(57)【要約】      （修正有）【課題】架橋物としたときに、ガラス基板に対して密着性を有し、かつ、高温処理条件下での分解が抑制されるオルガノポリシロキサンを提供する。【解決手段】式（１）で表されるシロキサン単位（Ａ）と式（２）で表されるシロキサン単位（Ｂ）とを含み、上記シロキサン単位（Ａ）の割合が３０〜６０モル％であり、全シロキサン単位に対する上記シロキサン単位（Ａ）と上記シロキサン単位（Ｂ）との合計の割合が９０〜１００モル％であり、上記シロキサン単位（Ｂ）が、炭素数３以下のアルケニルを含有するオルガノポリシロキサン。2015232053.tif 0000212015232053.tif 000022【選択図】なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
式（１）で表されるシロキサン単位（Ａ）と式（２）で表されるシロキサン単位（Ｂ）とを含み、前記シロキサン単位（Ａ）と前記シロキサン単位（Ｂ）との合計に対する前記シロキサン単位（Ａ）の割合が３０〜６０モル％であり、全シロキサン単位に対する前記シロキサン単位（Ａ）と前記シロキサン単位（Ｂ）との合計の割合が９０〜１００モル％である、オルガノポリシロキサンであって、
前記シロキサン単位（Ｂ）が、Ｒ5およびＲ6の少なくとも一方が炭素数３以下のアルケニル基であり該アルケニル基以外の場合のＲ5およびＲ6が炭素数４以下のアルキル基であるシロキサン単位（Ｂ−１）、ならびに、Ｒ5およびＲ6のいずれもが炭素数４以下のアルキル基であるシロキサン単位（Ｂ−２）からなり、
全前記シロキサン単位（Ｂ）に対する前記シロキサン単位（Ｂ−１）の割合である［シロキサン単位（Ｂ−１）］／［シロキサン単位（Ｂ−１）＋シロキサン単位（Ｂ−２）］が２５〜９０モル％であることを特徴とするオルガノポリシロキサン。
【化１】
2015232053.tif 000018
（式（１）中、Ｒ1〜Ｒ4は、それぞれ独立に、炭素数４以下のアルキル基を表し、Ａｒは、置換基を有していてもよいフェニレン基を表す。）
【化２】
2015232053.tif 000019
（式（２）中、Ｒ5およびＲ6は、それぞれ独立に、炭素数４以下のアルキル基または炭素数３以下のアルケニル基を表す。）
【請求項２】
前記オルガノポリシロキサンが、前記シロキサン単位（Ａ）と前記シロキサン単位（Ｂ）との交互共重合体である、請求項１に記載のオルガノポリシロキサン。
【請求項３】
前記Ｒ1〜Ｒ4が、いずれもメチル基である、請求項１または２に記載のオルガノポリシロキサン。
【請求項４】
前記Ｒ5およびＲ6が、それぞれ独立に、メチル基またはビニル基である、請求項１〜３のいずれか一項に記載のオルガノポリシロキサン。
【請求項５】
前記シロキサン単位（Ｂ−１）が、メチル基およびビニル基を有するシロキサン単位である、請求項１〜４のいずれか一項に記載のオルガノポリシロキサン。
【請求項６】
数平均分子量が、５，０００〜３０，０００である、請求項１〜５のいずれか一項に記載のオルガノポリシロキサン。
【請求項７】
式（３）で表されるシラン化合物と式（４）で表されるシラン化合物とを、反応割合がそれぞれ３０〜６０モル％および７０〜４０モル％となるように反応させてオルガノポリシロキサンを製造する方法であって、
該方法が、式（３）で表されるシラン化合物を含む溶液と式（４）で表されるシラン化合物を含む溶液とを一方を他方に滴下しながら反応させる方法、または、式（３）で表されるシラン化合物と式（４）で表されるシラン化合物とを溶媒中に同時に添加して反応させる方法である、オルガノポリシロキサンを製造する方法。
【化３】
2015232053.tif 000020
（式（３）中、Ｒ1〜Ｒ4は、式（１）中のＲ1〜Ｒ4と同義であり、式（４）中、Ｒ5およびＲ6は、式（２）中のＲ5およびＲ6と同義であり、式（３）および式（４）中、ＸおよびＹは、それぞれ独立に、水素原子、ヒドロキシ基または加水分解性基を示す。）
【請求項８】
請求項１〜６のいずれか一項に記載のオルガノポリシロキサンを架橋させた架橋物である、架橋オルガノポリシロキサン。
【請求項９】
前記架橋が熱架橋である、請求項８に記載の架橋オルガノポリシロキサン。
【請求項１０】
請求項１〜６のいずれか一項に記載のオルガノポリシロキサンと溶剤とを含む、コーティング用組成物。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、オルガノポリシロキサン、および、その架橋物である架橋オルガノポリシロキサン、ならびに、オルガノポリシロキサンを含むコーティング用組成物に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、太陽電池（ＰＶ）、液晶パネル（ＬＣＤ）、有機ＥＬパネル（ＯＬＥＤ）などのデバイス（電子機器）の薄型化、軽量化が進行しており、これらのデバイスに用いるガラス基板の薄板化が進行している。薄板化によりガラス基板の強度が不足すると、デバイスの製造工程において、ガラス基板のハンドリング性が低下する。
【０００３】
そこで、従来から、最終厚さよりも厚いガラス基板上にデバイス用部材（例えば、薄膜トランジスタ）を形成した後、ガラス基板を化学エッチング処理により薄板化する方法が広く採用されている。
しかしながら、この方法では、例えば、１枚のガラス基板の厚さを０．７ｍｍから０．２ｍｍや０．１ｍｍに薄板化する場合、元々のガラス基板の材料の大半をエッチング液で削り落とすことになるので、生産性や原材料の使用効率という観点では好ましくない。また、上記の化学エッチングによるガラス基板の薄板化方法においては、ガラス基板表面に微細な傷が存在する場合、エッチング処理によって傷を起点として微細な窪み（エッチピット）が形成され、光学的な欠陥となる場合があった。
【０００４】
最近では、上記の課題に対応するため、薄板ガラス基板と補強板とを積層したガラス積層体を用意し、ガラス積層体の薄板ガラス基板上に表示装置などの電子デバイス用部材を形成した後、薄板ガラス基板から支持板を分離する方法が提案されている（例えば、特許文献１参照）。補強板は、支持板と、該支持板上に固定されたオルガノポリシロキサンの架橋物からなるシリコーン樹脂層とを有し、シリコーン樹脂層と薄板ガラス基板とが剥離可能に密着される。
ガラス積層体のシリコーン樹脂層と薄板ガラス基板との界面が剥離され、薄板ガラス基板から分離された補強板は、新たな薄板ガラス基板と積層され、ガラス積層体として再利用することが可能である。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】国際公開第０７／０１８０２８号パンフレット
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
特許文献１に記載のガラス積層体に関して、近年さらに高い耐熱性が要求されるようになってきた。ガラス積層体のガラス基板上に形成される電子デバイス用部材の高機能化や複雑化に伴い、電子デバイス用部材を形成する際の温度がさらに高温になると共に、その高温に曝される時間も長時間を要する場合が少なくない。
特許文献１に記載のガラス積層体は大気中３００℃、１時間の処理に耐えうる。しかし、本発明者らの検討によれば、特許文献１に記載のガラス積層体におけるシリコーン樹脂層を構成するオルガノポリシロキサンの架橋物は、４００℃においては短時間のうちに分解が起こり、多量のアウトガスが発生する。このようなアウトガスの発生は、ガラス基板上に形成される電子デバイス用部材を汚染し、結果として電子デバイスの生産性を低下させる原因となる。
【０００７】
本発明は、以上の点を鑑みてなされたものであり、架橋物としたときに、積層されるガラス基板に対して剥離可能に密着し、かつ、高温処理条件下での分解が抑制されるオルガノポリシロキサンを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明者らは、上記目的を達成するために鋭意検討を行なった結果、特定の構造を有するオルガノポリシロキサンの架橋物については、積層されるガラス基板に対して良好な密着性を示しつつ、容易に剥離することができ、さらに、高温処理条件下での分解が抑制されることを見出し、本発明を完成させた。
すなわち、本発明は、以下の（ｉ）〜（ｘ）を提供する。
【０００９】
（ｉ）式（１）で表されるシロキサン単位（Ａ）と式（２）で表されるシロキサン単位（Ｂ）とを含み、上記シロキサン単位（Ａ）と上記シロキサン単位（Ｂ）との合計に対する上記シロキサン単位（Ａ）の割合が３０〜６０モル％であり、全シロキサン単位に対する上記シロキサン単位（Ａ）と上記シロキサン単位（Ｂ）との合計の割合が９０〜１００モル％である、オルガノポリシロキサンであって、上記シロキサン単位（Ｂ）が、Ｒ5およびＲ6の少なくとも一方が炭素数３以下のアルケニル基であり該アルケニル基以外の場合のＲ5およびＲ6が炭素数４以下のアルキル基であるシロキサン単位（Ｂ−１）、ならびに、Ｒ5およびＲ6のいずれもが炭素数４以下のアルキル基であるシロキサン単位（Ｂ−２）からなり、全上記シロキサン単位（Ｂ）に対する上記シロキサン単位（Ｂ−１）の割合である［シロキサン単位（Ｂ−１）］／［シロキサン単位（Ｂ−１）＋シロキサン単位（Ｂ−２）］が２５〜９０モル％であることを特徴とするオルガノポリシロキサン。
【００１０】
【化１】
2015232053.tif 000002
【００１１】
式（１）中、Ｒ1〜Ｒ4は、それぞれ独立に、炭素数４以下のアルキル基を表し、Ａｒは、置換基を有していてもよいフェニレン基を表す。
【００１２】
【化２】
2015232053.tif 000003
【００１３】
式（２）中、Ｒ5およびＲ6は、それぞれ独立に、炭素数４以下のアルキル基または炭素数３以下のアルケニル基を表す。
