(57)【要約】【課題】  側面視認性を正面視認性に近くしながらも、低階調領域で正確な階調表現が可能であり、透過率低下を防止することができ、寄生キャパシタンスによる画素間干渉によって輝度が不均一になることを防止することができる液晶表示装置を提供する。【解決手段】  本発明による液晶表示装置は、第１基板と、前記第１基板上に配置され、第１電圧が印加される第１副画素電極と、前記第１基板上に配置され、第２電圧が印加される第２副画素電極と、前記第１基板上に配置され、第３電圧が印加される第３副画素電極と、前記第１副画素電極と前記第２副画素電極の間または前記第２副画素電極と前記第３副画素電極の間に配置される絶縁膜と、前記第１基板と対向する第２基板上に配置され、共通電圧が印加される共通電極とを含み、前記第２副画素電極と前記第３副画素電極は前記絶縁膜を挟んで互いに重畳し、前記第１副画素電極と前記第３副画素電極はゲート線に対して互いに対向して配置され、前記第１電圧と前記第３電圧は互いに異なる。【選択図】    図１
2015132822.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１基板と、
前記第１基板上に配置され、第１電圧が印加される第１副画素電極と、
前記第１基板上に配置され、第２電圧が印加される第２副画素電極と、
前記第１基板上に配置され、第３電圧が印加される第３副画素電極と、
前記第１副画素電極と前記第２副画素電極の間または前記第２副画素電極と前記第３副画素電極の間に配置される絶縁膜と、
前記第１基板と対向する第２基板上に配置され、共通電圧が印加される共通電極とを含み、
前記第２副画素電極と前記第３副画素電極は前記絶縁膜を挟んで互いに重畳し、
前記第１副画素電極と前記第３副画素電極はゲート線に対して互いに対向して配置され、
前記第１電圧と前記第３電圧は互いに異なることを特徴とする液晶表示装置。
【請求項２】
前記第１電圧と前記第２電圧は互いに同一であることを特徴とする請求項１に記載の液晶表示装置。
【請求項３】
前記第１電圧と前記共通電圧の差は前記第３電圧と前記共通電圧の差より大きいことを特徴とする請求項２に記載の液晶表示装置。
【請求項４】
前記第２副画素電極は前記絶縁膜の下に配置され、前記第１副画素電極及び前記第３副画素電極は前記絶縁膜の上に配置されることを特徴とする請求項３に記載の液晶表示装置。
【請求項５】
前記第１副画素電極が配置される第１領域、前記第２副画素電極と前記第３副画素電極が重畳する第２領域及び前記第３副画素電極が配置される第３領域のそれぞれと前記共通電極の間に形成される第１電界、第２電界及び第３電界はその大きさが互いに異なることを特徴とする請求項４に記載の液晶表示装置。
【請求項６】
前記第１副画素電極と前記第２副画素電極はそれぞれ第１接触孔及び第２接触孔によって同一の入力電極に接続されることを特徴とする請求項２に記載の液晶表示装置。
【請求項７】
前記入力電極によって前記第１電圧が前記第１副画素電極に印加され、前記第２電圧が前記第２副画素電極に印加されることを特徴とする請求項６に記載の液晶表示装置。
【請求項８】
前記第２副画素電極は前記絶縁膜の下に配置され、前記第１副画素電極及び前記第３副画素電極は前記絶縁膜の上に配置されることを特徴とする請求項７に記載の液晶表示装置。
【請求項９】
前記第１基板と前記第２副画素電極の間に配置される保護膜をさらに含み、前記第１接触孔は前記保護膜と前記絶縁膜を貫通して形成され、前記第２接触孔は前記保護膜を貫通して形成されることを特徴とする請求項８に記載の液晶表示装置。
【請求項１０】
前記第３副画素電極は第３接触孔によって出力電極に接続されることを特徴とする請求項８に記載の液晶表示装置。
【請求項１１】
前記出力電極によって前記第３電圧が印加されることを特徴とする請求項１０に記載の液晶表示装置。
【請求項１２】
前記第１電圧と前記共通電圧の差は前記第３電圧と前記共通電圧の差より小さいことを特徴とする請求項１１に記載の液晶表示装置。
【請求項１３】
前記第１副画素電極が配置される第１領域、前記第２副画素電極と前記第３副画素電極が重畳する第２領域及び前記第３副画素電極が配置される第３領域のそれぞれと前記共通電極の間に形成される第１電界、第２電界及び第３電界はその大きさが互いに異なることを特徴とする請求項１２に記載の液晶表示装置。
【請求項１４】
前記第１副画素電極及び前記第３副画素電極はそれぞれ互いに異なる方向に沿って伸びている複数の枝電極を含むことを特徴とする請求項１に記載の液晶表示装置。
【請求項１５】
