(57)【要約】【課題】１画素に１つのトランジスタを有する放射線検出素子基板の検査用の検査装置に対して、大きな追加変更を行うことなく、１つの制御パッドに複数チャンネルの端子を有する放射線検出素子基板の検査を行うことが可能な放射線検出素子基板、放射線検出素子基板の検査装置、及び放射線検出素子基板の検査方法を提供することを目的とする。【解決手段】実装基板よりも外側の領域まで制御配線Ｍを延長して、互いに結線すると共に、第１制御端子１４から制御配線Ｇも延長して検査用第１制御端子２２を設けた検査用制御パッド２８を設けている。そして、制御配線Ｍが互いに結線された結線端子２４にゲートオフ電圧を一括して印加して検査を行う。【選択図】図４
2015043564.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の画素のうち各々１画素に対応して設けられ、放射線に応じて発生した電荷を読み出すための複数の第１スイッチング素子、
前記複数の画素のうち１つ以上の画素に対応して設けられ、前記第１スイッチング素子の用途とは異なる用途の１つ以上の第２スイッチング素子、
前記第１スイッチング素子の制御端に接続された第１制御用配線を介して前記第１スイッチング素子に接続された第１制御端子、
前記第１制御端子と並んで配列されると共に、前記第２スイッチング素子の制御端に接続された第２制御用配線を介して前記第２スイッチング素子に接続された第２制御端子、
及び前記第１スイッチング素子の出力端に接続された信号配線を介して前記第１スイッチング素子に接続された信号端子、
を含む第１領域と、
前記第２制御端子に接続された検査用接続配線部、
及び前記第１制御端子に接続された検査用第１制御端子、
を含み、前記第１領域に隣接する、検査終了後に除去される部分に設けられる第２領域と、
を備えた放射線検出素子基板。
【請求項２】
前記第２領域は、前記第１制御端子及び前記第２制御端子側の前記第１領域に隣接して設けられると共に、前記検査用接続配線部に接続された結線端子を更に含む請求項１に記載の放射線検出素子基板。
【請求項３】
前記結線端子は、前記第１制御端子及び前記第２制御端子に並んで配列するように配置した請求項２に記載の放射線検出素子基板。
【請求項４】
前記第２スイッチング素子は、解像度変換するためのものである請求項１〜３の何れか１項に記載の放射線検出素子基板。
【請求項５】
前記第２スイッチング素子は、前記電荷をリセットするためのものである請求項１〜３の何れか１項に記載の放射線検出素子基板。
【請求項６】
前記第２スイッチング素子は、前記電荷を蓄積するためのものである請求項１〜３の何れか１項に記載の放射線検出素子基板。
【請求項７】
前記検査用接続配線部には、前記検査が行われる場合に、前記第２スイッチング素子をオフする電圧が印加される請求項１〜６の何れか１項に記載の放射線検出素子基板。
【請求項８】
前記第２領域は、前記第１制御端子及び前記第２制御端子側の前記第１領域に隣接して設けられると共に、
前記検査用接続配線部に接続された結線端子と、
前記第２制御端子に接続された検査用第２制御端子と、
前記結線端子と前記検査用第２制御端子との間に設けられ、前記結線端子に印加された電圧により前記第２スイッチング素子をオフする第３スイッチング素子と、
を更に含む請求項１に記載の放射線検出素子基板。
【請求項９】
前記第２領域は、前記第１制御端子及び前記第２制御端子側の前記第１領域に隣接して設けられると共に、
前記検査用接続配線部に接続された結線端子と、
前記第２制御端子に接続された検査用第２制御端子と、
前記結線端子に印加された電圧によりオフするスイッチング素子を前記第１スイッチング素子または前記第２スイッチング素子に切り換える切換部と、
を更に含む請求項１に記載の放射線検出素子基板。
【請求項１０】
前記第１制御端子及び前記第２制御端子は、配列の順番に応じて、配列方向と交差する方向にずれた位置に配置されている、
請求項１〜９の何れか１項に記載の放射線検出素子基板。
【請求項１１】
前記検査用第１制御端子は、配列の順番に応じて、配列方向と交差する方向にずれた位置に配置されている請求項１〜１０の何れか１項に記載の放射線検出素子基板。
【請求項１２】
複数の画素のうち各々１画素に対応して設けられ、放射線に応じて発生した電荷を読み出すための複数の第１スイッチング素子、前記複数の画素のうち１つ以上の画素に対応して設けられ、前記第１スイッチング素子の用途とは異なる用途の１つ以上の第２スイッチング素子、前記第１スイッチング素子の制御端に接続された第１制御用配線を介して前記第１スイッチング素子に接続された第１制御端子、前記第１制御端子と並んで配列されると共に、前記第２スイッチング素子の制御端に接続された第２制御用配線を介して前記第２スイッチング素子に接続された第２制御端子、及び前記第１スイッチング素子の出力端に接続された信号配線を介して前記第１スイッチング素子に接続された信号端子、を含む第１領域と、前記第２制御端子に接続された検査用接続配線部、及び前記第１制御端子に接続された検査用第１制御端子、を含み、前記第１領域に隣接する、検査終了後に除去される部分に設けられる第２領域と、を備えた放射線検出素子基板における前記検査用第１制御端子に接触させるための第１プローブユニットと、
前記信号端子に接触させるための第２プローブユニットと、
前記検査用接続配線部に前記第２スイッチング素子をオフする電圧を印加するための電圧印加部と、
を備えた、放射線検出素子基板の検査装置。
【請求項１３】
前記電圧印加部は、前記第１プローブユニット又は前記第２プローブユニットの空き端子から前記第２スイッチング素子をオフする電圧を印加する請求項１２に記載の放射線検出素子基板の検査装置。
【請求項１４】
複数の画素のうち各々１画素に対応して設けられ、放射線に応じて発生した電荷を読み出すための複数の第１スイッチング素子、前記複数の画素のうち１つ以上の画素に対応して設けられ、前記第１スイッチング素子の用途とは異なる用途の１つ以上の第２スイッチング素子、前記第１スイッチング素子の制御端に接続された第１制御用配線を介して前記第１スイッチング素子に接続された第１制御端子、前記第１制御端子と並んで配列されると共に、前記第２スイッチング素子の制御端に接続された第２制御用配線を介して前記第２スイッチング素子に接続された第２制御端子、及び前記第１スイッチング素子の出力端に接続された信号配線を介して前記第１スイッチング素子に接続された信号端子、を含む第１領域と、前記第２制御端子に接続された検査用接続配線部、及び前記第１制御端子に接続された検査用第１制御端子、を含み、前記第１領域に隣接する、検査終了後に除去される部分に設けられる第２領域と、を備えた放射線検出素子基板における前記検査用接続配線部に、前記第２スイッチング素子をオフする電圧を印加した状態で、
