(57)【要約】【課題】近年、狭額縁化への要求の高まりからシール線幅が細線化する傾向があり、シール密着強度が低下する。【解決手段】シール領域の下地の樹脂層に１本または複数本の溝を形成する。溝の形成方向（側面）を外部応力と垂直方向とすることが好ましい。シール直線領域ではシールと平行方向に加え、垂直方向にも溝を形成することが好ましい。また、シール角領域では表示領域（アクティブ領域）に向かう方向に凸状の曲線を描くように溝を形成することが好ましい。【選択図】図４Ａ
2015200738.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
表示装置は、
樹脂層を有する第１の基板と、
第２の基板と、
前記第１の基板と前記第２の基板とを貼り合せるシール材が配置されるシール領域と、
を備え、
前記シール領域は前記第１の基板の外周に沿って配置され、
前記樹脂層は、前記シール領域と重ね合わさる領域に、
第１の溝と、
前記第１の溝より前記外周側に配置される第２の溝と、
を有し、
前記第１の溝および第２の溝の長手方向は、それぞれ前記外周に沿う方向であるようにされる。
【請求項２】
請求項１の表示装置において、
前記第１の溝は、その長手方向が前記外周に沿う方向と垂直な方向成分を有するようにされる。
【請求項３】
請求項２の表示装置において、
前記第２の基板は、前記シール領域と重ね合わさる領域に、第１の柱状スペーサを有し、
前記第１の柱状スペーサは、前記第１および第２の溝の上以外の領域に配置される。
【請求項４】
請求項３の表示装置において、
前記第２の基板は、前記シール領域と重ね合わさる領域に、第２の柱状スペーサを有し、
前記第２の柱状スペーサは、前記第１および第２の溝の上に配置される。
【請求項５】
請求項２の表示装置において、
前記樹脂層は、前記第１の溝と第２の溝との間に第３の溝を有し、
前記第３の溝の長手方向は、前記外周に沿う方向であるようにされ
前記第３の溝は、その長手方向が前記外周に沿う方向と垂直な方向成分を有するようにされる。
【請求項６】
請求項１の表示装置において、
前記樹脂層は、前記シール領域が湾曲する領域と重ね合わさる領域に、第４の溝を有し
前記第４の溝は、前記第１の基板の中央方向に凸状の曲線で形成される。
【請求項７】
請求項１の表示装置において、
前記第１の基板はアレイ基板で、前記第２の基板は対向基板である。
【請求項８】
請求項１の表示装置において、
前記第１の基板と前記第２の基板との間に液晶層が挟持される。
【請求項９】
表示装置は、
樹脂層を有する第１の基板と、
第２の基板と、
前記第１の基板と前記第２の基板を貼り合せるシール材が配置されるシール領域と、
を備え、
前記シール領域は前記第１の基板の外周に沿って配置され、
前記樹脂層は、前記シール領域と重ね合わさる領域に第１の溝を有し、
前記第１の溝は、その長手方向が前記外周に沿う方向と平行な方向成分と、垂直な方向成分とを有するようにされる。
【請求項１０】
請求項９の表示装置において、
前記樹脂層は、前記シール領域と重ね合わさる領域に、前記第１の溝より前記外周側に配置される第２の溝を有し、
前記第２の溝の長手方向は、前記外周に沿う方向であるようにされる。
【請求項１１】
請求項９の表示装置において、
前記樹脂層は、前記シール領域と重ね合わさる領域に、前記第１の溝より前記外周側に配置される第３の溝を有し、
前記第３の溝の長手方向は、前記外周に沿う方向であるようにされ
前記第３の溝は、その長手方向が前記外周に沿う方向と垂直な方向成分を有するようにされる。
【請求項１２】
請求項１０の表示装置において、
前記第２の基板は、前記シール領域と重ね合わさる領域に、第１の柱状スペーサを有し、
前記第１の柱状スペーサは、前記第１および第２の溝の上以外の領域に配置される。
【請求項１３】
請求項１２の表示装置において、
前記第２の基板は、前記シール領域と重ね合わさる領域に、第２の柱状スペーサを有し、
前記第２の柱状スペーサは、前記第１および第２の溝の上に配置される。
