(57)【要約】【課題】重合基板から剥離された被処理基板を洗浄する際、当該被処理基板を適切に保持する。【解決手段】第１の洗浄装置は、被処理ウェハＷを保持して回転させるポーラスチャック１９０と、ポーラスチャック１９０に保持された被処理ウェハＷに洗浄液を供給する洗浄液ノズルと、ポーラスチャック１９０に保持された被処理ウェハＷの温度を調節する温度調節機構２００と、を有する。温度調節機構２００は、ポーラスチャック１９０の内部に設けられた発熱体２０１と、発熱体２０１に電力を供給する給電部材２０２と、ポーラスチャック１９０の外部と発熱体２０１との間で給電部材２０２を移動させる移動機構２０３と、を有する。【選択図】図６
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
接着剤で接合された重合基板を被処理基板と支持基板に剥離した後、剥離された被処理基板を洗浄する洗浄装置であって、
被処理基板を保持して回転させる回転保持部と、
前記回転保持部に保持された被処理基板に洗浄液を供給する洗浄液供給部と、
前記回転保持部に保持された被処理基板の温度を調節する温度調節機構と、を有することを特徴とする、洗浄装置。
【請求項２】
前記回転保持部に被処理基板が保持されてから、少なくとも前記洗浄液供給部から被処理基板への洗浄液の供給を開始するまで、被処理基板の温度を調節するように前記温度調節機構を制御する制御部をさらに有することを特徴とする、請求項１に記載の洗浄装置。
【請求項３】
前記温度調節機構は、
前記回転保持部の内部に設けられた発熱体と、
前記発熱体に電力を供給する給電部材と、
前記回転保持部の外部と前記発熱体との間で前記給電部材を移動させる移動機構と、を有することを特徴とする、請求項１又は２に記載の洗浄装置。
【請求項４】
前記温度調節機構は、
前記回転保持部で被処理基板を保持する前に、前記移動機構により前記給電部材を前記発熱体に移動させて、前記給電部材により前記発熱体に電力を供給し、
前記回転保持部で被処理基板を保持した後に、前記給電部材による電力の供給を停止し、前記移動機構により前記給電部材を前記回転保持部の外部に移動させることを特徴とする、請求項３に記載の洗浄装置。
【請求項５】
前記温度調節機構は、
前記回転保持部の内部に設けられた発熱体と、
前記回転保持部の外部に設けられ、前記発熱体に磁場を印加する磁場発生源と、を有することを特徴とする、請求項１又は２に記載の洗浄装置。
【請求項６】
前記温度調節機構は、前記回転保持部に保持された被処理基板に光を照射する光照射部を有することを特徴とする、請求項１〜５のいずれか一項に記載の洗浄装置。
【請求項７】
前記温度調節機構は、前記回転保持部に保持された被処理基板に対して、温度調節された気体を供給する気体供給部を有することを特徴とする、請求項１〜６のいずれか一項に記載の洗浄装置。
【請求項８】
前記洗浄液供給部から供給される洗浄液は所定の温度に調節されていることを特徴とする、請求項１〜７のいずれか一項に記載の洗浄装置。
【請求項９】
請求項１〜８のいずれか一項に記載の洗浄装置を備えた剥離システムであって、
重合基板を被処理基板と支持基板に剥離する剥離装置と、前記剥離装置で剥離された被処理基板を洗浄する前記洗浄装置と、前記剥離装置で剥離された支持基板を洗浄する他の洗浄装置と、を備えた剥離処理ステーションと、
前記剥離処理ステーションに対して、被処理基板、支持基板又は重合基板を搬入出する搬入出ステーションと、
前記剥離処理ステーションと前記搬入出ステーションとの間で、被処理基板、支持基板又は重合基板を搬送する搬送装置と、を有することを特徴とする、剥離システム。
【請求項１０】
接着剤で接合された重合基板を被処理基板と支持基板に剥離した後、剥離された被処理基板を洗浄する洗浄方法であって、
回転保持部で被処理基板を保持する保持工程と、
その後、前記回転保持部で被処理基板を回転させながら、洗浄液供給部から被処理基板に洗浄液を供給して当該被処理基板を洗浄する洗浄工程と、を有し、
前記保持工程の後に、温度調節機構によって被処理基板の温度を調節することを特徴とする、洗浄方法。
【請求項１１】
前記温度調節機構による被処理基板の温度調節は、少なくとも前記洗浄工程において前記洗浄液供給部から被処理基板への洗浄液の供給を開始するまで行われることを特徴とする、請求項１０に記載の洗浄方法。
【請求項１２】
前記温度調節機構は、前記回転保持部の内部に設けられた発熱体を有し、
前記保持工程の前に、前記発熱体の発熱によって前記回転保持部を所定の温度に調節しておき、
前記保持工程の後に、前記発熱体の発熱を停止させることを特徴とする、請求項１０又は１１に記載の洗浄方法。
【請求項１３】
前記温度調節機構による被処理基板の温度調節は、前記回転保持部に保持された被処理基板に光を照射して行われることを特徴とする、請求項１０〜１２のいずれか一項に記載の洗浄方法。
【請求項１４】
前記温度調節機構による被処理基板の温度調節は、前記回転保持部に保持された被処理基板に対して、温度調節された気体を供給して行われることを特徴とする、請求項１０〜１３のいずれか一項に記載の洗浄方法。
【請求項１５】
前記洗浄液供給部から供給される洗浄液は所定の温度に調節されていることを特徴とする、請求項１０〜１４のいずれか一項に記載の洗浄方法。
【請求項１６】
請求項１０〜１５のいずか一項に記載の洗浄方法を洗浄装置によって実行させるように、当該洗浄装置を制御する制御部のコンピュータ上で動作するプログラム。
【請求項１７】
請求項１６に記載のプログラムを格納した読み取り可能なコンピュータ記憶媒体。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、接着剤で接合された重合基板を剥離した後、剥離された被処理基板を洗浄する洗浄装置、当該洗浄装置を備えた剥離システム、当該洗浄装置を用いた洗浄方法、プログラム及びコンピュータ記憶媒体に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、例えば半導体デバイスの製造プロセスにおいて、半導体ウェハ（以下、「ウェハ」とする）の大口径化が進んでいる。また、実装などの特定の工程において、ウェハの薄化が求められている。ここで、例えば大口径で薄いウェハを、そのまま搬送したり、研磨処理したりすると、ウェハに反りや割れが生じるおそれがある。このため、ウェハを補強するために、例えば支持基板であるウェハやガラス基板にウェハを貼り付けることが行われている。そして、このようにウェハと支持基板が接合された状態でウェハの研磨処理等の所定の処理が行われた後、ウェハと支持基板が剥離される。
【０００３】
