(57)【要約】【課題】混じると爆発の可能性のある特定の可燃性ガス（ＣＨ4，ＣＨ3Ｆ，ＣＨ2Ｆ2）とハロゲン系の支燃性ガスとの組み合わせについて、減圧処理装置の真空ポンプの出口側で排ガスの爆発を未然に防ぐために用いる希釈用の不活性ガスの使用効率を最適化する。【解決手段】このプラズマ処理装置において、主制御部４２は、排ガス処理部４０における排ガス処理の状況を希釈コントローラ４５を通じて管理することができる。排ガス処理部４０は、真空ポンプ３６の出口に排気管４６を介して接続される除害装置４８と、真空ポンプ３６の出口付近で排気管４６に希釈ガス供給配管５０を介して接続される希釈ガス源５２と、希釈ガス供給配管５０の途中に設けられるＭＦＣ５４および開閉弁５５と、希釈ガス供給配管５０の終端（ノードＮ）よりも下流側で排気管４６に取り付けられるガスセンサ５６と、ＭＦＣ５４を制御する希釈コントローラ４５とで構成されている。【選択図】  図１
2015220263.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
被処理基板に対して減圧下でプロセスを行うためにＣＨ4（メタン）ガスを含む可燃性のガスとハロゲン元素を含む支燃性のガスとを同時にまたは入れ替わりに導入するチャンバと、前記チャンバ内を排気する真空ポンプとを有する減圧処理装置において、前記真空ポンプの出口側の排気路内での排気ガスの爆発を防ぐための排気ガス防爆方法であって、
前記排気路または前記真空ポンプ内に希釈用の不活性ガスを供給して、前記排気路内で前記ＣＨ4ガスの濃度が０．０５〜０．１０％になるように前記不活性ガスの供給流量を制御する排気ガス防爆方法。
【請求項２】
前記ＣＨ4ガスの濃度が０．０７〜０．１０％になるように、前記不活性ガスの供給流量を制御する、請求項１に記載の排気ガス防爆方法。
【請求項３】
被処理基板に対して減圧下でプロセスを行うためにＣＨ3Ｆ（フルオロメタン）ガスを含む可燃性のガスとハロゲン元素を含む支燃性のガスとを同時または入れ替わりに導入するチャンバと、前記チャンバ内を排気する真空ポンプとを有する減圧処理装置において、前記真空ポンプの出口側の排気路内での排気ガスの爆発を防ぐための排気ガス防爆方法であって、
前記排気路または前記真空ポンプ内に希釈用の不活性ガスを供給して、前記排気路内で前記ＣＨ3Ｆガスの濃度が３．０〜５．０％になるように前記不活性ガスの供給流量を制御する排気ガス防爆方法。
【請求項４】
前記ＣＨ3Ｆガスの濃度が４．０〜５．０％になるように、前記不活性ガスの供給流量を制御する、請求項３に記載の排気ガス防爆方法。
【請求項５】
被処理基板に対して減圧下でプロセスを行うためにＣＨ2Ｆ2（ジフルオロメタン）ガスを含む可燃性のガスとハロゲン元素を含む支燃性のガスとを同時または入れ替わりに導入するチャンバと、前記チャンバ内を排気する真空ポンプとを有する減圧処理装置において、前記真空ポンプの出口側の排気路内での排気ガスの爆発を防ぐための排気ガス防爆方法であって、
前記排気路または前記真空ポンプ内に希釈用の不活性ガスを供給して、前記排気路内で前記ＣＨ2Ｆ2ガスの濃度が８．３〜１３．３％になるように前記不活性ガスの供給流量を制御する排気ガス防爆方法。
【請求項６】
前記ＣＨ2Ｆ2ガスの濃度が１０．３〜１３．３％になるように、前記不活性ガスの供給流量を制御する、請求項５に記載の排気ガス防爆方法。
【請求項７】
前記支燃性のガスがＣｌ2（塩素）ガスである、請求項１〜６のいずれか一項に記載の排気ガス防爆方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、減圧処理装置のチャンバ内を排気する真空ポンプの出口側において排ガスの爆発を防止する排ガス防爆方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体デバイスを製造する過程においては、半導体基板に対する減圧下のプロセスで様々なガスが用いられる。従来より、真空チャンバを用いる減圧処理装置、特にプラズマ処理装置においては、同一のチャンバ内に可燃性ガスと支燃性ガスとを同時または入れ替わりに供給した場合に、チャンバ内を排気する真空ポンプの出口側で排ガスの爆発を未然に防ぐことが一つの課題になっている。
【０００３】
たとえば、プラズマＣＶＤ装置では、チャンバ内で可燃性の原料ガスを用いてプラズマＣＶＤ法により半導体基板上に成膜処理を施した後、チャンバ内壁に付着している堆積物（デポ）を支燃性ガスのプラズマで除去するプラズマクリーニングを毎回または定期的に行うことがある。その場合、成膜処理に使われた可燃性ガスの一部が未反応のままチャンバ内に残存して、直後のプラズマクリーニングの際に支燃性ガスに混じってチャンバから排出されると、真空ポンプの出口側で高圧ないし高濃度の排ガスが静電気の発生等をきっかけに爆発（燃焼による急激な圧力変化）を起こすことがある。一般に、プラズマ処理装置に用いられる真空ポンプの出口側には排気管を介して除害装置が接続される。この種の排気管には強度ないし耐圧性の低い真空配管が用いられるため、排ガスの爆発によって排気管が破損しやすく、人体や環境等に有害な排ガスが外部に漏れるおそれがある。
【０００４】
また、プラズマエッチング装置でも、可燃性ガスと支燃性ガスとを含む混合ガスを用いてドライエッチングを行う場合には、真空ポンプの出口側で未反応の可燃性ガスと支燃性ガスとが含まれている高圧ないし高濃度の排ガスが爆発を起こして排気管の外に漏れるおそれがあり、問題となっている。
【０００５】
