(57)【要約】      （修正有）【課題】より高い並列抵抗、より高いＱ値及びより低い直列抵抗を有する音響共振器を提供する【解決手段】音響共振器構造体は、第１の表面及び第２の表面を有する圧電層１２０と、第１の表面に隣接して配置された第１の電極１１５と、第２の表面に隣接して配置された第２の電極１２５とを含む。第１の電極は、第１の音響インピーダンスを有する第１の導電層１１５ｔ及び圧電層の反対側で第１の導電層の面に配置され、第１の音響インピーダンスよりも大きい第２の音響インピーダンスを有する第２の導電層１１５ｂを含む。第２の電極は基板と圧電層との間に配置され、第２の電極は圧電層に隣接して配置され、第３の音響インピーダンスを有する第３の導電層１２５ｂ及び圧電層の反対側で第３の導電層の側に配置され、第３の音響インピーダンスよりも大きい第４の音響インピーダンスを有する第４の導電層１２５ｔを含む。【選択図】図１Ｂ
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
音響共振器構造体であって、
第１の表面および第２の表面を有する圧電層と、
前記第１の表面に隣接して配置された第１の電極と、
前記第２の表面に隣接して配置された第２の電極とを含み、
前記第１の電極が、前記圧電層に隣接して配置され、第１の音響インピーダンスを有する第１の導電層、及び前記圧電層の反対側で前記第１の導電層の面に配置され、前記第１の音響インピーダンスよりも大きい第２の音響インピーダンスを有する第２の導電層を含む、音響共振器構造体。
【請求項２】
基板を更に含み、前記第１の電極が、前記基板と前記圧電層との間に配置されている、請求項１に記載の音響共振器構造体。
【請求項３】
基板を更に含み、前記第２の電極が、前記基板と前記圧電層との間に配置されている、請求項１に記載の音響共振器構造体。
【請求項４】
前記第１の電極、前記圧電層、及び前記第２の電極が、薄膜バルク音響共振器（ＦＢＡＲ）の音響スタックを形成する、請求項１に記載の音響共振器構造体。
【請求項５】
前記第２の電極が、前記圧電層に隣接して配置され、第３の音響インピーダンスを有する第３の導電層、及び前記圧電層の反対側で前記第３の導電層の面に配置され、前記第３の音響インピーダンスよりも大きい第４の音響インピーダンスを有する第４の導電層を含む、請求項１に記載の音響共振器構造体。
【請求項６】
前記第１及び第３の導電層が第１の材料から形成され、前記第２及び第４の導電層が第２の材料から形成される、請求項５に記載の音響共振器構造体。
【請求項７】
前記第１の材料がモリブデンであり、前記第２の材料がタングステンである、請求項６に記載の音響共振器構造体。
【請求項８】
前記第１の導電層が、モリブデンから形成され、前記第２の導電層がタングステンから形成される、請求項１に記載の音響共振器構造体。
【請求項９】
前記第１の導電層が、ニオブ、モリブデン、又はニオブとモリブデンの合金から形成され、前記第２の導電層が、タングステン又はイリジウムから形成される、請求項１に記載の音響共振器構造体。
【請求項１０】
前記第２の電極が、前記圧電層に隣接して配置され、第３の音響インピーダンスを有する第３の導電層、及び前記圧電層の反対側で前記第３の導電層の面に配置され、前記第３の音響インピーダンスよりも大きい第４の音響インピーダンスを有する第４の導電層を含む、請求項９に記載の音響共振器構造体。
【請求項１１】
前記第２の電極が、タングステン、イリジウム又はモリブデンから形成される、請求項９に記載の音響共振器構造体。
【請求項１２】
基板を更に含み、前記第１の電極が、前記基板と前記圧電層との間に配置されている、請求項１１に記載の音響共振器構造体。
【請求項１３】
前記圧電層が、約１〜１０％のスカンジウム濃度を有するアルミニウムスカンジウム窒化物を含む、請求項１に記載の音響共振器構造体。
【請求項１４】
前記圧電層の反対側で前記第１及び第２の電極の一方の面に配置されたパッシベーション層、及び前記圧電層の反対側で前記第１及び第２の電極の他方の面に配置されたシード層を更に含む、請求項１に記載の音響共振器構造体。
【請求項１５】
前記パッシベーション層および前記シード層がそれぞれ、窒化アルミニウム、炭化ケイ素、窒化ケイ素、酸化アルミニウム及びボロンドープ酸化ケイ素の１つを含む、請求項１４に記載の音響共振器構造体。
【請求項１６】
前記第１の電極が、前記第１の導電層の反対側で前記第２の導電層の面に配置された第３の導電層を更に含む、請求項１に記載の音響共振器構造体。
【請求項１７】
前記第３の導電層が、前記第２の音響インピーダンスより大きい第３の音響インピーダンスを有する、請求項１６に記載の音響共振器構造体。
【請求項１８】
前記第１の導電層が、ニオブ、又はニオブとモリブデンの合金を含み、前記第２の導電層がモリブデンを含み、前記第３の導電層がタングステンを含む、請求項１６に記載の音響共振器構造体。
【請求項１９】
前記第３の導電層が、前記第２の音響インピーダンスよりも低い第３の音響インピーダンスを有する、請求項１６に記載の音響共振器構造体。
【請求項２０】
前記第１の導電層が、ニオブ、又はニオブとモリブデンの合金を含み、前記第２の導電層がタングステンを含み、前記第３の導電層がモリブデンを含む、請求項１６に記載の音響共振器構造体。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
背景
音響共振器は、様々な電子応用形態において信号処理機能を実現するために使用され得る。例えば、幾つかの携帯電話および他の通信装置は、送信信号および／または受信信号用の周波数フィルタを実現するために音響共振器を使用する。異なる応用形態に従って、幾つかの異なるタイプの音響共振器が使用されることができ、例には、薄膜バルク音響共振器（Thin Film Bulk Acoustic Resonator：ＦＢＡＲ）、結合共振器フィルタ（Coupled ResonatorFilter：ＣＲＦ）、スタック型バルク音響共振器（Stacked Bulk Acoustic Resonator：ＳＢＡＲ）、二重バルク音響共振器（Double Bulk Acoustic Resonator：ＤＢＡＲ）、及びソリッドマウント共振器（Solidly Mounted Resonator：ＳＭＲ）のようなバルク弾性波（Bulk Acoustic Wave：ＢＡＷ）共振器が含まれる。
