(57)【要約】      （修正有）【課題】光電子デバイスを提供する。【解決手段】光電子デバイスは、第１の電極、第２の電極、前記第１および第２の電極の間に配置された半導体材料ならびに前記第１の電極を含む表面層領域１３を包囲するウェルを画定する電気絶縁バンク構造を備え、前記デバイスは、完全光反射層、部分光反射層、ならびに前記半導体材料を含み、前記完全光反射層および前記部分光反射層の間に配置された少なくとも１つの溶液処理可能層を備えた層構造を備えた光共振器を有する。前記表面層領域は前記反射層の１つを備え、前記溶液処理可能層は該表面層領域上ならびに前記側壁の前記第１および第２の斜面上に配置されている。前記完全光反射層および前記部分光反射層は配置されて、前記層構造において発生した光のための共振空洞を設け、前記側壁は前記表面層領域から延伸する第１の斜面および前記第１の斜面から延伸するより急傾斜の第２の斜面を有する。【選択図】図１ａ
2015043319.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
表面層および前記表面層上のウェル画定バンク構造を有する基板を備えた光電子デバイスであって、前記バンク構造が電気絶縁材料を含み、前記表面層の領域を包囲して前記ウェルを画定する側壁を有し、前記表面層領域が第１の電極を備え、前記デバイスが第２の電極ならびに前記第１および第２の電極の間に配置された半導体材料をさらに備え、前記デバイスが、
完全光反射層、
部分光反射層、ならびに
少なくとも１つの層を備える層構造であって、少なくとも１つの前記層が溶液処理可能層であり、前記層構造が半導体材料を含み、前記完全光反射層と前記部分光反射層との間に配置され、前記表面層領域が前記反射層の１つを備え、前記溶液処理可能層が前記表面層領域上および前記側壁の前記第１および第２の斜面上に配置され、
前記完全光反射層および該部分光反射層が前記層構造において発生した光のための共振空洞を設けるために配置されている、層構造
を備える光共振器を備え、
前記側壁が前記表面層領域から延伸する第１の斜面および該第１の斜面から延伸する第２の斜面を有し、前記第１の斜面が前記第２の斜面よりも急傾斜でなく、前記層構造の少なくとも１つの層の厚さのヒストグラムの半値全幅が５ｎｍ未満であり、前記厚さが少なくとも前記表面層領域の実質的に規則的に隔設された各点を覆って配置され、前記点が前記表面層領域と前記側壁との間の境界における第１の点および該表面層領域上の、前記境界から少なくとも１０μｍ隔設された第２の点を含む、光電子デバイス。
【請求項２】
前記厚さが前記該溶液処理可能層の厚さを含む、請求項１に記載の光電子デバイス。
【請求項３】
オンの場合に０．０２以下の、より好ましくは０．０１以下のＣＩＥ色空間における最大色差を有する光を放出するように構成された、請求項１または２に記載の光電子デバイス。
【請求項４】
前記完全光反射層および前記部分光反射層の少なくとも１つが前記第１および第２の電極の一方を備え、好ましくは前記第１の電極が前記部分光反射層を構成し、ならびに／または
前記光共振器が微小共振器を備え、ならびに／または
前記第１の斜面が前記デバイス表面層に対して２０度以下の、好ましくは１０度未満の斜面角度を有する、請求項１から３のいずれか一項に記載の光電子デバイス。
【請求項５】
前記第１の斜面が前記第２の斜面との境界にて３００ｎｍ未満の、好ましくは２００ｎｍ未満のバンク構造厚まで延伸し、好ましくは前記第１および第２の斜面の少なくとも一方が１００ｎｍから１５０ｎｍのバンク構造厚に沿って延伸し、ならびに／または
前記第２の斜面が少なくとも３００ｎｍ、好ましくは少なくとも１μｍの該表面層の上の第２のバンク構造厚まで延伸し、ならびに／または
前記第１の斜面が該表面層に沿って少なくとも１μｍの長さにわたって延伸し、好ましくは前記第２の斜面が前記表面層に沿って少なくとも８μｍの長さにわたって延伸し、好ましくは前記側壁が前記表面層に沿って少なくとも１０μｍの長さにわたって延伸する、
請求項１から４のいずれか一項に記載の光電子デバイス。
【請求項６】
前記第１の斜面が第１のバンク構造厚Ｈ１まで延伸し、前記第２の斜面が第２のバンク構造厚Ｈ２まで延伸し、前記第２のバンク構造厚が前記第１のバンク構造厚を含み、Ｈ１が０．３＊Ｈ２以下であり、および／または
少なくとも１つの前記溶液処理可能層が前記第１の斜面から隔設された前記第２の斜面上に点にピン止め点を有し、ならびに／または前記側壁がバンク構造厚Ｈまで延伸し、前記表面領域と前記ピン止め点までの前記表面層上の最も近い点との間の距離が少なくとも１０＊Ｈである、請求項１から５のいずれか一項に記載の光電子デバイス。
【請求項７】
前記バンク構造が少なくとも１つのフォトレジスト層を備え、前記フォトレジスト層が前記第２の斜面上に点を有し、フッ素含有化合物を含み、
好ましくは前記バンク構造が複数のフォトレジスト層を備え、前記フォトレジスト層が前記第１の斜面を有し、
より好ましくは前記バンク構造が前記フッ素含有化合物を含み、前記第１および第２の斜面を有する前記フォトレジスト層を備える、請求項１から６のいずれか一項に記載の光電子デバイス。
【請求項８】
前記デバイスが発光デバイスまたは光吸収デバイスであり、好ましくは光吸収デバイス、たとえば有機光起電力デバイス（ＯＰＶ）または発光デバイス、たとえば有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）である、請求項１から７のいずれか一項に記載の光電子デバイス。
【請求項９】
前記デバイスがＯＬＥＤであり、前記溶液処理可能層が正孔注入層（ＨＩＬ）を設けるための有機半導体材料を含み、
好ましくは少なくとも１つの前記溶液処理可能層がＨＩＬを設けるために前記材料を覆って配置されたさらなる有機半導体材料を備え、前記さらなる有機半導体材料が中間層（ＩＬ）または発光層（ＥＬ）を設けるためのものである、請求項１から８のいずれか一項に記載の光電子デバイス。
【請求項１０】
表面層および前記表面層上のウェル画定バンク構造を有する基板を備えた光電子デバイスを製造する方法であって、前記バンク構造が電気絶縁材料を含み、前記表面層の領域を包囲してウェルを画定する側壁を有し、前記表面層領域が第１の電極を備え、前記デバイスが第２の電極および第１の電極および第２の電極の間に配置された半導体材料をさらに備え、
第１の光反射層を備える前記表面層を形成するステップ、
前記表面層領域から延伸する第１の斜面および前記第１の斜面から延伸する第２の斜面を備える前記側壁を有する前記バンク構造を形成するステップ、ならびに
光共振器を形成するステップであって、
少なくとも１つの層を有し、前記第１の光反射層上に配置された層構造を形成するステップであって、少なくとも１つの前記層が溶液処理可能層であり、前記層構造が前記半導体材料を含み、該表面層領域上および前記側壁の前記第１および第２の斜面上に有機溶液を堆積させて該溶液処理可能層を形成することおよび前記堆積有機溶液を乾燥させることを含む、ステップ、ならびに
前記層構造を覆って第２の光反射層を形成するステップであって、
前記光反射層の１つが完全光反射層であり、前記光反射層のもう１つが部分光反射層であり、前記反射層が前記層構造において発生した光のための共振空洞を設けるステップによって光共振器を形成するステップ
を含む、光共振器を形成するステップ
を含み、
前記第１の斜面が前記第２の斜面よりも急傾斜でなく、前記形成された層構造の少なくとも１つの層の厚さのヒストグラムの半値全幅が５ｎｍ未満であり、前記厚さが少なくとも前記表面層領域の実質的に規則的に隔設された各点を覆って配置され、前記点が前記表面層領域と前記側壁との間の境界における第１の点および該表面層領域上の、前記境界から少なくとも１０μｍ隔設された第２の点を含む、方法。
【請求項１１】
前記厚さが前記溶液処理可能層の厚さを含む、請求項１０に記載の方法。
【請求項１２】
オンの場合に０．０２以下の、より好ましくは０．０１以下のＣＩＥ色空間における最大色差を有する光を放出する前記デバイスを製造するための、請求項１０または１１に記載の方法。
【請求項１３】
前記完全光反射層および前記部分光反射層の少なくとも１つが前記第１および第２の電極の一方を備え、好ましくは前記第１の電極が前記部分光反射層を構成し、ならびに／または
前記光共振器が微小共振器を備え、ならびに／または
前記第２の斜面が前記第１の斜面より急傾斜であり、前記側壁が前記第１の斜面から隔設された前記第２の斜面上の点にて表面エネルギー不連続性を有し、前記堆積有機溶液が前記第１および第２の斜面を前記表面エネルギー不連続性におけるピン止め点まで濡らし、
少なくとも１つのさらなる溶液を前記溶液処理可能層上に堆積させるステップであって、前記少なくとも１つのさらなる溶液が前記ピン止め点までウェットアウトさせるステップ、および前記堆積少なくとも１つのさらなる溶液を乾燥させるステップを好ましくは含む、請求項１０から１２のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１４】
前記デバイスが発光デバイスもしくは光吸収デバイス、好ましくは光吸収デバイス、たとえば有機光起電力デバイス（ＯＰＶ）または発光デバイス、たとえば有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）であり、および／または
前記デバイスがＯＬＥＤであり、前記有機溶液が正孔注入層（ＨＩＬ）を設けるためのものであり、
少なくとも１つのさらなる溶液処理可能層を前記溶液処理可能層ならびに前記第１および第２の電極の間に形成することを好ましくは含み、前記さらなる溶液処理可能層が中間層（ＩＬ）または発光層（ＥＬ）を設けるためのものである、請求項１０から１３のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１５】
前記有機溶液の接触角が、前記第１の斜面および前記第１の斜面から前記ピン止め点まで延伸する第２の斜面領域の少なくとも１つに堆積している場合、１０度以下であり、ならびに／または