前記第２副画素電極は平板の形状であることを特徴とする請求項１４に記載の液晶表示装置。
【請求項１６】
前記第１副画素電極及び前記第３副画素電極はそれぞれ横部及びこれと交差する縦部からなる十字部を含み、前記複数の枝電極は前記十字部を基準に対称の形状を有することを特徴とする請求項１５に記載の液晶表示装置。
【請求項１７】
前記第２副画素電極は前記十字部を基準に対称の形状を有することを特徴とする請求項１６に記載の液晶表示装置。
【請求項１８】
前記第１基板上に配置され、ゲート信号が印加される複数のゲート線と、
前記複数のゲート線と交差し、データ信号が印加される複数のデータ線とをさらに含み、
前記複数のデータ線は列反転（カラム反転）駆動し、前記複数のゲート線のうちの２つのゲート線は同時にターンオンされることを特徴とする請求項１に記載の液晶表示装置。
【請求項１９】
前記複数のゲート線は、第Ｎゲート線、第Ｎ＋１ゲート線、第Ｎ＋２ゲート線及び第Ｎ＋３ゲート線を含み、
前記第Ｎゲート線と前記第Ｎ＋１ゲート線が同時にターンオンされ、前記第Ｎ＋２ゲート線と前記第Ｎ＋３ゲート線が同時にターンオンされることを特徴とする請求項１８に記載の液晶表示装置。
【請求項２０】
前記複数のゲート線は、第Ｎゲート線、第Ｎ＋１ゲート線、第Ｎ＋２ゲート線及び第Ｎ＋３ゲート線を含み、
前記第Ｎゲート線と前記第Ｎ＋２ゲート線が同時にターンオンされ、前記第Ｎ＋１ゲート線と前記第Ｎ＋３ゲート線が同時にターンオンされることを特徴とする請求項１８に記載の液晶表示装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は液晶表示装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
液晶表示装置は現在最も幅広く使用されている平板表示装置の一つであって、画素電極と共通電極など電場生成電極が形成されている二枚の表示板とその間に入っている液晶層からなる。
【０００３】
電場生成電極に電圧を印加して液晶層に電場を生成し、これを通じて液晶層の液晶分子の配向を決定し、入射光の偏光を制御することによって映像を表示する。
【０００４】
液晶表示装置はまた、各画素電極に接続されているスイッチング素子及びスイッチング素子を制御して画素電極に電圧を印加するためのゲート線とデータ線など多数の信号線を含む。
【０００５】
このような液晶表示装置のうちでも、電場が印加されない状態で液晶分子の長軸を表示板に対して垂直になるように配列した垂直配向方式（ｖｅｒｔｉｃａｌｌｙ  ａｌｉｇｎｅｄ  ｍｏｄｅ）の液晶表示装置が、コントラスト比が大きく基準視野角が広いため、脚光を浴びている。
【０００６】
このような方式の液晶表示装置の場合、側面視認性を正面視認性に近くするために、一つの画素を二つの副画素に分割し、二つの副画素の電圧を異にして印加することによって透過率を異にする方法が提示された。
【０００７】
しかし、このように一つの画素を二つの副画素に区分し、透過率を異にして側面視認性を正面視認性に近くする場合、低階調または高階調で輝度が高くなり、側面からの階調表現が難しく、これにより画質が低下する問題点が発生することがある。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
本発明の目的は、側面視認性を正面視認性に近くしながらも、低階調領域で正確な階調表現が可能であり、透過率低下を防止することができる液晶表示装置を提供することにある。
【０００９】
また、本発明の目的は、寄生キャパシタンスによる画素間干渉によって輝度が不均一になることを防止することができる液晶表示装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本発明の一実施形態による液晶表示装置は、第１基板と、前記第１基板上に配置され、第１電圧が印加される第１副画素電極と、前記第１基板上に配置され、第２電圧が印加される第２副画素電極と、前記第１基板上に配置され、第３電圧が印加される第３副画素電極と、前記第１副画素電極と前記第２副画素電極の間または前記第２副画素電極と前記第３副画素電極の間に配置される絶縁膜と、前記第１基板と対向する第２基板上に配置され、共通電圧が印加される共通電極とを含み、前記第２副画素電極と前記第３副画素電極は前記絶縁膜を挟んで互いに重畳し、前記第１副画素電極と前記第３副画素電極はゲート線に対して互いに対向して配置され、前記第１電圧と前記第３電圧は互いに異なる。
【００１１】
前記第１電圧と前記第２電圧は互いに同一であってもよい。
【００１２】