【００１４】
（ｉｉ）上記オルガノポリシロキサンが、上記シロキサン単位（Ａ）と上記シロキサン単位（Ｂ）との交互共重合体である、上記（ｉ）に記載のオルガノポリシロキサン。
（ｉｉｉ）上記Ｒ1〜Ｒ4が、いずれもメチル基である、上記（ｉ）または（ｉｉ）に記載のオルガノポリシロキサン。
（ｉｖ）上記Ｒ5およびＲ6が、それぞれ独立に、メチル基またはビニル基である、上記（ｉ）〜（ｉｉｉ）のいずれかに記載のオルガノポリシロキサン。
（ｖ）上記シロキサン単位（Ｂ−１）が、メチル基およびビニル基を有するシロキサン単位である、上記（ｉ）〜（ｉｖ）のいずれかに記載のオルガノポリシロキサン。
（ｖｉ）数平均分子量が、５，０００〜３０，０００である、上記（ｉ）〜（ｖ）のいずれかに記載のオルガノポリシロキサン。
【００１５】
（ｖｉｉ）式（３）で表されるシラン化合物と式（４）で表されるシラン化合物とを、反応割合がそれぞれ３０〜６０モル％および７０〜４０モル％となるように反応させてオルガノポリシロキサンを製造する方法であって、該方法が、式（３）で表されるシラン化合物を含む溶液と式（４）で表されるシラン化合物を含む溶液とを一方を他方に滴下しながら反応させる方法、または、式（３）で表されるシラン化合物と式（４）で表されるシラン化合物とを溶媒中に同時に添加して反応させる方法である、オルガノポリシロキサンを製造する方法。
【００１６】
【化３】
2015232053.tif 000004
【００１７】
式（３）中、Ｒ1〜Ｒ4は、式（１）中のＲ1〜Ｒ4と同義であり、式（４）中、Ｒ5およびＲ6は、式（２）中のＲ5およびＲ6と同義であり、式（３）および式（４）中、ＸおよびＹは、それぞれ独立に、水素原子、ヒドロキシ基または加水分解性基を示す。
【００１８】
（ｖｉｉｉ）上記（ｉ）〜（ｖｉ）のいずれかに記載のオルガノポリシロキサンを架橋させた架橋物である、架橋オルガノポリシロキサン。
（ｉｘ）上記架橋が熱架橋である、上記（ｖｉｉｉ）に記載の架橋オルガノポリシロキサン。
（ｘ）上記（ｉ）〜（ｖｉ）のいずれかに記載のオルガノポリシロキサンと溶剤とを含む、コーティング用組成物。
【発明の効果】
【００１９】
本発明によれば、架橋物としたときに、積層されるガラス基板に対して密着性を有し、かつ、高温処理条件下での分解が抑制されるオルガノポリシロキサンを提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００２０】
【図１】ガラス積層体の一実施形態を示す模式的断面図である。
【図２】部材付きガラス基板の製造方法の一実施形態を工程順に示す模式的断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００２１】
［オルガノポリシロキサン］
本発明のオルガノポリシロキサンを説明するにあたって、まず、一般的なオルガノポリシロキサンについて説明する。通常、オルガノポリシロキサンの基本構成単位は、メチル基やフェニル基に代表される１価の有機基がケイ素原子に何個結合しているかで分類され、以下に示すＤ単位と呼ばれる有機基が２つ結合した２官能性のシロキサン単位、Ｔ単位と呼ばれる有機基が１つ結合した３官能性のシロキサン単位、Ｍ単位と呼ばれる有機基が３つ結合した１官能性のシロキサン単位、Ｑ単位と呼ばれる有機基が１つもない４官能性のシロキサン単位などからなる。なお、Ｑ単位はケイ素原子に結合した有機基（ケイ素原子に結合した炭素原子を有する有機基）を有しない単位であるが、本発明においてはシロキサン単位とみなす。以下の式中、Ｒはメチル基やフェニル基に代表される１価の有機基を表す。
シロキサン単位において、シロキサン結合は２個のケイ素原子が１個の酸素原子を介して結合した結合であることより、シロキサン結合におけるケイ素原子１個当たりの酸素原子は１／２個とみなし、式中Ｏ1/2と表現される。より具体的には、例えば、１つのＤ単位においては、その１個のケイ素原子は２個の酸素原子と結合し、それぞれの酸素原子は他の単位のケイ素原子と結合していることより、その式は−Ｏ1/2−Ｒ2Ｓｉ−Ｏ1/2−となる。Ｏ1/2が２個存在することより、Ｄ単位はＲ2ＳｉＯ2/2と表現されるのが通常である。しかし、本発明では、後述のＡ単位の表現に合わせて、以下のように、個々の酸素原子についてＯ1/2の表現を用い、Ｍ単位、Ｄ単位、Ｔ単位、Ｑ単位を表現した。
なお、重合体鎖の末端の単位がＭ単位以外の単位である場合、末端単位のＯ1/2に結合するケイ素原子以外の原子は１／２個相当の酸素原子であり、合わせて１個の酸素原子となり、水酸基やアルコキシ基などにおける酸素原子を表現する。下記シロキサン単位の表現と同様に表現すれば、例えば末端単位のケイ素原子に結合する水酸基は−Ｏ1/2−Ｈとなる。
【００２２】
【化４】
2015232053.tif 000005
【００２３】
本発明のオルガノポリシロキサンは、概略的には、式（１）で表されるシロキサン単位（Ａ）と式（２）で表されるシロキサン単位（Ｂ）とを含むオルガノポリシロキサンである。
シロキサン単位（Ａ）では、２つのケイ素原子のそれぞれが酸素原子と結合し、それぞれの酸素原子は単位外のケイ素原子と結合しているため、式中、Ｏ1/2と表現される。シロキサン単位（Ｂ）でも同様である。シロキサン単位（Ａ）およびシロキサン単位（Ｂ）は２官能性であるから、Ｄ単位とみなすことができる。以下、本発明においてシロキサン単位（Ａ）はＤ単位の１種とみなして、本発明のオルガノポリシロキサンを説明する。
【００２４】
【化５】
2015232053.tif 000006
【００２５】
式（１）のＲ1〜Ｒ4は、それぞれ独立に、炭素数４以下のアルキル基を表し、Ａｒは、置換基を有していてもよいフェニレン基を表す。なお、Ａｒの２個の結合手は、芳香族環を構成する炭素原子の結合手である。
式（１）のＲ1〜Ｒ4が表す炭素数４以下のアルキル基としては、例えば、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基等が挙げられ、なかでも、高温処理条件下における架橋物の分解がより抑制されるという理由から、メチル基、エチル基が好ましく、メチル基がより好ましく、Ｒ1〜Ｒ4がいずれもメチル基であるのがさらに好ましい。
式（１）中のＡｒが表すフェニレン基が有していてもよい置換基としては、特に限定されず、例えば、ハロゲン原子、脂肪族炭化水素基、芳香族炭化水素基、アルコキシ基、アリールアルキル基、アリールオキシ基、複素環基、アミノ基、ニトロ基、シアノ基等が挙げられるが、Ａｒが表すフェニレン基としては、無置換のフェニレン基であるのが好ましい。
【００２６】
【化６】
2015232053.tif 000007
【００２７】
式（２）中、Ｒ5およびＲ6は、それぞれ独立に、炭素数４以下のアルキル基または炭素数３以下のアルケニル基を表す。
式（２）中、Ｒ5およびＲ6が表す炭素数４以下のアルキル基としては、例えば、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基等が挙げられ、なかでも、高温処理条件下における架橋物の分解がより抑制されるという理由から、メチル基、エチル基が好ましく、メチル基がより好ましい。
式（２）中、Ｒ5およびＲ6が表す炭素数３以下のアルケニル基としては、ビニル基、アリル基が挙げられ、なかでも、高温処理条件下における架橋物の分解がより抑制されるという理由から、ビニル基が好ましい。
【００２８】
本発明のオルガノポリシロキサンにおいては、シロキサン単位（Ａ）とシロキサン単位（Ｂ）との合計に対するシロキサン単位（Ａ）の割合は、高温処理条件下における架橋物の分解が抑制されるとともに、架橋物のガラス基板に対する密着性および剥離性も良好になるという理由から、３０〜６０モル％であり、３５〜５５モル％であるのが好ましく、４５〜５５モル％であるのがより好ましい。
【００２９】
また、本発明のオルガノポリシロキサンは、例えば、Ｍ単位、Ｔ単位、Ｑ単位などの他のシロキサン単位を含んでいてもよいが、全シロキサン単位に対するシロキサン単位（Ａ）とシロキサン単位（Ｂ）との合計の割合は、９０〜１００モル％であり、架橋物のガラス基板に対する密着性および剥離性がより良好になるという理由から、９５〜１００モル％が好ましく、９７〜１００モル％がより好ましい。
【００３０】
本発明のオルガノポリシロキサンが他のシロキサン単位を含む場合、その単位はＭ単位であることが好ましい。Ｍ単位としては、ケイ素原子に結合する３個の有機基がすべて炭素数４以下のアルキル基である単位、または、ケイ素原子に結合する１個の有機基が炭素数３以下のアルケニル基であり２個の有機基が炭素数４以下のアルキル基である単位が好ましい。ここで、炭素数４以下のアルキル基としてはメチル基およびエチル基が好ましく、炭素数３以下のアルケニル基としてはビニル基が好ましい。Ｍ単位を含む場合、全シロキサン単位に対するＭ単位の割合は、１〜１０モル％が好ましく、２〜７モル％がより好ましい。この範囲でＭ単位を有すると分子量の調節が容易となる。また、Ｍ単位を含むとオルガノポリシロキサンの末端からの開裂が抑制されるので、耐熱性が向上する。
本発明のオルガノポリシロキサンがＴ単位（その有機基としては素数４以下のアルキル基が好ましい）やＱ単位を含む場合、全シロキサン単位に対するそれらの単位の合計の割合は、５モル％以下が好ましく、３モル％以下がより好ましい。Ｔ単位やＱ単位が存在すると架橋オルガノポリシロキサンの柔軟性が低下するおそれがあることから、本発明のオルガノポリシロキサンはＴ単位やＱ単位を含まないことが特に好ましい。
【００３１】
なお、本発明のオルガノポリシロキサンは、Ｔ単位および／またはＱ単位を含むと、硬化物の耐熱性は向上するが、柔軟性が低下して密着性が劣ったり、また、剥離性も低下する場合があるため、密着性および剥離性の観点からは、Ｔ単位およびＱ単位を含まないのが好ましい。
