(57)【要約】【課題】より簡便に、より確実にはんだボールを仮固定でき、歩留まり、高さ精度を向上させたはんだバンプを形成する。【解決手段】はんだ粉末とフラックスとを含有し、はんだ粉末の平均粒径が０．１μｍ〜１０μｍで、フラックスの混合量が７５体積％〜９３体積％であるはんだペースト１４を基板１の電極２の上に塗布するとともに、そのはんだペースト１４の上にはんだボール１５を搭載して仮固定した後、これらはんだペースト１４及びはんだボール１５をリフロー処理してはんだバンプ３を形成する。【選択図】      図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板の電極の上にはんだペーストを塗布するとともに、そのはんだペーストの上にはんだボールを搭載して仮固定した後、これらはんだペースト及びはんだボールをリフロー処理することを特徴とするはんだバンプ形成方法。
【請求項２】
前記はんだペースト中に含まれるはんだ粉末は、平均粒径が０．１μｍ〜１０μｍであることを特徴とする請求項１記載のはんだバンプ形成方法。
【請求項３】
前記はんだペースト中のフラックスの混合量は７５体積％〜９３体積％であることを特徴とする請求項１又は２記載のはんだバンプ形成方法。
【請求項４】
はんだ粉末とフラックスとを含有し、前記はんだ粉末の平均粒径が０．１μｍ〜１０μｍであり、前記フラックスの混合量が７５体積％〜９３体積％であることを特徴とするはんだボール固定用はんだペースト。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体デバイスをフリップチップ実装等により基板に接続するために、はんだボールを用いてはんだバンプを形成する方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、ネットワーク情報社会の急速な進展に伴い、半導体デバイスの高機能・小型化に対応した高密度実装としてフリップチップ実装が普及している。このフリップチップ実装において半導体デバイスを接続するためにウエハやインターポーザーに設けられるはんだバンプを、はんだボールを用いて形成する方法がある。はんだボールは小球状のはんだであり、ウエハやインターポーザーの電極上に搭載して用いられる。
一般に、ウエハとインターポーザーとの間はインナーバンプと称され、フリップチップ実装される。一方、インターポーザーとマザーボード基板との間はアウターバンプと称され、インナーバンプより大きなはんだボールを用いてバンプ形成し、マザーボードと接合される。
インナーバンプとして、ウエハやインターポーザーにはんだボールを搭載する際には、まず、はんだボールを仮固定するためのフラックスを電極上に印刷し、その後、はんだボールを搭載する。そして、窒素雰囲気中のリフロー炉で溶融されバンプとなる。しかしながら、フラックスがリフロー処理時に軟化し流動するため、搭載したはんだボールも流動し、電極上から転げ落ちてバンプが形成されず、特に狭ピッチでは隣同士のボールが溶融結合するおそれがあり、はんだバンプの高さばらつきの原因になることがあった。
【０００３】
特許文献１には、電極表面の酸化防止及びはんだボールの濡れ性向上等のため、電極の上にプリコート用はんだペーストを印刷等で塗ってリフロー処理することにより、電極の上に薄く均一で平滑性に優れるプリコートを形成し、そのプリコートの上にはんだボールを搭載してリフロー処理することが開示されている。
これによれば、プリコートが電極に対して高い濡れ性を発揮するので、はんだボールのリフロー処理時には、プリコートのはんだとボールのはんだとが互いに溶融して電極の上にはんだバンプを好適に形成することができる。また、平滑で均一なプリコートが形成されるので、リフロー処理時のはんだボールの流動も低減できると想定される。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２０１２−１７９６２６号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
