(57)【要約】【課題】  優れた演色性を有し、自然光に近い発光を得ることが可能な半導体発光装置を提供する。【解決手段】  基板１１、１２上に青色系半導体発光素子１２と近紫外系半導体発光素子２２とを実装し、両半導体発光素子のそれぞれを覆う封止部材１４、２４を有する半導体発光装置１において、青色系半導体発光素子１２を覆う封止部材１４は、青色系半導体発光素子１２からの青色光Ｂ１によって励起し黄色光Ｙを出射するＹＡＧ蛍光体１５を含有し、近紫外系半導体発光素子２２を覆う封止部材２４は、近紫外系半導体発光素子２２からの近紫外光ｎＵＶによって励起して青色光Ｂ２を出射する青色蛍光体２５と、赤色光Ｒを出射する赤色蛍光体２６とを含有する構成とした。【選択図】図１
2015079924.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に青色系半導体発光素子と近紫外系半導体発光素子とを実装し、前記両半導体発光素子のそれぞれを覆う封止部材を有する半導体発光装置において、
前記青色系半導体発光素子を覆う前記封止部材は、前記青色系半導体発光素子からの青色光によって励起するＹＡＧ蛍光体を含有し、
前記近紫外系半導体発光素子を覆う前記封止部材は、前記近紫外系半導体発光素子からの近紫外光によって励起する青色蛍光体と赤色蛍光体とを含有することを特徴とする半導体発光装置。
【請求項２】
前記青色系半導体発光素子と前記近紫外系半導体発光素子とは、個別の基板に実装されることを特徴とする請求項１に記載の半導体発光装置。
【請求項３】
前記個別の基板に実装された前記青色系半導体発光素子と前記近紫外系半導体発光素子とは封止枠によって囲まれており、該封止枠の内側に前記封止部材が充填され、
少なくとも前記近紫外系半導体発光素子を囲む前記封止枠内部には前記近紫外光を吸収する光吸収体が形成されていることを特徴とする請求項２に記載の半導体発光装置。
【請求項４】
前記青色系半導体発光素子と前記近紫外系半導体発光素子とは、１枚の基板に実装されることを特徴とする請求項１に記載の半導体発光装置。
【請求項５】
前記１枚の基板に実装された前記青色系半導体発光素子と前記近紫外系半導体発光素子とは、封止枠によって囲まれており、該封止枠の内側に前記封止部材が充填され、
少なくとも前記近紫外系半導体発光素子を囲む前記封止枠内部には前記近紫外光を吸収する光吸収体が形成されていることを特徴とする請求項４に記載の半導体発光装置。
【請求項６】
前記１枚の基板に実装された前記青色系半導体発光素子と前記近紫外系半導体発光素子とは、封止枠によって囲まれており、該封止枠の内側に前記封止部材が充填され、
前記青色系半導体発光素子と前記近紫外系半導体発光素子のそれぞれを囲む前記封止枠内部には前記青色光および前記近紫外光を吸収する光吸収体が前記封止枠の高さまで形成されていることを特徴とする請求項４に記載の半導体発光装置。
【請求項７】
前記青色系半導体発光素子と近紫外系半導体発光素子とを個別に点灯させる駆動回路を有することを特徴とする請求項１から６のいずれか１項に記載の半導体発光装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は半導体発光素子と、この半導体発光素子からの出射光によって励起する蛍光体とを組み合わせた半導体発光装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、化合物半導体である発光ダイオード（以下、ＬＥＤと略す）は、長寿命や小型化の特徴を生かして発光装置として幅広く利用されている。また、窒化ガリウム系化合物半導体等による青色を発光するＬＥＤが開発されたことにより、白色光や疑似白色光の発光装置も製品化が進み、ＬＥＤの放熱を工夫した高輝度高出力の発光装置も製品化されている。また、発光の演色性を高めるために、ＬＥＤの出射光によって励起する蛍光体を組み合わせた半導体発光装置が開示されている（たとえば、特許文献１参照）。
【０００３】
この特許文献１の半導体発光装置は、赤（Ｒ）、緑（Ｇ）、青（Ｂ）の各ＬＥＤ素子を搭載し、それらのＬＥＤ素子からの出射光の波長の谷間を蛍光体による波長変換光で補完する構成である。これによって、黄色領域の発光が抜けている状態を蛍光体によって補完し、白熱電球に類似した波長分布が得られることが提示されている。
【０００４】
また、青色ＬＥＤ素子と近紫外ＬＥＤ素子の二つのＬＥＤを設け、さらに蛍光体を組み合わせて演色性を高めた半導体発光装置が開示されている（たとえば、特許文献２参照）。この特許文献２の半導体発光装置の蛍光体は、青色ＬＥＤ素子と近紫外ＬＥＤ素子の両方の出射光を赤色系出射光に変調する第１の赤色系蛍光体と、青色ＬＥＤ素子と近紫外ＬＥＤ素子の両方の出射光を緑色系出射光に変調する緑色系蛍光体と、近紫外ＬＥＤ素子のみの出射光を赤色系出射光に変調する第２の赤色系蛍光体を有する構成である。
【０００５】
この構成により、青色ＬＥＤ素子と近紫外ＬＥＤ素子の両方の出射光によって蛍光体が励起されるので、効率よく強い出射光が得られると共に、第２の赤色系蛍光体によって、明るい暖色系の発光を得られることが提示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開２００９−１６１５３号公報（第４頁、第１図）
【特許文献２】特開２０１２−９６８４号公報（第６頁、第５図）
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
しかしながら、特許文献１の従来技術は、特性図（文献１：図６参照）を見る限り、黄色領域の補完はわずかであり、効果は限定的と想定できる。また、白熱電球色に近い波長分布の発光を目的としているので、演色性に優れた自然光に近い発光を得ることはできない。
