(57)【要約】【課題】パーティクルの発生を抑制し、メンテナンスの容易なプラズマＣＶＤ装置およびプラズマＣＶＤ方法を得ること。【解決手段】このプラズマＣＶＤ装置は、真空チャンバー１と、真空チャンバー１内に配置された第１電極板５と、第１電極板５を加熱する第１加熱部としての第１ヒーター６とを有する第１電極部Ａと、第１電極板５に対向して設けられ、被処理基板Ｗを載置する基板ホルダー２を兼ねた第２電極板と、第２電極板を加熱する第２加熱部としての第２ヒーター３とを備えた第２電極部Ｂと、真空チャンバー１内に原料ガスを供給する、ガス供給部とを具備している。そして、第１電極板５と第２電極板との間に高周波電界を印加することで、プラズマ放電を発生させ、被処理基板Ｗ表面に薄膜を成膜する。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
真空チャンバーと、
前記真空チャンバー内に配置された第１電極板と、前記第１電極板を加熱する第１加熱部とを有する第１電極部と、
前記第１電極板に対向して設けられ、被処理基板を載置する基板ホルダーを兼ねた第２電極板と、前記第２電極板を加熱する第２加熱部とを備えた第２電極部と、
前記真空チャンバー内に原料ガスを供給する、ガス供給部と、
前記第１電極板と前記第２電極板との間に高周波電界を印加することで、プラズマ放電を発生させ、前記被処理基板表面に薄膜を成膜するプラズマＣＶＤ装置。
【請求項２】
前記第１電極部は、前記第１電極板の外表面温度を測定する温度測定部を具備し、
前記第１加熱部は、前記温度測定部の測定結果に基づき前記第１電極板を加熱する請求項１に記載のプラズマＣＶＤ装置。
【請求項３】
前記第１加熱部は、前記第１電極板の面内で複数の領域に分割されており、
前記温度測定部は、前記各領域に設けられた熱電対であり、
前記第１電極板の外表面温度を前記領域毎に制御可能である請求項１または２に記載のプラズマＣＶＤ装置。
【請求項４】
前記第１加熱部は、独立して温度制御の可能な複数のヒーターで構成された請求項１から３のいずれか１項に記載のプラズマＣＶＤ装置。
【請求項５】
前記第１加熱部は、温度制御部を有し、
前記第１電極板の外表面温度を、徐々に降下させる徐冷モードと、急峻に降下させる急冷モードとを選択可能である請求項１から４のいずれか１項に記載のプラズマＣＶＤ装置。
【請求項６】
前記被処理基板は、太陽電池用基板であり、
前記薄膜は、窒化シリコン膜である請求項１から５のいずれか１項に記載のプラズマＣＶＤ装置。
【請求項７】
真空チャンバーと、
前記真空チャンバー内に配置された第１電極板と、前記第１電極板を加熱する第１加熱部とを有する第１電極部と、
前記第１電極板に対向して設けられ、被処理基板を載置する基板ホルダーを兼ねた第２電極板と、前記第２電極板を加熱する第２加熱部とを備えた第２電極部と、
前記真空チャンバー内に原料ガスを供給する、ガス供給部とを備えたプラズマＣＶＤ装置を用いて、
前記第１電極板と前記第２電極板との間に高周波電界を印加することで、プラズマ放電を発生させ、前記被処理基板表面に薄膜を成膜する工程と、
前記第１電極板の外表面があらかじめ決定された温度条件を維持するように前記第１加熱部を駆動制御する工程とを有するプラズマＣＶＤ方法。
【請求項８】
前記駆動制御する工程は、
前記成膜する工程終了後に、前記第１電極板の外表面温度を測定する工程を含み、
前記測定結果に応じて、前記第１加熱部を駆動制御する請求項７に記載のプラズマＣＶＤ方法。
【請求項９】
前記第１加熱部は、前記第１電極板の面内で複数の領域に分割されており、
前記温度測定部は、前記各領域に設けられた熱電対であり、
前記駆動制御する工程は、前記第１電極板の外表面温度を前記領域毎に制御する請求項７または８に記載のプラズマＣＶＤ方法。
【請求項１０】
第１加熱部は、独立して温度制御の可能な複数のヒーターで構成され、
前記駆動制御する工程は、前記第１電極板の外表面が面内均一となるように前記ヒーターを駆動制御する工程を含む請求項７から９のいずれか１項に記載のプラズマＣＶＤ方法。
【請求項１１】
前記駆動制御する工程は、
