(57)【要約】【課題】良好な減衰力特性を得ることができる緩衝器の提供。【解決手段】ピストン１６の摺動によって作動流体をそれぞれ流通させる、伸び側主通路６９、縮み側主通路６８、および伸び側縮み側に共通の副通路８３を有し、伸び側主通路６９には伸び側主減衰弁７７が、縮み側主通路６８には縮み側主減衰弁７２が、それぞれ設けられ、副通路８３の伸び行程での上流側および縮み行程での上流側には、それぞれ流入側のチェック弁３５，５０が設けられ、副通路８３の伸び行程での下流側および縮み行程での下流側には、それぞれ流出側の副減衰弁９３，１１３が設けられる構成とした。【選択図】図１
2015163801.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
作動流体が封入されるシリンダと、
前記シリンダ内に摺動可能に嵌装されて該シリンダ内を二室に区画するピストンと、
一端が前記ピストンに連結され、他端が前記シリンダの外部へ延出されるピストンロッドと、
前記ピストンの摺動によって作動流体をそれぞれ流通させる、伸び側主通路、縮み側主通路、および伸び側縮み側に共通の副通路と、
を有する緩衝器であって、
前記伸び側主通路には伸び側主減衰弁が、前記縮み側主通路には縮み側主減衰弁が、それぞれ設けられ、
前記副通路の伸び行程での上流側および縮み行程での上流側には、それぞれ流入側のチェック弁が設けられ、
前記副通路の伸び行程での下流側および縮み行程での下流側には、それぞれ流出側の副減衰弁が設けられていることを特徴とする緩衝器。
【請求項２】
前記副通路の伸び行程での上流側および縮み行程での上流側のうちの少なくとも一方に設けられた前記流入側のチェック弁は、積層ディスクで構成され、
該積層ディスクは、上流側となる行程とは反対行程での流出側の第３の減衰弁を構成していることを特徴とする請求項１に記載の緩衝器。
【請求項３】
前記副通路の少なくとも一方の前記チェック弁側には、絞り部が設けられていることを特徴とする請求項１または２に記載の緩衝器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、緩衝器に関する。
【背景技術】
【０００２】
緩衝器には、伸び行程でのピストンの移動によって作動流体を流通させる伸び側通路と、縮み行程でのピストンの移動によって作動流体を流通させる縮み側通路とを有し、伸び側通路および縮み側通路のそれぞれに減衰弁が設けられているものがある（例えば、特許文献１参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２０１１−２０２７８６号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
緩衝器では、良好な減衰力特性を得ることが望まれている。
【０００５】
したがって、本発明は、良好な減衰力特性を得ることができる緩衝器の提供を目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
上記目的を達成するために、本発明は、ピストンの摺動によって作動流体をそれぞれ流通させる、伸び側主通路、縮み側主通路、および伸び側縮み側に共通の副通路を有し、前記伸び側主通路には伸び側主減衰弁が、前記縮み側主通路には縮み側主減衰弁が、それぞれ設けられ、前記副通路の伸び行程での上流側および縮み行程での上流側には、それぞれ流入側のチェック弁が設けられ、前記副通路の伸び行程での下流側および縮み行程での下流側には、それぞれ流出側の副減衰弁が設けられる構成とした。
【発明の効果】
【０００７】
本発明によれば、良好な減衰力特性を得ることができる。
【図面の簡単な説明】
【０００８】
【図１】本発明の第１実施形態に係る緩衝器を示す部分断面図である。
【図２】本発明の第１実施形態に係る緩衝器の要部を示す片側断面図である。
【図３】本発明の第１実施形態に係る緩衝器の減衰力特性を示す特性線図である。
【図４】本発明の第２実施形態に係る緩衝器を示す部分断面図である。
【図５】本発明の第３実施形態に係る緩衝器の要部を示す片側断面図である。
【発明を実施するための形態】
【０００９】
「第１実施形態」
本発明の第１実施形態に係る緩衝器を図１〜図３を参照して以下に説明する。
【００１０】
図１に示す第１実施形態に係る緩衝器１１は、作動流体として油液が用いられる油圧緩衝器であり、具体的には、自動車等の車両のサスペンション装置に用いられるものである。緩衝器１１は、作動流体が封入される円筒状のシリンダ１２と、シリンダ１２の中心軸線上に配置されるとともに軸方向の一端（図１の下端）がシリンダ１２の内部に挿入され図示略の軸方向の他端がシリンダ１２の外部へ延出されるピストンロッド１３と、このピストンロッド１３におけるシリンダ１２の内部側の一端部に連結されシリンダ１２内に摺動可能に嵌装されてシリンダ１２内を二つの室１４，１５に区画するピストン１６とを有している。なお、本発明は、作動流体として気体を用いる緩衝器にも適用可能である。
【００１１】
