(57)【要約】      （修正有）【課題】金型に硬化性組成物が付着することなく、タブレットを容易に取り出すことができ、更に外観が良好な光半導体装置用タブレットが得られるタブレット成型用金型の提供。【解決手段】第１の杵２と、第２の杵３と、前記第１の杵２及び前記第２の杵３を挿入可能であり、かつ成型時に光半導体装置用硬化性組成物が充填される貫通孔４ａを有する臼４とを備え、前記貫通孔４ａ内に充填された硬化性組成物の一方側に前記第１の杵２を接触させ、かつ前記貫通孔内に充填された前記硬化性組成物の他方側に前記第２の杵３を接触させることで、光半導体装置用タブレットを成型可能であり、充填される前記硬化性組成物と接する前記貫通孔４ａの内表面のビッカース硬さが、Ｈｖ１１００以上であり、充填される前記硬化性組成物とそれぞれ接する前記第１の杵２及び前記第２の杵３の表面は、離型処理が行われている。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
光半導体装置用硬化性組成物を光半導体装置用タブレットに成型するための金型であって、
第１の杵と、
第２の杵と、
前記第１の杵及び前記第２の杵を挿入可能であり、かつ成型時に前記硬化性組成物が充填される貫通孔を有する臼とを備え、
前記貫通孔内に充填された前記硬化性組成物の一方側に前記第１の杵を接触させ、かつ前記貫通孔内に充填された前記硬化性組成物の他方側に前記第２の杵を接触させることで、光半導体装置用タブレットを成型可能であり、
充填される前記硬化性組成物と接する前記貫通孔の内表面のビッカース硬さが、Ｈｖ１１００以上であり、
充填される前記硬化性組成物と接する前記第１の杵の表面は、離型処理が行われており、
充填される前記硬化性組成物と接する前記第２の杵の表面は、離型処理が行われている、タブレット成型用金型。
【請求項２】
充填される前記硬化性組成物と接する前記第１の杵の表面のビッカース硬さが、Ｈｖ５００以上であり、
充填される前記硬化性組成物と接する前記第２の杵の表面のビッカース硬さが、Ｈｖ５００以上である、請求項１に記載のタブレット成型用金型。
【請求項３】
充填される前記硬化性組成物と接する前記貫通孔の内表面の材質が、セラミック材料又超硬合金である、請求項１又は２に記載のタブレット成型用金型。
【請求項４】
充填される前記硬化性組成物と接する前記第１の杵の表面は、フッ素樹脂を用いたコーティング処理を含む離型処理が行われており、
充填される前記硬化性組成物と接する前記第２の杵の表面は、フッ素樹脂を用いたコーティング処理を含む離型処理が行われている、請求項１〜３のいずれか１項に記載のタブレット成型用金型。
【請求項５】
前記フッ素樹脂がポリテトラフルオロエチレンである、請求項４に記載のタブレット成型用金型。
【請求項６】
充填される前記硬化性組成物と接する前記第１の杵の表面は、金属めっき処理を含む離型処理が行われており、
充填される前記硬化性組成物と接する前記第２の杵の表面は、金属めっき処理を含む離型処理が行われている、請求項１〜５のいずれか１項に記載のタブレット成型用金型。
【請求項７】
前記金属めっき処理がクロムめっき処理である、請求項６に記載のタブレット成型用金型。
【請求項８】
請求項１〜７のいずれか１項に記載のタブレット成型用金型と、
前記タブレット成型用金型が搭載された被搭載部材とを備える、タブレット成型装置。
【請求項９】
請求項１〜７のいずれか１項に記載のタブレット成型用金型を用いて、光半導体装置用硬化性組成物を成型することにより得られる、光半導体装置用タブレット。
【請求項１０】
前記硬化性組成物が、エポキシ化合物と、酸無水物硬化剤と、酸化チタンと、シリカと、硬化促進剤とを含む白色の硬化性組成物であり、
白色の光半導体装置用タブレットである、請求項９に記載の光半導体装置用タブレット。
【請求項１１】
光半導体装置において、光半導体素子が搭載されるリードフレーム上に配置される成型体を得るために用いられる光半導体装置用タブレットであって、
複数の成型体が連なった分割前成型体を得た後に、前記分割前成型体を分割して個々の成型体を得るために用いられる、請求項９又は１０に記載の光半導体装置用タブレット。
【請求項１２】
請求項１〜７のいずれか１項に記載のタブレット成型用金型を用いて、光半導体装置用硬化性組成物を、前記臼の前記貫通孔内に充填する充填工程と、
前記貫通孔内に充填された前記硬化性組成物の一方側に前記第１の杵を接触させ、かつ前記貫通孔内に充填された前記硬化性組成物の他方側に前記第２の杵を接触させることで、前記硬化性組成物を光半導体装置用タブレットに成型する成型工程と、
前記貫通孔内で成型された光半導体装置用タブレットを取り出す取出工程とを備える、光半導体装置用タブレットの製造方法。
【請求項１３】
光半導体装置において光半導体素子の側方に配置される枠部を有する成型体であって、
請求項１〜７のいずれか１項に記載のタブレット成型用金型を用いて、光半導体装置用硬化性組成物を成型することにより得られる光半導体装置用タブレットを、成型しかつ硬化させることにより得られる、光半導体装置用成型体。
【請求項１４】
リードフレームと、
前記リードフレーム上に搭載された光半導体素子と、
前記リードフレーム上に配置されており、かつ前記光半導体素子の側方に配置されている枠部を有する光半導体装置用成型体を備え、
前記成型体が、請求項１〜７のいずれか１項に記載のタブレット成型用金型を用いて、光半導体装置用硬化性組成物を成型することにより得られる光半導体装置用タブレットを、成型しかつ硬化させることにより得られる、光半導体装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、光半導体装置用硬化性組成物を、光半導体装置用タブレットに成型するためのタブレット成型用金型に関する。また、本発明は、上記タブレット成型用金型を備えるタブレット成型装置に関する。また、本発明は、上記タブレット成型用金型を用いる光半導体装置用タブレット、光半導体装置用タブレットの製造方法、光半導体装置用成型体、及び光半導体装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
発光ダイオード（ＬＥＤ）装置などの光半導体装置の消費電力は低く、かつ寿命は長い。また、光半導体装置は、過酷な環境下でも使用され得る。従って、光半導体装置は、携帯電話用バックライト、液晶テレビ用バックライト、自動車用ランプ、照明器具及び看板などの幅広い用途で使用されている。
【０００３】
光半導体装置に用いられている発光素子である光半導体素子（例えばＬＥＤ）が大気と直接触れると、大気中の水分又は浮遊するごみ等により、光半導体素子の発光特性が急速に低下する。このため、上記光半導体素子は、通常、封止剤により封止されている。また、該封止剤を充填するために、上記光半導体素子が搭載されるリードフレーム上に、枠部を有する成型体が配置されている。該枠部を有する成型体の内側に、上記封止剤が充填されている。該成型体は、リフレクター、ケース材又はハウジングと呼ばれることがある。
【０００４】
上記成型体の製造方法として、タブレット成型用金型を備えるタブレット成型装置を用いて、硬化性組成物をタブレットに成型した後、トランスファー成型装置を用いて、タブレットを成型体に成型する方法がある。
【０００５】
上記硬化性組成物をタブレットに成型するためのタブレット成型用金型の一例として、下記の特許文献１には、熱硬化性光反射用樹脂組成物と接する成型用金型の臼と杵の各内表面が、フッ素系材料から構成されており、ロックウェル硬度Ｒスケールで５０以上の硬度を有するタブレット成型用金型が開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開２０１２−２１４０５３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
特許文献１に記載のような従来のタブレット成型用金型を用いて、硬化性組成物をタブレットに成型すると、タブレットを金型から排出する際、臼とタブレットとの摩擦により、臼の表面が磨耗しやすい。このため、臼に異物が付着しやすくなり、タブレットに異物が混入したり、タブレットの表面が着色したりする。タブレットに異物が混入したり、タブレットの表面が着色したりすると、タブレットを成型して得られる成型体の外観不良が起こるという問題がある。
【０００８】
本発明の目的は、金型に硬化性組成物が付着することなく、成型された光半導体装置用タブレットを容易に取り出すことができ、更に外観が良好なタブレットを得ることができるタブレット成型用金型を提供することである。また、本発明は、上記タブレット成型用金型を備えるタブレット成型装置を提供することも目的とする。さらに、本発明は、上記タブレット成型用金型を用いる光半導体装置用タブレット、光半導体装置用タブレットの製造方法、光半導体装置用成型体、及び光半導体装置を提供することも目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明の広い局面によれば、光半導体装置用硬化性組成物を光半導体装置用タブレットに成型するための金型であって、第１の杵と、第２の杵と、前記第１の杵及び前記第２の杵を挿入可能であり、かつ成型時に前記硬化性組成物が充填される貫通孔を有する臼とを備え、前記貫通孔内に充填された前記硬化性組成物の一方側に前記第１の杵を接触させ、かつ前記貫通孔内に充填された前記硬化性組成物の他方側に前記第２の杵を接触させることで、光半導体装置用タブレットを成型可能であり、充填される前記硬化性組成物と接する前記貫通孔の内表面のビッカース硬さが、Ｈｖ１１００以上であり、充填される前記硬化性組成物と接する前記第１の杵の表面は、離型処理が行われており、充填される前記硬化性組成物と接する前記第２の杵の表面は、離型処理が行われている、タブレット成型用金型が提供される。
