(57)【要約】【課題】β−Ｇａ２Ｏ３系単結晶基板とその上の結晶品質の高い窒化物半導体層とを有する半導体積層構造体、及びその半導体積層構造体を含む半導体素子を提供する。【解決手段】一実施の形態として、（−２０１）、（１０１）、（３１０）、（３−１０）のいずれかの面を主面４とし、双晶面３を含まない、又は双晶面３と主面４との交線に垂直な方向の最大幅が２インチ以上の双晶面３を含まない領域２を有する、β−Ｇａ２Ｏ３系単結晶基板１と、β−Ｇａ２Ｏ３系単結晶基板１上にエピタキシャル成長により形成されたＡｌｘＧａｙＩｎｚＮ（０≦ｘ≦１、０≦ｙ≦１、０≦ｚ≦１、ｘ＋ｙ＋ｚ＝１）結晶からなる窒化物半導体層４２と、を含む半導体積層構造体４０を提供する。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
（−２０１）、（１０１）、（３１０）、（３−１０）のいずれかの面を主面とし、双晶面を含まない、又は双晶面と前記主面との交線に垂直な方向の最大幅が２インチ以上の双晶面を含まない領域を有する、β−Ｇａ２Ｏ３系単結晶基板と、
前記β−Ｇａ２Ｏ３系単結晶基板上にエピタキシャル成長により形成されたＡｌｘＧａｙＩｎｚＮ（０≦ｘ≦１、０≦ｙ≦１、０≦ｚ≦１、ｘ＋ｙ＋ｚ＝１）結晶からなる窒化物半導体層と、
を含む半導体積層構造体。
【請求項２】
前記β−Ｇａ２Ｏ３系単結晶基板が双晶を含まない、
請求項１に記載の半導体積層構造体。
【請求項３】
前記β−Ｇａ２Ｏ３系単結晶基板の直径が２インチ以上である、
請求項２に記載の半導体積層構造体。
【請求項４】
前記β−Ｇａ２Ｏ３系単結晶基板と前記窒化物半導体層との間に、ＡｌｘＧａｙＩｎｚＮ（０≦ｘ≦１、０≦ｙ≦１、０≦ｚ≦１、ｘ＋ｙ＋ｚ＝１）結晶からなるバッファ層を有する、
請求項１〜３のいずれか１項に記載の半導体積層構造体。
【請求項５】
前記窒化物半導体層はＧａＮ結晶からなる、
請求項１〜４のいずれか１項に記載の半導体積層構造体。
【請求項６】
請求項１〜５のいずれか１項に記載の前記半導体積層構造体を含む、
半導体素子。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体積層構造体及び半導体素子に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、β−Ｇａ２Ｏ３単結晶基板と、その上にエピタキシャル成長により形成された窒化物半導体層とを有する半導体積層構造体が知られている（例えば、特許文献１参照）。
【０００３】
また、特許文献１には、上記の半導体積層構造体を用いて形成されたＬＥＤ素子等の半導体素子が開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２０１３−２５１４３９号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
β−Ｇａ２Ｏ３系単結晶基板と、その上にエピタキシャル成長により形成された窒化物半導体層とを有する半導体積層構造体を用いて、発光素子やトランジスタ等の半導体素子を製造する際に、半導体素子のリーク電流の低減、歩留まり向上、信頼性向上等を図るためには、β−Ｇａ２Ｏ３系単結晶基板上に高品質の窒化物半導体層を成長させることが重要である。
【０００６】
したがって、本発明の目的は、β−Ｇａ２Ｏ３系単結晶基板とその上の結晶品質の高い窒化物半導体層とを有する半導体積層構造体、及びその半導体積層構造体を含む半導体素子を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明の一態様は、上記目的を達成するために、下記［１］〜［５］の半導体積層構造体を提供する。
【０００８】
［１］（−２０１）、（１０１）、（３１０）、（３−１０）のいずれかの面を主面とし、双晶面を含まない、又は双晶面と前記主面との交線に垂直な方向の最大幅が２インチ以上の双晶面を含まない領域を有する、β−Ｇａ２Ｏ３系単結晶基板と、前記β−Ｇａ２Ｏ３系単結晶基板上にエピタキシャル成長により形成されたＡｌｘＧａｙＩｎｚＮ（０≦ｘ≦１、０≦ｙ≦１、０≦ｚ≦１、ｘ＋ｙ＋ｚ＝１）結晶からなる窒化物半導体層と、を含む半導体積層構造体。
【０００９】
［２］前記β−Ｇａ２Ｏ３系単結晶基板が双晶を含まない、前記［１］に記載の半導体積層構造体。
【００１０】
［３］前記β−Ｇａ２Ｏ３系単結晶基板の直径が２インチ以上である、前記［２］に記載の半導体積層構造体。
【００１１】
［４］前記β−Ｇａ２Ｏ３系単結晶基板と前記窒化物半導体層との間に、ＡｌｘＧａｙＩｎｚＮ（０≦ｘ≦１、０≦ｙ≦１、０≦ｚ≦１、ｘ＋ｙ＋ｚ＝１）結晶からなるバッファ層を有する、前記［１］〜［３］のいずれか１項に記載の半導体積層構造体。
【００１２】
［５］前記窒化物半導体層はＧａＮ結晶からなる、前記［１］〜［４］のいずれか１項に記載の半導体積層構造体。
【００１３】
また、本発明の他の態様は、上記目的を達成するために、下記［６］の半導体素子を提供する。
【００１４】
［６］前記［１］〜［５］のいずれか１項に記載の前記半導体積層構造体を含む、半導体素子。
【発明の効果】
