(57)【要約】【課題】解析の精度の向上を図ること。【解決手段】解析支援装置１００は、回路基板１０２に含まれる第１電位の第１ビア群と、回路基板１０２に含まれる第２電位の第２ビア群と、の各々の位置を示すビア情報１０１を取得する。解析支援装置１００は、取得したビア情報１０１に基づいて、ＧＮＤビア群のうち、電源ビア群から選択した電源ビアＶ−１との間の距離が所定距離Ｓ１以内であるＧＮＤビアＧ−ａを特定する。解析支援装置１００は、ビア情報１０１に基づいて、電源ビア群に含まれる電源ビアＶ−１以外の電源ビアＶのうち、電源ビアＶ−１との間の距離が、特定したＧＮＤビアＧ−ａと電源ビアＶ−１との間の距離以内である電源ビアＶ−２および電源ビアＶ−３を特定する。解析支援装置１００は、電源ビアＶ−１と、ＧＮＤビアＧ−ａと、電源ビアＶ−２および電源ビアＶ−３と、の関連付けを示す関連付け情報を生成する。【選択図】図１
2015079345.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
コンピュータに、
回路基板に含まれる第１電位の第１ビア群と、前記回路基板に含まれる前記第１電位と異なる第２電位の第２ビア群と、の各々の位置を示すビア情報を取得し、
取得した前記ビア情報に基づいて、前記第２ビア群のうち、前記第１ビア群に含まれる第１ビアとの間の距離が所定距離以内である第２ビアを特定し、
前記ビア情報に基づいて、前記第１ビア群に含まれる前記第１ビア以外のビアのうち、前記第１ビアとの間の距離が、特定した前記第２ビアと前記第１ビアとの間の距離以内である第３ビアを特定し、
前記第１ビアと、特定した前記第２ビアと、特定した前記第３ビアと、の関連付けを示す関連付け情報を生成する、
処理を実行させることを特徴とする解析支援プログラム。
【請求項２】
前記第２ビアを特定する処理では、前記第２ビア群のうち、前記第１ビアとの距離が前記所定距離以内である最も近い第２ビアを特定することを特徴とする請求項１に記載の解析支援プログラム。
【請求項３】
前記第３ビアを特定する処理では、前記第１ビア群に含まれる前記第１ビア以外のビアのうち、前記第１ビアとの間の距離が、特定した前記第２ビアと前記第１ビアとの間の距離以内である各第３ビアを特定することを特徴とする請求項１または２に記載の解析支援プログラム。
【請求項４】
前記コンピュータに、
生成した前記関連付け情報と前記ビア情報とに基づいて、前記第１ビアの自己インダクタンスと、前記第３ビアの自己インダクタンスと、前記第１ビアと前記第３ビアとの間の相互インダクタンスと、を算出し、
算出した各自己インダクタンスと、前記相互インダクタンスと、によって前記第１ビアと前記第３ビアとを示す情報を生成する、
処理を実行させることを特徴とする請求項１〜３のいずれか一つに記載の解析支援プログラム。
【請求項５】
前記第１ビアは、前記第１ビア群に含まれる各ビアであって、
前記第２ビアを特定する処理では、前記第１ビアの各々について、前記第２ビアを特定し、
前記第３ビアを特定する処理では、前記第１ビアの各々について、前記第３ビアを特定し、
前記関連付け情報を生成する処理では、前記第１ビアの各々について、前記関連付け情報を生成することを特徴とする請求項１〜４のいずれか一つに記載の解析支援プログラム。
【請求項６】
前記コンピュータに、
前記第１ビア群のうちの、前記第１ビア群に含まれる算出の対象ビアに関連付けられた各第１関連ビアと、前記対象ビアとの各々についての自己インダクタンスと、前記各第１関連ビアと前記対象ビアとの各々の間の相互インダクタンスとを、生成した各関連付け情報と前記ビア情報と前記第２ビア群のうちの、前記対象ビアと検出した前記各第１関連ビアとのいずれかに関連付けられた各第２関連ビアとに基づいて算出し、
算出した各自己インダクタンスと、算出した各相互インダクタンスと、によって前記対象ビアおよび前記各第１関連ビアを示す情報を生成する、
処理を実行させることを特徴とする請求項５に記載の解析支援プログラム。
【請求項７】
前記コンピュータに、
前記各第１関連ビアが存在しなかった場合に、
前記対象ビアに関連付けられた各第２関連ビアが存在した場合、前記対象ビアと前記第２関連ビアとの間の距離に基づいて前記対象ビアの実効インダクタンスを算出し、
前記各第２関連ビアが存在しなかった場合、前記対象ビアの実効インダクタンスを算出し、
算出した前記実効インダクタンスによって前記対象ビアを示す情報を生成する、
処理を実行させることを特徴とする請求項６に記載の解析支援プログラム。
【請求項８】
前記コンピュータに、
前記回路基板に含まれるノイズ波源について位置を示す波源位置情報を取得し、
生成した前記関連付け情報と前記ビア情報と前記波源位置情報とに基づいて、前記対象ビアと前記各第１関連ビアとの各々と、前記ノイズ波源と、の間の距離の少なくともいずれかが第２所定距離以内であるか否かを判断し、
いずれも前記第２所定距離以内でないと判断した場合、
前記算出する処理を行わず、
取得した前記ビア情報に基づいて、前記対象ビアと前記各第１関連ビアとの各々について、前記第２ビア群のうち最も近いビアを特定し、
前記対象ビアおよび前記各第１関連ビアと特定したビアとの間の距離に基づいて、前記対象ビアおよび前記各第１関連ビアの各々の実効インダクタンスを算出し、
算出した各実効インダクタンスのうち最も小さい実効インダクタンスによって、前記対象ビアと前記各第１関連ビアを示す情報を生成する、
処理を実行させることを特徴とする請求項６に記載の解析支援プログラム。
【請求項９】
コンピュータが、
回路基板に含まれる第１電位の第１ビア群と、前記回路基板に含まれる前記第１電位と異なる第２電位の第２ビア群と、の各々の位置を示すビア情報を取得し、
取得した前記ビア情報に基づいて、前記第２ビア群のうち、前記第１ビア群に含まれる第１ビアとの間の距離が所定距離以内である第２ビアを特定し、
前記ビア情報に基づいて、前記第１ビア群に含まれる前記第１ビア以外のビアのうち、前記第１ビアとの間の距離が、特定した前記第２ビアと前記第１ビアとの間の距離以内である第３ビアを特定し、
前記第１ビアと、特定した前記第２ビアと、特定した前記第３ビアと、の関連付けを示す関連付け情報を生成する、
処理を実行することを特徴とする解析支援方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、解析支援プログラム、および解析支援方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、多層の回路基板を示すモデルデータを回路シミュレータに与えて回路基板に含まれる電気導体の電磁気的振る舞いのシミュレーションが行われる技術が公知である（例えば、以下特許文献１参照。）。例えば、モデルデータには、多層の回路基板に含まれる配線、ビア、各基板、端子、部品などの形状や位置関係から得られる容量、抵抗などの等価回路やインダクタンスなどの性質が定義される。
【０００３】
また、従来、多層の回路基板の電源ノイズ解析を行うために、信号の電流経路に基づき配線の自己インダクタンスと配線間の相互インダクタンスとを合成することにより算出した配線の実効インダクタンスによって回路基板を示すモデルデータを作成する技術が知られている（例えば、以下特許文献２参照。）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開平６−３２５１１９号公報
【特許文献２】特開２０１１−２８６４４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、モデルデータによって定義するビア間の相互インダクタンスの数を多くすると解析に時間がかかる。また、モデルデータによって定義するビア間の相互インダクタンスの数を少なくすると解析の精度が低くなる。
【０００６】
１つの側面では、本発明は、解析の精度の向上を図ることができる解析支援プログラム、および解析支援方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明の一側面によれば、回路基板に含まれる第１電位の第１ビア群と、前記回路基板に含まれる前記第１電位と異なる第２電位の第２ビア群と、の各々の位置を示すビア情報を取得し、取得した前記ビア情報に基づいて、前記第２ビア群のうち、前記第１ビア群に含まれる第１ビアとの間の距離が所定距離以内である第２ビアを特定し、前記ビア情報に基づいて、前記第１ビア群に含まれる前記第１ビア以外のビアのうち、前記第１ビアとの間の距離が、特定した前記第２ビアと前記第１ビアとの間の距離以内である第３ビアを特定し、前記第１ビアと、特定した前記第２ビアと、特定した前記第３ビアと、の関連付けを示す関連付け情報を生成する解析支援プログラム、および解析支援方法が提案される。
【発明の効果】
【０００８】
本発明の一態様によれば、解析の精度の向上を図ることができる。
【図面の簡単な説明】
【０００９】
【図１】図１は、本発明にかかる解析支援装置による一動作例を示す説明図である。
【図２】図２は、リファレンスビアの位置によって異なるグループ例を示す説明図である。
【図３】図３は、回路基板の断面イメージ例と各インダクタンスのモデルイメージ例を示す説明図である。
【図４】図４は、実施の形態にかかる解析支援装置のハードウェア構成例を示すブロック図である。
【図５】図５は、解析支援装置の機能的構成例を示すブロック図である。
【図６】図６は、電源ビアのグループ化例を示す説明図（その１）である。
【図７】図７は、電源ビアのグループ化例を示す説明図（その２）である。
【図８】図８は、ＧＮＤビアのグループ化例を示す説明図である。
【図９】図９は、入力データ例を示す説明図である。
