(57)【要約】【課題】成膜不良の発生を防ぐことができる電気光学装置の製造方法を提供する。【解決手段】基板１００の形成面Ｓ上に、少なくとも発光層を含む複数の薄膜を積層した機能層を形成する電気光学装置の製造方法であって、基板１００の形成面Ｓ上に、薄膜毎に種類の異なる機能材料と溶媒とを含む機能液を塗布した後に、基板１００を乾燥させることによって、機能層を形成する工程と、機能層を形成する工程の前に、基板１００の形成面Ｓ上に、溶媒の液滴ｉを塗布した後に、基板１００を乾燥させる工程と、を含む。【選択図】図５
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板の形成面上に、少なくとも発光層を含む複数の薄膜を積層した機能層を形成する電気光学装置の製造方法であって、
前記基板の形成面上に、前記薄膜毎に種類の異なる機能材料と溶媒とを含む機能液を塗布した後に、前記基板を乾燥させることによって、前記機能層を形成する工程と、
前記機能層を形成する工程の前に、前記基板の形成面上に、前記溶媒の液滴を塗布した後に、前記基板を乾燥させる工程と、を含むことを特徴とする電気光学装置の製造方法。
【請求項２】
前記基板の形成面上に、前記機能層が形成される領域を区画する隔壁を有し、この隔壁によって形成された開口部の内側に、前記液滴を少なくとも２滴以上位置を変えて塗布することを特徴とする請求項１に記載の電気光学装置の製造方法。
【請求項３】
前記開口部の長手方向における中央部及び両端部に対して、前記液滴を塗布することを特徴とする請求項２に記載の電気光学装置の製造方法。
【請求項４】
前記基板を大気圧雰囲気下で乾燥させる、若しくは、減圧雰囲気下で乾燥させることを特徴とする請求項１〜３の何れか一項に記載の電気光学装置の製造方法。
【請求項５】
前記基板の形成面を画素電極とすることを特徴とする請求項１〜４の何れか一項に記載の電気光学装置の製造方法。
【請求項６】
前記隔壁は、前記機能液に対して親液性を示す下壁層と、この上に前記機能液に対して揆液性を示す上壁層と、を含み、前記開口部を形成する前記下壁層及び前記上壁層の側面が前記開口部の内側に向かって傾斜した傾斜面を有することを特徴とする請求項２〜５の何れか一項に記載の電気光学装置の製造方法。
【請求項７】
前記下壁層の側面の傾斜角が４５°以下であり、前記下壁層の厚みが１０μｍ以下であることを特徴とする請求項６に記載の電気光学装置の製造方法。
【請求項８】
基板の形成面上に、少なくとも発光層を含む複数の薄膜を積層した機能層が形成される電気光学装置用基板の検査方法であって、
前記基板の形成面上に、前記薄膜毎に種類の異なる機能材料と溶媒とを含む機能液を塗布した後に、前記基板を乾燥させることによって、前記機能層を形成する前に、
前記基板の形成面上に、前記溶媒の液滴を塗布する工程と、
前記液滴が塗布された前記基板の状態を検査する工程と、
前記液滴が塗布された前記基板を乾燥させる工程と、を含むことを特徴とする電気光学装置用基板の検査方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電気光学装置の製造方法及び電気光学装置用基板の検査方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、有機エレクトロルミネッセンス（ＥＬ：Electro Luminecent）素子や発光ポリマー素子などの有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ：Organic Light Emitting Diode）と呼ばれる発光素子を用いた電気光学装置の開発が進められている。また、有機ＥＬ素子は、自発光型であるため、視認性が高いだけでなく、薄くて軽く、耐衝撃性にも優れていることから、液晶表示装置に代わる表示デバイスとして注目されている。
【０００３】
有機ＥＬ素子は、例えば、薄膜トランジスタ（ＴＦＴ：Thin Film Transistor）などのスイッチング素子が形成されたガラス基板などの光透過性を有する基板の上に、ＩＴＯ（Indium Tin Oxide）などの透明電極材料からなる画素電極（アノード電極）と、正孔注入層（ＨＩＬ：Hole Injection Layer）、正孔輸送層（ＨＴＬ：Hole Transfer Layer）、発光層（ＥＭＬ：EMissive Layer）、電子輸送層（ＥＴＬ：Electron Transport Layer）及び電子注入層（ＥＩＬ：Electron Injection Layer）を含む機能層と、ＭｇＡｇ合金などの導電性金属材料からなる対向電極（カソード電極）とを順次積層した構造を有している。
