(57)【要約】【課題】裏面を研磨したウエハ等のような薄基板に生じた“うねり”や“反り”を矯正することが可能な薄基板の矯正方法を提供すること。【解決手段】支持基板上に接着剤によって仮接着されている被処理基板の裏面を後退させた薄基板を準備し（ステップ１）薄基板を仮接着した支持基板を、下部プレートと上部プレートとの間に挟み（ステップ３）、薄基板を仮接着した支持基板を下部プレートと上部プレートとによって吸着しつつ押圧し（ステップ４）、薄基板を仮接着した支持基板を下部プレートと上部プレートとによって吸着および押圧しつつ、接着剤の軟化温度以上の温度帯に昇温し（ステップ５）、薄基板を仮接着した支持基板を下部プレートと上部プレートとによって吸着および押圧しつつ、接着剤の軟化温度未満の温度帯に降温する（ステップ６）。【選択図】図５
2015079832.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
（１）  支持基板上に接着剤によって仮接着されている被処理基板の裏面を後退させた薄基板を準備する工程と、
（２）  前記薄基板を仮接着した前記支持基板を、下部プレートと上部プレートとの間に挟む工程と、
（３）  前記薄基板を仮接着した前記支持基板を、前記下部プレートと前記上部プレートとによって吸着しつつ押圧する工程と、
（４）  前記薄基板を仮接着した前記支持基板を、前記下部プレートと前記上部プレートとによって吸着および押圧しつつ、前記接着剤の軟化温度以上の温度帯に昇温する工程と、
（５）  前記薄基板を仮接着した前記支持基板を、前記下部プレートと前記上部プレートとによって吸着および押圧しつつ、前記接着剤の軟化温度未満の温度帯に降温する工程と、
を具備することを特徴とする薄基板の矯正方法。
【請求項２】
前記薄基板には、半導体集積回路チップが形成されていることを特徴とする請求項１に記載の薄基板の矯正方法。
【請求項３】
前記薄基板には、電気的配線を含むインターポーザが形成されていることを特徴とする請求項１に記載の薄基板の矯正方法。
【請求項４】
前記半導体集積回路チップは、前記薄基板の裏面に露出する貫通ヴィアを備えていることを特徴とする請求項２に記載の薄基板の矯正方法。
【請求項５】
前記インターポーザは、前記薄基板の裏面に露出する貫通ヴィアを備えていることを特徴とする請求項３に記載の薄基板の矯正方法。
【請求項６】
前記薄基板が仮接着された前記支持基板は、前記（１）〜（５）工程を経た前記薄基板を、再度、前記接着剤の軟化温度以上の温度帯に昇温し、前記薄基板から剥離されることを特徴とする請求項１から請求項３のいずれか一項に記載の薄基板の矯正方法。
【請求項７】
前記薄基板が仮接着された前記支持基板は、前記（１）〜（５）工程を経た前記薄基板の裏面に、前記貫通ヴィアに接続される端子電極を形成した後、再度、前記接着剤の軟化温度以上の温度帯に昇温し、前記薄基板から剥離されることを特徴とする請求項４又は請求項５に記載の薄基板の矯正方法。
【請求項８】
前記吸着は静電吸着であり、
前記（３）〜（５）工程は、大気圧未満の圧力下で行われることを特徴とする請求項１から請求項７のいずれか一項に記載の薄基板の矯正方法。
【請求項９】
前記（４）工程は、前記下部プレートおよび前記上部プレートに設けられた加熱機構を用い、前記薄基板を仮接着した前記支持基板を加熱しながら行うことを特徴とする請求項１から請求項８のいずれか一項に記載の薄基板の矯正方法。
【請求項１０】
前記（５）工程は、前記下部プレートおよび前記上部プレートに設けられた冷却機構を用い、前記薄基板を仮接着した前記支持基板を冷却しながら行うことを特徴とする請求項１から請求項９のいずれか一項に記載の薄基板の矯正方法。
【請求項１１】
内部の圧力を大気圧未満に減圧可能な処理室と、
前記処理室内に配置され、裏面が研磨されている薄基板が接着剤によって仮接着された支持基板を、間に挟むことが可能な下部プレートおよび上部プレートと、
