(57)【要約】      （修正有）【課題】レーザエッチングを用いて製造することができ、かつ良好な性能を有するタッチ制御装置を提供する【解決手段】タッチ制御装置は、少なくとも一つのセンシング部２を備え、センシング部が、絶縁性、かつ、透光性を有する基板と、基板の同じ面側に互いに離間して配置され、互いに電気的に絶縁された複数のタッチ制御電極構造２２と、基板に設けられ、隣接するタッチ制御電極構造の間に配置された少なくとも一つのダミー電極セット２３と、を備えている。ダミー電極セットはその上面から基板に延びる溝２３１を形成し、かつ、溝によって分割して規定された複数のダミー電極構造２３０を備えている。溝は、レーザエッチングにより形成され、隣接するタッチ制御電極構造の間に延在しており、少なくとも一つの曲げを形成しているダミー電極セットを備える。【選択図】図２
2015197926.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくとも一つのセンシング部を備え、
前記センシング部が、
絶縁性、かつ透光性を有する基板と、
前記基板の同じ面側に互いに離間して配置され、互いに電気的に絶縁された複数のタッチ制御電極構造と、
前記基板に設けられ、隣接する前記タッチ制御電極構造の間に配置された少なくとも一つのダミー電極セットであって、前記ダミー電極セットはその上面から前記基板に延びる溝を形成し、かつ、前記溝によって分割して規定された複数のダミー電極構造を備え、前記溝は隣接する前記タッチ制御電極構造の間に延在しており、少なくとも一つの曲げを形成している前記ダミー電極セットと、を備えているタッチ制御装置。
【請求項２】
前記ダミー電極セットの前記溝が、区分的な直線状に延在しており、前記溝の前記曲げが鋭角である請求項１に記載のタッチ制御装置。
【請求項３】
前記ダミー電極セットの前記溝がジグザグ状に分布しており、前記溝が複数の曲げを形成している請求項１に記載のタッチ制御装置。
【請求項４】
前記ダミー電極セットの前記溝の前記曲げが、前記隣接するタッチ制御電極構造にそれぞれ配置されている請求項３に記載のタッチ制御装置。
【請求項５】
前記ダミー電極セットの前記溝が互いに接続された第１の溝部及び第２の溝部に分割されており、前記第１の溝部の前記曲げが前記隣接する前記タッチ制御電極構造の一つに配置され、前記第２の溝部の前記曲げが前記隣接する前記タッチ制御電極構造の一つに配置されている請求項３に記載のタッチ制御装置。
【請求項６】
前記溝の前記第１の溝部と前記第２の溝部は、互いに交差し、網目形状の外観を有している請求項５に記載のタッチ制御装置。
【請求項７】
前記ダミー電極セットの前記溝の前記曲げが曲線状になっている請求項１に記載のタッチ制御装置。
【請求項８】
前記ダミー電極セットの前記溝が、複数の曲げを形成し、前記溝の前記曲げが、前記隣接するタッチ制御電極構造にそれぞれ配置されている請求項７に記載のタッチ制御装置。
【請求項９】
前記ダミー電極セットの前記溝が、らせん形状に分布している請求項７に記載のタッチ制御装置。
【請求項１０】
曲線状の前記溝が５０μｍ〜２５０μｍの半径を有している請求項７に記載のタッチ制御装置。
【請求項１１】
前記溝が１５μｍ〜４０μｍの範囲内の幅を有している請求項１に記載のタッチ制御装置。
【請求項１２】
前記タッチ制御電極構造がそれぞれトレンチによって規定されている請求項１に記載のタッチ制御装置。
【請求項１３】
（Ａ）基板上に構造体を形成するステップと、
（Ｂ）前記構造体が溝によって窪むように形成されるよう前記構造体にレーザエッチングを実施するステップであって、前記溝は、前記構造体の上面から前記基板に延びており、少なくとも一つの曲げを形成するよう延びており、レーザの予め定められた経路に応じて連続的にエッチングされるステップと、を備えたタッチ制御装置の製造方法。
【請求項１４】
前記ステップ（Ａ）と前記ステップ（Ｂ）の間、または前記ステップ（Ｂ）の後に、ステップ（Ｃ）を備え、
