(57)【要約】【課題】封止膜の欠陥を検査可能とした信頼性の高い有機エレクトロルミネッセンス装置の製造方法、有機エレクトロルミネッセンス装置、及び電子機器を提供する。【解決手段】基板の発光領域に有機エレクトロルミネッセンス素子を形成する工程と、平坦化膜を含み、有機エレクトロルミネッセンス素子を覆う封止膜を形成する工程と、発光領域に設けられた第１部分と、発光領域および基板端部の間の第２部分とに、カラーフィルターを形成する工程と、第１部分と第２部分とを比較して封止膜の欠陥を検査する工程と、を有する有機エレクトロルミネッセンス装置の製造方法に関する。【選択図】図７
2015197996.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板の発光領域に有機エレクトロルミネッセンス素子を形成する工程と、
平坦化膜を含み、前記有機エレクトロルミネッセンス素子を覆う封止膜を形成する工程
と、
前記発光領域に設けられた第１部分と、前記発光領域および基板端部の間の第２部分と
に、カラーフィルターを形成する工程と、
前記第１部分と前記第２部分とを比較して前記封止膜の欠陥を検査する工程と、を有す
る有機エレクトロルミネッセンス装置の製造方法。
【請求項２】
前記第２部分の前記カラーフィルターは、前記平坦化膜の上に配置される
請求項１に記載の有機エレクトロルミネッセンス装置の製造方法。
【請求項３】
前記第２部分の前記カラーフィルターは、前記平坦化膜が設けられた領域と前記基板端
部との間に配置され、
前記第２部分の前記カラーフィルターにより接着剤がせき止められるように、前記接着
剤を塗布する工程と、
前記接着剤上に封止基板を配置し貼り合わせる工程と、をさらに有する
請求項１に記載の有機エレクトロルミネッセンス装置の製造方法。
【請求項４】
基板の発光領域に設けられた有機エレクトロルミネッセンス素子と、
平坦化膜を含み、前記有機エレクトロルミネッセンス素子を覆う封止膜と、
前記封止膜上のカラーフィルターと、を有する有機エレクトロルミネッセンス装置であ
って、
前記カラーフィルターは、前記発光領域に設けられた第１部分と、前記発光領域と基板
端部との間に設けられた第２部分とを有する有機エレクトロルミネッセンス装置。
【請求項５】
前記第２部分の前記カラーフィルターは、前記平坦化膜の上に配置される
請求項４に記載の有機エレクトロルミネッセンス装置。
【請求項６】
前記第２部分の前記カラーフィルターは、前記平坦化膜が設けられた領域と前記基板端
部との間に配置される
請求項４に記載の有機エレクトロルミネッセンス装置。
【請求項７】
前記第１部分の前記カラーフィルターの上に接着剤を介して貼り合わされた封止基板を
さらに備え、
前記接着剤は、前記カラーフィルターの前記第２部分における前記第１部分側の端部に
接触するとともに、前記カラーフィルターの前記第１部分および前記封止膜の端部をそれ
ぞれ覆っている
請求項６に記載の有機エレクトロルミネッセンス装置。
【請求項８】
請求項４〜７のいずれか一項に記載の有機エレクトロルミネッセンス装置を備えた電子
機器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、有機エレクトロルミネッセンス装置の製造方法、有機エレクトロルミネッセ
ンス装置、及び電子機器に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来、小型高精細の有機エレクトロルミネッセンス装置において、パネルの視野角特性
向上のため、封止膜上に直接カラーフィルターを形成した技術がある（例えば、特許文献
１を参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００１−１２６８６４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、上記従来の構成では、周辺部の封止膜上にカラーフィルターが形成され
ていないと、封止膜の欠陥検査を十分に行うことができず、不良パネルが発生してしまい
信頼性を低下させるおそれがあった。
【０００５】
本発明の一つの態様は、上記の課題を解決するためになされたものであって、封止膜の
欠陥を検査可能とした信頼性の高い有機エレクトロルミネッセンス装置の製造方法、有機
エレクトロルミネッセンス装置、及び電子機器を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明の第１態様に従えば、基板の発光領域に有機エレクトロルミネッセンス素子を形
成する工程と、平坦化膜を含み、前記有機エレクトロルミネッセンス素子を覆う封止膜を
形成する工程と、前記発光領域に設けられた第１部分と、前記発光領域および基板端部の
間の第２部分とに、カラーフィルターを形成する工程と、前記第１部分と前記第２部分と
を比較して前記封止膜の欠陥を検査する工程と、を有する有機エレクトロルミネッセンス
装置の製造方法が提供される。
【０００７】
第１態様に係る有機エレクトロルミネッセンス装置の製造方法によれば、発光領域およ
び基板端部の間の第２部分に形成されたカラーフィルターの表面形状を発光領域の第１部
分に形成されたカラーフィルターと比較することで、カラーフィルターの下層に形成され
た封止膜の欠陥検査を良好に行うことができる。
【０００８】
上記第１態様において、前記第２部分の前記カラーフィルターは、前記平坦化膜の上に
配置される構成としてもよい。
この構成によれば、カラーフィルターが平坦化膜上に連続して形成されたものとなる。
よって、平坦膜の欠陥検査を精度良く行うことが可能となる。
【０００９】
上記第１態様において、前記第２部分の前記カラーフィルターは、前記平坦化膜が設け