【０００４】
有機ＥＬ素子において発光層を形成する際は、低分子系の有機材料を蒸着法で成膜する方法と、高分子系の有機材料を液状にして塗布する方法とが知られている。最近では、材料の無駄がなく、微細且つ容易にパターニングできるインクジェット法を用いて、有機材料を溶媒に溶解又は分散した機能液（インク）を塗布する方法を採用した電気光学装置の開発が行われている（例えば、特許文献１〜７を参照。）。
【０００５】
具体的には、基板の上に、機能層が形成される領域を区画する隔壁を設け、この隔壁によって形成された開口部の内側に、発光層形成材料を溶媒に溶解又は分散したインクをインクジェット法により塗布した後に、基板を乾燥させることによって、発光層が形成される。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特許第４０４８６８７号公報
【特許文献２】特開２０１０−３３９２５号公報
【特許文献３】特開２００８−２１８２５０号公報
【特許文献４】特開２００６−２５２８７６号公報
【特許文献５】特開２００５−１６６４８５号公報
【特許文献６】特開２００４−２９０９５８号公報
【特許文献７】再公表ＷＯ２００５／１１２５１７号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
ところで、上述した機能層が形成される面は、画素電極の表面であるため、この画素電極の表面状態によって、その上に形成される薄膜の成膜状態が大きく変化することがある。例えば、同一の膜種で形成された画素電極であっても、この画素電極の表面状態によっては、インクがきちんと濡れ広がらずに成膜不良が発生してしまうことがある。また、隔壁の表面状態によっても、薄膜の成膜状態が大きく変化することがある。このため、インクの塗布条件を管理するだけでは、成膜不良の発生を防ぐことは困難である。
【０００８】
本発明の一つの態様は、このような従来の事情に鑑みて提案されたものであり、成膜不良の発生を防ぐことができる電気光学装置の製造方法及び電気光学装置用基板の検査方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明の一つの態様に係る電気光学装置の製造方法は、基板の形成面上に、少なくとも発光層を含む複数の薄膜を積層した機能層を形成する電気光学装置の製造方法であって、基板の形成面上に、薄膜毎に種類の異なる機能材料と溶媒とを含む機能液を塗布した後に、基板を乾燥させることによって、機能層を形成する工程と、機能層を形成する工程の前に、基板の形成面上に、溶媒の液滴を塗布した後に、基板を乾燥させる工程と、を含むことを特徴とする。
この製造方法によれば、基板の形成面上に、溶媒の液滴を塗布した後に、基板を乾燥させることで、この形成面の表面状態を改善することができる。具体的には、機能液に対する濡れ性が良くなる。これにより、機能層を形成する工程での成膜不良の発生を防ぐことができる。
【００１０】
また、上記製造方法において、基板の形成面上に、機能層が形成される領域を区画する隔壁を有し、この隔壁によって形成された開口部の内側に、液滴を少なくとも２滴以上位置を変えて塗布する方法としてもよい。
この製造方法によれば、形成面の表面状態を効率良く改善することができる。
【００１１】
また、上記製造方法において、開口部の長手方向における中央部及び両端部に対して、液滴を塗布する方法としてもよい。
この製造方法によれば、形成面及び隔壁の表面状態を効率良く改善することができる。
【００１２】
また、上記製造方法において、基板を大気圧雰囲気下で乾燥させる、若しくは、減圧雰囲気下で乾燥させる方法としてもよい。
この製造方法によれば、形成面の表面状態を改善することができる。
【００１３】
また、上記製造方法において、基板の形成面を画素電極とする方法としてもよい。
この製造方法によれば、画素電極の表面状態を改善し、この画素電極の表面に対する機能液の塗れ性を良くすることができる。
【００１４】
また、上記製造方法において、隔壁は、機能液に対して親液性を示す下壁層と、この上に機能液に対して揆液性を示す上壁層と、を含み、開口部を形成する下壁層及び上壁層の側面が開口部の内側に向かって傾斜した傾斜面を有する構成としてもよい。