前記有機溶液の接触角が、前記ピン止め点より前記第１の斜面から離れるように延伸する前記バンク構造の領域に堆積している場合、５０度以上である、請求項１０から１４のいずれか一項に記載の方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、概して、表面層および該表面層上のウェル画定バンク構造を有する基板を備えた光電子デバイス、ならびに表面層および該表面層上のウェル画定バンク構造を有する基板を備えた光電子デバイスを製造する方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
溶液からの活性成分の堆積（溶液処理）を包含する電子デバイスを製造する方法は、広範に検討されてきた。活性成分が溶液から堆積される場合、活性成分は好ましくは基板の所望のエリアに含有される。このことは、溶液から活性成分を堆積可能なウェルを画定するパターン形成バンク層を備えた基板を設けることによって実現され得る。ウェルは、ウェルによって画定された基板のエリアに活性成分が残存するように、溶液が乾燥する間に溶液を含有する。このことによって、コストを著しく上昇させ得る堆積後パターン形成ステップを必要とせずに、バックプレーンとの一体化が可能となることがある。
【０００３】
これらの方法は、溶液から有機材料を堆積させるために特に有用であることが見出されてきた。有機材料は、電流が材料を通過したときに材料が光を放出できるように、または光が材料に衝突したときに電流が発生することによって光を検出できるように、導電性、半導電性および／または光電子活性であってよい。これらの材料を利用するデバイスは、有機電子デバイスとして公知である。有機材料が発光材料である場合、デバイスは有機発光デバイス（ＯＬＥＤ）として公知である。さらに溶液処理によって、薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）および特に有機薄膜トランジスタ（ＯＴＦＴ）を低コスト、低温で製造できるようになる。このようなデバイスにおいて、適正なエリア、特にデバイスのチャネル内に有機半導体（ＯＳＣ）を含有することが特に望ましく、ＯＳＣを含有するためにウェルを画定するバンクを設けてよい。
【０００４】
いくつかのデバイスは、２つ以上の溶液堆積層を必要とすることがある。ディスプレイに使用されるＯＬＥＤなどの代表的なＯＬＥＤは、２つの有機半導体材料層を有してよく、一方の層は発光材料、たとえば発光ポリマー（ＬＥＰ）の層であってよく、他方の層は正孔輸送材料、たとえばポリチオフェン誘導体またはポリアニリン誘導体の層であってよい。
【０００５】
バンク構造を有する発光または吸収デバイスは、たとえば１つ以上のデバイス層がデバイス・アクティブ・エリアでの不均一な厚さを示した場合に、アクティブエリアでの色および／または発光効率の均一性が乏しいことがある。一般には、デバイスは、ＣＩＥ色空間における特定の標的周波数および／または点に収束する光の単一の一般色、たとえば赤色、緑色または青色を発光または吸収するように設計され得る。たとえば該デバイスは、ＣＩＥ  １９７６色空間（ＣＩＥＬＵＶ）の特定の座標ｕ’およびｖ’を有するように設計され得る。しかし、電流デバイスにおける色均一性を改善する必要がある。同様に、具体的には標的ＣＩＥ点を設けるための標的光周波数もしくは周波数スペクトルから／へのおよび／または光への、このような変換の、デバイスにおける電気→光エネルギー変換（またはその逆）の全体の効率または効率の均一性を改善する必要がある。
【０００６】
効率およびコストについてさらに考慮すると、有利に単純なバンク構造は、順に堆積されたこのような液体すべてを含有するように設計された単一の材料／層を有することが認められる。しかし、堆積した液体すべてに対して単一のバンク材料および単一のピン止め点を有するデバイスでは、溶液堆積層の両側の電極の間でリーク経路、すなわち短絡のリスクがある。たとえば、アノード−ＨＩＬ−ＩＬ−ＥＬ−カソード構造を備えたＯＬＥＤ構造において、リーク電流は、ＨＩＬの境界上のリーク経路を介してアノードとカソードとの間を流れることがある。同様に、リーク経路は、バンク上の正孔注入層（ＨＩＬ）と直接接触しているカソード、バンク上の非常に薄いデバイススタックまたはピン止め点における点接触によって引き起こされることがある。完全印刷デバイスのＪＶ（電流密度−電圧）曲線はたとえば、逆駆動時および／または電源投入前に高いリーク（高い電流）を示す。スピン処理された中間層（ＩＬ）およびエレクトロルミネセント層（ＥＬ）では、リークは、ＨＩＬが上部のスピン処理された膜によって完全に被覆されるため、はるかに低くなる。効率がはるかに低下することがある。
【０００７】
現行の低リークデバイスは一般には、アノードピン止め点をカソードから隔離するためにデュアル・バンク・システムを必要とする。しかしシングルバンクでは、デュアル・バンク・アーキテクチャと比較して複雑性を低下させることができる。加えてもしくはまたは、フォトリソグラフィーによってパターン形成されたシングルバンクによって、画素（バンク）画定のための安価な方法が提供され得る。しかしこのようなバンクは、炭化水素（レジスト残渣）に露光されたアノードエリアを残すことがあり、および／または溶液処理層すべて（ＨＩＬ、ＩＬおよびＥＬ）に単一の流体ピン止め点を設けることがある。アノード（ＩＴＯ）表面とＨＩＬ−ＩＬ−ＥＬ−カソード同時ピン止め点との間の経路が短い高導電性ＨＩＬは、高リークデバイスをもたらすことが示されてきた。
【０００８】
このため、各種の液体をウェル内に含有させるための改善された構造および／またはこのような構造を製造する方法を提供することが望ましい。改善された構造は、利点、たとえばとりわけ、デバイスでの色均一性の改善および／または調整可能な電気リーク、デバイスのアクティブエリアでの全体の出力効率および／または均一性の向上、（たとえばＯＬＥＤ発光の）寿命安定性の改善（好ましくは、たとえば寿命試験でのより安定なおよび／またはより反復可能なデバイス輝度）、より小型のデバイス、ならびに構造の複雑性の低下および／またはより少ない処理ステップで製造可能であること（このどちらも、デバイス製造の時間またはコスト効率の改善、デバイス収率の改善、反復可能性、たとえばコスト低減につながることがある構成材料の量および／または数に関する要件の低減につながることある）のいずれか１つ以上を有していることがある。
【０００９】
本発明の理解に使用するために、以下の開示が引用される。
【先行技術文献】
【特許文献】
【００１０】
【特許文献１】米国特許第８，０６３，５５１号明細書
【特許文献２】米国特許出願公開第２００６／１９７０８６号明細書
【特許文献３】米国特許出願公開第２０１０／２７１３５３号明細書
【特許文献４】国際公開第２００９０４２７９２号パンフレット
【特許文献５】米国特許出願公開第２００７／０８５４７５号明細書
【特許文献６】米国特許第７７９９４０７号明細書
【特許文献７】米国特許第７６０４８６４号明細書
【特許文献８】国際公開第９９４８３３９号パンフレット
【特許文献９】特開２００７０９５４２５Ａ号公報
【特許文献１０】国際公開第２００９／０７７７３８号パンフレット
【特許文献１１】国際公開第２０１１／０７０３１６号パンフレット
【発明の概要】
【課題を解決するための手段】
【００１１】
本発明の第１の態様により、表面層および前記表面層上のウェル画定バンク構造を有する基板を備えた光電子デバイスであって、該バンク構造が電気絶縁材料を含み、前記表面層の領域を包囲して該ウェルを画定する側壁を有し、該表面層領域が第１の電極を備え、該デバイスが第２の電極ならびに第１の電極および第２の電極の間に配置された半導体材料をさらに備え、該デバイスが完全光反射層、部分光反射層、および少なくとも１つの層を備えた層構造を備えた光共振器を有し、少なくとも１つの前記層は溶液処理可能層であり、該層構造が該半導体材料を含み、該完全光反射層および該部分光反射層の間に配置され、該表面層領域が反射層の１つを備え、前記溶液処理可能層が該表面層領域上および該側壁の第１および第２の斜面上に配置され、該完全光反射層および該部分光反射層が配置されて、該層構造において発生した光のための共振空洞を設け、該側壁が該表面層領域から延伸する第１の斜面および第１の斜面から延伸する第２の斜面を有し、第１の斜面は第２の斜面より急傾斜ではなく、該層構造の少なくとも１つの層の厚さのヒストグラムの半値全幅は５ｎｍ未満であり、該厚さが少なくとも該表面層領域の実質的に規則的に隔設された各点を覆って配置され、前記点が該表面層領域および該側壁の間の境界における第１の点ならびに該表面層領域上の、境界から少なくとも１０μｍ隔設された第２の点を含む、光電子デバイスが提供される。
【００１２】
厚さの変化を低減することによって、たとえば該デバイスからのアウトカップリング、該デバイスの色均一性および／または効率が改善されることがある。このような利点は光共振器の性能に関連していることがあり、光共振器は該層構造における光発生（吸収）を増幅し、このため該デバイスをより効率的にすることがある。具体的には、光共振器は好ましくは該層構造で発生した（吸収された）光の定在波共振空洞を形成し、該共振器はたとえば、該層構造の利得媒体を包囲して、発光デバイス、たとえばＯＬＥＤにおける光のフィードバックを提供する。該光共振器の共振波長は、一般に言えば、共振器の物理的寸法および物理的特性（たとえば屈折率の（複数の）値および／または（複数の）変化）によって決定される。共振波長は該溶液処理可能層の厚さに影響を受けることがある。該デバイスのアクティブエリアでの厚さの変化は共振波長の対応する変化を生じ、このためデバイス発光（吸収）スペクトルの広幅化をもたらすことがある。望ましくは、該デバイスによる発光（吸収）のスペクトルは、標的波長付近に狭いピークを有する。これは該溶液処理可能層が堆積されている表面において実質的に円滑な移行を与えることによって実現され、該バンク構造から該表面層へのこの移行によって、移行中に堆積された溶液処理可能層のいずれの厚さの変化も低減または回避される。
