(57)【要約】【課題】所望の計測位置の電磁界を精度良く測定できるようにする。【解決手段】電磁界の計測位置を特定し、電気光学材料１１を、被測定物２における計測位置と垂直な位置に調整し、被測定物２と電気光学材料１１との距離を計測しながら被測定物２と電気光学材料１１との距離を所定値に調整し、電気光学材料１１位置の調整および電気光学材料１１の距離の調整が完了した後に被測定物２の電磁界の計測を実施する。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
電磁界変化に対応して屈折率が変化する電気光学材料（１１）と、
第１の光源（３１）から出射され前記電気光学材料を通過した光を反射する反射手段（１１ａ）と、
前記反射手段で反射された光を検出する第１の光検出手段（３０）と、
前記反射手段で反射された光に基づいて前記電磁界を計測する電磁界計測手段（Ｓ１１６）と、
被測定物における計測位置を特定する計測位置特定手段（Ｓ１０２）と、
前記電気光学材料を、前記計測位置特定手段により特定された前記被測定物における計測位置と垂直な位置に調整する位置調整手段（Ｓ１０６）と、
前記被測定物と前記電気光学材料との距離を計測しながら前記被測定物と前記電気光学材料との距離を所定値に調整する距離調整手段（Ｓ１１０、Ｓ１１２）と、を備え、
前記電磁界計測手段は、前記位置調整手段による前記電気光学材料の位置の調整および前記距離調整手段による前記電気光学材料の距離の調整が完了した後に前記電磁界の計測を実施することを特徴とする電磁界計測装置。
【請求項２】
前記電気光学材料と一体に設けられ、前記被測定物を撮像する撮像部（１３〜１６）を備え、
前記計測位置特定手段は、前記撮像部を用いて撮像された画像を用いて前記電気光学材料の位置を調整することを特徴とする請求項１に記載の電磁界計測装置。
【請求項３】
前記撮像部は、画像用光ファイバ（１３）を用いて構成されていることを特徴とする請求項２に記載の電磁界計測装置。
【請求項４】
第２の光源（４１）と、
前記第２の光源から出射されて前記被測定物に反射された光を検出する第２の光検出手段（４０）と、を備え、
前記距離調整手段は、前記第２の光源から光が出射されてから前記第２の光検出手段により検出された光の強度に基づいて前記被測定物と前記電気光学材料との距離を計測することを特徴とする請求項３に記載の電磁界計測装置。
【請求項５】
前記撮像部により撮像された画像を表示部に表示させる画像表示手段（１００）を備え、
前記計測位置特定手段は、前記表示部に表示された前記画像上で前記計測位置を特定することを特徴とする請求項１ないし４のいずれか１つに記載の電磁界計測装置。
【請求項６】
前記被測定物と前記電気光学材料との距離を予め定められた別の距離に変更するか否かを判定する距離変更判定手段（Ｓ１１８）を備え、
前記距離調整手段は、前記距離変更判定手段により前記被測定物と前記電気光学材料との距離を予め定められた別の距離に変更すると判定された場合、前記被測定物と前記電気光学材料との距離を予め定められた別の距離に変更することを特徴とする請求項１ないし５のいずれか１つに記載の電磁界計測装置。
【請求項７】
前記電磁界計測手段により前記被測定物の電磁界の計測が実施されていない計測位置があるか否かを判定する計測位置判定手段（Ｓ１２０）を備え、
前記位置調整手段は、前記計測位置判定手段により前記被測定物の電磁界の計測が実施されていない計測位置があると判定された場合、前記電気光学材料を、前記被測定物の電磁界の計測が実施されていない前記計測位置と垂直な位置に調整することを特徴とする請求項１ないし６のいずれか１つに記載の電磁界計測装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電磁界計測装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来、被測定物の電圧変化に対応して屈折率が変化する電気光学材料と、第１の光源から出射され電気光学材料を通過した光を反射する反射板と、この反射板で反射された光を検出する第１の光検出手段と、を備え、この反射板で反射された光に基づいて被測定物の電圧を検出するようにした電圧検出装置がある（例えば、特許文献１参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開平５−１０７２７３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
