(57)【要約】【課題】太溝の位置ずれのデバイスへの影響を抑制することができるレーザー加工溝の検出方法を提供すること。【解決手段】レーザー加工溝の検出方法は第１のカーフチェックステップＳＴ１と第２のカーフチェックステップＳＴ３とを備える。第１のカーフチェックステップＳＴ１では、分割予定ラインに第１のレーザー光線で第１の溝を形成し、第２の溝を形成する前に第１の溝を撮像手段で撮像して第１の溝の位置を検出する。第２のカーフチェックステップＳＴ３では、第１の溝が形成されていないウエーハの外周余剰領域の分割予定ラインに、第２のレーザー光線で第２の溝を形成して撮像手段により撮像し、第２の溝の位置を検出する。レーザー加工溝の検出方法は、第１の溝と第２の溝のずれを検出して、第１の溝と第２の溝を所定の位置に位置付ける。【選択図】図５
2015154009.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ウエーハを保持するチャックテーブルと、該チャックテーブルに保持されたウエーハに対し吸収性を有する波長のレーザー光線を照射しウエーハの表面にレーザー加工溝を形成するレーザー光線照射手段と、ウエーハの表面を撮像する撮像手段と、を含み、
該レーザー光線照射手段は、レーザー発振器と、該レーザー発振器から発振されたレーザー光線が入射する１／２波長板と、該１／２波長板を通過したレーザー光線を第１のレーザー光線と第２のレーザー光線に分岐する分岐手段と、該第２のレーザー光線のビーム径を調整するビーム調整手段と、該第１のレーザー光線と該ビーム調整手段を通過した該第２のレーザー光線を集光する集光レンズとを備え、該第１のレーザー光線と該第２のレーザー光線は該１／２波長板によって選択的に照射されるレーザー加工装置を用い、
表面に積層された積層体によって格子状に形成される分割予定ラインで区画された領域にデバイスが形成されたデバイス領域と、該デバイス領域を囲繞する外周余剰領域を備えたウエーハに、該第１のレーザー光線を照射して少なくとも該分割予定ラインの両側に第１の溝を形成した後に、溝のエッジ部が該第１の溝と重複する第２の溝を該第２のレーザー光線で形成するウエーハの加工方法において、該第１の溝と該第２の溝を所定の位置に位置付けるために該第１の溝と該第２の溝の位置を検出するレーザー加工溝の検出方法であって、
該第１の溝の位置を検出する際には、該分割予定ラインに第１のレーザー光線で該第１の溝を形成し、該第２の溝を形成する前に該第１の溝を該撮像手段で撮像して該第１の溝の位置を検出し、
該第２の溝の位置を検出する際には、該第１の溝が形成されていないウエーハの該外周余剰領域の該分割予定ラインに、該第２のレーザー光線で該第２の溝を形成して該撮像手段により撮像し該第２の溝の位置を検出し、該第１の溝と該第２の溝を所定の位置に位置付けるレーザー加工溝の検出方法。
【請求項２】
前記レーザー加工装置の前記集光レンズは、前記第１のレーザー光線を集光する第１の集光レンズと、前記第２のレーザー光線を集光する第２の集光レンズとから構成される事を特徴とする請求項１記載のレーザー加工溝の検出方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、レーザー加工溝の検出方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
Ｌｏｗ−ｋ膜でデバイスが形成されたウエーハの分割は、Ｌｏｗ−ｋ膜の脆弱性及び剥離性に対応するため、レーザー光線を照射することによるアブレーション加工でＬｏｗ−ｋ膜を分割する加工溝を分割予定ラインの両側に２条形成した後、加工溝間を切削ブレードで分割する加工方法が知られている（例えば、特許文献１参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００５−６４２３１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
