(57)【要約】【課題】  ＭＥＭＳ装置において、光反射膜と可動部とを確実に固定することと、ＭＥＭＳ装置の特性変動や、破壊の原因となり得る熱応力の発生を抑制することとを両立する。【解決手段】  ＭＥＭＳ装置は、基板と、基板の上方に配置され、基板に対して相対的に傾動可能な可動部と、基板に対して可動部を傾動可能に支持する支持梁と、可動部の上方に配置された光反射膜と、可動部と光反射膜とを上下方向に離間して接続する支柱と、可動部を傾動させるトルクを発生するトルク発生機構と、を備えている。このＭＥＭＳ装置では、可動部は、その上面から下面まで貫通する貫通孔を有している。支柱は、上下方向に貫通孔を貫通するとともに可動部の下面に沿って貫通孔よりも横方向に突出して可動部に係止しており、かつ、少なくとも貫通孔を貫通する部分において中空である。【選択図】図２
2015043029.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と、
基板の上方に配置され、基板に対して相対的に傾動可能な可動部と、
基板に対して可動部を傾動可能に支持する支持梁と、
可動部の上方に配置された光反射膜と、
可動部と光反射膜とを上下方向に離間して接続する支柱と、
可動部を傾動させるトルクを発生するトルク発生機構と、を備えており、
可動部は、その上面から下面まで貫通する貫通孔を有しており、
支柱は、上下方向に貫通孔を貫通するとともに可動部の下面に沿って貫通孔よりも横方向に突出して可動部に係止しており、かつ、少なくとも貫通孔を貫通する部分において中空である、ＭＥＭＳ装置。
【請求項２】
光反射膜は、支柱の上方において平坦である、請求項１に記載のＭＥＭＳ装置。
【請求項３】
トルク発生機構は、基板上に形成された固定電極を有しており、
可動部は、可動電極を有しており、
支柱は、固定電極の垂直上方とならない位置に配置されている、請求項１または２に記載のＭＥＭＳ装置。
【請求項４】
支柱は、可動部の上面側で貫通孔よりも横方向に突出している、請求項１〜３のいずれか一項に記載のＭＥＭＳ装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本明細書は、ＭＥＭＳ（Ｍｉｃｒｏ  Ｅｌｅｃｔｒｏ  Ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ  Ｓｙｓｔｅｍｓ）装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
基板と、基板に対して相対的に傾動可能な可動部を備えるＭＥＭＳ装置が知られている。このようなＭＥＭＳ装置は、例えば光偏向装置として応用される。この種の光偏向装置では、可動部にミラーを固定し、可動部を基板に対して傾動させることで、ミラーの角度を調整する。
【０００３】
例えば、光偏向装置として用いられるＭＥＭＳ装置においては、可動部は、機械的信頼性が高い等の特性を有することが好ましく、ミラーは、反射率が高い等の特性を有することが好ましい。それぞれ要求される特性が相違するため、可動部とミラーとは、それぞれに要求される特性に応じて別の材料で形成され、互いに固定されることが好ましい。特許文献１では、半導体基板と、無機膜と、有機膜とをこの順序で積層したＭＥＭＳ装置が記載されている。ここで、有機膜は、無機膜の貫通部を通して半導体基板まで伸びており、無機膜の半導体基板側の面に係止するように、貫通部よりも平面方向に突出した係止部を有している。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００４−１３０４４２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