上記したような装置は、例えば、半導体集積回路などの高集積回路の検査などで用いられる。このような高集積回路の検査においては、測定ポイントの位置が少しずれただけでも測定結果が大きく変動する場合があるため、計測位置を精度良く調整することが重要である。
【０００５】
しかし、上記特許文献１に記載された装置は、計測位置を所望の位置に精度良く調整する構成を有していないので、電圧を精度良く測定することができないといった問題がある。
【０００６】
本発明は上記問題に鑑みたもので、所望の計測位置の電磁界を精度良く測定できるようにすることを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上記目的を達成するため、請求項１に記載の発明は、電磁界変化に対応して屈折率が変化する電気光学材料（１１）と、第１の光源（３１）から出射され電気光学材料を通過した光を反射する反射手段（１１ａ）と、反射手段で反射された光を検出する第１の光検出手段（３０）と、反射手段で反射された光に基づいて電磁界を計測する電磁界計測手段（Ｓ１１６）と、被測定物における計測位置を特定する計測位置特定手段（Ｓ１０２）と、電気光学材料を、計測位置特定手段により特定された被測定物における計測位置と垂直な位置に調整する位置調整手段（Ｓ１０６）と、被測定物と電気光学材料との距離を計測しながら被測定物と電気光学材料との距離を所定値に調整する距離調整手段（Ｓ１１０、Ｓ１１２）と、を備え、電磁界計測手段は、位置調整手段による電気光学材料の位置の調整および距離調整手段による電気光学材料との距離の調整が完了した後に電磁界の計測を実施することを特徴としている。
【０００８】
このような構成によれば、被測定物における計測位置を特定し、電気光学材料を、計測位置特定手段により特定された被測定物における計測位置と垂直な位置に調整し、被測定物と電気光学材料との距離を計測しながら被測定物と電気光学材料との距離を所定値に調整し、電気光学材料の位置の調整および電気光学材料の距離の調整が完了した後に電磁界の計測を実施するので、所望の計測位置の電磁界を精度良く測定することができる。
【０００９】
なお、この欄および特許請求の範囲で記載した各手段の括弧内の符号は、後述する実施形態に記載の具体的手段との対応関係を示すものである。
【図面の簡単な説明】
【００１０】
【図１】本発明の一実施形態に係る電磁界計測装置の概略構成を示す図である。
【図２】光プローブについて説明するための図である。
【図３】制御部のフローチャートである。
【図４】電磁界の計測位置の指示について説明するための図である。
【図５】電磁界の計測位置について説明するための図である。
【図６】ある被測定物２の断面の様子を示した図である。
【図７】変形例について説明するための図である。
【図８】変形例について説明するための図である。
【発明を実施するための形態】
【００１１】
本発明の一実施形態に係る電磁界計測装置の概略構成を図１に示す。本電磁界計測装置は、ステージ１に固定された被測定物２の電磁界を非接触で検出するものである。本電磁界計測装置は、光プローブ１０、位置調整機構２０、電磁界検出用光学モジュール３０、距離計測用光学モジュール４０、制御装置５０、表示部６０および操作部７０を備えている。
【００１２】
まず、電磁界検出用光学モジュール３０について説明する。電磁界検出用光学モジュール３０は、光源（第１の光源）３１、偏光子３２、ビームスプリッタ３３、偏光子３４および受光素子３５を備えている。なお、ビームスプリッタ３３には、後述する検知用光ファイバ１２が接続されている。