前記ステップ（Ｃ）では、互いに離間した２つのトレンチによって前記構造体が窪むように形成されるように前記構造体にレーザエッチングを実施し、前記トレンチがそれぞれ前記構造体の上面から前記基板に延びており、かつ２つのタッチ制御電極構造を規定するよう閉形状に形成され、
前記ステップ（Ｂ）では、前記溝が２つの前記トレンチの間に形成される請求項１３に記載のタッチ制御装置の製造方法。
【請求項１５】
前記ステップ（Ｂ）において、前記溝が、区分的な直線状に延在しており、前記溝の前記曲げが鋭角である請求項１３に記載のタッチ制御装置の製造方法。
【請求項１６】
前記ステップ（Ｂ）において、前記溝がジグザグ状に分布しており、複数の曲げを有している請求項１３に記載のタッチ制御装置の製造方法。
【請求項１７】
前記ステップ（Ｂ）において、前記溝がジグザグ状に分布しており、複数の曲げを有しており、前記溝の前記曲げが、前記タッチ制御電極構造を規定する前記トレンチのそれぞれに隣接している請求項１４に記載のタッチ制御装置の製造方法。
【請求項１８】
前記ステップ（Ｂ）において、前記溝が互いに接続された第１の溝部と第２の溝部に分割され、前記第１の溝部の前記曲げのそれぞれは、前記タッチ制御電極構造を規定するトレンチの対応する一つに隣接し、前記第２の溝部の前記曲げは、前記トレンチの間に配置されている請求項１４の記載のタッチ制御装置の製造方法。
【請求項１９】
前記ステップ（Ｂ）において、前記溝の前記第１の溝部と前記第２の溝部は、レーザエッチングにより連続的に形成され、前記第１の溝部と前記第２の溝部が互いに交差して、網目状に形成されている請求項１８に記載のタッチ制御装置の製造方法。
【請求項２０】
前記ステップ（Ｂ）において、前記溝の曲げが曲線状である請求項１３に記載のタッチ制御装置の製造方法。
【請求項２１】
前記ステップ（Ｂ）において、前記溝が複数の曲線状の曲げを形成し、前記溝の曲げが前記タッチ制御電極構造を規定する前記トレンチの対応する一つに隣接している請求項１４に記載のタッチ制御装置の製造方法。
【請求項２２】
前記ステップ（Ｂ）において、前記溝が、らせん形状に分布している請求項２０に記載のタッチ制御装置の製造方法。
【請求項２３】
前記ステップ（Ｂ）において、前記レーザエッチングのエネルギーが５Ｗ〜１３Ｗの範囲内である請求項１３に記載のタッチ制御装置の製造方法。
【請求項２４】
前記ステップ（Ｂ）において、前記レーザエッチングによって形成される前記溝の深さが２００μｍ〜１０００μｍの範囲内である請求項１３に記載のタッチ制御装置の製造方法。
【請求項２５】
前記ステップ（Ｂ）において、前記レーザエッチングを実行するレーザのパルス時間が２００μｍ〜１０００μｍの範囲内である請求項１３に記載のタッチ制御装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、タッチ制御装置とその製造方法に関し、特に詳しくはレーザエッチング技術を用いて製造されるタッチ制御装置、及びレーザエッチング技術を採用した製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
タッチ制御装置は様々な電子機器に幅広く利用されている。例えば、特許文献１には、タッチパネルとその製造方法が開示されている。タッチパネルは、タッチ制御電極、絶縁体、導電配線などの構造物を有している。製造工程中において、これらの構造物と構成要素が別々に製造され、それぞれが成膜プロセス、リソグラフィープロセス、エッチングプロセス等を有している。
【０００３】
しかしながら、これらの成膜プロセス、リソグラフィープロセス、及びエッチングプロセスを含む製造方法は、複雑であり、生産性の向上、及び生産コストの減少に対して悪影響を与える。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】台湾特許Ｉ４３０１６０号