前記第１電圧と前記共通電圧の差は前記第３電圧と前記共通電圧の差より大きくてもよい。
【００１３】
前記第２副画素電極は前記絶縁膜の下に配置され、前記第１副画素電極及び前記第３副画素電極は前記絶縁膜の上に配置されてもよい。
【００１４】
前記第１副画素電極が配置される第１領域、前記第２副画素電極と前記第３副画素電極が重畳する第２領域及び前記第３副画素電極が配置される第３領域のそれぞれと前記共通電極の間に形成される第１電界、第２電界及び第３電界はその大きさが互いに異なってもよい。
【００１５】
前記第１副画素電極と前記第２副画素電極はそれぞれ第１接触孔及び第２接触孔によって同一の入力電極に接続されてもよい。
【００１６】
前記入力電極によって前記第１電圧が前記第１副画素電極に印加され、前記第２電圧が前記第２副画素電極に印加されてもよい。
【００１７】
前記第１基板と前記第２副画素電極の間に配置される保護膜をさらに含み、前記第１接触孔は前記保護膜と前記絶縁膜を貫通して形成され、前記第２接触孔は前記保護膜を貫通して形成されてもよい。
【００１８】
前記第３副画素電極は第３接触孔によって出力電極に接続されてもよい。
【００１９】
前記出力電極によって前記第３電圧が印加されてもよい。
【００２０】
前記第１副画素電極及び前記第３副画素電極はそれぞれ互いに異なる方向に沿って伸びている複数の枝電極を含んでもよい。
【００２１】
前記第２副画素電極は平板で形成されてもよい。
【００２２】
前記第１副画素電極及び前記第３副画素電極はそれぞれ横部及びこれと交差する縦部からなる十字部を含み、前記複数の枝電極は前記十字部を基準に対称の形状を有してもよい。
【００２３】
前記第２副画素電極は前記十字部を基準に対称の形状を有してもよい。
【００２４】
前記第１基板上に配置され、ゲート信号が印加される複数のゲート線と、前記複数のゲート線と交差し、データ信号が印加される複数のデータ線とをさらに含み、前記複数のデータ線は列反転（カラム反転）駆動し、前記複数のゲート線のうちの２つのゲート線は同時にターンオンされてもよい。
【００２５】
前記複数のゲート線は、第Ｎゲート線、第Ｎ＋１ゲート線、第Ｎ＋２ゲート線及び第Ｎ＋３ゲート線を含み、前記第Ｎゲート線と前記第Ｎ＋１ゲート線が同時にターンオンされ、前記第Ｎ＋２ゲート線と前記第Ｎ＋３ゲート線が同時にターンオンされてもよい。
【００２６】
前記複数のゲート線は、第Ｎゲート線、第Ｎ＋１ゲート線、第Ｎ＋２ゲート線及び第Ｎ＋３ゲート線を含み、前記第Ｎゲート線と前記第Ｎ＋２ゲート線が同時にターンオンされ、前記第Ｎ＋１ゲート線と前記第Ｎ＋３ゲート線が同時にターンオンされてもよい。
【発明の効果】
【００２７】
本発明の一実施形態によれば、互いに異なる電圧が印加される２つの副画素電極を重畳して中間レベルの電界を形成することによって、一つの画素領域を互いに異なる３つの領域に区分し透過率の変化を緩慢に調節することができる。また、前の段のゲート線が次の段の画素電極と離れた構造を有することによって、寄生キャパシタンスによる画素間干渉による輝度不均一現象を防止することができる。
【図面の簡単な説明】
【００２８】
【図１】本発明の一実施形態による液晶表示装置を示す配置図である。
【図２】図１の切断線ＩＩ−ＩＩに沿った断面図である。
【図３】図１の切断線ＩＩＩ−ＩＩＩに沿った断面図である。
【図４】本発明の一実施形態による液晶表示装置の第２副画素電極を示す配置図である。
【図５】本発明の一実施形態による液晶表示装置の第１副画素電極及び第３副画素電極を示す配置図である。
【図６】図１の切断線ＶＩ−ＶＩに沿った断面図である。
【図７】本発明の一実施形態による液晶表示装置の画素領域を示す配置図である。
【図８】本発明の一実施形態による液晶表示装置を示す配置図である。
【図９】本発明の一実施形態による液晶表示装置を示す配置図である。
【図１０】本発明の一実施形態による液晶表示装置を示す配置図である。
【図１１】本発明の一実施形態による液晶表示装置の駆動方法を示す概略図である。
【図１２】本発明の一実施形態による液晶表示装置の駆動方法を示す概略図である。
【図１３】本発明の一実施形態による液晶表示装置の駆動方法を示す概略図である。
【図１４】本発明の一実施形態による液晶表示装置の駆動方法を示す概略図である。
【発明を実施するための形態】
【００２９】
添付した図面を参照して本発明の好ましい実施形態を詳しく説明する。しかし、本発明はここで説明される実施形態に限定されず、他の形態に具体化することもできる。むしろ、ここで紹介される実施形態は開示された内容が徹底且つ完全になり得るように、そして当業者に本発明の思想が十分に伝達されるようにするために提供させるものである。
