(57)【要約】【課題】実カード用のコネクタ及び信号線を用いて暗電流を低減可能とする。【解決手段】負荷に電力を供給するバッテリと、実カード及び前記実カードと異なる疑似カードの一方を接続可能であり、且つ前記負荷と前記実カードとの間で信号を送受信するための信号線が接続されたコネクタと、前記コネクタに前記疑似カードが接続されたときに前記信号線に生じる制御信号を受けて前記バッテリから前記負荷への電力供給を遮断する遮断回路と、を含む携帯端末である。【選択図】図３
2015220520.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
負荷に電力を供給するバッテリと、
実カード及び前記実カードと異なる疑似カードの一方を接続可能であり、且つ前記負荷と前記実カードとの間で信号を送受信するための信号線が接続されたコネクタと、
前記コネクタに前記疑似カードが接続されたときに前記信号線に生じる制御信号を受けて前記バッテリから前記負荷への電力供給を遮断する遮断回路と、
を含む携帯端末。
【請求項２】
前記コネクタに接続された前記実カードと前記負荷との間で前記信号線を通じた信号の送受信が行われる前に前記遮断回路と前記信号線との間を切断する切断回路
をさらに含む請求項１に記載の携帯端末。
【請求項３】
前記遮断回路は、前記コネクタに前記実カード及び前記疑似カードの双方が接続されていないときに前記バッテリから負荷への電源供給の遮断状態を解除する
請求項１又は２に記載の携帯端末。
【請求項４】
前記遮断回路は、前記コネクタへの前記疑似カードの接続によって前記信号線が接地されることで生じる制御信号を受ける
請求項１から３のいずれか一項に記載の携帯端末。
【請求項５】
前記コネクタは、前記信号線と接続された第１の接点と、グラウンドと接続された第２の接点とを含み、前記第１の接点及び前記第２の接点は、前記疑似カードに設けられた前記第１の接点及び前記第２の接点間を短絡する端子と接触する
請求項４に記載の携帯端末。
【請求項６】
負荷に電力を供給するバッテリと、実カード及び前記実カードと異なる疑似カードの一方を接続可能であり、且つ前記負荷と前記実カードとの間で信号を送受信するための信号線が接続されたコネクタとを含む携帯端末の電力供給制御方法であって、
前記コネクタに前記疑似カードを接続し、
前記コネクタと前記疑似カードとの接続によって前記信号線に生じる制御信号を受けて遮断回路が前記バッテリから前記負荷への電力供給を遮断する、
ことを含む携帯端末の電力供給制御方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本開示は、携帯端末，及びその電力供給制御方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、携帯端末装置の分野では、薄型化の要請に基づき筐体に電池パック（バッテリーパック）の取り出し用の蓋を設けないことが少なくない。この場合、携帯端末装置の製造工程において電池パックが筐体内に内蔵され、いわゆるはめ殺しの状態となる。これにより、携帯端末装置の電源がオフであっても、筐体内に内蔵された電池パックからは、負荷に対して電流（暗電流という）が流れ続け、電池の残量が徐々に減少しつづける状態となる。
【０００３】
暗電流による電池残量の低下を抑えるための従来技術として、例えば、以下のものがある。携帯端末に内蔵されたバッテリ装置は、負荷装置へ電力を供給する電源パスをスイッチ部からの制御信号に応じて切断するスイッチング素子を有する。スイッチ部は、その操作に応じて、バッテリ装置から負荷装置へ流れる暗電流を防止するための制御信号を発生する。スイッチ部の一部として、導体エリアを有するダミーのＳＩＭカード（ダミーカード）が用いられ、ダミーカードがソケットに装着されたときに、導体エリアと１対のバネ接点との接触による短絡で、制御信号が発生する（例えば、特許文献１）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２０１３−１８３６３４号公報（図６，図８，図９，図１０）
【特許文献２】特開２００１−２３７９５２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、特許文献１の技術には以下の問題があった。すなわち、特許文献１において、ダミーカードの導体エリアと接触する一対のバネ接点は、ＳＩＭカードの規格外の接点である。このため、一対のバネ接点は、ＳＩＭカード用のソケットの手前側に配置されている。一方、ダミーカードは、ＳＩＭカードの長さ寸法よりも長い長さ寸法を有し、ダミーカードの長さ方向における一方の端部に一対のバネ接点と接触させる導体エリアが形成されている。そして、ダミーカードがソケットに装着されたときに導体エリアが一対のバネ接点と接触するようにしている。
