(57)【要約】【課題】端子を大型化させたり、極力複雑化させたりすることなく、接触抵抗を低減させることのできる接点部の製造方法を提供する。【解決手段】箱部２のインデント部４がタブ部１２の接触面１２ａ上を摺動し、端子挿入完了位置では、インデント部４がタブ部１２に接触する接点部の製造方法であって、インデント部４およびタブ部１２を構成する母材１２Ａにメッキを施した後のリフロー処理を、還元ガス雰囲気中で行う。【選択図】図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１接点部のインデント部が第２接点部の接触面上を摺動し、端子挿入完了位置では、前記インデント部が前記第２接点部に接触する接点部の製造方法であって、
前記各接点部を構成する母材にメッキを施した後のリフロー処理を、酸素の少ない雰囲気中で行う、
ことを特徴とする接点部の製造方法。
【請求項２】
請求項１に記載の接点部の製造方法であって、
前記酸素の少ない雰囲気中は、還元ガス雰囲気中である、
ことを特徴とする接点部の製造方法。
【請求項３】
請求項１に記載の接点部の製造方法であって、
前記酸素の少ない雰囲気中は、不活性ガス雰囲気中である、
ことを特徴とする接点部の製造方法。
【請求項４】
請求項１に記載の接点部の製造方法であって、
前記酸素の少ない雰囲気中は、水蒸気雰囲気中である、
ことを特徴とする接点部の製造方法。
【請求項５】
請求項１に記載の接点部の製造方法であって、
前記酸素の少ない雰囲気中は、真空中である、
ことを特徴とする接点部の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は、第１接点部（第１端子）と第２接点部（第２端子）との間の電気的接続を行う接点部の製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
図６および図７には、従来の接点接続構造を適用したメス端子５１とオス端子６１とが示されている（類似技術として特許文献１参照）。
【０００３】
図６および図７に示すように、メス端子５１は、四角形状の箱部５２と、箱部５２に一体に設けられ、箱部５２内に配置された弾性撓み部５３とを有している。
弾性撓み部５３には、箱部５２の底面部５２ａ側に向かって突出するインデント部５４が設けられている。
【０００４】
インデント部５４は、外周面がほぼ球面形状で、中心の頂点が最下方に位置している。
なお、図６および図７では、図示が省略されているが、メス端子５１の外面の全域には、高温環境下での接続信頼性の向上、腐食環境下での耐食性の向上等の観点からメッキ（例えば、錫メッキ）が施され、メッキ層が設けられている。
【０００５】
図６および図７に示すように、オス端子６１は、平板状のタブ部６２を有している。
なお、図６および図７では、図示が省略されているが、オス端子６１の外面の全域には、高温環境下での接続信頼性の向上、腐食環境下での耐食性の向上等の観点からメッキ（例えば、錫メッキ）が施され、メッキ層が設けられている。
【０００６】
上記のようにメッキ（錫メッキ）し、その後にリフロー処理を行うと、図８（ａ）に示すような構造となる。
すなわち、オス端子６１のタブ部６２を構成する銅合金材の母材６２Ａの外面側にメッキ層（銅／錫合金層、錫メッキ層）６３が形成されるとともに、メッキ層６３の外面に酸化膜６４が形成される。
図８（ａ）には図示が省略されているが、メス端子５１の母材においても、同様に、メッキ層、酸化膜が形成される。
【０００７】
上記した構成において、図６の位置に位置するオス端子６１のタブ部６２をメス端子５１の箱部５２内へ挿入すると、タブ部６２に押されることによって弾性撓み部５３が撓み、変形することにより、タブ部６２の挿入が許容される。
タブ部６２の挿入過程では、弾性撓み部５３のインデント部５４がタブ部６２の接触面６２ａ上を摺動し、端子挿入完了位置では、図７に示すように、弾性撓み部５３のインデント部５４と、タブ部６２の接触面６２ａとが接触する。
【０００８】
上記のように、インデント部５４がタブ部６２の接触面６２ａ上を摺動すると、弾性撓み部５３の撓み復帰力が接触荷重として作用することにより、図８（ａ），（ｂ）（インデント部５４に形成されたメッキ層、酸化膜の図示は省略されている。）に示すように、インデント部５４に形成された酸化膜が破壊するとともに、タブ部６２に形成されたメッキ層６３が押し込まれることによって酸化膜６４が破壊する。
【０００９】
このように、各酸化膜６４が破壊すると、各酸化膜６４の割れ目からメッキの金属（例えば、錫）が吹き出すことにより、メス端子５１のインデント部５４と、オス端子６１のタブ部６２の接触面６２ａとが電気的に接触する。