この製造方法によれば、機能液を濡れ広がり易くすることができる。
【００１５】
また、上記製造方法において、下壁層の側面の傾斜角が４５°以下であり、下壁層の厚みが１０μｍ以下である構成としてもよい。
この製造方法によれば、機能液を濡れ広がり易くすることができる。
【００１６】
また、本発明の一つの態様に係る電気光学装置用基板の検査方法は、基板の形成面上に、少なくとも発光層を含む複数の薄膜を積層した機能層が形成される電気光学装置用基板の検査方法であって、基板の形成面上に、薄膜毎に種類の異なる機能材料と溶媒とを含む機能液を塗布した後に、基板を乾燥させることによって、機能層を形成する前に、基板の形成面上に、溶媒の液滴を塗布する工程と、液滴が塗布された基板の状態を検査する工程と、液滴が塗布された基板を乾燥させる工程と、を含むことを特徴とする。
この検査方法によれば、基板の形成面上に、溶媒の液滴を塗布し、この溶媒の液滴が塗布された基板の状態を検査することで、実際に機能液を塗布することなく、形成面の表面状態を検査することができる。また、この検査方法では、溶媒の液滴が塗布された基板を乾燥させることで、基板に対して悪影響を与えることがない。むしろ、この検査方法では、基板の形成面上に、溶媒の液滴を塗布した後に、基板を乾燥させることで、この形成面の表面状態を改善することができる。具体的には、機能液に対する濡れ性が良くなる。これにより、機能層を形成する際の成膜不良の発生を防ぐこともできる。
【図面の簡単な説明】
【００１７】
【図１】本発明の一実施形態に係る電気光学装置の回路構成を示す模式図である。
【図２】図１に示す電気光学装置の画素領域の平面構造を示す透視平面図である。
【図３】図１に示す電気光学装置の画素領域の断面構造を示す断面図である。
【図４】図１に示す電気光学装置の隔壁と開口部との境界部分を拡大した断面図である。
【図５】図１に示す電気光学装置の製造工程を説明するための断面図である。
【図６】図１に示す電気光学装置の製造工程を説明するための断面図である。
【図７】図１に示す電気光学装置の製造工程を説明するための断面図である。
【図８】図１に示す電気光学装置を備える電子機器の一例を示す斜視図である。
【図９】図１に示す電気光学装置を備える電子機器の一例を示す斜視図である。
【図１０】図１に示す電気光学装置を備える電子機器の一例を示す斜視図である。
【発明を実施するための形態】
【００１８】
以下、本発明の実施の形態について、図面を参照して詳細に説明する。
なお、以下の説明で用いる図面は、特徴をわかりやすくするために、便宜上特徴となる部分を拡大して示している場合があり、各構成要素の寸法比率などが実際と同じであるとは限らない。また、以下の説明において例示される材料、寸法等は一例であって、本発明はそれらに必ずしも限定されるものではなく、その要旨を変更しない範囲で適宜変更して実施することが可能である。
【００１９】
（電気光学装置）
先ず、本発明の一実施形態として図１に示す電気光学装置１の回路構成について説明する。なお、図１は、電気光学装置１の回路構成を示す模式図である。
【００２０】
電気光学装置１は、図１に示すように、基板１００の面上に、所定の間隔で並ぶ複数の走査線１０１と、複数の走査線１０１に対して空間を隔ててほぼ直角に交差する方向に所定の間隔で並ぶ複数の信号線１０２と、複数の信号線１０２に対して空間を隔ててほぼ平行な方向に所定の間隔で並ぶ複数の電源線１０３とを含む配線を備えている。また、複数の走査線１０１と複数の信号線１０２の各交点付近において、複数の画素領域Ａがマトリックス状に配列した状態で設けられている。
【００２１】
各信号線１０２には、シフトレジスタ、レベルシフタ、ビデオライン及びアナログスイッチを備える信号側駆動回路１０４が接続されている。また、各走査線１０１には、シフトレジスタ及びレベルシフタを備える走査側駆動回路１０５が接続されている。
【００２２】
各画素領域Ａには、走査線１０１を介して走査信号が供給されるスイッチング用ＴＦＴ１０６と、このスイッチング用ＴＦＴ１０６を介して信号線１０２から供給される画素信号を保持する保持容量１０７と、この保持容量１０７によって保持された画素信号が供給される駆動用ＴＦＴ１０８と、この駆動用ＴＦＴ１０８を介して電源線１０３に電気的に接続したときに電源線１０３から駆動電流が流れ込む画素電極（陽極）１０９と、この画素電極１０９と対向する対向電極（陰極）１１０と、画素電極１０９と対向電極１１０との間に挟み込まれた機能層１１１とが設けられている。
