(57)【要約】 【課題】面内均一性が良好な周期的パターンを形成し得るパターン形成方法及び磁気記録媒体の製造方法を提供する。【解決手段】実施形態によれば、基板上に、表面極性の近い第１の保護基を有し、少なくとも表面に、Ａｌ，Ｔｉ，Ｖ，Ｃｒ，Ｍｎ，Ｆｅ，Ｃｏ，Ｎｉ，Ｚｎ，Ｙ，Ｚｒ，Ｓｎ，Ｍｏ，Ｔａ，Ｗ，Ａｕ，Ａｇ，Ｐｄ，Ｃｕ，Ｐｔ，及びその酸化物からなる群から選択される材料を有する微粒子に、第２の保護基、及び第２の溶媒を添加して第２の分散液を調製し、第１の保護基を有する微粒子を該第２の保護基で修飾する工程、第１及び第２の保護基を有する微粒子を含む分散液に、粘度調整剤を添加して微粒子塗布液を調製する工程、及び微粒子塗布液を塗布し、基板上に微粒子層を形成する工程を含むパターン形成方法が提供される。【選択図】図４
2015210834.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に、該基板と表面極性の近い第１の保護基を有し、少なくとも表面に、アルミニウム、チタン、バナジウム、クロム、マンガン、鉄、コバルト、ニッケル、亜鉛、イットリウム、ジルコニウム、錫、モリブデン、タンタル、タングステン、金、銀、パラジウム、銅、白金、及びその酸化物からなる群から選択される材料を有する微粒子に、第２の保護基、及び第２の溶媒を添加して第２の分散液を調製する工程、
該第２の分散液中で該第１の保護基を有する微粒子を該第２の保護基で修飾し、該第１及び第２の保護基を有する微粒子を形成する工程、
該第１及び第２の保護基を有する微粒子を含む分散液に、粘度調整剤を添加して微粒子塗布液を調製する工程、
該微粒子塗布液を塗布し、前記基板上に単層の微粒子層を形成する工程、及び
前記微粒子により構成される周期的パターン上に磁気記録層を形成する工程を具備することを特徴とする磁気記録媒体の製造方法。
【請求項２】
前記磁気記録層を形成する工程の前に、前記微粒子をマスクとして前記第１及び第２の保護基をエッチングする工程をさらに含むことを特徴とする請求項１に記載の磁気記録媒体の製造方法。
【請求項３】
前記基板と前記微粒子層との間に下地層をさらに設け、前記磁気記録層を形成する工程の前に、前記微粒子をマスクとして前記微粒子により構成される周期的パターンを該下地層に転写し、該微粒子を除去する工程をさらに含むことを特徴とする請求項１に記載の磁気記録媒体の製造方法。
【請求項４】
磁気記録層を含む基板と表面極性の近い第１の保護基を有し、少なくとも表面に、アルミニウム、チタン、バナジウム、クロム、マンガン、鉄、コバルト、ニッケル、亜鉛、イットリウム、ジルコニウム、錫、モリブデン、タンタル、タングステン、金、銀、パラジウム、銅、白金、及びその酸化物からなる群から選択される材料を有する微粒子に、第２の保護基、及び第２の溶媒を添加して第２の分散液を調製する工程、
該第２の分散液中で該第１の保護基を有する微粒子を該第２の保護基で修飾して、該第１及び第２の保護基を有する微粒子を形成する工程、
該第１及び第２の保護基を有する微粒子を含む分散液に、粘度調整剤を添加して微粒子塗布液を調製する工程、
前記基板上に該微粒子塗布液を塗布し、単層の微粒子層を形成する工程、及び
該微粒子層により構成される周期的パターンを前記磁気記録層へ転写する工程を具備することを特徴とする磁気記録媒体の製造方法。
【請求項５】
前記第２の溶媒は、ヘキサン、２−ブタノン、トルエン、キシレン、シクロヘキサン、シクロヘキサノン、ＰＧＭＥＡ、ジグライム、乳酸エチル、乳酸メチル、テトラヒドロフラン、及びそれらの混合物からなる群から選択されることを特徴とする請求項１ないし４のいずれか１項に記載の磁気記録媒体の製造方法。
【請求項６】
前記第１の保護基を有する微粒子は、
第１の保護基と前記微粒子とを第１の溶媒中に分散させた第１の分散液を作成し、該第１の分散液中で該微粒子に前記第１の保護基を結合させる工程により得られ、
前記第２の分散液を形成する工程は、該第１の分散液を沈殿させて上澄み液を除去し、該第１の保護基を有する微粒子に前記第２の溶媒と該第２の溶媒に分散された前記第２の保護基とを添加する工程を含むことを特徴とする請求項１ないし５のいずれか１項に記載の磁気記録媒体の製造方法。
【請求項７】
前記第１の保護基における反応性官能基数／前記微粒子表面積は、０．１〜１００個／ｎｍ２であることを特徴とする請求項６に記載の磁気記録媒体の製造方法。
【請求項８】
前記第１の溶媒は、ヘキサン、２−ブタノン、トルエン、キシレン、シクロヘキサン、シクロヘキサノン、ＰＧＭＥＡ、ジグライム、乳酸エチル、乳酸メチル、テトラヒドロフラン、及びそれらの混合物からなる群から選択されることを特徴とする請求項６または７に記載の磁気記録媒体の製造方法。
【請求項９】
前記第１の保護基は、第２の保護基の主鎖と同じ主鎖を持つことを特徴とする請求項１ないし８のいずれか１項に記載の磁気記録媒体の製造方法。
【請求項１０】
前記第１の保護基は、第２の保護基と同じであることを特徴とする請求項９に記載の磁気記録媒体の製造方法。
【請求項１１】
前記第１及び第２の保護基は、反応性官能基としてカルボキシ基あるいはチオール基を含むことを特徴とする請求項１ないし１０のいずれか１項に記載の磁気記録媒体の製造方法。
【請求項１２】
前記微粒子が、少なくとも表面に、アルミニウム、チタン、バナジウム、クロム、マンガン、鉄、コバルト、ニッケル、亜鉛、イットリウム、ジルコニウム、錫、モリブデン、タンタル、及びタングステン、及びその酸化物からなる群から選択される材料を有するとき、前記第１及び第２の保護基は、反応性官能基としてカルボキシ基を含むことを特徴とする請求項１１に記載の磁気記録媒体の製造方法。
【請求項１３】
前記微粒子が少なくとも表面に、金、銀、パラジウム、銅、白金、及びその酸化物からなる群から選択される材料を有するとき、前記第１及び第２の保護基は、反応性官能基としてチオール基を含むことを特徴とする請求項１１に記載の磁気記録媒体の製造方法。
【請求項１４】
前記第１の保護基及び第２の保護基の主鎖は、飽和炭化水素、複数の炭素二重結合を持つ不飽和炭化水素、ポリエステル、ポリスチレン、ポリメチルメタクリレート、ポリアリルエーテル、ポリビニルエーテル、ポリアクリル酸エステル、ポリメタクリル酸エステル、及びその誘導体からなる群から選択される少なくとも１種であることを特徴とする請求項１ないし１３のいずれか１項に記載の磁気記録媒体の製造方法。
【請求項１５】
前記第１の保護基及び前記第２の保護基は、１００〜５０，０００の分子量を有することを特徴とする請求項１ないし１４のいずれか１項に記載の磁気記録媒体の製造方法。
【請求項１６】
前記該微粒子塗布液の塗布は、スピンコート法、ディップコート法、及びＬＢ法のうち１つの方法を用いて行われることを特徴とする請求項１ないし１５のいずれか１項に記載の磁気記録媒体の製造方法。
【請求項１７】
基板上に、該基板と表面極性の近い第１の保護基を有し、少なくとも表面に、アルミニウム、チタン、バナジウム、クロム、マンガン、鉄、コバルト、ニッケル、亜鉛、イットリウム、ジルコニウム、錫、モリブデン、タンタル、タングステン、金、銀、パラジウム、銅、白金、及びその酸化物からなる群から選択される材料を有する微粒子に、第２の保護基、及び第２の溶媒を添加して分散液を調製し、該分散液中で該第１の保護基を有する微粒子を該第２の保護基で修飾して、該第１及び第２の保護基を有する微粒子を形成する工程、
該第１及び第２の保護基を有する微粒子を含む分散液に、粘度調整剤を添加して微粒子塗布液を調製する工程、及び
該微粒子塗布液を塗布し、前記基板上に微粒子層を形成する工程を含むパターン形成方法。
【請求項１８】
前記第１の保護基を有する微粒子は、
第１の保護基と前記微粒子とを第１の溶媒中に分散させた第１の分散液を作成し、該第１の分散液中で該微粒子に前記第１の保護基を結合させる工程により得られ、
前記第２の分散液を形成する工程は、該第１の分散液を沈殿させて上澄み液を除去し、該第１の保護基を有する微粒子に第２の溶媒と該第２の溶媒に分散された第２の保護基とを添加する工程を含むことを特徴とする請求項１７に記載のパターン形成方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明の実施形態は、パターン形成方法、及び磁気記録媒体の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
