(57)【要約】【課題】従来技術を改良する装置を提供すること【解決手段】２つのケーシングが１つのモジュールを形成し、２つのケーシングは、固定手段によって、積層体の形状に相互に形嵌めによって接合されており、接合は、第１のケーシングの底面が第２のケーシングの底面に結合されて行われ、または、第１のケーシングの底面が第２のケーシングの頂面に結合されて行われ、２つのケーシングの複数の端子接点は同じ方向を指している、または、２つのケーシングの複数の端子接点は各ケーシングの同じ各外側面から突出しており、第１の主要延在面の面法線と第２の主要延在面の面法線とは平行に配置されており、第１の主要延在面の面法線に沿った斜視図では第１の主要延在面が第２の主要延在面と重畳し、不均一な磁界の磁束の強さの相違が、第１の磁界センサと第２の磁界センサとの間で低減されるセンサ装置【選択図】図１
2015132595.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
センサ装置（１０）であって、
当該センサ装置（１０）は、第１のケーシング（２０）と、第１の金属基板（１１５）と、第２のケーシング（２２０）と、第２の金属基板（３１５）とを有しており、
前記第１のケーシング（２０）は底面（２５）と頂面（３０）と正面（３５）と背面（４０）と第１の側面（４５）と第２の側面（５０）とを有しており、ここで前記正面（３５）と前記背面（４０）と前記２つの側面（４５、５０）とは前記頂面（３０）と前記底面（２５）との間に配置されており、前記第１のケーシング（２０）内に、表面（１０５）と裏面（１１０）とを備えた第１の半導体本体（１００）が形成されており、
前記第１の金属基板（１１５）は、表面（１１７）と、裏面（１１９）と、前記第１の半導体本体（１００）の前記表面（１０５）に配置された複数の端子接点（１３０、１３２、１３４、１３６、１３８）とを有しており、当該端子接点（１３０、１３２、１３４、１３６、１３８）は、前記第１の半導体本体（１００）にモノリシックに組み込まれている第１の磁界センサ（１２０）を電気的に接触接続させるためのものであり、ここでいずれの場合にも、前記複数の端子接点（１３０、１３２、１３４、１３６、１３８）の一部が前記第１のケーシング（２０）の前記正面（３５）から突出し、前記第１の半導体本体（１００）は、前記裏面（１１０）で以て、前記第１の金属基板（１１５）の前記表面（１１７）に配置されており、前記第１の磁界センサ（１２０）は、前記第１の半導体本体（１００）の前記表面（１０５）に形成されており、前記第１の磁界センサ（１２０）は第１の主要延在面を有しており、ここで当該第１の主要延在面は、前記第１の半導体本体（１００）の前記表面（１０５）に対して平行に配置されており、
前記第２のケーシング（２２０）は底面（２２５）と頂面（２３０）と正面（２３５）と背面（２４０）と第１の側面（２４５）と第２の側面（２５０）とを有しており、ここで前記正面（２３５）と前記背面（２４０）と前記２つの側面（２４５、２５０）とは前記頂面（２３０）と前記底面（２２５）との間に配置されており、前記第２のケーシング（２２０）内に、表面（３０５）と裏面（３１０）とを備えた第２の半導体本体（３００）が形成されており、
前記第２の金属基板（３１５）は、表面（３１７）と、裏面（３１９）と、複数の第２の端子接点（３３０、３３２、３３４、３３６、３３８）とを有しており、当該第２の端子接点（３３０、３３２、３３４、３３６、３３８）は、前記第２の半導体本体（３００）にモノリシックに組み込まれている第２の磁界センサ（３２０）を電気的に接触接続させるためのものであり、ここでいずれの場合にも、前記複数の第２の端子接点（３３０、３３２、３３４、３３６、３３８）の一部が前記第２のケーシング（２２０）の前記正面（２３５）から突出し、前記第２の半導体本体（３００）は、前記裏面（３１０）で以て、前記第２の金属基板（３１５）の前記表面（３１７）に配置されており、前記第２の磁界センサ（３２０）は、前記第２の半導体本体（３００）の前記表面（３０５）に形成されており、前記第２の磁界センサ（３２０）は第２の主要延在面を有しており、ここで当該第２の主要延在面は、前記第２の半導体本体（３００）の前記表面（３０５）に対して平行に配置されている、センサ装置（１０）において、
前記２つのケーシング（２０、２２０）は１つのモジュールを形成し、ここで当該２つのケーシング（２０、２２０）は、固定手段によって、積層体の形状に相互に形嵌めによって接合されており、当該接合は、
