(57)【要約】【課題】高品位な画像表示を行い、製品信頼性の高い電気光学装置を供給する事。【解決手段】電気光学装置は、トランジスターを備える。トランジスターは半導体膜１ａの第一部分Ｐ１を含む。第一部分Ｐ１は第一方向に沿って延び、半導体膜１ａは、第一方向に交差する第二方向に沿って延びる第三部分Ｐ３を含む。第一部分Ｐ１の長さと第三部分Ｐ３の長さとの和は、画素ピッチよりも大きい。斯うすると、トランジスターを構成する半導体膜１ａの長さよりも画素１００ａの長さを短くする事ができ、微細化を進める事が可能となる。この様に比較的大きなトランジスターで電気的な信頼性を確保すると共に、微細な画素１００ａで高品位な画像を表示する事が可能となる。【選択図】図５
2015197585.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第一トランジスターと、
第二トランジスターと、
を備え、
前記第一トランジスターは、第一半導体膜の第一部分と、前記第一部分と交差する第一
ゲート電極と、を含み、
前記第二トランジスターは、第二半導体膜の第二部分と、前記第二部分と交差する第二
ゲート電極と、を含み、
前記第一部分は第一方向に沿って延び、前記第一半導体膜は、前記第一方向に交差する
第二方向に沿って延びる第三部分を含み、
前記第一部分の長さと前記第三部分の長さとの和は、前記第一ゲート電極と前記第二ゲ
ート電極との間隔と前記第一ゲート電極の幅との和よりも大きい事を特徴とする電気光学
装置。
【請求項２】
前記第二部分は前記第一方向に沿って延び、前記第二半導体膜は、前記第二方向に沿っ
て延びる第四部分を含み、
前記第二部分の長さと前記第四部分の長さとの和は、前記第一ゲート電極と前記第二ゲ
ート電極との間隔と前記第一ゲート電極の幅との和よりも大きい事を特徴とする請求項１
に記載の電気光学装置。
【請求項３】
前記第一部分の長さと前記第三部分の長さとの和は、前記第二部分の長さと前記第四部
分の長さとの和にほぼ等しい事を特徴とする請求項２に記載の電気光学装置。
【請求項４】
前記第一トランジスターのソースドレインの一方に電気的に接続する第一画素電極と、
前記第二トランジスターのソースドレインの一方に電気的に接続する第二画素電極と、
を更に備える事を特徴とする請求項１乃至３のいずれか一項に記載の電気光学装置。
【請求項５】
前記第一トランジスターのソースドレインの他方と前記第二トランジスターのソースド
レインの他方とに電気的に接続する信号線を更に備え、
前記信号線は前記第一方向に沿って延びる事を特徴とする請求項１乃至４のいずれか一
項に記載の電気光学装置。
【請求項６】
第一トランジスターと、
第二トランジスターと、
第三トランジスターと、
第四トランジスターと、
を備え、
前記第一トランジスターは、第一半導体膜の第一部分と、前記第一部分と交差する第一
ゲート電極と、を含み、
前記第二トランジスターは、第二半導体膜の第二部分と、前記第二部分と交差する第二
ゲート電極と、を含み、
前記第三トランジスターは、第一半導体膜の第五部分と、前記第五部分と交差する第三
ゲート電極と、を含み、
前記第四トランジスターは、第二半導体膜の第六部分と、前記第六部分と交差する第四
ゲート電極と、を含み、
前記第一部分と前記第五部分とは第一方向に沿って延び、前記第一半導体膜は、前記第
一方向に交差する第二方向に沿って延びる第三部分と第七部分とを含み、
前記第一部分の長さと前記第三部分の長さと前記第五部分の長さと前記第七部分の長さ
との和は、前記第一ゲート電極と前記第二ゲート電極との間隔と前記第一ゲート電極の幅
との和よりも大きい事を特徴とする電気光学装置。
【請求項７】
前記第二部分と前記第六部分とは前記第一方向に沿って延び、前記第二半導体膜は、前
記第二方向に沿って延びる第四部分と第八部分とを含み、
前記第二部分の長さと前記第四部分の長さと第六部分の長さと前記第八部分の長さとの
和は、前記第一ゲート電極と前記第二ゲート電極との間隔と前記第一ゲート電極の幅との
和よりも大きい事を特徴とする請求項６に記載の電気光学装置。
【請求項８】
前記第一部分の長さと前記第三部分の長さとの和は、前記第二部分の長さと前記第四部
分の長さとの和にほぼ等しい事を特徴とする請求項７に記載の電気光学装置。
【請求項９】
前記第一部分の長さと前記第三部分の長さとの和は、前記第五部分の長さと前記第七部
分の長さとの和にほぼ等しい事を特徴とする請求項６乃至８のいずれか一項に記載の電気
光学装置。
【請求項１０】
前記第一トランジスターのソースドレインの一方に電気的に接続する第一画素電極と、
前記第二トランジスターのソースドレインの一方に電気的に接続する第二画素電極と、
前記第三トランジスターのソースドレインの一方に電気的に接続する第三画素電極と、
前記第四トランジスターのソースドレインの一方に電気的に接続する第四画素電極と、
を更に備える事を特徴とする請求項６乃至９のいずれか一項に記載の電気光学装置。
【請求項１１】
前記第一トランジスターのソースドレインの他方と前記第二トランジスターのソースド
レインの他方と前記第三トランジスターのソースドレインの他方と前記第四トランジスタ
ーのソースドレインの他方とに電気的に接続する信号線を更に備え、
前記信号線は前記第一方向に沿って延びる事を特徴とする請求項６乃至１０のいずれか
一項に記載の電気光学装置。
【請求項１２】
請求項１乃至１１のいずれか一項に記載の電気光学装置を備えた事を特徴とする電子機
器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電気光学装置、及び電子機器に関する。
【背景技術】
【０００２】
表示機能が付いた電子機器では、透過型電気光学装置や反射型電気光学装置が使用され
ている。これらの電気光学装置に光が照射され、電気光学装置により変調された透過光や
反射光が表示画像となったり、或いはスクリーンに投影されて投射画像となったりしてい
る。この様な電子機器に使用される電気光学装置としては液晶装置が知られており、これ
は液晶の誘電異方性と液晶に於ける光の旋光性とを利用して画像を形成する物である。液
晶装置では、表示領域に走査線と信号線とが配置されて、これらの交点に画素が行列状に
配置されている。画素には画素トランジスターと画素容量とが設けられ、画素トランジス
ターを介して各画素に画像信号が供給され、この画像信号を画素容量が保持する事で画像
が形成される。
【０００３】
液晶装置の画素レイアウト一例は特許文献１に記載されている。特許文献１の図７に記
載されている様に、画素トランジスターは真っ直ぐの帯状の半導体膜に対して、ゲート絶
縁膜を介して真っ直ぐの帯状のゲート電極が交差する様に形成されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００６−３９２０号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、特許文献１に記載されている液晶装置では、微細化が困難であるという
課題があった。高品位の画像を表示するには、画素の微細化が必要となる。一方、トラン
ジスターサイズは耐圧性等の電気特性上の制約から、或る程度以下に小さくする事が困難
となっている。従って、従来の液晶装置ではトランジスターサイズが画素微細化の限界を
定めていた。換言すると、従来の電気光学装置では、電気的な信頼性確保と高品位な画像
表示との両立が困難であると云う課題があった。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明は、前述の課題の少なくとも一部を解決する為になされたものであり、以下の形
態又は適用例として実現する事が可能である。
【０００７】
（適用例１）  本適用例に係わる電気光学装置は、第一トランジスターと、第二トラン
ジスターと、を備え、第一トランジスターは、第一半導体膜の第一部分と、第一部分と交
差する第一ゲート電極と、を含み、第二トランジスターは、第二半導体膜の第二部分と、
第二部分と交差する第二ゲート電極と、を含み、第一部分は第一方向に沿って延び、第一
半導体膜は、第一方向に交差する第二方向に沿って延びる第三部分を含み、第一部分の長
さと第三部分の長さとの和は、第一ゲート電極と第二ゲート電極との間隔と第一ゲート電
極の幅との和よりも大きい事を特徴とする。
第一ゲート電極と第二ゲート電極との間隔と第一ゲート電極の幅との和は画素ピッチと
なる。従って、この構成によれば、第一半導体膜の長さを画素ピッチよりも長くする事が
できる。即ち、第一トランジスターを構成する第一半導体膜の長さよりも画素の長さを短
くする事ができ、微細化を進める事が可能となる。換言すると、比較的大きな第一トラン
ジスターで電気的な信頼性を確保すると共に、微細な画素で高品位な画像を表示する事が
可能となる。
【０００８】
（適用例２）  上記適用例１に記載の電気光学装置に於いて、第二部分は第一方向に沿
って延び、第二半導体膜は、第二方向に沿って延びる第四部分を含み、第二部分の長さと
第四部分の長さとの和は、第一ゲート電極と第二ゲート電極との間隔と第一ゲート電極の
幅との和よりも大きい事が好ましい。
第一ゲート電極と第二ゲート電極との間隔と第一ゲート電極の幅との和は画素ピッチと
なる。従って、この構成によれば、第二半導体膜の長さを画素ピッチよりも長くする事が
できる。即ち、第二トランジスターを構成する第二半導体膜の長さよりも画素の長さを短
