(57)【要約】【課題】扁平な光のモード分布を改善して光ファイバとの結合効率を向上させることができる光素子を提供すること。【解決手段】光素子１は、光共振器と、光共振器から光共振器軸方向に出射された光を、光共振器軸方向に対して垂直方向に反射させる傾斜ミラー１２と、反射させた光を集光するレンズ１８とを含み、傾斜ミラー１２は反射面が曲率を有し、この曲率を有する反射面で光を反射させることにより、光のモード分布が円形になるようにモード半径を補正するように構成されている。【選択図】図５
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に形成された光共振器と、
前記光共振器から光共振器軸方向に出射された光を、前記光共振器軸方向に対して垂直方向に反射させる傾斜ミラーと、
前記反射させた光を集光するレンズと
を含み、
前記傾斜ミラーは反射面が曲率を有し、この曲率を有する反射面で前記光を反射させることにより、光のモード分布が円形になるようにモード半径を補正するように構成されていることを特徴とする光素子。
【請求項２】
前記傾斜ミラーは、前記基板の表面に前記光を反射させるように構成され、前記レンズは、前記基板の表面に形成されることを特徴とする請求項１に記載の光素子。
【請求項３】
前記傾斜ミラーは、前記基板の裏面に前記光を反射させるように構成され、前記レンズは、前記基板の裏面に形成されることを特徴とする請求項１に記載の光素子。
【請求項４】
前記傾斜ミラーの反射面は、水平方向の前記モード半径が補正されるように、前記基板に対して水平方向に曲率を有することを特徴とする請求項１ないし３のいずれか１項に記載の光素子。
【請求項５】
光共振器終端から前記傾斜ミラーまでの距離が４．０μｍ以下の場合、前記傾斜ミラーの曲率は３０μｍ以下に設定されることを特徴とする請求項１ないし４のいずれか１項に記載の光素子。
【請求項６】
前記基板および前記レンズは、ＩｎＰで形成されることを特徴とする請求項１ないし５のいずれか１項に記載の光素子。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は光素子に関し、より詳細には、光共振器からの出力光の出射方向を半導体基板の垂直方向に変換する光素子に関する。
【０００２】
（従来の技術）
一般に、半導体レーザのモード半径は光ファイバのモード半径と大きく異なる。そのたァイバに集光する必要があった。従来、ＩｎＰレンズを集積した表面出射型の半導体レーめ、出力光に対して外部の結合用レンズを用いることにより、モード半径を変換して光フザは、外部レンズを用いることなく簡易な実装で光ファイバへの高い光結合が実現できるようになっている（非特許文献１）。
【０００３】
図１は、従来の半導体レーザの構成を示す図である。
図１に示す半導体レーザは、基板の水平方向に光を出射するレーザ共振器と、４５°傾斜ミラー（45°reflection Mirror）と、ＩｎＰレンズ(Inp-bottom Lens)とを備える。
このレーザ共振器の導波構造が有するモード半径は、基板の垂直方向および水平方向において異なり、扁平なモード分布を持つ。このため、４５°傾斜ミラーとＩｎＰレンズとを介して半導体レーザの外部に出力される光のモード分布も扁平なものとなり、この半導体レーザは円筒状の導波構造を持つ光ファイバと完全な光結合を行うことができず、結果として、光結合効率が低下し得た。
【０００４】
光ファイバとの高い光結合を可能にする半導体レーザとしては、共振器と、傾斜ミラーと、ＩｎＰレンズとを基板に集積した表面出射型レーザがある。このＩｎＰレンズを備える表面出射型半導体レーザの構成を図２に示す。
【０００５】
図２は、従来の表面出射型レンズ集積レーザ１００の構成を示す図であって、（ａ）は集積レーザ１００の上面図、（ｂ）は集積レーザ１００の側面図、を示す。
図２において、集積レーザ１００は、上部電極１０１と、傾斜ミラー１０２と、回折格子１０３と、上部ＳＣＨ層１０４と、多層量子井戸層１０５と、下部ＳＣＨ層１０６と、高反射膜１０７と、レンズ１０８と、下部電極１０９とを備える。さらに半導体レーザ１は、ＩｎＰ基板１１０と、２つのクラッド層１１１，１１２を備える。