・前記第１のケーシング（２０）の前記底面（２５）が、前記第２のケーシング（２２０）の前記底面（２２５）に結合されて行われ、または、
・前記第１のケーシング（２０）の底面（２５）が、前記第２のケーシング（２２０）の頂面（２３０）に結合されて行われ、
前記２つのケーシング（２０、２２０）の前記複数の端子接点（１３０、１３２、１３４、１３６、１３８、３３０、３３２、３３４、３３６、３３８）は同じ方向を指している、または、前記２つのケーシング（２０、２２０）の前記複数の端子接点（１３０、１３２、１３４、１３６、１３８、３３０、３３２、３３４、３３６、３３８）は各ケーシングの同じ各外側面から突出しており、ここで前記第１の主要延在面の面法線と、前記第２の主要延在面の面法線とは平行に配置されており、ここで、前記第１の主要延在面の面法線に沿った斜視図では、当該第１の主要延在面が前記第２の主要延在面と重畳し、これによって、不均一な磁界の磁束の強さの相違が、前記第１の磁界センサ（１２０）と前記第２の磁界センサ（３２０）との間で低減されている、
ことを特徴とするセンサ装置（１０）。
【請求項２】
前記第１の主要延在面は、前記第２の主要延在面と完全に重畳している、請求項１記載のセンサ装置（１０）。
【請求項３】
前記第１の主要延在面の面法線は、前記第２の主要延在面の面法線と同じ場所に配置されている、請求項１記載のセンサ装置（１０）。
【請求項４】
前記第１のケーシング（２０）と前記第２のケーシング（２２０）とは、実質的に同じまたは完全に同じ外形寸法を有している、請求項１から３までのいずれか１項記載のセンサ装置（１０）。
【請求項５】
受け部および／または突起部が、前記第１のケーシング（２０）および／または前記第２のケーシング（２２０）に形成されている、請求項１から４までのいずれか１項記載のセンサ装置（１０）。
【請求項６】
複数の固定手段が棒状に形成されており、各固定手段は両端に受け部を有している、請求項１から５までのいずれか１項記載のセンサ装置（１０）。
【請求項７】
前記第１の側面（４５、２４５）に沿って、および、前記第２の側面（５０、２５０）に沿って、２つの固定手段が間隔をあけて設けられている、請求項１から６までのいずれか１項記載のセンサ装置（１０）。
【請求項８】
前記受け部は、前記突起部とともにポジティブフィットを形成する、請求項１から７までのいずれか１項記載のセンサ装置（１０）。
【請求項９】
前記固定手段は、前記第１のケーシング（２０）および／または前記第２のケーシング（２２０）において、当該ケーシング（２０、２２０）に一体成形されており、長方形の突起部（４４５、６４５）および／または長方形の陥没部（４４０、６４０）を含んでいる、請求項１から８までのいずれか１項記載のセンサ装置（１０）。
【請求項１０】
前記２つのケーシング（２０、２２０）は各頂面において段（４００）を有しており、前記段の第１の領域は、前記段の第２の領域よりも薄い、請求項１から９までのいずれか１項記載のセンサ装置（１０）。
【請求項１１】
前記第２の領域は、前記２つのケーシング（２０、２２０）の正面（３５、２３５）と隣接している、請求項１０記載のセンサ装置（１０）。
【請求項１２】
前記２つのケーシング（２０、２２０）は段（４００）を前記第１の側面（４５、２４５）に沿って、および／または、前記第２の側面（５０、２５０）に沿って有しており、
前記段の第１の領域の幅は、前記段の第２の領域の幅よりも狭く、前記第２の領域は、前記２つのケーシング（２０、２２０）の正面（３５、２３５）と隣接している、請求項１から１１までのいずれか１項記載のセンサ装置（１０）。
【請求項１３】
前記第１のケーシング（２０）と前記第２のケーシング（２２０）に、前記各側面（４５、５０、２４５、２５０）と同じ、前記各頂面（３０、２３０）の位置に、段（４００）が形成されており、これによって、前記２つのケーシング（２０、２２０）の前記第１の領域の外形寸法は、前記第２の領域の外形寸法よりも小さくなる、請求項１から１２までのいずれか１項記載のセンサ装置（１０）。
【請求項１４】
前記第１の磁界センサ（１２０）および／または前記第２の磁界センサ（３２０）はホールセンサである、請求項１から１３までのいずれか１項記載のセンサ装置（１０）。
【請求項１５】
前記ホールセンサは、垂直ホールプレートとして形成されている、請求項１４記載のセンサ装置（１０）。
【請求項１６】
