(57)【要約】      （修正有）【課題】ＥＵＶマスク作製工程やＥＵＶ露光中に、保護層や多層反射層にダメージが発生し難いＥＵＶマスクブランクおよびＥＵＶマスクを提供する。【解決手段】基板上に形成された多層反射層２と、該多層反射層の上に形成され保護層３と、該保護層３の上に形成された吸収層４とを具備した反射型マスクブランクであって、保護層３と吸収層４の間にガスバリア層６が具備されているか、又は、多層反射層の最上層にＳｉＯ２層７を有しているか、又は、保護層と吸収層の間にガスバリア層６が具備されていると共に多層反射層の最上層にＳｉＯ２層７を有しているかのいずれかであることを特徴とする反射型マスクブランク。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に形成された多層反射層と、該多層反射層の上に形成され保護層と、該保護層の上に形成された吸収層とを具備した反射型マスクブランクであって、保護層と吸収層の間にガスバリア層が具備されているか、又は、多層反射層の最上層にＳｉＯ２層を有しているか、又は、保護層と吸収層の間にガスバリア層が具備されていると共に多層反射層の最上層にＳｉＯ２層を有しているかのいずれかであることを特徴とする反射型マスクブランク。
【請求項２】
前記ガスバリア層は、固体金属、ＳｉＯ２、Ａｌ２Ｏ３、ダイヤモンド、ＤＬＣ（ダイヤモンドライクカーボン）のいずれかからなることを特徴とする請求項１に記載の反射型マスクブランク。
【請求項３】
前記ガスバリア層の固体金属は、少なくともＡｇ、Ｃｕ、Ａｕ、Ａｌ、Ｓｉ、Ｎｉ、Ｆｅ、Ｐｔ、Ｗ、Ｃｒ、Ｔｉ、Ｒｕ、Ｔａ、Ｍｏを１種類以上含む材料から成ることを特徴とする請求項２に記載の反射型マスクブランク。
【請求項４】
前記ガスバリア層の膜厚は、１．５ｎｍ以上であることを特徴とする請求項１〜３のいずれかに記載の反射型マスクブランク。
【請求項５】
前記ＳｉＯ２層は、多層反射層の最上層Ｓｉの上に具備されているＳｉＯ２層であることを特徴とする請求項１記載の反射型マスクブランク。
【請求項６】
前記ＳｉＯ２層は、多層反射層の最上層Ｓｉの最表面が酸素終端処理されて形成されたＳｉＯ２層であることを特徴とする請求項１記載の反射型マスクブランク。
【請求項７】
前記ＳｉＯ２層は、多層反射層の最上層がＳｉＯ２であることによるＳｉＯ２層であることを特徴とする請求項１記載の反射型マスクブランク。
【請求項８】
請求項１〜７のいずれかに記載の反射型マスクブランクを用いて作製したことを特徴とする反射型マスク。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、極端紫外線（Ｅｘｔｒｅｍｅ  Ｕｌｔｒａ  Ｖｉｏｌｅｔ；以下「ＥＵＶ」と略す）を光源とするＥＵＶリソグラフィなどに利用される反射型マスクブランクおよび反射型マスクに関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、半導体デバイスの微細化に伴い、波長が１３．５ｎｍ近傍のＥＵＶを光源に用いたＥＵＶリソグラフィが開発されている。ＥＵＶリソグラフィは光源波長が短く光吸収性が非常に高いため、真空中で行われる必要がある。また、ＥＵＶの波長領域においては、ほとんどの物質の屈折率は１よりもわずかに小さい値であるため、ＥＵＶリソグラフィにおいては、従来から用いられてきた透過型の屈折光学系を使用することができず、反射型の光学系となる。従って、原版となるＥＵＶリソグラフィ用のフォトマスク（以下、ＥＵＶマスクと呼ぶ）も、従来の透過型のマスクは使用できないため、反射型のマスクとする必要がある。