ピストンロッド１３は、円柱状の主軸部２１と、シリンダ１２に挿入される側の端部の、主軸部２１よりも小径の略円柱状の取付軸部２２とを有している。この取付軸部２２は、主軸部２１とは反対側の端部の外周部にオネジ２３が形成されており、このオネジ２３と主軸部２１との間が柱状部２４となっている。柱状部２４は、円柱をその外周面の一側から中心軸より手前までの範囲で平面状に切り欠いた形状をなしており、よって、径方向の一側に軸方向に平行な平面状の切欠部２５が形成された形状をなしている。
【００１２】
取付軸部２２には、軸方向の主軸部２１側から順に、いずれも円環状をなす、挟持ベース３１、スペーサ３２、積層ディスク３３、バルブベース３４、積層ディスク３５、通路形成部材３６、スペーサ３７、規制部材３８、スペーサ３９、積層ディスク４０、上記ピストン１６、積層ディスク４５、スペーサ４６、規制部材４７、スペーサ４８、通路形成部材４９、積層ディスク５０、バルブベース５１、積層ディスク５２、スペーサ５３および挟持ベース５４が、それぞれの内周側に柱状部２４を挿入させた状態で設けられている。そして、この挿入状態で、挟持ベース５４から突出するオネジ２３にナット５６が螺合されている。これにより、挟持ベース３１から挟持ベース５４までの部材を主軸部２１の取付軸部２２側の端面とナット５６とが挟持して軸方向に締結する。
【００１３】
ピストン１６は、ピストンロッド１３に連結されてこれと一体的に移動する。ピストン１６は、円環状をなしてその内周側にピストンロッド１３の取付軸部２２を挿通させるピストン本体６１と、ピストン本体６１の外周面に装着されてシリンダ１２内に摺接する円環帯状の摺接部材６２とを有している。ピストン本体６１は、軸方向に分割された二つの分割体６３，６４が連結されることにより形成されている。二つの分割体６３，６４は、凹凸嵌合する位置決め部６５で円周方向に位置決めされて連結される。
【００１４】
ピストン本体６１には、シリンダ１２内の室１４と室１５とを連通可能な主通路６８および主通路６９が形成されている。主通路６８は、室１４側がピストン本体６１の径方向の内側に開口し、室１５側がピストン本体６１の径方向の外側に開口している。主通路６９は、室１４側がピストン本体６１の径方向の外側に開口し、室１５側がピストン本体６１の径方向の内側に開口している。主通路６８および主通路６９は、図示は略すがピストン本体６１の周方向に交互に複数箇所ずつ形成されている。ピストン本体６１には、その軸方向の室１４側に、主通路６８を開閉可能に上記した積層ディスク４０が配置されており、その軸方向の室１５側に、主通路６９を開閉可能に上記した積層ディスク４５が配置されている。
【００１５】
ピストンロッド１３がシリンダ１２内への進入量を増やす縮み側（図１の下側）に移動する縮み行程では、このピストンロッド１３と一体に移動するピストン１６がシリンダ１２内で摺動して室１４の容積を増大させ室１５の容積を減少させる。このとき、室１５の作動流体は、積層ディスク４５によって主通路６９での流通が規制され、主通路６８で流通して積層ディスク４０を開いて室１４に排出される。つまり、主通路６８が、縮み行程におけるピストン１６の摺動によって作動流体を室１５から室１４に流通させる縮み側主通路６８となっている。
【００１６】
そして、縮み行程において縮み側主通路６８を開閉する積層ディスク４０と、積層ディスク４０が縮み側主通路６８を閉じるときに着座するピストン本体６１の軸方向の積層ディスク４０側の弁座部７１とが、縮み側主通路６８に設けられてこれを開閉する縮み側主減衰弁７２を構成している。縮み側主減衰弁７２は、ピストンロッド１３が縮み側に移動する縮み行程において縮み側主通路６８を流通して室１５から室１４に流れる作動流体の流量を積層ディスク４０で調整して減衰力を発生させる。図２に示すように、積層ディスク４０は２枚の変形可能なディスク７３，７４が積層されて構成されており、これらのうち軸方向のピストン１６側に配置されたディスク７３において弁座部７１に着座する。
【００１７】
ピストンロッド１３がシリンダ１２からの突出量を増やす伸び側（図２の上側）に移動する伸び行程では、このピストンロッド１３と一体に移動するピストン１６がシリンダ１２内で摺動して室１５の容積を増大させ室１４の容積を減少させる。このとき、室１４の作動流体は、積層ディスク４０によって縮み側主通路６８での流通が規制され、図１に示す主通路６９で流通して積層ディスク４５を開いて室１５に排出される。つまり、主通路６９が、伸び行程におけるピストン１６の摺動によって作動流体を室１４から室１５に流通させる伸び側主通路６９となっている。
【００１８】
そして、伸び行程において伸び側主通路６９を開閉する積層ディスク４５と、積層ディスク４５が伸び側主通路６９を閉じるときに着座するピストン本体６１の軸方向の積層ディスク４５側の弁座部７６とが、伸び側主通路６９に設けられてこれを開閉する伸び側主減衰弁７７を構成している。伸び側主減衰弁７７は、ピストンロッド１３が伸び側に移動するときに伸び側主通路６９を流通して室１４から室１５に流れる作動流体の流量を積層ディスク４５で調整して減衰力を発生させる。図２に示すように、積層ディスク４５は４枚の変形可能なディスク７８，７９，８０，８１が積層されて構成されており、ディスク７８において弁座部７６に着座する。ディスク７８，７９はディスク７３，７４と共通部品となっており、ディスク８０はこれらよりも外径が小径であり、ディスク８１はディスク８０よりも外径が小径となっている。
