(57)【要約】【課題】異色画素間の識別能力が向上した非破壊の画素検査工程を有する有機ＥＬ表示パネルの製造方法を提供する。【解決手段】互いに異なる表示色を有する第１表示画素及び第２表示画素が複数配置された有機ＥＬ表示パネル２の製造方法であって、基板上に有機発光層を形成することで有機ＥＬ基板２Ａを作製する基板作製工程と、有機ＥＬ基板２Ａに、可視光の全波長帯域のうちの所定の波長領域が除外された特定可視光を照射する照射工程と、特定可視光が照射された有機ＥＬ基板の光学像から取得された、第１表示画素と第２表示画素との表示階調差に基づいて、有機発光層の形成不良に起因する混色欠陥画素を特定する特定工程とを含む。【選択図】図５
2015220219.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
互いに異なる表示色を有する第１表示画素及び第２表示画素が複数配置された有機ＥＬ表示パネルの製造方法であって、
基板上に有機発光層を形成することで有機ＥＬ基板を作製する基板作製工程と、
前記有機ＥＬ基板に、可視光の全波長帯域のうちの所定の波長領域が除外された特定可視光を照射する照射工程と、
前記特定可視光が照射された前記有機ＥＬ基板の光学像から取得された、前記第１表示画素と前記第２表示画素との表示階調差に基づいて、前記有機発光層の形成不良に起因する混色欠陥画素を特定する特定工程とを含む
有機ＥＬ表示パネルの製造方法。
【請求項２】
前記照射工程では、可視光の全波長帯域を含む光を前記第１表示画素及び前記第２表示画素に照射した場合の表示階調差よりも、前記第１表示画素と前記第２表示画素との表示階調差が大きくなるよう、予め波長領域が特定された特定可視光を照射する
請求項１に記載の有機ＥＬ表示パネルの製造方法。
【請求項３】
さらに、
前記特定工程で前記混色欠陥画素と特定された表示画素を含まない前記有機ＥＬ基板について、前記有機発光層の上に樹脂封止層を形成する封止層形成工程を含む
請求項１または２に記載の有機ＥＬ表示パネルの製造方法。
【請求項４】
前記照射工程では、可視光の全波長帯域を含む光に対して、青色に対応する波長領域及び緑色に対応する波長領域が除外された特定可視光のみを照射する
請求項１〜３のいずれか１項に記載の有機ＥＬ表示パネルの製造方法。
【請求項５】
前記有機ＥＬ表示パネルは、赤色を表示する赤色表示画素、緑色を表示する緑色表示画素及び青色を表示する青色表示画素を含み、
前記照射工程では、メタルハライドランプから出射された可視光に対して、５４０ｎｍ以上の波長帯域に選択的な通過帯域を有する赤色フィルタを通過させた特定可視光のみを照射する
請求項１〜４のいずれか１項に記載の有機ＥＬ表示パネルの製造方法。
【請求項６】
前記第１表示画素は、青色を表示する青色表示画素であり、
前記第２表示画素は、緑色を表示する緑色表示画素または赤色を表示する赤色表示画素であり、
前記照射工程では、メタルハライドランプから出射された可視光に対して、５００ｎｍ以下の波長帯域に選択的な通過帯域を有する青色フィルタを通過させた特定可視光のみを照射する
請求項１〜４のいずれか１項に記載の有機ＥＬ表示パネルの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本開示は、有機ＥＬ表示パネルの製造方法に関し、表示画素の検査工程を含む表示パネルの製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、有機エレクトロルミネッセンス素子（以下、有機ＥＬ素子と記載する）を用いた表示パネル（以下、有機ＥＬ表示パネルと記載する）は、低消費電力で明瞭な画像を得られる表示パネルとして実用化が進められている。
【０００３】
有機ＥＬ表示パネルは、複数の有機ＥＬ素子がマトリクス状に配置されることにより表示パネルを構成している。この有機ＥＬ素子は、有機電子材料を一対の電極の間に挟持しており、具体的には、有機電子材料で構成された発光層に正孔と電子とを注入することにより起こるエレクトロルミネッセンス（ｅｌｅｃｔｒｏ  ｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｃｅ）発光現象を利用して表示を行うものである。しかし、表示パネル内の全ての有機ＥＬ素子の発光層を、設計通りの形状（または、パターンという）で形成することは困難であると考えられている。例えば、表示パネルを大面積かつ高精細化させるほど、有機ＥＬ素子の構造が微細化、薄型化されるほど、また、表示画素数が増加するほど、微細加工を必要とする製造工程において、有機ＥＬ素子の形成不良が発生する。
【０００４】