前述した特許文献１に示された加工方法では、加工溝に沿って切削する切削ブレードの偏摩耗を防ぐため、両側に２条形成された加工溝の外縁間の間隔を切削ブレードの幅を超える間隔に形成する事が多い。前述した特許文献１に示された加工方法では、まず、エネルギー密度の高い小さなスポットのレーザー光線で加工溝を分割予定ラインの両側に２条形成後、加工溝の間を埋めるように切削ブレードで太溝を形成する。しかしながら、この加工方法では、細溝にかかった太溝のエッジが、上方から観察しても判別できないため、加工中に太溝のカーフチェック（位置ずれ補正）が機能しないため、特に、太溝の位置ずれがデバイスに影響を与えてしまう恐れがあった。
【０００５】
本発明は、上記に鑑みてなされたものであって、その目的は、太溝の位置ずれのデバイスへの影響を抑制することができるレーザー加工溝の検出方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
上述した課題を解決し、目的を達成するために、本発明のレーザー加工溝の検出方法は、ウエーハを保持するチャックテーブルと、該チャックテーブルに保持されたウエーハに対し吸収性を有する波長のレーザー光線を照射しウエーハの表面にレーザー加工溝を形成するレーザー光線照射手段と、ウエーハの表面を撮像する撮像手段と、を含み、該レーザー光線照射手段は、レーザー発振器と、該レーザー発振器から発振されたレーザー光線が入射する１/２波長板と、該１/２波長板を通過したレーザー光線を第１のレーザー光線と第２のレーザー光線に分岐する分岐手段と、該第２のレーザー光線のビーム径を調整するビーム調整手段と、該第１のレーザー光線と該ビーム調整手段を通過した該第２のレーザー光線を集光する集光レンズとを備え、該第１のレーザー光線と該第２のレーザー光線は該１／２波長板によって選択的に照射されるレーザー加工装置を用い、表面に積層された積層体によって格子状に形成される分割予定ラインで区画された領域にデバイスが形成されたデバイス領域と、該デバイス領域を囲繞する外周余剰領域を備えたウエーハに、該第１のレーザー光線を照射して少なくとも該分割予定ラインの両側に第１の溝を形成した後に、溝のエッジ部が該第１の溝と重複する第２の溝を該第２のレーザー光線で形成するウエーハの加工方法において、該第１の溝と該第２の溝を所定の位置に位置付けるために該第１の溝と該第２の溝の位置を検出するレーザー加工溝の検出方法であって、該第１の溝の位置を検出する際には、該分割予定ラインに第１のレーザー光線で該第１の溝を形成し、該第２の溝を形成する前に該第１の溝を該撮像手段で撮像して該第１の溝の位置を検出し、該第２の溝の位置を検出する際には、該第１の溝が形成されていないウエーハの該外周余剰領域の該分割予定ラインに、該第２のレーザー光線で該第２の溝を形成して該撮像手段により撮像し該第２の溝の位置を検出し、該第１の溝と該第２の溝を所定の位置に位置付けることを特徴とする。
【０００７】
また、前記レーザー加工溝の検出方法は、前記レーザー加工装置の前記集光レンズは、前記第１のレーザー光線を集光する第１の集光レンズと、前記第２のレーザー光線を集光する第２の集光レンズとから構成される事であることが好ましい。
【発明の効果】
【０００８】
そこで、本願発明のレーザー加工溝の検出方法では、特にデバイスが形成されていないウエーハの外周余剰領域に第２の溝を形成することで、太溝である第２の溝のカーフチェックを可能としている。外周余剰領域にデバイスが形成されていないため、例え、第２の溝の位置ずれが発生していたとしても、第２の溝の位置ずれのデバイスに与える影響を極力抑制することができる。また、外周余剰領域に第２の溝を形成するので、第２の溝を分割予定ラインの全長に亘って形成する必要がなく、カーフチェックを実施するために形成する第２の溝の全長を抑制することができる。したがって、カーフチェックに掛かる時間を少なくすることが可能である。
【図面の簡単な説明】
【０００９】
【図１】図１は、実施形態に係るレーザー加工溝の検出方法を実施するレーザー加工装置の構成例を示す斜視図である。