【図１０】図１０は、グループに含まれる電源ビアのインダクタンス行列例を示す説明図である。
【図１１】図１１は、モデル化例を示す説明図である。
【図１２】図１２は、グループ化結果例を示す説明図である。
【図１３】図１３は、実施例１にかかる解析支援装置による解析支援処理手順例を示すフローチャートである。
【図１４】図１４は、グループ化処理手順例を示すフローチャート（その１）である。
【図１５】図１５は、グループ化処理手順例を示すフローチャート（その２）である。
【図１６】図１６は、ノイズ波源を含む回路基板の断面例を示す説明図である。
【図１７】図１７は、実施例２にかかる解析支援装置による解析支援処理手順例を示すフローチャートである。
【図１８】図１８は、モデルデータ生成処理手順例を示すフローチャートである。
【発明を実施するための形態】
【００１０】
以下に添付図面を参照して、本発明にかかる解析支援プログラム、および解析支援方法の実施の形態を詳細に説明する。
【００１１】
図１は、本発明にかかる解析支援装置による一動作例を示す説明図である。解析支援装置１００は、多層の回路基板１０２の電磁気的振る舞いの解析に用いるモデルデータの生成を支援するコンピュータである。多層の回路基板１０２には、例えば、ＰＣＢ（Ｐｒｉｎｔｅｄ  Ｃｉｒｃｕｉｔ  Ｂｏａｒｄ，プリント回路板）、ＭＣＭ（Ｍｕｌｔｉ  Ｃｈｉｐ  Ｍｏｄｕｌｅ）、半導体集積回路のパッケージなどが挙げられる。例えば、生成されるモデルデータとしては、特に回路基板１０２の電源ノイズ解析などに適する。モデルデータとは、抵抗、容量などの等価回路、インダクタンスなどの性質が定義されることにより回路基板１０２に含まれる各要素を表した情報である。ここでは、抵抗、容量などの等価回路、インダクタンスなどの性質がモデルデータによって定義されることをモデル化と称する。モデルデータは、ＳＰＩＣＥ（Ｓｉｍｕｌａｔｉｏｎ  Ｐｒｏｇｒａｍ  ｗｉｔｈ  Ｉｎｔｅｇｒａｔｅｄ  Ｃｉｒｃｕｉｔ  Ｅｍｐｈａｓｉｓ）などの回路シミュレータによって利用可能な記述形式によって記述される。
【００１２】
解析支援装置１００は、回路基板１０２に含まれる第１電位の第１ビア群と、回路基板１０２に含まれる第１電位と異なる第２電位の第２ビア群と、の各々の位置を示すビア情報１０１を取得する。図１の例では、第１電位は電源電位であり、第２電位はグラウンド（以下省略して「ＧＮＤ（ＧＲＯＵＮＤ）」）電位であるが、これに限らず、第１電位がＧＮＤ電位であり、第２電位が電源電位であってもよい。ここで、電源電位の第１ビア群を電源ビア群と称し、電源ビア群の各々を電源ビアＶと称する。また、ここでは、ＧＮＤ電位の第２ビア群をＧＮＤビア群と称し、ＧＮＤビア群の各々をＧＮＤビアＧと称する。図１の例では、回路基板１０２は、電源ビアＶ−１から電源ビアＶ−１１と、ＧＮＤビアＧ−ａからＧＮＤビアＧ−ｃと、を有する。また、実際には回路基板１０２には、半導体集積回路や電源やバイパスコンデンサなどの部品が設けられるが、図１の例では記載を省略している。
【００１３】
ビア情報１０１は、例えば、電源ビア群の各々とＧＮＤビア群の各々について回路基板１０２を示す設計データにおける原点からの座標情報を有する。また、ビア情報１０１は、さらに、各ビアについてインダクタンスを算出するための情報を有していてもよい。インダクタンスを算出するための情報としては、例えば、ビアの形状、ビアの外形などが挙げられるが、詳細例は後述する。
【００１４】
また、解析支援装置１００は、取得したビア情報１０１に基づいて、ＧＮＤビア群のうち、電源ビア群に含まれる第１ビアとの間の距離が所定距離Ｓ１以内である第２ビアを特定する。第１ビアについては解析支援装置１００が、電源ビア群からランダムに選択してもよい。また、第１ビアは、電源ビア群に含まれる各ビアとすることにより、電源ビア群に含まれるすべてのビアをグループ化させることができる。図１の例では、第１ビアとして、電源ビアＶ−１が選択される。また、図１の例では、電源ビアＶ−１との間の距離が所定距離Ｓ１以内であるビアが複数あるため、解析支援装置１００は、所定距離Ｓ１以内である最も近いＧＮＤビアＧ−ａを特定する。
【００１５】
つぎに、解析支援装置１００は、ビア情報１０１に基づいて、電源ビア群に含まれる第１ビア以外のビアのうち、第１ビアとの間の距離が、特定した第２ビアと第１ビアとの間の距離以内である第３ビアを特定する。また、解析支援装置１００は、第２ビアと第１ビアとの間の距離以内である各第３ビアを特定してもよい。これにより、図１の例では、第３ビアとして、電源ビアＶ−２と電源ビアＶ−３が特定される。
【００１６】
そして、解析支援装置１００は、第１ビアと、第２ビアと、第３ビアと、の関連付けを示す関連付け情報を生成する。図１の例では、関連付け情報として、「Ｇ１｛｛Ｖ−１，Ｖ−２，Ｖ−３｝，｛Ｇ−ａ｝｝」が生成される。これにより、グループＧ１には電源ビアＶ−１と電源ビアＶ−２と電源ビアＶ−３とが含まれ、グループＧ１のリファレンスビアはＧＮＤビアＧ−ａであることを判別可能となる。そして、解析支援装置１００は、関連付け情報に基づいて、第２ビアをリファレンスビアとし、第１ビアと第３ビアとの各々の自己インダクタンスと、第１ビアと第３ビアとの相互インダクタンスと、を算出する。リファレンスビアとは、第１ビアと第３ビアとの帰還電流が流れるビアである。具体的な算出例は後述する。そして、解析支援装置１００は、算出した各インダクタンスによって第１ビアと第３ビアとを示す情報を生成する。ここで生成される情報とは、上述したモデルデータのうちのビアのインダクタンスが定義された記述情報である。
【００１７】
また、上述したように、同一電位のすべてのビア間の相互インダクタンスをモデル化すると、解析の精度は向上するが、解析に時間がかかる。また、同一電位のビア間の相互インダクタンスをモデル化しないと、解析が高速になるが、解析の精度が低下する。そのため、解析を効率よく行えない。これに対して、本実施の形態では、解析支援装置１００は、第１電位の第１ビアに近い位置に設けられる第２電位の第２ビアを特定し、特定した第２ビアよりも第１ビアに近い位置に設けられる第１電位の第３ビアを特定する。これにより、通過電流の帰還経路が同じとなりうる電源ビア間の相互インダクタンスのみをモデル化することができる。したがって、解析時間を抑えつつ、解析の精度の向上を図ることができる。
【００１８】
図２は、リファレンスビアの位置によって異なるグループ例を示す説明図である。図２（ａ）の例では、電源ビアＶ−１と電源ビアＶ−２とはリファレンスビアがＧＮＤビアＧ−ａであり、電源ビアＶ−３の通過電流によって作られる磁力線と、電源ビアＶ−１および電源ビアＶ−２の通過電流によって作られる磁力線と、は異なる。これに対して、図２（ｂ）の例では、図２（ａ）の例と比較して、ＧＮＤビアＧ−ｂが電源ビアＶ−３と離れている。そのため、図２（ｂ）の例では、電源ビアＶ−１と電源ビアＶ−２と電源ビアＶ−３とのそれぞれの位置は（ａ）の例と同一であるが、電源ビアＶ−１と電源ビアＶ−２と電源ビアＶ−３とはリファレンスビアがＧＮＤビアＧ−ａとなる。また、電源ビアＶ−１と電源ビアＶ−２と電源ビアＶ−３との通過電流によって磁力線が作られる。このように、リファレンスビアの位置によって、求めるべきインダクタンス行列が異なる。
【００１９】
図３は、回路基板の断面イメージ例と各インダクタンスのモデルイメージ例を示す説明図である。ここでは、回路基板１０２とインダクタンスのモデルイメージ例について簡単に説明する。回路基板１０２の断面イメージ例に示すように、回路基板１０２は、表面層、裏面層、信号層、ＧＮＤ層、第１電源層、および第２電源層などの多層構造となる。表面層および裏面層には、部品や部品間などを接続するための信号線となる配線が設けられる。信号層には、信号線となる配線が設けられる。ＧＮＤ層にはＧＮＤプレーンが設けられる。第１電源層には第１電源プレーンが設けられる。第２電源層には第２電源プレーンが設けられる。また、図示していないが、上述した層は導体であるが、導体の層間は、非導体の層によって積層される。
【００２０】
図３の例では、電源ビアＶは、第１電源層に設けられる第１電源プレーンと、裏面層に設けられる引き出し配線とを接続する。また、これに限らず、図示していないが、例えば、電源ビアＶは、異なる層に設けられる電源電位となる各電源配線間、電源電位となる各電源プレーン間、電源電位となる電源配線と電源プレーン間などを接続する。
【００２１】
また、図３の例では、ＧＮＤビアＧは、上層であるＧＮＤ層に設けられるＧＮＤプレーンと、下層であるＧＮＤ層に設けられるＧＮＤプレーンと、表面層に設けられる引き出し配線と、を接続する。また、これに限らず、図示していないが、例えば、ＧＮＤビアＧは、異なる層に設けられるグラウンド電位となる各グラウンド配線間、グラウンド電位となる各ＧＮＤプレーン間、グラウンド電位となるグラウンド配線とＧＮＤプレーン間などを接続する。
【００２２】
図３の左側に示すように、電源ビアＶとＧＮＤビアＧとが１対１で近接配置されている場合、ＧＮＤビアＧが電源ビアＶを通過する電流の帰還経路となり、電源ビアＶとＧＮＤビアＧとの間ではほぼ同量の電流が逆方向に流れる。このように１対１の場合、電源ビアＶの自己インダクタンスをＬsVとし、ＧＮＤビアＧの自己インダクタンスをＬsGとし、電源ビアＶとＧＮＤビアＧとの間の相互インダクタンスをＭとする。この場合の例が、図３の中央に示す相互インダクタンスをモデル化したモデルイメージである。また、電源ビアＶの実効インダクタンスＬeffVは以下式（１）のようになり、ＧＮＤビアＧの実効インダクタンスＬeffGは以下式（２）のようになる。実効インダクタンスに簡略化したモデルイメージを図３の右側に示す。