特許文献１に記載のプリコート処理の手法は、従来より、主にアウターバンプ形成法として知られている。もちろん、インナーバンプ形成法としても用いられる技術ではある。ただし、はんだボールを用いた、より簡便な、より確実なインナーバンプ、アウターバンプ形成が求められていた。
【０００６】
本発明は、このような背景の下、フラックスを印刷してボールを搭載・固着する手法や特許文献１記載のプリコート処理を施してボールを搭載・接合する方法に代わり、より簡便かつ確実にはんだボールを仮固定でき、歩留まり、高さ精度を向上させたはんだバンプ（インナーバンプまたはアウターバンプ）を形成することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明のはんだバンプ形成方法は、基板の電極の上にはんだペーストを塗布するとともに、そのはんだペーストの上にはんだボールを搭載して仮固定した後、これらはんだペースト及びはんだボールをリフロー処理することを特徴とする。
【０００８】
すなわち、はんだボールをはんだペーストの粘着力によって電極上に仮固定するのであり、リフロー処理時には、従来技術のフラックスだけの場合と異なり、はんだ粉末が含まれるため、このはんだ粉末がはんだボールとともに溶融して一体化する。このため、はんだボールが転げ落ちることはない。なお、基板には前述したウエハ、インターポーザーのいずれをも含むものとする。
【０００９】
本発明のはんだバンプ形成方法において、前記はんだペースト中に含まれるはんだ粉末は、平均粒径が０．１μｍ〜１０μｍであるとよい。
平均粒径が大き過ぎると、電極上の塗布厚に高さばらつきが生じるおそれがあり、そのはんだペースト上に搭載したはんだボールに傾きが生じ易い。また、はんだ粉末の平均粒径が大きいと、ボイドも発生し易くなる。一方、平均粒径が小さ過ぎると、はんだ粉末の製造が困難になるとともに、リフロー処理時に溶融し難くなる。このような観点から、はんだ粉末の平均粒径は０．１μｍ〜１０μｍが好ましい。
【００１０】
本発明のはんだバンプ形成方法において、前記はんだペースト中のフラックスの混合量は７５体積％〜９３体積％であるとよい。
フラックスの量が多過ぎると、従来技術のフラックスだけの場合と同様の状態となって、はんだボールが転げ落ち易く、少な過ぎると、相対的にはんだ粉末の量が多くなることから、高さばらつきが生じるおそれがある。このような観点から、はんだペースト中のフラックス量は、７５体積％〜９３体積％が好ましい。
【００１１】
本発明のはんだボール固定用はんだペーストは、はんだ粉末とフラックスとを含有し、前記はんだ粉末の平均粒径が０．１μｍ〜１０μｍであり、前記フラックスの混合量が７５体積％〜９３体積％であることを特徴とする。
このようなはんだ粉末とフラックスとを含有したはんだペーストを用いることにより、はんだボールを簡便で確実に仮固定することができる。
【発明の効果】
【００１２】
本発明によれば、はんだペーストを塗布してはんだボールを搭載するという簡便な方法ではんだボールを仮固定でき、はんだボールの転げ落ちを防止して、確実にはんだバンプ（インナーバンプ、アウターバンプ）を形成でき、歩留まり、高さ精度を向上させることができる。
【図面の簡単な説明】
【００１３】
【図１】本発明の方法を適用してバンプ電極を形成する工程を順に示した断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１４】
以下、本発明の実施形態を図面を参照しながら説明する。ここでは、インナーバンプ向けインターポーザーに形成する場合を記載する。ここでは記載しないがインナーバンプ向けウエハ側に形成する場合、アウターバンプ向けも、大きな違いはなく、いずれにも本発明を適用することができる。
