(57)【要約】【課題】イオンマイグレーションの発生が抑制されており、はんだによる実装性に優れた電子部品を提供する。【解決手段】電子部品１は、電子部品本体１０と、第１及び第２の外部電極１３，１４と、撥水膜２０とを備える。第１及び第２の外部電極１３，１４は、電子部品本体１０の上に設けられている。撥水膜２０は、電子部品本体１０の上と、第１の外部電極１３の上とに設けられている。撥水膜２０が、有機溶剤に可溶である。【選択図】図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
電子部品本体と、
前記電子部品本体の上に設けられた第１及び第２の外部電極と、
前記電子部品本体の上と、前記第１の外部電極の上とに設けられた撥水膜と、
を備え、
前記撥水膜が、有機溶剤に可溶である、電子部品。
【請求項２】
前記撥水膜が、はんだフラックスに含まれる溶剤に可溶である、請求項１に記載の電子部品。
【請求項３】
電子部品本体と、
前記電子部品の表面上に設けられた第１及び第２の外部電極と、
前記電子部品の表面の上と、前記第１の外部電極の上とに設けられた撥水膜と、
を備え、
前記撥水膜が、はんだフラックスに含まれる溶剤に可溶である、電子部品。
【請求項４】
前記溶剤が、エーテル系有機溶剤、アルコール系有機溶剤、炭化水素系有機溶剤、ケトン系有機溶媒、エステル系有機溶媒及びグリコールエーテル系有機溶媒からなる群から選ばれた少なくとも一種を含む、請求項１〜３のいずれか一項に記載の電子部品。
【請求項５】
前記溶剤の溶解度パラメータ（ＳＰ値）が、７．０〜１４．０である、請求項１〜４のいずれか一項に記載の電子部品。
【請求項６】
前記撥水膜は、非架橋型樹脂からなることを特徴とする請求項１〜５のいずれか一項に記載の電子部品。
【請求項７】
前記電子部品本体は、長さ方向及び幅方向に沿って延びる第１及び第２の主面と、長さ方向及び厚み方向に沿って延びる第１及び第２の側面と、幅方向及び厚み方向に沿って延びる第１及び第２の端面とを有し、
前記第２の主面上において、前記第１の外部電極の先端部と前記第２の外部電極の先端部とが長さ方向において対向しており、
前記第２の主面の前記第１の外部電極の先端部と前記第２の外部電極の先端部との間に位置する部分の上に前記撥水膜が位置している、請求項１〜６のいずれか一項に記載の電子部品。
【請求項８】
前記撥水膜が、前記電子部品本体の上と、前記第１の外部電極の上とに跨がって設けられている、請求項１〜７のいずれか一項に記載の電子部品。
【請求項９】
前記撥水膜が、前記電子部品本体の露出部並びに前記第１及び第２の外部電極の全体を覆っている、請求項１〜８のいずれか一項に記載の電子部品。
【請求項１０】
前記外部電極の最外層が、Ｓｎ，Ｃｕ及びＡｇのうちの少なくとも一種を含む、請求項１〜９のいずれか一項に記載の電子部品。
【請求項１１】
請求項１〜１０のいずれか一項に記載の電子部品と、
前記電子部品が実装された実装基板と、
前記電子部品と前記実装基板とを接合しているはんだと、
を備え、
前記電子部品と前記実装基板の接合部には前記撥水膜が設けられていない、電子部品の実装構造体。
【請求項１２】
電子部品本体の上に第１の外部電極と、第２の外部電極とを形成する工程と、
前記電子部品本体の上と、前記第１の外部電極の上とに、有機溶剤に可溶な撥水膜を設ける工程と、
を備える、電子部品の製造方法。
【請求項１３】
電子部品本体の上に第１の外部電極と、第２の外部電極とを形成する工程と、
前記電子部品本体の上と、前記第１の外部電極の上とに、はんだフラックスに含まれる溶剤に可溶な撥水膜を設ける工程と、
を備える、電子部品の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電子部品及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、携帯電話機や携帯音楽プレイヤーなどの電子機器において、小型化及び薄型化が進んできている。それに伴って、たとえば、電子機器に内蔵される電子部品の小型化が求められている。また、このような電子機器を使用する環境は多様化しており、電子部品に対して、多様化した環境に対する信頼性の向上が望まれている。