前記第２の溝の長手方向のうち前記外周に沿う方向と垂直な方向成分と、前記第３の溝の長手方向のうち前記外周に沿う方向と垂直な方向成分と
【請求項１４】
請求項９の表示装置において、
前記樹脂層は、前記シール領域が湾曲する領域と重ね合わさる領域に、第４の溝を有し
前記第４の溝は、前記第１の基板の中央方向に凸状の曲線で形成される。
【請求項１５】
請求項９の表示装置において、
前記第１の基板はアレイ基板で、前記第２の基板は対向基板である。
【請求項１６】
請求項９の表示装置において、
前記第１の基板と前記第２の基板との間に液晶層が挟持される。
【請求項１７】
表示装置は、
樹脂層を有するアレイ基板と、
対向基板と、
前記アレイ基板と前記対向基板を貼り合せるシール材が配置されるシール領域と、
を備え、
前記アレイ基板は平面視で矩形形状であり、
前記シール領域は、前記アレイ基板の外周に沿って配置され、前記アレイ基板の第１の辺に沿う第１の領域と、第２の辺に沿う第２の領域と、前記第１の辺と第２の辺の間の角部近傍に位置し、前記第１の領域と第２の領域との間の第３の領域と、を有し、
前記樹脂層は、前記シール領域と重ね合わさる領域に第１の溝を有し、
前記第１の領域において、前記第１の溝の長手方向は前記第１の辺と垂直な方向成分を有するようにされる。
【請求項１８】
請求項１７の表示装置において、
前記第１の領域において、前記第１の溝は長手方向が前記第１の辺と平行な方向成分を有するようにされる
【請求項１９】
請求項１７の表示装置において、
前記シール領域の外周に沿う位置に前記樹脂層は第２の溝を有するようにされる。
【請求項２０】
請求項１７の表示装置において、
前記アレイ基板と前記対向基板との間に液晶層が挟持される。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本開示は、表示装置に関し、例えば、シール領域の下地に樹脂層を有する表示装置に適用可能である。
【背景技術】
【０００２】
液晶表示パネルは上下２枚の基板間に液晶を保持しているが、上下基板を貼り合せて接着して、セルを形成するためと、セル内に液晶を封止するために、基板周辺にシール材料を配置している（例えば、特開２０１３−３３０５号公報）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２０１３−３３０５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
近年、狭額縁化への要求の高まりからシール線幅が細線化する傾向があり、シール密着強度が低下する。
その他の課題と新規な特徴は、本開示の記述および添付図面から明らかになるであろう。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本開示のうち、代表的なものの概要を簡単に説明すれば、下記のとおりである。
すなわち、表示装置は、樹脂層を有する第１の基板と、第２の基板と、前記第１の基板と前記第２の基板とを貼り合せるシール材が配置されるシール領域と、を備える。前記シール領域は前記第１の基板の外周に沿って配置される。前記樹脂層は、前記シール領域と重ね合わさる領域に、第１の溝と、前記第１の溝より前記外周側に配置される第２の溝と、を有する。前記第１の溝および第２の溝の長手方向は、それぞれ前記外周に沿う方向である。
【図面の簡単な説明】
【０００６】
【図１Ａ】実施例に係る表示装置の構成を示す平面図である。
【図１Ｂ】図１ＡのＡ−Ａ’線における断面図である。
【図２Ａ】パターン１に係る表示装置の図１Ａの破線Ｃの箇所の平面図である。
【図２Ｂ】図２ＡのＡ−Ａ’線における断面図である。
【図２Ｃ】シール直線領域のパターン寸法を示す図である。
【図３Ａ】パターン１に係る表示装置の図１Ａの破線Ｄの箇所の平面図である。
【図３Ｂ】図３ＡのＢ−Ｂ’線における断面図である。
【図３Ｃ】シール角領域のパターン寸法を示す図である。
【図４Ａ】パターン２に係る表示装置の図１Ａの破線Ｃの箇所の平面図である。
