(57)【要約】【課題】  既存のプロセスを変更することなく、半導体素子の実装のための位置合わせを簡便に行うことができるシート状樹脂組成物及びこれを用いる半導体装置の製造方法を提供すること。【解決手段】  本発明は、被着体と該被着体と電気的に接続された半導体素子との間の空間を充填するためのシート状樹脂組成物であって、平行透過率が１０％以上である。シート状樹脂組成物のヘイズは８０％以下であることが好ましい。シート状樹脂組成物では、波長５８０ｎｍにおける透過率が１５％以上であることが好ましい。【選択図】  図２Ｄ
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
被着体と該被着体と電気的に接続された半導体素子との間の空間を充填するためのシート状樹脂組成物であって、
平行透過率が１０％以上であるシート状樹脂組成物。
【請求項２】
ヘイズが８０％以下である請求項１に記載のシート状樹脂組成物。
【請求項３】
波長５８０ｎｍにおける透過率が１５％以上である請求項１又は２に記載のシート状樹脂組成物。
【請求項４】
無機充填剤を含み、該無機充填剤の平均粒径が３００ｎｍ以下である請求項１〜３のいずれか１項に記載のシート状樹脂組成物。
【請求項５】
前記無機充填剤の含有量が７０重量％以下である請求項４に記載のシート状樹脂組成物。
【請求項６】
厚みが７０μｍ以下である請求項１〜５のいずれか１項に記載のシート状樹脂組成物。
【請求項７】
被着体と、該被着体と電気的に接続された半導体素子と、該被着体と該半導体素子との間の空間を充填するシート状樹脂組成物を備える半導体装置の製造方法であって、
半導体素子又は被着体の一方に貼り合わされた請求項１〜６のいずれか１項に記載のシート状樹脂組成物の露出面及び半導体素子又は被着体の他方に対して垂直入射光をそれぞれ照射し、前記半導体素子と前記被着体との相対位置を互いの接続予定位置に整合させる位置整合工程、及び
上記被着体と上記半導体素子の間の空間をシート状樹脂組成物で充填しつつ上記接続部材を介して上記半導体素子と上記被着体とを電気的に接続する工程
を含む半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、シート状樹脂組成物及び半導体装置の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、半導体装置及びそのパッケージの薄型化、小型化がより一層求められている。そのための方策として、半導体チップ等の半導体素子が基板上にフリップチップボンディングにより実装された（フリップチップ接続された）フリップチップ型の半導体装置が広く利用されている。フリップチップ接続は、半導体チップの回路面を被着体の電極形成面と対向した状態とし（フェイスダウン）、半導体チップの回路面に形成された突起電極と被着体の電極とを接合することで固定する実装法である。
【０００３】
フリップチップ接続後には、半導体素子表面の保護や半導体素子と基板との間の接続信頼性を確保するために、半導体素子と基板との間の空間への封止樹脂の充填が行われている。このような封止樹脂としては、液状の封止樹脂が広く用いられているものの、液状の封止樹脂では注入位置や注入量の調節が困難である。そこで、シート状の封止樹脂（いわゆるアンダーフィルシート）を用いて半導体素子と基板との間の空間を充填する技術が提案されている（特許文献１）。
【０００４】
一般的に、アンダーフィルシートとしてシート状樹脂組成物を用いるプロセスでは、半導体素子に貼りつけられているシート状樹脂組成物にて基板等の被着体と半導体素子の間の空間を充填しながら半導体素子を被着体に接続して実装するという手順が採用されている。
【０００５】
上記のようなプロセスでは被着体と半導体素子との間の空間の充填が容易となる。他方、半導体素子における回路幅や端子間距離の狭小化に伴い、実装時の接続位置への整合の際にズレがわずかでも生じると、半導体素子の損傷や実装時の接合の不具合等につながり、ひいては半導体装置製造の歩留まりの低下につながるおそれがある。
【０００６】
実装時の位置決めに関し、シート状樹脂組成物は半導体素子にあらかじめ積層されているため、半導体素子実装時の半導体素子と基板との位置合わせ時に半導体素子に付与されたアライメント用のマークをシート状樹脂組成物を通して認識する必要がある。しかしながら、シート状樹脂組成物は被着体と半導体素子との間の空間に配置されることを前提としていることから、アライメント用マークの視認性は十分に考慮されておらず、これにより半導体素子の実装時に半導体素子と基板との位置合わせを精度良く行うことが困難になることがある。
【０００７】
これに対し、位置合わせの際にシート状樹脂組成物に対して斜光を照射し、アライメント用マークの視認性を高める技術が提案されている（特許文献２）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００８】
【特許文献１】特許第４４３８９７３号
【特許文献２】特開２０１４−３２７４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
しかしながら、上記技術ではアライメント用マークの視認性は改善されるものの、斜光照射用の機器を別途準備する必要があり、半導体装置の生産のコストアップにつながってしまう。
【００１０】
本発明は、既存のプロセスを変更することなく、半導体素子の実装のための位置合わせを簡便に行うことができるシート状樹脂組成物及びこれを用いる半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
本願発明者らは鋭意検討したところ、下記構成を採用することにより前記目的を達成できることを見出して、本発明を完成させるに至った。
【００１２】
すなわち、本発明は、被着体と該被着体と電気的に接続された半導体素子との間の空間を充填するためのシート状樹脂組成物であって、
平行透過率が１０％以上であるシート状樹脂組成物に関する。
【００１３】
当該シート状樹脂組成物では、平行透過率を１０％以上としているので、従来のプロセスにて多用されている垂直入射光及びその反射光の当該シート状樹脂組成物における通過率が高まり、斜光を用いずともアライメント用マークを良好に視認することができる。これにより既存プロセスを変更することなく実装のための位置合わせを高精度で行うことができ、効率良く半導体装置を製造することができる。