前記成膜する工程終了後に、前記第１加熱部を制御し、前記第１電極板の外表面温度を、徐々に降下させる徐冷工程を含む請求項７から１０のいずれか１項に記載のプラズマＣＶＤ方法。
【請求項１２】
前記駆動制御する工程は、
前記成膜する工程終了後に、前記第１加熱部を制御し、前記第１電極板の外表面温度を急峻に降下させ、第１電極板外表面からパーティクルを放出される急冷工程と、
前記真空チャンバー内のパーティクルを除去する洗浄工程を含む請求項７から１０のいずれか１項に記載のプラズマＣＶＤ方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、プラズマＣＶＤ装置およびこれを用いたプラズマＣＶＤ方法に係り、特にとりわけ太陽電池セルの製造において、窒化シリコン薄膜を反射防止膜として成膜する、プラズマＣＶＤ装置の構造に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来、真空チャンバーと放電のための平行平板電極と放電用ガス供給機構とガス排気機構と数十ｋＨｚ〜数十ＭＨｚの交流電源とマッチングボックスとより構成されるプラズマＣＶＤ装置が開示されている。
【０００３】
上記プラズマＣＶＤ装置では、平行平板電極の一方は、基板ホルダーを兼ねており、この基板ホルダー上に基板を配置し、下部からヒーターにより、基板ホルダーを加熱、温度制御することで、基板を所定の温度に一定に保つ。そして、放電用ガス供給機構から反応ガスを供給し、ガス排気機構により真空チャンバー内の圧力を所定圧に保ち、平行平板電極に交流電源から交流電力を供給してプラズマ放電を起こし、反応ガスに生成したプラズマを作用させ、反応生成物を基板表面に成膜する。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２０１１−１３７２１５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
このようなプラズマＣＶＤ装置を用いて、窒化シリコン薄膜を成膜する場合、長時間の成膜を行っていると、真空チャンバー内部や、電極表面へ膜が付着する。この膜厚が厚くなると、電極表面から剥離し、パーティクル（粒子）となり、真空チャンバー内部を汚染する。また、このパーティクルが太陽電池セルの表面に付着すると、セル特性低下を引き起こす。そのため、電極板等の部品は、所定の期間が経過すると、その表面に付着した膜状物質を取り除くメンテナンス作業を行っている。しかしながら、このメンテナンス作業は必然的に、プラズマＣＶＤ装置のスループットの低下となるので、メンテナンスの周期を出来る限り長くし、プラズマＣＶＤ装置の稼働時間を確保することがスループット向上のために必要となる。
【０００６】
特許文献１によれば、電極板表面および基板トレイ表面にＡｌより融点の高い金属膜を溶射により形成することにより、表面粗さＲａが数十μの凹凸を形成することでパーティクルの発生が抑えられる。しかしながら、プラズマＣＶＤ装置の電極板および基板トレイ等の部品は、メンテナンス周期によって、ある使用頻度に達すると、部品を交換し、使用済みの部品は洗浄を行う運用を行うことが一般的で、洗浄後、再度金属膜を溶射する必要が生じるために、部品メンテナンス費用が高コストとなるという問題がある。
【０００７】
パーティクルの発生原因としては、電極板表面の温度変化により、電極自身と、表面に付着している膜の膨張率の違いにより、応力が発生することが考えられる。例えば、基板トレイがチャンバー内に存在する時は、基板トレイからの輻射熱で、電極板表面温度は高くなる。反対に、基板トレイがチャンバーから搬出されると、輻射熱の影響が小さくなり、電極板表面温度は低くなる。このように、チャンバー内部の状況変化により、電極板表面には温度変化が生じ、パーティクルの発生原因となると考えられる。
【０００８】
本発明は、上記に鑑みてなされたものであって、パーティクルの発生を抑制し、メンテナンスの容易なプラズマＣＶＤ装置およびプラズマＣＶＤ方法を得ることを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
