(57)【要約】【課題】発光輝度の均一性を向上させた電気光学装置を提供する。【解決手段】機能層１１１は、隔壁２４によって形成された開口部２５ａ，２５ｂの内側に、薄膜毎に種類の異なる機能材料を含む機能液を塗布し乾燥させることによって形成される。隔壁２８，２９は、機能液に対して親液性を示す下壁層２８ａ，２９ａと、この上に機能液に対して揆液性を示す上壁層２８ｂ，２９ｂと、を含み、開口部２５ａ，２５ｂを形成する下壁層２８ａ，２９ａ及び上壁層２８ｂ，２９ｂの側面が開口部２５ａ，２５ｂの内側に向かって傾斜した傾斜面２６ａ，２７ａを有する。機能層１１１を形成する少なくとも１つの薄膜は、傾斜面２６ａ，２７ａよりも上壁層２８ｂ，２９ｂの上面側にはみ出した状態で設けられている。【選択図】図４
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板の上に、少なくとも発光層を含む複数の薄膜を積層することによって形成された機能層と、前記機能層が形成される領域を区画する隔壁と、を備え、
前記機能層は、前記隔壁によって形成された開口部の内側に、前記薄膜毎に種類の異なる機能材料を含む機能液を塗布し乾燥させることによって形成され、
前記隔壁は、前記機能液に対して親液性を示す下壁層と、この上に前記機能液に対して揆液性を示す上壁層と、を含み、前記開口部を形成する前記下壁層及び前記上壁層の側面が前記開口部の内側に向かって傾斜した傾斜面を有し、
前記機能層を形成する少なくとも１つの薄膜は、前記傾斜面よりも前記上壁層の上面側にはみ出した状態で設けられていることを特徴とする電気光学装置。
【請求項２】
前記隔壁は、第１の開口部を形成する第１の段差部と、前記第１の段差部よりも上段に位置して、前記第１の開口部よりも大きい第２の開口部を形成する第２の段差部と、を有し、
前記第１の段差部は、前記下壁層及び前記上壁層を含む第１のバンク層により形成され、前記第１の開口部を形成する前記下壁層及び前記上壁層の側面が前記第１の開口部の内側に向かって傾斜した第１の傾斜面を有し、
前記第２の段差部は、前記第１のバンク層の面上に、前記下壁層及び前記上壁層を含む第２のバンク層により形成され、前記第２の開口部を形成する前記下壁層及び前記上壁層の側面が前記第２の開口部の内側に向かって傾斜した第２の傾斜面を有し、
前記機能層を形成する複数の薄膜のうち、前記発光層の下層に位置する少なくとも１つの薄膜は、前記第１の傾斜面よりも前記第１のバンク層の上面側にはみ出した状態で設けられ、
前記発光層を形成する薄膜は、前記第２の傾斜面よりも前記第２のバンク層の上面側にはみ出した状態で設けられていることを特徴とする請求項１に記載の電気光学装置。
【請求項３】
前記第１の段差部は、前記基板の面上において高さが相対的に低くなる領域と前記第１の開口部とが平面視で重なる領域に沿って設けられ、
前記第２の段差部は、前記基板の面上において高さが相対的に高くなる領域と前記第２の開口部とが平面視で重なる領域に沿って設けられていることを特徴とする請求項２に記載の電気光学装置。
【請求項４】
前記第２のバンク層は、遮光性を有することを特徴とする請求項２又は３に記載の電気光学装置。
【請求項５】
前記何れかの傾斜面において、前記下壁層の側面の傾斜角よりも前記上壁層の側面の傾斜角が小さいことを特徴とする請求項１〜４の何れか一項に記載の電気光学装置。
【請求項６】
前記下壁層の側面の傾斜角が４５°以下であり、前記下壁層の厚みが１０μｍ以下であることを特徴とする請求項５に記載の電気光学装置。
【請求項７】
請求項１〜６の何れか一項に記載の電気光学装置を備える電子機器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電気光学装置及び電子機器に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、有機エレクトロルミネッセンス（ＥＬ：Electro Luminecent）素子や発光ポリマー素子などの有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ：Organic Light Emitting Diode）と呼ばれる発光素子を用いた電気光学装置の開発が進められている。また、有機ＥＬ素子は、自発光型であるため、視認性が高いだけでなく、薄くて軽く、耐衝撃性にも優れていることから、液晶表示装置に代わる表示デバイスとして注目されている。