【００１３】
光源３１は、レーザダイオードを有しており、このレーザダイオードから偏光子３２へ波長λ１の光パルスを入射させる。また、偏光子３２は、光源３１より入射される光パルスのうち特定の偏光成分のみを透過させる。
【００１４】
ビームスプリッタ３３は、偏光子３２を通過した光パルスを検知用光ファイバ１２へ入射するとともに、検知用光ファイバ１２より入射された光パルスを分離して偏光子３４へ入射させる。
【００１５】
偏光子３４は、ビームスプリッタ３３から入射される光パルスのうち特定の偏光成分のみを透過させる。また、受光素子３５は、偏光子３４を通過した光パルスの強度に応じた検出信号を制御装置５０へ出力する。
【００１６】
次に、距離計測用光学モジュール４０について説明する。距離計測用光学モジュール４０は、光源（第２の光源）４１、偏光子４２、ビームスプリッタ４３、偏光子４４および受光素子４５を備えている。なお、ビームスプリッタ４３には、後述する参照光照射ファイバ１７および参照光入射ファイバ１８が接続されている。
【００１７】
光源４１は、レーザダイオードを有しており、このレーザダイオードから波長λ２の参照光を照射する。また、偏光子４２は、光源４１より入射される参照光のうち特定の偏光成分のみを透過させる。
【００１８】
ビームスプリッタ４３は、偏光子４２を通過した参照光を参照光照射ファイバ１７へ入射するとともに、参照光入射ファイバ１８より入射された光を分離して偏光子４４へ入射させる。
【００１９】
偏光子４４は、ビームスプリッタ４３から入射される光のうち特定の偏光成分のみを透過させる。また、受光素子４５は、偏光子４４を通過した光の強度に応じた検出信号を制御装置５０へ出力する。
【００２０】
次に、光プローブ１０について説明する。光プローブ１０は、電気光学材料１１、多層膜ミラー１１ａ、検知用光ファイバ１２、画像用光ファイバ１３、画像用レンズ１４、画像用イメージャ１５、信号処理回路１６、参照光照射ファイバ１７、参照光入射ファイバ１８および照明光ファイバ１９を備えている。なお、検知用光ファイバ１２、画像用光ファイバ１３、参照光照射ファイバ１７、参照光入射ファイバ１８および照明光ファイバ１９を有するファイバユニットは、非金属で形成された筐体Ｋに格納されている。また、画像用光ファイバ１３、画像用レンズ１４、画像用イメージャ１５および信号処理回路１６により撮像部が構成されている。
【００２１】
電気光学材料１１は、電磁界変化に対応して屈折率が変化する電気光学効果を有するものであり、例えば、ニオブ酸リチウム（ＬｉＮｂＯ３）を用いて構成される。
【００２２】
電気光学材料１１の一端側には検知用光ファイバ１２が接続され、電気光学材料１１の他端側には多層膜ミラー１１ａが形成されている。検知用光ファイバ１２から入射された光パルスが電気光学材料１１を通過すると、この光パルスは多層膜ミラー１１ａで反射され、再度、電気光学材料１１を通過して検知用光ファイバ１２側へ入射される。
【００２３】
ここで、光パルスが通過する電気光学材料１１の屈折率は、電気光学材料１１の周囲の電磁界変化に対応して変化する。すなわち、電気光学材料１１を通過して多層膜ミラー１１ａで反射した後、再度、電気光学材料１１を通過して検知用光ファイバ１２側へ入射される光パルスは、電気光学材料１１の周囲の電磁界変化に対応して、その位相が変化する。
【００２４】
受光素子３５より、この光パルスに応じた検出信号が制御装置５０へ出力される。制御装置５０は、受光素子３５よりより入力される検出信号に基づいて電気光学材料１１の周囲の電磁界を計測する。
【００２５】
画像用光ファイバ１３は、ステージ１に固定された被測定物２を撮像するためのものである。また、画像用レンズ１４は、画像用光ファイバ１３を介して入射される光を集光する。
【００２６】
画像用イメージャ１５は、画像用レンズ１４により集光された光を撮像素子の受光面に結像させるとともに、受光面に結像させた像の光による明暗を電荷の量に光電変換し、それを順次読み出して電気信号に変換する。
