(57)【要約】【課題】素子が形成された素子基板が搭載用基板に搭載されているパッケージにおいて、可視光及び赤外光が搭載用基板側から素子基板の素子に入射することを防止する。【解決手段】パッケージ１は、素子２３が形成された素子基板５と、素子基板５が搭載された搭載用基板３と、素子基板５に接合されたカバー用基板７を備えている。搭載用基板３の搭載面３ａに、搭載用基板３側から素子２３に入射する可視光及び赤外光を遮光するための金属材料からなる遮光膜１１が形成されている。【選択図】図１
2015220444.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
素子が形成された素子基板と、
前記素子基板が搭載された搭載用基板と、
前記搭載用基板側から前記素子に入射する可視光及び赤外光を遮光するための金属材料からなる遮光膜と、を備えていることを特徴とするパッケージ。
【請求項２】
前記素子基板に対して前記搭載用基板とは反対側に配置されたカバー用基板をさらに備えている請求項１に記載のパッケージ。
【請求項３】
前記素子は光学センサーであり、
前記カバー用基板は光透過性を有している請求項２に記載のパッケージ。
【請求項４】
前記遮光膜として、前記搭載用基板の前記素子基板の搭載面に形成された搭載面側遮光膜、もしくは前記搭載用基板の前記搭載面とは反対側の裏面に形成された裏面側遮光膜、又は前記搭載面側遮光膜及び前記裏面側遮光膜の両方を備えている請求項１から３のいずれか一項に記載のパッケージ。
【請求項５】
前記素子基板は前記搭載用基板に対向する面に外部接続用接点用金属膜を備えており、
前記搭載用基板は前記搭載面の前記外部接続用接点用金属膜に対応する位置に配置された搭載面側接点用金属膜を備えており、
対応する前記外部接続用接点用金属膜と前記搭載面側接点用金属膜は電気接点接合材を介して電気的に接続されており、
前記遮光膜として少なくとも前記搭載面側遮光膜が設けられており、
前記搭載面側遮光膜と前記搭載面側接点用金属膜は同じ材料で形成されたものである請求項４に記載のパッケージ。
【請求項６】
前記搭載用基板の前記搭載面に、前記搭載面側遮光膜及び前記搭載面側接点用金属膜と同じ材料で同時に形成された搭載面側再配線膜を備え、
前記搭載面側再配線膜は、前記搭載面側接点用金属膜と電気的に接続されており、前記搭載面側接点用金属膜の形成位置からその形成位置とは異なる位置に引き出されている請求項５に記載のパッケージ。
【請求項７】
前記搭載用基板は、前記搭載面とは反対側の裏面から前記搭載面にわたって電気的に導通されている埋め込み電極を備えており、
前記埋め込み電極は前記搭載面側再配線膜を介して前記搭載面側接点用金属膜と電気的に接続されている請求項６に記載のパッケージ。
【請求項８】
前記素子基板と前記搭載用基板は前記素子の配置領域と重ならない位置に設けられた接合領域で陽極接合、シリコン−シリコン接合又は接合材によって接合されている請求項１から７のいずれか一項に記載のパッケージ。
【請求項９】
前記素子基板は前記素子の配置領域と重ならない位置に設けられた接合領域で前記搭載用基板に対向する面に配置された金属材料からなる素子基板側接合用金属膜を備えており、
前記搭載用基板は前記接合領域で前記搭載面に配置された金属材料からなる搭載用基板側接合用金属膜を備えており、
前記素子基板側接合用金属膜と前記搭載用基板側接合用金属膜は接合材を介して接合されており、
前記遮光膜として少なくとも前記搭載面側遮光膜が設けられており、
前記搭載面側遮光膜と前記搭載用基板側接合用金属膜は同じ材料で形成されたものである請求項４に記載のパッケージ。
【請求項１０】
前記素子基板は前記搭載用基板に対向する面に外部接続用接点用金属膜を備えており、
前記搭載用基板は、前記搭載用基板の前記搭載面の前記外部接続用接点用金属膜に対応する位置に配置された搭載面側接点用金属膜と、前記搭載面とは反対側の裏面から前記搭載面にわたって電気的に導通されている埋め込み電極と、前記裏面に配置され前記埋め込み電極を介して前記搭載面側接点用金属膜と電気的に接続されている裏面側接点用金属膜とを備えており、
対応する前記外部接続用接点用金属膜と前記接点用金属膜は電気接点接合材を介して電気的に接続されており、
前記遮光膜として少なくとも前記裏面側遮光膜が設けられており、
前記裏面側遮光膜と前記裏面側接点用金属膜は同じ材料で形成されたものである請求項４から９のいずれか一項に記載のパッケージ。
【請求項１１】
前記搭載用基板の前記裏面に、前記裏面側遮光膜及び前記裏面側接点用金属膜と同じ材料で同時に形成された裏面側再配線膜を備え、
前記裏面側再配線膜は、前記裏面側接点用金属膜と電気的に接続されており、前記裏面側接点用金属膜の形成位置からその形成位置とは異なる位置に引き出されている請求項１０に記載のパッケージ。
【請求項１２】
前記遮光膜は、下層側から順にＴｉ層、Ｎｉ層、Ａｕ層が積層されている積層構造を有している請求項１から１１のいずれか一項に記載のパッケージ。
【請求項１３】
素子が形成された素子基板と、前記素子基板が搭載面に搭載された搭載用基板とを備えたパッケージの製造方法であって、
前記搭載用基板に前記素子基板の前記素子の配置領域と重なる位置に配置される金属材料からなる遮光膜を形成する遮光膜形成工程と、
前記搭載用基板の前記搭載面に前記素子基板を搭載する搭載工程と、を含むことを特徴とするパッケージの製造方法。
【請求項１４】
前記遮光膜形成工程は、前記搭載用基板の前記搭載面に、前記素子基板の外部接続端子に対応する位置に配置される金属材料からなる搭載面側接点用金属膜と、前記遮光膜としての搭載面側遮光膜とを同じ金属材料で同時に形成する搭載面側接点用金属膜形成工程を含み、
前記搭載工程は、前記搭載面側接点用金属膜と前記外部接続端子とを電気接点接合材を介して電気的に接続して前記搭載用基板の前記搭載面に前記素子基板を搭載する、請求項１３に記載のパッケージの製造方法。
【請求項１５】
前記素子基板の前記搭載用基板に対向する面に、前記素子の配置領域と重ならない位置に設けられた接合領域に配置される金属材料からなる素子基板側接合用金属膜を形成する素子基板側接合用金属膜形成工程をさらに含み、
前記遮光膜形成工程は、前記搭載用基板の前記搭載面に、前記接合領域に配置される金属材料からなる搭載用基板側接合用金属膜と、前記遮光膜としての搭載面側遮光膜とを同じ金属材料で同時に形成する搭載用基板側接合用金属膜形成工程を含み、