【００３２】
本発明のオルガノポリシロキサンが含むＭ単位としては、特に限定されないが、例えば、下記式（Ｓ）で表されるシロキサン単位が挙げられる。
【００３３】
【化７】
2015232053.tif 000008
【００３４】
式（Ｓ）中、Ｒ7は、それぞれ独立に、炭素数４以下の炭化水素基を表す。Ｒ7が示す炭化水素基としては、例えば、アルキル基、アリール基、アルケニル基等が挙げられる。ここで、アルキル基の具体例としては、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基等が挙げられ、なかでも、メチル基、エチル基が好ましく、メチル基がより好ましい。また、アリール基の具体例としては、フェニル基が挙げられ、アルケニル基の具体例としては、ビニル基が挙げられる。
【００３５】
そして、本発明のオルガノポリシロキサンにおいて、シロキサン単位（Ｂ）は、Ｒ5およびＲ6の少なくとも一方が炭素数３以下のアルケニル基であり該アルケニル基以外の場合のＲ5およびＲ6が炭素数４以下のアルキル基であるシロキサン単位（Ｂ−１）、ならびに、Ｒ5およびＲ6のいずれもが炭素数４以下のアルキル基であるシロキサン単位（Ｂ−２）からなる。
【００３６】
シロキサン単位（Ｂ−１）の好適態様としては、高温処理条件下における架橋物の分解がより抑制されるという理由から、Ｒ5またはＲ6の一方がメチル基で、他方がビニル基である態様が挙げられる。
シロキサン単位（Ｂ−２）の好適態様としては、Ｒ5およびＲ6のいずれもがメチル基である態様が挙げられる。
【００３７】
さらに、本発明においては、全シロキサン単位（Ｂ）に対するシロキサン単位（Ｂ−１）の割合である［シロキサン単位（Ｂ−１）］／［シロキサン単位（Ｂ−１）＋シロキサン単位（Ｂ−２）］が、２５〜９０モル％であり、高温処理条件下における架橋物の分解がより抑制されるとともに、架橋物のガラス基板に対する密着性および剥離性もより良好になるというという理由から、２５〜７５モル％であるのが好ましく、４５〜５５モル％であるのがより好ましい。
【００３８】
本発明のオルガノポリシロキサン中におけるシロキサン単位（Ａ）およびシロキサン単位（Ｂ）の結合形式は、特に限定されず、例えば、ランダム共重合体、ブロック共重合体、交互共重合体等が挙げられ、なかでも、高温処理条件下における架橋物の分解がより抑制されるという理由から、交互共重合体であることが好ましい。
【００３９】
本発明において、シロキサン単位（Ａ）とシロキサン単位（Ｂ）との交互共重合体とは、シロキサン単位（Ａ）とシロキサン単位（Ｂ）との結合が、シロキサン単位（Ａ）とシロキサン単位（Ａ）との結合およびシロキサン単位（Ｂ）とシロキサン単位（Ｂ）との結合の合計よりもはるかに多い共重合体を意味する。
これら３種の結合は、例えば1Ｈ ＮＭＲ測定および29Ｓｉ ＮＭＲ測定により区別することができ、その測定によりそれら結合の相対的な数の割合を計算できる。
本発明におけるシロキサン単位（Ａ）とシロキサン単位（Ｂ）との交互共重合体は、少数のランダム結合部分やブロック結合部分を含んでいてもよい。
交互共重合体におけるシロキサン単位（Ａ）とシロキサン単位（Ｂ）との結合の割合は、上記３種の結合の合計に対して、９０〜１００モル％が好ましく、９５〜１００モル％がより好ましい。
なお、交互共重合体であるか否かを区別するものではないが、本発明のポリシロキサンが交互共重合体である場合、その交互共重合体におけるシロキサン単位（Ａ）およびシロキサン単位（Ｂ）の合計に対するシロキサン単位（Ａ）の割合は５０±５モル％が好ましい。
交互共重合性の分析方法については、例えば、Journal of Applied Polymer Science, Vol. 106, 1007-1013 (2007)を参考できる。
【００４０】
本発明のオルガノポリシロキサンの数平均分子量は特に限定されないが、取扱い性に優れると共に、成膜性にも優れ、高温処理条件下における架橋物の分解がより抑制されるという理由から、ＧＰＣ（ゲルパーミエーションクロマトグラフィー）測定によるポリスチレン換算の数平均分子量が、５，０００〜３０，０００であるのが好ましく、１０，０００〜１８，０００であるのがより好ましい。
本発明のオルガノポリシロキサンの数平均分子量の調整は、反応条件を制御することにより行うことができる。例えば、本発明のオルガノポリシロキサンを製造する際の溶媒量を調整し、モノマーの濃度を高くすると高分子量物が得られ、濃度を低くすると低分子量物が得られる。
【００４１】
〔オルガノポリシロキサンの製造方法〕
本発明のオルガノポリシロキサンの製造方法としては、特に限定されず、例えば、Macromolecules 1998, 31, 850-856、Journal of Applied Polymer Science, Vol.106, 1007, 2007等の公知文献に記載された方法を採用できる。
【００４２】
本発明のオルガノポリシロキサンが、シロキサン単位（Ａ）とシロキサン単位（Ｂ）との交互共重合体（以下、単に「交互共重合体」ともいう）である場合、交互共重合体は、反応性が異なる２種の単量体を重合させることにより得ることができる。
例えば、シロキサン単位（Ａ）となる下記式（３）で表されるシラン化合物が有する重合反応性基であるＸと、シロキサン単位（Ｂ）となる下記式（４）で表されるシラン化合物が有する重合反応性基であるＹとの相互の反応性が、Ｘどうしの反応性およびＹどうしの反応性のいずれよりも高くなるものを選択して、上記２種のシラン化合物の実質的に等モル量を反応させることにより、交互共重合体を製造することができる。ＸとＹとの反応性が、Ｘどうしの反応性およびＹどうしの反応性のいずれよりもより高いものとすることにより、ランダム結合部分やブロック結合部分のより少ない交互共重合体が得られる。
交互共重合体を製造する場合、ＸおよびＹの一方がヒドロキシ基であり、他方がアミノ基、モノアルキルアミノ基、ジアルキルアミノ基などの１〜３級のアミノ基であることが好ましい。特に、一方がヒドロキシ基で他方がジアルキルアミノ基であることが好ましく、Ｘがヒドロキシ基でＹがジアルキルアミノ基であることがより好ましい。なお、モノアルキルアミノ基やジアルキルアミノ基におけるアルキル基としては、炭素数４以下のアルキル基が好ましく、メチル基が特に好ましい。
本発明における交互共重合体の製造方法としては、例えば、例えば、Macromolecules 1998, 31, 850-856、Journal of Applied Polymer Science, Vol.106, 1007, 2007等の公知文献に記載された方法を採用できる。
【００４３】
より詳細には、例えば、下記式（３）で表されるシラン化合物と、下記式（４）で表されるシラン化合物とを、トルエン等の溶媒中で撹拌等しながら加熱する方法が挙げられ、具体的には、例えば、下記式（３）で表されるシラン化合物を溶媒に添加したものと、下記式（４）で表されるシラン化合物を溶媒に添加したものとを別々に準備し、一方を他方に、５〜１０分かけて滴下して、その後、１〜１．５時間反応させる方法；下記式（３）で表されるシラン化合物と、下記式（４）で表されるシラン化合物とを、溶媒中に同時に添加し、１〜２時間反応させる方法；等が挙げられる。
ここで、反応させる各シラン化合物の割合は、下記式（３）で表されるシラン化合物が３０〜６０モル％であるのが好ましく、下記式（４）で表されるシラン化合物が７０〜４０モル％であるのが好ましい。
また、このとき、８０〜１１０℃の温度範囲で加熱するのが好ましく、９０〜１１０℃の温度範囲で加熱するのがより好ましい。必要により反応触媒を使用することもできる。
【００４４】
【化８】
2015232053.tif 000009
【００４５】
式（３）中、Ｒ1〜Ｒ4は、式（１）中のＲ1〜Ｒ4と同義であり、式（４）中、Ｒ5およびＲ6は、式（２）中のＲ5およびＲ6と同義である。また、式（３）および式（４）中、ＸおよびＹは、それぞれ独立に、水素原子、ヒドロキシ基または加水分解性基を示す。ここで、加水分解性基としては、例えば、塩素原子、アルコキシ基、アシル基、アミノ基、２級アミノ基、３級アミノ基、イソシアネート基等が挙げられる。
上記加水分解性基であるアルコキシ基としては、炭素数４以下のアルコキシ基が好ましく、メトキシ基、エトキシ基がより好ましい。また、アシル基としては、炭素数５以下のアシル基が好ましい。２級アミノ基としてはモノアルキルアミノ基が好ましく、３級アミノ基としてはジアルキルアミノ基が好ましく、それぞれにおけるアルキル基としてはいずれも炭素数４以下のアルキル基が好ましい。
【００４６】
なお、式（３）で表されるシラン化合物と、式（４）で表されるシラン化合物とを反応させるに際しては、分子量制御等の観点から、さらに下記式（Ｓ′）で表されるシラン化合物を配合してもよい。
【００４７】
【化９】
2015232053.tif 000010
【００４８】
式（Ｓ′）中、Ｒ7は、式（Ｓ）中のＲと同義であり、Ｚは重合性反応基を示す。Ｚが示す重合性反応基としては、例えば、ヒドロキシ基；アミノ基、モノアルキルアミノ基、ジアルキルアミノ基などの１〜３級のアミノ基；等が挙げられる。
【００４９】
上記のような本発明のオルガノポリシロキサンの製造方法の一態様を説明すると、例えば、式（５）で表されるジシラノール化合物と、式（６）で表されるジアミノシラン化合物とを重縮合反応させて、本発明のオルガノポリシロキサンを得る方法が挙げられる。
この重縮合反応では、具体的には、式（５）中の「−ＯＨ」と式（６）中の「−Ｎ（ＣＨ3）2」とが反応し、副生成物のアミンとして「（ＣＨ3）2ＮＨ」を与えて、主生成物として本発明の交互共重合体を生成する。