【００１０】
本発明に係るタブレット成型用金型のある特定の局面では、充填される前記硬化性組成物と接する前記第１の杵の表面のビッカース硬さが、Ｈｖ５００以上であり、充填される前記硬化性組成物と接する前記第２の杵の表面のビッカース硬さが、Ｈｖ５００以上である。
【００１１】
本発明に係るタブレット成型用金型のある特定の局面では、充填される前記硬化性組成物と接する前記貫通孔の内表面の材質が、セラミック材料又超硬合金である。
【００１２】
本発明に係るタブレット成型用金型のある特定の局面では、充填される前記硬化性組成物と接する前記第１の杵の表面は、フッ素樹脂を用いたコーティング処理を含む離型処理が行われており、充填される前記硬化性組成物と接する前記第２の杵の表面は、フッ素樹脂を用いたコーティング処理を含む離型処理が行われている。前記フッ素樹脂がポリテトラフルオロエチレンであることが好ましい。
【００１３】
本発明に係るタブレット成型用金型のある特定の局面では、充填される前記硬化性組成物と接する前記第１の杵の表面は、金属めっき処理を含む離型処理が行われており、充填される前記硬化性組成物と接する前記第２の杵の表面は、金属めっき処理を含む離型処理が行われている。前記金属めっき処理がクロムめっき処理であることが好ましい。
【００１４】
本発明の広い局面によれば、上述したタブレット成型用金型と、前記タブレット成型用金型が搭載された被搭載部材とを備える、タブレット成型装置が提供される。
【００１５】
本発明の広い局面によれば、上述したタブレット成型用金型を用いて、光半導体装置用硬化性組成物を成型することにより得られる、光半導体装置用タブレットが提供される。
【００１６】
本発明に係る光半導体装置用タブレットのある特定の局面では、前記硬化性組成物が、エポキシ化合物と、酸無水物硬化剤と、酸化チタンと、シリカと、硬化促進剤とを含む白色の硬化性組成物であり、前記半導体装置用タブレットは、白色の光半導体装置用タブレットである。
【００１７】
本発明の広い局面によれば、光半導体装置において、光半導体素子が搭載されるリードフレーム上に配置される成型体を得るために用いられる光半導体装置用タブレットであって、複数の成型体が連なった分割前成型体を得た後に、前記分割前成型体を分割して個々の成型体を得るために用いられる、光半導体装置用タブレットが提供される。
【００１８】
本発明の広い局面によれば、上述したタブレット成型用金型を用いて、光半導体装置用硬化性組成物を、前記臼の前記貫通孔内に充填する充填工程と、前記貫通孔内に充填された前記硬化性組成物の一方側に前記第１の杵を接触させ、かつ前記貫通孔内に充填された前記硬化性組成物の他方側に前記第２の杵を接触させることで、前記硬化性組成物を光半導体装置用タブレットに成型する成型工程と、前記貫通孔内で成型された光半導体装置用タブレットを取り出す取出工程とを備える、光半導体装置用タブレットの製造方法が提供される。
【００１９】
本発明の広い局面によれば、光半導体装置において光半導体素子の側方に配置される枠部を有する成型体であって、上述したタブレット成型用金型を用いて、光半導体装置用硬化性組成物を成型することにより得られる光半導体装置用タブレットを、成型しかつ硬化させることにより得られる、光半導体装置用成型体が提供される。
【００２０】
本発明の広い局面によれば、リードフレームと、前記リードフレーム上に搭載された光半導体素子と、前記リードフレーム上に配置されており、かつ前記光半導体素子の側方に配置されている枠部を有する光半導体装置用成型体を備え、前記成型体が、上述したタブレット成型用金型を用いて、光半導体装置用硬化性組成物を成型することにより得られる光半導体装置用タブレットを、成型しかつ硬化させることにより得られる、光半導体装置が提供される。
【発明の効果】
【００２１】
本発明に係るタブレット成型用金型は、第１の杵と、第２の杵と、上記第１の杵及び上記第２の杵を挿入可能であり、かつ成型時に光半導体装置用硬化性組成物が充填される貫通孔を有する臼とを備え、上記貫通孔内に充填された上記硬化性組成物の一方側に上記第１の杵を接触させ、かつ上記貫通孔内に充填された上記硬化性組成物の他方側に上記第２の杵を接触させることで、光半導体装置用タブレットを成型可能であり、充填される上記硬化性組成物と接する上記貫通孔の内表面のビッカース硬さが、Ｈｖ１１００以上であり、充填される上記硬化性組成物とそれぞれ接する上記第１の杵及び上記第２の杵の表面は、離型処理が行われているので、金型に硬化性組成物が付着することなく、成型された光半導体装置用タブレットを容易に取り出すことができる。さらに、外観が良好なタブレットを得ることができる
【図面の簡単な説明】
【００２２】
【図１】図１は、本発明の一実施形態に係るタブレット成型用金型を模式的に示す断面図である。
【図２】図２（ａ）〜（ｃ）は、図１に示すタブレット成型用金型を用いて、光半導体装置用タブレットを製造する各工程を説明するための断面図である。
【図３】図３（ａ）及び（ｂ）は、本発明の一実施形態に係るタブレット成型用金型を用いた成型体を備える光半導体装置の一例を模式的に示す断面図及び斜視図である。
【図４】図４は、図３に示す光半導体装置の変形例を模式的に示す断面図である。
【図５】図５は、図４に示す光半導体装置の変形例を模式的に示す断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００２３】
以下、本発明の詳細を説明する。
【００２４】
（タブレット成型用金型、光半導体装置用タブレット、及び光半導体装置用タブレットの製造方法）
以下、図面を参照しつつ、本発明の具体的な実施形態を説明することにより、本発明を明らかにする。
【００２５】
図１は、本発明の一実施形態に係るタブレット成型用金型を模式的に示す断面図である。
【００２６】
図１に示す金型１は、光半導体装置用硬化性組成物を光半導体装置用タブレットに成型するためのタブレット成型用金型である。上記光半導体装置用硬化性組成物は、光半導体装置に用いられる硬化性組成物である。上記光半導体装置用タブレットは、光半導体装置に用いられるタブレットである。上記タブレット成型用金型は、タブレットの成型に用いられる。
【００２７】
金型１は、第１の杵２と、第２の杵３と、臼４とを備える。臼４は、貫通孔４ａを有する。貫通孔４ａは、第１の杵２及び第２の杵３を挿入可能である。貫通孔４ａには、成型時に上記硬化性組成物が充填される。
【００２８】
第１の杵２と第２の杵３とは、一対の杵である。第１の杵２は、臼４の貫通孔４ａの一方側（下側）において、貫通孔４ａに対向するように、又は貫通孔４ａに挿入されて用いられる。第１の杵２の外径は、貫通孔４ａの内径に対応している。第１の杵２は、貫通孔４ａ内を移動可能である。第２の杵３は、臼４の貫通孔４ａの他方側（上側）において、貫通孔４ａに対向するように、又は貫通孔４ａに挿入されて用いられる。第２の杵３の外径は、貫通孔４ａの内径に対応している。第２の杵３は、貫通孔４ａ内を移動可能である。
【００２９】
金型１では、充填される硬化性組成物と接する貫通孔４ａの内表面のビッカース硬さは、Ｈｖ１１００以上である。充填される硬化性組成物と接する第１の杵２の表面は、離型処理が行われている。充填される硬化性組成物と接する第２の杵３の表面は、離型処理が行われている。
【００３０】
なお、金型１は、図１に略図で示す被搭載部材１１に搭載されている。金型１は、タブレット成型装置１０に用いられている。タブレット成型装置１０は、金型１と、被搭載部材１１とを備える。被搭載部材１１は、例えば、金型１を搭載している。被搭載部材１１は、例えば、臼４を支持している。タブレット成型装置１０は、第１の杵２及び第２の杵３を、臼４の貫通孔４ａに向けて移動させるための移動制御部を備えることが好ましい。また、タブレット成型装置１０は、原料ホッパ（原料：硬化性組成物）、原料をすりきるスクレーパー、上記タブレットを回収するためのスクレーパー、打錠圧を制御するための加圧ロール等を備えていてもよい。
【００３１】
次に、図２（ａ）〜（ｃ）を参照しつつ、図１に示す金型１を用いて、光半導体装置用硬化性組成物を光半導体装置用タブレットに成型する方法の一例を説明する。
【００３２】
先ず、図２（ａ）に示すように、金型１を用いて、硬化性組成物２１Ａを、臼４の貫通孔４ａ内に充填する（充填工程）。硬化性組成物２１Ａは、光半導体装置用硬化性組成物である。図２（ａ）では、貫通孔４ａの一方側の端面（下面）と、第１の杵２の端面（上面）とが揃えられている。臼４の一方側の端面（下面）と、第１の杵２の端面（上面）とは連なっている。この状態で、貫通孔４ａ内に硬化性組成物２１Ａを充填すると、貫通孔４ａ内に充填された硬化性組成物２１Ａの一方側に第１の杵２が接触する。貫通孔４ａ内に充填された硬化性組成物２１Ａは、貫通孔４ａの内周面と第１の杵２の端面（上面）とで囲まれる。充填された硬化性組成物２１Ａは、第１の杵２により支持される。
【００３３】
