(57)【要約】【課題】セラミック素体の有効領域が含まれる中央部が、引き出し部が含まれる両端部よりも厚みが厚くなってしまうことを防止して、信頼性の高い実装を行うことが可能な、信頼性の高い積層セラミックコンデンサを提供する。【解決手段】  セラミック素体１０の第１の端面２１ａに引き出された内部電極２ａの、第１の端面に引き出された端部近傍の厚みをＴ１とし、第２の端面２１ｂに引き出された内部電極２ｂの、第２の端面に引き出された端部とは逆側の端部近傍の厚みをＴ２とし、内部電極が引き出された第１の端面または第２の端面から、隣り合う内部電極の積み重なった有効領域Ａに至るまでの距離をＤとし、内部電極が引き出された第１の端面または第２の端面から有効領域に向かってＤ／２の距離の領域における、内部電極の厚みをＴ３とした場合に、Ｔ１＜Ｔ３＜Ｔ２の要件を満たすようにする。【選択図】図３
2015043423.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
誘電体セラミックからなる誘電体層と、前記誘電体層を介して積層され、前記誘電体層間の複数の界面に位置する複数の内部電極とを備えたセラミック素体であって、第１の主面および前記第１の主面と対向する第２の主面と、前記第１の主面に直交する第１の端面および前記第１の端面と対向する第２の端面と、前記第１の端面に直交する第１の側面および前記第１の側面と対向する第２の側面とを備える直方体形状を有し、前記複数の内部電極が交互に前記第１の端面および第２の端面に引き出されたセラミック素体と、
前記セラミック素体に、前記第１の端面および第２の端面に引き出された前記内部電極と導通するように配設された一対の外部電極と
を備えた積層セラミックコンデンサであって、
前記内部電極の積層方向からみて、積層方向に隣り合う前記内部電極の積み重なった領域を有効領域とし、
前記第１の端面に引き出された前記内部電極の、前記第１の端面に引き出された端部近傍の厚みをＴ１とし、
前記第２の端面に引き出された前記内部電極の、前記第２の端面に引き出された端部とは逆側の端部近傍の厚みをＴ２とし、
前記内部電極が引き出された前記第１の端面または前記第２の端面から、前記有効領域に至るまでの、前記内部電極の主面に沿う方向の距離をＤとし、
前記内部電極が引き出された前記第１の端面または前記第２の端面から前記有効領域に向かってＤ／２の距離の領域における、前記内部電極の厚みをＴ３とした場合に、下記の式（１）：
Ｔ１＜Ｔ３＜Ｔ２  ……(１)
の要件を満たすこと
を特徴とする積層セラミックコンデンサ。
【請求項２】
さらに下記の式(２)：
０．９３×(Ｔ１＋Ｔ２)／２＜Ｔ３＜１．０７×(Ｔ１＋Ｔ２)／２……(２)
の要件を満たすように構成されていることを特徴とする請求項１記載の積層セラミックコンデンサ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、積層セラミックコンデンサに関し、詳しくは、内部電極を備えたセラミック素体に、上記内部電極と導通するように外部電極が配設された構造を有する積層セラミックコンデンサに関する。
【背景技術】
【０００２】
代表的なセラミック電子部品の一つに、例えば、特許文献１に開示されているような積層セラミックコンデンサがある。
【０００３】
この積層セラミックコンデンサは、図６に示すように、誘電体層であるセラミック層１０１を介して複数の内部電極１０２（１０２ａ，１０２ｂ）が積層されたセラミック積層体（セラミック素体）１１０の一対の端面１０３（１０３ａ，１０３ｂ）に、内部電極１０２（１０２ａ，１０２ｂ）と導通するように一対の外部電極１０４（１０４ａ，１０４ｂ）が配設された構造を有している。
【０００４】
