(57)【要約】      （修正有）【課題】基板の端子に配線基板を接続する際の熱によって、電気光学層が熱劣化することを抑制することのできる電気光学装置の製造方法、および基板接続装置を提供する。【解決手段】シリコン基板からなる第１基板１０の端子１０２に配線基板６０を接続するにあたって、ステージ２４０によって第１基板１０の他方面１０ｔ側を支持するともに、加熱した加圧ヘッド２５０によって端子１０２と配線基板６０とが異方性導電膜７０を介して重なっている領域を配線基板６０側から加圧する。ステージ２４０は、第１基板１０の電気光学層配置領域１０ｄを支持する金属製の第１ステージ２１０と、第１基板１０の端子１０２の形成領域を支持する石英製の第２ステージ２２０と、第１ステージ２１０と第２ステージ２２０との間で第２ステージ２２０から離間した位置で第１基板１０の他方面１０ｔ側を支持する石英製の第３ステージ２３０とを有している。【選択図】図２
2015197570.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
一方面側に電気光学層が配置された電気光学層配置領域と基板側面との間に端子が設け
られた第１基板と、前記端子に接続された配線基板と、を有する電気光学装置の製造方法
であって、
前記端子に前記配線基板を接続する基板接続工程では、前記第１基板の他方面側のうち
、前記電気光学層配置領域と重なる領域を第１ステージで支持し、該第１ステージと離間
する位置で、熱伝導率が前記第１ステージの熱伝導率未満の第２ステージによって、前記
第１基板の前記他方面側のうち、前記端子が設けられている領域と重なる領域を支持し、
前記第１ステージと前記第２ステージとの間において前記第２ステージと離間する位置で
、熱伝導率が前記第１ステージの熱伝導率未満で、前記第２ステージの熱伝導率と同等ま
たはそれ以上の第３ステージによって、前記第１基板の前記他方面側を支持した状態で、
加熱した加圧ヘッドによって前記端子と前記配線基板とが重なっている領域を前記配線基
板側から加圧することを特徴とする電気光学装置の製造方法。
【請求項２】
前記第１基板は、半導体基板であることを特徴とする請求項１に記載の電気光学装置の
製造方法。
【請求項３】
前記加圧ヘッドによって前記端子と前記配線基板とが重なっている領域を加圧している
間、前記第１ステージの温度は前記第２ステージの温度未満であり、前記第３ステージの
温度は前記第２ステージの温度以下であり、前記第３ステージの温度は前記第１ステージ
の温度以上であることを特徴とする請求項１または２に記載の電気光学装置の製造方法。
【請求項４】
前記基板接続工程では、前記電気光学層配置領域と前記端子との間に放熱部材を当接さ
せた状態で、前記加圧ヘッドによって前記端子と前記配線基板とが重なっている領域を加
圧することを特徴とする請求項１乃至３の何れか一項に記載の電気光学装置の製造方法。
【請求項５】
前記放熱部材は、付勢部材によって前記第１基板に向けて付勢された状態で当該第１基
板の前記一方面に当接することを特徴とする請求項４に記載の電気光学装置の製造方法。
【請求項６】
前記放熱部材は、前記付勢部材を介して前記加圧ヘッドに保持されていることを特徴と
する請求項５に記載の電気光学装置の製造方法。
【請求項７】
前記放熱部材は、保護シートを介して前記第１基板に当接することを特徴とする請求項
４乃至６の何れか一項に記載の電気光学装置の製造方法。
【請求項８】
前記基板接続工程では、前記第１基板が位置する側とは反対側から前記電気光学層を冷
却することを特徴とする請求項１乃至７の何れか一項に記載の電気光学装置の製造方法。
【請求項９】
前記基板接続工程では、前記第１ステージを冷却することを特徴とする請求項１乃至８
の何れか一項に記載の電気光学装置の製造方法。
【請求項１０】
前記第１基板の前記一方面側にシール材を介して配置された第２基板を有し、
前記電気光学層は、前記第１基板と前記第２基板との間のうち、前記シール材によって
囲まれた位置に設けられた液晶層であることを特徴とする請求項１乃至９の何れか一項に
記載の電気光学装置の製造方法。
【請求項１１】
第１基板の一方面に電気光学層が配置された電気光学層配置領域と基板側面との間に設
けられた端子に配線基板を接続する基板接続装置であって、
前記第１基板の他方面側のうち、前記電気光学層配置領域と重なる領域を支持する第１
ステージと、
該第１ステージと離間する位置で、前記第１基板の前記他方面側のうち、前記端子が設
けられている領域と重なる領域を支持し、熱伝導率が前記第１ステージの熱伝導率未満の
第２ステージと、
前記第１ステージと前記第２ステージとの間において前記第２ステージと離間する位置
で前記第１基板の前記他方面側を支持し、熱伝導率が前記第１ステージの熱伝導率未満で
、前記第２ステージの熱伝導率と同等またはそれ以上の第３ステージと、
前記端子と前記配線基板とが重なっている領域を前記配線基板側から加圧しながら加熱
する加圧ヘッドと、
を有することを特徴とする基板接続装置。
【請求項１２】
前記第１基板の前記一方面のうち、前記電気光学層配置領域と前記端子との間に当接す
る放熱部材をさらに有していることを特徴とする請求項１１に記載の基板接続装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、基板の端子に配線基板が接続された電気光学装置の製造方法、および基板の
端子と配線基板との接続に用いられる基板接続装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
図１２に示すように、電気光学装置１００は、第１基板１０の一方面１０ｓ側に電気光
学層５０が設けられており、かかる電気光学層５０が設けられた電気光学層配置領域１０
ｄによって表示領域１０ａが構成される。ここで、電気光学装置１００が液晶装置の場合
、電気光学層５０は液晶層であり、電気光学装置１００が有機エレクトロルミネッセンス
装置の場合、電気光学層５０は発光層等である。電気光学装置１００では、基板接続工程
において、第１基板１０の一方面１０ｓ側のうち、電気光学層配置領域１０ｄ（表示領域
１０ａ）と側面１０ｅ（基板側面）との間に設けられた端子１０２に配線基板６０を接続
し、配線基板６０を介して第１基板１０に信号等を供給する。
【０００３】
かかる基板接続工程では、ステージ２４０によって第１基板１０の他方面１０ｔ側を支
持した状態で、加熱した加圧ヘッド２５０によって、端子１０２と配線基板６０とが異方
性導電膜７０を介して重なっている領域を配線基板６０側から加圧する。ここで、ステー
ジ２４０としては、第１基板１０の他方面１０ｔ側のうち、表示領域１０ａを含む領域を
支持する第１ステージ２１０と、第１ステージ２１０から離間する位置で端子１０２の形
成領域を支持する第２ステージ２２０とを備えた構成が提案されている（特許文献１、２
参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００１−２０１７２７号公報
【特許文献２】特許第４０１４４８１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
