(57)【要約】【課題】電力変換装置におけるリカバリ電流のリンギングを低減すること。【解決手段】電力変換装置は、誘導性負荷に接続されたスイッチング素子と、スイッチング素子と逆並列に接続された還流ダイオードと、スイッチング素子及び還流ダイオードにつながる電流経路上の第１導体と、第１導体と並列に接続されたリンギング低減回路と、を備える。第１導体とリンギング低減回路とは、第１接点及び第２接点において電気的に接続されている。リンギング低減回路は、第１接点と第２接点との間に並列に接続された第２導体、抵抗及びコンデンサを備える。第２導体は、第１接点と第２接点との間の第１導体と磁気的に結合している。【選択図】図２
2015154626.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
誘導性負荷に接続されたスイッチング素子と、
前記スイッチング素子と逆並列に接続された還流ダイオードと、
前記スイッチング素子及び前記還流ダイオードにつながる電流経路上の第１導体と、
前記第１導体と並列に接続されたリンギング低減回路と
を備え、
前記第１導体と前記リンギング低減回路とは、第１接点及び第２接点において電気的に接続されており、
前記リンギング低減回路は、前記第１接点と前記第２接点との間に並列に接続された第２導体、抵抗及びコンデンサを備え、
前記第２導体は、前記第１接点と前記第２接点との間の前記第１導体と磁気的に結合している
ことを特徴とする電力変換装置。
【請求項２】
前記スイッチング素子及び前記還流ダイオードに接続されたスナバコンデンサを更に備え、
前記第１導体は、前記スナバコンデンサのリードである
ことを特徴とする請求項１に記載の電力変換装置。
【請求項３】
前記第２導体は、前記リード上に誘電体を介して形成され、前記誘電体を介して前記リードと磁気的に結合し、且つ、前記第１接点及び前記第２接点と電気的に接続されている
ことを特徴とする請求項２に記載の電力変換装置。
【請求項４】
前記第２導体上に形成された絶縁体と、
前記絶縁体上で離間して形成された第３導体及び第４導体と、
前記第３導体と前記第１接点とを電気的に接続する第１接続導体と、
前記第４導体と前記第２接点とを電気的に接続する第２接続導体と
を更に備え、
前記抵抗と前記コンデンサは、前記第３導体と前記第４導体との間で並列に接続されるように、前記絶縁体上に形成されている
ことを特徴とする請求項３に記載の電力変換装置。
【請求項５】
前記第１接続導体は、前記第３導体、前記第２導体及び前記リードを貫通して前記第１接点を形成し、
前記第２接続導体は、前記第４導体、前記第２導体及び前記リードを貫通して前記第２接点を形成する
ことを特徴とする請求項４に記載の電力変換装置。
【請求項６】
前記第１導体は、パワーモジュールにおける前記スイッチング素子の電極である
ことを特徴とする請求項１に記載の電力変換装置。
【請求項７】
前記スイッチング素子と前記還流ダイオードの少なくとも一方が、ワイドバンドギャップ半導体を材料として形成されている
ことを特徴とする請求項１から６のいずれか一項に記載の電力変換装置。
【請求項８】
コンデンサ本体と、
前記コンデンサ本体と外部配線とをつなぐリードである第１導体と、
前記第１導体上に誘電体を介して形成され、前記誘電体を介して前記第１導体と磁気的に結合する第２導体と、
前記第２導体上に形成された絶縁体と、
前記絶縁体上で離間して形成された第３導体及び第４導体と、
前記第３導体と前記第４導体との間で並列に接続されるように、前記絶縁体上に形成された抵抗及びコンデンサと、
前記第３導体、前記第２導体及び前記第１導体を貫通する第１接続導体と、
前記第４導体、前記第２導体及び前記第１導体を貫通する第２接続導体と
を備える
スナバコンデンサ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電力変換装置及びスナバコンデンサに関する。特に、本発明は、リカバリ電流のリンギングを低減することができる電力変換装置、及びその電力変換装置に適用されるスナバコンデンサに関する。
【背景技術】
【０００２】