【００２３】
ＬeffV＝ＬsV−Ｍ・・・（１）
ＬeffG＝ＬsG−Ｍ・・・（２）
【００２４】
携帯端末などの小型基板では、ビアの配置の自由度が低く、電源ビアＶとＧＮＤビアＧを１対１で配置することができない。そのため、解析の精度を向上させるためにすべてのビア間の相互インダクタンスをモデル化すると、モデルの要素数が増加し、解析時間が増大する。また、解析時間を短縮するために、ビア間の相互インダクタンスをモデル化しなければ、モデルの要素数が減少し、解析の精度が低下する。そこで、本実施の形態では、第１電源ビアとの間の距離が、第１電源ビアから所定距離Ｓ１以内の位置に設けられるＧＮＤビアと第１電源ビアとの間の距離以内である第２電源ビアを特定する。これにより、通過電流の帰還経路が同じ電源ビア間の相互インダクタンスのみをモデル化することができる。したがって、モデル化される相互インダクタンスの数を抑えつつ、解析の精度を向上させることができる。
【００２５】
また、電源ビアＶとＧＮＤビアＧが１対１で近接配置されている場合、ＧＮＤビアＧが電源ビアＶを通過する電流のリターン経路となり、電源ビアＶとＧＮＤビアＧとの間で同量の電流が逆方向に流れることになる。また、このような場合、電源ビアＶとＧＮＤビアＧとをそれぞれ実効インダクタンスによってモデル化することができる。そこで、本実施の形態では、電源ビアＶ同士の密集、またはＧＮＤビアＧ同士の密集部分をグループ化し、グループごとに別々のインダクタンス行列を算出し、相互インダクタンスをモデル化する。
【００２６】
また、ここで、解析処理手順について簡単に説明する。例えば、解析支援装置１００は、回路基板１０２の実装設計データを取得し、導体層部分の基板モデルデータを作成する。例えば、実装設計データとは、各部品、各ビア、各配線などの位置情報などを含む。そして、解析支援装置１００は、本発明の対象であるビア部分の基板モデルデータを作成する。また、解析支援装置１００は、回路基板１０２に搭載される部品特性データを取得し、各部品を示す部品モデルデータを作成する。そして、解析支援装置１００は、部品と基板と、部品と基板との接続と、を示すモデルデータを作成する。そして、解析支援装置１００は、回路シミュレーションを実行する。ここでは、解析支援装置１００が各処理を行う例によって説明したが、これに限らず、解析支援装置１００はビア部分の基板モデルデータの作成だけを行い、他の処理を異なる装置が行ってもよい。つぎに、解析支援装置１００の詳細について説明する。
【００２７】
（解析支援装置１００のハードウェア構成例）
図４は、実施の形態にかかる解析支援装置のハードウェア構成例を示すブロック図である。図４において、解析支援装置１００は、ＣＰＵ（Ｃｅｎｔｒａｌ  Ｐｒｏｃｅｓｓｉｎｇ  Ｕｎｉｔ）４０１と、ＲＯＭ（Ｒｅａｄ  Ｏｎｌｙ  Ｍｅｍｏｒｙ）４０２と、ＲＡＭ（Ｒａｎｄｏｍ  Ａｃｃｅｓｓ  Ｍｅｍｏｒｙ）４０３と、ディスクドライブ４０４と、ディスク４０５と、を有している。解析支援装置１００は、Ｉ／Ｆ（Ｉｎｔｅｒ／Ｆａｃｅ）４０６と、入力装置４０７と、出力装置４０８と、を有している。また、各部はバス４００によってそれぞれ接続されている。
【００２８】
ここで、ＣＰＵ４０１は、解析支援装置１００の全体の制御を司る。ＲＯＭ４０２は、ブートプログラムなどのプログラムを記憶している。ＲＡＭ４０３は、ＣＰＵ４０１のワークエリアとして使用される。ディスクドライブ４０４は、ＣＰＵ４０１の制御にしたがってディスク４０５に対するデータのリード／ライトを制御する。ディスク４０５は、ディスクドライブ４０４の制御で書き込まれたデータを記憶する。ディスク４０５としては、磁気ディスク、光ディスクなどが挙げられる。
【００２９】
Ｉ／Ｆ４０６は、通信回線を通じてＬＡＮ（Ｌｏｃａｌ  Ａｒｅａ  Ｎｅｔｗｏｒｋ）、ＷＡＮ（Ｗｉｄｅ  Ａｒｅａ  Ｎｅｔｗｏｒｋ）、インターネットなどのネットワークＮＥＴに接続され、このネットワークＮＥＴを介して他の装置に接続される。そして、Ｉ／Ｆ４０６は、ネットワークＮＥＴと内部のインターフェースを司り、外部装置からのデータの入出力を制御する。Ｉ／Ｆ４０６には、例えばモデムやＬＡＮアダプタなどを採用することができる。
【００３０】
入力装置４０７は、キーボード、マウス、タッチパネルなど利用者の操作により、各種データの入力を行うインターフェースである。また、入力装置４０７は、カメラから画像や動画を取り込むこともできる。また、入力装置４０７は、マイクから音声を取り込むこともできる。出力装置４０８は、ＣＰＵ４０１の指示により、データを出力するインターフェースである。出力装置４０８には、ディスプレイやプリンタが挙げられる。
【００３１】
（解析支援装置１００の機能的構成例）
図５は、解析支援装置の機能的構成例を示すブロック図である。解析支援装置１００は、取得部５０１と、第１特定部５０２と、第２特定部５０３と、グループ生成部５０４と、判断部５０５と、第３特定部５０６と、算出部５０７と、モデルデータ生成部５０８と、を含む。各機能部の処理は、例えば、ＲＯＭ４０２やディスク４０５などの記憶装置に記憶された解析支援プログラムにコーディングされている。そして、ＣＰＵ４０１が記憶装置から解析支援プログラムを読み出して、解析支援プログラムにコーディングされている処理を実行する。これにより、各機能部の処理が実現される。また、各機能部の処理結果は、例えば、ＲＡＭ４０３、ディスク４０５などの記憶装置に記憶される。
【００３２】
また、ここでは、各機能部を実施例１と実施例２とに分けて詳細に説明する。実施例１では、第１電位の第１ビアとの間の距離が、第１ビアから所定距離Ｓ１以内の位置に設けられる第２電位の第２ビアと第１ビアとの間の距離以内である第１電位の第２ビアを特定する。これにより、実施例１では、第１電位のビア群を、通過電流の帰還経路が同一となるビア同士が同一のグループとなるようにグループ化することができる。実施例２では、ノイズ波源から遠いグループに含まれるビアについては相互インダクタンスを算出しないことにより、モデルデータによって定義される相互インダクタンスの数を低減させることができる。
【００３３】
（実施例１）
まず、実施例１では、第１電位の第１ビアに近い位置に設けられる第２電位の第２ビアを特定し、特定した第２ビアよりも第１ビアに近い位置に設けられる第１電位の第３ビアを特定する。これにより、通過電流の帰還経路が同じとなりうる電源ビアが同一のグループとなるようにグループ化させることができる。したがって、通過電流の帰還経路が同じとなりうる電源ビア間の相互インダクタンスのみをモデル化することができる。したがって、モデル化される相互インダクタンスの数を抑えつつ、解析の精度を向上させることができる。
【００３４】
取得部５０１は、回路基板１０２に含まれる第１電位の第１ビア群と、回路基板１０２に含まれる第１電位と異なる第２電位の第２ビア群と、の各々の位置を示すビア情報１０１を取得する。各々の位置とは、座標原点に対するビアの中心座標である。取得部５０１は、例えば、予めディスク４０５などの記憶装置に記憶されたビア情報１０１を読み出すことにより取得してもよいし、入力装置４０７などを介して入力されたビア情報１０１を取得してもよいし、Ｉ／Ｆ４０６を介して他の装置から取得してもよい。例えば、第１電位が電源電位である場合に、第２電位がグラウンド電位である。また、例えば、第１電位がグラウンド電位である場合に、第２電位が電源電位である。図５の例では、電源ビアＶについては、識別情報をＶ−数字とし、ＧＮＤビアＧについては、識別情報をＧ−アルファベットとする。ここでは、理解の容易化のために、電源ビアＶとＧＮＤビアＧとのそれぞれの識別情報と、電源ビアＶとＧＮＤビアＧとのそれぞれの符号とは同一とする。また、上述したように、ビア情報１０１には、ビアの形状やビアの直径などのインダクタンスを算出するための情報が含まれていてもよい。
【００３５】
第１特定部５０２は、取得した位置情報に基づいて、第２ビア群のうち、第１ビア群に含まれる第１ビアとの間の距離が所定距離Ｓ１以内である第２ビアを特定する。第１特定部５０２は、第１ビアについては、第１ビア群から順に選択することとする。所定距離Ｓ１は、例えば、回路基板に含まれるノイズ波源となる半導体集積回路の端子間隔の５倍程度などとしてもよいし、利用者が任意に決定してもよい。また、所定距離Ｓ１は、例えば、ディスク４０５などの記憶装置に記憶されてあってもよいし、利用者によって入力装置４０７を介して入力されてもよい。また、第１特定部５０２は、第２ビア群のうち、第１ビアとの間の距離が所定距離Ｓ１以内である最も近い第２ビアを特定する。これにより、第１ビアの通過電流の帰還経路が特定される。
【００３６】
第２特定部５０３は、位置情報に基づいて、第１ビア群に含まれる第１ビア以外のビアのうち、第１ビアとの間の距離が、特定した第２ビアと第１ビアとの間の距離以内である第３ビアを特定する。
【００３７】
グループ生成部５０４は、第１ビアと、特定した第２ビアと、特定した第３ビアと、の関連付けを示す関連付け情報を生成する。本実施の形態では、具体的には、グループ生成部５０４は、第１ビアと特定した第３ビアとを同一のグループにグループ化し、第２ビアを当該グループのリファレンスビアとする。そして、関連付け情報をディスク４０５などの記憶装置に記憶させる。例えば、第１電位が電源電位であり、第２電位がＧＮＤ電位である場合においては、グループ生成部５０４は、関連付け情報として、例えば、以下の電源グループ配列にグループを追加する。
【００３８】
電源グループ配列＝グループを示す識別情報｛｛グループに含まれる電源ビアＶを示す識別情報｝，｛リファレンスビアであるＧＮＤビアＧを示す識別情報｝｝
【００３９】
