(57)【要約】【課題】有機ＥＬパネルの小型化を実現すること。【解決手段】第１基板１０がレイアウトされたマザー基板２において、第１基板１０に有機ＥＬ素子３０を形成する第１の工程と、有機ＥＬ素子３０を覆うように封止膜３４を形成する第２の工程と、第２の工程の後にマザー基板２から第１基板１０を取り出すための分断予定線４の少なくとも一部に溝５を形成する第３の工程と、第３の工程の後に、封止膜３４を覆うように接着剤４１を介して複数の第１基板１０毎に第２基板４０を貼り合せる第４の工程と、第４の工程の後に、マザー基板２を分断予定線４で分断する第５の工程と、を有することを特徴とする。【選択図】図６
2015222664.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１基板がレイアウトされたマザー基板において、前記第１基板に有機ＥＬ素子を形成する第１の工程と、
前記有機ＥＬ素子を覆うように封止膜を形成する第２の工程と、
前記第２の工程の後に、前記マザー基板から前記第１基板を取り出すための分断予定線の少なくとも一部に溝を形成する第３の工程と、
前記第３の工程の後に、前記封止膜を覆うように接着剤を介して前記複数の第１基板毎に第２基板を貼り合せる第４の工程と、
前記第４の工程の後に、前記マザー基板を前記分断予定線で分断する第５の工程と、
を有することを特徴とする有機ＥＬパネルの製造方法。
【請求項２】
請求項１に記載の有機ＥＬパネルの製造方法であって、前記第１基板の一辺に沿って第１の方向に配列した複数の端子を有し、
前記第３の工程は、前記第１の方向と直交する第２の方向に隣り合う前記第１基板のうち一方の前記第１基板の前記複数の端子と、他方の前記第１基板の前記有機ＥＬ素子が形成された表示領域の端部との間の前記分断予定線に前記溝を形成することを特徴とする有機ＥＬパネルの製造方法。
【請求項３】
請求項１または２に記載の有機ＥＬパネルの製造方法であって、
前記第３の工程は、前記分断予定線を中心線とする所定の幅の領域に前記溝を形成することを特徴とする有機ＥＬパネルの製造方法。
【請求項４】
請求項１乃至３のいずれか１項に記載の有機ＥＬパネルの製造方法であって、
前記溝の深さは、貼り合された後の前記第１基板と前記第２基板との間の前記接着剤の厚さよりも大きいことを特徴とする有機ＥＬパネルの製造方法。
【請求項５】
請求項１乃至３のいずれか１項に記載の有機ＥＬパネルの製造方法であって、
前記溝の深さは、前記第１基板の厚さから少なくとも５０μｍを差し引いた値であることを特徴とする有機ＥＬパネルの製造方法。
【請求項６】
請求項１乃至５のいずれか１項に記載の有機ＥＬパネルの製造方法であって、
前記所定の幅は５０μｍ〜２００μｍであることを特徴とする有機ＥＬパネルの製造方法。
【請求項７】
請求項１乃至６のいずれか１項に記載の有機ＥＬパネルの製造方法であって、
前記第３の工程は、前記マザー基板の法線に沿った平面視で前記第２基板と重ならない位置に前記溝を形成することを特徴とする有機ＥＬパネルの製造方法。
【請求項８】
請求項１乃至７のいずれか１項に記載の有機ＥＬパネルの製造方法であって、
前記第２の工程と前記第３の工程との間に、前記封止膜の上層にカラーフィルターを形成する第６の工程をさらに有することを特徴とする有機ＥＬパネルの製造方法。
【請求項９】
請求項１乃至８のいずれか１項に記載の有機ＥＬパネルの製造方法で製造されたことを特徴とする有機ＥＬパネル。
【請求項１０】
請求項９に記載の有機ＥＬパネルを備えたことを特徴とする電子機器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、有機ＥＬパネルの製造方法、有機ＥＬパネル、有機ＥＬパネルを備えた電子機器に関する。
【背景技術】
【０００２】
有機ＥＬ（エレクトロルミネッセンス）パネルにおいては、一方の基板上に形成された有機ＥＬ素子等を保護するために、該有機ＥＬ素子上に接着剤（充填材）層を介して他方の基板を貼り合せることが一般的である。そして、有機ＥＬパネルの小型化のために、有機ＥＬ素子が配置された表示領域のサイズ（大きさ）を、有機ＥＬパネルの外形サイズに近づけることが求められている。
その方策の一例として、例えば、特許文献１には、一方の基板の表示領域の周辺に溝を形成して、シール材が溝に入り込むように一方の基板と他方の基板とを不活性ガス雰囲気中で貼り合せることで、表示領域を囲んで設けられるシールパターンの幅を狭める手法が開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００２−３２９５７６号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、上記特許文献１に記載の製造方法では、有機ＥＬ素子を形成する前に上記の溝を形成する場合、有機ＥＬ素子形成時に一方の基板が破損する虞がある。また、有機ＥＬ素子を形成した後に上記の溝を形成する場合、有機ＥＬ素子の劣化を低減するために、真空中あるいは不活性ガス雰囲気中で上記の溝を形成する必要がある。したがって、製造コストの増加あるいは不良発生率が上昇しかねないという課題があった。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本発明は、上述の課題の少なくとも一部を解決するためになされたものであり、以下の形態または適用例として実現することが可能である。
【０００６】