【００３０】
図面において、層及び領域の厚さは明確性を期するために誇張されたものである。また、層が他の層または基板の“上”にあると言及される場合、それは他の層または基板の上に直接形成されるかまたはそれらの間に第３の層が介されることを含む。明細書全体にわたって同一の参照番号で表示された部分は同一の構成要素を意味する。
【００３１】
図１は本発明の一実施形態による液晶表示装置を示す配置図である。図２は図１の切断線ＩＩ−ＩＩに沿った断面図である。図３は図１の切断線ＩＩＩ−ＩＩＩに沿った断面図である。図４は本発明の一実施形態による液晶表示装置の第２副画素電極を示す配置図である。図５は本発明の一実施形態による液晶表示装置の第１副画素電極及び第３副画素電極を示す配置図である。図６は図１の切断線ＶＩ−ＶＩに沿った断面図である。図７は本発明の一実施形態による液晶表示装置の画素領域を示す配置図である。
【００３２】
まず、図１乃至図３に示すように、本実施形態による液晶表示装置は互いに対向する下部表示板１００と上部表示板２００、そしてこれら二つの表示板１００、２００の間に介在されている液晶層３を含む。
【００３３】
まず、下部表示板１００について説明する。
【００３４】
透明なガラスまたはプラスチックなどで作られた絶縁基板１１０の上にゲート線１２１、基準電圧線１３１、そして維持電極１３５が形成されている。ゲート線１２１は主に横方向に伸びており、ゲート信号を伝達する。
【００３５】
ゲート線１２１は第１ゲート電極１２４ａ、第２ゲート電極１２４ｂ、第３ゲート電極１２４ｃ、第４ゲート電極１２４ｄ及び他の層または外部駆動回路との接続のための広い端部（図示せず）を含む。
【００３６】
基準電圧線１３１はゲート線１２１と平行に伸びていてもよく、拡張部１３６を有し、拡張部１３６は後述の第３ドレイン電極１７５ｃと接続されている。
【００３７】
基準電圧線１３１は画素領域を囲む維持電極１３５を含む。
【００３８】
ゲート線１２１、基準電圧線１３１、そして維持電極１３５の上にはゲート絶縁膜１４０が形成されている。
【００３９】
ゲート絶縁膜１４０の上には非晶質または結晶質ケイ素などで作られる第１半導体層１５４ａ、第２半導体層１５４ｂ、第３半導体層１５４ｃ及び第４半導体層１５４ｄが形成されている。
【００４０】
第１半導体層１５４ａ、第２半導体層１５４ｂ、第３半導体層１５４ｃ及び第４半導体層１５４ｄの上には複数の抵抗性接触部材（ｏｈｍｉｃ  ｃｏｎｔａｃｔ）１６３ａ、１６３ｂ、１６３ｃ、１６３ｄ、１６５ａ、１６５ｂ、１６５ｃ、１６５ｄが形成されている。半導体層１５４ａ、１５４ｂ、１５４ｃ、１５４ｄが酸化物半導体で形成される場合、抵抗性接触部材は省略されてもよい。
【００４１】
抵抗性接触部材１６３ａ、１６３ｂ、１６３ｃ、１６３ｄ、１６５ａ、１６５ｂ、１６５ｃ、１６５ｄとゲート絶縁膜１４０の上には第１データ線１７１、第１データ線１７１と接続される第１ソース電極１７３ａ、第２ソース電極１７３ｂ及び第３ソース電極１７３ｃと、第１ドレイン電極１７５ａ、第２ドレイン電極１７５ｂ、第３ドレイン電極１７５ｃ及び第４ドレイン電極１７５ｄを含むデータ導電体１７１、１７３ａ、１７３ｂ、１７３ｃ、１７３ｄ、１７５ａ、１７５ｂ、１７５ｃ、１７５ｄが配置される。
【００４２】
データ導電体１７１、１７３ａ、１７３ｂ、１７３ｃ、１７３ｄ、１７５ａ、１７５ｂ、１７５ｃ、１７５ｄ及びその下に配置される半導体層と抵抗性接触部材は一つのマスクを用いて同時に形成することができる。
【００４３】
データ線１７１は他の層または外部駆動回路との接続のための広い端部（図示せず）を含む。
【００４４】
第２ソース電極１７３ｂは第３ソース電極１７３ｃと接続されている。
【００４５】
第１ゲート電極１２４ａ、第１ソース電極１７３ａ、及び第１ドレイン電極１７５ａは第１半導体層１５４ａと共に第１薄膜トランジスタを形成し、薄膜トランジスタのチャンネル（ｃｈａｎｎｅｌ）は第１ソース電極１７３ａと第１ドレイン電極１７５ａの間の半導体層部分１５４ａに形成される。これと同様に、第２ゲート電極１２４ｂ、第２ソース電極１７３ｂ、及び第２ドレイン電極１７５ｂは第２半導体層１５４ｂと共に第２薄膜トランジスタを形成し、薄膜トランジスタのチャンネルは第２ソース電極１７３ｂと第２ドレイン電極１７５ｂの間の半導体層部分１５４ｂに形成され、第３ゲート電極１２４ｃ、第３ソース電極１７３ｃ、及び第３ドレイン電極１７５ｃは第３半導体層１５４ｃと共に第３薄膜トランジスタを形成し、薄膜トランジスタのチャンネルは第３ソース電極１７３ｃと第３ドレイン電極１７５ｃの間の半導体層部分１５４ｃに形成される。
