(57)【要約】【課題】樹脂製又は金属製のネジを用いて、共振構造体による電磁波の減衰効果の低下を抑制することができる電磁シールド扉を提供する。【解決手段】扉１の扉枠２との対向面部に共振構造体３が設けられている。共振構造体３は、誘電体基板３１の裏面に設けた導体面３２と、誘電体基板３１の表面に間隙部３５ａ〜３５ｄを設けて複数配列した帯状の導体パターン３６ａ〜３６ｅと、導体パターン３６ａ〜３６ｅと導体面３２とを電気的に接続した貫通スルーホール３４ａ〜３４ｅとを有している。共振構造体３は、間隙部３５ａ，３５ｄを貫通した樹脂製ネジ４ａ〜４ｄによって対向面部に取り付けられている。これにより、導体箔３３ｂ，３３ｃ，３３ｈ，３３ｉに開口部が生じるのを防ぐとともに、導体パターン３３ｈ，３３ｉに生じる欠損部の面積を小さくすることで、共振構造体３による電磁波の減衰効果の低下を抑制する。【選択図】図４
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
導電性の扉枠と、
前記扉枠に開閉自在に取り付けられた導電性の扉と、
前記扉を閉じた状態で互いに対向する前記扉と前記扉枠のそれぞれの対向面の少なくとも一方に設けた誘電体基板と、
前記誘電体基板の裏面に設けた導体部材と、
前記誘電体基板の表面に前記扉の厚さ方向に沿って間隙部を交互に設けて配置された帯状の導体パターンと、
前記導体パターンと前記導体部材とを電気的に接続した接続導体と、
前記導体部材、前記誘電体基板及び前記間隙部を貫通して前記対向面に先端部が埋設された複数の樹脂製ネジと、
を具備することを特徴とする電磁シールド扉。
【請求項２】
前記樹脂製ネジは、前記間隙部の長手方向に沿って間隔を設けて複数配列され、
前記扉の厚さ方向に沿って互いに隣設する前記樹脂製ネジ間には少なくとも１つの前記間隙部が設けられ、かつ前記間隙部の長手方向に沿う隣設する前記樹脂製ネジは互いに異なる前記間隙部に設けてなる
ことを特徴とする請求項１記載の電磁シールド扉。
【請求項３】
前記間隙部の幅を、前記樹脂製ネジの断面の直径よりも広い幅に形成してなることを特徴とする請求項１又は請求項２記載の電磁シールド扉。
【請求項４】
導電性の扉枠と、
前記扉枠に開閉自在に取り付けられた導電性の扉と、
前記扉を閉じた状態で互いに対向する前記扉と前記扉枠のそれぞれの対向面の少なくとも一方に設けた誘電体基板と、
前記誘電体基板の裏面に設けた導体部材と、
前記誘電体基板の表面に前記扉の厚さ方向に沿って間隙部を交互に設けて配置された帯状の導体パターンと、
前記導体パターンの長手方向に沿って複数配列されて前記導体パターンと前記導体部材とを電気的に接続した接続導体と、
前記導体パターンの長手方向に沿う隣設する前記接続導体間に設けられ、かつ前記導体部材、前記誘電体基板及び前記導体パターンを貫通して前記対向面に先端部が埋設された複数の金属製ネジと、
を具備することを特徴とする電磁シールド扉。
【請求項５】
前記金属製ネジは、前記導体パターンの長手方向に沿って間隔を設けて複数配列され、
前記扉の厚さ方向に沿って互いに隣設する前記金属製ネジ間には少なくとも２つの前記導体パターンが設けられ、かつ前記導体パターンの長手方向に沿う隣設する前記金属製ネジは互いに異なる前記導体パターンに設けてなる
ことを特徴とする請求項４記載の電磁シールド扉。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は、いわゆる「シールドルーム」の出入り口等における、電磁波の漏洩及び浸入を防止するために用いられる電磁シールド扉に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来、導電性の扉枠及び扉を用いた電磁シールド扉が開発されている（例えば、特許文献１参照）。
【０００３】
従来の電磁シールド扉は、扉を閉じた状態で扉枠と対向する扉の対向面部に、所定の周波数で共振状態となる共振構造体を貼付している。共振構造体は、誘電体基板の表面に間隙部を設けて配列した複数の帯状の導体箔（以下「導体パターン」という）と、誘電体基板の裏面に一面に亘って設けた導体箔（以下「導体面」という）と、誘電体基板を貫通して導体パターンと導体面とを電気的に接続する複数の筒状導体（以下「貫通スルーホール」という）とで構成されている。
【０００４】
扉と扉枠間の間隙を伝搬する電磁波のうち、共振構造体が共振状態となる周波数（以下「共振周波数」という）と同等の周波数の電磁波は、共振構造体によって減衰する。これにより、扉を閉じた状態で、扉の対向面部が扉枠に当接することなく、電磁波の漏洩及び浸入を防いでいる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２０１２−２１６７５７号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
従来の共振構造体は、導体面が扉と電気的に導通するように貼付されている。共振構造体を扉に貼付する方法には、導電性の接着剤を用いる方法と、金属製のネジを用いる方法と、樹脂製のネジを用いる方法とがある。
【０００７】
導電性の接着剤は、粘性が高く、均一に塗布することが困難である。また、導電性の接着剤には、接着時に加熱を要するものもある。したがって、導電性の接着剤を用いる方法は、導体面と扉との導通が不十分になったり、貼付作業が困難になる課題があった。さらに、古い共振構造体を扉から剥がした際に扉に接着剤が残るため、新しい共振構造体を扉に貼付すると接着面に凹凸が生じる課題があった。
【０００８】
金属製のネジを用いる方法は、互いに隣設された導体パターンがネジによって電気的に接続されるのを防ぐことが重要となる。しかしながら、減衰させる電磁波の周波数が高くなるにつれて導体パターン間の間隙部の幅が狭くなり、金属製のネジによって互いに隣設された導体パターンが電気的に接続され易くなる。このため、共振構造体の共振周波数が変化して、共振構造体による電磁波の減衰効果が低下する課題があった。
【０００９】