【図４Ｂ】図４ＡのＡ−Ａ’線における断面図である。
【図４Ｃ】シール直線領域のパターン寸法を示す図である。
【図５Ａ】パターン３に係る表示装置の図１Ａの破線Ｃの箇所の平面図である。
【図５Ｂ】図５ＡのＡ−Ａ’線における断面図である。
【図５Ｃ】シール直線領域のパターン寸法を示す図である。
【図６Ａ】パターン４に係る表示装置の図１Ａの破線Ｃの箇所の平面図である。
【図６Ｂ】図６ＡのＡ−Ａ’線における断面図である。
【図６Ｃ】シール角領域のパターン寸法を示す図である。
【図７Ａ】パターン２に係る表示装置にダミー柱状スペーサを付加した表示装置の図１Ａの破線Ｃの箇所の平面図である。
【図７Ｂ】図７ＡのＡ−Ａ’線における断面図である。
【発明を実施するための形態】
【０００７】
表示パネルの基板間ギャップを一定に保持するために、上下ガラス基板のうちのいずれか一方（対向基板またはアレイ基板）に、フォトリソグラフィー技術を用いて柱状スペーサを形成する。柱状スペーサは、表示パネルの表示領域にもシール形成領域にも形成される。しかし、できるだけ工程を削減するために、表示領域およびシール形成領域の両領域のスペーサが同一工程で同時に形成される場合が一般的である。このため、両領域では同じ高さの柱状スペーサが形成されるが、表示領域とシール形成領域で表示パネルのセルギャップを同様に保つために、表示領域とシール形成領域で、柱状スペーサの下地となる層構成はできるだけ同一に形成する必要がある。
【０００８】
表示パネルの表示領域の開口率向上や、段差のレベリング、導電層間の絶縁等のために、表示領域には厚さ数μｍの樹脂層が形成されているが、シール形成領域にも同様の樹脂層が形成される。さらに、この樹脂層は、シールを含む周辺領域における配線の保護（機械的接触によるキズつき防止、水分等による腐食防止、静電気の侵入防止等）膜としても機能している。
【０００９】
今後狭額縁化の要求が強まり、シール幅も現行の０．６〜０．９ｍｍ程度から、０．２ｍｍ程度まで細くなることが想定される。特に表示パネルのエッジ付近では、アレイ基板と対向基板との貼り合せ工程後の割断工程や、半導体集積回路（ＩＣチップ）やフレキシブル配線基板の実装工程等で様々な負荷がかかり、シールはがれが発生しやすい。
また、外部から表示パネル内への水分侵入が容易になり、信頼性が維持できなくなることも想定される。
更には、現状ではシール材料はディスペンサーを用いて塗付されることが一般的であるが、細線化に伴ってシール塗付量が少なくなるため、塗付量のバラツキが線幅比で大きくなり、線幅が安定しにくくなる。
【００１０】
上記課題を解決するために、シール強度という観点からは、シール領域の下地の樹脂層に１本または複数本の溝を形成する。溝の形成方向（側面）を外部応力と垂直方向とすることが好ましい。シール直線領域ではシールと平行方向に加え、垂直方向にも溝を形成することが好ましい。また、シール角領域では表示領域（アクティブ領域）に向かう方向に凸状の曲線を描くように溝を形成することが好ましい。なお、樹脂層は例えば平坦化膜等の有機絶縁膜を含み、配向膜を含んでもよい。
【００１１】
また、水分侵入を軽減するという観点からは、水分は基板表面に形成された各層の界面から侵入する場合が多いため、できるだけ界面に凹凸をつけて侵入経路を長くすることが好ましい。この意味においても、複数の溝を形成する構成は、好ましい。
【００１２】
更に、シール線幅を安定化する観点としては、柱状スペーサが樹脂層の凸領域（溝でない領域）に形成されることから、溝領域はギャップ形成には直接関係なく、溝領域の面積が大きければ大きいほど、シール塗付量が多くなり、安定しやすくなる。一般的にシール高さも樹脂層膜厚も数μｍであることを考え合わせると、溝形成による塗付量増加の効果は十分に大きいと思われる。
【００１３】
また溝形成によって、シール領域の樹脂層上柱状スペーサの設置可能領域が制限されるという懸念はあるが、狭額縁構成でもシール幅が０．２ｍｍ程度で、フォトリソグラフィー技術を用いて数十μｍ幅の柱状スペーサを形成することを考え合わせると、十分に柱状スペーサは設置可能であると考えられる。