【００１５】
本発明によれば、β−Ｇａ２Ｏ３系単結晶基板とその上の結晶品質の高い窒化物半導体層とを有する半導体積層構造体、及びその半導体積層構造体を含む半導体素子を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１６】
【図１】図１は、第１の実施の形態に係る半導体積層構造体の垂直断面図である。
【図２】図２（ａ）、（ｂ）は、第１の実施の形態に係るβ−Ｇａ２Ｏ３系単結晶基板の平面図である。
【図３】図３（ａ）、（ｂ）は、双晶を僅かに含むβ−Ｇａ２Ｏ３系単結晶基板の断面図である。
【図４】図４は、β−Ｇａ２Ｏ３系単結晶基板が双晶を含む場合に、主面に異なる面方位の領域が現れることを示す模式図である。
【図５】図５は、第１の実施の形態に係るＥＦＧ結晶製造装置の垂直断面図である。
【図６】図６は、第１の実施の形態に係るβ−Ｇａ２Ｏ３系単結晶の成長中の様子を表す斜視図である。
【図７】図７は、種結晶を切り出すためのβ−Ｇａ２Ｏ３系単結晶を育成する様子を表す斜視図である。
【図８】図８（ａ）、（ｂ）は、主面に（１０１）面と（−２０１）面の領域を有するβ−Ｇａ２Ｏ３単結晶基板上にエピタキシャル成長したＧａＮ層の表面の光学顕微鏡による観察画像である。
【図９】図９（ａ）、（ｂ）は、双晶を含まず、主面が（−２０１）面の領域のみを有するβ−Ｇａ２Ｏ３単結晶基板上にエピタキシャル成長したＧａＮ層の表面の光学顕微鏡による観察画像である。
【図１０】図１０（ａ）、（ｂ）は、双晶を含まず、主面が（１０１）面の領域のみを有するβ−Ｇａ２Ｏ３単結晶基板上にエピタキシャル成長したＧａＮ層の表面の光学顕微鏡による観察画像である。
【図１１】図１１（ａ）、（ｂ）は、多数の双晶面を含むβ−Ｇａ２Ｏ３単結晶基板上にエピタキシャル成長したＧａＮ層の表面の光学顕微鏡による観察画像である。
【図１２】図１２は、第２の実施の形態に係るＬＥＤ素子の垂直断面図である。
【図１３】図１３（ａ）、（ｂ）は、それぞれβ−Ｇａ２Ｏ３系単結晶基板の双晶面の存在しない領域上に形成されたＬＥＤ素子、双晶面を含む領域上に形成されたＬＥＤ素子の表面の光学顕微鏡による観察画像である。
【発明を実施するための形態】
【００１７】
〔第１の実施の形態〕
（半導体積層構造体の構造）
図１は、第１の実施の形態に係る半導体積層構造体４０の垂直断面図である。半導体積層構造体４０は、β−Ｇａ２Ｏ３系単結晶基板１と、β−Ｇａ２Ｏ３系単結晶基板１の主面４上にエピタキシャル結晶成長により形成された窒化物半導体層４２を有する。また、図１に示されるように、β−Ｇａ２Ｏ３系単結晶基板１と窒化物半導体層４２の格子不整合を緩和するために、β−Ｇａ２Ｏ３系単結晶基板１と窒化物半導体層４２との間にバッファ層４１を設けることが好ましい。
【００１８】
β−Ｇａ２Ｏ３系単結晶基板１は、双晶面を含まない、又は双晶面と前記主面との交線に垂直な方向の最大幅が２インチ以上の双晶面を含まない領域を有する。β−Ｇａ２Ｏ３系単結晶基板１の厚さは、例えば、７００μｍである。
【００１９】
β−Ｇａ２Ｏ３系単結晶基板１の主面は、酸素が六角格子配置された面、例えば（１０１）面、（−２０１）面、（３１０）面、又は（３−１０）面であることが好ましい。この場合、バッファ層４１が薄い（例えば１０ｎｍ以下）場合であっても、表面が平坦な窒化物半導体層４２をエピタキシャル成長させることができる。
【００２０】
β−Ｇａ２Ｏ３系単結晶基板１の構造の詳細については、後述する。
【００２１】
バッファ層４１は、ＡｌｘＧａｙＩｎｚＮ（０≦ｘ≦１、０≦ｙ≦１、０≦ｚ≦１、ｘ＋ｙ＋ｚ＝１）結晶からなる。バッファ層４１は、β−Ｇａ２Ｏ３系単結晶基板１上にアイランド状に形成されてもよいし、膜状に形成されてもよい。バッファ層４１は、Ｓｉ等の導電型不純物を含んでもよい。
【００２２】
また、バッファ層４１は、ＡｌｘＧａｙＩｎｚＮ結晶の中でも、特にＡｌＮ結晶（ｘ＝１、ｙ＝ｚ＝０）からなることが好ましい。バッファ層４１がＡｌＮ結晶からなる場合、β−Ｇａ２Ｏ３系単結晶基板１と窒化物半導体層４２との密着性がより高まる。バッファ層４１の厚さは、例えば、１〜５ｎｍである。
【００２３】
バッファ層４１は、例えば、β−Ｇａ２Ｏ３系単結晶基板１の主面４上に３７０〜５００℃程度の成長温度でＡｌｘＧａｙＩｎｚＮ（０≦ｘ≦１、０≦ｙ≦１、０≦ｚ≦１、ｘ＋ｙ＋ｚ＝１）結晶をエピタキシャル成長させることにより、形成される。
【００２４】
窒化物半導体層４２は、ＡｌｘＧａｙＩｎｚＮ（０≦ｘ≦１、０≦ｙ≦１、０≦ｚ≦１、ｘ＋ｙ＋ｚ＝１）結晶からなり、特に、高い品質の結晶が得られやすいＧａＮ結晶（ｙ＝１、ｘ＝ｚ＝０）からなることが好ましい。窒化物半導体層４２の厚さは、例えば、５μｍである。窒化物半導体層４２は、Ｓｉ等の導電型不純物を含んでもよい。
【００２５】
窒化物半導体層４２は、例えば、β−Ｇａ２Ｏ３系単結晶基板１の主面４上にバッファ層４１を介して、１０００°程度の成長温度でＡｌｘＧａｙＩｎｚＮ（０≦ｘ≦１、０≦ｙ≦１、０≦ｚ≦１、ｘ＋ｙ＋ｚ＝１）結晶をエピタキシャル成長させることにより、形成される。
【００２６】