【００４６】
データ導電体１７１、１７３ａ、１７３ｂ、１７３ｃ、１７３ｄ、１７５ａ、１７５ｂ、１７５ｃ、１７５ｄ及び露出された半導体層１５４ａ、１５４ｂ、１５４ｃ、１５４ｄ部分の上には窒化ケイ素または酸化ケイ素などの無機絶縁物で作られる第１保護膜（ｐａｓｓｉｖａｔｉｏｎ  ｌａｙｅｒ）１８０ａが配置される。
【００４７】
第１保護膜１８０ａの上には有機膜２３０が配置される。有機膜２３０は平坦化の役割を果たすことができ、カラーフィルタであってもよい。カラーフィルタとして使用された有機膜２３０は後述の画素電極１９１の列に沿って縦方向に長く伸びていてもよい。各カラーフィルタ２３０は赤色、緑色及び青色の三原色など基本色（ｐｒｉｍａｒｙ  ｃｏｌｏｒ）のうちの一つを表示することができる。しかし、赤色、緑色、及び青色の三原色に制限されず、青緑色（ｃｙａｎ）、紫紅色（ｍａｇｅｎｔａ）、イエロー（ｙｅｌｌｏｗ）、ホワイト系の色のうちの一つを表示することもできる。
【００４８】
有機膜２３０の上にはキャッピング膜（ｃａｐｐｉｎｇ  ｌａｙｅｒ）８０が配置される。キャッピング膜８０はカラーフィルタとして使用される有機膜２３０が剥がれることを防止し、カラーフィルタから流入する溶剤（ｓｏｌｖｅｎｔ）のような有機物による液晶層３の汚染を抑制して画面駆動時に招くことのある残像のような不良を防止する。
【００４９】
キャッピング膜８０の上には第２副画素電極１９１ａが配置される。図１に示したゲート線１２１を基準にゲート線１２１の上段部分は第１領域Ｐ１と言い、ゲート線１２１の下段部分を第２領域Ｐ２という時、第２副画素電極１９１ｂは第２領域Ｐ２に配置される。図４を参照して第２副画素電極１９１ｂについて説明する。
【００５０】
図１及び図４に示すように、第２副画素電極１９１ｂは第２領域Ｐ２の中間部分にひし形形状の平板（ｐｌａｔｅ  ｓｈａｐｅ）で形成された部分を含み、第２ドレイン電極１７５ｂの広い端部と重畳する上段突出部１９７ｂを含む。第２副画素電極１９１ｂはＩＴＯまたはＩＺＯなどの透明な導電物質で形成されてもよい。平板（ｐｌａｔｅ  ｓｈａｐｅ）は単一の領域からなり、連続形状で、開口のないものをいう。
【００５１】
第１保護膜１８０ａ及び有機膜２３０には第２ドレイン電極１７５ｂの一部分を露出させる第２接触孔１８５ｂが形成されている。第２副画素電極１９１ｂは第２接触孔１８５ｂを通じて第２ドレイン電極１７５ｂと電気的に接続されており、データ線１７１を通じて印加されたデータ信号が第２ドレイン電極１７５ｂを経て第２副画素電極１９１ｂに充電されてもよい。
【００５２】
キャッピング膜８０と第２副画素電極１９１ｂの上には第２保護膜１８０ｂが配置される。
【００５３】
第２保護膜１８０ｂの上には第１副画素電極１９１ａ及び第３副画素電極１９１ｃが配置される。図５を参照して、第１副画素電極１９１ａ及び第３副画素電極１９１ｃについて説明する。
【００５４】
図１及び図５に示すように、第１副画素電極１９１ａは第１領域Ｐ１に配置され、第３副画素電極１９１ｃは第２領域Ｐ２に配置される。第１副画素電極１９１ａ及び第３副画素電極１９１ｃはＩＴＯまたはＩＺＯなどの透明な導電物質で形成されてもよい。
【００５５】
第１副画素電極１９１ａ及び第３副画素電極１９１ｃは単位画素領域の大部分に配置されており、スリット構造を有する。スリット構造で形成された第１副画素電極１９１ａ及び第３副画素電極１９１ｃそれぞれの全体的な形状は四角形である。
【００５６】
第１副画素電極１９１ａは横部１９１ａ１及びこれと交差する縦部１９１ａ２からなる十字部を含む。また、横部１９１ａ１と縦部１９１ａ２によって四つの副領域に分けられ、各副領域は複数の枝電極１９４ａを含む。第１副画素電極１９１ａの副領域は十字部を基準に対称の形状を有する。隣接の枝電極１９４ａの間に電極が存在しない部分がスリットに該当する。
【００５７】
第３副画素電極１９１ｃは第１副画素電極１９１ａと同様に横部１９１ｃ１及びこれと交差する縦部１９１ｃ２からなる十字部を含む。また、横部１９１ｃ１と縦部１９１ｃ２によって四つの副領域に分けられ、各副領域は複数の枝電極１９４ｃを含む。第３副画素電極１９１ｃの副領域は十字部を基準に対称の形状を有する。隣接の枝電極１９４ｃの間に電極が存在しない部分がスリットに該当する。
【００５８】