【０００８】
また、特許文献２の従来技術は、色度調整を行うことを目的としており、特に明るい暖色系発光を得ること主眼としているため、演色性に優れた自然光に近い発光を得ることは難しいという課題がある。
【０００９】
ここで近年、ＬＥＤによる発光装置は、低電力で高輝度の特性と共に、自然光に近い発光、すなわち、演色性に優れた発光も求められている。特にレストランや衣料品店等での照明は、高演色の照明が求めてられているが、従来の半導体発光装置では、このような要求を満たすことは困難であった。
【００１０】
本発明の目的は上記課題を解決し、優れた演色性を有し、自然光に近い発光を得ることが可能な半導体発光装置を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
上記課題を解決するために、本発明の半導体発光装置は、下記記載の構成を採用する。
【００１２】
本発明の半導体発光装置は、基板上に青色系半導体発光素子と近紫外系半導体発光素子とを実装し、両半導体発光素子のそれぞれを覆う封止部材を有する半導体発光装置において、青色系半導体発光素子を覆う封止部材は青色系半導体発光素子からの青色光によって励起するＹＡＧ蛍光体を含有し、近紫外系半導体発光素子を覆う封止部材は、近紫外系半導体発光素子からの近紫外光によって励起する青色蛍光体と赤色蛍光体とを含有することを特徴とする。
【００１３】
また、青色系半導体発光素子と近紫外系半導体発光素子とは、個別の基板に実装されることを特徴とする。
【００１４】
また、個別の基板に実装された青色系半導体発光素子と近紫外系半導体発光素子とは封止枠によって囲まれており、該封止枠の内側に封止部材が充填され、少なくとも近紫外系半導体発光素子を囲む封止枠内部には近紫外光を吸収する光吸収体が形成されていることを特徴とする。
【００１５】
また、青色系半導体発光素子と近紫外系半導体発光素子とは、１枚の基板に実装されることを特徴とする。
【００１６】
また、１枚の基板に実装された青色系半導体発光素子と近紫外系半導体発光素子とは、封止枠によって囲まれており、該封止枠の内側に封止部材が充填され、少なくとも近紫外系半導体発光素子を囲む封止枠内部には近紫外光を吸収する光吸収体が形成されていることを特徴とする。
【００１７】
また、１枚の基板に実装された青色系半導体発光素子と近紫外系半導体発光素子とは、封止枠によって囲まれており、該封止枠の内側に封止部材が充填され、青色系半導体発光素子と近紫外系半導体発光素子のそれぞれを囲む封止枠内部には青色光および近紫外光を吸収する光吸収体が封止枠の高さまで形成されていることを特徴とする。
【００１８】
また、青色系半導体発光素子と近紫外系半導体発光素子とを個別に点灯させる駆動回路を有することを特徴とする。
【発明の効果】
【００１９】
本発明の半導体発光装置によれば、青色系半導体発光素子とＹＡＧ蛍光体で構成するパッケージに対して、近紫外系半導体発光素子からの近紫外光で励起する青色蛍光体と赤色蛍光体で構成するパッケージを加えることで、出射光の波長分布の谷間や波長成分が不足している領域を適切に補完することができる。これにより、優れた演色性を有し、様々なものの色の見え方が、太陽光のもとで見える見え方と同等な、自然光に近い発光を実現する半導体発光装置を提供できる。
【図面の簡単な説明】
【００２０】
【図１】本発明の第１の実施形態に係わる半導体発光装置の構成と動作を説明する断面図である。
【図２】本発明の第１の実施形態に係わる半導体発光装置の外形を説明する斜視図である。
【図３】本発明の第１の実施形態に係わる半導体発光装置の青色系半導体発光素子のパッケージの波長分布の一例と、近紫外系半導体発光素子のパッケージの波長分布の一例とを示すグラフである。
【図４】本発明の第１の実施形態に係わる半導体発光装置の合成された出射光の波長分布の一例を示すグラフである。
【図５】本発明の第１の実施形態に係わる半導体発光装置の駆動回路を含めた回路構成を説明するブロック図である。
【図６】本発明の第２の実施形態に係わる半導体発光装置の構成と動作を説明する断面図である。
【図７】本発明の第２の実施形態に係わる半導体発光装置の外形を説明する斜視図である。
【図８】本発明の第３の実施形態に係わる半導体発光装置の構成と動作を説明する断面図である。
【図９】本発明の第３の実施形態に係わる半導体発光装置の外形を説明する斜視図である。
【図１０】本発明の第３の実施形態に係わる半導体発光装置の駆動回路を含めた回路構成を説明するブロック図である。
【図１１】本発明の第４の実施形態に係わる半導体発光装置の構成と動作を説明する断面図である。
【図１２】本発明の第４の実施形態に係わる半導体発光装置の外形を説明する斜視図である。
【発明を実施するための形態】
【００２１】
以下図面に基づいて本発明の半導体発光装置の具体的な実施の形態を詳述する。
【００２２】
［各実施形態の特徴］
第１の実施形態の特徴は、青色系半導体発光素子と近紫外系半導体発光素子が別基板に実装された半導体発光装置である。第２の実施形態の特徴は、青色系半導体発光素子と近紫外系半導体発光素子が別基板に実装されると共に、一方の近紫外系半導体発光素子が光吸収体で囲まれていることである。第３の実施形態の特徴は、青色系半導体発光素子と近紫外系半導体発光素子が１枚の基板に実装されると共に、一方の近紫外系半導体発光素子が光吸収体で囲まれていることである。第４の実施形態の特徴は、青色系半導体発光素子と近紫外系半導体発光素子が１枚の基板に実装されると共に、両方の半導体発光素子が光吸収体で囲まれていることである。
【実施例１】
【００２３】
［第１の実施形態の構成説明：図１］
