(57)【要約】      （修正有）【課題】複数の素子基板に対して効率よく電流を流す処理を実施でき、また、歩留りを向上できる有機エレクトロルミネッセンス装置の製造方法及び有機エレクトロルミネッセンス装置を提供する。【解決手段】陽極と陰極との間に発光層を挟んだ発光素子が１または複数設けられた素子基板２０Ａを備える有機ＥＬ装置の製造方法であって、基板２０上に、素子基板２０Ａを形成する２以上の素子基板形成領域Ｋを設定し、２以上の素子基板形成領域Ｋ間を電気的に接続する接続部２０１を形成する工程と、接続部２０１を覆うように第２封止膜２０４を形成する工程と、基板２０を接続部２０１ごと切断し、２以上の素子基板形成領域Ｋを分断する工程と、接続部２０１の切断面に、非導電性膜を形成する工程と、を有する、有機エレクトロルミネッセンス装置の製造方法。【選択図】図５
2015197995.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
陽極と陰極との間に有機発光層を挟んだ発光素子が１または複数設けられた素子基板を
備える有機エレクトロルミネッセンス装置の製造方法であって、
基板上に、前記素子基板を形成する２以上の素子基板形成領域を設定し、前記２以上の
素子基板形成領域のそれぞれに前記陽極を形成する第１工程と、
前記陽極上に、前記有機発光層を形成する第２工程と、
前記有機発光層上に、前記陰極を形成する第３工程と、
前記２以上の素子基板形成領域間を電気的に接続する接続部を形成する第４工程と、
前記陰極を覆うように第１封止膜を形成する第５工程と、
前記接続部を覆うように第２封止膜を形成する第６工程と、
前記基板を前記接続部ごと切断し、前記２以上の素子基板形成領域を分断する第７工程
と、
前記接続部の切断面に、非導電性膜を形成する第８工程と、を有する、有機エレクトロ
ルミネッセンス装置の製造方法。
【請求項２】
前記第３工程と前記第４工程とを同時に行う、請求項１に記載の有機エレクトロルミネ
ッセンス装置の製造方法。
【請求項３】
前記第５工程と前記第６工程とを同時に行う、請求項１または２に記載の有機エレクト
ロルミネッセンス装置の製造方法。
【請求項４】
前記基板は、導電性を有する、請求項１〜３のいずれか一項に記載の有機エレクトロル
ミネッセンス装置の製造方法。
【請求項５】
前記接続部は、主成分として、アルカリ金属若しくはアルカリ土類金属を含む、請求項
１〜４のいずれか一項に記載の有機エレクトロルミネッセンス装置の製造方法。
【請求項６】
前記第１封止膜は、第１無機層と、有機層と、第２無機層とを積層して形成する、請求
項１〜５のいずれか一項に記載の有機エレクトロルミネッセンス装置の製造方法。
【請求項７】
前記第２封止膜は、前記第１無機層及び前記第２無機層の少なくともいずれか一方で形
成する、請求項６に記載の有機エレクトロルミネッセンス装置の製造方法。
【請求項８】
前記接続部は、実装端子と電気的に接続するように形成し、
前記第２封止膜は、前記実装端子に対して所定の間隔をあけて形成する、請求項１〜７
のいずれか一項に記載の有機エレクトロルミネッセンス装置の製造方法。
【請求項９】
請求項１〜８のいずれか一項に記載の有機エレクトロルミネッセンス装置の製造方法で
製造された有機エレクトロルミネッセンス装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、有機エレクトロルミネッセンス装置の製造方法及び有機エレクトロルミネッ
センス装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、情報機器の多様化等に伴い、消費電力が少なく軽量化された平面表示装置のニー
ズが高まっている。この様な平面表示装置の一つとして、有機発光層を備えた有機エレク
トロルミネッセンス装置（以下「有機ＥＬ装置」と称する場合がある）が知られている。
このような有機ＥＬ装置は、陽極と陰極との間に有機発光層を挟んだ発光素子が１または
複数設けられた素子基板を備える構成が一般的である。さらに、正孔注入性や電子注入性
を向上させるために、陽極と有機発光層の間に正孔注入層を配置した構成や、有機発光層
と陰極の間に電子注入層を配置した構成が提案されている。
【０００３】
このような有機ＥＬ装置は、一般的に、ガラス基板上に、発光素子、及び、該発光素子
の発光タイミングを制御するスイッチング素子を含む画素回路等を形成した後に、封止板
を取り付ける。その後、基板上に形成された各種半導体層等の界面の安定化を図るために
熱アニールを行い、続いて、各発光素子の初期劣化の影響を取り除くために各発光素子を
高輝度で発光させてバーンイン処理を施す。その後、別途、データ信号を出力するデータ
信号出力手段を実装したフレキシブルプリント回路基板を素子基板に接続し、さらに、赤
、緑及び青色の光を出射する各種発光素子の発光輝度のバランスの調整を行い、この素子
基板を所定の装置に組み込んで出荷している（特許文献１参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００７−１２１９９０号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
ところで、有機ＥＬ装置では、効率的な製造を行うべく、１つの基板上に同時に２以上
の素子基板（チップ）を形成する。従来では、この複数の素子基板に対して、バーンイン
処理等の電流を流す処理を同時に実施する際に、複数の素子基板の間をプローブ等で電気
的に接続しており、作業時間と装置が多数必要となるという問題がある。
【０００６】
この問題を解決するために、基板上に予め接続配線をレイアウトしておき、複数の素子
基板をその接続配線で電気的に接続する方法が提案されている。しかしながら、複数の素
子基板は、バーンイン処理等の電流を流す処理後に分断する必要があり、基板を接続配線
ごと切断しなければならない。そうすると、外部に露出する接続配線の切断面を介して、
グランドとなる基板や他の近接する配線との間でショートが発生し、素子基板の動作不良
が生じて、歩留りが低下する場合がある。
【０００７】
本発明は、上記問題点に鑑みてなされたもので、複数の素子基板に対して効率よく電流
を流す処理を実施でき、また、歩留りを向上できる有機エレクトロルミネッセンス装置の
製造方法及び有機エレクトロルミネッセンス装置を提供することを目的としている。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
上記の課題を解決するために、本発明は、陽極と陰極との間に有機発光層を挟んだ発光
