(57)【要約】      （修正有）【課題】高い頑健性を有する光モジュールを提供する。【解決手段】第１伝送区間と、第１伝送区間から延びる第２伝送区間と、を含む光ファイバ２００と、前記第１伝送区間と前記第２伝送区間との間で延びる境界線上に位置する端面３１０と、第１伝送区間において光ファイバ２００を支持する支持面３２０と、を含む基板３００と、を備え、基板３００は、３１０端面と支持面３２０との間で光ファイバ２００へ負荷される応力を緩和する応力緩和構造３３０を含む。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１伝送区間と、前記第１伝送区間から延びる第２伝送区間と、を含む光ファイバと、
前記第１伝送区間と前記第２伝送区間との間で延びる境界線上に位置する端面と、前記第１伝送区間において前記光ファイバを支持する支持面と、を含む基板と、を備え、
前記基板は、前記端面と前記支持面との間で前記光ファイバへ負荷される応力を緩和する応力緩和構造を含むことを特徴とする光モジュール。
【請求項２】
前記応力緩和構造は、前記端面と前記支持面との間に形成された第１傾斜面を含み、
前記第１傾斜面は、前記端面から前記支持面に向けて狭まる第１テーパ空間を規定することを特徴とする請求項１に記載の光モジュール。
【請求項３】
前記支持面は、前記光ファイバが収容される溝部を規定することを特徴とする請求項２に記載の光モジュール。
【請求項４】
前記基板は、単体半導体基板であり、
前記第１傾斜面は、前記単体半導体基板の結晶方位面に沿うことを特徴とする請求項２又は３に記載の光モジュール。
【請求項５】
前記単体半導体基板は、シリコン基板であることを特徴とする請求項４に記載の光モジュール。
【請求項６】
前記第１傾斜面は、ウェットエッチングにより形成されることを特徴とする請求項５に記載の光モジュール。
【請求項７】
前記応力緩和構造は、前記第１テーパ空間を満たすクッション材を含み、
前記クッション材は、前記光ファイバ及び前記基板よりも低い硬度を有することを特徴とする請求項２乃至６のいずれか１項に記載の光モジュール。
【請求項８】
前記光ファイバと前記支持面とを接着する接着剤から形成された接着剤層を更に備え、
前記接着剤の一部は、前記クッション材として、前記第１テーパ空間を満たすことを特徴とする請求項７に記載の光モジュール。
【請求項９】
前記支持面に対向する対向面と、前記第１傾斜面に対向する第２傾斜面と、を含む押さえ板を更に備え、
前記光ファイバは、前記第１伝送区間において、前記支持面と前記対向面とに挟まれ、
前記第２傾斜面は、前記対向面に向けて狭まる第２テーパ空間を形成することを特徴とする請求項２乃至８のいずれか１項に記載の光モジュール。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、光ファイバを備える光モジュールに関する。
【背景技術】
【０００２】
光ファイバを用いて光を伝送する光モジュールは、様々な技術分野に利用されている（特許文献１を参照）。特許文献１は、基板と、基板によって支持される光ファイバと、を備える光モジュールを開示する。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２０００−９８１９２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
光ファイバは、基板によって支持される第１区間と、基板からはみ出した第２区間と、を含む。したがって、光モジュールは、他の光学的装置と、光学的に通信可能に接続される。
【０００５】
しかしながら、基板の角隅部は、第１区間と第２区間との境界において、破壊的な応力を光ファイバに与えることがある。このことは、光モジュールの光学的特性を劣化させる。
【０００６】
本発明は、高い頑健性を有する光モジュールを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明の一局面に係る光モジュールは、第１伝送区間と、前記第１伝送区間から延びる第２伝送区間と、を含む光ファイバと、前記第１伝送区間と前記第２伝送区間との間で延びる境界線上に位置する端面と、前記第１伝送区間において前記光ファイバを支持する支持面と、を含む基板と、を備える。前記基板は、前記端面と前記支持面との間で前記光ファイバへ負荷される応力を緩和する応力緩和構造を含む。