前記垂直ホールプレートの主要延在面は、前記半導体本体の前記表面に直交する、請求項１５記載のセンサ装置（１０）。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、請求項１の上位概念に記載されているセンサ装置に関する。すなわち、本発明は、第１のケーシングと、第１の金属基板と、第２のケーシングと、第２の金属基板とを有しており、前記第１のケーシングは底面と頂面と正面と背面と第１の側面と第２の側面とを有しており、前記正面と前記背面と前記２つの側面とは前記頂面と前記底面との間に配置されており、前記第１のケーシング内に、表面と裏面とを備えた第１の半導体本体が形成されており、前記第１の金属基板は、表面と、裏面と、前記第１の半導体本体の前記表面に配置された複数の端子接点とを有しており、当該端子接点は、前記第１の半導体本体にモノリシックに組み込まれている第１の磁界センサを電気的に接触接続させるためのものであり、いずれの場合にも、前記複数の端子接点の一部が前記第１のケーシングの前記正面から突出し、前記第１の半導体本体は、前記裏面で以て、前記第１の金属基板の前記表面に配置されており、前記第１の磁界センサは、前記第１の半導体本体の前記表面に形成されており、前記第１の磁界センサは第１の主要延在面を有しており、当該第１の主要延在面は、前記第１の半導体本体の前記表面に対して平行に配置されており、前記第２のケーシングは底面と頂面と正面と背面と第１の側面と第２の側面とを有しており、前記正面と前記背面と前記２つの側面とは前記頂面と前記底面との間に配置されており、前記第２のケーシング内に、表面と裏面とを備えた第２の半導体本体が形成されており、前記第２の金属基板は、表面と、裏面と、複数の第２の端子接点とを有しており、当該第２の端子接点は、前記第２の半導体本体にモノリシックに組み込まれている第２の磁界センサを電気的に接触接続させるためのものであり、いずれの場合にも、前記複数の第２の端子接点の一部が前記第２のケーシングの前記正面から突出し、前記第２の半導体本体は、前記裏面で以て、前記第２の金属基板の前記表面に配置されており、前記第２の磁界センサは、前記第２の半導体本体の前記表面に形成されており、前記第２の磁界センサは第２の主要延在面を有しており、当該第２の主要延在面は、前記第２の半導体本体の前記表面に対して平行に配置されている、センサ装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
ＤＥ１０２０１００３０８０１Ａ１は、集積されたセンサ、特にホールセンサを開示している。これは、とりわけ、駆動シャフトのための回転角度を定めるために用いられる。さらに、ＵＳ５６４４４７３およびＪＰ３−３２０５０は、ＩＣ用の積層可能なケーシングを開示している。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】ＤＥ１０２０１００３０８０１Ａ１
【特許文献２】ＵＳ５６４４４７３
【特許文献３】ＪＰ３−３２０５０
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
本発明の課題は、従来技術を改良する装置を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
この課題は、請求項１の特徴部分の構成を有するセンサ装置によって解決される。すなわちこの課題は、２つのケーシングが１つのモジュールを形成し、当該２つのケーシングは、固定手段によって、積層体の形状に相互に形嵌めによって接合されており、当該接合は、・前記第１のケーシングの前記底面が、前記第２のケーシングの前記底面に結合されて行われ、または、・前記第１のケーシングの底面が、前記第２のケーシングの頂面に結合されて行われ、前記２つのケーシングの前記複数の端子接点は同じ方向を指している、または、前記２つのケーシングの前記複数の端子接点は各ケーシングの同じ各外側面から突出しており、ここで前記第１の主要延在面の面法線と、前記第２の主要延在面の面法線とは平行に配置されており、ここで前記第１の主要延在面の面法線に沿った斜視図では、当該第１の主要延在面が前記第２の主要延在面と重畳し、これによって、不均一な磁界の磁束の強さの相違が、第１の磁界センサと第２の磁界センサとの間で低減されている、ことを特徴とするセンサ装置によって解決される。本発明の有利な形態は、従属請求項に記載されている。
【発明の効果】
【０００６】