前記搭載工程は、前記素子基板側接合用金属膜と前記搭載用基板側接合用金属膜とを接合材を介して接合して前記搭載用基板の前記搭載面に前記素子基板を搭載する、請求項１３に記載のパッケージの製造方法。
【請求項１６】
前記遮光膜形成工程は、前記搭載用基板の前記搭載面とは反対側の裏面に、前記裏面から前記搭載面にわたって電気的に導通されている埋め込み電極と電気的に接続されるように配置される金属材料からなる裏面側接点用金属膜と、前記遮光膜としての裏面側遮光膜とを同じ金属材料で同時に形成する裏面側接点用金属膜形成工程を含む、請求項１３から１５のいずれか一項に記載のパッケージの製造方法。
【請求項１７】
複数の前記素子基板が配置されている素子ウェハと、複数の前記素子基板に対応して複数の前記搭載用基板が配置されている搭載用ウェハと、を用い、
前記搭載工程で前記搭載用基板と前記素子基板を位置合わせして前記素子ウェハと前記搭載用ウェハとを接合した後、前記遮光膜が形成された前記搭載用基板と前記素子基板の組を個片化してパッケージを切り出す個片化工程をさらに含む請求項１３から１６のいずれか一項に記載のパッケージの製造方法。
【請求項１８】
前記素子基板の前記搭載用基板とは反対側の面にカバー用基板を接合するカバー用基板接合工程をさらに含む請求項１３から１６のいずれか一項に記載のパッケージの製造方法。
【請求項１９】
前記素子は光学センサーであり、
前記カバー用基板は光透過性を有している請求項１８に記載のパッケージの製造方法。
【請求項２０】
複数の前記素子基板が配置されている素子ウェハと、複数の前記素子基板に対応して複数の前記搭載用基板が配置されている搭載用ウェハと、複数の前記素子基板に対応して複数の前記カバー用基板が配置されているカバー用ウェハと、を用い、
前記搭載工程で前記搭載用基板と前記素子基板を位置合わせして前記素子ウェハと前記搭載用ウェハとを接合し、前記カバー用基板接合工程で前記素子基板と前記カバー用基板を位置合わせして前記素子ウェハと前記カバー用ウェハとを接合した後、前記遮光膜が形成された前記搭載用基板と前記素子基板と前記カバー用基板の組を個片化してパッケージを切り出す個片化工程をさらに含む請求項１８又は１９に記載のパッケージの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、パッケージ及びパッケージの製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
例えば半導体素子やＭＥＭＳ（Micro Electro Mechanical Systems）素子などからなる素子を有するパッケージがある。このようなパッケージの製造に際して、パッケージングコストを低減するために、素子が形成された素子基板とその素子基板が搭載される搭載用基板とをウェハレベルで接合した後に個片化する、ウェハレベルパッケージングが検討される場合がある。ウェハレベルパッケージングする場合に用いられる搭載用基板は、例えばセラミックス材、ガラス材、シリコン材などがある。
【０００３】
例えば、搭載用基板は、金属の埋め込み電極を備え、素子基板の端子を外部の端子に取り出し、実装できる構造になっている。また、素子によっては真空や気密封止される場合もある（例えば特許文献１を参照。）。
【０００４】
例えばガラス材やシリコン材などの可視光や赤外光を透過する材料からなる搭載用基板が使用される場合、搭載用基板側から素子基板の素子に入射する可視光や赤外光を遮光することが好ましい場合がある。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
本発明は、素子が形成された素子基板が搭載用基板に搭載されているパッケージにおいて、可視光及び赤外光が搭載用基板側から素子基板の素子に入射することを防止することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明にかかるパッケージは、素子が形成された素子基板と、上記素子基板が搭載された搭載用基板と、上記搭載用基板側から上記素子に入射する可視光及び赤外光を遮光するための金属材料からなる遮光膜と、を備えていることを特徴とするものである。
【発明の効果】
【０００７】
本発明のパッケージは、可視光及び赤外光が搭載用基板側から素子基板の素子に入射することを防止することができる。
【図面の簡単な説明】
【０００８】
【図１】パッケージの一実施例を説明するための概略的な断面図である。
【図２】同実施例の一部分を構成する搭載用基板の搭載面における膜の配置を説明するための概略的な平面図である。
【図３】同実施例の一部分を構成する金属膜の積層構造を説明するための概略的な断面図である。
【図４】パッケージの製造方法の一実施例を説明するための概略的な断面図である。
【図５】同実施例の続きの工程を説明するための概略的な断面図である。
【図６】パッケージの他の実施例を説明するための概略的な断面図である。
【図７】パッケージのさらに他の実施例を説明するための概略的な断面図である。
【図８】パッケージのさらに他の実施例を説明するための概略的な断面図である。
【図９】パッケージのさらに他の実施例を説明するための概略的な断面図である。
【図１０】パッケージのさらに他の実施例を説明するための概略的な断面図である。
【図１１】パッケージのさらに他の実施例を説明するための概略的な断面図である。
【発明を実施するための形態】
【０００９】
本発明のパッケージは、例えば、上記素子基板に対して上記搭載用基板とは反対側に配置されたカバー用基板をさらに備えているようにしてもよい。カバー用基板が配置されることにより、素子基板を保護したり、搭載用基板と素子基板とカバー用基板で挟まれる空間を真空状態や密閉状態にしたりすることができる。ただし、本発明のパッケージは、上記カバー用基板を備えていない構成を含む。
【００１０】
また、本発明のパッケージにおいて、上記素子は光学センサーである例を挙げることができる。ただし、本発明において、素子基板に形成されている素子は光学センサーに限定されない。当該素子は、例えば半導体集積回路などの半導体素子や、発光素子、ＭＥＭＳ素子など、他の素子であってもよく、特に限定されるものではない。
【００１１】
本発明のパッケージにおいて、上記カバー用基板が配置されており、上記素子が光学センサーである場合、上記カバー用基板は光透過性を有していることが好ましい。ここで、上記カバー用基板は、上記光学センサーが検知すべき波長の光を少なくとも透過するものであればよい。なお、本発明において、上記カバー用基板は光透過性を有するものに限定されるものではない。