上述した課題を解決し、目的を達成するために、本発明のプラズマＣＶＤ装置は、真空チャンバーと、真空チャンバー内に配置された第１電極板と、第１電極板を加熱する第１加熱部とを有する第１電極部と、第１電極板に対向して設けられ、被処理基板を載置する基板ホルダーを兼ねた第２電極板と、第２電極板を加熱する第２加熱部とを備えた第２電極部と、真空チャンバー内に原料ガスを供給する、ガス供給部とを具備している。そして、第１電極板と第２電極板との間に高周波電界を印加することで、プラズマ放電を発生させ、被処理基板表面に薄膜を成膜する。
【発明の効果】
【００１０】
本発明によれば、第１電極板表面温度が一定に保たれ、温度変化によるパーティクルの発生抑止に繋がる。太陽電池の製造に用いるプラズマＣＶＤ装置のパーティクルの発生が抑えられ、電極等の部材をメンテナンスするまでの期間が長くなるので、このプラズマＣＶＤ装置のスループットが改善される。また、太陽電池セルの表面にパーティクルが付着する頻度が抑えられるため、セル特性の改善に繋がるという効果を奏する。
【図面の簡単な説明】
【００１１】
【図１】図１は、実施の形態１のプラズマＣＶＤ装置を模式的に示す図である。
【図２】図２は、プラズマＣＶＤ装置の電極板の取り付け内部を模式的に示す図である。
【図３】図３は、実施の形態１のプラズマＣＶＤ装置において、被処理基板を取り出した状態を模式的に示す図である。
【図４】図４（ａ）から（ｃ）は、実施の形態１のプラズマＣＶＤ装置を用いた反射膜の形成工程において、基板ホルダーと、第１電極板と、第１ヒーターの温度プロファイルを示す図である。
【図５】図５は、実施の形態１のプラズマＣＶＤ装置を用いた反射膜の形成工程を示すフローチャートである。
【図６】図６（ａ）から（ｃ）は、実施の形態１のプラズマＣＶＤ装置のクリーニング工程において、第１ヒーターと第２ヒーターと、熱電対の温度プロファイルを示す図である。
【図７】図７は、実施の形態１のプラズマＣＶＤ装置のクリーニング工程を示すフローチャートである。
【図８】図８は、実施の形態１のプラズマＣＶＤ装置を用いて形成される太陽電池を示す図であり、（ａ）は上面図、（ｂ）は（ａ）のＡ−Ａ断面図である。
【図９】図９は、実施の形態２のプラズマＣＶＤ装置の電極板の取り付け内部を模式的に示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００１２】
以下に、本発明にかかるプラズマＣＶＤ装置の実施の形態を図面に基づいて詳細に説明する。なお、この実施の形態によりこの発明が限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲において適宜変更可能である。また以下に示す図面においては、理解の容易のため各層あるいは各部材の縮尺が実際と異なる場合があり、各図面間においても同様である。
【００１３】
実施の形態１．
図１は、実施の形態１のプラズマＣＶＤ装置を模式的に示す図、図２は、プラズマＣＶＤ装置の電極板の取り付け内部を模式的に示す図である。図のように、本実施の形態１のプラズマＣＶＤ装置は、真空チャンバー１内に、相対向して平行に配置された平行平板型の電極構造を有するもので、第１電極部Ａとこれに対向し、被処理基板Ｗを載置する第２電極部Ｂとを具備している。ここで被処理基板Ｗを載置する第２電極部Ｂは、被処理基板Ｗを載置するカーボン製の基板ホルダー２を兼ねた第２電極板と、この基板ホルダー２を加熱する第２加熱部としての第２ヒーター３を備えている。ここで基板ホルダー２上は、被処理基板Ｗを搭載するもので、第２ヒーター３を介して真空チャンバー１の内壁に接触し、接地電位に保持される。一方、基板ホルダー２は、成膜完了後、被処理基板Ｗを搭載した状態で真空チャンバー１から排出される。第１電極部Ａは、真空チャンバー１内に配置された第１電極板５と、第１電極板５の外表面温度を測定する熱電対７からなる温度測定部と、熱電対７による測定結果に基づき第１電極板５を加熱する第１ヒーター６からなる第１加熱部とを有する。上述したように、基板ホルダー２は接地されており、その対向する部位にある第１電極板５との間には、高周波電源１０を通して、高周波電力が印加される。また、このプラズマＣＶＤ装置を用いて、窒化シリコン薄膜を成膜する場合、原料ガスには、シラン（ＳｉＨ4）、アンモニア（ＮＨ3）、窒素（Ｎ2）が用いられるが、これら原料ガスは、ガス供給配管９を通り、ガス供給ノズル１１を介して、第１電極板５に設けられたガス噴射穴５ｈから真空チャンバー１内へ供給される。