インバータ等の電力変換装置において、一般的に、スイッチング素子としてのトランジスタと、そのトランジスタと逆並列に接続された還流ダイオードが用いられる。順方向バイアスが印加された還流ダイオードに電流が流れているときに、バイアスが順方向から逆方向に切り替わると、逆方向に電流が流れる。この現象は「リカバリ」と呼ばれ、リカバリ時にダイオードに流れる電流は「リカバリ電流」と呼ばれている。
【０００３】
このリカバリ電流には、「リンギング」と呼ばれる振動現象が発生することがある。リンギングの原因は、電流経路上の配線の寄生インダクタンス（配線インダクタンス）とトランジスタの接合容量とによるＬＣ共振である。リンギングは電磁ノイズの原因となるため、その低減が望まれる。
【０００４】
特許文献１は、パワーモジュールを開示している。当該パワーモジュールは、複数の半導体素子と、これら複数の半導体素子を接続するワイヤと、ノイズ吸収体と、を備える。ノイズ吸収体は、ループコイル及び磁性体からなる。このノイズ吸収体は、複数の半導体素子のうち少なくとも１つの近傍に配置される。このとき、ループコイルのループがワイヤの少なくとも１つに沿うように、ノイズ吸収体は配置される。
【０００５】
特許文献２は、電力変換装置のスナバ回路を開示している。当該電力変換装置は、直流電源、平滑コンデンサ、スイッチング回路、及びスイッチング回路に並列に接続されたスナバコンデンサを備える。そのスナバコンデンサと配線インダクタンスとによる共振現象を抑制するために、当該電力変換装置は更に、一次巻線と二次巻線とが絶縁された変圧器を備える。その変圧器の一次巻線は、平滑コンデンサとスイッチング回路とを接続している正極側回路または負極側回路に挿入される。一方、その二次巻線は、抵抗を介して短絡される。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開２０１２−１９９４６６号公報
【特許文献２】特開平１０−６６３５６号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
上述の通り、電力変換装置におけるリカバリ電流のリンギングを低減することが望まれている。本発明の１つの目的は、電力変換装置におけるリカバリ電流のリンギングを低減するための新たな技術を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明の１つの観点において、電力変換装置が提供される。その電力変換装置は、誘導性負荷に接続されたスイッチング素子と、スイッチング素子と逆並列に接続された還流ダイオードと、スイッチング素子及び還流ダイオードにつながる電流経路上の第１導体と、第１導体と並列に接続されたリンギング低減回路と、を備える。第１導体とリンギング低減回路とは、第１接点及び第２接点において電気的に接続されている。リンギング低減回路は、第１接点と第２接点との間に並列に接続された第２導体、抵抗及びコンデンサを備える。第２導体は、第１接点と第２接点との間の第１導体と磁気的に結合している。
【０００９】
本発明の他の観点において、スナバコンデンサが提供される。そのスナバコンデンサは、コンデンサ本体と、コンデンサ本体と外部配線とをつなぐリードである第１導体と、第１導体上に誘電体を介して形成され、誘電体を介して第１導体と磁気的に結合する第２導体と、第２導体上に形成された絶縁体と、絶縁体上で離間して形成された第３導体及び第４導体と、第３導体と第４導体との間に並列に接続されるように、絶縁体上に形成された抵抗及びコンデンサと、第３導体、第２導体及び第１導体を貫通する第１接続導体と、第４導体、第２導体及び第１導体を貫通する第２接続導体と、を備える。
【発明の効果】
【００１０】
本発明によれば、電力変換装置におけるリカバリ電流のリンギングを低減することが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【００１１】
【図１】図１は、本発明の実施の形態１に係る電力変換装置を含むモータ駆動装置を示す概略図である。
【図２】図２は、本発明の実施の形態１に係る電力変換装置の構成例を示す回路図である。
【図３】図３は、本発明の効果を説明するためのグラフ図である。
