(57)【要約】【課題】ブリッジチップを用いる際のコンタクト不良を抑制することができる半導体装置及びその製造方法を提供する。【解決手段】実装基板１０１上に紫外線硬化樹脂１１１を設ける。紫外線硬化樹脂１１１に、第１の主面上の導電バンプ１２３及び導電バンプ１２３を電気的に接続する配線１２２を有するブリッジチップ１２１を、第１の主面とは反対側の第２の主面を実装基板１０１側に向けて押し付ける。紫外線硬化樹脂１１１に紫外線を照射してブリッジチップ１２１を実装基板１０１に固定する。導電バンプ１２３に接続される半導体チップ１４１、１５１を実装基板１０１上に搭載する。【選択図】図３Ａ
2015220291.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
実装基板上に紫外線硬化樹脂を設ける工程と、
前記紫外線硬化樹脂に、第１の主面上の第１の導電バンプ、第２の導電バンプ並びに前記第１の導電バンプ及び前記第２の導電バンプを電気的に接続する配線を有するブリッジチップを、前記第１の主面とは反対側の第２の主面を前記実装基板側に向けて押し付ける工程と、
前記紫外線硬化樹脂に紫外線を照射して前記ブリッジチップを前記実装基板に固定する工程と、
前記第１の導電バンプに接続される第１の半導体チップ及び前記第２の導電バンプに接続される第２の半導体チップを前記実装基板上に搭載する工程と、
を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項２】
前記実装基板上に前記第１の半導体チップに接続される第１の導電ボール及び前記第２の半導体チップに接続される第２の導電ボールを設けておき、
前記紫外線硬化樹脂に前記ブリッジチップを押し付ける工程は、アタッチメントを用いて、前記第１の導電バンプ及び前記第２の導電バンプの頂点の高さを前記第１の導電ボール及び前記第２の導電ボールの頂点の高さに揃える工程を有することを特徴とする請求項１に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項３】
前記アタッチメントは、紫外線を透過させることを特徴とする請求項２に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項４】
前記アタッチメントは、前記第１の導電ボール及び前記第２の導電バンプの頂点及び前記第１の導電バンプ及び前記第２の導電ボールの頂点が接する平坦な面を有することを特徴とする請求項２又は３に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項５】
前記紫外線硬化樹脂に前記ブリッジチップを押し付ける工程から前記ブリッジチップを前記実装基板に固定する工程までの間、前記ブリッジチップを前記アタッチメントに吸引し続けることを特徴とする請求項２乃至４のいずれか１項に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項６】
前記ブリッジチップは、紫外線を透過させることを特徴とする請求項１乃至５のいずれか１項に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項７】
実装基板と、
第１の主面上の第１の導電バンプ、第２の導電バンプ並びに前記第１の導電バンプ及び前記第２の導電バンプを電気的に接続する配線を有し、前記第１の主面とは反対側の第２の主面を前記実装基板側に向けて、紫外線硬化樹脂を用いて前記実装基板に固定されたブリッジチップと、
前記実装基板上に搭載され、前記第１の導電バンプに接続された第１の半導体チップ及び前記第２の導電バンプに接続される第２の半導体チップと、
を有することを特徴とする半導体装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体装置及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