くする事ができ、微細化を進める事が可能となる。換言すると、比較的大きな第二トラン
ジスターで電気的な信頼性を確保すると共に、微細な画素で高品位な画像を表示する事が
可能となる。
【０００９】
（適用例３）  上記適用例２に記載の電気光学装置に於いて、第一部分の長さと第三部
分の長さとの和は、第二部分の長さと第四部分の長さとの和にほぼ等しい事が好ましい。
この構成によれば、第一トランジスターを構成する第一半導体膜と第二トランジスター
を構成する第二半導体膜とを同じサイズとする事ができる。
【００１０】
（適用例４）  上記適用例１乃至３のいずれか一項に記載の電気光学装置に於いて、第
一トランジスターのソースドレインの一方に電気的に接続する第一画素電極と、第二トラ
ンジスターのソースドレインの一方に電気的に接続する第二画素電極と、を更に備える事
が好ましい。
この構成によれば、第一トランジスターを構成する第一半導体膜と第二トランジスター
を構成する第二半導体膜とを画素スイッチング素子として利用する事ができる。
【００１１】
（適用例５）  上記適用例１乃至４のいずれか一項に記載の電気光学装置に於いて、第
一トランジスターのソースドレインの他方と第二トランジスターのソースドレインの他方
とに電気的に接続する信号線を更に備え、信号線は第一方向に沿って延びる事が好ましい
。
この構成によれば、第一トランジスターと第二トランジスターとが、信号線に供給され
た情報の通過と遮断とを制御する事ができる。
【００１２】
（適用例６）  本適用例に係わる電気光学装置は、第一トランジスターと、第二トラン
ジスターと、第三トランジスターと、第四トランジスターと、を備え、第一トランジスタ
ーは、第一半導体膜の第一部分と、第一部分と交差する第一ゲート電極と、を含み、第二
トランジスターは、第二半導体膜の第二部分と、第二部分と交差する第二ゲート電極と、
を含み、第三トランジスターは、第一半導体膜の第五部分と、第五部分と交差する第三ゲ
ート電極と、を含み、第四トランジスターは、第二半導体膜の第六部分と、第六部分と交
差する第四ゲート電極と、を含み、第一部分と第五部分とは第一方向に沿って延び、第一
半導体膜は、第一方向に交差する第二方向に沿って延びる第三部分と第七部分とを含み、
第一部分の長さと第三部分の長さと第五部分の長さと第七部分の長さとの和は、第一ゲー
ト電極と第二ゲート電極との間隔と第一ゲート電極の幅との和よりも大きい事を特徴とす
る。
第一ゲート電極と第二ゲート電極との間隔と第一ゲート電極の幅との和は画素二行分の
長さとなる。一方、第一部分の長さと第三部分の長さと第五部分の長さと第七部分の長さ
との和は、二行に渡る第一半導体膜の長さとなる。従って、この構成によれば、第一半導
体膜の長さを画素ピッチの二倍よりも長くする事ができる。即ち、第一トランジスターを
構成する第一半導体膜の長さよりも画素の長さを短くする事ができ、微細化を進める事が
可能となる。換言すると、比較的大きな第一トランジスターで電気的な信頼性を確保する
と共に、微細な画素で高品位な画像を表示する事が可能となる。
【００１３】
（適用例７）  上記適用例６に記載の電気光学装置に於いて、第二部分と第六部分とは
第一方向に沿って延び、第二半導体膜は、第二方向に沿って延びる第四部分と第八部分と
を含み、第二部分の長さと第四部分の長さと第六部分の長さと第八部分の長さとの和は、
第一ゲート電極と第二ゲート電極との間隔と第一ゲート電極の幅との和よりも大きい事が
好ましい。
第一ゲート電極と第二ゲート電極との間隔と第一ゲート電極の幅との和は画素二行分の
長さとなる。一方、第二部分の長さと第四部分の長さと第六部分の長さと第八部分の長さ
との和は、二行に渡る第二半導体膜の長さとなる。従って、この構成によれば、第二半導
体膜の長さを画素ピッチの二倍よりも長くする事ができる。即ち、第二トランジスターを
構成する第二半導体膜の長さよりも画素の長さを短くする事ができ、微細化を進める事が
可能となる。換言すると、比較的大きな第二トランジスターで電気的な信頼性を確保する
と共に、微細な画素で高品位な画像を表示する事が可能となる。
【００１４】
（適用例８）  上記適用例７に記載の電気光学装置に於いて、第一部分の長さと第三部
分の長さとの和は、第二部分の長さと第四部分の長さとの和にほぼ等しい事が好ましい。
この構成によれば、第一トランジスターを構成する第一半導体膜と第二トランジスター
を構成する第二半導体膜とを同じサイズとする事ができる。
【００１５】
（適用例９）  上記適用例６乃至８のいずれか一項に記載の電気光学装置に於いて、第
一部分の長さと第三部分の長さとの和は、第五部分の長さと第七部分の長さとの和にほぼ
等しい事が好ましい。
この構成によれば、第一トランジスターと第三トランジスターとを同じサイズとする事
ができる。
【００１６】
（適用例１０）  上記適用例６乃至９のいずれか一項に記載の電気光学装置に於いて、
第一トランジスターのソースドレインの一方に電気的に接続する第一画素電極と、第二ト
ランジスターのソースドレインの一方に電気的に接続する第二画素電極と、第三トランジ
スターのソースドレインの一方に電気的に接続する第三画素電極と、第四トランジスター
のソースドレインの一方に電気的に接続する第四画素電極と、を更に備える事が好ましい
。
この構成によれば、第一トランジスターと第二トランジスターと第三トランジスターと
第四トランジスターとを画素スイッチング素子として利用する事ができる。
【００１７】
（適用例１１）  上記適用例６乃至１０のいずれか一項に記載の電気光学装置に於いて
、第一トランジスターのソースドレインの他方と第二トランジスターのソースドレインの
他方と第三トランジスターのソースドレインの他方と第四トランジスターのソースドレイ
ンの他方とに電気的に接続する信号線を更に備え、信号線は第一方向に沿って延びる事が
好ましい。
この構成によれば、第一トランジスターと第二トランジスターと第三トランジスターと
第四トランジスターとが、信号線に供給された情報の通過と遮断とを制御する事ができる
。
【００１８】
（適用例１２）  上記適用例１乃至１１のいずれか一項に記載の電気光学装置を備えた
事を特徴とする電子機器。
この構成によれば、電気的な信頼性と高品位な画像表示とが両立する電気光学装置を備
えた電子機器を実現する事ができる。
【図面の簡単な説明】
【００１９】
【図１】実施形態１に係わる電気光学装置の電気的構成を示すブロック図。
【図２】実施形態１に係る液晶装置の構造を説明する図。
【図３】実施形態１に係る液晶装置の画素を説明する平面図。
【図４】実施形態１に係る液晶装置の画素を説明する断面図。
【図５】実施形態１に係わる電気光学装置の画素トランジスターを説明した図。
【図６】電子機器としての三板式プロジェクターの構成を示す平面図。
【図７】実施形態２に係る液晶装置の画素を説明する平面図。
【図８】実施形態２に係わる電気光学装置の画素トランジスターを説明した図。
【発明を実施するための形態】
【００２０】
以下、本発明の実施形態について、図面を参照して説明する。尚、以下の各図において
は、各層や各部材を認識可能な程度の大きさにするため、各層や各部材の尺度を実際とは
異ならせしめている。
【００２１】
（実施形態１）
「電気光学装置の概要」
図１は、実施形態１に係わる電気光学装置の電気的構成を示すブロック図である。以下
、図１を参照して電気光学装置の電気的な構成を説明する。尚、以下の説明で参照する図
においては、各層や各部材を図面上で認識可能な程度の大きさとするため、各層や各部材
毎に縮尺を異ならしめてある。又、素子基板に形成される層を説明する際、上層側或いは
表面側とは素子基板の基板本体が位置する側とは反対側（対向基板が位置する側）を意味
し、下層側とは素子基板の基板本体が位置する側を意味する。又、対向基板に形成される
層を説明する際、上層側或いは表面側とは対向基板の基板本体が位置する側とは反対側（
素子基板が位置する側）を意味し、下層側とは対向基板の基板本体が位置する側を意味す
る。
【００２２】
図１に示す様に、本実施形態では、電気光学装置は、ＴＮ（Ｔｗｉｓｔｅｄ  Ｎｅｍａ
ｔｉｃ）モードやＶＡ（Ｖｅｒｔｉｃａｌ  Ａｌｉｇｎｍｅｎｔ）モードの液晶装置１０
０である。こうした液晶装置１００は、その中央領域に複数の画素１００ａが行列状に配
列された表示領域１０ａを備えている。液晶装置１００は素子基板１０（図２参照）を有
する。素子基板１０において、表示領域１０ａの内側で複数本の信号線６ａと、これらの
信号線６ａと交差する複数本の走査線３ａが縦横に延びており、それらの交差部分に対応
する位置に画素１００ａが構成されている。画素１００ａの各々には、画素スイッチング
素子と、各画素スイッチング素子に対応する様に設けられた画素電極９ａとが設けられて
いる。
【００２３】
画素スイッチング素子には電界効果型トランジスターからなる画素トランジスター３０
が用いられている。画素トランジスター３０のソースには信号線６ａが電気的に接続され
、画素トランジスター３０のゲートには走査線３ａが電気的に接続され、画素トランジス
ター３０のドレインには、画素電極９ａが電気的に接続されている。尚、電界効果型トラ
ンジスターにおけるソースとドレインとは電位に応じて入れ替わり得るが、ここでは説明
の便宜を図る為に、画素電極９ａが接続されている側をドレインとし、信号線６ａが接続
されている側をソースとしている。この様にして、液晶装置１００では、複数の画素１０
