(57)【要約】【課題】卓上充電器と携帯電話機器とが接触する端子間での接触の不安定性に起因するチャタリングが生じた場合でも、携帯電話機器が誤動作せずに、卓上充電器が携帯電話機器を充電することができるようにする通電制御装置を提供する。【解決手段】通電制御装置は、増幅器と、トランジスタスイッチと、積分回路とを備える。増幅器は、磁界検出素子が検出した周囲の磁界に応じて出力する電気信号を増幅する。トランジスタスイッチは、増幅器が増幅した電気信号に基づいて、オンまたはオフする。積分回路は、前記トランジスタスイッチが出力した電気信号の立ち上がり時間を調整し、前記調整した立ち上がり時間の電気信号で携帯機器への電力導通部を駆動する。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
磁界検出素子が検出した周囲の磁界に応じて出力する電気信号を増幅する増幅器と、
前記増幅器が増幅した電気信号に基づいて、オンまたはオフするトランジスタスイッチと、
チャタリング時間よりも長い立ち上がり時間に調整した電気信号で電力導通部を駆動し、給電対象装置の給電端子への電力導通の接続を行う積分回路と
を備えることを特徴とする通電制御装置。
【請求項２】
前記積分回路は、
抵抗と、
静電容量と
を備えることを特徴とする請求項１に記載の通電制御装置。
【請求項３】
前記増幅器は、
差動増幅器である
ことを特徴とする請求項１または請求項２に記載の通電制御装置。
【請求項４】
前記トランジスタスイッチは、
バイポーラトランジスタである
ことを特徴とする請求項１から請求項３の何れか一項に記載の通電制御装置。
【請求項５】
前記磁界検出素子
を備えることを特徴とする請求項１から請求項４の何れか一項に記載の通電制御装置。
【請求項６】
前記増幅器と前記トランジスタスイッチとの間に電源電圧及びグラウンド電圧を出力する回路
を備えることを特徴とする請求項１から請求項５の何れか一項に記載の通電制御装置。
【請求項７】
磁界検出素子が検出した周囲の磁界に応じて出力する電気信号を増幅し、
前記増幅した電気信号に基づいて、トランジスタスイッチがオンまたはオフし、
チャタリング時間よりも長い立ち上がり時間に調整した電気信号で電力導通部を駆動し、給電対象装置の給電端子への電力導通の接続を行う
ことを特徴とする通電制御方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、安定した通電ができる通電制御装置及び通電制御方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
携帯電話機器には、その携帯電話機器の備える二次電池を充電する卓上充電器が用意されている。
特許文献１には、クレードル装置（本発明における卓上充電器に相当）が携帯端末を充電する技術が記載されている。
特許文献２には、接触形充電器が被充電部（本発明における携帯電話機器に相当）を充電する技術が記載されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２０１２−１５１７１５号公報
【特許文献２】特開平７−３１０６４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
ところで、特許文献１や特許文献２に記載されているような技術を用いた卓上充電器が携帯電話機器を充電する際に、卓上充電器と携帯電話機器とが接触する端子間での接触の不安定性に起因するチャタリングにより、携帯電話機器が誤動作する場合がある。
【０００５】
そこでこの発明は、上記の課題を解決することのできる通電制御装置及び通電制御方法を提供することを目的としている。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
