(57)【要約】【課題】表面にめっき層が形成された外部電極を有する積層セラミックコンデンサであって、めっき液の浸入による特性の低下などを抑制、防止することが可能で、信頼性の高い積層セラミックコンデンサを提供する。【解決手段】誘電体層１と、誘電体層間の複数の界面に配設された複数の内部電極２とを備えたセラミック素体１０と、内部電極と導通する外部電極５を備えた積層セラミックコンデンサ５０において、セラミック素子１０の第１の端面２１ａおよび第２の端面２１ｂに引き出された内部電極２ａ，２ｂの端面２ａ１，２ｂ１であって、外部電極との接続部となる端面の２０〜６０％の領域に、ＳｉＯ2の結晶１５を存在させるとともに、ＳｉＯ2の結晶の、第１の端面および第２の端面に引き出された内部電極の端面２ａ１，２ｂ１に垂直な方向の寸法を０．５μｍ以上にする。【選択図】図３
2015043447.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
誘電体セラミックからなる誘電体層と、前記誘電体層を介して積層され、前記誘電体層間の複数の界面に位置する複数の内部電極とを備えたセラミック素体であって、第１の主面および前記第１の主面と対向する第２の主面と、前記第１の主面に直交する第１の端面および前記第１の端面と対向する第２の端面と、前記第１の端面に直交する第１の側面および前記第１の側面と対向する第２の側面とを備える直方体形状を有し、前記複数の内部電極が交互に前記第１の端面および第２の端面に引き出されたセラミック素体と、
前記第１の端面および第２の端面に引き出された前記内部電極と導通するように、前記セラミック素体の前記第１の端面および第２の端面を含む所定の領域に配設された一対の外部電極と
を備えた積層セラミックコンデンサであって、
前記セラミック素子の前記第１の端面および第２の端面に引き出された前記内部電極の端面であって、前記外部電極との接続部となる端面に、その全領域の２０〜６０％を覆うようにＳｉＯ2の結晶が存在しており、
前記ＳｉＯ2の結晶は、前記第１の端面および第２の端面に引き出された前記内部電極の端面に垂直な方向の寸法が０．５μｍ以上であること
を特徴とする積層セラミックコンデンサ。
【請求項２】
前記ＳｉＯ2の結晶の、前記第１の端面および第２の端面に引き出された前記内部電極の端面に対する投影面積の値をＳとし、かつ、前記ＳｉＯ2の結晶の体積の値をＶとすると、Ｖ/Ｓの値は１以上であること
を特徴とする請求項１の積層セラミックコンデンサ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、内部電極を備えたセラミック素体に、上記内部電極と導通するように外部電極が配設された構造を有する積層セラミックコンデンサに関し、詳しくは、表面にめっき膜が形成された外部電極を備える積層セラミックコンデンサに関する。
【背景技術】
【０００２】
代表的なセラミック電子部品の一つに、例えば、特許文献１に開示されているような積層セラミックコンデンサがある。
【０００３】
この積層セラミックコンデンサは、図４に示すように、誘電体層であるセラミック層１０１を介して複数の内部電極１０２（１０２ａ，１０２ｂ）が積層されたセラミック積層体（セラミック素体）１１０の一対の端面１０３（１０３ａ，１０３ｂ）に、内部電極１０２（１０２ａ，１０２ｂ）と導通するように一対の外部電極１０４（１０４ａ，１０４ｂ）が配設された構造を有している。
【０００４】
そして、外部電極１０４（１０４ａ，１０４ｂ）は、例えば、Ｃｕ粉末を導電成分とする導電ペーストを焼き付けることにより形成された、セラミック素体１１０の端面１０３からその主面や側面に回り込むように形成された焼結金属層１０５（１０５ａ，１０５ｂ）と、その表面を覆うように形成されためっき層１０６（１０６ａ，１０６ｂ）から形成されている。
【０００５】
