(57)【要約】【課題】微細なメサ構造を形成すること。【解決手段】本発明は、化合物半導体層２１上に第１マスク層２４を形成する工程と、第１マスク層２４から露出する化合物半導体層２１をエッチングし、第１の方向に延在する側面と、前記側面と交差する第２の方向に延在する別の側面と、を有する半導体メサ５０（島状領域）を形成する工程と、第２の方向に延在する前記別の側面を露出し、第１の方向に延在する前記側面を覆う第２マスク層２８を形成する工程と、第２マスク層２８から露出する半導体メサ５０をウエットエッチングすることで、エミッタメサ５４（メサ構造）を形成する工程と、を含む半導体装置の製造方法である。【選択図】図５
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体層上に第１マスク層を形成する工程と、
前記第１マスク層から露出する前記半導体層をエッチングし、第１の方向に延在する側面と、前記側面と交差する第２の方向に延在する別の側面と、を有する島状領域を形成する工程と、
前記第２の方向に延在する前記別の側面を露出し、前記第１の方向に延在する前記側面を覆う第２マスク層を形成する工程と、
前記第２マスク層から露出する前記島状領域をウエットエッチングすることで、メサ構造を形成する工程と、を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項２】
前記第２マスク層は複数の独立した島状のマスクパターンを備え、前記マスクパターンの間は前記島状領域の上面が露出してなり、前記ウエットエッチングによって形成された前記メサ構造は、互いに離間した複数の領域を備えることを特徴とする請求項１記載の半導体装置の製造方法。
【請求項３】
前記第１マスク層は、その四隅が突出した突出部分を有することを特徴とする請求項１または２記載の半導体装置の製造方法。
【請求項４】
前記半導体層は、コレクタ層、ベース層、およびエミッタ層を備えてなることを特徴とする請求項１から３のいずれか一項記載の半導体装置の製造方法。
【請求項５】
前記第１の方向は［００−１］方向であり、前記第２の方向は［０１１］方向であることを特徴とする請求項１から４のいずれか一項記載の半導体装置の製造方法。
【請求項６】
前記メサ構造は、前記第１の方向に延在する側面は順メサ形状をし、前記第２の方向に延在する側面は逆メサ形状をしていて、
前記メサ構造の前記第２の方向に延在する側面に沿ってベース電極を形成する工程を含むことを特徴とする請求項４記載の半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体装置の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
光通信システムの増幅器として、ヘテロ接合バイポーラトランジスタ（ＨＢＴ：Hetero-junction Bipolar Transistor）が用いられている。ＨＢＴの一例として、半導体基板上に、サブコレクタ層、コレクタ層、ベース層、エミッタ層、及びエミッタコンタクト層が順に積層された構造が知られている。エミッタメサの上面形状は、引き出し配線の接続信頼性等の理由から、矩形形状であることが望ましい。そこで、矩形形状をしたエミッタメサを形成する方法が提案されている（例えば、特許文献１参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００２−１９８５１４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