【０００６】
上記構成のため、特許文献１の技術では、一対のバネ接点の設置スペースを設けるために実装面積が大きくなっていた。また、一対のバネ接点の配置を考慮する関係上、ＳＩＭカード用のソケット配置位置や、ＳＩＭカード挿入口のサイズなどのデザイン上の制約が生じていた。このような制約は、携帯端末の小型化、薄型化を阻害する要因となり得る。
【０００７】
本開示は、実カード用のコネクタ及び信号線を用いて暗電流を低減可能とする技術を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本開示の一態様は、負荷に電力を供給するバッテリと、
実カード及び前記実カードと異なる疑似カードの一方を接続可能であり、且つ前記負荷と前記実カードとの間で信号を送受信するための信号線が接続されたコネクタと、
前記コネクタに前記疑似カードが接続されたときに前記信号線に生じる制御信号を受けて前記バッテリから前記負荷への電力供給を遮断する遮断回路と、
を含む携帯端末である。
【発明の効果】
【０００９】
本開示によれば、実カード用のコネクタ及び信号線を用いて暗電流を低減可能とすることができる。
【図面の簡単な説明】
【００１０】
【図１】図１は、実施形態における携帯端末装置（携帯端末）の構成例を示す図である。
【図２】図２は、携帯端末が備える電源制御回路の構成例を示す。
【図３】図３は、図２に示した遮断回路，切断回路及び疑似ＳＩＭカードの構成例を示す図であり、疑似ＳＩＭカードの接続によって遮断回路が動作したときの様子を示す。
【図４Ａ】図４Ａは、実ＳＩＭカードの端子構成例を示す図である。
【図４Ｂ】図４Ｂは、疑似ＳＩＭカードの端子構成例を示す図である。
【図５】図５は、図３に示した携帯端末の動作例を示すタイムチャートである。
【図６】図６は、ＳＩＭカードの使用中における切断回路の動作説明図である。
【発明を実施するための形態】
【００１１】
以下、図面を参照して本発明の実施形態について説明する。実施形態の構成は例示であり、本発明は、実施形態の構成に限定されない。
【００１２】
＜携帯端末装置の構成例＞
図１は、実施形態における携帯端末装置（携帯端末）１０の構成例を示す図であり、図２は、携帯端末１０が備える電源制御回路の構成例を示す。携帯端末１０は、例えば、フィーチャーフォン，スマートフォン，タブレット端末，Personal Digital Assistant(ＰＤＡ)のような専用又は汎用の通信機能を有する端末（例えば、無線端末）である。
【００１３】
図１において、携帯端末１０は、筐体内に内蔵された電池パック（バッテリ）１１と、バッテリ１１から電力の供給を受ける負荷１２とを含んでいる。負荷１２は、バッテリ１１と接続された電源部１３と、電源部１３と接続された制御部１４とを含んでいる。また、携帯端末１０は、信号線１５を介して接続されたSubscriber Identity Module（ＳＩＭ）カード（実ＳＩＭカード）用のソケット１６（コネクタの一種）を含んでいる。ソケット１６は、ＳＩＭカード１７Ａを着脱自在に形成されている。ソケット１６は、「コネクタ」の一例である。
【００１４】
バッテリ１１は、正極端子（VBATT）と負極端子（GND）とを備えており、バッテリ電圧VBATTを出力することで、負荷１２へ電力を供給する。電源部１３は、制御部１４への電
力供給及び電力供給停止を電源スイッチ１８のオンオフに応じて行う電源回路などを含んでいる。
【００１５】
制御部１４は、携帯端末１０に備えられた装置群を含んでいる。図１に示す例では、制御部１４は、一例として、Central Processing Unit（ＣＰＵ）１９と、メモリ２０と、表示装置２１と、入力装置２２と、音声入力／出力装置２３と、無線部２４とを含んでいる。また、制御部１４は、図示しないが、カメラ，センサ，Global Positioning System(ＧＰＳ)受信機などを含むこともある。
【００１６】
メモリ２０は、不揮発性メモリ（例えばRead Only Memory（ＲＯＭ），フラッシュメモリ等）と、揮発性メモリ（例えばRandom Access Memory（ＲＡＭ））とを含む。メモリ２０は、ＣＰＵ１９によって実行されるプログラムと、プログラムの実行時に使用されるデ
ータを記憶する。また、メモリ２０は、ＣＰＵ１９の作業領域として使用される。