前記検査用第１制御端子から前記第１スイッチング素子をオンする電圧を印加する電圧印加ステップと、
前記電圧印加ステップで前記第１スイッチング素子をオンする電圧を印加した状態で前記信号端子から一定電圧を印加して各画素に電荷を蓄積させる蓄積ステップと、
前記検査用第１制御端子から前記第１スイッチング素子をオフする電圧を印加して、前記蓄積ステップによる各画素の電荷の蓄積を一定時間保持する保持ステップと、
前記検査用第１制御端子から前記第１スイッチング素子をオンする電圧を印加して、前記保持ステップで保持した電荷を前記信号端子より読み出す読出ステップと、
を行うことにより、前記放射線検出素子基板の検査を実施する、放射線検出素子基板の検査方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、放射線検出素子基板、放射線検出素子基板の検査装置、及び放射線検出素子基板の検査方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、ＴＦＴ（Thin Film Transistor）アクティブマトリクス基板（以下、単にＴＦＴ基板と称するが、放射線検出器に使用されるＴＦＴ基板を特に放射線検出素子基板と称する場合がある。）上に放射線感応層を配置し、放射線量をデジタルデータ（電気信号）に変換できるＦＰＤ（Flat Panel Detector）等の放射線検出器（「電子カセッテ」等という場合がある）が実用化されている。また、この放射線検出器を用いて、照射された放射線量により表わされる放射線画像を撮影する放射線画像撮影装置も実用化されている。
【０００３】
また、上述のような電子カセッテに使用されるＴＦＴ基板においては、画素内に複数のトランジスタを接続することで高機能化する動きが広がっている。
【０００４】
例えば、特許文献１においては、従来の１画素毎の読み出しを行う１×１読み出し以外に２×２の４画素をアナログ値としてまとめ読みをする２×２読み出しを可能としている。
【０００５】
また、特許文献２においては、読み出し用のトランジスタとリセット用トランジスタとをそれぞれ設けて、リセットの高速化を実現している。
【０００６】
一方、ポータブル用途に用いられる電子カセッテでは、狭額縁化が進んでおり、複数のトランジスタを１つのゲートパッド（以下、制御パッドという）に接続する技術も開発されている。この技術では、１つの制御パッドに複数のチャンネル（機能）の端子を隣接して配列することができ、使用する用途に応じて動作させるチャンネル（機能）を使い分けることができる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００７】
【特許文献１】特開２０１２-１３０６５６号公報
【特許文献２】特開２０１３-０３３９４５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
ＴＦＴ基板の検査装置は、液晶用ＴＦＴの検査装置を流用することが多いが、液晶用ＴＦＴは１画素に１つのトランジスタ（スイッチング素子）を有する構造が一般的である。特許文献１、２のように１画素に対して複数のトランジスタを有するＴＦＴ基板で、上述したように１つの制御パッドに複数チャンネルの端子を有する場合には、検査の際にチャンネル毎に高度な制御を行う必要がある。一般的な検査装置では、このような高度な制御は想定していないので、高度な制御を可能にするためには検査装置の改造に多額の費用が必要となる。
【０００９】
本発明は、上記事実を考慮して成されたもので、１画素に１つのスイッチング素子を有する放射線検出素子基板の検査用の検査装置に対して、大きな追加変更を行うことなく、１つの制御パッドに複数チャンネルの端子を有する放射線検出素子基板の検査を行うことが可能な放射線検出素子基板、放射線検出素子基板の検査装置、及び放射線検出素子基板の検査方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
上記目的を達成するために本発明の放射線検出素子基板は、複数の画素のうち各々１画素に対応して設けられ、放射線に応じて発生した電荷を読み出すための複数の第１スイッチング素子、複数の画素のうち１つ以上の画素に対応して設けられ、第１スイッチング素子の用途とは異なる用途の１つ以上の第２スイッチング素子、第１スイッチング素子の制御端に接続された第１制御用配線を介して第１スイッチング素子に接続された第１制御端子、第１制御端子と並んで配列されると共に、第２スイッチング素子の制御端に接続された第２制御用配線を介して第２スイッチング素子に接続された第２制御端子、及び第１スイッチング素子の出力端に接続された信号配線を介して第１スイッチング素子に接続された信号端子、を含む第１領域と、第２制御端子に接続された検査用接続配線部、及び第１制御端子に接続された検査用第１制御端子、を含み、第１領域に隣接する、検査終了後に除去される部分に設けられる第２領域と、を備えている。
【００１１】
本発明の放射線検出素子基板によれば、放射線に応じて発生した１画素に対応する電荷を読み出すための複数の第１スイッチング素子、複数の画素のうち１つ以上の画素に対応して設けられ、第１スイッチング素子の用途とは異なる用途の少なくとも１つ以上の第２スイッチング素子、第１スイッチング素子の制御端に接続された第１制御用配線を介して第１スイッチング素子に接続された第１制御端子、第１制御端子と並んで配列されると共に、第２スイッチング素子の制御端に接続された第２制御用配線を介して第２スイッチング素子に接続された第２制御端子、及び第１スイッチング素子の出力端に接続された信号配線を介して第１スイッチング素子に接続された信号端子、を含む第１領域備えた放射線検出素子基板に対して、第１領域に隣接する検査終了後に除去される部分に設けられる第２領域に、第２制御端子に接続された検査用接続配線部、及び第１制御端子に接続された検査用第１制御端子が設けられている。