そして、外部電極１０４（１０４ａ，１０４ｂ）は、例えば、Ｃｕ粉末を導電成分とする導電ペーストを焼き付けることにより形成された、セラミック素体１１０の端面１０３からその主面や側面に回り込むように形成された焼結金属層１０５（１０５ａ，１０５ｂ）と、その表面を覆うように形成されためっき層１０６（１０６ａ，１０６ｂ）から形成されている。
【０００５】
なお、めっき層１０６（１０６ａ，１０６ｂ）は、焼結金属層１０５（１０５ａ，１０５ｂ）の表面に形成されたＮｉめっき層１０７（１０７ａ，１０７ｂ）と、Ｎｉめっき層１０７（１０７ａ，１０７ｂ）の上に形成されたＳｎめっき層１０８（１０８ａ，１０８ｂ）とを備えている。
【０００６】
ところで、上述のような構成を備えた積層セラミックコンデンサの場合、セラミック素体１１０の内部に配設された内部電極１０２（１０２ａ，１０２ｂ）のうち、容量形成に寄与する有効領域では、積層方向に隣り合う内部電極が重なり合うが、各内部電極の引き出し部では、積層方向に隣り合う内部電極は重なり合わず、引き出し部における内部電極の重なり枚数は、有効領域における内部電極の重なり枚数の１／２となる。
【０００７】
そのためセラミック素体１１０の、有効領域が含まれる領域では、内部電極の枚数が多い分だけ厚みが厚くなる一方、内部電極の引き出し部が含まれる領域では、内部電極の枚数が少ない分だけ厚みが薄くなり、いわゆる太鼓形状のセラミック素体が形成されることになる。
【０００８】
そのため、実装時に、積層セラミックコンデンサを安定した姿勢で実装することが困難になり、場合によっては積層セラミックコンデンサが立ち上がってしまう、いわゆるツームストーン現象と呼ばれる実装不良を生じやすいという問題点がある。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００９】
【特許文献１】特開２００６−２１３９４６号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１０】
本発明は、上記課題を解決するものであり、セラミック素体の有効領域が含まれる中央部が、引き出し部が含まれる両端部よりも厚みが厚くなってしまうことを防止して、信頼性の高い実装を行うことが可能な、信頼性の高い積層セラミックコンデンサを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
上記課題を解決するために、本発明の積層セラミックコンデンサは、
誘電体セラミックからなる誘電体層と、前記誘電体層を介して積層され、前記誘電体層間の複数の界面に位置する複数の内部電極とを備えたセラミック素体であって、第１の主面および前記第１の主面と対向する第２の主面と、前記第１の主面に直交する第１の端面および前記第１の端面と対向する第２の端面と、前記第１の端面に直交する第１の側面および前記第１の側面と対向する第２の側面とを備える直方体形状を有し、前記複数の内部電極が交互に前記第１の端面および第２の端面に引き出されたセラミック素体と、
前記セラミック素体に、前記第１の端面および第２の端面に引き出された前記内部電極と導通するように配設された一対の外部電極と
を備えた積層セラミックコンデンサであって、
前記内部電極の積層方向からみて、積層方向に隣り合う前記内部電極の積み重なった領域を有効領域とし、
前記第１の端面に引き出された前記内部電極の、前記第１の端面に引き出された端部近傍の厚みをＴ１とし、
前記第２の端面に引き出された前記内部電極の、前記第２の端面に引き出された端部とは逆側の端部近傍の厚みをＴ２とし、
前記内部電極が引き出された前記第１の端面または前記第２の端面から、前記有効領域に至るまでの、前記内部電極の主面に沿う方向の距離をＤとし、
前記内部電極が引き出された前記第１の端面または前記第２の端面から前記有効領域に向かってＤ／２の距離の領域における、前記内部電極の厚みをＴ３とした場合に、下記の式（１）：
Ｔ１＜Ｔ３＜Ｔ２  ……(１)
