(57)【要約】【課題】  均一な厚みの塗布膜を、膜切れの発生を低減しながら安定して形成する。【解決手段】  帯状の吐出口２４Ｓｏから溶液を吐出して塗布対象物に塗布する吐出部２４を具備する塗布装置１であって、吐出部２４は、細長形状の本体部２４Ａと、本体部２４Ａの一端に第１絶縁部材２４Ｄを介して接続されているとともに第１接地線５１に接続された第１端部２４Ｂと、本体部２４Ａの他端に第２絶縁部材２４Ｅを介して接続されているとともに第２接地線５２に接続された第２端部２４Ｃとを具備している。【選択図】  図２
2015100790.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
帯状の吐出口から溶液を吐出して塗布対象物に塗布する吐出部を具備する塗布装置であって、
前記吐出部は、細長形状の本体部と、該本体部の一端に第１絶縁部材を介して接続されているとともに第１接地線に接続された第１端部と、前記本体部の他端に第２絶縁部材を介して接続されているとともに第２接地線に接続された第２端部とを具備している塗布装置。
【請求項２】
前記第１端部は前記第１接地線との接続および切断の切り換えを行なう第１スイッチを介して前記第１接地線に接続されており、前記第２端部は前記第２接地線との接続および切断の切り換えを行なう第２スイッチを介して前記第２接地線に接続されている、請求項１に記載の塗布装置。
【請求項３】
前記第１スイッチおよび前記第２スイッチは、前記塗布対象物に対する前記溶液の塗布の開始時に接続されるとともに前記溶液の塗布の終了時に切断される、請求項２に記載の塗布装置。
【請求項４】
請求項１乃至３のいずれかに記載の塗布装置を用いて電極層上に原料溶液の塗布膜を形成する工程と、
前記塗布膜を加熱して第１の半導体層にする工程と、
前記第１の半導体層上に該第１の半導体層とは異なる導電型の第２の半導体層を形成する工程と
を具備する光電変換装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、溶液を塗布対象物の塗布面に膜状に塗布するための塗布装置およびこれを用いた光電変換装置の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
化合物半導体から成る光吸収層を具備した太陽電池パネルがある。この太陽電池パネルでは、例えば、ガラス製の基板上に、Ｍｏから成る下部電極層が配され、この下部電極層の上に化合物半導体から成る光吸収層が配されている。さらに、その光吸収層の上には、硫化亜鉛、硫化カドミウム等から成るバッファ層と、酸化亜鉛等から成る透明の上部電極層とがこの順に積層されている。
【０００３】
そして、例えば、基板上に形成された下部電極層の上から複数の金属元素を含む溶液が塗布されることで塗布膜が形成された後に、この塗布膜に乾燥および熱処理が施されることで光吸収層が形成され得る（例えば、特許文献１および特許文献２）。
【０００４】
このような溶液の塗布に関しては、均一な膜厚の塗布が指向されている。例えば、特許文献３では、溶液を吐出するためのスリット状の吐出口の両端部に厚みが０．７ｍｍ以下のサイドプレートを設けた塗布装置を用いている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２００１−５３３１４号公報
【特許文献２】特開２００１−２７４１７６号公報
【特許文献３】特開２００６−２６１３２６号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかしながら、特許文献３の塗布装置を用いて化合物半導体を作製しようとしても良好な塗布膜が得られ難い。これは、化合物半導体の原料を含む溶液を塗布する場合、原料の酸化を抑制するため、塗布を窒素置換雰囲気、すなわち乾燥雰囲気で行なう必要がある。そのような乾燥雰囲気の場合、特許文献３の塗布装置では、静電気が発生して吐出部本体が帯電し、吐出口から吐出された溶液が吐出部本体の外面に過度に濡れ広がり、吐出部の下面近傍に溜まる溶液が多くなる。その結果、吐出口から幅広に吐出された溶液が、表面張力によって内側に引っ張られやすくなり、塗布膜の端部まで塗布が十分に行なわれず、膜切れが生じやすくなる。