【０００２】
代表的な音響共振器は、音響スタック（stack：積重体）と呼ばれる構造体において、２つの平板電極間に挟まれた圧電材料層を含む。入力電気信号が電極間に印加される場合、可逆性または逆圧電効果により、音響スタックは、圧電材料の分極に応じて機械的に膨張または収縮する。入力電気信号が時間と共に変化する場合、音響スタックの膨張および収縮は、様々な方向に音響共振器中を伝播する音波（又はモード）を生成し、圧電効果により出力電気信号へ変換される。幾つかの音波（音響波）は、音響スタックにわたる共振を達成し、この場合、共振周波数は、音響スタックの材料、寸法、及び動作条件のような要因によって決まる。音響共振器のこれら及び他の機械的特性は、その周波数応答を決定する。
【０００３】
一般に、音響共振器の性能は、その並列抵抗Ｒｐ、直列抵抗Ｒｓ、Ｑ値、及びその電気機械結合係数ｋｔ２の値により評価され得る。直列抵抗Ｒｓは、音響共振器の入力インピーダンスの大きさの最小値であり、直列共振周波数Ｆｓは、その最小値が生じる周波数である。並列抵抗Ｒｐは、音響共振器の入力インピーダンスの大きさの最大値であり、並列共振周波数Ｆｐは、その最大値が生じる周波数である。Ｑ値は、振動の１サイクルにおいて失われるエネルギー量を定量化するパラメータである。電気機械結合係数ｋｔ２は並列共振周波数Ｆｐと直列共振周波数Ｆｓとの間の正規化された差であり、パーセント値（％）で一般に表される。
【０００４】
より高いＲｐ、より高いＱ値およびより低いＲｓを有するデバイスが、より低いＲｐ、より低いＱ値およびより高いＲｓを有するデバイスに比べて優れた性能を有すると考えられる。従って、他の事項が等しい場合、より高いＲｐ、より高いＱ値およびより低いＲｓを有する音響共振器を有するフィルタを提供することが望ましい。それにも関わらず、これら性能パラメータは一般に、音響共振器のコスト及びサイズのような他の設計要因とトレードオフの関係にある。例えば、幾つかの設計において、コストの低減を達成するために音響共振器のサイズを縮小することは、１つ又は複数の性能パラメータを低下させる可能性がある。従って、過度に性能を損なわずにコスト及びサイズ縮小（スケーリング）のような改善を達成する、改善された共振器設計が一般に必要とされている。
【０００５】
例示的な実施形態は、添付図面と共に読まれる場合に、以下の詳細な説明から最も良く理解される。様々な特徴要素が必ずしも一律の縮尺に従わずに描かれていることが強調される。実際には、寸法は、考察の明瞭化のために任意に増減され得る。適用可能および実用的であれば、同じ参照符号は同様の要素を指す。
【図面の簡単な説明】
【０００６】
【図１Ａ】代表的な実施形態による、音響共振器の上面図である。
【図１Ｂ】代表的な実施形態による、図１Ａの音響共振器の断面図である。
【図１Ｃ】図１Ａの音響共振器の音響スタックに関する音響インピーダンスのプロファイル（分布）を示すグラフである。
【図２】様々な周波数における音響共振器のシミュレートされた振動モードを示す音響分散図である。
【図３Ａ】並列共振周波数Ｆｐにおいて動作している音響共振器の長手方向（Ｕｚ）変位を示すグラフである。
【図３Ｂ】並列共振周波数Ｆｐにおいて動作している音響共振器のすべり（剪断）（Ｕｘ）変位を示すグラフである。
【図４】様々な代表的な実施形態による、スタック設計の関数として割合周波数分離（Fractional Frequency Separation：ＦＦＳ）を示すグラフである。
【図５】図１Ｂに示された音響共振器の正規化されたＲｐを、モリブデン層の正規化された厚さの関数として示すグラフである。
【図６Ａ】代表的な実施形態による、図１Ｂの音響共振器に関する音響スタックの変形態様の断面図である。
【図６Ｂ】図６Ａに示された音響スタックの音響インピーダンスのプロファイルを示すグラフである。
【図７Ａ】代表的な実施形態による、図１Ｂの音響共振器に関する音響スタックの変形態様の断面図である。
【図７Ｂ】図７Ａに示された音響スタックの音響インピーダンスのプロファイルを示すグラフである。
【図８Ａ】代表的な実施形態による、図１Ｂの音響共振器に関する音響スタックの変形態様の断面図である。
【図８Ｂ】図８Ａに示された音響スタックの音響インピーダンスのプロファイルを示すグラフである。
【図９Ａ】代表的な実施形態による、図１Ｂの音響共振器に関する音響スタックの変形態様の断面図である。
【図９Ｂ】図９Ａに示された音響スタックの音響インピーダンスのプロファイルを示すグラフである。
【図１０Ａ】代表的な実施形態による、図１Ｂの音響共振器に関する音響スタックの変形態様の断面図である。
【図１０Ｂ】図１０Ａに示された音響スタックの音響インピーダンスのプロファイルを示すグラフである。
【図１１Ａ】代表的な実施形態による、図１Ｂの音響共振器に関する音響スタックの変形態様の断面図である。
【図１１Ｂ】図１１Ａに示された音響スタックの音響インピーダンスのプロファイルを示すグラフである。
【０００７】
詳細な説明
以下の詳細な説明において、説明のために及び制限しないために、特定の細部を開示する例示的な実施形態が、本教示の完全な理解を提供するために記載される。しかしながら、本開示の利益を有する当業者には明らかなように、本明細書に開示された特定の細部から逸脱する、本教示に従った他の実施形態は、依然として添付の特許請求の範囲の範囲内にある。更に、よく知られた装置および方法の説明は、例示的な実施形態の説明を曖昧にしないように省略され得る。係る方法および装置は、明らかに本教示の範囲内にある。
【０００８】
本明細書で使用される用語は、特定の実施形態を説明するためだけであり、限定することを意図されていない。定義された用語は、関連する文脈において一般に理解される及び受け入れられるように、定義された用語の技術的意味、科学的意味または通常の意味に追加される。
【０００９】
