(57)【要約】【課題】センス線に供給される電流を大きくすることができる電気光学装置を、提供する。【解決手段】  電源ＥＬＶＤＤとＯＬＥＤ１０のアノードとの間には、ゲートにリセット電圧又は階調電圧が印加される駆動トランジスタ１１が電気的に接続されている。この駆動トランジスタのドレインとＯＬＥＤのアノードとの接続点には、基準電圧Ｖｒｅｆを選択的に供給する初期化トランジスタ１４のドレインが電気的に接続されているとともに、電源と電圧計とに電気的に接続されたセンシングトランジスタ１６のゲートが電気的に接続されている。【選択図】図２
2015043041.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
入力された階調データに基づく階調電圧に対応した駆動電流を発光素子に供給することにより、当該発光素子を前記階調データに対応した輝度で発光させる電気光学装置であって、
電源と前記発光素子の電極との間に電気的に接続され、前記階調電圧が選択的にゲートに印加され、前記階調電圧がゲートに印加された時には印加された階調電圧に対応した駆動電流を発光素子に供給する第１のトランジスタと、
前記電極にゲートが電気的に接続されているとともに、電圧計を含む回路にソース又はドレインが電気的に接続されている第２のトランジスタと、
前記第１のトランジスタのゲートに階調電圧を印加した状態で、前記電圧計の測定値を読み込み、当該測定値に基づき、以後、前記第１のトランジスタのゲートに印加する前記階調電圧を補正する制御回路と
を備えたことを特徴とする電気光学装置。
【請求項２】
前記発光素子の電極に選択的に基準電圧を印加する第３のトランジスタを更に備え、
前記制御回路は、前記電極に前記基準電圧を印加するように前記第３のトランジスタを制御した状態で、前記電圧計の測定値を第１測定値として読み込み、前記第１のトランジスタのゲートに階調電圧を印加するとともに、前記電極に前記基準電圧を印加しないように前記第３のトランジスタを制御した状態で、前記電圧計の測定値を第２測定値として読み込み、前記第１測定値と前記第２測定値との差分に基づき、以後、前記第１のトランジスタのゲートに印加する前記階調電圧を補正する
ことを特徴とする請求項１記載の電気光学装置。
【請求項３】
前記第１のトランジスタのゲートには、選択的にリセット電圧が印加され、
前記制御回路は、前記第１のトランジスタのゲートにリセット電圧を印加するとともに、前記電極に前記基準電圧を印加するように前記第３のトランジスタを制御した状態で、前記電圧計の測定値を第１測定値として読み込む
ことを特徴とする請求項２記載の電気光学装置。
【請求項４】
複数の発光素子を有し、発光素子毎に、前記第１及び第２のトランジスタを備える
ことを特徴とする請求項１記載の電気光学装置。
【請求項５】
前記リセット電圧、前記階調電圧、及び前記基準電圧は、共通のデータ線を通じて前記制御回路から供給されている
ことを特徴とする請求項３記載の電気光学装置。
【請求項６】
前記電圧計及び電源を含む回路は、前記データ線を通じて前記第２のトランジスタに電気的に接続されている
ことを特徴とする請求項５記載の電気光学装置。
【請求項７】
複数の発光素子毎に備えられた前記第１のトランジスタのゲートに前記制御回路からの前記階調電圧を供給するとともに、前記電圧計及び電源を含む回路に接続された共通のデータ線を備えるととももに、
前記発光素子毎に、前記制御回路によって制御されて前記データ線と前記第１のトランジスタのゲートとの間を断続させる第１走査トランジスタと、前記制御回路によって制御されて前記電圧計及び電源を含む回路を開閉させる第２走査トランジスタとを、更に備える
ことを特徴とする請求項４記載の電気光学装置。
【請求項８】
前記リセット電圧又は前記階調電圧を保持する容量が前記第１のトランジスタのゲートとソースとの間に電気的に接続されている
ことを特徴とする請求項３記載の電気光学装置。
【請求項９】
前記制御回路は、前記階調電圧をゲートに印加した時に前記第１のトランジスタが前記発光素子に供給する電流によって劣化前の前記発光素子の電極に生じた電圧を参照値とし、当該参照値と前記差分とのズレに従って、以後、前記第１のトランジスタのゲートに印加する前記階調電圧を補正する
ことを特徴とする請求項２記載の電気光学装置。
【請求項１０】
入力された階調データに基づく階調電圧に対応した駆動電流を発光素子に供給することにより、当該発光素子を前記階調データに対応した輝度で発光させる電気光学装置であって、
電源と前記発光素子の電極との間に電気的に接続され、前記階調電圧又はリセット電圧が選択的にゲートに印加され、前記階調電圧がゲートに印加された時には印加された階調電圧に対応した駆動電流を発光素子に供給し、前記リセット電圧がゲートに印加された時にはオフになる第１のトランジスタと、  
前記電極にゲートが電気的に接続されているとともに、電圧計及び電源を含む回路にソース又はドレインが電気的に接続されている第２のトランジスタと、
前記第１のトランジスタのゲートにリセット電圧を印加した状態で、前記電圧計の測定値を温度測定値として読み込み、前記第１のトランジスタのゲートに階調電圧を印加した状態で、前記電圧計の測定値を電圧測定値として読み込み、前記温度測定値に基づいて前記電圧測定値を補正し、当該電圧測定値に基づき、以後、前記第１のトランジスタのゲートに印加する前記階調電圧を補正する制御回路と
を備えたことを特徴とする電気光学装置。
【請求項１１】
前記発光素子の電極に選択的に基準電圧を印加する第３のトランジスタを更に備え、
前記制御回路は、前記第１のトランジスタのゲートにリセット電圧を印加した状態で、前記電圧計の測定値を第３測定値として読み込み、前記第１のトランジスタのゲートにリセット電圧を印加し且つ前記電極に前記基準電圧を印加するように前記第３のトランジスタを制御した状態で、前記電圧計の測定値を第１測定値として読み込み、前記第１のトランジスタのゲートに階調電圧を印加するとともに、前記電極に前記基準電圧を印加しないように前記第３のトランジスタを制御した状態で、前記電圧計の測定値を第２測定値として読み込み、前記第１測定値と前記第２測定値との差分を算出し、前記第３測定値に基づいて前記差分を補正し、当該差分に基づき、以後、前記第１のトランジスタのゲートに印加する前記階調電圧を補正する