【０００７】
そこで、均一な厚みの塗布膜を、膜切れの発生を低減しながら安定して形成することが可能な塗布装置が望まれている。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明の一態様に係る塗布装置は、帯状の吐出口から溶液を吐出して塗布対象物に塗布する吐出部を具備する塗布装置であって、前記吐出部は、細長形状の本体部と、該本体部の一端に第１絶縁部材を介して接続されているとともに第１接地線に接続された第１端部と、前記本体部の他端に第２絶縁部材を介して接続されているとともに第２接地線に接続された第２端部とを具備している。
【０００９】
本発明の他の態様に係る光電変換装置の製造方法は、上記の塗布装置を用いて電極層上
に原料溶液の塗布膜を形成する工程と、前記塗布膜を加熱して第１の半導体層にする工程と、前記第１の半導体層上に該第１の半導体層とは異なる導電型の第２の半導体層を形成する工程とを具備する。
【発明の効果】
【００１０】
本発明の上記各態様によれば、均一な厚みの塗布膜を、膜切れの発生を低減しながら安定して形成することが可能になる。
【図面の簡単な説明】
【００１１】
【図１】一実施形態に係る塗布装置の概略構成を示す斜視図である。
【図２】吐出部の構成を模式的に示す正面図である。
【図３】図２の吐出部の下面を模式的に示す図である。
【図４】図２にて一点鎖線Ｉ−Ｉで示した位置における吐出部のＸＺ断面を模式的に示す図である。
【図５】吐出部によって塗布対象物に溶液が塗布される様子を模式的に示す図である。
【図６】吐出部の構成の他の例を模式的に示す正面図である。
【図７】塗布装置を用いた光電変換装置の製造プロセスの流れの一例を示すフローチャートである。
【図８】光電変換装置の一例を示す斜視図である。
【図９】図７の光電変換装置の断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１２】
以下、本発明の実施形態を図面に基づいて説明する。なお、図面においては同様な構成および機能を有する部分については同じ符号が付されており、下記説明では重複説明が省略される。また、図面は模式的に示されたものであり、各図における各種構造のサイズおよび位置関係等は正確に図示されたものではない。なお、図１〜図７には、塗布装置１における各部の配置関係を明示するために、塗布対象物４の一主面に沿った吐出部２４の移動方向をＸ軸方向とし、吐出部２４の長手方向をＹ軸方向とする右手系のＸＹＺ座標系が付されている。但し、溶液供給源２４０については、吐出部２４に対する配置関係が描かれたものではない。
【００１３】
＜(１)塗布装置の概略構成＞
一実施形態に係る塗布装置１は、平板状の塗布対象物４の一主面上に所定の溶液を塗布する装置である。図１で示されるように、塗布装置１は、本体部２と制御部３とを備えている。本体部２は、載物台２１と可動梁機構２２と駆動部２３とを備えている。
【００１４】
載物台２１は、塗布対象物４が載置される台であり、該塗布対象物４を保持する。載物台２１は、略直方体の形状を有する。該載物台２１の上面と下面と側面は何れも略平坦となるように加工されている。また、載物台２１の上部には、塗布対象物４が載置される載置部２１１が配されている。
【００１５】