【００１９】
ピストンロッド１３の柱状部２４には、上記したように切欠部２５が形成されており、この切欠部２５によって、柱状部２４と、挟持ベース３１、スペーサ３２、積層ディスク３３、バルブベース３４、積層ディスク３５、通路形成部材３６、スペーサ３７、規制部材３８、スペーサ３９、積層ディスク４０、ピストン１６、積層ディスク４５、スペーサ４６、規制部材４７、スペーサ４８、通路形成部材４９、積層ディスク５０、バルブベース５１、積層ディスク５２、スペーサ５３および挟持ベース５４との間には、軸方向に延びる内部通路８２が形成されている。この内部通路８２は、縮み側主通路６８および伸び側主通路６９とは別に設けられて、ピストン１６の摺動によって伸び側縮み側に共通で作動流体を流通させる副通路８３の中間部分を構成している。図１に示すナット５６は袋ナットになっており、ピストンロッド１３とナット５６との隙間を介して副通路８３が室１５に連通するのを規制する。
【００２０】
挟持ベース３１は剛性が高く変形困難となっている。スペーサ３２は、挟持ベース３１よりも外径が小径であり厚さも薄い。
【００２１】
積層ディスク３３は、図２に示すように、複数枚、具体的には４枚の変形可能なディスク８４，８５，８６，８７が、軸方向のスペーサ３２側からこの順番に積層されて構成されている。スペーサ３２側から３枚のディスク８４〜８６は、外径が同径であり、外径がスペーサ３２よりも大径となっている。最もスペーサ３２とは反対側にあるディスク８７は、外径がディスク８４〜８６よりも小径でスペーサ３２よりも大径となっている。
【００２２】
ディスク８４は、スペーサ３２に当接しておりスペーサ３２よりも径方向の外側位置に通路穴８４ａが厚さ方向に貫通して形成されている。ディスク８５は、ディスク８４に当接しており、通路穴８４ａに連通しつつディスク８５の径方向の内方に延出する通路穴８５ａが厚さ方向に貫通して形成されている。ディスク８６は、ディスク８５に当接しており、通路穴８５ａのディスク８５の径方向の内側部分に連通する通路穴８６ａが厚さ方向に貫通して形成されている。ディスク８７は、ディスク８６およびバルブベース３４に当接しており、通路穴８６ａに連通する通路穴８７ａが厚さ方向に貫通して形成されている。通路穴８７ａはディスク８７を径方向にも貫通している。これにより、積層ディスク３３は、通路穴８４ａ，８５ａ，８６ａ，８７ａを介して室１４と内部通路８２とを常時連通させている。通路穴８４ａ，８５ａ，８６ａ，８７ａは室１４と内部通路８２とを常時連通させる固定絞り部８９を構成している。固定絞り部８９は、副通路８３の端側の一部を構成している。
【００２３】
バルブベース３４は剛性が高く変形困難となっている。バルブベース３４は、軸方向の積層ディスク３３側かつ内径側でディスク８７に当接しており、軸方向の積層ディスク３３側かつ外径側の弁座部９１にディスク８６を着座させている。バルブベース３４は弁座部９１にディスク８６を着座させた状態でディスク８６との間に弁室９２を画成することになり、この弁室９２は通路穴８７ａを介して内部通路８２に常時連通している。弁室９２は副通路８３の端側の一部を構成している。
【００２４】
縮み行程でピストン１６が室１４の容積を増大させ室１５の容積を減少させると室１５の作動流体が後述するように副通路８３を通って室１４側に向けて流れることになり、内部通路８２から固定絞り部８９を通って、あるいはこれに加えて弁室９２を通り積層ディスク３３のディスク８４〜８６を弁座部９１から離座させて室１４に排出される。よって、積層ディスク３３および弁座部９１は、副通路８３の縮み行程での下流側に設けられて副通路８３を開閉する流出側の副減衰弁９３を構成している。
【００２５】
積層ディスク３５は、複数枚、具体的には２枚の変形可能なディスク９５，９６が積層されて構成されている。軸方向のバルブベース３４側に配置されるディスク９５は、バルブベース３４とは反対側に配置されるディスク９６よりも外径が小径となっている。ディスク９５は、バルブベース３４の軸方向の積層ディスク３５側かつ内径側に当接することになり、ディスク９６は、バルブベース３４の軸方向の積層ディスク３５側かつ外径側の弁座部９７に着座する。バルブベース３４は、弁座部９７にディスク９６を着座させた状態でディスク９６との間に弁室９８を画成することになり、この弁室９８はディスク９５の内径側に形成された通路穴９５ａを介して内部通路８２に常時連通している。ディスク９５の通路穴９５ａの内側は絞り部１００となっている。絞り部１００および弁室９８は副通路８３の端側の一部を構成している。
【００２６】
縮み行程でピストン１６が室１４の容積を増大させ室１５の容積を減少させると室１５の作動流体が後述するように副通路８３を通って室１４側に向けて流れることになる。この作動流体は、絞り部１００から弁室９８を通り、積層ディスク３５のディスク９６を弁座部９７から離座させて室１４に排出される。つまり、積層ディスク３５と弁座部９７とが、副通路８３の縮み行程での下流側に設けられて副通路８３を開閉する流出側の第３の減衰弁１０１を構成している。積層ディスク３５のディスク９６には、ディスク９５によって開閉される通路穴９６ａが形成されている。