特許文献１では、ＭＥＭＳ装置が高温下に晒された場合等に、有機膜の貫通部を通過する部分や係止部が膨張することによって、無機膜や半導体基板に大きな熱応力が発生する。この応力発生は、ＭＥＭＳ装置の特性変動や、破壊の原因となり得る。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本明細書が開示するＭＥＭＳ装置は、基板と、基板の上方に配置され、基板に対して相対的に傾動可能な可動部と、基板に対して可動部を傾動可能に支持する支持梁と、可動部の上方に配置された光反射膜と、可動部と光反射膜とを上下方向に離間して接続する支柱と、可動部を傾動させるトルクを発生するトルク発生機構と、を備えている。このＭＥＭＳ装置では、可動部は、その上面から下面まで貫通する貫通孔を有している。支柱は、上下方向に貫通孔を貫通するとともに可動部の下面に沿って貫通孔よりも横方向に突出して可動部に係止しており、かつ、少なくとも貫通孔を貫通する部分において中空である。
【０００７】
上記のＭＥＭＳ装置では、支柱は、上下方向に貫通孔を貫通するとともに可動部の下面において貫通孔よりも横方向に突出して可動部に係止している。このため、支柱を介して光反射膜と可動部とを確実に固定することができる。さらに、支柱は、少なくとも貫通孔を通過する部分において中空である。このため、ＭＥＭＳ装置が高温下に晒された場合等に、支柱が膨張した場合であっても、中空部分によって熱応力が緩和され、ＭＥＭＳ装置に大きな熱応力が発生することを抑制できる。上記のＭＥＭＳ装置によれば、光反射膜と可動部とを確実に固定することと、ＭＥＭＳ装置の特性変動や、破壊の原因となり得る熱応力の発生を抑制することとを両立できる。
【０００８】
光反射膜は、支柱の上方において平坦であってもよい。支柱の上方が開孔することなく、その上方に位置する光反射膜が平坦であるため、ＭＥＭＳ装置の平面積当たりの光反射膜の割合（開口率）を向上させることができる。
【０００９】
トルク発生機構は、基板上に形成された固定電極を有しており、可動部は、可動電極を有していてもよい。この場合、支柱は、固定電極の垂直上方とならない位置に配置されていることが好ましい。これによって、可動部の可動電極を固定電極の垂直上方となる位置に配置することができ、トルク発生機構によって、効率よく可動部を傾動させることが可能となる。
【００１０】
上記のＭＥＭＳ装置では、支柱は、可動部の上面側で貫通孔よりも横方向に突出していてもよい。支柱が可動部の上面にも係止するため、支柱を介して光反射膜と可動部とをより確実に固定することができる。
【発明の効果】
【００１１】
本明細書が開示する技術によれば、光反射膜と可動部とを確実に固定することと、ＭＥＭＳ装置の特性変動や、破壊の原因となり得る熱応力の発生を抑制することとを両立できる。
【図面の簡単な説明】
【００１２】
【図１】光偏向装置１０の構成を示す斜視図である。
【図２】光偏向装置１０のＩＩ−ＩＩ線断面図である。
【図３】光偏向装置１０の一部の構成を示す斜視図である。
【図４】光偏向装置１０の製造方法を示す図である。
【図５】光偏向装置１０の製造方法を示す図である。
【図６】光偏向装置１０の製造方法を示す図である。
【図７】光偏向装置１０の製造方法を示す図である。
【図８】光偏向装置１０の製造方法を示す図である。
【図９】光偏向装置１０の製造方法を示す図である。
【図１０】光偏向装置１０の製造方法を示す図である。
【図１１】光偏向装置２０の断面図である。
【図１２】光偏向装置２０の一部の構成を示す斜視図である。
【図１３】光偏向装置２０の製造方法を示す図である。
【図１４】光偏向装置２０の製造方法を示す図である。
【図１５】光偏向装置２０の製造方法を示す図である。
【図１６】光偏向装置２０の製造方法を示す図である。
【図１７】光偏向装置２０の製造方法を示す図である。
【図１８】光偏向装置２０の製造方法を示す図である。
【図１９】光偏向装置２０の製造方法を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【実施例１】
【００１３】
以下では図１−図３を参照しながら、実施例に係るＭＥＭＳ装置である光偏向装置１０について説明する。光偏向装置１０は、下部基板１０１と、上部基板１０２と、可動部１２１と、支持梁１２３ａ，１２３ｂと、光反射膜１３１と、支柱１４０と、トルク発生機構とを備えている。図示していないが、可動部１２１は、その内部に可動電極を有している。上部基板１０２の上面に、固定電極１０５ａ，１０５ｂが配置されている。可動電極と固定電極１０５ａ，１０５ｂは、トルク発生機構の一部である。
【００１４】
