(57)【要約】【課題】透明導電膜を備え、かつ、透過率に優れた積層膜の製造方法及び積層膜を提供する。【解決手段】反射防止膜の上に透明導電膜が積層された積層膜の製造方法は、Ａｌ、Ｚｎ、Ａｌ化合物、Ｚｎ化合物及びＡｌ−Ｚｎ合金からなる群から選択される１種以上の成分からなるＡｌ／Ｚｎ含有膜を含む下層膜を基材上に形成する工程と、下層膜を水熱処理して反射防止膜を得る工程と、反射防止膜の上に透明導電膜を形成する工程と、を有する。下層膜は、Ｍｇ、Ｍｇ合金及びＭｇ化合物からなる群から選択される１種以上の成分からなるＭｇ含有膜を更に含むのが好ましい。また、下層膜が、Ａｌ／Ｚｎ含有膜を複数備え、かつ、Ｍｇ含有膜が、少なくとも前記Ａｌ／Ｚｎ含有膜間に配置されるのがより好ましい。【選択図】図５
2015163918.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
反射防止膜の上に透明導電膜が積層された積層膜の製造方法であって、
Ａｌ、Ｚｎ、Ａｌ化合物、Ｚｎ化合物及びＡｌ−Ｚｎ合金からなる群から選択される１種以上の成分からなるＡｌ／Ｚｎ含有膜を含む下層膜を基材上に形成する工程と、
前記下層膜を水熱処理して反射防止膜を得る工程と、
前記反射防止膜の上に透明導電膜を形成する工程と、を有する、積層膜の製造方法。
【請求項２】
前記下層膜が、Ｍｇ、Ｍｇ合金及びＭｇ化合物からなる群から選択される１種以上の成分からなるＭｇ含有膜を更に含む請求項１記載の積層膜の製造方法。
【請求項３】
前記下層膜が、前記Ａｌ／Ｚｎ含有膜を複数備え、
前記Ｍｇ含有膜が、少なくとも前記Ａｌ／Ｚｎ含有膜間に配置される、請求項２記載の積層膜の製造方法。
【請求項４】
請求項１から３いずれかに記載の方法により製造された積層膜。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、反射防止膜の上に透明導電膜が積層された積層膜の製造方法及び積層膜に関する。
【背景技術】
【０００２】
透明導電膜は、液晶ディスプレイ、太陽電池等の電極として使用されており、透明性、導電性等の向上の観点から様々なものが開発されている。
【０００３】
例えば、特許文献１には、透明導電膜の表面に、５５０ｎｍの波長で所定の屈折率を有するカーボン膜が積層された積層膜及び該積層膜の製造方法が開示されている。特許文献１の製造方法は、該カーボン膜が低屈折率を有するように構成することで、透過率の高い積層膜を得られることを可能としている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特許第５２７０９７６号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
本発明は、従来の技術に替わる、透明導電膜を備え、かつ、透過率に優れた積層膜の製造方法及び積層膜を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明者らは、透明導電膜を、所定の反射防止膜の上に形成することによって、透過率に優れた積層膜が得られることを見出し、本発明を完成するに至った。より具体的には、本発明は以下のようなものを提供する。
【０００７】
（１）反射防止膜の上に透明導電膜が積層された積層膜の製造方法であって、
Ａｌ、Ｚｎ、Ａｌ化合物、Ｚｎ化合物及びＡｌ−Ｚｎ合金からなる群から選択される１種以上の成分からなるＡｌ／Ｚｎ含有膜を含む下層膜を基材上に形成する工程と、