【００２７】
通路形成部材３６は剛性が高く変形困難となっている。通路形成部材３６には、通路穴９６ａを室１４に常時連通させる通路穴３６ａが軸方向に貫通して設けられている。伸び行程でピストン１６が室１５の容積を増大させ室１４の容積を減少させると室１４の作動流体が、通路穴３６ａおよび通路穴９６ａを通り、積層ディスク３５のディスク９５をディスク９６から離間させる。すると、室１４の作動流体が弁室９８に流れ込み、絞り部１００を通り、内部通路８２を通って室１５側に流れる。積層ディスク３５は、室１４から通路穴３６ａおよび通路穴９６ａを通って弁室９８に流れ絞り部１００を通って内部通路８２に流れる作動流体の流れを、ディスク９５をディスク９６から離間させて許容する一方、内部通路８２から絞り部１００を通り弁室９８から通路穴９６ａおよび通路穴３６ａを通って室１４に流れる作動流体の流れを、ディスク９５をディスク９６に当接させて規制するチェック弁を構成している。つまり、積層ディスク３５は、副通路８３の伸び行程での上流側に設けられる流入側のチェック弁を構成しており、上流側となる伸び行程とは反対行程である縮み行程での流出側の第３の減衰弁１０１を構成している。絞り部１００は、副通路８３における積層ディスク３５側に設けられている。
【００２８】
スペーサ３７は、剛性が高く変形困難となっており、外径が通路形成部材３６よりも小さく、通路形成部材３６の径方向の通路穴３６ａよりも内側に設けられている。規制部材３８は、剛性が高く変形困難となっており、外径が積層ディスク４０の外径と同径に形成されている。スペーサ３９は、剛性が高く変形困難となっており、外径が積層ディスク４０の外径よりも小径となっている。スペーサ３７およびスペーサ３９は共通部品となっている。規制部材３８は、積層ディスク４０のピストン１６から離れる方向への変形をディスク７４を当接させることにより規制する。
【００２９】
挟持ベース５４は、剛性が高く変形困難となっており、挟持ベース３１と共通部品になっている。スペーサ５３は、挟持ベース５４よりも外径が小径であって厚さも薄く、スペーサ３２と共通部品になっている。
【００３０】
積層ディスク５２は、複数枚、具体的には４枚の変形可能なディスク１０４，１０５，１０６，１０７が、軸方向のスペーサ５３側からこの順番に積層されて構成されている。スペーサ５３側から３枚のディスク１０４〜１０６は、外径が同径であり、外径がスペーサ５３よりも大径となっている。最もスペーサ５３とは反対側のディスク１０７は、外径がディスク１０４〜１０６よりも小径でスペーサ５３よりも大径となっている。
【００３１】
ディスク１０４は、スペーサ５３に当接しておりスペーサ５３よりも径方向の外側位置に通路穴１０４ａが厚さ方向に貫通して形成されている。ディスク１０４は、ディスク８４と共通部品になっている。ディスク１０５は、ディスク１０４に当接しており、通路穴１０４ａに連通しつつディスク１０５の径方向の内方に延出する通路穴１０５ａが厚さ方向に貫通して形成されている。ディスク１０５は、ディスク８５と共通部品になっている。ディスク１０６は、ディスク１０５に当接しており、通路穴１０５ａのディスク１０５の径方向の内側部分に連通する通路穴１０６ａが厚さ方向に貫通して形成されている。ディスク１０６は、ディスク８６と共通部品になっている。ディスク１０７は、ディスク１０６およびバルブベース５１に当接しており、通路穴１０６ａに連通する通路穴１０７ａが厚さ方向に貫通して形成されている。通路穴１０７ａはディスク１０７を径方向にも貫通している。ディスク１０７は、ディスク８７と共通部品になっている。積層ディスク５２は、通路穴１０４ａ，１０５ａ，１０６ａ，１０７ａを介して室１５と内部通路８２とを常時連通させており、通路穴１０４ａ，１０５ａ，１０６ａ，１０７ａは室１５と内部通路８２とを常時連通させる固定絞り部１０９を構成している。固定絞り部１０９は、副通路８３の端側の一部を構成している。
【００３２】
バルブベース５１は、剛性が高く変形困難となっており、バルブベース３４と共通部品になっている。バルブベース５１は軸方向の積層ディスク５２側かつ内径側でディスク１０７に当接しており、軸方向の積層ディスク５２側かつ外径側の弁座部１１１にディスク１０６を着座させている。バルブベース５１は弁座部１１１にディスク１０６を着座させた状態でディスク１０６との間に弁室１１２を画成することになり、この弁室１１２は通路穴１０７ａを介して内部通路８２に常時連通している。弁室１１２は副通路８３の端側の一部を構成している。
【００３３】
伸び行程でピストン１６が室１５の容積を増大させ室１４の容積を減少させると室１４の作動流体が、通路穴３６ａおよび通路穴９６ａを通り、チェック弁としての積層ディスク３５のディスク９５をディスク９６から離間させて、弁室９８、絞り部１００および内部通路８２を通って室１５側に流れる。すると、この作動流体は、内部通路８２から固定絞り部１０９を通って、あるいはこれに加えて弁室１１２を通り積層ディスク５２のディスク１０４〜１０６を弁座部１１１から離座させて室１５に排出される。つまり、積層ディスク５２と弁座部１１１とが、副通路８３の伸び行程での下流側に設けられて副通路８３を開閉する流出側の副減衰弁１１３を構成している。
