(57)【要約】【課題】下地材料上のレジストの残膜の厚さのばらつきを抑制することができる半導体装置の製造方法およびリソグラフィ用テンプレートを提供する。【解決手段】本実施形態による半導体装置の製造方法では、下地材料上にレジストを供給する。デバイスパターンを有する第１のテンプレート領域と該デバイスパターンに隣接し支柱パターンを有する第２のテンプレート領域とを含むテンプレートを、下地材料上のレジストへ押し当てる。レジストを硬化させることによって、第１のテンプレート領域に対応する下地材料の第１の材料領域上のレジストにデバイスパターンを転写すると同時に、第２のテンプレート領域に対応する下地材料の第２の材料領域上のレジストに支柱パターンを転写して支柱を形成する。第２の材料領域に供給されたレジストにデバイスパターンを転写するときに、第１のテンプレート領域に支柱を接触させる。【選択図】図２
2015079915.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
下地材料上にレジストを供給し、
デバイスパターンを有する第１のテンプレート領域と該デバイスパターンに隣接し支柱パターンを有する第２のテンプレート領域とを含むテンプレートを、前記下地材料上のレジストへ押し当て、
前記レジストを硬化させることによって、前記第１のテンプレート領域に対応する前記下地材料の第１の材料領域上の前記レジストに前記デバイスパターンを転写すると同時に、前記第２のテンプレート領域に対応する前記下地材料の第２の材料領域上の前記レジストに前記支柱パターンを転写して支柱を形成し、
前記第２の材料領域に供給されたレジストに前記デバイスパターンを転写するときに、前記第１のテンプレート領域に前記支柱を接触させることを具備する半導体装置の製造方法。
【請求項２】
前記デバイスパターンを前記第２の材料領域上の前記レジストに転写するときに、前記第２のテンプレート領域に対応する前記下地材料の第３の材料領域上の前記レジストに前記支柱パターンを転写して支柱を形成することを特徴とする請求項１に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項３】
前記デバイスパターンを第ｋ−１（ｋは整数）の材料領域上の前記レジストに転写するときに、前記第１のテンプレート領域に前記第ｋ−１の材料領域上の支柱を接触させ、かつ、前記第２のテンプレート領域に対応する前記下地材料の第ｋの材料領域上の前記レジストに前記支柱パターンを転写して支柱を形成することを特徴とする請求項１または請求項２に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項４】
前記デバイスパターンを前記第２の材料領域の前記レジストに転写するときに、
前記下地材料上にレジストを供給し、
前記第１のテンプレート領域を前記第２の材料領域の前記支柱に接触させるように前記第２の材料領域上のレジストへ押し当て、
前記レジストを硬化させることによって前記第２の材料領域上の前記レジストに前記デバイスパターンを転写することをさらに具備することを特徴とする請求項１に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項５】
前記デバイスパターンを前記第２の材料領域の前記レジストに転写するときに、前記第２の材料領域の前記支柱は、前記第１のテンプレート領域と前記第２の材料領域との間の距離を決定することを特徴とする請求項１から請求項４のいずれか一項に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項６】
下地材料上に供給されたレジストに押し当てられ、該レジストにパターンを転写するリソグラフィ用テンプレートであって、
前記下地材料上の前記レジストに転写するデバイスパターンを有する第１のテンプレート領域と、
前記第１のテンプレート領域に隣接し、前記下地材料上に支柱を形成するために支柱パターンを有する第２のテンプレート領域とを備えたリソグラフィ用テンプレート。
【請求項７】