［適用例１］本適用例に係る有機ＥＬパネルの製造方法は、第１基板がレイアウトされたマザー基板において、前記第１基板に有機ＥＬ素子を形成する第１の工程と、前記有機ＥＬ素子を覆うように封止膜を形成する第２の工程と、前記第２の工程の後に、前記マザー基板から前記第１基板を取り出すための分断予定線の少なくとも一部に溝を形成する第３の工程と、前記第３の工程の後に、前記封止膜を覆うように接着剤を介して前記複数の第１基板毎に第２基板を貼り合せる第４の工程と、前記第４の工程の後に、前記マザー基板を前記分断予定線で分断する第５の工程と、を有することを特徴とする。
【０００７】
本適用例の製造方法であれば、第１基板と第２基板とを貼り合せる際の圧力により押し出された接着剤を、溝内に収納できる。したがって、マザー基板において第１基板上に接着剤が流出する（はみ出す）ことを抑制できる。ゆえに、接着剤のはみ出しが抑制されるので、接着剤のはみ出しを考慮して第１基板の大きさを規定する場合に比べて、第１基板の大きさを小さくすることができる。これにより、第１基板の外形と有機ＥＬ素子が形成された表示領域との間の領域を狭くすること、すなわち狭額縁化が達成でき、有機ＥＬパネルの小型化を実現できる。
そして本適用例の製造方法であれば、溝を形成する第３の工程を行う前に有機ＥＬ素子を封止膜で覆うため、溝を形成する工程で有機ＥＬ素子が損傷することを抑制することができる。加えて、第３の工程を真空中、若しくは不活性雰囲気中で行う必要がない。したがって、新たな設備等を導入する必要がない。
また、溝を形成する第３の工程を行う前に、有機ＥＬ素子を形成する第１の工程を行うため、有機ＥＬ素子を形成する際に、マザー基板に溝が形成されていないので、マザー基板の強度が低下せず、マザー基板が破損等することを低減できる。したがって、狭額縁化を達成でき、小型な有機ＥＬパネルを歩留りよく製造することができる。
【０００８】
［適用例２］上記適用例に係る有機ＥＬパネルの製造方法において、前記第１基板の一辺に沿って第１の方向に配列した複数の端子を有し、前記第３の工程は、前記第１の方向と直交する第２の方向に隣り合う前記第１基板のうち一方の前記第１基板の前記複数の端子と、他方の前記第１基板の前記有機ＥＬ素子が形成された表示領域の端部との間の前記分断予定線に前記溝を形成することを特徴とする有機ＥＬパネルの製造方法。
【０００９】
本適用例の製造方法であれば、第１基板と第２基板とを接着する際に圧力により押し出された接着剤が、隣り合う有機ＥＬパネルの端子上に被さることを抑制できる。したがって、表示品質に悪影響を与えることなく、有機ＥＬパネルの小型化を実現できる。
【００１０】
［適用例３］上記適用例に係る有機ＥＬパネルの製造方法において、前記第３の工程は、前記分断予定線を中心線とする所定の幅の領域に前記溝を形成することを特徴とする有機ＥＬパネルの製造方法。
【００１１】
本適用例の製造方法であれば、個々の有機ＥＬパネルにおける全周囲において、接着剤が隣り合う第１基板上に流出することを抑制できる。したがって、表示品質及び貼り合せ後の分断工程に悪影響を与えることなく、有機ＥＬパネルの小型化を実現できる。
【００１２】
［適用例４］上記適用例に係る有機ＥＬパネルの製造方法において、前記溝の深さは、貼り合された後の前記第１基板と前記第２基板との間の前記接着剤の厚さよりも大きいことを特徴とする有機ＥＬパネルの製造方法。
【００１３】
本適用例の製造方法であれば、第１基板と第２基板とを貼り合せる際に押し出された接着剤を、確実に収納できる。したがって、より確実に有機ＥＬパネルの小型化を実現できる。
【００１４】
［適用例５］上記適用例に係る有機ＥＬパネルの製造方法において、前記溝の深さは、前記第１基板の厚さから少なくとも５０μｍを差し引いた値であることを特徴とする有機ＥＬパネルの製造方法。
【００１５】
本適用例の製造方法であれば、第５の工程において第１基板を押し圧のみで分断できる。すなわち溝内に再度溝を形成することなく第１基板を分断できる。したがって、製造コストの上昇を抑制しつつ有機ＥＬパネルの小型化を実現できる。
【００１６】
［適用例６］上記適用例に係る有機ＥＬパネルの製造方法において、前記所定の幅は５０μｍ〜２００μｍであることを特徴とする有機ＥＬパネルの製造方法。
【００１７】
本適用例の製造方法であれば、一般的なダイシング装置等を用いて溝を形成できる。したがって、製造コストの上昇を抑制しつつ有機ＥＬパネルの小型化を実現できる。
【００１８】
［適用例７］上記適用例に係る有機ＥＬパネルの製造方法において、前記第３の工程は、前記マザー基板の法線に沿った平面視で前記第２基板と重ならない位置に前記溝を形成することを特徴とする有機ＥＬパネルの製造方法。
【００１９】
本適用例の製造方法であれば、例えば、ダイシング法により溝に沿ってマザー基板をダイシングするときに、ダイシングブレードが第２基板に触れることがなく、マザー基板をダイシングできる。
【００２０】
［適用例８］上記適用例に係る有機ＥＬパネルの製造方法において、前記第２の工程と前記第３の工程との間に、前記封止膜の上層にカラーフィルターを形成する第６の工程をさらに有することを特徴とする有機ＥＬパネルの製造方法。
【００２１】
本適用例の製造方法であれば、溝の形成時に生じた例えばマザー基板の破片によって封止膜が損傷することを、カラーフィルターによって保護することができる。つまり封止膜とカラーフィルターとによって有機ＥＬ素子を保護することができる。
【００２２】
［適用例９］本適用例に係る有機ＥＬパネルは、上記の適用例の有機ＥＬパネルの製造方法で製造されたことを特徴とする。
【００２３】
本適用例の有機ＥＬパネルであれば、狭額縁化及び小型化を実現できる。
【００２４】