【００５０】
【化１０】
2015232053.tif 000011
【００５１】
式（５）中、Ｒ1〜Ｒ4は、式（１）中のＲ1〜Ｒ4と同義であり、式（６）中のＲ5およびＲ6は、式（２）中のＲ5およびＲ6と同義である。なお、式（５）中の「−ＯＨ」は、例えば、ハロゲン基、アルコキシ基などの加水分解性基の加水分解により供されるものであってもよい。
【００５２】
また、交互共重合体である本発明のオルガノポリシロキサンは、式（３）中のＸが水素原子である式（７）で表されるジヒドロシラン化合物と、式（４）中のＹがアルコキシ基である式（８）で表されるジアルコキシシラン化合物とから製造することもできる。具体的には、例えば、式（７）で表されるジヒドロシラン化合物と、式（８）で表されるジアルコキシシラン化合物とを、トリス（ペンタフルオロフェニル）ボラン（Ｂ（Ｃ6Ｆ5）3）等の有機ボランの存在下で反応させて、交互共重合体である本発明のオルガノポリシロキサンを得る方法が挙げられる。
この反応では、具体的には、式（７）中の「−Ｈ」と式（８）中の「−ＯＲ」とが反応し、副生成物として「ＲＨ（例えば、ＣＨ4）」を与えて、主生成物として本発明のオルガノポリシロキサンを生成する。
【００５３】
【化１１】
2015232053.tif 000012
【００５４】
式（７）中、Ｒ1〜Ｒ4は、式（１）中のＲ1〜Ｒ4と同義であり、式（８）中のＲ5およびＲ6は、式（２）中のＲ5およびＲ6と同義である。なお、式（８）中のＲは、メチル基（−ＣＨ3）、エチル基（−Ｃ2Ｈ5）などの炭素数１〜５のアルキル基を示す。
【００５５】
この反応の条件等は特に限定されず、例えば、２５〜４０℃の温度範囲で、３〜５時間反応させるのが好ましい。
【００５６】
［架橋オルガノポリシロキサン（オルガノポリシロキサンの架橋物）］
本発明の架橋オルガノポリシロキサンは、上述した本発明のオルガノポリシロキサンを架橋させた架橋物である。すなわち、本発明のオルガノポリシロキサンは、所定の架橋反応を介して、架橋硬化し、架橋物（硬化物）となる。
なお、以下、本発明のオルガノポリシロキサンを架橋硬化させて架橋物を形成することを、単に、本発明のオルガノポリシロキサンの硬化ともいう。
【００５７】
架橋の形式は特に限定されず、本発明のオルガノポリシロキサン中に含まれる架橋性基の種類に応じて適宜公知の形式を採用でき、例えば、ヒドロシリル化反応、縮合反応、ラジカル反応などが挙げられる。
もっとも、式（２）で表されるシロキサン単位（Ｂ）を含む本発明のオルガノポリシロキサンは、ラジカル反応性基であるアルケニル基を有するため、原則的に、ラジカル反応を介した形式が採用される。
また、ここで採用されるラジカル反応としては、例えば、加熱処理による反応、高エネルギー線処理による反応、ラジカル重合開始剤による反応などが挙げられるが、扱いやすさの観点から、加熱処理による反応であるのが好ましい。
以下、加熱処理によるラジカル反応を介した架橋を「熱架橋」ともいう。本発明の架橋オルガノポリシロキサンは、上述した本発明のオルガノポリシロキサンを熱架橋させて得られる架橋物であるのが好ましい。
なお、熱架橋の好適条件等については、後述する「樹脂層形成工程」にて説明する。
【００５８】
このような本発明の架橋オルガノポリシロキサンは、高温処理条件下における分解が抑制される。その理由としては、本発明のオルガノポリシロキサン中にフェニレン基が含まれている点が挙げられる。このフェニレン基が含まれることにより、本発明のオルガノポリシロキサン（本発明の架橋オルガノポリシロキサン）の結合エネルギーが向上すると共に、運動性が低下し、シロキサン結合の開裂が進行しにくくなる。結果として、開裂に伴い生成するシロキサンの環状化合物の発生が抑制され、アウトガスの発生や、ガラス基板の位置ずれなどがより抑制される。
【００５９】
本発明の架橋オルガノポリシロキサンは、優れた耐熱性を有する。具体的には、本発明の架橋オルガノポリシロキサンの５％重量減少温度は、４５０℃以上が好ましく、５００℃以上がより好ましい。上限は特に制限されないが、通常、６００℃以下の場合が多い。上記範囲内であれば、例えば本発明の架橋オルガノポリシロキサンを樹脂層とする上述したガラス積層体において、ＴＦＴアレイの製造プロセスなど高温条件（約４００℃以上）下においても、架橋オルガノポリシロキサンの分解が抑制され、発泡の発生などがより抑制される。
なお、上記５％重量減少温度は、熱重量分析装置を用いて、昇温速度１５℃／分、窒素雰囲気下（１００ｍＬ／分）で試料を室温〜７００℃まで昇温した際に、試料の重量が５％減少する温度をいう。
【００６０】
また、本発明の架橋オルガノポリシロキサンは、ガラス基板に対する密着性にも優れる。これは、架橋に寄与するアルケニル基を有するシロキサン単位（Ｂ−１）の割合が上述した本発明の範囲の上限値以下であることにより、本発明の架橋オルガノポリシロキサンは硬くなりすぎず柔軟性を有し密着性を発揮するためと考えられる。
また、本発明の架橋オルガノポリシロキサンは、シロキサン単位（Ｂ−１）の割合が上述した本発明の範囲の下限値以上であることにより、粘性液体状のままで固まらずガラス基板から容易に剥離できないといった事態が回避され、剥離性にも優れる。
【００６１】
［コーティング用組成物］
本発明のコーティング用組成物は、上述した本発明のオルガノポリシロキサンと溶剤とを含む組成物である。
後述するように、本発明のオルガノポリシロキサンの層を、所定の基材表面に形成し、この表面上で本発明のオルガノポリシロキサンを架橋させて、本発明の架橋オルガノポリシロキサンの層を形成することができるが、このとき、本発明のコーティング用組成物を用いるのが好ましい。
具体的には、本発明のコーティング用組成物を使用し、この組成物を支持基材上に塗布して溶液の層を形成し、次いで溶剤を除去して本発明のオルガノポリシロキサンの層とすることが好ましい。組成物中における本発明のオルガノポリシロキサンの濃度の調整などにより、層の厚さを制御することができる。
溶剤としては、作業環境下で本発明のオルガノポリシロキサンを容易に溶解でき、かつ、容易に揮発除去させることのできるものであれば、特に限定されず、例えば、トルエン、キシレン、テトラヒドロフラン（ＴＨＦ）、クロロホルム等が挙げられる。
【００６２】
［架橋オルガノポリシロキサンの層を有する基材の製造方法］
ここで、上述した本発明の架橋オルガノポリシロキサンの層を有する基材を製造する方法について記載する。なお、以下では、便宜的に、本発明の架橋オルガノポリシロキサンの層を「シリコーン樹脂層」ともいい、シリコーン樹脂層を有する基材を「シリコーン樹脂層付き基材」ともいい、シリコーン樹脂層付き基材を製造する方法を「本発明の樹脂層付き基材の製造方法」ともいう。
本発明の樹脂層付き基材の製造方法は、概略的には、上述した本発明のコーティング用組成物を基材に塗布し、溶剤を除去して基材上に本発明のオルガノポリシロキサンの層を形成し、次いで、本発明のオルガノポリシロキサンを架橋させることにより、架橋オルガノポリシロキサンの層（シリコーン樹脂層）とし、シリコーン樹脂層付き基材を得る方法であり、ガラス積層体の製造方法が有する樹脂層形成工程（後述）を構成する。したがって、本発明の樹脂層付き基材の製造方法の説明としては、樹脂層形成工程についての記載も参照されたい。
【００６３】
［ガラス積層体］
次に、本発明の樹脂層付き基材の製造方法およびシリコーン樹脂層付き基材の説明を兼ねて、ガラス積層体について説明する。ガラス積層体は、基材（以下、「支持基材」ともいう。）の層とガラス基板の層との間にシリコーン樹脂層を有する。
ガラス積層体においては、シリコーン樹脂層が、上述した本発明の架橋オルガノポリシロキサンの層であることにより、ガラス基板に対して優れた密着性を示すと共に、高温処理条件下においてシリコーン樹脂層の分解が抑制される。結果として、アウトガスの発生や、ガラス基板の位置ずれなどがより抑制される。
【００６４】
図１は、ガラス積層体の一例を模式的に示す断面図である。
図１に示すように、ガラス積層体１０においては、支持基材１２の層とガラス基板１６の層とそれらの間にシリコーン樹脂層１４が存在する。シリコーン樹脂層１４は、その一方の面が支持基材１２の層に接すると共に、その他方の面がガラス基板１６の第１主面１６ａに接している。言い換えると、シリコーン樹脂層１４はガラス基板１６の第１主面１６ａに接している。
支持基材１２の層およびシリコーン樹脂層１４からなる２層部分は、液晶パネルなどの電子デバイス用部材を製造する部材形成工程において、ガラス基板１６を補強する。そして、ガラス積層体１０の製造のためにあらかじめ製造される支持基材１２の層およびシリコーン樹脂層１４からなる２層部分が、「シリコーン樹脂層付き基材１８」である。
【００６５】
ガラス積層体１０は、後述する部材形成工程まで使用される。すなわち、積層体１０は、そのガラス基板１６の第２主面１６ｂ表面上に液晶表示装置などの電子デバイス用部材が形成されるまで使用される。その後、電子デバイス用部材が形成された積層体は、支持基材１２と部材付きガラス基板とに分離され、シリコーン樹脂層付き基材１８は電子デバイスを構成する部分とはならない。シリコーン樹脂層付き基材１８は、新たなガラス基板１６と積層され、新たなガラス積層体１０として再利用することができる。
【００６６】
支持基材１２とシリコーン樹脂層１４との界面は剥離強度（ｘ）を有し、支持基材１２とシリコーン樹脂層１４との界面に剥離強度（ｘ）を越える引き剥がし方向の応力が加えられると、支持基材１２とシリコーン樹脂層１４との界面が剥離する。シリコーン樹脂層１４とガラス基板１６との界面は剥離強度（ｙ）を有し、シリコーン樹脂層１４とガラス基板１６との界面に剥離強度（ｙ）を越える引き剥がし方向の応力が加えられると、シリコーン樹脂１４層とガラス基板１６との界面が剥離する。
