(57)【要約】【課題】装置の小型化を図ることができつつも、所定の電力を得ることができる発電装置を提供する。【解決手段】光及び熱を受けて電子を放出するエミッタ１と、前記エミッタ１から放出された電子を捕獲するコレクタ２とを有する光熱発電素子３を備え、エミッタ‐コレクタ間で発電する発電装置において、太陽光Ｌを１０倍以上１００倍以下の集光率で集光してエミッタ１に照射する集光照射手段４と、エミッタ１の温度を６５０Ｋ以上に加熱する加熱手段７とを備え、エミッタ１を構成する半導体のバンドギャップが０．８ｅＶ以上１．６ｅＶ以下に選択されている。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
光及び熱を受けて電子を放出するエミッタと、前記エミッタから放出された電子を捕獲するコレクタとを有する光熱発電素子を備え、エミッタ‐コレクタ間で発電する発電装置であって、
太陽光を１０倍以上１００倍以下の集光率で集光して前記エミッタに照射する集光照射手段と、
前記エミッタの温度を６５０Ｋ以上に加熱する加熱手段とを備え、
前記エミッタを構成する半導体のバンドギャップが、０．８ｅＶ以上１．６ｅＶ以下に選択されている発電装置。
【請求項２】
前記集光照射手段は、前記太陽光を４０倍以上６０倍以下の範囲内の集光率で集光し、
前記加熱手段は前記エミッタの温度を７８０Ｋ以上８８０Ｋ以下に加熱する請求項１に記載の発電装置。
【請求項３】
前記エミッタがシリコンＳｉ、ガリウムヒ素ＧａＡｓ、リン化インジウムＩｎＰから選択される一種以上である請求項１又は２に記載の発電装置。
【請求項４】
前記加熱手段の熱源が、燃料を燃焼させて発生する排ガスである請求項１から３の何れか１項に記載の発電装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、光及び熱を受けて電子を放出するエミッタと、前記エミッタから放出された電子を捕獲するコレクタとを有する光熱発電素子を備え、エミッタ‐コレクタ間で発電する発電装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
下記の非特許文献１には、光電変換と熱電子発電を組み合わせた光励起熱電子放出 (Photon Enhanced Thermionic Emission：ＰＥＴＥ) により発電する発電装置が開示されている。
この発電装置は、半導体で構成されたエミッタに集光した太陽光が照射されるように構成され、太陽光の短波長域の光を半導体中の光励起に、長波長領域の光を半導体の加熱に利用することで、光励起と加熱との相乗効果によりエミッタから電子を放出するとともに、放出された電子を捕獲するコレクタとを有する光熱発電素子（ＰＥＴＥ素子）を備えている。また、この文献に記載の発電装置では、太陽光のみを発電のエネルギ源として使用しており、エミッタに照射する太陽光の集光率を例えば１０００倍以上とすることで、所定の電力を得ている。
【先行技術文献】
【非特許文献】
【０００３】
【非特許文献１】J.W.Schwede, I.Bargatin, D.C.Riley, B.E.Hardin, S.J.Rosenthal, Y.Sun, F.Schmitt, P.Pianetta, R.T.Howe, Z.-X.Shen, N.A.Melosh, "Photon Enhanced Thermionic Emission for Solar Concentrator Systems," Nature Materials 9, 762-767, (2010)
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、上記非特許文献１の発電装置において、所定の電力を得るためには、太陽光の集光率を１０００倍以上にすることが必要となる。よって、このような集光率を実現する大型の集光装置が必要となり、発電装置が大型化するという問題がある。さらに、悪天候等で十分な太陽光が得られない場合では、安定して発電出力が得られないという問題がある。
【０００５】