【図４】図４は、比較例の等価回路を示す回路図である。
【図５】図５は、本発明の実施の形態１に係る電力変換装置のリンギング低減回路の等価回路を示す回路図である。
【図６】図６は、本発明の実施の形態２におけるスナバコンデンサを示す全体図である。
【図７】図７は、本発明の実施の形態２におけるスナバコンデンサの構造例を示している。
【図８】図８は、本発明の実施の形態３に係る電力変換装置の構成例を示す回路図である。
【発明を実施するための形態】
【００１２】
添付図面を参照して、本発明の実施の形態に係る電力変換装置を説明する。
【００１３】
実施の形態１．
電力変換装置の一例として、モータを駆動するためのインバータを考える。図１は、インバータを含むモータ駆動装置を示す概略図である。
【００１４】
図１に示されるように、直流電源１の正極及び負極のそれぞれにＰ側電力線２及びＮ側電力線３が接続されている。Ｐ側電力線２とＮ側電力線３との間には平滑コンデンサ４が接続されている。平滑コンデンサ４としては、例えば電解コンデンサが用いられる。更に、Ｐ側電力線２とＮ側電力線３との間に、インバータ５が接続されている。そして、インバータ５の出力には、誘導性負荷であるモータ６が接続されている。インバータ５は、直流電源１からの直流電圧を、スイッチングによって、三相の交流電圧に変換し、その三相の交流電圧をモータ６に出力する。これにより、モータ６にモータ電流が流れ、モータ６が動作する。
【００１５】
図２は、インバータ５の構成例を示す回路図である。インバータ５は、Ｐ側電力線２とＮ側電力線３との間に接続されたパワーモジュール１０を備えている。尚、パワーモジュール１０は三相分設けられるが、簡単のため、図２では一相分のパワーモジュール１０だけが示されている。
【００１６】
パワーモジュール１０は、出力電極１１、Ｐ側電極１２、Ｎ側電極１３、Ｐ側アーム２０、及びＮ側アーム３０を備えている。出力電極１１は、モータ６に接続されている。Ｐ側電極１２は、Ｐ側電力線２に接続されている。Ｎ側電極１３は、Ｎ側電力線３に接続されている。
【００１７】
Ｐ側アーム２０は、Ｐ側電極１２と出力電極１１との間に接続されている。このＰ側アーム２０は、スイッチング素子２１と還流ダイオード２２を備えている。スイッチング素子２１は、Ｐ側電極１２と出力電極１１との間に接続されており、Ｐ側電極１２（すなわちＰ側電力線２）と出力電極１１（すなわちモータ６）との間の電気的接続をＯＮ／ＯＦＦ制御する。還流ダイオード２２は、誘導性負荷であるモータ６に発生する逆起電力からスイッチング素子２１を守るために設けられている。より詳細には、還流ダイオード２２は、スイッチング素子２１と逆並列に接続されている。つまり、還流ダイオード２２のアノード及びカソードは、それぞれ、出力電極１１及びＰ側電極１２に接続されている。
【００１８】
Ｎ側アーム３０は、Ｎ側電極１３と出力電極１１との間に接続されている。このＮ側アーム３０は、スイッチング素子３１と還流ダイオード３２を備えている。スイッチング素子３１は、Ｎ側電極１３と出力電極１１との間に接続されており、Ｎ側電極１３（すなわちＮ側電力線３）と出力電極１１（すなわちモータ６）との間の電気的接続をＯＮ／ＯＦＦ制御する。還流ダイオード３２は、誘導性負荷であるモータ６に発生する逆起電力からスイッチング素子３１を守るために設けられている。より詳細には、還流ダイオード３２は、スイッチング素子３１と逆並列に接続されている。つまり、還流ダイオード３２のアノード及びカソードは、それぞれ、Ｎ側電極１３及び出力電極１１に接続されている。
【００１９】
スイッチング素子２１、３１の各々は、トランジスタである。そのトランジスタとして、典型的には、ＩＧＢＴ（Ｉｎｓｕｌａｔｅｄ  Ｇａｔｅ  Ｂｉｐｏｌａｒ  Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）が用いられる。但し、それに限られない。例えば、ＳｉＣ等のワイドバンドギャップ半導体を材料として形成されたＭＯＳＦＥＴ（Ｍｅｔａｌ  Ｏｘｉｄｅ  Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ  Ｆｉｅｌｄ  Ｅｆｆｅｃｔ  Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）も適用可能である。ワイドバンドギャップ半導体を用いたＭＯＳＦＥＴは、スイッチング速度が高く、好適である。