なお、めっき層１０６（１０６ａ，１０６ｂ）は、焼結金属層１０５（１０５ａ，１０５ｂ）の表面に形成されたＮｉめっき層１０７（１０７ａ，１０７ｂ）と、Ｎｉめっき層１０７（１０７ａ，１０７ｂ）の上に形成されたＳｎめっき層１０８（１０８ａ，１０８ｂ）とを備えている。
【０００６】
なお、上記のＳｎめっき層は、はんだ濡れ性の向上のために設けられ、Ｎｉめっき層は、耐熱性に優れた下地層として設けられている。
【０００７】
ところで、上述のような構成を備えた積層セラミックコンデンサを製造する場合、焼結金属層１０５（１０５ａ，１０５ｂ）に、ＮｉめっきやＳｎめっきを施す工程を経て外部電極１０４（１０４ａ，１０４ｂ）が形成される。
しかし、焼結金属層１０５（１０５ａ，１０５ｂ）上にめっきを形成する際に、焼結金属層１０５（１０５ａ，１０５ｂ）がめっき液に侵食されることがある。そして、浸食された焼結金属層を経てめっき液や、その後に用いられる洗浄水などがセラミック素体の内部に浸入して、積層セラミックコンデンサの特性や信頼性を低下させるという問題点がある。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００８】
【特許文献１】特開２００６−２１３９４６号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
本発明は、上記課題を解決するものであり、表面にめっき層が形成された外部電極を有する積層セラミックコンデンサであって、めっき液の浸入による特性の低下などを抑制、防止することが可能で、信頼性の高い積層セラミックコンデンサを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
上記課題を解決するために、本発明の積層セラミックコンデンサは、
誘電体セラミックからなる誘電体層と、前記誘電体層を介して積層され、前記誘電体層間の複数の界面に位置する複数の内部電極とを備えたセラミック素体であって、第１の主面および前記第１の主面と対向する第２の主面と、前記第１の主面に直交する第１の端面および前記第１の端面と対向する第２の端面と、前記第１の端面に直交する第１の側面および前記第１の側面と対向する第２の側面とを備える直方体形状を有し、前記複数の内部電極が交互に前記第１の端面および第２の端面に引き出されたセラミック素体と、
前記第１の端面および第２の端面に引き出された前記内部電極と導通するように、前記セラミック素体の前記第１の端面および第２の端面を含む所定の領域に配設された一対の外部電極と
を備えた積層セラミックコンデンサであって、
前記セラミック素子の前記第１の端面および第２の端面に引き出された前記内部電極の端面であって、前記外部電極との接続部となる端面に、その全領域の２０〜６０％を覆うようにＳｉＯ2の結晶が存在しており、
前記ＳｉＯ2の結晶は、前記第１の端面および第２の端面に引き出された前記内部電極の端面に垂直な方向の寸法が０．５μｍ以上であること
を特徴としている。
【００１１】
本発明の積層セラミックコンデンサにおいては、前記ＳｉＯ2の結晶の、前記第１の端面および第２の端面に引き出された前記内部電極の端面に対する投影面積の値をＳとし、かつ、前記ＳｉＯ2の結晶の体積の値をＶとすると、Ｖ/Ｓの値は１以上であることが好ましい。
【００１２】
ＳｉＯ2の結晶の、上記内部電極の端面に対する投影面積の値をＳとし、かつ、ＳｉＯ2の結晶の体積の値をＶとした場合に、Ｖ/Ｓの値が１以上になるようにすることにより、さらに確実にめっき液の侵入を防止することが可能で、信頼性の高い積層セラミックコンデンサを提供することが可能になる。
【発明の効果】
【００１３】
