(57)【要約】【課題】熱処理後の反射率の低下がなく、耐硫化性に優れるとともに、高反射率及び低抵抗を有する有機ＥＬ用反射電極膜、積層反射電極膜、及び反射電極膜形成用スパッタリングターゲットを提供する。【解決手段】有機ＥＬ用反射電極膜は、Ｉｎ及びＳｎのいずれか一方又は両方を合計で０．１ａｔ％以上１．５ａｔ％未満、Ｓｂを０．０１ａｔ％以上０．１ａｔ％未満含有し、残部がＡｇ及び不可避不純物からなる。積層反射電極膜は、前述の有機ＥＬ用反射電極膜と、この有機ＥＬ用反射電極膜の少なくとも一方の面に積層された透明導電膜と、を備える。また、反射電極膜形成用スパッタリングターゲットは、上述の有機ＥＬ用反射電極膜を成膜する際に用いられる。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
Ｉｎ及びＳｎのいずれか一方又は両方を合計で０．１ａｔ％以上１．５ａｔ％未満、Ｓｂを０．０１ａｔ％以上０．１ａｔ％未満含有し、残部がＡｇ及び不可避不純物からなることを特徴とする有機ＥＬ用反射電極膜。
【請求項２】
膜厚が１５０ｎｍ以上５００ｎｍ以下とされていることを特徴とする請求項１に記載の有機ＥＬ用反射電極膜。
【請求項３】
請求項１又は請求項２に記載された有機ＥＬ用反射電極膜と、この有機ＥＬ用反射電極膜の少なくとも一方の面に積層された透明導電膜と、を備えることを特徴とする積層反射電極膜。
【請求項４】
請求項１から請求項３のいずれか一項に記載の有機ＥＬ用反射電極膜を成膜する際に用いられる反射電極膜形成用スパッタリングターゲット。
【請求項５】
Ｉｎ及びＳｎのいずれか一方又は両方を合計で０．１ａｔ％以上１．５ａｔ％以下、Ｓｂを０．０１ａｔ％以上２．０ａｔ％以下含有し、残部がＡｇ及び不可避不純物からなることを特徴とする請求項４に記載の反射電極膜形成用スパッタリングターゲット。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、例えば有機エレクトロルミネッセンス（ＥＬ）素子に用いられる有機ＥＬ用反射電極膜、積層反射電極膜、及び、反射電極膜形成用スパッタリングターゲットに関するものである。
【背景技術】
【０００２】
一般に、有機ＥＬディスプレイでは、有機ＥＬ素子が各画素領域に形成された構造とされている。この有機ＥＬ素子は、透明基板にスイッチング素子であるＴＦＴ（薄膜トランジスタ）が配置されたＴＦＴアクティブマトリックス基板上に、有機ＥＬ層を含む電界発光層が配設されている。ここで、電界発光層のうち透明基板側の面にはアノード（陽極）が形成され、アノードが形成された面と反対側の面にはカソード（陰極）が形成されている。
【０００３】
有機ＥＬ素子の光の取り出し方式として、透明基板側から光を取り出すボトムエミッション方式と、透明基板とは反対側から光を取り出すトップエミッション方式とが知られている。ここで、トップエミッション方式は、ボトムエミッション方式と比較して開口率が高いため、高輝度化に有利である。
【０００４】
トップエミッション方式の有機ＥＬ素子においては、上述のアノードが、有機ＥＬ用反射電極膜と透明導電膜とからなる積層反射電極膜で構成されている。
透明導電膜は、例えばＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ  Ｔｉｎ  Ｏｘｉｃｉｄｅ：酸化インジウムスズ）やＡＺＯ（Ａｌｕｍｉｎｕｍ  Ｚｉｎｃ  Ｏｘｉｃｉｄｅ：アルミニウム添加酸化亜鉛）などから構成される（特許文献１参照）。
【０００５】
ここで、有機ＥＬ用反射電極膜には、有機ＥＬ層で発光した光を効率よく反射するために、高い反射率が求められている。また、有機ＥＬディスプレイの大型化が進んでおり、有機ＥＬ用反射電極膜として、一層抵抗が低いことも求められる。したがって、有機ＥＬ用反射電極膜として、高反射率、及び低抵抗を有するＡｇ又はＡｇ合金などが使用されている。
