(57)【要約】【課題】本発明は、ＳＡＷデバイスや水晶振動子のパッケージなどの電子部品を劣化，破損させず、実装接合や補修時の加熱に耐えうる封止用ろう材付き蓋とその製造方法およびその封止用ろう材付き蓋を用いたパッケージの封止方法を提供する。【解決手段】パッケージ型電子部品のパッケージ封止用蓋の封止接合面に、融点が３００〜３５０℃であるＡｕ／Ｓｎ／Ｇｅ合金である封止用ろう材が固着された、ろう材付きパッケージ封止用蓋であって、前記封止用ろう材は、ＳｎとＧｅの合計が１４重量％以上で、残部がＡｕと不可避物質からなり、かつＳｎとＧｅの配合量の差が３〜６重量％であることを特徴とする、ろう材付きパッケージ封止用蓋などにより提供する。【選択図】図１
2015079866.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
パッケージ型電子部品のパッケージ封止用蓋の封止接合面に、融点が３００〜３５０℃であるＡｕ／Ｓｎ／Ｇｅ合金である封止用ろう材が固着された、ろう材付きパッケージ封止用蓋であって、
前記封止用ろう材は、ＳｎとＧｅの合計が１４重量％以上で、残部がＡｕと不可避物質からなり、かつＳｎとＧｅの配合量の差が３〜６重量％であることを特徴とする、ろう材付きパッケージ封止用蓋。
【請求項２】
前記封止用ろう材は、ＳｎとＧｅの合計が１７重量％以下であることを特徴とする請求項１に記載のろう材付きパッケージ封止用蓋。
【請求項３】
前記封止用ろう材は、厚さが０．１〜２ｍｍであることを特徴とする請求項１に記載のろう材付きパッケージ封止用蓋。
【請求項４】
パッケージ型電子部品のパッケージ封止用蓋の封止接合面上に、箔状のＡｕ／Ｓｎ合金とＡｕ／Ｇｅ合金を重ねて、３６０〜３９０℃の範囲に加熱し溶融することで、合金同士を混合させ、Ａｕ／Ｓｎ／Ｇｅ合金として封止用ろう材を封止接合面に形成することを特徴とする、ろう材付きパッケージ封止用蓋の製造方法。
【請求項５】
前記Ａｕ／Ｓｎ合金のＳｎ含有率が１９〜２３重量％であることを特徴とする請求項４に記載のろう材付きパッケージ封止用蓋の製造方法。
【請求項６】
前記Ａｕ／Ｇｅ合金のＧｅ含有率が重量１１〜１４％であることを特徴とする請求項４に記載のろう材付きパッケージ封止用蓋の製造方法。
【請求項７】
ベース部とフレーム部で囲まれた内部に電子部品を装入した後、請求項１〜３のいずれかに記載のろう材付きパッケージ封止用蓋を被せて、３００〜３５０℃に加熱し、ろう材によりパッケージを封止することを特徴とするパッケージ型電子部品の製造方法。
【請求項８】
パッケージを封止した後、２７０〜２９０℃で再加熱することを特徴とする請求項７に記載のパッケージ型電子部品の製造方法。
【請求項９】
請求項７または８に記載の製造方法によって得られたパッケージ型電子部品。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ろう材付きパッケージ封止用蓋とその製造方法、及びそれを用いたパッケージ型電子部品の封止方法、並びにパッケージ型電子部品に関し、より詳しくは、ＳＡＷデバイスや水晶振動子のパッケージなどの電子部品を劣化，破損させず、実装接合や補修時の加熱に耐えうる、ろう材付きパッケージ封止用蓋とその製造方法、及びそれを用いたパッケージ型電子部品の封止方法、並びにパッケージ型電子部品に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
通信関係の電子部品であるＳＡＷデバイスや水晶振動子は、精度、信頼性を得るために真空または不活性ガスを充填した状態で封止されるパッケージ構造をとっている。
この封止構造は、一般的にセラミック製のケースとコバール製またはセラミック製の蓋で構成されており、ＳＡＷデバイスや水晶振動子がこのパッケージ内部に設置された後、ケースと蓋が封止用ろう材で接合されることで完全に封止される。
