(57)【要約】【課題】クラッド部に工夫を加えることで、硬化用光の反射範囲を減少させて、歩留まりを向上させることができる基板構造体および光モジュール用基板を提供する。【解決手段】基板１と、基板１の表面の溝１ａに沿って形成され、溝１ａの側面の斜面１ｃの上端１ｇの幅Ｗ２よりも狭い幅Ｗ１の内部導波路（感光性樹脂構造体）１６とを備えている。内部導波路１６は、導波路形成用溝１ａ内でコア部１７を覆うクラッド部１８を有し、クラッド部１８の幅は、導波路形成用溝１ａに沿った少なくとも一部が、導波路形成用溝１ａの側面の斜面１ｃの上端１ｇの幅Ｗ２よりも狭く設定されている。【選択図】図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と、
前記基板の表面の溝に沿って形成され、前記溝に沿った少なくとも一部が、前記溝の側面の斜面の上端の幅よりも狭い幅の感光性樹脂構造体と、
を備えたことを特徴とする基板構造体。
【請求項２】
前記溝は、導波路形成用溝であり、
前記感光性樹脂構造体は、前記導波路形成用溝に沿って設けられた内部導波路であることを特徴とする請求項１に記載の光モジュール用基板。
【請求項３】
前記内部導波路は、前記導波路形成用溝内でコア部を覆うクラッド部を有し、
前記クラッド部の幅は、前記導波路形成用溝に沿った少なくとも一部が、前記導波路形成用溝の側面の斜面の上端の幅よりも狭く設定されていることを特徴とする請求項２に記載の光モジュール用基板。
【請求項４】
前記導波路形成用溝の先端面に形成された光路変換用のミラー部と、このミラー部と対向するように前記基板の表面に実装され、前記ミラー部を介して前記内部導波路のコア部に光信号を発光し、若しくは前記ミラー部を介して前記内部導波路のコア部からの光信号を受光する光素子と、前記基板の表面に形成され、前記光素子を電気的に接続する配線パッドとを少なくとも備え、
前記クラッド部の幅は、前記配線パッドから前記ミラー部と反対側の部分が、前記導波路形成用溝の上端の幅よりも広く設定されていることを特徴とする請求項３に記載の光モジュール用基板。
【請求項５】
前記クラッド部の幅は、前記導波路形成用溝の前端よりもミラー部側の部分が、前記導波路形成用溝の上端の幅よりも広く設定されていることを特徴とする請求項４に記載の光モジュール用基板。
【請求項６】
前記導波路形成用溝の先端面に形成された光路変換用のミラー部と、このミラー部と対向するように前記基板の表面に実装され、前記ミラー部を介して前記内部導波路のコア部に光信号を発光し、若しくは前記ミラー部を介して前記内部導波路のコア部からの光信号を受光する光素子と、前記基板の表面に形成され、前記光素子を電気的に接続する配線パッドとを少なくとも備え、
前記クラッド部の幅は、前記配線パッドの部分が前記導波路形成用溝の上端の幅よりも狭く設定されるとともに、それ以外の前記配線パッドの周辺の前記基板の表面は、前記配線パッドの電気接続部を残して、前記クラッド部で覆われていることを特徴とする請求項３に記載の光モジュール用基板。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、基板構造体および光モジュール用基板に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、図５（ａ）のように、光モジュールは、基板１の表面に形成された第１溝（導波路形成用溝）１ａ内に設けられた内部導波路（感光性樹脂構造体）１６と、この第１溝１ａの先端面に形成された光路変換用のミラー部１５とを備えている。また、ミラー部１５を介して内部導波路１６のコア部１７に光信号を発光し、若しくはミラー部１５を介して内部導波路１６のコア部１７からの光信号を受光する光素子１２を備えている。