β−Ｇａ２Ｏ３系単結晶基板１が、双晶面を含まない、又は双晶面を含まない広い領域を有するため、その上に成長する窒化物半導体層４２は、全ての領域、又はほとんど全ての領域において、双晶面を含まず、高い結晶品質を有する。
【００２７】
（β−Ｇａ２Ｏ３系単結晶基板の構造）
図２（ａ）、（ｂ）は、第１の実施の形態に係るβ−Ｇａ２Ｏ３系単結晶基板１の平面図である。図２（ａ）は、双晶を含まないβ−Ｇａ２Ｏ３系単結晶基板１を表し、図２（ｂ）は、双晶を僅かに含むβ−Ｇａ２Ｏ３系単結晶基板１を表す。
【００２８】
β−Ｇａ２Ｏ３系単結晶基板１は、β−Ｇａ２Ｏ３系単結晶からなる。ここで、β−Ｇａ２Ｏ３系単結晶は、β−Ｇａ２Ｏ３単結晶、又は、Ｍｇ、Ｆｅ、Ｃｕ、Ａｇ、Ｚｎ、Ｃｄ、Ａｌ、Ｉｎ、Ｓｉ、Ｇｅ、Ｓｎ、Ｎｂ等の元素が添加されたβ−Ｇａ２Ｏ３単結晶である。
【００２９】
β−Ｇａ２Ｏ３系結晶は単斜晶系に属するβ−ガリア構造を有し、不純物を含まないβ−Ｇａ２Ｏ３結晶の典型的な格子定数はａ０＝１２．２３Å、ｂ０＝３．０４Å、ｃ０＝５．８０Å、α＝γ＝９０°、β＝１０３．８°である。
【００３０】
図２（ａ）に示される双晶を含まないβ−Ｇａ２Ｏ３系単結晶基板１の直径は、２インチ以上であることが好ましい。β−Ｇａ２Ｏ３系単結晶基板１は、後述する新規な方法により育成された、双晶を含まない、又はほとんど含まないβ−Ｇａ２Ｏ３系単結晶から切り出されるため、２インチ以上という大型の双晶を含まない基板として切り出すことができる。
【００３１】
β−Ｇａ２Ｏ３系単結晶は、（１００）面における劈開性が強く、結晶成長の過程で（１００）面を双晶面（対称面）とする双晶が生じやすい。
【００３２】
図２（ｂ）に示される双晶を僅かに含むβ−Ｇａ２Ｏ３系単結晶基板１は、２インチ以上の直径を有することが好ましく、幅Ｗｓが２インチ以上の双晶面３を含まない領域２を有することがより好ましい。ここで、領域２の幅Ｗｓは、双晶面３とβ−Ｇａ２Ｏ３系単結晶基板１の主面の交線に垂直な方向の最大幅である。双晶面３を含む領域をエピタキシャル結晶成長の下地として用いることは好ましくないため、領域２の幅Ｗｓは大きい方がよい。
【００３３】
図３（ａ）、（ｂ）は、双晶を僅かに含むβ−Ｇａ２Ｏ３系単結晶基板１の断面図である。図３（ａ）、（ｂ）は、β−Ｇａ２Ｏ３系単結晶基板１の中心を通り、双晶面３に垂直な断面を表す。図面の右側の軸は、β−Ｇａ２Ｏ３系単結晶基板１の母結晶であるβ−Ｇａ２Ｏ３単結晶のａ軸、ｂ軸、ｃ軸の方向を表す。
【００３４】
図３（ａ）はβ−Ｇａ２Ｏ３系単結晶基板１の片側に双晶面３が存在する場合の領域２の例を示し、図３（ｂ）はβ−Ｇａ２Ｏ３系単結晶基板１の両側に双晶面３が存在する場合の領域２の例を示す。図３（ａ）、（ｂ）には、一例として、主面が（−２０１）面であるβ−Ｇａ２Ｏ３系単結晶基板１の断面を示す。
【００３５】
図４は、β−Ｇａ２Ｏ３系単結晶基板１が双晶を含む場合に、主面４に異なる面方位の領域が現れることを示す模式図である。図中の四角形５は、β−Ｇａ２Ｏ３単結晶の単位格子を模式的に表したものである。
【００３６】
双晶における結晶構造は、双晶面を対称面とする鏡面対称性を有するため、β−Ｇａ２Ｏ３系単結晶基板１の主面４に現れるβ−Ｇａ２Ｏ３系単結晶の面の面方位は、主面４と双晶面との交線の一方の側と他方の側で異なる。例えば、一方の側の領域における面方位が（１０１）である場合、他方の側の領域における面方位は（−２０１）である。また、一方の側の領域における面方位が（３１０）である場合、他方の側の領域における面方位は（３−１０）である。
【００３７】
β−Ｇａ２Ｏ３系単結晶基板１が双晶を含み、主面４に複数の面方位の異なる領域が存在する場合、全ての領域上に高品質の窒化物半導体層４２をエピタキシャル成長させることは非常に困難である。当然ながら、窒化物半導体層４２の結晶品質の悪い領域をＬＥＤ素子等の半導体素子の製造に用いることは好ましくない。また、双晶面を含む領域をＬＥＤ素子等の半導体素子の製造に用いることも好ましくない。
【００３８】
このため、β−Ｇａ２Ｏ３系単結晶基板１には、双晶面３を含まないこと、又は含む場合であっても、双晶面３と主面４との交線に垂直な方向の最大幅が２インチ以上の双晶面３を含まない領域を有することが求められる。
【００３９】
（β−Ｇａ２Ｏ３系単結晶基板の製造方法）
以下に、上記の双晶を含まない、又は双晶を含まない広い領域を有するβ−Ｇａ２Ｏ３系単結晶基板１の製造方法の一例を記載する。
【００４０】
図５は、第１の実施の形態に係るＥＦＧ(Edge Defined Film Fed Growth)結晶製造装置１０の垂直断面図である。
【００４１】
ＥＦＧ結晶製造装置１０は、Ｇａ２Ｏ３系融液３０を受容するルツボ１１と、このルツボ１１内に設置されたスリット１２ａを有するダイ１２と、ダイ１２の開口部１２ｂを含む上面を露出させるようにしてルツボ１１の開口部を閉塞する蓋１３と、種結晶３１を保持する種結晶保持具１４と、種結晶保持具１４を昇降可能に支持するシャフト１５とを有する。
【００４２】
ルツボ１１は、Ｇａ２Ｏ３系原料を溶解させて得られたＧａ２Ｏ３系融液３０を収容する。ルツボ１１は、Ｇａ２Ｏ３系融液３０を収容しうるＩｒ等の高い耐熱性を有する材料からなる。