前記下部プレートおよび前記上部プレート内のそれぞれに設けられた、前記薄基板を仮接着した支持基板を吸着する吸着機構と、
制御部と、を具備し、
前記制御部は、請求項１から請求項７のいずれか一項に記載の薄基板の矯正方法が実行されるように、前記下部プレート、前記上部プレート、および前記吸着機構を制御することを特徴とする矯正装置。
【請求項１２】
前記処理室内の圧力を大気圧未満に減圧する排気装置を、備え
前記吸着機構は、前記薄基板が仮接着された支持基板を静電吸着する静電吸着機構であり、
前記制御部は請求項８に記載の薄基板の矯正方法が実行されるように、前記排気装置、および前記静電吸着機構を、さらに制御することを特徴とする請求項１１に記載の矯正装置。
【請求項１３】
前記下部プレートおよび前記上部プレート内のそれぞれに、前記薄基板が仮接着された支持基板を加熱する加熱機構を、備え、
前記制御部は請求項９に記載の薄基板の矯正方法が実行されるように、前記加熱機構を、さらに制御することを特徴とする請求項１１又は請求項１２に記載の矯正装置。
【請求項１４】
前記下部プレートおよび前記上部プレート内のそれぞれに、前記薄基板が仮接着された支持基板を冷却する冷却機構を、備え、
前記制御部は請求項１０に記載の薄基板の矯正方法が実行されるように、前記冷却機構を、さらに制御することを特徴とする請求項１１から請求項１３のいずれか一項に記載の矯正装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は、薄基板の矯正方法および矯正装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
電子機器の小型化、高速化、多機能化などの高性能化は、ＬＳＩ製造プロセスの微細化によってもたらされてきた。これまで、ＬＳＩチップの微細化は、シリコンウエハ平面での微細化が中心であった。しかし、平面だけでの微細化には、技術的な限界が見えてきている。
【０００３】
それを打開する技術の一つとして注目されているのが、ＬＳＩチップの三次元実装である。三次元実装を実現するための根幹的技術の一つが、上下に積層されたＬＳＩチップどうしを接続する垂直配線技術である。
【０００４】
垂直配線技術として、実用性が高い手段の一つがシリコン貫通ヴィア(Through-silicon  via：ＴＳＶ)である。シリコン貫通ヴィアは、ウエハ状態のＬＳＩチップ中に形成した孔に導電体を埋め込み、ウエハを支持基板上に接着剤によって仮接着し、支持基板に仮接着されたウエハの裏面から研磨して上記導電体をウエハの裏面から露出させることで形成される。シリコン貫通ヴィアの形成方法の例としては、例えば、特許文献１に記載されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２０１１−６６３８３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかしながら、裏面研磨後のウエハの厚さは大変に薄い。このため、表面に形成されているＬＳＩチップからの応力を受け、裏面がうねってしまう。裏面に“うねり”が生じると、シリコン貫通ヴィアに接続されるバンプ電極を、ウエハの裏面に形成する際などに行われるリソグラフィ工程において、焦点を合わせ難くなるなどの影響がでてくる。
【０００７】
また、ウエハの裏面は専ら“シリコン”であるが、ウエハの表面には、シリコン酸化物やシリコン窒化物など、シリコンとは異なる物質が堆積されている。つまり、ウエハの表面と裏面とでは物質が違う。このため、ウエハ全体が反り返ってしまう、という事情もある。
【０００８】
この発明は、例えば、裏面を研磨したウエハ等のような薄基板に生じた“うねり”や“反り”を矯正することが可能な薄基板の矯正方法および矯正装置を提供する。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
