(57)【要約】【課題】反射率をより低減させる。【解決手段】固体撮像装置は、複数の画素ごとに光電変換部が形成される半導体基板と、その半導体基板に光が入射する光入射面側に設けられ、高さの異なる複数種類の突起部が形成された構造である反射防止構造とを備える。そして、反射防止構造は、それぞれ異なる加工条件により複数段階に分けて半導体基板の光入射面を掘り込む加工を行うことにより形成される。反射防止構造は、所定の高さの第１の突起部の間に、第１の突起部よりも高さの低い第２の突起部が形成された構造である。本技術は、例えば、CMOSイメージセンサに適用できる。【選択図】図２
2015220313.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の画素ごとに光電変換部が形成される半導体基板と、
前記半導体基板に光が入射する光入射面側に設けられ、高さの異なる複数種類の突起部が形成された構造である反射防止構造と
を備える固体撮像装置。
【請求項２】
前記反射防止構造は、それぞれ異なる加工条件により複数段階に分けて前記半導体基板の光入射面を掘り込む加工を行うことにより形成される
請求項１に記載の固体撮像装置。
【請求項３】
前記反射防止構造は、所定の高さの第１の突起部の間に、前記第１の突起部よりも高さの低い第２の突起部が形成された構造である
請求項１に記載の固体撮像装置。
【請求項４】
前記反射防止構造は、
前記半導体基板の前記光入射面に対して、前記第１の突起部を設ける箇所に対応するパターンのマスクを形成し、
第１の加工条件で前記半導体基板の前記光入射面を掘り込む加工を行い、
前記第２の突起部が残るような前記第１の加工条件とは異なる第２の加工条件で、さらに前記光入射面を掘り込む加工を行う
ことにより形成される
請求項３に記載の固体撮像装置。
【請求項５】
複数の画素ごとに光電変換部が形成される半導体基板に光が入射する光入射面側に設けられ、高さの異なる複数種類の突起部が形成された構造である反射防止構造を、それぞれ異なる加工条件により複数段階に分けて前記半導体基板の光入射面を掘り込む加工を行うことにより形成する
ステップを含む製造方法。
【請求項６】
複数の画素ごとに光電変換部が形成される半導体基板と、
前記半導体基板に光が入射する光入射面側に設けられ、高さの異なる複数種類の突起部が形成された構造である反射防止構造と
を有する固体撮像装置を備える電子機器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本開示は、固体撮像装置およびその製造方法、並びに電子機器に関し、特に、反射率をより低減させることができるようにした固体撮像装置およびその製造方法、並びに電子機器に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、デジタルスチルカメラやデジタルビデオカメラなどの撮像機能を備えた電子機器においては、例えば、CCD（Charge Coupled Device）やCMOS（Complementary Metal Oxide Semiconductor）イメージセンサなどの固体撮像素子が使用されている。
【０００３】
例えば、CMOSイメージセンサに入射した入射光は、画素が有する光電変換部であるＰＤ（Photodiode：フォトダイオード）において光電変換される。そして、ＰＤで発生した電荷は、転送トランジスタを介してＦＤ（Floating Diffusion：フローティングディフュージョン）に転送され、増幅トランジスタが、ＦＤに蓄積されている電荷に応じたレベルの画素信号を出力する。
【０００４】
ところで、従来の固体撮像素子では、固体撮像素子に入射した光が内部で反射することがあり、その反射した光が画像に写り込むことによってフレアやゴーストが発生することがあった。例えば、オンチップレンズや各色の画素のシリコン面などで反射した光が、シールガラス面や赤外線カットフィルタ面で反射して光電変換部に再入射することによってフレアが発生してしまう。また、例えば、赤色の画素のシリコン面やオンチップレンズ面などで反射した赤色の光が、赤外線カットフィルタのマルチコート面で反射して光電変換部に再入射することによって、赤色の玉のように見えるゴーストが発生してしまう。