【００１７】
表示装置２１は、ＣＰＵ１９によるプログラムの実行結果など、各種の情報を表示する。入力装置２２は、キー，ボタン，タッチパネルなどの少なくとも１つを含み、ユーザが情報を携帯端末１０に入力するために使用される。音声入力／出力装置２３は、マイクロフォン，スピーカなどを含む。無線部２４は、ベースバンド信号の変復調器，アップコンバータ，ダウンコンバータ，増幅器，デュプレクサ，及び送受信アンテナなどを含み、他の通信機器との無線通信（無線信号の送受信）を司る。
【００１８】
信号線１５は、信号線１５ａ〜１５ｆを含んでいる（図２参照）。信号線１５ａ〜１５ｆのそれぞれは、ソケット１６の底面に設けられた電気接点（以下「接点」と表記）１６ａ〜１６ｆ（図１）のいずれかと接続されている。図２では、ソケット１６及び接点１６ａ〜１６ｆは模式的に図示されている。接点１６ａ〜１６ｆは、導体で形成された、例えばバネ接点である。
【００１９】
信号線１５ａは接点１６ａと接続されており、信号線１５ｂは、接点１６ｂと接続されており、信号線１５ｃは接点１６ｃと接続されており、信号線１５ｄは接点１６ｄと接続されており、信号線１５ｅは接点１６ｅと接続されており、信号線１５ｆは接点１６ｆと接続されている。
【００２０】
各接点１６ａ〜１６ｆは、ＳＩＭカード１７Ａが備える複数の端子と対応づけて形成されている。各接点１６ａ〜１６ｆは、ＳＩＭカード１７Ａがソケット１６に装着されたときに、対応する端子と接触する。端子と接点との接触により、携帯端末１０（制御部１４のような負荷１２）とＳＩＭカード１７Ａとが電気的に接続される。これによって、携帯端末１０（制御部１４）は、信号線１５を用いてＳＩＭカード１７Ａに対し、動作電力の供給、データの読み出し／書き込みなどを行うことができる。
【００２１】
＜電源制御回路の構成＞  
図２に示すように、携帯端末１０は、ＳＩＭカード１７Ａと異なる疑似ＳＩＭカード１７Ｂを用いてバッテリ１１から負荷１２への電力供給を制御する電源制御回路を備えている。  
【００２２】
電源制御回路は、ソケット１６に疑似ＳＩＭカード１７Ｂが装着された（携帯端末１０と疑似ＳＩＭカード１７Ｂとが電気的に接続された）ときにバッテリ１１から負荷１２へ流れる暗電流を遮断する遮断回路３０を含む。また、電源制御回路は、遮断回路３０とソケット１６に接続されたＳＩＭカード１７Ａとの電気的接続を切断する切断回路４０とを含む。ＳＩＭカード１７Ａは「実カード」の一例であり、疑似ＳＩＭカード１７Ｂは「疑似カード」の一例である。
【００２３】
遮断回路３０は、制御線３１と、制御回路３２と、スイッチＳＷ１とを含む。スイッチＳＷ１は、バッテリ１１のVBATT端子と電源部１３とを結ぶ電力線１１ａに挿入された状態となっている。電力線１１ａは、バッテリ１１とスイッチＳＷ１とを結ぶ電力線１１ｂと、スイッチＳＷ１と電源部１３とを結ぶ電力線１１ｃとを含む。なお、バッテリ１１のGND端子と電源部１３とは、グラウンド線１１ｄで接続されている。
【００２４】
このような構成により、スイッチＳＷ１のオン／オフに伴って、バッテリ１１から負荷１２への電力供給がオンオフされる。スイッチＳＷ１は、制御回路３２から制御線３３を介してオン／オフ信号を受けるように形成されており、オン信号を受けたときにオンとなり、オフ信号を受けたときにオフとなる。
【００２５】
制御線３１は、制御回路３２と切断回路４０に含まれるスイッチＳＷ２と結ぶ制御線３１ａと、スイッチＳＷ２と信号線１５とを結ぶ制御線３１ｂとを含む。制御線３１ｂは、スイッチＳＷ２と信号線１５の一つとを接続している。図２の例では、制御線３１ｂは信号線１５ｂに接続されている。
【００２６】
制御回路３２は、制御線３１ａに生じる制御信号の有無に応じてスイッチＳＷ１をオンオフさせる。疑似ＳＩＭカード１７Ｂは、ソケット１６に装着される（携帯端末１０と電気的に接続される）ことによって信号線１５ｂに制御信号を発生させる。制御信号は、スイッチＳＷ２（オン状態）を介して制御線３１ａに供給される。制御回路３２は、制御線３１ａから制御信号を受けると、制御線３３にオフ信号を生じさせてスイッチＳＷ１をオフにする。
【００２７】
このように、本実施形態では、疑似ＳＩＭカード１７Ｂが遮断回路３０の一部として使用される構成を有し、信号線１５ｂの一部が制御信号の伝達経路として使用される。上記構成により、疑似ＳＩＭカード１７Ｂが携帯端末１０に装着されると、制御回路３２がスイッチＳＷ１をオフにして、バッテリ１１から負荷１２への電力供給を遮断する。これによって暗電流の低減が図られ、バッテリ１１の残量低下を抑えることができる。