本発明の第１の実施形態の半導体発光装置の構成を図１を用いて説明する。ここで、図１は、図２で示す斜視図の半導体発光装置を切断線Ａ−Ａ′で切断した断面図である。図１において、符号１は本発明の第１の実施形態の半導体発光装置である。半導体発光装置１は、２つの第１パッケージ１０と第２パッケージ２０で構成される。第１と第２パッケージ１０、２０は、個別に絶縁性の基板１１、２１を備えており、第１パッケージ１０は、基板１１上に青色系半導体発光素子１２（以下、青色ＬＥＤ１２と略す）がバンプ方式によって実装されている。また、第２パッケージ２０は、基板２１上に近紫外系半導体発光素子２２（以下、近紫外ＬＥＤ２２と略す）がバンプ方式によって実装されている。なお、ＬＥＤの実装方式は限定されない。
【００２４】
また、各基板１１、１２上には、白色樹脂で成り、所定の高さを有する封止枠１３、２３がそれぞれ形成されている。この封止枠１３、２３は、それぞれの略中央部に貫通孔１３ａ、２３ａが設けられている。この貫通孔１３ａ、２３ａの内部に青色ＬＥＤ１２と近紫外ＬＥＤ２２がそれぞれ配置され、さらに、青色ＬＥＤ１２と近紫外ＬＥＤ２２をそれぞれ覆い封止する透明樹脂で成る封止部材１４、２４が充填されている。
【００２５】
そして、第１パッケージ１０の封止部材１４は、青色ＬＥＤ１２からの出射光で励起するＹＡＧ蛍光体１５（白丸で示す）を含有し、第２パッケージ２０の封止部材２４は、近紫外ＬＥＤ２２からの出射光で励起する青色蛍光体２５（黒丸で示す）と赤色蛍光体２６（白丸で示す）とを含有している。
【００２６】
すなわち、第１パッケージ１０の基板１１に実装された青色ＬＥＤ１２は、封止枠１３によって囲まれており、この青色ＬＥＤ１２はＹＡＧ蛍光体１５を含有する封止部材１４によって覆われている。同様に、第２パッケージ２０の基板２１に実装された近紫外ＬＥＤ２２は、封止枠２３によって囲まれており、この近紫外ＬＥＤ２２は青色蛍光体２５と赤色蛍光体２６とを含有する封止部材２４によって覆われている。
【００２７】
［第１の実施形態の出射光の説明：図１］
次に、第１の実施形態の半導体発光装置１の動作によって出射される出射光を図１を用いて説明する。なお、図１で示す各蛍光体と各出射光は、説明をわかりやすくするために模式的に示している。図１において、半導体発光装置１の第１パッケージ１０は、前述したように、青色ＬＥＤ１２が実装されており、この青色ＬＥＤ１２に図示しない手段によって駆動電流を供給すると、青色ＬＥＤ１２が動作して青色光Ｂ１が出射される。この青色光Ｂ１の一部は、封止部材１４を通過して外部に出射され、他の一部は封止部材１４に含有されるＹＡＧ蛍光体１５に吸収され、ＹＡＧ蛍光体１５が励起して波長変換された黄色光Ｙが外部に出射される。すなわち、半導体発光装置１の第１パッケージ１０からは、青色光Ｂ１と黄色光Ｙが出射される。
【００２８】
また、半導体発光装置１の第２パッケージ２０は、前述したように、近紫外ＬＥＤ２２が実装されており、この近紫外ＬＥＤ２２に図示しない手段によって駆動電流を供給すると、近紫外ＬＥＤ２２が動作して近紫外光ｎＵＶが出射される。この近紫外光ｎＵＶの一部は、封止部材２４に含有される青色蛍光体２５に吸収され、青色蛍光体２５が励起して波長変換された青色光Ｂ２が外部に出射される。また、近紫外光ｎＵＶの他の一部は、封止部材２４に含有される赤色蛍光体２６に吸収され、赤色蛍光体２６が励起して波長変換された赤色光Ｒが外部に出射される。
【００２９】
すなわち、半導体発光装置１の第２パッケージ２０からは、青色光Ｂ２と赤色光Ｒが出射される。これにより、半導体発光装置１からは、青色光Ｂ１、黄色光Ｙ、青色光Ｂ２、赤色光Ｒが合成された出射光２が外部に出射される。
【００３０】
［第１の実施形態の外形説明：図２］
次に図２の斜視図を用いて、第１の実施形態の半導体発光装置１の外形の一例を説明する。半導体発光装置１は、前述したように、第１パッケージ１０と第２パッケージ２０で構成され、各基板１１、２１は略正方形であり、この基板１１、２１上に封止部材１３、２３がそれぞれ形成されている。封止部材１３、２３の略中央部には、円形の貫通孔１３ａ、２３ａが形成されており、この貫通孔１３ａ、２３ａの底部の略中央に基板１１、２１に実装された青色ＬＥＤ１２と近紫外ＬＥＤ２２が配置される。
【００３１】
貫通孔１３ａ、２３ａの内部は、前述したように、それぞれ所定の蛍光体を含有した封止部材１４、２４が充填され、青色ＬＥＤ１２と近紫外ＬＥＤ２２が封止されている。また、基板１１、２１の下面には、図示しないが、青色ＬＥＤ１２と近紫外ＬＥＤ２２に接続されている一対の電極端子がそれぞれ形成されており、この電極端子を外部の駆動回路に接続することで半導体発光装置１は動作する。半導体発光装置１が動作すると、図示するように、第１パッケージ１０から青色光Ｂ１、黄色光Ｙが出射され、第２パッケージ２０から青色光Ｂ２と赤色光Ｒが出射される。
【００３２】
［第１の実施形態の出射光の波長分布の説明：図３、図４］
次に、第１の実施形態の半導体発光装置１の出射光の波長分布の一例を図３と図４のグラフを用いて説明する。なお、図３、図４の横軸は出射光の波長であり単位はｎｍである。また、縦軸は輝度であり相対値として示している。ここで、図３（ａ）は、半導体発光装置１の第１パッケージ１０から出射される波長分布の一例を示している。図３（ａ）において、第１パッケージ１０からの出射光は、前述したように、青色ＬＥＤ１２からの青色光Ｂ１と、ＹＡＧ蛍光体１５によって波長変換された黄色光Ｙとが合成された光となる。
【００３３】