本発明では、センサ装置が提供される。このセンサ装置は、底面と頂面と正面と背面と第１の側面と第２の側面とを有する第１のケーシングを有する。正面と背面と２つの側面は頂面と底面との間に配置されており、第１のケーシング内には、表面と裏面とを有する第１の半導体本体が設けられている。さらに、第１の金属基板が形成される。これは表面と裏面とを有している。複数の、有利には金属製の端子接点が、第１の半導体本体とともにモノリシックに組み込まれている第１の磁界センサの電気的な接触接続のために設けられている。いずれの場合にも、複数の端子接点の一部が第１のケーシングの正面から突出する。第１の半導体本体の裏面が、第１の金属基板の表面に配置され、第１の磁界センサが、第１の半導体本体の表面に形成される。ここで第１の磁界センサは第１の主要延在面を含んでおり、この第１の主要延在面は、第１の半導体本体の表面と平行に配置されている。さらに、このセンサ装置は、底面と頂面と正面と背面と第１の側面と第２の側面とを有する第２のケーシングを有する。この正面と背面と２つの側面は頂面と底面との間に配置されている。第２のケーシング内には、表面と裏面とを有する第２の半導体本体が設けられている。さらに、第２の金属基板が形成される。第２の半導体本体は表面と裏面と複数の金属製端子接点を有している。これらの金属製端子接点は、第２の半導体本体とともにモノリシックに組み込まれている第２の磁界センサの電気的な接触接続のために設けられる。いずれのケースにおいても、複数の端子接点の一部が第２のケーシングの正面から突出する。第２の半導体本体の裏面が、第２の金属基板の表面に配置され、第２の磁界センサが、第２の半導体本体の表面に形成される。ここで第２の磁界センサは第２の主要延在面を含んでおり、この第２の主要延在面は、第２の半導体本体の表面に対して平行に配置される。２つのケーシングは１つのモジュールを形成し、このモジュールを形成するために、これら２つのケーシングは形嵌めによって、相互に、積層体の形状に固定手段によって接合される。この接合は、第１のケーシングの底面が、有利には形嵌めによって第２のケーシングの底面に結合されることで、または、第１のケーシングの底面が第２のケーシングの頂面に結合されることで行われる。さらに、２つのケーシングの複数の端子接点が同じ方向を指している、または、２つのケーシングの複数の端子接点がケーシングの同じ各外側面から突出する。第１の主要延在面の面法線は第２の主要延在面の面法線に対して平行に配置されており、ここで、第１の主要延在面の面法線に沿った斜視図では、第１の主要延在面は第２の主要延在面と重畳し、これによって、不均一な磁界の磁束の強さの相違が、第１の磁界センサと第２の磁界センサとの間で低減される。金属基板は一般的にリードフレームと称され、このリードフレームの一部である金属製端子接点はピンとも称され、また半導体本体の表面上の端子接点は一般的にパッドと称されることを述べておく。換言すれば、ピンである、リードフレームの端子接点が、センサのケーシングから突出している。
【０００７】
本発明のこの装置の利点は、センサ装置が、２つの個々の、類似したまたは同一のケーシングを結合することによって、多かれ少なかれ、個々のケーシングモジュールとし提供されることである。ここで、２つのケーシングの各々は、完全に機能的、電気的に接続されたセンサを有する。さらなる利点は、このモジュールが２つの同一のセンサを、製造中のプロセスバリエーション内で有している、ということである。この結果、モジュール型のセンサ装置は、高い故障耐性を有する。特に、安全に関連するアプリケーションおよびこのセンサ装置に容易にアクセス可能ではないアプリケーションにおいては、高い故障耐性によって、製品の信頼性を顕著に上げることができ、例えば、２つのセンサのうちの１つが不調の場合に、１つのセンサが他のセンサの測定値を代わりに使用することで、ダウンタイムコストが低減される。センサ装置全体の入れ替えをする必要がない、または、センサ装置全体の入れ替えを定期的なメンテナンスインターバルに関連して行えばよい。さらなる利点は、モジュールまたはセンサ装置の集積度合いが高く、外形寸法が小さいので、ほぼ全ての用途において、同一の環境パラメータが２つのセンサに作用する。すなわち、これらのセンサのタイプに依存して、例えば、温度または磁界強度を、センサ装置と全く同じに、センサ装置の箇所で決めることができる。さらに、２つのセンサ測定値の平均を決定し、これによって測定の不正確さを低減することもできる。
【０００８】
第１の実施形態では、第１の主要延在面は第２の主要延在面と完全に重畳する。特に、第１の主要延在面の面法線は、第２の主要延在面の面法線と同じ場所に配置されている。
【０００９】
