(57)【要約】【課題】有機発光表示装置の有機発光層の駆動する薄膜の面積が大きい電極を通る電源の電圧降下を最小化するとともに、補助電極上の有機層の除去工程を簡便にする。【解決手段】本発明による有機発光表示装置は、基板１００、基板１００上に位置し互いに分離されている第１電極７１０及び補助電極７４０、補助電極７４０上に位置する吸収電極７７０、第１電極７１０上に位置し補助電極７４０及び吸収電極７７０を露出する接触孔７４を有する有機発光層７２０、及び有機発光層７２０上に位置し接触孔７４を通じて補助電極７４０及び吸収電極７７０と連結されている第２電極７３０を含む。【選択図】図３
2015079746.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と、
前記基板上に位置し互いに分離されている第１電極及び補助電極と、
前記補助電極上に位置する吸収電極と、
前記第１電極上に位置し前記補助電極及び前記吸収電極を露出する接触孔を有する有機発光層と、
前記有機発光層上に位置し前記接触孔を通じて前記補助電極及び前記吸収電極と連結されている第２電極とを含む有機発光表示装置。
【請求項２】
前記第２電極は前記接触孔のエッチング面、前記補助電極の上面、前記吸収電極の上面及び側面と接触することを特徴とする請求項１に記載の有機発光表示装置。
【請求項３】
前記吸収電極は、モリブデン（Ｍｏ）、チタン（Ｔｉ）、タングステン（Ｗ）及びクロム（Ｃｒ）から選択された１種からなることを特徴とする請求項２に記載の有機発光表示装置。
【請求項４】
前記吸収電極は単一層または複数層で形成されることを特徴とする請求項３に記載の有機発光表示装置。
【請求項５】
前記吸収電極が単一層である時、
前記吸収電極は３００〜１５００Åの厚さであることを特徴とする請求項４に記載の有機発光表示装置。
【請求項６】
前記吸収電極が複数層である時、
複数層で形成された前記吸収電極の間には酸化膜をさらに含むことを特徴とする請求項４に記載の有機発光表示装置。
【請求項７】
前記吸収電極は二重層で形成され、
前記吸収電極の上部層は４０〜１００Å、下部層は３００〜１０００Åの厚さで形成されることを特徴とする請求項６に記載の有機発光表示装置。
【請求項８】
前記酸化膜はＩＴＯまたはＩＺＯであることを特徴とする請求項６に記載の有機発光表示装置。
【請求項９】
前記吸収電極は前記補助電極上で前記補助電極と並んだ方向にライン形態またはドット形態に形成されることを特徴とする請求項１に記載の有機発光表示装置。
【請求項１０】
前記基板上に位置するゲート線と、
前記ゲート線と絶縁されて交差し分離されているデータ線及び駆動電圧線と、
前記ゲート線及びデータ線と連結されているスイッチング薄膜トランジスタと、
前記スイッチング薄膜トランジスタ及び前記駆動電圧線と連結されている駆動薄膜トランジスタとをさらに含み、
前記第１電極は前記駆動薄膜トランジスタのドレイン電極と連結されていることを特徴とする請求項１に記載の有機発光表示装置。
【請求項１１】
基板と、
前記基板上に位置し互いに分離されている第１電極及びモリブデン（Ｍｏ）、チタン（Ｔｉ）、タングステン（Ｗ）及びクロム（Ｃｒ）から選択された１種からなる吸収電極と、
前記第１電極上に位置し前記吸収電極を露出する接触孔を有する有機発光層と、
前記有機発光層上に位置し前記接触孔を通じて前記吸収電極と連結されている第２電極とを含み、
前記吸収電極は前記第２電極と連結されて前記第１電極の補助電極役割を果たすことを特徴とする有機発光表示装置。
【請求項１２】
基板上に薄膜トランジスタを形成する段階と、
前記薄膜トランジスタと連結される第１電極と前記第１電極と分離されている補助電極を形成する段階と、
前記補助電極上に吸収電極を形成する段階と、
前記第１電極、前記補助電極及び前記吸収電極上に有機発光層を形成する段階と、
前記有機発光層にエネルギー光源を照射して前記有機発光層をエッチングして前記補助電極及び前記吸収電極を露出する開口部を有する接触孔を形成する段階と、
前記有機発光層上に金属膜を積層して前記接触孔内に位置し前記補助電極の上面、吸収電極の上面及び前記開口部のエッチング面と接触する第２電極を形成する段階とを含む有機発光表示装置の製造方法。
【請求項１３】
前記有機発光層のエッチングはレーザー、フラッシュランプ（ｆｌａｓｈ  ｌａｍｐ）またはタングステンハロゲンランプ（ｔｕｎｇｓｔｅｎ  ｈａｌｏｇｅｎ  ｌａｍｐ）を用いることを特徴とする請求項１２に記載の有機発光表示装置の製造方法。
【請求項１４】
前記吸収電極はモリブデン（Ｍｏ）、チタン（Ｔｉ）、タングステン（Ｗ）及びクロム（Ｃｒ）から選択された１種からなることを特徴とする請求項１２に記載の有機発光表示装置の製造方法。
【請求項１５】
前記吸収電極は単一層または複数層で形成することを特徴とする請求項１４に記載の有機発光表示装置の製造方法。
【請求項１６】
前記吸収電極を単一層で形成する時、
前記吸収電極は３００〜１５００Åの厚さで形成することを特徴とする請求項１５に記載の有機発光表示装置の製造方法。
【請求項１７】
前記吸収電極を複数層で形成する時、
前記複数層で形成する吸収電極の間には酸化膜を形成することを特徴とする請求項１５に記載の有機発光表示装置の製造方法。
【請求項１８】
前記吸収電極を二重層で形成する時、
前記吸収電極の上部層は４０〜１００Å、下部層は３００〜１０００Åの厚さで形成することを特徴とする請求項１７に記載の有機発光表示装置の製造方法。
【請求項１９】
前記酸化膜はＩＴＯまたはＩＺＯであることを特徴とする請求項１７に記載の有機発光表示装置の製造方法。
【請求項２０】
