(57)【要約】【課題】低粗度用の絶縁樹脂材料により樹脂絶縁層を形成した場合であっても位置合わせ用貫通穴の視認性を向上することができ、露光工程を精度よく行うことができる配線基板の製造方法を提供すること。【解決手段】本発明の配線基板１１の製造方法は、レーザービア形成工程、シード層形成工程、レジスト配置工程、露光工程を含む。レーザービア形成工程では、レーザー照射によりビア穴２５及び位置合わせ用貫通穴４１を形成する。シード層形成工程では、樹脂絶縁層２０，２１の表面Ｓ１などに、電解めっき用のシード層５１を形成する。レジスト配置工程では、シード層５１が形成された樹脂絶縁層２０，２１上に、ドライフィルムフォトレジスト７１を貼着する。露光工程では、位置合わせ用貫通穴４１を利用して位置合わせを行ったうえでレジスト７１を選択的に露光する。レジスト配置工程よりも前の段階で、樹脂絶縁層２０，２１における位置合わせ用貫通穴４１の形成部位４７の周辺領域４２の表面Ｓ１を選択的に粗らす粗化工程を行う。【選択図】図８
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
樹脂絶縁層と導体層とを交互に積層してなる配線積層部を有する配線基板の製造方法であって、
レーザー照射により、前記樹脂絶縁層を貫通するビア穴及び位置合わせ用貫通穴を形成するレーザービア形成工程と、
前記樹脂絶縁層の表面、前記ビア穴の内面及び前記位置合わせ用貫通穴の内面に、電解めっきのためのシード層を形成するシード層形成工程と、
前記シード層が形成された前記樹脂絶縁層上に、ドライフィルムフォトレジストを貼着するレジスト配置工程と、
前記位置合わせ用貫通穴を利用して位置合わせを行ったうえで前記ドライフィルムフォトレジストを選択的に露光する露光工程と
を含み、
前記レジスト配置工程よりも前の段階で、前記樹脂絶縁層における位置合わせ用貫通穴の形成部位の周辺領域の表面を選択的に粗らす粗化工程を行う
ことを特徴とする配線基板の製造方法。
【請求項２】
前記粗化工程は、前記位置合わせ用貫通穴の形成部位の周辺領域の表面に対するレーザー照射により行うことを特徴とする請求項１に記載の配線基板の製造方法。
【請求項３】
前記粗化工程におけるレーザー照射は、前記レーザービア形成工程の一環として前記位置合わせ用貫通穴を形成する前に行われることを特徴とする請求項２に記載の配線基板の製造方法。
【請求項４】
前記レーザービア形成工程後かつ前記シード層形成工程前にさらにデスミア工程を行うことを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載の配線基板の製造方法。
【請求項５】
前記粗化工程前の前記樹脂絶縁層の表面粗さＲａは１００ｎｍ未満であり、前記粗化工程後の前記樹脂絶縁層の表面粗さＲａは１００ｎｍ以上であることを特徴とする請求項１乃至４のいずれか１項に記載の配線基板の製造方法。
【請求項６】
前記配線基板は、製品領域とその製品領域を包囲する枠部領域とを有する多数個取り用基板の前記枠部領域を切り離すことにより得られる前記製品領域の部位であって、前記位置合わせ用貫通穴は前記枠部領域に形成され、前記粗化工程は前記枠部領域の範囲内で行われることを特徴とする請求項１乃至５のいずれか１項に記載の配線基板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、配線層形成のための露光工程を含む配線基板の製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
近年、電気機器、電子機器等の小型化に伴い、これらの機器に搭載される配線基板等にも小型化や高密度化が要求されている。かかる市場の要求に応えるべく、配線基板を多層化する方法が検討されている。このような多層化の方法としては、レーザー加工法等で穿孔したビア穴内の導体を介して層間の電気的接続を図りながら、樹脂絶縁層と導体層とを順次積層する、いわゆるビルドアップ法が主流になってきている。
【０００３】
ビルドアップ法による配線基板の製造プロセスを以下に例示する。まず、配線基板ワーク上に樹脂絶縁層を形成しておき、レーザー照射を行うことで樹脂絶縁層を貫通するビア穴を形成する（レーザービア形成工程）。このとき、樹脂絶縁層にはレーザー照射によって位置合わせ用貫通穴も形成する。次に、必要に応じてデスミア工程を行った後、樹脂絶縁層の表面、ビア穴の内面及び位置合わせ用貫通穴の内面に、電解めっきのためのシード層を形成する（シード層形成工程）。次に、樹脂絶縁層上にシード層が形成された状態の配線基板ワーク上に、ドライフィルムフォトレジストを貼着する（レジスト配置工程）。次に、配線基板ワーク上に露光用マスクを配置し、この状態でドライフィルムフォトレジストを選択的に露光する（露光工程）。さらに、現像工程を行ってドライフィルムフォトレジストをパターニングして開口部を有するめっきレジストを形成した後、めっきレジストの開口部に対する電解めっき、めっきレジストの除去、シード層のエッチング等を行うことにより、配線層となる導体層をパターニングする。そして、以上のような一連の工程を必要に応じて繰り返すことで、所望とするビルドアップ配線基板が製造されるようになっている。