用語「１つの（a）」、「１つの（an）」及び「前記（the）」は、文脈で特に明示しない限り、単一の対象、及び複数の対象の双方を含む。このため、例えば、「デバイス（a device）」は、１つのデバイス及び複数のデバイスを含む。用語「実質的な」又は「実質的に」は、許容可能な限界内または又は程度内を意味する。用語「約（ほぼ）」は、当業者にとって許容可能な限界内または量内を意味する。「〜より上に」、「〜より下に」、「上部」、「底部」、「上側」及び「下側」のような相対的な用語は、添付図面に示されたように様々な要素の相互の関係を説明するために使用され得る。これらの相対的な用語は、図面に示された向きに加えて、デバイス及び／又は要素の異なる向きを包含することが意図されている。例えば、デバイスが図面の表示に対して反転された場合、例えば、別の要素の「上に」と説明された要素は、今度はその要素の「下に」あることになる。
【００１０】
説明される実施形態は一般に、薄膜バルク音響共振器（ＦＢＡＲ）又はソリッドマウント共振器（ＳＭＲ）のような音響共振器に関するが、当該説明の大部分は便宜上、ＦＢＡＲを対象とする。材料および製造方法を含む、音響共振器の特定の細部が、１つ又は複数の以下の共同所有の米国特許および米国特許出願に見いだされ得る。即ち、Lakinによる米国特許第６，１０７，７２１号、Ruby他による米国特許第５，５８７，６２０号、米国特許第５，８７３，１５３号、米国特許第６，５０７，９８３号、米国特許第６，３８４，６９７号、米国特許第７，２７５，２９２号、及び米国特許第７，６２９，８６５号、Feng他による米国特許第７，２８０，００７号、Jamneala他による米国特許出願公開第２００７／０２０５８５０号、Ruby他による米国特許第７，３８８，４５４号、Choy他による米国特許出願公開第２０１０／０３２７６９７号、Choy他による米国特許出願公開第２０１０／０３２７９９４号、Nikkel他による米国特許出願第１３／６５８，０２４号、Burak他による米国特許出願第１３／６６３，４４９号、Burak他による米国特許出願第１３／６６０，９４１号、Burak他による米国特許出願第１３／６５４，７１８号、Ruby他による米国特許出願公開第２００８／０２５８８４２号、及びKaitila他による米国特許第６，５４８，９４３号である。これら特許および特許出願の開示は特に、参照により全体として本明細書に組み込まれる。強調されることは、これら特許および特許出願に記載されたコンポーネント（構成要素）、材料および製造方法は代表例であり、当業者の理解範囲内にある他の製造方法および材料が企図される。
【００１１】
説明される実施形態は一般に、音響再分配層（Acoustic Redistribution Layers（ＡＬＲ））を含む音響共振器に関する。例えば、特定の実施形態において、ＦＢＡＲは、第１と第２の電極との間に配置された圧電層を含み、この場合、第１と第２の電極の少なくとも一方は、圧電層から離れるにつれて増加する個々の音響インピーダンスを有する複数の層からなる。係る音響再分配層の使用は、Ｒｐ及びＱ値と相関する、音響共振器のいわゆる割合周波数分離（Fractional Frequency Separation：ＦＦＳ）を増大させることができる。従って、それは、増大したＲｐ及びＱ値を有する音響共振器を形成するために使用され得る。
【００１２】
Ｒｐ及びＱ値を増大させるために音響再分配層を使用することにより、幾つかの音響共振器は、サイズを縮小、それ故にコストを低減して製造されることを可能にすることができる。一般に、音響共振器は、特定の特性電気インピーダンスＺ０の要件を満たすように設計される。特性電気インピーダンスＺ０は、共振器面積に比例し、所望の動作周波数および圧電層の厚さに反比例する。圧電層の厚さは、所望の動作周波数により主として決定されるが、所望の電気機械結合係数ｋｔ２によっても決定される。適用限界内において、ｋｔ２は圧電層の厚さに比例し、下側電極および上側電極の厚さに反比例する。より具体的には、ｋｔ２は圧電層に蓄えられた音響エネルギーの割合（fraction：一部、率、分数）に比例し、電極に蓄えられた音響エネルギーの割合（fraction）に反比例する。従って、所定のＺ０に関して、共振器のサイズ、及びそれ故にそのコストは、より高い有効ｋｔ２を有する圧電材料を用いることによって低減されることができ、その理由は、それにより、所望の共振周波数を維持するために電極の増加する厚さを犠牲にして、より薄い圧電層を使用する（それ故にその面積を縮小する）ことが可能になるからである。従って、高い有効ｋｔ２の圧電材料（例えば、標準的な窒化アルミニウム（ＡｌＮ）の代わりに、９重量％のスカンジウムを有するアルミニウムスカンジウム窒化物（Aluminum Scandium nitride：ＡＳＮ））を用いる音響共振器は、共振器の所望のｋｔ２を維持しながら、比較的薄くなるように設計され得る。しかしながら、係る設計は、強制的に音響エネルギーを電極へ大きく閉じ込め（一般に、２０％より多い又はいわゆるメタルヘビー（metal-heavy：金属の重い）スタック）、ＦＦＳ（詳細に後述される）に関して、それ故にＲｐ及びＱ値に関して非常に不都合である。音響再分配層の使用により、直列共振（Ｆｓ）及びｋｔ２を維持し且つ共振器の面積の増加をほんの最小限に抑えると同時に、メタルヘビースタックに関するＦＦＳの増大を可能にする。
【００１３】
図１Ａは、代表的な実施形態による、音響共振器１００の上面図であり、図１Ｂは、代表的な実施形態による、音響共振器１００の断面図であり、図１Ｃは、音響共振器１００の音響スタックに関する音響インピーダンスのプロファイル（分布）を示すグラフである。例示された実施形態において、音響共振器１００はＦＢＡＲからなるが、例えば二重バルク音響共振器（ＤＢＡＲ）またはソリッドマウント共振器（ＳＭＲ）のような別の形態をとることができる。
【００１４】
図１Ａを参照すると、音響共振器１００は、周波数にわたってスプリアスモード密度を分散させ且つ任意の１つの周波数においてスプリアスモードの何れかの強い励起を避けるために、アポダイズ五角形構造、即ち非対称五角形を有する音響スタックからなる。一般に、音響共振器の形状は、５つの辺に制限されない。例えば、一般的な代替の設計は、四辺形、五角形および他の形状を含む。
【００１５】
