(57)【要約】      （修正有）【課題】ミリメートル波範囲の波長を有する電磁波をそれぞれ伝送するために構成されたマイクロストリップ線路と誘電体共振器の損失の少ない結合を得る。【解決手段】プリント基板１０上に、結合箇所間で中断された第１のマイクロストリップ線路２−１、２−２を備え、伝送された電磁波を誘電共振器４に入力するために構成された第１の結合個所を有し、また、誘電共振器４から出力するために構成された第２の結合個所を有し、結合箇所間に第２のマイクロストリップ線路３を備えることで、特性を改善する線路ブリッジ１および製造する。【選択図】図１
2015043568.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ミリメートル波範囲の波長を有する電磁波をそれぞれ伝送するために構成された２つのマイクロストリップ線路（２−１，２−２，３）のための線路ブリッジ（１）において、
誘電共振器（４）を有しており、
第１の前記マイクロストリップ線路（２−１，２−２）内にガイドされる、伝送ガイドされた第１の電磁波を前記誘電共振器（４）に入力するために構成された第１の結合個所（５）を有しており、
前記誘電共振器（４）に入力された前記第１の電磁波を前記誘電共振器（４）から前記第１のマイクロストリップ線路（２−１，２−２）に出力するために構成された第２の結合個所（６）を有している、
２つのマイクロストリップ線路のための線路ブリッジ。
【請求項２】
前記第１のマイクロストリップ線路（２−１，２−２）が前記結合個所の間で中断されており、
前記第２のマイクロストリップ線路が、前記２つの結合個所の間で前記誘電共振器（４）の下に延在している、
ことを特徴とする、請求項１に記載の線路ブリッジ。
【請求項３】
前記誘電共振器（４）がプラスチックより形成されていることを特徴とする、請求項１および２のいずれか１項に記載の線路ブリッジ。
【請求項４】
前記誘電共振器（４）が少なくとも部分的に金属（７）で被覆されていることを特徴とする、請求項１から３のいずれか１項に記載の線路ブリッジ。
【請求項５】
前記誘電共振器（４）がはんだパッド（８，９）を有しており、これらのはんだパッド（８，９）がプリント基板（１０）上にはんだ付け可能であり、前記誘電共振器（４）を前記プリント基板（１０）に固定するために構成されていることを特徴とする、請求項１から４のいずれか１項に記載の線路ブリッジ。
【請求項６】
前記はんだパッド（８，９）が前記金属（７）と電気結合されていることを特徴とする、請求項４および５に記載の線路ブリッジ。
【請求項７】
前記誘電共振器（４）が、直方体状またはサイコロ状または円柱状の形を有していることを特徴とする、請求項１から６のいずれか１項に記載の線路ブリッジ。
【請求項８】
前記第１の結合個所（５）および／または第２の結合個所（６）が、前記共振器（４）に向かって、第１のマイクロストリップ線路（２−１，２−２）の幅から所定の幅、特に前記誘電共振器（４）の幅まで広がっていることを特徴とする、請求項１から７のいずれか１項に記載の線路ブリッジ。
【請求項９】
ミリメートル波範囲の波長を有する電磁波をそれぞれ伝送するために構成された２つのマイクロストリップ線路（２−１，２−２，３）のための、請求項１から８のいずれか１項に記載の線路ブリッジ（１）を製造するための方法において、
第１の前記マイクロストリップ線路（２−１，２−２）内にガイドされる、伝送ガイドされた第１の電磁波を前記誘電共振器（４）に入力する第１の結合個所（５）を、前記第１のマイクロストリップ線路（２−１，２−２）内に配置するステップ（Ｓ１）を有しており、
第２の結合個所（６）を前記第１のマイクロストリップ線路（２−１，２−２）において前記第１の結合個所（５）に向き合って配置するステップ（Ｓ２）を有していて、この際に、前記第２の結合個所（６）が、前記誘電共振器（４）に入力された電磁波を前記誘電共振器（４）から前記第１のマイクロストリップ線路（２−１，２−２）に出力するようになっており、
前記誘電共振器（４）を、前記第１の結合個所（５）および前記第２の結合個所（６）上に配置するステップ（Ｓ３）を有している、
