(57)【要約】【課題】１画素に１つのトランジスタを有する放射線検出素子基板の検査用の検査装置に対して、大きな追加変更を行うことなく、１画素に複数のトランジスタを有する放射線検出素子基板の検査を行うことが可能な放射線検出素子基板、放射線検出素子基板の検査装置、及び放射線検出素子基板の検査方法を提供することを目的とする。【解決手段】実装基板よりも外側の領域まで、制御配線Ｍを延長して、互いに結線する検査用接続配線部２２を設けている。そして、検査用接続配線部２２に接続された結線端子２４にゲートオフ電圧を一括して印加して、検査を行う。【選択図】図４
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の画素のうち各々１画素に対応して設けられ、放射線に応じて発生した電荷を読み出すための複数の第１スイッチング素子、
前記複数の画素のうち１つ以上の画素に対応して設けられ、前記第１スイッチング素子の用途とは異なる用途の１つ以上の第２スイッチング素子、
前記第１スイッチング素子の制御端に接続された第１制御配線を介して前記第１スイッチング素子に接続された第１制御端子、
前記第２スイッチング素子の制御端に接続された第２制御配線を介して前記第２スイッチング素子に接続された第２制御端子、
及び前記第１スイッチング素子の出力端に接続された信号配線を介して前記第１スイッチング素子に接続された信号端子
を含む第１領域と、
前記第１領域に隣接する検査終了後に除去される部分に設けられると共に、前記第２制御端子に接続された検査用接続配線部を含む第２領域と、
を備えた放射線検出素子基板。
【請求項２】
前記第１制御端子と前記第２制御端子とを、それぞれ対向する辺に配置した請求項１に記載の放射線検出素子基板。
【請求項３】
前記第１領域、または、前記第２領域は、前記検査用接続配線部に接続された結線端子を更に含む請求項１又は請求項２に記載の放射線検出素子基板。
【請求項４】
前記結線端子は、前記第１制御端子及び前記第２制御端子の少なくとも一方より面積が大きい端子とした請求項３に記載の放射線検出素子基板。
【請求項５】
前記第２スイッチング素子は、解像度変換するためのものである請求項１〜４の何れか１項に記載の放射線検出素子基板。
【請求項６】
前記第２スイッチング素子は、前記電荷をリセットするためのものである請求項１〜４の何れか１項に記載の放射線検出素子基板。
【請求項７】
前記第２スイッチング素子は、前記電荷を蓄積するためのものである請求項１〜４の何れか１項に記載の放射線検出素子基板。
【請求項８】
前記検査用接続配線部には、前記検査が行われる場合に、前記第２スイッチング素子をオフする電圧が印加される請求項１〜７の何れか１項に記載の放射線検出素子基板。
【請求項９】
放射線に応じて発生した１画素に対応する電荷を読み出すための複数の第１スイッチング素子、前記複数の画素のうち１つ以上の画素に対応して設けられ、前記第１スイッチング素子の用途とは異なる用途の１つ以上の第２スイッチング素子、前記第１スイッチング素子の制御端に接続された第１制御配線を介して前記第１スイッチング素子に接続された第１制御端子、前記第２スイッチング素子の制御端に接続された第２制御配線を介して前記第２スイッチング素子に接続された第２制御端子、及び前記第１スイッチング素子の出力端に接続された信号配線を介して前記第１スイッチング素子に接続された信号端子を含む第１領域と、前記第１領域に隣接する検査終了後に除去される部分に設けられると共に、前記第２制御端子に接続された検査用接続配線部を含む第２領域と、を備えた放射線検出素子基板における前記第１制御端子に接触させるための第１プローブユニットと、
前記信号端子に接触させるための第２プローブユニットと、
前記検査用接続配線部に前記第２スイッチング素子をオフする電圧を印加するための電圧印加部と、
を備えた、放射線検出素子基板の検査装置。
【請求項１０】
前記電圧印加部は、前記第１プローブユニット又は前記第２プローブユニットの空き端子から前記第２スイッチング素子をオフする電圧を印加する請求項９に記載の放射線検出素子基板の検査装置。
【請求項１１】
放射線に応じて発生した１画素に対応する電荷を読み出すための複数の第１スイッチング素子、前記複数の画素のうち１つ以上の画素に対応して設けられ、前記第１スイッチング素子の用途とは異なる用途の１つ以上の第２スイッチング素子、前記第１スイッチング素子の制御端に接続された第１制御配線を介して前記第１スイッチング素子に接続された第１制御端子、前記第２スイッチング素子の制御端に接続された第２制御配線を介して前記第２スイッチング素子に接続された第２制御端子、及び前記第１スイッチング素子の出力端に接続された信号配線を介して前記第１スイッチング素子に接続された信号端子を含む第１領域と、前記第１領域に隣接する検査終了後に除去される部分に設けられると共に、前記第２制御端子に接続された検査用接続配線部を含む第２領域と、を備えた放射線検出素子基板における前記検査用接続配線部に、前記第２スイッチング素子をオフする電圧を印加した状態で、