従来より、減圧処理装置のチャンバ内を排気する真空ポンプの出口側で排ガスの爆発を未然に防ぐために、真空ポンプの出口側と除害装置等の排ガス処理装置とを結ぶ排気管にＮ2ガス等の不活性ガスを供給して排ガスを希釈する技術は知られている（たとえば特許文献１，２）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開平９−９０９号公報
【特許文献２】特開２０１２−３８９６２号公報
【特許文献３】特開２０１２−２０４４０８号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
しかしながら、上記のような従来の排ガス防爆方法は、可燃性ガス単独での爆発または支燃性ガス単独での爆発を防止する技術であり、可燃性ガスと支燃性ガスが混じっている排ガスの爆発を防止する技術ではない。排ガス中に可燃性ガスと支燃性ガスが混じる場合は、ガスの種類と組み合わせに応じて、爆発の可能性の有無や爆発の条件に関して正しい知見を持つことと、爆発の可能性が有るときはガス濃度の爆発下限界値について正確な数値情報を持つことが重要である。さもないと、予期しない排ガスの爆発によってガス漏れを起こしたり、希釈ガスの無駄な消費（浪費）を招くことになる。
【０００８】
特に、最近のエッチングプロセスでは、可燃性ガスと支燃性ガスを処理容器内に同時に供給する必要があるプロセスが増えてきている（たとえば特許文献３）。このため、そのような混合ガスでエッチングプロセスを実施するプラズマエッチング装置は、従来よりも効率的で安全性の高い排ガス防爆機能または設備を求められている。
【０００９】
本発明者は、半導体デバイス製造のプロセスで一般的に使用され、減圧処理装置の真空チャンバないし排気系において混じる可能性がある可燃性ガスと支燃性ガスの幾つかの組み合わせについて、評価試験を行った。
【００１０】
本発明は、かかる評価試験に基づくものであり、混じると爆発の可能性のある特定の可燃性ガス（ＣＨ4，ＣＨ3Ｆ，ＣＨ2Ｆ2）とハロゲン系の支燃性ガスとの組み合わせについて、排気系の真空ポンプの出口側で排ガスの爆発を未然に防ぐために用いる希釈用の不活性ガスの使用効率を最適化する減圧処理装置における排ガス防爆方法を提供する。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
本発明の減圧処理装置における排ガス防爆方法の第１の観点は、被処理基板に対して減圧下でプロセスを行うためにＣＨ4（メタン）ガスを含む可燃性のガスとハロゲン元素を含む支燃性のガスとを同時にまたは入れ替わりに導入するチャンバと、前記チャンバ内を排気する真空ポンプとを有する減圧処理装置において、前記真空ポンプの出口側の排気路内での排気ガスの爆発を防ぐための排気ガス防爆方法であって、前記排気路内に希釈用の不活性ガスを供給して、前記排気路内で前記ＣＨ4ガスの濃度が０．０５〜０．１０％になるように前記不活性ガスの供給流量を制御する。
【００１２】
本発明の減圧処理装置における排ガス防爆方法の第２の観点は、被処理基板に対して減圧下でプロセスを行うためにＣＨ3Ｆ（フルオロメタン）ガスを含む可燃性のガスとハロゲン元素を含む支燃性のガスとを同時または入れ替わりに導入するチャンバと、前記チャンバ内を排気する真空ポンプとを有する減圧処理装置において、前記真空ポンプの出口側の排気路内での排気ガスの爆発を防ぐための排気ガス防爆方法であって、前記排気路内に希釈用の不活性ガスを供給して、前記排気路内で前記ＣＨ3Ｆガスの濃度が３．０〜５．０％になるように前記不活性ガスの供給流量を制御する。
【００１３】
本発明の減圧処理装置における排ガス防爆方法の第３の観点は、被処理基板に対して減圧下でプロセスを行うためにＣＨ2Ｆ2（ジフルオロメタン）ガスを含む可燃性のガスとハロゲン元素を含む支燃性のガスとを同時または入れ替わりに導入するチャンバと、前記チャンバ内を排気する真空ポンプとを有する減圧処理装置において、前記真空ポンプの出口側の排気路内での排気ガスの爆発を防ぐための排気ガス防爆方法であって、前記排気路内に希釈用の不活性ガスを供給して、前記排気路内で前記ＣＨ2Ｆ2の濃度が８．３〜１３．３％になるように前記不活性ガスの供給流量を制御する。
【００１４】
本発明の排ガス防爆方法においては、真空ポンプの出口側の排ガスにＣＨ4ガス、ＣＨ3ＦガスまたはＣＨ2Ｆ2ガスのいずれかとハロゲン系の支燃性ガスが含まれる場合は、該支燃性ガスの濃度が爆発下限界値より低くてその付近の値を保つように排気管に供給する不活性ガスの供給流量を制御する。
【発明の効果】
【００１５】
本発明の排ガス防爆方法によれば、上記のような構成により、混じると爆発の可能性のある特定の可燃性ガス（ＣＨ4，ＣＨ3Ｆ，ＣＨ2Ｆ2）とハロゲン系の支燃性ガスとの組み合わせについて、排気系の真空ポンプの出口側で排ガスの爆発を未然に防ぐために用いる希釈用の不活性ガスの使用効率を最適化することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１６】
【図１】本発明の排ガス防爆方法の適用可能な一例としてのプラズマ処理装置の構成を模式的に示す図である。
【図２】実施形態における評価試験の結果を示す表である。
【図３】特定された８種類の可燃性ガスについて、化学反応式における原料側と生成物側との間の結合解離エネルギーの大小関係等を示す図である。
【図４】上記評価試験の結果から分類された特定の（第２グループに属する）可燃性ガスについて、各々の分子構造および化学反応式等を示す図である。
【図５】上記第２グループに属する可燃性ガスについて、上記評価試験から得られたプロットを基に回帰分析法により取得した爆発下限濃度の特性曲線（回帰曲線）を示すグラフ図である。
【発明を実施するための形態】
【００１７】