素子が１または複数設けられた素子基板を備える有機エレクトロルミネッセンス装置の製
造方法であって、基板上に、前記素子基板を形成する２以上の素子基板形成領域を設定し
、前記２以上の素子基板形成領域のそれぞれに前記陽極を形成する第１工程と、前記陽極
上に、前記有機発光層を形成する第２工程と、前記有機発光層上に、前記陰極を形成する
第３工程と、前記２以上の素子基板形成領域間を電気的に接続する接続部を形成する第４
工程と、前記陰極を覆うように第１封止膜を形成する第５工程と、前記接続部を覆うよう
に第２封止膜を形成する第６工程と、前記基板を前記接続部ごと切断し、前記２以上の素
子基板形成領域を分断する第７工程と、前記接続部の切断面に、非導電性膜を形成する第
８工程と、を有する、という手法を採用する。
このような手法を採用することによって、本発明では、基板上に、２以上の素子基板形
成領域を設定し、陽極と有機発光層と陰極とを積層して発光素子を形成し、その発光素子
を第１封止膜で覆って素子基板を形成しつつ、２以上の素子基板形成領域を電気的に接続
する接続部を形成し、その接続部を第２封止膜で覆う。これにより、本発明では、２以上
の素子基板を、接続部の酸化等により電気的に断線させることなく導通させ、この接続部
を介して２以上の素子基板に対して効率よく電流を流す処理を実施することができる。ま
た、本発明では、その後、基板を接続部ごと切断し、２以上の素子基板形成領域を分断し
、接続部の切断面に非導電性膜を形成する。これにより、本発明では、素子基板を個片化
した状態で、不要となった接続部の切断面の導通を無効化して、ショートの発生による動
作不良を防止できるため、歩留りを向上できる。
【０００９】
また、本発明においては、前記第３工程と前記第４工程とを同時に行う、という手法を
採用する。
このような手法を採用することによって、本発明では、陰極と接続部とを同時に形成す
るため、製造効率を向上できる。
【００１０】
また、本発明においては、前記第５工程と前記第６工程とを同時に行う、という手法を
採用する。
このような手法を採用することによって、本発明では、第１封止膜と第２封止膜を同時
に形成するため、製造効率を向上できる。
【００１１】
また、本発明においては、前記基板は、導電性を有する、という手法を採用する。
このような手法を採用することによって、本発明では、接続部の切断面に非導電性膜を
形成し、導電性を有する基板へのショートの発生を防止できる。
【００１２】
また、本発明においては、前記接続部は、主成分として、アルカリ金属若しくはアルカ
リ土類金属を含む、という手法を採用する。
このような手法を採用することによって、本発明では、接続部の切断面が空気に触れる
と、アルカリ金属やアルカリ土類金属は速やかに酸化膜等の非導電性膜に覆われるため、
接続部の切断面の導通を速やかに無効化することができる。
【００１３】
また、本発明においては、前記第１封止膜は、第１無機層と、有機層と、第２無機層と
を積層して形成する、という手法を採用する。
このような手法を採用することによって、本発明では、第１無機層と、有機層と、第２
無機層を積層して、陰極の第１封止膜を形成する。
【００１４】
また、本発明においては、前記第２封止膜は、前記第１無機層及び前記第２無機層の少
なくともいずれか一方で形成する、という手法を採用する。
このような手法を採用することによって、本発明では、陰極を覆う第１封止膜の２つの
無機層のうち少なくともいずれか一方で、接続部の第２封止膜を形成するため、製造効率
を向上できる。
【００１５】
また、本発明においては、前記接続部は、実装端子と電気的に接続するように形成し、
前記第２封止膜は、前記実装端子に対して所定の間隔をあけて形成する、という手法を採
用する。
このような手法を採用することによって、本発明では、第２封止膜を実装端子に対して
所定の間隔をあけて形成するため、接続部を第２封止膜で覆いつつ、実装端子は第２封止
膜で覆わないようにすることができる。
【００１６】
また、本発明においては、先に記載の有機エレクトロルミネッセンス装置の製造方法で
製造された有機エレクトロルミネッセンス装置を採用する。
【図面の簡単な説明】
【００１７】
【図１】本発明の実施形態における有機ＥＬ装置の配線構造を示す模式図である。
【図２】本発明の実施形態における有機ＥＬ装置の構成を模式的に示す平面図である。
【図３】本発明の実施形態における有機ＥＬ装置を模式的に示す断面図である。
【図４】本発明の実施形態における有機ＥＬ装置の製造方法の素子基板側の工程図である。
【図５】本発明の実施形態における有機ＥＬ装置の製造方法の一工程における素子基板側を示す平面図である。
【図６】本発明の実施形態における図５に示す素子基板側に形成された回路を示す図である。
【図７】本発明の実施形態における有機ＥＬ装置の製造方法の一工程における素子基板の切断面を示す図である。
【図８】本発明の第１実施形態における封止基板側の工程図である。
【図９】本発明の実施形態の一変形例における図５に示す素子基板側に形成された回路を示す図である。
【図１０】本発明の実施形態における有機ＥＬ装置を備えた電子機器の例について説明するための図である。
【発明を実施するための形態】
【００１８】
以下、本発明を詳しく説明する。
なお、この実施の形態は、本発明の一部の態様を示すものであり、本発明を限定するも
のではなく、本発明の技術的思想の範囲内で任意に変更可能である。また、以下に示す各
図においては、各層や各部材を図面上で認識可能な程度の大きさとするため、各層や各部
材ごとに縮尺を異ならせてある。
【００１９】
（有機ＥＬ装置）
まず、本実施形態の有機ＥＬ装置の構造を説明する。
図１は、本発明の実施形態における有機ＥＬ装置の配線構造を示す模式図であり、図１
において符号１は有機ＥＬ装置である。
【００２０】
この有機ＥＬ装置１は、スイッチング素子として薄膜トランジスター（Ｔｈｉｎ  Ｆｉ
ｌｍ  Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ、以下ＴＦＴと称する。）を用いたアクティブマトリクス方
式のもので、複数の走査線１０１と、各走査線１０１に対して直角に交差する方向に延び
る複数の信号線１０２と、各信号線１０２に並列に延びる複数の電源線１０３とからなる
配線構成を有し、走査線１０１と信号線１０２との各交点付近に画素回路Ｘを形成したも
のである。
【００２１】
信号線１０２には、シフトレジスタ、レベルシフタ、ビデオライン及びアナログスイッ