特許文献１には、表示パネルの欠陥検査を非破壊で実施する手段が開示されている。具体的には、表示パネルに用いられるカラーフィルタの画素欠陥及び突起欠陥を検出する光学検査装置が開示されている。具体的には、可視光源及び短波長光源から出射された光を、プリズムを用いてそれぞれ透過光及び反射光とし、当該透過光及び反射光の照射により得られた光学像により、カラーフィルタの画素欠陥及び突起欠陥を検出する。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開平１０−１３２７０４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかしながら、特許文献１に記載された非破壊の欠陥検査方法を、有機発光層が形成された有機ＥＬ基板の画素検査に適用した場合、短波長光の照射により有機ＥＬ素子がＰＬ（Ｐｈｏｔｏｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｃｅ）発光により劣化する。また、可視光照射では、赤色表示画素、緑色表示画素、及び青色表示画素の識別能力が小さいため、例えば、混色欠陥の安定検出ができないといった問題が生じる。
【０００７】
本発明は、上記の課題に鑑みてなされたものであり、異色画素間の識別能力が向上した非破壊の画素検査工程を有する有機ＥＬ表示パネルの製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
上記の課題を解決するために、本発明の一態様に係る有機ＥＬ表示パネルの製造方法は、互いに異なる表示色を有する第１表示画素及び第２表示画素が複数配置された有機ＥＬ表示パネルの製造方法であって、基板上に有機発光層を形成することで有機ＥＬ基板を作製する基板作製工程と、前記有機ＥＬ基板に、可視光の全波長帯域のうちの所定の波長領域が除外された特定可視光を照射する照射工程と、前記特定可視光が照射された前記有機ＥＬ基板の光学像から取得された、前記第１表示画素と前記第２表示画素との表示階調差に基づいて、前記有機発光層の形成不良に起因する混色欠陥画素を特定する特定工程とを含むことを特徴とする。
【発明の効果】
【０００９】
本発明に係る有機ＥＬ表示パネルの製造方法によれば、異色画素間の階調差が大きくなるので、混色などの画素欠陥を高精度に識別することが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【００１０】
【図１】実施の形態に係る有機ＥＬ表示パネルの検査システムの構成を示す機能ブロック図である。
【図２Ａ】実施の形態に係る有機ＥＬ表示パネルの断面概略図である。
【図２Ｂ】実施の形態に係る有機ＥＬ基板の断面概略図である。
【図３Ａ】未濡れを有する欠陥画素の形成状態を表す図である。
【図３Ｂ】位置ずれを有する欠陥画素の形成状態を表す図である。
【図３Ｃ】混色を有する欠陥画素の形成状態を表す図である。
【図４】実施の形態に係る有機ＥＬ表示パネルの製造方法を説明する工程フローチャートである。
【図５】実施の形態に係る画素検査工程を説明するフローチャートである。
【図６】特定可視光の分光スペクトルを表す図である。
【図７Ａ】第１の実施例に係る特定可視光を照射した場合の表示画素間の階調差を表すグラフである。
【図７Ｂ】第２の実施例に係る特定可視光を照射した場合の表示画素間の階調差を表すグラフである。
【図７Ｃ】可視光の全波長帯域を有する光を照射した場合の表示画素間の階調差を表すグラフである。
【図８】実施の形態に係る有機ＥＬ表示パネルを内蔵した薄型フラットＴＶの外観図である。
【発明を実施するための形態】
【００１１】
以下、有機ＥＬ表示パネルの製造方法の一実施の形態について、図面を用いて説明する。なお、以下に説明する実施の形態は、いずれも本開示における好ましい一具体例を示すものである。したがって、以下の実施の形態で示される、数値、形状、材料、構成要素、構成要素の配置位置及び接続形態、工程、並びに、工程の順序などは、一例であって本発明を限定する主旨ではない。よって、以下の実施の形態における構成要素のうち、本発明における最上位概念を示す独立請求項に記載されていない構成要素については、任意の構成要素として説明される。
【００１２】
なお、各図は、模式図であり、必ずしも厳密に図示されたものではない。また、各図において、実質的に同一の構成に対しては同一の符号を付しており、重複する説明は省略又は簡略化する。
【００１３】
（実施の形態）
本実施の形態に係る有機ＥＬ表示パネルの製造方法は、基板上に有機発光層が形成された有機ＥＬ基板の検査工程を含む。まず、有機ＥＬ基板の検査工程を実現する検査システムについて説明する。
【００１４】
