(57)【要約】      （修正有）【課題】従来の画素のＲＧＢ配置構造に存在する、単一の軸方向における幅が小さすぎてＴＦＴプロセスの歩留まりに悪い影響を与えやすい問題を解決できる表示パネルの画素のＲＧＢ配置構造を提供する。【解決手段】第１のサブ画素、第２のサブ画素、及び第３のサブ画素を含む画素と、第１のサブ画素、及び第２のサブ画素に走査信号を供するための第１の走査線と、第３のサブ画素に走査信号を供するための第２の走査線と、第１のサブ画素、及び第３のサブ画素に画素データを供するための第１のデータ線と、第２のサブ画素に画素データを供するための第２のデータ線と、を含み、第１の走査線は、第１のサブ画素、及び第２のサブ画素に接続され、第２の走査線は、第３のサブ画素に接続され、第１のデータ線は、第１のサブ画素、及び第３のサブ画素に接続され、第２のデータ線は、第２のサブ画素に接続される表示パネルの画素構造。【選択図】図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１のサブ画素、第２のサブ画素、及び第３のサブ画素を含む画素と、
前記第１のサブ画素、及び前記第２のサブ画素に走査信号を供するするための第１の走査線と、
前記第３のサブ画素に走査信号を供するための第２の走査線と、
前記第１のサブ画素、及び前記第３のサブ画素に画素データを供するための第１のデータ線と、
前記第２のサブ画素に画素データを供するための第２のデータ線と、を含み、
第１の走査線は、前記第１のサブ画素、及び前記第２のサブ画素に接続され、第２の走査線は、前記第３のサブ画素に接続され、第１のデータ線は、前記第１のサブ画素、及び前記第３のサブ画素に接続され、第２のデータ線は、前記第２のサブ画素に接続される
ことを特徴とする表示パネルの画素構造。
【請求項２】
前記第１の走査線と前記第２の走査線とは互いに平行であり、
前記第１のデータ線と前記第２のデータ線とは互いに平行であり、
前記第１の走査線及び第２の走査線と、前記第１のデータ線及び前記第２のデータ線とは互いに垂直である
ことを特徴とする請求項１に記載の表示パネルの画素構造。
【請求項３】
前記第１のサブ画素、第２のサブ画素、及び第３のサブ画素の配列方式として、前記第１のサブ画素、及び前記第２のサブ画素は横方向に沿って配列され、前記第１のサブ画素、及び前記第３のサブ画素は縦方向に沿って配列される
ことを特徴とする請求項１に記載の表示パネルの画素構造。
【請求項４】
前記画素の前記第１のサブ画素、第２のサブ画素、及び第３のサブ画素の幅は、当該画素の幅の半分である
ことを特徴とする請求項３に記載の表示パネルの画素構造。
【請求項５】
前記第１のサブ画素、第２のサブ画素、及び第３のサブ画素は、それぞれ、赤、緑、及び青の３色のサブ画素である
ことを特徴とする請求項１に記載の表示パネルの画素構造。
【請求項６】
前記第１の走査線、及び第２の走査線の走査周波数は、１２０Ｈｚである
ことを特徴とする請求項１に記載の表示パネルの画素構造。
【請求項７】
請求項１〜５のいずれか１項に記載の表示パネルの画素構造を含み、
前記画素構造を有する複数の画素が、それぞれ横方向及び縦方向において等間隔で配列される
ことを特徴とする表示パネル。  
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ＯＬＥＤ表示パネルの製造分野に関し、特に、ＯＬＥＤ表示パネルの画素配置構造に関する。
【背景技術】
【０００２】