【００３４】
積層ディスク５０は、複数枚、具体的には２枚の変形可能なディスク１１５，１１６が積層されて構成されている。軸方向のバルブベース５１側に配置されるディスク１１５は、バルブベース５１とは反対側に配置されるディスク１１６よりも外径が小径となっている。ディスク１１５は、バルブベース５１の軸方向の積層ディスク５０側かつ内径側に当接することになり、ディスク１１６は、バルブベース５１の軸方向の積層ディスク５０側かつ外径側の弁座部１１７に着座する。バルブベース５１は弁座部１１７にディスク１１６を着座させた状態でディスク１１６との間に弁室１１８を画成することになり、この弁室１１８はディスク１１５の内径側に形成された通路穴１１５ａを介して内部通路８２に常時連通している。ディスク１１５の通路穴１１５ａの内側は絞り部１２０となっている。絞り部１２０および弁室１１８は副通路８３の端側の一部を構成している。
【００３５】
伸び行程でピストン１６が室１５の容積を増大させ室１４の容積を減少させると室１４の作動流体が、チェック弁としての積層ディスク３５を開き、弁室９８、絞り部１００および内部通路８２を通って室１５側に流れることになる。この作動流体は、絞り部１２０から弁室１１８を通り、積層ディスク５０のディスク１１６を弁座部１１７から離座させて室１５に排出される。つまり、積層ディスク５０と弁座部１１７とが、副通路８３の伸び行程での下流側に設けられて副通路８３を開閉する流出側の第３の減衰弁１２１を構成している。積層ディスク５０のディスク１１６には、ディスク１１５によって開閉される通路穴１１６ａが形成されている。ディスク１１５はディスク９５と共通部品になっており、ディスク１１６はディスク９６と共通部品になっている。
【００３６】
通路形成部材４９は剛性が高く変形困難となっている。通路形成部材４９には、通路穴１１６ａを室１５に常時連通させる通路穴４９ａが軸方向に貫通して設けられている。縮み行程でピストン１６が室１４の容積を増大させ室１５の容積を減少させると室１５の作動流体が、通路穴４９ａおよび通路穴１１６ａを通り、積層ディスク５０のディスク１１５をディスク１１６から離間させる。すると、室１５の作動流体が弁室１１８に流れ込み、絞り部１２０を通り、内部通路８２を通って室１４側に流れる。積層ディスク５０は、室１５から通路穴４９ａおよび通路穴１１６ａを通って弁室１１８に流れ絞り部１２０を通って内部通路８２に流れる作動流体の流れを、ディスク１１５をディスク１１６から離間させて許容する一方、内部通路８２から絞り部１２０を通り弁室１１８から通路穴１１６ａおよび通路穴４９ａを通って室１５に流れる作動流体の流れを、ディスク１１５をディスク１１６に当接させて規制するチェック弁を構成している。つまり、積層ディスク５０は、副通路８３の縮み行程での上流側に設けられる流入側のチェック弁を構成しており、上流側となる縮み行程とは反対行程である伸び行程での流出側の第３の減衰弁１２１を構成している。絞り部１２０は、副通路８３における積層ディスク５０側に設けられている。
【００３７】
スペーサ４８は、剛性が高く変形困難となっており、外径が通路形成部材４９よりも小さく、通路形成部材４９の径方向の通路穴４９ａよりも内側に設けられている。規制部材４７は、剛性が高く変形困難となっており、外径が積層ディスク４５の外径と同径に形成されている。スペーサ４６は、剛性が高く変形困難となっており、外径が積層ディスク４５のディスク８１および規制部材４７の外径よりも小径となっている。スペーサ４６は、スペーサ３２，５３と共通部品になっている。スペーサ４８は、スペーサ３７，３９と共通部品になっている。規制部材４７は、積層ディスク４５のピストン１６から離れる方向への変形をディスク７９〜８１のいずれかを当接させて規制する。
【００３８】
第１実施形態の緩衝器１１の作動について、まず、縮み行程の作動および発生する減衰力特性について説明する。
【００３９】
縮み行程では、ピストン１６が室１４の容積を増大させ室１５の容積を減少させることになる。図３に０以上ｖ１未満で示すピストン速度が遅い微低速域では、室１５の作動流体が、通路形成部材４９の通路穴４９ａおよび積層ディスク５０のディスク１１６の通路穴１１６ａを通り、縮み行程での流入側のチェック弁としての積層ディスク５０のディスク１１５をディスク１１６から離間させる。すると、室１５の作動流体が弁室１１８に流れ込み、絞り部１２０を通り、内部通路８２を通って室１４側に流れる。ピストン速度が遅い微低速域０以上ｖ１未満では、内部通路８２を通って室１４側に流れる作動流体は、積層ディスク３３に形成された固定絞り部８９を通って室１４に排出される。この微低速域０以上ｖ１未満では、ピストン速度の単位上昇変化に対する減衰力の上昇率が高くなる減衰力特性となる。
【００４０】
