(57)【要約】【課題】電磁波を発するアンテナ自体を制御することなく、入射した電磁波の伝搬路を制御する透過波制御基板を提供する。【解決手段】本発明の透過波制御基板は、誘電体基板と、誘電体基板の表面に形成された第１導体板と、第１導体板と同一の形状で誘電体基板の裏面に形成された第２導体板と、第１及び第２導体板の各々を接続する導体柱とから構成される基本構造を有し、第１及び第２導体板の各々と同一平面上の容量成分を容量値Ｃ１とし、第１及び第２導体板の各々と同一平面上の誘導成分のインダクタンスをＬ１とし、導体柱における容量成分をＣ２とし、導体柱における誘導成分をＬ２とし、共振周波数ｆＲを満足する基本構造を２次元周期で配置した基板に対し、共振周波数と同様の周波数の電磁波を入射させた場合、電磁波の入射角度に依存した透過量及び反射量の各々を有している。【選択図】図１
2015154208.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
誘電体基板と、
前記誘電体基板の表面に形成された第１導体板と、
前記第１導体板と同一の形状であり、前記誘電体基板の裏面に形成された第２導体板と、
前記誘電体基板を貫通し、前記第１導体板及び前記第２導体板の各々を、前記第１導体板と前記第２導体板とのそれぞれの中心を接続する導体柱と
から構成される基本構造を有し、
前記第１導体板及び前記第２導体板の各々と同一平面上の容量成分を容量値Ｃ１とし、前記第１導体板及び前記第２導体板の各々と同一平面上の誘導成分のインダクタンスをＬ１とし、表面と裏面との間の前記導体柱における容量成分をＣ２とし、表面と裏面との間の前記導体柱における誘導成分をＬ２とし、以下の共振周波数ｆＲを示す（１）式を満足する基本構造を２次元周期で配置した基板に対し、共振周波数と同様の周波数の電磁波を入射させた場合、前記電磁波の入射角度に依存した透過量及び反射量の各々を有する
ことを特徴とする透過波制御基板。
【数１】
2015154208.tif 000005
【請求項２】
前記第１導体板及び前記第２導体板の形状がｎ（ｎ＝３、４、６）角形であり、当該第１導体板及び当該第２導体板の各々の辺が、隣接する他の基本構造のｎ角形の第１導体板及び前記第２導体板のそれぞれの辺と対向させて２次元周期で配置する
ことを特徴とする請求項１に記載の透過波制御基板。
【請求項３】
前記基本構造が六角形であり、前記第１導体板及び前記第２導体板の各々が円形であり、隣接する六角形の基本構造の辺が隣接する他の六角形の基本構造の辺と対向させて２次元周期で配置する
ことを特徴とする請求項１に記載の透過波制御基板。
【請求項４】
ｎを３、４、６のいずれかとし、θ＝２π／ｎとして、前記導体板の形状が、基本構造の中心に対して、０、θ、２θ、…、（ｎ−１）θの角度で回転した形状が合成された形状であり、隣接する前記基本構造が当該基本構造の０、θ、２θ、…、（ｎ−１）θ方向に２次元に周期配置されている
ことを特徴とする請求項１に記載の透過波制御基板。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、特定の周波数の信号を入射角度により選択的に透過させる透過波制御基板に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、特定の周波数の電磁波に選択的に寄与する基板として、特定の周波数の電磁波を選択的に透過させ、他の周波数の電磁波を遮断する周波数選択性表面を有する選択性電磁遮断基板が知られている（例えば、特許文献１参照）。
また、同様に、特定の周波数の電磁波を選択的に遮断し、他の周波数の電磁波を透過させる周波数選択性表面を有する選択性電磁遮断基板が知られている（例えば、特許文献２及び特許文献３参照）。
【０００３】
特許文献１に記載されている選択性電磁遮断基板は、特定の周波数の電磁波を選択的に透過させ、他の周波数の電磁波を遮断する例であり、その構造を図１１に示す。図１１は、特定の周波数の電磁波を選択的に透過させ、他の周波数の電磁波を遮断する選択性電磁遮断基板の構造を示す図である。この図１１において、選択性電磁遮断素子は、正方形格子が周期構造により形成された周波数選択表面板を複数枚組合せ、電磁波を透過させる基板である。ここで、選択性電磁遮断素子における正方形格子６０のサイズを調整し、正方形格子６０の容量成分とインダクタンスとの並列共振の周波数を任意に設定し、設定した周波数の電磁波の選択的な透過を実現している。
【０００４】
また、特許文献２に記載されている選択性電磁遮断基板は、特定の周波数の電磁波を遮断させ、他の周波数の電磁波を透過する例であり、その構造を図１２及び図１３に示す。図１２及び図１３の各々は、特定の周波数の電磁波を遮断させ、他の周波数の電磁波を透過する選択性電磁遮断基板の構造を示す図である。図１２に示す選択性電磁遮断基板６３は、ガラス板６１に円形の金属でループアンテナ素子６２を形成した基板である。また、図１３に示す選択性電磁遮断基板６７は、ガラス板に３本の線状のアンテナ素子６４、６５、６６を形成した基板であり、対称性の高い構造とすることで、偏波面に依存することなく、それぞれのアンテナ素子の共振周波数の電磁波の遮断を実現している。
【０００５】
特許文献３に記載されている選択性電磁遮蔽基板は、特定の周波数の電磁波を遮断し他の周波数の電磁波を透過する例であり、その構造を図１４に示し、素子単体の構造を図１５に示す。図１４は、３本の線状アンテナ６９、７０、７１から成る三角形の閉ループ構造の素子６８を示す図である。一方、図１５は、図１４に示す三角形のループ７３内に３本の線状アンテナ７４を配置した基板を示す図である。共振周波数の異なる三角形の構造を基板に配置することにより、偏波面に依存することなく、２つの周波数の電磁波の遮断を実現している。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特公昭６２−０３１８４４号公報
【特許文献２】特開平１１−１６３５８５号公報
【特許文献３】特開２０００−６８６７５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
しかしながら、従来の選択性電磁遮蔽基板は、特定の周波数の電磁波を遮断あるいは透過するのみであるため、入射した信号の伝搬路を制御することはできない。
このため、空間的に伝搬路を制御する場合には、入射する電磁波を発するアンテナ自体を制御する必要があった。
【０００８】