図１（ｄ）が本発明の方法を適用して形成したバンプ電極１０を示しており、基板１の電極パッド２の上にはんだバンプ３が形成されている。フリップチップ実装には多数のはんだバンプが形成されるが、図には１個のみ記載した。
基板１は、半導体パッケージ用有機基板の表面に回路層、絶縁層等が形成されたものであり、その表面に電極パッドが露出している。電極パッド２は、Ｓｎ又はＡｕ／Ｎｉ／Ｃｕなどのメタライズ層を使用することも可能であるが、Ｃｕ又は酸化防止膜をコートさせたＣｕを用いるのが好適である。
また、はんだバンプ３となるはんだボールやはんだボール固定用はんだペーストの材料としては、Ｓｎ−Ａｇ合金、Ｐｂ−Ｓｎ合金、Ｓｎ−Ｂｉ合金、Ｓｎ−Ｚｎ合金、Ｓｎ−Ｓｂ合金、Ｓｎ−Ｃｕ合金、Ｓｎ−Ａｇ−Ｃｕ合金等、Ｓｎと添加成分からなるＳｎ系合金が好適である。
【００１５】
次に、このように構成されたバンプ電極１０を基板１の上に製造する方法について図１に示す工程順に説明する。
（レジスト層形成工程）
予め、基板１の上にレジスト層１１を形成し、このレジスト層１１に露光、現像処理を施すことにより、各電極パッド２の上面を露出させた状態に開口部１２を形成する。このレジスト層１１の厚さは、例えば１５μｍ〜２０μｍとされ、開口部１２の内径は、得られるはんだバンプ３の外径に対応して設定される。
【００１６】
（はんだペースト塗布工程）
次に、基板１のレジスト層１１の上から、図１（ｂ）に示すように、厚み１０μｍ〜３０μｍのステンシルマスク１３でレジスト層１１を覆いながらスクリーン印刷によりはんだペースト１４を塗布して、レジスト層１１の開口部１２内に充填する。
このはんだペースト１４は、はんだ粉末とフラックスとを含有し、粘着性を有する。はんだ粉末は、アトマイズ法等によって製造され、その材料としては前述した合金の中から選択できるが、後述するはんだボールと同じ材料によって構成される。その平均粒径は、０．１μｍ〜１０μｍとされる。また、フラックスとしては、ロジン等の樹脂分、活性剤、チクソ剤、溶剤を含有しており、ハロゲンフリータイプ、活性（ＲＡ）タイプ、弱活性（ＲＭＡ）タイプ、水溶性タイプ等のものを用いることができる。
はんだ粉末とフラックスとの混合比率は、フラックスが７５体積％〜９３体積％となるように設定される。
【００１７】
つまり、このはんだペーストは、通常のはんだバンプ形成用のはんだペーストに用いられているはんだ粉末とは異なり、平均粒径が小さく、また、フラックス混合比率も大きい設定とされる。
開口部１２内を埋めるようにはんだペースト１４を塗布した後、ステンシルマスク１３を除去すると、ステンシルマスク１３の厚さの分、レジスト層１１の開口部１２から上方にわずかに突出した状態にはんだペースト１４が塗布される。このはんだペースト１４の塗布量としては、塗布厚として５μｍ〜３０μｍとするのが望ましい。
【００１８】
（はんだボール搭載工程）
はんだペースト１４が乾燥しないうちに、はんだペースト１４の上にはんだボール搭載機（図示略）を用いてはんだボール１５を搭載する。前述したように、基板１上のレジスト層１１には複数の開口部１２が形成されており、各開口部１２にはんだボール１５が搭載される。
このはんだボール１５は、バンプ間ピッチにもよるが、例えば、ボール径が７０μｍ〜９０μｍのものを用いる。
【００１９】
このはんだボール１５をはんだペースト１４の上に搭載すると、その重量により、図１（ｃ）に示すようにはんだボール１５の一部がはんだペースト１４内に沈み込んだ状態となる。はんだペースト１４は、粘着性を有しているので、はんだボール１５の下面にはんだペースト１４が粘着して、はんだペースト１４の上にはんだボール１５が仮固定される。
【００２０】
（リフロー処理工程）
次に、はんだペースト１４及びはんだボール１５を加熱して溶融させるリフロー処理を行う。このリフロー処理としては、窒素雰囲気あるいは低酸素雰囲気または還元雰囲気中ではんだボールおよびはんだペーストに用いられているはんだの融点（液相線温度）より３０℃〜５０℃高い温度にて加熱する。