前記第１のテンプレート領域は、前記デバイスパターンと、前記支柱に対応し該支柱を受ける支柱受け部とを含むことを特徴とする請求項６に記載のリソグラフィ用テンプレート。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本実施形態は、半導体装置の製造方法およびリソグラフィ用テンプレートに関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体装置の微細化に伴い、フォトリソグラフィに代わるリソグラフィ技術としてナノインプリントリソグラフィ（以下、ＮＩＬともいう）が開発されている。ＮＩＬでは、凹凸パターンを有するテンプレートを、レジストを塗布もしくは滴下した基板上に押し付け、レジストを硬化させる。これにより、テンプレートのパターンを基板上のレジストに転写する。
【０００３】
ＮＩＬでは、レジストの硬化後、テンプレートからレジストを抜く際に、テンプレートとレジストとの間に引張り力およびせん断応力が発生する。このとき、レジストがテンプレートとともに基板からはがれる場合がある。このようなレジストはがれを抑制するために、テンプレートの凸パターンと基板との間にレジストを残存させ、テンプレートの凸パターンと基板との間のレジストの残膜の厚さ（以下、ＲＬＴ（Residual Layer Thickness）ともいう）を調節する。ＲＬＴは、テンプレートを基板に押し付ける圧力によって調節されていたが、硬化前のレジストは液体状であるため、テンプレートと基板との間の圧力によってＲＬＴを制御しようとすると、ＲＬＴはばらつきやすくなる。レジストのＲＬＴがばらつくと、下地材料の加工時に、レジストの寸法、高さ、テーパー角等もばらつく可能性がある。このようなレジストをマスクとして下地材料を加工した場合、下地材料の寸法、高さ、テーパー角等もばらついてしまう。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２０１２−１２４３９４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
下地材料上のレジストの残膜の厚さのばらつきを抑制することができる半導体装置の製造方法およびリソグラフィ用テンプレートを提供する。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本実施形態による半導体装置の製造方法では、下地材料上にレジストを供給する。デバイスパターンを有する第１のテンプレート領域と該デバイスパターンに隣接し支柱パターンを有する第２のテンプレート領域とを含むテンプレートを、下地材料上のレジストへ押し当てる。レジストを硬化させることによって、第１のテンプレート領域に対応する下地材料の第１の材料領域上のレジストにデバイスパターンを転写すると同時に、第２のテンプレート領域に対応する下地材料の第２の材料領域上のレジストに支柱パターンを転写して支柱を形成する。第２の材料領域に供給されたレジストにデバイスパターンを転写するときに、第１のテンプレート領域に支柱を接触させる。
【図面の簡単な説明】
【０００７】
【図１】第１の実施形態に従ったテンプレート１００の構成の一例を示す斜視断面図。
【図２】第１の実施形態による半導体装置の製造方法を示す断面図。
【図３】第１の実施形態による半導体装置の製造方法を示す断面図。
【図４】第１の実施形態による半導体装置の製造方法を示す斜視図。
【図５】第２の実施形態に従ったテンプレート２００の構成の一例を示す斜視断面図。
【図６】第２の実施形態によるテンプレート２００を用いた或るショットを示す断面図。
【図７】第３の実施形態に従ったテンプレート３００の構成の一例を示す斜視断面図。
【発明を実施するための形態】
【０００８】
以下、図面を参照して本発明に係る実施形態を説明する。本実施形態は、本発明を限定するものではない。
【０００９】
（第１の実施形態）