線路ブリッジを製造するための方法。
【請求項１０】
その他のステップとして、
前記第１のマイクロストリップ線路（２−１，２−２）を前記結合個所の間で中断するステップ（Ｓ４）と、
前記第２のマイクロストリップ線路（３）を前記２つの結合個所（５，６）の間で前記誘電共振器（４）の下に配置するステップ（Ｓ５）と、
を有している、請求項９に記載の方法。
【請求項１１】
前記誘電共振器（４）を、プラスチックより、直方体状またはサイコロ状または円柱状の形状に成形するステップ（Ｓ６）、および／または前記誘電共振器（４）を少なくとも部分的に金属（７）で被覆するステップ（Ｓ７）を有している、請求項９および１０のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１２】
はんだパッド（８，９）を前記誘電共振器（４）に配置するステップ（Ｓ８）を有しており、この際に、前記誘電共振器（４）を配置するステップ（Ｓ３）において、前記誘電共振器（４）を、前記マイクロストリップ線路（２−１，２−２，３）および前記結合個所（５，６）が配置されているプリント基板（１０）上に、前記はんだパッド（８，９）を前記プリント基板（１０）にはんだ付けすることによって固定する、請求項９から１１のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１３】
前記第１の結合個所（５）および／または前記第２の結合個所（６）を、前記共振器（４）に向かう方向で、前記第１のマイクロストリップ線路（２−１，２−２）の幅から所定の幅になるまで成形するステップ（Ｓ９）を有していて、前記所定の幅が特に前記誘電共振器（４）の幅に相当する、請求項９から１２のいずれか１項に記載の方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ミリメートル波範囲の波長を有する電磁波をそれぞれ伝送するために構成された２つのマイクロストリップ線路のための線路ブリッジに関する。また本発明は、本発明による線路ブリッジを製造するための方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
最近の電子的な使用において、特にデジタル回路のクロック周波数並びにアナログ信号の周波数が益々用いられている。
【０００３】
この場合、処理された信号の波長は、ミリメートル範囲内およびそれ未満に達する。
【０００４】
波長がミリメートル範囲内にある高周波数の信号のガイドおよび分配は、工業的な使用において一般的な形式で、従来のプリント基板技術によって行われる。従来のプリント基板技術においては、適合されたマイクロストリップ線路により約１００ＧＨｚの周波数を許容する特殊な高周波基板材料が使用される。
【０００５】
特許文献１には、マイクロストリップ線路の１例が記載されている。
【０００６】
この特殊な高周波基板材料は、もちろん非常に高価であって、処理が困難である。従って大抵は、１つの薄膜若しくは１つの層だけが、この高周波基板材料より成るプリント基板において、高周波信号を分配するための、プリント基板スタックの一方側に配置される。
【０００７】
しかしながら、プリント基板スタックの個別の層、若しくは高周波信号を分配するための個別の信号面に限定されることによって、高周波信号網の草案およびルーチングの際の設計自由度が制限される。何故ならば、個別の薄膜上に、異なる信号線路の交差部を配置することはできないからである。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００８】
【特許文献１】米国特許第２０１３／０２１１１８号明細書
【発明の概要】
【０００９】
本発明は、請求項１の特徴を有する線路ブリッジおよび、請求項９の特徴を有する方法を開示する。
【００１０】
本発明によれば、ミリメートル波範囲の波長を有する電磁波をそれぞれ伝送するために構成された２つのマイクロストリップ線路のための線路ブリッジにおいて、誘電共振器を有しており、第１の前記マイクロストリップ線路内にガイドされる、伝送ガイドされた電磁波を前記誘電共振器に入力するために構成された第１の結合個所を有しており、誘電共振器に入力された電磁波を第１のマイクロストリップ線路に出力するために構成された第２の結合個所を有している。