【００１２】
このように第１領域に隣接する検査終了後に除去される部分に設けられる第２領域に、検査用接続配線部及び検査用第１制御端子を設けることによって、基板の機能検査の際に検査用接続配線部に第２スイッチング素子をオフする電圧を印加することで、従来の検査装置を用いて、１つの制御パッドに複数チャンネルの端子を有する放射線検出素子基板の検査を行うことが可能となる。
【００１３】
なお、第２領域は、第１制御端子及び第２制御端子側の第１領域に隣接して設けられると共に、検査用接続配線部に接続された結線端子を更に含むようにしてもよい。この場合、結線端子は、第１制御端子及び第２制御端子に並んで配列するように配置するようにしてもよい。
【００１４】
また、第２スイッチング素子としては、解像度変換するためのスイッチング素子を適用するようにしてもよいし、電荷をリセットするためのスイッチング素子を適用するようにしてもよいし、電荷を蓄積するためのスイッチング素子を適用するようにしてもよい。
【００１５】
また、検査用接続配線部に、検査が行われる場合に、第２スイッチング素子をオフする電圧が印加されることにより、第２スイッチング素子を無効化して従来の検査装置で検査が可能となる。
【００１６】
また、第２領域は、第１制御端子及び第２制御端子側の第１領域に隣接して設けられると共に、検査用接続配線部に接続された結線端子と、第２制御端子に接続された検査用第２制御端子と、結線端子と検査用第２制御端子との間に設けられ、結線端子に印加された電圧により第２スイッチング素子をオフする第３スイッチング素子と、を更に含むようにしてもよい。
【００１７】
第２領域は、第１制御端子及び第２制御端子側の第１領域に隣接して設けられると共に、検査用接続配線部に接続された結線端子と、第２制御端子に接続された検査用第２制御端子と、結線端子に印加された電圧によりオフするスイッチング素子を第１スイッチング素子または第２スイッチング素子に切り換える切換部と、を更に含むようにしてもよい。
【００１８】
また、第１制御端子及び第２制御端子は、配列の順番に応じて、配列方向と交差する方向にずれた位置に配置されるようにしてもよい。
【００１９】
また、検査用第１制御端子は、配列の順番に応じて、配列方向と交差する方向にずれた位置に配置されるようにしてもよい。
【００２０】
一方、本発明の放射線検出素子基板の検査装置は、複数の画素のうち各々１画素に対応して設けられ、放射線に応じて発生した電荷を読み出すための複数の第１スイッチング素子、複数の画素のうち１つ以上の画素に対応して設けられ、第１スイッチング素子の用途とは異なる用途の１つ以上の第２スイッチング素子、第１スイッチング素子の制御端に接続された第１制御用配線を介して第１スイッチング素子に接続された第１制御端子、第１制御端子と並んで配列されると共に、第２スイッチング素子の制御端に接続された第２制御用配線を介して第２スイッチング素子に接続された第２制御端子、及び第１スイッチング素子の出力端に接続された信号配線を介して第１スイッチング素子に接続された信号端子、を含む第１領域と、前記第２制御端子に接続された検査用接続配線部、及び第１制御端子に接続された検査用第１制御端子、を含み、第１領域に隣接する、検査終了後に除去される部分に設けられる第２領域と、を備えた放射線検出素子基板における検査用第１制御端子に接触させるための第１プローブユニットと、信号端子に接触させるための第２プローブユニットと、検査用接続配線部に第２スイッチング素子をオフする電圧を印加するための電圧印加部と、を備えている。
【００２１】
本発明の放射線検出素子基板の検査装置によれば、検査用接続配線部に第２スイッチング素子をオフする電圧を印加するための電圧印加部を、従来の検査装置（１画素に１つのスイッチング素子を有する放射線検出素子基板の検査装置）に対して設けている。これによって、検査用第１制御端子に第１プローブユニットを接触させると共に信号端子に第２プローブユニットを接触させることで、従来と同様に、１つの制御パッドに複数チャンネルの端子を有する放射線検出素子基板の検査が可能となる。
【００２２】
なお、電圧印加部は、第１プローブユニット又は第２プローブユニットの空き端子から第２スイッチング素子をオフする電圧を印加するようにしてもよい。
【００２３】
さらに、本発明の放射線検出素子基板の検査方法は、複数の画素のうち各々１画素に対応して設けられ、放射線に応じて発生した電荷を読み出すための複数の第１スイッチング素子、複数の画素のうち１つ以上の画素に対応して設けられ、第１スイッチング素子の用途とは異なる用途の１つ以上の第２スイッチング素子、第１スイッチング素子の制御端に接続された第１制御用配線を介して第１スイッチング素子に接続された第１制御端子、第１制御端子と並んで配列されると共に、第２スイッチング素子の制御端に接続された第２制御用配線を介して第２スイッチング素子に接続された第２制御端子、及び第１スイッチング素子の出力端に接続された信号配線を介して第１スイッチング素子に接続された信号端子、を含む第１領域と、前記第２制御端子に接続された検査用接続配線部、及び第１制御端子に接続された検査用第１制御端子、を含み、第１領域に隣接する、検査終了後に除去される部分に設けられる第２領域と、を備えた放射線検出素子基板における検査用接続配線部に、第２スイッチング素子をオフする電圧を印加した状態で、検査用第１制御端子から第１スイッチング素子をオンする電圧を印加する電圧印加ステップと、電圧印加ステップで第１スイッチング素子をオンする電圧を印加した状態で信号端子から一定電圧を印加して各画素に電荷を蓄積させる蓄積ステップと、検査用第１制御端子から第１スイッチング素子をオフする電圧を印加して、蓄積ステップによる各画素の電荷の蓄積を一定時間保持する保持ステップと、検査用第１制御端子から第１スイッチング素子をオンする電圧を印加して、保持ステップで保持した電荷を信号端子より読み出す読出ステップと、を行うことにより、放射線検出素子基板の検査を実施する。
【００２４】