【０００３】
有機ＥＬ素子は、例えば、薄膜トランジスタ（ＴＦＴ：Thin Film Transistor）などのスイッチング素子が形成されたガラス基板などの光透過性を有する基板の上に、ＩＴＯ（Indium Tin Oxide）などの透明電極材料からなるアノード電極と、正孔注入層（ＨＩＬ：Hole Injection Layer）、正孔輸送層（ＨＴＬ：Hole Transfer Layer）、発光層（ＥＭＬ：EMissive Layer）、電子輸送層（ＥＴＬ：Electron Transport Layer）及び電子注入層（ＥＩＬ：Electron Injection Layer）を含む機能層と、ＭｇＡｇ合金などの導電性金属材料からなるカソード電極とを順次積層した構造を有している。
【０００４】
有機ＥＬ素子において発光層を形成する際は、低分子系の有機材料を蒸着法で成膜する方法と、高分子系の有機材料を液状にして塗布する方法とが知られている。最近では、材料の無駄がなく、微細且つ容易にパターニングできるインクジェット法を用いて、有機材料を溶媒に溶解又は分散した機能液（インク）を塗布する方法を採用した電気光学装置の開発が行われている（例えば、特許文献１〜７を参照。）。
【０００５】
具体的には、基板の上に、機能層が形成される領域を区画する隔壁を設け、この隔壁によって形成された開口部の内側に、発光層形成材料を溶媒に溶解又は分散したインクをインクジェット法により塗布した後、乾燥させることによって発光層が形成される。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特許第５３４３８１５号公報
【特許文献２】特開２０１０−９８１５号公報
【特許文献３】特開２００８−４３７８号公報
【特許文献４】特開２００３−２４９３７７号公報
【特許文献５】特開２００７−５３３３４号公報
【特許文献６】特開２００５−１７４９０７号公報
【特許文献７】再公表ＷＯ２００８／１４９４９８号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
しかしながら、従来の電気光学装置では、乾燥後に隔壁の内側に形成された発光層の膜厚（表面高さ）が不均一となることによって、発光輝度の均一性が低下してしまうといった問題があった。特に、発光層の膜厚は、開口部と隔壁との境界部分、すなわち開口部を形成する隔壁の側面に沿った位置において大きく変化することから、この境界部分での発光輝度の不均一性が問題となっている。
【０００８】
本発明の一つの態様は、このような従来の事情に鑑みて提案されたものであり、発光輝度の均一性を向上させた電気光学装置、並びにそのような電気光学装置を備えた電子機器を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明の一つの態様に係る電気光学装置は、基板の上に、少なくとも発光層を含む複数の薄膜を積層することによって形成された機能層と、機能層が形成される領域を区画する隔壁と、を備える。機能層は、隔壁によって形成された開口部の内側に、薄膜毎に種類の異なる機能材料を含む機能液を塗布し乾燥させることによって形成される。隔壁は、機能液に対して親液性を示す下壁層と、この上に機能液に対して揆液性を示す上壁層と、を含み、開口部を形成する下壁層及び上壁層の側面が開口部の内側に向かって傾斜した傾斜面を有する。機能層を形成する少なくとも１つの薄膜は、傾斜面よりも上壁層の上面側にはみ出した状態で設けられている。