前記下層膜を水熱処理して反射防止膜を得る工程と、
前記反射防止膜の上に透明導電膜を形成する工程と、を有する、積層膜の製造方法。
【０００８】
（２）前記下層膜が、Ｍｇ、Ｍｇ合金及びＭｇ化合物からなる群から選択される１種以上の成分からなるＭｇ含有膜を更に含む（１）記載の積層膜の製造方法。
【０００９】
（３）前記下層膜が、前記Ａｌ／Ｚｎ含有膜を複数備え、
前記Ｍｇ含有膜が、少なくとも前記Ａｌ／Ｚｎ含有膜間に配置される、（２）記載の積層膜の製造方法。
【００１０】
（４）（１）から（３）いずれかに記載の方法により製造された積層膜。
【発明の効果】
【００１１】
本発明によれば、透明導電膜を備え、かつ、透過率に優れた積層膜の製造方法及び積層膜を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１２】
【図１】ガラス基材及び試験例１〜３の反射防止膜について、透過する波長と全透過率との関係を示すグラフである。
【図２】試験例１の反射防止膜の表面のＦＥ−ＳＥＭ画像を示す図である。
【図３】試験例２の反射防止膜の表面のＦＥ−ＳＥＭ画像を示す図である。
【図４】試験例３の反射防止膜の表面のＦＥ−ＳＥＭ画像を示す図である。
【図５】ガラス基材、試験例４の積層膜及び試験例５の透明導電膜について、透過する波長と全透過率との関係を示すグラフである。
【図６】試験例４の積層膜の表面のＦＥ−ＳＥＭ画像を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００１３】
以下、本発明の実施形態について説明するが、本発明は特にこれに限定されるものではない。
【００１４】
＜積層膜の製造方法＞
本発明の積層膜は、反射防止膜の上に透明導電膜が積層された積層膜である。本発明の積層膜の製造方法は、Ａｌ、Ｚｎ、Ａｌ化合物、Ｚｎ化合物及びＡｌ−Ｚｎ合金からなる群から選択される１種以上の成分からなるＡｌ／Ｚｎ含有膜を含む下層膜を基材上に形成する工程と、下層膜を水熱処理して反射防止膜を得る工程と、反射防止膜の上に透明導電層を形成する工程と、を有する。以下、本発明の積層膜の製造方法の各工程について、詳細に説明する。
【００１５】
［下層膜形成工程］
下層膜形成工程は、Ａｌ、Ｚｎ、Ａｌ化合物、Ｚｎ化合物及びＡｌ−Ｚｎ合金からなる群から選択される１種以上の成分からなるＡｌ／Ｚｎ含有膜を含む下層膜を、基材上に形成する工程である。
【００１６】
Ａｌ／Ｚｎ含有膜は、Ａｌ、Ｚｎ、Ａｌ化合物、Ｚｎ化合物及びＡｌ−Ｚｎ合金からなる群から選択される１種以上の成分からなるものであれば、特に限定されないが、例えば、該成分としては、Ａｌ、Ｚｎ、Ａｌ−Ｚｎ合金、Ａｌ化合物（酸化アルミニウム（Ａｌ２Ｏ３）、窒化アルミニウム（ＡｌＮ）等）、Ｚｎ化合物（酸化亜鉛（ＺｎＯ）、窒化亜鉛（Ｚｎ３Ｎ２）等）等が挙げられる。これらのうち、好ましくは、Ａｌ、Ｚｎ、ＺｎＯ、ＡｌＮである。ＡｌＮは、不完全に窒化させたアルミニウムを用いるのが好ましい。不完全に窒化させたアルミニウムからなるＡｌ／Ｚｎ含有膜においては、窒素が反応促進剤として機能するため、Ａｌ／Ｚｎ含有膜の膜厚を大きくしても、水酸化アルミニウム（ＡｌＯ（ＯＨ））膜を形成しやすい。
【００１７】