【０００３】
すなわち、これらのＳＡＷデバイスや水晶振動子のパッケージ型電子部品は、電子機器に組み込まれる基板上に実装用ろう材を用いて実装接合されるが、この実装用ろう材には、従来Ｓｎを３〜５重量％含み残部がＰｂからなる合金の共晶合金（特許文献１）や、Ｓｎ／３７重量％Ｐｂ共晶合金など鉛含有合金が主に使用されていた。しかし、電子機器が廃棄処分されると、電子機器内の実装用ろう材中の鉛が酸性雨等によって溶出して環境を汚染することが問題となり、近年では鉛の不使用化が進められている。
【０００４】
この鉛合金を用いた実装用ろう材の代替品としてＳｎ／Ａｇ／Ｃｕ系合金等による鉛フリー実装用ろう材が多用されるようになった。これに伴い実装用ろう材の融点は、Ｓｎ／３７重量％Ｐｂ共晶合金の１８３℃から、Ｓｎ／Ａｇ／Ｃｕ系合金の２２０℃付近へと上昇した。これにより、実装時の加熱温度は２５０〜２６０℃程度まで引き上げられ、その結果、各電子部品内部は２６０℃の耐熱性が必要とされるに至っている。さらにその実装基板、もしくはそれを構成する電子部品は、その後の補修等で２６０℃より高い温度に再加熱される場合が有り、このため、２８０℃以上の耐熱性があるものがより好適なものとして求められてきている。
【０００５】
２８０℃の耐熱性がある封止用ろう材としては、融点３６１℃のＡｕ／１２重量％Ｇｅ共晶合金や、融点３６３℃のＡｕ／３．１５重量％Ｓｉ共晶合金が挙げられるが、パッケージ封止時のろう材溶融温度が３７０℃を超えるため、ＳＡＷデバイスや水晶振動子が劣化や破損してしまう可能性があり、あまり用いられていない。むしろＳＡＷデバイスや水晶振動子は３５０℃を超えると劣化や破損の恐れがあるため、封止用ろう材には、融点（共晶点）が２８０℃で、接合後の信頼性が優れているＡｕ／２０重量％Ｓｎ合金が最も多く使用されている。
【０００６】
このような用途に適正な融点を持つ封止用ろう材として、融点が２８０℃であるＡｕ／Ｓｎ合金にＮｉを拡散させることで融点を上げる方法（特許文献２）があるが、Ｎｉは融点が１４５５℃で、非常に高融点な金属であるため、Ａｕ／Ｓｎ合金とＮｉが３５０℃程度の温度で均一に溶融することはなく、実際はＮｉの融点近くまで加熱することになるため、ＳＡＷデバイスや水晶振動子を用いた電子部品に使用することはできない。
また、Ａｕ／Ｓｎ合金にＡｕを拡散させることで融点を上げる方法（特許文献３）があるが、Ａｕ／Ｓｎ合金とＡｕを溶融させる温度が４００〜５００℃と高温であるため、ＳＡＷデバイスや水晶振動子が劣化するか破損してしまう。
【０００７】
このような状況下、ＳＡＷデバイスや水晶振動子のパッケージなどの電子部品を実装接合あるいは補修する時、加熱に対する劣化，破損させることのない耐久性が高い封止用ろう材付き蓋が必要とされていた。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００８】
【特許文献１】特開２００２−３２１０８４号公報
【特許文献２】特開２００８−２００７０６号公報
【特許文献３】特開２００８−２５８３５３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
本発明の目的は、かかる従来技術の問題点に鑑み、ＳＡＷデバイスや水晶振動子のパッケージなどの電子部品を劣化あるいは破損させず、実装接合や補修時の加熱に耐えうる、ろう材付きパッケージ封止用蓋とその製造方法、及びそれを用いたパッケージ型電子部品の封止方法、並びにパッケージ型電子部品を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本発明者は、上記課題を解決するため鋭意研究を重ねた結果、気密封止パッケージ用の蓋のケースとの接合面上に、それぞれ特定の組成を有するＡｕ／Ｓｎ合金とＡｕ／Ｇｅ合金を重ね加熱して溶融混合することで、ＳＡＷデバイスや水晶振動子のパッケージなどの電子部品を実装接合したり補修する時、電子部品が加熱に耐え劣化，破損させることがない蓋が得られることを見出し、本発明を完成させるに至った。