【００１３】
好ましくは該表面層に対して垂直方向の、および／または該表面層上での高低差である各厚さは、好ましくは該溶液処理可能層の厚さを含む。しかし厚さは、表面処理可能層を含む複数の隣接層を合わせた厚さである。このため、たとえば該厚さは、ＯＬＥＤのＨＩＬ（正孔注入層）、ＩＬ（中間層）およびＥＬ（発光層）の１つ以上の厚さであってよい。好ましくは、ヒストグラムは、アクティブエリアでの（より好ましくは、具体的には該表面層領域のみでの、および／または該層構造または溶液処理可能層の最大範囲での）厚さ測定値を含む。該ヒストグラムは、該表面層領域の複数の、たとえば正方形または長方形エリアそれぞれにおいて測定値を得ることによって得られ、該エリアはグリッドまたはメッシュの隣接エリアであり、好ましくはサイズおよび形が同じである。これにより、たとえば４０から７０μｍの最大長または直径を有することがある表面層領域全体にわたって規則的に隔設された各点にて、たとえば３０から３００の測定値を生じることがある。半値幅はより望ましくは、４、３、２または１ｎｍ未満である。
【００１４】
好ましくは、該層構造の少なくとも１つの層のこのような厚さ測定値は、少なくとも（仮想）直線に沿った点で得られ、該直線は少なくとも実質的に（たとえば正確には）表面層領域を覆う方向に延伸する。このため該測定値は、好ましくは、該表面層領域の対向する周辺点についての測定値を少なくとも含む。しかし好ましくは、このような厚さ測定値は、該表面層領域の少なくとも実質的に二次元エリア全体に及ぶ二次元グリッドの点において得られ、このため該表面層領域の２個を超える周辺点についての測定値を含む。一実施形態において、このような直線またはグリッドは、該測定値がこのような周辺点についての測定値を含むように、該表面層領域を超えて、たとえば該側壁、ウェルおよび／または層構造の対向する周辺点まで延伸することがある。好ましくは、第１の電極は該表面層領域全体にわたって延伸して、これにより該デバイスのアクティブエリアを画定し得る。
【００１５】
好ましくは、該表面層領域上に配置された該溶液処理可能層の厚さのいずれの変化によっても、該デバイスがオンのときに、０．０２以下のＣＩＥ色空間における最大色差を有する光を放出させることができ、厚さの変化はいずれも少なくとも、該表面層領域と第１の斜面との間の境界にある。このような厚さの変化は好ましくはゼロまでであり、たとえばあるエリアでの該厚さの変化は、該表面層と該バンク構造との間の界面の両側で、および界面を中心として、たとえば１μｍ、５００ｎｍまたは３００ｎｍ延伸する。より平滑に移行させるために、該厚さが該表面層と接触する第１の斜面は、好ましくは非常に薄いか、および／または該表面層に浅い角度で接触する。一般には、第２の斜面は第１の斜面からより急傾斜の角度で延伸し、バンク構造がより厚くされて、小型デバイス内にウェルが含有される。第２の斜面は、好ましくは、該バンク構造の平坦面まで延伸して、該平坦面は、該表面層に実質的に平行である。
【００１６】
デバイスはオンの場合に、好ましくは０．０２以下のＣＩＥ色空間における最大色差を有する光を放出する。しかし、ＣＩＥ色空間における最大色差は、より好ましくは０．０１５、０．０１または０．００５以下であってよい。このような色差は、色空間、好ましくは１９７６色空間（「ＣＵＥＬＵＶ」）において発光（吸収）された色の間のユークリッド距離であり得る。
【００１７】
該実質的な（たとえば受けた光の５または１０％未満を透過させて、しかし好ましくは光の１００％を反射する）完全光反射層および該部分光反射層の少なくとも一方が第１および第２の電極の一方を備え、好ましくは第１の電極が該部分光反射層（たとえば下面発光型デバイスの場合、上面発光型デバイスの場合、第２の電極は該部分光反射層を構成してよい）を構成する、光電子デバイスがさらに提供されてよい。たとえば部分反射層を、下面発光型デバイスの表面層の電極（たとえばアノード）上に設けてよい。一実施形態において、該部分反射層は、該基板と第１の電極との間に配置される。該部分反射層は好ましくは金属、たとえば銀であり、好ましくはパターン形成されるというよりブランケット堆積される。下面発光型デバイスの場合、該基板は一般には、実質的に透明であり、たとえばガラスを含む。同様に該表面層の該電極は、好ましくは少なくとも部分的に透明であり、たとえばブランケット堆積および／またはパターン形成ＩＴＯであってよい。
【００１８】
該光共振器が光微小共振器を備える光電子デバイスがさらに提供されてよい。このような微小共振器は非常に薄型であってよく、たとえば２、３マイクロメートルまたは１μｍ、５００ｎｍ、３００ｎｍ、２００ｎｍもしくは１００ｎｍ未満の総厚を有し、この厚さは該層構造の厚さに一致してよい。このように寸法が小さいと、さもなければ該光共振器における定在波形成によってのみ決定され得る、該デバイスの発光（吸収）スペクトルを狭幅化する量子効果（たとえば自然放出率および／または原子の挙動に関連する）を生じさせることがある。
【００１９】
該微小共振器は、反射性である追加の層、たとえば銀層を堆積させることによって設けてよい。この層は、主基板材料、たとえばガラスと、ＩＴＯを構成し得る第１の電極、たとえばアノードとの間にあってよい。他方の電極によって、該微小共振器の対向する反射性表面が設けられてよい。
【００２０】
第１の斜面が該デバイス表面層に対して２０度以下の、好ましくは５、１０または１５度未満の斜面角度を有する、光電子デバイスがさらに提供されてよい。
【００２１】
第１の斜面が該第２の斜面との境界にて３００ｎｍ未満の、好ましくは２００ｎｍ未満のバンク構造厚まで延伸し、好ましくは第１および第２の斜面の少なくとも一方が１００ｎｍから１５０ｎｍのバンク構造厚に沿って延伸する、光電子デバイスがさらに提供されてよい。より一般には、複数の層が該バンク構造を形成し、それぞれの斜面を有し、好ましくは少なくとも１つが１００〜１５０ｎｍの厚さを有する。たとえば第１および／または第２の斜面が横断する高低差は、好ましくは１００〜１５０ｎｍの範囲内である。
【００２２】
第２の斜面は、少なくとも３００ｎｍ、好ましくは少なくとも１μｍの該表面層の上の第２のバンク構造厚まで延伸する、光電子デバイスがさらに提供されてよい。該バンクの総高さは好ましくは、ＲＩＥに十分耐える厚さ、たとえば少なくとも３００ｎｍである。
【００２３】
第１の斜面が該表面層に沿って少なくとも１μｍの長さにわたって延伸して、好ましくは第２の斜面が該表面層に沿って少なくとも８μｍの長さにわたって延伸して、好ましくは該側壁（または組合された少なくとも第１および第２の斜面）が該表面層に沿って少なくとも１０μｍの長さにわたって延伸する、光電子デバイスがさらに提供されてよい。
【００２４】
第１の斜面が第１のバンク構造厚（該表面層より上の高さ）Ｈ１まで延伸し、第２の斜面が第２のバンク構造厚Ｈ２（該表面層より上の総高さ、Ｈ１はＨ２の一部である）まで延伸し、第２のバンク構造厚が第１のバンク構造厚を含み、Ｈ１が０．３＊Ｈ２以下である、光電子デバイスがさらに提供されてよい。
【００２５】
少なくとも１つの前記溶液処理可能層が第１の斜面から隔設された（離れた）第２の斜面上の点にピン止め点を有する、光電子デバイスがさらに提供されてよい。好ましくは、該表面層領域に配置された該溶液処理可能層を形成するための溶液の接触角は、該溶液が少なくとも第２の斜面上に堆積している場合、１０度以下であり、および／または該表面層領域に配置された該溶液処理可能層を形成するための溶液の接触角は、該溶液が第２の斜面上の点から該側壁を超えて延伸する該バンク構造の表面エリア上に堆積している場合、５０度以上である。
【００２６】
該側壁がバンク構造厚Ｈ（該表面層より上の総高さ）まで延伸して、該表面領域と該ピン止め点までの該表面層上の最も近い点との間の最短距離が少なくとも１０＊Ｈである、光電子デバイスがさらに提供されてよい。
【００２７】
該バンク構造が少なくとも１つのフォトレジスト層を備える、光電子デバイスがさらに提供されてよい。このようなデバイスにおいて、前記フォトレジスト層は第２の斜面上に該点を有してよく、フッ素含有化合物を含む。このような化合物は、製造者から入手したままのフォトレジスト溶液中に存在することがあり、または非フッ素化フォトレジスト溶液に添加されることがある。好ましくは、該バンク構造は複数のフォトレジスト層を備え、前記フォトレジスト層は第１の斜面を有し、および／または該バンク構造は、フッ素含有化合物ならびに第１および第２の斜面を有する前記フォトレジスト層を備える。
【００２８】
該デバイスは、発光デバイスまたは光吸収デバイス、好ましくは光吸収デバイス、たとえば有機光起電力デバイス（ＯＰＶ、たとえば太陽電池）または発光デバイス、たとえば有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）であってよい。該デバイスがＯＬＥＤである場合、前記溶液処理可能層は正孔注入層（ＨＩＬ、水性または非水性）を設けるための有機半導体材料から成ってよく、好ましくは少なくとも１つの前記溶液処理可能層が該ＨＩＬを設けるための材料を覆って配置されたさらなる有機半導体材料を含み、該さらなる有機半導体材料は中間層（ＩＬ）または発光層（ＥＬ）を設けるためのものである。
【００２９】