前記吸収電極は前記補助電極上で前記補助電極と並んだ方向にライン形態またはドット形態に形成することを特徴とする請求項１２に記載の有機発光表示装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は有機発光表示装置及びその製造方法に係り、より詳しくは補助電極及び吸収電極を含む有機発光表示装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
表示装置はイメージを表示する装置であって、最近、有機発光表示装置（ｏｒｇａｎｉｃ  ｌｉｇｈｔ  ｅｍｉｔｔｉｎｇ  ｄｉｏｄｅ  ｄｉｓｐｌａｙ）が注目されている。
【０００３】
従来の有機発光表示装置は第１電極、第１電極上に位置する有機発光層及び有機発光層上に位置する第２電極を有する有機発光素子を含んでいる。
【０００４】
一方、有機発光表示装置は前面、後面または両面に光を発光するタイプに分けられ、このうちの前面に光を発光するタイプの有機発光表示装置は、有機発光層から発生する光の輝度低下を最少化するために、有機発光素子の第２電極が、有機発光素子が形成された基板全体にわたって薄膜の形態で形成される。
【０００５】
しかし、このような前面発光タイプの有機発光表示装置は、有機発光層を駆動するための第２電極が薄膜であり基板全体にわたって形成されるため、第２電極の電気的抵抗によって第２電極を通る電源に電圧降下などの発生する問題点がある。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
本発明が達成しようとする技術的課題は、有機発光表示装置の有機発光層の駆動のために薄膜であり面積が大きい電極を通る電源の電圧降下を最小化することができ、補助電極の上部に吸収電極を追加することにより補助電極上の有機層の除去工程が簡便である有機発光表示装置及びその製造方法を提供しようとすることである。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
このような課題を解決するために本発明の実施形態によれば、基板、前記基板上に位置し互いに分離されている第１電極及び補助電極、前記補助電極上に位置する吸収電極、前記第１電極上に位置し前記補助電極及び前記吸収電極を露出する接触孔を有する有機発光層、及び前記有機発光層上に位置し前記接触孔を通じて前記補助電極及び前記吸収電極と連結されている第２電極を含む有機発光表示装置を提供する。
【０００８】
前記第２電極は前記接触孔のエッチング面、前記補助電極の上面、前記吸収電極の上面及び側面と接触する。
【０００９】
前記吸収電極はモリブデン（Ｍｏ）、チタン（Ｔｉ）、タングステン（Ｗ）及びクロム（Ｃｒ）から選択された１種からなり得る。
【００１０】
前記吸収電極は単一層または複数層で形成することができる。
【００１１】
前記吸収電極が単一層である時、前記吸収電極は３００〜１５００Åの厚さであり得る。
【００１２】
前記吸収電極が複数層である時、複数層で形成された前記吸収電極の間には酸化膜をさらに含むことができる。
【００１３】
前記吸収電極が二重層で形成されている時、前記吸収電極の上部層は４０〜１００Å、下部層は３００〜１０００Åの厚さで形成することができる。
【００１４】
前記酸化膜はＩＴＯまたはＩＺＯであり得る。
【００１５】
前記吸収電極は前記補助電極上で前記補助電極と並んだ方向にライン形態またはドット形態に形成することができる。
【００１６】
前記基板上に位置するゲート線、前記ゲート線と絶縁されて交差し分離されているデータ線及び駆動電圧線、前記ゲート線及びデータ線と連結されているスイッチング薄膜トランジスタ、前記スイッチング薄膜トランジスタ及び前記駆動電圧線と連結されている駆動薄膜トランジスタをさらに含み、前記第１電極は前記駆動薄膜トランジスタのドレイン電極と連結され得る。
【００１７】
また、本発明の他の実施形態によれば、基板、前記基板上に位置し互いに分離されている第１電極及びモリブデン（Ｍｏ）、チタン（Ｔｉ）、タングステン（Ｗ）及びクロム（Ｃｒ）から選択された１種からなる吸収電極、前記第１電極上に位置し前記吸収電極を露出する接触孔を有する有機発光層、及び前記有機発光層上に位置し前記接触孔を通じて前記吸収電極と連結されている第２電極を含み、前記吸収電極は前記第２電極と連結されて前記第１電極の補助電極役割を果たす有機発光表示装置を提供する。
【００１８】
また、本発明の他の実施形態によれば、基板上に薄膜トランジスタを形成する段階、前記薄膜トランジスタと連結される第１電極と前記第１電極と分離されている補助電極を形成する段階、前記補助電極上に吸収電極を形成する段階、前記第１電極、前記補助電極及び前記吸収電極上に有機発光層を形成する段階、前記有機発光層にエネルギー光源を照射して前記有機発光層をエッチングして前記補助電極及び前記吸収電極を露出する開口部を有する接触孔を形成する段階、及び前記有機発光層上に金属膜を積層して前記接触孔内に位置して前記補助電極の上面、吸収電極の上面及び前記開口部のエッチング面と接触する第２電極を形成する段階を含む有機発光表示装置の製造方法を提供する。
【００１９】
前記有機発光層のエッチングはレーザー、フラッシュランプ（ｆｌａｓｈ  ｌａｍｐ）またはタングステンハロゲンランプ（ｔｕｎｇｓｔｅｎ  ｈａｌｏｇｅｎ  ｌａｍｐ）を用いることができる。
【発明の効果】
【００２０】
本発明の実施形態によれば、有機発光表示装置の有機発光層の駆動のために薄膜であり面積が大きい電極を通る電源の電圧降下を最小化することができ、補助電極上部に吸収電極を追加することにより補助電極上の有機層の除去工程が簡便であるという長所がある。
【図面の簡単な説明】
【００２１】
【図１】本発明の一実施形態による有機発光表示装置が有する画素回路を示す回路図である。
【図２】図１の有機発光表示装置の一画素に対する配置図である。
【図３】図２のＩＩＩ−ＩＩＩ線による断面図である。
【図４】本発明の他の実施形態による有機発光表示装置の一画素に対する配置図である。
【図５】本発明の他の実施形態による有機発光表示装置の一画素に対する配置図である。