別の実施形態では、第１のケーシングと第２のケーシングは実質的に同じまたはちょうど同じ外形寸法を有している。特に、第１のケーシングの外形寸法は、有利には、第２のケーシングの外形寸法と異なっていない、または、最も有利には、結合のための構造物だけが異なっている。別の有利な実施形態では、受け部および／または突起部が、第１のケーシングおよび／または第２のケーシングに形成され、これによって、第１のケーシングを第２のケーシングとシンプルかつ低コストに結合することができる。別の実施形態では固定手段が設けられており、この固定手段は棒状に形成されており、各固定手段は受け部を片方の端部または両端部に有しており、これによって、固定手段の１つがクランプ状に形成される。複数の固定手段を別個に形成することが有利である。これによって、第１のケーシングは、圧力嵌めによって、第２のケーシングと、クランプ状の固定手段によって接合される。別の実施形態では、有利には、突起部が両方のケーシングに設けられ、これによって、結合された状態において、固定手段および／または少なくとも固定手段の受け部がケーシング内に組み込まれ、ポジティブフィットを形成する。さらに有利には、固定手段の取り付け後に、平坦なケーシング外面が形成される。ある実施形態では、有利には、複数のクランプ状固定手段が別個に形成される。すなわち、ケーシングに組み込まれずに形成される。さらに有利には、２つの固定手段が、第１の面に沿っておよび第２の面に沿って、空間をあけて設けられる。
【００１０】
別の実施形態では、１つまたは複数の固定手段が、第１のケーシングおよび／または第２のケーシングと一体成形されている。実験によって、次のことが示されている。すなわち、第１のケーシングの底面と、第２のケーシングの底面に、長方形の突起部と長方形の構造物またはノッチを形成することが有利であることが示された。２つの構造物は空間的に分けられている。有利には、第１のケーシングを第２のケーシングに結合する間、長方形のノッチは、長方形の突起部を形嵌めによって受け入れる。従って、２つのケーシングを結合してモジュールを形成した後、モジュールの外面で、固定手段は突起していない、および／または、２つのケーシングの間に間隙は形成されていない。さらに有利には、第１のケーシングの底面および／または第２のケーシングの底面は、にかわ状の固定手段によって覆われている。これによって、結合後に、圧力嵌め結合が、２つのケーシングの間に形成される。
【００１１】
別の実施形態では、２つのケーシングは、頂面で、それぞれ、段を有している。これによって、２つのケーシングは、段の第１の領域において、段の第２の領域におけるよりも薄くなる。ここで有利には、第２の領域は、各ケーシングの正面に隣接している。
【００１２】
別の実施形態では、２つのケーシングは、第１の側面に沿って、および／または、第２の側面に沿って、段を有しており、これによって、段の第１の領域は、段の第２の領域に比べて狭くなる。
【００１３】
有利な実施形態では、段は、いずれの場合にも、第１のケーシングと第２のケーシングに、側面と同じ、頂面の箇所に形成され、これによって、２つのケーシングの外形寸法、すなわち、厚さ並びに幅が、第１の領域において、第２の領域におけるよりも小さくなる。
【００１４】
別の実施形態では、第１のケーシングと第２のケーシングは、正面において、それぞれ、５つの端子接点を有している。いずれのケースにおいても、２つの端子接点が実質的に、他の３つの端子接点よりも短く形成されている。有利には、全ての端子接点が１つの面に形成され、２つの短い端子接点の各々は、長い端子接点の間に接続されている。実験によって、いわゆる最終テストのための信号が存在する、または、信号が中央の２つの端子接点に加えられるのが有利であることが判明している。これらの端子接点は一般的に、最終テストの後に不要になる。
【００１５】
別の実施形態では、第１の磁界センサおよび／または第２の磁界センサは、ホールセンサとして作成され、特にホールプレートとして作成される。有利には、このホールプレートは、垂直ホールプレートである。ある実施形態では、ホールプレートの主要延在面は、半導体の表面に直交する。
【００１６】
本発明を以下で、より詳細に、図面を参照して説明する。類似の部分には、同じ名称が与えられている。この図示された実施形態は著しく概略化されている。すなわち、距離および水平および垂直の延在は、そうでないことが示されていない限りは、縮尺通りではなく、相互にいかなる導出可能な幾何学的関係も有していない。
【図面の簡単な説明】
【００１７】
【図１】モジュールであるセンサ装置の本発明の第１の実施形態の図
【図２】図１のセンサ装置の、ケーシングされていない、部分の斜視図