【００２０】
還流ダイオード２２、３２の各々として、例えばショットキーバリアダイオードが用いられる。ここでも、ショットキーバリアダイオードの材料としてＳｉＣ等のワイドバンドギャップ半導体を用いることが、各種特性の観点から好ましい。
【００２１】
更に、スイッチング時のサージ電圧からスイッチング素子２１、３１を保護するために、スナバ回路４０が設けられている。図２に示される構成例では、Ｐ側電力線２とＮ側電力線３との間に、パワーモジュール１０（スイッチング素子２１、３１）に対して並列に、一括方式のスナバ回路４０が接続されている。より詳細には、スナバ回路４０はスナバコンデンサ４１を含んでおり、そのスナバコンデンサ４１がＰ側電力線２（Ｐ側電極１２）とＮ側電力線３（Ｎ側電極１３）との間に接続されている。
【００２２】
このように構成されたインバータ５において、リカバリ電流のリンギングが発生し得る。例えば、Ｎ側アーム３０の還流ダイオード３２に順方向で電流が流れている最中に、Ｐ側アーム２０のスイッチング素子２１がターンＯＮし、還流ダイオード３２に逆方向バイアスが印加された場合を考える。この場合、還流ダイオード３２にリカバリ電流が流れ、更に、そのリカバリ電流のリンギングが発生し得る。そのリカバリ電流の電流経路（リンギング経路）は、図２中の符号“５０”で示されている。リンギングの原因は、電流経路５０上の寄生インダクタンスとスイッチング素子２１の接合容量とによるＬＣ共振である。
【００２３】
ここで、リンギングに寄与する寄生インダクタンスを有する電流経路５０上の導体６０（第１導体）を考える。そのような導体６０としては、例えば、スナバコンデンサ４１のリード部分や、パワーモジュール１０のＰ側電極１２やＮ側電極１３が挙げられる。その導体６０の寄生インダクタンスは“Ｌ１”であり、その寄生インダクタンスＬ１がリンギングに寄与する。
【００２４】
本実施の形態によれば、リンギングを低減するために、電流経路５０上の上記導体６０と並列に接続されるように「リンギング低減回路７０」が設けられている。より詳細には、図２に示されるように、導体６０とリンギング低減回路７０とは、第１接点ＮＡ及び第２接点ＮＢにおいて電気的に接続されている。つまり、導体６０及びリンギング低減回路７０は、第１接点ＮＡと第２接点ＮＢとの間で並列に接続されている。
【００２５】
リンギング低減回路７０は、導体８０（第２導体）、コンデンサ８１、及び抵抗８２を備えている。それら導体８０、コンデンサ８１、及び抵抗８２は、第１接点ＮＡと第２接点ＮＢとの間に並列に接続されている。
【００２６】
更に、導体８０は、寄生インダクタンスＬ２を有している。そして、導体８０（第２導体）は、第１接点ＮＡと第２接点ＮＢとの間の上記導体６０（第１導体）と磁気的に結合するように配置されている。言い換えれば、導体６０の寄生インダクタンスＬ１と導体８０の寄生インダクタンスＬ２とが磁気的に結合している。このような導体６０と導体８０との磁気的結合により、トランス（変圧器）と同様の機能が得られる。尚、寄生インダクタンスＬ１の値と寄生インダクタンスＬ２の値とは同程度である。
【００２７】
このようなリンギング低減回路７０が電流経路５０上の導体６０と並列に接続されることにより、リンギングが低減される。図３は、その効果を示すグラフ図であり、リカバリ時に還流ダイオード３２を流れる電流を示している。図３から、リンギング低減回路７０を設けることによってリンギングが効果的に低減（抑制）されることが分かる。
【００２８】
また、本実施の形態に係るリンギング低減回路７０は、ＳｉＣ等のワイドバンドギャップ半導体を用いた素子が少なくとも一部に利用される場合に有用である。
【００２９】