【００２８】
切断回路４０は、制御部１４に接続された制御線４１と、制御回路４２と、スイッチＳＷ２とを含む。スイッチＳＷ２は、制御線４３を介して制御回路４２と接続されている。スイッチＳＷ２は、ソケット１６に疑似ＳＩＭカード１７Ｂが装着されていない状態ではオフとなる。これに対し、スイッチＳＷ２は、疑似ＳＩＭカード１７Ｂがソケット１６に装着された状態においてオンとなり、信号線１５ｂに生じた制御信号を制御線３１ａに伝達する。制御回路４２は、制御線４１に制御信号が生じたときに制御線４３を介してスイッチＳＷ２をオフにする。
【００２９】
制御部１４は、電源スイッチ１８がオンにされ、電源部１３からの電力供給が開始されると、システムリセット信号を生成し、制御線４１に出力する。システムリセット信号は、ＣＰＵ１９が電力供給を受けて作動準備ができたときにＣＰＵ１９が出力する信号である。制御回路４２は、システムリセット信号を制御信号として捉え、スイッチＳＷ２をオフにする。これによって、遮断回路３０が信号線１５ｂから切断された状態となる。システムリセット信号は、制御部１４（ＣＰＵ１９）に電力が供給されている間、制御線４１に出力され続ける。
【００３０】
従って、ＳＩＭカード１７Ａの使用時（信号線１５ｂの使用時）において、遮断回路３０は信号線１５ｂから切り離された状態となる。このため、遮断回路３０と制御部１４及びＳＩＭカード１７Ａとの間で、一方が他方に対して影響を与えることが回避される。これによって、ＳＩＭカード１７Ａと制御部１４とは正常なやりとりを行い得る。
【００３１】
図３は、図２に示した遮断回路３０，切断回路４０及び疑似ＳＩＭカード１７Ｂの構成例を示す図である。図３に示す例では、スイッチＳＷ１として、ｐチャネル型の電界効果トランジスタ（ＭＯＳＦＥＴ）Ｔｒ１（以下「Ｔｒ１」と表記）が適用されている。また、制御回路３２は、ｎチャネル型のＭＯＳＦＥＴ  Ｔｒ２（以下「Ｔｒ２」と表記）と、ｎチャネル型のＭＯＳＦＥＴ  Ｔｒ３（以下「Ｔｒ２」と表記）とを含んでいる。Ｔｒ１は「スイッチング素子」の一例である。
【００３２】
Ｔｒ１のドレイン及びソースは、バッテリ１１と電源部１３とを結ぶ電力線に挿入された状態となっている。すなわち、Ｔｒ１のソースはバッテリ側の電力線１１ａに接続され、Ｔｒ１のドレインは、電源部１３側の電力線１１ｂに接続されている。Ｔｒ１のゲートは、Ｔｒ３のドレインに接続されている。
【００３３】
Ｔｒ２のソースはグラウンドに接続（接地）され、ドレインはＴｒ３のソースに接続されている。Ｔｒ２のゲートは、電録線１１ａに接続されており、バッテリ電圧VBATTによ
る電圧が印加される。また、Ｔｒ２のゲート及びＴｒ１のゲートには、負荷インピーダンス３５が接続されている。
【００３４】
Ｔｒ３のソースは、負荷インピーダンス３６を介してバッテリ１１と接続されており、バッテリ電圧VBATTが印加される。また、負荷インピーダンス３６のバッテリ１１側の端子と制御線３１ａとの間には、負荷インピーダンス３７が接続されている。Ｔｒ３のゲートは制御線３１ａに接続されており、Ｔｒ３のゲートには、制御線３１ａを介してバッテリ電圧VBATTによる電圧が印加される。
【００３５】
また、スイッチＳＷ２として、ｎチャネル型のＭＯＳＦＥＴ  Ｔｒ４（以下「Ｔｒ４」）が適用されている。Ｔｒ４のソースは制御線３１ｂに接続されており、ドレインは制御線３１ａに接続されている。Ｔｒ４のゲートは、制御線４３に接続されている。Ｔｒ４は、「切断用のスイッチング素子」の一例である。
【００３６】
制御回路４２は、ｎチャネル型のＭＯＳＦＥＴ  Ｔｒ５（以下「Ｔｒ５」と表記）と、負荷インピーダンス４４と、負荷インピーダンス４５とを含む。Ｔｒ５のソースは接地されており、ドレインは制御線４３に接続されている。負荷インピーダンス４４の一端は制御線４１に接続され、他端は接地されている。制御線４３は、負荷インピーダンス４５を介してバッテリ１１と接続されており、制御線４３にはバッテリ電圧VBATTが印加される
。
【００３７】
＜ＳＩＭカード及び疑似ＳＩＭカード＞  
図４ＡはＳＩＭカード１７Ａの構成例を示す図であり、図４Ｂは疑似ＳＩＭカード１７Ｂの構成例を示す図である。図４Ａには、ＳＩＭカード１７Ａの裏面に露出した複数の端子（ピン）Ｔ１〜Ｔ６が模式的に図示されている。
【００３８】
端子Ｔ１は、Vcc端子であり、電源入力に使用される。端子Ｔ２は、リセット端子であ
り、外部装置（携帯端末１０の制御部１４）からのリセット信号の入力に使用される。端子Ｔ３はクロック端子であり、クロック又はタイミング信号の入力に使用される。端子Ｔ４は、グラウンド（ＧＮＤ）端子であり、アースに使用される。