【０００３】
近年、特許文献１に記載されているように、電子部品におけるイオンマイグレーションが問題となる場合がある。イオンマイグレーションは、電子部品と外気との温度差の差によって、電子部品の表面に結露が生じ、この結露により発生した水滴が、電子部品の表面において、外部電極間をつなぐ水膜を形成し、その状態で電子部品の外部電極間に電圧が印加されると、その水膜に外部電極からイオン化した金属種が溶解／析出して起こる。なお、この問題は厳しい環境下に置かれる車に搭載される場合により顕著に起きる。特許文献１には、イオンマイグレーションの発生を抑制するために、外部電極間の間に撥水膜を設けることが記載されている。特許文献１には、フッ素を含むシランカップリング剤を用いて撥水膜を形成することが記載されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】国際公開第０２／０８２４８０号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
ところで、電子部品は、一般的に、はんだ等を用いて実装基板に実装されて使用される。しかしながら、撥水膜を設けた電子部品は、実装性が低い場合がある。
【０００６】
本発明の主な目的は、イオンマイグレーションの発生が抑制されており、はんだによる実装性に優れた電子部品を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明に係る第１の電子部品は、電子部品本体と、第１及び第２の外部電極と、撥水膜とを備える。第１及び第２の外部電極は、電子部品本体の上に設けられている。撥水膜は、電子部品本体の上と、第１の外部電極の上とに設けられている。撥水膜が、有機溶剤に可溶である。
【０００８】
本発明に係る第１の電子部品では、撥水膜が、はんだフラックスに含まれる溶剤に可溶であることが好ましい。
【０００９】
本発明に係る第２の電子部品は、電子部品本体と、第１及び第２の外部電極と、撥水膜とを備える。第１及び第２の外部電極は、電子部品本体の上に設けられている。撥水膜は、電子部品本体の上と、第１の外部電極の上とに設けられている。撥水膜が、はんだフラックスに含まれる溶剤に可溶である。
【００１０】
本発明に係る第１及び第２の電子部品のぞれぞれにおいて、溶剤が、エーテル系有機溶剤、アルコール系有機溶剤、炭化水素系有機溶剤、ケトン系、エステル系及びグリコールエーテル系からなる群から選ばれた少なくとも一種を含んでいてもよい。
【００１１】
本発明に係る第１及び第２の電子部品のぞれぞれにおいて、溶剤の溶解度パラメータ（ＳＰ値）が、７．０〜１４．０であってもよい。
【００１２】
本発明に係る第１及び第２の電子部品のぞれぞれにおいて、電子部品本体は、長さ方向及び幅方向に沿って延びる第１及び第２の主面と、長さ方向及び厚み方向に沿って延びる第１及び第２の側面と、幅方向及び厚み方向に沿って延びる第１及び第２の端面とを有していてもよい。第２の主面上において、第１の外部電極の先端部と第２の外部電極の先端部とが長さ方向において対向していてもよい。第２の主面の第１の外部電極の先端部と第２の外部電極の先端部との間に位置する部分の上に撥水膜が位置していることが好ましい。
【００１３】
本発明に係る第１及び第２の電子部品のぞれぞれにおいて、撥水膜が、電子部品本体の上と、第１の外部電極の上とに跨がって設けられていることが好ましい。
【００１４】
本発明に係る第１及び第２の電子部品のぞれぞれにおいて、撥水膜が、電子部品本体の露出部並びに第１及び第２の外部電極の全体を覆っていることが好ましい。
【００１５】
本発明に係る第１及び第２の電子部品のぞれぞれにおいて、外部電極の最外層が、Ｓｎ，Ｃｕ及びＡｇのうちの少なくとも一種を含んでいてもよい。
【００１６】