【０００４】
ところで、上記露光工程において露光を行う場合、配線基板ワークに対して露光用マスクを位置合わせしておく必要があり、配線層の高密度化・微細化を達成するうえで位置合わせ精度の向上が重要なファクターとなる。そして、配線基板ワークに対して露光用マスクを位置合わせする方法としては、例えば、樹脂絶縁層に形成した位置合わせ用貫通穴をアライメントマークとして利用する方法が従来提案されている。より具体的には、位置合わせ用貫通穴からの反射光をＣＣＤカメラ等の撮像手段で撮像し、その撮像結果に基づいて画像認識処理等を行うことにより、位置合わせを行う方法が従来提案されている（例えば、特許文献１を参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２００５−２４４１８２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
ところで、近年では、配線層の高密度化に伴って配線層の幅が狭くなってきている。幅狭の配線層の形成にあたっては下層の樹脂絶縁層の表面を低粗度にする必要があり、そのような樹脂絶縁層を得るために低粗度用の絶縁樹脂材料の開発が進められている。しかしながら、樹脂絶縁層表面の低粗度化は、露光工程において次のような問題を引き起こす。
【０００７】
例えば、従来の絶縁樹脂材料を用いて形成した樹脂絶縁層に位置合わせ用貫通穴を設けた場合、樹脂絶縁層表面がそれほど低粗度ではないので、貫通穴の部分が白く（明るく）見え、その周辺部は光の乱反射により黒く（暗く）見える。ゆえに、このケースではアライメントマークのコントラストがはっきりとしており、画像認識処理を比較的容易に行うことができる。これに対して、低粗度用の絶縁樹脂材料を用いた場合、樹脂絶縁層表面が低粗度になることで、貫通穴の周辺部についても光の乱反射が起きにくくなり、白く（明るく）見えてしまう。そのため、このケースではアライメントマークのコントラストが不明瞭になり、マークの視認性が低下することで、画像認識処理を容易に行うことができなくなる。その結果、露光用マスクの位置合わせ精度が低下し、ひいては配線層の高密度化・微細化が達成されにくくなる。
【０００８】
本発明は上記の課題に鑑みてなされたものであり、その目的は、低粗度用の絶縁樹脂材料により樹脂絶縁層を形成した場合であっても位置合わせ用貫通穴の視認性を向上することができ、露光工程を精度よく行うことができる配線基板の製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
そして上記課題を解決するための手段（手段１）としては、樹脂絶縁層と導体層とを交互に積層してなる配線積層部を有する配線基板の製造方法であって、レーザー照射により、前記樹脂絶縁層を貫通するビア穴及び位置合わせ用貫通穴を形成するレーザービア形成工程と、前記樹脂絶縁層の表面、前記ビア穴の内面及び前記位置合わせ用貫通穴の内面に、電解めっきのためのシード層を形成するシード層形成工程と、前記シード層が形成された前記樹脂絶縁層上に、ドライフィルムフォトレジストを貼着するレジスト配置工程と、前記位置合わせ用貫通穴を利用して位置合わせを行ったうえで前記ドライフィルムフォトレジストを選択的に露光する露光工程とを含み、前記レジスト配置工程よりも前の段階で、前記樹脂絶縁層における位置合わせ用貫通穴の形成部位の周辺領域の表面を選択的に粗らす粗化工程を行うことを特徴とする配線基板の製造方法がある。
【００１０】
従って、手段１に記載の発明によると、レジスト配置工程よりも前の段階で行われる粗化工程により、樹脂絶縁層における位置合わせ用貫通穴の形成部位の周辺領域の表面が選択的に粗らされる。その結果、低粗度用の絶縁樹脂材料により樹脂絶縁層を形成した場合であっても、当該周辺領域の表面にて光の乱反射が起りやすくなり、その部分が全体的に黒く（暗く）見えるようになる。ゆえに、白く（明るく）見える位置合わせ用貫通穴の部分と、周辺領域の表面とのコントラストが明瞭になり、位置合わせ用貫通穴の視認性が向上する。このため、露光用マスクの位置合わせ精度が向上し、ドライフィルムフォトレジストに対する露光工程を精度よく行うことができる。
【００１１】
以下、本発明の配線基板の製造方法について説明する。
【００１２】