【００３９】
端子Ｔ５は、プログラム用電圧（Vpp）入力用の端子である。端子Ｔ５はＳＩＭカード
１７Ａに内蔵された不揮発性メモリ（図示せず）の内容をプログラム（変更）したり消去したりするための電圧を提供するために使用される。端子Ｔ６は、ＳＩＭカード１７Ａに内蔵されたIntegrated Circuit(ＩＣ)に対するデータの入力／出力端子として使用される。
【００４０】
端子Ｔ１は接点１６ａ及び信号線１５ａと対応しており、端子Ｔ２は接点１６ｂ及び信号線１５ｂと対応しており、端子Ｔ３は接点１６ｃ及び信号線１５ｃと対応している。端子Ｔ４は接点１６ｄ及び信号線１５ｄと対応しており、端子Ｔ５は接点１６ｅ及び信号線１５ｅと対応しており、端子Ｔ６は接点１６ｆ及び信号線１５ｆと対応している。
【００４１】
各端子Ｔ１〜Ｔ６は、ＳＩＭカード１７Ａをソケット１６に装着したときに、対応する接点１６ａ〜１６ｆと接触し、電気的に接続される。各信号線１５ａ，１５ｂ，１５ｃ，１５ｅ，１５ｆは、制御部１４に接続されており、制御部１４とＳＩＭカード１７Ａとの間で各種の信号（電源信号，リセット信号，電圧信号，データ信号）を送受信するために使用される。一方、信号線１５ｄは、グラウンド線として使用され、接地される。
【００４２】
疑似ＳＩＭカード１７Ｂは、その平面（裏面）に形成された端子構成がＳＩＭカード１７Ａと異なる点を除き、外形形状（幅、長さ、厚さの各方向の寸法）をＳＩＭカード１７Ａと同じくすることができる。また、ＩＣや不揮発性メモリを内蔵しなくても良い点で、疑似ＳＩＭカード１７ＢはＳＩＭカード１７Ａと異なる。
【００４３】
図４Ｂに示すように、疑似ＳＩＭカード１７Ｂは、グラウンド（ＧＮＤ）端子として使用される端子Ｔ４１のみを有している。端子Ｔ４１は、ＳＩＭカード１７Ａにおける端子Ｔ２（グラウンド端子）と、所定の他の端子とを接合（一体化）して形成されている。本実施形態では、一例として、端子Ｔ２（リセット端子）を端子Ｔ４（グラウンド端子）と接合して端子Ｔ４１が形成されている。
【００４４】
端子Ｔ４１は、疑似ＳＩＭカード１７Ｂがソケット１６に装着されたときに、接点１６ｂ及び接点１６ｄと接触し、接点１６ｂと接点１６ｄとの間を短絡する。これによって、信号線１５ｂは、端子Ｔ４１を介してグラウンドに接地された状態となり（図３参照）、信号線１５ｂにスイッチＳＷ２を介して接続された制御線３１ａの信号レベルが低（Ｌ）レベルとなる。このＬレベルの信号が制御回路３２に対する制御信号として作用する。なお、端子Ｔ４１を用いたグラウンドへの短絡は低インピーダンスでなされるようになっている。例えば、端子Ｔ４１の面積を大きくすることにより、インピーダンスの低下が図られる。
【００４５】
なお、信号線１５ｂには、制御部１４からソケット１６へ向かう方向を順方向としてダイオードＤが挿入されている。ダイオードＤは、Ｔｒ４のソース側に生じた電圧が信号線１５ｂを介して制御部１４に回り込むことを回避するために設けられている。但し、ダイオードＤは必ずしも必須の構成ではない。
【００４６】
＜動作例＞
図５は、図３に示した携帯端末１０の動作例を示すタイムチャートである。タイムチャートは、バッテリ電圧VBATT，Ｔｒ１（ＳＷ１），Ｔｒ２，Ｔｒ３，Ｔｒ４（ＳＷ２），Ｔｒ５，及び電源部１３（負荷１２）への電力供給のオンオフ状態を示す。
【００４７】
携帯端末１０にバッテリ１１が搭載されていない状態（電池パック無し）では、バッテリ電圧VBATTは零であるため、Ｔｒ１〜Ｔｒ５のそれぞれはオフであり、電源部１３への電力供給は行われない。
【００４８】
ソケット１６にＳＩＭカード１７Ａも疑似ＳＩＭカード１７Ｂも装着されていない状態でバッテリ１１が搭載されると、バッテリ電圧VBATTの印加が開始され、遮断回路３０で次のような動作が行われ、電源部１３に対する電力供給が開始される。
【００４９】
すなわち、図３に示すように、バッテリ電圧VBATTの印加によって、Ｔｒ２がオンとな
り、Ｔｒ３のソースに印加されるバッテリ電圧VBATTがＴｒ２のソース側に短絡される。
これによって、Ｔｒ３のソース側にグラウンド電位が生じ、ソース側の信号レベルがＬレベルとなる。一方、バッテリ電圧VBATTが制御線３１ａに印加され、制御線３１ａの信号
レベルが高（Ｈ）レベルとなる。これによって、Ｔｒ３がオンとなる。
【００５０】