【００１４】
更に、シールと平行方向に形成された溝と異なり、垂直方向に溝を形成した場合に、シール単位長さあたりの溝容積がシール形成位置によって異なってしまい、シール格納容量にバラつきが生じることから、シール線幅が安定しにくくなるという懸念がある。この問題に対しては、フォトリソグラフィーによって柱状スペーサを形成する際、樹脂層の溝領域にもダミーの柱状スペーサをもうける等の工夫を加えることにより、シール格納容量のバラツキを緩和することが可能である。
【００１５】
以上は、アレイ基板上に形成された樹脂層に関して述べたが、対向基板上、シール形成領域の下地となるブラックマトリクス層や平坦化膜、カラーフィルタのＲ（赤）、Ｇ（緑）、Ｂ（青）層に溝を形成する構成ついても同様の効果が期待できる。
【００１６】
以下に、実施例および変形例について、図面を参照しつつ説明する。なお、開示はあくまで一例にすぎず、当業者において、発明の主旨を保っての適宜変更について容易に想到し得るものについては、当然に本発明の範囲に含有されるものである。また、図面は説明をより明確にするため、実際の態様に比べ、各部の幅、厚さ、形状等について模式的に表される場合があるが、あくまで一例であって、本発明の解釈を限定するものではない。また、本明細書と各図において、既出の図に関して前述したものと同様の要素には、同一の符号を付して、詳細な説明を適宜省略することがある。
【実施例】
【００１７】
実施例に係る表示装置の構成について、図１Ａおよび図１Ｂを用いて説明する。
図１Ａは実施例に係る表示装置の構成を示す平面図である。図１Ｂは図１ＡのＡ−Ａ’線における断面図である。
図１Ｂに示すように、表示装置１０は、表示パネルＰＮＬと、半導体集積回路ＤＲＶと、バックライトＢＫＬと、を有する。表示パネルＰＮＬは、ＴＦＴ基板（アレイ基板、第１の基板または第２の基板）１１と、液晶層２０と、ＣＦ基板（対向基板、第１の基板または第２の基板）１２と、偏光板ＰＯＬ１、ＰＯＬ２と、を有する。
図１Ａに示すように、アレイ基板１１および対向基板１２は平面視で矩形状、それぞれ４つの辺を有している。アレイ基板１１の破線で囲っているアクティブ領域１３には、半導体集積回路ＤＲＶにより駆動される映像信号線や走査線、画素電極、薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）等が形成される。対向基板１２には、アレイ基板１１の画素電極と対応する場所にカラーフィルタ等が形成される。図１Ａに示すように、アレイ基板１１と対向基板１２を貼り合せるシール形成領域１４は、アクティブ領域１３の外側に位置し、アレイ基板１１と対向基板１２の外周に沿って配置される。シール領域１４は、図１Ａの破線Ｃの箇所の直線領域と破線Ｄの箇所の角領域を有する。
【００１８】
シール形成領域１４の樹脂層上に形成する溝の形状（パターン）によるシール強度を検討した。
【００１９】
＜パターン１＞
まず、第１のパターン（パターン１）について図２Ａから図３Ｃを参照して以下説明する。
図２Ａはパターン１に係る表示装置の図１Ａの破線Ｃの箇所の平面図である。図２Ｂは図２ＡのＡ−Ａ’線における断面図である。図２Ｃはシール直線領域のパターン寸法を示す図である。図３Ａはパターン１に係る表示装置の図１Ａの破線Ｄの箇所の平面図である。図３Ｂは図３ＡのＢ−Ｂ’線における断面図である。図３Ｃはシール角領域のパターン寸法を示す図である。
図２Ｂおよび図３Ｂに示すように、アレイ基板１１には、シリコン窒化膜等からなる無機絶縁層６が形成され、その上に平坦化膜等からなる樹脂層５が形成されている。また、対向基板１２には、ブラックマトリクス層８が形成され、その上に柱状スペーサ４が形成されている。ブラックマトリクス層の上にカラーフィルタ層や平坦化膜が形成される場合もあるが、本願では、それらも含めてブラックマトリクス層８と称する。アレイ基板１１と対向基板１２とがシール３で貼り合わされる。図２Ａおよび図３Ａに示すように、樹脂層５にはシール３（シール形成領域１４）の外周付近に沿って溝７ｒが１本形成されており、溝７ｒにシール３が入り込みシール強度を増加するようにしている。