【図２】図２は、図１に示されたレーザー加工装置の撮像手段の画像を示す図である。
【図３】図３は、図１に示されたレーザー加工装置のレーザー光線照射手段の構成を示す図である。
【図４】図４は、図１に示されたレーザー加工装置の加工対象のウエーハ等を示す斜視図である。
【図５】図５は、実施形態に係るレーザー加工溝の検出方法を含むレーザー加工装置を用いたウエーハの加工方法を示すフローチャートである。
【図６】図６は、実施形態に係るレーザー加工溝の検出方法の第１のカーフチェックステップの概略を示す図であり、図６（ａ）は、分割予定ラインの両側に第１の溝を形成した状態のウエーハの断面図であり、図６（ｂ）は、図６（ａ）に示された第１の溝等を撮像して得た画像を示す図である。
【図７】図７は、図５に示されたウエーハの加工方法の第１の溝形成ステップの概略を示す図であり、図７（ａ）は、分割予定ラインの両側に第１の溝を形成した状態のウエーハの断面図であり、図７（ｂ）は、図７（ａ）に示された第１の溝等を撮像して得た画像を示す図である。
【図８】図８は、実施形態に係るレーザー加工溝の検出方法の第２のカーフチェックステップの一部の概略を示す図であり、図８（ａ）は、外周余剰領域の分割予定ラインに第２の溝を形成した状態のウエーハの断面図であり、図８（ｂ）は、図８（ａ）に示された第２の溝等を撮像して得た画像を示す図である。
【図９】図９は、図８に示された第２のカーフチェックステップにおいて外周余剰領域に第２の溝が形成されたウエーハの斜視図である。
【図１０】図１０は、図８に示された第２のカーフチェックステップの残りの概略を示す図であり、図１０（ａ）は、外周余剰領域の分割予定ラインに第２の溝を形成した状態のウエーハの断面図であり、図１０（ｂ）は、図１０（ａ）に示された第２の溝等を撮像して得た画像を示す図である。
【図１１】図１１は、図５に示されたウエーハの加工方法の第２の溝形成ステップの概略を示す断面図であり、図１１（ａ）は、分割予定ラインに第２の溝を形成した状態のウエーハの断面図であり、図１１（ｂ）は、図１１（ａ）に示された第１の溝等を撮像して得た画像を示す図である。
【図１２】図１２は、実施形態の変形例に係るレーザー加工溝の検出方法を実施するレーザー加工装置のレーザー光線照射手段の構成を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００１０】
本発明を実施するための形態（実施形態）につき、図面を参照しつつ詳細に説明する。以下の実施形態に記載した内容により本発明が限定されるものではない。また、以下に記載した構成要素には、当業者が容易に想定できるもの、実質的に同一のものが含まれる。さらに、以下に記載した構成は適宜組み合わせることが可能である。また、本発明の要旨を逸脱しない範囲で構成の種々の省略、置換又は変更を行うことができる。
【００１１】
〔実施形態〕
本発明の実施形態に係るレーザー加工溝の検出方法を図面に基いて説明する。図１は、実施形態に係るレーザー加工溝の検出方法を実施するレーザー加工装置の構成例を示す斜視図である。図２は、図１に示されたレーザー加工装置の撮像手段の画像を示す図である。図３は、図１に示されたレーザー加工装置のレーザー光線照射手段の構成を示す図である。図４は、図１に示されたレーザー加工装置の加工対象のウエーハ等を示す斜視図である。
【００１２】
実施形態に係るレーザー加工溝の検出方法（以下、単に検出方法と記す）は、図１に示されたレーザー加工装置１により実施される方法（即ち、レーザー加工装置１を用いる方法）である。レーザー加工装置１は、板状のウエーハＷを保持するチャックテーブル１０と、レーザー光線照射手段２０とを相対移動させることで、ウエーハＷにアブレーション加工を施して、ウエーハＷにレーザー加工溝を形成するものである。
【００１３】