【００４３】
ダイ１２は、ルツボ１１内のＧａ２Ｏ３系融液３０を毛細管現象により上昇させるためのスリット１２ａを有する。ダイ１２は、ルツボ１１と同様に、Ｉｒ等の高い耐熱性を有する材料からなる。
【００４４】
蓋１３は、ルツボ１１から高温のＧａ２Ｏ３系融液３０が蒸発することを防止し、蒸発物がルツボ１１外の部材に付着することを防ぐ。
【００４５】
図６は、第１の実施の形態に係るβ−Ｇａ２Ｏ３系単結晶３２の成長中の様子を表す斜視図である。
【００４６】
β−Ｇａ２Ｏ３系単結晶３２を育成するには、まず、ルツボ１１内のＧａ２Ｏ３系融液３０をダイ１２のスリット１２ａを通してダイ１２の開口部１２ｂまで上昇させ、種結晶３１をダイ１２の開口部１２ｂにあるＧａ２Ｏ３系融液３０に接触させる。次に、Ｇａ２Ｏ３系融液３０に接触させた種結晶３１を鉛直方向に引き上げ、β−Ｇａ２Ｏ３系単結晶３２を成長させる。
【００４７】
種結晶３１は、双晶面を含まない、又はほぼ含まないβ−Ｇａ２Ｏ３系単結晶である。種結晶３１は、育成するβ−Ｇａ２Ｏ３系単結晶３２と幅及び厚さがほぼ等しい。このため、幅方向Ｗ及び厚さ方向Ｔに肩を広げることなく、β−Ｇａ２Ｏ３系単結晶３２を育成することができる。
【００４８】
β−Ｇａ２Ｏ３系単結晶３２の育成は幅方向Ｗに肩を広げる工程を含まないため、β−Ｇａ２Ｏ３系単結晶３２の双晶化が抑えられる。なお、厚さ方向Ｔへの肩広げは、幅方向Ｗの肩広げと異なり、双晶が生じにくいため、β−Ｇａ２Ｏ３系単結晶３２の育成は厚さ方向Ｔに肩を広げる工程を含んでもよいが、厚さ方向Ｔへの肩広げを行わない場合は、β−Ｇａ２Ｏ３系単結晶３２のほぼ全体が基板を切り出すことのできる平板状の領域となり、基板製造のコストを低減することができるため、図６に示されるように、β−Ｇａ２Ｏ３系単結晶３２の厚さを確保するために厚さの大きい種結晶３１を用いて、厚さ方向Ｔへの肩広げを行わないことが好ましい。
【００４９】
種結晶３１の水平方向に向いた面３３の面方位と、β−Ｇａ２Ｏ３系単結晶３２の主面３４の面方位が一致する。このため、例えば、β−Ｇａ２Ｏ３系単結晶３２から主面４の面方位が（−２０１）であるβ−Ｇａ２Ｏ３系単結晶基板１を切り出す場合は、種結晶３１の面３３の面方位が（−２０１）である状態でβ−Ｇａ２Ｏ３系単結晶３２を育成する。
【００５０】
次に、β−Ｇａ２Ｏ３系単結晶３２と同等の幅を有する幅広の種結晶３１を四角柱状の幅の小さい種結晶を用いて形成する方法について述べる。
【００５１】
図７は、種結晶３１を切り出すためのβ−Ｇａ２Ｏ３系単結晶３６を育成する様子を表す斜視図である。
【００５２】
種結晶３１は、β−Ｇａ２Ｏ３系単結晶３６の双晶面を含まない、又はほとんど含まない領域から切り出される。このため、β−Ｇａ２Ｏ３系単結晶３６の幅（幅方向Ｗの大きさ）は、種結晶３１の幅よりも大きい。
【００５３】
また、β−Ｇａ２Ｏ３系単結晶３６の厚さ（厚さ方向Ｔの大きさ）は、種結晶３１の厚さより小さくてもよいが、その場合は、β−Ｇａ２Ｏ３系単結晶３６から直接種結晶３１を切り出すのではなく、β−Ｇａ２Ｏ３系単結晶３６から切り出した種結晶を用いて厚さ方向Ｔに肩を広げて育成したβ−Ｇａ２Ｏ３系単結晶から種結晶３１を切り出す。
【００５４】
β−Ｇａ２Ｏ３系単結晶３６の育成には、β−Ｇａ２Ｏ３系単結晶３２の育成に用いられるＥＦＧ結晶製造装置１０とほぼ同じ構造のＥＦＧ結晶製造装置１００を用いることができるが、β−Ｇａ２Ｏ３系単結晶３６の幅、又は幅と厚さがβ−Ｇａ２Ｏ３系単結晶３２と異なるため、ＥＦＧ結晶製造装置１００のダイ１１２の幅、又は幅と厚さは、ＥＦＧ結晶製造装置１０のダイ１２と異なる。ダイ１１２の開口部１１２ｂの大きさは、ダイ１２の開口部１２ｂと等しくてよい。
【００５５】
種結晶３５は、育成するβ−Ｇａ２Ｏ３系単結晶３６よりも幅の小さい四角柱状のβ−Ｇａ２Ｏ３系単結晶である。
【００５６】
β−Ｇａ２Ｏ３系単結晶３６を育成するには、まず、ルツボ１１内のＧａ２Ｏ３系融液３０をダイ１１２のスリットを通してダイ１１２の開口部１１２ｂまで上昇させ、種結晶３５の水平方向の位置がダイ１２の幅方向Ｗの中心から幅方向Ｗにずれた状態で、種結晶３５をダイ１１２の開口部１１２ｂにあるＧａ２Ｏ３系融液３０に接触させる。このとき、より好ましくは、種結晶３５の水平方向の位置がダイ１１２の幅方向Ｗの端の上にある状態で、種結晶３５をダイ１１２の上面を覆うＧａ２Ｏ３系融液３０に接触させる。
【００５７】
次に、Ｇａ２Ｏ３系融液３０に接触させた種結晶３５を鉛直方向に引き上げ、β−Ｇａ２Ｏ３系単結晶３６を成長させる。
【００５８】
上述のように、β−Ｇａ２Ｏ３系単結晶は、（１００）面における劈開性が強く、結晶成長の肩広げの過程で（１００）面を双晶面（対称面）とする双晶が生じやすい。そのため、β−Ｇａ２Ｏ３系単結晶３２からなるべく大きな双晶を含まない結晶を切り出すために、（１００）面がβ−Ｇａ２Ｏ３系単結晶３２の成長方向に平行になるような方向、例えばｂ軸方向やｃ軸方向、にβ−Ｇａ２Ｏ３系単結晶３２を成長させることが好ましい。
【００５９】
特に、β−Ｇａ２Ｏ３系単結晶はｂ軸方向へ成長しやすい性質を有するため、β−Ｇａ２Ｏ３系単結晶３２をｂ軸方向に成長させることがより好ましい。