の要件を満たすこと
を特徴としている。
【００１２】
また、本発明の積層セラミックコンデンサにおいては、
さらに下記の式(２)：
０．９３×(Ｔ１＋Ｔ２)／２＜Ｔ３＜１．０７×(Ｔ１＋Ｔ２)／２……(２)
の要件を満たすように構成されていることが好ましい。
【００１３】
内部電極が引き出された第１の端面または第２の端面から有効領域に向かってＤ／２の距離の領域における、内部電極の厚み（Ｔ３）が、上記式（２）の要件、すなわち、
０．９３×(Ｔ１＋Ｔ２)／２＜Ｔ３＜１．０７×(Ｔ１＋Ｔ２)／２……(２)
の要件を満たすことにより、さらに確実にセラミック素体の有効領域が含まれる中央部が、引き出し部が含まれる両端部よりも厚みが厚くなってしまうことを防止して、信頼性の高い実装を行うことが可能な、信頼性の高い積層セラミックコンデンサを提供することができる。
【００１４】
また、内部電極の厚みを有効領域（中央部）から引き出し側端部に向かって、緩やかに傾斜するように厚みを増加させることで、セラミック素体の形状安定性が向上し、かつ、主面がより平坦なセラミック素体を構成することが可能になるとともに、セラミック素体の形状変化や厚みの変動が抑えられることになり、好ましい。
【発明の効果】
【００１５】
第１の端面に引き出された内部電極の、第１の端面に引き出された端部近傍の厚みをＴ１とし、第２の端面に引き出された内部電極の、第２の端面に引き出された端部とは逆側の端部近傍の厚みをＴ２とし、内部電極が引き出された第１の端面または第２の端面から、有効領域に至るまでの、内部電極の主面に沿う方向の距離をＤとし、内部電極が引き出された第１の端面または第２の端面から有効領域に向かってＤ／２の距離の領域における、内部電極の厚みをＴ３とした場合において、Ｔ１＜Ｔ３＜Ｔ２の要件を満たすことにより、セラミック素体の主面の平坦性を確保することが可能になり、実装時におけるツームストーン現象の発生を抑制、防止することが可能な、実装信頼性の高い積層セラミックコンデンサを提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１６】
【図１】本発明の一実施形態にかかる積層セラミックコンデンサの構成を示す正面断面図である。
【図２】本発明の一実施形態にかかる積層セラミックコンデンサの外観構成を示す斜視図である。
【図３】本発明の一実施形態にかかる積層セラミックコンデンサの要部を拡大して示す図である。
【図４】本発明の要件を備えていない積層セラミックコンデンサの要部を拡大して示す図である。
【図５】本発明の一実施形態にかかる積層セラミックコンデンサの変形例を示す図である。
【図６】従来の積層セラミックコンデンサの外部電極の構成を示す正面断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１７】
以下に本発明の実施形態を示して、本発明の特徴とするところをさらに詳しく説明する。
【００１８】
図１は、本発明の一実施形態（実施形態１）にかかる積層セラミックコンデンサ５０の構成を示す正面断面図、図２は積層セラミックコンデンサ５０の外観構成を示す斜視図である。  
【００１９】
この積層セラミックコンデンサ５０は、図１および２に示すように、誘電体セラミックからなる誘電体層１と、誘電体層１間の複数の界面に配設された複数の内部電極２（２ａ，２ｂ）とを備えたセラミック素体１０と、セラミック素体１０の外表面に、内部電極２（２ａ，２ｂ）と導通するように配設された一対の外部電極５（５ａ，５ｂ）を備えている。
【００２０】
セラミック素体１０を構成する誘電体層１は、ＢａＴｉＯ3系や、ＣａＺｒＯ3系のセラミック誘電体から形成されている。なお、ＢａＴｉＯ3のＴｉ１００モル部に対して、Ｄｙが１．０モル部、Ｍｇが１．３モル部となるように添加されている。