数ｎｍ〜数百ｎｍの周期で規則的に配列した微細構造は、触媒や反射防止膜、電気回路、磁気記録媒体等様々な技術に応用することができる。そのような構造を作製するには、電子線や紫外光の描画装置でレジスト上にパターンを描画する方法や、ジブロックコポリマーや微粒子の自己組織化現象を利用する方法などが挙げられる。
【０００３】
特に、微粒子をパターン形成に用いると、ジブロックコポリマーやレジストを用いるのとは異なる利点がある。無機物からなる微粒子は有機物とは異なるエッチング耐性を持つため、微粒子を形成する材料を適切に選択することで、続くプロセスにおけるエッチング選択比、成長選択比を好ましいものにすることができる。
【０００４】
しかし、従来技術においては、所望の材料からなる微粒子を基板へと一定の間隔を持たせて単層配列させることは困難であった。微粒子の規則配列には、微粒子に高粘度の粘度調整剤を混合することが必要である。しかし、例えばＦｅ微粒子の場合、粘度調整剤を混合した時点で粒子が凝集してしまい、塗布そのものが困難となる。また、Ａｕ粒子の周囲にポリスチレン類を保護基として置換することができるが、このような方法ではスピンコートで最密配列させることは難しいという問題があった。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２０１０−１７０７２６号公報
【特許文献２】特開２００６−３４２３９９号公報
【非特許文献】
【０００６】
【非特許文献１】Ｓ．  Ｓｉｖａｒａｍａｎ  ｅｔ  ａｌ．，  Ｎａｎｏｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ  ２３  （２０１２）  ２５５６０３  （１３ｐｐ）
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
本発明の実施形態は、面内均一性が良好な周期的パターンを形成し得るパターン形成方法及び磁気記録媒体の製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
実施形態によれば、基板上に、該基板と表面極性の近い保護基を有し、少なくとも表面に、アルミニウム、チタン、バナジウム、クロム、マンガン、鉄、コバルト、ニッケル、亜鉛、イットリウム、ジルコニウム、錫、モリブデン、タンタル、及びタングステン、金、銀、パラジウム、銅、白金、及びその酸化物からなる群から選択される材料を有する微粒子に、第２の保護基、及び第２の溶媒を添加して第２の分散液を調製する工程、
該第２の分散液中で該第１の保護基を有する微粒子を該第２の保護基で修飾して、該第１及び第２の保護基を有する微粒子を形成する工程、
該第１及び第２の保護基を有する微粒子を含む分散液に、粘度調整剤を添加して該粘度微粒子塗布液を調製する工程、
該微粒子塗布液を塗布し、前記基板上に微粒子層を形成する工程を含むパターン形成方法が提供される。
【図面の簡単な説明】
【０００９】
【図１】実施形態に係る方法にて作成可能な周期的パターンの例を表す図である。
【図２】実施形態に係る方法にて作成可能な周期的パターンの例を表す図である。
【図３】実施形態に係る磁気記録媒体を適用可能な磁気記録再生装置の一例を一部分解した斜視図である。
【図４】第１の実施形態に使用される周期的パターンの形成方法の一例を表すフロー図である。
【図５】第１の実施形態に係る磁気記録媒体を形成する工程を表す概略的な断面図である。
【図６】第１の実施形態に使用される周期的パターンの形成方法の他の例を表すフロー図である。
【図７】第１の実施形態に係る磁気記録媒体の製造工程の変形例を表す概略的な断面図である。
【図８】第２の実施形態に係る磁気記録媒体を形成する工程を表す概略的な断面図である。
【図９】第２の実施形態にかかる磁気記録媒体を形成する工程の他の例を表す概略的な断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１０】
以下、実施の形態について説明する。
【００１１】
第１の実施形態によれば、基板上に、基板と表面極性の近い第１の保護基を有し、少なくとも表面に、アルミニウム、チタン、バナジウム、クロム、マンガン、鉄、コバルト、ニッケル、亜鉛、イットリウム、ジルコニウム、錫、モリブデン、タンタル、及びタングステン、金、銀、パラジウム、銅、白金、及びその酸化物からなる群から選択される材料を有する微粒子に、第２の保護基、及び第２の溶媒を添加して第２の分散液を調製する工程、
該第２の分散液中で該第１の保護基を有する微粒子を該第２の保護基で修飾し、該第１及び第２の保護基を有する微粒子を形成する工程、
該第１及び第２の保護基を有する微粒子を含む分散液に、粘度調整剤を添加して微粒子塗布液を調製する工程、
微粒子塗布液を塗布し、基板上に単層の微粒子層を形成し、微粒子により構成される周期的パターンを形成する工程、及び
周期的パターン上に磁気記録層を形成する工程を具備することを特徴とする磁気記録媒体の製造方法が提供される。
【００１２】
第１の実施形態によれば、微粒子の周囲に基板と相性の良い第１の保護基を設け、さらに第１の保護基を有する微粒子に第２の保護基を追加し、所望の粘度の粘度調整剤を混合した溶媒へと分散させ、塗布して微粒子を配列させることができる単層の微粒子層において各微粒子が凝集することなく配列した周期的パターンが得られる。これにより、粒子のサイズ分布の低いパターンド媒体が得られる。さらに、後から添加される第２の保護基は、微粒子表面以外にも分散液中に分散された状態で存在することができるため、添加された第２の保護基が基板表面や微粒子間に充填されて、微粒子間の分子間力が均一にはたらき、配列性を上げることができる。
【００１３】
ここで、基板は、微粒子塗布液が適用される層であって、必要に応じて、単層、あるいは多層にすることができる。
【００１４】
第１の実施形態によれば、基板上に、基板と表面極性の近い第１の保護基を有し、少なくとも表面に、アルミニウム、チタン、バナジウム、クロム、マンガン、鉄、コバルト、ニッケル、亜鉛、イットリウム、ジルコニウム、錫、モリブデン、タンタル、タングステン、金、銀、パラジウム、銅、白金、及びその酸化物からなる群から選択される材料を有する微粒子に、第２の保護基、及び第２の溶媒を添加して分散液を調製し、該分散液中で該第１の保護基を有する微粒子を該第２の保護基で修飾して、該第１及び第２の保護基を有する微粒子を形成する工程、
該第１及び第２の保護基を有する微粒子を含む分散液に、粘度調整剤を添加して微粒子塗布液を調製する工程、及び
微粒子塗布液を塗布し、基板上に微粒子層を形成する工程を含むパターン形成方法が提供される。
【００１５】
第２の実施形態に係る磁気記録媒体の製造方法は、
磁気記録層を含む基板と表面極性の近い第１の保護基を有し、少なくとも表面に、アルミニウム、チタン、バナジウム、クロム、マンガン、鉄、コバルト、ニッケル、亜鉛、イットリウム、ジルコニウム、錫、モリブデン、タンタル、タングステン、金、銀、パラジウム、銅、白金、及びその酸化物からなる群から選択される材料を有する微粒子に、第２の保護基、及び第２の溶媒を添加して第２の分散液を調製する工程、
第２の分散液中で第１の保護基を有する微粒子を第２の保護基で修飾して、第１及び第２の保護基を有する微粒子を形成する工程、
第１及び第２の保護基を有する微粒子を含む分散液に、粘度調整剤を添加して微粒子塗布液を調製する工程、
前記基板上に微粒子塗布液を塗布し、単層の微粒子層を形成する工程、
微粒子層により構成される周期的パターンを前記磁気記録層へ転写する工程を具備することを特徴とする。
【００１６】
第２の実施形態によれば、単層の微粒子層において各微粒子が凝集することなく配列した周期的パターンが得られる。これにより、磁性体粒子のサイズ分布の低いパターンド媒体が得られる。
【００１７】
ここで、周期的パターンとは、一定の規則性を持つパターン配列をさす。パターンは、凹凸でもよいし、化学的組成の異なる材料でも、その双方でもよい。例えば、Ｆｅ微粒子がポリメチルメタクリレートのマトリクスに埋め込まれた状態で配列している場合、凹凸はないが化学的組成の異なる材料の配列となる。また、ポリメチルメタクリレートのマトリクスをＲＩＥプロセスによって除去した場合、Ｆｅ微粒子のみが残存し凹凸パターンとなる。一定の規則性とは、凹凸や化学的組成の異なる材料で、その一方が配列することを意味する。配列は六方最密配列でもよいし、正方配列でもよい。配列は、少なくとも１００個以上のパターンが含まれることを示す。規則配列している領域をドメインと呼び、実施形態における微粒子配列体は、ドメインを複数持つことができる。ドメインとドメインの境界では配列が乱れる。
【００１８】