ガラス積層体１０（後述の電子デバイス用部材付き積層体も意味する）においては、上記剥離強度（ｘ）は上記剥離強度（ｙ）よりも高い。したがって、ガラス積層体１０に支持基材１２とガラス基板１６とを引き剥がす方向の応力が加えられると、シリコーン樹脂層１４とガラス基板１６との界面で剥離して、ガラス基板１６とシリコーン樹脂層付き基材１８とに分離する。
【００６７】
剥離強度（ｘ）は、剥離強度（ｙ）と比較して、充分高いことが好ましい。剥離強度（ｘ）を高めることは、支持基材１２に対するシリコーン樹脂層１４の付着力を高め、かつ加熱処理後においてガラス基板１６に対してよりも相対的に高い付着力を維持できることを意味する。
支持基材１２に対するシリコーン樹脂層１４の付着力を高めるためには、本発明のオルガノポリシロキサンを支持基材１２上で硬化させてシリコーン樹脂層１４を形成することが好ましい。硬化の際の接着力で、支持基材１２に対して高い結合力で結合したシリコーン樹脂層１４を形成することができる。
一方、硬化後の本発明のオルガノポリシロキサンの架橋物（本発明の架橋オルガノポリシロキサン）のガラス基板１６に対する結合力は、上記硬化時に生じる結合力よりも低いのが通例である。したがって、支持基材１２上で本発明のオルガノポリシロキサンを硬化させてシリコーン樹脂層１４を形成し、その後シリコーン樹脂層１４の面にガラス基板１６を積層して、ガラス積層体１０を製造することが好ましい。
【００６８】
以下では、まず、ガラス積層体１０を構成する各層（ガラス基板１６、支持基材１２、シリコーン樹脂層１４）について詳述する。
【００６９】
〔ガラス基板〕
ガラス基板１６は、第１主面１６ａがシリコーン樹脂層１４と接し、シリコーン樹脂層１４側とは反対側の第２主面１６ｂに電子デバイス用部材が設けられる。
ガラス基板１６の種類は、一般的なものであってよく、例えば、ＬＣＤ、ＯＬＥＤといった表示装置用のガラス基板などが挙げられる。ガラス基板１６は耐薬品性、耐透湿性に優れ、かつ、熱収縮率が低い。熱収縮率の指標としては、ＪＩＳ  Ｒ  ３１０２（１９９５年改正）に規定されている線膨張係数が用いられる。
【００７０】
ガラス基板１６の線膨張係数が大きいと、部材形成工程は加熱処理を伴うことが多いので、様々な不都合が生じやすい。例えば、ガラス基板１６上にＴＦＴを形成する場合、加熱下でＴＦＴが形成されたガラス基板１６を冷却すると、ガラス基板１６の熱収縮によって、ＴＦＴの位置ずれが過大になるおそれがある。
【００７１】
ガラス基板１６は、ガラス原料を溶融し、溶融ガラスを板状に成形して得られる。このような成形方法は、一般的なものであってよく、例えば、フロート法、フュージョン法、スロットダウンドロー法、フルコール法、ラバース法などが用いられる。また、特に厚さが薄いガラス基板１６は、いったん板状に成形したガラスを成形可能温度に加熱し、延伸などの手段で引き伸ばして薄くする方法（リドロー法）で成形して得られる。
【００７２】
ガラス基板１６のガラスは、特に限定されないが、無アルカリホウケイ酸ガラス、ホウケイ酸ガラス、ソーダライムガラス、高シリカガラス、その他の酸化ケイ素を主な成分とする酸化物ガラスが好ましい。酸化物ガラスとしては、酸化物換算による酸化ケイ素の含有量が４０〜９０質量％のガラスが好ましい。
【００７３】
ガラス基板１６のガラスとしては、電子デバイス用部材の種類やその製造工程に適したガラスが採用される。例えば、液晶パネル用のガラス基板は、アルカリ金属成分の溶出が液晶に影響を与えやすいことから、アルカリ金属成分を実質的に含まないガラス（無アルカリガラス）からなる（ただし、通常アルカリ土類金属成分は含まれる）。このように、ガラス基板１６のガラスは、適用されるデバイスの種類およびその製造工程に基づいて適宜選択される。
【００７４】
ガラス基板１６の厚さは、ガラス基板１６の薄型化および／または軽量化の観点から、０．３ｍｍ以下であることが好ましく、より好ましくは０．１５ｍｍ以下である。０．３ｍｍ以下の場合、ガラス基板１６に良好なフレキシブル性を与えることが可能である。０．１５ｍｍ以下の場合、ガラス基板１６をロール状に巻き取ることが可能である。
また、ガラス基板１６の厚さは、ガラス基板１６の製造が容易であること、ガラス基板１６の取り扱いが容易であることなどの理由から、０．０３ｍｍ以上であることが好ましい。
【００７５】
なお、ガラス基板１６は２層以上からなっていてもよく、この場合、各々の層を形成する材料は同種材料であってもよいし、異種材料であってもよい。また、この場合、「ガラス基板１６の厚さ」は全ての層の合計の厚さを意味するものとする。
【００７６】
〔基材（支持基材）〕
支持基材１２は、ガラス基板１６を支持して補強し、後述する部材形成工程（電子デバイス用部材を製造する工程）において電子デバイス用部材の製造の際にガラス基板１６の変形、傷付き、破損などを防止する。
【００７７】
支持基材１２の材質は、特に限定されないが、少なくとも、本発明のオルガノポリシロキサンの層が形成される表面（第１主面）が、Ａｌ2Ｏ3、ＳｉＯ2、ＴｉＯ2、ＺｒＯ2、ＳｎＯ2、Ｓｂ2Ｏ3、ＺｎＯや酸化物ガラス等の無機質酸化物からなるのが好ましく、酸化物ガラスであるのが好ましい。なお、酸化物ガラスとしては、ガラス基板１６の酸化物ガラスとして記載したものが挙げられる。
【００７８】
もっとも、通常、後述する部材形成工程が熱処理を伴うため、支持基材１２はガラス基板１６との線膨張係数の差の小さい材料で形成されることが好ましく、ガラス基板１６と同一材料で形成されることがより好ましい。特に、支持基材１２は、ガラス基板１６と同じガラス材料からなるガラス板であることが好ましい。
【００７９】
支持基材１２の厚さは、ガラス基板１６よりも厚くてもよいし、薄くてもよい。好ましくは、ガラス基板１６の厚さ、シリコーン樹脂層１４の厚さ、およびガラス積層体１０の厚さに基づいて、支持基材１２の厚さが選択される。例えば、現行の部材形成工程が厚さ０．５ｍｍの基板を処理するように設計されたものであって、ガラス基板１６の厚さとシリコーン樹脂層１４の厚さとの和が０．１ｍｍの場合、支持基材１２の厚さを０．４ｍｍとする。支持基材１２の厚さは、通常の場合、０．２〜５．０ｍｍであることが好ましい。
【００８０】
なお、支持基材１２がガラス板の場合、ガラス板の厚さは、扱いやすく、割れにくいなどの理由から、０．０８ｍｍ以上であることが好ましい。また、ガラス板の厚さは、電子デバイス用部材形成後に剥離する際に、割れずに適度に撓むような剛性が望まれる理由から、１．０ｍｍ以下であることが好ましい。
【００８１】
支持基材１２とガラス基板１６との２５〜３００℃における平均線膨張係数（以下、単に「平均線膨張係数」という）の差は、好ましくは５００×１０-7／℃以下であり、より好ましくは３００×１０-7／℃以下であり、さらに好ましくは２００×１０-7／℃以下である。差が大き過ぎると、部材形成工程における加熱冷却時に、ガラス積層体１０が激しく反ったり、支持基材１２とガラス基板１６とが剥離したりする可能性がある。支持基材１２の材料がガラス基板１６の材料と同じ場合、このような問題が生じるのを抑制することができる。
【００８２】
〔シリコーン樹脂層〕
シリコーン樹脂層１４は、上述した本発明のオルガノポリシロキサンの架橋物（本発明の架橋オルガノポリシロキサン）からなる層である。
シリコーン樹脂層１４は、ガラス基板１６と支持基材１２とを分離する操作が行われるまでガラス基板１６の位置ずれを防止すると共に、ガラス基板１６などが分離操作によって破損するのを防止する。シリコーン樹脂層１４のガラス基板１６と接する表面１４ａは、ガラス基板１６の第１主面１６ａに剥離可能に密着する。シリコーン樹脂層１４はガラス基板１６の第１主面１６ａに弱い結合力で結合しており、その界面の剥離強度（ｙ）は、シリコーン樹脂層１４と支持基材１２との間の界面の剥離強度（ｘ）よりも低い。
すなわち、ガラス基板１６と支持基材１２とを分離する際には、ガラス基板１６の第１主面１６ａとシリコーン樹脂層１４との界面で剥離し、支持基材１２とシリコーン樹脂層１４との界面では剥離し難い。このため、シリコーン樹脂層１４はガラス基板１６の第１主面１６ａと密着するが、ガラス基板１６を容易に剥離することができる表面特性を有する。すなわち、シリコーン樹脂層１４は、ガラス基板１６の第１主面１６ａに対してある程度の結合力で結合してガラス基板１６の位置ずれなどを防止していると同時に、ガラス基板１６を剥離する際には、ガラス基板１６を破壊することなく、容易に剥離できる程度の結合力で結合している。本発明では、このシリコーン樹脂層１４表面の容易に剥離できる性質を剥離性という。一方、支持基材１２の第１主面とシリコーン樹脂層１４とは相対的に剥離しがたい結合力で結合している。
なお、シリコーン樹脂層１４とガラス基板１６の界面の結合力は、ガラス積層体１０のガラス基板１６の面（第２主面１６ｂ）上に電子デバイス用部材を形成する前後に変化してもよい（すなわち、剥離強度（ｙ）が変化してもよい）。しかし、電子デバイス用部材を形成した後であっても、剥離強度（ｙ）は、剥離強度（ｘ）よりも低い。
【００８３】
シリコーン樹脂層１４とガラス基板１６の層とは弱い接着力やファンデルワールス力に起因する結合力で結合していると考えられる。場合により、積層前のシリコーン樹脂層１４の表面や積層前のガラス基板１６の第１主面１６ａに両者間の結合力を弱める処理を行って積層することもできる。積層する面に非接着性処理などを行い、その後積層することにより、シリコーン樹脂層１４とガラス基板１６の層の界面の結合力を弱め、剥離強度（ｙ）を低くすることができる。
【００８４】
