(57)【要約】【課題】不具合が発生することなく光導波路に光路変換ミラーを形成できると共に、内部で発生するガスを排出しやすい構造の光導波路装置を提供する。【解決手段】絶縁層３０の上に配線層２２が形成された配線基板１と、絶縁層３０及び配線層２２の上に形成された光導波路４０と、光導波路４０の端側に形成され、傾斜面Ｓを備えた溝部４０ａと、傾斜面Ｓに形成された光路変換ミラーＭと、光導波路４０の下の配線層２２に形成された開口部Ｇとを備え、溝部４０ａの下には配線層２２が形成されていないことを含む。【選択図】図１０
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁層の上に配線層が形成された配線基板と、
前記絶縁層及び前記配線層の上に形成された光導波路と、
前記光導波路の端側に形成され、傾斜面を備えた溝部と、
前記傾斜面に形成された光路変換ミラーと、
前記光導波路の下の前記配線層に形成された開口部と
を有し、
前記溝部の下には前記配線層が形成されていないことを特徴とする光導波路装置。
【請求項２】
前記光導波路装置は末端に切断面を有し、前記切断面の近傍の前記配線層の側面が前記光導波路で被覆されていることを特徴とする請求項１に記載の光導波路装置。
【請求項３】
前記光導波路は、下から順に、第１クラッド層、コア層及び第２クラッド層を含み、前記溝部は、第２クラッド層の上面から前記第１クラッド層の厚みの途中まで形成されていることを特徴とする請求項１又は２に記載の光導波路装置。
【請求項４】
前記配線基板に実装され、前記光路変換ミラーに光結合される光素子を有することを特徴とする請求項１乃至３のいずれか一項に記載の光導波路装置。
【請求項５】
配線層を備え、光導波路形成領域の端側に前記配線層の非形成領域が設けられ、前記光導波路形成領域の前記配線層に開口部が形成された配線基板を用意する工程と、
前記配線基板上の前記光導波路形成領域に、前記配線層を覆うように光導波路を形成する工程と、
前記配線層の非形成領域に対応する領域の前記光導波路に傾斜面を備えた溝部を形成する工程と、
前記溝部の傾斜面に光路変換ミラーを形成する工程とを有することを特徴とする光導波路装置の製造方法。
【請求項６】
前記光路変換ミラーを形成する工程の後に、
前記光導波路及び前記配線基板を切断する工程を有し、
前記光導波路及び前記配線基板の切断面の近傍の前記配線層の側面が前記光導波路によって被覆されていることを特徴とする請求項５に記載の光導波路装置の製造方法。
【請求項７】
前記光導波路を形成する工程は、下から順に、第１クラッド層、コア層及び第２クラッド層を形成することを含み、
前記溝部を形成する工程において、
前記溝部は、第２クラッド層の上面から前記第１クラッド層の厚みの途中まで形成されることを特徴とする請求項５又は６に記載の光導波路装置の製造方法。
【請求項８】
前記光路変換ミラーを形成する工程の後に、
前記光路変換ミラーに光結合される光素子を前記配線基板に実装する工程を有することを特徴とする請求項５乃至７のいずれか一項に記載の光導波路装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、光導波路装置及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、電気信号を扱う配線基板の上に光信号を扱う光導波路が形成された光導波路装置がある。光導波路装置は光電気複合基板であり、電気信号の伝達速度の限界を補うために、高速部分を光信号で伝達することができる。
【０００３】
光導波路の端側には光路変換ミラーが配置されており、光素子が光導波路の光路変換ミラーに光結合されるように配線基板に実装される。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００５−１３６３４７号公報