前記第１制御端子から前記第１スイッチング素子をオンする電圧を印加する電圧印加ステップと、
前記電圧印加ステップで前記第１スイッチング素子をオンする電圧を印加した状態で前記信号端子から一定電圧を印加して各画素に電荷を蓄積させる蓄積ステップと、
前記第１制御端子から前記第１スイッチング素子をオフする電圧を印加して、前記蓄積ステップによる各画素の電荷の蓄積を一定時間保持する保持ステップと、
前記第１制御端子から前記第１スイッチング素子をオンする電圧を印加して、前記保持ステップで保持した電荷を前記信号端子より読み出す読出ステップと、
を行うことにより、前記放射線検出素子基板の検査を実施する、放射線検出素子基板の検査方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、放射線検出素子基板、放射線検出素子基板の検査装置、及び放射線検出素子基板の検査方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、ＴＦＴ（Thin Film Transistor）アクティブマトリクス基板（以下、単にＴＦＴ基板と称するが、放射線検出器に使用されるＴＦＴ基板を特に放射線検出素子基板と称する場合がある。）上に放射線感応層を配置し、放射線量をデジタルデータ（電気信号）に変換できるＦＰＤ（Flat Panel Detector）等の放射線検出器（「電子カセッテ」等という場合がある）が実用化されている。また、この放射線検出器を用いて、照射された放射線量により表わされる放射線画像を撮影する放射線画像撮影装置も実用化されている。
【０００３】
また、上述のような電子カセッテに使用されるＴＦＴ基板においては、画素内に複数のトランジスタを接続することで高機能化する動きが広がっている。
【０００４】
例えば、特許文献１においては、従来の１画素毎の読み出しを行う１×１読み出し以外に２×２の４画素をアナログ値としてまとめ読みをする２×２読み出しを可能としている。
【０００５】
また、特許文献２においては、読み出し用のトランジスタとリセット用トランジスタとをそれぞれ設けて、リセットの高速化を実現している。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開２０１２-１３０６５６号公報
【特許文献２】特開２０１３-０３３９４５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
ＴＦＴ基板の検査装置は、液晶用ＴＦＴの検査装置を流用することが多いが、液晶用ＴＦＴは１画素に１つのトランジスタ（スイッチング素子）を有する構造が一般的である。特許文献１、２のように１画素に対して複数のトランジスタを有するＴＦＴ基板では、トランジスタ毎に独自の動作をさせる必要があるため、１画素に１つのトランジスタを有するＴＦＴ基板で用いる検査装置を単に用いたのでは検査を行うことができない。
【０００８】
検査を行うためには、１画素に複数のトランジスタを有するＴＦＴ基板用に高額なプローブユニットを追加したり、制御用の専用のソフトウエアを開発する必要があり、高機能ＴＦＴ基板を製造する際の課題となっている。
【０００９】
本発明は、上記事実を考慮して成されたもので、１画素に１つのスイッチング素子を有する放射線検出素子基板の検査用の検査装置に対して、大きな追加変更を行うことなく、１画素に複数のスイッチング素子を有する放射線検出素子基板の検査を行うことが可能な放射線検出素子基板、放射線検出素子基板の検査装置、及び放射線検出素子基板の検査方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
上記目的を達成するために本発明の放射線検出素子基板は、複数の画素のうち各々１画素に対応して設けられ、放射線に応じて発生した電荷を読み出すための複数の第１スイッチング素子、複数の画素のうち１つ以上の画素に対応して設けられ、第１スイッチング素子の用途とは異なる用途の１つ以上の第２スイッチング素子、第１スイッチング素子の制御端に接続された第１制御配線を介して第１スイッチング素子に接続された第１制御端子、第２スイッチング素子の制御端に接続された第２制御配線を介して第２スイッチング素子に接続された第２制御端子、及び第１スイッチング素子の出力端に接続された信号配線を介して第１スイッチング素子に接続された信号端子を含む第１領域と、第１領域に隣接する検査終了後に除去される部分に設けられると共に、第２制御端子に接続された検査用接続配線部を含む第２領域と、を備えている。