【００１１】
すなわち、本発明の第１の発明によれば、パッケージ型電子部品のパッケージ封止用蓋の封止接合面に、融点が３００〜３５０℃であるＡｕ／Ｓｎ／Ｇｅ合金の封止用ろう材が固着された、ろう材付きパッケージ封止用蓋であって、前記封止用ろう材は、ＳｎとＧｅの合計が１４重量％以上で、残部がＡｕと不可避物質からなり、かつＳｎとＧｅの配合量の差が３〜６重量％であることを特徴とする、ろう材付きパッケージ封止用蓋が提供される。
【００１２】
また、本発明の第２の発明によれば、第１の発明において、前記封止用ろう材は、ＳｎとＧｅの合計が１７重量％以下であることを特徴とする、ろう材付きパッケージ封止用蓋が提供される。
【００１３】
また、本発明の第３の発明によれば、第１の発明において、前記封止用ろう材は、厚さが０．１〜２ｍｍであることを特徴とする、ろう材付きパッケージ封止用蓋が提供される。
【００１４】
また、本発明の第４の発明によれば、パッケージ型電子部品のパッケージ封止用蓋の封止接合面上に、箔状のＡｕ／Ｓｎ合金とＡｕ／Ｇｅ合金を重ねて、３６０〜３９０℃の範囲に加熱し溶融することで、合金同士を混合させ、Ａｕ／Ｓｎ／Ｇｅ合金として封止用ろう材を封止接合面に形成することを特徴とする、ろう材付きパッケージ封止用蓋の製造方法が提供される。
【００１５】
また、本発明の第５の発明によれば、第４の発明において、前記Ａｕ／Ｓｎ合金のＳｎ含有率が１９〜２３重量％であることを特徴とする、ろう材付きパッケージ封止用蓋の製造方法が提供される。
【００１６】
また、本発明の第６の発明によれば、第４の発明において、前記Ａｕ／Ｇｅ合金のＧｅ含有率が重量１１〜１４％であることを特徴とする、ろう材付きパッケージ封止用蓋の製造方法が提供される。
【００１７】
また、本発明の第７の発明によれば、ベース部とフレーム部で囲まれた内部に電子部品を装入した後、第１〜３のいずれかの発明に係る、ろう材付きパッケージ封止用蓋を被せて、３００〜３５０℃に加熱し、ろう材によりパッケージを封止することを特徴とするパッケージ型電子部品の製造方法が提供される。
【００１８】
また、本発明の第８の発明によれば、第７の発明において、パッケージを封止した後、２７０〜２９０℃で再加熱することを特徴とするパッケージ型電子部品の製造方法が提供される。
【００１９】
また、本発明の第９の発明によれば、第７または８の発明に係る製造方法によって得られたパッケージ型電子部品が提供される。
【発明の効果】
【００２０】
本発明のろう材付きパッケージ封止用蓋は、Ａｕ／Ｓｎ／Ｇｅ合金である封止用ろう材があらかじめ固着されているので、該封止用ろう材は、ＳｎとＧｅの合計が特定量以上、かつＳｎとＧｅの配合量の差が特定範囲であるために、硬くかつ脆い性質を有するＡｕ／Ｓｎ／Ｇｅの３元系合金の加工時に発生する割れなど破損の問題が生じない。
また、封止用ろう材の融点が３００〜３５０℃であるため、ＳＡＷデバイスや水晶振動子のパッケージ化が容易であり、実装接合や補修時の加熱に耐え、電子部品を劣化したり破損させず、高性能を維持することができる。
【図面の簡単な説明】
【００２１】
【図１】本発明のろう材付きパッケージ封止用蓋の一例を示す断面図である。
【図２】本発明のろう材付きパッケージ封止用蓋を用いて、素子を封止したパッケージ型電子部品の一例を示す断面図である。
【図３】本発明のろう材付きパッケージ封止用蓋を用いて、素子を封止したパッケージ型電子部品の一例を示す平面図である。
【発明を実施するための形態】
【００２２】
本発明は、鉛フリーのＡｕ／Ｓｎ／Ｇｅ合金からなる実装用ろう材を用いた、ろう材付きパッケージ封止用蓋、基板上に実装されるパッケージ型電子部品とそれらの製造方法に関するものである。