ここで、青色光Ｂ１の波長は４５０ｎｍ付近であって、青色ＬＥＤ１２からの出射光であるので波長分布が狭い。また、黄色光Ｙの波長は、ＹＡＧ蛍光体１５による変換光であるので比較的広い分布特性を有している。このような青色ＬＥＤ１２の青色光Ｂ１とＹＡＧ蛍光体１５による黄色光Ｙとの合成光は、一般に疑似白色光を容易に得られる手段として多くの用途に用いられているが、図３（ａ）で明らかなように、青色光Ｂ１と黄色光Ｙの間には、大きな谷間、すなわち、波長成分の少ない領域が存在し、また、黄色光Ｙより長波長の領域では、急激に波長成分が減少していることが理解できる。
【００３４】
次に、図３（ｂ）は、半導体発光装置１の第２パッケージ２０から出射される波長分布の一例を示している。図３（ｂ）において、第２パッケージ２０からの出射光は、前述したように、近紫外ＬＥＤ２２からの近紫外光ｎＵＶと、青色蛍光体２５によって波長変換された青色光Ｂ２と、赤色蛍光体２６によって波長変換された赤色光Ｒとが、合成された光となる。
【００３５】
ここで、青色蛍光体２５による青色光Ｂ２の波長は、青色ＬＥＤ１２の青色光Ｂ１（図３（ａ）参照）より長波長側にピークがあり、且つ、青色光Ｂ１より波長分布が広い特性を有している。また、赤色光Ｒも赤色蛍光体２６による変換光であるので波長分布が広い特性を有している。なお、４００ｎｍ付近の波長のピークは、近紫外ＬＥＤ２２からの近紫外光ｎＵＶであり、この近紫外光ｎＵＶが励起光となって、それぞれの蛍光体を励起するのである。
【００３６】
次に、図４は、半導体発光装置１の第１パッケージ１０と第２パッケージ２０との合成された出射光２の波長分布の一例を示している。図４において、合成された出射光２は、前述したように、第１パッケージ１０からの青色光Ｂ１と黄色光Ｙ、第２パッケージ２０からの青色光Ｂ２と赤色光Ｒが合成された光となる。
【００３７】
ここで、波長４５０ｎｍ付近は、青色光Ｂ１とＢ２が合成されて、波長分布の広い青色光Ｂが出射される。また、波長５６０ｎｍ付近では、波長分布の広い黄色光Ｙが出射される。また、波長６５０ｎｍ付近では、波長分布の広い赤色光Ｒが出射される。このように、半導体発光装置１は、青色ＬＥＤ１２からの青色光Ｂ１とＹＡＧ蛍光体１５による黄色光Ｙの波長の谷間を、近紫外ＬＥＤ２２からの近紫外光ｎＵＶで励起される青色蛍光体２５による青色光Ｂ２によって埋めることができる。また、黄色光Ｙより長波長側の領域は、近紫外ＬＥＤ２２からの近紫外光ｎＵＶで励起される赤色蛍光体２６による赤色光Ｒによって補うことができる。
【００３８】
この結果、第１の実施形態の半導体発光装置１から出射される合成された出射光２は、第１パッケージ１０からの疑似白色光（すなわち、Ｂ１＋Ｙ）の波長分布を補完して、図示するように幅広い波長分布を有し、演色性に優れた自然光に近い高輝度な発光を得ることが出来る。このように本発明の半導体発光装置は、青色ＬＥＤ１２とＹＡＧ蛍光体１５による疑似白色光を、近紫外ＬＥＤ２２からの近紫外光ｎＵＶで励起される青色蛍光体２５と赤色蛍光体２６で補完することが大きな特徴である。
【００３９】
［第１の実施形態の駆動回路を含めた回路構成の説明：図５］
次に、第１の実施形態の半導体発光装置の駆動回路を含めた回路構成の一例を図５を用いて説明する。図５において、半導体発光装置１は、前述したように、第１パッケージ１０と第２パッケージ２０で構成され、第１パッケージ１０の基板１１には青色ＬＥＤ１２が実装されており、第２パッケージ２０の基板２１には近紫外ＬＥＤ２２が実装されている。
【００４０】
青色ＬＥＤ１２のアノード端子は電極端子１７ａに接続し、カソード端子は電極端子１７ｂに接続している。なお、電極端子１７ａ、１７ｂは、基板１１に形成されている。また、近紫外ＬＥＤ２２のアノード端子は電極端子２７ａに接続し、カソード端子は電極端子２７ｂに接続している。なお、電極端子２７ａ、２７ｂは、基板２１に形成されている。
【００４１】
また、符号３は、半導体発光装置１の第１パッケージ１０と第２パッケージ２０をそれぞれ駆動する駆動回路である。駆動回路３は、２組の出力端子ＯＵＴ１、ＯＵＴ２を有しており、出力端子ＯＵＴ１は、第１パッケージ１０の電極端子１７ａ、１７ｂに接続されて、所定の駆動電流を青色ＬＥＤ１２に供給する。また、出力端子ＯＵＴ２は、第２パッケージ２０の電極端子２７ａ、２７ｂに接続されて、所定の駆動電流を近紫外ＬＥＤ２２に供給する。
【００４２】
また、駆動回路３は、２つの操作スイッチＳＷ１、ＳＷ２を備えており、操作スイッチＳＷ１をＯＮすることで、出力端子ＯＵＴ１から所定の駆動電流が出力するように構成され、また、操作スイッチＳＷ２をＯＮすることで、出力端子ＯＵＴ２から所定の駆動電流が出力するように構成される。この構成によって、駆動回路３は操作スイッチＳＷ１、ＳＷ２により、半導体発光装置１の第１パッケージ１０と第２パッケージ２０の点灯と非点灯を独立して個別に制御することができる。
【００４３】
これにより、用途に応じて第１パッケージ１０の青色ＬＥＤ１２と第２パッケージ２０の近紫外ＬＥＤ２２の点灯と非点灯を個別に制御して、出射光２の波長分布を変化させ、出射光２の色味や輝度を変えることができる。たとえば、駆動回路３の操作スイッチＳＷ１、ＳＷ２の両方をＯＮすることで、青色ＬＥＤ１２と近紫外ＬＥＤ２２の両方が点灯し、明るい自然光に近い発光（図４参照）を得ることができる。
【００４４】
また、駆動回路３の操作スイッチＳＷ１のみをＯＮすることで、青色ＬＥＤ１２のみが点灯し、青みが強調された疑似白色光（図３（ａ）参照）を発光することができる。なお、人の操作が必要な操作スイッチＳＷ１、ＳＷ２の代わりに、外部から制御信号を入力し、駆動電流のＯＮ、ＯＦＦ制御を行ってもよい。
【００４５】
以上のように、本発明の第1の実施形態は、青色ＬＥＤ１２とＹＡＧ蛍光体１５とを組み合わせた第1パッケージ１０と、近紫外ＬＥＤ２２と青色蛍光体２５と赤色蛍光体２６とを組み合わせた第2パッケージ２０とを設けることによって、第1パッケージ１０からの出射光である疑似白色光を補完して、優れた演色性を有し、自然光に近い発光を実現する半導体発光装置を提供することができる。