載置部２１１の上面２１１ｓには、例えば、ストッパーＳｔ１，Ｓｔ２，Ｓｔ３が配されている。２つのストッパーＳｔ１，Ｓｔ２は、上面２１１ｓに固定されている。また、１つのストッパーＳｔ３は、上面２１１ｓに対して移動可能である。例えば、塗布対象物４が略長方形の盤面を有する場合、該塗布対象物４が載置部２１１上に載置される際には、塗布対象物４の隣り合う２つの角部が固定のストッパーＳｔ１，Ｓｔ２によって位置決めされる。そして、該塗布対象物４が、固定のストッパーＳｔ１，Ｓｔ２と可動のストッパーＳｔ３とによって挟持される。なお、載置部２１１に、例えば、多数の吸引口が配され、塗布対象物４が、多数の吸引口によって吸引されることで、載置部２１１上に吸着さ
れても良い。
【００１６】
また、載置部２１１のうち、塗布対象物４が載置される領域を挟むＹ軸方向の両端部近傍には、Ｘ軸方向に延在している一対の走行溝２１２が配されている。走行溝２１２は、可動梁機構２２を支持し、該可動梁機構２２のＸ軸方向に沿った移動を案内する。
【００１７】
可動梁機構２２は、梁部２２１と２つの走行部２２２と吐出部２４とを備えている。梁部２２１は、２つの走行部２２２の間にＹ軸方向に沿って架設されている。つまり、２つの走行部２２２が梁部２２１を介して連結されている。また、梁部２２１の下部には吐出部２４が取り付けられている。
【００１８】
吐出部２４は、所定の溶液を吐出して塗布対象物４の一主面上に該所定の溶液を塗布するノズルである。
【００１９】
走行部２２２は、梁部２２１を介して吐出部２４を支持している。また、走行部２２２は、昇降機構Ｓｍ１，Ｓｍ２を備えている。昇降機構Ｓｍ１，Ｓｍ２は、例えば、ボールネジとサーボモーターとを有している。また、昇降機構Ｓｍ１，Ｓｍ２は、制御部３から入力される制御信号に応じて、梁部２２１の姿勢を保持したままで、該梁部２２１をＺ軸方向に昇降させ得る。
【００２０】
駆動部２３は、可動梁機構２２をＸ軸方向に移動させる部分である。該駆動部２３は、例えば、一対の移動子２３１と一対の固定子２３２とリニアエンコーダー２３３とを備えている。一対の移動子２３１は、可動梁機構２２の両端部に取り付けられている。一対の固定子２３２は、載物台２１の両側部においてＸ軸方向に沿って配されている。駆動部２３では、一対の移動子２３１と一対の固定子２３２とが、例えば、コアレスリニアモータを構成し、可動梁機構２２をＸ軸方向に移動させ得る。また、リニアエンコーダー２３３は、一対の移動子２３１のＸ軸方向における位置を検出し得る。リニアエンコーダー２３３によって検出された一対の移動子２３１の位置を示す情報は、制御部３に送られる。
【００２１】
制御部３は、本体部２における各種動作を制御する部分である。該制御部３は、プロセッサー部３１と記憶部３２とを備えている。プロセッサー部３１は、記憶部３２に記憶されているプログラムを読み込んで実行することで、各種のデータ処理を行う。記憶部３２は、プログラムおよび各種データを記憶する。なお、制御部３には、例えば、図示を省略する操作部および表示部が配されている。操作部は、オペレーターの操作を受け付ける。表示部は、各種データを可視的に出力し得る。
【００２２】
また、制御部３は、本体部２とデータの送受信が可能に接続されている。制御部３は、操作部から入力される信号およびリニアエンコーダー２３３から入力される一対の移動子２３１の位置を示す情報に基づいて、一対の移動子２３１および一対の固定子２３２の動作を制御する。つまり、制御部３によって、載物台２１上における可動梁機構２２の各種動作が制御され得る。
【００２３】
また、制御部３は、操作部から入力される信号および図示が省略されている各種センサから入力される信号に基づいて、昇降機構Ｓｍ１，Ｓｍ２の動作、吐出部２４Ａからの所定の溶液の吐出、および吸引部２４Ｂでの所定の溶液の吸引を制御する。
【００２４】
＜(２)吐出部の構成＞
図２は、吐出部２４の一構成例を模式的に示す正面図である。図３は、吐出部２４を＋Ｚ方向に見た場合の下面の構成を模式的に示す図である。図４は、図２にて一点鎖線Ｉ−Ｉで示した位置における吐出部２４のＸＺ断面の構成を模式的に示す図である。
【００２５】
