(57)【要約】【課題】信頼性及び表示品質の高い液晶装置の製造方法を提供する。【解決手段】無機配向膜を形成する工程と、無機配向膜をシランカップリング剤を用いて処理する工程と、シランカップリング剤を用いて処理された無機配向膜にトリメチルクロロシラン（ＴＭＣＳ）の表面処理をする工程と、を含む。【選択図】図５
2015210465.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
無機配向膜を形成する工程と、
前記無機配向膜をシランカップリング剤を用いて処理する工程と、
前記シランカップリング剤を用いて処理された前記無機配向膜にトリメチルクロロシラン（ＴＭＣＳ）を用いて処理をする工程と、
を含むことを特徴とする液晶装置の製造方法。
【請求項２】
請求項１に記載の液晶装置の製造方法であって、
前記トリメチルクロロシランを用いた処理は、トリメチルシリル化剤を用い、
前記トリメチルシリル化剤は、ＴＭＳＩ（トリメチルシリルイミダゾール）であることを特徴とする液晶装置の製造方法。
【請求項３】
請求項１に記載の液晶装置の製造方法であって、
前記トリメチルクロロシランを用いた処理は、トリメチルシリル化剤を用い、
前記トリメチルシリル化剤は、ＢＳＡ（Ｎ，Ｏ−ビス（トリメチル）アセトアミド）であることを特徴とする液晶装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、無機配向膜を備えた液晶装置の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
上記液晶装置の一つとして、例えば、画素電極をスイッチング制御する素子としてトランジスターを画素ごとに備えたアクティブ駆動方式の液晶装置が知られている。液晶装置は、例えば、直視型ディスプレイやプロジェクターのライトバルブなどにおいて用いられている。
【０００３】
液晶装置は、素子基板と対向基板との間に液晶層が挟持された構造となっている。素子基板の液晶層側の表面、及び対向基板の液晶層側の表面には、蒸着装置を用いて酸化シリコン（ＳｉＯ2）を斜方蒸着した無機配向膜が設けられている。
【０００４】
この無機配向膜の表面に水酸基（ＯＨ基）が残っていると、光が照射された場合、水酸基と液晶との光化学反応により液晶が劣化する恐れがある。そこで、無機配向膜の表面に、例えば、特許文献１及び特許文献２に記載のように、シランカップリング処理を行うことにより水酸基を少なくして、明るさを向上させるべく耐光性を向上させている技術が開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２００７−２７９２０１号公報
【特許文献２】特開２０１２−１５０３３６号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかしながら、シランカップリング処理の反応が緩やかに進行するので、無機配向膜の表面の全ての水酸基とシランカップリング剤とを結合させることが難しい。よって、未反応の水酸基が残存することがあり、この水酸基と液晶との光化学反応により、耐光性が劣化するという課題がある。加えて、長期の信頼性が低下するという課題がある。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明の態様は、上記課題の少なくとも一部を解決するためになされたものであり、以下の形態又は適用例として実現することが可能である。
【０００８】
［適用例１］本適用例に係る液晶装置の製造方法は、無機配向膜を形成する工程と、前記無機配向膜をシランカップリング剤を用いて処理する工程と、前記シランカップリング剤を用いて処理された前記無機配向膜にトリメチルクロロシラン（ＴＭＣＳ）を用いて処理をする工程と、を含むことを特徴とする。
【０００９】
本適用例によれば、シランカップリング剤を用いた処理を行った後、無機配向膜もしくはシランカップリング剤末端に未反応の水酸基が残留しても、引き続いて処理を行うトリメチルクロロシランは未反応水酸基と結合するので、水酸基が残留しない。また、この反応により生成するＨＣｌはシランカップリング剤の加水分解を促進するので、アルコキシ基が残存する懸念がなくなる。その結果、耐光性を向上させることが可能となり、単位面積当たりの明るさを向上させることができる。加えて、長期的に水酸基の発生の恐れもなくなり、信頼性を向上させることができる。
【００１０】
