(57)【要約】【課題】発光部の消光期間において、駆動トランジスタからスイッチングトランジスタを通して流れる貫通電流を抑制することが可能な表示装置、当該表示装置の駆動方法、及び、当該表示装置を有する電子機器を提供する。【解決手段】本開示の表示装置は、発光部、映像信号を書き込む書込みトランジスタ、書込みトランジスタによって書き込まれた映像信号に基づいて発光部を駆動する駆動トランジスタ、及び、発光部の一端に固定電位を与えるスイッチングトランジスタを含む画素が配置されて成る画素アレイ部を備え、駆動トランジスタを非導通状態にする電圧を、駆動トランジスタのゲート電極に書き込むことによって発光部を消光状態にする。【選択図】  図５
2015079107.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
発光部、映像信号を書き込む書込みトランジスタ、書込みトランジスタによって書き込まれた映像信号に基づいて発光部を駆動する駆動トランジスタ、及び、発光部の一端に固定電位を与えるスイッチングトランジスタを含む画素が配置されて成る画素アレイ部と、
駆動トランジスタを非導通状態にする電圧を、駆動トランジスタのゲート電極に書き込むことによって発光部を消光状態にする駆動部と、
を備える表示装置。
【請求項２】
画素アレイ部の各画素は、駆動トランジスタの閾値電圧を補正する機能を有する、
請求項１に記載の表示装置。
【請求項３】
駆動トランジスタを非導通状態にする電圧は、閾値電圧を補正する際に用いる基準電圧である、
請求項２に記載の表示装置。
【請求項４】
駆動部は、駆動トランジスタを非導通状態にする電圧を保持容量に書き込む、
請求項２に記載の表示装置。
【請求項５】
駆動部は、駆動トランジスタを非導通状態にする電圧が駆動トランジスタのゲート電極に書き込まれた状態において、駆動トランジスタのソース電極にスイッチングトランジスタを通して固定電位を与える、
請求項１に記載の表示装置。
【請求項６】
駆動部は、スイッチングトランジスタが導通状態にあるときに、駆動トランジスタを非導通状態にする電圧よりも小さい電圧を駆動トランジスタのゲート電極に書き込む、
請求項５に記載の表示装置。
【請求項７】
駆動トランジスタの閾値電圧をＶth_Drvとし、駆動トランジスタのソース電極に与えられる固定電位をＶssとするとき、
スイッチングトランジスタの導通状態で、駆動トランジスタのゲート電極に書き込まれる電圧は、（Ｖth_Drv＋Ｖss）よりも小さい、
請求項６に記載の表示装置。
【請求項８】
スイッチングトランジスタの導通状態で、駆動トランジスタのゲート電極に書き込まれる電圧は、閾値電圧を補正する際に用いる基準電圧よりも小さい、
請求項７に記載の表示装置。
【請求項９】
駆動部は、閾値電圧を補正する際に用いる基準電圧と、当該基準電圧よりも小さい電圧とを、書込みトランジスタを通して駆動トランジスタのゲート電極に書き込む、
請求項８に記載の表示装置。
【請求項１０】
書込みトランジスタの閾値電圧をＶth_WSとし、駆動トランジスタの閾値電圧をＶth_Drvとし、駆動トランジスタのソース電極に与えられる固定電位をＶssとするとき、
書込みトランジスタを非導通状態にする電圧が、（Ｖth_WS＋Ｖth_Drv＋Ｖss）よりも小さく設定されており、
駆動部は、閾値電圧を補正する際に用いる基準電圧を駆動トランジスタのゲート電極に書き込む前に、スイッチングトランジスタを通して駆動トランジスタのソース電極に固定電位を与える、
請求項２に記載の表示装置。
【請求項１１】
発光部、映像信号を書き込む書込みトランジスタ、書込みトランジスタによって書き込まれた映像信号に基づいて発光部を駆動する駆動トランジスタ、及び、発光部の一端に固定電位を与えるスイッチングトランジスタを含む画素が配置されて成る表示装置に駆動に当たって、
駆動トランジスタを非導通状態にする電圧を、駆動トランジスタのゲート電極に書き込むことによって発光部を消光状態にする、
表示装置の駆動方法。
【請求項１２】
発光部、映像信号を書き込む書込みトランジスタ、書込みトランジスタによって書き込まれた映像信号に基づいて発光部を駆動する駆動トランジスタ、及び、発光部の一端に固定電位を与えるスイッチングトランジスタを含む画素が配置されて成る画素アレイ部と、
駆動トランジスタを非導通状態にする電圧を、駆動トランジスタのゲート電極に書き込むことによって発光部を消光状態にする駆動部と、
を備える表示装置を有する電子機器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本開示は、表示装置、表示装置の駆動方法、及び、電子機器に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、表示装置としては、発光部を含む画素が行列状（マトリクス状）に配置されて成る平面型（フラットパネル型）の表示装置が主流となっている。この種の表示装置において、発光部を駆動する駆動回路として、映像信号を書き込む書込みトランジスタ、発光部を駆動する駆動トランジスタ、及び、駆動トランジスタのソース電極に固定電位を与えるスイッチングトランジスタの３つのトランジスタ（Ｔｒ）を有する構成のものがある（例えば、特許文献１参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００８−２２５３４５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
上記の構成の駆動回路を含む表示装置にあっては、スイッチングトランジスタが導通状態になり、駆動トランジスタのソース電極に固定電位を与えることによって発光部の消光期間に入る。しかし、発光部の消光期間において、駆動トランジスタとスイッチングトランジスタとが共に導通状態にある時間が長くなるため、駆動トランジスタからスイッチングトランジスタを通して多くの貫通電流が流れる。その結果、発光部の発光に寄与しない多くの無駄な電力を消費することになる。
【０００５】
そこで、本開示は、発光部の消光期間において、駆動トランジスタからスイッチングトランジスタを通して流れる貫通電流を抑制することが可能な表示装置、当該表示装置の駆動方法、及び、当該表示装置を有する電子機器を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
上記の目的を達成するための本開示の表示装置は、
発光部、映像信号を書き込む書込みトランジスタ、書込みトランジスタによって書き込まれた映像信号に基づいて発光部を駆動する駆動トランジスタ、及び、発光部の一端に固定電位を与えるスイッチングトランジスタを含む画素が配置されて成る画素アレイ部と、
駆動トランジスタを非導通状態にする電圧を、駆動トランジスタのゲート電極に書き込むことによって発光部を消光状態にする駆動部と、
を備える構成となっている。
【０００７】
また、上記の目的を達成するための本開示の表示装置の駆動方法は、
発光部、映像信号を書き込む書込みトランジスタ、書込みトランジスタによって書き込まれた映像信号に基づいて発光部を駆動する駆動トランジスタ、及び、発光部の一端に固定電位を与えるスイッチングトランジスタを含む画素が配置されて成る表示装置に駆動に当たって、
駆動トランジスタを非導通状態にする電圧を、駆動トランジスタのゲート電極に書き込むことによって発光部を消光状態にする構成となっている。
【０００８】
また、上記の目的を達成するための本開示の電子機器は、
発光部、映像信号を書き込む書込みトランジスタ、書込みトランジスタによって書き込まれた映像信号に基づいて発光部を駆動する駆動トランジスタ、及び、発光部の一端に固定電位を与えるスイッチングトランジスタを含む画素が配置されて成る画素アレイ部と、