下部基板１０１の上面（ｚ軸の正方向の面）に上部基板１０２が積層されている。上部基板１０２は、その上面にｘ方向およびｙ方向に四辺を有する四角形状の枠１１３を有している。枠１１３は、そのｘ方向の中央位置に、ｘ軸に対して対称に配置された、円部１１３ａ，１１３ｂを有している。円部１１３ａ，１１３ｂは、枠１１３の中央に向かって略半円形に突出している。上部基板１０２は、さらに、円部１１３ａ，１１３ｂから、上方（ｚ軸の正方向）に伸びる円柱部１２５ａ，１２５ｂを有している。円柱部１２５ａ，１２５ｂは、それぞれ、その下面において円部１１３ａ，１１３ｂの上面と接合し、その上面において支持梁１２３ａ，１２３ｂの下面に接合している。
【００１５】
可動部１２１は、ｘ軸およびｙ軸に対して対称な略Ｈ形状を有しており、そのｘ方向およびｙ方向の中央位置に、略正方形状に上下方向に貫通する貫通孔１２６を有している。支持梁１２３ａ，１２３ｂは、それぞれ、円柱部１２５ａ，１２５ｂから可動部１２１の中央に向かってｙ軸方向に沿って伸びており、可動部１２１に連結している。支持梁１２３ａ，１２３ｂは、同一形状であり、互いにｘ軸に対して対称となる位置に配置されている。可動部１２１は、支持梁１２３ａ，１２３ｂによって、ｙ軸に平行な傾動軸周りに傾動可能に支持されている。固定電極１０５ａ，１０５ｂは、可動部１２１の下方において、互いに傾動軸に対して対称となる位置に配置されている。固定電極１０５ａ，１０５ｂのいずれか一方と、可動電極との間に静電引力が発生するように、固定電極１０５ａ，１０５ｂおよび可動電極に電位を与えることによって、基板（下部基板１０１および上部基板１０２）に対して可動部１２１を傾動させることができる。
【００１６】
光反射膜１３１の上面はミラーとなっており、光を反射することができる。光反射膜１３１の下面に支柱１４０が接合している。図３に示すように、支柱１４０は、それぞれ略角柱形状の上部１４１および下部１４２を有している。図２に示すように、支柱１４０は、その上部１４１の下端部が可動部１２１の貫通孔１２６を貫通し、その下部１４２が可動部１２１の下面に沿って横方向（ｘ方向およびｙ方向）に突出した状態で形成される。図２に示すように、貫通孔１２６のｘ方向およびｙ方向の幅はＤ１であり（図２ではｙ方向の幅のみ示しているが、ｘ方向の幅もＤ１である）、下部１４２の下端部の幅はＤ２である（図２ではｙ方向の幅のみ示しているが、ｘ方向の幅もＤ２である）。貫通孔１２６を貫通する上部１４１の下端部のｘ方向およびｙ方向の幅も、概ねＤ１に等しい。幅Ｄ２は、幅Ｄ１より大きい（Ｄ２＞Ｄ１）。また、上部１４１は、貫通孔１２６を通過する部分が最も幅が狭くなっている。すなわち、上部１４１は、可動部１２１の上面側においても、貫通孔１２６よりも横方向に突出している。
【００１７】
支柱１４０が、上下方向に貫通孔１２６を貫通するとともに可動部１２６の下面に沿って貫通孔１２６よりも横方向に突出して可動部１２１に係止することによって、支柱１４０を介して光反射膜１３１と可動部１２１とが固定される。支柱１４０を介して、光反射膜１３１は、可動部１２１の上方に、可動部１２１から離間して接続される。トルク発生機構によって、可動部１２１を傾動軸の周りに傾動させることによって、光反射膜１３１を基板（下部基板１０１および上部基板１０２）に対して傾動させることができる。支柱１４０は、中空１４３を有している。中空１４３は、上部１４１の貫通孔１２６を貫通する部分よりも上方から、下部１４２の下端まで伸びている。支柱１４０は、下方が開孔している。支柱１４０の上面は、平坦な面であり、光反射膜１３１の下面に接合している。光反射膜１３１は、支柱１４０の上方において平坦である。また、支柱１４０は、固定電極１０５ａ，１０５ｂの垂直上方とならない位置に配置されている。
【００１８】
上記のとおり、光偏向装置１０では、支柱１４０は、上下方向に貫通孔１２６を貫通するとともに可動部１２１の下面において貫通孔１２６よりも横方向に突出して可動部１２１に係止している。このため、支柱１４０を介して光反射膜１３１と可動部１２１とを確実に固定することができる。さらに、支柱１４０は、少なくとも貫通孔１２６を通過する部分に中空１４３を有している。このため、光偏向装置１０が高温下に晒された場合等に、支柱１４０が膨張した場合であっても、中空１４３に向かって変形することで熱応力が緩和され、光偏向装置１０に大きな熱応力が発生することを抑制できる。光偏向装置１０によれば、光反射膜１３１と可動部１２１とを確実に固定することと、光偏向装置１０の特性変動や、破壊の原因となり得る熱応力の発生を抑制することとを両立できる。
