(57)【要約】【課題】反射膜の形成範囲に工夫を加えることで、基板から反射膜を剥離しにくくして、歩留まり率を向上させることができる光モジュールを提供する。【解決手段】基板１の導波路形成用溝１ａ内に設けられた内部導波路１６と、光路変換用のミラー部１５とを備えている。ミラー部１５と対向するように基板１の表面に実装され、ミラー部１５を介して内部導波路１６のコア部１７に光信号を発光し、若しくはミラー部１５を介して内部導波路１６のコア部１７からの光信号を受光する光素子１２ａ，１２ｂを備えている。ミラー部１５は、導波路形成用溝１ａの先端面である傾斜面に反射膜１５ａが形成されることで構成され、反射膜１５ａは、基板１の上面から内部導波路１６の長さ方向に延在されている。【選択図】図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板の表面に形成された導波路形成用溝内に設けられた内部導波路と、この溝の先端面に形成された光路変換用のミラー部と、このミラー部と対向するように基板の表面に実装され、ミラー部を介して内部導波路のコア部に光信号を発光し、若しくはミラー部を介して内部導波路のコア部からの光信号を受光する光素子とを少なくとも備えた光モジュールにおいて、
前記ミラー部は、前記導波路形成用溝の先端面である傾斜面に反射膜が形成されることで構成され、前記反射膜は、前記基板の上面から前記内部導波路の長さ方向に延在されていることを特徴とする光モジュール。
【請求項２】
前記コア部の前端は、前記ミラー部から後退された位置に設定され、前記反射膜は、前記コア部の前端に重ならない付近まで延在されていることを特徴とする請求項１に記載の光モジュール。
【請求項３】
前記反射膜は、前記導波路形成用溝のミラー底付近まで延在されていることを特徴とする請求項１または２に記載の光モジュール。
【請求項４】
前記反射膜は、前記導波路形成用溝の溝部分の前端付近まで延在されていることを特徴とする請求項１または２に記載の光モジュール。
【請求項５】
前記反射膜は、前記導波路形成用溝の溝部分の前端よりも後方まで延在されていることを特徴とする請求項１または２に記載の光モジュール。
【請求項６】
前記反射膜は、前記内部導波路のコア部の幅よりも狭幅に設定されていることを特徴とする請求項１〜５のいずれか一項に記載の光モジュール。
【請求項７】
前記反射膜は、前記導波路形成用溝の上端付近の幅に設定されていることを特徴とする請求項１〜５のいずれか一項に記載の光モジュール。
【請求項８】
前記反射膜は、前記導波路形成用溝の上端幅よりも広幅に設定されていることを特徴とする請求項１〜５のいずれか一項に記載の光モジュール。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、光素子を備えた光モジュールに関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、図１３（ａ）のように、光モジュールは、基板１の表面に形成された第１溝（導波路形成用溝）１ａ内に設けられた内部導波路１６と、この第１溝１ａの先端面に形成された光路変換用のミラー部１５とを備えている。また、ミラー部１５を介して内部導波路１６のコア部１７に光信号を発光し、若しくはミラー部１５を介して内部導波路１６のコア部１７からの光信号を受光する光素子１２を備えている。
【０００３】
さらに、基板１の表面に形成された第２溝１ｂ内に設けられ、内部導波路１６のコア部１７と光学的に結合するファイバコア部２１を有する光ファイバ（外部導波路）２を備えている（特許文献１参照）。
【０００４】
ところで、光モジュールが動作している場合、ミラー部１５と合成樹脂製の内部導波路１６は、光吸収によって発熱することがある。特に光素子１２が発光素子であるときは、これに近いミラー部１５付近は、光が拡がる前であるので、光のパワー密度が高いために、発熱温度が高くなる傾向になる。