ことを特徴とする請求項１０記載の電気光学装置。
【請求項１２】
前記制御回路は、前記階調電圧をゲートに印加した時に前記第１のトランジスタが前記発光素子に供給する電流によって劣化前の前記発光素子の電極に生じた電圧を前記第３測定値に基づいてシフトした値を参照値とし、当該参照値と前記差分とのズレに従って、以後、前記第１のトランジスタのゲートに印加する前記階調電圧を補正する
ことを特徴とする請求項１１記載の電気光学装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電流により発光する電流発光素子を用いた電気光学装置を駆動する電気光学装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、供給される電流に応じた強度で発光する有機ＥＬ素子（Organic Electroluminescence Light Emitting Diode：ＯＬＥＤ）からなる電気光学装置が開発されている。このような電気光学装置は、ＯＬＥＤに供給される電流量を画像信号中の階調データに基づいて各画素の各色用のＯＬＥＤごとに供給される電流の大きさを制御することによって、フルカラー画像を表示するが、発光層が有機化合物から生成されているために、経時劣化の程度が通常のシリコン半導体からなる発光素子よりも大きく、経時劣化に起因して各ＯＬＥＤの電流−輝度特性が変化して原画像の再現性を損なってしまう問題がある。即ち、経時劣化を生じると、各ＯＬＥＤは同じ電流値によってより明るく発光するようになるが、各ＯＬＥＤに発生する経時劣化には様々な要因によるバラツキがあるので、原画像の再現性が大きく損なわれてしまうのである。かかる電流−輝度特性の変化に起因する画像再現性の悪化は、理論上、各ＯＬＥＤの輝度に基づいて、画像信号から電流値への変換係数を調整することによって補償可能である。
【０００３】
しかしながら、各ＯＬＥＤの輝度値の変化を直接測定することは、事実上困難である。
【０００４】
そこで、各ＯＬＥＤに供給される電流値が既知であること、及び、ＯＬＥＤの経時劣化が生じた場合にはＯＬＥＤの電圧−電流特性も変動し、両者の間には一定の相関が存在することを利用し、各ＯＬＥＤのアノード電圧を測定し、測定したアノード電圧に基づいて経時劣化に起因する電流輝度特性の変化を予測し、予測した電流輝度特性に基づいて上記変換係数の調整することが、従来提案されている（例えば、特許文献１，２，３）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特許４５９３８６８号公報
【特許文献２】特許４８７７２６１号公報
【特許文献３】特許４５３００１７号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
上記特許文献１〜３に記載された技術においては、各ＯＬＥＤのアノード端子とアースとの間に並列接続された電圧計によって、各ＯＬＥＤのアノード端子の電圧が直接測定されていた。
【０００７】
しかしながら、個々のＯＬＥＤに供給される電流値はそもそも小さいので、かかる電圧の測定方法には問題がある。すなわち、ＯＬＥＤに並列接続された電圧計の端子電圧がＯＬＥＤのアノード端子と同電圧となるのは、両者を繋ぐ配線（センス線）に発生した寄生容量が飽和した時点以後であるので、ＯＬＥＤに供給される電流の一部がセンス線に分岐されて当該センス線の寄生容量を充電し終わらなければ、電圧計は、ＯＬＥＤのアノード端子の電圧を測定することができない。しかし、ＯＬＥＤに供給される電流値は最大輝度表示時においても数μＡ以下であるので、センス線に分岐する電流も小さくならざるを得ず、よって、センス線の寄生容量の充放電に時間が掛かっていた。そのため、従来の技術によると、レスポンスの良い電圧測定ができないので、上記変換係数の調整による画像再現性の補償をレスポンス良く行うことができないのである。
【０００８】
また、上述したように、センス線に供給される電流が元々小さいと、センス線の電位がノイズによる影響を受けやすくなるため、パネル外部やパネル内部からのノイズによりセンス線の電圧が変動して十分な測定精度が得られないという問題も生じる。
以上のような電流が小さいことに起因する問題は、パネルのサイズが大型になればなるほどセンス線が長くなるので、顕著になる。また、より正確な電流−輝度特性の変化予測を行うには複数通りの輝度での測定が必要になるが、低階調になればなるほどＯＬＥＤへの供給電流値が小さくなるので、電流が小さいことに起因する問題が顕著になる。
【０００９】
なお、輝度が小さい場合に上記問題が顕著となることを回避するためには低輝度の画像信号が入り込み得る通常画像ではなく、低輝度の画像信号を含まないセンシング専用の画像を用意しておくことも考えられる。しかし、その場合には、通常画像を表示している間にセンシング専用画像を表示させることはできないので、各ＯＬＥＤのアノード電圧の測定は、ディスプレイパネルの起動時及びシャットダウン時に限られてしまう。
【００１０】
そこで、本発明の目的は、センス線を介して電圧計に供給される電流を大きくすることができ、その結果、パネルサイズや輝度如何に依らず、センス線を充電する為に各発光素子の電極の電圧の正確な測定ができない時間を極力短くすることができ、通常画像表示中であっても各発光素子の電極の電圧の測定が可能になる電気光学装置の提供を、課題とする。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
本発明による電気光学装置は、入力された階調データに基づく階調電圧に対応した駆動電流を発光素子に供給することにより、当該発光素子を前記階調データに対応した輝度で発光させる電気光学装置であって、電源と前記発光素子の電極との間に電気的に接続され、前記階調電圧が選択的にゲートに印加され、前記階調電圧がゲートに印加された時には印加された階調電圧に対応した駆動電流を発光素子に供給する第１のトランジスタと、前記電極にゲートが電気的に接続されているとともに、電圧計を含む回路にソース又はドレインが電気的に接続されている第２のトランジスタと、前記第１のトランジスタのゲートに階調電圧を印加した状態で、前記電圧計の測定値を読み込み、当該測定値に基づき、以後、前記第１のトランジスタのゲートに印加する前記階調電圧を補正する制御回路とを、備えたことを特徴とする。