【０００５】
このようなシリコン面における光の反射を防止してフレアやゴーストの発生を低減させるために、微細な凹凸構造を周期的に配置した構造、いわゆるモスアイ構造が知られている。モスアイ構造では、屈折率が緩やかに変化することにより、反射率を低減させることができる。
【０００６】
例えば、特許文献１には、入射光の反射を防止するための構造として、フォトダイオードが形成されるシリコン層の受光面側の界面に微小な凹凸構造を設ける、いわゆるモスアイ構造が提案されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００７】
【特許文献１】特開２０１３−３３８６４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
ところで、上述したようなモスアイ構造を、ドライエッチングにより加工する際、加工時間を長時間に設定することにより、凹部の深さをより深く形成することができる。しかしながら、このような加工により凹部の深さが深いモスアイ構造を形成した場合には、加工ダメージが増加すること、例えば、ダーク特性が悪化することが懸念される。さらに、モスアイ構造によって段差が増加することにより後工程のプロセスに残渣などの不具合が発生することが懸念される。そこで、このような懸念を回避して、反射率をより低減させることが求められている。
【０００９】
本開示は、このような状況に鑑みてなされたものであり、反射率をより低減させることができるようにするものである。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本開示の一側面の固体撮像装置は、複数の画素ごとに光電変換部が形成される半導体基板と、前記半導体基板に光が入射する光入射面側に設けられ、高さの異なる複数種類の突起部が形成された構造である反射防止構造とを備える。
【００１１】
本開示の一側面の固体撮像装置の製造方法は、複数の画素ごとに光電変換部が形成される半導体基板に光が入射する光入射面側に設けられ、高さの異なる複数種類の突起部が形成された構造である反射防止構造を、それぞれ異なる加工条件により複数段階に分けて前記半導体基板の光入射面を掘り込む加工を行うことにより形成するステップを含む。
【００１２】
本開示の一側面の電子機器は、複数の画素ごとに光電変換部が形成される半導体基板と、前記半導体基板に光が入射する光入射面側に設けられ、高さの異なる複数種類の突起部が形成された構造である反射防止構造とを有する固体撮像装置を備える。
【００１３】
本開示の一側面においては、複数の画素ごとに光電変換部が形成される半導体基板に光が入射する光入射面側に、高さの異なる複数種類の突起部が形成された構造である反射防止構造が設けられる。また、その反射防止構造は、それぞれ異なる加工条件により複数段階に分けて半導体基板の光入射面を掘り込む加工を行うことにより形成される
【発明の効果】
【００１４】
本開示の一側面によれば、反射率をより低減させることができる。
【図面の簡単な説明】
【００１５】
【図１】本開示に係る固体撮像装置の概略構成を示す図である。
【図２】第１の実施の形態に係る画素の断面構成例を示す図である。
【図３】反射防止構造について説明する図である。
【図４】従来の反射防止構造について説明する図である。
【図５】光入射面における反射率を示す図である。
【図６】固体撮像装置の製造方法を説明する図である。
【図７】固体撮像装置の製造方法を説明する図である。
【図８】反射防止構造の変形例を示す図である。
【図９】本開示に係る電子機器としての撮像装置の構成例を示すブロック図である。
【発明を実施するための形態】
【００１６】
以下、本開示を実施するための形態（以下、実施の形態という）について説明する。なお、説明は以下の順序で行う。
１．固体撮像装置の概略構成例
２．本実施の形態に係る画素構造
３．電子機器への適用例
【００１７】
以下、本技術を適用した具体的な実施の形態について、図面を参照しながら詳細に説明する。
【００１８】
＜１．固体撮像装置の概略構成例＞
図１は、本開示に係る固体撮像装置の概略構成を示している。
【００１９】