次に、貫通孔４ａ内に充填された硬化性組成物２１Ａの一方側に第１の杵２を接触させ、かつ貫通孔４ａ内に充填された硬化性組成物２１Ａの他方側に第２の杵３を接触させることで、硬化性組成物２１Ａをタブレット２１に成型する（成型工程）。タブレット２１は、光半導体装置用タブレットである。図２（ｂ）に示すように、臼４の貫通孔４ａの他方側から、第２の杵３を貫通孔４ａに向けて、かつ硬化性組成物２１Ａに向けて移動させる。この結果、貫通孔４ａ内に充填された硬化性組成物２１Ａの他方側に第２の杵３が接触する。このとき、第２の杵３を所定の力で、硬化性組成物２１Ａに接触させることで、成型が行われ、タブレット２１が得られる。第１の杵２と第２の杵３とで所定の力で硬化性組成物２１Ａを挟み込むことで、成型が行われ、タブレット２１が得られる。
【００３４】
金型１では、貫通孔４ａ内に充填された硬化性組成物２１Ａの一方側に第１の杵２を接触させ、かつ貫通孔４ａ内に充填された硬化性組成物２１Ａの他方側に第２の杵３を接触させることで、タブレット２１を成型可能である。
【００３５】
次に、適宜の方法で、貫通孔４ａ内で成型されたタブレット２１を取り出す（取出工程）。図２（ｃ）に示すように、タブレット２１の一方側に配置された第１の杵２を貫通孔４ａ内に挿入することで、タブレット２１を貫通孔４ａ内から外部に移動させることができる。なお、装置構成によっては、第２の杵を貫通孔４ａ内に挿入することで、タブレット２１を貫通孔４ａ内から外部に移動させてもよい。
【００３６】
上記の金型１では、特に、充填される硬化性組成物２１Ａと接する貫通孔４ａの内表面のビッカース硬さが、Ｈｖ１１００以上であり、充填される硬化性組成物２１Ａとそれぞれ接する第１の杵２及び第２の杵３の表面は、離型処理が行われているので、金型１に硬化性組成物２１Ａ（タブレット２１の破片を含む）が付着することなく、タブレット２１を容易に取り出すことができる。
【００３７】
金型１を用いれば、金型１に硬化性組成物２１Ａ（タブレット２１の破片を含む）が付着することなく、タブレット２１を良好に連続成型可能である。また、タブレット２１に異物が付着し難くなり、タブレット２１の異物による着色を抑えることができる。従って、外観が良好なタブレット２１を得ることができる。特に、白色の光半導体装置用硬化性組成物を用い、白色の光半導体装置用タブレットを得る場合に、タブレット２１の異物による着色を抑え、タブレット２１の外観、並びにタブレット２１を用いた成型体の外観を良好にすることができる。さらに、タブレット２１の欠けを生じ難くすることができる。
【００３８】
充填される上記硬化性組成物と接する上記貫通孔の内表面のビッカース硬さは、Ｈｖ１１００以上である。金型に硬化性組成物が付着するのをより一層抑え、タブレットをより一層容易に取り出し、かつタブレットに異物が付着するのをより一層抑える観点からは、上記貫通孔の内表面のビッカース硬さは、好ましくは１３００以上である。このビッカース硬さの上限は特に限定されない。
【００３９】
充填される上記硬化性組成物と接する上記貫通孔の内表面のみのビッカース硬さがＨｖ１１００以上であってもよく、臼全体のビッカース硬さがＨｖ１１００以上であってもよい。充填される上記硬化性組成物と接する上記貫通孔の内表面が、タブレットの成型性に大きな影響を与える。
【００４０】
上記臼の材質、並びに充填される上記硬化性組成物と接する上記貫通孔の内表面の材質は、例えばビッカース硬さがＨｖ１１００以上であるように適宜選ばれ、特に限定されない。上記臼の材質、並びに上記貫通孔の内表面の材質としては、セラミック材料及び超硬合金等が挙げられる。ビッカース硬さをより一層高くし、タブレットの成型性をより一層高める観点からは、上記臼の材質、並びに上記貫通孔の内表面の材質は、セラミック材料又は超硬合金であることが好ましい。
【００４１】
また、上記臼の材質、並びに上記貫通孔の内表面の材質の他の例としては、特に限定されないが、普通鋼、炭素鋼、合金鋼及びステンレス鋼等が挙げられる。
【００４２】
充填される上記硬化性組成物と接する上記貫通孔の内表面の材質と、臼の他の部分の材質とは同一であってもよく、異なっていてもよい。充填される上記硬化性組成物と接する上記貫通孔の内表面のみが、セラミック材料又は超硬合金により形成されていてもよく、臼全体が、セラミック材料又は超硬合金により形成されていてもよい。
【００４３】
また、充填される上記硬化性組成物とそれぞれ接する上記第１の杵及び上記第２の杵の表面の材質は、特に限定されない。上記第１の杵及び上記第２の杵の材質、並びに上記第１の杵及び上記第２の杵の表面の材質としては、セラミック材料及び超硬合金等が挙げられる。ビッカース硬さをより一層高くし、タブレットの成型性をより一層高める観点からは、上記第１の杵及び上記第２の杵の材質、並びに上記第１の杵及び上記第２の杵の表面の材質は、セラミック材料又は超硬合金であることが好ましい。上記第１の杵の材質と、上記第２の杵の材質とは同一であってもよく、異なっていてもよい。上記第１の杵の表面の材質と上記第２の杵の表面の材質とは同一であってもよく、異なっていてもよい。
【００４４】
また、上記第１の杵及び上記第２の杵の材質、並びに上記第１の杵及び上記第２の杵の表面の材質の他の例としては、特に限定されないが、普通鋼、炭素鋼、合金鋼及びステンレス鋼等が挙げられる。
【００４５】
上記セラミック材料又は超硬合金としては、特に限定されないが、例えば、クロム、ハフニウム、ジルコニウム、タングステン、タンタル、チタン、ニオブ、バナジウム、モリブデン等の炭化物に、結合剤を添加した合金、並びにアルミニウムの酸化物等が挙げられる。上記結合剤としては、鉄、コバルト及びニッケル等が挙げられる。上記臼の材質、並びに上記貫通孔の内表面の材質は、１種のみが用いられてもよく、２種以上が併用されてもよい。上記結合剤は１種のみが用いられてもよく、２種以上が併用されてもよい。
【００４６】
ビッカース硬さをより一層高くし、タブレットの成型性をより一層高める観点からは、上記臼の材質、並びに上記貫通孔の内表面の材質は、タングステンの炭化物に結合剤を添加した超硬合金、又はアルミニウムの酸化物であることが好ましい。
【００４７】
充填される硬化性組成物とそれぞれ接する上記第１の杵及び上記第２の杵の表面は、離型処理が行われている。上記第１の杵の表面の離型処理と、上記第２の杵の表面の離型処理とは、同一であってもよく、異なっていてもよい。
【００４８】
離型処理の方法としては、フッ素樹脂を用いたコーティング処理、及びシロキサン化合物を用いたコーティング処理、及び金属めっき処理等が挙げられる。これらの離型処理は、１種のみが用いられてもよく、２種以上が併用されてもよい。
【００４９】
金型に硬化性組成物が付着するのをより一層抑え、タブレットをより一層容易に取り出し、かつタブレットに異物が付着するのをより一層抑える観点からは、充填される上記硬化性組成物と接する上記第１の杵の表面は、フッ素樹脂を用いたコーティング処理又は金属めっき処理を含む離型処理が行われていることが好ましい。この場合に、フッ素樹脂を用いたコーティング処理のみが行われていてもよく、金属めっき処理のみが行われていてもよく、フッ素樹脂を用いたコーティング処理と金属めっき処理との双方が行われていてもよい。充填される上記硬化性組成物と接する上記第１の杵の表面は、フッ素樹脂を用いたコーティング処理を含む離型処理が行われていることが好ましく、金属めっき処理を含む離型処理が行われていることが好ましい。離型性をより一層高める観点からは、充填される上記硬化性組成物と接する上記第１の杵の表面は、フッ素樹脂を用いたコーティング処理と金属めっき処理との双方を含む離型処理が行われていることが好ましい。
【００５０】
金型に硬化性組成物が付着するのをより一層抑え、タブレットをより一層容易に取り出し、かつタブレットに異物が付着するのをより一層抑える観点からは、充填される上記硬化性組成物と接する上記第２の杵の表面は、フッ素樹脂を用いたコーティング処理又は金属めっき処理を含む離型処理が行われていることが好ましい。この場合に、フッ素樹脂を用いたコーティング処理のみが行われていてもよく、金属めっき処理のみが行われていてもよく、フッ素樹脂を用いたコーティング処理と金属めっき処理との双方が行われていてもよい。充填される上記硬化性組成物と接する上記第２の杵の表面は、フッ素樹脂を用いたコーティング処理を含む離型処理が行われていることが好ましく、金属めっき処理を含む離型処理が行われていることが好ましい。離型性をより一層高める観点からは、充填される上記硬化性組成物と接する上記第２の杵の表面は、フッ素樹脂を用いたコーティング処理と金属めっき処理との双方を含む離型処理が行われていることが好ましい。
【００５１】
フッ素樹脂を用いたコーティング処理と金属めっき処理との双方を含む離型処理を行う場合には、離型性をより一層高めるために、金属めっき処理を行った後に、フッ素樹脂を用いたコーティング処理が行われていることが好ましい。
【００５２】
上記フッ素樹脂は、フッ素原子を含む樹脂であり、一般にフッ素系樹脂とも呼ばれる。上記フッ素樹脂としては、例えば、ポリテトラフルオロエチレン、テトラフルオロエチレン−エチレン共重合体、テトラフルオロエチレン−パーフルオロアルキルビニルエーテル共重合体、テトラフルオロエチレン−ヘキサフルオロプロピレン共重合体、ポリビニリデンフルオライド、及びポリクロロトリフルオロエチレン等が挙げられる。中でも、特に離型性に優れているので、上記フッ素樹脂は、ポリテトラフルオロエチレンであることが好ましい。上記フッ素樹脂は、１種のみが用いられてもよく、２種以上が併用されてもよい。