【００４６】
また、第１の実施形態においては、第１パッケージ１０と第２パッケージ２０が別基板によって構成されて分離しているので、第１パッケージ１０と第２パッケージ２０の機械的な距離を任意に設定できる利点がある。たとえば、半導体発光装置１を搭載するスペースが比較的広ければ、第１パッケージ１０と第２パッケージ２０の距離をある程度離して配置し、各パッケージからの発熱を効率良く放熱することができる。また、半導体発光装置１を搭載するスペースが狭い場合は、第１パッケージ１０と第２パッケージ２０の距離を狭めて、スペース効率のよい搭載が可能となる。
【００４７】
また、第１パッケージ１０と第２パッケージ２０が別基板によって構成されることで、駆動回路３からの配線に自由度があり、用途に応じて配線の引き回しを任意に設計できる柔軟性に優れた半導体発光装置を実現できる。また、第１パッケージ１０と第２パッケージ２０が別基板で分離しているので、第１パッケージ１０と第２パッケージ２０の組み合わせ数も自由に構成できる。たとえば、第１パッケージ１０を２個に対して第２パッケージ２０を１個とする組み合わせ、また逆に、第１パッケージ１０を１個に対して第２パッケージ２０を２個とする組み合わせでもよい。このように、第１パッケージ１０と第２パッケージ２０の組み合わせ数を変えることで、合成される出射光２の色味や輝度を任意に調整することが可能となる。
【実施例２】
【００４８】
［第２の実施形態の構成説明：図６、図７］
次に、本発明の第２の実施形態の半導体発光装置の構成を図６と図７を用いて説明する。ここで、図６は第１の実施形態と同様な断面図であり、図７はその斜視図である。図６と図７において、符号３０は本発明の第２の実施形態の半導体発光装置である。半導体発光装置３０の基本構造は、前述した第１の実施形態の半導体発光装置１と同様であるので、同一要素には同一番号を付し、重複する説明は一部省略する。
【００４９】
半導体発光装置３０は、第１の実施形態の半導体発光装置１と同様に、２つの第１パッケージ３１と第２パッケージ３２で構成される。第１と第２パッケージ３１、３２は、個別に絶縁性の基板１１、２１を備えており、第１パッケージ３１は、基板１１上に青色ＬＥＤ１２がバンプ方式によって実装され、第２パッケージ３２は、基板２１上に近紫外ＬＥＤ２２がバンプ方式によって実装されている。
【００５０】
また、各基板１１、１２上には、白色樹脂で成る封止枠１３、２３が形成されている。この封止枠１３、２３は、略中央部に貫通孔１３ａ、２３ａを有し、この貫通孔１３ａ、２３ａの内部に青色ＬＥＤ１２と近紫外ＬＥＤ２２がそれぞれ配置され、この両ＬＥＤを封止する封止部材１４、２４が充填されている。そして、第１パッケージ３１の封止部材１４は、青色ＬＥＤ１２からの出射光で励起するＹＡＧ蛍光体１５を含有し、第２パッケージ３２の封止部材２４は、近紫外ＬＥＤ２２からの出射光で励起する青色蛍光体２５と赤色蛍光体２６を含有している。
【００５１】
また、第２パッケージ３２側の封止枠２３の内部には、カーボン材等で成る光吸収体３３が円柱状に形成されている。この光吸収体３３は、図７の破線で示すように、近紫外ＬＥＤ２２の周囲全体を囲み、その高さは図６に示すように封止枠２３の高さより低くなるように形成されている。従って、光吸収体３３は、実際には半導体発光装置３０の外側から見ることはできない。この光吸収体３３が封止枠２３の内部に形成され、近紫外ＬＥＤ２２の周囲を囲うように配置されていることが第２の実施形態の特徴である。
【００５２】
［第２の実施形態の出射光の説明：図６］
次に、第２の実施形態の半導体発光装置３０の動作によって出射される出射光を図６を用いて説明する。図６において、半導体発光装置３０の第１パッケージ３１は、前述したように、青色ＬＥＤ１２が実装されており、この青色ＬＥＤ１２が動作することで青色光Ｂ１が出射される。そして、第１の実施形態と同様に、青色光Ｂ１の一部は封止部材１４を通過して外部に出射され、他の一部は封止部材１４に含有されるＹＡＧ蛍光体１５に吸収されて、黄色光Ｙが外部に出射される。
【００５３】
また、半導体発光装置３０の第２パッケージ３２は、前述したように、近紫外ＬＥＤ２２が実装されており、この近紫外ＬＥＤ２２が動作することで近紫外光ｎＵＶが出射される。そして、第１の実施形態と同様に、近紫外光ｎＵＶの一部は、封止部材２４に含有される青色蛍光体２５に吸収されて、青色光Ｂ２が外部に出射され、また、近紫外光ｎＵＶの他の一部は、赤色蛍光体２６に吸収されて、赤色光Ｒが外部に出射される。
【００５４】
これにより、半導体発光装置３０からは、青色光Ｂ１、黄色光Ｙ、青色光Ｂ２、赤色光Ｒが合成された出射光２が外部に出射される。ここで、第２パッケージ３２の近紫外ＬＥＤ２２からの近紫外光ｎＵＶは広範囲に出射され、図面上の上部だけでなく、図示するように側面方向（すなわち、封止枠２３の側面に当たる方向）にも出射される。この近紫外光ｎＵＶが側面方向に出射されると、近紫外光ｎＵＶは封止枠２３から漏れて（破線の矢印で示す）、第２パッケージ３２に隣接する第１パッケージ３１に到達し、第１パッケージ３１の封止部材１４に含有するＹＡＧ蛍光体１５に照射されることになる。
【００５５】
ここで、ＹＡＧ蛍光体１５は、青色ＬＥＤ１２の青色光Ｂ１に対して強く励起する蛍光体であるが、近紫外光ｎＵＶに対しても弱くはあるが励起する。この結果、第１パッケージ３１が点灯せず、第２パッケージ３２のみが点灯する点灯モードの場合も、ＹＡＧ蛍光体１５は漏れてきた近紫外光ｎＵＶによって励起され、ＹＡＧ蛍光体１５から波長変換された黄色光Ｙ（破線の矢印で示す）が出射されるので、出射光２の波長分布が変化し、色味の異なる発光となって問題が生じる。