駆動トランジスタを非導通状態にする電圧を、駆動トランジスタのゲート電極に書き込むことによって発光部を消光状態にする駆動部と、
を備える表示装置を有する構成となっている。
【０００９】
上記の構成の表示装置、表示装置の駆動方法、あるいは、電子機器において、駆動トランジスタを非導通状態にする電圧を、駆動トランジスタのゲート電極に書き込むことで、駆動トランジスタが非導通状態になり、発光部の発光期間が終了し、消光期間に入る。すなわち、消光期間の開始のタイミングが、スイッチングトランジスタが導通状態になるタイミングではなく、書込みトランジスタが導通状態になるタイミングで規定される。そして、駆動トランジスタが非導通状態になることで、駆動トランジスタからスイッチングトランジスタを通して流れる貫通電流を抑制できる。
【発明の効果】
【００１０】
本開示によれば、発光部の消光期間において、駆動トランジスタからスイッチングトランジスタを通して流れる貫通電流を抑制できるために、発光部の発光に寄与しない無駄な電力消費を抑えることができる。
尚、ここに記載された効果に必ずしも限定されるものではなく、本明細書中に記載されたいずれかの効果であってもよい。また、本明細書に記載された効果はあくまで例示であって、これに限定されるものではなく、また付加的な効果があってもよい。
【図面の簡単な説明】
【００１１】
【図１】図１は、本開示の技術が適用されるアクティブマトリクス型表示装置の基本的な構成の概略を示すシステム構成図である。
【図２】図２は、画素（画素回路）の具体的な回路構成の一例を示す回路図である。
【図３】図３は、比較例に係る有機ＥＬ表示装置の駆動方法の動作説明のためのタイミング波形図である。
【図４】図４は、ブートストラップゲインＧbstの式について説明するための画素回路の等価回路図である。
【図５】図５は、実施例１に係る有機ＥＬ表示装置の駆動方法の動作説明のためのタイミング波形図である。
【図６】図６は、書込みゲインＧinの式について説明するための画素回路の等価回路図である。
【図７】図７は、実施例２に係る有機ＥＬ表示装置の駆動方法の動作説明のためのタイミング波形図である。
【図８】図８は、実施例３に係る有機ＥＬ表示装置の駆動方法の動作説明のためのタイミング波形図である。
【図９】図９は、画素（画素回路）の変形例を示す回路図である。
【発明を実施するための形態】
【００１２】
以下、本開示の技術を実施するための形態（以下、「実施形態」と記述する）について図面を用いて詳細に説明する。本開示の技術は実施形態に限定されるものではなく、実施形態における種々の数値などは例示である。以下の説明において、同一要素又は同一機能を有する要素には同一符号を用いることとし、重複する説明は省略する。尚、説明は以下の順序で行う。
１．本開示の表示装置、表示装置の駆動方法、及び、電子機器、全般に関する説明
２．本開示の技術が適用される表示装置
２−１．システム構成
２−２．画素回路
２−３．比較例に係る駆動方法
３．実施形態の説明
３−１．実施例１
３−２．実施例２
３−３．実施例３
４．変形例
５．電子機器
【００１３】
＜本開示の表示装置、表示装置の駆動方法、及び、電子機器、全般に関する説明＞
本開示の表示装置は、発光部を駆動する駆動回路が、書込みトランジスタ、駆動トランジスタ、及び、スイッチングトランジスタの３つのトランジスタ（Ｔｒ）を少なくとも含む構成の画素（画素回路）が配置されて成る平面型（フラットパネル型）の表示装置である。平面型の表示装置としては、有機ＥＬ表示装置、液晶表示装置、プラズマ表示装置などを例示することができる。これらの表示装置のうち、有機ＥＬ表示装置は、有機材料のエレクトロルミネッセンス（Electro Luminescence：ＥＬ）を利用し、有機薄膜に電界をかけると発光する現象を用いた有機ＥＬ素子を画素の発光素子（電気光学素子）として用いている。
【００１４】
画素の発光部として有機ＥＬ素子を用いる有機ＥＬ表示装置は次のような特長を持っている。すなわち、有機ＥＬ素子が１０Ｖ以下の印加電圧で駆動できるために、有機ＥＬ表示装置は低消費電力である。有機ＥＬ素子が自発光型の素子であるために、有機ＥＬ表示装置は、同じ平面型の表示装置である液晶表示装置に比べて、画像の視認性が高く、しかも、バックライト等の照明部材を必要としないために軽量化及び薄型化が容易である。更に、有機ＥＬ素子の応答速度が数マイクロ秒程度と非常に高速であるために、有機ＥＬ表示装置は動画表示時の残像が発生しない。
【００１５】
発光部を構成する有機ＥＬ素子は、自発光型の素子であるとともに、デバイスに流れる電流値に応じて発光輝度が変化する電流駆動型の電気光学素子である。電流駆動型の電気光学素子としては、有機ＥＬ素子の他に、無機ＥＬ素子、ＬＥＤ素子、半導体レーザー素子などを例示することができる。
【００１６】
有機ＥＬ表示装置等の平面型の表示装置は、表示部を備える各種の電子機器において、その表示部（表示装置）として用いることができる。各種の電子機器としては、デジタルカメラ、ビデオカメラ、ゲーム機、ノート型パーソナルコンピュータ、電子書籍等の携帯情報機器、ＰＤＡ（Personal Digital Assistant）や携帯電話機等の携帯通信機器などを例示することができる。
【００１７】
本開示の表示装置、表示装置の駆動方法、及び、電子機器にあっては、画素アレイ部の各画素について、駆動トランジスタの閾値電圧のばらつきに起因する駆動電流のばらつきの補正（以下、「閾値補正」と記述する場合もある）を行う機能を有する構成とすることができる。このとき、駆動トランジスタを非導通状態にする電圧について、閾値補正を行う際に用いる基準電圧とすることができる。また、駆動部について、駆動トランジスタを非導通状態にする電圧を、保持容量に書き込む構成とすることができる。
【００１８】
上述した好ましい構成を含む本開示の表示装置、表示装置の駆動方法、及び、電子機器にあっては、駆動部について、駆動トランジスタを非導通状態にする電圧が駆動トランジスタのゲートに書き込まれた状態において、駆動トランジスタのソースにスイッチングトランジスタを通して固定電位を与える構成とすることができる。このとき、駆動部について、スイッチングトランジスタが導通状態にあるときに、駆動トランジスタを非導通状態にする電圧よりも小さい電圧を駆動トランジスタのゲートに書き込む構成とすることができる。
【００１９】
また、上述した好ましい構成を含む本開示の表示装置、表示装置の駆動方法、及び、電子機器にあっては、駆動トランジスタの閾値電圧をＶth_Drvとし、駆動トランジスタのソースに与えられる固定電位をＶssとする。このとき、スイッチングトランジスタの導通状態で、駆動トランジスタのゲートに書き込まれる電圧について、（Ｖth_Drv＋Ｖss）よりも小さい電圧とすることができる。
【００２０】
また、上述した好ましい構成を含む本開示の表示装置、表示装置の駆動方法、及び、電子機器にあっては、スイッチングトランジスタの導通状態で、駆動トランジスタのゲートに書き込まれる電圧について、閾値電圧を補正する際に用いる基準電圧よりも小さい電圧とすることができる。また、駆動部について、閾値電圧を補正する際に用いる基準電圧と、当該基準電圧よりも小さい電圧とを、書込みトランジスタを通して駆動トランジスタのゲートに書き込む構成とすることができる。
【００２１】
また、上述した好ましい構成を含む本開示の表示装置、表示装置の駆動方法、及び、電子機器にあっては、書込みトランジスタの閾値電圧をＶth_WSとし、駆動トランジスタの閾値電圧をＶth_Drvとし、駆動トランジスタのソースに与えられる固定電位をＶssとする。そして、書込みトランジスタを非導通状態にする電圧を、（Ｖth_WS＋Ｖth_Drv＋Ｖss）よりも小さく設定する。その際、駆動部について、閾値電圧を補正する際に用いる基準電圧を駆動トランジスタのゲートに書き込む前に、スイッチングトランジスタを通して駆動トランジスタのソースに固定電位を与える構成とすることができる。
