(57)【要約】【課題】回路設計データに基づいた回路パターンを正確に転写するマスクパターンの補正方法を提供する。【解決手段】マスクパターンの補正方法は、マスクパターンにおける対向するパターンの端縁それぞれに第１評価点を配置し、各第１評価点の第１光強度を第１閾値と比較して、対向するパターンの端縁ぞれぞれの位置における光近接効果に対する第１補正量を決定し、第１補正量に基づいて、対向するパターンの端縁それぞれの位置を補正し、第２評価点を、対向するパターンの一方の端縁を含むパターンと、対向するパターンの他方の端縁を含むパターンとの間に配置し、第２評価点の第２光強度を第１閾値よりも小さい値の第２閾値と比較して、対向するパターンの端縁ぞれぞれの光近接効果に対する第２補正量を決定し、第２補正量に基づいて、対向するパターンの端縁それぞれの位置を補正する、ことをコンピュータが実行する。【選択図】図６
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
マスクパターンにおける対向するパターンの端縁それぞれに第１評価点を配置し、
各前記第１評価点の第１光強度を求め、求められた前記第１光強度を第１閾値と比較して、前記対向するパターンの端縁ぞれぞれの位置における光近接効果に対する第１補正量を決定し、前記１補正量に基づいて、前記対向するパターンの端縁それぞれの位置を補正し、
第２評価点を、前記対向するパターンの一方の端縁を含むパターンと、前記対向するパターンの他方の端縁を含むパターンとの間に配置し、
前記第２評価点の第２光強度を求め、
求められた前記第２光強度を前記第１閾値よりも小さい値の第２閾値と比較して、前記対向するパターンの端縁ぞれぞれの光近接効果に対する第２補正量を決定し、
前記第２補正量に基づいて、前記対向するパターンの端縁それぞれの位置を補正する、
ことをコンピュータが実行するマスクパターンの補正方法。
【請求項２】
前記対向するパターンの端縁間の距離が所定の距離よりも短い箇所に対して、前記第２評価点を配置する請求項１に記載のマスクパターンの補正方法。
【請求項３】
前記対向するパターンの端縁の中間の位置に、前記第２評価点を配置する請求項１又は２に記載のマスクパターンの補正方法。
【請求項４】
マスクパターンを記憶する記憶部と、
前記記憶部が記憶する前記マスクパターンを読み出して、前記マスクパターンにおける対向するパターンの端縁それぞれに第１評価点を配置し、
各前記第１評価点の第１光強度を求め、求められた前記第１光強度を第１閾値と比較して、前記対向するパターンの端縁ぞれぞれの位置における光近接効果に対する第１補正量を決定し、前記１補正量に基づいて、前記対向するパターンの端縁それぞれの位置を補正し、
第２評価点を、前記対向するパターンの一方の端縁を含むパターンと、前記対向するパターンの他方の端縁を含むパターンとの間に配置し、
前記第２評価点の第２光強度を求め、
求められた前記第２光強度を前記第１閾値よりも小さい値の第２閾値と比較して、前記対向するパターンの端縁ぞれぞれの光近接効果に対する第２補正量を決定し、
前記第２補正量に基づいて、前記対向するパターンの端縁それぞれの位置を補正する演算部と、
を備えるマスクパターンの補正装置。
【請求項５】
回路設計データを記憶する記憶部と、
前記記憶部から読み出した前記回路設計データに基づいてマスクパターンを設計し、
前記マスクパターンにおける対向するパターンの端縁それぞれに第１評価点を配置し、
各前記第１評価点の第１光強度を求め、求められた前記第１光強度を第１閾値と比較して、前記対向するパターンの端縁ぞれぞれの位置における光近接効果に対する第１補正量を決定し、前記１補正量に基づいて、前記対向するパターンの端縁それぞれの位置を補正し、
第２評価点を、前記対向するパターンの一方の端縁を含むパターンと、前記対向するパターンの他方の端縁を含むパターンとの間に配置し、
前記第２評価点の第２光強度を求め、
求められた前記第２光強度を前記第１閾値よりも小さい値の第２閾値と比較して、前記対向するパターンの端縁ぞれぞれの光近接効果に対する第２補正量を決定し、
前記第２補正量に基づいて、前記対向するパターンの端縁それぞれの位置を補正する演算部と、
を備える回路設計装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、マスクパターンの補正方法、マスクパターンの補正装置、回路設計装置及びマスクパターンを補正するプログラムに関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、半導体装置の微細化に伴って、光リソグラフィーに用いる回路マスクパターンの光近接効果に対する補正が行われている。
【０００３】
光リソグラフィーでは、回路設計データに基づいた目的回路パターンが、ウエハ上のレジスト層に転写される。一方、半導体装置の微細化に伴って、レジスト層に転写されるパターン幅が露光波長に対して同等以下となっており、隣合うパターンを露光する光の干渉等により、転写されるパターンには、目的回路パターンに対してずれが生じる場合がある。
【０００４】
このような光学的要因による転写パターンの目的回路パターンに対するずれは、光近接効果と呼ばれる。そこで、フォトマスクの回路マスクパターンに対して、光近接効果による転写パターンのずれをあらかじめ補正しておくことが行われている。例えば、回路マスクパターンにおけるパターンの端縁の位置を移動させて、光近接効果に対する補正が行われる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２００３−２５７８４２号公報
【特許文献２】特開平６−３４９７１８号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
光近接効果は、回路マスクパターンにおける対向するパターンの端縁間にも生じる。このような光近接効果の影響により、レジスト層の転写パターン同士が接触するか、又は転写パターン内に断線が生じる場合がある。パターンの接触又は断線が生じる箇所は、危険箇所ともいわれる。
【０００７】
図１（Ａ）は、回路マスクパターンの危険箇所の例を示す図であり、図１（Ｂ）は、危険箇所の光強度を示す図である。
【０００８】
