(57)【要約】      （修正有）【課題】優れた信頼性を有する磁気記録媒体およびその製造方法、ならびにそれを作製するための成膜装置を提供する。【解決手段】磁気記録媒体は、可撓性を有する帯状の基材と、積層膜とを備える。磁気特性のバラツキが、基材の長手方向に３００ｍの区画に渡って±１０％以内である。積層膜は物理的体積法により成膜される。成膜装置は可撓性を有する帯状の基材を走行させる回転体と、上記回転体の回転面に対向して設けられた複数のカソードと、上記複数のカソードをそれぞれ収容する複数の収容部とを備える。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
可撓性を有する基材と、
積層膜と
を備え、
磁気特性のバラツキが、上記基材の長手方向に３００ｍの区画に渡って±１０％以内である磁気記録媒体。
【請求項２】
上記積層膜は、下地層と垂直記録層とを含んでいる請求項１に記載の磁気記録媒体。
【請求項３】
上記下地層は、ＴｉおよびＣｒを含み、
上記垂直記録層は、Ｃｏ、ＰｔおよびＣｒを含む粒子が酸化物で分離されたグラニュラ構造を有する請求項２に記載の磁気記録媒体。
【請求項４】
上記下地層は、アモルファス状態を有している請求項２に記載の磁気記録媒体。
【請求項５】
上記積層膜は、中間層をさらに含んでいる請求項２に記載の磁気記録媒体。
【請求項６】
上記中間層は、Ｒｕ、またはＮｉＷを含んでいる請求項５に記載の磁気記録媒体。
【請求項７】
上記積層膜は、軟磁性層およびＣＡＰ層のうちの少なくとも１種の層をさらに含んでいる請求項２に磁気記録媒体。
【請求項８】
上記磁気特性のバラツキが、上記基材の長手方向に３００ｍ以上の区画に渡って±５％以内である請求項１に記載の磁気記録媒体。
【請求項９】
上記磁気特性は、保持力Ｈｃ、角型比Ｒｓおよび配向強度Δθ50である請求項１に記載の磁気記録媒体。
【請求項１０】
上記積層膜は、物理的堆積法により成膜されている請求項１に記載の磁気記録媒体。
【請求項１１】
上記物理的堆積法は、スパッタリング法である請求項１０に記載の磁気記録媒体。
【請求項１２】
可撓性を有する帯状の基材を走行させる回転体と、
上記回転体の回転面に対向して設けられた複数のカソードと、
上記複数のカソードをそれぞれ収容する複数の収容部と
を備える成膜装置。
【請求項１３】
上記複数の収容部は、真空排気可能、かつ加熱冷却可能に構成されている請求項１２に記載の成膜装置。
【請求項１４】
可撓性を有する帯状の基材を走行させながら、上記基材の走行経路に設けられた複数のカソードにより、上記基材上に複数の薄膜を順次成膜することを含み、
上記複数のカソードはそれぞれ、複数の収容部に収容されている磁気記録媒体の製造方法。
【請求項１５】
上記複数の薄膜の成膜前に、上記複数の収容部を加熱することをさらに含んでいる請求項１４に記載の磁気記録媒体の製造方法。
【請求項１６】
上記加熱により、上記複数の収容部の内壁の温度を２００℃以上に、３０分以上保持する請求項１５に記載の磁気記録媒体の製造方法。
【請求項１７】
上記複数の薄膜の成膜中に、上記複数の収容部を冷却することをさらに含んでいる請求項１４に記載の磁気記録媒体の製造方法。
【請求項１８】
上記冷却により、上記複数の収容部の内壁の温度を９０℃以下に保持する請求項１７に記載の磁気記録媒体の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本技術は、可撓性を有する基材上に積層膜が設けられた磁気記録媒体およびその製造方法、ならびにそれを作製するための成膜装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、ＩＴ（情報技術）社会の発展、図書館および公文書館などの電子化、ならびにビジネス文書の長期保管により、データストレージ用磁気テープの高記録密度化の要求が高まっている。
【０００３】
高記録密度の磁気テープの製造方法としては、帯状を有する可撓性基材を走行させながら、スパッタリング法や蒸着法などにより、その基材上に積層膜を成膜するものが提案されている。特許文献１〜３では、この種の製造方法において、可撓性基材上に積層膜を成膜する前に、その基材の脱ガス処理を施すことが記載されている（例えば特許文献１〜３参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００６−２８６１１５号公報（段落［００１３］、［００５５］参照）
【特許文献２】特開２００５−３５３１９１号公報（段落［００３１］参照）
【特許文献３】特開平７−１１０９３９号公報（段落［００１６］参照）
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
本技術の目的は、優れた信頼性を有する磁気記録媒体およびその製造方法、ならびにそれを作製するための成膜装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
上述の課題を解決するために、第１の技術は、
可撓性を有する基材と、
積層膜と
を備え、
磁気特性のバラツキが、基材の長手方向に３００ｍの区画に渡って±１０％以内である磁気記録媒体である。
【０００７】
第２の技術は、
可撓性を有する帯状の基材を走行させる回転体と、
回転体の回転面に対向して設けられた複数のカソードと、
複数のカソードをそれぞれ収容する複数の収容部と
を備える成膜装置である。
【０００８】
第３の技術は、
可撓性を有する帯状の基材を走行させながら、基材の走行経路に設けられた複数のカソードにより、基材上に複数の薄膜を順次成膜することを含み、
複数のカソードはそれぞれ、複数の収容部に収容されている磁気記録媒体の製造方法である。
【発明の効果】
【０００９】
以上説明したように、本技術によれば、優れた信頼性を有する磁気記録媒体を実現できる。
【図面の簡単な説明】
【００１０】
【図１】図１は、本技術の一実施形態に係る磁気記録媒体の構成の一例を模式的に示す断面図である。
【図２】図２は、本技術の一実施形態に係る磁気記録媒体の製造に用いられるスパッタ装置の構成の一例を示す概略図である。
【図３】図３Ａは、加熱処理前におけるカソード収容室の状態を示す概略図である。図３Ｂは、加熱処理時におけるカソード収容室の状態を示す概略図である。図３Ｃは、冷却処理時におけるカソード収容室の状態を示す概略図である。
【図４】図４は、本技術の一実施形態の変形例１に係る磁気記録媒体の構成の一例を模式的に示す断面図である。
【図５】図５は、本技術の一実施形態の変形例２に係る磁気記録媒体の構成の一例を模式的に示す断面図である。