【００２２】
＜本開示の技術が適用される表示装置＞
［システム構成］
図１は、本開示の技術が適用されるアクティブマトリクス型表示装置の基本的な構成の概略を示すシステム構成図である。
【００２３】
アクティブマトリクス型表示装置は、電気光学素子に流れる電流を、当該電気光学素子と同じ画素内に設けた能動素子、例えば絶縁ゲート型電界効果トランジスタによって制御する表示装置である。絶縁ゲート型電界効果トランジスタとしては、典型的には、ＴＦＴ（Thin Film Transistor；薄膜トランジスタ）を用いることができる。
【００２４】
ここでは、一例として、デバイスに流れる電流値に応じて発光輝度が変化する電流駆動型の電気光学素子である例えば有機ＥＬ素子を、画素（画素回路）の発光素子（発光部）として用いるアクティブマトリクス型有機ＥＬ表示装置の場合を例に挙げて説明するものとする。以下では、「画素回路」を単に「画素」と記述する場合もある。
【００２５】
図１に示すように、本開示の有機ＥＬ表示装置１０は、有機ＥＬ素子を含む複数の画素２０が行列状（マトリクス状）に２次元配置されて成る画素アレイ部３０と、当該画素アレイ部３０の周辺に配置される駆動部（駆動回路部）とを有する構成となっている。駆動部は、例えば、画素アレイ部３０と同じ表示パネル７０上に搭載された書込み走査部４０、駆動走査部５０、及び、信号出力部６０等から成り、画素アレイ部３０の各画素２０を駆動する。尚、書込み走査部４０、駆動走査部５０、及び、信号出力部６０のいくつか、あるいは全部を表示パネル７０外に設ける構成を採ることも可能である。
【００２６】
ここで、有機ＥＬ表示装置１０がカラー表示対応の場合は、カラー画像を形成する単位となる１つの画素（単位画素／ピクセル）は複数の副画素（サブピクセル）から構成される。このとき、副画素の各々が図１の画素２０に相当することになる。より具体的には、カラー表示対応の表示装置では、１つの画素は、例えば、赤色（Ｒｅｄ；Ｒ）光を発光する副画素、緑色（Ｇｒｅｅｎ；Ｇ）光を発光する副画素、青色（Ｂｌｕｅ；Ｂ）光を発光する副画素の３つの副画素から構成される。
【００２７】
但し、１つの画素としては、ＲＧＢの３原色の副画素の組み合わせに限られるものではなく、３原色の副画素に更に１色あるいは複数色の副画素を加えて１つの画素を構成することも可能である。より具体的には、例えば、輝度向上のために白色（Ｗｈｉｔｅ；Ｗ）光を発光する副画素を加えて１つの画素を構成したり、色再現範囲を拡大するために補色光を発光する少なくとも１つの副画素を加えて１つの画素を構成したりすることも可能である。
【００２８】
画素アレイ部３０には、ｍ行ｎ列の画素２０の配列に対して、行方向（画素行の画素の配列方向／水平方向）に沿って走査線３１（３１1〜３１m）と駆動線３２（３２1〜３２m）とが画素行毎に配線されている。更に、ｍ行ｎ列の画素２０の配列に対して、列方向（画素列の画素の配列方向／垂直方向）に沿って信号線３３（３３1〜３３n）が画素列毎に配線されている。
【００２９】
走査線３１1〜３１mは、書込み走査部４０の対応する行の出力端にそれぞれ接続されている。駆動線３２1〜３２mは、駆動走査部５０の対応する行の出力端にそれぞれ接続されている。信号線３３1〜３３nは、信号出力部６０の対応する列の出力端にそれぞれ接続されている。
【００３０】
書込み走査部４０は、シフトレジスタ回路等によって構成されている。この書込み走査部４０は、画素アレイ部３０の各画素２０への映像信号の信号電圧の書込みに際して、走査線３１（３１1〜３１m）に対して書込み走査信号ＷＳ（ＷＳ1〜ＷＳm）を順次供給することによって画素アレイ部３０の各画素２０を行単位で順番に走査する、所謂、線順次走査を行う。
【００３１】
駆動走査部５０は、書込み走査部４０と同様に、シフトレジスタ回路等によって構成されている。この駆動走査部５０は、書込み走査部４０による線順次走査に同期して、駆動走査信号ＡＺ（ＡＺ1〜ＡＺm）を駆動線３２（３２1〜３２m）に供給する。
【００３２】
信号出力部６０は、信号供給源（図示せず）から供給される輝度情報に応じた映像信号の信号電圧（以下、単に「信号電圧」と記述する場合もある）Ｖsigと基準電圧Ｖofsとを選択的に出力する。ここで、基準電圧Ｖofsは、映像信号の信号電圧Ｖsigの基準となる電圧（例えば、映像信号の黒レベルに相当する電圧）であり、後述する閾値補正処理の際に用いられる。
【００３３】
信号出力部６０から出力される信号電圧Ｖsig／基準電圧Ｖofsは、信号線３３（３３1〜３３n）を介して画素アレイ部３０の各画素２０に対して、書込み走査回路４０による走査によって選択された画素行の単位で書き込まれる。すなわち、信号出力部６０は、信号電圧Ｖsigを行（ライン）単位で書き込む線順次書込みの駆動形態を採っている。
【００３４】
［画素回路］
図２は、画素（画素回路）２０の具体的な回路構成の一例を示す回路図である。画素２０の発光部は、デバイスに流れる電流値に応じて発光輝度が変化する電流駆動型の電気光学素子である有機ＥＬ素子２１から成る。
【００３５】
図２に示すように、画素２０は、有機ＥＬ素子２１と、有機ＥＬ素子２１に電流を流すことによって当該有機ＥＬ素子２１を駆動する駆動回路とによって構成されている。有機ＥＬ素子２１は、全ての画素２０に対して共通に配線された共通電源線３４にカソード電極が接続されている。尚、図２には、有機ＥＬ素子２１の等価容量Ｃoledについても図示している。
【００３６】
有機ＥＬ素子２１を駆動する駆動回路は、駆動トランジスタ２２、書込みトランジスタ２３、及び、スイッチングトランジスタ２４の少なくとも３つのトランジスタ（Ｔｒ）と、１つの保持容量（Ｃ）２５を有する、３Ｔｒ１Ｃの構成となっている。駆動トランジスタ２２、書込みトランジスタ２３、及び、スイッチングトランジスタ２４としては、Ｎチャネル型のトランジスタを用いることができる。但し、ここで例示した、駆動トランジスタ２２、書込みトランジスタ２３、及び、スイッチングトランジスタ２４の導電型の組み合わせは一例に過ぎず、これらの組み合わせに限られるものではない。
【００３７】
駆動トランジスタ２２は、ソース電極が有機ＥＬ素子２１のアノード電極に接続され、ドレイン電極が電源電圧Ｖccのノードに接続されている。書込みトランジスタ２３は、ソース／ドレイン電極の一方の電極が信号線３３（３３1〜３３n）に接続され、他方の電極が駆動トランジスタ２２のゲート電極に接続されている。また、書込みトランジスタ２３のゲート電極は、走査線３１（３１1〜３１m）に接続されている。
【００３８】
スイッチングトランジスタ２４は、ソース／ドレイン電極の一方の電極が駆動トランジスタ２２のソース電極、及び、有機ＥＬ素子２１のアノード電極に接続され、他方の電極が固定電位Ｖssのノードに接続されている。また、スイッチングトランジスタ２４のゲート電極は、駆動線３２（３２1〜３２m）に接続されている。保持容量２５は、一方の電極が駆動トランジスタ２２のゲート電極に接続され、他方の電極が駆動トランジスタ２２のソース電極、及び、有機ＥＬ素子２１のアノード電極に接続されている。
【００３９】
ここで、有機ＥＬ素子２１の閾値電圧をＶth_ELとし、共通電源線３４の電位、即ち、有機ＥＬ素子２１のカソード電位をＶcathとするとき、スイッチングトランジスタ２４の他方の電極に与えられる固定電位Ｖssは、Ｖss＜Ｖcath＋Ｖth_ELの関係を満たすように設定されている。
【００４０】