【０００３】
さらに、基板１の表面に形成された第２溝１ｂ内に設けられ、内部導波路１６のコア部１７と光学的に結合するファイバコア部２１を有する光ファイバ（外部導波路）２を備えている（特許文献１参照）。
【０００４】
また、図５（ｂ）のように、コア部１７の前端１７ａをミラー部１５から後退させることで温度上昇を抑制して、基板１からコア部１７が剥離しにくいように工夫したものも提案されている。
【０００５】
ところで、基板１の第１溝１ａ内に内部導波路１６を設ける工程では、図６（ａ）のように、先ず、コア部１７を形成し、ついで、コア部１７を覆うようにクラッド部１８を形成している。なお、基板１の表面と裏面には、薄い酸化膜（ＳｉＯ２）１ｐが形成されているが、以下での図示および説明は省略する。
【０００６】
ここで、クラッド部１８を形成する工程では、先ず、基板１の第１溝１ａを中心にして、基板１の表面の広い範囲に亘って、クラッド部１８となる感光性樹脂１８´を塗布する。次いで、図６（ｂ）のように、塗布した感光性樹脂１８´の上方にフォトマスク３５を配置し、硬化用光（例えばＵＶ光）３６を照射することで、感光性樹脂１８´に、硬化する露光部分と、硬化しない未露光部分とを形成する。その後、現像処理によって、硬化しない未露光部分を除去することで、クラッド部１８が形成されるようになる（特許文献２参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００７】
【特許文献１】特開２０１３−３５４９号公報
【特許文献２】特開２００９−２５１１３９号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
しかしながら、この硬化用光を照射する際、図６（ｂ）のように、第１溝１ａが略Ｖ字状であると、斜面１ｃで反射した硬化用光３６が、矢印ａのようにフォトマスク３５の裏面で反射する。続いて、基板１の表面で反射する等して、未露光であるべき部分までも露光されることがあり、パターニング精度が低下するおそれがある。特に、基板１が光モジュール用基板である場合、図６（ｂ）のように、基板１の表面に、光素子１２を電気的に接続する配線パッド１０が形成されている。そして、この配線パッド１０にも塗布された感光性樹脂１８´が硬化して、光素子１２を電気的に接続できなくなるおそれがある。これらのことから、基板１の歩留まりが低下するという問題があった。
【０００９】
なお、特許文献２には、フォトマスク３５の裏面に光吸収体を設けることで、この箇所での硬化用光の反射を抑制して、未露光であるべき部分まで露光されることを抑える試みがなされている。しかし、この構成では、フォトマスクに追加の加工が必要であり、製造コストが増えるという問題がある。
【００１０】
本発明は、前記問題を解消するためになされたもので、感光性樹脂構造体に工夫を加えることで、硬化用光の反射範囲を減少させて、歩留まりを向上させることができる基板構造体および光モジュール用基板を提供することを目的とするものである。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
前記課題を解決するために、本発明は、基板と、前記基板の表面の溝に沿って形成され、前記溝に沿った少なくとも一部が、前記溝の側面の斜面の上端の幅よりも狭い幅の感光性樹脂構造体と、を備えたことを特徴とする基板構造体である。
【００１２】
本発明によれば、感光性樹脂構造体の幅を基板の溝の側面の斜面の上端の幅よりも狭く設定しているから、感光性樹脂構造体を形成する際に、フォトマスクで覆われて斜面に照射される硬化用光の範囲が減少して、硬化用光の反射が抑制できるようなる。これにより、未露光であるべき部分までも露光されるおそれが少なくなり、パターニング精度が向上する。このことから、基板の歩留まりが向上するようになる。