上記目的を達成するために、本発明は、磁界検出素子が検出した周囲の磁界に応じて出力する電気信号を増幅する増幅器と、前記増幅器が増幅した電気信号に基づいて、オンまたはオフするトランジスタスイッチと、チャタリング時間よりも長い立ち上がり時間に調整した電気信号で電力導通部を駆動し、給電対象装置の給電端子への電力導通の接続を行う積分回路とを備えることを特徴とする通電制御装置である。
【０００７】
また本発明は、磁界検出素子が検出した周囲の磁界に応じて出力する電気信号を増幅し、前記増幅した電気信号に基づいて、トランジスタスイッチがオンまたはオフし、調整した立ち上がり時間の電気信号で電力導通部を駆動し、給電対象装置の給電端子への電力導通の接続を行うことを特徴とする通電制御方法である。
【発明の効果】
【０００８】
本発明によれば、卓上充電器と携帯電話機器とが接触する端子間での接触の不安定性に起因するチャタリングが生じた場合でも、携帯電話機器が誤動作せずに、卓上充電器が携帯電話機器を充電することができる。
【図面の簡単な説明】
【０００９】
【図１】本発明の通電制御装置の最小構成を示す機能ブロック図である。
【図２】本発明の第一の実施形態による通電制御装置を備える卓上充電器１と携帯電話機器の構成を示す機能ブロック図である。
【図３】携帯電話機器が卓上充電器に設置される前の携帯電話機器と卓上充電器とが十分離れている状態の充電電圧の例を示す図である。
【図４】携帯電話機器が卓上充電器にスムーズに設置されるときにチャタリングが生じない理想的な場合の充電電圧の例を示す図である。
【図５】携帯電話機器が卓上充電器に設置される際にチャタリングが生じる場合の充電電圧の例を示す図である。
【図６】積分回路の異なる時定数に対して卓上充電器が携帯電話機器の充電を開始するタイミングの積分回路の出力電圧の例を示す図である。
【図７】積分回路の時定数を適切に設定した場合の充電電圧の例を示す図である。
【図８】本発明の第二の実施形態による通電制御装置を備える卓上充電器と携帯電話機器の構成を示す機能ブロック図である。
【発明を実施するための形態】
【００１０】
図１は、本発明の通電制御装置１０の最小構成を示す機能ブロック図である。
本発明の通電制御装置１０は、図１で示すように、少なくとも増幅器１０１、トランジスタスイッチ１０２、積分回路１０３の機能部を備える。
増幅器１０１は、磁界検出素子が検出した周囲の磁界に応じて出力する電気信号を増幅する機能部である。
トランジスタスイッチ１０２は、磁界検出素子１０４が検出した周囲の磁界に応じて出力する電気信号を増幅する増幅器１０１と、前記増幅器が増幅した電気信号に基づいて、オンまたはオフする機能部である。
積分回路１０３は、チャタリング時間よりも長い立ち上がり時間に調整した電気信号で電力導通部を駆動し、給電対象装置の給電端子への電力導通の接続を行う機能部である。
【００１１】
＜第一の実施形態＞
図２は、本発明の第一の実施形態による通電制御装置１０を備える卓上充電器１と携帯電話機器２の構成を示す機能ブロック図である。
図２で示すように、第一の実施形態による卓上充電器１は、通電制御装置１０と、充電器電圧出力回路１１と、充電器側与充電接触端子１２と、ＰチャネルＭＯＳ電界効果トランジスタＭ１（電力導通部）と、電圧源Ｖ１とを備える。
【００１２】
通電制御装置１０は、図１で示した通電制御装置１０の最小構成を示す増幅器１０１と、トランジスタスイッチ１０２と、積分回路１０３の機能に加え、磁界検出素子１０４と、インバータ１０５と、抵抗Ｒ２と、抵抗Ｒ３とを備える。
ここで、第一の実施形態による増幅器１０１は差動増幅器である。
トランジスタスイッチ１０２はバイポーラトランジスタである。
積分回路１０３は、抵抗Ｒ１と静電容量Ｃ１とを備える。積分回路１０３は、この抵抗Ｒ１と静電容量Ｃ１による時定数Ｒ１・Ｃ１に基づいて、ＰチャネルＭＯＳ電界効果トランジスタＭ１のゲートに入力される電気信号の立ち上がり時間を調整する。
【００１３】
磁界検出素子１０４は、周囲の磁界を検出する素子である。また、磁界検出素子１０４は、検出した磁界に応じた電流を出力する素子である。
インバータ１０５は、増幅器１０１の出力電圧に基づいて、Ｈｉｇｈ電圧あるいはＬｏｗ電圧を出力する機能部である。