【００５３】
上記金属めっきに用いられる金属としては、クロム、アルマイト、ニッケル、亜鉛、金、銀、銅、スズ、コバルト及びこれらの合金等が挙げられる。中でも、めっきを良好に行う観点から、上記金属めっき処理は、クロムめっき処理であることが好ましい。セラミック材料又は超硬合金により形成された表面に対して、特に超硬合金により形成された表面に対して、クロムめっき処理を良好に行うことができる。
【００５４】
充填される上記硬化性組成物と接する上記第１の杵の表面のビッカース硬さは、好ましくはＨｖ５００以上、より好ましくはＨｖ６００以上である。充填される上記硬化性組成物と接する上記第２の杵の表面のビッカース硬さは、好ましくはＨｖ５００以上、より好ましくはＨｖ６００以上である。このビッカース硬さの上限は特に限定されない。上記第１の杵及び上記第２の杵の表面のビッカース硬さが上記下限以上であると、金型に硬化性組成物が付着するのをより一層抑え、かつタブレットに異物が付着するのをより一層抑えることができる。充填される上記硬化性組成物とそれぞれ接する上記第１の杵及び上記第２の杵の表面のみのビッカース硬さが上記下限以上であってもよく、上記第１の杵全体及び上記第２の杵全体のビッカース硬さが上記下限以上であってもよい。充填される上記硬化性組成物とそれぞれ接する上記第１の杵及び上記第２の杵の表面が、タブレットの成型性に大きな影響を与える。
【００５５】
上記「ビッカース硬さ」は、以下に示す方法に従って試験することにより得られる値である。
【００５６】
ビッカース硬さ：
正四角錐のダイヤモンドの圧子を、試料（試験片）の表面に押し込み、その試験力（Ｆ）を解除した後、表面に残ったくぼみの対角線の長さ（ｄ１，ｄ２）を測定して、対角線の平均値（ｄ）を求める。求められた対角線の平均値（ｄ）を用い、くぼみの表面積を算出する。なお、ダイヤモンドの圧子の対面角を１３６°とする。試験力は９８．０７ｍＮである。ビッカース硬さは定数×試験力／くぼみの表面積より求められる値である。
【００５７】
（光半導体装置用硬化性組成物及び光半導体装置用タブレットの材料の詳細）
上記光半導体装置用硬化性組成物は、エポキシ化合物（Ａ）を含むことが好ましく、硬化剤（Ｂ）を含むことが好ましく、白色顔料（Ｃ）を含むことが好ましく、白色顔料以外の充填材（Ｄ）を含むことが好ましく、酸化チタンを含むことが好ましい。上記硬化剤（Ｂ）は酸無水物硬化剤であることが好ましい。上記白色顔料（Ｃ）は酸化チタンであることが好ましい。上記充填材（Ｄ）は、シリカであることが好ましい。上記光半導体装置用硬化性組成物は、白色の光半導体装置用硬化性組成物であることが好ましい。酸化チタンを含む硬化性組成物は、一般に白色である。上記光半導体装置用タブレットは、白色の光半導体装置用タブレットであることが好ましい。酸化チタンを含むタブレットは、一般に白色である。
【００５８】
次に、光半導体装置用硬化性組成物に用いることができる各材料の詳細を説明する。
【００５９】
［エポキシ化合物（Ａ）］
上記硬化性組成物は、熱の付与によって硬化可能であるように、上記エポキシ化合物（Ａ）を含むことが好ましい。上記エポキシ化合物（Ａ）はエポキシ基を有する。熱硬化性化合物として上記エポキシ化合物（Ａ）を用いることにより、成型体の耐熱性及び絶縁信頼性が高くなる。上記エポキシ化合物（Ａ）は１種のみが用いられてもよく、２種以上が併用されてもよい。
【００６０】
上記エポキシ化合物（Ａ）の具体例としては、ビスフェノール型エポキシ化合物、ノボラック型エポキシ化合物、多塩素酸化合物とエピクロロヒドリンとを反応させて得られるグリシジルエステル型エポキシ化合物、ポリアミン化合物とエピクロロヒドリンとを反応させて得られるグリシジルアミン型エポキシ化合物、グリシジルエーテル型エポキシ化合物、脂肪族エポキシ化合物、水添型芳香族エポキシ化合物、脂環式骨格を有するエポキシ化合物、トリグリシジルイソシアヌレート等の複素環式エポキシ化合物等が挙げられる。上記多塩素酸化合物としては、フタル酸及びダイマー酸等が挙げられる。上記ポリアミン化合物としては、ジアミノジフェニルメタン及びイソシアヌル酸等が挙げられる。
【００６１】
上記ビスフェノール型エポキシ化合物としては、ビスフェノールＡ型エポキシ化合物、ビスフェノールＦ型エポキシ化合物、ビスフェノールＳ型エポキシ化合物、及びアルキル置換ビスフェノールなどのジグリシジルエーテル等が挙げられる。上記ノボラック型エポキシ化合物としては、フェノールノボラック型エポキシ化合物、及びオルソクレゾールノボラック型エポキシ化合物等が挙げられる。上記複素環式エポキシ化合物としては、ジグリシジルイソシアヌレート及びトリグリシジルイソシアヌレート等が挙げられる。
【００６２】
上記エポキシ化合物（Ａ）は無色であるか、又は無色に近い色であることが好ましい。このため、上記エポキシ化合物（Ａ）は、ビスフェノールＡ型エポキシ化合物、ビスフェノールＦ型エポキシ化合物、ビスフェノールＳ型エポキシ化合物、ジグリシジルイソシアヌレート又はトリグリシジルイソシアヌレートであることが好ましい。
【００６３】
光半導体装置から発せられる光の明るさをより一層低下し難くする観点からは、上記エポキシ化合物（Ａ）として、耐熱性に優れたエポキシ化合物を用いることが好ましい。このため、脂環式エポキシ化合物又はトリグリシジルイソシアヌレートが好ましく、トリグリシジルイソシアヌレートがより好ましい。
【００６４】
過酷な環境下での使用による光半導体装置の品質の低下をより一層抑える観点からは、上記エポキシ化合物（Ａ）は、芳香族骨格を有さないエポキシ化合物を含むことが好ましく、芳香族骨格を有さないエポキシ化合物であることが好ましい。
【００６５】
上記エポキシ化合物（Ａ）のエポキシ当量は、好ましくは５０以上、より好ましくは１００以上、好ましくは５００以下、より好ましくは３００以下である。上記エポキシ化合物（Ａ）のエポキシ当量は、３００以下であることが特に好ましい。上記エポキシ当量が上記下限以上及び上記上限以下であると、特に、上記エポキシ当量が３００以下であると、上記硬化性組成物の連続成型性、及び成型体の密着対象物に対する密着性がより一層高くなる。
【００６６】
上記エポキシ化合物（Ａ）の配合量は、熱の付与により適度に硬化するように適宜調整され、特に限定されない。上記硬化性組成物１００重量％中、上記エポキシ化合物（Ａ）の含有量は好ましくは１重量％以上、より好ましくは３重量％以上、更に好ましくは５重量％以上、好ましくは９９重量％以下、より好ましくは９５重量％以下、更に好ましくは８０重量％以下である。上記エポキシ化合物（Ａ）の含有量が上記下限以上であると、加熱により硬化性組成物がより一層効果的に硬化する。上記エポキシ化合物（Ａ）の含有量が上記上限以下であると、成型体の耐熱性がより一層高くなる。
【００６７】
［硬化剤（Ｂ）］
上記硬化性組成物は、熱の付与によって効率的に硬化可能であるように、上記硬化剤（Ｂ）を含むことが好ましい。上記硬化剤（Ｂ）は、上記エポキシ化合物（Ａ）を硬化させる。上記硬化剤（Ｂ）は酸無水物硬化剤であることが好ましい。該酸無水物硬化剤の使用によって、成型体と接触している封止剤やリードフレームなどの部材との密着性が高くなる。また、上記酸無水物硬化剤の使用により、硬化性を高く維持して、成型体の成型むらをより一層抑制できる。上記酸無水物硬化剤として、上記エポキシ化合物（Ａ）の硬化剤として使用される公知の酸無水物硬化剤が使用可能である。上記硬化剤（Ｂ）は、１種のみが用いられてもよく、２種以上が併用されてもよい。
【００６８】
上記酸無水物硬化剤としては、芳香族骨格を有する酸無水物及び脂環式骨格を有する酸無水物の内のいずれも使用可能である。
【００６９】
好ましい上記酸無水物硬化剤としては、無水フタル酸、無水マレイン酸、無水トリメリット酸、無水ピロメリット酸、ヘキサヒドロ無水フタル酸、テトラヒドロ無水フタル酸、無水メチルナジック酸、無水ナジック酸、無水グルタル酸、メチルヘキサヒドロ無水フタル酸及びメチルテトラヒドロ無水フタル酸等が挙げられる。
【００７０】
上記酸無水物硬化剤は、二重結合を有さないことが好ましい。二重結合を有さない好ましい酸無水物硬化剤としては、ヘキサヒドロ無水フタル酸及びメチルヘキサヒドロ無水フタル酸等が挙げられる。
【００７１】
上記エポキシ化合物（Ａ）と上記硬化剤（Ｂ）との配合比率は特に限定されない。上記エポキシ化合物（Ａ）１００重量部に対して、上記硬化剤（Ｂ）の含有量及び上記酸無水物硬化剤の含有量はそれぞれ、好ましくは０．５重量部以上、より好ましくは１重量部以上、更に好ましくは２重量部以上、特に好ましくは３重量部以上、好ましくは５００重量部以下、より好ましくは３００重量部以下、更に好ましくは２００重量部以下、特に好ましくは１００重量部以下である。
【００７２】
また、上記酸無水物硬化剤の酸無水物硬化剤当量の上記エポキシ化合物のエポキシ当量に対する比（酸無水物硬化剤当量／エポキシ当量）は好ましくは０．３以上、より好ましくは０．４以上、好ましくは３以下、より好ましくは２以下、更に好ましくは０．９以下である。上記比（酸無水物硬化剤当量／エポキシ当量）が上記下限以上及び上記上限以下であると、光半導体素子の周辺の変色がより一層抑えられ、成型体の耐熱性及び耐候性がより一層高くなる。上記比（酸無水物硬化剤当量／エポキシ当量）が０．４以上、０．９以下であると、光半導体素子の周辺の変色が更に一層抑えられる。