樹脂製のネジを用いる方法は、導体パターンを貫通したネジによって、導体パターンに開口部が生じる。このため、電磁波が開口部から漏洩して、共振構造体による電磁波の減衰効果が低下する課題があった。
【００１０】
この発明は、上記のような課題を解決するためになされたものであり、樹脂製又は金属製のネジを用いて、共振構造体による電磁波の減衰効果の低下を抑制することができる電磁シールド扉を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
この発明の電磁シールド扉は、導電性の扉枠と、扉枠に開閉自在に取り付けられた導電性の扉と、扉を閉じた状態で互いに対向する扉と扉枠のそれぞれの対向面の少なくとも一方に設けた誘電体基板と、誘電体基板の裏面に設けた導体部材と、誘電体基板の表面に扉の厚さ方向に沿って間隙部を交互に設けて配置された帯状の導体パターンと、導体パターンと導体部材とを電気的に接続した接続導体と、導体部材、誘電体基板及び間隙部を貫通して対向面に先端部が埋設された複数の樹脂製ネジと、を具備するものである。
【００１２】
また、この発明の電磁シールド扉は、導電性の扉枠と、扉枠に開閉自在に取り付けられた導電性の扉と、扉を閉じた状態で互いに対向する扉と扉枠のそれぞれの対向面の少なくとも一方に設けた誘電体基板と、誘電体基板の裏面に設けた導体部材と、誘電体基板の表面に扉の厚さ方向に沿って間隙部を交互に設けて配置された帯状の導体パターンと、導体パターンの長手方向に沿って複数配列されて導体パターンと導体部材とを電気的に接続した接続導体と、導体パターンの長手方向に沿う隣設する接続導体間に設けられ、かつ導体部材、誘電体基板及び導体パターンを貫通して対向面に先端部が埋設された複数の金属製ネジと、を具備するものである。
【発明の効果】
【００１３】
この発明の電磁シールド扉によれば、樹脂製又は金属製のネジを用いて、共振構造体による電磁波の減衰効果の低下を抑制することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１４】
【図１】この発明の実施の形態１の電磁シールド扉の構成を示す説明図である。
【図２】図１に示す電磁シールド扉のＡ−Ａ’線に沿う断面を示す説明図である。
【図３】図２に示す電磁シールド扉のＢ−Ｃ−Ｄ−Ｅ線で囲まれた領域の拡大図である。
【図４】この発明の実施の形態１の共振構造体の要部の上面図である。
【図５】一般的な共振構造体の構成を示す説明図である。
【図６】一般的な共振構造体の要部の上面図である。
【図７】理想的な電磁シールド扉と、一般的な電磁シールド扉と、この発明の実施の形態１の電磁シールド扉の、それぞれの電磁シールド扉の周波数に対する透過係数を示す特性図である。
【図８】この発明の実施の形態２の電磁シールド扉の構成を示す説明図である。
【図９】図８に示す電磁シールド扉のＡ−Ａ’線に沿う断面を示す説明図である。
【図１０】図９に示す電磁シールド扉のＢ−Ｃ−Ｄ−Ｅ線で囲まれた領域の拡大図である。
【図１１】この発明の実施の形態２の共振構造体の要部の上面図である。
【図１２】理想的な電磁シールド扉と、この発明の実施の形態１の電磁シールド扉と、この発明の実施の形態２の電磁シールド扉の、それぞれの電磁シールド扉の周波数に対する透過係数を示す特性図である。
【図１３】この発明の実施の形態３の電磁シールド扉の構成を示す説明図である。
【図１４】図１３に示す電磁シールド扉のＡ−Ａ’線に沿う断面を示す説明図である。
【図１５】図１４に示す電磁シールド扉のＢ−Ｃ−Ｄ−Ｅ線で囲まれた領域の拡大図である。
【図１６】この発明の実施の形態３の共振構造体の要部の上面図である。
【図１７】この発明の実施の形態４の電磁シールド扉の構成を示す説明図である。
【図１８】図１７に示す電磁シールド扉のＡ−Ａ’線に沿う断面を示す説明図である。
【図１９】図１８に示す電磁シールド扉のＢ−Ｃ−Ｄ−Ｅ線で囲まれた領域の拡大図である。
【図２０】この発明の実施の形態４の共振構造体の要部の上面図である。
【図２１】理想的な電磁シールド扉と、この発明の実施の形態４の電磁シールド扉と、一般的な電磁シールド扉の、それぞれの電磁シールド扉の周波数に対する透過係数を示す特性図である。
【図２２】この発明の実施の形態５の電磁シールド扉の構成を示す説明図である。
【図２３】図２２に示す電磁シールド扉のＡ−Ａ’線に沿う断面を示す説明図である。
【図２４】図２３に示す電磁シールド扉のＢ−Ｃ−Ｄ−Ｅ線で囲まれた領域の拡大図である。
【図２５】この発明の実施の形態５の共振構造体の要部の上面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１５】
実施の形態１．
図１及び図２を参照して、この発明の実施の形態１の電磁シールド扉について説明する。
図中、１は扉である。扉１は、導電性の板状部材で構成されている。扉１は、ヒンジ１１によって、扉枠２に開閉自在に取り付けられている。また、扉１は、扉１を開閉する開閉レバー１２を有している。以下、扉１の一辺の長さをＷ，Ｈとして表し、扉１の肉厚をＬとして表す。
【００１６】
扉枠２は、導電性の枠状部材で構成されている。扉枠２の内寸は扉１の外寸よりも大きく、扉１を閉じた状態で扉１と扉枠２間に間隙が設けられている。
【００１７】
扉１の扉枠２との対向面部の全面に亘って、共振構造体３が設けられている。共振構造体３は、所定の周波数で共振状態となり、扉１間と扉枠２間の間隙を伝搬する電磁波を減衰させるものである。このようにして、電磁シールド扉１００が構成されている。
【００１８】
次に、図３及び図４を参照して、この発明の実施の形態１の共振構造体３について説明する。
図中、３１は誘電体基板である。誘電体基板３１の裏面には、一面に亘って導体箔が設けられており、導体面（導体部材）３２が構成されている。導体面３２は、扉１の対向面部に当接しており、扉１と電気的に接続されている。
【００１９】
誘電体基板３１の表面には、扉１の対向面部の長手方向に沿って帯状の導体箔３３ａが設けられている。導体箔３３ａと隣接して、帯状の導体箔３３ｂが設けられている。２つの導体箔３３ａ，３３ｂが一体となって、導体パターン３６ａが構成されている。