また、磁性体粒子とは、磁気記録層において、磁性体が単一粒子として磁化反転を起こす領域を示す。例えば、規則構造を持つ磁性体粒子が挙げられる。規則構造とは、単結晶でもよいし、Ｌ１０構造のような交互積層膜でもよいし、同じ面方位を保った人工格子のようなものでもよい。また、グラニュラー媒体のような磁性体グレインが非磁性マトリクスに埋め込まれているような構造の場合、マトリクス内の磁性体部分が本特許で言う磁性体粒子である。磁性体粒子の粒子サイズ分布は記録再生時のジッタノイズに直結する。粒子サイズ分布の少ない媒体が理想的である。本特許では、微粒子の周期的パターンを利用して磁気記録層を分断するため、微粒子の粒子サイズ分布は磁性体グレインの粒子サイズ分布とほぼ同等である。
【００１９】
また、基板は、微粒子塗布液が適用される層であって、必要に応じて、単層、あるいは多層にすることができる。
【００２０】
実施形態によれば、微粒子の周囲に基板と相性の良い第１の保護基を設け、さらに第１の保護基を有する微粒子に第２の保護基を追加し、所望の粘度の粘度調整剤を混合した溶媒へと分散させ、塗布して微粒子を配列させることができる。その際、粘度調整剤と保護基がうまく混合するよう、溶媒と保護基、粘度調整剤の溶解性を調整することにより塗布条件によっては最密ではないが、微粒子を規則的に配列することが可能である。さらに、後から添加される第２の保護基は、微粒子表面以外にも分散液中に分散された状態で存在することができるため、添加された第２の保護基が基板表面や微粒子間に充填されて、微粒子間の分子間力が均一にはたらき、配列性を上げることができる。
【００２１】
また、微粒子の応用は、パターンド媒体をはじめとするナノ構造を持つデバイスにおい、微粒子を基板上へ高密度で最密充填させながら配列することが可能である。あるいは、て、ナノ構造を形作るテンプレートとして考えられている。微粒子を基板へ単層配列させる際に問題となるのは、微粒子と基板の塗れ性および密着性である。密着性が強すぎると微粒子が単独で基板に吸着し、配列しない。しかし密着性が弱いと、基板の上に微粒子が残らない。実施形態によれば、微粒子の周囲に基板と表面極性の近い第１の保護基を化合させ、単層塗布を可能とした。さらに、微粒子分散液の中に粘度の高い粘度調整剤を混ぜることで、微粒子を規則配列させることができる。この方法で配列させた直径１０ｎｍ以下の粒子は、磁気記録媒体のテンプレートとして用いることができる。
【００２２】
第３の実施形態に係るパターン形成方法を用いると、各微粒子が凝集することなく配列した周期的パターンが得られる。添加された第２の保護基が基板表面や微粒子間に充填されて、微粒子間の分子間力が均一にはたらき、配列性を上げることができる。
【００２３】
ここで、基板は、その表面に微粒子塗布液が塗布されるもので、最終的に微粒子と共に周期的パターンを形成する層、周期的パターンに加工される層、あるいは最終的に周期的パターンに加工される層とその層から除去される層との積層などを含む。
【００２４】
＜微粒子＞
実施形態において使用される微粒子は、粒径１ｎｍ〜１μｍ程度のものを指す。磁気記録媒体に使用される場合、粒径は保護基を含め、２０ｎｍ以下にすることができる。形状は多くが球形であるが、四面体、直方体、八面体、三角柱、六角柱、あるいは円筒形等の形をしていてもよい。規則的に配列させることを考えた場合、形の対称性を高くすることができる。微粒子は、塗布時の配列性を上げるため、粒径分散が小さいことが好ましい。例えば、ＨＤＤ媒体に用いる場合、粒径分散は好ましくは２０％以下、さらに好ましくは１５％以下である。粒径分散が小さいと、ＨＤＤ媒体のジッタノイズを下げることができる。分散が２０％を超えると、スパッタにより作製される従来の媒体と比較し粒径分散のメリットがない。
【００２５】
微粒子の材料は、金属あるいは無機物、またはそれらの化合物が好ましい。具体的には、Ａｌ、Ｔｉ、Ｖ、Ｃｒ、Ｍｎ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｚｎ、Ｙ、Ｚｒ、Ｓｎ、Ｍｏ、Ｔａ、Ｗ、Ａｕ、Ａｇ、Ｐｄ、Ｃｕ、Ｐｔ等が挙げられる。また、これらの酸化物、窒化物、硼化物、炭化物、硫化物等も用いることができる。粒子は結晶性でも、アモルファスでも良い。例えば、Ｆｅの周囲にＦｅＯｘ（ｘ＝１〜１．５）で覆われた構造のように、コアシェル型の粒子でも良い。コアシェル型の場合、Ｆｅ３Ｏ４の周囲をＳｉＯ２が覆うような、組成の異なる材料でも良い。さらに、Ｃｏ／Ｆｅのような金属コアシェル型の表面が酸化され、Ｃｏ／Ｆｅ／ＦｅＯｘのような３層以上の構造となっても良い。主成分が上記に挙げたものであれば、例えばＦｅ５０Ｐｔ５０のように、ＰｔやＡｇ等の貴金属との化合物でも良い。ただし、貴金属の比率が５０％を超えた場合、保護基の結合が行われにくくなるため、不適当である。
【００２６】
微粒子の配列は溶液系で行われるため、微粒子は後述する保護基をつけた状態で、溶液に安定に分散した状態で用いられる。
【００２７】
＜保護基＞
第１及び第２保護基として使用可能な材料は、末端にカルボキシ基あるいはチオール基等の反応性官能基がついた有機物があげられる。
【００２８】
一般に、カルボキシ基はＡｌ、Ｓｉ、Ｔｉ、Ｖ、Ｃｒ、Ｍｎ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｚｎ、Ｙ、Ｚｒ、Ｓｎ、Ｍｏ、Ｔａ、Ｗ等の粒子とよく反応し、チオール基はＡｕ、Ａｇ、Ｐｄ、Ｃｕ、Ｐｔ等の粒子と反応する。２種類の合金であれば、含有量の多い方の材料を用いるか、あるいはＦｅ５０Ｐｔ５０のように組成比が同程度の場合、両者を同時に用いることもできる。その場合、Ｆｅ側にはカルボキシ基が、Ｐｔ側にはチオール基がつくと考えられる。
【００２９】
第１及び第２保護基の反応性官能基を微粒子と結合させ、主鎖を粒子間隔調整や配列のための極性調整に用いる。極性は一般的に溶解度パラメータ（ＳＰ値）を用いてうまく説明できる。ＳＰ値は、例えば水のように極性が大きいものの場合、値が大きくなり、極性の小さなものでは値が小さくなる。本提案でよく使われるカーボン（Ｃ）やシリコン（Ｓｉ）表面の場合、ＳＰ値は２５ＭＰａ１／２以下であることが望ましい。有機物の主鎖は、一般的な炭化水素（ＣｎＨ２ｎ＋１）や二重結合や三重結合を１個あるいは複数個含むもの、ポリスチレンをはじめとする芳香族炭化水素、ポリエステルやポリエーテル類が好ましい。例えば、カルボキシ基を持つものについては、飽和炭化水素であればカプリン酸、ラウリン酸、パルミチン酸、ステアリン酸、不飽和炭化水素であれば、パルミトレイン酸、オレイン酸、リノール酸、リノレン酸などが挙げられる。チオール基についても、同様にＣｎＨ２ｎ＋１−チオールや、ＣｎＨ２ｎ−チオール等がある。また、主鎖はポリエステルやポリエチレン、エポキシ、ポリウレタン、ポリスチレン、ポリプロピレン等のポリマーでもよい。第２の保護基を後から反応させるプロセスのため、枝分かれの少ない直鎖状構造を持つことが好ましい。特に、ポリスチレン類を用いる場合、そのＳＰ値が塗布溶媒と近い値をとるため、溶解性および塗布性が良好である。
【００３０】
第１及び第２保護基として、好ましくは、飽和炭化水素、複数の炭素二重結合を持つ不飽和炭化水素、ポリエステル、ポリスチレン、ポリメチルメタクリレート、ポリアリルエーテル、ポリビニルエーテル、ポリアクリル酸エステル、ポリメタクリル酸エステル、及びその誘導体からなる群から選択される少なくとも１種を使用することができる。
【００３１】
ここでは、このような第２の保護基を余剰に添加することにより、基板との流動性を上げ、粒子の配列性を向上させることができる。第２の保護基は、塗布中〜塗布後に反応性官能基が基板表面と反応してもよく、しなくてもよい。反応する場合、基板表面が第２の保護基で修飾されるのと同じ状態になるため、粒子が吸着し易くなる。反応しない場合、第２の保護基は粒子と粒子の間にフリーな状態で存在し、第１の保護基の量が足りない部分を補うような形で粒子配列の補助となる。
【００３２】
なお第１の保護基と第２の保護基は同じものでも、異なるものでもよい。
【００３３】
第１の保護基は、第２の保護基の主鎖と同じ主鎖を持つことができる。
【００３４】
＜溶媒＞