【０００６】
この集積レーザ１００では、レーザ共振器は、ＩｎＰ基板１１０と水平な方向を導波方向として回折格子１０３によるＤＦＢモードで動作するように構成されている。
【０００７】
レーザ共振器の終端から出射された出力光は、ＩｎＰ媒質中をガウシアンビームとして伝搬し、傾斜ミラー１０２に達する。傾斜ミラー１０２は共振器の出射方向に対して４５°をなすように形成された平面で、全反射により入射した光の進行方向を基板垂直方向に変換する。さらに、出力光はその光軸上基板裏面に作成されたＩｎＰレンズ１０８に達する。
【０００８】
ＩｎＰレンズ１０８によって、シングルモードファイバのモード半径（約４．５μｍ）に合わせて集光し、光が半導体レーザ１００の外部へ出力される。このように半導体レーザ１００では、ＩｎＰレンズ１０８を集積することにより、共振器の導波路構造のモード半径を光ファイバのモード半径に合わせて変換し、外部レンズを用いることなく簡易な実装で光ファイバに結合することができる。
【０００９】
一般的に、レーザ共振器におけるモード分布は、基板の垂直方向および水平方向で対称にならず、導波路構造に依存して非対称な分布となる。すなわち、垂直方向および水平方向においてそれぞれ異なるモード半径を有する。
【００１０】
図３は、一般的な導波路構造の一つである埋め込みヘテロ構造を有するレーザ共振器２００の断面図である。
図３において、基板２１０の垂直方向には、多層量子井戸層は、上部および下部のＳＣＨ層２０１と、上部ｐ型ＩｎＰ層２０２と、下部ｎ型ＩｎＰ層２０３と、量子井戸層２０４とを備えた積層構造を有する。各ＳＣＨ層２０１はＡｌＧａIｎＡｓＳＣＨで形成され、量子井戸層２０４はＡｌＧａIｎＡｓで形成されている。
【００１１】
量子井戸２０４および上部／下部ＳＣＨ層２０１を含めたコア層の厚さは、約２００〜３００ｎｍ程度の厚さが一般的である。基板２１０の水平方向では、絶縁性のＩｎＰ層２０１，２０３はクラッド層として機能する。
図３において、導波路幅（ストライプ幅）Ｗｓは、発振波長サイズに合わせて１．５〜２．０μｍ程度に設定されるのが一般的である。なお、図３において、ｈｃはコア層の厚さ、ｈｍはメサ高さを示す。
【００１２】
上述した導波路における水平方向および垂直方向の光閉じ込め構造の差異によって、モード半径の相違が生じる。この点は、後述する図４において、レーザ共振器２００のモード分布のシミュレーション結果を示してある。
【００１３】
図４は、レーザ共振器２００のモード分布のシミュレーション結果を示す図である。図４の例では、共振器の導波路構造としてストライプ幅Ｗｓを１．５μｍ、コア層の厚さｈｃを２００ｎｍ、メサ高さｈｍを２．６μｍとする。
【００１４】
シミュレーション時の集積レーザには、図２に示すような集積レーザ１００を用いた。このときのモード半径は、基板２１０の水平方向では１．１μｍに、垂直方向では０．５５μｍにそれぞれなることを確認した。さらに、水平方向においては約２倍のモード半径を有する扁平なモード分布が確認された。このときの共振器からの出射光は、垂直方向および水平方向にそれぞれ異なる広がり角を持ちながら伝搬し、傾斜ミラー１０２（図２）に達する。
【００１５】
傾斜ミラー１０２は平面であり、ビームの垂直方向および水平方向のモード分布を維持したまま、光を基板２１０（図３）の垂直方向に反射させる。ＩｎＰレンズ１０８には、垂直方向および水平成分で異なるビーム広がり角で伝搬してきた扁平なモード分布をもつ光が入射する。このレンズ１０８を透過した後の集光距離や集光角は、垂直成分および水平成分で異なる。
【先行技術文献】
【非特許文献】
【００１６】
【非特許文献１】K. Adachi et al., “A 1.3-μm Lens-Integrated Horizontal-Cavity Surface-Emitting Laser with Direct and Highly Efficient Coupling to Optical Fibers,” Optical Fiber Communication Conf./National Fiber Optic Engineers Conf., San Diego, CA, Paper jThA31, Mar. 22-26, 2009