［１．検査システムの基本構成］
図１は、実施の形態に係る有機ＥＬ表示パネルの検査システムの構成を示す機能ブロック図である。同図に記載された有機ＥＬ表示パネルの検査システムは、検査装置１と、有機ＥＬ基板２Ａとを備える。なお、本実施の形態に係る検査工程を実施する対象となるのは、有機ＥＬ基板２Ａであり、製造完成品である有機ＥＬ表示パネルの製造仕掛品である。従って、有機ＥＬ基板２Ａは、有機ＥＬ表示パネルが有する制御部、データ線駆動回路及び走査線駆動回路などは、構成要素としてなくてもよい。
【００１５】
検査装置１は、照射部１１と、撮像部１２と、信号処理部１３とを備える。検査装置１は、有機ＥＬ基板２Ａの欠陥画素を特定する機能を有する。
【００１６】
照射部１１は、可視光の全波長帯域のうちの所定の波長領域が除外された特定可視光を、有機ＥＬ基板２Ａに向けて照射する。言い換えると、照射部１１は、可視光の全波長帯域を含む光を、互いに異なる表示色を有する第１表示画素及び第２表示画素に照射した場合の表示階調差よりも、第１表示画素と第２表示画素との表示階調差が大きくなるよう予め波長領域が特定された特定可視光を照射する。照射部１１は、例えば、可視光の全波長帯域を有する光を出射する光源と、所定の波長領域を遮断するフィルタとを備える。あるいは、照射部１１は、例えば、可視光の全波長帯域のうちの一部の波長領域を有する光を出射するＬＥＤ（Ｌｉｇｈｔ  Ｅｍｉｔｔｉｎｇ  Ｄｉｏｄｅ）を備えてもよい。
【００１７】
撮像部１２は、上記特定可視光の照射時における有機ＥＬ基板２Ａの光学像を取得する。撮像部１２は、例えば、ＣＣＤカメラを備える。
【００１８】
信号処理部１３は、撮像部１２により撮像された光学像から、互いに異なる表示色を有する第１表示画素及び第２表示画素の表示階調を測定する。そして、測定された第１表示画素の表示階調と第２表示画素の表示階調との表示階調差に基づいて、有機発光層の形成不良に起因する混色欠陥画素を特定する。
【００１９】
上述した有機ＥＬ基板２Ａの検査装置１の構成及び機能によれば、照射部１１から上記特定可視光を各表示画素に対して照射することにより、互いに異なる表示色を有する表示画素間の表示階調差を大きくすることが可能となる。よって、可視光の全波長帯域を有する光の照射では検出困難であった画素欠陥、特に、混色欠陥を、高精度に判別することが可能となる。
【００２０】
［２．有機ＥＬ表示パネルの構成］
次に、有機ＥＬ表示パネル２及びその製造仕掛品である有機ＥＬ基板２Ａの構成について説明する。
【００２１】
有機ＥＬ表示パネル２及び有機ＥＬ基板２Ａは、共に、複数の表示画素２００がマトリクス状に配置されている。複数の表示画素２００は、赤色を表示する赤色表示画素２００Ｒ、緑色を表示する緑色表示画素２００Ｇ、及び、青色を表示する青色表示画素２００Ｂを含む。
【００２２】
図２Ａは、実施の形態に係る有機ＥＬ表示パネルの断面概略図である。同図に示した有機ＥＬ表示パネル２は、陽極、陰極、および当該両極で挟まれた有機発光層を含む有機機能デバイスである。同図に記載された有機ＥＬ表示パネル２は、サブ画素である赤色表示画素２００Ｒ、緑色表示画素２００Ｇ、及び、青色表示画素２００Ｂが隣接配置されて形成された１単位画素が、行列状に配置されている。各サブ画素は、基板２１の上に、平坦化膜２２と、陽極２３と、正孔注入層２４と、発光層２５と、隔壁２８と、電子注入層２６と、陰極２７と、薄膜封止層３０と、樹脂封止層３１と、カラーフィルタ３５と、接着層３２と、透明基板３３とを備える。カラーフィルタ３５は、図２Ａでは、赤色表示画素２００Ｒ、緑色表示画素２００Ｇ及び青色表示画素２００Ｂに対応して、それぞれ、可視光領域では赤色を優先透過する赤色カラーフィルタ３５Ｒ、可視光領域では緑色を優先透過する緑色カラーフィルタ３５Ｇ、及び、可視光領域では青色を優先透過する青色カラーフィルタ３５Ｂとして表されている。また、赤色カラーフィルタ３５Ｒ、緑色カラーフィルタ３５Ｇ、及び、青色カラーフィルタ３５Ｂの間には、それぞれブラックマトリクス３４が配置されている。
【００２３】
なお、カラーフィルタ３５は、発光層２５の材料構成により設けなくてよい場合があり、必須の構成要素ではない。
【００２４】
陽極２３及び陰極２７は、それぞれ、本実施の形態における下部電極層及び上部電極層に相当する。また、正孔注入層２４及び発光層２５は、本実施の形態における有機発光層に相当する。
【００２５】
基板２１及び透明基板３３は、有機ＥＬ表示パネル２の裏面及び発光表面を保護する基板であり、例えば、厚みが０．５ｍｍである透明の無アルカリガラスである。
【００２６】