特許文献１、２に記載の基板接続装置において、例えば、第１ステージ２１０をステン
レス鋼製とし、第２ステージ２２０を石英製とすれば、第２ステージ２２０は第１ステー
ジ２１０より熱伝導性が低い。このため、第１基板１０が石英基板である場合、端子１０
２の形成領域から第２ステージ２２０に熱が逃げにくい一方、第１基板１０を伝って表示
領域１０ａ（電気光学層５０）側に向かおうとする熱を第１ステージ２１０の側に逃がす
ことができる。従って、異方性導電膜７０の温度と電気光学層５０の温度との間には大き
な温度差が発生する。それ故、異方性導電膜７０の温度が１８０℃になっても、電気光学
層５０の温度は８０℃以下であるため、電気光学層５０が熱劣化することを防止すること
ができる。
【０００６】
しかしながら、第１基板１０がシリコン基板等の半導体基板である場合等、第１基板１
０自身の熱伝導性が高い場合には、第１基板１０を伝って熱が伝わりやすいため、異方性
導電膜７０の温度が上昇しにくいだけでなく、異方性導電膜７０の温度と電気光学層５０
の温度との差が小さい。それ故、加圧ヘッド２５０による加熱温度を高めて、異方性導電
膜７０の温度を１８０℃まで上昇させると、電気光学層５０の温度が８０℃を超えてしま
い、電気光学層５０が熱劣化するという問題点がある。
【０００７】
以上の問題点に鑑みて、本発明は、基板の端子に配線基板を接続する際の熱によって、
電気光学層が熱劣化することを抑制することのできる電気光学装置の製造方法、および基
板接続装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
上記課題を解決するために、本発明は、一方面側に電気光学層が配置された電気光学層
配置領域と基板側面との間に端子が設けられた第１基板と、前記端子に接続された配線基
板と、を有する電気光学装置の製造方法であって、前記端子に前記配線基板を接続する基
板接続工程では、前記第１基板の他方面側のうち、前記電気光学層配置領域と重なる領域
を第１ステージで支持し、該第１ステージと離間する位置で、熱伝導率が前記第１ステー
ジの熱伝導率未満の第２ステージによって、前記第１基板の前記他方面側のうち、前記端
子が設けられている領域と重なる領域を支持し、前記第１ステージと前記第２ステージと
の間において前記第２ステージと離間する位置で、熱伝導率が前記第１ステージの熱伝導
率未満で、前記第２ステージの熱伝導率と同等またはそれ以上の第３ステージによって、
前記第１基板の前記他方面側を支持した状態で、加熱した加圧ヘッドによって前記端子と
前記配線基板とが重なっている領域を前記配線基板側から加圧することを特徴とする。
【０００９】
また、本発明は、第１基板の一方面に電気光学層が配置された電気光学層配置領域と基
板側面との間に設けられた端子に配線基板を接続する基板接続装置であって、前記第１基
板の他方面側のうち、前記電気光学層配置領域と重なる領域を支持する第１ステージと、
該第１ステージと離間する位置で、前記第１基板の前記他方面側のうち、前記端子が設け
られている領域と重なる領域を支持し、熱伝導率が前記第１ステージの熱伝導率未満の第
２ステージと、前記第１ステージと前記第２ステージとの間において前記第２ステージと
離間する位置で前記第１基板の前記他方面側を支持し、熱伝導率が前記第１ステージの熱
伝導率未満で、前記第２ステージの熱伝導率と同等またはそれ以上の第３ステージと、前
記端子と前記配線基板とが重なっている領域を前記配線基板側から加圧しながら加熱する
加圧ヘッドと、を有することを特徴とする。
【００１０】
本発明では、第２ステージは第１ステージより熱伝導性が低い。このため、第１基板に
おいて端子が形成されている領域から第２ステージへは熱が逃げにくい、また、第１ステ
ージと第２ステージとの間において第２ステージから離間する位置に配置された第３ステ
ージは、第１ステージより熱伝導性が低い。このため、第１基板において端子が形成され
ている領域から第３ステージへは熱が逃げにくい。一方、第１基板を伝って電気光学層配
置領域に向かおうとする熱については第１ステージの側に逃がすことができる。従って、
端子が形成されている領域と電気光学層との温度差が大きいので、端子が形成されて端子
が形成されている領域を十分に加熱しても、電気光学層の温度が低い。よって、基板の端
子に配線基板を接続する際の熱によって、電気光学層が熱劣化することを抑制することが
できる。
【００１１】
本発明は、前記第１基板が半導体基板である場合に適用すると効果的である。第１基板
が半導体基板である場合には、半導体基板の熱伝導性が高いので、熱が電気光学層に伝わ
りやすいが、本発明によれば、第３ステージを設けたため、端子が形成されている領域と
電気光学層との温度差が大きい。このため、基板の端子に配線基板を接続する際の熱によ
って、電気光学層が熱劣化することを抑制することができる。
【００１２】
本発明において、前記加圧ヘッドによって前記端子と前記配線基板とが重なっている領
域を加圧している間、前記第１ステージの温度は前記第２ステージの温度未満であり、前
記第３ステージの温度は前記第２ステージの温度以下であり、前記第３ステージの温度は
前記第１ステージの温度以上であることが好ましい。かかる構成によれば、基板の端子に
配線基板を接続する際の熱によって、電気光学層が熱劣化することを抑制することができ
る。
【００１３】
本発明に係る電気光学装置の製造方法において、前記基板接続工程では、前記電気光学
層配置領域と前記端子との間に放熱部材を当接させた状態で、前記加圧ヘッドによって前
記端子と前記配線基板とが重なっている領域を加圧することが好ましい。また、本発明に
係る基板接続装置において、前記第１基板の前記一方面のうち、前記電気光学層配置領域
と前記端子との間に当接する放熱部材をさらに有していることが好ましい。かかる構成に
よれば、第１基板を介して電気光学層に伝わろうとする熱を放熱部材に逃がすことができ
る。従って、電気光学層に放熱部材を直接当接させなくても、電気光学層の温度上昇を抑
制することができる。また、電気光学層に向けて熱を伝える第１基板に放熱部材を当接さ
せて、電気光学層に伝わろうとする熱を放熱部材に逃がすため、電気光学層の温度上昇を
効果的に抑制することができる。それ故、電気光学層の熱劣化を抑制することができる。
【００１４】
本発明において、前記放熱部材は、付勢部材によって前記第１基板に向けて付勢された
状態で当該第１基板の前記一方面に当接することが好ましい。かかる構成によれば、放熱
部材が過大な力で第１基板に当接しないので、第１基板の損傷を防止することができる。
また、放熱部材が第１基板に密着するので、第１基板と付勢部材との間での熱伝導性を高
めることができる。
【００１５】
本発明において、前記放熱部材は、前記付勢部材を介して前記加圧ヘッドに保持されて
いることが好ましい。かかる構成によれば、加圧ヘッドが第１基板に向けて移動した際、
付勢部材および放熱部材も加圧ヘッドに連動して移動し、放熱部材は、付勢部材によって
第１基板に向けて付勢されることになる。従って、放熱部材に対する駆動機構が不要であ
る。
【００１６】