［適用例２］上記適用例に係る液晶装置の製造方法において、前記トリメチルクロロシランを用いた処理は、トリメチルシリル化剤を用い、前記トリメチルシリル化剤は、ＴＭＳＩ（トリメチルシリルイミダゾール）であることが好ましい。
【００１１】
本適用例によれば、残存水酸基はトリメチルシリル化剤が結合してなくなり、トリメチルシリル化剤の副生成物であるイミダゾールによりシランカップリング剤の加水分解が促進される。その結果、耐光性を向上させることが可能となり、単位面積当たりの明るさを向上させることができる。加えて、長期的に水酸基の発生の恐れもなくなり、信頼性を向上させることができる。
【００１２】
［適用例３］上記適用例に係る液晶装置の製造方法において、前記トリメチルクロロシランを用いた処理は、トリメチルシリル化剤を用い、前記トリメチルシリル化剤は、ＢＳＡ（Ｎ，Ｏ−ビス（トリメチル）アセトアミド）であることが好ましい。
【００１３】
本適用例によれば、残存水酸基はトリメチルシリル化剤が結合してなくなり、トリメチルシリル化剤の副生成物によりシランカップリング剤の加水分解が促進される。その結果、耐光性を向上させることが可能となり、単位面積当たりの明るさを向上させることができる。加えて、長期的に水酸基の発生の恐れもなくなり、信頼性を向上させることができる。
【図面の簡単な説明】
【００１４】
【図１】液晶装置の構成を示す模式平面図。
【図２】図１に示す液晶装置のＨ−Ｈ’線に沿う模式断面図。
【図３】液晶装置の電気的な構成を示す等価回路図。
【図４】液晶装置のうち主に画素の構造を示す模式断面図。
【図５】液晶装置の製造方法を工程順に示すフローチャート。
【図６】無機配向膜の構造を示す模式断面図。
【図７】無機配向膜の表面の状態を表した図。
【図８】無機配向膜の表面の状態を表した図。
【図９】無機配向膜の表面の状態を表した図。
【図１０】投射型表示装置の構成を示す概略図。
【発明を実施するための形態】
【００１５】
以下、本発明を具体化した実施形態について図面に従って説明する。なお、使用する図面は、説明する部分が認識可能な状態となるように、適宜拡大または縮小して表示している。
【００１６】
なお、以下の形態において、例えば「基板上に」と記載された場合、基板の上に接するように配置される場合、または基板の上に他の構成物を介して配置される場合、または基板の上に一部が接するように配置され、一部が他の構成物を介して配置される場合を表すものとする。
【００１７】
本実施形態では、液晶装置の一例として、薄膜トランジスター（ＴＦＴ：Thin Film Transistor）を画素のスイッチング素子として備えたアクティブマトリックス型の液晶装置を例に挙げて説明する。この液晶装置は、例えば、投射型表示装置（液晶プロジェクター）の光変調素子（液晶ライトバルブ）として好適に用いることができるものである。
【００１８】
＜液晶装置の構成＞
図１は、液晶装置の構成を示す模式平面図である。図２は、図１に示す液晶装置のＨ−Ｈ’線に沿う模式断面図である。図３は、液晶装置の電気的な構成を示す等価回路図である。以下、液晶装置の構成を、図１〜図３を参照しながら説明する。
【００１９】
図１及び図２に示すように、本実施形態の液晶装置１００は、対向するように配置された素子基板１０及び対向基板２０と、これら一対の基板によって挟持された液晶層１５とを有する。素子基板１０を構成する基板としての第１基材１０ａは、例えば、ガラス基板、石英基板などの透明基板、あるいはシリコン基板が用いられ、対向基板２０を構成する第２基材２０ａは、例えば、ガラス基板、石英基板などの透明基板が用いられている。
【００２０】
素子基板１０は対向基板２０よりも大きく、両基板１０，２０は、対向基板２０の外周に沿って配置されたシール材１４を介して接合されている。平面視で環状に設けられたシール材１４の内側で、素子基板１０は対向基板２０の間に正または負の誘電異方性を有する液晶が封入されて液晶層１５を構成している。シール材１４は、例えば熱硬化性又は紫外線硬化性のエポキシ樹脂などの接着剤が採用されている。シール材１４には、一対の基板の間隔を一定に保持するためのスペーサー（図示省略）が混入されている。
【００２１】
シール材１４の内縁より内側には、複数の画素Ｐが配列した表示領域Ｅが設けられている。表示領域Ｅは、表示に寄与する複数の画素Ｐに加えて、複数の画素Ｐを囲むように配置されたダミー画素を含むとしてもよい。また、図１及び図２では図示を省略したが、表示領域Ｅにおいて複数の画素Ｐをそれぞれ平面的に区分する遮光膜（ブラックマトリックス：ＢＭ）が対向基板２０に設けられている。