そして、インデント部５４とタブ部６２との間を電流が流れることによってメス端子５１とオス端子６１との間が導通する。
【００１０】
なお、酸化膜６４は、錫や銅に較べて電気抵抗が非常に高い。
したがって、接触抵抗の低減を図るためには、酸化膜６４を破壊してメッキ同士の接触面（オーミック点）を多く作る必要がある。
【先行技術文献】
【特許文献】
【００１１】
【特許文献１】特開２００７−２８０８２５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１２】
上記した従来の構造では、図８（ｂ）に示すように、端子挿入完了位置における端子５１，６１同士の接触時にメッキ層６３の押し込み量を増やし、酸化膜６４の破壊を促進するためには、接触部間の接触圧を大きくすることが考えられるが、メッキ層６３が薄く、メッキ層６３の押し込み量が少ないので、各端子５１，６１が大型化したり、複雑化するという問題がある。
【００１３】
この発明は、上記した問題を解決すべくなされたものであり、端子を大型化させたり、極力複雑化させたりすることなく、接触抵抗を低減させることのできる接点部の製造方法を提供するものである。
【課題を解決するための手段】
【００１４】
この発明の接点部の製造方法は、インデント部が突設された第１接点部と、第２接点部とを有し、前記インデント部が前記第２接点部の接触面上を摺動し、端子挿入完了位置では、前記インデント部が前記第２接点部に接触する接点部の製造方法であって、前記各接点部を構成する母材にメッキを施した後のリフロー処理を、酸素の少ない雰囲気中で行うことを特徴とする。
【発明の効果】
【００１５】
この発明の接点部の製造方法によれば、各接点部を構成する母材にメッキを施した後のリフロー処理を、酸素の少ない雰囲気中で行うことにより、酸化膜の厚さが薄くなり、酸化膜が破壊され易くなる。
このように、酸化膜が破壊され易くなることにより、メッキ同士の接触部を多く確保することができる。
したがって、端子を大型化させたり、極力複雑化させたりすることなく、接触抵抗を低減させることができる。
【図面の簡単な説明】
【００１６】
【図１】この発明の一実施例を示す断面図に相当する説明図である。
【図２】この発明の一実施例を示す断面図に相当する説明図である。
【図３】この発明の一実施例を適用した端接点接続構造の、接続前のメス端子とオス端子の断面図である。
【図４】この発明の一実施例を適用した端接点接続構造の、接続後のメス端子とオス端子の断面図である。
【図５】この発明の一実施例の、メッキ層、酸化膜の変化を示す説明図である。
【図６】従来例の、接続前のメス端子とオス端子の断面図である。
【図７】従来例の、接続後のメス端子とオス端子の断面図である。
【図８】従来例の、メッキ層、酸化膜の変化を示す説明図である。
【発明を実施するための形態】
【００１７】
以下、この発明の一実施例を、図１および図２を参照して説明する。
【００１８】
オス端子（タブ部１２）を構成する銅合金材の母材１２Ａにメッキ、例えば、錫メッキを施すと、図１に示すように、母材１２Ａの外面にメッキ層１３が形成される。
このメッキ層１３は、母材１２の外面に形成される銅／錫合金層と、この銅／錫合金層の外側に形成される錫メッキ層とで形成されている。
【００１９】
このように母材１２に施したメッキを、酸素の少ない雰囲気中、例えば、還元ガス（例えば、水素、硫化水素、二酸化硫黄、一酸化炭素、一酸化窒素）雰囲気中でリフロー処理すると、図２に示すように、メッキ層１３の表面が平坦化されるとともに、メッキ層１３の外表面内に酸素が拡散することによって酸化層１４が形成される。
このリフロー処理によって形成される酸化層１４は、リフロー処理が酸素の少ない雰囲気中で行われるので、従来のように、酸化ガス雰囲気（例えば、空気）中でリフロー処理したときに形成される酸化膜６４（図２に一点鎖線で示す厚さの酸化膜）よりも薄くなる。
【００２０】
メス端子（箱部、弾性撓み部、インデント部）を構成する銅合金材の母材にメッキ（例えば、錫メッキ）を施し、還元ガス（例えば、水素ガス、硫化水素ガス、二酸化硫黄ガス、一酸化炭素ガス、一酸化窒素ガス）雰囲気中でリフロー処理すると、オス端子（タブ部１２）を構成する銅合金材の母材１２Ａの場合と同様に、メッキ層の表面に酸化膜が形成される。
【００２１】
この発明を適用した接点接続構造の一実施例を、図３〜図５を参照して説明する。
【００２２】
図３および図４に示すメス端子（第１端子）１は、メス側コネクタハウジング（図示省略）内の端子収容室に配置（収容）されている。