Ｔｒ１のソース側（電力線１１ｂ）の信号レベルは、バッテリ電圧VBATTによってＨレベルとなる一方で、Ｔｒ１のゲート側の信号レベルはＴｒ３のオンによってＬレベルとなる。これによって、Ｔｒ１がオンとなり、電力線１１ａを介して電力がバッテリ１１から電源部１３へ供給される。
【００５１】
但し、この時点では、電源スイッチ１８はオフであり、電源部１３から制御部１４に対する電力供給は行われない。Ｔｒ５は、リセット信号の出力によって制御線４１の信号レベルがＨレベルである間オンとなる。制御部１４に電力が供給されていない状態では、Ｔｒ５はオフである。このため、Ｔｒ４は、ゲートにバッテリ電圧VBATTを受けてオンとなる。Ｔｒ４のドレインからソースへドレイン電流が流れる。但し、接点１６ｂが開放されているので、Ｔｒ４のソース側の電圧は微少な時間でバッテリ電圧VBATTとなり、Ｔｒ４は
オフとなる。これによって、制御線３１ａの信号レベル（Ｈ）が維持される。
【００５２】
その後、疑似ＳＩＭカード１７Ｂがソケット１６に挿入されると、端子Ｔ４１が接点１６ｂ及び接点１６ｄと接触する。これによって、接点１６ｂと接点１６ｄとの間が短絡され、信号線１５ｂが接地される。すると、Ｔｒ４のソースにグラウンド電位が印加される（ソース側の信号レベルがＬレベルとなる）ので、Ｔｒ４がオンとなり、制御線３１ａの信号レベルがＨレベルからＬレベルへと変化する。このＬレベルの信号が遮断回路３０（制御回路３２）に対する制御信号となる。
【００５３】
Ｔｒ３は、ゲート電圧の低下によってオフとなり、Ｔｒ１のゲート電圧が上昇する。これによって、Ｔｒ１がオフとなり、バッテリ１１から電源部１３への電力供給がオフとなる。すなわち、暗電流が低減される（図３参照）。
【００５４】
従って、例えば、携帯端末１０の製造工場において、携帯端末１０の組み立て作業においてバッテリ１１を筐体に搭載し、疑似ＳＩＭカード１７Ｂを装着すれば、暗電流が低減され、バッテリ残量の低下が低減された状態で、梱包及び出荷作業を行うことができる。
【００５５】
その後、携帯端末１０は、販売店まで搬送され、疑似ＳＩＭカード１７Ｂの装着状態で保管される。携帯端末１０が消費者に購入される場合、疑似ＳＩＭカード１７Ｂをソケット１６から取り外し、ＳＩＭカード１７Ａを装着する。
【００５６】
疑似ＳＩＭカード１７Ｂをソケット１６から取り外すと、接点１６ｂが開放されるので、Ｔｒ４が再びオフとなる。これによって、制御線３１ａの信号レベルが再びＨレベルとなるので、Ｔｒ３がオンとなり、Ｔｒ１がオンとなる。これによって、バッテリ１１から電源部１３への電力供給が再開される。
【００５７】
ＳＩＭカード１７Ａがソケット１６に装着されると、ＳＩＭカード１７Ａが信号線１５ａ〜１５ｃ，１５ｅ及び１５ｆを介して制御部１４と接続された状態となる。但し、電源スイッチ１８がオフであり、電源部１３から制御部１４への電力供給は行われていない。このため、Ｔｒ１〜Ｔｒ５の状態は、疑似ＳＩＭカード１７Ｂを除去したときの状態と変わらない。
【００５８】
図６は、ＳＩＭカード接続時において電源スイッチ１８がオンされたときの様子を示す。電源スイッチ１８をオンにする操作がなされると、電源部１３から制御部１４への電力供給が開始される。すると、制御部１４は、システムリセット信号を生成する。  
【００５９】
システムリセット信号は、制御線４１に出力される。システムリセット信号の出力によって、制御線４１の信号レベルがＨレベルとなり、Ｔｒ５がオンとなる。Ｔｒ５のオンによって、バッテリ電圧VBATTがグラウンドに短絡され、制御線４３の信号レベルがＬレベルとなり、Ｔｒ４（ＳＷ２）がオフとなる。  
【００６０】
これによって、制御線３１ａ，すなわち遮断回路３０が信号線１５ｂから切断された状態となる（図６において、Ｔｒ４のソース側（制御線３１ｂ）を破線で示すことにより切断状態を図示する）。従って、遮断回路３０が信号線１５ｂを介して制御部１４やＳＩＭカード１７Ａに影響を与えたり、制御部１４からＳＩＭカード１７Ａへ送られる信号が信号線１５ｂを介して遮断回路３０に影響を与えたりすることが回避される。
【００６１】
具体的には、システムリセット信号が制御線４１に出力されている間、Ｔｒ４がオフとなるので、バッテリ電圧VBATTに起因する電圧が信号線１５ｂを流れるＳＩＭカード１７
Ａ用のリセット信号のノイズとなるのを回避することができる。このように、切断回路４０によって、信号線１５ｂの使用中に信号線１５ｂは遮断回路３０から切り離された状態となる。このため、ＳＩＭカード１７Ａ用のリセット信号が適正に信号線１５ｂを通じてＳＩＭカード１７Ａに送られ、ＳＩＭカード１７が正常なリセット動作を行うことができる。
【００６２】