上記構成の画素２０において、書込みトランジスタ２３は、書込み走査部４０から走査線３１を通してゲート電極に印加される、高電圧の状態がアクティブ状態となる書込み走査信号ＷＳに応答して導通状態となる。これにより、書込みトランジスタ２３は、信号線３３を通して信号出力部６０から異なるタイミングで供給される、輝度情報に応じた映像信号の信号電圧Ｖsigまたは基準電圧Ｖofsを画素２０内に書き込む。書込みトランジスタ２３によって書き込まれた信号電圧Ｖsigまたは基準電圧Ｖofsは保持容量２５に保持される。
【００４１】
駆動トランジスタ２２は、飽和領域で動作することにより、保持容量２５に保持された信号電圧Ｖsigの電圧値に応じた電流値の駆動電流を有機ＥＬ素子２１に供給し、当該有機ＥＬ素子２１を電流駆動することによって発光させる。スイッチングトランジスタ２４は、駆動走査部５０から駆動線３２を通してゲート電極に印加される、高電圧の状態がアクティブ状態となる駆動走査信号ＡＺに応答して導通状態となる。これにより、スイッチングトランジスタ２４は、Ｖss＜Ｖcath＋Ｖth_ELの関係を満たす固定電位Ｖssを、駆動トランジスタ２２のソース電極、及び、有機ＥＬ素子２１のアノード電極に与える。すなわち、スイッチングトランジスタ２４は、駆動トランジスタ２２のソース電位及び有機ＥＬ素子２１のアノード電位を固定電位Ｖssにリセットするリセットトランジスタである。
【００４２】
画素アレイ部３０の各画素２０は、駆動トランジスタ２２の特性のばらつきに起因する駆動電流のばらつきを補正する機能を有している。駆動トランジスタ２２の特性としては、例えば、駆動トランジスタ２２の閾値電圧Ｖthや、駆動トランジスタ２２のチャネルを構成する半導体薄膜の移動度ｕ（以下、単に「駆動トランジスタ２２の移動度ｕ」と記述する）を例示することができる。
【００４３】
閾値電圧Ｖthのばらつきに起因する駆動電流のばらつきの補正（以下、「閾値補正」と記述する場合もある）は、駆動トランジスタ２２のゲート電圧Ｖgを基準電圧Ｖofsに初期化することによって行なわれる。具体的には、駆動トランジスタ２２のゲート電圧Ｖgの初期化電位（基準電圧Ｖofs）を基準として当該初期化電位から駆動トランジスタ２２の閾値電圧Ｖthを減じた電位に向けて、駆動トランジスタ２２のソース電圧Ｖsを変化させる動作が行われる。この動作が進むと、やがて、駆動トランジスタ２２のゲート−ソース間電圧Ｖgsが駆動トランジスタ２２の閾値電圧Ｖthに収束する。この閾値電圧Ｖthに相当する電圧は保持容量２５に保持される。そして、保持容量２５に閾値電圧Ｖthに相当する電圧が保持されていることで、映像信号の信号電圧Ｖsigによる駆動トランジスタ２２の駆動の際に、駆動トランジスタ２２に流れるドレイン−ソース間電流Ｉdsの閾値電圧Ｖthに対する依存性を抑えることができる。
【００４４】
一方、移動度ｕのばらつきに起因する駆動電流のばらつきの補正（以下、「移動度補正」と記述する場合もある）は、書込みトランジスタ２３が導通状態となり、映像信号の信号電圧Ｖsigを書き込んでいる状態で、駆動トランジスタ２２を介した電流を保持容量２５に流すことによって行なわれる。換言すれば、駆動トランジスタ２２に流れる電流Ｉdsに応じた帰還量（補正量）で保持容量２５に負帰還をかけることによって行なわれる。上記の閾値補正により、映像信号を書き込んだときには既にドレイン−ソース間電流Ｉdsの閾値電圧Ｖthに対する依存性が打ち消されており、当該ドレイン−ソース間電流Ｉdsは、駆動トランジスタ２２の移動度ｕに依存したものとなっている。従って、駆動トランジスタ２２に流れる電流Ｉdsに応じた帰還量で駆動トランジスタ２２のドレイン−ソース間電圧Ｖdsに負帰還をかけることで、駆動トランジスタ２２に流れるドレイン−ソース間電流Ｉdsの移動度ｕに対する依存性を抑えることができる。
【００４５】
［比較例に係る駆動方法］
ここで、上記の構成のアクティブマトリクス型有機ＥＬ表示装置１０の駆動方法に関して、先ず、本開示の技術（即ち、実施形態に係る駆動方法）よりも前の技術について、比較例に係る有機ＥＬ表示装置１０の駆動方法として、図３のタイミング波形図を用いて簡単に説明する。
【００４６】
図３のタイミング波形図には、信号線３３の電位Ｖofs／Ｖsig、書込み走査信号ＷＳ、駆動走査信号ＡＺ、及び、駆動トランジスタ２２のゲート電圧Ｖg、ソース電圧Ｖsのそれぞれの変化の様子を示している。尚、駆動トランジスタ２２のソース電圧Ｖsの波形については破線で示している。信号線３３の電位は、１水平周期（１Ｈ）で基準電圧Ｖofsと信号電圧Ｖsigとの間で切り替わる。
【００４７】
尚、書込みトランジスタ２３及びスイッチングトランジスタ２４がＮチャネル型のトランジスタであるため、書込み走査信号ＷＳ及び駆動走査信号ＡＺの高電圧の状態がアクティブ状態となり、低電圧の状態が非アクティブ状態となる。そして、書込みトランジスタ２３及びスイッチングトランジスタ２４は、書込み走査信号ＷＳ及び駆動走査信号ＡＺのアクティブ状態で導通状態となり、非アクティブ状態で非導通状態となる。
【００４８】
図３のタイミング波形図において、時刻ｔ01までが前の表示フレームにおける有機ＥＬ素子２１の発光期間となり、時刻ｔ01になると、有機ＥＬ素子２１が消光し、線順次走査の新しい表示フレーム（現表示フレーム）の消光期間（非発光期間）に入る。そして、時刻ｔ03−時刻ｔ04の期間で１回目の閾値補正が行なわれ、時刻ｔ05−時刻ｔ06の期間で２回目の閾値補正が行なわれ、時刻ｔ07−時刻ｔ08の期間で映像信号の書込み＆移動度補正が行われる。
【００４９】
比較例に係る駆動方法にあっては、時刻ｔ01で駆動走査信号ＡＺがアクティブ状態になることで、スイッチングトランジスタ２４が導通状態になる。これにより、有機ＥＬ素子２１のアノード電極（＝駆動トランジスタ２２のソース電極）に対して、Ｖcath＋Ｖth_ELよりも低い固定電位Ｖssがスイッチングトランジスタ２４によって書き込まれるため有機ＥＬ素子２１が消光する。
【００５０】
ここで、駆動トランジスタ２２のソース電圧Ｖsの変動量ΔＶsに対するゲート電圧Ｖgの変動量ΔＶgの割合（以降、ブートストラップゲインＧbstと呼ぶ）について考える。図４に示すように、駆動トランジスタ２２のゲート電極−ソース電極間の寄生容量の容量値をＣgsとし、ゲート電極−ドレイン電極間の寄生容量の容量値をＣgdとし、書込みトランジスタ２３のゲート電極−他方の電極（駆動トランジスタ２２側の電極）間の寄生容量の容量値をＣwsとする。また、保持容量２５の容量値をＣsとする。
【００５１】
このとき、ブートストラップゲインＧbstは、
Ｇbst＝ΔＶg／ΔＶs
＝（Ｃs＋Ｃgs）／（Ｃs＋Ｃws＋Ｃgd＋Ｃgs）    ・・・（１）
で表わすことができる。式（１）において、寄生容量の各容量値Ｃws，Ｃgd，Ｃgsが保持容量２５の容量値Ｃsに比べて十分に小さいために、一般的には、ブートストラップゲインＧbstは１に近い値となる。
【００５２】
ここで、比較例に係る駆動方法にあっては、スイッチングトランジスタ２４が導通状態になり、駆動トランジスタ２２のソース電極に固定電位Ｖssを与えることによって有機ＥＬ素子２１の消光期間に入る構成を採っている。しかし、有機ＥＬ素子２１の消光期間において、駆動トランジスタ２２とスイッチングトランジスタ２４とが共に導通状態にある時間が長くなるため、駆動トランジスタ２２からスイッチングトランジスタ２４を通して多くの貫通電流が流れる。その結果、有機ＥＬ素子２１の発光に寄与しない多くの無駄な電力を消費することになる。
【００５３】
＜実施形態の説明＞
比較例に係る駆動方法では、消光期間の開始（発光期間の終了）のタイミングを、スイッチングトランジスタ２４を駆動する駆動走査信号ＡＺがアクティブ状態になるタイミング、即ち、駆動トランジスタ２２のソース電極に固定電位Ｖssを書き込むタイミングで規定している。これに対して、本開示の実施形態では、消光期間の開始（発光期間の終了）のタイミングを、駆動トランジスタ２２を非導通状態にする電圧を、駆動トランジスタ２２のゲート電極に書き込むタイミングで規定している。