【図６】図５のＩＶ−ＩＶ線による断面図である。
【図７】本発明の一実施形態による有機発光表示装置の製造方法の工程順に示した断面図である。
【図８】本発明の一実施形態による有機発光表示装置の製造方法の工程順に示した断面図である。
【図９】本発明の一実施形態による有機発光表示装置の製造方法の工程順に示した断面図である。
【図１０】本発明の一実施形態による有機発光表示装置の製造方法の工程順に示した断面図である。
【図１１】本発明の一実施形態による有機発光表示装置の製造方法の工程順に示した断面図である。
【図１２】本発明の一実施形態による有機発光表示装置の製造方法の工程順に示した断面図である。
【図１３】本発明の一実施形態による有機発光表示装置の製造方法の工程順に示した断面図である。
【図１４】単一層で形成された吸収電極の光源エネルギーの波長による吸収度を測定した結果を示すグラフである。
【図１５】複数層で形成された吸収電極の光源エネルギーの波長による吸収度を測定した結果を示すグラフである。
【発明を実施するための形態】
【００２２】
添付した図面を参照して本発明の実施形態について本発明の属する技術分野における通常の知識を有する者が容易に実施することができるように詳しく説明する。しかし、本発明は様々な相違した形態に実現することができ、ここで説明する実施形態に限定されない。
【００２３】
図面で複数の層及び領域を明確に表現するために厚さを拡大して示した。明細書全体にわたって類似の部分については同一の図面符号を付けた。層、膜、領域、板などの部分が他の部分の“上”にあるというとき、これは他の部分の“直上”にある場合だけでなく、その中間に他の部分がある場合も含む。逆に、ある部分が他の部分の“直上”にあるというときは中間に他の部分がないことを意味する。
【００２４】
以下、本発明の実施形態による有機発光表示装置及びその製造方法について図面を参照して詳細に説明する。
【００２５】
図１は本発明の一実施形態による有機発光表示装置が有する画素回路を示す回路図である。
【００２６】
図１に示したように、本実施形態の一実施形態による有機発光表示装置は複数の信号線１２１、１７１、１７２とこれらに連結されておりほぼ行列（ｍａｔｒｉｘ）の形態に配列された複数の画素ＰＸを含む。
【００２７】
信号線はゲート信号（または走査信号）を伝達する複数のゲート線１２１、データ信号を伝達する複数のデータ線１７１及び駆動電圧（Ｖｄｄ）を伝達する複数の駆動電圧線１７２を含む。ゲート線１２１はほぼ行方向に伸びており互いにほとんど平行であり、データ線１７１と駆動電圧線１７２の垂直方向部分はほぼ列方向に伸びており互いにほとんど平行である。
【００２８】
各画素ＰＸはスイッチング薄膜トランジスタ（ｓｗｉｔｃｈｉｎｇ  ｔｈｉｎ  ｆｉｌｍ  ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）Ｑｓ、駆動薄膜トランジスタ（ｄｒｉｖｉｎｇ  ｔｈｉｎ  ｆｉｌｍ  ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）Ｑｄ、ストレージキャパシタ（ｓｔｏｒａｇｅ  ｃａｐａｃｉｔｏｒ）Ｃｓｔ及び有機発光素子（ｏｒｇａｎｉｃ  ｌｉｇｈｔ  ｅｍｉｔｔｉｎｇ  ｄｉｏｄｅ、ＯＬＥＤ）７０を含む。
【００２９】
スイッチング薄膜トランジスタＱｓは制御端子、入力端子及び出力端子を有し、制御端子はゲート線１２１に連結されており、入力端子はデータ線１７１に連結されており、出力端子は駆動薄膜トランジスタＱｄに連結されている。スイッチング薄膜トランジスタＱｓはゲート線１２１に印加される走査信号に応答してデータ線１７１に印加されるデータ信号を駆動薄膜トランジスタＱｄに伝達する。
【００３０】
駆動薄膜トランジスタＱｄも制御端子、入力端子及び出力端子を有し、制御端子はスイッチング薄膜トランジスタＱｓに連結されており、入力端子は駆動電圧線１７２に連結されており、出力端子は有機発光素子７０に連結されている。駆動薄膜トランジスタＱｄは制御端子と出力端子の間にかかる電圧によってその大きさが変わる出力電流ＩＬＤを流す。
【００３１】
キャパシタＣｓｔは駆動薄膜トランジスタＱｄの制御端子と入力端子の間に連結されている。このキャパシタＣｓｔは駆動薄膜トランジスタＱｄの制御端子に印加されるデータ信号を充電し、スイッチング薄膜トランジスタＱｓがターンオフ（ｔｕｒｎ−ｏｆｆ）された後にもこれを維持する。
【００３２】
有機発光素子７０は駆動薄膜トランジスタＱｄの出力端子に連結されているアノード（ａｎｏｄｅ）、共通電圧Ｖｓｓに連結されているカソード（ｃａｔｈｏｄｅ）を有する。有機発光素子７０は駆動薄膜トランジスタＱｄの出力電流ＩＬＤによって強さを異にして発光することによって映像を表示する。
【００３３】
また、薄膜トランジスタＱｓ、Ｑｄ、キャパシタＣｓｔ及び有機発光素子７０の連結関係は変化できる。
【００３４】
しかし、第２電極が薄膜の形態に有機発光素子が形成された基板全体にわたって形成された有機発光表示装置は第２電極の電気的抵抗によって有機発光層を駆動するために第２電極を通る電源に電圧降下などの発生を防止するために第２電極上に補助電極を形成する方法を用いている。
【００３５】
しかし、補助電極と第１電極を接触させるために有機層を除去する工程が必要であり、有機層のエネルギー吸収度が低いためエネルギー伝達効率が大きく落ち、環境が自由でない真空条件で遂行しなければならない。
【００３６】
以下、図２及び図３を参照して本発明の一実施形態による有機発光表示装置を具体的に説明する。
【００３７】
図２は図１の有機発光表示装置の一画素に対する配置図であり、図３は図２のＩＩＩ−ＩＩＩ線による断面図である。
【００３８】
図２及び図３に示したように、基板１００上にはバッファー層１２０が形成されている。
【００３９】