本発明の製造方法により製造される配線基板は、樹脂絶縁層と導体層とを交互に積層してなる配線積層部を有するものであって、配線積層部は例えばコア基板における片側または両側の主面上に設けられる。コア基板の形成材料については特に限定されず、コスト性、加工性、絶縁性、機械的強度などを考慮して適宜選択することができる。コア基板としては、例えば、樹脂基板、セラミック基板、金属基板などが挙げられる。樹脂基板の具体例としては、ＥＰ樹脂（エポキシ樹脂）基板、ＰＩ樹脂（ポリイミド樹脂）基板、ＢＴ樹脂（ビスマレイミド−トリアジン樹脂）基板、ＰＰＥ樹脂（ポリフェニレンエーテル樹脂）基板などがある。そのほか、これらの樹脂とガラス繊維（ガラス織布やガラス不織布）やポリアミド繊維等の有機繊維との複合材料からなる基板を使用してもよい。あるいは、連続多孔質ＰＴＦＥ等の三次元網目状フッ素系樹脂基材にエポキシ樹脂などの熱硬化性樹脂を含浸させた樹脂−樹脂複合材料からなる基板等を使用してもよい。前記セラミック基板の具体例としては、例えば、アルミナ基板、ベリリア基板、ガラスセラミック基板、結晶化ガラス等の低温焼成材料からなる基板などがある。前記金属基板の具体例としては、例えば、銅基板や銅合金基板、銅以外の金属単体からなる基板、銅以外の金属の合金からなる基板などがある。なお、前記コア基板にはその上面及び下面を貫通する複数の貫通孔の内面にめっきが施されためっきスルーホールなどが形成されていてもよく、それら複数のめっきスルーホール内には充填材が充填されていてもよい。また、上記コア基板は、その内部に配線層を形成した基板でもよし、チップコンデンサやチップ抵抗などの電子部品を埋め込んだ基板でもよい。
【００１３】
本発明の製造方法により形成される導体層は、微細なパターンの配線層を有し、具体的にいうと例えばＬ／Ｓ（Ｌ：配線幅、Ｓ：配線間距離）＝５μｍ／５μｍ以下のパターンの配線層を有する。導体層をパターン形成する手法としては、導電性や樹脂絶縁層との密着性などを考慮して適宜選択されることができる。導体層用の金属材料の例としては、銅、銅合金、ニッケル、ニッケル合金、スズ、スズ合金などが挙げられる。また、導体層は、サブトラクティブ法、セミアディティブ法、フルアディティブ法などといった公知の手法によって形成することができる。具体的にいうと、例えば、銅箔のエッチング、無電解銅めっきあるいは電解銅めっき、無電解ニッケルめっきあるいは電解ニッケルめっきなどの手法を用いることができる。なお、スパッタやＣＶＤ等の手法により金属層を形成した後にエッチングを行うことで導体層を形成したり、導電性ペースト等の印刷により導体層を形成したりすることも可能である。
【００１４】
樹脂絶縁層は例えば熱硬化性を有する樹脂を用いて形成される。熱硬化性樹脂の好適例としては、ＥＰ樹脂、ＰＩ樹脂、ＢＴ樹脂、フェノール樹脂、キシレン樹脂、ポリエステル樹脂、けい素樹脂等が挙げられる。これらの中でも、ＥＰ樹脂、ＰＩ樹脂、ＢＴ樹脂を選択することが好ましい。なお、樹脂絶縁層の厚さは特に限定されないが、例えば１０μｍ以上４０μｍ以下とすることがよい。厚さ１０μｍ未満であると、樹脂絶縁層を精度よく形成することが難しくなることに加え、層間の絶縁性が低下するおそれがあるからである。厚さ４０μｍ超であると、配線積層部の薄層化が達成されにくくなるからである。また、樹脂絶縁層の表面は低粗度であることがよく、例えば表面粗さＲａが１００ｎｍ未満とされる。その理由は、凹凸の少ない樹脂絶縁層上に幅狭の配線層を精度よく形成するためである。
【００１５】
レーザービア形成工程に先立って行われる樹脂絶縁層形成工程では、導体層が形成されている配線基板ワーク上に、低粗度用の絶縁樹脂材料を用いて樹脂絶縁層をあらかじめ形成しておく。レーザービア形成工程では、レーザー照射により、その樹脂絶縁層を貫通するビア穴及び位置合わせ用貫通穴を形成する。ここで配線基板が、１つ以上の製品領域及び製品領域を包囲する枠部領域を有する多数個取り用基板から得られる前記製品領域の部位である場合、ビア穴は製品領域に形成される一方、位置合わせ用貫通穴は枠部領域に形成される。即ち、製品領域内には多数の導体層（配線層）や、ビア穴内に形成されるビア導体が密集しており、そこに位置合わせ用貫通穴を設けようとすると製品全体の小型化を阻害してしまう。これに対して、最終的に製品とはならない枠部領域であれば、そこに位置合わせ用貫通穴を設けたとしても特に製品の小型化を阻害せず、また、位置合わせ用貫通穴を設けるときの配置の自由度も大きいからである。
【００１６】
位置合わせ用貫通穴は、樹脂絶縁層を貫通してその下層にある導体層の一部を露出させている。また、ビア穴も同様に樹脂絶縁層を貫通してその下層にある導体層の一部を露出させている。ただし、後者が層間の電気的接続を図るためであるのに対し、前者は金属面を露出させてそこからの反射光を得るためである。
【００１７】
ここで、位置合わせ用貫通穴の平面視での形状及び寸法は特に限定されず、画像認識処理が可能なものであれば任意に設定できるが、例えば平面視でリング状をなす等幅の貫通溝部などとしてもよい。この場合において貫通溝部の外形寸法は特に限定されないが、例えば０．５ｍｍ〜５ｍｍ程度、好ましくは１ｍｍ〜３ｍｍ程度に設定される。また、貫通溝部の幅は特に限定されないが、例えば１０μｍ以上がよく、さらには５０μｍ以上１５０μｍ以下であることが好ましい。溝部の幅が５０μｍより狭いと、位置合わせ用貫通穴の認識精度を十分に確保できなくなるからである。一方、溝部の幅が１５０μｍより広いと、樹脂絶縁層の表面の高さばらつきが大きくなるおそれがあるからである。
【００１８】