チを備えるデータ線駆動回路１００が接続されている。また、走査線１０１には、シフト
レジスタ及びレベルシフタを備える走査線駆動回路８０が接続されている。
【００２２】
さらに、画素回路Ｘの各々には、走査線１０１を介して走査信号がゲート電極に供給さ
れるスイッチング用ＴＦＴであるトランジスター１１２と、このトランジスター１１２を
介して信号線１０２から共有される画素信号を保持する保持容量１１３と、該保持容量１
１３によって保持された画素信号がゲート電極に供給される駆動用ＴＦＴであるトランジ
スター１２３と、このトランジスター１２３を介して電源線１０３に電気的に接続したと
きに該電源線１０３から駆動電流が流れ込む陽極１０と、該陽極１０と陰極１１との間に
挟み込まれた発光層１２（有機発光層）が設けられている。
【００２３】
この有機ＥＬ装置１によれば、走査線１０１が駆動されてスイッチング用ＴＦＴ１１２
がオン状態になると、そのときの信号線１０２の電位が保持容量１１３に保持され、該保
持容量１１３の状態に応じて、駆動用ＴＦＴ１２３のオン・オフ状態が決まる。そして、
駆動用ＴＦＴ１２３のチャネルを介して、電源線１０３から陽極１０に電流が流れ、さら
に発光層１２を介して陰極１１に電流が流れる。発光層１２は、これを流れる電流量に応
じて発光する。
【００２４】
次に、本実施形態の有機ＥＬ装置１の具体的な態様を、図２〜図４を参照して説明する
。ここで、図２は、本発明の実施形態における有機ＥＬ装置１の構成を模式的に示す平面
図である。図３は、本発明の実施形態における有機ＥＬ装置１を模式的に示す断面図であ
る。
【００２５】
まず、図２を参照し、有機ＥＬ装置１の構成を説明する。
図２は、基板２０上に形成された前述した各種配線，ＴＦＴ，各種回路によって、発光
層１２を発光させる素子基板２０Ａを示す図である。
有機ＥＬ装置の素子基板２０Ａは、中央部分の実表示領域４（図２中二点鎖線枠内）と
、実表示領域４の周囲に配置されたダミー領域５（一点鎖線および二点鎖線の間の領域）
とを備えている。また、素子基板２０Ａは、所定の装置に実装される際にハブ等が接続さ
れる実装端子７６を備えている。
【００２６】
図１に示す画素回路Ｘからは、赤（Ｒ）、緑（Ｇ）または青（Ｂ）のいずれかの光が取
り出され、図２に示す表示領域ＲＧＢが形成されている。実表示領域４においては、表示
領域ＲＧＢがマトリクス状に配置されている。また、表示領域ＲＧＢの各々は、紙面縦方
向において同一色で配列しており、いわゆるストライプ配置を構成している。そして、表
示領域ＲＧＢが一つのまとまりとなって、表示単位画素が構成されており、該表示単位画
素はＲＧＢの発光を混色させてフルカラー表示を行うようになっている。
【００２７】
実表示領域４の図２中両側であってダミー領域５の下層側には、走査線駆動回路８０、
８０が配置されている。また、実表示領域４の図２中上方側であってダミー領域５の下層
側には、検査回路９０が配置されている。この検査回路９０は、有機ＥＬ装置１の作動状
況を検査するための回路であって、例えば検査結果を外部に出力する検査端子９１（検査
情報出力手段）を備え、製造途中や出荷時における有機ＥＬ装置１の品質、欠陥の検査を
行うことができるように構成されている。
【００２８】
（断面構造）
次に、図３を参照して、有機ＥＬ装置１の断面構造を説明する。
本実施形態における有機ＥＬ装置１は、いわゆる「トップエミッション構造」の有機Ｅ
Ｌ装置である。トップエミッション構造は、光を素子基板側ではなく封止基板側から取り
出すため、素子基板に配置された各種回路の大きさに影響されず、発光面積を広く確保で
きる効果がある。そのため、電圧及び電流を抑えつつ輝度を確保することが可能であり、
発光素子の寿命を長く維持することができる。
この有機ＥＬ装置１は、陽極１０と陰極１１（一対の電極）の間に発光層１２（有機発
光層）を挟持した複数の発光素子２１及び発光素子２１を区切る画素隔壁１３を有する素
子基板２０Ａと、この素子基板２０Ａに対向配置された封止基板３１と、が設けられてい
る。
【００２９】
（素子基板）
図３に示すように、有機ＥＬ装置１は、前述した各種配線（例えば、ＴＦＴ等）が形成
された素子基板２０Ａ上に、窒化珪素等からなる無機絶縁層１４が被覆されている。また
、無機絶縁層１４にはコンタクトホール（不図示）が形成され、前述した陽極１０が駆動
用ＴＦＴ１２３に接続されている。無機絶縁層１４上にはアルミ合金等からなる金属反射
板１５が内装された平坦化層１６が形成されている。
この平坦化層１６上には、陽極１０と陰極１１が発光層１２を挟持して形成され発光素
子２１として構成しているものである。また、この発光素子２１を区分するように絶縁性
の画素隔壁１３が配置されている。
【００３０】
本実施形態において、陽極１０は、仕事関数が５ｅＶ以上の正孔注入層の高いＩＴＯ（
Ｉｎｄｉｕｍ  Ｔｈｉｎ  Ｏｘｉｄｅ:インジウム錫酸化物）等の金属酸化物導電膜が用
いられる。
なお、本実施形態においては、トップエミッション構造のため、陽極１０は必ずしも光
透過性を有する材料を用いる必要はなく、アルミ等からなる金属電極を用いてもよい。こ
の構成を採用した場合は、前述した金属反射板１５は設けなくてよい。
【００３１】
陰極１１を形成するための材料としては、本実施形態はトップエミッション構造である
ことから光透過性を有する材料である必要があり、したがって透明導電材料が用いられる
。透明導電材料としては、ＩＴＯが好適とされるが、これ以外にも、例えば酸化インジウ
ム・酸化亜鉛系アモルファス透明導電膜（Ｉｎｄｉｕｍ  Ｚｉｎｃ  Ｏｘｉｄｅ：ＩＺＯ
／アイ・ゼット・オー（登録商標））等を用いることができる。なお、本実施形態ではＩ
ＴＯを用いるものとする。
【００３２】
また、陰極１１は、電子注入効果の大きい（仕事関数が４ｅＶ以下）材料が好適に用い
られる。例えば、カルシウムやマグネシウム、ナトリウム、リチウム金属、又はこれらの
金属化合物である。金属化合物としては、フッ化カルシウム等の金属フッ化物や酸化リチ
ウム等の金属酸化物、アセチルアセトナトカルシウム等の有機金属錯体が該当する。また
、これらの材料だけでは、電気抵抗が大きく電極として機能しないため、発光部分を避け
るようにアルミニウムや金、銀、銅などの金属層をパターン形成したり、ＩＴＯや酸化錫
などの透明な金属酸化物導電層との積層体と組み合わせて用いてもよい。
なお、本実施形態では、フッ化リチウムとマグネシウム−銀合金、ＩＴＯの積層体を、
透明性が得られる膜厚に調整して用いるものとする。
【００３３】
発光層１２は、白色に発光する白色発光層を採用している。この白色発光層は、真空蒸