以下、添付図面を参照して、本発明の好適な実施形態における排ガス防爆方法について説明する。
［実施形態における減圧処理装置の一例］
【００１８】
図１に、本発明における排ガス防爆方法の適用可能な減圧処理装置の一例を示す。この減圧処理装置１は、容量結合型のプラズマ処理装置として構成されており、たとえば内壁がアルマイト処理されたアルミニウム製の減圧可能な真空チャンバ１０を有している。チャンバ１０は接地されており、その側壁には被処理基板たとえば半導体ウエハＷを出し入れするための搬入出口（図示せず）が設けられている。
【００１９】
チャンバ１０の底部には、円筒状の絶縁部材１２を介して、たとえばアルミニウムからなる導電性のサセプタ１４が設けられている。このサセプタ１４は下部電極を構成し、この上に処理対象の半導体ウエハＷが載置される。また、サセプタ１４は高周波電極でもあり、プラズマ生成用の高周波を出力する高周波電源１６が整合器１８を介してサセプタ１４に電気的に接続されている。さらに、サセプタ１４には、半導体ウエハＷを保持する保持機構（図示せず）やウエハの温度を制御するための温調機構（図示せず）等も備わっている。
【００２０】
サセプタ１４の上方には、このサセプタと平行に対向して上部電極２０がチャンバ１０の天井に直付けで設置されている。この上部電極２０は、シャワーヘッドとして構成されており、サセプタ１４上の基板Ｗに向けて処理ガスを噴出する多数または無数の通孔２０ａと、ガス噴射圧力を均一にするためのガスバッファ室２０ｂとを有している。シャワーヘッド２０のガス導入口２２には処理ガス供給部２４からのガス供給配管２６が接続されている。
【００２１】
処理ガス供給部２４は、このプラズマ処理装置で使用可能なｎ種類（ｎは２以上の整数）のガスをそれぞれ個別に送出するｎ個のガス源Ｇ1〜Ｇnを備えている。これらのガス源Ｇ1〜Ｇnの出力ポートは、それぞれ個別の電磁開閉弁およびＭＦＣ（マス・フロー・コントローラ）を介して共通のガス供給配管２６に接続されている。ガス供給配管２６には主開閉弁２８が設けられている。
【００２２】
チャンバ１０の底部には、１つまたは複数の排気口３０が設けられている。これらの排気口３０には、排気管３２および圧力調整器たとえばＡＰＣバルブ３４を介して真空ポンプ３６が接続されている。真空ポンプ３６は、単一のポンプであってもよく、あるいは補助（粗引き）ポンプや主（高真空）ポンプなど複数のポンプを組み合わせたものであってもよい。圧力調整器３４は、排気流量を調整して、チャンバ１０内の圧力を調整する。圧力調整器３４および真空ポンプ３６により、サセプタ１４の周りから排気口３０を介してガスをチャンバ１０の外へ排出し、チャンバ１０内の処理空間を所望の真空度まで減圧することができる。
【００２３】
真空ポンプ３６の出口側には、排ガス処理部４０が設けられている。排ガス処理部４０の構成および作用については後に詳しく説明する。
【００２４】
このプラズマ処理装置において、サセプタ１４上の半導体ウエハＷにプラズマ処理を施すときは、処理ガス供給部２４より予め選択された１種類または複数種類のガスを所定の流量でシャワーヘッド２０を通じてチャンバ１０内に導入し、圧力調整器３４および真空ポンプ３６によりチャンバ１０内の圧力を設定値に制御する。さらに、高周波電源１６よりプラズマ生成に適した所定周波数の高周波を所定のパワーで整合器１８を介してサセプタ（下部電極）１４に印加する。シャワーヘッド（上部電極）２０の通孔２０ａよりチャンバ１０の処理空間に噴射された処理ガスは下部および上部電極１４，２０間での高周波放電（グロー放電）によってプラズマを生成し、このプラズマに含まれるラジカルやイオン等によって半導体ウエハＷの主面（上面）にエッチングあるいは堆積等のプラズマ処理が施される。
【００２５】
主制御部４２は、マイクロコンピュータおよび各種インタフェースを含み、外部メモリ４４または内部メモリに格納されるソフトウェア（プログラム）およびレシピ情報にしたがって、このプラズマエッチング装置内の各部たとえば排気部（圧力調整器３４、真空ポンプ３６）、高周波給電部（高周波電源１６，整合器１８）、処理ガス供給部２４、主開閉弁２８、排ガス処理部４０等の各部の動作および装置全体の動作（シーケンス）を制御する。
【００２６】
このプラズマ処理装置において、処理ガス供給部２４よりチャンバ１０内に供給されるガスの種類、組み合わせ、流量および流量比（混合比）等は、実施されるプロセスの仕様に応じて予め設定され、プロセス条件の一部としてレシピに組み込まれる。そして、プロセスが実行される時、処理ガス供給部２４内では、当該プロセスに用いられる１つまたは複数のガスにそれぞれ対応するガス源、開閉弁およびＭＦＣが選択的に機能するようになっている。主制御部４２は、レシピ情報に基づいて、プロセスの実行中に処理ガス供給部２４よりチャンバ１０内に供給されているガスの種類、組み合わせ、流量および流量比（混合比）等を把握し管理している。
【００２７】
一方で、主制御部４２は、排ガス処理部４０における排ガス処理の状況も希釈コントローラ４５を通じて管理することができる。ここで、排ガス処理部４０は、真空ポンプ３６の出口にたとえば真空配管からなる排気管４６を介して接続される除害装置４８と、好ましくは真空ポンプ３６の出口付近で排気管４６に希釈ガス供給配管５０を介して接続される希釈ガス源５２と、希釈ガス供給配管５０の途中に設けられるサーマル式またはフロート式の流量制御機器（ＭＦＣあるいはフローメータ）５４および開閉弁５５と、希釈ガス供給配管５０の終端（ノードＮ）よりも下流側で排気管４６に取り付けられるガスセンサ５６と、流量制御機器５４を制御する希釈コントローラ４５とで構成されている。希釈ガス源５２より送出される希釈ガスは、不活性ガスつまりＮ2ガスまたは希ガス（ヘリウム、アルゴン等）である。