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１７】
従来の集光レーザは、傾斜ミラーによって、光の出射方向を変えるようにしている。しかしながら、光のモード分布が、垂直方向および水平成分で異なるため、光ファイバへ結合損失が生じるという問題があった。
【００１８】
本発明は、このような状況下においてなされたものであり、扁平な光のモード分布を改善して光ファイバとの結合効率を向上させることができる光素子を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１９】
上記の課題を解決するための発明は、基板上に形成された光共振器と、前記光共振器から光共振器軸方向に出射された光を、前記光共振器軸方向に対して垂直方向に反射させる傾斜ミラーと、前記反射させた光を集光するレンズとを含み、前記傾斜ミラーは反射面が曲率を有し、この曲率を有する反射面で前記光を反射させることにより、光のモード分布が円形になるようにモード半径を補正するように構成されている。
【００２０】
ここで、前記傾斜ミラーは、前記基板の表面に前記光を反射させるように構成され、前記レンズは、前記基板の表面側に形成されるようにしてもよい。
【００２１】
前記傾斜ミラーは、前記基板の裏面に前記光を反射させるように構成され、前記レンズは、前記基板の裏面側に形成されるようにしてもよい。
【００２２】
前記傾斜ミラーの反射面は、水平方向の前記モード半径が補正されるように、前記基板に対して水平方向に曲率を有するようにしてもよい。
【００２３】
光共振器終端から前記傾斜ミラーまでの距離が４．０μｍ以下の場合、前記傾斜ミラーの曲率は３０μｍ以下に設定されるようにしてもよい。
【００２４】
前記基板および前記レンズは、ＩｎＰで形成されるようにしてもよい。
【発明の効果】
【００２５】
本発明によれば、扁平な光のモード分布を改善して光ファイバとの結合効率を向上させることができる。
【図面の簡単な説明】
【００２６】
【図１】従来の半導体レーザの構成を示す図である。
【図２】従来の表面出射型レンズ集積レーザの構成を示す図である。
【図３】一般的な埋め込みヘテロ構造を有するレーザ共振器の断面図である。
【図４】図３のレーザ共振器のモード分布のシミュレーション結果を示す図である。
【図５】第１実施形態の半導体レーザの構成例を示す図である。
【図６】ＩｎＰ層内を伝搬するガウシアンビームの伝搬距離とビーム半径との関係の一例を示す図である。
【図７】伝搬距離が異なる場合の傾斜ミラー曲率に対する結合効率の依存性の一例を示す図である。
【図８】モード分布が扁平な場合の傾斜ミラー曲率に対する結合効率の依存性の一例を示す図である。
【図９】第２実施形態の半導体レーザの構成例を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００２７】
＜第１実施形態＞
以下、本発明の第１実施形態である光素子について説明する。この実施形態の説明では、例えば半導体レーザに光素子を適用して説明する。
【００２８】
[半導体レーザの構成]
図５は、本実施形態の半導体レーザ１の構成例を示す図であって、（ａ）は半導体レーザ１の上面図、（ｂ）は半導体レーザ１の側面図、（ｃ）は半導体レーザ１の正面図、を示す。
【００２９】
図５（ａ）〜（ｃ）に示すように、半導体レーザ１は、ｎ−ＩｎＰ基板１０と、上部電極１１と、傾斜ミラー１２と、回折格子１３と、上部ＳＣＨ層１４と、多層量子井戸層１５と、下部ＳＣＨ層１６と、高反射膜１７と、ＩｎＰレンズ１８と、下部電極１９とを備える。さらに半導体レーザ１は、ＩｎＰクラッド層２０，２１を備える。
【００３０】
傾斜ミラー１２は、共振器からの光の出射方向（光共振器軸方向）に対して４５°の角度を有する。この角度は、エッチングによって形成される。
【００３１】