実施形態では、ウエーハＷは、レーザー加工装置１により加工される加工対象であり、実施形態ではシリコン、サファイア、ガリウムなどを母材とする円板状の半導体ウエーハや光デバイスウエーハである。ウエーハＷは、図４に示すように、表面に積層されたＬｏｗ−ｋ膜Ｍ（図６などに示し、積層体に相当）によって、格子状に形成される複数の分割予定ラインＢで区画された領域にデバイスＤが形成されたデバイス領域ＤＲと、デバイス領域ＤＲを囲繞する外周余剰領域ＧＲを備える。なお、図４中の一点鎖線よりも内側がデバイス領域ＤＲであり、外側が外周余剰領域ＧＲである。図４では、デバイス領域ＤＲと外周余剰領域ＧＲとの境界を、便宜上一点鎖線で示している。
【００１４】
Ｌｏｗ−ｋ膜Ｍは、ＳｉＯＦ、ＢＳＧ（ＳｉＯＢ）等の無機物系の膜やポリイミド系、パリレン系等のポリマー膜である有機物系の膜がウエーハＷの表面に積層されて構成されている。また、分割予定ラインＢ上のＬｏｗ−ｋ膜Ｍの表面は、図６に示すように、デバイスＤ上のＬｏｗ−ｋ膜Ｍの表面よりも若干低く形成されている。ウエーハＷは、デバイスＤが複数形成されている表面の反対側の裏面に粘着テープＴが貼着され、粘着テープＴの外縁が環状フレームＦに貼着されることで、環状フレームＦの開口に粘着テープＴで支持される。
【００１５】
レーザー加工装置１は、図１に示すように、板状のウエーハＷを保持するチャックテーブル１０と、チャックテーブル１０に保持されたウエーハＷの表面にレーザー加工溝Ｒ（図１１に示す）を形成するレーザー光線照射手段２０と、ウエーハＷの表面を撮像する撮像手段３０と、Ｘ軸移動手段４０と、Ｙ軸移動手段５０と、図示しない制御手段とを含んで構成される。
【００１６】
チャックテーブル１０は、加工前のウエーハＷが保持面１０ａ上に載置されて、粘着テープＴを介して環状フレームＦの開口に貼着されたウエーハＷを保持するものである。チャックテーブル１０は、保持面１０ａを構成する部分がポーラスセラミック等から形成された円盤形状であり、図示しない真空吸引経路を介して図示しない真空吸引源と接続され、保持面１０ａに載置されたウエーハＷを吸引することで保持する。なお、チャックテーブル１０は、Ｘ軸移動手段４０によりＸ軸方向に加工送りされ、かつ回転駆動源（図示せず）により中心軸線（Ｚ軸と平行である）回りに回転されるとともに、Ｙ軸移動手段５０によりＹ軸方向に割り出し送りされる。また、チャックテーブル１０の周囲には、エアーアクチュエータにより駆動してウエーハＷの周囲の環状フレームＦを挟持するクランプ部１１が複数設けられている。
【００１７】
レーザー光線照射手段２０は、チャックテーブル１０に保持されたウエーハＷに対し、ウエーハＷが吸収性を有する波長（例えば、３５５ｎｍ）のレーザー光線Ｌ１，Ｌ２（図３に示す）を照射し、ウエーハＷの表面にレーザー加工溝Ｒを形成するものである。即ち、レーザー光線照射手段２０は、ウエーハＷの表面に吸収性を有する波長（例えば、３５５ｎｍ）のレーザー光線Ｌ１，Ｌ２を照射して、ウエーハＷにアブレーション加工を施すものである。
【００１８】
レーザー光線照射手段２０は、図３に示すように、装置本体２の柱部３に支持されたケーシング２１と、レーザー発振器２２と、１／２波長板２３と、ビームスプリッタ２４（分岐手段に相当）と、ビーム調整手段２５と、集光レンズ２６などを備えている。
【００１９】
レーザー発振器２２は、ウエーハＷの表面にウエーハＷが吸収性を有する波長（例えば、３５５ｎｍ）のレーザー光線Ｌを発振する。１／２波長板２３は、レーザー発振器２２から発振されたレーザー光線Ｌが入射する。ビームスプリッタ２４は、１／２波長板２３を通過したレーザー光線Ｌを第１のレーザー光線Ｌ１と第２のレーザー光線Ｌ２とに分岐する。本実施形態では、ビームスプリッタ２４は、プリズム型のものであって、第１のレーザー光線Ｌ１を透過し、第２のレーザー光線Ｌ２を反射することで、レーザー光線Ｌをエネルギー密度の高い小さなビーム径の第１のレーザー光線Ｌ１と第２のレーザー光線Ｌ２とに分岐する。ビーム調整手段２５は、第２のレーザー光線Ｌ２のビーム径を、第１のレーザー光線Ｌ１のビーム径よりも大きく、かつ第２の溝Ｒ２（太溝に相当し、図８等に示す）を形成できるビーム径に調整する。