【００２３】
１．ろう材
本発明において、パッケージ封止用蓋のろう材は、融点が３００〜３５０℃のＡｕ／Ｓｎ／Ｇｅ合金である。
【００２４】
本発明における封止用蓋のろう材は、従来、加工性の問題で封止用ろう材として使用が困難とされていたＡｕ／Ｓｎ／Ｇｅ合金（融点３００〜３５０℃）での封止を可能としたものである。
【００２５】
前記のとおり、ＳＡＷデバイスや水晶振動子を用いた電子部品のパッケージの封止には、３００〜３５０℃の融点を有するろう材が好適であることから、融点が２８０℃程度のＡｕ／Ｓｎ合金と融点が３６０℃程度のＡｕ／Ｇｅ合金をあわせたＡｕ／Ｓｎ／Ｇｅ合金を適用することが考えられる。しかし、このＡｕ／Ｓｎ／Ｇｅ合金は、硬くかつ脆い性質を有することから加工性が非常に悪く、そのため、小型化された近年のパッケージに必要とされるサイズや形状に加工することは困難である。
【００２６】
ところが、本発明では、ＳｎとＧｅの合計が１４重量％以上、残部がＡｕと不可避物質からなり、かつＳｎとＧｅの配合量の差が３〜６重量％のＡｕ／Ｓｎ／Ｇｅ合金を用いることで、かかる問題を解決した。
【００２７】
ろう材の構成元素であるＳｎとＧｅは、合計が１４重量％以上、かつＳｎとＧｅの配合量の差が３〜６重量％でなければならない。ＳｎとＧｅの合計が１４重量％以上でないと、溶融開始温度が３５０℃を超えてしまい、ろう材として機能しないという問題がある。合計量の上限は特に規定しないが、１７重量％を超えると溶融開始温度が２７０℃より下がってしまうことがある。より好ましいのは、１４．２〜１６．８重量％の範囲である。
【００２８】
また、ＳｎとＧｅの配合量の差が２〜８重量％であり、好ましくは配合量の差が３〜６重量％である。この範囲であれば、２８０℃で十分な耐熱性を有するものとなる。
【００２９】
具体的には、図１のように、融点が２８０℃程度のＡｕ／Ｓｎ合金１と融点が３６０℃程度のＡｕ／Ｇｅ合金２を使用し、パッケージ封止用蓋１０の上に載せ、Ａｕ／Ｓｎ／Ｇｅ合金化する。用いるＡｕ／Ｓｎ合金としては、Ａｕ／Ｓｎの組成によって限定されず、融点が２７０〜２９０℃であればよく、Ｓｎ含有率が１９〜２３重量％のもの、例えばＡｕ／２０Ｓｎ合金が入手しやすく扱いやすい点で好ましい。一方、Ａｕ／Ｇｅ合金としては、Ａｕ／Ｇｅの組成によって限定されず、融点が３５０〜３７０℃であればよく、Ｇｅ含有率が１１〜１４重量％であるもの、例えばＡｕ／１２Ｇｅ合金が入手しやすく扱いやすい点で好ましい。これら合金の形状は、箔状が好ましく、例えば特開２００５−７４１３に記載の方法で得ることができる。
【００３０】
２．ろう材付きパッケージ封止用蓋
本発明のろう材付きパッケージ封止用蓋は、パッケージ型電子部品のパッケージ封止用蓋の封止接合面上に、箔状のＡｕ／Ｓｎ合金とＡｕ／Ｇｅ合金を重ねて載せ、３６０〜３９０℃の範囲に加熱し溶融することで、合金同士を混合させ、Ａｕ／Ｓｎ／Ｇｅ合金として封止用ろう材を封止接合面に形成することにより製造される。
【００３１】
蓋には、コバルト、ニッケルなどを含有する鉄合金製のコバールなどが使用でき、本発明では、例えば、その表面にＮｉめっきを設け、さらにＡｕめっきを施したものなどが好適である。めっきの厚さは特に制限されないが、１μｍ以下とすることができる。
【００３２】
ろう材の原料には、前記のとおり、Ａｕ／２０Ｓｎ合金とＡｕ／１２Ｇｅ合金などを用い、これらの外形寸法をパッケージ用蓋の外径寸法と同等になるように加工したものを用いる。両者を重ねてパッケージ用蓋の上に載せる。図１では、Ａｕ／Ｓｎ合金１が上になるように重ねたがＡｕ／Ｓｎ合金１とＡｕ／１２Ｇｅ合金２の順は、どちらが上になるようにしてもよい。
【００３３】