着プロセスを用いて素子基板２０Ａの全面に形成されている。白色発光材料としては、ス
チリルアミン系発光材料，アントラセン系ドーパミント（青色）、或いはスチリルアミン
系発光材料，ルブレン系ドーパミント（黄色）が用いられる。
なお、発光層１２の下層或いは上層に、トリアリールアミン（ＡＴＰ）多量体正孔注入
層、ＴＤＰ（トリフェニルジアミン）系正孔輸送層、アルミニウムキノリノール（Ａｌｑ
３）層（電子輸送層）を成膜することが好ましい。
【００３４】
また、素子基板２０Ａ上には、電極保護層１７（第１無機層）が形成され発光素子２１
及び画素隔壁１３を被覆している。
この電極保護層１７は、透明性や密着性、耐水性、ガスバリア性を考慮して珪素酸窒化
物などの珪素化合物で構成することが望ましい。また、電極保護層１７の膜厚は１００ｎ
ｍ以上が好ましく、画素隔壁１３を被覆することで発生する応力によるクラック発生を防
ぐため、膜厚の上限は２００ｎｍ以下に設定することが好ましい。
なお、本実施形態においては、電極保護層１７を単層で形成しているが、複数層で積層
してもよい。例えば、低弾性率の下層と高耐水性の上層とで電極保護層１７を構成しても
よい。
【００３５】
電極保護層１７上には、有機緩衝層１８（有機層）が形成され電極保護層１７を被覆し
ている。
この有機緩衝層１８は、画素隔壁１３の形状の影響により、凹凸状に形成された電極保
護層１７の凹凸部分を埋めるように配置され、さらに、その上面は略平坦に形成される。
有機緩衝層１８は、素子基板２０Ａの反りや体積膨張により発生する応力を緩和し、不安
定な形状の画素隔壁１３からの電極保護層１７の剥離を防止する機能を有する。また、有
機緩衝層１８の上面が略平坦化されるので、有機緩衝層１８上に形成される硬い被膜から
なる後述するガスバリア層１９（第２無機層）も平坦化される。したがって、応力が集中
する部位がなくなり、これにより、ガスバリア層１９でのクラックの発生を防止する。
【００３６】
有機緩衝層１８は、硬化前の原料主成分としては、減圧雰囲気下でスクリーン印刷法に
より形成するために、流動性に優れ、かつ溶媒や揮発成分の無い、全てが高分子骨格の原
料となる有機化合物材料である必要があり、好ましくはエポキシ基を有する分子量３００
０以下のエポキシモノマー／オリゴマーが用いられる（モノマーの定義：分子量１０００
以下、オリゴマーの定義：分子量１０００〜３０００）。例えば、ビスフェノールＡ型エ
ポキシオリゴマーやビスフェノールＦ型エポキシオリゴマー、フェノールノボラック型エ
ポキシオリゴマー、ポリエチレングリコールジグリシジルエーテル、アルキルグリシジル
エーテル、３，４-エポキシシクロヘキセニルメチル-３'，４'-エポキシシクロヘキセン
カルボキシレート、ε-カプロラクトン変性３，４-エポキシシクロヘキシルメチル３'，
４'-エポキシシクロヘキサンカルボキレートなどがあり、これらが単独もしくは複数組み
合わされて用いられる。
【００３７】
また、エポキシモノマー／オリゴマーと反応する硬化剤としては、電気絶縁性や接着性
に優れ、かつ硬度が高く強靭で耐熱性に優れる硬化被膜を形成するものが良く、透明性に
優れ、かつ硬化のばらつきの少ない付加重合型がよい。例えば、３−メチル−１，２，３
，６−テトラヒドロ無水フタル酸、メチル−３，６−エンドメチレン−１，２，３，６−
テトラヒドロ無水フタル酸、１，２，４，５−ベンゼンテトラカルボン酸二無水物、３，
３'，４，４'-ベンゾフェノンテトラカルボン酸二無水物などの酸無水物系硬化剤が好ま
しい。さらに、酸無水物の反応（開環）を促進する反応促進剤として１，６−ヘキサンジ
オールなど分子量が大きく揮発しにくいアルコール類やアミノフェノールなどのアミン化
合物を微量添加することで低温硬化しやすくなる。これらの硬化は６０〜１００℃の範囲
の加熱で行われ、その硬化被膜はエステル結合を持つ高分子となる。
また、硬化時間を短縮するためよく用いられるカチオン放出タイプの光重合開始剤を用
いてもよいが、硬化収縮が急激に進まないよう反応の遅いものが良く、また、塗布後の加
熱による粘度低下で平坦化を進めるように最終的には熱硬化を用いて硬化物を形成するも
のが好ましい。
【００３８】
さらに、電極保護層１７やガスバリア層１９との密着性を向上させるシランカップリン
グ剤や、イソシアネート化合物などの捕水剤、硬化時の収縮を防ぐ微粒子などの添加物を
混入しても良い。また、減圧雰囲気下で印刷形成するため、塗布した際に気泡が発生しに
くくするために、含水量は１００ｐｐｍ以下に調整しておく。
【００３９】
これらの原料毎の粘度は、１０００ｍＰａ・ｓ（室温：２５℃）以上が好ましい。塗布
直後に発光層１２へ浸透して、ダークスポットと呼ばれる非発光領域を発生させないため
である。また、これらの原料を混合した緩衝層形成材料の粘度としては、５００〜２００
００ｍＰａ・ｓ、特に２０００〜１００００ｍＰａ・ｓ（室温）が好ましい。
【００４０】
また、有機緩衝層１８の最適な膜厚としては、３〜１０μｍが好ましい。有機緩衝層１
８の膜厚が厚いほうが異物混入した場合等にガスバリア層１９の欠陥を防ぐが、有機緩衝
層１８を合わせた層厚が１０μｍを超えると、後述する着色層３７と発光層１２の距離が
広がり側面に逃げる光が増えるため光を取り出す効率が低下する。
また、硬化後の特性としては、有機緩衝層１８の弾性率が１〜１０ＧＰａであることが
好ましい。１０ＧＰａ以上では、画素隔壁１３上を平坦化した際の応力を吸収することが
できず、１ＧＰａ以下では耐摩耗性や耐熱性等が不足するためである。
【００４１】
有機緩衝層１８上には、有機緩衝層１８を被覆し、かつ電極保護層１７の終端部まで覆
うような広い範囲で、ガスバリア層１９が形成されている。
ガスバリア層１９は、酸素や水分が浸入するのを防止するためのもので、これにより酸
素や水分による発光素子２１の劣化等を抑えることができる。ガスバリア層１９は、透明
性、ガスバリア性、耐水性を考慮して、好ましくは窒素を含む珪素化合物、すなわち珪素
窒化物や珪素酸窒化物などによって形成される。
【００４２】
ガスバリア層１９の弾性率は、１００ＧＰａ以上、具体的には２００〜２５０ＧＰａ程
度が好ましい。また、ガスバリア層１９の膜厚は、２００〜６００ｎｍ程度が好ましい。
２００ｎｍ未満であると、異物に対する被覆性が不足し部分的に貫通孔が形成されてしま
い、ガスバリア性が損なわれてしまうおそれがあるからであり、６００ｎｍを越えると、
応力によるクラックが生じてしまうおそれがあるからである。
【００４３】