【０００６】
ところで、有機ＥＬディスプレイの製造工程においては、製造工程の雰囲気中に含まれる硫黄によって、Ａｇ又はＡｇ合金からなる有機ＥＬ用反射電極膜が硫化し、抵抗が増加したり、反射率が低下したりする問題がある。そこで、耐硫化性を改善した有機ＥＬ用反射電極膜として、例えば特許文献２には、Ｉｎ及びＳｎのいずれか一方又は両方を０．１〜１．５ａｔ％含有し、さらにＳｂを０．１〜３．５ａｔ％含有するＡｇ合金からなる有機ＥＬ用反射電極膜が開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００７】
【特許文献１】特開２００６−２３６８３９号公報
【特許文献２】国際公開第２０１２／１７６４０７号
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
ところで、有機ＥＬディスプレイの製造工程では、熱処理が複数回実施されるため、有機ＥＬ用反射電極膜の反射率が低下してしまうといった問題がある。したがって、有機ＥＬ用反射電極膜には、上述の熱処理においても反射率が低下しないことが要求されている。
【０００９】
また、近年、有機ＥＬディスプレイが大型化されているため、有機ＥＬ用反射電極膜には、抵抗をより一層低減することも求められている。しかしながら、特許文献２に記載された有機ＥＬ用反射電極膜は、添加元素の含有量が多いことから要求される水準まで抵抗を十分に低減することができない。したがって、特許文献２に記載された有機ＥＬ用反射電極膜を用いて、有機ＥＬディスプレイの大型化に対応することは困難である。
【００１０】
この発明は、前述した事情に鑑みてなされたものであって、熱処理後の反射率の低下がなく、耐硫化性に優れるとともに、高反射率及び低抵抗を有する有機ＥＬ用反射電極膜、積層反射電極膜、及び、反射電極膜形成用スパッタリングターゲットを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
前述の課題を解決するために、本発明の有機ＥＬ用反射電極膜は、Ｉｎ及びＳｎのいずれか一方又は両方を合計で０．１ａｔ％以上１．５ａｔ％未満、Ｓｂを０．０１ａｔ％以上０．１ａｔ％未満含有し、残部がＡｇ及び不可避不純物からなることを特徴としている。
【００１２】
本発明の有機ＥＬ用反射電極膜によれば、Ｉｎ及びＳｎのいずれか一方又は両方を合計で０．１ａｔ％以上含有しているので、耐硫化性を向上させることができる。また、Ｉｎ及びＳｎのいずれか一方又は両方の含有量が合計で０．１ａｔ％以上１．５ａｔ％未満とされており、添加元素量が比較的少ないことから、反射率を高く、かつ抵抗を低くすることができる。
さらに、Ｓｂを０．０１ａｔ％以上０．１ａｔ％未満含有しているので、熱処理後の反射率の低下を抑制することができる。
【００１３】
また、上述の有機ＥＬ用反射電極膜において、膜厚が１５０ｎｍ以上５００ｎｍ以下とされていることが好ましい。
この場合、膜厚が１５０ｎｍ以上５００ｎｍ以下とされているので、抵抗（シート抵抗）をさらに低くすることができる。したがって、この有機ＥＬ用反射電極膜は、大型の有機ＥＬディスプレイの電極膜として好適である。また、Ａｇ合金からなる有機ＥＬ用反射電極膜においては、膜厚が１５０ｎｍ以上５００ｎｍ以下のように比較的厚く形成されると、熱処理後の反射率の低下を招く場合があるが、Ｓｂを０．０１ａｔ％以上０．１ａｔ％未満含有しているので、熱処理後の反射率の低下を抑制することができる。
【００１４】
本発明の積層反射電極膜は、上述の有機ＥＬ用反射電極膜と、この有機ＥＬ用反射電極膜の少なくとも一方の面に積層された透明導電膜と、を備えることを特徴としている。
