(57)【要約】【課題】洗浄後のウエーハの表面粗さの悪化を抑制し、また洗浄後のウエーハ外周部におけるパーティクルの残留を改善するウエーハの洗浄方法を提供する。【解決手段】オゾン水を用いた洗浄工程と、フッ酸を用いた洗浄工程を含むウエーハの洗浄方法において、前記オゾン水を用いた洗浄工程と前記フッ酸を用いた洗浄工程の間に純水を用いたスピン洗浄工程を有することで、（１）オゾン水を用いた洗浄工程、（２）純水を用いたスピン洗浄工程、（３）フッ酸を用いた洗浄工程の順、あるいは（１）フッ酸を用いた洗浄工程、（２）純水を用いたスピン洗浄工程、（３）オゾン水を用いた洗浄工程の順で洗浄を行う方法であって、前記純水を用いたスピン洗浄工程における純水の流量が１．２Ｌ／ｍｉｎ以上であり、ウエーハの回転数が１，０００ｒｐｍ以上であることを特徴とするウエーハの洗浄方法。【選択図】図１
2015220284.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
オゾン水を用いた洗浄工程と、フッ酸を用いた洗浄工程を含むウエーハの洗浄方法において、
前記オゾン水を用いた洗浄工程と前記フッ酸を用いた洗浄工程の間に純水を用いたスピン洗浄工程を有することで、（１）オゾン水を用いた洗浄工程、（２）純水を用いたスピン洗浄工程、（３）フッ酸を用いた洗浄工程の順、あるいは（１）フッ酸を用いた洗浄工程、（２）純水を用いたスピン洗浄工程、（３）オゾン水を用いた洗浄工程の順で洗浄を行う方法であって、
前記純水を用いたスピン洗浄工程における純水の流量が１．２Ｌ／ｍｉｎ以上であり、ウエーハの回転数が１，０００ｒｐｍ以上であることを特徴とするウエーハの洗浄方法。
【請求項２】
前記純水を用いたスピン洗浄工程における純水の流量が１．２Ｌ／ｍｉｎ以上２．０Ｌ／ｍｉｎ以下であり、前記ウエーハの回転数が１，０００ｒｐｍ以上１，５００ｒｐｍ以下であることを特徴とする請求項１に記載のウエーハの洗浄方法。
【請求項３】
前記純水を用いたスピン洗浄工程の工程時間は、２秒以上１０秒以下であることを特徴とする請求項１又は請求項２に記載のウエーハの洗浄方法。
【請求項４】
前記オゾン水を用いた洗浄工程と、前記フッ酸を用いた洗浄工程を複数回行うことを特徴とする請求項１から請求項３のいずれか一項に記載のウエーハの洗浄方法。
【請求項５】
前記オゾン水を用いた洗浄工程をスピン洗浄で行い、オゾン水の流量を１．２Ｌ／ｍｉｎ以上２．０Ｌ／ｍｉｎ以下とし、ウエーハの回転数を１，０００ｒｐｍ以上１，５００ｒｐｍ以下とすることを特徴とする請求項１から請求項４のいずれか一項に記載のウエーハの洗浄方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ウエーハの洗浄方法に関し、特にオゾン水、フッ酸、及び純水を用いたウエーハの枚葉式洗浄方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、半導体用シリコンウエーハの洗浄工程では、一般にオゾン水やフッ酸が用いられており、例えばオゾン水洗浄とフッ酸洗浄を繰り返して洗浄を行ってパーティクルを除去する方法が提案されている（特許文献１）。このような方法では、オゾン水洗浄によってウエーハ表面上に酸化膜を形成し、次いでフッ酸洗浄によって酸化膜とともにウエーハ表面のパーティクル等を除去する。
