(57)【要約】【課題】イオンマイグレーションの発生が抑制された電子部品を提供する。【解決手段】電子部品１は、電子部品本体１０と、第１及び第２の外部電極１３，１４と、ポリマーからなる撥水膜２０とを備える。第１及び第２の外部電極１３，１４は、電子部品本体１０の上に設けられている。撥水膜２０は、電子部品本体１０の上と、第１の外部電極１３の上とに設けられている。２５℃における撥水膜２０に対する水の接触角が１００°以上である。【選択図】図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
電子部品本体と、
前記電子部品本体の上に設けられた第１及び第２の外部電極と、
前記電子部品本体の上と、前記第１の外部電極の上とに設けられたポリマーからなる撥水膜と、
を備え、
２５℃における前記撥水膜に対する水の接触角が１００°以上である、電子部品。
【請求項２】
２５℃における前記撥水膜に対する水の接触角が１１０°以上である、請求項１に記載の電子部品。
【請求項３】
前記電子部品本体は、長さ方向及び幅方向に沿って延びる第１及び第２の主面と、長さ方向及び厚み方向に沿って延びる第１及び第２の側面と、幅方向及び厚み方向に沿って延びる第１及び第２の端面とを有し、
前記第２の主面上において、前記第１の外部電極の先端部と前記第２の外部電極の先端部とが長さ方向において対向しており、
前記第２の主面の前記第１の外部電極の先端部と前記第２の外部電極の先端部との間に位置する部分の上に前記撥水膜が位置している、請求項１又は２に記載の電子部品。
【請求項４】
前記撥水膜が、前記電子部品本体の上と、前記第１の外部電極の上とに跨がって設けられている、請求項１〜３のいずれか一項に記載の電子部品。
【請求項５】
前記撥水膜が、前記電子部品本体の露出部並びに前記第１及び第２の外部電極の全体を覆っている、請求項１〜４のいずれか一項に記載の電子部品。
【請求項６】
前記撥水膜が非架橋型樹脂により構成されている、請求項１〜５のいずれか一項に記載の電子部品。
【請求項７】
前記撥水膜が、シリコーン樹脂、フッ素系樹脂及びポリオレフィン系樹脂のうちの少なくとも一種を含む、請求項１〜６のいずれか一項に記載の電子部品。
【請求項８】
前記外部電極の最外層が、Ｓｎ，Ｃｕ及びＡｇのうちの少なくとも一種を含む、請求項１〜７のいずれか一項に記載の電子部品。
【請求項９】
電子部品本体の上に第１の外部電極と、第２の外部電極とを形成する工程と、
前記電子部品本体の上と、前記第１の外部電極の上とに、２５℃における水の接触角が１００°以上である撥水膜を設ける工程と、
を備える、電子部品の製造方法。
【請求項１０】
前記第１及び第２の外部電極が形成された電子部品本体を非架橋型樹脂を含む処理液に浸漬した後に、乾燥させることにより前記撥水膜を形成する、請求項９に記載の電子部品の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電子部品及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、携帯電話機や携帯音楽プレイヤーなどの電子機器において、小型化及び薄型化が進んできている。それに伴って、たとえば、電子機器に内蔵される電子部品の小型化が求められている。また、このような電子機器を使用する環境は多様化しており、電子部品に対して、多様化した環境に対する信頼性の向上が望まれている。
【０００３】
近年、特許文献１に記載されているように、電子部品におけるイオンマイグレーションが問題となる場合がある。イオンマイグレーションは、例えば、電子部品と外気との温度差等によって、電子部品の表面に結露が生じ、この結露により発生した水滴が、電子部品の表面において、外部電極間をつなぐ水膜を形成し、その状態で電子部品の外部電極間に電圧が印加されると、その水膜に外部電極からイオン化した金属種が溶解／析出して起こる。なお、この問題は厳しい環境下に置かれる車に搭載される場合により顕著に起きる。特許文献１には、イオンマイグレーションの発生を抑制するために、外部電極間の間に撥水膜を設けることが記載されている。特許文献１には、フッ素を含むシランカップリング剤を用いて撥水膜を形成することが記載されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】国際公開第０２／０８２４８０号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