【００１１】
さらに、ミリメートル波範囲の波長を有する電磁波をそれぞれ伝送するために構成された２つのマイクロストリップ線路のための、本発明による線路ブリッジを製造するための方法が提供されており、この方法は、第１の前記マイクロストリップ線路内にガイドされる、伝送ガイドされた電磁波を誘電共振器に入力する第１の結合個所を第１のマイクロストリップ線路内に配置するステップを有しており、第２の結合個所を前記第１のマイクロストリップ線路において前記第１の結合個所に向き合って配置するステップを有していて、この際に、前記第２の結合個所が、前記誘電共振器に入力された電磁波を前記第１のマイクロストリップ線路に出力し、誘電共振器を、第１の結合個所および第２の結合個所上に配置するステップを有している。
【発明の効果】
【００１２】
本発明の根底を成す認識は、高周波信号を分配するためのプリント基板スタックに個別の層を使用することは、開発の設計自由度を著しく制限する、という点にある。
【００１３】
本発明の根底を成す考え方は、以上のような認識を考慮して、プリント基板スタックの上記の層上において高周波信号線路の交差を可能にするような可能性を提供する、という点にある。
【００１４】
このために本発明によれば、第１のマイクロストリップ線路のために第２のマイクロストリップ線路のブリッジを可能にする、マイクロストリップ線路のための線路ブリッジが提供される。
【００１５】
このために、第１のマイクロストリップ線路が２つの結合個所を有しており、これら２つの結合個所上に、誘電共振器が配置されている。
【００１６】
この場合、第１の結合個所は、第１のマイクロストリップ線路内でガイドされる電磁波を誘電共振器に入力するために用いられる。
【００１７】
第２の結合個所は、誘電共振器内に入力された電磁波を誘電共振器から第１のマイクロストリップ線路に出力するために用いられる。
【００１８】
この場合、第１および第２の結合個所の機能は、２つの結合個所のうちの一方の信号方向に応じて構成されている。
【００１９】
本発明は、マイクロメートル波範囲内の波長を有する信号をガイドする信号線路と交差させることができ、このためにプリント基板上に追加的な高周波層若しくは追加的な高周波薄膜を設ける必要はない。
【００２０】
特に本発明によれば、２つのマイクロストリップ線路が交差される際に、２つのマイクロストリップ線路上の信号は非常に僅かな妨害を受けるだけである。
【００２１】
好適な実施形態および実施態様は、従属請求項、並びに図面に関する説明に記載されている。
【００２２】
１実施形態によれば、第１のマイクロストリップ線路が結合個所の間で中断されている。さらに、第２のマイクロストリップ線路が、２つの結合個所の間で誘電共振器の下に延在している。
【００２３】
１実施形態によれば、誘電共振器がプラスチックより形成されている。これによって、誘電共振器の非常に簡単かつ安価な製造が可能である。
【００２４】
１実施形態によれば、誘電共振器の寸法は、使用された電気共振器モード、並びに誘電共振器のために使用された材料の誘電率に基づいて算出されるか若しくは決定される。これによって、誘電共振器を様々な周波数範囲に適合させることができ、様々な使用に用いることができる。
【００２５】
１実施形態によれば、誘電共振器は、少なくとも部分的に金属で被覆されている。これによって、必要な共振器体積を制限することができ、誘電共振器に入力された信号の、自由空間への放射を制限することができる。
【００２６】
１実施形態によれば、誘電共振器ははんだパッドを有しており、これらのはんだパッドは、プリント基板上にはんだ付け可能であり、誘電共振器をプリント基板上に固定するために構成されている。
【００２７】
１実施形態によれば、はんだパッドは金属と電気結合されている。これによって、誘電共振器を被覆する金属を、プリント基板の高周波アースに結合することができる。
【００２８】