【００２７】
信号処理回路１６は、画像用イメージャ１５より出力される電気信号を予め定められた規格に従ったフォーマットに従って制御装置５０へ送出する。
【００２８】
参照光照射ファイバ１７には、距離計測用光学モジュール４０より参照光が入射される。参照光照射ファイバ１７は、距離計測用光学モジュール４０より入射される参照光をステージ１に固定された被測定物２へ向けて照射する。
【００２９】
また、参照光入射ファイバ１８には、参照光照射ファイバ１７よりステージ１に固定された被測定物２へ向けて照射した参照光が反射した反射光が入射される。参照光入射ファイバ１８は、被測定物２へ向けて照射した参照光が反射した反射光を距離計測用光学モジュール４０へ入射する。
【００３０】
照明光ファイバ１９は、照明用光源（図示せず）より出力される照明光をステージ１に固定された被測定物２へと照射するために設けられている。
【００３１】
図２に示すように、電気光学材料１１、画像用光ファイバ１３、参照光照射ファイバ１７、参照光入射ファイバ１８および照明光ファイバ１９は、光プローブ１０に設けられている。すなわち、画像用光ファイバ１３と照明光ファイバ１９が電気光学材料１１と一体化されている。
【００３２】
位置調整機構２０は、光プローブ１０を、ステージ１に固定された被測定物２の設置面（Ｘ−Ｙ平面）と平行に移動させるＸ−Ｙ方向アクチュエータと、電気光学材料１１を含む光プローブ１０を、ステージ１に固定された被測定物２に対して鉛直方向に移動させるＺ方向アクチュエータ（いずれも図示せず）を有している。
【００３３】
位置調整機構２０は、制御部５４からの指示に応じて、光プローブ１０を被測定物２の設置面（Ｘ−Ｙ平面）に対して平行に移動させるとともに、被測定物２に対して鉛直方向に移動させる。
【００３４】
制御装置５０は、発光回路５１ａ、受光回路５１ｂ、電磁界検出回路５１ｃ、発光回路５２ａ、受光回路５２ｂ、電磁界検出回路５１ｃ、インタフェース部５３および制御部５４を備えている。
【００３５】
電磁界検出回路５１ｃは、制御部５４より被測定物２の電磁界の計測指示があると、光源３１から光パルスを照射させるように発光回路５１ａに指示する。この指示に応じて光源３１から光パルスが照射され、この光パルスは、電気光学材料１１を通過した後、多層膜ミラー１１ａで反射され、再び電気光学材料１１を通過する。ここで、電気光学材料１１の屈折率は、被測定物２の表面で発生する電圧の変化に対応して変化する。したがって、検知用光ファイバ１２に入射される光パルスの偏光成分は、上記被測定物２の電圧変化に対応した変化を与えられる。検知用光ファイバ１２に入射される光パルスは、ビームスプリッタ３３で反射されて偏光子３４を通過して受光素子３５で受光される。受光回路５１ｂは、受光素子３５で受光された光パルスの強度に応じた信号を受光回路５１へ出力する。受光回路５１は、受光回路５１より入力される信号を電圧に変換して電磁界検出回路５１ｃへ出力する。
【００３６】
距離計測回路５２ｃは、制御部５４より被測定物２と電気光学材料１１との距離の計測指示があると、光源４１から参照光を照射させるように発光回路５２ａに指示するとともに、この参照光の強度と、この参照光が被測定物２で反射した反射光の強度とに基づいて被測定物２と電気光学材料１１との距離を計測する。
【００３７】
インタフェース部５３は、光プローブ１０との間で各種データの送受信を行うためのものである。
【００３８】
制御部５４は、ＣＰＵ、ＲＡＭ、ＲＯＭ、フラッシュメモリ、Ｉ／Ｏ等を備えたコンピュータとして構成されており、ＣＰＵはＲＯＭに記憶されたプログラムに従って各種処理を実施する。
【００３９】
表示部６０は、液晶等のディスプレイを有し、該ディスプレイに制御装置５０より入力される画像信号に応じた画像を表示させる。
【００４０】
操作部７０は、キーボードおよびマウスにより構成され、ユーザ操作に応じた信号を制御装置５０へ出力する。
【００４１】