本発明は、このような事情に鑑みてなされたもので、電磁波を発するアンテナ自体を制御することなく、入射した電磁波の伝搬路を制御する透過波制御基板を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
この発明は上述した課題を解決するためになされたもので、本発明の透過波制御基板は、誘電体基板と、前記誘電体基板の表面に形成された第１導体板と、前記第１導体板と同一の形状であり、前記誘電体基板の裏面に形成された第２導体板と、前記誘電体基板を貫通し、前記第１導体板及び前記第２導体板の各々を、前記第１導体板と前記第２導体板とのそれぞれの中心を接続する導体柱とから構成される基本構造を有し、前記第１導体板及び前記第２導体板の各々と同一平面上の容量成分を容量値Ｃ１とし、前記第１導体板及び前記第２導体板の各々と同一平面上の誘導成分のインダクタンスをＬ１とし、表面と裏面との間の前記導体柱における容量成分をＣ２とし、表面と裏面との間の前記導体柱における誘導成分をＬ２とし、以下の共振周波数ｆＲを示す（１）式を満足する基本構造を２次元周期で配置した基板に対し、共振周波数と同様の周波数の電磁波を入射させた場合、前記電磁波の入射角度に依存した透過量及び反射量の各々を有することを特徴とする。
【数１】
2015154208.tif 000003
【００１０】
本発明の透過波制御基板は、前記第１導体板及び前記第２導体板の形状がｎ（ｎ＝３、４、６）角形であり、当該第１導体板及び当該第２導体板の各々の辺が、隣接する他の基本構造のｎ角形の第１導体板及び前記第２導体板のそれぞれの辺と対向させて２次元周期で配置することを特徴とする。
【００１１】
本発明の透過波制御基板は、前記基本構造が六角形であり、前記第１導体板及び前記第２導体板の各々が円形であり、隣接する六角形の基本構造の辺が隣接する他の六角形の基本構造の辺と対向させて２次元周期で配置することを特徴とする。
【００１２】
本発明の透過波制御基板は、ｎを３、４、６のいずれかとし、θ＝２π／ｎとして、前記導体板の形状が、基本構造の中心に対して、０、θ、２θ、…、（ｎ−１）θの角度で回転した形状が合成された形状であり、隣接する前記基本構造が当該基本構造の０、θ、２θ、…、（ｎ−１）θ方向に２次元に周期配置されていることを特徴とする。
【発明の効果】
【００１３】
この発明によれば、特定の周波数で電磁波を透過させるとともに、電磁波の入射角度に応じた透過量及び反射量が異なる特性を有する透過波制御基板、すなわち、電磁波を発するアンテナ自体を制御することなく、入射した電磁波の伝搬路を空間的に制御する透過波制御基板を提供することが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【００１４】
【図１】本発明の第１の実施形態による透過波制御基板１００の構成例を示す図である。
【図２】図１における透過波制御基板１００の基本構造１０１を実線Ａ−Ａで切断された側面図である。
【図３】図１における透過波制御基板１００の基本構造１０１を簡略化した等価回路を示す図である。
【図４】本実施形態における透過波制御基板の透過特性の測定結果を示す図である。
【図５】本発明の第２の実施形態による透過波制御基板の構成例を示す図である。
【図６】本発明の第３の実施形態による透過波制御基板の構成例を示す図である。
【図７】本発明の第４の実施形態による透過波制御基板の構成例を示す図である。
【図８】本発明の第５の実施形態による透過波制御基板の構成例を示す図である。
【図９】本発明の第６の実施形態による透過波制御基板の構成例を示す図である。
【図１０】本発明の第７の実施形態による透過波制御基板の構成例を示す図である。
【図１１】特定の周波数の電磁波を選択的に透過させ、他の周波数の電磁波を遮断する選択性電磁遮断基板の構造を示す図である。
【図１２】特定の周波数の電磁波を遮断させ、他の周波数の電磁波を透過する選択性電磁遮断基板の構造を示す図である。
【図１３】特定の周波数の電磁波を遮断させ、他の周波数の電磁波を透過する選択性電磁遮断基板の構造を示す図である。
【図１４】３本の線状アンテナから成る三角形の閉ループ構造の素子を示す図である。
【図１５】図１４に示す三角形のループ内に３本の線状アンテナを配置した基板を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００１５】
＜第１の実施形態＞
以下、図面を参照して、本発明の実施の形態について説明する。図１は、本発明の第１の実施形態による透過波制御基板１００の構成例を示す図である。
図１においては、第１の実施形態による透過波制御基板１００の表面を示す平面視の図であり、透過波制御基板１００の表面パターンの構成例が示されている。図１において、太い点線部で囲まれた部分が本実施形態の透過波制御基板１００における基本構造１０１を示している。基本構造１０１は、矩形状（四角形状）の形状をしている。
【００１６】
ここで、導体板１０１１（第１導体板）は、誘電体基板１０１３の表面に形成されている矩形状（四角形状）の導電体のパターンである。導体柱１０１２は、誘電体基板１０１３を貫通し、誘電体基板１０１３の表面における導体板１０１１と電気的に接続されている。透過波制御基板１００は、基本構造１０１の各辺が対向する他の基本構造の辺と平行になるように、基本構造１０１が周期的に２次元に配置され、マトリクス状に配列している。
【００１７】
図２は、図１における透過波制御基板１００の基本構造１０１を実線Ａ−Ａで切断された側面図である。導体柱１０１２は、誘電体基板１０１３を貫通し、誘電体基板１０１３の表面における導体板１０１１と、誘電体基板１０１３の裏面における導体板１０１４（第２導体板）とを、導体板１０１１及び導体板１０１４の各々の平面形状の中心において電気的に接続している。導体板１０１１と導体板１０１４とは、平面視によって重なる形状で形成されている。導体板１０１１及び導体板１０１４、導体柱１０１２の各々は、金属あるいは金属でない他の導体でも良い。
【００１８】
図３は、図１における透過波制御基板１００の基本構造１０１を簡略化した等価回路を示す図である。図３において、接続端子１、２、３、４の各々は、図１の四角形状の導体板１０１１の各辺が隣接する他の基本構造と接続される端子を示している。コンデンサ５、６、７、８の各々は、導体板１０１１が有する、導体板１０１１と同一平面上の容量成分を示している。インダクタ９、１０、１１、１２の各々は、導体板１０１１が有する、導体板１０１１と同一平面上の誘導成分を示している。
【００１９】