【００２０】
アレイ基板２の作成工程において、樹脂層５の塗付・パターン形成（すなわち樹脂層５を塗付、マスクを介してＵＶ露光、現像、熱硬化）を実施するが、この際、ＵＶ露光時に用いるマスクとして図２Ｃおよび図３Ｃに示すようなパターンのマスクを準備して、溝を形成する。以下、パターン２、パターン３においても同様である。
【００２１】
図２Ｃに示すように、シール直線領域のパターン１−Ｓは、シール３の長手方向（Ｙ方向）と溝７ｒの長手方向が一致し、溝７ｒの一部にシール３が重なっている。シール３の幅（Ｗｓ）は５００μｍで、溝７ｒの幅（Ｗｒ）は２００μｍである。
【００２２】
図３Ｃに示すように、シール角領域のパターン１−Ｃは、シール３の円周方向と溝７ｒの円周方向が一致し、溝７ｒの一部にシール３が重なっている。シール３の幅（Ｗｓ）は５００μｍで、溝７ｒの幅（Ｗｒ）は２００μｍである。シール３は中心（Ｏ）から第１の半径（Ｒ１）の円弧と第２の半径（Ｒ２）の円弧の間に配置される。ここで、Ｒ１＝１０００μｍ、Ｒ２＝５００μｍである。Ｗｓ＝Ｒ１−Ｒ２である。溝７ｒも中心（Ｏ）から第３の半径（Ｒ３）の円弧と第４の半径（Ｒ４）の円弧の間に配置される。Ｗｒ＝Ｒ３−Ｒ４である。
【００２３】
＜パターン２＞
次に、第２のパターン（パターン２）について図４Ａから図４Ｃを参照して以下説明する。
図４Ａはパターン２に係る表示装置の図１Ａの破線Ｃの箇所の平面図である。図４Ｂは図４ＡのＡ−Ａ’線における断面図である。図４Ｃはパターン寸法を示す図である。
図４Ａおよび図４Ｂに示すように、アレイ基板１１には、無機絶縁層６が形成され、その上に樹脂層５が形成されている。また、対向基板１２には、ブラックマトリクス層８が形成され、その上に柱状スペーサ４が形成されている。アレイ基板１１と対向基板１２とがシール３で貼り合わされる。シール３（シール領域１４）と重なり合う樹脂層５には溝（第２の溝）７ａが形成されており、シール３（シール形成領域１４）の外周付近に沿って溝（第１の溝）７ｂが形成されている。溝７ａ、７ｂにシール３が入り込みシール強度を増加するようにしている。
【００２４】
図４Ｃに示すように、シール直線領域のパターン２−Ｓは、パターン１−Ｓの溝７ｒと同様な溝７ａに加えて、シール３と重なる位置に、クランク形状の溝７ｂを有する。シール３の長手方向（Ｙ方向）と溝７ａの長手方向が一致し、溝７ａの一部にシール３が重なっている。シール３の幅（Ｗｓ）は５００μｍで、溝７ａの幅（Ｗａ）は１００μｍである。シール３の端が溝７ａの中心線に位置する。溝７ｂはシール３と平行方向（Ｙ方向、長手方向）の第１の線分と垂直方向（Ｘ方向）の第２の線分を有する。溝７ｂの幅（Ｗｂ）幅は５０μｍで、第１の線分の長さ（Ｌ１）は５００μｍ、第２の線分の長さ（Ｌ２）は１００μｍである。溝７ａの中心線と、もっとも溝７ａ側に位置する溝７ｂの中心線との距離（Ｄ１）は２００μｍである。
【００２５】
＜パターン３＞
次に、第３のパターン（パターン３）について図５Ａから図５Ｃを参照して以下説明する。
図５Ａはパターン３に係る表示装置の図１Ａの破線Ｃの箇所の平面図である。図５Ｂは図５ＡのＡ−Ａ’線における断面図である。図５Ｃはパターン寸法を示す図である。
図５Ａおよび図５Ｂに示すように、アレイ基板１１には、無機絶縁層６が形成され、その上に樹脂層５が形成されている。また、対向基板１２には、ブラックマトリクス層８が形成され、その上に柱状スペーサ４が形成されている。アレイ基板１１と対向基板１２とがシール３で貼り合わされる。シール３（シール領域１４）と重なり合う樹脂層５には溝（第３の溝）７ｃおよび溝（第１の溝）７ｄが形成されており、シール３（シール形成領域１４）の外周付近に沿って溝（第２の溝）７ａが形成されている。溝７ａ、７ｃ、７ｄにシール３が入り込みシール強度を増加するようにしている。