【００１１】
本発明の放射線検出素子基板によれば、放射線に応じて発生した１画素に対応する電荷を読み出すための複数の第１スイッチング素子、複数の画素のうち１つ以上の画素に対応して設けられ、第１スイッチング素子の用途とは異なる用途の１つ以上の第２スイッチング素子、第１スイッチング素子の制御端に接続された第１制御配線を介して第１スイッチング素子に接続された第１制御端子、第２スイッチング素子の制御端に接続された第２制御配線を介して第２スイッチング素子と接続された第２制御端子、及び第１スイッチング素子の出力端に接続された信号配線を介して第１スイッチング素子に接続された信号端子を含む第１領域を備えた放射線検出素子基板に対して、第１領域に隣接する検査終了後に除去される部分に、第２制御端子に接続された検査用接続配線部を含む第２領域が設けられている。
【００１２】
このように検査用接続配線部を第１領域に隣接する検査終了後に除去される部分に設けることによって、検査の際に検査用接続配線部に第２スイッチング素子をオフする電圧を印加することで、従来の検査装置を用いて、１画素に複数のトランジスタを有する放射線検出素子基板の検査を行うことが可能となる。
【００１３】
なお、第１制御端子と第２制御端子とは、それぞれ対向する辺に配置するようにしてもよい。
【００１４】
また、第１領域、または、第２領域は、検査用接続配線部に接続された結線端子を更に含むようにしてもよい。この場合、結線端子は、第１制御端子及び第２制御端子の少なくとも一方より面積が大きい端子を適用するようにしてもよい。このように、結線端子を第１制御端子及び第２制御端子の少なくとも一方より面積が大きい端子にすることで、高精度が要求されない簡易型のプローブピンで結線端子に容易にコンタクトすることが可能となり、検査治具を安価に作成することができる。
【００１５】
また、第２スイッチング素子としては、解像度変換するためのスイッチング素子を適用するようにしてもよいし、電荷をリセットするためのスイッチング素子を適用するようにしてもよいし、電荷を蓄積するためのスイッチング素子を適用するようにしてもよい。
【００１６】
また、検査用接続配線部に、検査が行われる場合に、第２スイッチング素子をオフする電圧が印加されることにより、第２スイッチング素子を無効化して従来の検査装置で検査が可能となる。
【００１７】
一方、本発明の放射線検出素子基板の検査装置は、放射線に応じて発生した１画素に対応する電荷を読み出すための複数の第１スイッチング素子、複数の画素のうち１つ以上の画素に対応して設けられ、第１スイッチング素子の用途とは異なる用途の１つ以上の第２スイッチング素子、第１スイッチング素子の制御端に接続された第１制御配線を介して第１スイッチング素子に接続された第１制御端子、第２スイッチング素子の制御端に接続された第２制御配線を介して第２スイッチング素子に接続された第２制御端子、及び第１スイッチング素子の出力端に接続された信号配線を介して第１スイッチング素子に接続された信号端子を含む第１領域と、第１領域に隣接する検査終了後に除去される部分に設けられると共に、第２制御端子に接続された検査用接続配線部を含む第２領域と、を備えた放射線検出素子基板における第１制御端子に接触させるための第１プローブユニットと、信号端子に接触させるための第２プローブユニットと、検査用接続配線部に第２スイッチング素子をオフする電圧を印加するための電圧印加部と、を備えている。
【００１８】
本発明の放射線検出素子基板の検査装置によれば、検査用接続配線部に第２スイッチング素子をオフする電圧を印加するための電圧印加部を、従来の検査装置（１画素に１つのスイッチング素子を有する放射線検出素子基板の検査装置）に対して設けている。これによって、従来と同様に、１画素に複数のトランジスタを有する放射線検出素子基板の検査が可能となる。
【００１９】
なお、電圧印加部は、第１プローブユニット又は第２プローブユニットの空き端子から第２スイッチング素子をオフする電圧を印加するようにしてもよい。
【００２０】