この構成によれば、開口部と隔壁との境界部分での薄膜の膜厚（表面高さ）の変動を低く抑えることができる。これにより、発光輝度の均一性を向上させた電気光学装置を提供することが可能である。
【００１０】
また、上記構成において、隔壁は、第１の開口部を形成する第１の段差部と、第１の段差部よりも上段に位置して、第１の開口部よりも大きい第２の開口部を形成する第２の段差部と、を有し、第１の段差部は、下壁層及び上壁層を含む第１のバンク層により形成され、第１の開口部を形成する下壁層及び上壁層の側面が第１の開口部の内側に向かって傾斜した第１の傾斜面を有し、第２の段差部は、第１のバンク層の面上に、下壁層及び上壁層を含む第２のバンク層により形成され、第２の開口部を形成する下壁層及び上壁層の側面が第２の開口部の内側に向かって傾斜した第２の傾斜面を有し、機能層を形成する複数の薄膜のうち、発光層の下層に位置する少なくとも１つの薄膜は、第１の傾斜面よりも第１のバンク層の上面側にはみ出した状態で設けられ、発光層を形成する薄膜は、第２の傾斜面よりも第２のバンク層の上面側にはみ出した状態で設けられている構成であってもよい。
この構成によれば、第１の開口部と第１の段差部（第１のバンク層）との境界部分での発光層の下層に位置する少なくとも１つの薄膜の膜厚（表面高さ）の変動を低く抑えると共に、第２の開口部と第２の段差部（第２のバンク層）との境界部分での発光層を形成する薄膜の膜厚（表面高さ）の変動を低く抑えることができる。
【００１１】
また、上記構成において、第１の段差部は、基板の面上において高さが相対的に低くなる領域と第１の開口部とが平面視で重なる領域に沿って設けられ、第２の段差部は、基板の面上において高さが相対的に高くなる領域と第２の開口部とが平面視で重なる領域に沿って設けられている構成であってもよい。
この構成によれば、機能層による発光領域を大きく確保すると共に、第１の開口部及び第２の開口部の内側に形成される各薄膜の膜厚を十分に確保することができる。これにより、更なる高精細化に対応することが可能である。また、基板の面上において高さが相対的に低くなる領域と、基板の面上において高さが相対的に高くなる領域との高低差による影響を抑えつつ、各薄膜の膜厚の均一性を確保することによって、発光輝度の均一性の更なる向上を図ることができる。特に、このような構造は、基板とは反対側から光を取り出すトップエミッション構造に適用するのに好適である。
【００１２】
また、上記構成において、第２のバンク層は、遮光性を有する構成であってもよい。
この構成によれば、基板とは反対側から光を取り出すトップエミッション構造において、第２のバンク層の下層に位置する配線等による反射の影響を回避することができる。
【００１３】
また、上記何れかの傾斜面において、下壁層の側面の傾斜角よりも上壁層の側面の傾斜角が小さい構成であってもよい。
この構成によれば、薄膜の膜厚の均一性を確保することができる。
【００１４】
また、上記構成において、下壁層の側面の傾斜角が４５°以下であり、下壁層の厚みが１０μｍ以下である構成であってもよい。
この構成によれば、薄膜の膜厚の均一性を確保することができる。
【００１５】
また、本発明の一つの態様に係る電子機器は、上記何れかの電気光学装置を備えることを特徴とする。
この構成によれば、発光輝度の均一性を向上させた電気光学装置を備えた電子機器を提供することが可能である。
【図面の簡単な説明】
【００１６】
【図１】本発明の一実施形態に係る電気光学装置の回路構成を示す模式図である。
【図２】図１に示す電気光学装置の画素領域の平面構造を示す透視平面図である。
【図３】図１に示す電気光学装置の画素領域の断面構造を示す断面図である。
【図４】図１に示す電気光学装置の隔壁と開口部との境界部分を拡大した断面図である。
【図５】図１に示す電気光学装置を備える電子機器の一例を示す斜視図である。
【図６】図１に示す電気光学装置を備える電子機器の一例を示す斜視図である。
【図７】図１に示す電気光学装置を備える電子機器の一例を示す斜視図である。
【発明を実施するための形態】