かかるウェハと支持基板の剥離は、例えば特許文献１に開示されている剥離システムによって行われる。この剥離システムは、接着剤で接合された重合ウェハをウェハと支持基板に剥離する剥離装置と、剥離されたウェハを洗浄する洗浄装置と、剥離装置と洗浄装置との間でウェハを搬送する搬送装置とを有している。かかる場合、剥離装置では、第１の保持部でウェハを保持し、第２の保持部で支持基板を保持した後、重合ウェハを所定の温度に加熱して、重合ウェハ中の接着剤を軟化させる。そして、接着剤の軟化状態を維持した状態で第１の保持部と第２の保持部を相対的に水平方向に移動させて、重合ウェハを剥離する。その後、搬送装置において、剥離されたウェハをベルヌーイチャックにより非接触の状態で保持し、当該ウェハを剥離装置から洗浄装置に搬送する。洗浄装置では、ポーラスチャックでウェハを保持して回転させながら、ウェハ上に接着剤の溶剤を供給し、当該ウェハ上に残存する接着剤を除去する。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２０１３−２３６０９４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、特許文献１に記載された洗浄装置では、搬送装置からポーラスチャックにウェハが受け渡されると、ウェハ上に残存する接着剤の温度が下がってしまい、接着剤が硬化して収縮する場合があった。特にポーラスチャックはウェハを真空引きするため、ウェハの放熱が促進され、接着剤の温度が下がりやすい。また、例えばウェハがポーラスチャックに吸着される面にバンプ等が形成されている場合、ポーラスチャックとウェハの隙間から空気のリークが発生し、ポーラスチャックの吸引力（保持力）は弱くなる。そうすると、ポーラスチャックでウェハを吸引しても、ウェハは接着剤の収縮により反ってしまい、ポーラスチャックに適切に保持されない場合があった。特にウェハは薄化されているため、反りやすい。
【０００６】
このようにウェハが反ると、洗浄装置での洗浄処理を停止する必要があるため、剥離システムにおける剥離処理のスループットが低下する。また、ウェハが損傷したり、当該ウェハ上に形成された電子回路やバンプ等のデバイスが損傷を被るおそれもある。
【０００７】
本発明は、かかる点に鑑みてなされたものであり、重合基板から剥離された被処理基板を洗浄する際、当該被処理基板を適切に保持することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
前記の目的を達成するため、本発明は、接着剤で接合された重合基板を被処理基板と支持基板に剥離した後、剥離された被処理基板を洗浄する洗浄装置であって、被処理基板を保持して回転させる回転保持部と、前記回転保持部に保持された被処理基板に洗浄液を供給する洗浄液供給部と、前記回転保持部に保持された被処理基板の温度を調節する温度調節機構と、を有することを特徴としている。
【０００９】
本発明によれば、回転保持部で被処理基板を保持した後、温度調節機構によって被処理基板の温度を調節し、当該被処理基板上に残存する接着剤の温度を調節できる。そうすると、被処理基板上の接着剤の硬化と収縮が抑制されるので、従来の被処理基板の反りを抑制でき、回転保持部で被処理基板を平坦にして適切に保持することができる。そして、このように被処理基板が平坦に保持されると、洗浄供給部からの洗浄液による被処理基板の洗浄を適切に行うことができ、従来の剥離処理のスループットの低下を抑制することができる。また、被処理基板の反りが抑制されるので、被処理基板が損傷を被るのを抑制でき、さらに当該被処理基板上のデバイスが損傷を被るのも抑制することができる。
【００１０】
前記洗浄装置は、前記回転保持部に被処理基板が保持されてから、少なくとも前記洗浄液供給部から被処理基板への洗浄液の供給を開始するまで、被処理基板の温度を調節するように前記温度調節機構を制御する制御部をさらに有していてもよい。
【００１１】
前記温度調節機構は、前記回転保持部の内部に設けられた発熱体と、前記発熱体に電力を供給する給電部材と、前記回転保持部の外部と前記発熱体との間で前記給電部材を移動させる移動機構と、を有していてもよい。
【００１２】
前記温度調節機構は、前記回転保持部で被処理基板を保持する前に、前記移動機構により前記給電部材を前記発熱体に移動させて、前記給電部材により前記発熱体に電力を供給し、前記回転保持部で被処理基板を保持した後に、前記給電部材による電力の供給を停止し、前記移動機構により前記給電部材を前記回転保持部の外部に移動させてもよい。
【００１３】
前記温度調節機構は、前記回転保持部の内部に設けられた発熱体と、前記回転保持部の外部に設けられ、前記発熱体に磁場を印加する磁場発生源と、を有していてもよい。
【００１４】
前記温度調節機構は、前記回転保持部に保持された被処理基板に光を照射する光照射部を有していてもよい。
【００１５】
前記温度調節機構は、前記回転保持部に保持された被処理基板に対して、温度調節された気体を供給する気体供給部を有していてもよい。
【００１６】
前記洗浄液供給部から供給される洗浄液は所定の温度に調節されていてもよい。
【００１７】
別な観点による本発明は、前記洗浄装置を備えた剥離システムであって、重合基板を被処理基板と支持基板に剥離する剥離装置と、前記剥離装置で剥離された被処理基板を洗浄する前記洗浄装置と、前記剥離装置で剥離された支持基板を洗浄する他の洗浄装置と、を備えた剥離処理ステーションと、前記剥離処理ステーションに対して、被処理基板、支持基板又は重合基板を搬入出する搬入出ステーションと、前記剥離処理ステーションと前記搬入出ステーションとの間で、被処理基板、支持基板又は重合基板を搬送する搬送装置と、を有することを特徴としている。
【００１８】
また別な観点による本発明は、接着剤で接合された重合基板を被処理基板と支持基板に剥離した後、剥離された被処理基板を洗浄する洗浄方法であって、回転保持部で被処理基板を保持する保持工程と、その後、前記回転保持部で被処理基板を回転させながら、洗浄液供給部から被処理基板に洗浄液を供給して当該被処理基板を洗浄する洗浄工程と、を有し、前記保持工程の後に、温度調節機構によって被処理基板の温度を調節することを特徴としている。
【００１９】
前記温度調節機構による被処理基板の温度調節は、少なくとも前記洗浄工程において前記洗浄液供給部から被処理基板への洗浄液の供給を開始するまで行われてもよい。
【００２０】
前記温度調節機構は、前記回転保持部の内部に設けられた発熱体を有し、前記保持工程の前に、前記発熱体の発熱によって前記回転保持部を所定の温度に調節しておき、前記保持工程の後に、前記発熱体の発熱を停止させてもよい。
【００２１】
前記温度調節機構による被処理基板の温度調節は、前記回転保持部に保持された被処理基板に光を照射して行われてもよい。
【００２２】
前記温度調節機構による被処理基板の温度調節は、前記回転保持部に保持された被処理基板に対して、温度調節された気体を供給して行われてもよい。
【００２３】
前記洗浄液供給部から供給される洗浄液は所定の温度に調節されていてもよい。
【００２４】
また別な観点による本発明によれば、前記洗浄方法を洗浄装置によって実行させるように、当該洗浄装置を制御する制御部のコンピュータ上で動作するプログラムが提供される。
【００２５】
さらに別な観点による本発明によれば、前記プログラムを格納した読み取り可能なコンピュータ記憶媒体が提供される。
【発明の効果】
【００２６】
本発明によれば、重合基板から剥離された被処理基板を洗浄する際、当該被処理基板を適切に保持することができる。
【図面の簡単な説明】
【００２７】
【図１】本実施の形態にかかる剥離システムの構成の概略を示す平面図である。
【図２】被処理ウェハと支持ウェハの側面図である。
【図３】剥離装置の構成の概略を示す縦断面図である。
【図４】第１の洗浄装置の構成の概略を示す縦断面図である。