【００２３】
以上のような構成を有する電気光学装置１では、走査線１０１が駆動されてスイッチング用ＴＦＴ１０６がオンになると、そのときの信号線１０２の電位が保持容量１０７に保持される。また、この保持容量１０７の状態に応じて、駆動用ＴＦＴ１０８のオン・オフの状態が決まる。そして、駆動用ＴＦＴ１０８のチャネルを介して、電源線１０３から画素電極（陽極）１０９に電流が流れ、さらに機能層１１１を介して対向電極（陰極）１１０に電流が流れる。機能層１１１は、この流れる電流量に応じて発光する。このような画素領域Ａでの発光を制御することで所望の画像を表示することができる。
【００２４】
なお、電気光学装置１には、基板１００側から光を取り出すボトムエミッション構造と、基板１００とは反対側から光を取り出すトップエミッション構造とがある。本実施形態の電気光学装置１は、何れの構造も採用可能である。ボトムエミッション構造を採用した場合、基板１００には、各種のガラス材料や透明樹脂材料などの光透過性を有する基板（透明基板）を用いることができる。一方、トップエミッション構造を採用した場合、基板１００には、上述した透明基板の他にも、セラミックス材料や金属材料などからなる基板を用いることができる。
【００２５】
次に、上記電気光学装置１の画素領域Ａにおける具体的な構造について図２及び図３を参照して説明する。なお、図２は、画素領域Ａの平面構造を示す透視平面図である。図３は、画素領域Ａの断面構造を示す断面図である。
【００２６】
本実施形態の電気光学装置１は、トップエミッション構造を採用した例であり、基板１００としてガラス基板を用いている。具体的に、この電気光学装置１は、図２及び図３に示すように、上述した基板１００の面上に、駆動素子部１１と、機能素子部１２とを順次積層した構造を有している。
【００２７】
駆動素子部１１は、上述した各種の配線１０１〜１０３や、スイッチング用ＴＦＴ１０６、保持容量１０７、駆動用ＴＦＴ１０８等を基板１００の面上に形成することによって構成されている。このうち、駆動用ＴＦＴ１０８は、基板１００の面上に形成されたゲート電極１３とソース電極１４とドレイン電極１５とを有している。ゲート電極１３は、スイッチング用ＴＦＴ１０６のドレイン電極（図示せず。）と電気的に接続されている。ゲート電極１３の上には、ゲート絶縁膜１６を介して半導体層１７が設けられている。半導体層１７の上には、第１の層間絶縁膜１８が設けられている。ソース電極１４とドレイン電極１５とは、第１の層間絶縁膜１８に形成されたコンタクトプラグ１９ａ，１９ｂを介して半導体層１７のソース領域とドレイン領域とに電気的に接続されている。また、基板１００の上には、この駆動素子部１１が形成された面上を平坦化する平坦化層２０が設けられている。
【００２８】
機能素子部１２は、平坦化層２０の面上に、上述した画素電極１０９と、機能層１１１と、対向電極１１０とを順次積層することによって、有機ＥＬ素子部を構成している。画素電極１０９は、アノード電極として、例えばＩＴＯ（Indium Tin Oxide）などの透明電極材料を用いて矩形状に形成されている。画素電極１０９は、平坦化層２０に形成されたコンタクトプラグ２１を介してドレイン電極１５と電気的に接続されている。また、画素電極１０９が形成された平坦化層２０の面上には、第２の層間絶縁膜２２が設けられている。また、第２の層間絶縁膜２２の画素電極１０９と対向する位置には、矩形状の開口部２２ａが設けられている。対向電極１１０は、カソード電極として、例えばＭｇＡｇ合金などの導電性金属材料を用いて画素電極１０９に対向して設けられている。
【００２９】
なお、トップエミッション構造の場合、ＩＴＯなどの透明電極材料からなる画素電極１０９の下には、例えばＡｌ等の金属材料からなる光反射膜（図示せず。）が設けられている。一方、画素電極１０９が光反射特性を有する金属材料からなる場合は、光反射膜を省略することが可能である。
【００３０】
