(57)【要約】      （修正有）【課題】アンダーフィルやＮＣＰを用いることなく、高精度でかつ簡便に半導体チップが製造可能な粘接着フィルム一体型表面保護テープ及び粘接着フィルム一体型表面保護テープを用いた半導体チップの製造方法を提供する。【解決手段】フリップチップ実装工程に用いられるバンプ電極を有する半導体ウェハ１の裏面１Ｂ研削を行い、同時に、またはその後の工程で、チップ化（個片化）を行う半導体チップの製造工程において、基材フィルム４上に粘着剤層５を有し、該粘着剤層上に接着フィルム６が積層された粘接着フィルム一体型表面保護テープ３であって、基材フィルムが（メタ）アクリル系共重合体からなる層を少なくとも一層有することを特徴とする粘接着フィルム一体型表面保護テープ及び半導体チップの製造方法。【選択図】図１
2015220377.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基材フィルム上に粘着剤層を有し、該粘着剤層上に接着フィルムが積層された粘接着フィルム一体型表面保護テープであって、
前記基材フィルムが（メタ）アクリル系共重合体からなる層を少なくとも一層有することを特徴とする粘接着フィルム一体型表面保護テープ。
【請求項２】
前記粘着剤層が紫外線硬化型粘着剤層であって、該粘着剤層が、側鎖に光重合性炭素−炭素二重結合を有する（メタ）アクリル系共重合体からなり、該（メタ）アクリル系共重合体の光重合性炭素−炭素二重結合含有量が、０．５〜１．２ｍｅｑ／ｇであることを特徴とする請求項１に記載の粘接着フィルム一体型表面保護テープ。
【請求項３】
前記側鎖に光重合性炭素−炭素二重結合を有する（メタ）アクリル系共重合体が、側鎖に官能基を有する（メタ）アクリル系共重合体と、該官能基と反応する官能基と光重合性炭素−炭素二重結合を含有する化合物とを反応させて得られてなることを特徴とする請求項２に記載の粘接着フィルム一体型表面保護テープ。
【請求項４】
前記粘着剤層に紫外線硬化型離型剤を含有することを特徴とする請求項１〜３のいずれか１項に記載の粘接着フィルム一体型表面保護テープ。
【請求項５】
紫外線照射後の粘接着フィルム一体型表面保護テープの伸縮率が、１２０〜２００％であることを特徴とする請求項１〜４のいずれか１項に記載の粘接着フィルム一体型表面保護テープ。
【請求項６】
半導体回路が形成された半導体ウェハに、電極としてバンプを有するバンプ付ウェハ内に改質層を形成した後、該半導体ウェハの裏面を研削し、個々の半導体チップへ一括して分割を行う半導体チップの製造方法であって、
前記改質層を形成した後であって、かつ前記半導体ウェハの裏面を研削する前に、請求項１〜５のいずれか１項に記載の粘接着フィルム一体型表面保護テープを、該半導体ウェハの半導体回路が形成された側に接着フィルム側で貼り付ける工程、および、
前記半導体ウェハの裏面研削後に、前記半導体チップをピックアップする際に、またはピックアップ用のテープに、前記粘接着フィルム一体型表面保護テープ付き半導体ウェハを転写する際に、接着フィルムのみが半導体チップに接着された状態にする工程
を有することを特徴とする半導体チップの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、フリップチップ実装工程に用いる粘接着フィルム一体型表面保護テープおよび粘接着フィルム一体型表面保護テープを用いた半導体チップの製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、ＩＣカードの普及やＵＳＢメモリの急激な容量アップが進み、半導体チップを重ねる枚数の増加に伴い、さらなる薄型化が望まれている。このため、従来は厚さが２００〜３５０μｍ程度であった半導体チップを、厚さ５０〜１００μｍあるいはそれ以下まで薄くする必要が生じている。このような半導体チップの薄型化を達成する半導体チップの製造方法として、特殊なテープを用いて通常の工程で薄膜化研削を行う方法や、先ダイシングと呼ばれる、半導体ウェハの表面側から所定深さの溝を形成（ハーフカット）した後、この裏面側から研削を行う方法が知られている。後者の方法は、半導体ウェハの裏面研削と個々の半導体チップへの分割を同時に行うことにより、薄型チップを効率よく製造することができる。また、半導体チップへの研削応力を低減させることにより、半導体チップの抗折強度を向上させる効果があり、特に厚さ１００μｍ以下の薄膜に研削するデバイスへの適用が検討されている。
【０００３】
半導体ウェハの薄膜化に加えて大径化の流れは、特に、ＮＡＮＤ型やＮＯＲ型が存在するフラッシュメモリの分野や、揮発性メモリであるＤＲＡＭなどの分野で、顕著な傾向を示している。現在では、１２インチの半導体ウェハを厚さ１００μｍ以下に研削することが標準となってきている。
【０００４】
メモリ系デバイスは、半導体チップを重ねることにより性能を向上させているため、薄膜研削が必須となる。そのため薄膜半導体チップの製造に特化させた、先ダイシング法と呼ばれる工程による製造方法や（特許文献１、特許文献２参照）その製造工程専用の粘着シート（特許文献３参照）、通常の工程であっても薄膜研削用の特殊な粘着シート（特許文献４参照）、ダイシング・ダイボンドシート（特許文献５参照）や粘接着剤層を有するテープ（特許文献６参照）を用いることにより、安価で高性能なフラッシュメモリなどを製造することが可能となってきている。
【０００５】
一方、近年、スマートフォンの普及や携帯電話の性能向上および音楽プレーヤの小型化かつ性能向上などに伴い、対衝撃性などを考慮した電極付ウェハを用いたフリップチップ実装に用いる半導体ウェハについても薄膜化の要求が増えてきている。またバンプ付ウェハについても、厚さ１００μｍ以下まで薄膜研削する必要が生じている。フリップチップ接続されるためのバンプは、転送速度向上のため高密度化されたり、バンプの高さが低くなってきており、それに伴ってバンプ間距離が短くなってきている。また、近年ではＤＲＡＭにもフリップチップ接続が実施されてきているため、半導体ウェハの薄膜化が加速している。
【０００６】
フリップチップ実装は、近年の電子機器の小型化、高密度化に対して半導体素子を最小の面積で実装できる方法として注目されてきた。このフリップチップ実装に使用される半導体素子の電極上にはバンプが形成されており、バンプと回路基板上の配線とを電気的に接合する。これらのバンプの組成としては、主に半田や金が使用されている。この半田バンプや金バンプは、蒸着やメッキで、半導体チップの内部配線につながる露出したアルミ端子上などに形成する。
【０００７】
バンプ付ウェハは、その表面に大きな凹凸を有しているため薄膜加工が難しく、通常のテープを用いて裏面研削を行うと半導体ウェハ割れが発生してしまったり、半導体ウェハの厚み精度が悪化したりする。そのため、バンプ付ウェハの研削には、特別に設計された表面保護用テープを用いて加工が行われている（特許文献７参照）。
【０００８】
しかしながら、これらの表面保護用テープはバンプを十分に吸収して研削性を確保しているため剥離性との両立が非常に難しい。これまでのフリップチップ実装されてきた半導体チップの仕上げ厚みは２００μｍ厚以上とある程度の厚みがあり、剛性を保てていたため何とか剥離できていた。しかし、最近では、半導体ウェハの仕上げ厚みが薄膜化され、バンプ密度も高くなってきているため、テープ剥離が容易にできないといった問題が発生している。また、剥離性を確保すると密着が不十分であり、裏面研削時に研削水の浸入や糊残りを引き起こしている。また、粘着剤が半導体ウェハ表面に接着するため、有機物による汚染が発生しやすくアンダーフィルの密着性も悪化し、パッケージングを行う際に歩留まりが向上しないといった問題も抱えている。
【０００９】
一方、フリップチップ接続された半導体装置は、パッケージングする際にそのままで使用すると接続部の電極が空気中に露出しており、半導体チップと基板の熱膨張係数の差が大きいため、半田リフローなどの後工程の熱履歴によりバンプの接続部分に大きな応力がかかり、実装信頼性に問題があった。
これらの問題を解決するため、バンプと基板とを接続した後、接合部分の信頼性を向上させるために、半導体素子と基板の間隙を樹脂（アンダーフィルまたはＮＣＰ）で埋めて硬化させて、半導体素子と基板とを固定する方法が採用されている。
【００１０】
ところが、一般にフリップチップ実装を行うような半導体素子は電極数が多く、また回路設計上の問題から電極は半導体素子の周辺に配置されている。このため、アンダーフィルとしての樹脂ペーストの充填時には、これらの半導体素子の電極間から液状樹脂を毛細管現象で流し込みを行うと樹脂が十分に行き渡らず未充填部ができやすく、半導体素子の動作が不安定になるなど、動作不良や耐湿信頼性が低いといった問題があった。さらに、該チップサイズが小さくなると液状樹脂のはみ出しにより基板を汚染したり、電極間のピッチが狭くなると樹脂の流し込みが困難となったりする。また、フリップチップ接続した半導体素子１つ１つに樹脂を充填するにはあまりにも時間がかかるため、生産性にも課題がある。
一方、フィルム状の接着剤（ＮＣＦ）を一括で熱圧着した後にウェハチップを個片化する方法では、樹脂ペースト充填に比べて工程が簡略化され有利である。しかし、半導体ウェハの厚さが薄くなるに従って、熱圧着時に半導体ウェハ損傷を生じやすくなるため、厚い半導体ウェハにフィルム状の接着剤（ＮＣＦ）を熱圧着した後で半導体ウェハ裏面を研削することが必要になっている。このため、工程数が増え、効率的ではない。
【００１１】
これに対し、従来の裏面研削用粘着テープ（基材フィルム上に粘着剤層を有するテープ）と接着フィルム（接着剤層）の組み合わせでは、粘着剤層と接着剤層（粘着テープと接着フィルム）との親和性が高く、半導体ウェハ裏面研削後に半導体ウェハから前記粘着テープ（粘着剤層）を剥離する為の剥離力が上昇しやすく、剥離工程での半導体ウェハの損傷を生じやすいという問題を抱えている。また、接着フィルムの凹凸基板への埋め込み性を上げて接着信頼性を高めるためには、加熱貼合時の溶融粘度を落とすことが必要となるが、加熱貼合により、半導体ウェハからの粘着テープの剥離力は上昇する傾向にあり、加熱貼合後の粘着テープの剥離が難しくなるという問題を抱えている。
【００１２】