られた領域と前記基板端部との間に配置され、前記第２部分の前記カラーフィルターによ
り接着剤がせき止められるように、前記接着剤を塗布する工程と、前記接着剤上に封止基
板を配置し貼り合わせる工程と、をさらに有する構成としてもよい。
この構成によれば、第２部分のカラーフィルターで接着剤がせき止められるため、封止
基板の貼り合せを簡便且つ確実に行うことができる。また、接着剤が封止層の端部を覆う
構造となるため、例えば、大型パネルを分断して有機ＥＬ装置の製造を行う場合、基板の
切断時の切粉による封止層へのキズを防止することができる。よって、封止層にキズが入
ることで外部からの水分侵入経路を低減できるため、有機ＥＬ装置の封止性の信頼性を向
上させることができる。
【００１０】
本発明の第２態様に従えば、基板の発光領域に設けられた有機エレクトロルミネッセン
ス素子と、平坦化膜を含み、前記有機エレクトロルミネッセンス素子を覆う封止膜と、前
記封止膜上のカラーフィルターと、を有する有機エレクトロルミネッセンス装置であって
、前記カラーフィルターは、前記発光領域に設けられた第１部分と、前記発光領域と基板
端部との間に設けられた第２部分とを有する有機エレクトロルミネッセンス装置が提供さ
れる。
【００１１】
第２態様に係る有機エレクトロルミネッセンス装置によれば、発光領域および基板端部
の間の第２部分に形成されたカラーフィルターの表面形状を発光領域の第１部分に形成さ
れたカラーフィルターと比較することで封止膜の欠陥検査を良好に行うことが可能となる
。よって、欠陥検査で選別された良品の封止膜を備えた信頼性の高い有機エレクトロルミ
ネッセンス装置が提供される。
【００１２】
上記第２態様において、前記第２部分の前記カラーフィルターは、前記平坦化膜の上に
配置される構成としてもよい。
この構成によれば、カラーフィルターが平坦化膜上に連続して形成されたものとなるの
で、欠陥検査を精度良く行うことができる。
【００１３】
上記第２態様において、前記第２部分の前記カラーフィルターは、前記平坦化膜が設け
られた領域と前記基板端部との間に配置される構成としてもよい。
この構成によれば、例えば、接着剤を介して封止基板を貼り合せる際、第２部分のカラ
ーフィルターを接着剤のせき止めとして利用することができる。
【００１４】
上記第２態様において、前記第１部分の前記カラーフィルターの上に接着剤を介して貼
り合わされた封止基板をさらに備え、前記接着剤は、前記カラーフィルターの前記第２部
分における前記第１部分側の端部に接触するとともに、前記カラーフィルターの前記第１
部分および前記封止膜の端部をそれぞれ覆っている構成としてもよい。
この構成によれば、封止基板の貼り合せ時に、第２部分のカラーフィルターが接着剤を
せき止められるため、封止基板が簡便且つ確実に貼り合わされたものとなる。また、接着
剤が封止層の端部を覆う構造となるため、例えば、大型パネルを分断して有機ＥＬ装置の
製造を行う場合、基板の切断時の切粉による封止層へのキズを防止することができる。よ
って、封止層にキズが入ることで外部からの水分侵入経路を低減できるため、有機ＥＬ装
置の封止性の信頼性を向上させることができる。
【００１５】
本発明の第３態様に従えば、第２態様に係る有機エレクトロルミネッセンス装置を備え
た電子機器が提供される。
【００１６】
第３態様に係る電子機器によれば、良品の封止膜を備えた信頼性の高い有機エレクトロ
ルミネッセンス装置を備えるので、該電子機器自体も信頼性の高いものとなる。
【図面の簡単な説明】
【００１７】
【図１】第一実施形態の有機ＥＬ装置の電気的な構成を示す等価回路図である。
【図２】第一実施形態の有機ＥＬ装置の構成を示す概略平面図である。
【図３】サブ画素の配置を示す概略平面図である。
【図４】図３のＡ−Ａ’線に沿ったサブ画素の構造を示す概略断面図である。
【図５】サブ画素における凸部と着色層の配置を示す概略平面図である。
【図６】カラーフィルターの形成領域を示す概略断面図である。
【図７】第一実施形態に係る有機ＥＬ装置の製造方法を示すフローチャートである。
【図８】（ａ）〜（ｆ）は第一実施形態の有機ＥＬ装置の製造方法を示す概略断面図である。
【図９】（ａ）、（ｂ）は第一実施形態の有機ＥＬ装置の検査方法を示す概略説明図である。
【図１０】第二実施形態の有機ＥＬ装置の構成を示す概略断面図である。
【図１１】（ａ）〜（ｄ）は第二実施形態の有機ＥＬ装置の製造工程を示す概略断面図である。
【図１２】電子機器としてのヘッドマウントディスプレイを示す概略図である。
【発明を実施するための形態】
【００１８】
以下、本発明の実施の形態について、図面を参照して詳細に説明する。
なお、以下の説明で用いる図面は、特徴をわかりやすくするために、便宜上特徴となる
部分を拡大して示している場合があり、各構成要素の寸法比率などが実際と同じであると
は限らない。
【００１９】
なお、以下の形態において、例えば「基板上に」と記載され、特別な記載がなければ、
基板の上に接するように配置される場合、または基板の上に他の構成物を介して配置され
る場合、または基板の上に一部が接するように配置され、一部が他の構成物を介して配置
される場合を含んでいるものとする。
【００２０】
（第一実施形態）
本実施形態の有機エレクトロルミネッセンス装置（以下、有機ＥＬ装置と称す）の構造
について、図１〜図６を参照して説明する。図１は本実施形態の有機ＥＬ装置の電気的な
構成を示す等価回路図、図２は本実施形態の有機ＥＬ装置の構成を示す概略平面図、図３
はサブ画素の配置を示す概略平面図、図４は図３のＡ−Ａ’線に沿ったサブ画素の構造を
示す概略断面図、図５はサブ画素における凸部と着色層の配置を示す概略平面図、図６は