０ａの各々に対応して複数の画素電極９ａ及び複数の画素トランジスター３０が形成され
ている。尚、各画素に形成される素子は、電界効果トランジスターに限らず、バイポーラ
トランジスターであっても構わない。以下の説明では、電界効果トランジスターを例とし
ているが、バイポーラトランジスターを画素スイッチング素子とする場合、以下の説明で
ソースをエミッターと読み替え、ドレインをコレクターと読み替え、ゲートをベースと読
み替えれば良い。
【００２４】
素子基板１０において、表示領域１０ａより外周側には走査線駆動回路１０４や信号線
駆動回路１０１が設けられている。信号線駆動回路１０１は各信号線６ａに電気的に接続
しており、不図示の画像処理回路から供給される画像信号を各信号線６ａに順次供給する
。走査線駆動回路１０４は、各走査線３ａに電気的に接続しており、走査信号を各走査線
３ａに順次供給する。
【００２５】
各画素１００ａにおいて、画素電極９ａは、後述する対向基板２０（図２参照）に形成
された共通電極２１（図２参照）と液晶５０（図２参照）を介して対向し、液晶容量５０
ａを構成している。又、各画素１００ａには、液晶容量５０ａで保持される画像信号の変
動を防ぐために、液晶容量５０ａと並列に保持容量５５が付加されている。本実施形態で
は、保持容量５５を構成するために、素子基板１０には、複数の画素１００ａに跨って延
在する容量線５ｂが形成されており、容量線５ｂは、共通電位Ｖｃｏｍが印加された定電
位配線７ｒに導通している。
【００２６】
「液晶装置の構成」
図２は、実施形態１に係る液晶装置の構造を説明する図であり、（ａ）は液晶装置を各
構成要素と共に対向基板の側から見た平面図、（ｂ）は（ａ）のＨ−Ｈ’における断面図
である。次に、図２を参照して電気光学装置の構造を説明する。尚、以下の形態において
、「○○上に」或いは「○○の上層側に」と記載された場合、○○の上に接する様に配置
される場合或いは○○の上層側に接する様に配置される場合、又は、○○の上に他の構成
物を介して配置される場合或いは○○の上層側に他の構成物を介して配置される場合、又
は、○○の上に一部が接する様に配置され一部が他の構成物を介して配置される場合或い
は○○の上層側に一部が接する様に配置され一部が他の構成物を介して配置される場合、
を表すものとする。
【００２７】
図２に示す様に、液晶装置１００では、素子基板１０（電気光学装置用基板）と対向基
板２０とが所定の隙間を介してシール材１０７によって貼り合わされており、シール材１
０７は対向基板２０の外縁に沿う様に枠状に設けられている。シール材１０７は、光硬化
樹脂や熱硬化性樹脂等からなる接着剤であり、両基板間の距離を所定値とするためのグラ
スファイバー或いはガラスビーズ等のギャップ材１０７ａが配合されている。液晶装置１
００において、素子基板１０と対向基板２０との間のうち、シール材１０７によって囲ま
れた領域内には、各種液晶材料（電気光学物質）からなる液晶５０（電気光学材料）が設
けられている。本実施形態において、シール材１０７には、液晶注入口１０７ｃとして利
用される途切れ部分が形成されており、こうした液晶注入口１０７ｃは、液晶材料の注入
後、封止材１０８によって封止されている。
【００２８】
液晶装置１００では、素子基板１０及び対向基板２０がいずれも四角形であり、液晶装
置１００の略中央には、図１を参照して説明した表示領域１０ａが四角形の領域として設
けられている。この表示領域１０ａの形状に対応して、シール材１０７も略四角形に設け
られ、表示領域１０ａの外側は、四角枠状の外周領域１０ｃになっている。
【００２９】
素子基板１０において、外周領域１０ｃでは、素子基板１０の一辺に沿って信号線駆動
回路１０１及び複数の端子電極１０２が形成されており、この一辺に隣接する他の辺に沿
って走査線駆動回路１０４が形成されている。尚、端子電極１０２には、フレキシブル配
線基板（図示せず）が接続され、素子基板１０には、フレキシブル配線基板を介して各種
電位や各種信号が入力される。
【００３０】
図４を参照して詳しくは後述するが、素子基板１０の一方面１０ｓ及び他方面１０ｔの
うち、対向基板２０と対向する一方面１０ｓの側において、表示領域１０ａには、図１を
参照して説明した画素トランジスター３０、及び画素トランジスター３０に電気的に接続
する画素電極９ａが行列状に形成されており、こうした画素電極９ａの上層側には配向膜
１６が形成されている。
【００３１】
素子基板１０の一方面１０ｓの側において、表示領域１０ａより外側の外周領域１０ｃ
のうち、表示領域１０ａとシール材１０７とに挟まれた四角枠状の周辺領域１０ｂには、
画素電極９ａと同時形成されたダミー画素電極９ｂが形成されている。ダミー画素電極９
ｂは、隣り合うダミー画素電極９ｂ同士がダミー画素電極９ｂより細幅の連結部（図示せ
ず）で繋がっている。又、ダミー画素電極９ｂは、共通電位Ｖｃｏｍが印加されており、
表示領域１０ａの外周側端部での液晶分子の配向の乱れを防止する。又、ダミー画素電極
９ｂは、素子基板１０において配向膜１６が形成される面を研磨により平坦化する際、表
示領域１０ａと周辺領域１０ｂとの高さ位置の差を小さくし、配向膜１６が形成される面
を平坦面にするのに寄与する。尚、ダミー画素電極９ｂに電位を印加せず、ダミー画素電
極９ｂを電位的にフロート状態とする場合もあり、この場合でも、ダミー画素電極９ｂは
、表示領域１０ａと周辺領域１０ｂとの高さ位置の差を小さくし、配向膜１６が形成され
る面を平坦面にするのに寄与する。
【００３２】
対向基板２０の一方面２０ｓ及び他方面２０ｔのうち、素子基板１０と対向する一方面
２０ｓの側には共通電極２１が形成されている。共通電極２１は、対向基板２０の略全面
或いは複数の帯状電極として複数の画素１００ａに跨って形成されている。本実施形態に
おいて、共通電極２１は、対向基板２０の略全面に形成されている。
【００３３】
対向基板２０の一方面２０ｓの側には、共通電極２１の下層側に遮光層２９が形成され
、共通電極２１の上層側には配向膜２６が積層されている。遮光層２９は、表示領域１０
ａの外周縁に沿って延在する額縁部分２９ａとして形成されており、遮光層２９の内周縁
によって表示領域１０ａが規定されている。又、遮光層２９は、隣り合う画素電極９ａに
より挟まれた画素間領域１０ｆに重なるブラックマトリックス部２９ｂとしても形成され
ている。ここで、額縁部分２９ａはダミー画素電極９ｂと重なる位置に形成されており、
額縁部分２９ａの外周縁は、シール材１０７の内周縁との間に隙間を隔てた位置にある。
従って、額縁部分２９ａとシール材１０７とは重なっていない。
【００３４】
液晶装置１００において、シール材１０７より外側には、対向基板２０の一方面２０ｓ
の側の４つの角部分に基板間導通用電極２５が形成されており、素子基板１０の一方面１
０ｓの側には、対向基板２０の４つの角部分（基板間導通用電極２５）と対向する位置に
基板間導通用電極１９が形成されている。基板間導通用電極２５は、共通電極２１の一部
からなる。基板間導通用電極１９は、共通電位Ｖｃｏｍが印加された定電位配線７ｒに導
通しており、定電位配線７ｒは、端子電極１０２のうち、共通電位印加用の端子電極１０
２ａに導通している。基板間導通用電極１９と基板間導通用電極２５との間には、導電粒
子を含んだ基板間導通材１０９が配置されており、対向基板２０の共通電極２１は、基板
間導通用電極１９、基板間導通材１０９及び基板間導通用電極２５を介して、素子基板１
０側に電気的に接続されている。こうして、共通電極２１には、素子基板１０から共通電
位Ｖｃｏｍが印加される。シール材１０７は、略同一の幅寸法をもって対向基板２０の外
周縁に沿って設けられている。即ち、シール材１０７の平面視における配置形状は、略四
角形となる。但し、シール材１０７は、対向基板２０の角部分と重なる領域では基板間導
通用電極１９、２５を避けて内側を通る様に設けられており、シール材１０７の角部分は
略円弧状である。
【００３５】
液晶装置１００は反射型の電気光学装置であり、共通電極２１は、インジウム錫酸化物
（Ｉｎｄｉｕｍ  Ｔｉｎ  Ｏｘｉｄｅ、ＩＴＯ）膜やインジウム亜鉛錫酸化物（Ｉｎｄｉ
ｕｍ  Ｚｉｎｃ  Ｏｘｉｄｅ、ＩＺＯ）膜等の透光性導電膜により形成され、画素電極９
ａは、アルミニウム膜等の反射性導電膜により形成されている。こうした反射型の液晶装
置（液晶装置１００）では、素子基板１０及び対向基板２０のうち、対向基板２０の側か
ら入射した光が素子基板１０で反射して出射される際に、画像信号に応じて変調されて画
像を表示する。
【００３６】
液晶装置１００は、モバイルコンピューター、携帯電話機等といった電子機器のカラー
表示装置として用いる事ができ、この場合、対向基板２０或いは素子基板１０には、カラ
ーフィルター（図示せず）が形成される。又、液晶装置１００は、電子ペーパーとして用
いる事できる。又、液晶装置１００では、使用する液晶５０の種類や、ノーマリホワイト
モード／ノーマリブラックモードの別に応じて、偏光フィルム、位相差フィルム、偏光板
等が液晶装置１００に対して所定の向きに配置される。更に、液晶装置１００は、後述す
る投射型表示装置（液晶プロジェクター）において、ＲＧＢ用のライトバルブとして用い
る事ができる。この場合、ＲＧＢ用の各液晶装置１００の各々には、ＲＧＢ色分解用のダ
イクロイックミラーを介して分解された各色の光が投射光として各々入射される事になる