図１の固体撮像装置１は、半導体として例えばシリコン（Si）を用いた半導体基板１２に、画素２が２次元アレイ状に配列された画素アレイ部３と、その周辺の周辺回路部とを有して構成される。周辺回路部には、垂直駆動回路４、カラム信号処理回路５、水平駆動回路６、出力回路７、制御回路８などが含まれる。
【００２０】
画素２は、光電変換素子としてのフォトダイオードと、複数の画素トランジスタを有して成る。複数の画素トランジスタは、例えば、転送トランジスタ、選択トランジスタ、リセットトランジスタ、及び、増幅トランジスタの４つのMOSトランジスタで構成される。
【００２１】
また、画素２は、共有画素構造とすることもできる。この画素共有構造は、複数のフォトダイオードと、複数の転送トランジスタと、共有される１つのフローティングディフージョン（浮遊拡散領域）と、共有される１つずつの他の画素トランジスタとから構成される。すなわち、共有画素では、複数の単位画素を構成するフォトダイオード及び転送トランジスタが、他の１つずつの画素トランジスタを共有して構成される。
【００２２】
制御回路８は、入力クロックと、動作モードなどを指令するデータを受け取り、また固体撮像装置１の内部情報などのデータを出力する。すなわち、制御回路８は、垂直同期信号、水平同期信号及びマスタクロックに基づいて、垂直駆動回路４、カラム信号処理回路５及び水平駆動回路６などの動作の基準となるクロック信号や制御信号を生成する。そして、制御回路８は、生成したクロック信号や制御信号を、垂直駆動回路４、カラム信号処理回路５及び水平駆動回路６等に出力する。
【００２３】
垂直駆動回路４は、例えばシフトレジスタによって構成され、画素駆動配線１０を選択し、選択された画素駆動配線１０に画素２を駆動するためのパルスを供給し、行単位で画素２を駆動する。すなわち、垂直駆動回路４は、画素アレイ部３の各画素２を行単位で順次垂直方向に選択走査し、各画素２の光電変換部において受光量に応じて生成された信号電荷に基づく画素信号を、垂直信号線９を通してカラム信号処理回路５に供給する。
【００２４】
カラム信号処理回路５は、画素２の列ごとに配置されており、１行分の画素２から出力される信号を画素列ごとにノイズ除去などの信号処理を行う。例えば、カラム信号処理回路５は、画素固有の固定パターンノイズを除去するためのCDS(Correlated Double Sampling：相関２重サンプリング)およびAD変換等の信号処理を行う。
【００２５】
水平駆動回路６は、例えばシフトレジスタによって構成され、水平走査パルスを順次出力することによって、カラム信号処理回路５の各々を順番に選択し、カラム信号処理回路５の各々から画素信号を水平信号線１１に出力させる。
【００２６】
出力回路７は、カラム信号処理回路５の各々から水平信号線１１を通して順次に供給される信号に対し、信号処理を行って出力する。出力回路７は、例えば、バファリングだけする場合もあるし、黒レベル調整、列ばらつき補正、各種デジタル信号処理などが行われる場合もある。入出力端子１３は、外部と信号のやりとりをする。
【００２７】
以上のように構成される固体撮像装置１は、CDS処理とAD変換処理を行うカラム信号処理回路５が画素列ごとに配置されたカラムAD方式と呼ばれるCMOSイメージセンサである。
【００２８】
また、固体撮像装置１は、画素トランジスタが形成される半導体基板１２の表面側と反対側の裏面側から光が入射される裏面照射型のMOS型固体撮像装置である。
【００２９】
＜２．本実施の形態に係る画素構造＞
図２は、本実施の形態に係る画素２の断面構成例を示す図である。
【００３０】
図２に示すように、固体撮像装置１は、半導体基板２１、反射防止膜２２、平坦化膜２３、カラーフィルタ層２４、およびオンチップレンズ層２５が積層されて構成されており、図２には、３つの画素２−１乃至２−３の断面が示されている。
【００３１】
半導体基板２１は、例えば、高純度シリコンの単結晶が薄くスライスされたシリコンウェハであり、画素２−１乃至２−３ごとに、入射した光を光電変換により電荷に変換して蓄積する光電変換部３１−１乃至３１−３が形成される。
【００３２】