本実施形態で横部１９１ａ１、１９１ｃ１及び縦部１９１ａ２、１９１ｃ２を含む十字部は、電極が存在しない開口部分に該当し、第１副画素電極１９１ａ及び第３副画素電極１９１ｃの縁で複数の枝電極１９４ａ、１９４ｃは互いに接続されている。しかし、これに限定されず、開口部分と電極部分が逆になって横部１９１ａ、１９１ｃ１と縦部１９１ａ２、１９１ｃ２に電極が形成されてもよい。
【００５９】
図１及び図６に示すように、第３副画素電極１９１ｃは第２領域Ｐ２に配置される第２副画素電極１９１ｂと重畳する。第２副画素電極１９１ｂは第３副画素電極１９１ｃに比べて相対的に大きさが小さいため、第２領域Ｐ２は第２副画素電極１９１ｂと第３副画素電極１９１ｃが重畳された部分と第３副画素電極１９１ｃのみ形成された部分とに区分されてもよい。
【００６０】
図１及び図３を再び参照すれば、第１保護膜１８０ａ、有機膜２３０及びキャッピング膜８０には第１ドレイン電極１７５ａ及び第３ドレイン電極１７５ｃの一部分をそれぞれ露出させる第１接触孔１８５ａ及び第３接触孔１８５ｃが形成されている。
【００６１】
第１副画素電極１９１ａは第１接触孔１８５ａを通じて第１ドレイン電極１７５ａと電気的に接続されており、データ線１７１を通して印加されたデータ信号が第１ソース電極１７３ａを経て第１副画素電極１９１ａに充電される。
【００６２】
第３副画素電極１９１ｃは第３接触孔１８５ｃを通じて第３ドレイン電極１７５ｃ及び第４ドレイン電極１７５ｄと電気的に接続されており、データ線１７１を通じて印加されたデータ信号が第３ソース電極１７３ｃを経て第３副画素電極１９１ｃに充電される。この時、第３副画素電極１９１ｃは第３ドレイン電極１７５ｃだけでなく、基準電圧線１３１を通じて印加される信号によって第４ドレイン電極１７５ｄとも接続されているため、実際に第３副画素電極１９１ｃに印加される電圧は基準電圧線１３１に接続された第４薄膜トランジスタを通じて分圧される。したがって、第３副画素電極１９１ｃに印加される電圧は第１副画素電極１９１ａに印加される電圧よりさらに小さくなる。
【００６３】
以下、上部表示板２００について説明する。
【００６４】
透明なガラスまたはプラスチックなどで作られた絶縁基板２１０の上に遮光部材２２０と共通電極２７０が形成されている。遮光部材２２０はブラックマトリックス（ｂｌａｃｋ  ｍａｔｒｉｘ）とも言い、光漏れを防止する。
【００６５】
しかし、本発明の他の実施形態による液晶表示装置の場合、遮光部材２２０は下部表示板１００の上に配置されてもよく、発明の他の一実施形態による液晶表示装置の場合、カラーフィルタは上部表示板２００に配置されてもよい。
【００６６】
表示板１００、２００の内側面には配向膜（ａｌｉｇｎｍｅｎｔ  ｌａｙｅｒ）（図示せず）が形成されており、これらは垂直配向膜であってもよい。
【００６７】
二つの表示板１００、２００の外側面には偏光子（ｐｏｌａｒｉｚｅｒ）（図示せず）が備えられており、二つの偏光子の透過軸は直交し、このうちの一つの透過軸はゲート線１２１に対して平行であるのが好ましい。しかし、偏光子は二つの表示板１００、２００のうちのいずれか一つの外側面にのみ配置されてもよい。
【００６８】
液晶層３は負の誘電率異方性を有し、液晶層３の液晶分子は電場がない状態でその長軸が二つの表示板１００、２００の表面に対して垂直になるように配向されている。したがって、電場がない状態で入射光は直交偏光子を通過せず遮断される。
【００６９】
液晶層３と配向膜のうちの少なくとも一つは光反応性物質、より具体的に反応性メソゲン（ｒｅａｃｔｉｖｅ  ｍｅｓｏｇｅｎ）を含んでもよい。
【００７０】
以下、本実施形態による液晶表示装置の駆動方法について簡略に説明する。
【００７１】
ゲート線１２１にゲートオン信号が印加されると、第１ゲート電極１２４ａ、第２ゲート電極１２４ｂ、第３ゲート電極１２４ｃ、そして第４ゲート電極１２４ｄにゲートオン信号が印加され、第１ゲート電極１２４ａ、第１ソース電極１７３ａ、及び第１ドレイン電極１７５ａを含む第１薄膜トランジスタ、第２ゲート電極１２４ｂ、第２ソース電極１７３ｂ、及び第２ドレイン電極１７５ｂを含む第２薄膜トランジスタ、及び第３ゲート電極１２４ｃ、第３ソース電極１７３ｃ、及び第３ドレイン電極１７５ｃを含む第３薄膜トランジスタがターンオンされる。これにより、データ線１７１に印加されたデータ電圧はターンオンされた第１薄膜トランジスタ、第２薄膜トランジスタ、及び第３薄膜トランジスタを通じてそれぞれ第１副画素電極１９１ａ、第２副画素電極１９１ｂ、及び第３副画素電極１９１ｃに印加される。この時、第１副画素電極１９１ａ及び第２副画素電極１９１ｂには同一の大きさの電圧が印加される。そして、第１副画素電極１９１ａ及び第３副画素電極１９１ｃにも同一の大きさの電圧が印加される。しかし、第３副画素電極１９１ｃに印加された電圧は第３薄膜トランジスタと直列接続されている第４薄膜トランジスタを通じて分圧される。したがって、第３副画素電極１９１ｃに印加される電圧は第１副画素電極１９１ａに印加される電圧よりさらに小さくなる。