【０００３】
このような反射型マスクの元となる反射型マスクブランクは、低熱膨張性基板の上に、露光光源波長に対して高い反射率を示す多層反射層と、多層反射層の表面を保護するための保護層、露光光源波長を吸収する吸収層とが順次形成されており、更に基板の裏面には、露光機内における静電チャックのための裏面導電膜が形成されている。また、保護層と吸収層の間に、吸収層をエッチング加工する際の下地へのダメージを抑えるための緩衝層を有する構造を持つマスクブランクもある。
【０００４】
反射型マスクブランクから反射型マスクへ加工する際には、ＥＢリソグラフィとエッチング技術とにより吸収層を部分的に除去し、緩衝層を有する構造の場合は緩衝層も同様に除去し、吸収部と反射部とからなる回路パターンを形成する。このように作製された反射型マスクによって反射された光像が反射光学系を経て半導体基板上に転写される。
【０００５】
現在の標準的なＥＵＶマスクブランク（ＥＵＶリソグラフィ用の反射型マスクブランク）に用いられる多層反射層は、Ｓｉ（シリコン）とＭｏ（モリブデン）をそれぞれ約４．２ｎｍと約２．８ｎｍの膜厚で交互に成膜されており、トータルで４０〜５０ペア（＝８０層から１００層程度）から成る。また、多層反射層の最上層は、Ｍｏと比較して化学的安定性の高いＳｉとなっている。ＳｉやＭｏは、ＥＵＶ光に対する吸収（消衰係数）が小さく、且つＳｉとＭｏのＥＵＶ光における屈折率差が大きいので、ＳｉとＭｏの界面での反射率を高く出来るために用いられている。最初の界面でＥＵＶ光の一部が反射されるが、残りの反射できずに透過したＥＵＶ光は次の界面、さらには次の界面で、というように４０回（４０ペアの場合）の反射するチャンスがある。各界面で反射したＥＵＶ光は、それぞれ位相が揃っており、それらの合算が多層反射層からのＥＵＶ反射率となる。ブランクメーカ各社から販売されているＥＵＶマスクブランク（ＥＵＶマスク用基板）では、概ね６０〜６５％程度である。
【０００６】
保護層や緩衝層は、マスクを作製する際のドライエッチング工程、マスクパターン修正工程、マスク洗浄工程において、多層反射層へのダメージ防止層として重要な役割を担っている。現在の標準的なＥＵＶマスクブランクの保護層には洗浄耐性及びエッチング耐性が高いとされているルテニウム（Ｒｕ）が、緩衝層にはＣｒＮが用いられている。緩衝層が存在するタイプのブランクにおいても、最終的には緩衝層はエッチング除去されて、所望のＥＵＶマスクが完成する。（例えば特許文献１、２参照）
【０００７】
しかしながら、現在のＲｕやＲｕ化合物を保護層に用いたブランク構造では、マスク作製におけるドライエッチング工程、洗浄工程、熱処理工程や、エネルギーの高いＥＵＶ露光によって、Ｒｕ保護層や多層反射層の最上層Ｓｉにダメージが発生し、ＥＵＶ反射率の低下やパーティクル発生を引き起こし、その結果として、転写パターンの精度低下を招いてしまうことが分かってきた。
【０００８】
ここで言うダメージとは、Ｒｕ保護層の場合、酸化、剥離（ピーリング）、亀裂（クラック）を意味し、多層反射層の最上層Ｓｉの場合、酸化、腐食（エッチング）を意味する。メカニズムとしては次のように考えられている。酸素原子が存在する環境下で、ＥＵＶ光やＵＶ光のエネルギー照射や、アニールやベーク等の熱処理、洗浄時の薬液処理、ドライエッチング処理等がなされると、Ｒｕ層が酸化され脆性化する。それとともに、Ｒｕ層を酸素原子が透過して、多層反射層の最上層Ｓｉが酸化する。Ｓｉが酸化するとＳｉＯ２となり体積膨張を起こすため、Ｒｕ層にクラックやＲｕ層と多層反射層との間にピーリングを発生させる。それがまた、酸素原子の透過を加速させるため、最上層ＳｉやＲｕ層のダメージを加速させるという悪循環を引き起こす。（例えば非特許文献１参照）