本発明は、かかる点に着目してなされたものであり、その目的は、装置の小型化を図ることができつつも、所定の電力を得ることができる発電装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
この目的を達成するための本発明に係る発電装置は、
光及び熱を受けて電子を放出するエミッタと、前記エミッタから放出された電子を捕獲するコレクタとを有する光熱発電素子を備え、エミッタ‐コレクタ間で発電する発電装置であって、その第１特徴構成は、
太陽光を１０倍以上１００倍以下の集光率で集光して前記エミッタに照射する集光照射手段と、
前記エミッタの温度を６５０Ｋ以上に加熱する加熱手段とを備え、
前記エミッタを構成する半導体のバンドギャップが、０．８ｅＶ以上１．６ｅＶ以下に選択されている点にある。
【０００７】
上記発電装置の第１特徴構成によれば、集光照射手段と加熱手段との両方が備えられる。そして、これら両方の手段から電子（熱電子）の発生側となるエミッタに太陽光エネルギと熱エネルギとの両方を与える。従って、本願に係る発電装置でも光熱発電の原理に基づいて、これら両方の手段によりエミッタに与えられるエネルギを利用して発電を行なうこととなる。しかしながら、発明者らの検討によれば、本願のように低い集光率（１０倍以上１００倍以下）でエミッタに比較的少ない（従来の１０００倍よりは遥かに少ない）太陽光エネルギを供与するとともに、熱エネルギを別途エミッタに供与する場合は、後に図２、図３で詳細に説明するように、同等の太陽光の集光状態（率）を維持した場合と比較して、比較的制限されたバンドギャップの範囲でしか所定の発電出力（発電効率）が得られないことが見いだされた。
【０００８】
詳細に説明すると、本願構成では、太陽光の集光率が比較的低い１０倍以上１００倍以下とするので、先ずもって集光照射手段の小型化ひいては装置の小型化を図ることができる。
【０００９】
さらに、本特徴構成によれば、エミッタを構成する半導体のバンドギャップを０．８ｅＶ以上１．６ｅＶ以下に選択する。
【００１０】
本願において、このようなバンドギャップの材料をエミッタの材料として選択する理由を、図２・図３に基づいて説明する。
【００１１】
図２は、太陽光の集光率を５０倍とした場合の、バンドギャップと発電出力との関係を示す図であり、エネルギ源を、太陽光のみに依存する場合（太陽光Ｌ（比較例）と記載）と、加熱手段からの熱供与を伴った場合（太陽光Ｌ+排ガスＥと記載）を比較したものである。ここで、前者の例として、加熱手段を使用しない場合の発電出力を示し、後者の例として、加熱手段を使用してエミッタの環境温度を７００Ｋとする場合の発電出力を示した。なお、エミッタの環境温度とはエミッタが位置する周囲の温度のことである。そして、上述の如く、エミッタには集光照射手段により太陽光のエネルギが与えられているので、後者の例では、エミッタの温度は７００Ｋ以上の温度となる。よって、環境温度が上昇すればするほど、エミッタの温度が上昇して発電出力は向上する。
ここで、後者の例のように、エミッタの環境温度を７００Ｋに想定した理由は、エミッタの環境温度を上昇させる加熱手段の熱源として、例えば、エンジンやボイラ等から排出される６５０Ｋ〜７５０Ｋ程度の温度を有する燃焼排ガスが比較的容易に入手可能であり、このような排熱を利用してエミッタを加熱することができるためである。
また、このような６５０Ｋ〜７５０Ｋ程度の燃焼排ガスを利用することでエミッタの温度を６５０Ｋ以上に加熱することができる。
【００１２】
図３は、太陽光の集光率を１０倍とした場合の、バンドギャップと発電出力との関係を示す図であり、太陽光のみに依存する場合（太陽光Ｌ（比較例）と記載）と、加熱手段からの熱供与を伴った場合（太陽光Ｌ+排ガスＥと記載）を比較したものである。図２と同様に、前者の例として、加熱手段を使用しない場合の発電出力を示し、後者の例として、加熱手段を使用してエミッタの環境温度を７００Ｋとする場合の発電出力を示した。
【００１３】