本発明の積層セラミックコンデンサは、上述のように、セラミック素子の第１の端面および第２の端面に引き出された内部電極の端面であって、外部電極との接続部となる端面に、その全領域の２０〜６０％を覆うようにＳｉＯ2の結晶が存在しているとともに、ＳｉＯ2の結晶は、第１の端面および第２の端面に引き出された内部電極の端面に垂直な方向の寸法が０．５μｍ以上となるようにされているため、セラミック素子の内部へのめっき液の侵入を抑制、防止することが可能で、信頼性の高い積層セラミックコンデンサを提供することが可能なる。
なお、ＳｉＯ2の結晶により覆われる領域が全領域の２０％を下回ると、侵食に対する耐性が不十分になり、また、６０％を上回ると、内部電極と外部電極との電気的接続の信頼性が低下する。
【図面の簡単な説明】
【００１４】
【図１】本発明の一実施形態にかかる積層セラミックコンデンサの構成を示す正面断面図である。
【図２】本発明の一実施形態にかかる積層セラミックコンデンサの外観構成を示す斜視図である。
【図３】本発明の一実施形態にかかる積層セラミックコンデンサの構成を説明するため要部を拡大して模式的に示す斜視図である。
【図４】従来の積層セラミックコンデンサの外部電極の構成を示す正面断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１５】
以下に本発明の実施形態を示して、本発明の特徴とするところをさらに詳しく説明する。
【００１６】
図１は、本発明の一実施形態（実施形態１）にかかる積層セラミックコンデンサ５０の構成を示す正面断面図、図２は積層セラミックコンデンサ５０の外観構成を示す斜視図である。  
【００１７】
この積層セラミックコンデンサ５０は、図１および２に示すように、誘電体セラミックからなる誘電体層１と、誘電体層１間の複数の界面に配設された複数の内部電極２（２ａ，２ｂ）とを備えたセラミック素体１０と、セラミック素体１０の外表面に、内部電極２（２ａ，２ｂ）と導通するように配設された一対の外部電極５（５ａ，５ｂ）を備えている。
また、内部電極２（２ａ，２ｂ）と、後述するセラミック素体１０の第１の主面１１ａおよび第２の主面１１ｂとの間には、補助電極６（６ａ，６ｂ）が配設されている。補助電極６（６ａ，６ｂ）は、隣り合う内部電極２（２ａ，２ｂ）と同電位の外部電極と導通されている。ただし外部電極と導通していなくてもよい。
また、上記補助電極６（６ａ，６ｂ）を備えていない構成とすることも可能である。
【００１８】
セラミック素体１０を構成する誘電体層１は、ＢａＴｉＯ3系のセラミック誘電体から形成されている。なお、ＢａＴｉＯ3のＴｉ１００モル部に対して、Ｄｙが１．０モル部、Ｍｇが１．３モル部となるように添加し、さらにＭｎを添加している。
なお、誘電体層１は、ＢａＴｉＯ3系のセラミック誘電体に限らず、ＣａＺｒＯ3系などの他のセラミック誘電体から形成されていてもよい。
また、内部電極２は、ＮｉもしくはＣｕなどの卑金属を主成分とする金属層である。
【００１９】
セラミック素体１０は、直方体形状を有しており、第１の主面１１ａおよび第１の主面１１ａと対向する第２の主面１１ｂと、第１の主面１１ａに直交する第１の端面２１ａおよび第１の端面２１ａと対向する第２の端面２１ｂと、第１の端面２１ａに直交する第１の側面３１ａおよび第１の側面３１ａと対向する第２の側面３１ｂとを備えている。
【００２０】
なお、第１の主面１１ａと第２の主面１１ｂを結ぶ方向を高さ方向とした場合に、この高さ方向が誘電体層１および内部電極２（２ａ，２ｂ）の積層方向となる。
【００２１】
第１の端面２１ａと第２の端面２１ｂには、複数の内部電極２（２ａ，２ｂ）が交互に引き出されており、第１の端面２１ａには内部電極２ａが引き出され、第２の端面２１ｂには内部電極２ｂが引き出されている。
【００２２】
また、この実施形態にかかる積層セラミックコンデンサ５０において、外部電極５（５ａ，５ｂ）は、焼結金属層１２（１２ａ，１２ｂ）と、めっき層３２（３２ａ，３２ｂ）とを備えた構造とされている。
【００２３】