【００２０】
導体箔３３ａ，３３ｂ間と導体面３２との間に、誘電体基板３１を貫通した筒状導体からなる貫通スルーホール（接続導体）３４ａが設けられている。貫通スルーホール３４ａは、図４に示す如く、導体パターン３６ａの長手方向に沿って複数配列されている。貫通スルーホール３４ａによって、導体パターン３６ａと導体面３２とが電気的に接続されている。
【００２１】
導体パターン３６ａとの間に間隙部３５ａを設けて、扉１の対向面部の長手方向に沿って帯状の導体箔３３ｃが設けられている。導体箔３３ｃと隣接して、帯状の導体箔３３ｄが設けられている。２つの導体箔３３ｃ，３３ｄが一体となって、導体パターン３６ｂが構成されている。
【００２２】
導体箔３３ｃ，３３ｄ間と導体面３２との間に、誘電体基板３１を貫通した貫通スルーホール３４ｂが設けられている。貫通スルーホール３４ｂは、導体パターン３６ｂの長手方向に沿って複数配列されている。貫通スルーホール３４ｂによって、導体パターン３６ｂと導体面３２とが電気的に接続されている。
【００２３】
同様に、導体パターン３６ｂとの間に間隙部３５ｂを設けて、導体箔３３ｅ，３３ｆからなる導体パターン３６ｃが設けられている。導体パターン３６ｃは、貫通スルーホール３４ｃによって導体面３２と電気的に接続されている。また、導体パターン３６ｃとの間に間隙部３５ｃを設けて、導体箔３３ｇ，３３ｈからなる導体パターン３６ｄが設けられている。導体パターン３６ｄは、貫通スルーホール３４ｄによって導体面３２と電気的に接続されている。さらに、導体パターン３６ｄとの間に間隙部３５ｄを設けて、導体箔３３ｉ，３３ｊからなる導体パターン３６ｅが設けられている。導体パターン３６ｅは、貫通スルーホール３４ｅによって導体面３２と電気的に接続されている。
【００２４】
ここで、扉１の厚さ方向（図中Ｙ方向）に沿う導体箔３３ｂ，３３ｃの幅Ｌａは、誘電体基板３１内で所定の周波数ｆａに対応する波長の４分の１長さと同等の幅である。導体箔３３ｂは、一辺の側端部が貫通スルーホール３４ａによって導体面３２と電気的に接続され、かつ対向する他側端部が電気的に開放されている。導体箔３３ｃは、一辺の側端部が貫通スルーホール３４ｂによって導体面３２と電気的に接続され、かつ対向する他側端部が電気的に開放されている。これにより、導体箔３３ｂ，３３ｃ、貫通スルーホール３４ａ，３４ｂ及び導体面３２は、周波数ｆａで共振状態となる、いわゆる「片端短絡」の共振器の機能を果たす。導体箔３３ｂ，３３ｃ、貫通スルーホール３４ａ，３４ｂ、導体面３２及びこれらの導体で囲まれた誘電体基板３１によって、第１共振構造体が構成されている。
【００２５】
同様に、扉１の厚さ方向に沿う導体箔３３ｄ，３３ｅの幅Ｌｂは、誘電体基板３１内で所定の周波数ｆｂに対応する波長の４分の１長さと同等の幅である。導体箔３３ｄ，３３ｅ、貫通スルーホール３４ｂ，３４ｃ及び導体面３２は、周波数ｆｂで共振状態となる片端短絡の共振器の機能を果たす。導体箔３３ｄ，３３ｅ、貫通スルーホール３４ｂ，３４ｃ、導体面３２及びこれらの導体で囲まれた誘電体基板３１によって、第２共振構造体が構成されている。
【００２６】
また、扉１の厚さ方向に沿う導体箔３３ｆ，３３ｇの幅Ｌｃは、誘電体基板３１内で所定の周波数ｆｃに対応する波長の４分の１長さと同等の幅である。導体箔３３ｆ，３３ｇ、貫通スルーホール３４ｃ，３４ｄ及び導体面３２は、周波数ｆｃで共振状態となる片端短絡の共振器の機能を果たす。導体箔３３ｆ，３３ｇ、貫通スルーホール３４ｃ，３４ｄ、導体面３２及びこれらの導体で囲まれた誘電体基板３１によって、第３共振構造体が構成されている。
【００２７】
さらに、扉１の厚さ方向に沿う導体箔３３ｈ，３３ｉの幅Ｌｄは、誘電体基板３１内で所定の周波数ｆｄに対応する波長の４分の１長さと同等の幅である。導体箔３３ｈ，３３ｉ、貫通スルーホール３４ｄ，３４ｅ及び導体面３２は、周波数ｆｄで共振状態となる片端短絡の共振器の機能を果たす。導体箔３３ｈ，３３ｉ、貫通スルーホール３４ｄ，３４ｅ、導体面３２及びこれらの導体で囲まれた誘電体基板３１によって、第４共振構造体が構成されている。
【００２８】
ここで、Ｌａ＞Ｌｂ＞Ｌｃ＞Ｌｄであり、かつｆａ＜ｆｂ＜ｆｃ＜ｆｄである。誘電体基板３１、導体面３２、導体パターン３６ａ〜３６ｅ及び貫通スルーホール３４ａ〜３４ｅによって、共振構造体３が構成されている。
【００２９】
なお、導体箔３３ａ、貫通スルーホール３４ａ、導体面３２及びこれらの導体で囲まれた誘電体基板３１は、外部空間と対向した端部であるため共振器としてほとんど機能しない。導体箔３３ｊ、貫通スルーホール３４ｅ、導体面３２及びこれらの導体で囲まれた誘電体基板３１も、外部空間と対向した端部であるため共振器としてほとんど機能しない。
【００３０】
図４に示す如く、間隙部３５ａの長手方向に沿って、所定幅ｈ１の間隔を設けて複数の樹脂製ネジ４ａ，４ｂが配列されている。樹脂製ネジ４ａ，４ｂは、間隙部３５ａ、誘電体基板３１及び導体面３２を貫通して、先端部が扉１の対向面部に埋設している。樹脂製ネジ４ａ，４ｂの螺子部の直径ｄ１は、間隙部３５ａの幅Ｓａよりも小さくなっている。樹脂製ネジ４ａ，４ｂの頂部の直径ｄ２は、間隙部３５ａの幅Ｓａよりも小さくなっている。
【００３１】
間隙部３５ｄの長手方向に沿って、所定幅ｈ１の間隔を設けて複数の樹脂製ネジ４ｃ，４ｄが配列されている。樹脂製ネジ４ｃ，４ｄは、間隙部３５ｄ、誘電体基板３１及び導体面３２を貫通して、先端部が扉１の対向面部に埋設している。樹脂製ネジ４ｃ，４ｄの螺子部の直径ｄ１は、間隙部３５ｄの幅Ｓｄよりも小さくなっている。樹脂製ネジ４ｃ，４ｄの頂部の直径ｄ２は、間隙部３５ｄの幅Ｓｄよりも大きくなっている。
【００３２】
すなわち、図４に示す如く、上面から見ると、樹脂製ネジ４ｃ，４ｄの頂部の一部によって、第４共振構造体を構成する２つの導体箔３３ｈ，３３ｉにそれぞれ２箇所の欠損部が生じている。
【００３３】
次に、電磁シールド扉１００の動作について説明する。