本発明の積層反射電極膜によれば、上述の有機ＥＬ用反射電極膜の少なくとも一方の面に透明導電膜が積層されているので、熱処理後の反射率の低下がなく、耐硫化性に優れた積層反射電極膜を構成することができ、上述したアノードとして好適に使用できる。
【００１５】
本発明の反射電極膜形成用スパッタリングターゲットは、前述の有機ＥＬ用反射電極膜を成膜する際に用いられるものである。
ここで、本発明の反射電極膜形成用スパッタリングターゲットにおいては、Ｉｎ及びＳｎのいずれか一方又は両方を合計で０．１ａｔ％以上１．５ａｔ％未満、Ｓｂを０．０１ａｔ％以上２．０ａｔ％以下含有し、残部がＡｇ及び不可避不純物からなることが好ましい。
【発明の効果】
【００１６】
本発明によれば、熱処理後の反射率の低下がなく、耐硫化性に優れるとともに、高反射率及び低抵抗を有する有機ＥＬ用反射電極膜、積層反射電極膜、及び、反射電極膜形成用スパッタリングターゲットを提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１７】
【図１】本発明の一実施形態に係る有機ＥＬ用反射電極膜を備えた有機ＥＬ素子の概略説明図である。
【発明を実施するための形態】
【００１８】
以下に、本発明の実施の形態について添付した図面を参照して説明する。図１に、本発明の実施形態に係る有機ＥＬ用反射電極膜１２ａを備えた有機ＥＬ素子１の概略説明図を示す。
有機ＥＬ素子１は、成膜基板１１と、この成膜基板１１上に形成されたアノード１２（積層反射電極膜）と、このアノード１２上に形成された電界発光層１３と、この電界発光層１３上に形成されたカソード１４とを備えている。
この有機ＥＬ素子１は、トップエミッション型の有機ＥＬ素子であり、カソード１４側（図１において上側）から光が取り出されるようになっている。
【００１９】
成膜基板１１は、例えばＴＦＴ回路を形成したガラス基板上に、アクリル樹脂等の有機物からなる平坦化層が形成された基板が用いられる。
【００２０】
電界発光層１３は、有機ＥＬ層１３Ａと、アノード１２側に形成されたホール（正孔）輸送層１３Ｂと、カソード１４側に形成された電子輸送層１３Ｃとを備えており、これら３つの層からなる３層構造とされている。電界発光層１３の厚さは、例えば１００ｎｍ以上２００ｎｍ以下とされている。
【００２１】
有機ＥＬ層１３Ａに用いる発光材料としては、例えばオレフィン系発光材料、アントラセン系発光材料、スピロ系発光材料、カルバゾール系発光材料、ピレン系発光材料等の低分子発光材料、ポリフェニレンビニレン類、ポリフルオレン類、ポリビニルカルバゾール類等の高分子発光材料等が挙げられる。なお、有機ＥＬ層１３Ａには、蛍光色素をドーピングしてもよく、燐光色素をドーピングしてもよい。
【００２２】
ホール輸送層１３Ｂを構成する有機高分子材料（正孔注入・輸送材料）としては、正孔を輸送する能力と、アノード１２からの正孔注入効果及び有機ＥＬ層１３Ａ又は発光材料に対して優れた正孔注入効果と、を有し、有機ＥＬ層１３Ａで生成した励起子の電子輸送層１３Ｃへの移動を防止し、かつ薄膜形成能力に優れた化合物であることが好ましい。具体的には、例えばフタロシアニン誘導体、オキサゾール等の高分子材料が挙げられる。
【００２３】
電子輸送層１３Ｃに用いる電子注入・輸送材料としては、電子を輸送する能力を持ち、カソード１４からの電子注入効果、有機ＥＬ層１３Ａ又は発光材料に対して優れた電子注入効果を有し、有機ＥＬ層１３Ａで生成した励起子の正孔注入層への移動を防止し、かつ薄膜形成能力の優れた化合物が好ましい。具体的には、例えばフルオレノン、アントラキノジメタン等が挙げられる。
【００２４】