【０００８】
上記構成によれば、基板は、端面と前記支持面との間で光ファイバへ負荷される応力を緩和する応力緩和構造を含むので、過度に高い応力は、光ファイバに加わりにくくなる。したがって、光モジュールは、高い頑健性を有することができる。
【０００９】
上記構成において、前記応力緩和構造は、前記端面と前記支持面との間に形成された第１傾斜面を含んでもよい。前記第１傾斜面は、前記端面から前記支持面に向けて狭まる第１テーパ空間を規定してもよい。
【００１０】
上記構成によれば、第１傾斜面は、前記端面から前記支持面に向けて狭まる第１テーパ空間を規定するので、端面は、光ファイバに直接的に接触しにくくなる。この結果、過度に高い応力は、光ファイバに加わりにくくなる。したがって、光モジュールは、高い頑健性を有することができる。
【００１１】
上記構成において、前記支持面は、前記光ファイバが収容される溝部を規定してもよい。
【００１２】
上記構成によれば、支持面は、光ファイバが収容される溝部を形成するので、光ファイバは、基板上で安定的に保持される。
【００１３】
上記構成において、前記基板は、単体半導体基板であってもよい。前記第１傾斜面は、前記単体半導体基板の結晶方位面に沿ってもよい。
【００１４】
上記構成によれば、第１傾斜面は、単体半導体基板の結晶方位面に沿うので、第１傾斜面は、容易に形成される。
【００１５】
上記構成において、前記単体半導体基板は、シリコン基板であってもよい。
【００１６】
上記構成によれば、第１傾斜面は、シリコン基板の結晶方位面に沿うので、第１傾斜面は、容易に形成される。
【００１７】
上記構成において、前記第１傾斜面は、ウェットエッチングにより形成されてもよい。
【００１８】
上記構成によれば、第１傾斜面は、ウェットエッチングにより容易に形成される。
【００１９】
上記構成において、前記応力緩和構造は、前記第１テーパ空間を満たすクッション材を含んでもよい。前記クッション材は、前記光ファイバ及び前記基板よりも低い硬度を有してもよい。
【００２０】
上記構成によれば、第１テーパ空間を満たすクッション材は、光ファイバ及び基板よりも低い硬度を有するので、過度に高い応力は、光ファイバに加わりにくくなる。したがって、光モジュールは、高い頑健性を有することができる。
【００２１】
上記構成において、光モジュールは、前記光ファイバと前記支持面とを接着する接着剤から形成された接着剤層を更に備えてもよい。前記接着剤の一部は、前記クッション材として、前記第１テーパ空間を満たしてもよい。
【００２２】
上記構成によれば、光ファイバと支持面とを接着する接着剤の一部は、クッション材として、第１テーパ空間を満たすので、クッション材及び接着剤層は、共通の工程で形成される。したがって、光ファイバの製造工程は、簡素化される。
【００２３】
上記構成において、光モジュールは、前記支持面に対向する対向面と、前記第１傾斜面に対向する第２傾斜面と、を含む押さえ板を更に備えてもよい。前記光ファイバは、前記第１伝送区間において、前記支持面と前記対向面とに挟まれてもよい。前記第２傾斜面は、前記対向面に向けて狭まる第２テーパ空間を形成してもよい。
【００２４】
上記構成によれば、第２傾斜面は、対向面に向けて狭まる第２テーパ空間を形成するので、光ファイバは、第１テーパ空間及び第２テーパ空間に囲まれることとなる。この結果、過度に高い応力は、光ファイバに加わりにくくなる。したがって、光モジュールは、高い頑健性を有することができる。
【発明の効果】
【００２５】
本発明の光モジュールは、高い頑健性を有することができる。
【図面の簡単な説明】
【００２６】
【図１】第１実施形態の光モジュールの概念図である。
【図２】第２実施形態の光モジュールの概略的な断面図である。
【図３】第３実施形態の光モジュールの概略的な平面図である。
【図４】図３に示される光モジュールの概略的な正面図である。
【図５】第４実施形態の光モジュールの概略的な断面図である。
【図６】第５実施形態の光モジュールの概略的な断面図である。