Ａｕ／２０Ｓｎ合金とＡｕ／１２Ｇｅ合金の厚み、すなわちＡｕ／Ｓｎ合金とＡｕ／Ｇｅ合金の量は、ケースと蓋が密閉できる量とし、２つの合金をあわせて０．０５〜２ｍｍとするのが好ましい。０．０５ｍｍよりも薄いと、取り扱いにくいだけでなく封止性能が得られにくく、２ｍｍよりも厚いとコストの面で好ましくない。ろう材をパッケージ用蓋の上に載せた後、例えば特開２００６−５９８７４に記載の溶着用治具を用いることができる。
【００３４】
次に、合金を載せたパッケージ用蓋を加熱炉に投入し、窒素や不活性ガス雰囲気下で加熱し、Ａｕ／２０Ｓｎ合金とＡｕ／１２Ｇｅ合金を加熱し溶融混合させ、Ａｕ／Ｓｎ／Ｇｅ合金の封止用ろう材をパッケージ用蓋の接合面に形成する。加熱炉の種類は特に制限されず、固定炉、ベルト炉などが使用できる。
【００３５】
また、加熱温度と時間は、Ａｕ／２０Ｓｎ合金とＡｕ／１２Ｇｅ合金が十分に溶融混合されるようにし、加熱温度は３６０〜３９０℃の範囲にする必要がある。３６０℃よりも低いと溶融が不十分となり、３９０℃を超えると溶融しすぎて蓋からはみ出すことがある。好ましい加熱温度は、３６０〜３８０℃である。加熱時間は、合金同士の混合比にもよるが長すぎると生産性を落とすため、０．５〜１０分間程度が適当である。また、混合比によらずＡｕ／２０Ｓｎ合金とＡｕ／１２Ｇｅ合金が安定して確実に溶融混合できるのが１〜５分間であり、生産性も落とすことが無いため３〜５分間とするのがより好ましい。
【００３６】
３．パッケージ型電子部品、その製造方法
本発明のパッケージ型電子部品は、ベース部とフレーム部で囲まれた内部に電子部品の素子を装入した後、前記ろう材付きパッケージ封止用蓋を被せて加熱し、ろう材を溶融させてパッケージを封止したものである。
【００３７】
すなわち、本発明のパッケージ型電子部品を製造するには、図２、３に示すように、ベース部１１とフレーム部１２で囲まれたケースを用意し、この内部に素子１３を装入した後、本発明のろう材付きパッケージ封止用蓋１０を被せて３００〜３５０℃に加熱し、ろう材を溶融させることによりパッケージを封止する。その後、全体がリフロー炉に装入され、２７０〜２９０℃に加熱されることで素子とベース部のはんだが溶融し固着される。このとき、ろう材の融点がリフロー温度よりも高いことから、パッケージの電子部品２０は安定して封止された状態が維持される。
【００３８】
ベース部とフレーム部で構成されるケースには、シリカ、アルミナ、ジルコニア、窒化ケイ素、あるいはこれらの複合物などセラミック製のものが用いられる。
【実施例】
【００３９】
本発明を実施例により、さらに詳細に説明するが、本発明はこれらの実施例に限定されるものではない。なお、実施例で用いた測定方法、評価方法は、以下の通りである。
【００４０】
（実施例１）
まず、ろう材の原料として、Ａｕ／２０Ｓｎ合金とＡｕ／１２Ｇｅ合金を用意し、これらの外形寸法をパッケージ用蓋の外径寸法と同等となるように加工した。コバール製の蓋の表面にはＮｉめっきを１μｍの厚さで設け、さらにＡｕめっきを厚さ１μｍで施した。その後、厚みがあわせて０．３ｍｍになり、Ａｕ／Ｓｎ合金が上になるように両者を重ねてパッケージ用蓋の上に載せた。このときＡｕ／２０Ｓｎ合金とＡｕ／１２Ｇｅ合金の重量比が１．１となり、ＳｎとＧｅの合計量は１６重量％、ＳｎとＧｅの重量差は４重量％であった。
次に、ろう材合金を載せたパッケージ用蓋をベルト炉に投入し、窒素雰囲気下、３７０℃で３分間加熱した。Ａｕ／２０Ｓｎ合金とＡｕ／１２Ｇｅ合金は、３１５℃で溶融を開始し、Ａｕ／Ｓｎ／Ｇｅ合金の封止用ろう材がパッケージ用蓋の接合面に形成された。３００〜３５０℃の融点になったことから、ＳＡＷデバイスや水晶振動子のパッケージなど電子部品の封止に適したものといえる。
その後、２８０℃に再加熱して、ろう材のＡｕ／Ｓｎ／Ｇｅ合金が溶融を開始しないか確認した。Ａｕ／Ｓｎ／Ｇｅ合金の封止用ろう材は、２８０℃での再加熱で溶解せず、良好な耐熱性が確認された。これにより、はんだリフロー時に電子部品のパッケージが加熱されても封止状態が維持されることが確認できた。