特許文献１に記載の方法では、四隅に突出部分を有するマスク層を用いるため、微細なメサ構造を形成することが難しい。本発明は、上記課題に鑑みなされたものであり、微細なメサ構造を形成することが可能な半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本発明は、半導体層上に第１マスク層を形成する工程と、前記第１マスク層から露出する前記半導体層をエッチングし、第１の方向に延在する側面と、前記側面と交差する第２の方向に延在する別の側面を有する島状領域を形成する工程と、前記第２の方向に延在する前記別の側面を露出し、前記第１の方向に延在する前記側面を覆う第２マスク層を形成する工程と、前記第２マスク層から露出する前記島状領域をウエットエッチングすることで、メサ構造を形成する工程と、を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法である。本発明によれば、微細なメサ構造を形成することができる。
【０００６】
上記構成において、前記第２マスク層は複数の独立した島状のマスクパターンを備え、前記マスクパターンの間は前記島状領域の上面が露出してなり、前記ウエットエッチングによって形成された前記メサ構造は、互いに離間した複数の領域を備える構成とすることができる。
【０００７】
上記構成において、前記第１マスク層は、その四隅が突出した突出部分を有する構成とすることができる。
【０００８】
上記構成において、前記半導体層は、コレクタ層、ベース層、およびエミッタ層を備えてなる構成とすることができる。
【０００９】
上記構成において、前記第１の方向は［００−１］方向であり、前記第２の方向は［０１１］方向である構成とすることができる。
【００１０】
上記構成において、前記メサ構造は、前記第１の方向に延在する側面は順メサ形状をし、前記第２の方向に延在する側面は逆メサ形状をしていて、前記メサ構造の前記第２の方向に延在する側面に沿ってベース電極を形成する工程を含む構成とすることができる。
【発明の効果】
【００１１】
本発明によれば、微細なメサ構造を形成することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１２】
【図１】図１（ａ）は、実施例１に係る半導体装置の製造方法を示す上面図（その１）、図１（ｂ）は、図１（ａ）のＡ−Ａ間の断面図である。
【図２】図２（ａ）は、実施例１に係る半導体装置の製造方法を示す上面図（その２）、図２（ｂ）は、図２（ａ）のＡ−Ａ間の断面図である。
【図３】図３（ａ）は、実施例１に係る半導体装置の製造方法を示す上面図（その３）、図３（ｂ）及び図３（ｃ）は、図３（ａ）のＡ−Ａ間及びＢ−Ｂ間の断面図である。
【図４】図４（ａ）は、実施例１に係る半導体装置の製造方法を示す上面図（その４）、図４（ｂ）及び図４（ｃ）は、図４（ａ）のＡ−Ａ間及びＢ−Ｂ間の断面図である。
【図５】図５（ａ）は、実施例１に係る半導体装置の製造方法を示す上面図（その５）、図５（ｂ）及び図５（ｃ）は、図５（ａ）のＡ−Ａ間及びＢ−Ｂ間の断面図である。
【図６】図６（ａ）は、実施例１に係る半導体装置の製造方法を示す上面図（その６）、図６（ｂ）及び図６（ｃ）は、図６（ａ）のＡ−Ａ間及びＢ−Ｂ間の断面図である。
【図７】図７（ａ）から図７（ｃ）は、実施例１に係る半導体装置の製造方法を示す断面図（その７）である。
【図８】図８（ａ）から図８（ｃ）は、実施例１に係る半導体装置の製造方法を示す断面図（その８）である。
【発明を実施するための形態】
【００１３】
以下、図面を参照して、本発明の実施例について説明する。
【実施例１】
【００１４】
図１（ａ）から図８（ｃ）を用いて、実施例１に係る半導体装置の製造方法を説明する。実施例１では、ヘテロ接合バイポーラトランジスタの場合を例に説明する。図１（ａ）、図２（ａ）、図３（ａ）、図４（ａ）、図５（ａ）、及び図６（ａ）は、実施例１に係る半導体装置の製造方法を示す上面図である。図１（ｂ）、図２（ｂ）、図３（ｂ）、図４（ｂ）、図５（ｂ）、及び図６（ｂ）は、図１（ａ）、図２（ａ）、図３（ａ）、図４（ａ）、図５（ａ）、及び図６（ａ）のＡ−Ａ間の断面図である。図３（ｃ）、図４（ｃ）、図５（ｃ）、及び図６（ｃ）は、図３（ａ）、図４（ａ）、図５（ａ）、及び図６（ａ）のＢ−Ｂ間の断面図である。図７（ａ）から図８（ｃ）は、図６（ａ）のＡ−Ａ間の相当する箇所の断面図である。