【００１７】
以下、本発明の実施の形態について、図面を参照して詳細に説明する。
なお、以下の説明で用いる図面は、特徴をわかりやすくするために、便宜上特徴となる部分を拡大して示している場合があり、各構成要素の寸法比率などが実際と同じであるとは限らない。また、以下の説明において例示される材料、寸法等は一例であって、本発明はそれらに必ずしも限定されるものではなく、その要旨を変更しない範囲で適宜変更して実施することが可能である。
【００１８】
（電気光学装置）
先ず、本発明の一実施形態として図１に示す電気光学装置１の回路構成について説明する。なお、図１は、電気光学装置１の回路構成を示す模式図である。
【００１９】
電気光学装置１は、図１に示すように、基板１００の面上に、所定の間隔で並ぶ複数の走査線１０１と、複数の走査線１０１に対して空間を隔ててほぼ直角に交差する方向に所定の間隔で並ぶ複数の信号線１０２と、複数の信号線１０２に対して空間を隔ててほぼ平行な方向に所定の間隔で並ぶ複数の電源線１０３とを含む配線を備えている。また、複数の走査線１０１と複数の信号線１０２の各交点付近において、複数の画素領域Ａがマトリックス状に配列した状態で設けられている。
【００２０】
各信号線１０２には、シフトレジスタ、レベルシフタ、ビデオライン及びアナログスイッチを備える信号側駆動回路１０４が接続されている。また、各走査線１０１には、シフトレジスタ及びレベルシフタを備える走査側駆動回路１０５が接続されている。
【００２１】
各画素領域Ａには、走査線１０１を介して走査信号が供給されるスイッチング用ＴＦＴ１０６と、このスイッチング用ＴＦＴ１０６を介して信号線１０２から供給される画素信号を保持する保持容量１０７と、この保持容量１０７によって保持された画素信号が供給される駆動用ＴＦＴ１０８と、この駆動用ＴＦＴ１０８を介して電源線１０３に電気的に接続したときに電源線１０３から駆動電流が流れ込む画素電極（陽極）１０９と、この画素電極１０９と対向する対向電極（陰極）１１０と、画素電極１０９と対向電極１１０との間に挟み込まれた機能層１１１とが設けられている。
【００２２】
以上のような構成を有する電気光学装置１では、走査線１０１が駆動されてスイッチング用ＴＦＴ１０６がオンになると、そのときの信号線１０２の電位が保持容量１０７に保持される。また、この保持容量１０７の状態に応じて、駆動用ＴＦＴ１０８のオン・オフの状態が決まる。そして、駆動用ＴＦＴ１０８のチャネルを介して、電源線１０３から画素電極（陽極）１０９に電流が流れ、さらに機能層１１１を介して対向電極（陰極）１１０に電流が流れる。機能層１１１は、この流れる電流量に応じて発光する。このような画素領域Ａでの発光を制御することで所望の画像を表示することができる。
【００２３】
なお、電気光学装置１には、基板１００側から光を取り出すボトムエミッション構造と、基板１００とは反対側から光を取り出すトップエミッション構造とがある。本実施形態の電気光学装置１は、何れの構造も採用可能である。ボトムエミッション構造を採用した場合、基板１００には、各種のガラス材料や透明樹脂材料などの光透過性を有する基板（透明基板）を用いることができる。一方、トップエミッション構造を採用した場合、基板１００には、上述した透明基板の他にも、セラミックス材料や金属材料などからなる基板を用いることができる。
【００２４】
次に、上記電気光学装置１の画素領域Ａにおける具体的な構造について図２及び図３を参照して説明する。なお、図２は、画素領域Ａの平面構造を示す透視平面図である。図３は、画素領域Ａの断面構造を示す断面図である。
【００２５】
本実施形態の電気光学装置１は、トップエミッション構造を採用した例であり、基板１００としてガラス基板を用いている。具体的に、この電気光学装置１は、図２及び図３に示すように、上述した基板１００の面上に、駆動素子部１１と、機能素子部１２とを順次積層した構造を有している。
【００２６】