例えば、ＳｉＣ−ＭＯＳＦＥＴは、スイッチング速度が高く、スイッチング素子２１、３１として好適である。但し、一般的に、スイッチング速度が高くなるほど、リンギングも増大する。リンギングを恐れてスイッチング速度を低下させると、ＳｉＣ−ＭＯＳＦＥＴの優れたスイッチング特性を殺すこととなり、また、スイッチングロスも増大してしまう。しかしながら、本実施の形態に係るリンギング低減回路７０を用いることにより、そのような問題は解消される。つまり、リンギング低減回路７０を用いることにより、リンギングを増大させることなく、スイッチング速度を高くすることができる。言い換えれば、ＳｉＣ−ＭＯＳＦＥＴの優れたスイッチング特性を最大限に活かすことが可能となる。
【００３０】
また、ＳｉＣ−ショットキーバリアダイオードは、各種特性の観点から、還流ダイオード２２、３２として好適である。但し、材料がＳｉＣの場合、材料がＳｉの場合よりも、リンギングが増大することが一般に知られている。しかしながら、本実施の形態に係るリンギング低減回路７０を用いることにより、リンギングを増大させることなく、ＳｉＣ−ショットキーバリアダイオードを活用することが可能となる。
【００３１】
更に、本実施の形態に係るリンギング低減回路７０は、短絡発生時のサージ電圧の抑制の観点からも好適である。
【００３２】
パワーモジュール１０において何らかの要因で短絡が発生した際、チップ定格電流の何倍もの短絡電流が流れることにより、スイッチング素子が破壊される恐れがある。そのようなスイッチング素子の破壊を防止するために、電力変換装置に搭載された保護回路（図示されない）は、短絡検出時にスイッチング素子をＯＦＦする。但し、このスイッチングＯＦＦ時、寄生インダクタンスによってサージ電圧が発生する。このサージ電圧が大きいとチップが破壊されてしまう。従って、短絡発生時のサージ電圧の抑制の観点から言えば、寄生インダクタンスはなるべく小さいことが望ましい。
【００３３】
まず、比較例として、特許文献１に記載されたノイズ吸収体の場合を説明する。比較例では、リンギング対策用のノイズ吸収体として、チップ接続ワイヤの近傍に配置されたループコイルが用いられる。そのループコイルは、チップ接続ワイヤから絶縁されているが、チップ接続ワイヤと磁気的に結合する。この場合のノイズ吸収体の等価回路は、図４に示す通りである。図４において、Ｌ１’はチップ接続ワイヤの漏れインダクタンス、Ｌ２’はループコイルの漏れインダクタンス、Ｍはチップ接続ワイヤとループコイルとの相互インダクタンス、Ｒはループコイルの抵抗成分である。この場合のインピーダンス特性は、次の式（１）で表される。
【００３４】
式（１）：ｊωＭ（ｊωＬ２’／Ｒ＋１）／｛ｊω（Ｌ２’＋Ｍ）／Ｒ＋１｝＋ｊωＬ１’
【００３５】
この式（１）で表されるインピーダンス特性は、分子の“ｊωＭ”により、基本的にインダクタンス特性を有する。つまり、ノイズ吸収体が対象とするリンギング周波数だけでなく、そのリンギング周波数よりも高い周波数でも、インダクタンス特性が有意に存在する。そのため、上述の短絡発生時のサージ電圧が、そのインダクタンス特性によって大きくなってしまうという悪影響がある。
【００３６】
特許文献２の場合も、上記比較例の場合と同様である。
【００３７】
次に、本実施の形態に係るリンギング低減回路７０の場合を説明する。図５は、本実施の形態に係るリンギング低減回路７０の等価回路を示している。図５において、Ｌ１’は導体６０の漏れインダクタンス、Ｌ２’はリンギング低減回路７０の導体８０の漏れインダクタンス、Ｍは導体６０と導体８０との相互インダクタンス、Ｃはリンギング低減回路７０のコンデンサ８１の容量値、Ｒはリンギング低減回路７０の抵抗８２の抵抗値である。この場合のインピーダンス特性は、次の式（２）で表される。
【００３８】
式（２）：ｊω｛Ｍ（Ｌ２’＋Ｌ１’）＋Ｌ２’Ｌ１’｝／［（ｊω）２Ｃ｛Ｍ（Ｌ１’＋Ｌ２’）＋Ｌ１’Ｌ２’｝／（Ｌ１’＋Ｌ２’）＋ｊω｛Ｍ（Ｌ１’＋Ｌ２’）＋Ｌ１’Ｌ２’｝／｛Ｒ（Ｌ１’＋Ｌ２’）｝＋１］
【００３９】
この式（２）は、分子に１次の特性、分母に２次の特性を有する。従って、対象とするリンギング周波数近傍では好適なインピーダンス特性（インダクタンス特性）を実現し、そのリンギング周波数よりも高い周波数ではインダクタンス特性を低減させることが可能である。すなわち、リンギングを効果的に低減しつつ、短絡発生時のサージ電圧をも抑制することが可能となる。