図１は、従来のＯＬＥＤ表示パネルの画素のＲＧＢ配置構造を模式的に示す図であって、これは伝統のサイド・バイ・サイド（ｓｉｄｅ ｂｙ ｓｉｄｅ）式の配置であり、リアルストライプ（ｒｅａｌ−ｓｔｒｉｐｅ）画素配置とも称する。図１に示したサイド・バイ・サイド配置方式において、ＯＬＥＤ表示パネルは、複数行・複数列の画素ユニットを含み、各画素ユニットは、赤（Ｒ）、緑（Ｇ）、青（Ｂ）３つの并列なサブ画素を含む。
【０００３】
さらに、図１に示されるように、従来の画素は、横方向における１つの走査線と、それぞれ赤色のサブ画素Ｒ、緑色のサブ画素Ｇ及び青色のサブ画素Ｂに対応し、かつ上記走査線に垂直な３つのデータ線とを組み合わせることにより設計される。
【０００４】
しかしながら、上記のような画素配置方式を高解像度のパネルに適用すると、各サブ画素の横方向における幅が小さすぎる。このような構造は、高解像度のＴＦＴとの組み合わせ設計に不利である。５”４４０（ＰＰＩ）の解像度を例とすると、三原色のサブ画素のそれぞれに１９μｍの画素幅が割り当てられ、これは、ＴＦＴプロセスの歩留まりに悪い影響を与え易い。また、図１に示した画素配置において、データ線のオーバーヘッドが大きい。
【０００５】
従って、解像度を高めるとともに、データ線のオーバーヘッドを削減するのに適切な解決方案が必要とされる。
【０００６】
当該背景技術部分に公開された上記情報は、単なる本発明の技術に対する理解を深めるためのものであるため、本分野の当業者にとって公知な従来技術ではない情報を含む可能性がある。
【発明の概要】
【０００７】
本発明は、従来の画素のＲＧＢ配置構造に存在する、単一の軸方向における幅が小さすぎてＴＦＴプロセスの歩留まりに悪い影響を与えやすい問題を解決できる表示パネルの画素のＲＧＢ配置構造を提供する。
本発明は、表示パネルの画素構造を提供し、当該表示パネルの画素構造は、第１のサブ画素、第２のサブ画素、及び第３のサブ画素を含む画素と、前記第１のサブ画素、及び前記第２のサブ画素に走査信号を供するための第１の走査線と、前記第３のサブ画素に走査信号を供するための第２の走査線と、前記第１のサブ画素、及び前記第３のサブ画素に画素データを供するための第１のデータ線と、前記第２のサブ画素に画素データを供するための第２のデータ線と、を含み、第１の走査線は、前記第１のサブ画素、及び前記第２のサブ画素に接続され、第２の走査線は、前記第３のサブ画素に接続され、第１のデータ線は、前記第１のサブ画素、及び前記第３のサブ画素に接続され、第２のデータ線は、前記第２のサブ画素に接続される。
【０００８】
本発明の表示パネルの画素構造の一実施例によると、前記第１の走査線と前記第２の走査線とは互いに平行であり、前記第１のデータ線と前記第２のデータ線とは互いに平行であり、前記第１の走査線及び第２の走査線と、前記第１のデータ線及び前記第２のデータ線とは互いに垂直である。
【０００９】
本発明の表示パネルの画素構造の一実施例によると、前記第１のサブ画素、第２のサブ画素、及び第３のサブ画素の配列方式として、前記第１のサブ画素、及び前記第２のサブ画素は横方向に沿って配列され、前記第１のサブ画素、及び前記第３のサブ画素は縦方向に沿って配列される。
【００１０】
本発明の表示パネルの画素構造の一実施例によると、前記画素の前記第１のサブ画素、第２のサブ画素、及び第３のサブ画素の幅は、当該画素の幅の半分である。
【００１１】
本発明の表示パネルの画素構造の一実施例によると、前記第１のサブ画素、第２のサブ画素、及び第３のサブ画素は、それぞれ、赤、緑、及び青の３色のサブ画素である。
【００１２】