本電磁界計測装置における制御装置５０は、被測定物２の電磁界を計測する処理を実施する。図３に、この処理のフローチャートを示す。ステージ１に被測定物２が固定された後、操作者の操作部７０に対する操作により被測定物２の電磁界の計測開始の指示が行われると、本制御装置５０における制御部５４は、図３に示す処理を実施する。
【００４２】
まず、画像用光ファイバ１３を用いて撮影した被測定物２の撮影画像を表示部６０に表示させる（Ｓ１００）。具体的には、画像用イメージャ１５より送信される電気信号に基づく被測定物２の撮影画像を表示部６０に表示させる。また、被測定物２の撮影画像をより鮮明な画像とするため、照明用光源（図示せず）から照明光ファイバ１９を介して被測定物２へ向けて照明光を照射させる。
【００４３】
次に、電磁界の計測位置の指示を受け付ける（Ｓ１０２）。本実施形態では、操作者が被測定物２の撮影画像を視認しながら、操作部７０に含まれるマウス等を操作して電磁界の計測位置（Ｘ１、Ｙ１）を指示するようになっている。また、操作者は、操作部７０に含まれるマウス等を操作して、図４に示すＰ１とＰ２のように、複数の計測位置を指定することも可能となっている。
【００４４】
次に、光プローブ１０の水平方向の移動方向および移動量を算出する（Ｓ１０４）。ここで、制御部５４のフラッシュメモリには、被測定物２の撮影画像に対して、電気光学材料１１の鉛直下方向に位置する座標（Ｘ０、Ｙ０）が記憶されている。ここでは、電磁界の計測位置（Ｘ１、Ｙ１）に、制御部５４のフラッシュメモリに記憶された座標（Ｘ０、Ｙ０）を一致させるようにするための、光プローブ１０の水平方向の移動量を算出する。
【００４５】
次に、光プローブ１０を水平方向に移動させる（Ｓ１０６）。具体的には、電気光学材料１１の鉛直下方向に、電磁界の計測位置が位置するように光プローブ１０をステージ１に固定された平面に対して平行移動させる。
【００４６】
次に、光プローブ１０を目的とする位置まで移動したか否かを判定する（Ｓ１０８）。ここで、光プローブ１０を目的とする位置まで移動していない場合、Ｓ１０８の判定はＮＯとなり、Ｓ１０６の処理を継続する。
【００４７】
そして、光プローブ１０を目的とする位置まで移動すると、Ｓ１０８の判定はＹＥＳとなり、次に、被測定物２との距離を計測する（Ｓ１１０）。具体的には、距離計測回路５２ｃに、被測定物２と電気光学材料１１との距離の計測を指示する。距離計測回路５２ｃは、光源４１から参照光を照射させるように発光回路５２ａに指示する。なお、この参照光は被測定物２で反射して受光素子４５により受光され、受光素子４５より光の強度に応じた検出信号が出力される。距離計測回路５２ｃは、この受光素子４５より出力される検出信号に基づいて被測定物２と電気光学材料１１との距離を計測し、被測定物２と電気光学材料１１との距離を示す信号を制御部５４へ出力する。
【００４８】
次に、光プローブ１０の高さを所定の位置に調整する（Ｓ１１２）。本実施形態では、図５のＰ１１、Ｐ１２、Ｐ１３のように、被測定物２からの高さを変えて電磁界を計測する。ここでは、図５のＰ１１に示すように、光プローブ１０の高さ、すなわち、電気光学材料１１の高さを、被測定物２からの高さｄの位置に調整する。具体的には、電気光学材料１１の先端の高さが被測定物２からの高さｄの位置となるように位置調整機構２０を制御する。
【００４９】
次に、光プローブ１０が目的とする高さまで移動したか否かを判定する（Ｓ１１４）。ここで、光プローブ１０が目的とする高さまで移動していない場合、Ｓ１１４の判定はＮＯとなり、Ｓ１１０〜Ｓ１１２の処理を継続する。
【００５０】
そして、光プローブ１０が目的とする高さまで移動すると、Ｓ１１４の判定はＹＥＳとなり、次に、電磁界の計測を実施する（Ｓ１１６）。具体的には、電磁界検出回路５１ｃに、電磁界を計測するように指示する。電磁界検出回路５１ｃは、この指示に応じて光源３１から光パルスを照射させるように発光回路５１ａに指示するとともに、光パルスが電気光学材料１１を通過した後、多層膜ミラー１１ａで反射した反射光が受光素子３５により受光される受光強度に基づいて被測定物２の電磁界を計測する。