本発明に係る電子部品の実装構造体は、本発明に係る電子部品と、実装基板と、はんだとを備える。実装基板には、電子部品が実装されている。はんだは、電子部品と実装基板とを接合している。本発明に係る電子部品の実装構造体では、電子部品と実装基板の接合部には、撥水膜が設けられていない。
【００１７】
本発明に係る第１の電子部品の製造方法では、電子部品本体の上に第１の外部電極と、第２の外部電極とを形成する。電子部品本体の上と、第１の外部電極の上とに、有機溶剤に可溶な撥水膜を設ける。
【００１８】
本発明に係る第２の電子部品の製造方法では、電子部品本体の上に第１の外部電極と、第２の外部電極とを形成する。電子部品本体の上と、第１の外部電極の上とに、はんだフラックスに含まれる溶剤に可溶な撥水膜を設ける。
【発明の効果】
【００１９】
本発明によれば、イオンマイグレーションの発生が抑制されており、はんだによる実装性に優れた電子部品を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００２０】
【図１】本発明の一実施形態に係る電子部品の模式的斜視図である。
【図２】図１の線ＩＩ−ＩＩにおける模式的断面図である。
【図３】本発明の一実施形態に係る電子部品の実装構造体の模式的断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００２１】
以下、本発明を実施した好ましい形態の一例について説明する。但し、下記の実施形態は、単なる例示である。本発明は、下記の実施形態に何ら限定されない。
【００２２】
また、実施形態等において参照する各図面において、実質的に同一の機能を有する部材は同一の符号で参照することとする。また、実施形態等において参照する図面は、模式的に記載されたものである。図面に描画された物体の寸法の比率などは、現実の物体の寸法の比率などとは異なる場合がある。図面相互間においても、物体の寸法比率等が異なる場合がある。具体的な物体の寸法比率等は、以下の説明を参酌して判断されるべきである。
【００２３】
図１は、本実施形態に係る電子部品の模式的斜視図である。図１に示されるように、図２は、図１の線ＩＩ−ＩＩにおける模式的断面図である。なお、図１においては、撥水膜２０の描画を省略している。
【００２４】
電子部品１は、直方体状の電子部品本体１０を備えている。電子部品本体１０は、第１及び第２の主面１０ａ、１０ｂと、第１及び第２の側面１０ｃ、１０ｄと、第１及び第２の端面１０ｅ、１０ｆ（図２を参照）とを有する。第１及び第２の主面１０ａ、１０ｂは、それぞれ、長さ方向Ｌ及び幅方向Ｗに沿って延びている。第１及び第２の側面１０ｃ、１０ｄは、それぞれ、厚み方向Ｔ及び長さ方向Ｌに沿って延びている。第１及び第２の端面１０ｅ、１０ｆは、それぞれ、厚み方向Ｔ及び幅方向Ｗに沿って延びている。長さ方向Ｌ、幅方向Ｗ及び厚み方向Ｔは、それぞれ直交している。
【００２５】
なお、本発明において、「直方体状」には、角部や稜線部が丸められた直方体が含まれるものとする。すなわち、「直方体状」の部材とは、第１及び第２の主面、第１及び第２の側面並びに第１及び第２の端面とを有する部材全般を意味する。また、主面、側面、端面の一部または全部に凹凸などが形成されていてもよい。
【００２６】
電子部品本体１０の寸法は特に限定されない。例えば電子部品本体１０の厚み寸法は０．１ｍｍ〜３．０ｍｍであることが好ましく、長さ寸法は０．２ｍｍ〜３．５ｍｍであることが好ましく、幅寸法は０．１ｍｍ〜３．０ｍｍであることが好ましい。
【００２７】
電子部品本体１０は、電子部品１の機能に応じた適宜のセラミックスからなる。具体的には、電子部品１がコンデンサである場合は、電子部品本体１０を誘電体セラミックスにより形成することができる。誘電体セラミックスの具体例としては、例えば、ＢａＴｉＯ３、ＣａＴｉＯ３、ＳｒＴｉＯ３、ＣａＺｒＯ３などが挙げられる。電子部品本体１０には、電子部品１に要求される特性に応じて、例えばＭｎ化合物、Ｍｇ化合物、Ｓｉ化合物、Ｆｅ化合物、Ｃｒ化合物、Ｃｏ化合物、Ｎｉ化合物、希土類化合物などの副成分が適宜添加されていてもよい。