反射防止膜２２は、例えば、固定電荷膜および酸化膜が積層された積層構造とされ、例えば、ALD（Atomic Layer. Deposition）法による高誘電率（High-k）の絶縁薄膜を用いることができる。具体的には、酸化ハフニウム（ＨｆＯ2）や、酸化アルミニウム（Ａｌ2Ｏ3）、酸化チタン（ＴｉＯ2）、ＳＴＯ（Strontium Titan Oxide）などを用いることができる。図２の例では、反射防止膜２２は、酸化ハフニウム膜３２、酸化アルミニウム膜３３、および酸化シリコン膜３４が積層されて構成されている。
【００３３】
また、反射防止膜２２上の画素２どうしの境界となる領域には、遮光膜３５が形成されている。遮光膜３５の材料としては、光を遮光する材料であればよく、例えば、チタン（Ｔｉ）、窒化チタン（ＴｉＮ）、タングステン（Ｗ）、アルミニウム（Ａｌ）、または窒化タングステン（ＷＮ）などの単層の金属膜が用いられる。または、遮光膜３５として、これらの金属の積層膜（例えば、チタンとタングステンの積層膜や、窒化チタンとタングステンの積層膜など）を用いてもよい。
【００３４】
平坦化膜２３は、例えば、光を透過するとともに絶縁性を有する材料を成膜することにより形成され、表面を平坦化する。平坦化膜２３の材料としては、例えば、樹脂などの有機材料を用いることができる。
【００３５】
カラーフィルタ層２４は、画素２ごとに、所定の色の光を透過するフィルタ３６が配置されて構成されており、例えば、三原色（赤色、緑色、および青色）の光を透過するフィルタ３６が、いわゆるベイヤ（Ｂａｙｅｒ）配列に従って配置される。例えば、図示するように、画素２−１には、赤色（Ｒ）の光を透過するフィルタ３６−１が配置され、画素２−２には、緑色（Ｇ）の光を透過するフィルタ３６−２が配置され、画素２−３には、青色（Ｂ）の光を透過するフィルタ３６−３が配置される。カラーフィルタ層２４は、例えば顔料や染料などの色素を含んだ感光性樹脂を回転塗布することによって形成される。
【００３６】
オンチップレンズ層２５は、画素２ごとに、光電変換部３１に光を集光するオンチップレンズ３７が配置されて構成されており、図示するように、画素２−１乃至２−３に対してオンチップレンズ３７−１乃至３７−３がそれぞれ配置される。オンチップレンズ３７は、例えば、スチレン系樹脂、アクリル系樹脂、スチレン−アクリル共重合系樹脂、またはシロキサン系樹脂等の樹脂系材料で形成される。
【００３７】
このように固体撮像装置１は構成されており、図２の上側から固体撮像装置１に入射する光は、画素２ごとに、オンチップレンズ３７により集光され、フィルタ３６によりそれぞれの色に分光される。そして、画素２ごとに、平坦化膜２３および反射防止膜２２を透過して半導体基板２１に入射する光が、光電変換部３１において光電変換される。
【００３８】
ここで、固体撮像装置１に対して光が入射する側の面（図２において上側を向く面）を、以下適宜、光入射面と称する。そして、半導体基板２１の光入射面には、半導体基板２１に入射する入射光の反射を抑制するために、半導体基板２１の光入射面に微細な凹凸構造（いわゆるモスアイ構造）により形成される反射防止構造４１が設けられている。例えば、図２に示す構成例では、画素２−１乃至２−３ごとに、反射防止構造４１−１乃至４１−３が設けられ、画素２−１乃至２−３どうしの間の画素間領域には平坦面が設けられる。
【００３９】
次に、図３を参照して、反射防止構造４１について説明する。
【００４０】
図３には、半導体基板２１の光入射面に形成される反射防止構造４１が拡大して示されている。図３の下側には、反射防止構造４１の平面図が示されており、図３の上側には、平面図に示されているＡ−Ａ’断面における断面図が示されている。
【００４１】
反射防止構造４１は、半導体基板２１の光入射面に設けられ、高さの異なる複数種類の突起部を形成する構造によって屈折率が段階的に変化するように構成されている。図３の例では、高さの異なる２種類の突起部４２および４３を設けることで屈折率が２段階で変化するように構成されている。具体的には、反射防止構造４１は、250ｎｍの高さの複数の突起部４２がピッチ200ｎｍで形成され、それらの突起部４２の間に、125ｎｍの高さの突起部４３が形成されるように構成されている。
【００４２】