電子部品には、イオンマイグレーションの発生をより抑制したいという要望がある。
【０００６】
本発明の主な目的は、イオンマイグレーションの発生が抑制された電子部品を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明に係る電子部品は、電子部品本体と、第１及び第２の外部電極と、ポリマーからなる撥水膜とを備える。第１及び第２の外部電極は、電子部品本体の上に設けられている。撥水膜は、電子部品本体の上と、第１の外部電極の上とに設けられている。２５℃における撥水膜に対する水の接触角が１００°以上である。
【０００８】
本発明に係る電子部品では、２５℃における撥水膜に対する水の接触角が１１０°以上であることが好ましい。
【０００９】
本発明に係る電子部品では、電子部品本体は、長さ方向及び幅方向に沿って延びる第１及び第２の主面と、長さ方向及び厚み方向に沿って延びる第１及び第２の側面と、幅方向及び厚み方向に沿って延びる第１及び第２の端面とを有していてもよい。第２の主面上において、第１の外部電極の先端部と第２の外部電極の先端部とが長さ方向において対向していてもよい。第２の主面の第１の外部電極の先端部と第２の外部電極の先端部との間に位置する部分の上に撥水膜が位置していることが好ましい。
【００１０】
本発明に係る電子部品では、撥水膜が、電子部品本体の上と、第１の外部電極の上とに跨がって設けられていることが好ましい。
【００１１】
本発明に係る電子部品では、撥水膜が、電子部品本体の露出部並びに第１及び第２の外部電極の全体を覆っていることが好ましい。
【００１２】
本発明に係る電子部品では、撥水膜が非架橋型樹脂により構成されていることが好ましい。
【００１３】
本発明に係る電子部品では、撥水膜が、シリコーン樹脂、フッ素系樹脂及びポリオレフィン系樹脂のうちの少なくとも一種を含んでいてもよい。
【００１４】
本発明に係る電子部品では、外部電極の最外層が、Ｓｎ，Ｃｕ及びＡｇのうちの少なくとも一種を含んでいてもよい。
【００１５】
本発明に係る電子部品の製造方法では、電子部品本体の上に第１の外部電極と、第２の外部電極とを形成する。電子部品本体の上と、第１の外部電極の上とに、２５℃における水の接触角が１００°以上である撥水膜を設ける。
【００１６】
本発明に係る電子部品の製造方法では、第１及び第２の外部電極が形成された電子部品本体を非架橋型樹脂を含む処理液に浸漬した後に、乾燥させることにより撥水膜を形成してもよい。
【発明の効果】
【００１７】
本発明によれば、イオンマイグレーションの発生が抑制された電子部品を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１８】
【図１】本発明の一実施形態に係る電子部品の模式的斜視図である。
【図２】図１の線ＩＩ−ＩＩにおける模式的断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１９】
以下、本発明を実施した好ましい形態の一例について説明する。但し、下記の実施形態は、単なる例示である。本発明は、下記の実施形態に何ら限定されない。
【００２０】
また、実施形態等において参照する各図面において、実質的に同一の機能を有する部材は同一の符号で参照することとする。また、実施形態等において参照する図面は、模式的に記載されたものである。図面に描画された物体の寸法の比率などは、現実の物体の寸法の比率などとは異なる場合がある。図面相互間においても、物体の寸法比率等が異なる場合がある。具体的な物体の寸法比率等は、以下の説明を参酌して判断されるべきである。
【００２１】
図１は、本実施形態に係る電子部品の模式的斜視図である。図１に示されるように、図２は、図１の線ＩＩ−ＩＩにおける模式的断面図である。なお、図１においては、撥水膜２０の描画を省略している。
【００２２】