図１（Ａ）には、パターン１２１及びパターン１２２を有する回路マスクパターン１２０が示されている。対向するパターン１２１及びパターン１２２の端縁それぞれには、光強度を評価するための評価点Ａが配置されている。回路マスクパターンがレジスト層に投影された場合の評価点Ａに対応するレジスト層の位置の光強度が計算され、この光強度に基づいて、対向するパターン１２１及びパターン１２２の端縁には、光近接効果に対する補正が行われている。
【０００９】
また、図１（Ａ）には、対向するパターン１２１及びパターン１２２の端縁上の２つの評価点Ａの間の位置に、光強度を評価するための評価点Ｂを配置されている。評価点Ｂは、パターン１２１とパターン１２２との間に配置される。即ち、評価点Ｂは、対向するパターン１２１の端縁とパターン１２２の端縁との間に位置している。
【００１０】
図１（Ｂ）には、２つの評価点Ａ及び評価点Ｂを結ぶ線に沿って、回路マスクパターンがレジスト層に投影された場合のレジスト層における光強度が示されている。ここで、閾値Ｓ１０１よりも大きい光強度の部分では、レジスト層が解像される。２つの評価点Ａに対応するレジスト層の位置の光強度は、閾値Ｓ１０１よりも大きいので、レジスト層が解像される。
【００１１】
また、図１（Ｂ）に示す例では、評価点Ｂに対応するレジスト層の位置の光強度が閾値Ｓ１０１よりも大きいので、対向するパターン１２１及びパターン１２２は、２つの評価点Ａ及び評価点Ｂを結ぶ線に沿って解像されて接触することになる。評価点Ｂのような箇所は、危険箇所（ホットスポット）と呼ばれる。
【００１２】
図２（Ａ）は、回路マスクパターンの危険箇所の他の例を示す図であり、図２（Ｂ）は、危険箇所の光強度を示す図である。
【００１３】
図２（Ａ）では、評価点Ｂは、対向するパターン１２１の２つの端縁の間に位置している。評価点Ｂは、即ち、パターン１２１内に配置される。
【００１４】
図２（Ｂ）には、２つの評価点Ａ及び評価点Ｂを結ぶ線に沿って、回路マスクパターンがレジスト層に投影された場合のレジスト層における光強度が示されている。２つの評価点Ａに対応するレジスト層の位置の光強度は、閾値Ｓ１０１よりも大きいので、レジスト層が解像される。
【００１５】
また、図２（Ｂ）に示す例では、評価点Ｂに対応するレジスト層の位置の光強度が閾値Ｓ１０１よりも小さいので、パターン１２１の中央部分は解像されないため、パターン１２１には断線部分が形成される。
【００１６】
このように、光近接効果は、回路マスクパターンにおける対向するパターンの端縁間にも生じるので、危険箇所が形成されることを防止するために、回路設計データに基づいた目的回路パターンを正確に転写する回路マスクパターンが望まれている。
【００１７】
例えば、回路マスクパターンにおける対向するパターンの端縁上及びこの端縁近傍のパターン内及びパターン外の３つの評価点における光強度を求めて、回路マスクパターンにおける対向するパターンの端縁間の位置に対する光近接効果を補正することが提案されている。この提案では、回路マスクパターンにおける対向するパターンの端縁間の位置に対する光近接効果を補正するために、上記３つの評価点の光強度に基づいて対向するパターンの端縁の内、評価点を含む一方の端縁のみが補正の対象となっている。一方、他方の端縁は補正の対象とはなっていない。そのため、回路マスクパターンにおける対向するパターンの端縁間の位置に対する光近接効果の影響を十分に補正するためには、対向する他方の端縁に対しても、同様に３つの評価点の光強度の計算を行う必要がある。
【００１８】
本明細書では、上述した問題を解決するために、マスクパターンの補正方法を提供することを目的とする。
【００１９】
また、本明細書では、上述した問題を解決するために、マスクパターンの補正装置を提供することを目的とする。
【００２０】
また、本明細書では、上述した問題を解決するために、回路設計装置を提供することを目的とする。
【００２１】
更に、本明細書では、上述した問題を解決するために、マスクパターンを補正するプログラムを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００２２】
本明細書に開示するマスクパターンの補正方法の一形態によれば、マスクパターンにおける対向するパターンの端縁間に、光強度を求めるための評価点を配置し、上記評価点の光強度を求め、求められた上記評価点の光強度に基づいて、対向するパターンの端縁ぞれぞれの光近接効果に対する補正量を決定し、上記補正量に基づいて、対向するパターンの端縁それぞれの位置を補正することをコンピュータが実行する。
【００２３】
また、本明細書に開示するマスクパターンの補正装置の一形態によれば、マスクパターンを記憶する記憶部と、上記記憶部が記憶するマスクパターンを読み出して、マスクパターンにおける対向するパターンの端縁間に、光強度を求めるための評価点を配置し、上記評価点の光強度を求め、求められた上記評価点の光強度に基づいて、対向するパターンの端縁ぞれぞれの光近接効果に対する補正量を決定し、上記補正量に基づいて、対向するパターンの端縁それぞれの位置を補正する演算部と、を備える。
【００２４】
また、本明細書に開示する回路設計装置の一形態によれば、回路設計データを記憶する記憶部と、上記記憶部から読み出した回路設計データに基づいてマスクパターンを設計し、マスクパターンにおける対向するパターンの端縁間に、光強度を求めるための評価点を配置し、上記評価点の光強度を求め、求められた上記評価点の光強度に基づいて、対向するパターンの端縁ぞれぞれの光近接効果に対する補正量を決定し、上記補正量に基づいて対向するパターンの端縁それぞれの位置を補正する演算部と、を備える。
【００２５】
更に、本明細書に開示するマスクパターンを補正するプログラムの一形態によれば、マスクパターンにおける対向するパターンの端縁間に、光強度を求めるための評価点を配置し、上記評価点の光強度を求め、求められた上記評価点の光強度に基づいて、対向するパターンの端縁ぞれぞれの光近接効果に対する補正量を決定し、上記補正量に基づいて、対向するパターンの端縁それぞれの位置を補正することをコンピュータに実行させる。
【発明の効果】
【００２６】