【００２８】
除害装置４８は、たとえば乾式の除害装置であり、回収された排ガスに含まれる有害成分を化学処理剤と反応させて、安全な化合物にして処理剤に固定するように構成されている。除害装置４８は、通気可能量についてたとえば毎分３００Ｌ（リットル）などの処理限界を設けており、除害処理の対象となるガスの濃度についても上限を設けている。このため、主制御部４２ないし希釈コントローラ４５の制御の下で、圧力調整器３４、流量制御機器５４等を適宜働かせて、除害装置４８に回収される排ガスの流量および濃度を管理するようにしている。
【００２９】
この実施形態における排ガス処理部４０は、真空ポンプ３６の出口より排出される高圧ないし高密度の排ガスに含まれる可燃性ガスおよび／または支燃性ガスの種類と組み合わせに応じて、希釈部（希釈ガス源５２、流量制御機器５４、開閉弁５５および希釈コントローラ４５）５７を選択的に動作させることと、希釈部５７を動作させる場合は排気管４６内で所定の可燃性ガスの濃度が所定の爆発下限界値を超えずにその付近の値を保つように希釈用ガスの供給流量を制御し、それによって、排気管４６内での排ガスの爆発を未然に防ぐために用いる希釈用の不活性ガスの消費量を必要最小限に抑えるようにしている。
【００３０】
このために、排ガス処理部４０のガスセンサ５６は、ガス種の識別とガス濃度の測定とを同時かつリアルタイムに行えるものが望ましく、たとえば赤外線式のガスセンサを好適に用いる。赤外線式のガスセンサは、２つ以上の異なる原子からなるガス分子はその分子構造によって決まる赤外線領域（１〜２０μｍ）内の所定波長の光を吸収することから、吸収された波長よりガスの種類を判別し、吸収の強さでガスの濃度を測定するように構成されている。ガスセンサ５６の出力信号は希釈コントローラ４５に与えられる。希釈コントローラ４５は、主制御部４２からの制御信号とガスセンサ５６の出力信号とに基づいて、排ガスに含まれるガスの種類に応じて開閉弁５５を制御し、流量制御機器５４を通じて希釈用の不活性ガスの供給流量を制御するようになっている。
［実施形態における評価試験］
【００３１】
本発明の発明者は、半導体デバイス製造のプロセスで一般的に使用され、減圧処理装置の真空チャンバないし排気系において混じる可能性がある可燃性ガスと支燃性ガスとの幾つかの組み合わせについて、評価試験を行った。この評価試験から得られた知見および数値情報は、上述した実施形態の減圧処理装置１においても主制御部４２で用いるソフトウェアやメモリ４４に格納されるレシピ等に基本情報として反映される。
【００３２】
この評価試験では、選定した７種類の可燃性ガス、すなわちＣＨ4（メタン）ガス、ＣＯ（一酸化炭素）ガス、ＣＨ3Ｆ（フルオロメタン）ガス、ＣＨ2Ｆ2（ジフルオロメタン）ガス、Ｃ4Ｆ6（ヘキサフルオロ１，３ブタジエン）ガス、ＣＯＳ（硫化カルボニル）ガスおよびＣ2Ｈ4（エチレン）ガスの各々とハロゲン系の代表的な支燃性ガスであるＣｌ2（塩素）ガスとを実験用のチャンバ内で混合し、各可燃性ガスの濃度を可変して燃焼反応ないし着火の有無を検査した。そして、着火の可能性がある組み合わせについては、可燃性ガスの爆発下限濃度（爆発下限界値）を割り出した。火花を発生する手段には、自動車エンジンの点火プラグを用いた。着火を検出する手段には、爆発圧測定用圧力計（長野計器株式会社製  ZT-15）を用いた。因みに、減圧処理装置の排気系では、真空ポンプのロータに付着したデポ等からロータの回転中に静電気の火花が発生することがあり、この火花によって真空ポンプの出口側で排ガスが爆発して、排気管がガス漏れを起こすことがある。図２に、評価試験の結果を一覧表で示す。
【００３３】
なお、この明細書において、「可燃性」とは、燃焼の可能性があることを意味する。ここで、「燃焼」とは、一般には酸素が関与する発熱や発光を伴う急激な化学反応をいうが、化学用語としての広義の燃焼は、酸素が存在するか否かに関係なく発熱や発光を伴う急激な化学反応をいう。また、「支燃性」とは、可燃性物質の燃焼を助ける性質をいう。本発明は、所定の可燃性ガスがハロゲンガスを含む支燃性ガスとの混合によって燃焼するか否か、つまり可燃性ガスと支燃性ガスとの急激な反応があるか否かを扱う。したがって、この明細書では、化学用語としての広義の燃焼の語を用いる。
【００３４】
「着火」は、可燃性ガスと支燃性ガスとを含む混合ガスの中で火花放電を発生させることにより、可燃性ガスと支燃性ガスとが発熱や発光を伴う急激な化学反応つまり燃焼を起こすことを意味する。
【００３５】
「爆発」は、可燃性ガスと支燃性ガスとの発熱や発光を伴う急激な化学反応（燃焼）の結果、その付近の圧力が急激に高くなることをいう。
【００３６】
「爆発下限濃度」または「爆発下限界値」は、支燃性ガスの存在下で着火ないし爆発が起きるときの可燃性ガスの濃度の下限値をいう。別な見方をすれば、可燃性ガスの濃度がその臨界値より低ければ、支燃性ガスと混じっても着火爆発を起こさないという意味での臨界値が、「爆発下限濃度」または「爆発下限界値」である。
【００３７】
図２に示すように、評価試験において、ＣＨ4ガスとＣｌ2ガスとの組み合わせは、それらのガスを混合しただけでは反応を起こさないが、ＣＨ4ガスの濃度が０．３％、０．５％、１％、５％、５．３％のときはいずれの場合にも着火（火花放電で爆発）した。しかし、ＣＨ4ガスの濃度が０．１％のときは、着火しなかった。したがって、爆発下限濃度は、０．１％より大きくて０．３％以下の範囲内にあることがわかった。
【００３８】
ＣＯガスとＣｌ2ガスとの組み合わせは、ＣＯガスの濃度が１２．５％、３０％、５０％、７０％、９０％の各場合について、混合のみに起因する反応がないうえ、火花放電を与えても着火を起こさなかった。