【図５】第１の洗浄装置の構成の概略を示す横断面図である。
【図６】温度調節機構の構成の概略を示す説明図である。
【図７】剥離処理の主な工程を示すフローチャートである。
【図８】ポーラスチャックに被処理ウェハが保持される前に、温度調節機構の発熱体を発熱させる様子を示す説明図である。
【図９】ポーラスチャックに被処理ウェハが保持された後に、温度調節機構の発熱体の発熱を停止させる様子を示す説明図である。
【図１０】他の実施の形態にかかる温度調節機構の構成の概略を示す説明図である。
【図１１】他の実施の形態にかかる第１の洗浄装置の構成の概略を示す縦断面図である。
【図１２】他の実施の形態にかかる第１の洗浄装置の構成の概略を示す縦断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００２８】
以下、本発明の実施の形態について説明する。図１は、本実施の形態にかかる剥離システム１の構成の概略を示す平面図である。
【００２９】
剥離システム１では、図２に示すように被処理基板としての被処理ウェハＷと支持基板としての支持ウェハＳとが接着剤Ｇで接合された重合基板としての重合ウェハＴを、被処理ウェハＷと支持ウェハＳに剥離する。以下、被処理ウェハＷにおいて、接着剤Ｇを介して支持ウェハＳと接合される面を「接合面ＷＪ」といい、当該接合面ＷＪと反対側の面を「非接合面ＷＮ」という。同様に、支持ウェハＳにおいて、接着剤Ｇを介して被処理ウェハＷと接合される面を「接合面ＳＪ」といい、当該接合面ＳＪと反対側の面を「非接合面ＳＮ」という。
【００３０】
被処理ウェハＷは、製品となるウェハであって、例えば接合面ＷＪに複数の電子回路やバンプ等を備えた複数のデバイスが形成されている。また、例えば非接合面ＳＮにも、バンプ等が形成されている場合がある。さらに被処理ウェハＷは、例えば非接合面ＷＮが研磨処理され、薄化されている。具体的には、被処理ウェハＷの厚さは、約２０μｍ〜１００μｍである。
【００３１】
支持ウェハＳは、被処理ウェハＷの径と略同径の円板形状を有し、当該被処理ウェハＷを支持するウェハである。なお、本実施の形態では、支持基板としてウェハを用いた場合について説明するが、例えばガラス基板等の他の基板を用いてもよい。
【００３２】
剥離システム１は、図１に示すように例えば外部との間で複数の被処理ウェハＷ、複数の支持ウェハＳ、複数の重合ウェハＴをそれぞれ収容可能なカセットＣＷ、ＣＳ、ＣＴが搬入出される搬入出ステーション２と、被処理ウェハＷ、支持ウェハＳ、重合ウェハＴに対して所定の処理を施す各種処理装置を備えた剥離処理ステーション３と、剥離処理ステーション３に隣接する後処理ステーション４との間で被処理ウェハＷの受け渡しを行うインターフェイスステーション５と、を一体に接続した構成を有している。
【００３３】
搬入出ステーション２と剥離処理ステーション３は、Ｘ方向（図１中の上下方向）に並べて配置されている。これら搬入出ステーション２と剥離処理ステーション３との間には、ウェハ搬送領域６が形成されている。インターフェイスステーション５は、剥離処理ステーション３のＹ方向負方向側（図１中の左方向側）に配置されている。インターフェイスステーション５のＸ方向正方向側（図１中の上方向側）には、後処理ステーション４に受け渡す前の被処理ウェハＷを検査する検査装置７が配置されている。また、インターフェイスステーション５を挟んで検査装置７の反対側、すなわちインターフェイスステーション５のＸ方向負方向側（図１中の下方向側）には、検査後の被処理ウェハＷの接合面ＷＪ及び非接合面ＷＮの洗浄と、被処理ウェハＷの表裏面の反転を行う検査後洗浄ステーション８が配置されている。
【００３４】
搬入出ステーション２には、カセット載置台１０が設けられている。カセット載置台１０には、複数、例えば３つのカセット載置板１１が設けられている。カセット載置板１１は、Ｙ方向（図１中の左右方向）に一列に並べて配置されている。これらのカセット載置板１１には、剥離システム１の外部に対してカセットＣＷ、ＣＳ、ＣＴを搬入出する際に、カセットＣＷ、ＣＳ、ＣＴを載置することができる。このように搬入出ステーション２は、複数の被処理ウェハＷ、複数の支持ウェハＳ、複数の重合ウェハＴを保有可能に構成されている。
【００３５】
なお、カセット載置板１１の個数は、本実施の形態に限定されず、任意に決定することができる。例えばカセットＣＴを複数載置できるようにしてもよく、これら複数のカセットＣＴのうち、１つのカセットＣＴを不具合ウェハの回収用として用い、他方のカセットＣＴを正常な重合ウェハＴの収容用として用いてもよい。また、搬入出ステーション２に搬入された複数の重合ウェハＴには予め検査が行われており、正常な被処理ウェハＷを含む重合ウェハＴと、欠陥のある被処理ウェハＷを含む重合ウェハＴとに判別されている。
【００３６】
またカセット載置台１０には、処理待ちの複数の重合ウェハＴを一時的に収容して待機させておく待機装置１２が設けられている。待機装置１２には、ダイシングフレームのＩＤ（Ｉｄｅｎｔｉｆｉｃａｔｉｏｎ）の読み取りを行うＩＤ読取機構が設けられ、かかるＩＤ読取機構によって重合ウェハＴを識別することができる。さらに待機装置１２では、位置調節機構によって重合ウェハＴの水平方向の向きを調節することもできる。
【００３７】
ウェハ搬送領域６には、第１の搬送装置２０が配置されている。第１の搬送装置２０は、例えば鉛直方向、水平方向（Ｙ方向、Ｘ方向）及び鉛直軸周りに移動自在な搬送アームを有している。第１の搬送装置２０は、ウェハ搬送領域６内を移動し、搬入出ステーション２と剥離処理ステーション３との間で被処理ウェハＷ、支持ウェハＳ、重合ウェハＴを搬送できる。
【００３８】
剥離処理ステーション３は、重合ウェハＴを被処理ウェハＷと支持ウェハＳに剥離する剥離装置３０を有している。剥離装置３０のＹ方向負方向側（図１中の左方向側）には、剥離された被処理ウェハＷを洗浄する第１の洗浄装置３１が配置されている。剥離装置３０と第１の洗浄装置３１との間には、第２の搬送装置３２が設けられている。また、剥離装置３０のＹ方向正方向側（図１中の右方向側）には、剥離された支持ウェハＳを洗浄する第２の洗浄装置３３が配置されている。このように剥離処理ステーション３には、第１の洗浄装置３１、第２の搬送装置３２、剥離装置３０、第２の洗浄装置３３が、インターフェイスステーション５側からこの順で並べて配置されている。
【００３９】
上記剥離装置３０の構成と上記第１の洗浄装置３１の構成については、それぞれ後述する。
【００４０】
上記第２の搬送装置３２としては、例えば特開２０１３−２３６０９４号公報に記載の剥離装置を用いることができる。すなわち、第２の搬送装置３２は、例えば被処理ウェハＷを非接触の状態で保持するベルヌーイチャックを有している。ベルヌーイチャックは水平方向、鉛直方向及び鉛直軸周り（θ方向）に移動自在に構成されている。また、ベルヌーイチャックは水平軸回りに回動自在に構成され、当該搬送アームに保持された被処理ウェハＷの表裏面を反転させることができる。そして第２の搬送装置３２は、剥離された被処理ウェハＷの表裏面を反転させつつ、剥離装置３０から第１の洗浄装置３１に被処理ウェハＷを搬送できる。
【００４１】