微粒子を分散させる第１及び第２の溶媒は、前述の第１及び第２の保護基と、各々親和性が高いものが使用できる。また、塗布することを考えた場合、水系でなく、有機溶媒であることが好ましい。例えば、塩酸のように金属粒子を溶解させてしまうようなものは不適当である。塗布にスピンコートのような方法を使う場合、溶媒の揮発性は高い方がよく、その沸点は好ましくは２００℃以下、さらに好ましくは１６０℃以下である。芳香族炭化水素、アルコール、エステル、エーテル、ケトン、グリコールエーテル、脂環式炭化水素、脂肪族炭化水素などが挙げられる。沸点と塗布性の観点から、具体的には、ヘキサン、トルエン、キシレン、シクロヘキサン、シクロヘキサノン、ＰＧＭＥＡ（Ｐｒｏｐｙｌｅｎｅ  Ｇｌｙｃｏｌ  １―Ｍｏｎｏｍｅｔｈｙｌ  Ｅｔｈｅｒ  ２―Ａｃｅｔａｔｅ）、ジグライム、乳酸エチル、乳酸メチル、ＴＨＦなどが用いられる。
【００３５】
第１の溶媒と第２の溶媒は、同じものでも異なるものでも良い。
【００３６】
＜保護基と微粒子の反応＞
微粒子は第１及び第２の保護基と、各々、溶液系で反応させることができる。微粒子と、第１あるいは第２の保護基とを、それぞれ溶媒に分散させた後に混合する方法や、あるいは一方は粉末の状態でもう一方は溶液に分散した状態で混合する方法がある。それぞれ溶媒に溶かす方法をとる際は、ＳＰ値の差が５以内であることが好ましく、同じ溶媒であることがさらに好ましい。混合後、数分〜数時間の反応時間をおき、第１あるいは第２の保護基と微粒子とを完全に反応させる。反応を十分に行わせるため、第１及び第２の保護基は微粒子の周囲を完全に覆うよりも濃い濃度で混合する必要がある。その量は、例えば直径８ｎｍのＦｅ微粒子の場合、含まれるＦｅ原子の個数に対し、５０〜２０００倍程度のＰＳ分子を混合する。この時、溶液中には第１及び／または第２の保護基のついた粒子と、粒子と反応しないフリーな第１及び／または第２の保護基が含まれている。場合によっては粒子合成時の保護基、例えばオレイルアミンなども含まれ得る。分散液中の第１及び第２の保護基量を制御するため、第１の保護基を結合させた微粒子を貧溶媒で沈殿させ、上澄み液ごと未反応の第１の保護基を廃棄することができる。その後、所望の量の第２の保護基を改めて添加する。
【００３７】
微粒子に結合させる保護基の数で、配列をコントロールすることができる。保護基の数は、微粒子の表面積に対して保護基の反応性官能基（カルボキシ基、チオール基等）が何個あるかで決定される。１０ｎｍ前後の粒子の場合、保護基は０．１〜１００個／ｎｍ２であることが好ましい。微粒子表面と反応する官能基を１個持つ保護基分子の場合、表面積あたりの保護基の個数は以下の方法によって計算する。
【００３８】
微粒子の総表面積Ｓ＝１粒子あたりの表面積×微粒子の個数
＝１粒子あたりの表面積×（微粒子の総重量／１粒子あたりの重量）
＝４πｒ２×ｍＮＰ／（ｄ×（４πｒ３／３））
保護基分子の個数Ｎ＝保護基の総重量／保護基１分子あたりの重量
＝ｍＬ／Ｍｗ×ＮＡ
微粒子の表面積あたりの保護基個数＝Ｎ／Ｓ
ここで、ｍＮＰ：微粒子の総重量、ｍＬ：保護基の総重量、ｒ：微粒子の半径、ｄ：微粒子を構成する材料の密度、Ｍｗ：保護基の分子量、ＮＡ：アボガドロ定数である。
【００３９】
保護基が少ない場合には粒子間隔が均等でなくなるため配列が悪化し、極端に多い場合は粒子と粒子の相互作用が取れず、間隔が開きすぎて配列しない。通常、市販される微粒子は、このような余剰の保護基は存在しないため、配列し難い。
【００４０】
＜微粒子の塗布方法＞
微粒子を基板に塗布するには、スピンコート法、ディップコート法、ＬＢ法等が用いられる。スピンコート法では、濃度を調整した微粒子分散液を基板上へ滴下し、基板を回転させて溶媒を乾燥させる。回転数で膜厚を制御する。ディップコート法では、分散液へ基板を浸漬し、基板を引き上げる際の粘性力および分子間力で基板上に微粒子を付着させる。引き上げの速度により膜厚を制御する。ＬＢ法では、粒子保護基の極性と溶媒の極性を解離させ、表面に粒子が単層で浮くような状態を作った後、浸漬した基板を引き上げることで基板上に微粒子を配列させる。
【００４１】
＜粘度調整剤＞
微粒子を規則的に配列させるため、微粒子の分散液へ粘度の高い材料を混合する。材料の粘度は、毛細管粘度計や回転粘度計で測ることができる。粘度調整剤に要求される粘度は、混合する微粒子の濃度や溶媒の粘度にもよるが、一般的に１０ｃｐｓ〜５，０００ｃｐｓの間であることが好ましい。１０ｃｐｓ未満であると、粘性が足りず粒子の相互作用に寄与せず、規則配列しない傾向があり、５，０００ｃｐｓを越えると、液体の均一塗布が困難となる傾向がある。
【００４２】
また、粘度調整剤は、微粒子の間に均一に配置されることが望まれるため、あまり高い分子量を持つことは好ましくない。具体的には、１００〜１，０００程度の間にあることが好ましい。
【００４３】
粘度調整剤は、粒子の配列を固定化させるため、重合性を持っていても良い。例えば、アクリロイル基、メタクリロイル基、エポキシ基、オキセタン環、ビニルエーテル基、その他の不飽和結合などを有する重合性材料が挙げられる。これらの基を持つことで、光や熱により保護基と保護基の重合反応が進み、保護基を硬化させることができる。
【００４４】
なお、この重合性材料は、所望の粘度が得られれば、未硬化で使用することもできる。
【００４５】
１００〜１０００ｃｐｓの粘度を持つ樹脂としてアクリレート、メタクリレート、及びその誘導体があげられる。
【００４６】
例えば、アクリレートについては、エチルアクリレート、イソボルニルアクリレート、フェニルアクリレート、オクチルアクリレート、トリプロピレングリコールジアクリレート、トリメチロールプロパンエトキシトリアクリレート、ペンタエリスリトールトリアクリレート、エポキシアクリレート、ウレタンアクリレート、ポリエステルアクリレート、ポリエーテルアクリレート等が挙げられる。また、メタクリレートについては、メトキシポリエチレングリコールメタクリレート、フェノキシエチレングリコールメタクリレート、ステアリルメタクリレート、エチレングリコールジメタクリレート、トリエチレングリコールジメタクリレート、ポリエチレングリコールメタクリレート、エトキシ化ビスフェノールＡジアクリレート、プロピレングリコールジアクリレート、トリメチロールプロパントリメタクリレート、ポリエステルメタクリレート、ポリエーテルメタクリレート、エポキシメタクリレート、ウレタンメタクリレート等が挙げられる。
【００４７】
エポキシ基を有する重合性材料の例は、エポキシアクリレート、エポキシエタン、アルコールグリシジルエーテル、エチレングリコールグリシジルエーテル、ポリエチレングリコールグリシジルエーテルである。
【００４８】
オキセタン環を有する重合性材料の例は、３−エチル−３−ヒドロキシメチルオキセタンや、３−エチル−クロロメチルオキセタンである。
【００４９】
ビニルエーテル基を有する重合性材料の例は、２−ヒドロキシエチルビニルエーテル、ジエチレングリコールモノビニルエーテル、４−ヒドロキシブチルビニルエーテルである。
【００５０】
微粒子のブラウン運動による配列の乱れは、低粘度のものほど生じやすいため、粘度調整剤の硬化については低粘度ほど行う必要がある。例えば、粘度調整剤の原液の状態で１，０００ｃｐｓ以下のものについては、硬化を行うことが好ましい。
【００５１】
粘度調整剤と微粒子との均一な混合のため、粘度調整剤のＳＰ値は高すぎない方が良い。しかし、重合性を持つ官能基が増えるとＳＰ値は高くなる傾向にある。ＳＰ値が１８（ＭＰａ）１／２未満であると、重合反応に必要な基が減少する傾向があり、２５（ＭＰａ）１／２より大きいと基板への塗れ性が悪化する傾向がある。
【００５２】
＜粘度調整剤の硬化方法＞
一般的なＵＶ光を照射することで、微粒子の周囲に充填された重合性樹脂を硬化することができる。ＵＶ光とは、波長２００〜４００ｎｍの光を指す。例えば、フェノール変性アクリレートを用いた場合、１０〜１００ｍＷ／ｃｍ２のＵＶランプを数十秒程度照射すると、重合性樹脂を硬化させることができる。硬化の際にラジカル重合機構を使う場合には、酸素の硬化阻害を防ぐため、真空中や保護層で覆う等して酸素の入らない状態を作って硬化させることが望ましい。
【００５３】
また、加熱により保護基を硬化させることもできる。例えば、アクリル酸イソブチルのような材料を用いる場合、Ｎ２雰囲気のオーブン中で、１５０℃で３０分〜数時間時間程度加温することで、保護基を硬化させることができる。
【００５４】
＜ハードマスク＞
微粒子層と基板の間に、必要に応じてハードマスク層を設けることができる。ハードマスク層を設けることでマスクの高さを確保し、パターンのテーパーを立てることができる。
【００５５】