【００１２】
また、本発明のパッケージは、上記遮光膜として、上記搭載用基板の上記素子基板の搭載面に形成された搭載面側遮光膜、もしくは上記搭載用基板の上記搭載面とは反対側の裏面に形成された裏面側遮光膜、又は上記搭載面側遮光膜及び上記裏面側遮光膜の両方を備えている例を挙げることができる。ただし、本発明のパッケージにおいて、上記遮光膜は上記搭載面遮光膜及び上記裏面側遮光膜に限定されない。本発明のパッケージにおいて、上記遮光膜は、金属材料からなり、搭載用基板側から素子に入射する可視光及び赤外光を遮光できる構成であればよい。例えば、上記遮光膜は、素子基板に配置されていてもよいし、搭載用基板の内部に配置されていてもよい。
【００１３】
また、本発明のパッケージにおいて、上記素子基板は上記搭載用基板に対向する面に外部接続用接点用金属膜を備えており、上記搭載用基板は上記搭載面の上記外部接続用接点用金属膜に対応する位置に配置された搭載面側接点用金属膜を備えており、対応する上記外部接続用接点用金属膜と上記搭載面側接点用金属膜は電気接点接合材を介して電気的に接続されており、上記遮光膜として少なくとも上記搭載面側遮光膜が設けられており、上記搭載面側遮光膜と上記搭載面側接点用金属膜は同じ材料で形成されたものである例を挙げることができる。本発明のパッケージのこの態様は、搭載面側遮光膜と搭載面側接点用金属膜が同じ材料で形成されたものであるので、製造工程を増加させることなく搭載面側遮光膜を形成することができる。
【００１４】
さらに、本発明のパッケージのこの態様は、上記搭載用基板の上記搭載面に、上記搭載面側遮光膜及び上記搭載面側接点用金属膜と同じ材料で同時に形成された搭載面側再配線膜を備え、上記搭載面側再配線膜は、上記搭載面側接点用金属膜と電気的に接続されており、上記搭載面側接点用金属膜の形成位置からその形成位置とは異なる位置に引き出されている例を挙げることができる。本発明のパッケージのこの態様は、素子基板の外部接続用接点用金属膜の電位を、電気接点接合材、搭載面側接点用金属膜及び搭載面側再配線膜を介して任意の位置に引き出すことができる。
【００１５】
さらに、本発明のパッケージのこの態様において、上記搭載用基板は、上記搭載面とは反対側の裏面から上記搭載面にわたって電気的に導通されている埋め込み電極を備えており、上記埋め込み電極は上記搭載面側再配線膜を介して上記搭載面側接点用金属膜と電気的に接続されている例を挙げることができる。本発明のパッケージのこの態様は、素子基板の外部接続用接点用金属膜の電位を、電気接点接合材、搭載面側接点用金属膜、搭載面側再配線膜及び埋め込み電極を介して、搭載用基板の裏面側の任意の位置に引き出すことができる。これにより、例えば、搭載用基板の裏面側に設けられる実装用端子の配置に関して、実装ピッチを拡張することができたり、レイアウトを変更できる自由度が向上したりする。
【００１６】
また、本発明のパッケージにおいて、上記素子基板と上記搭載用基板は上記素子の配置領域と重ならない位置に設けられた接合領域で陽極接合、シリコン−シリコン接合又は接合材によって接合されている例を挙げることができる。これにより、素子基板と搭載用基板は強固に接合される。また、素子基板と搭載用基板が陽極接合によって接合されている場合には、素子基板と搭載用基板を接合するための接合材は不要であり、製造コストが低減される。
【００１７】
さらに、本発明のパッケージのこの態様において、上記接合材は非導電性接合材である例を挙げることができる。上記非導電性接合材は、例えばフリットガラス接合剤やポリイミド系接合剤などである。ただし、上記非導電性接合材はこれらの接合剤に限定されない。上記接合材として非導電性接合材が用いられることにより、非導電性接合材よりも高価な導電性接合材が用いられる場合に比べて、製造コストが低減される。なお、本発明のパッケージにおいて、上記接合材は導電性接合材であってもよい。
【００１８】
また、本発明のパッケージにおいて、上記素子基板は上記素子の配置領域と重ならない位置に設けられた接合領域で上記搭載用基板に対向する面に配置された金属材料からなる素子基板側接合用金属膜を備えており、上記搭載用基板は上記接合領域で上記搭載面に配置された金属材料からなる搭載用基板側接合用金属膜を備えており、上記素子基板側接合用金属膜と上記搭載用基板側接合用金属膜は接合材を介して接合されており、上記遮光膜として少なくとも上記搭載面側遮光膜が設けられており、上記搭載面側遮光膜と上記搭載用基板側接合用金属膜は同じ材料で形成されたものである例を挙げることができる。本発明のパッケージのこの態様は、搭載面側遮光膜と搭載用基板側接合用金属膜が同じ材料で形成されたものであるので、製造工程を増加させることなく搭載面側遮光膜を形成することができる。
【００１９】
さらに、本発明のパッケージのこの態様において、上記接合材は非導電性接合材である例を挙げることができる。上記接合材として非導電性接合材が用いられる効果は上記と同様である。なお、本発明のパッケージのこの態様において、上記接合材は導電性接合材であってもよい。
【００２０】
また、本発明のパッケージにおいて、上記素子基板は上記搭載用基板に対向する面に外部接続用接点用金属膜を備えており、上記搭載用基板は、上記搭載用基板の上記搭載面の上記外部接続用接点用金属膜に対応する位置に配置された搭載面側接点用金属膜と、上記搭載面とは反対側の裏面から上記搭載面にわたって電気的に導通されている埋め込み電極と、上記裏面に配置され上記埋め込み電極を介して上記搭載面側接点用金属膜と電気的に接続されている裏面側接点用金属膜とを備えており、対応する上記外部接続用接点用金属膜と上記接点用金属膜は電気接点接合材を介して電気的に接続されており、上記遮光膜として少なくとも上記裏面側遮光膜が設けられており、上記裏面側遮光膜と上記裏面側接点用金属膜は同じ材料で形成されたものである例を挙げることができる。本発明のパッケージのこの態様は、裏面側遮光膜と裏面側接点用金属膜が同じ材料で形成されたものであるので、製造工程を増加させることなく裏面側遮光膜を形成することができる。
【００２１】
さらに、本発明のパッケージのこの態様において、上記搭載用基板の上記裏面に、上記裏面側遮光膜及び上記裏面側接点用金属膜と同じ材料で同時に形成された裏面側再配線膜を備え、上記裏面側再配線膜は、上記裏面側接点用金属膜と電気的に接続されており、上記裏面側接点用金属膜の形成位置からその形成位置とは異なる位置に引き出されている例を挙げることができる。本発明のパッケージのこの態様は、素子基板の外部接続用接点用金属膜の電位を、電気接点接合材、搭載面側接点用金属膜、埋め込み電極及び裏面側再配線膜を介して、搭載用基板の裏面側の任意の位置に引き出すことができる。