【図６】図６Ａは、カソード収容室の内壁面温度とカソード収容室内のＨ2Ｏ分圧との関係を示す図である。図６Ｂは、カソード収容室内のＨ2Ｏ分圧と磁気テープの抗磁力との関係を示す図である。
【図７】図７Ａは、スパッタ放電時間とカソード収容室の内壁面温度との関係を示す図である。図７Ｂは、スパッタ放電時間と磁気テープの抗磁力との関係を示す図である。
【図８】図８Ａは、スパッタ成膜長とカソード収容室内のＨ2Ｏ分圧との関係を示す図である。図８Ｂは、スパッタ成膜長と磁気テープの抗磁力との関係を示す図である。
【図９】図９Ａは、スパッタ成膜長と磁気テープの角型比との関係を示す図である。図９Ｂは、スパッタ成膜長と磁気テープの磁気記録層の配向強度Δθ50との関係を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００１１】
本技術において、積層膜は、下地層と垂直記録層とを含んでいることが好ましく、中間層、軟磁性層およびＣＡＰ層のうちの少なくとも１層をさらに含んでいることがより好ましい。
【００１２】
本技術において、下地層、中間層および垂直記録層の各層は、単層構造および多層構造のいずれであってもよい。磁気記録媒体の磁気特性および／または記録再生特性をさらに向上する観点からすると、多層構造を採用することが好ましい。製造効率を考慮すると、多層構造のうちでも２層構造を採用することが好ましい。
【００１３】
本技術では、磁気記録媒体が、基材と下地層との間、または下地層と中間層との間に、軟磁性層をさらに備えることが好ましい。軟磁性層の構造としては、単層構造および多層構造のいずれを用いてもよいが、記録再生特性の向上の観点からすると、多層構造を用いることが好ましい。多層構造を有する軟磁性層としては、第１の軟磁性層と中間層と第２の軟磁性層とを備え、中間層が第１の軟磁性層と第２の軟磁性層との間に設けられているものが好ましい。磁気記録媒体が軟磁性層をさらに備える場合、軟磁性層と下地層との間に下地層を備えることが好ましい。
【００１４】
本技術では、基材表面に、アモルファス状態を有し、ＴｉおよびＣｒを含む合金を含んでいる下地層が設けられていることが好ましい。これにより、基材表面に吸着したＯ2ガスやＨ2Ｏなどが中間層および／または記録層に対して及ぼす影響を抑制できるとともに、基材表面に平滑性を向上できる。
【００１５】
本技術の実施形態について以下の順序で説明する。
１  磁気記録媒体の構成
２  スパッタ装置の構成
３  磁気記録媒体の製造方法
４  効果
５  変形例
【００１６】
［１  磁気記録媒体の構成］
図１に示すように、本技術の一実施形態に係る磁気記録媒体は、いわゆる単層垂直磁気記録媒体であり、基材１１と、積層膜１０とを備える。積層膜１０は、基材１１の表面に設けられた下地層１２と、下地層１２の表面に設けられた中間層１３と、中間層１３の表面に設けられた磁気記録層１４とを備える。積層膜１０は、必要に応じて、磁気記録層１４の表面に設けられた保護層１５と、保護層１５の表面に設けられたトップコート層１６とをさらに備えるようにしてもよい。
【００１７】
下地層１２、中間層１３および磁気記録層１４は、物理的堆積法により成膜されている。物理的堆積法としては、生産性などの観点から、スパッタリング法が好ましい。なお、本明細書では、軟磁性裏打ち層を持たない記録媒体を「単層垂直磁気記録媒体」と称し、軟磁性裏打ち層を有する記録媒体を「二層垂直磁気記録媒体」と称する。
【００１８】
この磁気記録媒体は、今後ますます需要が高まることが期待されるデータアーカイブ用ストレージメディアとして用いて好適なものである。この磁気記録媒体は、例えば、現在のストレージ用塗布型磁気テープの１０倍以上の面記録密度、すなわち５０Ｇｂ／ｉｎ2の面記録密度を実現することが可能である。このような面記録密度を有する磁気記録媒体を用いて、一般のリニア記録方式のデータカートリッジを構成した場合には、データカートリッジ１巻当たり５０ＴＢ以上の大容量記録が可能になる。この磁気記録媒体は、リング型の記録ヘッドと巨大磁気抵抗効果（Giant Magnetoresistive：ＧＭＲ）型の再生ヘッドを用いる記録再生装置に用いて好適なものである。
【００１９】
磁気特性のバラツキが、基材１１の長手方向に３００ｍの区画に渡って±１０％以内、好ましくは±５％以内である。磁気特性のバラツキを±１０％以内にすることで、特性安定性が保持され、優れた信頼性を有する磁気記録媒体が得られる。ここで、磁気特性は、保持力Ｈｃ、角型比Ｒｓおよび磁気記録層１４の配向強度Δθ50のうちの少なくとも１つの特性、好ましくはそれらすべての特性である。ここで、配向強度Δθ50は、磁気記録媒体のＸ線回折ピークの中で、磁気記録層１４に含まれる磁性原子の回折ピークをロッキングカーブ法で計測することにより求められる。
【００２０】
（基材）
支持体となる基材１１は、例えば、長尺状のフィルムであり、長手方向（ＭＤ方向）および短手方向（ＴＤ方向）を持つ表面を有している。基材１１としては、可撓性を有する非磁性基材を用いることが好ましい。非磁性基材の材料としては、例えば、通常の磁気記録媒体に用いられる可撓性の高分子樹脂材料を用いることができる。このような高分子材料の具体例としては、ポリエステル類、ポリオレフィン類、セルロース誘導体、ビニル系樹脂、ポリイミド類、ポリアミド類またはポリカーボネートなどが挙げられる。
【００２１】
（下地層）
下地層１２は、基材１１と中間層１３との間に設けられている。下地層１２は、ＴｉおよびＣｒを含む合金を含み、アモルファス状態を有していることが好ましい。また、この合金には、Ｏ（酸素）がさらに含まれていてもよい。この酸素は、例えば、スパッタリング法などの成膜法で下地層１２を成膜する際に、下地層１２内に微量に含まれる不純物酸素である。ここで、「合金」とは、ＴｉおよびＣｒを含む固溶体、共晶体、および金属間化合物などの少なくとも一種を意味する。「アモルファス状態」とは、電子線回折法により、ハローが観測され、結晶構造を特定できないことを意味する。
【００２２】
ＴｉおよびＣｒを含む合金を含み、アモルファス状態を有する下地層１２には、基材１１に吸着したＯ2ガスやＨ2Ｏの影響を抑制するとともに、基材１１の表面の凹凸を緩和して基材１１の表面に金属性の平滑面を形成する作用がある。この作用により、中間層１３の垂直配向性が向上する。なお、下地層１２の状態を結晶状態にすると、結晶成長に伴うカラム形状が明瞭となり、基材１１の表面の凹凸が強調され、中間層１３の結晶配向が悪化する。
【００２３】