この半導体レーザ１では、傾斜ミラー１２の曲面は、共振器から出射されたモード分布（水平成分および垂直成分を有するもの）を補正するために、曲率がＲｍに設定される。図５（ａ）では、例えば、傾斜ミラー１２の反射面を形成するエッチングマスク境界の形状が曲線になるように設定される。この曲線を描く円（図５（ａ）中、二点鎖線で示す。）では、基板表面の共振器ストライプの延長線上に延びる位置に中心ｏを有する。そして、円の半径をＲｍとする。
【００３２】
なお、図５（ｂ）における距離ｚは、ＩｎＰ媒質中を基板水平方向に伝搬する光の伝搬距離を示し、図５（ｂ）におけるｄ１は、基板垂直方向に伝搬する光の伝搬距離を示している。
【００３３】
この半導体レーザ１では、共振器終端から出射された出力光は、ＩｎＰ媒質中をガウシアンビームとして伝搬し、傾斜ミラー１２に達する。傾斜ミラー１２は共振器の出射方向に対して４５°をなすように反射面が形成されており、この面での全反射により、入射した光の進行方向を基板１０の垂直方向に変換する。これにより、共振器終端から出射された出力光は、反射ミラー１２を介して、光軸上、基板裏面に形成されたＩｎＰレンズ１８に達する。
【００３４】
[半導体レーザの作製方法]
次に、この半導体レーザ１の作製方法について再度図５を参照して説明する。
半導体レーザ１の作製時は、ＳＩ−ＩｎＰ基板上に、ｎ−ＩｎＰクラッド層２２、下部ＳＣＨ層１６、多重量子井戸層１５、上部ＳＣＨ層１４を成長させた基板を初期基板に用いる。
【００３５】
まず、上述した基板の表面に回折格子１３を形成した後、再成長によって回折格子１３を埋め込みｐ−ＩｎＰクラッド層２２を形成する。次に、メサ構造をエッチングによって形成し、再び埋め込み再成長によってメサ両脇にＦｅをドーピングした半絶縁性ＩｎＰ層を形成する。
【００３６】
共振器は、垂直方向において、多重量子井戸層１５と、下部ＳＣＨ層１６と、上部ＳＣＨ層１４とからなるコア層（層厚の合計２００ｎｍ）と、コア層を上下から挟み込むＩｎＰクラッド層２０，２１（それぞれ層厚２μｍ）とからなる積層構造を有する。そして、共振器の水平方向においては、メサ両脇にＩｎＰ層が形成された埋め込みヘテロ構造を有する。
【００３７】
この実施形態の半導体レーザ１では、共振器長を２００μｍ、ストライプ幅を１．５μｍとする。そして、半導体レーザ１は、このような共振器内に形成した回折格子１３に伴うＤＦＢモードで動作する。
【００３８】
次に、共振器の一方の終端をエッチングし、ｉ−ＩｎＰの埋め込み再成長を行うｐ側およびｎ側の各電極１１，１９を形成した後、埋め込み再成長を行ったｉ−ＩｎＰ領域において、レーザストライプと４５°の角度をなすエッチングを施す。このとき、エッチングマスクの境界を曲率Ｒｍの曲面とすることで基板１０の水平方向に曲面を持つ傾斜ミラー１２を形成する。
【００３９】
傾斜ミラー１２は共振器終端から距離ｚ=１．０μｍの位置に配置する。この傾斜ミラー１２によって、共振器からの出力光は基板裏面から出射される。この実施形態の半導体レーザ１では、傾斜ミラー１２の曲率ＲｍをＲｍ =３．８μｍの曲面形状とする。
【００４０】
そして、ＩｎＰ基板１０を研磨して、図５に示したｄ１を１００μｍにする。その後、エッチングによって、曲率Ｒ１が ２００μｍのＩｎＰレンズ１８を基板裏面に形成する。このようにして半導体レーザ１が作製される。この半導体レーザ１を用いてシングルモードファイバへの結合実験を行ったところ、結合損失が２ｄB 以下の良好な特性を示した。これは、平面ミラーを有する従来のＩｎＰレンズ集積レーザ（図２）と比較して、２０％以上効率が向上していることを示している。
【００４１】
次に、上述した半導体レーザ１の各種特性について説明する。
図６は、ＩｎＰ媒質中を伝搬するガウシアンビームの伝搬距離とビーム半径を示す図である。図６では、半導体レーザ１のＤＦＢモード動作時には、ビーム出射するモード半径が垂直方向ｗ０ｙで０．５５μｍになり、水平方向ｗ０ｘで１．１μｍになっている。
【００４２】
一般に、共振器の垂直方向のモード半径は小さいことから、垂直方向の広がり角の方が大きくなる。例えば、伝搬距離ｚ（図５（ｂ））が長い場合、垂直方向のビーム広がりによりモード分布の一部がクラッド層の外側に漏れ損失が生じる。そのため、上部クラッド層２１を２μｍとした場合、９０％以上の光分布がＩｎＰ媒質中に存在する距離ｚは、４μｍ以下必要となる。
