(57)【要約】      （修正有）【課題】端部が十分に接着された回路形成用支持基板、それを用いたプリント配線板、及びその製造方法を提供する。【解決手段】絶縁樹脂層５が、支持体２上に配置された接着樹脂層３に、該支持体２及び接着樹脂層３より小さいサイズのキャリア付銅箔４を介して接着された回路形成用支持基板１、又は絶縁樹脂層５が、支持体２上に配置された接着樹脂層３に、該支持体２及び接着樹脂層３より小さいサイズの金属箔８を２枚以上介して接着された回路形成用支持基板１、それを用いたプリント配線板、及びその製造方法である。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁樹脂層が、支持体上に配置された接着樹脂層に、該支持体及び接着樹脂層より小さいサイズのキャリア付銅箔を介して接着された回路形成用支持基板。
【請求項２】
絶縁樹脂層が、支持体上に配置された接着樹脂層に、該支持体及び接着樹脂層より小さいサイズの金属箔を２枚以上介して接着された回路形成用支持基板。
【請求項３】
前記支持体が金属張積層板である請求項１又は２に記載の回路形成用支持基板。
【請求項４】
前記支持体が金属箔である請求項１又は２に記載の回路形成用支持基板。
【請求項５】
請求項１〜４に記載の回路形成用支持基板を用いて製造されるプリント配線板
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、回路形成用支持基板、それを用いたプリント配線板、及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、電子機器の小型化、軽量化、多機能化が一段と進み、これに伴い、配線の高集積化と小型化が急速に進み、プリント配線板の薄型化が進んでいる。これに対応するため、従来では、仮基板の上に剥離できる状態で、配線層を形成した後に、仮基板から分離してプリント配線板を得るコアレス工法がある。
【０００３】
特許文献１には、銅張積層板と、該銅張積層板の両面の銅箔上に直接配置され、前記銅張積層板及び銅張積層板の銅箔より一回り小さいサイズの銅箔と、該銅箔より大きいサイズとなる絶縁樹脂層とを有する回路形成用支持基板（コアレス工法用基板）を用いてプリント配線板を得る方法が記載されている。
【特許文献１】特許第５０２９９１１号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかし、特許文献１に記載の回路形成用支持基板において、より薄いプリント配線板を製造するために絶縁樹脂層に使用するプリプレグを薄くした場合や、使用するプリプレグの樹脂分を少なくした場合、接着部分の絶縁樹脂が不足し、銅張積層板と絶縁樹脂層（プリプレグ）とが十分に接着されないことがある。そうすると、プリント配線板の製造工程で、接着が不足した端部からめっき液やエッチング液が浸み込んでしまう場合がある。
【０００５】
また、絶縁樹脂層と銅張積層板との間に配置する一回り小さいサイズの銅箔の厚みが、絶縁樹脂層に使用するプリプレグより厚くなった場合、絶縁樹脂層の樹脂が不足するため、銅箔の高さを埋め込むことが困難となり、一回り小さいサイズの銅箔の端部が十分に保護されなくなることがある。
【０００６】
本発明は、このような事情に鑑み為されたものであり、その目的は、端部が十分に接着された回路形成用支持基板、それを用いたプリント配線板、及びその製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明者らは上記の課題を解決すべく検討を進めた結果、下記本発明により当該課題を解決できることを見出した。