音響共振器１００は、上側電極１２５（以下では、第２の電極と呼ばれる）、接続側部１０１、及び相互接続１０２を含む。接続側部１０１は、相互接続１０２に電気接続を提供するように構成される。相互接続１０２は、上側電極１２５に電気信号を提供し、音響共振器１００の圧電層（図１Ａには示されず）に所望の音波（音響波）を励起する。
【００１６】
図１Ｂを参照すると、音響共振器１００は、基板１０５及び簡単表現の音響スタック１１０を含む。
【００１７】
基板１０５は、シリコン（Ｓｉ）、ガリウムヒ素（ＧａＡｓ）、又はリン化インジウム（ＩｎＰ）等のような、半導体プロセスに適合する様々なタイプの半導体材料から形成されることができ、係る材料は、接続および電子回路を集積化するために及び共振器から生じた熱を放散するために役に立つことができ、それ故にサイズとコストを低減して性能を向上させる。基板１０５は、動作中、音響スタック１１０の自由な動きを可能にするために、音響スタック１１０の下に配置された空気空洞１４０を有する。空気空洞１４０は一般に基板１０５をエッチングし、音響スタック１１０の形成前にその中に犠牲層を堆積し、次いで音響スタック１１０の形成後に犠牲層を除去することにより形成される。空気空洞１４０に対する代案として、音響共振器１００は例えば、分布ブラッグ反射鏡（ＤＢＲ）のような音響反射器を含むことができる。
【００１８】
音響スタック１１０は、第１の電極１１５、第１の電極１１５上に形成された圧電層１２０、及び圧電層１２０上に形成された第２の電極１２５を含む。第１の電極１１５は、下側導電層１１５ｂ及び上側導電層１１５ｔを含む。第２の電極１２５は、下側導電層１２５ｂ及び上側導電層１２５ｔを含む。第１及び第２の電極１１５及び１２５の導電層は、圧電層１２０から離れるにつれて増加する音響インピーダンスを有する材料から形成される。例えば、下側導電層１１５ｂ及び上側導電層１２５ｔは、（Ｗ）又はイリジウム（Ｉｒ）のような比較的高い音響インピーダンスを有する材料から形成され得るが、上側導電層１１５ｔ及び下側導電層１２５ｂは、モリブデン（Ｍｏ）又はニオブ（Ｎｂ）のような比較的高い音響インピーダンスを有する材料から形成され得る。第１の電極１１５及び第２の電極１２５に使用され得る様々な代替の材料は（上記に列挙されたものに加えて又はそれらの代わりに）、例えばアルミニウム（Ａｌ）、白金（Ｐｔ）、ルテニウム（Ｒｕ）又はハフニウム（Ｈｆ）を含む。
【００１９】
第２の電極１２５は更に、ＡｌＮ、炭化ケイ素（ＳｉＣ）、エッチング不能ボロンドープシリコンガラス（non-etchable boron-doped silicon glass：ＮＥＢＳＧ）、二酸化ケイ素（ＳｉＯ２）、窒化ケイ素（ＳｉＮ）、及びポリシリコン等を含む様々なタイプの材料から形成され得る、パッシベーション層（図示せず）を含むことができる。パッシベーション層の厚さは一般に、パッケージの漏れ口を通して入る可能性がある物質との化学反応から音響スタック１１０の層を保護するのに十分であるべきである。
【００２０】
第１の電極１１５及び第２の電極１２５は、金または金錫合金のような導電材料から一般に形成された対応するコンタクトパッドを介して外部回路に電気接続される。図１Ｂに示されていないが、電極とコンタクトパッドとの間の接続が、音響スタック１１０から外方へ横方向に延びている。接続は一般に、Ｔｉ／Ｗ／金のような適切な導電材料から形成される。
【００２１】
圧電層１２０は一般に、Ａｌ１−ｘＳｃｘＮを含む薄膜圧電物質から形成されるが、ＡｌＮ又は酸化亜鉛（ＺｎＯ）のような他の圧電材料から形成されてもよい。幾つかの実施形態において、圧電層１２０は、第１の電極１１５の上面の上に配置されたシード層（図示せず）上に形成される。シード層は、例えばＡｌ１−ｘＳｃｘＮの成長を促すために、ＡｌＮから形成され得る。
【００２２】
図１Ｃを参照すると、音響スタック１１０の様々な層の音響インピーダンスが、スタックの垂直位置の関数として示される。当該垂直位置（即ち、図１Ｂに示されたように）は、図１Ｃの水平軸に沿って表される。図１Ｃの例において、例示的な音響スタック１１０は、Ｗ、Ｍｏ、ＡｌＮ、Ｍｏ、及びＷの順次に積み重ねられた層を含む。音響インピーダンスは、圧電層１２０からの距離と共に単調に増加し、音響スタックを横切って音響エネルギーを分散させることに貢献する。様々な代替の実施形態において、圧電層１２０からの距離に応じて音響インピーダンスが増加する類似した音響インピーダンスのプロファイルを達成するために、他の材料が使用され得る。例えば、以下の材料は、類似した音響インピーダンスのプロファイルを達成するために様々な組み合わせにおいて使用されることができ、即ち、約１１０ＭＲ（メガレイリー）の音響インピーダンスを有するイリジウム、約１００ＭＲの音響インピーダンスを有するタングステン、約６５ＭＲの音響インピーダンスを有するモリブデン、約４２ＭＲの音響インピーダンスを有するニオブ、及び特定の組成に応じて約４２〜６５ＭＲの音響インピーダンスを有するニオブモリブデン合金である。
【００２３】
音響再分配層（ＡＲＬ）は、スタックを横切る音響エネルギーの分布を変化させるために音響スタックに追加される材料の層である。一般に、音響スタックによりサポートされている様々な共振のカットオフ周波数または電気機械結合係数ｋｔ２（圧電材料がスタックに存在する場合）のような、音響スタックの基本的な電気機械的特性は、各単一層の重み付けされたパラメータ（例えば、音速、ポアソン比および物質密度）により決定され、この場合、重み付けする要因（因子）は、その特定層に閉じ込められた音響エネルギーの割合（fraction）により決定される。従って、スタックの全体にわたって音響エネルギーの分布を変化させることは、そのスタックの電気機械的特性を変化させる。純粋に長手方向の動きに関して（圧電層に垂直な電気バイアスを与えることにより、動きが駆動される場合のように）、音響エネルギーの分布は、各層の音響インピーダンスにより決定され、この場合、低い音響インピーダンス層はより多くのエネルギーを閉じ込める傾向がある。水平（又はすべり（剪断））成分を含む、より一般的なタイプの動きに関して、スタックを横切る音響エネルギーの分布は、各層の音響インピーダンス及びポアソン比により決定される。
【００２４】