上記第２の洗浄装置３３としては、例えば特開２０１３−２３６０９４号公報に記載の第２の洗浄装置を用いることができる。すなわち、第２の洗浄装置３３は、第１の洗浄装置３１のほぼ同様の構成を有し、後述する第１の洗浄装置３１のポーラスチャック１９０に代えて、支持ウェハＳを保持して回転させるスピンチャックを有している。また、第２の洗浄装置３３には、後述する第１の洗浄装置３１の温度調節機構２００が設けられていない。なお、第２の洗浄装置３３において、スピンチャックの下方には、被処理ウェハＷの裏面、すなわち非接合面ＷＮに向けて洗浄液を噴射するバックリンスノズル（図示せず）が設けられていてもよい。このバックリンスノズルから噴射される洗浄液によって、被処理ウェハＷの非接合面ＷＮと被処理ウェハＷの外周部が洗浄される。
【００４２】
検査装置７では、剥離装置３０により剥離された被処理ウェハＷ上の接着剤Ｇの残渣の有無が検査される。かかる検査は、例えばチャックに保持された被処理ウェハＷを撮像することによって行われる。
【００４３】
検査後洗浄ステーション８では、検査装置７で接着剤Ｇの残渣が確認された被処理ウェハＷの洗浄が行われる。この検査後洗浄ステーション８は、被処理ウェハＷの接合面ＷＪを洗浄する接合面洗浄装置４０、被処理ウェハＷの非接合面ＷＮを洗浄する非接合面洗浄装置４１、被処理ウェハＷの表裏面を上下反転させる反転装置４２を有している。これら接合面洗浄装置４０、反転装置４２、非接合面洗浄装置４１は、後処理ステーション４側からＹ方向に並べて配置されている。
【００４４】
インターフェイスステーション５には、Ｙ方向に延伸する搬送路５０上を移動自在な第３の搬送装置５１が設けられている。第３の搬送装置５１は、鉛直方向及び鉛直軸周り（θ方向）にも移動自在であり、剥離処理ステーション３、後処理ステーション４、検査装置７及び検査後洗浄ステーション８との間で被処理ウェハＷを搬送できる。
【００４５】
なお、後処理ステーション４では、剥離処理ステーション３で剥離された被処理ウェハＷに所定の後処理を行う。所定の後処理として、例えば被処理ウェハＷをマウントする処理や、被処理ウェハＷ上のデバイスの電気的特性の検査を行う処理、被処理ウェハＷをチップ毎にダイシングする処理などが行われる。
【００４６】
以上の剥離システム１には、図１に示すように制御部６０が設けられている。制御部６０は、例えばコンピュータであり、プログラム格納部（図示せず）を有している。プログラム格納部には、剥離システム１における被処理ウェハＷ、支持ウェハＳ、重合ウェハＴの処理を制御するプログラムが格納されている。また、プログラム格納部には、上述の各種処理装置や搬送装置などの駆動系の動作を制御して、剥離システム１における後述の剥離処理を実現させるためのプログラムも格納されている。なお、前記プログラムは、例えばコンピュータ読み取り可能なハードディスク（ＨＤ）、フレキシブルディスク（ＦＤ）、コンパクトディスク（ＣＤ）、マグネットオプティカルデスク（ＭＯ）、メモリーカードなどのコンピュータに読み取り可能な記憶媒体Ｈに記録されていたものであって、その記憶媒体Ｈから制御部６０にインストールされたものであってもよい。
【００４７】
次に、上述した剥離装置３０の構成について説明する。剥離装置３０は、図３に示すように、内部を密閉可能な処理容器１００を有している。処理容器１００の側面には、被処理ウェハＷ、支持ウェハＳ、重合ウェハＴの搬入出口（図示せず）が形成され、当該搬入出口には開閉シャッタ（図示せず）が設けられている。
【００４８】
処理容器１００の底面には、当該処理容器１００の内部の雰囲気を排気する排気口１０１が形成されている。排気口１０１には、例えば真空ポンプなどの排気装置１０２に連通する排気管１０３が接続されている。
【００４９】
処理容器１００の内部には、被処理ウェハＷを下面で吸着保持する第１の保持部１１０と、支持ウェハＳを上面で載置して保持する第２の保持部１１１とが設けられている。第１の保持部１１０は、第２の保持部１１１の上方に設けられ、第２の保持部１１１と対向するように配置されている。すなわち、処理容器１００の内部では、被処理ウェハＷを上側に配置し、且つ支持ウェハＳを下側に配置した状態で、重合ウェハＴに剥離処理が行われる。
【００５０】
第１の保持部１１０には、例えばポーラスチャックが用いられている。第１の保持部１１０は、平板状の本体部１２０を有している。本体部１２０の下面側には、多孔質体であるポーラス１２１が設けられている。ポーラス１２１は、例えば被処理ウェハＷとほぼ同じ径を有し、当該被処理ウェハＷの非接合面ＷＮと当接している。なお、ポーラス１２１としては例えば炭化ケイ素や多孔質セラミックが用いられる。
【００５１】
また、本体部１２０の内部であってポーラス１２１の上方には吸引空間１２２が形成されている。吸引空間１２２は、例えばポーラス１２１を覆うように形成されている。吸引空間１２２には、吸引管１２３が接続されている。吸引管１２３は、例えば真空ポンプなどの負圧発生装置（図示せず）に接続されている。そして、吸引管１２３から吸引空間１２２とポーラス１２１を介して被処理ウェハの非接合面ＷＮが吸引され、当該被処理ウェハＷが第１の保持部１１０に吸着保持される。
【００５２】
また、本体部１２０の内部であって吸引空間１２２の上方には、被処理ウェハＷを加熱する加熱機構１２４が設けられている。加熱機構１２４には、例えばヒータが用いられる。
【００５３】
第１の保持部１１０の上面には、当該第１の保持部１１０を支持する支持板１３０が設けられている。支持板１３０は、処理容器１００の天井面に支持されている。なお、本実施の形態の支持板１３０を省略し、第１の保持部１１０は処理容器１００の天井面に当接して支持されてもよい。
【００５４】
第２の保持部１１１の内部には、支持ウェハＳを吸着保持するための吸引管１４０が設けられている。吸引管１４０は、例えば真空ポンプなどの負圧発生装置（図示せず）に接続されている。
【００５５】
また、第２の保持部１１１の内部には、支持ウェハＳを加熱する加熱機構１４１が設けられている。加熱機構１４１には、例えばヒータが用いられる。
【００５６】
第２の保持部１１１の下方には、第２の保持部１１１及び支持ウェハＳを鉛直方向及び水平方向に移動させる移動機構１５０が設けられている。移動機構１５０は、第２の保持部１１１を鉛直方向に移動させる鉛直移動部１５１と、第２の保持部１１１を水平方向に移動させる水平移動部１５２とを有している。
【００５７】
鉛直移動部１５１は、第２の保持部１１１の下面を支持する支持板１６０と、支持板１６０を昇降させて第１の保持部１１０と第２の保持部１１１を鉛直方向に接近、離隔させる駆動部１６１と、支持板１６０を支持する支持部材１６２とを有している。駆動部１６１は、例えばボールネジ（図示せず）と当該ボールネジを回動させるモータ（図示せず）とを有している。また、支持部材１６２は、鉛直方向に伸縮自在に構成され、支持板１６０と後述する支持体１７１との間に例えば４箇所に設けられている。
【００５８】
水平移動部１５２は、Ｘ方向（図３中の左右方向）に沿って延伸するレール１７０と、レール１７０に取り付けられる支持体１７１と、支持体１７１をレール１７０に沿って移動させる駆動部１７２とを有している。駆動部１７２は、例えばボールネジ（図示せず）と当該ボールネジを回動させるモータ（図示せず）とを有している。なお、駆動部１７２は、図示のようにレール１７０のＸ方向正方向側に配置されていてもよいし、或いはレール１７０のＸ方向負方向側に配置されていてもよい。