【００２２】
素子基板１０の１辺部に沿ったシール材１４と該１辺部との間に、データ線駆動回路２２が設けられている。また、該１辺部に対向する他の１辺部に沿ったシール材１４と表示領域Ｅとの間に、検査回路２５が設けられている。さらに、該１辺部と直交し互いに対向する他の２辺部に沿ったシール材１４と表示領域Ｅとの間に走査線駆動回路２４が設けられている。該１辺部と対向する他の１辺部に沿ったシール材１４と検査回路２５との間には、２つの走査線駆動回路２４を繋ぐ複数の配線２９が設けられている。
【００２３】
対向基板２０における環状に配置されたシール材１４と表示領域Ｅとの間には、遮光部材としての遮光膜１８（見切り部）が設けられている。遮光膜１８は、例えば、遮光性の金属あるいは金属酸化物などからなり、遮光膜１８の内側が複数の画素Ｐを有する表示領域Ｅとなっている。なお、図１では図示を省略したが、表示領域Ｅにおいても複数の画素Ｐを平面的に区分する遮光膜が設けられている。
【００２４】
これらデータ線駆動回路２２、走査線駆動回路２４に繋がる配線は、該１辺部に沿って配列した複数の外部接続用端子６１に接続されている。以降、該１辺部に沿った方向をＸ方向とし、該１辺部と直交し互いに対向する他の２辺部に沿った方向をＹ方向として説明する。
【００２５】
図２に示すように、第１基材１０ａの液晶層１５側の表面には、画素Ｐごとに設けられた透光性の画素電極２７およびスイッチング素子である薄膜トランジスター（ＴＦＴ：Thin Film Transistor、以降、「ＴＦＴ３０」と呼称する）と、信号配線と、これらを覆う無機配向膜２８とが形成されている。
【００２６】
また、ＴＦＴ３０における半導体層に光が入射してスイッチング動作が不安定になることを防ぐ遮光構造が採用されている。本発明における素子基板１０は、少なくとも画素電極２７、ＴＦＴ３０、無機配向膜２８を含むものである。
【００２７】
対向基板２０の液晶層１５側の表面には、遮光膜１８と、これを覆うように成膜された絶縁膜３３と、絶縁膜３３を覆うように設けられた対向電極３１と、対向電極３１を覆う無機配向膜３２とが設けられている。本発明における対向基板２０は、少なくとも絶縁膜３３、対向電極３１、無機配向膜３２を含むものである。
【００２８】
遮光膜１８は、図１に示すように、表示領域Ｅを取り囲むと共に、平面的に走査線駆動回路２４、検査回路２５と重なる位置に設けられている（図示簡略）。これにより対向基板２０側からこれらの駆動回路を含む周辺回路に入射する光を遮蔽して、周辺回路が光によって誤動作することを防止する役目を果たしている。また、不必要な迷光が表示領域Ｅに入射しないように遮蔽して、表示領域Ｅの表示における高いコントラストを確保している。
【００２９】
絶縁膜３３は、例えば酸化シリコンなどの無機材料からなり、光透過性を有して遮光膜１８を覆うように設けられている。このような絶縁膜３３の形成方法としては、例えばプラズマＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）法などを用いて成膜する方法が挙げられる。
【００３０】
対向電極３１は、例えばＩＴＯ（Indium Tin Oxide）などの透明導電膜からなり、絶縁膜３３を覆うと共に、図１に示すように対向基板２０の四隅に設けられた上下導通部２６により素子基板１０側の配線に電気的に接続している。
【００３１】
画素電極２７を覆う無機配向膜２８、および対向電極３１を覆う無機配向膜３２は、液晶装置１００の光学設計に基づいて選定される。無機配向膜２８，３２としては、気相成長法を用いてＳｉＯｘ（酸化シリコン）などの無機材料を成膜して、負の誘電異方性を有する液晶分子に対して略垂直配向させた無機配向膜が挙げられる。
【００３２】
このような液晶装置１００は透過型であって、電圧が印加されない時の画素Ｐの透過率が電圧印加時の透過率よりも大きいノーマリーホワイトや、電圧が印加されない時の画素Ｐの透過率が電圧印加時の透過率よりも小さいノーマリーブラックモードの光学設計が採用される。光の入射側と射出側とにそれぞれ偏光素子が光学設計に応じて配置されて用いられる。
【００３３】
図３に示すように、液晶装置１００は、少なくとも表示領域Ｅにおいて互いに絶縁されて直交する複数の走査線３ａおよび複数のデータ線６ａと、共通電位配線としての容量線３ｂとを有する。走査線３ａが延在する方向がＸ方向であり、データ線６ａが延在する方向がＹ方向である。