例えば、図１Ａに示された音響共振器１００の代表的な音響スタックは、第１の電極１１５及び第２の電極１２５に使用される、Ｗのみ又はＭｏのみのような単一金属のみを有する。金属材料の選択基準は、音響共振器１００の特定の性能および処理要件に基づく。例えば、Ｗの音響インピーダンスはＭｏよりも大きいので、Ｗは、圧電層１２０に一層多くの音響エネルギーを閉じ込めることを可能にすることができように、ｋｔ２を増加するために使用される。図４に関連して説明されるように、例えば、低いｋｔ２の要件を満たすために又は共振器面積を最小限に抑えるために設計された幾つかの音響スタックに関して、音響エネルギーの大部分は、Ｗをそれぞれ含む第１の電極１１５及び第２の電極１２５に閉じ込められ得る。係る特定のエネルギー分布は、共振器サイズを最小限に抑えるために有益であるが、Ｒｐ及びＱのような音響共振器１００の他の重要な性能特性の劣化の増大をもたらす可能性がある。第１の電極１１５と圧電層１２０との間に、及び圧電層１２０と第２の電極１２５との間にＭｏ層を挿入することは、圧電層１２０に閉じ込められた音響エネルギーの同じ量（及びそれ故に、例えばｋｔ２）を依然として保ちながら、外側のＷ層から内側のＭｏ層までエネルギーの一部を再分配（再分散）させることができる。従って、Ｍｏ層は、純粋なＷ電極を含む音響共振器１００の元のスタックに対して音響再分配層を形成する。実際の状況において、ＡＬＲ層は、第１の電極１１５及び第２の電極１２５のそれぞれを構成する元の金属層の一部に取って代わることができ、圧電層１２０の厚さは、元の直列および並列共振周波数Ｆｓ及びＦｐにそれぞれ一致させるために調整される必要があるかもしれない。ＭｏのＡＲＬを有する音響スタックの音響インピーダンス分布の例が、図１Ｃにおいて層１１５ｔ及び１２５ｂとして模式的に示されているが、元のＷ電極の残りの部分は、層１１５ｂ及び１２５ｔとして示される。
【００２５】
図２は、様々な周波数における音響共振器のシミュレートされた振動モードを示す音響分散図である。この図は、第１の電極１１５及び第２の電極１２５がそれぞれ完全にＭｏから形成されている音響共振器１００の変形形態に関して生成されている。言い換えれば、図２の曲線は、音響再分配層が存在しない音響共振器１００の性能を表す。シミュレートされたデバイスにおいて、第１の電極１１５及び第２の電極１２５がそれぞれ、約４２００Åの厚さを有し、圧電層１２０は約１００００Åの厚さのＡｌＮを含む。この構成において、音響エネルギーの約８０％は、音響共振器１００の動作中に圧電層１２０に閉じ込められる。
【００２６】
図２において、水平軸は横方向の波数Ｋｘに対応し、この場合、正数は実数のＫｘ値を示し、負数は、虚数のＫｘ値を示す。図２の各点は、音響スタックによりサポートされた特定の音響分極の固有モード及び伝播の方向に対応する。実数のＫｘ値（実線の曲線により示された）は、所与のモードが伝播するモードである（例えば、それは、励起の点から周期的な態様で伝播することができる）ことを示すが、虚数のＫｘ値（破線の曲線により示される）は、所与のモードがエバネセントモード（例えば、それは、励起の点から指数関数的に減衰することができる）であることを示す。
【００２７】
図２に示されたモードは、以下のもの、即ち、膨張（Ｌ１）、撓み（Ｆ１）、エバネセント厚みすべり（ｅＴＳ１）、伝播厚みすべり（ｐＴＳ１）、負の群速度分散を有する伝播厚み伸張（ｐＴＥ−）、正の群速度分散を有する伝播厚み伸張（ｐＴＥ＋）、エバネセント厚み伸張（ｅＴＥ１）、及び２次の伝播厚みすべり（ｐＴＳ２）を含む。留意すべきは、本明細書で使用される表記法は、対称クラス及び反対称クラスへのモードの標準的な分離に準拠していない。その理由は、音響共振器１００を構成する音響スタックが、係る分類が有効である単一の層よりも著しく複雑である可能性があるからである。説明の簡略化のために、いわゆる複雑エバネセントモードは図２に示されていない。複雑エバネセントモードは励起の点から周期的な態様で伝播するが、それらの振動の振幅は指数関数的に減衰する。一般に、これらモードは、非常に短い範囲であり、励起点から１〜２μｍ内で減衰することを意味し、通常、放射エネルギー損失に寄与しない。
【００２８】
直列（Ｆｓ）、並列（Ｆｐ）及び２次すべり（ＦＴＳ２）共振周波数が破線の水平線として示されている。割合周波数分離（Fractional Frequency Separation）は、以下の式（１）により数学的に表され得る。即ち、
ＦＦＳ＝１００＊（ＦＴＳ２−Ｆｓ）／Ｆｓ  ［％］        （１）。
【００２９】
並列共振周波数Ｆｐにおける放射損失の最小化およびＲｐの最大化におけるＦＦＳの重要性は、図３に関連して詳細に説明され、それは、音響スタックの全体にわたってメイソン擬似モードとｅＴＥ１固有モードとの間の重複（又は類似度）に依存する。メイソン擬似モードは、第１の電極１１５と第２の電極１２５との間にそれぞれ印加された垂直電圧により生じた、音響共振器１００の音響スタックの全体にわたる長手方向のＵｚ変位の特異的分布である。図２に示された分散図において、メイソン擬似モードは、Ｋｘ＝０の垂直線として表されることができ、それは音響共振器１００の横方向（水平方向）におけるＵｚの空間的均一分布に対応し、そのためメイソン擬似モードはピストンモードとも呼ばれ得る。留意すべきは、メイソン擬似モードは、任意の動作周波数において任意のすべりＵｘ変位成分を持たず、Ｆｓ付近での１次厚み伸張モードであり、それは長手方向Ｕｚ変位がスタックの中心の近くに１つのヌル（ゼロ）を有するが、スタックの底部および上部が、それらの最初の（電圧が印加されてない）位置に対して反対の方向に変位する。他方では、ｐＴＥ−、ｅＴＥ１及びｐＴＳ２モードは、１次厚み伸張および２次厚みすべりモードのファミリに属し、長手方向Ｕｚ変位がスタックの中心の近くに１つのヌル（ゼロ）を有し（メイソン擬似モードに類似して）、すべりＵｘ変位がスタックの内側に２つのヌル（ゼロ）を有する。図２において、周波数がＦｓ未満からＦＴＳ２より上まで変化する場合、ｐＴＥ−、ｅＴＥ１及びｐＴＳ２の分岐により表されたモードの主要な分極は、主に長手方向のＦｓ周波数の付近から主にすべりのＦＴＳ２周波数の付近まで変化し、同時にモード次数が、主にＦｓ周波数の付近の１次から主にＦＴＳ２周波数の付近の２次まで変化する。特に、Ｆｐにおいて、ｅＴＥ１固有モードは、混合された長手方向／すべり及び１次／２次モードであり、この場合、Ｕｚ成分とＵｘ成分との間のエネルギーの特定の分割は、ＦＴＳ２とＦｓとの間、及びＦｐとＦｓとの間の周波数分離に依存する。音響スタックの大部分に関して、Ｆｐが、ＦＴＳ２に比べてＦｓに比較的近いので、ＦＦＳは、ｅＴＥ１固有モードとメイソン擬似モードとの間のモード類似性の単純な尺度として使用され得る。留意すべきは、Ｆｓに非常に近い周波数Ｆに関して（Ｆ−Ｆｓ＜＜Ｆｐ−Ｆｓ）、メイソン擬似モード及びｅＴＥ１固有モードは実質的に等しい。