本発明の表示パネルの画素構造の一実施例によると、前記第１の走査線、及び第２の走査線の走査周波数は、１２０Ｈｚである。
【００１３】
本発明は、さらに、表示パネルを提供し、当該表示パネルは、上記表示パネルの画素構造を含み、前記画素構造を有する複数の画素が、それぞれ横方向及び縦方向において等間隔で配列される。
【００１４】
以上をまとめると、本発明は、単位画素の青色のサブ画素、赤色のサブ画素、及び緑色のサブ画素を三角形のように配列し、２つの走査線により走査を行うことで、３つのサブ画素のレイアウトがより合理的になるようにし、従来の画素のＲＧＢ配置構造において単一の軸方向における幅が小さすぎる問題を解決した。
【図面の簡単な説明】
【００１５】
【図１】従来の表示パネルの画素構造を模式的に示す図である。
【図２】本発明に係る例示的な実施の形態の表示パネルの画素配置構造を模式的に示す図である。
【図３】図１に対応するシーケンスタイムチャートである。
【図４】本発明の表示パネルの画素配置図である。
【発明を実施するための形態】
【００１６】
図２は、本発明に係る例示的な実施の形態の表示パネルの画素配置構造を模式的に示す図であり、単位画素を例として、本実施例のＲＧＢ配置構造を説明する。図２を参照すると、示された画素配置構造は、赤色のサブ画素Ｒ、緑色のサブ画素Ｇ、青色のサブ画素Ｂ、データ線Ｄａｔａ１、データ線Ｄａｔａ２、走査線Ｓｃａｎ１、及び走査線Ｓｃａｎ２を含む。
【００１７】
図２を参照すると、赤色のサブ画素Ｒ、青色のサブ画素Ｂ、及び緑色のサブ画素Ｇの３つのサブ画素は、三角形のように配列される。具体的には、本発明に係る例示的な実施の形態において、画素構造は、複数行・複数列の単位画素を含み、各単位画素は、赤色のサブ画素Ｒ、緑色のサブ画素Ｇ、及び青色のサブ画素Ｂを含む。赤色のサブ画素Ｒ、及び緑色のサブ画素Ｇは、青色のサブ画素Ｂの同じ側に配置され、赤色のサブ画素Ｒ、及び緑色のサブ画素Ｇは、縦方向に沿って上下に並んで一列に配置される。
【００１８】
１つの実施例によれば、赤色のサブ画素Ｒ、緑色のサブ画素Ｇ、及び青色のサブ画素Ｂは、例えば、矩形であっても良い。もう１つの実施例によれば、青色のサブ画素Ｂは、例えば、矩形であって、赤色のサブ画素Ｒ、緑色のサブ画素Ｇは、例えば、正方形であっても良い。
【００１９】
青色のサブ画素Ｂの面積は、例えば、赤色のサブ画素Ｒ、及び緑色のサブ画素Ｇの面積より大きい。
【００２０】
図２を参照すると、データ線Ｄａｔａ１は、赤色のサブ画素Ｒ、及び緑色のサブ画素Ｇのそれぞれに接続される。データ線Ｄａｔａ２は、青色のサブ画素Ｂに接続される。走査線Ｓｃａｎ１は、赤色のサブ画素Ｒ、及び青色のサブ画素Ｂのそれぞれに接続される。走査線Ｓｃａｎ２は、緑色のサブ画素Ｇに接続される。
【００２１】
さらに図２を参照すると、好ましい実施の形態において、単位画素のＲＧＢ配置構造は、さらに、走査線Ｓｃａｎ１と走査線Ｓｃａｎ２が互いに平行であり、データ線Ｄａｔａ１とデータ線Ｄａｔａ２が互いに平行であるように構成される。また、データ線Ｄａｔａ１及びデータ線Ｄａｔａ２は、共に走査線Ｓｃａｎ１及び走査線Ｓｃａｎ２に垂直である。
【００２２】
さらに図２を参照すると、通常、従来の解像度が５”４４０である単位画素の横方向の長さが５７μｍであるが、本実施例において緑色のサブ画素Ｇが赤色のサブ画素Ｒの下方に位置するので、赤色のサブ画素Ｒ、及び青色のサブ画素Ｂのそれぞれが占める横方向における長さは２８．５μｍになる。しかしながら、従来の、解像度が５”４４０である単位画素においては、赤色のサブ画素Ｒ、青色のサブ画素Ｂ、及び緑色のサブ画素Ｇが１行に配列されるので、各サブ画素の横方向における長さは１９μｍになる。従って、本発明の配置方式によると、サブ画素の横方向における長さを増加させることができる。