【発明の効果】
【００１２】
本発明によれば、センス線に流れる電流を、発光素子の電極にゲートが電気的に接続された第２のトランジスタによって制御するので、センス線に供給される電流を大きくすることができる。そのため、本発明によると、パネルサイズや輝度如何に依らず、センス線を充電する為に各発光素子の電極の電圧を正確に測定できない時間を極力短くすることができ、通常画像表示中であっても各発光素子の電極の電圧を測定することが可能になる。なお、電気的に接続されているとは、素子同士が直接接続されるか、別の素子（トランジスタ、ダイオードなど）を介して接続されていることを意味する。
【図面の簡単な説明】
【００１３】
【図１】第１実施形態の概略回路構成を示すブロック図
【図２】画素回路を構成する個々のＯＬＥＤ毎の駆動回路の詳細回路図
【図３】電圧検出部の詳細回路図
【図４】制御回路の処理内容を示すフローチャート
【図５】制御回路の処理内容を示すフローチャート
【図６】制御回路によって駆動回路に印加される信号の推移を示すタイミングチャート
【図７】Ｓ００１での駆動回路の状態を示す回路図
【図８】Ｓ００２での駆動回路の状態を示す回路図
【図９】Ｓ００３での駆動回路の状態を示す回路図
【図１０】Ｓ００４での駆動回路の状態を示す回路図
【図１１】Ｓ００５での駆動回路の状態を示す回路図
【図１２】Ｓ００６での駆動回路の状態を示す回路図
【図１３】Ｓ００６での駆動回路の状態を示す回路図
【図１４】Ｓ００７での駆動回路の状態を示す回路図
【図１５】Ｓ００８での駆動回路の状態を示す回路図
【図１６】ＯＬＥＤの電流−電圧特性と電流−輝度特性との相関を示すグラフ
【図１７】電圧検出部の変形例を示す詳細回路図
【図１８】ＯＬＥＤの温度依存性を示すグラフ
【図１９】第２実施形態の目的を説明するためのグラフ
【図２０】制御回路の処理内容を示すフローチャート
【図２１】制御回路の処理内容を示すフローチャート
【図２２】制御回路の処理内容を示すフローチャート
【図２３】Ｓ１０４での駆動回路の状態を示す回路図
【図２４】第２実施形態の動作を説明するためのグラフ
【図２５】第３実施形態の画素回路を構成する個々のＯＬＥＤ毎の駆動回路の詳細回路図
【図２６】第４実施形態の画素回路を構成する個々のＯＬＥＤ毎の駆動回路の詳細回路図
【発明を実施するための形態】
【００１４】
以下、本発明の実施形態に係る電気光学装置について、図面を参照しながら詳細に説明する。なお、以下に示す実施形態は本発明の実施形態の一例であって、本発明はこれらの実施形態に限定されるものではない。
【００１５】
（第１実施形態）
本発明の第１実施形態に係る電気光学装置について、図面を参照しながら詳細に説明する。
【００１６】
図１は、本発明の第１実施形態による電気光学装置の構成を示すブロック図であり、図２は、各画素回路１の具体的回路構成を示す回路図である。
【００１７】
電気光学装置は、ディスプレイパネルを構成する各画素毎に、３個一組のＯＬＥＤ（フルカラーを表現するために、夫々に設定された階調で各原色（赤、緑及び青）を夫々発光する３個一組のＯＬＥＤ）１０を備えている。図１では、各ＯＬＥＤ１０用の駆動回路の集合が、「画素回路」１と称されている。なお、画素回路１では、各画素を構成する多数のＯＬＥＤ１０の駆動回路がマトリクス状に配置されてディスプレイパネルを構成しており、図２に示すように、列方向に並ぶ複数のＯＬＥＤ１０の駆動回路に共通のデータ線Ｄが接続され、行方向に並ぶ複数のＯＬＥＤ１０の駆動回路には、共通の第１走査線Ｓ１、共通の第２走査線Ｓ２、共通の補償トランジスタ駆動線Ｃ、共通の初期化トランジスタ駆動線Ｎ、共通の発光スイッチ駆動線Ｅが接続され、さらに、全ＯＬＥＤ１０の駆動回路に第１電源線Ｐ及び第２電源線Ｗが接続されている。なお、上述した第１電源線Ｐには、図示せぬ電源回路から、アース電位に比較して十分に高い一定電圧（ＥＬＶＤＤ）の電源が供給されており、第２電源線Ｗはアース電位よりも十分に低い電圧（ＶＳＳ）の電源に接続されている。また、各ＯＬＥＤ１０のカソードは、アースに接続されている。
【００１８】
そして、図１に示すように、本第１実施形態による電気光学装置は、かかる画素回路１及び制御回路２から、構成されている。
【００１９】
制御回路２は、外部から供給された各原色ごとの階調データからなる画像信号の入力を受けて、各ＯＬＥＤ１０の輝度を設定するための階調電圧を上述するデータ線Ｄに供給するとともに、スキャン信号を上述した第１走査線Ｓ１及び第２走査線Ｓ２に供給する回路である。具体的には、制御回路２は、記憶媒体３に格納されたファームウェアに従って動作するプロセッサ（コンピュータ）を有し、当該ファームウェアに従って動作することにより、その内部に、当該制御回路２におけるプロセッサ以外のハードウェアと協調することにより、階調データ補正演算部２１、階調電圧生成部２２、基準電圧供給回路２３、電圧検出部２４及びスキャン信号生成部２５の各機能を、生じさせる。
【００２０】
基準電圧供給回路２３は、上述した各データ線Ｄに、夫々、そのデータ線Ｄに接続されたＯＬＥＤ１０の駆動回路をリセットするためのリセット電圧（Ｖｏｆｆ、但し、Ｖｏｆｆ≧ＥＬＶＤＤ）及び電圧測定用の基準電圧（Ｖｒｅｆ、但し、Ｖｔｈ＿ｅｌ＞Ｖｒｅｆ≧ＥＬＶＤＤ（Ｖｔｈ＿ｅｌはＯＬＥＤの発光閾値電圧））を供給する。
【００２１】
また、階調電圧生成部２２は、各画素の各原色毎の階調データに基づいて各ＯＬＥＤ１０に設定すべき階調電圧を生成して後述するように階調データ補正演算部２１によって補正するとともに、ＯＬＥＤ１０の列毎に、生成した階調電圧（Ｖｄａｔａ）を、第１行のＯＬＥＤ１０用のものから順次、対応するデータ線Ｄに供給する。
【００２２】
また、スキャン信号生成部２５は、階調電圧生成部２２から各データ線Ｄに順次供給される階調電圧（Ｖｄａｔａ）が設定されるべきＯＬＥＤ１０の駆動回路を指定する第１スキャン信号（Ｓｃａｎ１）を、第１走査線Ｓ１に供給する。また、スキャン信号生成部２５は、電圧測定が行われるべきＯＬＥＤ１０の行を指定する第２スキャン信号（Ｓｃａｎ２）を、第２走査線Ｓ２に供給する。さらに、スキャン信号生成部２５は、各補償トランジスタ駆動線Ｃに補償トランジスタ駆動信号（ＧＣＯＭ）を、各初期化トランジスタ駆動線Ｎに初期化トランジスタ駆動信号（ＧＩＮＴ）を、各発光スイッチ駆動線Ｅに発光スイッチ駆動信号（ＥＭ）を、それぞれ供給する。