【００７３】
［白色顔料（Ｃ）］
上記硬化性組成物は上記白色顔料（Ｃ）を含む場合には、光の反射率が高い成型体を得ることができる。また、上記白色顔料（Ｃ）の使用によって、上記白色顔料（Ｃ）以外の充填材（Ｄ）のみを用いた場合と比較して、光の反射率が高い成型体が得られる。上記白色顔料（Ｃ）は、１種のみが用いられてもよく、２種以上が併用されてもよい。
【００７４】
上記白色顔料（Ｃ）は特に限定されない。上記白色顔料（Ｃ）として従来公知の白色顔料を使用可能である。
【００７５】
上記白色顔料（Ｃ）としては、アルミナ、酸化チタン、酸化亜鉛、酸化ジルコニウム、酸化アンチモン及び酸化マグネシウム等が挙げられる。
【００７６】
成型体の光の反射率をより一層高める観点からは、上記白色顔料（Ｃ）は、酸化チタン、酸化亜鉛又は酸化ジルコニウムであることが好ましい。この好ましい白色顔料を用いる場合に、酸化チタン、酸化亜鉛及び酸化ジルコニウムの中で、１種又は２種以上の白色顔料を用いることができる。上記白色顔料（Ｃ）は、酸化チタン又は酸化亜鉛であることが好ましく、酸化チタンであることが好ましく、酸化亜鉛であることが好ましい。上記白色顔料（Ｃ）は、酸化ジルコニウムであってもよい。
【００７７】
上記酸化チタンは、ルチル型酸化チタンであることが好ましい。ルチル型酸化チタンの使用により、成型体の耐熱性がより一層高くなり、光半導体装置が過酷な環境下で使用されても、品質が低下し難くなる。
【００７８】
上記酸化チタンは、アルミニウム酸化物により表面処理されたルチル型酸化チタンであることが好ましい。上記白色顔料（Ｃ）１００重量％中、上記アルミニウム酸化物により表面処理されたルチル型酸化チタンの含有量は好ましくは１０重量％以上、より好ましくは３０重量％以上、１００重量％以下である。上記白色顔料（Ｃ）の全量が、上記アルミニウム酸化物により表面処理されたルチル型酸化チタンであってもよい。上記アルミニウム酸化物により表面処理されたルチル型酸化チタンの使用により、成型体の耐熱性がより一層高くなる。
【００７９】
上記アルミニウム酸化物により表面処理されたルチル型酸化チタンとしては、例えば、ルチル塩素法酸化チタンである石原産業社製「ＣＲ−５８」、並びにルチル硫酸法酸化チタンである石原産業社製「Ｒ−６３０」等が挙げられる。
【００８０】
上記酸化亜鉛は、表面処理された酸化亜鉛であることが好ましい。成型体の加工性及び成型体の光の反射率をより一層高める観点からは、上記酸化亜鉛は、珪素、アルミニウム又はジルコニアを含む材料により表面処理されていることが好ましく、珪素を含む材料により表面処理されていることがより好ましい。上記珪素を含む材料は、シリコーン化合物であることが好ましい。
【００８１】
上記酸化ジルコニウムは、表面処理された酸化ジルコニウムであることが好ましい。成型体の加工性及び成型体の光の反射率をより一層高める観点からは、上記酸化ジルコニウムは、珪素、アルミニウム又はジルコニアを含む材料により表面処理されていることが好ましく、珪素を含む材料により表面処理されていることがより好ましい。上記珪素を含む材料は、シリコーン化合物であることが好ましい。
【００８２】
上記表面処理の方法は特に限定されない。表面処理の方法として、乾式法、湿式法、インテグラルブレンド法、並びに他の公知慣用の表面処理方法を用いることができる。
【００８３】
上記硬化性組成物１００重量％中、上記白色顔料（Ｃ）の含有量及び上記酸化チタンの含有量はそれぞれ、好ましくは３重量％以上、より好ましくは５重量％以上、更に好ましくは７重量％以上、特に好ましくは１０重量％以上、好ましくは９５重量％以下、より好ましくは９０重量％以下、更に好ましくは８５重量％以下である。上記白色顔料（Ｃ）の含有量が上記下限以上及び上記上限以下であると、成型体の光の反射率がより一層高くなり、上記硬化性組成物の成型性がより一層高くなる。
【００８４】
［充填材（Ｄ）］
上記充填材（Ｄ）は、白色顔料以外の充填材である。上記充填材（Ｄ）は、白色顔料（Ｃ）とは異なる。上記充填材（Ｄ）は１種のみが用いられてもよく、２種以上が併用されてもよい。
【００８５】
上記充填材（Ｄ）として、無機充填材及び有機充填材の内のいずれも用いることができる。上記充填材（Ｄ）の具体例としては、シリカ、マイカ、ベリリア、チタン酸カリウム、チタン酸バリウム、チタン酸ストロンチウム、チタン酸カルシウム、酸化アンチモン、ホウ酸アルミニウム、水酸化アルミニウム、酸化マグネシウム、炭酸カルシウム、炭酸マグネシウム、炭酸アルミニウム、ケイ酸カルシウム、ケイ酸アルミニウム、ケイ酸マグネシウム、リン酸カルシウム、硫酸カルシウム、硫酸バリウム、窒化ケイ素、窒化ホウ素、焼成クレー等のクレー、タルク、炭化ケイ素、架橋アクリルの樹脂粒子及びシリコーン粒子等が挙げられる。上記充填材（Ｄ）は、無機充填材であることが好ましい。上記充填材（Ｄ）は、白色顔料である酸化チタンではなく、白色顔料である酸化亜鉛ではなく、白色顔料である酸化ジルコニウムではない。
【００８６】
上記硬化性組成物の成型性、並びに成型体と密着対象物との密着性をより一層良好にする観点からは、上記充填材（Ｄ）はシリカを含むことが好ましく、シリカであることがより好ましい。
【００８７】
成型体の強靭性を高め、成型体の加工性をより一層高める観点などからは、上記充填材（Ｄ）は、球状充填材（Ｄ１）と破砕充填材（Ｄ２）との双方を含むことが好ましく、上記シリカが、球状シリカと破砕シリカとの双方を含むことが好ましい。
【００８８】
上記球状充填材（Ｄ１）は球状である。球状充填材（Ｄ１）はアスペクト比が２以下である充填材をいう。球状充填材（Ｄ１）は、真球状であってもよく、球を扁平にした楕円球状であってもよく、又はこれらに類似した形状であってもよい。
【００８９】
上記破砕充填材（Ｄ２）は、破砕された充填材である。上記破砕充填材（Ｄ２）のアスペクト比は、特に限定されない。破砕充填材（Ｄ２）のアスペクト比は好ましくは１．５以上、好ましくは２０以下である。アスペクト比が１．５未満である破砕充填材（Ｄ）は、比較的高価である。従って、硬化性組成物のコストが高くなる。上記アスペクト比が２０以下であると、破砕充填材（Ｄ２）の充填が容易である。
【００９０】
上記破砕充填材（Ｄ２）のアスペクト比は、例えば、デジタル画像解析方式粒度分布測定装置（商品名：ＦＰＡ、日本ルフト社製）を用いて、破砕充填材（Ｄ２）の破砕面を測定することにより求めることができる。
【００９１】
上記球状充填材（Ｄ１）の好ましい例としては、シリカ、アルミナ、チタン酸カリウム、酸化ジルコニウム、チタン酸ストロンチウム、硼酸アルミニウム、酸化マグネシウム、炭酸カルシウム、炭酸マグネシウム、ケイ酸カルシウム、ケイ酸マグネシウム、リン酸カルシウム及び硫酸カルシウム等の無機球状充填材、並びに架橋アクリルの樹脂粒子等の有機球状充填材等が挙げられる。上記硬化性組成物は、球状シリカを含むことが好ましい。上記球状充填材（Ｄ１）は１種のみが用いられてもよく、２種以上が併用されてもよい。
【００９２】
上記破砕充填材（Ｄ２）の好ましい例としては、シリカ、酸化アンチモン、酸化ジルコニウム、水酸化アルミニウム、水酸化マグネシウム、硫酸バリウム、炭酸マグネシウム、炭酸バリウム、アルミナ、マイカ、ベリリア、チタン酸バリウム、チタン酸カリウム、チタン酸ストロンチウム、チタン酸カルシウム、炭酸アルミニウム、ケイ酸アルミニウム、炭酸カルシウム、ケイ酸カルシウム、ケイ酸マグネシウム、窒化ケイ素、窒化ホウ素、焼成クレー等のクレー、タルク、ホウ酸アルミニウム及び炭化ケイ素等が挙げられる。上記硬化性組成物は、破砕シリカを含むことが好ましい。上記破砕充填材（Ｄ２）は１種のみが用いられてもよく、２種以上が併用されてもよい。
【００９３】
成型性を高め、かつ熱伝導性及び光反射特性に優れた成型体を得る観点からは、上記破砕充填材（Ｄ２）は、シリカ、アルミナ、酸化マグネシウム、酸化アンチモン、酸化ジルコニウム、水酸化アルミニウム又は水酸化マグネシウムであることが好ましい。
【００９４】
上記充填材（Ｄ）の平均粒径、上記球状充填材（Ｄ１）の平均粒径及び上記破砕充填材（Ｄ２）の平均粒径はそれぞれ、好ましくは０．１μｍ以上、より好ましくは５μｍ以上、好ましくは１００μｍ以下である。上記平均粒径が上記下限以上であると、上記硬化性組成物の成型性がより一層良好になる。上記平均粒径が上記上限以下であると、成型体の外観不良がより一層生じ難くなる。タブレットの成型性をより一層高める観点からは、上記球状シリカの平均粒径が５μｍ以上、１００μｍ以下であることが好ましい。
【００９５】
上記充填材（Ｄ）の平均粒径、上記球状充填材（Ｄ１）の平均粒径及び上記破砕充填材（Ｄ２）の平均粒径はそれぞれ、体積基準粒度分布曲線において積算値が５０％のときの粒径値である。該平均粒径は、例えばレーザ光式粒度分布計を用いて測定可能である。該レーザ光式粒度分布計の市販品としては、Ｂｅｃｋｍａｎ  Ｃｏｕｌｔｅｒ社製「ＬＳ  １３  ３２０」等が挙げられる。
【００９６】
上記硬化性組成物１００重量％中、上記充填材（Ｄ）の含有量及び上記シリカの含有量はそれぞれ、好ましくは５重量％以上、より好ましくは１０重量％以上、更に好ましくは２０重量％以上、好ましくは９５重量％以下、より好ましくは９０重量％以下、更に好ましくは８５重量％以下である。上記充填材（Ｄ）の含有量及び上記シリカの含有量が上記下限以上及び上記上限以下であると、硬化性組成物の成型性がより一層高くなる。上記充填材（Ｄ）の含有量及び上記シリカの含有量が上記上限以下であると、成型体の光の反射率がより一層高くなる。