しかし、このような方法では、洗浄液を替える際にウエーハ表面上にオゾン水とフッ酸が共存してしまい、ウエーハ表面上でオゾン水による酸化膜の形成とフッ酸による酸化膜の除去（エッチング）が同時に起こることで、表面粗さが悪化してしまうという問題があった。
【０００３】
また、フッ酸で酸化膜を除去するとウエーハベア面が出てくるが、このウエーハベア面には非常にパーティクルが付着しやすい。そのため、通常、フッ酸で酸化膜を除去した後、純水やオゾン水を用いて洗浄を行うが、ウエーハ外周部ではウエーハベア面の撥水性によって純水やオゾン水が弾かれてしまい、うまく純水やオゾン水が行き渡らず、その結果としてウエーハ外周部にパーティクルが残留するという問題があった。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開平８−１８１１３７号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
本発明は、上記問題を解決するためになされたものであり、洗浄後のウエーハの表面粗さの悪化を抑制し、また洗浄後のウエーハ外周部におけるパーティクルの残留を改善できるウエーハの洗浄方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
上記課題を解決するために、本発明では、オゾン水を用いた洗浄工程と、フッ酸を用いた洗浄工程を含むウエーハの洗浄方法において、
前記オゾン水を用いた洗浄工程と前記フッ酸を用いた洗浄工程の間に純水を用いたスピン洗浄工程を有することで、（１）オゾン水を用いた洗浄工程、（２）純水を用いたスピン洗浄工程、（３）フッ酸を用いた洗浄工程の順、あるいは（１）フッ酸を用いた洗浄工程、（２）純水を用いたスピン洗浄工程、（３）オゾン水を用いた洗浄工程の順で洗浄を行う方法であって、
前記純水を用いたスピン洗浄工程における純水の流量が１．２Ｌ／ｍｉｎ以上であり、ウエーハの回転数が１，０００ｒｐｍ以上であるウエーハの洗浄方法を提供する。
【０００７】
このようなウエーハの洗浄方法であれば、オゾン水を用いた洗浄工程とフッ酸を用いた洗浄工程の間の純水を用いたスピン洗浄工程によってオゾン水とフッ酸の共存を防止し、洗浄後のウエーハの表面粗さの悪化を抑制することができる。
また、上述のような流量及び回転数で純水を用いたスピン洗浄工程を行うことで、撥水面に弾かれることなく純水をウエーハ外周部まで行き渡らせることができるため、洗浄後のウエーハ外周部におけるパーティクルの残留を改善することができる。
【０００８】
またこのとき、前記純水を用いたスピン洗浄工程における純水の流量が１．２Ｌ／ｍｉｎ以上２．０Ｌ／ｍｉｎ以下であり、前記ウエーハの回転数が１，０００ｒｐｍ以上１，５００ｒｐｍ以下であることが好ましい。
【０００９】
このような流量及び回転数であれば、十分に上述のような効果を得ることができる。
【００１０】
またこのとき、前記純水を用いたスピン洗浄工程の工程時間は、２秒以上１０秒以下であることが好ましい。
【００１１】
上述のような流量及び回転数であれば、このような工程時間でオゾン水又はフッ酸を純水で完全に置換することができる。
【００１２】
またこのとき、前記オゾン水を用いた洗浄工程と、前記フッ酸を用いた洗浄工程を複数回行うことが好ましい。
【００１３】