すなわち、本発明は、次の［１］〜［５］を提供する。
［１］絶縁樹脂層が、支持体上に配置された接着樹脂層に、該支持体及び接着樹脂層より小さいサイズのキャリア付銅箔を介して接着された回路形成用支持基板。
［２］絶縁樹脂層が、支持体上に配置された接着樹脂層に、該支持体及び接着樹脂層より小さいサイズの金属箔を２枚以上介して接着された回路形成用支持基板。
［３］前記支持体が金属張積層板である［１］又は［２］の回路形成用支持基板。
［４］前記支持体が金属箔である［１］又は［２］の回路形成用支持基板。
［５］上記［１］〜［４］の回路形成用支持基板を用いて製造されるプリント配線板。
【発明の効果】
【０００８】
本発明によれば、端部が十分に接着された回路形成用支持基板、それを用いたプリント配線板、及びその製造方法を提供することができる。
【発明を実施するための形態】
【０００９】
以下、本発明の実施形態について詳細に記載する。
本発明の回路形成用支持基板の第１の形態は、絶縁樹脂層が、支持体上に配置された接着樹脂層に、該支持体及び接着樹脂層より小さいキャリア付銅体を介して接着されたものである。
図１には、本発明の回路形成用支持基板の第１の形態の一例を示す。本発明の回路形成用支持基板の第１の形態としては、例えば、支持体２に銅張積層板を使用し、その両側に、接着樹脂層３としてプリプレグを配置し、さらに支持体２及び接着樹脂層３よりも小さいサイズの銅箔４（キャリア付銅箔）を配し、絶縁樹脂層５としてプリプレグと、外層に相当する銅箔６を配置し、加熱加圧により接着積層することで製造できる。
【００１０】
支持体２、接着樹脂層３及び絶縁樹脂層５が銅箔４の４辺の端部で接着されるように、銅箔４は支持体２、接着樹脂層３及び絶縁樹脂層５の中心近傍へ配置することが好ましい。また、銅箔４のサイズは、支持体２のサイズより縦横方向とも１０ｍｍ以上小さいことが好ましい。接着樹脂層３、絶縁樹脂層５及び銅箔６のサイズは、支持体２よりも大きいことが好ましい。
【００１１】
回路形成用支持基板の加熱加圧による接着積層後、回路形成用支持基板の端面を裁断する際は、銅箔４の端面よりも１辺当たり５ｍｍ以上外側で裁断されることが好ましい。
【００１２】
絶縁樹脂層と銅箔との良好なピール強度を得る観点からは、銅箔４の粗化面が絶縁樹脂層５へ接着するように配置することが好ましい。また、支持体２と接着樹脂層３との接着強度を高めるため、支持体２の銅箔表面にこぶ状の電着物層（浴にやけめっきといわれる）を形成する処理や、酸化処理、還元処理、及びエッチング等を行ってもよい。
【００１３】
支持体２として使用する基板としては、特に限定されるものではないが、樹脂基板、金属張積層板、金属板、金属箔等の基板を使用することができる。これらの中でも銅張積層板を用いることが好ましい。銅張積層板も特に限定されるものではないが、例えば、プリプレグ、フィルム材、及び金属板の両面に接着剤を配置した基材等の両面に、銅箔を配置し、加熱加圧接着した銅張積層板が挙げられる。
【００１４】
支持体２、接着樹脂層３、及び絶縁樹脂層５に使用されるプリプレグは、絶縁樹脂組成物を基材に含浸又は塗工してなるものである。
基材としては、各種の電気絶縁材料用積層板に用いられる公知のものが使用できる。基材としては、例えば、Ｅガラス、Ｄガラス、Ｓガラス、及びＱガラス等の無機物繊維、ポリイミド、ポリエステル、及びテトラフルオロエチレン等の有機繊維、並びにそれらの混合物などが挙げられる。これらの基材の形状は、例えば、織布、不織布、ロービンク、チョップドストランドマット、サーフェシングマット等の形状が挙げられる。
