ５０）が１μｍ以上１０μｍ以下の範囲を外れる。
【００５４】
【表３】
2015232154.tif 000004
【００５５】
【表４】
2015232154.tif 000005
【００５６】
例えば、実施例１０に係る粉末は、合金の組成が８５Ｃｕ−１０Ａｇ−５Ｂｉであり、粒子径（Ｄ５０）が７．３μｍであり、いずれも本発明の範囲内である。さらに、比率Ｐαが２６質量％であり、比率Ｐβが２８質量％であり、圧縮度Ｃｐが２．１８である。この圧縮度Ｃｐは大きいので、この粉末の流動性は低く、粉末の粒度分布は不均一である。この粉末の充填密度は、高い。圧縮度Ｃｐと粉末の流動性の関係より、実施例１０に係る粉末の粒度分布は不均一であり、充填密度は、他の実施例と比較すると高くなると考えられる。この粉末の格付けはＡであり、表１及び２に示された粉末の中で最も好ましい特性を有している。
【００５７】
例えば、比較例１７に係る粉末では、Ｄ５０径が９．４μｍであり、本発明の範囲内である。この粉末の圧縮度Ｃｐは２．４０であり、良好である。しかし、その合金の組成は４０Ｃｕ−５０Ａｇ−１０Ｂｉであり、本発明の範囲外である。従って、格付けはＥである。
【００５８】
Ｂｉ含有率が１質量％以上１０質量％以下である場合、Ａｇの含有率が１質量％以上３０質量以下とされ、粒子径（Ｄ５０径）が１μｍ以上１０μｍ以下とされることにより、図１に示されるような粒度分布を有する粉末が得られる。この粉末の充填密度は、他の実施例と比較すると高くなると考えられる。表３及び４に示された結果から、本発明の優位性は明かである。
【００５９】
［実験２］  Ｂｉ含有率が１０〜３０質量％の場合
表５及び６に示される実施例１９〜３６及び比較例２５〜４４の粉末を得た。各粉末は、表５及び６に示された成分以外に、不可避的不純物を含む。
【００６０】
【表５】
2015232154.tif 000006
【００６１】
【表６】
2015232154.tif 000007
【００６２】
各粉末のゆるめカサ密度ρａ及び固めカサ密度ρｐを、実験１と同様の方法にて測定した。そして、圧縮度Ｃｐを算出した。この結果が、下記の表７及び８に示されている。
【００６３】
各粉末を、下記の基準に従って格付けした。
【００６４】
格付けＡの条件
Ａｇの含有率：１質量％以上３０質量％以下
粒子径（Ｄ５０）：１μｍ以上１０μｍ以下
比率Ｐα：１質量以上５質量％以下
比率Ｐβ：１質量以上５質量％以下
圧縮度Ｃｐ：１．００以下
【００６５】
格付けＢの条件
格付けＡに属しない
比率Ｐα：１質量以上１０質量％以下
比率Ｐβ：１質量以上１０質量％以下
【００６６】
格付けＣの条件
格付けＡ及びＢに属しない
比率Ｐα：１質量以上２０質量％以下
比率Ｐβ：１質量以上２０質量％以下
圧縮度Ｃｐ：２．００以上
【００６７】
格付けＤの条件
格付けＡ、Ｂ及びＣに属しない
比率Ｐα：１質量以上４０質量％以下
比率Ｐβ：１質量以上４０質量％以下
【００６８】
格付けＥの条件
Ａｇの含有率が１質量％以上３０質量％以下の範囲を外れるか、又は、粒子径（Ｄ５０）が１μｍ以上１０μｍ以下の範囲を外れる。
【００６９】
【表７】
2015232154.tif 000008
【００７０】
【表８】
2015232154.tif 000009
【００７１】
例えば、実施例２４に係る粉末は、合金の組成が６９Ｃｕ−１Ａｇ−３０Ｂｉであり、粒子径（Ｄ５０）が５．２μｍであり、いずれも本発明の範囲内である。さらに、比率Ｐαが５質量％であり、比率Ｐβが５質量％であり、圧縮度Ｃｐが０．３３である。圧縮度Ｃｐと粉末の流動性の関係より、実施例２４に係る粉末の粒度分布は均一であり、充填密度は、他の実施例と比較すると小さくなると考えられる。この圧縮度Ｃｐは大きいので、この粉末の流動性は高く、粉末の粒度分布は小さい。この粉末の格付けはＡであり、表５及び６に示された粉末の中で最も好ましい特性を有している。
【００７２】
例えば、比較例３８に係る粉末では、Ｄ５０径が２．４μｍであり、本発明の範囲内である。この粉末の圧縮度Ｃｐは０．４２であり、良好である。しかし、その合金の組成は１０Ｃｕ−１０Ａｇ−８０Ｂｉであり、本発明の範囲外である。従って、格付けはＥである。
【００７３】
Ｂｉ含有率が１０質量％以上３０質量％以下である場合、Ａｇの含有率が１質量％以上３０質量以下とされ、粒子径（Ｄ５０径）が１μｍ以上１０μｍ以下とされることにより、図２に示されるような粒度分布を有する粉末が得られる。この粉末の粒度は、均一性に優れる。表７及び８に示された結果から、本発明の優位性は明かである。
【産業上の利用可能性】
【００７４】
本発明に係る粉末は、導電性樹脂、導電性接着剤、回路用導電ペースト、電子機器等に用いられ得る。
【図１】
2015232154.tif 000010
【図２】
2015232154.tif 000011