【図７】第６実施形態の光モジュールの概略的な断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００２７】
添付の図面を参照して、光モジュールに関する様々な実施形態が以下に説明される。光モジュールは、以下の説明によって、明確に理解可能である。「上」、「下」、「左」や「右」といった方向を表す用語は、単に、説明の明瞭化を目的とする。したがって、これらの用語は、限定的に解釈されるべきものではない。
【００２８】
＜第１実施形態＞
基板からはみ出した光ファイバは、湾曲或いは変形しやすい。光ファイバが、湾曲或いは変形するならば、光ファイバは、基板から過度に高い応力を受けることもある。第１実施形態において、光ファイバに負荷される応力を緩和する応力緩和構造を有する光モジュールが説明される。
【００２９】
図１は、第１実施形態の光モジュール１００の概念図である。図１を参照して、光モジュール１００が説明される。
【００３０】
光モジュール１００は、光ファイバ２００と、基板３００と、を備える。基板３００は、端面３１０と、支持面３２０と、を含む。端面３１０は、光ファイバ２００の延設方向に対して、略直角である。支持面３２０は、光ファイバ２００の延設方向に略平行である。
【００３１】
光ファイバ２００は、第１伝送区間と第２伝送区間とに区分される。図１は、第１伝送区間と第２伝送区間との間の境界に沿って延びる概念的な境界線ＢＬを示す。端面３１０は、第１伝送区間と第２伝送区間との間の境界線ＢＬ上に位置する。
【００３２】
光ファイバ２００は、第１伝送区間において、支持面３２０によって支持される。第１伝送区間から延びる第２伝送区間は、基板３００からはみ出す。したがって、光ファイバ２００は、第２伝送区間において変形或いは湾曲しやすい。
【００３３】
基板３００は、端面３１０と支持面３２０との間で光ファイバ２００に負荷される応力を緩和する応力緩和構造３３０を含む。応力緩和構造３３０は、端面３１０と支持面３２０とによって形成された角隅部に施与された面取り加工によって形成された傾斜面であってもよい。加えて、応力緩和構造３３０は、傾斜面によって光ファイバ２００の周りに形成されたクッション材を含んでもよい。本実施形態の原理は、応力緩和構造３３０の特定の構造に限定されない。
【００３４】
基板３００は、一般的な光モジュールに利用される材料から形成されてもよい。例えば、基板３００として、Ｓｉ、Ｇｅやダイヤモンドといった単体半導体基板が用いられてもよい。上述の傾斜面は、単体半導体基板の結晶方位面に沿って容易に形成される。本実施形態の原理は、基板３００の特定の種類に限定されない。本実施形態において、第１傾斜面は、単体半導体基板の結晶方位面に沿って形成された傾斜面によって例示されてもよい。
【００３５】
＜第２実施形態＞
設計者は、第１実施形態に関連して説明された設計原理に基づいて、様々な光モジュールを設計することができる。第２実施形態において、例示的な光モジュールが説明される。
【００３６】
図２は、第２実施形態の光モジュール１００Ａの概略的な断面図である。図１及び図２を参照して、光モジュール１００Ａが説明される。
【００３７】
光モジュール１００Ａは、光ファイバ２００Ａと、シリコン基板３００Ａと、押さえ板４００と、光電処理部５００と、を備える。光ファイバ２００Ａは、図１を参照して説明された光ファイバ２００に対応する。シリコン基板３００Ａは、図１を参照して説明された基板３００に対応する。
【００３８】
シリコン基板３００Ａは、第１端面３１１と、第２端面３１２と、上面３１３と、傾斜面３３０Ａと、を含む。第２端面３１２は、第１端面３１１の反対側に形成される垂直面である。上面３１３は、第１端面３１１と第２端面３１２との間で広がる。第１端面３１１は、図１を参照して説明された端面３１０に対応する。傾斜面３３０Ａは、図１を参照して説明された応力緩和構造３３０に対応する。
【００３９】
上面３１３には、第１溝部３４１及び第２溝部３４２が形成される。第１溝部３４１は、光ファイバ２００Ａを収容するために用いられる。第１溝部３４１内に収容された光ファイバ２００Ａの部分は、図１を参照して説明された第１伝送区間に対応する。第１溝部３４１からはみ出た光ファイバ２００Ａの部分は、図１を参照して説明された第２伝送区間に対応する。第１溝部３４１は、光ファイバ２００Ａを収容するための様々な形状を有してもよい。本実施形態の原理は、第１溝部３４１の特定の形状に限定されない。