【００１３】
前記溝は、導波路形成用溝であり、前記感光性樹脂構造体は、前記導波路形成用溝に沿って設けられた内部導波路である構成とすることができる。
【００１４】
この構成によれば、光モジュール用基板における基板の歩留まりが向上するようになる。
【００１５】
前記内部導波路は、前記導波路形成用溝内でコア部を覆うクラッド部を有し、前記クラッド部の幅は、前記導波路形成用溝に沿った少なくとも一部が、前記導波路形成用溝の側面の斜面の上端の幅よりも狭く設定されている構成とすることができる。
【００１６】
この構成によれば、クラッド部の幅を導波路形成用溝の側面の斜面の上端よりも狭く設定しているから、クラッド部を形成する際に、フォトマスクで覆われて斜面に照射される硬化用光の範囲が減少して、硬化用光の反射が抑制できるようなる。これにより、未露光であるべき部分までも露光されるおそれが少なくなり、パターニング精度が向上する。
【００１７】
前記導波路形成用溝の先端面に形成された光路変換用のミラー部を備えている。このミラー部と対向するように前記基板の表面に実装され、前記ミラー部を介して前記内部導波路のコア部に光信号を発光し、若しくは前記ミラー部を介して前記内部導波路のコア部からの光信号を受光する光素子を備えている。前記基板の表面に形成され、前記光素子を電気的に接続する配線パッドを少なくとも備えている。前記クラッド部の幅は、前記配線パッドから前記ミラー部と反対側の部分が、前記導波路形成用溝の上端の幅よりも広く設定されている構成とすることができる。
【００１８】
この構成によれば、基板の表面の配線パッドの部分においても硬化用光の反射が抑制されるので、この部分が露光されるおそれが少なくなり、電気的な接続が安定するようになる。
【００１９】
また、配線パッドの部分は、クラッド部の幅を導波路形成用溝の上端の幅よりも狭く設定したままであるから、配線パッドの部分が露光されるおそれが少なくなる。一方、配線パッドからミラー部と反対側の部分は、不要硬化が発生しても配線パッドには到達しない。したがって、この反対側の部分のクラッド部の幅を導波路形成用溝の上端の幅よりも広く設定することで、クラッド部と基板との接触面積が増大するようになる。これに伴って基板に対するコア部の密着力も大きくなって、コア部が基板から剥離しにくくなるので、このことからも、基板の歩留まりが向上するようになる。
【００２０】
前記クラッド部の幅は、前記導波路形成用溝の前端よりもミラー部側の部分が、前記導波路形成用溝の上端の幅よりも広く設定されている構成とすることができる。
【００２１】
この構成によれば、導波路形成用溝の前端よりもミラー部側の部分は、導波路形成用溝とは斜面の角度が異なり、硬化用光の反射が抑制される。そのため、クラッド部の幅を導波路形成用溝の上端の幅よりも広く設定することで、クラッド部と基板との接触面積が増大するようになる。これに伴って基板に対するコア部の密着力も大きくなって、コア部が基板から剥離しにくくなるので、このことからも、基板の歩留まりが向上するようになる。
【００２２】
前記導波路形成用溝の先端面に形成された光路変換用のミラー部を備えている。このミラー部と対向するように前記基板の表面に実装され、前記ミラー部を介して前記内部導波路のコア部に光信号を発光し、若しくは前記ミラー部を介して前記内部導波路のコア部からの光信号を受光する光素子を備えている。前記基板の表面に形成され、前記光素子を電気的に接続する配線パッドとを少なくとも備えている。前記クラッド部の幅は、前記配線パッドの部分が前記導波路形成用溝の上端の幅よりも狭く設定される。それ以外の前記配線パッドの周辺の前記基板の表面は、前記配線パッドの電気接続部を残して、前記クラッド部で覆われている構成とすることができる。