シリコンインタポーザを用いて複数の半導体チップを互いに接続し、これらを１個の実装基板上に搭載する技術がある。しかし、シリコンインタポーザの形成には、コスト、時間がかかる。シリコンインタポーザを用いることによるデメリットを解消すべく、熱硬化樹脂を用いて実装基板上にブリッジチップを固定し、このブリッジチップを介して複数の半導体チップを互いに接続しようとする技術が提案されている。
【０００３】
しかしながら、従来のブリッジチップを用いた半導体装置では、半導体チップと実装基板との間にコンタクト不良が生じたり、半導体チップとブリッジチップとの間にコンタクト不良が生じたりしやすい。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特許第４５８１７６８号公報
【特許文献２】特開２００１−２７４３１７号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
本発明の目的は、ブリッジチップを用いる際のコンタクト不良を抑制することができる半導体装置及びその製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
半導体装置の製造方法の一態様では、実装基板上に紫外線硬化樹脂を設け、前記紫外線硬化樹脂に、第１の主面上の第１の導電バンプ、第２の導電バンプ並びに前記第１の導電バンプ及び前記第２の導電バンプを電気的に接続する配線を有するブリッジチップを、前記第１の主面とは反対側の第２の主面を前記実装基板側に向けて押し付け、前記紫外線硬化樹脂に紫外線を照射して前記ブリッジチップを前記実装基板に固定し、前記第１の導電バンプに接続される第１の半導体チップ及び前記第２の導電バンプに接続される第２の半導体チップを前記実装基板上に搭載する。
【０００７】
半導体装置の一態様には、実装基板と、第１の主面上の第１の導電バンプ、第２の導電バンプ並びに前記第１の導電バンプ及び前記第２の導電バンプを電気的に接続する配線を有し、前記第１の主面とは反対側の第２の主面を前記実装基板側に向けて、紫外線硬化樹脂を用いて前記実装基板に固定されたブリッジチップと、前記実装基板上に搭載され、前記第１の導電バンプに接続された第１の半導体チップ及び前記第２の導電バンプに接続される第２の半導体チップと、が含まれている。
【発明の効果】
【０００８】
上記の半導体装置の製造方法等によれば、ブリッジチップの実装基板への固定に紫外線硬化樹脂が用いられているため、熱硬化樹脂を用いた場合に生じるようなコンタクト不良を抑制することができる。
【図面の簡単な説明】
【０００９】
【図１】参考例を示す断面図である。
【図２】第１の実施形態に係る半導体装置を示す断面図である。
【図３Ａ】第１の実施形態に係る半導体装置の製造方法を工程順に示す断面図である。
【図３Ｂ】図３Ａに引き続き、半導体装置の製造方法を工程順に示す断面図である。
【図４】第２の実施形態に係る半導体装置を示す断面図である。
【図５Ａ】第２の実施形態に係る半導体装置の製造方法を工程順に示す断面図である。
【図５Ｂ】図５Ａに引き続き、半導体装置の製造方法を工程順に示す断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１０】
本願発明者は、従来の製造方法においてコンタクト不良が生じる原因について検討を行った。この結果、熱硬化樹脂を用いてブリッジチップを実装基板に固定する際に、実装基板に反りが生じたり、ブリッジチップに位置ずれが生じたりしていることが判明した。また、ブリッジチップのはんだバンプが実装基板上のはんだボールよりも著しく小さいため、これらの高さを揃えることが困難であることも判明した。そして、これら反りの発生等に付随してコンタクト不良が生じていることも判明した。
【００１１】