【００４０】
光電処理部５００は、光導波路５１０と、光素子５２０と、複数の接点部５３０と、アンダーフィル層５４０と、を含む。アンダーフィル層５４０は、光素子５２０と光導波路５１０との間の空隙に充填される。接点部５３０それぞれは、光導波路５１０に電気的に接続される。光導波路５１０は、コア部５１１と、クラッド部５１２と、を含む。コア部５１１は、第２溝部３４２に収容される。クラッド部５１２は、コア部５１１を被覆する。
【００４１】
光素子５２０は、光導波路５１０上に配置される。上面３１３は、第２溝部３４２の輪郭の一部を形成する反射面３１４を含む。反射面３１４は、光を反射する。
【００４２】
光素子５２０は、接点部５３０を通じて供給された電力を用いて発光するレーザ光源であってもよい。この場合、レーザ光源は、レーザ光をコア部５１１へ出射する。レーザ光は、アンダーフィル層５４０及びクラッド部５１２を通過し、反射面３１４に到達する。反射面３１４は、光ファイバ２００Ａに向けて、レーザ光を反射する。コア部５１１は、反射面３１４から光ファイバ２００Ａに向けて第２溝部３４２内で延びる。したがって、レーザ光は、コア部５１１に沿って伝搬し、光ファイバ２００Ａに沿って伝搬する。
【００４３】
光ファイバ２００Ａは、コア部２１０と、クラッド部２２０と、を含む。コア部２１０は、クラッド部２２０によって覆われる。レーザ光は、コア部２１０内を伝搬する。光ファイバ２００Ａは、一般的な光ファイバと同様の構造であってもよい。したがって、本実施形態の原理は、光ファイバ２００Ａの特定の構造に限定されない。
【００４４】
光素子５２０は、光ファイバ２００Ａを通じて伝達されたエネルギを電気信号に変換する光センサであってもよい。この場合、光ファイバ２００Ａのコア部２１０を通じて伝搬した光は、光導波路５１０のコア部５１１に入射する。その後、光は、反射面３１４によって、光素子５２０に向けて反射する。光は、光導波路５１０のクラッド部５１２及びアンダーフィル層５４０を通じて、光センサに入射される。光センサは、受光に応じて、電気信号を生成する。電気信号は、接点部５３０を通じて、出力される。
【００４５】
光電処理部５００に代えて、光ファイバ２００Ａと協働して所定の機能を発揮する他の装置が用いられてもよい。本実施形態の原理は、光電処理部５００によっては何ら限定されない。
【００４６】
上面３１３は、第１溝部３４１の輪郭を規定する溝面３２０Ａを含む。溝面３２０Ａは、第１溝部３４１内に収容された光ファイバ２００Ａを支持する。溝面３２０Ａは、図１を参照して説明された支持面３２０に対応する。
【００４７】
押さえ板４００は、溝面３２０Ａに光ファイバ２００Ａを押さえつける。したがって、光ファイバ２００Ａは、第１溝部３４１から離脱しにくくなる。光ファイバ２００Ａは、他の技術を用いて第１溝部３４１内で固定されてもよい。本実施形態の原理は、押さえ板４００によっては何ら限定されない。
【００４８】
溝面３２０Ａと第１端面３１１との間に形成された傾斜面３３０Ａは、シリコン基板３００Ａの結晶方位面に沿って形成されてもよい。例えば、傾斜面３３０Ａは、ウェットエッチング技術によって形成されてもよい。尚、本実施形態の原理は、傾斜面３３０Ａの特定の形成技術に限定されない。本実施形態において、第１傾斜面は、傾斜面３３０Ａによって例示される。
【００４９】
傾斜面３３０Ａは、第１端面３１１から溝面３２０Ａに向けて狭まるテーパ空間３３１を形成する。シリコン基板３００Ａは、光ファイバ２００Ａに接触する尖った角隅部を含まないので、光ファイバ２００Ａが下方に湾曲したとき、破壊的な応力は、光ファイバ２００Ａに生じにくくなる。本実施形態において、第１テーパ空間は、テーパ空間３３１によって例示される。
【００５０】
＜第３実施形態＞
傾斜面が、溝部内の光ファイバを取り囲むならば、光モジュールは、光ファイバの様々な湾曲に対しても、光ファイバへ負荷される応力を緩和することができる。第３実施形態において、光ファイバを取り囲む傾斜面を有する光モジュールが説明される。
【００５１】