駆動素子部１１は、上述した各種の配線１０１〜１０３や、スイッチング用ＴＦＴ１０６、保持容量１０７、駆動用ＴＦＴ１０８等を基板１００の面上に形成することによって構成されている。このうち、駆動用ＴＦＴ１０８は、基板１００の面上に形成されたゲート電極１３とソース電極１４とドレイン電極１５とを有している。ゲート電極１３は、スイッチング用ＴＦＴ１０６のドレイン電極（図示せず。）と電気的に接続されている。ゲート電極１３の上には、ゲート絶縁膜１６を介して半導体層１７が設けられている。半導体層１７の上には、第１の層間絶縁膜１８が設けられている。ソース電極１４とドレイン電極１５とは、第１の層間絶縁膜１８に形成されたコンタクトプラグ１９ａ，１９ｂを介して半導体層１７のソース領域とドレイン領域とに電気的に接続されている。また、基板１００の上には、この駆動素子部１１が形成された面上を平坦化する平坦化層２０が設けられている。
【００２７】
機能素子部１２は、平坦化層２０の面上に、上述した画素電極１０９と、機能層１１１と、対向電極１１０とを順次積層することによって、有機ＥＬ素子部を構成している。画素電極１０９は、アノード電極として、例えばＩＴＯ（Indium Tin Oxide）などの透明電極材料を用いて矩形状に形成されている。画素電極１０９は、平坦化層２０に形成されたコンタクトプラグ２１を介してドレイン電極１５と電気的に接続されている。また、画素電極１０９が形成された平坦化層２０の面上には、第２の層間絶縁膜２２が設けられている。また、第２の層間絶縁膜２２の画素電極１０９と対向する位置には、矩形状の開口部２２ａが設けられている。対向電極１１０は、カソード電極として、例えばＭｇＡｇ合金などの導電性金属材料を用いて画素電極１０９に対向して設けられている。
【００２８】
なお、トップエミッション構造の場合、ＩＴＯなどの透明電極材料からなる画素電極１０９の下には、例えばＡｌ等の金属材料からなる光反射膜（図示せず。）が設けられている。一方、画素電極１０９が光反射特性を有する金属材料からなる場合は、光反射膜を省略することが可能である。
【００２９】
機能層１１１は、少なくとも発光層（ＥＭＬ）を含む複数の薄膜を積層することによって構成されている。具体的に、本実施形態の機能層１１１は、正孔注入層（ＨＩＬ）、正孔輸送層（ＨＴＬ）、発光層（ＥＭＬ）、電子輸送層（ＥＴＬ）及び電子注入層（ＥＩＬ）を含む複数の薄膜を積層することによって形成されている。なお、発光層（ＥＭＬ）については、カラー表示を行う場合、画素領域Ａ毎に赤（Ｒ）、緑（Ｇ）、青（Ｂ）の各色光に対応した有機材料を含む薄膜を形成することによって、それぞれの発色を異ならせることが可能である。また、基板１００の上には、この機能素子部１２が形成された面上を覆うシール層２３ａ及び封止基板２３ｂが設けられている。
【００３０】
機能素子部１２は、機能層１１１が形成される領域を区画する隔壁２４を有している。機能層１１１は、この隔壁２４によって形成された開口部２５の内側に、薄膜毎に種類の異なる機能材料を含む機能液を塗布し乾燥させることによって形成される。
【００３１】
具体的に、この隔壁２４と開口部２５との境界部分を拡大した断面図を図４に示す。なお、図４では、機能層１１１を形成する薄膜のうち、正孔注入層（ＨＩＬ）、正孔輸送層（ＨＴＬ）及び発光層（ＥＭＬ）まで積層した状態を図示し、それ以外の構成の図示を簡略化若しくは省略するものとする。
【００３２】
隔壁２４は、図２〜図４に示すように、第１の開口部２５ａを形成する第１の段差部２６と、第１の段差部２６よりも上段に位置して、第１の開口部２５ａよりも大きい第２の開口部２５ｂを形成する第２の段差部２７とを有している。
【００３３】
第１の段差部２６は、機能液に対して親液性を示す下壁層２８ａと、この上に機能液に対して揆液性を示す上壁層２８ｂとを含む第１のバンク層２８とにより形成されている。すなわち、この第１のバンク層２８は、第２の層間絶縁膜２２の面上に、下壁層２８ａと上壁層２８ｂとが順に積層された構造を有している。同様に、第２の段差部２７は、機能液に対して親液性を示す下壁層２９ａと、この上に機能液に対して揆液性を示す上壁層２９ｂとを含む第２のバンク層２９により形成されている。すなわち、この第２のバンク層２９は、第１のバンク層２８の面上に、下壁層２９ａと上壁層２９ｂとが順に積層された構造を有している。