【００５９】
なお、第２の保持部１１１の下方には、重合ウェハＴ又は支持ウェハＳを下方から支持し昇降させるための昇降ピン（図示せず）が設けられている。昇降ピンは第２の保持部１１１に形成された貫通孔（図示せず）を挿通し、第２の保持部１１１の上面から突出可能になっている。
【００６０】
また、剥離装置３０における各部の動作は、上述した制御部６０によって制御される。
【００６１】
次に、上述した第１の洗浄装置３１の構成について説明する。第１の洗浄装置３１は、図４及び図５に示すように内部を密閉可能な処理容器１８０を有している。処理容器１８０の側面には、被処理ウェハＷの搬入出口（図示せず）が形成され、当該搬入出口には開閉シャッタ（図示せず）が設けられている。
【００６２】
処理容器１８０内の中央部には、被処理ウェハＷを保持して回転させる、回転保持部としてのポーラスチャック１９０が設けられている。ポーラスチャック１９０は、平板状の本体部１９１と、本体部１９１の上面側に設けられた多孔質体であるポーラス１９２とを有している。ポーラス１９２は、例えば被処理ウェハＷとほぼ同じ径を有し、当該被処理ウェハＷの非接合面ＷＮと当接している。なお、ポーラス１９２としては例えば炭化ケイ素や多孔質セラミックが用いられる。ポーラス１９２には吸引管（図示せず）が接続され、当該吸引管からポーラス１９２を介して被処理ウェハＷの非接合面ＷＮを吸引することにより、当該被処理ウェハＷをポーラスチャック１９０上に吸着保持できる。なお、本体部１９１の内部には、後述する発熱体２０１が設けられている。
【００６３】
ポーラスチャック１９０の下方には、例えばモータなどを備えたチャック駆動部１９３が設けられている。ポーラスチャック１９０は、チャック駆動部１９３により所定の速度に回転できる。また、チャック駆動部１９３には、例えばシリンダなどの昇降駆動源が設けられており、ポーラスチャック１９０は昇降自在になっている。
【００６４】
ポーラスチャック１９０の周囲には、被処理ウェハＷから飛散又は落下する液体を受け止め、回収するカップ１９４が設けられている。カップ１９４の下面には、回収した液体を排出する排出管１９５と、カップ１９４内の雰囲気を真空引きして排気する排気管１９６が接続されている。
【００６５】
処理容器１８０の内部には、図６に示すようにポーラスチャック１９０に保持された被処理ウェハＷの温度を調節する温度調節機構２００が設けられている。温度調節機構２００は、発熱体２０１、給電部材２０２及び移動機構２０３を有している。
【００６６】
発熱体２０１は、ポーラスチャック１９０の本体部１９１の内部において、ポーラス１９２と干渉しない位置に設けられている。発熱体２０１には、給電により発熱する材料、例えば金属の抵抗体が用いられる。本体部１９１の下部には、当該本体部１９１の下面から発熱体２０１まで貫通する貫通孔２０４が形成されている。すなわち発熱体２０１は、この貫通孔２０４において露出している。
【００６７】
給電部材２０２は電源（図示せず）に接続され、発熱体２０１との間で電流を流すことができる。移動機構２０３は例えばモータやシリンダなどを備え、移動機構２０３によって給電部材２０２は昇降自在になっている。そして、貫通孔２０４の真下に配置された給電部材２０２は、発熱体２０１に対して進退自在になっており、貫通孔２０４に挿入されて発熱体２０１に当接できると共に、ポーラスチャック１９０の外部に移動可能になっている。
【００６８】
図５に示すように、カップ１９４のＸ方向負方向（図５中の下方向）側には、Ｙ方向（図５中の左右方向）に沿って延伸するレール２１０が形成されている。レール２１０は、例えばカップ１９４のＹ方向負方向（図５中の左方向）側の外方からＹ方向正方向（図５中の右方向）側の外方まで形成されている。レール２１０には、アーム２１１が取り付けられている。
【００６９】
アーム２１１には、図４及び図５に示すように被処理ウェハＷに洗浄液、例えば接着剤Ｇの溶剤である有機溶剤を供給する、洗浄液供給部としての洗浄液ノズル２１２が支持されている。アーム２１１は、図５に示すノズル駆動部２１３により、レール２１０上を移動自在である。これにより、洗浄液ノズル２１２は、カップ１９４のＹ方向正方向側の外方に設置された待機部２１４からカップ１９４内の被処理ウェハＷの中心部上方まで移動でき、さらに当該被処理ウェハＷ上を被処理ウェハＷの径方向に移動できる。また、アーム２１１は、ノズル駆動部２１３によって昇降自在であり、洗浄液ノズル２１２の高さを調節できる。
【００７０】
洗浄液ノズル２１２には、例えば２流体ノズルが用いられる。洗浄液ノズル２１２には、図４に示すように当該洗浄液ノズル２１２に洗浄液を供給する供給管２２０が接続されている。供給管２２０は、内部に洗浄液を貯留する洗浄液供給源２２１に連通している。供給管２２０には、洗浄液の流れを制御するバルブや流量調節部等を含む供給機器群２２２が設けられている。また、洗浄液ノズル２１２には、当該洗浄液ノズル２１２に不活性ガス、例えば窒素ガスを供給する供給管２２３が接続されている。供給管２２３は、内部に不活性ガスを貯留するガス供給源２２４に連通している。供給管２２３には、不活性ガスの流れを制御するバルブや流量調節部等を含む供給機器群２２５が設けられている。そして、洗浄液と不活性ガスは洗浄液ノズル２１２内で混合され、当該洗浄液ノズル２１２から被処理ウェハＷに供給される。なお、以下においては、洗浄液と不活性ガスを混合したものを単に「洗浄液」という場合がある。
【００７１】
なお、ポーラスチャック１９０の下方には、被処理ウェハＷを下方から支持し昇降させるための昇降ピン（図示せず）が設けられていてもよい。かかる場合、昇降ピンはポーラスチャック１９０に形成された貫通孔（図示せず）を挿通し、ポーラスチャック１９０の上面から突出可能になっている。そして、ポーラスチャック１９０を昇降させる代わりに昇降ピンを昇降させて、ポーラスチャック１９０との間で被処理ウェハＷの受け渡しが行われる。
【００７２】
また、第１の洗浄装置３１における各部の動作は、上述した制御部６０によって制御される。
【００７３】
次に、以上のように構成された剥離システム１を用いて行われる被処理ウェハＷと支持ウェハＳの剥離処理方法について説明する。図７は、かかる剥離処理の主な工程の例を示すフローチャートである。
【００７４】
先ず、複数枚の重合ウェハＴを収容したカセットＣＴ、空のカセットＣＷ、及び空のカセットＣＳが、搬入出ステーション２の所定のカセット載置板１１に載置される。第１の搬送装置２０によりカセットＣＴ内の重合ウェハＴが取り出され、待機装置１２に搬送される。このとき、重合ウェハＴは、被処理ウェハＷを上側に配置し、且つ支持ウェハＳを下側に配置した状態で搬送される。
【００７５】
待機装置１２では、ＩＤ読取機構によって重合ウェハＴのＩＤを読み取るＩＤ読取処理を行う。ＩＤ読取機構によって読み取られたＩＤは、制御部６０へ送信される。また待機装置１２では、位置調節機構によって重合ウェハＴのノッチ部の位置を検出しながら当該重合ウェハＴの向きが調節される。さらに例えば装置間の処理時間差等により処理待ちの重合ウェハＴが生じる場合には、待機装置１２に重合ウェハＴを一時的に待機させておくことができ、一連の工程間でのロス時間を短縮することができる。