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
本開示の目的は、簡素な製造技術で製造することができ、かつ良好な性能を有するタッチ制御装置を提供するものである。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本開示のタッチ制御装置は、少なくとも一つのセンシング部を備える。センシング部は、絶縁性、かつ透光性を有する基板と、複数のタッチ制御電極構造と、少なくとも一つのダミー電極セットを含む。タッチ制御電極構造は、前記基板の同じ面側に互いに離間して配置され、互いに電気的に絶縁されている。前記ダミー電極セットは、前記基板に設けられ、隣接する前記タッチ制御電極構造の間に配置されている。前記ダミー電極セットは、その上面から基板に延びる溝を形成しており、前記溝によって分割して規定された複数のダミー電極構造を含む。前記溝は隣接する前記タッチ制御電極構造の間に延在しており、少なくとも一つに曲げを形成している。
【０００７】
本開示の別の目的は、上記したタッチ制御装置のための製造方法を提供することである。前記製造方法は、（Ａ）基板上に構造体を形成し、（Ｂ）前記構造体が窪むように前記構造体にレーザエッチングを行うステップを有する。前記溝は、前記構造体の上面から基板に延びており、少なくとも一つの曲げを形成するよう延びており、レーザの予め定められた経路に応じて連続的にエッチングされる。
【０００８】
本開示の効果は、レーザエッチングを通して本開示のタッチ制御電極を製造し、溝によってダミー電極セット上に複数の領域を形成することで、高い装置性能を得ることにある。本開示の製造方法は、レーザエッチング技術を採用しており、構造体を加工するための従来のリソグラフィ及びエッチングの製造工程と比較して、製造工程、製造時間及びコストを効果的に節約することができる。加えて、レーザの進行経路と製造パラメータの適切なセッティングを通じて、本開示の製造方法は、タッチ制御装置又はレーザエッチングが用いられる様々なデバイスの生産効率を効果的に向上することができる。
【発明の効果】
【０００９】
本開示の目的は、簡便な製造技術で製造することができ、かつ高い性能を有する制御装置を提供するものである。
【図面の簡単な説明】
【００１０】
添付の図面を参照して、本開示のその他の特徴と効果が以下の実施形態の詳細な説明において明らかになる。
【図１】図１は本開示のタッチ制御装置の実施形態を示す概略図である。
【図２】図２は本開示のタッチ制御装置の第１実施形態を示す上面概略図である。
【図３】図３は図２のＩＩＩ−ＩＩＩ線に沿った側面概略図である。
【図４】図４は本開示のタッチ制御装置の製造方法を示すフローチャートである。
【図５】図５はタッチ制御装置の第１実施形態の製造プロセスを示す上面概略図である。
【図６】図６は図５のＶＩ−ＶＩ線に沿った側面概略図である。
【図７】図７は図５に続く製造プロセスを示す上面概略図である。
【図８】図８は図７のＶＩＩＩ−ＶＩＩＩ線に沿った側面概略図である。
【図９】図９は図７に続く製造プロセスを示す上面概略図である。
【図１０】図１０は本開示のタッチ制御装置の第２実施形態を示す上面概略図である。
【図１１】図１１のＸＩ−ＸＩ線に沿った側面概略図である。
【図１２】図１２はタッチ制御装置の第２実施形態の製造プロセスを示す上面概略図である。
【図１３】図１３は図１２のＸＩＩＩ−ＸＩＩＩ線に沿った側面概略図である。
【図１４】図１４は図１２に続く製造プロセスを示す上面概略図である。
【図１５】図１５は図１４のＸＶ−ＸＶ線に沿った側面概略図である。
【図１６】図１６は図１４に続く製造プロセスを示す上面概略図である。
【発明を実施するための形態】
【００１１】
本開示をより詳細に説明する前に、本開示を通じて同様の構成要素には同じ参照符号が付されていることを言及する。
【００１２】