その後、携帯端末１０に装着されているＳＩＭカード１７Ａを疑似ＳＩＭカード１７Ｂに交換すると、Ｔｒ１がオフとなり、バッテリ１１から電源部１３（負荷１２）への電力供給が停止される。このため、例えば、携帯端末１０を長期間未使用状態で保管する場合に、疑似ＳＩＭカード１７Ｂを装着するようにすれば、バッテリ残量の低下を低減することができる。
【００６３】
＜実施形態の作用効果＞
実施形態に係る携帯端末１０によれば、疑似ＳＩＭカード１７Ｂの装着によって、負荷１２に対するバッテリ１１からの電力供給を停止することができる。これによって、暗電流の低減によりバッテリ１１の電力消費を抑え、バッテリ残量の減少量を低減することができる。実施形態の例では、Ｔｒ１がオンのときには、約１００μＡの暗電流が流れるのに対し、Ｔｒ１のオフによって暗電流を１μＡ程度に低減することができる。暗電流の低減量は、負荷インピーダンス３４及び３５の値に依存する。
【００６４】
また、携帯端末１０によれば、疑似ＳＩＭカード１７Ｂがソケット１６に接続されている間、スイッチＳＷ１をオフにするので、疑似ＳＩＭカード１７Ｂの非装着時では、携帯端末１０を通常使用することができる。
【００６５】
さらに、携帯端末１０によれば、制御線４１にシステムリセット信号が出力されている間、Ｔｒ４（ＳＷ２）がオフにされるので、ＳＩＭカード１７Ａの脱着に拘わらず、遮断回路３０を信号線１５ｂから切り離した状態にすることができる。これによって、バッテリ電圧VBATTが信号線１５ｂを流れてＳＩＭカード１７Ａに悪影響を及ぼすことを回避す
ることができる。
【００６６】
実施形態に係る携帯端末１０では、ＳＩＭカード１７Ａが有する端子Ｔ４（ＧＮＤ端子）と他の端子Ｔ２とを一体化した端子Ｔ４１を有する疑似ＳＩＭカード１７Ｂを使用する。また、端子Ｔ４１をＳＩＭカード１７Ａ用の接点１６ｂ及び１６ｄに接触させ、信号線１５ｂをグラウンドに短絡させる。このとき信号線１５ｂを介して制御線３１に生じるＬレベルの信号が遮断回路３０への制御信号として用いられる。このように、携帯端末１０では、実ＳＩＭカード１７Ａ用のコネクタ（ソケット１６）及び信号線１５を用いてスイッチＳＷ１のオンオフ（負荷に対する電力供給、電力供給停止）が制御される。  
【００６７】
当該構成の採用によって、従来技術のように、ＳＩＭカード用の接点と異なる（規格外の）一対のバネ接点を設けることを回避することができる。また、従来技術のように、ダミーカードの長さ寸法をＳＩＭカードより長くして、一対のバネ接点に対応する導体エリアをダミーカードに設ける必要がない。従って、疑似ＳＩＭカード１７Ｂの外形形状は、実ＳＩＭカード１７Ａの外形形状と同じにすることができる。換言すれば、疑似ＳＩＭカード１７ＢがＳＩＭカード１７Ａより大きくなるのを回避できる。  
【００６８】
このため、携帯端末１０によれば、疑似ＳＩＭカード１７Ｂの使用のために、ソケット１６周りの実装面積が大きくなるのを回避することができる。また、ソケット１６の設置位置（レイアウト）や、ＳＩＭカード取り出し口の形状やサイズのようなソケット１６周りについて、疑似ＳＩＭカード１７Ｂを用いるが故の設計上の制約発生を回避し得る。よって、携帯端末１０の大型化の回避、デザイン性の向上、暗電流低減のための部品点数の増加回避の少なくとも１つを図ることができる。
【００６９】
また、疑似ＳＩＭカード１７ＢとＳＩＭカード１７Ａと同サイズにすることができるので、ソケット１６に対する疑似ＳＩＭカード１７Ｂの脱着方法、及び脱着に係る使用感をＳＩＭカード１７Ａと同じにすることができる。すなわち、携帯端末１０の販売者やユーザ（購入者）は、疑似ＳＩＭカード１７ＢとＳＩＭカード１７Ａと同じ感覚で扱うことができる。
【００７０】
＜変形例＞
実施形態は、以下のように変形可能である。例えば、実施形態では、スイッチＳＷ１（Ｔｒ１）は、電力線１１ａに挿入されている。これに代えて、スイッチＳＷ１は、グラウンド線１１ｄに挿入されていても良い。また、実施形態に係る携帯端末１０から、切断回路４０を省略する場合もあり得る。
【００７１】
また、実施形態では、リセット端子（端子Ｔ２）をＧＮＤ端子（端子Ｔ４）と接合する例を示した。但し、端子Ｔ２の代わりに、他の端子Ｔ１，Ｔ３，Ｔ５，Ｔ６のいずれかが使用されても良い。また、複数の端子を端子Ｔ４と接合して端子Ｔ４１が形成されるようにしても良い。
【００７２】
実施形態と異なりリセット端子（端子Ｔ２）と異なる端子が疑似ＳＩＭカード１７ＢのＧＮＤ端子（端子Ｔ４１）の形成に使用される場合には、当該端子に対応する信号線に制御線３１ｂが接続される。また、制御線４１には、当該信号線が使用されている間、Ｔｒ５をオンにする制御信号が出力されるように変形される。  