さらに、ガスバリア層１９としては、積層構造としてもよいし、その組成を不均一にし
て特にその酸素濃度が連続的に、あるいは非連続的に変化するような構成としてもよい。
なお、積層構造とした場合の膜厚は、第一ガスバリア層としては、２００〜４００ｎｍが
好ましく、２００ｎｍ未満では有機緩衝層１８の表面及び側面被覆が不足してしまう。異
物等の被覆性を向上させる第二ガスバリア層としては、２００〜８００ｎｍが好ましい。
総厚１０００ｎｍ以上を超えるとクラックの発生頻度が上がること及び経済的な面で好ま
しくない。
また、本実施形態では、有機ＥＬ装置１をトップエミッション構造としていることから
、ガスバリア層１９は光透過性を有する必要があり、したがってその材質や膜厚を適宜に
調整することにより、本実施形態では可視光領域における光線透過率を例えば８０％以上
にしている。
【００４４】
（封止基板）
さらに、ガスバリア層１９が形成された素子基板２０Ａに封止基板３１が対向配置され
ている。
この封止基板３１は、発光光を取り出す表示面を有するため、ガラスまたは透明プラス
チック（ポリエチレンテレフタレート、アクリル樹脂、ポリカーボネ―ト、ポリオレフィ
ン等）などの光透過性を有する材料で構成されている。
【００４５】
封止基板３１の下面には、着色層３７として赤色着色層３７Ｒ、緑色着色層３７Ｇ、青
色着色層３７Ｂがマトリクス状に配列形成されている。着色層３７の周囲には、ブラック
マトリクス層３２が形成されている。
また、着色層３７の各々は、陽極１０上に形成された白色の発光層１２に対向して配置
されている。これにより、発光層１２の発光光が、着色層３７の各々を透過し、赤色光、
緑色光、青色光の各色光として観察者側に出射するようになっている。さらに、額縁部か
らの光が漏洩しないように、周辺シール層３３の幅内もブラックマトリックスが覆われて
いる場合もある。
このように、有機ＥＬ装置１においては、発光層１２の発光光を利用し、かつ、複数色
の着色層３７によってカラー表示を行うようになっている。
なお、封止基板３１には、着色層３７の他に、紫外線遮断、吸収層や、光反射防止膜、
放熱層などの機能層を設けてもよい。
【００４６】
また、素子基板２０Ａと封止基板３１との間の周辺部に周辺シール層３３が設けられて
いる。
この周辺シール層３３は、素子基板２０Ａと封止基板３１の貼り合わせの位置精度の向
上と後述する充填層３４（接着剤層）のはみ出しを防止する土手の機能を有し、紫外線に
よって硬化して粘度が向上するエポキシ材料等で構成されている。好ましくは、エポキシ
基を有する分子量３０００以下のエポキシモノマー／オリゴマーが用いられる（モノマー
の定義：分子量１０００以下、オリゴマーの定義：分子量１０００〜３０００）。例えば
、ビスフェノールＡ型エポキシオリゴマーやビスフェノールＦ型エポキシオリゴマー、フ
ェノールノボラック型エポキシオリゴマー、ポリエチレングリコールジグリシジルエーテ
ル、アルキルグリシジルエーテル、３，４-エポキシシクロヘキセニルメチル-３'，４'-
エポキシシクロヘキセンカルボキシレート、ε-カプロラクトン変性３，４-エポキシシク
ロヘキシルメチル３'，４'-エポキシシクロヘキサンカルボキレートなどがあり、これら
が単独もしくは複数組み合わされて用いられる。
【００４７】
また、エポキシモノマー／オリゴマーと反応する硬化剤としては、ジアゾニウム塩、ジ
フェニルヨウドニウム塩、トリフェルスルフォニウム塩、スルホン酸エステル、鉄アレー
ン錯体、シラノール／アルミニウム錯体などのカチオン重合反応を起こす光反応型開始剤
が好ましい。また、紫外線照射後に徐々に粘度が上昇する材料を用いると、１ｍｍ以下の
細いシール幅でも周辺シール層３３の断裂を防ぎ、貼り合わせ後の充填剤のはみ出しを防
ぐことができる。また、貼り合わせ時に減圧した際に気泡が発生しにくくするため、含水
量は１０００ｐｐｍ以下に調整された材料であることが好ましい。
【００４８】
周辺シール層３３の膜厚としては、１０〜２５μｍが好ましい。なお、素子基板２０Ａ
と封止基板３１との距離を規制するために所定粒径の有機材料からなる球状粒子が混合さ
れているものが好ましい。シール剤としては、通常、無機材料の燐片状や塊状の粒子を混
合して粘度を高めているが、前述したガスバリア層１９が貼り合わせ圧着時に損傷してし
まうため、本実施形態における有機ＥＬ装置１は、弾性率が小さい有機材料の球状粒子を
周辺シール層３３に混合している。
【００４９】
また、素子基板２０Ａと封止基板３１の間における周辺シール層３３に囲まれた内部に
、熱硬化性樹脂からなる充填層３４（接着剤層）が形成されている。
この充填層３４は、前述した周辺シール層３３で囲まれた有機ＥＬ装置１の内部に隙間
なく充填されており、素子基板２０Ａに対向配置された封止基板３１を固定させ、かつ外
部からの機械的衝撃に対して緩衝機能を有し、発光層１２やガスバリア層１９の保護をす
るものである。
【００５０】
充填層３４は、硬化前の原料主成分としては、流動性に優れ、かつ溶媒のような揮発成
分を持たない有機化合物材料である必要があり、好ましくはエポキシ基を有する分子量３
０００以下のエポキシモノマー／オリゴマーが用いられる（モノマーの定義：分子量１０
００以下、オリゴマーの定義：分子量１０００〜３０００）。例えば、ビスフェノールＡ
型エポキシオリゴマーやビスフェノールＦ型エポキシオリゴマー、フェノールノボラック
型エポキシオリゴマー、ポリエチレングリコールジグリシジルエーテル、アルキルグリシ
ジルエーテル、３，４-エポキシシクロヘキセニルメチル-３'，４'-エポキシシクロヘキ
センカルボキシレート、ε-カプロラクトン変性３，４-エポキシシクロヘキシルメチル３
'，４'-エポキシシクロヘキサンカルボキレートなどがあり、これらが単独もしくは複数
組み合わされて用いられる。
【００５１】
また、エポキシモノマー／オリゴマーと反応する硬化剤としては、電気絶縁性に優れ、
かつ強靭で耐熱性に優れる硬化皮膜を形成するものが良く、透明性に優れ、かつ硬化のば
らつきの少ない付加重合型が良い。例えば、３−メチル−１，２，３，６−テトラヒドロ
無水フタル酸、メチル−３，６−エンドメチレン−１，２，３，６−テトラヒドロ無水フ
タル酸、１，２，４，５−ベンゼンテトラカルボン酸二無水物、３，３’，４，４’−ベ
ンゾフェノンテトラカルボン酸二無水物、またはそれらの重合物などの酸無水物系硬化剤
が好ましい。これらの硬化は、６０〜１００℃の範囲で行われ、その硬化皮膜は珪素酸窒
化物との密着性に優れるエステル結合を持つ高分子となる。さらに、酸無水の開環を促進