【０００５】
このような光モジュールにおいて、短距離や低速伝送であれば、光素子１２からの光のパワー密度が低いために、ミラー部１５やその近傍の内部導波路１６の発熱温度は、問題となるほど高くならない。しかし、長距離や高速伝送であれば、伝送信頼性を確保するために、より高い光出力が必要となり、その分、ミラー部１５やその近傍の内部導波路１６の発熱温度も高くなる。
【０００６】
そのため、ミラー部１５やその近傍の内部導波路１６の温度上昇に起因する応力のために、基板１からコア部１７が剥離する可能性がある。
【０００７】
そこで、図１３（ｂ）のように、コア部１７の前端１７ａをミラー部１５から後退させることで温度上昇を抑制して、剥離が発生しにくいように工夫したものが提案されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００８】
【特許文献１】特開２０１３−３５４９号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
しかしながら、基板１の傾斜面に反射率の向上のための反射膜（例えばＡｕ膜）を形成してミラー部１５が構成されている場合、ミラー部１５の温度上昇に起因する応力のために、基板から反射膜が剥離しやすくなる。そのため、モジュールの歩留まり率が低下するという問題があった。
【００１０】
なお、図１３（ｂ）の背景技術のミラー部１５は、基板１の傾斜面の上端と、後退されたコア部１７の前端１７ａ付近との間に形成されているように描かれている。しかし、反射膜自体の形成範囲については、十分な研究や開示がなされていないのが実情であった。
【００１１】
本発明は、前記問題を解消するためになされたもので、反射膜の形成範囲に工夫を加えることで、基板から反射膜を剥離しにくくして、歩留まり率を向上させることができる光モジュールを提供することを目的とするものである。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
前記課題を解決するために、本発明は、基板の表面に形成された導波路形成用溝内に設けられた内部導波路と、この溝の先端面に形成された光路変換用のミラー部とを備えている。このミラー部と対向するように基板の表面に実装され、ミラー部を介して内部導波路のコア部に光信号を発光し、若しくはミラー部を介して内部導波路のコア部からの光信号を受光する光素子を備えた光モジュールである。前記ミラー部は、前記導波路形成用溝の先端面である傾斜面に反射膜が形成されることで構成され、前記反射膜は、前記基板の上面から前記内部導波路の長さ方向に延在されている。
【００１３】
本発明によれば、導波路形成用溝の先端面である傾斜面に反射膜（例えばＡｕ膜）を形成してミラー部を構成し、この反射膜は、基板の上面から内部導波路の長さ方向に延在するように形成範囲を設定したものである。
【００１４】
したがって、反射膜は、傾斜面だけに密着しているのでは無く、基板の上面にも密着しているから、基板から反射膜が剥離しにくくなって、光モジュールの歩留まり率が向上するようになる。
【００１５】
前記コア部の前端は、前記ミラー部から後退された位置に設定され、前記反射膜は、前記コア部の前端に重ならない付近まで延在されている構成とすることができる。
【００１６】
この構成によれば、コア部の前端をミラー部から後退させることで温度上昇を抑制して、コア部に剥離が発生しにくくなる。
【００１７】
前記反射膜は、前記導波路形成用溝のミラー底付近まで延在されている構成とすることができる。
【００１８】
この構成によれば、反射膜は、さらに導波路形成用溝のミラー底付近まで延在するように形成範囲を設定したものである。したがって、基板から反射膜がより剥離しにくくなって、光モジュールの歩留まり率がより向上するようになる。また、反射膜が基板から剥離しにくくなることと相俟って、反射膜の上にコア部が重なる形態では、結果的にコア部も基板から剥離しにくくなることから、この点からも光モジュールの歩留まり率が向上することになる。
