(57)【要約】【課題】  双方が同じ相対温度で一緒に冷却するように、関連するメモリコントローラに、ＤＩＭＭメモリモジュール等の複数のメモリデバイスを熱的に結合するシステムおよび方法。【解決手段】  複数のデバイスの全てをはるかに均一な温度に保持することにより、メモリタイミング問題は、効果的に除去される。例示的な実施形態によれば、コントローラチップは、メモリの２つまたはそれ以上のバンクの間に物理的に位置し、隣接するヒートシンクの下に位置するが、複数のメモリＤＩＭＭは、複数のアングル型ＤＩＭＭスロット内のコントローラチップの横方向に位置し、それぞれのヒートスプレッダを有するコントローラチップに結合される。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくとも１つのメモリ基板を備えるコンピュータシステムであって、
前記メモリ基板は、
複数のメモリデバイスの少なくとも１つのバンクおよび関連するメモリコントローラを含む回路基板と、
前記メモリコントローラに隣接するヒートシンクと、
複数のメモリデバイスの前記少なくとも１つのバンクに隣接するヒートスプレッダと、
前記ヒートスプレッダに前記ヒートシンクを熱的に結合するデバイスとを有する、コンピュータシステム。
【請求項２】
前記デバイスは、前記ヒートスプレッダに前記ヒートシンクを物理的に結合するクランプを含む、請求項１に記載のコンピュータシステム。
【請求項３】
前記ヒートシンクは、ヒートパイプを有する、請求項１または２に記載のコンピュータシステム。
【請求項４】
複数のメモリデバイスの前記少なくとも１つのバンクは、複数のＤＩＭＭ、複数のＳＯ―ＤＩＭＭ、ＤＤＲ２、ＤＤＲ３、ＤＤＲ４、ＤＲＡＭ、Ｚ―ＲＡＭ、またはＴ―ＲＡＭのうち１つを含む、請求項１から３のいずれか１項に記載のコンピュータシステム。
【請求項５】
複数のメモリデバイスの前記少なくとも１つのバンクは、前記メモリコントローラの横方向に配置された少なくとも第１のメモリモジュールおよび第２のメモリモジュールを含む、請求項１から４のいずれか１項に記載のコンピュータシステム。
【請求項６】
前記第１のメモリモジュールおよび前記第２のメモリモジュールは、前記メモリコントローラに向かって物理的に傾斜する、請求項５に記載のコンピュータシステム。
【請求項７】
前記第１のメモリモジュールおよび前記第２のメモリモジュールの横方向にそれぞれ配置された第３のメモリモジュールおよび第４のメモリモジュールを更に備える、請求項５または６に記載のコンピュータシステム。
【請求項８】
前記第１のメモリモジュールおよび前記第２のメモリモジュールは、前記メモリコントローラに向かって物理的に傾斜し、前記第３のメモリモジュールおよび前記第４のメモリモジュールは、前記第１のメモリモジュールおよび前記第２のメモリモジュールに対して、それぞれ、概ね並列して離間配置された関係にある、請求項７に記載のコンピュータシステム。
【請求項９】
前記ヒートパイプは、蒸発器プレートおよびコンデンサプレートを更に含む、請求項３に記載のコンピュータシステム。
【請求項１０】
前記ヒートスプレッダは、アルミニウムを含む、請求項１に記載のコンピュータシステム。
【請求項１１】
前記ヒートスプレッダは、実質的に０．０２０〜０．０４０インチの厚さである、請求項１０に記載のコンピュータシステム。
【請求項１２】
コンピュータメモリ基板の動作温度を制御する方法であって、
メモリコントローラおよび複数のメモリデバイスの少なくとも１つのバンクを有する回路基板を提供する段階と、
前記メモリコントローラに隣接するヒートシンクを提供する段階と、
複数のメモリデバイスの前記少なくとも１つのバンクに隣接するヒートスプレッダを提供する段階と、
前記ヒートシンクおよび前記ヒートスプレッダを熱的に結合する段階とを備える、方法。
【請求項１３】
前記ヒートシンクを提供する前記段階は、前記メモリコントローラに蒸発器プレートを隣接させる段階を有する、請求項１２に記載の方法。