吐出部２４は、細長形状の本体部２４Ａと、本体部２４Ａの一端に第１絶縁部材２４Ｄを介して接続されている第１端部２４Ｂと、本体部２４Ａの他端に第２絶縁部材２４Ｅを介して接続されている第２端部２４Ｃとを具備している。つまり、第１端部２４Ｂと本体部２４Ａとは第１絶縁部材２４Ｄによって絶縁されている。同様に第２端部２４Ｃと本体部２４Ａとは第２絶縁部材２４Ｅによって絶縁されている。
【００２６】
吐出部２４の下面（−Ｚ側の面）には、第１端部２４Ｂから本体部２４Ａを経て第２端部２４Ｃに至る帯状の吐出口２４Ｓｏを有している。吐出口２４Ｓｏは、吐出部２４の内部に形成された吐出用スリット２４Ｓの開口である。
【００２７】
吐出部２４では、溶液供給源２４０から所定の溶液が吐出用スリット２４Ｓに供給されると、該所定の溶液が吐出口２４Ｓｏから塗布対象物４に向けて吐出される。すなわち、塗布装置１は、いわゆるスリットコーターとして機能する。
【００２８】
そして、図５で示されるように、例えば、吐出部２４が、Ｘ軸に沿った矢印ＡＲ１で示される−Ｘ方向に移動しながら、吐出部２４から所定の溶液Ｌ１を塗布対象物４に向けて吐出することで、塗布対象物４の上に所定の溶液Ｌ１が塗布され得る。なお、図５は図４で示した吐出部２４のＸＺ断面に相当する。
【００２９】
ここで溶液供給源２４０は、例えば、所定の溶液Ｌ１を貯蔵するタンクおよび所定の溶液Ｌ１を送出するポンプ等を有していれば良い。
【００３０】
また、所定の溶液Ｌ１は、例えば、金属錯体を溶媒に溶解したものが用いられ得る。金属錯体としては、例えば、１１族元素（Ｉ−Ｂ族元素ともいう）、１３族元素（III−Ｂ
族元素ともいう）および有機カルコゲン化合物が一つの分子内に含まれた単一源錯体（米国特許第６９９２２０２号明細書参照）等が挙げられる。所定の溶液Ｌ１では、例えば、金属錯体の濃度が１０ｗｔ％以上となり得る。なお、有機カルコゲン化合物とは、カルコゲン元素を含む有機化合物であり、炭素元素とカルコゲン元素との共有結合を有する有機化合物である。また、カルコゲン元素とは、１６族元素（VI−Ｂ族元素ともいう）のうちの硫黄、セレンおよびテルルである。有機カルコゲン化合物としては、例えば、チオール類、セレノール類、テルロール類等が採用され得る。また、溶媒としては、極性有機溶媒等が挙げられ、例えば、メタノール等のアルコール類、アニリンやピリジン等のアミン類等がある。
【００３１】
そして、第１端部２４Ｂは、第１接地線５１に接続されており、この第１接地線５１によって接地されている。同様に第２端部２４Ｃは、第２接地線５２に接続されており、この第２接地線５２によって接地されている。このような構成によって、吐出部２４の第１端部２４Ｂおよび第２端部２４Ｃが選択的に除電装置５によって除電される。つまり、第１端部２４Ｂおよび第２端部２４Ｃにおける帯電量が本体部２４Ａよりも低くなる。
【００３２】
このように第１端部２４Ｂおよび第２端部２４Ｃを選択的に除電しながら塗布することによって、均一な厚みの塗布膜が、膜切れの発生を低減しながら安定して形成されることとなる。これは以下の理由による。
【００３３】
吐出部２４から溶液Ｌ１を塗布対象物４に向けて吐出する際、吐出部２４の吐出口２４Ｓｏの近傍において、静電気が生じやすくなる。特に塗布を行なう際の雰囲気における水蒸気の含有量が、相対湿度35%以下の場合に静電気が生じやすくなる。このように吐出部
２４に静電気が生じると、溶液Ｌ１が吐出部２４の表面に濡れ広がりやすくなる傾向がある。その場合、吐出された溶液Ｌ１が吐出部２４の吐出口２４Ｓｏの近傍にある程度溜ま
った状態となるため、溶液Ｌ１の表面張力が大きくなって幅広に広げられた溶液Ｌ１が中央部に収縮する傾向が強くなる。その結果、塗布膜の端部（＋Ｙ側の端部または−Ｙ側の端部）に膜切れが生じやすくなる。
【００３４】