本発明は、下層膜が、Ｍｇ、Ｍｇ合金及びＭｇ化合物からなる群から選択される１種以上の成分からなるＭｇ含有膜を更に含んでもよい。Ｍｇは、水に対する反応性が高い元素である。よって、下層膜中にＭｇが存在することにより、Ａｌ／Ｚｎ含有膜の成分の水熱反応（水酸化反応及び酸化反応の少なくとも一方）を促進させる水熱反応促進剤として機能し、その結果、下層膜を水熱処理して、後述する反射防止膜を得るに当たり、例えば、下層膜の厚さが比較的厚い場合であっても、効率よく反射防止膜を得ることができ、かつ、可視光の透過率が高い反射防止膜を製造できる。
【００１８】
また、本発明のＭｇ含有膜は、Ｍｇ、Ｍｇ合金及びＭｇ化合物からなる群から選択される１種以上の成分からなるものであれば、特に限定されないが、例えば、Ｍｇ単体からなる膜、Ｍｇ合金からなる膜、Ｍｇ化合物（Ａｌ／Ｍｇ、Ｚｎ／Ｍｇ等）からなる膜が挙げられる。
【００１９】
本発明における下層膜は、Ａｌ／Ｚｎ含有膜を１層のみ備えていてもよいし、複数備えていてもよい。また、下層膜がＡｌ／Ｚｎ含有膜を複数備える場合、複数のＭｇ含有膜は（その組成や膜厚が）同一であってもよく、異なっていてもよい。Ｍｇ含有膜についても同様に、下層膜は、Ｍｇ含有膜を一層のみ備えていてもよいし、複数備えていてもよい。下層膜がＭｇ含有膜を複数備える場合、複数のＭｇ含有膜は（その組成や膜厚が）同一であってもよく、異なっていてもよい。
【００２０】
後述する水熱処理による反射防止膜の製造の効率がより向上する観点から、下層膜は、少なくともＡｌ／Ｚｎ含有膜を複数備え、Ｍｇ含有膜が、少なくともＡｌ／Ｚｎ含有膜とＡｌ／Ｚｎ含有膜との間に配置されている態様が好ましい。更に、下層膜が、複数のＡｌ／Ｚｎ含有膜と、複数のＭｇ含有膜と、を備え、Ａｌ／Ｚｎ含有膜とＭｇ含有膜とが交互に積層されている態様がより好ましい。
【００２１】
Ａｌ／Ｚｎ含有膜の１層の膜厚は、下層膜の膜厚等を勘案して適宜設定でき、例えば５ｎｍ以上５００ｎｍ以下とすることができるが、１０ｎｍ以上３５０ｎｍ以下が好ましく、１５ｎｍ以上２５０ｎｍ以下がより好ましく、２０ｎｍ以上１５０ｎｍ以下が特に好ましい。Ａｌ／Ｚｎ含有膜の１層の膜厚が５ｎｍ以上であると、製造される反射防止膜の膜厚を厚くする点で有利である。一方、Ａｌ／Ｚｎ含有膜の１層の膜厚が１２０ｎｍ以下であると、水熱処理による反射防止膜の製造の効率がより向上する。更に、反射防止膜の可視光の透過率がより向上する。
【００２２】
Ｍｇ含有膜の１層の膜厚は、Ａｌ／Ｚｎ含有膜の膜厚等を勘案して適宜設定できるが、０．５ｎｍ以上３５ｎｍ以下が好ましく、１ｎｍ以上３５ｎｍ以下がより好ましく、２ｎｍ以上３５ｎｍ以下が更に好ましく、５ｎｍ以上３５ｎｍ以下が特に好ましい。Ｍｇ含有膜の１層の膜厚が１ｎｍ以上であると、反射防止膜の製造の効率がより向上する。一方、Ｍｇ含有膜の１層の膜厚が３５ｎｍ以下であると、Ｍｇ含有膜の水性液体への溶解（溶出）によって生じうる膜剥がれをより抑制できる。
【００２３】
また、下層膜における表面膜は、Ａｌ／Ｚｎ含有膜であることが好ましい。「表面膜」とは、後述する水熱処理に用いられる水性液体に直接曝される膜を指す。下層膜がＡｌ／Ｚｎ含有膜を複数備える場合には、下層膜における表面膜は、複数のＡｌ／Ｚｎ含有膜のうちの１層であることが好ましい。言い換えれば、Ｍｇ含有膜は、表面膜以外の膜であることが好ましい。Ｍｇ含有膜が表面膜以外の膜であることにより、水熱処理による反射防止膜の製造の効率がより向上する。
【００２４】