【請求項１４】
前記メモリコントローラに蒸発器プレートを隣接させる前記段階は、ヒートパイプに前記蒸発器プレートを結合する段階を更に有する、請求項１３に記載の方法。
【請求項１５】
前記ヒートパイプに前記蒸発器プレートを結合する前記段階は、コンデンサプレートに前記ヒートパイプを結合する段階を更に有する、請求項１４に記載の方法。
【請求項１６】
前記ヒートスプレッダを提供する前記段階は、実質的に０．０２０〜０．０４０インチの厚さを有するアルミニウムを使用して実行される、請求項１２に記載の方法。
【請求項１７】
第１のメモリモジュールおよび第２のメモリモジュールを含む複数のメモリデバイスの前記少なくとも１つのバンクを更に備える、請求項１２または１６に記載の方法。
【請求項１８】
前記第１のメモリモジュールおよび前記第２のメモリモジュールは、前記メモリコントローラの横方向に配置される、請求項１７に記載の方法。
【請求項１９】
前記第１のメモリモジュールおよび前記第２のメモリモジュールは、前記メモリコントローラに向かってそれぞれ物理的に傾斜する、請求項１８に記載の方法。
【請求項２０】
前記第１のメモリモジュールおよび前記第２のメモリモジュールの横方向に配置された第３のメモリモジュールおよび第４のメモリモジュールを更に備え、
前記第３のメモリモジュールおよび前記第４のメモリモジュールは、前記第１のメモリモジュールおよび前記第２のメモリモジュールに対して、それぞれ、概ね並列して離間配置された関係にある、請求項１９に記載の方法。
【請求項２１】
少なくとも１つのメモリモジュールと、
前記メモリモジュールに関連するメモリコントローラとを備え、
前記メモリモジュールおよび前記メモリコントローラは、前記メモリモジュールおよび前記メモリコントローラが温度で実質的に一緒に動くように、一緒に熱的に結合される、コンピュータメモリ基板。
【請求項２２】
前記少なくとも１つのメモリモジュールは、関連するヒートスプレッダを有し、
前記メモリコントローラは、関連するヒートシンクを有し、
前記ヒートスプレッダおよび前記ヒートシンクは、一緒に熱的に結合される、請求項２１に記載のコンピュータメモリ基板。
【請求項２３】
前記ヒートシンクおよび前記ヒートスプレッダは、一緒に物理的に結合される、請求項２２に記載のコンピュータメモリ基板。
【請求項２４】
前記少なくとも１つのメモリモジュールは、前記メモリコントローラに対して実質的に重なり合う関係で前記メモリコントローラの横方向に配置された第１のメモリモジュールおよび第２のメモリモジュールを有する、請求項２１に記載のコンピュータメモリ基板。
【請求項２５】
前記ヒートシンクは、蒸発器プレート、ヒートパイプ、およびコンデンサプレートを含む、請求項２２に記載のコンピュータメモリ基板。
【請求項２６】
前記ヒートスプレッダは、実質的に０．０２０〜０．０４０インチの厚さのアルミニウムを含む、請求項２２または２５に記載のコンピュータメモリ基板。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、概ね、複数のコンピュータメモリ基板、メモリモジュール、スケーラブルサーバ、およびラック装着型システムを含む複数のコンピュータシステムに関する。より具体的には、本発明は、コンピュータメモリ基板におけるメモリコントローラに複数のメモリデバイスを熱的に結合するシステムおよび方法に関する。
【０００２】
複数のメモリデバイスおよびそれらの各々のコントローラは、メモリが必要とされる複数のタイミング仕様を満たすべく、制限された温度範囲内で動作しなければならない。現在、多くの異なる技術は、冷却ファン、ヒートシンク、ヒートスプレッダ等、メモリモジュールのために複数の冷却方法を提供することを試みて、使用されている。しかし、従来、メモリおよび関連する複数のコントローラデバイスは、複数の別個のデバイスおよび技術を使用することにより常に冷却されている。
【０００３】