カソード１４は、トップエミッション型の有機ＥＬ素子の場合、高透過率が求められる他、面内で均一に発光させるために、均一に電流を流す必要があることから、低抵抗も求められる。このような材料として、一般にＭｇＡｇ合金などが用いられる。
【００２５】
アノード１２（積層反射電極膜）は、有機ＥＬ用反射電極膜１２ａと、この有機ＥＬ用反射電極膜１２ａの一方の面（図１において上面）に形成された透明導電膜１２ｂと、を備えている。
【００２６】
透明導電膜１２ｂは、例えばＩＴＯ（酸化インジウムスズ）、ＡＺＯ（アルミニウム添加酸化亜鉛）、ＩＺＯ（インジウム亜鉛酸化物）などが用いられる。
この透明導電膜１２ｂの厚さは、例えば２ｎｍ以上２０ｎｍ以下とされている。
【００２７】
有機ＥＬ用反射電極膜１２ａは、電界発光層１３から発光された光を反射するための金属膜である。この有機ＥＬ用反射電極膜１２ａは、Ｉｎ及びＳｎのいずれか一方又は両方を合計で０．１ａｔ％以上１・５ａｔ％未満、Ｓｂを０．０１ａｔ％以上０．１ａｔ％未満含有し、残部がＡｇ及び不可避不純物からなる組成を有している。
以下に、本実施形態に係る有機ＥＬ用反射電極膜１２ａの組成を上述のように規定した理由について説明する。
【００２８】
（Ｉｎ及びＳｎ：いずれか一方又は両方を合計で０．１ａｔ％以上１．５ａｔ％未満）
Ｉｎ及びＳｎは、Ｉｎ及びＳｎのいずれか一方又は両方を合計で０．１ａｔ％以上１．５ａｔ％未満含有することによって、有機ＥＬ用反射電極膜１２ａの耐硫化性を向上させる作用効果を有する元素である。
ここで、Ｉｎ及びＳｎのいずれか一方又は両方の合計含有量が０．１ａｔ％未満の場合、有機ＥＬ用反射電極膜１２ａにおいて耐硫化性の向上の効果が得られなくなるおそれがある。一方、Ｉｎ及びＳｎのいずれか一方又は両方の合計含有量が１．５ａｔ％以上の場合、反射率が低下するとともに、抵抗が上昇してしまうおそれがある。
このような理由から、Ｉｎ及びＳｎのいずれか一方又は両方の合計含有量が０．１ａｔ％以上１．５ａｔ％未満の範囲内に設定されている。ここで、Ｉｎ及びＳｎのいずれか一方又は両方の好ましい合計含有量は、０．３ａｔ％以上１．１ａｔ％以下とされている。
【００２９】
（Ｓｂ：０．０１ａｔ％以上０．１ａｔ％未満）
Ｓｂは、０．０１ａｔ％以上０．１ａｔ％未満含有することによって、熱処理後の反射率の低下を防ぐ作用効果を有する元素である。
ここで、Ｓｂの含有量が０．０１ａｔ％未満では、熱処理後の反射率が低下してしまう。一方、Ｓｂの含有量が０．１ａｔ％以上であっても、熱処理後の反射率が低下してしまう。
このような理由から、Ｓｂの含有量が０．０１ａｔ％以上０．１ａｔ％未満の範囲内に設定されている。ここで、Ｓｂの好ましい含有量は、０．０１５ａｔ％以上０．０７ａｔ％以下とされている。
【００３０】
本実施形態においては、有機ＥＬ用反射電極膜１２ａの膜厚は、１５０ｎｍ以上５００ｎｍ以下とされている。ここで、有機ＥＬ用反射電極膜１２ａの好ましい膜厚は、３００ｎｍ以上５００ｎｍ以下、さらに好ましい膜厚は、３５０ｎｍ以上４５０ｎｍ以下である。
【００３１】
次に、本実施形態に係る有機ＥＬ用反射電極膜１２ａ、及びアノード１２（積層反射電極膜）の製造方法について説明する。
本実施形態に係る有機ＥＬ用反射電極膜１２ａは、Ｉｎ及びＳｎのいずれか一方又は両方を合計で０．１ａｔ％以上１．５ａｔ％未満、Ｓｂを０．０１ａｔ％以上２．０ａｔ％以下含有し、残部がＡｇ及び不可避不純物からなる組成を有したＡｇ合金で構成された反射電極膜形成用スパッタリングターゲットを用いてスパッタリングすることにより成膜される。
【００３２】
なお、スパッタリング時において、スパッタリング条件によっては、Ｓｂの一部は成膜された膜内に取り込まれにくくなることがあるが、反射電極膜形成用スパッタリングターゲットの組成及びスパッタリング条件を調整することによって有機ＥＬ用反射電極膜１２ａの組成を調節することができる。