上述した本明細書に開示するマスクパターンの補正方法の一形態によれば、回路設計データに基づいた回路パターンを正確に転写するマスクパターンが得られる。
【００２７】
また、上述した本明細書に開示するマスクパターンの補正装置の一形態によれば、回路設計データに基づいた回路パターンを正確に転写するマスクパターンが得られる。
【００２８】
また、上述した本明細書に開示する回路設計装置の一形態によれば、回路設計データに基づいた回路パターンを正確に転写するマスクパターンが得られる。
【００２９】
更に、上述した本明細書に開示するマスクパターンを補正するプログラムの一形態によれば、回路設計データに基づいた回路パターンを正確に転写するマスクパターンが得られる。
【００３０】
本発明の目的及び効果は、特に請求項において指摘される構成要素及び組み合わせを用いることによって認識され且つ得られるだろう。
【００３１】
前述の一般的な説明及び後述の詳細な説明の両方は、例示的及び説明的なものであり、特許請求の範囲に記載されている本発明を制限するものではない。
【図面の簡単な説明】
【００３２】
【図１】（Ａ）は、回路マスクパターンの危険箇所の例を示す図であり、（Ｂ）は、危険箇所の光強度を示す図である。
【図２】（Ａ）は、回路マスクパターンの危険箇所の他の例を示す図であり、（Ｂ）は、危険箇所の光強度を示す図である。
【図３】本明細書に開示する回路設計装置の第１実施形態を示す図である。
【図４】本明細書に開示する回路設計装置の動作を説明するフローチャート（その１）である。
【図５】本明細書に開示する回路設計装置の動作を説明するフローチャート（その２）である。
【図６】本明細書に開示する回路設計装置の動作を説明するフローチャート（その３）である。
【図７】（Ａ）は、回路設計データに基づいて作成されるフォトマスクの回路マスクパターンを示す図であり、（Ｂ）は、プレバイアス補正された回路マスクパターンを示す図である。
【図８】（Ａ）は、端縁分割された回路マスクパターンを示す図であり、（Ｂ）は、第１評価点が配置された回路マスクパターンを示す図である。
【図９】第２評価点が配置された回路マスクパターンを示す図である。
【図１０】（Ａ）は、第２評価点の光強度が第２閾値と比較される例１を説明する図であり、（Ｂ）は、対向するパターンの端縁の位置を補正により移動する図である。
【図１１】第２評価点の光強度が第２閾値と比較される例２を説明する図である。
【図１２】（Ａ）は、第２評価点の光強度が第２閾値と比較される例３を説明する図であり、（Ｂ）は、対向するパターンの端縁の位置を補正により移動する図である。
【図１３】本明細書に開示する回路設計装置の変形例の動作を説明するフローチャートである。
【図１４】本明細書に開示する回路設計装置の第２実施形態の動作を説明するフローチャートである。
【図１５】対向するパターンの端縁が補正優先順位を有する場合の補正例１を示す図である。
【図１６】対向するパターンの端縁が補正優先順位を有する場合の補正例２を示す図である。
【図１７】対向するパターンの端縁が補正優先順位を有する場合の補正例３を示す図である。
【図１８】対向するパターンの端縁が補正優先順位を有する場合の補正例４を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００３３】
以下、本明細書で開示する回路設計装置の好ましい実施形態を、図面を参照して説明する。但し、本発明の技術範囲はそれらの実施形態に限定されず、特許請求の範囲に記載された発明とその均等物に及ぶものである。
【００３４】
図３は、本明細書に開示する回路設計装置の第１実施形態を示す図である。
【００３５】
本実施形態の回路設計装置１０は、回路設計データに基づいて、フォトマスクの回路マスクパターンを設計する。また、回路設計装置１０は、設計された回路マスクパターンに対して、光近接効果を補正する。このように、回路設計装置１０は、回路設計データに基づいた目的回路パターンが、光リソグラフィーにおいてウエハ上のレジスト層等に正確に転写されるように、回路マスクパターンを作成する。そして、回路設計装置１０が作成した回路マスクパターンに基づいて、ネガ型又はポジ型のレジスト層の種類に応じたマスクパターンを有するフォトマスクが形成される。
【００３６】
回路設計装置１０は、図３に示すように、所定のプログラムを実行する演算部１１と、所定のプログラム及び回路設計データ等を記憶する記憶部１２と、を有する。また、回路設計装置１０は、演算部１１の演算結果等を表示する表示部１３と、回路設計装置１０への情報を入力する入力部１４と、外部のネットワーク等との通信を行う通信部１５とを有する。通信部１５は、周辺機器を回路設計装置１０に接続するためのインターフェース機能を有していても良い。
【００３７】
記憶部１２には、記憶媒体に記憶される所定のプログラムを記憶部１２にインストールすることにより記憶しても良い。または、記憶部１２には、所定のプログラムがネットワークを介してインストールされて記憶されても良い。
【００３８】
回路設計装置１０は、例えば、サーバ又はパーソナルコンピュータ等のコンピュータ、若しくはステートマシン等を用いて形成され得る。
【００３９】
次に、上述した本実施形態の回路設計装置１０の動作を、図面を参照して、以下に説明する。回路設計装置１０の各動作は、演算部１１が、記憶部１２に記憶された所定のプログラムを実行することにより実行される。
【００４０】
図４は、本明細書に開示する回路設計装置の動作を説明するフローチャート（その１）である。図５は、本明細書に開示する回路設計装置の動作を説明するフローチャート（その２）である。図６は、本明細書に開示する回路設計装置の動作を説明するフローチャート（その３）である。
【００４１】
まず、ステップＳ１０において、記憶部１２から回路設計データが読み出され、回路マスクパターンが設計される。
【００４２】
図７（Ａ）は、回路設計データに基づいて作成されるフォトマスクの回路マスクパターンを示す図である。
【００４３】
図７（Ａ）に示す例では、パターン２１及びパターン２２を有する回路マスクパターン２０が形成される。パターン２１はコの字状の形状を有する。パターン２２は、Ｉの字状の形状を有しており、パターン２１の凹部内に延出するように配置される。パターン２１及びパターン２２それぞれは、複数の端縁に囲まれて形成される。