【００１９】
また、光偏向装置１０では、支柱１４０は、可動部１２１の上面側で貫通孔１２６よりも横方向に突出している。支柱１４０が可動部１２１の上面にも係止するため、支柱１４０を介して光反射膜１３１と可動部１２１とをより確実に固定することができる。
【００２０】
また、光偏向装置１０では、支柱１４０は、その下部１４２が可動部１２１の下面よりも下方に突出している。このため、光偏向装置１０が振動し、可動部１２１が下方に沈み込んだ場合に、支柱１４０が上部基板１０２、固定電極１０５ａ，１０５ｂ等の下方の構成と当接し、スティッキングを防止することができる。
【００２１】
また、光偏向装置１０では、支柱１４０は、その上方が開孔することなく、その上方に位置する光反射膜１３１が平坦である。このため、光偏向装置１０の面積当たりの光反射膜１３１の割合（開口率）を向上させることができる。
【００２２】
また、光偏向装置１０では、支柱１４０は、固定電極１０５ａ，１０５ｂの垂直上方とならない位置に配置されている。このため、可動部１２１の可動電極を固定電極１０５ａ，１０５ｂの垂直上方となる位置に配置することができ、トルク発生機構によって、効率よく可動部１２１を傾動させることが可能となる。
【００２３】
光偏向装置１０の製造方法を説明する。光偏向装置１０は、半導体の製造において一般に用いられる、スパッタリング、パターンエッチング、ＣＶＤ等の技術を利用して製造することができるため、パターンエッチング、ＣＶＤ等の具体的な手順についての詳細な説明は省略する。
【００２４】
まず、図４に示すように、基板４０を準備する。基板４０は、ＳＯＩ基板であり、この順序で積層された、Ｓｉを材料とするハンドル層４９０と、ＳｉＯ２を材料とするＢｏｘ層４８０と、Ｓｉを材料とする活性層４２０を含んでいる。
【００２５】
次に、図５に示すように、異方性エッチングを行い、活性層４２０を可動部１２１の形状に合わせてパターニングする。活性層４２０は、可動部１２１となる層であり、孔４２６は、貫通孔１２６となる孔である。さらに、Ｂｏｘ層４８０に等方性エッチングを行い、孔４８６を形成する。孔４８６は、孔４２６よりもｘ方向およびｙ方向に大きい。後述するように、支柱１４０の上部１４１は、孔４８６を型として形成される。孔４８６は、上部１４１の形状に応じて設計される。
【００２６】
次に、図６に示すように、孔４２６および孔４８６の内壁面および孔４２６の周囲の活性層４２０上にＡｌ（アルミニウム）層４４０を形成する。Ａｌ層４４０は、図５に示す基板４０上にアルミニウム膜を形成した後、孔４２６および孔４８６の内壁面および孔４２６の周囲を残してアルミニウム膜を除去して形成できる。アルミニウム膜は、スパッタリング等によって形成することができる。Ａｌ層４４０は、支柱１４０となる層であり、その形状に沿って、パターニングされる。孔４２６，４８６の大きさ（すなわち、支柱１４０と貫通孔１２６の大きさ）と、基板４０上に形成するアルミニウム膜の厚みとを調整することで、Ａｌ層４４０が中空を有するようにすることができる。また、孔４２６，４８６を型として支柱１４０となるＡｌ層４４０が形成されるため、可動部１２１と支柱１４０とを確実に固定することができる。
【００２７】
次に、図７に示すように、活性層４２０上の一部に、１対の円柱４２５ａ，４２５ｂを接合する。円柱４２５ａ，４２５ｂは、アルミニウムを材料としており、円柱部１２５ａ，１２５ｂとなる。
【００２８】
次に、図８に示すように、基板４０の上下を反転させ、基板４２上に接合する。基板４２は、Ｓｉを材料とする基板層４０１（下部基板１０１となる）と、Ｓｉを材料とする基板層４０２（上部基板１０２の一部となる）と、アルミニウムを材料とする円部４１３ａ，４１３ｂ（円部１１３ａ，１１３ｂ）を含む枠（枠１１３となる）と、１対の電極（固定電極１０５ａ，１０５ｂとなる）を含んでいる。枠および電極は、基板層４０２の上面にアルミニウム膜を形成した後、それぞれの形状にパターニングすることによって形成できる。円柱４２５ａ，４２５ｂの下面（ｚ軸の負方向の面）は、それぞれ、円部４１３ａ，４１３ｂの上面（ｚ軸の正方向の面）に接合される。