例えば、以下の工程によって本実施形態に係る有機ＥＬ用反射電極膜１２ａが製造される。
【００３３】
まず、原料として、純度９９．９質量％以上のＡｇと、純度９９．９質量％以上のＩｎ及びＳｎの少なくとも一方と、Ｓｂとを所定の組成となるように秤量する。次に、溶解炉中において、Ａｇを高真空または不活性ガス雰囲気中で溶解し、得られた溶湯に所定の含有量のＩｎ及びＳｎの少なくとも一方とＳｂとを添加する。その後、真空または不活性ガス雰囲気中で溶解して、Ｉｎ及びＳｎのいずれか一方又は両方を合計で０．１ａｔ％以上１．５ａｔ％未満含有するとともにＳｂを０．０１ａｔ％以上２．０ａｔ％以下含有し、残部がＡｇ及び不可避不純物からなるＡｇ合金の溶解鋳造インゴットを作製する。
【００３４】
ここで、Ａｇの溶解は、溶解炉内部の雰囲気を一度真空にした後、Ａｒで置換した雰囲気で行い、溶解後、Ａｒ雰囲気の中でＡｇの溶湯にＩｎ及びＳｎの少なくとも一方とＳｂとを添加することが、ＡｇとＩｎ，Ｓｎ，Ｓｂとの組成比率を安定に得る観点から好ましい。さらに、Ｉｎ，Ｓｎ，Ｓｂは予め作製したＡｇＩｎ，ＡｇＳｎ，ＡｇＳｂ，ＡｇＩｎＳｂ，ＡｇＳｎＳｂまたはＡｇＩｎＳｎＳｂの母合金の形で添加してもよい。
【００３５】
得られたインゴットを冷間圧延した後、大気中で例えば６００℃、２時間保持の熱処理を施し、次いで機械加工することにより、所定寸法の反射電極膜形成用スパッタリングターゲット（Ａｇ合金ターゲット）を作製する。すなわち、この反射電極膜形成用スパッタリングターゲットは、Ａｇ合金の溶解鋳造インゴットを塑性加工し、さらに熱処理して作製される。
この反射電極膜形成用スパッタリングターゲットを無酸素銅製のバッキングプレートに半田付けし、これを直流マグネトロンスパッタ装置に装着する。そして、さらに、有機ＥＬ用反射電極膜１２ａの一方の面に透明導電膜１２ｂを積層するために、透明導電膜ターゲット（市販品）を同じ装置チャンバー内に装着する。
【００３６】
次に、真空排気装置にて直流マグネトロンスパッタ装置内を５×１０−５Ｐａ以下まで排気した後、Ａｒガスを導入して所定のスパッタガス圧とし、続いて直流電源にて反射電極膜形成用スパッタリングターゲットに例えば２５０Ｗの直流スパッタ電力を印加する。さらに、反射電極膜形成用スパッタリングターゲットに対向しかつ所定の間隔を設けて平行に配置した成膜基板１１と前述のターゲットとの間にプラズマを発生させることで、有機ＥＬ用反射電極膜１２ａを成膜基板１１上に成膜する。
【００３７】
次に、有機ＥＬ用反射電極膜１２ａを形成した後に、Ａｒガスに加えて酸素ガスも導入して所定のスパッタガス圧とし、直流電源にて透明導電膜ターゲットに例えば６０Ｗの直流スパッタ電力を印加する。そして、成膜基板１１と透明導電膜ターゲットの間にプラズマを発生させることで、有機ＥＬ用反射電極膜１２ａの一方の面に透明導電膜１２ｂを積層する。
このようにして、本実施形態に係る有機ＥＬ用反射電極膜１２ａ、及びアノード１２（積層反射電極膜）が製造される。
【００３８】
以上のような構成とされた本実施形態に係る有機ＥＬ用反射電極膜１２ａによれば、Ｉｎ及びＳｎのいずれか一方又は両方を合計で０．１ａｔ％以上含有しているので、耐硫化性を向上させることができる。また、Ｉｎ及びＳｎのいずれか一方又は両方の含有量が合計で０．１ａｔ％以上１．５ａｔ％未満とされており、添加量が比較的少ないことから、反射率を高く、かつ抵抗を低くすることができる。
【００３９】
また、本実施形態に係る有機ＥＬ用反射電極膜１２ａは、さらに、Ｓｂを０．０１ａｔ％以上０．１ａｔ％未満含有しているので、熱処理後の反射率の低下を抑制することができる。
【００４０】