【００４３】
次に、傾斜ミラー１２と光ファイバとの結合効率の計算結果について、図７を参照して説明する。図７は、伝搬距離ｚが異なる場合の傾斜ミラー１２の曲率に対する結合効率の依存性の一例を示す図である。なお、図７において、横軸は伝搬距離を、縦軸はビーム半径を、それぞれ示す。
【００４４】
図７では、共振器終端から傾斜ミラー１２までの伝搬距離ｚを０．５μｍ，１．０μｍ，２．０μｍ，４．０μｍとした場合の傾斜ミラー１２の曲率Ｒ１および結合効率の計算結果を示してある。
ＩｎＰレンズ１８の曲率Ｒ１は、垂直方向のモード半径ｗ１ｙ（図７の例では、０．５５μｍ）に合わせて設計した。図７の例では、Ｒｌは、最も光ファイバに光が結合する値、すなわちＲｌ=２００μｍとした。
前述したとおり、共振器からの出力光が伝搬中にビーム広がりを持つことを考えると、伝搬距離zは４．０μｍ以下とする必要がある。
【００４５】
図７から、伝搬距離ｚに応じて傾斜ミラー１２の曲率Ｒｍを設計することで、９０％以上の高い結合が得られることがわかる。例えば、傾斜ミラー１２までの伝搬距離ｚが４．０μｍ以下である場合、９０％以上の高い結合を得られるのは傾斜ミラー１２の曲率Ｒｍを３０μｍ以下とした場合である。
【００４６】
次に、共振器が有するモード半径に対する結合効率の違いを計算した結果について、図８を参照して説明する。図８は、モード分布が扁平な場合の傾斜ミラー曲率に対する結合効率の依存性の一例を示す図である。
【００４７】
図８では、共振器内の垂直方向のモード半径ｗ１ｙを０．５５μｍとし、水平方向のモード半径ｗ１ｘを０．５μｍ,１．０μｍ，１．５μｍ，２．０μｍとした場合のＩｎＰレンズ１８の曲率Ｒｌおよび結合効率を示してある。
ＩｎＰレンズ１８の曲率Ｒｌは垂直方向のモード半径ｗ１ｙ（図８の例では、０．５５μｍ）に合わせて設計し、Ｒｌ= ２００μｍとした。なお、共振器終端から傾斜ミラー１２までの距離ｚは１μｍとした。
【００４８】
図８から、モード半径が水平方向と垂直方向とで大きく異なる場合においても、傾斜ミラー１２の曲率Ｒｍを２０μｍ以下に設定することで、９０％以上の高い結合効率が実現できることがわかる。
【００４９】
以上説明したように、本実施形態の光素子１によると、傾斜ミラー１２は反射面が曲率Ｒｍを有し、この曲率Ｒｍを有する反射面で光を反射させることにより、光のモード分布が円形になるようにモード半径を補正する。これにより、扁平な光のモード分布を改善して光ファイバとの結合効率が向上する。
【００５０】
＜第２実施形態＞
第１実施形態の半導体レーザ１では、傾斜ミラー１２によって、光の出射方向を基板裏面側へ変換する場合について説明したが、基板表面側に変換するように半導体レーザを構成するようにしてもよい。
【００５１】
図９は、第２実施形態における半導体レーザ１Ａの構成例を示す図であって、（ａ）は半導体レーザ１Ａの上面図、（ｂ）は半導体レーザ１Ａの側面図、（ｃ）は半導体レーザ１Ａの正面図、を示す。なお、以下の説明では、特に記述しない限り、第１実施形態の説明で用いた符号等をそのまま用いる。
【００５２】
図９（ａ）〜（ｃ）に示すように、半導体レーザ１Ａは、第１実施形態のものと同様に、基板１０と、上部電極１１と、回折格子１３と、上部ＳＣＨ層１４と、多層量子井戸層１５と、下部ＳＣＨ層１６と、高反射膜１７とを備える。さらに、半導体レーザ１Ａは、ＩｎＰクラッド層２０，２１を備える。なお、図９では、下部電極が示されていないが、半導体レーザ１Ａでも、図５に示したものと同様に下部電極を備える。
一方、第１実施形態のものと異なり、半導体レーザ１Ａは、共振器からの光の出射方向に対して+４５°の角度を有する傾斜ミラー１２Ａを備える。また、半導体レーザ１Ａは、傾斜レンズ１２Ａの上面側（基板１０の表面側）に、傾斜ミラー１２Ａによって反射された光を集光するＩｎＰレンズ１８Ａを備える。
【００５３】
半導体レーザ１Ａの作製は、第１実施形態の場合とほぼ同様である。すなわち、ＳＩ−ＩｎＰ基板上に、下部ＳＣＨ層１６、多重量子井戸層１５、上部ＳＣＨ層１４を成長させた基板を初期基板に用いる。