また、裏面研削用粘着テープの基材フィルムの材料としてポリオレフィンやポリエチレンテレフタレート等を用いると破断伸び率が小さいため、エキスパンド時にカーフ幅が狭くなり、センサーが素子を認識できずにピックアップエラーが生じるという問題もある。
【００１３】
これらの問題に対する検討（特許文献８、９参照）も行われているが、近年の半導体ウェハの薄膜化および大径化に伴い、従来の半導体チップの製造方法ではクラック等の不良が発生しやすく、最悪の場合は、半導体ウェハ割れが発生してしまうため、歩留まりが悪いといった問題が発生している。特に半導体ウェハを厚さ１００μｍ以下に研削する場合、歩留まりの悪化が激しく、安定的に製造できない場合もある。また、通常の裏面研削およびダイシングによるチップ化では抗折強度が上がりにくく、パッケージングの際の不良が多く発生していた。
【先行技術文献】
【特許文献】
【００１４】
【特許文献１】特開２００８−２５１９３４号公報
【特許文献２】特開２００９−２７０５４号公報
【特許文献３】特開２００４−３３１７４３号公報
【特許文献４】特開２０００−１５０４３２号公報
【特許文献５】特開２００７−２２７５７５号公報
【特許文献６】特開平１０−８００１号公報
【特許文献７】特開２００４−２３５３９５号公報
【特許文献８】特開２００６−４９４８２号公報
【特許文献９】特開２００２−１１８１４７号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１５】
本発明は、フリップチップ実装工程に用いられるバンプ電極を有する半導体ウェハの裏面研削を行い、同時に、またはその後の工程で、チップ化（個片化）を行う半導体チップの製造工程において、アンダーフィルやＮＣＰを用いることなく、高精度でかつ簡便に半導体チップが製造可能な粘接着フィルム一体型表面保護テープおよび粘接着フィルム一体型表面保護テープを用いた半導体チップの製造方法を提供することを課題とする。
【課題を解決するための手段】
【００１６】
本発明者らはこのようなフリップチップ実装工程における問題点を克服する目的で種々検討した結果、高さ１００μｍ以下のバンプ付ウェハ回路基板を厚さ２００μｍ以下の薄膜に、特に高さ５０μｍ以下のバンプ付ウェハ回路基板を厚さ１００μｍ以下の薄膜に研削し、かつチップ化する過程において、接着フィルムと、基材フィルムがアクリル樹脂から成る粘着テープが一体となった粘接着フィルム一体型表面保護テープを半導体ウェハに貼合し、該ウェハの裏面研削を行い、転写用のピックアップテープへの貼合やピックアップする際に接着フィルムのみをチップに接着して転写又はピックアップすることで容易にフリップチップ実装することができ、従来の工程に比べて実装信頼性の向上および工程の短縮化が可能であることを見出し、この知見に基づき本発明をなすに至った。
【００１７】
すなわち、本発明によれば、以下の手段が提供される。
（１）基材フィルム上に粘着剤層を有し、該粘着剤層上に接着フィルムが積層された粘接着フィルム一体型表面保護テープであって、
前記基材フィルムが（メタ）アクリル系共重合体からなる層を少なくとも一層有することを特徴とする粘接着フィルム一体型表面保護テープ。
（２）前記粘着剤層が紫外線硬化型粘着剤層であって、該粘着剤層が、側鎖に光重合性炭素−炭素二重結合を有する（メタ）アクリル系共重合体からなり、該（メタ）アクリル系共重合体の光重合性炭素−炭素二重結合含有量が、０．５〜１．２ｍｅｑ／ｇであることを特徴とする（１）に記載の粘接着フィルム一体型表面保護テープ。
（３）前記側鎖に光重合性炭素−炭素二重結合を有する（メタ）アクリル系共重合体が、側鎖に官能基を有する（メタ）アクリル系共重合体と、該官能基と反応する官能基と光重合性炭素−炭素二重結合を含有する化合物とを反応させて得られてなることを特徴とする（２）に記載の粘接着フィルム一体型表面保護テープ。
（４）前記粘着剤層に紫外線硬化型離型剤を含有することを特徴とする（１）〜（３）のいずれか１項に記載の粘接着フィルム一体型表面保護テープ。
（５）紫外線照射後の粘接着フィルム一体型表面保護テープの伸縮率が、１２０〜２００％であることを特徴とする（１）〜（４）のいずれか１項に記載の粘接着フィルム一体型表面保護テープ。
（６）半導体回路が形成された半導体ウェハに、電極としてバンプを有するバンプ付ウェハ内に改質層を形成した後、該半導体ウェハの裏面を研削し、個々の半導体チップへ一括して分割を行う半導体チップの製造方法であって、
前記改質層を形成した後であって、かつ前記半導体ウェハの裏面を研削する前に、（１）〜（５）のいずれか１項に記載の粘接着フィルム一体型表面保護テープを、該半導体ウェハの半導体回路が形成された側に接着フィルム側で貼り付ける工程、および、
前記半導体ウェハの裏面研削後に、前記半導体チップをピックアップする際に、またはピックアップ用のテープに、前記粘接着フィルム一体型表面保護テープ付き半導体ウェハを転写する際に、接着フィルムのみが半導体チップに接着された状態にする工程
を有することを特徴とする半導体チップの製造方法。
【００１８】
本発明において、「粘着剤」とは、「接着剤」が専ら接着を可能にする剤であるのに対し、粘着後に硬化等の処理に付すことにより剥離を可能にする剤を意味する。例えば「放射線硬化型粘着剤」とは、半導体ウェハ等への適用後に紫外線等の放射線を照射することによって硬化し剥離を可能にする粘着剤を意味する。
【００１９】
本発明において、「薄膜研削」とは、半導体ウェハを、０μｍを超え１００μｍ厚以下の薄膜に研削することを意味する。
また、「（メタ）アクリル」とは、「アクリル」および「メタクリル」の両方を含むものであり、これらのいずれか一方であっても、両方の混合であっても構わない。例えば、（メタ）アクリル酸エステルとは、アクリル酸エステルとメタクリル酸エステルを含み、アクリル酸エステルとメタクリル酸エステルの混合物であってもよいことを意味する。
なお、特に断りがない限り、「〜」で表される数値範囲においては、前後の数値を上限値、下限値として含むものとする。
【発明の効果】
【００２０】
本発明の粘接着フィルム一体型表面保護テープは、フリップチップ実装工程に用いられるバンプ電極を有する半導体ウェハの裏面研削を行い、同時に、またはその後の工程で、チップ化（個片化）を行う半導体チップの製造工程において、ピックアップ性、エキスパンド性に優れる。
従って、この粘接着フィルム一体型表面保護テープを用いることで、アンダーフィルやＮＣＰを用いることなく、高精度でかつ簡便な半導体チップの製造方法を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００２１】
【図１】本発明の半導体チップの製造方法の好ましい一態様のプロセスの前半の模式図である。
【図２】本発明の半導体チップの製造方法の前記好ましい一態様のプロセスの後半の工程のうち、ピックアップテープに転写する場合の一例を示す模式図である。
【図３】本発明の半導体チップの製造方法の前記好ましい一態様のプロセスの後半の工程のうち、転写しない場合の一例を示す模式図である。
【発明を実施するための形態】
【００２２】
＜＜粘接着フィルム一体型表面保護テープ＞＞
本発明の粘接着フィルム一体型表面保護テープ（以下、単に「表面保護テープ」とも言う。）は、基材フィルム上に粘着剤層を有し、かつ前記粘着剤層上に接着フィルム（接着剤層）が積層された粘接着フィルム一体型の表面保護テープであって、半導体ウェハ表面（その回路）の保護を目的とする粘着テープと半導体チップの接着を目的とする接着フィルムとによって構成される。
【００２３】
＜基材フィルム＞
本発明における基材フィルムは、（メタ）アクリル系共重合体からなる層を少なくとも１層有する。薄膜研削において基材フィルムがエチレン−酢酸ビニル共重合体からなるテープを用いると、製膜時の残留応力の開放により研削後の反りが悪化してしまう問題がある。また基材フィルムとしてポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）を用いた場合、融点が高いため剥離の際にヒートシールできず、自動化プロセスに対応する上で不都合がある。
【００２４】
（メタ）アクリル系重合体は特に限定されるものではなく、エネルギー線硬化型樹脂、硬化剤硬化型樹脂または熱硬化型樹脂等が用いられ、好ましくはエネルギー線硬化型樹脂または硬化剤硬化型樹脂が用いられる。例えば、エネルギー線硬化型樹脂を用いる場合は（メタ）アクリル系重合体とエネルギー線重合性化合物とを主成分としてなる（メタ）アクリル系組成物である。これら（メタ）アクリル系重合体、およびエネルギー線重合性化合物については、具体的には後述のものが適用可能である。
また、基材フィルムは単層フィルムまたは二層以上のフィルムを積層した積層フィルムを用いることができる。
また基材フィルムは、可視光透過性であるものが好ましく、さらに放射線透過性であるものが好ましい。
【００２５】
基材フィルムを製造するための上記（メタ）アクリル系組成物は、（メタ）アクリル系共重合体および硬化剤を成分とするものが好ましい。なお、具体的には、後述する粘着剤層の粘着剤のような組成物が好ましく、以下、（メタ）アクリル系粘着剤とも称す。
（メタ）アクリル系共重合体は、例えば（メタ）アクリル酸エステルを重合体構成単位とする重合体、（メタ）アクリル酸エステルと官能性単量体との共重合体、およびこれらの重合体の混合物等が挙げられる。これらの重合体の分子量としては、質量平均分子量が１万〜２０万程度の低分子量のものが基材フィルムの伸び率の点から適している。
【００２６】
また、硬化剤は、（メタ）アクリル系共重合体が有する官能基と反応させて粘着力および凝集力を調整するために用いられるものである。例えば、１，３−ビス（Ｎ，Ｎ−ジグリシジルアミノメチル）シクロヘキサン、１，３−ビス（Ｎ，Ｎ−ジグリシジルアミノメチル）トルエン、１，３−ビス（Ｎ，Ｎ−ジグリシジルアミノメチル）ベンゼン、Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−テトラグリシジル−ｍ−キシレンジアミンなどの分子中に２個以上のエポキシ基を有するエポキシ化合物、２，４−トリレンジイソシアネート、２，６−トリレンジイソシアネート、１，３−キシリレンジイソシアネート、１，４−キシレンジイソシアネート、ジフェニルメタン−４，４’−ジイソシアネート、トリレンジイソシアネートのトリメチロールプロパン付加物などの分子中に２個以上のイソシアネート基を有するイソシアネート系化合物、テトラメチロール−トリ−β−アジリジニルプロピオネート、トリメチロール−トリ−β−アジリジニルプロピオネート、トリメチロールプロパン−トリ−β−アジリジニルプロピオネート、トリメチロールプロパン−トリ−β−（２−メチルアジリジン）プロピオネートなどの分子中に２個以上のアジリジニル基を有するアジリジン系化合物等が挙げられる。