シード層形成工程では、樹脂絶縁層の表面、ビア穴の内面及び位置合わせ用貫通穴の内面に、電解めっきのためのシード層を形成する。シード層の形成をする前に、必要に応じてデスミア工程を行ってもよい。シード層としては、後にエッチングにより除去可能な導電金属からなる層であればよく、例えば銅層、ニッケル層、コバルト層、スズ層、銀層、金層、パラジウム層、チタン層などが挙げられる。シード層を形成する方法としては特に限定されず、例えばスパッタリング、真空蒸着、無電解めっき等がある。
【００１９】
レジスト配置工程では、シード層が形成された樹脂絶縁層上にドライフィルムフォトレジストを貼着するが、本発明の製造方法では、この工程よりも前の段階で、樹脂絶縁層における位置合わせ用貫通穴の形成部位の周辺領域の表面を選択的に粗らす粗化工程を行う。粗化工程において樹脂絶縁層の表面を粗らす方法としては特に限定されず、例えばレーザー照射、プラズマ処理、サンドブラストやショットブラスト等のブラスト処理、ラッピングやポリッシング等の機械加工などがある。これらのなかでも、工程上レーザー照射が好適である。また、上記のような乾式粗化処理に代えて、化学薬品を用いて表面を粗らす湿式粗化処理を行ってもよい。
【００２０】
粗化工程を行うタイミングとしては、樹脂絶縁層形成工程後かつレーザービア形成工程前の段階、レーザービア形成工程後かつデスミア工程前の段階、デスミア工程後かつシード層形成工程前の段階、シード層形成工程後かつレジスト配置工程前の段階のいずれでもよいほか、レーザービア形成工程の際に同時であってもよい。この場合において、粗化工程におけるレーザー照射は、レーザービア形成工程の一環として、位置合わせ用貫通穴の形成前あるいは形成後に行われるが、開口縁の形状に優れた位置合わせ用貫通穴が得やすい点で、位置合わせ用貫通穴の形成前に行われることが好ましい。
【００２１】
位置合わせ用貫通穴の形成部位の周辺領域の表面に対するレーザー照射を行う場合、平面視における位置合わせ用貫通穴の最大寸法の例えば１．５倍以上５倍以下の大きさのエリアを照射対象区域としてもよい。１．５倍未満であると、黒く（暗く）見える高粗度の部分が少なくなり、位置合わせ用貫通穴の視認性を十分に向上できないおそれがあるからである。５倍超であると、高粗度の部分が増えるため位置合わせ用貫通穴の視認性を十分に向上することができるが、レーザー処理エリアが拡大する結果、生産性が低下するおそれがあるからである。
【００２２】
また、後述する露光工程において撮像手段により位置合わせ用貫通穴を撮像するような場合、その撮像手段の視野と同等またはそれよりも若干広いエリアを照射対象区域としてもよい。視野よりも狭いエリアを照射対象区域とすると、位置合わせ用貫通穴の位置を誤認識する可能性があるからである。視野よりもかなり広いエリアを照射対象区域とすると、誤認識の可能性は小さくなる反面、レーザー処理エリアが拡大する結果、生産性が低下するおそれがあるからである。
【００２３】
さらに、配線基板が多数個取り用基板の製品領域の部位であって、位置合わせ用貫通穴が枠部領域に形成されているような場合、粗化工程は枠部領域の範囲内で行われることが好ましい。その理由は、粗化処理が製品領域に及ぶようになると、配線層を形成する部位の表面まで粗くなってしまい、配線層の微細化を阻害してしまうからである。
【００２４】
ここで、粗化工程前の樹脂絶縁層の表面粗さＲａが１００ｎｍ未満の低粗度であるような場合、粗化工程を行うことによって、樹脂絶縁層の表面粗さＲａを例えば１００ｎｍ以上、より好ましくは５００ｎｍ以上にすることが好ましい。粗化工程の前後でＲａ値にこの程度の差があれば、十分明瞭なコントラストを付与することができ、位置合わせ用貫通穴の視認性を確実に向上することができるからである。この場合、粗化工程後の樹脂絶縁層の表面粗さＲａは、５００ｎｍ以上１０００ｎｍ以下であることがより好ましい。
【００２５】
粗化工程では、樹脂絶縁層の表面を粗らすにあたり、あまり深く掘削する必要はなく、掘削を例えば１μｍ以下の深さにとどめておくことがよい。その理由は、深く掘削しすぎると、好ましい形状の位置合わせ用貫通穴の形成が困難になるからである。また、ドライフィルムフォトレジストの形成時に、フォトレジストが掘削部分に潜り込んでしまい、位置合わせ用貫通穴の位置を誤認識する原因となるからである。
【００２６】
レジスト配置工程後に行われる露光工程では、位置合わせ用貫通穴を利用して位置合わせを行ったうえでドライフィルムフォトレジストを選択的に露光する。位置合わせ用貫通穴を利用した位置合わせの方法としては、例えば撮像手段で位置合わせ用貫通穴を撮像して画像認識処理を行い、この画像認識結果に基づいて位置合わせを行う方法がある。また、露光用マスクを用いて露光を行うような場合には、位置合わせ用貫通穴とマスク側の位置合わせ用マークとをそれぞれ撮像して画像認識処理を行い、この画像認識結果に基づいて配線基板ワークと露光用マスクとの位置合わせを行うようにしてもよい。そして、両者の位置が互いに合った状態でドライフィルムフォトレジストを選択的に露光する。
【図面の簡単な説明】
【００２７】
【図１】本発明を具体化した実施形態の製造方法により製造される配線基板の部分概略断面図。
【図２】本実施形態の配線基板の製造方法において多数個取り用基板を示す概略平面図。