【００１４】
当該シート状樹脂組成物のヘイズは８０％以下であることが好ましい。また、当該シート状樹脂組成物では、波長５８０ｎｍにおける透過率が１５％以上であることが好ましい。これらの特性の一方又は両方を満たすことにより、垂直入射光及びその反射光のシート状樹脂組成物における通過率をより高めることができ、アライメント用マークの視認性のさらなる向上を図ることができる。
【００１５】
当該シート状樹脂組成物は無機充填剤を含み、該無機充填剤の平均粒径が３００ｎｍ以下であることが好ましい。これにより垂直入射光に含まれる波長帯に幅広く対応可能となり、当該シート状樹脂組成物の透明性を高めて、半導体素子と被着体との間での正確な位置合わせに必要な平行透過率をより好適に確保することができる。
【００１６】
当該シート状樹脂組成物では、前記無機充填剤の含有量が７０重量％以下であることが好ましい。これにより当該シート状樹脂組成物の平行透過率をより高めることができる。
【００１７】
当該シート状樹脂組成物の厚みは７０μｍ以下であることが好ましい。これにより当該シート状樹脂組成物中で光線が通過すべき行程長を短縮することができ、垂直入射光及びその反射光の利用効率が高まってアライメント用マークの視認性をより向上させることができる。
【００１８】
本発明はまた、被着体と、該被着体と電気的に接続された半導体素子と、該被着体と該半導体素子との間の空間を充填するシート状樹脂組成物を備える半導体装置の製造方法であって、
半導体素子又は被着体の一方に貼り合わされた当該シート状樹脂組成物の露出面及び半導体素子又は被着体の他方に対して垂直入射光をそれぞれ照射し、前記半導体素子と前記被着体との相対位置を互いの接続予定位置に整合させる位置整合工程、及び
上記被着体と上記半導体素子の間の空間をシート状樹脂組成物で充填しつつ上記接続部材を介して上記半導体素子と上記被着体とを電気的に接続する工程
を含む半導体装置の製造方法に関する。
【００１９】
当該製造方法では、平行透過率が１０％以上のシート状樹脂組成物を用いているので、特段の照明機器を準備することなく、シート状樹脂組成物の露出面に対して垂直入射光を照射するだけで半導体素子の位置を正確に検出することができる。これにより、半導体素子と被着体との接続予定位置への位置整合を容易に行うことができ、その結果、既存プロセスに特段の変更を伴うことなく効率的に半導体装置を製造することができる。
【図面の簡単な説明】
【００２０】
【図１】本発明の一実施形態に係るシート状樹脂組成物を示す断面模式図である。
【図２Ａ】本発明の一実施形態に係る半導体装置の製造工程を示す断面模式図である。
【図２Ｂ】本発明の一実施形態に係る半導体装置の製造工程を示す断面模式図である。
【図２Ｃ】本発明の一実施形態に係る半導体装置の製造工程を示す断面模式図である。
【図２Ｄ】本発明の一実施形態に係る半導体装置の製造工程を示す断面模式図である。
【図２Ｅ】本発明の一実施形態に係る半導体装置の製造工程を示す断面模式図である。
【発明を実施するための形態】
【００２１】
本発明の実施形態について、図面を参照しながら以下に説明する。ただし、図の一部又は全部において、説明に不要な部分は省略し、また説明を容易にするために拡大または縮小等して図示した部分がある。また、上下等の位置関係を示す用語は、特段の言及がない限り、単に説明を容易にするために用いられており、本発明の構成を限定する意図は一切ない。
【００２２】
《第１実施形態》
＜シート状樹脂組成物＞
本実施形態におけるシート状樹脂組成物は、表面実装された半導体素子と被着体との間の空間を充填する封止用フィルムとして用いることができる。図１に示すように、本実施形態のシート状樹脂組成物２は、基材１上に積層された状態で提供される。
【００２３】
シート状樹脂組成物２の平行透過率は１０％以上であればよい。さらに、該平行透過率は３０％以上であることが好ましく、５０％以上がより好ましい。従来のプロセスにて多用されている垂直入射光及びその反射光のシート状樹脂組成物２における通過率が高まり、他の照明機器を用いずともアライメント用マークを良好に視認することができる。これにより既存プロセスを変更することなく実装のための位置合わせを高精度で行うことができ、効率良く半導体装置を製造することができる。シート状樹脂組成物２の平行透過率が１０％未満であると、垂直入射光及びその反射光の透過率が低下してアライメント用マークの視認性が損なわれ、その結果、実装精度の低下を惹起するおそれがある。
【００２４】
シート状樹脂組成物２のヘイズは８０％以下であることが好ましく、６０％以下であることがより好ましく、４０％以下であることがさらに好ましい。また、シート状樹脂組成物２では、波長５８０ｎｍにおける透過率が１５％以上であることが好ましく、３０％以上であることがより好ましく、４５％以上であることがさらに好ましい。これらの特性の一方又は両方を満たすことにより、垂直入射光及びその反射光のシート状樹脂組成物における通過率をより高めることができ、アライメント用マークの視認性のさらなる向上を図ることができる。
【００２５】
シート状樹脂組成物２の構成材料としては、熱可塑性樹脂と熱硬化性樹脂とを併用したものが挙げられる。又、熱可塑性樹脂や熱硬化性樹脂単独でも使用可能である。
【００２６】
前記熱可塑性樹脂としては、天然ゴム、ブチルゴム、イソプレンゴム、クロロプレンゴム、エチレン−酢酸ビニル共重合体、エチレン−アクリル酸共重合体、エチレン−アクリル酸エステル共重合体、ポリブタジエン樹脂、ポリカーボネート樹脂、熱可塑性ポリイミド樹脂、６−ナイロンや６，６−ナイロン等のポリアミド樹脂、フェノキシ樹脂、アクリル樹脂、ＰＥＴやＰＢＴ等の飽和ポリエステル樹脂、ポリアミドイミド樹脂、又はフッ素樹脂等が挙げられる。これらの熱可塑性樹脂は単独で、又は２種以上を併用して用いることができる。これらの熱可塑性樹脂のうち、イオン性不純物が少なく耐熱性が高く、半導体素子の信頼性を確保できるアクリル樹脂が特に好ましい。
【００２７】