図３にｖ１以上ｖ２未満で示すピストン速度が上記した微低速域よりも速い低速域では、上記と同様にして内部通路８２を通って室１４側に流れる作動流体が、上記に加えて、積層ディスク３３のディスク８４〜８６を変形させバルブベース３４の弁座部９１から離間させて弁室９２から室１４に排出されて減衰力特性を変更する。つまり、副通路８３の縮み行程での下流側かつ流出側の副減衰弁９３を開く。すると、絞り部１２０によって決まる減衰力特性となり、微低速域０以上ｖ１未満でのピストン速度の単位上昇変化に対する減衰力の上昇率よりも上昇率が低い減衰力特性となる。副減衰弁９３は、減衰力特性の切り替えのピストン速度ｖ１を決めるものである。
【００４１】
図３にｖ２以上ｖ３未満で示すピストン速度が上記した低速域ｖ１以上ｖ２未満よりも速い中速域では、上記と同様に内部通路８２を通って室１４側に流れる作動流体が、上記に加えて、さらに積層ディスク３５のディスク９６をバルブベース３４の弁座部９７から離間させて弁室９８から室１４に排出されて減衰力特性を変更する。つまり、副通路８３の縮み行程での下流側かつ流出側の第３の減衰弁１０１を開く。この中速域ｖ２以上ｖ３未満では、低速域ｖ１以上ｖ２未満でのピストン速度の単位上昇変化に対する減衰力の上昇率よりも上昇率が低い減衰力特性となる。
【００４２】
図４にｖ３以上で示すピストン速度が上記した中速域ｖ２以上ｖ３未満よりも速い高速域では、上記した内部通路８２を通って室１４側に流れる作動流体に加えて、室１５からの作動流体が、縮み側主通路６８で流通して積層ディスク４０を弁座部７１から離間させて縮み側主通路６８から室１４に排出される。つまり、縮み側主減衰弁７２を開く。この高速域ｖ３以上では、中速域ｖ２以上ｖ３未満でのピストン速度の単位上昇変化に対する減衰力の上昇率よりも上昇率が低い減衰力特性となる。
【００４３】
次に、伸び行程の作動および発生する減衰力特性について説明する。
【００４４】
伸び行程では、ピストン１６が室１５の容積を増大させ室１４の容積を減少させることになる。ピストン速度が遅い微低速域では、室１４の作動流体が、通路形成部材３６の通路穴３６ａおよび積層ディスク３５のディスク９６の通路穴９６ａを通り、伸び行程での流入側のチェック弁としての積層ディスク３５のディスク９５をディスク９６から離間させる。すると、室１４の作動流体が弁室９８に流れ込み、絞り部１００を通り、内部通路８２を通って室１５側に流れる。ピストン速度が遅いこの微低速域では、内部通路８２を通って室１５側に流れる作動流体は、積層ディスク５２に形成された固定絞り部１０９を介して室１５に排出される。この微低速域では、ピストン速度の単位上昇変化に対する減衰力の上昇率が高くなる減衰力特性となる。
【００４５】
ピストン速度が上記した微低速域よりも速い低速域では、上記と同様にして内部通路８２を通って室１５側に流れる作動流体は、上記に加えて、積層ディスク５２のディスク１０４〜１０６を変形させバルブベース５１の弁座部１１１から離間させて弁室１１２から室１５に排出されて減衰力特性を変更する。つまり、副通路８３の伸び行程での下流側かつ流出側の副減衰弁１１３を開く。すると、絞り部１００によって決まる減衰力特性となり、微低速域でのピストン速度の単位上昇変化に対する減衰力の上昇率よりも上昇率が低い減衰力特性となる。副減衰弁１１３は、微低速域から低速域への減衰力特性の切り替えのピストン速度を決めるものである。
【００４６】
ピストン速度が上記した低速域よりも速い中速域では、上記と同様にして内部通路８２を通って室１５側に流れる作動流体は、上記に加えて、さらに積層ディスク５０のディスク１１６をバルブベース５１の弁座部１１７から離間させて弁室１１８から室１５に排出されて減衰力特性を変更する。つまり、副通路８３の伸び行程での下流側かつ流出側の第３の減衰弁１２１を開く。この中速域では、低速域でのピストン速度の単位上昇変化に対する減衰力の上昇率よりも上昇率が低い減衰力特性となる。
【００４７】
ピストン速度が上記した中速域よりも速い高速域では、上記した内部通路８２を通って室１５側に流れる作動流体に加えて、室１４からの作動流体が、図１に示す伸び側主通路６９で流通して積層ディスク４５を弁座部７６から離間させることにより伸び側主通路６９から室１５に排出される。つまり、伸び側主減衰弁７７を開いて室１５に流れる。この高速域では、中速域でのピストン速度の単位上昇変化に対する減衰力の上昇率よりも上昇率が低い減衰力特性となる。
【００４８】
以上に述べたように、第１実施形態に係る緩衝器１１によれば、伸び側主減衰弁７７が設けられた伸び側主通路６９と、縮み側主減衰弁７２が設けられた縮み側主通路６８と、伸び縮み共用の副通路８３とを独立して設ける。そして、この副通路８３の伸び行程での上流側に流入側のチェック弁を構成する積層ディスク３５を設け、副通路８３の伸び行程での下流側に流出側の副減衰弁１１３を設けるとともに、副通路８３の縮み行程での上流側に流入側のチェック弁を構成する積層ディスク５０を設け、副通路８３の縮み行程での下流側に流出側の副減衰弁９３を設けている。これにより、伸び行程および縮み行程で独立して減衰力特性を設定することができ、伸び側主減衰弁７７とは独立して伸び側の副減衰弁１１３の特性を設定することができて、縮み側主減衰弁７２とは独立して縮み側の副減衰弁９３の特性を設定することができる。
【００４９】