【００５６】
しかし、本実施形態の半導体発光装置３０は、前述したように、近紫外ＬＥＤ２２を囲んで封止枠２３の内部に光吸収体３３が形成されているので、側面方向に出射される近紫外光ｎＵＶは、光吸収体３３によって遮断され、封止枠２３から外に漏れず、隣接する第１パッケージ３１には近紫外光ｎＵＶが到達しない。これにより、第１パッケージ３１が点灯せず、第２パッケージ３２のみが点灯する点灯モードの場合でも、第２パッケージ３２から漏れてきた近紫外光ｎＵＶによって、第１パッケージ３１のＹＡＧ蛍光体１５が励起することはほとんど無く、出射光２の波長分布が変化することを防止できる。
【００５７】
また、第１パッケージ３１に含有されるＹＡＧ蛍光体１５に、第２パッケージ３２からの近紫外光ｎＵＶが常に照射されていると、ＹＡＧ蛍光体１５の劣化が早く生じる不具合もある。しかし、光吸収体３３が近紫外光ｎＵＶを遮断することで、ＹＡＧ蛍光体１５の近紫外光ｎＵＶによる劣化を防止して、輝度や色味の経時変化が少ない長寿命の半導体発光装置を実現できる。
【００５８】
また、第２パッケージ３２の光吸収体３３は、第１パッケージ３１の青色ＬＥＤ１２からの青色光Ｂ１の側面方向の光もある程度遮断できるので、第２パッケージ３２の非点灯時の出射光２の色味の変化の防止や、第２パッケージ３２の青色蛍光体２５と赤色蛍光体２６の劣化防止も、同様に効果を発揮することができる。
【００５９】
［第２の実施形態の出射光の波長分布の説明］
第２の実施形態の半導体発光装置３０の波長分布は、第１パッケージ３１と第２パッケージ３２のそれぞれのＬＥＤと、このＬＥＤを覆う封止部材１４、２４に含有される蛍光体の構成が同じであるので、第1の実施形態の波長分布（図３、図４参照）と同様である。すなわち、半導体発光装置３０は、第１パッケージ３１からの疑似白色光の波長分布を第２パッケージ３２によって適切に補完して、優れた演色性を有し、自然光に近い高輝度な発光を得ることが出来る。
【００６０】
また、第２の実施形態の半導体発光装置３０は、第1の実施形態で示した駆動回路３（図５参照）と同一の駆動回路を設けることによって、用途に応じて第１パッケージ３１の青色ＬＥＤ１２と第２パッケージ３２の近紫外ＬＥＤ２２の点灯と非点灯を個別に制御して、出射光の波長分布を変化させ、出射光の輝度や色味を切り替えることができる。
【実施例３】
【００６１】
［第３の実施形態の構成説明：図８、図９］
次に、本発明の第３の実施形態の半導体発光装置の構成を図８と図９を用いて説明する。
ここで、図８は、図９で示す斜視図の半導体発光装置を切断線Ｂ−Ｂ′で切断した断面図である。図８と図９において、符号４０は本発明の第３の実施形態の半導体発光装置である。半導体発光装置４０の基本構造は、前述した第１の実施形態の半導体発光装置１と同様であるので、一部の構成要素を除いて同一要素には同一番号を付し、重複する説明は一部省略する。
【００６２】
半導体発光装置４０は、第１および第２の実施形態と異なり、２つのパッケージを一体化したひとつのパッケージによって成り、１枚の基板４１によって構成される。すなわち、半導体発光装置４０は、略長方形の１枚の基板４１の長手方向に沿って青色ＬＥＤ１２と近紫外ＬＥＤ２２とが、バンプ方式によって実装されている。
【００６３】
また、基板４１上には、白色樹脂で成る封止枠４２が形成されている。この封止枠４２は、青色ＬＥＤ１２と近紫外ＬＥＤ２２がそれぞれ中央となるように２つの円形の貫通孔４２ａ、４２ｂを有し、この貫通孔４２ａ、４２ｂの内部には、青色ＬＥＤ１２と近紫外ＬＥＤ２２をそれぞれ覆って封止する封止部材４３ａ、４３ｂが充填されている。そして、封止部材４３ａは、青色ＬＥＤ１２からの出射光で励起するＹＡＧ蛍光体１５を含有し、封止部材４３ｂは、近紫外ＬＥＤ２２からの出射光で励起する青色蛍光体２５と赤色蛍光体２６とを含有している。
【００６４】
また、近紫外ＬＥＤ２２を中央に配置した貫通孔４２ｂの周囲の封止枠４２の内部には、カーボン材等で成る光吸収体４４が円柱状に形成されている。この光吸収体４４は、図９の破線で示すように、近紫外ＬＥＤ２２の周囲全体を囲み、その高さは図８に示すように封止枠４２の高さより低くなるように形成されている。従って、光吸収体４４は、実際には半導体発光装置４０の外側から見ることはできない。
【００６５】
このように、第３の実施形態の半導体発光装置４０は、前述した第１および第２の実施形態の第１パッケージと第２パッケージを一体化してひとつのパッケージとしたことが特徴であるが、青色ＬＥＤ１２と近紫外ＬＥＤ２２の配置と、両ＬＥＤを覆う封止部材に含有される蛍光体は、第１および第２の実施形態と同一であり、また、近紫外ＬＥＤ２２の周囲を光吸収体で囲う構成は、第２の実施形態と同一である。
【００６６】
［第３の実施形態の出射光の説明：図８］
次に、第３の実施形態の半導体発光装置４０の動作によって出射される出射光を図８を用いて説明する。図８において、半導体発光装置４０は、前述したように、１枚の基板４１に青色ＬＥＤ１２と近紫外ＬＥＤ２２が実装されており、前述した第１および第２の実施形態と同様に、半導体発光装置４０からは、青色光Ｂ１、黄色光Ｙ、青色光Ｂ２、赤色光Ｒが合成された出射光２が外部に出射される。この出射光２の波長分布特性は、第１の実施形態の波長分布（図４参照）と同様であるので、ここでの説明は省略する。
【００６７】
また、近紫外ＬＥＤ２２からの近紫外光ｎＵＶは広範囲に出射され、図面上の上部だけでなく側面方向にも出射される。そして、この近紫外光ｎＵＶが隣接する青色ＬＥＤ１２の方向に出射されると、近紫外光ｎＵＶは青色ＬＥＤ１２を覆うＹＡＧ蛍光体１５を含有する封止部材４３ａに到達し、ＹＡＧ蛍光体１５に照射されることになる。