ここで、熱硬化樹脂を用いる参考例について説明する。図１は熱硬化樹脂を用いる参考例を示す断面図である。この参考例では、図１（ａ）に示すように、複数の導電パッド５０２を備えた実装基板５０１を準備し、導電パッド５０２上にはんだボール５０３を設ける。また、複数のはんだバンプ５２３を備えたブリッジチップ５２１を準備する。そして、実装基板５０１の所定の位置に熱硬化樹脂５１１を塗布し、その上にブリッジチップ５２１を載置する。次いで、加熱により熱硬化樹脂５１１を硬化させる。この加熱の結果、図１（ｂ）に示すように、実装基板５０１に反りが生じてしまう。また、熱硬化樹脂５１１は、熱硬化が完了するまでの間は、流動性を備えているため、熱硬化の完了までの間にブリッジチップ５２１の位置がずれることもある。熱硬化の完了後には、複数の端子５４２及び複数の端子５４３を備えた半導体チップ５４１を、端子５４２がはんだバンプ５２３に接触し、端子５４３がはんだボール５０３に接触するように実装基板５０１に搭載する。しかしながら、上記のように、実装基板５０１に反りが生じたり、ブリッジチップ５２１に位置ずれが生じたりしているため、図１（ｃ）に示すように、一部の端子５４２がはんだバンプ５２３に接触できず、一部の端子５４３がはんだボール５０３に接触できないことがある。また、図１（ａ）に示す例では、はんだバンプ５２３の頂点の高さがはんだボール５０３の頂点の高さと一致させているが、従来の技術で高さを揃えることは容易でなく、高さのずれに付随するコンタクト不良も生じ得る。
【００１２】
本願発明者は、これらの知見に基づいて以下に示す諸態様に相当した。以下、実施形態について添付の図面を参照しながら具体的に説明する。
【００１３】
（第１の実施形態）
先ず、第１の実施形態について説明する。図２は、第１の実施形態に係る半導体装置を示す断面図である。
【００１４】
第１の実施形態に係る半導体装置１００では、実装基板１０１上に複数の導電パッド１０２及びソルダレジスト１０４が設けられている。ソルダレジスト１０４に各導電パッド１０２の一部を露出する開口部が設けられており、この開口部内に導電ボール１０３が設けられている。紫外線硬化樹脂（ＵＶ硬化樹脂）１１１によりブリッジチップ１２１が実装基板１０１に固定されている。ブリッジチップ１２１に、実装基板１０１側の第２の主面とは反対側の第１の主面上の複数の導電バンプ１２３、及び、導電バンプ１２３を電気的に接続する配線１２２が含まれている。例えば、導電パッド１０２はＣｕパッドであり、導電ボール１０３はＳｎ−Ａｇ−Ｃｕ系のはんだボール又はＳｎのはんだボールであり、導電バンプ１２３はＳｎ−Ａｇ系のはんだバンプである。但し、導電パッド１０２、導電ボール１０３及び導電バンプ１２３の材料はこれらに限定されない。
【００１５】
半導体装置１００には、半導体チップ１４１及び半導体チップ１５１が含まれている。半導体チップ１４１には、複数の導電ボール１０３の一部に接触する複数の端子１４３、及び、複数の導電バンプ１２３の一部に接触する複数の端子１４２が含まれている。半導体チップ１５１には、複数の導電ボール１０３の他の一部に接触する複数の端子１５３、及び、複数の導電バンプ１２３の他の一部に接触する複数の端子１５２が含まれている。半導体チップ１４１と実装基板１０１との間、及び、半導体チップ１５１と実装基板１０１との間等にアンダーフィル材１７１が充填されている。
【００１６】
なお、図２には、便宜上、端子１４２、端子１４３、端子１５２及び端子１５３を１個のみ図示し、これに対応するように、導電ボール１０３及び導電バンプ１２３を図示しているが、これら端子等は、図１に示す参考例の端子５４２及び端子５４３等のように、複数設けられている。端子１４２、端子１４３、端子１５２及び端子１５３は、例えば、Ｃｕピラー及びＣｕピラーを覆うＳｎ−Ａｇはんだ層を含む。但し、端子１４２、端子１４３、端子１５２及び端子１５３の構成はこれに限定されない。
【００１７】