基板１００はガラス、石英、セラミックまたは高分子物質などからなる絶縁性基板であり得、基板１００はステンレス鋼などからなる金属性基板であり得る。高分子物質は絶縁性有機物であるポリエーテルスルホン（ＰＥＳ、ｐｏｌｙｅｔｈｅｒｓｕｌｐｈｏｎｅ）、ポリアクリレート（ＰＡＲ、ｐｏｌｙａｃｒｙｌａｔｅ）、ポリエーテルイミド（ＰＥＩ、ｐｏｌｙｅｔｈｅｒｉｍｉｄｅ）、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ、ｐｏｌｙｅｔｈｙｅｌｅｎｅｎ  ｎａｐｔｈａｌａｔｅ）、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ、ｐｏｌｙｅｔｈｙｅｌｅｎｅｔｅｒｅｐｔｈａｌａｔｅ）、ポリフェニレンスルフィド（ｐｏｌｙｐｈｅｎｙｌｅｎｅ ｓｕｌｆｉｄｅ：ＰＰＳ）、ポリアリレート（ｐｏｌｙａｌｌｙｌａｔｅ）、ポリイミド（ｐｏｌｙｉｍｉｄｅ）、ポリカーボネート（ＰＣ）、セルローストリアセテート（ＴＡＣ）、セルロースアセテートプロピオネート（ｃｅｌｌｕｌｏｓｅ  ａｃｅｔａｔｅ  ｐｒｏｐｉｏｎａｔｅ：ＣＡＰ）からなるグループから選択される有機物であり得る。
【００４０】
基板１００の上にはバッファー層１２０が形成されている。
【００４１】
バッファー層１２０は酸化ケイ素または窒化ケイ素（ＳｉＮｘ）の単層または窒化ケイ素（ＳｉＮｘ）と酸化ケイ素（ＳｉＯ２）が積層された複数層構造で形成することができる。バッファー層は不純物または水分のように不必要な成分の浸透を防止しながら同時に表面を平坦化する役割を果たす。
【００４２】
バッファー層１２０の上には多結晶シリコンからなる第１半導体１３５ａ及び第２半導体１３５ｂと第１キャパシタ電極１３８が形成されている。
【００４３】
第１半導体１３５ａ及び第２半導体１３５ｂはチャンネル領域１３５５ａ、１３５５ｂとチャンネル領域１３５５ａ、１３５５ｂの両側にそれぞれ形成されたソース領域１３５６ａ、１３５６ｂ及びドレイン領域１３５７ａ、１３５７ｂに区分される。第１半導体１３５ａ及び第２半導体１３５ｂのチャンネル領域１３５５ａ、１３５５ｂは不純物がドーピングされていない多結晶シリコン、即ち、真性半導体（ｉｎｔｒｉｎｓｉｃ  ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ）である。第１半導体１３５ａ及び第２半導体１３５ｂのソース領域１３５６ａ、１３５６ｂ及びドレイン領域１３５７ａ、１３５７ｂは導電性不純物がドーピングされた多結晶シリコン、即ち、不純物半導体（ｉｍｐｕｒｉｔｙ  ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ）である。
【００４４】
ソース領域１３５６ａ、１３５６ｂ及びドレイン領域１３５７ａ、１３５７ｂと第１キャパシタ電極１３８にドーピングされる不純物はｐ型不純物及びｎ型不純物のうちのいずれか一つであり得る。
【００４５】
第１半導体１３５ａ及び第２半導体１３５ｂと第１キャパシタ電極１３８の上にはゲート絶縁膜１４０が形成されている。ゲート絶縁膜１４０はテトラエトキシシラン（ｔｅｔｒａ  ｅｔｈｙｌ  ｏｒｔｈｏ  ｓｉｌｉｃａｔｅ、ＴＥＯＳ）、窒化ケイ素及び酸化ケイ素のうちの少なくとも一つを含む単層または複数層であり得る。
【００４６】
ゲート絶縁膜１４０の上にはゲート線１２１、第２ゲート電極１５５ｂ及び第２キャパシタ電極１５８が形成されている。
【００４７】
ゲート線１２１は横方向に長く伸びてゲート信号を伝達し、ゲート線１２１から第１半導体１３５ａに突出した第１ゲート電極１５５ａを含む。
【００４８】
第１ゲート電極１５５ａ及び第２ゲート電極１５５ｂはそれぞれチャンネル領域１３５５ａ、１３５５ｂと重畳し、第２キャパシタ電極１５８は第１キャパシタ電極１３８と重畳する。
【００４９】
第２キャパシタ電極１５８、第１ゲート電極１５５ａ及び第２ゲート電極１５５ｂはモリブデン、タングステン、銅、アルミニウムまたはこれらの合金で単層または複数層からなり得る。
【００５０】
第１キャパシタ電極１３８と第２キャパシタ電極１５８はゲート絶縁膜１４０を誘電体にしてキャパシタＣｓｔをなす。
【００５１】
第１ゲート電極１５５ａ、第２ゲート電極１５５ｂ及び第２キャパシタ電極１５８の上には第１層間絶縁膜１６０が形成される。第１層間絶縁膜１６０はゲート絶縁膜１４０と同様にテトラエトキシシラン（ｔｅｔｒａ  ｅｔｈｙｌ  ｏｒｔｈｏ  ｓｉｌｉｃａｔｅ、ＴＥＯＳ）、窒化ケイ素または酸化ケイ素などで形成することができる。
【００５２】
第１層間絶縁膜１６０とゲート絶縁膜１４０にはソース領域１３５６ａ、１３５６ｂとドレイン領域１３５７ａ、１３５７ｂをそれぞれ露出するソース接触孔１６６とドレイン接触孔１６７を有する。
【００５３】
第１層間絶縁膜１６０の上には第１ソース電極１７６ａを有するデータ線１７１、第２ソース電極１７６ｂを有する駆動電圧線１７２、第１ドレイン電極１７７ａ、及び第２ドレイン電極１７７ｂが形成されている。
【００５４】
データ線１７１はデータ信号を伝達しゲート線１２１と交差する方向に伸びている。
【００５５】
駆動電圧線１７２は一定の電圧を伝達しデータ線１７１と分離されてデータ線１７１と同じ方向に伸びている。
【００５６】
第１ソース電極１７６ａはデータ線１７１から第１半導体１３５ａに向かって突出しており、第２ソース電極１７６ｂは駆動電圧線１７２から第２半導体１３５ｂに向かって突出している。第１ソース電極１７６ａと第２ソース電極１７６ｂはそれぞれソース接触孔１６６を通じてソース領域１３５６ａ、１３５６ｂと連結されている。
【００５７】
第１ドレイン電極１７７ａは第１ソース電極１７６ａと対向し接触孔１６７を通じてドレイン領域１３５７ａと連結される。
【００５８】
第１ドレイン電極１７７ａはゲート線に沿って延長されており、接触孔８１を通じて第２ゲート電極１５５ｂと電気的に連結される。