【００２８】
電子部品１が圧電部品である場合は、電子部品本体１０を圧電セラミックスにより形成することができる。圧電セラミックスの具体例としては、例えばＰＺＴ（チタン酸ジルコン酸鉛）系セラミックスなどが挙げられる。
【００２９】
電子部品１が例えばサーミスタである場合は、電子部品本体１０を半導体セラミックスにより形成することができる。半導体セラミックスの具体例としては、例えばスピネル系セラミックなどが挙げられる。
【００３０】
電子部品１が例えばインダクタである場合は、電子部品本体１０を磁性体セラミックスにより形成することができる。磁性体セラミックスの具体例としては、例えばフェライトセラミックなどが挙げられる。
【００３１】
図２に示されるように、電子部品本体１０の内部には、複数の第１の内部電極１１と複数の第２の内部電極１２とが設けられる。
【００３２】
第１の内部電極１１は矩形状である。第１の内部電極１１は、第１及び第２の主面１０ａ、１０ｂと平行に設けられている。すなわち、第１の内部電極１１は、長さ方向Ｌ及び幅方向Ｗに沿って設けられている。第１の内部電極１１は、第１の端面１０ｅに露出しており、第１及び第２の主面１０ａ、１０ｂ、第１及び第２の側面１０ｃ、１０ｄ並びに第２の端面１０ｆには露出していない。
【００３３】
第２の内部電極１２は矩形状である。第２の内部電極１２は、第１及び第２の主面１０ａ、１０ｂと平行に設けられている。すなわち、第２の内部電極１２は、長さ方向Ｌ及び幅方向Ｗに沿って設けられている。第２の内部電極１２は、第２の端面１０ｆに露出している。第２の内部電極１２は、第１及び第２の主面１０ａ、１０ｂ、第１及び第２の側面１０ｃ、１０ｄ並びに第１の端面１０ｅには露出していない。
【００３４】
第１及び第２の内部電極１１、１２は、厚み方向Ｔに沿って交互に設けられている。厚み方向Ｔにおいて隣り合う第１の内部電極１１と第２の内部電極１２とは、セラミック部１０ｇを介して対向している。セラミック部１０ｇの厚みは、１μｍ〜１００μｍ程度とすることができ、２μｍ〜１０μｍであることが好ましい。
【００３５】
第１及び第２の内部電極１１、１２は、適宜の導電材料により構成することができる。第１及び第２の内部電極１１、１２は、例えばＮｉ，Ｃｕ，Ａｇ，Ｐｄ及びＡｕからなる群から選ばれた金属、またはＮｉ，Ｃｕ，Ａｇ，Ｐｄ及びＡｕからなる群から選ばれた一種以上の金属を含む合金（例えば、Ａｇ−Ｐｄ合金など）により構成することができる。
【００３６】
第１及び第２の内部電極１１、１２の厚みは、例えば、０．５μｍ〜１．５μｍ程度であることが好ましい。
【００３７】
電子部品本体１０の上には、第１の外部電極１３と第２の外部電極１４とが設けられている。具体的には、第１の外部電極１３は、第１の端面１０ｅの上と、第１及び第２の主面１０ａ、１０ｂ並びに第１及び第２の側面１０ｃ、１０ｄのそれぞれの上とに跨がって設けられている。第１の外部電極１３は、第１の端面１０ｅにおいて第１の内部電極１１と電気的に接続されている。
【００３８】
第２の外部電極１４は、第２の端面１０ｆの上と、第１及び第２の主面１０ａ、１０ｂ並びに第１及び第２の側面１０ｃ、１０ｄのそれぞれの上とに跨がって設けられている。第２の外部電極１４は、第２の端面１０ｆにおいて第２の内部電極１２と電気的に接続されている。
【００３９】
第１及び第２の主面１０ａ、１０ｂ並びに第１及び第２の側面１０ｃ、１０ｄのそれぞれにおいて、第１の外部電極１３の長さ方向Ｌにおける先端と、第２の外部電極１４の長さ方向Ｌにおける先端とは、長さ方向Ｌにおいて対向している。
【００４０】
第１の外部電極１３の最外層は、Ｓｎ，Ｃｕ及びＡｇの少なくとも一種を含んでいる。具体的には、第１の外部電極１３は、第１の電極層１３ａと、第２の電極層１３ｂと、第３の電極層１３ｃとを有する。
【００４１】