【００４４】
次に、ステップＳ１２において、回路マスクパターン２０に対してプレバイアス補正が行われる。
【００４５】
図７（Ｂ）は、プレバイアス補正された回路マスクパターンを示す図である。
【００４６】
ウエハ上のレジスト層の露光された転写パターンがエッチングされる際には、目的回路パターンに対して、寸法変動等のプロセスに起因するずれが生じる。そこで、回路マスクパターンに対して、プレバイアス補正を行うことにより、プロセスに起因するずれをあらかじめ補正する。回路マスクパターンに対するプレバイアス補正値は、例えば、パターンの幅ごとの補正値としてルールテーブルに記憶されており、このルールテーブルを参照して、回路マスクパターンに対してプレバイアス補正が行われる。
【００４７】
次に、ステップＳ１４において、回路マスクパターン２０の各パターンに対して端縁分割が行われる。
【００４８】
図８（Ａ）は、端縁分割された回路マスクパターンを示す図である。
【００４９】
端縁分割は、光近接効果を補正する補正単位にパターンの端縁を分割するものである。端縁分割された一つの部分には、同じ補正値が適用される。図８（Ａ）に示すパターン２１、２２には、補正単位ごとに端縁と交差する短い線が記載されており、端縁分割された一つの端縁の部分が示されている。
【００５０】
次に、ステップＳ１６において、回路マスクパターン２０の各パターンの端縁に光強度を求めるための第１評価点Ａが配置される。
【００５１】
図８（Ｂ）は、第１評価点が配置された回路マスクパターンを示す図である。
【００５２】
第１評価点Ａは、回路マスクパターンがウエハ上のレジスト層に投影された場合のレジスト層の光強度が計算される位置に対応する。１つ又は複数の第１評価点Ａが、端縁分割された１つの補正単位に対して配置されても良い。
【００５３】
次に、ステップＳ１８とステップＳ２４との間において、回路マスクパターン２０の各対向するパターンの端縁に対して、対向するパターンの端縁間に光強度を求めるための第２評価点が配置される。
【００５４】
まず、ステップＳ２０において、対向するパターンの端縁間の距離が所定の距離よりも短いかどうかが判断される。所定の距離は、例えば、露光波長等のプロセス条件及び工程能力等に基づいて、ウエハ上のレジスト層に転写された回路パターンにおいて接触又は断線が生じる可能性がある距離として決定され得る。対向するパターンの端縁間の距離が所定の距離よりも短い場合には、ステップＳ２２に進む。
【００５５】
そして、ステップＳ２２において、対向するパターンの端縁の中間の位置に第２評価点が配置される。なお、第２評価点を配置する位置は、対向するパターンの端縁間であれば、対向するパターンの端縁の中間の位置でなくても良い。
【００５６】
図９は、第２評価点が配置された回路マスクパターンを示す図である。
【００５７】
図９では、対向するパターンの端縁間の距離Ｌ１が所定の距離よりも短いので、第２評価点Ｂ１が、対向する２つの第１評価点Ａの中間の位置に配置される。また、対向するパターンの端縁間の距離Ｌ２が所定の距離よりも短いので、第２評価点Ｂ２が、第１評価点Ａと対向する端縁との中間の位置に配置される。また、対向するパターンの端縁間の距離Ｌ３が所定の距離よりも短いので、第２評価点Ｂ３が、パターン２１の角とパターン２２の角との中間の位置に配置される。このように、パターンの端縁には、２つの端縁が接続して形成する角の部分も含まれる。第２評価点Ｂ１〜Ｂ３は、パターン２１とパターン２２との間に第２評価点が配置される例である。
【００５８】
また、図９では、対向するパターンの端縁間の距離Ｌ４が所定の距離よりも短いので、第２評価点Ｂ４が、対向する２つの第１評価点Ａの中間の位置に配置される。第２評価点Ｂ４は、一つのパターン内に第２評価点が配置される例である。
【００５９】
図９では、説明を分かり易くするために、一部の第２評価点のみが示されている。
【００６０】
一方、ステップＳ２０において、対向するパターンの端縁間の距離が所定の距離よりも短くない場合には、端縁間に第２評価点は配置されずにステップＳ２４に進む。
【００６１】
このように、本実施形態では、全ての対向するパターンの端縁間に第２評価点が無条件に配置されるものではない。従って、光強度を計算により求めるための第２評価点の数を抑制できるので、光近接効果を補正するために要する計算時間が低減される。
【００６２】
次に、ステップＳ２６とステップＳ３４との間において、各第１評価点に対して光強度が求められた後、必要であればパターンの端縁の位置が補正される。
【００６３】
まず、ステップＳ２８において、回路マスクパターン２０がウエハ上のレジスト層に投影された場合のレジスト層の第１評価点に対応する位置の光強度が計算される。このようにして、対向するパターンの端縁ぞれぞれの位置における光強度を求められる。光強度の計算方法としては、公知の方法を用いることができる。例えば、露光波長及び露光強度等の条件を定めたテーブルを用いて、光強度が求められ得る。以下、本明細書では、回路マスクパターン２０がウエハ上のレジスト層に投影された場合のレジスト層の第１評価点に対応する位置の光強度を、単に、第１評価点の光強度ともいう。
【００６４】
次に、ステップＳ３０において、求められた光強度を第１閾値と比較して、光近接効果に対する補正の有無が判断される。第１閾値は、上限値及び下限値を有する所定の範囲として定められても良い。光強度が、第１閾値に対して大きいか又は小さいと判断された場合には、光近接効果に対する補正が必要と判断されてステップＳ３２へ進む。一方、ステップＳ３０において、光近接効果に対する補正が必要ではないと判断された場合には、ステップＳ３４へ進む。第１閾値は、例えば、パターン幅及び露光波長等のプロセス条件及び工程能力等に基づいて決定され得る。
【００６５】
次に、ステップＳ３２において、対向するパターンの端縁ぞれぞれの位置における光近接効果に対する第１補正量を決定し、この第１補正量に基づいて、対向するパターンの端縁それぞれの位置が補正される。第１補正量は、ステップＳ２８で求められた光強度と第１閾値との差の値と共に、露光波長等のプロセス条件及び工程能力等に基づいて、適切な光強度が得られるように決定され得る。