電子部品１は、直方体状の電子部品本体１０を備えている。電子部品本体１０は、第１及び第２の主面１０ａ、１０ｂと、第１及び第２の側面１０ｃ、１０ｄと、第１及び第２の端面１０ｅ、１０ｆ（図２を参照）とを有する。第１及び第２の主面１０ａ、１０ｂは、それぞれ、長さ方向Ｌ及び幅方向Ｗに沿って延びている。第１及び第２の側面１０ｃ、１０ｄは、それぞれ、厚み方向Ｔ及び長さ方向Ｌに沿って延びている。第１及び第２の端面１０ｅ、１０ｆは、それぞれ、厚み方向Ｔ及び幅方向Ｗに沿って延びている。長さ方向Ｌ、幅方向Ｗ及び厚み方向Ｔは、それぞれ直交している。
【００２３】
なお、本発明において、「直方体状」には、角部や稜線部が丸められた直方体が含まれるものとする。すなわち、「直方体状」の部材とは、第１及び第２の主面、第１及び第２の側面並びに第１及び第２の端面とを有する部材全般を意味する。また、主面、側面、端面の一部または全部に凹凸などが形成されていてもよい。
【００２４】
電子部品本体１０の寸法は特に限定されない。例えば電子部品本体１０の厚み寸法は０．１ｍｍ〜３．０ｍｍであることが好ましく、長さ寸法は０．２ｍｍ〜３．５ｍｍであることが好ましく、幅寸法は０．１ｍｍ〜３．０ｍｍであることが好ましい。
【００２５】
電子部品本体１０は、電子部品１の機能に応じた適宜のセラミックスからなる。具体的には、電子部品１がコンデンサである場合は、電子部品本体１０を誘電体セラミックスにより形成することができる。誘電体セラミックスの具体例としては、例えば、ＢａＴｉＯ３、ＣａＴｉＯ３、ＳｒＴｉＯ３、ＣａＺｒＯ３などが挙げられる。電子部品本体１０には、電子部品１に要求される特性に応じて、例えばＭｎ化合物、Ｍｇ化合物、Ｓｉ化合物、Ｆｅ化合物、Ｃｒ化合物、Ｃｏ化合物、Ｎｉ化合物、希土類化合物などの副成分が適宜添加されていてもよい。
【００２６】
電子部品１が圧電部品である場合は、電子部品本体１０を圧電セラミックスにより形成することができる。圧電セラミックスの具体例としては、例えばＰＺＴ（チタン酸ジルコン酸鉛）系セラミックスなどが挙げられる。
【００２７】
電子部品１が例えばサーミスタである場合は、電子部品本体１０を半導体セラミックスにより形成することができる。半導体セラミックスの具体例としては、例えばスピネル系セラミックなどが挙げられる。
【００２８】
電子部品１が例えばインダクタである場合は、電子部品本体１０を磁性体セラミックスにより形成することができる。磁性体セラミックスの具体例としては、例えばフェライトセラミックなどが挙げられる。
【００２９】
図２に示されるように、電子部品本体１０の内部には、複数の第１の内部電極１１と複数の第２の内部電極１２とが設けられる。
【００３０】
第１の内部電極１１は矩形状である。第１の内部電極１１は、第１及び第２の主面１０ａ、１０ｂと平行に設けられている。すなわち、第１の内部電極１１は、長さ方向Ｌ及び幅方向Ｗに沿って設けられている。第１の内部電極１１は、第１の端面１０ｅに露出しており、第１及び第２の主面１０ａ、１０ｂ、第１及び第２の側面１０ｃ、１０ｄ並びに第２の端面１０ｆには露出していない。
【００３１】
第２の内部電極１２は矩形状である。第２の内部電極１２は、第１及び第２の主面１０ａ、１０ｂと平行に設けられている。すなわち、第２の内部電極１２は、長さ方向Ｌ及び幅方向Ｗに沿って設けられている。第２の内部電極１２は、第２の端面１０ｆに露出している。第２の内部電極１２は、第１及び第２の主面１０ａ、１０ｂ、第１及び第２の側面１０ｃ、１０ｄ並びに第１の端面１０ｅには露出していない。
【００３２】
第１及び第２の内部電極１１、１２は、厚み方向Ｔに沿って交互に設けられている。厚み方向Ｔにおいて隣り合う第１の内部電極１１と第２の内部電極１２とは、セラミック部１０ｇを介して対向している。セラミック部１０ｇの厚みは、０．５μｍ〜１０μｍ程度とすることができる。
【００３３】
第１及び第２の内部電極１１、１２は、適宜の導電材料により構成することができる。第１及び第２の内部電極１１、１２は、例えばＮｉ，Ｃｕ，Ａｇ，Ｐｄ及びＡｕからなる群から選ばれた金属、またはＮｉ，Ｃｕ，Ａｇ，Ｐｄ及びＡｕからなる群から選ばれた一種以上の金属を含む合金（例えば、Ａｇ−Ｐｄ合金など）により構成することができる。
【００３４】
第１及び第２の内部電極１１、１２の厚みは、例えば０．３μｍ〜２．０μｍ程度であることが好ましい。