硬化剤の添加量は、所望の粘着力に応じて調整すればよく、（メタ）アクリル系共重合体１００質量部に対して０．１〜５．０質量部が適当である。
【００２７】
なお、硬化剤硬化型樹脂を用いる場合には、タック力の抑制およびフィルムとしての強度および伸度を確保するため、（メタ）アクリル系共重合体中の硬化剤と反応する官能基に対し硬化剤を等量程度加えることが望ましく、例えば（メタ）アクリル系共重合体１００質量部に対して２．０〜３０質量部が適当である。
【００２８】
エネルギー線硬化型樹脂は、前記の（メタ）アクリル系粘着剤とエネルギー線重合性化合物とを主成分としてなるのが一般的である。
エネルギー線重合性化合物としては、例えば、紫外線の照射によって三次元網状化しうる、分子内に光重合性炭素−炭素二重結合を少なくとも２個以上有する低分子量化合物が広く用いられる。具体的には、トリメチロールプロパントリアクリレート、テトラメチロールメタンテトラアクリレート、ペンタエリスリトールトリアクリレート、ペンタエリスリトールテトラアクリレート、ジペンタエリスリトールモノヒドロキシペンタアクリレート、ジペンタエリスリトールヘキサアクリレート、１，４−ブチレングリコールジアクリレート、１，６ヘキサンジオールジアクリレート、ポリエチレングリコールジアクリレートや、オリゴエステルアクリレート等が広く適用可能である。
【００２９】
また、エネルギー線重合性化合物として、上記の様なアクリレート系化合物のほかに、ウレタンアクリレート系オリゴマーを用いることもできる。ウレタンアクリレート系オリゴマーは、ポリエステル型またはポリエーテル型などのポリオール化合物と、多価イソシアネート化合物（例えば、２，４−トリレンジイソシアネート、２，６−トリレンジイソシアネート、１，３−キシリレンジイソシアネート、１，４−キシリレンジイソシアネート、ジフェニルメタン４，４−ジイソシアネートなど）を反応させて得られる末端イソシアネートウレタンプレポリマーに、ヒドロキシ基を有するアクリレートあるいはメタクリレート（例えば、２−ヒドロキシエチルアクリレート、２−ヒドロキシエチルメタクリレート、２−ヒドロキシプロピルアクリレート、２−ヒドロキシプロピルメタクリレート、ポリエチレングリコールアクリレート、ポリエチレングリコールメタクリレートなど）を反応させて得られる。
【００３０】
エネルギー線硬化型樹脂中の（メタ）アクリル系共重合体とエネルギー線重合性化合物との配合比としては、（メタ）アクリル系共重合体１００質量部に対してエネルギー線重合性化合物を５０〜２００質量部、好ましくは５０〜１５０質量部の範囲で配合されるのが望ましい。この配合比の範囲である場合、エネルギー線照射後にエネルギー線硬化型樹脂のタック力は大きく低下する。
さらに、エネルギー線硬化型樹脂は、上記のようにアクリル系粘着剤（組成物）にエネルギー線重合性化合物を配合する代わりに、アクリル系粘着剤自体をエネルギー線重合性アクリル酸エステル共重合体とすることも可能である。
【００３１】
また、エネルギー線によりエネルギー線硬化型樹脂を重合させる場合には、光重合性開始剤、例えばイソプロピルベンゾインエーテル、イソブチルベンゾインエーテル、ベンゾフェノン、ミヒラーズケトン、クロロチオキサントン、ベンジルメチルケタール、α−ヒドロキシシクロヘキシルフェニルケトン、２−ヒドロキシメチルフェニルプロパン等を併用することができる。これらのうち少なくとも１種類をエネルギー線硬化型樹脂に添加することにより、効率よく重合反応を進行させることができる。なお、ここで言うエネルギー線とは、紫外線のような光線、または電子線のような電離性エネルギー線のことをさす。
【００３２】
基材フィルムの厚みは特に指定するものではないが、製造性の点から１０〜２００μｍが好ましい。また、研削時の反りを考えると２５〜１５０μｍがさらに好ましい。基材フィルムが薄すぎるとテープとしての剛性がなくなるためたわみが発生しやすく、カセット収納時にたわみによるアーム接触に繋がる。一方、基材フィルムが厚すぎると製膜時の残留応力の開放により反りが発生しやすくなる場合がある。
【００３３】
基材フィルムの製造方法としては、キャスト法、Ｔダイ法、インフレーション法、カレンダー法等の従来の製造方法を挙げることができる。なかでも、基材樹脂にせん断応力がかからないためポリマー分子の配向が起きず、フィルムのエキスパンド時に分断されることなく均一に延伸可能な点から、キャスト法が好ましい。
基材フィルムが、二層以上のフィルムを積層した積層フィルムである場合には、キャスト法で製膜したフィルムを少なくとも１層有することが好ましく、その他の積層するフィルムとしては、キャスト法、Ｔダイ法、インフレーション法、カレンダー法等の従来の製造方法のいずれで製膜したものでも構わない。
【００３４】
積層フィルムにおける、キャスト法で製膜したフィルム（以下、キャストフィルムと称す。）に対するキャスト法以外の他の方法で製膜したフィルム（以下、その他のフィルムと称す。）の厚さの比は、フィルムのエキスパンド性を満たす限り特に限定するものではないが、キャストフィルム：その他のフィルムが１：１〜１：１０であるものが好ましく、１：２〜１：４であるものがより好ましい。
【００３５】
＜粘着剤層＞
（ベースポリマー）
粘着剤層に用いる粘着剤のベースポリマーは、粘着剤のベースポリマーとして知られているポリマーが使用できる。例えば、（メタ）アクリル系共重合体、ゴム系、シリコーン系、ポリビニルエーテル系のポリマーが挙げられるが、本発明では、（メタ）アクリル系共重合体〔（メタ）アクリル系粘着剤〕が好ましい。
【００３６】
（メタ）アクリル系粘着剤としては、（メタ）アクリル系重合体を主成分として含むものを挙げることができる。
（メタ）アクリル系重合体を主成分とするとは、（メタ）アクリル共重合体成分が少なくとも５０質量％以上であり、好ましくは８０質量％以上（１００質量％以下）である。
【００３７】
（メタ）アクリル系重合体は、光や熱で硬化するものが好ましい。
光で硬化する（メタ）アクリル系重合体は、少なくとも側鎖に光重合性炭素−炭素二重結合（エチレン性二重結合）を有することで放射線照射により硬化が可能となり、さらにエポキシ基やカルボキシ基などの官能基を有してもよい。
一方、熱で硬化する（メタ）アクリル系重合体は、少なくとも側鎖にエポキシ基やオキセタン基のように熱反応する基を有することで加熱により硬化が可能となる。
【００３８】
側鎖に光重合性炭素−炭素二重結合を有する（メタ）アクリル系共重合体は、どのようにして製造されたものでもよいが、例えば、側鎖に官能基（α）を有する（メタ）アクリル系重合体と、（メタ）アクリロイル基などの光重合性炭素−炭素二重結合を有し、かつ、この（メタ）アクリル系重合体の側鎖の官能基（α）と反応し得る官能基（β）をもつ化合物とを反応させて得たものが好ましい。
光重合性炭素−炭素二重結合を有する基は、非芳香族性のエチレン性二重結合を有すればどのような基でも構わないが、（メタ）アクリロイル基、（メタ）アクリロイルオキシ基、（メタ）アクリロイルアミノ基、アリル基、１−プロペニル基、ビニル基（スチレンもしくは置換スチレンを含む）が好ましく、（メタ）アクリロイル基、（メタ）アクリロイルオキシ基がより好ましい。
官能基（α）、（β）としては、カルボキシ基、水酸基、アミノ基、メルカプト基、環状酸無水基、エポキシ基、イソシアネート基（−Ｎ＝Ｃ＝Ｏ）等が挙げられる。
【００３９】
ここで、官能基（α）と官能基（β）のうちの一方の官能基が、カルボキシ基、水酸基、アミノ基、メルカプト基、または環状酸無水基である場合には、他方の官能基は、エポキシ基、イソシアネート基が挙げられ、一方の官能基が環状酸無水基の場合、他方の官能基はカルボキシ基、水酸基、アミノ基、メルカプト基が挙げられる。なお、一方の官能基が、エポキシ基である場合は、他方の官能基はエポキシ基であってもよく、また、一方の官能基が、カルボキシ基の場合、他方の官能基は、水酸基、アミノ基、メルカプト基であってもよい。
【００４０】
官能基（α）としては、カルボキシ基、水酸基が好ましく、カルボキシ基が特に好ましい。
側鎖に官能基（α）を有する（メタ）アクリル系重合体は、官能基（α）を有する（メタ）アクリル系モノマー、好ましくは（メタ）アクリル酸エステル〔（特に、アルコール部に官能基（α）を有するもの〕をモノマー成分に使用することで得ることができる。
側鎖に官能基（α）を有する（メタ）アクリル系重合体は、共重合体である場合が好ましく、この共重合成分は、（メタ）アクリル酸アルキルエステル、なかでもアルコール部に官能基（α）や光重合性炭素−炭素二重結合を有する基が置換していない（メタ）アクリル酸アルキルエステルが好ましい。
【００４１】
（メタ）アクリル酸エステルとしては、例えば、メチルアクリレート、エチルアクリレート、ｎ−プロピルアクリレート、ｎ−ブチルアクリレート、イソブチルアクリレート、ｎ−ペンチルアクリレート、ｎ−ヘキシルアクリレート、ｎ−オクチルアクリレート、イソオクチルアクリレート、２−エチルヘキシルアクリレート、ドデシルアクリレート、デシルアクリレートヘキシルアクリレート、およびこれらに対応するメタクリレートが挙げられる。
（メタ）アクリル酸エステルは１種でも２種以上でも構わないが、アルコール部の炭素数が５以下のものと炭素数が６〜１２のものを併用することが好ましい。
【００４２】
なお、アルコール部の炭素数の大きなモノマーを使用するほどガラス転移点（Ｔｇ）は低くなるので、所望のガラス転移点のものを作製することができる。また、ガラス転移点の他、相溶性と各種性能を上げる目的で酢酸ビニル、スチレン、アクリロニトリルなどの炭素−炭素二重結合をもつ低分子化合物を共重合成分とすることも好ましく、この場合、これらのモノマー成分の含有量は５質量％以下の範囲内が好ましい。
【００４３】