まず、扉１と扉枠２間の間隙を、周波数ｆａの電磁波が図中Ｙ方向に沿って伝搬する。このとき、第１共振構造体が共振状態となり、周波数ｆａの電磁波に対していわゆる「電磁界結合」する。これにより、扉１と扉枠２間の間隙を図中Ｙ方向に沿って伝搬する、周波数ｆａ及び周波数ｆａの近傍の周波数の電磁波は減衰する。
【００３４】
同様に、扉１と扉枠２間の間隙を、周波数ｆｂの電磁波が図中Ｙ方向に沿って伝搬する。このとき、第２共振構造体が共振状態となり、周波数ｆｂの電磁波に対して電磁界結合する。これにより、扉１と扉枠２間の間隙を図中Ｙ方向に沿って伝搬する、周波数ｆｂ及び周波数ｆｂの近傍の周波数の電磁波は減衰する。
【００３５】
同様に、扉１と扉枠２間の間隙を、周波数ｆｃの電磁波が図中Ｙ方向に沿って伝搬する。このとき、第３共振構造体が共振状態となり、周波数ｆｃの電磁波に対して電磁界結合する。これにより、扉１と扉枠２間の間隙を図中Ｙ方向に沿って伝搬する、周波数ｆｃ及び周波数ｆｃの近傍の周波数の電磁波は減衰する。
【００３６】
同様に、扉１と扉枠２間の間隙を、周波数ｆｄの電磁波が図中Ｙ方向に沿って伝搬する。このとき、第４共振構造体が共振状態となり、周波数ｆｄの電磁波に対して電磁界結合する。これにより、扉１と扉枠２間の間隙を図中Ｙ方向に沿って伝搬する、周波数ｆｄ及び周波数ｆｄの近傍の周波数の電磁波は減衰する。
【００３７】
この結果、扉１を閉じた状態で、扉１と扉枠２間の間隙を伝搬する周波数ｆａ〜ｆｄ及び周波数ｆａ〜ｆｄの近傍の周波数の電磁波の漏洩及び浸入を防ぐことができる。
【００３８】
ここで、樹脂製ネジ４ａ，４ｂは、間隙部３５ａを貫通している。樹脂製ネジ４ａ，４ｂの頂部の直径ｄ２は、間隙部３５ａの幅Ｓａよりも小さくなっている。これにより、導体箔３３ｂ，３３ｃに欠損部及び開口部が生じるのを防ぐことで、第１共振構造体による周波数ｆａの電磁波の減衰効果が低下するのを防ぐことができる。
【００３９】
また、樹脂製ネジ４ｃ，４ｄは、間隙部３５ｄを貫通している。これにより、導体箔３３ｈ，３３ｉに開口部が生じるのを防ぐとともに、導体箔３３ｈ，３３ｉに生じる欠損部の面積を小さくすることで、第４共振構造体による周波数ｆｄの電磁波の減衰効果が低下するのを抑制することができる。
【００４０】
次に、図５〜図７を参照して、電磁シールド扉１００の効果について説明する。
図５及び図６は、樹脂製ネジの配置を一般的な配置とした共振構造体（以下「一般的な共振構造体」という）の一例を示している。なお、図３及び図４に示す実施の形態１の共振構造体３と同様の構成部材には同一符号を付している。
【００４１】
図５及び図６に示す如く、一般的な共振構造体は、２本の樹脂製ネジ５ａ，５ｂが導体箔３３ｂを貫通している。すなわち、樹脂製ネジ５ａ，５ｂの頂部により、第１共振構造体を構成する２つの導体箔３３ｂ，３３ｃのうち一方の導体箔３３ｂのみに集中して欠損部が生じている。また、導体箔３３ｂに開口部が生じている。
【００４２】
また、一般的な共振構造体は、２本の樹脂製ネジ５ｃ，５ｄが導体箔３３ｉを貫通している。すなわち、樹脂製ネジ５ｃ，５ｄの頂部により、第４共振構造体を構成する２つの導体箔３３ｈ，３３ｉのうち一方の導体箔３３ｉのみに集中して欠損部が生じている。また、導体箔３３ｉに開口部が生じている。
【００４３】
図７の横軸は、電磁波の周波数の値［Ｈｚ］を示している。縦軸は、扉と扉枠間の間隙に入射した電磁波の強度に対する間隙を透過する電磁波の強度（いわゆる「透過係数」）の値［ｄＢ］を示している。特性線Ｉは、樹脂製ネジ４ａ〜４ｄを不要とした理想的な共振構造体を設けた電磁シールド扉（以下「理想的な電磁シールド扉」という）の透過係数を示している。特性線ＩＩは、実施の形態１の電磁シールド扉１００の透過係数を示している。特性線ＩＩＩは、図５及び図６に示す一般的な共振構造体を設けた電磁シールド扉（以下「一般的な電磁シールド扉」という）の透過係数を示している。
【００４４】
図７に示す如く、周波数ｆａ及び周波数ｆａの近傍の周波数において、特性線ＩＩＩの透過係数は特性線Ｉの透過係数よりも高い値になっている。すなわち、一般的な電磁シールド扉は、樹脂製ネジ５ａ，５ｂにより導体箔３３ｂに生じた欠損部及び開口部によって、第１共振構造体による電磁波の減衰効果が低下している。
【００４５】
これに対し、周波数ｆａ及び周波数ｆａの近傍の周波数において、特性線ＩＩの透過係数は特性線Ｉの透過係数と同等の値になっている。すなわち、実施の形態１の電磁シールド扉１００は、導体箔３３ｂ，３３ｃに欠損部及び開口部が生じるのを防ぐことで、第１共振構造体による電磁波の減衰効果が低下するのを防ぐことができる。
【００４６】
また、周波数ｆｄ及び周波数ｆｄの近傍の周波数において、特性線ＩＩＩの透過係数は特性線Ｉの透過係数よりも高い値になっている。すなわち、一般的な電磁シールド扉は、樹脂製ネジ５ｃ，５ｄにより導体箔３３ｉに生じた欠損部及び開口部によって、第４共振構造体による電磁波の減衰効果が低下している。
【００４７】
これに対し、周波数ｆｄ及び周波数ｆｄの近傍の周波数において、特性線ＩＩの透過係数は、特性線Ｉの透過係数よりも高い値であるが、特性線ＩＩＩの透過係数よりも低い値となっている。すなわち、実施の形態１の電磁シールド扉１００は、導体箔３３ｈ，３３ｉに開口部が生じるのを防ぐとともに、導体箔３３ｈ，３３ｉに生じる欠損部の面積を小さくすることで、第４共振構造体による電磁波の減衰効果が低下するのを抑制することができる。
【００４８】
以上のように、この発明の実施の形態１の電磁シールド扉１００は、共振構造体３を扉１に固定する樹脂製ネジ４ａ，４ｂが、間隙部３５ａを貫通している。樹脂製ネジ４ａ，４ｂの頂部の直径ｄ２は、間隙部３５ａの幅Ｓａよりも小さくなっている。これにより、導体箔３３ｂ，３３ｃに欠損部及び開口部が生じるのを防ぐことで、共振構造体３による周波数ｆａの電磁波の減衰効果が低下するのを防ぐことができる。
【００４９】
また、共振構造体３を扉１に固定する樹脂製ネジ４ｃ，４ｄが、間隙部３５ｄを貫通している。これにより、導体箔３３ｈ，３３ｉに開口部が生じるのを防ぐとともに、導体箔３３ｈ，３３ｉに生じる欠損部の面積を小さくすることで、共振構造体３による周波数ｆｄの電磁波の減衰効果が低下するのを抑制することができる。