平坦化膜２２は、一例として、絶縁性の有機材料からなり、例えば駆動用の薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）などを含む基板上に形成されている。
【００２７】
陽極２３は、正孔が供給される、つまり、外部回路から電流が流れ込むアノードであり、例えば、Ａｌ、あるいは銀合金ＡＰＣなどからなる反射電極が平坦化膜２２上に積層された構造となっている。反射電極の厚みは、一例として１０〜４０ｎｍである。
【００２８】
正孔注入層２４は、正孔注入性の材料を主成分とする層である。正孔注入性の材料とは、陽極２３側から注入された正孔を安定的に、または正孔の生成を補助して発光層２５へ注入する機能を有する材料である。
【００２９】
発光層２５は、陽極２３及び陰極２７の間に電圧が印加されることにより発光する層であり、例えば、下層としてα−ＮＰＤ（Ｂｉｓ［Ｎ−（１−ｎａｐｈｔｈｙｌ）−Ｎ−ｐｈｅｎｙｌ］ｂｅｎｚｉｄｉｎｅ）、上層としてＡｌｑ３（ｔｒｉｓ−（８−ｈｙｄｒｏｘｙｑｕｉｎｏｌｉｎｅ）ａｌｕｍｉｎｕｍ）が積層された構造となっている。
【００３０】
電子注入層２６は、電子注入性の材料を主成分とする層である。電子注入性の材料とは、陰極２７から注入された電子を安定的に、または電子の生成を補助して発光層２５へ注入する機能を有する材料である。
【００３１】
陰極２７は、電子が供給される、つまり、外部回路へ電流が流れ出すカソードであり、例えば、透明金属酸化物であるＩＴＯにより積層された構造となっている。電極の厚みは、一例として１０〜４０ｎｍである。
【００３２】
隔壁２８は、発光層２５をサブ画素ごとに分離するための壁であり、例えば、感光性の樹脂からなる。
【００３３】
薄膜封止層３０は、例えば、窒化珪素からなり、上記した発光層２５や陰極２７を水蒸気や酸素から遮断する機能を有する。発光層２５そのものや陰極２７が、水蒸気や酸素にさらされることにより劣化（酸化）してしまうことを防止するためである。
【００３４】
樹脂封止層３１は、アクリルまたはエポキシ系の樹脂であり、上記の基板上に形成された平坦化膜２２から薄膜封止層３０までの一体形成された層と、カラーフィルタ３５とを接合する。
【００３５】
カラーフィルタ３５は、隔壁２８で分離された各発光領域を覆うように、透明基板３３及び接着層３２の下面に、赤、緑および青の色調整を行うカラーフィルタとして形成されている。
【００３６】
上述した陽極２３、発光層２５及び陰極２７の構成は有機ＥＬ素子の基本構成であり、このような構成により、陽極２３と陰極２７との間に適当な電圧が印加されると、陽極２３側から正孔、陰極２７側から電子がそれぞれ発光層２５に注入される。これらの注入された正孔および電子が発光層２５で再結合して生じるエネルギーにより、発光層２５の発光材料が励起され発光する。
【００３７】
なお、正孔注入層２４及び電子注入層２６の材料は、本実施の形態では限定されるものではなく、周知の有機材料または無機材料が用いられる。
【００３８】
また、有機ＥＬ表示パネル２の構成として、正孔注入層２４と発光層２５との間に正孔輸送層があってもよいし、電子注入層２６と発光層２５との間に電子輸送層があってもよい。また、正孔注入層２４の代わりに正孔輸送層が配置されてもよいし、電子注入層２６の代わりに電子輸送層が配置されてもよい。正孔輸送層とは、正孔輸送性の材料を主成分とする層である。また、電子輸送層は、電子輸送性の材料を主成分とする層である。
【００３９】
図２Ｂは、実施の形態に係る有機ＥＬ基板の断面概略図である。上述したように、有機ＥＬ基板２Ａは、有機ＥＬ表示パネル２の製造仕掛品である。具体的には、図２Ｂに示すように、有機ＥＬ基板２Ａは、有機ＥＬ表示パネル２が有する積層構造のうち、電子注入層２６及びそれより上方の各層が形成されていない製造仕掛品である。
【００４０】
本実施の形態に係る有機ＥＬ表示パネルの製造方法では、欠陥画素の検査を有機ＥＬ基板２Ａの状態で実施する。有機ＥＬ基板２Ａを欠陥画素の検査対象とすることにより、欠陥画素を含む有機ＥＬ基板２Ａを廃棄できるので、当該欠陥画素を含む有機ＥＬ基板２Ａに、電子注入層２６及びそれより上方の各層を形成する工程を省くことができる。よって、製造工程ロスを低減できる。
【００４１】
［３．欠陥画素］
図３Ａは、未濡れを有する欠陥画素の形成状態を表す図であり、図３Ｂは、位置ずれを有する欠陥画素の形成状態を表す図であり、図３Ｃは、混色を有する欠陥画素の形成状態を表す図である。本実施の形態に係る有機ＥＬ表示パネル２は、赤色表示画素２００Ｒ、緑色表示画素２００Ｇ及び青色表示画素２００Ｂがこの順で画素行方向に配置されている。また、画素列方向には、同色の表示画素が配置されている。
【００４２】