本発明において、前記付勢部材は、保護シートを介して前記第１基板に当接することが
好ましい。かかる構成によれば、第１基板の一方面側において表示領域と端子との間に配
線等が設けられている場合でも、配線等が放熱部材によって損傷することを抑制すること
ができる。
【００１７】
本発明において、前記基板接続工程では、前記第１基板が位置する側とは反対側から前
記電気光学層を冷却することが好ましい。かかる構成によれば、電気光学層の温度上昇を
より抑えることができるので、電気光学層の熱劣化を抑制することができる。
【００１８】
本発明において、前記基板接続工程では、前記ステージのうち、平面視で前記表示領域
と重なる部分を冷却することが好ましい。かかる構成によれば、電気光学層の温度上昇を
より抑えることができるので、電気光学層の熱劣化を抑制することができる。
【００１９】
本発明は、電気光学装置が液晶装置である場合に適用すると効果的である。液晶装置は
、前記第１基板の前記一方面側にシール材を介して配置された第２基板を有し、前記電気
光学層は、前記第１基板と前記第２基板との間のうち、前記シール材によって囲まれた位
置に設けられた液晶層である。このため、液晶層は、第１基板と反対側が第２基板で覆わ
れているため、第２基板側からは放熱しにくい。しかるに本発明では、端子が形成されて
端子が形成されている領域を十分に加熱しても、電気光学層の温度が低いので、基板の端
子に配線基板を接続する際の熱によって、電気光学層が熱劣化することを抑制することが
できる。
【図面の簡単な説明】
【００２０】
【図１】本発明が適用される電気光学装置の一例の説明図である。
【図２】本発明の実施の形態１に係る基板接続装置の要部構成を模式的に示す説明図である。
【図３】本発明を適用した基板接続装置に用いたステージの説明図である。
【図４】本発明の実施の形態１に係る基板接続装置における熱の流れを模式的に示す説明図である。
【図５】本発明の実施の形態２に係る基板接続装置の要部構成を模式的に示す説明図である。
【図６】本発明の実施の形態２に係る基板接続装置において、加圧ヘッドと放熱部材とを付勢部材を介して連結した形態を模式的に示す説明図である。
【図７】本発明の実施の形態２に係る基板接続装置における熱の流れを模式的に示す説明図である。
【図８】本発明の実施の形態３に係る基板接続装置の要部構成を模式的に示す説明図である。
【図９】本発明の実施の形態４に係る基板接続装置の要部構成を模式的に示す説明図である。
【図１０】本発明の実施の形態５に係る基板接続装置の要部構成を模式的に示す説明図である。
【図１１】本発明を適用した投射型表示装置（電子機器）の一例の概略構成図である。
【図１２】本発明の参考例に係る基板接続装置の要部構成を模式的に示す説明図である。
【発明を実施するための形態】
【００２１】
以下、本発明の実施の形態を説明する。なお、以下の説明で参照する図においては、各
層や各部材を図面上で認識可能な程度の大きさとするため、各層や各部材毎に縮尺を異な
らしめてある。
【００２２】
［実施の形態１］
（電気光学装置の構成）
図１は、本発明が適用される電気光学装置１００の一例の説明図であり、図１（ａ）、
（ｂ）は各々、電気光学装置１００を各構成要素とともに第２基板２０の側から見た平面
図、およびそのＨ−Ｈ′断面図である。
【００２３】
図１（ａ）、（ｂ）に示す電気光学装置１００は、液晶装置であり、液晶パネル１００
ｐを有している。液晶パネル１００ｐ（電気光学装置１００）では、第１基板１０（素子
基板）と第２基板２０（対向基板）とが所定の隙間を介してシール材１０７によって貼り
合わされており、シール材１０７は第２基板２０の外縁に沿うように枠状に設けられてい
る。シール材１０７は、光硬化性樹脂や熱硬化性樹脂等からなる接着剤であり、両基板間
の距離を所定値とするためのグラスファイバーあるいはガラスビーズ等のギャップ材１０
７ａが配合されている。液晶パネル１００ｐにおいて、第１基板１０と第２基板２０との
間のうち、シール材１０７によって囲まれた領域内には、液晶層からなる電気光学層５０
が設けられている。従って、本形態では、シール材１０７によって囲まれた領域が、電気
光学層配置領域１０ｄである。シール材１０７には、液晶注入口１０７ｃとして利用され
る途切れ部分が形成されており、かかる液晶注入口１０７ｃは、液晶材料の注入後、封止
材１０７ｄによって封止されている。
【００２４】
電気光学装置１００において、第１基板１０および第２基板２０はいずれも四角形であ
り、第１基板１０は、Ｘ方向（第１方向）で対向する２つの側面１０ｇ、１０ｈ（基板側
面）と、Ｙ方向（第２方向）で対向する２つの側面１０ｅ、１０ｆ（基板側面）とを備え
ている。また、第２基板２０は、Ｘ方向で対向する２つの側面２０ｇ、２０ｈと、Ｙ方向
で対向する２つの側面２０ｅ、２０ｆとを備えている。
【００２５】
電気光学装置１００の略中央には、電気光学層５０を備えた表示領域１０ａが四角形の
領域として設けられており、かかる形状に対応して、シール材１０７も略四角形に設けら
れている。表示領域１０ａの外側は、四角枠状の外周領域１０ｃになっている。
【００２６】
本形態において、第１基板１０は第２基板２０より平面サイズが大きい。このため、第
１基板１０は、第２基板２０の側面２０ｅから張り出した張出領域１１を有しており、張
出領域１１は、第１基板１０においてＹ方向の一方側に位置する側面１０ｅと表示領域１
０ａとの間に位置する。
【００２７】
第１基板１０の一方面１０ｓおよび他方面１０ｔのうち、第２基板２０と対向する一方
面１０ｓの側において、張出領域１１には、第１基板１０の側面１０ｅに沿って複数の端
子１０２が形成されている。従って、複数の端子１０２は、第１基板１０の一方面１０ｓ
において表示領域１０ａと側面１０ｅとの間に形成されている。本形態において、端子１
０２は、ＩＴＯ膜等の導電膜からなる。また、第１基板１０の一方面１０ｓにおいて、端
子１０２と表示領域１０ａとの間にはデータ線駆動回路１０１が形成され、側面１０ｅに
隣接する他の側面１０ｇ、１０ｈの各々に沿って走査線駆動回路１０４が形成されている
。
【００２８】
端子１０２は、第１基板１０の一方面１０ｓにおいて側面１０ｅ側の縁から表示領域１
０ａの側に離間した位置に設けられている。端子１０２には、フレキシブル配線基板等か
らなる配線基板６０が異方性導電膜７０等により接続されており、第１基板１０には、配
線基板６０を介して外部制御回路から各種電位や各種信号が入力される。
【００２９】
第１基板１０の一方面１０ｓの側において、表示領域１０ａには、画素電極９ａや画素
トランジスター（図示せず）がマトリクス状に配列されている。従って、表示領域１０ａ
は、画素電極９ａがマトリクス状に配列された画素電極配列領域１０ｐとして構成されて
いる。かかる構成の第１基板１０において、画素電極９ａの上層側には配向膜１６が形成
されている。第１基板１０の一方面１０ｓの側において、表示領域１０ａより外側の外周
領域１０ｃのうち、表示領域１０ａとシール材１０７とに挟まれた四角枠状の周辺領域１
０ｂには、画素電極９ａと同時形成されたダミー画素電極９ｂが形成されている。
【００３０】