前記アクリル樹脂としては、特に限定されるものではなく、炭素数３０以下、特に炭素数４〜１８の直鎖若しくは分岐のアルキル基を有するアクリル酸又はメタクリル酸のエステルの１種又は２種以上を成分とする重合体等が挙げられる。前記アルキル基としては、例えばメチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、ｔ−ブチル基、イソブチル基、アミル基、イソアミル基、へキシル基、へプチル基、シクロヘキシル基、２−エチルヘキシル基、オクチル基、イソオクチル基、ノニル基、イソノニル基、デシル基、イソデシル基、ウンデシル基、ラウリル基、トリデシル基、テトラデシル基、ステアリル基、オクタデシル基、又はドデシル基等が挙げられる。
【００２８】
また、前記重合体を形成する他のモノマーとしては、特に限定されるものではなく、例えばアクリル酸、メタクリル酸、カルボキシエチルアクリレート、カルボキシペンチルアクリレート、イタコン酸、マレイン酸、フマール酸若しくはクロトン酸等の様なカルボキシル基含有モノマー、無水マレイン酸若しくは無水イタコン酸等の様な酸無水物モノマー、（メタ）アクリル酸２−ヒドロキシエチル、（メタ）アクリル酸２−ヒドロキシプロピル、（メタ）アクリル酸４−ヒドロキシブチル、（メタ）アクリル酸６−ヒドロキシヘキシル、（メタ）アクリル酸８−ヒドロキシオクチル、（メタ）アクリル酸１０−ヒドロキシデシル、（メタ）アクリル酸１２−ヒドロキシラウリル若しくは（４−ヒドロキシメチルシクロヘキシル）−メチルアクリレート等の様なヒドロキシル基含有モノマー、スチレンスルホン酸、アリルスルホン酸、２−（メタ）アクリルアミド−２−メチルプロパンスルホン酸、（メタ）アクリルアミドプロパンスルホン酸、スルホプロピル（メタ）アクリレート若しくは（メタ）アクリロイルオキシナフタレンスルホン酸等の様なスルホン酸基含有モノマー、又は２−ヒドロキシエチルアクリロイルホスフェート等の様な燐酸基含有モノマーが挙げられる。
【００２９】
前記熱硬化性樹脂としては、フェノール樹脂、アミノ樹脂、不飽和ポリエステル樹脂、エポキシ樹脂、ポリウレタン樹脂、シリコーン樹脂、又は熱硬化性ポリイミド樹脂等が挙げられる。これらの樹脂は、単独で又は２種以上を併用して用いることができる。特に、半導体素子を腐食させるイオン性不純物等の含有が少ないエポキシ樹脂が好ましい。また、エポキシ樹脂の硬化剤としてはフェノール樹脂が好ましい。
【００３０】
前記エポキシ樹脂は、接着剤組成物として一般に用いられるものであれば特に限定は無く、例えばビスフェノールＡ型、ビスフェノールＦ型、ビスフェノールＳ型、臭素化ビスフェノールＡ型、水添ビスフェノールＡ型、ビスフェノールＡＦ型、ビフェニル型、ナフタレン型、フルオンレン型、フェノールノボラック型、オルソクレゾールノボラック型、トリスヒドロキシフェニルメタン型、テトラフェニロールエタン型等の二官能エポキシ樹脂や多官能エポキシ樹脂、又はヒダントイン型、トリスグリシジルイソシアヌレート型若しくはグリシジルアミン型等のエポキシ樹脂が用いられる。これらは単独で、又は２種以上を併用して用いることができる。これらのエポキシ樹脂のうちノボラック型エポキシ樹脂、ビフェニル型エポキシ樹脂、トリスヒドロキシフェニルメタン型樹脂又はテトラフェニロールエタン型エポキシ樹脂が特に好ましい。これらのエポキシ樹脂は、硬化剤としてのフェノール樹脂との反応性に富み、耐熱性等に優れるからである。
【００３１】
さらに、前記フェノール樹脂は、前記エポキシ樹脂の硬化剤として作用するものであり、例えば、フェノールノボラック樹脂、フェノールアラルキル樹脂、クレゾールノボラック樹脂、ｔｅｒｔ−ブチルフェノールノボラック樹脂、ノニルフェノールノボラック樹脂等のノボラック型フェノール樹脂、レゾール型フェノール樹脂、ポリパラオキシスチレン等のポリオキシスチレン等が挙げられる。これらは単独で、又は２種以上を併用して用いることができる。これらのフェノール樹脂のうちフェノールノボラック樹脂、フェノールアラルキル樹脂が特に好ましい。半導体装置の接続信頼性を向上させることができるからである。
【００３２】
前記エポキシ樹脂とフェノール樹脂の配合割合は、例えば、前記エポキシ樹脂成分中のエポキシ基１当量当たりフェノール樹脂中の水酸基が０．５〜２．０当量になるように配合することが好適である。より好適なのは、０．８〜１．２当量である。すなわち、両者の配合割合が前記範囲を外れると、十分な硬化反応が進まず、エポキシ樹脂硬化物の特性が劣化し易くなるからである。
【００３３】
なお、本発明においては、エポキシ樹脂、フェノール樹脂及びアクリル樹脂を用いたシート状樹脂組成物が特に好ましい。これらの樹脂は、イオン性不純物が少なく耐熱性が高いので、半導体素子の信頼性を確保できる。この場合の配合比は、アクリル樹脂成分１００重量部に対して、エポキシ樹脂とフェノール樹脂の混合量が１０〜２００重量部である。
【００３４】
エポキシ樹脂とフェノール樹脂の熱硬化促進触媒としては、特に制限されず、公知の熱硬化促進触媒の中から適宜選択して用いることができる。熱硬化促進触媒は単独で又は２種以上を組み合わせて用いることができる。熱硬化促進触媒としては、例えば、アミン系硬化促進剤、リン系硬化促進剤、イミダゾール系硬化促進剤、ホウ素系硬化促進剤、リン−ホウ素系硬化促進剤などを用いることができる。
【００３５】
シート状樹脂組成物２には、半田バンプの表面の酸化膜を除去して半導体素子の実装を容易にするために、フラックスを添加してもよい。フラックスとしては特に限定されず、従来公知のフラックス作用を有する化合物を用いることができ、例えば、ジフェノール酸、アジピン酸、アセチルサリチル酸、安息香酸、ベンジル酸、アゼライン酸、ベンジル安息香酸、マロン酸、２，２−ビス（ヒドロキシメチル）プロピオン酸、サリチル酸、ｏ−メトキシ安息香酸、ｍ−ヒドロキシ安息香酸、コハク酸、２，６−ジメトキシメチルパラクレゾール、安息香酸ヒドラジド、カルボヒドラジド、マロン酸ジヒドラジド、コハク酸ジヒドラジド、グルタル酸ジヒドラジド、サリチル酸ヒドラジド、イミノジ酢酸ジヒドラジド、イタコン酸ジヒドラジド、クエン酸トリヒドラジド、チオカルボヒドラジド、ベンゾフェノンヒドラゾン、４，４’−オキシビスベンゼンスルホニルヒドラジド及びアジピン酸ジヒドラジド等が挙げられる。フラックスの添加量は上記フラックス作用が発揮される程度であればよく、通常、シート状樹脂組成物に含まれる樹脂成分１００重量部に対して０．１〜２０重量部程度である。
【００３６】