【００３５】
電子部品本体１０の上には、第１の外部電極１３と第２の外部電極１４とが設けられている。具体的には、第１の外部電極１３は、第１の端面１０ｅの上と、第１及び第２の主面１０ａ、１０ｂ並びに第１及び第２の側面１０ｃ、１０ｄのそれぞれの上とに跨がって設けられている。第１の外部電極１３は、第１の端面１０ｅにおいて第１の内部電極１１と電気的に接続されている。
【００３６】
第２の外部電極１４は、第２の端面１０ｆの上と、第１及び第２の主面１０ａ、１０ｂ並びに第１及び第２の側面１０ｃ、１０ｄのそれぞれの上とに跨がって設けられている。第２の外部電極１４は、第２の端面１０ｆにおいて第２の内部電極１２と電気的に接続されている。
【００３７】
第１及び第２の主面１０ａ、１０ｂ並びに第１及び第２の側面１０ｃ、１０ｄのそれぞれにおいて、第１の外部電極１３の長さ方向Ｌにおける先端と、第２の外部電極１４の長さ方向Ｌにおける先端とは、長さ方向Ｌにおいて対向している。
【００３８】
第１の外部電極１３の最外層は、Ｓｎ，Ｃｕ及びＡｇの少なくとも一種を含んでいる。具体的には、第１の外部電極１３は、第１の電極層１３ａと、第２の電極層１３ｂと、第３の電極層１３ｃとを有する。
【００３９】
第１の電極層１３ａは、電子部品本体１０の上に設けられている。第１の電極層１３ａは、焼成電極層により構成されている。焼成電極層とは、導電性粒子を含むペーストを塗布して得られたペースト層を焼成することにより得られた電極層をいう。焼成電極層に含まれる導電性粒子は、例えば、Ｃｕ，Ｎｉ，Ａｇ，Ｐｄ，Ａｇ−Ｐｄ合金，Ａｕなどの少なくとも一種を含む粒子であってもよい。
【００４０】
第２の電極層１３ｂは、第１の電極層１３ａの上に設けられている。第２の電極層１３ｂは、めっき層により構成されていてもよい。本実施形態では、第２の電極層１３ｂは、Ｎｉめっき層により構成されている。
【００４１】
第３の電極層１３ｃは、第２の電極層１３ｂの上に設けられている。第３の電極層１３ｃは、めっき層により構成されていてもよい。本実施形態では、第３の電極層１３ｃは、Ｓｎめっき層により構成されている。
【００４２】
第２の外部電極１４の最外層は、Ｓｎ，Ｃｕ及びＡｇの少なくとも一種を含んでいる。具体的には、第２の外部電極１４は、第１の電極層１４ａと、第２の電極層１４ｂと、第３の電極層１４ｃとを有する。
【００４３】
第１の電極層１４ａは、電子部品本体１０の上に設けられている。第１の電極層１４ａは、焼成電極層により構成されている。焼成電極層とは、導電性粒子を含むペーストを塗布して得られたペースト層を焼成することにより得られた電極層をいう。焼成電極層に含まれる導電性粒子は、例えば、Ｃｕ，Ｎｉ，Ａｇ，Ｐｄ，Ａｇ−Ｐｄ合金，Ａｕなどの少なくとも一種を含む粒子であってもよい。
【００４４】
第２の電極層１４ｂは、第１の電極層１４ａの上に設けられている。第２の電極層１４ｂは、めっき層により構成されていてもよい。本実施形態では、第２の電極層１４ｂは、Ｎｉめっき層により構成されている。
【００４５】
第３の電極層１４ｃは、第２の電極層１４ｂの上に設けられている。第３の電極層１４ｃは、めっき層により構成されていてもよい。本実施形態では、第３の電極層１４ｃは、Ｓｎめっき層により構成されている。
【００４６】
電子部品１は、ポリマーからなる撥水膜２０を備える。ポリマーとは、基本単位の繰り返し数が数十以上であり、分子量数千以上のものをさす。
【００４７】
撥水膜２０は、例えば、シリコーン樹脂、フッ素系樹脂及びポリオレフィン系樹脂のうちの少なくとも一種を含むことが好ましい。撥水膜２０を構成している樹脂は、非架橋型樹脂により構成されていることが好ましい。撥水膜２０は、例えば、樹脂のみにより構成されていてもよいし、フィラー等を含む樹脂組成物により構成されていてもよい。好ましく用いられるフィラーとしては、例えば、シリカ粒子などが挙げられる。
【００４８】
撥水膜２０は、電子部品本体１０の上と、第１及び第２の外部電極１３，１４の少なくとも一方の上とに設けられている。このため、電子部品本体１０上に水膜が形成されることが抑制される。従って、イオンマイグレーションの発生が抑制される。
【００４９】