ハードマスクは、少なくとも１層以上の膜をスパッタ等の方法で記録層の上に着けるものである。ハードマスクにある程度の高さが必要な場合、ハードマスクを２層以上の構造にすることが好適である。例えば実、下層をＣ、上層をＳｉとすることで、アスペクトの高いマスクを作製することができる。あるいは、下層をＴａ、Ｔｉ、Ｍｏ、Ｗ等の金属類あるいはそれらの化合物とする場合、上層はＮｉやＣｒ等の材料を用いることができる。金属材料をマスクとして用いる場合、成膜レートが早いのが利点である。
【００５６】
イオンミリングのハードマスクとして用いる場合、ハードマスクにはＣやＴａ、Ｔｉ、あるいはその化合物が用いられる。ハードマスクをエッチングマスクとして用いず、上に磁性膜を堆積するためのパターン層として用いる場合には、表面に酸化被膜を作るＡｌ、Ｆｅ、Ｎｉ、Ｓｎや、酸化しにくいＡｕ、Ａｇ、Ｐｔ、Ｐｄ、Ｒｕ等の貴金属類、ＣやＳｉ等の材料が好ましい。
【００５７】
＜ハードマスクのパターニング＞
ハードマスクのパターニングは、必要に応じて種々のドライエッチングプロセスを使うことが好ましい。例えばハードマスクがＣの場合、Ｏ２、Ｏ３等の酸素系ガス、あるいはＨ２、Ｎ２等のガスでドライエッチングするのが好ましい。ハードマスクがＳｉやＴａ，Ｔｉ、Ｍｏ、Ｗ等の材料の場合、ハロゲンガス（ＣＦ４、ＣＦ４／Ｏ２、ＣＨＦ３、ＳＦ６、Ｃｌ２）を使ったＲＩＥを用いるのが好ましい。ハードマスクにＣｒやＡｌの化合物を用いる場合、Ｃｌ系ガスを用いたＲＩＥが好ましい。ＡｕやＰｔ、Ｐｄ、Ｃｕ等の貴金属を用いる場合、希ガスのイオンミリングが有効である。
【００５８】
＜磁気記録層のパターニング＞
磁気記録層のパターニングは、イオンミリングあるいはＲＩＥによって、マスクされた部分以外をエッチングし記録層に凹凸によるパターンを作製する。凹凸によるパターン作製とは、通常、記録層の材料を全てエッチングすることを言う。場合によっては凹部に記録層の材料を一部残したり、Ｃａｐｐｅｄ構造のように１層目は全てエッチングし、２層目以降は残す、等といった構造を作ることもある。
【００５９】
イオンミリングにはＮｅ、Ａｒ、Ｋｒ、Ｘｅなどの希ガスや、Ｎ２等の不活性ガスを用いることができる。ＲＩＥを使う場合には、Ｃｌ２系、ＣＨ３ＯＨ、ＮＨ３＋ＣＯなどのガスを用いる。ＲＩＥの場合、エッチング後にＨ２ガス洗浄やベーク処理、水洗処理が必要になることもある。
【００６０】
＜埋め込み工程＞
周期的パターンを形成した後、埋め込みにより周期的パターンを平坦化するプロセスを加えることができる。埋め込みには、埋め込み材料をターゲットとしたスパッタリング法が簡便なため使用されるが、他にもめっき、イオンビーム蒸着、ＣＶＤ、ＡＬＤ等の方法によっても良い。ＣＶＤやＡＬＤを用いれば、高テーパーの磁気記録層の側壁に対し、高レートで成膜可能である。また、埋め込み成膜時に基板にバイアスをかけることで、高アスペクトのパターンでも隙間なく埋め込むことができる。ＳＯＧ（Ｓｐｉｎ−Ｏｎ−Ｇｌａｓｓ）やＳＯＣ（Ｓｐｉｎ−Ｏｎ−Ｃａｒｂｏｎ）等の所謂レジストをスピンコートし、熱処理で硬化させる方法を用いても良い。
【００６１】
埋め込み材料としてＳｉＯ２に限らず、硬度と平坦性の許す限りの材料を使用してよい。例えば、ＮｉＴａやＮｉＮｂＴｉ等のアモルファス金属は平坦化し易く埋め込み材料として使用することができる。Ｃを主成分とする材料例えばＣＮｘ、ＣＨｘなどを使用すると、硬度が高くＤＬＣとの密着性が良くなる傾向がある。ＳｉＯ２やＳｉＮｘ、ＴｉＯｘ、ＴａＯｘ等の酸化物、窒化物も埋め込み材料として好適である。ただし、磁気記録層と接する際に磁気記録層と反応生成物を作る場合、埋め込み層と磁気記録層の間に保護層を１層挟んでも良い。
【００６２】
＜保護膜および潤滑剤＞
保護層としては、カーボンを使用することができる。
【００６３】
カーボン保護膜は、凹凸へのカバレッジをよくするためにＣＶＤ法で成膜することが望ましいが、スパッタ法または真空蒸着法により成膜してもよい。ＣＶＤ法によれば、ｓｐ３結合炭素を多く含むＤＬＣ膜が形成される。膜厚は２ｎｍ以下だとカバレッジが悪くなり、１０ｎｍ以上だと、記録再生ヘッドと媒体との磁気スペーシングが大きくなってＳＮＲが低下するので好ましくない。
【００６４】
また、保護膜上に潤滑剤を塗布することができる。潤滑剤としては、たとえばパーフルオロポリエーテル、フッ化アルコール、フッ素化カルボン酸などを用いることができる。
【００６５】
＜磁気記録層＞
磁気記録層としては、合金系の場合、ＣｏまたはＦｅ、Ｎｉを主成分とし、かつＰｔあるいはＰｄを含むことが好ましい。磁気記録層は、必要に応じて、Ｃｒや酸化物を含むことができる。酸化物としては、特に酸化シリコン、酸化チタンが好適である。さらに、酸化物の他に、Ｒｕ、Ｍｎ、Ｂ、Ｔａ、Ｃｕ、及びＰｄから選ばれる１種類以上の元素を含むことができる。上記元素を含むことにより、結晶性や配向性を向上させることができ、より高密度記録に適した記録再生特性、熱揺らぎ特性を得ることができる。
【００６６】
垂直磁気記録層としては、ＣｏＰｔ系合金、ＦｅＰｔ系合金、ＣｏＣｒＰｔ系合金、ＦｅＰｔＣｒ系合金、ＣｏＰｔＯ、ＦｅＰｔＯ、ＣｏＰｔＣｒＯ、ＦｅＰｔＣｒＯ、ＣｏＰｔＳｉ、ＦｅＰｔＳｉ、ならびにＰｔ、Ｐｄ、Ａｇ、Ｃｕからなる群より選択された少なくとも一種を主成分とする合金と、Ｃｏ、Ｆｅ、Ｎｉとの多層構造などを使用することもできる。また、Ｋｕの高いＭｎＡｌ合金、ＳｍＣｏ合金、ＦｅＮｂＢ合金、ＣｒＰｔ合金などを使用することもできる。さらに、Ｇｄ−Ｃｏ、Ｇｄ−Ｆｅ、Ｔｂ−Ｆｅ、Ｇｄ−Ｔｂ−Ｆｅ、Ｔｂ−Ｃｏ、Ｔｂ−Ｆｅ−Ｃｏ、Ｎｄ−Ｄｙ−Ｆｅ−Ｃｏ、Ｓｍ−Ｃｏ等のアモルファス記録材料も用いることもできる。
【００６７】
垂直磁気記録層の厚さは、好ましくは３ないし３０ｎｍ、より好ましくは５ないし１５ｎｍである。この範囲であると、より高記録密度に適した磁気記録再生装置を作製することができる。垂直磁気記録層の厚さが３ｎｍ未満であると、再生出力が低過ぎてノイズ成分の方が高くなる傾向がある。垂直磁気記録層の厚さが３０ｎｍを超えると、再生出力が高過ぎて波形を歪ませる傾向がある。
【００６８】
＜軟磁性裏打ち層＞
軟磁性裏打ち層（ＳＵＬ）は、垂直磁気記録層を磁化するための単磁極ヘッドからの記録磁界を水平方向に通して、磁気ヘッド側へ還流させるという磁気ヘッドの機能の一部を担っており、記録層に急峻で充分な垂直磁界を印加させ、記録再生効率を向上させる作用を有する。
【００６９】
軟磁性裏打ち層には、Ｆｅ、ＮｉまたはＣｏを含む材料を用いることができる。このような材料として、ＦｅＣｏ系合金たとえばＦｅＣｏ、ＦｅＣｏＶなど、ＦｅＮｉ系合金たとえばＦｅＮｉ、ＦｅＮｉＭｏ、ＦｅＮｉＣｒ、ＦｅＮｉＳｉなど、ＦｅＡｌ系合金、ＦｅＳｉ系合金たとえばＦｅＡｌ、ＦｅＡｌＳｉ、ＦｅＡｌＳｉＣｒ、ＦｅＡｌＳｉＴｉＲｕ、ＦｅＡｌＯなど、ＦｅＴａ系合金たとえばＦｅＴａ、ＦｅＴａＣ、ＦｅＴａＮなど、ＦｅＺｒ系合金たとえばＦｅＺｒＮなどを挙げることができる。Ｆｅを６０ａｔ％以上含有するＦｅＡｌＯ、ＦｅＭｇＯ、ＦｅＴａＮ、ＦｅＺｒＮなどの微結晶構造または微細な結晶粒子がマトリクス中に分散されたグラニュラー構造を有する材料を用いることもできる。軟磁性裏打ち層の他の材料として、Ｃｏと、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｎｂ、Ｔａ、ＴｉおよびＹのうち少なくとも１種とを含有するＣｏ合金を用いることもできる。Ｃｏ合金には８０ａｔ％以上のＣｏが含まれることが好ましい。このようなＣｏ合金は、スパッタ法により成膜した場合にアモルファス層が形成されやすい。アモルファス軟磁性材料は、結晶磁気異方性、結晶欠陥および粒界がないため、非常に優れた軟磁性を示すとともに、媒体の低ノイズ化を図ることができる。好適なアモルファス軟磁性材料としては、たとえばＣｏＺｒ、ＣｏＺｒＮｂおよびＣｏＺｒＴａ系合金などを挙げることができる。
【００７０】
軟磁性裏打ち層の下に、軟磁性裏打ち層の結晶性の向上または基板との密着性の向上のために、さらに下地層を設けてもよい。こうした下地層の材料としては、Ｔｉ、Ｔａ、Ｗ、Ｃｒ、Ｐｔ、これらを含む合金、またはこれらの酸化物もしくは窒化物を用いることができる。
【００７１】
スパイクノイズ防止のために軟磁性裏打ち層を複数の層に分け、中間層として０．５〜１．５ｎｍのＲｕ層を挿入することで反強磁性結合させてもよい。また、ＣｏＣｒＰｔ、ＳｍＣｏ、ＦｅＰｔなどの面内異方性を持つ硬磁性膜またはＩｒＭｎ、ＰｔＭｎなどの反強磁性体からなるピン層と軟磁性層とを交換結合させてもよい。交換結合力を制御するために、Ｒｕ層の上下に磁性膜（たとえばＣｏ）または非磁性膜（たとえばＰｔ）を積層してもよい。
【００７２】
＜中間層＞