図３は、第３実施形態の光モジュール１００Ｂの概略的な平面図である。図１及び図３を参照して、光モジュール１００Ｂが説明される。第２実施形態及び第３実施形態の間で共通して用いられる符号は、当該共通の符号が付された要素が、第２実施形態と同一の機能を有することを意味する。したがって、第２実施形態の説明は、これらの要素に援用される。
【００５２】
第２実施形態と同様に、光モジュール１００Ｂは、光ファイバ２００Ａと、押さえ板４００と、を備える。第２実施形態の説明は、これらの要素に援用される。
【００５３】
光モジュール１００Ｂは、シリコン基板３００Ｂと、光電処理部５００Ｂと、を更に備える。シリコン基板３００Ｂは、光ファイバ２００Ａと、押さえ板４００と、光電処理部５００Ｂと、を支持する。
【００５４】
第２実施形態と同様に、光電処理部５００Ｂは、光導波路５１０と、光素子５２０と、４つの接点部５３０と、アンダーフィル層５４０と、を含む。第２実施形態の説明は、これらの要素に援用される。
【００５５】
光電処理部５００Ｂは、４つの接点部５３０それぞれに対応して形成された４つの導電パッド５３１を更に含む。光モジュール１００Ｂは、導電パッド５３１を通じて、電源装置（図示せず）に電気的に接続されてもよい。この場合、光素子５２０は、電源装置からの電力供給に応じて発光してもよい。代替的に、光モジュール１００Ｂは、導電パッド５３１を通じて、信号処理装置（図示せず：例えば、パーソナルコンピュータ）に接続されてもよい。この場合、光素子５２０は、光ファイバ２００Ａを通じて伝搬した光を電気信号に変換してもよい。電気信号は、接点部５３０及び導電パッド５３１を通じて、光素子５２０から信号処理装置へ出力される。本実施形態の原理は、光電処理部５００Ｂの特定の機能や特定の構造に限定されない。
【００５６】
第２実施形態と同様に、シリコン基板３００Ｂは、第１端面３１１と、第２端面３１２と、を含む。第２実施形態の説明は、これらの要素に援用される。
【００５７】
シリコン基板３００Ｂは、上面３１３Ｂと、傾斜面３３０Ｂと、を更に含む。傾斜面３３０Ｂは、図１を参照して説明された応力緩和構造３３０に対応する。
【００５８】
第２実施形態と同様に、上面３１３Ｂには、光導波路５１０のコア部５１１が収容される第２溝部３４２が形成される。第２実施形態の説明は、第２溝部３４２に援用される。
【００５９】
上面３１３Ｂには、第２溝部３４２に直線的に整列した第１溝部３４１Ｂが形成される。光ファイバ２００Ａは、第１溝部３４１Ｂ内に収容される。
【００６０】
図４は、光モジュール１００Ｂの概略的な正面図である。図３及び図４を参照して、光モジュール１００Ｂが更に説明される。
【００６１】
シリコン基板３００Ｂの上面３１３Ｂは、平坦な右接面３２１と、平坦な左接面３２２と、を含む。右接面３２１及び左接面３２２は、第１溝部３４１Ｂを規定する。本実施形態において、溝部は、第１溝部３４１Ｂによって例示される。支持面は、右接面３２１及び左接面３２２によって例示される。
【００６２】
光ファイバ２００Ａは、略円形の断面を有する。右接面３２１は、光ファイバ２００Ａのコア部２１０の右側で、光ファイバ２００Ａのクラッド部２２０に外接する。左接面３２２は、光ファイバ２００Ａのコア部２１０の左側で、光ファイバ２００Ａのクラッド部２２０に外接する。右接面３２１及び左接面３２２は、第１溝部３４１Ｂに、略Ｖ字型の断面形状を与える。尚、光ファイバ２００Ａが収容される第１溝部の断面は、Ｖ字形状でなくてもよい。第１溝部の断面は、半円形、台形や光ファイバ２００Ａを収容可能な他の形状であってもよい。本実施形態の原理は、第１溝部の特定の断面形状に限定されない。
【００６３】
傾斜面３３０Ｂは、第１端面３１１と右接面３２１との間及び第１端面３１１と左接面３２２との間で略Ｖ字型の表面形状をなす。傾斜面の表面形状は、第１溝部の断面形状に応じて決定されてもよい。第１溝部が、半円形の断面を有するならば、傾斜面は、半円弧状の表面形状を有してもよい。第１溝部の断面が、台形であるならば、傾斜面は、台形輪郭をなぞる表面形状を有してもよい。本実施形態の原理は、傾斜面の特定の形状に限定されない。
【００６４】