【００９７】
上記硬化性組成物１００重量％中、上記白色顔料（Ｃ）と上記充填材（Ｄ）との合計の含有量は、好ましくは２０重量％以上、より好ましくは５０重量％以上、更に好ましくは６０重量％以上、好ましくは９５重量％以下、より好ましくは９０重量％以下、更に好ましくは８５重量％以下である。上記白色顔料（Ｃ）と上記充填材（Ｄ）との合計の含有量が上記下限以上及び上記上限以下であると、硬化性組成物の成型性及び成型体の光の反射率がより一層高くなり、上記硬化性組成物の流動性がより一層適度になる。また、上記白色顔料（Ｃ）と上記充填材（Ｄ）との合計の含有量が５０重量％以上であると、成型体の強度がより一層高くなり、上記硬化性組成物の流動性がより一層適度になる。
【００９８】
上記硬化性組成物では、上記球状充填材（Ｄ１）の含有量の上記破砕充填材（Ｄ２）の含有量に対する重量比（球状充填材（Ｄ１）／破砕充填材（Ｄ２））は、好ましくは０．３以上、より好ましくは１以上、好ましくは３０以下、より好ましくは１５以下である。上記球状充填材（Ｄ１）の含有量及び上記破砕充填材（Ｄ２）の含有量は、上記硬化性組成物１００重量％中での含有量を示す。上記硬化性組成物は、球状充填材（Ｄ１）と破砕充填材（Ｄ２）とを重量比（球状充填材（Ｄ１）：破砕充填材（Ｄ２））で、３：１０〜３０：１で含むことが好ましく、１：１〜１５：１で含むことがより好ましい。球状充填材（Ｄ１）の含有量が相対的に多くなると、成型体が脆くなり難く、成型体の加工性がより一層高くなって、成型体にクラック及び欠けがより一層生じ難くなる。破砕充填材（Ｄ２）の含有量が相対的に多くなると、成型体の強度がより一層高くなる。
【００９９】
上記球状シリカと上記破砕シリカとを併用する場合には、上記硬化性組成物は、球状シリカと破砕シリカとを重量比（球状シリカ：破砕シリカ）で、３：１０〜３０：１で含むことが好ましく、１：１〜１５：１で含むことがより好ましい。球状シリカの含有量が相対的に多くなると、成型体が脆くなり難く、成型体の加工性がより一層高くなって、成型体にクラック及び欠けがより一層生じ難くなる。破砕シリカの含有量が相対的に多くなると、成型体の強度がより一層高くなる。
【０１００】
上記酸化チタンとは異なる充填材（Ｄ）が、シリカとシリカとは異なる充填材とを含有する場合に、酸化チタンとは異なる充填材（Ｄ）１００重量％中、上記シリカの含有量は、好ましくは１０重量％以上、より好ましくは２０重量％以上、更に好ましくは３０重量％以上、特に好ましくは４０重量％以上、最も好ましくは５０重量％以上、１００重量％以下である。上記酸化チタンとは異なる充填材（Ｄ）の全量がシリカであってもよい。
【０１０１】
［硬化促進剤（Ｅ）］
上記硬化性組成物は、硬化促進剤（Ｅ）を含むことが好ましい。上記硬化促進剤（Ｅ）の使用により、硬化性組成物の硬化性を高めることができ、更に成型体の耐熱性を高めることができる。上記硬化促進剤（Ｅ）は、１種のみが用いられてもよく、２種以上が併用されてもよい。
【０１０２】
上記硬化促進剤（Ｅ）としては、例えば、ウレア化合物、オニウム塩化合物、イミダゾール化合物、リン化合物、アミン化合物及び有機金属化合物等が挙げられる。
【０１０３】
上記ウレア化合物としては、ウレア、脂肪族ウレア化合物及び芳香族ウレア化合物等が挙げられる。上記ウレア化合物の具体例としては、ウレア、メチルウレア、１，１−ジメチルウレア、１，３−ジメチルウレア、１，１，３，３−テトラメチルウレア、１，３−ジフェニルウレア及びトリ−ｎ−ブチルチオウレア等が挙げられる。これら以外のウレア化合物を用いてもよい。
【０１０４】
上記オニウム塩化合物としては、アンモニウム塩、ホスホニウム塩及びスルホニウム塩化合物等が挙げられる。
【０１０５】
上記イミダゾール化合物としては、２−ウンデシルイミダゾール、２−ヘプタデシルイミダゾール、２−メチルイミダゾール、２−エチル−４−メチルイミダゾール、２−フェニルイミダゾール、２−フェニル−４−メチルイミダゾール、１−ベンジル−２−メチルイミダゾール、１−ベンジル−２−フェニルイミダゾール、１，２−ジメチルイミダゾール、１−シアノエチル−２−メチルイミダゾール、１−シアノエチル−２−エチル−４−メチルイミダゾール、１−シアノエチル−２−ウンデシルイミダゾール、１−シアノエチル−２−フェニルイミダゾール、１−シアノエチル−２−ウンデシルイミダゾリウムトリメリテイト、１−シアノエチル−２−フェニルイミダゾリウムトリメリテイト、２，４−ジアミノ−６−［２’−メチルイミダゾリル−（１’）］−エチル−ｓ−トリアジン、２，４−ジアミノ−６−［２’−ウンデシルイミダゾリル−（１’）］−エチル−ｓ−トリアジン、２，４−ジアミノ−６−［２’−エチル−４’−メチルイミダゾリル−（１’）］−エチル−ｓ−トリアジン、２，４−ジアミノ−６−［２’−メチルイミダゾリル−（１’）］−エチル−ｓ−トリアジンイソシアヌル酸付加物、２−フェニルイミダゾールイソシアヌル酸付加物、２−メチルイミダゾールイソシアヌル酸付加物、２−フェニル−４，５−ジヒドロキシメチルイミダゾール及び２−フェニル−４−メチル−５−ジヒドロキシメチルイミダゾール等が挙げられる。
【０１０６】
上記リン化合物は、リンを含有し、リン含有化合物である。上記リン化合物としては、トリフェニルホスフィン、テトラフェニルホスホニウムテトラフェニルボレート、テトラ−ｎ−ブチルホスホニウム−ｏ，ｏ−ジエチルホスホロジチオエート、テトラ−ｎ−ブチルホスホニウム−テトラフルオロボレート、及びテトラ−ｎ−ブチルホスホニウム−テトラフェニルボレート等が挙げられる。これら以外のリン化合物を用いてもよい。
【０１０７】
上記アミン化合物としては、ジエチルアミン、トリエチルアミン、ジエチレンテトラミン、トリエチレンテトラミン、４，４−ジメチルアミノピリジン、ジアザビシクロアルカン、ジアザビシクロアルケン、第４級アンモニウム塩、トリエチレンジアミン、及びトリ−２，４，６−ジメチルアミノメチルフェノールが挙げられる。これらの化合物の塩を用いてもよい。フェニルホスフィン、テトラフェニルホスホニウムテトラフェニルボレート、テトラ−ｎ−ブチルホスホニウム−ｏ，ｏ−ジエチルホスホロジチオエート、テトラ−ｎ−ブチルホスホニウム−テトラフルオロボレート、テトラ−ｎ−ブチルホスホニウム−テトラフェニルボレートが挙げられる。
【０１０８】
上記有機金属化合物としては、アルカリ金属化合物及びアルカリ土類金属化合物等が挙げられる。上記有機金属化合物の具体例としては、ナフテン酸亜鉛、ナフテン酸コバルト、オクチル酸スズ、オクチル酸コバルト、ビスアセチルアセトナートコバルト（ＩＩ）及びトリスアセチルアセトナートコバルト（ＩＩＩ）等が挙げられる。
【０１０９】
上記硬化性組成物の硬化性をより一層高め、更に成型体の耐熱性をより一層高める観点からは、上記硬化促進剤（Ｅ）は、ウレア化合物、オニウム塩化合物又はリン化合物であることが好ましい。上記硬化促進剤（Ｅ）は、ウレア化合物であることが好ましく、オニウム塩化合物であることも好ましく、リン化合物であることも好ましい。
【０１１０】
上記エポキシ化合物（Ａ）と上記硬化促進剤（Ｅ）との配合比率は特に限定されない。上記エポキシ化合物（Ａ）１００重量部に対して、上記硬化促進剤（Ｅ）の含有量は、好ましくは０．０１重量部以上、より好ましくは０．１重量部以上、好ましくは１００重量部以下、より好ましくは１０重量部以下、更に好ましくは５重量部以下である。
【０１１１】
［他の成分］
上記硬化性組成物は、必要に応じて、離型剤、カップリング剤、酸化防止剤、樹脂改質剤、着色剤、希釈剤、表面処理剤、難燃剤、粘度調節剤、分散剤、分散助剤、表面改質剤、可塑剤、抗菌剤、防黴剤、レベリング剤、安定剤、タレ防止剤又は蛍光体等を含んでいてもよい。上記希釈剤は、反応性希釈剤であってもよく、非反応性希釈剤であってもよい。
【０１１２】
上記離型剤としては特に限定されず、脂肪酸エステル系ワックス、酸化又は非酸化ポリオレフィン系ワックス、パラフィン系ワックス、カルナバワックス及びシリコーン化合物等が挙げられる。上記シリコーン化合物としては、シリコーンオイル及び変性シリコーンオイル等が挙げられる。
【０１１３】
上記カップリング剤としては特に限定されず、シランカップリング剤及びチタネート系カップリング剤が挙げられる。
【０１１４】
上記酸化防止剤としては特に限定されず、フェノール系酸化防止剤、リン系酸化防止剤及びアミン系酸化防止剤等が挙げられる。
【０１１５】
上記着色剤としては特に限定されず、フタロシアニン、アゾ化合物、ジスアゾ化合物、キナクリドン、アントラキノン、フラバントロン、ペリノン、ペリレン、ジオキサジン、縮合アゾ化合物、アゾメチン化合物、赤外吸収材及び紫外線吸収剤などの各種有機系色素、並びに硫酸鉛、クロムエロー、ジンクエロー、クロムバーミリオン、弁殻、コバルト紫、紺青、群青、カーボンブラック、クロムグリーン、酸化クロム及びコバルトグリーン等の無機顔料等が挙げられる。
【０１１６】
（光半導体装置用タブレットの他の詳細）
上記半導体装置用タブレットは、上述したタブレット成型用金型を用いて、光半導体装置用硬化性組成物を成型することにより得られる。
【０１１７】