本発明の第２の態様により、表面層および前記表面層上のウェル画定バンク構造を有する基板を備えた光電子デバイスを製造する方法であって、該バンク構造が電気絶縁材料を含み、前記表面層の領域を包囲してウェルを画定する側壁を有し、該表面層領域が第１の電極を備え、該デバイスが第２の電極ならびに第１および第２の電極の間に配置された半導体材料をさらに備え、該方法が、第１の光反射層を備えた該表面層を形成するステップ、前記表面層領域から延伸する第１の斜面および該第１の斜面から延伸する第２の斜面を備えた前記側壁を有する前記バンク構造を形成するステップ、ならびに少なくとも１つの層を有し、第１の光反射層を覆って配置された層構造を形成するステップであって、少なくとも１つの前記層が溶液処理可能層であり、該層構造が該半導体材料から成るステップによって、光共振器を形成するステップを含み、該層構造を形成するステップが、該表面層領域上ならびに該側壁の第１および第２の斜面上に有機溶液を堆積させて該溶液処理可能層を形成させて、該堆積有機溶液を乾燥させること、ならびに第２の光反射層を、該層構造を覆って形成することを含み、該光反射層の１つが完全光反射層であり、該光反射層のもう１つが部分光反射層であり、該反射層が該層構造において発生した光のための共振空洞を設け、第１の斜面が第２の斜面より急傾斜ではなく、該形成された層構造の少なくとも１つの層の厚さのヒストグラムの半値全幅が５ｎｍ未満であり、該厚さが少なくとも該表面層領域の実質的に規則的に隔設された各点を覆って配置され、前記点が該表面層領域と該側壁との間の境界における第１の点および該表面層域上の、該境界から少なくとも１０μｍ隔設された第２の点を含む、方法が提供される。
【００３０】
第１の態様についてと同様に、該厚さは好ましくは、該溶液処理可能層の厚さを含む。該表面層からの該側壁の浅型斜面を許容することによって、厚さの変化は低減され、このため該デバイスのたとえば色均一性および／または効率は有利に改善される。この点で、該方法は、オンの場合に、０．０２以下の、より好ましくは０．０１５、０．０１または０．０５以下のＣＩＥ色空間における最大色差を有する光を放出するデバイスを製造し得て、この色差は好ましくは、１９７６  ＣＩＥ色空間（ＣＩＥＬＵＶ）における該デバイスの色の間の最大ユークリッド距離を指している。
【００３１】
該完全光反射層および該部分光反射層の少なくとも１つが第１および第２の電極の一方を備え、好ましくは第１の電極が該部分光反射層を構成する方法がさらに提供されてよい。
【００３２】
該光共振器が微小共振器を備える方法がさらに提供されてよい。
【００３３】
第２の斜面が第１の斜面より急傾斜であり、該側壁が第１の斜面から隔設された第２の斜面上の点にて表面エネルギー不連続性を有し、該堆積有機溶液が第１および第２の斜面を表面エネルギー不連続性におけるピン止め点まで濡らす方法がさらに提供されてよい。この場合、該方法は、たとえば中間層（ＩＬ）および／または発光ポリマー（ＬＥＰ）を含む発光層（ＬＥＬ）のための少なくとも１つのさらなる溶液を該溶液処理可能層上に堆積させるステップであって、該少なくとも１つのさらなる溶液がピン止め点までウェットアウトする、堆積させるステップ、および堆積させた少なくとも１つのさらなる溶液を乾燥させるステップを含んでよい。該ピン止め点は、第２の斜面の上面に濡れおよび非濡れ表面の間の境界を与えることによって生成してよい。
【００３４】
このため、一実施形態は、その全長に沿って異なる斜面を有するために直線から逸脱する経路により、ピン止め点が該表面層領域から隔離されるように、少なくとも１つの溶液処理可能層（好ましくは、すべて同じ点にピン止めされた複数の層）に対してピン止め点を設けてよい。これにより、（複数の）溶液堆積層の両側の電極、たとえばアノードとカソードとの間での電気リーク経路、すなわち短絡のリスクが低減され得る。たとえば、アノードＨＩＬ−ＩＬ−ＥＬ−カソード構造を備えるＯＬＥＤ構造において、好ましくは高抵抗性ＨＩＬの境界に沿ったアノードとカソードとの間のリーク経路はいずれも延長される。延長された経路は、好ましくは、たとえば効率、信頼性および／または寿命、色の変化などをそうでなければ著しく劣化させ得るリークを防止するのに十分高い抵抗を備えている。
【００３５】
得られたデバイス構造についてより詳細に考慮すると、表面エネルギー不連続性が、好ましくは、濡れ性（たとえば親水性）領域と非濡れ性（たとえば疎水性）領域との間に境界を生じる（複数の）プロセスステップによって生成されることが認められる。このような境界は、好ましくは第２の斜面の上面にある。第２の斜面の上面は、好ましくはバンク構造の比較的扁平な面に隣接し、該扁平面は該表面層に平行に対向している。とにかく、表面エネルギー不連続性は、好ましくは第１の斜面から離れていて、このため該表面層領域から離れている。
【００３６】
該方法は、少なくとも１つのさらなる溶液、たとえばＥＬ（発光層）および／またはＩＬ（中間層）を溶液処理可能層上に堆積させるステップであって、該少なくとも１つのさらなる溶液が該ピン止め点まで湿潤させるステップ、および堆積した少なくとも１つのさらなる溶液を乾燥させるステップを含んでよい。このため、複数のこのような溶液処理可能層は、同じピン止め点を有してよい。
【００３７】
該デバイスは、発光デバイスまたは光吸収デバイス、好ましくは光吸収デバイス、たとえば有機光起電力デバイス（ＯＰＶ）または発光デバイス、たとえば有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）であってよい。該デバイスがＯＬＥＤである場合、該有機溶液は正孔注入層（ＨＩＬ、水性または非水性）を設けるためのものであり、好ましくは該方法は、前記溶液処理可能層上ならびに第１および第２の電極間に少なくとも１つのさらなる溶液処理可能層を形成することをさらに含み、該さらなる溶液処理可能層は中間層（ＩＬ）または発光層（ＥＬ）を設けるためのものである。
【００３８】
第１の斜面および第１の斜面から該ピン止め点まで延伸する第２の斜面領域の少なくとも１つに堆積している場合、該有機溶液の接触角が１０度以下である方法が、さらに提供されてよい。一般には、このような接触角によって、表面の濡れが良好となる。加えてもしくはまたは、該有機溶液の接触角は、該ピン止め点より第１の斜面から離れるように延伸する該バンク構造の領域に堆積している場合、好ましくは５０度以上である。一般には、このような接触角によって、表面の濡れは良好とならず、すなわち非濡れ性である。
【００３９】
該方法を具体的に該ピン止め点の形成に関して考慮すると、該バンク構造を形成するステップは、該基板の表面層にフォトレジストを含む第１のバンク層を形成するステップ、第１のバンク層を光パターン形成および現像して該表面層の領域を露光させるステップ、第１のバンク層および該表面層の露光領域にフッ素化フォトレジスト溶液を堆積させて第２のバンク層を形成するステップ、第２のバンク層を焼成して硬化させるステップであって、該フッ素化フォトレジスト溶液のフッ素含有化合物が前記焼成中に第２のバンク層の表面に移行して、有機溶液と前記表面との接触角を増大させるステップ、ならびに第１のバンク層領域が第１の斜面を有し、第２のバンク層が第２の斜面を有するように、第２のバンク層を光パターン形成および現像して前記表面層の前記領域を再露光させるおよび第１のバンク層の領域を露光させるステップであって、該増大した接触角が該有機溶液と第１および第２の斜面との接触角よりも大きく、該ピン止め点が該移行したフッ素含有化合物を有する第２のバンク層表面の境界にあるステップを含む方法がさらに提供されてよい。該化合物が焼成の間に移行する表面は一般には、「自由表面」、すなわち外部環境、たとえば空気との界面と説明されてよい。このようなフッ素化フォトレジストを使用するいずれの実施形態においても、該フォトレジストはフォトレジスト製造者からフッ素化されて供給されてよく、または該プロセスがフッ素含有化合物を非フッ化フォトレジストに添加する追加ステップを有してよい。とにかく、第２のバンク層が硬化された後に、第２のバンク層は好ましくは、第１のバンク層よりも高濃度のフッ素含有化合物を含む。さらに第２のバンク層が現像されて第２のバンク層の一部が除去された後に、先に「自由表面」の部分であったものは、好ましくは除去により露光された第２のバンク層のエッジを有する濡れ／非濡れ境界を有し、このエッジは側壁の一部となっている。このため、デュアル傾斜側壁に加えてピン止め点が生成されてよい。
【００４０】
あるいは、一実施形態の該バンク構造を形成するステップが、該表面層にフッ素化フォトレジスト溶液を堆積させることによりバンク構造層を形成して、堆積された溶液を乾燥させてバンク構造層を硬化させるステップであって、該フッ素化フォトレジスト溶液のフッ素含有化合物が前記焼成の間に該バンク構造層の表面に移行して有機溶液と前記表面との接触角を増大させるステップ、該バンク構造層にてフォトレジスト層を堆積および乾燥させて、該フォトレジスト層を光パターン形成および現像するステップ、該エッチング済みバンク構造層が露光された表面層領域を包囲する前記側壁を有し、前記第１および第２の斜面を備えるように、該現像済みフォトレジスト層を介して前記バンク構造層をエッチングして前記表面層領域を露光させる、ドライエッチングステップ、ならびに該現像済みフォトレジスト層を除去して該バンク構造層の表面を露光させるステップであって、露光された表面が前記移行したフッ素含有化合物を含み、該表面エネルギー不連続性が該移行したフッ素含有化合物を含む露光された表面および該エッチング済み側壁の間の界面にあるステップを含む方法がさらに提供されてよい。ドライエッチングステップは、好ましくは酸素プラズマを使用する反応性イオンエッチングを含むことがある。上記と同様に、先に該バンク層の「自由表面」の一部であったものは、好ましくは、該バンク層の一部を除去する現像によって露光された該バンク層のエッジとの濡れ／非濡れ境界を有し、このエッジは側壁の一部となっている。このため、デュアル傾斜側壁に加えてピン止め点が生成されてよい。
【００４１】
このような実施形態において、該バンク構造を形成するステップが、該バンク構造層を現像および光パターン形成して該バンク構造層の側壁によって包囲された該表面層領域を露光させるステップを含み、該バンク構造層に該フォトレジスト層を堆積させるステップが該フォトレジスト溶液を該光パターン形成済みバンク構造層に堆積させるステップを含み、該フォトレジスト層を現像するステップが該表面層領域を再露光させるステップを含み、該表面層領域を露光させる該ドライエッチングステップが該バンク構造層を薄膜化することによって該露光された領域を延伸させて前記第１および第２の斜面を形成する方法がなおさらに提供されてよい。