【００５１】
次に、光プローブの高さを変えて電磁界を計測するか否かを判定する（Ｓ１１８）。本実施形態では、図５に示したように、Ｐ１２、Ｐ１３についても電磁界の計測を実施するものとする。
【００５２】
この場合、Ｓ１１８の判定はＮＯとなり、Ｓ１１２にて光プローブ１０の高さを、被測定物２からの高さ２ｄの位置Ｐ１２に調整して電磁界の計測を実施した後、Ｓ１１２にて光プローブ１０の高さを、被測定物２からの高さ３ｄの位置Ｐ１３に調整して電磁界の計測を実施する。
【００５３】
このようにして、この計測位置における電磁界の計測が完了すると、Ｓ１１８の判定はＹＥＳとなり、次に、未実施の計測位置があるか否かを判定する（Ｓ１２０）。ここで、図５に示したＰ２１〜Ｐ２３やＰ３１〜Ｐ３３のように未実施の計測位置がある場合、Ｓ１２０の判定はＹＥＳとなり、各計測位置において光プローブ１０の高さを変更して各電磁界の計測を実施する。
【００５４】
このようにして、未実施の計測位置がなくなるまで各計測における電磁界の計測を繰り返し実施する。このようにして３次元の電磁界分布を収集する。
【００５５】
そして、未実施の計測位置がなくなると、Ｓ１２０の判定はＮＯとなり、計測結果をフラッシュメモリに記憶させ（Ｓ１２２）、光プローブ１０の位置が装置初期状態に復帰するように位置調整機構を制御して（Ｓ１２４）、本処理を終了する。
【００５６】
上記した構成によれば、被測定物２における計測位置を特定し、電気光学材料１１を、被測定物２における計測位置と垂直な位置に調整し、被測定物２と電気光学材料１１との距離を計測しながら被測定物２と電気光学材料１１との距離を所定値に調整し、電気光学材料１１の位置の調整および電気光学材料１１の距離の調整が完了した後に電磁界の計測を実施するので、所望の計測位置の電磁界を精度良く測定することができる。
【００５７】
また、電気光学材料１１と一体に設けられ、被測定物を撮像する撮像部１３〜１６を備え、撮像部を用いて撮像された画像を用いて位置を調整するので、電気光学材料１１を、被測定物２における電磁界の計測位置の鉛直方向に位置するように精度良く調整することが可能である。
【００５８】
また、撮像部１３〜１６は、画像用光ファイバ１３を用いて構成されているので、電気光学材料１１と近接して画像用光ファイバ１３を配置することができ、更に、精度良く、電気光学材料１１を、被測定物２における電磁界の計測位置の鉛直方向に位置するように調整することが可能である。
【００５９】
また、光源４１と、光源４１から出射されて被測定物２に反射された光を検出する距離計測用光学モジュール４０と、を備え、光源４１から光が出射されてから距離計測用光学モジュール４０により検出された光の強度に基づいて被測定物と電気光学材料との距離を計測するので、被測定物と電気光学材料との距離を精度良く計測することが可能である。
【００６０】
また、撮像部１３〜１６により撮像された画像を表示部６０に表示させ、表示部６０に表示された画像上で計測位置を特定するので、作業者は所望の計測位置を容易に特定することができる。
【００６１】
また、被測定物２と電気光学材料１１との距離を予め定められた別の距離に変更するか否かを判定し、距離を予め定められた別の距離に変更すると判定された場合、距離を予め定められた別の距離に変更するので、手動で被測定物２と電気光学材料１１との距離を変更する操作を行うことなく、被測定物２と電気光学材料１１との距離を所望の値に変更して電磁界の計測を実施することができる。
【００６２】
また、被測定物２の電磁界の計測が実施されていない計測位置があるか否かを判定し、被測定物２の電磁界の計測が実施されていない計測位置があると判定された場合、電気光学材料１１を、被測定物２の電磁界の計測が実施されていない計測位置の鉛直方向の位置に調整するので、手動で被測定物２の電磁界の計測位置を変更する操作を行う行うことなく、複数の計測位置で被測定物２の電磁界の計測を実施することができる。
【００６３】