本発明の放射線検出素子基板の検査方法によれば、第２スイッチング素子をオフする電圧を検査用接続配線部に印加した状態で、従来の検査（１画素に１つのスイッチング素子を有する放射線検出素子基板の検査）と同様に、検査を行うようにしている。従って、第２スイッチング素子をオフする電圧を検査用接続配線部に印加するだけで、第２スイッチング素子を無効化し、検査用第１制御端子を利用して、従来と同様に、１画素に複数のスイッチング素子を有する放射線検出素子基板の検査が可能となる。
【発明の効果】
【００２５】
以上説明した如く本発明では、１画素に１つのスイッチング素子を有する放射線検出素子基板の検査用の検査装置に対して、大きな追加変更を行うことなく、１つの制御パッドに複数チャンネルの端子を有する放射線検出素子基板の検査を行うことが可能な放射線検出素子基板、放射線検出素子基板の検査装置、及び放射線検出素子基板の検査方法を提供することができる、という優れた効果を有する。
【図面の簡単な説明】
【００２６】
【図１】本実施の形態に係る放射線画像撮影システムの一例の概略構成図である。
【図２】本実施の形態に係る放射線検出素子基板の第１領域の一例の構成を示す図である。
【図３】１つの画素に１つのトランジスタが設けられた放射線検出素子基板を検査する従来の検査装置の一例を示す図である。
【図４】本実施の形態に係る放射線検出素子基板の一例の構成を示す図である。
【図５】本実施の形態に係る放射線検出素子基板の導通検査を行う検査装置の一例を示す図である。
【図６】本実施の形態に係る放射線検出素子基板の導通検査を行う検査装置による検査シーケンスの一例を示すタイミングチャートである。
【図７】本実施の形態に係る放射線検出素子基板の構成の第１変形例を示す図である。
【図８】本実施の形態に係る放射線検出素子基板の構成の第２変形例を示す図である。
【図９】画素に接続されるトランジスタが３つの場合の一例を示す図である。
【図１０】第１制御端子及び第２制御端子を、配列の順場に応じて、ずらして２列に配置した場合の変形例を示す図である。
【図１１】第１制御端子及び第２制御端子を、配列の順場に応じて、ずらして３列に配置した場合の変形例を示す図である。
【図１２】第１制御端子及び第２制御端子を、配列の順場に応じて、ずらして２列に配置した場合のその他の変形例を示す図である。
【図１３】検査用第１制御端子を、配列の順場に応じて、ずらして２列に配置した場合の変形例を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００２７】
まず、本実施の形態に係る放射線検出素子基板を含む放射線画像撮影装置を用いた放射線画像撮影システムの概略構成について説明する。図１は、本実施の形態に係る放射線画像撮影システムの一例の概略構成図である。
【００２８】
放射線画像撮影システム１００は、放射線（例えばエックス線（Ｘ線）等）を被検体１０２に照射する放射線照射装置１０４と、放射線照射装置１０４から照射され、被検体１０２を透過した放射線を検出する放射線検出器１０６を備えた放射線画像撮影装置１０８と、放射線画像の撮影を指示すると共に、放射線画像撮影装置１０８から放射画像を取得する制御装置１１０と、を備えている。制御装置１１０の制御に基づいたタイミングで、放射線照射装置１０４から照射され撮影位置に位置している被検体１０２を透過することで画像情報を担持した放射線は放射線画像撮影装置１０８に照射される。
【００２９】
なお、放射線画像撮影システム１００は、静止画撮影及び動画撮影を行う機能を有しており、制御装置１１０は、ユーザの指示、または、放射線照射装置１０４の制御に基づいて、静止画撮影及び動画撮影のいずれを行うかを切り換え、その旨を放射線画像撮影装置１０８に指示する。
【００３０】
放射線画像撮影装置１０８は、放射線検出器１０６を備えている。放射線検出器１０６は、被検体１０２を透過した放射線の線量に応じた電荷を発生し、発生した電荷の電荷量に基づいて、放射線画像を示す画像情報を生成して出力する機能を有する。
【００３１】
続いて、本実施の形態に係る放射線検出器１０６に適用される放射線検出素子基板について説明する。本実施の形態の放射線検出素子基板は、第１領域と、第２領域と、を備える。図２は、本実施の形態に係る放射線検出素子基板の第１領域の構成を示す図である。本実施の形態では、Ｘ線等の放射線を一旦光に変換し、変換した光を電荷に変換する間接変換方式の放射線検出素子基板を一例として説明するが、放射線に応じた電荷を発生する直接変換方式の放射線検出素子基板を用いるようにしてもよい。なお、本実施の形態において第１領域とは、いわゆる実装基板と称されることがある基板に対応する領域のことをいう。
【００３２】
本実施の形態に係る放射線検出器に適用される放射線検出素子基板１０の第１領域１１には、光を受けて電荷を発生し、発生した電荷を蓄積するセンサ部１２と、センサ部１２に蓄積された電荷を読み出すためのスイッチング素子である２つのトランジスタＴｒ１、Ｔｒ２と、を含む複数の画素２０がマトリクス状に配置されている。なお、本実施の形態では、シンチレータによって放射線から変換された光が、センサ部１２に照射されることにより、センサ部１２が電荷を発生する。
【００３３】
画素２０は、一方向（図２の横方向に対応する制御配線方向、以下「行方向」ともいう）及び行方向に対する交差方向（図２の縦方向に対応する信号配線方向、以下「列方向」ともいう）にマトリクス状に複数配置されている。図２では、画素２０の配列を簡略化して示しているが、例えば、画素２０は行方向及び列方向に１０２４×１０２４個配置される。
【００３４】
また、放射線検出素子基板１０には、トランジスタＴｒ１のオン／オフを制御するための複数の制御配線Ｇ（図２では、Ｇ１〜Ｇ８）及びトランジスタＴｒ２のオン／オフを制御するための複数の制御配線Ｍ（図２では、Ｍ１〜Ｍ４）と、上記センサ部１２に蓄積された電荷を読み出すための画素２０の列毎に備えられた複数の信号配線Ｄ（図２では、Ｄ１〜Ｄ５）と、が互いに交差して設けられている。
【００３５】
なお、各画素２０のセンサ部１２は、図示を省略した共通配線に接続され、共通配線を介して電源（図示省略）からバイアス電圧が印加される。
【００３６】