【００５０】
なお、扉１の厚さ方向（図中Ｙ方向）に沿って配列される樹脂製ネジ４ａ〜４ｄの本数は、２本に限定されるものではない。扉１の肉厚Ｌの値、及び導体パターン３６ａ〜３６ｅの配列数に応じて、何れの本数の樹脂製ネジ４ａ〜４ｄを配列したものとしてもよい。
【００５１】
また、間隙部３５ａ〜３５ｄの長手方向に沿って配列される樹脂製ネジ４ａ〜４ｄの本数は、２本に限定されるものではない。扉１の一辺の長さＷ，Ｈの値に応じて、何れの本数の樹脂製ネジ４ａ〜４ｄを配列したものとしてもよい。
【００５２】
また、導体面３２と扉１の対向面部との間に、ポリウレタンフォームなどの弾力性を有する部材に導電布を巻付けた、いわゆる「ソフトガスケット」を介在させたものとしてもよい。これにより、導体面３２の扉１に対するインピーダンスを低くすることができる。
【００５３】
また、樹脂製ネジ４ａ〜４ｄの材料は、ガラスエポキシなどの強固な材料を用いるのが好ましい。
【００５４】
また、共振構造体３は、扉１の対向面部に代えて、扉枠２の対向面部に設けたものとしてもよい。また、共振構造体３は、扉１の対向面部と、扉枠２の対向面部との両方に各々設けたものとしてもよい。
【００５５】
実施の形態２．
図８〜図１１を参照して、樹脂製ネジの配置が実施の形態１と異なる電磁シールド扉について説明する。なお、図１〜図４に示す実施の形態１の電磁シールド扉１００と同様の構成部材には同一符号を付して説明を省略する。
【００５６】
図１０及び図１１に示す如く、間隙部３５ａに樹脂製ネジ６ａが設けられている。樹脂製ネジ６ａは、間隙部３５ａ、誘電体基板３１及び導体面３２を貫通して、先端部が扉１の対向面部に埋設している。樹脂製ネジ６ａの螺子部の直径ｄ１は、間隙部３５ａの幅Ｓａよりも小さくなっている。樹脂製ネジ６ａの頂部の直径ｄ２は、間隙部３５ａの幅Ｓａよりも小さくなっている。
【００５７】
間隙部３５ｂに樹脂製ネジ６ｂが設けられている。樹脂製ネジ６ｂは、間隙部３５ｂ、誘電体基板３１及び導体面３２を貫通して、先端部が扉１の対向面部に埋設している。樹脂製ネジ６ｂの螺子部の直径ｄ１は、間隙部３５ｂの幅Ｓｂよりも小さくなっている。樹脂製ネジ６ｂの頂部の直径ｄ２は、間隙部３５ｂの幅Ｓｂよりも小さくなっている。
【００５８】
間隙部３５ｃに樹脂製ネジ６ｃが設けられている。樹脂製ネジ６ｃは、間隙部３５ｃ、誘電体基板３１及び導体面３２を貫通して、先端部が扉１の対向面部に埋設している。樹脂製ネジ６ｃの螺子部の直径ｄ１は、間隙部３５ｃの幅Ｓｃよりも小さくなっている。樹脂製ネジ６ｃの頂部の直径ｄ２は、間隙部３５ｃの幅Ｓｃよりも大きくなっている。
【００５９】
間隙部３５ｄに樹脂製ネジ６ｄが設けられている。樹脂製ネジ６ｄは、間隙部３５ｄ、誘電体基板３１及び導体面３２を貫通して、先端部が扉１の対向面部に埋設している。樹脂製ネジ６ｄの螺子部の直径ｄ１は、間隙部３５ｄの幅Ｓｄよりも小さくなっている。樹脂製ネジ６ｄの頂部の直径ｄ２は、間隙部３５ｄの幅Ｓｄよりも大きくなっている。
【００６０】
すなわち、図１１に示す如く、上面から見ると、樹脂製ネジ６ｃの頂部の一部によって、第３共振構造体を構成する２つの導体箔３３ｆ，３３ｇにそれぞれ１箇所の欠損部が生じている。樹脂製ネジ６ｄの頂部の一部によって、第４共振構造体を構成する２つの導体箔３３ｈ，３３ｉにそれぞれ１箇所の欠損部が生じている。
【００６１】
ここで、扉１の厚さ方向（図中Ｙ方向）に沿って互いに隣設する樹脂製ネジ６ａ，６ｃ間には、少なくとも１つの間隙部３５ｂが設けられている。また、扉１の厚さ方向に沿って互いに隣設する樹脂製ネジ６ｂ，６ｄ間には、少なくとも１つの間隙部３５ｃが設けられている。
【００６２】
また、間隙部３５ａ〜３５ｄの長手方向に沿う隣設する樹脂製ネジ６ａ，６ｃと樹脂製ネジ６ｂ，６ｄとは、互いに異なる間隙部３５ａ〜３５ｄに設けられている。
【００６３】
このように構成された電磁シールド扉１０１は、以下のように実施の形態１の電磁シールド扉１００と同様に動作する。
すなわち、扉１と扉枠２間の間隙を図中Ｙ方向に沿って伝搬する電磁波のうち、周波数ｆａ〜ｆｄ及び周波数ｆａ〜ｆｄの近傍の周波数の電磁波は、共振構造体３により減衰する。これにより、扉１を閉じた状態で、扉１と扉枠２間の間隙を伝搬する周波数ｆａ〜ｆｄ及び周波数ｆａ〜ｆｄの近傍の周波数の電磁波の漏洩及び浸入を防ぐことができる。
【００６４】
次に、図１２を参照して、電磁シールド扉１０１の効果について説明する。
図１２の横軸は、電磁波の周波数の値［Ｈｚ］を示している。縦軸は、透過係数の値［ｄＢ］を示している。特性線Ｉは、樹脂製ネジ６ａ〜６を不要とした理想的な電磁シールド扉の透過係数を示している。特性線ＩＩは、実施の形態１の電磁シールド扉１００の透過係数を示している。特性線ＩＩＩは、実施の形態２の電磁シールド扉１０１の透過係数を示している。
【００６５】
周波数ｆｃ及び周波数ｆｃの近傍の周波数において、特性線ＩＩＩの透過係数は特性線ＩＩの透過係数よりも高い値になっている。すなわち、電磁シールド扉１０１は、樹脂製ネジ６ｃにより導体箔３３ｆ，３３ｇに生じた欠損部によって、第３共振構造による電磁波の減衰効果が電磁シールド扉１００よりも低下している。
【００６６】
しかしながら、周波数ｆｄ及び周波数ｆｄの近傍の周波数において、特性線ＩＩＩの透過係数は特性線ＩＩの透過係数よりも低い値になっている。すなわち、電磁シールド扉１０１は、導体箔３３ｈ，３３ｉに生じる欠損部の個数を少なくすることで、第４共振構造による電磁波の減衰効果が電磁シールド扉１００よりも向上している。
【００６７】
以上のように、この実施の形態２の電磁シールド扉１０１は、扉１の厚さ方向に沿って互いに隣設する樹脂製ネジ６ａ，６ｃ間に、少なくとも１つの間隙部３５ｂが設けられている。また、扉１の厚さ方向に沿って互いに隣設する樹脂製ネジ６ｂ，６ｄ間に、少なくとも１つの間隙部３５ｃが設けられている。さらに、間隙部３５ａ〜３５ｄの長手方向に沿う隣設する樹脂製ネジ６ａ，６ｃと樹脂製ネジ６ｂ，６ｄとは、互いに異なる間隙部３５ａ〜３５ｄに設けられている。これにより、樹脂製ネジ６ｃ，６ｄによって生じる欠損部を複数の導体箔３３ｆ〜３３ｈに分散させることで、共振構造体３による周波数ｆｄの電磁波の減衰効果が低下するのを更に抑制することができる。