カラーフィルターの形成領域を示す概略断面図である。
【００２１】
図１に示すように、本実施形態の有機ＥＬ装置１００は、互いに交差する複数の走査線
１２及び複数のデータ線１３と、電源線１４とを有している。複数の走査線１２が接続さ
れる走査線駆動回路１６と、複数のデータ線１３が接続されるデータ線駆動回路１５とを
有している。また、複数の走査線１２と複数のデータ線１３との各交差部に対応してマト
リックス状に配置された発光画素である複数のサブ画素１８を有している。
【００２２】
サブ画素１８は、発光素子としての有機ＥＬ素子３０と、有機ＥＬ素子３０の駆動を制
御する画素回路２０とを有している。
【００２３】
有機ＥＬ素子３０は、陽極としての画素電極３１と、陰極としての対向電極３３と、画
素電極３１と対向電極３３との間に設けられた機能層３２とを有している。このような有
機ＥＬ素子３０は電気的にダイオードとして表記することができる。なお、詳しくは後述
するが、画素電極３１がサブ画素１８毎形成されており、対向電極３３は複数のサブ画素
１８に亘る共通陰極として形成されている。したがって、機能層３２及び対向電極３３は
複数のサブ画素１８に亘って連続して設けられており機能層３２及び対向電極３３はサブ
画素１８毎に区分はないが、便宜上、サブ画素１８毎に有機ＥＬ素子３０が設けられてい
ると説明している。
【００２４】
画素回路２０は、スイッチング用トランジスター２１と、蓄積容量２２と、駆動用トラ
ンジスター２３とを含んでいる。２つのトランジスター２１，２３は、例えばｎチャネル
型もしくはｐチャネル型の薄膜トランジスター（ＴＦＴ；Thin  Film  Transistor）やＭ
ＯＳトランジスターを用いて構成することができる。
【００２５】
スイッチング用トランジスター２１のゲートは走査線１２に接続され、ソースまたはド
レインのうち一方がデータ線１３に接続され、ソースまたはドレインのうち他方が駆動用
トランジスター２３のゲートに接続されている。
駆動用トランジスター２３のソースまたはドレインのうち一方が有機ＥＬ素子３０の画
素電極３１に接続され、ソースまたはドレインのうち他方が電源線１４に接続されている
。駆動用トランジスター２３のゲートと電源線１４との間に蓄積容量２２が接続されてい
る。
【００２６】
走査線１２が駆動されてスイッチング用トランジスター２１がオン状態になると、その
ときにデータ線１３から供給される画像信号に基づく電位がスイッチング用トランジスタ
ー２１を介して蓄積容量２２に保持される。該蓄積容量２２の電位すなわち駆動用トラン
ジスター２３のゲート電位に応じて、駆動用トランジスター２３のオン・オフ状態が決ま
る。そして、駆動用トランジスター２３がオン状態になると、電源線１４から駆動用トラ
ンジスター２３を介して画素電極３１と対向電極３３とに挟まれた機能層３２にゲート電
位に応じた量の電流が流れる。有機ＥＬ素子３０は、機能層３２を流れる電流量に応じて
発光する。
【００２７】
図２に示すように、有機ＥＬ装置１００は、素子基板１０を有している。素子基板１０
には、表示領域Ｅ０（図中、一点鎖線で表示）と、表示領域Ｅ０の外側に非表示領域Ｅ３
とが設けられている。表示領域Ｅ０は、実表示領域（発光領域）Ｅ１（図中、二点鎖線で
表示）と、実表示領域Ｅ１を囲むダミー領域Ｅ２とを有している。
【００２８】
実表示領域Ｅ１には、発光画素としてのサブ画素１８がマトリックス状に配置されてい
る。サブ画素１８は、前述したように発光素子としての有機ＥＬ素子３０を備えており、
スイッチング用トランジスター２１及び駆動用トランジスター２３の動作に伴って、青（
Ｂ）、緑（Ｇ）、赤（Ｒ）のうちいずれかの色の発光が得られる構成となっている。
【００２９】
本実施形態では、同色の発光が得られるサブ画素１８が第１の方向に配列し、異なる色
の発光が得られるサブ画素１８が第１の方向に対して交差（直交）する第２の方向に配列
した、所謂ストライプ方式のサブ画素１８の配置となっている。以降、上記第１の方向を
Ｙ方向とし、上記第２の方向をＸ方向として説明する。なお、素子基板１０におけるサブ
画素１８の配置はストライプ方式に限定されず、モザイク方式、デルタ方式であってもよ
い。
【００３０】
ダミー領域Ｅ２には、主として各サブ画素１８の有機ＥＬ素子３０を発光させるための
周辺回路が設けられている。例えば、図２に示すように、Ｘ方向において実表示領域Ｅ１
を挟んだ位置にＹ方向に延在して一対の走査線駆動回路１６が設けられている。一対の走
査線駆動回路１６の間で実表示領域Ｅ１に沿った位置に検査回路１７が設けられている。
【００３１】
素子基板１０のＸ方向に平行な一辺部（図中の下方の辺部）に、外部駆動回路との電気
的な接続を図るためのフレキシブル回路基板（ＦＰＣ）４３が接続されている。ＦＰＣ４
３には、ＦＰＣ４３の配線を介して素子基板１０側の周辺回路と接続される駆動用ＩＣ４
４が実装されている。駆動用ＩＣ４４は前述したデータ線駆動回路１５を含むものであり
、素子基板１０側のデータ線１３や電源線１４は、ＦＰＣ４３を介して駆動用ＩＣ４４に
電気的に接続されている。
【００３２】
表示領域Ｅ０と素子基板１０の外縁との間、つまり非表示領域Ｅ３には、例えば各サブ
画素１８の有機ＥＬ素子３０の対向電極３３に電位を与えるための配線２９などが形成さ
れている。配線２９は、ＦＰＣ４３が接続される素子基板１０の辺部を除いて、表示領域
Ｅ０を囲むように素子基板１０に設けられている。
【００３３】
次に、図３を参照してサブ画素１８の平面的な配置、とりわけ画素電極３１の平面的な
配置について説明する。図３に示すように、青（Ｂ）の発光が得られるサブ画素１８Ｂ、
緑（Ｇ）の発光が得られるサブ画素１８Ｇ、赤（Ｒ）の発光が得られるサブ画素１８Ｒが