【００６８】
この結果、第２の実施形態で前述したように、出射光２の波長分布の変化やＹＡＧ蛍光体１５の劣化等の問題が生じるが、第３の実施形態の半導体発光装置４０は、近紫外ＬＥＤ２２を囲むように光吸収体４４が形成されているので、側面方向に出射される近紫外光ｎＵＶは、光吸収体４４によって遮断され、隣接する青色ＬＥＤ１２側には近紫外光ｎＵＶが到達しない。これにより、近紫外光ｎＵＶが側面方向に漏れることによる不具合を防止することができる。
【００６９】
特に本実施形態では、１枚の基板４１上に青色ＬＥＤ１２と近紫外ＬＥＤ２２が近接して実装されるために、漏れ光の影響が大きいので、光吸収体４４よって漏れ光を遮断する効果はたいへん有効である。また、光吸収体４４は、青色ＬＥＤ１２からの青色光Ｂ１が近紫外ＬＥＤ２２側に漏れる影響も低減することができる。
【００７０】
［第３の実施形態の駆動回路を含めた回路構成の説明：図１０］
次に、第３の実施形態の半導体発光装置の駆動回路を含めた回路構成の一例を図１０を用いて説明する。図１０において、半導体発光装置４０は、前述したように、１枚の基板４１で構成され、青色ＬＥＤ１２と近紫外ＬＥＤ２２が実装されている。
【００７１】
青色ＬＥＤ１２のアノード端子は電極端子４５ａに接続し、カソード端子は共通電極である電極端子４５ｃに接続している。また、近紫外ＬＥＤ２２のアノード端子は電極端子４５ｂに接続し、カソード端子は共通電極である電極端子４５ｃに接続している。なお、当然であるが、共通電極はアノード端子側でもよい。
【００７２】
また、符号４は半導体発光装置４０を駆動する駆動回路である。駆動回路４は、ふたつの出力端子ＯＵＴ１、ＯＵＴ２と、共通端子ＣＯＭを有しており、出力端子ＯＵＴ１は、青色ＬＥＤ１２に接続している電極端子４５ａに接続されて、所定の駆動電流を青色ＬＥＤ１２に供給する。また、出力端子ＯＵＴ２は、近紫外ＬＥＤ２２に接続している電極端子４５ｂに接続されて、所定の駆動電流を近紫外ＬＥＤ２２に供給する。また、共通端子ＣＯＭは、青色ＬＥＤ１２と近紫外ＬＥＤ２２との共通電極である電極端子４５ｃに接続されている。
【００７３】
また、駆動回路４は、２つの操作スイッチＳＷ１、ＳＷ２を備えており、操作スイッチＳＷ１をＯＮすることで、出力端子ＯＵＴ１から駆動電流が出力し、また、操作スイッチＳＷ２をＯＮすることで、出力端子ＯＵＴ２から駆動電流が出力する。この動作によって、駆動回路４は、操作スイッチＳＷ１、ＳＷ２により、半導体発光装置４０の青色ＬＥＤ１２と近紫外ＬＥＤ２２の点灯と非点灯を個別に制御することができる。
【００７４】
以上のように、本発明の第３の実施形態は、第１および第２の実施形態と同様に、青色ＬＥＤ１２と近紫外ＬＥＤ２２を備え、青色ＬＥＤ１２によってＹＡＧ蛍光体１５を励起し、近紫外ＬＥＤ２２によって青色蛍光体２５と赤色蛍光体２６を励起することで、優れた演色性を有し、自然光に近い高輝度な発光を得ることが出来る。
【００７５】
また、青色ＬＥＤ１２と近紫外ＬＥＤ２２を一体化した１枚の基板４１に実装することで、小型化が可能であり、小型の照明装置等への搭載が容易である。また、２つのＬＥＤを１枚の基板４１に実装したことによって、図１０で示したように、たとえば、カソード端子を共通にして外部への電極端子を３本にできるので、駆動回路４との配線本数を減らすことができる利点がある。また、青色ＬＥＤ１２と近紫外ＬＥＤ２２の特性が揃っているならば、基板４１の内部で並列接続して電極端子を２本にすることも可能である。
【００７６】
また、第３の実施形態の半導体発光装置４０は、第１および第２の実施形態と同様に、駆動回路４を設けることによって、用途に応じて青色ＬＥＤ１２と近紫外ＬＥＤ２２の点灯と非点灯を個別に制御して、出射光の波長分布を変化させ、出射光の輝度や色味を切り替えることができる。
【実施例４】
【００７７】
［第４の実施形態の構成説明：図１１、図１２］
次に、本発明の第４の実施形態の半導体発光装置の構成を図１１と図１２を用いて説明する。ここで、図１１は第３の実施形態と同様な断面図であり、図１２はその斜視図である。図１１と図１２において、符号５０は本発明の第４の実施形態の半導体発光装置である。半導体発光装置５０の基本構造は、前述した第３の実施形態の半導体発光装置４０と同様であるので、同一要素には同一番号を付し、重複する説明は一部省略する。
【００７８】
半導体発光装置５０は、第３の実施形態と同様に２つのパッケージを一体化した１枚の基板４１によって構成される。すなわち、半導体発光装置５０は、略長方形の１枚の基板４１に青色ＬＥＤ１２と近紫外ＬＥＤ２２が、バンプ方式によって実装されている。
【００７９】
また、基板４１上には白色樹脂で成る封止枠４２が形成され、この封止枠４２は、２つの円形の貫通孔４２ａ、４２ｂを有し、この貫通孔４２ａ、４２ｂの内部には、青色ＬＥＤ１２と近紫外ＬＥＤ２２をそれぞれ封止する封止部材４３ａ、４３ｂが充填されている。そして、封止部材４３ａは、青色ＬＥＤ１２からの出射光で励起するＹＡＧ蛍光体１５を含有し、封止部材４３ｂは、近紫外ＬＥＤ２２からの出射光で励起する青色蛍光体２５と赤色蛍光体２６とを含有している。
【００８０】
また、青色ＬＥＤ１２を中央に配置した貫通孔４２ａの周囲の封止枠４２の内部には、カーボン材等で成る光吸収体５１が円柱状に形成されている。また、同様に近紫外ＬＥＤ２２を中央に配置した貫通孔４２ｂの周囲の封止枠４２の内部には、カーボン材等で成る光吸収体５２が円柱状に形成されている。この光吸収体５１、５２は、図１２の実線で示すように、青色ＬＥＤ１２と近紫外ＬＥＤ２２の周囲全体をそれぞれ囲み、その高さは封止枠４２の高さに等しく形成されている。