これらの結果を参照すると、太陽光の集光率を１０倍とする場合（図３）は、検討対象としたいずれのバンドギャップにおいても、加熱手段から熱の供給を受けることで、太陽光単体で発電を行なう場合より高い発電出力を得ることができる。さらに、太陽光単独の場合は比較的広い範囲のバンドギャップ（０．７５ｅＶ〜２．０ｅＶ）に亘って、ほぼ同程度の比較的低い発電出力が得られることとなっている。
【００１４】
一方、加熱手段からの熱供与を伴う場合は、発電出力とバンドギャップとに強い相関が現れ、太陽光単独の場合に比べて、先に示した広い範囲のバンドギャップ内の中間付近のバンドギャップで発電出力が高くなる領域が現れる。そして、発電出力を高くできるバンドギャップの領域は、ほぼ０．８ｅＶから１．６ｅＶとなる。
【００１５】
太陽光の集光率を５０倍とする場合（図２）は、加熱手段から熱の供給を受けることで、太陽光単体で発電を行なう場合より高い発電出力を得ることができる特定のバンドギャップが出現する。このようなバンドギャップは、これまで説明してきた０．８ｅＶから１．６ｅＶとなっている。
さらに、発明者らの検討では、太陽光の集光率を１００倍程度まで上昇させた場合も、この傾向は維持された。
【００１６】
よって、光熱発電素子を備えた発電装置において、エミッタ構成材料のバンドギャップの範囲を、０．８ｅＶから１．６ｅＶに選択することで、そのエネルギ供給源を、比較的低い集光率の太陽光と、エミッタの温度を６５０Ｋ以上に加熱できる入手可能な加熱源（本願にいうところの加熱手段）との両方として、太陽光のみをエネルギ源とする構成より高い発電出力（発電効率）を得ることができる。
【００１７】
本発明に係る発電装置の第２特徴構成は、上記第１特徴構成に加えて、
前記集光照射手段は、前記太陽光を４０倍以上６０倍以下の範囲内の集光率で集光し、
前記加熱手段は前記エミッタの温度を７８０Ｋ以上８８０Ｋ以下に加熱する点にある。
【００１８】
上記発電装置の第２特徴構成によれば、太陽光の集光率が４０倍以上６０倍以下（概略５０倍）とされているので、集光照射手段の小型化を図ることができる。また、加熱手段はエミッタの温度を７５０Ｋ以上９００Ｋ以下に加熱するので、エミッタに充分熱エネルギを与えて、エミッタからの熱電子の放出を促進することができる。結果、発電出力をより高くできる。一方、７５０Ｋ以上９００Ｋ以下の温度範囲は一般的な半導体の融点に比べると十分低い温度であるので、エミッタを加熱しすぎることを防止して、エミッタの寿命及び動作安定性を向上させることができる。
【００１９】
本発明に係る発電装置の第３特徴構成は、上記第１乃至第２特徴構成に加えて、
前記エミッタがシリコンＳｉ、ガリウムヒ素ＧａＡｓ、リン化インジウムＩｎＰから選択される一種以上であることにある。
【００２０】
上記発電装置の第３特徴構成によれば、シリコンＳｉ、ガリウムヒ素ＧａＡｓ、ガリウムアンチモンＧａＳｂは、いずれも本願において好適とするバンドギャップの範囲内の材料であるため、本願の目的に適合してこれらの材料をエミッタに採用できる。
また、シリコンは安価で強度を有するので、シリコンをエミッタの材料として使用することで、エミッタを安価且つ高強度に構成することができる。また、毒性を有さず安全に使用することができる。ガリウムヒ素は加工性に優れるので、エミッタを容易に形成することができる。そして、リン化インジウムは、電子移動度、電子飽和速度および電子濃度が高いので、発電出力（発電効率）を向上させることができる。
【００２１】
本発明に係る発電装置の第４特徴構成は、上記第１乃至第３特徴構成に加えて、
前記加熱手段の熱源が、燃料を燃焼させて発生する排ガスである点にある。
【００２２】
上記発電装置の第４特徴構成によれば、燃料の燃焼により発生される排ガスは通常６５０Ｋ以上の温度となっているため、例えば、エンジン又はボイラの運転により発生される排ガスを熱源として、エミッタを６５０Ｋ以上の適切な温度に加熱することができる。
【図面の簡単な説明】
【００２３】
【図１】本発明に係る発電装置を示す概略立面図
【図２】集光率が５０倍の時のバンドギャップと発電出力との関係を示す図
【図３】集光率が１０倍の時のバンドギャップと発電出力との関係を示す図
【図４】集光率が５０倍の時のバンドギャップとエミッタ温度との関係を示す図