この従来のアプローチに関する問題は、複数のメモリデバイスおよびコントローラが、コンピュータメモリ基板の動作温度が変動すると、異なる温度で別々に動作することである。この点から、コントローラチップは、通常、比較的大きなヒートシンクの下に位置するが、複数のメモリデバイスＤＩＭＭ（デュアルインラインメモリモジュール）は、個別のヒートスプレッダにより別々に冷却される。各メモリモジュールおよびコントローラチップは、別個のデバイスであり、動作温度が変動すると、それぞれの別個のデバイスは、コントローラのヒートシンクの寸法および気流に応じて異なる温度で動作する。従って、設計者により指定されたタイミングウィンドウは、複数のデバイスのそれぞれの比較的大きな温度差のゆえに、最適な設計目的からずれる傾向にある。
【０００４】
従って、複数のデバイスの動作温度が変動すると、タイミングウィンドウはシフトせず、システムメモリおよびコントローラの全ては、同じ均一温度で動作するように、関連するメモリコントローラに複数のメモリデバイスを熱的に結合するシステムおよび方法を提供することは、非常に有利であろう。
【発明の概要】
【０００５】
本発明の代表的な実施形態によれば、複数のメモリデバイスモジュール（例えば、ＤＩＭＭ）は、関連するメモリコントローラに機械的および熱的に結合され得る。本明細書において開示される例示的な実施形態によれば、コントローラチップは、メモリの２つのバンクの間に物理的に位置し、蒸発器プレート、ヒートパイプ、およびコンデンサプレートを有するヒートシンクの下に位置する。複数のメモリＤＩＭＭは、複数のアングル型ＤＩＭＭスロットにおけるコントローラチップの横方向に位置し、それぞれのヒートスプレッダを有するコントローラチップヒートシンクに結合される。
【０００６】
複数のメモリデバイスをコントローラチップに熱的に結合する本発明のシステムおよび方法は、複数のデバイスの全てをはるかに均一な温度に保持するように機能し、それにより複数のメモリタイミング問題を効果的に除去する。上述のように、メモリのタイミングウィンドウは、従来の冷却アプローチを使用して、温度が変化する場合にシフトする。本発明によれば、複数のメモリコンポーネントの全ては、熱的に一緒に接合されるので、このウィンドウは、一様に動く。
【０００７】
本発明の技術は、ヒートパイプ等、利用可能ないずれの冷却方法にも適用され得るが、本発明の範囲を逸脱することなく、空冷式、液冷式ヒートシンクまたは伝導冷却する他の手段も同様に使用され得ることに留意されたい。機能的には、本明細書において開示されるシステムおよび方法は、複数のメモリデバイスおよびコントローラチップの全てを、同一温度で動作させるように動作する
【０００８】
少なくとも１つのメモリモジュールを有するコンピュータメモリ基板が本明細書において具体的に開示され、コンピュータメモリ基板は、複数のメモリデバイスの少なくとも１つのバンクおよび関連するメモリコントローラを有する回路基板を備える。ヒートシンクは、メモリコントローラに隣接し、ヒートスプレッダは、複数のメモリデバイスの少なくとも１つのバンクに隣接する。クランピングデバイスは、ヒートスプレッダにヒートシンクを熱的に結合する。
【０００９】
メモリコントローラおよび複数のメモリデバイスの少なくとも１つのバンクを有する回路基板を提供する段階と、メモリコントローラに隣接するヒートシンクも提供する段階と、複数のメモリデバイスの少なくとも１つのバンクに隣接するヒートスプレッダを更に提供する段階と、ヒートシンクおよびヒートスプレッダを熱的に結合する段階とを備える、コンピュータメモリ基板の動作温度を制御する方法が、本明細書において更に開示される。
【００１０】
少なくとも１つのメモリモジュール、メモリモジュールに関連するメモリコントローラを備え、メモリモジュールおよびメモリコントローラが温度で実質的に一緒に動くように、メモリモジュールおよびメモリコントローラは、一緒に熱的に結合される、コンピュータメモリ基板が、本明細書において更に開示される。
【図面の簡単な説明】
【００１１】