【００２０】
集光レンズ２６は、チャックテーブル１０の保持面１０ａに対向してケーシング２１の先端部に設けられている。集光レンズ２６は、第１のレーザー光線Ｌ１とビーム調整手段２５を通過した第２のレーザー光線Ｌ２をチャックテーブル１０に保持されたウエーハＷの表面上に集光する。集光レンズ２６には、ビーム調整手段２５を通過した第２のレーザー光線Ｌ２がミラー２７及びプリズム２８を介して入射し、ビームスプリッタ２４を通過した第１のレーザー光線Ｌ１がミラー２９及びプリズム２８を介して入射する。なお、プリズム２８は、ビームスプリッタ２４と構成が略等しく形成されている。なお、１／２波長板２３、ビーム調整手段２５、ミラー２７,２９、プリズム２８は、ケーシング２１内などに設けられている。
【００２１】
また、レーザー光線照射手段２０では、第１のレーザー光線Ｌ１と第２のレーザー光線Ｌ２は、１／２波長板２３がレーザー光線Ｌの光軸回りに回転されることなどによって、いずれか一方が選択的にチャックテーブル１０に保持されたウエーハＷの表面に照射される。
【００２２】
撮像手段３０は、レーザー光線照射手段２０のケーシング２１に取り付けられて、レーザー光線照射手段２０によってレーザー加工すべき加工領域を撮像するものである。撮像手段３０は、撮像して得た画像Ｇ（図２に示す）を制御手段に出力する。撮像手段３０が撮像して得る画像Ｇには、図２に点線で示す基準線Ｓが形成されている。基準線Ｓは、レーザー光線照射手段２０がウエーハＷの表面に照射するレーザー光線Ｌ１，Ｌ２と一致するように調整されている。
【００２３】
制御手段は、レーザー加工装置１を構成する上述した構成要素をそれぞれ制御するものである。制御手段は、ウエーハＷに対するアブレーション加工動作をレーザー加工装置１に行わせるものである。なお、制御手段は、例えばＣＰＵ等で構成された演算処理装置やＲＯＭ、ＲＡＭ等を備える図示しないマイクロプロセッサを主体として構成されており、加工動作の状態を表示する表示手段や、オペレータが加工内容情報などを登録する際に用いる操作手段と接続されている。
【００２４】
次に、本実施形態に係るレーザー加工装置１を用いたウエーハの加工方法（検出方法を含む）を図面を参照して説明する。ウエーハの加工方法は、第１のレーザー光線Ｌ１を照射して少なくとも分割予定ラインＢの両側に第１の溝Ｒ１を形成した後に、溝のエッジ部が第１の溝Ｒ１と重複する第２の溝Ｒ２を第２のレーザー光線Ｌ２で形成する加工方法である。検出方法は、加工方法において、第１の溝Ｒ１と第２の溝Ｒ２を所定の位置に位置付けるために第１の溝Ｒ１と第２の溝Ｒ２の位置を検出する検出方法であり、第１のカーフチャックステップＳＴ１と第２のカーフチェックステップＳＴ３とを備える。
【００２５】
図５は、実施形態に係るレーザー加工溝の検出方法を含むレーザー加工装置を用いたウエーハの加工方法を示すフローチャート、図６は、実施形態に係るレーザー加工溝の検出方法の第１のカーフチェックステップの概略を示す図、図７は、図５に示されたウエーハの加工方法の第１の溝形成ステップの概略を示す図、図８は、実施形態に係るレーザー加工溝の検出方法の第２のカーフチェックステップの一部の概略を示す図、図９は、図８に示された第２のカーフチェックステップにおいて外周余剰領域に第２の溝が形成されたウエーハの斜視図、図１０は、図８に示された第２のカーフチェックステップの残りの概略を示す図、図１１は、図５に示されたウエーハの加工方法の第２の溝形成ステップの概略を示す図である。
【００２６】