【００１９】
前記反射膜は、前記導波路形成用溝の溝部分の前端付近まで延在されている構成とすることができる。
【００２０】
この構成によれば、反射膜は、さらに導波路形成用溝の溝部分の前端付近まで延在するように形成範囲を設定したものである。したがって、基板から反射膜がより剥離しにくくなって、光モジュールの歩留まり率がより向上するようになる。
【００２１】
前記反射膜は、前記導波路形成用溝の溝部分の前端よりも後方まで延在されている構成とすることができる。
【００２２】
この構成によれば、反射膜は、さらに導波路形成用溝の溝部分の前端よりも後方まで延在するように形成範囲を設定したものである。したがって、基板から反射膜がより剥離しにくくなって、光モジュールの歩留まり率がより向上するようになる。
【００２３】
前記反射膜は、前記内部導波路のコア部の幅よりも狭幅に設定されている構成とすることができる。
【００２４】
この構成によれば、反射膜は、内部導波路のコア部の幅よりも狭幅の形成範囲に設定したものである。したがって、基板から反射膜が剥離しにくくなることと相俟って、反射膜の上にコア部の両側部分が重ならなくなるから、コア部自体も基板から剥離しにくくなるので、光モジュールの歩留まり率が向上することになる。
【００２５】
前記反射膜は、前記導波路形成用溝の上端付近の幅に設定されている構成とすることができる。
【００２６】
この構成によれば、反射膜は、さらに導波路形成用溝の上端付近の幅に形成範囲を設定したものである。したがって、基板から反射膜がより剥離しにくくなって、光モジュールの歩留まり率がより向上するようになる。反射膜が基板から剥離しにくくなることと相俟って、反射膜の上にクラッド部とコア部が重なる形態では、結果的にクラッド部とコア部も基板から剥離しにくくなることから、この点からも光モジュールの歩留まり率が向上することになる。
【００２７】
前記反射膜は、前記導波路形成用溝の上端幅よりも広幅に設定されている構成とすることができる。
【００２８】
この構成によれば、反射膜は、さらに導波路形成用溝の上端幅よりも広幅に形成範囲を設定したものである。したがって、基板から反射膜がより剥離しにくくなって、光モジュールの歩留まり率がより向上するようになる。
【発明の効果】
【００２９】
本発明によれば、反射膜の形成範囲に工夫を加えることで、基板から反射膜を剥離しにくくして、歩留まり率を向上させることができる。
【図面の簡単な説明】
【００３０】
【図１】本発明に係る光モジュールの概略側面図である。
【図２】第１実施形態の内部導波路であり、（ａ）は平面図、（ｂ）は（ａ）のＩ−Ｉ線断面図、（ｃ）は（ａ）のＩＩ−ＩＩ線断面図である。
【図３】第２実施形態の内部導波路であり、（ａ）は平面図、（ｂ）は（ａ）のＩ−Ｉ線断面図である。
【図４】第３実施形態の内部導波路であり、（ａ）は平面図、（ｂ）は（ａ）のＩ−Ｉ線断面図である。
【図５】第４実施形態の内部導波路であり、（ａ）は平面図、（ｂ）は（ａ）のＩ−Ｉ線断面図、（ｃ）は（ａ）のＩＩ−ＩＩ線断面図である。
【図６】第５実施形態の内部導波路であり、（ａ）は平面図、（ｂ）は（ａ）のＩ−Ｉ線断面図、（ｃ）は（ａ）のＩＩ−ＩＩ線断面図である。
【図７】第６実施形態の内部導波路であり、（ａ）は平面図、（ｂ）は（ａ）のＩ−Ｉ線断面図、（ｃ）は（ａ）のＩＩ−ＩＩ線断面図である。
【図８】第７実施形態の内部導波路であり、（ａ）は平面図、（ｂ）は（ａ）のＩ−Ｉ線断面図、（ｃ）は（ａ）のＩＩ−ＩＩ線断面図である。
【図９】（ａ）は第１実施形態の変形例の内部導波路の平面図、（ｂ）は（ａ）のＩ−Ｉ線断面図、（ｃ）は第２実施形態の変形例の内部導波路の平面図、（ｄ）は（ｃ）のＩ−Ｉ線断面図である。
【図１０】（ａ）は第３実施形態の変形例の内部導波路の平面図、（ｂ）は（ａ）のＩ−Ｉ線断面図、（ｃ）は第４実施形態の変形例の内部導波路の平面図、（ｄ）は（ｃ）のＩ−Ｉ線断面図である。