【００３４】
走査線３ａとデータ線６ａならびに容量線３ｂと、これらの信号線類により区分された領域に、画素電極２７と、ＴＦＴ３０と、容量素子１６とが設けられ、これらが画素Ｐの画素回路を構成している。
【００３５】
走査線３ａはＴＦＴ３０のゲートに電気的に接続され、データ線６ａはＴＦＴ３０のデータ線側ソースドレイン領域（ソース領域）に電気的に接続されている。画素電極２７は、ＴＦＴ３０の画素電極側ソースドレイン領域（ドレイン領域）に電気的に接続されている。
【００３６】
データ線６ａは、データ線駆動回路２２（図１参照）に接続されており、データ線駆動回路２２から供給される画像信号Ｄ１，Ｄ２，…，Ｄｎを画素Ｐに供給する。走査線３ａは、走査線駆動回路２４（図１参照）に接続されており、走査線駆動回路２４から供給される走査信号ＳＣ１，ＳＣ２，…，ＳＣｍを各画素Ｐに供給する。
【００３７】
データ線駆動回路２２からデータ線６ａに供給される画像信号Ｄ１〜Ｄｎは、この順に線順次で供給してもよく、互いに隣り合う複数のデータ線６ａ同士に対してグループごとに供給してもよい。走査線駆動回路２４は、走査線３ａに対して、走査信号ＳＣ１〜ＳＣｍを所定のタイミングで供給する。
【００３８】
液晶装置１００は、スイッチング素子であるＴＦＴ３０が走査信号ＳＣ１〜ＳＣｍの入力により一定期間だけオン状態とされることで、データ線６ａから供給される画像信号Ｄ１〜Ｄｎが所定のタイミングで画素電極２７に書き込まれる構成となっている。そして、画素電極２７を介して液晶層１５に書き込まれた所定レベルの画像信号Ｄ１〜Ｄｎは、画素電極２７と液晶層１５を介して対向配置された対向電極３１との間で一定期間保持される。
【００３９】
保持された画像信号Ｄ１〜Ｄｎがリークするのを防止するため、画素電極２７と対向電極３１との間に形成される液晶容量と並列に容量素子１６が接続されている。容量素子１６は、ＴＦＴ３０の画素電極側ソースドレイン領域と容量線３ｂとの間に設けられている。容量素子１６は、２つの容量電極の間に誘電体層を有するものである。
【００４０】
＜液晶装置を構成する画素の構成＞
図４は、液晶装置のうち主に画素の構造を示す模式断面図である。以下、液晶装置のうち画素の構造を、図４を参照しながら説明する。なお、図４は、各構成要素の断面的な位置関係を示すものであり、明示可能な尺度で表されている。
【００４１】
図４に示すように、液晶装置１００は、素子基板１０と、これに対向配置される対向基板２０とを備えている。素子基板１０を構成する第１基材１０ａは、上記したように、例えば、石英基板等によって構成されている。
【００４２】
図４に示すように、第１基材１０ａ上には、例えば、Ａｌ（アルミニウム）、Ｔｉ（チタン）、Ｃｒ（クロム）、Ｗ（タングステン）等の材料を含む下側遮光層３ｃが形成されている。下側遮光層３ｃは、平面的に格子状にパターニングされており、各画素Ｐの開口領域を規定している。なお、下側遮光層３ｃは、導電性を有し、走査線３ａの一部として機能するようにしてもよい。第１基材１０ａ及び下側遮光層３ｃ上には、酸化シリコン等からなる下地絶縁層１１ａが形成されている。
【００４３】
下地絶縁層１１ａ上には、ＴＦＴ３０及び走査線３ａ等が形成されている。ＴＦＴ３０は、例えば、ＬＤＤ（Lightly Doped Drain）構造を有しており、ポリシリコン（高純度の多結晶シリコン）等からなる半導体層３０ａと、半導体層３０ａ上に形成されたゲート絶縁層１１ｇと、ゲート絶縁層１１ｇ上に形成されたポリシリコン膜等からなるゲート電極３０ｇとを有する。走査線３ａは、ゲート電極３０ｇとしても機能する。
【００４４】
半導体層３０ａは、例えば、リン（Ｐ）イオン等のＮ型の不純物イオンが注入されることにより、Ｎ型のＴＦＴ３０として形成されている。具体的には、半導体層３０ａは、チャネル領域３０ｃと、データ線側ＬＤＤ領域３０ｓ１と、データ線側ソースドレイン領域３０ｓと、画素電極側ＬＤＤ領域３０ｄ１と、画素電極側ソースドレイン領域３０ｄとを備えている。
【００４５】
チャネル領域３０ｃには、ボロン（Ｂ）イオン等のＰ型の不純物イオンがドープされている。その他の領域（３０ｓ１，３０ｓ，３０ｄ１，３０ｄ）には、リン（Ｐ）イオン等のＮ型の不純物イオンがドープされている。このように、ＴＦＴ３０は、Ｎ型のＴＦＴとして形成されている。