【００３０】
図３Ａ及び図３Ｂは、並列共振周波数Ｆｐにおいて動作している音響共振器の長手方向（Ｕｚ）変位、及びすべり（Ｕｘ）変位をそれぞれ示すグラフである。水平軸は、共振器の内側の横方向位置に対応し、マイクロメートル（μｍ）で示される。長手方向Ｕｚ変位およびすべりＵｘ変位は、図面に示されたように、４０μｍ幅のＦＢＡＲに関してモード整合法を用いてシミュレートされた。シミュレートされたスタックは、Ｍｏから形成されて約３８００Åの厚さを有する第１の電極３１５、ＡｌＮから形成されて約９３００Åの厚さを有する圧電層３２０、Ｍｏから形成されて約３２５０Åの厚さを有する第２の電極３２５、及びＡｌＮから形成されて約２０００Åの厚さを有するパッシベーション層３３０を有する。例示された変位は、第１の電極３１５と圧電層３２０との間の接触面より約１２００Å上において計算された。例示されたＦＢＡＲは、〜１．５ｋの計算されたＲｐを有する。その活性領域（破線の内側）は、〜２．０３ＧＨｚのＦｓ、〜５．８％のｋｔ２、及び〜４２％のＦＦＳを有する。その場領域（破線の外側）は、〜３．３８ＧＨｚのＦｓ、〜４．６％のｋｔ２、及び〜２０％のＦＦＳを有する。印加電圧は１Ｖであり、Ｕｚ及びＵｘ変位は、ピコメートル（ｐｍ）で示されている。
【００３１】
図３Ａは、メイソン擬似モード変位の実数（曲線Ｃ１）部分および虚数（曲線Ｃ２）部分、及び全変位の実数（曲線Ｃ３）部分および虚数（曲線Ｃ４）部分を示す。図３Bは、全変位の実数（曲線Ｃ１）部分および虚数（曲線Ｃ２）部分のみを示し、その理由は、メイソン擬似モードが任意の非ゼロすべり変位成分をサポートしないからである。
【００３２】
並列共振周波数Ｆｐにおいてシミュレートされた例示されたＦＢＡＲに関して、メイソン擬似モードのＵｚ変位（図３Ａにおいて曲線Ｃ１）は、電極にわたって平坦であり、垂直破線により示された上側電極のエッジにおいて急激に終わっている。上述したように、場領域における厚み伸張ＴＥ１共振のカットオフ周波数は、活性領域のものよりも高い約１．３ＧＨｚであり（この場合、Ｆｓは約２．０３ＧＨｚ）、それは活性領域の外側の全変位を本質的にクランプ（固定）する。そのクランプ要件は、上側電極のエッジにおいて全ての動きの抑制を（適切な応力および粒子速度継続性条件を通じて）強制し、それは、メイソン擬似モード（電界により駆動される）とは反対の位相においてｅＴＥ１モードの機械的励起により主として達成され得る。結果として、全Ｕｚ変位は、図３Ａに示されるように、電極のエッジ（＋／−２０μｍにある）の方へのエバネセント減衰を呈する。しかしながら、ｅＴＥ１モードは、上側電極のエッジにおいて全Ｕｚ変位（図３Ａの曲線Ｃ３及びＣ４）を完全に抑制することはできない。その理由は、それが非ゼロのすべりＵｘ変位も含むからである。メイソン擬似モードは、純粋に長手方向であるので、上側電極のエッジにおける全変位の全すべり成分は、図３Ｂの曲線Ｃ１及びＣ２で示されるように、上側電極のエッジにおいてｅＴＥ１モードのＵｘ成分が生じるかもしれないすべりに主として等しい。図３Ｂの矢印は、全Ｕｘ変位が最大値に到達する上側電極エッジを指している。従って、メイソン擬似モードの長手方向Ｕｚ変位成分の不完全な抑制および上側電極エッジにおけるｅＴＥ１固有モードのすべりＵｘ変位成分の強化された励起は、上側電極エッジにおける必要な応力および粒子速度継続性条件を容易にするために、他の伝播および複雑固有モードの励起を必要とする。活性領域のこれら伝播モード（ｐＴＥ１、ｐＴＳ１、Ｌ１及びＦ１）は、図３Ａ及び図３Ｂにそれぞれ示された全長手方向Ｕｚ変位およびすべりＵｘ変位のエバネセント部分および平坦な部分に重畳された追加のより高い空間周波数変位により明白に示されている。場領域の伝播モード（ｐＴＳ１、Ｌ１及びＦ１）は、図３Ａ及び図３Ｂにそれぞれ示された周期的な全長手方向Ｕｚ変位およびすべりＵｘ変位により明白に示されている。主要活性領域において励起された伝播モード、エバネセントモード及び複雑モードは、所与のモードが厚み伸張モードを含む場合にはジュール加熱に起因した強化された局所的粘性損失および抵抗損失をもたらす。場領域における伝播モードは、周囲領域に音響放射エネルギーをもたらす。全ての３つの損失メカニズム（放射、粘性、及び抵抗）は、共振器の性能、特により低い共振器の並列抵抗Ｒｐ及びＱ値を劣化させる。
【００３３】
上述されたように、並列共振周波数Ｆｐにおける強化された音響損失の主な理由は、ｅＴＥ１固有モードの非ゼロすべり成分の存在に起因して、メイソン擬似モードの電気的に励起された長手方向変位をエバネセントｅＴＥ１固有モードで完全に抑制することができないことである。しかしながら、図２に関連して言及されたように、ｅＴＥ１固有モードにおけるすべり成分の量は、ＦＦＳによって、即ち直列共振周波数Ｆｓからの２次のすべりカットオフ周波数ＦＴＳ２の分離によって、主に決定される。従って、ＦＦＳを増加するように音響スタックを再設計することにより、ｅＴＥ１固有モードのすべり成分を低減し、上部電極のエッジにおける全動きのより効率的な抑制を容易にし、それ故にＲｐ及びＱ値を増大させることができる。図４に関連して示されるように、メタルヘビースタックに関して、係るスタックの再設計は、音響再分配層でもって可能である。
【００３４】