【００１４】
基板ホルダー２は、下部に備え付けられた、第２ヒーター３により加熱されている。ヒーター自体は、温度制御されており、基板ホルダー２上の被処理基板Ｗの温度は、一定に保たれている。成膜終了後被処理基板Ｗを真空チャンバー１から取り出す際、高温の基板ホルダー２も排出される。この時、プラズマＣＶＤ装置内は図３に示すように、大面積にわたって基板ホルダー２が設置されていた部分に何もない状態となる。このため基板ホルダー２による輻射熱により温められていた対向面側の第１電極板５の外表面温度が急激に降下することになる。すると、第１電極板５の外表面の付着物との熱膨張率の差により剥離が生じ、これがパーティクルとなる。そこで、基板ホルダー２による輻射熱により温められていた対向面側の第１電極板５の外表面温度の急激な降下を抑制する必要がある。このように第１電極板５の外表面温度が急激に降下するのを抑制することによりパーティクルの発生を抑制することができる。
【００１５】
一方、第１電極板５は裏側に第１ヒーター６および熱電対７が備え付けられており、熱電対７によって電極板温度を測定し、上部に位置する第１ヒーター６の出力値を調整することで、電極板温度が低下することなく一定になるよう、制御されている。ここで電極板温度としては電極板外表面温度を示すものとし、電極板外表面温度が一定となるように制御するのが望ましい。あるいは第１電極板５の温度が急激に降下するのを抑制し、徐冷するようにした場合は同様の効果を奏する。
【００１６】
図２は、第１電極板５を取り外したときの、真空チャンバー１内部の構造である。図２において、真空チャンバー１内部には、被処理基板Ｗ表面に薄膜形成を行うべき領域にガス供給配管９およびガス供給ノズル１１が設けられている。そして、これらのガス供給系統の外周に上部ヒーターである第１ヒーター６および熱電対７が備え付けられている。成膜のための領域はここでは４つの枠部と２つの中心部との６つの領域に分割されている。熱電対７は、各領域の第１ヒーター６毎に取り付けられており、各領域の電極板外表面の温度を測定し、第１ヒーター６を駆動制御することにより、温度制御されている。被処理基板Ｗについては、図８（ａ）および（ｂ）とともに後述するが、太陽電池用基板であり、受光面１０１Ａ側にｐ型拡散層１０２、裏面１０１Ｂ側にｎ型拡散層１０４の形成されたｎ型単結晶シリコン基板１０１が用いられ、この表面に反射防止膜１０３として窒化シリコン薄膜を成膜する。
【００１７】
上部ヒーターである第１ヒーター６を６個の領域に分割し、熱電対７による測定結果に応じて各領域に対して独立した温度制御をすることにより、大面積のプラズマＣＶＤ装置においても、電極板温度を均一にすることが可能である。したがって、真空チャンバー１内部の状況変化により、第１電極板５表面に温度変化が生じても、電極板温度を均一に出来、パーティクルの発生が抑止できる。
【００１８】
次にこのプラズマＣＶＤ装置を用いた反射膜としての窒化シリコン膜の形成工程について説明する。図４（ａ）から（ｃ）は、同窒化シリコン膜の形成工程における基板ホルダーと、第１電極板と、第１ヒーターの温度プロファイルを示す図である。縦軸は温度Ｔ、横軸は時間ｔを示す。図５は、実施の形態１のプラズマＣＶＤ装置を用いた反射膜の形成工程を示すフローチャートである。
【００１９】
まず、図１に示すプラズマＣＶＤ装置の真空チャンバー１を真空ポンプ１２を駆動して、真空排気し（ステップＳ１０１）、真空度があらかじめ設定された設定値、例えば１０-3〜１０-5Ｔｏｒｒの範囲内にあるか否かを判定する（ステップＳ１０２）。そして、真空チャンバー１の真空度があらかじめ設定された設定値の範囲内にあると判断される（ステップＳ１０２：Ｙｅｓ）と、基板ホルダー２に載置した被処理基板Ｗを真空チャンバー１内にセットする（ステップＳ１０３）。一方、真空チャンバー１の真空度があらかじめ設定された設定値の範囲内にでないと判断される（ステップＳ１０２：Ｎｏ）と、ステップＳ１０１に戻り真空排気を行う。