また、例えば、第１電位が電源電位であり、第２電位がＧＮＤ電位である場合においては、グループ生成部５０４は、関連付け情報として、例えば、以下のＧＮＤグループ配列にグループを追加する。
【００４０】
ＧＮＤグループ配列＝グループを示す識別情報｛｛グループに含まれるＧＮＤビアＧを示す識別情報｝，｛リファレンスビアである電源ビアＶを示す識別情報｝｝，・・・
【００４１】
また、第３ビアが特定されなかった場合、グループ生成部５０４は、第１ビアと、第２ビアと、第３ビアとの関連付けを示す関連付け情報を生成する。第１電位が電源電位であり、第２電位がＧＮＤ電位である場合、グループ生成部５０４は、例えば、以下の電源配列に追加する。
【００４２】
電源配列＝｛電源ビアＶを示す識別情報，リファレンスビアであるＧＮＤビアＧを示す識別情報｝
【００４３】
また、第１電位がＧＮＤ電位であり、第２電位が電源電位である場合、グループ生成部５０４は、例えば、以下のＧＮＤ配列に追加する。
【００４４】
ＧＮＤ配列＝｛ＧＮＤビアＧを示す識別情報，リファレンスビアである電源ビアＶを示す識別情報｝
【００４５】
そして、算出部５０７は、生成した関連付け情報とビア情報１０１とに基づいて、第１ビアの自己インダクタンスと、第３ビアの自己インダクタンスと、第１ビアと第３ビアとの間の相互インダクタンスと、を算出する。つぎに、モデルデータ生成部５０８は、算出した各自己インダクタンスと、相互インダクタンスと、によって第１ビアと第３ビアとを示す情報を生成する。第１ビアと第３ビアとを示す情報とは、例えば、モデルデータ５１２である。モデルデータ５１２は、例えば、ＳＰＩＣＥなどによって利用可能な言語で記述される。
【００４６】
また、第１ビアは、第１ビア群に含まれる各ビアである。例えば、第１特定部５０２は、第１ビア群からビアを第１ビアとして順に選択する。そして、第１特定部５０２は、第１ビアの各々について、第２ビアを特定する。第２特定部５０３は、第１ビアの各々について、第３ビアを特定する。グループ生成部５０４は、第１ビアの各々について、関連付け情報を生成する。これにより、第１ビア群の各ビアに対してグループ化処理を行うことができる。
【００４７】
そして、算出部５０７は、第１ビア群のうちの算出の対象ビアと、第１ビア群のうちの第１関連ビアと、の各々についての自己インダクタンスと、各第１関連ビアと対象ビアとの各々の間の相互インダクタンスとを、算出する。各第１関連ビアは、第１ビア群のうち、対象ビアに関連付けられた各ビアである。算出部５０７は、当該相互インダクタンスを、生成した各関連付け情報とビア情報１０１と第２ビア群のうちの、対象ビアと検出した各第１関連ビアとのいずれかに関連付けられた各第２関連ビアとに基づいて、算出する。算出部５０７は、グループ内の各ビアとグループのリファレンスビアとに関する入力データ５１１を、インダクタンス行列を算出可能なアプリケーションに与えることにより、算出対象のグループ内のビアのインダクタンス行列を得る。このアプリケーションには、例えば、有限要素法や境界要素法のフィールドソルバが挙げられる。
【００４８】
そして、モデルデータ生成部５０８は、算出した各自己インダクタンスと、算出した各相互インダクタンスと、によって対象ビアおよび各第１関連ビアを示す情報を生成する。具体的には、例えば、モデルデータ生成部５０８は、対象ビアおよび各第１関連ビアを示すモデルデータ５１２のうち、インダクタンス成分に関する記述データを生成する。この記述例については、モデルデータ５１２として後述する。
【００４９】
また、算出部５０７は、各第１関連ビアが存在しなかった場合に、対象ビアに関連付けられた各第２関連ビアが存在した場合、対象ビアと第２関連ビアとの間の距離に基づいて対象ビアの実効インダクタンスを算出する。各第１関連ビアが存在しなかった場合とは、例えば、第１電位が電源電位であれば、電源グループ配列に対象ビアがない場合であり、第２電位がＧＮＤ電位であれば、ＧＮＤグループ配列に対象ビアがない場合である。第１電位が電源電位の場合を例に挙げると、いずれのグループにも属さない電源ビアＶについて、算出部５０７は、自己インダクタンスを算出する。例えば、算出対象のビアにリファレンスビアがある場合、算出部５０７は、以下式（３）〜（５）によって、自己インダクタンスを算出する。
【００５０】
【数１】
2015079345.tif 000003
【００５１】
【数２】
2015079345.tif 000004
【００５２】
Ｌeff＝Ｌs−Ｍ・・・（５）
【００５３】
ただし、ｌはビアの長さであり、ｒはビアの直径であり、ｓは電源ビアＶとＧＮＤビアＧとの距離である。ビアの長さやビアの直径については予めディスクなどの記憶装置に記憶されてあるか、利用者によって入力装置を介して入力されることとする。また、算出部５０７は、各第２関連ビアが存在しなかった場合、対象ビアの実効インダクタンスを算出する。具体的には、算出対象のビアにリファレンスビアがない場合、算出部５０７は、以下式（６）によって、自己インダクタンスを算出する。
【００５４】
Ｌeff＝Ｌs・・・（６）
【００５５】
モデルデータ生成部５０８は、算出した実効インダクタンスによって対象ビアを示す情報を生成する。
【００５６】
以上を踏まえて、解析支援装置１００が第１特定部５０２からグループ生成部５０４までにより電源ビアＶとＧＮＤビアＧとの各々をグループ化する具体的な処理を図６〜８を用いて詳細に説明する。
【００５７】
図６は、電源ビアのグループ化例を示す説明図（その１）である。図６の例では、回路基板１０２に含まれるビア層には電源ビアＶ−１から電源ビアＶ−４と、ＧＮＤビアＧ−ａからＧＮＤビアＧ−ｃと、が設けられる。まず、解析支援装置１００は、第１ビアとして、電源ビアＶ−１を選択する。つぎに、図６（１）解析支援装置１００は、電源ビアＶ−１との間の距離が所定距離Ｓ１以内である最も近い第２ビアを特定する。図６の例では、電源ビアＶ−１との間の距離が所定距離Ｓ１以内であるＧＮＤビアＧは、ＧＮＤビアＧ−ａとＧＮＤビアＧ−ｂとＧＮＤビアＧ−ｃとがあり、解析支援装置１００は、第２ビアとして、ＧＮＤビアＧ−ａを特定する。
【００５８】
つぎに、図６（２）解析支援装置１００は、電源ビアＶ−１の位置と特定したＧＮＤビアＧ−ａの位置との距離Ｓ２を算出する。そして、図６（３）解析支援装置１００は、電源ビアＶ−１との間の距離が、算出した距離Ｓ２以内である第３ビアを特定する。図６の例では、解析支援装置１００は、第３ビアとして、電源ビアＶ−２を特定する。また、図６の例では、第３ビアは一つであるが、電源ビアＶ−１との間の距離が算出した距離Ｓ２以内である第３ビアが複数あれば、複数特定してもよい。解析支援装置１００は、電源グループ配列に基づいて、電源ビアＶ−１と電源ビアＶ−２とはそれぞれいずれかのグループに属しているか否かを判断する。ここでは、電源ビアＶ−１と電源ビアＶ−２とはいずれもグループに属していないため、解析支援装置１００は、あらたにグループを示す識別情報を生成する。そして、解析支援装置１００は、電源グループ配列にあらたにグループを追加する。これにより、電源グループ配列は以下のようになる。ここでは、ビアを示す識別情報として、各ビアの符号を利用する。
【００５９】
電源グループ配列＝ＧＶ１｛｛Ｖ−１，Ｖ−２｝，｛Ｇ−ａ｝｝
【００６０】
つぎに、図６（４）解析支援装置１００は、電源ビアＶの中から、第１ビアとして、電源ビアＶ−１を選択する。図６（４）以降は、解析支援装置１００による処理を簡略化して説明する。図６（４）解析支援装置１００は、ＧＮＤビアＧのうち、電源ビアＶ−２との間の距離が所定距離Ｓ１以内である最も近いＧＮＤビアＧ−ｂを特定する。そして、図６（４）解析支援装置１００は、電源ビアＶ−２との間の距離が、電源ビアＶ−２とＧＮＤビアＧ−ｂとの間の距離Ｓ３以内である電源ビアＶがないと特定する。解析支援装置１００は、電源グループ配列に基づいて、電源ビアＶ−２がいずれかのグループに属しているかを判断する。解析支援装置１００は、電源ビアＶ−２はグループＧＶ１に属しているため、グループＧＶ１のリファレンスビアに新たにＧＮＤビアＧ−ｂを追加する。これにより、上述した電源グループ配列は以下のようになる。
【００６１】
電源グループ配列＝ＧＶ１｛｛Ｖ−１，Ｖ−２｝，｛Ｇ−ａ，Ｇ−ｂ｝｝
【００６２】
図７は、電源ビアのグループ化例を示す説明図（その２）である。つぎに、図７（５）解析支援装置１００は、電源ビアＶの中から、第１ビアとして、電源ビアＶ−３を選択する。そして、図７（５）解析支援装置１００は、ＧＮＤビアＧ−ａ以外のＧＮＤビアＧの中から、電源ビアＶ−３との間の距離が所定距離Ｓ１以内である最も近いＧＮＤビアＧ−ａを特定する。そして、図７（５）解析支援装置１００は、電源ビアＶの中から、電源ビアＶ−３との間の距離が、電源ビアＶ−３とＧＮＤビアＧ−ａとの間の距離Ｓ４以内の位置に設けられる電源ビアＶ−１および電源ビアＶ−２とを特定する。解析支援装置１００は、電源グループ配列に基づいて、電源ビアＶ−１と電源ビアＶ−２と電源ビアＶ−３とがいずれかのグループに属しているか否かを判断する。ここでは、電源ビアＶ−１と電源ビアＶ−２とがグループＧＶ１に属している。そのため、解析支援装置１００は、電源ビアＶ−３を新たにグループＧＶ１に含める。これにより、上述した電源グループ配列は以下のようになる。
【００６３】
電源グループ配列＝ＧＶ１｛｛Ｖ−１，Ｖ−２，Ｖ−３｝，｛Ｇ−ａ，Ｇ−ｂ｝｝
【００６４】