【００２３】
図３は、図２に対応するシーケンスタイムチャートを示し、図３を参照すると、１つの単位画素の励起周期において、走査線Ｓｃａｎ１の走査信号がハイレベルになった後、データ線Ｄａｔａ１、及びデータ線Ｄａｔａ２が同時にハイレベルになり、これにより、赤色のサブ画素Ｒ、及び青色のサブ画素Ｂに画素データを供する。即ち、このとき、図２における赤色のサブ画素Ｒ、及び青色のサブ画素Ｂが励起される。走査線Ｓｃａｎ１の走査信号がローレベルに下がり、走査線Ｓｃａｎ２の走査信号がハイレベルに上昇した後、データ線Ｄａｔａ１がハイレベルになり、これにより、緑色のサブ画素Ｇに画素データを供し、データ線Ｄａｔａ２がローレベルになる。このとき、図２における緑色のサブ画素Ｇが励起される。このように、１つの単位画素の励起周期を完成する。
【００２４】
これから分かるように、本発明の画素のＲＧＢ配置構造は、走査線の数が２つであるため、従来の単一の走査線を有するＲＧＢ配置構造に比べて、１つの単位画素の励起周期内に２つの走査線がそれぞれハイレベルになる必要がある。そのため、本発明の走査線Ｓｃａｎ１、走査線Ｓｃａｎ２の周波数は、従来の単一の走査線の周波数の２倍になるべきである。従来の走査線の周波数が６０Ｈｚであるため、本発明の走査線Ｓｃａｎ１、及び走査線Ｓｃａｎ２のの周波数は１２０Ｈｚになる。
【００２５】
図４は、本発明の表示パネルを示す画素配列図であり、本実施例においては、４つの画素の配置を例として、本発明の表示パネルの画素配置構造を説明する。図４に示すように、画素配置構造は、走査線Ｓｃａｎ ｍ−１、走査線Ｓｃａｎ ｍ、走査線Ｓｃａｎ ｍ＋１、走査線Ｓｃａｎ ｍ＋２、データ線Ｄａｔａ ｎ−１、データ線Ｄａｔａ ｎ、データ線 ｎ＋１、データ線Ｄａｔａ ｎ＋２、及び４つの画素のサブ画素を含む。また、図４に示すように、本実施例における複数の画素配列の配置構造は、複数の画素を横方向及び縦方向において並列に配列したものに相当する。１つの走査線（例えば、走査線Ｓｃａｎ ｍ−１）は、第１行の２つの画素それぞれの赤色のサブ画素Ｒ、及び青色のサブ画素Ｂに対応する。１つのデータ線（例えば、データ線Ｄａｔａ ｎ−１）は、第１列の２つの画素それぞれの赤色のサブ画素Ｒ、及び緑色のサブ画素Ｇに対応する。
【００２６】
以上をまとめると、本発明は、単位画素の青色のサブ画素、赤色のサブ画素、及び緑色のサブ画素を三角形のように配列し、２つの走査線により走査を行うことで、３つのサブ画素のレイアウトがより合理的になるようにし、従来の画素のＲＧＢ配置構造において単一の軸方向における幅が小さすぎる問題を解決した。
【００２７】
上記のように、いくつの典型的な実施例を参照しながら本発明を説明したが、使用した用語は、説明及び例示的なものであり、限定するものではないと考えるべきである。本発明は、本発明の主旨及び思想を逸脱しないかぎり、様々な形態で具体的に実施することができるため、上記実施例は、上記のすべての細部に制限されることなく、付属した特許請求の範囲に開示された主旨及び範囲内で広く解釈されるべきであり、特許請求の範囲或いは均等の範囲内の全ての変化及び改良は、特許請求の範囲が保護する対象に含まれる。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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