【００２３】
また、電圧検出部２４は、各データ線Ｄを通じて、第２スキャン信号によって指定された行のＯＬＥＤ１０のアノード電圧を測定する。ここで、電圧検出部２４は、図２及び図３に示すように配線された電圧計２４１から、測定されたアノード電圧を読み込む。すなわち、各データ線Ｄは、図２に示すように分岐しており、階調電圧生成部２２用の出力端子及び基準電圧供給回路２３用の出力端子と、電圧検出回路２４用の電圧計２４１とを並列接続している。さらに、電圧計２４１は、定電流原２４２と並列接続されている。
【００２４】
また、階調データ補正演算部２１は、各ＯＬＥＤ１０毎に、電圧検出部２４によって測定された基準電圧印加時のアノード電圧及び階調電圧印加時のアノード電圧に基づいて経年劣化の程度（当該階調電圧印加時におけるＯＬＥＤ１０の発光輝度の階調データからのズレ）を予測し、予測した経年劣化の程度に応じて、上記ズレを補償するように階調データを補正（フィードバック）して、階調電圧生成部２２に伝達する。
【００２５】
次に、図２を参照して、個々のＯＬＥＤ１０の駆動回路の回路構成を説明する。電源線ＰとＯＬＥＤ１０のアノードとの間には、順番に、駆動トランジスタ１１（第１のトランジスタに相当）及び発光スイッチトランジスタ１２が直列接続されている。そして、発光スイッチトランジスタ１２のゲートには、発光スイッチ駆動線Ｅが電気的に接続されている。また、駆動トランジスタ１１のゲートとドレインとの間には、補償トランジスタ１３が電気的に接続されており、この補償トランジスタ１３のゲートは、補償トランジスタ駆動線Ｃに電気的に接続されている。また、駆動トランジスタ１１のドレインと発光スイッチトランジスタ１２のソースとの接続点と、データ線Ｄとの間には、初期化トランジスタ１４（第３のトランジスタに相当）が電気的に接続されており、この初期化トランジスタ１４のゲートは、初期化トランジスタ駆動線Ｎに電気的に接続されている。また、駆動トランジスタ１１のソースとゲートとの間には、ゲート側から順に、第１容量３１及び第２容量３２が直列接続されている。そして、両容量３１，３２の接続点とデータ線Ｄとの間に第１走査トランジスタ１５が電気的に接続されており、この第１走査トランジスタ１５のゲートが第１走査線Ｓ１に電気的に接続されている。
【００２６】
また、データ線Ｄと第２電源線Ｗとの間には、データ線Ｄ側から順番に、センシングトランジスタ１６及び第２走査トランジスタ１７が電気的に接続されている。そして、センシングトランジスタ１６（第２のトランジスタに相当）のゲートはＯＬＥＤ１０のアノードに電気的に接続されており、第２走査トランジスタ１７ゲートは第２走査線Ｓ２に電気的に接続されている。
【００２７】
なお、駆動回路を構成する各トランジスタ１１〜１７は、いずれも、Ｐチャネル型ＭＯＳＦＥＴである。
【００２８】
次に、図４及び図５のフローチャート、図６のタイミングチャート、図７乃至図１５の回路図を用いて、制御回路２による各ＯＬＥＤ１０の駆動回路に対する制御内容を、説明する。
【００２９】
図４及び図５のフローチャートに示す処理は、例えば、電気光学装置のディスプレイパネルに１フレームの画像を表示する毎に実行されても良いし、ディスプレイパネルの起動時またはシャットダウン時にのみ実行されても良い。前者の場合、図４及び図５のフローチャートに示す処理が、ディスプレイパネルに１フレームの画像を表示する毎に、ＯＬＥＤ１０の全ての行に対して実行されても良いし、ＯＬＥＤ１０の特定行に対してのみ実行されるが実行対象行が１行ずつシフトするように構成されても良い。
【００３０】
いずれの場合においても、処理がスタートして最初のＳ００１において、制御回路２は、第１スキャン信号（Ｓｃａｎ１）の電位をＬ（第１走査トランジスタ１５＝ＯＮ）、補償トランジスタ駆動信号（ＧＣＯＭ）の電位をＬ（補償トランジスタ１３＝ＯＮ）、初期化トランジスタ駆動信号（ＧＩＮＴ）の電位をＬ（初期化トランジスタ１４＝ＯＮ）、発光スイッチ駆動信号（ＥＭ）の電位をＨ（発光スイッチトランジスタ１２＝ＯＦＦ）、第２スキャン信号（Ｓｃａｎ２）の電位をＨ（第２走査トランジスタ１７＝ＯＦＦ）とした状態で、全てのデータ線Ｄにリセット電圧（Ｖｏｆｆ）を印加することにより、全ＯＬＥＤ１０の駆動回路の駆動トランジスタ１１を、夫々ＯＦＦにする（図７参照）。これは、次のステップＳ００２（図８）において、ＥＬＶＤＤの電源と基準電圧Ｖｒｅｆの電源とがショートしないようにするためである。
【００３１】
次のＳ００２では、制御回路２は、第１スキャン信号（Ｓｃａｎ１）の電位をＨ（第１走査トランジスタ１５＝ＯＦＦ）、補償トランジスタ駆動信号（ＧＣＯＭ）の電位をＨ（補償トランジスタ１３＝ＯＦＦ）、発光スイッチ駆動信号（ＥＭ）の電位をＬ（発光スイッチトランジスタ１２＝ＯＮ）、全てのデータ線Ｄの電位を基準電圧Ｖｒｅｆに切り替えることにより、第２容量３２にリセット電圧（Ｖｏｆｆ）を保持させることによって駆動トランジスタ１１をＯＦＦのままに維持するとともに、実行対象行の全ＯＬＥＤ１０のアノードに基準電圧（Ｖｒｅｆ）を印加する（図８参照）。上述した基準電圧Ｖｒｅｆの条件から、この時点ではＯＬＥＤ１０は発光しない。
【００３２】
次のＳ００３では、制御回路２は、初期化トランジスタ駆動信号（ＧＩＮＴ）の電位をＨ（初期化トランジスタ１４＝ＯＦＦ）、発光スイッチ駆動信号（ＥＭ）の電位をＨ（発光スイッチトランジスタ１２＝ＯＦＦ）、第２スキャン信号（Ｓｃａｎ２）の電位をＬ（第２走査トランジスタ１７＝ＯＮ）に切り替えるとともに、全てのデータ線Ｄから基準電圧（Ｖｒｅｆ）を切り離して、各データ線Ｄに、それぞれ電圧供給回路２３を接続することにより、実行対象行の全ＯＬＥＤ１０の内部容量に基準電圧（Ｖｒｅｆ）保持させる（図９）。すると、センシングトランジスタ１６及び第２走査トランジスタを通じて、定電流源２４２からＶＳＳの電源へ電流が流れるが、センシングトランジスタ１６のゲートに印加された基準電圧（Ｖｒｅｆ）に対応したソース−ドレイン間のインピーダンスに拘わらず電流値Ｉは一定になるので、電圧計２４１が計測する電圧値Ｖｓｅｎｓｅは、下記式（１）に示す通りとなる。