これに対し、上記のように第１端部２４Ｂおよび第２端部２４Ｃを選択的に除電することによって、第１端部２４Ｂおよび第２端部２４Ｃにおいて溶液Ｌ１の濡れ性が下がるため、第１端部２４Ｂおよび第２端部２４Ｃの吐出口２４Ｓｏから吐出された溶液Ｌ１は速やかに塗布対象物へ到達することとなる。その結果、塗布膜の端部に膜切れが生じ難くなる。一方、本体部２４Ａにおいては帯電量が維持されることで、溶液Ｌ１が吐出口２４Ｓｏの近傍にある程度溜まった状態が維持される。その結果、溶液Ｌ１の塗布対象物への供給量が安定化される。
【００３５】
本体部２４Ａ、第１端部２４Ｂおよび第２端部２４Ｃの材質は、それぞれ金属等が用いられ得る。本体部２４Ａと第１端部２４Ｂとは、同じ材質であってもよく、異なる材質であってもよい。同様に本体部２４Ａと第２端部２４Ｃとは、同じ材質であってもよく、異なる材質であってもよい。
【００３６】
第１絶縁部材２４Ｄおよび第２絶縁部材２４Ｅは、本体部２４Ａ、第１端部２４Ｂおよび第２端部２４Ｃよりも導電性が低い材料が採用され、例えば、エポキシ系、シアノアクリル系、ビニール系およびシリコーンゴム系の樹脂等、電気的に絶縁性を有する材料が挙げられる。
【００３７】
＜(３)光電変換装置の製造プロセス＞
ここで、上記構成を有する塗布装置１を用いた光電変換装置の製造プロセスの一例について説明する。なお、ここでは、図８および図９に示すような、太陽電池等に用いられる光電変換装置の一例に基づいて説明をする。また、ここでは、塗布装置１を用いて光電変換装置の光吸収層を形成する。光吸収層は、例えば、第１導電型（ここではｐ型の導電型）を有するＩ−III−VI族化合物半導体の層であれば良い。Ｉ−III−VI族化合物半導体とは、Ｉ−III−VI族化合物を主に含む半導体である。なお、Ｉ−III−VI族化合物を主に含む半導体とは、Ｉ−III−VI族化合物を７０ｍｏｌ％以上含む半導体のことを言う。以下の記載においても、「主に含む」は「７０ｍｏｌ％以上含む」ことを意味する。
【００３８】
Ｉ−III−VI族化合物は、１１族元素と１３族元素と１６族元素とを主に含む化合物で
ある。Ｉ−III−VI族化合物としては、例えば、ＣｕＩｎＳｅ2（ＣＩＳとも言う）、Ｃｕ（Ｉｎ，Ｇａ）Ｓｅ2（ＣＩＧＳとも言う）およびＣｕ（Ｉｎ，Ｇａ）（Ｓｅ，Ｓ）2（ＣＩＧＳＳとも言う）等を用いることができる。本一例では、光吸収層が、ＣＩＧＳを主に含む。
【００３９】
図７は、塗布装置１を用いた光電変換装置の製造プロセスの一例の流れを示すフローチャートである。
【００４０】
まず、図７のステップＳｐ１では、略矩形の盤面を有する平板状の基板５０１を準備する。基板５０１は、複数の光電変換セル５１０を支持するものである。基板５０１に含まれる主な材料としては、例えば、ガラス、セラミックスおよび樹脂等を用いることができる。また、基板５０１の厚さは、例えば、１ｍｍ以上で且つ３ｍｍ以下程度であれば良い。
【００４１】
ステップＳｐ２では、洗浄された基板５０１の一主面の略全面に、スパッタリング法または蒸着法等を用いて、導電層としての下部電極層５０２を形成する。下部電極層５０２に含まれる主な材料としては、例えば、Ｍｏ、Ａｌ、Ｔｉ、ＴａおよびＡｕ等の導電性を
有する各種金属等を用いることができる。また、下部電極層５０２の厚さは、例えば、０．２μｍ以上で且つ１μｍ以下程度であれば良い。そして、下部電極層５０２をレーザースクライビング等で所望のパターン形状（溝Ｐ１を有する形状）に加工する。
【００４２】
このステップＳｐ１〜Ｓｐ２の処理により、基板５０１と、該基板５０１上に設けられている下部電極層５０２とを有する塗布対象物４を形成することができる。
【００４３】
ステップＳｐ３では、塗布装置１を用いた所定の溶液Ｌ１の塗布工程を行なう。具体的には、吐出部２４を塗布対象物４の塗布面に対して一定間隔をあけた状態で、吐出部２４を−Ｘ方向に移動させながら吐出口２４Ｓｏから溶液Ｌ１を吐出して塗布面上に溶液Ｌ１を膜状に塗布する。この塗布膜の厚みは、例えば１０〜１００μｍである。
【００４４】
ここで、吐出部２４から溶液Ｌ１を吐出する際、吐出部２４の第１端部２４Ｂおよび第２端部２４Ｃは第１接地線５１および第２接地線５２によって選択的に除電されている。そのため、上述したように、均一な厚みの塗布膜を、膜切れの発生を低減しながら安定して形成することができる。