機能層１１１は、少なくとも発光層（ＥＭＬ）を含む複数の薄膜を積層することによって構成されている。具体的に、本実施形態の機能層１１１は、正孔注入層（ＨＩＬ）、正孔輸送層（ＨＴＬ）、発光層（ＥＭＬ）、電子輸送層（ＥＴＬ）及び電子注入層（ＥＩＬ）を含む複数の薄膜を積層することによって形成されている。なお、発光層（ＥＭＬ）については、カラー表示を行う場合、画素領域Ａ毎に赤（Ｒ）、緑（Ｇ）、青（Ｂ）の各色光に対応した有機材料を含む薄膜を形成することによって、それぞれの発色を異ならせることが可能である。また、基板１００の上には、この機能素子部１２が形成された面上を覆うシール層２３ａ及び封止基板２３ｂが設けられている。
【００３１】
機能素子部１２は、機能層１１１が形成される領域を区画する隔壁２４を有している。機能層１１１は、この隔壁２４によって形成された開口部２５の内側に、薄膜毎に種類の異なる機能材料を含む機能液を塗布し乾燥させることによって形成される。
【００３２】
具体的に、この隔壁２４と開口部２５との境界部分を拡大した断面図を図４に示す。なお、図４では、機能層１１１を形成する薄膜のうち、正孔注入層（ＨＩＬ）、正孔輸送層（ＨＴＬ）及び発光層（ＥＭＬ）まで積層した状態を図示し、それ以外の構成の図示を簡略化若しくは省略するものとする。
【００３３】
隔壁２４は、図２〜図４に示すように、第１の開口部２５ａを形成する第１の段差部２６と、第１の段差部２６よりも上段に位置して、第１の開口部２５ａよりも大きい第２の開口部２５ｂを形成する第２の段差部２７とを有している。
【００３４】
第１の段差部２６は、機能液に対して親液性を示す下壁層２８ａと、この上に機能液に対して揆液性を示す上壁層２８ｂとを含む第１のバンク層２８とにより形成されている。すなわち、この第１のバンク層２８は、第２の層間絶縁膜２２の面上に、下壁層２８ａと上壁層２８ｂとが順に積層された構造を有している。同様に、第２の段差部２７は、機能液に対して親液性を示す下壁層２９ａと、この上に機能液に対して揆液性を示す上壁層２９ｂとを含む第２のバンク層２９により形成されている。すなわち、この第２のバンク層２９は、第１のバンク層２８の面上に、下壁層２９ａと上壁層２９ｂとが順に積層された構造を有している。
【００３５】
下壁層２８ａ，２９ａには、機能液に対して親液性を示すものとして、例えばＳｉＯ２やＴｉＯ２などの無機絶縁材料を用いることができる。上壁層２８ｂ，２９ｂには、機能液に対して撥液性を示すものとして、例えばポリイミド樹脂やアクリル樹脂などの有機絶縁材料にＣＦ４処理等を施すことにより撥水性を付与したものを用いることができる。また、上壁層２８ｂ，２９ｂについては、下壁層２８ａ，２９ａの面上に対して、例えばポリテトラフルオロエチレン等を用いた撥液化処理を施すことによって形成してもよい。また、第１のバンク層２８及び第２のバンク層２９については、親液性を示す無機材料と撥液性を示す有機材料とを混合した複合材料を用いて、第１のバンク層２８及び第２のバンク層２９を形成した後に、これら第１のバンク層２８及び第２のバンク層２９に対して熱処理を施すことによって、親液性を示す下壁層２８ａ，２９ａと撥液性を示す上壁層２８ｂ，２９ｂとが層状に分離されたものを用いてもよい。
【００３６】
第１の段差部２６（第１のバンク層２８）は、第１の開口部２５ａを形成する下壁層２８ａ及び上壁層２８ｂの側面が第１の開口部２５ａの内側に向かって傾斜した第１の傾斜面２６ａを有している。同様に、第２の段差部２７（第２のバンク層２９）は、第２の開口部２５ｂを形成する下壁層２９ａ及び上壁層２９ｂの側面が第２の開口部２５ｂの内側に向かって傾斜した第２の傾斜面２７ａを有している。
【００３７】
第１の段差部２６は、図２及び図４に示すように、基板１００の面上において高さが相対的に低くなる第１の領域Ｌｏと第１の開口部２５とが平面視で重なる領域に沿って略矩形枠状に設けられている。第１の領域Ｌｏは、主に画素電極１０９が配置された領域であり、この画素電極１０９が配置された面上は、上述した平坦化層２０によって比較的平坦な面を形成している。
【００３８】
これに対して、第２の段差部２７は、基板１００の面上において高さが相対的に高くなる第２の領域Ｈｉと第２の開口部２５ｂとが平面視で重なる領域に沿って略矩形枠状に設けられている。第２の領域Ｈｉは、上述した各種の配線１０１〜１０３や保持容量１０７等が配置された領域である。すなわち、この第２の領域Ｈｉでは、各種の配線１０１〜１０３や保持容量１０７等が立体的に重なり合って形成されている。また、電源線１０３の比抵抗を抑えるため、この電源線１０３を２層配線とした場合や、高精細化のため配線の線幅を細くした場合には、高さ方向の寸法が更に増加することになる。したがって、第１の領域Ｌｏと第２の領域Ｈｉとの間では高低差が大きくなっている。