また、内部電極２は、ＮｉもしくはＣｕなどの卑金属を主成分とする金属層である。
【００２１】
セラミック素体１０は、直方体形状を有しており、第１の主面１１ａおよび第１の主面１１ａと対向する第２の主面１１ｂと、第１の主面１１ａに直交する第１の端面２１ａおよび第１の端面２１ａと対向する第２の端面２１ｂと、第１の端面２１ａに直交する第１の側面３１ａおよび第１の側面３１ａと対向する第２の側面３１ｂとを備えている。
【００２２】
なお、第１の主面１１ａと第２の主面１１ｂを結ぶ方向を高さ方向とした場合に、この高さ方向が誘電体層１および内部電極２（２ａ，２ｂ）の積層方向となる。
【００２３】
第１の端面２１ａと第２の端面２１ｂには、複数の内部電極２（２ａ，２ｂ）が交互に引き出されており、第１の端面２１ａには内部電極２ａが引き出され、第２の端面２１ｂには内部電極２ｂが引き出されている。
【００２４】
また、この実施形態にかかる積層セラミックコンデンサ５０において、外部電極５（５ａ，５ｂ）は、焼結金属層１２（１２ａ，１２ｂ）と、めっき層３２（３２ａ，３２ｂ）とを備えた構造とされている。
【００２５】
焼結金属層１２（１２ａ，１２ｂ）は，Ｃｕ粉末やＮｉ粉末を導電成分とする導電ペーストをセラミック素体１０に塗布して焼き付けることにより形成される焼き付け電極（厚膜電極）である。なお、焼結金属層１２（１２ａ，１２ｂ）の構成材料は、上述のＣｕやＮｉに限られるものではなく、さらに他の金属材料を用いることも可能である。
【００２６】
そして、焼結金属層１２（１２ａ，１２ｂ）は、セラミック素体１０の第１の端面２１ａおよび第２の端面２１ｂから、セラミック素体１０の第１および第２の主面１１ａ，１１ｂ、および第１および第２の側面３１ａ，３１ｂに回り込むように形成されている。
なお、焼結金属層１２の厚みは、通常、０．５μｍ〜１０μｍの範囲にあることが望ましい。
ただし、焼結金属層１２の厚みは上述の範囲に限られるものではなく、他の厚みとすることも可能である。
【００２７】
めっき層３２（３２ａ，３２ｂ）は、焼結金属層１２（１２ａ，１２ｂ）の全体を覆うように形成されている。
【００２８】
また、この実施形態では、めっき層３２（３２ａ，３２ｂ）は、焼結金属層１２（１２ａ，１２ｂ）上に形成されたＮｉめっき層３３（３３ａ，３３ｂ）と、Ｎｉめっき層３３（３３ａ，３３ｂ）上に形成されたＳｎめっき層３４（３４ａ，３４ｂ）を備えた２層構造のめっき層とされている。
【００２９】
この実施形態では、積層セラミックコンデンサ５０として、
（ａ）外部電極を含めた寸法が、長さ（Ｌ）：０．６ｍｍ、幅（Ｗ）：０．３ｍｍ、高さ（Ｔ）：０．３ｍｍの積層セラミックコンデンサと、
（ｂ）外部電極を含めた寸法が、長さ（Ｌ）：０．４ｍｍ、幅（Ｗ）：０．２ｍｍ、高さ（Ｔ）：０．２ｍｍの積層セラミックコンデンサと
を作製した。
【００３０】
ただし、本発明は上述のような寸法の積層セラミックコンデンサに限られるものではなく、異なる寸法の積層セラミックコンデンサにも適用することが可能である。
【００３１】
そして、この実施形態の積層セラミックコンデンサ５０においては、図１，３に示すように、
セラミック素体１０を構成する内部電極２（２ａ，２ｂ）について、有効領域（中央部）から引き出し側端部に向かって、緩やかに傾斜するように厚みを徐々に増加させることにより、セラミック素体１０の主面の平坦性が確保されるようにしている。すなわち、この実施形態の積層セラミックコンデンサ５０においては、内部電極２（２ａ，２ｂ）の引き出し部に、セラミック素体１０の端面２１ａ，２１ｂに向かって傾斜的に厚みが増大する厚み増大部２０を形成するようにしている。
なお、内部電極２（２ａ，２ｂ）の密度は厚みが増大するにつれて高くなるように形成されており、ＢａとＴｉを有するペロブスカイト型化合物が内部電極中に偏析物として点在している。内部電極２（２ａ，２ｂ）の厚みが増大するにつれて、偏析物の数も増大する。