下地層１２に含まれるＴｉ、ＣｒおよびＯ（酸素）の総量に対するＯの割合は、好ましくは１５原子％（atomic％：at％）以下、より好ましくは１０原子％以下である。酸素の割合が１５原子％を超えると、ＴｉＯ2結晶が生成することにより、下地層１２の表面に形成される中間層１３の結晶核形成に影響を与えるようになり、中間層１３の配向性が大きく低下する。
【００２４】
下地層１２に含まれるＴｉおよびＣｒの総量に対するＴｉの割合は、好ましくは３０原子％以上１００原子％以下、より好ましくは５０原子％以上１００原子％以下の範囲内である。Ｔｉの比率が３０％未満であると、Ｃｒの体心立方格子（Body-Centered Cubic lattice：ｂｃｃ）構造の（１００）面が配向するようになり、下地層１２の表面に形成される中間層１３の配向性が低下する。
【００２５】
なお、上記元素の割合は次のようにして求めることができる。磁気記録媒体のトップコート層１６側からイオンビームによるエッチングを行い、エッチングされた下地層１２の最表面についてオージェ電子分光法による解析を実施し、膜厚に対する平均の原子数比率を上記元素の割合とする。具体的には、Ｔｉ、ＣｒおよびＯの３元素について解析を行い、その百分率比率による元素量を同定する。
【００２６】
下地層１２に含まれる合金が、ＴｉおよびＣｒ以外の元素を添加元素としてさらに含んでいてもよい。この添加元素としては、例えば、Ｎｂ、Ｎｉ、Ｍｏ、ＡｌおよびＷなどからなる群より選ばれる１種以上の元素が挙げられる。
【００２７】
なお、下地層１２は単層構造に限定されるものではなく、２層以上の多層構造であってもよい。例えば下地層１２が２層構造を有する場合、下地層１２は、第１の下地層（上側下地層）および第２の下地層（下側下地層）を備える。第１の下地層が磁気記録層１４の側に設けられ、第２の下地層が基材１１の側に設けられる。第２の下地層は、上述の下地層１２と同様のものを用いることができる。第１の下地層は、例えば第２の下地層とは異なる組成の材料を含んでいる。この材料の具体例としては、ＮｉＷまたはＴａなどが挙げられる。なお、第１の下地層は、下地層ではなく、第２の下地層と磁気記録層１４との間に設けられた中間層と見なすことも可能である。
【００２８】
（中間層）
中間層１３は、磁気記録層１４と同様の結晶構造を有していることが好ましい。磁気記録層１４がＣｏ系合金を含んでいる場合には、中間層１３は、Ｃｏ系合金と同様の六方細密充填（ｈｃｐ）構造を有する材料を含み、その構造のｃ軸が膜面に対して垂直方向（すなわち膜厚方向）に配向していることが好ましい。磁気記録層１４の配向性を高め、かつ、中間層１３と磁気記録層１４との格子定数のマッチングを比較的良好にできるからである。六方細密充填（ｈｃｐ）構造を有する材料としては、Ｒｕを含む材料を用いることが好ましく、具体的にはＲｕ単体またはＲｕ合金が好ましい。Ｒｕ合金としては、例えば、Ｒｕ−ＳｉＯ2、Ｒｕ−ＴｉＯ2またはＲｕ−ＺｒＯ2などのＲｕ合金酸化物が挙げられる。また、中間層１３が、Ｒｕを含む材料に代えて、ＮｉまたはＴａなどを含む材料を用いてもよい。Ｎｉを含む材料としては、例えば、ＮｉＷなどのＮｉ合金を用いることができる。
【００２９】
なお、中間層１３は単層構造に限定されるものではなく、２層以上の多層構造であってもよい。例えば、中間層１３が２層構造を有する場合、中間層１３は、第１の中間層（上側中間層）および第２の中間層（下側中間層）を備える。第１の中間層が磁気記録層１４の側に設けられ、第２の中間層が下地層１２の側に設けられる。
【００３０】
第１の中間層、第２の中間層の材料としては、例えば、上述した中間層１３と同様のものを用いることができる。しかしながら、第１の中間層、第２の中間層それぞれにおいて目的とする効果が異なっており、それ故にそれぞれの成膜条件は異なるものとなる。すなわち、第１の中間層についてはその上層となる磁気記録層１４のグラニュラ構造を促進する膜構造とすることが好ましく、第２の中間層については結晶配向性の高い膜構造とすることが好ましい。
【００３１】
（磁気記録層）
磁気記録層１４は、記録密度を向上する観点から、垂直記録層、より具体的にはＣｏ系合金を含むグラニュラ磁性層であることが好ましい。このグラニュラ磁性層は、Ｃｏ系合金を含む強磁性結晶粒子と、この強磁性結晶粒子を取り巻く非磁性粒界（非磁性体）とから構成されている。より具体的には、このグラニュラ磁性層は、Ｃｏ系合金を含むカラム（柱状結晶）と、このカラムを取り囲み、それぞれのカラムを磁気的に分離する非磁性粒界（例えばＳｉＯ2などの酸化物）とから構成されている。この構造では、それぞれのカラムが磁気的に分離した構造を有する磁気記録層１４を構成することができる。
【００３２】
Ｃｏ系合金は、六方細密充填（ｈｃｐ）構造を有し、そのｃ軸が膜面に対して垂直方向（膜厚方向）に配向している。Ｃｏ系合金としては、少なくともＣｏ、ＣｒおよびＰｔを含有するＣｏＣｒＰｔ系合金を用いることが好ましい。ＣｏＣｒＰｔ系合金は、特に限定されるものではなく、ＣｏＣｒＰｔ合金がさらに添加元素を含んでいてもよい。添加元素としては、例えば、ＮｉおよびＴａなどからなる群より選ばれる１種以上の元素が挙げられる。
【００３３】
強磁性結晶粒子を取り巻く非磁性粒界は、非磁性金属材料を含んでいる。ここで、金属には半金属を含むものとする。非磁性金属材料としては、例えば、金属酸化物および金属窒化物のうちの少なくとも一方を用いることができ、グラニュラ構造をより安定に維持する観点からすると、金属酸化物を用いることが好ましい。金属酸化物としては、Ｓｉ、Ｃｒ、Ｃｏ、Ａｌ、Ｔｉ、Ｔａ、Ｚｒ、Ｃｅ、ＹおよびＨｆなどからなる群より選ばれる少なくとも１種以上の元素を含む金属酸化物が挙げられ、少なくともＳｉ酸化物（すなわちＳｉＯ2）を含んでいる金属酸化物が好ましい。その具体例としては、ＳｉＯ2、Ｃｒ2Ｏ3、ＣｏＯ、Ａｌ2Ｏ3、ＴｉＯ2、Ｔａ2Ｏ5、ＺｒＯ2またはＨｆＯ2などが挙げられる。金属窒化物としては、Ｓｉ、Ｃｒ、Ｃｏ、Ａｌ、Ｔｉ、Ｔａ、Ｚｒ、Ｃｅ、ＹおよびＨｆなどからなる群より選ばれる少なくとも１種以上の元素を含む金属窒化物が挙げられる。その具体例としては、ＳｉＮ、ＴｉＮまたはＡｌＮなどが挙げられる。
【００３４】
ＳＮＲ（Signal-Noise Ratio）の更なる向上を実現する観点からすると、磁気記録層１４が、以下の式に示す平均組成を有していることが好ましい。反磁界の影響を抑え、かつ、十分な再生出力を確保できる飽和磁化量Ｍｓを実現でき、これにより、高いＳＮＲを確保できるからである。
（ＣｏxＰｔyＣｒ100-x-y）100-z−（ＳｉＯ2）z
（但し、式中において、ｘ、ｙ、ｚはそれぞれ、６９≦Ｘ≦７２、１２≦ｙ≦１６、９≦Ｚ≦１２の範囲内の値である。）