【数１】
2015043041.tif 000003
ただし、ここでのＶｔｈはセンシングトランジスタ１６のゲート−ソース間電圧の閾値であり、Ｉは定電流源２４２の電流値であり、βはセンシングトランジスタ１６の特性を表す係数である。この電圧値Ｖｓｅｎｓｅが、第１測定値に相当する。  
【００３３】
次のＳ００４では、制御回路２は、第１スキャン信号（Ｓｃａｎ１）の電位をＬ（第１走査トランジスタ１５＝ＯＮ）、第２スキャン信号（Ｓｃａｎ２）の電位をＨ（第２走査トランジスタ１７＝ＯＦＦ）に切り替え、全てのデータ線Ｄに基準電圧（Ｖｒｅｆ）を印加することにより、実行対象行の全ＯＬＥＤ１０の駆動回路の駆動トランジスタ１１の初期化を行う（図１０）。これは、次のステップＳ００５（図１１）において、駆動トランジスタ１１のＶｔｈ補償を行うために、駆動トランジスタ１１のゲート−ソース間電圧（Ｖｇｓ）を十分低い値にして駆動トランジスタ１１をＯＮにするためである。その結果、第２容量３２に保持された電圧は基準電圧（Ｖｒｅｆ）となり、駆動トランジスタ１１のゲートには基準電圧（Ｖｒｅｆ）が印加されて、駆動トランジスタ１１がＯＮとなる。
【００３４】
次のＳ００５では、制御回路２は、補償トランジスタ駆動信号（ＧＣＯＭ）の電位をＬ（補償トランジスタ１３＝ＯＮ）に切り替え、第１電源線Ｐから駆動トランジスタ１１及び補償トランジスタ１３を通る電流を生じさせる（図１１参照）。その結果、実行対象行の全ＯＬＥＤ１０の駆動回路の駆動トランジスタ１１のゲート電圧が、基準電圧（Ｖｒｅｆ）から徐々に上昇し、ＥＬＶＤＤ−Ｖｔｈ（ただし、ここでのＶｔｈは駆動トランジスタ１１のゲート−ソース間電圧の閾値）に収束して、第１容量３１に保持される。すなわち、駆動トランジスタ１１がダイオード接続になり、Ｖｔｈがプログラムされる。
【００３５】
次のＳ００６では、制御回路２は、補償トランジスタ駆動信号（ＧＣＯＭ）の電位をＨ（補償トランジスタ１３＝ＯＦＦ）に切り替え、最初に第１行目以外の第１スキャン信号（Ｓｃａｎ１〜ｎ）をＨ（第１走査トランジスタ１５＝ＯＦＦ）に切り替えるとともに（図１２参照）、第１行のＯＬＥＤ１０用の階調電圧（Ｖｄａｔａ）を、データ線Ｄに印加する（図１３参照）。その後、第１スキャン信号（Ｓｃａｎ１〜ｎ）をＬ（第１走査トランジスタ１５＝ＯＮ）とする行を一行ずつシフトしていくとともに、これに同期して、データ線Ｄに、各行のＯＬＥＤ１０用の階調電圧（Ｖｄａｔａ）を順次印加していく。図１３に示すように、第１スキャン信号（Ｓｃａｎ１〜ｎ）をＬ（第１走査トランジスタ１５＝ＯＮ）に切り替えた行におけるＯＬＥＤ１０の駆動回路では、データ線Ｄを通じて第１容量３１及び第２容量３２の接続点に階調電圧（Ｖｄａｔａ）が印加され、当該接続点の電位がＶｒｅｆからＶｄａｔａへ上昇する。すると、第１容量３１を通じた容量カップリングにより、駆動トランジスタ１１のゲート電圧は、上記接続点の電位の上昇分（Ｖｄａｔａ−Ｖｒｅｆ）だけシフトして、ＥＬＶＤＤ−Ｖｔｈ＋Ｖｄａｔａ−Ｖｒｅｆとなる。その結果、駆動トランジスタ１１のゲート−ソース間電圧（Ｖｇｓ）は、Ｖｇｓ＝Ｖｄａｔａ−Ｖｒｅｆ−Ｖｔｈとなる。図１２に示すように、階調電圧がプログラミングされた後に第１スキャン信号（Ｓｃａｎ１〜ｎ）がＨ（第１走査トランジスタ１５＝ＯＦＦ）に切り替えられた行におけるＯＬＥＤ１０の駆動回路では、第１走査トランジスタ１５がＯＦＦになって、第１容量３１及び第２容量３２の接続点がフローティングになるので、上記Ｖｇｓが保持され、これにより、階調電圧のプログラミングが完了する。なお、階調電圧の値は、制御回路２に入力された階調データの輝度値に対して所定の変換係数を乗じ、更に、階調補正関数を実行して得られた値である。但し、図４の処理が最初に実行される時点では、階調補正関数の係数は「１」であるので、階調電圧の補正は行われない。また、起動時又はシャットダウン時に当該図４及び図５の処理が実行される場合には、外部から制御回路２に入力される階調データが存在しないので、所定の輝度値を有する階調データ（Ｖｏｌｅｄ測定用データ）に基づいて、階調電圧が算出される。そして、Ｓ００６の完了時点では、全てのデータ線Ｄが諧調電圧生成部２２の端子から切り離されている。
【００３６】
次のＳ００７では、制御回路２は、全ての行の発光スイッチ駆動信号（ＥＭ）の電位をＬ（発光スイッチトランジスタ１２＝ＯＮ）に切り替え、全てのＯＬＥＤ１０に、それぞれに対応した駆動回路の駆動トランジスタ１１に、プログラミングした階調電圧（Ｖｇｓ＝Ｖｄａｔａ−Ｖｒｅｆ−Ｖｔｈ）に比例した電流を供給する（図１４）。すると、各ＯＬＥＤ１０は、夫々の電流−輝度特性に応じて、夫々に供給された電流の値に対応した輝度にて発光する。このときの各ＯＬＥＤ１０のアノードの電圧が、測定対象電圧（Ｖｏｌｅｄ）である。
【００３７】
次のＳ００８では、制御回路２は、第２スキャン信号（Ｓｃａｎ２）の電位をＬ（第２走査トランジスタ１７＝ＯＮ）に切り替える（図１５）。すると、センシングトランジスタ１６及び第２走査トランジスタを通じて、定電流源２４２からＶＳＳの電源へ電流が流れるが、センシングトランジスタ１６のゲートに印加された測定対象電圧（Ｖｏｌｅｄ）に対応したソース−ドレイン間のインピーダンスに拘わらず電流値Ｉは一定になるので、電圧計２４１が計測する電圧値Ｖｓｅｎｓｅ’は、下記式（２）に示す通りとなる。
【数２】
2015043041.tif 000004
ただし、式（２）における各定数の意味は、上述した式（１）と全く同じである。この電圧値Ｖｓｅｎｓｅ’が、第２測定値に相当する。
【００３８】
次のＳ００９では、制御回路２は、第１スキャン信号（Ｓｃａｎ１）の電位をＬ（第１走査トランジスタ１５＝ＯＮ）、補償トランジスタ駆動信号（ＧＣＯＭ）の電位をＬ（補償トランジスタ１３＝ＯＮ）、初期化トランジスタ駆動信号（ＧＩＮＴ）の電位をＬ（初期化トランジスタ１４＝ＯＮ）、発光スイッチ駆動信号（ＥＭ）の電位をＨ（発光スイッチトランジスタ１２＝ＯＦＦ）、第２スキャン信号（Ｓｃａｎ２）の電位をＨ（第２走査トランジスタ１７＝ＯＦＦ）に切り替え、全てのデータ線Ｄにリセット電圧（Ｖｏｆｆ）を印加することにより、全ＯＬＥＤ１０の発光を終了する（図７参照）。
