(57)【要約】【課題】端子を大型化させたり、極力複雑化させたりすることなく、接触抵抗を低減させることのできる接点接続構造を提供する。【解決手段】インデント部４が突設された箱部２と、タブ部１２とを有し、インデント部４がタブ部１２の接触面１２ａ上を摺動し、端子挿入完了位置では、インデント部４がタブ部１２に接触する接点接続構造であって、タブ部１２の接触面１２ａ側で、かつ、端子挿入完了位置のインデント部４に対応する位置のメッキ層１３Ｂが、他の位置のメッキ層１３Ａよりも厚く形成されている。【選択図】図３
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
インデント部が突設された第１接点部と、第２接点部とを有し、前記インデント部が前記第２接点部の接触面上を摺動し、端子挿入完了位置では、前記インデント部が前記第２接点部に接触する接点接続構造であって、
前記第２接点部の接触面側で、かつ、端子挿入完了位置の前記インデント部に対応する位置のメッキ層が、他の位置のメッキ層よりも厚く形成されている、
ことを特徴とする接点接続構造。
【請求項２】
請求項１に記載の接点接続構造であって、
前記第２接点部の接触面側で、かつ、端子挿入完了位置の前記インデント部に対応する位置に、凹部が設けられ、
前記凹部を埋めるように前記メッキ層が形成されることにより、前記メッキ層が前記他の位置のメッキ層よりも厚く形成されている、
ことを特徴とする接点接続構造。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は、第１端子と第２端子との間の電気的接続を行う接点接続構造に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
図５および図６には、従来の接点接続構造を適用したメス端子５１とオス端子６１とが示されている（類似技術として特許文献１参照）。
【０００３】
図５および図６に示すように、メス端子５１は、四角形状の箱部５２と、箱部５２に一体に設けられ、箱部５２内に配置された弾性撓み部５３とを有している。
弾性撓み部５３には、箱部５２の底面部５２ａ側に向かって突出するインデント部５４が設けられている。
【０００４】
インデント部５４は、外周面がほぼ球面形状で、中心の頂点が最下方に位置している。
なお、図５および図６では、図示が省略されているが、メス端子５１の外面の全域には、高温環境下での接続信頼性の向上、腐食環境下での耐食性の向上等の観点からメッキ（例えば、錫メッキ）が施され、メッキ層が設けられている。
【０００５】
図５および図６に示すように、オス端子６１は、平板状のタブ部６２を有している。
なお、図５および図６では、図示が省略されているが、オス端子６１の外面の全域には、高温環境下での接続信頼性の向上、腐食環境下での耐食性の向上等の観点からメッキ（例えば、錫メッキ）が施され、メッキ層が設けられている。
【０００６】
上記のようにメッキ（錫メッキ）し、その後にリフロー処理を行うと、次のような構造となる。
銅合金材の母材の外面側にメッキ層（銅／錫合金層、錫メッキ層）が形成されるとともに、メッキ層の外面に酸化膜が形成される。
【０００７】
上記した構成において、図５の位置に位置するオス端子６１のタブ部６２をメス端子５１の箱部５２内へ挿入すると、タブ部６２に押されることによって弾性撓み部５３が撓み、変形することにより、タブ部６２の挿入が許容される。
タブ部６２の挿入過程では、弾性撓み部５３のインデント部５４がタブ部６２の接触面６２ａ上を摺動し、端子挿入完了位置では、図６に示すように、弾性撓み部５３のインデント部５４と、タブ部６２の接触面６２ａとが接触する。
【０００８】
上記のように、インデント部５４がタブ部６２の接触面６２ａ上を摺動すると、弾性撓み部５３の撓み復帰力が接触荷重として作用することにより、図７（ａ），（ｂ）（インデント部５４に形成されたメッキ層、酸化膜の図示は省略されている。）に示すように、インデント部５４に形成された酸化膜が破壊するとともに、タブ部６２に形成されたメッキ層６３が押し込まれることによって酸化膜６４が破壊する。
【０００９】
このように、各酸化膜６４が破壊すると、各酸化膜６４の割れ目からメッキの金属（例えば、錫）が吹き出すことにより、メス端子５１のインデント部５４と、オス端子６１のタブ部６２の接触面６２ａとが電気的に接触する。
そして、インデント部５４とタブ部６２との間を電流が流れることによってメス端子５１とオス端子６１との間が導通する。