Ｘ方向に順に配列している。同色の発光が得られるサブ画素１８はＹ方向に隣り合って配
列している。Ｘ方向に配列した３つのサブ画素１８Ｂ，１８Ｇ，１８Ｒを１つの画素１９
として表示がなされる構成になっている。Ｘ方向におけるサブ画素１８Ｂ，１８Ｇ，１８
Ｒの配置ピッチは５μｍ未満である。Ｘ方向に０．５μｍ〜１．０μｍの間隔を置いてサ
ブ画素１８Ｂ，１８Ｇ，１８Ｒが配置されている。Ｙ方向におけるサブ画素１８Ｂ，１８
Ｇ，１８Ｒの配置ピッチはおよそ１０μｍ未満である。
【００３４】
サブ画素１８における画素電極３１は略矩形状であって、長手方向がＹ方向に沿って配
置されている。有機ＥＬ素子３０から放出される発光色に応じて画素電極３１をそれぞれ
画素電極３１Ｂ，３１Ｇ，３１Ｒと呼ぶこともある。各画素電極３１Ｂ，３１Ｇ，３１Ｒ
の外縁を覆って絶縁膜２７が形成されている。これによって、各画素電極３１Ｂ，３１Ｇ
，３１Ｒ上に開口部２７ａが形成され、開口部２７ａ内において画素電極３１Ｂ，３１Ｇ
，３１Ｒのそれぞれが露出している。開口部２７ａの平面形状もまた略矩形状となってい
る。
なお、図３では、異なる色のサブ画素１８Ｂ，１８Ｇ，１８Ｒの配置は、Ｘ方向におい
て左側から青（Ｂ）、緑（Ｇ）、赤（Ｒ）の順になっているが、これに限定されるもので
はない。例えば、Ｘ方向において、左側から赤（Ｒ）、緑（Ｇ）、青（Ｂ）の順であって
もよい。
【００３５】
次に、図４を参照してサブ画素１８Ｂ，１８Ｇ，１８Ｒの構造について説明する。図４
に示すように、有機ＥＬ装置１００は、本発明における基板としての基材１１と、基材１
１上に順に形成された反射層２５、透明層２６、画素電極３１Ｂ，３１Ｇ，３１Ｒ、機能
層３２、共通陰極である対向電極３３を有する。また、対向電極３３を覆う封止層（封止
層）３４と、封止層３４上に形成されたカラーフィルター３６とを有する。さらに、カラ
ーフィルター３６を保護するために、透明樹脂層（接着剤）４２を介して配置された対向
基板４１を有する。素子基板１０は基材１１からカラーフィルター３６までを含むもので
ある。なお、図４では、素子基板１０における画素回路２０の駆動用トランジスター２３
などの構成について、図示を省略した。
【００３６】
有機ＥＬ装置１００は、機能層３２から発した光がカラーフィルター３６を透過して対
向基板４１側から取り出されるトップエミッション方式が採用されている。したがって、
基材１１は透明な例えばガラスなどの基板だけでなく、不透明な例えばシリコンやセラミ
ックスなどの基板を用いることができる。対向基板４１は透明な例えばガラスなどの基板
である。
【００３７】
基材１１上に形成される反射層２５は、Ａｌ（アルミニウム）やＡｇ（銀）、あるいは
これらの光反射性を有する金属の合金を用いることができる。本実施形態において、反射
層２５の光反射率は好ましくは４０％以上、より好ましくは８０％以上である。
【００３８】
透明層２６は、後に形成される画素電極３１と反射層２５との電気的な絶縁を図るもの
であって、例えばＳｉＯｘ（酸化シリコン）などの無機絶縁膜を用いることができる。
【００３９】
サブ画素１８Ｂ，１８Ｇ，１８Ｒに対応して、透明層２６上に設けられた画素電極３１
Ｂ，３１Ｇ，３１Ｒは、例えばＩＴＯ（Indium  Tin  Oxide）やＩＺＯ（Indium  Zinc  
Oxide）などの透明導電膜からなり、互いに膜厚が異なっている。具体的には、青（Ｂ）
、緑（Ｇ）、赤（Ｒ）の順に膜厚が厚くなっている。本実施形態において、画素電極３１
の光透過率は好ましくは５０％以上、より好ましくは８０％以上である。
【００４０】
機能層３２は白色光が得られる有機発光層を含み、サブ画素１８Ｂ，１８Ｇ，１８Ｒに
跨って共通に形成されている。なお、白色光は、青（Ｂ）、緑（Ｇ）、赤（Ｒ）の発光が
得られる有機発光層を組み合わせることにより実現できる。また、青（Ｂ）と黄（Ｙ）の
発光が得られる有機発光層を組み合わせても擬似白色光を得ることができる。
【００４１】
機能層３２を覆う対向電極３３は、例えばＭｇＡｇ（マグネシウム銀）合金からなり、
光透過性と光反射性とを兼ね備えるように膜厚が制御されている。本実施形態において、
対向電極３３の光透過率は好ましくは２０％以上、より好ましくは３０％以上であり、対
向電極３３の光反射率は好ましくは２０％以上、より好ましくは５０％以上である。
【００４２】
封止層３４は、対向電極３３側から第１封止層３４ａ、平坦化層３４ｂ、第２封止層３
４ｃが順に積層された構造となっている。尚、封止層３４のガスバリア性としては、有機
ＥＬ素子３０を大気中の酸素および水等から保護することが可能な程度であれば特に限定
されないが、酸素透過率が０．０１ｃｃ／ｍ２／ｄａｙ以下であることが好ましく、水蒸
気透過率が７×１０−３ｇ／ｍ２／ｄａｙ以下、中でも５×１０−４ｇ／ｍ２／ｄａｙ以
下、特に５×１０−６ｇ／ｍ２／ｄａｙ以下であることが好ましい。封止層３４の光の透
過率は、サブ画素１８Ｒ，１８Ｂ，１８Ｇの射出光に対し８０％以上であることが好まし
い。
第１封止層３４ａと第２封止層３４ｃとは、無機材料を用いて形成されている。無機材
料としては、水分や酸素などを通し難い、例えばＳｉＯｘ（酸化シリコン）、ＳｉＮｘ（
窒化シリコン）、ＳｉＯｘＮｙ（酸窒化シリコン）、ＡｌｘＯｙ（酸化アルミニウム）な
どが挙げられる。第１封止層３４ａ及び第２封止層３４ｃを形成する方法としては真空蒸
着法、イオンプレーティング法、スパッター法、ＣＶＤ法などが挙げられる。有機ＥＬ素
子３０に熱などのダメージを与え難い点で、真空蒸着法やイオンプレーティング法を採用
することが望ましい。第１封止層３４ａ及び第２封止層３４ｃの膜厚は、成膜時にクラッ