【００７２】
以下、図１及び図７を参照して、本実施形態による液晶表示装置の一つの画素領域が含む第１領域Ｐ１及び第２領域Ｐ２について説明する。
【００７３】
図１及び図７に示すように、本実施形態による液晶表示装置の一つの画素領域は第１副画素電極１９１ａが配置される第１領域Ｐ１、第２副画素電極１９１ｂと第３副画素電極１９１ｃが重畳する第２領域Ｐ２の一部分である第２ａ領域Ｐ２ａと第３副画素電極１９１ｃのみ形成された第２領域Ｐ２の一部分である第２ｂ領域Ｐ２ｂからなる。
【００７４】
本実施形態による液晶表示装置の一つの画素領域の第１領域Ｐ１は下部表示板１００に配置される第１副画素電極１９１ａと上部表示板２００に配置される共通電極２７０が電場を生成する。この時、第１副画素電極１９１ａは十字部と互いに異なる四つの方向に伸びている複数の枝電極１９４ａを含む。複数の枝電極１９４ａはゲート線１２１を基準に約４０度乃至約４５度傾いてもよい。複数の枝電極１９４ａの縁によって発生するフリンジフィールドによって、第１領域Ｐ１に配置される液晶層３の液晶分子は互いに異なる四つの方向に傾く。より具体的には、複数の枝電極１９４ａによるフリンジフィールドの水平成分は複数の枝電極１９４ａの辺にほとんど平行であるため、液晶分子は複数の枝電極１９４ａの長さ方向に平行な方向に傾く。
【００７５】
本実施形態による液晶表示装置の一つの画素領域の第２領域Ｐ２のうちの第２ａ領域Ｐ２ａは下部表示板１００に配置される第２副画素電極１９１ｂと上部表示板２００の共通電極２７０の間に形成される電場と共に、第３副画素電極１９１ｃと共通電極２７０の間に形成される電場によって、液晶層３の液晶分子が配列される。
【００７６】
その次に、本実施形態による液晶表示装置の一つの画素領域の第２領域Ｐ２のうちの第２ｂ領域Ｐ２ｂは下部表示板１００に配置される第３副画素電極１９１ｃと上部表示板２００に配置される共通電極２７０が電場を生成する。
【００７７】
前述のように、第３副画素電極１９１ｃに印加される第３電圧の大きさは第１副画素電極１９１ａに印加される第１電圧の大きさより小さい。
【００７８】
したがって、第１領域Ｐ１に配置される液晶層に加えられる電場の強さが最も大きく、第２ｂ領域Ｐ２ｂに配置される液晶層に加えられる電場の強さが最も小さい。第２ａ領域Ｐ２ａには第３副画素電極１９１ｃの下側に配置される第２副画素電極１９１ｂの電場の影響が存在するため、第２ａ領域Ｐ２ａに配置される液晶層に加えられる電場の強さは第１領域Ｐ１に配置される液晶層に加えられる電場の強さよりは小さく、第２ｂ領域Ｐ２ｂに配置される液晶層に加えられる電場の強さよりは大きくなる。
【００７９】
このように、本発明の一実施形態による液晶表示装置は一つの画素領域を相対的に高い第１電圧が印加される第１副画素電極が配置される第１領域、第１電圧と同一の第２電圧が印加される第２副画素電極と相対的に低い第３電圧が印加される第３副画素電極の一部分が絶縁膜を挟んで重畳する第２ａ領域、そして相対的に低い第３電圧が印加される第３副画素電極が配置される第２ｂ領域に区分される。したがって、第１領域、第２ａ領域、第２ｂ領域に対応する液晶分子に加えられる電場の強さが異なるようになり、液晶分子が傾く角度が異なるようになり、これにより、各領域の輝度が異なるようになる。このように、一つの画素領域を互いに異なる輝度を有する３つの領域に区分すれば、階調による透過率の変化を緩慢に調節することによって、側面で低階調と高階調でも階調変化によって透過率が急激に変化することを防止することによって、側面視認性を正面視認性に近くしながらも、低階調と高階調でも正確な階調表現が可能である。
【００８０】
図８は本発明の一実施形態による液晶表示装置を示す配置図である。
【００８１】
図８で説明する実施形態は図１乃至図７で説明した実施形態と大体同一である。但し、第２副画素電極１９１ｂは前述と異なり、第３副画素電極１９１ｃの縦部１９１ｃ２に沿って長く伸びた形状を有する。
【００８２】
図９は本発明の一実施形態による液晶表示装置を示す配置図である。
【００８３】
図９で説明する実施形態は図８で説明した実施形態と大体同一である。但し、第２副画素電極１９１ｂは図８で説明した第２副画素電極１９１ｂより幅が薄く縦方向にさらに長い形状を有する。