つぎに、図７（６）解析支援装置１００は、電源ビアＶの中から、第１ビアとして、電源ビアＶ−４を選択する。そして、図７（６）解析支援装置１００は、電源ビアＶ−４との間の距離が所定距離Ｓ１以内である最も近いＧＮＤビアＧ−ｃを特定する。そして、図７（６）解析支援装置１００は、電源ビアＶ−４以外の電源ビアＶの中から、電源ビアＶ−４とＧＮＤビアＧ−ｃとの間の距離Ｓ５に電源ビアＶはないと特定する。解析支援装置１００は、電源グループ配列に基づいて、電源ビアＶ−４がいずれかのグループに属しているかを判断する。解析支援装置１００は、電源ビアＶ−４はいずれのグループにも属していないと判断する。そして、解析支援装置１００は、ＧＮＤビアＧ−ｃと電源ビアＶ−４とを関連付けて出力する。例えば、解析支援装置１００は、以下のように関連付ける。
【００６５】
電源配列＝｛Ｖ−４，Ｇ−ｃ｝
【００６６】
つぎに、図７（７）解析支援装置１００は、グループＧＶ１に含まれる電源ビアＶについて、フィールドソルバを用いて、インダクタンス行列を算出する。具体的には、解析支援装置１００は、電源ビアＶ−１と電源ビアＶ−２と電源ビアＶ−３とをそれぞれ中実円形の導体とし、ＧＮＤビアＧ−ａとＧＮＢビアＧ−ｂとをそれぞれ中実円形のリファレンス導体とする。そして、解析支援装置１００は、図７に示す各ビアの形状が深さ方向に無限に続くと仮定して、フィールドソルバを用いて算出する。より具体的な例は、後述する。
【００６７】
そして、図７（８）解析支援装置１００は、いずれのグループにも属さない電源ビアＶ−４について、直径と第３距離Ｓ５から、上述した式（３）〜（５）により電源ビアＶ−４の自己インダクタンスを算出する。
【００６８】
図８は、ＧＮＤビアのグループ化例を示す説明図である。図８に示すグループ化例では、第１電位がＧＮＤビアであり、第２電位が電源ビアの例であり、図８に示すグループ化例は、図６や図７に示したグループ化例とはグループ化の対象となるビア群が異なるだけである。そのため、解析支援装置１００による処理を簡略化して説明する。まず、図８（１）解析支援装置１００は、第１ビアとして、ＧＮＤビアＧ−ａを選択する。図８（１）解析支援装置１００は、ＧＮＤビアＧ−ａからの所定距離Ｓ１以内の位置に設けられる電源ビアＶのうち、ＧＮＤビアＧ−ａに最も近い位置に設けられる電源ビアＶ−１を特定する。そして、図８（１）解析支援装置１００は、ＧＮＤビアＧ−ａ以外のＧＮＤビアＧのうち、ＧＮＤビアＧ−ａと電源ビアＶ−１との第３距離Ｓ６以内の位置に設けられるＧＮＤビアＧ−ｃを特定する。そして、解析支援装置１００は、ＧＮＤグループ配列に基づいて、ＧＮＤビアＧ−ａとＧＮＤビアＧ−ｃとがそれぞれいずれかのグループに属しているか否かを判断する。ここでは、ＧＮＤビアＧ−ａとＧＮＤビアＧ−ｃとはいずれのグループにも属していないため、解析支援装置１００は、あらたにグループを示す識別情報を生成する。そして、解析支援装置１００は、ＧＮＤグループ配列に新たにグループを追加する。これにより、ＧＮＤグループ配列は以下のようになる。
【００６９】
ＧＮＤグループ配列＝ＧＧ１｛｛Ｇ−ａ，Ｇ−ｃ｝，｛Ｖ−１｝｝
【００７０】
つぎに、図８（２）解析支援装置１００は、第１ビアとして、ＧＮＤビアＧ−ｂを選択する。図８（２）解析支援装置１００は、ＧＮＤビアＧ−ｂとの間の距離が第１所定距離Ｓ１以内である最も近い電源ビアＶ−２を特定する。そして、図８（２）解析支援装置１００は、ＧＮＤビアＧ−ｂ以外のＧＮＤビアＧのうち、ＧＮＤビアＧ−ｂとの間の距離が、ＧＮＤビアＧ−ｂと電源ビアＶ−２との第３距離Ｓ７以内であるＧＮＤビアＧはないと特定する。解析支援装置１００は、ＧＮＤグループ配列に基づいて、ＧＮＤビアＧ−ｂがいずれかのグループに属しているかを判断する。解析支援装置１００は、ＧＮＤビアＧ−ｂはいずれのグループにも属していないと判断する。そして、解析支援装置１００は、ＧＮＤビアＧ−ｂと電源ビアＶ−２とを関連付けて出力する。例えば、解析支援装置１００は、以下のように関連付ける。
【００７１】
ＧＮＤ配列＝｛Ｇ−ｂ，Ｖ−２｝
【００７２】
つぎに、図８（３）解析支援装置１００は、第１ビアとして、ＧＮＤビアＧ−ｃを選択する。図８（３）解析支援装置１００は、ＧＮＤビアＧ−ｃからの第１所定距離Ｓ１以内の位置に設けられる電源ビアＶのうち、ＧＮＤビアＧ−ｃに最も近い位置に設けられる電源ビアＶ−４を特定する。そして、図８（３）解析支援装置１００は、ＧＮＤビアＧ−ｃ以外のＧＮＤビアＧのうち、ＧＮＤビアＧ−ｃと電源ビアＶ−４との第３距離Ｓ８以内の位置に設けられるＧＮＤビアＧ−ａを特定する。そして、解析支援装置１００は、ＧＮＤグループ配列に基づいて、ＧＮＤビアＧ−ａとＧＮＤビアＧ−ｃとがそれぞれいずれかのグループに属しているか否かを判断する。ここでは、ＧＮＤビアＧ−ａとＧＮＤビアＧ−ｃとはいずれもグループＧＧ１に属しているため、解析支援装置１００は、グループＧＧ１のリファレンスビアに、あらたに電源ビアＶ−４を追加する。これにより、ＧＮＤグループ配列は以下のようになる。
【００７３】
ＧＮＤグループ配列＝ＧＧ１｛｛Ｇ−ａ，Ｇ−ｃ｝，｛Ｖ−１，Ｖ−４｝｝
【００７４】
つぎに、図８（４）解析支援装置１００は、グループＧＧ１に含まれるＧＮＤビアＧについて、フィールドソルバを用いて、インダクタンス行列を算出する。具体的には、解析支援装置１００は、ＧＮＤビアＧ−ａとＧＮＤビアＧ−ｃとをそれぞれ中実円形の導体とし、電源ビアＶ−１と電源ビアＶ−４とをそれぞれ中実円形のリファレンス導体とする。そして、解析支援装置１００は、各ビアの形状が深さ方向に無限に続くと仮定して、フィールドソルバにより算出する。
【００７５】
そして、図８（５）解析支援装置１００は、いずれのグループにも属さないＧＮＤビアＧ−ｂについて、ビアの直径と第３距離Ｓ９から、上述した式（３）〜（５）によりＧＮＤビアＧ−ｂの自己インダクタンスを算出する。
【００７６】
つぎに、インダクタンス行列の算出例とインダクタンス行列の詳細例について説明する。
【００７７】
図９は、入力データ例を示す説明図である。入力データ５１１は、フィールドソルバを用いて各グループに属するビアのインダクタンスマトリクスを求める場合にフィールドソルバに与える情報例である。入力データ５１１には、比誘電率と、各導体の形状と、各導体の中心座標と、各導体の直径と、各導体の種別と、のフィールドを有する。図９では、グループＧＶ１を例に挙げる。
【００７８】
比誘電率のフィールドには、導体周囲をとりまく誘電体の比誘電率が設定される。比誘電率は、例えば、回路基板１０２に応じて定まる値であり、利用者などによって予め設定されておくこととする。例えば、比誘電率は４．７である。また、各導体の形状のフィールドには、各ビアの形状が設定される。図９の例ではビアの形状は円形である。各導体の中心座標のフィールドには、座標原点に対する各ビアの中心座標が設定される。例えば、電源ビアＶ−１の位置は（ｘ１，ｙ１）である。
【００７９】
各導体の直径のフィールドには、ビアのそれぞれの外径が設定される。例えば、電源ビアＶ−１の外径はｒ１である。各導体の種別のフィールドには、インダクタンス行列を求める算出対象の導体と、リファレンス導体と、のいずれであるかがビアのそれぞれについて設定される。ここでは、グループＧＶ１を例にしているため、電源ビアＶ−１と電源ビアＶ−２と電源ビアＶ−３とが算出対象の導体であり、ＧＮＤビアＧ−ａとＧＮＤビアＧ−ｂとがリファレンス導体である。
【００８０】
図１０は、グループに含まれる電源ビアのインダクタンス行列例を示す説明図である。例えば、Ｌ１１とＬ２２とＬ３３とはそれぞれ電源ビアＶ−１の自己インダクタンスと電源ビアＶ−２の自己インダクタンスと電源ビアＶ−３の自己インダクタンスとである。例えばＬ１２とＬ２１とは電源ビアＶ−１と電源ビアＶ−２との相互インダクタンスである。例えばＬ１３とＬ３１とは電源ビアＶ−１と電源ビアＶ−３との相互インダクタンスである。例えばＬ２３とＬ３２とは電源ビアＶ−２と電源ビアＶ−３との相互インダクタンスである。
【００８１】
図１１は、モデル化例を示す説明図である。図１１（ａ）には、モデルデータ５１２の一例を示す。図１１（ｂ）には、２つの電源層の各配線間を接続する電源ビアＶ−１と電源ビアＶ−２と電源ビアＶ−３との物理的なイメージ例を示す。また、図１１（ｃ）には、電源ビアＶ−１と電源ビアＶ−２と電源ビアＶ−３とをモデル化したイメージ例を示す。
【００８２】
図１１（ｃ）において、点線部分は電源層プレーンのモデルを示し、Ｎ１とＮ２とＮ３とＭ１とＭ２とＭ３とは電源モデルのプレーンとビアモデルとの接続ノードである。そのため、（ａ）では、自己インダクタンスＬ１１は接続ノードＮ１と接続ノードＭ１とを接続することを示す。自己インダクタンスＬ２２は接続ノードＮ２と接続ノードＭ２とを接続することを示し、自己インダクタンスＬ３３は接続ノードＮ３と接続ノードＭ３とを接続することを示す。
【００８３】
また、図１１（ｃ）において、自己インダクタンスＬ１１と自己インダクタンスＬ２２との間には相互インダクタンスＫ１２がある。図１１（ｃ）において、自己インダクタンスＬ１１と自己インダクタンスＬ３３との間を相互インダクタンスＫ１３が接続する。図１１（ｃ）において、自己インダクタンスＬ２２と自己インダクタンスＬ３３との間を相互インダクタンスＫ２３が接続する。そのため、図１１（ａ）では、相互インダクタンスＫ１２は、自己インダクタンスＬ１１と自己インダクタンスＬ２２とを接続することを示す。図１１（ａ）では、相互インダクタンスＫ１３は、自己インダクタンスＬ１１と自己インダクタンスＬ３３とを接続することを示す。図１１（ａ）では、相互インダクタンスＫ２３は、自己インダクタンスＬ２２と自己インダクタンスＬ３３とを接続することを示す。
【００８４】
図１２は、グループ化結果例を示す説明図である。図１２の上側は、回路基板１０２を上から見た例であり、図１２の上側では、電源ビアＶがグループＧＶ１とグループＧＶ２とにグループ化されてある。例えば、図１２の下側では、グループ化された電源ビアＶと、グループ化された電源ビアＶのリファレンスビアとが抜き出された例である。