【００２０】
そして第２電極部Ｂの第２ヒーター３をオンし（ステップＳ１０４）、基板ホルダー２を介して被処理基板Ｗを加熱する。ここで第２ヒーター３によって加熱された基板ホルダー２からの輻射熱で対向する第１電極板５も加熱され、図４（ｂ）に示すように、昇温している。
【００２１】
そして基板ホルダー２が成膜温度まで昇温されたかどうかを判定し（ステップＳ１０５）、成膜温度である、４８０℃まで昇温したと判定される（ステップＳ１０５：Ｙｅｓ）と、原料ガスをガス供給配管９からガス供給ノズル１１を介してガス噴射穴５ｈから真空チャンバー内の被処理基板に向けて供給する（図４（ａ）のポイントＧ１（時刻ｔ１）：ステップＳ１０６）。ここでは、原料ガスには、シラン（ＳｉＨ4）、アンモニア（ＮＨ3）、および窒素（Ｎ2）が用いられる。一方、まだ成膜温度まで昇温されていないと判定される（ステップＳ１０５：Ｎｏ）と、ステップ１０４に戻る。
【００２２】
そして所定時間原料ガスの供給と基板ホルダーの温度維持を継続し、所望の膜厚の窒化シリコン膜が形成されたと判定されるとガスの供給を停止し、基板ホルダー２とともに被処理基板Ｗを真空チャンバー１から取り出す（図４（ａ）のポイントＧ２（時刻ｔ２）：ステップＳ１０７）。この時点で第１ヒーター６をオンしないと、図４（ｂ）に実線Ｒで示すように急激に第１電極板５の外表面温度は降下する。
【００２３】
そこで、本実施の形態ではＥ１，Ｅ２で示すように、第１ヒーター６をオンし（図４（ｃ））高温から徐々に温度が降下するように制御する。まず、熱電対７で第１電極板５の外表面の温度を測定し（ステップＳ１０８）、測定結果に基づき制御部８で制御を行う。温度勾配が基準値を超えているか否かを判定し（ステップＳ１０９）、基準値を超えている場合（ステップＳ１０９：Ｙｅｓ）は第１ヒーター６をオンし（ステップＳ１１０）、十分に冷えたか否かを判定し（ステップＳ１１１）、十分に冷えていないと判断されるとステップＳ１０９に戻り、十分に冷えたと判定されるまで第１ヒーター６によるなだらかな加熱を続行する。そして十分に冷えたと判定される（ステップＳ１１１：Ｙｅｓ）と制御を終了する。温度勾配が基準値以下である（ステップＳ１０９：Ｎｏ）と終了（エンド）とする。
【００２４】
このように、第１電極板５の外表面温度が一定に保たれ、温度変化によるパーティクルの発生が抑止される。
【００２５】
次に、実施の形態１のプラズマＣＶＤ装置のクリーニング工程について詳細に説明する。図６（ａ）から（ｃ）は、クリーニング工程における、第１ヒーター６と第２ヒーター３と、熱電対７の温度プロファイルを示す図、図７は、実施の形態１のプラズマＣＶＤ装置のクリーニング工程を示すフローチャートである。
【００２６】
あらかじめ設定された回数の処理を実施した後、まず真空チャンバー１を再度排気し（ステップＳ２０１）、所望の真空度に到達すると、第１ヒーター６および第２ヒーター３を駆動し（ステップＳ２０２）、温度Ｔ21，Ｔ22が成膜時の設定温度Ｔ011，Ｔ012よりも十分に高い温度となったか否かを判定する（ステップＳ２０３）。ここでは昇温後の安定した温度Ｔ21，Ｔ22となった時点をｔ=０とし、この時点からの温度を示している。
【００２７】
そして、ステップＳ２０３でＹｅｓと判定され、温度Ｔ21，Ｔ22が成膜時の設定温度Ｔ011，Ｔ012よりも十分に高い温度となったあと時間ｔだけ維持する。そして第１ヒーター６および第２ヒーター３をオフし（ステップＳ２０４）、ファン（図示せず）を回して強制冷却を行う（ステップＳ２０５）。一方ステップＳ２０３でＮｏと判定されると再びステップＳ２０２に戻る。
【００２８】
そして十分に冷えたか否かの判定を行い（ステップＳ２０６）、十分に冷えたと判定される（ステップＳ２０６：Ｙｅｓ）と、ガス供給配管９から不活性ガスを大量に噴射し、パーティクルを不活性ガスとともに排出する（ステップＳ２０７）。ステップＳ２０６でＮｏと判定されるとステップＳ２０５に戻り強制冷却を行う。
【００２９】
ここで熱電対７の出力結果から、温度降下時における温度勾配Ｓ１が十分に急峻となるように、温度制御を行うことで、第１電極板５外表面に付着したパーティクルを効率よく剥離することができる。