【００３４】
下壁層２８ａ，２９ａには、機能液に対して親液性を示すものとして、例えばＳｉＯ２やＴｉＯ２などの無機絶縁材料を用いることができる。上壁層２８ｂ，２９ｂには、機能液に対して撥液性を示すものとして、例えばポリイミド樹脂やアクリル樹脂などの有機絶縁材料にＣＦ４処理等を施すことにより撥水性を付与したものを用いることができる。また、上壁層２８ｂ，２９ｂについては、下壁層２８ａ，２９ａの面上に対して、例えばポリテトラフルオロエチレン等を用いた撥液化処理を施すことによって形成してもよい。また、第１のバンク層２８及び第２のバンク層２９については、親液性を示す無機材料と撥液性を示す有機材料とを混合した複合材料を用いて、第１のバンク層２８及び第２のバンク層２９を形成した後に、これら第１のバンク層２８及び第２のバンク層２９に対して熱処理を施すことによって、親液性を示す下壁層２８ａ，２９ａと撥液性を示す上壁層２８ｂ，２９ｂとが層状に分離されたものを用いてもよい。
【００３５】
第１の段差部２６（第１のバンク層２８）は、第１の開口部２５ａを形成する下壁層２８ａ及び上壁層２８ｂの側面が第１の開口部２５ａの内側に向かって傾斜した第１の傾斜面２６ａを有している。同様に、第２の段差部２７（第２のバンク層２９）は、第２の開口部２５ｂを形成する下壁層２９ａ及び上壁層２９ｂの側面が第２の開口部２５ｂの内側に向かって傾斜した第２の傾斜面２７ａを有している。
【００３６】
第１の段差部２６は、図２及び図４に示すように、基板１００の面上において高さが相対的に低くなる第１の領域Ｌｏと第１の開口部２５とが平面視で重なる領域に沿って略矩形枠状に設けられている。第１の領域Ｌｏは、主に画素電極１０９が配置された領域であり、この画素電極１０９が配置された面上は、上述した平坦化層２０によって比較的平坦な面を形成している。
【００３７】
これに対して、第２の段差部２７は、基板１００の面上において高さが相対的に高くなる第２の領域Ｈｉと第２の開口部２５ｂとが平面視で重なる領域に沿って略矩形枠状に設けられている。第２の領域Ｈｉは、上述した各種の配線１０１〜１０３や保持容量１０７等が配置された領域である。すなわち、この第２の領域Ｈｉでは、各種の配線１０１〜１０３や保持容量１０７等が立体的に重なり合って形成されている。また、電源線１０３の比抵抗を抑えるため、この電源線１０３を２層配線とした場合や、高精細化のため配線の線幅を細くした場合には、高さ方向の寸法が更に増加することになる。したがって、第１の領域Ｌｏと第２の領域Ｈｉとの間では高低差が大きくなっている。
【００３８】
機能層１１１を形成する複数の薄膜のうち、正孔注入層（ＨＩＬ）及び正孔輸送層（ＨＴＬ）は、第１の開口部２５ａの内側に、それぞれの形成材料を含む機能液を塗布した後、乾燥させることによって形成される。また、正孔注入層（ＨＩＬ）及び正孔輸送層（ＨＴＬ）は、第１の傾斜面２６ａよりも第１のバンク層２８の上面側にはみ出した状態で設けられている。一方、発光層（ＥＭＬ）は、第１の開口部２５ａの内側に、発光層形成材料を溶媒に溶解又は分散した機能液を塗布した後、乾燥させることによって形成される。また、発光層（ＥＭＬ）は、第２の傾斜面２７ａよりも第２のバンク層２９の上面側にはみ出した状態で設けられている。機能液の塗布方法としては、材料の無駄がなく、微細且つ容易にパターニングできるインクジェット法を好適に用いることができる。
【００３９】
ここで、従来の親液性を示す下壁層と揆液性を示す上壁層とを含む隔壁においては、開口部の内側に機能液を塗布した際に、開口部の内側に充填された機能液が開口部を形成する下壁層の側面から上壁層の側面又は上面側へとはみ出すことを上壁層の揆液性によって制限している。この場合、下壁層と上壁層との境界付近に薄膜の端部が位置することになる。したがって、薄膜の膜厚は、開口部と隔壁との境界部分、すなわち開口部を形成する隔壁の側面に沿った位置において大きく変化することになる。