図４は、様々な代表的な実施形態による、スタック設計の関数としてＦＦＳを示すグラフである。図４に示された部分グラフにおいて、実線の曲線は第１の構造を有する音響共振器のＦＦＳを表し、破線の曲線は第２の構造を音響共振器のＦＦＳを表す。第１の構造は、圧電層１２０がＡＳＮから形成され、第１の電極１１５及び第２の電極１２５のそれぞれが圧電層１２０に隣接するＷの層および当該Ｗの層に隣接するＭｏの層から形成された音響共振器１００の変形形態に対応する（「ＭｏＷ−ＷＭｏ」と表記される）。第２の構造は、Ｍｏ及びＷの層の位置が第１の電極１１５及び第２の電極１２５のそれぞれにおいて入れ換えられていることを除いて、第１の構造と同じである（「ＷＭｏ−ＭｏＷ」と表記される）。図４に示された各共振器は、同じ直列共振周波数Ｆｓを有する。しかしながら、各部分グラフは、最も外側の水平軸により示されたように、圧電層に閉じ込められた全音響エネルギーの異なる割合を有する共振器に対応する。別の言い方をすれば、各部分グラフは、異なるｋｔ２を有する共振器に対応し、この場合、圧電層に閉じ込められた音響エネルギーの小さい割合は、低いｋｔ２に対応し、圧電層に閉じ込められた音響エネルギーの大きい割合は、高いｋｔ２に対応する。
【００３５】
グラフは、異なる断面積（例えば、図１Ｂに示されたような面積）及び全電極厚さにおけるＭｏの異なる割合を有するシミュレートされた音響共振器に関して生成された。音響共振器の断面積は、図４に示されるように小から大まで変化する。Ｍｏの異なる割合は、表記「ｘＭｏ」により示され、それは以下の式（２）により定義される。即ち、
ｘＭｏ＝ｔＭｏ／（ｔＭｏ＋ｔＷ）      （２）。
【００３６】
式（２）において、ｔＭｏはＭｏの各層の厚さに対応し、ｔＷはＷの各層の厚さを表す。従って、ｘＭｏは、全電極厚さにより正規化されたＭｏ層の厚さに対応する。各部分グラフにおいて、ｘＭｏは、０．０５のステップで０（左側）から１（右側）までの範囲にわたる。更に、完全に対称なスタックが仮定されており、それは下側電極と上側電極において圧電層に対してＭｏの割合および位置が等しいことを意味する。例えば、「ＷＭｏ−ＭｏＷ」設計に関してｘＭｏ＝０．１は、Ｍｏ層が下側電極と上側電極のそれぞれに関して、全電極厚さの１０％を構成し、Ｍｏ層が圧電層に隣接して配置されていることを示す。別の例に関して、「ＭｏＷ−ＷＭｏ」設計に関してｘＭｏ＝０．１は、Ｍｏ層が下側電極と上側電極のそれぞれに関して、全電極厚さの１０％を構成し、Ｗ層が圧電層に隣接して配置されていることを示す。
【００３７】
図４に示されるように、最大のＦＦＳは、圧電層に閉じ込められた約８０％のエネルギーを有するスタックに関して最も大きい。これらスタックに関して、ＦＦＳは、純粋なＭｏ電極に関して約５０％であり、純粋なＷ電極に関して約９０％である。従って、約８０％のエネルギーが圧電層に閉じ込められる設計について、ＦＦＳ及びそれ故に共振器のＲｐ及びＱを増加させるために、高い音響インピーダンスの電極（例えば、Ｍｏ又はＮｂとは対照的にＷ又はＩｒのような）を使用することは有益であるかもしれない。一般に、２次すべり共振ＦＴＳ２（それ故に、固定されたＦｓに関してＦＦＳ）は、スタックの全体にわたるＴＳ２共振におけるエネルギーの特異的分布により決定される。数値シミュレーションは、単一の金属電極（例えば、Ｗのみ又はＭｏのみ）を有する共振器に関して、最大のＦＦＳ設計は、ＴＳ２共振における固有モードエネルギーの割合が圧電層と金属層との間にほぼ等しく分布するスタックに対応する。従って、図４に示された純粋なＭｏ（ｘＭＯ＝１）の設計または純粋なＷ（ｘＭｏ＝０）の設計に関して、最大のＦＦＳ点（Ｆｐにおいて圧電層に閉じ込められた約８０％のメイソン擬似モードの音響エネルギー）は、ＦＴＳ２におけるＴＳ２固有モードエネルギーのピークが圧電層と金属層との間の接触面にほぼ位置する設計に対応する。メタルヘビーの設計（即ち、Ｆｐにおいて、約８０％未満のメイソン擬似モードの音響エネルギーが圧電層に閉じ込められる）に関して、ＦＴＳ２におけるＴＳ２固有モードエネルギーのピークは、金属層の内部に位置し、メタルライトの設計（即ち、Ｆｐにおいて、約８０％より多いメイソン擬似モードの音響エネルギーが圧電層に閉じ込められる）に関して、ＦＴＳ２におけるＴＳ２固有モードエネルギーのピークは、圧電層の内部に位置する。しかしながら、圧電層と金属層のポアソン比も、ＦＴＳ２における擬似モードエネルギー分布、それ故に任意の特定のスタックに関するＦＦＳの決定において重要な役割を果たす。
【００３８】
一般に、圧電層のエネルギーの割合は、音響共振器のｋｔ２を決定する。大きいｋｔ２を有する音響共振器は一般に、厚い圧電層、薄い電極層、及び圧電層に閉じ込められたエネルギーの大きい割合（例えば、９０％を超える）を有する。しかしながら、厚い圧電層の場合、必要な共振器インピーダンス、例えばＺ０＝５０オームに整合させるために、比較的大きな断面積を必要とし、デバイスコストの望ましくない増加を生じる。
【００３９】
音響共振器のコストは一般に、その断面積に比例し、そのため他の条件が同じなら、通常、断面積を最小限に抑えることが望ましい。断面積を最小限に抑えるために、圧電層は、本質的に高いｋｔ２を有する材料（例えば、９％のスカンジウムを有するＡＳＮ）から形成されることができ、それにより、圧電層は適切なｋｔ２を維持しながら比較的薄くすることが可能になる。係る音響共振器において、比較的多い量のエネルギーが電極層に閉じ込められることができ、例えば図４の左端の部分グラフにより示されるように、電極層に７０％及び圧電層に３０％である。これは残念ながら、例えばＭｏ（ｘＭｏ＝１）に対して約２０％及び純粋なＷ（ｘＭｏ＝０）に対して約３０％までＦＦＳの深刻な低下につながる。しかしながら、音響再分配層の使用（「ＷＭｏ−ＭｏＷ」電極、この場合Ｍｏ層がＷ層から音響エネルギーを再分配させる）は、図４の左から二番目の部分グラフにより示されるように、ＷＭｏ−ＭｏＷ電極を用いることにより、小さい共振器に関して約５０％までＦＦＳを増加させることができる。数値シミュレーションは、Ｍｏから形成された音響再分配層の存在下での最大ＦＦＳ設計が、Ｍｏ層とＷ層との接触面にほぼ位置するＦＴＳ２共振におけるＴＳ２固有モードのピークに対応することを示す。従って、最適なＡＲＬの特定の設計は、特定のスタックに使用される材料の音響インピーダンス及びポアソン比に依存することができる。上述したように及び図５に関連して後述されるように、ＦＦＳの有益な増加はＲｐの増加に対応し、それ故にＦＦＳの増加は、改善された音響共振器の性能に対応する。
【００４０】