第１の電極層１３ａは、電子部品本体１０の上に設けられている。第１の電極層１３ａは、焼成電極層により構成されている。焼成電極層とは、導電性粒子を含むペーストを塗布して得られたペースト層を焼成することにより得られた電極層をいう。焼成電極層に含まれる導電性粒子は、例えば、Ｃｕ，Ｎｉ，Ａｇ，Ｐｄ，Ａｇ−Ｐｄ合金，Ａｕなどの少なくとも一種を含む粒子であってもよい。
【００４２】
第２の電極層１３ｂは、第１の電極層１３ａの上に設けられている。第２の電極層１３ｂは、めっき層により構成されていてもよい。本実施形態では、第２の電極層１３ｂは、Ｎｉめっき層により構成されている。
【００４３】
第３の電極層１３ｃは、第２の電極層１３ｂの上に設けられている。第３の電極層１３ｃは、めっき層により構成されていてもよい。本実施形態では、第３の電極層１３ｃは、Ｓｎめっき層により構成されている。
【００４４】
第２の外部電極１４の最外層は、Ｓｎ，Ｃｕ及びＡｇの少なくとも一種を含んでいる。具体的には、第２の外部電極１４は、第１の電極層１４ａと、第２の電極層１４ｂと、第３の電極層１４ｃとを有する。
【００４５】
第１の電極層１４ａは、電子部品本体１０の上に設けられている。第１の電極層１４ａは、焼成電極層により構成されている。
【００４６】
第２の電極層１４ｂは、第１の電極層１４ａの上に設けられている。第２の電極層１４ｂは、めっき層により構成されていてもよい。本実施形態では、第２の電極層１４ｂは、Ｎｉめっき層により構成されている。
【００４７】
第３の電極層１４ｃは、第２の電極層１４ｂの上に設けられている。第３の電極層１４ｃは、めっき層により構成されていてもよい。本実施形態では、第３の電極層１４ｃは、Ｓｎめっき層により構成されている。
【００４８】
電子部品１は、撥水膜２０を備える。撥水膜２０は、例えば、樹脂により構成することができる。撥水膜２０は、例えば、シリコーン樹脂、フッ素系樹脂等により構成することができる。撥水膜２０を構成する樹脂は、非架橋型の樹脂であることが好ましい。撥水膜２０は、例えば、樹脂のみにより構成されていてもよいし、フィラー等を含む樹脂組成物により構成されていてもよい。
【００４９】
なお、本発明において、「撥水膜」とは、２５℃における水の接触角が９０°以上である層のことをいう。水の接触角は、以下の要領で、例えば、協和界面科学製微小接触角計（ＭＣＡ−３）を用いて測定することができる。まず、水平な基盤の上に、第２の主面が基盤側を向くように電子部品を配置する。次に、電子部品の第１の主面の上に、水滴を滴下して形成された液滴を横方向から撮影し、接触角を求めることができる。ここでの接触角は、滴下した直後に測定した、静的接触角をいう。
【００５０】
撥水膜２０は、電子部品本体１０の上と、第１及び第２の外部電極１３，１４の少なくとも一方の上とに設けられている。このため、電子部品本体１０上に水膜が形成されることが抑制される。従って、イオンマイグレーションの発生が抑制される。
【００５１】
イオンマイグレーションは、外部電極の金属成分のイオン化と、イオン化した金属成分の対向電極への移動を伴う。このため、イオンマイグレーションの発生を抑制する観点からは、外部電極の金属成分と水分との接触を抑制することが好ましい。従って、イオンマイグレーションの発生をより効果的に抑制する観点からは、撥水膜２０を、第１及び第２の外部電極１３，１４の少なくとも一部を覆うように設けることが好ましい。撥水膜２０を、第１及び第２の外部電極１３，１４の先端部を覆うように設けることがより好ましい。撥水膜２０を、第１及び第２の外部電極１３，１４の少なくとも一方と、電子部品本体１０の上とに跨がって設けることがさらに好ましい。
【００５２】
第１及び第２の外部電極１３，１４の一方でイオン化した金属成分が対向電極に到達することを抑制する観点からは、第１及び第２の主面１０ａ、１０ｂ並びに第１及び第２の側面１０ｃ、１０ｄの少なくともひとつにおいて、撥水膜２０が、第１の外部電極１３と第２の外部電極１４とを隔離するように設けられていることが好ましい。
【００５３】