【００３０】
このようにして、効率よく真空チャンバー１のクリーニングを実施することができる。
【００３１】
このプラズマＣＶＤ装置を用いて形成される太陽電池セル１００は、図８（ａ）および（ｂ）に示すように、ｎ型単結晶シリコン基板１０１の第１主面（以下受光面１０１Ａとする）に光反射を低減するテクスチャー１０１Ｔを有する凹凸構造が形成されている。そして、この凹凸構造上にｐ型拡散層１０２が形成され、ｐ型拡散層１０２上に、窒化シリコン膜からなる反射防止膜１０３が積層して形成されている。そして、反射防止膜１０３の任意の位置に受光面１０１Ａ側の第１の集電電極１０６である受光面グリッド電極と受光面バス電極とが形成され、受光面グリッド電極と受光面バス電極とがｐ型拡散層１０２に接触したものである。ここで、ｎ型単結晶シリコン基板１０１の受光面１０１Ａと対向する第２主面（以下裏面１０１Ｂとする)には受光面１０１Ａ同様にテクスチャー１０１Ｔが形成され、順に、ｎ型拡散層１０４と、反射防止膜１０５とが形成され、反射防止膜１０５の任意の箇所に第２の集電電極１０７である裏面バス電極が形成されている。
【００３２】
このようにして、太陽電池の製造に用いるプラズマＣＶＤ装置のパーティクルの発生が抑えられ、電極等の部材をメンテナンスするまでの期間が長くなるので、このプラズマＣＶＤ装置のスループットが改善される。また、太陽電池セルの表面にパーティクルが付着する頻度が抑えられるため、セル特性の改善に繋がるという効果を奏する。
【００３３】
また、プラズマＣＶＤ装置のクリーニングにおいては、所定の使用時間に達すると、全てのヒーターを切って、降温することで、故意に真空チャンバー内部や電極板に温度差を付けて、真空チャンバー内部に堆積した膜を剥がし落とす作業を行う。別途加熱、急冷を行ってもよいが、第１電極板表面を成膜中は加熱しておき、降温作業に入る際に、ヒーターを切ることで、電極板表面の温度差を大きくすることができ、膜を効率良く剥がし落とすことが可能となる。
【００３４】
実施の形態２．
次に本発明の実施の形態２のプラズマＣＶＤ装置について説明する。前記実施の形態では、第２ヒーター３を６分割構造で構成したが、本実施の形態では、一体としたものである。他部は前記実施の形態１と同様であるため、ここでは説明を省略する。
【００３５】
本実施の形態においても、高精度の温度制御はできないが、おおむね面内均一性を得ることができればよく、第１電極部Ａ外表面がなだらかに温度降下するように、第１ヒーター６を駆動するだけで、パーティクルの形成は抑制される。従って、太陽電池などの製造においては有効である。
【００３６】
また、前記実施の形態１および２では温度測定部として熱電対を用いたが、熱電対に限定されることなく、赤外線センサなど他の温度センサも適用可能である。さらにまた、加熱部についてもヒーターに限定されることなく、高周波加熱媒体を分割配置し、独立して加熱制御を行うようにするなど、他の加熱部を用いてもよい。
【００３７】
本発明のいくつかの実施の形態を説明したが、これらの実施の形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これら新規な実施の形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これら実施の形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれるとともに、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる。
【符号の説明】
【００３８】
Ａ  第１電極部、Ｂ  第２電極部、１  真空チャンバー、２  基板ホルダー、３  第２ヒーター、５  第１電極板、５ｈ  ガス噴射穴、６  第１ヒーター、７  熱電対、８  制御部、９  ガス供給配管、１０  高周波電源、１１  ガス供給ノズル、１２  真空ポンプ。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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