ので、カラーフィルターは形成されない。
【００３７】
本実施形態では、液晶装置１００が投射型表示装置のＲＧＢ用反射型ライトバルブであ
る場合を中心に説明する。又、液晶装置１００では、液晶５０として、誘電異方性が負の
ネマチック液晶化合物が用いられ、ＶＡモードの表示を行う場合を中心に説明する。
【００３８】
「画素構成」
図３は、実施形態１に係る液晶装置の画素を説明する平面図である。図４は、実施形態
１に係る液晶装置の画素を説明する断面図で、図３のＦ−Ｆ′断面に相当する。次に、図
３と図４とを参照して画素１００ａの構造を説明する。尚、図３では、判り易くする為に
、本願発明に係わる部位のみを図示し、他の部位は省略されている。又、４個の画素１０
０ａを画素（１，１）、画素（１，２）、画素（２，１）、画素（２，２）、と命名して
あり、半導体膜１ａは画素（１，１）と画素（２，２）にて実線とハッチングとを用いて
描かれ、その他の画素１００ａでは破線にて描かれている。走査線３ａは画素（１，１）
と画素（１，２）にて実線を用いて描かれ、その他の画素１００ａでは破線にて描かれて
いる。ドレイン電極４ａは画素（１，１）と画素（２，１）にて実線とハッチングとを用
いて描かれ、その他の画素１００ａでは破線にて描かれている。容量線５ｂは画素（１，
１）と画素（１，２）にて実線とハッチングとを用いて描かれ、その他の画素１００ａで
は破線にて描かれている。信号線６ａは画素（１，１）と画素（２，１）にて実線を用い
て描かれ、その他の画素１００ａでは破線にて描かれている。コンタクトホール４１ａと
コンタクトホール４２ａ、コンタクトホール４２ｂ、は画素（１，１）と画素（２，１）
にて実線を用いて描かれ、その他の画素１００ａでは破線にて描かれている。画素電極９
ａは画素（１，１）と画素（２，２）にて実線とハッチングとを用いて描かれ、その他の
画素１００ａでは破線にて描かれている。
【００３９】
図３に示す様に、素子基板１０において対向基板２０と対向する一方面１０ｓには、複
数の画素１００ａの各々に画素電極９ａが形成されている。信号線６ａは、第一方向（本
実施形態では、Ｙ方向）に直線的に延在し、走査線３ａは第一方向に交差する第二方向（
本実施形態では、Ｘ方向）に直線的に延在している。本実施形態では、第一方向と第二方
向とはほぼ直交しているが、これらが交差する角度は９０°以外であっても構わない。又
、信号線６ａと走査線３ａとの交差に対応して画素トランジスター３０が形成されており
、画素トランジスター３０は、信号線６ａと走査線３ａとの交差領域及びその付近を利用
して形成されている。素子基板１０には容量線５ｂが形成されており、こうした容量線５
ｂには共通電位Ｖｃｏｍが印加されている。本実施形態において、容量線５ｂは、走査線
３ａにほぼ重なる様に延在して形成されている。画素トランジスター３０の上層側には上
側遮光層７ａ（図４参照）が形成されており、上側遮光層７ａは信号線６ａに重なる様に
延在している。画素トランジスター３０の下層側には下側遮光層８ａ（図４参照）が形成
されており、下側遮光層８ａは、走査線３ａと重なる様に直線的に延びた主線部分と、信
号線６ａと走査線３ａとの交差部分で信号線６ａに重なる様に延びた副線部分と、を備え
ている。
【００４０】
図４に示す様に、素子基板１０は、石英基板やガラス基板等の透光性の基板本体１０ｗ
の液晶５０側の基板面（対向基板２０と対向する一方面１０ｓ側）に形成された画素電極
９ａ、画素スイッチング素子である画素トランジスター３０、及び配向膜１６を主体とし
て構成されている。反射膜である画素電極９ａと画素スイッチング素子である画素トラン
ジスター３０との間には、第四層間絶縁膜４５等の絶縁膜が設けられている。対向基板２
０は、石英基板やガラス基板等の透光性の基板本体２０ｗ、その液晶５０側の表面（素子
基板１０と対向する一方面２０ｓ）に形成された遮光層２９、共通電極２１、及び配向膜
２６を主体として構成されている。
【００４１】
素子基板１０において、基板本体１０ｗの一方面１０ｓ側には、導電性のポリシリコン
膜、金属シリサイド膜、金属膜或いは金属化合物膜等の導電膜からなる下層側の下側遮光
層８ａが形成されている。下側遮光層８ａは、タングステンシリサイド（ＷＳｉ）等の遮
光膜からなり、液晶装置１００を透過した後の光が他の部材で反射した際、こうした反射
光が半導体膜１ａに入射して画素トランジスター３０で光電流に起因する誤動作が発生す
ることを防止する。尚、下側遮光層８ａを走査線として構成する場合もあり、この場合、
後述するゲート電極３ｃと下側遮光層８ａを導通させた構成とする。
【００４２】
基板本体１０ｗの一方面１０ｓ側において、下側遮光層８ａの上層側には、透光性の下
地絶縁膜１２が形成されており、こうした下地絶縁膜１２の表面側に、半導体膜１ａを備
えた画素トランジスター３０が形成されている。下地絶縁膜１２は、意図的に不純物を導
入してない酸化珪素膜（Ｎｏｎ−ｄｏｐｅｄ  ｓｉｌｉｃａｔｅ  ｇｌａｓｓ、ＮＳＧ膜
と称する）や、或いは、燐を含む酸化珪素膜（Ｐｈｏｓｐｈｏ  ｓｉｌｉｃａｔｅ  ｇｌ
ａｓｓ、ＰＳＧ膜と称する）、硼素を含む酸化珪素膜（Ｂｏｒｏ  ｓｉｌｉｃａｔｅ  ｇ
ｌａｓｓ、ＢＳＧ膜と称する）、硼素と燐とを含む酸化珪素膜（Ｂｏｒｏ−ｐｈｏｓｐｈ
ｏ  ｓｉｌｉｃａｔｅ  ｇｌａｓｓ、ＢＰＳＧ膜と称する）等の酸化珪素膜（シリケート
ガラスも含む。）や、窒化珪素膜からなる。こうした下地絶縁膜１２は、シランガス（Ｓ
ｉＨ4）、２塩化シラン（ＳｉＣｌ2Ｈ2）、ＴＥＯＳ（テトラエトキシシラン／テトラ・
エチル・オルソ・シリケート／Ｓｉ（ＯＣ2Ｈ5）4）、ＴＥＢ（テトラ・エチル・ボート
レート）、ＴＭＯＰ（テトラ・メチル・オキシ・フォスレート）等を用いた常圧ＣＶＤ法
や減圧ＣＶＤ法、或いはプラズマＣＶＤ法等により形成される。
【００４３】
画素トランジスター３０は、信号線６ａの延在方向に長辺方向を向けた半導体膜１ａと
、半導体膜１ａの長さ方向と直交する方向に延在して半導体膜１ａの長さ方向の中央部分
に重なるゲート電極３ｃとを備えている。ゲート電極３ｃは、走査線３ａの一部であり、
平面視にて半導体膜１ａと重なる走査線３ａの部分である。画素トランジスター３０は、
半導体膜１ａとゲート電極３ｃとの間に透光性のゲート絶縁膜２を有している。半導体膜
１ａは、ゲート電極３ｃに対してゲート絶縁膜２を介して対向するチャンネル形成領域１
ｇを備えているとともに、チャンネル形成領域１ｇの両側にソース１ｂ及びドレイン１ｃ
を備えている。画素トランジスター３０は、ＬＤＤ構造を有している。従って、ソース１
ｂ及びドレイン１ｃは各々、チャンネル形成領域１ｇの両側に低濃度領域を備え、低濃度
領域に対してチャンネル形成領域１ｇとは反対側で隣接する領域に高濃度領域を備えてい
る。
【００４４】
半導体膜１ａは、ポリシリコン膜（多結晶シリコン膜）等によって構成されている。ゲ
ート絶縁膜２は、半導体膜１ａを熱酸化した酸化珪素膜からなる第１ゲート絶縁膜２ａと
、温度が７００〜９００℃の高温条件での減圧ＣＶＤ法により形成された酸化珪素膜から
なる第２ゲート絶縁膜２ｂとの二層構造からなる。ゲート電極３ｃ及び走査線３ａは、導
電性のポリシリコン膜、金属シリサイド膜、金属膜或いは金属化合物膜等の導電膜からな
る。本実施形態において、ゲート電極３ｃは、導電性のポリシリコン膜とタングステンシ
リサイド膜との二層構造をなしている。
【００４５】
ゲート電極３ｃの上層側には、ＮＳＧ膜、ＰＳＧ膜、ＢＳＧ膜、ＢＰＳＧ膜等の酸化珪
素膜等からなる透光性の第一層間絶縁膜４１が形成され、第一層間絶縁膜４１の上層側に
は、ドレイン電極４ａが延在している。ドレイン電極４ａは、導電性のポリシリコン膜、
金属シリサイド膜、金属膜或いは金属化合物膜等の導電膜からなる。本実施形態において
、ドレイン電極４ａは窒化チタン膜からなる。ドレイン電極４ａは、半導体膜１ａのドレ
イン１ｃ（画素電極側のドレイン）と一部が重なる様に形成されており、第一層間絶縁膜
４１及びゲート絶縁膜２を貫通するコンタクトホール４１ａを介してドレイン１ｃに導通
している。
【００４６】
ドレイン電極４ａの上層側には、酸化珪素膜等からなる透光性のエッチングストッパー
層４９、及び透光性の誘電体層４０が形成されており、こうした誘電体層４０の上層側に
は容量線５ｂが形成されている。誘電体層４０としては、酸化珪素膜や窒化珪素膜等のシ
リコン化合物を用いることができる他、アルミニウム酸化膜、チタン酸化膜、タンタル酸
化膜、ニオブ酸化膜、ハフニウム酸化膜、ランタン酸化膜、ジルコニウム酸化膜等の高誘
電率の誘電体層を用いることができる。容量線５ｂは、導電性のポリシリコン膜、金属シ
リサイド膜、金属膜或いは金属化合物膜等の導電膜からなる。本実施形態において、容量
線５ｂは、窒化チタン膜、アルミニウム膜、及び窒化チタン膜との三層構造となっている
。容量線５ｂは、誘電体層４０を介してドレイン電極４ａと重なっており、保持容量５５
を構成している。
【００４７】
容量線５ｂの上層側には第二層間絶縁膜４２が形成されており、第二層間絶縁膜４２の
上層側には、信号線６ａと中継電極６ｂとが同一の導電膜により形成されている。第二層
間絶縁膜４２は酸化珪素膜からなる。信号線６ａと中継電極６ｂとは、導電性のポリシリ
コン膜、金属シリサイド膜、金属膜或いは金属化合物膜等の導電膜からなる。本実施形態
において、信号線６ａ及び中継電極６ｂは、アルミニウム合金膜や、窒化チタン膜とアル