例えば、図４に示すように、従来の反射防止構造４１’は、同一の高さの突起部４２のみで構成されており、突起部４２どうしの間には平坦な面が形成されていた。これに対し、図３の反射防止構造４１は、従来の反射防止構造４１’のように突起部４２だけを形成する加工条件で加工したときにおいて突起部４２どうしの間で平坦となる箇所に、突起部４３が形成された構造となっている。
【００４３】
このように反射防止構造４１を構成することで、光入射面において屈折率が２段階で変化することになり、従来の反射防止構造４１’よりも、半導体基板２１の光入射面における反射率を低減することができる。
【００４４】
例えば、図５を参照して、光入射面における反射率について説明する。
【００４５】
図５において、横軸は、光入射面に入射する光の波長を示しており、縦軸は、光入射面における反射率を示している。
【００４６】
図５に示されている実線は、モスアイ構造が形成されずに平坦な構造とされた光入射面における反射率を示している。また、図５に示されている破線は、図４に示したように、同一の高さの突起部４２のみで構成される従来の反射防止構造４１’が設けられた光入射面における反射率を示している。また、図５に示されている一点鎖線は、図３に示したような本実施の形態の反射防止構造４１、即ち、高さの異なる２種類の突起部４２および４３により構成される反射防止構造４１が設けられた光入射面における反射率を示している。
【００４７】
図５に示すように、反射防止構造４１では、全ての波長における反射率を、従来の反射防止構造４１’よりも大幅に低減することができる。なお、従来の反射防止構造４１’でも、平坦な構造とされた光入射面と比較して反射率を低減させることが示されているが、入射光の波長の全体に亘って５％以上の反射率であった。これに対し、反射防止構造４１では、例えば、入射光の波長が550ｎｍから600ｎｍまでの範囲付近では、反射率を１％以下まで抑制することができることが示されている。
【００４８】
従って、このように反射率を低減することができる反射防止構造４１により、半導体基板２１に入射する入射光の反射を抑制することができるので、画素２の感度を向上させ、固体撮像装置１により撮像される画像の高画質化を図ることができる。
【００４９】
このように固体撮像装置１は構成されており、高さの異なる複数種類の突起部により構成される反射防止構造４１は、それぞれ異なる加工条件により複数段階に分けて、半導体基板２１の光入射面を掘り込む加工を行うことにより製造することができる。
【００５０】
次に、図６および図７を参照して、固体撮像装置１の製造方法について説明する。
【００５１】
まず、図６の最上段に示すように、第１の工程において、光電変換部３１が形成された後に裏面側から薄膜化された半導体基板２１の裏面に対し、酸化シリコン（ＳｉＯ2）などを用いたハードマスク層５１を成膜し、その上にレジスト５２を塗布する。
【００５２】
第２の工程において、図６の上から２段目に示すように、突起部４２が形成される領域に対応するパターンを露光し、その領域以外の部分のレジスト５２を除去する。これにより、レジスト５２は、突起部４２が形成される領域に対応するパターンが残された形状になる。
【００５３】
第３の工程において、第１の加工条件で設定された所定のイオン量でドライエッチングが行われ、レジスト５２のパターンに従って、ハードマスク層５１が除去されるとともに、半導体基板２１の裏面が加工される。これにより、図６の上から３段目に示すように、半導体基板２１の裏面が掘り込まれ、半導体基板２１の結晶構造に従って断面形状がＶ字型の凹部が形成される。
【００５４】
第４の工程において、第１の加工条件とは異なる第２の加工条件で、例えば、第１の加工条件よりもイオン量を増加するように設定された第２の加工条件でドライエッチングが行われる。このように、それぞれ異なる加工条件により２ステップに分けてエッチングを行うことにより、図６の上から４段目に示すように、高さの異なる２種類の突起部４２および４３からなる微細凹凸構造が形成される。
【００５５】
次に、図７の最上段に示すように、第５の工程において、ハードマスク層５１およびレジスト５２が除去される。
【００５６】