【０００９】
これらのダメージは、Ｒｕ層自体が酸素原子と反応してしまうことと、Ｒｕ層が酸素原子を完全に遮断出来ていないことが根本原因であり、ＥＵＶマスクの品質と寿命の観点から何らかの改善が必要である。
【先行技術文献】
【特許文献】
【００１０】
【特許文献１】特開２００３−２４９４３４号公報
【特許文献２】特許第４１５８９６０号公報
【非特許文献】
【００１１】
【非特許文献１】Ｐｒｏｃ．ｏｆ  ＳＰＩＥ  Ｖｏｌ．８３２２  ８３２２１１−１（２０１３）
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１２】
本発明は、上記問題点に鑑みてなされたものであり、ＥＵＶマスク作製工程やＥＵＶ露光中に、保護層や多層反射層にダメージが発生し難いＥＵＶマスクブランクおよびＥＵＶマスクを提供することを課題とする。
【課題を解決するための手段】
【００１３】
本発明において上記課題を解決するために、まず請求項１の発明では、基板上に形成された多層反射層と、該多層反射層の上に形成された保護層と、該保護層の上に形成された吸収層とを具備した反射型マスクブランクであって、保護層と吸収層の間にガスバリア層が具備されているか、又は、多層反射層の最上層にＳｉＯ２層を有しているか、又は、保護層と吸収層の間にガスバリア層が具備されていると共に多層反射層の最上層にＳｉＯ２層を有しているかのいずれかであることを特徴とする反射型マスクブランクとしたものである。
【００１４】
また請求項２の発明では、前記ガスバリア層は、固体金属、ＳｉＯ２、Ａｌ２Ｏ３、ダイヤモンド、ＤＬＣ（ダイヤモンドライクカーボン）のいずれかからなることを特徴とする請求項１に記載の反射型マスクブランクとしたものである。
【００１５】
また請求項３の発明では、前記ガスバリア層の固体金属は、少なくともＡｇ、Ｃｕ、Ａｕ、Ａｌ、Ｓｉ、Ｎｉ、Ｆｅ、Ｐｔ、Ｗ、Ｃｒ、Ｔｉ、Ｒｕ、Ｔａ、Ｍｏを１種類以上含む材料から成ることを特徴とする請求項２に記載の反射型マスクブランクとしたものである。
【００１６】
また請求項４の発明では、前記ガスバリア層の膜厚は、１．５ｎｍ以上であることを特徴とする請求項１〜３のいずれかに記載の反射型マスクブランクとしたものである。
【００１７】
また請求項５の発明では、前記ＳｉＯ２層は、多層反射層の最上層Ｓｉの上に具備されているＳｉＯ２層であることを特徴とする請求項１記載の反射型マスクブランクとしたものである。
【００１８】
また請求項６の発明では、前記ＳｉＯ２層は、多層反射層の最上層Ｓｉの最表面が酸素終端処理されて形成されたＳｉＯ２層であることを特徴とする請求項１記載の反射型マスクブランクとしたものである。
【００１９】
また請求項７の発明では、前記ＳｉＯ２層は、多層反射層の最上層がＳｉＯ２であることによるＳｉＯ２層であることを特徴とする請求項１記載の反射型マスクブランクとしたものである。
【００２０】
また請求項８の発明では、請求項１〜７のいずれかに記載の反射型マスクブランクから作製したことを特徴とする反射型マスクとしたものである。
【発明の効果】
【００２１】