第１の実施形態では、ブリッジチップ１２１の実装基板１０１への固定にＵＶ硬化樹脂１１１が用いられている。詳細は後述するが、ＵＶ硬化樹脂１１１の硬化には実装基板１０１が反るような加熱は必要とされないため、熱硬化樹脂を用いる場合に生じる実装基板１０１の反りを防止することができる。また、ＵＶ硬化樹脂１１１の硬化は速やかに行われるため、時間の経過と共に拡大する位置ずれを抑制することができる。
【００１８】
次に、第１の実施形態に係る半導体装置の製造方法について説明する。図３Ａ乃至図３Ｂは、第１の実施形態に係る半導体装置の製造方法を工程順に示す断面図である。
【００１９】
第１の実施形態では、図３Ａ（ａ）に示すように、導電パッド１０２及びソルダレジスト１０４を備えた実装基板１０１を準備する。ソルダレジスト１０４に各導電パッド１０２の一部を露出する開口部を設け、この開口部内で導電パッド１０２上に導電ボール１０３を設ける。また、ソルダレジスト１０４には、ブリッジチップ１２１が設けられる位置に、実装基板１０１を露出する開口部を設け、この開口部内で実装基板１０１上にＵＶ硬化樹脂１１１を滴下する。ＵＶ硬化樹脂１１１としては、例えばエポキシ樹脂又はアクリル樹脂を含有するものを用いる。導電ボール１０３の直径は、例えば７０μｍ程度である。
【００２０】
また、導電バンプ１２３及び配線１２２を備えたブリッジチップ１２１を準備する。ブリッジチップ１２１は、例えばシリコン基板を用いて形成することができる。そして、吸引孔１３２が形成されたアタッチメント１３１の下面に導電バンプ１２３を接触させ、吸引孔１３２を通じてのブリッジチップ１２１の吸引１３３を行う。アタッチメント１３１の下面は平坦であり、この平坦な面に導電バンプ１２３の頂点が接触する。アタッチメント１３１の材料には、紫外線を透過させるもの、例えばガラスを用いる。後述のＵＶ照射１６１の際に、紫外線がＵＶ硬化樹脂１１１に到達できるような開口部がアタッチメント１３１に形成されていれば、アタッチメント１３１に紫外線を遮る材料が用いられてもよい。
【００２１】
次いで、図３Ａ（ｂ）に示すように、吸引１３３を継続しながら、アタッチメント１３１の下面を導電ボール１０３の頂点に接触させる。下面が平坦であるため、導電バンプ１２３の頂点の高さが導電ボール１０３の頂点の高さに揃う。つまり、導電バンプ１２３の頂点及び導電ボール１０３の頂点が実質的に同一平面上に存在するようになる。ＵＶ硬化樹脂１１１の滴下量は、アタッチメント１３１の下面を導電ボール１０３の頂点に接触させたときにブリッジチップ１２１がＵＶ硬化樹脂１１１に押し付けられ、ＵＶ硬化樹脂１１１の少なくとも一部がブリッジチップ１２１の側方にはみ出す程度としておく。従って、アタッチメント１３１の下面を導電ボール１０３の頂点に接触させた結果、ＵＶ硬化樹脂１１１の少なくとも一部がブリッジチップ１２１の側方にはみ出す。
【００２２】
その後、図３Ａ（ｃ）に示すように、吸引１３３を継続しながら、紫外線の照射（ＵＶ照射１６１）を行う。この結果、ＵＶ硬化樹脂１１１のブリッジチップ１２１の側方にはみ出している部分が速やかに硬化する。
【００２３】
続いて、図３Ｂ（ｄ）に示すように、吸引孔１３５が形成されたアタッチメント１３４の下面に、複数の端子１４２及び複数の端子１４３を備えた半導体チップ１４１を接触させ、吸引孔１３５を通じての半導体チップ１４１の吸引１３６を行う。アタッチメント１３４の材料としては、例えば、窒化アルミニウム及び酸化アルミニウム等のセラミックスを用いる。ガラスを用いてもよい。そして、吸引１３６を継続しながら、端子１４２を複数の導電バンプ１２３のうちの所定の一部に接触させ、端子１４３を複数の導電ボール１０３のうちの所定の一部に接触させ、ローカルリフローにより、端子１４２を当該導電バンプ１２３に接合し、端子１４３を当該導電ボール１０３に接合する。このローカルリフローでは、反りが生じるような熱は実装基板１０１に作用しない。
【００２４】