図３Ａでは、青色表示画素２００Ｂの画素領域の一部に有機発光層が形成されていない、いわゆる、未濡れ表示画素が確認される。また、図３Ｂでは、青色表示画素２００Ｂの画素領域以外に、青色に対応した有機発光層が形成されている、いわゆる、位置ずれ表示画素が確認される。また、図３Ｃでは、緑色表示画素２００Ｇの画素領域に、緑色に対応した有機発光層と赤色表示画素に形成されるべき有機発光層とが混在して形成されている、いわゆる、混色表示画素が確認される。
【００４３】
本実施の形態に係る有機ＥＬ表示パネルの製造工程では、有機発光層を、印刷技術を用いた湿式成膜法で形成する。この湿式成膜法に起因して、製造工程途中の有機ＥＬ基板２Ａには、上述した未濡れ表示画素、位置ずれ表示画素、及び混色表示画素などの欠陥画素が発生する場合がある。
【００４４】
本実施の形態に係る製造方法によれば、上記特定可視光を照射することで、異なる表示色を有する表示画素間の表示階調差を大きくすることが可能となる。よって、本実施の形態に係る検査工程では、赤色表示画素２００Ｒ、緑色表示画素２００Ｇ及び青色表示画素２００Ｂの各表示階調を比較することにより、特に、図３Ｃに示された混色欠陥画素を高精度に特定することが可能となる。
【００４５】
［４．製造方法］
次に、本実施の形態の有機ＥＬ表示パネルの製造方法について説明する。
【００４６】
図４は、実施の形態に係る有機ＥＬ表示パネルの製造方法を説明する工程フローチャートである。
【００４７】
まず、有機ＥＬ基板２Ａを形成する（Ｓ１０）。
【００４８】
次に、ステップＳ１０で形成された有機ＥＬ基板２Ａの各表示画素を検査する（Ｓ２０）。
【００４９】
次に、ステップＳ２０での画素検査の結果（Ｓ３０）、図３Ａ〜図３Ｃで挙げたような有機発光層の形成（印刷）不良が確認された場合、当該形成不良を含む有機ＥＬ基板２Ａを廃棄する（Ｓ５０）。
【００５０】
一方、ステップＳ２０での画素検査の結果（Ｓ３０）、図３Ａ〜図３Ｃで挙げたような有機発光層の形成（印刷）不良が確認されない場合、当該形成不良を含まない有機ＥＬ基板２Ａに対して、電子注入層２６の形成工程以降の工程を実施する（Ｓ４０）。
【００５１】
以下、ステップＳ１０〜Ｓ５０を詳細に説明する。
【００５２】
［４−１．有機ＥＬ基板２Ａの形成工程］
まず、ステップＳ１０での有機ＥＬ表示パネルの形成工程を説明する。具体的には、図２Ｂに示された有機ＥＬ基板２Ａを準備する。
【００５３】
まず、ＴＦＴを含む基板２１上に、絶縁性の有機材料からなる平坦化膜２２を形成し、その後、平坦化膜２２上に陽極２３を形成する。陽極２３は、例えば、スパッタリング法により、平坦化膜２２上に成膜され、その後、パターニング工程を経て形成される。
【００５４】
次に、陽極２３上に、例えば、湿式成膜法により、正孔注入層２４を形成する。
【００５５】
最後に、正孔注入層２４の上に、例えば、湿式成膜法により発光層２５を形成する。
【００５６】
以上の工程により、有機ＥＬ基板２Ａが形成される。つまり、ステップＳ１０は、基板上に有機発光層を形成することで有機ＥＬ基板２Ａを作製する基板作製工程である。
【００５７】
［４−２．画素検査工程］
以下、図５〜図７Ｃを用いて、画素検査工程（Ｓ２０）を説明する。
【００５８】
図５は、実施の形態に係る画素検査工程を説明するフローチャートである。
【００５９】
まず、照射部１１は、可視光帯域の一部帯域を除外した光である特定可視光のみを有機ＥＬ基板２Ａに照射する（Ｓ２１）。
【００６０】
図６は、特定可視光の分光スペクトルを表す図である。本実施の形態では、特定可視光を出射する照射部１１は、光源とフィルタとで構成されている。図６の（ａ）には、光源から出射される可視光の分光スペクトル、図６の（ｂ）には、フィルタの透過特性、図６の（ｃ）には、光源から上記フィルタを介して出射された照射部１１の出射光の分光スペクトルが示されている。
【００６１】
光源は、例えば、メタルハライドランプであり、図６の（ａ）に示すように、可視光の全波長帯域（３８０ｎｍ〜７８０ｎｍ）を有する光を出射する。
【００６２】
フィルタは、図６の（ｂ）に示すように、例えば、５４０ｎｍ以上の波長帯域に選択的な通過帯域を有する、いわゆる、赤色フィルタである。
【００６３】
照射部１１の出射光は、上記メタルハライドランプからの出射光に対して、上記赤色フィルタを通過させた光であり、図６の（ｃ）に示すように、可視光の全波長帯域のうちの所定の波長領域が除外された特定可視光となる。言い換えれば、照射部１１の出射光は、可視光の全波長帯域を含む光に対して、青色に対応する波長領域及び緑色に対応する波長領域が除外された特定可視光となる。
【００６４】