［適用例１０］本適用例に係る電子機器は、上記の適用例の有機ＥＬパネルを備えたことを特徴とする。
【００２５】
本適用例の電子機器であれば、狭額縁化された有機ＥＬパネルを備えているため、電子機器の小型化が実現できる。
【図面の簡単な説明】
【００２６】
【図１】有機ＥＬパネルの概略平面図。
【図２】有機ＥＬ素子と駆動回路の回路図。
【図３】有機ＥＬパネルの断面図。
【図４】（ａ）はマザー基板の全体図、（ｂ）はマザー基板の一部の拡大図。
【図５】第１実施形態の有機ＥＬパネルの製造工程を示すフローチャート。
【図６】第１実施形態の有機ＥＬパネルの製造工程を示す工程断面図。
【図７】第１実施形態の有機ＥＬパネルの製造工程を示す工程断面図。
【図８】第２実施形態の有機ＥＬパネルの製造工程を示すフローチャート。
【図９】第２実施形態の有機ＥＬパネルの製造工程を示す断面図。
【図１０】電子機器の一例としてのヘッドマウントディスプレイの概略図。
【発明を実施するための形態】
【００２７】
以下、本発明を具体化した実施形態について図面に従って説明する。なお、使用する図面は、説明する部分が認識可能な状態となるように、適宜拡大または縮小して表示している。
【００２８】
なお、以下の形態において、例えば「基板上に」と記載された場合、基板の上に接するように配置される場合、または基板の上に他の構成物を介して配置される場合、または基板の上に一部が接するように配置され、一部が他の構成物を介して配置される場合を表すものとする。
【００２９】
（第１実施形態）
＜有機ＥＬパネル＞
まず、有機ＥＬ素子及び有機ＥＬパネル、そして有機ＥＬパネルを複数個取りできるマザー基板について、図１〜図４を参照して説明する。（なお、図１〜図４に記載の有機ＥＬパネル等は、後述する第２実施形態にも共通している。）
【００３０】
図１は、本実施形態、（及び後述する第２実施形態）の有機ＥＬパネルの製造方法の対象となる有機ＥＬパネルの概略平面図である。図示するように有機ＥＬパネル１は、平面視で矩形である。具体的には、平面視矩形である第１基板としての素子基板１０と、同じく平面視矩形である第２基板としての保護基板４０と、が貼り合されて構成されている。そして、表示領域（発光エリア）７と、複数の外部接続用端子（以下、「端子」と称する。）１１３と、を有している。複数の端子１１３が配列されている方向が第１の方向としてのＸ方向である。Ｘ方向と平面視で直交する方向が第２の方向としてのＹ方向である。そして、Ｘ方向及びＹ方向の双方と直交する方向がＺ方向である。
【００３１】
素子基板１０の外形寸法は例えば、１２．７５ｍｍ（Ｘ方向）×１２．０６ｍｍ（Ｙ方向）である。保護基板４０の外形寸法は１２．５５ｍｍ（Ｘ方向）×９．０６ｍｍ（Ｙ方向）である。保護基板４０は、素子基板１０に対して、Ｘ方向の両側とＹ方向の一方の側（図１における上側）では略０．１ｍｍ内側になり、Ｙ方向のもう一方の側（図１における下側）では略２ｍｍ内側に位置するように貼り合されている。そして、かかる素子基板１０が保護基板４０から略２ｍｍ張り出した領域には、複数の端子１１３配列されている。
【００３２】
保護基板４０の外形線から略０．４ｍｍ内側の領域が封止領域（封止エリア）８である。封止領域８の外形線から略０．５ｍｍ内側の領域が表示領域７である。表示領域７には、有機ＥＬ素子３０が規則的に形成されている。表示領域７と複数の端子１１３との間には、データ線駆動回路（図示は省略）が形成されている。表示領域７のＸ方向の両側には、走査線駆動回路（図示は省略）が形成されている。
【００３３】
有機ＥＬ素子３０は、緑色光を発光する緑色有機ＥＬ素子３０Ｇと青色光を発光する青色有機ＥＬ素子３０Ｂと赤色光を発光する赤色有機ＥＬ素子３０Ｒとの３種類が規則的に形成されている。有機ＥＬ素子３０は、かかる３種類の有機ＥＬ素子（３０Ｇ，３０Ｂ，３０Ｒ）の総称である。そしてかかる３原色光を発光する３種類の有機ＥＬ素子３０で、画素３が構成されている。
個々の有機ＥＬ素子３０は後述する画素電極３１と対向電極３３との間の電流を制御することで任意の強度の発光が可能である。したがって、画素３は、任意の色と強度の光を発光できる。表示領域７には画素３が規則的に配置されている。したがって、有機ＥＬパネル１はカラー画像を表示できる。
【００３４】
図２は、有機ＥＬ素子とその駆動回路を示す回路図である。個々の有機ＥＬ素子とその駆動回路を合わせてサブ画素（符号無し）と称することができる。
図示するように、サブ画素に対応する信号線として、走査線１０３、データ線１０４、点灯制御線１０５、及び電源線１０６が形成されている。走査線１０３と点灯制御線１０５はＸ方向に延在し、上述した走査線駆動回路に電気的に接続されている。データ線１０４と電源線１０６とはＹ方向に延在している。データ線１０４は、上述したデータ線駆動回路に電気的に接続されている。そして電源線１０６は、端子１１３に電気的に接続されている。
【００３５】
走査線１０３とデータ線１０４との交点付近には、サブ画素の駆動回路を構成するトランジスター１２１と、トランジスター１２２と、トランジスター１２３と、容量２４と、有機ＥＬ素子３０と、が形成されている。
有機ＥＬ素子３０は、画素電極３１と、対向電極３３と、かかる一対の電極間に挟まれた発光層を含む発光機能層３２とを有している。
対向電極３３は、複数の有機ＥＬ素子３０に跨って形成された共通電極である。対向電極３３には、例えば電源線１０６に与えられる電源電圧Ｖｄｄに対して低電位（例えば、基準電位Ｖｓｓなど）が供給されている。