【００６８】
なお、扉１の厚さ方向（図中Ｙ方向）に沿って配列される樹脂製ネジ６ａ〜６ｄの本数は、２本に限定されるものではない。扉１の肉厚Ｌの値、及び導体パターン３６ａ〜３６ｅの配列数に応じて、何れの本数の樹脂製ネジ６ａ〜６ｄを配列したものとしてもよい。
【００６９】
また、間隙部３５ａ〜３５ｄの長手方向に沿って配列される樹脂製ネジ６ａ〜６ｄの本数は、２本に限定されるものではない。扉１の一辺の長さＷ，Ｈの値に応じて、何れの本数の樹脂製ネジ６ａ〜６ｄを配列したものとしてもよい。
【００７０】
また、導体面３２と扉１の対向面部との間に、ポリウレタンフォームなどの弾力性を有する部材に導電布を巻付けたソフトガスケットを介在させたものとしてもよい。これにより、導体面３２の扉１に対するインピーダンスを低くすることができる。
【００７１】
また、樹脂製ネジ６ａ〜６ｄの材料は、ガラスエポキシなどの強固な材料を用いるのが好ましい。
【００７２】
また、共振構造体３は、扉１の対向面部に代えて、扉枠２の対向面部に設けたものとしてもよい。また、共振構造体３は、扉１の対向面部と、扉枠２の対向面部との両方に各々設けたものとしてもよい。
【００７３】
また、図３及び図４に示す樹脂製ネジ４ａ〜４ｄの配置と、図１０及び図１１に示す樹脂製ネジ６ａ〜６ｄの配置とを組み合わせたものとしてもよい。
【００７４】
実施の形態３．
図１３〜図１６を参照して、導体パターン及び間隙部の幅が実施の形態１と異なる電磁シールド扉について説明する。なお、図１〜図４に示す実施の形態１の電磁シールド扉１００と同様の構成部材には同一符号を付して説明を省略する。
【００７５】
図１５及び図１６に示す如く、扉１の厚さ方向（図中Ｙ方向）に沿う導体箔３３ｂ，３３ｃの幅をＬｅ、導体箔３３ｄ，３３ｅの幅をＬｆ、導体箔３３ｆ，３３ｇの幅をＬｇ、導体箔３３ｈ，３３ｉの幅をＬｈとして表す。また、扉１の厚さ方向に沿う間隙部３５ａの幅をＳｅ、間隙部３５ｂの幅をＳｆ、間隙部３５ｃの幅をＳｇ、間隙部３５ｄの幅をＳｈとして表す。
【００７６】
ここで、２Ｌｅ＋Ｓｅ＞２Ｌｆ＋Ｓｆ＞２Ｌｇ＋Ｓｇ＞２Ｌｈ＋Ｓｈであり、かつＳｅ＞Ｓｆ、Ｓｅ＞Ｓｇ、Ｓｈ＞Ｓｆ、Ｓｈ＞Ｓｇである。間隙部３５ａの幅Ｓｅは、樹脂製ネジ４ａ，４ｂの頂部の直径ｄ２よりも広い幅に形成されている。間隙部３５ｄの幅Ｓｈは、樹脂製ネジ４ｃ，４ｄの頂部の直径ｄ２よりも広い幅に形成されている。このようにして、共振構造体３ａが構成されている。
【００７７】
このように構成された電磁シールド扉１０２は、以下のように実施の形態１の電磁シールド扉１００と同様に動作する。
すなわち、扉１と扉枠２間の間隙を図中Ｙ方向に沿って伝搬する電磁波のうち、誘電体基板３１内での波長が幅Ｌｅ〜Ｌｆの４倍の長さと同等の波長となる周波数の電磁波は、共振構造体３ａにより減衰する。これにより、扉１を閉じた状態で、扉１と扉枠２間の間隙を伝搬する電磁波の漏洩及び浸入を防ぐことができる。
【００７８】
このとき、間隙部３５ａの幅Ｓｅを樹脂製ネジ４ａ，４ｂの頂部の直径ｄ２よりも広い幅に形成したことにより、導体箔３３ｂ，３３ｃに欠損部が生じるのを防いでいる。また、間隙部３５ｄの幅Ｓｈを樹脂製ネジ４ｃ，４ｄの頂部の直径ｄ２よりも広い幅に形成したことにより、導体箔３３ｈ，３３ｉに欠損部が生じるのを防いでいる。この結果、共振構造体３ａによる電磁波の減衰効果が低下するのを防ぐことができる。
【００７９】
また、樹脂製ネジ４ａ，４ｃ間の間隔と、樹脂製ネジ４ｂ，４ｄ間の間隔とを広げることで、共振構造体３ａを扉１に対してより低いインピーダンスで取り付けることができるようになる。
【００８０】
以上のように、この実施の形態３の電磁シールド扉１０２は、間隙部３５ａの幅Ｓｅを樹脂製ネジ４ａ，４ｂの頂部の直径ｄ２よりも広い幅に形成している。また、間隙部３５ｄの幅Ｓｈを樹脂製ネジ４ｃ，４ｄの頂部の直径ｄ２よりも広い幅に形成している。これにより、導体箔３３ｂ，３３ｃ，３３ｈ，３３ｉに欠損部が生じるのを防ぐことで、共振構造体３ａによる電磁波の減衰効果が低下するのを防ぐことができる。
【００８１】
なお、扉１の厚さ方向（図中Ｙ方向）に沿って配列される樹脂製ネジ４ａ〜４ｄの本数は、２本に限定されるものではない。扉１の肉厚Ｌの値、及び導体パターン３６ａ〜３６ｅの配列数に応じて、何れの本数の樹脂製ネジ４ａ〜４ｄを配列したものとしてもよい。
【００８２】
また、間隙部３５ａ〜３５ｄの長手方向に沿って配列される樹脂製ネジ４ａ〜４ｄの本数は、２本に限定されるものではない。扉１の一辺の長さＷ，Ｈの値に応じて、何れの本数の樹脂製ネジ４ａ〜４ｄを配列したものとしてもよい。
【００８３】
また、導体面３２と扉１の対向面部との間に、ポリウレタンフォームなどの弾力性を有する部材に導電布を巻付けたソフトガスケットを介在させたものとしてもよい。これにより、導体面３２の扉１に対するインピーダンスを更に低くすることができる。
【００８４】
また、樹脂製ネジ４ａ〜４ｄの材料は、ガラスエポキシなどの強固な材料を用いるのが好ましい。
【００８５】
また、共振構造体３ａは、扉１の対向面部に代えて、扉枠２の対向面部に設けたものとしてもよい。また、共振構造体３ａは、扉１の対向面部と、扉枠２の対向面部との両方に各々設けたものとしてもよい。
【００８６】
実施の形態４．
図１７〜図２０を参照して、金属製のネジを用いた電磁シールド扉について説明する。なお、図１〜図４に示す実施の形態１の電磁シールド扉１００と同様の構成部材には同一符号を付して説明を省略する。
【００８７】
図１９及び図２０に示す如く、複数の貫通スルーホール３４ｂのうち一部の貫通スルーホール３４ｂに代えて、所定幅ｈ２の間隔を設けて複数の金属製ネジ７ａ，７ｂが配列されている。すなわち、導体パターン３６ｂの長手方向に沿う隣設する一部の貫通スルーホール３４ｂ間に、金属製ネジ７ａ，７ｂが設けられている。金属製ネジ７ａ，７ｂは、導体パターン３６ｂ、誘電体基板３１及び導体面３２を貫通して、先端部が扉１の対向面部に埋設している。