基材の材質及び形状は、目的とする成形物の用途や性能により選択することができる。また、必要に応じて、単独又は２種類以上の材質及び形状を組み合わせて使用してもよい。
基材の厚みは特に限定されるものではないが、通常０．０３〜０．５ｍｍ程度のものを使用することができる。また、シランカップリング剤等で表面処理したものや機械的に開繊処理を施したものは、耐熱性、耐湿性、及び加工性の面から好適である。
【００１５】
プリプレグに用いられる絶縁樹脂組成物としては、特に限定されるものではなく、プリント配線板の絶縁材料として用いられる公知の樹脂組成物を用いることができる。絶縁樹脂組成物に配合される樹脂成分としては、例えば、耐熱性、及び耐薬品性の良好な熱硬化性樹脂が挙げられる。熱硬化性樹脂としては、特に限定されるものではなく、例えば、フェノール樹脂、エポキシ樹脂、シアネート樹脂、マレイミド樹脂、イソシアネート樹脂、ベンゾシクロブテン樹脂、ビニール樹脂等が挙げられる。これらは、１種類を単独で用いても、２種類以上を混合して用いてもよい。
さらに、絶縁樹脂組成物には、必要応じて、無機充填剤、有機充填剤、硬化剤、硬化促進剤、着色剤、紫外線不透過剤、酸化防止剤、及び還元剤等の各種添加剤を配合してもよい。
基材に対する絶縁樹脂組成物の付着量が、乾燥後のプリプレグの樹脂含有率で２０〜９０％となるように基材に含浸又は塗工した後、通常１００〜２００℃の温度で１〜３０分加熱乾燥し、半硬化状態（Ｂステージ状態）のプリプレグを得ることができる。
【００１６】
銅箔４は、銅箔厚みが１μｍ以上のキャリア付銅箔を用いることが好ましい。キャリア付銅箔とは、キャリアを有する銅箔であり、キャリアが引き剥がし可能な銅箔である。キャリア付銅箔は、例えば、厚さ１０〜５０μｍのキャリア上に剥離層となる金属酸化膜又は有機物層を形成し、その上に硫酸銅浴であれば硫酸５０〜１００ｇ／Ｌ、銅３０〜１００ｇ／Ｌ、液温２０〜８０℃、電流密度０．５〜１００Ａ／ｄｍ２の条件、ピロリン酸銅浴の場合、ピロリン酸カリウム１００〜７００ｇ／Ｌ、銅１０〜５０ｇ／Ｌ、液温３０〜６０℃、ｐＨ８〜１２、電流密度０．５〜１０Ａ／ｄｍ２の条件で厚さ０．１〜３．０μｍの銅箔を形成し製造することができる。
穴明け性の観点からは、キャリアは銅、ニッケル、錫、亜鉛、クロム、モリブデン、コバルト、又はそれらの合金を用いることが好ましい。
【００１７】
銅箔６としては、特に限定されるものではないが、前述のキャリア付銅箔やＪＩＳＢ０６０１に示す１０点の平均粗さ（Ｒｚ）が２．０μ〜５．０μｍのものを用いることが好ましい。銅箔の製造条件としては、例えば、硫酸銅浴の場合、硫酸５０〜１００ｇ／Ｌ、銅３０〜１００ｇ／Ｌ、液温２０〜８０℃、電流密度０．５〜１００Ａ／ｄｍ２の条件、ピロリン酸銅浴の場合、ピロリン酸カリウム１００〜７００ｇ／Ｌ、銅１０〜５０ｇ／Ｌ、液温３０〜６０℃、ｐＨ８〜１２、電流密度０．５〜１０Ａ／ｄｍ２の条件で製造することができる。また、銅の物性や平滑性を考慮して各種添加剤を用いてもよい。
【００１８】
次に、本発明の回路形成用支持基板の第２の形態について説明する。
本発明の回路形成用支持基板の第２の形態は、絶縁樹脂層が、支持体上に配置された接着樹脂層に、該支持体及び接着樹脂層より小さいサイズの金属箔を２枚以上介して接着されたものである。
図２には、本発明の回路形成用支持基板の第２の形態の一例を示す。本発明の回路形成用支持基板の第２の形態としては、例えば、支持体７に両面粗化銅箔を使用し、その両側に、接着樹脂層３としてプリプレグを配置し、さらに支持体７及び接着樹脂層３よりも小さいサイズの銅箔８をそれぞれの光沢面が向かい合うように２枚配し、絶縁樹脂層５としてプリプレグと、外層に相当する銅箔６を配置し、加熱加圧により接着積層することで製造することができる。