本発明は、保護層と吸収層の間にガスバリア層が具備されているか、又は、多層反射層の最上層にＳｉＯ２層を有しているか、又は、保護層と吸収層の間にガスバリア層が具備されていると共に多層反射層の最上層にＳｉＯ２層を有しているかのいずれかであるので、ＥＵＶマスク作製工程やＥＵＶ露光中に、保護層や多層反射層にダメージが発生し難いＥＵＶマスクブランクおよびＥＵＶマスクを提供することが可能となるため、ＥＵＶ反射率低下やパーティクル発生を抑制でき、結果として、高品質の半導体デバイスを製造できるという効果を奏する。
【図面の簡単な説明】
【００２２】
【図１】本発明の三つの実施形態に係る反射型マスクブランクの構造を、それぞれ（ａ）〜（ｃ）で示す概略断面図。
【図２】本発明の三つの実施形態に係る反射型マスクの構造を、それぞれ（ａ）〜（ｃ）で示す概略断面図。
【図３】従来の反射型マスクブランクの構造を示す概略断面図。
【図４】従来の反射型マスクの構造を示す概略断面図。
【発明を実施するための形態】
【００２３】
以下、本発明の実施形態について、図面を参照して説明する。
【００２４】
（従来の反射型マスクブランクの構成）
まず、従来の反射型マスクブランクの構成について説明する。図３は、従来の反射型マスクブランク１００の構造の概略断面図である。
【００２５】
図３に示す従来の反射型マスクブランク１００は、基板１の表面に多層反射層２、保護層３、吸収層４が順次形成され、基板の裏面に導電膜５が形成された構造を有している。また、保護層３と吸収層４の間には、緩衝層が介在する場合もある。緩衝層は、吸収層４のマスクパターン修正時（イオンビーム、微細プローブによる機械的研削等）に、下地の保護層３にダメージを与えないために設けられる層である。最近のＥＵＶマスクブランクには緩衝層が無い場合が多いため、図３には緩衝層は示していない。
【００２６】
（本実施形態に係る反射型マスクブランクの構成）
次に、本実施形態に係る反射型マスクブランクの構成について説明する。図１は本実施形態に係る反射型マスクブランク１０１、１０２、１０３の構造を、それぞれ（ａ）〜（ｃ）で示す概略断面図である。
【００２７】
図１（ａ）〜（ｃ）に示す、それぞれの本発明の反射型マスクブランクは、基板１上に、少なくとも、多層反射層２、保護層３、吸収層４が順次形成されており、基板１の裏面には導電膜５を有している。
【００２８】
図１（ａ）に示す本発明の反射型マスクブランク１０１は、保護層３と吸収層４の間にガスバリア層６を有している。また、図１（ｂ）に示す本発明の反射型マスクブランク１０２は、多層反射層２と保護層３の間にＳｉＯ２層７を有した構造となっている。また、図１（ｃ）に示す本発明の反射型マスクブランク１０３は、保護層３と吸収層４の間にガスバリア層６を、多層反射層２と保護層３の間にＳｉＯ２層７を有した構造となっている。
【００２９】
本発明の反射型マスクブランク１０１において、ガスバリア層６を設けることにより、保護層３の酸化や保護層３を酸素が透過しての多層反射層２の酸化、さらには、それに伴う保護層３のクラックやピーリングを防ぐことが可能となる。
【００３０】
前記ガスバリア層６は、特に酸素透過率の低い材料である、固体金属、ＳｉＯ２、Ａｌ２Ｏ３、ダイヤモンド、ＤＬＣ（ダイヤモンドライクカーボン、すなわちｄｉａｍｏｎｄ−ｌｉｋｅ  ｃａｒｂｏｎの略）のいずれかから成る。
【００３１】
前記ガスバリア層６が固体金属である場合は、やはり酸素透過率の低いＡｇ、Ｃｕ、Ａｕ、Ａｌ、Ｓｉ、Ｎｉ、Ｆｅ、Ｐｔ、Ｗ、Ｃｒ、Ｔｉ、Ｒｕ、Ｔａ、Ｍｏを１種類以上含む材料から成る。
【００３２】