【００４１】
（実施例２〜５）
Ａｕ／２０ＳｎとＡｕ／１２Ｇｅ合金の混合比を表１に示すように変化させた以外は、前記実施例１に記載の方法と同様にしてパッケージ用蓋にろう材を固着させた。ろう材の溶融開始温度が３０３〜３５０℃であることが確認できた。
その後、このパッケージ用蓋を２８０℃に再加熱して、ろう材のＡｕ／Ｓｎ／Ｇｅ合金が溶融を開始しないか確認した。Ａｕ／Ｓｎ／Ｇｅ合金の封止用ろう材は、２８０℃での再加熱で溶解せず、良好な耐熱性が確認された。
以上の実施例から、得られたＡｕ／Ｓｎ／Ｇｅろう材付きの蓋のうちろう材中のＳｎとＧｅの含有率の合計が１４重量％以上で、ＳｎとＧｅの含有率の差が３〜６重量％のものを用いると、３００〜３５０℃の融点になって、ＳＡＷデバイスや水晶振動子のパッケージなどの電子部品の封止に適した蓋が得られることが分かる。
【００４２】
（比較例１〜４）
Ａｕ／２０ＳｎとＡｕ／１２Ｇｅ合金の混合比を表１に示すように変化させた以外は、前記の実施例１に記載の方法と同様にしてパッケージ用蓋を作製し、再加熱によりＡｕ／Ｓｎ／Ｇｅ合金が溶融を開始する温度を確認した。
比較例１〜３では、得られたＡｕ／Ｓｎ／Ｇｅろう材付き蓋のうち、ろう材中のＳｎとＧｅの含有率の合計は１４重量％以上であるが、ＳｎとＧｅの含有率の差が３〜６重量％から外れたので、溶融を開始する温度が３００℃未満となった。
その後、２８０℃に再加熱して、ろう材のＡｕ／Ｓｎ／Ｇｅ合金が溶融を開始する温度を確認した。Ａｕ／Ｓｎ／Ｇｅ合金の封止用ろう材が２８０℃での再加熱で溶解し、耐熱性に劣ることが確認された。このようなろう材は、ＳＡＷデバイスや水晶振動子のパッケージなど電子部品の封止に使用できない。
一方、比較例４では、Ａｕ／Ｓｎ／Ｇｅ合金ろう材は、ＳｎとＧｅの含有率の差が３〜６重量％であったが、ＳｎとＧｅの含有率の合計が１４重量％未満であったので、溶融を開始する温度が３５０℃を超えた。このようなろう材はＳＡＷデバイスや水晶振動子のパッケージなど電子部品の封止に使用できない。
【００４３】
【表１】
2015079866.tif 000003
【００４４】
（実施例６〜７）（比較例５〜６）
実施例６では、箔状のＡｕ／２０ＳｎとＡｕ／１２Ｇｅ合金を厚みが０．１ｍｍとなるように重ねた以外は、実施例１〜５と同様の試験を実施した。また、実施例７では、厚みが２．０ｍｍとなるように箔状の合金同士を重ねた以外は、実施例１〜５と同様の試験を実施した。いずれも加工中にろう材が損傷することはなく、実施例１〜５と同等の結果が得られた。
一方、比較例５では、上記のような箔を重ねて用いるのではなく、Ａｕ／Ｓｎ合金とＡｕ／Ｇｅ合金の粉末を混合し溶融させて厚さ１．０ｍｍのろう材を作製し、パッケージ用蓋の形状に合わせて加工しようとした。Ａｕ／Ｓｎ合金とＡｕ／Ｇｅ合金の比率は実施例１〜５と同じにしたが、その大半が加工時に割れてしまった。
また、比較例６では、比較例５の厚さが２．０ｍｍになるように、ろう材を作製し、パッケージ用蓋の形状に合わせて加工しようとした。Ａｕ／Ｓｎ合金とＡｕ／Ｇｅ合金の比率は実施例１〜５と同じにしたが、その大半が加工時に割れてしまった。
【産業上の利用可能性】
【００４５】
本発明のろう材付きパッケージ封止用蓋は、通信関係の電子部品であるＳＡＷデバイスや水晶振動子を精度、信頼性よく封止するパッケージ構造の製造に好適に用いることができる。
【符号の説明】
【００４６】
１    Ａｕ／Ｓｎ合金
２    Ａｕ／Ｇｅ合金
３    ろう材
１０    蓋
１１    ベース部
１２    フレーム部
１３    素子
２０    電子部品
【図１】
2015079866.tif 000004
【図２】
2015079866.tif 000005
【図３】
2015079866.tif 000006