制御配線Ｇには、各トランジスタＴｒ１の制御端が接続されており、各トランジスタＴｒ１をスイッチングするための制御信号が流れる。このように制御信号が各制御配線Ｇに流れることによって、各トランジスタＴｒ１がスイッチングされる。また、制御配線Ｍには、各トランジスタＴｒ２の制御端が接続されており、各トランジスタＴｒ２をスイッチングするための制御信号が流れる。このように制御信号が各制御配線Ｍに流れることによって、各トランジスタＴｒ２がスイッチングされる。
【００３７】
信号配線Ｄには、各画素２０のトランジスタＴｒ１の出力端及びトランジスタＴｒ２の出力端が接続されている。信号配線Ｄには、トランジスタＴｒ１のスイッチング状態及びトランジスタＴｒ２のスイッチング状態に応じて、各画素２０に蓄積された電荷量に応じた電気信号がトランジスタＴｒ１またはトランジスタＴｒ２を介して流れる。
【００３８】
本実施形態では、図２に示すように、制御配線Ｇの偶数ラインと、奇数ラインとで、トランジスタＴｒ１、トランジスタＴｒ２、及びセンサ部１２の配置関係が反転（図２の上下反転）する。
【００３９】
また、制御配線Ｇには、第１制御端子１４が接続され、制御配線Ｍには、第２制御端子１６が接続され、信号配線Ｄには、信号端子１８が接続されている。本実施の形態では、第１制御端子１４と第２制御端子１６は、同じ制御パッド２６に設けられ、放射線検出素子基板１０の一辺側に制御パッド２６が配置されている。
【００４０】
本実施の形態に係る放射線検出素子基板１０では、異なる２種類の解像度での撮影が可能とされている。なお、以下では、２種類の解像度のうち解像度が高い方を高解像度、低い方を低解像度という。
【００４１】
すなわち、高解像度の撮影を行う場合には、トランジスタＴｒ２をオフするように、制御配線Ｍに第２制御端子１６を介して制御信号を入力し、一方、トランジスタＴｒ１をオンするように、順次、制御配線Ｇに第１制御端子１４を介して制御信号を入力する。トランジスタＴｒ１がオン状態の画素２０では、センサ部１２から電荷が読み出され、信号配線Ｄに１つの画素２０の電荷が順次出力される。
【００４２】
また、低解像度の撮影を行う場合には、トランジスタＴｒ１をオフするように、制御配線Ｇに第１制御端子１４を介して制御信号を入力し、一方、各トランジスタＴｒ２をオンするよう、順次、制御配線Ｍに第２制御端子１６を介して制御信号を入力する。トランジスタＴｒ２がオン状態の画素２０では、センサ部１２から電荷が読み出され、信号配線Ｄに電荷が出力される。ここで、１つの信号配線Ｄに出力される電荷は、４つの画素２０の電荷が纏めて出力されることになり、トランジスタＴｒ２をオフして、トランジスタＴｒ１をオンする場合よりも低解像度となる。
【００４３】
ところで、放射線検出素子基板１０では、１つの画素２０に複数のトランジスタＴｒ１、Ｔｒ２が設けられているので、１つの画素２０に１つのトランジスタが設けられた放射線検出素子基板を検査する従来の検査装置では、検査を行うことができない。
【００４４】
ここで、１つの画素に１つのトランジスタが設けられた従来の放射線検出素子基板を検査する従来の検査装置について説明する。図３は、１つの画素に１つのトランジスタが設けられた放射線検出素子基板を検査する従来の検査装置を示す図である。なお、本実施の形態では、検査の具体例として、導通検査を行う場合について詳細に説明する。
【００４５】
従来の検査装置は、図３に示すように、制御配線を動作させるための第１プローブユニット３０と、信号線から画像読み出しをする第２プローブユニット３２と、第１プローブユニット３０及び第２プローブユニット３２を制御する制御ユニット３４と、を備える。
【００４６】
第１プローブユニット３０及び第２プローブユニット３２はそれぞれ針状のコンタクト端子（プローブピン）を備えており、第１プローブユニット３０を放射線検出素子基板の電荷を読み出す画素を選択する制御端子ＧＴに、第２プローブユニット３２を放射線検出素子基板の電荷を読み出す信号端子ＤＴにそれぞれ接触させて動作させる。
【００４７】
検査シーケンスは、第１プローブユニット３０より１行毎にゲートオン電圧を印加して電荷を読み出す画素を選択するトランジスタをオン状態にし、第２プローブユニット３２より一定電圧を印加して各画素２０に電荷を蓄積させる。次に、第１プローブユニット３０よりゲートオフ電圧を印加してトランジスタをオフ状態にして、一定時間保持する。続いて、第１プローブユニット３０より１行毎にゲートオン電圧を印加してトランジスタをオン状態とし、第２プローブユニット３２で画像読み出しを行って２次元画像を制御ユニット３４に出力する。これにより、２次元画像から、点欠陥や線欠陥等の不良が制御ユニット３４によって判定される。
【００４８】
本実施の形態の放射線検出素子基板１０の第１領域１１のように、１画素に複数のトランジスタを有する放射線検出素子基板において、各トランジスタを個別に制御することができない検査装置を用いて検査を行った場合、トランジスタＴｒ１をオフ状態にして一定時間を保持している最中に、蓄積された電荷がトランジスタＴｒ２を介して漏れ出てしまい、欠陥でなくても欠陥として判定されてしまう。また、本実施の形態に係る放射線検出素子基板１０の第１領域１１のように、一辺側（同一の制御パッド上）に２チャンネル制御端子（第１制御端子１４及び第２制御端子１６）が配置されている放射線検出素子基板では、１行毎の読み出しを行う場合に正しく読み出しを行うことができない、といった不具合が発生し、基板の検査を行うことができない。
【００４９】
そこで、本実施の形態に係る放射線検出素子基板１０は、図４に示す一点鎖線で囲われた領域である第１領域１１よりも外側の領域まで制御配線Ｍを延長して、互いに結線する検査用接続配線部２５を第２領域２１に設けている。また、第１制御端子１４から制御配線Ｇも延長して検査用第１制御端子２２を設けた検査用制御パッド２８を第２領域２１に設けている。具体的には、本実施の形態に係る放射線検出素子基板１０は、図４に示すように、第１領域１１に隣接して、検査用接続配線部２５、検査用制御パッド２８、及び結線端子２４を含む第２領域２１を備えている。そして、導通検査を行う場合は、制御配線Ｍが互いに結線された結線端子２４にゲートオフ電圧を一括して印加するようにしている。なお、本実施の形態において「隣接」とは、隣り合う位置に間隔を開けずに配置される場合の他、隣り合った位置に間隔を開けて配置される場合も含む。例えば、第１領域１１と第２領域２１との間に、別の領域が設けられていてもよい。
【００５０】