焼結金属層１２（１２ａ，１２ｂ）は，Ｃｕ粉末やＮｉ粉末を導電成分とする導電ペーストをセラミック素体１０に塗布して焼き付けることにより形成される焼き付け電極（厚膜電極）である。なお、焼結金属層１２（１２ａ，１２ｂ）の構成材料は、上述のＣｕやＮｉに限られるものではなく、さらに他の金属材料を用いることも可能である。
【００２４】
そして、焼結金属層１２（１２ａ，１２ｂ）は、セラミック素体１０の第１の端面２１ａおよび第２の端面２１ｂから、セラミック素体１０の第１および第２の主面１１ａ，１１ｂ、および第１および第２の側面３１ａ，３１ｂに回り込むように形成されている。
なお、焼結金属層１２の厚みは、通常、０．５μｍ〜１０μｍの範囲にあることが望ましい。
ただし、焼結金属層１２の厚みは上述の範囲に限られるものではなく、他の厚みとすることも可能である。
【００２５】
めっき層３２（３２ａ，３２ｂ）は、焼結金属層１２（１２ａ，１２ｂ）の全体を覆うように形成されている。
また、この実施形態では、めっき層３２（３２ａ，３２ｂ）は、焼結金属層１２（１２ａ，１２ｂ）上に形成されたＮｉめっき層３３（３３ａ，３３ｂ）と、Ｎｉめっき層３３（３３ａ，３３ｂ）上に形成されたＳｎめっき層３４（３４ａ，３４ｂ）を備えた２層構造のめっき層とされている。
【００２６】
また、この積層セラミックコンデンサ５０において、上述の補助電極６（６ａ，６ｂ）と、その外側のセラミック層（すなわち、第１の主面１１ａおよび第２の主面１１ｂ側のセラミック層）との境界には、ＭｇとＭｎを含有した境界層が６９％以上に設けられている。また、補助電極６（６ａ，６ｂ）は、その連続性が６０％以上である。さらに、連続性が途切れている領域である欠損部の３９％以上にＳｉを含む偏析物が存在している。補助電極６（６ａ，６ｂ）は、第１の主面１１ａ側のみに設けられていてもよく、第２の主面１１ｂ側のみに設けられていてもよい。補助電極６（６ａ，６ｂ）はそれぞれ複数備えていてもよい。なお、境界層中におけるＭｇ含有量に対するＭｎ含有量のモル比Ｍｎ／Ｍｇは特に限定されるものではないが、Ｍｎ／Ｍｇ＝０．００５〜０．７の範囲にあることが、特に好ましい。
【００２７】
この補助電極６（６ａ，６ｂ）の境界層の存在は以下のようにして確認した。まず、積層セラミックコンデンサを、長さ方向と厚み方向により規定される面が露出するような態様で、研磨機により研磨した。このとき、積層セラミックコンデンサの幅方向の１／２程度の深さまで研磨を行った後、研磨による内部電極のダレを除去した。
【００２８】
それから、上述のようにして研磨した研磨端面において、積層セラミックコンデンサの長さ方向の中央部の位置において、内部電極２とほぼ直交する直線を引く（想定する）。そして、補助電極６（６ａ，６ｂ）の境界部分と上記直線とが直交する領域（境界層）を電子顕微鏡を用いて倍率１万倍で観察した。そして、この実施形態では、観察視野の幅を１０μｍとし、ＦＥ−ＷＤＸにて観察を行うことにより、補助電極６（６ａ，６ｂ）の境界層の存在を確認した。
【００２９】
また、内部電極２（２ａ，２ｂ）の厚みの平均値は以下のようにして求めた。
まず、上記研磨端面を厚み方向に３等分に分割し、上部領域、中間領域、下部領域の３つの領域に分割した。そして、各領域において、最外の内部電極２を除いて、上記の直線と直交する位置の内部電極２の厚みを、それぞれ無作為に５層ずつ測定して、その平均値を求めた。なお、内部電極の厚みは、走査型電子顕微鏡を用いて測定した。ただし、内部電極が欠落しているなどの理由で測定できない部分は測定対象から除いた。
【００３０】
また、誘電体層１の厚みは、上記の上部領域、中間領域、下部領域の３つの領域において、上記の直線と直交する位置の誘電体層１の厚みをそれぞれ無作為に５層ずつ測定して、その平均値を求めた。なお、誘電体層の厚みは、走査型電子顕微鏡を用いて測定した。
【００３１】