抵抗Ｒ２は、トランジスタスイッチ１０２がオンし、電圧源Ｖ１から電流を引き込んだ時に、トランジスタスイッチ１０２であるバイポーラトランジスタのコレクタ（図２のＥ点）電圧がＬｏｗ電圧まで引き下げるための抵抗である。
抵抗Ｒ３は、トランジスタスイッチ１０２であるバイポーラトランジスタのベースエミッタ間電圧（図２のＦ点からＤ点までの電圧）ＶＢＥに直接高電圧が印加され、大電流が流れないようにするための抵抗である。なお、この抵抗Ｒ３の抵抗値は、トランジスタスイッチ１０２であるバイポーラトランジスタのベースエミッタ間電圧が０．６〜０．７ボルト程度になるような値に設定すればよい。
【００１４】
充電器電圧出力回路１１は、卓上充電器１が携帯電話機器２を充電する際に、携帯電話機器２に電圧を出力する回路である
充電器側与充電接触端子１２は、携帯電話機器２が卓上充電器に設置された時に、携帯電話機器２の備える携帯電話機器側被充電接触端子２２と接触する端子である。また、充電器側与充電接触端子１２は、携帯電話機器側被充電接触端子２２と接触し、ＰチャネルＭＯＳ電界効果トランジスタＭ１がオン状態になった時に、充電器電圧出力回路１１が出力する電圧を携帯電話機器側被充電接触端子２２に伝送する端子である。
ＰチャネルＭＯＳ電界効果トランジスタＭ１は、通電制御装置１０からゲートに印加される電圧に応じてオンまたはオフし、それらのオン状態とオフ状態に応じて、充電器電圧出力回路１１が出力する電圧を充電器側与充電接触端子１２に伝送するトランジスタである。
電圧源Ｖ１は、通電制御装置１０に電源電圧を供給する電圧源である。この電圧源Ｖ１が出力する電圧ＶＣＣは、ＰチャネルＭＯＳ電界効果トランジスタＭ１のゲートの電圧が電圧ＶＣＣになった時に、充電器電圧出力回路１１が出力する電圧とＰチャネルＭＯＳ電界効果トランジスタＭ１のゲートの電圧ＶＣＣとの電圧差でＰチャネルＭＯＳ電界効果トランジスタＭ１がオンしない電圧に設定される。
【００１５】
また、図２で示すように、第一の実施形態による携帯電話機器２は、磁界発生素子２１と、携帯電話機器側被充電接触端子２２とを備える。
磁界発生素子２１は、例えばスピーカが備える磁石やバイブレーション機能を実現する小型モータが備える磁石など、磁界を発生する素子である。
携帯電話機器側被充電接触端子２２は、携帯電話機器２が卓上充電器に設置された時に、卓上充電器１の備える充電器側与充電接触端子１２と接触する端子である。また、携帯電話機器側被充電接触端子２２は、充電器側与充電接触端子１２と接触し、ＰチャネルＭＯＳ電界効果トランジスタＭ１がオン状態になった時に、充電器電圧出力回路１１の出力する電圧を受電する端子である。
【００１６】
図３は、携帯電話機器２が卓上充電器１に設置される前の携帯電話機器２と卓上充電器１とが十分離れている状態の充電電圧の例を示す図である。
図２と図３を用いて通電制御装置１０および通電制御装置１０を備える卓上充電器１の動作を説明する。
先ず、図３で示す携帯電話機器２が卓上充電器１に設置される前の携帯電話機器２と卓上充電器１とが十分離れている状態での通電制御装置１０および通電制御装置１０を備える卓上充電器１の動作について説明する。
【００１７】
図２で示す電圧源Ｖ１は、通電制御装置１０におけるグラウンドノード（Ｆ点）と電源電圧ノード（Ａ点）との間にＶＣＣの電圧を印加する。通電制御装置１０の増幅器１０１と、トランジスタスイッチ１０２と、磁界検出素子１０４と、インバータ１０５は、この電圧源Ｖ１が印加する電圧ＶＣＣを電源電圧として動作する。
【００１８】
磁界検出素子１０４は、携帯電話機器２が卓上充電器１に設置されていないとき、磁界を検出していない状態である。そのため、磁界検出素子１０４が出力する電圧は、Ｂ点とＣ点とで同じ電圧になる。
増幅器１０１は、このような電圧を入力した場合、グラウンド電圧と電源電圧ＶＣＣとの間にバイアスされた電圧を出力する。ただし、ここでは、増幅器１０１の出力は、インバータ１０５が反転するためのしきい値電圧よりも高い電圧にバイアスされているものとする。