トランジスター１２１のゲート電極は走査線１０３に電気的に接続され、一方の電流端（ソース電極）はデータ線１０４に電気的に接続され、他方の電流端（ドレイン電極）はトランジスター１２２のゲート電極と、容量２４の一方の電極とに電気的に接続されている。
【００３６】
トランジスター１２２の一方の電流端（ソース電極）は、電源線１０６に電気的に接続されると共に容量２４の他方の電極に電気的に接続されている。トランジスター１２２の他方の電流端（ドレイン電極）は、トランジスター１２３の一方の電流端（ドレイン電極）に電気的に接続されている。トランジスター１２３のゲート電極は点灯制御線１０５に電気的に接続され、他方の電流端（ソース電極）は有機ＥＬ素子３０の画素電極３１に電気的に接続されている。
【００３７】
走査線駆動回路から走査線１０３に供給される走査信号Ｙｉの電圧水準がＨｉレベルになると、トランジスター１２１がオン状態となり、データ線１０４と容量２４とが電気的に接続される。そして、データ線駆動回路からデータ線１０４にデータ信号が供給されると、データ信号の電圧水準Ｖｄａｔａと電源線１０６に与えられた電源電圧Ｖｄｄとの電位差が容量２４に蓄積される。
【００３８】
走査線駆動回路から走査線１０３に供給される走査信号Ｙｉの電圧水準がＬｏｗレベルになると、トランジスター１２１がオフ状態となり、トランジスター１２２のゲート・ソース電極間電圧は、電圧水準Ｖｄａｔａが与えられたときの電圧に保持される。同時に、点灯制御線１０５に供給される点灯制御信号Ｖｇｉの電圧水準がＨｉレベルとなり、トランジスター１２３がオン状態となる。そうすると、トランジスター１２２のゲート・ソース電極電圧、つまり容量２４に保持された電圧に応じた電流が、電源線１０６からトランジスター１２２及びトランジスター１２３を経由して、有機ＥＬ素子３０に供給される。
【００３９】
有機ＥＬ素子３０は、有機ＥＬ素子３０を流れる上記の電流の大きさに応じて発光する。有機ＥＬ素子３０を流れる電流は、容量２４に保持された電圧（データ線１０４の電圧水準Ｖｄａｔａと電源電圧Ｖｄｄとの電位差）、及びトランジスター１２３がオン状態になる期間の長さによって変化する。つまり、データ信号における電圧水準Ｖｄａｔａの値により、サブ画素において画像情報に応じた輝度の階調性を与えることができる。
【００４０】
図３は、図１のＡ−Ａ’線部分の断面図であり、端子１１３、表示領域７及び封止領域８の端部等を示す概略断面図である。
図３では、上述の画素を構成する要素のうち、トランジスター１２１，１２２と容量２４の図示を省略している。また、トランジスター１２３と画素電極３１との間に形成されている、複数の配線層、複数の層間絶縁膜、及び該配線層間の導通を図るために該層間絶縁膜を局所的に除去して形成された複数のコンタクトホールの図示を省略している。
なお、トランジスター１２１，１２２は、トランジスター１２３と同一の層に、注入される不純物の種類以外は共通する方法で一括して形成されている。容量２４は上述の複数の配線層のうちの２層と該配線層間の層間絶縁膜とで構成されている。
【００４１】
図示するように、有機ＥＬパネル１は、素子基板１０、該素子基板１０に形成されたトランジスター１２３と有機ＥＬ素子３０、該有機ＥＬ素子３０等を覆う封止膜３４を有している。
【００４２】
素子基板１０は上述したように例えば単結晶シリコンからなり、その一部は、トランジスター１２３等の構成要素となっている。すなわち、素子基板１０にイオンを注入することによって形成されたウェル部１０ａがチャネル領域となり、ウェル部１０aと異なる種類のイオンをウェル部１０aに注入することにより形成されたイオン注入部１０ｂが、ソース電極・ドレイン電極領域となっている。隣り合うウェル部１０a間を分離するＳＴＩ（Shallow Trench Isolation）１０ｃは、素子基板１０の一部をエッチングしてトレンチ（溝）を形成した後に、該トレンチ内にシリコン酸化膜などをデポ等して形成されている。
【００４３】
トランジスター１２３等が形成された素子基板１０の上層にはゲート絶縁膜１０ｄが形成されている。ゲート絶縁膜１０ｄの上層には、例えばポリシリコンなどの導電膜からなるゲート電極１１が形成されている。ゲート電極１１の上層には、シリコン酸化物等からなる第１層間絶縁膜２３が形成されている。第１層間絶縁膜２３には、画素電極３１とトランジスター１２３のソース電極（イオン注入部１０ｂの一方）とを導通するコンタクトホール２２が形成されている。
【００４４】
また、端子１１３の近傍には、トランジスター１２３の形成層と同一の層にトランジスター１２４が形成されている。トランジスター１２４は、上述のデータ線駆動回路等を形成するトランジスターであり、トランジスター１２４の形成方法等はトランジスター１２３と同一である。そして、トランジスター１２４には、コンタクトホール２２を介して端子１１３が接続されている。端子１１３は上述の複数の配線層のいずれか、あるいは組み合わせで構成されている。したがって、材質は画素電極３１とは異なり得る。同様に端子１１３とトランジスター１２４との間の層も、第１層間絶縁膜２３に他の層間絶縁膜が含まれ得る。トランジスター１２３等を覆う第１層間絶縁膜２３の上層には反射層２７が形成され、反射層２７上に画素電極３１と発光機能層３２と対向電極３３とで構成される有機ＥＬ素子３０が形成されている。
【００４５】
画素電極３１は、例えば透明導電材料であるＩＴＯ（Indium Tin Oxide）で形成されている。反射層２７はＡｌ（アルミニウム）で形成されている。有機ＥＬパネル１はトップエミッション型であり、発光機能層３２で生じた光のうち、素子基板１０側に向かう光は反射層２７で反射されて保護基板４０側に向かう。なお、画素電極３１を反射性の材料で形成して反射層２７を省略する構成も可能である。