【００１５】
図１（ａ）及び図１（ｂ）のように、半導体基板１０上に、サブコレクタ層１２、コレクタ層１４、ベース層１６、エミッタ層１８、及びエミッタコンタクト層２０をこの順に含む化合物半導体層２１をエピタキシャル成長させる。エピタキシャル成長は、例えば有機金属気相成長法（ＭＯＣＶＤ：Metal Organic Chemical Vapor Deposition）を用いることができる。半導体基板１０は、例えば半絶縁性のＩｎＰ基板である。各層は、ＩｎＰ基板の（１００）面上に順にエピタキシャル成長される。表１に、各層の材料、厚さ、添加された不純物、及びキャリア濃度の例を示す。
【表１】
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【００１６】
表１のように、サブコレクタ層１２、コレクタ層１４、ベース層１６、及びエミッタコンタクト層２０は、ＩｎＧａＡｓ層であり、エミッタ層１８は、ＩｎＰ層である。ＩｎＧａＡｓ層のＩｎ組成比は、ＩｎＰ基板に対して格子整合するように選択されている。エミッタ層１８は、ベース層１６よりも大きな禁制帯幅（バンドギャップ）を有する。サブコレクタ層１２、コレクタ層１４、エミッタ層１８、及びエミッタコンタクト層２０には、ドナー不純物としてシリコン（Ｓｉ）が添加されている。ベース層１６には、アクセプタ不純物として炭素（Ｃ）が添加されている。サブコレクタ層１２のキャリア濃度は、コレクタ層１４と比べて高濃度になっている。これは、サブコレクタ層１２は、コレクタ電極とのコンタクトをとるために設けられた層のためである。また、エミッタコンタクト層２０は、エミッタ電極とのコンタクトをとるために設けられた層である。
【００１７】
半導体基板１０上への各層のＭＯＣＶＤ法による成長では、原料として、例えばトリエチルガリウム（ＴＥＧａ）、トリメチルインジウム（ＴＭＩｎ）、アルシン（ＡｓＨ３）、及びホスフィン（ＰＨ３）を用いることができる。また、エピタキシャル成長される半導体層の導電型及びキャリア濃度の制御のため、例えばｎ型不純物ドーピング原料としてシラン（ＳｉＨ４）、ｐ型不純物ドーピング原料として四臭化炭素（ＣＢｒ４）を用いることができる。
【００１８】
エミッタコンタクト層２０上に、例えば化学気相成長法（ＣＶＤ：Chemical Vapor Deposition）を用いて、窒化シリコン膜を堆積する。窒化シリコン膜上に、所定のパターン形状をしたレジスト膜２２を形成する。レジスト膜２２は、上面視にて領域Ｒと複数の領域Ｔ１〜Ｔ４とが組み合わされた構造をしている。領域Ｒは第１の方向に延在する一対の辺Ｓ１１と、第１の方向に交差する第２の方向に延在する一対の別の辺Ｓ１２とで画定された矩形形状をしている。第１の方向は結晶方位の［００−１］方向であり、第２の方向は結晶方位の［０１１］方向である。領域Ｔ１〜Ｔ４の各々は、領域Ｒの４つの角に合わさるように配置され、鋭角を形成する辺Ｓ１、Ｓ２と、この鋭角と向かい合う辺Ｓ３（点線）とにより画定される。辺Ｓ３は、領域Ｒを画定する一対の辺Ｓ１１に接していて、辺Ｓ１は、領域Ｒを画定する一対の別の辺Ｓ１２の延長線上にある。
【００１９】
このようなパターン形状をしたレジスト膜２２をマスクとして、窒化シリコン膜に対してエッチングを行い、レジスト膜２２と同じパターン形状をした窒化シリコン膜からなる第１マスク層２４を形成する。即ち、第１マスク層２４は、その四隅が突出した突出部分（領域Ｔ１〜Ｔ４）を有する。窒化シリコン膜に対するエッチングは、例えば反応性イオンエッチング（ＲＩＥ：Reactive Ion Etching）による異方性ドライエッチングを用いることができる。