ただし、積層方向の最も外側に位置する最外層の内部電極２の外側に位置する最外誘電体層、および、内部電極が欠損していることにより２層以上の誘電体層が繋がって観察されるなどの理由により測定できない部分は測定対象から除いた。
【００３２】
そして、この実施形態の積層セラミックコンデンサにおいては、図１および３に模式的に示すように、セラミック素子１０の第１の端面２１ａおよび第２の端面２１ｂに引き出された内部電極２（２ａ，２ｂ）の端面２ａ１，２ｂ１に、ＳｉＯ2の結晶１５が存在している。
そして、ＳｉＯ2の結晶１５は、引き出された内部電極２ａ，２ｂの端面（電極端面）２ａ１，２ｂ１の全領域の２０〜６０％を覆うように構成されている。
また、ＳｉＯ2の結晶１５は、セラミック素体１０の第１および第２の端面２１ａ，２１ｂに引き出された内部電極２ａ，２ｂの端面（電極端面）２ａ１，２ｂ１に垂直な方向の寸法が０．５μｍ以上となるように構成されている。
【００３３】
また、このＳｉＯ2の結晶１５の、第１および第２の端面および第２の端面に引き出された内部電極２ａ，２ｂの端面（電極端面）２ａ１，２ｂ１に対する投影面積の値をＳとし、かつ、ＳｉＯ2の結晶１５の体積の値をＶとすると、Ｖ/Ｓの値は１以上となるように構成されている。
【００３４】
ＳｉＯ2の結晶の投影面積Ｓは、図３に示すように、ＳｉＯ2の結晶１５の長さをＬ１、幅をＷ１とすると、Ｌ１×Ｗ１により求められる。
【００３５】
また、ＳｉＯ2の結晶１５の体積Ｖは、ＳｉＯ2の結晶１５の厚みをＴ１とすると、Ｌ１×Ｗ１×Ｔ１で求められる。
【００３６】
また、この場合、ＳｉＯ2の結晶１５の、引き出された内部電極２ａ，２ｂの
端面２ａ１，２ｂ１に対する投影面積の値をＳとし、かつ、ＳｉＯ2の結晶１５の体積の値をＶとすると、Ｖ/Ｓの値は、式（１）：
Ｖ/Ｓ＝（Ｌ１×Ｗ１×Ｔ１）／（Ｌ１×Ｗ１）  ……（１）
により求められる。
【００３７】
そして、Ｖ/Ｓの値を１以上にするとにより、ＳｉＯ2の結晶のめっき液に対する耐浸食性を向上させることができる。
【００３８】
また、上述のように、引き出された内部電極２ａ，２ｂの端面２ａ１，２ｂ１の全領域の２０〜６０％を覆うようにＳｉＯ2の結晶を存在させることにより、めっき液などに対する耐浸食性を確保しつつ、内部電極と外部電極との電気的接続の信頼性を確保することすることができる。
【００３９】
本発明の積層セラミックコンデンサにおいて、引き出された内部電極２（２ａ，２ｂ）の端面２ａ１，２ｂ１に、その全領域の２０〜６０％を覆うようにＳｉＯ2の結晶を存在させる方法としては、例えば、内部電極の形成に用いられる導電ペーストに含まれるガラスフリットの種類を調整したり、ガラスフリット量を制御したりする方法が挙げられる。ただし、他の方法を採用することも可能である。
【００４０】
また、上記Ｖ／Ｓの値を制御して、その値を１以上にするための方法としては、例えば、焼結させる際の焼結温度や雰囲気を調整する方法が挙げられるが、他の方法を採用することも可能である。
【００４１】
なお、この実施形態では、積層セラミックコンデンサ５０として、
（ａ）外部電極を含めた寸法が、長さ（Ｌ）：０．６ｍｍ、幅（Ｗ）：０．３ｍｍ、高さ（Ｔ）：０．３ｍｍの積層セラミックコンデンサと、
（ｂ）外部電極を含めた寸法が、長さ（Ｌ）：０．４ｍｍ、幅（Ｗ）：０．２ｍｍ、高さ（Ｔ）：０．２ｍｍの積層セラミックコンデンサと
を作製した。
【００４２】
ただし、本発明は上述のような寸法の積層セラミックコンデンサに限られるものではなく、異なる寸法の積層セラミックコンデンサにも適用することが可能である。
【００４３】
次に、この積層セラミックコンデンサ５０の製造方法について説明する。
まず、ＢａＴｉＯ3もしくはＣａＺｒＯ3を主成分とする誘電体セラミック粉末にバインダーと溶剤を配合して分散させたセラミック原料スラリーを、ＰＥＴフィルムなどの樹脂フィルム上に薄く伸ばしてシート状に成形することにより、セラミックグリーンシートを作製する。