官能基（α）を有する（メタ）アクリル系モノマーとしては、アクリル酸、メタクリル酸、けい皮酸、イタコン酸、フマル酸、フタル酸、２−ヒドロキシアルキルアクリレート類、２−ヒドロキシアルキルメタクリレート類、グリコールモノアクリレート類、グリコールモノメタクリレート類、Ｎ−メチロールアクリルアミド、Ｎ−メチロールメタクリルアミド、アリルアルコール、Ｎ−アルキルアミノエチルアクリレート類、Ｎ−アルキルアミノエチルメタクリレート類、アクリルアミド類、メタクリルアミド類、無水マレイン酸、無水イタコン酸、無水フマル酸、無水フタル酸、グリシジルアクリレート、グリシジルメタクリレート、アリルグリシジルエーテル、ポリイソシアネート化合物のイソシアネート基の一部を水酸基またはカルボキシ基および光重合性炭素−炭素二重結合を有する単量体でウレタン化したものなどが挙げられる。
【００４４】
これらの中でも、アクリル酸、メタクリル酸、２−ヒドロキシアルキルアクリレート類、２−ヒドロキシアルキルメタクリレート類、グリシジルアクリレート、グリシジルメタクリレートが好ましく、アクリル酸、メタクリル酸、２−ヒドロキシアルキルアクリレート類、２−ヒドロキシアルキルメタクリレート類がより好ましく、アクリル酸、メタクリル酸がさらに好ましい。
【００４５】
光重合性炭素−炭素二重結合と官能基（β）を有する化合物における官能基（β）としては、水酸基やイソシアネート基が好ましい。
水酸基を有する化合物は、エステル〔好ましくは（メタ）アクリル酸エステル〕のアルコール部に水酸基を有する化合物が好ましく、ヒドロキシアルキル（メタ）アクリレートがより好ましく、例えば、２−ヒドロキシエチル（メタ）アクリレート、２−ヒドロキシプロピル（メタ）アクリレート、３−ヒドロキシ（メタ）アクリレート、４−ヒドロキシブチル（メタ）クリレートが挙げられる。
【００４６】
イソシアネート基を有する化合物は、エステル〔好ましくは（メタ）アクリル酸エステル〕のアルコール部にイソシアネート（−Ｎ＝Ｃ＝Ｏ）基を有する（メタ）アクリル酸エステルが挙げられ、なかでもイソシアネート（−Ｎ＝Ｃ＝Ｏ）基で置換された（メタ）アクリル酸アルキルエステルが好ましい。このような化合物は、例えば、２−イソシアナトエチルメタクリレート、２−イソシアナトエチルアクリレート等が挙げられる。
また、官能基（β）がイソシアネート基以外の場合の好ましい化合物は、官能基（α）を有する（メタ）アクリル系モノマーで例示した化合物が挙げられる。
【００４７】
光重合性炭素−炭素二重結合と官能基（β）を有する化合物は、側鎖に官能基（α）を有する（メタ）アクリル系重合体における側鎖の官能基（α）、好ましくは水酸基と反応することで共重合体に重合性基を組み込むことができ、放射線照射後の粘着力を低下させることができる。
【００４８】
（メタ）アクリル系共重合体の合成において、反応を溶液重合で行う場合の有機溶剤としては、ケトン系、エステル系、アルコール系、芳香族系のものを使用することができるが、中でもトルエン、酢酸エチル、イソプロピルアルコール、ベンゼンメチルセロソルブ、エチルセロソルブ、アセトン、メチルエチルケトンなどの、一般に（メタ）アクリル系ポリマーの良溶媒で、沸点６０〜１２０℃の溶剤が好ましい。重合開始剤としては、α，α’−アゾビスイソブチロニトリルなどのアゾビス系、ベンゾイルペルオキシドなどの有機過酸化物系などのラジカル発生剤を通常用いる。この際、必要に応じて触媒、重合禁止剤を併用することができ、重合温度および重合時間を調節することにより、所望の分子量の（メタ）アクリル系共重合体を得ることができる。また、分子量を調節することに関しては、メルカプタン、四塩化炭素等の溶剤を用いることが好ましい。なお、この反応は溶液重合に限定されるものではなく、塊状重合、懸濁重合など別の方法でもさしつかえない。
【００４９】
以上のようにして、（メタ）アクリル系共重合体を得ることができるが、本発明において、（メタ）アクリル系共重合体の分子量は、３０万〜１００万程度が好ましい。分子量が小さすぎると、放射線照射後の凝集力が小さくなって、ピックアップ時やピックアップテープへの転写の際に、ピックアップ不良や転写不良が生じやすくなってしまう。また分子量が大きすぎると接着フィルムが粘着テープから剥がれたり、ずれたりしてしまう。
なお、本発明における分子量とは、常法によるポリスチレン換算の質量平均分子量を言う。
【００５０】
本発明において（メタ）アクリル系共重合体の光重合性炭素−炭素二重結合の導入量もしくは含有量は、０．５〜１．２ｍｅｑ／ｇが好ましい。（メタ）アクリル系共重合体の光重合性炭素−炭素二重結合の導入量もしくは含有量が前記範囲内であれば、粘着剤の初期粘着力が大きく、しかも放射線照射後には粘着力は大きく低下し、接着剤層からの剥離が容易になり、粘着剤が接着剤層表面に残留することもない。
【００５１】
（架橋剤）
粘着剤のベースポリマーに凝集力を付加するために架橋剤を配合することができる。架橋剤としては、ベースポリマーに対応して、例えばイソシアネート系架橋剤、エポキシ系架橋剤、金属キレート系架橋剤、アジリジン系架橋剤、アミン樹脂などが挙げられる。さらに粘着剤には、本発明の目的が損なわれない範囲で、所望により、各種添加成分を含有させることができる。
【００５２】
粘着剤としては、エネルギー線硬化型や加熱発泡型の粘着剤を用いることができる。エネルギー線硬化型の粘着剤としては、紫外線、電子線等で硬化し、剥離時には剥離しやすくなる粘着剤を使用することができる。また、加熱発泡型の粘着剤としては、発泡剤や膨張剤を有することで加熱により剥離しやすくなる粘着剤を使用することができる。放射線硬化型粘着剤としては、例えば特公平１−５６１１２号公報、特開平７−１３５１８９号公報等に記載のものが好ましく使用されるが、これらに限定されることはない。
本発明においては、エネルギー線硬化型粘着剤を用いることが好ましい。この場合、エネルギー線照射により三次元網状化することで硬化する性質を有すればよく、例えば通常のゴム系あるいは（メタ）アクリル系の感圧性ベース樹脂（ポリマー）に対して、分子中に少なくとも２個の光重合性炭素−炭素二重結合（エチレン性二重結合）を有する低分子量化合物（以下、光重合性化合物と言う。）および光重合開始剤が配合されてなるものが使用される。
【００５３】
上記のゴム系あるいは（メタ）アクリル系のベース樹脂は、天然ゴム、各種の合成ゴムなどのゴム系ポリマー、あるいはポリ（メタ）アクリル酸アルキルエステル、（メタ）アクリル酸アルキルエステルとこれと共重合可能な他の不飽和単量体との共重合物などの（メタ）アクリル系ポリマーが使用される。
【００５４】
また上記の粘着剤中に、イソシアネート系硬化剤を混合することにより、初期の接着力を任意の値に設定することができる。このような硬化剤としては、具体的には多価イソシアネート化合物、例えば、２，４−トリレンジイソシアネート、２，６−トリレンジイソシアネート、１，３−キシレンジイソシアネート、１，４−キシレンジイソシアネート、ジフェニルメタン−４，４’−ジイソシアネート、ジフェニルメタン−２，４’−ジイソシアネート、３−メチルジフェニルメタンジイソシアネート、ヘキサメチレンジイソシアネート、イソホロンジイソシアネート、ジシクロヘキシルメタン−４，４’−ジイソシアネート、ジシクロヘキシルメタン−２，４’−ジイソシアネート、リジンイソシアネート、トリレンジイソシアネートのトリメチロールプロパン付加物などが用いられる。
【００５５】
（メタ）アクリル系のベースポリマーと硬化剤の配合量としては、（メタ）アクリル系ベースポリマー１００質量部に対して０．５質量部〜３．０質量部が好ましい。硬化剤の配合量が少なすぎると、（メタ）アクリル系粘着剤の硬化反応が十分に促進しないために高粘着力となり、個片化した半導体チップがテープから剥がれにくくなりピックアップ不良が発生する。また、硬化剤の配合量が多すぎると、紫外線照射時に粘着剤がバンプにかみ込んだまま硬化してしまい、剥離しにくくなったり、バンプをもいでしまう可能性がある。
【００５６】
エネルギー線硬化型粘着剤の場合には、粘着剤中に光重合開始剤を配合することにより、紫外線照射による重合硬化時間ならびに紫外線照射量を少なくすることができる。このような光重合開始剤としては、具体的には、ベンゾイン、ベンゾインメチルエーテル、ベンゾインエチルエーテル、ベンゾインイソプロピルエーテル、ベンジルジフェニルサルファイド、テトラメチルチウラムモノサルファイド、アゾビスイソブチロニトリル、ジベンジル、ジアセチル、β−クロールアンスラキノン、α−ヒドロキシシクロヘキシルフェニルケトンなどが挙げられる。
【００５７】
光重合開始剤の配合量としてはベースポリマー１００質量部に対して０．１〜１０質量部が好ましい。光重合開始剤が少なすぎると重合反応が十分に進行せずに硬化不良となり、粘着剤と接着剤との剥離性が悪化する。また光重合開始剤が多すぎると粘着剤中に低分子量成分が増加することにより汚染性に悪影響を与えることになる。
【００５８】
（離型剤）
本発明において（メタ）アクリル系粘着剤は必要に応じて離型剤を添加することができる。本発明において用いられる離型剤は特に限定されず、例えば、硬化型シリコーン樹脂、長いアルキル側鎖を持つポリマー等を用いることができるほか、フッ素系離型剤、ワックス系離型剤（例えばパラフィンワックス系やカルナバワックス系）等を用いることもできる。
【００５９】
硬化型シリコーン樹脂は、例えば、熱硬化型（縮合反応型や付加反応型）、紫外線もしくは電子線硬化型が挙げられ、いずれの反応型のものも用いることができるが、本発明では、紫外線もしくは電子線硬化型の離型剤が好ましく、なかでも紫外線硬化型離型剤が好ましい。
これらの硬化型シリコーン樹脂は一種を単独で用いてもよいし、二種以上併用してもよい。
また、硬化型シリコーン樹脂は、重合度が５０〜２０万程度、好ましくは千〜１０万程度のものが好ましい。
【００６０】
付加反応型のシリコーン樹脂は、例えば、末端にビニル基を導入したポリジメチルシロキサンとハイドロジェンシランとを白金触媒を用いて反応させ、３次元架橋構造をつくることによって塗膜形成するものが挙げられる。縮合反応型のシリコーン樹脂は、有機錫触媒（例えば、有機錫アシレート触媒）の存在下で、ベースシリコーンポリマー（例えば、末端−ＯＨ基をもつポリジメチルシロキサン）にあるシラノール基（Ｓｉ−ＯＨ基）と架橋剤（例えば、末端に−Ｈ基をもつポリジメチルシロキサン（ハイドロジェンシラン））の官能基との間で、脱水素縮合して、シロキサン結合（Ｓｉ−Ｏ−Ｓｉ）を形成することにより架橋し、三次元架橋構造をつくるものが挙げられる。