【００１０】
なお、酸化膜６４は、錫や銅に較べて電気抵抗が非常に高い。
したがって、接触抵抗の低減を図るためには、酸化膜６４を破壊してメッキ同士の接触面（オーミック点）を多く作る必要がある。
【先行技術文献】
【特許文献】
【００１１】
【特許文献１】特開２００７−２８０８２５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１２】
上記した従来の構造では、図７（ｂ）に示すように、端子挿入完了位置における端子５１，６１同士の接触時にメッキ層６３の押し込み量を増やし、酸化膜６４の破壊を促進するためには、接触部間の接触圧を大きくすることが考えられるが、メッキ層６３が薄く、メッキ層６３の押し込み量が少ないので、各端子５１，６１が大型化したり、複雑化するという問題がある。
【００１３】
この発明は、上記した問題を解決すべくなされたものであり、端子を大型化させたり、極力複雑化させたりすることなく、接触抵抗を低減させることのできる接点接続構造を提供するものである。
【課題を解決するための手段】
【００１４】
この発明の接点接続構造は、インデント部が突設された第１接点部と、第２接点部とを有し、前記インデント部が前記第２接点部の接触面上を摺動し、端子挿入完了位置では、前記インデント部が前記第２接点部に接触する接点接続構造であって、前記第２接点部の接触面側で、かつ、端子挿入完了位置の前記インデント部に対応する位置のメッキ層が、他の位置のメッキ層よりも厚く形成されていることを特徴とする。
【００１５】
この発明の接点接続構造は、上記接点接続構造であって、前記第２接点部の接触面側で、かつ、端子挿入完了位置の前記インデント部に対応する位置に、凹部が設けられ、前記凹部を埋めるように前記メッキ層が形成されることにより、前記メッキ層が前記他の位置のメッキ層よりも厚く形成されていることを特徴とする。
【発明の効果】
【００１６】
この発明の接点接続構造によれば、端子挿入完了位置における第２接点部のインデント部に対応する位置のメッキ層の厚さを厚くすることによって端子挿入完了位置における第２接点部の接触面の硬さを下げることにより、端子挿入完了位置におけるメッキ層の押し込み量が増加し、酸化膜の破壊が起こり易くなる。
このように、酸化膜の破壊が起こり易くなることにより、メッキ同士の接触部を多く確保することができる。
したがって、端子を大型化させたり、極力複雑化させたりすることなく、接触抵抗を低減させることができる。
【図面の簡単な説明】
【００１７】
【図１】この発明の一実施例を示し、接続前のメス端子とオス端子の断面図である。
【図２】この発明の一実施例を示し、接続後のメス端子とオス端子の断面図である。
【図３】この発明の一実施例を示し、要部（接点部）を示す断面図に相当する説明図である。
【図４】この発明の一実施例を示し、メッキ層の変化を示す説明図である。
【図５】従来例を示し、接続前のメス端子とオス端子の断面図である。
【図６】従来例を示し、接続後のメス端子とオス端子の断面図である。
【図７】従来例を示し、メッキ層の変化を示す説明図である。
【発明を実施するための形態】
【００１８】
以下、この発明の一実施例を、図１〜図４を参照して説明する。
【００１９】
図１および図２に示すメス端子１は、メス側コネクタハウジング（図示省略）内の端子収容室に配置（収容）されている。
メス端子１は、所定形状に打ち抜かれた導電性金属（例えば、銅合金）を折り曲げ加工して形成されている。
【００２０】
メス端子１は、図１および図２に示すように、第１接点部である箱部２を有している。
箱部２は、前方（図１の左側）が開口した方形状である。
箱部２内には、箱部２の上面部より折り曲げられた弾性撓み部３が配置されている。
【００２１】
弾性撓み部３には、箱部２の底面部２ａ側に向かって突出するインデント部４が設けられている。
インデント部４は、外周面（箱部２の底面部２ａと対向する面）がほぼ球面形状で、中心の頂点が最下方に位置し、弾性撓み部３の弾性変形によって上方に変移する。
【００２２】
弾性撓み部３と、固定面部である箱部２の底面部２ａとは、間隔を置いて配置されている。
弾性撓み部３と、箱部２の底面部２ａとの間に、オス端子１１が挿入される。
メス端子１の外面には、後述する、導電性金属のメッキ層が形成されている。
【００２３】
オス端子１１は、オス側コネクタハウジング（図示せず）内の端子収容室に配置（収容）されている。