【００３９】
次のＳ０１０では、制御回路２は、下記式（３）に示すように、Ｓ００８にて計測したＶｓｅｎｓｅ’からＳ００３にて計測したＶｓｅｎｓｅを減じ、更に、既知のＶｒｅｆを加算することにより、Ｖｏｌｅｄを算出する。
Ｖｏｌｅｄ＝Ｖｓｅｎｓｅ’−Ｖｓｅｎｓｅ＋Ｖｒｅｆ
……（３）
【００４０】
次のＳ０１１では、制御回路２は、Ｓ０１０にて算出したＶｏｌｅｄを、出荷時に算出した上記Ｖｇｓ（＝Ｖｄａｔａ−Ｖｒｅｆ−Ｖｔｈ）に対応する電流（Ｉｏｌｅｄ１）でのＶｏｌｅｄ（参照値）と比較して、両者の差分ΔＶを算出する。なお、図４及び図５の処理が最初に実行された時点では、経時劣化は無いので、ΔＶ＝０となる道理である。
【００４１】
次のＳ０１２では、制御回路２は、ΔＶに対応する劣化後の電流−輝度特性を決定する。ここで、ＯＬＥＤ１０の経時劣化に起因する電圧−電流特性の変化と電流−輝度特性の変化との間には、相関がある。すなわち、電圧−電流特性曲線が、電圧軸における電圧が高くなる側へシフトするとともに、電流−輝度特性直線が、輝度が大きくなる方向へ傾く。そして、前者におけるシフト量と後者における傾斜角の変化量との間には、数式によって表現可能な相関が存在する。そのため、制御回路２は、ΔＶに基づいて、劣化後における電流−輝度特性直線の、劣化前の傾斜角からの変化量を算出することができるのである。例えば、図１６（ｂ）に示す実線が劣化前の電圧−電流特性曲線であるとし、経時劣化により、電圧−電流特性曲線が点線で示す位置までシフトしたとする。このとき、所定の階調データに対して階調補正を行うことなく算出された階調電圧（Ｖｇｓ＝Ｖｄａｔａ−Ｖｒｅｆ−Ｖｔｈ）が駆動トランジスタ１１のゲートに印加され、これに応じて当該駆動トランジスタ１１が電流Ｉｏｌｅｄ１をＯＬＥＤ１０に供給するならば、算出されるＶｏｌｅｄは、劣化前においてはＶｏｌｅｄ１（参照値）であり、劣化後においてはＶｏｌｅｄ２となる。つまり、ΔＶ＝Ｖｏｌｅｄ２−Ｖｏｌｅｄ１となり、電圧−電流特性曲線のシフト量を示す。一方、図１６（ａ）に示す実線が劣化前の電流−輝度特性直線であるとし、経時劣化により、電流−輝度特性直線が点線で示す角度まで傾くとする。このとき、電流Ｉｏｌｅｄ１が供給されたＯＬＥＤ１０の輝度は、劣化前においてはＬ１であり、劣化後においてはＬ２となる。従って、劣化後において、電流Ｉｏｌｅｄ２をＯＬＥＤ１０に供給すれば、ＯＬＥＤ１０は、階調データに対応した本来の輝度で発光することができるようになる。そこで、制御回路２は、ΔＶに対応する劣化後の電流−輝度特性直線と、階調データが示す本来の輝度とから、駆動トランジスタに供給すべき電流の値Ｉｏｌｅｄ２を決定できるようになるのである。
【００４２】
そこで、次のＳ０１３において、制御回路２は、劣化前後における電流−輝度特性の傾斜の差に基づいて、Ｉｏｌｅｄの補正関係を決定する。この補正関係は、ＯＬＥＤの劣化が電流−輝度特性の傾斜の差に表れることから、比率によって表現することができる。
【００４３】
次のＳ０１４では、制御回路２は、Ｓ０１３にて決定された補正関係に基づいて、上述した階調補正関数を決定する。
【００４４】
次のＳ０１５では、制御回路２は、次のフレームの階調データ（図４及び図５の処理が起動時にのみ実行される場合には、以後において入力される階調データの全て）に対して、上述した変換係数による階調電圧への変換及びＳ０１４にて決定した階調補正関数に基づく補正を実行する。なお、実行対象行が一行ずつである場合には、実行対象行に対しては今回の図４及び図５の処理中のＳ０１４にて決定した階調補正関数に基づいて階調電圧の補正を行い、実行対象行以外の行に対しては、過去に実行した図４及び図５の処理中のＳ０１４にて決定した階調補正関数があれば、図示せぬメモリに記憶されている当該階調補正関数に基づいて階調電圧の補正を行うが、なければ補正を行わない。Ｓ０１５の完了後、制御回路２は、図４及び図５の処理全体を終了する。
【００４５】
以上のように構成された本第１実施形態によれば、ＯＬＥＤ１０のアノードから分岐した配線はセンシングトランジスタ１６のゲートに電気的に接続されているので、この配線への充電に要する時間は問題とならない。また、電源検出部２４の電圧計２３１に供給される電流は、定電流源２４２によって供給されるので、ＯＬＥＤ１０に供給される電流よりも格段に大きくすることができる。従って、電圧計２４１に繋がるセンス線は即座に充電される為に電圧測定が短時間で済むとともに、ノイズに起因して測定電圧が変動することがない。
＜変形例＞
【００４６】
上述した本第１実施形態において、電圧検出部２４の構成を、図１７に示すように、定電流源２４２を省いたものとしても良い。ただし、この場合には、ＶｓｓをＶｒｅｆに比較して十分に低くしておく必要がある。その結果、Ｓ００３（図９）にて測定さされるＶｓｅｎｃｅは下記式（４）に示す通りとなり、Ｓ００８（図１５）にて測定されるＶｓｅｎｃｅ’は下記式（５）に示す通りとなる。
Ｖｓｅｎｓｅ＝Ｖｒｅｆ＋Ｖｔｈ
……（４）
Ｖｓｅｎｓｅ’＝Ｖｏｌｅｄ＋Ｖｔｈ
……（５）
これら式（４）及び（５）に示すように、Ｖｓｅｎｓｅ及びＶｓｅｎｓｅ’には、√（２Ｉ／β）の要素が含まれない。もっとも、Ｓ０１０にて式（３）を実行することにより、Ｉ及びβとは無関係に、Ｖｏｌｅｄを算出することができることには変わりがない。
（実施形態２）
【００４７】
次に、図１８〜図２４を参照して、本発明の第２実施形態を説明する。本第２実施形態は、ＯＬＥＤの経時劣化に起因する階調電圧の補正をするに当たり、ＯＬＥＤの温度上昇に起因する特性の変化を加味して、経時劣化に起因する電流−電圧特性の変化量を求めることを、特徴としている。
【００４８】
図１８に示すように、ＯＬＥＤ１０の電流−電圧特性には温度依存性があり、常温よりも低温であると電圧軸に沿って高電圧側にシフトし、常温よりも高温であると低電圧側にシフトすることが、知られている。そして、ＯＬＥＤ１０は、自己発熱や駆動トランジスタ１１の発熱によって熱を帯びるので、温度に起因する電流−電圧特性の変化の影響を受け易い。そのため、ＯＬＥＤ１０のアノード電圧の変化には、経年劣化に起因する成分と温度変化に起因する成分とが混在しているので、アノード電圧の変化を検知するだけでは、両成分を識別して、経時劣化に起因する電圧−電流特性の変化量のみに基づく補償を行うことができないという問題がある。