この発明の第１の態様に係る薄基板の矯正方法は、（１）支持基板上に接着剤によって仮接着されている被処理基板の裏面を後退させた薄基板を準備する工程と、（２）前記薄基板を仮接着した前記支持基板を、下部プレートと上部プレートとの間に挟む工程と、（３）前記薄基板を仮接着した前記支持基板を、前記下部プレートと前記上部プレートとによって吸着しつつ押圧する工程と、（４）前記薄基板を仮接着した前記支持基板を、前記下部プレートと前記上部プレートとによって吸着および押圧しつつ、前記接着剤の軟化温度以上の温度帯に昇温する工程と、（５）前記薄基板を仮接着した前記支持基板を、前記下部プレートと前記上部プレートとによって吸着および押圧しつつ、前記接着剤の軟化温度未満の温度帯に降温する工程と、を具備する。
【００１０】
この発明の第２の態様に係る矯正装置は、内部の圧力を大気圧未満に減圧可能な処理室と、前記処理室内に配置され、裏面が研磨されている薄基板が接着剤によって仮接着された支持基板を、間に挟むことが可能な下部プレートおよび上部プレートと、前記下部プレートおよび前記上部プレート内のそれぞれに設けられた、前記薄基板を仮接着した支持基板を吸着する吸着機構と、制御部と、を具備し、前記制御部は、上記第１の態様に係る薄基板の矯正方法が実行されるように、前記下部プレート、前記上部プレート、および前記吸着機構を制御する。
【発明の効果】
【００１１】
この発明によれば、例えば、裏面を研磨したウエハ等のような薄基板に生じた“うねり”や“反り”を矯正することが可能な薄基板の矯正方法および矯正装置を提供できる。
【図面の簡単な説明】
【００１２】
【図１Ａ】仮接着ウエハの一例を示す平面図
【図１Ｂ】図１Ａ中の１Ｂ−１Ｂ線に沿う断面図
【図２】うねりを生じた仮接着ウエハの一例を示す断面図
【図３】この発明の一実施形態に係る薄基板の矯正方法を実施することが可能な矯正装置の一例を概略的に示す断面図
【図４Ａ】矯正装置の動作を示す断面図
【図４Ｂ】矯正装置の動作を示す断面図
【図４Ｃ】矯正装置の動作を示す断面図
【図５】この発明の一実施形態に係る薄基板の矯正方法の一例を示す流れ図
【図６Ａ】一実施形態に係る薄基板の矯正方法の一例における主要な工程を示す断面図
【図６Ｂ】一実施形態に係る薄基板の矯正方法の一例における主要な工程を示す断面図
【図６Ｃ】一実施形態に係る薄基板の矯正方法の一例における主要な工程を示す断面図
【図６Ｄ】一実施形態に係る薄基板の矯正方法の一例における主要な工程を示す断面図
【図６Ｅ】一実施形態に係る薄基板の矯正方法の一例における主要な工程を示す断面図
【図６Ｆ】一実施形態に係る薄基板の矯正方法の一例における主要な工程を示す断面図
【図６Ｇ】一実施形態に係る薄基板の矯正方法の一例における主要な工程を示す断面図
【図６Ｈ】一実施形態に係る薄基板の矯正方法の一例における主要な工程を示す断面図
【図６Ｉ】一実施形態に係る薄基板の矯正方法の一例における主要な工程を示す断面図
【図６Ｊ】一実施形態に係る薄基板の矯正方法の一例における主要な工程を示す断面図
【図７】仮接着ウエハの一例を示す平面図
【図８Ａ】薄基板の裏面の“うねり”を調べた結果を示す図
【図８Ｂ】薄基板の裏面の“うねり”を調べた結果を示す図
【図８Ｃ】薄基板の裏面の“うねり”を調べた結果を示す図
【図９】仮接着ウエハの“反り”を調べた結果を示す図
【発明を実施するための形態】
【００１３】
（薄基板に生ずる“うねり”について）
実施形態の説明に先立ち、薄基板に生ずる“うねり”について説明する。  
図１Ａは仮接着ウエハの一例を示す平面図、図１Ｂは図１Ａ中の１Ｂ−１Ｂ線に沿う断面図である。
【００１４】
図１Ａおよび図１Ｂに示すように、仮接着ウエハＷは、支持基板１上に被処理基板（例えばシリコンウエハ）の裏面を、例えば研磨することで後退させた薄基板２を、接着剤層３によって仮接着したものである。このような仮接着ウエハＷは、半導体集積回路チップ４を三次元に実装する三次元実装半導体装置の製造過程においてみることができる。
【００１５】