【図３ａ】図１に示されたセンサ装置の第１の部分である第１のケーシングの第１の実施形態の斜視図
【図３ｂ】図１に示されたセンサ装置の第２の部分である第２のケーシングの第１の実施形態の斜視図
【図４】図３ａおよび図３ｂに示された、結合直前の、第１のケーシングと第２のケーシングの斜視図
【図５】第２のケーシングの頂面が第１のケーシングの底面に結合されている、第１のケーシングと第２のケーシングの第２の実施形態の斜視図
【図６】第１のケーシングの底面が第２のケーシングの底面に結合されている、第１のケーシングと第２のケーシングの第３の実施形態の斜視図
【発明を実施するための形態】
【００１８】
図１は、モジュールとして形成されているセンサ装置１０の本発明の第１の実施形態の図を示している。このセンサ装置は、第１のケーシング２０と第２のケーシング２２０とを有している。第１のケーシング２０の外形寸法は有利には実質的に第２のケーシング２２０の外形寸法と同一であり、最も有利には、第２のケーシングの外形寸法と全く同一である。このケースでは、２つのケーシング２０と２２０とが結合して、このモジュールを形成している。
【００１９】
第１のケーシング２０は底面２５と頂面３０とを有している。正面３５と背面４０と第１の側面４５と第２の側面５０とが、頂面３０と底面２５との間に配置されている。さらに、第２のケーシング２２０は底面２２５と頂面２３０とを有している。正面２３５と背面２４０と第１の側面２４５と第２の側面２５０とが、頂面２３０と底面２２５との間に配置されている。このケースでは、第１のケーシング２０の背面４０は、第２のケーシング２２０の背面２４０に圧力嵌めによって接続され、モジュールを形成している。
【００２０】
段４００が、いずれの場合においても、第１のケーシング２０の頂面３０と、第２のケーシング２２０の頂面２３０と、第１のケーシング２０の両方の側面４５、５０と、第２のケーシング２２０の両方の側面２４５、２５０とに形成されている。これによって、このモジュールは、第１のケーシング２０の正面３５または第２のケーシング２２０の正面２３５において、２つの背面４０および２４０におけるよりも、大きい外形寸法を有する。
【００２１】
第１のセンサ１２０（図示されていない）が、第１のケーシング２０内に集積されている。第１のケーシング２０は、有利にはＩＣケーシングとして作成されている。全５つの第１の端子接点１３０、１３２、１３４、１３６および１３８が、第１のケーシング２０の正面３５から突出している。これによって、いずれのケースにおいても、これら５つの第１の端子接点１３０、１３２、１３４、１３６および１３８の一部がケーシング２０外に形成され、これら５つの第１の端子接点１３０、１３２、１３４、１３６および１３８の別の一部（図示されていない）が第１のケーシング２０内に形成され、部分的に第１のケーシングに埋込まれている。５つの第１の端子接点１３０、１３２、１３４、１３６および１３８は有利には、正確に１つの面に配置される。ここで、２つの直に隣接している端子接点１３０、１３２、１３４、１３６および１３８の間の距離は、いずれの場合にも同じである。
【００２２】
第２のセンサ３２０（図示されていない）が、第２のケーシング２２０内に集積されている。第２のケーシング２２０は、有利にはＩＣケーシングとして作成されている。全５つの第２の端子接点３３０、３３２、３３４、３３６および３３８が、第２のケーシング２２０の正面２３５から突出している。これによって、いずれの場合にも、これら５つの第２の端子接点３３０、３３２、３３４、３３６および３３８の一部がケーシング２２０外に形成され、これら５つの第２の端子接点３３０、３３２、３３４、３３６および３３８の別の一部（図示されていない）が第２のケーシング２２０内に形成され、部分的に第２のケーシングに埋込まれている。５つの第２の端子接点３３０、３３２、３３４、３３６および３３８は有利には、正確に１つの面に配置される。ここで、直に隣接している２つの端子接点３３０、３３２、３３４、３３６および３３８との間の距離は、いずれの場合にも同じである。端子接点１３０、１３２、１３４、１３６および１３８または３３０、３３２、３３４、３３６および３３８がピンとも称される、ということに留意されたい。
【００２３】
第１のケーシング２０と第２のケーシング２２０は、相互に固定手段によって、圧力嵌めによって接続されている。第１のケーシング２０の底面は、第２のケーシング２２０の底面に形嵌めによって結合され、形嵌めによって積層体の形状に形成され、２つのケーシング２０と２２０の複数の端子接点１３０、１３２、１３４、１３６および１３８または３３０、３３２、３３４、３３６および３３８は、同じ方向を指している。有利には、固定手段は、接着剤である。