また、上述の有機ＥＬ用反射電極膜１２ａにおいて、膜厚が１５０ｎｍ以上５００ｎｍ以下、好ましくは３００ｎｍ以上５００ｎｍ以下、さらに好ましくは３５０ｎｍ以上４５０ｎｍ以下とされているので、抵抗（シート抵抗）を低くすることができる。したがって、大型の有機ＥＬディスプレイの有機ＥＬ用反射電極膜１２ａとして好適に用いることができる。
また、Ａｇ合金からなる有機ＥＬ用反射電極膜１２ａにおいては、膜厚が１５０ｎｍ以上５００ｎｍ以下のように比較的厚く形成されると、熱処理後の反射率が低下する場合があるが、Ｓｂを０．０１ａｔ％以上０．１ａｔ％未満含有しているので、熱処理後の反射率の低下を抑制することができる。
【００４１】
本実施形態に係るアノード１２（積層反射電極膜）によれば、上述の有機ＥＬ用反射電極膜１２ａの一方の面に透明導電膜１２ｂが積層されているので、熱処理後の反射率が低下することなく、耐硫化性に優れたアノード１２を構成することができる。したがって、このアノード１２は、トップエミッション型の有機ＥＬ素子１に好適に用いられる。
【００４２】
本実施形態に係る反射電極膜形成用スパッタリングターゲットによれば、上述の有機ＥＬ用反射電極膜１２ａを成膜することができる。
【００４３】
以上、本発明の実施形態について説明したが、本発明はこれに限定されることはなく、その発明の技術的思想を逸脱しない範囲で適宜変更可能である。
【００４４】
なお、上記の実施形態では、有機ＥＬ用反射電極膜の一方の面に透明導電膜が形成されている場合について説明したが、有機ＥＬ用反射電極膜の両方の面に透明導電膜を形成した３層構造としても良い。
【実施例】
【００４５】
以下に、本発明の有効性を確認するために行った確認実験の結果について説明する。
まず、原料粉末として、純度９９．９質量％以上のＡｇと、純度９９．９質量％以上のＩｎ及びＳｎの少なくとも一方と、Ｓｂと、を所定の組成となるように秤量する。次に、溶解炉中において、Ａｇを高真空または不活性ガス雰囲気中で溶解し、得られた溶湯に所定の含有量のＩｎ及びＳｎの少なくとも一方とＳｂとを添加する。その後、真空または不活性ガス雰囲気中で溶解して、Ｉｎ及びＳｎのいずれか一方又は両方を合計で０．１ａｔ％以上１．５ａｔ％未満含んでいるとともにＳｂを０．０１ａｔ％以上２．０ａｔ％以下含有し、残部がＡｇ及び不可避不純物からなるＡｇ合金の溶解鋳造インゴットを作製する。
【００４６】
ここで、Ａｇの溶解は、溶解炉内部の雰囲気を一度真空にした後、Ａｒで置換した雰囲気で行い、溶解後、Ａｒ雰囲気の中でＡｇの溶湯にＩｎ及びＳｎの少なくとも一方とＳｂとを添加した。
得られたインゴットを冷間圧延した後、大気中で例えば６００℃、２時間保持の熱処理を施し、次いで機械加工することにより、直径１５２．４ｍｍ、厚さ６ｍｍの寸法を有する円板状に作製した。
【００４７】
以上のようにして、本発明例１〜１９、比較例１〜８のＡｇ合金膜を製造するための反射電極膜形成用スパッタリングターゲット（Ａｇ合金ターゲット）を製造した。この反射電極膜形成用スパッタリングターゲットを無酸素銅製のバッキングプレートに半田付けし、これを直流マグネトロンスパッタ装置に装着した。
さらに、ＩＴＯ／Ａｇ合金／ＩＴＯの３層積層膜の評価を行うため、上記反射電極膜形成用スパッタリングターゲットと同サイズの市販のＩＴＯターゲットを反射電極膜形成用スパッタリングターゲットと同じ装置チャンバー内に装着した。
【００４８】
次に、真空排気装置にて直流マグネトロンスパッタ装置内を５×１０−５Ｐａ以下まで排気した後、上記ターゲットと平行に配置した５０ｍｍ角の洗浄済みのガラス基板（コーニング社製イーグルＸＧ）に対し、表１に示すスパッタ条件にて、ＩＴＯターゲット→反射電極膜形成用スパッタリングターゲット→ＩＴＯターゲットの順番に、真空を維持したまま連続で成膜を行い、ＩＴＯ／Ａｇ合金／ＩＴＯ積層膜（３層積層膜）をガラス基板上に成膜した。ここで、Ａｇ合金膜は、表２に示す組成に成膜した。なお、ＩＴＯ膜の膜厚については、１層目、３層目ともに１０ｎｍとした。