【００５４】
より具体的には、本実施形態にあっては、書込み走査信号ＷＳをアクティブ状態にすることによって書込みトランジスタ２３を導通状態にし、駆動トランジスタ２２を非導通状態にする電圧を、駆動トランジスタ２２のゲート電極に書き込むことによって有機ＥＬ素子２１を消光状態にする。駆動トランジスタ２２を非導通状態にする電圧としては、駆動トランジスタ２２の閾値電圧を補正する際に用いる基準電圧Ｖofsを用いることができる。但し、これは一例であって、基準電圧Ｖofsに限られるものではない。
【００５５】
駆動トランジスタ２２を非導通状態にする電圧を、駆動トランジスタ２２のゲート電極に書き込むことで、駆動トランジスタ２２が非導通状態になり、有機ＥＬ素子２１の発光期間が終了し、消光期間に入る。すなわち、消光期間の開始（発光期間の終了）のタイミングが、スイッチングトランジスタ２４が導通状態になる、即ち、駆動走査信号ＡＺがアクティブ状態になるタイミングではなく、書込みトランジスタ２３が導通状態になる、即ち、書込み走査信号ＷＳがアクティブ状態になるタイミングで規定される。
【００５６】
そして、消光期間に入るとき、駆動トランジスタ２２が非導通状態になることで、駆動トランジスタ２２からスイッチングトランジスタ２４を通して固定電位Ｖssのノードに貫通電流が流れることはない。従って、消光期間において、スイッチングトランジスタ２４を通して固定電位Ｖssのノードに流れる貫通電流を抑制することができるために、有機ＥＬ素子２１の発光に寄与しない無駄な電力消費を抑えることができる。
【００５７】
以下に、消光期間において、駆動トランジスタ２２からスイッチングトランジスタ２４を通して固定電位Ｖssのノードに流れる貫通電流を抑制するための具体的な実施例について説明する。
【００５８】
［実施例１］
実施例１に係る有機ＥＬ表示装置１０の駆動方法について、図５のタイミング波形図を用いて説明する。
【００５９】
図５のタイミング波形図には、信号線３３の電位Ｖofs／Ｖsig、書込み走査信号ＷＳ、駆動走査信号ＡＺ、及び、駆動トランジスタ２２のゲート電圧Ｖg、ソース電圧Ｖsのそれぞれの変化の様子を示している。尚、駆動トランジスタ２２のソース電圧Ｖsの波形については破線で示している。信号線３３の電位は、１水平周期（１Ｈ）で基準電圧Ｖofsと信号電圧Ｖsigとの間で切り替わる。
【００６０】
尚、比較例に係る駆動方法の場合と同様に、書込みトランジスタ２３及びスイッチングトランジスタ２４がＮチャネル型のトランジスタであるため、書込み走査信号ＷＳ及び駆動走査信号ＡＺの高電圧の状態がアクティブ状態となり、低電圧の状態が非アクティブ状態となる。そして、書込みトランジスタ２３及びスイッチングトランジスタ２４は、書込み走査信号ＷＳ及び駆動走査信号ＡＺのアクティブ状態で導通状態となり、非アクティブ状態で非導通状態となる。実施例２及び実施例３においても同様とする。
【００６１】
図５のタイミング波形図において、時刻ｔ11までが前の表示フレームにおける有機ＥＬ素子２１の発光期間となり、時刻ｔ11になると、書込み走査信号ＷＳがアクティブ状態となることで、書込みトランジスタ２３が導通状態になる。このとき、信号線３３には、信号出力部６０から閾値補正の際に用いる基準電圧Ｖofsが供給された状態にある。従って、書込みトランジスタ２３は、駆動トランジスタ２２を非導通状態にする電圧として基準電圧Ｖofsを駆動トランジスタ２２のゲート電極に書き込む。
【００６２】
ここで、基準電圧Ｖofsは、映像信号の信号電圧Ｖsigの基準となる電圧、例えば、映像信号の黒レベルに相当する電圧である。すなわち、基準電圧Ｖofsは、駆動トランジスタ２２を非導通状態にする電圧である。従って、駆動トランジスタ２２のゲート電極に基準電圧Ｖofsが書き込まれることで、駆動トランジスタ２２が非導通状態になり、有機ＥＬ素子２１への電流の供給が停止するため、有機ＥＬ素子２１が消光する。そして、線順次走査の新しい表示フレーム（現表示フレーム）の消光期間（非発光期間）に入る。このとき、スイッチングトランジスタ２４を駆動するための駆動走査信号ＡＺは非アクティブ状態にある。ここで、基準電圧Ｖofsは、有機ＥＬ素子２１のカソード電位Ｖcathと等しい電圧を設定することもできる。
【００６３】
消光期間において、書込み走査信号ＷＳが再びアクティブ状態にある時刻ｔ12で駆動走査信号ＡＺがアクティブ状態になり、これに応答してスイッチングトランジスタ２４が導通状態になり、固定電位Ｖssを駆動トランジスタ２２のソース電極に書き込む。これにより、駆動トランジスタ２２のゲート電圧Ｖgが基準電圧Ｖofsにある状態で、駆動トランジスタ２２のソース電圧Ｖsが固定電位Ｖssになるため、駆動トランジスタ２２のゲート−ソース間電圧ＶgsはＶofs−Ｖssとなる。ここで、駆動トランジスタ２２のゲート−ソース間電圧Ｖgsが駆動トランジスタ２２の閾値電圧Ｖthよりも大きくないと、閾値補正の処理を行うことができないために、Ｖofs−Ｖss＞Ｖthなる電位関係を満たすように固定電位Ｖssが設定されることになる。
【００６４】
このように、駆動トランジスタ２２のゲート電圧Ｖgを基準電圧Ｖofsに固定し、かつ、ソース電圧Ｖsを固定電位Ｖssに固定して（確定させて）初期化する処理が、閾値補正処理（閾値補正動作）を行う前の準備（閾値補正準備）の処理である。従って、基準電圧Ｖofs及び固定電位Ｖssが、駆動トランジスタ２２のゲート電圧Ｖg及びソース電圧Ｖsの各初期化電圧となる。そして、書込み走査信号ＷＳが非アクティブティ状態になる時刻ｔ13から、書込み走査信号ＷＳが再びアクティブティ状態になる時刻ｔ14までの期間が閾値補正準備期間となる。
【００６５】
次に、時刻ｔ15で、駆動走査信号ＡＺが非アクティブ状態になり、スイッチングトランジスタ２４が非導通状態になると、駆動トランジスタ２２のゲート電圧Ｖgが基準電圧Ｖofsに保たれた状態で閾値補正の処理が開始される。すなわち、ゲート電圧Ｖgから駆動トランジスタ２２の閾値電圧Ｖthを減じた電圧に向けて駆動トランジスタ２２のソース電圧Ｖsが上昇を開始する。時刻ｔ15から、書込み走査信号ＷＳが非アクティブティ状態になる時刻ｔ16までの期間が１回目の閾値補正期間となる。その後、書込み走査信号ＷＳがアクティブ状態になる時刻ｔ17から時刻ｔ18までの期間で２回目の閾値補正処理が行われる。
【００６６】
閾値補正処理が進むと、やがて、駆動トランジスタ２２のゲート−ソース間電圧Ｖgsが駆動トランジスタ２２の閾値電圧Ｖthに収束する。この閾値電圧Ｖthに相当する電圧は保持容量２５に保持される。尚、閾値補正処理を行う期間（閾値補正期間）において、電流が専ら保持容量２５側に流れ、有機ＥＬ素子２１側には流れないようにするために、有機ＥＬ素子２１がカットオフ状態となるように共通電源線３４の電位、即ち、カソード電位Ｖcathが設定されるものとする。
【００６７】
次に、信号出力部６０から信号線３３に映像信号の信号電圧Ｖsigが供給された状態において、時刻ｔ19で、書込み走査信号ＷＳがアクティブ状態になる。これに応答して書込みトランジスタ２２が導通状態になることで、映像信号の信号電圧Ｖsigをサンプリングし、駆動トランジスタ２２のゲート電極に書き込む。この書込みトランジスタ２３による信号電圧Ｖsigの書込みにより、駆動トランジスタ２２のゲート電圧Ｖgが信号電圧Ｖsigになる。そして、映像信号の信号電圧Ｖsigによる駆動トランジスタ２２の駆動の際に、駆動トランジスタ２２の閾値電圧Ｖthが保持容量２５に保持された閾値電圧Ｖthに相当する電圧と相殺されることで、駆動トランジスタ２２に流れるドレイン−ソース間電流Ｉdsの閾値電圧Ｖthに対する依存性を抑えることができる。