【００６０】
また、育成するβ−Ｇａ２Ｏ３系単結晶が幅方向への肩広げ工程において双晶化するときは、種結晶に近い領域に双晶面が生じやすく種結晶から離れた位置では双晶面が生じにくい。
【００６１】
本実施の形態のβ−Ｇａ２Ｏ３系単結晶３６の育成方法は、このようなβ−Ｇａ２Ｏ３系単結晶の双晶化の性質を利用したものである。本実施の形態によれば、種結晶３５の水平方向の位置がダイ１２の幅方向Ｗの中心から幅方向Ｗにずれた状態でβ−Ｇａ２Ｏ３系単結晶３６を成長させるため、種結晶３５の水平方向の位置がダイ１２の幅方向Ｗの中心にある状態でβ−Ｇａ２Ｏ３系単結晶３６を成長させる場合と比較して、種結晶３５からの距離が大きい領域がβ−Ｇａ２Ｏ３系単結晶３６中に生じる。このような領域には双晶面が生じにくいため、幅広の種結晶３１を切り出すことができる。
【００６２】
なお、上記の種結晶３５を用いたβ−Ｇａ２Ｏ３系単結晶３６の育成、及びβ−Ｇａ２Ｏ３系単結晶３６からの種結晶の切り出しには、特願２０１３−１０２５９９に開示された技術を適用することができる。
【００６３】
次に、育成したβ−Ｇａ２Ｏ３系単結晶３２からβ−Ｇａ２Ｏ３系単結晶基板１を切り出す方法の一例について述べる。
【００６４】
まず、例えば、厚さが１８ｍｍのβ−Ｇａ２Ｏ３系単結晶３２を育成した後、単結晶育成時の熱歪緩和と電気特性の向上を目的とするアニールを行う。このアニールは、例えば、窒素等の不活性雰囲気において、１４００〜１６００℃の温度を６〜１０時間保持することにより行われる。
【００６５】
次に、種結晶３１とβ−Ｇａ２Ｏ３系単結晶３２の分離を行うため、ダイヤモンドブレードを用いて切断を行う。まず、カーボン系のステージに熱ワックスを介してβ−Ｇａ２Ｏ３系単結晶３２を固定する。切断機にステージに固定されたβ−Ｇａ２Ｏ３系単結晶３２をセッティングし、切断を行う。ブレードの粒度は＃２００〜＃６００（ＪＩＳＢ４１３１による規定）程度であることが好ましく、切断速度は毎分６〜１０ｍｍくらいが好ましい。切断後は、熱をかけてカーボン系ステージからβ−Ｇａ２Ｏ３系単結晶３２を取外す。
【００６６】
次に、超音波加工機やワイヤー放電加工機を用いてβ−Ｇａ２Ｏ３系単結晶３２の縁を円形に加工する。また、円形に加工されたβ−Ｇａ２Ｏ３系単結晶３２の縁にオリエンテーションフラットを形成してもよい。
【００６７】
次に、マルチワイヤーソーにより、円形に加工されたβ−Ｇａ２Ｏ３系単結晶３２を１ｍｍ程度の厚さにスライスし、β−Ｇａ２Ｏ３系単結晶基板１を得る。この工程において、所望のオフセット角をつけてスライスを行うことができる。ワイヤーソーは固定砥粒方式のものを用いることが好ましい。スライス速度は毎分０．１２５〜０．３ｍｍ程度が好ましい。
【００６８】
次に、加工歪緩和、及び電気特性向上、透過性向上を目的とするアニールをβ−Ｇａ２Ｏ３系単結晶基板１に施す。昇温時には酸素雰囲気でのアニールを行い、昇温後に温度を保持する間は窒素雰囲気等の不活性雰囲気に切替えてアニールを行う。保持温度は１４００〜１６００℃が好ましい。
【００６９】
次に、β−Ｇａ２Ｏ３系単結晶基板１のエッジに所望の角度にて面取り（べベル）加工を施す。
【００７０】
次に、ダイヤモンドの研削砥石を用いて、所望の厚さになるまでβ−Ｇａ２Ｏ３系単結晶基板１を研削する。砥石の粒度は＃８００〜１０００（ＪＩＳＢ４１３１による規定）程度であることが好ましい。
【００７１】
次に、研磨定盤とダイヤモンドスラリーを用いて、所望の厚さになるまでβ−Ｇａ２Ｏ３系単結晶基板を研磨する。研磨定盤は金属系やガラス系の材質のものが好ましい。ダイヤモンドスラリーの粒径は０．５μｍ程度が好ましい。
【００７２】
次に、ポリッシングクロスとＣＭＰ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ Ｐｏｌｉｓｈｉｎｇ）用のスラリーを用いて、原子レベルの平坦性が得られるまでβ−Ｇａ２Ｏ３系単結晶基板１を研磨する。ポリッシングクロスはナイロン、絹繊維、ウレタン等の材質のものが好ましい。スラリーにはコロイダルシリカを用いることが好ましい。ＣＭＰ工程後のβ−Ｇａ２Ｏ３系単結晶基板１の主面の平均粗さはＲａ０．０５〜０．１ｎｍくらいである。
【００７３】
（β−Ｇａ２Ｏ３系単結晶基板中の双晶と窒化物半導体層の品質との関係）
図８（ａ）、（ｂ）は、主面に（１０１）面と（−２０１）面の領域を有するβ−Ｇａ２Ｏ３単結晶基板上にエピタキシャル成長したＧａＮ層の表面の光学顕微鏡による観察画像である。図８（ｂ）の観察画像は、図８（ａ）の観察画像よりも拡大倍率が大きい。ここで、β−Ｇａ２Ｏ３単結晶基板は、本実施の形態のβ−Ｇａ２Ｏ３系単結晶基板１の一例であり、ＧａＮ層は、窒化物半導体層４２の一例である。
【００７４】
図８（ａ）、（ｂ）の中心にある線はＧａＮ層の表面に現れた双晶面であり、双晶面の上側がβ−Ｇａ２Ｏ３単結晶基板の（−２０１）面の領域上に成長した領域、双晶面の下側が（１０１）面の領域上に成長した領域である。
【００７５】