【００２９】
次に、図９に示すように、エッチング等によってハンドル層４９０を除去し、Ｂｏｘ層４８０およびＡｌ層４４０の上面（ｚ軸の正方向の面）に、アルミニウムを材料とする光反射膜４３０（光反射膜１３１となる）を形成する。Ａｌ層４４０と光反射膜４３０は共にアルミニウムを材料とするため、支柱１４０と光反射膜１３１とを確実に接合することができる。
【００３０】
次に、図１０に示すように、Ｂｏｘ層４８０をエッチングによって除去する。これによって、光偏向装置１０を製造することができる。
【実施例２】
【００３１】
図１１に、実施例２に係る光偏向装置２０を示す。光偏向装置２０は、図１１，１２に示すように、支柱２４０および光反射膜２３１の形状において、光偏向装置１０と相違している。
【００３２】
支柱２４０は、それぞれ略角柱形状の上部２４１および下部２４２を有している。図１１に示すように、支柱２４０は、その上部２４１の下端部が可動部２２１の貫通孔２２６を貫通するように挿入され、その下部２４２が可動部２２１の下面に沿って横方向（ｘ方向およびｙ方向）に突出した状態で形成される。図１１に示すように、貫通孔２２６のｘ方向およびｙ方向の幅はＤ１であり（図１１ではｙ方向の幅のみ示しているが、ｘ方向の幅もＤ１である）、下部２４１の下端部の幅はＤ２である（図１１ではｙ方向の幅のみ示しているが、ｘ方向の幅もＤ２である）。貫通孔２２６を貫通する上部２４１の下端部ｘ方向およびｙ方向の幅も、概ねＤ１に等しい。幅Ｄ２は、幅Ｄ１より大きい（Ｄ２＞Ｄ１）。また、上部２４１は、貫通孔２２６を通過する部分が最も幅が狭くなっている。すなわち、上部２４１は、可動部２２１の上面側においても、貫通孔２２６よりも横方向に突出している。支柱２４０が、上下方向に貫通孔２２６を貫通するとともに可動部２２６の下面に沿って貫通孔２２６よりも横方向に突出して可動部２２１に係止することによって、支柱２４０を介して光反射膜２３１と可動部２２１とが固定される。支柱２４０を介して、光反射膜２３１は、可動部２２１の上方に、可動部２２１から離間して接続される。支柱２４０は、その下面が平坦な閉塞面であり、上面側が開孔している。支柱２４０は、中空２４３を有している。中空２４３は、下部２４２の可動部２２１に近い側から上部２４１の上端まで伸びている。光反射膜２３１のミラー面は、支柱２４０の上方において開孔している。光偏向装置２０のその他の構成は、光偏向装置１０と同様であるため、光偏向装置１０の１００番台の参照番号を２００番台に読み替えることで、説明を省略する。また、光偏向装置２０は、光偏向装置１０と同様に、固定電極１０５ａ，１０５ｂ等のトルク発生機構を含む。
【００３３】
光偏向装置２０によっても、光偏向装置１０と同様に、光反射膜２３１と可動部２２１とを確実に固定することと、光偏向装置２０の特性変動や、破壊の原因となり得る熱応力の発生を抑制することとを両立する等の効果を得ることができる。
【００３４】
光偏向装置２０の製造方法を説明する。実施例１と同様に、光偏向装置２０は、半導体の製造において一般に用いられるパターンエッチング等の具体的な手順についての詳細な説明は省略する。
【００３５】
まず、図１３に示すように、基板５０を準備する。基板５０は、ＳＯＩ基板であり、この順序で積層された、Ｓｉを材料とするハンドル層５９０と、ＳｉＯ２を材料とするＢｏｘ層５８０と、Ｓｉを材料とする活性層５２０を含んでいる。
【００３６】
次に、図１４に示すように、異方性エッチングを行い、活性層５２０を可動部２２１の形状に合わせてパターニングする。但し、この段階では貫通孔２２６となる孔は形成しない。
【００３７】
次に、図１４に示す基板５２０の上面（ｚ軸の負方向の面）に、ＣＶＤ等によって、ＳｉＯ２を材料とする絶縁層５８２を形成する。次に、絶縁層５８２をパターンエッチングして孔を形成し、絶縁層５８２の孔にアルミニウムを充填して、円柱５２５ａ，５２５ｂを形成する。絶縁層５８２の孔は、円柱２２５ａ，２２５ｂの外形に応じて設計され、円柱５２５ａ,５２５ｂは、光偏向装置２０の円柱２２５ａ，２２５ｂとなる。
【００３８】