軟磁性裏打ち層と垂直磁気記録層との間に、非磁性体からなる中間層を設けることができる。中間層は、軟磁性裏打ち層と記録層との交換結合相互作用を遮断し、記録層の結晶性を制御する、という２つの作用を有する。中間層の材料としては、Ｒｕ、Ｐｔ、Ｐｄ、Ｗ、Ｔｉ、Ｔａ、Ｃｒ、Ｓｉ、Ｎｉ、Ｍｇこれらを含む合金、またはこれらの酸化物もしくは窒化物を用いることができる。
【００７３】
図１に＜実施形態に係る方法にて作成可能な周期的パターンの例を表す図を示す。
【００７４】
図示するように、実施形態に係る方法を用いると、例えば大面積に一括して数ｎｍ〜数１０ｎｍのピッチで微粒子２０が六方最密充填されたパターンを形成することができる。
【００７５】
また、図２に、実施形態に係る方法にて作成可能な周期的パターンの他の例を表す図を示す。
【００７６】
この例の周期的パターンでは、微粒子２１が正方配列している。このようなパターンは、例えば、使用される微粒子の形状が図示しない立方体のときに発現し得る。
【００７７】
また、図３は、実施形態に係る磁気記録媒体を適用可能な磁気記録再生装置の一例を一部分解した斜視図を示す。
【００７８】
図３に示されるように、磁気記録再生装置１３０は、上面の開口した矩形箱状の筐体１３１と、複数のねじにより筐体１３１にねじ止めされる筐体の上端開口を閉塞する図示しないトップカバーを有している。
【００７９】
筐体１３１内には、実施形態に係る磁気記録媒体１３２、この磁気記録媒体１３２を支持及び回転させる駆動手段としてのスピンドルモータ１３３、磁気記録媒体１３２に対して磁気信号の記録及び再生を行う磁気ヘッド１３４、磁気ヘッド１３４を先端に搭載したサスペンションを有し且つ磁気ヘッド１３４を磁気記録媒体１３２に対して移動自在に支持するヘッドアクチュエータ１３５、ヘッドアクチュエータ１３５を回転自在に支持する回転軸１３６、回転軸１３６を介してヘッドアクチュエータ１３５を回転、位置決めするボイスコイルモータ１３７、及びヘッドアンプ回路基板１３８等が収納されている。
【００８０】
以下、実施例を示し、実施形態をより具体的に説明する。
【００８１】
実施例１−１
第１の実施形態にかかる磁気記録媒体の製造方法の一例を、図４及び図５に従って説明する。
【００８２】
図４に、第１の実施形態に使用される周期的パターンの形成方法の一例を表すフロー図を示す。
【００８３】
まず、第１の溶媒としてトルエンを使用し、オレイルアミン保護基のついたＦｅ微粒子（粒径６ｎｍ）を、０．１ｗｔ％で分散させる（ＢＬ  １）。
【００８４】
次に、第１の保護基として、カルボキシ基末端を持つポリスチレン（分子量２０００）を５ｗｔ％でトルエン溶媒に分散させ、Ｆｅ微粒子分散液と重量比で１：１で混合の後、アルゴン雰囲気下で１時間撹拌することにより、カルボキシ基とＦｅ微粒子の表面を反応させて、第１の保護基とオレイルアミン保護基とを置換する（ＢＬ  ２）。この反応により、Ｆｅ微粒子の外側２〜３ｎｍは酸化物となっていることをＴＥＭ（Ｔｒａｎｓｍｉｓｓｉｏｎ Ｅｌｅｃｔｒｏｎ Ｍｉｃｒｏｓｏｐｅ）にて確認した。表面の酸化により厚みが増えたことでＦｅ微粒子直径は１０ｎｍへと変化した。
【００８５】
続いて、遠心分離（９０００ｒｐｍ、１０分）にて微粒子を沈殿させた後、元々の保護基であるオレイルアミンと、未反応のポリスチレンを上澄み液ごと除去した（ＢＬ  ３）。この工程により、微粒子は分散状態ではなく、第１の保護基（ポリスチレン保護基）に覆われたＦｅ微粒子のみの状態となった。
【００８６】
その後、第１の保護基に覆われたＦｅ微粒子を、第２の溶媒としてＰＧＭＥＡを用いて再分散させ（ＢＬ  ４）、第２の保護基として、５ｗｔ％で第２の溶媒（ＰＧＭＥＡ）に分散させたカルボキシ基末端ポリスチレン（分子量２０００）を、第１の保護基の１／１０の量添加し、第１および第２の保護基でＦｅ微粒子を修飾した。（ＢＬ  ５）。
【００８７】
得られた微粒子分散液を１ｗｔ％になるよう、ＰＧＭＥＡで希釈し、濃度調整を行った。
【００８８】
さらに、粘度調整剤として、Ｅｔｈｏｘｙｌａｔｅｄ（６）Ｔｒｉｍｅｔｈｙｌｏｌｐｒｏｐａｎｅ  Ｔｒｉａｃｒｙｌａｔｅ（以下、Ｅ６ＴＡＰＡ）を微粒子の重量に対して１：１の割合で混合し、微粒子層塗布液を調製した（ＢＬ  ６）。
【００８９】
基板上へ微粒子層塗布液を滴下し、回転数３０００ｒｐｍでスピンコートし、単層の微粒子層を形成した（ＢＬ  ７）。
【００９０】
なお、実施例１の基板３０の膜構成は、ガラス基板１、厚さ４０ｎｍの軟磁性層１１（ＣｏＺｒＮｂ）、及び厚さ５ｎｍの軟磁性層保護層１２（ＮｉＴａ）の積層体である。
【００９１】
ＳＥＭ（Ｓｃａｎｎｉｎｇ Ｅｌｅｃｔｒｏｎ Ｍｉｃｒｏｓｃｏｐｅ）観察の結果、微粒子が単層で基板上へと配列し、周期的パターンを形成していることを確認した。
【００９２】
図５に、周期的パターンを用いてパターンド磁気記録媒体を形成する工程を表す概略的な断面図を示す。
【００９３】
まず、図５（ａ）は、軟磁性層１１、軟磁性層保護層（ＮｉＴａ）１２上に、微粒子層７と保護基８により構成される周期的パターンが形成された様子を示す。
【００９４】
図５（ｂ）に示すように、ドライエッチングにより、Ｆｅ微粒子７の周囲の保護基８をエッチングし、粒子と粒子を孤立させた。この工程は、例えば、誘導結合プラズマ（ＩＣＰ）ＲＩＥ装置により、プロセスガスとしてＯ２ガスを使用し、チャンバー圧を０．１Ｐａとし、コイルＲＦパワーおよびプラテンＲＦパワーをそれぞれ１００Ｗおよび１０Ｗとし、エッチング時間を１０秒として行われる。Ｆｅ微粒子７はＯ２プラズマではほとんど削れないため、Ｆｅ微粒子７が基板表面に露出した形となる。このエッチングは少なくとも粒子の上半分の保護基が除去された段階で終了となる。
【００９５】
続いて、図５（ｃ）に示すように、スパッタにより、Ｆｅ微粒子７の表面に磁気記録層３を堆積させる。まず、結晶配向制御のための図示しないＲｕ層を３ｎｍ作成した後、［Ｃｏ（０．３ｎｍ）／Ｐｔ（０．７ｎｍ）］を１０層積層した人工格子の磁気記録層３（合計１０ｎｍ）を積層する。
【００９６】
最後に、図５（ｄ）に示すように、ＣＶＤ（化学気相堆積）により厚さ５ｎｍの保護膜１４を形成し、図示しない潤滑剤を塗布することで第１の実施形態のパターンド媒体が得られる。
【００９７】
上記のような方法によって作製したパターンド媒体の平面構造をＳＥＭによって観察したところ、［Ｃｏ／Ｐｔ］人工格子粒子のサイズ分布が１０％であった。この結果から、実施形態に係る微細周期的パターンから、サイズ分布の低い磁気記録媒体１１０が得られることが判った。
【００９８】
作製した磁気記録媒体をドライブに搭載し、２００ＭＨｚの記録周波数で記録し波形を確認したところ、十分な振幅が得られ、磁気記録媒体として使用可能であることがわかった。
【００９９】
実施例１−２
第１の実施形態にかかる磁気記録媒体の製造方法の他の一例を、図５及び図６に従って説明する。
【０１００】
図６に、第１の実施形態に使用される周期的パターンの形成方法の他の例を表すフロー図を示す。
【０１０１】
まず、第１の溶媒としてシクロヘキサノンを使用し、第１の保護基としてドデカンチオール保護基のついたＡｕ微粒子（粒径８ｎｍ）を５ｗｔ％で分散させた（ＢＬ  １１）。この時、ドデカンチオールはＡｕ粒子の表面積に対し、１個／ｎｍ２の濃度で結合されていた。
【０１０２】
その後、第１の保護基に覆われたＡｕ微粒子を含む分散液に、第２の溶媒として第１の溶媒と同様のシクロヘキサノンへ５ｗｔ％で分散させた第２の保護基としてのチオール基末端ポリスチレン（分子量２０００）を、第１の保護基と同量となる１個／ｎｍ２の濃度で添加し、第１および第２の保護基でＡｕ粒子を修飾した（ＢＬ  １２）。
【０１０３】
得られた微粒子分散液を３ｗｔ％になるよう、シクロヘキサノンで希釈し、濃度調整を行った。さらに、粘度調整剤として、Ｅ６ＴＡＰＡを微粒子の重量に対して１：１の割合で混合し、微粒子塗布液を調製した（ＢＬ  １３）。
【０１０４】
基板上へ微粒子層塗布液を滴下し、回転数３０００ｒｐｍでスピンコートし、単層の微粒子層を形成した（ＢＬ  １４）。
【０１０５】
なお、実施例１-２の基板の構成は、実施例１−１の基板３０の膜構成と同様であり、ガラス基板１、厚さ４０ｎｍの軟磁性層１１（ＣｏＺｒＮｂ）、及び厚さ５ｎｍの軟磁性層保護層１２（ＮｉＴａ）の積層体である。
【０１０６】
ＳＥＭ観察の結果、微粒子が単層で基板上へと配列し、周期的パターンを形成していることを確認した
続いて、実施例１-１と同様にして、図５（ａ）ないし（ｄ）に示す工程に従って、第１の実施形態のパターンド媒体を得た。
【０１０７】