【００３９】
機能層１１１を形成する複数の薄膜のうち、正孔注入層（ＨＩＬ）及び正孔輸送層（ＨＴＬ）は、第１の開口部２５ａの内側に、それぞれの形成材料を含む機能液を塗布した後、乾燥させることによって形成される。また、正孔注入層（ＨＩＬ）及び正孔輸送層（ＨＴＬ）は、第１の傾斜面２６ａよりも第１のバンク層２８の上面側にはみ出した状態で設けられている。一方、発光層（ＥＭＬ）は、第１の開口部２５ａの内側に、発光層形成材料を溶媒に溶解又は分散した機能液を塗布した後、乾燥させることによって形成される。また、発光層（ＥＭＬ）は、第２の傾斜面２７ａよりも第２のバンク層２９の上面側にはみ出した状態で設けられている。機能液の塗布方法としては、材料の無駄がなく、微細且つ容易にパターニングできるインクジェット法を好適に用いることができる。
【００４０】
また、第１の傾斜面２６ａ及び第２の傾斜面２７ａについては、下壁層２８ａ，２９ａの側面の傾斜角よりも上壁層２８ａ，２９ｂの側面の傾斜角が小さくなるように形成することが好ましい。この場合、境界部分での薄膜の膜厚（表面高さ）の変動を低く抑えることによって、薄膜の膜厚の均一性を確保することができる。
【００４１】
また、下壁層２８ａ，２９ａの側面の傾斜角は、４５°以下であることが好ましい。さらに、下壁層２８ａ，２９ａの厚みは、１０μｍ以下であることが好ましい。この場合、境界部分での薄膜の膜厚（表面高さ）の変動を低く抑えることによって、薄膜の膜厚の均一性を確保することができる。
【００４２】
本実施形態の電気光学装置１では、薄膜の膜厚の均一性を確保することによって、発光輝度の均一性を向上させることが可能である。
【００４３】
また、本実施形態の電気光学装置１では、基板１００の面上において高さが相対的に低くなる第１の領域Ｌｏと第１の開口部２５ａとが平面視で重なる領域に沿って第１の段差部２６が設けられている。また、基板１００の面上において高さが相対的に高くなる第２の領域Ｈｉと第２の開口部２５ｂとが平面視で重なる領域に沿って第２の段差部２７が設けられている。
【００４４】
この構成の場合、機能層１１１による発光領域を大きく確保すると共に、第１の開口部２５ａ及び第２の開口部２５ｂの内側に形成される各薄膜の膜厚を十分に確保することができる。これにより、本実施形態の電気光学装置１では、更なる高精細化に対応することが可能である。
【００４５】
また、本実施形態の電気光学装置１では、第１の領域Ｌｏと第２の領域Ｈｉとの高低差による影響を抑えつつ、各薄膜の膜厚の均一性を確保することができる。その結果、発光輝度の均一性の更なる向上を図ることが可能である。特に、このような構造は、基板１００とは反対側から光を取り出すトップエミッション構造に適用するのに好適である。
【００４６】
また、第２のバンク層２９は、遮光性を有する構成であってもよい。この構成によれば、基板１００とは反対側から光を取り出すトップエミッション構造において、第２のバンク層２９の下層に位置する配線１０１〜１０３等による反射の影響を回避することができる。
【００４７】
（電気光学装置の製造方法及び電気光学装置用基板の検査方法）
次に、上記電気光学装置１の製造方法及び電気光学装置用基板の検査方法について図５〜図７を参照して説明する。なお、以下の説明では、上記電気光学装置１と同等の部位については、説明を省略すると共に、図面において同じ符号を付すものとする。
【００４８】
本実施形態による電気光学装置１の製造方法では、先ず、図５に示すように、機能層１１１を形成するための電気光学装置用基板１００Ａを準備する。この電気光学装置用基板１００Ａは、基板１００の上に、駆動素子部１１と、機能素子部１２を構成する画素電極１０９及び隔壁２４とが予め形成されたものからなる。
【００４９】
なお、図５に示す電気光学装置用基板１００Ａにおいては、駆動素子部１１の図示を省略すると共に、機能層１１１の形成面Ｓとなる画素電極１０９と、機能層１１１が形成される領域を区画する隔壁２４として、下壁層２８ａと上壁層２８ｂとを含む第１のバンク層２８とを簡略化して図示している。また、第１のバンク層２８は、画素電極１０９上に第１の開口部２５ａと、この第１の開口部２５ａを形成する下壁層２８ａ及び上壁層２８ｂの側面が第１の開口部２５ａの内側に向かって傾斜した第１の傾斜面２６ａとを有している。
【００５０】