本実施形態では、シート状樹脂組成物２は、１０％以上の平行透過率が得られる限り着色しても良い。シート状樹脂組成物２において、着色により呈している色としては特に制限されないが、例えば、黒色、青色、赤色、緑色などが好ましい。着色に際しては、顔料、染料などの公知の着色剤の中から適宜選択して用いることができる。
【００３７】
本実施形態のシート状樹脂組成物２を予めある程度架橋をさせておく場合には、作製に際し、重合体の分子鎖末端の官能基等と反応する多官能性化合物を架橋剤として添加させておくのがよい。これにより、高温下での接着特性を向上させ、耐熱性の改善を図ることができる。
【００３８】
前記架橋剤としては、特に、トリレンジイソシアネート、ジフェニルメタンジイソシアネート、ｐ−フェニレンジイソシアネート、１，５−ナフタレンジイソシアネート、多価アルコールとジイソシアネートの付加物等のポリイソシアネート化合物がより好ましい。架橋剤の添加量としては、前記の重合体１００重量部に対し、通常０．０５〜７重量部とするのが好ましい。架橋剤の量が７重量部より多いと、接着力が低下するので好ましくない。その一方、０．０５重量部より少ないと、凝集力が不足するので好ましくない。また、この様なポリイソシアネート化合物と共に、必要に応じて、エポキシ樹脂等の他の多官能性化合物を一緒に含ませるようにしてもよい。
【００３９】
また、シート状樹脂組成物２には、無機充填剤を適宜配合することができる。無機充填剤の配合は、導電性の付与や熱伝導性の向上、貯蔵弾性率の調節等を可能にする。
【００４０】
前記無機充填剤としては、例えば、シリカ、クレー、石膏、炭酸カルシウム、硫酸バリウム、酸化アルミナ、酸化ベリリウム、炭化珪素、窒化珪素等のセラミック類、アルミニウム、銅、銀、金、ニッケル、クロム、鉛、錫、亜鉛、パラジウム、半田等の金属、又は合金類、その他カーボン等からなる種々の無機粉末が挙げられる。これらは、単独で又は２種以上を併用して用いることができる。なかでも、シリカ、特に溶融シリカが好適に用いられる。
【００４１】
無機充填剤の平均粒径は３００ｎｍ以下であることが好ましく、２５０ｎｍ以下であることがより好ましく、２００ｎｍ以下であることがさらに好ましい。また、該平均粒径は１０ｎｍ以上であることが好ましく、３０ｎｍ以上であることがより好ましい。これにより垂直入射光に含まれる波長帯に幅広く対応可能となり、当該シート状樹脂組成物の透明性を高めて、半導体素子と被着体との間での正確な位置合わせに必要な平行透過率をより好適に確保することができる。上記上限を超えると透明性が低下する傾向にあり、下限を下回ると粒子の凝集が発生しやすくなり、シート状樹脂組成物の形成が困難となる場合がある。平均粒径は、光度式の粒度分布計（ＨＯＲＩＢＡ製、装置名；ＬＡ−９１０）により求めた値である。
【００４２】
シート状樹脂組成物における無機充填剤の含有量の上限は７０重量％以下が好ましく、６５重量％以下がより好ましく、６０重量％以下がさらに好ましい。また、無機充填剤の含有量の下限は２０重量％以上が好ましく、３０重量％以上がより好ましく、４０重量％以上がさらに好ましい。無機充填剤の含有量を上記範囲とすることで、シート状樹脂組成物の低熱線膨張係数と良好な透明性を維持することができ、半導体素子と被着体との位置合わせを正確に行うことができる。
【００４３】
なお、シート状樹脂組成物２には、前記無機充填剤以外に、必要に応じて他の添加剤を適宜に配合することができる。他の添加剤としては、例えば難燃剤、シランカップリング剤又はイオントラップ剤等が挙げられる。前記難燃剤としては、例えば、三酸化アンチモン、五酸化アンチモン、臭素化エポキシ樹脂等が挙げられる。これらは、単独で、又は２種以上を併用して用いることができる。前記シランカップリング剤としては、例えば、β−（３、４−エポキシシクロヘキシル）エチルトリメトキシシラン、γ−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、γ−グリシドキシプロピルメチルジエトキシシラン等が挙げられる。これらの化合物は、単独で又は２種以上を併用して用いることができる。前記イオントラップ剤としては、例えばハイドロタルサイト類、水酸化ビスマス等が挙げられる。これらは、単独で又は２種以上を併用して用いることができる。
【００４４】
本実施形態において、熱硬化前の上記シート状樹脂組成物２の１００〜２００℃における最低溶融粘度は、１００Ｐａ・ｓ以上２００００Ｐａ・ｓ以下であることが好ましく、１０００Ｐａ・ｓ以上１００００Ｐａ・ｓ以下であることがより好ましい。最低溶融粘度を上記範囲とすることにより、接続部材４（図２Ａ参照）のシート状樹脂組成物２への進入を容易にすることができる。また、半導体素子５の電気的接続の際のボイドの発生、及び半導体素子５と被着体６との間の空間からのシート状樹脂組成物２のはみ出しを防止することができる（図２Ｅ参照）。
【００４５】
溶融粘度の測定は、シート状樹脂組成物を加熱処理を経ずにサンプルとし、レオメーター（ＨＡＡＫＥ社製、ＲＳ−１）を用いるパラレルプレート法により行うことができる。詳細には、ギャップ１００μｍ、回転プレート直径２０ｍｍ、回転速度５ｓ−１、昇温速度１０℃／分の条件とし、８０℃から昇温させ、シート状樹脂組成物の硬化反応により粘度が上昇して、最終的に回転プレートが回転できなくなる温度（一般的に２００℃以上）まで測定を行う。その際の目的とする温度での溶融粘度を読み取ればよい。
【００４６】
さらに、熱硬化前の上記シート状樹脂組成物２の温度２３℃、湿度７０％の条件下における吸水率は、１重量％以下であることが好ましく、０．５重量％以下であることがより好ましい。シート状樹脂組成物２が上記のような吸水率を有することにより、シート状樹脂組成物２への水分の吸収が抑制され、半導体素子５の実装時のボイドの発生をより効率的に抑制することができる。なお、上記吸水率の下限は小さいほど好ましく、実質的に０重量％が好ましく、０重量％であることがより好ましい。
【００４７】
シート状樹脂組成物２の厚さ（複層の場合は総厚）は特に限定されないものの、シート状樹脂組成物２の強度や半導体素子５と被着体６との間の空間の充填性を考慮すると１０μｍ以上１００μｍ以下程度であってもよい。なお、シート状樹脂組成物２の厚さは、半導体素子５と被着体６との間のギャップや接続部材の高さを考慮して適宜設定すればよい。
【００４８】