【００４０】
これに対して、本実施形態の電気光学装置１では、正孔注入層（ＨＩＬ）及び正孔輸送層（ＨＴＬ）が、第１の傾斜面２６ａよりも第１のバンク層２８の上面側にはみ出した状態で設けられている。また、発光層（ＥＭＬ）は、第２の傾斜面２７ａよりも第２のバンク層２９の上面側にはみ出した状態で設けられている。
【００４１】
なお、以下の説明では、第１の傾斜面２６ａ及び第２の傾斜面２７ａをまとめて傾斜面２６ａ，２７ａと呼び、第１の開口部２５ａ及び第２の開口部２５ｂをまとめて開口部２５ａ，２５ｂと呼び、第１のバンク層２８及び第２のバンク層２９をまとめてバンク層２８，２９と呼び、正孔注入層（ＨＩＬ）、正孔輸送層（ＨＴＬ）及び発光層（ＥＭＬ）をまとめて薄膜と呼ぶことにする。
【００４２】
この場合、開口部２５ａ，２５ｂとバンク層２８，２９との境界部分を傾斜面２６ａ，２７ａとし、この境界部分よりもバンク層２８，２９の上面側に薄膜の端部を位置させることによって、境界部分での薄膜の膜厚（表面高さ）の変動を低く抑えることができる。
【００４３】
なお、薄膜を傾斜面２６ａ，２７ａよりもバンク層２８，２９の上面側にはみ出した状態とするためには、開口部２５ａ，２５ｂの内側に充填される機能液の量を増やす必要がある。この場合、バンク層２８，２９の上面は、上壁層２８ｂ，２９ｂの揆液性によって機能液が開口部２５ａ，２５ｂの外側へと大きく流れ出すことを防ぐことができる。これにより、乾燥後の薄膜の端部をバンク層２８，２９の上面側に位置させることが可能である。
【００４４】
また、第１の傾斜面２６ａ及び第２の傾斜面２７ａについては、下壁層２８ａ，２９ａの側面の傾斜角αよりも上壁層２８ａ，２９ｂの側面の傾斜角βが小さくなるように形成することが好ましい。この場合、境界部分での薄膜の膜厚（表面高さ）の変動を低く抑えることによって、薄膜の膜厚の均一性を確保することができる。
【００４５】
また、下壁層２８ａ，２９ａの側面の傾斜角αは、４５°以下であることが好ましい。さらに、下壁層２８ａ，２９ａの厚みは、１０μｍ以下であることが好ましい。この場合、境界部分での薄膜の膜厚（表面高さ）の変動を低く抑えることによって、薄膜の膜厚の均一性を確保することができる。
【００４６】
したがって、本実施形態では、薄膜の膜厚の均一性を確保することによって、発光輝度の均一性を向上させた電気光学装置１を提供することが可能である。
【００４７】
また、本実施形態の電気光学装置１では、基板１００の面上において高さが相対的に低くなる第１の領域Ｌｏと第１の開口部２５ａとが平面視で重なる領域に沿って第１の段差部２６が設けられている。また、基板１００の面上において高さが相対的に高くなる第２の領域Ｈｉと第２の開口部２５ｂとが平面視で重なる領域に沿って第２の段差部２７が設けられている。
【００４８】
この構成の場合、機能層１１１による発光領域を大きく確保すると共に、第１の開口部２５ａ及び第２の開口部２５ｂの内側に形成される各薄膜の膜厚を十分に確保することができる。これにより、本実施形態の電気光学装置１では、更なる高精細化に対応することが可能である。
【００４９】
また、本実施形態の電気光学装置１では、第１の領域Ｌｏと第２の領域Ｈｉとの高低差による影響を抑えつつ、各薄膜の膜厚の均一性を確保することができる。その結果、発光輝度の均一性の更なる向上を図ることが可能である。特に、このような構造は、基板１００とは反対側から光を取り出すトップエミッション構造に適用するのに好適である。
【００５０】
また、第２のバンク層２９は、遮光性を有する構成であってもよい。この構成によれば、基板１００とは反対側から光を取り出すトップエミッション構造において、第２のバンク層２９の下層に位置する配線１０１〜１０３等による反射の影響を回避することができる。
【００５１】
（電子機器）