【００３５】
なお、上記組成は次のようにして求めることができる。磁気記録媒体のトップコート層１６側からイオンビームによるエッチングを行い、エッチングされた磁気記録層１４の最表面についてオージェ電子分光法による解析を実施し、膜厚に対する平均の原子数比率を上記組成として求める。具体的には、Ｃｏ、Ｐｔ、Ｃｒ、ＳｉおよびＯの５元素について解析を行い、その百分率比率による元素量を同定する。
【００３６】
本実施形態に係る磁気記録媒体は、軟磁性材料を含む裏打ち層（軟磁性裏打ち層）を有さない単層磁気記録媒体であるが、この種の磁気記録媒体では、磁気記録層１４に起因する垂直方向への反磁界の影響が大きいと、垂直方向への十分な記録が困難となる傾向がある。反磁界は、磁気記録層１４の飽和磁化量Ｍｓに比例して大きくなるので、反磁界を抑えるためには飽和磁化量Ｍｓを小さくすることが望ましい。しかしながら、飽和磁化量Ｍｓが小さくなると、残留磁化量Ｍｒが小さくなり、再生出力が低下する。したがって、磁気記録層１４に含まれる材料は、反磁界の影響の抑制（すなわち飽和磁化量Ｍｓの低減）と、十分な再生出力を確保できる残留磁化量Ｍｒとを両立する観点から選択することが好ましい。上記式の平均組成においては、これらの特性を両立し、高いＳＮＲを確保できる。
【００３７】
（保護層）
保護層１５は、例えば、炭素材料または二酸化ケイ素（ＳｉＯ2）を含み、保護層１５の膜強度の観点からすると、炭素材料を含んでいることが好ましい。炭素材料としては、例えば、グラファイト、ダイヤモンド状炭素（Diamond-Like Carbon：ＤＬＣ）またはダイヤモンドなどが挙げられる。
【００３８】
（トップコート層）
トップコート層１６は、例えば潤滑剤を含んでいる。潤滑剤としては、例えば、シリコーン系潤滑剤、炭化水素系潤滑剤またはフッ素化炭化水素系潤滑剤などを用いることができる。
【００３９】
［２  スパッタ装置の構成］
図２に示すように、本技術の一実施形態に係るスパッタ装置は、連続巻取式スパッタ装置であり、成膜室２１と、金属キャン（回転体）であるドラム２２と、カソード３１〜３３と、カソード収容室５１〜５３と、供給リール２３と、巻き取りリール２４と、複数のガイドロール２５、２６とを備える。このスパッタ装置は、例えばＤＣ（直流）マグネトロンスパッタリング方式の装置であるが、スパッタリング方式はこの方式に限定されるものではない。
【００４０】
成膜室２１は、排気口２７を介して図示しない真空ポンプに接続され、この真空ポンプにより成膜室２１内の雰囲気が所定の真空度に設定される。成膜室２１の内部には、回転可能な構成を有するドラム２２、供給リール２３および巻き取りリール２４が配置されている。成膜室２１内には、供給リール２３とドラム２２との間における基材１１の搬送をガイドするための複数のガイドロール２５が設けられていると共に、ドラム２２と巻き取りリール２４との間における基材１１の搬送をガイドするための複数のガイドロール２６が設けられている。スパッタ時には、供給リール２３から巻き出された基材１１が、ガイドロール２５、ドラム２２およびガイドロール２６を介して巻き取りリール２４に巻き取られる。ドラム２２は円柱状の形状を有し、帯状の基材１１はドラム２２の円柱面状の周面に沿わせて搬送される。ドラム２２には、図示しない冷却機構が設けられており、スパッタ時には、例えば−２０℃程度に冷却される。
【００４１】
成膜室２１内には、ドラム２２の周面に対向し、かつドラム２２の周方向に等間隔で複数のカソード３１〜３３が配置されている。これらのカソード３１〜３３にはそれぞれターゲット４１〜４３を取り付け可能である。上述の構成を有する磁気記録媒体を製造する場合には、ターゲット４１〜４３としてはそれぞれ、下地層１２、中間層１３、磁気記録層１４を成膜するためのものがセットされる。これらのカソード３１〜３３により複数の種類の膜、例えば下地層１２、中間層１３および磁気記録層１４の３層が、基材１１の１回の搬送で同時に成膜される。
【００４２】
成膜室２１内には更に、複数のカソード３１〜３３をそれぞれ収容するための複数のカソード収容室５１〜５３が配置されている。カソード収容室５１〜５３はそれぞれ、ドラム２２に対向する側に開口部６１〜６３を有している。ターゲット４１〜４３からスパッタリングされ、気相中に放出されたスパッタリング粒子は、開口部６１〜６３を介して、ドラム２２の周面に沿って搬送される基材１１に到達し、薄膜が形成される。
【００４３】
カソード収容室５１〜５３は、それらの室内中を独立に真空排気可能で、かつそれらの壁部を加熱冷却制御可能に構成されている。カソード収容室５１〜５３は、それらの室内中に独立にプロセスガスを導入可能な構成としてもよい。
【００４４】
スパッタ時の成膜室２１の雰囲気は、例えば、１×１０-5Ｐａ〜５×１０-5Ｐａ程度に設定される。下地層１２、中間層１３および磁気記録層１４の膜厚および特性（例えば磁気特性）は、基材１１を巻き取るテープライン速度、スパッタ時に導入するＡｒガスの圧力（スパッタガス圧）、および投入電力などを調整することにより制御可能である。テープライン速度は、１ｍ／ｍｉｎ〜１０ｍ／ｍｉｎ程度の範囲内であることが好ましい。スパッタガス圧は、０．１Ｐａ〜５Ｐａ程度の範囲内であることが好ましい。投入電力量は、３０ｍＷ／ｍｍ2〜１５０ｍＷ／ｍｍ2程度の範囲内であることが好ましい。
【００４５】
上述の構成を有するスパッタ装置では、下地層１２、中間層１３および磁気記録層１４をＲｏｌｌ  ｔｏ  Ｒｏｌｌ法により連続成膜することができる。
【００４６】
［３  磁気記録媒体の製造方法］
以下、図２、図３Ａ〜図３Ｃを参照して、本技術の一実施形態に係る磁気記録媒体の製造方法の一例について説明する。なお、以下に示す各工程において、カソード収容室５１〜５３はほぼ同様な状態にあるため、図３Ａ〜図３Ｃでは、カソード収容室５１内の状態を代表して示し、それ以外のカソード収容室５２、５３の状態の図示は省略するものとする。
【００４７】
（真空排気の工程）
まず、成膜室２１内およびカソード収容室５１〜５３内を真空排気して、所定の真空度にする。より具体的には、成膜室２１内を真空引きして、成膜室２１内が所定の真空度に到達した後、カソード収容室５１〜５３内を真空引きして、それぞれの室内を所定の真空度にする。もしくは、成膜室２１内およびカソード収容室５１〜５３内を同時に真空排気して、それぞれの室内を所定の真空度にする。カソード収容室５１〜５３それぞれの真空度は、例えば、基材１１上に積層される各層の特性や組成などに応じて独立に設定される。カソード収容室５１〜５３内を真空引きした状態では、図３Ａに示すように、カソード収容室５１〜５３の内壁面には、Ｏ2やＨ2Ｏなどのガス７１が残留している。