ミニウム膜とが二層から四層に積層された膜からなる。信号線６ａは、第二層間絶縁膜４
２、エッチングストッパー層４９、第一層間絶縁膜４１及びゲート絶縁膜２を貫通するコ
ンタクトホール４２ａを介してソース１ｂ（信号線側ソースドレイン）に導通している。
中継電極６ｂは、第二層間絶縁膜４２及びエッチングストッパー層４９を貫通するコンタ
クトホール４２ｂを介してドレイン電極４ａに導通している。
【００４８】
信号線６ａ及び中継電極６ｂの上層側には酸化珪素膜等からなる透光性の第三層間絶縁
膜４４が形成されており、こうした第三層間絶縁膜４４の上層側には、上側遮光層７ａ及
び中継電極７ｂが同一の導電膜によって形成されている。第三層間絶縁膜４４は、例えば
、テトラエトキシシランと酸素ガスとを用いたプラズマＣＶＤ法や、シランガスと亜酸化
窒素ガスとを用いたプラズマＣＶＤ法等により形成した酸化珪素膜からなり、その表面は
平坦化されている。上側遮光層７ａ及び中継電極７ｂは、導電性のポリシリコン膜、金属
シリサイド膜、金属膜或いは金属化合物膜等の導電膜からなる。本実施形態において、上
側遮光層７ａ及び中継電極７ｂは、アルミニウム合金膜や、窒化チタン膜とアルミニウム
膜とが二層から四層に積層された膜からなる。中継電極７ｂは、第三層間絶縁膜４４を貫
通するコンタクトホール４４ａを介して中継電極６ｂに導通している。上側遮光層７ａは
、信号線６ａと重なる様に延在しており、遮光層として機能している。尚、上側遮光層７
ａを容量線５ｂと導通させて、シールド層として利用してもよい。
【００４９】
上側遮光層７ａ及び中継電極７ｂの上層側には、酸化珪素膜等からなる透光性の第四層
間絶縁膜４５が形成されており、この第四層間絶縁膜４５の上層側には、アルミニウム膜
やアルミニウム合金膜等を含む反射性金属膜の画素電極９ａ（反射膜）が形成されている
。第四層間絶縁膜４５には、第四層間絶縁膜４５を貫通して中継電極７ｂまで到達したコ
ンタクトホール４５ａが形成されており、画素電極９ａは、コンタクトホール４５ａを介
して中継電極７ｂに電気的に接続している。その結果、画素電極９ａは、中継電極７ｂ、
中継電極６ｂ及びドレイン電極４ａを介してドレイン１ｃに電気的に接続している。画素
電極９ａの上には、増反射膜１８が設けられている。増反射膜１８は、第１屈折率を有す
る第１透光膜１８１と、第２屈折率を有する第２透光膜１８２と、を少なくとも含んでい
る。この結果、増反射膜１８は、画素電極９ａの表面での反射率を高めると共に防湿膜と
もなっている。第四層間絶縁膜４５と画素電極９ａと増反射膜１８とに関しては、後に詳
述する。
【００５０】
増反射膜１８の上面には、ポリイミドや無機配向膜からなる配向膜１６が形成されてい
る。本実施形態において、配向膜１６は、ＳｉＯX（ｘ＜２）、ＳｉＯ2、ＴｉＯ2、Ｍｇ
Ｏ、Ａｌ2Ｏ3、Ｉｎ2Ｏ3、Ｓｂ2Ｏ3、Ｔａ2Ｏ5等の斜方蒸着膜（傾斜垂直配向膜／無機配
向膜）からなる。
【００５１】
「対向基板の構成」
対向基板２０では、石英基板やガラス基板等の透光性の基板本体２０ｗ（透光性基板）
の液晶５０側の表面（素子基板１０に対向する一方面２０ｓ）には、遮光層２９、酸化珪
素膜等からなる絶縁膜２８、及びＩＴＯ膜等の透光性導電膜からなる共通電極２１が形成
されており、共通電極２１を覆う様に、ポリイミドや無機配向膜からなる配向膜２６が形
成されている。本実施形態において、共通電極２１はＩＴＯ膜からなり、配向膜２６は、
配向膜１６と同様に、ＳｉＯX（ｘ＜２）、ＳｉＯ2、ＴｉＯ2、ＭｇＯ、Ａｌ2Ｏ3、Ｉｎ2
Ｏ3、Ｓｂ2Ｏ3、Ｔａ2Ｏ5等の斜方蒸着膜（傾斜垂直配向膜／無機配向膜）からなる。配
向膜１６と配向膜２６とは、液晶５０に用いた誘電異方性が負のネマチック液晶化合物を
傾斜垂直配向させ、液晶装置１００は、ノーマリブラックのＶＡモードとして動作する。
本実施形態では、配向膜１６と配向膜２６として、各種無機配向膜のうち、酸化珪素膜（
ＳｉＯX）の斜方蒸着膜が用いられている。
【００５２】
尚、図１及び図２を参照して説明した信号線駆動回路１０１及び走査線駆動回路１０４
には、ｎチャンネル型の駆動用トランジスターとｐチャンネル型の駆動用トランジスター
とを備えた相補型トランジスター回路等が構成されている。ここで、駆動用トランジスタ
ーは、画素トランジスター３０の製造工程の一部を利用して形成されたものである。この
為、素子基板１０において信号線駆動回路１０１及び走査線駆動回路１０４が形成されて
いる領域も、図４に示す断面構成と略同様な断面構成を有している。
【００５３】
「画素トランジスター」
図５は、実施形態１に係わる電気光学装置の画素トランジスターを説明した図である。
次に、図３と図５とを参照して画素と画素トランジスターとを説明する。
【００５４】
図３に示す様に、本実施形態の電気光学装置では、画素トランジスター３０として第一
トランジスターＴｒ１と、第二トランジスターＴｒ２と、を備えている。第一トランジス
ターＴｒ１は、第一半導体膜１ａの第一部分Ｐ１と、第一部分Ｐ１と交差する第一ゲート
電極３ｃと、を含み、第二トランジスターＴｒ２は、第一半導体膜１ａに対して第一方向
（本実施形態ではＹ方向、行方向）に隣り合う第二半導体膜１ａの第二部分Ｐ２と、第二
部分Ｐ２と交差する第二ゲート電極３ｃと、を含んでいる。第一トランジスターＴｒ１の
ソースドレインの一方（本実施形態ではドレインと称す）には第一画素電極９ａが電気的
に接続され、第一トランジスターＴｒ１のソースドレインの他方（本実施形態ではソース
と称す）には信号線６ａが電気的に接続されている。同様に、第二トランジスターＴｒ２
のソースドレインの一方（本実施形態ではドレインと称す）には第二画素電極９ａが電気
的に接続され、第二トランジスターＴｒ２のソースドレインの他方（本実施形態ではソー
スと称す）には信号線６ａが電気的に接続されている。
【００５５】
要するに、第一トランジスターＴｒ１と第二トランジスターＴｒ２とは第一方向に隣り
合う任意の二つの画素トランジスター３０であり、第一ゲート電極３ｃと第二ゲート電極
３ｃとは隣り合う二本の走査線３ａの其々一部である。走査線３ａで第一半導体膜１ａと
交差する部位が第一トランジスターＴｒ１を構成する第一ゲート電極３ｃであり、その隣
の走査線３ａで第二半導体膜１ａと交差する部位が第二トランジスターＴｒ２を構成する
第二ゲート電極３ｃである。
【００５６】
信号線は第一方向に沿って延び、第一半導体膜１ａの第一部分Ｐ１と、第二半導体膜１
ａの第二部分Ｐ２と、第一半導体膜１ａの第三部分Ｐ３の一部と、第二半導体膜１ａの第
四部分Ｐ４の一部と、を覆っている。コンタクトホール４２ａを介して、信号線６ａは第
一トランジスターＴｒ１のソースや第二トランジスターＴｒ２のソースに電気的に接続さ
れており、第一トランジスターＴｒ１と第二トランジスターＴｒ２とが、信号線６ａに供
給された情報（画像信号）の画素電極９ａへの通過と遮断とを制御している。第一トラン
ジスターＴｒ１と第二トランジスターＴｒ２とは画素スイッチング素子として利用されて
いる。
【００５７】
第一半導体膜１ａの第一部分Ｐ１は第一方向に沿って延び、第一半導体膜１ａは、第一
方向に交差する第二方向に沿って延びる第三部分Ｐ３を含んでいる。第一部分Ｐ１の長さ
Ｌ１と第三部分Ｐ３の長さＬ３との和（Ｌ１＋Ｌ３）は、第一ゲート電極３ｃと第二ゲー
ト電極３ｃとの間隔ＤＧと第一ゲート電極３ｃの幅ＧＷとの和（ＤＧ＋ＧＷ）よりも大き
い。第一ゲート電極３ｃと第二ゲート電極３ｃとの間隔ＤＧと第一ゲート電極３ｃの幅Ｇ
Ｗとの和（ＤＧ＋ＧＷ）は第一方向に於ける画素ピッチとなる。従って、斯うする事で、
第一半導体膜１ａの長さ（Ｌ１＋Ｌ３）は画素ピッチよりも長くなる。即ち、第一トラン
ジスターＴｒ１を構成する第一半導体膜１ａの長さよりも画素１００ａの長さを短くする
事ができ、微細化を進める事が可能となる。
【００５８】
同様に、第二半導体膜１ａの第二部分Ｐ２は第一方向に沿って延び、第二半導体膜１ａ
は、第一方向に交差する第二方向に沿って延びる第四部分Ｐ４を含んでいる。第二部分Ｐ
２の長さＬ２と第四部分Ｐ４の長さＬ４との和（Ｌ２＋Ｌ４）は、第一ゲート電極３ｃと
第二ゲート電極３ｃとの間隔ＤＧと第一ゲート電極３ｃの幅ＧＷとの和（ＤＧ＋ＧＷ）よ
りも大きい。従って、斯うする事で、第二半導体膜１ａの長さ（Ｌ２＋Ｌ４）は画素ピッ
チよりも長くなる。即ち、第二トランジスターＴｒ２を構成する第二半導体膜１ａの長さ
よりも画素１００ａの長さを短くする事ができ、微細化を進める事が可能となる。換言す
ると、比較的大きな第一トランジスターＴｒ１や第二トランジスターＴｒ２で電気的な信
頼性を確保すると共に、画素ピッチを縮めた微細な画素１００ａを用いて、表示領域１０
ａに高品位な画像を表示する事が可能となる。
【００５９】
一般には、第一部分Ｐ１の長さＬ１と第三部分Ｐ３の長さＬ３との和（Ｌ１＋Ｌ３）は
、第二部分Ｐ２の長さＬ２と第四部分Ｐ４の長さＬ４との和（Ｌ２＋Ｌ４）にほぼ等しく
する事が好ましい。第一トランジスターＴｒ１を構成する第一半導体膜１ａと第二トラン
ジスターＴｒ２を構成する第二半導体膜１ａとが同じサイズとなり、行毎に同じトランジ
スターが繰り返されるからである。
【００６０】
上述の如く、本実施形態では第一トランジスターＴｒ１と第二トランジスターＴｒ２と
は同じ構成を為している。以下に第一トランジスターＴｒ１を例として、これらのトラン