シート状樹脂組成物２は、基材１により保護されていることが好ましい。基材１は、シート状樹脂組成物２の補強材であるともに、実用に供するまでシート状樹脂組成物２を保護する保護材としての機能を有している。基材１としては、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリエチレン、ポリプロピレンや、フッ素系剥離剤、長鎖アルキルアクリレート系剥離剤等の剥離剤により表面コートされたプラスチックフィルムや紙等も使用可能である。
【００４９】
＜シート状樹脂組成物の製造方法＞
本実施形態に係るシート状樹脂組成物の製造方法は、基材１上にシート状樹脂組成物２を形成する工程を有する。
【００５０】
前記基材１の製膜方法としては、例えばカレンダー製膜法、有機溶媒中でのキャスティング法、密閉系でのインフレーション押出法、Ｔダイ押出法、共押出し法、ドライラミネート法等が例示できる。基材１の材料は上記で示した材料を用いればよい。
【００５１】
前記基材を離型フィルムとして用いる場合、その作製方法は特に限定されず、例えば、上記基材におけるシート状樹脂組成物との貼り合わせ面に、シリコーン層等の離型コート層を形成して離型フィルムとすることができる。
【００５２】
前記シート状樹脂組成物２を形成する工程としては、例えば、基材１としての離型フィルム上にシート状樹脂組成物の構成材料である接着剤組成物溶液を塗工して塗布層を形成する工程を行い、その後、前記塗布層を乾燥させる工程を行う方法が挙げられる。
【００５３】
前記接着剤組成物溶液の塗工方法としては特に限定されず、例えば、コンマコート法、ファウンテン法、グラビア法などを用いて塗工する方法が挙げられる。塗工厚みとしては、塗布層を乾燥して最終的に得られるシート状樹脂組成物の厚さが上記に示した範囲内となる様に適宜設定すればよい。さらに、接着剤組成物溶液の粘度としては特に限定されず、２５℃において４００〜２５００ｍＰａ・ｓが好ましく、８００〜２０００ｍＰａ・ｓがより好ましい。
【００５４】
前記塗布層の乾燥は、一般的な加熱炉等へ投入することで行えばよく、その際、塗布層に乾燥風を吹き付けてもよい。
【００５５】
乾燥時間は接着剤組成物溶液の塗工厚みに応じて適宜設定され、通常は１〜５ｍｉｎ、好ましくは２〜４ｍｉｎの範囲内である。乾燥時間が１ｍｉｎ未満であると、残存する溶媒量が多く、これにより、後工程にてアウトガスやボイドの問題が発生する場合がある。その一方、５ｍｉｎを超えると、硬化反応が進行しすぎる結果、流動性や半導体ウェハのバンプの埋まり込み性が低下する場合がある。
【００５６】
乾燥温度は特に限定されず、通常は７０〜１６０℃の範囲内で設定される。但し、本発明においては、乾燥時間の経過と共に、乾燥温度を段階的に上昇させて行うことが好ましい。具体的には、例えば乾燥初期（乾燥直後から１ｍｉｎ以下）では７０℃〜１００℃の範囲内で設定され、乾燥後期（１ｍｉｎを超えて５ｍｉｎ以下）では１００〜１６０℃の範囲内で設定される。これにより、塗工直後に乾燥温度を急激に上昇させた場合に生じる塗布層表面のピンホールの発生を防止することができる。
【００５７】
さらに上記離型フィルムをシート状樹脂組成物のもう一方の面に貼り合わせ、これをシート状樹脂組成物の保護フィルムとして使用し、半導体ウェハ等との貼り合わせの際に剥離してもよい。これにより、本実施形態に係るシート状樹脂組成物を製造することができる。
【００５８】
＜半導体装置の製造方法＞
本実施形態の半導体装置の製造方法は、半導体素子又は被着体の一方に貼り合わされた上記シート状樹脂組成物の露出面及び半導体素子又は被着体の他方に対して垂直入射光をそれぞれ照射し、前記半導体素子と前記被着体との相対位置を互いの接続予定位置に整合させる位置整合工程、及び上記被着体と上記半導体素子の間の空間をシート状樹脂組成物で充填しつつ上記接続部材を介して上記半導体素子と上記被着体とを電気的に接続する工程を含む。また、位置整合工程の代表的な前工程として、基材上に積層されたシート状樹脂組成物を準備する工程、半導体ウェハの接続部材が形成された回路面と上記シート状樹脂組成物とを貼り合わせる貼り合わせ工程、上記シート状樹脂組成物とともに上記半導体ウェハをダイシングして上記シート状樹脂組成物付きの半導体素子を形成するダイシング工程、及び上記シート状樹脂組成物付きの半導体素子を基材から剥離するピックアップ工程が挙げられる。従って、本実施形態の位置整合工程では、半導体素子に貼り合わされた上記シート状樹脂組成物の露出面及び被着体に対して垂直入射光をそれぞれ照射することになる。以下、これらの前工程及び位置整合工程以降の工程を説明する。
【００５９】
［貼り合わせ工程］
貼り合わせ工程では、半導体ウェハ３の接続部材４が形成された面３ａと上記シート状樹脂組成物２とを貼り合わせる（図２Ａ参照）。
【００６０】
（半導体ウェハ）
半導体ウェハ３としては、一方の面３ａに複数の接続部材４が形成されていてもよく（図２Ａ参照）、半導体ウェハ３の両面３ａ、３ｂに接続部材が形成されていてもよい（図示せず）。バンプや導電材等の接続部材の材質としては、特に限定されず、例えば、錫−鉛系金属材、錫−銀系金属材、錫−銀−銅系金属材、錫−亜鉛系金属材、錫−亜鉛−ビスマス系金属材等の半田類（合金）や、金系金属材、銅系金属材などが挙げられる。接続部材の高さも用途に応じて定められ、一般的には１５〜１００μｍ程度である。もちろん、半導体ウェハ３における個々の接続部材の高さは同一でも異なっていてもよい。
【００６１】
半導体ウェハの両面に接続部材が形成されている場合、接続部材同士は電気的に接続されていてもよく、接続されていなくてもよい。接続部材同士の電気的接続には、ＴＳＶ形式と呼ばれるビアを介しての接続等が挙げられる。
【００６２】
本実施形態に係る半導体装置の製造方法において、シート状樹脂組成物の厚さとしては、半導体ウェハ表面に形成された接続部材の高さＸ（μｍ）と前記シート状樹脂組成物の厚さＹ（μｍ）とが、下記の関係を満たすことが好ましい。
０．５≦Ｙ／Ｘ≦２
【００６３】
前記接続部材の高さＸ（μｍ）と前記シート状樹脂組成物の厚さＹ（μｍ）とが上記関係を満たすことにより、半導体素子と被着体との間の空間を十分に充填することができると共に、当該空間からのシート状樹脂組成物の過剰のはみ出しを防止することができ、シート状樹脂組成物による半導体素子の汚染等を防止することができる。なお、各接続部材の高さが異なる場合は、最も高い接続部材の高さを基準とする。
【００６４】
（貼り合わせ）