１実施形態によれば、誘電共振器が、直方体状またはサイコロ状または円柱状の形を有している。これによって、誘電共振器を様々な使用および環境条件に適合させることができる。
【００２９】
１実施形態によれば、第１の結合個所および／または第２の結合個所が、共振器に向かって、第１のマイクロストリップ線路の幅から所定の幅、特に誘電共振器の幅まで広がっている。マイクロストリップ線路を誘電共振器に向かって拡開させることによって、突然のインピーダンスジャンプが避けられ、誘電共振器との結合が改善され、ひいては著しく僅かな挿入減衰が得られ、線路ブリッジの帯域幅が改善される。
【００３０】
上記構成および実施態様は、有意義であれば、互いに任意に組み合わせることができる。本発明のその他の可能な構成、実施態様および実現は、前もって明確に挙げられていない組合せ、または実施例に関連して以下に記載された本発明の特徴を有している。特にこの場合、当業者は、個別の態様を、本発明のそれぞれの基本構造に改良または補足として付け加えてもよい。
【図面の簡単な説明】
【００３１】
【図１】本発明による線路ブリッジの実施形態を示す斜視図である。
【図２】本発明による線路ブリッジの実施形態を示す別の斜視図である。
【図３】本発明による線路ブリッジの実施形態を示す別の斜視図である。
【図４】本発明による線路ブリッジの実施形態の２つのマイクロストリップ線路間の混線若しくは信号減衰を示す線図である。
【図５】本発明による方法の実施形態のフローチャートである。
【図６】本発明による方法の別の実施形態のフローチャートである。
【発明を実施するための形態】
【００３２】
本発明を以下に、図面の概略図に示した実施例を用いて詳しく説明する。
【００３３】
全ての図面において、同じ若しくは機能的に同じ要素および装置は、何も記載がなければ、同じ符号で示されている。
【００３４】
マイクロストリップ線路とは、本特許出願の枠内において、ミリメートル波範囲の波長を有する信号を導くために適したプリント基板のことである。特にマイクロストリップ線路は、減衰ができるだけ小さい信号を伝送するために構成されている。
【００３５】
本特許出願の枠内において、誘電共振器とは、誘電材料より成り、この誘電材料内で入力された信号によって共振モードが励起され得る構成部分のことである。
【００３６】
本特許出願の結合個所とは、誘電共振器に接してまたは誘電共振器の下に配置され、誘電共振器に信号を入力することができる第１のマイクロストリップ線路の領域のことである。このために、結合個所は、特に第１のマイクロストリップ線路と同じ材料より構成されている。
【００３７】
金属による部分的な被覆とは、本特許出願の枠内において、誘電共振器の少なくとも１つの側または面が被覆されている、ということである。特に誘電共振器は、電磁波を放射することがないように被覆されている。
【００３８】
結合個所の拡開とは、例えば結合個所が漏斗状に広げられる、という意味である。拡開のその他の幾何学的変化例も同様に可能である。
【００３９】
本特許出願の枠内において、プリント基板の概念は、個別層若しくは個別薄膜を有するプリント基板のことだけではない。むしろ、本特許出願の枠内において、プリント基板とは、多層のプリント基板であってもよい。図面には、１つのプリント基板が示されているか、または図面には１つのプリント基板が挙げられているが、このプリント基板は、様々な実施形態において、単にプリント基板スタックの１つの層若しくは薄膜として構成されていてもよい。
【００４０】
図１は、本発明による線路ブリッジ１の１実施形態を示す。