【００４２】
あるいは、このような実施形態において、該フォトレジスト層を光パターン形成するステップが、該フォトレジスト層に実質的に非透過性の領域、部分透過性領域および実質的に完全透過性の領域（該部分透過性領域よりも高い透過率を少なくとも有する）を有するマスクを介して照射するステップを含み、ならびに該フォトレジスト層を現像するステップがフォトレジスト領域を完全に除去して、該部分透過性領域を介して照射に露光させたフォトレジスト領域を部分的に除去するステップを含む方法がさらに提供されてよい。
【００４３】
他のプロセス実施形態において、該バンク構造を形成するステップが、該表面層にフッ素化フォトレジスト溶液を堆積させることによってバンク層を形成するステップ、該バンク層を焼成して硬化させるステップであって、該フォトレジスト溶液のフッ素含有の化合物が前記焼成間に該バンク層の表面に移行して、有機溶液と該表面との接触角を増大させるステップ、該硬化済みバンク層を光パターン形成するステップであって、第１の照射線量で該バンク層の第１の領域に照射し、第２の照射線量で該バンク層の第２の領域に照射することを含み、前記第２の照射線量が該第１の照射線量よりも少ないステップ、該バンク層を現像して該表面層の領域を露光させて、前記第２の照射線量が照射された該バンク層の領域を部分的に除去するステップであって、部分的な除去によって該露光された領域が包囲され、該第１の斜面および該第２の斜面を有する側壁が設けられ、該ピン止め点が該移行したフッ素含有化合物を有する該バンク層と該側壁との間の境界にあるステップを含む方法がまたさらに提供されてよい。該第１の領域は、ネガ型またはポジ型フォトレジストのどちらを使用するかに応じて、表面領域に及ぶか、または保持される該バンク構造の部分に及ぶことがある。部分的な除去により、好ましくは該バンク層が薄膜化されて該表面層の該領域まで延伸されて、該側壁に沿って、ゆえにウェルに堆積される溶液処理可能層のエッジに沿って経路長をより長くするためのシェルフ構造が与えられる。
【００４４】
このようなプロセス実施形態において、該光パターン形成するステップが同時に第１のマスクおよび第２のマスクを介して該バンク層に照射することを含み、第１の領域に第１の線量を照射することが、第１の領域に第１および第２のマスクの完全透過性領域を介して照射することを含み、第２の領域に第２の線量を照射することが第２の領域に第１および第２のマスクそれぞれの少なくとも部分透過性の領域を介して照射することを含む方法がさらに提供されてよい。該少なくとも部分透過性の領域は、第１のマスクの完全透過性領域および／または第２のマスクの部分透過性領域を含んでよい。これらの領域の少なくとも１つは、好ましくは透過勾配を有する部分透過性領域である。
【００４５】
あるいは、このようなプロセス実施形態において、該光パターン形成するステップが該バンク層に部分透過性エリアおよびより（好ましくは完全に）透過性のエリアを有するマスクを介して照射することを含み、第１の領域に第１の線量を照射することが該第１の領域により透過性のエリアを介して照射することを含み、第２の領域に第２の線量を照射することが該第２の領域に該部分透過性エリアを介して照射することを含む方法がさらに提供されてよい。
【００４６】
あるいは、このようなプロセス実施形態において、反射体層を該表面層のエリアに堆積させるステップを含み、該フッ素化フォトレジスト溶液を堆積させるステップによって、該フッ素化溶液を該反射体層および該表面層に堆積させ、該光パターン形成するステップが該バンク層にマスクを介して照射することを含み、第１の領域に照射することが、第１の領域がマスクを介して直接受光した第１の線量の一部を吸収し、および第１のマスクから受光して該反射体層によって第１の領域中に戻り反射された線量の一部を吸収することを含む方法がなおさらに提供される。
【００４７】
好ましい実施形態は、添付された従属請求項で定義する。
【００４８】
上記の態様のいずれか１つ以上および／または好ましい実施形態の上の任意の特徴のいずれか１つ以上を、いかなる配列で組み合わせてもよい。
【００４９】
本発明をよりよく理解するために、および本発明が実施され得る方法を示すために、例として、添付図面をここで参照する。
【図面の簡単な説明】
【００５０】
【図１ａ】フッ素化バンク材料がアノード、たとえばＩＴＯ上にスピン処理され、光パターン形成されてウェルが設けられる製造方法の例を示す。
【図１ｂ】アノードからカソードまでの長い距離を画定するためにマスクに部分透過性領域を有する、シングル・マスク・ステップの使用を示す。
【図１ｃ】側壁経路長が短いＲＩＥパターン形成バンク画素（上と中間の図）、および、これに対して経路長がより長い実施形態による画素（下の図）の実装を示す。
【図１ｄ】図１ａまたは１ｂから形成されたバンクを有するデバイスを示す。
【図２】寿命（デバイスの安定性）プロットを示す。
【図３ａ】デュアル現像プロセスを示す。
【図３ｂ】シングルパターン形成層を備えたデュアル・マスク・プロセスを示す。
【図３ｃ】シングルパターン形成層によるシングルマスク部分透過性を示す。
【図３ｄ】反射エリアおよび閾値以下の露光線量を利用する、シングルパターン形成層によるシングル・マスク・プロセスを示す。
【図４ａ】実施形態のシェルフバンク断面の走査型電子顕微鏡画像を示す。
【図４ｂ】実施形態のシェルフバンク断面の走査型電子顕微鏡画像を示す。
【図４ｃ】実施形態のシェルフバンク断面の走査型電子顕微鏡画像を示す。
【図４ｄ】実施形態のシェルフバンク断面の走査型電子顕微鏡画像を示す。
【図４ｅ】実施形態のシェルフバンク断面の走査型電子顕微鏡画像を示す。
【図５】デバイスの活性領域でのＨＩＬ＋ＩＬ厚および発光ＣＩＥ値の変化を示す。
【図６】急傾斜のバンク構造境界の望ましい除去を示す。
【図７】標準および浅型バンク実施形態の正孔注入領域厚測定値のヒストグラムを示す。
【発明を実施するための形態】
【００５１】
概して、例示的なＯＬＥＤ実施形態の層は、以下の通りであってよい。
【００５２】
・基板、たとえば好ましくはＩＴＯ（８０ｎｍ）電極を備えた表面層および任意選択で微小共振器を形成するための反射層、たとえばＡｇを有するガラス。
【００５３】
・ＨＩＬ（正孔注入層）＝日産化学工業製のＮＤ３２０２ｂを使用してインクジェット印刷されている
・ＩＬ（中間層）
・発光ポリマーＬＥＰ、たとえば緑色発光ポリマーを含むＥＬ（発光層）
実施形態は一般には、たとえば経路長がより長いシングル・バンク・アーキテクチャを設けて、リーク電流を低減する。ＯＬＥＤでは、このような経路長は、アノード表面（たとえばＩＴＯ）とＨＩＬ−ＩＬ−ＥＬ同時流体ピン止め点との間であってよい。高抵抗ＨＩＬに沿ったこのようにより長い経路長によって、いずれの考えられる無給電リーク電流および／または非発光型エッジ・デバイス・ダイオードに対する高抵抗経路が形成され得る。このようなバンク構造により、ＯＬＥＤ寿命安定性の改善が示されている。
【００５４】
このような実施形態のためのいくつかのバンク製造プロセスを以下の説明で検討する。たとえば、（ｉ）第２層パターン形成および部分反応性イオンエッチング（ＲＩＥ）による現像疎水性バンク、（ｉｉ）ＲＩＥマスキング層のための部分露光画素エッジを備えた未パターン形成疎水性バンク、（ｉｉｉ）デュアル現像プロセス、（ｉｖ）シングルパターン形成層によるデュアル・マスク・プロセス、（ｖ）シングルパターン形成層によるシングルマスク部分透過性（リーク性）プロセス、ならびに（ｖｉ）反射エリアおよび閾値以下の露光線量を利用するシングルパターン形成層によるシングル・マスク・プロセス。
【００５５】
このようなプロセスの例によって、部分酸素プラズマ・エッチ・シェルフを備えたシングル現像疎水性バンクが設けられることがある。有利には、シングル現像疎水性バンクおよび続いてのパターン形成ステップによって、酸素プラズマにＩＴＯエリアをクリーンアップさせて、所定量のバンクの部分エッチングもさせることができる。ＩＴＯおよび部分エッチングされたバンクは好ましくは親水性であり、ＨＩＬによって該疎水性バンクの未エッチングエリアまで濡らすことができる。ＨＩＬのセクションは、下にＨＩＬピン止め点までバンクを有し、これをＩＬおよびＥＬと共に共有する。該活性アノードは、該カソードから長く好ましくはデバイス設計可能な距離によって隔離されているため、たとえば高抵抗ＨＩＬを使用する場合に生じる電気リークがより低くなる。
【００５６】
ＯＬＥＤのシングル・バンク・アーキテクチャは、このため、アノード表面と該ＨＩＬ−ＩＬ−ＥＬ同時流体ピン止め点との間に、濡れ性アノード表面（ＩＴＯ）およびより長い経路長を設けることによって改善され得る。このようにより長い経路長によって、いずれの考えられる無給電リーク電流にとっても高い高抵抗オプションが生成され得る。実施形態によって、アノード−カソード経路を制御された方式で延長することができ、したがって無給電リーク電流を低減するように調整可能であり、次いでデバイス効率が改善され得る。
【００５７】
加えてもしくはまたは、このようなプロセスは、デュアル・バンク・アーキテクチャと比べて構造上の複雑性を低減し得る。
【００５８】
図１ａは、フッ素化バンク材料（バンク構造層１２）がアノード（表面層１１）、たとえばＩＴＯ上にスピン処理され、光パターン形成されてウェルが設けられる（表面層領域１３の上のエリアを参照）製造方法の例を示す。該バンク材料を覆ったフォトレジスト１４の層を次に光パターン形成して、追加処理を行ってバンクのセクションを除去し、それゆえ絶縁バンクシェルフを延長する。このような追加処理には、該バンク材料を途中までエッチングするために適用される反応性イオンエッチングが含まれてよい。フォトレジストは追加処理後に除去される。該ウェルのエッジにおけるバンク材料のプロファイルは、このため、該プロファイルによってより長い経路が設けられるように変更される。図１ａの第１の斜面ｓ１および第２の斜面ｓ２に沿った例示にすぎない細線によって示されるように、エッチングによって、フォトレジストの除去により露光された表面１５までのより長い電気経路が生じる。