【００２２】
また、本発明のパッケージにおいて、上記遮光膜は、下層側から順にＴｉ層、Ｎｉ層、Ａｕ層が積層されている積層構造を有している例を挙げることができる。ただし、本発明のパッケージにおいて、上記遮光膜の構成はこれに限定されない。本発明のパッケージにおいて、上記遮光膜は、金属材料からなり、搭載用基板側から素子に入射する可視光及び赤外光を遮光できる構成であればよい。
【００２３】
本発明に係るパッケージの製造方法は、素子が形成された素子基板と、上記素子基板が搭載面に搭載された搭載用基板とを備えたパッケージの製造方法であって、上記搭載用基板に上記素子基板の上記素子の配置領域と重なる位置に配置される金属材料からなる遮光膜を形成する遮光膜形成工程と、上記搭載用基板の上記搭載面に上記素子基板を搭載する搭載工程と、を含むことを特徴とする。
本発明のパッケージの製造方法は、可視光及び赤外光が搭載用基板側から素子に入射することを防止するための遮光膜を形成することができる。
【００２４】
本発明のパッケージの製造方法の第一局面として、上記遮光膜形成工程は、上記搭載用基板の上記搭載面に、上記素子基板の外部接続端子に対応する位置に配置される金属材料からなる搭載面側接点用金属膜と、上記遮光膜としての搭載面側遮光膜とを同じ金属材料で同時に形成する搭載面側接点用金属膜形成工程を含み、上記搭載工程は、上記搭載面側接点用金属膜と上記外部接続端子とを電気接点接合材を介して電気的に接続して上記搭載用基板の上記搭載面に上記素子基板を搭載する例を挙げることができる。
【００２５】
本発明のパッケージの製造方法の上記第一局面は、上記搭載面側接点用金属膜を必要とする局面において、製造工程を増加させることなく、上記遮光膜としての上記搭載面側遮光膜を形成することができる。
【００２６】
本発明のパッケージの製造方法の第二局面として、上記素子基板の上記搭載用基板に対向する面に、上記素子の配置領域と重ならない位置に設けられた接合領域に配置される金属材料からなる素子基板側接合用金属膜を形成する素子基板側接合用金属膜形成工程をさらに含み、上記遮光膜形成工程は、上記搭載用基板の上記搭載面に、上記接合領域に配置される金属材料からなる搭載用基板側接合用金属膜と、上記遮光膜としての搭載面側遮光膜とを同じ金属材料で同時に形成する搭載用基板側接合用金属膜形成工程を含み、上記搭載工程は、上記素子基板側接合用金属膜と上記搭載用基板側接合用金属膜とを接合材を介して接合して上記搭載用基板の上記搭載面に上記素子基板を搭載する例を挙げることができる。
【００２７】
本発明のパッケージの製造方法の上記第二局面は、上記搭載用基板側接合用金属膜を必要とする局面において、製造工程を増加させることなく、上記遮光膜としての上記搭載面側遮光膜を形成することができる。
【００２８】
本発明のパッケージの製造方法の第三局面として、上記遮光膜形成工程は、上記搭載用基板の上記搭載面とは反対側の裏面に、上記裏面から上記搭載面にわたって電気的に導通されている埋め込み電極と電気的に接続されるように配置される金属材料からなる裏面側接点用金属膜と、上記遮光膜としての裏面側遮光膜とを同じ金属材料で同時に形成する裏面側接点用金属膜形成工程を含む例を挙げることができる。
【００２９】
本発明のパッケージの製造方法の上記第三局面は、上記裏面側接点用金属膜を必要とする局面において、製造工程を増加させることなく、上記遮光膜としての上記裏面側遮光膜を形成することができる。
【００３０】
本発明のパッケージの製造方法の上記第三局面において、上記裏面側接点用金属膜と上記裏面側遮光膜を形成する上記裏面側接点用金属膜形成工程は、上記接合工程に対して前に行われてもよいし、後に行われてもよい。
【００３１】
また、上記第三局面が上記第一局面と組み合わされる場合、上記第三局面における上記裏面側接点用金属膜形成工程は、上記第一局面における上記搭載面側接点用金属膜形成工程に対して前に行われてもよいし、後に行われてもよい。なお、上記裏面側接点用金属膜形成工程が上記搭載面側接点用金属膜形成工程よりも前に行われる場合は、上記裏面側接点用金属膜形成工程は必然的に上記接合工程よりも前に行われることになる。
【００３２】
また、上記第三局面が上記第二局面と組み合わされる場合、上記第三局面における上記裏面側接点用金属膜形成工程は、上記第二局面における上記搭載用基板側接合用金属膜形成工程に対して前に行われてもよいし、後に行われてもよい。なお、上記裏面側接点用金属膜形成工程が上記搭載用基板側接合用金属膜形成工程よりも前に行われる場合は、上記裏面側接点用金属膜形成工程は必然的に上記接合工程よりも前に行われることになる。
【００３３】
本発明のパッケージの製造方法において、複数の上記素子基板が配置されている素子ウェハと、複数の上記素子基板に対応して複数の上記搭載用基板が配置されている搭載用ウェハと、を用い、上記搭載工程で上記搭載用基板と上記素子基板を位置合わせして上記素子ウェハと上記搭載用ウェハとを接合した後、上記遮光膜が形成された上記搭載用基板と上記素子基板の組を個片化してパッケージを切り出す個片化工程をさらに含む例を挙げることができる。本発明のパッケージの製造方法のこの局面は、複数のパッケージに対して素子基板と搭載用基板との接合を同時に行うことができるので、製造コストを低減できる。
【００３４】
また、本発明のパッケージの製造方法は、上記素子基板の上記搭載用基板とは反対側の面にカバー用基板を接合するカバー用基板接合工程をさらに含む例を挙げることができる。カバー用基板が配置されることにより、素子基板を保護したり、搭載用基板と素子基板とカバー用基板で挟まれる空間を真空状態や密閉状態にしたりすることができる。
【００３５】
さらに、本発明のパッケージの製造方法は、上記カバー用基板接合工程を含む局面において、上記素子は光学センサーであり、上記カバー用基板は光透過性を有している例を挙げることができる。
【００３６】