【００４４】
それから、セラミックグリーンシート上に、スクリーン印刷、グラビア印刷などの方法を用いて、導電ペーストを印刷し、内部電極パターンを形成する。
【００４５】
それから、内部電極パターンが形成されたセラミックグリーンシートと、内部電極パターンが形成されていないセラミックグリーンシート（外層用セラミックグリーンシート）を、所定の順序で、所定枚数積み重ねる。
【００４６】
そして、得られた積層ブロックを、プレスして、各セラミックグリーンシートを圧着する。積層ブロックをプレスするにあたっては、例えば、圧着ブロックを樹脂フィルムで挟み、静水圧プレスなどの方法によりプレスを行う。
【００４７】
その後、プレスされた積層圧着体を、押切り、切削などの方法を用いて、直方体形状のチップ（個片）に分割し、バレル研磨を行う。
【００４８】
バレル研磨を行ったチップ（焼成後にセラミック素体１０（図１）となる個片）を、所定の温度に加熱してバインダーを除去した後、例えば、９００〜１０００℃で本焼成を行い、直方体形状のセラミック素体を得る。
【００４９】
それから、このセラミック素体の他方端面側を保持し、Ｃｕ粉末やＮｉ粉末を導電成分とする導電ペーストを定盤上に塗布することにより形成した導電ペースト層に、セラミック素体の一方端面を浸漬することで、セラミック素体の一方端面に、導電ペーストを塗布し、乾燥する。
【００５０】
このとき、導電ペーストとして、Ｃｕ粉末を導電成分とし、ＳｉＯ2を含むガラス成分を含有する導電ペーストを用いる。
また、ＳｉＯ2を含むガラス成分の含有量を調整することにより、セラミック素体の端面に露出した内部電極の端面を覆うＳｉＯ2の結晶の量を調整する。
【００５１】
次に、セラミック素体の他方端面についても、同様の方法で、導電ペーストを塗布し、乾燥する。
【００５２】
それから、上述のようにして付与したセラミック素体の一方端部および他方端部の導電ペーストの焼き付けることにより、焼結金属層を形成する。
【００５３】
その後、焼結金属層上に、ＮｉめっきおよびＳｎめっきの順でめっきを行い、Ｎｉめっき層およびＳｎめっき層を形成する。
これにより、図１および２に示すような構造を備えた本発明の実施形態にかかる積層セラミックコンデンサ５０が得られる。
なお、外部電極を第二塩化鉄水溶液（サンハヤト製Ｈ−２００Ａ  ３７〜３９ｗｔ％）に２分間浸漬させて、外部電極の金属部分を溶出させる。溶出後、内部電極が露出したセラミック素体の端面を倍率１万倍でＳＥＭ観察し、ＳｉＯ2結晶の体積、および、内部電極が露出している面に対する投影面積を測定した。
【００５４】
＜試験＞
本発明の効果を確認するため、以下に説明する方法で積層セラミックコンデンサを作製し、得られた積層セラミックコンデンサを試料として、以下の試験を行った。
【００５５】
まず、焼成後の誘電体層の厚みが０．７μｍ、内部電極の厚みが０．６μｍとなるように、所定の厚みを有するセラミックグリーンシートに導電ペーストを印刷した。それから、このセラミックグリーンシートを４００層積層した。
【００５６】
さらに、内部電極が形成されていない外層用のセラミックグリーンシートを、焼成後に厚みが１６μｍの外層が形成されるように積層して、圧着することにより、外層部を備えた積層圧着体を形成した。
【００５７】
そして、積層圧着体をカットして、焼成後のセラミック素体の寸法が、長さ：０．６ｍｍ、幅：０．３ｍｍ、高さ：０．３ｍｍとなるように分割し、上記実施形態で示した方法と同様の方法で、図１に示すような構造を有する試験用の積層セラミックコンデンサ（表１の試料番号１〜５の試料）を作製した。
【００５８】
なお、このとき、セラミック素体の端面に露出した内部電極の端面を覆うＳｉＯ2の量を調整するため、導電ペーストとして、ＳｉＯ2を含むガラス成分の量を調整した導電ペーストを用いて外部電極を形成した。
【００５９】