【００３９】
ＣＨ3ＦガスとＣｌ2ガスとの組み合わせは、それらのガスを混合しただけでは反応を起こさなかった。また、ＣＨ3Ｆガスの濃度が５％のときは、着火もしなかった。しかし、ＣＨ3Ｆガスの濃度が６．８％以上のときは、着火した。したがって、この組み合わせでの爆発下限濃度は、５％より大きくて６．８％以下の範囲内にあることがわかった。
【００４０】
ＣＨ2Ｆ2ガスとＣｌ2ガスとの組み合わせは、それらのガスを混合しただけでは反応を起こさなかった。また、ＣＨ2Ｆ2ガスの濃度が１３．３％のときは、着火もしなかった。しかし、ＣＨ2Ｆ2ガスの濃度が１５％〜２０％のときは、着火した。したがって、この組み合わせでの爆発下限濃度は、１３．３％より大きくて１５％以下の範囲内にあることがわかった。
【００４１】
Ｃ4Ｆ6ガスとＣｌ2ガスとの組み合わせでは、Ｃ4Ｆ6ガスの濃度が７．４％、２０％、４０％、６０％、８５％の各場合について、混合のみに起因する反応がないうえ、火花放電を与えても着火は起こらなかった。
【００４２】
ＣＯＳガスとＣｌ2ガスとの組み合わせでは、ＣＯＳガスの濃度が１２％、３０％、５０％、７０％、９０％の各場合について、混合のみに起因する反応がないうえ、火花放電を与えても着火は起こらなかった。
【００４３】
Ｃ2Ｈ4ガスとＣｌ2ガスとの組み合わせは、Ｃ2Ｈ4ガスの濃度が７．４〜４０％の範囲内で、それらのガスを混合しただけで（すなわち火花を与えなくても）燃焼ないし爆発反応を起こすことを確認した。
【００４４】
このように、評価試験では、選定した７種類の上記可燃性ガスのうち、Ｃ2Ｈ4ガスはＣｌ2ガスを混合するだけで反応（燃焼）し、ＣＨ4ガス、ＣＨ3ＦガスおよびＣＨ2Ｆ2ガスはＣｌ2ガスを混合しただけでは反応（燃焼）しないが、ガス濃度が爆発下限界値以上であるときは火花によって着火し、ＣＯガス、ＣＯＳガスおよびＣ4Ｆ6ガスはＣｌ2ガスを混合しても反応（燃焼）せず、火花を与えても着火しないことがわかった。
［実施形態における可燃性ガスと支燃性ガスとの反応形態の分類］
【００４５】
図３に、上記７種類の可燃性ガス（ＣＨ4、ＣＯ、ＣＨ3Ｆ、ＣＨ2Ｆ2、Ｃ4Ｆ6、ＣＯＳ、Ｃ2Ｈ4）にＮＨ3（アンモニア）ガスを加えた８種類の可燃性ガスについて、Ｃｌ2ガスとの反応性と、化学反応式における原料側と生成物側との間の結合解離エネルギーの大小関係とを示す。
【００４６】
上記のように、上記７種類の可燃性ガスは、Ｃｌ2ガスとの反応性に関しては、「混合しただけで燃焼する」（Ｃ2Ｈ4）、「火花で着火する」（ＣＨ4、ＣＨ3Ｆ、ＣＨ2Ｆ2）、「全く燃焼しない」（ＣＯＳ、ＣＯ、Ｃ4Ｆ6）の３つの類型またはグループに分類される。また、ＮＨ3ガスは、Ｃｌ2ガスと混合しただけで燃焼反応を起こすことが既に知られており、Ｃ2Ｈ4ガスと同じ第１グループに属する。
【００４７】
本発明者が上記評価試験の結果を理論面から分析し検討した結果、図３に示すように、これらの３つのグループの区別を結合解離エネルギーの観点から解明できることがわかった。すなわち、燃焼反応を表わす化学反応式において、原料側の原子間結合の結合解離エネルギーと生成物側の原子間結合の結合解離エネルギーとを化学便覧に掲載されている数値を参照して比較すると、ＮＨ3ガスとＣ2Ｈ4ガスが属する第１グループでは、原料側の原子間結合の結合解離エネルギーより生成物側の原子間結合の結合解離エネルギーが明らかに大きく、ＣＨ4ガス、ＣＨ3ＦガスおよびＣＨ2Ｆ2ガスが属する第２グループでは、原料側の原子間結合の結合解離エネルギーと生成物側の原子間結合の結合解離エネルギーとが略等しく、ＣＯＳガス、ＣＯガスおよびＣ4Ｆ6ガスが属する第３グループでは、原料側の原子間結合の結合解離エネルギーより生成物側の結合解離エネルギーが明らかに（少なくとも数％以上）小さいことがわかった。
【００４８】
ここで、結合解離エネルギーとは、原子間結合の結合を解離するために必要なエネルギーを意味する。結合解離エネルギーの観点からは、燃焼するという化学反応は、反応前ガスの原子間結合が一旦解離し、再度支燃性ガスの原子と再結合する際にエネルギーを発する反応であると見ることができる。
【００４９】
第１のグループについて検討する。ＮＨ3ガスがＣｌ2ガスを支燃性ガスとして燃焼する化学反応においては、下記の反応式（１）で示すように、原料側の物質がＮＨ3ガスおよびＣｌ2ガスであり、生成物側の物質がＮＨ4Ｃｌ（塩化アンモニウム）およびＮ2ガスである。
８ＮＨ3＋３Ｃｌ2→６ＮＨ4Ｃｌ＋Ｎ2    ・・・・（１）
【００５０】
この化学反応では、反応前のＮ−Ｈ間の結合が切り離されて、反応後には、Ｎ−Ｎ結合が生じている。Ｎ−Ｈ間の結合解離エネルギーは３８６ｋＪ／ｍｏｌであり、Ｎ−Ｎ間の結合解離エネルギーは９４１ｋＪ／ｍｏｌである。したがって、原料側の結合解離エネルギーと生成物側の結合解離エネルギーとを比較すると、生成物側が原料側より格段に大きく、その差は５５５ｋＪ／ｍｏｌである。
【００５１】
次に、Ｃ2Ｈ4ガスがＣｌ2ガスを支燃性ガスとして燃焼する化学反応は、下記の反応式（２）で示すように、アルケンにハロゲンガスを付加する付加反応と見ることができる。すなわち、原料側の物質がＣ2Ｈ4ガスおよびＣｌ2ガスであり、生成物側の物質はＣＣｌ4（四塩化炭素）およびＨＣｌである。
Ｃ2Ｈ4＋６Ｃｌ2→２ＣＣｌ4＋４ＨＣｌ    ・・・・（２）
【００５２】
反応の前後で変化する部分に着目すると、原料側におけるＣ＝Ｃ間の二重結合とＣ−Ｈ間の結合とが、生成物側ではＣ−Ｃｌ間の結合とＨ−Ｃｌ間の結合に置き換わったものとみることができる。
【００５３】