仮接着ウエハＷは、その温度が接着剤層３の軟化温度未満であれば、薄基板２内に形成された半導体集積回路チップ４の応力σｃよりも、固化している接着剤層３の機械的抵抗σｇが大きいため、薄基板２の裏面には“うねり”は生じない。このため、薄基板２の裏面はフラットである。
【００１６】
しかしながら、図２に示すように、仮接着ウエハＷの温度が接着剤層３の軟化温度以上となると、接着剤層３が軟化するため、接着剤層３の機械的抵抗σｇが、半導体集積回路チップ４の応力σｃよりも小さくなってしまう。このため、薄基板２の裏面に“うねり”が生じてしまう。薄基板２の裏面に“うねり”を生じたまま、仮接着ウエハＷの温度が軟化温度未満に下がると、支持基板１上に仮接着された薄基板２は、裏面に“うねり”を生じたものとなる。
【００１７】
裏面に“うねり”を生じた薄基板２は、裏面に微小な凸凹を生ずる。このため、裏面に施される加工、例えば、リソグラフィ工程において、焦点が合いにくくなる、という事情を発生させる。
【００１８】
以下、この発明の一実施形態を、図面を参照して説明する。なお、全図にわたり、共通の部分には共通の参照符号を付す。
【００１９】
（薄基板の矯正装置）
まず、この発明の一実施形態に係る薄基板の矯正方法を実施することが可能な矯正装置の一例について説明する。  
図３はこの発明の一実施形態に係る薄基板の矯正方法を実施することが可能な矯正装置の一例を概略的に示す断面図である。
【００２０】
図３に示すように、矯正装置１００は、内部の圧力を大気圧未満に減圧可能な処理室１０１を備えている。処理室１０１内には、下部プレート１０２Ｂおよび上部プレート１０２Ｔが配置されている。下部プレート１０２Ｂは、例えば、筐体１０３上に配置されており、上部プレート１０２Ｔは、例えば、支持板１０５に伸縮可能なベローズ１０６により支持されている。支持板１０５は、高さ方向に可動する支柱１０７により支持されている。支柱１０７は、筐体１０３の内部に設けられている図示せぬ駆動機構により、高さ方向に駆動される。下部プレート１０２Ｂには、下部プレート１０２Ｂの基板載置面に対して突没可能な支持ピン１０８が挿通されている。支持ピン１０８は、仮接着ウエハＷを支持し、例えば、搬送アームによって搬送されてきた仮接着ウエハＷを上昇することによって受け取り、下降することで下部プレート１０２Ｂの基板載置面上に載置する。支持ピン１０８は、筐体１０３の内部に設けられている図示せぬ駆動機構により、高さ方向に駆動される。
【００２１】
処理室１０１には、排気機構に接続される排気口１０９、例えば、清浄空気などの気体を処理室１０１内に供給する供給口１１０、および処理室１０１内と外とで仮接着ウエハＷを搬送出する搬送出口１１１が設けられている。搬送出口１１１は、ゲートバルブ１１２によって開閉される。
【００２２】
下部プレート１０２Ｂ内には、仮接着ウエハＷを吸着、例えば、静電吸着する静電チャック１１３Ｂ、仮接着ウエハＷを加熱する加熱機構１１４Ｂ、および仮接着ウエハＷを冷却する冷却機構１１５Ｂが設けられている。
【００２３】
また、同様に、上部プレート１０２Ｔ内にも、仮接着ウエハＷを吸着、例えば、静電吸着する静電チャック１１３Ｔ、仮接着ウエハＷを加熱する加熱機構１１４Ｔ、および仮接着ウエハＷを冷却する冷却機構１１５Ｔが設けられている。
【００２４】
矯正装置１００の各部の制御は制御部１５０が行う。制御部１５０には、例えばマイクロプロセッサ（コンピュータ）からなるコントローラ１５１があり、コントローラ１５１には、オペレータが矯正装置１００を管理するためにコマンドの入力操作等を行うタッチパネルや、矯正装置１００の稼働状況を可視化して表示するディスプレイ等からなるユーザーインターフェース１５２が接続されている。
【００２５】