【００４６】
ゲート電極３０ｇ及びゲート絶縁層１１ｇ上には、酸化シリコン等からなる第１層間絶縁層１１ｂが形成されている。第１層間絶縁層１１ｂ上には、容量素子１６が設けられている。具体的には、ＴＦＴ３０の画素電極側ソースドレイン領域３０ｄ及び画素電極２７に電気的に接続された画素電位側容量電極としての第１容量電極１６ａと、固定電位側容量電極としての容量線３ｂ（第２容量電極１６ｂ）の一部とが、誘電体膜１６ｃを介して対向配置されることにより、容量素子１６が形成されている。
【００４７】
誘電体膜１６ｃは、例えば、シリコン窒化膜である。第２容量電極１６ｂ（容量線３ｂ）は、例えば、Ｔｉ（チタン）、Ｃｒ（クロム）、Ｗ（タングステン）、Ｔａ（タンタル）、Ｍｏ（モリブデン）等の高融点金属のうち少なくとも一つを含む、金属単体、合金、金属シリサイド、ポリシリサイド、これらを積層したもの等からなる。或いは、Ａｌ（アルミニウム）膜から形成することも可能である。
【００４８】
第１容量電極１６ａは、例えば、導電性のポリシリコン膜からなり容量素子１６の画素電位側容量電極として機能する。ただし、第１容量電極１６ａは、容量線３ｂと同様に、金属又は合金を含む単一層膜又は多層膜から構成してもよい。第１容量電極１６ａは、画素電位側容量電極としての機能のほか、コンタクトホールＣＮＴ１，ＣＮＴ３，ＣＮＴ４を介して、画素電極２７とＴＦＴ３０の画素電極側ソースドレイン領域３０ｄ（ドレイン領域）とを中継接続する機能を有する。
【００４９】
容量素子１６上には、第２層間絶縁層１１ｃを介してデータ線６ａが形成されている。データ線６ａは、ゲート絶縁層１１ｇ、第１層間絶縁層１１ｂ、誘電体膜１６ｃ、及び第２層間絶縁層１１ｃに開孔されたコンタクトホールＣＮＴ２を介して、半導体層３０ａのデータ線側ソースドレイン領域３０ｓ（ソース領域）に電気的に接続されている。
【００５０】
データ線６ａの上層には、第３層間絶縁層１１ｄを介して画素電極２７が形成されている。第３層間絶縁層１１ｄは、例えば、シリコンの酸化物や窒化物からなり、ＴＦＴ３０が設けられた領域を覆うことによって生じる表面の凸部を平坦化する平坦化処理が施される。平坦化処理の方法としては、例えば化学的機械的研磨処理（Chemical Mechanical Polishing：ＣＭＰ処理）やスピンコート処理などが挙げられる。第３層間絶縁層１１ｄには、コンタクトホールＣＮＴ４が形成されている。
【００５１】
画素電極２７は、コンタクトホールＣＮＴ４，ＣＮＴ３を介して第１容量電極１６ａに接続されることにより、半導体層３０ａの画素電極側ソースドレイン領域３０ｄ（ドレイン領域）に電気的に接続されている。なお、画素電極２７は、例えば、ＩＴＯ膜等の透明導電性膜、あるいはＡｌ膜等の光反射性膜から形成されている。
【００５２】
画素電極２７及び隣り合う画素電極２７間の第３層間絶縁層１１ｄ上には、酸化シリコン（ＳｉＯ2）などの無機材料を斜方蒸着した無機配向膜２８が設けられている。無機配向膜２８の表面には、水酸基をなくすために、シランカップリング処理と、ＴＭＣＳ（トリメチルクロロシラン）処理が施されている。無機配向膜２８の上には、シール材１４（図１及び図２参照）により囲まれた空間に液晶等が封入された液晶層１５が設けられている。
【００５３】
一方、第２基材２０ａ上（液晶層１５側）には、例えば、ＰＳＧ膜（リンをドーピングした酸化シリコン）などからなる絶縁膜３３が設けられている。絶縁膜３３上には、その全面に渡って対向電極３１が設けられている。対向電極３１上には、酸化シリコン（ＳｉＯ2）などの無機材料を斜方蒸着した無機配向膜３２が設けられている。無機配向膜３２の表面には、水酸基をなくすために、シランカップリング処理と、ＴＭＣＳ（トリメチルクロロシラン）処理が施されている。対向電極３１は、上述の画素電極２７と同様に、例えばＩＴＯ膜等の透明導電性膜からなる。
【００５４】
液晶層１５は、画素電極２７と対向電極３１との間で電界が生じていない状態で無機配向膜２８，３２によって所定の配向状態をとる。シール材１４は、素子基板１０及び対向基板２０を貼り合わせるための、例えば光硬化性樹脂や熱硬化性樹脂からなる接着剤であり、素子基板１０と対向基板２０の距離を所定値とするためのグラスファイバー或いはガラスビーズ等のスペーサーが混入されている。
【００５５】
＜液晶装置の製造方法＞