そして、この電気光学装置用基板１００Ａの検査を行う。具体的に、本実施形態による電気光学装置用基板１００Ａの検査方法では、基板１００の形成面Ｓ上に、溶媒の液滴ｉを塗布する工程と、液滴ｉが塗布された基板１００の状態を検査する工程と、液滴ｉが塗布された基板を乾燥させる工程とを含む。
【００５１】
溶媒については、機能層１１１を形成する際の機能液に含まれる有機溶媒であればよく、非極性溶媒であっても、極性溶媒であってもよい。具体的に、非極性溶媒としては、例えば、シクロヘキシルベンゼン（ＣＨＢ）、ジハイドロベンゾフラン、トリメチルベンゼン、テトラメチルベンゼンなどを挙げることができる。一方、極性溶媒としては、例えば、イソプロピルアルコール、Ｎ−メチルピロリドン、１，３−ジメチル−イミダゾリノン、イソプロピルアルコール（ＩＰＡ）、ノルマルブタノール、γ−ブチロラクトン、Ｎ−メチルピロリドン（ＮＭＰ）、１，３−ジメチル−２−イミダゾリジノン（ＤＭＩ）及びその誘導体、カルビト−ルアセテート、ブチルカルビト−ルアセテート等のグリコールエーテル類などを挙げることができる。溶媒の塗布方法についても、機能液と同じインクジェット法を好適に用いることができる。
【００５２】
この検査工程では、基板１００の形成面Ｓ上に、溶媒の液滴ｉを塗布し、この溶媒の液滴ｉが塗布された基板１００の状態を検査することで、実際に機能液を塗布することなく、形成面Ｓの表面状態を検査することができる。具体的には、上述したマトリックス状に配列された画素領域Ａ毎に、画素電極１０９の表面状態や隔壁２４の表面状態等を検査することができる。また、画素領域Ａの不良を発見した場合には、検査後に、この不良箇所を修復するといった電気光学装置用基板１００Ａに対するリワーク処理を行うことができる。
【００５３】
また、この検査工程では、溶媒の液滴ｉが塗布された基板１００を乾燥させることで、基板１００に対して悪影響を与えることがない。むしろ、この検査工程では、基板１００の形成面Ｓ上に、溶媒の液滴ｉを塗布した後に、基板１００を乾燥させることで、この形成面Ｓの表面状態を改善することができる。具体的に、基板１００の形成面Ｓ上に、溶媒の液滴ｉを塗布した場合、乾燥後に溶媒が気化することによって、形成面Ｓ（画素電極１０９）の表面には、何も残らないと考えられる。ところが実際は溶媒に含まれる有機成分の一部が形成面Ｓ（画素電極１０９）の表面に残ることによって、機能液に対する濡れ性が良くなるといった現象が発生することを、本発明者らの研究により発見した。
【００５４】
このような現象を利用して、本実施形態による電気光学装置１の製造方法では、上述した検査工程の代わりに、基板１００の形成面Ｓ上に、溶媒の液滴ｉを塗布した後に、基板１００を乾燥させる工程を設けることができる。これにより、形成面Ｓの表面状態を改善し、機能液に対する濡れ性を良くすることができる。
【００５５】
溶媒の液滴ｉを塗布する際は、第１の開口部２５ａの内側に、液滴ｉを少なくとも２滴以上位置を変えて塗布すればよい。より具体的には、図６に示すように、第１の開口部２５ａの長手方向における中央部及び両端部に対して、液滴ｉ１，ｉ２，ｉ３を塗布することが好ましい。これにより、形成面Ｓの表面状態や隔壁２４の表面状態などを効率良く改善することができる。
【００５６】
本実施形態では、上述した溶媒の液滴ｉに限らず、機能材料の濃度を下げた機能液の液滴ｉを塗布した後に、基板１００を乾燥させることによっても、形成面Ｓの表面状態や隔壁２４の表面状態を改善することができる。さらに、形成面Ｓの表面状態や隔壁２４の表面状態を改善する目的で、機能液を薄く塗布した後に、基板１００を乾燥させる工程を設けてもよい。
【００５７】
基板１００を乾燥させる工程では、液滴ｉを塗布した後に、基板１００を大気圧雰囲気下で乾燥（いわゆる自然乾燥）させる方法や、減圧雰囲気下でゆっくりと乾燥（いわゆる遅乾）させる方法を用いることができる。
【００５８】
次に、図７に示すように、基板１００の形成面上に、薄膜毎に種類の異なる機能材料と溶媒とを含む機能液を塗布した後に、基板１００を乾燥させることによって、機能層１１１を形成する。
【００５９】
本実施形態では、上述した形成面Ｓの表面状態や隔壁２４の表面状態を改善することによって、形成面Ｓの機能液に対する濡れ性を良くすることができる。このため、本実施形態では、画素電極１０９上に形成される正孔注入層（ＨＩＬ）の成膜不良の発生を防ぐことが可能である。その結果、機能層１１１を安定して形成することができる。