すなわち、結線端子２４にゲートオフ電圧を一括して印加することにより、トランジスタＴｒ２がオフ状態となるので、トランジスタＴｒ１をオフ状態にして一定時間を保持している最中に、蓄積された電荷がトランジスタＴｒ２を介して漏れることがなくなる。従って、従来の検査シーケンスで画素の欠陥を検出することが可能となる。
【００５１】
また、検査用制御パッド２８には、検査用第１制御端子２２のみを設けたので、従来の第１プローブユニット３０をそのまま使用することが可能となる。
【００５２】
また、検査用制御パッド２８は、第１領域１１の外側の第２領域２１に設けられているので、導通検査が終了した後に、切り離し等を行い除去することにより、実装上の問題はない。さらに、検査用制御パッド２８を第１領域１１と切り離して設けることにより、検査の実施によりダメージを受ける懸念のある検査用第１制御端子２２を切り離して、ダメージのない第１制御端子１４を放射線画像の撮影に活用することができる。
【００５３】
なお、結線端子２４は、図４に示すように、第１領域１１の第２制御端子１６と並べて、第１領域１１の外側の第２領域２１内に配列するようにしてもよい。また、結線端子２４は、第１領域１１の第１制御端子１４と並べて、第１領域１１の外側の第２領域２１内に配列するようにしてもよい。これによって、検査を行う場合に第１制御端子１４または第２制御端子１６に接触させるプローブユニットの空き端子を利用してゲートオフ電圧を印加することが可能となる。
【００５４】
なお、結線端子２４は、第１領域１１の、検査用制御パッド２８（検査用第１制御端子２２）と別個の領域に設けられていてもよい。この場合は、第２領域２１が、複数の領域を含む領域とすればよい。例えば、第２領域２１は、チャンネル毎に領域を設けてもよい。具体例としては、第２領域２１は、検査用制御パッド２８が設けられた領域と、検査用接続配線部２５及び結線端子２４の少なくとも一方が設けられた領域としてもよい。なお、このように、第２領域２１に複数の領域を設けた場合は、全ての領域を第１領域１１の一辺側（図４では、制御パッド２６が設けられている側）に隣接させて設けずともよい。例えば、検査用制御パッド２８が設けられた領域、及び検査用接続配線部２５及び結線端子２４の少なくとも一方が設けられた領域のいずれか一方の領域を、第１領域１１の制御パッド２６が設けられている側（辺）に設け、他方の領域を、第１領域１１の対向する側（辺）に設けてもよい。
【００５５】
図５は、本実施の形態に係る放射線検出素子基板１０の導通検査を行う検査装置の一例を示す図である。
【００５６】
本実施の形態に係る放射線検出素子基板１０を検査する検査装置５０は、図３で示した従来の検査装置に対して結線端子２４に固定電位（ゲートオフ電圧）を印加する固定電位印加部３６が追加されている。
【００５７】
固定電位印加部３６による固定電位の印加方法としては、従来の検査装置の第１プローブユニット３０や第２プローブユニット３２に空き端子がある場合には、空き端子を用いてゲートオフ電圧を印加することで、従来の検査装置をそのまま使用すること可能となる。
【００５８】
また、第１プローブユニット３０や第２プローブユニット３２に空き端子がない場合には、固定電位印加部３６として簡単な電源を追加することで、従来の検査装置をそのまま使用することができる。
【００５９】
なお、図５では、図示を簡略化するため、固定電位印加部３６から結線端子２４に直接、固定電位を印加した状態を図示省略している。
【００６０】
続いて、本実施の形態に係る放射線検出素子基板１０の導通検査を行う検査装置５０による検査シーケンスについて説明する。図６は、本実施の形態に係る放射線検出素子基板１０の導通検査を行う検査装置５０による検査シーケンスを示すタイミングチャートである。
【００６１】
本実施の形態では、第１プローブユニット３０を放射線検出素子基板１０の検査用制御パッド２８の検査用制御端子２２に、第２プローブユニットを放射線検出素子基板１０の信号端子１８にそれぞれ接触させると共に、固定電位３６を結線端子２４に接続して動作させる。すなわち、固定電位３６から結線端子２４を介して全ての第２制御端子１６にゲートオフ電圧が一括して印加された状態で導通検査が行われる。
【００６２】
本実施の形態では、全ての第２制御端子１６に一括してゲートオフ電圧が印加されることにより、トランジスタＴｒ２がオフ状態とされて無効化された上で導通検査が行われる。導通検査は、上述の従来の検査シーケンスと同様に行われる。
【００６３】
すなわち、第１プローブユニット３０より１行毎にゲートオン電圧を印加してトランジスタＴｒ１をオン状態にして、第２プローブユニット３２より一定電圧を印加して各画素２０に電荷を蓄積させる。次に、第１プローブユニット３０よりゲートオフ電圧を印加してトランジスタＴｒ１をオフ状態にして、一定時間保持する。続いて、第１プローブユニット３０より１行毎にゲートオン電圧を印加してトランジスタＴｒ１をオン状態とし、第２プローブユニット３２で画像読み出しを行って２次元画像を制御ユニット３４に出力する。これにより、２次元画像から、点欠陥や線欠陥等の不良が制御ユニット３４によって判定される。
【００６４】
ここで、信号配線Ｄ、制御配線Ｇ、及びトランジスタＴｒ１に断線やショート等の不良が発生した場合には、従来検査と同様に２次元画像から不良箇所を特定することができる。また、制御配線ＭやトランジスタＴｒ２に断線やショート等の不良が発生した場合も、トランジスタＴｒ２を正常に動作させることができないため、関連する画素の信号を正確に読み出すことができなくなり、出力された２次元画像からその不良を検出することができる。
【００６５】
従来技術では専用プローブユニットの作製と制御用ソフトウェアの開発に多額の費用が発生し、基板開発のネックとなっていたが、本実施の形態に係る放射線検出素子基板１０の構成を適用して検査することにより、従来の検査装置をそのまま流用することが可能となり、大幅なコストダウンが実現できる。
【００６６】
続いて、本実施の形態に係る放射線検出素子基板１０の変形例について説明する。図７は、本実施の形態に係る第１領域１１及び第２領域２１を備えた放射線検出素子基板１０の構成の第１変形例を示す図である。
【００６７】