【００４８】
（加熱処理の工程）
次に、カソード収容室５１〜５３の壁部を加熱処理することが好ましい。これにより、図３Ｂに示すように、カソード収容室５１〜５３の内壁面からのＯ2やＨ2Ｏなどの残留ガス７１を放出できるからである。残留ガス７１の低減の観点からすると、加熱処理により、カソード収容室５１〜５３の内壁面を２００℃以上に、３０分以上保持することが好ましい。
【００４９】
（下地層、中間層および磁気記録層の成膜工程）
次に、下地層１２、中間層１３および磁気記録層１４を基材１１上に成膜する。具体的には以下のようにして成膜する。すなわち、成膜室２１内にＡｒガスなどのプロセスガスを導入しながら、カソード３１〜３３にそれぞれセットされたターゲット４１〜４３をスパッタして、ドラム２２の周面に沿いながら走行する基材１１の表面に下地層１２、中間層１３および磁気記録層１４を順次成膜する。
【００５０】
供給リール２３から基材１１を巻き出し、ドラム２２を介して巻き取りリール２４に巻き取る１回の工程で、走行する基材１１の表面に下地層１２、中間層１３および磁気記録層１４の３層すべてを連続成膜することがより好ましい。なお、供給リール２３から基材１１を巻き出し、ドラム２２を介して巻き取りリール２４に巻き取る１回の工程で、隣接する２層（例えば下地層１２、中間層１３）を成膜し、再度巻き取りリール２４から基材１１を巻き出し、供給リール２３に巻き取る更なる工程で、残りの１層（例えば磁気記録層１４）を成膜するようにしてもよい。但し、後者の成膜方法では、膜の表面状態に変質を招く虞があるため、前者の成膜方法が好ましい。
【００５１】
上述の成膜工程中、カソード収容室５１〜５３の壁部を冷却処理することが好ましい。これにより、図３Ｃに示すように、カソード収容室５１〜５３の内壁面に残存するＯ2やＨ2Ｏなどの残留ガス７１の放出を抑制できるからである。残留ガス７１の放出抑制の観点からすると、カソード収容室５１〜５３の内壁面の温度を、成膜工程中９０℃以下に保持することが好ましい。
【００５２】
（保護層の成膜工程）
次に、例えば巻き取りリール２４に巻き取った基材１１をスパッタ装置から他の成膜装置に搬送して、磁気記録層１４の表面に保護層１５を成膜する。保護層１５の成膜方法としては、例えば化学気相成長（Chemical Vapor Deposition：ＣＶＤ）法または物理蒸着（physical vapor deposition：ＰＶＤ）法を用いることができる。
【００５３】
（トップコート層の成膜工程）
次に、例えば基材１１を塗布装置に搬送し、潤滑剤などを保護層１５の表面に塗布し、トップコート層１６を成膜する。潤滑剤の塗布方法はとしては、例えば、グラビアコーティング、ディップコーティングなどの各種塗布方法を用いることができる。
以上により、図１に示した磁気記録媒体が得られる。
【００５４】
［４  効果］
本実施形態に係る磁気記録媒体では、磁気特性のバラツキを、帯状の磁気記録媒体の長手方向に３００ｍの区画に渡って±１０％以内に抑えているので、磁気記録媒体の長手方向の磁気特性を安定させることができる。すなわち、優れた信頼性を有する磁気記録媒体を提供できる。また、面内磁気記録用ヘッドで記録可能であり、かつ、中間層１３および磁気記録層１４が良好な結晶配向成長性を有する、磁気特性に優れた磁気記録媒体を提供できる。
【００５５】
本実施形態に係るスパッタ装置では、カソード３１〜３３それぞれをカソード収容室５１〜５３により個室状に覆っているので、磁気記録媒体の長手方向の磁気特性の安定性を確保することができる。カソード収容室５１〜５３を設けない場合、各積層膜の最適ガス圧を制御できず、目的とする膜特性が確保できない、デガスが全面的に影響して特性安定性が保持できない、などの不具合が生じる。
【００５６】
本実施形態に係るスパッタ装置では、連続スパッタ成膜時に、カソード収容室５１〜５３の内壁面を一定の温度以下に保った場合には、内壁面からの残留ガス７１の放出を抑制し、磁気記録媒体の長手方向の磁気特性の安定性を向上させることができる。
【００５７】
［５  変形例］
上述の一実施形態では、下地層１２、中間層１３および磁気記録層１４を基材１１上に順次積層した構成を有する磁気記録媒体およびその製造方法、ならびにスパッタ装置に対して本技術を適用した例について説明したが、本技術はこれらに限定されるものではない。
【００５８】
（変形例１）
図４に示すように、磁気記録媒体が、下地層１２と磁気記録層１４との間の中間層１３（図１参照）を省略し、下地層１２と磁気記録層１４とを隣接させた構成を有していてもよい。この磁気記録媒体を製造するためのスパッタ装置は、図２に示したスパッタ装置におけるカソード３２およびカソード収容室５２を省略した構成を有している。この磁気記録媒体の製造方法は、上述の構成を有するスパッタ装置を用いて、基材１１上に下地層１２および磁気記録層１４を順次積層する以外は、第１の実施形態に係る磁気記録媒体の製造方法と同様である。
【００５９】
（変形例２）
図５に示すように、磁気記録媒体が、基材１１と下地層１２との間に、下地層１７および軟磁性裏打ち層（Soft magnetic underlayer、以下「ＳＵＬ」という。）１８をさらに備えるようにしてもよい。下地層１７が基材１１の側に設けられ、ＳＵＬ１８が下地層１２の側に設けられる。また、磁気記録層１４と保護層１５との間にＣＡＰ層（スタック層）１９をさらに備えるようにしてもよい。下地層１７、ＳＵＬ１８およびＣＡＰ層１９のすべてを備えるようにしてもよいが、これらの層のうちの１種以上を備えるようにしてもよい。
【００６０】
（下地層）
下地層１７としては、第１の実施形態における下地層１２と同様のものを用いることができる。
【００６１】
（ＳＵＬ）
ＳＵＬ１８の膜厚は、好ましくは４０ｎｍ以上、より好ましくは４０ｎｍ以上１４０ｎｍ以下である。４０ｎｍ未満であると、記録再生特性が低下する傾向がある。一方、１４０ｎｍを超えると、ＳＵＬ１８の結晶粒の粗大化による中間層１３の結晶配向性の低下が顕著となるとともに、ＳＵＬ１８の成膜時間が長くなり、生産性の低下を招く虞がある。ＳＵＬ１８は、アモルファス状態の軟磁性材料を含んでいる。軟磁性材料としては、例えば、Ｃｏ系材料またはＦｅ系材料などを用いることができる。Ｃｏ系材料としては、例えば、ＣｏＺｒＮｂ、ＣｏＺｒＴａ、ＣｏＺｒＴａＮｂなどが挙げられる。Ｆｅ系材料としては、例えば、ＦｅＣｏＢ、ＦｅＣｏＺｒ、ＦｅＣｏＴａなどが挙げられる。
【００６２】