【００６０】
以上のように、本実施形態による電気光学装置１の製造方法では、上述した機能層１１１を形成する際の成膜不良の発生を防ぐことによって、電気光学装置１を歩留まり良く製造することが可能である。
【００６１】
（電子機器）
次に、上記電気光学装置１を備える電子機器の具体例について、図８、図９及び図１０を参照して説明する。
図８は、携帯電話２００の一例を示す斜視図である。携帯電話２００は、図８に示すように、携帯電話本体２０１を備え、この携帯電話本体２０１に設けられた表示部２０２に上記電気光学装置１を用いた例である。
【００６２】
図９は、腕時計３００の一例を示す斜視図である。腕時計３００は、図９に示すように、時計本体３０１を備え、この時計本体３０１に設けられた表示部３０２に上記電気光学装置１を用いた例である。
【００６３】
図１０は、パーソナルコンピュータなどの携帯型情報処理装置４００の一例を示す斜視図である。携帯型情報処理装置４００は、図１０に示すように、装置本体４０１を備え、この装置本体４０１に設けられた表示部４０２に上記電気光学装置１を用いた例である。
【００６４】
また、上記電気光学装置１を備えた電子機器としては、それ以外にも、例えば、デジタルスチルカメラ、車載用モニタ、デジタルビデオカメラ、ビューファインダ型またはモニタ直視型のビデオテープレコーダ、カーナビゲーション装置、ページャ、電子手帳、電卓、ワークステーション、テレビ電話機、ＰＯＳ端末機などの表示部を備えた電子機器を挙げることができる。
【００６５】
なお、本発明は、上記実施形態のものに必ずしも限定されるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲において種々の変更を加えることが可能である。
例えば、上記実施形態では、第１の段差部２６と第２の段差部２７とを備えた２段構造となっているが、このような構造に必ずしも限定されるものではなく、機能膜を形成する薄膜に合わせて、段差部の構造や配置、数などを適宜変更することが可能である。
【００６６】
また、上記実施形態では、電気光学装置の一例として、有機ＥＬ素子を有する電気光学装置を例に挙げて説明したが、本発明はこれに限定されるものではなく、電気的な作用により光学特性が変化する電気光学装置に対して幅広く適用することが可能である。
【００６７】
また、上記実施形態では、アクティブマトリックス型の電気光学装置としてＴＦＴを駆動素子やスイッチング素子として用いた場合を説明したが、駆動素子やスイッチング素子としてＴＦＤ（薄膜ダイオード）を用いることもできる。また、アクティブマトリックス型の電気光学装置ではなく、パッシブマトリックス型の電気光学装置にも同様に適用することが可能である。
【符号の説明】
【００６８】
１…電気光学装置  １１…駆動素子部  １２…機能素子部  １３…ゲート電極  １４…ソース電極  １５…ドレイン電極  １６…ゲート絶縁膜  １７…半導体層  １８…第１の層間絶縁膜  １９ａ，１９ｂ…コンタクトプラグ  ２０…平坦化層  ２１…コンタクトプラグ  ２２…第２の層間絶縁膜  ２３ａ…シール層  ２３ｂ…封止基板  ２４…隔壁  ２５…開口部  ２５ａ…第１の開口部  ２５ｂ…第２の開口部  ２６…第１の段差部  ２６ａ…第１の傾斜面  ２７…第２の段差部  ２７ａ…第２の傾斜面  ２８…第１のバンク層  ２８ａ…下壁層  ２８ｂ…上壁層  ２９…第２のバンク層  ２９ａ…下壁層  ２９ｂ…上壁層  Ｓ…形成面  ｉ，ｉ１，ｉ２，ｉ３…液滴  ＨＩＬ…正孔注入層（薄膜）  ＨＴＬ…正孔輸送層（薄膜）  ＥＭＬ…発光層（薄膜）  ＥＴＬ…電子輸送層（薄膜）  ＥＩＬ…電子注入層（薄膜）  １００…基板  １００Ａ…電気光学装置用基板  １０１…走査線  １０２…信号線  １０３…電源線  １０４…信号側駆動回路  １０５…走査側駆動回路  １０６…スイッチング用ＴＦＴ  １０７…保持容量  １０８…駆動用ＴＦＴ  １０９…画素電極  １１０…対向電極  １１１…機能層  ２００…携帯電話（電子機器）  ３００…腕時計（電子機器）  ４００…携帯型情報処理装置（電子機器）
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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