【００６８】
このとき、映像信号の信号電圧Ｖsigに応じて電源電圧Ｖccのノードから駆動トランジスタ２２に流れる電流（ドレイン−ソース間電流Ｉds）は、有機ＥＬ素子２１の等価容量Ｃoledに流れ込む。これにより、有機ＥＬ素子２１の等価容量Ｃoledの充電が開始される。
【００６９】
有機ＥＬ素子２１の等価容量Ｃoledが充電されることにより、駆動トランジスタ２２のソース電圧Ｖsが時間の経過と共に上昇していく。このとき既に、駆動トランジスタ２２の閾値電圧Ｖthの画素毎のばらつきに起因した駆動電流のばらつきが補正されており、駆動トランジスタ２２のドレイン−ソース間電流Ｉdsは当該駆動トランジスタ２２の移動度ｕに依存したものとなる。
【００７０】
ここで、駆動トランジスタ２２のゲート電圧Ｖgの変動量ΔＶgに対するソース電圧Ｖsの変動量ΔＶsの割合（以降、書込みゲインＧinと呼ぶ）が０（理想値）であると仮定すると、駆動トランジスタ２２のソース電圧ＶsがΔＶだけ上昇することで、駆動トランジスタ２２のゲート‐ソース間電圧ＶgsはＶsig−Ｖofs＋Ｖth−ΔＶとなる。
【００７１】
すなわち、駆動トランジスタ２２のソース電圧Ｖsの上昇分ΔＶは、保持容量２５に保持された電圧（Ｖsig−Ｖofs＋Ｖth）から差し引かれるように、換言すれば、保持容量２５の充電電荷を放電するように作用する。換言すれば、ソース電圧Ｖsの上昇分ΔＶは、保持容量２５に対して負帰還がかけられたことになる。従って、ソース電圧Ｖsの上昇分ΔＶは負帰還の帰還量となる。
【００７２】
このように、駆動トランジスタ２２に流れるドレイン−ソース間電流Ｉdsに応じた帰還量ΔＶで保持容量２５に負帰還をかけることで、駆動トランジスタ２２のドレイン−ソース間電流Ｉdsの移動度ｕに対する依存性を抑えることができる。この依存性を抑える処理が、駆動トランジスタ２２の移動度ｕの画素毎のばらつきに起因する駆動電流のばらつきを補正する移動度補正処理である。
【００７３】
より具体的には、駆動トランジスタ２２のゲート電極に書き込まれる映像信号の信号振幅Ｖin（＝Ｖsig−Ｖofs）が高い程ドレイン−ソース間電流Ｉdsが大きくなるため、負帰還の帰還量ΔＶの絶対値も大きくなる。従って、映像信号の信号振幅Ｖin、即ち、発光輝度レベルに応じた移動度補正処理が行われる。また、映像信号の信号振幅Ｖinを一定とした場合、駆動トランジスタ２２の移動度ｕが大きいほど負帰還の帰還量ΔＶの絶対値も大きくなるため、画素毎の移動度ｕのばらつきに起因した駆動電流のばらつきを抑えることができる。
【００７４】
次に、時刻ｔ20で、書込み走査信号ＷＳが非アクティブ状態になり、これに応答して書込みトランジスタ２３が非導通状態となることにより、駆動トランジスタ２２のゲート電極は、信号線３３から電気的に切り離され、フローティング状態になる。ここで、駆動トランジスタ２２のゲート電極がフローティング状態にあるときは、駆動トランジスタ２２のゲート−ソース間に保持容量２５が接続されていることにより、駆動トランジスタ２２のソース電圧Ｖsの変動に連動してゲート電圧Ｖgも変動する。このように、駆動トランジスタ２２のゲート電圧Ｖgがソース電圧Ｖsの変動に連動して変動する動作がブートストラップ動作である。
【００７５】
駆動トランジスタ２２のゲート電極がフローティング状態になり、それと同時に、駆動トランジスタ２２のドレイン−ソース間電流Ｉdsが有機ＥＬ素子２１に流れ始めることにより、当該電流Ｉdsに応じて有機ＥＬ素子２１のアノード電圧が上昇する。そして、有機ＥＬ素子２１のアノード電圧がＶth_EL＋Ｖcathを超えると、有機ＥＬ素子２１に駆動電流が流れ始めるため、有機ＥＬ素子２１が発光を開始する。
【００７６】
また、有機ＥＬ素子２１のアノード電圧の上昇は、即ち、駆動トランジスタ２２のソース電圧Ｖsの上昇に他ならない。そして、駆動トランジスタ２２のソース電圧Ｖsが上昇すると、ブートストラップ動作により、駆動トランジスタ２２のゲート電圧Ｖgも連動して上昇する。このとき、ブートストラップゲインＧbstが１（理想値）であると仮定した場合、ゲート電圧Ｖgの上昇量はソース電圧Ｖsの上昇量に等しくなる。故に、発光期間中、駆動トランジスタ２２のゲート‐ソース間電圧Ｖgsは、Ｖsig−Ｖofs＋Ｖth−ΔＶで一定に保持される。
【００７７】
上述した一連の動作において、実施例１に係る有機ＥＬ表示装置１０の駆動方法では、消光期間の開始（発光期間の終了）のタイミングを、駆動トランジスタ２２のゲート電極に、駆動トランジスタ２２を非導通状態にする電圧、例えば基準電圧Ｖofsを書き込むタイミングで規定している。実施例１にあっては、基準電圧Ｖofsを書き込むタイミングは、書込みトランジスタ２３を駆動する書込み走査信号ＷＳがアクティブ状態になるタイミングでもある。
【００７８】
図６に示すように、駆動トランジスタ２２のゲート電極−ソース電極間の寄生容量の容量値をＣgsとし、保持容量２５の容量値をＣsとし、有機ＥＬ素子２１の等価容量の容量値をＣoledとする。このとき、駆動トランジスタ２２のゲート電圧Ｖgの変動量ΔＶgに伴うソース電圧Ｖsの変動量ΔＶsの割合、即ち、書込みゲインＧinは、次式（２）で表わされる。
Ｇin＝ΔＶs／ΔＶg
＝（Ｃs＋Ｃgs）／（Ｃs＋Ｃgs＋Ｃoled）        ・・・（２）
【００７９】
ここで、Ｃoled≫Ｃs，Ｃoled≫Ｃgsより、Ｇin≒０とすると、基準電圧ＶofsをＶth_EL＋Ｖcath＋Ｖth_Drvよりも小さい電圧に設定したとき、または基準電圧ＶofsをＶcath以下の電圧に設定したとき、消光期間の開始時（発光期間の終了時）に駆動トランジスタ２２のゲート電極に基準電圧Ｖofsを書き込むことによって、駆動トランジスタ２２のゲート‐ソース間電圧Ｖgsが、駆動トランジスタ２２の閾値電圧Ｖth_Drvよりも小さくなるために、駆動トランジスタ２２は非導通状態になる。このとき、スイッチングトランジスタ２４も非導通状態にある。従って、駆動トランジスタ２２からスイッチングトランジスタ２４を通して固定電位Ｖssのノードに電流（貫通電流）が流れることはない。これにより、閾値補正準備期間（時刻ｔ13−時刻ｔ14）を除く消光期間においては、駆動トランジスタ２２からスイッチングトランジスタ２４を通して固定電位Ｖssのノードに流れる貫通電流を抑制することができるために、有機ＥＬ素子２１の発光に寄与しない無駄な電力消費を抑えることができる。
【００８０】
［実施例２］
実施例２に係る有機ＥＬ表示装置１０の駆動方法について、図７のタイミング波形図を用いて説明する。
【００８１】
図７のタイミング波形図には、信号線３３の電位Ｖofs1／Ｖofs2／Ｖsig、書込み走査信号ＷＳ、駆動走査信号ＡＺ、及び、駆動トランジスタ２２のゲート電圧Ｖg、ソース電圧Ｖsのそれぞれの変化の様子を示している。尚、駆動トランジスタ２２のソース電圧Ｖsの波形については破線で示している。
【００８２】
実施例２では、実施例１と同様に、消光期間の開始のタイミングを、駆動トランジスタ２２のゲート電極に、駆動トランジスタ２２を非導通状態にする電圧を書き込むタイミングで規定するのに加えて、次のような構成を採っている。すなわち、実施例２では、スイッチングトランジスタ２４が導通状態にあるときに、駆動トランジスタ２２を非導通状態にする電圧よりも小さい電圧を駆動トランジスタ２２のゲート電極に書き込む構成を採っている。
【００８３】