【００２３】
この構成によれば、配線パッドの部分は、クラッド部の幅を導波路形成用溝の上端の幅よりも狭く設定したままであるから、配線パッドの部分が露光されるおそれが少なくなる。一方、それ以外の配線パッドの周辺は、不要硬化が発生しても配線パッドには到達しない。したがって、この配線パッドの周辺の基板の表面は、配線パッドの電気接続部を残して、クラッド部で覆うことで、クラッド部と基板との接触面積が増大するようになる。これに伴って基板に対するコア部の密着力も大きくなって、コア部が基板から剥離しにくくなるので、このことからも、基板の歩留まりが向上するようになる。
【発明の効果】
【００２４】
本発明によれば、感光性樹脂構造体に工夫を加えることで、硬化用光の反射範囲を減少できるようになるから、未露光であるべき部分まで露光されることを抑えることができるので、歩留まりを向上させることができる。
【図面の簡単な説明】
【００２５】
【図１】本発明に係る光モジュールの概略側面図である。
【図２】第１実施形態のクラッド部を形成した基板であり、（ａ）は平面図、（ｂ）は（ａ）のＩ−Ｉ線断面図、（ｃ）は（ａ）のＩＩ−ＩＩ線断面図である。
【図３】（ａ）は第２実施形態のクラッド部を形成した基板の平面図、（ｂ）は変形例の平面図である。
【図４】第３実施形態のクラッド部を形成した基板の平面図である。
【図５】背景技術の光モジュールの内部導波路であり、（ａ）は側面断面図、（ｂ）はコア部の前端を後退させた側面断面図である。
【図６】配線パッド付近の内部導波路であり、（ａ）は断面図、（ｂ）は露光工程時の断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００２６】
以下、本発明を実施するための形態について、図面を参照しながら詳細に説明する。なお、背景技術と同一構成・作用の箇所は、同一番号を付して詳細な説明を省略する。
【００２７】
図１は本発明に係る光モジュールの概略側面図である。図１において、光モジュールは、発光側の第１基板（マウント基板）１と、受光側の第１基板（マウント基板）３と、この第１基板１，３を光学的に結合する光ファイバ２とを備えている。
【００２８】
第１基板１，３は、実装時の熱の影響や使用環境による応力の影響を避けるために、剛性が必要である。また、光伝送の場合は、発光素子１２ａから受光素子１２ｂまでの光結合効率が必要になるので、光素子（発光素子１２ａと受光素子１２ｂ）１２を高精度に実装することや使用中の位置変動を極力抑制する必要がある。このため、第１基板１，３として、本実施形態ではシリコン（Ｓｉ）基板が採用されている。
【００２９】
特にシリコン基板であれば、シリコンの結晶方位を利用して表面に高精度のエッチング溝加工が可能〔この溝を利用して高精度なミラー部１５（後述）、溝内に内部導波路１６（後述）を形成する。〕となる。また、シリコン基板は、平坦性も良好である。
【００３０】
第１基板１，３は、それよりもサイズが大きい第２基板（インタポーザ基板）６の表面（上面）にそれぞれ設置されている。各第２基板６の裏面（下面）には、他の回路装置に電気的に接続するためのコネクタ７がそれぞれ取付けられている。
【００３１】
第１基板１の表面（上面）には、電気信号を光信号に変換する発光素子１２ａが発光面を下向きとしてバンプ１２ｃ〔図５（ｂ）参照〕でフリップチップ実装されている。また、第２基板６の表面には、この発光素子１２ａに電気信号を送信するためのＩＣ回路が形成されたＩＣ基板（信号処理部）４ａが実装されている。
【００３２】