ＳＵＬ１８はアモルファス状態を有するため、ＳＵＬ１８上に形成される層のエピタキシャル成長を促す役割を担わないが、ＳＵＬ１８の上に形成される中間層１３の結晶配向を乱さないことが求められる。そのためには、軟磁性材料がカラムを形成しない微細な構造を有していることが好ましいが、基材１１からの水分などのデガスの影響が大きい場合、軟磁性材料が粗大化し、ＳＵＬ１８上に形成される中間層１３の結晶配向を乱してしまう虞がある。それらの影響を抑えるためには、下地層１７を基材１１の表面に設けることが好ましい。特に、水分や酸素などの気体の吸着の多い、高分子材料のフィルムを基材１１として用いる場合、それらの影響を抑えるために下地層１７を設けることが好ましい。
【００６３】
ＳＵＬ１８は、Antiparallel Coupled ＳＵＬ（以下「ＡＰＣ−ＳＵＬ」という。）であってもよい。ＡＰＣ−ＳＵＬは、薄い中間層を介して２つの軟磁性層を積層し、中間層を介した交換結合を利用して積極的に磁化を反平行に結合させた構造を有している。軟磁性層の膜厚は略同一であることが好ましい。軟磁性層のトータルの膜厚は、好ましくは４０ｎｍ以上、より好ましくは４０ｎｍ以上７０ｎｍ以下である。４０ｎｍ未満であると、記録再生特性が低下する傾向がある。一方、７０ｎｍを超えると、ＡＰＣ−ＳＵＬの成膜時間が長くなり、生産性の低下を招く虞がある。軟磁性層の材料は同一の材料であることが好ましく、その材料としては、上述したＳＵＬ１８と同様の材料を用いることができる。中間層の膜厚は、例えば０．８ｎｍ以上１．４ｎｍ以下、好ましくは０．９ｎｍ以上１．３ｎｍ以下、より好ましくは１．１ｎｍ程度である。中間層の膜厚を０．９ｎｍ以上１．３ｎｍ以下の範囲内に選択することで、より良好な記録再生特性を得ることができる。中間層の材料としては、Ｖ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｃｕ、Ｒｕ、Ｒｈ、Ｒｅなどが挙げられ、特に、Ｒｕが好ましい。
【００６４】
（ＣＡＰ層）
グラニュラ構造を有する磁気記録層１４と、ＣＡＰ層１９とからなる積層構造は、一般にCoupled Granular Continuous（ＣＧＣ）と呼ばれている。ＣＡＰ層１９の膜厚は、４ｎｍ以上１２ｎｍ以下であることが好ましい。ＣＡＰ層１９の膜厚を４ｎｍ以上１２ｎｍ以下の範囲内に選択することで、より良好な記録再生特性を得ることができる。ＣＡＰ層１９は、例えばＣｏＣｒＰｔ系材料を含んでいる。ＣｏＣｒＰｔ系材料としては、例えば、ＣｏＣｒＰｔ、ＣｏＣｒＰｔＢ、これら材料に金属酸化物をさらに添加した材料（ＣｏＣｒＰｔ−金属酸化物、ＣｏＣｒＰｔＢ−金属酸化物）などが挙げられる。添加する金属酸化物としては、例えば、Ｓｉ、Ｔｉ、Ｍｇ、ＴａおよびＣｒなどからなる群より選ばれる少なくとも１種を用いることができる。その具体例としては、ＳｉＯ2、ＴｉＯ2、ＭｇＯ、Ｔａ2Ｏ5、Ｃｒ2Ｏ3、それらの２種以上の混合体などが挙げられる。
【００６５】
この磁気記録媒体を製造するためのスパッタ装置は、図２に示したスパッタ装置におけるカソード３１〜３３およびカソード収容室５１〜５２を、基材１１上に成膜される積層膜の層数に相当する個数分設けるようにすればよい。具体的には例えば、下地層１７、ＳＵＬ１８、下地層１２、中間層１３、磁気記録層１４およびＣＡＰ層１９の６層の層数に相当する６個のカソードおよびカソード収容室を設けるようにすればよい。この磁気記録媒体の製造方法は、上述の構成を有するスパッタ装置を用いて、基材１１上に下地層１７、ＳＵＬ１８、下地層１２、中間層１３、磁気記録層１４およびＣＡＰ層１９を順次積層する以外は、第１の実施形態に係る磁気記録媒体の製造方法と同様である。
【実施例】
【００６６】
以下、実施例により本技術を具体的に説明するが、本技術はこれらの実施例のみに限定されるものではない。
【００６７】
本技術の実施例について以下の順序で説明する。
ｉ  内壁面温度−Ｈ2Ｏ分圧、およびＨ2Ｏ分圧−磁気特性の関係
ii  スパッタ放電時間−内壁面温度、磁気特性の関係
iii  スパッタ成膜長−Ｈ2Ｏ分圧、磁気特性の関係
【００６８】
＜ｉ  内壁面温度−Ｈ2Ｏ分圧、およびＨ2Ｏ分圧−磁気特性の関係＞
（参考例１）
図２に示した構成を有するスパッタ装置を用いて、以下のようにして磁気テープを作製した。なお、本実施例においては、上述の一実施形態と対応する部分には同一の符号を付す。
【００６９】
まず、カソード３１〜３３にそれぞれ、以下のターゲット４１〜４３を取り付けた。
ターゲット４１：Ｔｉ30Ｃｒ70ターゲット
ターゲット４２：Ｒｕターゲット
ターゲット４３：（Ｃｏ75Ｃｒ10Ｐｔ15）90−（ＳｉＯ2）10ターゲット
【００７０】
次に、成膜室２１内およびカソード収容室５１〜５３内を真空引きした。なお、カソード収容室５１〜５３を独立に真空排気制御して、各ターゲット４１〜４３により成膜される薄膜の膜質に適切な真空度が得られるようにした。次に、カソード収容室５１〜５３の壁部の加熱処理を行わずに、以下のようにして成膜を行った。すなわち、成膜室２１内にＡｒガスを導入しながら、カソード３１〜３３にそれぞれ取り付けられたターゲット４１〜４３をスパッタして、走行する帯状の高分子フィルム１１の表面に下地層１２、中間層１３および磁気記録層１４を順次成膜した。また、各層の成膜中におけるカソード収容室５１〜５３の内壁面の温度、およびカソード収容室５１〜５３内のＨ2Ｏ分圧を測定した。なお、成膜中にカソード収容室５１〜５３の壁部の温度制御は行わなかった。以上により、帯状の磁気テープが得られた。
【００７１】
次に、得られた磁気テープの磁気記録層１４の抗磁力（Ｈｃ）を振動試料磁力計（Vibrating Sample Magnetometer：ＶＳＭ）にて求めた。次に、求めた抗磁力のばらつきを以下の式により求めた。
（抗磁力のバラツキ）＝１００−［（（所定の内壁面温度にて作製された磁気テープの抗磁力）／（２０℃の内壁面温度にて作製された磁気テープの抗磁力））×１００］［％］
【００７２】
（測定結果）
表１は、参考例１の磁気テープの作製時におけるカソード収容室５１の内壁面の温度、およびカソード収容室５１内のＨ2Ｏ分圧の測定結果を示す。また、各内壁面温度にて作製された磁気テープの抗磁力の測定結果およびそのバラツキも示す。図６Ａは、カソード収容室５１の内壁面温度とカソード収容室５１内のＨ2Ｏ分圧との関係を示す。図６Ｂは、カソード収容室５１内のＨ2Ｏ分圧と磁気記録層１４の抗磁力との関係を示す。なお、カソード収容室５１〜５３それぞれの内壁面温度およびＨ2Ｏ分圧はほぼ同様であったため、表１、図６Ａ、図６Ｂにはカソード収容室５１のもののみを代表して示した。