【００７６】
剥離装置３０に搬入された重合ウェハＴは、第２の保持部１１１に吸着保持される。その後、移動機構１５０により第２の保持部１１１を上昇させて、第１の保持部１１０と第２の保持部１１１で重合ウェハＴを挟み込んで保持する。このとき、第１の保持部１１０に被処理ウェハＷの非接合面ＷＮが吸着保持され、第２の保持部１１１に支持ウェハＳの非接合面ＳＮが吸着保持される。
【００７７】
その後、加熱機構１２４、１４１によって重合ウェハＴが所定の温度、例えば２００℃〜２５０℃に加熱される。そうすると、重合ウェハＴ中の接着剤Ｇが軟化する。
【００７８】
続いて、加熱機構１２４、１４１によって重合ウェハＴを加熱して接着剤Ｇの軟化状態を維持しながら、移動機構１５０によって第２の保持部１１１と支持ウェハＳを鉛直方向及び水平方向、すなわち斜め下方に移動させる。そして、第１の保持部１１０に保持された被処理ウェハＷと、第２の保持部１１１に保持された支持ウェハＳとが剥離される（図７の工程Ａ１）。
【００７９】
この工程Ａ１において、第２の保持部１１１は、鉛直方向に１００μｍ移動し、且つ水平方向に３００ｍｍ移動する。ここで、本実施の形態では、重合ウェハＴ中の接着剤Ｇの厚みは例えば３０μｍ〜４０μｍであって、被処理ウェハＷの接合面ＷＪに形成されたデバイス（バンプ）の高さは例えば２０μｍである。したがって、被処理ウェハＷ上のデバイスと支持ウェハＳとの間の距離が微小となる。そこで、例えば第２の保持部１１１を水平方向にのみ移動させた場合、デバイスと支持ウェハＳが接触し、デバイスが損傷を被るおそれがある。この点、本実施の形態のように第２の保持部１１１を水平方向に移動させると共に鉛直方向にも移動させることによって、デバイスと支持ウェハＳとの接触を回避し、デバイスの損傷を抑制することができる。なお、この第２の保持部１１１の鉛直方向の移動距離と水平方向の移動距離の比率は、被処理ウェハＷ上のデバイス（バンプ）の高さに基づいて設定される。
【００８０】
その後、剥離装置３０で剥離された被処理ウェハＷは、第２の搬送装置３２によって第１の洗浄装置３１に搬送される。この際、第２の搬送装置３２のベルヌーイチャックは、被処理ウェハＷの接合面ＷＪを非接触で保持しながら、被処理ウェハＷの表裏面を反転させる。そして、被処理ウェハＷの非接合面ＷＮが下方を向いた状態で、ベルヌーイチャックからポーラスチャック１９０に被処理ウェハＷが受け渡され吸着保持される。
【００８１】
第１の洗浄装置３１では、このようにポーラスチャック１９０に被処理ウェハＷが吸着保持される前に、図８に示すように温度調節機構２００の発熱体２０１を所定の温度、例えば８０℃〜１００℃に発熱させる。具体的には、移動機構２０３によって給電部材２０２を上昇させて、当該給電部材２０２を発熱体２０１に当接させる。そして、給電部材２０２により発熱体２０１に電力を供給し、給電部材２０２と発熱体２０１との間で電流を流して、発熱体２０１を上記所定の温度に発熱させる。
【００８２】
その後、ポーラスチャック１９０に被処理ウェハＷが吸着保持されると、図９に示すように温度調節機構２００の発熱体２０１の発熱を停止させる。具体的には、給電部材２０２による発熱体２０１への電極の供給を停止し、移動機構２０３によって給電部材２０２を下降させてポーラスチャック１９０の外部に移動させる。そして、発熱体２０１の発熱を停止させる。
【００８３】
また、ポーラスチャック１９０に被処理ウェハＷが吸着保持された後、移動機構２０３によって給電部材２０２を下降させている間に、アーム２１１によって待機部２１４の洗浄液ノズル２１２を被処理ウェハＷの中心部の上方まで移動させる。その後、ポーラスチャック１９０によって被処理ウェハＷを回転させながら、洗浄液ノズル２１２から被処理ウェハＷの接合面ＷＪに洗浄液を供給する。供給された洗浄液は遠心力により被処理ウェハＷの接合面ＷＪの全面に拡散されて、当該被処理ウェハＷの接合面ＷＪが洗浄される（図７の工程Ａ２）。
【００８４】
ここで、従来、ポーラスチャック１９０に被処理ウェハＷが吸着保持されると、被処理ウェハＷ上に残存する接着剤Ｇの温度が下がり、接着剤Ｇが硬化して収縮するため、被処理ウェハＷが反ってしまう。
【００８５】
これに対して、本実施の形態では、温度調節機構２００によってポーラスチャック１９０は所定の温度、例えば８０℃〜１００℃に加熱されているので、ポーラスチャック１９０に被処理ウェハＷが吸着保持された際、接着剤Ｇの硬化は抑制される。なお、ポーラスチャック１９０の温度は、接着剤Ｇの種類や処理容器１８０内の処理雰囲気の温度に応じて設定される。
【００８６】
そして、洗浄液ノズル２１２から被処理ウェハＷの接合面ＷＪに洗浄液が供給されると、接着剤Ｇが徐々に溶解し除去されていく。すなわち、被処理ウェハＷの反りの要因となる接着剤Ｇの影響が小さくなっていく。そうすると、接着剤Ｇの影響に応じてポーラスチャック１９０の温度が低下しても、被処理ウェハＷが反ることはない。換言すれば、被処理ウェハＷが反る力よりポーラスチャック１９０の吸引力が大きければ、被処理ウェハＷが反ることはない。発明者らが調べたところ、接着剤Ｇが被処理ウェハＷの反りに影響を与えなくなるまでの時間は、例えば洗浄液ノズル２１２から洗浄液を供給し始めてから２０秒後であり、この際にポーラスチャック１９０の温度が例えば５０℃〜６０℃であれば、被処理ウェハＷの反りを回避できることが分かった。
【００８７】
以上のように工程Ａ２において、被処理ウェハＷはポーラスチャック１９０に適切に保持され、当該被処理ウェハＷの接合面ＷＪが適切に洗浄される。
【００８８】
ここで、上述したように搬入出ステーション２に搬入された複数の重合ウェハＴには予め検査が行われており、正常な被処理ウェハＷを含む重合ウェハＴと欠陥のある正常な被処理ウェハＷを含む重合ウェハＴとに判別されている。
【００８９】
正常な重合ウェハＴから剥離された正常な被処理ウェハＷは、工程Ａ２で接合面ＷＪが洗浄された後、非接合面ＷＮが下方を向いた状態で第３の搬送装置５１によって検査装置７に搬送される。検査装置７では、被処理ウェハＷの接合面ＷＪを撮像して、当該接合面ＷＪにおける接着剤Ｇの残渣の有無が検査される（図７の工程Ａ３）。
【００９０】
検査装置７において接着剤Ｇの残渣が確認された場合、被処理ウェハＷは第３の搬送装置５１により検査後洗浄ステーション８の接合面洗浄装置４０に搬送され、接合面洗浄装置４０において接合面ＷＪが洗浄される（図７の工程Ａ４）。接合面ＷＪが洗浄されると、被処理ウェハＷは第３の搬送装置５１によって反転装置４２に搬送され、反転装置４２において被処理ウェハＷの表裏面が反転される（図７の工程Ａ５）。なお、検査装置７で接着剤Ｇの残渣が確認されなかった場合には、被処理ウェハＷは接合面洗浄装置４０に搬送されることなく反転装置４２にて反転される。
【００９１】
その後、反転された被処理ウェハＷは、第３の搬送装置５１により再び検査装置７に搬送され、非接合面ＷＮの検査が行われる（図７の工程Ａ６）。そして、非接合面ＷＮにおいて接着剤Ｇの残渣が確認された場合、被処理ウェハＷは第３の搬送装置５１によって非接合面洗浄装置４１に搬送され、非接合面洗浄装置４１において非接合面ＷＮが洗浄される（図７の工程Ａ７）。次いで、洗浄された被処理ウェハＷは、第３の搬送装置５１によって後処理ステーション４に搬送される。なお、検査装置７で接着剤Ｇの残渣が確認されなかった場合には、被処理ウェハＷは非接合面洗浄装置４１に搬送されることなくそのまま後処理ステーション４に搬送される。