まず、ウエーハの加工方法では、オペレータが加工内容情報を制御手段に登録し、オペレータがレーザー光線照射手段２０から離間したチャックテーブル１０の保持面１０ａ上にウエーハＷを載置し、加工動作の開始指示があった場合に、レーザー加工装置１が加工動作を開始する。加工動作では、制御手段は、チャックテーブル１０の保持面１０ａにウエーハＷを吸引保持し、クランプ部１１で環状フレームＦを挟持する。制御手段は、Ｘ軸移動手段４０及びＹ軸移動手段５０によりチャックテーブル１０をレーザー光線照射手段２０の下方に向かって移動して、撮像手段３０の下方にチャックテーブル１０に保持されたウエーハＷを位置付け、撮像手段３０に撮像させる。撮像手段３０は、撮像した画像の情報を制御手段に出力する。そして、制御手段が、チャックテーブル１０に保持されたウエーハＷの分割予定ラインＢと、レーザー光線照射手段２０との位置合わせを行なうためのパターンマッチング等の画像処理を実施し、チャックテーブル１０に保持されたウエーハＷとレーザー光線照射手段２０との相対位置を調整する。
【００２７】
そして、制御手段は、第１のカーフチェックステップＳＴ１を実施する。第１のカーフチェックステップＳＴ１即ち第１の溝Ｒ１の位置を検出する際には、制御手段は、複数の分割予定ラインＢのうち一つの分割予定ラインＢの端部をレーザー光線照射手段２０の下方に位置付けて、チャックテーブル１０をＸ軸移動手段４０にＸ軸方向に移動させつつレーザー光線照射手段２０から第１のレーザー光線Ｌ１を照射する。そして、図６（ａ）に示すように、レーザー光線照射手段２０から第１のレーザー光線Ｌ１を照射することで、デバイス領域ＤＲ内で一つの分割予定ラインＢの両側に第１のレーザー光線Ｌ１で第１の溝Ｒ１を形成する。
【００２８】
そして、第１のカーフチェックステップＳＴ１即ち第１の溝Ｒ１の位置を検出する際には、制御手段は、第２の溝Ｒ２を形成する前に、一つの分割予定ラインＢの両側に形成した第１の溝Ｒ１を撮像手段３０で撮像する。そして、制御手段が、第１の溝Ｒ１を撮像して得た画像Ｇ１では、図６（ｂ）に一例を示すように、第１の溝Ｒ１を示す部分が黒（図６（ｂ）中に平行斜線で示す）となり、他の部分が白となる。そして、制御手段は、基準線Ｓと二つの第１の溝Ｒ１間の中央を通る中心線Ｐ１（図６（ｂ）に一点鎖線で示す）とのＹ軸方向のずれＺ１を検出することで、第１の溝Ｒ１の位置を検出する。
【００２９】
そして、制御手段は、第１の溝形成ステップＳＴ２に進む。第１の溝形成ステップＳＴ２では、制御手段は、第１の溝Ｒ１間の中央を通る中心線Ｐ１が基準線Ｓと重なるように第１のカーフチェックステップＳＴ１で検出したずれＺ１分Ｙ軸方向にレーザー光線照射手段２０とチャックテーブル１０との相対位置を補正する。そして、制御手段は、Ｘ軸移動手段４０、回転駆動源、Ｙ軸移動手段５０にチャックテーブル１０とレーザー光線照射手段２０とを相対的に移動させながら、図７（ａ）に示すように、デバイス領域ＤＲ内ですべての分割予定ラインＢの両側に第１の溝Ｒ１を形成する。なお、第１の溝形成ステップＳＴ２で、撮像手段３０が撮像して得た画像Ｇ２では、前述したずれＺ１分Ｙ軸方向にレーザー光線照射手段２０とチャックテーブル１０との相対位置が補正されているので、
図７（ｂ）に示すように、第１の溝Ｒ１間の中央を通る中心線Ｐ１が基準線Ｓと重なる。なお、第１のカーフチェックステップＳＴ１及び第１の溝形成ステップＳＴ２では、デバイス領域ＤＲ内の分割予定ラインＢに第１の溝Ｒ１を形成し、外周余剰領域ＧＲの分割予定ラインＢに第１の溝Ｒ１を形成しないのが望ましい。
【００３０】
そして、制御手段は、第２のカーフチェックステップＳＴ３に進む。第２のカーフチェックステップＳＴ３即ち第２の溝Ｒ２の位置を検出する際には、制御手段は、第１の溝Ｒ１が形成されていないウエーハＷの外周余剰領域ＧＲの分割予定ラインＢをレーザー光線照射手段２０の下方に位置付けて、チャックテーブル１０をＸ軸移動手段４０にＸ軸方向に移動させつつレーザー光線照射手段２０から第２のレーザー光線Ｌ２を照射する。そして、図８（ａ）及び図９に示すように、ウエーハＷの外周余剰領域ＧＲの分割予定ラインＢに第２のレーザー光線Ｌ２で第２の溝Ｒ２（図９には符号Ｒ２−１で示す）を形成する。
【００３１】