【００７３】
【表１】
2015197938.tif 000003
【００７４】
上記測定結果から以下のことがわかる。
（Ｈ2Ｏ分圧）
カソード収容室５１〜５３の内壁面の温度が上昇するに従って、カソード収容室５１〜５３内のＨ2Ｏ分圧が上昇する傾向がある。特に、カソード収容室５１〜５３の内壁面の温度が９０°以上になると、カソード収容室５１〜５３内のＨ2Ｏ分圧の上昇の度合いが著しい。
【００７５】
（磁気特性）
カソード収容室５１〜５３内のＨ2Ｏ分圧が上昇するに従って、抗磁力が低下する傾向がある。特に、カソード収容室５１〜５３内のＨ2Ｏ分圧が１．００×１０-4以上になると、抗磁力の低下の度合いが著しい。ここでは、磁気特性として抗磁力の測定結果のみを示したが、角型比および磁気記録層１４の配向強度Δθ50も、カソード収容室５１〜５３内のＨ2Ｏ分圧の上昇に対して同様の傾向を示す。
【００７６】
＜ii  スパッタ放電時間−内壁面温度、磁気特性の関係＞
（実施例１）
図２に示した構成を有するスパッタ装置を用いて、以下のようにして磁気テープを作製した。まず、カソード３１〜３３にそれぞれ、参考例１と同様のターゲット４１〜４３を取り付けた。次に、成膜室２１内およびカソード収容室５１〜５３内を真空引きした。なお、カソード収容室５１〜５３を独立に真空排気制御して、各ターゲット４１〜４３により成膜される薄膜の膜質に適切な真空度が得られるようにした。次に、カソード収容室５１〜５３の壁部をそれぞれ加熱し、カソード収容室５１〜５３の内壁面の温度を２００℃以上に、３０分以上保持した後、以下のようにして成膜を行った。すなわち、成膜室２１内にＡｒガスを導入しながら、カソード３１〜３３にそれぞれ取り付けられたターゲット４１〜４３をスパッタして、走行する帯状の高分子フィルム１１の表面に下地層１２、中間層１３および磁気記録層１４を順次成膜した。なお、成膜中にカソード収容室５１〜５３の壁部を冷却し、９０℃以下に保持する温度制御を行った。また、成膜中におけるカソード収容室５１〜５３の内壁面の温度を測定した。以上により、帯状の磁気テープが得られた。
【００７７】
次に、得られた磁気テープの磁気記録層１４の抗磁力（Ｈｃ）を振動試料磁力計にて求めた。次に、求めた抗磁力のばらつきを以下の式により求めた。
（抗磁力のバラツキ）＝１００−［（（所定の放電時間経過後に作製された磁気テープの抗磁力）／（放電時間５分経過後に作製された磁気テープの抗磁力））×１００］［％］
【００７８】
（参考例２）
参考例１と同様にして磁気テープを作製し、成膜中におけるカソード収容室５１〜５３の内壁面の温度を測定した。次に、得られた磁気テープの磁気記録層１４の抗磁力（Ｈｃ）およびそのバラツキを、実施例１と同様にして求めた。
【００７９】
（測定結果）
表２は、実施例１、参考例２の磁気テープの作製時におけるカソード収容室５１の内壁面温度と、各内壁面温度にて作製された磁気テープの抗磁力およびそのバラツキとを示す。図７Ａは、スパッタ放電時間とカソード収容室５１〜５３の内壁面温度との関係を示す。図７Ｂは、スパッタ放電時間と磁気記録層１４の抗磁力との関係を示す。なお、カソード収容室５１〜５３それぞれの内壁面の温度変化はほぼ同様であったため、表２、図７Ａにはカソード収容室５１のもののみを代表して示した。
【００８０】
【表２】
2015197938.tif 000004
【００８１】
上記測定結果から以下のことがわかる。
（内壁面の温度）
参考例２では、スパッタ放電時間の経過に伴って、カソード収容室５１〜５３の内壁面の温度が上昇する傾向がある。一方、実施例１では、スパッタ放電時間が１５分未満までは、スパッタ放電時間の経過に伴って、カソード収容室５１〜５３の内壁面の温度が上昇する傾向があるが、スパッタ放電時間が１５分以上になると、カソード収容室５１〜５３の内壁面の温度の上昇度合いは小さくなり、ほぼ一定となる。
【００８２】
（磁気特性）
参考例２では、スパッタ放電時間が２０分未満の範囲では、スパッタ放電時間の経過に関わらず、抗磁力はほぼ一定であるが、スパッタ放電時間が２０分以上になると、抗磁力が大きく低下する傾向がある。一方、実施例１では、スパッタ放電時間が２０分以上でも、スパッタ放電時間の経過に関わらず、抗磁力はほぼ一定に保たれる傾向がある。ここでは、磁気特性として抗磁力の測定結果のみを示したが、角型比および磁気記録層１４の配向強度Δθ50も、スパッタ放電時間の上昇に対して同様の傾向を示す。
【００８３】
（磁気特性のバラツキ）
参考例２では、４０分成膜後の抗磁力のバラツキが、１０％を大きく超えている。一方、実施例１では、４０分成膜後の抗磁力のバラツキが、１０％未満に抑えられている。ここでは、磁気特性として抗磁力のバラツキのみを示したが、角型比および磁気記録層１４の配向強度Δθ50も、カソード収容室５１〜５３内のＨ2Ｏ分圧が上昇に対して同様の傾向を示す。
【００８４】
＜iii  スパッタ成膜長−Ｈ2Ｏ分圧、磁気特性の関係＞
（実施例２）
実施例１と同様にして磁気テープを作製し、カソード収容室５１〜５３内のＨ2Ｏ分圧を測定した。次に、得られた磁気テープの磁気記録層１４の抗磁力（Ｈｃ）および角型比を振動試料磁力計にて求めた。次に、求めた抗磁力および角型比のバラツキを以下の式により求めた。
（抗磁力のバラツキ）＝１００−［（（所定のスパッタ成膜長成膜後の抗磁力）／（スパッタ成膜長ほぼ０ｍの抗磁力））×１００］［％］
（角型比のバラツキ）＝１００−［（（所定のスパッタ成膜長成膜後の角型比）／（成スパッタ膜長ほぼ０ｍの角型比））×１００］［％］
ここで、スパッタ成膜長とは、帯状の高分子フィルムの長手方向に連続的に成膜された積層膜（下地層１２、中間層１３および磁気記録層１４の積層膜）の長さを意味する。
【００８５】
次に、磁気テープのＸ線回折ピークの中で、磁気記録層１４に含まれる磁性原子の回折ピークをロッキングカーブ法で計測して、配向強度Δθ50を求めた。次に、求めた配向強度Δθ50のばらつきを以下の式により求めた。
（Δθ50のバラツキ）＝１００−［（（所定のスパッタ成膜長成膜後の配向強度Δθ50）／（スパッタ成膜長ほぼ０ｍの配向強度Δθ50））×１００］［％］
【００８６】
（参考例３）
参考例１と同様にして磁気テープを作製し、カソード収容室５１〜５３内のＨ2Ｏ分圧を測定した。次に、得られた磁気テープの磁気記録層１４の抗磁力（Ｈｃ）、角型比、配向強度Δθ50およびそれらのバラツキを、実施例２と同様にして求めた。
【００８７】
（測定結果）