このように、オゾン水を用いた洗浄工程とフッ酸を用いた洗浄工程を複数回行う洗浄方法において、上述のような条件で純水を用いたスピン洗浄工程を行うことで、より効果的に洗浄後のウエーハの表面粗さの悪化を抑制し、洗浄後のウエーハ外周部におけるパーティクルの残留を改善することができる。
【００１４】
またこのとき、前記オゾン水を用いた洗浄工程をスピン洗浄で行い、オゾン水の流量を１．２Ｌ／ｍｉｎ以上２．０Ｌ／ｍｉｎ以下とし、ウエーハの回転数を１，０００ｒｐｍ以上１，５００ｒｐｍ以下とすることが好ましい。
【００１５】
オゾン水を用いた洗浄工程をこのような条件で行うことで、純水を用いたスピン洗浄工程と同様にオゾン水をウエーハ外周部まで行き渡らせることができるため、さらに洗浄効果を向上させることができる。
【発明の効果】
【００１６】
以上のように、本発明のウエーハの洗浄方法であれば、洗浄後のウエーハの表面粗さの悪化を抑制することができ、また洗浄後のウエーハ外周部におけるパーティクルの残留を改善することができる。さらに、オゾン水を用いた洗浄工程とフッ酸を用いた洗浄工程を複数回行う洗浄方法に適用することで、より効果的に洗浄後のウエーハの表面粗さの悪化を抑制し、洗浄後のウエーハ外周部におけるパーティクルの残留を改善することができる。また、オゾン水を用いた洗浄工程を、純水を用いたスピン洗浄工程と同様の条件で行うことで、さらに洗浄効果を向上させることができる。
このようなウエーハの洗浄方法は、特に半導体用シリコンウエーハの枚葉式洗浄に好適である。
【図面の簡単な説明】
【００１７】
【図１】本発明のウエーハの洗浄方法の一例を示すフロー図である。
【図２】本発明のウエーハの洗浄方法の別の一例を示すフロー図である。
【図３】実施例１−１〜１−４及び比較例１−１〜１−４の洗浄前と洗浄後の表面粗さを示すグラフである。
【図４】（ａ）実施例２−１、（ｂ）実施例２−２、（ｃ）比較例２−１、（ｄ）比較例２−２、（ｅ）比較例２−３の洗浄後のウエーハにおけるパーティクルを示した図である。
【発明を実施するための形態】
【００１８】
上述のように、洗浄後のウエーハの表面粗さの悪化を抑制でき、また洗浄後のウエーハ外周部におけるパーティクルの残留を改善できるウエーハの洗浄方法の開発が求められていた。
【００１９】
本発明者らは、上記課題について鋭意検討を重ねた結果、オゾン水を用いた洗浄工程（以下、オゾン水洗浄ともいう）と、フッ酸を用いた洗浄工程（以下、フッ酸洗浄ともいう）を含むウエーハの洗浄方法において、オゾン水洗浄とフッ酸洗浄の間に純水を用いたスピン洗浄工程（以下、純水スピン洗浄ともいう）を行うことで、オゾン水とフッ酸の共存を防止し洗浄後のウエーハの表面粗さの悪化を抑制でき、またこの際、特定の純水流量及びウエーハ回転数で純水スピン洗浄を行うことで、純水をウエーハ外周部まで行き渡らせることができるため、洗浄後のウエーハ外周部におけるパーティクルの残留を改善できることを見出し、本発明を完成させた。
【００２０】
即ち、本発明は、オゾン水を用いた洗浄工程と、フッ酸を用いた洗浄工程を含むウエーハの洗浄方法において、
前記オゾン水を用いた洗浄工程と前記フッ酸を用いた洗浄工程の間に純水を用いたスピン洗浄工程を有することで、（１）オゾン水を用いた洗浄工程、（２）純水を用いたスピン洗浄工程、（３）フッ酸を用いた洗浄工程の順、あるいは（１）フッ酸を用いた洗浄工程、（２）純水を用いたスピン洗浄工程、（３）オゾン水を用いた洗浄工程の順で洗浄を行う方法であって、