【００２４】
センサ装置１０の第１のケーシング２０によって包囲されている基板部分の斜視図が、図２に示されている。図１との違いのみを以下で説明する。表面１０５と裏面１１０とを有する第１の半導体本体１００が、第１の金属基板１１５上に配置されている。金属基板１１５はリードフレームとも称される。金属基板１１５は、表面１１７と裏面１１９とを有している。半導体本体１００は、圧力嵌めによって、裏面領域１１０で表面１１７に接続されている。
【００２５】
第１のセンサ１２０は、半導体本体１００のモノリシック部分として、表面１０５に配置されている。第１のセンサ１２０は、有利にはホールセンサとして作成されており、最も有利には、ホールプレートとして作成されている。複数の第１のボンディング面１８０、いわゆるパッドが、第１の半導体本体１００の表面１０５に配置されている。これらの第１のボンディング面１８０は、第１のボンディングワイヤー１８５によって、第１の端子接点１３０、１３２、１３４、１３６および１３８に、電気的に接続されている。この結果、第１の端子接点１３０、１３２、１３４、１３６および１３８が、第１の半導体本体１００および／または第１の金属基板１１５に電気的に接続される。このケースでは、全ての５つの端子接点１３０、１３２、１３４、１３６および１３８が、同じ長さを有している。
【００２６】
図示されていない実施形態では、有利には第１の集積回路が半導体本体１００の表面１０５に形成されている。このようにして、第１のセンサ１２０に動作電流が供給され、第１のセンサ電圧を取り出し、処理を続ける。
【００２７】
センサ装置１０の、第２のケーシング２２０によって包囲されている部分の内部構造は、第１のケーシング２０によって包囲されている構造と同じであることに留意されたい。例えば、第２の半導体本体３００が、第２の金属基板３１５上に配置されている。第２のモノリシックに集積されているセンサ３２０は、第２の半導体本体３００の表面３０５に配置される。さらに第２の金属基板３１５は、表面３１７と裏面３１９とを有しており、第２の半導体本体３００は表面３０５と裏面３１０とを有している。
【００２８】
第１のケーシング２０の斜視図が図３ａに示されており、センサ装置１０の第２の部分である第２のケーシングの斜視図が、接続されていない状態で、図３ｂに示されている。図１との違いのみを以下で説明する。第１のケーシング２０の底面２５には、長方形の陥没部４４０が、第１の側面４５でのエッジの第１の構造物として形成されており、第２の長方形の突起部４４５（図示されていない）が、第２の側面５０での反対側のエッジでの第２の構造物として形成されている。
【００２９】
従って、第２のケーシング２２０の底面２２５には、第１の長方形の陥没部６４０が、第１の側面２４５でのエッジに形成され、第２の長方形の突起部６４５が、第２の側面２５０での反対側のエッジに形成されている。
【００３０】
長方形の陥没部４４０と長方形の突起部６４５とは、実質的に相互に逆の寸法を有している。従って、第１のケーシング２０と第２のケーシング２２０との結合の間、２つのケーシング２０と２２０との間に、ポジティブフィットが生じる。
【００３１】
図４には、図１に示されているセンサ装置１０への結合直前の、第１のケーシング２０と第２のケーシング２２０の斜視図が示されている。これ以前の図との違い相対的な違いのみを以下で説明する。長方形の突起部４４５、６４５と陥没部４４０、６４０が、第１のケーシング２０および第２のケーシング２２０の各底面２５および２２５に配置されており、これらは結合プロセスの間、相互に形嵌めによって結合し、位置決め手段を形成する。従って、２つのケーシング２０と２２０は、正確に、相互に重なって位置付けされる。
【００３２】