図１は、第１の実施形態に従ったテンプレート１００の構成の一例を示す斜視断面図である。テンプレート１００は、ナノインプリントリソグラフィ（ＮＩＬ）技術に用いられるパターン基板であり、例えば、石英、樹脂等の材料を用いて形成されている。テンプレート１００は、下地材料（図１では図示せず）に転写すべきレイアウトパターンの凹凸を反転させたパターンを有する。テンプレート１００を下地材料に供給（例えば、塗布または滴下）されたレジストに押し付け、その状態でレジストを硬化させることによって、テンプレート１００のパターンを下地材料上のレジストに転写する。このとき、テンプレート１００の凹部は下地材料上において凸部として形成され、逆に、テンプレート１００の凸部は下地材料上において凹部として形成される。
【００１０】
本実施形態によるテンプレート１００は、第１のテンプレート領域Ｒｔ１と、第２のテンプレート領域Ｒｔ２とを備えている。第１のテンプレート領域Ｒｔ１は、デバイスパターンＰｄと、支柱受け部Ｐｒとを含む。デバイスパターンＰｄは、下地材料上に転写すべき所望のレイアウトパターンであり、半導体デバイスを形成するために様々なデバイスパターンを含む。例えば、デバイスパターンＰｄは、ゲート電極パターン、配線パターン等の１ショット分のパターンでよい。１ショットは、レジスト供給、テンプレート１００の押付け、レジスト硬化およびテンプレート１００の離型からなる１回の転写工程をいう。例えば、１ショット分のパターンが４個のチップパターンを含む場合、４個のチップのデバイスパターンＰｄが１ショットで同時に形成され得る。
【００１１】
或るショットが終了すると、そのショットによって転写されたパターンに隣接する位置に次のショットを実行する。また、或る行または列においてショットを繰り返し、その行または列の終端までデバイスパターンＰｄが転写された場合、次の行または次の列においてショットを実行する。このようにショットを繰り返すことにより、下地材料の表面全体にデバイスパターンＰｄが転写される。
【００１２】
支柱受け部Ｐｒは、下地材料上に形成された支柱に対応しており、その支柱を受けるために設けられている。支柱は、後述する第２のテンプレート領域Ｒｔ２によって前回のショットにおいて形成されている。支柱受け部Ｐｒおよび支柱の機能については後で詳細に説明する。
【００１３】
第２のテンプレート領域Ｒｔ２は、下地材料上に支柱を形成するために支柱パターンＰｃを有する。第２のテンプレート領域Ｒｔ２は、デバイスパターンを有しない。第２のテンプレート領域Ｒｔ２は第１のテンプレート領域Ｒｔ１に隣接しており、第１および第２のテンプレート領域Ｒｔ１、Ｒｔ２が一体となって１つのテンプレート１００を形成している。
【００１４】
或るショットにおいて、テンプレート１００は、第１のテンプレート領域Ｒｔ１におけるデバイスパターンＰｄおよび第２のテンプレート領域Ｒｔ２の支柱パターンＰｃを同時に下地材料上に転写する。このとき、支柱パターンＰｃによって形成された支柱は、次のショットにおいて、第１のテンプレート領域Ｒｔ１の支柱受け部Ｐｒに受容される。
【００１５】
支柱受け部Ｐｒの深さは、支柱パターンＰｃの深さとほぼ等しく形成されている。これにより、支柱パターンＰｃによって形成された支柱は、支柱受け部Ｐｒに受容された際に、支柱受け部Ｐｒの上面に接触する（当たる）。即ち、第１のテンプレート領域Ｒｔ１が支柱のある下地領域上のレジストに押し付けられるときに、その支柱が第１のテンプレート領域Ｒｔ１を支える。これにより、テンプレート１００と下地材料との距離を決定することができ、かつ、テンプレートの凸パターンと下地材料との間のレジストの残膜の厚さ（ＲＬＴ）を決定することができる。また、支柱受け部Ｐｒの幅は、支柱パターンＰｃの幅よりも広く形成されている。これにより、支柱パターンＰｃによって形成された支柱は、支柱受け部Ｐｒに容易に受容され得る。
【００１６】
図２（Ａ）〜図３（Ｃ）は、第１の実施形態による半導体装置の製造方法を示す断面図である。図４（Ａ）〜図４（Ｄ）は、第１の実施形態による半導体装置の製造方法を示す斜視図である。下地材料１０は、特に限定しないが、例えば、半導体基板、半導体基板上に形成された導電材料や絶縁材料等でよい。