また、耐硫化性を評価するために、Ａｇ合金の単層膜の試料も別途成膜した。Ａｇ合金の単層膜の成膜条件は、３層積層膜の場合と同じ条件とした。
【００４９】
以上のようにして、表２に示す組成を有する本発明例１〜１９、比較例１〜８のＩＴＯ／Ａｇ合金／ＩＴＯ積層膜、及びＡｇ合金単層膜を製造した。
【００５０】
【表１】
2015079739.tif 000003
【００５１】
【表２】
2015079739.tif 000004
【００５２】
なお、本発明例及び比較例のＡｇ合金膜の組成は、同じ反射電極膜形成用スパッタリングターゲットを用いて別途直径４インチのＳｉ基板上に膜厚３μｍの厚膜を成膜し、その膜を全量溶解してＩＣＰ発光分光分析法により分析することで求めた。
【００５３】
以上のようにして製造された本発明例１〜１９、比較例１〜８のＩＴＯ／Ａｇ合金／ＩＴＯ積層膜に対して、シート抵抗測定及び反射率測定を行った。また、本発明例１〜１９、比較例１〜８のＡｇ合金単層膜に対して、反射率測定を行った。
なおシート抵抗測定は、成膜直後及び熱処理試験後のＩＴＯ／Ａｇ合金／ＩＴＯ積層膜に対して行った。
反射率測定は、成膜直後及び熱処理試験後のＩＴＯ／Ａｇ合金／ＩＴＯ積層膜に対して行った。また、反射率測定は、成膜直後及び耐硫化試験後のＡｇ合金単層膜に対しても行った。
以下に各測定方法及び各試験方法の詳細を説明する。
【００５４】
（シート抵抗測定）
表面抵抗測定器（三菱油化社製、Ｌｏｒｅｓｔａ  ＡＰ  ＭＣＰ−Ｔ４００）を用いて、四探針法により、ＩＴＯ／Ａｇ合金／ＩＴＯ積層膜のシート抵抗を測定した。
【００５５】
（反射率測定）
分光光度計（日立ハイテクノロジーズ社製  Ｕ−４１００）により波長３８０ｎｍ〜８００ｎｍの範囲でＩＴＯ／Ａｇ合金／ＩＴＯ積層膜、及びＡｇ合金単層膜の反射率を測定した。ここで、可視光（３８０ｎｍ〜８００ｎｍ）の代表的な波長として波長５５０ｎｍを選択し、この波長５５０ｎｍにおける反射率を表３に記載した。
【００５６】
（熱処理試験）
熱処理試験は、ＩＴＯ／Ａｇ合金／ＩＴＯ積層膜、及びＡｇ合金単層膜を大気中において２５０℃で２時間の熱処理をすることにより行った。
（耐硫化試験）
耐硫化試験は、Ａｇ合金単層膜をＮａ２Ｓ（硫化ナトリウム）０．０１ｗｔ％水溶液に１時間浸漬することにより行った。
上記の評価の結果を表３に示す。
【００５７】
【表３】
2015079739.tif 000005
【００５８】
本発明例１〜１９は、表３に示すように、熱処理後の反射率の低下がなく、耐硫化性に優れ、高反射率かつ低抵抗であることが確認された。
一方、比較例１、３は、Ｉｎ又はＳｎの含有量が少なすぎるために、本発明例と比較して、耐硫化試験後の反射率が著しく低下した。
比較例２、４は、Ｉｎ又はＳｎの含有量が多すぎるために、本発明例と比較して、シート抵抗が大きくなるとともに、反射率が低くなった。
比較例５は、Ｉｎ及びＳｎの含有量が少なすぎるために、本発明例と比較して、耐硫化試験後の透過率が著しく低下した。
比較例６は、Ｉｎ及びＳｎの含有量が多すぎるために、本発明例と比較して、シート抵抗が大きくなるとともに、反射率が低くなった。
【００５９】
比較例７は、Ｓｂの含有量が少なすぎるために、本発明例と比較して、熱処理試験後の反射率が低下した。
比較例８は、Ｓｂの含有量が多すぎるために、本発明例と比較して、熱処理試験後の反射率が低下した。
【符号の説明】
【００６０】
１  有機ＥＬ素子
１２  アノード（積層反射電極膜）
１２ａ  有機ＥＬ用反射電極膜
１２ｂ  透明導電膜
【図１】
2015079739.tif 000006