図６に、被測定物２の断面の例を示す。この図に示すように、被測定物２の表面に凹凸がある場合でも、所望の計測位置における電界強度を精度良く計測することができる。
【００６４】
なお、本発明は上述の実施形態に限定されることなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲内で、以下のように種々変形可能である。
【００６５】
例えば、上記実施形態では、計測位置を特定し、画像用光ファイバ１３を用いて撮像した被測定物２の撮影画像を用いて、操作者の操作により指定された計測位置の鉛直上方向に電気光学材料１１が位置するように光プローブ１０を水平方向に移動させるようにしたが、例えば、被測定物２の全体のパターン図面（設計図面）を制御部５４のフラッシュメモリに予め記憶させておき、このパターン図面の座標を用いて電磁界の計測位置を指定し、この計測位置の鉛直上方向に電気光学材料１１が位置するように光プローブ１０を水平方向に移動させるようにしてもよい。この場合、画像用光ファイバ１３を用いて撮像した被測定物２の撮影画像の画像処理によって被測定物２の回路形状を認識し、この被測定物２の回路形状と、被測定物２のパターン図面の一部との照合（マッチング）により被測定物２の撮影画像に対する電気光学材料１１の位置を特定することができる。なお、画像処理によって認識された被測定物２の回路形状がパターン図面全体と比べて小さい領域内の回路形状となっていても、容易に電気光学材料１１を計測位置の鉛直上方向に移動させることが可能である。
【００６６】
また、上記実施形態では、図２に示したように、１つの光プローブ１０に１つの電気光学材料１１を備えたが、図７に示すように、１つの光プローブ１０に複数の電気光学材料１１を備えた構成としてもよい。
【００６７】
また、上記実施形態では、検知用光ファイバ１２、画像用光ファイバ１３、参照光照射ファイバ１７、参照光入射ファイバ１８および照明光ファイバ１９を有するファイバユニットを、非金属で形成された筐体Ｋに格納するよう構成したが、このファイバユニットを、非金属部材で一体で構成することもできる。
【００６８】
また、上記実施形態では、電気光学材料１１を通過した光パルスが多層膜ミラー１１ａで反射するように構成したが、多層膜ミラー１１ａ以外の部材で、電気光学材料１１を通過した光パルスを反射させる反射部材を構成してもよい。
【００６９】
また、図８に示すように、電気光学材料１１の被測定物２側の位置に、多層膜ミラー１１ａに替えて、電気的に光透過率を切り替えることが可能なフィルタ（例えば、偏光フィルタ）を設け、この偏光フィルタをシャッターのように制御して電磁界の計測時には電気光学材料１１を通過した光パルスを反射させ、被測定物２の撮影時には光を透過させるようにしてもよい。この場合、電気光学材料１１より入射される光を検知用光ファイバ１２側と画像用レンズ側へ分岐させる光カプラを備えるように構成すればよい。
【００７０】
また、上記実施形態では、被測定物２を水平に設置し、この被測定物２の鉛直上方向に電気光学材料１１配置するようにしたが、被測定物２を水平に設置するように構成する必要はない。
【符号の説明】
【００７１】
１      ステージ
２      被測定物
１０    光プローブ
１１    電気光学材料
１１ａ  多層膜ミラー
１２    検知用光ファイバ
１３    画像用光ファイバ
１４    画像用レンズ
１５    画像用イメージャ
１７    参照光照射ファイバ
１８    参照光入射ファイバ
１９    照明光ファイバ
２０    位置調整機構
３０    電磁界検出用光学モジュール
３１    光源
３５    受光素子
４０    距離計測用光学モジュール
４１    光源
４５    受光素子
５０    制御装置
６０    表示部
７０    操作部
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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