【００１７】
（ショット０）
まず、図２（Ａ）および図４（Ａ）に示すように、最初のショットにおいて、支柱２０を下地材料１０上に形成する。このとき、テンプレート１００の第２のテンプレート領域Ｒｔ２が用いられ、第１のテンプレート領域Ｒｔ１は用いられない。例えば、材料領域Ｒｍ０の支柱２０の形成部分に液体状のレジストを滴下し、材料領域Ｒｍ０上に対して第２のテンプレート領域Ｒｔ２を押し当てる。その状態で、露光することによってレジストを硬化させる。そして、テンプレート１００を下地材料１０から離すことによって、支柱２０が材料領域Ｒｍ０上に形成される。尚、ショット０において形成される支柱２０は、テンプレート１００と下地材料１０との間の圧力によって決定される。
【００１８】
（ショット１）
次に、図２（Ｂ）に示すように、材料領域Ｒｍ０上のデバイスパターンＰｄの形成領域にレジスト２１を滴下し、並びに、材料領域Ｒｍ１上の支柱２０の形成領域にレジスト２２を滴下する。材料領域Ｒｍ１は材料領域Ｒｍ０に隣接する下地材料１０の表面領域である。
【００１９】
次に、図２（Ｃ）に示すように、テンプレート１００を下地材料１０上のレジスト２１、２２へ押し当てる。このとき、第１のテンプレート領域Ｒｔ１を材料領域Ｒｍ０に対応させ、かつ、第２のテンプレート領域Ｒｔ２を材料領域Ｒｍ１に対応させる。即ち、ショット１の領域の一部（第１のテンプレート領域Ｒｔ１）をショット０の領域（材料領域Ｒｍ０）に重複させる。第１のテンプレート領域Ｒｔ１を材料領域Ｒｍ０に押し当てるとき、下地材料１０上の支柱２０がテンプレート１０の支柱受け部Ｐｒに受容される。上述のように、支柱受け部Ｐｒの幅は、支柱パターンＰｃの幅よりも広く形成されているので、アライメントずれが多少生じたとしても、支柱２０は、支柱受け部Ｐｒに比較的容易に受容される。
【００２０】
また、支柱パターンＰｃの深さは、支柱受け部Ｐｒの深さとほぼ等しいため、支柱２０の高さは支柱受け部Ｐｒの深さとほぼ等しいかそれ以上となる。従って、支柱２０は、支柱受け部Ｐｒの内壁の上面に接触する。支柱２０は硬化されているため、支柱２０が支柱受け部Ｐｒの上面に接触すると、テンプレート１００は、それ以上、下地材料１０へ接近せず、テンプレート１００と下地材料１０との間の距離は維持される。このように、デバイスパターンＰｄを材料領域Ｒｍ０のレジスト２１に転写するときに、第１のテンプレート領域Ｒｔ１の支柱受け部Ｐｒに材料領域Ｒｍ０の支柱２０を接触させる。これにより、デバイスパターンＰｄにおけるレジスト２１のＲＬＴがレジスト２１内においてばらつかずほぼ均等になる。レジスト２１のＲＬＴがほぼ均等になることは、レジスト２１の凸部の高さＨもレジスト２１内においてばらつかずほぼ均等になることを意味する。
【００２１】
材料領域Ｒｍ１では、図２（Ｃ）に示すように、第１のテンプレート領域Ｒｔ１が材料領域Ｒｍ０上のレジスト２１に押し当てられるのと同時に、第２のテンプレート領域Ｒｔ２が材料領域Ｒｍ１上のレジスト２２に押し当てられる。
【００２２】
この状態で、露光することによってレジスト２１、２２を硬化させる。そして、テンプレート１００を下地材料１０から離すことによって、図２（Ｄ）および図４（Ｂ）に示すように、第１のテンプレート領域Ｒｔ１に対応する材料領域Ｒｍ０上のレジスト２１にデバイスパターンＰｄを転写する。それと同時に、第２のテンプレート領域Ｒｔ２に対応する材料領域Ｒｍ１上のレジスト２２に支柱パターンＰｃを転写する。以下、レジスト２２は、支柱２２と呼ぶ。
【００２３】
（ショット２）
次に、図３（Ａ）に示すように、材料領域Ｒｍ１上のデバイスパターンＰｄの形成領域にレジスト２３を滴下し、並びに、材料領域Ｒｍ２の支柱２０の形成領域にレジスト２４を滴下する。材料領域Ｒｍ２は材料領域Ｒｍ１に隣接する下地材料１０の表面領域である。
【００２４】