イオンマイグレーションは、外部電極の金属成分のイオン化と、イオン化した金属成分の対向電極への移動を伴う。このため、イオンマイグレーションの発生を抑制する観点からは、外部電極と水分との接触を抑制することが好ましい。従って、イオンマイグレーションの発生をより効果的に抑制する観点からは、撥水膜２０を、第１及び第２の外部電極１３，１４の少なくとも一部を覆うように設けることが好ましい。撥水膜２０を、第１及び第２の外部電極１３，１４の先端部を覆うように設けることがより好ましい。撥水膜２０を、第１及び第２の外部電極１３，１４の少なくとも一方と、電子部品本体１０の上とに跨がって設けることがさらに好ましい。
【００５０】
第１及び第２の外部電極１３，１４の一方で発生したイオン化した金属成分が他方に到達することを抑制する観点からは、第１及び第２の主面１０ａ、１０ｂ並びに第１及び第２の側面１０ｃ、１０ｄの少なくともひとつにおいて、第１の外部電極１３の先端部と、第２の外部電極１４の先端部との間に位置する部分の上に撥水膜２０が設けられていることが好ましい。第１及び第２の主面１０ａ、１０ｂ並びに第１及び第２の側面１０ｃ、１０ｄの少なくともひとつにおいて、撥水膜２０が、第１の外部電極１３と第２の外部電極１４とを隔離するように設けられていることがより好ましい。
【００５１】
撥水膜２０は、電子部品本体１０の露出部並びに第１及び第２の外部電極１３，１４の全体を覆っていることがさらに好ましい。ここで、撥水膜２０が電子部品本体１０の露出部並びに第１及び第２の外部電極１３，１４の全体を覆っているとは、撥水膜２０が電子部品本体１０の露出部並びに第１及び第２の外部電極１３，１４の全表面のうちの９０％以上を覆っていることをいう。撥水膜２０が覆っている部分は、飛行時間型二次イオン質量分析法（Ｔｉｍｅ−ｏｆ−Ｆｌｉｇｈｔ  Ｓｅｃｏｎｄａｒｙ  Ｉｏｎ  Ｍａｓｓ  Ｓｐｅｃｔｒｏｍｅｔｒｙ：ＴＯＦ−ＳＩＭＳ）により電子部品本体１０の露出部並びに第１および第２の外部電極１３、１４を５０μｍ□の視野でＳｉをマッピングした場合に、例えばシリコーン樹脂の場合は、Ｓｉを含むイオンが検出される部分である。すなわち、撥水膜２０が電子部品本体１０の露出部並びに第１及び第２の外部電極１３，１４の全体を覆っているとは、ＴＯＦ−ＳＩＭＳにより分析した場合に、Ｓｉを含むイオンが、電子部品本体１０の露出部並びに第１及び第２の外部電極１３，１４の全表面のうちの９０％以上の部分において検出されることを意味する。
【００５２】
ところで、例えば、電子部品本体の表面等にシランカップリング剤を修飾させた場合、高撥水性を発揮するための方策の一つとして、シランカップリング剤の直鎖を長くすることが考えられる。しかしながら、シランカップリング剤の直鎖を長くした場合、この直鎖による立体障害が大きくなる。このため、電子部品の表面に配されるシランカップリング剤からなる撥水膜におけるシランカップリング剤の直鎖同士の間隔が広くなる。従って、シランカップリング剤を高い緻密性で配することは困難である。
【００５３】
具体的には、直鎖を長くした分だけ立体障害が大きくなり、反発力が多きくなるため直鎖同士の間隔は必然的に大きくなる。このため、シランカップリング剤からなる撥水膜による電極部の被覆性が低下し、結露により発生した水分が水膜化しやすくなり、上述した発生過程によるマイグレーションが生じてしまうことがある。また、シランカップリング剤により形成されている撥水膜は、Ｓｉを１個有する単体（モノマー）の状態で電子部品の表面に形成されるため、モノマー同士の結合がされない部分が生じる。そのため、シランカップリング剤からなる撥水膜は緻密な膜構造を有することが困難であった。従って、電子部品本体の表面等にシランカップリング剤を修飾させたのでは、十分に優れた撥液性を実現することは困難である。
【００５４】
そこで、特許文献１においては、パーフルオロアルキルアルキルシラン系の撥水処理剤、すなわち、Ｆ（フッ素）を官能基に持つシランカップリング剤を用いて、高撥水性を付与する方法が提案されている。しかしながら、特許文献１のＦ（フッ素）を官能基に持つシランカップリング剤を用いて形成される撥水膜は、シランカップリング撥水膜の直鎖を短くできるが、シランカップリング処理は、膜の性質上、シリカ同士の結合が不十分な箇所が生じ得るものである。このため、Ｆを官能基に持つシランカップリング膜においても電極部の被覆性は不十分となり、マイグレーションの抑制には十分な効果は得られない。すなわち、電子部品表面を高撥水化することにより、水滴が連続化（水膜化）するまでの時間は長くすることが可能であるが、結露量が増加し、ひとたび水膜化されれば、いずれはマイグレーションが発生してしまうことがある。