下層膜の膜厚は、特に限定されないが、膜厚が小さすぎると、凹凸構造を形成することができずに、水熱処理により得られる反射防止膜において、十分な透過率を得られない可能性がある。そのため、水熱処理前の基材上に形成された下層膜の膜厚は、２０ｎｍ以上が好ましく、５０ｎｍ以上がより好ましい。また、反射防止膜の膜厚が大きくなりすぎると、透過率が低下するため、下層膜の膜厚は、１０００ｎｍ以下が好ましく、５００ｎｍ以下がより好ましく、４００ｎｍ以下が更に好ましく、２５０ｎｍ以下がより一層好ましく、１５０ｎｍ以下が最も好ましい。
【００２５】
本発明における下層膜は、本発明の効果を妨げない範囲で、Ａｌ／Ｚｎ含有膜及びＭｇ含有膜以外のその他の膜（例えば自然酸化膜等）を備えていてもよい。
【００２６】
基材上に形成する方法は、特に限定されず、例えば気相成膜により基材上に形成することができる。気相成膜としては、スパッタリング、蒸着、ＣＶＤ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｖａｐｏｒ  Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）、分子線エピタキシー（ＭＢＥ；Ｍｏｌｅｃｕｌａｒ  Ｂｅａｍ  Ｅｐｉｔａｘｙ）等が挙げられる。こちらのうち、スパッタリングが好ましい。スパッタリングの条件には特に制限はなく、例えば、特許第３９５３０３２号公報、特許第４７９０３９６号公報、Ｊｏｕｒｎａｌ  ｏｆ  Ａｐｐｌｉｅｄ  Ｐｈｙｓｉｃｓ  １０６，０２３５２４（２００９）等に記載された公知の条件が挙げられる。
【００２７】
基材は、特に限定されないが、ガラス、樹脂等の材質の基材が挙げられる。また、下層膜が形成される基材の形状も特に限定されず、平面又は球面であってもよい。
【００２８】
本発明の基材には、反射防止膜や透明導電膜を複数形成してもよい。例えば、基材として平面の形状の基板を用いた場合に、積層膜を形成した側の面とは反対側の面に、反射防止膜を形成してもよく、これにより、本発明において最終的に得られる積層膜の透過率はより向上する。この反射防止膜の膜厚は、好ましくは５ｎｍ以上であり、より好ましくは１０ｎｍ以上であり、更に好ましくは１５ｎｍである。また、この反射防止膜の膜厚が大きくなりすぎると、反射防止膜の透過率が下がる恐れがあるため、１００ｎｍ以下が好ましく、６０ｎｍ以下がより好ましく、４０ｎｍ以下が更に好ましい。
【００２９】
［水熱処理工程］
水熱処理工程は、基材上に形成された下層膜を、水熱処理して反射防止膜を得る工程である。本発明において、「水熱処理」とは、水を主成分とする６０℃以上の液体で処理することを指す。水を主成分とする液体とは、含有量（質量％）が最も多い成分として水を含有する液体を指す。該液体は、水以外の成分を含んでいてもよく、含まなくてもよい。水以外の成分としては、アルコール等の水性溶剤（例えば炭素数１〜３のアルコール）、水溶性の塩（好ましくは塩化物塩；例えば、塩化ナトリウム、塩化カルシウム等）、酸（塩酸、酢酸、等）、アルカリ（水酸化ナトリウム等）等が挙げられる。
【００３０】
下層膜を水熱処理すると、Ａｌ／Ｚｎ含有膜がＡｌ又はＡｌ化合物である場合、これらを基に水酸化アルミニウム（ＡｌＯ（ＯＨ））を含む反射防止膜を得ることができ、あるいはＡｌ／Ｚｎ含有膜がＺｎ又はＺｎ化合物である場合、水酸化亜鉛（Ｚｎ（ＯＨ）２）を含む反射防止膜を得ることができるが、この水酸化アルミニウム又は水酸化亜鉛が生じるとき、これらの表面は凹凸構造を形成する。この反射防止膜の上に、後述する透明導電膜を形成することにより、得られた積層膜は優れた透過率を有する。