ステップＳ２１は、有機ＥＬ基板２Ａに、可視光の全波長帯域のうちの所定の波長領域が除外された特定可視光のみを照射する照射工程である。
【００６５】
次に、撮像部１２は、上記特定可視光が照射された有機ＥＬ基板２Ａの光学像を撮像する（Ｓ２２）。
【００６６】
次に、信号処理部１３は、上記光学像から得られる表示画素間の階調差により、画素形成（印刷）不良を判別する（Ｓ２３）。ステップＳ２３の判別内容を、図７Ａ〜図７Ｃを用いて説明する。
【００６７】
図７Ａは、第１の実施例に係る特定可視光を照射した場合の表示画素間の階調差を表すグラフである。また、図７Ｂは、第２の実施例に係る特定可視光を照射した場合の表示画素間の階調差を表すグラフである。また、図７Ｃは、可視光の全波長帯域を有する光を照射した場合の表示画素間の階調差を表すグラフである。図７Ａ〜図７Ｃのグラフにおいて、横軸は、１表示画素における画素列方向の位置を表しており、縦軸はステップ２２で撮像された光学像から測定される画素内の各位置における表示階調を表している。また、図７Ａのグラフは、メタルハライドランプからの出射光を、赤色フィルタを通過させた光である特定可視光のみを照射した第１の実施例における表示階調特性を示している。また、図７Ｂのグラフは、メタルハライドランプからの出射光を、青色フィルタを通過させた光である特定可視光のみを照射した第２の実施例における表示階調特性を示している。
【００６８】
つまり、図７Ａのグラフは、メタルハライドランプから出射された可視光に対して、５４０ｎｍ以上の波長帯域に選択的な通過帯域を有する赤色フィルタを通過させた特定可視光のみを照射した場合の表示階調特性である。一方、図７Ｂのグラフは、メタルハライドランプから出射された可視光に対して、５００ｎｍ以下の波長帯域に選択的な通過帯域を有する青色フィルタを通過させた特定可視光を照射した場合の表示階調特性である。
【００６９】
図７Ａの表示階調特性と図７Ｃの表示階調特性とを比較すると、図７Ｃでは青色表示画素と緑色表示画素との表示階調差が、画素領域にわたり６程度であるのに対して、図７Ａでは、青色表示画素と緑色表示画素との表示階調差が、画素領域にわたり１０となっている。また、異なる表示色を有する３種類の表示画素のうち、任意の２種類の表示画素間において、表示階調差はいずれも１０以上を確保できる。つまり、上記第１の実施例に係る特定可視光を照射することにより取得される、異なる表示色を有する表示画素間の表示階調差は、可視光の全波長帯域を含む光を照射することにより取得される、上記表示画素間の表示階調差よりも大きくなる。
【００７０】
これにより、例えば、異なる表示色を有する３種類の表示画素が有する表示階調に対して、それらの中間階調を有する表示画素が観察される場合、当該表示画素を混色欠陥画素と判定できる。よって、画素欠陥を高精度に識別することが可能となる。
【００７１】
一方、図７Ｂの表示階調特性と図７Ｃの表示階調特性とを比較すると、図７Ｂでは、緑色表示画素及び赤色表示画素と、青色表示画素との表示階調差が、画素領域にわたり増加している。つまり、上記第２の実施例に係る特定可視光を照射することにより取得される、第１表示画素（緑色表示画素または赤色表示画素）及び第２表示画素（青色表示画素）の表示階調差は、可視光の全波長帯域を含む光を照射することにより取得される、上記表示画素間の表示階調差よりも大きくなる。
【００７２】
これにより、例えば、異なる２種類の表示画素が有する表示階調に対して、それらの中間階調を有する表示画素が観察される場合、当該表示画素を混色欠陥画素と判定できる。よって、画素欠陥を高精度に識別することが可能となる。
【００７３】
なお、照射部１１が出射する特定可視光は、可視光の全波長帯域のうちの所定の波長領域が除外された光であるが、当該所定の波長領域は、第１の実施例における青色波長領域及び緑色波長領域、ならびに、第２の実施例における赤色波長領域及び緑色波長領域であることに限られない。表示画素を検査するにあたり、表示階調差を拡大したい表示画素間、及び、目標とする表示階調差に応じて、上記所定の波長領域が適宜決定される。
【００７４】
ステップＳ２３は、特定可視光が照射された有機ＥＬ基板２Ａの光学像から取得された、第１表示画素と第２表示画素との表示階調差に基づいて、有機発光層の形成不良に起因する混色欠陥画素を特定する特定工程である。
【００７５】
［４−３．画素検査工程以降の工程］
最後に、ステップＳ４０での各層の形成工程を説明する。
【００７６】
まず、発光層２５の上に、例えば、湿式成膜法により、電子注入層２６を形成する。
【００７７】
ここで、湿式成膜法としては、特に限定されるものではないが、インクジェット法に代表されるノズルジェット法や、ディスペンサー法などの印刷技術を用いることができる。インクジェット法は、例えば、インク化した有機成膜材料を、ノズルから下層表面へ噴射する方法である。