次いで、図３Ｂ（ｅ）に示すように、アタッチメント１３４の下面に、複数の端子１５２及び複数の端子１５３を備えた半導体チップ１５１を接触させ、吸引孔１３５を通じての半導体チップ１５１の吸引１３７を行う。そして、吸引１３７を継続しながら、端子１５２を複数の導電バンプ１２３のうちの所定の他の一部に接触させ、端子１５３を複数の導電ボール１０３のうちの所定の他の一部に接触させ、ローカルリフローにより、端子１５２を当該導電バンプ１２３に接合し、端子１５３を当該導電ボール１０３に接合する。このローカルリフローでも、反りが生じるような熱は実装基板１０１に作用しない。
【００２５】
その後、図３Ｂ（ｆ）に示すように、半導体チップ１４１と実装基板１０１との間、及び、半導体チップ１５１と実装基板１０１との間等にアンダーフィル材１７１を充填し、加熱によりアンダーフィル材１７１を硬化させる。この加熱で実装基板１０１に反りが生じたとしても、既に、導電ボール１０３と端子１４３又は端子１５３との接合、及び導電バンプ１２３と端子１４２又は端子１５２との接合が完了しているため、熱硬化樹脂を用いた場合に生じるようなコンタクト不良は生じない。また、この加熱により、ＵＶ硬化樹脂１１１のうちでＵＶ照射１６１では硬化していなかった部分が硬化する。
【００２６】
このようにして半導体装置を製造することができる。
【００２７】
第１の実施形態によれば、実装基板１０１の反りに伴うコンタクト不良を防止することができる。また、ＵＶ硬化樹脂１１１の硬化が速やかに行われるため、ブリッジチップ１２１の位置ずれを抑制することができる。ブリッジチップ１２１の位置ずれを抑制するという効果は、ＵＶ照射１６１中の吸引１３３の継続によっても得られる効果である。
【００２８】
（第２の実施形態）
次に、第２の実施形態について説明する。図４は、第２の実施形態に係る半導体装置を示す断面図である。
【００２９】
第２の実施形態に係る半導体装置２００では、第１の実施形態におけるブリッジチップ１２１に代えて、紫外線を透過させるブリッジチップ２２１が含まれている。ブリッジチップ２２１は、例えばガラス基板を用いて形成される。ブリッジチップ２２１は紫外線硬化樹脂（ＵＶ硬化樹脂）２１１により実装基板１０１に固定されている。ブリッジチップ２２１に、第１の主面上の複数の導電バンプ２２３、及び、導電バンプ２２３を電気的に接続する配線２２２が含まれている。端子１４２は複数の導電バンプ２２３の一部に接触し、端子１５２は複数の導電バンプ２２３の他の一部に接触する。例えば、導電バンプ２２３はＳｎ−Ａｇ系のはんだバンプである。但し、導電バンプ２２３の材料はこれに限定されない。他の構成は第１の実施形態と同様である。
【００３０】
第２の実施形態によっても第１の実施形態と同様の効果を得ることができる。また、第２の実施形態では、ブリッジチップ２２１が紫外線を透過させるため、詳細は後述するが、ＵＶ照射によるブリッジチップ２２１の実装基板１０１への固定をより強固なものとすることができる。
【００３１】
次に、第２の実施形態に係る半導体装置の製造方法について説明する。図５Ａ乃至図５Ｂは、第２の実施形態に係る半導体装置の製造方法を工程順に示す断面図である。
【００３２】
第２の実施形態では、図５Ａ（ａ）に示すように、第１の実施形態と同様に、実装基板１０１を準備し、ソルダレジスト１０４に各導電パッド１０２の一部を露出する開口部を設け、この開口部内で導電パッド１０２上に導電ボール１０３を設ける。また、ソルダレジスト１０４には、ブリッジチップ２２１が設けられる位置に、実装基板１０１を露出する開口部を設け、この開口部内で実装基板１０１上にＵＶ硬化樹脂２１１を滴下する。ＵＶ硬化樹脂２１１としては、例えばエポキシ樹脂又はアクリル樹脂を含有するものを用いる。
【００３３】
また、導電バンプ２２３及び配線２２２を備えた紫外線を透過させるブリッジチップ２２１を準備する。そして、アタッチメント１３１の下面に導電バンプ２２３を接触させ、吸引孔１３２を通じてのブリッジチップ２２１の吸引１３３を行う。
【００３４】