【００３１】
上記液体中における水の含有量は、水性液体の全量に対し、５０質量％以上であるのが好ましく、７０質量％以上であるのがより好ましく、８０質量％以上であるのが更に好ましく、９０質量％以上であるのがより一層好ましく、９５質量％以上であるのが特に好ましい。水性液体中における水の含有量は、理想的には、１００質量％である。
【００３２】
水熱処理は、水を主成分とする上記液体の温度が、８０℃以上であるのが好ましく、８５℃以上であるのがより好ましく、９０℃以上であるのが更に好ましい。また、水熱処理を行う方法は、液体中に、下層膜を浸漬することにより行うことが好ましい。
【００３３】
水熱処理の時間は、特に限定されず、製造される反射防止膜の膜厚や、上記液体の温度に応じて、適宜設定することができる。
【００３４】
水熱処理が行われる雰囲気の圧力にも特に制限はなく、大気圧（１０１ｋＰａ）近傍であってもよく、大気圧よりも低い圧力下（減圧下）であってもよく、大気圧よりも高い圧力下（加圧下）であってもよい。水熱処理が行われる雰囲気の圧力の範囲としては、例えば、１０ｋＰａ以上５０００ｋＰａ以下の範囲が挙げられ、５０ｋＰａ以上１５０ｋＰａ以下の範囲が好ましい。
【００３５】
［透明導電膜形成工程］
透明導電膜形成工程は、反射防止膜の上に透明導電膜を形成する工程である。
【００３６】
透明導電膜は、特に限定されないが、例えば、インジウム錫酸化物（ＩＴＯ）、インジウム亜鉛酸化物（ＩＺＯ）、インジウムタングステン酸化物（ＩＷＯ）、インジウムチタン酸化物（ＩＴｉＯ）、インジウムジルコニウム酸化物（ＩＺｒＯ）、フッ素錫酸化物（ＦＴＯ）、ガリウム亜鉛酸化物（ＧＺＯ）等が挙げられる。これらのうち、インジウム亜鉛酸化物（ＩＺＯ）が好ましい。
【００３７】
透明導電膜を反射防止膜の上に形成する方法は、特に限定されず、例えば、気相成膜により基材上に形成することができる。気相成膜としては、スパッタリング、蒸着、ＣＶＤ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｖａｐｏｒ  Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）、分子線エピタキシー（ＭＢＥ；Ｍｏｌｅｃｕｌａｒ  Ｂｅａｍ  Ｅｐｉｔａｘｙ）等が挙げられる。こちらのうち、スパッタリングが好ましい。スパッタリングの条件には特に制限はなく、例えば、特許第３９５３０３２号公報、特許第４７９０３９６号公報、Ｊｏｕｒｎａｌ  ｏｆ  Ａｐｐｌｉｅｄ  Ｐｈｙｓｉｃｓ  １０６，０２３５２４（２００９）等に記載された公知の条件が挙げられる。
【００３８】
透明導電膜の膜厚は、特に限定されないが、積層膜の導電性を高めるためには、膜厚は大きい方が好ましく、例えば、５０ｎｍ以上が好ましく、１００ｎｍ以上がより好ましく、１５０ｎｍ以上が更に好ましい。また、透明導電膜の膜厚が大きくなりすぎると、最終的に得られる積層膜の透過率が低下する恐れがある。このため、５００ｎｍ以下が好ましく、４００ｎｍ以下がより好ましく、３００ｎｍ以下が更に好ましい。
【００３９】
本発明の積層膜は、液晶ディスプレイや太陽電池等の電極に用いることができる。
【００４０】