クなどが生じ難く、且つ透明性が得られるように、５０ｎｍ〜１０００ｎｍ、好ましくは
２００ｎｍ〜４００ｎｍとなっている。
【００４３】
平坦化層３４ｂは、透明性を有し、例えば、熱または紫外線硬化型のエポキシ樹脂、ア
クリル樹脂、ウレタン樹脂、シリコーン樹脂のいずれかの樹脂材料を用いて形成すること
ができる。また、塗布型の無機材料（酸化シリコンなど）を用いて形成してもよい。平坦
化層３４ｂは、複数の有機ＥＬ素子３０を覆った第１封止層３４ａに積層して形成されて
いる。第１封止層３４ａの表面は、厚みが異なる画素電極３１Ｂ，３１Ｇ，３１Ｒの影響
を受けて凹凸が生ずるので、該凹凸を緩和するため、１μｍ〜５μｍの膜厚で平坦化層３
４ｂを形成することが好ましい。これによって、封止層３４上に形成されるカラーフィル
ター３６が該凹凸の影響を受け難くなる。
【００４４】
平坦化層３４ｂを覆う第２封止層３４ｃは、前述した無機材料を用いて形成されている
。
【００４５】
カラーフィルター３６は、封止層３４の上に、フォトリソグラフィー法で形成された青
（Ｂ）、緑（Ｇ）、赤（Ｒ）の着色層３６Ｂ，３６Ｇ，３６Ｒを含んで構成されている。
着色層３６Ｂ，３６Ｇ，３６Ｒは、サブ画素１８Ｂ，１８Ｇ，１８Ｒに対応して形成され
また、封止層３４上において、異なる色のサブ画素１８Ｂ，１８Ｇ，１８Ｒの着色層３６
Ｂ，３６Ｇ，３６Ｒの間に光透過性の凸部３５が設けられている。封止層３４上における
凸部３５の高さは、着色層３６Ｂ，３６Ｇ，３６Ｒの膜厚と略等しい。
【００４６】
本実施形態の有機ＥＬ装置１００は、反射層２５と対向電極３３との間で光共振器が構
成されている。サブ画素１８Ｂ，１８Ｇ，１８Ｒごとの画素電極３１Ｂ，３１Ｇ，３１Ｒ
の膜厚が異なることにより、それぞれの光共振器における光学的な距離が異なっている。
これにより、サブ画素１８Ｂ，１８Ｇ，１８Ｒのそれぞれにおいて各色に対応した共振波
長の光が得られる構成となっている。
なお、光共振器における光学的な距離の調整方法は、これに限定されず、例えばサブ画
素１８Ｂ，１８Ｇ，１８Ｒごとに、基材１１上における透明層２６の膜厚や透明層２６を
構成する材料を異ならせてもよい。
【００４７】
このように、サブ画素１８Ｒ，１８Ｂ，１８Ｇの機能層３２は白色光を放射するが、反
射層２５と対向電極３３との間の光学的な距離が異なるため、対向電極３３から放出され
る光のスペクトルが異なる。機能層３２の内部発光スペクトルは同じであると解釈できる
が、共振構造を用いて放出される光のスペクトルが異なるため、便宜上、サブ画素１８は
異なる波長領域の光を射出する、すなわち、サブ画素１８は赤（Ｒ）、緑（Ｇ）、青（Ｂ
）のうちいずれかの色の発光が得られると説明している。さらに本実施形態において、同
色の発光が得られるサブ画素１８、あるいは、異なる色の発光が得られるサブ画素１８と
は、共振構造を用いて放出される光のスペクトルに応じて説明したものである。
各サブ画素１８Ｂ，１８Ｇ，１８Ｒの光共振器から発せられた共振光は、各着色層３６
Ｂ，３６Ｇ，３６Ｒを透過して透明な対向基板４１側から射出される。カラーフィルター
３６が封止層３４上に形成されているため、カラーフィルター３６が対向基板４１側に形
成される場合に比べて、サブ画素１８Ｂ，１８Ｇ，１８Ｒ間での光漏れによる混色が低減
される。このようなサブ画素１８Ｂ，１８Ｇ，１８Ｒの構造は、サブ画素１８Ｂ，１８Ｇ
，１８Ｒの平面的な大きさが小さくなる、つまり高精細になるほど混色を効果的に低減で
きる。
【００４８】
次に、封止層３４上における凸部３５と着色層３６Ｂ，３６Ｇ，３６Ｒとの関係につい
て、図５を参照して説明する。
【００４９】
図５に示すように、本実施形態の有機ＥＬ装置１００のカラーフィルター３６は、Ｙ方
向に同色の着色層が延在して配置されている。つまり、青（Ｂ）の着色層３６Ｂは、Ｙ方
向に配列する複数のサブ画素１８Ｂ（画素電極３１Ｂ）に跨ってストライプ状に配置され
ている。同様に、緑（Ｇ）の着色層３６Ｇは、Ｙ方向に配列する複数のサブ画素１８Ｇ（
画素電極３１Ｇ）に跨ってストライプ状に配置されている。赤（Ｒ）の着色層３６Ｒは、
Ｙ方向に配列する複数のサブ画素１８Ｒ（画素電極３１Ｒ）に跨ってストライプ状に配置
されている。各着色層３６Ｂ，３６Ｇ，３６Ｒの境は、Ｘ方向に配列する隣り合うサブ画
素１８の画素電極３１の間のほぼ中央に位置している。
【００５０】
異なる色の着色層３６Ｂ，３６Ｇ，３６Ｒの間には、これらの着色層３６Ｂ，３６Ｇ，
３６Ｒをそれぞれ区分するように、封止層３４上に凸部３５が配置されている。したがっ
て、封止層３４上において凸部３５もＹ方向に延在するようにストライプ状（スジ状）に
配置されている。
【００５１】
図４に示したように凸部３５の断面形状は台形であって、凸部３５の底面は図５に示す
ように、隣り合うサブ画素１８の画素電極３１間に位置している。
なお、各画素電極３１の外縁は、絶縁膜２７により被覆され、絶縁膜２７に設けられた
開口部２７ａにおいて画素電極３１は機能層３２と接している。サブ画素１８において開
口部２７ａが実質的に発光に寄与する領域であるため、凸部３５の底面が開口部２７ａ以
外の画素電極３１と重なるように凸部３５を形成してもよい。
【００５２】
本実施形態において、光透過性の凸部３５は、着色材料を含まない感光性樹脂材料を用
いてフォトリソグラフィー法で形成されている。すなわち、凸部３５と着色層３６Ｂ，３
６Ｇ，３６Ｒの主材料は同じである。封止層３４上における凸部３５の幅はおよそ０．５
μｍ〜１．０μｍ（好ましくは底面の幅が０．７μｍ、頭頂部３５ａの幅が０．５μｍ）
、高さはおよそ１．１μｍである。凸部３５の高さは、着色層３６Ｂ，３６Ｇ，３６Ｒの
平均膜厚と略等しくなっている。
【００５３】