前記ガスバリア層６が十分に低い酸素透過率を得るためには、その膜厚は、少なくとも１．５ｎｍ以上である。
【００３３】
本発明の反射型マスクブランク１０２において、ブランク作製段階で予めＳｉＯ２層７を設けることにより、ＥＵＶマスク作製工程やＥＵＶ露光によって酸素が保護層３を透過した場合でも、多層反射層２の酸化を防ぐことが可能となる。さらには、それに伴う保護層３のクラックやピーリングを防ぐことが可能となる。
【００３４】
まずここで、従来のＥＵＶマスクブランクの多層反射層２の最上層Ｓｉの酸化に関する問題について説明する。多層反射層２の最上層Ｓｉはアモルファスであるため、ダングリングボンド（未結合手）が多く存在している。保護層３形成後のブランクやマスクの状態に、保護層３を透過してきた酸素原子が近づくと、容易に酸素と反応しＳｉＯ２層を形成し、その際の体積膨張によって、保護層３にクラックやピーリングが発生してしまう問題があった。
【００３５】
本発明の反射型マスクブランク１０２において、ＳｉＯ２層７を予め設けることによって、多層反射層２の最上層Ｓｉのダングリングボンドを無くし、酸素が保護層３を透過して近づいてきたとしても、反応することが無いため、多層反射層２の酸化は起き得ない。従って、最上層Ｓｉの体積膨張も発生しないため、保護層３のクラックやピーリングを防ぐことが可能となる。
【００３６】
前記ＳｉＯ２層７は、多層反射層２の最上層Ｓｉの上に物理蒸着法や化学蒸着法による成膜、あるいは熱酸化、あるいはイオン注入法、拡散法によって形成することが可能である。
【００３７】
前記ＳｉＯ２層７の別の構造として、多層反射層２の最上層Ｓｉの最表面が酸素終端処理されている構造であっても良い。この場合、やはり熱酸化、アニール処理などの方法が可能である。
【００３８】
前記ＳｉＯ２層７は、多層反射層２の最上層自体が従来のＳｉではなく、ＳｉＯ２層であっても良い。
【００３９】
本発明の反射型マスクブランク１０３は、本発明の反射型マスクブランク１０１と本発明の反射型マスクブランク１０２との構造を併せ持った構造である。本発明の反射型マスクブランク１０１のガスバリア層６による酸素透過の防止機能と、本発明の反射型マスクブランク１０２の多層反射層２の最上層の酸化防止機能の両方を併せ持つため、従来の課題を解決する構造として最も効果が大きい。
【００４０】
次に、ガスバリア層６とＳｉＯ２層７以外の層について説明する。
【００４１】
（多層反射層）
図１に示す反射型マスクブランクの多層反射層２は、ＥＵＶ光に対して６０％程度の反射率を達成できるように設計されており、モリブデン（Ｍｏ）層とシリコン（Ｓｉ）層を交互に４０〜５０ペア積層した積層膜である。ＭｏやＳｉは、ＥＵＶ光に対する吸収（消衰係数）が小さく、且つＭｏとＳｉのＥＵＶ光での屈折率差が大きいので、ＳｉとＭｏの界面での反射率を高くすることが出来る。
【００４２】
（保護層、緩衝層）
図１に示す反射型マスクブランクの保護層３は２〜３ｎｍの膜厚のルテニウム（Ｒｕ）層あるいは１０ｎｍ程度の膜厚のシリコン（Ｓｉ）層である。Ｒｕからなる保護層３は、吸収層４の加工におけるストッパー層やマスク洗浄における薬液に対する保護層としての役割を果たすことができる。保護層３をＳｉにより構成する場合は、吸収層４との間に緩衝層が設けられる場合もある。緩衝層は、吸収層４のエッチングやパターン修正時に、緩衝層の下に隣接する多層反射層２の最上層を保護するために設けられ、クロム（Ｃｒ）の窒素化合物（ＣｒＮ）で構成されている。
【００４３】
（吸収層）