【特許文献２】特開２００８−１１１９９０号公報
【特許文献３】特開２０１３−１８６３１０号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
光導波路では、コア層がクラッド層で囲まれた構造を形成した後に、コア層を分断するように溝部が形成され、その傾斜面に光反射用の金属層が形成されて光路変換用のミラーが構築される。
【０００６】
光路変換用の溝部を形成する際に、下側の配線層（銅）まで溝部が形成されると、配線層が変形し、配線層とクラッド層との界面で剥離が発生しやすい課題がある。
【０００７】
また、配線基板の絶縁材料にはガス成分が含まれており、加熱処理によってガスが膨らんで層間剥離などが発生しやすいため、ガスを外部に排出しやすい構造が好ましい。
【０００８】
不具合が発生することなく光導波路に光路変換ミラーを形成できると共に、内部で発生するガスを排出しやすい構造の光導波路装置及びその製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
以下の開示の一観点によれば、絶縁層の上に配線層が形成された配線基板と、前記絶縁層及び前記配線層の上に形成された光導波路と、前記光導波路の端側に形成され、傾斜面を備えた溝部と、前記傾斜面に形成された光路変換ミラーと、前記光導波路の下の前記配線層に形成された開口部とを有し、前記溝部の下には前記配線層が形成されていない光導波路装置が提供される。
【００１０】
また、その開示の他の観点によれば、配線層を備え、光導波路形成領域の端側に前記配線層の非形成領域が設けられ、前記光導波路形成領域の前記配線層に開口部が形成された配線基板を用意する工程と、前記配線基板上の前記光導波路形成領域に、前記配線層を覆うように光導波路を形成する工程と、前記配線層の非形成領域に対応する領域の前記光導波路に傾斜面を備えた溝部を形成する工程と、前記溝部の傾斜面に光路変換ミラーを形成する工程とを有する光導波路装置の製造方法が提供される。
【発明の効果】
【００１１】
以下の開示によれば、光導波路装置では、光導波路の光路変換ミラーが配置された溝部の下に配線層が形成されていない。これにより、光導波路の一端に光路変換用の溝部を形成する際に、溝部の切削面に配線層が露出しないため、配線層が変形して光導波路との界面から剥離する不具合が防止される。
【００１２】
また、配線層の非形成領域が、内部で発生するガスの排出経路としても機能するため、ガスの膨張による層間剥離などが防止される。また、配線層に非形成領域を設ける他に、ガス抜き用の開口部が形成されている。
【図面の簡単な説明】
【００１３】
【図１】図１（ａ）及び（ｂ）は実施形態の光導波路装置の製造方法を示す断面図（その１）である。
【図２】図２（ａ）及び（ｂ）は実施形態の光導波路装置の製造方法を示す断面図（その２）である。
【図３】図３（ａ）及び（ｂ）は実施形態の光導波路装置の製造方法を示す断面図（その３）である。
【図４】図４（ａ）及び（ｂ）は実施形態の光導波路装置の製造方法を示す断面図及び平面図（その４）である。
【図５】図５は実施形態の光導波路装置の製造方法を示す断面図（その５）である。
【図６】図６（ａ）及び（ｂ）は実施形態の光導波路装置の製造方法を示す断面図及び平面図（その６）である。
【図７】図７（ａ）及び（ｂ）は実施形態の光導波路装置の製造方法を示す断面図（その７）である。
【図８】図８（ａ）及び（ｂ）は実施形態の光導波路装置の製造方法を示す断面図（その８）である。
【図９】図９（ａ）及び（ｂ）は実施形態の光導波路装置の製造方法を示す断面図及び平面図（その９）である。
【図１０】図１０は実施形態の光導波路装置を示す断面図である。
【図１１】図１１は図１０の光導波路装置を上側からみた平面図である。
【図１２】図１２は実施形態の変形例の光導波路装置を示す平面図である。