コンデンサ１３は、誘電体基板１０１３における表面の導体板１０１１と裏面の導体板１０１４との間の容量成分を示している。インダクタ１４は、誘電体基板１０１３における表面の導体板１０１１と裏面の導体板１０１４との間の誘導成分を示している。図１においては、基本構造１０１の周期配列が、基本構造の各方向に２次元配列してマトリクス状としている。一方、図３の基本構造の等価回路においては、説明を簡略化するため、基本構造が１次元で配列している場合の回路構成としている。また、導体板１０１１及び導体板１０１４の抵抗成分についても、簡略化のために省略している。コンデンサ（容量成分）５、６、７、８の各々は容量値がＣ１である。インダクタ（誘導成分）９、１０、１１、１２の各々は、インダクタンスがＬ１である。コンデンサ１３は、容量値がＣ２である。インダクタ１４は、インダクタンスがＬ２である。
【００２０】
以下に示す（１）式を満足する透過波制御基板１００の誘電体基板１０１３の誘電率及び誘電体基板１０１３の膜厚に応じて、基本構造の導体板１０１１及び導体板１０１４の形状及び寸法と、導体柱１０１２の形状及び寸法の設計を行う。（１）式は、基本構造１０１の共振周波数ｆＲを表す式である。
【００２１】
【数２】
2015154208.tif 000004
【００２２】
上述した（１）式を満足するため、導体板１０１１、導体柱１０１２及び導体板１０１４の各々が同一の共振周波数ｆＲを有している。これにより、共振周波数ｆＲ及び共振周波数ｆＲ近傍の周波数帯の電磁波は、透過波制御基板１００の表面に垂直に入射した場合、透過波制御基板１００の面内伝搬波を励振する。面内伝搬波は、入射面の裏面で同位相同振幅で合成される。面内伝搬波の周波数は放射領域であるため、裏面の面内伝搬波は電磁波の入射方向と同一方向に再放射する。すなわち、電磁波は、透過波制御基板１００の上面（導体板１０１１の配置されている面）から垂直に入射した場合、透過波制御基板１００の面内伝搬波を励振し再放射されることで、透過波制御基板１００を透過する。
【００２３】
一方、透過波制御基板１００に対して電磁波が所定の角度を有して入射した場合、電磁波におけるＴＭ（Transverse Magnetic）波とＴＥ（Transverse Electric）波とでは、透過波制御基板１００における透過特性が異なる。ＴＭ波については、電磁波が透過波制御基板１００に対して垂直に入射した場合と同様に、透過波制御基板１００の面内伝搬波を励振させる。そして、面内伝搬波は、入射面の裏面で同位相同振幅で合成される。面内伝搬波の周波数は放射領域であるため、裏面の面内伝搬波はＴＭ波の入射方向と同一方向に再放射され、透過波制御基板１００を透過する。また、ＴＥ波については、入射角度が透過波制御基板１００に対して垂直に近い場合は面内伝搬波を励振させることができずに反射される。したがって、電磁波の偏波方向及び入射角度の各々に応じて、透過量及び反射量が異なる特性を有する透過波制御基板１００を実現することが可能となる。
【００２４】
図４は、本実施形態における透過波制御基板の透過特性の測定結果を示す図である。図４で測定された透過制御基板は、比誘電率２．１７、 厚さ０．１２７ｍｍの誘電体基板を用い、共振周波数ｆＲを６２ＧＨｚとして設計されている。図４において、横軸は電磁波の周波数を示し、縦軸は電磁波の透過特性を示している。測定は、送信用の利得２０ｄＢｉのホーンアンテナから６００ｍｍ離れた位置に基板（本実施形態における透過制御基板）を配置し（基板有）、さらに基板から６００ｍｍ離れた別の利得２０ｄＢｉのホーンアンテナを配置し、実施した。校正は両ホーンアンテナの導波管ポート面を基準面に取りＴＲＬ（THRU- REFLECT- LINE）法による校正を行った。比較のため基板を置かない場合における測定を併せて行った（基板無）。本実施形態における透過制御基板をおいた場合は、６２ＧＨｚ付近で基板を置かない場合より、透過特性として高い値が得られた。以上のことから、共振周波数ｆＲ付近では、透過波制御基板は入射波によって面内伝搬波が励振され、再放射することが分かる。
【００２５】
＜第２の実施形態＞
以下、図面を参照して、本発明の実施の形態について説明する。図５は、本発明の第２の実施形態による透過波制御基板の構成例を示す図である。
図５においては、第２の実施形態による透過波制御基板２００の表面を示す平面視の図であり、透過波制御基板２００の表面パターンの構成例が示されている。図５において、太い点線部で囲まれた部分が本実施形態の透過波制御基板２００における基本構造２０１を示している。基本構造２０１は、三角形（正三角形）の形状をしている。
【００２６】
ここで、導体板２０１１は、誘電体基板２０１３の表面に形成されている三角形（正三角形）状の導電体のパターンである。導体柱２０１２は、誘電体基板２０１３を貫通し、誘電体基板２０１３の表面における導体板２０１１と電気的に接続されている。透過波制御基板２００は、基本構造２０１の各辺が対向する他の基本構造の辺と平行になるように、基本構造２０１が周期的に２次元平面上に配置されている。
【００２７】
また、透過波制御基板２００の裏面には、第１の実施形態の基本構造１０１と同様に、導体板２０１１と平面視で重なる位置に、導体板２０１１と同一形状の導体板（不図示）が配置されている。導体柱２０１２は、誘電体基板２０１３を貫通し、誘電体基板２０１３の表面における導体板２０１１と、誘電体基板２０１３の裏面における導体板とを、導体板２０１１及び誘電体基板２０１３の裏面における導体板の各々の平面形状の中心において電気的に接続している。
【００２８】
また、基本構造２０１は、第１の実施形態の図３に示す構成と同様の等価回路となる。図３において、接続端子１、２、３、４の各々は、図５の三角形状の導体板２０１１の各辺が隣接する他の基本構造の辺と接続される端子を示している。コンデンサ５、６、７、８の各々は、導体板２０１１が有する、導体板２０１１と同一平面上の容量成分を示している。インダクタ９、１０、１１、１２の各々は、導体板２０１１が有する、導体板２０１１と同一平面上の誘導成分を示している。
【００２９】
コンデンサ１３は、誘電体基板２０１３における表面の導体板２０１１と裏面の導体板との間の容量成分を示している。インダクタ１４は、誘電体基板２０１３における表面の導体板２０１１と裏面の導体板との間の誘導成分を示している。図５においては、基本構造２０１の周期配列が、基本構造２０１の各辺に対して垂直方向に２次元配列して３つの他の基本構造の辺と対向している。
【００３０】