図１に示す反射型マスクブランクの吸収層４は、ＥＵＶ光に対して吸収率の高いタンタル（Ｔａ）の窒素化合物（ＴａＮ）から構成されている。他の材料として、タンタルホウ素窒化物（ＴａＢＮ）、タンタルシリコン（ＴａＳｉ）、タンタル（Ｔａ）や、それらの酸化物（ＴａＢＯＮ、ＴａＳｉＯ、ＴａＯ）でも良い。
【００４４】
図１に示す反射型マスクブランクの吸収層４は、上層に波長１９０〜２６０ｎｍの紫外光に対して反射防止機能を有する低反射層を設けた２層構造からなる吸収層であっても良
い。低反射層は、マスクの欠陥検査機の検査波長に対して、コントラストを高くし、検査性を向上させるためのものである。
【００４５】
（裏面導電膜）
図１に示す反射型マスクブランクの導電膜５は、一般にはＣｒＮで構成されるが、本発明のマスクブランクにおいては導電性があれば良く、金属材料からなる材料であれば良い。
【００４６】
（本実施形態に係る反射型マスクの構成）
図２は、本発明の反射型マスクに係る概略断面図である。本発明の反射型マスクは、上述した構造の本発明のマスクブランク１０１、１０２、１０３に対して、図２（ａ）〜（ｃ）は、それぞれ、描画やエッチング加工により作製した反射型マスク２０１、２０２、２０３である。マスクへの加工は通常のマスク作製方法でよい。
【００４７】
こうして、ＥＵＶマスク作製工程やＥＵＶ露光中に保護層３や多層反射層２にダメージが発生し難いＥＵＶマスクブランクおよびＥＵＶマスクを提供することが可能となるため、ＥＵＶ反射率低下やパーティクル発生を抑制でき、結果として、高品質の半導体デバイスを製造できる。
【実施例１】
【００４８】
以下、本発明の実施例１を説明する。
【００４９】
本実施例１で用意した低熱膨張ガラス基板１の表面に、ＳｉとＭｏの４０ペアからなる多層反射層２と、その上にＲｕからなる保護層３と、その上にＡｌ２Ｏ３（酸化アルミニウム）からなるガスバリア層６と、その上にＴａＳｉからなる吸収層４とを、基板１の裏面にＣｒＮからなる導電膜５を成膜し、本発明の実施例１の反射型マスクブランク１０１を作製した。この際のガスバリア層（Ａｌ２Ｏ３）は、物理蒸着法（スパッタリング）により約５ｎｍの膜厚で成膜した。
【００５０】
また、別途本実施例１で用意した低熱膨張ガラス基板１の表面に、ＳｉとＭｏの４０ペアからなる多層反射層２と、その上にＳｉＯ２層７と、その上にＲｕからなる保護層３と、その上にＴａＳｉからなる吸収層４とを、基板１の裏面にＣｒＮからなる導電膜５を成膜し、本発明の実施例１の反射型マスクブランク１０２を作製した。この際のＳｉＯ２層７は、物理蒸着法（スパッタリング）により約５ｎｍの膜厚で成膜した。
【００５１】
また、別途本実施例１で用意した低熱膨張ガラス基板１の表面に、ＳｉとＭｏの４０ペアからなる多層反射層２と、その上にＳｉＯ２層７と、その上にＲｕからなる保護層３と、その上にＡｌ２Ｏ３（酸化アルミニウム）からなるガスバリア層６と、その上にＴａＳｉからなる吸収層４とを、基板１の裏面にＣｒＮからなる導電膜５を成膜し、本発明の実施例１の反射型マスクブランク１０３を作製した。この際のＳｉＯ２層７とガスバリア層６は、物理蒸着法（スパッタリング）により、それぞれ約５ｎｍの膜厚で成膜した。
【００５２】
次いで、上記のように作製した本発明の実施例１のマスクブランク１０１、１０２、１０３の全て対して、ポジ型化学増幅レジスト（ＦＥＰ１７１：富士フイルムエレクトロニクスマテリアルズ社製）を３００ｎｍの膜厚に塗布し、電子線描画機（ＪＢＸ９０００：日本電子社製）によって所定のパターンに描画し、その後１１０℃、１０分のＰＥＢおよびスプレー現像（ＳＦＧ３０００：シグマメルテック社製）をすることにより、レジストパターンを形成した。