【００５５】
電子部品１では、ポリマーからなる撥水膜２０が設けられている。このため、撥水膜２０は、シランカップリング剤により形成された撥水膜と比較して、緻密で、高い撥水性を有する。撥水膜２０は、緻密な重合体（ポリマー）の状態で電子部品の表面に形成されるため、仮に結露により生じた水滴が水膜化して電極間に跨がっても、外部電極を保護しているため（防水性）、外部電極のイオン化／析出を抑制することが可能となる。一方、先行技術のようにシランカップリング剤により形成されている処理膜は、一定の撥水性を付与することは可能であるが、Ｓｉを１個有する単体（モノマー）の状態で電子部品の表面に形成されるため、モノマー同士の結合がされない部分が生じる。そのため、シランカップリング剤からなる処理膜は緻密な膜構造を有しておらず、外部電極のバリア性（防水性）は十分でない。このため、マイグレーションの発生を十分に抑制することができない。
【００５６】
本発明者らは、撥水膜を設けることによるイオンマイグレーションの発生を抑制できる効果について鋭意研究した結果、驚くべきことに、撥水膜２０の水に対する接触角を大きくしていくと、ある角度からイオンマイグレーションの発生を抑制する効果が飛躍的に高まることを見出した。
【００５７】
そこで、本実施形態では、２５℃における撥水膜２０の水に対する接触角（静的接触角）が１００以上とされている。このため、マイグレーションの発生を効果的に抑制することができる。イオンマイグレーションの発生をより効果的に抑制する観点からは、２５℃における撥水膜２０の水に対する接触角（静的接触角）が１１０°以上であることが好ましい。
【００５８】
なお、水の接触角は、以下の要領で、例えば、協和界面科学製微小接触角計（ＭＣＡ−３）を用いて測定することができる。まず、水平な基盤の上に、第２の主面が基盤側を向くように電子部品を配置する。次に、表面温度が２５℃の電子部品を電子部品の周囲の気温が２５℃となる環境下で電子部品の第１の主面の上に、水滴を滴下して主面状に形成された液滴を横方向から撮影し、接触角を求めることができる。ここでの接触角は、滴下した直後に測定した、静的接触角をいう。
【００５９】
電子部品１の製造方法は、特に限定されない。電子部品１は、例えば、以下の要領で製造することができる。
【００６０】
まず、第１及び第２の内部電極１１，１２を有する電子部品本体１０を用意する。電子部品本体１０は、例えば公知の方法により製造することができる。具体的には、電子部品本体１０は、例えば、以下の要領で作製することができる。まず、セラミックグリーンシートを用意する。次に、セラミックグリーンシートの上に、導電性ペーストを印刷することにより、導電性ペースト層を形成する。次に、導電性ペースト層が印刷されていないセラミックグリーンシートを複数積層した後に、導電性ペーストを印刷したセラミックグリーンシートを積層し、さらにその上に、導電性ペースト層を印刷したセラミックグリーンシートを積層する。これにより、マザー積層体を作製する。マザー積層体を、静水圧プレス法等によりプレスしてもよい。次に、マザー積層体を複数に分断することにより、生のセラミック素体を複数作製する。次に、生のセラミック素体を焼成することにより、電子部品本体１０を完成させることができる。
【００６１】
次に、電子部品本体１０の上に、第１及び第２の外部電極１３，１４を形成する。第１及び第２の外部電極１３，１４は、例えば、以下の要領で形成することができる。電子部品本体１０の上に導電性ペーストを塗布し、焼き付けることにより第１の電極層１３ａ、１４ａを形成する。第１の電極層１３ａ、１４ａの上に、Ｎｉメッキを施すことにより第２の電極層１３ｂ、１４ｂを形成する。第２の電極層１３ｂ、１４ｂの上にＳｎメッキを施すことにより第３の電極層１３ｃ、１４ｃを形成する。以上の工程により第１及び第２の外部電極１３，１４を完成させることができる。