そして、第２のカーフチェックステップＳＴ３即ち第２の溝Ｒ２の位置を検出する際には、制御手段は、外周余剰領域ＧＲの分割予定ラインＢに形成した第２の溝Ｒ２−１を撮像手段３０で撮像する。そして、制御手段が、第２の溝Ｒ２を撮像して得た画像Ｇ３では、図８（ｂ）に一例を示すように、第２の溝Ｒ２を示す部分が黒（図８（ｂ）中に平行斜線で示す）となり、他の部分が白となる。そして、制御手段は、基準線Ｓと第２の溝Ｒ２の中央を通る中心線Ｐ２（図８（ｂ）に一点鎖線で示す）とのＹ軸方向のずれＺ２を検出することで、第２の溝Ｒ２の位置を検出する。
【００３２】
その後、制御手段は、第２のカーフチェックステップＳＴ３では、第２の溝Ｒ２の中央を通る中心線Ｐ２が基準線Ｓと重なるように前述したずれＺ２分Ｙ軸方向にレーザー光線照射手段２０とチャックテーブル１０との相対位置を補正した後、図１０（ａ）及び図９に示すように、ウエーハＷの外周余剰領域ＧＲの分割予定ラインＢに第２のレーザー光線Ｌ２で第２の溝Ｒ２（図９には符号Ｒ２−２で示す）を形成する。そして、制御手段は、第２の溝Ｒ２−２を撮像手段３０で撮像して得た画像Ｇ４（図１０（ｂ）に示す）において、基準線Ｓと第２の溝Ｒ２の中央を通る中心線Ｐ２とが重なっていること（ずれＺ２が許容値以下であること）を確認して、第２の溝形成ステップＳＴ４に進む。このように、第２のカーフチェックステップＳＴ３では、基準線Ｓと第２の溝Ｒ２の中央を通る中心線Ｐ２とが重なるまで（ずれＺ２が許容値以下となるまで）、外周余剰領域ＧＲに第２の溝Ｒ２を形成して、ずれＺ２分Ｙ軸方向にレーザー光線照射手段２０とチャックテーブル１０との相対位置を補正するのが望ましい。
【００３３】
第２の溝形成ステップＳＴ４では、制御手段は、Ｘ軸移動手段４０、回転駆動源、Ｙ軸移動手段５０にチャックテーブル１０とレーザー光線照射手段２０とを相対的に移動させながら、図１１（ａ）に示すように、デバイス領域ＤＲ内で溝のエッジ部が第１の溝Ｒ１と重複する第２の溝Ｒ２をすべての分割予定ラインＢに形成して、レーザー加工溝Ｒを形成する。なお、第２の溝形成ステップＳＴ４で、撮像手段３０が撮像して得た画像Ｇ５（図１１（ｂ）に示す）では、前述したずれＺ２分Ｙ軸方向にレーザー光線照射手段２０とチャックテーブル１０との相対位置が補正されているので、レーザー加工溝Ｒの中央を通る中心線Ｐが基準線Ｓと重なる。なお、第２の溝形成ステップＳＴ４では、デバイス領域ＤＲ内の分割予定ラインＢに第２の溝Ｒ２を形成し、外周余剰領域ＧＲの分割予定ラインＢに第２の溝Ｒ２を形成しないのが望ましい。
【００３４】
このように、制御手段は、ずれＺ１,Ｚ２を検出して、ずれＺ１,Ｚ２分、レーザー光線照射手段２０とチャックテーブル１０との相対位置を補正することで、第１の溝Ｒ１と第２の溝Ｒ２を所定の位置に位置付ける。
【００３５】
すべての分割予定ラインＢにレーザー加工溝Ｒを形成した後、制御手段は、チャックテーブル１０をレーザー光線照射手段２０から離間した位置に移動させた後、チャックテーブル１０の吸引保持及びクランプ部１１の挟持を解除する。そして、オペレータがすべての分割予定ラインＢにレーザー加工溝Ｒが形成されたウエーハＷをチャックテーブル１０上から取り除くとともに、レーザー加工前のウエーハＷを再度、チャックテーブル１０上に載置し、前述の工程を繰り返して、ウエーハＷにレーザー加工溝Ｒを形成する。すべての分割予定ラインＢにレーザー加工溝Ｒが形成されたウエーハＷは、レーザー加工溝Ｒに切削ブレードによる切削加工などが施されて、個々のデバイスＤに分割される。
【００３６】
以上のように、実施形態に係る検出方法によれば、外周余剰領域ＧＲの分割予定ラインＢに第２の溝Ｒ２を形成して、第２のカーフチェックステップＳＴ３を実施する。このように、第１の溝Ｒ１よりも太い第２の溝Ｒ２を所定の位置に位置付けるために、デバイスＤが形成されていない外周余剰領域ＧＲに第２の溝Ｒ２を形成するので、ずれＺ２即ち第２の溝Ｒ２の位置ずれのデバイスＤへの影響を極力抑制することができる。
【００３７】
また、実施形態に係る検出方法によれば、デバイスＤが形成されていない外周余剰領域ＧＲに第２の溝Ｒ２を形成するので、第２の溝Ｒ２を所定の位置に位置付けるために、分割予定ラインＢの全長に亘って第２の溝Ｒ２を形成する必要がない。したがって、デバイスＤに与える影響をより一層抑制することができるとともに、第２のカーフチェックステップＳＴ３に係る所要時間を抑制することができる。