【００４５】
ステップＳｐ４では、ステップＳｐ３で形成した略均一な所定の溶液Ｌ１の塗布膜を乾燥させる。このステップＳｐ４では、例えば、塗布対象物４の上に形成した塗布膜に対して窒素等の不活性気体中で熱処理を施す。熱処理の温度は、例えば５０℃以上で且つ４３０℃以下であれば良い。このとき、塗布膜を乾燥するとともに塗布膜中の有機物を熱分解してもよい。
【００４６】
ステップＳｐ５では、ステップＳｐ４で乾燥した所定の溶液Ｌ１の略均一な塗布膜を焼成することで、塗布対象物４の上に略均一な第１の半導体層５０３を形成する。この第１の半導体層５０３が、光電変換装置５１１の光吸収層に相当する。このステップＳｐ５では、塗布対象物４の上に形成した塗布膜に対する加熱処理が行われる。該加熱処理は、例えば、カルコゲン元素としてのＳｅの気体と非酸化性気体とを含む雰囲気中で、４５０〜６５０℃で行なえば良い。非酸化性気体は、例えば、窒素等の不活性の気体および水素等の還元性の気体の少なくとも一方の気体であれば良い。この第１の半導体層５０３は、例えば０．５〜３μｍの厚みを有している。なお、このような第１の半導体層５０３は、例えば、ステップＳｐ３およびステップＳｐ４を複数回繰り返して、所望の厚みを有する塗布膜の積層体を形成した後に、ステップＳｐ５による加熱処理を行なうことで形成してもよい。
【００４７】
ステップＳｐ６では、光電変換装置５１１の製造プロセスにおけるその後の工程を行なう。ここで、その後の工程の一例について説明する。
【００４８】
まず、ステップＳｐ５で形成した第１の半導体層５０３の上に、第２の半導体層５０４を形成する。第２の半導体層５０４は、第１の半導体層５０３の第１導電型とは異なる第２導電型（ここではｎ型の導電型）を有する半導体を主に含む。この第２の半導体層５０４は、化学浴槽堆積法(ＣＢＤ法)によって形成できる。例えば、塩化インジウムとチオアセトアミドと塩酸とを水に溶解することで作製した溶液に第１の半導体層５０３を浸漬することで、Ｉｎ２Ｓ３を主に含む第２の半導体層５０４を形成できる。これにより、第１の半導体層５０３と第２の半導体層５０４とが積層されている光電変換層を形成できる。
【００４９】
さらに、この第２の半導体層５０４の上に上部電極層５０５を形成してもよい。上部電極層５０５は、スパッタリング法、蒸着法または化学的気相成長（ＣＶＤ）法等で形成できる。上部電極層５０５は、例えば、スズがドープされた酸化インジウム（ＩＴＯ）やアルミニウムがドープされた酸化亜鉛（ＡＺＯ）等を用いることができる。
【００５０】
次に、上部電極層５０５の上面のうちの所定の形成対象位置から下部電極層５０２の上面に至る領域に、一方向に直線状に延在する接続導体用溝部Ｐ２を形成する。接続導体用溝部Ｐ２は、スクライブ針を用いたメカニカルスクライビング等によって形成できる。
【００５１】
次に、上記上部電極層５０５の上に帯状の集電電極５０７を形成するとともに上記接続導体用溝部Ｐ２の内部に接続導体５０６を形成する。接続導体５０６および集電電極５０７は、例えば、銀等の金属粉が樹脂製のバインダー等に分散された金属ペーストを上部電極層５０５上および接続導体用溝部Ｐ２内に充填し、加熱によって固化することで形成できる。
【００５２】
そして、集電電極５０７および接続導体５０６を形成した後、上部電極層５０５の上面のうちの所定の形成対象位置から下部電極層５０２の上面に至る領域に、メカニカルスクライビング等によって一方向に直線状に延在するセル分割用溝部Ｐ３を形成する。これにより、基板５０１上に複数の光電変換セル５１０が配されている光電変換装置５１１を得ることができる。
【００５３】