コントローラ１５１には記憶部１５３が接続されている。記憶部１５３は、矯正装置１００で実行される各種処理をコントローラ１５１の制御にて実現するための制御プログラムや、処理条件に応じて矯正装置１００の各構成部に、薄基板２の矯正処理を実行させるためのプログラム、すなわちレシピが格納される。レシピは、例えば、記憶部１５３の中の記憶媒体に記憶される。記憶媒体は、ハードディスクや半導体メモリであってもよいし、ＣＤ-ＲＯＭ、ＤＶＤ、フラッシュメモリ等の可搬性のものであってもよい。また、他の装置から、例えば専用回線を介してレシピを適宜伝送させるようにしてもよい。レシピは、必要に応じて、ユーザーインターフェース１５２からの指示等にて記憶部１５３から読み出され、読み出されたレシピに従った処理をコントローラ１５１が実行することで、矯正装置１００は、コントローラ１５１の制御のもと、所望の処理を実施する。
【００２６】
次に、矯正装置１００の動作を説明する。  
図４Ａ〜図４Ｃは矯正装置１００の動作を示す断面図である。
【００２７】
＜仮接着ウエハ搬送時＞
仮接着ウエハＷが搬送アーム１２０によって処理室１０１の外から搬送されてきた場合には、図４Ａに示すように、支持ピン１０８が上昇し、搬送アーム１２０から仮接着ウエハＷを受け取る。なお、仮接着ウエハＷを処理室１０１の外に搬出する場合には、逆であり、支持ピン１０８上に支持された仮接着ウエハＷを、支持ピン１０８が下降することによって搬送アーム１２０に受け渡す。
【００２８】
＜仮接着ウエハ載置時＞
仮接着ウエハＷを下部プレート１０２Ｂの載置面上に載置する時には、図４Ｂに示すように、支持ピン１０８を下降させ、仮接着ウエハＷを載置面上に載置する。次いで、支柱１０７を下降させ、支持板１０５およびベローズ１０６とともに、上部プレート１０２Ｔを下降させ、上部プレート１０２Ｔの基板接触面を、仮接着ウエハＷに近接させる。
【００２９】
＜仮接着ウエハ矯正時＞
仮接着ウエハＷを矯正する時には、図４Ｃに示すように、ベローズ１０６の内部に空気、例えば、圧縮空気を送り込み、ベローズ１０６を伸長させる。これにより、上部プレート１０２Ｔの基板接着面は仮接着ウエハＷに接触される。さらに、下部プレート１０２Ｂおよび上部プレート１０２Ｔで仮接着ウエハＷを挟み、圧力をかけて仮接着ウエハＷを押圧する。
【００３０】
一実施形態に係る薄基板の矯正方法は、図３および図４Ａ〜図４Ｃに示したような矯正装置１００を用いることで実施することができる。
【００３１】
（薄基板の矯正方法）
次に、この発明の一実施形態に係る薄基板の矯正方法の一例について説明する。  
図５はこの発明の一実施形態に係る薄基板の矯正方法の一例を示す流れ図、図６Ａ〜図６Ｊは一実施形態に係る薄基板の矯正方法の一例における主要な工程を示す断面図である。
【００３２】
まず、図５のステップ１に示すように、薄基板２を準備する。このため、図６Ａに示すように、被処理基板、本例では半導体集積回路チップ４を形成済みのシリコンウエハ５を、支持基板１上に仮接着し、仮接着ウエハＷを形成する。仮接着は、例えば、シリコンウエハ５を、支持基板１上に形成された接着剤層３上に載置し、接着剤の、例えば、ガラス転移温度Ｔｇ以上に加熱して接着剤層３を固化させることで行われる。
【００３３】
また、本例のシリコンウエハ５には、三次元実装を適用するために、貫通ヴィア６が形成されている。貫通ヴィア６は、半導体集積回路チップ４に電気的に接続されたものである。次いで、図６Ｂに示すように、シリコンウエハ５の裏面を後退させ、シリコンウエハ５を薄基板２とする。本例では、シリコンウエハ５の裏面は、貫通ヴィア６が薄基板２の裏面から露出するまで後退される。シリコンウエハ５の裏面を後退させるためには、例えば、シリコンウエハ５の裏面を研磨すればよい。このようにして、支持基板１上に接着剤によって仮接着され、裏面が後退された薄基板２が準備される。
【００３４】