メス端子１は、上述したようにメッキが施され、リフロー処理された導電性金属（例えば、銅合金）を所定形状に打ち抜き、折り曲げ加工することによって形成されている。
【００２３】
メス端子１は、図３および図４に示すように、第１接点部である箱部２を有している。
箱部２は、前方（図３の左側）が開口した方形状である。
箱部２内には、箱部２の上面部より折り曲げられた弾性撓み部３が配置されている。
【００２４】
弾性撓み部３には、箱部２の底面部２ａ側に向かって突出するインデント部４が設けられている。
インデント部４は、外周面（箱部２の底面部２ａと対向する面）がほぼ球面形状で、中心の頂点が最下方に位置し、弾性撓み部３の弾性変形によって上方に変移する。
【００２５】
弾性撓み部３と、固定面部である箱部２の底面部２ａとは、間隔を置いて配置されている。
弾性撓み部３と、箱部２の底面部２ａとの間に、オス端子１１が挿入される。
【００２６】
図３および図４に示すオス端子（第２端子）１１は、オス側コネクタハウジング（図示せず）内の端子収容室に配置（収容）されている。
オス端子１１は、上述したようにメッキが施され、リフロー処理された導電性金属（例えば、銅合金）を所定形状に打ち抜き、折り曲げ加工することによって形成されている。
【００２７】
オス端子１１は、第２接点部であるタブ部１２を有している。
タブ部１２は、フラットな板形状である。
【００２８】
次に、メス端子１とオス端子１１との接続について説明する。
【００２９】
図３の位置に位置するオス端子１１のタブ部１２をメス端子１の箱部２内へ挿入すると、タブ部１２に押されることによって弾性撓み部３が撓み、変形することにより、タブ部１２の挿入が許容される。
タブ部１２の挿入過程では、弾性撓み部３のインデント部４がタブ部１２の接触面１２ａ上を摺動し、端子挿入完了位置では、図４、図５（ａ）に示すように、弾性撓み部３のインデント部４がタブ部１２の接触面１２ａに圧接する。
【００３０】
上記のように、インデント部４がタブ部１２の接触面１２ａ上を摺動すると、弾性撓み部３の撓み復帰力が接触荷重として作用することにより、インデント部４の先端に形成された酸化膜が破壊する。
また、端子挿入完了位置で、タブ部１２の接触面１２ａに、弾性撓み部３の撓み復帰力によってインデント部４が圧接すると、この発明のタブ部１２の酸化膜１４は、図２に示すように、従来の酸化膜６４よりも薄いので、図５（ｂ）に示すように、弾性撓み部３の撓み復帰力によって酸化膜１４が破壊される。
【００３１】
このように、酸化膜１４が破壊されると、酸化膜１４の割れ目からメッキ層１３の金属（例えば、錫）が吹き出すことにより、メス端子１のインデント部４と、オス端子１１のタブ部１２の接触面１２ａとが電気的に接触する。
そして、インデント部４とタブ部１２との間を電流が流れることによってメス端子１とオス端子１１との間が導通する。
【００３２】
この発明を適用した接点接続構造の一実施例によれば、インデント部４およびタブ部１２に形成された酸化膜１４が従来よりも薄くなるので、タブ部１２に形成された酸化膜１４に、弾性撓み部３の撓み復帰力によってインデント部４が圧接することにより、タブ部１２に形成された酸化膜１４が破壊され易くなる。
このように、タブ部１２に形成された酸化膜１４が破壊されることにより、酸化膜１４の割れ目からメッキの金属（例えば、錫）が吹き出し、メッキ同士の接触部を多く確保することができる。
したがって、端子１，１１を大型化させたり、極力複雑化させたりすることなく、接触抵抗を低減させることができる。
【００３３】
上記した実施例では、各接点部を構成する母材にメッキを施した後のリフロー処理を、酸素の少ない雰囲気中（還元ガス雰囲気中）で行う例を示したが、リフロー処理を、不活性ガス（例えば、ヘリウムガス、ネオンガス、アルゴンガス、窒素ガス）雰囲気中、水蒸気雰囲気中、または、真空中で行っても、同様な効果を得ることができる。
【符号の説明】
【００３４】
１      メス端子（第１端子）
２      箱部（第１接点部）
２ａ    底面部（固定面部）
３      弾性撓み部
４      インデント部
１１    オス端子（第２端子）
１２    タブ部（第２接点部）
１２Ａ  母材
１２ａ  接触面
１３    メッキ層
１４    酸化膜
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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