図５は、ｘＭｏの関数として、図１Ｂに示された音響共振器１００の正規化されたＲｐを示すグラフである。図５において、正規化されたＲｐは、タングステンのみの電極を有する音響共振器１００に対応するｘＭｏ＝０について、及び約２０％及び３５％のＷがＭｏと置き換えられている音響共振器１００に対応するｘＭｏ＝０．２及びｘＭｏ＝０．３５についてプロットされた。正規化されたＲｐは、スタックのそれぞれに関して最も達成可能なＲｐを、純粋なＷのスタック（即ち、ｘＭｏ＝０のスタック）に関して最も達成可能なＲｐにより割ることによって得られた。全ての測定されたスタックに関して、圧電層１２０は、９％のスカンジウム濃度を有するＡＳＮから形成された。
【００４１】
比較的高い固有のｋｔ２を有するＡＳＮを使用することにより、音響共振器は、低バンド（例えば、バンド１３、１７、２０など）用のＲＦフィルタのような特定の応用形態のために適切なｋｔ２を維持しながら、比較的薄い圧電層（即ち、小さい断面積）でもって形成されることが可能になる。しかしながら、それは、これら音響共振器に、８０％未満のエネルギーが圧電層に閉じ込められるメタルヘビーのスタックを使用することも求める。結果として、ＦＦＳは、図４に示されるように、減少する傾向があり、スタックは不十分なＲｐをもたらす可能性がある。
【００４２】
図５に示されたように、音響再分配層（ｘＭｏにより示されたように、９％ＡＳＮに隣接するＷの一部をＭｏと置き換える）の使用は、ｘＭｏ＝０を有する設計に対する約３５％からｘＭｏ＝０．３５を有する約５５％までＦＦＳを増加させ、それは、ｘＭｏ＝０．２の設計に関して約２倍、及びｘＭｏ＝０．３５に関して約２．４倍だけＲｐを増加させる。結果として、顕著な面積およびコストの節約が、デバイス性能に不利益なしに、音響再分配層でもって可能になる。
【００４３】
図６〜図１１は、代表的な実施形態による、音響共振器１００の音響スタック１１０に関する幾つかの代替の構成を示す。また、図６〜図１１は、これら異なる代替の構成のそれぞれに関して音響インピーダンスのプロファイルも示す。図６〜図１１の材料の選択は、単なる例示のために行われ、様々な他の組み合わせが代替の実施形態において可能である。
【００４４】
図６Ａと図６Ｂを参照すると、一実施形態において、音響スタック１１０は、異なる音響インピーダンスの２つの金属層を有する第１の電極１１５、単一の金属層を有する第２の電極１２５を含む。第１の電極１１５の２つの金属層の音響インピーダンスは、圧電層１２０から遠ざかるに従って増加する。図６Ａの層は、様々な代替の材料で表記されており、図６Ｂのグラフは各層の選択された材料の例を示す。図６〜図１１のそれぞれにおいて、圧電層１２０は、ＡｌＮの層として示されるが、それは代案として例えば、ＡＳＮ又はＺｎＯのような異なる材料を含むことができる。図７〜図１１は、第１の電極１１５及び第２の電極１２５の層が図およびグラフに示されるように、再構成および／または構成されることを除いて、図６に類似する。これら代替の構成の潜在的な利益は、図１〜図５の上記の説明から明らかになるであろう。
【００４５】
例示的な実施形態が本明細書に開示されたが、当業者ならば理解されるように、本教示に従った多くの変形形態が可能であり、依然として添付の特許請求の範囲の範囲内にある。例えば、異なる金属のセットが上側電極および下側電極に使用され得る。別の例において、上側電極において１つの金属を別の金属で置き換える割合は、下側電極における置き換え割合と異なっていてもよい。従って、本実施形態は、添付の特許請求の範囲の範囲内にあることを除いて、制限されるべきではない。
【図１Ａ】
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【図１Ｂ】
2015198450.tif 000004
【図１Ｃ】
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【図２】
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【図３Ａ】
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【図３Ｂ】
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【図４】
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【図５】
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【図６Ａ】
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【図６Ｂ】
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【図７Ａ】
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【図７Ｂ】
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【図８Ａ】
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【図８Ｂ】
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【図９Ａ】
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【図９Ｂ】
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【図１０Ａ】
2015198450.tif 000019
【図１０Ｂ】
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【図１１Ａ】
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【図１１Ｂ】
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【外国語明細書】
2015198450000001.pdf