【００８５】
（実施例１にかかる解析支援装置１００による解析支援処理手順例）
図１３は、実施例１にかかる解析支援装置による解析支援処理手順例を示すフローチャートである。図１３の例では、電源ビア群をグループ化の対象とし、ＧＮＤビア群をリファレンスビアとする例である。そのため、ＧＮＤビア群をグループ化の対象とし、電源ビア群をリファレンスビアとする場合、各手順における電源ビアＶとＧＮＤビアＧとを置き換えればよい。まず、解析支援装置１００は、ビアのグループ化処理を行う（ステップＳ１３０１）。解析支援装置１００は、未対象のグループがあるか否かを判断する（ステップＳ１３０２）。例えば、解析支援装置１００は、上述した電源グループ配列などのうち、未選択のグループがあるか否かを判断する。未対象のグループがあると判断された場合（ステップＳ１３０２：Ｙｅｓ）、解析支援装置１００は、未対象のグループのうちいずれか一つを計算対象のグループに選択する（ステップＳ１３０３）。
【００８６】
つぎに、解析支援装置１００は、選択したグループについての入力データ５１１をフィールドソルバに与えて選択したグループに含まれる電源ビアＶのインダクタンス行列を算出する（ステップＳ１３０４）。解析支援装置１００は、算出したインダクタンス行列によってグループに含まれる電源ビアＶを示す解析用のモデルデータ５１２を生成し（ステップＳ１３０５）、ステップＳ１３０２へ戻る。
【００８７】
未対象のグループがないと判断された場合（ステップＳ１３０２：Ｎｏ）、解析支援装置１００は、グループに属さなかった電源ビアＶのうち、未選択のビアがあるか否かを判断する（ステップＳ１３０６）。未選択のビアがあると判断された場合（ステップＳ１３０６：Ｙｅｓ）、解析支援装置１００は、未選択のビアから１つのビアを選択する（ステップＳ１３０７）。つぎに、解析支援装置１００は、選択したビアにリファレンスビアがあるか否かに応じて計算式により実効インダクタンスを算出する（ステップＳ１３０８）。ここでの計算式とは、上述した式（３）〜（６）である。そして、解析支援装置１００は、算出した実効インダクタンスによって選択した電源ビアＶを示す解析用のモデルデータ５１２を生成し（ステップＳ１３０９）、ステップＳ１３０６へ戻る。未選択のビアがないと判断された場合（ステップＳ１３０６：Ｎｏ）、解析支援装置１００は、一連の処理を終了する。
【００８８】
図１４および図１５は、グループ化処理手順例を示すフローチャートである。解析支援装置１００は、電源ビア群とＧＮＤビア群との各々について位置を示すビア情報１０１を取得する（ステップＳ１４０１）。解析支援装置１００は、電源ビア群のうち、未選択のビアがあるか否かを判断する（ステップＳ１４０２）。未選択のビアがある場合（ステップＳ１４０２：Ｙｅｓ）、解析支援装置１００は、電源ビア群の中で未選択のビアから１つのビア（第１ビア）を選択する（ステップＳ１４０３）。
【００８９】
解析支援装置１００は、ＧＮＤビア群のうち、第１ビアとの間の距離が所定距離Ｓ１以内の最も近い第２ビアを特定する（ステップＳ１４０４）。解析支援装置１００は、第２ビアがあるか否かを判断する（ステップＳ１４０５）。第２ビアがないと判断された場合（ステップＳ１４０５：Ｎｏ）、ステップＳ１４０２へ戻る。第２ビアがあると判断された場合（ステップＳ１４０５：Ｙｅｓ）、解析支援装置１００は、第１ビアと第２ビアとの間の距離を算出する（ステップＳ１４０６）。解析支援装置１００は、電源ビア群のうち第１ビア以外のビアの中で、未選択なビアがあるか否かを判断する（ステップＳ１５０１）。
【００９０】
未選択なビアがあると判断された場合（ステップＳ１５０１：Ｙｅｓ）、解析支援装置１００は、未選択なビアから一つのビアを選択する（ステップＳ１５０２）。解析支援装置１００は、第１ビアと選択したビアとの間の距離が算出した距離以内であるか否かを判断する（ステップＳ１５０３）。第１ビアと選択したビアとの間の距離が算出した距離以内でないと判断された場合（ステップＳ１５０３：Ｎｏ）、解析支援装置１００は、ステップＳ１５０１へ戻る。第１ビアと選択したビアとの間の距離が算出した距離以内であると判断された場合（ステップＳ１５０３：Ｙｅｓ）、解析支援装置１００は、第１ビアと選択したビア（第３ビア）との両方がすでにグループに属しているか否かを判断する（ステップＳ１５０４）。例えば、解析支援装置１００は、第１ビアの識別情報と第３ビアの識別情報に基づいて電源グループ配列が示す各グループのいずれかに各ビアが含まれるか否かを判断する。
【００９１】
両方がすでにグループに属していると判断された場合（ステップＳ１５０４：Ｙｅｓ）、解析支援装置１００は、第１ビアと第３ビアとを同一のグループに併合する（ステップＳ１５０５）。より具体的には、解析支援装置１００は、第１ビアが属するグループと第３ビアが属するグループとを同一のグループにする。つぎに、解析支援装置１００は、併合後のグループのリファレンスビアに第２ビアを追加し（ステップＳ１５０６）、ステップＳ１５０１へ戻る。少なくともいずれかがグループに属していないと判断された場合（ステップＳ１５０４：Ｎｏ）、解析支援装置１００は、いずれか一方のビアがグループに属しているか否かを判断する（ステップＳ１５０７）。いずれか一方のビアがグループに属していると判断された場合（ステップＳ１５０７：Ｙｅｓ）、解析支援装置１００は、一方のビアが属するグループに他方のビアを追加する（ステップＳ１５０８）。そして、解析支援装置１００は、追加後のグループのリファレンスビアに第２ビアを追加し（ステップＳ１５０９）、ステップＳ１５０１へ戻る。また、ステップには記述していないが、例えば、ステップＳ１５０８に記載の他方のビアについてすでにリファレンスビアが特定されてある場合、追加後のグループのリファレンスビアに他方のビアのリファレンスビアも追加する。
【００９２】
いずれのビアもグループに属していないと判断された場合（ステップＳ１５０７：Ｎｏ）、解析支援装置１００は、新たなグループを作成し、第１ビアと第３ビアを追加する（ステップＳ１５１０）。そして、解析支援装置１００は、グループのリファレンスビアに第２ビアを追加し（ステップＳ１５１１）、ステップＳ１５０１へ戻る。また、ステップには記述していないが、例えば、第３ビアについてすでにリファレンスビアが特定されてある場合、追加後のグループのリファレンスビアに第３ビアのリファレンスビアも追加する。
【００９３】
未選択なビアがないと判断された場合（ステップＳ１５０１：Ｎｏ）、解析支援装置１００は、第３ビアがあるか否かを判断する（ステップＳ１５１２）。第３ビアがないと判断された場合（ステップＳ１５１２：Ｎｏ）、解析支援装置１００は、第１ビアのリファレンスビアを第２ビアとして出力し（ステップＳ１５１３）、ステップＳ１４０２へ戻る。また、第３ビアがあると判断された場合（ステップＳ１５１２：Ｙｅｓ）、解析支援装置１００は、ステップＳ１４０２へ戻る。
【００９４】
ステップＳ１４０２において、未選択のビアがないと判断された場合（ステップＳ１４０２：Ｎｏ）、解析支援装置１００は、一連の処理を終了する。
【００９５】
（実施例２）
ノイズ波源から見た基板特性は途中のバイパスコンデンサまでのインダクタンス成分が支配的となり、ノイズ波源から遠いビアに関しては相互インダクタンスでモデル化しなくとも、ノイズの解析の精度に与える影響が小さい。そこで、実施例２では、ノイズ波源から遠くに設けられたグループ内のビアを１つｎインダクタンスとみなすことにより、モデルの要素数を低減させることができる。また、実施例２では、実施例１と異なる処理について説明し、同一処理についての詳細な説明を省略する。
【００９６】
取得部５０１は、回路基板１０２に含まれるノイズ波源について位置を示す波源位置情報５１０を取得する。判断部５０５は、生成した関連付け情報とビア情報１０１と波源位置情報５１０とに基づいて、対象ビアと各第１関連ビアとの各々と、ノイズ波源と、の間の距離の少なくともいずれかが第２所定距離以内であるか否かを判断する。ノイズ波源は、例えば、回路基板１０２に含まれる半導体集積回路などの部品である。
【００９７】
図１６は、ノイズ波源を含む回路基板の断面例を示す説明図である。図１６の例は、回路基板１０２に含まれる各層を簡略化して示す。回路基板１０２の例では、半導体集積回路１６０１であるノイズ波源が表面層に設けられ、バイパスコンデンサ１６０３が裏面層に設けられ、電源１６０２が表面層に設けられてある。
【００９８】
対象ビアと各第１関連ビアとの各々と、ノイズ波源と、の間の距離とは、半導体集積回路を例に挙げると、各ビアと、半導体集積回路の端子を囲んだ領域と、の間の距離である。第２所定距離Ｔは、ディスク４０５などの記憶装置に予め記憶されてあってもよいし、入力装置４０７を介して利用者によって入力されてもよい。例えば、多層基板ではバイパスコンデンサを半導体集積回路から５［ｍｍ］程度の範囲内で配置する場合、第２所定距離Ｔは、その３倍程度として１５［ｍｍ］としてもよい。第２所定距離Ｔは、例えば、バイパスコンデンサ配置に基づいて、利用者により定められてもよい。
【００９９】
図１６の例では、グループＧＶ１に属する電源ビアＶと半導体集積回路１６０１との間の距離が第２所定距離Ｔ以内であり、グループＧＶ２に属する電源ビアＶと半導体集積回路１６０１との間の距離が第２所定距離Ｔ以内でない。
【０１００】
また、判断部５０５によっていずれのビアも第２所定距離Ｔ以内でないと判断された場合、算出部５０７は、グループに含まれるビアのインダクタンス行列を算出する処理を行わない。判断部５０５によっていずれかのビアが第２所定距離Ｔ以内であると判断された場合、算出部５０７は、上述したグループに含まれるビアのインダクタンス行列を算出する処理を行う。