【図１３】図１３は図１０の光導波路装置に光素子が実装された様子を示す断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１４】
以下、実施の形態について、添付の図面を参照して説明する。
【００１５】
図１〜図９は実施形態の光導波路装置の製造方法を示す図、図１０は実施形態の光導波路装置を示す図である。以下、光導波路装置の製造方法を説明しながら、光導波路装置の構造を説明する。
【００１６】
実施形態の光導波路装置の製造方法では、まず、図１（ａ）に示すように、両面側に第１配線層２０がそれぞれ形成されたコア基板１０を用意する。コア基板１０はガラスエポキシ樹脂などの絶縁材料から形成され、第１配線層２０は銅などの配線材料から形成される。
【００１７】
コア基板１０にはその厚み方向に貫通するスルーホールＴＨが設けられており、その中に貫通導体１２が充填されている。両面側の第１配線層２０は貫通導体１２を介して相互接続されている。
【００１８】
あるいは、コア基板１０のスルーホールＴＨの側壁にスルーホールめっき層が形成され、残りの孔に樹脂が充填されていてもよい。この場合は、両面側の第１配線層２０はスルーホールめっき層を介して相互接続される。
【００１９】
次いで、図１（ｂ）に示すように、コア基板１０の両面側に、第１配線層２０に到達するビアホールＶＨが設けられた絶縁層３０をそれぞれ形成する。絶縁層３０はエポキシ樹脂又はポリイミド樹脂などから形成される。絶縁層３０に形成されるビアホールＶＨは、レーザ加工によって形成してもよいし、感光性樹脂をフォトリソグラフィによってパターニングして形成してもよい。
【００２０】
続いて、図２（ａ）に示すように、コア基板１０の両面側において、絶縁層３０の上及びビアホールＶＨの側面に無電解めっき又はスパッタ法により、銅などからなるシード層２２ａを形成する。
【００２１】
さらに、図２（ｂ）に示すように、コア基板１０の両面側において、第２配線層が配置される領域に開口部１４ａが設けられためっきレジスト層１４をそれぞれ形成する。
【００２２】
次いで、図３（ａ）に示すように、コア基板１０の両面側において、シード層２２ａをめっき給電経路に利用する電解めっきにより、ビアホールＶＨ内からめっきレジスト層１４の開口部１４ａに銅などからなる金属めっき層２２ｂを形成する。その後に、図３（ｂ）に示すように、めっきレジスト層１４が除去される。
【００２３】
続いて、図４（ａ）に示すように、金属めっき層２２ｂをマスクにしてシード層２２ａをウェットエッチングにより除去する。これにより、コア基板１０の両面側の絶縁層３０の上に第２配線層２２がそれぞれ形成される。第２配線層２２はシード層２２ａ及び金属めっき層２２ｂから形成される。
【００２４】
両面側の第２配線層２２はビアホールＶＨ内のビア導体を介して第１配線層２０にそれぞれ接続される。第２配線層２２の厚みは、１０μｍ〜２０μｍ、例えば１５μｍに設定される。
【００２５】
コア基板１０の上面側には、光導波路が形成される光導波路形成領域Ａと、光素子が電気的に接続される光素子接続領域Ｂとが画定されている。
【００２６】
光素子接続領域Ｂに配置される第２配線層２２は電気回路を構築する配線として形成される。
【００２７】
また、光導波路形成領域Ａに配置される第２配線層２２は、グランドプレーンなどの電気回路を構築する配線として形成してもよいし、あるいは、電気回路を構築しないフローティングな配線として形成してもよい。
【００２８】
例えば、光導波路形成領域Ａに配置される第２配線層２２は、前述した電解めっきで金属めっき層２２ｂを形成する際に、コア基板１０内での厚みの均一性を確保するために、ダミーパターンとして形成される場合がある。電解めっきでは、めっきパターンのトータルの面積が大きい方がコア基板１０内での厚みの均一性が向上するからである。