さらに、本発明の放射線検出素子基板の検査方法は、放射線に応じて発生した１画素に対応する電荷を読み出すための複数の第１スイッチング素子、複数の画素のうち１つ以上の画素に対応して設けられ、第１スイッチング素子の用途とは異なる用途の１つ以上の第２スイッチング素子、第１スイッチング素子の制御端に接続された第１制御配線を介して第１スイッチング素子に接続された第１制御端子、第２スイッチング素子の制御端に接続された第２制御配線を介して第２スイッチング素子に接続された第２制御端子、及び第１スイッチング素子の出力端に接続された信号配線を介して第１スイッチング素子に接続された信号端子を含む第１領域と、第１領域に隣接する検査終了後に除去される部分に設けられると共に、第２制御端子に接続された検査用接続配線部を含む第２領域と、を備えた放射線検出素子基板における検査用接続配線部に、第２スイッチング素子をオフする電圧を印加した状態で、第１制御端子から第１スイッチング素子をオンする電圧を印加する電圧印加ステップと、電圧印加ステップで第１スイッチング素子をオンする電圧を印加した状態で信号端子から一定電圧を印加して各画素に電荷を蓄積させる蓄積ステップと、第１制御端子から第１スイッチング素子をオフする電圧を印加して、蓄積ステップによる各画素の電荷の蓄積を一定時間保持する保持ステップと、第１制御端子から第１スイッチング素子をオンする電圧を印加して、保持ステップで保持した電荷を信号端子より読み出す読出ステップと、を行うことにより、前記放射線検出素子基板の検査を実施する。
【００２１】
本発明の放射線検出素子基板の検査方法によれば、第２スイッチング素子をオフする電圧を検査用接続配線部に印加した状態で、従来の検査（１画素に１つのスイッチング素子を有する放射線検出素子基板の検査）と同様に、検査を行うようにしている。従って、第２スイッチング素子をオフする電圧を検査用接続配線部に印加するだけで、第２スイッチング素子を無効化して、従来と同様に、１画素に複数のスイッチング素子を有する放射線検出素子基板の検査が可能となる。
【発明の効果】
【００２２】
以上説明した如く本発明では、１画素に１つのスイッチング素子を有する放射線検出素子基板の検査用の検査装置に対して、大きな追加変更を行うことなく、１画素に複数のスイッチング素子を有する放射線検出素子基板の検査を行うことが可能な放射線検出素子基板、放射線検出素子基板の検査装置、及び放射線検出素子基板の検査方法を提供することができる、という優れた効果を有する。
【図面の簡単な説明】
【００２３】
【図１】本実施の形態に係る放射線画像撮影システムの一例の概略構成図である。
【図２】本実施の形態に係る放射線検出素子基板の第１領域の一例の構成を示す図である。
【図３】１つの画素に１つのトランジスタが設けられた放射線検出素子基板を検査する従来の検査装置の一例を示す図である。
【図４】本実施の形態に係る放射線検出素子基板の一例の構成を示す図である。
【図５】本実施の形態に係る放射線検出素子基板の導通検査を行う検査装置の一例を示す図である。
【図６】本実施の形態に係る放射線検出素子基板の導通検査を行う検査装置による検査シーケンスの一例を示すタイミングチャートである。
【図７】１画素に接続されるトランジスタが３つの場合の一例を示す図である。
【図８】第１領域が結線端子を含む場合の放射線検出素子基板の一例の構成を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００２４】
まず、本実施の形態に係る放射線検出素子基板を含む放射線画像撮影装置を用いた放射線画像撮影システムの概略構成について説明する。図１は、本実施の形態に係る放射線画像撮影システムの一例の概略構成図である。
【００２５】
放射線画像撮影システム１００は、放射線（例えばエックス線（Ｘ線）等）を被検体１０２に照射する放射線照射装置１０４と、放射線照射装置１０４から照射され、被検体１０２を透過した放射線を検出する放射線検出器１０６を備えた放射線画像撮影装置１０８と、放射線画像の撮影を指示すると共に、放射線画像撮影装置１０８から放射画像を取得する制御装置１１０と、を備えている。制御装置１１０の制御に基づいたタイミングで、放射線照射装置１０４から照射され撮影位置に位置している被検体１０２を透過することで画像情報を担持した放射線は放射線画像撮影装置１０８に照射される。
【００２６】
なお、放射線画像撮影システム１００は、静止画撮影及び動画撮影を行う機能を有しており、制御装置１１０は、ユーザの指示、または、放射線照射装置１０４の制御に基づいて、静止画撮影及び動画撮影のいずれを行うかを切り換え、その旨を放射線画像撮影装置１０８に指示する。
【００２７】
放射線画像撮影装置１０８は、放射線検出器１０６を備えている。放射線検出器１０６は、被検体１０２を透過した放射線の線量に応じた電荷を発生し、発生した電荷の電荷量に基づいて、放射線画像を示す画像情報を生成して出力する機能を有する。
【００２８】