【００２０】
レジスト膜２２を除去した後、図２（ａ）及び図２（ｂ）のように、第１マスク層２４をマスクに用いて、エミッタ層１８が露出するまで、エミッタコンタクト層２０に対してウエットエッチングを行う。このウエットエッチングは、例えばリン酸と過酸化水素水と純水の混合液（例えば配合比は５：１：１０）をエッチング液に用いて行うことができる。これにより、エミッタコンタクト層２０を有するメサ形状をした半導体メサ５０が形成される。
【００２１】
半導体メサ５０の上面形状は、第１マスク層２４の形状とは異なり、領域Ｒの形状が反映された矩形形状となる。つまり、半導体メサ５０は、上面が第１の方向に延在する一対の辺５２ａと第２の方向に延在する一対の別の辺５２ｂとによって画定されるメサ形状をしている。このように、半導体メサ５０の上面形状が第１マスク層２４と異なる形状となるのは、以下の理由のためと考えられる。即ち、化合物半導体結晶のウエットエッチングにおいては、その結晶構造により、結晶面によってエッチング速度が異なる。例えば、第１の方向が結晶方位の［００−１］方向で、第２の方向が［０１１］方向である場合、領域Ｔ１〜Ｔ４の辺Ｓ２と直交する方向へはエッチングが相対的に速く進み、領域Ｒの各辺Ｓ１１、Ｓ１２と直交する方向へは相対的に遅く進む傾向がある。このため、エッチングが進行して、辺Ｓ２に直交する方向に沿った結晶面（１１１）面が現れると、この方向のエッチングは相対的に速く進んでいく。この際に、領域Ｔ１〜Ｔ４が設けられていることによって、エッチングが相対的に速く進む方向と遅く進む方向とのエッチング量の差が補われ、半導体メサ５０の形状は、領域Ｒの形状が反映された矩形形状となるものと考えられる。
【００２２】
また、半導体メサ５０は、第１方向（［００−１］方向）に沿って延在する側面では順メサ形状となり（図３（ｃ）参照）、第２方向（［０１１］方向）に沿って延在する側面では逆メサ形状となる（図３（ｂ）参照）。
【００２３】
第１マスク層２４を除去した後、図３（ａ）から図３（ｃ）のように、例えばＣＶＤ法を用いて、窒化シリコン膜を堆積する。窒化シリコン膜上に、所定のパターン形状をした複数のレジスト膜２６を形成する。レジスト膜２６は、半導体メサ５０上に、第１の方向において半導体メサ５０の一対の辺５２ａよりも狭い幅を有すると共に、第２の方向において半導体メサ５０の一対の別の辺５２ｂよりも長い幅を有するパターン形状をしている。このようなパターン形状をしたレジスト膜２６をマスクとして、窒化シリコン膜に対してエッチングを行い、レジスト膜２６と同じパターン形状をした窒化シリコン膜からなる第２マスク層２８を形成する。窒化シリコン膜に対するエッチングは、例えばＲＩＥによる異方性ドライエッチングを用いることができる。
【００２４】
図４（ａ）から図４（ｃ）は、レジスト膜２６を除去した後の図である。図４（ａ）から図４（ｃ）のように、半導体メサ５０上に設けられた第２マスク層２８は、上面が第１の方向に延在する一対の辺３０ａと第２の方向に延在する一対の別の辺３０ｂとにより画定された矩形形状をしている。第２マスク層２８は、第１の方向においては半導体メサ５０よりも短く、第２の方向においては半導体メサ５０よりも長い形状をしている。これにより、第２マスク層２８は、半導体メサ５０の一対の辺５２ａ側の半導体メサ５０の側面を覆っている。つまり、第２マスク層２８は、第２の方向に延在する半導体メサ５０の側面を露出し、第１の方向に延在する半導体メサ５０の側面を覆っている。
【００２５】