【図３】本実施形態の製造方法において、樹脂絶縁層形成工程後の状態を示す部分概略断面図。
【図４】本実施形態の製造方法において、粗化工程後の状態を示す部分概略断面図。
【図５】本実施形態の製造方法において、レーザービア形成工程後の状態を示す部分概略断面図。
【図６】本実施形態の製造方法において、シード層形成工程後の状態を示す部分概略断面図。
【図７】本実施形態の製造方法において、レジスト配置工程後の状態を示す部分概略断面図。
【図８】本実施形態の製造方法において、露光工程時の様子を示す部分概略断面図。
【図９】本実施形態の製造方法において、露光工程時における多数個取り用基板の位置合わせ用貫通穴の形成箇所を示す部分平面図。
【図１０】本実施形態の製造方法において、電解めっき工程後の様子を示す部分概略断面図。
【図１１】本実施形態の製造方法において、シード層エッチング工程後の様子を示す部分概略断面図。
【図１２】粗化工程を省略した製造方法において、露光工程時の様子を示す部分概略断面図。
【図１３】粗化工程を省略した製造方法において、露光工程時における多数個取り用基板の位置合わせ用貫通穴の形成箇所を示す部分平面図。
【図１４】別の実施形態の配線基板の製造方法において多数個取り用基板を示す概略平面図。
【発明を実施するための形態】
【００２８】
以下、本発明を具体化した配線基板の製造方法の一実施の形態を図面に基づき詳細に説明する。図１は配線基板を示す部分概略断面図であり、図２は多数個取りの手法で製造される途中の配線基板を示す概略平面図である。
【００２９】
図１に示されるように、本実施形態の配線基板１１は、図２に示す多数個取り用基板１０の製品領域１００の部位に相当するものである。この多数個取り用基板１０は、平面視で矩形状の製品領域１００と、それら製品領域１００を包囲する枠部領域１０１とを有している。枠部領域１０１は製品にはならない部位であるため、最終的に多数個取り用基板１０から切り離され、製品領域１００の部位のみが残される。
【００３０】
図１に示されるように、配線基板１１を構成するコア基板１２は、ガラスエポキシからなる略矩形板状の部材（厚さ０．８ｍｍ）であり、コア主面としての上面１３及び下面１４を有している。コア基板１２の上面１３には第１のビルドアップ層１５（配線積層部）が形成され、コア基板１２の下面１４には第２のビルドアップ層１６（配線積層部）が形成されている。コア基板１２における製品領域１００の所定箇所には、上面１３及び下面１４を連通させる貫通孔内にめっきが施されためっきスルーホール１７が多数形成されている。めっきスルーホール１７内にある空洞部には、シリカフィラー入りのエポキシ樹脂からなる充填材１８が充填されている。また、コア基板１２の上面１３及び下面１４には、銅からなる導体層１９がパターン形成されており、各導体層１９は、めっきスルーホール１７に電気的に接続されている。
【００３１】
コア基板１２の上面１３上に形成された第１のビルドアップ層１５は、樹脂絶縁層２０，２１と、銅からなる導体層２２，２３とを２層ずつ積層した構造を有している。本実施形態において、各樹脂絶縁層２０，２１の厚さは４０μｍ程度であり、各導体層２２，２３の厚さは２０μｍ程度である。なお、樹脂絶縁層２０，２１はいずれも低粗度用の樹脂絶縁材料を用いて形成されるとともに、表面Ｓ１が低粗度（Ｒａが１００ｎｍ未満）になっている。
【００３２】
２層めの樹脂絶縁層２１の表面上における複数箇所には、導体層２３を構成する端子パッド２３０がアレイ状に形成されている。１層めの樹脂絶縁層２０内には、複数のビア穴２５及びビア導体２６が設けられ、２層めの樹脂絶縁層２１内には、複数のビア穴２７及びビア導体２８が設けられている。ビア導体２６を介して導体層１９と導体層２２（配線層２２０）とが相互に電気的に接続されている。ビア導体２８を介して導体層２２（配線層２２０）と導体層２３（端子パッド２３０）とが相互に電気的に接続されている。また、２層めの樹脂絶縁層２１の表面は、ソルダーレジスト層２９によってほぼ全体的に覆われている。ソルダーレジスト層２９の所定箇所には、端子パッド２３０を露出させる開口部３０が形成されている。各端子パッド２３０は、図示しないはんだバンプを介してＩＣチップ（半導体集積回路素子）の接続端子に電気的に接続される。
【００３３】
コア基板１２の下面１４上に形成された第２のビルドアップ層１６は、上述した第１のビルドアップ層１５とほぼ同じ構造を有している。即ち、第２のビルドアップ層１６は、樹脂絶縁層３１，３２と、銅からなる導体層３３，３４とを２層ずつ積層した構造を有している。樹脂絶縁層３１，３２はいずれも低粗度用の樹脂絶縁材料を用いて形成されるとともに、表面が低粗度（Ｒａが１００ｎｍ未満）になっている。２層めの樹脂絶縁層３２の下面上における複数箇所には、導体層３４の導体回路を構成するＢＧＡ用パッド３４０がアレイ状に形成されている。１層めの樹脂絶縁層３１内には、複数のビア穴２５及びビア導体２６が設けられ、２層めの樹脂絶縁層３２内には、複数のビア穴２７及びビア導体２８が設けられている。ビア導体２６を介して導体層１９と導体層３３（配線層３３０）とが相互に電気的に接続されている。ビア導体２８を介して導体層３３（配線層３３０）と導体層３４（ＢＧＡ用パッド３４０）とが相互に電気的に接続されている。また、２層めの樹脂絶縁層３２の下面は、ソルダーレジスト層３６によってほぼ全体的に覆われている。ソルダーレジスト層３６の所定箇所には、ＢＧＡ用パッド３４０を露出させる開口部３７が形成されている。ＢＧＡ用パッド３４０の表面上には、図示しないマザーボードとの電気的な接続を図るための複数のはんだバンプ３８が配設され、各はんだバンプ３８により、配線基板１１は図示しないマザーボード上に実装される。