続いて、本実施の形態に係る放射線検出器１０６に適用される放射線検出素子基板について説明する。本実施の形態の放射線検出素子基板は、第１領域と、第２領域と、を備える。図２は、本実施の形態に係る放射線検出素子基板の第１領域の構成を示す図である。本実施の形態では、Ｘ線等の放射線を一旦光に変換し、変換した光を電荷に変換する間接変換方式の放射線検出素子基板を一例として説明するが、放射線に応じた電荷を発生する直接変換方式の放射線検出素子基板を用いるようにしてもよい。なお、本実施の形態において第１領域とは、いわゆる実装基板と称されることがある基板に対応する領域のことをいう。
【００２９】
本実施の形態に係る放射線検出器に適用される放射線検出素子基板１０の第１領域１１には、光を受けて電荷を発生し、発生した電荷を蓄積するセンサ部１２と、センサ部１２に蓄積された電荷を読み出すためのスイッチング素子である２つのトランジスタＴｒ１、Ｔｒ２と、を含む複数の画素２０がマトリクス状に配置されている。なお、本実施の形態では、シンチレータによって放射線から変換された光が、センサ部１２に照射されることにより、センサ部１２が電荷を発生する。
【００３０】
画素２０は、一方向（図２の横方向に対応する制御配線方向、以下「行方向」ともいう）及び行方向に対する交差方向（図２の縦方向に対応する信号配線方向、以下「列方向」ともいう）にマトリクス状に複数配置されている。図２では、画素２０の配列を簡略化して示しているが、例えば、画素２０は行方向及び列方向に１０２４×１０２４個配置される。
【００３１】
また、放射線検出素子基板１０には、トランジスタＴｒ１のオン／オフを制御するための複数の制御配線Ｇ（図２では、Ｇ１〜Ｇ８）及びトランジスタＴｒ２のオン／オフを制御するための複数の制御配線Ｍ（図２では、Ｍ１〜Ｍ４）と、上記センサ部１２に蓄積された電荷を読み出すための画素２０の列毎に備えられた複数の信号配線Ｄ（図２では、Ｄ１〜Ｄ５）と、が互いに交差して設けられている。
【００３２】
なお、各画素２０のセンサ部１２は、図示を省略した共通配線に接続され、共通配線を介して電源（図示省略）からバイアス電圧が印加される。
【００３３】
制御配線Ｇには、各トランジスタＴｒ１の制御端が接続されており、各トランジスタＴｒ１をスイッチングするための制御信号が流れる。このように制御信号が各制御配線Ｇに流れることによって、各トランジスタＴｒ１がスイッチングされる。また、制御配線Ｍには、各トランジスタＴｒ２の制御端が接続されており、各トランジスタＴｒ２をスイッチングするための制御信号が流れる。このように制御信号が各制御配線Ｍに流れることによって、各トランジスタＴｒ２がスイッチングされる。
【００３４】
信号配線Ｄには、各画素２０のトランジスタＴｒ１の出力端及びトランジスタＴｒ２の出力端が接続されている。信号配線Ｄには、トランジスタＴｒ１のスイッチング状態及びトランジスタＴｒ２のスイッチング状態に応じて、各画素２０に蓄積された電荷量に応じた電気信号がトランジスタＴｒ１またはトランジスタＴｒ２を介して流れる。
【００３５】
本実施の形態では、図２に示すように、制御配線Ｇの偶数ラインと、奇数ラインとで、トランジスタＴｒ１、トランジスタＴｒ２、及びセンサ部１２の配置関係が反転（図２の上下反転）する。
【００３６】
また、制御配線Ｇには、第１制御端子１４が接続され、制御配線Ｍには、第２制御端子１６が接続され、信号配線Ｄには、信号端子１８が接続されている。本実施の形態では、第１制御端子１４と第２制御端子１６は、放射線検出素子基板１０の対辺に設けられている。
【００３７】
本実施の形態に係る放射線検出素子基板１０では、異なる２種類の解像度での撮影が可能とされている。なお、以下では、２種類の解像度のうち解像度が高い方を高解像度、低い方を低解像度という。
【００３８】
すなわち、高解像度の撮影を行う場合には、トランジスタＴｒ２をオフするように、制御配線Ｍに第２制御端子１６を介して制御信号を入力し、一方、トランジスタＴｒ１をオンするように、順次、制御配線Ｇに第１制御端子１４を介して制御信号を入力する。トランジスタＴｒ１がオン状態の画素２０では、センサ部１２から電荷が読み出され、信号配線Ｄに１つの画素２０の電荷が順次出力される。
【００３９】
また、低解像度の撮影を行う場合には、トランジスタＴｒ１をオフするように、制御配線Ｇに第１制御端子１４を介して制御信号を入力し、一方、各トランジスタＴｒ２をオンするよう、順次、制御配線Ｍに第２制御端子１６を介して制御信号を入力する。トランジスタＴｒ２がオン状態の画素２０では、センサ部１２から電荷が読み出され、信号配線Ｄに電荷が出力される。ここで、１つの信号配線Ｄに出力される電荷は、４つの画素２０の電荷が纏めて出力されることになり、トランジスタＴｒ２をオフして、トランジスタＴｒ１をオンする場合よりも低解像度となる。