図５（ａ）から図５（ｃ）のように、第２マスク層２８をマスクに用いて、エミッタ層１８が露出するまで、半導体メサ５０に対してウエットエッチングを行う。このエッチングは、図２（ａ）及び図２（ｂ）で説明した方法と同じ方法を用いることができる。これにより、半導体メサ５０が複数に分割され、エミッタコンタクト層２０を有する複数のエミッタメサ５４が形成される。
【００２６】
エミッタメサ５４の上面形状は、第２マスク層２８の形状が反映された矩形形状となることが、走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ：Scanning Electron Microscope）観察によって確認された。このように、エミッタメサ５４の上面形状が、第２マスク層２８の形状を反映した形状となるのは、以下のように考えられる。即ち、図４（ａ）のように、第２マスク層２８は、半導体メサ５０の一対の辺５２ａ側の側面を覆って形成される。このため、第２マスク層２８をマスクに用いた半導体メサ５０に対するウエットエッチングは、半導体メサ５０の一対の別の辺５２ｂ側からはエッチングが進むが、一対の辺５２ａ側からはエッチングが進まない。これにより、エッチングが相対的に速く進む結晶面（１１１）面が現れることが抑制される。このようなことから、エミッタメサ５４は、第２マスク層２８の形状が反映された矩形形状となったものと考えられる。
【００２７】
また、エミッタメサ５４は、第１の方向（［００−１］方向）に沿って延在する側面は順メサ形状となり（図５（ｃ）参照）、第２の方向（［０１１］方向）に沿って延在する側面は逆メサ形状となる（図５（ｂ）参照）。
【００２８】
第２マスク層２８を、例えばバッファドフッ酸をエッチング液としたエッチングで除去した後、図６（ａ）から図６（ｃ）のように、エミッタコンタクト層２０をマスクに用いて、例えば塩酸と純水との混合液（例えば配合比は２：３）をエッチング液として、ベース層１６が露出するまでエミッタ層１８をエッチングする。これにより、エミッタ層１８とエミッタコンタクト層２０とからなるエミッタ領域が形成される。続いて、エミッタ層１８及びエミッタコンタクト層２０を覆ってベース層１６上に形成したマスク層（不図示）をマスクに用いて、サブコレクタ層１２が露出するまでベース層１６とコレクタ層１４とをエッチングする。エッチングは、例えばリン酸と過酸化水素水と純水の混合液をエッチング液に用いたウエットエッチングで行うことができる。なお、コレクタ層１４を確実に除去して、サブコレクタ層１２を露出させるために、サブコレクタ層１２の一部までエッチングすることが好ましい。これにより、ベース層１６からなるベース領域と、コレクタ層１４とサブコレクタ層１２とからなるコレクタ領域と、が形成される。
【００２９】
図７（ａ）のように、エミッタコンタクト層２０、エミッタ層１８、ベース層１６、コレクタ層１４、及びサブコレクタ層１２の一部を覆って形成したマスク層（不図示）をマスクに用いて、サブコレクタ層１２をエッチングする。なお、サブコレクタ層１２を確実に除去するため、半導体基板１０の一部までエッチングすることが好ましい。図７（ｂ）のように、例えばＣＶＤ法を用いて、窒化シリコン膜を全面堆積して、絶縁膜５８を形成する。図７（ｃ）のように、絶縁膜５８上に、コレクタ電極、ベース電極、及びエミッタ電極を形成する領域に開口を有するレジスト膜６０を形成する。レジスト膜６０をマスクに用いて、絶縁膜５８をエッチングする。
【００３０】
図８（ａ）のように、レジスト膜６０をマスクに、例えば真空蒸着法を用いて、コレクタ電極、ベース電極、及びエミッタ電極を構成する金属膜（例えば、半導体基板１０側から白金、チタン、白金、及び金が積層された積層膜）を堆積する。その後、レジスト膜６０をリフトオフによって除去し、コレクタ電極４０、ベース電極４２、及びエミッタ電極４４を形成する。コレクタ電極４０は、サブコレクタ層１２の上面に形成され、ベース電極４２は、ベース層１６の上面に形成され、エミッタ電極４４は、エミッタコンタクト層２０の上面に形成される。