前記純水を用いたスピン洗浄工程における純水の流量が１．２Ｌ／ｍｉｎ以上であり、ウエーハの回転数が１，０００ｒｐｍ以上であるウエーハの洗浄方法である。
【００２１】
以下、本発明について詳細に説明するが、本発明はこれらに限定されるものではない。
【００２２】
図１は、本発明のウエーハの洗浄方法の一例を示すフロー図である。
本発明のウエーハの洗浄方法は、オゾン水洗浄とフッ酸洗浄の間に純水スピン洗浄を行う方法であり、例えばオゾン水洗浄とフッ酸洗浄を１回ずつ行う場合は、図１（Ａ）又は図１（Ｂ）のようなフローで洗浄を行う。
【００２３】
図１（Ａ）の洗浄フローでは、まずオゾン水を用いた洗浄工程（１Ａ）を行った後、純水を用いたスピン洗浄工程（２Ａ）を行い、次にフッ酸を用いた洗浄工程（３Ａ）を行った後、純水を用いたスピン洗浄工程（４Ａ）を行い、最後に乾燥工程（５Ａ）を行う。
【００２４】
一方、図１（Ｂ）の洗浄フローでは、まずフッ酸を用いた洗浄工程（１Ｂ）を行った後、純水を用いたスピン洗浄工程（２Ｂ）を行い、次にオゾン水を用いた洗浄工程（３Ｂ）を行った後、純水を用いたスピン洗浄工程（４Ｂ）を行い、最後に乾燥工程（５Ｂ）を行う。
【００２５】
上述のように、本発明のウエーハの洗浄方法では、図１（Ａ）のようにオゾン水洗浄を先に行い、その後純水スピン洗浄を挟んでフッ酸洗浄を行ってもよいし、図１（Ｂ）のようにフッ酸洗浄を先に行い、その後純水スピン洗浄を挟んでオゾン水洗浄を行ってもよい。
【００２６】
このように、オゾン水洗浄とフッ酸洗浄の間に純水スピン洗浄を行うことで、ウエハ表面上のオゾン水又はフッ酸を純水で置換してオゾン水とフッ酸の共存を防止することができるため、洗浄後のウエーハの表面粗さの悪化を抑制することができる。
【００２７】
また、本発明のウエーハの洗浄方法では、オゾン水を用いた洗浄工程とフッ酸を用いた洗浄工程の間の純水を用いたスピン洗浄工程（図１の（２Ａ）、（２Ｂ）工程）における純水の流量を１．２Ｌ／ｍｉｎ以上とし、ウエーハの回転数を１，０００ｒｐｍ以上とする。
なお、純水の流量は好ましくは１．２Ｌ／ｍｉｎ以上２．０Ｌ／ｍｉｎ以下であり、ウエーハの回転数は好ましくは１，０００ｒｐｍ以上１，５００ｒｐｍ以下である。
【００２８】
このような流量及び回転数で純水スピン洗浄を行うことで、撥水面に弾かれることなく純水をウエーハ外周部まで行き渡らせることができるため、気中からのパーティクル付着やウエーハ表面上のパーティクルの固着を防ぐことができる。即ち、洗浄後のウエーハ外周部におけるパーティクルの残留を改善し、より効率的な洗浄が可能となる。
また、このような流量及び回転数で純水スピン洗浄を行うことで、オゾン水洗浄又はフッ酸洗浄後の純水による置換を短時間で効率良く行うことができる。
【００２９】
純水の流量が１．２Ｌ／ｍｉｎ未満、あるいはウエーハの回転数が１，０００ｒｐｍ未満では、純水でウエーハ全面を覆うことができないためウエーハ全面のパーティクルを洗い流すことができず、またウエーハ外周部等に撥水面が出てしまいパーティクル付着の原因となる。
【００３０】
また、純水スピン洗浄の工程時間は２秒以上１０秒以下とすればよい。上述のような流量及び回転数で純水スピン洗浄を行う場合、このような工程時間でオゾン水又はフッ酸を純水で完全に置換することができるため、オゾン水とフッ酸の共存を防止し、洗浄後のウエーハの表面粗さの悪化を抑制できる。
【００３１】