【００５９】
第２ドレイン電極１７７ｂは接触孔を通じてドレイン領域１３５７ｂと連結される。
【００６０】
データ線１７１、駆動電圧線１７２、第１ドレイン電極１７７ａはＡｌ、Ｔｉ、Ｍｏ、Ｃｕ、Ｎｉまたはこれらの合金のように低抵抗物質または腐食が強い物質を単層または複数層に形成することができる。例えば、Ｔｉ／Ｃｕ／Ｔｉ、Ｔｉ／Ａｇ／Ｔｉの三重層であり得る。
【００６１】
本発明の一実施形態では第１キャパシタ電極と第２キャパシタ電極を重畳してキャパシタを形成したが、データ線と同じ層または第１電極と同じ層に電極を形成して金属／誘電体／金属構造のキャパシタを形成することができる。
【００６２】
データ線１７１、駆動電圧線１７２、第１ドレイン電極１７７ａ及び第１電極７１０の上には第２層間絶縁膜１８０が形成されている。
【００６３】
第２層間絶縁膜１８０の上には第１電極７１０及び補助電極７４０が形成されている。
【００６４】
第１電極７１０は図１の有機発光素子のアノード電極であり得る。第１電極７１０は接触孔８２を通じて第２ドレイン電極１７７ｂと連結されている。
【００６５】
本発明の一実施形態では第２層間絶縁膜１８０を挟んで第２ドレイン電極１７７ｂと第１電極７１０が接触孔を通じて連結されているが、第２ドレイン電極１７７ｂと第１電極７１０は一体形に形成することもできる。
【００６６】
補助電極７４０は第１電極７１０と分離されており、データ線１７１及び駆動電圧線１７２のうちの少なくとも一つと重畳しこれらに沿って長く形成されている。補助電極７４０は第２電極７３０の電圧降下を減らすためのものであって、第２電極７３０と同一な電圧を印加することができる。
【００６７】
補助電極７４０の上には吸収電極７７０が形成されている。
【００６８】
補助電極７４０は一般に第２電極７３０と連結され、補助電極７４０と第２電極７３０を相互連結するためには補助電極７４０及び第２電極７３０の間に配置された有機発光層７２０が除去されなければならない。この時、有機発光層７２０はエネルギー吸収度が低くエネルギー伝達効率が大きく落ちるため有機発光層７２０と補助電極７４０の間に吸収電極７７０を配置することによって吸収電極７７０がエネルギーを容易に吸収するようになり有機発光層７２０を昇温して気化させる方法で有機発光層７２０をより簡単に除去することができる。
【００６９】
吸収電極７７０は有機発光層７２０除去時にエネルギーを吸収する役割を果たすため、エネルギー吸収率が高い材料でなければならず、補助電極７４０と第２電極７３０の間に配置されるため補助電極７４０と第２電極７３０間の電気的連結のために導電性がなければならない。
【００７０】
したがって、吸収電極７７０は吸収率が高い導電性を有する金属材料であり得、モリブデン（Ｍｏ）、チタン（Ｔｉ）、タングステン（Ｗ）、クロム（Ｃｒ）から選択された１種であり得る。
【００７１】
吸収電極７７０は３００〜１５００Åの厚さで形成することができ、この範囲でエネルギー吸収度が最も優れるためである。
【００７２】
また、吸収電極７７０は単一層または複数層で形成することができる。
【００７３】
吸収電極７７０を複数層で形成する場合、複数の吸収電極７７０層の間には酸化膜（図示せず）を形成することができる。
【００７４】
酸化膜はＩＴＯまたはＩＺＯから選択された１種であり得、４００〜８００Åの厚さで形成することができる。
【００７５】
この時、複数層で形成された吸収電極７７０の上部層より下部層をさらに厚く形成することができ、上部層は４０〜１００Åの厚さで、下部層は３００〜１０００Åの厚さで形成することができる。
【００７６】
第１電極７１０を含む基板全体には第１電極７１０及び補助電極７４０の少なくとも一部が露出され、吸収電極７７０の全部が露出されるように絶縁性物質でパターニングされた画素定義膜１１６が形成されており、その次に第１電極７１０を含む基板全体に形成された画素定義膜１１６の上、そして第１電極７１０の露出された部分に発光層を含む有機発光層７２０が形成されている。有機発光層７２０は補助電極７４０及び吸収電極７７０を露出する接触孔７４を含む。
【００７７】
図２の実施形態では複数の接触孔７４が一定の間隔で配置されたことを例として挙げたが、補助電極７４０に沿って長く形成（図示せず）することができる。
【００７８】
有機発光層７２０は低分子有機物またはＰＥＤＯＴ（Ｐｏｌｙ３，４−ｅｔｈｙｌｅｎｅｄｉｏｘｙｔｈｉｏｐｈｅｎｅ）などの高分子有機物からなり得る。また、有機発光層７２０は正孔注入層（ｈｏｌｅ  ｉｎｊｅｃｔｉｏｎ  ｌａｙｅｒ、ＨＩＬ）、正孔輸送層（ｈｏｌｅ  ｔｒａｎｓｐｏｒｔｉｎｇ  ｌａｙｅｒ、ＨＴＬ）、電子輸送層（ｅｌｅｃｔｒｏｎ  ｔｒａｎｓｐｏｒｔｉｎｇ  ｌａｙｅｒ、ＥＴＬ）、及び電子注入層（ｅｌｅｃｔｒｏｎ  ｉｎｊｅｃｔｉｏｎ  ｌａｙｅｒ、ＥＩＬ）のうちの一つ以上と発光層を含む多重膜で形成することができる。これら全てを含む場合、正孔注入層が正極である第１電極７１０の上に配置され、その上に正孔輸送層、発光層、電子輸送層、電子注入層が順次に積層される。
【００７９】
有機発光層７２０はそれぞれの赤色画素、緑色画素及び青色画素に赤色有機発光層、緑色有機発光層及び青色有機発光層を赤色画素、緑色画素及び青色画素に全て共に積層し、各画素別に赤色カラーフィルタ、緑色カラーフィルタ及び青色カラーフィルタを形成してカラー画像を実現することができる。他の例として、白色を発光する白色有機発光層を赤色画素、緑色画素及び青色画素の全てに形成し、各画素別にそれぞれ赤色カラーフィルタ、緑色カラーフィルタ及び青色カラーフィルタを形成してカラー画像を実現することもできる。
【００８０】
本発明による有機発光層７２０は赤色画素、青色画素及び緑色画素の積層構造が同一なのでそれぞれの個別画素、即ち、赤色画素、緑色画素及び青色画素に有機発光層を蒸着するための蒸着マスクを使用しなくても良い。
【００８１】