なお、この光電変換装置５１１では、例えば、隣接する光電変換セル５１０のうち一方の光電変換セル５１０の上部電極層５０５が、接続導体５０６によって隣の光電変換セル５１０から延伸されている下部電極層５０２に電気的に接続されている。つまり、光電変換装置５１１では、基板５０１上に配されている複数の光電変換セル５１０が電気的に直列に接続されている。
【００５４】
＜(４)吐出部の変形例の構成＞
本発明は上述の実施の形態に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲において種々の変更、改良などが可能である。
【００５５】
例えば、塗布装置１では、上記の吐出部２４に替えて、図６に示されるような吐出部１２４を用いてもよい。図６は吐出部１２４の構成の一例を模式的に示す正面図である。吐出部１２４において、第１端部１２４Ｂは本体部１２４Ａと第１絶縁部材１２４Ｄを介して接続されており、第２端部１２４Ｃは本体部１２４Ａと第２絶縁部材１２４Ｅを介して接続されている。そして、第１端部１２４Ｂは、第１接地線１５１との接続および切断の切り換えを行なう第１スイッチ１５１Ｓを介して第１接地線１５１に接続されている。また、第２端部１２４Ｃは、第２接地線１５２との接続および切断の切り換えを行なう第２スイッチ１５２Ｓを介して第２接地線１５２に接続されている。このような構成であれば、第１端部１２４Ｂと第１接地線１５１とを自由に接続したり切断したりすることができる。同様に第２端部１２４Ｃと第２接地線１５２とを自由に接続したり切断したりすることができる。
【００５６】
例えば、溶液Ｌ１を塗布対象物４に対して塗布する際に第１スイッチ１５１Ｓおよび第２スイッチ１５２Ｓを接続して、塗布の終了時に第１スイッチ１５１Ｓおよび第２スイッチ１５２Ｓを切断する。このようなタイミングとすることで、溶液Ｌ１を塗布対象物４に対して塗布する前は、本体部１２４Ａ、第１端部１２４Ｂおよび第２端部１２４Ｃが帯電した状態であるので、溶液Ｌ１が吐出部１２４の下面全体に対して濡れ広がりやすい状態となり、溶液Ｌ１を吐出部１２４の下面全体である程度溜めることができる。そして、溶液Ｌ１を塗布対象物４に対して塗布する際に、第１スイッチ１５１Ｓおよび第２スイッチ１５２Ｓを接続して第１端部１２４Ｂおよび第２端部１２４Ｃの除電を行なうことによって、端部の膜切れを有効に低減するとともに溶液Ｌ１を安定に供給しながら塗布を行なうことができる。その後、塗布の終了時に第１スイッチ１５１Ｓおよび第２スイッチ１５２Ｓを切断することによって、再度、溶液Ｌ１が吐出部２４の下面全体に対して溜まりやす
くなるので、溶液Ｌ１の塗布対象物４に対する供給を良好に停止することができ、溶液Ｌ１が過剰に塗布されて塗布膜が厚くなるのを有効に低減できる。なお、溶液Ｌ１を塗布している間は、第１スイッチ１５１Ｓおよび第２スイッチ１５２Ｓを連続して接続した状態にしてもよいが、接続する期間と切断する期間とを交互に繰り返してもよい。このように接続と切断とを繰り返すことによって、膜切れを低減しながら溶液Ｌ１の供給量を調整することができ、より厚い塗布膜を形成しやすくなる。
【符号の説明】
【００５７】
１：塗布装置
４：塗布対象物
２４、１２４：吐出部
２４Ａ、１２４Ａ：本体部
２４Ｂ、１２４Ｂ：第１端部
２４Ｃ、１２４Ｃ：第２端部
２４Ｄ、１２４Ｄ：第１絶縁部材
２４Ｅ、１２４Ｅ：第２絶縁部材
２４Ｓｏ、１２４Ｓｏ：吐出口
５１、１５１：第１接地線
５２、１５２：第２接地線
１５１Ｓ：第１スイッチ
１５２Ｓ：第２スイッチ
Ｌ１：溶液
【図１】
2015100790.tif 000003
【図２】
2015100790.tif 000004
【図３】
2015100790.tif 000005
【図４】
2015100790.tif 000006
【図５】
2015100790.tif 000007
【図６】
2015100790.tif 000008
【図７】
2015100790.tif 000009
【図８】
2015100790.tif 000010
【図９】
2015100790.tif 000011