図８（ａ）、（ｂ）に示されるように、β−Ｇａ２Ｏ３単結晶基板の（１０１）面の領域上に成長したＧａＮ層の表面の平坦性はよいが、（−２０１）面の領域上に成長したＧａＮ層の表面の平坦性は悪い（鏡面が得られない）。
【００７６】
図９（ａ）、（ｂ）は、双晶を含まず、主面が（−２０１）面の領域のみを有するβ−Ｇａ２Ｏ３単結晶基板上にエピタキシャル成長したＧａＮ層の表面の光学顕微鏡による観察画像である。図９（ｂ）の観察画像は、図９（ａ）の観察画像よりも拡大倍率が大きい。
【００７７】
図１０（ａ）、（ｂ）は、双晶を含まず、主面が（１０１）面の領域のみを有するβ−Ｇａ２Ｏ３単結晶基板上にエピタキシャル成長したＧａＮ層の表面の光学顕微鏡による観察画像である。図１０（ｂ）の観察画像は、図１０（ａ）の観察画像よりも拡大倍率が大きい。
【００７８】
図９（ａ）、（ｂ）、図１０（ａ）、（ｂ）に示されるように、β−Ｇａ２Ｏ３単結晶基板が双晶を含まない場合には、面内の結晶品質の均一性が高く、表面の平坦性に優れたＧａＮ層が得られる。
【００７９】
図１１（ａ）、（ｂ）は、多数の双晶面を含むβ−Ｇａ２Ｏ３単結晶基板上にエピタキシャル成長したＧａＮ層の表面の光学顕微鏡による観察画像である。
【００８０】
図１１（ａ）、（ｂ）中の矢印は、表面に現れたＧａＮ層中の双晶面の位置を示している。双晶を含むβ−Ｇａ２Ｏ３単結晶基板上に成長したＧａＮ層の表面においては、双晶面により結晶面の連続性が絶たれている。また、図１１（ｂ）の楕円で囲まれた双晶面上の領域には、ピットや、双晶面間のエッチングレートの違いに起因してＣＭＰ工程や洗浄工程において生じる数μｍ〜数十μｍの大きな段差が見られる。
【００８１】
〔第２の実施の形態〕
第２の実施の形態は、第１の実施の形態に係る半導体積層構造体４０を含む半導体素子についての形態である。以下に、その半導体素子の一例として、ＬＥＤ素子について説明する。
【００８２】
（半導体素子の構造）
図１２は、第２の実施の形態に係るＬＥＤ素子５０の垂直断面図である。ＬＥＤ素子５０は、β−Ｇａ２Ｏ３系単結晶基板５１と、β−Ｇａ２Ｏ３系単結晶基板５１上のバッファ層５２と、バッファ層５２上のｎ型クラッド層５３と、ｎ型クラッド層５３上の発光層５４と、発光層５４上のｐ型クラッド層５５と、ｐ型クラッド層５５上のコンタクト層５６と、コンタクト層５６上のｐ側電極５７と、β−Ｇａ２Ｏ３系単結晶基板５１のバッファ層５２と反対側の面上のｎ側電極５８とを有する。
【００８３】
また、バッファ層５２、ｎ型クラッド層５３、発光層５４、ｐ型クラッド層５５、及びコンタクト層５６から構成される積層体の側面は、絶縁膜５９に覆われる。
【００８４】
ここで、β−Ｇａ２Ｏ３系単結晶基板５１、バッファ層５２、及びｎ型クラッド層５３は、第１の実施の形態の半導体積層構造体４０を構成するβ−Ｇａ２Ｏ３系単結晶基板１、バッファ層４１、及び窒化物半導体層４２をそれぞれ分割又はパターニングしたものである。β−Ｇａ２Ｏ３系単結晶基板５１、バッファ層５２、及びｎ型クラッド層５３の厚さは、例えば、それぞれ４００μｍ、５ｎｍ、５μｍである。
【００８５】
β−Ｇａ２Ｏ３系単結晶基板５１は、導電型不純物を添加することにより導電性を有することができるため、ＬＥＤ素子５０のような、厚さ方向に通電する縦型の半導体素子に用いることができる。また、β−Ｇａ２Ｏ３系単結晶基板５１は、広範囲の波長の光に対して透明であるため、ＬＥＤ素子５０のような発光素子において、β−Ｇａ２Ｏ３系単結晶基板５１側から光を取り出すことができる。
【００８６】
半導体積層構造体４０の窒化物半導体層４２から形成されるｎ型クラッド層５３は、優れた結晶品質を有するため、ｎ型クラッド層５３上にエピタキシャル成長により形成される発光層５４、ｐ型クラッド層５５、及びコンタクト層５６も、優れた結晶品質を有する。このため、ＬＥＤ素子５０は、リーク特性、信頼性、駆動特性等に優れる。
【００８７】
発光層５４は、例えば、３層の多重量子井戸構造と、その上の厚さ１０ｎｍのＧａＮ結晶膜からなる。各多重量子井戸構造は、厚さ８ｎｍのＧａＮ結晶膜と厚さ２ｎｍのＩｎＧａＮ結晶膜からなる。発光層５４は、例えば、成長温度７５０℃で各結晶膜をｎ型クラッド層５３上にエピタキシャル成長させることにより形成される。
【００８８】
ｐ型クラッド層５５は、例えば、厚さ１５０ｎｍの、濃度５．０×１０１９／ｃｍ３のＭｇを含むＧａＮ結晶膜である。ｐ型クラッド層５５は、例えば、成長温度１０００℃でＭｇを含むＧａＮ結晶を発光層５４上にエピタキシャル成長させることにより形成される。
【００８９】
コンタクト層５６は、例えば、厚さ１０ｎｍの、濃度１．５×１０２０／ｃｍ３のＭｇを含むＧａＮ結晶膜である。コンタクト層５６は、例えば、成長温度１０００℃でＭｇを含むＧａＮ結晶をｐ型クラッド層５５上にエピタキシャル成長させることにより形成される。
【００９０】
バッファ層５２、ｎ型クラッド層５３、発光層５４、ｐ型クラッド層５５、及びコンタクト層５６の形成においては、Ｇａ原料としてＴＭＧ(トリメチルガリウム)ガス、Ｉｎ原料としてＴＭＩ(トリメチルインジウム)ガス、Ｓｉ原料として（Ｃ２Ｈ５）２ＳｉＨ２(ジエチルシラン)ガス、Ｍｇ原料としてＣｐ２Ｍｇ(ビスシクロペンタジエニルマグネシウム)ガス、Ｎ原料としてＮＨ３(アンモニア)ガスを用いることができる。