する硬化促進剤として芳香族アミンやアルコール類、アミノフェノール等の比較的分子量
の高いものを添加することで低温かつ短時間での硬化が可能となる。
【００５２】
また、塗布時の粘度は、１００〜１０００ｍＰａ・ｓ（室温）が好ましい。理由は、貼
り合わせ後の空間への材料充填性を考慮したもので、加熱直後に一度粘度が下がってから
硬化が始まる材料が好ましい。また、貼り合わせ時に減圧した際に気泡が発生しにくくす
るため、含水量は１００ｐｐｍ以下に調整された材料であることが好ましい。
【００５３】
充填層３４の膜厚としては、５〜２０μｍが好ましい。なお、素子基板２０Ａと封止基
板３１との距離を規制するために所定粒径の有機材料からなる球状粒子が混合されている
ものが好ましい。また、前述した周辺シール層３３と同様に、本実施形態における有機Ｅ
Ｌ装置１は、弾性率が小さい有機材料の粒子を混合している。粒子に弾性率が小さい有機
材料を充填層３４に混合することにより、前述したガスバリア層１９の損傷を防ぐことが
できる。
【００５４】
（有機ＥＬ装置の製造方法）
次に、図４〜図８を参照して本実施形態における有機ＥＬ装置１の製造方法を説明する
。
図４は、本発明の実施形態における有機ＥＬ装置１の製造方法の素子基板２０Ａ側の工
程図である。図５は、本発明の実施形態における有機ＥＬ装置１の製造方法の一工程にお
ける素子基板２０Ａ側を示す平面図である。図６は、本発明の実施形態における図５に示
す素子基板２０Ａ側に形成された回路を示す図である。図７は、本発明の実施形態におけ
る有機ＥＬ装置１の製造方法の一工程における素子基板２０Ａの切断面を示す図である。
図８は、本発明の実施形態における封止基板３１側の工程図である。
【００５５】
本実施形態の有機ＥＬ装置１の製造方法（以下、本手法）では、効率的な製造を行うべ
く、図４に示す工程を経て、図５に示すように、１つの基板２０に同時に２以上の素子基
板２０Ａを形成する。
このため、本手法では、まず、基板２０上に、素子基板２０Ａを形成する２以上の素子
基板形成領域Ｋを設定する。そして、この２以上の素子基板形成領域Ｋのそれぞれに、図
４（ｃ）に示すガスバリア層１９まで形成された素子基板２０Ａを同時に形成する。
【００５６】
すなわち、まず、本手法では、図４（ａ）に示すように、素子基板２０Ａを形成する。
この工程には、２以上の素子基板形成領域Ｋのそれぞれに、陽極１０を形成する工程（第
１工程）と、陽極１０上に発光層１２を形成する工程（第２工程）と、発光層１２上に陰
極１１を形成する工程（第３工程）と、が含まれる。また、ここで、本手法では、図５に
示すように、２以上の素子基板形成領域Ｋ間を電気的に接続する接続部２０１を形成する
（第４工程）。
【００５７】
本実施形態の接続部２０１は、主成分として、アルカリ金属若しくはアルカリ土類金属
を含む配線層である。陰極１１は、前述したように、カルシウムやマグネシウム、ナトリ
ウム、リチウム金属等から形成され、主成分として、アルカリ金属若しくはアルカリ土類
金属を含む。このため、本手法では、陰極１１と同時に接続部２０１を形成する。これに
より、本手法では、別工程において接続部２０１を形成することがなく、製造効率を向上
させることができる。なお、陰極１１の材質と異なる材質から接続部２０１を形成する場
合には、接続部２０１を形成する工程を別工程で設けてもよい。
【００５８】
接続部２０１は、図５に示すように、隣り合う素子基板形成領域Ｋ間において、実装端
子７６と検査端子９１との間を電気的に接続するように形成する。これにより、隣り合う
素子基板形成領域Ｋに形成された素子基板２０Ａ同士を、接続部２０１を介して導通させ
ることができる。また、接続部２０１は、図５に示すように、先頭の素子基板２０Ａの実
装端子７６を、陽極側電極２０２と陰極側電極２０３のそれぞれに電気的に接続するよう
に形成する。これにより、電気的に接続された複数の素子基板２０Ａに同時に電流を流す
ことができる。
【００５９】
次に、本手法では、図４（ａ）に示すように、陰極１１までが積層された素子基板２０
Ａに電極保護層１７を形成する。
具体的には、例えば、窒素を含む珪素化合物、すなわち珪素窒化物や珪素酸窒化物など
を、ＥＣＲスパッタ法やイオンプレーティング法等の高密度プラズマ成膜法により成膜す
る。
なお、透明無機材料としてのＳｉＯ２などの無機酸化物やＬｉＦやＭｇＦ等のアルカリ
ハライドを、真空蒸着法や高密度プラズマ成膜法により積層してもよい。
【００６０】
次に、本手法では、図４（ｂ）に示すように、有機緩衝層１８を電極保護層１７上に形
成する。
具体的には、減圧雰囲気下でスクリーン印刷を行った有機緩衝層１８を、６０〜１００
℃の範囲で加熱して硬化させる。この時点の問題点として、加熱直後に反応が開始される
まで一時的に粘度が低下する。この時に、有機緩衝層１８の形成材料が電極保護層１７や
陰極１１を透過してＡｌｐ３などの発光層１２に浸透してダークスポットが発生する。そ
こで、ある程度硬化が進むまでは低温で放置し、ある程度高粘度化したところで温度を上
げて完全硬化させることが好ましい。
【００６１】
次に、本手法では、図４（ｃ）に示すように、ガスバリア層１９を有機緩衝層１８上に
形成する。
具体的には、ＥＣＲスパッタ法やイオンプレーティング法などの高密度プラズマ成膜法
で形成する。また、形成前には、酸素プラズマ処理によって密着性を向上させると信頼性
が向上する。
本手法では、以上のようにして、電極保護層１７、有機緩衝層１８、ガスバリア層１９
を積層した第１封止膜を、陰極１１を覆うように形成する（第５工程）。
【００６２】
ここで、本手法では、図５に示すように、接続部２０１を覆うように、第２封止膜２０
４を形成する。本実施形態の接続部２０１は、陰極１１と同時に形成するため、陰極１１
と同様に、劣化（酸化等）し易いためである。この第２封止膜２０４は、第１封止膜を形
成する電極保護層１７及びガスバリア層１９の少なくともいずれか一方（本実施形態では
、例えばガスバリア層１９）で形成することができる。このように、本手法では、陰極１
１を覆う第１封止膜の２つの無機層のうち少なくともいずれか一方で、接続部２０１の第
２封止膜２０４を形成するため、製造効率を向上できる。すなわち、本手法では、別工程
で第２封止膜２０４を形成することがなく、製造効率を向上させることができる。なお、
陰極１１の材質と異なる材質から第２封止膜２０４を形成する場合には、第２封止膜２０
４を形成する工程を別工程で設けてもよい。
【００６３】
また、本手法では、第２封止膜２０４は、図５に示すように、実装端子７６に対して所