好ましい実施形態の以下の説明を、添付の複数の図面と併せて参照することにより、本発明の上述および他の複数の特徴および目的、ならびにそれを実現する様式は、より明らかになり、発明自体もより良好に理解されるであろう。
【図１】メモリコントローラに複数のメモリデバイスを熱的に結合する、本発明のシステムおよび方法の代表的な実施形態の分解等角図である。
【図２】上記の図の代表的な実施形態の端部立面図である。
【図３】上記の図の参照線Ａ―Ａに沿って実質的に取られた代表的な実施形態の切取立面図である。
【図４】上記の図の代表的な実施形態の側立面図である。
【図５】上記の図の代表的な実施形態の上部平面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１２】
ここで図１を参照すると、メモリコントローラにメモリデバイスを熱的に結合する本発明のシステムおよび方法の代表的な実施形態の分解等角図が示されている。例示的なコンピュータメモリ基板１００は、関連部分に、回路基板１０２を備え、この上に、対応する左および右のメモリモジュールソケット１０６Ａおよび１０６Ｂ内に保持される、いくつかのメモリモジュール１０４Ａ（左および右の内部バンク）および１０４Ｂ（左および右の外部バンク）に関連する、メモリコントローラ１０８が装着される。図示される実施形態において、ソケット１０６Ａおよび１０６Ｂは、メモリコントローラ１０８の横方向に配置され、それに向かって傾斜し、メモリモジュール１０４Ａおよび１０４Ｂを物理的により近くに移動させる。
【００１３】
図示される代表的な実施形態において、メモリモジュール１０４Ａおよび１０４Ｂは、デュアルインラインメモリモジュール（ＤＩＭＭ）であってもよいが、本発明の原理は、ＳＯ―ＤＩＭＭ、ＤＤＲ２、ＤＤＲ３、ＤＤＲ４、ＤＲＡＭ、Ｚ―ＲＡＭ、Ｔ―ＲＡＭ等、いずれのタイプのメモリデバイスまたはモジュールにも同様に適用可能であることに留意されたい。本発明の特定の実施形態において、メモリコントローラは、フィールドプログラマブルゲートアレイ（ＦＰＧＡ）または他の専用もしくはプログラマブル集積回路デバイスを有し得る。
【００１４】
ヒートシンクは、メモリコントローラ１０８と関連し、示される例示的実装において、蒸発器プレート１１２、ヒートパイプ１２４、およびコンデンサプレート１１０を有し得る。蒸発器プレート１１２は、メモリコントローラ１０８から熱を収集し、ヒートパイプ１２４は、熱を蒸気として移送し、そのときに、コンデンサプレート１１０が蒸気を冷却して水にする。代表的な実施形態において、ヒートパイプ１２４自体のための銅／水と結合される蒸発器プレート１１２およびコンデンサプレート１１０には、アルミニウムが使用されてもよい。熱負担が、必要とされる銅のコストを正当化するほどに十分に高い場合には、銅は、蒸発器プレート１１２、ヒートパイプ１２４、およびコンデンサプレート１１０を備えるヒートシンクアセンブリ全体に使用され得ることに留意されたい。図示されるもの等の複数のヒートシンクアセンブリは、例えば、ペンシルバニア州ランキャスタのＴｈｅｒｍａｃｏｒｅ，Ｉｎｃ．から入手可能である。
【００１５】
図示されるように、いくつかのヒートスプレッダ１１４Ａ〜１１４Ｄは、メモリモジュール１０４Ａおよび１０４Ｂに関連し、これらに隣接する。複数のメモリモジュール１０４Ａの左および右の内部バンクは、ヒートスプレッダ１１４Ａおよび１１４Ｂの間に配置されるが、複数のメモリモジュール１０４Ｂの左および右の外部バンクは、ヒートスプレッダ１１４Ｃおよび１１４Ｄの間に配置される。本発明の代表的な実施形態において、ヒートスプレッダ１１４Ａ〜１１４Ｄは、実質的に０．０２０〜０．０４０インチの厚さを有するシート型アルミニウムを含み得る。本発明の代替的な複数の実施形態において、ヒートスプレッダ１１４Ａ〜１１４Ｂは、所望の熱性能を実現するのに好適な厚さの銅または他の好適な熱伝導材料を含み得る。
【００１６】