傾斜面３３０Ｂは、第１端面３１１から右接面３２１及び左接面３２２に向けて狭まるテーパ空間３３１Ｂを形成する。テーパ空間３３１Ｂは、光ファイバ２００Ａの断面を略半周に亘って取り囲む。したがって、光ファイバ２００Ａが右方、左方又は下方に湾曲したとき、破壊的な応力は、光ファイバ２００Ａに生じにくくなる。本実施形態において、第１テーパ空間は、テーパ空間３３１Ｂによって例示される。
【００６５】
傾斜面３３０Ｂ、右接面３２１及び左接面３２２は、シリコン基板３００Ｂの結晶方位面に沿って形成されてもよい。例えば、傾斜面３３０Ｂ、右接面３２１及び左接面３２２は、ウェットエッチング技術を用いて形成されてもよい。
【００６６】
＜第４実施形態＞
第３実施形態に関連して説明された傾斜面は、光ファイバを取り囲むテーパ空間を形成する。テーパ空間にクッション材が充填されるならば、光ファイバは、第１伝送区間と第２伝送区間との間の境界において、しっかりと保持される。第４実施形態において、クッション材を備える光モジュールが説明される。
【００６７】
図５は、第４実施形態の光モジュール１００Ｃの概略的な断面図である。図３及び図５を参照して、光モジュール１００Ｃが説明される。第３実施形態及び第４実施形態の間で共通して用いられる符号は、当該共通の符号が付された要素が、第３実施形態と同一の機能を有することを意味する。したがって、第３実施形態の説明は、これらの要素に援用される。
【００６８】
第３実施形態と同様に、光モジュール１００Ｃは、光ファイバ２００Ａと、シリコン基板３００Ｂと、押さえ板４００と、光電処理部５００Ｂと、を備える。第３実施形態の説明は、これらの要素に援用される。
【００６９】
光モジュール１００Ｃは、図３を参照して説明されたテーパ空間３３１Ｂに充填されたクッション材３３２を更に備える。クッション材３３２は、光ファイバ２００Ａ及びシリコン基板３００Ｂよりも低い硬度を有する様々な材料であってもよい。本実施形態の原理は、クッション材３３２の特定の種類に限定されない。
【００７０】
＜第５実施形態＞
光ファイバを基板に固定するための接着剤層が、第３実施形態に関連して説明されたクッション材として機能してもよい。第５実施形態において、クッション材として機能する接着剤層を備える光モジュールが説明される。
【００７１】
図６は、第５実施形態の光モジュール１００Ｄの概略的な断面図である。図３、図５及び図６を参照して、光モジュール１００Ｄが説明される。第３実施形態及び第５実施形態の間で共通して用いられる符号は、当該共通の符号が付された要素が、第３実施形態と同一の機能を有することを意味する。したがって、第３実施形態の説明は、これらの要素に援用される。
【００７２】
第３実施形態と同様に、光モジュール１００Ｄは、光ファイバ２００Ａと、シリコン基板３００Ｂと、押さえ板４００と、光電処理部５００Ｂと、を備える。第３実施形態の説明は、これらの要素に援用される。
【００７３】
光モジュール１００Ｄは、光ファイバ２００Ａを、図３を参照して説明された右接面３２１及び左接面３２２に接着する接着剤から形成された接着剤層６００を更に備える。接着剤は、図３を参照して説明された第１溝部３４１Ｂだけでなく、テーパ空間３３１Ｂをも満たす。テーパ空間３３１Ｂを満たす接着剤は、図５を参照して説明されたクッション材３３２として機能する。
【００７４】
＜第６実施形態＞
基板と協働して光ファイバを挟む押さえ板が、応力緩和機能を有するならば、光ファイバが上方に湾曲したときにおいても、破壊的な応力は、光ファイバに生じにくくなる。第６実施形態において、応力緩和機能を有する押さえ板が説明される。
【００７５】
図７は、第６実施形態の光モジュール１００Ｅの概略的な断面図である。図３及び図７を参照して、光モジュール１００Ｅが説明される。第５実施形態及び第６実施形態の間で共通して用いられる符号は、当該共通の符号が付された要素が、第５実施形態と同一の機能を有することを意味する。したがって、第５実施形態の説明は、これらの要素に援用される。
【００７６】
第５実施形態と同様に、光モジュール１００Ｅは、光ファイバ２００Ａと、シリコン基板３００Ｂと、光電処理部５００Ｂと、接着剤層６００と、を備える。第５実施形態の説明は、これらの要素に援用される。
【００７７】