【００６６】
このように端縁の位置が補正されたパターンの端縁上に、第１評価点が新たに配置された後、再びステップＳ２８に戻って、第１評価点に対応する光強度が求められる。
【００６７】
そして、ステップＳ３０において、光近接効果に対する補正が必要ではないと判断された場合には、ステップＳ３４へ進む。一方、再度、光近接効果に対する補正が必要と判断された場合には、再びステップＳ３２へ進み、ステップＳ３２〜ステップＳ３０の処理が繰り返される。ステップＳ３２〜ステップＳ３０の処理が繰り返されて処理が発散することを防止する観点から、ステップＳ３２で決定される第１補正量には上限値を設けても良い。
【００６８】
次に、ステップＳ３６とステップＳ４４との間において、各第２評価点に対して光強度が求められた後、必要であれば、対向するパターンの端縁それぞれの位置が補正される。
【００６９】
まず、ステップＳ３８において、回路マスクパターン２０がウエハ上のレジスト層に投影された場合のレジスト層の第２評価点に対応する位置の光強度が計算される。このようにして、レジスト層の第２評価点に対応する位置の光強度を求められる。光強度の計算方法としては、公知の方法を用いることができる。例えば、露光波長及び露光強度等の条件を定めたテーブルを用いて、光強度が求められ得る。以下、本明細書では、回路マスクパターン２０がウエハ上のレジスト層に投影された場合のレジスト層の第２評価点に対応する位置の光強度を、単に、第２評価点の光強度ともいう。
【００７０】
次に、ステップＳ４０において、求められた光強度を第２閾値と比較して、光近接効果に対する補正の有無が判断される。第２閾値は、上限値及び下限値を有する所定の範囲として定められても良い。光強度が、第２閾値に対して大きいか又は小さいと判断された場合には、光近接効果に対する補正が必要と判断されてステップＳ４２へ進む。一方、ステップＳ４０において、光近接効果に対する補正が必要ではないと判断された場合には、ステップＳ４４へ進む。第２閾値は、例えば、パターン幅及び露光波長等のプロセス条件及び工程能力等に基づいて決定され得る。
【００７１】
次に、ステップＳ４２において、対向するパターンの端縁それぞれに対する光近接効果の第２補正量を決定し、この第２補正量に基づいて、対向するパターンの端縁それぞれの位置が補正される。第２補正量は、ステップＳ３８で求められた光強度と第２閾値との差の値と共に、露光波長等のプロセス条件及び工程能力等に基づいて、適切な光強度が得られるように決定され得る。
【００７２】
このように第２評価点を挟んで対向するパターンの端縁それぞれの位置が補正された後に、再びステップＳ３８に戻って、第２評価点における光強度が求められる。ここで、第２評価点の位置は、目的回路パターンに対して決定されるものなので、対向するパターンの端縁それぞれの位置の補正の前後で同じである。
【００７３】
そして、ステップＳ４０において、光近接効果に対する補正が必要ではないと判断された場合には、ステップＳ４４へ進む。一方、再度、光近接効果に対する補正が必要と判断された場合には、再びステップＳ４２へ進み、ステップＳ４２〜ステップＳ４０の処理が繰り返される。ステップＳ４２〜ステップＳ４０の処理が繰り返されて処理が発散することを防止する観点から、ステップＳ４２で決定される第２補正量には上限値を設けても良い。
【００７４】
次に、第２評価点の光強度と第２閾値とを比較する例を、図面を参照して以下に説明する。
【００７５】
図１０（Ａ）は、第２評価点の光強度が第２閾値と比較される例１を説明する図であり、図１０（Ｂ）は、対向するパターンの端縁の位置を補正により移動する図である。
【００７６】
図１０（Ａ）には、図９の線Ｍに沿った位置に対するレジスト層上の光強度Ｃ１が示されている。第２評価点Ｂ１の光強度は、第１閾値Ｓ１とは異なる値の第２閾値Ｓ２と比較される。第２評価点Ｂ１が、パターンとパターンとの間に位置する場合には、第２閾値Ｓ２は、第１閾値Ｓ１よりも小さく設定されることが好ましい。
【００７７】
図１０（Ａ）に示す例では、第２評価点Ｂ１の光強度は、第２閾値Ｓ２よりも大きいので、回路マスクパターン２０がウエハ上のレジスト層に投影された場合のレジスト層の第２評価点Ｂ１に対応する位置は解像されると判断される。従って、第２評価点Ｂ１に対応する位置が解像されないように第２評価点Ｂ１の光強度を低減するべく、図１０（Ｂ）に示すように、第２評価点Ｂ１を挟んで対向するパターンの端縁それぞれの位置が補正されることになる。
【００７８】
ここで、第２評価点Ｂ１の光強度が、第１閾値Ｓ１とは異なる値の第２閾値Ｓ２と比較される理由を以下に説明する。
【００７９】
第２評価点Ｂ１の光強度が第１閾値Ｓ１と比較された場合には、第２評価点Ｂ１の光強度は、第１閾値Ｓ１よりも小さい。従って、回路マスクパターン２０がウエハ上のレジスト層に投影された場合のレジスト層の第２評価点Ｂ１に対応する位置は解像されないと判断される。しかし、第２評価点Ｂ１の光強度が第１閾値Ｓ１よりも小さくても、第２評価点Ｂ１に対応する位置が解像される場合のあることが経験上判明している。そこで、本実施形態では、第２評価点Ｂ１の光強度が、第１閾値Ｓ１とは異なる値の第２閾値Ｓ２と比較されることとした。第２閾値は、上述したように、パターン幅及び露光波長等のプロセス条件及び工程能力等に基づいて決定され得るものであるが、例えば、第１閾値に対して５％小さくすることができる。
【００８０】
なお、図１０（Ａ）では、２つの第１評価点Ａの光強度それぞれは、第１閾値Ｓ１よりも大きくなっており、回路マスクパターン２０がウエハ上のレジスト層に投影された場合のレジスト層の２つの第１評価点Ａに対応する位置は解像されると判断される。
【００８１】
図１１は、第２評価点の光強度が第２閾値と比較される例２を説明する図である。
【００８２】