【００２９】
また、光導波路形成領域Ａに配置される第２配線層２２は、光導波路を形成する際に、下側に沈み込まないように平坦性を確保するためのダミーパターンとして形成される場合がある。
【００３０】
図４（ａ）に図４（ｂ）の平面図を加えて参照すると、光導波路形成領域Ａにおいて、光路変換用の溝部が形成される一端側には、第２配線層２２が形成されていない帯状の非形成領域Ｎが設けられている。配線層の非形成領域Ｎの幅は、後述する光導波路を形成する際に段差が生じないように２０μｍ〜３００μｍに設定される。
【００３１】
また、光導波路形成領域Ａの内部領域では、第２配線層２２に複数の帯状のガス抜き開口部Ｇが並んで設けられる。ガス抜き開口部Ｇの幅においても、同様に、後述する光導波路を形成する際に段差が生じないように２０μｍ〜３００μｍに設定される。
【００３２】
また、複数のガス抜き開口部Ｇの間の間隔ｄは、例えば１ｍｍ〜３ｍｍ程度であり、光導波路形成領域Ａの面積に応じてガス抜き開口部Ｇの配置個数は任意に設定することができる。
【００３３】
以上により、本実施形態で使用される電気信号を扱う配線基板１が製造される。コア基板１０の両面側において、配線層の積層数は任意に設定することができる。コア基板１０の上面側の最上の配線層を上記した第２配線層２２と同様なパターンで形成すればよい。
【００３４】
このようにして、光導波路形成領域Ａの端側に非形成領域Ｎが設けられた第２配線層２２を備えた配線基板１を用意する。
【００３５】
次に、配線基板１の上に光導波路を形成する方法について説明する。図５に示すように、まず、コア基板１０の上面側の絶縁層３０及び第２配線層２２の上に、第１クラッド層を得るための感光性樹脂層（不図示）を形成し、フォトリソグラフィに基づいて露光／現像を行う。
【００３６】
その後に、感光性樹脂層を１００℃〜１４０℃程度の加熱処理によって硬化させることにより、所望の領域に第１クラッド層４２を形成する。第１クラッド層４２は、光素子接続領域Ｂの第２配線層２２の接続部の上に第１ホールＨ１を備えて形成される。第１クラッド層４２の厚みは、例えば１０μｍ〜３０μｍ程度である。第１クラッド層４２をパターン化せずに全面に形成する場合は、非感光性樹脂を使用してもよい。
【００３７】
感光性樹脂層としては、ＵＶ硬化型エポキシ樹脂などが好適に使用される。感光性樹脂層の形成方法としては、半硬化状態（Ｂ−ステージ）の感光性樹脂シートを貼付してもよいし、あるいは、液状の感光性樹脂を塗布してもよい。
【００３８】
続いて、図６（ａ）に示すように、第１クラッド層４２の上にコア層を得るための感光性樹脂層（不図示）を形成する。さらに、フォトリソグラフィに基づいて露光／現像を行った後に、感光性樹脂層を１００℃〜１４０℃程度の加熱処理によって硬化させることより、第１クラッド層４２の上にコア層４４を形成する。
【００３９】
図６（ｂ）の平面図を加えて参照すると、コア層４４は、第２配線層２２の帯状の非形成領域Ｎ及び帯状のガス抜き開口部Ｇに直交する方向に延在して形成される。そして、コア層４４は、光導波路形成領域Ａの一端側から他端側に第２配線層２２の非形成領域Ｎ及びガス抜き開口部Ｇを跨ぐようにして配置される。
【００４０】
このようにして、コア層４４は、光導波路形成領域Ａの第１クラッド層４２の上に複数の帯状パターンとして並んで形成される。
【００４１】
コア層４４の幅は５μｍ〜８０μｍ程度に設定され、コア層３４の厚みは５μｍ〜８０μｍ程度に設定さる。
【００４２】
次いで、図７（ａ）に示すように、前述した第１クラッド層４２の形成方法と同様な方法により、第１クラッド層４２の上に、コア層４４を被覆する第２クラッド層４６をパターニングして形成する。
【００４３】