上記のような方法によって作製したパターンド媒体の平面構造をＳＥＭによって観察したところ、［Ｃｏ／Ｐｔ］人工格子粒子のサイズ分布が１０％であった。この結果から、実施形態に係る微細周期的パターンから、サイズ分布の低い磁気記録媒体が得られることが判った。
【０１０８】
作製した磁気記録媒体をドライブに搭載し、２００ＭＨｚの記録周波数で記録し波形を確認したところ、十分な振幅が得られ、磁気記録媒体として使用可能であることがわかった。
【０１０９】
実施例２−１〜実施例２−６
下記のように使用する材料を変更すること以外は実施例１−１と同様にして、微粒子を基板上へ単層で塗布した。
【０１１０】
第２の保護基として添加するカルボキシ基末端ポリスチレンの量を下記表１のように変更し、Ｆｅ微粒子に対して０．１〜２０倍とした。なお、実施例１は、Ｆｅ微粒子重量の５倍のポリスチレンを追加した計算となり、実施例２−４に相当する。下記表１に添加した第２の保護基の量と、そこから計算された粒子表面積あたりの保護基分子量、その配列を平面ＳＥＭで測定した結果を示す。
【表１】
2015210834.tif 000003
【０１１１】
表中、測定結果の評価として、二重丸は、単層配列および規則配列領域が平均で粒子１００個以上であること、○は、単層配列および規則配列領域が平均で粒子２０個以上であること、△は、単層配列可能であること、または若干の凝集あり、×は、凝集あり、または配列しないことを各々表す。
【０１１２】
保護基の量が０．１個／ｎｍ２よりも少ない場合、粒子に凝集が発生しうまく配列しない傾向がある。逆に、保護基が１００個／ｎｍ２を超える場合、保護基が多すぎるため粒子の配列を阻害し、規則配列が見られない傾向がある。０．１〜１００個／ｎｍ２の間では、保護基量が増えるほど粒子の間隔が広がったものの、全ての条件で粒子が規則配列した。
【０１１３】
以上の結果より、保護基は０．１〜１００個／ｎｍ２であると、より良好な規則配列した周期的パターンが得られることがわかった。
【０１１４】
実施例３−１〜実施例３−６
第１の保護基と、第２の保護基の種類と分子量を下記表２のように変更すること以外は実施例１−１と同様にして、微粒子を基板上へ単層で塗布し、微粒子の周期的パターンを形成した。
【０１１５】
なお、第１の保護基と、第２の保護基として、ポリスチレンのほかにポリメチルメタクリレートを用いた。濃度調整後、微粒子を基板に塗布し、平面ＳＥＭで粒子の配列の様子とピッチを測定した。下の表２にその結果を示す。
【表２】
2015210834.tif 000004
【０１１６】
なお、表中、ＰＳは、ポリスチレン、ＰＭＭＡは、ポリメチルメタクリレート、かっこ内は、分子量を表す。
【０１１７】
表中、二重丸は単層配列および規則配列領域が平均で粒子１００個以上であること、○は単層配列および規則配列領域が平均で粒子２０個以上であること、△は単層配列可能であること、×は凝集あり、または配列しないことを、各々示す。
【０１１８】
保護基の量さえ適当であれば、加える保護基の分子量が異なる場合でも、規則配列可能であることが判った。さらに、加える保護基がポリスチレン以外のものでも同様の効果があることが判った。異なる保護基を用いた場合、同様に配列が可能であることが判った。
【０１１９】
以上の結果より、添加する保護基の分子量が異なっても、配列可能であることが示された。
【０１２０】
実施例４−１〜４−２２
使用する微粒子材料を下記表３に示すものに変更すること以外は、実施例１−１と同様にして微粒子を基板上へ単層で塗布し、微粒子の周期的パターンを形成した。また、保護基の主鎖はポリスチレンであるが、微粒子と反応する末端部分は、微粒子材料によって適当なものを選択した。
【表３】
2015210834.tif 000005
【０１２１】
表中、二重丸は単層配列および規則配列領域が平均で粒子１００個以上であること、○は単層配列および規則配列領域が平均で粒子２０個以上であること、△は単層配列可能であること、×は凝集あり、または配列しないことを、各々示す。
【０１２２】
この結果より、保護基を後から追加で配列させるプロセスにおいては、微粒子の種類が異なっても同様の配列体を得ることができることがわかった。このような配列体は、実施例１に記載される磁気記録媒体のほか、反射防止膜、メモリ、触媒等様々な用途に展開可能である。
【０１２３】
実施例５
図７に、第１の実施形態に係る磁気記録媒体の製造工程の変形例を表す概略的な断面図を示す。
【０１２４】
ここでは、基板上に微粒子により構成される周期的パターンを形成する代わりに、基板上に設けられた加工用下地層上に微粒子により構成される周期的パターンを形成した後、加工用下地層をパターン加工して微粒子を除去する。
【０１２５】
まず、第１の溶媒としてトルエンを用意し、オレイルアミン保護基のついたＦｅ微粒子（粒径６ｎｍ）を０．１ｗｔ％分散させる。
【０１２６】
次に、第１の保護層として、カルボキシ基末端を持つポリスチレン（分子量２０００）を５ｗｔ％でトルエン溶媒に分散させ、Ｆｅ微粒子分散液と重量比で１：１で混合の後、アルゴン雰囲気下で１時間撹拌した。カルボキシ基とＦｅ微粒子の表面とを反応させて、第１の保護基とオレイルアミン保護基とを置換した。この反応により、Ｆｅ微粒子の外側２〜３ｎｍは酸化物となっていることをＴＥＭにて確認した。また、厚みが増えたことで粒子直径は１０ｎｍへと変化した。
【０１２７】
続いて、遠心分離（９０００ｒｐｍ、１０分）を行い、微粒子を沈殿させた後、元々の保護基であるオレイルアミンと、未反応のポリスチレンを上澄み液ごと除去した。この工程により、粒子は分散状態ではなく、第１の保護基（ポリスチレン保護基）に覆われたＦｅ微粒子のみの状態となった。
【０１２８】
その後、第１の保護基に覆われたＦｅ微粒子を、第２の溶媒としてＰＧＭＥＡを用いて再分散させ、第２の保護基として、５ｗｔ％で第２の溶媒（ＰＧＭＥＡ）に分散させたカルボキシ基末端ポリスチレンを、第１の保護基の１／１０量添加し、し、第１の保護基に覆われたＦｅ微粒子を第２の保護基で修飾させた。
【０１２９】
微粒子分散液を１ｗｔ％になるよう、ＰＧＭＥＡで希釈し濃度調整を行った。
【０１３０】
さらに、粘度調整剤として、Ｅ６ＴＡＰＡを微粒子の重量に対して１：１の割合で混合し、微粒子層塗布液を調製した。
【０１３１】
基板４０として、ガラス基板１上に、厚さ４０ｎｍの軟磁性層１１（ＣｏＺｒＮｂ）、厚さ５ｎｍの軟磁性層保護層（ＮｉＴａ）（図示せず）、及び厚さ３０ｎｍの凹凸加工用の下地層（Ｃ）１６が順に堆積された積層体を用意し、この基板上へＦｅ微粒子分散液を滴下し、回転数３０００ｒｐｍでスピンコートし、単層の微粒子層を形成した。
【０１３２】
ＳＥＭ観察の結果、粒子が単層で基板上へと配列し、周期的パターンを形成していることを確認した。
【０１３３】
図７（ａ）は、凹凸用下地層１６上に微粒子層７と保護層８により構成される周期的パターンが形成された様子を示す。
【０１３４】
図７（ｂ）に示すように、Ｆｅ微粒子７のパターンをドライエッチングによりＣ下地層１６へと転写する。
【０１３５】
この工程は、例えば、ＩＣＰ−ＲＩＥ装置により、プロセスガスとしてＯ２ガスを使用し、チャンバー圧を０．１Ｐａとし、コイルＲＦパワーおよびプラテンＲＦパワーをそれぞれ１００Ｗおよび１０Ｗとし、エッチング時間を２０秒として行われる。Ｆｅ微粒子はＯ２プラズマではほとんど削れないため、Ｆｅ微粒子が基板表面に露出した形となる。このエッチングにより微粒子の周囲の保護基と、下地のＣ層がエッチングされ、軟磁性層保護層が露出した段階で終了となる。
【０１３６】
続いて、図７（ｃ）に示すように、Ｆｅ微粒子７を溶解剥離し、Ｃピラー１６のみの構造とする。この工程は、例えば、基板を濃度１重量％のＨＣｌ水溶液に１０分間浸漬し、Ｆｅ微粒子７を選択的に溶解させることにより行われる。軟磁性層１１は、ＮｉＴａ保護膜により保護され、溶解することはない。
【０１３７】
その後、図７（ｄ）に示すように、スパッタにより、Ｃピラー１６の表面に磁気記録層３を堆積させる。まず、結晶配向制御のためのＲｕ層を１０ｎｍ、その後、Ｃｏ８０Ｐｔ２０を１５ｎｍ積層する。
【０１３８】
さらに、図７（ｅ）に示すように、ＣＶＤ（化学気相堆積）により、厚さ５ｎｍのＤＬＣからなる保護膜１４を形成し、潤滑剤を塗布することで実施形態によるパターンド媒体が得られる。
【０１３９】
上記のような方法によって作製したパターンド媒体の平面構造をＳＥＭによって観察したところ、ＣｏＰｔ粒径の分散が１０％であった。この結果から、本発明の微細パターンから、サイズ分散の低い磁気記録媒体が得られることが判った。
【０１４０】