【００８８】
金属製ネジ７ａ，７ｂの螺子部の直径ｄ３は、導体パターン３６ｂの幅Ｌａ＋Ｌｂよりも小さくなっている。頂部の直径ｄ４も、導体パターン３６ｂの幅Ｌａ＋Ｌｂよりも小さくなっている。これにより、導体パターン３６ａ，３６ｂが金属製ネジ７ａ，７ｂによって電気的に接続されるのを防いでいる。また、導体パターン３６ｂ，３６ｃが電気的に接続されるのを防いでいる。
【００８９】
複数の貫通スルーホール３４ｄのうち一部の貫通スルーホール３４ｄに代えて、所定幅ｈ２の間隔を設けて複数の金属製ネジ７ｃ，７ｄが配列されている。すなわち、導体パターン３６ｄの長手方向に沿う隣設する一部の貫通スルーホール３４ｄ間に、金属製ネジ７ｃ，７ｄが設けられている。金属製ネジ７ｃ，７ｄは、導体パターン３６ｄ、誘電体基板３１及び導体面３２を貫通して、先端部が扉１の対向面部に埋設している。
【００９０】
金属製ネジ７ｃ，７ｄの螺子部の直径ｄ３は、導体パターン３６ｄの幅Ｌｃ＋Ｌｄよりも小さくなっている。頂部の直径ｄ４も、導体パターン３６ｄの幅Ｌｃ＋Ｌｄよりも小さくなっている。これにより、導体パターン３６ｃ，３６ｄが金属製ネジ７ｃ，７ｄによって電気的に接続されるのを防いでいる。また、導体パターン３６ｄ，３６ｅが電気的に接続されるのを防いでいる。
【００９１】
このように構成された電磁シールド扉１０３は、以下のように実施の形態１の電磁シールド扉１００と同様に動作する。
すなわち、扉１と扉枠２間の間隙を図中Ｙ方向に沿って伝搬する電磁波のうち、周波数ｆａ〜ｆｄ及び周波数ｆａ〜ｆｄの近傍の周波数の電磁波は、共振構造体３により減衰する。この結果、扉１と扉枠２間の間隙を伝搬する電磁波の漏洩及び浸入を防ぐことができる。
【００９２】
このとき、金属製ネジ７ａ〜７ｄを用いることで、樹脂製ネジを用いたものよりも、導体パターンの欠損部が減衰効果に与える影響が小さくなる。これにより、樹脂製ネジを用いた電磁シールド扉よりも、共振構造体３による電磁波の減衰効果が低下するのを抑制することがきる。
【００９３】
次に、図２１を参照して、電磁シールド扉１０３の効果について説明する。
図２１の横軸は、電磁波の周波数の値［Ｈｚ］を示している。縦軸は、透過係数の値［ｄＢ］を示している。特性線Ｉは、金属製ネジ７ａ〜７ｄを不要とした理想的な電磁シールド扉の透過係数を示している。特性線ＩＩは、実施の形態４の電磁シールド扉１０３の透過係数を示している。特性線ＩＩＩは、図５及び図６に示す樹脂製ネジ５ａ〜５ｄを用いた一般的な電磁シールド扉の透過係数を示している。
【００９４】
周波数ｆａ，ｆｂ及び周波数ｆａ，ｆｂの近傍の周波数において、特性線ＩＩの透過係数は特性線Ｉの透過係数よりも高い値になっている。すなわち、実施の形態４の電磁シールド扉１０３は、理想的な電磁シールド扉よりも、第１共振構造体及び第２共振構造体による電磁波の減衰効果が低下している。これは、金属製ネジ７ａ，７ｂの螺子部の直径ｄ３が貫通スルーホール３４ｂの直径ｄ５よりも大きいことによるものである。また、金属製ネジ７ａ，７ｂによって導体箔３３ｃ，３３ｄに生じた欠損部によるものである。
【００９５】
また、周波数ｆｃ，ｆｄ及び周波数ｆｃ，ｆｄの近傍の周波数において、特性線ＩＩの透過係数は特性線Ｉの透過係数よりも高い値になっている。すなわち、実施の形態４の電磁シールド扉１０３は、理想的な電磁シールド扉よりも、第３共振構造体及び第４共振構造体による電磁波の減衰効果が低下している。これは、金属製ネジ７ｃ，７ｄの螺子部の直径ｄ３が貫通スルーホール３４ｄの直径ｄ５よりも大きいことによるものである。また、金属製ネジ７ｃ，７ｄによって導体箔３３ｇ，３３ｈに生じた欠損部によるものである。
【００９６】
しかしながら、周波数ｆａ，ｆｄ及び周波数ｆａ，ｆｄの近傍の周波数において、特性線ＩＩの透過係数は特性線ＩＩＩの透過係数よりも低い値になっている。すなわち、金属製ネジ７ａ〜７ｄを用いた電磁シールド扉１０３は、樹脂製ネジ５ａ〜５ｄを用いた一般的な電磁シールド扉よりも、第１共振構造体及び第４共振構造体による電磁波の減衰効果の低下が抑制されている。
【００９７】
以上のように、この実施の形態４の電磁シールド扉１０３は、一部の貫通スルーホール３４ｂに代えて金属製ネジ７ａ，７ｂを設けている。また、一部の貫通スルーホール３４ｄに代えて金属製ネジ７ｃ，７ｄを設けている。これにより、樹脂製ネジ５ａ〜５ｄを用いた一般的な電磁シールド扉よりも広い周波数帯域に亘って、共振構造体３による電磁波の減衰効果が低下するのを抑制することができる。
【００９８】
なお、金属製ネジ７ａ〜７ｄの螺子部の直径ｄ３は、一般に貫通スルーホール３４ａ〜３４ｅの直径ｄ５よりも大きくなっている。したがって、螺子部の直径ｄ３がより小さい金属製ネジ７ａ〜７ｄを用いるのが好ましい。これにより、金属製ネジ７ａ〜７ｄが電磁波の減衰効果に与える影響を更に小さくすることができる。
【００９９】
また、扉１の厚さ方向（図中Ｙ方向）に沿って配列される金属製ネジ７ａ〜７ｄの本数は、２本に限定されるものではない。扉１の肉厚Ｌの値、及び導体パターン３６ａ〜３６ｅの配列数に応じて、何れの本数の金属製ネジ７ａ〜７ｄを配列したものとしてもよい。
【０１００】
また、導体パターン３６ａ〜３６ｅの長手方向に沿って配列される金属製ネジ７ａ〜７ｄの本数は、２本に限定されるものではない。扉１の一辺の長さＷ，Ｈの値に応じて、何れの本数の金属製ネジ７ａ〜７ｄを配列したものとしてもよい。
【０１０１】
また、導体面３２と扉１の対向面部との間に、ポリウレタンフォームなどの弾力性を有する部材に導電布を巻付けたソフトガスケットを介在させたものとしてもよい。これにより、導体面３２の扉１に対するインピーダンスを更に低くすることができる。
【０１０２】
また、共振構造体３は、扉１の対向面部に代えて、扉枠２の対向面部に設けたものとしてもよい。また、共振構造体３は、扉１の対向面部と、扉枠２の対向面部との両方に各々設けたものとしてもよい。