このリフロー処理においては、はんだペースト１４に含まれるフラックスが、はんだペースト１４中のはんだ粉末及びはんだボール１５表面の酸化膜や汚れを除去し、その後に溶融されるはんだ粉末やはんだボール１５は電極に濡れ、バンプを形成する。
【００２１】
このリフロー処理により、図１（ｄ）に示すように、基板１の電極パッド２の上にはんだバンプ３を形成したバンプ電極１０が形成される。
なお、このリフロー処理工程において、リフロー処理温度（はんだの融点（液相線温度）＋３０℃〜５０℃）に至る昇温を二段階以上の温度プロファイルとなるように加熱してもよく、はんだ溶融温度に到達するまでの間に、はんだ溶融温度より低い温度で所定時間保持する予熱処理を伴うものも含むものとする。
【００２２】
このようにして、はんだペーストの粘着力を利用してはんだボールを仮固定しているので、安定してはんだボールを搭載することができ、リフロー処理時にも、フラックスだけの場合と異なり、はんだペースト中のはんだ粉末が溶融してはんだボールと一体化するので、はんだボールが転げ落ちることはない。
この場合、はんだペースト中のはんだ粉末の平均粒径が０．１μｍ〜１０μｍと小さいので、はんだペーストを塗布したときの厚さにばらつきが生じることが少なく、ボイドの発生も防止できる。また、フラックス混合比率が大きいので、同様に、塗布厚さのばらつきが生じることが少ない。
【００２３】
したがって、リフロー処理により得られるはんだバンプの高さばらつきを小さくすることができ、高密度実装に有利である。
【実施例】
【００２４】
はんだボール及びボール固定用はんだペーストのはんだ種は同じものを使用した。はんだ合金としてＳｎ−３．０質量％Ａｇ−０．５質量％Ｃｕ（略してＳＡＣ３０５とする）、Ｓｎ−０．７質量％Ｃｕ、Ｐｂ−６３質量％Ｓｎを用い、表に示す平均粒径、フラックス混合比率のはんだペーストを作製し、厚さ２０μｍのレジスト層に直径７５μｍの開口部を２０００個形成し、これら開口部内にはんだペーストを塗布した後、直径９０μｍのボール固定用はんだペーストと同一の組成からなるはんだボールを搭載した。
【００２５】
そして、窒素雰囲気下ではんだの融点より３０℃高い温度で６０秒間のリフロー処理工程を経た後、はんだボールが転げ落ちたか否かを確認するとともに、はんだバンプの高さばらつきを測定した。
はんだボールが転げ落ちたものをミッシングといい、このミッシングが５個以上生じていたものを×とし、１〜４個生じていたものを△とし、ミッシングが生じていなかったものを○とした。
はんだバンプの高さばらつきは、各はんだバンプの高さを測定して、その標準偏差σを求め、３σが１０μｍ未満のものを◎、１０μｍ以上１５μｍ未満のもので、若干のばらつきは認められるものを〇、１５μｍ以上であったものを△とした。
これらの結果を表１に示す。
【００２６】
【表１】
2015220396.tif 000003
【００２７】
この表に示されるように、はんだペーストにはんだボールを搭載してリフロー処理することにより、転げ落ちの発生を防止することができる。また、はんだ粉末の平均粒径とフラックス混合量を調整することで、より一層、転げ落ちを抑制することができ、高さばらつきも抑制できる。
【００２８】
なお、本発明は上記実施形態に限定されるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲において種々の変更を加えることが可能である。
【符号の説明】
【００２９】
１…基板
２…電極パッド
３…はんだバンプ
１０…バンプ電極
１１…レジスト層
１２…開口部
１３…ステンシルマスク
１４…はんだペースト
１５…はんだボール
【図１】
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