次に、図５のステップ２に示すように、必要に応じて、薄基板２の裏面を加工する。本例では、図６Ｃに示すように、薄基板２の裏面上に、裏面絶縁膜７を形成する。これにより、薄基板２の裏面が電気的に絶縁される。しかしながら、裏面絶縁膜７を形成するためには、熱工程が必要となる。例えば、裏面絶縁膜７をシリコン酸化物膜で形成した場合には、例えば、４００℃以上の熱が、また、裏面絶縁膜７を蒸着重合ポリイミド膜で形成した場合であっても、例えば、１５０℃以上の熱が必要となる。つまり、仮接着ウエハＷは、接着剤層３の軟化温度（例えば、ガラス転移温度）を超えてしまい、接着剤層３が熱によって変形しやすくなる。この結果、図２にも示したように、薄基板２の裏面には“うねり”が発生してしまう。
【００３５】
そこで、一実施形態においては、裏面に“うねり”を生じた薄基板２を矯正する。矯正のために、仮接着ウエハＷを、図３に示した矯正装置１００の処理室１０１内へと搬送し、図５のステップ３に示すように、薄基板２を仮接着した支持基板１（仮接着ウエハＷ）を、下部プレート１０２Ｂと上部プレート１０２Ｔとの間に挟む。このために、図６Ｄに示すように、仮接着ウエハＷを、支持基板１側を下部プレート１０２Ｂの載置面に向けて載置する。次いで、図６Ｅに示すように、上部プレート１０２Ｔを下降させ、仮接着ウエハＷの、薄基板２側を上部プレート１０２Ｔに当接させる。
【００３６】
次に、図５のステップ４に示すように、薄基板２を仮接着した支持基板１（仮接着ウエハＷ）を、下部プレート１０２Ｂと上部プレート１０２Ｔとによって吸着しつつ押圧する。このために、本例では、図６Ｅに示すように、静電チャック１１３Ｂ、１１３Ｔを“オン”し、仮接着ウエハＷを下部プレート１０２Ｂと上部プレートとによって吸着する。さらに、上部プレート１０２Ｔを、ベローズ１０６に圧縮空気を送り込むことで仮接着ウエハＷを下部プレート１０２Ｂに向けて押す。また、本例では、静電吸着後の工程を、処理室１０１内を排気し、処理室１０１内の圧力を、例えば、大気圧未満の圧力まで減圧した状態で行う。減圧する理由の一つは、押圧することでデガスした場合、それを排気することと、気泡の発生を抑制するためである。
【００３７】
次に、図５のステップ５に示すように、薄基板２を仮接着した支持基板１（仮接着ウエハＷ）を、下部プレート１０２Ｂと上部プレート１０２Ｔとによって吸着および押圧しつつ、接着剤の軟化温度以上の温度帯に昇温する。このために、図６Ｆに示すように、加熱機構１１４Ｂ、１１４Ｔを“オン”し、仮接着ウエハＷを下部プレート１０２Ｂと上部プレート１０２Ｔとによって加熱する。これにより、接着剤層３が軟化し、かつ、仮接着ウエハＷには圧力がかかっているために、薄基板２の裏面に生じていた“うねり”が矯正され、薄基板２の裏面はほぼフラットに戻る。なお、接着剤の軟化温度以上の温度帯の上限温度の一例は、接着剤が溶融してしまう溶融温度未満である。
【００３８】
次に、図５のステップ６に示すように、薄基板２を仮接着した支持基板１（仮接着ウエハＷ）を、下部プレート１０２Ｂと上部プレート１０２Ｔとによって吸着および押圧しつつ、接着剤の軟化温度未満の温度帯に降温する。このために、図６Ｇに示すように、加熱機構１１４Ｂ、１１４Ｔを“オフ”し、冷却機構１１５Ｂ、１１５Ｔを“オン”して仮接着ウエハＷを下部プレート１０２Ｂと上部プレート１０２Ｔとによって冷却する。また、仮接着ウエハＷには引き続き圧力がかかっているために、薄基板２の裏面はほぼフラットな形状を維持したまま、接着剤層３が固化する。なお、接着剤の軟化温度未満の温度帯の下限温度の一例は、室温（例えば２５℃）である。
【００３９】
次に、図５のステップ７に示すように、薄基板２を仮接着した支持基板１（仮接着ウエハＷ）を、下部プレート１０２Ｂと上部プレート１０２Ｔとの間から取り出す。このとき、図６Ｈに示すように、薄基板２の裏面に生じた“うねり”は矯正されている。ここで、薄基板２の矯正は終了する。
【００４０】
次に、図５のステップ８に示すように、必要に応じて、“うねり”が矯正された薄基板２の裏面を加工する。本例では、図６Ｉに示すように、貫通ヴィア６に接続される端子電極８を形成する。端子電極８の形成には、例えば、リソグラフィ工程が含まれるが、薄基板２の裏面の“うねり”は矯正されているので、焦点が合いにくくなるなどの支障は、矯正しない場合に比較して軽減される。