一方、図３の基本構造の等価回路においては、説明を簡略化するため、基本構造が１次元で配列している場合の回路構成としている。また、表面の導体板２０１１及び裏面の導体板の抵抗成分についても、簡略化のために省略している。コンデンサ５、６、７、８の各々は容量値がＣ１である。インダクタ９、１０、１１、１２の各々は、インダクタンスがＬ１である。コンデンサ１３は、容量値がＣ２である。インダクタ１４は、インダクタンスがＬ２である。
【００３１】
また、第１の実施形態と同様に、上記（１）式を満足する透過波制御基板２００の誘電体基板２０１３の誘電率及び誘電体基板２０１３の膜厚に応じて、基本構造２０１の誘電体基板２０１３における表面の導体板２０１１及び裏面の導体板の形状及び寸法と、導体柱２０１２の形状及び寸法の設計を行う。
【００３２】
上述した（１）式を満足するため、導体板２０１１、導体柱２０１２及び導体板２０１１に対向する裏面の導体板の各々が同一の共振周波数ｆＲを有している。これにより、共振周波数ｆＲ及び共振周波数ｆＲ近傍の周波数帯の電磁波は、透過波制御基板２００の表面に垂直に入射した場合、透過波制御基板２００の面内伝搬波を励振する。面内伝搬波は、入射面の裏面で同位相同振幅で合成される。面内伝搬波の周波数は放射領域であるため、裏面の面内伝搬波は電磁波の入射方向と同一方向に再放射する。すなわち、電磁波は、透過波制御基板２００の上面（導体板２０１１の配置されている面）から垂直に入射した場合、透過波制御基板２００の面内伝搬波を励振し再放射されることで、透過波制御基板２００を透過する。
【００３３】
一方、透過波制御基板２００に対して電磁波が所定の角度を有して入射した場合、電磁波におけるＴＭ波とＴＥ波とでは、透過波制御基板２００における透過特性が異なる。ＴＭ波については、電磁波が透過波制御基板２００に対して垂直に入射した場合と同様に、透過波制御基板２００の面内伝搬波を励振させる。そして、面内伝搬波は、入射面の裏面で同位相同振幅で合成される。面内伝搬波の周波数は放射領域であるため、裏面の面内伝搬波はＴＭ波の入射方向と同一方向に再放射され、透過波制御基板２００を透過する。また、ＴＥ波については、入射角度が透過波制御基板２００に対して垂直に近い場合は面内伝搬波を励振させることができずに反射される。したがって、電磁波の偏波方向及び入射角度の各々に応じて、第１実施形態と同様に、図４に示す透過量及び反射量が異なる特性を有する透過波制御基板２００を実現することが可能となる。
【００３４】
＜第３実施形態＞
以下、図面を参照して、本発明の実施の形態について説明する。図６は、本発明の第３の実施形態による透過波制御基板の構成例を示す図である。
図６においては、第３の実施形態による透過波制御基板３００の表面を示す平面視の図であり、透過波制御基板３００の表面パターンの構成例が示されている。図６おいて、太い点線部で囲まれた部分が本実施形態の透過波制御基板３００における基本構造３０１を示している。基本構造３０１は、六角形（正六角形）の形状をしている。
【００３５】
ここで、導体板３０１１は、誘電体基板３０１３の表面に形成されている六角形（正六角形）状の導電体のパターンである。導体柱３０１２は、誘電体基板３０１３を貫通し、誘電体基板３０１３の表面における導体板３０１１と電気的に接続されている。透過波制御基板３００は、基本構造３０１の各辺が対向する他の基本構造の辺と平行になるように、基本構造３０１が周期的に２次元平面上に配置されている。
【００３６】
また、透過波制御基板３００の裏面には、第１の実施形態の基本構造１０１と同様に、導体板３０１１と平面視で重なる位置に、導体板３０１１と同一形状の導体板（不図示）が配置されている。導体柱３０１２は、誘電体基板３０１３を貫通し、誘電体基板３０１３の表面における導体板３０１１と、誘電体基板３０１３の裏面における導体板とを、導体板３０１１及び誘電体基板３０１３の裏面における導体板の各々の平面形状の中心において電気的に接続している。
【００３７】
また、基本構造３０１は、第１の実施形態の図３に示す構成と同様の等価回路となる。図３において、接続端子１、２、３、４の各々は、図６の六角形状の導体板３０１１の各辺が隣接する他の基本構造の辺と接続される端子を示している。コンデンサ５、６、７、８の各々は、導体板３０１１が有する、導体板３０１１と同一平面上の容量成分を示している。インダクタ９、１０、１１、１２の各々は、導体板３０１１が有する、導体板３０１１と同一平面上の誘導成分を示している。
【００３８】
コンデンサ１３は、誘電体基板３０１３における表面の導体板３０１１と裏面の導体板との間の容量成分を示している。インダクタ１４は、誘電体基板３０１３における表面の導体板３０１１と裏面の導体板との間の誘導成分を示している。図６においては、基本構造３０１の周期配列が、基本構造３０１の各辺に対して垂直方向に２次元配列して６つの他の基本構造の辺と対向している。
【００３９】
一方、図３の基本構造の等価回路においては、説明を簡略化するため、基本構造が１次元で配列している場合の回路構成としている。また、表面の導体板３０１１及び裏面の導体板の抵抗成分についても、簡略化のために省略している。コンデンサ５、６、７、８の各々は容量値がＣ１である。インダクタ９、１０、１１、１２の各々は、インダクタンスがＬ１である。コンデンサ１３は、容量値がＣ２である。インダクタ１４は、インダクタンスがＬ２である。
【００４０】
また、第１の実施形態と同様に、上記（１）式を満足する透過波制御基板３００の誘電体基板３０１３の誘電率及び誘電体基板３０１３の膜厚に応じて、基本構造３０１の誘電体基板３０１３における表面の導体板３０１１及び裏面の導体板の形状及び寸法と、導体柱３０１２の形状及び寸法の設計を行う。
【００４１】
上述した（１）式を満足するため、導体板３０１１、導体柱３０１２及び導体板３０１１に対向する裏面の導体板の各々が同一の共振周波数ｆＲを有している。これにより、共振周波数ｆＲ及び共振周波数ｆＲ近傍の周波数帯の電磁波は、透過波制御基板３００の表面に垂直に入射した場合、透過波制御基板３００の面内伝搬波を励振する。面内伝搬波は、入射面の裏面で同位相同振幅で合成される。面内伝搬波の周波数は放射領域であるため、裏面の面内伝搬波は電磁波の入射方向と同一方向に再放射する。すなわち、電磁波は、透過波制御基板３００の上面（導体板３０１１の配置されている面）から垂直に入射した場合、透過波制御基板３００の面内伝搬波を励振し再放射されることで、透過波制御基板３００を透過する。
【００４２】