【００６２】
次に、電子部品本体１０の上と、外部電極１３，１４の上とに撥水膜２０を形成する。具体的には、まず、撥水膜２０を形成するための樹脂をアルカン系溶剤、イソパラフィン系溶剤、キシレン系溶剤などの溶剤で希釈することにより処理剤を調製する。その処理剤に外部電極１３，１４が形成された電子部品本体１０を浸漬させ、乾燥することにより撥水膜２０を作製することができる。または、外部電極１３，１４が形成された電子部品本体１０に処理剤を塗布してもよい。なお、撥水膜２０の水に対する接触角は、例えば、撥水膜２０の材料や、撥水膜２０の厚みを調整することにより制御することができる。通常、撥水膜２０の水に対する接触角は、撥水膜２０の厚みが大きくなるほど下地のセラミック素体の影響を受けにくくなるため、大きくなる傾向にある。撥水膜２０の厚みは、例えば、処理剤における撥水樹脂の濃度等を適宜調製することにより制御することができる。
【００６３】
以下、本発明について、具体的な実施例に基づいて、さらに詳細に説明するが、本発明は以下の実施例に何ら限定されるものではなく、その要旨を変更しない範囲において適宜変更して実施することが可能である。
【００６４】
（実施例１）
上記実施形態に係る電子部品１と実質的に同様の構成を有する電子部品を、下記の条件で作製した。
【００６５】
電子部品の寸法（設計値）：長さ寸法：１．６ｍｍ、幅寸法：０．８ｍｍ、厚み寸法：０．８ｍｍ
セラミック部：ＢａＴｉＯ３
内部電極：Ｎｉ
第１の電極層：Ｃｕを含む焼成電極層
第２の電極層：Ｎｉめっき層
第３の電極層：Ｓｎめっき層
第１及び第２の主面のそれぞれにおける第１の外部電極と第２の外部電極との間の長さ方向に沿った距離：０．８ｍｍ
処理液：非架橋型シリコーン樹脂を含むシリコーンポリマーディスパージョンＳＤ−８００２  ＤＩＳＰＥＲＳＩＯＮ（東レダウコーニング社製）を濃度が１質量％となるように希釈した液
撥水膜の形成方法：処理液に５分間浸漬した後に、処理液から引き上げ、１５０℃で３０分間乾燥させた。その結果、外部電極上の厚みが約５ｎｍの撥水膜を形成することができた。
【００６６】
（実施例２）
処理液におけるシリコーン樹脂の濃度を５質量％としたこと以外は実施例１と同様にして電子部品を作製した。形成された撥水膜の厚みは、約５０ｎｍであった。
【００６７】
（実施例３）
処理剤としてフッ素系ポリマーコーティング液を用いたこと以外は実施例１と同様にして電子部品を作製した。形成された撥水膜の厚みは、約５ｎｍであった。
【００６８】
（実施例４）
ポリオレフィン系非架橋型ポリマーコーティング液を用いたこと以外は実施例１と同様にして電子部品を作製した。形成された撥水膜の厚みは、約５ｎｍであった。
【００６９】
（比較例１）
撥水膜を形成しなかったこと以外は実施例１と同様にして電子部品を作製した。
【００７０】
（比較例２）
アルコキシシラン系のシランカップリング剤ＫＢＭ−３０６３（信越化学工業製）をプロパノールで５Ｖｏｌ％に希釈した処理剤を用いて形成したこと以外は実施例１と同様にして電子部品を作製した。
【００７１】
（比較例３）
シリコーン樹脂の濃度を０．１質量％としたこと以外は実施例１と同様にして電子部品を作製した。
（厚みの測定方法）
各条件で作製した電子部品１のシリコーン樹脂膜の測定方法は以下のように行った。まず、電子部品１の実装面とは反対側の主面（ＬＷ面）において、１/２Ｗ、かつ、ＬＷ面に形成されるＬ方向に沿った片方の外部電極の長さの１/２の長さとなる箇所（図２において丸で囲んだ部分）を起点に、Ｌ方向に沿って他方の外部電極側に向かって３０μｍ、Ｔ方向に沿って３０μｍの加工範囲となるように鉛直方向に対して角度４５°の条件で集束イオンビーム（ＦＩＢ）を用いて部分的に断面を露出させた。次に、露出断面において露出断面のＬ方向の長さの１/２となる箇所におけるシリコーン樹脂膜をＳＥＭで投影し厚みを測定した。その値をシリコーン樹脂膜の厚みとした。
【００７２】
（接触角の測定）