【００３８】
〔変形例〕
本発明の実施形態の変形例に係るレーザー加工溝の検出方法を図面に基いて説明する。図１２は、実施形態の変形例に係るレーザー加工溝の検出方法を実施するレーザー加工装置のレーザー光線照射手段の構成を示す図である。なお、図１２において、実施形態と同一部分には、同一符号を付して説明を省略する。
【００３９】
実施形態の変形例に係る検出方法を実施するレーザー加工装置１のレーザー光線照射手段２０は、図１２に示すように、集光レンズ２６は、互いに別体の第１の集光レンズ２６−１と第２の集光レンズ２６−２とから構成される。第１の集光レンズ２６−１と、第２の集光レンズ２６−２は、チャックテーブル１０の保持面１０ａに対向してケーシング２１の先端部に設けられている。第１の集光レンズ２６−１は、第１のレーザー光線Ｌ１をウエーハＷの表面に集光するものであり、ビームスプリッタ２４を通過した第１のレーザー光線Ｌ１がミラー２９を介して入射する。第２の集光レンズ２６−２は、第２のレーザー光線Ｌ２をウエーハＷの表面に集光するものであり、ビーム調整手段２５を通過した第２のレーザー光線Ｌ２が入射する。
【００４０】
実施形態の変形例に係る検出方法によれば、実施形態と同様に、第２の溝Ｒ２の位置ずれのデバイスＤへの影響を極力抑制することができる。また、実施形態の変形例に係る検出方法によれば、第１のレーザー光線Ｌ１を集光する第１の集光レンズ２６−１と、第２のレーザー光線Ｌ２を集光する第２の集光レンズ２６−２とから構成されているので、レーザー光線Ｌ１，Ｌ２の集光レンズ２６−１，２６−２それぞれに対する影響を抑制でき、ずれＺ１，Ｚ２を抑制できるとともに、第１及び第２のカーフチェックステップＳＴ１，ＳＴ２の頻度を抑制することができる。
【００４１】
なお、前述した実施形態では、第１のカーフチェックステップＳＴ１を第１の溝Ｒ１を形成する前に実施し、第２のカーフチェックステップＳＴ３を第２の溝Ｒ２を形成する前に実施している。しかしながら、本発明では、第１のカーフチェックステップＳＴ１及び第２のカーフチェックステップＳＴ３を任意のタイミングで実施してもよい。例えば、第２のカーフチェックステップＳＴ３を、全く加工されていないウエーハＷに対して行ってもよく、外周余剰領域ＧＲを加工しないで残しておき、任意のタイミングで行ってもよい。また、本発明では、外周余剰領域ＧＲの分割予定ラインＢの両側に第１の溝Ｒ１を形成して、第１のカーフチェックステップＳＴ１を実施してもよい。また、外周余剰領域ＧＲは、ウエーハＷの外周全周（３６０度）において第１の溝Ｒ１及び第２の溝Ｒ２を形成しないのではなく、ウエーハＷの外周一部分（たとえば１８０度）だけ、第１の溝Ｒ１及び第２の溝Ｒ２を形成せず、カーフチェック用に溝Ｒ１，Ｒ２を形成しない部分を残しておいてもよい。
【００４２】
なお、本発明は、上記実施形態、変形例に限定されるものではない。即ち、本発明の骨子を逸脱しない範囲で種々変形して実施することができる。
【符号の説明】
【００４３】
１  レーザー加工装置
１０  チャックテーブル
２０  レーザー光線照射手段
２２  レーザー発振器
２３  １／２波長板
２４  ビームスプリッタ（分岐手段）
２５  ビーム調整手段
２６  集光レンズ
２６−１  第１の集光レンズ
２６−２  第２の集光レンズ
３０  撮像手段
Ｗ  ウエーハ
Ｍ  Ｌｏｗ−ｋ膜（積層体）
Ｂ  分割予定ライン
Ｄ  デバイス
ＤＲ  デバイス領域
ＧＲ  外周余剰領域
Ｌ  レーザー光線
Ｌ１  第１のレーザー光線
Ｌ２  第２のレーザー光線
Ｒ  レーザー加工溝
Ｒ１  第１の溝
Ｒ２  第２の溝
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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