次に、上記電気光学装置１を備える電子機器の具体例について、図５、図６及び図７を参照して説明する。
図５は、携帯電話２００の一例を示す斜視図である。携帯電話２００は、図５に示すように、携帯電話本体２０１を備え、この携帯電話本体２０１に設けられた表示部２０２に上記電気光学装置１を用いた例である。
【００５２】
図６は、腕時計３００の一例を示す斜視図である。腕時計３００は、図６に示すように、時計本体３０１を備え、この時計本体３０１に設けられた表示部３０２に上記電気光学装置１を用いた例である。
【００５３】
図７は、パーソナルコンピュータなどの携帯型情報処理装置４００の一例を示す斜視図である。携帯型情報処理装置４００は、図７に示すように、装置本体４０１を備え、この装置本体４０１に設けられた表示部４０２に上記電気光学装置１を用いた例である。
【００５４】
また、上記電気光学装置１を備えた電子機器としては、それ以外にも、例えば、デジタルスチルカメラ、車載用モニタ、デジタルビデオカメラ、ビューファインダ型またはモニタ直視型のビデオテープレコーダ、カーナビゲーション装置、ページャ、電子手帳、電卓、ワークステーション、テレビ電話機、ＰＯＳ端末機などの表示部を備えた電子機器を挙げることができる。
【００５５】
なお、本発明は、上記実施形態のものに必ずしも限定されるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲において種々の変更を加えることが可能である。
例えば、上記実施形態では、第１の段差部２６と第２の段差部２７とを備えた２段構造となっているが、このような構造に必ずしも限定されるものではなく、機能膜を形成する薄膜に合わせて、段差部の構造や配置、数などを適宜変更することが可能である。
【００５６】
また、上記実施形態では、電気光学装置の一例として、有機ＥＬ素子を有する電気光学装置を例に挙げて説明したが、本発明はこれに限定されるものではなく、電気的な作用により光学特性が変化する電気光学装置に対して幅広く適用することが可能である。
【００５７】
また、上記実施形態では、アクティブマトリックス型の電気光学装置としてＴＦＴを駆動素子やスイッチング素子として用いた場合を説明したが、駆動素子やスイッチング素子としてＴＦＤ（薄膜ダイオード）を用いることもできる。また、アクティブマトリックス型の電気光学装置ではなく、パッシブマトリックス型の電気光学装置にも同様に適用することが可能である。
【符号の説明】
【００５８】
１…電気光学装置  １１…駆動素子部  １２…機能素子部  １３…ゲート電極  １４…ソース電極  １５…ドレイン電極  １６…ゲート絶縁膜  １７…半導体層  １８…第１の層間絶縁膜  １９ａ，１９ｂ…コンタクトプラグ  ２０…平坦化層  ２１…コンタクトプラグ  ２２…第２の層間絶縁膜  ２３ａ…シール層  ２３ｂ…封止基板  ２４…隔壁  ２５…開口部  ２５ａ…第１の開口部  ２５ｂ…第２の開口部  ２６…第１の段差部  ２６ａ…第１の傾斜面  ２７…第２の段差部  ２７ａ…第２の傾斜面  ２８…第１のバンク層  ２８ａ…下壁層  ２８ｂ…上壁層  ２９…第２のバンク層  ２９ａ…下壁層  ２９ｂ…上壁層  ＨＩＬ…正孔注入層（薄膜）  ＨＴＬ…正孔輸送層（薄膜）  ＥＭＬ…発光層（薄膜）  ＥＴＬ…電子輸送層（薄膜）  ＥＩＬ…電子注入層（薄膜）  １００…基板  １０１…走査線  １０２…信号線  １０３…電源線  １０４…信号側駆動回路  １０５…走査側駆動回路  １０６…スイッチング用ＴＦＴ  １０７…保持容量  １０８…駆動用ＴＦＴ  １０９…画素電極  １１０…対向電極  １１１…機能層  ２００…携帯電話（電子機器）  ３００…腕時計（電子機器）  ４００…携帯型情報処理装置（電子機器）
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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