図５は、液晶装置の製造方法を工程順に示すフローチャートである。図６は、無機配向膜の構造を示す模式断面図である。図７〜図９は、無機配向膜の表面の状態を表した図である。以下、液晶装置の製造方法、及び無機配向膜の表面の状態を、図５〜図９を参照しながら説明する。
【００５６】
最初に、素子基板１０側の製造方法を説明する。まず、ステップＳ１１では、石英基板などからなる第１基材１０ａ上にＴＦＴ３０を形成する。具体的には、まず、第１基材１０ａ上に、アルミニウムなどからなる下側遮光層３ｃ（走査線）を成膜する。その後、周知の成膜技術を用いて、酸化シリコンなどからなる下地絶縁層１１ａを成膜する。
【００５７】
次に、下地絶縁層１１ａ上に、ＴＦＴ３０を形成する。具体的には、周知の成膜技術、フォトリソグラフィ技術、及びエッチング技術を用いて、ＴＦＴ３０を形成する。
【００５８】
ステップＳ１２では、画素電極２７を形成する。製造方法としては、上記と同様に、周知の成膜技術、フォトリソグラフィ技術、及びエッチング技術を用いて、画素電極２７を形成する。
【００５９】
ステップＳ１３では、無機配向膜２８を形成する。具体的には、画素電極２７などを覆うように無機配向膜２８を斜方蒸着法により形成する。これにより、図６に示すように、素子基板１０の表面に、所定の角度に傾くように柱状に積み重ねられたカラム（図示省略）を有する無機配向膜２８が形成される。
【００６０】
ステップＳ１４では、無機配向膜２８の表面にシランカップリング処理を施す。具体的には、例えば、成膜室に気化させたシランカップリング剤（図７（ａ）参照）を含むキャリアガスを導入する。また、成膜室に水分を供給することにより、図７（ｂ）に示すように、シランカップリング剤と水分が結合してアルコールが放出される（脱アルコール）。そして、メトキシ基の部分を加水分解する（図７（ｃ）参照）。
【００６１】
その後、加水分解されたシランカップリング剤が無機配向膜２８の水酸基と反応する。そして、図８（ｄ）に示すように、水素結合を経て脱水縮合反応する。シランカップリング剤は、図８（ｅ）に示すように、無機配向膜２８の表面の水酸基と化学結合する（シロキサン結合）。
【００６２】
ステップＳ１５では、無機配向膜２８の表面に、ＴＭＣＳ（トリメチルクロロシラン）処理を施す。具体的には、シランカップリング剤の表面処理と同様、例えば、成膜室に気化させたトリメチルシリル化剤を含むキャリアガスを導入する。これにより、図８（ｆ）に示すように、トリメチルクロロシランの反応の結果、副生成物としてＨＣｌ（塩化水素）が生じる。ＨＣｌは、シランカップリング剤の加水分解を促進するという触媒作用がある。そして、触媒作用によって、未反応のシランカップリング剤の加水分解性基を全て加水分解する（ＨＣｌが水酸基と反応して水酸基が残らない）ので、後に加水分解して水酸基が生じることが抑えられ、信頼性が向上する。
【００６３】
なお、図９にＴＭＣＳ（トリメチルクロロシラン）の反応機構を示す。また、トリメチルクロロシラン処理の場合、反応の結果生じる副生成物がＨＣｌは酸性である。シランカップリング剤は、酸性もしくはアルカリ性の場合、加水分解がよく進むという特徴（触媒作用）がある。よって、トリメチルシリル化剤を用いることにより、無機配向膜２８由来でシランカップリング剤が結合しなかった水酸基を無くすことができる。その結果、耐光性を向上させることができる。
【００６４】
以上のように、シランカップリング処理を行った後、引き続きトリメチルクロロシランによる表面処理を行うことにより、無機配向膜２８の表面に水酸基（ＯＨ基）が残ることを抑えることができる。よって、耐光性を向上させることが可能となり、明るい表示を行うことができる。以上により、素子基板１０側が完成する。次に、対向基板２０側の製造方法を説明する。
【００６５】
まず、ステップＳ２１では、ガラス基板等の透光性材料からなる第２基材２０ａ上に、周知の成膜技術、フォトリソグラフィ技術及びエッチング技術を用いて、対向電極３１を形成する。
【００６６】
ステップＳ２２では、対向電極３１上に無機配向膜３２を形成する。無機配向膜３２の製造方法は、上記した無機配向膜２８の場合と同様であり、例えば、斜方蒸着法を用いて形成する。
【００６７】
ステップＳ２３では、無機配向膜３２の表面にシランカップリング処理を施す。具体的には、上記した無機配向膜２８への処理方法と同様である。
【００６８】
ステップＳ２４では、無機配向膜３２の表面に、ＴＭＣＳ（トリメチルクロロシラン）処理を施す。具体的には、上記した無機配向膜２８への処理方法と同様である。