他の例で説明した白色有機発光層は一つの有機発光層で形成することができるのは勿論であり、複数個の有機発光層を積層して白色発光ができるようにした構成まで含む。例として、少なくとも一つのイエロー有機発光層と少なくとも一つの青色有機発光層を組み合わせて白色発光を可能にした構成、少なくとも一つのシアン有機発光層と少なくとも一つの赤色有機発光層を組み合わせて白色発光を可能にした構成、少なくとも一つのマゼンタ有機発光層と少なくとも一つの緑色有機発光層を組み合わせて白色発光を可能にした構成なども含むことができる。
【００８２】
有機発光層７２０及び接触孔７４を露出する開口部９９の上には第２電極７３０が形成されている。
【００８３】
第２電極７３０は有機発光素子のカソード電極になる。したがって第１電極７１０及び吸収電極７７０、有機発光層７２０及び第２電極７３０は有機発光素子７０をなす。
【００８４】
一方、第２電極７３０は接触孔７４内で補助電極７４０の上面、吸収電極７７０の上面及び側面、開口部９９のエッチング面と接触するように形成されている。
【００８５】
有機発光素子７０が光を放出する方向によって有機発光表示装置は前面表示型、背面表示型及び両面表示型のうちのいずれか一つの構造を有し得る。
【００８６】
本発明の一実施形態では前面表示型であって、第１電極７１０は反射膜で形成し、第２電極７３０は透明膜または半透過膜で形成する。
【００８７】
反射膜及び半透過膜はマグネシウム（Ｍｇ）、銀（Ａｇ）、金（Ａｕ）、カルシウム（Ｃａ）、リチウム（Ｌｉ）、クロム（Ｃｒ）及びアルミニウム（Ａｌ）のうちの一つ以上の金属またはこれらの合金を用いて形成される。反射膜と半透過膜は厚さによって決定され、半透過膜は２００ｎｍ以下の厚さで形成することができる。厚さが薄くなるほど光の透過率が高くなるが、過度に薄ければ抵抗が増加する。透明膜はＩＴＯ（ｉｎｄｉｕｍ  ｔｉｎ  ｏｘｉｄｅ）、ＩＺＯ（ｉｎｄｉｕｍ  ｚｉｎｃ  ｏｘｉｄｅ）、ＺｎＯ（酸化亜鉛）またはＩｎ２Ｏ３（ｉｎｄｉｕｍ  ｏｘｉｄｅ）などの物質からなる。
【００８８】
このように本発明の実施形態のように第２電極７３０と連結される補助電極７４０及び吸収電極７７０を形成すれば、基板１００全体に形成される第２電極７３０を通る駆動電圧の電圧降下を最小化することができ、接触孔７４を簡単に形成することができる。
【００８９】
図４を参照して本発明の他の実施形態による有機発光表示装置を具体的に説明する。
【００９０】
図４は本発明の他の実施形態による有機発光表示装置の一画素に対する配置図である。
【００９１】
図４に示された本発明の他の実施形態は図２及び図３に示された一実施形態と比較して吸収電極７７０の形成位置及び形態を除いて実質的に同一であるので、反復される説明は省略する。
【００９２】
図４に示したように、本発明の他の実施形態による有機発光表示装置の吸収電極７７１は補助電極７４０と並んだライン形態でない、補助電極７４０の上にドット形態の吸収電極７７１として形成されることができる。図４では四角形態に形成された複数個の吸収電極７７１を示しているが、吸収電極の形態は三角形、多角形など多様な形態に形成することができる。
【００９３】
以下、図５及び図６を参照して本発明の他の実施形態による有機発光表示装置を具体的に説明する。
【００９４】
図５は本発明の他の実施形態による有機発光表示装置の一画素に対する配置図であり、図６は図５のＩＶ−ＩＶ線による断面図である。
【００９５】
図５及び図６に示された本発明の他の実施形態は図２及び図３に示された一実施形態と比較して補助電極７４０が吸収電極７７０に代替されたことを除いて実質的に同一であるので、反復される説明は省略する。
【００９６】
吸収電極７７０は第１電極７１０と分離されており、データ線１７１及び駆動電圧線１７２のうちの少なくとも一つと重畳しこれらに沿って長く形成されている。吸収電極７７０は第２電極７３０の電圧降下を減らすための補助電極の役割を果たすものであって、第２電極７３０と同一な電圧を印加することができる。
【００９７】
吸収電極７７０は第２電極７３０と連結され、吸収電極７７０と第２電極７３０を相互連結するためには吸収電極７７０及び第２電極７３０の間に配置された有機発光層７２０が除去されなければならない。この時、有機発光層７２０はエネルギー吸収度が低くエネルギー伝達効率が大きく落ちるため補助電極として吸収電極７７０が形成されることによって吸収電極７７０がエネルギーを容易に吸収するようになり、有機発光層７２０を昇温して気化させる方法で有機発光層７２０をより簡単に除去することができる。
【００９８】
吸収電極７７０は有機発光層７２０除去時にエネルギーを吸収する役割を果たすためエネルギー吸収率が高い材料でなければならず、また補助電極の役割を果たすため吸収電極７７０と第２電極７３０間の電気的連結のために導電性がなければならない。
【００９９】
したがって、吸収電極７７０は吸収率が高い導電性を有する金属材料であり得、モリブデン（Ｍｏ）、チタン（Ｔｉ）、タングステン（Ｗ）、クロム（Ｃｒ）から選択された１種であり得る。
【０１００】
吸収電極７７０は３００〜１５００Åの厚さで形成することができ、この範囲でエネルギー吸収度が最も優れるためである。
【０１０１】
また、吸収電極７７０は単一層または複数層で形成することができる。
【０１０２】
吸収電極７７０を複数層で形成する場合、複数の吸収電極７７０層の間には酸化膜（図示せず）を形成することができる。
【０１０３】
酸化膜はＩＴＯまたはＩＺＯから選択された１種であり得、４００〜８００Åの厚さで形成することができる。
【０１０４】
この時、複数層で形成された吸収電極７７０の上部層より下部層をさらに厚く形成することができ、上部層は４０〜１００Åの厚さで、下部層は３００〜１０００Åの厚さで形成することができる。
【０１０５】