【図１１】（ａ）は第５実施形態の変形例の内部導波路の平面図、（ｂ）は第６実施形態の変形例の内部導波路の平面図、（ｃ）は第７実施形態の変形例の内部導波路の平面図である。
【図１２】（ａ）は第１、第５実施形態を組み合わせた変形例の平面図、（ｂ）は第１、第６実施形態を組み合わせた変形例の平面図、（ｃ）は反射膜をコア部の両側に沿って内部導波路の長さ方向に延在させた変形例の平面図である。
【図１３】背景技術の光モジュールの内部導波路であり、（ａ）は側面断面図、（ｂ）はコア部の前端を後退させた側面断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００３１】
以下、本発明を実施するための形態について、図面を参照しながら詳細に説明する。なお、背景技術と同一構成・作用の箇所は、同一番号を付して詳細な説明を省略する。
【００３２】
図１は本発明に係る光モジュールの概略側面図である。図１において、光モジュールは、発光側の第１基板（マウント基板）１と、受光側の第１基板（マウント基板）３と、この第１基板１，３を光学的に結合する光ファイバ２とを備えている。
【００３３】
第１基板１，３は、実装時の熱の影響や使用環境による応力の影響を避けるために、剛性が必要である。また、光伝送の場合は、発光素子１２ａから受光素子１２ｂまでの光結合効率が必要になるので、光素子（発光素子１２ａと受光素子１２ｂ）１２を高精度に実装することや使用中の位置変動を極力抑制する必要がある。このため、第１基板１，３として、本実施形態ではシリコン（Ｓｉ）基板が採用されている。
【００３４】
特にシリコン基板であれば、シリコンの結晶方位を利用して表面に高精度のエッチング溝加工が可能〔この溝を利用して高精度なミラー部１５（後述）、溝内に内部導波路１６（後述）を形成する。〕となる。また、シリコン基板は、平坦性も良好である。
【００３５】
第１基板１，３は、それよりもサイズが大きい第２基板（インタポーザ基板）６の表面（上面）にそれぞれ設置されている。各第２基板６の裏面（下面）には、他の回路装置に電気的に接続するためのコネクタ７がそれぞれ取付けられている。
【００３６】
第１基板１の表面（上面）には、電気信号を光信号に変換する発光素子１２ａが発光面を下向きとしてバンプ１２ｃ〔図１３（ｂ）参照〕でフリップチップ実装されている。また、第２基板６の表面には、この発光素子１２ａに電気信号を送信するためのＩＣ回路が形成されたＩＣ基板（信号処理部）４ａが実装されている。
【００３７】
発光素子１２ａとして、本実施形態では、半導体レーザである面発光レーザ〔ＶＣＳＥＬ（Ｖｅｒｔｉｃａｌ  Ｃａｖｉｔｙ  Ｓｕｒｆａｃｅ  Ｅｍｉｔｔｉｎｇ  Ｌａｓｅｒ）〕が採用されている。この発光素子１２ａはＬＥＤ等でもよい。
【００３８】
ＩＣ基板４ａは、前記ＶＣＳＥＬを駆動させるドライバＩＣであり、発光素子１２ａの近傍に配設されている。そして、発光素子１２ａおよびＩＣ基板４ａは、第１基板１の表面に形成されたメタル回路（銅や金スパッタによるパターニング回路）に接続されている。
【００３９】
第１基板１の表面には、図２（ｃ）に示すような略Ｖ字形の第１溝（導波路形成用溝）１ａと、第１溝１ａよりも深い略Ｖ字形の第２溝１ｂが前後方向に連なって形成されている。
【００４０】
第１溝１ａの先端面には、発光素子１２ａの真下となる位置に、光路を９０度屈曲させるための光路変換用のミラー部１５が形成されている。このミラー部１５は、図２を参照すれば、基板１の第１溝１ａの先端面である傾斜面１ｃに、反射率の向上のための反射膜（例えばＡｕ膜）１５ａを形成して構成されている。図２以下では、反射膜１５ａは比較的厚く描かれているが、実際には数μｍ程度の厚さである。なお、反射膜１５ａの光路変換に必要な範囲は、図２（ａ）にクロスハッチングで示す程度であり、その他の範囲は、光路変換機能を有しない。
【００４１】