さらに、本発明のパッケージの製造方法の上記カバー用基板接合工程を含む局面は、複数の上記素子基板が配置されている素子ウェハと、複数の上記素子基板に対応して複数の上記搭載用基板が配置されている搭載用ウェハと、複数の上記素子基板に対応して複数の上記カバー用基板が配置されているカバー用ウェハと、を用い、上記搭載工程で上記搭載用基板と上記素子基板を位置合わせして上記素子ウェハと上記搭載用ウェハとを接合し、上記カバー用基板接合工程で上記素子基板と上記カバー用基板を位置合わせして上記素子ウェハと上記カバー用ウェハとを接合した後、上記遮光膜が形成された上記搭載用基板と上記素子基板と上記カバー用基板の組を個片化してパッケージを切り出す個片化工程をさらに含む例を挙げることができる。本発明のパッケージの製造方法のこの局面は、複数のパッケージに対して、素子基板と搭載用基板との接合を同時に行うことができ、さらに素子基板とカバー用基板との接合を同時に行うことができるので、製造コストを低減できる。
【００３７】
また、本発明のパッケージの製造方法は、上記遮光膜の形成をリフトオフ法又はエッチング法によって形成する例を挙げることができる。ただし、本発明のパッケージの製造方法において、上記遮光膜の形成方法はリフトオフ法及びエッチング法に限定されない。
【００３８】
従来技術では、樹脂等で遮光壁を設けたり、搭載用基板として遮光性の高い材料、例えばセラミック基板などを用いたりすることにより、可視光や赤外光が搭載用基板側から素子に入射することを防止していた。
【００３９】
これに対して、本発明は、搭載用基板として安価なシリコン基板やガラス基板を使用しても、遮光膜によって可視光や赤外光が搭載用基板側から素子に入射することを防止することができる。本発明において搭載用基板として可視光や赤外光を透過する安価な基板が用いられることにより、パッケージの製造コストが低減される。
【００４０】
また、本発明において、遮光膜は、搭載用基板に形成される他の金属膜と同じ材料で同時に形成されたものであるようにすれば、本発明は、遮光膜を形成するだけの工程を必要とする場合に比べて、製造工程を簡略化でき、パッケージの製造コストを低減できる。
【００４１】
以下に、図面を参照して本発明の実施例を説明する。
例えばシリコン材やガラス材などの搭載用基板を使って素子基板のウェハレベルパッケージングを行う際、素子基板と搭載用基板との間で金属系接合を行う場合には、素子基板と搭載用基板のそれぞれに金属材料からなる接合用金属膜が成膜される。
【００４２】
また、素子基板に形成された素子や半導体回路の外部接続用接点用金属膜と搭載用基板との電気的接続を確保するために、搭載用基板に導電性材料からなる接点用金属膜が成膜される。
また、真空ウェハレベルパッケージングを行う際には、ガス吸収材（ゲッター）が成膜又は塗布される。
【００４３】
さらに、搭載用基板として可視光や赤外光を透過する材料、例えばシリコンやガラスを使用するには、搭載用基板側からの可視光や赤外光等の外光を遮光する必要があり、遮光膜の形成も必要となる。
【００４４】
以下に説明する実施例は、必要な機能を確保しつつ、成膜材料と工程を合わせ、遮光膜を他の膜と同時成膜することで、成膜工数やマスク枚数などのコストを低減して、搭載用基板側からの遮光性のあるパッケージを実現する。さらに、以下に説明する実施例はウェハレベルで高真空や気密パッケージングを実現する。
【００４５】
図１は、パッケージの一実施例を説明するための概略的な断面図である。図２は、この実施例の一部分を構成する搭載用基板の搭載面における膜の配置を説明するための概略的な平面図である。図３は、この実施例の一部分を構成する金属膜の積層構造を説明するための概略的な断面図である。図１から図３を参照してこの実施例を説明する。
【００４６】
パッケージ１は搭載用基板３と素子基板５とカバー用基板７を備えている。
搭載用基板３は例えば赤外光を透過するものである。搭載用基板３は例えばガラス基板又はシリコン基板である。
【００４７】
搭載用基板３は、素子基板５が搭載される搭載面３ａから裏面３ｂにわたって電気的に導通されている埋め込み電極９を備えている。埋め込み電極９は、例えば、搭載面３ａから裏面３ｂにわたって形成された貫通孔に埋め込まれた貫通電極によって構成されている。
【００４８】
搭載用基板３の搭載面３ａに、搭載面側遮光膜１１と、搭載面側接点用金属膜１３と、搭載面側再配線膜１５と、ガス吸収材１７と、搭載面側接合用金属膜１９が形成されている。搭載用基板３の裏面３ｂに裏面側接点用金属膜２１が形成されている。
【００４９】
搭載面側遮光膜１１は、少なくとも素子基板５の素子２３の配置領域と重なる位置に配置されている。搭載面側遮光膜１１は搭載用基板３側から素子２３に入射する可視光及び赤外光を遮光する機能を有する。
【００５０】
搭載面側接点用金属膜１３は、素子基板５の外部接続用接点用金属膜２９に対応する位置に配置されている。
【００５１】
搭載面側再配線膜１５は、搭載面側接点用金属膜１３と電気的に接続されている。搭載面側再配線膜１５は、搭載面側接点用金属膜１３の形成位置からその形成位置とは異なる位置に引き出されている。搭載面側再配線膜１５は、対応する埋め込み電極９と電気的に接続されている。埋め込み電極９は、搭載面側再配線膜１５を介して、対応する搭載面側接点用金属膜１３と電気的に接続されている。
【００５２】
ガス吸収材１７はパッケージ１の内部空間２７内のガスを吸収するためのものである。ガス吸収材１７は例えばチタン系金属膜やコバルト系金属膜などである。
【００５３】
搭載面側接合用金属膜１９は金属材料からなる。搭載面側接合用金属膜１９は素子基板５の素子２３の配置領域と重ならない位置に設けられた接合領域に配置されている。搭載面側接合用金属膜１９は、例えば、図２に示されるように、搭載面側遮光膜１１、搭載面側接点用金属膜１３、搭載面側再配線膜１５及びガス吸収材１７が配置されている領域を囲むように枠状に配置されている。
【００５４】
搭載用基板３の裏面３ｂに形成されている裏面側接点用金属膜２１は、対応する埋め込み電極９と電気的に接続されている。裏面側接点用金属膜２１は、埋め込み電極９及び搭載面側再配線膜１５を介して、搭載面側接点用金属膜１３と電気的に接続されている。
【００５５】
搭載面側遮光膜１１、搭載面側接点用金属膜１３及び搭載面側再配線膜１５は、同じ金属材料で同時に形成されたものである。
【００５６】
図３に示されるように、搭載面側遮光膜１１、搭載面側接点用金属膜１３及び搭載面側再配線膜１５は、例えば、下層側から順に、チタン（Ｔｉ）層、ニッケル（Ｎｉ）層、金（Ａｕ）層が積層されている積層構造を備えている。例えば、チタン層の厚みは１００ｎｍ（ナノメートル）、ニッケル層の厚みは１００ｎｍ、金層の厚みは２００ｎｍである。チタン層は密着層として機能する。ニッケル層は中間層として機能する。金層は接合層として機能する。なお、搭載面側遮光膜１１、搭載面側接点用金属膜１３及び搭載面側再配線膜１５の構成は上記積層構造に限定されない。例えば、金属材料は、金や銀、タングステンなどであってもよい。