【００５９】
図１ｂに示す代替的手法では、該マスクにおける部分透過性領域によるシングル・マスク・ステップを使用して、該バンクシェルフのために長いアノード−カソード間距離を画定する。ＲＩＥステップは、好ましくは、薄いポジ型マスキング層がある画素エッジをエッチングする。ＲＩＥによって画素がエッチング除去され、マスキング層が薄いために画素のエッジがプラズマに露光される。該アノード−カソード間距離、したがって無給電リーク電流の量は、この手法を使用して、現像されたバンク画素のマスク設計サイズをＲＩＥパターン形成カットアウトの寸法に対して変更することによって調整できる。これは、該画素ではそれぞれ通例、アノードからカソードまで短い経路長が設けられ（青色エリア）、通例、長さが調整できない、簡単な光パターン形成バンク画素および／または簡単なＲＩＥパターン形成バンク画素とは対照的である。詳細には、図１ｂは、表面層２１、バンク構造層２２、表面層領域２３、フォトレジスト層２４、斜面ｓ１およびｓ２ならびに表面２５を示す。
【００６０】
（図１ｃは、側壁経路長が短いＲＩＥパターン形成バンク画素（上と中間の図）、および、これに対して経路長がより長い実施形態による画素（下の図）の製造を示す。）
図１ｄは、上記のプロセス実施形態から形成されたバンクを有し、ＨＩＬ（正孔注入層）の形の溶液処理可能層Ｌ１ならびにＩＬ（中間層）および／またはＬＥＰ（発光ポリマー）層の形のさらなる溶液処理可能層Ｌ２をさらに備えたデバイスを示す。図１ｄからわかるように、ＨＩＬ、ＩＬおよびＬＥＰ流体は同時ピン止め点を有する。ＩＬおよび／またはＬＥＰ層はＥＩＬ（電子注入層）によって被覆されてよく、ＥＩＬは次にカソード層に被覆されてよい。好ましくはこのようなＥＩＬは層Ｌ１およびＬ２のピン止め点を共有しないが、これらの層を被覆して、該バンク構造の隣接エリアを覆って延伸する。カソード層は、該ＥＩＬをコンフォーマルコーティングして該層および隣接エリアを覆って延伸する実施形態において、好ましくは該ＥＩＬに直接堆積させてよい。
【００６１】
上記の観点より、一実施形態によって、たとえば該アノードピン止め点を該カソードから隔離するデュアル・バンク・システムに対して、長い絶縁シェルフを備えたシングルバンク構造が提供される。シングル疎水性バンクを使用してよく、それに続くパターン形成プロセスが適用されて該バンクシェルフが伸長されてよい。一実施形態において、該ＩＴＯおよびバンクシェルフを親水性として、該ＨＩＬを該バンクが疎水性となる所定の点（インクピン止め点）までウェットアウトすることができる。該ＨＩＬのあるセクションは、下にＨＩＬピン止め点までバンクを有し、これをＩＬおよびＬＥＰと共に共有する。高抵抗ＨＩＬを使用することによって、活性アノードを長い（およびデバイス設計可能な）距離によって該カソードから隔離することができる。
【００６２】
実施形態によって、アノード−カソード経路を制御された方式で増大させることができ、したがって無給電リーク電流を低減するように調整可能であり、寿命試験にてより安定な（および反復可能な）デバイス輝度が生じる。これに対して、標準フォトリソグラフィープロセスまたはより複雑であるが標準のＲＩＥ（反応性イオンエッチング）プロセスによって形成されたシングルバンクによって、画素（バンク）画定のための安価な方法が提供され得る。しかしどちらの標準技法も、該画素（デバイス）エッジに残されるアノード−カソード経路長が短い。該アノード（ＩＴＯ）表面と該ＨＩＬ−ＩＬ−ＥＬ−カソード同時ピン止め点との間の短い経路長（短いシェルフ）によって、長時間駆動させたときにデバイスが不安定となることが示されている。
【００６３】
図１ａはまた、長いシェルフを有するシングルバンクのプロセスフローの実施形態を示すとみなすことができる。該プロセスは、長いバンクシェルフを生成するためのデュアル・ステップ・パターン形成プロセスを包含する。アノード（ＩＴＯ）からインクピン止め点までの該シェルフの長さは、該アノードからの電気的絶縁を与えるための該シェルフの深さによって可能であるように、第２パターン形成ステップによって制御することが可能である。該アノード−カソード間距離（例示にすぎない細線を参照）およびしたがって、無給電リーク電流の量は、第２パートパターン形成ステップの画素寸法に対して現像されたバンク画素のマスク設計サイズを変更することによって調整することができる。このような実施形態は、それぞれ通例、アノードからカソードまで短い経路長を与え（＜１μｍ）、通例、（バンク高さによる以外）長さが調整できない、たとえば光パターン形成バンク画素または簡単なＲＩＥパターン形成バンク画素と比較して、長いシェルフデバイス（たとえば＞２μｍ）を生成する。
【００６４】
アノード−カソード間の距離は、該バンクをより高くすることによってもより長くすることができるが、このことは一般には該画素エッジにて該ＨＩＬ−ＩＬ−ＥＬプロファイルに負の影響を有することがあり、これらをより厚くして、不均一な発光を生じさせる。
【００６５】
好ましくは、実施形態の該ＨＩＬ、ＩＬおよびＥＬはすべて同時ピン止め点を有する。これによりアノードからカソードまでの長いリーク経路が生じ、ここでＨＩＬ（導電性正孔注入層）が金属製カソードと接触する。この影響は、高抵抗ＨＩＬを使用することによって、次に上記のような長い横方向のＨＩＬ距離を介して該アノード（ＩＴＯ）を該カソードから隔離することによって最小限に抑えられる。
【００６６】
デバイスの結果を考慮すると、寿命試験の間のデバイス安定性は著しい改善を示した。実施形態において、シェルフが長いことにより、抵抗（経路長）がＨＩＬ−ＩＬ−ＥＬが接触する点まで増大されて、画素エッジダイオード効果（非発光型薄型ダイオードである）が著しく低減する。
【００６７】
図２は、寿命（デバイス安定性）プロットを示す。シングルバンク−短シェルフデバイス（点線）の初期ブライトウェーブ（固定電流にて上昇する輝度）が、デバイス間でかなり変化することがわかる。これは存在する垂直リーク経路が試験中に「熱焼損」して、電流再配分が引き起こされたことによって起こると思われる。図２において、シングルバンク−長シェルフ（連続曲線）は、ブライトウェーブの大きさの分布がはるかに狭いことを示し、該効果がリーク電流に関連しないと思われることを意味する。このバンクを使用して材料およびプロセス安定性を評価することが可能である。シングルバンク−長シェルフ機構では、寿命（デバイス劣化）がより予測可能性が高く、画素−エッジデバイス効果への依存性がはるかに低い。このため、長シェルフを備えたシングル疎水性バンクは、ＯＬＥＤ寿命安定性に関して改善を示している。
【００６８】
プロセスの複雑性を考慮して、単純化されたプロセス方法によって、リークを低減するための絶縁長シェルフを用いてシングル・バンク・アプローチを生成することにより、長シェルフシングル疎水性バンクが生成されることがあり、および／またはデュアル・バンク・アーキテクチャと比べて複雑性が低減され得ることに留意する。有利には、このような単純化された実施形態によって、該アノード−カソード経路を制御された様式で延長させて、したがってデバイス効率を低下させる無給電リーク電流を調整自在に低減させることができる。実施形態では、シングルバンク画素を実現するための代替的な単純化されたアプローチを扱う。
【００６９】
さらにプロセスの複雑性に関して、図１ａのプロセス方法は、第２層パターン形成および部分反応性イオンエッチング（ＲＩＥ）によって現像された疎水性バンクを包含する。これには２回のリソグラフィックパターン形成ループ（たとえば洗浄、焼成、コーティング、焼成、露光、焼成、現像、バンク硬化、コーティング、露光、現像）に加えて、ＲＩＥステップおよびポジ型レジスト剥離が必要なことがある。
【００７０】
しかし図１ｂの実施形態では、たとえば図１ａに示すような、たとえばＯＬＥＤデバイス安定性に必要な長シェルフを生成するために２回の光パターン形成ステップに加えて反応性イオンエッチングを使用する実施形態と比較すると、長シェルフシングル現像疎水性バンクのプロセスが単純化されることがある。
【００７１】
しかし図１ｂに示すような第１の単純化は、該ＲＩＥマスキング層に部分露光画素エッジを有する未パターン形成疎水性バンクを示す。このプロセスにより、第１のパターン形成ループでのマスクおよび現像ステップの必要がなくなる。
【００７２】
デュアル現像プロセスと呼ばれる、代替的な単純化を図３ａに示す。このプロセスにより、ＲＩＥおよび剥離ステップの必要がなくなることがある。好ましくは、第１のパターン形成バンクは薄く、画素中への浅型斜面を有する。好ましくは、第１の薄型バンク層は、堆積、たとえばスピンオンおよび硬化される。該薄型層は次に光パターン形成され、続いて現像されて該アノードの領域が露光され、該層は該露光された領域までゆるやかな斜面を有する。次にさらなるバンク層が堆積、光パターン形成および現像される。有利には、種、たとえばフルオロ種、たとえばフルオロ部分はさらなるバンク層内でこの層の焼成中にさらなるバンク層の上面まで移行して、該露光された領域上に堆積される溶液に対して該上面を該さらなるバンク層の側壁（好ましくはまた、該薄型層の側壁）よりも濡れにくくする。具体的には、図３ａは、表面層３１、第１のバンク層３２、表面層領域３３、表面３４ならびに斜面ｓ１およびｓ２を備えた第２のバンク層を示す。
【００７３】
図３ｂは、シングルパターン形成層によるデュアル・マスク・プロセスの形の代替的な単純化を示す。これは、ポジ型レジスト層のないシングルパターン形成ステッププロセスであるが、２つのフォトマスクおよびデュアル露光ステップを必要とすることがある。上マスク（マスク２）は、該斜面ｓ１およびｓ２をより急傾斜で画定する勾配マスクであってよい。具体的には、図３ｂは表面層４１、バンク層４２、表面層領域４３、斜面ｓ１およびｓ２ならびに表面４５を示し、領域４４は、該領域４４間または表面４５下の（複数の）第１の領域に対する該バンク層の第２の領域である。
【００７４】