作製した磁気記録媒体をドライブに搭載し、２００ＭＨｚの記録周波数で記録し波形を確認したところ、十分な振幅が得られ、磁気記録媒体として使用可能であることがわかった。
【０１４１】
この結果から、実施形態にかかる微細パターンから、サイズ分布が低く、面内均一性が良好な周期的パターンを有する磁気記録媒体が得られることが示された。
【０１４２】
実施例６
図８に、第２の実施形態にかかる磁気記録媒体を形成する工程を表す概略的な断面図を示す。
【０１４３】
以下のように、Ｆｅ微粒子から磁気記録層へ凹凸パターンを転写し、磁気記録媒体を作製した。
【０１４４】
まず、実施例１−１と同様の方法で微粒子層塗布液を基板上へ塗布し、単層の微粒子層を形成した。
【０１４５】
基板５０として、ガラス基板１上に、厚さ４０ｎｍの軟磁性層２（ＣｏＺｒＮｂ）、厚さ２０ｎｍの配向制御用中間層２（Ｒｕ）、厚さ１０ｎｍの磁気記録層３（Ｃｏ８０Ｐｔ２０）、厚さ２ｎｍの保護層４（Ｐｄ）、及び厚さ５ｎｍのリフトオフ層５（Ｍｏ）を積層した積層体を用意する。
【０１４６】
図８（ａ）は、リフトオフ層５上に微粒子層７と保護層８により構成される周期的パターンが形成された様子を示す。
【０１４７】
図８（ｂ）に示すように、ドライエッチングにより、Ｆｅの周囲の保護基をエッチングし、Ｆｅ微粒子をむき出しにした。この工程は、例えば、ＩＣＰ−ＲＩＥ装置により、プロセスガスとしてＯ２ガスを使用し、チャンバー圧を０．１Ｐａとし、コイルＲＦパワーおよびプラテンＲＦパワーをそれぞれ１００Ｗおよび１０Ｗとし、エッチング時間を１０秒として行われる。Ｆｅ微粒子はＯ２プラズマではほとんど削れないため、Ｆｅ微粒子が基板表面に露出した形となる。このエッチングは微粒子７の周囲の保護基及びハードマスク層６をエッチングし、リフトオフ層５の表面が露出した段階で終了となる。
【０１４８】
続いて、図８（ｃ）に示すように、イオンミリングにより、Ｆｅ微粒子７をマスクとして、リフトオフ層５および保護層８ごと磁気記録層３を分断する。たとえばＡｒイオンミリング装置により、プロセスガスとしてＡｒを使用し、チャンバー圧を０．０４Ｐａとし、プラズマパワー４００Ｗ、加速電圧４００Ｖとし、エッチング時間を２０秒として行われる。この工程により、Ｍｏ、Ｐｄ、ＣｏＰｔがミリングされ、ＣｏＰｔの記録層３が磁気的に分断された。この工程は、磁気記録層３をエッチングし、Ｒｕ中間層２の表面が出たところで終了となる。
【０１４９】
次に、図８（ｄ）に示すように、Ｆｅ微粒子を溶解剥離する。例えば、濃度０．１％の過酸化水素水中に基板を浸漬し、１０分間保持する。この工程により、Ｆｅ微粒子７はＭｏリフトオフ層５ごと溶解除去され、加工されたＣ下地層４が露出する。
【０１５０】
最後に、図８（ｅ）に示すように、ＣＶＤ（化学気相堆積）により第２の保護膜１４を形成し、図示しない潤滑剤を塗布することで第１の実施形態にかかるパターンド媒体が得られる。
【０１５１】
上記のような方法によって作製したパターンド媒体の平面構造をＳＥＭによって観察したところ、ＣｏＰｔ粒径の分散が１０％であった。
【０１５２】
作製した磁気記録媒体をドライブに搭載し、２００ＭＨｚの記録周波数で記録し波形を確認したところ、十分な振幅が得られ、磁気記録媒体として使用可能であることがわかった。
【０１５３】
この結果から、本発明の微細パターンから、サイズ分散の低い磁気記録媒体が得られることが判った。
【０１５４】
実施例７
図９に、第２の実施形態にかかる磁気記録媒体を形成する工程の他の例を表す概略的な断面図を示す。
【０１５５】
以下のように、Ｆｅ微粒子からハードマスク層を介して磁気記録層へ凹凸パターンを転写し、磁気記録媒体を作製した。
【０１５６】
まず、実施例１−１と同様の方法で微粒子層塗布液を基板上へ塗布し、単層の微粒子層を形成した。
【０１５７】
基板５０として、ガラス基板１上に、厚さ４０ｎｍの軟磁性層２（ＣｏＺｒＮｂ）、厚さ２０ｎｍの配向制御用中間層２（Ｒｕ）、厚さ１０ｎｍの磁気記録層３（Ｃｏ８０Ｐｔ２０）、厚さ２ｎｍの保護層４（Ｐｄ）、厚さ５ｎｍのリフトオフ層５（Ｍｏ）、及びハードマスク層６（Ｃ）を積層した積層体を用意する。
【０１５８】
図９（ａ）は、ハードマスク層６上に微粒子層７と微粒子層７の周囲に埋め込まれた保護基８により構成される規則的な配列パターンが形成された様子を示す。
【０１５９】
図９（ｂ）に示すように、ドライエッチングにより、Ｆｅ微粒子層７のパターンをＣハードマスク層６へと転写した。この工程は、例えば、ＩＣＰ−ＲＩＥ装置により、プロセスガスとしてＯ２ガスを使用し、チャンバー圧を０．１Ｐａとし、コイルＲＦパワーおよびプラテンＲＦパワーをそれぞれ１００Ｗおよび１０Ｗとし、エッチング時間を４０秒として行なった。Ｆｅ微粒子はＯ２プラズマではほとんど削れないため、１０ｎｍの高さのＣピラーの上に直径１０ｎｍのＦｅ微粒子が載っている状態のマスクとなった。
【０１６０】
次に、図９（ｃ）に示すように、イオンミリングにより、ハードマスク６（Ｃ）の形状を磁気記録層３へと転写する。ここでは、たとえばＡｒイオンミリング装置により、プロセスガスとしてＡｒを使用し、チャンバー圧を０．０４Ｐａとし、プラズマパワー４００Ｗ、加速電圧４００Ｖとし、エッチング時間を２０秒として行われる。この工程により、Ｍｏリフトオフ層５、Ｐｄ保護層４、ＣｏＰｔ磁気記録層３がエッチングされ、ＣｏＰｔ記録層３が磁気的に分断された。
【０１６１】
続いて、図９（ｄ）に示すように、Ｍｏからなるリフトオフ層５ごとハードマスク６を剥離する。この工程は、たとえば濃度０．１％の過酸化水素水へ媒体を浸漬し、１０分間保持することで行われる。
【０１６２】
最後に、図９（ｅ）に示すように、ＣＶＤ（化学気相堆積）により、厚さ５ｎｍのＤＬＣからなる第２の保護膜１４を形成し、潤滑剤を塗布することで第１の実施形態にかかるパターンド媒体１００が得られる。
【０１６３】
上記のような方法によって作製したパターンド媒体の平面構造をＳＥＭによって観察したところ、ＣｏＰｔ粒径の分散が１０％であった。
【０１６４】
作製した磁気記録媒体をドライブに搭載し、２００ＭＨｚの記録周波数で記録し波形を確認したところ、十分な振幅が得られ、磁気記録媒体として使用可能であることがわかった。
【０１６５】
この結果から、実施形態よって形成された微粒子層の周期的パターンから、磁性体粒子のサイズ分布が低く、面内均一性が良好な周期的パターンを有するパターンド磁気記録媒体が得られることが示された。
【０１６６】
実施例８
実施形態に係る方法で形成された微粒子配列基板を用い、カーボンナノチューブ（ＣＮＴ）の成長を行った。
【０１６７】
まず、実施例１−１と同様の方法で、Ｆｅ微粒子を基板上に配列した。ただし、基板としてガラス基板の代わりに、熱酸化膜のついたシリコン基板を用い、下地などの成膜は行わずに基板上へ直接微粒子を塗布した。
【０１６８】
この微粒子配列基板上へ、ＣＮＴの成長を行った。まず、微粒子の表面をむき出しにするため、Ｏ２ガスを用いたＲＩＥにより、微粒子表面の保護基およびポリスチレンを除去した。その後、メタンガスを用いたＣＶＤにより、微粒子表面へとＣＮＴを成長させた。断面ＴＥＭで観察したところ、確かにＦｅ微粒子上にＣＮＴが成長したことを確かめられた。
【０１６９】
本発明のいくつかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これら新規な実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これら実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれるとともに、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる。
【符号の説明】
【０１７０】
１…基板、２…中間層、３…磁気記録層、４…保護層、５…リフトオフ層、６…マスク層、７…微粒子、８…保護基、１１…軟磁性層、１２…保護層、１４…保護層、３０，４０，５０…基板、１００，１１０…磁気記録媒体
【図１】
2015210834.tif 000006
【図２】
2015210834.tif 000007
【図３】
2015210834.tif 000008
【図４】
2015210834.tif 000009
【図５】
2015210834.tif 000010
【図６】
2015210834.tif 000011
【図７】
2015210834.tif 000012
【図８】
2015210834.tif 000013
【図９】
2015210834.tif 000014