【００３４】
図２等に示されるように、多数個取り用基板１０における枠部領域１０１の所定の部位（即ち基板の四隅にある位置合わせ用貫通穴の形成部位４７）には、露光用アライメントマークとして利用される位置合わせ用貫通穴４１が設けられている。これらの位置合わせ用貫通穴４１は、樹脂絶縁層２０，２１，３１，３２を貫通してその下層にある反射金属層４４（導体層１９）の表面の一部を露出させている。具体的にいうと、１層めの樹脂絶縁層２０，３１を貫通するように設けられた位置合わせ用貫通穴４１は、１層めの樹脂絶縁層２０，３１上に微細な配線層２２０，３３０を形成する際の位置基準として利用される。また、２層めの樹脂絶縁層２１，３２を貫通するように設けられた位置合わせ用貫通穴４１は、２層めの樹脂絶縁層２１，３２上に微細な配線層としての端子パッド２４０やＢＧＡパッド３４０を形成する際の位置基準として利用される。
【００３５】
本実施形態の位置合わせ用貫通穴４１は、平面視でリング状をなす等幅（１００μｍ幅）の貫通溝部であって、その外形寸法は１．２ｍｍに設定されている。位置合わせ用貫通穴４１の形成部位４７の周辺領域４２及び位置合わせ用貫通穴４１の内側領域４３は、Ｒａが６００ｎｍ程度の高粗度部位４５となっている。これに対して、枠部領域１０１における当該周辺領域４２以外の領域及び製品領域１００は、Ｒａが１００ｎｍ未満の低粗度部位４６となっている。図２，図９おいては、図面作成の便宜上、高粗度部位４５にはハッチングを付して描いている。
【００３６】
次に、多数個取りの手法で上記配線基板１１を製造する手順について説明する。
【００３７】
まず、基板準備工程において、コア基板１２両面に銅箔を貼着した両面銅張積層板を用意する。そして、ＹＡＧレーザーまたは炭酸ガスレーザーを用いてレーザー孔あけ加工を行い、両面銅張積層板を貫通する貫通孔を所定位置にあらかじめ形成しておく。さらに、従来公知の手法に従って無電解銅めっき及び電解銅めっきを行ってめっきスルーホール１７を形成した後、そのめっきスルーホール１７内に充填材１８を充填し熱硬化させる。次に、基板両面の銅箔をエッチングし、コア基板１２上における製品領域１００に、導体層１９をパターニングする。このとき、枠部領域１０１についても導体層１９（反射金属層４４）をパターニングしておく。
【００３８】
続く樹脂絶縁層形成工程では、コア基板１２の上面１３及び下面１４に、それぞれエポキシ樹脂を主成分とする低粗度用のフィルム状絶縁樹脂材料を重ね合わせるようにして配置する。そして、このような積層物を真空圧着熱プレス機で真空下にて加圧加熱することにより、フィルム状絶縁樹脂材料を硬化させる。その結果、上面１３及び下面１４の上に、厚さ４０μｍ程度の１層めの樹脂絶縁層２０，３１を形成する（図３参照）。このとき、１層めの樹脂絶縁層２０，３１の表面Ｓ１は、全体的に表面粗さＲａが１００ｎｍ未満の低粗度部位４６となる。
【００３９】
次に粗化工程を行い、位置合わせ用貫通穴４１の形成部位４７及びその周辺領域４２の表面Ｓ１に対してレーザー照射を行う（図４参照）。粗化工程のレーザー照射においては、次工程で行うレーザービア形成工程時よりも弱いレーザー出力条件が設定される。そして、平面視における位置合わせ用貫通穴４１の最大寸法の約５倍程度の大きさのエリアをレーザー照射対象とし、そのエリアのみを選択的に粗化する。その結果、当該エリアをＲａが６００ｎｍ程度の高粗度部位４５とする。
【００４０】
続くレーザービア形成工程では、レーザー照射を行って樹脂絶縁層２０，３１を貫通するビア穴２５及び位置合わせ用貫通穴４１を形成する（図５参照）。ビア穴２５は、製品領域１００における樹脂絶縁層２０，３１を貫通するとともに、その直下にある導体層１９の一部を露出させている。位置合わせ用貫通穴４１は、枠部領域１０１における樹脂絶縁層２０，３１を貫通するとともに、その直下にある導体層１９（反射金属層４４）の一部を露出させている。
【００４１】
次に、従来公知のデスミア液を用いてデスミア処理を行い、ビア穴２５や位置合わせ用貫通穴４１の壁面上に付着しているレーザースミアを除去する。続くシード層形成工程では、無電解銅めっきを行って、樹脂絶縁層２０，３１の表面、ビア穴２５の内面及び位置合わせ用貫通穴４１の内面に、電解銅めっきのためのシード層としての無電解銅めっき層５１を形成する（図６参照）。
【００４２】
続くレジスト配置工程では、シード層５１が形成された樹脂絶縁層２０，３１上にドライフィルムフォトレジスト６１を重ね合わせるようにして配置し、真空圧着熱プレス機を用いてドライフィルムフォトレジスト６１を貼着する（図７参照）。