【００１９】
インバータ１０５は、インバータ１０５のしきい値よりも高い電圧（Ｈｉｇｈ電圧）を入力すると、Ｌｏｗ電圧（≒０ボルト）を出力する（Ｄ点）。
インバータ１０５がＬｏｗ電圧を出力すると、抵抗Ｒ３を介してトランジスタスイッチ１０２のベースエミッタ間にはほぼ０ボルトの電圧が印加される。そして、トランジスタスイッチ１０２は、オフ状態になる。
【００２０】
トランジスタスイッチ１０２がオフ状態になると、トランジスタスイッチ１０２は電流を流さないため、抵抗Ｒ２には電流が流れない。従って、Ｅ点の電圧はＡ点の電圧と同じＶＣＣになる。
積分回路１０３はローパスフィルタの働きをするため、積分回路１０３は、直流電圧であるＥ点の電圧ＶＣＣをＰチャネルＭＯＳ電界効果トランジスタＭ１のゲートに伝送する。
【００２１】
なお、積分回路１０３が電圧ＶＣＣをＰチャネルＭＯＳ電界効果トランジスタＭ１のゲートに伝送し、ＰチャネルＭＯＳ電界効果トランジスタＭ１のゲートの電圧がＶＣＣとなったとき、ＰチャネルＭＯＳ電界効果トランジスタＭ１は、充電器電圧出力回路１１が出力する電圧とＰチャネルＭＯＳ電界効果トランジスタＭ１のゲートの電圧ＶＣＣとの電圧差ではオンしない。
ＰチャネルＭＯＳ電界効果トランジスタＭ１がオンしない場合、充電器電圧出力回路１１が出力する電圧は、充電器側与充電接触端子１２に伝送されない。
【００２２】
したがって、図３で示すように、卓上充電器１の充電器電圧出力回路１１は充電電圧を出力しているが、その充電電圧は携帯電話機器２に伝送されない。その結果、携帯電話機器２における充電電圧は、ほぼ０ボルトとなる。
【００２３】
図４は、携帯電話機器２が卓上充電器１にスムーズに設置されるときにチャタリングが生じない理想的な場合の充電電圧の例を示す図である。
次に、携帯電話機器２が卓上充電器１に設置される際の通電制御装置１０および通電制御装置１０を備える卓上充電器１の動作について説明する。
この携帯電話機器２が卓上充電器１にスムーズに設置されるときにチャタリングが生じない理想的な場合において、ユーザにより卓上充電器１の充電器側与充電接触端子１２と携帯電話機器２の携帯電話機器側被充電接触端子２２とが接続される。
【００２４】
携帯電話機器２が卓上充電器１に設置される際に、卓上充電器１の磁界検出素子１０４は、携帯電話機器２の磁界発生素子２１が発生する磁界を検出する。
磁界検出素子１０４が磁界発生素子２１の発生する磁界を検出すると、磁界検出素子１０４の出力するＢ点の電圧とＣ点の電圧とで電圧差が生じる。
なお、このとき磁界検出素子１０４の出力端子は、磁界検出素子１０４が磁界発生素子２１の発生する磁界を検出したときに、増幅器１０１の出力がインバータ１０５のしきい値電圧よりも低い電圧を出力するように増幅器１０１の入力端子に接続されているものとする。
【００２５】
磁界検出素子１０４の出力するＢ点の電圧とＣ点の電圧とで電圧差が生じ、増幅器１０１の出力がインバータ１０５のしきい値電圧よりも低い電圧を出力すると、インバータ１０５は、Ｈｉｇｈ電圧（≒ＶＣＣ）を出力する。
インバータ１０５がＨｉｇｈ電圧を出力すると、抵抗Ｒ３を介してトランジスタスイッチ１０２のベースエミッタ間には０．６〜０．７ボルト程度の電圧が印加される。そして、トランジスタスイッチ１０２は、オン状態になる。
【００２６】
トランジスタスイッチ１０２がオン状態になると、トランジスタスイッチ１０２が電流を流す。トランジスタスイッチ１０２が流す電流は、抵抗Ｒ２を介して電圧源Ｖ１から供給される。そのため、トランジスタスイッチ１０２がオン状態になると、抵抗Ｒ２で電圧降下が生じ、トランジスタスイッチ１０２のコレクタ（Ｅ点）の電圧はＬｏｗ電圧になる。
【００２７】
トランジスタスイッチ１０２のコレクタの電圧がＬｏｗ電圧になると、積分回路１０３を介してＰチャネルＭＯＳ電界効果トランジスタＭ１のゲートにＬｏｗ電圧が印加される。このとき、充電器電圧出力回路１１が出力する電圧とＰチャネルＭＯＳ電界効果トランジスタＭ１のゲートのＬｏｗ電圧との電圧差は大きくなり、ＰチャネルＭＯＳ電界効果トランジスタＭ１はオン状態になる。