第１基板１の第１溝１ａ内には、第１基板１の発光素子１２ａと光学的に結合する内部導波路１６が設けられている。
【００４２】
内部導波路１６は、図２を参照すれば、光が伝播する屈折率の高いコア部１７と、それよりも屈折率の低いクラッド部１８とから構成されている。コア部１７の左右の両面は、クラッド部１８で覆われている。コア部１７の上部は、第１基板１の表面と略同じ高さであり、クラッド部１８の上部は、第１基板１の表面よりも僅かに盛り上げられている。クラッド部１８の上部は、第１溝１ａの両側で基板１の表面に密着されている。
【００４３】
図１に戻って、内部導波路１６が設けられた第１基板１の表面の所定位置には、発光素子１２ａが実装され、この発光素子１２ａと第１基板１の表面との間には、アンダーフィルが充填されている。
【００４４】
一方、受光側の第１基板３の基本的な構成は、発光側の第１基板１と同様に構成されている。ただし、受光側の第１基板３の表面（上面）に、光信号を電気信号に変換する受光素子１２ｂが受光面を下向きとしてフリップチップ実装されている。また、第２基板６の表面に、この受光素子１２ｂに電気信号を送信するためのＩＣ回路が形成されたＩＣ基板（信号処理部）４ｂが実装されている点で、発光側の第１基板１と異なる。この受光素子１２ｂとしては、ＰＤ（Ｐｈｏｔｏ  Ｄｉｏｄｅ）が採用されており、ＩＣ基板４ｂは、電流・電圧の変換を行うＴＩＡ（Ｔｒａｎｓ−ｉｍｐｅｄａｎｃｅ  Ａｍｐｌｉｆｉｅｒ）などの素子である。
【００４５】
発光側の第１基板１と受光側の第１基板３およびＩＣ基板４ａ，４ｂは、第２基板６の表面に取付けたシールドケース８でそれぞれシールドされていて、光ファイバ２は、シールドケース８の貫通孔８ａを貫通させている。
【００４６】
光ファイバ２は、発光側の第１基板１の内部導波路１６のコア部１７と、受光側の第１基板３の内部導波路１６のコア部１７とを光学的に結合可能なファイバコア部２１を内部に有している。そして、このファイバコア部２１の外周を包囲するファイバクラッド部２２と、このファイバクラッド部２２の外周を被覆する被覆部２３とで構成されるコードタイプである。このファイバコア部２１とファイバクラッド部２２と被覆部２３は円形状である。
【００４７】
光ファイバ２は、シールドケース８の貫通孔８ａを貫通して第１基板１の第２溝１ｂの手前付近で被覆部２３が剥がされて、ファイバクラッド部２２が露出されている。
【００４８】
そして、第１基板１の第２溝１ｂに光ファイバ２のファイバクラッド部２２を設置して、第１溝１ａとの境部分の立ち上がり傾斜部でファイバクラッド部２２の位置決めをする。このときに、第１基板１の内部導波路１６のコア部１７と光ファイバ２のファイバコア部２１の光軸が一致した位置決め状態で光学的に結合されるようになる。
【００４９】
第１基板１の表面の位置において、光ファイバ２のファイバクラッド部２２の上部には押えブロック２４が配置され、この押えブロック２４と第２溝１ｂとの間の空間には、接着剤が充填されている。
【００５０】
このように、光ファイバ２のファイバクラッド部２２の先端側は、押えブロック２４で第２溝１ｂに押え付けられた状態で、押えブロック２４とともに第１基板１に接着剤で接着固定されるようになる。
【００５１】
図２は、第１実施形態の内部導波路１６であり、（ａ）は平面図、（ｂ）は（ａ）のＩ−Ｉ線断面図、（ｃ）は（ａ）のＩＩ−ＩＩ線断面図である。
【００５２】
基板１の第１溝１ａの断面形状は略Ｖ字形である。また、クラッド部１８の上部の幅は、ミラー底１ｅの最大幅Ｗよりも広く設定されているが、狭く設定されていても差し支えはない。
【００５３】
コア部１７の前端１７ａは、ミラー部１５から後退された位置に設定されている。また、クラッド部１８の前端１８ａは、第１溝１ａの略Ｖ字形の溝部分の前端１ｄの位置に設定しているが、必ずしもこの位置である必要はない。これらのことは、第１溝１ａの断面形状を略台形とした場合でも同様である。