また、本発明のウエーハの洗浄方法では、オゾン水を用いた洗浄工程をスピン洗浄で行い、オゾン水の流量を１．２Ｌ／ｍｉｎ以上２．０Ｌ／ｍｉｎ以下とし、ウエーハの回転数を１，０００ｒｐｍ以上１，５００ｒｐｍ以下とすることが好ましい。
オゾン水洗浄をこのような条件で行うことで、上述の純水スピン洗浄と同様にオゾン水をウエーハ外周部まで行き渡らせることができるため、さらに洗浄効果を向上させることができる。
【００３２】
また、本発明のウエーハの洗浄方法では、図１（Ａ）、（Ｂ）のように、オゾン水、フッ酸、純水での洗浄後に乾燥工程（図１の（５Ａ）、（５Ｂ）工程）を行ってもよく、この乾燥工程は公知の方法で行えばよい。
また、図１（Ａ）、（Ｂ）のように、乾燥工程の直前（即ち、洗浄の最終工程）には純水スピン洗浄を行うことが好ましい（図１の（４Ａ）、（４Ｂ）工程）。なお、このときの純水スピン洗浄も、オゾン水洗浄とフッ酸洗浄の間の純水スピン洗浄（図１の（２Ａ）、（２Ｂ）工程）と同様の条件で行えばよい。
【００３３】
本発明においてオゾン水洗浄の条件は特に限定されず、従来のオゾン水洗浄の条件で行えばよいが、濃度１０〜６０ｐｐｍのオゾン水を用いてスピン洗浄で行うことが好ましく、スピン洗浄の条件は上記の流量及び回転数で、工程時間１０〜６０秒とすることが好ましい。
【００３４】
本発明においてフッ酸洗浄の条件は特に限定されず、従来のフッ酸洗浄の条件で行えばよいが、濃度０．１〜３．０質量％のフッ酸を用いてスピン洗浄で行うことが好ましく、スピン洗浄の条件は流量１．０〜２．０Ｌ／ｍｉｎ、回転数１００〜１，５００ｒｐｍ、工程時間３〜６０秒とすることが好ましい。
【００３５】
また、本発明のウエーハの洗浄方法は、オゾン水を用いた洗浄工程と、フッ酸を用いた洗浄工程を複数回行うものとしてもよい。
図２にオゾン水洗浄とフッ酸洗浄を複数回行う場合の洗浄フローの一例を示す。
図２の洗浄フロー（Ｃ）では、上述の図１（Ａ）の洗浄フローと同様、まずオゾン水を用いた洗浄工程（１Ｃ）を行った後、純水を用いたスピン洗浄工程（２Ｃ）を行い、次にフッ酸を用いた洗浄工程（３Ｃ）を行った後、純水を用いたスピン洗浄工程（４Ｃ）を行う。その後、オゾン水を用いた洗浄工程（１Ｃ）に戻り、（１Ｃ）→（２Ｃ）→（３Ｃ）→（４Ｃ）を１サイクルとして洗浄を繰り返す。所定の回数このサイクルを繰り返した後、最後に乾燥工程（５Ｃ）を行う。
【００３６】
従来のオゾン水洗浄とフッ酸洗浄を複数回行う洗浄方法では、回数を重ねることで洗浄効果も増大するが、洗浄によるウエーハの表面粗さの悪化度合やウエーハ外周部におけるパーティクルの残留度合も増大する。
これに対し、本発明の洗浄方法であれば、上述のように純水スピン洗浄によってウエーハの表面粗さの悪化を抑制し、ウエーハ外周部におけるパーティクルの残留を改善できるため、オゾン水洗浄とフッ酸洗浄を複数回行う洗浄方法において、各オゾン水洗浄とフッ酸洗浄の間に純水スピン洗浄を上述のような条件で行うことで、より効果的にウエーハの表面粗さの悪化を抑制し、ウエーハ外周部におけるパーティクルの残留を改善できる。
【００３７】
以上のように、本発明のウエーハの洗浄方法であれば、洗浄後のウエーハの表面粗さの悪化を抑制することができ、また洗浄後のウエーハ外周部におけるパーティクルの残留を改善することができる。さらに、オゾン水を用いた洗浄工程とフッ酸を用いた洗浄工程を複数回行う洗浄方法に適用することで、より効果的に洗浄後のウエーハの表面粗さの悪化を抑制し、洗浄後のウエーハ外周部におけるパーティクルの残留を改善することができる。また、オゾン水を用いた洗浄工程を、純水を用いたスピン洗浄工程と同様の条件で行うことで、さらに洗浄効果を向上させることができる。