それから、上述のようにして作製した表１の試料番号１〜５の試料について、耐湿信頼性を調べるとともに、内部電極と外部電極との接続信頼性を調べた。
【００６０】
なお、耐湿信頼性は、温度８５℃、湿度８５％で、６．３Ｖの電圧を２４時間印加し続ける方法により調べた。
【００６１】
そして、絶縁抵抗値が低下しないものは耐湿信頼性が良好（○）であると評価し、絶縁抵抗値が低下するものは、耐湿信頼性が不良（×）であると評価した。
【００６２】
また、内部電極と外部電極との接続信頼性は、積層セラミックコンデンサを充電し、放電させる方法により調べた。
そして、放電後、静電容量が変化しないものは接続信頼性が良好（○）であると評価し、放電後、静電容量が減少するものは、接続信頼性が不良（×）であると評価した。
その結果を表１に併せて示す。
【００６３】
【表１】
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【００６４】
表１に示すように、ＳｉＯ2の結晶による内部電極の端面の被覆率が２０〜６０％の範囲にある、本発明の要件を満たす積層セラミックコンデンサ（試料番号２〜４の試料）は、耐湿信頼性および接続信頼性の両方に優れていること確認された。
【００６５】
一方、ＳｉＯ2の結晶による内部電極の端面の被覆率が１０％と本発明の範囲を下回る試料番号１の試料の場合、耐湿信頼性が低下することが確認された。
【００６６】
また、ＳｉＯ2の結晶による内部電極の端面の被覆率が８０％と本発明の範囲を上回る試料番号５の試料の場合、接続信頼性が低下することが確認された。
【００６７】
上記の結果より、ＳｉＯ2の結晶による内部電極の端面の被覆率は、２０〜６０の範囲とすることが望ましいことがわかる。
【００６８】
また、上記表１の試料番号２〜４の試料は、いずれもＶ/Ｓの値が１以上の試料であるが、Ｖ／Ｓが１を下回ると、耐湿信頼性が低下する傾向があることが確認された。したがって、本発明においては、Ｖ／Ｓが１であることが望ましい。
【００６９】
なお、本発明は上記実施形態に限定されるものではなく、発明の範囲内において、種々の応用、変形を加えることが可能である。
【符号の説明】
【００７０】
１                  誘電体層
２（２ａ，２ｂ）    内部電極
２ａ１,２ｂ１       内部電極の端面
５（５ａ，５ｂ）    外部電極
６（６ａ，６ｂ）    補助電極
１０                セラミック素体
１１ａ              セラミック素体の第１の主面
１１ｂ              セラミック素体の第２の主面
１５                ＳｉＯ2の結晶
１２（１２ａ，１２ｂ）    焼結金属層
２１ａ              セラミック素体の第１の端面
２１ｂ              セラミック素体の第２の端面
３１ａ              セラミック素体の第１の側面
３１ｂ              セラミック素体の第２の側面
３２（３２ａ，３２ｂ）    めっき層
３３（３３ａ，３３ｂ）    Ｎｉめっき層
３４（３４ａ，３４ｂ）    Ｓｎめっき層
５０                積層セラミックコンデンサ
Ｌ                  積層セラミックコンデンサの長さ
Ｔ                  積層セラミックコンデンサの高さ
Ｗ                  積層セラミックコンデンサの幅
Ｌ１                ＳｉＯ2の結晶の長さ
Ｔ１                ＳｉＯ2の結晶の高さ
Ｗ１                ＳｉＯ2の結晶の幅
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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