第２基板２０の一方面２０ｓおよび他方面２０ｔのうち、第１基板１０と対向する一方
面２０ｓの側には共通電極２１が形成されている。共通電極２１は、第２基板２０の略全
面あるいは複数の帯状電極として複数の画素１００ａに跨って形成されている。本形態に
おいて、共通電極２１は、第２基板２０の略全面に形成されている。
【００３１】
第２基板２０の一方面２０ｓの側には、共通電極２１の下層側に遮光層２９が形成され
、共通電極２１の表面には配向膜２６が積層されている。配向膜１６、２６は、ポリイミ
ドや無機配向膜からなる。本形態において、配向膜１６、２６は、例えば、ＳｉＯX（ｘ
＜２）、ＳｉＯ2、ＴｉＯ2、ＭｇＯ、Ａｌ2Ｏ3、Ｉｎ2Ｏ3、Ｓｂ2Ｏ3、Ｔａ2Ｏ5等の斜方
蒸着膜（無機配向膜）からなり、電気光学層５０に用いた誘電異方性が負のネマチック液
晶化合物を傾斜垂直配向させる。従って、電気光学装置１００は、ノーマリブラックのＶ
Ａモードとして動作する。
【００３２】
遮光層２９は、表示領域１０ａの外周縁に沿って延在する額縁部分２９ａとして形成さ
れており、遮光層２９の内周縁によって表示領域１０ａが規定されている。また、遮光層
２９は、隣り合う画素電極９ａにより挟まれた画素間領域に重なるブラックマトリクス部
２９ｂとしても形成されている。額縁部分２９ａはダミー画素電極９ｂと重なる位置に形
成されており、額縁部分２９ａの外周縁は、シール材１０７の内周縁との間に隙間を隔て
た位置にある。従って、額縁部分２９ａとシール材１０７とは重なっていない。
【００３３】
電気光学装置１００において、シール材１０７より外側には、第２基板２０の一方面２
０ｓの側の４つの角部分に基板間導通用電極２５が形成されており、第１基板１０の一方
面１０ｓの側には、第２基板２０の４つの角部分（基板間導通用電極２５）と対向する位
置に基板間導通用電極１９が形成されている。本形態において、基板間導通用電極２５は
、共通電極２１の一部からなる。基板間導通用電極１９には、共通電位Ｖcomが印加され
ている。基板間導通用電極１９と基板間導通用電極２５との間には、導電粒子を含んだ基
板間導通材１９ａが配置されており、第２基板２０の共通電極２１は、基板間導通用電極
１９、基板間導通材１９ａおよび基板間導通用電極２５を介して、第１基板１０側に電気
的に接続されている。このため、共通電極２１は、第１基板１０の側から共通電位Ｖcom
が印加されている。シール材１０７は、略同一の幅寸法をもって第２基板２０の外周縁に
沿って設けられているが、第２基板２０の角部分と重なる領域では基板間導通用電極１９
、２５を避けて内側を通るように設けられている。
【００３４】
（基板本体１０ｗ、２０ｗ等の構成）
電気光学装置１００は、透過型液晶装置または反射型液晶装置等を用いることができる
。電気光学装置１００が透過型液晶装置である場合、第１基板１０の基板本体１０ｗ、お
よび第２基板２０の基板本体２０ｗのいずれにも、石英基板等の透光性基板が用いられる
。また、電気光学装置１００が透過型液晶装置である場合、画素電極９ａおよび共通電極
２１は、ＩＴＯ（Indium Tin Oxide）膜やＩＺＯ（Indium Zinc Oxide）膜等の透光性導
電膜により形成される。かかる透過型の液晶装置（電気光学装置１００）では、例えば、
第２基板２０の側から入射した光が第１基板１０の側から出射される間に変調されて画像
を表示する。
【００３５】
電気光学装置１００が反射型液晶装置である場合、共通電極２１は、ＩＴＯ膜やＩＺＯ
膜等の透光性導電膜により形成され、画素電極９ａは、アルミニウム膜等の反射性導電膜
により形成される。かかる反射型の液晶装置（電気光学装置１００）では、第１基板１０
および第２基板２０のうち、第２基板２０の側から入射した光が第１基板１０で反射して
出射される間に変調されて画像を表示する。このため、電気光学装置１００が反射型液晶
装置である場合、第１基板１０の基板本体１０ｗ、および第２基板２０の基板本体２０ｗ
のいずれにも、石英基板等の透光性基板を用いることができる。また、電気光学装置１０
０が反射型液晶装置である場合、第２基板２０の基板本体２０ｗに石英基板等の透光性基
板を用い、第１基板１０の基板本体１０ｗには、シリコン基板等の半導体基板を用いるこ
とができる。
【００３６】
以下の説明では、電気光学装置１００が反射型液晶装置であり、第２基板２０の基板本
体２０ｗに石英基板が用いられ、第１基板１０の基板本体１０ｗには、シリコン基板が用
いられている場合を例示する。
【００３７】
電気光学装置１００は、例えば、モバイルコンピューター、携帯電話機等といった電子
機器のカラー表示装置として用いることができ、この場合、第２基板２０には、カラーフ
ィルター（図示せず）が形成される。また、電気光学装置１００は、電子ペーパーとして
用いることができる。また、電気光学装置１００では、電気光学層５０に使用する液晶材
料の種類や、ノーマリホワイトモード／ノーマリブラックモードの別に応じて、偏光フィ
ルム、位相差フィルム、偏光板等が電気光学装置１００に対して所定の向きに配置される
。さらに、電気光学装置１００は、後述する投射型表示装置（液晶プロジェクター）にお
いて、ＲＧＢ用のライトバルブとして用いることができる。この場合、ＲＧＢ用の各電気
光学装置１００の各々には、ＲＧＢ色分解用のダイクロイックミラーを介して分解された
各色の光が投射光として各々入射されることになるので、カラーフィルターは形成されな
い。
【００３８】
（基板接続装置２００の構成）
図２は、本発明の実施の形態１に係る基板接続装置２００の要部構成を模式的に示す説
明図であり、電気光学装置１００および基板接続装置２００をＹ方向に沿って切断した様
子を模式的に示してある。図３は、本発明を適用した基板接続装置２００に用いたステー
ジ２４０の説明図であり、図３（ａ）、（ｂ）は、第１ステージ２１０と第２ステージ２
２０との間のみに第３ステージ２３０を設けた場合の説明図、および第１ステージ２１０
の周りに第３ステージ２３０を設けた場合の説明図である。
【００３９】
図２に示す基板接続装置２００は、第１基板１０の一方面１０ｓにおいて電気光学層５
０が設けられた電気光学層配置領域１０ｄ（表示領域１０ａ）と側面１０ｅとの間に設け
られた端子１０２に配線基板６０を接続するための装置であり、端子１０２と配線基板６
０との接続は、液晶パネル１００ｐの状態で行われる。配線基板６０は、フレキシブル配
線基板であり、ポリイミド等のベースフィルム６１に対して、配線層６２およびソルダー
レジスト６３が順に積層された構造になっている。配線層６２のうち、ソルダーレジスト
６３から露出している部分が、端子１０２に接続される端子として利用される。本形態に
おいて、第１基板１０の端子１０２と配線基板６０とは異方性導電膜７０によって接続さ
れる。
【００４０】
本形態の基板接続装置２００は、第１基板１０の他方面１０ｔ側を支持するステージ２
４０と、端子１０２と配線基板６０とが異方性導電膜７０を介して重なっている領域を配
線基板６０側から加圧しながら加熱する加圧ヘッド２５０とを有しており、加圧ヘッド２
５０は、ヘッド駆動装置（図示せず）によって、矢印Ａで示すように、ステージ２４０に