図１１に示す例では、図１０の光強度を求めるために使用した露光強度に対して露光強度の大きさを強めて、ステップＳ３８における第２評価点の光強度が求められている。図１１には、図９の線Ｍに沿った位置に対するレジスト層上の光強度Ｃ２が示されている。図１１の光強度を求めるために使用した露光強度は、図１０における第２閾値Ｓ２に対する第１閾値Ｓ１の割合に相当する大きさだけ強められている。図１１では、第２評価点Ｂ１の光強度は、第２閾値としての第１閾値Ｓ１と比較される。即ち、図１１に示す例では、第２閾値は、第１閾値と同じ値を有する。図１１においても、第２評価点Ｂ１の光強度は、第１閾値Ｓ１よりも大きいので、回路マスクパターン２０がウエハ上のレジスト層に投影された場合のレジスト層の第２評価点Ｂ１に対応する位置は解像されると判断される。即ち、図１１に示す例は、図１０と同様の内容を有する。図１１に示す例では、図１０と同じように、第２評価点の光強度が閾値と判断されるが、第１閾値とは異なる値を有する第２閾値を用いる代わりに、光強度を求めるために使用する露光強度の値を変更している。
【００８３】
図１２（Ａ）は、第２評価点の光強度が第２閾値と比較される例３を説明する図であり、図１２（Ｂ）は、対向するパターンの端縁の位置を補正により移動する図である。
【００８４】
図１２（Ａ）には、図９の線Ｎに沿った位置に対するレジスト層上の光強度Ｃ３が示されている。第２評価点Ｂ４の光強度は、第１閾値Ｓ１とは異なる値の第２閾値Ｓ２と比較されるが、第２評価点Ｂ４が、一つのパターン内に位置する場合には、第２閾値Ｓ２は、第１閾値Ｓ１よりも大きい値に設定されることが好ましい。
【００８５】
図１２（Ａ）に示す例では、第２評価点Ｂ４の光強度は、第２閾値Ｓ２よりも小さいので、回路マスクパターン２０がウエハ上のレジスト層に投影された場合のレジスト層の第２評価点Ｂ４に対応する位置は解像されないと判断される。従って、第２評価点Ｂ４に対応する位置が解像されるように第２評価点Ｂ４に対応する光強度を増加するべく、図１２（Ｂ）に示すように、第２評価点Ｂ４を挟んで対向するパターンの端縁それぞれの位置が補正されることになる。
【００８６】
ここで、第２評価点Ｂ１の光強度が、第１閾値Ｓ１とは異なる値の第２閾値Ｓ２と比較される理由を以下に説明する。
【００８７】
第２評価点Ｂ４の光強度が第１閾値Ｓ１と比較された場合には、第２評価点Ｂ４に対応する光強度は、第１閾値Ｓ１よりも大きい。従って、回路マスクパターン２０がウエハ上のレジスト層に投影された場合のレジスト層の第２評価点Ｂ４に対応する位置は解像されると判断される。しかし、第２評価点Ｂ４の光強度が第１閾値Ｓ１よりも大きくても、第２評価点Ｂ４に対応する位置が解像されない場合のあることが経験上判明している。そこで、本実施形態では、第２評価点Ｂ４の光強度が、第１閾値Ｓ１とは異なる値の第２閾値Ｓ２と比較されることとした。第２閾値は、上述したように、パターン幅及び露光波長等のプロセス条件及び工程能力等に基づいて決定され得るものであるが、例えば、第１閾値に対して５％大きくすることができる。
【００８８】
なお、図１２（Ａ）では、２つの第１評価点Ａの光強度それぞれは、第１閾値Ｓ１よりも大きくなっており、回路マスクパターン２０がウエハ上のレジスト層に投影された場合のレジスト層の２つの第１評価点Ａに対応する位置は解像されると判断される。
【００８９】
また、図１０（Ａ）に示す第１閾値と図１２（Ａ）に示す第１閾値とは、同じ値であっても良いし、異なる値であっても良い。
【００９０】
上述した本実施形態の回路設計装置によれば、回路設計データに基づいた目的回路パターンに対して、エッチング等のプロセス的要因及び光近接効果の光学的要因に起因する転写パターンからのずれを防止するための補正が回路マスクパターンに対して行われる。従って、このような回路マスクパターンを用いれば、回路設計データに基づいた目的回路パターンをウエハ上のレジスト層に正確に転写することができる。
【００９１】
次に、上述した第１実施形態の回路設計装置の変形例を、図面を参照して以下に説明する。
【００９２】
図１３は、本明細書に開示する回路設計装置の変形例の動作を説明するフローチャートである。
【００９３】
本変形例は、上述した図６における第２補正量の決定の仕方を具体的に説明している。そこで、図６に示すフローチャートに対する相違点を、図１３を用いて以下に説明する。
【００９４】
まず、ステップＳ４０において、第２評価点の光強度が、第２閾値に対して大きいか又は小さいと判断された場合には、光近接効果に対する補正が必要と判断されてステップＳ４６に進む。
【００９５】
次に、ステップＳ４６において、対向するパターンの端縁それぞれの位置を、一格子分の距離だけ移動する。図９に示すパターンの端縁の位置は離散的に配置されるものであり、一格子は、パターンの端縁の配置される位置を決める最小の単位である。
【００９６】
このように第２評価点を挟んで対向するパターンの端縁それぞれの位置が移動された後に、対向するパターンの端縁の中間の位置に第２評価点が配置される。そして、再びステップＳ３８に戻って、第２評価点の光強度が求められる。
【００９７】
そして、ステップＳ４０において、光近接効果に対する補正が必要ではないと判断された場合には、ステップＳ４８へ進む。一方、再度、光近接効果に対する補正が必要と判断された場合には、再びステップＳ４６へ進んで、ステップＳ４６〜ステップＳ４０の処理が繰り返される。
【００９８】
ステップＳ４８へ進んだ場合には、対向するパターンの端縁それぞれの位置を移動した格子数に対応する距離を第２補正量とした後、ステップＳ４４へ進む。
【００９９】
本変形例のその他の処理は、上述した第１実施形態と同様である。
【０１００】
次に、上述した回路設計装置の第２実施形態を、図１４〜図１８を参照しながら以下に説明する。他の実施形態について特に説明しない点については、上述の第１実施形態に関して詳述した説明が適宜適用される。また、同一の構成要素には同一の符号を付してある。
【０１０１】
本実施形態の回路設計装置は、対向するパターンの端縁それぞれが補正優先順位を有しており、第２補正量を決定する際に、この補正優先順位が低い方のパターンの端縁の第２補正量をゼロとする。即ち、対向するパターンの端縁それぞれが補正の対象ではあるが、補正優先順位が低い方のパターンの端縁の第２補正量をゼロとし、補正優先順位が高い方のパターンの端縁の第２補正量が決定される。そして、決定された第２補正量に基づいて補正優先順位が高い方のパターンの端縁の位置を移動する。
【０１０２】
以下に、本実施形態の回路設計装置の動作を、図面を参照して説明する。
【０１０３】
図１４は、本明細書に開示する回路設計装置の第２実施形態の動作を説明するフローチャートである。