定の距離をあけて形成する。本実施形態では、例えば、基板２０に前述した各種配線（例
えば、ＴＦＴ等）を形成する際に、実装端子７６から引き出すように電極パッド２０５を
形成しておき、その電極パッド２０５に接続するように接続部２０１を形成している。こ
の手法によれば、実装端子７６を第２封止膜２０４で覆わないで、接続部２０１のみを第
２封止膜２０４で覆うことができる。このため、本手法によれば、第２封止膜２０４が素
子基板２０Ａの実装を阻害することがない。なお、本実施形態では、検査端子９１側にお
いても電極パッド２０６を形成しているが、検査端子９１は実装の際に使用されるもので
はないため、必ずしも電極パッド２０６を形成する必要はない。
【００６４】
図５に示す基板２０上には、図６に示すような回路が形成される。素子基板２０Ａは、
トランジスター１１２、１２３と、発光素子２１と、保持容量１１３とを含む画素回路Ｘ
を複数（図６では視認性の向上のため１つの画素回路Ｘを代表して示す）有する。また、
基板２０には、走査線駆動専用回路Ｘ１と、信号線駆動専用回路Ｘ２が形成される。走査
線駆動専用回路Ｘ１は、トランジスター１４１を含む。信号線駆動専用回路Ｘ２は、トラ
ンジスター１５１を含む。
【００６５】
画素回路Ｘにおけるトランジスター１１２にあっては、ゲートノードが走査線１０１に
接続され、ドレインまたはソースノードの一方が信号線１０２に接続され、他方がトラン
ジスター１２３におけるゲートノードと、保持容量１１３の一端とにそれぞれ接続されて
いる。ここで、トランジスター１１２のゲートノードには、走査線１０１を介して走査信
号Ｇｗｒが供給される。
トランジスター１２３にあっては、ソースノードが電源線１０３に接続され、ドレイン
ノードが発光素子２１のアノードに接続されている。ここで、電源線１０３には、画素回
路Ｘにおいて電源の高位側となる電位Ｖｅｌが給電される。
また、保持容量１１３の他端は、電源線１０３に接続される。
【００６６】
発光素子２１のアノード（陽極１０）は、画素回路Ｘ毎に個別に設けられる画素電極で
ある。これに対して、発光素子２１のカソード（陰極１１）は、画素回路Ｘのすべてにわ
たって共通の共通電極１１８であり、画素回路Ｘにおいて電源の低位側となる電位Ｖｃｔ
に保たれている。
このような発光素子２１において、アノードからカソードに電流が流れると、アノード
から注入された正孔とカソードから注入された電子とが有機ＥＬ層で再結合して励起子が
生成され、白色光が発生する。このときに発生した白色光は、シリコン基板（アノード）
とは反対側のカソードを透過し、カラーフィルターによる着色を経て、観察者側に視認さ
れる構成となっている。
【００６７】
走査線駆動専用回路Ｘ１は、後述するバーンイン処理時に、走査線１０１を介さずに、
トランジスター１１２をオン状態とする検査専用回路である。走査線駆動専用回路Ｘ１に
おけるトランジスター１４１にあっては、ゲートノードが配線１４２に接続され、ソース
ノードが配線１４３に接続され、ドレインノードが走査線１０１に接続されている。ここ
で、トランジスター１４１のソースノードには、配線１４３を介して電位Ｖｂが給電され
る。また、トランジスター１４１のゲートノードには、配線１４２を介して電位Ｖａが給
電される。
【００６８】
信号線駆動専用回路Ｘ２は、後述するバーンイン処理時に、信号線１０２を介さずに、
トランジスター１２３をオン状態とする電位を給電する検査専用回路である。信号線駆動
専用回路Ｘ２におけるトランジスター１５１にあっては、ゲートノードが配線１５２に接
続され、ソースノードが配線１５３に接続され、ドレインノードが信号線１０２に接続さ
れている。ここで、トランジスター１５１のソースノードには、配線１５３を介して電位
Ｖｃが給電される。また、トランジスター１５１のゲートノードには、配線１５２を介し
て電位Ｖｄが給電される。
【００６９】
これら走査線駆動専用回路Ｘ１と信号線駆動専用回路Ｘ２は、複数の素子基板２０Ａの
それぞれに対して形成されており、前述した各配線に所定の電位を給電することにより、
複数の素子基板２０Ａの走査線１０１のトランジスター１１２のそれぞれをオン状態とし
、また、複数の素子基板２０Ａの信号線１０２のトランジスター１２３のそれぞれをオン
状態とすることができる。この状態で、陽極側電極２０２及び陰極側電極２０３に不図示
の検査用端子を接続して、電位Ｖｅｌ、Ｖｃｔを給電することで、複数の素子基板２０Ａ
に対して電流を流すバーンイン処理を実施することができる。本手法では、図５に示すよ
うに、２以上の素子基板形成領域Ｋを電気的に接続する接続部２０１を形成し、その接続
部２０１を第２封止膜２０４で覆う。これにより、本手法では、２以上の素子基板２０Ａ
を、接続部２０１の酸化等により電気的に断線させることなく導通させ、この接続部２０
１を介して２以上の素子基板２０Ａに対して効率よく電流を流し、バーンイン処理を同時
に実施することができる。
【００７０】
このバーンイン処理が終了したら、本手法では、図５において点線で示すように、基板
２０を接続部２０１ごと切断し、２以上の素子基板形成領域Ｋを分断する（第７工程）。
接続部２０１を切断すると、図７（ａ）に示すように、切断面２０１ａが外部に露出す
る。本実施形態のように、基板２０が導電性を有する場合、この切断時においては、外部
に露出する接続部２０１の切断面２０１ａ（導電面）を介して、基板２０との間でショー
トが発生する虞がある。
【００７１】
このため、本手法では、図７（ｂ）に示すように、接続部２０１の切断面２０１ａに、
非導電性膜２０７を形成する（第８工程）。
本実施形態の非導電性膜２０７は、接続部２０１の酸化膜である。本手法では、接続部
２０１を陰極１１と同時に形成しており、この接続部２０１は、空気に触れると劣化しや
すいアルカリ金属若しくはアルカリ土類金属を主成分とするものある。このため、接続部
２０１の切断面２０１ａが空気に触れると、アルカリ金属やアルカリ土類金属は速やかに
酸化膜の非導電性膜２０７に覆われるため、接続部２０１の切断面２０１ａの導通を速や
かに無効化することができる。これにより、本手法では、素子基板２０Ａを個片化した状
態で、不要となった接続部２０１の切断面２０１ａの導通を無効化して、ショートの発生
による動作不良を防止できるため、歩留りを向上できる。
【００７２】
一方、封止基板３１側の工程では、図８（ａ）に示すように、着色層３７及びブラック
マトリクス層３２が形成された封止基板３１の周辺部に周辺シール層３３を形成する。
具体的には、ニードルディスペンス法により前述した紫外線硬化性樹脂材料を封止基板