【００２８】
ＰチャネルＭＯＳ電界効果トランジスタＭ１がオン状態になると、充電器電圧出力回路１１が出力する電圧が充電器側与充電接触端子１２に伝送される。そして、充電器側与充電接触端子１２と接続された携帯電話機器側被充電接触端子２２を介して、充電器電圧出力回路１１が出力する電圧が携帯電話機器２に伝送される。
このように、携帯電話機器２が充電される。
【００２９】
したがって、図４で示すように、卓上充電器１の充電器電圧出力回路１１は充電電圧を出力しており、その充電電圧は充電器側与充電接触端子１２と携帯電話機器側被充電接触端子２２とが接触するタイミングで携帯電話機器２に伝送される。その結果、携帯電話機器２における充電電圧は、充電器側与充電接触端子１２と携帯電話機器側被充電接触端子２２とが接触するタイミングで０ボルトから充電電圧へとチャタリングなしに立ち上がる。
【００３０】
図５は、携帯電話機器２が卓上充電器１に設置される際にチャタリングが生じる場合の充電電圧の例を示す図である。
図４では充電器側与充電接触端子１２と携帯電話機器側被充電接触端子２２との理想的な接続を考えた。しかしながら、携帯電話機器２が卓上充電器１に設置される実際の場合において、ＰチャネルＭＯＳ電界効果トランジスタＭ１がオン状態になった後に、ユーザにより卓上充電器１の充電器側与充電接触端子１２と携帯電話機器２の携帯電話機器側被充電接触端子２２とが接続されると、図２で示した積分回路１０３が無い場合あるいは積分回路１０３の時定数Ｒ１・Ｃ１が小さい場合にユーザの手のブレや充電器側与充電接触端子１２と携帯電話機器側被充電接触端子２２との接触箇所の形状などによって接続が安定するまでの時間ｔ１にチャタリングが生じることがある。
【００３１】
図６は、積分回路１０３の異なる時定数に対して卓上充電器１が携帯電話機器２の充電を開始するタイミングの積分回路１０３の出力電圧の例を示す図である。
積分回路１０３の時定数Ｒ１・Ｃ１を変更することで、積分回路１０３の出力における立ち上がりの傾きを調整することができる。そこで、積分回路１０３の出力がＰチャネルＭＯＳ電界効果トランジスタＭ１をオンさせる電圧となるまでの時間内にチャタリングが収まり、充電器側与充電接触端子１２と携帯電話機器側被充電接触端子２２との接続が安定するように、図２で示したＥ点の電圧がＰチャネルＭＯＳ電界効果トランジスタＭ１のゲートに伝送されるように積分回路１０３の時定数Ｒ１・Ｃ１を設定する。
例えば、図５で示したようにチャタリングが生じる時間ｔ１とした場合、積分回路１０３の時定数Ｒ１・Ｃ１は、ｔ１より時間が長いｔ３でＰチャネルＭＯＳ電界効果トランジスタＭ１が導通する電圧になる時定数に設定する。
【００３２】
図７は、積分回路１０３の時定数を適切に設定した場合の充電電圧の例を示す図である。
ＰチャネルＭＯＳ電界効果トランジスタＭ１のゲートを駆動する電圧の立ち上がり時間を遅くする。ことで、携帯電話機器２が卓上充電器１に設置される場合において、ＰチャネルＭＯＳ電界効果トランジスタＭ１がオン状態になった後に、ユーザにより卓上充電器１の充電器側与充電接触端子１２と携帯電話機器２の携帯電話機器側被充電接触端子２２とが接続された場合であっても、卓上充電器１は、誤動作なしに携帯電話機器２を充電することができる。
【００３３】
なお、上述の第一の実施形態による通電制御装置１０及び通電制御装置１０を備える卓上充電器１の説明において、磁界検出素子１０４が磁界発生素子２１の発生する磁界を検出しない場合、Ｂ点とＣ点とで同じ電圧になり、増幅器１０１の出力は、グラウンド電圧と電源電圧ＶＣＣとの間にバイアスされた電圧を出力するものとした。
しかしながら、磁界検出素子１０４が環境磁界を検出する場合、磁界検出素子１０４の出力がオフセット電圧を持つ場合、増幅器が１０１オフセット電圧を持つ場合などには、増幅器１０１の出力電圧はＨｉｇｈ側の電圧またはＬｏｗ側の電圧で安定する。