蒸発器プレート１１２およびヒートスプレッダ１１４Ａ〜１１４Ｄは、熱クランプ１１６、関連する波形座金１１８、および対応する複数のスタンドオフ１２２を通る複数のねじ１２０により一緒に固定される。このように、ヒートシンク（蒸発器プレート１１２、ヒートパイプ１２４、およびコンデンサプレート１１０を有する）およびヒートスプレッダ１１４Ａ〜１１４Ｄは、機械的および熱的に一緒に結合される。
【００１７】
一定の熱伝導構造は、メモリコントローラ１０８およびヒートスプレッダ１１４Ａ〜１１４Ｄのためのヒートシンクに関して図示されるが、メモリコントローラ１０８に、メモリモジュール１０４Ａおよび１０４Ｂのメモリデバイスを熱的に結合する目的のために、他の冷却または熱移送技術が使用され、従って同一の相対温度で、双方が一緒に冷却され得ることに留意されたい。使用される複数の冷却方法は、例えば、空気、水、ヒートパイプ、伝導による冷却等を含み得る。
【００１８】
ここで図２を更に参照すると、上記の図の代表的な実施形態の端部立面図が示されている。この例示については、上記の図に関して開示および説明されるものと同一の構造は、同一の番号であり、その説明は、十分であろう。この図において、複数のソケット１０６Ａ内の複数のメモリモジュール１０４Ａの左および右の内部バンクの配置、ならびに複数のソケット１０６Ｂ内の複数のメモリモジュール１０４Ｂの左および右の外部バンクの配置が示されている。ヒートスプレッダ１１４Ａおよび１１４Ｂは、複数のメモリモジュール１０４Ａの内部バンクに隣接するが、ヒートスプレッダ１１４Ｃおよび１１４Ｄは、複数のメモリモジュール１０４Ｂの外部バンクに隣接する。
【００１９】
ここで図３を更に参照すると、実質的に参照線Ａ―Ａに沿って取られた、上記の図の代表的な実施形態の切取立面図が示される。やはり、上記の図に関して開示および説明されるものと同一の構造は、同一の番号であり、その説明は十分であろう。この図において、メモリコントローラ１０８およびヒートスプレッダ１１４Ａ〜１１４Ｄに関連するヒートシンクの接合が示され、いくつかのねじ１２０により、熱クランプ１１６が複数のスタンドオフ１２２にどのように固定されるかを図示する。
【００２０】
ここで図４を更に参照すると、上記の図の代表的な実施形態の側立面図が示されている。上述のように、上記の図に関して開示及び説明されるものと同一の構造は、同一の番号であり、その説明は十分であろう。この図において、左および右の外部メモリモジュール１０４Ｂに隣接するヒートスプレッダ１１４Ｄは、いくつかのねじ１２０により熱クランプ１１６に固定されるものとして示されている。
【００２１】
ここで図５を更に参照すると、上記の図の代表的な実施形態の上部平面図が示されている。やはり、上記の図に関して開示および説明されるものと同一の構造は、同一の番号であり、その説明は十分であろう。この図において、ヒートスプレッダ１１４Ｄが図示され、左および右の内部メモリモジュール１０４Ａ、ならびに左および右の外部メモリモジュール１０４Ｂの重なり合う構成が示される。
【００２２】
特定の装置および構造と共に本発明の原理が上記されているが、本発明の範囲の限定としてではなく、例としてのみ、上述の説明をしていることを明確に理解されたい。また、「結合された」という用語の使用は、上記の明細書であれ、添付の特許請求の範囲であれ、結合された複数の表面と要素との間に熱インターフェース材料（ＴＩＭ）を用いる産業規格の実施を含むことが意図される。特に、上述の開示の教示は、他の複数の変形形態を当業者に示唆することを理解されたい。そのような複数の変形形態は、それ自体既に知られ、本明細書においてすでに説明された複数の特徴の代わりに、またはこれに加えて使用され得る、他の複数の特徴を含み得る。本願において、特許請求の範囲は、複数の特徴の特定の組み合わせとして定式化されているが、本明細書における開示の範囲は、いずれかの請求項で現在請求されるのと同一の発明に関するか、本発明が直面するのと同一の複数の技術的問題のいずれかまたは全てを軽減するか否かを問わず、明示的もしくは黙示的に開示されるいずれかの新規な特徴もしくは複数の特徴の新規な組み合わせ、または当業者に明らかである、そのいずれかの一般化もしくは変形形態も含むことを理解されたい。出願人は、本願、またはそれから生じる更なる出願の遂行中に、そのような複数の特徴および／またはそのような複数の特徴の組み合わせに対する新しい特許請求の範囲を定式化する権利を留保する。