【００１９】
支持体７、接着樹脂層３及び絶縁樹脂層５が銅箔８の４辺の端部で接着されるように、銅箔８は支持体７、接着樹脂層３及び絶縁樹脂層５の中心近傍へ配置することが好ましい。また、銅箔８のサイズは、支持体７のサイズより縦横方向とも１０ｍｍ以上小さいことが好ましい。また、接着樹脂層３、絶縁樹脂層５及び銅箔６のサイズは、支持体７よりも大きいことが好ましい。
【００２０】
回路形成用支持基板の加熱加圧による接着積層後、回路形成用支持基板の端面を裁断する際は、銅箔８の端面よりも１辺当たり５ｍｍ以上外側で裁断されることが好ましい。
【００２１】
絶縁樹脂層と銅箔との良好なピール強度を得る観点から、銅箔８の粗化面が絶縁樹脂層５及び接着樹脂層３へ各々接着するように配置することが好ましい。また、支持体７と接着樹脂層３の接着強度を高めるため、支持体７の表面は、両面とも粗化処理を施すことが好ましい。
【００２２】
支持体７は、特に限定されるものではなく、樹脂基板、金属張積層板、金属板、金属箔等の基板を使用することができる。
【００２３】
銅箔８は、ＪＩＳＢ０６０１に示す１０点の平均粗さ（Ｒｚ）が２．０μｍ〜５．０μｍのものを用いるのが好ましい。このような銅箔の製造条件としては、例えば、硫酸銅浴の場合、硫酸５０〜１００ｇ／Ｌ、銅３０〜１００ｇ／Ｌ、液温２０〜８０℃、電流密度０．５〜１００Ａ／ｄｍ２の条件、ピロリン酸銅浴の場合、ピロリン酸カリウム１００〜７００ｇ／Ｌ、銅１０〜５０ｇ／Ｌ、液温３０〜６０℃、ｐＨ８〜１２、電流密度０．５〜１０Ａ／ｄｍ２の条件で製造することができる。また、銅の物性や平滑性を考慮して各種添加剤を用いてもよい。
【実施例】
【００２４】
以下、図３、図４に示す実施例により本発明を説明するが、これらの実施例は本発明を制限するものではない。
第１の実施例として図３では、両面に厚さ１８μｍの銅箔を有する公称厚み０．１ｍｍ、サイズ６１４×５１４ｍｍの支持体２（銅張積層板）の両面に、公称厚み０．１ｍｍ、サイズ６２５×５２５ｍｍの接着樹脂層３（プリプレグ）を１枚、支持体２の中心近傍に配置し基板１０とした。
【００２５】
基板１０の両面に、厚さ５μｍの極薄銅箔に厚さ１８μｍのキャリア銅箔が貼り合わされた、サイズ５８０×４８０ｍｍの銅箔４（キャリア付銅箔）を、基板１０の中心近傍に、且つ銅箔４のキャリア銅箔面が接着樹脂層３に対向するよう配置し、基板２０とした。
【００２６】
基板２０の両面に、公称厚み０．０２ｍｍ、サイズ６２５×５２５ｍｍの絶縁樹脂層５を重ね、さらに銅箔６として、厚さ５μｍの極薄銅箔に厚さ１８μｍのキャリア銅箔が貼り合わされた、サイズ６５０×５５０ｍｍのキャリア付銅箔を、厚さ５μｍの極薄銅箔が絶縁樹脂層５と接着するように構成し、真空プレスを実施した。プレス後、６０７×５０８ｍｍのサイズとなるよう端部を裁断し、基板３０（回路形成用支持基板）とした。
【００２７】
基板３０に、基板２０との接続をとるための非貫通孔設置場所となる部分にコンフォーマルマスクを形成し、基板４０とした。
【００２８】
基板４０の両面に、炭酸ガスレーザー加工機によって、１穴ずつ非貫通穴を形成し、基板５０とした。
【００２９】
基板５０にデスミア処理を施し、無電解銅めっきにて厚み０．４〜０．８μｍのめっきをした後、電解銅めっきにて厚み１５〜２０μｍのめっきを実施し、基板６０とした。これにより、基板２０（銅箔４）と基板３０（銅箔６）とが、非貫通孔によって電気的に接続されたことになる。
【００３０】