また、シリコーン樹脂層１４は、接着力や粘着力などの強い結合力で支持基材１２表面に結合されている。上述したように、本発明のオルガノポリシロキサンを支持基材１２表面で架橋させることにより、高い結合力を得ることができる。また、支持基材１２表面とシリコーン樹脂層１４間に強い結合力を生じさせる処理（例えば、カップリング剤を使用した処理）を施して支持基材１２表面とシリコーン樹脂層１４間の結合力を高めることができる。
シリコーン樹脂層１４と支持基材１２の層とが高い結合力で結合していることは、両者の界面の剥離強度（ｘ）が高いことを意味する。
【００８５】
シリコーン樹脂層１４の厚さは特に限定されないが、２〜１００μｍであることが好ましく、４〜５０μｍであることがより好ましく、５〜２０μｍであることがさらに好ましい。シリコーン樹脂層１４の厚さがこのような範囲であると、シリコーン樹脂層１４とガラス基板１６との間に気泡や異物が介在することがあっても、ガラス基板１６のゆがみ欠陥の発生を抑制することができる。また、シリコーン樹脂層１４の厚さが厚すぎると、形成するのに時間および材料を要するため経済的ではない。
なお、シリコーン樹脂層１４は２層以上からなっていてもよい。この場合「シリコーン樹脂層１４の厚さ」は全ての層の合計の厚さを意味するものとする。
また、シリコーン樹脂層１４が２層以上からなる場合は、各々の層を形成する架橋物としては、本発明のオルガノポリシロキサンの架橋物（本発明の架橋オルガノポリシロキサン）であれば、組成の異なる架橋物からなってもよい。
【００８６】
本発明の架橋オルガノポリシロキサンからなるシリコーン樹脂層１４は、優れた耐熱性を有するため、ＴＦＴアレイの製造プロセスなど高温条件（約４００℃以上）下においても、分解が抑制され、ガラス積層体１０中の発泡の発生などがより抑制される。
【００８７】
〔ガラス積層体の製造方法〕
ガラス積層体１０の製造方法としては、剥離強度（ｘ）が剥離強度（ｙ）よりも高いガラス積層体１０を得るために、支持基材１２表面上で本発明のオルガノポリシロキサンを架橋させてシリコーン樹脂層１４を形成する方法が好ましい。すなわち、本発明のオルガノポリシロキサンの層を支持基材１２の表面に形成し、支持基材１２表面上で本発明のオルガノポリシロキサンを架橋させてシリコーン樹脂層１４（本発明の架橋オルガノポリシロキサンの層）を形成し、次いで、シリコーン樹脂層１４のシリコーン樹脂面にガラス基板１６を積層して、ガラス積層体１０を製造する方法である。
本発明のオルガノポリシロキサンを支持基材１２表面で架橋（硬化）させると、その反応時の支持基材１２表面との相互作用により接着し、架橋物と支持基材１２表面との剥離強度は高くなると考えられる。したがって、ガラス基板１６と支持基材１２とが同じ材質からなるものであっても、シリコーン樹脂層１４と両者間の剥離強度に差を設けることができる。
以下、本発明のオルガノポリシロキサンの層を支持基材１２の表面に形成し、支持基材１２表面上で本発明のオルガノポリシロキサンを架橋させてシリコーン樹脂層１４を形成する工程を「樹脂層形成工程」といい、シリコーン樹脂層１４のシリコーン樹脂面にガラス基板１６を積層してガラス積層体１０とする工程を「積層工程」といい、各工程の手順について詳述する。
【００８８】
〈樹脂層形成工程〉
まず、樹脂層形成工程を説明するが、この工程の説明は、上述した本発明の樹脂層付き基材の製造方法の説明を兼ねる。
樹脂層形成工程は、本発明のオルガノポリシロキサンの層を支持基材１２の表面に形成し、支持基材１２表面上で本発明のオルガノポリシロキサンを架橋させて、本発明の架橋オルガノポリシロキサンの層であるシリコーン樹脂層１４を形成する。
このとき、支持基材１２上に本発明のオルガノポリシロキサンの層を形成するためには、上述した本発明のコーティング用組成物を使用し、この組成物を支持基材１２上に塗布して溶液の層を形成し、次いで溶剤を除去して本発明のオルガノポリシロキサンの層とする。
【００８９】
支持基材１２表面上に本発明のコーティング用組成物を塗布する方法は特に限定されず、公知の方法を使用することができ、例えば、スプレーコート法、ダイコート法、スピンコート法、ディップコート法、ロールコート法、バーコート法、スクリーン印刷法、グラビアコート法などが挙げられる。
【００９０】
次いで、支持基材１２上の本発明のオルガノポリシロキサンを架橋させて、シリコーン樹脂層１４を形成する。より具体的には、図２（Ａ）に示すように、該工程では支持基材１２の少なくとも片面の表面上にシリコーン樹脂層１４が形成される。
架橋の態様としては、ガラス基板１６に対する密着性および耐熱性に優れる本発明の架橋オルガノポリシロキサンが得られるという理由から、熱架橋であるのが好ましい。以下、熱架橋の態様について詳述する。
【００９１】
熱架橋の温度条件は、シリコーン樹脂層１４の耐熱性を向上し、ガラス基板１６と積層後の剥離強度（ｙ）を上記のように制御しうる範囲内で特に限定されないが、３００〜４７５℃が好ましく、３５０〜４５０℃がより好ましい。また、加熱時間は、通常、３０〜３００分が好ましく、３０〜１２０分がより好ましい。温度が低すぎると、耐熱性やシリコーン樹脂層１４の平坦性が低下し、一方、温度が高すぎると剥離強度（ｙ）が低くなりすぎ、いずれもガラス基板１６とシリコーン樹脂層１４との密着性が弱くなる場合がある。
【００９２】
〈積層工程〉
積層工程は、上記の樹脂層形成工程で得られたシリコーン樹脂層１４のシリコーン樹脂面上にガラス基板１６を積層し、支持基材１２の層とシリコーン樹脂層１４とガラス基板１６の層とをこの順で備えるガラス積層体１０を得る工程である。より具体的には、図２（Ｂ）に示すように、シリコーン樹脂層１４の支持基材１２側とは反対側の表面１４ａと、第１主面１６ａおよび第２主面１６ｂを有するガラス基板１６の第１主面１６ａとを積層面として、シリコーン樹脂層１４とガラス基板１６とを積層し、ガラス積層体１０を得る。
【００９３】
ガラス基板１６をシリコーン樹脂層１４上に積層する方法は特に制限されず、公知の方法を採用することができる。
例えば、常圧環境下でシリコーン樹脂層１４の表面上にガラス基板１６を重ねる方法が挙げられる。なお、必要に応じて、シリコーン樹脂層１４の表面上にガラス基板１６を重ねた後、ロールやプレスを用いてシリコーン樹脂層１４にガラス基板１６を圧着させてもよい。ロールまたはプレスによる圧着により、シリコーン樹脂層１４とガラス基板１６の層との間に混入している気泡が比較的容易に除去されるので好ましい。
【００９４】
真空ラミネート法や真空プレス法により圧着すると、気泡の混入の抑制や良好な密着の確保が行われるのでより好ましい。真空下で圧着することにより、微小な気泡が残存した場合でも、加熱により気泡が成長することがなく、ガラス基板１６のゆがみ欠陥につながりにくいという利点もある。
【００９５】
ガラス基板１６を積層する際には、シリコーン樹脂層１４に接触するガラス基板１６の表面を十分に洗浄し、クリーン度の高い環境で積層することが好ましい。クリーン度が高いほど、ガラス基板１６の平坦性は良好となるので好ましい。
【００９６】
なお、ガラス基板１６の第１主面に対する剥離強度と支持基材１２の第１主面に対する剥離強度に差を設けたシリコーン樹脂層１４の形成は、上記方法に限られるものではない。
例えば、本発明の架橋オルガノポリシロキサンの表面に対する密着性がガラス基板１６よりも高い材質の支持基材１２を用いる場合には、本発明のオルガノポリシロキサンを何らかの剥離性表面上で架橋（硬化）して架橋物のフィルムを製造し、このフィルムをガラス基板１６と支持基材１２との間に介在させ同時に積層することができる。
また、本発明のオルガノポリシロキサンの架橋（硬化）による接着性がガラス基板１６に対して充分低くかつその接着性が支持基材１２に対して充分高い場合は、ガラス基板１６と支持基材１２との間で本発明のオルガノポリシロキサンを架橋（硬化）させてシリコーン樹脂層１４を形成することができる。
さらに、支持基材１２がガラス基板１６と同様のガラス材料からなる場合であっても、支持基材１２表面の接着性を高める処理を施してシリコーン樹脂層１４に対する剥離強度を高めることもできる。例えば、シランカップリング剤のような化学的に固定力を向上させる化学的方法（プライマー処理）や、フレーム（火炎）処理のように表面活性基を増加させる物理的方法、サンドブラスト処理のように表面の粗度を増加させることにより引っかかりを増加させる機械的処理方法などが例示される。
【００９７】
〔ガラス積層体の用途〕
ガラス積層体１０は、種々の用途に使用することができ、例えば、後述する表示装置用パネル、ＰＶ、薄膜２次電池、表面に回路が形成された半導体ウェハ等の電子部品を製造する用途などが挙げられる。なお、該用途では、ガラス積層体１０が高温条件（例えば、４００℃以上）で曝される（例えば、１時間以上）場合が多い。
ここで、表示装置用パネルとは、ＬＣＤ、ＯＬＥＤ、電子ペーパー、プラズマディスプレイパネル、フィールドエミッションパネル、量子ドットＬＥＤパネル、ＭＥＭＳ（Micro Electro Mechanical Systems）シャッターパネル等が含まれる。
【００９８】
〔部材付きガラス基板およびその製造方法〕
上述したガラス積層体を用いて、ガラス基板と電子デバイス用部材とを含む部材付きガラス基板（電子デバイス用部材付きガラス基板）が製造される。
部材付きガラス基板の製造方法は特に限定されないが、電子デバイスの生産性に優れる点から、上述したガラス積層体中のガラス基板上に電子デバイス用部材を形成して電子デバイス用部材付き積層体を製造し、得られた電子デバイス用部材付き積層体からシリコーン樹脂層のガラス基板側界面を剥離面として部材付きガラス基板とシリコーン樹脂層付き基材とに分離する方法が好ましい。