なお、着色層３６Ｂ，３６Ｇ，３６Ｒの膜厚については、例えば、ホワイトバランスを
考慮し、それぞれ異ならせても良い。
【００５４】
なお、凸部３５は、図５に示すようにＹ方向に延在したストライプ状に配置されること
に限定されない。例えば、各サブ画素１８の画素電極３１における開口部２７ａを囲むよ
うに、Ｘ方向とＹ方向とに延在して格子状に配置されていてもよい。また、着色層３６Ｒ
，３６Ｇ，３６Ｂによって凸部３５の頭頂部の少なくとも一部が覆われた構成を採用して
も良い。
【００５５】
次に、図６を参照してカラーフィルターの形成領域について説明する。
図６に示すように、基材１１上において、対向電極３３は、有機ＥＬ素子３０の側端部
を覆うように形成されている。対向電極３３は、コンタクト部５０を介して基材１１に設
けられた不図示の配線や回路に電気的に接続されている。図６では、基材１１上における
上における画素回路２０を構成する駆動用トランジスター２３などや反射層２５、透明層
２６、画素電極３１の表示を省略しており、有機ＥＬ素子３０も簡略化して図示している
。
【００５６】
対向電極３３の上面および側端部を覆うように第１封止層３４ａが形成されている。平
坦化層３４ｂは、第１封止層３４ａを覆うように基材１１上に形成されている。第２封止
層３４ｃは、平坦化層３４ｂの上面および側端部を覆うように第１封止層３４ａ上に形成
されている。すなわち、封止層３４は、基材１１の端部１１ａ，１１ｂにおいて、第１封
止層３４ａおよび第２封止層３４ｃが積層されたものとなっている。
【００５７】
本実施形態において、カラーフィルター３６は、平坦化層３４ｂの上面を覆う第２封止
層３４ｃ上に形成されている。カラーフィルター３６は、発光領域として機能する実表示
領域Ｅ１と平面視で重なる第１部分３６ａと、実表示領域Ｅ１と端部１１ａ、１１ｂの間
の第２部分３６ｂとに形成されている。本実施形態において、第２部分３６ｂのカラーフ
ィルター３６は、平坦化層３４ｂの上に形成されている。すなわち、カラーフィルター３
６は、平坦化層３４ｂ（第２封止層３４ｃ）の上に連続して形成されている。
【００５８】
有機ＥＬ装置１００は、カラーフィルター３６上に配置された透明樹脂層４２を介して
対向基板４１が貼り付けられることで構成されている。
【００５９】
このように本実施形態の有機ＥＬ装置１００によれば、後述の検査工程において、第２
部分３６ｂに形成されたカラーフィルター３６の表面形状を第１部分３６ａに形成された
カラーフィルター３６と比較することで、カラーフィルター３６の下層に形成された封止
層３４の欠陥検査を良好に行うことが可能である。
【００６０】
（有機ＥＬ装置の製造方法）
次に、本実施形態の有機ＥＬ装置の製造方法について、図７及び図８を参照して説明す
る。図７は第一実施形態の有機ＥＬ装置の製造方法を示すフローチャート、図８（ａ）〜
（ｆ）は第一実施形態の有機ＥＬ装置の製造方法を示す概略断面図である。
【００６１】
図７に示すように、本実施形態の有機ＥＬ装置１００の製造方法は、封止層形成工程（
ステップＳ１）と、凸部形成工程（ステップＳ２）と、カラーフィルター形成工程（ステ
ップＳ３）と、基板貼り合わせ工程（ステップＳ４）と、検査工程（ステップＳ５）とを
備えている。なお、基材１１上に画素回路２０や有機ＥＬ素子３０などを形成する方法は
、公知の方法を採用することができる。したがって、図８（ａ）〜（ｆ）では、基材１１
上における画素回路２０の駆動用トランジスター２３など構成や反射層２５、透明層２６
の表示を省略している。以降、本発明の特徴部分である、ステップＳ１〜 ステップＳ３
を重点的に説明する。
【００６２】
図７の封止層形成工程（ステップＳ１）では、図８（ａ）に示すように、まず、対向電
極３３を覆う第１封止層３４ａを形成する。第１封止層３４ａを形成する方法としては、
例えばシリコンの酸化物を真空蒸着する方法が挙げられる。第１封止層３４ａの膜厚はお
よそ２００ｎｍ〜４００ｎｍである。次に、第１封止層３４ａを覆う平坦化層３４ｂを形
成する。平坦化層３４ｂの形成方法としては、例えば、透明性を有するエポキシ樹脂と、
エポキシ樹脂の溶媒とを含む溶液を用い、印刷法やスピンコート法で該溶液を塗布して乾
燥することにより、エポキシ樹脂からなる平坦化層３４ｂを形成する。平坦化層３４ｂの
膜厚は１μｍ〜５μｍが好ましく、この場合、３μｍとした。
なお、平坦化層３４ｂは、エポキシ樹脂などの有機材料を用いて形成することに限定さ
れず、前述したように、塗布型の無機材料を印刷法により塗布し、これを乾燥・焼成する
ことによって、平坦化層３４ｂとして膜厚がおよそ３μｍの酸化シリコン膜を形成しても
よい。
続いて、平坦化層３４ｂを覆う第２封止層３４ｃを形成する。第２封止層３４ｃの形成
方法は、第１封止層３４ａと同じであって、例えばシリコンの酸化物を真空蒸着する方法
が挙げられる。第２封止層３４ｃの膜厚もおよそ２００ｎｍ〜４００ｎｍである。そして
、ステップＳ２へ進む。
【００６３】
図７の凸部形成工程（ステップＳ２）では、封止層３４上に凸部３５を形成する。凸部
３５の形成方法としては、着色材料を含まない感光性樹脂材料をスピンコート法を用いて
塗布してプレベークすることにより、膜厚がおよそ１μｍ程度の感光性樹脂層を形成する
。感光性樹脂材料はポジタイプでもネガタイプでもよい。フォトリソグラフィー法を用い
て、感光性樹脂層を露光・現像することにより、図８（ｂ）に示すように、封止層３４上
に凸部３５を形成する。本実施形態では、図６に示したように、カラーフィルター３６が
封止層３４（平坦化層３４ｂ）の全域に形成できるように、凸部３５を形成する。
露光及び現像条件を調整して、底面の幅がおよそ０．７μｍとなるように台形状の凸部