上記光半導体装置用タブレットは、光半導体装置において光半導体素子の側方に配置される枠部を有する成型体を得るために好適に用いられる。上記光半導体装置用タブレットは、金型を用いて成型体を得るために用いられることが好ましい。上記光半導体装置用タブレットは、光半導体装置において光半導体素子の側方に配置される枠部を有し、かつ該枠部の内面で囲まれた領域内に上記光半導体素子を封止するように封止剤が充填されて用いられる成型体を得るために用いられることが好ましい。上記光半導体装置用タブレットは、光半導体素子から発せられた光が外部に取り出される開口を有する成型体を得るために用いられることが好ましい。
【０１１８】
光の反射率が高い成型体が得られるので、上記光半導体装置用タブレットは、光半導体装置において、光半導体素子が搭載されるリードフレーム上にかつ上記光半導体素子の側方に配置され、上記光半導体素子から発せられた光を反射する光反射部を有する成型体を得るために用いられることが好ましい。
【０１１９】
上記光半導体装置用タブレットは、複数の成型体が連なった分割前成型体を得た後に、該分割前成型体を分割して個々の成型体を得るために用いられることが好ましい。
【０１２０】
上記硬化性組成物は、エポキシ化合物（Ａ）と硬化剤（Ｂ）（酸無水物硬化剤）と白色顔料（Ｃ）と白色顔料以外の充填材（Ｄ）等と必要に応じて配合される他の成分とを、従来公知の方法で混合することにより得られる。上記硬化性組成物を作製する一般的な方法としては、各成分を押出機、ニーダー、ロール、エクストルーダー等によって混練した後、混練物を冷却し、粉砕する方法が挙げられる。分散性を向上する観点からは、各成分の混練は、溶融状態で行うことが好ましい。混練の条件は、各成分の種類及び配合量により適宜決定される。１５〜１５０℃で５〜１００分間混練することが好ましく、１５〜１５０℃で５〜６０分間混練することがより好ましく、５〜１５０℃で５〜４０分間混練することが更に好ましく、２０〜１００℃で１０〜３０分間混練することが特に好ましい。
【０１２１】
成型体の外観をより一層良好にする観点からは、上記硬化性組成物を得る際に、５０℃〜９０℃で１０分〜６０分加熱混練した後、３０℃を超え、５０℃未満で２４時間〜２４０時間エージングが行われていることが好ましい。上記エージングにおける温度が３０℃を超えることで、エージングによる反応が適度に進行し、タブレット強度がより一層高くなり、タブレットの欠けがより一層生じ難くなる。上記エージングにおける温度が５０℃未満であることで、エポキシ化合物と酸無水物硬化剤との相溶性がより一層良好になる。
【０１２２】
（光半導体装置用成型体の他の詳細）
光半導体装置用成型体は、上述した上記光半導体装置用タブレットを成型しかつ硬化させることにより得られる。上記光半導体装置用タブレットは所定の形状に成型される。上記成型体は、光半導体装置において、光半導体素子から発せられた光を反射するために好適に用いられる。
【０１２３】
また、複数の光半導体装置を得るために、後に複数のリードフレームに分割される分割前リードフレーム上に、成型体を配置した後、分割前リードフレームを分割して、複数の光半導体装置を得ることがある。さらに、複数の光半導体装置を得るために、リードフレーム上に、後に複数の成型体に分割される分割前成型体を配置した後、分割前成型体を分割して、複数の光半導体装置を得ることがある。
【０１２４】
上記光半導体装置用タブレットの使用により、成型体の外観不良を抑えることができるために、分割前リードフレーム及び分割前成型体を分割する際に、リードフレームからの成型体の剥離を効果的に抑制することができる。また、本発明では、例えば、上記光半導体装置用タブレットを成型した後、ランナー部分から、成型された成型体を含むＬＥＤパッケージを分離する際に、成型体がリードフレーム等から剥離し難くなる。
【０１２５】
上記光半導体装置用タブレットを用いて上記光半導体装置用成型体を得る方法としては、圧縮成型法、トランスファー成型法、積層成型法、射出成型法、押出成型法及びブロー成型法等が挙げられる。なかでも、トランスファー成型法が好ましい。上記光半導体装置用タブレットは、トランスファーモールド成型によって上記成型体を得るために用いられることが好ましい。
【０１２６】
トランスファー成型法では、例えば、成型温度１００〜２００℃、成型圧力５〜２０ＭＰａ及び成型時間６０〜３００秒の条件で、上記光半導体装置用タブレットをトランスファー成型することにより、成型体が得られる。
【０１２７】
（光半導体装置の詳細及び光半導体装置の実施形態）
本発明に係る光半導体装置は、リードフレームと、該リードフレーム上に搭載された光半導体素子と、上記リードフレーム上に配置されており、かつ上記光半導体素子の側方に配置されている枠部を有する成型体とを備える。上記光半導体装置における上記成型体が、上記光半導体装置用タブレットを成型しかつ硬化させることにより得られる。上記光半導体装置用タブレットは、上記光半導体装置用硬化性組成物を用いて形成される。
【０１２８】
本発明に係る光半導体装置では、上記成型体の内面が上記光半導体素子から発せられた光を反射する光反射部であることが好ましい。
【０１２９】
図３（ａ）及び（ｂ）に、本発明の一実施形態に係る光半導体装置の一例を模式的に断面図及び斜視図で示す。
【０１３０】
本実施形態の光半導体装置３１は、リードフレーム３２と光半導体素子３３と第１の成型体３４と第２の成型体３５とを有する。光半導体素子３３は発光ダイオード（ＬＥＤ）であることが好ましい。第１の成型体３４と第２の成型体３５とは一体的に形成されておらず、別の２つの部材である。第１の成型体３４と第２の成型体３５とは一体的に形成されていてもよい。第１の成型体３４は、枠部である。第２の成型体３５は、底部である。光半導体装置３１では、成型体は、枠部（第１の成型体３４）と、底部（第２の成型体３５）とを有する。第１の成型体３４である枠部は、外壁部である。第１の成型体３４である枠部は、環状である。
【０１３１】
なお、成型体は、底部を有さない成型体であってもよい。上記タブレットを成型しかつ硬化させることにより得られる枠部を有する成型体と、他の底部材とを組み合わせて用いてもよい。上記成型体は、枠部のみの枠状の成型体であってもよい。上記底部材は、成型体であってもよい。
【０１３２】
リードフレーム３２上に、光半導体素子３３が搭載され、配置されている。また、リードフレーム３２上に、第１の成型体３４（枠部）が配置されている。また、複数のリードフレーム３２間とリードフレーム３２の下方とには、第２の成型体３５（底部）が配置されている。なお、リードフレームの下方に、成型体又は底部材が配置されておらず、リードフレームが露出していてもよい。第１の成型体３４の内側に光半導体素子３３が配置されている。光半導体素子３３の側方に第１の成型体３４が配置されており、光半導体素子３３を取り囲むように第１の成型体３４が配置されている。第１，第２の成型体３４，３５（枠部及び底部を有する成型体）は、上述した光半導体装置用タブレットを成型しかつ硬化させることにより得られる。従って、第１の成型体３４は、光反射性を有し、内面３４ａに光反射部を有する。すなわち、第１の成型体３４の内面３４ａは光反射部である。従って、光半導体素子３３の周囲は、第１の成型体３４の光反射性を有する内面３４ａにより囲まれている。第１の成型体３４のみが、上述した光半導体装置用タブレットを成型しかつ硬化させることにより得られていてもよい。
【０１３３】
第１の成型体３４（枠部）は、光半導体素子３３から発せられた光が外部に取り出される開口を有する。第１，第２の成型体３４，３５は、白色であることが好ましい。第１の成型体３４の内面３４ａは、内面３４ａの径が開口端に向かうにつれて大きくなるように形成されている。従って、光半導体素子３３から発せられた光のうち、内面３４ａに到達した矢印Ｂで示す光が内面３４ａにより反射され、光半導体素子３３の前方側に進行する。
【０１３４】
光半導体素子３３は、リードフレーム３２上に、ダイボンド材３６を用いて接続されている。ダイボンド材３６は、導電性を有する。光半導体素子３３に設けられたボンディングパッド（図示せず）とリードフレーム３２とが、ボンディングワイヤー３７により電気的に接続されている。光半導体素子３３及びボンディングワイヤー３７を封止するように、第１の成型体３４の内面３４ａで囲まれた領域内には、封止剤３８が充填されている。
【０１３５】
光半導体装置３１では、光半導体素子３３を駆動すると、破線Ａで示すように光が発せられる。光半導体装置３１では、光半導体素子３３からリードフレーム３２の上面とは反対側すなわち上方に照射される光だけでなく、第１の成型体３４の内面３４ａに到達した光が矢印Ｂで示すように反射される光も存在する。従って、光半導体装置３１から取り出される光の明るさは明るい。
【０１３６】
なお、上記光半導体装置用タブレットを用いた成型体は、リードフレーム付き成形体の形態で提供することができる。例えば、リードフレーム３２と成型体（第１の成型体３４と第２の成型体３５）とを備えるリードフレーム付き成形体を予め用意して、光半導体装置３１を作製してもよい。
【０１３７】