ここで、駆動トランジスタ２２の閾値電圧ＶthをＶth_Drvとする。このとき、スイッチングトランジスタ２４の導通状態で、駆動トランジスタ２２のゲート電極に書き込まれる電圧は、（Ｖth_Drv＋Ｖss）よりも小さい電圧とする。実施例２では、実施例１と同様に、駆動トランジスタ２２を非導通状態にする電圧として基準電圧Ｖofsを用いる。従って、スイッチングトランジスタ２４の導通状態で、駆動トランジスタ２２のゲート電極に書き込まれる電圧は、基準電圧Ｖofsよりも小さい電圧となる。以下では、基準電圧ＶofsをＶofs1とし、基準電圧Ｖofsよりも小さい電圧をＶofs2とする。
【００８４】
実施例２にあっては、基準電圧Ｖofs2についても、基準電圧Ｖofs1と同様に、信号出力部６０から信号線３３を通して供給されるものとする。これにより、信号線３３の電位は、基準電圧Ｖofs1／基準電圧Ｖofs2／映像信号の信号電圧Ｖsigの３値をとることになる。そして、基準電圧Ｖofs1／基準電圧Ｖofs2／信号電圧Ｖsigは、書込みトランジスタ２３によって駆動トランジスタ２２のゲート電極に書き込まれる。
【００８５】
尚、ここでは、スイッチングトランジスタ２４の導通状態で、駆動トランジスタ２２のゲート電極に書き込まれる電圧として、信号出力部６０から出力される基準電圧Ｖofs2を用いるとしたが、これに限られるものではない。例えば、駆動トランジスタ２２の閾値電圧Ｖth_DrvがＶth_Drv＞０である限りにおいて、スイッチングトランジスタ２４の導通状態で、駆動トランジスタ２２のゲート電極に書き込まれる電圧として固定電位Ｖssを用いることもできる。固定電位Ｖssを兼用することで、基準電圧Ｖofs2を別途生成する必要がなくなるため、システムの簡略化を図る上で有利となる利点がある。
【００８６】
実施例２の具体的な動作においては、実施例１と同様に、消光期間の開始（発光期間の終了）のタイミングは、駆動トランジスタ２２のゲート電極に基準電圧Ｖofs1を書き込むタイミング（時刻ｔ11）で規定される。そして、図７のタイミング波形図に示すように、信号線３３の電位は、書込み走査信号ＷＳのアクティブ期間内の時刻ｔ21で、基準電圧Ｖofs1から基準電圧Ｖofs2に切り替わる。これに伴い、駆動トランジスタ２２のゲート電圧Ｖg及びソース電圧Ｖsが低下する。
【００８７】
消光期間において、書込み走査信号ＷＳが再びアクティブ状態にある時刻ｔ12で駆動走査信号ＡＺがアクティブ状態になり、これに応答してスイッチングトランジスタ２４が導通状態になり、固定電位Ｖssを駆動トランジスタ２２のソース電極に書き込む。これにより、駆動トランジスタ２２のゲート電圧Ｖg及びソース電圧Ｖsの初期化が行われ、閾値補正準備期間に入る。
【００８８】
次に、駆動走査信号ＡＺがアクティブ状態にある期間、即ち、スイッチングトランジスタ２４が導通状態にある期間において、時刻ｔ22で信号線３３の電位が基準電圧Ｖofs1から基準電圧Ｖofs2に切り替わる。これにより、書込みトランジスタ２３によって基準電圧Ｖofs2がサンプリングされ、駆動トランジスタ２２のゲート電極に書き込まれる。その後、閾値補正に当たって、時刻ｔ14で書込み走査信号ＷＳが再度アクティブ状態になり、これに応答して書込みトランジスタ２３が導通状態になることで、駆動トランジスタ２２のゲート電極に基準電圧Ｖofs1が書き込まれる。以降の、１回目の閾値補正、２回目の閾値補正、及び、信号書込み＆移動度補正の動作については、基本的に、実施例１と同様に実行される。
【００８９】
上述したように、実施例２にあっては、信号線３３の電位を基準電圧Ｖofs1／基準電圧Ｖofs2／信号電圧Ｖsigの３値とする。そして、閾値補正準備期間において、Ｖofs2＜Ｖofs1及びＶofs2−Ｖss＜Ｖth_Drvの条件を満たす基準電圧Ｖofs2を駆動トランジスタ２２のゲート電極に書き込む。この駆動により、駆動トランジスタ２２のゲート−ソース間電圧Ｖgsが閾値電圧Ｖth_Drvよりも小さくなるため、閾値補正期間以外の消光期間、即ち、閾値補正準備期間においてもスイッチングトランジスタ２４を通して固定電位Ｖssのノードに流れる貫通電流を抑制することができる。
【００９０】
［実施例３］
実施例３に係る有機ＥＬ表示装置１０の駆動方法について、図８のタイミング波形図を用いて説明する。
【００９１】
図８のタイミング波形図には、信号線３３の電位Ｖofs／Ｖsig、書込み走査信号ＷＳ、駆動走査信号ＡＺ、及び、駆動トランジスタ２２のゲート電圧Ｖg、ソース電圧Ｖsのそれぞれの変化の様子を示している。尚、駆動トランジスタ２２のソース電圧Ｖsの波形については破線で示している。
【００９２】
実施例１及び実施例２では、閾値補正準備期間の前後において、書込み走査信号ＷＳのアクティブ期間と駆動走査信号ＡＺのアクティブ期間とをオーバーラップさせる構成を採っていた。これに対して、実施例３では、閾値補正準備期間及びその前後において、書込み走査信号ＷＳのアクティブ期間と駆動走査信号ＡＺのアクティブ期間とをオーバーラップさせない構成を採っている。
【００９３】
そして、実施例３では、書込みトランジスタ２３を非導通状態にする電圧、即ち、書込み走査信号ＷＳの低電圧ＷＳ_Lについて次式（３）を満たすように設定している。すなわち、書込みトランジスタ２３の閾値電圧をＶth_WSとし、駆動トランジスタ２２の閾値電圧をＶth_Drvとするとき、書込みトランジスタ２３を非導通状態にする電圧ＷＳ_Lは、
ＷＳ_L＜Ｖth_WS＋Ｖth_Drv＋Ｖss                    ・・・（３）
を満たす電圧に設定される。
【００９４】
ここで、書込みトランジスタ２３を非導通状態にする電圧、即ち、書込み走査信号ＷＳの低電圧ＷＳ_Lを、式（３）を満たす電圧に設定する理由について説明する。
【００９５】
実施例３では、上述したように、閾値補正準備期間及びその前後において、書込み走査信号ＷＳのアクティブ期間と駆動走査信号ＡＺのアクティブ期間とをオーバーラップさせない構成を採っている。これにより、図８のタイミング波形図に示すように、時刻ｔ12で駆動走査信号ＡＳがアクティブ状態になり、これに応答してスイッチングトランジスタ２４が導通状態になることで、駆動トランジスタ２２のソース電極に固定電位Ｖssが書き込まれる。すると、容量カップリングにより、ブートストラップゲインＧbst1に応じて駆動トランジスタ２２のゲート電圧Ｖgが大きく低下する。このとき、書込み走査信号ＷＳの低電圧ＷＳ_Lとの兼ね合いで、駆動トランジスタ２２のゲート−ソース間電圧Ｖgsが閾値電圧Ｖth_Drvよりも大きくなり、駆動トランジスタ２２が導通状態になる可能性がある。
【００９６】
閾値補正準備期間において、駆動トランジスタ２２が導通状態になると、スイッチングトランジスタ２４を通して固定電位Ｖssのノードに貫通電流が流れるとともに、駆動走査信号ＡＺが非アクティブ状態になる時刻ｔ14から１回目の閾値補正が開始される時刻ｔ15までの間、駆動トランジスタ２２のゲート電極及びソース電極が共にフローティング状態になる。すると、ブートストラップ動作により、閾値補正時の駆動トランジスタ２２のゲート−ソース間電圧Ｖgsが閾値電圧Ｖth_Drvよりも圧縮され、補正がかからなくなる可能性がある。よって、書込み走査信号ＷＳの低電圧ＷＳ_Lを、式（３）を満たす電圧に設定する必要がある。
【００９７】
式（３）は次のようにして導き出される。すなわち、閾値補正準備期間においては、駆動トランジスタ２２のゲート−ソース間電圧ＶgsがＶgs＜Ｖth_Drv、即ち、Ｖg−Ｖss＜Ｖth_Drvを満たせばよい。
Ｖg＝ＷＳ_L−Ｖth_WSより、ＷＳ_L−Ｖth_WS−Ｖss＜Ｖth_Drvとなる。よって、書込み走査信号ＷＳの低電圧ＷＳ_Lは、式（３）を満たせばよいことになる。
【００９８】