【００２６】
図５Ｃに示すように、シール直線領域のパターン３−Ｓは、パターン２−Ｓと同じ溝７ａに加えて、シール３と重なる位置に、パターン２−Ｓの溝７ｂと同様なクランク形状の溝７ｃ、７ｄを有する。シール３の長手方向（Ｙ方向）と溝７ａの長手方向が一致し、溝７ａの一部にシール３が重なっている。シール３の幅（Ｗｓ）は５００μｍで、溝７ａの幅（Ｗａ）は１００μｍである。シール３の端が溝７ａの中心線に位置する。溝７ｃはシール３と平行方向（Ｙ方向、長手方向）の第１の線分と垂直方向（Ｘ方向）の第２の線分を有する。溝７ｃの幅（Ｗｂ）幅は５０μｍで、第１の線分の長さ（Ｌ１）は５００μｍ、第２の線分の長さ（Ｌ２）は１００μｍである。溝７ｄはシール３と平行方向（Ｙ方向、長手方向）の第１の線分と垂直方向（Ｘ方向）の第２の線分を有する。溝７ｄの幅（Ｗｂ）幅は５０μｍで、第１の線分の長さ（Ｌ１）は５００μｍ、第２の線分の長さ（Ｌ２）は１００μｍである。溝７ａの中心線と、もっとも溝７ａ側に位置する溝７ｃの中心と線の距離（Ｄ２）は１００μｍである。もっとも溝７ｄ側に位置する溝７ｃの中心線と、もっとも溝７ｃ側に位置する溝７ｄの中心線との距離（Ｄ３）は１００μｍである。シール３の左端と、もっともシール３の左端側に位置する溝７ｄの中心線との距離（Ｄ４）は１００μｍである。
【００２７】
＜パターン４＞
次に、第４のパターン（パターン４）について図６Ａから図６Ｃを参照して以下説明する。
図６Ａはパターン４に係る表示装置の図１Ａの破線Ｄの箇所の平面図である。図６Ｂは図６ＡのＡ−Ａ’線における断面図である。図６Ｃはパターン寸法を示す図である。
図６Ａおよび図６Ｂに示すようにアレイ基板１１には、無機絶縁層６が形成され、その上に樹脂層５が形成されている。また、対向基板１２には、ブラックマトリクス層８が形成され、その上に柱状スペーサ４が形成されている。アレイ基板１１と対向基板１２とがシール３で貼り合わされる。シール３（シール領域１４）と重なり合う樹脂層５には、シール直線領域に溝７ａ、７ｃ、７ｄおよびシール角領域に溝（第４の溝）７ｅ、７ｆ、７ｇが形成されており、溝７ａ、７ｃ、７ｄ、７ｅ、７ｆ、７ｇにシール３が入り込みシール強度を増加するようにしている。
【００２８】
図６Ｃに示すように、シール角領域のパターン４−Ｃは、シール３の円周方向と対向する方向に３本の溝７ｅ、７ｆ、７ｇの円周方向が配置され、溝７ｅ、７ｆ、７ｇの一部にシール３が重なっている。シール３の幅（Ｗｓ）は５００μｍで、溝７ｅ、７ｆ、７ｇの幅（Ｗｃ）は５０μｍである。シール３は中心（Ｏ）から第１の半径（Ｒ１）の円弧と第２の半径（Ｒ２）の円弧の間に配置される。ここで、Ｒ１＝１０００μｍ、Ｒ２＝５００μｍである。ＷＳ＝Ｒ１−Ｒ２である。溝７ｅ、７ｆ、７ｇの中心線は、それぞれ中心（Ｏ’）から第５の半径（Ｒ５）の円弧と第６の半径（Ｒ６）の円弧と第６の半径（Ｒ６）の円弧である。Ｒ５＝６５０μｍ、Ｒ６＝８００μｍ、Ｒ７＝９５０μｍである。
【００２９】
＜シール直線領域のパターン＞
パターン１−Ｓ、パターン２−Ｓ、パターン３−Ｓの３種類のＵＶマスクを用いて厚さ２μｍの樹脂層５を配置したアレイ基板１１と、対向基板１２を貼り合せて作成した表示パネルのシールを引きはがす方向に働く応力に対するシール強さを検討する。
一般的に、シールを引きはがす方向に負荷される応力に対しては、応力に垂直方向の界面の面積が、シール強度への寄与が大きい。
【００３０】
応力がシールの長手方向（Ｙ方向）と垂直方向（Ｘ方向）に負荷された場合には、応力と垂直方向の界面の単位長さ当たりの面積は、パターン１−Ｓ、パターン２−Ｓ、パターン３−Ｓでそれぞれ、２０００μｍ２／シール１ｍｍ（１０００×２）、６０００μｍ２／シール１ｍｍ（３×１０００×２）、１００００μｍ２／シール１ｍｍ（５×１０００×２）となる。樹脂層５の溝本数が増加することにより界面数が増加し、応力と垂直方向の界面の単位長さ当たりの面積が増加する。応力と垂直方向の界面の単位長さ当たりの面積が増加するとシール強度が増加する。なお、パターン２−Ｓ、パターン３−Ｓのように必ずしもシール長手方向に垂直な方向に溝を設けなくてもシール強度が増加する。