３５を形成する。基材１１上における凸部３５の形成位置は、隣り合う異なる色のサブ画
素１８Ｂ，１８Ｇ，１８Ｒに対応する画素電極３１Ｂ，３１Ｇ，３１Ｒの間である。そし
て、ステップＳ３へ進む。
【００６４】
図７のカラーフィルター形成工程（ステップＳ３）では、まず、図８（ｃ）に示すよう
に、凸部３５が形成された封止層３４の表面に、緑色の着色材料を含む感光性樹脂材料を
スピンコート法により塗布して、ベークすることで乾燥させて感光性樹脂層５０ｇを形成
する。感光性樹脂層５０ｇを露光・現像することにより、図８（ｄ）に示すように、画素
電極３１Ｇの上方に位置する凸部３５間を埋める着色層３６Ｇを形成する。
次に、着色層３６Ｇが形成された封止層３４の表面に、青色の着色材料を含む感光性樹
脂材料をスピンコート法により塗布して、ベークすることで乾燥させて感光性樹脂層５０
ｂを形成する。感光性樹脂層５０ｂを露光・現像することにより、着色層３６Ｂを形成す
る。
次に、着色層３６Ｂと着色層３６Ｇとが形成された封止層３４の表面に、赤色の着色材
料を含む感光性樹脂材料をスピンコート法により塗布して、ベークすることで乾燥させて
感光性樹脂層５０ｒを形成する。感光性樹脂層５０ｒを露光・現像することにより、着色
層３６Ｒを形成する。
【００６５】
これにより、図８（ｅ）に示すように、画素電極３１Ｂの上方に位置する凸部３５間に
着色層３６Ｂが形成され、画素電極３１Ｇの上方に位置する凸部３５間に着色層３６Ｇが
形成され、画素電極３１Ｒの上方に位置する凸部３５間に着色層３６Ｒが形成される。本
実施形態では、図６に示したように、カラーフィルター３６が封止層３４（平坦化層３４
ｂ）の全域に形成される。そして、ステップＳ４へ進む。
【００６６】
図７の基板貼り合わせ工程（ステップＳ４）では、図８（ｆ）に示すように、カラーフ
ィルター３６を覆うように接着性を有する透明樹脂材料を塗布する。そして、透明樹脂材
料が塗布された基材１１に対して対向基板４１を所定の位置に対向配置して、例えば対向
基板４１を基材１１側に押圧する。これにより、透明樹脂材料からなる透明樹脂層４２を
介して素子基板１０と対向基板４１とを貼り合わせる。透明樹脂材料は、例えば熱硬化型
のエポキシ樹脂である。透明樹脂層４２の厚みはおよそ１０μｍ〜１００μｍである。そ
して、ステップＳ５へ進む。
【００６７】
図７の検査工程（ステップＳ５）では、カラーフィルター３６の第１部分３６ａと、カ
ラーフィルター３６の第２部分３６ｂとを比較して封止層３４の欠陥を検査する。
次に、封止層３４の欠陥検査について説明する。図９は本実施形態の検査方法を示す図
であり、図９（ａ）は検査結果が正常の場合、図９（ｂ）は検査結果が異常の場合を示す
。
【００６８】
ところで、封止層３４に傷や異物（埃、ゴミ、気泡等）の付着といった欠陥が生じてい
る場合、該封止層３４の上に形成されたカラーフィルター３６の表面形状にも影響が生じ
る。
【００６９】
カラーフィルター３６は封止層３４の全域（第１部分３６ａおよび第２部分３６ｂ）に
亘って形成されているので、カラーフィルター３６の第１部分３６ａとカラーフィルター
３６の第２部分３６ｂとにおける画像を比較することでカラーフィルター３６の観察像他
の画像と異なる画素について判別可能となる。
【００７０】
本実施形態の検査工程では、対向基板４１側からＣＣＤカメラなどの撮像素子によりカ
ラーフィルター３６の表面形状を観察する。封止層３４の欠陥部分上に形成されたカラー
フィルター３６は、他のカラーフィルター３６（着色層３６Ｒ，３６Ｇ，３６Ｂ）と異な
る観察像となる。
【００７１】
具体的に、封止層３４に欠陥が生じていない場合、図９（ａ）に示すように、カラーフ
ィルター３６の観察像６０には、第１部分３６ａおよび第２部分３６ｂのいずれにおいて
も同一の観察像が現れる。
一方、封止層３４に欠陥が生じた場合、図９（ｂ）に示すように、カラーフィルター３
６の観察像６０には、第１部分３６ａおよび第２部分３６ｂの少なくともいずれにおいて
異なる観察像として、欠陥に起因した凹凸部６０ａが現れる。
【００７２】
続いて、封止層３４に欠陥が生じた検査対象を欠陥品として除外する。検査工程を経る
ことで封止層３４に欠陥のない製品のみを選別することができる。
この後に、図２に示すように、素子基板１０の端子部にＦＰＣ４３を実装して、有機Ｅ
Ｌ装置１００が完成する。
【００７３】
以上のように、上記第一実施形態の有機ＥＬ装置１００及びその製造方法によれば、カ
ラーフィルター３６の第１部分３６ａおよび第２部分３６ｂの観察像を比較することで、
カラーフィルター３６の下層に形成された封止層３４の全域に亘って欠陥検査を良好に行
うことができる。
【００７４】
（第二実施形態）
続いて、第二実施形態の有機ＥＬ装置について、図１０および図１１を参照して説明す
る。図１０は第二実施形態の有機ＥＬ装置の要部概略断面図である。図１１（ａ）〜（ｄ
）は第二実施形態の有機ＥＬ装置の製造工程を示す概略断面図である。
【００７５】
第二実施形態の有機ＥＬ装置は、第一実施形態の有機ＥＬ装置１００に対してカラーフ
ィルター３６の形成領域を異ならせたものである。したがって、第一実施形態と同じ構成
には同じ符号を付して詳細な説明は省略する。また、図１０は、図６に相当するものであ
って、図６と同様に基材１１上における上における画素回路２０を構成する駆動用トラン
ジスター２３などや反射層２５、透明層２６、画素電極３１の表示を省略しており、有機
ＥＬ素子３０も簡略化して図示している。
【００７６】
本実施形態において、カラーフィルター１３６は、第２封止層３４ｃのうち、平坦化層
３４ｂの上面を覆う領域と、第１封止層３４ａを覆う領域とに形成されている。具体的に