次に、図３（Ｂ）に示すように、テンプレート１００を下地材料１０上のレジスト２３、２４へ押し当てる。このとき、第１のテンプレート領域Ｒｔ１を材料領域Ｒｍ１に対応させ、かつ、第２のテンプレート領域Ｒｔ２を材料領域Ｒｍ２に対応させる。即ち、ショット２の領域の一部（第１のテンプレート領域Ｒｔ１）をショット１の領域の一部（材料領域Ｒｍ１）と重複させる。第１のテンプレート領域Ｒｔ１を材料領域Ｒｍ１に押し当てるとき、下地材料１０上の支柱２２がテンプレート１０の支柱受け部Ｐｒに受容される。このとき、ショット１において上述のように、支柱２０は、支柱受け部Ｐｒに比較的容易に受容される。また、支柱２０は、支柱受け部Ｐｒの内壁の上面に接触し、テンプレート１００と下地材料１０との間の距離は維持される。従って、デバイスパターンＰｄにおけるレジスト２３のＲＬＴやレジスト２３の凸部の高さＨもレジスト２３内においてほぼ均等になる。
【００２５】
材料領域Ｒｍ１では、図３（Ｂ）に示すように、第１のテンプレート領域Ｒｔ１が材料領域Ｒｍ１上のレジスト２３に押し当てられるのと同時に、第２のテンプレート領域Ｒｔ２が材料領域Ｒｍ２上のレジスト２４に押し当てられる。
【００２６】
この状態で、露光することによってレジスト２３、２４を硬化させる。そして、テンプレート１００を下地材料１０から離すことによって、図３（Ｃ）および図４（Ｃ）に示すように、第１のテンプレート領域Ｒｔ１に対応する材料領域Ｒｍ１上のレジスト２３にデバイスパターンＰｄを転写する。それと同時に、第２のテンプレート領域Ｒｔ２に対応する材料領域Ｒｍ２上のレジスト２４に支柱パターンＰｃを転写する。以下、レジスト２４は、支柱２４と呼ぶ。
【００２７】
（ショットｋ）
ショット１、２を繰り返すと、デバイスパターンＰｄおよび支柱パターンＰｃを、互いに隣接する材料領域Ｒｍ（ｋ−１）、Ｒｍｋ（ｋは１以上の整数）へ同時に転写することができる。尚、ショットｋについては、図２（Ｂ）〜図３（Ｃ）を参照することによって容易に推測できるので、その図示を省略する。
【００２８】
ショットｋにおいては、材料領域Ｒｍ（ｋ−１）上のデバイスパターンＰｄの形成領域にレジストを滴下し、並びに、材料領域Ｒｍｋの支柱の形成領域にレジストを滴下する。材料領域Ｒｍｋは、材料領域Ｒｍ（ｋ−１）に隣接する下地材料１０の表面領域である。
【００２９】
次に、テンプレート１００を下地材料１０上のレジストへ押し当てる。このとき、第１のテンプレート領域Ｒｔ１を材料領域Ｒｍ（ｋ−１）に対応させ、かつ、第２のテンプレート領域Ｒｔ２を材料領域Ｒｍｋに対応させる。即ち、ショットｋの領域の一部（第１のテンプレート領域Ｒｔ１）をショット（ｋ−１）の領域の一部（材料領域Ｒｍ（ｋ−１））と重複させる。第１のテンプレート領域Ｒｔ１を材料領域Ｒｍ（ｋ−１）に押し当てるとき、材料領域Ｒｍ（ｋ−１）上の支柱がテンプレート１０の支柱受け部Ｐｒに受容される。
【００３０】
材料領域Ｒｍ（ｋ−１）では、第１のテンプレート領域Ｒｔ１が材料領域Ｒｍ（ｋ−１）上のレジストに押し当てられるのと同時に、第２のテンプレート領域Ｒｔ２が材料領域Ｒｍｋ上のレジストに押し当てられる。
【００３１】
この状態で、露光することによって下地材料１０上のレジストを硬化させる。そして、テンプレート１００を下地材料１０から離すことによって、第１のテンプレート領域Ｒｔ１に対応する材料領域Ｒｍ（ｋ−１）上のレジストにデバイスパターンＰｄを転写する。それと同時に、第２のテンプレート領域Ｒｔ２に対応する材料領域Ｒｍｋ上のレジストに支柱パターンＰｃを転写する。
【００３２】
以上のように、本実施形態によるテンプレート１００を用いたＮＩＬは、デバイスパターンＰｄを下地材料１０のレジストに転写するときに、支柱２０、２２、２４・・・がテンプレート１００と下地材料１０との間の距離を決定する。即ち、支柱２０、２２、２４・・・の高さによって、ＲＬＴを制御することができる。これにより、各ショット内においてＲＬＴをほぼ均一（例えば、約１５ｎｍ）にすることができる。
【００３３】