ジスターの構成を詳述する。尚、以下の説明で、第一トランジスターＴｒ１を第二トラン
ジスターＴｒ２と読み替え、第一半導体膜１ａを第二半導体膜１ａと読み替え、第一部分
Ｐ１を第二部分Ｐ２と読み替え、第三部分Ｐ３を第四部分Ｐ４と読み替えれば、第二トラ
ンジスターＴｒ２や第二半導体膜１ａに関しても同じ構成が成り立つ。
【００６１】
図５に示す様に、第一トランジスターＴｒ１を構成する第一半導体膜１ａの第一部分Ｐ
１はソースパッド領域ＳＰとソース領域Ｓとソース側ＬＤＤ領域ＳＬＤＤとチャンネル形
成領域１ｇとドレイン側ＬＤＤ領域ＤＬＤＤとドレイン領域の一部（第一ドレイン領域Ｄ
１）を含んでいる。一方、第一トランジスターＴｒ１を構成する第一半導体膜１ａの第三
部分Ｐ３は、ドレイン領域の他の一部（第二ドレイン領域Ｄ２）とドレインパッド領域Ｄ
Ｐとを含んでいる。ソースパッド領域ＳＰとソース領域Ｓとソース側ＬＤＤ領域ＳＬＤＤ
とが第一トランジスターＴｒ１のソース１ｂであり、ドレイン側ＬＤＤ領域ＤＬＤＤとド
レイン領域とドレインパッド領域ＤＰとが第一トランジスターＴｒ１のドレイン１ｃであ
る。第一半導体膜１ａはドレイン領域にて折れ曲がり、全体としてＬ字型となっている。
【００６２】
次に本実施形態の効果を検証する。一例として、ソースパッド領域ＳＰの長さを１．５
マイクロメーター（μｍ）、ソース領域Ｓの長さを１．５マイクロメーター（μｍ）、ソ
ース側ＬＤＤ領域ＳＬＤＤの長さを１．０マイクロメーター（μｍ）、チャンネル形成領
域１ｇの長さを２．０マイクロメーター（μｍ）、ドレイン側ＬＤＤ領域ＤＬＤＤの長さ
を１．０マイクロメーター（μｍ）、ドレイン領域の長さを１．５マイクロメーター（μ
ｍ）、ドレインパッド領域ＤＰの長さを１．５マイクロメーター（μｍ）、半導体膜１ａ
間の間隔ＤＳ（図３参照、第一半導体膜１ａと第二半導体膜１ａとの間隔）を０．５マイ
クロメーター（μｍ）、とする。本実施形態では第一半導体膜１ａが、ドレイン領域で折
れ曲がり、第一ドレイン領域Ｄ１の長さが０．７５マイクロメーター（μｍ）、第二ドレ
イン領域Ｄ２の長さが０．７５マイクロメーター（μｍ）、となっている。従って、第一
半導体膜１ａの長さ（Ｌ１＋Ｌ３）は１０マイクロメーター（μｍ）であるが、第一半導
体膜１ａの第一方向に沿った長さＬＳは８．５マイクロメーター（μｍ）となる。半導体
膜１ａ間の間隔ＤＳを０．５マイクロメーター（μｍ）としているので、本実施形態では
第一方向に関する画素ピッチ（ＤＧ＋ＧＷ＝ＬＳ＋ＤＳ）は９．０マイクロメーター（μ
ｍ）となる。画素数が１０８０行×１９２０列のフルハイビジョン用の電気光学装置を想
定すると、表示領域１０ａのサイズは縦１０ｍｍ、横１７ｍｍ、対角０．７８インチとな
る。
【００６３】
一方、同じディメンジョンを従来の液晶装置に適応すると、半導体膜の長さと半導体膜
の第一方向に沿った長さとが等しく、１０マイクロメーター（μｍ）となるので、画素ピ
ッチは１０．５マイクロメーター（μｍ）である。この場合、フルハイビジョン用の電気
光学装置の表示領域のサイズは縦１１ｍｍ、横２０ｍｍ、対角０．９１インチとなり、こ
れよりも微細化を進める事は不可能であった。これに対して、本実施形態の電気光学装置
では、半導体膜１ａがＬ字型に曲がっているので、上述の如く微細化を進める事が可能と
なっている。
【００６４】
「電子機器」
図６は、電子機器としての三板式プロジェクターの構成を示す平面図である。次に図６
を参照して、本実施形態に係る電子機器の一例として投射型表示装置１０００を説明する
。
【００６５】
図６に示す様に、投射型表示装置１０００は、光源光を発生する光源部１０２１と、光
源部１０２１から出射された光源光を赤色光Ｒ、緑色光Ｇ、及び青色光Ｂの３色の色光に
分離する色分離導光光学系１０２３と、色分離導光光学系１０２３から出射された各色の
光源光によって照明される光変調部１０２５とを有している。又、投射型表示装置１００
０は、光変調部１０２５から出射された各色の像光を合成するクロスダイクロイックプリ
ズム１０２７（合成光学系）と、クロスダイクロイックプリズム１０２７を経た像光をス
クリーン（不図示）に投射する投射光学系１０２９とを備えている。
【００６６】
投射型表示装置１０００において、光源部１０２１は、光源１０２１ａと、一対のフラ
イアイ光学系１０２１ｄ、１０２１ｅと、偏光変換部材１０２１ｇと、重畳レンズ１０２
１ｉとを備えている。本実施形態では、光源部１０２１は、放物面からなるリフレクタ１
０２１ｆを備えており、平行光を出射する。フライアイ光学系１０２１ｄ、１０２１ｅは
、システム光軸と直交する面内に行列状に配置された複数の要素レンズからなり、これら
の要素レンズによって光源光を分割して個別に集光・発散させる。偏光変換部材１０２１
ｇは、フライアイ光学系１０２１ｅから出射した光源光を、例えば図面に平行なｐ偏光成
分のみに変換して光路下流側光学系に供給する。重畳レンズ１０２１ｉは、偏光変換部材
１０２１ｇを経た光源光を全体として適宜収束させる事により、光変調部１０２５に設け
た複数の電気光学装置を各々均一に重畳照明可能とする。
【００６７】
色分離導光光学系１０２３は、クロスダイクロイックミラー１０２３ａと、ダイクロイ
ックミラー１０２３ｂと、反射ミラー１０２３ｊ、１０２３ｋとを備える。色分離導光光
学系１０２３において、光源部１０２１からの略白色の光源光は、クロスダイクロイック
ミラー１０２３ａに入射する。クロスダイクロイックミラー１０２３ａを構成する一方の
第１ダイクロイックミラー１０３１ａで反射された赤色光Ｒは、反射ミラー１０２３ｊで
反射されダイクロイックミラー１０２３ｂを透過して、入射側偏光板１０３７ｒ、ｐ偏光
を透過させる一方、ｓ偏光を反射するワイヤーグリッド偏光板１０３２ｒ、及び光学補償
板１０３９ｒを介して、ｐ偏光のまま、電気光学装置（赤色用液晶装置１００Ｒ）に入射
する。
【００６８】
又、第１ダイクロイックミラー１０３１ａで反射された緑色光Ｇは、反射ミラー１０２
３ｊで反射され、その後、ダイクロイックミラー１０２３ｂでも反射されて、入射側偏光
板１０３７ｇ、ｐ偏光を透過させる一方、ｓ偏光を反射するワイヤーグリッド偏光板１０
３２ｇ、及び光学補償板１０３９ｇを介して、ｐ偏光のまま、電気光学装置（緑色用液晶
装置１００Ｇ）に入射する。
【００６９】
これに対して、クロスダイクロイックミラー１０２３ａを構成する他方の第２ダイクロ
イックミラー１０３１ｂで反射された青色光Ｂは、反射ミラー１０２３ｋで反射されて、
入射側偏光板１０３７ｂ、ｐ偏光を透過する一方、ｓ偏光を反射するワイヤーグリッド偏
光板１０３２ｂ、及び光学補償板１０３９ｂを介して、ｐ偏光のまま、電気光学装置（青
色用液晶装置１００Ｂ）に入射する。尚、光学補償板１０３９ｒ、１０３９ｇ、１０３９
ｂは、電気光学装置への入射光及び出射光の偏光状態を調整する事で、液晶の特性を光学
的に補償している。
【００７０】
この様に構成した投射型表示装置１０００では、光学補償板１０３９ｒ、１０３９ｇ、
１０３９ｂを経て入射した３色の光は各々、各電気光学装置において変調される。その際
、電気光学装置から出射された変調光のうち、ｓ偏光の成分光は、ワイヤーグリッド偏光
板１０３２ｒ、１０３２ｇ、１０３２ｂで反射し、出射側偏光板１０３８ｒ、１０３８ｇ
、１０３８ｂを介してクロスダイクロイックプリズム１０２７に入射する。クロスダイク
ロイックプリズム１０２７には、Ｘ字状に交差する第１誘電体多層膜１０２７ａ及び第２
誘電体多層膜１０２７ｂが形成されており、一方の第１誘電体多層膜１０２７ａは赤色光
Ｒを反射し、他方の第２誘電体多層膜１０２７ｂは青色光Ｂを反射する。従って、３色の
光は、クロスダイクロイックプリズム１０２７において合成され、投射光学系１０２９に
出射される。そして、投射光学系１０２９は、クロスダイクロイックプリズム１０２７で
合成されたカラーの像光を、所望の倍率でスクリーン（図示せず）に投射する。
【００７１】
（他の投射型表示装置）
尚、投射型表示装置については、光源部として、各色の光を出射するＬＥＤ光源等を用
い、ＬＥＤ光源から出射された色光を各々、別の液晶装置に供給する様に構成しても良い
。
【００７２】
（他の電子機器）
本実施形態にて詳述した電気光学装置については、上記の電子機器の他にも、携帯電話
機、情報携帯端末（ＰＤＡ：Personal Digital Assistants）、デジタルカメラ、液晶テ
レビ、カーナビゲーション装置、テレビ電話、ＰＯＳ端末、タッチパネルを備えた機器等
の電子機器において直視型表示装置として用いても良い。
【００７３】
以上述べた様に、本実施形態に係る電気光学装置では、電気的な信頼性と高品位な画像
表示とが両立する。又、斯うした優れた電気光学装置を備えた電子機器を実現する事がで
きる。
【００７４】
（実施形態２）
「半導体膜の形状が異なる形態」
図７は、実施形態２に係る液晶装置の画素を説明する平面図である。図８は、実施形態
２に係わる電気光学装置の画素トランジスターを説明した図である。次に、図７と図８と
を参照して、実施形態２に係わる電気光学装置を説明する。尚、実施形態１と同一の構成
部位については、同一の符号を附し、重複する説明は省略する。又、図７のＦ−Ｆ′断面
は、図４に示す実施形態１に係る液晶装置の画素の断面図に相当する。更に、図７では、
判り易くする為に、本願発明に係わる部位のみを図示し、他の部位は省略されている。又
、１６個の画素を画素（１，１）から画素（４，４）迄命名してあり、半導体膜１ａは画