図４に、図３に示す光半導体装置３１の変形例を示す。図３に示す光半導体装置３１と図４に示す光半導体装置４１とでは、ダイボンド材３６，４２及びボンディングワイヤー３７，４３による電気的な接続構造のみが異なる。光半導体装置３１におけるダイボンド材３６は導電性を有する。これに対し、光半導体装置４１はダイボンド材４２を有し、ダイボンド材４２は導電性を有さない。光半導体装置３１では、光半導体素子３３に設けられたボンディングパッド（図示せず）とリードフレーム３２（図３（ａ）において右側に位置するリードフレーム）とが、ボンディングワイヤー３７により電気的に接続されている。光半導体装置４１は、ボンディングワイヤー３７に加えて、ボンディングワイヤー４３を有する。光半導体装置４１では、光半導体素子３３に設けられたボンディングパッド（図示せず）とリードフレーム３２（図４において右側に位置するリードフレーム）とが、ボンディングワイヤー３７により電気的に接続されており、更に、光半導体素子３３に設けられたボンディングパッド（図示せず）とリードフレーム３２（図４において左側に位置するリードフレーム）とが、ボンディングワイヤー４３により電気的に接続されている。
【０１３８】
図５に、図４に示す光半導体装置４１の変形例を示す。図５に示す光半導体装置５１は、図３に示す光半導体装置３１の変形例でもある。図４に示す光半導体装置４１と、図５に示す光半導体装置５１とでは、第１，第２の成型体３４，３５及び成型体５２の構造のみが異なる。光半導体装置４１では、第１，第２の成型体３４，３５が用いられており、第１の成型体３４は、リードフレーム３２上に配置されており、第２の成型体３５は、複数のリードフレーム３２間とリードフレーム３２の下方とに配置されている。これに対し、光半導体装置５１では、１つの成型体５２が用いられている。成型体５２は、リードフレーム３２上に配置された枠部５２ａと、複数のリードフレーム３２間に配置された充填部５２ｂとを有する。枠部５２ａと充填部５２ｂとは一体的に形成されている。このように、光半導体装置は、光半導体装置において光半導体素子の側方に配置される枠部を有していればよい。リードフレームの下方に、成型体は配置されていなくてもよい。成型体は、リードフレームの下方に配置された底部を有していなくてもよい。リードフレームの裏面は、露出していてもよい。
【０１３９】
なお、図３〜５に示す構造は、本発明に係る光半導体装置の一例にすぎず、成型体の構造及び光半導体素子の実装構造等には適宜変形され得る。
【０１４０】
以下、本発明の具体的な実施例及び比較例を挙げることにより、本発明を明らかにする。本発明は以下の実施例に限定されない。
【０１４１】
（実施例１）
（１）硬化性組成物の調製
トリグリシジルイソシアヌレート（エポキシ当量１００）９０重量部と、テトラヒドロ無水フタル酸９０重量部と、テトラ−ｎ−ブチルホスホニウム−ｏ，ｏ−ジエチルホスホロジチオネート２重量部と、酸化チタン（Ａｌ処理）２２０重量部と、球状シリカ（平均粒径３０μｍ）６００重量部とを、混合機（東洋精機製作所社製「ラボプラストミルＲ−６０」）にて、７０℃で１５分間混合し、硬化性組成物を得た。
【０１４２】
（２）タブレットの作製
第１の杵と、第２の杵と、第１の杵及び第２の杵を挿入可能であり、かつ成型時に上記硬化性組成物が充填される貫通孔を有する臼とを備える金型を用意した。この金型では、上記貫通孔内に充填された上記硬化性組成物の一方側に上記第１の杵を接触させ、かつ上記貫通孔内に充填された上記硬化性組成物の他方側に上記第２の杵を接触させることで、タブレットを成型可能である。
【０１４３】
上記硬化性組成物と接する上記臼の貫通孔の内表面の材質として、タングステンの炭化物に結合剤を添加した超硬合金を用いた。上記硬化性組成物と接する上記臼の貫通孔の内表面は離型処理を行わなかった。上記硬化性組成物とそれぞれ接する上記第１の杵及び第２の杵の表面の材質として、タングステンの炭化物に結合剤を添加した超硬合金を用いた。上記硬化性組成物とそれぞれ接する上記第１の杵及び第２の杵の表面に、クロムめっき処理を行い、更にポリテトラフルオロエチレン（フッ素樹脂）を用いたコーティング処理を行った。
【０１４４】
なお、上記硬化性樹脂組成物と接する上記臼の上記貫通孔の内表面のビッカース硬さはＨｖ１４００であった。上記硬化性組成物とそれぞれ接する上記第１の杵及び上記第２の杵の表面のビッカース硬さはＨｖ８５０であった。
【０１４５】
上記金型を用いて、上記硬化性組成物を、上記臼の上記貫通孔内に充填した。次に、上記貫通孔内に充填された上記硬化性組成物の一方側に上記第１の杵を接触させ、かつ上記貫通孔内に充填された上記硬化性組成物の他方側に上記第２の杵を接触させることで、上記硬化性組成物をタブレットに成型した。具体的には、室温（２５℃）、成型圧力２ＭＰａ、３秒間の条件で成型し、直径１３ｍｍ、厚さ１５ｍｍの円柱状のタブレットを作製した。
【０１４６】
（実施例２）
上記硬化性組成物と接する上記臼の貫通孔の内表面の材質を、アルミニウムの酸化物であるセラミック材料に変更したこと以外は実施例１と同様にして、タブレットを作製した。なお、上記硬化性組成物と接する上記臼の貫通孔の内表面のビッカース硬さはＨｖ１６００であった。上記硬化性組成物とそれぞれ接する上記第１の杵及び上記第２の杵の表面のビッカース硬さはＨｖ８５０であった。
【０１４７】
（比較例１）
上記硬化性組成物と接する上記臼の貫通孔の内表面に、クロムめっき処理を行い、更にポリテトラフルオロエチレン（フッ素樹脂）を用いたコーティング処理を行ったこと以外は実施例１と同様にして、タブレットを作製した。なお、上記硬化性組成物と接する上記臼の貫通孔の内表面のビッカース硬さはＨｖ８５０であった。上記硬化性組成物とそれぞれ接する上記第１の杵及び上記第２の杵の表面のビッカース硬さはＨｖ８５０であった。
【０１４８】
（比較例２）
上記硬化性組成物と接する上記臼の貫通孔の内表面に、ポリテトラフルオロエチレン（フッ素樹脂）を用いたコーティング処理のみを行ったこと、並びに、上記硬化性組成物とそれぞれ接する上記第１の杵及び第２の杵の表面に、ポリテトラフルオロエチレン（フッ素樹脂）を用いたコーティング処理のみを行ったこと以外は実施例１と同様にして、タブレットを作製した。なお、上記硬化性組成物と接する上記臼の貫通孔の内表面のビッカース硬さはＨｖ２５０であった。上記硬化性組成物とそれぞれ接する上記第１の杵及び第２の杵の表面のビッカース硬さはＨｖ２５０であった。
【０１４９】
（比較例３）
上記硬化性組成物とそれぞれ接する上記第１の杵及び第２の杵の表面は離型処理を行わなかったこと以外は実施例１と同様にして、タブレットを作製した。なお、上記硬化性組成物と接する上記臼の貫通孔の内表面のビッカース硬さはＨｖ１４００であった。上記硬化性組成物とそれぞれ接する上記第１の杵及び上記第２の杵の表面のビッカース硬さはＨｖ１４００であった。
【０１５０】
（比較例４）
上記硬化性組成物と接する上記臼の貫通孔の内表面の材質を、アルミニウムの酸化物であるセラミック材料に変更したこと、上記硬化性組成物とそれぞれ接する上記第１の杵及び第２の杵の表面の材質を、アルミニウムの酸化物であるセラミック材料に変更したこと、並びに、上記硬化性組成物とそれぞれ接する上記第１の杵及び第２の杵の表面は離型処理を行わなかったこと以外は実施例１と同様にして、タブレットを作製した。なお、上記硬化性組成物と接する上記臼の貫通孔の内表面のビッカース硬さはＨｖ１６００であった。上記硬化性組成物とそれぞれ接する上記第１の杵及び第２の杵の表面のビッカース硬さはＨｖ１６００であった。
【０１５１】
（比較例５）
上記硬化性組成物と接する上記臼の貫通孔の内表面の材質を、ステンレス鋼に変更したこと、上記硬化性組成物とそれぞれ接する上記第１の杵及び第２の杵の表面の材質を、ステンレス鋼に変更したこと、並びに、上記硬化性組成物とそれぞれ接する上記第１の杵及び第２の杵の表面は離型処理を行わなかったこと以外は実施例１と同様にして、タブレットを作製した。なお、上記硬化性組成物と接する上記臼の貫通孔の内表面のビッカース硬さはＨｖ１８０であった。上記硬化性組成物とそれぞれ接する上記第１の杵及び第２の杵の表面のビッカース硬さはＨｖ１８０であった。
【０１５２】
（評価）
タブレットの金型離型性及びタブレットの外観を、下記の基準で判定した。結果を下記の表１に示した。
【０１５３】
［金型離型性の判定基準］
○：タブレット成型用金型の第１の杵及び第２の杵の双方に、硬化性組成物が付着していない
×：タブレット成型用金型の第１の杵及び第２の杵の内の少なくとも一方に、硬化性組成物が付着している
【０１５４】
［タブレットの外観の判定基準］
○：目視にて、タブレットに着色、割れ、異物の付着及び変形がない
×：目視にて、タブレットに着色、割れ、異物の付着及び変形の少なくとも一つがある
【０１５５】
【表１】
2015150759.tif 000003
【符号の説明】
【０１５６】
１…金型
２…第１の杵
３…第２の杵
４…臼
４ａ…貫通孔
１０…タブレット成型装置
１１…被搭載部材
２１…タブレット
２１Ａ…硬化性組成物
３１…光半導体装置
３２…リードフレーム
３３…光半導体素子
３４…第１の成型体
３４ａ…内面
３５…第２の成型体
３６…ダイボンド材
３７…ボンディングワイヤー
３８…封止剤
４１…光半導体装置
４２…ダイボンド材
４３…ボンディングワイヤー
５１…光半導体装置
５２…成型体
５２ａ…枠部
５２ｂ…充填部
【図１】
2015150759.tif 000004
【図２】
2015150759.tif 000005
【図３】
2015150759.tif 000006
【図４】
2015150759.tif 000007
【図５】
2015150759.tif 000008