接近する方向および離間する方向に上下駆動される。加圧ヘッド２５０にはヒーター２５
５が内蔵されている。ヒーター２５５は、加圧ヘッド２５０が設定温度になるまで一定電
流が連続通電される構成の他、加圧ヘッド２５０の現状温度と設定温度との差に応じた電
流が通電される構成を有している。
【００４１】
ステージ２４０は、第１基板１０の他方面１０ｔ側のうち、電気光学層配置領域１０ｄ
と重なる領域を支持する第１ステージ２１０と、第１ステージ２１０の側方で端子１０２
の形成領域と重なる領域を支持する第２ステージ２２０とを備えている。第２ステージ２
２０は固定であるのに対して、第１ステージ２１０は、ステージ駆動装置（図示せず）に
よって、矢印Ｃで示すように、上下方向に駆動される。また、ステージ駆動装置は、第１
ステージ２１０を液晶パネル１００ｐ（第１基板１０）の面内方向（厚さ方向に直交する
方向）にも搬送可能である。
【００４２】
ステージ２４０において、第１ステージ２１０と第２ステージ２２０とは離間しており
、第１ステージ２１０と第２ステージ２２０との間には第３ステージ２３０が設けられて
いる。第３ステージ２３０は、第２ステージ２２０と離間し、第１ステージ２１０と隣り
合う位置に配置されている。第２ステージ２２０および第３ステージ２３０の幅寸法（Ｙ
方向の寸法）は、第１ステージ２１０より狭く、第３ステージ２３０の幅寸法（Ｙ方向の
寸法）は、第２ステージ２２０より狭い。本形態において、第３ステージは、第１ステー
ジ２１０と接する構成になっているが、第１ステージ２１０と離間している構成であって
もよい。
【００４３】
本形態においては、図３（ａ）に示すように、第１ステージ２１０は、四角形の板状で
あり、第２ステージ２２０は、第１ステージ２１０の１つの面に対向する板状である。ま
た、第３ステージ２３０は、第１ステージ２１０と第２ステージ２２０との間に板状に設
けられている。また、図３（ｂ）に示すように、第３ステージ２３０は、第１ステージ２
１０の周りを全周にわたって囲む枠状であってもよい。また、第３ステージ２３０は、固
定式、および第１ステージ２１０と連動して移動する方式のいずれであってもよい。
【００４４】
このように構成したステージ２４０において、第２ステージ２２０の熱伝導率は、第１
ステージ２１０の熱伝導率未満である。また、第３ステージ２３０の熱伝導率は、第１ス
テージ２１０の熱伝導率未満で、第２ステージ２２０の熱伝導率以上であり、各ステージ
熱伝導率は、以下の関係
第２ステージ２２０≦第３ステージ２３０＜第１ステージ２１０
を有している。
【００４５】
本形態において、第１ステージ２１０はステンレス鋼等の金属製であり、第２ステージ
２２０は石英製であり、第３ステージ２３０は、第２ステージ２２０と同様、石英製であ
る。第１ステージ２１０は、各種ステンレス鋼のうち、ＳＵＳ３０４（ステンレス鋼）製
からなる。この場合、第２ステージ２２０と第３ステージ２３０は、熱伝導率が等しいが
、第３ステージ２３０は、第２ステージ２２０より熱伝導率が高くてもよい。
【００４６】
本形態において、第２ステージ２２０には、ヒーター２２５が内蔵されており、予備加
熱が可能である。第１ステージ２１０および第３ステージ２３０にも、予備加熱用のヒー
ター（図示せず）が設けられることがある。
【００４７】
（電気光学装置１００の製造方法）
本形態の電気光学装置１００の製造工程では、液晶パネル１００ｐを製造した後、基板
接続工程において、液晶パネル１００ｐの第１基板１０の端子１０２に配線基板６０を接
続して電気光学装置１００とする。
【００４８】
かかる基板接続工程では、まず、第２ステージ２２０を１３０℃程度の温度にまで予備
加熱しておく。また、第１ステージ２１０についても１３０℃程度の温度にまで予備加熱
しておくことがある。この時点では、第１ステージ２１０は、第２ステージ２２０より上
方で待機している。
【００４９】
次に、液晶パネル１００ｐを第１ステージ２１０に載置し、液晶パネル１００ｐの第１
基板１０の他方面１０ｔが第１ステージ２１０に支持された状態とする。次に、第１ステ
ージ２１０が移動し、第１基板１０の他方面１０ｔのうち、端子１０２が形成されている
領域が第２ステージ２２０に支持される。その結果、第１ステージ２１０は、第１基板１
０の他方面１０ｔ側のうち、電気光学層配置領域１０ｄと重なる領域を支持し、第２ステ
ージ２２０は、第１ステージ２１０から離間する位置で、第１基板１０の他方面１０ｔ側
のうち、端子１０２が設けられている領域と重なる領域を支持した状態となる。また、第
３ステージ２３０は、第１ステージ２１０と第２ステージ２２０との間において第２ステ
ージ２２０と離間する位置で第１基板１０の他方面１０ｔ側を支持した状態となる。本形
態において、第１ステージ２１０は、電気光学層配置領域１０ｄと重なる領域より広い領
域を支持しており、封止材１０７ｄおよびシール材１０７と重なる領域も支持している。
このため、第３ステージ２３０は、封止材１０７ｄおよびシール材１０７に対して端子１
０２側で隣り合う領域と重なる領域を支持している。
【００５０】
次に、第１基板１０の端子１０２が形成されている領域に対して配線基板６０が異方性
導電膜７０を介して重なった状態とする。その際、異方性導電膜７０を第１基板１０の側
に設けた後、配線基板６０を第１基板１０に重ねる。また、配線基板６０に異方性導電膜
７０を仮固定しておき、その後、配線基板６０を第１基板１０に重ねてもよい。ここで、
配線基板６０は、液晶パネル１００ｐの電気光学層配置領域１０ｄ（表示領域１０ａ）の
側に位置する縁が、端子１０２より表示領域１０ａ側に位置するように第１基板１０に重
ねられる。また、配線基板６０は、ソルダーレジスト６３が、第１基板１０の一方面１０
ｓに対して０．２ｍｍ程度重なるように第１基板１０に重ねられる。
【００５１】
次に、加熱した加圧ヘッド２５０を下降させ、加圧ヘッド２５０によって端子１０２と
配線基板６０とが重なっている領域を配線基板６０側から加圧する。その結果、異方性導
電膜７０が１８０℃以上の温度、例えば２００℃まで加熱され、異方性導電膜７０の樹脂
成分が溶融する。その間、第１ステージ２１０の温度は第２ステージ２２０の温度未満で
あり、第３ステージ２３０の温度は第２ステージ２２０の温度以下であり、第３ステージ
２３０の温度は第１ステージ２１０の温度以上である。
【００５２】
次に、加圧ヘッド２５０を上昇させて加圧ヘッド２５０を配線基板６０から離間させ、
異方性導電膜７０の樹脂成分を固化させる。このようにして、第１基板１０の一方面１０
ｓでは、異方性導電膜７０によって端子１０２に配線基板６０が接続されると、電気光学
装置１００が得られる。しかる後には、第１ステージ２１０が移動し、電気光学装置１０
０の排出が行われる。以降、別の液晶パネル１００ｐに対する配線基板６０の接続工程が
実行される。
【００５３】
（本形態の作用および主な効果）
図７は、本発明の実施の形態１に係る基板接続装置２００における熱の流れを模式的に
示す説明図である。
【００５４】
本形態の電気光学装置１００において、第２基板２０の基板本体２０ｗが石英基板であ