画素電極３１の上層には第２層間絶縁膜２５が形成されている。第２層間絶縁膜２５はシリコン酸化等からなり、平面視で、画素電極３１の外縁部を除く領域を露出させるように略方形の開口を有している。なお、端子１１３の上層にも同様の層間絶縁膜を形成し、略方形の開口を形成してもよい。
【００４６】
画素電極３１及び第２層間絶縁膜２５の上層には、発光機能層３２が形成されている。本実施形態の有機ＥＬパネル１では、すべての有機ＥＬ素子３０において共通の発光機能層が形成されている。そして、発光機能層３２は、素子基板１０上において、画素電極３１が形成されている領域と略同一の範囲に形成されている。かかる画素電極３１及び発光機能層３２が形成されている領域が表示領域（発光領域）７（図１参照）である。
発光機能層３２は、画素電極３１の側から順に積層された正孔注入層、正孔輸送層、有機発光層、電子輸送層などを有している。有機発光層は、３原色光、すなわち赤色光、緑色光、及び青色光を含む波長範囲の光、すなわち白色光を発光する。
【００４７】
発光機能層３２の上層には対向電極３３が形成されている。上述したように、画素電極３１と発光機能層３２と対向電極３３とで有機ＥＬ素子３０が構成される。画素電極３１は発光機能層３２に正孔を供給するためのアノードであり、対向電極３３は発光機能層３２に電子を供給するためのカソードである。対向電極３３は、例えばＭｇ（マグネシウム）とＡｇ（銀）との合金等からなる。そして層厚がごく薄いため、導電性と透明性（光透過性）の双方を有しいている。対向電極３３の形成により有機ＥＬ素子３０が形成される。トランジスター１２３から有機ＥＬ素子３０までを含む層が、有機ＥＬ層３５である。
【００４８】
有機ＥＬ層３５の上層（対向電極３３の上層）には、封止膜３４が配置されている。封止膜３４は、端子１１３の領域には形成されない。有機ＥＬ素子３０が形成される領域が表示領域（発光エリア）７であり、封止膜３４が形成される領域が図１に示す封止領域（封止エリア）８である。封止膜３４は、マスク等を用いて封止領域８のみに、すなわち局所的に形成してもよい。また、封止膜３４は素子基板１０上の全域に形成した後、端子１１３を露出させる開口を形成してもよい。
【００４９】
封止膜３４は、水分や酸素などによる発光機能層３２や対向電極３３の劣化を抑制するパッシベーション膜であり、発光機能層３２や対向電極３３への水分や酸素の侵入を抑制している。なお、封止膜３４のガスバリア性としては、有機ＥＬ素子３０を大気中の酸素及び水等から保護することが可能な程度であれば特に限定されないが、酸素透過率が０．０１ｃｃ／ｍ2／ｄａｙ以下であることが好ましく、水蒸気透過率が７×１０-3ｇ／ｍ2／ｄａｙ以下、中でも５×１０-4ｇ／ｍ2／ｄａｙ以下、特に５×１０-6ｇ／ｍ2／ｄａｙ以下であることが好ましい。封止膜３４の光の透過率は、対向電極３３からの射出光に対し８０％以上であることが好ましい。
封止膜３４は、対向電極３３の側から順に積層された第１封止膜３４ａと、平坦化層３４ｂと、第２封止膜３４ｃとで構成され、有機ＥＬ素子３０を覆い、素子基板１０の略全面に設けられている。
【００５０】
第１封止膜３４ａ及び第２封止膜３４ｃは、例えば公知技術のプラズマＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）法などを用いて形成されたシリコン酸窒化物で構成され、水分や酸素に対して高いバリアー性を有している。
平坦化層３４ｂは、熱安定性に優れた例えばエポキシ系樹脂や塗布型の無機材料（シリコン酸化物など）などで構成されている。平坦化層３４ｂは、第１封止膜３４ａの欠陥（ピンホール、クラック等）や異物などを被覆し、平坦な面を形成する。封止膜３４が形成されている領域が封止領域（封止エリア）８である。図１及び図３に示すように、封止膜３４は表示領域７よりも広い範囲に形成されている。すなわち平面視で、封止領域８の外周線は表示領域７を囲むように形成されている。
【００５１】
封止膜３４の上層にはカラーフィルター３６が形成されている。カラーフィルター３６は、３原色光のいずれかの波長範囲の光を透過し、他の波長範囲の光を吸収することで、白色光をいずれかの３原色光に変換して射出する機能を有している。したがって、緑色有機ＥＬ素子３０Ｇの上層には緑色光を透過させるカラーフィルター３６が形成され、青色有機ＥＬ素子３０Ｂの上層には青色光を透過させるカラーフィルター３６が形成され、赤色有機ＥＬ素子３０Ｒの上層には赤色光を透過させるカラーフィルター３６が形成されている。
【００５２】
カラーフィルター３６の上層には接着剤層４２により保護基板４０が貼り合されている。保護基板４０は、封止膜３４で覆われた有機ＥＬ素子３０等、及びカラーフィルター３６を保護するための基板であり、所定の強度及び硬度等を有する透明材料、例えばガラス等からなる。
【００５３】
接着剤層４２は、例えば、熱硬化性あるいは紫外線硬化性を有するエポキシ樹脂やアクリル樹脂等の接着剤からなる。保護基板４０は、素子基板１０上（カラーフィルター３６上）にディスペンサー等で供給された接着剤（接着剤層４２）上に配置して押し圧を加えることで接着されている。
ここで、有機ＥＬパネル１は、後述するマザー基板２（図４参照）に複数個が形成された後、個々の有機ＥＬパネル１に分断される。かかる接着工程は、マザー基板２の分断前に行われる。そしてかかる接着時に、接着剤（接着剤層４２）は、押し圧により素子基板１０上に裾を引くように広がる。本実施形態の有機ＥＬパネルの製造方法は、かかる接着工程の前に素子基板１０を囲むように溝５を形成することで、端子１１３上に接着剤が被さる現象を抑制するものである。