【００３１】
一方、応力がシールの長手方向（Ｙ方向）と平行方向（Ｙ方向）に負荷された場合には、応力と垂直方向の界面の面積は、パターン１−Ｓ、パターン２−Ｓ、パターン３−Ｓでそれぞれ、０μｍ２／シール１ｍｍ、６００μｍ２／シール１ｍｍ（４×７５×２）、１２００μｍ２／シール１ｍｍ（８×７５×２）となる。樹脂層５の溝をシールの長手方向（Ｙ方向）と垂直方向（Ｘ方向）にも設けることにより、応力と垂直方向の界面の単位長さ当たりの面積が増加する。応力と垂直方向の界面の単位長さ当たりの面積が増加するとシール強度が増加する。図２Ａ、図４Ａ、図５Ａの矢印Ｆに示すように、シールの直線領域では、表示パネルの長辺方向（Ｙ方向）、又は短辺方向（Ｘ方向）、すなわちシールの長手方向と平行方向（Ｙ方向）、又は垂直方向（Ｘ方向）に、外部から引きはがそうとする応力が付加される。このため、シールの長手方向と平行方向に加え、垂直方向にも溝を形成することが好ましい。
【００３２】
以上のように、シールの直線形状領域では、溝本数を増加させることによりシール密着強度が向上し、さらに界面増加による外部からの水分侵入量低減、溝がバファー容量となることによるシール線幅の安定化が期待できる。
【００３３】
なお、本実施例では、シール領域に設けた２本、又は３本の溝はそれぞれつながっているが、この溝が繋がっておらず、部分部分で途切れていてもよい。シール領域の樹脂層の下層に様々な回路、配線が設置され、更に上層にも配線が設置される場合がある。このような場合に安易に樹脂層に溝を形成すると、上下の配線、回路が導通してしまう場合もあるため、そのような場合には、必ずしも、溝を繋げる必要はない。
【００３４】
＜シール角領域のパターン＞
シール角領域でも同様に、シールを引きはがす方向と垂直方向に、アレイ基板１１上の樹脂層５に溝を形成することが好ましい。シール角領域では一般的に、表示パネルＰＮＬの角部から表示パネルＰＮＬの内側（中央部）に向けて４５度の角度でシールを引きはがす応力が付加され、表示パネルＰＮＬの奥側に進むにつれて、表示パネルＰＮＬの長辺に平行方向の力と短辺方向に平行な力に分解される。
【００３５】
パターン１−Ｃでは、溝７ｒはシール３と平行に形成され、シール角領域でもシール３の円弧と平行となるように溝７ｒの円弧が形成されており、図３Ａに示すように、角から少し表示パネルＰＮＬの内側に入った領域では、溝界面と応力方向はすぐに平行になってしまう。溝界面と応力方向は、中央では垂直、中央から離れるにつれ平行成分が増加し、シール直線領域直前では完全に平行になる。
【００３６】
パターン４−Ｃでは、樹脂層５の溝を、シール３の外側を中心とする円弧形状として、可能な限り応力方向と垂直に界面が設置できるように形成している。すなわち、シール３が湾曲する領域と重ね合わさる領域に溝を有する。その溝は、表示パネルＰＮＬ（アレイ基板１１）の中央部に向かう方向に凸状の曲線で形成される。パターン４−Ｃでは３本の溝７ｅ、７ｆ、７ｇを有しているが、１本でも２本でもよい。
以上のように、パネル角領域のシール密着強度が向上する。
【００３７】
＜シール線幅安定性保持構成＞
図７Ａはパターン２に係る表示装置にダミー柱状スペーサを付加した表示装置の図１Ａの破線Ｃの箇所の平面図である。図７Ｂは図７ＡのＡ−Ａ’線における断面図である。
パターン２からパターン４では、パターン１のシール３の長手方向と平行方向にのみ形成された溝と異なり、垂直方向に溝を形成するため、シール単位長さあたりの溝容積がシール形成位置によって異なってしまい、シール格納容量にバラつきが生じ、シール線幅が安定しにくくなるという懸念がある。この問題に対しては、フォトリソグラフィーによって柱状スペーサを形成する際、図７Ａおよび図７Ｂに示すように、樹脂層５の溝領域にもダミーの柱状スペーサ４ａを設けることが好ましい。なお、図７Ａおよび図７Ｂは、図４Ａおよび図４Ｂのパターン２に柱状スペーサ４ａを追加したのみで他の構成は同じである。パターン３およびパターン４に柱状スペーサ４ａを追加してもよい。これらの溝領域に設けた柱状スペーサ４ａは、上下基板を支持しておらず、セルギャップ形成には寄与していない。柱状スペーサ４ａはフォトリソグラフィー技術によって形成されるため、溝形状、幅に応じて、その形状や大きさをある程度の自由度を持って、設計することができ、溝のシール材料格納容量のズレを緩和することができる。