撥水膜２０は、電子部品本体１０の露出部並びに第１及び第２の外部電極１３，１４の全体を覆っていることがさらに好ましい。ここで、撥水膜２０が電子部品本体１０の露出部並びに第１及び第２の外部電極１３，１４の全体を覆っているとは、撥水膜２０が電子部品本体１０の露出部並びに第１及び第２の外部電極１３，１４の全表面のうちの９０％以上を覆っていることをいう。撥水膜２０が覆っている部分は、飛行時間型二次イオン質量分析法（Ｔｉｍｅ−ｏｆ−Ｆｌｉｇｈｔ  Ｓｅｃｏｎｄａｒｙ  Ｉｏｎ  Ｍａｓｓ  Ｓｐｅｃｔｒｏｍｅｔｒｙ：ＴＯＦ−ＳＩＭＳ）により分析した場合に、例えばシリコーン樹脂の場合は、Ｓｉを含むイオンが検出される部分である。すなわち、撥水膜２０が電子部品本体１０の露出部並びに第１及び第２の外部電極１３，１４の全体を覆っているとは、ＴＯＦ−ＳＩＭＳにより電子部品１０の露出部１０並びに第１および第２の外部電極１３、１４を５０μｍ□の視野でＳｉをマッピングした場合に、Ｓｉを含むイオンが、電子部品本体１０の露出部並びに第１及び第２の外部電極１３，１４の全表面のうちの９０％以上の部分において検出されることを意味する。
【００５４】
また、撥水膜は非架橋型樹脂を含むことが好ましい。非架橋型樹脂では架橋反応が生じない。このため、非架橋樹脂では、樹脂の分子量を制御することが容易であり、分子量が不所望に大きくなることを防止できる。このため、非架橋型樹脂が乾燥・硬化した撥水膜であっても、有機溶剤やはんだフラックスに含まれる溶剤に可溶である。
【００５５】
図３は、実施形態に係る電子部品の実装構造体の模式的断面図である。
【００５６】
図３に示されるように、電子部品の実装構造体２は、電子部品１を備えている。電子部品１は、実装基板３０に実装されている。実装基板３０の実装面３０ａの上に設けられたランド３１と外部電極１３，１４とがはんだ３２によって接合されている。はんだ３２を構成するためのはんだ部材（例えば、はんだボールなど）は、はんだと、はんだフラックスとを含む。はんだフラックスは、溶剤を含む。はんだフラックスに含まれる溶剤は、水系溶剤であってもよいし、有機溶剤であってもよい。好ましく用いられる有機溶剤としては、エーテル系有機溶剤、アルコール系有機溶剤、炭化水素系有機溶剤、ケトン系、エステル系及びグリコールエーテル系からなる群から選ばれた少なくとも一種を含む溶剤等が挙げられる。はんだフラックスに含まれる溶剤の溶解度パラメータ（ＳＰ値）は、例えば、７．０〜１４．０であってもよい。
【００５７】
上述のように、イオンマイグレーションの発生を抑制する観点からは、第１及び第２の外部電極の少なくとも一方の上にも撥水膜を設けることが好ましい。しかしながら、本発明者らが鋭意研究した結果、第１及び第２の外部電極の少なくとも一方の上に撥水膜を設けた場合、電子部品の実装性が低い場合がある。本発明者らは、鋭意研究した結果、実装性が低くなる原因が、はんだを介して外部電極と基板を接合する際に撥水膜がはんだと外部電極との接合を阻害していることにあることに想到した。そこで、電子部品１では、撥水膜２０がはんだのはんだフラックスに含まれる溶剤に可溶な膜とされている。このため、はんだによる実装時に、溶融されたはんだと撥水膜２０とが接触すると、撥水膜２０がはんだフラックスに溶解する。よって、外部電極１３，１４のはんだにより接合しようとする部分の上に位置する撥水膜２０が除去される。つまり、実装構造体２においては、外部電極１３、１４とはんだとの界面には撥水膜が設けられていない。よって、はんだ溶融されたはんだと外部電極１３，１４とが直接接触しやすく、電子部品１は、優れた実装性を有する。
【００５８】
電子部品１は、例えば、以下の要領で製造することができる。
【００５９】