このとき、第１クラッド層４２の第１ホールＨ１の上に第２クラッド層４６の第２ホールＨ２が連通して配置され、第１ホールＨ１及び第２ホールＨ２から接続ホールＣＨが形成される。接続ホールＣＨは光素子接続領域Ｂの第２配線層２２の接続部上に配置される。
【００４４】
これにより、コア層４４が第１クラッド層４２及び第２クラッド層４６で囲まれた光導波路４０が形成される。コア層４４の屈折率は、第１クラッド層４２及び第２クラッド層４６の屈折率よりも高くなるように設定される。
【００４５】
このようにして、配線基板１の光導波路形成領域Ａの絶縁層３０及び第２配線層２２の上に光導波路４０を形成する。
【００４６】
なお、接続ホールＣＨをフォトリソグラフィによって形成したが、第１クラッド層４２及び第２クラッド層４６を非感光性樹脂から形成し、レーザによって接続ホールＣＨを形成してもよい。
【００４７】
次いで、図７（ｂ）に示すように、図７（ａ）の構造体の接続ホールＣＨに、はんだボールを搭載し、２６０℃程度の温度でリフロー加熱する。これにより、第２配線層２２に接続されるはんだ電極２４が接続ホールＣＨ内に埋め込まれる。はんだボールを搭載する代わりに、接続ホールＣＨ内にはんだペーストを印刷によって形成してもよい。
【００４８】
図７（ｂ）の構造体において、銅から形成される第１、第２配線層２０，２２はガスをバリアする特性を有し、樹脂から形成される絶縁層３０及び光導波路４０はガスが容易に透過する特性を有する。
【００４９】
このため、図７（ｂ）の矢印で示すように、加熱処理によってコア基板１０及び絶縁層３０から発生するガスは、第２配線層２２のガス抜き開口部Ｇを通って光導波路４０を透過して外部に排出される。第１配線層２０は一般的な電気配線のパターンで形成されて十分な開口部が確保されているため、第１配線層２０でガスがバリアされることはない。
【００５０】
また、第２配線層２２の非形成領域Ｎにおいても、ガス抜きの経路として機能する。これにより、配線基板１内で発生したガスが第２配線層２２の下に留まって膨張するおそれがなくなり、層間剥離などが発生することが防止される。
【００５１】
次いで、図８（ａ）及び（ｂ）に示すように、切削装置の回転ブレード１６ａにより、光導波路４０の末端側の上面から配線基板１の下面まで切断する。
【００５２】
このとき、切断面に銅からなる第１、第２配線層２０，２２が露出すると、第１、第２配線層２０，２２が変形して、絶縁層３０及び第１クラッド層４２との界面から第１、第２配線層２０，２２が剥離する問題が発生する。
【００５３】
この対策として、本実施形態では、切断面に第１配線層２０及び第２配線層２２が露出しないように、第１配線層２０及び第２配線層２２が切断部位に存在しないようにしている。
【００５４】
これにより、切断面の近傍の第１配線層２０の側面が絶縁層３０で被覆された状態で切断される。また同様に、切断面の近傍の第２配線層２２の側面が第１クラッド層４２で被覆された状態で切断される。このようにして、切断面の近傍の配線層の信頼性が確保される。
【００５５】
次いで、図９（ａ）に示すように、光導波路４０の光路変換部になる部分を切削装置の回転ブレード１６ｂにより厚み方向に分断するように切削して加工する。これにより、図１９（ｂ）に示すように、光導波路４０の一端側に傾斜面Ｓを備えた溝部４０ａが形成される。
【００５６】
溝部４０ａは、前述した第２配線層２２の非形成領域Ｎに対応する領域の光導波路４０に形成される。溝部４０ａの傾斜面Ｓはコア層４４の延在方向（光伝播方向）と所定の角度（好ましくは４５°）で交差して傾斜するように形成される。
【００５７】
このとき、溝部４０ａの下の領域は、第２配線層２２の非形成領域Ｎとなっているため、第２配線層２２が切削装置の回転ブレード１６ａで切削されることがない。このため、溝部４０ａを形成する際に、第２配線層２２が変形して第１クラッド層４２との界面で剥離が発生することが防止される。
【００５８】