図１〜３を参照して、本開示にかかるタッチ制御装置１の第１実施形態を説明する。タッチ制御装置１として、２層構造のタッチ制御電極構造が例示されている。したがって、タッチ制御装置１は互いに空間的に離間した２つのセンシング部２と、２つのセンシング部２に挟まれた粘着層３を有している。センシング部２は、それぞれ異なる方向（例えばＸ方向、及びＹ方向）のタッチセンシング信号を供給する。しかしながら、他の実施形態では、タッチ制御装置は、単層構造のタッチ制御電極構造を有していてもよく、この場合、タッチ制御装置１は、１つのセンシング部２のみを必要とする。
【００１３】
それぞれのセンシング部２は、基板２１と、複数（本実施形態では２つ）のタッチ制御電極構造２２と、少なくとも一つ（本実施形態では１つであるが、タッチ制御電極構造２２と協同して複数であってもよい）のダミー電極セット２３を備えている。基板は電気的に絶縁性かつ透光性であり、例えばエチレンテレフタレート、ポリ（エーテルサルフォン）、ポリアクリレート、ポリ（エチレンナフタレート）、ポリプロピレン、ピリオドカーボネイト、ポリエチレンテレフタレート、ガラス等の材料から形成されていてもよく、硬質材料又はフレキシブル材料から形成されていてもよい。
【００１４】
タッチ制御電極構造２２は、基板２１の同じ面上に互いに離間して配置されており、互いに電気的に絶縁されている。タッチ制御電極構造２２は、タッチセンシング信号を生成し、例えば、インジウムスズ酸化物（ＩＴＯ）、インジウム亜鉛酸化物（ＩＺＯ）、カドミウムスズ酸化物（ＣＴＯ）、アルミニウム亜鉛酸化物（ＡＺＯ）、インジウムスズ亜鉛酸化物（ＩＴＺＯ）、亜鉛酸化物、カドミウム酸化物（ＣｄＯ）、ハフニウム酸化物（ＨｆＯ）、インジウムガリウム亜鉛酸化物（ＩｎＧａＺｎＯ）、インジウムガリウム亜鉛マグネシウム酸化物（ＩｎＧａＺｎＭｇＯ）、インジウムガリウムマグネシウム酸化物（ＩｎＧａＭｇＯ）、インジウムガリウムアルミニウム酸化物（ＩｎＧａＡｌＯ）、銀ナノ線、カーボンナノチューブ、グラフェン等の透明で導電性の材料で形成されている。これらのタッチ制御電極構造２２の構造的な形状は、互いに離間しており、それぞれが閉形状（ここでは矩形）に形成された複数のトレンチ２２１によって規定されている。他の実施形態では、トレンチ２２１の形状は、タッチ制御電極構造２２の構造的な形状に応じて変更可能である。さらに、トレンチ２２１は、化学エッチング、レーザエッチング、機械エッチング等を通じて形成されるが、特定のプロセス技術に限定されるものではない。
【００１５】
ダミー電極セット２３は、基板２１に設けられており、タッチ制御電極構造２２の間に配置されている。ダミー電極セット２３は、タッチ制御電極構造２２と同じ又は異なる製造材料により形成されていてもよく、ことなる形状及びサイズの複数のダミー電極構造２３０を含んでいる。ダミー電極構造２３０の機能は、主に、以下に具体的に示されるように、電気的及び光学的な観点にある。
【００１６】
１．電気的な観点
【００１７】
ダミー電極構造２３０の提供を通して、タッチセンシングが生じる時、タッチ制御電極構造２２によって生じるセンシング容量が増加し、これによってタッチ検出の精度を向上するようセンシング容量の変化の総量が増加する。したがって、タッチセンシング容量の変化量の増加に対応する機能を達成するよう、ダミー電極構造２３０は実際の製造ではあるサイズの仕様を満たすように製造される必要がある。
【００１８】
もし、ダミー電極構造２３０が大きすぎる場合、信号の干渉が起きてしまう。その結果、タッチ制御中に誤動作してしまう。したがって、実用上、具体的なサイズに対して、適切な仕様が設定される。
【００１９】
２．光学的な観点
【００２０】
ダミー電極構造２３０の提供を通して、２つの間のギャップに対応する物質の不存在から生じる外部光の屈折に関連して、隣接するタッチ制御電極構造２２の間の違いが除去される。したがって、ユーザに対して、タッチ制御電極構造２２が視角的に目立つ度合いを最小化するように、実際の製造ではダミー電極構造２３０はあるサイズの仕様を満たすように製造される必要がある。