まず、第１及び第２の内部電極１１，１２を有する電子部品本体１０を用意する。電子部品本体１０は、例えば公知の方法により製造することができる。具体的には、電子部品本体１０は、例えば、以下の要領で作製することができる。まず、セラミックグリーンシートを用意する。次に、セラミックグリーンシートの上に、導電性ペーストを印刷することにより、導電性ペースト層を形成する。次に、導電性ペースト層が印刷されていないセラミックグリーンシートを複数積層した後に、導電性ペーストを印刷したセラミックグリーンシートを積層し、さらにその上に、導電性ペースト層を印刷したセラミックグリーンシートを積層する。これにより、マザー積層体を作製する。マザー積層体を、静水圧プレス法等によりプレスしてもよい。次に、マザー積層体を複数に分断することにより、生のセラミック素体を複数作製する。次に、生のセラミック素体を焼成することにより、電子部品本体１０を完成させることができる。
【００６０】
次に、電子部品本体１０の上に、第１及び第２の外部電極１３，１４を形成する。第１及び第２の外部電極１３，１４は、例えば、以下の要領で形成することができる。電子部品本体１０の上に導電性ペーストを塗布し、焼き付けることにより第１の電極層１３ａ、１４ａを形成する。第１の電極層１３ａ、１４ａの上に、Ｎｉメッキを施すことにより第２の電極層１３ｂ、１４ｂを形成する。第２の電極層１３ｂ、１４ｂの上にＳｎメッキを施すことにより第３の電極層１３ｃ、１４ｃを形成する。以上の工程により第１及び第２の外部電極１３，１４を完成させることができる。
【００６１】
次に、電子部品本体１０の上と、外部電極１３，１４の上とに撥水膜２０を形成する。具体的には、まず、撥水膜２０を形成するための樹脂をメタノールなどの溶剤で希釈することにより処理剤を調製する。その処理剤に外部電極１３，１４が形成された電子部品本体１０を浸漬させ、乾燥することにより撥水膜２０を作製することができる。または、外部電極１３，１４が形成された電子部品本体１０に処理剤を塗布してもよい。なお、撥水膜２０の厚みは、例えば、処理剤における撥水樹脂の濃度等を適宜調製することにより制御することができる。
【００６２】
本実施形態では、はんだフラックスに含まれる溶剤に可溶な撥水性樹脂を用いて撥水膜２０を形成する。従って、処理剤の調製に、はんだフラックスに含まれる溶剤と溶解度パラメータ（ＳＰ値）が近い溶剤を用いることにより均質性の高い処理剤を調製することができる。よって、均質性に優れた撥水膜２０を製造することができる。
【００６３】
以下、本発明について、具体的な実施例に基づいて、さらに詳細に説明するが、本発明は以下の実施例に何ら限定されるものではなく、その要旨を変更しない範囲において適宜変更して実施することが可能である。
【００６４】
（実施例１）
上記実施形態に係る電子部品１と実質的に同様の構成を有する電子部品を、下記の条件で作製した。
【００６５】
電子部品の寸法：長さ寸法：１．６ｍｍ、幅寸法：０．８ｍｍ、厚み寸法：０．８ｍｍ
セラミック部：ＢａＴｉＯ３
内部電極：Ｎｉ
第１の電極層：Ｃｕを含む焼成電極層
第２の電極層：Ｎｉめっき層
第３の電極層：Ｓｎめっき層
第１及び第２の主面のそれぞれにおける第１の外部電極と第２の外部電極との間の長さ方向に沿った距離：０．８ｍｍ
処理液：非架橋型シリコーン樹脂を含むシリコーンポリマーディスパージョンＳＤ−８００２  ＤＩＳＰＥＲＳＩＯＮ（東レダウコーニング社製）を濃度が１質量％となるように希釈した液
撥水膜の形成方法：処理液に５分間浸漬した後に、処理液から引き上げ、１５０℃で３０分間乾燥させた。その結果、厚みが数ｎｍの撥水膜を形成することができた。
【００６６】
（実施例２）
処理液におけるシリコーン樹脂の濃度を５質量％としたこと以外は実施例１と同様にして電子部品を作製した。
【００６７】
（実施例３）
処理液におけるシリコーン樹脂の濃度を６０質量％としたこと以外は実施例１と同様にして電子部品を作製した。
【００６８】
（実施例４）
フッ素系非架橋型樹脂コーティング液（野田スクリーン社製ＷＯＰ−０１９ＸＰＣ）を用いたこと以外は実施例１と同様にして電子部品を作製した。形成された撥水膜の厚みは、数ｎｍであった。
【００６９】
（比較例１）
撥水膜を形成しなかったこと以外は実施例１と同様にして電子部品を作製した。
【００７０】
（比較例２）
アルコキシシラン系のシランカップリング剤ＫＢＭ−３０６３（信越化学工業製）をプロパノールで５体積％に希釈した処理剤を用いて形成したこと以外は実施例１と同様にして電子部品を作製した。