【００９２】
その後、後処理ステーション４において被処理ウェハＷに所定の後処理が行われる（図７の工程Ａ８）。こうして、被処理ウェハＷが製品化される。
【００９３】
一方、欠陥のある重合ウェハＴから剥離された欠陥のある被処理ウェハＷは、工程Ａ２で接合面ＷＪが洗浄された後、第１の搬送装置２０によって搬入出ステーション２に搬送される。その後、欠陥のある被処理ウェハＷは、搬入出ステーション２から外部に搬出され回収される（図７の工程Ａ９）。
【００９４】
被処理ウェハＷに上述した工程Ａ１〜Ａ９が行われている間、剥離装置３０で剥離された支持ウェハＳは、第１の搬送装置２０によって第２の洗浄装置３３に搬送される。そして、第２の洗浄装置３３において、支持ウェハＳの接合面ＳＪが洗浄される（図７の工程Ａ１０）。かかる洗浄処理によって、支持ウェハＳの接合面ＳＪに残存する接着剤Ｇが除去される。
【００９５】
その後、接合面ＳＪが洗浄された支持ウェハＳは、第１の搬送装置２０によって搬入出ステーション２に搬送される。その後、支持ウェハＳは、搬入出ステーション２から外部に搬出され回収される（図７の工程Ａ１１）。こうして、一連の被処理ウェハＷと支持ウェハＳの剥離処理が終了する。
【００９６】
以上の実施の形態によれば、ポーラスチャック１９０で被処理ウェハＷを保持した後、温度調節機構２００によって被処理ウェハＷを加熱し、当該被処理ウェハＷ上に残存する接着剤Ｇを加熱できる。そうすると、被処理ウェハＷ上の接着剤Ｇの硬化と収縮が抑制されるので、従来の被処理ウェハＷの反りを抑制でき、ポーラスチャック１９０で被処理ウェハＷを平坦にして適切に保持することができる。そして、このように被処理ウェハＷが平坦に保持されると、洗浄液ノズル２１２からの洗浄液による被処理ウェハＷの洗浄を適切に行うことができ、従来の剥離処理のスループットの低下を抑制することができる。また、被処理ウェハＷの反りが抑制されるので、被処理ウェハＷが損傷を被るのを抑制でき、さらに当該被処理ウェハＷ上のデバイスが損傷を被るのも抑制することができる。
【００９７】
また、温度調節機構２００は、ポーラスチャック１９０で被処理ウェハＷを保持する前に、発熱体２０１を発熱させ、ポーラスチャック１９０を所定の温度に加熱しておき、その後、ポーラスチャック１９０に被処理ウェハＷが保持されると、発熱体２０１の発熱を停止させる。そうすると、ポーラスチャック１９０に被処理ウェハＷが保持された後も、ポーラスチャック１９０に蓄熱された熱によって接着剤Ｇの硬化と収縮を抑制し、被処理ウェハＷの反りを抑制することができる。
【００９８】
しかも、ポーラスチャック１９０に被処理ウェハＷが保持された後は、給電部材２０２はポーラスチャック１９０の外部に退避する。このため、洗浄液による被処理ウェハＷの洗浄の際にポーラスチャック１９０を回転させても、給電部材２０２や当該給電部材２０２に接続される部材（例えばケーブル等）は損傷を被らず、また給電部材２０２によってポーラスチャック１９０の回転が妨げられることもない。したがって、温度調節機構２００は、被処理ウェハＷの温度調節とポーラスチャック１９０の回転を両方実現できるのである。
【００９９】
さらに、ポーラスチャック１９０に被処理ウェハＷが保持された後、ポーラスチャック１９０に蓄熱された熱によって被処理ウェハＷは加熱される。そうすると、洗浄液ノズル２１２から被処理ウェハＷ上に供給された洗浄液も加熱され、当該洗浄液による被処理ウェハＷの洗浄処理が促進される。すなわち、被処理ウェハＷの洗浄処理のスループットを向上させることができる。
【０１００】
また、以上の実施の形態の剥離システム１によれば、剥離装置３０において重合ウェハＴを被処理ウェハＷと支持ウェハＳに剥離した後、第１の洗浄装置３１において、剥離された被処理ウェハＷを洗浄すると共に、第２の洗浄装置３３において、剥離された支持ウェハＳを洗浄することができる。このように本実施の形態によれば、一の剥離システム１内で、被処理ウェハＷと支持ウェハＳの剥離から被処理ウェハＷの洗浄と支持ウェハＳの洗浄までの一連の剥離処理を効率よく行うことができる。また、第１の洗浄装置３１と第２の洗浄装置３３において、被処理ウェハＷの洗浄と支持ウェハＳの洗浄をそれぞれ並行して行うことができる。さらに、剥離装置３０において被処理ウェハＷと支持ウェハＳを剥離する間に、第１の洗浄装置３１と第２の洗浄装置３３において別の被処理ウェハＷと支持ウェハＳを処理することもできる。したがって、被処理ウェハＷと支持ウェハＳの剥離を効率よく行うことができ、剥離処理のスループットを向上させることができる。
【０１０１】
また、このように一連のプロセスにおいて、被処理ウェハＷと支持ウェハＳの剥離から被処理ウェハＷの後処理まで行うことができるので、ウェハ処理のスループットをさらに向上させることができる。
【０１０２】
以上の実施の第１の洗浄装置３１において、被処理ウェハＷの温度調節機構は、上記実施の形態の温度調節機構２００に限定されず、種々の構成を取り得る。図１０〜図１２は、温度調節機構の変形例を示している。
【０１０３】
図１０に示すように、温度調節機構３００は、発熱体３０１と磁場発生源３０２を有していてもよい。発熱体３０１は、ポーラスチャック１９０の本体部１９１の内部において、ポーラス１９２と干渉しない位置に設けられている。発熱体３０１には、磁場によって加熱する材料、例えば金属の磁性体が用いられる。
【０１０４】
磁場発生源３０２は、ポーラスチャック１９０の外部に設けられている。また、磁場発生源３０２は電源（図示せず）に接続され、当該磁場発生源３０２に電流を流すことによって磁場を発生させることができる。そして、この磁場発生源３０２で発生した磁場が発熱体３０１に印加され、電磁誘導の原理により、発熱体３０１が発熱する。
【０１０５】
かかる場合においても、上記実施の形態と同様の効果を享受できる。すなわち、工程Ａ２においてポーラスチャック１９０で被処理ウェハＷを保持した後、温度調節機構３００によって被処理ウェハＷを加熱し、当該被処理ウェハＷ上に残存する接着剤Ｇを加熱することで、従来の被処理ウェハＷの反りを抑制することができる。
【０１０６】
また、温度調節機構３００は、ポーラスチャック１９０と非接触で発熱体３０１を発熱させることができるので、ポーラスチャック１９０が停止中に限らず回転中も、被処理ウェハＷを加熱できる。そうすると、ポーラスチャック１９０で被処理ウェハＷを回転させながら、洗浄液ノズル２１２から被処理ウェハＷに洗浄液を供給している間も、被処理ウェハＷを加熱できる。したがって、従来の被処理ウェハＷの反りをより確実に抑制することができる。
【０１０７】
図１１に示すように、温度調節機構３１０は光照射部３１１を有していてもよい。光照射部３１１は、処理容器１８０の天井面において、ポーラスチャック１９０の上方に設けられている。光照射部３１１は、ポーラスチャック１９０に保持された被処理ウェハＷに光を照射して、当該被処理ウェハＷを所定の温度に加熱することができる。光照射部３１１には、例えばランプが用いられる。
【０１０８】