【００８１】
ここで、第3の実施形態と第４の実施形態の違いは、この光吸収体の違いにある。すなわち、第3の実施形態の半導体発光装置４０では、光吸収体４４が近紫外ＬＥＤ２２の周囲にのみ形成され、且つ、その高さは封止枠４２よりも低く形成されている（図８参照）。一方、第４の実施形態の半導体発光装置５０では、青色ＬＥＤ１２と近紫外ＬＥＤ２２の両方の周囲の封止枠４２の内部にそれぞれ光吸収体５１、５２が形成され、且つ、その高さは封止枠４２と同じである（図１１参照）。
【００８２】
［第４の実施形態の出射光の説明：図１１］
次に、第４の実施形態の半導体発光装置５０の動作によって出射される出射光を図１１を用いて説明する。図１１において、半導体発光装置５０は、前述したように、１枚の基板４１に青色ＬＥＤ１２と近紫外ＬＥＤ２２が実装されており、第１〜第３の実施形態と同様に、半導体発光装置５０からは、青色光Ｂ１、黄色光Ｙ、青色光Ｂ２、赤色光Ｒが合成された出射光２が外部に出射される。従って、この出射光２の波長分布は、第１の実施形態の波長分布（図４参照）と同様であるので、ここでの説明は省略する。
【００８３】
また、近紫外ＬＥＤ２２からの近紫外光ｎＵＶは、広範囲に出射され、図面上の上部だけでなく側面方向にも出射される。そして、この近紫外光ｎＵＶが青色ＬＥＤ１２の方向に出射されると、近紫外光ｎＵＶは青色ＬＥＤ１２を覆うＹＡＧ蛍光体１５を含有する封止部材４３ａに到達し、ＹＡＧ蛍光体１５に照射されることになる。
【００８４】
この結果、前述したように、出射光２の波長分布の変化やＹＡＧ蛍光体１５の劣化等の問題が生じるが、第４の実施形態の半導体発光装置５０は、近紫外ＬＥＤ２２を囲むように光吸収体５２が形成されているので、側面方向に出射される近紫外光ｎＵＶは、光吸収体５２によって遮断され、隣接する青色ＬＥＤ１２側には近紫外光ｎＵＶが到達しない。これにより、近紫外光ｎＵＶが側面方向に漏れることによる不具合を防止することができる。また、光吸収体５２は、封止枠４２の高さと同じ高さまで形成されているので、側面方向に出射される近紫外光ｎＵＶを確実に遮断することができる。
【００８５】
また同様に、青色ＬＥＤ１２からの青色光Ｂ１も、広範囲に出射され、図面上の上部だけでなく側面方向にも出射される。そして、この青色光Ｂ１が近紫外ＬＥＤ２２の方向に出射されると、青色光Ｂ１は近紫外ＬＥＤ２２を覆う青色蛍光体２５と赤色蛍光体２６を含有する封止部材４３ｂに到達し、青色蛍光体２５と赤色蛍光体２６に照射されることになる。
【００８６】
これにより、青色蛍光体２５と赤色蛍光体２６が励起されて、出射光２の波長分布の変化や蛍光体の劣化等の問題が生じるが、第４の実施形態の半導体発光装置５０は、青色ＬＥＤ１２を囲むように光吸収体５１が形成されているので、側面方向に出射される青色光Ｂ１は、光吸収体５１によって遮断され、隣接する近紫外ＬＥＤ２２側には青色光Ｂ１が到達しない。この結果、青色光Ｂ１が側面方向に漏れることによる不具合を防止することができる。また、光吸収体５１は、封止枠４２の高さと同じ高さまで形成されているので、側面方向に出射される青色光Ｂ１を確実に遮断することができる。
【００８７】
ここで本実施形態では、第３の実施形態と同様に、１枚の基板４１に青色ＬＥＤ１２と近紫外ＬＥＤ２２が近接して実装されるため、漏れ光の影響が大きいので、光吸収体５１、５２よって漏れ光を遮断する効果はたいへん有効である。特に、本実施形態の光吸収体５１、５２は、青色ＬＥＤ１２と近紫外ＬＥＤ２２の両方の周囲を囲み、且つ、その高さが封止枠４２と同じであるので、側面方向へ出射される出射光の漏れを確実に遮断でき、その効果はきわめて大きい。また、第４の実施形態の他の効果については、前述した第３の実施形態と同様であるので、ここでの説明は省略する。
【００８８】
尚、本発明の実施例で示した各図面等は、これに限定されるものではなく、本発明の要旨を満たすものであれば、任意に変更してよい。
【産業上の利用可能性】
【００８９】
本発明の半導体発光装置は、自然光に近い演色性に優れた発光を得ることができるので、高演色の照明が重要視される様々な場所での照明用光源等に幅広く利用することが出来る。
【符号の説明】
【００９０】
１、３０、４０、５０  半導体発光装置
２  出射光
３、４  駆動回路
１０、３１  第１パッケージ
１１、２１、４１  基板
１２  青色系半導体発光素子（青色ＬＥＤ）
１３、２３、４２  封止枠
１３ａ、２３ａ、４２ａ、４２ｂ  貫通孔
１４、２４、４３ａ、４３ｂ  封止部材
１５  ＹＡＧ蛍光体
１７ａ、１７ｂ、２７ａ、２７ｂ、４５ａ、４５ｂ、４５ｃ  電極端子
２０、３２  第２パッケージ
２２  近紫外系半導体発光素子（近紫外ＬＥＤ）
２５  青色蛍光体
２６  赤色蛍光体
３３、４４、５１、５２  光吸収体
ＳＷ１、ＳＷ２  操作スイッチ
Ｒ  赤色光
Ｂ１、Ｂ２  青色光
Ｙ  黄色光
ｎＵＶ  近紫外光
【図１】
2015079924.tif 000003
【図２】
2015079924.tif 000004
【図３】
2015079924.tif 000005
【図４】
2015079924.tif 000006
【図５】
2015079924.tif 000007
【図６】
2015079924.tif 000008
【図７】
2015079924.tif 000009
【図８】
2015079924.tif 000010
【図９】
2015079924.tif 000011
【図１０】
2015079924.tif 000012
【図１１】
2015079924.tif 000013
【図１２】
2015079924.tif 000014