このようなウエーハの洗浄方法は、特に半導体用シリコンウエーハの枚葉式洗浄に好適である。
【実施例】
【００３８】
以下、実施例及び比較例を用いて本発明を具体的に説明するが、本発明はこれらに限定されるものではない。
【００３９】
なお、以下の実施例及び比較例では、以下のようなウエーハ、フッ酸、及びオゾン水を使用した。
ウエーハ：直径３００ｍｍ、Ｐ−型＜１００＞シリコンウエーハ
フッ酸：濃度０．５質量％
オゾン水：濃度１０ｐｐｍ
【００４０】
また、以下の実施例及び比較例では、オゾン水洗浄及びフッ酸洗浄は以下の条件で、スピン洗浄によって行った。
オゾン水洗浄条件：流量１．５Ｌ／ｍｉｎ、回転数１，０００ｒｐｍ、工程時間２０秒
フッ酸洗浄条件：流量１．５Ｌ／ｍｉｎ、回転数１，０００ｒｐｍ、工程時間３０秒
【００４１】
［ウエーハの表面粗さ］
（実施例１）
ウエーハを４枚用意し（実施例１−１〜１−４）、下記の洗浄フロー１−１に沿ってウエーハの洗浄を行った。なお、純水洗浄工程では、下記の純水スピン洗浄条件１の条件で洗浄を行った。
洗浄フロー１−１：｛オゾン水→純水→フッ酸→純水｝×３→乾燥
純水スピン洗浄条件１：流量１．５Ｌ／ｍｉｎ、回転数１，３００ｒｐｍ、工程時間３秒
各ウエーハにおいて、洗浄前の表面粗さと洗浄後の表面粗さをＫＬＡ−Ｔｅｎｃｏｒ社製  Ｓｕｒｆｓｃａｎ  ＳＰ３で測定した結果を表１に示す。
【００４２】
（比較例１）
ウエーハを４枚用意し（比較例１−１〜１−４）、下記の洗浄フロー１−２に沿ってウエーハの洗浄を行った。なお、純水洗浄工程では、実施例１と同様、純水スピン洗浄条件１の条件で洗浄を行った。
洗浄フロー１−２：｛オゾン水→フッ酸｝×３→純水→乾燥
各ウエーハにおいて、洗浄前の表面粗さと洗浄後の表面粗さを実施例１と同様にして測定した結果を表２に示す。
【００４３】
【表１】
2015220284.tif 000003
【００４４】
【表２】
2015220284.tif 000004
【００４５】
また、表１及び表２の結果をグラフにまとめたものを図３に示す。表１、表２、及び図３に示されるように、オゾン水洗浄とフッ酸洗浄の間に純水スピン洗浄を行った実施例１−１〜１−４では、オゾン水洗浄とフッ酸洗浄の間に純水スピン洗浄を行わなかった比較例１−１〜１−４と比べて、洗浄後のウエーハの表面粗さの悪化が抑制されていた。
【００４６】
［ウエーハ表面上のパーティクル］
（実施例２−１）
下記の洗浄フロー２に沿ってウエーハの洗浄を行った。なお、純水洗浄工程では、下記の純水スピン洗浄条件２ａの条件で洗浄を行った。
洗浄フロー２：オゾン水→純水→フッ酸→純水→乾燥
純水スピン洗浄条件２ａ：流量１．５Ｌ／ｍｉｎ、回転数１，３００ｒｐｍ、工程時間２秒
洗浄後のウエーハ表面上のパーティクルをＫＬＡ−Ｔｅｎｃｏｒ社製  Ｓｕｒｆｓｃａｎ  ＳＰ３で測定した結果を図４（ａ）に示す。
【００４７】
（実施例２−２）
実施例２−１と同様、洗浄フロー２に沿ってウエーハの洗浄を行った。なお、純水洗浄工程では、下記の純水スピン洗浄条件２ｂの条件で洗浄を行った。
純水スピン洗浄条件２ｂ：流量１．２Ｌ／ｍｉｎ、回転数１，０００ｒｐｍ、工程時間２秒