次いで、図５Ａ（ｂ）に示すように、吸引１３３を継続しながら、アタッチメント１３１の下面を導電ボール１０３の頂点に接触させる。下面が平坦であるため、導電バンプ２２３の頂点の高さが導電ボール１０３の頂点の高さに揃う。つまり、導電バンプ２２３の頂点及び導電ボール１０３の頂点が実質的に同一平面上に存在するようになる。ＵＶ硬化樹脂２１１の滴下量は、例えば、アタッチメント１３１の下面を導電ボール１０３の頂点に接触させたときに、少なくともブリッジチップ２２１がＵＶ硬化樹脂２１１に押し付けられる程度とし、より好ましくは、ＵＶ硬化樹脂２１１の一部がブリッジチップ２２１の側方にはみ出す程度としておく。従って、アタッチメント１３１の下面を導電ボール１０３の頂点に接触させた結果、ブリッジチップ２２１がＵＶ硬化樹脂２１１を押し付けられ、好ましくはＵＶ硬化樹脂２１１の一部がブリッジチップ２２１の側方にはみ出す。
【００３５】
その後、図５Ａ（ｃ）に示すように、吸引１３３を継続しながら、紫外線の照射（ＵＶ照射１６１）を行う。この結果、ＵＶ硬化樹脂２１１が速やかに硬化する。第１の実施形態ではブリッジチップ１２１により紫外線が遮られた部分ではＵＶ硬化樹脂１１１が硬化しないが、第２の実施形態ではブリッジチップ２２１が紫外線を透過させるため、ブリッジチップ２２１の直下でもブリッジチップ２２１が硬化する。
【００３６】
続いて、図５Ｂ（ｄ）に示すように、アタッチメント１３４の下面に半導体チップ１４１を接触させ、吸引孔１３５を通じての半導体チップ１４１の吸引１３６を行う。そして、吸引１３６を継続しながら、端子１４２を複数の導電バンプ２２３のうちの所定の一部に接触させ、端子１４３を複数の導電ボール１０３のうちの所定の一部に接触させ、ローカルリフローにより、端子１４２を当該導電バンプ２２３に接合し、端子１４３を当該導電ボール１０３に接合する。このローカルリフローでは、反りが生じるような熱は実装基板１０１に作用しない。
【００３７】
次いで、図５Ｂ（ｅ）に示すように、アタッチメント１３４の下面に半導体チップ１５１を接触させ、吸引孔１３５を通じての半導体チップ１５１の吸引１３７を行う。そして、吸引１３７を継続しながら、端子１５２を複数の導電バンプ２２３のうちの所定の他の一部に接触させ、端子１５３を複数の導電ボール１０３のうちの所定の他の一部に接触させ、ローカルリフローにより、端子１５２を当該導電バンプ２２３に接合し、端子１５３を当該導電ボール１０３に接合する。このローカルリフローでも、反りが生じるような熱は実装基板１０１に作用しない。
【００３８】
その後、図５Ｂ（ｆ）に示すように、半導体チップ１４１と実装基板１０１との間、及び、半導体チップ１５１と実装基板１０１との間等にアンダーフィル材１７１を充填し、加熱によりアンダーフィル材１７１を硬化させる。この加熱で実装基板１０１に反りが生じたとしても、既に、導電ボール１０３と端子１４３又は端子１５３との接合、及び導電バンプ２２３と端子１４２又は端子１５２との接合が完了しているため、熱硬化樹脂を用いた場合に生じるようなコンタクト不良は生じない。
【００３９】
このようにして半導体装置を製造することができる。
【００４０】
第２の実施形態によっても、実装基板１０１の反りに伴うコンタクト不良を防止することができる。また、ＵＶ硬化樹脂２１１の硬化が速やかに行われるため、ブリッジチップ２２１の位置ずれを抑制することができる。ブリッジチップ２２１の位置ずれを抑制するという効果は、ＵＶ照射１６１中の吸引１３３の継続によっても得られる効果である。更に、ＵＶ照射１６１によりＵＶ硬化樹脂２１１のほぼ全体が硬化するため、ブリッジチップ２２１の実装基板１０１への固定がより強固なものとなる。
【００４１】
以下、本発明の諸態様を付記としてまとめて記載する。
【００４２】
（付記１）
実装基板上に紫外線硬化樹脂を設ける工程と、
前記紫外線硬化樹脂に、第１の主面上の第１の導電バンプ、第２の導電バンプ並びに前記第１の導電バンプ及び前記第２の導電バンプを電気的に接続する配線を有するブリッジチップを、前記第１の主面とは反対側の第２の主面を前記実装基板側に向けて押し付ける工程と、