一方、透過波制御基板３００に対して電磁波が所定の角度を有して入射した場合、電磁波におけるＴＭ波とＴＥ波とでは、透過波制御基板３００における透過特性が異なる。ＴＭ波については、電磁波が透過波制御基板３００に対して垂直に入射した場合と同様に、透過波制御基板３００の面内伝搬波を励振させる。そして、面内伝搬波は、入射面の裏面で同位相同振幅で合成される。面内伝搬波の周波数は放射領域であるため、裏面の面内伝搬波はＴＭ波の入射方向と同一方向に再放射され、透過波制御基板３００を透過する。また、ＴＥ波については、入射角度が透過波制御基板３００に対して垂直に近い場合は面内伝搬波を励振させることができずに反射される。したがって、電磁波の偏波方向及び入射角度の各々に応じて、第１実施形態と同様に、図４に示す透過量及び反射量が異なる特性を有する透過波制御基板３００を実現することが可能となる。
【００４３】
＜第４実施形態＞
以下、図面を参照して、本発明の実施の形態について説明する。図７は、本発明の第４の実施形態による透過波制御基板の構成例を示す図である。
図７においては、第４の実施形態による透過波制御基板４００の表面を示す平面視の図であり、透過波制御基板４００の表面パターンの構成例が示されている。図７において、太い点線部で囲まれた部分が本実施形態の透過波制御基板４００における基本構造４０１を示している。基本構造４０１は、六角形（正六角形）の形状をしている。
【００４４】
ここで、導体板４０１１は、誘電体基板４０１３の表面に形成されている円形（正円形）状の導電体のパターンである。導体柱４０１２は、誘電体基板４０１３を貫通し、誘電体基板４０１３の表面における導体板４０１１と電気的に接続されている。透過波制御基板４００は、基本構造４０１の各辺が対向する他の基本構造の辺と平行になるように、基本構造４０１が周期的に２次元平面上に配置されている。
【００４５】
また、透過波制御基板４００の裏面には、第１の実施形態の基本構造１０１と同様に、導体板４０１１と平面視で重なる位置に、導体板４０１１と同一形状の導体板（不図示）が配置されている。導体柱４０１２は、誘電体基板４０１３を貫通し、誘電体基板４０１３の表面における導体板４０１１と、誘電体基板４０１３の裏面における導体板とを、導体板４０１１及び誘電体基板４０１３の裏面における導体板の各々の平面形状の中心において電気的に接続している。
【００４６】
また、基本構造４０１は、第１の実施形態の図３に示す構成と同様の等価回路となる。図７において、接続端子１、２、３、４の各々は、図７の六角形状の基本構造４０１の各辺が隣接する他の基本構造の辺と接続される端子を示している。コンデンサ５、６、７、８の各々は、導体板４０１１が有する、導体板４０１１と同一平面上の容量成分を示している。インダクタ９、１０、１１、１２の各々は、導体板４０１１が有する、導体板４０１１と同一平面上の誘導成分を示している。
【００４７】
コンデンサ１３は、誘電体基板４０１３における表面の導体板４０１１と裏面の導体板との間の容量成分を示している。インダクタ１４は、誘電体基板４０１３における表面の導体板４０１１と裏面の導体板との間の誘導成分を示している。図７においては、基本構造４０１の周期配列が、基本構造４０１の各辺に対して垂直方向に２次元配列して６つの他の基本構造の辺と対向している。
【００４８】
一方、図３の基本構造の等価回路においては、説明を簡略化するため、基本構造が１次元で配列している場合の回路構成としている。また、表面の導体板４０１１及び裏面の導体板の抵抗成分についても、簡略化のために省略している。コンデンサ５、６、７、８の各々は容量値がＣ１である。インダクタ９、１０、１１、１２の各々は、インダクタンスがＬ１である。コンデンサ１３は、容量値がＣ２である。インダクタ１４は、インダクタンスがＬ２である。
【００４９】
また、第１の実施形態と同様に、上記（１）式を満足する透過波制御基板４００の誘電体基板４０１３の誘電率及び誘電体基板４０１３の膜厚に応じて、基本構造４０１の誘電体基板４０１３における表面の導体板４０１１及び裏面の導体板の形状及び寸法と、導体柱４０１２の形状及び寸法の設計を行う。
【００５０】
上述した（１）式を満足するため、導体板４０１１、導体柱４０１２及び導体板４０１１に対向する裏面の導体板の各々が同一の共振周波数ｆＲを有している。これにより、共振周波数ｆＲ及び共振周波数ｆＲ近傍の周波数帯の電磁波は、透過波制御基板４００の表面に垂直に入射した場合、透過波制御基板４００の面内伝搬波を励振する。面内伝搬波は、入射面の裏面で同位相同振幅で合成される。面内伝搬波の周波数は放射領域であるため、裏面の面内伝搬波は電磁波の入射方向と同一方向に再放射する。すなわち、電磁波は、透過波制御基板４００の上面（導体板４０１１の配置されている面）から垂直に入射した場合、透過制御基板４００の面内伝搬波を励振し再放射されることで、透過波制御基板４００を透過する。
【００５１】
一方、透過波制御基板４００に対して電磁波が所定の角度を有して入射した場合、電磁波におけるＴＭ波とＴＥ波とでは、透過波制御基板４００における透過特性が異なる。ＴＭ波については、電磁波が透過波制御基板４００に対して垂直に入射した場合と同様に、透過波制御基板４００の面内伝搬波を励振させる。そして、面内伝搬波は、入射面の裏面で同位相同振幅で合成される。面内伝搬波の周波数は放射領域であるため、裏面の面内伝搬波はＴＭ波の入射方向と同一方向に再放射され、透過波制御基板４００を透過する。また、ＴＥ波については、入射角度が透過波制御基板４００に対して垂直に近い場合は面内伝搬波を励振させることができずに反射される。したがって、電磁波の偏波方向及び入射角度の各々に応じて、第１実施形態と同様に、図４に示す透過量及び反射量が異なる特性を有する透過波制御基板４００を実現することが可能となる。
【００５２】
＜第５実施形態＞
以下、図面を参照して、本発明の実施の形態について説明する。図８は、本発明の第５の実施形態による透過波制御基板の構成例を示す図である。
図８においては、透過波制御基板における基本構造の導体板の形状の例を示している。図２に示す第１の実施形態と同様に、誘電体基板を介して、図８における導体板と平面視で重なる位置に、同様の形状の導体板が配置され、それぞれの導体板が導体柱により接続されているのは、第１の実施形態から第４の実施形態の各々と同様である。また、上述した（１）式を満足するため、誘電体基板の表面の導体板、導体柱及び表面の導体板に対向する裏面の導体板の各々が同一の共振周波数ｆＲを有している。したがって、第１の実施形態から第４の実施形態の各々と同様に、電磁波の偏波方向及び入射角度の各々に応じて、透過量及び反射量が異なる特性を有する透過波制御基板を実現することが可能となる。