【発明を実施するための形態】
【００２４】
以下、本発明の発電装置の実施形態について図１に基づいて説明する。
図１に示すように、発電装置Ｓは、対向配置された電極であるエミッタ１とコレクタ２との間を移動する熱電子を利用して光エネルギ及び熱エネルギを電気エネルギに変換して負荷５に電力を供給する光熱発電素子３を備えている。
そして、光熱発電素子３のエミッタ側には、エミッタ１に太陽光Ｌを集光して照射する集光照射手段としての集光レンズ４と、エミッタ１の太陽光受光面側に向けて高温の排ガスＥを供給する加熱手段としての高温排ガス放出管７とが備えられている。また、光熱発電素子３のコレクタ側には、コレクタ２を冷却可能な熱交換部としての冷却水通路８が設けられている。
【００２５】
以下、発電装置Ｓの各構成について説明する。
集光照射手段としての集光レンズ４は、樹脂やガラスにより構成された凸面状のレンズである。集光レンズ４は、太陽光Ｌを５０倍の集光率で集光することができるものであり、光熱発電素子３の太陽光入射側に図示しない固定手段により固定されて設けられている。
【００２６】
光熱発電素子３は、光エネルギにより光励起され且つ熱エネルギにより加熱されることにより熱電子を放出するエミッタ１と、当該エミッタ１と離間して対向配置されエミッタ１から放出した熱電子を捕獲するコレクタ２とを有する。エミッタ１とコレクタ２とは真空空間Ｖに配置されている。具体的には、エミッタ１はシリコンＳｉ、ガリウムヒ素ＧａＡｓ、リン化インジウムＩｎＰから選択される一種以上で構成されており、コレクタ２はリンドープダイヤモンド(phosphorus-doped diamond)で構成され、ともに板状に形成されている。エミッタ１は、熱電子を放出する熱電子放出面１ａを備え、コレクタ２は、エミッタ１から放出された熱電子を捕獲する熱電子捕獲面２ａを備えており、熱電子放出面１ａと熱電子捕獲面２ａとが互いに平行になるように真空空間Ｖに配設されている。
【００２７】
従って、本実施形態では、集光レンズ４による太陽光Ｌのエミッタ１への照射に加え、後述の高温排ガス放出管７から排出する高温の排ガスＥによりエミッタ１を加熱することで光エネルギ及び熱エネルギをエミッタ１に与える状態で、排ガスＥにより与えられた熱エネルギにより効果的にエミッタ１からの熱電子の放出が促進され、高い出力電流を得ることができる。この点に関しては、先に図２、図３に基づいて説明したとおり、例えば、集光レンズ４により太陽光Ｌを集光してエミッタ１に照射するだけの場合よりも、高い発電電力を得ることができる。
【００２８】
そして、エミッタ１及びコレクタ２との間に接続された導線部６に負荷５が設けられている。光熱発電素子３から出力された電力が導線部６を介して負荷５に供給される。
【００２９】
以下、発電装置Ｓにおける熱的構成に関してさらに、詳細に説明すると、光熱発電素子３のエミッタ１の太陽光受光面側には、エミッタ１を加熱する加熱手段としての高温排ガス放出管７が設けられている。これにより、６５０Ｋ以上の排ガスＥをエミッタ１と接触させて熱エネルギをエミッタ１に与えて、エミッタ１から放出される熱電子を増加させることができる。この高温排ガス放出管７は、例えば、都市ガス等を燃料として使用するガスエンジン（図示せず）から排出された高温の排ガスＥをエミッタ１に向けて排出するものである。
【００３０】
光熱発電素子３のコレクタ２側には、コレクタ２を冷却可能な熱交換部としての冷却水通路８が設けられている。この冷却水通路８はコレクタ２の非エミッタ側に設けられ、冷却水通路８内を流れる冷却水Ｗによってコレクタ２が冷却される。コレクタ２を冷却することで加熱された冷却水Ｗは、図示しない温水供給手段等に供給されて有効に使用される。
【００３１】
〔好適なバンドギャップ範囲の検討〕
以下、先に本願の説明に使用した図２、図３について説明する。
これらの図面は、エミッタ１を構成することとなる構成材料のバンドギャップ〔ｅＶ〕と発電出力Ｐ〔Ｗ／ｍ2〕との関係を示す図面であり、太陽光Ｌの集光率に関しては、図２において５０倍を、図３において１０倍を前提としている。さらに、エミッタ１の太陽光受光面側の環境温度（実際は排ガスＥの温度）としては７００Ｋを前提とした。一方、コレクタの温度は５００Ｋとした。