【００２３】
本明細書において使用されるように、「備える」、「備えている」という用語、またはその他の改変形態は、非排他的な包含を含むことを意図し、従って、一定の複数の要素の列挙を含む処理、方法、物品、または装置は、それらの要素を必ずしも含まないのみならず、明示的に列挙されない、またはそのような処理、方法、物品、または装置に固有の他の複数の要素を含み得る。本願の説明のいずれも特定の要素、段階、または機能が特許請求の範囲に含まれなければならない本質的要素であることを暗示するものとして読まれるべきではなく、特許付与された主題の範囲は、許可された特許請求の範囲のみにより定義されるものである。更に、「の手段」という厳密な文言が使用され、その後に分詞が続かない限り、添付の特許請求の範囲は、合衆国法典第３５巻第１１２条第６段落を援用することを意図しない。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
2015222559.tif 000007
【手続補正書】
【提出日】平成27年8月27日(2015.8.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくとも１つのメモリ基板を備えるコンピュータシステムであって、
前記メモリ基板は、
複数のメモリデバイスの少なくとも１つのバンクおよび関連するメモリコントローラを含む回路基板と、
前記メモリコントローラに隣接するヒートシンクと、
複数のメモリデバイスの前記少なくとも１つのバンクに隣接するヒートスプレッダと、
前記ヒートスプレッダに前記ヒートシンクを熱的に結合するデバイスとを有する、コンピュータシステム。
【請求項２】
前記デバイスは、前記ヒートスプレッダに前記ヒートシンクを物理的に結合するクランプを含む、請求項１に記載のコンピュータシステム。
【請求項３】
前記ヒートシンクは、ヒートパイプを有する、請求項１または２に記載のコンピュータシステム。
【請求項４】
複数のメモリデバイスの前記少なくとも１つのバンクは、複数のＤＩＭＭ、複数のＳＯ―ＤＩＭＭ、ＤＤＲ２、ＤＤＲ３、ＤＤＲ４、ＤＲＡＭ、Ｚ―ＲＡＭ、またはＴ―ＲＡＭのうち１つを含む、請求項１から３のいずれか１項に記載のコンピュータシステム。
【請求項５】
複数のメモリデバイスの前記少なくとも１つのバンクは、前記メモリコントローラの横方向に配置された少なくとも第１のメモリモジュールおよび第２のメモリモジュールを含む、請求項１から４のいずれか１項に記載のコンピュータシステム。
【請求項６】
前記第１のメモリモジュールおよび前記第２のメモリモジュールは、前記メモリコントローラに向かって物理的に傾斜する、請求項５に記載のコンピュータシステム。
【請求項７】
前記第１のメモリモジュールおよび前記第２のメモリモジュールの横方向にそれぞれ配置された第３のメモリモジュールおよび第４のメモリモジュールを更に備える、請求項５または６に記載のコンピュータシステム。
【請求項８】
前記第１のメモリモジュールおよび前記第２のメモリモジュールは、前記メモリコントローラに向かって物理的に傾斜し、前記第３のメモリモジュールおよび前記第４のメモリモジュールは、前記第１のメモリモジュールおよび前記第２のメモリモジュールに対して、それぞれ、概ね並列して離間配置された関係にある、請求項７に記載のコンピュータシステム。
【請求項９】
前記ヒートパイプは、蒸発器プレートおよびコンデンサプレートを更に含む、請求項３に記載のコンピュータシステム。
【請求項１０】
前記ヒートスプレッダは、アルミニウムを含む、請求項１に記載のコンピュータシステム。
【請求項１１】