上記の実施の形態では、図４の一点鎖線で実装基板よりも外側の領域まで制御配線Ｍを延長して、互いに結線すると共に、第１制御端子１４から制御配線Ｇも延長して検査用第１制御端子２２を設けた検査用制御パッド２８を設けた例を説明したが、変形例では、第２制御端子１６から制御配線Ｍも更に延長して検査用第２制御端子２３を検査用制御パッド２８に更に設けると共に、トランジスタＴｒ３によって検査用制御パッド２８から検査用第２制御端子２３を電気的に分離可能にしたものである。
【００６８】
具体的には、制御配線Ｍが第１領域１１に隣接する第２領域２１まで延長されて検査用第２制御端子２３が検査用制御パッド２８に設けられている。そして、第２制御端子１６と検査用第２制御端子２３間にトランジスタＴｒ３が設けられ、トランジスタＴｒ３を介して制御配線Ｍがそれぞれ結線端子２４に接続されている。
【００６９】
第１変形例の放射線検出素子基板１０では、結線端子２４にゲートオフ電圧を印加することにより、上記の実施の形態と同様に動作させることができる。
【００７０】
図８は、本実施の形態に係る第１領域１１及び第２領域２１を備えた放射線検出素子基板１０の構成の第２変形例を示す図である。
【００７１】
第１変形例では、上記の図４に示した放射線検出組織版１０に対してトランジスタＴｒ３を介して検査用第２制御端子２３を検査用制御パッド２８に設けて、検査用第２制御端子２３を電気的に分離可能にしたが、第２変形例では、検査対象のチャンネル（第１制御端子１４又は第２制御端子１６）を切換可能にした検査用制御パッド２８を設けている。
【００７２】
具体的には、図８に示すように、各制御端子（第１制御端子１４及び第２制御端子１６）と各検査用制御端子間に２つのトランジスタＴｒ４、Ｔｒ５を設ける。すなわち、一方のトランジスタＴｒ４のソース−ドレインには、一括してゲートオフ電圧を印加するための結線端子２４と、各制御端子（第１制御端子１４及び第２制御端子１６）とが接続されている。そして、第１制御端子１４に接続されたトランジスタＴｒ４のゲートは、切換部の一例であるスイッチＳＷ２に接続され、第２制御端子１６に接続されたトランジスタＴｒ４のゲートは、切換部の一例であるスイッチＳＷ１に接続されている。
【００７３】
一方、他方のトランジスタＴｒ５のソース−ドレインには、各制御端子（第１制御端子１４及び第２制御端子１６）と、各検査用制御端子（検査用第１制御端子２２及び検査用第２制御端子２３）とが接続されている。そして、第１制御端子１４に接続されたトランジスタＴｒ５のゲートは、スイッチＳＷ１に接続され、第２制御端子１６に接続されたトランジスタＴｒ５のゲートは、スイッチＳＷ２に接続されている。
【００７４】
これにより、スイッチＳＷ１、ＳＷ２の切換を行うことで片方のチャンネルは一括してゲートオフ電圧を印加し、他方のチャンネルは検査用制御端子を用いて検査を行うことができる。
【００７５】
例えば、第１制御端子１４側のチャンネルの検査を行う場合には、スイッチＳＷ１にゲートオン電圧を印加し、スイッチＳＷ２にゲートオフ電圧を印加することにより、第２制御端子１６側のチャンネルを電気的に分離して、結線端子２４にゲートオフ電圧を印加することにより、第１制御端子１４側のチャンネルの導通検査を従来と同様に行うことができる。また、第２制御端子１６側のチャンネルを検査する際には、スイッチＳＷ１にゲートオフ電圧を印加し、スイッチＳＷ２にゲートオン電圧を印加することで、第２制御端子１６側のチャンネルの検査が可能となる。このとき、先に述べたように検査装置は１ライン毎に読み出しを行うため、動作させないチャンネル部分は断線として出力されてしまう不具合がある。しかし、動作させないチャンネルの座標は既知であるため、画像処理により必要な画像のみを抽出することが可能であり、画像判定を行うことによって不具合を解消することができる。
【００７６】
また、図８に示した放射線検出組織版１０では、スイッチＳＷ１をオンしてスイッチＳＷ２をオフすれば、製品となった場合の動作をさせることが可能である。この場合、第１領域１１の外側ではなく、第１領域１１内にこれらの構成を設けるようにしてもよい。
【００７７】
なお、上記第１変形例及び第２変形例では、第２領域２１上に、トランジスタＴｒ３、またはトランジスタＴｒ４、Ｔｒ５、及びスイッチＳＷ１、ＳＷ２を設けているが、上述した結線端子２４と同様に、検査用制御パッド２８（検査用第１制御端子２２）等と別個の領域に設けられていてもよいことはいうまでもない。また、結線端子２４や制御パッド２６等と別個の領域に設けられていてもよいことはいうまでもない。
【００７８】
なお、本実施の形態では、解像度変更用のトランジスタを１画素内に備える放射線検出素子基板１０を例に挙げて説明したが、画素に接続されているトランジスタの機能には制限はなく、他の機能（例えば、電荷リセット用のリセットトランジスタや電荷蓄積用の蓄積トランジスタ等）のトランジスタを備えるものを適用するようにしてもよい。
【００７９】
また、本実施の形態では、全ての画素に複数のトランジスタが接続されている例を説明したが、全ての画素に複数のトランジスタが接続されている必要はなく、少なくとも１以上の特定画素のみトランジスタが複数（例えば、２つ）、その他画素にはトランジスタが１つといったような放射線検出素子基板に適用するようにしてもよい。また、１画素に接続されるトランジスタの数に上限はなく３つ以上であってもよい。例えば、図９に示すように、センサ部１２の電荷をリセットするリセットトランジスタＴｒＡと、センサ部に発生した電荷を蓄積する蓄積トランジスタＴｒＢと、蓄積トランジスタに蓄積された電荷を読み出す読み出しトランジスタＴｒＣと、を１画素に備える放射線検出素子基板を適用するようにしてもよい。ただし、３つ以上のトランジスタを備える場合には、導通検査を行う際に、１ｘ１画像読み出し用トランジスタ以外にはゲートオフ信号を一括して印加して分離する。
【００８０】
また、上記の実施の形態では、全画素にトランジスタＴｒ２を設けて、低解像度で読み出す際に、トランジスタＴｒ１をオフし、トランジスタＴｒ２をオンすることで、４画素を纏めて読み出すことで低解像度の読み出しを行う例について説明したが、トランジスタＴｒ２による解像度の変換方法は、これに限るものではない。例えば、トランジスタＴｒ２を全画素ではなく、４画素に１つのように、複数画素に対して１つの割合で設けて、トランジスタＴｒ１をオフし、トランジスタＴｒ２をオンすることで、低解像度の読み出しを行うようにしてもよい。