【００７８】
続いて、電子注入層２６が形成された基板を大気曝露させることなく、陰極２７を形成する。具体的には、電子注入層２６の上に、スパッタリング法によりＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ  Ｔｉｎ  Ｏｘｉｄｅ）が形成される。
【００７９】
なお、陽極２３の形成工程と正孔注入層２４の形成工程との間に、表面感光性樹脂からなる隔壁２８が所定位置に形成される。
【００８０】
次に、陰極２７の上に、例えば、プラズマＣＶＤ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｖａｐｏｒ  Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法により窒化珪素を積層し、薄膜封止層３０を形成する。
【００８１】
次に、薄膜封止層３０の表面に、樹脂封止層３１を塗布する。その後、塗布された樹脂封止層３１上に、カラーフィルタ３５を形成する。
【００８２】
次に、カラーフィルタ３５の上に、接着層３２及び透明基板３３を配置する。なお、薄膜封止層３０、樹脂封止層３１、接着層３２及び透明基板３３は、保護層に相当する。
【００８３】
最後に、透明基板３３を上面側から下方に加圧しつつ熱またはエネルギー線を付加して樹脂封止層３１を硬化し、透明基板３３、接着層３２及びカラーフィルタ３５と薄膜封止層３０とを接着する。
【００８４】
上記形成方法により、図２Ａに示す有機ＥＬ表示パネル２が形成される。なお、陽極２３、正孔注入層２４、発光層２５、電子注入層２６及び陰極２７の形成工程は、本実施の形態により限定されるものではない。
【００８５】
ステップＳ４０は、ステップＳ２３で混色欠陥画素と特定された表示画素を含まない有機ＥＬ基板２Ａについて、有機発光層の上に樹脂封止層３１を形成する封止層形成工程である。
【００８６】
［５．効果など］
以上のように、本実施の形態に係る有機ＥＬ表示パネルの製造方法の一態様は、互いに異なる表示色を有する第１表示画素及び第２表示画素が複数配置された有機ＥＬ表示パネルの製造方法であって、基板上に有機発光層を形成することで有機ＥＬ基板２Ａを作製する基板作製工程と、有機ＥＬ基板２Ａに、可視光の全波長帯域のうちの所定の波長領域が除外された特定可視光を照射する照射工程と、特定可視光が照射された有機ＥＬ基板２Ａの光学像から取得された、第１表示画素と第２表示画素との表示階調差に基づいて、有機発光層の形成不良に起因する混色欠陥画素を特定する特定工程とを含む。
【００８７】
これによれば、特定可視光を照射することで、異なる表示色を有する表示画素間の表示階調差を大きくすることが可能となる。よって、上記光学像に基づいて第１表示画素及び第２表示画素の表示階調を比較することにより、混色欠陥画素を高精度に特定することが可能となる。
【００８８】
また、上記照射工程では、可視光の全波長帯域を含む光を第１表示画素及び第２表示画素に照射した場合の表示階調差よりも、第１表示画素と第２表示画素との表示階調差が大きくなるよう、予め波長領域が特定された特定可視光を照射する。
【００８９】
また、さらに、上記特定工程で混色欠陥画素と特定された表示画素を含まない有機ＥＬ基板２Ａについて、有機発光層の上に樹脂封止層を形成する封止層形成工程を含んでもよい。
【００９０】
これにより、有機ＥＬ基板２Ａを欠陥画素の検査対象とすることにより、欠陥画素を含む有機ＥＬ基板２Ａを廃棄できるので、当該欠陥画素を含む有機ＥＬ基板２Ａに、電子注入層２６の形成工程以降の工程を省くことができる。よって、製造工程ロスを低減できる。
【００９１】
また、上記照射工程では、可視光の全波長帯域を含む光に対して、青色に対応する波長領域及び緑色に対応する波長領域が除外された特定可視光のみを照射してもよい。
【００９２】
具体的には、有機ＥＬ表示パネル２は、赤色を表示する赤色表示画素、緑色を表示する緑色表示画素及び青色を表示する青色表示画素を含み、上記照射工程では、メタルハライドランプから出射された可視光に対して、５４０ｎｍ以上の波長帯域に選択的な通過帯域を有する赤色フィルタを通過させた特定可視光のみを照射してもよい。
【００９３】
これにより、異なる表示色を有する３種類の表示画素が有する表示階調に対して、それらの中間階調を有する表示画素が観察される場合、当該表示画素を混色欠陥画素と判定できる。よって、画素欠陥を高精度に識別することが可能となる。
【００９４】