【００３２】
以下に、図１〜３を参照して、具体的に説明する。本発明の積層セラミックコンデンサは、
（ａ）内部電極２（２ａ，２ｂ）の積層方向からみて、積層方向に隣り合う内部電極２ａと２ｂの積み重なった領域を有効領域Ａとし、
（ｂ）第１の端面２１ａに引き出された内部電極２ａの、第１の端面２１ａに引き出された端部近傍の厚みをＴ１とし、
（ｃ）第２の端面２１ｂに引き出された内部電極２ｂの、第２の端面２１ｂに引き出された端部とは逆側の端部近傍の厚みをＴ２とし、
（ｄ）内部電極２ａ，２ｂが引き出された第１の端面２１ａまたは第２の端面２１ｂから、有効領域Ａに至るまでの内部電極２ａ，２ｂの主面に沿う方向の距離をＤとし、
（ｅ）内部電極２ａ，２ｂが引き出された第１の端面２１ａまたは第２の端面２１ｂから有効領域Ａに向かってＤ／２の距離の領域Ｒにおける、内部電極の厚みをＴ３としたとき、
上記Ｔ３が、下記の式（１）：
Ｔ１＜Ｔ３＜Ｔ２  ……(１)
の要件を満たすように構成されているとともに、有効領域Ａから、第１の端面２１ａまたは第２の端面２１ｂに向かって内部電極２ａ，２ｂの厚みが、所定の傾斜を持って徐々に増加するように構成されている。
なお、内部電極の密度に関しても厚みの場合と同様に、所定の傾斜を持って徐々に増加するように構成されている。
また、内部電極の厚みは以下の方法を用いて測定する。内部電極が露出するように幅の１／２程度の深さまで研磨し、研磨による内部電極のダレを除去し、内部電極の厚みを測定する。最外の内部電極を除いて、距離Ｄの間の内部電極の１０点について測定を行う。ただし、内部電極が欠落している等により測定できない部分は測定対象から除いた。そして、５層における内部電極の厚みの平均値を内部電極厚みとした。なお、走査型電子顕微鏡を用いて測定した。
また、内部電極の密度は以下の方法を用いて測定する。内部電極に沿って積層体を剥離し、露出した内部電極の幅方向における中央部付近を倍率５００倍の顕微鏡で観察するとともに、倍率５００倍の顕微鏡写真にとる。そして、画像処理を行い、内部電極に覆われている領域の割合を定量化して、平均値を求めることにより密度を求める。
また、偏析物の数は、内部電極を含むような厚み１００ｎｍの薄片試料を準備し、ＴＥＭ−ＥＤＸ分析を用いて、画像処理により点在する偏析物を観察することにより求めた。
【００３３】
このように、内部電極２（２ａ，２ｂ）の引き出し部に、セラミック素体１０の端面２１ａ，２１ｂに向かって傾斜的に厚みが増大する厚み増大部２０を設けた構成とすることにより、セラミック素体１０の第１および第２の主面１１ａ，１１ｂを平坦に形成することが可能になり，その両端部に外部電極５（５ａ，５ｂ）を形成することにより、ツームストーン現象を引き起こすことのない、実装信頼性の高い積層セラミックコンデンサを得ることが可能になる。
【００３４】
なお、図４は、内部電極２ａ，２ｂの厚みを均一にした場合、すなわち、Ｔ１＝Ｔ２とした場合の、セラミック素体の形状を模式的に示す図である。図４において図３と同一符号を付した部分は、同一または相当する部分を示している。
【００３５】
図４に示すように、有効領域Ａと引き出し部とで、内部電極２ａ，２ｂの厚みを異ならせないようにした場合、セラミック素体１０は、中央部が厚くて、両端部が薄い、いわゆる太鼓状の形状となる。
【００３６】
そして、このようなセラミック素体１０に外部電極を形成した積層セラミックコンデンサは、基板上に安定した姿勢で実装することが困難で、いわゆるツームストーン現象を生じるおそれがあり、好ましくない。
【００３７】