【００２１】
しかしながら、ダミー電極構造２３０が大きすぎる場合、隣接するタッチ制御電極構造２２の間で、短絡の問題が容易に生じてしまう。
【００２２】
上記の観点から、本実施形態では、ダミー電極セット２３を異なる領域の複数のダミー電極構造２３０に分割することで、電気的かつ光学的な観点の両方の要求を満足している。具体的には、ダミー電極セット２３（例えば、図２、５、７、９における黒字太線）の配置に対応して、その上面から基板２１に延びる溝２３１が形成されている。溝２３１は主に、異なるサイズ及び形状の複数のダミー電極構造２３０を規定するためにダミー電極セット２３を複数の異なる領域に分割するように、隣接するタッチ制御電極構造２２の間に少なくとも１つの曲げ（ここでは複数の曲げが図示されている）を有している。
【００２３】
本実施形態では、センシング部２の製造中のレーザエッチングプロセスの特性に基づいて、ダミー電極セット２３のための溝２３１の基本的な延在形状は、区分的に直線となっている。つまり、溝２３１は、屈曲点で異なる方向に延びる複数の直線部分に分割されており、これらの直線部分は、様々な延在形状を規定するよう、互いに交差又は交差しない。本実施形態では、適切なサイズのダミー電極構造２３０を規定するため、基本的な延在特性は、その形状を規定するため、区分的な直線形状の溝２３１が互いに重複及び交差する２つのジグザクの溝部を構成するようになっている。ジグザグ形状もまた、複数の直線区分を構成しているので、区分的な直線部分の範囲内に含まれる。
【００２４】
図２、７、９を参照すると、本実施形態では、ダミー電極セット２３の溝２３１は互いに接続された第１の溝部２３２と第２の溝部２３３に分割される。第１の溝部２３２と第２の溝部２３３はそれぞれジグザグ状に延びた形状を有しており、それぞれ鋭角の曲げを複数有している。ここで、第１の溝部２３２の鋭角の曲げは、隣接するタッチ制御電極構造２２の近傍に配置され、一方、第２の溝部２３３の鋭角の曲げは、隣接するタッチ制御電極構造２２の間に配置される。第１の溝部２３２と第２の溝部２３３は交差する網目形状を形成している。したがって、ダミー電極セット２３は、溝２３１の第１の溝部２３２と第２の溝部２３３によって複数の領域に分割され、ダミー電極構造２３０が良好な電気的特性及び光学的特性を有するように、適切なサイズのダミー電極構造２３０に規定される。特に、第１の溝部２３２と第２の溝部２３３とが交差する網目形状を形成する場合、ダミー電極セット２３は、様々なサイズ及び形状の複数の領域に規定され、これによって、タッチ制御装置１のより良好な視覚効果を得るために外部光線の屈折又は反射方向の不均一性を失わせる。しかしながら、異なる実施形態では、第１の溝部２３２と第２の溝部２３３は、互いに交差しないように配置されており、一方、ダミー電極構造の形状及びパターンを規定してもよい。さらに、本実施形態では、第２の溝部２３２の曲げ位置は、部分的にタッチ制御電極構造２２内に延びていてもよい。この具現方法は、タッチ制御電極２２のエッジの不均一性を失わせ、ダミー電極構造２３０によって提供される効果を強調する。しかしながら、他の実施形態では、溝２３１もまたタッチ制御電極２２内に延びていなくてもよく、上記の開示に限られるものではない。
【００２５】
以下の説明は本実施形態のタッチ制御装置１の製造方法に関して図４〜９を参照している。
【００２６】
ステップＳ０１：本ステップでは、最初に構造体４が基板２１上に形成される。本実施形態では、構造体４は単層であり、上記した透明かつ導電性材料により形成されている。構造体４は、種々の成膜技術によって形成される。しかしながら、他の実施形態では、構造体４は多層構造であってもよく、レーザによって、１回でエッチングすることが可能である。
【００２７】