線路ブリッジ１は、第１のマイクロストリップ線路２−１，２−２を有しており、これらの第１のマイクロストリップ線路は、プリント基板１０を横断して延在している。線路ブリッジ１はさらに、第２のマイクロストリップ線路３を有しており、この第２のマイクロストリップ線路３は、第１のマイクロストリップ線路２−１，２−２に対して９０°の角度を成して、やはりプリン後基板１０を横断して延在している。プリント基板上で、第１のマイクロストリップ線路２−１，２−２および第２のマイクロストリップ線路３の交点上に誘電共振器４が配置されている。図１では、２つのマイクロストリップ線路２−１，２−２および３の交差個所は見えていない。何故ならば交差個所は誘電共振器４によって隠されているからである。もちろん、第１のマイクロストリップ線路２−１，２−２は、この誘電共振器４の下で中断されているので、第２のマイクロストリップ線路３は、この第１のマイクロストリップ線路２−１，２−２を通過して誘電共振器４の下に延在していてよい。従って、第１のマイクロストリップ線路２−１，２−２は、第１の区分２−１と第２の区分２−２とを有しており、これら第１の区分２−１および第２の区分２−２は、誘電共振器４によって互いに結合される。第１の結合個所５および第２の結合個所６は、図１では別個に示されていない。何故ならば、これら第１の結合個所５および第２の結合個所６は、誘電共振器４の端部の下に位置していて、この誘電共振器４によって隠されているからである。
【００４１】
第１のマイクロストリップ線路２−１，２−２の中断部の可能な構成は、図３で詳しく説明される。
【００４２】
図１の誘電共振器４は、直方体状の誘電共振器４として構成されている。別の実施形態では、誘電共振器４のための別の形状も可能である。例えば誘電共振器４は円柱形状またはサイコロ形状に構成されていてもよい。
【００４３】
誘電共振器の寸法は、使用された電気共振器モード、および誘電共振器のために用いられた材料の誘電率に基づいていて、伝送しようとする信号の周波数に基づいて算出される。
【００４４】
例えば図１の誘電共振器４は、７７ＧＨｚの周波数を有する信号を伝送するために構成されていてよい。さらに、誘電共振器４の材料は相対的な誘電率３を有していてよい。この場合、共振器は、１ｍｍの高さ、２ｍｍの幅および３ｍｍの長さを有していてよい。
【００４５】
第１のマイクロストリップ線路２−１，２−２の第１の区分２−１に、例えば７７ＧＨｚの周波数を有する高周波信号が伝送されると、信号が誘電共振器４の一端部において結合個所５から誘電共振器４に入力され、第２の結合個所６を介して誘電共振器４から第１のマイクロストリップ線路２−１，２−２の第２の区分２−２へ出力され、第２の区分２−２においてさらに伝送される。また、第１のマイクロストリップ線路２−１，２−２における信号が、第２のマイクロストリップ線路３に伝送される第２の信号と、プリント基板１０の同じ薄膜または同じ層上で交差することも可能である。
【００４６】
別の実施態様によれば、誘電共振器４は、伝送しようとする信号の波長に略相当するエッジ長さを有している。
【００４７】
誘電共振器４の体積若しくは寸法を算出するための別の可能な形式は次の通りである。
【００４８】
矩形の共振器４のために、以下の式をベースにして寸法が算出される。
【００４９】
【数１】
2015043568.tif 000003
【００５０】
この式中、ｋｘ，ｋｙおよびｋｚは、ｘ，ｙおよびｚ方向における波数であり、選択されたモードおよび各方向の大きさに基づいている。ｃ０は空間光速度であり、ε＿ｒは材料の相対的な誘電率、ｆは共振周波数である。
【００５１】
寸法は、数値法によっても決定または最適化される。
【００５２】
円柱形／楕円形の共振器４のために、もちろん著しく複雑なパターンを有する分析的な解決策も得られる。任意の形状を有する共振器のためには、設計は数値的に行う必要がある。
【００５３】
図１において誘電共振器４はプラスチックより形成されている。誘電共振器４のための可能な材料は、小さい誘電率を有する基本的に低損失の誘電体である。例えばテフロンおよびＬＣＰ（液晶ポリマー）が可能である。
【００５４】
誘電共振器４によってそれぞれの信号を伝送するために必要な物理的特性を有していれば、その他の材料も同様に可能である。
【００５５】
図２は、本発明による線路ブリッジ１の実施形態の別の図を示す。
【００５６】
図２の線路ブリッジ１は、図１の線路ブリッジ１に略相当するが、図１の実施形態に対して、誘電共振器４が側面および上面に金属７より成る被覆部を有している点で相違している。さらに、誘電共振器４は、各端部にそれぞれ１つのはんだパッド８，９を有している。さらに、誘電共振器４はその下側に、第２のマイクロストリップ線路３上の絶縁部１１を有しており、この絶縁部１１は、誘電共振器４を、第２のマイクロストリップ線路３から電気的に絶縁するために用いられる。