まず、シート状樹脂組成物２上に任意に設けられたセパレータを適宜に剥離し、図２Ａに示すように、前記半導体ウェハ３の接続部材４が形成された面（接続部材形成面）３ａとシート状樹脂組成物２とを対向させ、前記シート状樹脂組成物２と前記半導体ウェハ３とを貼り合わせる（マウント工程）。
【００６５】
貼り合わせの方法は特に限定されないが、圧着による方法が好ましい。圧着は通常、圧着ロール等の公知の押圧手段により、好ましくは０．１〜１ＭＰａ、より好ましくは０．３〜０．７ＭＰａの圧力を負荷して押圧しながら行われる。この際、４０〜１００℃程度に加熱しながら圧着させてもよい。また、密着性を高めるために、減圧下（１〜１０００Ｐａ）で圧着することも好ましい。
【００６６】
［ダイシング工程」
ダイシング工程では、図２Ｂに示すように半導体ウェハ３をダイシングしてシート状樹脂組成物付きの半導体素子５を形成する。ダイシング工程を経ることで、半導体ウェハ３を所定のサイズに切断して個片化（小片化）し、半導体素子（本実施形態では半導体チップ）５を製造する。ここで得られる半導体素子５は同形状に切断されたシート状樹脂組成物２と一体になっている。ダイシングは、半導体ウェハ３のシート状樹脂組成物２を貼り合わせた面３ａと反対側の面３ｂから常法に従い行われる。切断箇所の位置合わせは直射光もしくは間接光または赤外線（ＩＲ）を用いた画像認識により行うことができる。
【００６７】
本工程では、例えば、基材１まで切込みを行うフルカットと呼ばれる切断方式等を採用できる。本工程で用いるダイシング装置としては特に限定されず、従来公知のものを用いることができる。また、半導体ウェハは、シート状樹脂組成物により優れた密着性で接着固定されているので、チップ欠けやチップ飛びを抑制できると共に、半導体ウェハの破損も抑制できる。なお、シート状樹脂組成物がエポキシ樹脂を含む樹脂組成物により形成されていると、ダイシングにより切断されても、その切断面においてシート状樹脂組成物のシート状樹脂組成物の糊はみ出しが生じるのを抑制又は防止することができる。その結果、切断面同士が再付着（ブロッキング）することを抑制又は防止することができ、後述のピックアップを一層良好に行うことができる。
【００６８】
なお、ダイシング工程に続いて基材１とシート状樹脂組成物２との積層体のエキスパンドを行う場合、該エキスパンドは従来公知のエキスパンド装置を用いて行うことができる。エキスパンド装置は、ダイシングリングを介して積層体を下方へ押し下げることが可能なドーナッツ状の外リングと、外リングよりも径が小さく積層体を支持する内リングとを有している。このエキスパンド工程により、後述のピックアップ工程において、隣り合う半導体チップ同士が接触して破損するのを防ぐことが出来る。
【００６９】
［ピックアップ工程］
シート状樹脂組成物に接着固定された半導体素子５を回収するために、図２Ｃに示すように、シート状樹脂組成物２付きの半導体素子５のピックアップを行って、半導体素子５とシート状樹脂組成物２との積層体Ａを基材１より剥離する。
【００７０】
ピックアップの方法としては特に限定されず、従来公知の種々の方法を採用できる。例えば、個々の半導体素子を基材側からニードルによって突き上げ、突き上げられた半導体素子をピックアップ装置によってピックアップする方法等が挙げられる。なお、ピックアップされた半導体素子５は、面３ａに貼り合わされたシート状樹脂組成物２と一体となって積層体Ａを構成している。
【００７１】
［位置整合工程］
次に、位置整合工程では、図２Ｄに示すように、上記シート状樹脂組成物付きの半導体素子５のシート状樹脂組成物２の露出面２ａに対して垂直入射光Ｌ１ｉｎを照射するとともに、被着体６に対して垂直入射光Ｌ２ｉｎを照射して、上記半導体素子５と上記被着体６との相対位置を互いの接続予定位置に整合させる。これにより、半導体素子５及び被着体６の相対位置を高精度で検出することができ、半導体素子５と被着体６との接続予定位置への整合を簡便かつ効率的に行うことができる。
【００７２】
具体的には、半導体素子５の接続部材４が形成された面（半導体ウェハ３の回路面３ａに対応）が被着体６と対向するように、ピックアップした積層体Ａを被着体６の上方に配置する。次いで、撮像装置１３、撮像装置１３の半導体素子５側に配置された照明１１及び撮像装置１３の被着体６側に配置された照明１２を積層体Ａと被着体６との間に配置する。その後、照明１１から積層体Ａに向かってシート状樹脂組成物２の露出面２ａに対して垂直入射光Ｌ１ｉｎを照射する。また、照明１２から被着体６に対して垂直入射光Ｌ２ｉｎを照射する。シート状樹脂組成物２に進入し、半導体素子５で反射した反射光Ｌ１ｏｕｔを撮像装置１３で反射像として受け取るとともに、被着体６で反射した反射光Ｌ２ｏｕｔを撮像装置１３で反射像として受け取る。次に、受け取ったそれぞれの反射像を画像認識装置で解析し、予め決定されている接続予定位置とのズレを求め、最後に、求めたズレ量だけ積層体Ａ及び被着体の少なくとも一方を移動させて半導体素子５と被着体６との相対位置を接続予定位置に整合させる（図示せず）。
【００７３】
垂直入射光Ｌ１ｉｎ及びＬ２ｉｎ（合わせて、「垂直入射光Ｌｉｎ」ともいう。）、シート状樹脂組成物２の露出面２ａ及び被着体６の表面に対して実質的に垂直に入射される。本明細書において「実質的に垂直に入射される」とは、露出面２ａ及び被着体６の表面の法線と垂直入射光Ｌｉｎの進行方向に平行な軸とがなす角度がいずれも１０°以下であることをいう。なお、垂直入射光Ｌｉｎが放射光線（非平行光線）であると、垂直入射光Ｌｉｎの照射の起点とシート状樹脂組成物２の露出面２ａ及び被着体６の表面での到達点との関係によっては入射角にある程度の幅が生じる場合がある。その場合は、垂直入射光Ｌｉｎの光量が最大となる方向に平行な軸が露出面２ａ及び被着体６の表面に対して実質的に垂直に入射されればよい。
【００７４】
照明の光源としては特に限定されず、ハロゲンランプ、ＬＥＤ、蛍光灯、タングステンランプ、メタルハライドランプ、キセノンランプ、ブラックライト等が挙げられる。また、光源から照射される垂直入射光Ｌｉｎは、平行光線又は放射光線（非平行光線）のいずれであってもよいが、照射効率を考慮すると、平行光線が好ましい。ただし、垂直入射光Ｌｉｎを平行光線として照射するには物理的な限界があることから、実質的な平行光線（半値角が３０°以内）であればよい。また、垂直入射光Ｌｉｎは偏光であってもよい。