【０１０１】
また、第３特定部５０６は、取得したビア情報１０１に基づいて、対象ビアと各第１関連ビアとの各々について、第２ビア群のうち最も近いビアを特定する。そして、算出部５０７は、対象ビアおよび各第１関連ビアと特定したビアとの間の距離に基づいて、対象ビアおよび各第１関連ビアの各々の実効インダクタンスを算出する。
【０１０２】
そして、モデルデータ生成部５０８は、算出した各実効インダクタンスのうち最も小さい実効インダクタンスによって、対象ビアと各第１関連ビアを示す情報を生成する。これにより、複数のビアの外側を巻く磁界が支配的となるため、１つのビアの実効インダクタンスによって近似することができる。また、相互インダクタンスによってモデル化せずに、実効インダクタンスをビアの数分並列にモデル化すると、実際よりインダクタンスが小さくなる。そのため、１つのビアの実効インダクタンスだけをモデル化することにより、より解析の精度を向上させることができる。生成される情報は、対象ビアと各第１関連ビアを示すモデルデータ５１２のうちの実効インダクタンスに関する記述データである。生成結果は、ディスク４０５などの記憶装置に記憶される。
【０１０３】
また、ノイズ波源の近くに設けられる電源ビアＶが５０個であり、ノイズ波源の近くに設けられるＧＮＤビアＧが５０個である場合を例に挙げる。実施例２にかかる発明では、ビアを５個ずつ２０のインダクタンス行列が算出されると、ビア部分についてのモデルデータに定義されたインダクタンスを要素とした要素数は３００である。これに対して、ビア間のすべてを１つのインダクタンス行列とした場合に、ビア部分についてのモデルデータに定義されたインダクタンスを要素とした要素数は５０５０であり、解析時間については実施例２に係る発明における解析時間に対して２８２倍となる。
【０１０４】
（実施例２にかかる解析支援装置１００による解析支援処理手順例）
図１７は、実施例２にかかる解析支援装置による解析支援処理手順例を示すフローチャートである。図１７の例では、図１３の例と同様に電源ビア群をグループ化の対象とし、ＧＮＤビア群をリファレンスビアとする例である。そのため、ＧＮＤビア群をグループ化の対象とし、電源ビア群をリファレンスビアとする場合、各手順における電源ビアＶとＧＮＤビアＧとを置き換えればよい。まず、解析支援装置１００は、ビアのグループ化処理を行う（ステップＳ１７０１）。ここでのグループ化処理の詳細な処理手順については、図１４および図１５に詳細を示したグループ化処理手順と同じである。
【０１０５】
つぎに、解析支援装置１００は、ノイズ波源についての波源位置情報５１０を取得する（ステップＳ１７０２）。解析支援装置１００は、未対象のグループがあるか否かを判断する（ステップＳ１７０３）。未対象のグループがあると判断された場合（ステップＳ１７０３：Ｙｅｓ）、解析支援装置１００は、未対象のグループのうちいずれか一つを計算対象のグループに選択する（ステップＳ１７０４）。解析支援装置１００は、選択したグループに含まれる電源ビアＶの各々と、ノイズ波源と、の間の距離を算出する（ステップＳ１７０５）。
【０１０６】
解析支援装置１００は、少なくともいずれかの距離が第２所定距離Ｔ以内であるか否かを判断する（ステップＳ１７０６）。第２所定距離Ｔ以内である場合（ステップＳ１７０６：Ｙｅｓ）、解析支援装置１００は、実施例１と同様に、選択したグループについての入力データ５１１をフィールドソルバに与えて選択したグループに含まれる電源ビアＶのインダクタンス行列を算出する（ステップＳ１７０７）。そして、解析支援装置１００は、算出したインダクタンス行列によって解析用のモデルデータ５１２を生成し（ステップＳ１７０８）、ステップＳ１７０３へ戻る。第２所定距離Ｔ以内でない場合（ステップＳ１７０６：Ｎｏ）、解析支援装置１００は、モデルデータ生成処理を行い（ステップＳ１７０９）、ステップＳ１７０３へ戻る。
【０１０７】
また、未対象のグループがないと判断された場合（ステップＳ１７０３：Ｎｏ）、解析支援装置１００は、ステップＳ１７１０へ移行する。ステップＳ１７１０〜Ｓ１７１３とは、それぞれステップＳ１３０６〜Ｓ１３０９と同一処理であるため、詳細な説明を省略する。
【０１０８】
図１８は、モデルデータ生成処理手順例を示すフローチャートである。まず、解析支援装置１００は、グループ内のビアの電源ネットが複数であるか否かを判断する（ステップＳ１８０１）。電源ネットが複数であるとは、電源電圧が複数あることを示す。電源ネットが複数であると判断された場合（ステップＳ１８０１：Ｙｅｓ）、解析支援装置１００は、電源ネットごとにグループを分割し（ステップＳ１８０２）、ステップＳ１８０３へ移行する。
【０１０９】
グループ内のビアの電源ネットが複数でないと判断された場合（ステップＳ１８０１：Ｎｏ）、解析支援装置１００は、グループ内のビアのうち、未選択なビアがあるか否かを判断する（ステップＳ１８０３）。未選択なビアがあると判断された場合（ステップＳ１８０３：Ｙｅｓ）、解析支援装置１００は、未選択なビアから１つのビアを選択する（ステップＳ１８０４）。解析支援装置１００は、選択したビアから最も近いＧＮＤビアＧを特定する（ステップＳ１８０５）。そして、解析支援装置１００は、選択したビアと特定したビアとの間の距離を算出する（ステップＳ１８０６）。解析支援装置１００は、算出した距離に基づいて計算式により選択したビアの実行インダクタンスを算出し（ステップＳ１８０７）、ステップＳ１８０３へ戻る。ここでの計算式は上述した式（３）〜（５）である。
【０１１０】
未選択なビアがないと判断された場合（ステップＳ１８０３：Ｎｏ）、解析支援装置１００は、最も小さい実効インダクタンスによってグループ内の各ビアを示すモデルデータ５１２を生成し（ステップＳ１８０８）、一連の処理を終了する。
【０１１１】
以上説明したように、解析支援装置１００が、第１電位の第１ビアに近い位置に設けられる第２電位の第２ビアを特定し、特定した第２ビアよりも第１ビアに近い位置に設けられる第１電位の第３ビアを特定する。これにより、通過電流の帰還経路が同じとなりうるビアを同一のグループとなるようにグループ化することができる。そのため、通過電流の帰還経路が同じとなりうるビア間の相互インダクタンスのみをモデル化することができる。これにより、モデル化される相互インダクタンスの数を抑えつつ、解析の精度の向上を図ることができる。また、すべてのビア間の相互インダクタンスをモデル化する場合よりも相互インダクタンスの数が少なくなるため、解析時間の短縮化を図ることができる。
【０１１２】
また、解析支援装置１００が、第２電位のビア群のうち、第１ビアとの距離が所定距離以内である最も近い第２ビアを特定する。これにより、通過電流の帰還経路となる可能性が最も高いビアを特定することができる。
【０１１３】
また、解析支援装置１００が、第１電位のビア群に含まれる第１ビア以外のビアのうち、第１ビアとの間の距離が第２ビアと第１ビアとの間の距離以内である各第３ビアを特定する。これにより、第１ビアと同様に第２ビアを帰還経路とするすべての第３ビアを特定することができる。
【０１１４】
また、解析支援装置１００が、第１ビアと第３ビアとのインダクタンス行列を算出し、インダクタンス行列によってモデルデータを生成する。これにより、通過電流の帰還経路が同じとなりうるビア間の相互インダクタンスをモデル化したモデルデータを得られる。
【０１１５】
また、解析支援装置１００が、ノイズ波源からの距離が遠いグループについてはグループ内の最も小さい実効インダクタンスによってモデルデータを生成する。これにより、インダクタンスの数を抑えることができる。
【０１１６】
また、解析支援装置１００が、第３ビアがない場合、第１ビアと第２ビアとの関連付けを示す関連付け情報を生成する。関連付け情報によれば、帰還経路が同一の第３ビアがないと判別できる。
【０１１７】
また、解析支援装置１００が、第１電位のビア群の各々を第１ビアとし、第１ビアの各々について、第２ビアと第３ビアとを特定する。これにより、帰還経路が同一となるビア同士を同一のグループにグループ化させることができる。
【０１１８】
また、解析支援装置１００が、グループに含まれる第１電位の各ビアのインダクタンス行列を算出し、算出したインダクタンス行列によってモデルデータを生成する。これにより、通過電流の帰還経路が同じとなりうるビア間の相互インダクタンスをモデル化したモデルデータを得られる。
【０１１９】
また、解析支援装置１００が、いずれのグループにも属さない第１電位のビアについて、実効インダクタンスを算出する。これにより、帰還経路が同一のビアがないビアについてのインダクタンスをモデル化させることができる。
【０１２０】
また、第１電位が電源電位である場合、第２電位がグラウンド電位である。また、第１電位がグラウンド電位である場合、第２電位が電源電位である。
【０１２１】
なお、本実施の形態で説明した解析支援方法は、予め用意された解析支援プログラムをパーソナル・コンピュータやワークステーション等のコンピュータで実行することにより実現することができる。本解析支援プログラムは、磁気ディスク、光ディスク、ＵＳＢ（Ｕｎｉｖｅｒｓａｌ  Ｓｅｒｉａｌ  Ｂｕｓ）フラッシュメモリなどのコンピュータで読み取り可能な記録媒体に記録され、コンピュータによって記録媒体から読み出されることによって実行される。また、解析支援プログラムは、インターネット等のネットワークＮＥＴを介して配布してもよい。
【０１２２】
上述した各実施例に関し、さらに以下の付記を開示する。
【０１２３】
（付記１）コンピュータに、