支柱が無い場合、テンプレートを下地材料に押し当てるときに、ＲＬＴは、テンプレートと下地材料との間の圧力によって制御する必要がある。この場合、ＲＬＴは、各ショット内においても、複数のショット間においてもばらつく。例えば、ＲＬＴの設計値が１５ｎｍであるとすると、ＲＬＴは５ｎｍ〜２０ｎｍの間でばらつき、レジストの凸部の高さは、６５ｎｍ〜８０ｎｍの間でばらつく。このようなＲＬＴのばらつきやレジストの凸部の高さのばらつきは、上述の通り、下地材料の寸法、高さ、テーパー角等のばらつきに繋がる。また、レジストにＲＬＴは、閾値（約５〜１０ｎｍ）以下で粘性と弾性が上昇するため、閾値以下の部分があると、アライメント時にテンプレートをずらしたときに、テンプレートと下地材料との間のせん断応力が大きくなる。せん断応力が大きいと、テンプレートを下地材料から離したときに、せん断応力および引張り応力（離形力）によって、レジストが下地材料からはがれてしまう場合もある。例えば、ＲＬＴが５ｎｍ以下の部分があると、テンプレートと下地材料との間のせん断応力がより大きくなり、テンプレートを下地材料から離したときに、せん断応力および引張り応力（離形力）によって、レジストが下地材料からはがれてしまう問題がより顕著となる。
【００３４】
これに対し、本実施形態では、上述の通り、支柱２０、２２、２４・・・を設けることによって各ショット内においてＲＬＴをほぼ均一にすることができる。また、例えば、支柱２２は、第１のテンプレート領域Ｒｔ１と同一テンプレート１００内の第２のテンプレート領域Ｒｔ２を用いて形成され、かつ、材料領域Ｒｍ０へのデバイスパターンＰｄの転写と同時に材料領域Ｒｍ１に形成される。従って、支柱２２は、支柱２０がＲＬＴを規定しているときに、デバイスパターンＰｄの転写領域と隣接する領域に形成される。これにより、支柱２２は、支柱２０とほぼ等しい高さに形成され得る。支柱２０、２２の高さがほぼ等しいことは、複数のショット間においてＲＬＴがほぼ均一になることを意味する。従って、本実施形態によれば、各ショット内においてＲＬＴをほぼ均一にすることができるだけでなく、複数のショット間においてＲＬＴをほぼ均一（例えば、約１５ｎｍ）にすることができる。その結果、本実施形態によって形成されたレジストをマスクとして下地材料を加工した場合に、下地材料の寸法、高さ、テーパー角等は安定する。
【００３５】
また、ＲＬＴをほぼ均一にすることによって、レジストのＲＬＴが局所的に薄くなることを抑制することができる。これにより、ＲＬＴを設計値（例えば、約１５ｎｍ）に安定させることができるので、アライメント時にテンプレート１００をずらしたときに、テンプレート１００と下地材料１０との間のせん断応力を低減させることができる。その結果、離形力によるレジストはがれを抑制することができる。
【００３６】
さらに、本実施形態によれば、各ショットにおいて、支柱パターンＰｃを転写しつつ、同時に、デバイスパターンＰｄを転写することができる。即ち、デバイスパターンＰｄの転写は、支柱の形成に妨げられることなく、実行され得る。これにより、本実施形態によるテンプレート１００を用いたＮＩＬ法は、リソグラフィ工程の時間を長期化しない。
【００３７】
さらに、本実施形態によれば、支柱受け部Ｐｒが窪んでいるので、下地材料１０上の支柱２０を受容するときに、テンプレート１００の位置合わせが容易となる。ただし、支柱受け部Ｐｒおよび支柱２０を用いた位置合わせは概略的な位置合わせであり、厳密な位置合わせは、アライメント用のパターンを用いて行われる。
【００３８】
（第２の実施形態）
図５は、第２の実施形態に従ったテンプレート２００の構成の一例を示す斜視断面図である。第２の実施形態によるテンプレート２００は、支柱パターンＰｃおよび支柱受け部Ｐｒに凹部を有しない。テンプレート２００のその他の構成は、第１の実施形態によるテンプレート１００の対応する構成と同様でよい。
【００３９】
支柱パターンＰｃおよび支柱受け部Ｐｒの両方が平坦であっても、それらの両方の深さまたは高さが等しければ、支柱を形成することはできる。例えば、図６（Ａ）および図６（Ｂ）は、第２の実施形態によるテンプレート２００を用いた或るショットを示す断面図である。ここでは、図２（Ｃ）および図２（Ｄ）に対応するショット１の場合を説明する。
【００４０】