り、第１基板１０の基板本体１０ｗはシリコン基板である。また、基板接続装置２００に
おいて、第１ステージ２１０はＳＵＳ製であり、第２ステージ２２０は石英製であり、第
３ステージ２３０は石英製である。
【００５５】
ここで、各材料の熱伝導率は、以下の値
石英＝１．６６Ｗ・ｍ-1・Ｋ-1
ＳＵＳ３０４=１６．７Ｗ・ｍ-1・Ｋ-1
シリコン＝１４９Ｗ・ｍ-1・Ｋ-1
アルミニウム＝２３６Ｗ・ｍ-1・Ｋ-1
である。このため、各部材の熱伝導率は、以下の関係
第３ステージ２３０≦第２ステージ２２０＜第１ステージ２１０＜第１基板１０
を有している。
【００５６】
従って、加圧ヘッド２５０からの熱によって異方性導電膜７０が加熱された際、異方性
導電膜７０の熱は、矢印Ｅ１で示すように、第２ステージ２２０に伝わるが、第２ステー
ジ２２０は、熱伝導性が低い。このため、熱が第２ステージ２２０から逃げにくい。また
、異方性導電膜７０の熱は、矢印Ｅ５で示すように、第３ステージ２３０に伝わるが、第
３ステージ２３０は、熱伝導性が低い。このため、熱が第３ステージ２３０から逃げにく
い。従って、第２ステージ２２０および第３ステージ２３０によって、端子１０２が形成
されている領域や異方性導電膜７０からの放熱を抑制することができるので、異方性導電
膜７０を十分に加熱することができる。
【００５７】
また、異方性導電膜７０の熱は、矢印Ｅ３で示すように、第１基板１０を介して表示領
域１０ａの電気光学層５０に伝わろうとするが、かかる熱は、矢印Ｅ２で示すように、熱
伝導性が高い第１ステージ２１０に逃げる。このため、加圧ヘッド２５０によって端子１
０２と配線基板６０とが重なっている領域を加圧している間、第１ステージ２１０の温度
は第２ステージ２２０の温度未満であり、第３ステージ２３０の温度は第２ステージ２２
０の温度以下であり、第３ステージ２３０の温度は第１ステージ２１０の温度以上である
。
【００５８】
特に本形態では、第１基板１０がシリコン基板（半導体基板）であるため、熱伝導性が
高いが、本形態では、第２ステージ２２０および第３ステージ２３０によって、端子１０
２が形成されている領域や異方性導電膜７０からの放熱を抑制し、電気光学層５０に伝わ
ろうとする熱を第１ステージ２１０に逃がしている。
【００５９】
従って、端子１０２が形成されている領域や異方性導電膜７０の温度と、電気光学層５
０の温度との差が大きい。それ故、端子１０２が形成されている領域や異方性導電膜７０
を十分に加熱しても、電気光学層５０の温度が低い。例えば、異方性導電膜７０を１８０
℃以上の温度まで加熱しても、電気光学層５０の温度が８０℃を超えにくい。よって、第
１基板１０の端子１０２に配線基板６０を接続する際の熱によって、電気光学層５０が熱
劣化することを抑制することができる。
【００６０】
また、第１基板１０の端子１０２に配線基板６０を接続する際の熱によって、電気光学
層５０が熱劣化しにくいたため、電気光学層配置領域１０ｄと端子１０２との距離を狭め
ることができるので、電気光学装置１００の小型化を図ることができる。
【００６１】
［実施の形態２］
図５は、本発明の実施の形態２に係る基板接続装置２００の要部構成を模式的に示す説
明図であり、電気光学装置１００および基板接続装置２００をＹ方向に沿って切断した様
子を模式的に示してある。図６は、本発明の実施の形態２に係る基板接続装置２００にお
いて、加圧ヘッド２５０と放熱部材２８０とを付勢部材２９０を介して連結した形態を模
式的に示す説明図である。図７は、本発明の実施の形態２に係る基板接続装置２００にお
ける熱の流れを模式的に示す説明図である。なお、本形態および後述する実施の形態３、
４、５の基本的な構成は、実施の形態１と同様であるため、共通する部分には同一の符号
を付して図示し、それらの詳細な説明を省略する。
【００６２】
図５に示す基板接続装置２００も、実施の形態１と同様、ステージ２４０は、金属製の
第１ステージ２１０と、石英製の第２ステージ２２０と、石英製の第３ステージ２３０と
を有している。本形態の基板接続装置２００は、加圧ヘッド２５０に対して、配線基板６
０が位置する側とは反対側で隣り合う位置に放熱部材２８０が設けられている。かかる放
熱部材２８０は、放熱部材駆動装置（図示せず）によって、矢印Ｂで示すように、ステー
ジ２４０に接近する方向および離間する方向に上下駆動される。放熱部材２８０は、第１
基板１０より熱伝導性が高い部材、例えば、金属製の板状部材からなる。本形態において
、放熱部材２８０は、アルミニウム製の板状部材からなる。
【００６３】
また、図６に示すように、放熱部材２８０と加圧ヘッド２５０とコイルバネ等の付勢部
材２９０を介して連結され、放熱部材２８０と加圧ヘッド２５０とが一体に駆動されるこ
ともある。いずれの場合も、放熱部材２８０は、加圧ヘッド２５０と連動してステージ２
４０に接近する方向および離間する方向に駆動される。
【００６４】
図６（ａ）に示す形態では、加圧ヘッド２５０から側方に突出した支持部材２５１と放
熱部材２８０との間に付勢部材２９０が配置されており、第１基板１０に放熱部材２８０
が当接するタイミングと、加圧ヘッド２５０が配線基板６０に当接するタイミングとが同
時である。これに対して、図６（ｂ）に示す形態では、図６（ａ）に示す形態より、放熱
部材２８０が下方に位置する。このため、第１基板１０に放熱部材２８０が当接した後、
加圧ヘッド２５０が配線基板６０に当接する。
【００６５】
このように構成した基板接続装置２００では、基板接続工程において、放熱部材２８０
および加圧ヘッド２５０を下降させ、第１基板１０の一方面１０ｓのうち、電気光学層配
置領域１０ｄ（表示領域１０ａ）と端子１０２との間１２に放熱部材２８０を当接させ、
この状態で、加熱した加圧ヘッド２５０によって端子１０２と配線基板６０とが重なって
いる領域を配線基板６０側から加圧する。その際、第１基板１０に放熱部材２８０が当接
するタイミングと、加圧ヘッド２５０が配線基板６０に当接するタイミングとが同時であ
ってもよいし、第１基板１０に放熱部材２８０が当接するタイミングと、加圧ヘッド２５
０が配線基板６０に当接するタイミングとがずれていてもよい。例えば、第１基板１０に
放熱部材２８０が当接した後、加圧ヘッド２５０が配線基板６０に当接する構成であって
もよいし、加圧ヘッド２５０が配線基板６０に当接した後、第１基板１０に放熱部材２８
０が当接する構成であってもよい。
【００６６】
本形態では、配線基板６０は、液晶パネル１００ｐの表示領域１０ａの側に位置する縁
が、端子１０２より表示領域１０ａ側に位置している。また、液晶パネル１００ｐにおい
て、第２基板２０の側面２０ｅには封止材１０７ｄが設けられている。従って、放熱部材
２８０は、第１基板１０の一方面１０ｓに対して、電気光学層配置領域１０ｄ（表示領域
１０ａ）と端子１０２との間１２のうち、封止材１０７ｄと配線基板６０の表示領域１０
ａの側の縁とに挟まれた領域に当接する。
【００６７】
次に、放熱部材２８０および加圧ヘッド２５０を上昇させ、放熱部材２８０を第１基板
１０から離間させるとともに、加圧ヘッド２５０を配線基板６０から離間させ、異方性導
電膜７０の樹脂成分を固化させる。その際、第１基板１０から放熱部材２８０が離間する