【００５４】
基板１の傾斜面１ｃに形成された反射膜１５ａは、ミラー底１ｅの最大幅Ｗよりも広い幅で、前端１５ｂの付近から基板１の上面に広く密着されている。そして、内部導波路１６の長さ方向に、少なくともコア部１７の前端１７ａに重ならない直前付近まで延在されている。なお、重ならないのであれば、コア部１７の前端１７ａと一致してもよい。
【００５５】
第１実施形態の構成であれば、第１溝１ａの傾斜面１ｃに反射膜１５ａを形成してミラー部１５を構成している。この反射膜１５ａは、基板１の上面から内部導波路１６の長さ方向に、少なくともコア部１７の前端１７ａに重ならない付近まで延在するように形成範囲（符号Ａ参照）を設定したものである。
【００５６】
したがって、反射膜１５ａは、傾斜面１ｃだけに密着しているのでは無く、基板１の上面にも広く密着しているから、基板１から反射膜１５ａが剥離しにくくなって、光モジュールの歩留まり率が向上するようになる。
【００５７】
特に、第１溝１ａの断面形状が略Ｖ字形であると、硬化処理用のＵＶ光が届きにくいミラー底１ｅでのコア部１７の密着性が悪くなる。そこで、コア部１７の前端１７ａの付近を基板１に直接密着させ、反射膜１５ａに重ならないようにすることで、コア部１７の剥離防止により良い効果が得られる。また、コア部１７の前端１７ａをミラー部１５から後退した位置に設定することで、コア部１７の温度上昇が抑制されて剥離が発生しにくくなる。
【００５８】
図３は、第２実施形態の内部導波路１６であり、（ａ）は平面図、（ｂ）は（ａ）のＩ−Ｉ線断面図である。第１実施形態と相違するのは、反射膜１５ａは、ミラー底１ｅの付近まで延在するように形成範囲（符号Ｂ参照）を設定した点である。
【００５９】
第２実施形態の構成であれば、基板１から反射膜１５ａがより剥離しにくくなって、光モジュールの歩留まり率がより向上するようになる。また、反射膜１５ａが基板１から剥離しにくくなることと相俟って、反射膜１５ａの上にコア部１７が重なる形態（以下の各実施形態も含む。）では、結果的にコア部１７も基板１から剥離しにくくなる。これにより、光モジュールの歩留まり率が向上することになる。
【００６０】
図４は、第３実施形態の内部導波路１６であり、（ａ）は平面図、（ｂ）は（ａ）のＩ−Ｉ線断面図である。第１実施形態と相違するのは、反射膜１５ａは、第１溝１ａの溝部分の前端１ｄの付近まで延在するように形成範囲（符号Ｃ参照）を設定した点である。
【００６１】
第３実施形態の構成であれば、基板１から反射膜１５ａがより剥離しにくくなって、光モジュールの歩留まり率がより向上するようになる。
【００６２】
図５は、第４実施形態の内部導波路１６であり、（ａ）は平面図、（ｂ）は（ａ）のＩ−Ｉ線断面図、（ｃ）は（ａ）のＩＩ−ＩＩ線断面図である。第１実施形態と相違するのは、反射膜１５ａは、第１溝１ａの溝部分の前端１ｄよりも後方まで延在するように形成範囲（符号Ｄ参照）を設定した点である。
【００６３】
第４実施形態の構成であれば、基板１から反射膜１５ａがより剥離しにくくなって、光モジュールの歩留まり率がより向上するようになる。
【００６４】
第１〜第４実施形態において、コア部１７の前端１７ａは、ミラー部１５から後退された位置に設定する必要は必ずしも無い。すなわち、第１実施形態に対応する図９（ａ）（ｂ）のように、コア部１７の上部は、第１基板１の表面よりも僅かに盛り上げられており、その前端１７ａはミラー部１５の上端付近に位置させている。また、クラッド部１８の上部は、コア部１７の上部よりも僅かに盛り上げられており、その前端１８ａはミラー部１５の上端よりも延在して、基板１の表面に密着させている。このように構成することもできる。
【００６５】
なお、第２実施形態に対応する図９（ｃ）（ｄ）、第３実施形態に対応する図１０（ａ）（ｂ）、第４実施形態に対応する図１０（ｃ）（ｄ）も同様である。
【００６６】