図６（Ａ）に示すように、ショット１において、テンプレート２００を下地材料１０上のレジスト２１、２２へ押し当てる。このとき、第１のテンプレート領域Ｒｔ１を材料領域Ｒｍ０に対応させ、かつ、第２のテンプレート領域Ｒｔ２を材料領域Ｒｍ１に対応させる。第１のテンプレート領域Ｒｔ１を材料領域Ｒｍ０に押し当てるとき、下地材料１０上の支柱２０がテンプレート１０の支柱受け部Ｐｒに接触する。
【００４１】
また、支柱パターンＰｃは、支柱受け部Ｐｒとほぼ等しい深さレベルまたは高さレベルにあるため、支柱２０の高さは支柱受け部Ｐｒと等しいかそれ以上に形成されている。従って、支柱２０は、支柱受け部Ｐｒに接触する。支柱２０は硬化されているため、支柱２０が支柱受け部Ｐｒに接触すると、テンプレート１００は、それ以上、下地材料１０へ接近せず、テンプレート１００と下地材料１０との間の距離は維持される。このように、デバイスパターンＰｄを材料領域Ｒｍ０のレジスト２１に転写するときに、支柱受け部Ｐｒに材料領域Ｒｍ０の支柱２０を接触させる。
【００４２】
材料領域Ｒｍ１では、第１のテンプレート領域Ｒｔ１が材料領域Ｒｍ０上のレジスト２１に押し当てられるのと同時に、第２のテンプレート領域Ｒｔ２が材料領域Ｒｍ１上のレジスト２２に押し当てられる。
【００４３】
この状態で、露光することによってレジスト２１、２２を硬化させる。そして、テンプレート１００を下地材料１０から離すことによって、図６（Ｄ）に示すように、第１のテンプレート領域Ｒｔ１に対応する材料領域Ｒｍ０上のレジスト２１にデバイスパターンＰｄを転写する。それと同時に、第２のテンプレート領域Ｒｔ２に対応する材料領域Ｒｍ１上のレジスト２２に支柱パターンＰｃを形成する。
【００４４】
第２の実施形態では、支柱パターンＰｃおよび支柱受け部Ｐｒがテンプレート２００の面に対してほぼ平坦であるため、支柱２０、２２は、ほぼＲＬＴの高さ（厚み）となる。しかし、第２の実施形態における支柱２０、２２は、第１の実施形態のそれらと同様の機能を有することができる。従って、第２の実施形態は、第１の実施形態と同様の効果を得ることができる。
【００４５】
さらに、第２の実施形態では、支柱パターンＰｃおよび支柱受け部Ｐｒがテンプレート２００の面に対してほぼ平坦であるため、支柱パターンＰｃおよび支柱受け部Ｐｒのそれぞれの幅をあまり意識する必要がない。従って、アライメントずれによって、支柱２０または２２が支柱受け部Ｐｒから外れる可能性が低くなる。
【００４６】
さらに、第２の実施形態では、支柱パターンＰｃおよび支柱受け部Ｐｒがテンプレート２００の面に対してほぼ平坦であるため、テンプレート２００を形成し易いという効果もある。
【００４７】
さらに、支柱パターンＰｃおよび支柱受け部Ｐｒは、テンプレート２００の面に対して凸形状であってもよい。この場合、支柱パターンＰｃおよび支柱受け部Ｐｒの高さがほぼ等しければよい。
【００４８】
（第３の実施形態）
図７は、第３の実施形態に従ったテンプレート３００の構成の一例を示す斜視断面図である。第３の実施形態によるテンプレート３００は、複数の第２のテンプレート領域Ｒｔ２＿１、Ｒｔ２＿２を有する。第２のテンプレート領域Ｒｔ２＿１、Ｒｔ２＿２は、第１のテンプレート領域Ｒｔ１に対して互いに略直交する方向に隣接している。即ち、第２のテンプレート領域Ｒｔ２＿２は、第１のテンプレート領域Ｒｔ１に関して第２のテンプレート領域Ｒｔ２＿１の隣接方向に略直交する方向に隣接する。第２のテンプレート領域Ｒｔ２＿１、Ｒｔ２＿２は、それぞれ支柱パターンＰｃを有する。テンプレート３００のその他の構成は、第１の実施形態によるテンプレート１００の対応する構成と同様でよい。
【００４９】
第２のテンプレート領域Ｒｔ２＿１は、第１の実施形態における第２のテンプレート領域Ｒｔ２と同様の機能を有する。即ち、第２のテンプレート領域Ｒｔ２＿１は、或るショット（ｋ−１）において、デバイスパターンＰｄの転写領域に隣接する領域に支柱を形成するために用いられる。その支柱は、次のショットｋにおけるデバイスパターンＰｄの転写時に、テンプレート３００の支柱として機能する。
【００５０】