【０１０３】
また、実施の形態１〜３に示した樹脂製ネジ４ａ〜４ｄ，６ａ〜６ｄと、実施の形態４に示した金属製ネジ７ａ〜７ｄとを組み合わせて用いたものとしてもよい。
【０１０４】
実施の形態５．
図２２〜図２５を参照して、金属製ネジの配置が実施の形態４と異なる電磁シールド扉について説明する。なお、図１７〜図２０に示す実施の形態４の電磁シールド扉１０３と同様の構成部材には同一符号を付して説明を省略する。
【０１０５】
図２４及び図２５に示す如く、一部の貫通スルーホール３４ａに代えて、金属製ネジ８ａが設けられている。金属製ネジ８ａは、導体パターン３６ａ、誘電体基板３１及び導体面３２を貫通して、先端部が扉１の対向面部に埋設している。
【０１０６】
一部の貫通スルーホール３４ｂに代えて、金属製ネジ８ｂが設けられている。金属製ネジ８ｂは、導体パターン３６ｂ、誘電体基板３１及び導体面３２を貫通して、先端部が扉１の対向面部に埋設している。
【０１０７】
一部の貫通スルーホール３４ｄに代えて、金属製ネジ８ｃが設けられている。金属製ネジ８ｃは、導体パターン３６ｄ、誘電体基板３１及び導体面３２を貫通して、先端部が扉１の対向面部に埋設している。
【０１０８】
一部の貫通スルーホール３４ｅに代えて、金属製ネジ８ｄが設けられている。金属製ネジ８ｄは、導体パターン３６ｅ、誘電体基板３１及び導体面３２を貫通して、先端部が扉１の対向面部に埋設している。
【０１０９】
ここで、扉１の厚さ方向（図中Ｙ方向）に沿って互いに隣設する金属製ネジ８ａ，８ｃ間には、少なくとも２つの導体パターン３６ｂ，３６ｃが設けられている。また、扉１の厚さ方向に沿って互いに隣設する金属製ネジ８ｂ，８ｄ間には、少なくとも２つの導体パターン３６ｃ，３６ｄが設けられている。
【０１１０】
また、導体パターン３６ａ〜３６ｅの長手方向に沿う隣設する金属製ネジ８ａ，８ｃと金属製ネジ８ｂ，８ｄとは、互いに異なる導体パターン３６ａ〜３６ｅに設けられている。
【０１１１】
このように構成された電磁シールド扉１０４は、以下のように実施の形態４の電磁シールド扉１０３と同様に動作する。
すなわち、扉１と扉枠２間の間隙を図中Ｙ方向に沿って伝搬する電磁波のうち、周波数ｆａ〜ｆｄ及び周波数ｆａ〜ｆｄの近傍の周波数の電磁波は、共振構造体３により減衰する。これにより、扉１を閉じた状態で、扉１と扉枠２間の間隙を伝搬する電磁波の漏洩及び浸入を防ぐことができる。
【０１１２】
このとき、金属製ネジ８ａ〜８ｄを図２５に示す如く配置したことで、金属製ネジ８ａ〜８ｄによる欠損部が複数の導体箔３３ａ〜３３ｄ，３３ｇ〜３３ｊに分散して生じる。これにより、実施の形態４の電磁シールド扉１０３よりも更に広い周波数帯域に亘って、共振構造体３による電磁波の減衰効果が低下するのを抑制することができる。
【０１１３】
なお、扉１の厚さ方向（図中Ｙ方向）に沿って配列される金属製ネジ８ａ〜８ｄの本数は、２本に限定されるものではない。扉１の肉厚Ｌの値、及び導体パターン３６ａ〜３６ｅの配列数に応じて、何れの本数の金属製ネジ８ａ〜８ｄを配列したものとしてもよい。
【０１１４】
また、導体パターン３６ａ〜３６ｅの長手方向に沿って配列される金属製ネジ８ａ〜８ｄの本数は、２本に限定されるものではない。扉１の一辺の長さＷ，Ｈの値に応じて、何れの本数の金属製ネジ８ａ〜８ｄを配列したものとしてもよい。
【０１１５】
また、導体面３２と扉１の対向面部との間に、ポリウレタンフォームなどの弾力性を有する部材に導電布を巻付けたソフトガスケットを介在させたものとしてもよい。これにより、導体面３２の扉１に対するインピーダンスを低くすることができる。
【０１１６】
また、共振構造体３は、扉１の対向面部に代えて、扉枠２の対向面部に設けたものとしてもよい。また、共振構造体３は、扉１の対向面部と、扉枠２の対向面部との両方に各々設けたものとしてもよい。
【０１１７】
また、図１９及び図２０に示す金属製ネジ７ａ〜７ｄの配置と、図２４及び図２５に示す金属製ネジ８ａ〜８ｄの配置とを組み合わせたものとしてもよい。
【０１１８】
なお、本願発明はその発明の範囲内において、各実施の形態の自由な組み合わせ、あるいは各実施の形態の任意の構成要素の変形、もしくは各実施の形態において任意の構成要素の省略が可能である。
【符号の説明】
【０１１９】
１  扉、２  扉枠、３，３ａ  共振構造体、１１  ヒンジ、１２  開閉レバー、３１  誘電体基板、３２  導体面（導体部材）、３３ａ，３３ｂ，３３ｃ，３３ｄ，３３ｅ，３３ｆ，３３ｇ，３３ｈ，３３ｉ，３３ｊ  導体箔、３４ａ，３４ｂ，３４ｃ，３４ｄ，３４ｅ  貫通スルーホール（接続導体）、３５ａ，３５ｂ，３５ｃ，３５ｄ  間隙部、３６ａ，３６ｂ，３６ｃ，３６ｄ，３６ｅ  導体パターン、４ａ，４ｂ，４ｃ，４ｄ  樹脂製ネジ、５ａ，５ｂ，５ｃ，５ｄ  樹脂製ネジ、６ａ，６ｂ，６ｃ，６ｄ  樹脂製ネジ、７ａ，７ｂ，７ｃ，７ｄ  金属製ネジ、８ａ，８ｂ，８ｃ，８ｄ  金属製ネジ、１００，１０１，１０２，１０３，１０４  電磁シールド扉。
【図１】
2015220432.tif 000003
【図２】
2015220432.tif 000004
【図３】
2015220432.tif 000005
【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
2015220432.tif 000015
【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
2015220432.tif 000019
【図１８】
2015220432.tif 000020
【図１９】
2015220432.tif 000021
【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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【図２５】
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