【００７５】
垂直入射光Ｌｉｎの波長としては、半導体素子５及び被着体６からの反射像が得られ、半導体素子５及び被着体６にダメージを与えない限り特に限定されないが、好ましくは３００〜９００ｎｍであり、より好ましくは４００〜８００ｎｍである。斜光の波長を上記範囲にすると、無機充填剤を含む一般的な材料で形成されたシート状樹脂組成物に対しても良好な透過性を示すので、位置検出をより容易に行うことができる。
【００７６】
また、垂直入射光照射による位置検出のための半導体素子及び被着体６における認識対象としては、図２Ｄでは半導体素子５に形成された接続部材（例えば、バンプ）４及び被着体６に形成された導電材７となっているが、これに限定されず、印字ないし刻印されたアライメント用マーク、端子、回路パターン等、任意のマーク又は構造物を認識対象とすることができる。
【００７７】
本実施形態では、垂直入射光のみならず斜入射光（斜光）を併用してもよい。照明１１及び１２の周囲にリング照明等の斜入射光照明を配置し、シート状樹脂組成物２の露出面２ａの法線に対して傾斜して光を照射することで斜入射光を照射することができる。
【００７８】
［実装工程］
実装工程では、被着体と半導体素子の間の空間をシート状樹脂組成物で充填しつつ接続部材を介して半導体素子と被着体とを電気的に接続する（図２Ｅ参照）。具体的には、積層体Ａの半導体素子５を、半導体素子５の接続部材形成面３ａが被着体６と対向する形態で、被着体６に常法に従い固定させる。例えば、半導体素子５に形成されている接続部材（本実施形態ではバンプ）４を、被着体６の接続パッドに被着された接合用の導電材７（半田など）に接触させて押圧しながら導電材を溶融させることにより、半導体素子５と被着体６との電気的接続を確保し、半導体素子５を被着体６に固定させることができる。半導体素子５の接続部材形成面３ａにはシート状樹脂組成物２が貼り付けられているので、半導体素子５と被着体６との電気的接続と同時に、半導体素子５と被着体６との間の空間がシート状樹脂組成物２により充填されることになる。
【００７９】
一般的に、実装工程における加熱条件としては１００〜３００℃であり、加圧条件としては０．５〜５００Ｎである。また、実装工程での熱圧着処理を多段階で行ってもよい。例えば、１５０℃、１００Ｎで１０秒間処理した後、３００℃、１００〜２００Ｎで１０秒間処理するという手順を採用することができる。多段階で熱圧着処理を行うことにより、接続部材とパッド間の樹脂を効率よく除去し、より良好な金属間接合を得ることが出来る。
【００８０】
被着体６としては、リードフレームや回路基板（配線回路基板など）等の各種基板、他の半導体素子を用いることができる。基板の材質としては、特に限定されるものではないが、セラミック基板や、プラスチック基板が挙げられる。プラスチック基板としては、例えば、エポキシ基板、ビスマレイミドトリアジン基板、ポリイミド基板、ガラスエポキシ基板等が挙げられる。
【００８１】
なお、実装工程では、接続部材及び導電材の一方又は両方を溶融させて、半導体素子５の接続部材形成面３ａの接続部材４と、被着体６の表面の導電材７とを接続させているが、この接続部材４及び導電材７の溶融時の温度としては、通常、２６０℃程度（例えば、２５０℃〜３００℃）となっている。本実施形態では、シート状樹脂組成物２をエポキシ樹脂等により形成することにより、この実装工程における高温にも耐えられる耐熱性を有するものとすることができる。なお、バンプ等の接続部材の融点の測定は、ＤＳＣ（Ｄｉｆｆｅｒｅｎｔｉａｌ  Ｓｃａｎｎｉｎｇ  Ｃａｌｏｒｉｍｅｔｅｒ）を用いて、接続部材と同じ組成の金属１０ｍｇを５℃／ｍｉｎの加温過程で測定することにより行うことができる。
【００８２】
［シート状樹脂組成物硬化工程］
半導体素子５と被着体６との電気的接続を行った後は、シート状樹脂組成物２を加熱により硬化させる。これにより、半導体素子５の表面を保護することができるとともに、半導体素子５と被着体６との間の接続信頼性を確保することができる。シート状樹脂組成物の硬化のための加熱温度としては特に限定されず、１５０〜２５０℃程度であればよい。なお、実装工程における加熱処理によりシート状樹脂組成物が硬化する場合、本工程は省略することができる。
【００８３】
［封止工程］
次に、実装された半導体素子５を備える半導体装置２０全体を保護するために封止工程を行ってもよい。封止工程は、封止樹脂を用いて行われる。このときの封止条件としては特に限定されないが、通常、１７５℃で６０秒間〜９０秒間の加熱を行うことにより、封止樹脂の熱硬化が行われるが、本発明はこれに限定されず、例えば１６５℃〜１８５℃で、数分間キュアすることができる。
【００８４】
前記封止樹脂としては、絶縁性を有する樹脂（絶縁樹脂）であれば特に制限されず、公知の封止樹脂等の封止材から適宜選択して用いることができるが、弾性を有する絶縁樹脂がより好ましい。封止樹脂としては、例えば、エポキシ樹脂を含む樹脂組成物等が挙げられる。エポキシ樹脂としては、前記に例示のエポキシ樹脂等が挙げられる。また、エポキシ樹脂を含む樹脂組成物による封止樹脂としては、樹脂成分として、エポキシ樹脂以外に、エポキシ樹脂以外の熱硬化性樹脂（フェノール樹脂など）や、熱可塑性樹脂などが含まれていてもよい。なお、フェノール樹脂としては、エポキシ樹脂の硬化剤としても利用することができ、このようなフェノール樹脂としては、前記に例示のフェノール樹脂などが挙げられる。
【００８５】
《第２実施形態》
第１実施形態では、基材上に積層されたシート状樹脂組成物をダイシングテープとして用いているのに対し、本実施形態では、シート状樹脂組成物と半導体ウェハとの貼り合わせ後、ダイシングテープを別途用意してダイシングを行う。具体的には、図２Ａに示すように、シート状樹脂組成物２と半導体ウェハ３の接続部材形成面３ａとを貼り合わせた後、半導体ウェハ３の接続部材形成面３ａとは反対側の面３ｂにダイシングテープ（図示せず）を貼り合わせ、次いで基材１を剥離し、露出したシート状樹脂組成物２側からダイシングを行うという手順である。ダイシングテープとしては市販品を好適に用いることができる。その後、位置整合工程以降の工程を行うことで、半導体装置を製造することができる。
【００８６】
《第３実施形態》