【００４１】
次に、図５のステップ９および図６Ｊに示すように、薄基板２を支持基板１から剥離する。これは、例えば、仮接着ウエハＷを、接着剤が剥離可能となる温度まで加熱することで行うことができる。
【００４２】
この後、特に図示しないが、薄基板２を、半導体集積回路チップ４が分割されるようにダイシングし、複数の半導体集積回路チップ４を得て、これら複数の半導体集積回路チップ４を高さ方向に積層していくことで、三次元実装型半導体集積回路装置を得ることができる。
【００４３】
このような一実施形態に係る薄基板の矯正方法によれば、以下のような利点を得ることができる。
【００４４】
＜薄基板の裏面の“うねりの軽減＞
図７は仮接着ウエハの一例を示す平面図である。図７には、薄基板２の裏面の“うねり”および“反り”を調べた経路（スキャンパス）が示されている。また、図８Ａ〜図８Ｃは、薄基板２の裏面の“うねり”を調べた結果を示す図、図９は、仮接着ウエハＷの“反り”を調べた結果を示す図である。
【００４５】
図８Ａには、ステップ１終了時の薄基板２の裏面の“うねり”が示されている。図８Ａに示すように、ステップ１終了時には、薄基板２の裏面はほぼフラットであり、“うねり”は生じていない。
【００４６】
図８Ｂには、ステップ２終了時の薄基板２の裏面の“うねり”が示されている。図８Ｂに示すように、ステップ２終了時には、薄基板２の裏面が凸凹しており、“うねり”が生じている。
【００４７】
図８Ｃには、ステップ７終了時の薄基板２の裏面の“うねり”が示されている。図８Ｃに示すように、ステップ７終了時には、薄基板２の裏面が凸凹が軽減されており、“うねり”が改善されている。
【００４８】
図９には、ステップ１終了時の“反り”、矯正を行わなかった場合の“反り”、および矯正を行った場合の“反り”（ステップ７終了時の“反り”）が示されている。
【００４９】
図９の一点鎖線Ｉに示すように、ステップ１終了時には、仮接着ウエハＷに“反り”が生じていることがわかる。矯正を行わなかった場合には、点線IIに示すように、裏面絶縁膜７を形成した後にも継続して“反り”が生じ続けている。これに対して、ステップ３〜ステップ６に示す矯正を行った場合には、実線IIIに示すように、ステップ７終了時において、仮接着ウエハＷに“反り”が小さくなり、“反り”についても改善されていることがわかった。
【００５０】
このように、一実施形態に係る薄基板の矯正方法によれば、裏面を研磨したシリコンウエハ等のような薄基板２に生じた“うねり”や“反り”を矯正することが可能な薄基板の矯正方法を得ることができる、という利点を得ることができる。
【００５１】
また、図５を参照しながら、上述したステップ３からステップ７までを、図３に示した矯正装置１００の制御部１５０に実行させることによって、一実施形態に係る薄基板の矯正方法を実施することが可能な矯正装置についても得ることができる。
【００５２】
さらに、例えば、仮接着ウエハＷの熱工程を伴う裏面加工の後、仮接着ウエハＷのリソグラフィ工程を伴う裏面加工の前に、一実施形態に係る薄基板の矯正方法を実施することで、例えば、貫通ヴィア６に接続される端子電極８の形成を精度よく行うことができる、三次元実装型半導体集積回路装置の製造方法をも得られる、という利点についても得ることができる。
【００５３】
また、一実施形態に係る薄基板の矯正方法は、薄基板２に生じた“うねり”や“反り”を矯正可能なので、薄基板２の厚さを、より薄くすることも可能である。これは、三次元実装型半導体集積回路装置の高密度実装に有利な利点である。
【００５４】
以上、この発明を一実施形態に従って説明したが、この発明は、上記実施形態に限定されることは無く、その趣旨を逸脱しない範囲で種々変形可能である。また、この発明の実施形態は、上記一実施形態が唯一の実施形態でもない。
【００５５】