【００６１】
紫外線もしくは電子線硬化型シリコーン樹脂は、例えば、最も基本的なタイプとしては、アルケニル基とメルカプト基を含有するシロキサンに光重合開始剤を加えて架橋反応させるラジカル付加型、（メタ）アクリル基を含有するシロキサンに光重合開始剤を加えてラジカル重合により硬化させるラジカル重合型、白金系触媒の存在化でビニルシロキサンをヒドロシリル化反応させる付加反応型、紫外線でオニウム塩光開始剤を分解してブレンステッド酸を生成させることによってエポキシ基を開裂させて架橋させるカチオン重合型などが挙げられる。なかでも、カチオン重合型シリコーン樹脂は、官能基にエポキシ基を有しており、コロナ処理したフィルムへの密着性に優れることから特に好ましく用いられる。また、電子線硬化型シリコーン樹脂の場合、電子線は紫外線よりもエネルギーが強いため、紫外線硬化型のように開始剤を用いなくてもラジカルによる架橋反応が起こる。
【００６２】
熱硬化型シリコーン樹脂は、信越化学工業（株）社製シリコーンＫＳ−７１８、ＫＳ−７０８Ａ、ＫＳ−７７４、ＫＳ−８３０、ＫＳ−７７５、ＫＳ−７７８、ＫＳ−７７９Ｈ、ＫＳ−８４７Ｈ、ＫＳ−８４７、ＫＳ−７７６、Ｘ−６２−２４２２、Ｘ−６２−２４６１、ＫＳ−３６００、ＫＳ−８５６（いずれも商品名）、ダウ・コーニング・アジア（株）社製シリコーンＤＫＱ３−２０２、ＤＫＱ３−２０３、ＤＫＱ３−２０４、ＤＫＱ３−２０５、ＤＫＱ３−２１０（いずれも商品名）、東レダウコーニングシリコーン（株）社製シリコーンＳＲＸ−３５７、ＳＲＸ−２１１、ＳＲＥＸ２１１、ＳＰ７２４３Ｓ（いずれも商品名）、東芝シリコーン（株）社製シリコーンＴＰＲ−６７００、ＴＰＲ−６７０１、ＴＰＲ−６７２１、ＴＰＲ−６７２０（いずれも商品名）などが挙げられる。
【００６３】
紫外線硬化型シリコーン樹脂は、東芝シリコーン（株）社製シリコーンＴＰＲ６５００、ＴＰＲ６５０１、ＵＶ９３００、ＵＶ９３１５、ＵＶ９４２５、ＸＳ５６−Ａ１６５２、ＸＳ５６−Ａ２７７５、ＸＳ５６−Ａ２９８２、ＵＶ９４３０（いずれも商品名）、東レダウコーニングシリコーン（株）社製シリコーンＢＹ２４−５３５、ＢＹ２４−５４２、ＢＹ２４−５５１Ａ／Ｂ、ＢＹ２４−５３８（いずれも商品名）、信越化学工業（株）社製シリコーンＸ−６２−７２９６、Ｘ−６２−７３０５、ＫＳ−５５０４、ＫＳ−５５０５、ＫＳ−５５１４、Ｘ−６２−５０３９、Ｘ−６２−５０４０、ＫＮＳ−５１００、Ｘ−６２−７０２８、ＫＮＳ−５３００、Ｘ−６２−７５４０、Ｘ−６２−７１９２（いずれも商品名）などが挙げられる。
【００６４】
また、特開昭４７−３４４４７号公報、特公昭５２−４０９１８号公報等に記載のシリコーン樹脂も用いることができる。
【００６５】
硬化型シリコーン樹脂の離型剤を嫌う用途、例えば、はじき易い水系の粘接着剤や樹脂溶液をシート化するためのキャスティング用支持フィルムとして用いる場合やシリコーン成分の移行が許されない用途の場合、長いアルキル側鎖を持つポリマーを離型剤として用いることができる。
長いアルキル側鎖を持つポリマーとしては、炭素数１２以上、特に１６〜２０のアルキル鎖を持つアルキルアクリレートとアクリル酸とのコポリマーが好ましい。アルキルアクリレートのアルキル鎖の炭素数が１２未満では十分な剥離性が得られないことがある。特に、ポリビニルアルコール又はポリエチレンイミンを塩素化アルキロイル又はアルキルイソシアネートで長鎖アルキル化した共重合体が好ましく、具体的には、ポリビニルアルコールとオクタデシルイソシアネートとの反応によって得られるポリビニル−Ｎ−オクタデシルカルバメートや、ポリエチレンイミンとオクタデシルイソシアネートとの反応によって得られるポリエチレンイミン−Ｎ−オクタデシルカルバメートなどが挙げられる。
【００６６】
本発明において、ベースポリマーと離型剤の配合量は、ベースポリマー１００質量部に対して０．１〜１．０質量部が好ましく、より好ましくは０．３〜０．５質量部である。ベースポリマーと離型剤の配合量が前記範囲内であれば粘着剤層と接着剤層間に適当な密着性が得られ、剥離性も向上する。
【００６７】
粘着剤層の厚みは、特に制限されるものではないが、２〜１００μｍが好ましく、５〜５０μｍがより好ましい。
【００６８】
＜接着剤層＞
本発明の接着剤層は、接着剤を予めフィルム化したものであり、本書においては接着フィルムとも言う。例えば、接着剤に使用される任意のポリイミド樹脂、ポリアミド樹脂、ポリエーテルイミド樹脂、ポリアミドイミド樹脂、ポリエステル樹脂、ポリエステルイミド樹脂、フェノキシ樹脂、ポリスルホン樹脂、ポリエーテルスルホン樹脂、ポリフェニレンサルファイド樹脂、ポリエーテルケトン樹脂、塩素化ポリプロピレン樹脂、（メタ）アクリル樹脂、ポリウレタン樹脂、エポキシ樹脂、ポリ（メタ）アクリルアミド樹脂、メラミン樹脂等やその混合物を使用することができる。
接着剤の主成分として、（メタ）アクリル樹脂〔（メタ）アクリル系共重合体〕やフェノキシ系樹脂が特に好ましい。ポリイミド系樹脂は実装信頼性については非常に優れているが、ガラス転移温度が高いため、貼合時に十分な流動性を得られないことが多く、バンプなどの凹凸の追従にはむいておらず、貼合時にエアー巻き込みが起こりやすくなってしまう。一方、（メタ）アクリル系共重合体やフェノキシ系樹脂は貼合時の流動性を確保しつつ、実装時の信頼性を確保することが可能である。
【００６９】
（メタ）アクリル系共重合体の重合方法は特に制限がなく、例えば、パール重合、溶液重合、懸濁重合等が挙げられ、これらの方法により共重合体が得られる。耐熱性が優れるため懸濁重合が好ましく、このような（メタ）アクリル系共重合体としては、例えば、パラクロンＷ−１９７Ｃ（根上工業株式会社製、商品名）が挙げられる。
また、（メタ）アクリル系共重合体はアクリロニトリルを含むことが好ましい。アクリロニトリルの含有量は、（メタ）アクリル系共重合体に対し、好ましくは１０〜５０ｍｏｌ％、より好ましくは２０〜４０ｍｏｌ％である。アクリロニトリルが１０ｍｏｌ％以上であることで、接着剤層のＴｇを上げ、接着性を向上させることができる。逆に、アクリロニトリルの配合量が多すぎると、接着剤層の流動性が悪くなり、接着性が低下する場合がある。アクリロニトリルを成分として含む（メタ）アクリル系共重合体は、懸濁重合で合成することが好ましい。
【００７０】
（メタ）アクリル系共重合体は接着性を向上させるため、官能基を有していてもよい。官能基としては、特に限定されるものではないが、例えば、アミノ基、ウレタン基、イミド基、水酸基、カルボキシ基、グリシジル基等が挙げられ、なかでも、グリシジル基が好ましい。グリシジル基は、熱硬化樹脂であるエポキシ樹脂との反応性がよく、水酸基などと比較すると粘着剤層とは反応しにくいため、表面自由エネルギーの変化が起こりにくい。グリシジル基を有する（メタ）アクリル系共重合体としては、グリシジルエーテル（メタ）アクリル系共重合体、グリシジルアミン（メタ）アクリル系共重合体、グリシジルエステル（メタ）アクリル系共重合体が挙げられ、これらを少なくとも１種類含むことが好ましく、２種以上含むことがさらに好ましい。
【００７１】
フェノキシ樹脂としては、例えば、２官能フェノール類とエピハロヒドリンを高分子量まで反応させるか、又は２官能エポキシ樹脂と２官能フェノール類を重付加させることにより得られる樹脂が挙げられる。より具体的には、フェノキシ樹脂は、例えば２官能フェノール類とエピハロヒドリンとをアルカリ金属水酸化物等の触媒の存在下、非反応性溶媒中４０〜１２０℃の温度で反応させることにより得ることができる。また、フェノキシ樹脂は、２官能エポキシ樹脂と２官能フェノール類とをアルカリ金属化合物、有機リン系化合物、環状アミン系化合物等の触媒存在下、沸点が１２０℃以上のアミド系、エーテル系、ケトン系、ラクトン系、アルコール系等の有機溶剤中で、反応固形分が５０質量部以下の条件で５０〜２００℃に加熱して重付加反応させて得ることができる。フェノキシ樹脂は、単独で用いてもよいし２種以上を組み合わせて用いてもよい。
なお、２官能エポキシ樹脂は、下記で説明するエポキシ樹脂が好ましい。また、２官能フェノール類は、該２官能エポキシ樹脂の基本骨格となるフェノール類が好ましい。
フェノキシ樹脂は、接着剤層中の樹脂全体の１０〜５０質量％が好ましい。
【００７２】
本発明では、接着剤層の成分に、エポキシ樹脂を含有することが好ましい。このような好ましいエポキシ樹脂としては、グリシジル基や、脂環にエポキシ環が縮環した部分構造を有する基が好ましい。特に、グリシジルエーテルエポキシ樹脂、グリシジルアミンエポキシ樹脂、グリシジルエステルエポキシ樹脂および脂環式エポキシ樹脂がより好ましい。
なかでも、グリシジル基や、あるいは脂環にエポキシ環が縮環した部分構造を有する基のいずれかが、ビスフェノール系樹脂の水酸基（フェノール性水酸基）に置換した樹脂が好ましい。
このようなビスフェノール系エポキシ樹脂としては、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＡＤ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＳ型エポキシ樹脂等が挙げられる。
これらのビスフェノール系エポキシ樹脂のなかでも、ビスフェノールＦジグリシジルエーテル樹脂とビスフェノールＡジグリシジルエーテル樹脂が好ましい。
【００７３】
本発明では、特に、構造の異なったビスフェノール系エポキシ樹脂を２種以上組み合わせて使用することが好ましく、ビスフェノールＦジグリシジルエーテル樹脂とビスフェノールＡジグリシジルエーテル樹脂を組み合わせて使用することが最も好ましい。
なお、組み合わせて使用する他、構造の異なったビスフェノール系エポキシ樹脂を２種以上共重合させて用いることも好ましい。
エポキシ樹脂、なかでも、構造の異なるビスフェノール系エポキシ樹脂を２種類以上用いることにより、バンプ等の凹凸を埋めこむための流動性と接合信頼性のための硬化性を両立することができる。
【００７４】
エポキシ樹脂の接着剤層中への配合量は、樹脂全体の１５〜３５質量％が好ましい。
【００７５】