【００７１】
（比較例３）
信越化学工業製シリコーン系架橋型ポリマーコーティング液（ＫＲ−４００）を用いたこと以外は実施例１と同様にして電子部品を作製した。撥水膜の厚みは、約５μｍであった。
【００７２】
（イオンマイグレーションの評価）
溶媒にジエチレングリコールモノヘキシルエーテルを含有するはんだフラックスを含むＳｎ−３Ａｇ−０．５Ｃｕはんだ（千住金属工業製、Ｍ７０５−ＧＲＮ３６０−Ｋ２−Ｖ）を用いて、実施例１〜４及び比較例１〜３のそれぞれにおいて作製したサンプルを基板にはんだ実装した後、以下の条件で結露サイクル試験を実施した。
【００７３】
作製した実装構造体を、−３０℃の低温の環境下で１時間保持した。その後、温度２５℃、湿度９０％の高温高湿の環境下で１時間保持した。最後に、温度２５℃で１．５時間かけて湿度を５０％まで低下させ、サンプルを乾燥させた。これを１サイクルとし、４８サイクル実施した。
【００７４】
その後、マイクロスコープにより１００倍に第２の主面の一部分を拡大して観察した。その結果、第２の主面に白色または黒色の生成物が存在したことが確認された場合、イオンマイグレーションが生じていたと判断し、「×」とした。一方、２の主面に白色または黒色の生成物が確認されなかった場合、イオンマイグレーションが生じていなかったとして「○」と評価した。表１に、総サンプル数に対する「×」と判断されたサンプル数の比（（「×」と判断されたサンプル数）／（総サンプル数））を示す。
【００７５】
なお、波長分散型Ｘ線分光器（ＷＤＸ）にて生成物を分析すると、ＳｎまたはＮｉまたはＣｕを検出することができた。従って、観察された白色又は黒色の生成物は、イオンマイグレーションによる生成物であることが確認された。
【００７６】
（実装性評価）
実施例１〜４及び比較例１〜３のそれぞれにおいて作製したサンプルにつき、レスカ製はんだぬれ性試験機「ＳＡＴ−５１００」を用いて、ＪＩＳ  Ｃ  ６００６８−２−６９「環境試験方法−電気・電子−第２−６９部：試験−試験Ｔｅ：表面実装部品（ＳＭＤ）のはんだ付け性試験方法（平衡法）」に従って実装性を評価した。レスカ製はんだペレットを用いた。フラックスには固形ロジン（松脂）２５％、ＩＰＡ７５％（重量比）の溶液を用いた。試験温度は、２４５℃とした。得られた試験結果から、ゼロクロスタイム（濡れが始まる時間）を測定し、ゼロクロスタイムが５秒以内の場合を「○」とし、ゼロクロスタイムが５秒を超えた場合を「×」として評価した。表１に、総サンプル数に対する「×」と判断されたサンプル数の比（（「×」と判断されたサンプル数）／（総サンプル数））を示す。ここで、試験数はｎ＝１０とした。
【００７７】
（はんだフラックスへの溶解性評価）
実施例１〜４及び比較例１〜３のそれぞれにおいて作製した電子部品の撥水膜が、はんだフラックスに可溶であるか否かを評価した。はんだフラックスに、フラックスＦ（ロジン２５％、プロパノール７５％含有、佐々木化学薬品社製）を用い、作成した電子部品を浸漬し、撥水膜が溶解除去された場合を「○」とし、撥水膜に変化が見られない場合を「×」として評価した。表１に、結果を示す。
【００７８】
【表１】
2015198238.tif 000003
【符号の説明】
【００７９】
１  電子部品
２  実装構造体
１０  電子部品本体
１０ａ  第１の主面
１０ｂ  第２の主面
１０ｃ  第１の側面
１０ｄ  第２の側面
１０ｅ  第１の端面
１０ｆ  第２の端面
１０ｇ  セラミック部
１１  第１の内部電極
１２  第２の内部電極
１３  第１の外部電極
１４  第２の外部電極
１３ａ，１４ａ  第１の電極層
１３ｂ，１４ｂ  第２の電極層
１３ｃ，１４ｃ  第３の電極層
２０  撥水膜
３０  実装基板
３０ａ  実装面
３１  ランド
３２  はんだ
【図１】
2015198238.tif 000004
【図２】
2015198238.tif 000005
【図３】
2015198238.tif 000006