続いて、図１０に示すように、マスク蒸着などにより溝部の傾斜面Ｓに光反射性の金属層を部分的に形成して光路変換ミラーＭを得る。光反射性の金属としては、金又はアルミニウムなどがある。
【００５９】
なお、第２配線層２２の非形成領域Ｎからのガス抜き機能を高めたい場合は、第２配線層２２の非形成領域Ｎの幅を溝部４０ａの開口端の幅よりも広く設定することが好ましい。これにより、光路変換ミラーＭの周囲からガスが外部に効率よく排出される。
【００６０】
以上により、実施形態の光導波路装置２が製造される。
【００６１】
図１０に示すように、実施形態の光導波路装置２は、配線基板１とその上に配置された導波路４０とを備えている。配線基板１は、その厚み方向の中央部に前述した図１（ａ）で説明した両面側に第１配線層２０が形成されたコア基板１０を備えている。コア基板１０の両面側には第１配線層２０に到達するビアホールＶＨが設けられた絶縁層３０がそれぞれ形成されている。
【００６２】
両面側の絶縁層３０の上には、ビアホールＶＨ内のビア導体を介して第１配線層２０に接続される第２配線層２２がそれぞれ形成されている。
【００６３】
コア基板１０の上面側には、光導波路形成領域Ａと光素子接続領域Ｂとが画定されている。光導波路形成領域Ａの絶縁層３０及び第２配線層２２の上に光導波路４０が形成されている。光導波路４０は、第１クラッド層４２と、その上に形成されたコア層４４と、コア層４４を被覆して第１クラッド層４２の上に形成された第２クラッド層４６とから形成される。
【００６４】
図１１は、図１０を上側からみた平面図であり、各要素が透視的に示されている。以下、図１０に図１１の平面図を加えて参照すると、光導波路形成領域Ａの第１クラッド層４２の上面に複数の帯状のコア層４４が並んで配置されている。
【００６５】
そして、光導波路４０の一端側の光路変換部に、傾斜面Ｓを備えた溝部４０ａが形成されている。溝部４０ａは第２クラッド層４６及びコア層４４を分断して第１クラッド層４２の厚みの途中まで形成されている。
【００６６】
あるいは、溝部４０ａは第１クラッド層４２の厚み方向の全体を分断するように形成されてもよい。図１１の平面図に示すように、溝部４０ａは、コア層４４の延在方向と直交して配置され、全てのコア層４４を一括で分断するように帯状に形成されている。
【００６７】
さらに、溝部１０の傾斜面Ｓに光反射性の金属層が形成されて光路変換ミラーＭが構築されている。
【００６８】
溝部４０ａの下の領域では、第２配線層２２が存在しない非形成領域Ｎが設けられており、溝部４０ａは第２配線層２２と接触しない状態で形成されている。
【００６９】
前述したように、光導波路４０を切削して溝部４０ａを形成する際に、溝部４０の切削面に第２配線層２２が露出しないようにしている。このため、第２配線層２２が変形して第１クラッド層４２との界面から剥離することが防止される。
【００７０】
また、光導波路形成領域Ａの内部領域では、第２配線層２２にガス抜き開口部Ｇが形成されている。これにより、図７（ｂ）で説明したように、はんだをリフロー加熱する際などの加熱工程で、コア基板１０及び絶縁層３０からガスが発生するとしても、第２配線層２２のガス抜き開口部Ｇを通して、ガスを外部に排出することができる。第２配線層２２の非形成領域Ｎにおいてもガス抜きの経路として機能する。
【００７１】
また、本実施形態の光導波路装置２では、光導波路装置２の他端側の切断面に第１、第２配線層２０，２２が露出しない構造となっている。第１配線層２０の側面が絶縁層３０で被覆され、第２配線層２２の側面が第１クラッド層４２で被覆されている。
【００７２】
このように、光導波路装置２の末端を切断する際に、第１、第２配線層２０，２２が露出しないため、第１、第２配線層２０，２２が変形して剥離する不具合が解消される。
【００７３】