表３、表４はそれぞれ、実施例２、参考例３の磁気テープの作製時におけるカソード収容室５１内のＨ2Ｏ分圧と、各分圧にて作製された磁気テープの抗磁力、角型比、配向強度Δθ50およびそのバラツキとを示す。図８Ａは、スパッタ成膜長とカソード収容室５１内のＨ2Ｏ分圧との関係を示す。図８Ｂは、スパッタ成膜長と抗磁力との関係を示す。図９Ａは、スパッタ成膜長と角型比との関係を示す図である。図９Ｂは、スパッタ成膜長と磁気記録層１４の配向強度Δθ50との関係を示す。なお、カソード収容室５１〜５３それぞれの内壁面の分圧の変化はほぼ同様であったため、表３、図８Ａにはカソード収容室５１のもののみを代表して示した。
【００８８】
【表３】
2015197938.tif 000005
【００８９】
【表４】
2015197938.tif 000006
【００９０】
上記測定結果から以下のことがわかる。
（Ｈ2Ｏ分圧）
参考例３では、スパッタ成膜長が４００ｍ未満までは、スパッタ成膜長が長くなるに従って、Ｈ2Ｏ分圧が上昇するのに対して、スパッタ成膜長が４００ｍ以上になると、スパッタ成膜長が長くなるに従って、Ｈ2Ｏ分圧が下降する傾向がある。一方、実施例２では、スパッタ成膜長に依存せず、Ｈ2Ｏ分圧がほぼ一定に保たれる傾向がある。
【００９１】
（磁気特性）
参考例３では、スパッタ成膜長が４００ｍ未満までは、スパッタ成膜長が長くなるに従って、抗磁力および角型比が低下するのに対して、スパッタ成膜長が４００ｍ以上になると、抗磁力および角型比が上昇する傾向がある。一方、実施例２では、スパッタ成膜長に依存せず、抗磁力および角型比がほぼ一定に保たれる傾向がある。
【００９２】
参考例３では、スパッタ成膜長が２００ｍ未満までは、スパッタ成膜長が長くなるに従って、磁気記録層１４の配向強度Δθ50が広くなるのに対して、スパッタ成膜長が２００ｍ以上になると、磁気記録層１４の配向強度Δθ50が狭くなる傾向がある。一方、実施例２では、スパッタ成膜長に依存せず、磁気記録層１４の配向強度Δθ50がほぼ一定に保たれる傾向がある。
【００９３】
（磁気特性のバラツキ）
参考例３では、抗磁力、角型比および磁気記録層１４の配向強度Δθ50のばらつきが、磁気テープの長手方向に２００ｍ以下の区画で±１０％を超えている。一方、実施例２では、抗磁力、角型比および磁気記録層１４の配向強度Δθ50のばらつきが、磁気テープの長手方向に１０００ｍの区画に渡って±１０％以内である。
【００９４】
以上、本技術の実施形態およびその変形例、ならびに実施例について具体的に説明したが、本技術は、上述の実施形態およびその変形例、ならびに実施例に限定されるものではなく、本技術の技術的思想に基づく各種の変形が可能である。
【００９５】
例えば、上述の実施形態およびその変形例、ならびに実施例において挙げた構成、方法、工程、形状、材料および数値などはあくまでも例に過ぎず、必要に応じてこれと異なる構成、方法、工程、形状、材料および数値などを用いてもよい。
【００９６】
また、上述の実施形態およびその変形例、ならびに実施例の構成、方法、工程、形状、材料および数値などは、本技術の主旨を逸脱しない限り、互いに組み合わせることが可能である。
【００９７】
また、本技術は以下の構成を採用することもできる。
（１）
可撓性を有する基材と、
積層膜と
を備え、
磁気特性のバラツキが、上記基材の長手方向に３００ｍの区画に渡って±１０％以内である磁気記録媒体。
（２）
上記積層膜は、垂直記録層と下地層とを含んでいる（１）に記載の磁気記録媒体。
（３）
上記下地層は、ＴｉおよびＣｒを含み、
上記記録層は、Ｃｏ、ＰｔおよびＣｒを含む粒子が酸化物で分離されたグラニュラ構造を有する（２）に記載の磁気記録媒体。
（４）
上記下地層は、アモルファス状態を有している（２）または（３）に記載の磁気記録媒体。
（５）
上記積層膜は、中間層をさらに含んでいる（２）から（４）のいずれかに記載の磁気記録媒体。
（６）
上記中間層は、Ｒｕ、またはＮｉＷを含んでいる（５）に記載の磁気記録媒体。
（７）
上記積層膜は、軟磁性層およびＣＡＰ層のうちの少なくとも１種の層をさらに含んでいる（２）から（６）のいずれかに磁気記録媒体。
（８）
上記磁気特性のバラツキが、上記基材の長手方向に３００ｍ以上の区画に渡って±５％以内である（１）から（７）のいずれかに記載の磁気記録媒体。
（９）
上記磁気特性は、保持力Ｈｃ、角型比Ｒｓおよび配向強度Δθ50である（１）から（８）のいずれかに記載の磁気記録媒体。
（１０）
上記積層膜は、物理的堆積法により成膜されている（１）から（９）のいずれかに記載の磁気記録媒体。
（１１）
上記物理的堆積法は、スパッタリング法である（１０）に記載の磁気記録媒体。
（１２）
可撓性を有する帯状の基材を走行させる回転体と、
上記回転体の回転面に対向して設けられた複数のカソードと、
上記複数のカソードをそれぞれ収容する複数の収容部と
を備える成膜装置。
（１３）
上記複数の収容部は、真空排気可能、かつ加熱冷却可能に構成されている（１２）に記載の成膜装置。
（１４）
可撓性を有する帯状の基材を走行させながら、上記基材の走行経路に設けられた複数のカソードにより、上記基材上に複数の薄膜を順次成膜することを含み、
上記複数のカソードはそれぞれ、複数の収容部に収容されている磁気記録媒体の製造方法。
（１５）
上記複数の薄膜の成膜前に、上記複数の収容部を加熱することをさらに含んでいる（１４）に記載の磁気記録媒体の製造方法。
（１６）
上記加熱により、上記複数の収容部の内壁の温度を２００℃以上に、３０分以上保持する（１６）に記載の磁気記録媒体の製造方法。
（１７）
上記複数の薄膜の成膜中に、上記複数の収容部を冷却することをさらに含んでいる（１４）から（１６）のいずれかに記載の磁気記録媒体の製造方法。
（１８）
上記冷却により、上記複数の収容部の内壁の温度を９０℃以下に保持する（１７）に記載の磁気記録媒体の製造方法。
【符号の説明】
【００９８】
１１    基材
１２、１７    下地層
１３    中間層
１４    磁気記録層
１５    保護層
１６    トップコート層
１８    軟磁性裏打ち層
１９    ＣＡＰ層
２１    成膜室
２２    ドラム
２３    供給リール
２４    巻き取りリール
２５、２６    ガイドロール
２７    排気口
３１〜３３    カソード
４１〜４３    ターゲット
５１〜５３    カソード収容室
６１〜６３    開口部
１７    ガス
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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