【００５７】
この場合、絶縁部１１は、絶縁材料として構成されていてよい。別の実施形態では、絶縁部１１は、誘電共振器４内の切欠として構成されていてもよい。
【００５８】
はんだパッドは、図２では、誘電共振器の各下角隅に配置されたはんだパッド８，９として示されており、従って第１のマイクロストリップ線路２−１，２−２も、第２のマイクロストリップ線路３も、はんだパッド８，９の一方に電気的に接触することはない。
【００５９】
１実施形態では、はんだパッド８，９は、金属７より成る被覆部と電気的に結合されている。特に、はんだパッド８，９は、金属７より成る被覆部の一部として構成されていてもよい。
【００６０】
はんだパッド８，９は、プリント基板１０上で例えば高周波アースと結合されてもよい。
【００６１】
はんだパッド８，９を誘電共振器４の下角隅に取り付けることは１例に過ぎない。別の実施形態では、はんだパッド８，９は、誘電共振器の別の個所に取り付けられる。
【００６２】
図３は、本発明による線路ブリッジ１の実施形態の別の図を示す。
【００６３】
図３では、図１の２つのマイクロストリップ線路２−１，２−２，３を備えたプリント基板１０が示されている。図１の線路ブリッジとは異なり、図３では誘電共振器４は図示されていない。図３は、特に第１の結合個所５および第２の結合個所６を見やすくするために役立つ。
【００６４】
図３によれば、誘電共振器４の下側において第１のマイクロストリップ線路が所定の幅だけ中断されており、この中断部を通って第２のマイクロストリップ線路３をガイドできるようになっていることが分かる。この中断部に向かって、第１のマイクロストリップ線路２−１，２−２の端部が、誘電共振器の幅に達するまで漏斗状に広げられていて、この中断部によって、第１のマイクロストリップ線路２−１，２−２は、第２のマイクロストリップ線路３に対して所定の間隔を保って延在している。この場合、第２のマイクロストリップ線路３に対する間隔は、第１のマイクロストリップ線路２−１，２−２と第２のマイクロストリップ線路３との間の混線が避けられるか、または所定の閾値を下回るように、選定されている。
【００６５】
図３では、第１のマイクロストリップ線路２−１，２−２の端部は、結合個所５および６に向かってアーチ状に広がっている。別の実施形態では、別の拡開形状、例えば直線的な拡開形状も可能である。
【００６６】
図４は、本発明による線路ブリッジ１の実施形態の２つのマイクロストリップ線路２−１，２−２，３間の混線若しくは信号減衰を示す線図である。
【００６７】
図４には、３つの曲線が示されている。この場合、線図の横座標軸には、ＧＨｚ単位で７２．９３６ＧＨｚ〜８０．５０７ＧＨｚの周波数が示されている。縦座標軸は、散乱パラメータの単位をｄＢで示していて、−０．３４０３ｄＢから−２９．１１８ｄＢまで示されている。
【００６８】
点線で示された曲線は、第１のマイクロストリップ線路２−１，２−２の端部間の散乱パラメータを示す。破線で示された曲線は、第２のマイクロストリップ線路３の端部間の散乱パラメータを示し、実線で示した曲線は、２つのマイクロストリップ線路２−１，２−２および３間の相互結合を示す。
【００６９】
点線で示された曲線は、７２．９３６ＧＨｚで約−７ｄＢから始まり、７７ＧＨｚまでアーチ状に延在して−０．４８２ｄＢの最小減衰に達し、さらに８０．５０７ＧＨｚまでアーチ状に延在し、−１０ｄＢの減衰まで達する。
【００７０】
破線で示された曲線は、７２．９３６ＧＨｚで約−１０．５ｄＢから始まり、７７ＧＨｚまでアーチ状に延在し、ここからさらに、略一様な減衰度で８０．５０７ＧＨｚまで延在する。
【００７１】
２つのマイクロストリップ線路２−１，２−２および３間の相互結合のための曲線は、７２．９３６ＧＨｚで約−２０．５ｄＢから始まり、約７５．５ＧＨｚにおける−２９．１１８ｄＢの最小値まで延在し、次いで８０．５０７ＧＨｚまで再び約−２２．５ｄＢに上昇している。