実施例１〜４及び比較例１，２のそれぞれにおいて作製したサンプルにおける撥水膜の２５℃における水に対する接触角を測定した。結果を表１に示す。また、撥水膜を形成しなかった比較例１においては、実施例と同様に電子部品の第１の主面の上の２５℃における水に対する接触角を測定した。ここで、滴下のニードルから純水が離れなかった場合を接触角：１８０°と記載した。なお、表１のサンプルは、表１に記載されたそれぞれの接触角を狙って作製されたサンプルの中から狙いの値になっているものを抽出した結果を示している。
【００７３】
（イオンマイグレーションの評価）
半田（千住金属工業製Ｓｎ−３Ａｇ−０．５Ｃｕペースト、Ｍ７０５−ＧＲＮ３６０−Ｋ２−Ｖ）を用いて、実施例１〜４及び比較例１〜４のそれぞれにおいて作製したサンプルを基板に半田実装した後、以下の条件で結露サイクル試験を実施した。
【００７４】
作製した実装構造体を、−３０℃の低温の環境下で１時間保持した。その後、温度２５℃、湿度９０％の高温高湿の環境下で１時間保持した。最後に、温度２５℃で１．５時間かけて湿度を５０％まで低下させ、サンプルを乾燥させた。これを１サイクルとし、４８サイクル実施した。
【００７５】
その後、マイクロスコープにより１００倍に第２の主面の一部分を拡大して観察した。その結果、第２の主面に白色または黒色の生成物が存在したことが確認された場合、イオンマイグレーションが生じていたと判断し、「×」とした。一方、２の主面に白色または黒色の生成物が確認されなかった場合、イオンマイグレーションが生じていなかったとして「○」と評価した。表１に、総サンプル数に対する「×」と判断されたサンプル数の比（（「×」と判断されたサンプル数）／（総サンプル数））を示す。
【００７６】
なお、波長分散型Ｘ線分光器（ＷＤＸ）にて生成物を分析すると、Ｓｎ、ＮｉまたはＣｕを検出することができた。従って、観察された白色又は黒色の生成物は、イオンマイグレーションによる生成物であることが確認された。
【００７７】
（電極バリア性（防水性）の評価）
実施例１〜４及び比較例１，２のぞれぞれにおいて、静的接触角とイオンマイグレーションの評価で使用したものとは別に作製したサンプルを、Ｓｎ剥離液（エンストリップＴＬ−１０５、メルテックス製）に１分間浸漬した。その後、サンプルをＳｎ剥離液から取り出し、乾燥させた。次に、サンプルの外部電極をマイクロスコープ（ＶＨ−２００、キーエンス製）にて観察し、外部電極の面積に対するＳｎめっき膜が残存している部分の面積の比（（Ｓｎめっき膜が残存している部分の面積）／（外部電極の面積））（％）を算出した。結果を表１に示す。なお、表１の値は、サンプル１０個分の平均の値であり、小数点以下を四捨五入した値である。
【００７８】
【表１】
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表１に示されるイオンマイグレーションの評価結果から、撥水膜の水に対する接触角が１００°を境界として、イオンマイグレーションの発生頻度が劇的に変化することが理解される。撥水膜の水に対する接触角を１００°以上とすることにより、イオンマイグレーションの発生を好適に抑制できることが分かる。
【００７９】
また、表１に示される電極バリア性の評価結果から、接触角が１００°以上の撥水膜の透水性が低いことが分かる。このことから、外部電極の少なくとも一部の上に接触角が１００°以上である撥水膜を設けることにより、外部電極と水との接触を効果的に抑制できるため、イオンの発生を効果的に抑制できることが分かる。また、イオンの発生をより効果的に抑制する観点からは、外部電極の少なくとも一部の上に接触角が１１０°以上である撥水膜を設けることがより好ましいことが分かる。
【符号の説明】
【００８０】
１  電子部品
１０  電子部品本体
１０ａ  第１の主面
１０ｂ  第２の主面
１０ｃ  第１の側面
１０ｄ  第２の側面
１０ｅ  第１の端面
１０ｆ  第２の端面
１０ｇ  セラミック部
１１  第１の内部電極
１２  第２の内部電極
１３  第１の外部電極
１４  第２の外部電極
１３ａ，１４ａ  第１の電極層
１３ｂ，１４ｂ  第２の電極層
１３ｃ，１４ｃ  第３の電極層
２０  撥水膜
【図１】
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【図２】
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