【００４３】
続く露光工程では、ドライフィルムフォトレジスト６１上にマスクパターン７５を有する露光用マスク７１を配置し、図示しない照射器を用いて位置検出用光Ｌ１（本実施形態では赤外光）を照射し、その反射光Ｌ２に基づいて位置合わせ用貫通穴４１を検出する（図８参照）。具体的には、位置合わせ用貫通穴４１から露出する反射金属層４４からの反射光Ｌ２に基づいてその位置合わせ用貫通穴４１の像をＣＣＤカメラ（撮像手段）によって撮影する。同様に、露光用マスク７１側の位置合わせ用マーク（図示略）をＣＣＤカメラによって撮影する。次に、ＣＣＤカメラの撮影データをコンピュータに取り込んで画像認識処理を行い、その認識した画像に基づいて位置合わせ用貫通穴４１の位置及びマスク側位置合わせ用マークの位置を検出する。なお、この画像認識処理では、撮影した画像を二値化処理し、その処理後の画像データに基づいて位置合わせ用貫通穴４１等の位置を検出している。そして、位置合わせ用貫通穴４１及びマスク側位置合わせ用パターンの検出位置情報を利用して、配線基板ワークと露光用マスク７１との位置合わせを行う。
【００４４】
ここで、図８，図９に示されるように、枠部領域１０１における周辺領域４２以外の領域及び製品領域１００は、低粗度部位４６であることから、表面Ｓ１にて反射光Ｌ２が乱反射せず、結果として白く（明るく）見える。これに対して周辺領域４２は、高粗度部位４５であることから、表面Ｓ１にて反射光Ｌ２が乱反射されやすく、その部分が全体的に黒く（暗く）見える。
【００４５】
位置合わせ完了の後、露光用マスク７１を介してドライフィルムフォトレジスト６１を選択的に露光する（図８参照）。そして、ドライフィルムフォトレジスト６１を現像し、所定箇所に開口部７２を有するめっきレジスト７３を形成する（図１０参照）。
【００４６】
続いて、めっきレジスト７３の開口部７２に対する電解銅めっきを行い、ビア穴２５内にビア導体２６を形成するとともに、樹脂絶縁層２０，３１上に導体層２２，３３（配線層２２０，３３０）を形成する。この後、めっきレジスト７３を溶解除去し、さらに無電解銅めっき層５１の不要部分をエッチングで除去する。その結果、導体層２２，３３（配線層２２０，３３０）が完全に切り離され、パターニングが完了する。
【００４７】
次いで、上記１層めの樹脂絶縁層２０，３１の上に２層めの樹脂絶縁層２１，３２を形成した後、上述した諸工程（即ち、粗化、レーザービア形成、デスミア処理、シード層形成、レジスト配置、露光、現像、電解銅めっき、レジスト除去、シード層除去の諸工程）を繰り返して行う。その結果、樹脂絶縁層２１上の所定の位置に複数の端子パッド２３０が形成され、樹脂絶縁層３２上の所定の位置に複数のＢＧＡ用パッド３４０が形成される。
【００４８】
さらに、所定箇所に開口部３０，３７を有するソルダーレジスト層２９，３６を形成した後、端子パッド２３０やＢＧＡ用パッド３４０にニッケル−金めっきを施す。そして、周知の手法によりはんだバンプ形成工程を行い、ＢＧＡ用パッド３４０の表面上にはんだバンプ３８を形成することで、複数の製品領域１００とその製品領域１００を包囲する枠部領域１０１とを有する多数個取り用基板１０を完成させる。その後、ダイシングブレード等の切断具を用いて、上記多数個取り用配線基板１０から枠部領域１０１を切り離すとともに、製品領域１００同士を切り離して個片化することにより、図１に示す配線基板１１が複数個完成する。
【００４９】
従って、本実施の形態によれば以下の効果を得ることができる。
【００５０】
（１）図１２，図１３は、低粗度用の絶縁樹脂材料を用いて樹脂絶縁層２０，３１を形成した場合において、粗化工程を省略して露光工程を行う時の様子を示している。この例では、高粗度部位４５が存在しておらず全ての領域が低粗度部位４６となるため、樹脂絶縁層２０，３１の表面Ｓ１にて反射光Ｌ２が乱反射しない。よって、位置合わせ用貫通穴４１の周辺領域４２についても白く（明るく）見えてしまい、位置合わせ用貫通穴４１の部分とのコントラストが不明瞭になり、位置合わせ用貫通穴４１の視認性が低下してしまう。これに対して、本実施形態の配線基板１０の製造方法では、レジスト配置工程よりも前の段階で行われる粗化工程により、樹脂絶縁層２０，３１における位置合わせ用貫通穴４１の形成部位４７の周辺領域４２の表面Ｓ１が選択的に粗らされる。その結果、低粗度用の絶縁樹脂材料により樹脂絶縁層２０，３１を形成した場合であっても、当該周辺領域４２の表面Ｓ１にて光の乱反射が起りやすくなり、その部分が全体的に黒く（暗く）見えるようになる。ゆえに、白く（明るく）見える位置合わせ用貫通穴４１の部分と、周辺領域４２の表面Ｓ１とのコントラストが明瞭になり、位置合わせ用貫通穴４１の視認性が向上する。画像認識処理による露光用マスク７１の位置合わせ精度が向上し、ドライフィルムフォトレジスト６１に対する露光工程を精度よく行うことができる。従って、本実施形態の製造方法によると、高密度かつ微細な配線層２２０，３３０を備えたビルドアップ多層配線基板１１を確実に製造することができる。