回路基板に含まれる第１電位の第１ビア群と、前記回路基板に含まれる前記第１電位と異なる第２電位の第２ビア群と、の各々の位置を示すビア情報を取得し、
取得した前記ビア情報に基づいて、前記第２ビア群のうち、前記第１ビア群に含まれる第１ビアとの間の距離が所定距離以内である第２ビアを特定し、
前記ビア情報に基づいて、前記第１ビア群に含まれる前記第１ビア以外のビアのうち、前記第１ビアとの間の距離が、特定した前記第２ビアと前記第１ビアとの間の距離以内である第３ビアを特定し、
前記第１ビアと、特定した前記第２ビアと、特定した前記第３ビアと、の関連付けを示す関連付け情報を生成する、
処理を実行させることを特徴とする解析支援プログラム。
【０１２４】
（付記２）前記第２ビアを特定する処理では、前記第２ビア群のうち、前記第１ビアとの距離が前記所定距離以内である最も近い第２ビアを特定することを特徴とする付記１に記載の解析支援プログラム。
【０１２５】
（付記３）前記第３ビアを特定する処理では、前記第１ビア群に含まれる前記第１ビア以外のビアのうち、前記第１ビアとの間の距離が、特定した前記第２ビアと前記第１ビアとの間の距離以内である各第３ビアを特定することを特徴とする付記１または２に記載の解析支援プログラム。
【０１２６】
（付記４）前記コンピュータに、
生成した前記関連付け情報と前記ビア情報とに基づいて、前記第１ビアの自己インダクタンスと、前記第３ビアの自己インダクタンスと、前記第１ビアと前記第３ビアとの間の相互インダクタンスと、を算出し、
算出した各自己インダクタンスと、前記相互インダクタンスと、によって前記第１ビアと前記第３ビアとを示す情報を生成する、
処理を実行させることを特徴とする付記１〜３のいずれか一つに記載の解析支援プログラム。
【０１２７】
（付記５）前記コンピュータに、
前記回路基板に含まれるノイズ波源について位置を示す波源位置情報を取得し、
生成した前記関連付け情報と前記ビア情報と取得した前記波源位置情報とに基づいて、前記第１ビアと前記ノイズ波源との間の距離と、前記第３ビアと前記ノイズ波源との間の距離と、の少なくともいずれかが第２所定距離以内であるか否かを判断し、
いずれも前記第２所定距離以内でないと判断した場合、
前記算出する処理を行わず、
前記ビア情報に基づいて、前記第１ビアと前記第３ビアとの各々について、前記第２ビア群のうちの最も近いビアを特定し、
前記第１ビアと特定した前記最も近いビアとの間の距離に基づいて前記第１ビアの実効インダクタンスを算出し、前記第３ビアと特定した前記最も近いビアとの間の距離に基づいて前記第３ビアの実効インダクタンスを算出し、
算出した各実効インダクタンスのうち最も小さい実効インダクタンスによって、前記第１ビアと前記第１ビアとを示す情報を生成する、
処理を実行させることを特徴とする付記４に記載の解析支援プログラム。
【０１２８】
（付記６）前記コンピュータに、
前記第３ビアが存在しなかった場合、前記第１ビアと、前記第２ビアと、の関連付けを示す関連付け情報を生成することを特徴とする付記１〜５のいずれか一つに記載の解析支援プログラム。
【０１２９】
（付記７）前記第１ビアは、前記第１ビア群に含まれる各ビアであって、
前記第２ビアを特定する処理では、前記第１ビアの各々について、前記第２ビアを特定し、
前記第３ビアを特定する処理では、前記第１ビアの各々について、前記第３ビアを特定し、
前記関連付け情報を生成する処理では、前記第１ビアの各々について、前記関連付け情報を生成することを特徴とする付記１〜６のいずれか一つに記載の解析支援プログラム。
【０１３０】
（付記８）前記コンピュータに、
前記第１ビア群のうちの、前記第１ビア群に含まれる算出の対象ビアに関連付けられた各第１関連ビアと、前記対象ビアとの各々についての自己インダクタンスと、前記各第１関連ビアと前記対象ビアとの各々の間の相互インダクタンスとを、生成した各関連付け情報と前記ビア情報と前記第２ビア群のうちの、前記対象ビアと検出した前記各第１関連ビアとのいずれかに関連付けられた各第２関連ビアとに基づいて算出し、
算出した各自己インダクタンスと、算出した各相互インダクタンスと、によって前記対象ビアおよび前記各第１関連ビアを示す情報を生成する、
処理を実行させることを特徴とする付記７に記載の解析支援プログラム。
【０１３１】
（付記９）前記コンピュータに、
前記各第１関連ビアが存在しなかった場合に、
前記対象ビアに関連付けられた各第２関連ビアが存在した場合、前記対象ビアと前記第２関連ビアとの間の距離に基づいて前記対象ビアの実効インダクタンスを算出し、
前記各第２関連ビアが存在しなかった場合、前記対象ビアの実効インダクタンスを算出し、
算出した前記実効インダクタンスによって前記対象ビアを示す情報を生成する、
処理を実行させることを特徴とする付記８に記載の解析支援プログラム。
【０１３２】
（付記１０）前記コンピュータに、
前記回路基板に含まれるノイズ波源について位置を示す波源位置情報を取得し、
生成した前記関連付け情報と前記ビア情報と前記波源位置情報とに基づいて、前記対象ビアと前記各第１関連ビアとの各々と、前記ノイズ波源と、の間の距離の少なくともいずれかが第２所定距離以内であるか否かを判断し、
いずれも前記第２所定距離以内でないと判断した場合、
前記算出する処理を行わず、
取得した前記ビア情報に基づいて、前記対象ビアと前記各第１関連ビアとの各々について、前記第２ビア群のうち最も近いビアを特定し、
前記対象ビアおよび前記各第１関連ビアと特定したビアとの間の距離に基づいて、前記対象ビアおよび前記各第１関連ビアの各々の実効インダクタンスを算出し、
算出した各実効インダクタンスのうち最も小さい実効インダクタンスによって、前記対象ビアと前記各第１関連ビアを示す情報を生成する、
処理を実行させることを特徴とする付記８に記載の解析支援プログラム。
【０１３３】
（付記１１）前記第１電位が電源電位であって、前記第２電位がグラウンド電位であることを特徴とする付記１〜１０のいずれか一つに記載の解析支援プログラム。
【０１３４】
（付記１２）前記第１電位がグラウンド電位であって、前記第２電位が電源電位であることを特徴とする付記１〜１０のいずれか一つに記載の解析支援プログラム。
【０１３５】
（付記１３）コンピュータが、
回路基板に含まれる第１電位の第１ビア群と、前記回路基板に含まれる前記第１電位と異なる第２電位の第２ビア群と、の各々の位置を示すビア情報を取得し、
取得した前記ビア情報に基づいて、前記第２ビア群のうち、前記第１ビア群に含まれる第１ビアとの間の距離が所定距離以内である第２ビアを特定し、
前記ビア情報に基づいて、前記第１ビア群に含まれる前記第１ビア以外のビアのうち、前記第１ビアとの間の距離が、特定した前記第２ビアと前記第１ビアとの間の距離以内である第３ビアを特定し、
前記第１ビアと、特定した前記第２ビアと、特定した前記第３ビアと、の関連付けを示す関連付け情報を生成する、
処理を実行することを特徴とする解析支援方法。
【０１３６】
（付記１４）プロセッサを有する解析支援装置であって、
前記プロセッサが、
回路基板に含まれる第１電位の第１ビア群と、前記回路基板に含まれる前記第１電位と異なる第２電位の第２ビア群と、の各々の位置を示すビア情報を取得し、
取得した前記ビア情報に基づいて、前記第２ビア群のうち、前記第１ビア群に含まれる第１ビアとの間の距離が所定距離以内である第２ビアを特定し、
前記ビア情報に基づいて、前記第１ビア群に含まれる前記第１ビア以外のビアのうち、前記第１ビアとの間の距離が、特定した前記第２ビアと前記第１ビアとの間の距離以内である第３ビアを特定し、
前記第１ビアと、特定した前記第２ビアと、特定した前記第３ビアと、の関連付けを示す関連付け情報を生成する、
処理を実行することを特徴とする解析支援装置。
【０１３７】
（付記１５）回路基板に含まれる第１電位の第１ビア群と、前記回路基板に含まれる前記第１電位と異なる第２電位の第２ビア群と、の各々の位置を示すビア情報を取得し、
取得した前記ビア情報に基づいて、前記第２ビア群のうち、前記第１ビア群に含まれる第１ビアとの間の距離が所定距離以内である第２ビアを特定し、
前記ビア情報に基づいて、前記第１ビア群に含まれる前記第１ビア以外のビアのうち、前記第１ビアとの間の距離が、特定した前記第２ビアと前記第１ビアとの間の距離以内である第３ビアを特定し、
前記第１ビアと、特定した前記第２ビアと、特定した前記第３ビアと、の関連付けを示す関連付け情報を生成する、
処理をコンピュータに実行させるプログラムを記録したことを特徴とする記録媒体。
【符号の説明】
【０１３８】
１００  解析支援装置
１０１  ビア情報
５１０  波源位置情報
５１１  入力データ
５１２  モデルデータ
１６０１  半導体集積回路
１６０２  電源
Ｖ  電源ビア
Ｇ  ＧＮＤビア
Ｋ１２，Ｋ１３，Ｋ２３  相互インダクタンス
Ｌ１１，Ｌ２２，Ｌ３３  自己インダクタンス
【図１】
2015079345.tif 000005
【図２】
2015079345.tif 000006
【図３】
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【図４】
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【図５】
2015079345.tif 000009
【図６】
2015079345.tif 000010
【図７】
2015079345.tif 000011
【図８】
2015079345.tif 000012
【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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