【００５３】
次いで、レジストパターンをエッチングマスクとして用い、ＣＦ４プラズマとＣｌ２プ
ラズマによるドライエッチングによって、吸収層４をエッチングした後、残ったレジストを剥離洗浄することで、本発明の実施例１の反射型マスク２０１、２０２、２０３を作製した。
【００５４】
本発明の実施例１の反射型マスク２０１、２０２、２０３の洗浄耐性を評価するために、従来の反射型マスクブランク１００から作製した反射型マスク２００と、繰り返しオゾン洗浄（オゾン水）による比較実験を行った。オゾン洗浄処理（１回あたり１０分）を全マスクに対して実施したところ、従来の反射型マスク２００は、３６回の処理でＲｕ層のピーリングが発生し、８６回の処理でＲｕ層が完全に消失したのに対し、本発明の反射型マスク２０１、２０２、２０３では、３００回を超えてもＲｕからなる保護層３のピーリングは確認出来なかった。なお、本評価におけるＲｕからなる保護層３のピーリングの確認には、１回毎の洗浄処理後に、その都度、フォトマスク用の走査型電子顕微鏡（アドバンテスト社）を用いて観察した。また、剥離した部分の表面の組成を正確に確認するために、オージェ電子分光装置（日立ハイテクノロジーズ）を使用した。
【実施例２】
【００５５】
以下、本発明の実施例２を説明する。
【００５６】
実施例１と同様に、本発明の実施例２の反射型マスク２０１、２０２、２０３および従来の反射型マスク２００を作製し、繰り返しＳＰＭ洗浄（硫酸＋過酸化水素水＋純水）による比較実験を行った。ＳＰＭ洗浄処理（１回あたり１０分）を全マスクに対して実施したところ、従来の反射型マスク２００は、５１回の処理でＲｕからなる保護層３のピーリングが発生し、１１６回の処理でＲｕからなる保護層３が完全に消失したのに対し、本発明の実施例２の反射型マスク２０１、２０２、２０３では、３００回を超えてもＲｕ層のピーリングは確認出来なかった。
【実施例３】
【００５７】
以下、本発明の実施例３を説明する。
【００５８】
実施例１と同様に、本発明の実施例３の反射型マスク２０１、２０２、２０３および従来の反射型マスク２００を作製し、ホットプレートを用いたベーキング処理による比較実験を行った。ベーキング処理（１回あたり２００度１０分、空気環境）を全マスクに対して実施したところ、従来の反射型マスク２００は、３６回の処理でＲｕからなる保護層３のクラックが発生したのに対し、本発明の反射型マスク２０１、２０２、２０３では、３００回を超えてもＲｕからなる保護層３のクラックは確認出来なかった。
【産業上の利用可能性】
【００５９】
本発明は、ＥＵＶ光を用いる反射型マスクブランクおよび反射型マスクに有用である。
【符号の説明】
【００６０】
１…基板
２…多層反射層
３…保護層
４…吸収層
５…裏面導電膜
６…ガスバリア層
７…ＳｉＯ２層
１００…従来の反射型マスクブランク
１０１…本発明の反射型マスクブランク
１０２…本発明の反射型マスクブランク
１０３…本発明の反射型マスクブランク
２００…従来の反射型マスク
２０１…本発明の反射型マスク
２０２…本発明の反射型マスク
２０３…本発明の反射型マスク
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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