光モジュール１００Ｅは、押さえ板４００Ｅを更に備える。押さえ板４００Ｅは、対向面４１０と、傾斜面４２０と、を含む。対向面４１０は、図３を参照して説明された右接面３２１及び左接面３２２に対向する。光ファイバ２００Ａは、第１伝送区間において、対向面４１０と、右接面３２１及び左接面３２２の組と、によって挟まれる。
【００７８】
押さえ板４００Ｅの傾斜面４２０は、シリコン基板３００Ｂの傾斜面３３０Ｂに対向する。押さえ板４００Ｅの傾斜面４２０は、対向面４１０に向かって狭まるテーパ空間４２１を形成する。したがって、光ファイバ２００Ａが上方に湾曲しても、破壊的な応力は、光ファイバ２００Ａに生じにくくなる。本実施形態において、第２テーパ空間は、テーパ空間４２１によって例示される。
【００７９】
テーパ空間４２１は、光ファイバ２００Ａの周面を部分的に取り囲んでもよい。接着剤層６００を形成する接着剤は、テーパ空間４２１を満たしてもよい。
【００８０】
上述の様々な実施形態の原理は、光モジュールの用途に適合するように、組み合わされてもよい。
【産業上の利用可能性】
【００８１】
上述の実施形態の原理は、光ファイバが搭載される様々な装置に好適に利用される。
【符号の説明】
【００８２】
１００〜１００Ｅ・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・光モジュール
２００，２００Ｂ・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・光ファイバ
３００・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・基板
３００Ａ，３００Ｂ・・・・・・・・・・・・・・・・・・・シリコン基板
３１０・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・端面
３１１・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・第１端面
３２０・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・支持面
３２０Ａ・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・溝面
３２１・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・右接面
３２２・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・左接面
３３０・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・応力緩和構造
３３０Ａ，３３０Ｂ・・・・・・・・・・・・・・・・・・・傾斜面
３３１，３３１Ｂ・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・テーパ空間
３３２・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・クッション材
３４１，３４１Ｂ・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・第１溝部
４００，４００Ｅ・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・押さえ板
４１０・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・対向面
４２０・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・傾斜面
４２１・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・テーパ空間
６００・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・接着剤層
ＢＬ・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・境界線
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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