Ｃ＝Ｃ間の二重結合の結合解離エネルギーは４１８ｋＪ／ｍｏｌであり、Ｃ−Ｈ間の結合解離エネルギーは４１９ｋＪ／ｍｏｌである。また、Ｃ−Ｃｌ間の結合解離エネルギーは３４２ｋＪ／ｍｏｌであり、Ｈ−Ｃｌ間の結合解離エネルギーは４２８ｋＪ／ｍｏｌである。したがって、原料側の結合解離エネルギーの高い方の４１９ｋＪ／ｍｏｌと、生成物側の結合解離エネルギーの高い方の４２８ｋＪ／ｍｏｌとを比較すると、生成物側が原料側より９ｋＪ／ｍｏｌほど大きい。
【００５４】
このように、第１グループに属する可燃性ガス（ＮＨ3，Ｃ2Ｈ4）にあっては、Ｃｌ2ガスと反応するときの化学反応式において生成物側の結合解離エネルギーが原料側の結合解離エネルギーより明らかに（少なくとも数％以上）大きくなる傾向がある。
【００５５】
次に、第２グループについて検討する。第２グループに属する可燃性ガス（ＣＨ4、ＣＨ3Ｆ、ＣＨ2Ｆ2）がＣｌ2ガスと混合した場合に火花で着火する現象は、ラジカル置換と考えられる。すなわち、可燃性ガスとの化学反応にＣｌ2ガスのガス分子が直接関与するというよりは、塩素ラジカルＣｌ*が直接関与するといえる。なお、本明細書においては、ラジカルは原子記号に＊を上付きで付けることで表記する。
【００５６】
メタンガスＣＨ4が塩素ラジカルＣｌ*を支燃性ガスとして燃焼する化学反応は、下記の反応式（３）で示すように、Ｃ−Ｈ間の結合を切り離して、Ｃ，Ｈの両方をハロゲン化する反応である。
ＣＨ4＋８Ｃｌ*→ＣＣｌ4＋４ＨＣｌ  ・・・・（３）
【００５７】
この化学反応において、生成物であるＣＣＬ4（四塩化炭素）およびＨＣｌ（塩化水素）はいずれもガスである。この反応においては、Ｃ−Ｈ間の結合が全て切り離されて、Ｃ−Ｃｌ結合、Ｈ−Ｃｌ結合が生じる。原料側では、Ｃ−Ｈ間の結合解離エネルギーが４３２ｋＪ／ｍｏｌである。一方、生成物側では、Ｈ−Ｃｌ間の結合解離エネルギーが４２８ｋＪ／ｍｏｌであり、Ｃ−Ｃｌ間の結合解離エネルギーが３４２ｋＪ／ｍｏｌである。原料側の結合解離エネルギーの大きい方（４３２ｋＪ／ｍｏｌ）と、生成物側の結合解離エネルギーの大きい方（４２８ｋＪ／ｍｏｌ）とを比較すると、両者の差はわずか４ｋＪ／ｍｏｌ（１％未満）である。すなわち、原料側の結合解離エネルギーと生成物側の結合解離エネルギーとは略等しいといえる。
【００５８】
ＣＨ3Ｆガスが塩素ラジカルＣｌ*を支燃性ガスとして燃焼する化学反応は、下記の反応式（４）で示すように、メタンガスの場合と同様に、Ｃ−Ｈ間の結合を切り離して、Ｃ，Ｈの両方をハロゲン化する反応である。
ＣＨ3Ｆ＋６Ｃｌ*→ＣＣｌ3Ｆ＋３ＨＣｌ    ・・・・（４）
【００５９】
この化学反応において、生成物のＣＣｌ3Ｆおよび３ＨＣｌはいずれもガスである。この化学反応においては、Ｃ−Ｈ間の結合が全て切り離されて、Ｃ−Ｃｌ結合、Ｈ−Ｃｌ結合が生じる。そして、ＣＨ4ガスの場合と同様に、原料側は結合解離エネルギーが４３２ｋＪ／ｍｏｌのＣ−Ｈ結合を有し、生成物側は結合解離エネルギーが４２８ｋＪ／ｍｏｌのＨ−Ｃｌ結合を有するので、両者の差はわずか４ｋＪ／ｍｏｌ（１％未満）である。すなわち、原料側の結合解離エネルギーと生成物側の結合解離エネルギーとは略等しいといえる。
【００６０】
なお、この反応においては、Ｃ−Ｆ間の結合を、塩素ラジカルＣｌ*で切り離すことはできない。フッ素の方が塩素より反応性が強いからである。
【００６１】
ＣＨ2Ｆ2ガスが塩素ラジカルＣｌ*を支燃性ガスとして燃焼する化学反応は、下記の反応式（５）で示すように、ＣＨ4ガス、ＣＨ3Ｆガスの場合と同様に、Ｃ−Ｈ間の結合を切り離して、Ｃ，Ｈの両方をハロゲン化する反応である。
ＣＨ2Ｆ2＋４Ｃｌ*→ＣＣｌ2Ｆ2＋２ＨＣｌ    ・・・・（５）  
【００６２】
この化学反応において、生成物のＣＣｌ2Ｆ2および２ＨＣｌはいずれもガスである。この反応においては、Ｃ−Ｈ間の結合が全て切り離されて、Ｃ−Ｃｌ結合、Ｈ−Ｃｌ結合が生じる。そして、ＣＨ4ガスの場合と同様に、原料側ではＣ−Ｈ結合の結合解離エネルギーが４３２ｋＪ／ｍｏｌであるのに対して、生成物側ではＨ−Ｃｌ結合の結合解離エネルギーが４２８ｋＪ／ｍｏｌであり、両者の差は非常に小さく（１％未満であり）、実質的に等しいといえる。
【００６３】
なお、この化学反応においても、ＣＨ3Ｆガスの場合と同様に、Ｃ−Ｆ間の結合を、塩素ラジカルＣｌ*で切り離すことはできない。フッ素の方が塩素より反応性が強いからである。
【００６４】
このように、第２グループに属する可燃性ガス（ＣＨ4、ＣＨ3Ｆ、ＣＨ2Ｆ2）にあっては、Ｃｌ2ガスと反応するときの化学反応式において原料側の結合解離エネルギーと生成物側の結合解離エネルギーとが略等しくなる傾向がある。
【００６５】
次に、第３グループについて検討する。上記のように、第３グループに属する可燃性ガス（ＣＯＳ、ＣＯ、Ｃ4Ｆ6）は、支燃性のＣｌ2ガスと混合しても反応せず、火花を与えられても着火しない。しかし、条件によっては、たとえばプラズマの下では、原子間結合が比較的容易に切り離され、プロセスに供される。
【００６６】
ＣＯＳガスとＣｌガスとの化学反応においては、原料側のＣＯＳガスがＣ＝Ｏの二重結合とＣ＝Ｓの二重結合とを有しており、それらの結合解離エネルギーはそれぞれ１０７２ｋＪ／ｍｏｌ、５７２ｋＪ／ｍｏｌであり、生成物側で得られる可能性のある化合物たとえばＣＣｌ4におけるＣ−Ｃｌ間の結合解離エネルギー（３４２ｋＪ／ｍｏｌ）より明らかに（少なくとも数％以上）大きい。
【００６７】
ＣＯガスとＣｌ2ガスとの化学反応においては、原料側のＣＯＳガスがＣ＝Ｏの二重結合を有しており、その結合解離エネルギーは１０７２ｋＪ／ｍｏｌである。したがって、生成物側で得られる可能性のある化合物たとえばＣＯＣｌ2におけるＣ−Ｃｌ間の結合解離エネルギー３４２ｋＪ／ｍｏｌより明らかに（少なくとも数％以上）大きい。