図５には、第１のケーシングと第２のケーシングの第２の実施形態の斜視図が示されている。ここでは、第１のケーシングの底面２５が、第２のケーシングの頂面２３０に結合されている。これまでの図に対する相対的な違いのみを、以下で説明する。長方形の隆起部７４０、７４５と陥没部８４０、８４５が、第１のケーシング２０と第２のケーシング２２０の各底面２５および２２５に配置されている。各頂面３０および２３０には、長方形の陥没部９４０と９４５（図示せず）が配置されている。結合プロセスの間、長方形の隆起部７４０と７４５は長方形の陥没部９４０および９４５（図示せず）と形嵌めによって結合し、位置決め手段を形成し、これによって２つのケーシング２０と２２０とが相互に正確に重なって位置付けされる。段４００はいずれのケースにおいても、第１のケーシング２０の２つの側面４５および５０にのみ、および、第２のケーシング２２０の２つの側面２４５および２５０にのみ形成される。この結果、このモジュールは、第１のケーシング２０の正面３５と第２のケーシング２２０の正面２３５で、２つの背面４０および２４０と比べて、より長い外形寸法を有している。第１のケーシング２０と第２のケーシング２２０とが頂面と底面とで結合されているので、第１のケーシング２０の５つの第１の端子接点１３０、１３２、１３４、１３６および１３８と、第２のケーシング２２０の５つの第２の端子接点３３０、３３２、３３４、３３６および３３８が、一致して配置される。利点として、２つのＩＣが交差無く接続され、２つのセンサ１２０および３２０の信号が同位相になる。
【００３３】
図６では、第１のケーシングと第２のケーシングの第３の実施形態の斜視図が示されており、ここでは、第１のケーシングの底面２５が、第２のケーシングの底面２２５と結合されている。これまでの図に対する相対的な違いのみを以下で説明する。
【００３４】
結合プロセスの間、長方形の隆起部７４０と７４５は、長方形の陥没部８４０および８４５と形嵌めによって結合し、位置決め手段を形成し、これによって２つのケーシング２０と２２０とが相互に正確に重なって位置付けされる。第１のケーシング２０と第２のケーシング２２０とが底面と底面で結合されているので、第１のケーシング２０の５つの第１の端子接点１３０、１３２、１３４、１３６および１３８は、第２のケーシング２２０の５つの第２の端子接点３３０、３３２、３３４、３３６および３３８に対して反対に延在する。結果として、２つのセンサ１２０と３２０のセンサ信号が相互に逆の符号を有する信号となるように、２つのＩＣが積層される。
【００３５】
図示されていない実施形態では、２つのケーシングが外側長方形形状を有しており、各端子接点が、２つのケーシングの各頂面に形成されることに留意されたい。別のケーシング形状も容易に結合可能である。
【符号の説明】
【００３６】
１０  センサ装置、  ２０  第１のケーシング、  ２５  第１のケーシングの底面、  ３０  第１のケーシングの頂面、  ３５  第１のケーシングの正面、  ４０  第１のケーシングの背面、  ４５  第１のケーシングの第１の側面、  ５０  第１のケーシングの第２の側面、  １００  第１の半導体本体、  １０５  第１の半導体本体の表面、  １１０  第１の半導体本体の裏面、  １１５  第１の金属基板、  １１７  第１の金属基板の表面、  １１９  第１の金属基板の裏面、  １２０  第１のセンサ、  １３０、１３２、１３４、１３６および１３８  第１の端子接点、  １８０  第１のボンディング面、  １８５  第１のボンディングワイヤー、  ２２０  第２のケーシング、  ２２５  第２のケーシングの底面、  ２３０  第２のケーシングの頂面、  ２３５  第２のケーシングの正面、  ２４０  第２のケーシングの背面、  ２４５  第２のケーシングの第１の側面、  ２５０  第２のケーシングの第２の側面、  ３１５  第２の金属基板、  ３１７  第２の金属基板の表面、  ３１９  第２の金属基板の裏面、  ３００  第２の半導体本体、  ３０５  第２の半導体本体の表面、  ３１０  第２の半導体本体の裏面、  ３２０  第２のセンサ、  ３３０、３３２、３３４、３３６および３３８  第２の端子接点、  ４００  段、  ４４０  第１の長方形の陥没部、  ４４５  第２の長方形の突起部、  ６４０  第２の長方形の陥没部、  ６４５  第１の長方形の突起部、  ７４０、７４５  長方形の隆起部、  ８４０、８４５  長方形の陥没部、  ９４０、９４５  長方形の陥没部
【図１】
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【図２】
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【図３ａ】
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【図３ｂ】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【外国語明細書】
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