以下、ガラス積層体中のガラス基板上に電子デバイス用部材を形成して電子デバイス用部材付き積層体を製造する工程を「部材形成工程」といい、電子デバイス用部材付き積層体からシリコーン樹脂層のガラス基板側界面を剥離面として部材付きガラス基板とシリコーン樹脂層付き基材とに分離する工程を「分離工程」という。
以下に、各工程で使用される材料および手順について詳述する。
【００９９】
〈部材形成工程〉
部材形成工程は、ガラス積層体１０中のガラス基板１６上に電子デバイス用部材を形成する工程である。より具体的には、図２（Ｃ）に示すように、ガラス基板１６の第２主面１６ｂ（露出表面）上に電子デバイス用部材２０を形成し、電子デバイス用部材付き積層体２２を得る。
まず、本工程で使用される電子デバイス用部材２０について詳述し、その後工程の手順について詳述する。
【０１００】
（電子デバイス用部材（機能性素子））
電子デバイス用部材２０は、ガラス積層体１０中のガラス基板１６上に形成され電子デバイスの少なくとも一部を構成する部材である。より具体的には、電子デバイス用部材２０としては、表示装置用パネル、太陽電池、薄膜２次電池、または、表面に回路が形成された半導体ウェハ等の電子部品などに用いられる部材（例えば、表示装置用部材、太陽電池用部材、薄膜２次電池用部材、電子部品用回路）が挙げられる。
【０１０１】
例えば、太陽電池用部材としては、シリコン型では、正極の酸化スズなど透明電極、ｐ層／ｉ層／ｎ層で表されるシリコン層、および負極の金属等が挙げられ、その他に、化合物型、色素増感型、量子ドット型などに対応する各種部材等を挙げることができる。
また、薄膜２次電池用部材としては、リチウムイオン型では、正極および負極の金属または金属酸化物等の透明電極、電解質層のリチウム化合物、集電層の金属、封止層としての樹脂等が挙げられ、その他に、ニッケル水素型、ポリマー型、セラミックス電解質型などに対応する各種部材等を挙げることができる。
また、電子部品用回路としては、ＣＣＤやＣＭＯＳでは、導電部の金属、絶縁部の酸化ケイ素や窒化珪素等が挙げられ、その他に圧力センサ・加速度センサなど各種センサやリジッドプリント基板、フレキシブルプリント基板、リジッドフレキシブルプリント基板などに対応する各種部材等を挙げることができる。
【０１０２】
（工程の手順）
上述した電子デバイス用部材付き積層体２２の製造方法は特に限定されず、電子デバイス用部材の構成部材の種類に応じて従来公知の方法にて、ガラス積層体１０のガラス基板１６の第２主面１６ｂ表面上に、電子デバイス用部材２０を形成する。
なお、電子デバイス用部材２０は、ガラス基板１６の第２主面１６ｂに最終的に形成される部材の全部（以下、「全部材」という）ではなく、全部材の一部（以下、「部分部材」という）であってもよい。シリコーン樹脂層１４から剥離された部分部材付きガラス基板を、その後の工程で全部材付きガラス基板（後述する電子デバイスに相当）とすることもできる。
また、シリコーン樹脂層１４から剥離された、全部材付きガラス基板には、その剥離面（第１主面１６ａ）に他の電子デバイス用部材が形成されてもよい。また、全部材付き積層体を組み立て、その後、全部材付き積層体から支持基材１２を剥離して、電子デバイスを製造することもできる。さらに、全部材付き積層体を２枚用いて組み立て、その後、全部材付き積層体から２枚の支持基材１２を剥離して、２枚のガラス基板を有する部材付きガラス基板を製造することもできる。
【０１０３】
例えば、ＯＬＥＤを製造する場合を例にとると、ガラス積層体１０のガラス基板１６のシリコーン樹脂層１４側とは反対側の表面上（ガラス基板１６の第２主面１６ｂに該当）に有機ＥＬ構造体を形成するために、透明電極を形成する、さらに透明電極を形成した面上にホール注入層・ホール輸送層・発光層・電子輸送層等を蒸着する、裏面電極を形成する、封止板を用いて封止する、等の各種の層形成や処理が行われる。これらの層形成や処理として、具体的には、例えば、成膜処理、蒸着処理、封止板の接着処理等が挙げられる。
【０１０４】
また、例えば、ＴＦＴ−ＬＣＤを製造する場合は、ガラス積層体１０のガラス基板１６の第２主面１６ｂ上に、レジスト液を用いて、ＣＶＤ法およびスパッター法など、一般的な成膜法により形成される金属膜および金属酸化膜等にパターン形成して薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）を形成するＴＦＴ形成工程と、別のガラス積層体１０のガラス基板１６の第２主面１６ｂ上に、レジスト液をパターン形成に用いてカラーフィルタ（ＣＦ）を形成するＣＦ形成工程と、ＴＦＴ形成工程で得られたＴＦＴ付き積層体とＣＦ形成工程で得られたＣＦ付き積層体とを積層する貼合わせ工程等の各種工程を有する。
【０１０５】
ＴＦＴ形成工程やＣＦ形成工程では、周知のフォトリソグラフィ技術やエッチング技術等を用いて、ガラス基板１６の第２主面１６ｂにＴＦＴやＣＦを形成する。この際、パターン形成用のコーティング液としてレジスト液が用いられる。
なお、ＴＦＴやＣＦを形成する前に、必要に応じて、ガラス基板１６の第２主面１６ｂを洗浄してもよい。洗浄方法としては、周知のドライ洗浄やウェット洗浄を用いることができる。
【０１０６】
貼合わせ工程では、ＴＦＴ付き積層体の薄膜トランジスタ形成面と、ＣＦ付き積層体のカラーフィルタ形成面とを対向させて、シール剤（例えば、セル形成用紫外線硬化型シール剤）を用いて貼り合わせる。その後、ＴＦＴ付き積層体とＣＦ付き積層体とで形成されたセル内に、液晶材を注入する。液晶材を注入する方法としては、例えば、減圧注入法、滴下注入法がある。
【０１０７】
〈分離工程〉
分離工程は、図２（Ｄ）に示すように、上述した部材形成工程で得られた電子デバイス用部材付き積層体２２から、シリコーン樹脂層１４とガラス基板１６との界面を剥離面として、電子デバイス用部材２０が積層したガラス基板１６（部材付きガラス基板）と、支持基材１２とに分離して、電子デバイス用部材２０およびガラス基板１６を含む部材付きガラス基板２４を得る工程である。
剥離時のガラス基板１６上の電子デバイス用部材２０が必要な全構成部材の形成の一部である場合には、分離後、残りの構成部材をガラス基板１６上に形成することもできる。
【０１０８】
ガラス基板１６と支持基材１２とを剥離する方法は、特に限定されない。具体的には、例えば、ガラス基板１６とシリコーン樹脂層１４との界面に鋭利な刃物状のものを差し込み、剥離のきっかけを与えた上で、水と圧縮空気との混合流体を吹き付けたりして剥離することができる。好ましくは、電子デバイス用部材付き積層体２２の支持基材１２が上側、電子デバイス用部材２０側が下側となるように定盤上に設置し、電子デバイス用部材２０側を定盤上に真空吸着し（両面に支持基材が積層されている場合は順次行う）、この状態でまず刃物をガラス基板１６−シリコーン樹脂層１４界面に刃物を侵入させる。そして、その後に支持基材１２側を複数の真空吸着パッドで吸着し、刃物を差し込んだ箇所付近から順に真空吸着パッドを上昇させる。そうするとシリコーン樹脂層１４とガラス基板１６との界面やシリコーン樹脂層１４の凝集破壊面へ空気層が形成され、その空気層が界面や凝集破壊面の全面に広がり、支持基材１２を容易に剥離することができる。
また、支持基材１２は、新たなガラス基板と積層して、本発明のガラス積層体１０を製造することができる。
【０１０９】
なお、ガラス積層体１０から部材付きガラス基板２４を分離する際においては、イオナイザによる吹き付けや湿度を制御することにより、シリコーン樹脂層１４の欠片が部材付きガラス基板２４に静電吸着することをより抑制することができる。
【０１１０】
上述した部材付きガラス基板２４の製造方法は、携帯電話やＰＤＡのようなモバイル端末に使用される小型の表示装置の製造に好適である。表示装置は主としてＬＣＤまたはＯＬＥＤであり、ＬＣＤとしては、ＴＮ型、ＳＴＮ型、ＦＥ型、ＴＦＴ型、ＭＩＭ型、ＩＰＳ型、ＶＡ型等を含む。基本的にパッシブ駆動型、アクティブ駆動型のいずれの表示装置の場合でも適用することができる。
【０１１１】
上記した製造方法により製造された部材付きガラス基板２４としては、ガラス基板と表示装置用部材とを有する表示装置用パネル、ガラス基板と太陽電池用部材とを有する太陽電池、ガラス基板と薄膜２次電池用部材とを有する薄膜２次電池、ガラス基板と電子デバイス用部材とを有する電子部品などが挙げられる。表示装置用パネルとしては、液晶パネル、有機ＥＬパネル、プラズマディスプレイパネル、フィールドエミッションパネルなどを含む。
【実施例】
【０１１２】
以下に、実施例を挙げて本発明を具体的に説明する。ただし、本発明はこれらに限定されるものではない。
【０１１３】
〈製造例１〉オルガノポリシロキサン（Ｓ３）の製造
窒素雰囲気中、シロキサン単位（Ａ）となる式（５）で表される化合物としての１，４−ビス（ヒドロキシジメチルシリル）ベンゼン（３５質量部、ゲレスト社製）を、トルエン（９０質量部）に加えた。次に、反応溶液を１１０℃に加熱して、シロキサン単位（Ｂ−１）となる式（６）で表される化合物としてのビス（ジメチルアミノ）メチルビニルシラン（１１質量部、ゲレスト社製）と、シロキサン単位（Ｂ−２）となる式（６）で表される化合物としてのビス（ジメチルアミノ）ジメチルシラン（１２質量部、ゲレスト社製）とを溶解させたトルエン（４０質量部）溶液を、約５分かけて反応溶液に滴下した。その後、反応溶液を１１０℃で１時間攪拌した。攪拌終了後、反応溶液を室温まで自然冷却し、反応溶液をメタノール（３２５０質量部）中に加えて再沈殿処理を行った。次に、沈殿物を回収し、真空乾燥することにより、無色透明で液体状のオルガノポリシロキサン（Ｓ１）を得た。