【００８１】
また、上記の実施の形態では、第１制御端子１４及び第２制御端子１６を、第１領域１１の辺に沿って一列に並ぶように、制御パッド２６に設けているが、第１制御端子１４及び第２制御端子１６の配列は、上記の実施の形態に限らない。第１制御端子１４及び第２制御端子１６の配列の変形例について、図１０〜１２に示す。図１０〜１２は、第１制御端子１４及び第２制御端子１６を、配列の順番に応じて、配列方向と交差する方向にずらして配置した場合を示している。図１０に示した制御パッド２６は、第１制御端子１４及び第２制御端子１６を２列に配置した場合の一例を示している。図１０に示した変形例の場合では、全体の配列順が、偶数番目の第１制御端子１４または第２制御端子１６と、奇数番目の第１制御端子１４または第２制御端子１６とで、配列が異なる。また、図１１に示した制御パッド２６は、第１制御端子１４及び第２制御端子１６を３列に配置した場合の一例を示している。図１１に示した変形例の場合では、全体の配列順が、３で割り切れる順番にある第１制御端子１４または第２制御端子１６と、３で割ると２余る順番にある第１制御端子１４または第２制御端子１６と、３で割ると１余る順番にある第１制御端子１４または第２制御端子１６とで配列が異なる。また、図１３に示した制御パッド２６は、第１制御端子１４及び第２制御端子１６を２列に配置した場合のその他の一例を示している。図１３に示した変形例の場合では、第１制御端子１４と第２制御端子１６とで、異なる配列としている。なお、検査用第２制御端子２３を設ける場合の配列についても同様にしてもよいことは、いうまでもない。このように、第１制御端子１４及び第２制御端子１６を並べて設ける場合に、複数の配列によって設けることにより、単一の配列によって設ける場合よりも隣接する制御端子（第１制御端子１４または第２制御端子１６）間の間隔を広げることができる。そのため、制御端子の面積を大きくすることができる。なお、制御パッド２６に、第１制御端子１４及び第２制御端子１６を複数の配列により設ける変形例は、図１０〜１２に例示したものに限らないことはいうまでもない。変形例としては、例えば、４列以上に配列してもよい。
【００８２】
また、検査用第１制御端子２２の配置についても第１制御端子１４及び第２制御端子１６と同様である。上記の実施の形態では、検査用第１制御端子２２を、第２領域２１の辺に沿って一列に並ぶように、検査用制御パッド２８に設けているが、検査用第１制御端子２２の配列は、上記の実施の形態に限らない。例えば、検査用第１制御端子２２も、上述した第１制御端子１４及び第２制御端子１６と同様に、配列の順番に応じて、配列方向と交差する方向にずらして配置してもよい。検査用第１制御端子２２の配列の変形例について、図１３に示す。図１３に示した検査用制御パッド２８は、検査用第１制御端子２２を２列に配置した場合の一例を示している。図１３に示した変形例の場合では、全体の配列順が、偶数番目の検査用第１制御端子２２と、奇数番目の検査用第１制御端子２２とで、配列が異なる。なお、検査用制御パッド２８に、検査用第１制御端子２２を複数の配列により設ける変形例は、図１３に例示したものに限らないことはいうまでもない。変形例としては、例えば、３列以上に配列してもよい。
【００８３】
また、本実施の形態では、放射線検出素子基板１０に対して行う検査として、導通検査を行う検査装置について詳細に説明したが、これに限らず、その他の検査を行う検査装置についても本実施の形態と同様に、機能検査（ファンクションテスト）を行う検査装置についても適用できることはいうまでもない。
【００８４】
また、図２に示した第２領域２１の除去後の放射検出素子基板１０では、制御配線Ｇが第１制御端子１４まで設けられており、制御配線Ｍが、第２制御端子１６まで設けられている状態を示しているが、制御配線Ｇ及びＭの状態は、図２に示した状態に限らない。例えば、制御配線Ｇ及びＭは、上述したように、それぞれ第１制御端子１４または第２制御端子１６を通過し、第１領域１１の外側、すなわち第２領域２１まで延長されているため、第２領域２１の除去後も、第１制御端子１４または第２制御端子１６を通過し、第１領域１１の端部の辺まで延長された状態であってもよい。この場合は、延長された制御配線Ｇ及びＭの端部が第１領域１１の断面（切り離された面）に露出しないように、制御配線Ｇ及びＭの端部の処理を行うことが好ましい。
【００８５】
また、本実施の形態における放射線は、特に限定されるものではなく、Ｘ線やγ線等を適用することができる。
【００８６】
その他、本実施の形態で説明した放射線検出素子基板１０等の構成、動作等は一例であり、本発明の主旨を逸脱しない範囲内において状況に応じて変更可能であることは言うまでもない。
【符号の説明】
【００８７】
１０    放射線検出素子基板
１１    第１領域
１２    センサ部
１４    第１制御端子
１６    第２制御端子
１８    信号端子
２０    画素
２１    第２領域
２２    検査用接続配線部
２４    結線端子
２５    検査用接続配線部
３０    第１プローブユニット
３２    第２プローブユニット
３４    制御ユニット
３６    固定電位印加部
Ｄ    信号配線
Ｇ、Ｍ    制御配線
ＳＷ１、ＳＷ２    スイッチ
Ｔｒ１、Ｔｒ２    トランジスタ
ＴｒＡ    リセットトランジスタ
ＴｒＢ    蓄積トランジスタ
ＴｒＣ    読み出しトランジスタ
【図１】
2015043564.tif 000003
【図２】
2015043564.tif 000004
【図３】
2015043564.tif 000005
【図４】
2015043564.tif 000006
【図５】
2015043564.tif 000007
【図６】
2015043564.tif 000008
【図７】
2015043564.tif 000009
【図８】
2015043564.tif 000010
【図９】
2015043564.tif 000011
【図１０】
2015043564.tif 000012
【図１１】
2015043564.tif 000013
【図１２】
2015043564.tif 000014
【図１３】
2015043564.tif 000015