、カラーフィルター３６は、発光領域として機能する実表示領域Ｅ１を覆う第１部分１３
６ａと、第１部分１３６ａと端部１１ａ、１１ｂとの間の第２部分１３６ｂとに形成され
ている。本実施形態において、第２部分１３６ｂのカラーフィルター１３６は、平坦化層
３４ｂが設けられた領域と端部１１ａ，１１ｂの間に配置されている。すなわち、カラー
フィルター１３６は、平坦化層３４ｂ（第２封止層３４ｃ）の上と、基材１１の端部１１
ａ，１１ｂとの上に島状に形成されている。
【００７７】
本実施形態において、有機ＥＬ装置２００は、カラーフィルター１３６上に配置された
透明樹脂層４２を介して対向基板４１が貼り付けられることで構成されている。透明樹脂
層４２は、カラーフィルター１３６の第２部分１３６ｂにおける第１部分１３６ａ側の端
部に接触するとともに、カラーフィルター１３６の第１部分１３６ａおよび封止層３４の
端部をそれぞれ覆っている。
【００７８】
（有機ＥＬ装置の製造方法）
次に、本実施形態の有機ＥＬ装置の製造方法について、図１１を参照して説明する。図
１１は第二実施形態の有機ＥＬ装置の製造方法を示す概略断面図である。図１１は、カラ
ーフィルター１３６の形成工程と、素子基板１０への対向基板４１の貼り合せ工程とを主
体に示した図である。以下、図１１を参照しつつ、本実施形態の特徴であるカラーフィル
ターの形成および対向基板４１の貼り合せ工程を主体に説明する。
【００７９】
本実施形態のカラーフィルター形成工程では、図１１（ａ）に示すように、カラーフィ
ルター１３６を第１部分１３６ａ（平坦化層３４ｂの上面）と、第１部分１３６ａと端部
１１ａ、１１ｂとの間の第２部分１３６ｂとに形成する。
【００８０】
続いて、図１１（ｂ）に示すように、透明樹脂層４２を塗布した対向基板４１を用意し
、該対向基板４１の透明樹脂層４２側をカラーフィルター１３６に対向させるようにして
素子基板１０側に押圧することで貼り合せる。押圧されて拡がった透明樹脂層４２は、図
１１（ｃ）に示すように、第２部分１３６ｂのカラーフィルター１３６の段差（側端面）
でせき止められる。
【００８１】
以上述べたように、本実施形態によれば、対向基板４１の貼り合せ時に、第２部分１３
６ｂのカラーフィルター１３６が透明樹脂層４２をせき止められるため、透明樹脂層４２
を所定の位置に配置することができ、対向基板４１を簡便且つ確実に貼り合わせることが
できる。
【００８２】
また、透明樹脂層４２が封止層３４の端部を覆う構造となるため、例えば、大型パネル
を分断して有機ＥＬ装置２００の製造を行う場合、対向基板４１および素子基板１０の切
断時の切粉による封止層３４へのキズを防止することができる。よって、封止層３４にキ
ズが入ることで外部からの水分侵入経路を低減できるため、有機ＥＬ装置２００の封止性
の信頼性を向上させることができる。
【００８３】
（電子機器）
次に、本実施形態の電子機器について、図１２を参照して説明する。図１２は、電子機
器としてのヘッドマウントディスプレイを示す概略図である。
図１２に示すように、本実施形態の電子機器としてのヘッドマウントディスプレイ（Ｈ
ＭＤ）１０００は、左右の目に対応して設けられた２つの表示部３０１を有している。観
察者Ｍはヘッドマウントディスプレイ３００を眼鏡のように頭部に装着することにより、
表示部３０１に表示された文字や画像などを見ることができる。例えば、左右の表示部３
０１に視差を考慮した画像を表示すれば、立体的な映像を見て楽しむこともできる。
【００８４】
表示部３０１には、製造工程時に実施された上記検査工程によって封止層３４の欠陥が
予め除外された上記第一実施形態の有機ＥＬ装置１００（あるいは上記第二実施形態の有
機ＥＬ装置２００）が搭載されている。したがって、優れた表示品質を有すると共に、コ
ストパフォーマンスに優れ小型で軽量なヘッドマウントディスプレイ３００を提供するこ
とができる。
【００８５】
ヘッドマウントディスプレイ３００は、２つの表示部３０１を有することに限定されず
、左右のいずれかに対応させた１つの表示部３０１を備える構成としてもよい。
【００８６】
なお、上記有機ＥＬ装置１００または上記有機ＥＬ装置２００が搭載される電子機器は
、ヘッドマウントディスプレイ３００に限定されない。例えば、パーソナルコンピュータ
ーや携帯型情報端末、ナビゲーター、ビューワー、ヘッドアップディスプレイなどの表示
部を有する電子機器が挙げられる。
【００８７】
本発明は、上記した実施形態に限られるものではなく、請求の範囲及び明細書全体から
読み取れる発明の要旨あるいは思想に反しない範囲で適宜変更可能であり、そのような変
更を伴う有機ＥＬ装置及び該有機ＥＬ装置の製造方法ならびに該有機ＥＬ装置を適用する
電子機器もまた本発明の技術的範囲に含まれるものである。上記実施形態以外にも様々な
変形例が考えられる。以下、変形例を挙げて説明する。
【符号の説明】
【００８８】
Ｅ１…実表示領域（発光領域）、１０…素子基板、１１ａ，１１ｂ…基板端部、３０…有
機ＥＬ素子、３４…封止層（封止膜）、３４ｂ…平坦化層、３６…カラーフィルター、３
６ａ…第１部分、３６ｂ…第２部分、４２…透明樹脂層（接着剤）、６０ａ…凹凸部（欠
陥）、１００，２００…有機ＥＬ装置、３００…電子機器としてのヘッドマウントディス
プレイ。
【図１】
2015197996.tif 000003
【図２】
2015197996.tif 000004
【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
2015197996.tif 000011
【図１０】
2015197996.tif 000012
【図１１】
2015197996.tif 000013
【図１２】
2015197996.tif 000014