【００６８】
Ｃ4Ｆ6ガスとＣｌ2ガスとの化学反応においては、原料側のＣ4Ｆ6ガスがＣ＝Ｃの二重結合、Ｃ−Ｆ間の結合を有しており、それらの結合解離エネルギーはそれぞれ７１９ｋＪ／ｍｏｌ、４７２ｋＪ／ｍｏｌである。したがって、生成物側のＣ−Ｃｌ間の結合解離エネルギー（３４２ｋＪ／ｍｏｌ）よりも明らかに（少なくとも数％以上）大きい。
【００６９】
このように、第３グループに属する可燃性ガス（ＣＯＳ、ＣＯ、Ｃ4Ｆ6）にあっては、Ｃｌ2ガスと反応するときの化学反応式において生成物側の結合解離エネルギーが原料側の結合解離エネルギーより明らかに（少なくとも数％以上）小さくなる傾向がある。
［第２グループに属する可燃性ガスの分子構造について］
【００７０】
図４に、上記評価試験において第２グループに属した可燃性ガス（ＣＨ4、ＣＨ3Ｆ、ＣＨ2Ｆ2）について、各々の分子構造、化学反応式、爆発下限濃度、原料側結合解離エネルギーおよび生成物側結合解離エネルギーを示す。
【００７１】
図示のように、ＣＨ4ガスの分子構造は、炭素原子Ｃの４本の結合手にそれぞれ水素原子Ｈがつながる構造である。ＣＨ3Ｆガスの分子構造は、ＣＨ4ガスの分子構造において４つの水素原子のうちの１つをフッ素原子Ｆに置き換えた構造である。ＣＨ2Ｆ2ガスの分子構造は、ＣＨ4ガスの分子構造において４つの水素原子のうちの２つをフッ素原子Ｆに置き換えた構造である。
【００７２】
図４の「反応式」の欄には、上述した反応式（３），（４），（５）と同じ化学反応式を記載している。ここでは原料側のＣｌをガス分子（Ｃｌ2）としているが、実際はＣｌ−Ｃｌ間の共有結合性は小さくて、塩素ラジカルＣｌ*の形態で反応に関与する。フッ素Ｆと塩素Ｃｌとはいずれも反応性の高いハロゲン元素であるが、相対的にはフッ素Ｆが塩素Ｃｌより反応性が高い。したがって、塩素ラジカルＣｌ*は、Ｃ−Ｈ間の原子間結合を切り離して、Ｃ原子と結合するように作用する。その結果、上記化学反応式（３）で表わしたような反応が起こる。しかし、塩素Ｃｌは、相対的にフッ素Ｆより反応性が低いため、Ｃ−Ｆ間の結合を切り離すことはできない。すなわち、Ｃ−Ｆ結合の結合解離エネルギー（４８９ｋＪ／ｍｏｌ）がＣ−Ｃｌ結合の結合解離エネルギー（３４２ｋＪ／ｍｏｌ）より高いため、Ｃ−Ｆ結合はＣ−Ｃｌ結合に置換されない。
【００７３】
図４において、「原料側（結合解離エネルギー）」の欄には、当該化学反応の前には存在して当該化学反応の後に存在しなくなる１つまたは複数の原子間結合と、各々の結合解離エネルギーとを示している。そして、「生成物側（結合解離エネルギー）」の欄には、当該化学反応の前には存在せずに当該化学反応の後に存在することになる複数の原子間結合と、各々の結合解離エネルギーとを示している。反応の前後で変わらない原子間結合は、除外している。原子間結合というときには共有結合性の大きい原子間結合をいう。したがって、イオンやラジカルも、除外している。
【００７４】
図示のように、第２グループに属する可燃性ガス（ＣＨ4、ＣＨ3Ｆ、ＣＨ2Ｆ2）に共通の特性または属性として、原料側の全ての原子間結合と、生成物側の全ての原子間結合との間に、結合解離エネルギーの略等しい（差が１％未満の）もの同士がある。すなわち、原料側にはＣ−Ｈ（４３２ｋＪ／ｍｏｌ）があり、生成物側にはＨ−Ｃｌ（４２８ｋＪ／ｍｏｌ）がある。
【００７５】
図５に、第２グループに属する可燃性ガス（ＣＨ4、ＣＨ3Ｆ、ＣＨ2Ｆ2）について、Ｃ−Ｈ結合の数を横軸、可燃性ガスの濃度を縦軸として、上記の評価試験から得られたプロットを基に回帰分析法により取得した爆発下限濃度の特性曲線（回帰曲線）を示す。上記のように、ＣＨ4、ＣＨ3Ｆ、ＣＨ2Ｆ2におけるＣ−Ｈ結合の数はそれぞれ４個、３個、２個であり、ＣＨ4、ＣＨ3Ｆ、ＣＨ2Ｆ2の爆発下限界値（爆発下限濃度）はそれぞれ０．１０％＜、５％＜、１３．３％＜である。これら３つのプロットと、Ｃ−Ｈ結合の数が０（ゼロ）のときは必然的に爆発下限界値が１００％になることを示す４番目のプロットとを通る回帰曲線を回帰分析法により求めると、下記の式（６）で表わされる３次関数が求まる。
ｙ＝−2.4958ｘ3＋24.162ｘ2−81.692ｘ＋100    ・・・・（６）
【００７６】
このグラフは、第２グループに属する可燃性ガスの分子構造から決まるＣ−Ｈ結合の数に対して、ガス濃度が特性曲線の下側の領域内にあるときは着火せず、ガス濃度が特性曲線の上側の領域内にあるときは着火することを意味する。
［実施形態における排ガス防爆の運用］
【００７７】
本発明の適用可能な減圧処理装置（特にプラズマ処理装置）においては、上記評価試験の結果から得られた知見（特に３つのグループ分け）と数値情報（特に第２グループに属する可燃性ガスの爆発下限界値）に基づいて、排ガス防爆の運用を適切かつ効率的に行うことができる。
【００７８】
すなわち、第１グループに属する可燃性ガス（ＮＨ3、Ｃ2Ｈ4）に対しては、Ｃｌ2ガスと混合するだけで燃焼することから、排気系はもちろん給気系（処理ガス供給系）内でも両ガスが混合する事態を避けるべきである。したがって、実際のプロセスにおいて、第１グループに属する可燃性ガス（ＮＨ3、Ｃ2Ｈ4）とＣｌ2ガスとが処理ガス供給部２４内で混じる可能性があるときは、主制御部４２がレシピ情報を基に運転中断または停止等のインターロックをかけるようにしてよい。
【００７９】