【０１０４】
本実施形態の回路設計装置の動作は、図１３に示すフローチャートにおいて、ステップＳ４０における光近接効果に対する補正が必要と判断された場合の処理が、図１３の処理とは異なっている。そこで、図１３に示す処理との相違点を以下に説明する。
【０１０５】
まず、図１３のステップＳ４０において、光近接効果に対する補正が必要と判断された場合には、図１４のステップＳ５０へ進む。
【０１０６】
ステップＳ５０において、補正優先順位が低い方のパターンの端縁の第２補正量がゼロに決定される。そして、以下の処理では、補正優先順位が高い方のパターンの端縁の第２補正量が決定される。
【０１０７】
次に、ステップＳ５２において、補正優先順位が高い方のパターンの端縁の位置を一格子分の距離だけ移動する。そして、ステップＳ３８に進んで、再び第２評価点における光強度が求められる。以下の処理は、図１３に示す処理と同様である。
【０１０８】
次に、対向するパターンの端縁それぞれが補正優先順位を有する場合の補正例を、図面を参照して以下に説明する。
【０１０９】
図１５は、対向するパターンの端縁が補正優先順位を有する場合の補正例１を示す図である。
【０１１０】
図１５に示す例では、第１評価点Ａ１を有するパターンの端縁が属するパターン２１の線幅Ｗ１は、第１評価点Ａ２を有するパターンの端縁が属するパターン２２の線幅Ｗ２よりも狭い。
【０１１１】
本実施形態では、断線を防止する観点から、対向するパターンの端縁において、パターンの端縁が属するパターンの線幅の狭い方のパターンの端縁の補正優先順位が、他方のパターンの端縁の補正優先順位よりも低く設定される。
【０１１２】
即ち、第１評価点Ａ１を有するパターン２１の端縁の補正優先順位は、第１評価点Ａ２を有するパターン２２の端縁の補正優先順位よりも低く設定される。従って、第１評価点Ａ１を有するパターン２１の端縁の第２補正量はゼロに決定される。
【０１１３】
一方、第１評価点Ａ２を有するパターン２２の端縁には第２補正量が決定されて、第１評価点Ａ２を有するパターン２２の端縁の位置を矢印で示すように移動する。
【０１１４】
図１６は、対向するパターンの端縁が補正優先順位を有する場合の補正例２を示す図である。
【０１１５】
図１６に示す例では、パターン２１とパターン２２とは、Ｔの字状に配置されている。パターン２２は、他の層と電気的に接続するコンタクト層２４を有している。一方、パターン２１は、そのようなコンタクト層を有していない。
【０１１６】
本実施形態では、対向するパターンの端縁において、一方のパターンの端縁が属するパターンがコンタクト層を有する場合には、一方のパターンの端縁の補正優先順位を、他方のパターンの端縁の補正優先順位よりも低く設定される。これは、コンタクト層の周囲の配線部分の面積を確保して、配線とコンタクト層との間の電気導電性を保証するためである。
【０１１７】
即ち、第１評価点Ａ２を有するパターン２２の端縁の補正優先順位は、第１評価点Ａ１を有するパターン２１の端縁の補正優先順位よりも低く設定される。従って、第１評価点Ａ２を有するパターン２２の端縁の第２補正量はゼロに決定される。
【０１１８】
一方、第１評価点Ａ１を有するパターン２１の端縁には第２補正量が決定されて、第１評価点Ａ１を有するパターン２１の端縁の位置を矢印で示すように移動する。
【０１１９】
図１７は、対向するパターンの端縁が補正優先順位を有する場合の補正例３を示す図である。
【０１２０】
図１７に示す例では、パターン２１とパターン２２とは、Ｉの字状に突き合わせて配置されている。パターン２１は、他の層と電気的に接続するコンタクト層２４を有している。一方、パターン２２は、そのようなコンタクト層を有していない。
【０１２１】
図１６に示す例と同様にして、第１評価点Ａ１を有するパターン２１の端縁の第２補正量はゼロに決定される。一方、第１評価点Ａ２を有するパターン２２の端縁には第２補正量が決定されて、第１評価点Ａ２を有するパターン２２の端縁の位置を矢印で示すように移動する。
【０１２２】
図１８は、対向するパターンの端縁が補正優先順位を有する場合の補正例４を示す図である。
【０１２３】
図１８に示す例では、パターン２１とパターン２２とは、Ｉの字状に突き合わせて配置されている。パターン２１及びパターン２２それぞれは、他の層と電気的に接続するコンタクト層２４を有している。従って、第１評価点Ａ１を有するパターン２１の端縁の補正優先順位は、第１評価点Ａ２を有するパターン２２の端縁の補正優先順位と同じに設定される。
【０１２４】
対向するパターンの端縁それぞれが同じ補正優先順位を有している場合には、どちらのパターンの端縁にも第２補正量が決定されて、対向するパターンの端縁それぞれの位置が、矢印で示すように補正される。
【０１２５】
本発明では、上述した実施形態の回路マスクパターンの補正方法、回路マスクパターンの補正装置、回路設計装置及び回路マスクパターンを補正するプログラムは、本発明の趣旨を逸脱しない限り適宜変更が可能である。また、一の実施形態が有する構成要件は、他の実施形態にも適宜適用することができる。
【０１２６】
例えば、上述した各実施形態では、回路設計装置が、回路マスクパターンに対する光近接効果を補正する機能を有していた。しかし、回路設計装置とは別に存在する回路マスクパターンの補正装置が、回路設計装置が回路設計データに基づいて設計した回路マスクパターンに対して、光近接効果の影響を補正する補正するようにしても良い。
【０１２７】
ここで述べられた全ての例及び条件付きの言葉は、読者が、発明者によって寄与された発明及び概念を技術を深めて理解することを助けるための教育的な目的を意図する。ここで述べられた全ての例及び条件付きの言葉は、そのような具体的に述べられた例及び条件に限定されることなく解釈されるべきである。また、明細書のそのような例示の機構は、本発明の優越性及び劣等性を示すこととは関係しない。本発明の実施形態は詳細に説明されているが、その様々な変更、置き換え又は修正が本発明の精神及び範囲を逸脱しない限り行われ得ることが理解されるべきである。
【０１２８】
以上の上述した各実施形態に関し、更に以下の付記を開示する。
【０１２９】
（付記１）