基板６０において、基板２０における銅箔４の配置範囲内において、サイズ５４０×４４０ｍｍとなるようにルータ加工機にて裁断し、基板１０から分離し、層間接続された絶縁樹脂基板（基板７０）を得た。
【００３１】
基板７０の表面の整面を実施し、ドライフィルムレジストをラミネートした。その後、回路パターンを焼付け、レジスト現像、エッチング、レジスト除去によって配線パターンを形成し、基板８０とした。
【００３２】
基板８０に対しソルダーレジスト形成、金めっき仕上げを行い、パターンサイズに切断加工を施すことにより、基板９０を得た。
【００３３】
第２の実施例として図４では、厚さ３５μｍ、サイズ６１４×５１４ｍｍの支持体７（両面粗化銅箔）の両面に、公称厚み０．１ｍｍ、サイズ６２５×５２５ｍｍの接着樹脂層３（プリプレグ）を１枚、支持体７の両面に配置し基板１５とした。
【００３４】
基板１５の両面に、厚さ１２μｍ、サイズ５８０×４８０ｍｍの銅箔８をそれぞれの光沢面を向かい合わせた状態で２枚、基板１０の中心近傍に配置し、基板２５とした。
【００３５】
基板２５の両面に、公称厚み０．０２ｍｍ、サイズ６２５×５２５ｍｍの絶縁樹脂層５（プリプレグ）を配置し、さらに銅箔６として、厚さ５μｍの極薄銅箔に厚さ１８μｍのキャリア銅箔が貼り合わされた、サイズ６５０×５５０ｍｍのキャリア付銅箔を、５μｍの極薄銅箔が絶縁樹脂層５と接着するように構成し、真空プレスを実施した。プレス後、６０７×５０８ｍｍのサイズとなるよう端部を裁断し、基板３５（回路形成用支持基板）とした。
【００３６】
基板３５に、基板２５との接続をとるための非貫通孔設置場所となる部分にコンフォーマルマスクを形成し、基板４５とした。
【００３７】
基板４５の両面に、炭酸ガスレーザー加工機によって、１穴ずつ非貫通穴を形成し、基板５５とした。
【００３８】
基板５５にデスミア処理を施し、無電解銅めっきにて厚さ０．４〜０．８μｍのめっきをした後、電解銅めっきにて厚さ１５〜２０μｍのめっきを実施し、基板６５とした。これにより、基板２５（銅箔８）と基板３５（銅箔６）とが、非貫通孔によって電気的に接続されたことになる。
【００３９】
基板６５において、基板２０における銅箔８の配置範囲内において、サイズ５４０×４４０ｍｍとなるよう、ルータ加工機にて裁断することにより、基板１５から分離し、層間接続された絶縁樹脂基板を、基板７５とした。
【００４０】
基板７５の表面の整面を実施し、ドライフィルムレジストをラミネートした。その後、回路パターンを焼付け、レジスト現像、エッチング、レジスト除去によって配線パターンを形成し、基板８５とした。
【００４１】
基板８５に対しソルダーレジスト形成、金めっき仕上げを行い、パターンサイズに切断加工を施すことにより、基板９５を得た。
【００４２】
本発明の第１及び２の実施例で製造した回路形成用支持基板は、いずれも端部が十分に接着されており、めっき液やエッチング液の浸み込みを防止することができた。
【図面の簡単な説明】
【００４３】
【図１】本発明の回路形成用支持基板の第１の形態の説明図
【図２】本発明の回路形成用支持基板の第２の形態の説明図
【図３】第１の実施例の説明図
【図４】第２の実施例の説明図
【符号の説明】
【００４４】
１  回路形成用支持基板
２  支持体（銅張積層板）
３  接着樹脂層
４  銅箔（キャリア付銅箔）
５  絶縁樹脂層
６  銅箔
７  支持体（銅箔両面粗化）
８  銅箔
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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