【００５３】
また、第５の実施形態においては、基本構造は、基本構造自身の中心に対し９０度毎に四分割した構造が、それぞれ９０度、１８０度、２７０度に回転させた際、すべて同じ形状となる構造である。また、透過波制御基板における２次元配列において、隣接した他の基本構造の一部が基本構造の誘電体内に含まれる形状も含む。第５の実施形態における基本構造の中心に対し、任意の開始角度で、０度、９０度（π／２）、１８０度（π）、２７０度（３π／２）で２次元周期的に配置する構造となっている。
【００５４】
図８（ａ）においては、基本構造５０１における導体板５０１１が長方形の配線パターンＰ１と配線パターンＰ２とが直角に交差した形状で、誘電体基板５０１３の表面に形成されている。ここで、導体板５０１１における配線パターンＰ１及びＰ２の短辺が隣接する他の基本構造における導体板と接続される。すでに説明した、第１の実施形態から第４の実施形態と同様に、誘電体基板５０１３の裏面に、導体板５０１１と同一の形状の導体板が導体板５０１１と平面視で重なるように形成されている。
【００５５】
また、第１の実施形態から第４の実施形態と同様に、（１）式を満足させる容量値及びインダクタンスを有する、導体板５０１１、誘電体基板５０１３の裏面の導体板、図示しない誘電体基板５０１３を貫通する導体柱が形成されている。
そして、基本構造５０１は、基本構造５０１自身の中心を通る、直交する直線Ｄ１と直線Ｄ２とにより、４つの単位構造に等分割されている。したがって、基本構造５０１の中心を回転軸として、基本構造５０１を９０度、１８０度、２７０度の角度θでそれぞれ回転させた場合、０度、すなわち回転させない場合と同一の形状となる。
【００５６】
図８（ｂ）（あるいは図８（ｃ））においては、基本構造５０２における導体板５０２１が長方形の配線パターンＰ１と配線パターンＰ２とが直角に交差した図８（ａ）のパターンの中心に対し、四角形の配線パターンＰ３（円形の配線パターンＰ４）の中心が重なるように、配線パターンＰ３（パターンＰ４）を重ねた形状で、誘電体基板５０２３の表面に形成されている。ここで、導体板５０２１における配線パターンＰ１及びＰ２の短辺が隣接する他の基本構造における導体板と接続される。すでに説明した、第１の実施形態から第４の実施形態と同様に、誘電体基板５０２３の裏面に、導体板５０２１と同一の形状の導体板が導体板５０２１と平面視で重なるように形成されている。
【００５７】
また、第１の実施形態から第４の実施形態と同様に、（１）式を満足させる容量値及びインダクタンスを有する、導体板５０２１、誘電体基板５０２３の裏面の導体板、図示しない誘電体基板５０２３を貫通する導体柱が形成されている。
そして、基本構造５０２は、基本構造５０２自身の中心を通る、直交する直線Ｄ１と直線Ｄ２とにより、４つの単位構造に等分割されている。したがって、基本構造５０２の中心を回転軸として、基本構造５０２を９０度、１８０度、２７０度の角度でそれぞれ回転させた場合、０度、すなわち回転させない場合と同一の形状となる。
【００５８】
図８（ｄ）（あるいは図８（ｅ）、図８ｆ））においては、基本構造５０３における導体板５０３１が、逆卍（マンジ）のパターンＰ５の中心に対し、四角形の配線パターンＰ３の中心が重なるように、配線パターンＰ３を重ねた形状で、誘電体基板５０３３の表面に形成されている。ここで、導体板５０３１における配線パターンＰ５の辺Ｐ５１が隣接する他の基本構造における導体板と接続される。すでに説明した、第１の実施形態から第４の実施形態と同様に、誘電体基板５０３３の裏面に、導体板５０３１と同一の形状の導体板が導体板５０３１と平面視で重なるように形成されている。
【００５９】
また、第１の実施形態から第４の実施形態と同様に、（１）式を満足させる容量値及びインダクタンスを有する、導体板５０３１、誘電体基板５０３３の裏面の導体板、図示しない誘電体基板５０３３を貫通する導体柱が形成されている。
そして、基本構造５０３は、基本構造５０３自身の中心を通る、直交する直線Ｄ１と直線Ｄ２とにより、４つの単位構造に等分割されている。したがって、基本構造５０３の中心を回転軸として、基本構造５０３を９０度、１８０度、２７０度の角度でそれぞれ回転させた場合、０度、すなわち回転させない場合と同一の形状となる。
【００６０】
＜第６実施形態＞
以下、図面を参照して、本発明の実施の形態について説明する。図９は、本発明の第６の実施形態による透過波制御基板の構成例を示す図である。図２に示す第１の実施形態と同様に、誘電体基板を介して、図９における導体板と平面視で重なる位置に、同様の形状の導体板が配置され、それぞれの導体板が導体柱により接続されているのは、第１の実施形態から第４の実施形態の各々と同様である。また、上述した（１）式を満足するため、誘電体基板の表面の導体板、導体柱及び表面の導体板に対向する裏面の導体板の各々が同一の共振周波数ｆＲを有している。したがって、第１の実施形態から第４の実施形態の各々と同様に、電磁波の偏波方向及び入射角度の各々に応じて、透過量及び反射量が異なる特性を有する透過波制御基板を実現することが可能となる。
【００６１】
また、図９においては、透過波制御基板における基本構造（正三角形状の構造）の導体板の形状の例を示している。第６の実施形態においては、基本構造は、基本構造自身の中心に対し１２０度毎に三分割した構造が、それぞれ１２０度、２４０度に回転させた際、すべて同じ形状となる構造である。また、透過波制御基板における２次元配列において、隣接した他の基本構造の一部が基本構造の誘電体内に含まれる形状も含む。第６の実施形態における基本構造の中心に対し、任意の開始角度で、０度、１２０度（２π／３）、２４０度（４π／３）の角度θで２次元周期的に配置する構造となっている。
【００６２】
図９（ａ）においては、基本構造５０４における導体板５０４１が、正三角形のパターンＰ６の各辺に対し、パターンＰ６の各辺と同一の長さの短辺を有する長方形のパターンＰ７、Ｐ８、Ｐ９の短辺の一方がそれぞれ接続され、誘電体基板５０４３の表面に形成されている。ここで、導体板５０４１における配線パターンＰ７、Ｐ８、Ｐ９の他の短辺が隣接する他の基本構造における導体板と接続される。すでに説明した、第１の実施形態から第４の実施形態と同様に、誘電体基板５０４３の裏面に、導体板５０４１と同一の形状の導体板が導体板５０４１と平面視で重なるように形成されている。また、第１の実施形態から第４の実施形態と同様に、（１）式を満足させる容量値及びインダクタンスを有する、導体板５０４１、誘電体基板５０４３の裏面の導体板、図示しない誘電体基板５０４３を貫通する導体柱が形成されている。