マスクパターンにおける対向するパターンの端縁間に、光強度を求めるための評価点を配置し、
前記評価点の光強度を求め、
求められた前記評価点の光強度に基づいて、対向するパターンの端縁ぞれぞれの光近接効果に対する補正量を決定し、
前記補正量に基づいて、対向するパターンの端縁それぞれの位置を補正することをコンピュータが実行するマスクパターンの補正方法。
【０１３０】
（付記２）
対向するパターンの端縁間の距離が所定の距離よりも箇所に対して、前記評価点を配置する付記１に記載のマスクパターンの補正方法。
【０１３１】
（付記３）
対向するパターンの端縁の中間の位置に、前記評価点を配置する付記１又は２に記載のマスクパターンの補正方法。
【０１３２】
（付記４）
対向するパターンの端縁ぞれぞれの位置における光強度を求め、求められた光強度を第２閾値と比較して、対向するパターンの端縁ぞれぞれの位置における光近接効果に対する第２の補正量を決定し、前記第２の補正量に基づいて、対向するパターンの端縁それぞれの位置を補正し、
求められた前記評価点の光強度を、前記第２閾値とは異なる値の第１閾値と比較して、対向するパターンの端縁ぞれぞれの光近接効果に対する前記補正量を決定する付記１〜３の何れか一項に記載のマスクパターンの補正方法。
【０１３３】
（付記５）
前記評価点が、パターンとパターンとの間に位置する場合には、前記第１閾値は、前記第２閾値よりも小さい付記４に記載のマスクパターンの補正方法。
【０１３４】
（付記６）
前記評価点が、パターン内に位置する場合には、前記第１閾値は、前記第２閾値よりも大きい付記４に記載のマスクパターンの補正方法。
【０１３５】
（付記７）
対向するパターンの端縁それぞれは補正優先順位を有し、前記補正優先順位が低い方のパターンの端縁の前記補正量をゼロとする付記１〜６の何れか一項に記載のマスクパターンの補正方法。
【０１３６】
（付記８）
対向するパターンの端縁において、パターンの端縁が属するパターンの線幅の狭い方のパターンの端縁の前記補正優先順位を、他方のパターンの端縁の前記補正優先順位よりも低くする付記７に記載のマスクパターンの補正方法。
【０１３７】
（付記９）
対向するパターンの端縁において、一方のパターンの端縁が属するパターンがコンタクト層を有する場合には、一方のパターンの端縁の前記補正優先順位を、他方のパターンの端縁の前記補正優先順位よりも低くする付記７に記載のマスクパターンの補正方法。
【０１３８】
（付記１０）
マスクパターンを記憶する記憶部と、
前記記憶部が記憶するマスクパターンを読み出して、マスクパターンにおける対向するパターンの端縁間に、光強度を求めるための評価点を配置し、
前記評価点の光強度を求め、
求められた前記評価点の光強度に基づいて、対向するパターンの端縁ぞれぞれの光近接効果に対する補正量を決定し、
前記補正量に基づいて対向するパターンの端縁それぞれの位置を補正する演算部と、
を備えるマスクパターンの補正装置。
【０１３９】
（付記１１）
回路設計データを記憶する記憶部と、
前記記憶部から読み出した回路設計データに基づいてマスクパターンを設計し、
マスクパターンにおける対向するパターンの端縁間に、光強度を求めるための評価点を配置し、
前記評価点の光強度を求め、
求められた前記評価点の光強度に基づいて、対向するパターンの端縁ぞれぞれの光近接効果に対する補正量を決定し、
前記補正量に基づいて対向するパターンの端縁それぞれの位置を補正する演算部と、
を備える回路設計装置。
【０１４０】
（付記１２）
マスクパターンにおける対向するパターンの端縁間に、光強度を求めるための評価点を配置し、
前記評価点の光強度を求め、
求められた前記評価点の光強度に基づいて、対向するパターンの端縁ぞれぞれの光近接効果に対する補正量を決定し、
前記補正量に基づいて、対向するパターンの端縁それぞれの位置を補正することをコンピュータに実行させるマスクパターンを補正するプログラム。
【０１４１】
（付記１３）
レジスト上に回路パターンを転写するために回路設計データに基づいて作成されるマスクパターンの光近接効果に対する補正方法であって、
マスクパターンにおける対向するパターンの端縁間に、光強度を求めるための評価点を配置し、
マスクパターンが投影されたレジスト上の前記評価点に対応する位置の光強度を求め、
求められた前記評価点に対応する位置の光強度に基づいて、対向するパターンの端縁ぞれぞれの光近接効果に対する補正量を決定し、
前記補正量に基づいて、マスクパターンにおける対向するパターンの端縁それぞれの位置を補正することをコンピュータが実行するマスクパターンの補正方法。
【符号の説明】
【０１４２】
１０    回路設計装置
１１    演算部
１２    記憶部
１３    表示部
１４    入力部
１５    通信部
２０    回路マスクパターン
２１、２２    パターン
２４    コンタクト層
Ａ、Ａ１、Ａ２    パターンの端縁上の第１評価点
Ｂ、Ｂ１、Ｂ２、Ｂ３、Ｂ４    対向するパターンの端縁間の第２評価点
Ｌ１、Ｌ２、Ｌ３、Ｌ４    対向するパターンの端縁間の距離
Ｍ、Ｎ    対向する２つの第１評価点及び第２評価点を結ぶ線
Ｓ１    第１閾値
Ｓ２    第２閾値
Ｃ１、Ｃ２、Ｃ３    光強度のカーブ
Ｗ１、Ｗ２    パターンの幅
【図１】
2015121809.tif 000003
【図２】
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【図３】
2015121809.tif 000005
【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
2015121809.tif 000009
【図８】
2015121809.tif 000010
【図９】
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【図１０】
2015121809.tif 000012
【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
2015121809.tif 000019
【図１８】
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