【００５４】
まず、上述した基板表面に回折格子１３を形成した後、再成長によって回折格子１３を埋め込みｐ−ＩｎＰクラッド層２２を形成する。次に、メサ構造をエッチングによって形成し、再び埋め込み再成長によってメサ両脇にＦｅをドーピングした半絶縁性ＩｎＰ層を形成する。
【００５５】
共振器は、垂直方向において、多重量子井戸層１５と、下部ＳＣＨ層１６と、上部ＳＣＨ層１４とからなるコア層（層厚の合計２００ｎｍ）と、コア層を上下から挟み込むＩｎＰクラッド層２０，２１（それぞれ層厚２μｍ）とからなる積層構造を有する。そして、共振器の水平方向においては、メサ両脇にＩｎＰ層が形成された埋め込みヘテロ構造を有する。
【００５６】
そして、共振器長を１５０μｍ、ストライプ幅を１．６μｍとすうる。そして、半導体レーザ１Ａは、このような共振器内に形成した回折格子１３に伴うＤＦＢモードで動作する。この共振器終端から出射される出力光の光モード半径は垂直方向および水平方向にそれぞれｗ１ｙ=０．５５μｍ、ｗ１ｘ=１．１６μｍであった。続いて、共振器の一方の終端をエッチングし、ｉ−ＩｎＰの埋め込み再成長を行い、ｉ−ＩｎＰ領域の基板表面に曲率Ｒ１が９μｍのＩｎＰレンズ１８Ａを形成した。
【００５７】
ｎ側およびｐ側の電極を形成した後、共振器の出射方向と１３５°の角度をなすエッチングを施す。このとき、エッチングマスクの境界を曲率Ｒｍの曲面とすることで、基板１０の水平方向に曲面を持つ傾斜ミラー１２Ａを形成する。
【００５８】
また、傾斜ミラー１２Ａは、共振器終端から距離ｚ＝０．５μｍの位置に配置される。傾斜ミラー１２Ａによって、共振器からの出力光は基板表面から出射される。この実施形態の半導体レーザ１Ａでは、この傾斜ミラー１２Ａを曲率Ｒｍ＝２．３μｍの曲面形状とし、傾斜ミラー１２ＡからＩｎＰレンズ１８Ａまでの長さを４μｍとする。
【００５９】
このようにして作製された半導体レーザ１Ａにおいても、シングルモードファイバへの結合実験では、第１実施形態のものと同様に、結合効率は３ｄｂ 以下の良好な特性を示した。また、平面ミラーを有する従来のＩｎＰレンズ集積レーザ（図２）と比較して、５０％以上効率が向上していることがわかった。
【００６０】
なお、上記各実施形態は上述した例に限られず、変更することができる。例えば、  半導体レーザ１，１Ａでは、図３に示した導波路２００の構造にかかわらず、ストライプ幅やコア層厚を変更した場合でも、その場合の扁平なモード分布に応じたミラー曲率を用いることで、高い結合効率が実現できる。
【００６１】
また、半導体レーザ１，１Ａは埋め込みヘテロ構造に関わらず、リッジ構造やハイメサ構造など異なる導波路構造を有する共振器においても、その扁平なモード分布に応じたミラー曲率を用いることで、高い結合効率が実現できる。また、基板１０、レンズ１８および共振器などの材料やサイズなどについても、傾斜ミラー１２，１２Ａによって高い結合効率が実現できるのであれば、適宜変更するようにしてもよい。
【００６２】
上記各実施形態では、光素子を半導体レーザに適用する場合について説明したが、例えば導波路や変調器などに適用することもできる。
【符号の説明】
【００６３】
１，１Ａ  半導体レーザ
１０  基板
１２  傾斜ミラー
１８  レンズ
【図６】
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【図７】
2015220358.tif 000004
【図８】
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【図１】
2015220358.tif 000006
【図２】
2015220358.tif 000007
【図３】
2015220358.tif 000008
【図４】
2015220358.tif 000009
【図５】
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【図９】
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