【００９１】
絶縁膜５９は、ＳｉＯ２等からなる絶縁材料からなり、例えば、スパッタリングにより形成される。
【００９２】
ｐ側電極５７及びｎ側電極５８は、それぞれコンタクト層５６及びβ−Ｇａ２Ｏ３系単結晶基板５１にオーミック接合する電極であり、例えば、蒸着装置を用いて形成される。
【００９３】
ＬＥＤ素子５０は、ウェハ状態のβ−Ｇａ２Ｏ３系単結晶基板５１（β−Ｇａ２Ｏ３系単結晶基板１）上に、バッファ層５２、ｎ型クラッド層５３、発光層５４、ｐ型クラッド層５５、コンタクト層５６、ｐ側電極５７、及びｎ側電極５８を形成した後、β−Ｇａ２Ｏ３系単結晶基板５１をダイシングによって、例えば、３００μｍ角のチップサイズに分離することにより得られる。
【００９４】
ＬＥＤ素子５０は、例えば、β−Ｇａ２Ｏ３系単結晶基板５１側から光を取り出すＬＥＤチップであり、キャンタイプのステムにＡｇペーストを用いて実装される。
【００９５】
図１３（ａ）、（ｂ）は、それぞれβ−Ｇａ２Ｏ３系単結晶基板５１の双晶面の存在しない領域上に形成されたＬＥＤ素子５０（以下、ＬＥＤ素子５０ａと呼ぶ）、双晶面を含む領域上に形成されたＬＥＤ素子５０（以下、ＬＥＤ素子５０ｂと呼ぶ）の表面の光学顕微鏡による観察画像である。
【００９６】
図中の矢印はＬＥＤ素子５０ｂの表面に現れた双晶面の位置を表す。ＬＥＤ素子５０ａ、５０ｂの平面形状は、３００μｍ×３００μｍの四角形である。なお、ＬＥＤ素子５０ａ、５０ｂのβ−Ｇａ２Ｏ３系単結晶基板５１は、観察時及び後述するリーク電流測定を行う時点ではチップサイズに分離されていない。
【００９７】
ここで、ＬＥＤ素子５０ａ、５０ｂのβ−Ｇａ２Ｏ３系単結晶基板５１は厚さ４００μｍのβ−Ｇａ２Ｏ３単結晶基板であり、バッファ層５２は厚さ５ｎｍのＡｌＮ結晶層であり、ｎ型クラッド層５３は厚さ５μｍのＧａＮ結晶層であり、発光層５４は厚さ８ｎｍのＧａＮ結晶膜と厚さ２ｎｍのＩｎＧａＮ結晶膜から構成される多重量子井戸構造を有し、ｐ型クラッド層５５は厚さ１５０ｎｍのＧａＮ結晶層であり、コンタクト層５６は厚さ１０ｎｍのＧａＮ結晶層であり、ｐ側電極５７は厚さ５００ｎｍのＡｇ膜、厚さ１μｍのＰｔ膜、厚さ３μｍのＡｕＳｎ膜を積層した構造を有し、ｎ側電極５８は厚さ５０ｎｍのＴｉ膜と厚さ１μｍのＡｕ膜を積層した構造を有する。
【００９８】
ＬＥＤ素子５０ａ、５０ｂのｐ側電極５７とｎ側電極５８の間に２．０Ｖの順方向の電圧を印加したときの電流値（リーク電流の大きさ）を測定したところ、測定値はそれぞれ０．０３μＡ、１０００μＡ以上（測定装置の測定限界値以上）であった。また、図１３（ｂ）に示されるように、双晶面により分断された領域の１つ（図中の上側の領域）にピット上の欠陥が発生している。そして、ＬＥＤ素子５０ａ、５０ｂの発光状態を調べたところ、ＬＥＤ素子５０ａは発光したが、ＬＥＤ素子５０ｂは発光しなかった。
【００９９】
β−Ｇａ２Ｏ３系単結晶基板５１内の双晶面には応力が集中しやすく、歪みが生じた際にクラックや破壊が生じやすい。また、双晶面同士のエッチングレートの違いにより生じた段差や、双晶面近傍における成長レートの変化に起因する段差等が、後工程時においてβ−Ｇａ２Ｏ３系単結晶基板５１の割れを引き起こす原因になると考えられる。
【０１００】
β−Ｇａ２Ｏ３系単結晶基板５１が割れることなく、ｐ側電極５７及びｎ側電極５８の形成工程までを終えることができたＬＥＤ素子５０の割合は、β−Ｇａ２Ｏ３系単結晶基板５１が双晶を含まない場合は８０個中７５個で９４％、β−Ｇａ２Ｏ３系単結晶基板５１が双晶を含む場合は５８個中２６個で４９％であった。
【０１０１】
なお、上述のように、第１の実施の形態の半導体積層構造体４０を含む半導体素子として、発光素子であるＬＥＤ素子５０を一例として挙げたが、半導体素子はこれに限定されるものではなく、レーザーダイオード等の他の発光素子や、トランジスタ等の他の素子であってもよい。半導体積層構造体４０を用いて他の素子を形成する場合であっても、ＬＥＤ素子５０と同様に、エピタキシャル成長により半導体積層構造体４０上に形成される層が優れた結晶品質を有するため、高品質の素子を得ることができる。
【０１０２】
（実施の形態の効果）
上記第１の実施の形態によれば、第１の実施の形態に記載された育成方法により、高品質のβ−Ｇａ２Ｏ３系単結晶を育成し、そのβ−Ｇａ２Ｏ３系単結晶を加工することにより、双晶を含まない、又は双晶を含まない広い領域を有する、結晶品質に優れたβ−Ｇａ２Ｏ３系単結晶基板を得ることができる。そして、そのβ−Ｇａ２Ｏ３系単結晶基板上に窒化物半導体結晶をエピタキシャル成長させることにより、双晶を含まない、又は双晶の少ない結晶品質に優れる窒化物半導体層を形成し、高品質の半導体積層構造体を得ることができる。
【０１０３】
双晶を含まない、又は双晶の少ない窒化物半導体層は、面内の結晶品質の均一性が高い。具体的には、β−Ｇａ２Ｏ３系単結晶基板の主面の本来の面方位とは異なる面方位の領域上に成長する低品質の領域がない、又は少ない。また、双晶面による窒化物半導体層の連続性の断裂やピット上の欠陥の発生等の不良を回避することができる。