洗浄後のウエーハ表面上のパーティクルを実施例２−１と同様にして測定した結果を図４（ｂ）に示す。
【００４８】
（比較例２−１）
実施例２−１と同様、洗浄フロー２に沿ってウエーハの洗浄を行った。なお、純水洗浄工程では、下記の純水スピン洗浄条件２ｃの条件で洗浄を行った。
純水スピン洗浄条件２ｃ：流量１．０Ｌ／ｍｉｎ、回転数１，０００ｒｐｍ、工程時間２秒
洗浄後のウエーハ表面上のパーティクルを実施例２−１と同様にして測定した結果を図４（ｃ）に示す。
【００４９】
（比較例２−２）
実施例２−１と同様、洗浄フロー２に沿ってウエーハの洗浄を行った。なお、純水洗浄工程では、下記の純水スピン洗浄条件２ｄの条件で洗浄を行った。
純水スピン洗浄条件２ｄ：流量１．２Ｌ／ｍｉｎ、回転数８００ｒｐｍ、工程時間２秒
洗浄後のウエーハ表面上のパーティクルを実施例２−１と同様にして測定した結果を図４（ｄ）に示す。
【００５０】
（比較例２−３）
実施例２−１と同様、洗浄フロー２に沿ってウエーハの洗浄を行った。なお、純水洗浄工程では、下記の純水スピン洗浄条件２ｅの条件で洗浄を行った。
純水スピン洗浄条件２ｅ：流量１．２Ｌ／ｍｉｎ、回転数３００ｒｐｍ、工程時間２秒
洗浄後のウエーハ表面上のパーティクルを実施例２−１と同様にして測定した結果を図４（ｅ）に示す。
【００５１】
図４に示されるように、流量１．５Ｌ／ｍｉｎ、回転数１，３００ｒｐｍの条件で純水スピン洗浄を行った実施例２−１（図４（ａ））、及び流量１．２Ｌ／ｍｉｎ、回転数１，０００ｒｐｍの条件で純水スピン洗浄を行った実施例２−２（図４（ｂ））では、ウエーハ外周部のパーティクルの密集が少なかった。
【００５２】
一方、流量が１．２Ｌ／ｍｉｎ未満の比較例２−１（図４（ｃ））では、純水の流量が足りないためにウエーハ外周部まで純水が行き渡らず、ウエーハ外周部にパーティクルの密集が見られた。
また、ウエーハの回転数が１，０００ｒｐｍ未満の比較例２−２（図４（ｄ））及び比較例２−３（図４（ｅ））では、ウエーハ外周部で純水が弾かれてしまって純水が行き渡らず、ウエーハ外周部にパーティクルの密集が見られた。
【００５３】
また、洗浄フローを「フッ酸→純水→オゾン水→純水→乾燥」とした場合も同様に、純水スピン洗浄における純水の流量を１．２Ｌ／ｍｉｎ未満、あるいはウエーハの回転数を１，０００ｒｐｍ未満とすると、ウエーハ外周部にパーティクルの密集が見られた。
【００５４】
以上のことから、本発明のウエーハの洗浄方法であれば、洗浄後のウエーハの表面粗さの悪化を抑制でき、また洗浄後のウエーハ外周部におけるパーティクルの残留を改善できることが明らかとなった。
【００５５】
なお、本発明は、上記実施形態に限定されるものではない。上記実施形態は例示であり、本発明の特許請求の範囲に記載された技術的思想と実質的に同一な構成を有し、同様な作用効果を奏するものは、いかなるものであっても本発明の技術的範囲に包含される。
【図１】
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【図２】
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【図３】
2015220284.tif 000007
【図４】
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