第１電極７１０を含む基板全体には有機発光層７２０が形成されている。有機発光層７２０は補助電極の役割を果たす吸収電極７７０を露出する接触孔７４を含む。
【０１０６】
以下、以上の有機発光表示装置を製造する方法について図７乃至１３と既に説明した図２及び３を参照して具体的に説明する。
【０１０７】
図７乃至１３は本発明の一実施形態による有機発光表示装置の製造方法の工程順に示した断面図である。
【０１０８】
まず、図７に示したように、基板１００の上にバッファー層１２０を形成する。バッファー層１２０は窒化ケイ素または酸化ケイ素から形成することができる。
【０１０９】
バッファー層１２０の上に多結晶シリコン膜を形成した後にパターニングして第１半導体１３５ａ及び第２半導体１３５ｂと第１キャパシタ電極１３８を形成する。
【０１１０】
その次に、図８に示したように、第１半導体１３５ａ及び第２半導体１３５ｂの上にゲート絶縁膜１４０を形成する。ゲート絶縁膜１４０は窒化ケイ素または酸化ケイ素からなり得る。
【０１１１】
そしてゲート絶縁膜１４０の上に金属膜を積層した後にパターニングして第１ゲート電極１５５ａ、１５５ｂと第２キャパシタ電極１５８を形成する。
【０１１２】
第１ゲート電極１５５ａ及び第２ゲート電極１５５ｂをマスクにして第１半導体１３５ａ及び第２半導体１３５ｂに導電型不純物をドーピングしてソース領域、ドレイン領域及びチャンネル領域を形成する。または第１ゲート電極１５５ａ及び第２ゲート電極１５５ｂを形成する前に感光膜を用いて第１キャパシタ電極１３８にも共にドーピングすることができる。また、第１ゲート電極１５５ａ及び第２ゲート電極１５５ｂを二重膜で形成し、第２キャパシタ電極１５８は単一膜で形成すればソース領域及びドレイン領域と共に第１キャパシタ電極１３８にもドーピングすることができる。
【０１１３】
その次に、図９に示したように、第１ゲート電極１５５ａ、１５５ｂと第２キャパシタ電極１５８の上にソース領域及びドレイン領域を露出する接触孔１６６、１６７を有する層間絶縁膜１６０を形成する。層間絶縁膜１６０はテトラエトキシシラン（ｔｅｔｒａ  ｅｔｈｙｌ  ｏｒｔｈｏ  ｓｉｌｉｃａｔｅ、ＴＥＯＳ）、窒化ケイ素または酸化ケイ素などで形成することができる。また、層間絶縁膜１６０は低誘電率物質で形成して基板を平坦化することができる。
【０１１４】
その次に、図１０に示したように、層間絶縁膜１６０の上にＩＴＯ／Ａｇ／ＩＴＯを蒸着した後にパターニングして第１電極７１０及び補助電極７４０を形成する。
【０１１５】
この時、補助電極７４０の代わりに既に説明した図５及び図６のように吸収電極を形成することもできる。
【０１１６】
吸収電極は有機発光層７２０の除去時にエネルギーを吸収する役割を果たすためエネルギー吸収率が高い材料でなければならず、また補助電極７４０の役割を果たすため吸収電極と第２電極７３０間の電気的連結のために導電性がなければならない。
【０１１７】
したがって、吸収電極は吸収率が高い導電性を有する金属材料であり得、モリブデン（Ｍｏ）、チタン（Ｔｉ）、タングステン（Ｗ）、クロム（Ｃｒ）から選択された１種であり得る。
【０１１８】
吸収電極は３００〜１５００Åの厚さで形成することができ、この範囲でエネルギー吸収度が最も優れるためである。
【０１１９】
また、吸収電極は単一層または複数層で形成することができる。
【０１２０】
吸収電極を複数層で形成する場合、複数の吸収電極層の間には酸化膜（図示せず）を形成することができる。
【０１２１】
酸化膜はＩＴＯまたはＩＺＯから選択された１種であり得、４００〜８００Åの厚さで形成することができる。
【０１２２】
この時、複数層で形成された吸収電極の上部層より下部層をさらに厚く形成することができ、上部層は４０〜１００Åの厚さで、下部層は３００〜１０００Åの厚さで形成することができる。
【０１２３】
その次に、図１１に示したように、補助電極７４０の上に吸収電極７７０を形成する。
【０１２４】
吸収電極７７０は補助電極７４０と並んだライン形態に形成することができ、図４に示したように補助電極７４０の上にドット形態に形成することができる。
【０１２５】
吸収電極７７０は有機発光層７２０の除去時にエネルギーを吸収する役割を果たすため、エネルギー吸収率が高い材料でなければならず、補助電極７４０と第２電極７３０の間に配置されるため補助電極７４０と第２電極７３０間の電気的連結のために導電性がなければならない。
【０１２６】
したがって、吸収電極７７０は吸収率が高い導電性を有する金属材料であり得、モリブデン（Ｍｏ）、チタン（Ｔｉ）、タングステン（Ｗ）、クロム（Ｃｒ）から選択された１種であり得る。
【０１２７】
吸収電極７７０は３００〜１５００Åの厚さで形成することができ、この範囲でエネルギー吸収度が最も優れるためである。
【０１２８】
吸収電極７７０は単一層または複数層で形成することができる。
【０１２９】
吸収電極７７０を複数層で形成する場合、複数の吸収電極７７０層の間には酸化膜（図示せず）を形成することができる。
【０１３０】
酸化膜はＩＴＯまたはＩＺＯから選択された１種であり得、４００〜８００Åの厚さで形成することができる。
【０１３１】
この時、吸収電極７７０の上部層より下部層をさらに厚く形成することができ、上部層は４０〜１００Åの厚さで、下部層は３００〜１０００Åの厚さで形成することができる。
【０１３２】
その次に、図１２に示したように、第１電極７１０、補助電極７４０及び吸収電極７７０の上に第１電極７１０及び補助電極７４０の少なくとも一部が露出され、吸収電極７７０の全部が露出されるように絶縁性物質でパターニングされた画素定義膜１１６を形成し、画素定義膜１１６、露出された第１電極７１０、補助電極７４０及び吸収電極７７０の上に有機発光層７２０を積層する。
【０１３３】
有機発光層７２０は別途のマスクなしで基板全体に形成し、正孔付帯層、赤色有機発光層、緑色有機発光層、青色有機発光層及び電子付帯層を順に積層することができる。