そのような場合、図２で示したＤ点の電圧がＬｏｗ電圧となるように、インバータ１０５の段数、磁界検出素子１０４の出力が接続される増幅器１０１の入力端子の極性を決定すればよい。
【００３４】
以上、本発明の実施形態による通電制御装置１０及び通電制御装置１０を備える卓上充電器１について説明したが、上述の通電制御装置１０及び通電制御装置１０を備える卓上充電器１の処理によれば、卓上充電器１と携帯電話機器２とが接触する端子間での接触の不安定性に起因するチャタリングが生じた場合でも、携帯電話機器２が誤動作せずに、卓上充電器１が携帯電話機器２を充電することができる。
【００３５】
＜第二の実施形態＞
次に、本発明の第二の実施形態による通電制御装置１０（１０ａ、１０ｂ、１０ｃ）及び通電制御装置１０を備える卓上充電器１について説明する。
図８は、本発明の第二の実施形態による通電制御装置１０（１０ａ、１０ｂ、１０ｃ）を備える卓上充電器１と携帯電話機器２の構成を示す機能ブロック図である。
本実施形態において、第二の実施形態による卓上充電器１は、検出磁界強度の異なる３つの通電制御装置１０ａ、１０ｂ、１０ｃと出力電圧の異なる３つの充電器電圧出力回路１１ａ、１１ｂ、１１ｃとを備える。
本発明の第二の実施形態による通電制御装置１０ａ、１０ｂ、１０ｃのそれぞれは、充電器電圧出力回路１１ａ、１１ｂ、１１ｃのそれぞれが出力する電力を導通するＰチャネルＭＯＳ電界効果トランジスタＭ１、Ｍ２、Ｍ３のそれぞれを制御する。
なお、第二の実施形態による通電制御装置１０ａ、１０ｂ、１０ｃは、第一の実施形態による通電制御装置１０と同一の動作であるため、その説明を省略する。また、第二の実施形態による充電器電圧出力回路１１ａ、１１ｂ、１１ｃは、第一の実施形態による充電器電圧出力回路１１と同一の動作であるため、その説明を省略する。
【００３６】
第二の実施形態による卓上充電器１は、磁界発生素子２１が発生する磁界を検出する。そして、磁界判定部１３は、磁界発生素子２１が検出した磁界の強度に基づいて、ＰチャネルＭＯＳ電界効果トランジスタＭ４、Ｍ５、Ｍ６の何れかをオン状態にする。そして、卓上充電器１は、動作した通電制御装置１０ａ、１０ｂ、１０ｃの何れかがオンさせるＰチャネルＭＯＳ電界効果トランジスタが接続された充電器電圧出力回路１１の出力電圧で携帯電話機器２を充電する。
【００３７】
上述の第二の実施形態による通電制御装置１０及び通電制御装置１０を備える卓上充電器１の処理によれば、卓上充電器１は、携帯電話機器２の機種を判別する。そして、卓上充電器１は、判別した携帯電話機器２に適した出力電圧で携帯電話機器２を充電する。また、卓上充電器１と携帯電話機器２とが接触する端子間での接触の不安定性に起因するチャタリングが生じた場合でも、携帯電話機器２が誤動作せずに、卓上充電器１が携帯電話機器２を充電することができる。
【００３８】
なお、上述の実施形態において卓上充電器１が充電する対象は、携帯電話機器２としたが、携帯電話機器２に限定するものではない。
【符号の説明】
【００３９】
Ｃ１・・・静電容量
Ｍ１、Ｍ２、Ｍ３、Ｍ４、Ｍ５、Ｍ６・・・ＰチャネルＭＯＳ電界効果トランジスタ
Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３・・・抵抗
Ｖ１・・・電圧源
１・・・卓上充電器
２・・・携帯電話機器
１０、１０ａ、１０ｂ、１０ｃ・・・通電制御装置
１１、１１ａ、１１ｂ、１１ｃ・・・充電器電圧出力回路
１２・・・充電器側与充電接触端子
１３・・・磁界判定部
２１・・・磁界発生素子
２２・・・携帯電話機器側被充電接触端子
１０１・・・増幅器
１０２・・・トランジスタスイッチ
１０３・・・積分回路
１０４・・・磁界検出素子
１０５・・・インバータ
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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