【００６９】
以上のように、シランカップリング処理を行った後、引き続きトリメチルクロロシランによる表面処理を行うことにより、無機配向膜３２の表面に水酸基が残ることを抑えることができる。よって、耐光性を向上させることが可能となり、明るい表示を行うことができる。以上により、対向基板２０側が完成する。次に、素子基板１０と対向基板２０とを貼り合わせる方法を説明する。
【００７０】
ステップＳ３１では、素子基板１０上にシール材１４を塗布する。詳しくは、素子基板１０とディスペンサー（吐出装置でも可能）との相対的な位置関係を変化させて、素子基板１０における表示領域Ｅの周縁部に（表示領域Ｅを囲むように）シール材１４を塗布する。
【００７１】
シール材１４としては、例えば、紫外線硬化型エポキシ樹脂が挙げられる。なお、紫外線などの光硬化型樹脂に限定されず、熱硬化型樹脂などを用いるようにしてもよい。また、シール材１４には、例えば、素子基板１０と対向基板２０との間隔（ギャップ或いはセルギャップ）を所定値とするためのスペーサー等のギャップ材が含まれている。
【００７２】
ステップＳ３２では、素子基板１０と対向基板２０とを貼り合わせる。具体的には、素子基板１０に、塗布されたシール材１４を介して素子基板１０と対向基板２０とを貼り合わせる。
【００７３】
ステップＳ３３では、液晶注入口から構造体の内部に液晶を注入し、その後、液晶注入口を封止材で封止する。以上により、液晶装置１００が完成する。
【００７４】
＜電子機器の構成＞
次に、上記液晶装置を備えた投射型表示装置について、図１０を参照しながら説明する。図１０は、投射型表示装置の構成を示す概略図である。
【００７５】
図１０に示すように、本実施形態の投射型表示装置１０００は、システム光軸Ｌに沿って配置された偏光照明装置１１００と、光分離素子としての２つのダイクロイックミラー１１０４，１１０５と、３つの反射ミラー１１０６，１１０７，１１０８と、５つのリレーレンズ１２０１，１２０２，１２０３，１２０４，１２０５と、３つの光変調手段としての透過型の液晶ライトバルブ１２１０，１２２０，１２３０と、光合成素子としてのクロスダイクロイックプリズム１２０６と、投射レンズ１２０７とを備えている。
【００７６】
偏光照明装置１１００は、超高圧水銀灯やハロゲンランプなどの白色光源からなる光源としてのランプユニット１１０１と、インテグレーターレンズ１１０２と、偏光変換素子１１０３とから概略構成されている。
【００７７】
ダイクロイックミラー１１０４は、偏光照明装置１１００から射出された偏光光束のうち、赤色光（Ｒ）を反射させ、緑色光（Ｇ）と青色光（Ｂ）とを透過させる。もう１つのダイクロイックミラー１１０５は、ダイクロイックミラー１１０４を透過した緑色光（Ｇ）を反射させ、青色光（Ｂ）を透過させる。
【００７８】
ダイクロイックミラー１１０４で反射した赤色光（Ｒ）は、反射ミラー１１０６で反射した後にリレーレンズ１２０５を経由して液晶ライトバルブ１２１０に入射する。ダイクロイックミラー１１０５で反射した緑色光（Ｇ）は、リレーレンズ１２０４を経由して液晶ライトバルブ１２２０に入射する。ダイクロイックミラー１１０５を透過した青色光（Ｂ）は、３つのリレーレンズ１２０１，１２０２，１２０３と２つの反射ミラー１１０７，１１０８とからなる導光系を経由して液晶ライトバルブ１２３０に入射する。
【００７９】
液晶ライトバルブ１２１０，１２２０，１２３０は、クロスダイクロイックプリズム１２０６の色光ごとの入射面に対してそれぞれ対向配置されている。液晶ライトバルブ１２１０，１２２０，１２３０に入射した色光は、映像情報（映像信号）に基づいて変調されクロスダイクロイックプリズム１２０６に向けて射出される。
【００８０】
このプリズムは、４つの直角プリズムが貼り合わされ、その内面に赤色光を反射する誘電体多層膜と青色光を反射する誘電体多層膜とが十字状に形成されている。これらの誘電体多層膜によって３つの色光が合成されて、カラー画像を表す光が合成される。合成された光は、投射光学系である投射レンズ１２０７によってスクリーン１３００上に投射され、画像が拡大されて表示される。
【００８１】
液晶ライトバルブ１２１０は、上述した液晶装置１００が適用されたものである。液晶装置１００は、色光の入射側と射出側とにおいてクロスニコルに配置された一対の偏光素子の間に隙間を置いて配置されている。他の液晶ライトバルブ１２２０，１２３０も同様である。
【００８２】