【００３２】
バンドギャップと発電出力Ｐ（発電出力Ｐは、下記手順に従って求められた最大出力Ｐｍａｘから求めた）との関係を求めるために使用した式を、以下に示す、所謂、エミッタのエネルギ収支式である（非特許文献１に記載の式（２１））。
【００３３】
〔数１〕
Ｐｎｅｔ，ｃ＝Ｐｓｕｎ
−σＴC4
−ｅｘｐ（（ＥF,n−ＥF,p）／ＫＴC−１）ＰBB
＋ＪA（φC＋２ｋＴA）
−ＪC（φC＋２ｋＴC）
＋Ｑ
【００３４】
この式において、各項は、以下の内容を表す。なお、以下のエミッタからの放射、及び、高温輻射発生体からの輻射は、黒体放射（黒体輻射）とみなした。また、コレクタからエミッタへの入力エネルギとは、コレクタから放出された電子がエミッタに捕集されたときに熱に変わるエネルギのことである。廃熱の熱量とは、排ガスＥがエミッタに与えた熱量である。
【００３５】
〔数２〕
Ｐｎｅｔ，ｃ                ：エミッタのエネルギ収支
Ｐｓｕｎ                    ：太陽光の光子エネルギ
σＴC4                      ：エミッタからの黒体放射エネルギ
ｅｘｐ（（ＥF,n−ＥF,p）／ＫＴC−１）ＰBB
：黒体放射によって出てくる電子のエネルギ
ＪA（φC＋２ｋＴA）         ：コレクタからエミッタへの入力エネルギ
ＪC（φC＋２ｋＴC）         ：エミッタの出力エネルギ
さらに、
ＥF,n                       ：電子の擬似フェルミエネルギ
ＥF,p                       ：正孔の疑似フェルミエネルギ
ＰBB                        ：黒体放射によって出てくる電子のエネルギ
ＪA，ＪC                    ：コレクタ及びエミッタの電流密度
φA，φC                    ：コレクタ及びエミッタの仕事関数
ＴA                         ：コレクタの温度
ＴC                         ：エミッタの温度
Ｑ                          ：廃熱の熱量
である。
【００３６】
以下、上記式を使用して、本願発明者が実施したバンドギャップをパラメータとして、発電出力の最大出力Ｐｍａｘを求める手順について説明する。
工程１    検討対象とするバンドギャップＥｇを仮定する。
工程２    検討対象とする電子親和力Ｅ＿Ａを仮定する。
工程３    工程１、工程２で仮定したバンドギャップＥｇ、及び電子親和力Ｅ＿Ａ、を使用して、エミッタに入射した光子（電子）の数と、放出された光子（電子）の数＋再結合した光子（電子）の数との和が０となるとの条件の下、エミッタのエネルギ収支式を使用して、エミッタのエネルギ収支Ｐｎｅｔ，ｃを求める。
【００３７】
本検討に当たり太陽光エネルギの集光倍率については１０倍、５０倍、１００倍を前提とするため固定とした。さらに、電子の擬似フェルミエネルギＥF,n、エミッタ温度ＴC、エミッタの電流密度ＪC、正孔の擬似フェルミエネルギＥF,pは可変とし、コレクタの電流密度ＪA、コレクタの温度ＴAを固定した。
【００３８】
引き続いて、
工程４    エミッタ温度ＴCを設定範囲で変化させて、工程３を繰り返し、Ｐｎｅｔ，ｃが最小となるエミッタ温度ＴCを求める。
この工程４を実行することで、検討対象としている状態のバンドギャップＥｇ、電子親和力Ｅ＿Ａ、エミッタ温度ＴCが決定される。
【００３９】
この系では、系に投入される太陽光の光子エネルギＰｓｕｎ、コレクタ及びエミッタの電流密度ＪA，ＪC及びコレクタ及びエミッタの仕事関数φA，φCが特定できるため、その値を使用して、以下の式に基づいて、検討対象としている状態での最大出力Ｐｍａｘを以下の式で求めた。
【００４０】
〔数３〕
Ｐｍａｘ＝（ＪC−ＪA）×（φC−φA）
【００４１】
以下、