前記ヒートスプレッダは、実質的に０．０２０〜０．０４０インチの厚さである、請求項１０に記載のコンピュータシステム。
【請求項１２】
コンピュータメモリ基板の動作温度を制御する方法であって、
メモリコントローラおよび複数のメモリデバイスの少なくとも１つのバンクを有する回路基板を提供する段階と、
前記メモリコントローラに隣接するヒートシンクを提供する段階と、
複数のメモリデバイスの前記少なくとも１つのバンクに隣接するヒートスプレッダを提供する段階と、
前記ヒートシンクおよび前記ヒートスプレッダを熱的に結合する段階とを備える、方法。
【請求項１３】
前記ヒートシンクを提供する前記段階は、前記メモリコントローラに蒸発器プレートを隣接させる段階を有する、請求項１２に記載の方法。
【請求項１４】
前記メモリコントローラに蒸発器プレートを隣接させる前記段階は、ヒートパイプに前記蒸発器プレートを結合する段階を更に有する、請求項１３に記載の方法。
【請求項１５】
前記ヒートパイプに前記蒸発器プレートを結合する前記段階は、コンデンサプレートに前記ヒートパイプを結合する段階を更に有する、請求項１４に記載の方法。
【請求項１６】
前記ヒートスプレッダを提供する前記段階は、実質的に０．０２０〜０．０４０インチの厚さを有するアルミニウムを使用して実行される、請求項１２に記載の方法。
【請求項１７】
第１のメモリモジュールおよび第２のメモリモジュールを含む複数のメモリデバイスの前記少なくとも１つのバンクを更に備える、請求項１２または１６に記載の方法。
【請求項１８】
前記第１のメモリモジュールおよび前記第２のメモリモジュールは、前記メモリコントローラの横方向に配置される、請求項１７に記載の方法。
【請求項１９】
前記第１のメモリモジュールおよび前記第２のメモリモジュールは、前記メモリコントローラに向かってそれぞれ物理的に傾斜する、請求項１８に記載の方法。
【請求項２０】
前記第１のメモリモジュールおよび前記第２のメモリモジュールの横方向に配置された第３のメモリモジュールおよび第４のメモリモジュールを更に備え、
前記第３のメモリモジュールおよび前記第４のメモリモジュールは、前記第１のメモリモジュールおよび前記第２のメモリモジュールに対して、それぞれ、概ね並列して離間配置された関係にある、請求項１９に記載の方法。
【請求項２１】
少なくとも１つのメモリモジュールと、
前記メモリモジュールに関連するメモリコントローラとを備え、
前記メモリモジュールおよび前記メモリコントローラは、前記メモリモジュールおよび前記メモリコントローラが温度で実質的に一緒に動くように、一緒に熱的に結合され、
前記少なくとも１つのメモリモジュールは、関連するヒートスプレッダを有し、
前記メモリコントローラは、関連するヒートシンクを有し、
前記ヒートスプレッダおよび前記ヒートシンクは、一緒に熱的に結合される、コンピュータメモリ基板。
【請求項２２】
前記ヒートシンクおよび前記ヒートスプレッダは、一緒に物理的に結合される、請求項２１に記載のコンピュータメモリ基板。
【請求項２３】
少なくとも１つのメモリモジュールと、
前記メモリモジュールに関連するメモリコントローラとを備え、
前記メモリモジュールおよび前記メモリコントローラは、前記メモリモジュールおよび前記メモリコントローラが温度で実質的に一緒に動くように、一緒に熱的に結合され、
前記少なくとも１つのメモリモジュールは、前記メモリコントローラに対して実質的に重なり合う関係で前記メモリコントローラの横方向に配置された第１のメモリモジュールおよび第２のメモリモジュールを有する、コンピュータメモリ基板。
【請求項２４】
前記ヒートシンクは、蒸発器プレート、ヒートパイプ、およびコンデンサプレートを含む、請求項２１に記載のコンピュータメモリ基板。
【請求項２５】
前記ヒートスプレッダは、実質的に０．０２０〜０．０４０インチの厚さのアルミニウムを含む、請求項２１または２４に記載のコンピュータメモリ基板。
【外国語明細書】
2015222559000001.pdf