そして、基本構造５０４は、基本構造５０４自身の中心を通り、１２０度の角度を有する直線Ｄ３、Ｄ４及びＤ５の各々により、３つの単位構造に等分割されている。したがって、基本構造５０４の中心を回転軸として、基本構造５０４を１２０度、２４０度の角度でそれぞれ回転させた場合、０度、すなわち回転させない場合と同一の形状となる。
【００６３】
図９（ｂ）及び図９（ｃ）においては、基本構造５０４における図９（ａ）の導体板５０４１に対し、この導体板５０４１の中心と、パターンＰ６より辺が長い正三角形のパターンＰ１０の中心とが一致するように、パターンＰ１０を重ねて、導体板５０４１Ａが誘電体基板５０４３の表面に形成されている。ここで、導体板５０４１Ａにおける配線パターンＰ７、Ｐ８、Ｐ９の他の短辺が隣接する他の基本構造における導体板と接続される。すでに説明した、第１の実施形態から第４の実施形態と同様に、誘電体基板５０４３の裏面に、導体板５０４１Ａと同一の形状の導体板が導体板５０４１Ａと平面視で重なるように形成されている。また、第１の実施形態から第４の実施形態と同様に、（１）式を満足させる容量値及びインダクタンスを有する、導体板５０４１Ａ、誘電体基板５０４３の裏面の導体板、図示しない誘電体基板５０４３を貫通する導体柱が形成されている。
【００６４】
そして、基本構造５０４は、基本構造５０４自身の中心を通り、１２０度の角度を有する直線Ｄ３、Ｄ４及びＤ５の各々により、３つの単位構造に等分割されている。したがって、基本構造５０４の中心を回転軸として、基本構造５０４を１２０度、２４０度の角度でそれぞれ回転させた場合、０度、すなわち回転させない場合と同一の形状となる。
また、図９（ｂ）においては、パターンＰ７、Ｐ８及びＰ９の各々の長辺が、パターンＰ１０の中心から各頂点への線分と平行となるように、パターンＰ１０が配置されている。また、図９（ｃ）において、パターンＰ７、Ｐ８及びＰ９の各々の長辺が、パターンＰ１０の各辺とそれぞれ直交するように、パターンＰ１０が配置されている。
【００６５】
図９（ｄ）においては、基本構造５０４における図９（ａ）の導体板５０４１に対し、この導体板５０４１の中心と、パターンＰ６が含まれる正円形のパターンＰ１１の中心とが一致するように、パターンＰ１１を重ねて、導体板５０４１Ｂが誘電体基板５０４３の表面に形成されている。ここで、導体板５０４１Ｂにおける配線パターンＰ７、Ｐ８、Ｐ９の他の短辺が隣接する他の基本構造における導体板と接続される。すでに説明した、第１の実施形態から第４の実施形態と同様に、誘電体基板５０４３の裏面に、導体板５０４１Ｂと同一の形状の導体板が導体板５０４１Ｂと平面視で重なるように形成されている。また、第１の実施形態から第４の実施形態と同様に、（１）式を満足させる容量値及びインダクタンスを有する、導体板５０４１Ｂ、誘電体基板５０４３の裏面の導体板、図示しない誘電体基板５０４３を貫通する導体柱が形成されている。
そして、基本構造５０４は、基本構造５０４自身の中心を通り、１２０度の角度を有する直線Ｄ３、Ｄ４及びＤ５の各々により、３つの単位構造に等分割されている。したがって、基本構造５０４の中心を回転軸として、基本構造５０４を１２０度、２４０度の角度でそれぞれ回転させた場合、０度、すなわち回転させない場合と同一の形状となる。
【００６６】
図９（ｅ）及び図９（ｆ）においては、基本構造５０５における導体板５０５１が、正三角形のパターンＰ１２の各辺に対し、Ｌ字形状のパターンＰ１３、Ｐ１４、Ｐ１５をそれぞれ接続し、誘電体基板５０５３の表面に形成されている。ここで、基本構造５０５の外周と平行な、導体板５０５１における配線パターンＰ１３、Ｐ１４、Ｐ１５の辺が、隣接する他の基本構造における導体板と接続される。すでに説明した、第１の実施形態から第４の実施形態と同様に、誘電体基板５０５３の裏面に、導体板５０５１と同一の形状の導体板が導体板５０５１と平面視で重なるように形成されている。また、第１の実施形態から第４の実施形態と同様に、（１）式を満足させる容量値及びインダクタンスを有する、導体板５０５１、誘電体基板５０５３の裏面の導体板、図示しない誘電体基板５０５３を貫通する導体柱が形成されている。
そして、基本構造５０５は、基本構造５０５自身の中心を通り、１２０度の角度を有する直線Ｄ３、Ｄ４及びＤ５の各々により、３つの単位構造に等分割されている。したがって、基本構造５０５の中心を回転軸として、基本構造５０５を１２０度、２４０度の角度でそれぞれ回転させた場合、０度、すなわち回転させない場合と同一の形状となる。
【００６７】
図９（ｇ）においては、基本構造５０５における導体板５０５１Ａが、正三角形のパターンＰ１２の各頂点に対し、Ｌ字形状のパターンＰ１３、Ｐ１４、Ｐ１５それぞれを基本構造５０５の辺と、基本構造５０５の辺に対向するパターンＰ１３、Ｐ１４、Ｐ１５の辺が平行となるように接続し、誘電体基板５０５３の表面に形成されている。ここで、基本構造５０５の外周と平行な、導体板５０５１Ａにおける配線パターンＰ１３、Ｐ１４、Ｐ１５の辺が、隣接する他の基本構造における導体板と接続される。すでに説明した、第１の実施形態から第４の実施形態と同様に、誘電体基板５０５３の裏面に、導体板５０５１Ａと同一の形状の導体板が導体板５０５１Ａと平面視で重なるように形成されている。また、第１の実施形態から第４の実施形態と同様に、（１）式を満足させる容量値及びインダクタンスを有する、導体板５０５１Ａ、誘電体基板５０５３の裏面の導体板、図示しない誘電体基板５０５３を貫通する導体柱が形成されている。
そして、基本構造５０５は、基本構造５０５自身の中心を通り、１２０度の角度を有する直線Ｄ３、Ｄ４及びＤ５の各々により、３つの単位構造に等分割されている。したがって、基本構造５０５の中心を回転軸として、基本構造５０５を１２０度、２４０度の角度でそれぞれ回転させた場合、０度、すなわち回転させない場合と同一の形状となる。
【００６８】
図９（ｈ）においては、基本構造５０５における導体板５０５１Ｂが、正円形のパターンＰ１６の円周上に１２０度の位置毎に、Ｌ字形状のパターンＰ１３、Ｐ１４、Ｐ１５それぞれを、基本構造５０５の辺と、基本構造５０５の辺に対向するパターンＰ１３、Ｐ１４、Ｐ１５の辺が平行となるように接続し、誘電体基板５０５３の表面に形成されている。ここで、基本構造５０５の外周と平行な、導体板５０５１Ｂにおける配線パターンＰ１３、Ｐ１４、Ｐ１５の辺が、隣接する他の基本構造における導体板と接続される。すでに説明した、第１の実施形態から第４の実施形態と同様に、誘電体基板５０５３の裏面に、導体板５０５１Ｂと同一の形状の導体板が導体板５０５１Ｂと平面視で重なるように形成されている。また、第１の実施形態から第４の実施形態と同様に、（１）式を満足させる容量値及びインダクタンスを有する、導体板５０５１Ｂ、誘電体基板５０５３の裏面の導体板、図示しない誘電体基板５０５３を貫通する導体柱が形成されている。