【００５７】
また、搭載面側接合用金属膜１９は、搭載面側遮光膜１１、搭載面側接点用金属膜１３及び搭載面側再配線膜１５と同じ積層構造で同時に形成されたものであってもよいし、これらの膜とは異なる構造であってもよい。
【００５８】
また、裏面側接点用金属膜２１は、搭載面側遮光膜１１、搭載面側接点用金属膜１３及び搭載面側再配線膜１５と同じ積層構造を備えている。ただし、裏面側接点用金属膜２１は、搭載面側遮光膜１１、搭載面側接点用金属膜１３及び搭載面側再配線膜１５の形成時期とは異なる時期に形成されたものである。
【００５９】
素子基板５は、素子２３を備えている。素子基板５は例えばシリコン基板である。
素子２３は例えばＭＥＭＳ技術によって形成された赤外線センサーである。素子２３の配置領域には、例えば、赤外線センサーの他に半導体回路などが形成されている。素子基板５にはデバイス形成のために色々な膜などが存在するが、図１では素子基板５の構造は簡略化して図示されている。
【００６０】
素子基板５には、外部接続用端子２５と、外部接続用接点用金属膜２９と、素子基板側接合用金属膜３１，３３も形成されている。外部接続用端子２５、外部接続用接点用金属膜２９及び素子基板側接合用金属膜３１は、素子基板５の搭載用基板３と対向する面に形成されている。素子基板側接合用金属膜３３は、素子基板５のカバー用基板７と対向する面に形成されている。
【００６１】
外部接続用端子２５は例えばアルミパッドである。
外部接続用接点用金属膜２９は外部接続用端子２５と電気的に接続されている。この実施例では、外部接続用接点用金属膜２９は外部接続用端子２５と重なる位置に配置されている。外部接続用接点用金属膜２９は、外部接続用端子２５と重なる位置から任意の位置へ延伸して設けられて、再配線膜として機能するものであってもよい。外部接続用接点用金属膜２９は金属材料からなる。例えば、外部接続用接点用金属膜２９は搭載面側遮光膜１１、搭載面側接点用金属膜１３及び搭載面側再配線膜１５と同じ積層構造を備えている。
【００６２】
素子基板側接合用金属膜３１，３３は金属材料からなる。素子基板側接合用金属膜３１，３３は素子基板５の素子２３の配置領域と重ならない位置に設けられた接合領域に配置されている。素子基板側接合用金属膜３１は、搭載面側接合用金属膜１９の形成位置に対応して枠状に配置されている。素子基板側接合用金属膜３３も、例えば、素子基板側接合用金属膜３１の形成位置に対応して枠状に配置されている。
【００６３】
素子基板側接合用金属膜３１は、外部接続用接点用金属膜２９と同じ材料で同時に形成されたものであってもよいし、外部接続用接点用金属膜２９とは別々に形成されたものであってもよい。
【００６４】
カバー用基板７は、例えば、少なくとも赤外光を透過する材料で形成されている。カバー用基板７は、例えば、シリコンやガラス、ゲルマニウム等で形成される。カバー用基板７はレンズ機能を備えていてもよい。
【００６５】
カバー用基板７の素子基板５と対向する面に、カバー用基板側接合用金属膜３５が形成されている。カバー用基板側接合用金属膜３５は金属材料からなる。カバー用基板側接合用金属膜３５は、素子基板側接合用金属膜３３の形成位置に対応して枠状に配置されている。
【００６６】
搭載用基板３と素子基板５は、電気接点接合材３７及び接合材３９によって接合されている。
素子基板５とカバー用基板７は接合材４１によって接合されている。
パッケージ１の内部空間２７は高真空状態又は機密封止状態になっている。
【００６７】
電気接点接合材３７は、搭載用基板３の搭載面側接点用金属膜１３と素子基板５の外部接続用接点用金属膜２９とを接合している。電気接点接合材３７は導電性材料であり、例えば金、銀又は半田である。
【００６８】
接合材３９は、搭載用基板３の搭載面側接合用金属膜１９と素子基板５の素子基板側接合用金属膜３１とを接合している。
接合材４１は、素子基板５の素子基板側接合用金属膜３３とカバー用基板７のカバー用基板側接合用金属膜３５とを接合している。
【００６９】
接合材３９，４１は、例えば、金錫合金（金８０％、錫２０％）などの金属ろう材や、フリットガラス接合剤、ポリイミド系接合剤などである。接合材３９，４１は、電気接点接合材３７とは異なり、導電性を必要とはしない。
【００７０】
搭載用基板３の裏面３ｂに形成されている裏面側接点用金属膜２１の上に実装用端子４３が形成されている。実装用端子４３はパッケージングされたパッケージ１を他の基板等に実装する際に用いられる端子である。実装用端子４３としては、一般的には、例えば半田バンプ、半田ボール、金バンプなどが用いられる。
【００７１】
例えば、裏面側接点用金属膜２１がその構造の最上層に厚みが２００ｎｍの金層を備えている場合、裏面側接点用金属膜２１の表面に、無電解メッキによってニッケルメッキ層と金メッキ層の積層構造（図示は省略）が形成されている。そのメッキ層の上に実装用端子４３が配置されている。
【００７２】
受光用入力４５はカバー用基板７を介して素子基板５の素子２３に入射する。受光用入力４５は例えば可視光や赤外光である。
【００７３】
パッケージ１の搭載用基板３側に照射される遮光したい光線４７は、搭載用基板３を透過するが搭載面側遮光膜１１によって遮光され、素子基板５の素子２３への入射が阻止される。遮光したい光線４７は例えば可視光や赤外光である。
【００７４】
このように、パッケージ１は、可視光及び赤外光が搭載用基板３側から素子基板５の素子２３に入射することを防止することができる。
【００７５】
図４及び図５は、パッケージの製造方法の一実施例を説明するための概略的な断面図である。この実施例は、図１に示されたパッケージ１を製造するための製造方法の一例である。図４及び図５内のかっこ数字は、以下に説明する各工程のかっこ数字に対応している。
【００７６】
工程（１）：搭載面３ａから裏面３ｂにわたって電気的に導通されている埋め込み電極９が形成された搭載用基板３を用意する。
【００７７】
工程（２）：搭載用基板３の搭載面３ａに、搭載面側遮光膜１１と搭載面側接点用金属膜１３と搭載面側再配線膜１５を同じ金属材料で同時に形成する。また、搭載面３ａにガス吸収材１７を形成する。また、搭載面３ａに搭載面側接合用金属膜１９を形成する。また、搭載用基板３の裏面３ｂに裏面側接点用金属膜２１を形成する。各膜の成膜は、例えばリフトオフ法又はエッチング法によって行われる。
【００７８】