なお、上記実施形態では、内部電極が有効領域からセラミック素体の端面に向かって、傾斜を持って徐々に厚くするようにしているが、本発明は、傾斜を持って徐々に厚くするようにした構成に限られるものではなく、図５に示すように、効領域Ａからセラミック素体１０の端面２１ａに向かって段階的に厚くすることも可能である。ただし、急激な厚みの変化は、層間剥離などの構造欠陥にもつながることから、内部電極は、有効領域から端部に向かって、徐々に厚みが増大するように構成されていることが好ましい。
【００３８】
次に、この積層セラミックコンデンサ５０の製造方法について説明する。
まず、ＢａＴｉＯ3もしくはＣａＺｒＯ3を主成分とする誘電体セラミック粉末にバインダーと溶剤を配合して分散させたセラミック原料スラリーを、ＰＥＴフィルムなどの樹脂フィルム上に薄く伸ばしてシート状に成形することにより、セラミックグリーンシートを作製する。
【００３９】
それから、セラミックグリーンシート上に、スクリーン印刷、グラビア印刷などの方法を用いて、導電ペーストを印刷し、内部電極パターンを形成する。
このとき内部電極パターンの、製品である積層セラミックコンデンサにおいて内部電極の上記有効領域となる部分に対応する領域は厚みが均一になるように、また、内部電極の上記有効領域から上記引き出し部にかけての部分に対応する領域では、厚みが徐々に厚くなるように内部電極パターンを形成する。
【００４０】
なお、グラビア印刷を用いて内部電極パターンを形成する場合には、内部電極となるパターンが形成された版（グラビア版）の版深を調整することにより、所定の方向に向かって（セラミック素体の端面に向かって）厚みが徐々に厚くなるように、導電ペーストを厚く塗布して、内部電極パターンを形成することが可能である。
【００４１】
また、スクリーン印刷を用いて内部電極パターンを形成する場合には、スクリーン版のメッシュの粗さを調整することにより、内部電極の厚みを調整することができる。
【００４２】
それから、内部電極パターンが形成されたセラミックグリーンシートと、内部電極パターンが形成されていないセラミックグリーンシート（外層用セラミックグリーンシート）を、所定の順序で、所定枚数積み重ねる。
【００４３】
そして、得られた積層ブロックを、プレスして、各セラミックグリーンシートを圧着する。積層ブロックをプレスするにあたっては、例えば、圧着ブロックを樹脂フィルムで挟み、例えば静水圧プレスなどの方法によりプレスを行う。
【００４４】
その後、プレスされた積層圧着体を、押切り、切削などの方法を用いて、直方体形状のチップ（個片）に分割し、バレル研磨を行う。
【００４５】
バレル研磨を行ったチップ（焼成後にセラミック素体１０（図１）となる個片）を、所定の温度に加熱してバインダーを除去した後、例えば、９００〜１０００℃で本焼成を行い、直方体形状のセラミック素体を得る。
【００４６】
それから、このセラミック素体の他方端面側を保持し、Ｃｕ粉末やＮｉ粉末を導電成分とする導電ペーストを定盤上に塗布することにより形成した導電ペースト層に、セラミック素体の一方端面を浸漬することで、セラミック素体の一方端面に、導電ペーストを塗布し、乾燥する。
【００４７】
次に、セラミック素体の他方端面についても、同様の方法で、導電ペーストを塗布し、乾燥する。
【００４８】
それから、上述のようにして付与したセラミック素体の一方端部および他方端部の導電ペーストを焼き付けることにより、焼結金属層を形成する。
【００４９】
その後、焼結金属層上に、ＮｉめっきおよびＳｎめっきの順でめっきを行い、Ｎｉめっき層およびＳｎめっき層を形成する。
これにより、図１および２に示すような構造を備えた本発明の実施形態にかかる積層セラミックコンデンサ５０が得られる。
【００５０】
＜試験＞
本発明の効果を確認するため、表１および表２に示す条件の積層セラミックコンデンサを作製し、ツームストーン現象の発生率（実装不良の発生率）を調べた。
【００５１】
なお、表１は、セラミック素体を構成する誘電体層の厚み（素子厚）が０．６〜０．９μｍの積層セラミックコンデンサ（試料）１００００個について行った評価の結果を示している。