タイミングと、加圧ヘッド２５０が配線基板６０から離間するタイミングとが同時であっ
てもよいし、第１基板１０から放熱部材２８０が離間するタイミングと、加圧ヘッド２５
０が配線基板６０から離間するタイミングとがずれていてもよい。例えば、第１基板１０
から放熱部材２８０が離間した後、加圧ヘッド２５０が配線基板６０から離間する構成で
あってもよいし、加圧ヘッド２５０が配線基板６０から離間した後、第１基板１０から放
熱部材２８０が離間する構成であってもよい。
【００６８】
このように本形態では、第２ステージ２２０および第３ステージ２３０によって、端子
１０２が形成されている領域や異方性導電膜７０からの放熱を抑制し、電気光学層５０に
伝わろうとする熱を第１ステージ２１０に逃がしているため、実施の形態１と同様な効果
を奏する。また、本形態では、第１基板１０の一方面１０ｓのうち、電気光学層配置領域
１０ｄ（表示領域１０ａ）と端子１０２との間１２に放熱部材２８０を当接させる。この
ため、図７に示すように、異方性導電膜７０の熱は、矢印Ｅ３で示すように、第１基板１
０を介して表示領域１０ａの電気光学層５０に伝わろうとするが、第１基板１０の一方面
１０ｓには、端子１０２と表示領域１０ａとの間に放熱部材２８０が当接している。この
ため、第１基板１０を介して電気光学層５０に伝わろうとする熱は、矢印Ｅ４で示すよう
に、電気光学層５０に伝わる前に放熱部材２８０に逃げ、放熱される。
【００６９】
従って、電気光学層５０に放熱部材２８０を直接当接させなくても、電気光学層５０の
温度上昇を抑制することができる。また、電気光学層５０に向けて熱を伝える第１基板１
０に放熱部材２８０を当接させて、電気光学層５０に伝わろうとする熱を放熱部材２８０
に逃がすため、電気光学層５０の温度上昇を効果的に抑制することができる。特に本形態
では、第１基板１０がシリコン基板（半導体基板）であるため、熱伝導性が高いが、本形
態では、電気光学層５０に向けて熱を伝える第１基板１０に放熱部材２８０を当接させて
、電気光学層５０に伝わろうとする熱を放熱部材２８０に逃がす。このため、電気光学層
５０の温度上昇を確実に抑制することができる。それ故、異方性導電膜７０を１８０℃以
上の温度まで加熱しても、電気光学層５０の温度が８０℃を超えることを防止することが
できるので、電気光学層５０の熱劣化を抑制することができる。
【００７０】
また、図６を参照して説明したように、放熱部材２８０は、付勢部材２９０によって第
１基板１０に向けて付勢した場合には、放熱部材２８０が過大な力で第１基板１０に当接
しないので、第１基板１０の損傷を防止することができる。また、放熱部材２８０が第１
基板１０に密着するので、第１基板１０と放熱部材２８０との間での熱伝導性を高めるこ
とができる。従って、電気光学層５０の温度上昇を抑えることができるので、電気光学層
５０の熱劣化を抑制することができる。また、図６を参照して説明したように、放熱部材
２８０が付勢部材２９０を介して加圧ヘッド２５０に保持されている場合には、加圧ヘッ
ド２５０が第１基板１０に向けて移動した際、付勢部材２９０および放熱部材２８０も加
圧ヘッド２５０に連動して移動し、放熱部材２８０は、付勢部材２９０によって第１基板
１０に向けて付勢されることになる。従って、放熱部材２８０に対する駆動機構が不要で
ある。
【００７１】
［実施の形態３］
図８は、本発明の実施の形態３に係る基板接続装置２００の要部構成を模式的に示す説
明図であり、電気光学装置１００および基板接続装置２００をＹ方向に沿って切断した様
子を模式的に示してある。
【００７２】
実施の形態１では、放熱部材２８０が第１基板１０の一方面１０ｓに直接当接していた
が、本形態においては、図８に示すように、放熱部材２８０が保護シート２７０を介して
第１基板１０の一方面１０ｓに当接している。本形態において、保護シート２７０は樹脂
シート等の弾性を有するシートである。その他の構成は実施の形態２と同様である。
【００７３】
本形態によれば、第１基板１０の一方面１０ｓ側において表示領域１０ａと端子１０２
との間に配線等が設けられている場合でも、配線等が放熱部材２８０によって損傷するこ
とを抑制することができる。
【００７４】
［実施の形態４］
図９は、本発明の実施の形態４に係る基板接続装置２００の要部構成を模式的に示す説
明図であり、電気光学装置１００および基板接続装置２００をＹ方向に沿って切断した様
子を模式的に示してある。
【００７５】
実施の形態１では、第２基板２０側に対する強制冷却を行わなかったが、本形態におい
ては、図９に示すように、第１基板１０が位置する側とは反対側から電気光学層５０を強
制冷却する。より具体的には、第２基板２０の他方面２０ｔに対して、矢印Ｇで示すよう
に、ノズル２６０から冷却空気等の冷却気体を吹き付ける。本形態では、第２基板２０の
他方面２０ｔに対して、端子１０２が位置する側とは反対側から斜めに冷却気体を吹き付
ける。その他の構成は実施の形態２と同様である。
【００７６】
本形態においては、第１基板１０が位置する側とは反対側から電気光学層５０を強制冷
却する。このため、電気光学層５０の温度上昇をより抑えることができるので、電気光学
層５０の熱劣化を抑制することができる。なお、本形態は、実施の形態１に適用してもよ
い。また、第１基板１０が位置する側とは反対側からの強制冷却としては、冷却気体の吹
き付けの他、ベルチェ素子を備えた冷却部材や、内部を冷媒が流れる冷却部材を第２基板
２０に当接させてもよい。
【００７７】
［実施の形態５］
図１０は、本発明の実施の形態５に係る基板接続装置２００の要部構成を模式的に示す
説明図であり、電気光学装置１００および基板接続装置２００をＹ方向に沿って切断した
様子を模式的に示してある。
【００７８】
実施の形態１では、ステージ２４０に対して強制冷却を行わなかったが、本形態におい
ては、図１０に示すように、ステージ２４０のうち、平面視で表示領域１０ａと重なる部
分を強制冷却する。より具体的には、第１ステージ２１０に穴２１５を設け、かかる穴２
１５内に、冷媒を流す強制冷却、ベルチェ素子を備えた冷却部材を配置した強制冷却、あ
るいは内部を冷媒が流れる冷却部材を配置した強制冷却を行う。その他の構成は実施の形
態２と同様である。
【００７９】
本形態においては、ステージ２４０のうち、平面視で表示領域１０ａと重なる部分を強
制冷却するため、電気光学層５０の温度上昇をより抑えることができる。それ故、電気光
学層５０の熱劣化を抑制することができる。なお、本形態は、実施の形態１、４に適用し
てもよい。
【００８０】
［他の電気光学装置の構成例］
上記実施の形態においては、異方性導電膜を用いた基板の接続を行ったが、異方性導電
ペーストを用いる場合に本発明を適用してもよい。また、低融点ハンダを用いて基板の接
続を行う場合に本発明を適用してもよい。
【００８１】
上記実施の形態では、シール材１０７の液晶注入口１０７ｃを封止材１０７ｄによって
封止したが、シール材１０７に液晶注入口１０７ｃがなく、表示領域１０ａと端子１０２
との間に封止材１０７ｄが設けられていない場合に本発明を適用してもよい。また、基板