第６の工程において、図７の上から２段目に示すように、半導体基板２１の裏面に形成された微細凹凸構造を含む全面に、酸化ハフニウム膜３２、酸化アルミニウム膜３３、および酸化シリコン膜３４を積層することにより、反射防止膜２２が成膜される。
【００５７】
第７の工程において、図７の上から３段目に示すように、反射防止膜２２上の画素２どうしの境界となる領域に遮光膜３５が形成される。
【００５８】
そして、第８の工程において、図７の上から４段目に示すように、平坦化膜２３が成膜され、カラーフィルタ層２４およびオンチップレンズ層２５が積層されることにより、固体撮像装置１が製造される。
【００５９】
以上のように、固体撮像装置１では、それぞれ異なる加工条件により２ステップに分けてエッチングを行うことで、高さの異なる２種類の突起部４２および４３が形成された反射防止構造４１を設けることができる。
【００６０】
このとき、固体撮像装置１では、上述したような、例えば、加工時間を長時間に設定することにより懸念される不具合（例えば、ダーク特性の悪化や残渣など）の発生を防止することができる。即ち、固体撮像装置１は、微細凹凸構造の凹部を深く形成する構成と比較して、より良好な特性を有することができる。つまり、固体撮像装置１は、微細凹凸構造の凹部を深く形成することなく、反射率を低減することができる。
【００６１】
これにより、固体撮像装置１は、例えば、上述したようなフレアまたはゴーストの発生を防止することができ、より高画質の画像を撮像することができる。
【００６２】
ところで、上述した実施の形態では、反射防止構造４１は、高さの異なる２種類の突起部４２および４３により構成されていたが、高さの異なる２種類以上の突起部により構成することができる。例えば、高さの異なる３種類の突起部、または、それ以上の種類の突起部により反射防止構造４１を構成することができる。
【００６３】
図８には、反射防止構造の変形例が示されている。
【００６４】
図８に示されている反射防止構造４１Ａは、半導体基板２１の光入射面に、高さの異なる３種類の突起部４２、突起部４３、および突起部４４が形成されて構成される。即ち、反射防止構造４１Ａは、高さの高い突起部４２と高さの低い突起部４３との間に、それらの中間の高さの突起部４４が形成されて構成されている。
【００６５】
このように高さの異なる３種類の突起部４２、突起部４３、および突起部４４を設けることで、反射防止構造４１Ａは、屈折率が３段階で変化するように構成され、より反射率を低減することができる。
【００６６】
なお、本実施の形態においては、半導体基板２１の光入射面に反射防止構造４１が設けられる構成について説明したが、反射防止構造４１は、半導体基板２１に対して光が入射する側に設けられていれば、この光入射面以外に設けられていてもよい。例えば、半導体基板２１の光入射面側にある平坦化膜２３の表面や、カラーフィルタ層２４の表面、オンチップレンズ層２５の表面などに、複数の高さの異なる突起部が形成される反射防止構造を設けることができる。
【００６７】
＜３．電子機器への適用例＞
本開示の技術は、固体撮像装置への適用に限られるものではない。即ち、本開示の技術は、デジタルスチルカメラやビデオカメラ等の撮像装置や、撮像機能を有する携帯端末装置や、画像読取部に固体撮像装置を用いる複写機など、画像取込部（光電変換部）に固体撮像装置を用いる電子機器全般に対して適用可能である。固体撮像装置は、ワンチップとして形成された形態であってもよいし、撮像部と信号処理部または光学系とがまとめてパッケージングされた撮像機能を有するモジュール状の形態であってもよい。
【００６８】
図９は、本開示に係る電子機器としての撮像装置の構成例を示すブロック図である。
【００６９】
図９の撮像装置２００は、レンズ群などからなる光学部２０１、図１の固体撮像装置１の構成が採用される固体撮像装置（撮像デバイス）２０２、およびカメラ信号処理回路であるDSP(Digital Signal Processor)回路２０３を備える。また、撮像装置２００は、フレームメモリ２０４、表示部２０５、記録部２０６、操作部２０７、および電源部２０８も備える。DSP回路２０３、フレームメモリ２０４、表示部２０５、記録部２０６、操作部２０７および電源部２０８は、バスライン２０９を介して相互に接続されている。