発光素子１２ａとして、本実施形態では、半導体レーザである面発光レーザ〔ＶＣＳＥＬ（Ｖｅｒｔｉｃａｌ  Ｃａｖｉｔｙ  Ｓｕｒｆａｃｅ  Ｅｍｉｔｔｉｎｇ  Ｌａｓｅｒ）〕が採用されている。この発光素子１２ａはＬＥＤ等でもよい。
【００３３】
ＩＣ基板４ａは、前記ＶＣＳＥＬを駆動させるドライバＩＣであり、発光素子１２ａの近傍に配設されている。そして、発光素子１２ａおよびＩＣ基板４ａは、第１基板１の表面に形成された配線パターン（金等のスパッタによるパターニング回路）１０〔図２（ａ）参照〕に電気的に接続されている。
【００３４】
第１基板１の表面には、図２（ｃ）に示すような略Ｖ字形の第１溝（導波路形成用溝）１ａと、第１溝１ａよりも深い略Ｖ字形の第２溝１ｂが前後方向に連なって形成されている。
【００３５】
第１溝１ａの先端面には、発光素子１２ａの真下となる位置に、光路を９０度屈曲させるための光路変換用のミラー部１５が形成されている。
【００３６】
第１基板１の第１溝１ａ内には、第１基板１の発光素子１２ａと光学的に結合する内部導波路（感光性樹脂構造体）１６が設けられている。
【００３７】
内部導波路１６は、図２を参照すれば、光が伝播する屈折率の高いコア部１７と、それよりも屈折率の低いクラッド部１８とから構成されている。コア部１７の左右の両面は、クラッド部１８で覆われている。
【００３８】
コア部１７の上部は、第１基板１の表面よりも僅かに盛り上げられており、その前端１７ａはミラー部１５の上端付近に位置している。
【００３９】
クラッド部１８の上部は、コア部１７の上部よりも僅かに盛り上げられており、その前端１８ａはミラー部１５の上端よりも延在して、基板１の表面に密着されている。なお、コア部１７の前端１７ａの位置、クラッド部１８の前端１８ａの位置は、必ずしもこの位置である必要はない。これらのことは、第１溝１ａの断面形状を略台形とした場合でも同様である。
【００４０】
図１に戻って、内部導波路１６が設けられた第１基板１の表面の所定位置には、発光素子１２ａが実装され、この発光素子１２ａと第１基板１の表面との間には、アンダーフィルが充填されている。
【００４１】
一方、受光側の第１基板３の基本的な構成は、発光側の第１基板１と同様に構成されている。ただし、受光側の第１基板３の表面（上面）に、光信号を電気信号に変換する受光素子１２ｂが受光面を下向きとしてフリップチップ実装されている。また、第２基板６の表面に、この受光素子１２ｂに電気信号を送信するためのＩＣ回路が形成されたＩＣ基板（信号処理部）４ｂが実装されている点で、発光側の第１基板１と異なる。この受光素子１２ｂとしては、ＰＤ（Ｐｈｏｔｏ  Ｄｉｏｄｅ）が採用されており、ＩＣ基板４ｂは、電流・電圧の変換を行うＴＩＡ（Ｔｒａｎｓ−ｉｍｐｅｄａｎｃｅ  Ａｍｐｌｉｆｉｅｒ）などの素子である。
【００４２】
発光側の第１基板１と受光側の第１基板３およびＩＣ基板４ａ，４ｂは、第２基板６の表面に取付けたシールドケース８でそれぞれシールドされていて、光ファイバ２は、シールドケース８の貫通孔８ａを貫通させている。
【００４３】
光ファイバ２は、発光側の第１基板１の内部導波路１６のコア部１７と、受光側の第１基板３の内部導波路１６のコア部１７とを光学的に結合可能なファイバコア部２１を内部に有している。そして、このファイバコア部２１の外周を包囲するファイバクラッド部２２と、このファイバクラッド部２２の外周を被覆する被覆部２３とで構成されるコードタイプである。このファイバコア部２１とファイバクラッド部２２と被覆部２３は円形状である。
【００４４】
光ファイバ２は、シールドケース８の貫通孔８ａを貫通して第１基板１の第２溝１ｂの手前付近で被覆部２３が剥がされて、ファイバクラッド部２２が露出されている。
【００４５】