【００４９】
例えば、図１９（ｂ）に示す実線が常温時の電圧−電流特性曲線であるとし、高温になると、電圧−電流特性曲線が一転鎖線で示す位置までシフトしたとする。このとき、所定の階調データに対して階調補正を行うことなく算出された階調電圧（Ｖｇｓ＝Ｖｄａｔａ−Ｖｒｅｆ−Ｖｔｈ）が駆動トランジスタ１１のゲートに印加され、これに応じて当該駆動トランジスタ１が電流Ｉｏｌｅｄ１をＯＬＥＤ１０に供給するならば、算出されるＶｏｌｅｄは、常温時にはＶｏｌｅｄ１であり、高温時にはＶｏｌｅｄ２となる。ここで、上述した参照値は工場出荷時に常温で測定されたＶｏｌｅｄ１であるので、高温時にＶｏｌｅｄ２が測定されると、マイナスの値のΔＶが算出され、これに基づき、制御回路２は、経年劣化に起因した電流−電圧特性と電流−輝度特性との相関を考慮して、図１９（ａ）の破線に示す電流−輝度特性直線を、劣化後のものとして予測する。しかしながら、ＯＬＥＤ１０の電流−輝度特性は温度変化に依っては変化しないので、この場合には、電流−輝度特性の変化に基づく階調電圧の補正をしてはならない。それにもかかわらず、制御回路２が、予測後の電流−輝度特性直線に基づいて階調電圧の補正をしてＩｏｌｅｄ２をＯＬＥＤ１０に供給してしまうと、ＯＬＥＤ１０の輝度がＬ３となってしまうのである。
【００５０】
このような、温度変化に起因する電流−電圧特性変化を経時劣化に起因する電流−電圧特性変化から識別するために、本第２実施形態では、駆動トランジスタ１１のＯＦＦ時におけるリーク電流に温度依存性があることに着目し、かかるリーク電流を用いて温度を測定し、温度変化に起因した電流−輝度特性変化量を求めるものである。
【００５１】
本第２実施形態における電気光学装置の回路構成は、上述した第１実施形態のものと同じであるので、その説明を省略する。
【００５２】
図２０乃至図２２のフローチャート、図７乃至図１５及び図２３の回路図を用いて、本第２実施形態の制御回路２による各ＯＬＥＤ１０の駆動回路に対する制御内容を、説明する。
【００５３】
図２０乃至図２２のフローチャートに示す処理は、第１実施形態と同様のタイミングにてスタートする。そして、制御回路２は、処理がスタートして最初のＳ１０１乃至Ｓ１０３では、図４のＳ００１乃至Ｓ００３と同じ処理を実行する。
【００５４】
制御回路２は、次のＳ００４では、制御回路２は、発光スイッチ駆動信号（ＥＭ）の電位をＬ（発光スイッチトランジスタ１２＝ＯＮ）に切り替える（図２３参照）。この時、駆動トランジスタ１１はＯＦＦのままであるが、温度に比例したリーク電流を流して、発光スイッチトランジスタ１２を通じてＯＬＥＤ１０に供給する。その結果、ＯＬＥＤ１０のアノード電圧は、駆動トランジスタ１１のソース−ドレイン間のインピーダンスとＯＬＥＤ１０のインピーダンスとによってＥＬＶＤＤとＥＬＶＳＳとの電位差を分圧した値（Ｖｔｅｍｐ）となる。そこで、制御回路２は、Ｖｔｅｍｐが定常状態に安定したタイミングで、電圧計２４１によって測定されたＶｔｅｍｐを取り込む。
【００５５】
続くＳ１０５乃至Ｓ１１０では、制御回路２は、図４のＳ００４乃至Ｓ００９と同じ処理を実行する。
【００５６】
次のＳ１１１では、制御回路２は、Ｓ１０３にて測定したＶｔｅｍｐからＳ１０４にて測定したＶｒｅｆを減じることにより、ＯＬＥＤ１０の温度に対応したリーク電流に起因するＯＬＥＤ１０のアノード電圧の上昇分（ΔＶｔｅｍｐ）を、算出する。
【００５７】
次のＳ１１２では、制御回路２は、Ｓ１１１にて算出したΔＶｔｅｍｐに基づき、温度を算出する。このＳ１１２での温度の算出は、予め実験的に求めていたΔＶｔｅｍｐと温度との変換式又は変換テーブルに、Ｓ１１１にて算出したΔＶｔｅｍｐを適用することによって、実行される。
【００５８】
次のＳ１１３では、制御回路２は、Ｓ１１２にて算出した温度が一定範囲内であるか否かをチェックし、前者が後者外であれば、階調電圧の補正を行うことなくそのまま処理を終了し、前者が後者内であれば、処理をＳ１１４へ進める。ここで、一定範囲内とは、電気光学装置が利用される環境の温度としてあり得る温度の範囲内である。この範囲を超えた場合には、そもそも異常が発生しているのであって階調電圧の補正はおよそ無意味であるので、処理を中断するのである。
【００５９】
Ｓ１１４では、制御回路２は、Ｓ１１２にて算出した温度に対応した劣化前の電圧−電流特性を決定する。このＳ１１４での電圧−電流特性の決定は、予め実験的に求めていた温度とＶｏｌｅｄシフト量との変換式又は変換テーブルにＳ１１２にて算出した温度を適用することで、シフト量を求めることによって、実行される。
【００６０】
次のＳ１１５では、制御回路２は、Ｓ１１４にて決定した電圧−電流特性の特性曲線上における階調電圧（Ｖｇｓ＝Ｖｄａｔａ−Ｖｒｅｆ−Ｖｔｈ）に対応して駆動トランジスタ１１が供給する電流（Ｉｏｌｅｄ１）でのＶｏｌｅｄ（参照値）を決定する。具体的には、対象ＯＬＥＤについてプログラミングした階調電圧（Ｖｇｓ＝Ｖｄａｔａ−Ｖｒｅｆ−Ｖｔｈ）に対応して駆動トランジスタ１１が供給する電流（Ｉｏｌｅｄ１）を算出し、この電流（Ｉｏｌｅｄ１）に対応するものとして出荷時において実験的に求めておいたＶｏｌｅｄから、Ｓ１１４にて決定したシフト量を減じる。図２４（ｂ）の例においては、実線は劣化前のＯＬＥＤを室温で動作させた場合の電圧−電流特性極性を示し、一点鎖線が、Ｓ１１２にて算出した温度における劣化前のＯＬＥＤのものとして予測された電圧−電流曲線を示している。
【００６１】
次のＳ１１６では、制御回路２は、下記式（６）に示すように、Ｓ１０９にて計測したＶｓｅｎｓｅ’からＳ１０３にて計測したＶｓｅｎｓｅを減じ、更に、既知のＶｒｅｆを加算することにより、Ｖｏｌｅｄ実測値を算出する。
Ｖｏｌｅｄ実測値＝Ｖｓｅｎｓｅ’−Ｖｓｅｎｓｅ＋Ｖｒｅｆ
……（６）
図２４（ｂ）の例においては、破線が、Ｓ１１２にて算出した温度における劣化後のＯＬＥＤのものとして予測された電圧−電流曲線を示している。
【００６２】
次のＳ１１７では、制御回路２は、Ｓ１１６にて算出したＶｏｌｅｄ実測値を、Ｓ１１５にて決定した参照値と比較して、両者の差分ΔＶを算出する。図２４（ｂ）の例においては、ΔＶ＝Ｖｏｌｅｄ３−Ｖｏｌｅｄ２と算出される。
【００６３】