また、本発明では、接着剤層の成分に、前記エポキシ樹脂と潜在性硬化剤とをあらかじめ配合してなる硬化エポキシ樹脂を含有することも好ましい。硬化エポキシ樹脂とは、前述のエポキシ樹脂をエポキシ樹脂用硬化剤と反応させたものであり、エポキシ樹脂用硬化剤としては、アミン類、ポリアミド樹脂、イミダゾール類、ポリメルカプタン、酸無水物類、潜在性硬化剤、光・紫外線硬化剤などの、通常用いられるエポキシ樹脂用硬化剤が挙げられる。
なかでも、三フッ化ホウ素−アミン錯体、ジシアンジアミド、有機酸ヒドラジッドなどの潜在性硬化剤が好ましく、ジシアンジアミドがより好ましい。
硬化エポキシ樹脂において、エポキシ樹脂とエポキシ樹脂用硬化剤の配合量（質量）は、特性を満たす限り限定されないが、エポキシ樹脂：エポキシ樹脂用硬化剤が、１：１が好ましい。
【００７６】
硬化エポキシ樹脂の接着剤層中への配合量は、樹脂全体の３５〜７０質量％が好ましい。
【００７７】
接着剤層は無機フィラーを含有してもよい。添加量が多いと流動性が低下し、接着性が下がるため無機フィラーの含有量は樹脂成分１００質量部に対し、６０質量部未満が好ましく、より好ましくは５０質量部以下であり、さらに好ましくは３０質量部以下である。無機フィラーの含有量の下限に特に制限はないが、５質量部以上であるのが実際的である。また、粒径が大きいと接着面の表面に凹凸が生じ、接着性が低下するため、無機フィラーの平均粒径は１μｍ以下が好ましく、より好ましくは０．７μｍ以下、さらに好ましくは０．５μｍ以下である。無機フィラーの粒径の下限に特に制限はないが、０．００３μｍ以上であるのが実際的である。無機フィラーとしては、絶縁性および熱伝導性を有していればよく、例えば、窒素化合物（窒化ホウ素、窒化アルミニウム、窒化ケイ素、窒化炭素、窒化チタンなど）、炭素化合物（炭化ケイ素、炭化フッ素、炭化ホウ素、炭化チタン、炭化タングステン、ダイヤモンドなど）、金属酸化物（シリカ、アルミナ、酸化マグネシウム、酸化亜鉛、酸化ベリリウムなど）などが挙げられる。
【００７８】
接着剤層の厚みは、特に制限されるものではないが、２〜８０μｍが好ましく、５〜７０μｍがより好ましい。
【００７９】
（分子量）
本発明において、分子量とは質量平均分子量のことを言い、ゲルパーミエーションクロマトグラフィー（ＧＰＣ）法により標準ポリスチレンによる検量線を用いて測定したものとする。
【００８０】
［ＧＰＣ法による測定条件］
使用機器：高速液体クロマトグラフィーＬＣ−２０ＡＤ［株式会社島津製作所製、商品名］
カラム：Ｓｈｏｄｅｘ  Ｃｏｌｕｍｎ  ＧＰＣ  ＫＦ−８０５［株式会社島津製作所製、商品名］
溶離液：クロロホルム
測定温度：４５℃
流量：３．０ｍｌ／分
ＲＩ検出器：示差屈折率検出器ＲＩＤ−１０Ａ［株式会社島津製作所製、商品名］
【００８１】
（粘接着フィルム一体型表面保護テープの破断伸び率）
紫外線照射後の粘接着フィルム一体型表面保護テープについて、ＪＩＳ  Ｋ  ７１２７（プラスチックフィルム及びシートの引張試験方法）の引張試験方法に準拠し、２３±２℃の温度、５０±５％の湿度、５０ｍｍの標線間距離およびつかみ間距離、３００ｍｍ／ｍｉｎの速度で試験を行ない、機械加工方向（ＭＤ）における破断伸び率を測定する。
なお、本発明における紫外線照射後の粘接着フィルム一体型表面保護テープの伸縮率とは、前記紫外線照射後の粘接着フィルム一体型表面保護テープの破断伸び率のことを言う。
【００８２】
（粘接着フィルム一体型表面保護テープの伸縮率）
本発明において、紫外線照射後の粘接着フィルム一体型表面保護テープの伸縮率は１２０〜２００％が好ましく、１３０〜１８０％がより好ましく、１４０〜１６０％がさらに好ましい。紫外線照射後の粘接着フィルム一体型表面保護テープの伸縮率が前記の範囲であれば、延伸後の素子間隙を十分得ることができるため、ピックアップ時に各素子の画像認識が困難になるという問題を抑制できる。また隣接する半導体チップが接触したり、あるいは半導体チップに位置ずれか生ずることがなく、従って、半導体チップのピックアップ時に誤動作が生じることがない。
【００８３】
なお、紫外線照射は、紫外線照射装置（テクノビジョン社製「ＵＶＣ−４０８」、波長：３６５ｎｍ、照度：７０ｍＷ／ｃｍ２（作業面で））を用いて、積算光量５００ｍＪ／ｃｍ２で行う。
【００８４】
＜＜半導体チップの製造方法＞＞
以下に、本発明の粘接着フィルム一体型表面保護テープを用いた半導体チップの製造方法を説明する。
【００８５】
本発明の半導体チップの製造方法は、半導体回路が形成された半導体ウェハに、電極としてバンプを有するバンプ付ウェハ内に改質層を形成した後、該半導体ウェハの裏面を研削し、個々の半導体チップへ一括して分割を行う半導体チップの製造方法であって、前記改質層を形成した後であって、かつ該前記半導体ウェハの裏面を研削する前に、基材フィルム上に粘着剤層を有する粘着テープの粘着剤層上に接着フィルムが積層された粘接着フィルム一体型表面保護テープ（単に表面保護テープとも称す）を、半導体ウェハの半導体回路が形成され側に前記接着フィルム側で貼り付ける工程、前記導体ウェハの裏面研削後にピックアップされる際に、またはピックアップ用のテープに転写される際に、前記接着フィルムのみ半導体チップに接着された状態とする工程、を有する。
【００８６】
本発明においては、上記の接着フィルムのみ半導体チップに接着された状態とする工程が、転写フィルム（ピックアップテープ）を使用することなく、前記粘接着フィルムから直接ピックアップする工程であることが好ましい。
また、粘接着フィルム一体型表面保護テープをエキスパンドすることにより、前記接着フィルムと半導体チップを同時に分割する工程を含むことが好ましい。
さらに、半導体ウェハの裏面研削による半導体チップの一括分断の後、粘接着フィルム一体型表面保護テープの前記接着フィルムのみをレーザーによって分割することが好ましい。
【００８７】
以下、図を用いて説明することで、より好ましい本発明の半導体チップの製造方法を説明する。各図において同一の符号は同一の部材を示す。
半導体チップの製造方法には、ピックアップテープに転写するプロセスを経る方法とこのピックアップテープへの転写を行わないプロセスを経る方法とがある。
【００８８】
図１は、本発明の半導体チップの製造方法の好ましい一態様のプロセスの前半を模式的に示すものであり、上記のピックアップテープに転写するプロセスを経る方法とこのピックアップテープへの転写を行わないプロセスを経る方法のいずれにも共通するプロセスの前半である。
図２は、ピックアップテープに転写するプロセスを経る方法における、図１の（４）のプロセス後に行う後半のプロセスの一例であり、図３は、ピックアップテープへの転写を行わないプロセスを経る方法における、図１の（４）のプロセス後に行う後半のプロセスの一例である。
【００８９】
〔Ｉ〕ピックアップテープに転写するプロセス
以下、図１および図２を用いて説明する。
（１）まず、半導体ウェハ（１）の表面（１Ａ）〔半導体回路が形成されている面〕側から、レーザー（７）により改質層（２）を形成する。
半導体ウェハを半導体チップに分割するために、半導体ウェハの分割予定部分にレーザー光照射で、多光子吸収によって改質領域〔クラック領域とも称し、改質層（２）において、実際に改質されている部分であり、破線で示した改質部（２Ａ）〕を半導体ウェハ内部に形成するステップである。
【００９０】
レーザー光の照射によって、多光子吸収による光学的損傷という現象が発生し、この光学的損傷により半導体ウェハの内部に熱ひずみが誘起され、これにより半導体ウェハの内部に改質領域〔改質部（２Ａ）〕が形成される。この場合に用いるレーザー光（レーザー光線）としては、パルスレーザー光を発生するＮｄ：ＹＡＧレーザー、Ｎｄ：ＹＶＯレーザー、Ｎｄ：ＹＬＦレーザー、チタンサファイアレーザー等がある。
改質層（２）の厚さは、２０μｍ〜４０μｍが好ましい。また、改質層（２）は、例えば、裏面研削済の半導体ウェハの裏面（１Ｂ）から１０μｍ〜５０μｍ上に設けるのが好ましい。改質部（２Ａ）が半導体チップに含まれる場合、その部分の抗折強度が落ちる可能性があるためである。
ここで、裏面研削済の半導体ウェハの裏面よりも上に改質層（２）を設けることにより、その改質層（２）を研削した際の衝撃で半導体チップを分断することができる。
【００９１】
（２）半導体ウェハ表面（１Ａ）に、本発明の粘接着フィルム一体型表面保護テープ（表面保護テープ）を貼り合わせる。
このとき、粘接着フィルム一体型表面保護テープの接着剤層（接着フィルム）（６）側を、半導体ウェハ（１）の改質層（２）を形成した側に貼る。本発明の表面保護テープは、前記説明の通り、基材フィルム（４）上に粘着剤層（５）を有し、その粘着剤層上に接着剤層（接着フィルム）（６）を有する。このうち、基材フィルム（４）上に粘着剤層（５）を有するテープを粘着テープ（３）とも言う。
【００９２】
（３）半導体ウェハの、粘接着フィルム一体型表面保護テープを貼り合わせた面と反対側の面（裏面）（１Ｂ）を研削する。図中、８はグラインダー、９は裏面研削中の半導体ウェハである。
【００９３】
（４）目的とする厚みに研削ができた状態で裏面研削を終了する。図中、１０は裏面が研削された状態の半導体ウェハである。
【００９４】
（５−１）半導体ウェハの裏面（研削面）に、ピックアップテープ（１１）を貼り付け、リングフレーム（１２）に固定する。
ピックアップテープ（１１）は、ピックアップ工程において良好なピックアップ性とエキスパンド性を求められるため、ダイシングテープを用いるのが好ましい。
ダイシングテープの粘着剤層の粘着剤には、ダイシングテープに用いられる一般的な粘着剤を用いることが可能であり、好ましくは、紫外線の照射により硬化する粘着剤を用いる。
リングフレーム（１２）は、一般的な半導体ウェハの処理工程において用いられるものを用いることができる。
【００９５】
（６−１）粘接着フィルム一体型表面保護テープの粘着テープ（３）〔基材フィルム（４）と粘着剤層（５）〕のみを剥離させ、接着フィルム（６）のみを半導体ウェハ表面に残す。図では、粘着剤として紫外線硬化型のものを用いた場合の例として、紫外線照射（図示せず）後に粘着テープ（３）を剥離した状態を示した。
【００９６】
（７−１）ピックアップテープをエキスパンドする。
エキスパンド方法には２つの方法があり、（７−１Ａ）接着フィルム（接着剤層）と半導体ウェハを分割する、あるいは、（７−１Ｂ）半導体ウェハのみ分割した後、接着フィルム（接着剤層）をレーザー（１４）により切断する。
上記（７−１Ａ）や（７−１Ｂ）のようにするには、エキスパンド条件を変更することで調整できる。