【０１０４】
上記第２の実施の形態によれば、第１の実施の形態において得られる高品質の半導体積層構造体を用いることにより、半導体積層構造体上に高品質の結晶膜をエピタキシャル成長させ、結晶品質に優れた高性能の半導体素子を得ることができる。このため、リークの大きい素子や不灯の発光素子といった不良の素子を低減し、また、電極形成プロセス等においてβ−Ｇａ２Ｏ３系単結晶基板が割れる不良素子を大幅に低減することができるため、半導体素子の製造の歩留まりを大きく向上させることができる。
【０１０５】
本発明は、上記の実施の形態に限定されず、発明の主旨を逸脱しない範囲内において種々変形実施が可能である。
【０１０６】
また、上記の実施の形態は特許請求の範囲に係る発明を限定するものではない。また、実施の形態の中で説明した特徴の組合せの全てが発明の課題を解決するための手段に必須であるとは限らない点に留意すべきである。
【符号の説明】
【０１０７】
１…β−Ｇａ２Ｏ３系単結晶基板、  ２…双晶面を含まない領域、  ３…双晶面、  ４…主面、  ４０…半導体積層構造体、  ４１…バッファ層、  ４２…窒化物半導体層、  ５０…ＬＥＤ素子、  ５１…β−Ｇａ２Ｏ３系単結晶基板、  ５２…バッファ層、  ５３…ｎ型クラッド層
【図１】
2015163567.tif 000003
【図２】
2015163567.tif 000004
【図３】
2015163567.tif 000005
【図４】
2015163567.tif 000006
【図５】
2015163567.tif 000007
【図６】
2015163567.tif 000008
【図７】
2015163567.tif 000009
【図１２】
2015163567.tif 000010
【図８】
2015163567.tif 000011
【図９】
2015163567.tif 000012
【図１０】
2015163567.tif 000013
【図１１】
2015163567.tif 000014
【図１３】
2015163567.tif 000015
【手続補正書】
【提出日】平成27年5月18日(2015.5.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
（−２０１）、（１０１）、（３１０）、（３−１０）のいずれかの面を主面とする、β−Ｇａ２Ｏ３系単結晶基板と、
前記β−Ｇａ２Ｏ３系単結晶基板上にエピタキシャル成長により形成されたＡｌｘＧａｙＩｎｚＮ（０≦ｘ≦１、０≦ｙ≦１、０≦ｚ≦１、ｘ＋ｙ＋ｚ＝１）結晶からなる窒化物半導体層と、
を含む半導体積層構造体であって、
前記β−Ｇａ２Ｏ３系単結晶基板は双晶を含まず、
前記β−Ｇａ２Ｏ３系単結晶基板の直径が２インチ以上である、半導体積層構造体。
【請求項２】
前記β−Ｇａ２Ｏ３系単結晶基板と前記窒化物半導体層との間に、ＡｌｘＧａｙＩｎｚＮ（０≦ｘ≦１、０≦ｙ≦１、０≦ｚ≦１、ｘ＋ｙ＋ｚ＝１）結晶からなるバッファ層を有する、
請求項１に記載の半導体積層構造体。
【請求項３】
前記窒化物半導体層はＧａＮ結晶からなる、
請求項１あるいは２に記載の半導体積層構造体。
【請求項４】
請求項１〜３のいずれか１項に記載の前記半導体積層構造体を含む、
半導体素子。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
本発明の一態様は、上記目的を達成するために、下記［１］〜［３］の半導体積層構造体を提供する。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
［１］（−２０１）、（１０１）、（３１０）、（３−１０）のいずれかの面を主面とする、β−Ｇａ２Ｏ３系単結晶基板と、前記β−Ｇａ２Ｏ３系単結晶基板上にエピタキシャル成長により形成されたＡｌｘＧａｙＩｎｚＮ（０≦ｘ≦１、０≦ｙ≦１、０≦ｚ≦１、ｘ＋ｙ＋ｚ＝１）結晶からなる窒化物半導体層と、を含む半導体積層構造体であって、前記β−Ｇａ２Ｏ３系単結晶基板は双晶を含まず、前記β−Ｇａ２Ｏ３系単結晶基板の直径が２インチ以上である、半導体積層構造体。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
［２］前記β−Ｇａ２Ｏ３系単結晶基板と前記窒化物半導体層との間に、ＡｌｘＧａｙＩｎｚＮ（０≦ｘ≦１、０≦ｙ≦１、０≦ｚ≦１、ｘ＋ｙ＋ｚ＝１）結晶からなるバッファ層を有する、［１］に記載の半導体積層構造体。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
［３］前記窒化物半導体層はＧａＮ結晶からなる、［１］あるいは［２］に記載の半導体積層構造体。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
また、本発明の他の態様は、上記目的を達成するために、下記［４］の半導体素子を提供する。
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
［４］前記［１］〜［３］のいずれか１項に記載の前記半導体積層構造体を含む、半導体素子。