ステップＳ０２：図４、５、６を参照すると、本ステップは、レーザエッチング技術を通して、互いに空間的に離間したトレンチ２２１を用いて構造体４が窪むように形成されるように、構造体４に対してレーザエッチングを実施する。トレンチ２２１は構造体４の上面から基板２１まで延びており、タッチセンシング信号を発生するため構造体４内に２つのタッチ制御電極構造２２が規定されるように、それぞれが閉形状（ここでは矩形状）に形成される。
【００２８】
ステップＳ０３：図４、７、８、９を参照すると、ダミー電極セット２３が溝２３１によって複数の領域に分割された後、が複数のダミー電極構造２３０に形成されるよう本ステップでは、主にタッチ御電極構造２２の間の構造体４にレーザエッチングを実施する。本ステップの溝２３１の製造において、エッチングは予め設定された経路にしたがって、レーザによって連続的に実施される。
【００２９】
図７に示されるように、溝２２１の第１の溝部２３２は、左のタッチ制御電極構造２２の上側に対応する点Ｐ１から開始して、方向Ａ１に沿って右下に向かってエッチングされていく。そして、溝２２１の第１の溝部２３２は、方向Ａ２に沿ってエッチングされるよう、曲げ点Ｐ２で左に向かうように曲がる。曲げ点Ｐ３に到達したら、第１の溝部２３２がジグザグ状に形成されるよう、曲げ点Ｐ４，Ｐ５，Ｐ６、Ｐ６の順番で方向転換していくことで、引き続きＡ３、Ａ４、Ａ５，Ａ６方向に沿って順番にエッチングされる。ここで用いられた、上、下、左、右の方向の参照は、単に添付図面の参照の記載のために用いられたものであり、製造プロセス中の実際の方向を示すものではない。さらには、別の要求に応じて、レーザエッチングの経路、進行方向、開始点、曲げ点を調整することができ、本開示に限定されるものではない。
【００３０】
上記に応じて規定された経路に関し、レーザエッチングのルートは連続的で途切れなくすることができ、これにより、製造時間を節約することができる。さらに、更に良好な製造上の効果を達成するために、波長１０６４ｎｍで２００μｓｅｃから１０００μｓｅｃのパルス時間を有するレーザをエッチングの実施のために用いてもよく、エッチング後の溝の２３１の幅は、１５μｍ〜４０μｍｍの間に制御されていてもよく、構造体４をレーザエッチングすることで形成される溝２３１とトレンチ２２１の深さと２００μｍ〜１０００μｍの間に制御されていてもよい。
【００３１】
さらに、構造体４の厚さと材料の違いに基づいて、レーザのエネルギーは、調整されていてもよい、例えば、構造体４の材料が銀ナノ線である場合、レーザのエッチングエネルギーは、好ましくは、５Ｗ〜２０Ｗの間である。構造体４の材料が銀ペーストの場合、レーザのエッチングエネルギーは、好ましくは８Ｗ〜１３Ｗである。上記の製造パラメータの設定は、主に最終製品の製造速度と性能と生産を総合的に考慮される。例えば、溝２３１の幅が１５μｍより狭い場合、溝２３１の両側の構造体４は容易に短絡してしまい、タッチ制御装置１の性能に影響を及ぼすことがある。エッチング深さの制御は、製造時間と最終製品の完全性に影響する。レーザエッチングの深さが２００μｍよりも小さい場合、溝２３１の形成を完成するために、同じ位置で複数回のエッチングが必要とされ、製造時間の増加を招いてしまう。しかしながら、それぞれのレーザエッチングの深さを１０００μｍよりも大きい場合、エッチング深さの制御が容易ではなくなり、レーザで構造体４をエッチングする時に、基板２１が損傷するリスクがある。
【００３２】
さらに、レーザプロセス技術の特性に応じて、それぞれの曲げ点にレーザビームが進むように、その進行速度を遅くしてもよい。これにより、曲げ点でのエッチング時間がより長くなる。したがって、レーザのエッチングエネルギーとそれぞれのレーザパルスのパルス時間を適切に制御することで、曲げ点における過度のエッチング時間又はレーザの過度のエネルギーによる構造体４の下の基板２１へのダメージを防ぐことが可能となる。基板２１のダメージの基準の確認について、レーザで基板をエッチングする時、微小な泡が基板２１の表面に発生するかもしれない。本実施形態では、基板２１で発生した泡の存在／不存在又は泡のサイズが、基板２１が損傷したか否かの確認の基準として用いられる。泡のサイズが３０μｍよりも小さいとき、これらのサイズの泡は、肉眼では容易に気付かないので、製造基準を満たしていると判定する。しかしながら、ここで規定された判定基準は、説明のために用いられたものであり、これに限定されるものではない。