オス端子１１は、所定形状に打ち抜かれた導電性金属（例えば、銅合金）を折り曲げ加工して形成されている。
【００２４】
オス端子１１は、第２接点部であるタブ部１２を有している。
タブ部１２は、フラットな板形状である。
オス端子１１の外面には、後述する、導電性金属のメッキ層１３Ａ，１３Ｂが形成されている。
【００２５】
次に、メス端子１と、オス端子１１のメッキ層について説明する。
【００２６】
メス端子１のメッキ層は、銅合金材の母材の上に形成されている。
【００２７】
オス端子１１は、図３に示すように、タブ部１２の接触面１２ａ側で、かつ、端子挿入完了位置のインデント部４に対応する位置に、凹部１２ｂを設けた銅合金材の母材の上にメッキ層が形成されている。
【００２８】
なお、メッキ（錫メッキ）し、その後にリフロー処理を行うと、銅合金材の母材の外面側にメッキ層（銅／錫合金層、錫メッキ層）が形成されるとともに、メッキ層の外面に酸化膜が形成される。
このリフロー処理により、オス端子１１に形成された凹部１２ｂの回りのメッキ層１３Ａが凹部１２ｂを埋めように移動するため、凹部１２ｂの回りに形成されるメッキ層１３Ａよりも、凹部１２ｂに形成されるメッキ層１３Ｂの方が厚くなる。
【００２９】
メッキ層１３Ｂが厚くなることにより、酸化膜１４の押し込みストロークを確保することができるので、酸化膜１４が破壊され易くなるとともに、端子１，１１同士の導通をとり易くなる。
【００３０】
次に、メス端子１とオス端子１１との接続について説明する。
【００３１】
図１の位置に位置するオス端子１１のタブ部１２をメス端子１の箱部２内へ挿入すると、タブ部１２に押されることによって弾性撓み部３が撓み、変形することにより、タブ部１２の挿入が許容される。
タブ部１２の挿入過程では、弾性撓み部３のインデント部４がタブ部１２の接触面１２ａ上を摺動し、端子挿入完了位置では、図４に示すように、弾性撓み部３のインデント部４と、タブ部１２の接触面１２ａとが接触する。
【００３２】
上記のように、インデント部４がタブ部１２の接触面１２ａ上を摺動すると、弾性撓み部３の撓み復帰力が接触荷重として作用することにより、図４（インデント部４に形成されたメッキ層、酸化膜の図示は省略されている。）に示すように、インデント部４に形成された酸化膜が破壊するとともに、タブ部１２に形成された厚いメッキ層１３Ｂが深く（大きく）押し込まれることによって酸化膜１４が破壊する。
【００３３】
このように、各酸化膜１４が破壊すると、各酸化膜１４の割れ目からメッキの金属（例えば、錫）が吹き出すことにより、メス端子１のインデント部４と、オス端子１１のタブ部１２の接触面１２ａとが電気的に接触する。
そして、インデント部４とタブ部１２との間を電流が流れることによってメス端子１とオス端子１１との間が導通する。
【００３４】
この発明の一実施例によれば、端子挿入完了位置におけるタブ部１２のインデント部４に対応する位置のメッキ層１３Ｂの厚さを厚くすることによって端子挿入完了位置におけるタブ部１２の接触面１２ａの硬さを下げることにより、端子挿入完了位置におけるメッキ層１３Ｂの押し込み量が増加し、酸化膜１４の破壊が起こり易くなる。
このように、酸化膜１４の破壊が起こり易くなることにより、メッキ同士の接触部を多く確保することができる。
したがって、端子１，１１を大型化させたり、極力複雑化させたりすることなく、接触抵抗を低減させることができる。
【００３５】
上記した実施例では、タブ部１２に凹部１２ｂを設ける例で説明したが、凹部１２ｂに代えて貫通孔であっても、同様な効果を得ることができる。
【００３６】
上述した接点接続構造は、第２接点部の接触面側で、かつ、第２接点部の端子挿入完了位置のインデント部に対応する位置のメッキ層が、他の位置のメッキ層よりも厚く形成されている接点接続構造の例でもある。
【符号の説明】
【００３７】
１      メス端子（第１端子）
２      箱部（第１接点部）
２ａ    底面部（固定面部）
３      弾性撓み部
４      インデント部
１１    オス端子（第２端子）
１２    タブ部（第２接点部）
１２ａ  接触面
１２ｂ  凹部
１３Ａ  メッキ層
１３Ｂ  メッキ層
１４    酸化膜
【図１】
2015210869.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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