次のＳ１１８では、制御回路２は、ΔＶに対応する劣化後の電流−輝度特性を決定する。ここで、ＯＬＥＤ１０の経時劣化に起因する電圧−電流特性の変化量と電流−輝度特性の変化量との間には相関があるので、制御回路２は、ΔＶに基づいて、劣化後における電流−輝度特性直線の、劣化前の傾斜角からの傾きを算出することができるのである。
【００６４】
次のＳ１１９では、制御回路２は、劣化前後における電流−輝度特性の傾斜の差に基づいて、Ｉｏｌｅｄの補正関係を決定する。この補正関係は、ＯＬＥＤの劣化が電流−輝度特性の傾斜の差に表れることから、比率によって表現することができる。
【００６５】
次のＳ１２０では、制御回路２は、Ｓ１１８にて決定された補正関係に基づいて、階調補正関数を決定する。
【００６６】
次のＳ１２１では、制御回路２は、次のフレームの階調データ（図２０乃至図２２の処理が起動時にのみ実行される場合には、以後において入力される階調データの全て）に対して、上述した変換係数による階調電圧への変換及びＳ１２０にて決定した階調補正関数に基づく補正を実行する。なお、実行対象行が一行ずつである場合には、実行対象行に対しては今回の図２０乃至図２２の処理中のＳ１２０にて決定した階調補正関数に基づいて階調電圧の補正を行い、実行対象行以外の行に対しては、過去に実行した図２０乃至図２２の処理中のＳ１２０にて決定した階調補正関数があれば、図示せぬメモリに記憶されている当該階調補正関数に基づいて階調電圧の補正を行うが、なければ補正を行わない。Ｓ１２１の完了後、制御回路２は、図４及び図５の処理全体を終了する。
【００６７】
以上のように構成された本第２実施形態によれば、駆動トランジスタ１１のリーク電流に基づいて温度が算出され、算出された温度に基づいて、当該温度における劣化前のＯＬＥＤ１０の電圧−電流特性が予測され、この予測された電圧電流特性上の電圧と実測値との間の差分ΔＶが算出されるので、温度に起因する誤作動が確実に防止される。
＜変形例＞
【００６８】
本第２実施形態は、温度に依存して電流−輝度特性が変化しないＯＬＥＤ素子を用いる電気光学装置であったが、温度に依存して電流−輝度特性が変化するＯＬＥＤ素子を用いる電気光学装置であっても、本第２実施形態と同様に、劣化前の各温度における電流−電圧特性と電流−輝度特性と劣化後の各温度における電流−電圧特性と電流−電圧特性との相関が事前に分かっていれば、温度とある電流を流した時のＶｏｌｅｄを測定することにより、補正は可能である。
（実施形態３）
【００６９】
図２５は、本発明の第３実施形態による電気光学装置の画素回路１を構成する各ＯＬＥＤ１０用の駆動回路の回路図である。本第３実施形態は、上述した第１実施形態及び第２実施形態と比較して、駆動トランジスタ１１のＶｔｈやβのバラツキを補償するための回路を備えていない。しかしながら、駆動トランジスタ１１にＶｔｈやβのバラツキがある場合でも、かかるバラツキは、見かけ上、ＯＬＥＤ１０の輝度特性の変化として現れるので、ＯＬＥＤ１０の経時劣化に起因する電流−輝度特性を補償するプロセスを実行することにより、同時に補償されてしまうので、支障はない。
【００７０】
本第３実施形態におけるその他の構成及び作用は、上述した第１実施形態及び第２実施形態のものと全く同じであるので、その説明を省略する。
（実施形態４）
【００７１】
図２６は、本発明の第４実施形態による電気光学装置の画素回路１を構成する各ＯＬＥＤ１０用の駆動回路の回路図である。本第３実施形態は、上述した第１実施形態及び第２実施形態と比較して、第２走査トランジスタ１７のドレインが第２走査線Ｓ２にダイオード接続されている点のみを異にし、他の構成を共通にしている。従って、本第４実施形態の作用は、上述した第１実施形態及び第２実施形態のものと全く同じであるので、その説明を省略する。
＜変形例＞
上述した第１乃至第４実施形態は、全てのトランジスタをＰチャネル型ＭＯＳＦＥＴから構成したが、Ｎチャネル型ＭＯＳＦＥＴから構成して、必要な改変を行っても良いことは、いうまでもない。
【符号の説明】
【００７２】
１      画素回路
２      制御回路
１０      ＯＬＥＤ
１１      駆動トランジスタ
１４      初期化トランジスタ
１６      センシングトランジスタ
１７      第３のトランジスタ
２１      階調データ補正演算部
２２      階調電圧生成部
２３      基準電圧供給回路
２４      電圧検出部
２５      スキャン信号生成部
３２      第２容量
Ｄ      データ線
Ｐ      第１電源線
Ｓ１      第１走査線
Ｓ２      第２走査線
【図１】
2015043041.tif 000005
【図２】
2015043041.tif 000006
【図３】
2015043041.tif 000007
【図４】
2015043041.tif 000008
【図５】
2015043041.tif 000009
【図６】
2015043041.tif 000010
【図７】
2015043041.tif 000011
【図８】
2015043041.tif 000012
【図９】
2015043041.tif 000013
【図１０】
2015043041.tif 000014
【図１１】
2015043041.tif 000015
【図１２】
2015043041.tif 000016
【図１３】
2015043041.tif 000017
【図１４】
2015043041.tif 000018
【図１５】
2015043041.tif 000019
【図１６】
2015043041.tif 000020
【図１７】
2015043041.tif 000021
【図１８】
2015043041.tif 000022
【図１９】
2015043041.tif 000023
【図２０】
2015043041.tif 000024
【図２１】
2015043041.tif 000025
【図２２】
2015043041.tif 000026
【図２３】
2015043041.tif 000027
【図２４】
2015043041.tif 000028
【図２５】
2015043041.tif 000029
【図２６】
2015043041.tif 000030