【００３１】
図８（ｂ）のように、例えばＣＶＤ法を用いて、窒化シリコン膜を全面堆積して、絶縁膜６２を形成する。絶縁膜６２上に形成したマスク層（不図示）をマスクに用いて、コレクタ電極４０及びエミッタ電極４４上の絶縁膜６２を除去して、開口６４を形成する。図８（ｃ）のように、開口６４に金属膜を埋め込んで、コレクタ電極４０に接続する配線６４ａと、エミッタ電極４４に接続する配線６４ｂとを形成する。以上の工程を含んで、実施例１に係る半導体装置が形成される。
【００３２】
実施例１によれば、図１（ａ）及び図１（ｂ）のように、コレクタ層１４、ベース層１６、及びエミッタ層１８を含む化合物半導体層２１上に、第１マスク層２４を形成する。図２（ａ）及び図２（ｂ）のように、第１マスク層２４から露出するエミッタコンタクト層２０をエッチングし、第１の方向に延在する側面と、第２の方向に延在する別の側面と、を有する半導体メサ５０（島状領域）を形成する。図４（ａ）から図４（ｃ）のように、半導体メサ５０の第２の方向に延在する側面を露出し、第１の方向に延在する側面を覆う第２マスク層２８を形成する。図５（ａ）から図５（ｃ）のように、第２マスク層２８から露出する半導体メサ５０をウエットエッチングすることで、エミッタメサ５４（メサ構造）を形成する。このような製造方法によれば、上面が矩形形状をした第２マスク層２８を用いて、上面が矩形形状をしたエミッタメサ５４を形成することができる。よって、第１マスク層２４のような四隅に突出部分を有するマスク層を用いて、矩形形状をしたエミッタメサ５４を形成する場合に比べて、微細なエミッタメサ５４（メサ構造）を形成することができる。また、矩形形状をした第２マスク層２８を用いることから、複数のエミッタメサ５４を形成する場合、四隅に突出部分を有するマスク層を用いた場合に比べて、エミッタメサ５４の間隔を狭くすることができる。
【００３３】
なお、実施例１では、半導体メサ５０の四隅が直角形状にパターンニングできるよう、四隅に突出部分を設けた第１マスク層２４を採用した。しかしながら、第２マスク層２８のパターンが、半導体メサ５０の四隅を十分に露出する形状である場合、この部分は最終的に除去されるため、半導体メサ５０の形成にあたって、突出部分を持たない第１マスク層２４を採用することもできる。ただ、第２マスク層２８のパターンから半導体メサ５０の四隅が十分に露出する形状を採用すると、その分だけ集積度の低下を招く。このため、たとえ半導体メサ５０の四隅が第２マスク層２８から露出するとしても、半導体メサ５０のパターンニングにあたっては、第１マスク層２４のパターンは、四隅に突出部分を備えていることが好ましい。
【００３４】
実施例１では、第２マスク層２８が半導体メサ５０の第１の方向に延在する側面を覆うことで、半導体メサ５０の第２の方向に延在する残余の側面からだけエッチングが進行する。これにより半導体メサ５０の側面全てからエッチングが進行する場合に比べて、四隅の形状が直角に近くなる。即ち、第２マスク層２８によってエッチング形状の制御性が高くなるという効果が発揮される。第２マスク層２８は、独立した複数の島状のマスクパターンを備えることで、本発明の効果が顕著に発揮される。即ち、独立した島状の第２マスク層２８の隣接間隔が小さい場合でも、本発明の方法によれば、第２マスク層２８として四隅に突出部分を有するマスクを使用する必要がない。このため、突出部分を設けるスペースが不用になり、第２マスク層２８の間隔を小さくすることができる。
【００３５】
図４（ａ）から図４（ｃ）のように、第２マスク層２８は、第１の方向において半導体メサ５０よりも短く、第２の方向において半導体メサ５０よりも長いことが好ましい。これにより、半導体メサ５０の一対の辺５２ａ側の側面を第２マスク層２８で確実に覆うことができる。