素（１，１）から画素（４，４）に実線とハッチングとを用いて描かれている。走査線３
ａも画素（１，１）から画素（４，４）に実線を用いて描かれている。ドレイン電極４ａ
は画素（３，２）と画素（４，２）とに実線とハッチングとを用いて描かれ、その他の画
素１００ａでは破線にて描かれている。容量線５ｂは画素（３，３）と画素（４，３）に
て実線とハッチングとを用いて描かれ、その他の画素１００ａでは破線にて描かれている
。容量線５ｂは、実施形態１と同様にコンタクトホール４２ｂを避けながら、第二方向（
本実施形態では、Ｘ方向、行方向）に延在し、走査線３ａと平面視で重なっている。信号
線６ａは画素（１，１）と画素（２，１）と画素（３，１）と画素（４，１）とにて実線
を用いて描かれ、その他の画素１００ａでは破線にて描かれている。コンタクトホール４
１ａとコンタクトホール４２ａとは画素（１，１）から画素（４，４）に実線を用いて描
かれている。コンタクトホール４２ｂは画素（３，２）と画素（４，２）とに実線を用い
て描かれ、その他の画素１００ａでは破線にて描かれている。画素電極９ａは画素（１，
１）にて実線とハッチングとを用いて描かれ、その他の画素１００ａでは破線にて描かれ
ている。
【００７５】
実施形態１では行方向に関する繰り返しパターンが１行毎であったが、図７に示す様に
、本実施形態の電気光学装置では、行方向に関する繰り返しパターンが２行毎となってい
る。これに伴いソースパッド領域ＳＰ（図８参照）を２個のトランジスターで共用してい
る。それ以外の構成は、実施形態１とほぼ同様である。
【００７６】
図７に示す様に、本実施形態の電気光学装置では、画素トランジスター３０として第一
トランジスターＴｒ１と、第二トランジスターＴｒ２と、第三トランジスターＴｒ３と、
第四トランジスターＴｒ４と、を備えている。第一トランジスターＴｒ１は、第一半導体
膜１ａの第一部分Ｐ１と、第一部分Ｐ１と交差する第一ゲート電極３ｃと、を含み、第二
トランジスターＴｒ２は、第一半導体膜１ａに対して第一方向（本実施形態ではＹ方向、
行方向）に隣り合う第二半導体膜１ａの第二部分Ｐ２と、第二部分Ｐ２と交差する第二ゲ
ート電極３ｃと、を含んでいる。第三トランジスターＴｒ３は、第一半導体膜１ａの第五
部分Ｐ５と、第五部分Ｐ５と交差する第三ゲート電極３ｃと、を含み、第四トランジスタ
ーＴｒ４は、第二半導体膜１ａの第六部分Ｐ６と、第六部分Ｐ６と交差する第四ゲート電
極３ｃと、を含んでいる。第一トランジスターＴｒ１のソースドレインの一方（本実施形
態ではドレインと称す）には第一画素電極９ａが電気的に接続され、第一トランジスター
Ｔｒ１のソースドレインの他方（本実施形態ではソースと称す）には信号線６ａが電気的
に接続されている。同様に、第二トランジスターＴｒ２のソースドレインの一方（本実施
形態ではドレインと称す）には第二画素電極９ａが電気的に接続され、第二トランジスタ
ーＴｒ２のソースドレインの他方（本実施形態ではソースと称す）には信号線６ａが電気
的に接続されている。同様に、第三トランジスターＴｒ３のソースドレインの一方（本実
施形態ではドレインと称す）には第三画素電極９ａが電気的に接続され、第三トランジス
ターＴｒ３のソースドレインの他方（本実施形態ではソースと称す）には信号線６ａが電
気的に接続されている。更に、第四トランジスターＴｒ４のソースドレインの一方（本実
施形態ではドレインと称す）には第四画素電極９ａが電気的に接続され、第四トランジス
ターＴｒ４のソースドレインの他方（本実施形態ではソースと称す）には信号線６ａが電
気的に接続されている。
【００７７】
要するに、第一トランジスターＴｒ１と第三トランジスターＴｒ３と第二トランジスタ
ーＴｒ２と第四トランジスターＴｒ４とは、第一方向にこの順で隣り合う任意の四つの画
素トランジスター３０であり、第一ゲート電極３ｃと第三ゲート電極３ｃと第二ゲート電
極３ｃと第四ゲート電極３ｃとは、この順に隣り合う四本の走査線３ａの其々一部である
。走査線３ａで第一半導体膜１ａと交差する部位が第一トランジスターＴｒ１を構成する
第一ゲート電極３ｃであり、その隣の走査線３ａで第一半導体膜１ａと交差する部位が第
三トランジスターＴｒ３を構成する第三ゲート電極３ｃである。更にその隣の走査線３ａ
で第二半導体膜１ａと交差する部位が第二トランジスターＴｒ２を構成する第二ゲート電
極３ｃである。又、更にその隣の走査線３ａで第二半導体膜１ａと交差する部位が第四ト
ランジスターＴｒ４を構成する第四ゲート電極３ｃである。
【００７８】
信号線は第一方向に沿って延び、第一半導体膜１ａのソースパッド（第三部分Ｐ３の一
部と第七部分Ｐ７の一部）と、第二半導体膜１ａのソースパッド（第四部分Ｐ４の一部と
第八部分Ｐ８の一部）と、を覆っている。コンタクトホール４２ａを介して、信号線６ａ
は第一トランジスターＴｒ１のソースや第二トランジスターＴｒ２のソース、第三トラン
ジスターＴｒ３のソース、第四トランジスターＴｒ４のソース、に電気的に接続されてお
り、第一トランジスターＴｒ１と第二トランジスターＴｒ２と第三トランジスターＴｒ３
と第四トランジスターＴｒ４とが、信号線６ａに供給された情報（画像信号）の画素電極
９ａへの通過と遮断とを制御している。第一トランジスターＴｒ１と第二トランジスター
Ｔｒ２と第三トランジスターＴｒ３と第四トランジスターＴｒ４とは画素スイッチング素
子として利用されている。
【００７９】
第一半導体膜１ａの第一部分Ｐ１と第五部分Ｐ５とは第一方向に沿って延び、第一半導
体膜１ａは、第一方向に交差する第二方向に沿って延びる第三部分Ｐ３と第七部分Ｐ７と
を含んでいる。第一部分Ｐ１の長さＬ１と第三部分Ｐ３の長さＬ３と第五部分Ｐ５の長さ
Ｌ５と第七部分Ｐ７の長さＬ７との和（Ｌ１＋Ｌ３＋Ｌ５＋Ｌ７）は、第一ゲート電極３
ｃと第二ゲート電極３ｃとの間隔ＤＧと第一ゲート電極３ｃの幅ＧＷとの和（ＤＧ＋ＧＷ
）よりも大きい。第一ゲート電極３ｃと第二ゲート電極３ｃとの間隔ＤＧと第一ゲート電
極３ｃの幅ＧＷとの和（ＤＧ＋ＧＷ）は第一方向に於ける画素二行分の長さ（画素ピッチ
の２倍）となる。従って、斯うする事で、第一半導体膜１ａの長さ（Ｌ１＋Ｌ３＋Ｌ５＋
Ｌ７）は画素ピッチの２倍よりも長くなる。即ち、第一半導体膜１ａで第一トランジスタ
ーＴｒ１として利用されている部位の長さよりも画素１００ａの長さを短くする事ができ
、第一半導体膜１ａで第三トランジスターＴｒ３として利用されている部位の長さよりも
画素１００ａの長さを短くする事ができ、微細化を進める事が可能となる。
【００８０】
同様に、第二半導体膜１ａの第二部分Ｐ２と第六部分Ｐ６とは第一方向に沿って延び、
第二半導体膜１ａは、第一方向に交差する第二方向に沿って延びる第四部分Ｐ４と第八部
分Ｐ８とを含んでいる。第二部分Ｐ２の長さＬ２と第四部分Ｐ４の長さＬ４と第六部分Ｐ
６の長さＬ６と第八部分Ｐ８の長さＬ８との和（Ｌ２＋Ｌ４＋Ｌ６＋Ｌ８）は、第一ゲー
ト電極３ｃと第二ゲート電極３ｃとの間隔ＤＧと第一ゲート電極３ｃの幅ＧＷとの和（Ｄ
Ｇ＋ＧＷ）よりも大きい。従って、斯うする事で、第二半導体膜１ａの長さ（Ｌ２＋Ｌ４
＋Ｌ６＋Ｌ８）は画素ピッチの２倍よりも長くなる。即ち、第二半導体膜１ａで第二トラ
ンジスターＴｒ２として利用される部位の長さよりも画素１００ａの長さを短くする事が
でき、第二半導体膜１ａで第四トランジスターＴｒ４として利用される部位の長さよりも
画素１００ａの長さを短くする事ができ、微細化を進める事が可能となる。換言すると、
比較的大きな第一トランジスターＴｒ１や第二トランジスターＴｒ２、第三トランジスタ
ーＴｒ３、第四トランジスターＴｒ４、で電気的な信頼性を確保すると共に、画素ピッチ
を縮めた微細な画素１００ａを用いて、表示領域１０ａに高品位な画像を表示する事が可
能となる。
【００８１】
一般には、第一部分Ｐ１の長さＬ１と第三部分Ｐ３の長さＬ３との和（Ｌ１＋Ｌ３）は
、第二部分Ｐ２の長さＬ２と第四部分Ｐ４の長さＬ４との和（Ｌ２＋Ｌ４）にほぼ等しく
する事が好ましい。更に、第五部分Ｐ５の長さＬ５と第七部分Ｐ７の長さＬ７との和（Ｌ
５＋Ｌ７）は、第六部分Ｐ６の長さＬ６と第八部分Ｐ８の長さＬ８との和（Ｌ６＋Ｌ８）
にほぼ等しくする事が好ましい。第一トランジスターＴｒ１と第三トランジスターＴｒ３
とを構成する第一半導体膜１ａと、第二トランジスターＴｒ２と第四トランジスターＴｒ
４とを構成する第二半導体膜１ａと、が同じサイズとなり、二行毎に同じトランジスター
が繰り返されるからである。
【００８２】
又、第一部分Ｐ１の長さＬ１と第三部分Ｐ３の長さＬ３との和（Ｌ１＋Ｌ３）は、第五
部分Ｐ５の長さＬ５と第七部分Ｐ７の長さＬ７との和（Ｌ５＋Ｌ７）にほぼ等しい事が好
ましい。更には、第二部分Ｐ２の長さＬ２と第四部分Ｐ４の長さＬ４との和（Ｌ２＋Ｌ４
）は、第六部分Ｐ６の長さＬ６と第八部分Ｐ８の長さＬ８との和（Ｌ６＋Ｌ８）にほぼ等
しくする事が好ましい。要するに、第一半導体膜１ａはソースパッドの中心に対して１８
０°の回転対称となり、第二半導体膜１ａはソースパッドの中心に対して１８０°の回転
対称となるのが好ましい。斯うすると第一トランジスターＴｒ１と第三トランジスターＴ
ｒ３とが同サイズで対称となり、第二トランジスターＴｒ２と第四トランジスターＴｒ４
とが同サイズで対称となり、表示領域１０ａでの画素トランジスター３０が皆等しくなる
からである。
【００８３】
上述の如く、本実施形態では第一トランジスターＴｒ１と第二トランジスターＴｒ２と