第１実施形態の位置整合工程では、半導体素子に貼り合わされたシート状樹脂組成物の露出面及び被着体に対して垂直入射光をそれぞれ照射するのに対し、本実施形態では、被着体に貼り合わされた上記シート状樹脂組成物の露出面及び半導体素子に対して垂直入射光をそれぞれ照射する。従って、本実施形態では、シート状樹脂組成物を貼り合わせた被着体を予め準備しておき、これに別途半導体ウェハのダイシングにより作製した半導体素子を実装することになる。この場合でも、所定の特性を備えるシート状樹脂組成物を用いているので、シート状樹脂組成物が貼り合わされた被着体と半導体素子との位置整合を垂直入射光の照射により精度良く行うことができる。
【００８７】
《その他の実施形態》
第１実施形態では、補強材としての基材にシート状樹脂組成物が積層された積層構造を採用しているのに対し、本実施形態では、ダイシングテープ又は裏面研削用テープにシート状樹脂組成物が積層された積層構造を採用している。ダイシングテープ又は裏面研削用テープは、基材とこの基材上に設けられた粘着剤層とを備えている。シート状樹脂組成物は、ダイシングテープ又は裏面研削用テープの粘着剤層上に積層される。これにより、半導体ウェハへのシート状樹脂組成物の貼り合わせと、半導体ウェハの裏面研削やダイシングを一連の流れの中で行うことができ、製造プロセスの効率化を図ることができる。ダイシングテープや裏面研削用テープは市販品を好適に用いることができる。
【実施例】
【００８８】
以下に、この発明の好適な実施例を例示的に詳しく説明する。但し、この実施例に記載されている材料や配合量等は、特に限定的な記載がない限りは、この発明の範囲をそれらのみに限定する趣旨のものではない。また、部とあるのは、重量部を意味する。
【００８９】
＜実施例１〜３及び比較例１〜３＞
（シート状樹脂組成物の作製）
以下の成分を表１に示す割合でメチルエチルケトンに溶解して、固形分濃度が２３．６〜６０．６重量％となる接着剤組成物の溶液を調製した。
【００９０】
フィラー１：球状シリカ（商品名「ＹＡ０５０Ｃ−ＭＪＩ」、株式会社アドマテックス製、平均粒径０．０５μｍ（５０ｎｍ））
フィラー２：球状シリカ（商品名「ＹＶ１８０Ｃ−ＭＪＪ」、株式会社アドマテックス製、平均粒径０．１８μｍ（１８０ｎｍ））
フィラー３：球状シリカ（商品名「ＳＣ１０５０−ＭＢ」、株式会社アドマテックス製、平均粒径０．３μｍ（３００ｎｍ））
フィラー４：球状シリカ（商品名「ＳＯ−２５Ｒ」、株式会社アドマテックス製、平均粒径０．５μｍ（５００ｎｍ））
エラストマー：アクリル酸ブチルーアクリロニトリルを主成分とするアクリル酸エステル系ポリマー（商品名「ＳＧ−Ｐ３」、長瀬ケムテックス株式会社製）
エポキシ樹脂１：商品名「エピコート８２８」、ＪＥＲ株式会社製
エポキシ樹脂２：商品名「エピコート１００４」、ＪＥＲ株式会社製
フェノール樹脂：商品名「ＭＥＨ−７８５１Ｈ」、明和化成株式会社製
硬化剤：イミダゾール触媒（商品名「２ＰＨＺ−ＰＷ」、四国化成株式会社製）
【００９１】
【表１】
2015220237.tif 000003
【００９２】
調製した接着剤組成物の溶液を、剥離ライナ（セパレータ）としてシリコーン離型処理した厚さが５０μｍのポリエチレンテレフタレートフィルムからなる離型処理フィルム上に塗布した後、１３０℃で２分間乾燥させることにより、厚さ４５μｍのシート状樹脂組成物をそれぞれ作製した。
【００９３】
［評価］
作製したシート状樹脂組成物を用いて、以下の項目について評価した。それぞれの評価結果を表２に示す。
【００９４】
（シート状樹脂組成物のヘイズ及び平行透過率の測定）
シート状樹脂組成物のヘイズ及び平行透過率は、濁度計ＮＤＨ２０００（日本電色工業社製）を用いて測定した。測定は、ＪＩＳ  Ｋ  ７３６１に従い行った。
【００９５】
（シート状樹脂組成物の波長５８０ｎｍでの透過率の測定）
シート状樹脂組成物の平行透過率は、分光光度計Ｖ−６７０（日本分光社製）を用いて測定した。測定は、ＪＩＳ  Ｋ  ７３６１に従い行った。
【００９６】
（アライメント評価）
（株）ウォルツのテストビークル（厚さ７２５μｍのウェハに、高さ４０μｍのバンプが形成されたもの）に、厚さ４０μｍのシート状樹脂組成物を貼り付け、サンプルＡとした。貼付条件は、真空度：１００Ｐａの条件下において、温度：８０℃、貼り付け圧力：０．５ＭＰａとした。次いで、ダイシングテープによる固定下、サンプルＡをダイシングし、シート状樹脂組成物付きの半導体チップを作製してサンプルＢとした。
【００９７】
次に、電極を有する実装用基板（電極の高さ：１５μｍ）にサンプルＢを実装した。実装は、東レエンジニアリング社のフリップチップボンダー（ＦＣ３０００Ｗ）を用いて行った。ピックアップしたサンプルＢのシート状樹脂組成物の露出面に対して垂直入射光を照射して実装位置のアライメントを行った。実装条件は、荷重：０．５ＭＰａの条件下、２００℃で１０秒間保持した後、２６０℃で１０秒保持するというものであった。このアライメントの際、上記フリップチップボンダーのスコア（認識対象の認識の度合いを数値化したもの）を７０００以上（Ｍａｘ：１００００（シート状樹脂組成物を貼り合わせていないｒｅｆｅｒｅｎｃｅに相当））とし、実装精度（半導体チップのバンプと実装用基板の電極との距離）が１０μｍ以下であった場合を「○」、１０μｍを超えた場合を「×」として評価した。
【００９８】
【表２】
2015220237.tif 000004
【００９９】
表２から分かるように、実施例では、シート状樹脂組成物の各光学特性が良好であり、アライメント評価でも問題なかった。一方、比較例ではシート状樹脂組成物の各光学特性が不十分であり、アライメント評価ではいずれも所定の実装精度は得られなかった。
【符号の説明】
【０１００】
１    基材
２    シート状樹脂組成物
３    半導体ウェハ
３ａ  半導体ウェハの接続部材が形成された面
３ｂ  半導体ウェハの接続部材が形成された面とは反対側の面
４    接続部材（バンプ）
５    半導体素子（半導体チップ）
６    被着体
７    導通材
２０    半導体装置
【図１】
2015220237.tif 000005
【図２Ａ】
2015220237.tif 000006
【図２Ｂ】
2015220237.tif 000007
【図２Ｃ】
2015220237.tif 000008
【図２Ｄ】
2015220237.tif 000009
【図２Ｅ】
2015220237.tif 000010