【０１３４】
その後、吸収電極７７０がエネルギーを吸収できる波長領域帯のエネルギーを有する光源を照射して有機発光層７２０をエッチングして下部の補助電極７４０及び吸収電極７７０を露出する開口部９９を有する第２電極７３０及び接触孔７４を形成する。
【０１３５】
この時、従来は有機発光層７２０をエッチングすることにおいて一般にレーザーを使用したが、本発明の一実施形態による有機発光表示装置の製造においては吸収電極７７０のエネルギー吸収度が高いため有機発光層７２０をエッチングすることに使用可能なエネルギー光源としてレーザー、フラッシュランプ（ｆｌａｓｈ  ｌａｍｐ）、タングステンハロゲンランプ（ｔｕｎｇｓｔｅｎ  ｈａｌｏｇｅｎ  ｌａｍｐ）などを多様に使用することができる。
【０１３６】
このようなエネルギー光源によって照射された光源のエネルギーは吸収電極７７０に容易に吸収され吸収電極７７０が昇温し、この時、吸収電極７７０の上部に形成されている有機発光層７２０が昇温して気化する方式でエッチングされ得る。
【０１３７】
したがって、本発明の実施形態による有機発光表示装置の製造においては有機発光層７２０に開口部９９を形成するエッチング過程を吸収電極７７０を用いて有機発光層７２０を昇温、気化させる方式で遂行することによって、有機発光層７２０のエッチングにパターニングマスクを使用しなくてもよい。
【０１３８】
その次に、図１３のように、基板全体に金属膜を積層して有機発光層７２０の上に形成されており、有機発光層７２０の開口部９９を通じて露出された補助電極７４０及び吸収電極７７０と連結された第２電極７３０を形成する。
【０１３９】
金属膜は半透明膜であってＭｇ−Ａｇ合金を積層して形成することができる。第２電極７３０は５００Åの厚さで形成する。
【０１４０】
実施形態１：吸収電極の構造を単一層で形成時、波長による吸収率測定
本発明の一実施形態による有機発光表示装置に吸収電極を単一層で形成した時のエネルギー光源から照射された光源エネルギーの吸収度を測定した。
【０１４１】
エネルギー光源としてはフラッシュランプを使用した。
【０１４２】
吸収電極の材料はモリブデン（Ｍｏ）を使用し、吸収電極の厚さは２５０Å、５００Å、１０００Å、１５００Åに対して吸収度を測定し、その結果は図１４に示した。
【０１４３】
図１４に示されたグラフで横軸は光源の波長を示し、縦軸は光源エネルギーの吸収度を示す。図１４に示されているように、単一層吸収電極での光源エネルギーの吸収度は可視光領域において吸収電極の厚さが５００Å以上で５０％以上であることを確認することができた。
【０１４４】
実施形態２：吸収電極の構造を単一層で形成時、波長による吸収率測定
本発明の他の実施形態による有機発光表示装置に吸収電極を複数層で形成した時のエネルギー光源から照射された光源エネルギー吸収度を測定した。
【０１４５】
エネルギー光源としてはフラッシュランプを使用した。
【０１４６】
吸収電極の材料はモリブデン（Ｍｏ）を二重層に形成して使用し、上部吸収電極層の厚さは４０Å、６０Åとし、下部吸収電極層の厚さは３５０Åとして使用した。上部及び下部吸収電極層の間には酸化膜としてＩＴＯを使用し、酸化膜の厚さは４５０Å、５００Å、５５０Å、６００Å、７００Åとして使用して光源エネルギーの吸収度を測定し、その結果は図１５に示した。
【０１４７】
図１５に示されたグラフで横軸は光源の波長を示し、縦軸は光源エネルギーの吸収度を示す。図１５に示されているように、複数層で形成された吸収電極で光源エネルギーの吸収度は可視光領域において６５％以上であるのを確認することができた。
【０１４８】
以上のように本発明の実施形態に有機発光表示装置は有機発光層の駆動のために薄膜であり面積が大きい電極を通る電源の電圧降下を最小化することができ、補助電極の上部に吸収電極を追加することにより補助電極上の有機層の除去工程が簡便であるという長所がある。
【０１４９】
以上で本発明の好ましい実施形態について詳細に説明したが、本発明の権利範囲はこれに限定されるのではなく次の請求範囲で定義している本発明の基本概念を利用した当業者の様々な変形及び改良形態も本発明の権利範囲に属するものである。
【符号の説明】
【０１５０】
７４、８１、８２、１６６、１６７：接触孔
９９：開口部
１００：基板
１２０：バッファー層
１２１：ゲート線
１３５５ａ、１３５５ｂ：チャンネル領域
１３５６ａ、１３５６ｂ：ソース領域
１３５７ａ、１３５７ｂ：チャンネル領域
１３５ａ、１３５ｂ：半導体
１３８：第１キャパシタ電極
１４０：ゲート絶縁膜
１５５ａ：第１ゲート電極
１５５ｂ：第２ゲート電極
１５８：第２キャパシタ電極
１６０：第１層間絶縁膜
１７１：データ線
１７２：駆動電圧線
１７６ａ、１７６ｂ：ソース電極
１７７ａ、１７７ｂ：ドレイン電極
１８０：第２層間絶縁膜
７１０：第１電極
７２０：有機発光層
７３０：第２電極
７４０：補助電極
１１６：画素定義膜
７７０：吸収電極
【図１】
2015079746.tif 000003
【図２】
2015079746.tif 000004
【図３】
2015079746.tif 000005
【図４】
2015079746.tif 000006
【図５】
2015079746.tif 000007
【図６】
2015079746.tif 000008
【図７】
2015079746.tif 000009
【図８】
2015079746.tif 000010
【図９】
2015079746.tif 000011
【図１０】
2015079746.tif 000012
【図１１】
2015079746.tif 000013
【図１２】
2015079746.tif 000014
【図１３】
2015079746.tif 000015
【図１４】
2015079746.tif 000016
【図１５】
2015079746.tif 000017