次に、図１６に示すように、基板５０の上下を反転させ、基板５２上に接合する。基板５２は、Ｓｉを材料とする基板層５０１（下部基板２０１となる）と、Ｓｉを材料とする基板層５０２（上部基板２０２の一部となる）と、アルミニウムを材料とする円部５１３ａ，５１３ｂ（円部２１３ａ，２１３ｂとなる）を含む枠と、１対の電極（固定電極となる）を含んでいる。枠および電極は、基板層５０２の表面にアルミニウム膜を形成した後、それぞれの形状にパターニングすることによって形成できる。円柱５２５ａ，５２５ｂの下面（ｚ軸の負方向の面）は、それぞれ、円部５１３ａ，５１３ｂの上面（ｚ軸の正方向の面）に接合される。
【００３９】
次に、図１７に示すように、エッチング等によってハンドル層５９０を除去する。次に、さらに、Ｂｏｘ層５８０の等方性エッチング、活性層５２０の異方性エッチング、絶縁層５８２の等方性エッチングを行って、孔５８６を形成する。後述するように、支柱２４０は、孔５８６を型として形成される。孔５８６は、支柱２４０の形状および大きさに応じて設計される。孔５８６の活性層５２０における形状および大きさは、貫通孔２２６の形状および大きさに応じて設計される。
【００４０】
次に、図１８に示すように、Ｂｏｘ層５８０の上面および孔５８６の内壁面に沿って、アルミニウムを材料とするＡｌ層５３０を形成する。Ａｌ層５３０のうち、孔５８６の壁面に沿って形成された部分５４０が支柱２４０となり、Ｂｏｘ層５８０の上面に形成された部分が光反射膜２３１となる。孔５８６の大きさ（すなわち、支柱２４０と貫通孔２２６の大きさ）とＡｌ層５３０の厚みを調整することで、Ａｌ層５４０が中空を有するようにすることができる。支柱２４０と光反射膜２３１は、Ａｌ層５３０として一体に形成されるため、支柱２４０と光反射膜２３１とを確実に固定することができる。また、孔５８６を型として支柱２４０となる部分５４０が形成されるため、可動部２２１と支柱２４０とを確実に固定することができる。
【００４１】
次に、図１９に示すように、Ｂｏｘ層５８０および絶縁層５８２をエッチングによって除去する。これによって、光偏向装置２０を製造することができる。
【００４２】
以上、本発明の実施例について詳細に説明したが、これらは例示に過ぎず、特許請求の範囲を限定するものではない。特許請求の範囲に記載の技術には、以上に例示した具体例を様々に変形、変更したものが含まれる。
【００４３】
本明細書または図面に説明した技術要素は、単独であるいは各種の組合せによって技術的有用性を発揮するものであり、出願時の請求項に記載の組合せに限定されるものではない。また、本明細書または図面に例示した技術は複数目的を同時に達成するものであり、そのうちの一つの目的を達成すること自体で技術的有用性を持つものである。
【符号の説明】
【００４４】
１０，２０：光偏向装置
１０１，２０１：下部基板
１０２，２０２：上部基板
１０５ａ，１０５ｂ：固定電極
１２１，２２１：可動部
１２３ａ，１２３ｂ，２２３ａ，２２３ｂ：支持梁
１２６，２２６：貫通孔
１３１，２３１：光反射膜
１４０，２４０：支柱
【図１】
2015043029.tif 000003
【図２】
2015043029.tif 000004
【図３】
2015043029.tif 000005
【図４】
2015043029.tif 000006
【図５】
2015043029.tif 000007
【図６】
2015043029.tif 000008
【図７】
2015043029.tif 000009
【図８】
2015043029.tif 000010
【図９】
2015043029.tif 000011
【図１０】
2015043029.tif 000012
【図１１】
2015043029.tif 000013
【図１２】
2015043029.tif 000014
【図１３】
2015043029.tif 000015
【図１４】
2015043029.tif 000016
【図１５】
2015043029.tif 000017
【図１６】
2015043029.tif 000018
【図１７】
2015043029.tif 000019
【図１８】
2015043029.tif 000020
【図１９】
2015043029.tif 000021