【００５４】
図４は、有機ＥＬパネルを複数個取りできるマザー基板を示す図である。図４（ａ）はマザー基板の全体図であり、図４（ｂ）は図４（ａ）のＡで示す部分の拡大図である。
本実施形態におけるマザー基板２は、ウェハー状の半導体基板であり、例えば単結晶シリコンからなる。直径は例えば２００ｍｍ、厚さは例えば７２５μｍであり、一か所にいわゆるオリフラが形成されている。オリフラの方向がＸ方向である。そしてＸ方向と直交する方向がＹ方向であり、Ｘ方向及びＹ方向の双方と直交する方向がＺ方向である。
【００５５】
上述したように、マザー基板２は、最終的に複数個の第１基板としての素子基板１０に分断される。個々の素子基板１０は分断予定線４で区画されている。マザー基板２には、個々の素子基板１０に、図４（ｂ）に示すように保護基板４０が貼り合された後、分断予定線４を中心とする所定の幅Ｌを有する溝５が形成される。そして最終的には、該溝５により分断される。言い換えると、有機ＥＬパネル１は、マザー基板２上に複数個が一括して形成された後、溝５により分断されて個々の有機ＥＬパネル１となる。なお、本実施形態では、溝５の幅は後述するように略１００μｍである。
【００５６】
＜有機ＥＬパネルの製造方法＞
図５〜図７は、第１実施形態の有機ＥＬパネルの製造方法を示す図である。
図５は、第１実施形態の有機ＥＬパネルの製造工程をステップ毎に示すフローチャートである。図６、図７は、有機ＥＬパネルの製造工程を模式的に示す工程断面図である。なお、図６、図７は、Ｙ方向において有機ＥＬパネルを横断する断面図である。
【００５７】
図５に示すように、本実施形態の有機ＥＬパネルの製造方法は、有機ＥＬ層３５を形成するステップＳ１と、封止膜３４を形成するステップＳ２と、カラーフィルター３６を形成するステップＳ３と、溝５を形成するステップＳ４と、接着剤を供給するステップＳ５と、保護基板４０を貼り合せるステップＳ６と、（マザー基板２を）ダイシングするステップＳ７と、を含んでいる。
ステップＳ１が第１の工程である。ステップＳ２が第２の工程である。ステップＳ３が第６の工程である。ステップＳ４が第３の工程である。ステップＳ５とステップＳ６が第４の工程である。ステップＳ７が第５の工程である。
【００５８】
図６（ａ）は、ステップＳ１を示している。
図６（ａ）に示すように、ステップＳ１では、マザー基板２における個々の素子基板１０の表示領域７に、有機ＥＬ素子３０等を含む有機ＥＬ層３５を形成する。並行して有機ＥＬ層３５に電気的に接続されている端子１１３を形成する。有機ＥＬ層３５等を構成する個々の要素の材料及び形成方法は上述の通りである。
マザー基板２は、将来的にダイシングされて、個々の素子基板１０（有機ＥＬパネル１）に分断される。ダイシングは、所定の幅を有するダイシングブレード５０（図６（ｄ）参照）を用いて、マザー基板２における素子基板１０を囲む環状の領域を切削し除去することで行われる。かかるダイシングされる領域の中心線が分断予定線４である。
【００５９】
図６（ｂ）は、ステップＳ２を示している。
図６（ｂ）に示すように、ステップＳ２では、封止領域８に、有機ＥＬ層３５を覆うように封止膜３４を形成する。上述したように、そして図３に示すように、封止膜３４は、対向電極３３の側から順に積層された第１封止膜３４ａと、平坦化層３４ｂと、第２封止膜３４ｃとで構成されている。各膜層の材質及び形成方法も上述の通りである。
【００６０】
図６（ｃ）は、ステップＳ３を示している。
図６（ｃ）に示すように、ステップＳ３では、封止膜３４上の表示領域７にカラーフィルター３６を形成する。カラーフィルター３６は着色材料を含有する感光性樹脂膜を素子基板１０上に成膜後、露光現像工程を行いパターニングすることで形成される。画素３（図１参照）は３原色光のいずれかを射出するため、上記の成膜工程と露光現像工程は３回行っている。なお、Ｙ方向に延在する各カラーフィルター３６間に、黒色材料を含有する感光性樹脂を用いて遮光膜（遮光ライン）を形成してもよい。
【００６１】
図６（ｄ）は、ステップＳ４を示している。
図６（ｄ）に示すように、ステップＳ４では、溝５を形成する。溝５の形成は、溝５の幅に相当する厚みを有するダイシングブレード５０を用いて、マザー基板２を所定の深さまで切削することで行う。
溝５は、後述する保護基板４０を貼り合せる工程で、はみ出す接着剤４１を収納するために形成する。したがって、接着剤４１の供給量、貼り合せ後の接着剤層４２の層厚等を考慮して、幅と深さが設定される。また、上記貼り合せ工程等を実施する際のマザー基板２の強度等も考慮する。かかる強度を考えた場合、溝５が形成された部分に残されるマザー基板２の厚さは最低でも５０μｍが必要である。したがって、溝５の深さは、マザー基板２の厚さから少なくとも５０μｍを差し引いた値である。本実施形態において、マザー基板の厚さは７２５μであり、溝５の深さは略４００μｍである。
溝５の幅は一般的に用いられるダイシングブレード５０の幅を考慮すると５０μｍ〜２００μｍが好ましい。本実施形態では略１００μｍである。
【００６２】
また、溝５の幅及び深さは、接着剤層４２の層厚等から経験的に設定することもできる。後述するステップＳ６ではみ出す接着剤４１を収納するために必要な溝５の断面積は、接着剤層４２の層厚に１ｍｍ（１０００μｍ）を乗じた値であることが好ましい。ただし、保護基板４０と素子基板１０の平面視での寸法差がある場合は、それを考慮する必要がある。すなわち、上記の１ｍｍ（１０００μｍ）から上記の寸法差（１００μｍ）を減じた値を接着剤層４２の層厚（本実施形態では略２０μｍ）に乗じた値とする事ができる。したがって、本実施形態の有機ＥＬパネル１の場合、必要な溝５の最低限必要とされる断面積は、