すなわち、接着フィルムをエキスパンド分割する場合（７−１Ａ）には、ある程度のエキスパンド量が必要であるため、通常よりもエキスパンド量を大きくすることで半導体チップと同時に分割することができる。一方、半導体チップのみのエキスパンドの場合（７−１Ｂ）は、半導体チップは剛体であるためエキスパンド量は小さくてもよい。このようにエキスパンド量を任意に調整することで、（７−１Ａ）や（７−１Ｂ）の状態にすることができる。
図中、６Ａは分割された接着剤層（接着フィルム）を、１０Ａは分割された半導体ウェハを示す。また、１１Ａはエキスパンドされたピックアップテープを、１３はエキスパンダーを示す。
【００９７】
（８−１）分割された半導体ウェハ（１０Ａ）は個片化された接着フィルム（接着剤層）（６Ａ）付の個々の半導体チップ（１７）となり、それを接着フィルム（接着剤層）（６Ａ）とともにピックアップする。図中、１５はピックアップ用ニードルを、１６はピックアップ用コレットを示す。半導体チップ（１７）は、エキスパンドされたピックアップテープ（１１Ａ）から剥離されてピックアップされる。
【００９８】
〔ＩＩ〕ピックアップテープへの転写を行わないプロセス
以下、図１および図３を用いて説明する。なお、（１）〜（４）までは上記のピックアップテープに転写するプロセス〔Ｉ〕と同じである。
（１）まず、半導体ウェハ（１）の表面（１Ａ）側からレーザー（７）により改質層（２）を形成させる。
（２）半導体ウェハ表面（１Ａ）に、本発明の粘接着フィルム一体型表面保護テープ（表面保護テープ）を貼り合わせる。このとき、粘接着フィルム一体型表面保護テープの接着剤層（接着フィルム）（６）側を、半導体ウェハ（１）の改質層（２）を形成した側に貼る。
（３）半導体ウェハの、粘接着フィルム一体型表面保護テープを貼り合わせた面と反対側の面（裏面）（１Ｂ）を研削する。
（４）目的とする厚みに研削ができた状態（１０）で裏面研削を終了する。
【００９９】
（５−２）粘接着フィルム一体型表面保護テープの基材フィルム（４）面側に固定用テープ（２１）を貼り付け、リングフレーム（２２）に固定する。
ここで、固定用テープ（２１）は、上記のダイシングテープ〔ピックアップテープ（１１）〕と実質同じものである。
【０１００】
（６−２）固定用テープ（２１）をエキスパンドする。この時、粘着テープ（３）上で、接着フィルム（接着剤層）（６）と半導体ウェハ（１）とが両方とも分割される。
エキスパンドは速度０．５〜５ｍｍ／秒、エキスパンド量５〜２０ｍｍが好ましい。
図中、６Ａは分割された接着剤層（接着フィルム）を、１０Ａは分割された半導体ウェハを示す。また、２１Ａはエキスパンドされた固定用テープを、２３はエキスパンダーを示す。
【０１０１】
（７−２）分割された半導体ウェハ（１０Ａ）は個片化された接着フィルム（接着剤層）（６Ａ）付の個々の半導体チップ（２７）となり、それを接着フィルム（接着剤層）（６Ａ）とともにピックアップする。図中、２５はピックアップ用ニードルを、２６はピックアップ用コレットを示す。半導体チップ（２７）は、粘着テープ（３）から接着フィルム（接着剤層）（６）が剥離されてピックアップされる。図では、粘着剤として紫外線硬化型のものを用いた場合の例として、紫外線照射（図示せず）後に粘着剤層（５）から半導体チップ（２７）を剥離する様子を示した。
【０１０２】
本発明の粘接着フィルム一体型表面保護テープを用いた半導体チップの製造方法は、電極としてバンプなどの凹凸を有する半導体ウェハを薄膜研削する場合に顕著な効果を発揮する。
このように、本発明の粘接着フィルム一体型表面保護テープを使用した半導体チップの製造方法は、１００μｍ以下の高さのバンプが付いたバンプ付ウェハ回路基板を２００μｍ厚以下の薄膜に研削、特に５０μｍｍ以下の高さのバンプが付いたバンプ付ウェハ回路基板を、０μｍを超え１００μｍ厚以下の薄膜に研削するのに有効である。
なお、バンプの高さの下限は、現実的には５μｍ以上である。
【０１０３】
本発明の製造方法で半導体チップを製造することで、裏面研削後のダイシング工程を省くことが可能である。さらに、本発明の粘接着フィルム一体型表面保護テープを用いることによりアンダーフィルを流し込む工程を省くことが可能となり、このため、アンダーフィルによる樹脂漏れが起こることがなく、歩留まりが向上する。
【０１０４】
一方、半導体チップの薄膜化において重要な性能として半導体チップの抗折強度が挙げられる。従来の一般的な方法である裏面研削後にダイシングする方法では、ブレードによるダイシングであってもレーザーによるダイシングであっても、いずれも半導体ウェハの裏面研削で薄膜になった半導体ウェハにダメージを与える工程であるため、得られる半導体チップにダメージが残りやすく、チッピングが発生したり、最悪の場合は半導体チップが割れてしまったりする。
しかしながら、本発明の製造方法では、半導体チップへのダメージを最小限に抑えることが可能となり、半導体チップの抗折強度を高めることができ、チップ割れが発生しにくいため、パッケージの実装信頼性を確保できることとなる。
【０１０５】
しかも従来の製造方法では、半導体チップを基盤に実装する際、特にバンプのような凹凸の付いた薄膜半導体チップを圧着するため、チップ割れが非常に発生し易い。しかしながら、本発明の製造方法では、半導体チップに接着フィルム（接着剤層）が接着された状態で実装されるためチップ割れの発生を抑えることができる。また、実装と同時に接着フィルム（接着剤）による接着もできるため製造時間を短縮することが可能となる。
【０１０６】
本発明では半導体のチップ化後にピックアップテープに転写して、ピックアップのみ別工程にて半導体装置を製造（図１、２の工程）してもよいが、転写することなくピックアップすること（図１、３の工程）が好ましい。転写することなくピックアップすることで粘着テープの剥離工程を省略でき、また剥離時にかかるストレスから開放されるため半導体チップへのダメージも軽減することが可能となる。
【０１０７】
本発明では、薄膜研削後の半導体ウェハを、ロールを押し当てることによってチップ分割を行って（図示せず）もよく、押し刃を改質層の上から押し込むことによってチップ分割を行って（図示せず）もよく、エキスパンドによってチップ分割を行って（図２の工程（７−１Ａ）、図３の工程（６−２））もよい。外部からのストレスがかからないため、エキスパンドによって分割する方法が好ましい。
【実施例】
【０１０８】
以下、本実施形態に係る効果をさらに明確にするために、実施例に基づき、より詳細に説明するが、本発明はこれら実施例に限定されるものではない。
【０１０９】
下記のように粘着剤、接着剤を調整し、乾燥膜厚が２０μｍとなるように剥離ライナー上に粘着剤を塗工し、粘着剤を塗工した側（粘着剤層側）で基材フィルムと貼り合わせ、１１０℃で３分間乾燥し、基材フィルム上に粘着剤層を有する粘着テープを作製した。これらの粘着テープにおける、剥離ライナーを剥離した粘着剤層側に、厚さが７０μｍとなるように剥離ライナー上に接着剤を塗工した接着フィルムを接着剤を塗工した側（接着剤層側）で貼り合わせて、粘着剤層上に接着剤層を有する、表１に示すような実施例１〜４、比較例１、２の粘接着フィルム一体型表面保護テープを作製した。この際に、実施例１〜４、比較例１、２については基材フィルムと粘着剤との密着性を良好とするため基材フィルムの表面改質処理としてコロナ処理を行った。これら実施例１〜４、比較例１、２の粘接着フィルム一体型表面保護テープで各種特性評価を行った。
【０１１０】
使用した材料を下記に示す。
＜基材フィルム＞
基材フィルム１Ａ
エチレン−メチルメタクリレート共重合樹脂（ＥＭＭＡ）（住友化学社製、商品名：アクリフトＷＤ２０１）を用いて、Ｔダイ法により厚さ１００μｍの樹脂フィルムＡａを成形した。
２−エチルヘキシルアクリレート、メチルアクリレート、２−ヒドロキシエチルアクリレートを共重合して、質量平均分子量１０万、ガラス転移点−１０℃のアクリル酸エステル共重合体を得た。前記アクリル酸エステル共重合体１００質量部に対して、硬化剤としてコロネートＬ（商品名、日本ポリウレタン社製）２質量部、ウレタンアクリレートオリゴマー（質量平均分子量：１２００）１５０質量部、光重合開始剤としてイルガキュアー１８４（商品名、日本チバガイギー社製）５質量部を配合した紫外線硬化型アクリル系共重合体を、剥離フィルム上に乾燥後の厚さが３０μｍとなるように塗工し、樹脂フィルムＡａと貼り合せ、紫外線を照射し、硬化させることで、樹脂フィルムＡａとキャストフィルムＡｂの積層フィルムである、総厚１３０μｍの基材フィルム１Ａを得た。
【０１１１】
基材フィルム１Ｂ
ポリエチレンテレフタレートフィルム（帝人デュポン社製、商品名：テトロンＧ２、厚さ１００μｍ）を用いた。
【０１１２】
基材フィルム１Ｃ
エチレン―酢酸ビニル共重合体（東ソー社製、商品名：ウルトラセン６３１）を用いて、Ｔダイ法により厚さ１００μｍの基材フィルム１Ｃを得た。
【０１１３】
＜粘着剤層＞
粘着剤２Ａ
溶媒のトルエン４００ｇ中に、２−エチルヘキシルアクリレート４４６．５ｇ、メチルメタクリレート４５ｇ、メタクリル酸８０．０ｇ、重合開始剤としてベンゾイルペルオキシド０．５ｇの混合液を２時間かけて滴下しながら、１００℃の温度下で４時間反応させ官能基を持つ共重合体（２）の溶液を得た。次にこのポリマー（２）の溶液に、光重合性炭素−炭素二重結合および官能基を有する化合物（１）として、２−ヒドロキシエチルメタクリレート１０５．３ｇ、重合禁止剤としてハイドロキノン０．１ｇを加え、１２０℃の温度下で６時間反応させた後、酢酸にて中和し、共重合体（Ａ）の溶液を得た。この共重合体（Ａ）溶液中の共重合体（Ａ）１００質量部に対し、ポリイソシアネート（日本ポリウレタン社製、商品名：コロネートＬ）（Ｂ）１質量部、光重合開始剤（日本チバガイギー社製、商品名：イルガキュアー１８４）０．５質量部を共重合体（Ａ）溶液中に加えて混合し、アクリル系エネルギー線硬化型粘着剤組成物である粘着剤２Ａを調製した。
【０１１４】
粘着剤２Ｂ
２−ヒドロキシエチルメタクリレートの配合量を４０．０ｇとした以外は、粘着剤２Ａと同様にして調製した。
【０１１５】
粘着剤２Ｃ
２−ヒドロキシエチルメタクリレートの配合量を６０．０ｇとし、さらに離型剤としてＸ−６２−７２９６（商品名、信越化学工業（株）社製）を共重合体１００質量部に対し、０．５質量部添加した以外は、粘着剤２Ａと同様にして調製した。