【００４０】
ところで、放射線検出素子基板１０では、１つの画素２０に複数のトランジスタＴｒ１、Ｔｒ２が設けられているので、１つの画素２０に１つのトランジスタが設けられた放射線検出素子基板を検査する従来の検査装置では、検査を行うことができない。
【００４１】
ここで、１つの画素に１つのトランジスタが設けられた従来の放射線検出素子基板を検査する従来の検査装置について説明する。図３は、１つの画素に１つのトランジスタが設けられた放射線検出素子基板を検査する従来の検査装置を示す図である。なお、本実施の形態では、検査の具体例として、導通検査を行う場合について詳細に説明する。
【００４２】
従来の検査装置は、図３に示すように、制御配線を動作させるための第１プローブユニット３０と、信号配線から画像読み出しをする第２プローブユニット３２と、第１プローブユニット３０及び第２プローブユニット３２を制御する制御ユニット３４と、を備える。
【００４３】
第１プローブユニット３０及び第２プローブユニット３２はそれぞれ針状のコンタクト端子（プローブピン）を備えており、第１プローブユニット３０を放射線検出素子基板の電荷を読み出す画素を選択する制御端子ＧＴに、第２プローブユニットを放射線検出素子基板の電荷を読み出す信号端子ＤＴにそれぞれ接触させて動作させる。
【００４４】
検査シーケンスは、第１プローブユニット３０より１行毎にゲートオン電圧を印加して電荷を読み出す画素を選択するトランジスタをオン状態にし、第２プローブユニット３２より一定電圧を印加して各画素２０に電荷を蓄積させる。次に、第１プローブユニット３０よりゲートオフ電圧を印加してトランジスタをオフ状態にして、一定時間保持する。続いて、第１プローブユニット３０より１行毎にゲートオン電圧を印加してトランジスタをオン状態とし、第２プローブユニット３２で画像読み出しを行って２次元画像を制御ユニット３４に出力する。これにより、２次元画像から、点欠陥や線欠陥等の不良が制御ユニット３４によって判定される。
【００４５】
本実施の形態のように、放射線検出素子基板１０が、１画素に複数のトランジスタを有する場合には、第２制御端子１６用のプローブユニットが必要となるが、第２制御端子１６用のプローブユニットを準備せずに上記の従来の検査シーケンスで検査装置を動作させた場合、トランジスタＴｒ１をオフ状態にして一定時間を保持している最中に、蓄積された電荷がトランジスタＴｒ２を介して漏れ出てしまい、欠陥でなくても欠陥として判定されてしまう。
【００４６】
そこで、本実施の形態に係る放射線検出素子基板１０は、図４に示す一点鎖線で囲われた領域である第１領域１１よりも外側の領域まで、制御配線Ｍを延長して、互いに結線する検査用接続配線部２２を設けている。具体的には、本実施の形態に係る放射線検出素子基板１０は、図４に示すように、第１領域１１に隣接して、検査用接続配線部２２及び結線端子２４を含む第２領域２１を備えている。そして、導通検査を行う場合は、検査用接続配線部２２に接続された結線端子２４にゲートオフ電圧を一括して印加して行うようにしている。なお、本実施の形態において「隣接」とは、隣り合う位置に間隔を開けずに配置される場合の他、隣り合った位置に間隔を開けて配置される場合も含む。例えば、第１領域１１と第２領域２１との間に、別の領域が設けられていてもよい。また、「隣り合う位置」とは、例えば、第１領域１１の１辺の少なくとも一部と、第２領域２１の１辺の少なくとも一部とが対向する位置のことをいう。
【００４７】
すなわち、結線端子２４にゲートオフ電圧を一括して印加することにより、全てのトランジスタＴｒ２がオフ状態となるので、トランジスタＴｒ１をオフ状態にして一定時間を保持している最中に、蓄積された電荷がトランジスタＴｒ２を介して漏れることがなくなる。従って、従来の検査シーケンスで画素の欠陥を検出することが可能となる。なお、結線端子２４は、第１制御端子１４及び第２制御端子１６の少なくとも一方よりも面積が大きい端子を適用するようにしてもよい。これにより、一括してゲートオフ電圧を印加することが可能となる。また、高精度が要求されない簡易型のプローブピンで結線端子２４に容易にコンタクトすることが可能となり、検査治具を安価に作成することができる。
【００４８】
また、検査用接続配線部２２及び結線端子２４は、第１領域１１の外側の第２領域に設けられているので、導通検査が終了した後に、切り離し等を行い除去することにより、実装上の問題はない。具体的には例えば、ガラス基板（製造）を実装基板の領域となる第１領域と、実装基板の外側の領域となる第２領域として、第１領域１１と第２領域２１とを分割領域で接続して構成する。これにより分割領域で第１領域と第２領域を分割することで導通検査が終了した後に、第２領域２１を切り離し等を行って除去し、実装した場合の基板の大きさとなる。