３１の周囲に塗布していく。
なお、この塗布方法は、スクリーン印刷法を用いてもよい。
【００７３】
次に、図８（ｂ）に示すように、封止基板３１の周辺シール層３３に囲まれた内部に充
填層３４を形成する。
具体的には、ジェットディスペンス法により前述した熱硬化性樹脂材料を塗布していく
。
なお、この熱硬化性樹脂材料は、必ずしも封止基板３１の全面に塗布する必要はなく、
封止基板３１上の複数箇所に塗布すればよい。
【００７４】
次に、図８（ｃ）に示すように、周辺シール層３３及び充填層３４が塗布された封止基
板３１に紫外線照射を行う。
具体的には、周辺シール層３３を仮硬化させる目的で、例えば、照度３０ＭＷ／ｃｍ２
、光量２０００ＭＪ／ｃｍ２ の紫外線を封止基板３１上に照射する。この時、紫外線硬
化性樹脂である周辺シール層３３のみが硬化され粘度が向上する。
【００７５】
次に、図４（ｃ）に示す、ガスバリア層１９までが形成された素子基板２０Ａ側と、図
８（ｃ）に示す、周辺シール層２２が仮硬化された封止基板３１とを貼り合わせる。この
時、周辺シール層３３が素子基板２０Ａ上に形成した有機緩衝層１８の周辺端部３５の立
ち上がり部分３６を完全に被覆するように配置する。
具体的には、この貼り合わせ工程は、真空度が例えば、１Ｐａの真空雰囲気下で行い、
加圧６００Ｎで２００秒間保持して圧着させる。
【００７６】
次に、圧着して貼り合わせた有機ＥＬ装置１を大気中で加熱する。
具体的には、素子基板２０Ａ側と封止基板３１側を貼り合わせた状態で大気中において
加熱することで、前述した仮硬化した周辺シール層３３と、充填層３４を熱硬化させる。
なお、素子基板２０Ａと封止基板３１との間には真空の空間が存在しても、大気中で加
熱硬化を行うことにより、充填層３４がその空間に充填される。以上より、前述した本実
施形態における所望の有機ＥＬ装置１を得ることができる。
【００７７】
したがって、上述した本実施形態によれば、陽極１０と陰極１１との間に発光層１２を
挟んだ発光素子２１が１または複数設けられた素子基板２０Ａを備える有機ＥＬ装置１の
製造方法であって、基板２０上に、素子基板２０Ａを形成する２以上の素子基板形成領域
Ｋを設定し、２以上の素子基板形成領域Ｋのそれぞれに陽極１０を形成する第１工程と、
陽極１０上に、発光層１２を形成する第２工程と、発光層１２上に、陰極１１を形成する
第３工程と、２以上の素子基板形成領域Ｋ間を電気的に接続する接続部２０１を形成する
第４工程と、陰極１１を覆うように第１封止膜を形成する第５工程と、接続部２０１を覆
うように第２封止膜２０４を形成する第６工程と、基板２０を接続部２０１ごと切断し、
２以上の素子基板形成領域Ｋを分断する第７工程と、接続部２０１の切断面２０１ａに、
非導電性膜２０７を形成する第８工程と、を有する、という手法を採用することによって
、複数の素子基板２０Ａに対して効率よく電流を流す処理を実施でき、また、歩留りを向
上できる有機ＥＬ装置１の製造方法及び有機ＥＬ装置１が得られる。
【００７８】
また、本手法は、以下の変形例も採用し得る。
図９は、本発明の実施形態の一変形例における図５に示す素子基板側に形成された回路
を示す図である。
なお、図９の説明において、上述の実施形態と同一又は同等の構成部分については同一
の符号を付し、その説明を簡略若しくは省略する。
【００７９】
図６を参照して、変形例の相違点について説明する。
図９に示した画素回路Ｘが、図６に示した回路構成と相違する点は、トランジスター１
２５が追加されている点にある。
トランジスター１２５にあっては、ゲートノードに制御信号Ｇｏｒｓｔが供給され、ソ
ースノードが発光素子２１のアノードに接続されている。また、トランジスター１２５の
ドレインノードは、配線１６１に接続されている。このトランジスター１２５がオンする
と、発光素子２１に供給される電流の経路が遮断されるとともに、発光素子２１のアノー
ドが電位Ｖｏｒｓｔにリセット（放電）される。
【００８０】
この変形例では、図５に示す複数の素子基板２０Ａのそれぞれが配線１６１で接続され
ており、複数の素子基板２０Ａの放電用スイッチであるトランジスター１２５のそれぞれ
をオン状態とし、配線１６１を介して、電位Ｖｅｌ、Ｖｃｔを給電することで、複数の素
子基板２０Ａに対して電流を流すバーンイン処理を実施することができる。
【００８１】
（電子機器）
次に、前記実施形態の有機ＥＬ装置を備えた電子機器の例について説明する。
図１０（ａ）は、携帯電話の一例を示した斜視図である。図１０（ａ）において、符号
５０は携帯電話本体を示し、符号５１は有機ＥＬ装置を備えた表示部を示している。
図１０（ｂ）は、ワープロ、パソコンなどの携帯型情報処理装置の一例を示した斜視図
である。図１０（ｂ）において、符号６０は情報処理装置、符号６１はキーボードなどの
入力部、符号６３は情報処理本体、符号６２は有機ＥＬ装置を備えた表示部を示している
。
図１０（ｃ）は、腕時計型電子機器の一例を示した斜視図である。図１０（ｃ）におい
て、符号７０は時計本体を示し、符号７１は有機ＥＬ装置を備えたＥＬ表示部を示してい
る。
図１０（ａ）〜（ｃ）に示す電子機器は、先の実施形態に示した有機ＥＬ装置が備えら
れたものであるので、表示特性が良好な電子機器となる。
【００８２】
なお、電子機器としては、前記電子機器に限られることなく、種々の電子機器に適用す
ることができる。例えば、ディスクトップ型コンピュータ、液晶プロジェクタ、マルチメ
ディア対応のパーソナルコンピュータ（ＰＣ）及びエンジニアリング・ワークステーショ
ン（ＥＷＳ）、ページャ、ワードプロセッサ、テレビ、ビューファインダ型又はモニタ直
視型のビデオテープレコーダ、電子手帳、電子卓上計算機、カーナビゲーション装置、Ｐ
ＯＳ端末、タッチパネルを備えた装置等の電子機器に適用することができる。
【符号の説明】
【００８３】
１  有機ＥＬ装置（有機エレクトロルミネッセンス装置）
１０  陽極
１１  陰極
１２  発光層（有機発光層）
１７  電極保護層（第１無機層（第１封止膜））
１８  有機緩衝層（有機層（第１封止膜））
１９  ガスバリア層（第２無機層（第１封止膜））
２０  基板
２０Ａ  素子基板
２１  発光素子
７６  実装端子
２０１  接続部
２０１ａ  切断面
２０４  第２封止膜
２０７  非導電性膜
Ｋ  素子基板形成領域
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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