工程（３）：搭載用基板３の搭載面３ａの搭載面側接点用金属膜１３の上に電気接点接合材３７を形成する。
【００７９】
工程（４）：搭載用基板３の搭載面３ａの搭載面側接合用金属膜１９の上に接合材３９を形成する。
【００８０】
工程（５）：素子２３及び外部接続用端子２５が形成されている素子基板５を用意する。外部接続用端子２５の上に外部接続用接点用金属膜２９を成膜する。また、外部接続用接点用金属膜２９の形成面と同じ面に素子基板側接合用金属膜３１を形成する。素子基板側接合用金属膜３１は、外部接続用接点用金属膜２９と同じ金属材料で同時に形成されるようにしてもよいし、外部接続用接点用金属膜２９とは別々に形成されるようにしてもよい。
【００８１】
工程（６）：搭載用基板３と素子基板５を接合する。具体的には、搭載用基板３の搭載面側接点用金属膜１３と素子基板５の外部接続用接点用金属膜２９を電気接点接合材３７によって接合し、搭載用基板３の搭載面側接合用金属膜１９と素子基板５の素子基板側接合用金属膜３１を接合材３９によって接合する。
【００８２】
工程（７）：カバー用基板７を用意する。カバー用基板７にカバー用基板側接合用金属膜３５を形成する。
【００８３】
工程（８）：カバー用基板７のカバー用基板側接合用金属膜３５の上に接合材４１を形成する。
【００８４】
工程（９）：上記工程（６）で接合された搭載用基板３及び素子基板５に対して、素子基板５の搭載用基板３とは反対側の面に素子基板側接合用金属膜３３を形成する。
【００８５】
工程（１０）：接合された搭載用基板３及び素子基板５に対して、素子基板５にカバー用基板７を接合する。具体的には、素子基板５の素子基板側接合用金属膜３３とカバー用基板７のカバー用基板側接合用金属膜３５を接合材４１によって接合する。接合処理は、真空中又は気密封止ができる環境で行われる。パッケージ１の内部空間２７は高真空状態又は気密封止状態にされている。
【００８６】
工程（１１）：接合された搭載用基板３、素子基板５及びカバー用基板７に対して、搭載用基板３の裏面３ｂの裏面側接点用金属膜２１の上に実装用端子４３を形成する。これにより、パッケージ１の形成工程が完了する。
【００８７】
この実施例は、搭載面側遮光膜１１を搭載面側接点用金属膜１３と同じ材料で同時に形成しているので、製造工程を増加させることなく、搭載面側遮光膜１１を形成できる。
【００８８】
この実施例では、１つのパッケージ１の製造工程について説明したが、ウェハレベルで複数のパッケージ１を同時に形成するようにしてもよい。複数の搭載用基板３が形成されている搭載用ウェハ、複数の素子基板５が形成されている素子ウェハ及び複数のカバー用基板７が形成されているカバー用ウェハを用いる。上記搭載用ウェハ、上記素子ウェハ及び上記カバー用ウェハを上記工程（１）−（１１）と同様にしてウェハレベルで接合し、複数のパッケージ１を同時に形成する。その後、接合されたウェハを個片化してパッケージ１を切り出す。複数のパッケージ１に対して、搭載用基板３と素子基板５の接合と、素子基板５とカバー用基板７の接合を同時に行うことができるので、製造コストを低減できる。
【００８９】
図６は、パッケージの他の実施例を説明するための概略的な断面図である。図６において、図１と同じ機能を果たす部分には同じ符号が付されている。
【００９０】
この実施例では、搭載面側遮光膜１１は搭載面側接合用金属膜１９と同じ金属材料で同時に形成されたものである。搭載面側遮光膜１１は、図４を参照して説明した上記工程（２）で、搭載面側接点用金属膜１３を形成するためのマスクのパターンと、搭載面側接合用金属膜１９を形成するためのマスクのパターンをそれぞれ変更することによって形成されることができる。
【００９１】
搭載面側遮光膜１１が搭載面側接合用金属膜１９と同じ金属材料で同時に形成されていることにより、製造工程を増加させることなく、搭載面側遮光膜１１を形成できる。
【００９２】
図７は、パッケージのさらに他の実施例を説明するための概略的な断面図である。図７において、図１と同じ機能を果たす部分には同じ符号が付されている。
【００９３】
この実施例では、搭載面側遮光膜１１、搭載面側接点用金属膜１３、搭載面側再配線膜１５及び搭載面側接合用金属膜１９は、同じ金属材料で同時に形成されたものである。このような構成は、図４を参照して説明した上記工程（２）で、搭載面側遮光膜１１、搭載面側接点用金属膜１３及び搭載面側再配線膜１５を形成するためのマスクのパターンを変更することによって形成することができる。
【００９４】
搭載面側遮光膜１１が搭載面側接点用金属膜１３、搭載面側再配線膜１５及び搭載面側接合用金属膜１９と同じ金属材料で同時に形成されていることにより、この実施例でも、製造工程を増加させることなく、搭載面側遮光膜１１を形成できる。
【００９５】
図８は、パッケージのさらに他の実施例を説明するための概略的な断面図である。図８において、図１と同じ機能を果たす部分には同じ符号が付されている。
【００９６】
この実施例では、搭載面側遮光膜１１は設けられておらず、搭載用基板３の裏面３ｂに裏面側遮光膜４９が配置されている。裏面側遮光膜４９は、素子基板５の素子２３と重なる位置に配置されている。裏面側遮光膜４９は裏面側接点用金属膜２１と同じ金属材料で同時に形成されたものである。
【００９７】
このような構成は、図４を参照して説明した上記工程（２）で、搭載面側遮光膜１１を形成するためのマスクのパターンと、裏面側接点用金属膜２１を形成するためのマスクのパターンを変更することによって形成することができる。
【００９８】
裏面側遮光膜４９が裏面側接点用金属膜２１と同じ金属材料で同時に形成されていることにより、この実施例は、製造工程を増加させることなく、裏面側遮光膜４９を形成できる。
【００９９】
裏面側遮光膜４９は素子基板５の素子２３と重なる位置に配置されているので、パッケージ１の搭載用基板３側に照射される遮光したい光線４７は、裏面側遮光膜４９によって遮光され、素子基板５の素子２３への入射が阻止される。このように、この実施例のパッケージ１は、可視光及び赤外光が搭載用基板３側から素子基板５の素子２３に入射することを防止することができる。
【０１００】
なお、搭載面側遮光膜１１を備えている図１、図６又は図７に示されたパッケージ１の構成に対して裏面側遮光膜４９の配置を追加して、パッケージ１は搭載面側遮光膜１１及び裏面側遮光膜４９の両方を備えているようにしてもよい。
【０１０１】
図９は、パッケージのさらに他の実施例を説明するための概略的な断面図である。図９において、図１及び図８と同じ機能を果たす部分には同じ符号が付されている。