２０μｍ×（１０００−１００）μｍ＝１８０００μｍ2
となる。したがって、例えば溝５の幅が１００μｍの場合、溝５の深さは少なくとも１８０μｍ必要となる。本実施形態では溝５の幅が１００μｍ、溝５の深さを４００μｍとしているので、はみ出した接着剤４１を充分に収納することができる。
【００６３】
図６（ｅ）は、ステップＳ５を示している。
図６（ｅ）に示すように、ステップＳ５では、封止膜３４及びカラーフィルター３６を覆うように接着剤４１を供給する。上述したように接着剤４１は、熱硬化性あるいは紫外線硬化性を有するエポキシ樹脂やアクリル樹脂等からなり、ディスペンサー等により供給される。
【００６４】
図７（ｆ）は、ステップＳ６を示している。
図７（ｆ）に示すように、ステップＳ６では、素子基板１０に接着剤４１を介して保護基板４０を貼り合せる。貼り合せは、供給された接着剤４１上に保護基板４０を配置し所定の圧力を印加して素子基板１０との間隔を一定に保ちながら全面に紫外線を照射するか、あるいはマザー基板２を加熱することで接着剤４１を硬化させて行う。かかる硬化により接着剤層４２が形成される。上述したように、接着剤層４２の層厚は略２０μｍである。
【００６５】
このステップＳ５とステップＳ６、すなわち第４の工程において、接着剤４１が平面視で保護基板４０からはみ出す。すなわちはみ出してあふれ出た状態で硬化される。ここで、かかるあふれ出た接着剤４１は、図示するように溝５に収納されて硬化する。したがって、溝５が、上述したような好適な幅及び深さを有していれば、あふれ出た接着剤４１が隣り合う素子基板１０に達することはない。そのため、例えば１つの素子基板１０からあふれ出た接着剤４１が、Ｙ方向において、隣り合う素子基板１０の端子１１３上に被さることが低減される。
【００６６】
図７（ｇ）は、ステップＳ７を示している。
図７（ｇ）に示すように、ステップＳ７では、マザー基板２を再度ダイシングして、マザー基板２を素子基板１０毎に分断して有機ＥＬパネル１を形成する。ステップＳ７で用いるダイシングブレード５０は、ステップＳ４で用いたものと同一でもよく、また、幅が若干小さいものを用いてもよい。
【００６７】
本実施形態の有機ＥＬパネルの製造方法によれば、以下の効果を得る事ができる。
ステップＳ６（及びステップＳ５）、すなわち保護基板４０の貼り合せ時に、接着剤４１は平面視で保護基板４０の外側にあふれ出す。本実施形態の有機ＥＬパネルの製造方法によれば、かかる接着剤４１を溝５に収納することで、隣り合う他の素子基板１０上にはみ出すことを低減できる。特にＹ方向において隣り合う素子基板１０の端子１１３上に被さることを低減できる。
【００６８】
ここで、端子１１３に接着剤が付着すると、該端子１１３に外部配線を接続する際の導通が損なわれる。すなわち、不良率の増加、及び信頼性の低下をもたらす。かかる現象を回避すべく接着剤４１の供給量を減らすと、保護基板４０が接着剤層４２から庇状に張り出して、信頼性を低下させ得る。本実施形態の有機ＥＬパネルの製造方法によれば、保護基板４０の貼り合せに充分な量の接着剤４１を供給し、且つ、かかる接着剤４１が隣り合う素子基板１０上にはみ出すことを低減できる。
また、本実施形態の製造方法によれば、Ｘ方向に隣り合う素子基板１０間においてもはみ出した接着剤４１を溝５に収納できるため、接着剤４１が分断予定線４上に盛り上がることを低減できる。
【００６９】
そして本実施形態の有機ＥＬパネルの製造方法は、素子基板１０（マザー基板２）上に有機ＥＬ素子３０を形成し、有機ＥＬ素子３０を覆う封止膜３４を形成した後に溝５を形成することに特徴がある。
有機ＥＬ素子３０を封止膜３４で覆うことにより、溝５の形成工程を大気中で行う事ができる。すなわち、従来のダイシング工程に要する設備等の転用が可能である。また、溝５の形成位置は、マザー基板２を最終的に分断する分断予定線４と重なっているため、ダイシングブレード５０の位置を深さ方向のみ調整することで溝５を形成できる。したがって、製造コストの増加を最小限にとどめることができる。また、本実施形態の有機ＥＬパネルの製造方法は、有機ＥＬ素子３０が封止膜３４で覆われている状態で溝５を形成するため、溝５の形成時に生じるマザー基板２の砕片等の異物が有機ＥＬ素子３０に付着したり、異物によって有機ＥＬ素子３０が損傷したりすることを回避できる。
したがって、本実施形態の有機ＥＬパネルの製造方法によれば、製造コストを殆ど増加させることなく狭額縁化を実現し、かつ、小型な有機ＥＬパネル１を歩留りよく製造することできる。
【００７０】
（第２実施形態）
次に、本発明の第２実施形態に係る有機ＥＬパネルの製造方法について、図８、図９を参照して説明する。図８は本実施形態の製造工程をステップ毎に示すフローチャートである。図示するように、ステップＳ１〜ステップＳ６までは、第１実施形態と共通している。ステップＳ７のダイシング工程に代えて、ステップＳ８の基板押圧工程を実施している。図９は、かかる基板押圧工程を示す断面図である。図示するように、基板押圧工程では、図７（ｆ）に示す第２基板貼り合せ工程が終わり接着剤層４２が形成されたマザー基板に、分断予定線４に沿って、マザー基板２の裏面側から押し圧を加え、溝５に沿って分断している。
【００７１】