図３ｃは、シングルパターン形成層によるシングルマスク部分透過性（リーク）プロセスのさらなる代替的な単純化を示す。これはポジ型レジスト層のないシングルパターン形成ステッププロセスであり、より高コストのフォトマスクを必要とすることがあるが、シングル露光ステップによるものである。具体的には、図３ｃは表面層５１、バンク層５２、表面層領域５３、斜面ｓ１およびｓ２ならびに表面５５を示し、領域５４は、該領域５４間または表面５５下の（複数の）第１の領域に対する該バンク層の第２の領域である。部分透過性、たとえばサブレゾリューション・フィーチャ・マスクは、該斜面ｓ１およびｓ２をより急傾斜で画定する勾配マスクであってよい。
【００７５】
図３ｄは、またさらなる代替的な単純化である、反射エリアおよび閾値以下の露光線量を利用する、シングルパターン形成層によるシングル・マスク・プロセスを示す。これは、ポジ型レジスト層のないシングルパターン形成ステッププロセスであり、シングル露光ステップである。前の層の設計には、高い線量の領域を生成して該バンクを完全に架橋させるために使用される反射エリアを包含させることができる。アノード−カソード間距離、したがって無給電リーク電流の量は、このアプローチを使用して調整できる。具体的には、図３ｄは表面層６１、バンク層６２、表面層領域６３、斜面ｓ１およびｓ２ならびに表面６５を示し、領域６４は、該表面６５下の（複数の）第１の領域に対する該バンク層の第２の領域である。
【００７６】
これは、それぞれ通例、アノードからカソードまで短い経路長が設けられ（青色エリア）、通例、長さが調整できない、光パターン形成シングルバンク画素および／またはＲＩＥパターン形成バンク画素とは対照的である。図１ｃを参照のこと。
【００７７】
上記の各種のアプローチおよび実施形態に関して、図４は多様なシェルフバンクの画像例を示す。図４ａはデュアル現像長シェルフバンクを示し、図４ｂはＨＩＬを有するデュアル現像長シェルフバンクを示し、図４ｃはＲＩＥ済みノッチによる長シェルフバンクを示し、図４ｄはシングル現像バンクを示し、図４ｅはＨＩＬを有するシングル現像バンク（短シェルフ（シェルフなし））を示す。
【００７８】
微小共振器プラットフォームでのＯＬＥＤデバイスの性能を最大限にするためには、ＨＩＬ＋ＩＬの扁平厚プロファイルが所望である。インクジェット印刷デバイスにおいて、厚さプロファイルは、下にあるバンク構造に依存する。以下では、シングルバンクインクジェット印刷デバイスにおける好適な扁平厚プロファイルを実現するために好ましいバンクプロファイルについて詳説する。有利には、このようなプロファイルによって、バンクシェルフからアクティブエリアへの段階的移行がもたらされることがあり、この移行によって印刷されたＨＩＬにより微小共振器ＯＬＥＤデバイスに好適な扁平プロファイルが形成される。
【００７９】
段階的シェルフ・シングル・バンク＋非水性ＨＩＬを使用する扁平フィルムプロファイルについて具体的に考慮すると、実施形態によりバンクシェルフからアクティブエリアまでの段階的移行が与えられることがあり、これによって印刷されたＨＩＬにより微小共振器ＯＬＥＤデバイスに好適な扁平プロファイルが形成される。微小共振器プラットフォームでのＯＬＥＤデバイスの性能を最大限にするために、ＨＩＬ＋ＩＬの扁平厚が所望である。インクジェット印刷デバイスにおいて、厚さプロファイルは、下にあるバンク構造に依存する。実施形態によって、シングルバンクインクジェット印刷デバイスにおいて好適な扁平厚プロファイルを実現するためのバンクプロファイルが提供される。
【００８０】
考えられる最良のカラー点において最高の性能を実現するには、一般には、微小共振器ＯＬＥＤデバイスにおける層厚およびプロファイルの精密な制御が必要である。さらに、ＨＩＬ＋ＩＬ層が著しく不均一であると、アウトカップリングが最適でないプロファイル領域が存在するようになり、性能が低下する。
【００８１】
たとえば、インクジェット印刷デバイスについて、ＨＩＬ＋ＩＬ厚の幅断面を図５に示す。該画素のエッジエリアによって、中央領域と比較して著しい増肉化が示されていることがわかる。ＣＩＥ座標は、標的色点からこれらの領域へ移動する。このことにより、デバイス全体の性能が損なわれる。
【００８２】
バンクタイプが現像されて、エッジの増肉の量が最小限に抑えられ、したがって印刷性能が向上してきた。ＨＩＬはバンクプロファイルを厳密に追跡できないため、シェルフからＩＴＯへの急勾配の移行によってエッジ増肉が起こる。
【００８３】
段階的バンクシェルフを有する実施形態を図６に示す。下の図には上の丸で囲んだ領域の詳細図が含まれ、下の図の右側には段階的な下方傾斜が示され、このような下方傾斜のない実施形態（左側）と比較されている。
【００８４】
この段階的シェルフバンクタイプの使用により、インクジェット印刷プラットフォームでのデバイス性能の最大化が示されたため、これはＳＣ（スピンコートデバイス）データ（緑色光を発光するデバイスについて示されたデータ）と同程度である。
【表１】
2015043319.tif 000003
【００８５】
ここで、ＣＩＥ  １９７６色空間（「ＣＩＥＬＵＶ」）のｕ’、ｖ’定義を使用して、ＤＥ＝Ｄ（ｕ’ｖ’）である。表は、インクジェット印刷デバイス、たとえば段階的シェルフバンクデバイスはスピンコートデバイスに匹敵する性能を有することを示している。
【００８６】
さらにこの点において、１９３１  ＣＩＥ  ＸＹＺ色空間のＣＩＥｘｙからＣＩＥＬＵＶのＣＩＥｕ’ｖ’への変換（すなわちＣＩＥ１９３１→ＣＩＥ１９７６）は、
【数１】
2015043319.tif 000004
【００８７】
によって与えられ、ＣＩＥＬＵＶのｕ’、ｖ’定義を使用した色差測定基準ＤＥは、
【数２】
2015043319.tif 000005
【００８８】
すなわちＣＩＥ  １９７６空間におけるユークリッド距離によって与えられることに留意する。
【００８９】
上記の「段階的シェルフバンク」デバイスなどの実施形態では、緑色発光のＣＩＥｘおよびｙ標的（ＮＴＳＣ）はそれぞれ０．２１３および０．７２４である。ＣＩＥｘｙ測定値はミノルタ比色計を使用して得て、ｄＥはＣＩＥｘｙを使用して計算した。
【００９０】
ｄＥ＝０．０２は実施形態で許容されるものに対して好ましい上限であるが、０．００５、０．０１または０．０１５がより望ましい。
【００９１】
図７は、標準バンクが、段階的シェルフバンクを有する実施形態よりも厚い領域をより大きな割合で有することを示すヒストグラムである。該ヒストグラムは、バンク構造の側壁に包囲された該表面層領域を覆うアクティブエリアに規則的に隔設された点で厚さを測定することによって得る。「標準バンク」を有するデバイスは、図６の上の図に示すのと同様に、実質的に一定の厚さの長シェルフを有するデバイスである。「浅型バンク」を有するデバイスは、好ましくは５、１０、１５または２０度未満の角度の第１の斜面を有するデバイスの該表面層に向かって先細となっている長シェルフを有する。「浅型バンク」デバイスは「標準バンク」デバイスよりも厚さの分布がより狭く、したがってＯＬＥＤにおいてより制御されたアウトカップリング（光吸収デバイスではインカップリング）が可能となる。
【００９２】
おそらく当業者は多くの他の代替案を想起するであろう。本発明は記載した実施形態に限定されず、本明細書に添付された特許請求の範囲の精神および範囲内の、当業者に明らかな変更を含むことが理解される。
【００９３】
１．  表面層および前記表面層上のウェル画定バンク構造を有する基板を備えた光電子デバイスであって、前記バンク構造が電気絶縁材料を含み、前記表面層の領域を包囲して前記ウェルを画定する側壁を有し、前記表面層領域が第１の電極を備え、前記デバイスが第２の電極ならびに前記第１および第２の電極の間に配置された半導体材料をさらに備え、前記デバイスが、
完全光反射層、
部分光反射層、ならびに
少なくとも１つの層を備える層構造であって、少なくとも１つの前記層が溶液処理可能層であり、前記層構造が半導体材料を含み、前記完全光反射層と前記部分光反射層との間に配置され、前記表面層領域が前記反射層の１つを備え、前記溶液処理可能層が前記表面層領域上および前記側壁の前記第１および第２の斜面上に配置され、
前記完全光反射層および該部分光反射層が前記層構造において発生した光のための共振空洞を設けるために配置されている、層構造
を備える光共振器を備え、
前記側壁が前記表面層領域から延伸する第１の斜面および該第１の斜面から延伸する第２の斜面を有し、前記第１の斜面が前記第２の斜面よりも急傾斜でなく、前記層構造の少なくとも１つの層の厚さのヒストグラムの半値全幅が５ｎｍ未満であり、前記厚さが少なくとも前記表面層領域の実質的に規則的に隔設された各点を覆って配置され、前記点が前記表面層領域と前記側壁との間の境界における第１の点および該表面層領域上の、前記境界から少なくとも１０μｍ隔設された第２の点を含む、光電子デバイス。
【００９４】
２．  前記厚さが前記該溶液処理可能層の厚さを含む、１に記載の光電子デバイス。
【００９５】
３．  オンの場合に０．０２以下の、より好ましくは０．０１以下のＣＩＥ色空間における最大色差を有する光を放出するように構成された、１または２に記載の光電子デバイス。
【００９６】
４．  前記完全光反射層および前記部分光反射層の少なくとも１つが前記第１および第２の電極の一方を備え、好ましくは前記第１の電極が前記部分光反射層を構成する、１から３のいずれか一に記載の光電子デバイス。
【００９７】
５．  前記光共振器が微小共振器を備える、１から４のいずれか一に記載の光電子デバイス。
【００９８】
６．  前記第１の斜面が前記デバイス表面層に対して２０度以下の、好ましくは１０度未満の斜面角度を有する、１から５のいずれか一に記載の光電子デバイス。
【００９９】
７．  前記第１の斜面が前記第２の斜面との境界にて３００ｎｍ未満の、好ましくは２００ｎｍ未満のバンク構造厚まで延伸し、好ましくは前記第１および第２の斜面の少なくとも一方が１００ｎｍから１５０ｎｍのバンク構造厚に沿って延伸する、１から６のいずれか一に記載の光電子デバイス。