かかる場合においても、上記実施の形態と同様の効果を享受できる。すなわち、工程Ａ２においてポーラスチャック１９０で被処理ウェハＷを保持した後、温度調節機構３１０によって被処理ウェハＷを加熱し、当該被処理ウェハＷ上に残存する接着剤Ｇを加熱することで、従来の被処理ウェハＷの反りを抑制することができる。
【０１０９】
なお、本実施の形態では、洗浄液ノズル２１２から被処理ウェハＷに洗浄液を供給する際に光照射部３１１から光を照射すると、当該光が洗浄液ノズル２１２や洗浄液ノズル２１２の周辺部材（例えばアーム２１１等）にも照射される。このため、洗浄液ノズル２１２が被処理ウェハＷの上方に配置された後は、光照射部３１１からの光の照射を停止するのが好ましい。
【０１１０】
図１２に示すように、温度調節機構３２０は気体供給部３２１を有していてもよい。気体供給部３２１は、処理容器１８０の天井面において、ポーラスチャック１９０の上方に設けられている。気体供給部３２１は、ポーラスチャック１９０に保持された被処理ウェハＷに温度調節された気体を供給して、当該被処理ウェハＷを所定の温度に加熱することができる。気体供給部３２１には、ＦＦＵ（ファンフィルタユニット）にヒータが内蔵されたものが用いられる。なお、気体供給部３２１から供給された気体は、排気管１９６から排気される。
【０１１１】
かかる場合においても、上記実施の形態と同様の効果を享受できる。すなわち、工程Ａ２においてポーラスチャック１９０で被処理ウェハＷを保持した後、温度調節機構３２０によって被処理ウェハＷを加熱し、当該被処理ウェハＷ上に残存する接着剤Ｇを加熱することで、従来の被処理ウェハＷの反りを抑制することができる。
【０１１２】
また、温度調節機構３２０は、ポーラスチャック１９０が停止中に限らず回転中も、被処理ウェハＷを加熱できる。そうすると、温度調節機構３２０は、ポーラスチャック１９０で被処理ウェハＷを回転させながら、洗浄液ノズル２１２から被処理ウェハＷに洗浄液を供給している間も、被処理ウェハＷを加熱できる。したがって、従来の被処理ウェハＷの反りをより確実に抑制することができる。
【０１１３】
以上のように第１の洗浄装置３１の温度調節機構による被処理ウェハＷ（接着剤Ｇ）の加熱は、ポーラスチャック１９０に被処理ウェハＷが保持されてから、少なくとも洗浄液ノズル２１２から被処理ウェハＷへの洗浄液の供給を開始するまでの間、例えば１０秒〜１５秒行われる。但し、例えば図１０と図１２に示した場合のように、洗浄液ノズル２１２から被処理ウェハＷへの洗浄液の供給を開始した後、接着剤Ｇが被処理ウェハＷの反りに影響を与えなくなるまでの時間、例えば２０秒が経過するまで、被処理ウェハＷ（接着剤Ｇ）の加熱を継続してもよい。
【０１１４】
以上の実施の形態の第１の洗浄装置３１において、洗浄液ノズル２１２から供給される洗浄液は所定の温度、例えば４０℃〜７０℃に調節されていてもよい。かかる場合、洗浄液ノズル２１２から被処理ウェハＷに洗浄液を供給している間、被処理ウェハＷ上の接着剤Ｇの硬化と収縮をより確実に抑制することができる。また、温度調節された洗浄液によって、被処理ウェハＷの洗浄処理のスループットを向上させることができる。
【０１１５】
以上の実施の形態では、第１の洗浄装置３１の洗浄液ノズル２１２には２流体ノズルが用いられていたが、洗浄液ノズル２１２の形態は本実施の形態に限定されず種々のノズルを用いることができる。例えば洗浄液ノズル２１２として、有機溶剤を供給するノズルと不活性ガスを供給するノズルとを一体化したノズル体や、スプレーノズル、ジェットノズル、メガソニックノズルなどを用いてもよい。
【０１１６】
また、第１の洗浄装置３１において、洗浄液ノズル２１２に加えて、ＩＰＡ（イソプロピルアルコール）を供給するノズルを設けてもよい。かかる場合、洗浄液ノズル２１２からの洗浄液によって被処理ウェハＷを洗浄した後、被処理ウェハＷ上の洗浄液をＩＰＡに置換する。そうすると、被処理ウェハＷの接合面ＷＪがより確実に洗浄される。
【０１１７】
以上の実施の形態の剥離システム１において、剥離装置３０で加熱された被処理ウェハＷを所定の温度に冷却する温度調節装置（図示せず）が設けられていてもよい。かかる場合、被処理ウェハＷの温度が適切な温度に調節されるので、後続の処理をより円滑に行うことができる。
【０１１８】
また以上の実施の形態の剥離システム１において、剥離前の重合ウェハＴにおける接着剤Ｇの周縁部を除去するエッジカット装置（図示せず）が設けられていてもよい。エッジカット装置では、例えば接着剤Ｇの溶剤に重合ウェハＴを浸漬させることによって、接着剤Ｇの周縁部を溶剤によって溶解させる。かかるエッジカット処理により接着剤Ｇの周縁部が除去されることで、剥離装置３０での剥離処理において被処理ウェハＷと支持ウェハＳとを剥離させ易くすることができる。
【０１１９】
以上の実施の形態の重合ウェハＴには、当該重合ウェハＴの損傷を抑制するための保護部材、例えばダイシングフレーム（図示せず）が設けられていてもよい。ダイシングフレームは、被処理ウェハＷ側に設けられている。そして、被処理ウェハＷが支持ウェハＳから剥離された後も、薄化された被処理ウェハＷはダイシングフレームに保護された状態で、所定の処理や搬送が行われる。したがって、剥離後の被処理ウェハＷの損傷を抑制することができる。
【０１２０】
以上の実施の形態では、後処理ステーション４において被処理ウェハＷに後処理を行い製品化する場合について説明したが、本発明は、例えば３次元集積技術で用いられる被処理ウェハを支持ウェハから剥離する場合にも適用することができる。なお、３次元集積技術とは、近年の半導体デバイスの高集積化の要求に応えた技術であって、高集積化した複数の半導体デバイスを水平面内で配置する代わりに、当該複数の半導体デバイスを３次元に積層する技術である。この３次元集積技術においても、積層される被処理ウェハの薄化が求められており、当該被処理ウェハを支持ウェハに接合して所定の処理が行われる。
【０１２１】
以上、添付図面を参照しながら本発明の好適な実施の形態について説明したが、本発明はかかる例に限定されない。当業者であれば、特許請求の範囲に記載された思想の範疇内において、各種の変更例または修正例に想到し得ることは明らかであり、それらについても当然に本発明の技術的範囲に属するものと了解される。本発明はこの例に限らず種々の態様を採りうるものである。本発明は、基板がウェハ以外のＦＰＤ（フラットパネルディスプレイ）、フォトマスク用のマスクレチクルなどの他の基板である場合にも適用できる。
【符号の説明】
【０１２２】
１    剥離システム
２    搬入出ステーション
３    剥離処理ステーション
２０  第１の搬送装置
３０  剥離装置
３１  第１の洗浄装置
３３  第２の洗浄装置
６０  制御部
１９０  ポーラスチャック
２００  温度調節機構
２０１  発熱体
２０２  給電部材
２０３  移動機構
２１２  洗浄液ノズル
３００  温度調節機構
３０１  発熱体
３０２  磁場発生源
３１０  温度調節機構
３１１  光照射部
３２０  温度調節機構
３２１  気体供給部
Ｇ    接着剤
Ｓ    支持ウェハ
Ｔ    重合ウェハ
Ｗ    被処理ウェハ
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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