上述したように、実施例３にあっては、閾値補正準備期間及びその前後において、書込み走査信号ＷＳのアクティブ期間と駆動走査信号ＡＺのアクティブ期間とをオーバーラップさせず、書込み走査信号ＷＳの低電圧ＷＳ_Lを、式（３）を満たす電圧に設定する。そして、基準電圧Ｖofsを駆動トランジスタ２２のゲート電極に書き込む前に、スイッチングトランジスタ２４を通して駆動トランジスタ２２のソース電極に固定電位Ｖssを与える。この駆動により、駆動トランジスタ２２からスイッチングトランジスタ２４を通して固定電位Ｖssのノードに貫通電流が流れず、原理的に、貫通電流が発生することはない。
【００９９】
＜変形例＞
以上、本開示の技術について実施形態を用いて説明したが、本開示の技術は上記の実施形態に記載の範囲には限定されない。すなわち、本開示の技術の要旨を逸脱しない範囲内で上記の実施形態に多様な変更または改良を加えることができ、そのような変更または改良を加えた形態も本開示の技術の技術的範囲に含まれる。
【０１００】
例えば、上記の実施形態では、有機ＥＬ素子２１を駆動する駆動回路について、３つのトランジスタ（２２，２３，２４）及び１つ容量素子（２５）から成る３Ｔｒ／１Ｃ型の回路構成としたが、これに限られるものではない。有機ＥＬ素子２１の容量不足分を補い、保持容量２５に対する映像信号の書込みゲインを高めるために、必要に応じて、一方の電極を有機ＥＬ素子２１のアノード電極に接続し、他方の電極を固定電位のノードに接続した補助容量を追加した３Ｔｒ／２Ｃ型の回路構成とすることもできる。
【０１０１】
また、図９に示すように、閾値補正に用いる基準電圧Ｖofsを選択的に駆動トランジスタ２２のゲート電極に与えるスイッチングトランジスタ２６を追加した４Ｔｒ／１Ｃ型の回路構成や、更に上記の補助容量を追加した４Ｔｒ／２Ｃ型の回路構成とすることもできる。必要に応じて更に、トランジスタ等の構成素子を追加した回路構成とすることもできる。
【０１０２】
更に、上記の実施形態では、画素２０の電気光学素子として、有機ＥＬ素子を用いた有機ＥＬ表示装置に適用した場合を例に挙げて説明したが、本開示はこの適用例に限られるものではない。具体的には、本開示の技術は、無機ＥＬ素子、ＬＥＤ素子、半導体レーザー素子など、デバイスに流れる電流値に応じて発光輝度が変化する電流駆動型の電気光学素子を用いた表示装置全般に対して適用可能である。
【０１０３】
＜電子機器＞
以上説明した本開示の表示装置は、電子機器に入力された映像信号、若しくは、電子機器内で生成した映像信号を、画像若しくは映像として表示するあらゆる分野の電子機器において、その表示部（表示装置）として用いることが可能である。
【０１０４】
上述した実施形態の説明から明らかなように、本開示の表示装置は、消光期間において、スイッチングトランジスタ２４を通して固定電位Ｖssのノードに流れる貫通電流を抑制できるため、有機ＥＬ素子２１の発光に寄与しない無駄な電力消費を抑えることができる。従って、あらゆる分野の電子機器において、その表示部として本開示の表示装置を用いることで、電子機器の低消費電力化に寄与できる。
【０１０５】
本開示の表示装置を表示部に用いる電子機器としては、テレビジョンシステムの他、例えば、デジタルカメラ、ビデオカメラ、ゲーム機器、ノート型パーソナルコンピュータなどを例示することができる。また、本開示の表示装置は、電子書籍機器や電子腕時計等の携帯情報機器や、携帯電話機やＰＤＡ等の携帯通信機器などの電子機器において、その表示部として用いることもできる。
【０１０６】
尚、本開示は以下のような構成をとることもできる。
［１］発光部、映像信号を書き込む書込みトランジスタ、書込みトランジスタによって書き込まれた映像信号に基づいて発光部を駆動する駆動トランジスタ、及び、発光部の一端に固定電位を与えるスイッチングトランジスタを含む画素が配置されて成る画素アレイ部と、
駆動トランジスタを非導通状態にする電圧を、駆動トランジスタのゲート電極に書き込むことによって発光部を消光状態にする駆動部と、
を備える表示装置。
［２］画素アレイ部の各画素は、駆動トランジスタの閾値電圧を補正する機能を有する、
上記［１］に記載の表示装置。
［３］駆動トランジスタを非導通状態にする電圧は、閾値電圧を補正する際に用いる基準電圧である、
上記［２］に記載の表示装置。
［４］駆動部は、駆動トランジスタを非導通状態にする電圧を保持容量に書き込む、
上記［２］又は上記［３］に記載の表示装置。
［５］駆動部は、駆動トランジスタを非導通状態にする電圧が駆動トランジスタのゲート電極に書き込まれた状態において、駆動トランジスタのソース電極にスイッチングトランジスタを通して固定電位を与える、
上記［１］から上記［４］のいずれかに記載の表示装置。
［６］駆動部は、スイッチングトランジスタが導通状態にあるときに、駆動トランジスタを非導通状態にする電圧よりも小さい電圧を駆動トランジスタのゲート電極に書き込む、
上記［５］に記載の表示装置。
［７］  駆動トランジスタの閾値電圧をＶth_Drvとし、駆動トランジスタのソース電極に与えられる固定電位をＶssとするとき、
スイッチングトランジスタの導通状態で、駆動トランジスタのゲート電極に書き込まれる電圧は、（Ｖth_Drv＋Ｖss）よりも小さい、
上記［６］に記載の表示装置。
［８］スイッチングトランジスタの導通状態で、駆動トランジスタのゲート電極に書き込まれる電圧は、閾値電圧を補正する際に用いる基準電圧よりも小さい、
上記［７］に記載の表示装置。
［９］駆動部は、閾値電圧を補正する際に用いる基準電圧と、当該基準電圧よりも小さい電圧とを、書込みトランジスタを通して駆動トランジスタのゲート電極に書き込む、
上記［８］に記載の表示装置。
［１０］書込みトランジスタの閾値電圧をＶth_WSとし、駆動トランジスタの閾値電圧をＶth_Drvとし、駆動トランジスタのソース電極に与えられる固定電位をＶssとするとき、
書込みトランジスタを非導通状態にする電圧が、（Ｖth_WS＋Ｖth_Drv＋Ｖss）よりも小さく設定されており、
駆動部は、閾値電圧を補正する際に用いる基準電圧を駆動トランジスタのゲート電極に書き込む前に、スイッチングトランジスタを通して駆動トランジスタのソース電極に固定電位を与える、
上記［２］から上記［４］のいずれかに記載の表示装置。
［１１］発光部、映像信号を書き込む書込みトランジスタ、書込みトランジスタによって書き込まれた映像信号に基づいて発光部を駆動する駆動トランジスタ、及び、発光部の一端に固定電位を与えるスイッチングトランジスタを含む画素が配置されて成る表示装置に駆動に当たって、
駆動トランジスタを非導通状態にする電圧を、駆動トランジスタのゲート電極に書き込むことによって発光部を消光状態にする、
表示装置の駆動方法。
［１２］
発光部、映像信号を書き込む書込みトランジスタ、書込みトランジスタによって書き込まれた映像信号に基づいて発光部を駆動する駆動トランジスタ、及び、発光部の一端に固定電位を与えるスイッチングトランジスタを含む画素が配置されて成る画素アレイ部と、
駆動トランジスタを非導通状態にする電圧を、駆動トランジスタのゲート電極に書き込むことによって発光部を消光状態にする駆動部と、
を備える表示装置を有する電子機器。
【符号の説明】
【０１０７】
１０・・・有機ＥＬ表示装置、２０・・・画素、２１・・・有機ＥＬ素子、２２・・・駆動トランジスタ、２３・・・書込みトランジスタ、２４，２６・・・スイッチングトランジスタ、２５・・・保持容量、３０・・・画素アレイ部、３１（３１1〜３１m）・・・走査線、３２（３２1〜３２m）・・・駆動線、３３（３３1〜３３n）・・・信号線、４０・・・書込み走査部、５０・・・駆動走査部、６０・・・信号出力部、７０・・・表示パネル、ＷＳ（ＷＳ1〜ＷＳm）・・・書込み走査信号、ＡＤ（ＡＤ1〜ＡＤm）・・・駆動走査信号
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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