【００５１】
（２）本実施形態の製造方法では、位置合わせ用貫通穴４１の形成部位４７の周辺領域４２の表面Ｓ１を粗化しており、具体的には平面視における位置合わせ用貫通穴４１の最大寸法の５倍程度の大きさのエリアの表面Ｓ１を粗化している。従って、高粗度部位４５の部分の面積が適度なものとなるため、レーザー処理エリアの拡大による生産性の低下を回避しつつ、位置合わせ用貫通穴４１の視認性を十分に向上することができる。
【００５２】
（３）本実施形態の製造方法では、粗化工程におけるレーザー照射を、レーザービア形成工程の一環として位置合わせ用貫通穴４１を形成する前に行っている。そのため、開口縁の形状に優れた位置合わせ用貫通穴４１が得やすくなり、位置合わせ用貫通穴４１の視認性を十分に向上することができる。また、レーザー照射による粗化工程は、特別な設備を必要としない点で工程上有利であり、それゆえ生産性の向上に寄与することができる。
【００５３】
なお、本発明の実施の形態は以下のように変更してもよい。
【００５４】
・上記実施形態では、位置合わせ用貫通穴４１の形成部位４７の周辺領域４２の表面Ｓ１のみを粗化することによって高粗度部位４５を形成したが、例えば図１４に示す別の実施形態の多数個取り用配線基板１０Ａのようにしてもよい。即ち、この多数個取り用配線基板１０Ａでは、上記周辺領域４２の表面Ｓ１のみならず枠部領域１０１の全体が高粗度部位４５となっている。
【００５５】
・上記実施形態では、レーザー照射による粗化工程を、レーザービア形成工程の一環として位置合わせ用貫通穴４１及びビア穴２５を形成する前に行ったが、これに限定されない。例えば、レーザー照射により位置合わせ用貫通穴４１及びビア穴２５をあらかじめ形成し、デスミア工程を行った後にレーザー照射による粗化工程を行ってもよい。
【００５６】
・上記実施形態では、位置合わせ用貫通穴４１が平面視でリング状（円環状）をなす貫通溝部であったが、これに限定されず平面視で矩形状や三角形状をなす貫通溝部などとしてもよい。また、位置合わせ用貫通穴４１は必ずしも貫通溝部でなくてもよい。
【００５７】
・上記実施形態では、露光用マスク７１を使用して露光工程を行ったが、例えば、露光用マスク７１を使用せずドライフィルムフォトレジスト６１に対して直接レーザーを照射して露光する方法（ダイレクト露光法）等を採用してもよい。
【００５８】
・上記実施形態では、レーザービア形成工程後にデスミア処理を行い、ビア穴２５や位置合わせ用貫通穴４１の壁面上に付着しているレーザースミアを除去するようにしたが、デスミア処理は省略してもよい。
【００５９】
次に、特許請求の範囲に記載された技術的思想のほかに、前述した実施の形態によって把握される技術的思想を以下に列挙する。
【００６０】
（１）上記手段１において、前記粗化処理は、前記位置合わせ用貫通穴の形成部位の周辺領域の表面に対する乾式粗化処理により行うこと。
【００６１】
（２）上記手段１において、前記粗化工程では、前記ビア穴の形成時及び前記位置合わせ用貫通穴の形成時よりも弱い条件を設定してレーザー照射を行うこと。
【００６２】
（３）上記手段１において、前記粗化工程においてレーザー照射を行う前記周辺領域は、平面視における前記位置合わせ用貫通穴の最大寸法の１．５倍以上５倍以下の大きさであること。
【００６３】
（４）上記手段１において、前記粗化工程前の前記樹脂絶縁層の表面粗さＲａは１００ｎｍ未満であり、前記粗化工程後の前記樹脂絶縁層の表面粗さＲａは５００ｎｍ以上１０００ｎｍ以下であること。
【００６４】
（５）上記手段１において、前記シード層形成工程では無電解銅めっきを行うこと。
【００６５】
（６）上記手段１において、前記位置合わせ用貫通穴はリング状であり、前記樹脂絶縁層を貫通してその下層にある前記導体層の一部を露出させていること。
【００６６】
（７）上記手段１において、前記露光工程における位置合わせでは、撮像手段で前記位置合わせ用貫通穴を撮像して画像認識処理を行うこと。
【符号の説明】
【００６７】
１０…多数個取り用基板
１１…配線基板
１５，１６…配線積層部としてのビルドアップ層
１９，２２，２３，３３，３４，２２０，３３０…導体層
２０，２１，３１，３２…樹脂絶縁層
２５，２７…ビア穴
４１…位置合わせ用貫通穴
４２…（位置合わせ用貫通穴の形成部位の）周辺領域
５１…シード層としての無電解銅めっき層
６１…ドライフィルムフォトレジスト
１００…製品領域
１０１…枠部領域
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
2015220354.tif 000009
【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
2015220354.tif 000014
【図１３】
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【図１４】
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