【００３６】
エミッタメサ５４は、図５（ｃ）のように、第１の方向に延在する側面は順メサ形状をし、図５（ｂ）のように、第２の方向に延在する側面は逆メサ形状をしていることが好ましい。ベース電極４２は、ベース層１６の上面に、エミッタメサ５４の第２の方向に延在する側面に沿って形成される（図８（ｃ）参照）。エミッタメサ５４の第２の方向に延在する側面が逆メサ形状であると、エミッタ−ベース間の漏洩電流の発生を抑制することができる。また、エミッタ電極４４とベース電極４２とを同じ工程、即ち自己整合プロセスにより形成できるという利点も得られる。このように、エミッタメサ５４の第２の方向に延在する側面を逆メサ形状とするには、第２の方向は[０１１]方向であることが好ましい。この場合、第１の方向は[００−１]方向であることが好ましい。
【００３７】
半導体メサ５０は、第１の方向に延在する一対の辺５２ａと第２の方向に延在する一対の別の辺５２ｂとが同じ長さの場合でもよいが、図３（ａ）のように、第１の方向に延在する一対の辺５２ａが、第２の方向に延在する一対の別の辺５２ｂよりも長い場合が、複数のエミッタメサ５４を形成する観点から好ましい。
【００３８】
第２マスク層２８は、半導体メサ５０上に、半導体メサ５０の一対の別の辺５２ｂよりも狭い幅を有すると共に、一対の別の辺５２ｂ側の半導体メサ５０の側面を覆って形成される場合でもよい。つまり、第２マスク層２８は、図４（ａ）において、９０°回転した構造をしている場合でもよい。
【００３９】
実施例１では、化合物半導体層２１がコレクタ層１４、ベース層１６、及びエミッタ層１８を備えた場合、つまり、ヘテロ接合バイポーラトランジスタの場合を例に示したが、その他の半導体装置にも適用することができる。また、ヘテロ接合バイポーラトランジスタの場合であっても、実施例１のように、ＩｎＰ基板上にＩｎＧａＡｓ層とＩｎＰ層とが積層された構造の場合に限らず、例えば、ＧａＡｓ基板上にＧａＩｎＡｓ層とＩｎＰ層とが積層された構造又はＧａＡｓ層とＧａＩｎＰ層とが積層された構造等の場合でもよい。また、エミッタメサ５４は、エミッタ層とエミッタコンタクト層とを含む場合でもよいし、エミッタ層からなる場合でもよいし、エミッタコンタクト層からなる場合でもよい。
【００４０】
以上、本発明の実施例について詳述したが、本発明はかかる特定の実施例に限定されるものではなく、特許請求の範囲に記載された本発明の要旨の範囲内において、種々の変形・変更が可能である。
【符号の説明】
【００４１】
１０    半導体基板
１２    サブコレクタ層
１４    コレクタ層
１６    ベース層
１８    エミッタ層
２０    エミッタコンタクト層
２１    化合物半導体層
２４    第１マスク層
２８    第２マスク層
３０ａ  第２マスク層の一対の辺
３０ｂ  第２マスク層の一対の別の辺
４０    コレクタ電極
４２    ベース電極
４４    エミッタ電極
５０    半導体メサ
５２ａ  半導体メサの一対の辺
５２ｂ  半導体メサの一対の別の辺
５４    エミッタメサ
【図１】
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【図２】
2015043376.tif 000005
【図３】
2015043376.tif 000006
【図４】
2015043376.tif 000007
【図５】
2015043376.tif 000008
【図６】
2015043376.tif 000009
【図７】
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【図８】
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