そして、第１基板１の第２溝１ｂに光ファイバ２のファイバクラッド部２２を設置して、第１溝１ａとの境部分の立ち上がり傾斜部でファイバクラッド部２２の位置決めをする。このときに、第１基板１の内部導波路１６のコア部１７と光ファイバ２のファイバコア部２１の光軸が一致した位置決め状態で光学的に結合されるようになる。
【００４６】
第１基板１の表面の位置において、光ファイバ２のファイバクラッド部２２の上部に押えブロック２４が配置され、この押えブロック２４と第２溝１ｂとの間の空間には、接着剤が充填されている。
【００４７】
このように、光ファイバ２のファイバクラッド部２２の先端側は、押えブロック２４で第２溝１ｂに押え付けられた状態で、押えブロック２４とともに第１基板１に接着剤で接着固定されるようになる。
【００４８】
図２は、第１実施形態のクラッド部１８を形成した基板１であり、（ａ）は平面図、（ｂ）は（ａ）のＩ−Ｉ線断面図、（ｃ）は（ａ）のＩＩ−ＩＩ線断面図である。
【００４９】
基板１の第１溝１ａの断面形状は略Ｖ字形である。第１溝１ａの先端面にはミラー部１５が形成されており、ミラー部１５と第１溝１ａの略Ｖ形の溝部分の前端１ｄとの間には、ミラー底１ｅが形成されている。
【００５０】
クラッド部１８の幅Ｗ１は、第１溝１ａの側面の斜面１ｃの上端１ｇの幅Ｗ２よりも狭く設定されている（Ｗ１＜Ｗ２）。
【００５１】
図２では、クラッド部１８の幅Ｗ１は、第１溝１ａの上端１ｇの幅Ｗ２よりもかなり狭く設定されている。例えば、上端１ｇの幅Ｗ２を１００μｍとし、コア部１７の幅Ｗ３を５０μｍとすれば、コア部１７の左右のクラッド部１８の厚みをそれぞれ５μｍとすることで、クラッド部１８の幅Ｗ１が６０μｍとなる。なお、本例に従えば、クラッド部１８の幅Ｗ１は、第１溝１ａの上端１ｇの幅Ｗ２である１００μｍよりも狭く（つまり、１００μｍ未満）設定すればよいことになる。
【００５２】
第１実施形態の構成であれば、クラッド部１８の幅Ｗ１を第１溝１ａの側面の斜面１ｃの上端１ｇの幅Ｗ２よりも狭く設定している（Ｗ１＜Ｗ２）。したがって、クラッド部１８を形成する際に、フォトマスク３５で覆われて斜面１ｃに照射される硬化用光３６の範囲が減少して、硬化用光３６の反射が抑制できるようなる。
【００５３】
これにより、未露光であるべき部分までも露光されるおそれが少なくなり、パターニング精度が向上する。
【００５４】
また、基板１の表面の配線パッド１０の部分においても硬化用光の反射が抑制されるので、この部分が露光されるおそれが少なくなり、電気的な接続が安定するようになる。これらのことから、基板１の歩留まりが向上するようになる。
【００５５】
図３（ａ）は、第２実施形態のクラッド部１８を形成した基板１の平面図である。
【００５６】
第１実施形態と相違するのは、クラッド部１８の幅Ｗ１は、第１溝１ａ側の配線パッド１０（Ａ）からミラー部１５と反対側の部分が、第１溝１ａの上端１ｇの幅Ｗ２よりも広い幅Ｗ１´（Ｗ１＜Ｗ２＜Ｗ１´）に設定されている点である。
【００５７】
第２実施形態の構成によれば、配線パッド１０（Ａ）の部分は、クラッド部１８の幅Ｗ１を第１溝１ａの上端１ｇの幅Ｗ２よりも狭く設定したままであるから、配線パッド１０（Ａ，Ｂ）の部分が露光されるおそれが少なくなる。
【００５８】
一方、第１溝１ａ側の配線パッド１０（Ａ）からミラー部１５と反対側の部分は、不要硬化が発生しても配線パッド１０（Ａ，Ｂ）には到達しない。したがって、この反対側の部分のクラッド部１８の幅Ｗ１´を第１溝１ａの上端１ｇの幅Ｗ２よりも広く設定することで、クラッド部１８と基板１との接触面積が増大するようになる。これに伴って基板１に対するコア部１７の密着力も大きくなって、コア部１７が基板１から剥離しにくくなるので、このことからも、基板１の歩留まりが向上するようになる。