【００４０】
実施の形態２．
実施の形態２では、電流経路５０上の上記導体６０（第１導体）がスナバコンデンサ４１のリード部分である場合を説明する。
【００４１】
図６は、スナバコンデンサ４１を示す全体図である。スナバコンデンサ４１は、コンデンサ本体１００と一対のリード１１０（１１０−１、１１０−２）を備えている。リード１１０は、コンデンサ本体１００と外部配線とをつなぐために用いられる。より詳細には、リード１１０−１、１１０−２の一方がＰ側電力線２（Ｐ側電極１２）に接続され、他方がＮ側電力線３（Ｎ側電極１３）に接続される。
【００４２】
本実施の形態では、リード１１０−１、１１０−２の一方又は両方に、リンギング低減回路７０が接続される。そのようなリンギング低減回路７０を実現するための構造の一例が、図７に示されている。
【００４３】
まず、リード１１０が第１導体によって形成されている（以下、第１導体も符号１１０で参照される）。この第１導体１１０が、上述の電流経路５０上の導体６０に相当し、寄生インダクタンスＬ１を有する。図７に示される例では、第１導体１１０はＬ字に形成されている。より詳細には、第１導体１１０は、第１接点ＮＡ側の第１平板部分１１０Ａと、第２接点ＮＢ側の第２平板部分１１０Ｂとを備えており、それら２つの平板部分１１０Ａ、１１０Ｂが直交してＬ字形状を成している。
【００４４】
第１平板部分１１０Ａの端部近傍の領域上には、第１層間導体１２０Ａが形成されている。また、第２平板部分１１０Ｂの端部近傍の領域上には、第２層間導体１２０Ｂが形成されている。更に、第１導体１１０上の第１層間導体１２０Ａと第２層間導体１２０Ｂとの間の領域に、誘電体１３０が形成されている。
【００４５】
それら第１層間導体１２０Ａ、第２層間導体１２０Ｂ及び誘電体１３０を覆うように第２導体１４０が形成されている。すなわち、第２導体１４０は、第１導体１１０上に誘電体１３０を介して形成され、その誘電体１３０を介して第１導体１１０と磁気的に結合している。同時に、第２導体１４０は、第１層間導体１２０Ａ及び第２層間導体１２０Ｂのそれぞれを介して第１接点ＮＡ及び第２接点ＮＢと電気的に接続されている。この第２導体１４０が、上述の導体８０に相当し、寄生インダクタンスＬ２を有する。
【００４６】
図７に示される例では、第２導体１４０は、第１導体１１０と平行であり、第１導体１１０と同様にＬ字に形成されている。より詳細には、第２導体１４０は、第１導体１１０の第１平板部分１１０Ａと平行な第１平板部分１４０Ａと、第１導体１１０の第２平板部分１１０Ｂと平行な第２平板部分１４０Ｂとを備えており、それら２つの平板部分１４０Ａ、１４０Ｂが直交してＬ字形状を成している。第１平板部分１１０Ａと第１平板部分１４０Ａとは、第１層間導体１２０Ａを挟んで互いに接続されている。また、第２平板部分１１０Ｂと第２平板部分１４０Ｂとは、第２層間導体１２０Ｂを挟んで互いに接続されている。
【００４７】
尚、第１導体１１０の寄生インダクタンスＬ１の値と第２導体１４０の寄生インダクタンスＬ２の値は同程度である。また、第１導体１１０と第２導体１４０との間の磁気結合の結合係数は大きくなくてもよい。第１導体１１０と第２導体１４０との間に介在する誘電体１３０としては、例えば、絶縁性磁性材料の磁性シートを用いればよい。トロイダルコアなどで閉磁路を構成する必要はない。
【００４８】
第２導体１４０上には、絶縁体１５０が形成されている。より詳細には、絶縁体１５０は、第２導体１４０の第１平板部分１４０Ａ上に形成された第１平板部分１５０Ａと、第２導体１４０の第２平板部分１４０Ｂ上に形成された第２平板部分１５０Ｂとを備えており、それら２つの平板部分１５０Ａ、１５０Ｂが直交してＬ字形状を成している。
【００４９】
絶縁体１５０上には、第３導体１６０Ａと第４導体１６０Ｂとが互いに離間して形成されている。具体的には、第３導体１６０Ａは、絶縁体１５０の第１平板部分１５０Ａの端部近傍の領域上に形成されている。一方、第４導体１６０Ｂは、絶縁体１５０の第２平板部分１５０Ｂの端部近傍の領域上に形成されている。
【００５０】