図６は、第５実施形態の内部導波路１６であり、（ａ）は平面図、（ｂ）は（ａ）のＩ−Ｉ線断面図、（ｃ）は（ａ）のＩＩ−ＩＩ線断面図である。第４実施形態と相違するのは、反射膜１５ａは、内部導波路１６のコア部１７の幅よりも狭幅となるように形成範囲（符号Ｅ参照）を設定した点である。
【００６７】
第５実施形態の構成であれば、基板１から反射膜１５ａが剥離しにくくなることと相俟って、反射膜１５ａの上にコア部１７の両側部分が重ならなくなるから、コア部１７自体も基板１から剥離しにくくなる。これにより、光モジュールの歩留まり率が向上することになる。
【００６８】
図７は、第６実施形態の内部導波路１６であり、（ａ）は平面図、（ｂ）は（ａ）のＩ−Ｉ線断面図、（ｃ）は（ａ）のＩＩ−ＩＩ線断面図である。第４実施形態と相違するのは、反射膜１５ａは、第１溝１ａの上端１ｆ付近の幅となるように形成範囲（符号Ｆ参照）を設定した点である。
【００６９】
第６実施形態の構成であれば、反射膜１５ａが基板１から剥離しにくくなることと相俟って、反射膜１５ａの上にクラッド部１８とコア部１７が重なる形態では、結果的にクラッド部１８とコア部１７も基板１から剥離しにくくなる。これにより、光モジュールの歩留まり率が向上することになる。
【００７０】
図８は、第７実施形態の内部導波路１６であり、（ａ）は平面図、（ｂ）は（ａ）のＩ−Ｉ線断面図、（ｃ）は（ａ）のＩＩ−ＩＩ線断面図である。第７実施形態は、基本的には図５の第４実施形態と同じ構成であり、具体的には、反射膜１５ａは、第１溝１ａの上端１ｆの幅よりも広幅となるように形成範囲（符号Ｇ参照）を設定した点である。
【００７１】
第７実施形態の構成であれば、基板１から反射膜１５ａがより剥離しにくくなって、光モジュールの歩留まり率がより向上するようになる。
【００７２】
第５〜第７実施形態において、コア部１７の前端１７ａは、ミラー部１５から後退された位置に設定する必要は必ずしも無い。すなわち、第５実施形態に対応する図１１（ａ）のように、コア部１７の上部は、第１基板１の表面よりも僅かに盛り上げられており、その前端１７ａはミラー部１５の上端付近に位置させている。また、クラッド部１８の上部は、コア部１７の上部よりも僅かに盛り上げられており、その前端１８ａはミラー部１５の上端よりも延在して、基板１の表面に密着させている。このように構成することもできる。
【００７３】
なお、第６実施形態に対応する図１１（ｂ）、第７実施形態に対応する図１１（ｃ）も同様である。
【００７４】
第１〜第４実施形態（図９、図１０の変形例も含む。）は、反射膜１５ａを内部導波路１６の長さ方向に延在させることで、基板１との密着性を良好にするものである。
【００７５】
第５〜第７実施形態（図１１の変形例も含む。）は、反射膜１５ａを内部導波路１６の幅方向に延在させることで、基板１との密着性を良好にするものである。
【００７６】
これらのことから、第１〜第４実施形態と５〜第７実施形態とを適宜に組み合わせることも可能である。例えば、図１２（ａ）は、第１実施形態と第５実施形態とを組み合わせた変形例、図１２（ｂ）は第１実施形態と第６実施形態とを組み合わせた変形例である。その他、図１２（ｃ）のように、第１実施形態において、反射膜１５ａをコア部１７の両側に沿って内部導波路１６の長さ方向に延在させること等もできる。
【符号の説明】
【００７７】
１      第１基板（基板）
１ａ    第１溝（導波路形成用溝）
１ｃ    傾斜面（先端面）
１ｄ    溝部分の前端
１ｅ    ミラー底
１ｆ    上端
１２ａ  発光素子
１２ｂ  受光素子
１５    ミラー部
１５ａ  反射膜
１５ｂ  前端
１６    内部導波路
１７    コア部
１７ａ  前端
１８    クラッド部
１８ａ  前端
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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