【００７２】
図４によれば、第１のマイクロストリップ線路２−１，２−２および第２のマイクロストリップ線路３における信号は、０．５ｄＢよりも低い非常に小さい減衰を伴ってのみ２つのマイクロストリップ線路２−１，２−２および３においてガイドされることが、分かる。また、２つのマイクロストリップ線路２−１，２−２および３間の不都合な混線は、約−２５ｄＢの値を有する非常に小さい範囲内でのみ発生することが、分かる。この値は、高周波信号を伝送するために十分に僅かな混線であることを保証する。
【００７３】
図５は、本発明による方法の実施形態のフローチャートを示す。
【００７４】
この方法によれば、第１のステップＳ１において、第１のマイクロストリップ線路２−１，２−２が第１の結合個所５に配置され、この第１の結合個所５が、第１のマイクロストリップ線路２−１，２−２内でガイドされる、伝送ガイドされた電磁波を誘電共振器４に入力する。
【００７５】
第２のステップＳ２において、第１のマイクロストリップ線路２−１，２−２の第２の結合個所６が、第１の結合個所５に向き合って配置され、この際に、第２の結合個所６が、誘電共振器４に入力された電磁波を、誘電共振器４から第１のマイクロストリップ線路２−１，２−２に出力する。
【００７６】
最後に、第３のステップＳ３において、第１の結合個所５および第２の結合個所６上への誘電共振器４の配置が行われる。
【００７７】
図６は、本発明による方法の別の実施形態のフローチャートを示す。
【００７８】
図６の方法は、図５の方法に基づいていて、追加的にステップＳ４−Ｓ９を有している。この場合、これらのステップＳ４，Ｓ５，Ｓ９，Ｓ６，Ｓ７およびＳ８は、ステップＳ２とステップＳ３との間に配置されている。この場合、ステップＳ１〜Ｓ９の与えられた順番は、ヒントとして示されているだけである。これらのステップの別の順番も同様に可能である。
【００７９】
ステップＳ４において、第１のマイクロストリップ線路２−１，２−２は結合個所の間で中断される。この場合、中断部は、例えばエッチングプロセスまたは機械的な処理によって行われる。しかしながら中断部は、プリント基板１０上に導電材料を設けないことによっても得ることができる。
【００８０】
第５のステップＳ５において、第２のマイクロストリップ線路３が、２つの結合個所５および６間で誘電共振器４の下に配置される。
【００８１】
第６のステップＳ６において、プラスチックより成る誘電共振器４は、直方体形状、サイコロ形状状、円柱形状等の形に成形される。
【００８２】
第７のステップＳ７において、誘電共振器４は、少なくとも部分的に金属７により被覆される。
【００８３】
ステップＳ８において、はんだパッド８，９が誘電共振器４に取り付けられ、この際に、配置ステップＳ３において誘電共振器４は、はんだパッド８，９をプリント基板１０上にはんだ付けすることによって、プリント基板１０上に固定される。
【００８４】
第９のステップＳ９において、第１の結合個所５および／または第２の結合個所６は、第１のマイクロストリップ線路２−１，２−２の幅から、共振器４に向かって所定の幅になるまで成形され、この際に、所定の幅は、特に誘電共振器４の幅に相当する。
【００８５】
本発明は、好適な実施例を用いて記載されているが、これらの好適な実施例に限定されるものではなく、多様な形式で変更可能である。特に本発明は、本発明の核心から逸脱することなしに、多種多様な形式で変更または修正することができる。
【符号の説明】
【００８６】
１  線路ブリッジ
２−１，２−２  第１のマイクロストリップ線路
３  第２のマイクロストリップ線路
４  誘電共振器
５  第１の結合個所
６  第２の結合個所
７  金属
８，９  はんだパッド
１０  プリント基板
１１  絶縁部
Ｓ１  第１のステップ
Ｓ２  第２のステップ
Ｓ３  第３のステップ
Ｓ４〜Ｓ９  ステップ
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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