【００３３】
一方、図９に示されるように、第１の溝部２３２の形成が完成した後、上記したレーザエッチング処理が連続して実行され、第２の溝部２３３の形成が実行される。ここで、第２の溝部２３３は、第１の溝の終点Ｐ７から開始し、曲げ点Ｐ８に移動するように方向Ａ７に沿って右上方向にレーザが引き続き回転して、移動する。レーザは、曲げ点Ｐ９、Ｐ１０の順番で方向転換して、方向Ａ８，Ａ９，Ａ１０に沿って順番に移動する。そして、レーザは終点Ｐ１１で終結することで、第２の溝部２３３の形成が完成し、ダミー電極セット２３が複数の小さい領域に分けられる。ここで、第２の溝部２３３のレーザエッチングの製造パラメータは、第１の溝部２３２の物と同一であり、これにより、最適な製造品質が達成される。
【００３４】
本実施形態では、ステップＳ０３において、第１の溝部２３２と第２の溝部２３３は部分的に交差する位置では、交差位置の構造体４は、２回のレーザエッチング処理を受ける。第１の溝部２３２と第２の溝部２３３との交差位置での基板２１のダメージを防ぐために、本実施形態では、レーザエネルギー、レーザパルス時間、及びレーザの進行速度の適切な量の制御を用いている。これにより、２回のレーザエッチング処理の後、構造体４を完全に除去することができる一方、基板２１は、下層の基板２１が上記したダメージの基準を満足する。
【００３５】
したがって、上記の製造ステップＳ０１、Ｓ０２、Ｓ０３を組み合わせることで、本開示は、タッチパネル電極構造２２とダミー電極セット２３の形状の規定を容易に完成するために、構造体４にレーザを用いたエッチングを実施する。従来から用いられているリソゴラフィとエッチングのプロセスと比較して、製造工程数を減少することでき、これにより、製造時間とコストを節約することができる。さらに、本実施形態は、レーザエッチングの連続的な進行を容易にするためにレーザエッチングの経路と製造パラメータを設定することによって、基板２１に対する不要なダメージを防ぐことができる。よって、微細な製造の効果が実現される。
【００３６】
本発明の製造方法は、タッチ制御電極２２のレーザエッチング工程（Ｓ０２）、及びダミー電極セット２３のレーザエッチング工程（Ｓ０３）の順番で実施されたが、上記したステップにおけるレーザエッチングの経路は予め定められた経路に従って実施され、実施の特定な順番に限られないことを記載しておくべきである。したがって、ステップＳ０１が実施された後に、ダミー電極セット２３を規定するステップＳ０３が最初に実行され、引き続きタッチ制御電極構造２２を規定するＳ０２が実行されてもよい。一方、実施形態の上記の説明において、レーザエッチング工程と溝２３１の形状が言及されたが、これらの実施技術は実際の必要に基づいて適切に調整することができ、本実施形態の内容に限定されるものではない。
【００３７】
図１０、１１、１４、１６を参照して、タッチ制御装置１の第２実施形態を説明する。ここで、ダミー電極セット２３の溝２３１もまた、主として、タッチ制御電極構造２２の間で延在して、曲がっており、曲げ形状が実施の形態１と異なっている。
【００３８】
手短に説明すると、ダミー電極セット２３の溝２３１の曲げ部が曲線となっており、大１実施形態の鋭角と異なっている。さらには、溝２３１の曲線の曲げ部は、図１４に示した第１の溝部２３２の一定のらせん形状となっていてもよく、あるいは図１６に示した第２の溝部２３３の一定でない曲線であってもよい。
【００３９】
以下に、本実施形態にかかるタッチ制御装置の製造方法は図４、及び関連する図で説明されている。
【００４０】
ステップＳ０１、Ｓ０２；図４、図１２、図１３を参照すると、これらのステップは、第１実施形態と同様であるため、説明を省略する。