例えば、上記一実施形態においては、半導体集積回路チップ４が形成された薄基板２を例示したが、この発明は、これに限って適用されるものではない。上記一実施形態は、例えば、三次元実装における中継配線基板や、外部端子を外部電子機器との端子に対して整合させる端子再配置基板として用いられるインターポーザ、そして、貫通ヴィアを備えたインターポーザにも適用することができる。
【００５６】
また、上記一実施形態においては、被処理基板をシリコンウエハとしたが、被処理基板についてもシリコンウエハに限られるものではない。電子製品を作るための基板であれば、この発明の一実施形態に係る薄基板の矯正方法は適用することができる。
【００５７】
その他、この発明はその要旨を逸脱しない範囲で様々に変形することができる。
【符号の説明】
【００５８】
１…支持基板、２…薄基板、３…接着剤層、４…半導体集積回路チップ、６…貫通ヴィア、７…裏面絶縁膜、８…端子電極。
【図１Ａ】
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【図１Ｂ】
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【図２】
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【図３】
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【図４Ａ】
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【図４Ｂ】
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【図４Ｃ】
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【図５】
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【図６Ａ】
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【図６Ｂ】
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【図６Ｃ】
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【図６Ｄ】
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【図６Ｅ】
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【図６Ｆ】
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【図６Ｇ】
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【図６Ｈ】
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【図６Ｉ】
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【図６Ｊ】
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【図７】
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【図８Ａ】
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【図８Ｂ】
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【図８Ｃ】
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【図９】
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