【００４９】
なお、結線端子２４は、図４に示すように、第１領域１１の第２制御端子１６と並べて、第１領域１１の外側の第２領域２１内に配列するようにしてもよい。また、結線端子２４は、第１領域１１の第１制御端子１４と並べて、第１領域１１の外側の第２領域２１内に配列するようにしてもよい。これによって、検査を行う場合に第１制御端子１４または第２制御端子１６に接触させるプローブユニットの空き端子を利用してゲートオフ電圧を印加することが可能となる。
【００５０】
図５は、本実施の形態に係る放射線検出素子基板１０の導通検査を行う検査装置の一例を示す図である。
【００５１】
本実施の形態に係る放射線検出素子基板１０を検査する検査装置５０は、図３で示した従来の検査装置に対して検査用接続配線部２２の結線端子２４に固定電位（ゲートオフ電圧）を印加する固定電位印加部３６が追加されている。
【００５２】
固定電位印加部３６による固定電位の印加方法としては、従来の検査装置の第１プローブユニット３０や第２プローブユニット３２に空き端子がある場合には、空き端子を用いてゲートオフ電圧を印加することで、従来の検査装置をそのまま使用すること可能となる。
【００５３】
また、第１プローブユニット３０や第２プローブユニット３２に空き端子がない場合には、固定電位印加部３６として簡単な電源を追加することで、従来の検査装置をそのまま使用することができる。
【００５４】
なお、図５では、図示を簡略化するため、固定電位印加部３６から結線端子２４に直接、固定電位を印加した状態を図示省略している。
【００５５】
続いて、本実施の形態に係る放射線検出素子基板１０の導通検査を行う検査装置５０による検査シーケンスについて説明する。図６は、本実施の形態に係る放射線検出素子基板１０の導通検査を行う検査装置５０による検査シーケンスを示すタイミングチャートである。
【００５６】
本実施の形態では、第１プローブユニット３０を放射線検出素子基板１０の第１制御端子１４に、第２プローブユニットを放射線検出素子基板１０の信号端子１８にそれぞれ接触させると共に、固定電位印加部３６を検査用接続配線部２２の結線端子２４に接続して動作させる。すなわち、固定電位印加部３６から検査用接続配線部２２を介して全ての第２制御端子１６にゲートオフ電圧（図６に示すように変化しない固定電位）が一括して印加された状態で導通検査が行われる。
【００５７】
本実施の形態では、全ての第２制御端子１６に一括してゲートオフ電圧が印加されることにより、トランジスタＴｒ２がオフ状態とされて無効化された上で導通検査が行われる。導通検査は、上述の従来の検査シーケンスと同様に行われる。
【００５８】
すなわち、第１プローブユニット３０より１行毎にゲートオン電圧を印加してトランジスタＴｒ１をオン状態にして、第２プローブユニット３２より一定電圧を印加して各画素２０に電荷を蓄積させる。次に、第１プローブユニット３０よりゲートオフ電圧を印加してトランジスタＴｒ１をオフ状態にして、一定時間保持する。続いて、第１プローブユニット３０より１行毎にゲートオン電圧を印加してトランジスタＴｒ１をオン状態とし、第２プローブユニット３２で画像読み出しを行って２次元画像を制御ユニット３４に出力する。これにより、２次元画像から、点欠陥や線欠陥等の不良が制御ユニット３４によって判定される。
【００５９】
ここで、信号配線Ｄ、制御配線Ｇ、及びトランジスタＴｒ１に断線やショート等の不良が発生した場合には、従来検査と同様に２次元画像から不良箇所を特定することができる。また、制御配線ＭやトランジスタＴｒ２に断線やショート等の不良が発生した場合も、トランジスタＴｒ２を正常に動作させることができないため、関連する画素の信号を正確に読み出すことができなくなり、出力された２次元画像からその不良を検出することができる。
【００６０】
従来技術では専用プローブユニットの作製と制御用ソフトウェアの開発に多額の費用が発生し、基板開発のネックとなっていたが、本実施の形態に係る放射線検出素子基板１０の構成を適用して検査することにより、従来の検査装置をそのまま流用することが可能となり、大幅なコストダウンが実現できる。
【００６１】
なお、本実施の形態では、解像度変更用のトランジスタを１画素内に備える放射線検出素子基板１０を例に挙げて説明したが、画素に接続されているトランジスタの機能には制限はなく、他の機能（例えば、電荷リセット用のリセットトランジスタや電荷蓄積用の蓄積トランジスタ等）のトランジスタを備えるものを適用するようにしてもよい。