【００７３】
また、制御部１４は、ソケット１６へのＳＩＭカード１７Ａの接続を検知している間、スイッチＳＷ２をオフするように変形することが可能である。これによって、ＳＩＭカード１７Ａの使用中に亘って遮断回路３０の影響を回避することができる。
【００７４】
また、実施形態では、Ｔｒ１〜Ｔｒ５としてＭＯＳＦＥＴを使用した例を示したが、Ｔｒ１〜Ｔｒ５として、バイポーラトランジスタを適用しても良い。或いは、他のスイッチング素子を適用することができる。
【００７５】
また、実施形態では、カードの一例としてＳＩＭカードを挙げた。但し、カードは、ＳＩＭカードに制限されない。例えば、携帯端末に対して脱着自在であり、且つ携帯端末と電気的に接続されるカードであれば良い。例えば、メモリカード（例えばＳＤメモリカード）やＩＣカードのような各種のカードであっても良い。
【００７６】
上述した実施形態は、以下の付記を開示する。付記は適宜組み合わせることができる。（付記１）  負荷に電力を供給するバッテリと、
実カード及び前記実カードと異なる疑似カードの一方を接続可能であり、且つ前記負荷と前記実カードとの間で信号を送受信するための信号線が接続されたコネクタと、
前記コネクタに前記疑似カードが接続されたときに前記信号線に生じる制御信号を受けて前記バッテリから前記負荷への電力供給を遮断する遮断回路と、
を含む携帯端末。（１）
【００７７】
（付記２）  前記コネクタに接続された前記実カードと前記負荷との間で前記信号線を通じた信号の送受信が行われる前に前記遮断回路と前記信号線との間を切断する切断回路
をさらに含む付記１に記載の携帯端末。（２）
【００７８】
（付記３）  前記遮断回路は、前記コネクタに前記実カード及び前記疑似カードの双方が接続されていないときに前記バッテリから負荷への電源供給の遮断状態を解除する
付記１又は２に記載の携帯端末。（３）
【００７９】
（付記４）  前記遮断回路は、前記コネクタへの前記疑似カードの接続によって前記信号線が接地されることで生じる制御信号を受ける
付記１から３のいずれか一項に記載の携帯端末。（４）
【００８０】
（付記５）  前記コネクタは、前記信号線と接続された第１の接点と、グラウンドと接続された第２の接点とを含み、前記第１の接点及び前記第２の接点は、前記疑似カードに設けられた前記第１の接点及び前記第２の接点間を短絡する端子と接触する
付記４に記載の携帯端末。（５）  
【００８１】
（付記６）  前記遮断回路は、前記バッテリと前記負荷との間の電力供給線に挿入され、前記制御信号の有無に応じてオンオフするスイッチを含む
付記１から５のいずれか一項に記載の携帯端末。
【００８２】
（付記７）  前記切断回路は、前記信号線と前記遮断回路との間に配置され、前記制御信号の発生時にオンとなる一方で、前記負荷から前記実カードへ前記信号線を介して送信される信号の発生時にオンとなる切断用のスイッチを含む
付記１から６のいずれか一項に記載の携帯端末。
【００８３】
（付記８）  負荷に電力を供給するバッテリと、実カード及び前記実カードと異なる疑似カードの一方を接続可能であり、且つ前記負荷と前記実カードとの間で信号を送受信するための信号線が接続されたコネクタとを含む携帯端末の電力供給制御方法であって、
前記コネクタに前記疑似カードを接続し、
前記コネクタと前記疑似カードとの接続によって前記信号線に生じる制御信号を受けて遮断回路が前記バッテリから前記負荷への電力供給を遮断する、
ことを含む携帯端末の電力供給制御方法。
【符号の説明】
【００８４】
ＳＷ１，ＳＷ２・・・スイッチ
１１・・・バッテリ
１２・・・負荷
１３・・・電源部
１４・・・制御部
１５・・・信号線
１６・・・ソケット（コネクタ）
１７Ａ・・・ＳＩＭカード
１７Ｂ・・・疑似ＳＩＭカード  
３０・・・遮断回路
４０・・・切断回路
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４Ａ】
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【図４Ｂ】
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【図５】
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【図６】
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