なお、表１の積層セラミックコンデンサ（試料）は、長さＬが０．６ｍｍ、幅Ｗが０．３ｍｍ、高さＴが０．３ｍｍ、内部電極積層数が２２３枚の積層セラミックコンデンサである。
【００５２】
また、表２は、セラミック素体を構成する誘電体層の厚み（素子厚）が１．０〜１．４μｍの積層セラミックコンデンサ（試料）１００００個について行った評価の結果を示している。
なお、表２の積層セラミックコンデンサ（試料）は、長さＬが０．６ｍｍ、幅Ｗが０．３ｍｍ、高さＴが０．３ｍｍ、内部電極積層数が１４９枚の積層セラミックコンデンサである。
【００５３】
【表１】
2015043423.tif 000003
【００５４】
【表２】
2015043423.tif 000004
【００５５】
表１および２に示すように、Ｔ１＜Ｔ３＜Ｔ２の要件を満たす本発明の範囲内のものは、実装不良も少なく良好な結果が得られることが確認された。
なお、表１および２には示していないが、Ｔ１＜Ｔ３＜Ｔ２の要件を満たさない積層セラミックコンデンサについては、実装不良を発生する傾向が強くなることが確認された。
また、良好な評価結果が得られた試料は、いずれも、Ｔ３／｛（Ｔ１＋Ｔ２）／２｝が０．９３〜１．０７の範囲にあることが確認された。
Ｔ３／｛（Ｔ１＋Ｔ２）／２｝が０．９３〜１．０７の範囲を外れると、Ｔ１＜Ｔ３＜Ｔ２の要件を満たさない場合に比べると軽微ではあったが、実装不良の発生が増加することが確認された。
【００５６】
以上の結果より、Ｔ１，Ｔ２，Ｔ３の関係について、本発明の要件を満たす積層セラミックコンデンサは、実装不良（ツームストーン現象）の発生が少なく、高い実装信頼性を実現できることが確認された。
【００５７】
なお、本発明は上記実施形態に限定されるものではなく、発明の範囲内において、種々の応用、変形を加えることが可能である。
【符号の説明】
【００５８】
１                  誘電体層
２（２ａ，２ｂ）    内部電極
５（５ａ，５ｂ）    外部電極
１０                セラミック素体
１１ａ              セラミック素体の第１の主面
１１ｂ              セラミック素体の第２の主面
１２（１２ａ，１２ｂ）    焼結金属層
２０                内部電極の厚み増大部
２１ａ              セラミック素体の第１の端面
２１ｂ              セラミック素体の第２の端面
３１ａ              セラミック素体の第１の側面
３１ｂ              セラミック素体の第２の側面
３２（３２ａ，３２ｂ）    めっき層
３３（３３ａ，３３ｂ）    Ｎｉめっき層
３４（３４ａ，３４ｂ）    Ｓｎめっき層
５０                積層セラミックコンデンサ
Ｌ                  積層セラミックコンデンサの長さ
Ｔ                  積層セラミックコンデンサの高さ
Ｗ                  積層セラミックコンデンサの幅
Ａ                  有効領域
Ｄ      内部電極が引き出された第１の端面または第２の端面から、有効領域に至るまでの、内部電極の主面に沿う方向の距離
Ｔ１    第１の端面に引き出された内部電極の、第１の端面に引き出された端部近傍の厚み
Ｔ２    第２の端面に引き出された内部電極の、第２の端面に引き出された端部とは逆側の端部近傍の厚み
Ｔ３    第１の端面または第２の端面から有効領域に向かってＤ／２の距離の領域における内部電極の厚み
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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