【０１０２】
この実施例では、図８に示されたパッケージ１と比較して、搭載用基板３の裏面３ｂに裏面側再配線膜５１がさらに配置されている。裏面側再配線膜５１は、裏面側接点用金属膜２１と電気的に接続されており、裏面側接点用金属膜２１の形成位置からその形成位置とは異なる位置に引き出されている。裏面側再配線膜５１の上に実装用端子４３が形成されている。
【０１０３】
裏面側再配線膜５１は、裏面側接点用金属膜２１及び裏面側遮光膜４９と同じ金属材料で同時に形成されたものである。このような構成は、図４を参照して説明した上記工程（２）で、搭載面側遮光膜１１を形成するためのマスクのパターンと、裏面側接点用金属膜２１を形成するためのマスクのパターンを変更することによって形成することができる。
【０１０４】
この実施例は、例えば、埋め込み電極９の配置に対して、実装用端子４３の実装ピッチを拡張することができたり、レイアウトを変更できる自由度が向上したりする。
【０１０５】
図１０は、パッケージのさらに他の実施例を説明するための概略的な断面図である。図１０において、図１と同じ機能を果たす部分には同じ符号が付されている。
【０１０６】
この実施例では、搭載用基板３の搭載面３ａにおいて、素子基板５との接合領域に接合用凸部３ｃが形成されている。搭載用基板３はいわゆるキャビティ構造を備えている。接合用凸部３ｃは、例えば搭載用基板３の搭載面３ａが加工されて形成されたものである。ただし、接合用凸部３ｃは、搭載用基板３の搭載面３ａに接合されたスペーサであってもよい。このスペーサの材料は、搭載用基板３と同じ材料であってもよいし、異なる材料であってもよい。
【０１０７】
例えば、素子基板５はシリコンで形成されており、接合用凸部３ｃはシリコン、ガラス又はセラミックで形成されている。搭載用基板３と素子基板５の接合領域において、素子基板５と接合用凸部３ｃは陽極接合やシリコン−シリコン接合などの直接接合によって接合されている。これにより、搭載用基板３と素子基板５の接合領域において、接着剤や金属層などの接合材が不要になる。
【０１０８】
また、素子基板５に対向するカバー用基板７の面において、素子基板５との接合領域に接合用凸部７ａが形成されている。カバー用基板７はいわゆるキャビティ構造を備えている。接合用凸部７ａは、例えば素子基板５に対向するカバー用基板７の面が加工されて形成されたものである。ただし、接合用凸部７ａは、素子基板５に対向するカバー用基板７の面に接合されたスペーサであってもよい。このスペーサの材料は、カバー用基板７と同じ材料であってもよいし、異なる材料であってもよい。
【０１０９】
素子基板５と接合用凸部３ｃの接合と同様に、素子基板５と接合用凸部７ａは直接接合によって接合されている。これにより、搭載用基板３と素子基板５の接合領域において、接着剤や金属層などの接合材が不要になる。
【０１１０】
なお、素子基板５の材料と接合用凸部３ｃの材料の組み合わせ、及び素子基板５の材料と接合用凸部７ｃの材料の組み合わせは、素子基板５と接合用凸部３ｃ，７ａを直接接合できる材料の組み合わせであれば特に限定されない。
【０１１１】
この実施例では、搭載用基板３と素子基板５との直接接合に関して搭載用基板３に接合用凸部３ｃが形成されているが、図１１に示されるように、素子基板５に接合用凸部５ａが形成されていてもよい。また、図１１に示されるように、素子基板５とカバー用基板７との直接接合に関して、素子基板５に接合用凸部５ｂが形成されていてもよい。
【０１１２】
接合用凸部５ａ，５ｂは、例えば素子基板５の面が加工されて形成されたものである。ただし、接合用凸部５ａ，５ｂは、素子基板５に接合されたスペーサであってもよい。このスペーサの材料は、素子基板５と同じ材料であってもよいし、異なる材料であってもよい。
【０１１３】
搭載用基板３の材料と接合用凸部７ａの材料の組み合わせ、及びカバー用基板７の材料と接合用凸部５ｂの材料の組み合わせは、搭載用基板３又はカバー用基板７と、接合用凸部５ａ，５ｂとを直接接合できる材料の組み合わせであれば特に限定されない。
【０１１４】
なお、搭載用基板３と素子基板５の接合に関して、搭載用基板３に接合用凸部３ｃが設けられ、素子基板５に接合用凸部５ａが設けられ、接合用凸部３ｃと５ａが直接接合されているようにしてもよい。同様に、素子基板５とカバー用基板７の接合に関して、素子基板５の接合用凸部５ｂとカバー用基板７の接合用凸部７ａが接合されているようにしてもよい。
【０１１５】
また、搭載用基板３と素子基板５の接合、及び素子基板５とカバー用基板７の接合に関して、接合用凸部５ａと接合用凸部７ａを用いる構成や、接合用凸部３ａと接合用凸部５ｂを用いる構成も可能である。
【０１１６】
また、搭載用基板３と素子基板５の接合、及び素子基板５とカバー用基板７の接合に関して、一方の接合が直接接合で実現され、他方の接合が接合材を用いた接合で実現されていてもよい。
【０１１７】
以上、本発明の実施例を説明したが、上記実施例での数値、材料、配置、個数等は一例であり、本発明はこれらに限定されるものではなく、特許請求の範囲に記載された本発明の範囲内で種々の変更が可能である。
【符号の説明】
【０１１８】
１  パッケージ
３  搭載用基板
３ａ  搭載面
３ｂ  裏面
５  素子基板
７  カバー用基板
９  埋め込み電極
１１  搭載面側遮光膜
１３  搭載面側接点用金属膜
１５  搭載面側再配線膜
１７  ガス吸収材
１９  搭載面側接合用金属膜
２１  裏面側接点用金属膜
２３  素子
２５  外部接続用端子
２９  外部接続用接点用金属膜
３１  素子基板側接合用金属膜
３７  電気接点接合材
３９  接合材
４９  裏面側遮光膜
５１  裏面側再配線膜
【先行技術文献】
【特許文献】
【０１１９】
【特許文献１】特開２００７−０７３７２１号公報
【図１】
2015220444.tif 000003
【図２】
2015220444.tif 000004
【図３】
2015220444.tif 000005
【図４】
2015220444.tif 000006
【図５】
2015220444.tif 000007
【図６】
2015220444.tif 000008
【図７】
2015220444.tif 000009
【図８】
2015220444.tif 000010
【図９】
2015220444.tif 000011
【図１０】
2015220444.tif 000012
【図１１】
2015220444.tif 000013