【００７０】
光学部２０１は、被写体からの入射光（像光）を取り込んで固体撮像装置２０２の撮像面上に結像する。固体撮像装置２０２は、光学部２０１によって撮像面上に結像された入射光の光量を画素単位で電気信号に変換して画素信号として出力する。この固体撮像装置２０２として、図１の固体撮像装置１、即ち、光入射面における反射率を抑制した固体撮像装置を用いることができる。
【００７１】
表示部２０５は、例えば、液晶パネルや有機ＥＬ(Electro Luminescence)パネル等のパネル型表示装置からなり、固体撮像装置２０２で撮像された動画または静止画を表示する。記録部２０６は、固体撮像装置２０２で撮像された動画または静止画を、ハードディスクや半導体メモリ等の記録媒体に記録する。
【００７２】
操作部２０７は、ユーザによる操作の下に、撮像装置２００が持つ様々な機能について操作指令を発する。電源部２０８は、DSP回路２０３、フレームメモリ２０４、表示部２０５、記録部２０６および操作部２０７の動作電源となる各種の電源を、これら供給対象に対して適宜供給する。
【００７３】
上述したように、固体撮像装置２０２として、上述した固体撮像装置１を用いることで、入射光の反射を防止することができる。従って、ビデオカメラやデジタルスチルカメラ、さらには携帯電話機等のモバイル機器向けカメラモジュールなどの撮像装置２００においても、撮像画像の高画質化を図ることができる。
【００７４】
なお、本技術は以下のような構成も取ることができる。
（１）
複数の画素ごとに光電変換部が形成される半導体基板と、
前記半導体基板に光が入射する光入射面側に設けられ、高さの異なる複数種類の突起部が形成された構造である反射防止構造と
を備える固体撮像装置。
（２）
前記反射防止構造は、それぞれ異なる加工条件により複数段階に分けて前記半導体基板の光入射面を掘り込む加工を行うことにより形成される
上記（１）に記載の固体撮像装置。
（３）
前記反射防止構造は、所定の高さの第１の突起部の間に、前記第１の突起部よりも高さの低い第２の突起部が形成された構造である
上記（１）または（２）に記載の固体撮像装置。
（４）
前記反射防止構造は、
前記半導体基板の前記光入射面に対して、前記第１の突起部を設ける箇所に対応するパターンのマスクを形成し、
第１の加工条件で前記半導体基板の前記光入射面を掘り込む加工を行い、
前記第２の突起部が残るような前記第１の加工条件とは異なる第２の加工条件で、さらに前記光入射面を掘り込む加工を行う
ことにより形成される
上記（３）に記載の固体撮像装置。
（５）
複数の画素ごとに光電変換部が形成される半導体基板に光が入射する光入射面側に設けられ、高さの異なる複数種類の突起部が形成された構造である反射防止構造を、それぞれ異なる加工条件により複数段階に分けて前記半導体基板の光入射面を掘り込む加工を行うことにより形成する
ステップを含む製造方法。
（６）
複数の画素ごとに光電変換部が形成される半導体基板と、
前記半導体基板に光が入射する光入射面側に設けられ、高さの異なる複数種類の突起部が形成された構造である反射防止構造と
を有する固体撮像装置を備える電子機器。
【００７５】
なお、本実施の形態は、上述した実施の形態に限定されるものではなく、本開示の要旨を逸脱しない範囲において種々の変更が可能である。
【符号の説明】
【００７６】
１  固体撮像装置，  ２  画素，  ３  画素アレイ部，  １２  半導体基板，  ２１  半導体基板，  ２２  反射防止膜，  ２３  平坦化膜，  ２４  カラーフィルタ層，  ２５  オンチップレンズ層，  ３１  光電変換部，  ３２  酸化ハフニウム膜，  ３３  酸化アルミニウム膜，  ３４  酸化シリコン膜，  ３５  遮光膜，  ３６  フィルタ，  ３７  オンチップレンズ，  ４１  反射防止構造，  ４２乃至４４  突起部，  ５１  ハードマスク層，  ５２  レジスト，  ２００  撮像装置，  ２０２  固体撮像装置
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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