は同じ構成を為し、第三トランジスターＴｒ３と第四トランジスターＴｒ４とは同じ構成
を為している。以下に第一トランジスターＴｒ１と第三トランジスターＴｒ３とを例とし
て、これらのトランジスターの構成を詳述する。尚、以下の説明で、第一トランジスター
Ｔｒ１を第二トランジスターＴｒ２と読み替え、第三トランジスターＴｒ３を第四トラン
ジスターＴｒ４と読み替え、第一半導体膜１ａを第二半導体膜１ａと読み替え、第一部分
Ｐ１を第二部分Ｐ２と読み替え、第三部分Ｐ３を第四部分Ｐ４と読み替え、第五部分Ｐ５
を第六部分Ｐ６と読み替え、第七部分Ｐ７を第八部分Ｐ８と読み替えれば、第二トランジ
スターＴｒ２や第四トランジスターＴｒ４、第二半導体膜１ａに関しても同じ構成が成り
立つ。
【００８４】
図８に示す様に、第一トランジスターＴｒ１を構成する第一半導体膜１ａの第一部分Ｐ
１はドレインパッド領域ＤＰ１とドレイン領域Ｄ１とドレイン側ＬＤＤ領域ＤＬＤＤ１と
チャンネル形成領域１ｇ１とソース側ＬＤＤ領域ＳＬＤＤ１とソース領域の一部（第一ソ
ース領域Ｓ１１）とを含んでいる。一方、第一トランジスターＴｒ１を構成する第一半導
体膜１ａの第三部分Ｐ３はソース領域の他の一部（第二ソース領域Ｓ２１）とソースパッ
ド領域ＳＰとを含んでいる。第一トランジスターＴｒ１のソース領域は第一ソース領域Ｓ
１１と第二ソース領域Ｓ２１とからなる。ソースパッド領域ＳＰと第二ソース領域Ｓ２１
と第一ソース領域Ｓ１１とソース側ＬＤＤ領域ＳＬＤＤ１とが第一トランジスターＴｒ１
のソース１ｂであり、ドレイン側ＬＤＤ領域ＤＬＤＤ１とドレイン領域Ｄ１とドレインパ
ッド領域ＤＰ１とが第一トランジスターＴｒ１のドレイン１ｃである。
【００８５】
第三トランジスターＴｒ３を構成する第一半導体膜１ａの第五部分Ｐ５はドレインパッ
ド領域ＤＰ３とドレイン領域Ｄ３とドレイン側ＬＤＤ領域ＤＬＤＤ３とチャンネル形成領
域１ｇ３とソース側ＬＤＤ領域ＳＬＤＤ３とソース領域の一部（第一ソース領域Ｓ１３）
とを含んでいる。一方、第三トランジスターＴｒ３を構成する第一半導体膜１ａの第七部
分Ｐ７はソース領域の他の一部（第二ソース領域Ｓ２３）とソースパッド領域ＳＰとを含
んでいる。第三トランジスターＴｒ３のソース領域は第一ソース領域Ｓ１３と第二ソース
領域Ｓ２３とからなる。ソースパッド領域ＳＰと第二ソース領域Ｓ２３と第一ソース領域
Ｓ１３とソース側ＬＤＤ領域ＳＬＤＤ３とが第三トランジスターＴｒ３のソース１ｂであ
り、ドレイン側ＬＤＤ領域ＤＬＤＤ３とドレイン領域Ｄ３とドレインパッド領域ＤＰ３と
が第三トランジスターＴｒ３のドレイン１ｃである。
【００８６】
この様に、第一トランジスターＴｒ１と第三トランジスターＴｒ３とでソースパッド領
域ＳＰが共用されている。第一半導体膜１ａは第一トランジスターＴｒ１のソース領域と
第三トランジスターＴｒ３のソース領域にて折れ曲がり、全体としてクランク型となって
いる。
【００８７】
次に本実施形態の効果を検証する。実施形態１と同様に、一例として、ソースパッド領
域ＳＰの長さを１．５マイクロメーター（μｍ）、ソース領域の長さを１．５マイクロメ
ーター（μｍ）、ソース側ＬＤＤ領域ＳＬＤＤの長さを１．０マイクロメーター（μｍ）
、チャンネル形成領域１ｇの長さを２．０マイクロメーター（μｍ）、ドレイン側ＬＤＤ
領域ＤＬＤＤの長さを１．０マイクロメーター（μｍ）、ドレイン領域Ｄの長さを１．５
マイクロメーター（μｍ）、ドレインパッド領域ＤＰの長さを１．５マイクロメーター（
μｍ）、半導体膜１ａ間の間隔ＤＳ（図７参照、第一半導体膜１ａと第二半導体膜１ａと
の間隔）を０．５マイクロメーター（μｍ）、とする。本実施形態では第一半導体膜１ａ
が、第一トランジスターＴｒ１のソース領域と第三トランジスターＴｒ３のソース領域に
て二度折れ曲がり、第一トランジスターＴｒ１の第一ソース領域Ｓ１１の長さが０．７５
マイクロメーター（μｍ）、第一トランジスターＴｒ１の第二ソース領域Ｓ２１の長さが
０．７５マイクロメーター（μｍ）、第三トランジスターＴｒ３の第一ソース領域Ｓ１３
の長さが０．７５マイクロメーター（μｍ）、第三トランジスターＴｒ３の第二ソース領
域Ｓ２３の長さが０．７５マイクロメーター（μｍ）、となり、ソースパッド領域ＳＰは
共用されている。従って、第一部分Ｐ１の長さＬ１は７．７５マイクロメーター（μｍ）
となり、第三部分Ｐ３の長さＬ３は１．５マイクロメーター（μｍ）となり、第五部分Ｐ
５の長さＬ５は７．７５マイクロメーター（μｍ）となり、第七部分Ｐ７の長さＬ７は１
．５マイクロメーター（μｍ）となる。第一半導体膜１ａの第一方向に沿った長さＬＳは
Ｌ１＋Ｌ５で、１５．５マイクロメーター（μｍ）となる。半導体膜１ａ間の間隔ＤＳを
０．５マイクロメーター（μｍ）としているので、本実施形態では第一方向に関する画素
ピッチ（ＤＧ＋ＧＷ＝（ＬＳ＋ＤＳ）／２）は８．０マイクロメーター（μｍ）となる。
画素数が１０８０行×１９２０列のフルハイビジョン用の電気光学装置を想定すると、表
示領域１０ａのサイズは縦９ｍｍ、横１５ｍｍ、対角０．６９インチとなり、実施形態１
よりも更に微細化を進める事が可能となっている。
【００８８】
尚、本発明は上述した実施形態に限定されず、上述した実施形態に種々の変更や改良な
どを加えることが可能である。変形例を以下に述べる。
【００８９】
（変形例１）
「駆動回路に適応した形態」
図１を参照して、本変形例に係わる電気光学装置について説明する。尚、実施形態１乃
至２と同一の構成部位については、同一の符号を附し、重複する説明は省略する。
【００９０】
実施形態１では、第一トランジスターＴｒ１と第二トランジスターＴｒ２とは画素トラ
ンジスター３０であった。又、実施形態２では第一トランジスターＴｒ１から第四トラン
ジスターＴｒ４は画素トランジスター３０であった。第一トランジスターＴｒ１から第四
トランジスターＴｒ４とはこれに限られず、走査線駆動回路１０４や信号線駆動回路１０
１に用いられても良い。
【００９１】
第一トランジスターＴｒ１と第二トランジスターＴｒ２とが走査線駆動回路１０４に用
いられる場合、第一トランジスターＴｒ１と第二トランジスターＴｒ２との配列ピッチは
行方向に於ける画素ピッチに等しくなる。又、第一トランジスターＴｒ１と第二トランジ
スターＴｒ２とが信号線駆動回路１０１に用いられる場合、第一トランジスターＴｒ１と
第二トランジスターＴｒ２との配列ピッチは列方向に於ける画素ピッチに等しくなる。斯
うした構成としても、狭い領域に大きなトランジスターを配置できる効果が認められる。
【符号の説明】
【００９２】
Ｐ１…第一部分、Ｐ２…第二部分、Ｐ３…第三部分、Ｐ４…第四部分、Ｐ５…第五部分
、Ｐ６…第六部分、Ｐ７…第七部分、Ｐ８…第八部分、Ｔｒ１…第一トランジスター、Ｔ
ｒ２…第二トランジスター、Ｔｒ３…第三トランジスター、Ｔｒ４…第四トランジスター
、１ａ…半導体膜、１ｂ…ソース、１ｃ…ドレイン、１ｇ…チャンネル形成領域、２…ゲ
ート絶縁膜、３ａ…走査線、３ｃ…ゲート電極、４ａ…ドレイン電極、５ｂ…容量線、６
ａ…信号線、６ｂ…中継電極、７ａ…上側遮光層、７ｂ…中継電極、７ｒ…定電位配線、
８ａ…下側遮光層、９ａ…画素電極、９ｂ…ダミー画素電極、１０…素子基板、１０ａ…
表示領域、１０ｂ…周辺領域、１０ｃ…外周領域、１０ｆ…画素間領域、１０ｗ…基板本
体、１２…下地絶縁膜、１６…配向膜、１８…増反射膜、１９…基板間導通用電極、２０
…対向基板、２０ｗ…基板本体、２１…共通電極、２５…基板間導通用電極、２６…配向
膜、２８…絶縁膜、２９…遮光層、２９ａ…額縁部分、２９ｂ…ブラックマトリックス部
、３０…画素トランジスター、４０…誘電体層、４１…第一層間絶縁膜、４１ａ…コンタ
クトホール、４２…第二層間絶縁膜、４２ａ…コンタクトホール、４２ｂ…コンタクトホ
ール、４４…第三層間絶縁膜、４４ａ…コンタクトホール、４５…第四層間絶縁膜、４５
ａ…コンタクトホール、４９…エッチングストッパー層、５０…液晶、５０ａ…液晶容量
、５５…保持容量、１００…液晶装置、１００ａ…画素、１０１…信号線駆動回路、１０
２…端子電極、１０４…走査線駆動回路、１０７…シール材、１８１…第１透光膜、１８
２…第２透光膜、１０００…投射型表示装置、１０２１…光源部、１０２１ａ…光源、１
０２１ｄ…フライアイ光学系、１０２１ｅ…フライアイ光学系、１０２１ｆ…リフレクタ
、１０２１ｇ…偏光変換部材、１０２１ｉ…重畳レンズ、１０２３…色分離導光光学系、
１０２３ａ…クロスダイクロイックミラー、１０２３ｂ…ダイクロイックミラー、１０２
３ｊ…反射ミラー、１０２３ｋ…反射ミラー、１０２５…光変調部、１０２７…クロスダ
イクロイックプリズム、１０２７ａ…第１誘電体多層膜、１０２７ｂ…第２誘電体多層膜
、１０２９…投射光学系、１０３１ａ…第１ダイクロイックミラー、１０３１ｂ…第２ダ
イクロイックミラー、１０３２ｂ…ワイヤーグリッド偏光板、１０３２ｇ…ワイヤーグリ
ッド偏光板、１０３２ｒ…ワイヤーグリッド偏光板、１０３７ｂ…入射側偏光板、１０３
７ｇ…入射側偏光板、１０３７ｒ…入射側偏光板、１０３８ｒ…出射側偏光板、１０３９
ｂ…光学補償板、１０３９ｇ…光学補償板、１０３９ｒ…光学補償板。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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