第１接点ＮＡ側において、第３導体１６０Ａ、絶縁体１５０の第１平板部分１５０Ａ、第２導体１４０の第１平板部分１４０Ａ、第１層間導体１２０Ａ、及び第１導体１１０の第１平板部分１１０Ａを貫通するように、第１接続導体１７０Ａが形成されている。この第１接続導体１７０Ａによって、第１導体１１０、第２導体１４０及び第３導体１６０Ａが電気的に接続され、第１接点ＮＡが形成される。尚、第１接続導体１７０Ａとしては、ねじが例示される。
【００５１】
第２接点ＮＢ側において、第４導体１６０Ｂ、絶縁体１５０の第２平板部分１５０Ｂ、第２導体１４０の第２平板部分１４０Ｂ、第２層間導体１２０Ｂ、及び第１導体１１０の第２平板部分１１０Ｂを貫通するように、第２接続導体１７０Ｂが形成されている。この第２接続導体１７０Ｂによって、第１導体１１０、第２導体１４０及び第４導体１６０Ｂが電気的に接続され、第２接点ＮＢが形成される。尚、第２接続導体１７０Ｂとしては、ねじが例示される。
【００５２】
更に、絶縁体１５０上において、容量素子１８０と抵抗素子１９０とが、第３導体１６０Ａと第４導体１６０Ｂとの間で並列に接続されるように形成されている。
【００５３】
容量素子１８０は、上述のコンデンサ８１に相当する。図７に示される例では、容量素子１８０は、第１部分１８０Ａと第２部分１８０Ｂとを含んでいる。第１部分１８０Ａは、絶縁体１５０の第１平板部分１５０Ａ上に形成されており、第３導体１６０Ａに接続されている。一方、第２部分１８０Ｂは、絶縁体１５０の第２平板部分１５０Ｂ上に形成されており、第４導体１６０Ｂに接続されている。
【００５４】
抵抗素子１９０は、上述の抵抗８２に相当する。図７に示される例では、抵抗素子１９０は、第１部分１９０Ａと第２部分１９０Ｂとを含んでいる。第１部分１９０Ａは、絶縁体１５０の第１平板部分１５０Ａ上に形成されており、第３導体１６０Ａに接続されている。一方、第２部分１９０Ｂは、絶縁体１５０の第２平板部分１５０Ｂ上に形成されており、第４導体１６０Ｂに接続されている。
【００５５】
以上に説明された構造例により、リンギング低減回路７０が実現される。
【００５６】
実施の形態３．
電流経路５０上の導体６０（第１導体）は、スナバコンデンサ４１のリード１１０に限られない。例えば、導体６０は、パワーモジュール１０におけるスイッチング素子（２１、３１）の電極（Ｐ側電極１２、Ｎ側電極１３）であってもよい。この場合、Ｐ側電極１２、Ｎ側電極１３の一方又は両方に、リンギング低減回路７０が接続される。
【００５７】
図８は、導体６０（第１導体）が、パワーモジュール１０のＰ側電極１２である場合の回路構成を概略的に示している。図８に示されるように、Ｐ側電極１２と並列にリンギング低減回路７０が接続される。これにより、既出の実施の形態と同様の効果が得られる。
【００５８】
以上、本発明の実施の形態が添付の図面を参照することにより説明された。但し、本発明は、上述の実施の形態に限定されず、要旨を逸脱しない範囲で当業者により適宜変更され得る。
【符号の説明】
【００５９】
１  直流電源、２  Ｐ側電力線、３  Ｎ側電力線、４  平滑コンデンサ、５  インバータ、６  モータ、１０  パワーモジュール、１１  出力電極、１２  Ｐ側電極、１３  Ｎ側電極、２０  Ｐ側アーム、２１  スイッチング素子、２２  還流ダイオード、３０  Ｎ側アーム、３１  スイッチング素子、３２  還流ダイオード、４０  スナバ回路、４１  スナバコンデンサ、５０  電流経路、６０  導体、７０  リンギング低減回路、８０  導体、８１  コンデンサ、８２  抵抗、１００  コンデンサ本体、１１０  リード（第１導体）、１２０Ａ  第１層間導体、１２０Ｂ  第２層間導体、１３０  誘電体、１４０  第２導体、１５０  絶縁体、１６０Ａ  第３導体、１６０Ｂ  第４導体、１７０Ａ  第１接続導体、１７０Ｂ  第２接続導体、１８０  容量素子、１９０  抵抗素子、ＮＡ  第１接点、ＮＢ  第２接点。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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