以上、本発明の積層膜の製造方法を説明したが、本発明の製造方法は、上記以外の工程を有していてもよい。上記以外の工程としては、例えば、得られた積層膜を、酸素含有雰囲気中（大気中を含む）、又は、真空中で熱処理する工程が挙げられる。これにより、反射防止膜をより安定化させることができる。これにより、水熱処理によって得られた反射防止膜に水酸化物（例えば、Ａｌ（ＯＨ）３、Ｚｎ（ＯＨ）２等）が含まれる場合において、上記熱処理により、水酸化物を酸化物（例えば、Ａｌ２Ｏ３、ＺｎＯ等）に変化させることができる。また、上記以外の従来の反射防止膜及び透明導電膜を形成するときに行う公知の工程を含んでもよく、例えば、基材における積層膜が形成される面を洗浄する工程や、この面に公知の表面処理を施す工程等を含んでよい。
【実施例】
【００４１】
以下、本発明を実施例により更に具体的に説明するが、本発明は以下の実施例に限定されるものではない。
【００４２】
＜反射防止膜の製造＞
以下のとおりに、試験例１〜３の反射防止膜を製造し、試験例１〜３の反射防止膜の透過率の評価を行った。
【００４３】
（試験例１）
スパッタガスとして、Ａｒ及びＮ２の混合ガスを使用し、ＲＦスパッタリング（ｒｆ出力：２００Ｗ、基板温度：３７３Ｋ、ガス圧力：１０ｍＴｏｒｒ、時間：１０分間）によって、ガラス基板（ＥＡＧＬＥ  ＸＧ、コーニング社製、サイズ：縦２０ｍｍ×横１５ｍｍ×厚さ０．７ｍｍ）の上に、膜厚が１００ｎｍとなるように窒化アルミニウム膜を形成した。また、該反射防止膜が形成されたガラス基板の面の反対側の面の上に、ＲＦスパッタリング（ｒｆ出力：２００Ｗ、基板温度：３７３Ｋ、ガス圧力：１０ｍＴｏｒｒ、時間：２分間）によって、膜厚が２０ｎｍとなるように窒化アルミニウム膜を形成した。上記スパッタリングの際に、アルミニウムと反応する窒素の量を調整することで、不完全に窒化したアルミニウム（ＡｌＮ１−Ｘ）の膜を形成した。得られた窒化アルミニウム膜を、大気圧下、水温９５℃の水中に３分間浸漬することにより、水熱処理して、反射防止膜を製造した。
【００４４】
（試験例２）
膜厚が厚い方の窒化アルミニウム膜の膜厚が２００ｎｍとなるように調整した以外は、試験例１と同様の条件で、窒化アルミニウム膜を製造した。得られた窒化アルミニウム膜を、試験例１と同様の条件で水熱処理し、反射防止膜を製造した。
【００４５】
（試験例３）
膜厚が厚い方の窒化アルミニウム膜の膜厚が３００ｎｍとなるように調整した以外は、試験例１と同様の条件で、窒化アルミニウム膜を製造した。得られた窒化アルミニウム膜を、試験例１と同様の条件で水熱処理し、反射防止膜を製造した。
【００４６】
＜反射防止膜の全透過率の評価＞
試験例１〜３の反射防止膜と、ガラス基板（ＥＡＧＬＥ  ＸＧ、コーニング社製、サイズ：縦２０ｍｍ×横１５ｍｍ×厚さ０．７ｍｍ）とについて、全透過率を島津製作所社製のＭＰＣ−３１００を用いて測定した。試験例１〜３については、膜厚が厚い方の反射防止膜側からの全透過率を測定した。測定波長の範囲は、０．２４μｍ〜２．６μｍの範囲とした。その結果を図１に示す。
【００４７】
図１に示されるように、試験例１〜３の反射防止膜は、ガラス基板のみのものより、全透過率が向上したことが示された。
【００４８】
＜反射防止膜の表面の観察＞
試験例１〜３の反射防止膜の膜厚が厚い方の表面を、電界放射型走査電子顕微鏡（Ｆｉｅｌｄ  Ｅｍｉｓｓｉｏｎ−Ｓｃａｎｎｉｎｇ  Ｅｌｅｃｔｒｏｎ  Ｍｉｃｒｏｓｃｏｐｅ（ＦＥ−ＳＥＭ））により観察した。試験例１の画像を図２に、試験例２の画像を図３に、試験例３の画像を図４に示す。
【００４９】