得られたオルガノポリシロキサン（Ｓ３）は、ＧＰＣ（ゲルパーミエーションクロマトグラフィー）による数平均分子量（ポリスチレン換算）が、１．２×１０4であった。また、熱重量分析装置（ティー・エイ・インスツルメント社製）を用いて、昇温速度１５℃／分、窒素雰囲気下（１００ｍｌ／分）で室温〜７００℃まで昇温することにより、オルガノポリシロキサン（Ｓ１）の５％重量減少温度を測定したところ、５３５℃であった。さらに、1Ｈ ＮＭＲ測定および29Ｓｉ ＮＭＲ測定により、オルガノポリシロキサン（Ｓ１）の構造を同定した。1Ｈ ＮＭＲ測定および29Ｓｉ ＮＭＲ測定におけるスペクトルの帰属は、Journal of Applied Polymer Science, 2007, 106, 1007-1013を参照した。
【０１１４】
1Ｈ ＮＭＲ  29Ｓｉ ＮＭＲ、測定装置：ＪＥＯＬ  ＲＥＳＯＮＡＮＣＥ社製  ＥＣＡ６００
1Ｈ ＮＭＲ測定方法：試料にＣＤＣＬ3を添加し、試料濃度が１０質量％になるように調製した。基準には、テトラメチルシランを用いた。
29Ｓｉ ＮＭＲ測定方法：試料にＣＤＣＬ3を添加し、試料濃度が３０質量％になるように調製した。また、緩和試薬としてアセチルアセトンクロム塩を添加し、試料に対して０．１質量％になるように調製した。基準には、テトラメチルシランを用いた。
1Ｈ ＮＭＲ測定からは、共重合体の組成が求められる。1Ｈ ＮＭＲ測定から得られたスペクトルを、Journal of Applied Polymer Science,2007, 106, 1007-1013に記載の方法で各帰属を求めた。その結果、シロキサン単位（Ａ）のフェニレン基由来である７．５５ｐｐｍ、シロキサン単位（Ｂ−１）およびシロキサン単位（Ｂ−２）のメチル基由来である０．３３７ｐｐｍおよび０．１４２ｐｐｍ、ならびに、シロキサン単位（Ｂ−２）のビニル基由来である５．９ｐｐｍ、が確認された。
29Ｓｉ ＮＭＲ測定からは、結合に関する情報が得られる。
29Ｓｉ ＮＭＲ測定から得られたスペクトルを、Journal of Applied Polymer Science,2007, 106, 1007-1013に記載の方法で各帰属を求めた。
下記式（α）〜（δ）で表わされる式中の、Ｓｉの帰属である、それぞれ−１９．５ｐｐｍ、−３３．４ｐｐｍ、−２．５ｐｐｍ、−１．６ｐｐｍのスペクトルが確認された。また、同じシロキサン単位が連結しているケイ素原子のスペクトルは観察されないか、観察されても極めて低い濃度であった。シロキサン単位（Ａ）とシロキサン単位（Ｂ）とが交互に配置された交互共重合体であることが確認された。また、−１９．５ｐｐｍおよび−３３．４ｐｐｍのスペクトルの積分値から、シロキサン単位（Ａ）とシロキサン単位（Ｂ）との結合が９０モル％であることが確認された。
【０１１５】
【化１２】
2015232053.tif 000013
【０１１６】
【化１３】
2015232053.tif 000014
【０１１７】
【化１４】
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【０１１８】
【化１５】
2015232053.tif 000016
【０１１９】
次に、得られたオルガノポリシロキサン（Ｓ３）（３０質量部）をキシレン（７０質量部）に溶解させて、オルガノポリシロキサン（Ｓ３）を含むコーティング用組成物を作製した。
【０１２０】
〈製造例２〜４〉オルガノポリシロキサン（Ｓ１）、（Ｓ２）および（Ｓ４）の製造
オルガノポリシロキサン（Ｓ１）、（Ｓ２）および（Ｓ４）について、製造例１と同様にして、表１に示す組成比で製造した。次いで、製造例１と同様にして、得られたオルガノポリシロキサン（Ｓ１）、（Ｓ２）および（Ｓ４）を含むコーティング用組成物を作製した。
【０１２１】
【表１】
2015232053.tif 000017
【０１２２】
以下の実施例および比較例では、ガラス基板として、無アルカリホウケイ酸ガラスからなるガラス板（縦２００ｍｍ、横２００ｍｍ、板厚０．３ｍｍ、線膨張係数３８×１０-7／℃、旭硝子社製商品名「ＡＮ１００」）を使用した。また、支持基材としては、同じく無アルカリホウケイ酸ガラスからなるガラス板（縦２４０ｍｍ、横２４０ｍｍ、板厚０．４ｍｍ、線膨張係数３８×１０-７／℃、旭硝子社製商品名「ＡＮ１００」）を使用した。
【０１２３】
〈実施例１〉
初めに、板厚０．４ｍｍの支持基材を純水洗浄した後、さらにＵＶ洗浄して清浄化した。
次に、支持基材の第１主面上に、オルガノポリシロキサン（Ｓ３）を含むコーティング用組成物を、スピンコータにて塗工した（塗工量１２０ｇ／ｍ2）。
次に、これを３７５℃にて３０分間大気中で加熱硬化して、支持基材の第１主面に厚さ６μｍのシリコーン樹脂層を形成した。
【０１２４】
その後、ガラス基板と、支持基材のシリコーン樹脂層面とを、室温下で真空プレスにより貼り合わせ、ガラス積層体Ａを得た。
得られたガラス積層体Ａにおいては、支持基材とガラス基板は、シリコーン樹脂層と気泡を発生することなく密着しており、歪み状欠点もなく、平滑性も良好であった。
【０１２５】
次に、ガラス積層体Ａを大気下で４５０℃、６０分間加熱処理をおこない、室温まで冷却したところ、ガラス積層体Ａの支持基材とガラス基板の分離やシリコーン樹脂層の発泡や白化など外観上の変化は認められなかった。
そして、ガラス積層体Ａの４箇所のうち１箇所のコーナー部におけるガラス基板と支持シリコーン樹脂層の界面に厚さ０．１ｍｍのステンレス製刃物を挿入させて剥離の切欠部を形成しながら、ガラス基板と支持基材それぞれの剥離面でない面に真空吸着パッドを吸着させ、互いにガラス基板と支持基材が分離する方向に外力を加えて、ガラス基板と支持基材を破損することなく分離した。ここで刃物の差し込みは、イオナイザ（キーエンス社製）から除電性流体を当該界面に吹き付けながら行った。具体的には、形成した空隙へ向けてイオナイザからは引き続き除電性流体を吹き付けながら真空吸着パッドを引き上げた。
なお、シリコーン樹脂層は支持基材と共にガラス基板から分離され、該結果より、支持基材の層とシリコーン樹脂層の界面の剥離強度（ｘ）が、シリコーン樹脂層とガラス基板の界面の剥離強度（ｙ）よりも高いことが確認された。
【０１２６】
〈実施例２〉
実施例１と同様の方法で、支持基材の第１主面上に、オルガノポリシロキサン（Ｓ２）の架橋物からなる厚さ６μｍのシリコーン樹脂層を形成した。
続いて、実施例１と同様の方法で、ガラス積層体Ｂを得た。
得られたガラス積層体Ｂにおいては、支持基材とガラス基板は、シリコーン樹脂層と気泡を発生することなく密着しており、歪み状欠点もなく、平滑性も良好であった。
次に、ガラス積層体Ｂを実施例１と同様の加熱処理をおこなったところ、ガラス積層体Ｂの支持基材とガラス基板の分離やシリコーン樹脂層の発泡や白化など外観上の変化は認められなかった。
そして、ガラス積層体Ｂを実施例１と同様の方法で、ガラス基板と支持基材を破損することなく分離した。該結果より、支持基材の層とシリコーン樹脂層の界面の剥離強度（ｘ）が、シリコーン樹脂層とガラス基板の界面の剥離強度（ｙ）よりも高いことが確認された。
【０１２７】
〈比較例１〉
実施例１と同様の方法で、支持基材の第１主面上に、オルガノポリシロキサン（Ｓ１）の架橋物からなる厚さ６μｍのシリコーン樹脂層を形成した。
続いて、実施例１と同様の方法で、ガラス積層体Ｏを得た。しかしながら、シリコーン樹脂層は、支持基材およびガラス基板と密着しているものの、粘性液体状のままで固まっておらず、ガラス基板に対する剥離が極めて困難な状態であった。
また、実施例１と同様の加熱処理をおこなったところ、シリコーン樹脂層の発泡が認められた。
【０１２８】
〈比較例２〉
実施例１と同様の方法で、支持基材の第１主面上に、オルガノポリシロキサン（Ｓ４）の架橋物からなる厚さ６μｍのシリコーン樹脂層を形成した。
続いて、実施例１と同様の方法で、ガラス積層体Ｐを得た。しかしながら、得られたガラス積層体Ｐに対して外力を与えたところシリコーン樹脂層からガラス基板が剥離した。これにより、シリコーン樹脂層のガラス基板に対する密着性が不十分であることがわかった。
また、実施例１と同様の加熱処理をおこなったところ、シリコーン樹脂層の発泡や白化など外観上の変化は認められなかったが、得られたガラス積層体Ｐに対して外力を与えたところシリコーン樹脂層からガラス基板が剥離した。これにより、加熱処理後においても、シリコーン樹脂層のガラス基板に対する密着性が不十分であることがわかった。
【０１２９】
〈比較例３〉
支持基材を純水洗浄、ＵＶ洗浄等で清浄化した後、該支持基材上に、式（１）で表される基を含まない無溶剤付加反応型剥離紙用シリコーン（信越シリコーン株式会社製  ＫＮＳ−３２０Ａ）１００質量部と白金系触媒（信越シリコーン株式会社製  ＣＡＴ−ＰＬ−５６）２質量部の混合物をスピンコータにて塗工し（塗工量１０ｇ／ｍ2）、１８０℃にて３０分間大気中で加熱硬化して膜厚１６μｍのシリコーン樹脂層を得た。
ガラス基板のシリコーン樹脂層と接触させる側の面を純水洗浄、ＵＶ洗浄等で清浄化した後、支持基材のシリコーン樹脂層形成面と、ガラス基板とを、室温下真空プレスにて貼り合わせ、付加重合型シリコーン樹脂層を有するガラス積層体Ｑを得た。
次に、ガラス積層体Ｑを実施例１と同様の加熱処理をおこなったところ、シリコーン樹脂層の発泡、および、白化など外観上の変化が確認された。また、ガラス積層体Ｑ中において、ガラス基板が一部分離した。
【符号の説明】
【０１３０】
１０    ガラス積層体
１２    支持基材（基材）
１４    シリコーン樹脂層
１４ａ  シリコーン樹脂層の第１主面
１６    ガラス基板
１６ａ  ガラス基板の第１主面
１６ｂ  ガラス基板の第２主面
１８    シリコーン樹脂層付き基材
２０    電子デバイス用部材
２２    電子デバイス用部材付き積層体
２４    部材付きガラス基板
【図１】
2015232053.tif 000023
【図２】
2015232053.tif 000024