工程５    電子親和力Ｅ＿Ａを設定範囲で変動させて、工程２〜工程４を繰り返し、発電出力が最大出力を示すパラメータ（電子親和力Ｅ＿Ａ、エミッタ温度ＴC）を求める。
そして、得られたパラメータ（電子親和力Ｅ＿Ａ、エミッタ温度ＴC）での最大出力Ｐｍａｘを、検討対象としているバンドギャップＥｇにおける素子の発電出力Ｐとした。
【００４２】
上記の条件で集光倍率５０倍として検討を行なったところ、検討対象としたバンドギャップ範囲内（０．５ｅＶから２ｅＶ）で、図４に示すように、エミッタ１の温度はバンドギャップの上昇に従って、概ね７７０Ｋ〜９３０Ｋまで上昇した。また、本願において、好ましいエミッタ１のバンドギャップの範囲とした０．８ｅＶから１．６ｅＶの範囲内では、概ね７８０Ｋ〜８８０Ｋまで上昇した。一方、電子親和力Ｅ＿Ａは、バンドギャップ０．７５ｅＶ未満で０．８ｅＶ、バンドギャップ０．７５ｅＶ以上で０．７ｅＶとなった。
【００４３】
そして、本願において、好ましいエミッタ１のバンドギャップの範囲とした０．８ｅＶから１．６ｅＶの範囲内にあるシリコンＳｉでは、そのバンドギャップが１．１２ｅＶであるため、エミッタ温度が８０６Ｋとなり、電子親和力が０．７ｅＶで最適化された。
【００４４】
この場合の上式における各項及び各パラメータの数値の一例を示すと、エミッタのエネルギ収支Ｐｎｅｔ，ｃは−４７Ｗ／ｍ2、太陽光の光子エネルギＰｓｕｎは４５００９Ｗ／ｍ2、エミッタのからの黒体放射エネルギσＴC4は２３９２９Ｗ／ｍ2、黒体放射によって出てくる電子のエネルギｅｘｐ（（ＥF,n−ＥF,p）／ＫＴC−１）ＰBBは２２６４Ｗ／ｍ2、コレクタからエミッタへの入力エネルギＪA（φC＋２ｋＴA）は４６１Ｗ／ｍ2、エミッタの出力エネルギＪC（φC＋２ｋＴC）は３２９３８Ｗ／ｍ2、排熱の熱量Ｑは１３６１４ Ｗ／ｍ2となる。
さらに、電子の擬似フェルミエネルギＥF,nは０．５９７３ｅＶ、正孔の擬似フェルミエネルギＥF,pは０．１０４９eＶ、黒体放射によって出てくる電子のエネルギＰBBは１．９７８６Ｗ／ｍ2、コレクタ電流密度ＪAは２６５．３４５７Ａ／ｍ2、エミッタ電流密度ＪCは１．７７９９Ａ／ｍ2、コレクタ仕事関数φAは０．９ｅＶ、エミッタの仕事関数φCは１．７１ｅＶとなる。
【００４５】
さらに、エミッタ１にＧａＡｓを採用した場合、そのバンドギャップが１．４２ｅＶであるため、エミッタ温度が８４９Ｋとなり、電子親和力が０．７ｅＶで最適化された。
従って、この状態で、効率よく発電することができる。
【００４６】
〔別実施形態〕
最後に、本発明の別実施形態について説明する。尚、以下に説明する各実施形態の構成は、夫々単独で適用されるものに限られず、矛盾が生じない限り、他の実施形態の構成と組み合わせて適用することも可能である。
【００４７】
（Ａ）上記実施形態では、高温排ガス放出管７から、ガスエンジンから排出された高温の排ガスＥをエミッタ１に向けて排出したが、これに限らず、ボイラから排出された高温の排ガスＥをエミッタ１に向けて排出するように構成してもよい。さらに、ガスバーナー、ガス給湯器又はガスストーブなどにおけるガスの燃焼排熱、及び、燃料電池の排熱を利用してエミッタ１を加熱する構成としてもよい。
【００４８】
（Ｂ）上記実施形態では、集光レンズ４を凸面状の集光レンズ４として太陽光Ｌを集光したが、これに限らず、集光レンズ４を平面状又は凹面状の鏡面体で構成した反射板として、太陽光Ｌを反射してエミッタ１に集光する構成としてもよい。
【産業上の利用可能性】
【００４９】
以上説明したように、装置の小型化を図ることができつつも、所定の電力を得ることができる発電装置を提供することができる。
【符号の説明】
【００５０】
１    エミッタ
２    コレクタ
３    光熱発電素子
４    集光レンズ（集光照射手段）
７    高温排ガス放出管（加熱手段）
８    冷却水通路
Ｌ    太陽光
Ｓ    発電装置
【図１】
2015220819.tif 000003
【図２】
2015220819.tif 000004
【図３】
2015220819.tif 000005
【図４】
2015220819.tif 000006