図２〜４に示すように、反射膜の表面が凹凸構造を有していることが観察された。試験例１〜３の反射防止膜において全透過率が向上したのは、この凹凸構造によるものであることが示唆された。
【００５０】
＜積層膜及び透明導電膜の製造＞
【００５１】
以下のとおりに、試験例４の積層膜及び試験例５の透明導電膜を製造した。
【００５２】
（試験例４）
試験例１の膜厚が厚い方の反射防止膜の上に、ＲＦスパッタリング（ｒｆ出力：６０Ｗ、基板温度：３０３Ｋ、ガス圧力：１．５ｍＴｏｒｒ、時間：８分間）によって、透明導電膜（インジウム亜鉛酸化物（ＩＺＯ、１０ｗ％Ｚｎ））を形成し、大気中において２５０℃で１時間加熱して、積層膜を得た。なお、加熱前の積層膜の電気抵抗率と、加熱後の積層膜の電気抵抗率を直流電圧計・電流源６２４１Ａ（ＡＤＣＭＴ社製）を用いた四端子法により測定したところ、加熱前の積層膜の電気抵抗率は４．０８×１０−４Ωｍであり、加熱後の積層膜の電気抵抗率は６．５０×１０−５Ωｍであった。
【００５３】
（試験例５）
ガラス基板（ＥＡＧＬＥ  ＸＧ、コーニング社製、サイズ：縦２０ｍｍ×横１５ｍｍ×厚さ０．７ｍｍ）上に、ＲＦスパッタリング（ｒｆ出力：６０Ｗ、基板温度：３０３Ｋ、ガス圧力：１．５ｍＴｏｒｒ、時間：８分間）によって、インジウム亜鉛酸化物（ＩＺＯ、１０ｗ％Ｚｎ）からなる透明導電膜を形成し、大気中において２５０℃で１時間加熱した。加熱前の透明導電膜の電気抵抗率と、加熱後の透明導電膜の電気抵抗率を直流電圧計・電流源６２４１Ａ（ＡＤＣＭＴ社製）を用いた四端子法により測定したところ、加熱前の透明導電膜の電気抵抗率は２．６５×１０−５Ωｍであり、加熱後の透明導電膜の電気抵抗率は２．１２×１０−５Ωｍであった。
【００５４】
＜積層膜及び透明導電膜の全透過率の評価＞
試験例４の加熱後の積層膜と、試験例５の加熱後の透明導電膜と、ガラス基板（ＥＡＧＬＥ  ＸＧ、コーニング社製、サイズ：縦２０ｍｍ×横１５ｍｍ×厚さ０．７ｍｍ）とについて、全透過率を島津製作所社製のＭＰＣ−３１００を用いて測定した。試験例４と５については、透明導電膜側からの全透過率を測定した。測定波長の範囲は、０．２４μｍ〜２．６μｍの範囲とした。その結果を図５に示す。
【００５５】
図５に示すとおり、試験例４の積層膜の方が、試験例５の透明導電膜より、波長の全体的な範囲で全透過率が優れていたことが確認された。このことより、透明導電膜単体より、反射防止膜の上に透明導電膜を積層した積層膜の方が、透過率に優れることが示された。
【００５６】
＜積層膜の表面の観察＞
試験例４の加熱前の積層膜の表面を、電界放射型走査電子顕微鏡（Ｆｉｅｌｄ  Ｅｍｉｓｓｉｏｎ−Ｓｃａｎｎｉｎｇ  Ｅｌｅｃｔｒｏｎ  Ｍｉｃｒｏｓｃｏｐｅ（ＦＥ−ＳＥＭ））により観察した。その画像を図６に示す。
【００５７】
図６に示すとおり、試験例４の積層膜の表面において、凹凸構造が観察された。これは反射防止膜の上に透明導電膜を積層しても、凹凸構造が保たれており、この、凹凸構造に起因して、試験例４の積層膜が、透明導電膜単体より、透過率に優れる結果となったと推察される。
【図１】
2015163918.tif 000003
【図５】
2015163918.tif 000004
【図２】
2015163918.tif 000005
【図３】
2015163918.tif 000006
【図４】
2015163918.tif 000007
【図６】
2015163918.tif 000008