【００６２】
また、本実施の形態では、全ての画素に複数のトランジスタが接続されている例を説明したが、全ての画素に複数のトランジスタが接続されている必要はなく、少なくとも１以上の特定画素のみトランジスタが２つ、その他画素にはトランジスタが１つといったような放射線検出素子基板に適用するようにしてもよい。また、１画素に接続されるトランジスタの数に上限はなく３つ以上であってもよい。例えば、図７に示すように、センサ部１２の電荷をリセットするリセットトランジスタＴｒＡと、センサ部に発生した電荷を蓄積する蓄積トランジスタＴｒＢと、蓄積トランジスタに蓄積された電荷を読み出す読み出しトランジスタＴｒＣと、を１画素に備える放射線検出素子基板を適用するようにしてもよい。ただし、３つ以上のトランジスタを備える場合には、導通検査を行う際に、１×１画像読み出し用トランジスタ以外にはゲートオフ信号を一括して印加する。
【００６３】
また、上記の実施の形態では、全画素にトランジスタＴｒ２を設けて、低解像度で読み出す際に、トランジスタＴｒ１をオフし、トランジスタＴｒ２をオンすることで、４画素を纏めて読み出すことで低解像度の読み出しを行う例について説明したが、トランジスタＴｒ２による解像度の変換方法は、これに限るものではない。例えば、トランジスタＴｒ２を全画素ではなく、４画素に１つのように、複数画素に対して１つの割合で設けて、トランジスタＴｒ１をオフし、トランジスタＴｒ２をオンすることで、低解像度の読み出しを行うようにしてもよい。
【００６４】
さらに、本実施の形態では、簡便な記載とするため第１制御端子１４と第２制御端子１６とを第１領域１１の対向する２辺に配置した例を説明したが、これに限るものではなく、１辺にまとめて第１制御端子１４及び第２制御端子１６を配置するようにしてもよい。
【００６５】
また、結線端子２４の配置は、本実施の形態で説明した配置に限らない。結線端子２４と接続された検査用接続配線部２２が第２領域２１に設けられていればよく、結線端子２４の配置については、限定されない。例えば、結線端子２４は、第１領域１１に配置されていてもよい。図８に、第１領域１１が結線端子２４を含む場合の放射線検出素子基板１０の一例の構成図を示す。図８に示した放射線検出素子基板１０では、検査が終了した後に、第２領域２１が除去されることにより、検査用接続配線部２２が除去されるが、結線端子２４は、第１領域１１に含まれているため、除去されずに残る。
【００６６】
また、本実施の形態では、放射線検出素子基板１０に対して行う検査として、導通検査を行う検査装置について詳細に説明したが、これに限らず、その他の検査を行う検査装置についても本実施の形態と同様に、機能検査（ファンクションテスト）を行う検査装置についても適用できることはいうまでもない。
【００６７】
また、図２に示した第２領域２１の除去後の放射検出素子基板１０では、制御配線Ｍは、第２制御端子１６まで設けられている状態を示しているが、制御配線Ｍの状態は、図２に示した状態に限らない。例えば、制御配線Ｍは、上述したように、第２制御端子１６を通過し、第１領域１１の外側、すなわち第２領域２１まで延長されているため、第２領域２１の除去後も、第２制御端子１６を通過し、第１領域１１の端部の辺まで延長された状態であってもよい。この場合は、延長された制御配線Ｍの端部が第１領域１１の断面（切り離された面）に露出しないように、制御配線Ｍの端部の処理を行うことが好ましい。
【００６８】
また、本実施の形態における放射線は、特に限定されるものではなく、Ｘ線やγ線等を適用することができる。
【００６９】
その他、本実施の形態で説明した放射線検出素子基板１０等の構成、動作等は一例であり、本発明の主旨を逸脱しない範囲内において状況に応じて変更可能であることは言うまでもない。
【符号の説明】
【００７０】
１０    放射線検出素子基板
１１    第１領域
１２    センサ部
１４    第１制御端子
１６    第２制御端子
１８    信号端子
２０    画素
２１    第２領域
２２    検査用接続配線部
２４    結線端子
３０    第１プローブユニット
３２    第２プローブユニット
３４    制御ユニット
３６    固定電位印加部
Ｄ    信号配線
Ｇ、Ｍ    制御配線
Ｔｒ１、Ｔｒ２    トランジスタ
ＴｒＡ    リセットトランジスタ
ＴｒＢ    蓄積トランジスタ
ＴｒＣ    読み出しトランジスタ
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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