【００３８】
シール直線領域の３つのパターン（パターン１−Ｓ、パターン２−Ｓ、パターン３−Ｓ）と、シール角領域の２つのパターン（パターン１−Ｃ、パターン４−Ｃ）とをそれぞれ組み合わせてもよい。すなわち、組み合わせにより６通りのパターンが構成される。尚、柱状スペーサをアレイ基板に設けることも可能であり、溝を対向基板に形成されるブラックマトリクスや平坦化膜に設けることも可能である。
【符号の説明】
【００３９】
３・・・シール
４・・・柱状スペーサ
４ａ・・・ダミー柱状スペーサ
５・・・樹脂層
６・・・無機絶縁層
７ａ、７ｂ、７ｃ、７ｄ、７ｅ、７ｆ、７ｇ、７ｒ・・・溝
８・・・ブラックマトリクス層
１０・・・表示装置
１１・・・アレイ基板（ＴＦＴ基板）
１２・・・対向基板（ＣＦ基板）
１３・・・表示領域
１４・・・シール形成領域
２０・・・液晶層
ＢＫＬ・・・バックライト
ＤＲＶ・・・半導体集積回路
ＰＮＬ・・・表示パネル
ＰＯＬ１、ＰＯＬ２・・・偏光板
【図１Ａ】
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【図１Ｂ】
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【図２Ａ】
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【図２Ｂ】
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【図２Ｃ】
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【図３Ａ】
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【図３Ｂ】
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【図３Ｃ】
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【図４Ａ】
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【図４Ｂ】
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【図４Ｃ】
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【図５Ａ】
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【図５Ｂ】
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【図５Ｃ】
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【図６Ａ】
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【図６Ｂ】
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【図６Ｃ】
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【図７Ａ】
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【図７Ｂ】
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