図１２には、本実施形態の変形例の光導波路装置２ａが示されている。変形例の光導波路装置２ａでは、光導波路形成領域Ａの第２配線層２２に複数の楕円形又は円形のガス抜き開口部Ｇｘが並んで形成されている。このように、第２配線層２２に形成するガス抜き開口部は各種の形状を採用することができる。
【００７４】
図１２において、ガス抜き開口部Ｇｘ以外の要素は図１１と同一であるので、同一符号を付してその説明を省略する。
【００７５】
図１１及び図１２の例では、光導波路形成領域Ａの第２配線層２２は一体的に繋がったベタパターンの内部に複数のガス抜き開口部を形成しているが、ガス抜き開口部によって第２配線層２２のパターンが相互に分離されるようにしてもよい。
【００７６】
次に、図１０の光導波路装置２に光素子を接続する方法について説明する。
【００７７】
図１３に示すように、下面に接続端子５２を備えた光素子５０を用意する。接続端子５２は金バンプなどのバンプ電極から形成される。そして、光素子５０の接続端子５２を接続ホールＣＨ内のはんだ電極２４の上に配置し、２６０℃程度の温度でリフロー加熱する。これにより、光素子５０の接続端子５２がはんだ電極２４に差し込まれて接合される。
【００７８】
光素子５０が発光素子の場合、下面に発光部５０ａを備え、発光部５０ａが光導波路４０の光路変換ミラーＭに光結合される。あるいは、光素子５０が受光素子の場合、受光部５０ｂを備え、受光部５０ｂが光導波路４０の光路変換ミラーＭに光結合される。
【００７９】
さらに、同じく図１３に示すように、ディスペンサなどにより、光素子５０と光導波路４０の第２クラッド層４６との間にアンダーフィル樹脂５４を充填する。
【００８０】
以上により、図１０の光導波路装置２に光素子５０が実装されて光装置として構築される。
【００８１】
光素子５０が発光素子の場合は、ドライバ素子（不図示）から出力される電気信号が発光素子に供給され、発光素子の発光面５０ａから下側に光が出射される。
【００８２】
発光素子から出射される光は、アンダーフィル樹脂５４を透過して光路変換ミラーＭに到達する。さらに、光路変換ミラーＭで光が反射され、光路が９０°変換されてコア層４４に入射する。次いで、コア層４４に入射した光は、コア層４４内で全反射を繰り返して他端側に伝播する。
【００８３】
逆に、光素子５０が受光素子の場合は、上記した光経路と逆方向に光伝搬され、受光素子の受光面５０ｂに光が入射される。さらに、受光素子は光信号を電気信号に変換し、アンプ素子（不図示）に電気信号が供給される。
【００８４】
図１３の例では、光導波路４０の右端部に光信号を入出力するための光コネクタが装着される。あるいは、図１３の光素子５０（発光素子又は受光素子）に対応するように、光導波路４０の他端側に受光素子又は発光素子を接続してよい。
【００８５】
この場合においても、図１３の光導波路装置２の右端部の切断面と同様に、光導波路４０及び配線基板１を切断する際に、切断面に第１、第２配線層２０，２２が露出せずに絶縁層３０及び第１クラッド層４２で被覆されるようにすればよい。
【符号の説明】
【００８６】
１…配線基板、２，２ａ…光導波路装置、１０…コア基板、１２…貫通導体、１４…めっきレジスト層、１４ａ…開口部、２０…第１配線層、２２…第２配線層、２２ａ…シード層、２２ｂ…金属めっき層、３０…絶縁層、４０……光導波路、４２…第１クラッド層、４４…コア層、４６…第２クラッド層、５０…光素子、５０ａ…発光部、５０ｂ…受光部、５２…接続端子、５４…アンダーフィル樹脂、ＣＨ…接続ホール、Ｇ，Ｇｘ…ガス抜き開口部、Ｈ１…第１ホール，Ｈ２…第２ホール、Ｎ…配線層の非形成領域、Ｓ…傾斜面、Ｍ…光路変換ミラー、ＴＨ…スルーホール。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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