【００４１】
ステップＳ０３：図４、図１４、図１５、図１６を参照すると、これらのステップは、溝２３１によって複数の領域に分割されたダミー電極構造２３０を形成する。
【００４２】
まず、図１４を参照すると、本実施の形態において第１の溝部２３２を設ける時、レーザエッチングは、タッチ制御電極構造２２の左上側の開始点Ｒ１からスタートして、曲線の経路における方向Ｂ１に沿って曲げ点Ｒに向かって進む。続いて、レーザエッチングは、曲げ点Ｒ２〜Ｒ１２を通るよう方向Ｂ２〜Ｂ１２に沿って進んでいく。そして、第１の溝部２３２はらせん形状を示すため予め規定された経路に延在して、曲げ位置がタッチ制御電極構造２２を規定するトレンチ２２１に近接するように、徐々に終点Ｒ１３に到達していく。このプロセスの間、レーザは曲げ位置で曲線状に進行するので、実施の形態１の鋭角の曲げ角度と比較して、相対的に速いレーザ速度が維持され、要求される製造時間を短くすることができる。さらに、曲げ位置での好適な半径は、５０μｍ〜２５０μｍの範囲内である。もし、半径が５０μｍよりも小さい場合、曲げ位置では、鋭角と同様の形状になり、これらの領域を通過する際にレーザが速度を落とさなければならない。したがって、直下の基板２１にダメージが生じてしまう。
【００４３】
次に、図１６を参照すると、第１の溝部２３２の製造が完了した後、本実施形態では、溝２３１の第２の溝部２３３の製造を継続する。ここで、第２の溝部２３２は、左のタッチ制御電極構造２２の左下側の開始点１３からスタートして、右上側に向かう曲線状の方向Ｂ１３に沿って曲げ点Ｒ１４に向かって移動する。続いて、第２の溝部２３３は、曲げ点Ｒ１４から方向Ｂ１４、Ｂ１５に沿って進行する。そして、第２の溝部２３３は、不規則な形状の第２の溝部２３３の製造を完成するために、曲げ点Ｒ１５を通過した後、終点Ｒ１６で終結する。第２の溝部２３３の製造工程中において、レーザが各曲げ点に進む時、曲線状の進行が維持されているので、あるレベルの進行速度を維持することができる。よって、効率的な製造時間の制御と基板２１に生じる損傷を防ぐことができる。
【００４４】
第１実施形態と同様に、本実施形態のステップＳ０２とステップＳ０３の実行順は、実用上の必要に応じて入れ替え可能であり、溝２３１の延在形状は、曲げ部が曲線状に進むよう設計される限り、要求に応じて、第１の溝部２３２の螺旋形状と第２の溝部２３３の不規則な曲線形状に一致するよう調整され得る。
【００４５】
上記した２つの実施形態の観点において、本開示のタッチ制御装置１は、レーザエッチングを用いて製造され、溝２３１をダミー電極セット２３のために複数の領域に分割することによって良好な装置性能を有している。さらに、本開示の製造方法は、レーザエッチング技術を採用しており、従来のリソグラフィ技術とエッチング技術と比較して、製造時間及びコストと同様に、製造工程を効率的に減少することができる。よって、本開示の製造方法は、タッチ制御装置１の性能を向上することができ、また、レーザエッチング経路と製造パラメータの適切な設定を通じて、レーザエッチングによって製造される様々な装置に適用することができる。したがって、本開示にかかるタッチ制御装置１とその製造方法は、本開示の目的を達成することができる。
【００４６】
本願は実施の形態と考えられるものに関して記載されたが、本願は開示された形態に限定されるものではなく、全ての修正と同等の変形とを包含するように、最も広い解釈の要旨及び範囲に含まれる様々な変形をカバーするよう意図されたものである。
【００４７】
本願は、出願番号が２０１４１０１２７３８６．２であって、出願日が２０１４年３月３１日である中国特許出願に基づき優先権を主張し、当該中国特許出願のすべての内容を本願に援用する。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【外国語明細書】
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