これにより、例えば、緩衝器１１の動き出しのピストン１６のシリンダ１２との間の機械的フリクションおよびピストンロッド１３の図示略のロッドシール等との間の機械的フリクションが、静的フリクションから動的フリクションに切り替わる微低速域において、固定絞り部８９，１１９により作動流体を流してピストン速度に対する減衰力の上昇率を高くして減衰力を即座に立ち上げる特性（図３の０以上ｖ１未満参照）が得られ、速度が少し上がると副減衰弁９３，１１３が開弁し、さらに速度が少し上がると第３の減衰弁１０１，１２１が開弁することで、減衰力のピストン速度の単位上昇変化に対する上昇率を徐々に下げて、乗り心地を損なわないようにすることができ、不連続部の少ない減衰力特性を設定することが可能になる。
【００５０】
しかも、副通路８３の伸び行程での上流側に流入側のチェック弁を構成する積層ディスク３５を設け、副通路８３の縮み行程での上流側に流入側のチェック弁を構成する積層ディスク５０を設けることで、副通路８３を伸び縮み共用とすることができる。
【００５１】
また、副通路８３の伸び行程での上流側に設けられた流入側のチェック弁としての積層ディスク３５が、上流側となる伸び行程とは反対の縮み行程での流出側の第３の減衰弁１０１を構成しており、副通路８３の縮み行程での上流側に設けられた流入側のチェック弁としての積層ディスク５０が、上流側となる縮み行程とは反対の伸び行程での流出側の第３の減衰弁１２１を構成している。このため、部品点数の増大を抑制しつつ、より不連続部の少ない減衰力特性を設定することが可能になる。
【００５２】
副通路８３の伸び行程での流入側のチェック弁としての積層ディスク３５側には、絞り部１００が設けられており、副通路８３の縮み行程での流入側のチェック弁としての積層ディスク５０側には、絞り部１２０が設けられている。このため、伸び行程での流入側のチェック弁としての積層ディスク３５を開いた状態での作動流体の副通路８３への流入を絞り部１００で制限し、縮み行程での流入側のチェック弁としての積層ディスク５０を開いた状態での作動流体の副通路８３への流入を絞り部１２０で制限することができる。よって、副減衰弁９３，１１３の開弁後の特性をこれら絞り部１００，１２０によって設定することができる。
【００５３】
「第２実施形態」
本発明の第２実施形態に係る緩衝器を図４を参照して第１実施形態との相違部分を中心に説明する。なお、第１実施形態と共通する部位については、同一称呼、同一の符号で表す。
【００５４】
第２実施形態では、ピストンロッド１３の柱状部２４に第１実施形態の切欠部２５は形成されておらず、ピストンロッド１３の取付軸部２２の中央に軸方向のオネジ２３側の端部から通路穴２０１が穿設されている。この通路穴２０１には室１５側の開口端にメネジ２０２が形成されており、このメネジ２０２に螺合されるボルト２０３でこの通路穴２０１の室１５側が閉塞されている。通路穴２０１のメネジ２０２とは反対側の端部近傍には柱状部２４の径方向に沿う通路穴２０５が形成されており、通路穴２０１のメネジ２０２側の中間位置にも柱状部２４の径方向に沿う通路穴２０６が形成されている。加えて、柱状部２４には、外周面から平面状に切り欠かれた切欠部２０７が通路穴２０５の位置に形成されており、外周面から平面状に切り欠かれた切欠部２０８が通路穴２０６の位置に形成されている。
【００５５】
取付軸部２２には、第１実施形態と同様に挟持ベース３１から挟持ベース５４までの部材が装着され、この状態で、挟持ベース５４から突出するオネジ２３にナット２１５が螺合される。これにより、挟持ベース３１から挟持ベース５４までの部材を主軸部２１の取付軸部２２側の端面とナット２１５とが挟持して軸方向に締結する。このナット２１５は袋ナットではなく通常のナットとなっている。
【００５６】
切欠部２０７は、挟持ベース３１、スペーサ３２、積層ディスク３３およびバルブベース３４と軸方向の位置を重ね合わせており、これらとの間に通路２０９を形成している。通路２０９は、固定絞り部８９および絞り部１００に常時連通している。切欠部２０８は、通路形成部材４９、積層ディスク５０、バルブベース５１、積層ディスク５２およびスペーサ５３と軸方向の位置を重ね合わせており、これらとの間に通路２１０を形成している。通路２１０は、固定絞り部１０９および絞り部１２０に常時連通している。
【００５７】
通路穴２０１，２０５，２０６内と、通路２０９，２１０とが、第１実施形態の内部通路８２と同様、伸び側縮み側に共通の副通路８３の中間部分を構成する内部通路２１１を構成している。
【００５８】
このような第２実施形態も、第１実施形態と同様に作動する。
【００５９】
「第３実施形態」
本発明の第３実施形態に係る緩衝器を図５を参照して第１実施形態との相違部分を中心に説明する。なお、第１実施形態と共通する部位については、同一称呼、同一の符号で表す。
【００６０】
第３実施形態においては、ピストンロッド１３の取付軸部２２に、挟持ベース３１、スペーサ３２、通路形成部材３６、積層ディスク３５、バルブベース３４、積層ディスク３３、スペーサ３０１、スペーサ３７、規制部材３８、スペーサ３９、積層ディスク４０、ピストン１６、積層ディスク４５、スペーサ４６、規制部材４７、スペーサ４８、スペーサ３０２、積層ディスク５２、バルブベース５１、積層ディスク５０、通路形成部材４９、スペーサ５３および挟持ベース５４がこの順に取り付けられている。