このような投射型表示装置１０００に、液晶ライトバルブ１２１０，１２２０，１２３０を用いているので、高い信頼性を得ることができる。
【００８３】
なお、液晶装置１００が搭載される電子機器としては、投射型表示装置１０００の他、ヘッドアップディスプレイ（ＨＵＤ）、ヘッドマウントディスプレイ（ＨＭＤ）、スマートフォン、ＥＶＦ（Electrical View Finder）、モバイルミニプロジェクター、電子ブック、携帯電話、モバイルコンピューター、デジタルカメラ、デジタルビデオカメラ、ディスプレイ、車載機器、オーディオ機器、露光装置や照明機器など各種電子機器に用いることができる。
【００８４】
以上詳述したように、本実施形態の液晶装置１００の製造方法によれば、以下に示す効果が得られる。
【００８５】
（１）本実施形態の液晶装置１００の製造方法によれば、シランカップリング剤を用いた処理を行った後、無機配向膜２８，３２もしくはシランカップリング剤末端に未反応の水酸基（ＯＨ基）が残留しても、引き続いて処理を行うトリメチルクロロシラン（ＴＭＣＳ）は未反応水酸基と結合するので、水酸基が残留しない。また、この反応により生成するＨＣｌ（塩化水素）はシランカップリング剤の加水分解を促進するので、アルコキシ基が残存する懸念がなくなる。その結果、耐光性を向上させることが可能となり、単位面積当たりの明るさを向上させることができる。加えて、長期的に水酸基の発生の恐れもなくなり、信頼性を向上させることができる。
【００８６】
なお、本発明の態様は、上記した実施形態に限られるものではなく、請求の範囲及び明細書全体から読み取れる発明の要旨あるいは思想に反しない範囲で適宜変更可能であり、本発明の態様の技術範囲に含まれるものである。また、以下のような形態で実施することもできる。
【００８７】
（変形例１）
上記したように、ＴＭＣＳ（トリメチルクロロシラン）処理のトリメチルシリル化剤としては、例えば、ＴＭＳＩ（トリメチルシリルイミダゾール）やＢＳＡ（Ｎ，Ｏ−ビス（トリメチル）アセトアミド）などを使用するようにしてもよい。ＴＭＳＩの場合、残存水酸基はトリメチルシリル化剤が結合してなくなり、トリメチルシリル化剤の副生成物であるイミダゾールによりシランカップリング剤の加水分解が促進される。その結果、耐光性を向上させることが可能となり、単位面積当たりの明るさを向上させることができる。加えて、長期的に水酸基の発生の恐れもなくなり、信頼性を向上させることができる。また、ＢＳＡの場合、残存水酸基はトリメチルシリル化剤が結合してなくなり、トリメチルシリル化剤の副生成物によりシランカップリング剤の加水分解が促進される。
【００８８】
（変形例２）
上記したように、透過型の液晶装置１００に限定されず、反射型の液晶装置に本発明を適用するようにしてもよい。
【符号の説明】
【００８９】
３ａ…走査線、３ｂ…容量線、３ｃ…下側遮光層、ＣＮＴ１〜ＣＮＴ４…コンタクトホール、６ａ…データ線、１０…素子基板、１０ａ…第１基材、１１ａ…下地絶縁層、１１ｂ…第１層間絶縁層、１１ｃ…第２層間絶縁層、１１ｄ…第３層間絶縁層、１１ｇ…ゲート絶縁層、１４…シール材、１５…液晶層、１６…容量素子、１６ａ…第１容量電極、１６ｂ…第２容量電極、１６ｃ…誘電体膜、１８…遮光膜、２０…対向基板、２０ａ…第２基材、２２…データ線駆動回路、２４…走査線駆動回路、２５…検査回路、２６…上下導通部、２７…画素電極、２８，３２…無機配向膜、２９…配線、３０…ＴＦＴ、３０ａ…半導体層、３０ｃ…チャネル領域、３０ｄ…画素電極側ソースドレイン領域、３０ｄ１…画素電極側ＬＤＤ領域、３０ｇ…ゲート電極、３０ｓ…データ線側ソースドレイン領域、３０ｓ…データ線側ＬＤＤ領域、３１…対向電極、３３…絶縁膜、６１…外部接続用端子、１００…液晶装置、１０００…投射型表示装置、１１００…偏光照明装置、１１０１…ランプユニット、１１０２…インテグレーターレンズ、１１０３…偏光変換素子、１１０４，１１０５…ダイクロイックミラー、１１０６，１１０７，１１０８…反射ミラー、１２０１，１２０２，１２０３，１２０４，１２０５…リレーレンズ、１２０６…クロスダイクロイックプリズム、１２０７…投射レンズ、１２１０，１２２０，１２３０…液晶ライトバルブ、１３００…スクリーン。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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