前記紫外線硬化樹脂に紫外線を照射して前記ブリッジチップを前記実装基板に固定する工程と、
前記第１の導電バンプに接続される第１の半導体チップ及び前記第２の導電バンプに接続される第２の半導体チップを前記実装基板上に搭載する工程と、
を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【００４３】
（付記２）
前記実装基板上に前記第１の半導体チップに接続される第１の導電ボール及び前記第２の半導体チップに接続される第２の導電ボールを設けておき、
前記紫外線硬化樹脂に前記ブリッジチップを押し付ける工程は、アタッチメントを用いて、前記第１の導電バンプ及び前記第２の導電バンプの頂点の高さを前記第１の導電ボール及び前記第２の導電ボールの頂点の高さに揃える工程を有することを特徴とする付記１に記載の半導体装置の製造方法。
【００４４】
（付記３）
前記アタッチメントは、紫外線を透過させることを特徴とする付記２に記載の半導体装置の製造方法。
【００４５】
（付記４）
前記アタッチメントは、前記第１の導電ボール及び前記第２の導電バンプの頂点及び前記第１の導電バンプ及び前記第２の導電ボールの頂点が接する平坦な面を有することを特徴とする付記２又は３に記載の半導体装置の製造方法。
【００４６】
（付記５）
前記紫外線硬化樹脂に前記ブリッジチップを押し付ける工程から前記ブリッジチップを前記実装基板に固定する工程までの間、前記ブリッジチップを前記アタッチメントに吸引し続けることを特徴とする付記２乃至４のいずれか１項に記載の半導体装置の製造方法。
【００４７】
（付記６）
前記ブリッジチップは、紫外線を透過させることを特徴とする付記１乃至５のいずれか１項に記載の半導体装置の製造方法。
【００４８】
（付記７）
実装基板と、
第１の主面上の第１の導電バンプ、第２の導電バンプ並びに前記第１の導電バンプ及び前記第２の導電バンプを電気的に接続する配線を有し、前記第１の主面とは反対側の第２の主面を前記実装基板側に向けて、紫外線硬化樹脂を用いて前記実装基板に固定されたブリッジチップと、
前記実装基板上に搭載され、前記第１の導電バンプに接続された第１の半導体チップ及び前記第２の導電バンプに接続される第２の半導体チップと、
を有することを特徴とする半導体装置。
【００４９】
（付記８）
前記ブリッジチップは紫外線を透過させることを特徴とする付記７に記載の半導体装置。
【００５０】
（付記９）
前記実装基板上に設けられ前記第１の半導体チップに接続された第１の導電ボール及び前記第２の半導体チップに接続される第２の導電ボールを有し、
前記第１の導電バンプ及び前記第２の導電バンプの頂点及び前記第１の導電ボール及び前記第２の導電ボールの頂点の高さが揃えられたことを特徴とする付記７又は８に記載の半導体装置。
【符号の説明】
【００５１】
１００、２００：半導体装置
１０１：実装基板
１０３：導電ボール
１１１、２１１：紫外線硬化樹脂
１２１、２２１：ブリッジチップ
１４１、１５１：半導体チップ
【図１】
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【図２】
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【図３Ａ】
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【図３Ｂ】
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【図４】
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【図５Ａ】
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【図５Ｂ】
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