上述したように、マザー基板２は７２５μｍの厚さに対して半分以上となる４００μｍの深さの溝５が形成されているので、２回目のダイシングをせずに、押し圧を加えることでも分断できる。
本実施形態の有機ＥＬパネルの製造方法によれば、２回目のダイシング工程を必要としないため、製造コストの増加を抑制できる。特に第１実施形態のステップＳ７で幅の異なるダイシングブレード５０を用いる場合に、より一層効果を奏する。なお、本実施形態において押し圧を加える方向は、マザー基板２の表側からとすることもできる。
【００７２】
（第３実施形態）
「電子機器」
図１０は、電子機器の一例としてのヘッドマウントディスプレイの概略図である。図１０に示すように、ヘッドマウントディスプレイ１０００は、左右の目に対応して設けられた２つの表示部１００１を有している。観察者Ｍはヘッドマウントディスプレイ１０００を眼鏡のように頭部に装着することにより、表示部１００１に表示された文字や画像などを見ることができる。例えば、左右の表示部１００１に視差を考慮した画像を表示すれば、立体的な映像を見て楽しむこともできる。
【００７３】
表示部１００１には、上記実施形態に係る有機ＥＬパネル１が搭載されている。有機ＥＬパネル１は、上述したように狭額縁化により小型化、軽量化が達成されている。また有機ＥＬパネル１の外形に占める表示領域７の大きさが拡大されている。したがって、表示部１００１に上記実施形態に係る有機ＥＬパネル１を搭載することによって、軽量化され表示性能が向上したヘッドマウントディスプレイ１０００を提供することができる。
【００７４】
なお、上記実施形態に係る有機ＥＬパネル１が搭載される電子機器は、ヘッドマウントディスプレイ１０００に限定されない。例えば、ヘッドアップディスプレイや、デジタルカメラの電子ビューファインダー、携帯型情報端末、ナビゲーターなどの表示部を有する電子機器に搭載してもよい。
【００７５】
本発明の実施の態様は上記した実施形態に限られるものではなく、請求の範囲及び明細書全体から読み取れる発明の要旨あるいは思想に反しない範囲で適宜変更可能である。そしてそのような変更を伴う有機ＥＬパネルの製造方法、該製造方法で製造された有機ＥＬパネル、及びかかる有機ＥＬパネルを備える電子機器もまた本発明の技術的範囲に含まれるものである。以下、具体的な例を挙げて変形例を説明する。
【００７６】
（変形例１）
上記各実施形態では、溝５を、Ｘ方向とＹ方向の双方に、すなわち格子状に形成していた。しかし、溝５の形成位置は上記に限定されるわけではなく、例えばＸ方向のみに形成する形態も可能である。
かかる構成であれば、端子１１３上に接着剤４１が被さる現象を、上記各実施形態と同様に低減できる。したがって、信頼性を損ねずに有機ＥＬパネル１の狭額縁化及び小型化が可能となる。そして、溝５の形成をＸ方向のみに限定することで、Ｘ方向とＹ方向とに溝５を形成する場合に比べて、製造コストの増加を抑制できる。
【００７７】
（変形例２）
上記各実施形態では、封止膜３４の上にカラーフィルター３６を形成していた。しかし、カラーフィルター３６を用いない有機ＥＬパネルにおいても、溝５を形成することで、狭額縁化及び小型化を実現することは可能である。
カラーフィルター３６を用いない場合でも、対向電極３３と反射層２７との間に形成される共振構造を利用することで、白色光を発する発光機能層３２を用いつつ有機ＥＬ素子３０（Ｒ，Ｇ，Ｂ）の色毎に特定の波長範囲の光を射出させることが可能となる。
【００７８】
（変形例３）
上記各実施形態では、単結晶シリコンからなる半導体基板をマザー基板２として用いている。しかし、マザー基板２は単結晶シリコンではなく石英等の絶縁材料を用いることも可能である。かかる場合でも、ＴＦＴ（薄膜トランジスター）技術を用いることで、有機ＥＬ素子３０と駆動回路とからなるサブ画素を形成でき、マザー基板２に複数の有機ＥＬパネル１を形成する事ができる。そして、石英等からなるマザー基板２を分断する際に溝５を形成して接着剤４１を収納することで、狭額縁化及び小型化を達成できる。
【００７９】
上記実施形態では、マザー基板２に複数の第１基板としての素子基板１０がレイアウトされるとしたが、マザー基板２のレイアウトされる素子基板１０の数は、１つでも本願の狭額縁化を実現する効果を得ることができる。
【符号の説明】
【００８０】
１…有機ＥＬパネル、２…マザー基板、３…画素、４…分断予定線、５…溝、７…表示領域（発光エリア）、８…封止領域（封止エリア）、１０…第１基板としての素子基板、１０ａ…ウェル部、１０ｂ…イオン注入部、１０ｃ…ＳＴＩ、１０ｄ…ゲート絶縁膜、１１…ゲート電極、２２…コンタクトホール、２３…第１層間絶縁膜、２４…容量、２５…第２層間絶縁膜、２７…反射層、３０…有機ＥＬ素子、３１…画素電極、３２…発光機能層、３３…対向電極、３４…封止膜、３５…有機ＥＬ層、３６…カラーフィルター、４０…第２基板としての保護基板、４１…接着剤、４２…接着剤層、５０…ダイシングブレード、１０３…走査線、１０４…データ線、１０５…点灯制御線、１０６…電源線、１１３…端子、１２１，１２２，１２３，１２４…トランジスター、１０００…ヘッドマウントディスプレイ、１００１…表示部。
【図１】
2015222664.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
2015222664.tif 000009
【図８】
2015222664.tif 000010
【図９】
2015222664.tif 000011
【図１０】
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