第２グループに属する可燃性ガス（ＣＨ4、ＣＨ3Ｆ、ＣＨ2Ｆ2）に対しては、Ｃｌ2ガスと混合するだけでは爆発または反応を起こさないので、実際のプロセスにおいて処理ガス供給部２４からチャンバ１０に両者の混合ガスを処理ガスとして供給するレシピを許容してよい。しかし、未反応の可燃性ガス（ＣＨ4、ＣＨ3Ｆ、ＣＨ2Ｆ2）およびＣｌ2ガスを含む排ガスが真空ポンプ３６の出口側で静電気等をきっかけに爆発すると排気管からガス漏れが生じるおそれがあるので、排ガス処理部４０の希釈部５７を動作させてよい。
【００８０】
この場合、可燃性ガスの種類に応じて、上記評価試験で取得した爆発下限界値を排ガス希釈制御の基準値または目標値としてよい。すなわち、真空ポンプ３６より排出される排ガスにＣＨ4とＣｌ2が含まれる場合は、ＣＨ4の濃度が爆発下限界値より低くてその付近の値を保つように、好ましくは０．０５〜０．１０％の範囲内、さらに好ましくは０．０７〜０．１０％の範囲内に収まるように、希釈部５７より排気管４６に供給する希釈ガスつまり不活性ガスの供給流量を制御する。
【００８１】
また、真空ポンプ３６より排出される排ガスにＣＨ3ＦとＣｌ2が含まれる場合は、ＣＨ3Ｆの濃度が爆発下限界値より低くてその付近の値を保つように、好ましくは３〜５％の範囲内、さらに好ましくは４〜５％の範囲内に収まるように、希釈部５７より排気管４６に供給する不活性ガスの供給流量を制御する。
【００８２】
また、真空ポンプ３６より排出される排ガスにＣＨ2Ｆ2とＣｌ2が含まれる場合は、ＣＨ3Ｆの濃度が爆発下限界値より低くてその付近の値を保つように、好ましくは８．３〜１３．３％の範囲内、さらに好ましくは１０．３〜１３．３％の範囲内に収まるように、希釈部５７より排気管４６に供給する不活性ガスの供給流量を制御する。
【００８３】
このような排ガス希釈制御を行うことによって、排気管４６内での排ガスの爆発を未然に防ぐために用いる希釈用の不活性ガスの消費量を必要最小限に抑えることができる。
【００８４】
第３のグループに属する可燃性ガス（ＣＯＳ、ＣＯ、Ｃ4Ｆ6）に対しては、真空ポンプ３６より排出される排ガスにそれらの可燃性ガスとＣｌ2が含まれていても、燃焼反応や着火のおそれはないので、排ガス処理部４０の希釈部５７を動作させる必要はない。
［他の実施形態または変形例］
【００８５】
上記評価試験で選定した７種類の可燃性ガス（ＣＨ4、ＣＯ、ＣＨ3Ｆ、ＣＨ2Ｆ2、Ｃ4Ｆ6、ＣＯＳ、Ｃ2Ｈ4）およびＮＨ3ガス以外の可燃性ガスについても、上記のような結合解離エネルギーの観点から、すなわち当該可燃性ガスとＣｌ2ガスとの化学反応式における原料側および生成物側間の結合解離エネルギーの比較（大小関係）から、当該可燃性ガスが第１、第２および第３グループのいずれに属するのかを判定して、その判定結果に基づいて上記と同様の排ガス防爆対策を講じることができる。
【００８６】
また、上記のような結合解離エネルギーの観点に基づく解析結果から、支燃性ガスとしてＣｌ2ガスの代わりに同じハロゲンガスであるＦ2（フッ素）ガスやＢｒ2（臭素）ガス等を使用する場合にも、上記と同様の技法を適用することができる。
【００８７】
上記評価試験では、可燃性ガスと支燃性ガスとを直接混合する場合つまり両ガスの混合ガスをチャンバに供給する場合について評価した。しかし、実際の減圧処理装置では、連続するプロセスで可燃性ガスと支燃性ガスとがチャンバ内に入れ替わり供給される場合がある。たとえば、プラズマＣＶＤ装置では、成膜用の可燃性ガスとプラズマクリーニング用の支燃性ガスとが入れ替わりチャンバに供給されることがある。そのような場合でも、成膜処理に使われた可燃性ガスの一部が未反応のままチャンバ内に残存して、直後のプラズマクリーニングの際に支燃性ガスに混じってチャンバから排出されると、真空ポンプの出口側で高圧ないし高濃度の排ガスが静電気の発生等をきっかけに爆発（燃焼による急激な圧力変化）を起こすことがある。したがって、そのようにチャンバ内に入れ替わり供給される可燃性ガスと支燃性ガスとの間に上記第２グループのような関係が成立する場合は、プラズマクリーニングの実行時に排ガス処理部４０の希釈部５７を動作させてよい。
【００８８】
また、排ガス処理部４０において、希釈ガス供給配管５０の終端を排気管４６の代わりに真空ポンプ３６内の排気路に接続することも可能である。また、真空ポンプ３６の入口側の排気管３２にガスセンサ（図示せず）を取り付けて、真空ポンプ３６の出口側で高圧状態になる前に可燃性ガスの濃度を測定し、その上流側の濃度測定値に基づいて希釈コントローラ４５ないし希釈部５７を動作させるようにすることも可能である。
【００８９】
上記のように、本発明は、可燃性ガスと支燃性ガスの混合ガスであっても、ガスの濃度を制御することにより、燃焼反応が生じない条件下でのプロセスの運用を可能とするものであり、可燃性ガスと支燃性ガスを処理容器内に同時に供給するプロセス（特にエッチングプロセス）に好適に適用可能である。
【符号の説明】
【００９０】
１    プラズマ処理装置
１０    チャンバ
１４    サセプタ
２４    処理ガス供給部
３６    真空ポンプ
４０    排ガス処理部
４２    主制御部
４５    希釈コントローラ
４６    排気管
５６    ガスセンサ
５７    希釈部
【図１】
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【図３】
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【図２】
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【図４】
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【図５】
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