【００８４】
図１０は本発明の一実施形態による液晶表示装置を示す配置図である。
【００８５】
図１０で説明する実施形態は図１で説明した実施形態と大部分同一である。但し、一つの画素領域を基準に左右にそれぞれ第１データ線１７１ａと第２データ線１７１ｂが配置される点から差がある。図１で説明した内容は図１０の実施形態に全て適用することができる。以下、本発明の一実施形態による液晶表示装置で一つの画素領域に対応して２つのデータ線１７１ａ、１７１ｂを形成することによって高速駆動をしながら輝度不均一発生を防止する場合について説明する。
【００８６】
図１１乃至図１４は本発明の一実施形態による液晶表示装置の駆動方法を示す概略図である。図１１乃至図１４は図１０の単位画素領域をマトリックス形態に配列して示した図である。
【００８７】
図１０乃至図１４に示すように、本実施形態による単位画素領域（ＰＸ（Ｎ）；Ｎは自然数）はゲート線１２１を基準に分けられている。前述のように図１０を再び参照すれば、単位画素領域ＰＸ（Ｎ）はゲート線１２１が配置される第１領域Ｐ１及びゲート線１２１の下段に配置される第２領域Ｐ２を含んでもよい。本実施形態で一つの単位画素領域ＰＸ（Ｎ）に対応する２つのデータ線１７１ａ、１７１ｂは列反転駆動することができる。
【００８８】
図１０及び図１１に示すように、本発明の一実施形態による液晶表示装置はまず、第Ｎゲート線と第Ｎ＋１ゲート線を同時にターンオンし、データ線１７１ａ、１７１ｂを通じて画素電極１９１ａ、１９１ｂ、１９１ｃを充電する。２つのゲート線を同時にターンオンして充電するため、充電時間を減少させることができる。
【００８９】
図１０及び図１２に示すように、ターンオン状態の第Ｎゲート線と第Ｎ＋１ゲート線がオフされながら第Ｎ＋２ゲート線と第Ｎ＋３ゲート線が同時にターンオンされ、画素電極１９１ａ、１９１ｂ、１９１ｃを充電することができる。
【００９０】
図１０及び図１３に示すように、本発明の一実施形態による液晶表示装置はまず、第Ｎゲート線と第Ｎ＋２ゲート線を同時にターンオンし、第Ｎ画素領域ＰＸ（Ｎ）の画素電極及び第Ｎ＋２画素領域ＰＸ（Ｎ＋２）の画素電極を充電する。２つのゲート線を同時にターンオンして充電するため、充電時間を減少させることができる。
【００９１】
図１０及び図１４に示すように、ターンオン状態の第Ｎゲート線と第Ｎ＋２ゲート線がオフされながら第Ｎ＋１ゲート線と第Ｎ＋３ゲート線が同時にターンオンされ、第Ｎ＋１画素領域ＰＸ（Ｎ＋１）の画素電極と第Ｎ＋３画素領域ＰＸ（Ｎ＋３）の画素電極を充電することができる。その後、第Ｎ＋１ゲート線がオフされると、充電されていた第Ｎ＋２画素領域ＰＸ（Ｎ＋２）の電圧が降下（Ｄｒｏｐ）されることがある。したがって、第Ｎ＋２画素領域ＰＸ（Ｎ＋２）が他の３つの画素領域に比べて明るく見えるか暗く見えることがある。しかし、本実施形態による液晶表示装置で第Ｎ＋１ゲート線と第Ｎ＋２画素領域ＰＸ（Ｎ＋２）の間には第Ｎ＋１画素領域ＰＸ（Ｎ＋１）の第２領域Ｐ２が配置されているため、第Ｎ＋１ゲート線と第Ｎ＋２画素領域ＰＸ（Ｎ＋２）の画素電極間の寄生キャパシタンスによる輝度不均一現象を防止することができる。
【００９２】
以上で本発明の好ましい実施形態について詳細に説明したが、本発明の権利範囲はこれに限定されるものではなく、次の請求範囲で定義している本発明の基本概念を利用した当業者の様々な変形及び改良形態も本発明の権利範囲に属するものである。
【符号の説明】
【００９３】
１１０、２１０      基板
１２１      ゲート線
１３１      基準電極線
１４０      ゲート絶縁膜
１７１      データ線
１８０ａ、１８０ｂ      保護膜
１９１ａ、１９１ｂ、１９１ｃ      画素電極
２２０      遮光部材
２３０      有機膜
２７０      共通電極
【図１】
2015132822.tif 000003
【図２】
2015132822.tif 000004
【図３】
2015132822.tif 000005
【図４】
2015132822.tif 000006
【図５】
2015132822.tif 000007
【図６】
2015132822.tif 000008
【図７】
2015132822.tif 000009
【図８】
2015132822.tif 000010
【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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