一方、第２のテンプレート領域Ｒｔ２＿２は、或る行または列にデバイスパターンＰｄを転写する際に、次の行または次の列における支柱を形成するために設けられている。ここで、行または列は、連続して実行される複数のショットの行または列を示す。
【００５１】
例えば、第１および第２のテンプレート領域Ｒｔ１、Ｒｔ２＿１は、或る行に含まれる連続した複数のショットにおいてデバイスパターンＰｄおよび支柱パターンＰｃを転写する。このとき、例えば、ショット１において、第１のテンプレート領域Ｒｔ１に支柱を接触させてデバイスパターンＰｄを転写し、それと同時に、第２のテンプレート領域Ｒｔ２＿１を用いて支柱を形成する。さらに、第３の実施形態では、第２のテンプレート領域Ｒｔ２＿２が、次の行（デバイスパターンＰｄの転写を実行している行に隣接する行）に含まれるショットの支柱を形成する。即ち、第２のテンプレート領域Ｒｔ２＿２の支柱パターンの転写領域は、デバイスパターンＰｄに関して、第２のテンプレート領域Ｒｔ２＿１の支柱パターンの転写領域と略直交する位置にある。尚、支柱は、次の行に含まれる複数のショットのうち最初のショットに対応する領域のみに形成してもよく、複数のショットに対応する領域に形成してもよい。
【００５２】
第３の実施形態によれば、単一の行または列だけでなく、隣接する複数の行または列において、支柱の高さまたはＲＬＴをほぼ均一にすることができる。これにより、下地材料１０の表面全体において、支柱の高さまたはＲＬＴをほぼ均一にすることができる。
【００５３】
第３の実施形態によるテンプレート３００の支柱受け部Ｐｒおよび支柱パターンＰｃは、第２の実施形態のそれらと同様の形態であってもよい。
【００５４】
（変形例）
テンプレート１００〜３００において、支柱パターンＰｃおよび支柱受け部Ｐｒの平面形状（平面パターン）および個数は、デバイスパターンＰｄに重複せずかつテンプレート１００〜３００を支持することができる限りにおいて、特に限定しない。例えば、支柱パターンＰｃおよび支柱受け部Ｐｒは、円形でもよく、四角形等の多角形であってもよい。また、支柱パターンＰｃおよび支柱受け部Ｐｒは、ライン状であってもよく、あるいは、デバイスパターンＰｄを取り囲むように枠状に形成されてもよい。
【００５５】
支柱パターンＰｃおよび支柱受け部Ｐｒの個数も、例えば、第１および第２のテンプレート領域Ｒｔ１、Ｒｔ２のそれぞれの隅に１つずつ設けられていてもよい。この場合、支柱パターンＰｃおよび支柱受け部Ｐｒの個数はそれぞれ４個となるが、これらの個数は、それぞれ４個以上であってもよい。また、テンプレート１００〜３００を支持することができる限り、支柱パターンＰｃおよび支柱受け部Ｐｒはそれぞれ３個以下であってもよい。例えば、支柱パターンＰｃは、面積の大きな１つのパターンであってもよい。この場合、テンプレート１００〜３００は、１つの支柱の面で支持されることになる。
【００５６】
このように支柱パターンＰｃおよび支柱受け部Ｐｒの形状（即ち、支柱の形状）を変形しても、上記実施形態の効果を得ることができる。
【００５７】
本発明のいくつかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これら実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これら実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれると同様に、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれるものである。
【符号の説明】
【００５８】
１００〜３００…テンプレート、Ｒｔ１…第１のテンプレート領域、Ｒｔ２…第２のテンプレート領域、Ｐｄ…デバイスパターン、Ｐｒ…支柱受け部、Ｐｃ…支柱パターン、１０…下地材料、２０、２２、２４…支柱（レジスト）、２１、２３…レジスト
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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