の接続については、第２基板２０の他方面２０ｔに防塵ガラス等を貼付した状態で行って
もよい。
【００８２】
上記実施の形態において、電気光学装置１００は反射型液晶装置であったが、電気光学
装置１００が透過型液晶装置である場合に本発明を適用してもよい。また、電気光学装置
１００が有機エレクトロルミネッセンス装置である場合に本発明を適用してもよく、この
場合、電気光学層５０は発光層等である。
【００８３】
［電子機器への搭載例］
（投射型表示装置の構成例）
図１１は、本発明を適用した投射型表示装置（電子機器）の一例の概略構成図である。
図１１に示す投射型表示装置１０００は、光源光を発生する光源部１０２１と、光源部１
０２１から出射された光源光を赤色光Ｒ、緑色光Ｇ、および青色光Ｂの３色の色光に分離
する色分離導光光学系１０２３と、色分離導光光学系１０２３から出射された各色の光源
光によって照明される光変調部１０２５とを有している。また、投射型表示装置１０００
は、光変調部１０２５から出射された各色の像光を合成するクロスダイクロイックプリズ
ム１０２７（合成光学系）と、クロスダイクロイックプリズム１０２７を経た像光をスク
リーン（不図示）に投射する投射光学系１０２９とを備えている。本形態において、光変
調部１０２５を構成する複数の電気光学装置１００（反射型液晶装置）、およびクロスダ
イクロイックプリズム１０２７（光合成光学系）は、光学ユニット１２００を構成してい
る。
【００８４】
かかる投射型表示装置１０００において、光源部１０２１は、光源１０２１ａと、一対
のフライアイ光学系１０２１ｄ、１０２１ｅと、偏光変換部材１０２１ｇと、重畳レンズ
１０２１ｉとを備えている。本形態においては、光源部１０２１は、放物面からなるリフ
レクタ１０２１ｆを備えており、平行光を出射する。フライアイ光学系１０２１ｄ、１０
２１ｅは、システム光軸と直交する面内にマトリクス状に配置された複数の要素レンズか
らなり、これらの要素レンズによって光源光を分割して個別に集光・発散させる。偏光変
換部材１０２１ｇは、フライアイ光学系１０２１ｅから出射した光源光を、例えば図面に
平行なｐ偏光成分のみに変換して光路下流側光学系に供給する。重畳レンズ１０２１ｉは
、偏光変換部材１０２１ｇを経た光源光を全体として適宜収束させることにより、光変調
部１０２５に設けた複数の電気光学装置１００を各々均一に重畳照明可能とする。
【００８５】
色分離導光光学系１０２３は、クロスダイクロイックミラー１０２３ａと、ダイクロイ
ックミラー１０２３ｂと、反射ミラー１０２３ｊ、１０２３ｋとを備える。色分離導光光
学系１０２３において、光源部１０２１からの略白色の光源光は、クロスダイクロイック
ミラー１０２３ａに入射する。クロスダイクロイックミラー１０２３ａを構成する一方の
第１ダイクロイックミラー１０３１ａで反射された赤色光Ｒは、反射ミラー１０２３ｊで
反射されダイクロイックミラー１０２３ｂを透過して、入射側偏光板１０３７ｒ、ｐ偏光
を透過させる一方、ｓ偏光を反射するワイヤーグリッド偏光板１０３２ｒ、および光学補
償板１０３９ｒを介して、ｐ偏光のまま、電気光学装置１００（赤色用液晶パネル１００
Ｒ）に入射する。
【００８６】
また、第１ダイクロイックミラー１０３１ａで反射された緑色光Ｇは、反射ミラー１０
２３ｊで反射され、その後、ダイクロイックミラー１０２３ｂでも反射されて、入射側偏
光板１０３７ｇ、ｐ偏光を透過させる一方、ｓ偏光を反射するワイヤーグリッド偏光板１
０３２ｇ、および光学補償板１０３９ｇを介して、ｐ偏光のまま、電気光学装置１００（
緑色用液晶パネル１００Ｇ）に入射する。
【００８７】
これに対して、クロスダイクロイックミラー１０２３ａを構成する他方の第２ダイクロ
イックミラー１０３１ｂで反射された青色光Ｂは、反射ミラー１０２３ｋで反射されて、
入射側偏光板１０３７ｂ、ｐ偏光を透過する一方、ｓ偏光を反射するワイヤーグリッド偏
光板１０３２ｂ、および光学補償板１０３９ｂを介して、ｐ偏光のまま、電気光学装置１
００（青色用液晶パネル１００Ｂ）に入射する。なお、光学補償板１０３９ｒ、１０３９
ｇ、１０３９ｂは、電気光学装置１００への入射光および出射光の偏光状態を調整するこ
とで、液晶層の特性を光学的に補償している。
【００８８】
このように構成した投射型表示装置１０００では、光学補償板１０３９ｒ、１０３９ｇ
、１０３９ｂを経て入射した３色の光は各々、各電気光学装置１００において変調される
。その際、電気光学装置１００から出射された変調光のうち、ｓ偏光の成分光は、ワイヤ
ーグリッド偏光板１０３２ｒ、１０３２ｇ、１０３２ｂで反射し、出射側偏光板１０３８
ｒ、１０３８ｇ、１０３８ｂを介してクロスダイクロイックプリズム１０２７に入射する
。クロスダイクロイックプリズム１０２７には、Ｘ字状に交差する第１誘電体多層膜１０
２７ａおよび第２誘電体多層膜１０２７ｂが形成されており、一方の第１誘電体多層膜１
０２７ａは赤色光Ｒを反射し、他方の第２誘電体多層膜１０２７ｂは青色光Ｂを反射する
。従って、３色の光は、クロスダイクロイックプリズム１０２７において合成され、投射
光学系１０２９に出射される。そして、投射光学系１０２９は、クロスダイクロイックプ
リズム１０２７で合成されたカラーの像光を、所望の倍率でスクリーン（図示せず。）に
投射する。
【００８９】
（他の投射型表示装置）
なお、投射型表示装置については、光源部として、各色の光を出射するＬＥＤ光源等を
用い、かかるＬＥＤ光源から出射された色光を各々、別の電気光学装置（液晶装置）に供
給するように構成してもよい。
【００９０】
（他の電子機器）
本発明を適用した電気光学装置１００については、上記の電子機器の他にも、携帯電話
機、情報携帯端末（ＰＤＡ：Personal Digital Assistants）、デジタルカメラ、液晶テ
レビ、カーナビゲーション装置、テレビ電話、ＰＯＳ端末、タッチパネルを備えた機器等
の電子機器において直視型表示装置として用いてもよい。
【符号の説明】
【００９１】
９ａ・・画素電極、１０・・第１基板、１０ａ・・表示領域、１０ｄ・・電気光学層配置
領域、１０ｅ〜１０ｈ・・第１基板の側面、１０ｓ・・第１基板の一方面、１０ｔ・・第
１基板の他方面、１０ｗ・・基板本体、１１・・張出領域、１２・・表示領域と端子との
間、２０・・第２基板、２０ｗ・・基板本体、５０・・電気光学層、６０・・配線基板、
７０・・異方性導電膜、１００・・電気光学装置、１００ｐ・・液晶パネル、１０２・・
端子、２００・・基板接続装置、２１０・・第１ステージ、２１５・・第１ステージの強
制冷却用の穴、２２０・・第２ステージ、２２５・・第２ステージのヒーター、２３０・
・第３ステージ、２４０・・ステージ、２５０・・加圧ヘッド、２５１・・支持部材、２
５５・・加圧ヘッドのヒーター、２６０・・ノズル、２７０・・保護シート、２８０・・
放熱部材、２９０・・付勢部材、１０００・・投射型表示装置、１２００・・光学ユニッ
ト
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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