【００６１】
ここで、積層ディスク３５、バルブベース３４、積層ディスク３３、積層ディスク５２、バルブベース５１および積層ディスク５０は、それぞれが、第１実施形態とは向きが軸方向に反転させられている。よって、積層ディスク３５は、軸方向の挟持ベース３１側にディスク９６が、挟持ベース３１とは反対側にディスク９５が設けられている。また、バルブベース３４は、軸方向の挟持ベース３１側に弁座部９７が、挟持ベース３１とは反対側に弁座部９１が、それぞれ配置されている。また、積層ディスク３３は、軸方向の挟持ベース３１側から順にディスク８７、ディスク８６、ディスク８５およびディスク８４が配置されている。また、積層ディスク５２は、軸方向の挟持ベース３１とは反対側から順に、ディスク１０７、ディスク１０６、ディスク１０５およびディスク１０４が配置されている。バルブベース５１は、弁座部１１１が軸方向の挟持ベース３１側に、弁座部１１７が挟持ベース３１とは反対側に配置されている。また、積層ディスク５０は、軸方向の挟持ベース３１側にディスク１１５が、挟持ベース３１とは反対側にディスク１１６が配置されている。つまり、第３実施形態は、第１実施形態の積層ディスク３３、バルブベース３４、積層ディスク３５および通路形成部材３６の組み合わせ全体を軸方向に反転させ、第１実施形態の通路形成部材４９、積層ディスク５０、バルブベース５１および積層ディスク５２の組み合わせ全体を軸方向に反転させたものとなっている。
【００６２】
このような第３実施形態も、第１実施形態と同様に作動する。
【００６３】
第１〜第３実施形態では、副通路８３の伸び行程での上流側に設けられた積層ディスク３５が、流入側のチェック弁を構成し且つ上流側となる行程とは反対の縮み行程での流出側の第３の減衰弁１０１を構成するとともに、縮み行程での上流側に設けられた積層ディスク５０が、流入側のチェック弁を構成し且つ上流側となる行程とは反対の伸び行程での流出側の第３の減衰弁１２１を構成する場合を例にとり説明したが、これらの積層ディスク３５，５０のうちの少なくとも一方が上記構成となっていれば良い。
【００６４】
また、第１〜第３実施形態では、副通路８３の伸び行程での流入側のチェック弁である積層ディスク３５側に絞り部１００を設け、副通路８３の縮み行程での流入側のチェック弁である積層ディスク５０側に絞り部１２０を設けているが、絞り部１００，１２０のうちの少なくとも一方が設けられていれば良い。
【００６５】
以上に述べた実施形態は、作動流体が封入されるシリンダと、前記シリンダ内に摺動可能に嵌装されて該シリンダ内を二室に区画するピストンと、一端が前記ピストンに連結され、他端が前記シリンダの外部へ延出されるピストンロッドと、前記ピストンの摺動によって作動流体をそれぞれ流通させる、伸び側主通路、縮み側主通路、および伸び側縮み側に共通の副通路と、を有する緩衝器であって、前記伸び側主通路には伸び側主減衰弁が、前記縮み側主通路には縮み側主減衰弁が、それぞれ設けられ、前記副通路の伸び行程での上流側および縮み行程での上流側には、それぞれ流入側のチェック弁が設けられ、前記副通路の伸び行程での下流側および縮み行程での下流側には、それぞれ流出側の副減衰弁が設けられていることを特徴とする。これにより、伸び行程および縮み行程で独立して減衰力特性を設定することができ、伸び側主減衰弁とは独立して伸び側の副減衰弁の特性を設定することができて、縮み側主減衰弁とは独立して縮み側の副減衰弁の特性を設定することができる。しかも、副通路の伸び行程での上流側に流入側のチェック弁を設け、副通路の縮み行程での上流側に流入側のチェック弁を設けることで、副通路を伸び縮み共用とすることができる。
【００６６】
また、前記副通路の伸び行程での上流側および縮み行程での上流側のうちの少なくとも一方に設けられた前記流入側のチェック弁は、積層ディスクで構成され、該積層ディスクは、上流側となる行程とは反対行程での流出側の第３の減衰弁を構成していることを特徴とする。これにより、部品点数の増大を抑制しつつ、より不連続部の少ない減衰力特性を設定することが可能になる。
【００６７】
また、前記副通路の少なくとも一方の前記チェック弁側には、絞り部が設けられていることを特徴とする。副減衰弁の開弁後の特性をこれら絞り部によって設定することができる。
【符号の説明】
【００６８】
１１  緩衝器
１２  シリンダ
１３  ピストンロッド
１４，１５  室
１６  ピストン
３５，５０  積層ディスク（チェック弁）
６８  縮み側主通路
６９  伸び側主通路
７２  縮み側主減衰弁
７７  伸び側主減衰弁
８３  副通路
９３，１１３  副減衰弁
１００，１２０  絞り部
１０１，１２１  第３の減衰弁
【図１】
2015163801.tif 000003
【図２】
2015163801.tif 000004
【図３】
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【図４】
2015163801.tif 000006
【図５】
2015163801.tif 000007