【０１００】
８．  前記第２の斜面が少なくとも３００ｎｍ、好ましくは少なくとも１μｍの該表面層の上の第２のバンク構造厚まで延伸する、１から７のいずれか一に記載の光電子デバイス。
【０１０１】
９．  前記第１の斜面が該表面層に沿って少なくとも１μｍの長さにわたって延伸し、好ましくは前記第２の斜面が前記表面層に沿って少なくとも８μｍの長さにわたって延伸し、好ましくは前記側壁が前記表面層に沿って少なくとも１０μｍの長さにわたって延伸する、
１から８のいずれか一に記載の光電子デバイス。
【０１０２】
１０．  前記第１の斜面が第１のバンク構造厚Ｈ１まで延伸し、前記第２の斜面が第２のバンク構造厚Ｈ２まで延伸し、前記第２のバンク構造厚が前記第１のバンク構造厚を含み、Ｈ１が０．３＊Ｈ２以下である、１から９のいずれか一に記載の光電子デバイス。
【０１０３】
１１．  少なくとも１つの前記溶液処理可能層が前記第１の斜面から隔設された前記第２の斜面上に点にピン止め点を有する、１から１０のいずれか一に記載の光電子デバイス。
【０１０４】
１２．  前記側壁がバンク構造厚Ｈまで延伸し、前記表面領域と前記ピン止め点までの前記表面層上の最も近い点との間の距離が少なくとも１０＊Ｈである、１から１１のいずれか一に記載の光電子デバイス。
【０１０５】
１３．  前記バンク構造が少なくとも１つのフォトレジスト層を備え、前記フォトレジスト層が前記第２の斜面上に点を有し、フッ素含有化合物を含む、１から１２のいずれか一に記載の光電子デバイス。
【０１０６】
１４．  前記バンク構造が複数のフォトレジスト層を備え、前記フォトレジスト層が前記第１の斜面を有する、１３に記載の光電子デバイス。
【０１０７】
１５．  前記バンク構造が前記フッ素含有化合物を含み、前記第１および第２の斜面を有する前記フォトレジスト層を備える、１３または１４に記載の光電子デバイス。
【０１０８】
１６．  前記デバイスが発光デバイスまたは光吸収デバイスであり、好ましくは光吸収デバイス、たとえば有機光起電力デバイス（ＯＰＶ）または発光デバイス、たとえば有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）である、１から１５のいずれか一に記載の光電子デバイス。
【０１０９】
１７．  前記デバイスがＯＬＥＤであり、前記溶液処理可能層が正孔注入層（ＨＩＬ）を設けるための有機半導体材料から成る、１から１６のいずれか一に記載の光電子デバイス。
【０１１０】
１８．  少なくとも１つの前記溶液処理可能層がＨＩＬを設けるために前記材料を覆って配置されたさらなる有機半導体材料を備え、前記さらなる有機半導体材料が中間層（ＩＬ）または発光層（ＥＬ）を設けるためのものである、１７に記載の光電子デバイス。
【０１１１】
１９．  表面層および前記表面層上のウェル画定バンク構造を有する基板を備えた光電子デバイスを製造する方法であって、前記バンク構造が電気絶縁材料を含み、前記表面層の領域を包囲してウェルを画定する側壁を有し、前記表面層領域が第１の電極を備え、前記デバイスが第２の電極および第１の電極および第２の電極の間に配置された半導体材料をさらに備え、
第１の光反射層を備える前記表面層を形成するステップ、
前記表面層領域から延伸する第１の斜面および前記第１の斜面から延伸する第２の斜面を備える前記側壁を有する前記バンク構造を形成するステップ、ならびに
光共振器を形成するステップであって、
少なくとも１つの層を有し、前記第１の光反射層上に配置された層構造を形成するステップであって、少なくとも１つの前記層が溶液処理可能層であり、前記層構造が前記半導体材料を含み、該表面層領域上および前記側壁の前記第１および第２の斜面上に有機溶液を堆積させて該溶液処理可能層を形成することおよび前記堆積有機溶液を乾燥させることを含む、ステップ、ならびに
前記層構造を覆って第２の光反射層を形成するステップであって、
前記光反射層の１つが完全光反射層であり、前記光反射層のもう１つが部分光反射層であり、前記反射層が前記層構造において発生した光のための共振空洞を設けるステップによって光共振器を形成するステップ
を含む、光共振器を形成するステップ
を含み、
前記第１の斜面が前記第２の斜面よりも急傾斜でなく、前記形成された層構造の少なくとも１つの層の厚さのヒストグラムの半値全幅が５ｎｍ未満であり、前記厚さが少なくとも前記表面層領域の実質的に規則的に隔設された各点を覆って配置され、前記点が前記表面層領域と前記側壁との間の境界における第１の点および該表面層領域上の、前記境界から少なくとも１０μｍ隔設された第２の点を含む、方法。
【０１１２】
２０．  前記厚さが前記溶液処理可能層の厚さを含む、１９に記載の方法。
【０１１３】
２１．  オンの場合に０．０２以下の、より好ましくは０．０１以下のＣＩＥ色空間における最大色差を有する光を放出する前記デバイスを製造するための、１９または２０に記載の方法。
【０１１４】
２２．  前記完全光反射層および前記部分光反射層の少なくとも１つが前記第１および第２の電極の一方を備え、好ましくは前記第１の電極が前記部分光反射層を構成する、１９から２１のいずれか一に記載の方法。
【０１１５】
２３．  前記光共振器が微小共振器を備える、１９から２２のいずれか一に記載の方法。
【０１１６】
２４．  前記第２の斜面が前記第１の斜面より急傾斜であり、前記側壁が前記第１の斜面から隔設された前記第２の斜面上の点にて表面エネルギー不連続性を有し、前記堆積有機溶液が前記第１および第２の斜面を前記表面エネルギー不連続性におけるピン止め点まで濡らす、１９から２３のいずれか一に記載の方法。
【０１１７】
２５．  少なくとも１つのさらなる溶液を前記溶液処理可能層上に堆積させるステップであって、前記少なくとも１つのさらなる溶液が前記ピン止め点までウェットアウトさせるステップ、および前記堆積少なくとも１つのさらなる溶液を乾燥させるステップを含む、２４に記載の方法。
【０１１８】
２６．  前記デバイスが発光デバイスもしくは光吸収デバイス、好ましくは光吸収デバイス、たとえば有機光起電力デバイス（ＯＰＶ）または発光デバイス、たとえば有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）である、１９から２５のいずれか一に記載の方法。
【０１１９】
２７．  前記デバイスがＯＬＥＤであり、前記有機溶液が正孔注入層（ＨＩＬ）を設けるためのものである、１９から２６のいずれか一に記載の方法。
【０１２０】
２８．  少なくとも１つのさらなる溶液処理可能層を前記溶液処理可能層ならびに前記第１および第２の電極の間に形成することを含み、前記さらなる溶液処理可能層が中間層（ＩＬ）または発光層（ＥＬ）を設けるためのものである、２７に記載の方法。
【０１２１】
２９．  前記有機溶液の接触角が、前記第１の斜面および前記第１の斜面から前記ピン止め点まで延伸する第２の斜面領域の少なくとも１つに堆積している場合、１０度以下である、２４から２８のいずれか一に記載の方法。
【０１２２】
３０．  前記有機溶液の接触角が、前記ピン止め点より前記第１の斜面から離れるように延伸する前記バンク構造の領域に堆積している場合、５０度以上である、２４から２９のいずれか一に記載の方法。
【０１２３】
［要約］
光電子デバイスは、第１の電極、第２の電極、前記第１および第２の電極の間に配置された半導体材料ならびに前記第１の電極を含む表面層領域を包囲するウェルを画定する電気絶縁バンク構造を備え、前記デバイスは、完全光反射層、部分光反射層、ならびに前記半導体材料を含み、前記完全光反射層および前記部分光反射層の間に配置された少なくとも１つの溶液処理可能層を備えた層構造を備えた光共振器を有する。前記表面層領域は前記反射層の１つを備え、前記溶液処理可能層は該表面層領域上ならびに前記側壁の前記第１および第２の斜面上に配置されている。前記完全光反射層および前記部分光反射層は配置されて、前記層構造において発生した光のための共振空洞を設け、前記側壁は前記表面層領域から延伸する第１の斜面および前記第１の斜面から延伸するより急傾斜の第２の斜面を有する。前記層構造の少なくとも１つの層の厚さのヒストグラムの半値全幅が５ｎｍ未満であり、前記厚さが少なくとも前記表面層領域の実質的に規則的に隔設された各点の上を覆って配置され、前記点が前記表面層領域と前記側壁との間の境界における第１の点および該表面層領域上の、前記境界から少なくとも１０μｍ隔設された第２の点を含む。
【符号の説明】
【０１２４】
１１、２１、３１、４１、５１、６１  表面層
１２、２２  バンク構造層
１３、２３、３３、４３、５３、６３  表面層領域
１４、２４  フォトレジスト層
１５、３４、４５、５５、６５  表面
３２  第１のバンク層
４２、５２、６２  バンク層
４４、５４、６４  領域
Ｓ１  第１の斜面
Ｓ２  第２の斜面
Ｌ１、Ｌ２  溶液処理可能層
【図１ａ】
2015043319.tif 000006
【図１ｂ】
2015043319.tif 000007
【図１ｃ】
2015043319.tif 000008
【図１ｄ】
2015043319.tif 000009
【図２】
2015043319.tif 000010
【図３ａ】
2015043319.tif 000011
【図３ｂ】
2015043319.tif 000012
【図３ｃ】
2015043319.tif 000013
【図３ｄ】
2015043319.tif 000014
【図４ａ】
2015043319.tif 000015
【図４ｂ】
2015043319.tif 000016
【図４ｃ】
2015043319.tif 000017
【図４ｄ】
2015043319.tif 000018
【図４ｅ】
2015043319.tif 000019
【図５】
2015043319.tif 000020
【図６】
2015043319.tif 000021
【図７】
2015043319.tif 000022
【外国語明細書】
2015043319000001.pdf