また、第１表示画素は青色表示画素であり、第２表示画素は緑色表示画素または赤色表示画素であり、上記照射工程では、メタルハライドランプから出射された可視光に対して、５００ｎｍ以下の波長帯域に選択的な通過帯域を有する青色フィルタを通過させた特定可視光のみを照射してもよい。
【００９５】
これにより、異なる２種類の表示画素が有する表示階調に対して、それらの中間階調を有する表示画素が観察される場合、当該表示画素を混色欠陥画素と判定できる。よって、画素欠陥を高精度に識別することが可能となる。
【００９６】
（その他の実施の形態）
以上、上記実施の形態に基づいて有機ＥＬ表示パネルの製造方法を説明してきたが、本発明は、上述した実施の形態に限定されるものではない。実施の形態における任意の構成要素を組み合わせて実現される別の実施の形態や、実施の形態に対して本発明の主旨を逸脱しない範囲で当業者が思いつく各種変形を施して得られる変形例や、本実施の形態に係る有機ＥＬ表示パネルを内蔵した各種機器も本発明に含まれる。
【００９７】
上記実施の形態では、検出すべき欠陥画素として、混色画素を例示したが、本実施の形態に係る有機ＥＬ表示パネルの製造方法により検出される欠陥画素はこれに限られない。混色画素の他、有機発光層の形成不良に起因する欠陥画素であって、異なる表示色を有する表示画素間の表示階調差に基づいて欠陥の有無が判定される欠陥画素であればよい。欠陥画素としては、図３Ａに示された未濡れ欠陥画素、及び、図３Ｂに示された位置ずれ欠陥画素などが例示される。
【００９８】
また、上述した実施の形態では、下部電極を陽極、上部電極を陰極とする構成について示したが、下部電極を陰極、上部電極を陽極とする構成であってもよい。また、表示画素の構成である平坦化膜、陽極、正孔注入層、発光層、隔壁、電子注入層、陰極、薄膜封止層、樹脂封止層、カラーフィルタ、接着層及び透明基板は、上記した実施の形態に示した構成に限らず、材料や構成、形成方法を変更してもよい。例えば、正孔注入層と発光層との間に正孔輸送層があってもよいし、電子注入層と発光層との間に電子輸送層があってもよい。
【００９９】
また、本発明は、例えば、図８に示すような、本実施の形態に係る製造方法により製造された有機ＥＬ発光パネル２を備えた薄型フラットテレビシステムの製造に好適である。
【０１００】
また、図１に記載された検査装置１は、有機ＥＬ表示パネル２を備える表示装置に組み込まれていてもよい。
【産業上の利用可能性】
【０１０１】
本発明に係る有機ＥＬ表示パネルの製造方法は、大画面及び高解像度が要望される薄型テレビ及びパーソナルコンピュータのディスプレイなどの技術分野に有用である。
【符号の説明】
【０１０２】
１    検査装置
２Ａ    有機ＥＬ基板
１１    照射部
１２    撮像部
１３    信号処理部
２１    基板
２２    平坦化膜
２３    陽極
２４    正孔注入層
２５    発光層
２６    電子注入層
２７    陰極
２８    隔壁
３０    薄膜封止層
３１    樹脂封止層
３２    接着層
３３    透明基板
３４    ブラックマトリクス
３５    カラーフィルタ
３５Ｂ    青色カラーフィルタ
３５Ｇ    緑色カラーフィルタ
３５Ｒ    赤色カラーフィルタ
２００    表示画素
２００Ｂ    青色表示画素
２００Ｇ    緑色表示画素
２００Ｒ    赤色表示画素
【図１】
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【図２Ａ】
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【図２Ｂ】
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【図３Ａ】
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【図３Ｂ】
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【図３Ｃ】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７Ａ】
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【図７Ｂ】
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【図７Ｃ】
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【図８】
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