【００５９】
また、基板１の表面の配線パッド１０（Ａ，Ｂ）の部分においても硬化用光３６の反射が抑制されるので、この部分が露光されるおそれが少なくなり、電気的な接続が安定するようになる。これらのことから、基板１の歩留まりが向上するようになる。
【００６０】
図３（ｂ）は、第２実施形態の変形例の平面図である。第２実施形態と相違するのは、クラッド部１８の幅は、導波路形成用溝１ａの前端１ｄよりもミラー部１５側の部分が、導波路形成用溝１ａの上端１ｇの幅Ｗ２よりも広い幅Ｗ１´（Ｗ１＜Ｗ２＜Ｗ１´）に設定されている点である。
【００６１】
この構成によれば、導波路形成用溝１ａの前端１ｄよりもミラー部１５側の部分は、導波路形成用溝１ａとは斜面の角度が異なり、硬化用光３６の反射が抑制される。そのため、クラッド部１８の幅Ｗ１´を導波路形成用溝１ａの上端１ｇの幅よりも広く設定することで、クラッド部１８と基板１との接触面積が増大するようになる。これに伴って基板１に対するコア部１７の密着力も大きくなって、コア部１７が基板１から剥離しにくくなるので、このことからも、基板１の歩留まりが向上するようになる。
【００６２】
図４は、第３実施形態のクラッド部１８を形成した基板１の平面図である。
【００６３】
第１実施形態と相違するのは、クラッド部１８の幅Ｗ１は、配線パッド１０（Ａ），１０（Ｂ）の部分が、第１溝１ａの上端１ｇの幅Ｗ２よりも狭く設定されている。そして、それ以外の前記配線パッド１０（Ａ，Ｂ）の周辺は、配線パッド１０（Ａ，Ｂ）の各電気接続部１０ａを残して、第２溝１ｂの手前までの基板１の表面がクラッド部１８で覆われている点である。
【００６４】
第３実施形態の構成によれば、配線パッド１０（Ａ），（Ｂ）の部分は、クラッド部１８の幅Ｗ１を第１溝１ａの上端１ｇの幅Ｗ２よりも狭く設定したままである。したがって、配線パッド１０（Ａ，Ｂ）の部分が露光されるおそれが少なくなる。
【００６５】
一方、それ以外の配線パッド１０（Ａ，Ｂ）の周辺は、不要硬化が発生しても配線パッド１０（Ａ，Ｂ）には到達しない。したがって、この配線パッド１０（Ａ，Ｂ）の周辺の基板１の表面は、配線パッド１０（Ａ，Ｂ）の各電気接続部１０ａを残して、クラッド部１８で覆うことで、クラッド部１８と基板１との接触面積が増大するようになる。これに伴って基板１に対するコア部１７の密着力も大きくなって、コア部１７が基板１から剥離しにくくなるので、このことからも、基板１の歩留まりが向上するようになる。
【００６６】
前記各実施形態は、光モジュール用基板１であったが、光モジュール用基板１のみに限られるものではない。すなわち、表面の溝に沿って感光性樹脂構造体を形成する基板構造体であれば、他の用途の基板であっても、本発明が適用できることは言うまでもない。
【符号の説明】
【００６７】
１      第１基板（基板）
１ａ    第１溝（導波路形成用溝）
１ｂ    第２溝
１ｃ    斜面
１ｇ    上端
１０（Ａ，Ｂ）  配線パッド
１２    光素子
１２ａ  発光素子
１２ｂ  受光素子
１５    ミラー部
１６    内部導波路（感光性樹脂構造体）
１７    コア部
１８    クラッド部
Ｗ１    クラッド部の幅
Ｗ１´  クラッド部の幅
Ｗ２    第１溝の上端の幅
Ｗ３    コア部の幅
【図１】
2015222294.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
2015222294.tif 000006
【図５】
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【図６】
2015222294.tif 000008