【０１１６】
粘着剤２Ｄ
粘着剤２Ａにおける２−ヒドロキシエチルメタクリレートを２−ヒドロキシエチルアクリレートに変更し、配合量を３．５ｇとした以外は、粘着剤２Ａと同様にして調製した。
【０１１７】
＜接着剤層＞
接着剤３Ａ
ブチルアクリレートを４０ｍｏｌ％、エチルアクリレートを３０ｍｏｌ％、アクリロニトリル３０ｍｏｌ％を体積比で酢酸エチルとトルエンが５０：５０の混合溶液中で共重合させることで、アクリル樹脂を得た。
ジシアンジアミド５０ｍｏｌ％、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂５０ｍｏｌ％を体積比で酢酸エチルとトルエンが５０：５０の混合溶液中で配合し、共重合させることで、硬化エポキシ樹脂を得た。
ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂３５ｍｏｌ％、ビスフェノールＡ型フェノキシ樹脂３５ｍｏｌ％、ビスフェノールＡジグリシジルエーテル３０ｍｏｌ％を配合し、体積比で酢酸エチルとトルエンが５０：５０の混合溶液中で共重合させることで、フェノキシ樹脂を得た。
得られたアクリル樹脂を３０質量部、硬化エポキシ樹脂を５０質量部、フェノキシ樹脂を２０質量部配合し、酢酸エチル溶液中で混合した。得られた混合樹脂１００質量部に対して、無機フィラーとして平均粒径０．５μｍのシリカ粒子（株式会社アドマテックス製、商品名：ＳＯ−Ｅ２）５質量部をこの溶液中で配合し、接着剤３Ａを得た。
【０１１８】
（実施例１）
上記粘着剤２Ａを粘着剤層の厚みが２０μｍ厚になるように剥離ライナー上に塗工し、この粘着剤層側で、上記基材フィルム１Ａに貼り合せて粘着テープを得た。上記接着剤３Ａを接着剤層の厚みが７０μｍ厚となるように剥離ライナー上に塗工し、この接着剤層側で、前記粘着テープにおける剥離ライナーを剥離した粘着剤層側と貼り合わせることで、粘接着フィルム一体型表面保護テープを得た。以下の使用時には、接着剤層上の剥離ライナーを剥離して用いた。
【０１１９】
（実施例２）
上記粘着剤２Ｂを粘着剤層の厚みが２０μｍ厚になるように剥離ライナー上に塗工し、この粘着剤層側で、上記基材フィルム１Ａに貼り合せて粘着テープを得た。上記接着剤３Ａを接着剤層の厚みが７０μｍ厚となるように剥離ライナー上に塗工し、この接着剤層側で、前記粘着テープにおける剥離ライナーを剥離した粘着剤層側と貼り合わせることで、粘接着フィルム一体型表面保護テープを得た。以下の使用時には、接着剤層上の剥離ライナーを剥離して用いた。
【０１２０】
（実施例３）
上記粘着剤２Ｃを粘着剤層の厚みが２０μｍ厚になるように剥離ライナー上に塗工し、この粘着剤層側で、上記基材フィルム１Ａに貼り合せて粘着テープを得た。上記接着剤３Ａを接着剤層の厚みが７０μｍ厚となるように剥離ライナー上に塗工し、この接着剤層側で、前記粘着テープにおける剥離ライナーを剥離した粘着剤層側と貼り合わせることで、粘接着フィルム一体型表面保護テープを得た。以下の使用時には、接着剤層上の剥離ライナーを剥離して用いた。
【０１２１】
（実施例４）
上記粘着剤２Ｄを粘着剤層の厚みが２０μｍ厚になるように剥離ライナー上に塗工し、この粘着剤層側で、上記基材フィルム１Ａに貼り合せて粘着テープを得た。上記接着剤３Ａを接着剤層の厚みが７０μｍ厚となるように剥離ライナー上に塗工し、この接着剤層側で、前記粘着テープにおける剥離ライナーを剥離した粘着剤層側と貼り合わせることで、粘接着フィルム一体型表面保護テープを得た。以下の使用時には、接着剤層上の剥離ライナーを剥離して用いた。
【０１２２】
（比較例１）
上記粘着剤２Ａを粘着剤層の厚みが２０μｍ厚になるように剥離ライナー上に塗工し、この粘着剤層側で、上記基材フィルム１Ｂに貼り合せて粘着テープを得た。上記接着剤３Ａを接着剤層の厚みが７０μｍ厚となるように剥離ライナー上に塗工し、この接着剤層側で、前記粘着テープにおける剥離ライナーを剥離した粘着剤層側と貼り合わせることで、粘接着フィルム一体型表面保護テープを得た。以下の使用時には、接着剤層上の剥離ライナーを剥離して用いた。
【０１２３】
（比較例２）
上記粘着剤２Ａを粘着剤層の厚みが２０μｍ厚になるように剥離ライナー上に塗工し、この粘着剤層側で、上記基材フィルム１Ｃに貼り合せて粘着テープを得た。上記接着剤３Ａを接着剤層の厚みが７０μｍ厚となるように剥離ライナー上に塗工し、この接着剤層側で、前記粘着テープにおける剥離ライナーを剥離した粘着剤層側と貼り合わせることで、粘接着フィルム一体型表面保護テープを得た。以下の使用時には、接着剤層上の剥離ライナーを剥離して用いた。
【０１２４】
なお、実施例１〜４においては、剥離フィルムを剥離したキャストフィルムＡｂ上に、粘着剤層を設けた。
【０１２５】
（半導体チップの製造）
図１および図３に示すプロセスで半導体チップを作製した。
（１）ＤＡＬ７３６０（商品名、株式会社ディスコ製ステルスダイシング装置）を用いて半導体ウェハ（１）の表面（１Ａ）からレーザー（７）を照射し、直径３００ｍｍ（約１２インチ）のバンプ付ウェハに改質層（２）を形成した。バンプの大きさ、ピッチは以下である。
【０１２６】
バンプ高さ：８０μｍ、ピッチ：１６０μｍ、バンプの種類：ソルダー
改質層〔改質部（２Ａ）〕の厚さ：３０μｍ
【０１２７】
（２）半導体ウェハの改質層を設けた表面（１Ａ）に、実施例１〜４および比較例１、２で作製した粘接着フィルム一体型表面保護テープを接着剤層（６）側で貼り合わせた。
（３）半導体ウェハの、粘接着フィルム一体型表面保護テープを貼り合わせた面と反対側の面（裏面）（１Ｂ）を、ＤＧＰ８７６１（商品名、株式会社ディスコ製裏面研削装置）を用いて、研削後の厚み７５μｍまで研削した。
【０１２８】
（４）研削後、粘接着フィルム一体型表面保護テープの基材フィルム（４）面側に固定用テープ（２１）を貼り付け、リングフレーム（２２）に固定した。固定用テープ（２１）は、エチレン系アイオノマー樹脂からなる基材フィルム上に、紫外線硬化型アクリル共重合体からなる粘着剤層を有する。
（５）上記固定用テープ（２１）を速度１ｍｍ／秒、エキスパンド量２０ｍｍの条件でエキスパンドし、粘着テープ（３）上で、接着フィルム（接着剤層）（６）と半導体ウェハ（１）を分割した。
（６）分割された半導体ウェハ（１０Ａ）は個片化された接着フィルム（接着剤層）（６Ａ）付の個々の半導体チップ（２７）となり、紫外線照射後に、粘着剤層（５）から半導体チップ（２７）を接着フィルム（接着剤層）（６Ａ）とともにピックアップした。
【０１２９】
上記のようにして得られた実施例および比較例の各半導体チップについて、以下の特性を評価した。
【０１３０】
（伸縮率）
紫外線照射後の粘接着フィルム一体型表面保護テープの伸縮率を、以下の方法により測定した。
粘接着フィルム一体型表面保護テープに、紫外線照射装置（テクノビジョン社製「ＵＶＣ−４０８」、波長：３６５ｎｍ、照度：７０ｍＷ／ｃｍ２（作業面で））を用いて、積算光量５００ｍＪ／ｃｍ２の紫外線を照射した。
紫外線照射後の粘接着フィルム一体型表面保護テープについて、ＪＩＳ  Ｋ  ７１２７（プラスチックフィルム及びシートの引張試験方法）の引張試験方法に準拠し、２３±２℃の温度、５０±５％の湿度、５０ｍｍの標線間距離およびつかみ間距離、３００ｍｍ／ｍｉｎの速度で試験を行ない、機械加工方向（ＭＤ）における破断伸び率を測定し、該破断伸び率を紫外線照射後の粘接着フィルム一体型表面保護テープの伸縮率（％）とした。
【０１３１】
（ピックアップ性）
ピックアップチップ１００個でのピックアップの成功率を求めた。その際、ピックアップされた素子に粘着剤層から剥離した接着剤層が保持されているものをピックアップが成功したものとしてピックアップ成功率を算出し、以下の基準で評価した。
【０１３２】
◎（特に良）：ピックアップ成功率が１００％
○（良）：ピックアップ成功率が９５％以上１００％未満
×（不良）：ピックアップ成功率が９５％未満
【０１３３】
（エキスパンド性）
エキスパンド後に半導体付接着剤層が分断されたか否かを光学顕微鏡で観察した。
半導体付粘着剤層が９０％以上分断されたものを良好として○で、分断率が９０％未満のものを不良として×で評価した。
【０１３４】
以上の結果を、下記表１に示す。
【０１３５】
【表１】
2015220377.tif 000003
【０１３６】
表１に示されるように、基材フィルムが、ポリエチレンテレフタレートやエチレン−酢酸ビニル共重合体である比較例１、２は、いずれも粘接着フィルム一体型表面保護テープの伸縮率やピックアップ性には優れているものの、エキスパンド性が悪かった。
これに対して、基材フィルムがアクリル樹脂からなる実施例１〜４では、いずれの特性も優れていた。
【符号の説明】
【０１３７】
１      半導体ウェハ
１Ａ  半導体ウェハ表面
１Ｂ  半導体ウェハ裏面
２      改質層
２Ａ  改質部
３      粘着テープ
４    基材フィルム
５    粘着剤層
６      接着剤層（接着フィルム）
６Ａ  分割された接着剤層（接着フィルム）
７      レーザー（改質層形成用）
８      グラインダー
９      裏面研削中の半導体ウェハ
１０      裏面が研削された状態の半導体ウェハ
１０Ａ  分割された半導体ウェハ
１１      ピックアップテープ
１１Ａ  エキスパンドされたピックアップテープ
１２      リングフレーム
１３      エキスパンダー
１４      レーザー（接着フィルム切断用）
１５      ピックアップ用ニードル
１６      ピックアップ用コレット
１７      個片化された接着剤付チップ
２１      固定用テープ
２１Ａ  エキスパンドされた固定用テープ
２２      リングフレーム
２３      エキスパンダー
２５      ピックアップ用ニードル
２６      ピックアップ用コレット
２７      個片化された接着剤付チップ
【図１】
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【図２】
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【図３】
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