そして、基本構造５０５は、基本構造５０５自身の中心を通り、１２０度の角度を有する直線Ｄ３、Ｄ４及びＤ５の各々により、３つの単位構造に等分割されている。したがって、基本構造５０５の中心を回転軸として、基本構造５０５を１２０度、２４０度の角度でそれぞれ回転させた場合、０度、すなわち回転させない場合と同一の形状となる。
【００６９】
＜第７実施形態＞
以下、図面を参照して、本発明の実施の形態について説明する。図１０は、本発明の第７の実施形態による透過波制御基板の構成例を示す図である。図２に示す第１の実施形態と同様に、誘電体基板を介して、図１０における導体板と平面視で重なる位置に、同様の形状の導体板が配置され、それぞれの導体板が導体柱により接続されているのは、第１の実施形態から第４の実施形態の各々と同様である。また、上述した（１）式を満足するため、誘電体基板の表面の導体板、導体柱及び表面の導体板に対向する裏面の導体板の各々が同一の共振周波数ｆＲを有している。したがって、第１の実施形態から第４の実施形態の各々と同様に、電磁波の偏波方向及び入射角度の各々に応じて、透過量及び反射量が異なる特性を有する透過波制御基板を実現することが可能となる。
【００７０】
また、図１０においては、透過波制御基板における基本構造（正六角形状の構造）の導体板の形状の例を示している。第７の実施形態においては、基本構造は、基本構造自身の中心に対し６０度毎に六分割した構造が、それぞれ６０度、１２０度、１８０度、２４０度、３００度に回転させた際、すべて同じ形状となる構造である。また、透過波制御基板における２次元配列において、隣接した他の基本構造の一部が基本構造の誘電体内に含まれる形状も含む。第７の実施形態における基本構造の中心に対し、任意の開始角度で、０度、６０度（π／３）、１２０度（２π／３）、１８０度（π）、２４０度（４π／３）、３００（５π／３）で２次元周期的に配置する構造となっている。
【００７１】
図１０（ａ）においては、基本構造５０６における導体板５０６１が、正六角形のパターンＰ１６Ａの各辺に対し、パターンＰ１６Ａの各辺と同一の長さの短辺を有する長方形のパターンＰ１７、Ｐ１８、Ｐ１９、Ｐ２０、Ｐ２１、Ｐ２２の短辺の一方がそれぞれ接続され、誘電体基板５０６３の表面に形成されている。ここで、導体板５０６１における配線パターンＰ１７、Ｐ１８、Ｐ１９、Ｐ２０、Ｐ２１、Ｐ２２の他の短辺が隣接する他の基本構造における導体板と接続される。すでに説明した、第１の実施形態から第４の実施形態と同様に、誘電体基板５０６３の裏面に、導体板５０６１と同一の形状の導体板が導体板５０６１と平面視で重なるように形成されている。また、第１の実施形態から第４の実施形態と同様に、（１）式を満足させる容量値及びインダクタンスを有する、導体板５０６１、誘電体基板５０６３の裏面の導体板、図示しない誘電体基板５０６３を貫通する導体柱が形成されている。
そして、基本構造５０６は、基本構造５０６自身の中心を通り、６０度の角度を有する直線Ｄ６、Ｄ７及びＤ８の各々により、６つの単位構造に等分割されている。したがって、基本構造５０６の中心を回転軸として、基本構造５０６を６０度、１２０度、１８０度、２４０度、３００度の角度でそれぞれ回転させた場合、０度、すなわち回転させない場合と同一の形状となる。
【００７２】
図１０（ｂ）及び図１０（ｃ）においては、基本構造５０６における図１０（ａ）の導体板５０６１に対し、この導体板５０６１の中心と、パターンＰ１６Ａより辺が長い正六角形のパターンＰ２３の中心とが一致するように、パターンＰ２３を重ねて、導体板５０６１Ａが誘電体基板５０６３の表面に形成されている。ここで、導体板５０６１Ａにおける配線パターンＰ１７、Ｐ１８、Ｐ１９、Ｐ２０、Ｐ２１、Ｐ２２の他の短辺が隣接する他の基本構造における導体板と接続される。すでに説明した、第１の実施形態から第４の実施形態と同様に、誘電体基板５０６３の裏面に、導体板５０６１Ａと同一の形状の導体板が導体板５０６１Ａと平面視で重なるように形成されている。また、第１の実施形態から第４の実施形態と同様に、（１）式を満足させる容量値及びインダクタンスを有する、導体板５０６１Ａ、誘電体基板５０６３の裏面の導体板、図示しない誘電体基板５０６３を貫通する導体柱が形成されている。
【００７３】
そして、基本構造５０６は、基本構造５０６自身の中心を通り、６０度の角度を有する直線Ｄ６、Ｄ７及びＤ８の各々により、６つの単位構造に等分割されている。したがって、基本構造５０６の中心を回転軸として、基本構造５０６を６０度、１２０度、１８０度、２４０度、３００度の角度でそれぞれ回転させた場合、０度、すなわち回転させない場合と同一の形状となる。
また、図１０（ｃ）においては、パターンＰ１７、Ｐ１８、Ｐ１９、Ｐ２０、Ｐ２１、Ｐ２２の各々の長辺が、パターンＰ２３の中心から各頂点への線分と平行となるように、パターンＰ２３が配置されている。また、図１０（ｂ）において、パターンＰ１７、Ｐ１８、Ｐ１９、Ｐ２０、Ｐ２１、Ｐ２２の各々の長辺が、パターンＰ２３の各辺とそれぞれ直交するように、パターンＰ２３が配置されている。
【００７４】
図１０（ｄ）においては、基本構造５０６における図１０（ａ）の導体板５０６１に対し、この導体板５０６１の中心と、パターンＰ１６Ａが含まれる正円形のパターンＰ２４の中心とが一致するように、パターンＰ２４を重ねて、導体板５０６１Ｂが誘電体基板５０６３の表面に形成されている。ここで、導体板５０６１Ｂにおける配線パターンＰ１７、Ｐ１８、Ｐ１９、Ｐ２０、Ｐ２１、Ｐ２２の他の短辺が隣接する他の基本構造における導体板と接続される。すでに説明した、第１の実施形態から第４の実施形態と同様に、誘電体基板５０６３の裏面に、導体板５０６１Ｂと同一の形状の導体板が導体板５０６１Ｂと平面視で重なるように形成されている。また、第１の実施形態から第４の実施形態と同様に、（１）式を満足させる容量値及びインダクタンスを有する、導体板５０６１Ｂ、誘電体基板５０６３の裏面の導体板、図示しない誘電体基板５０６３を貫通する導体柱が形成されている。
そして、基本構造５０６は、基本構造５０６自身の中心を通り、各々が６０度の角度を有する直線Ｄ６、Ｄ７及びＤ８の各々により、６つの単位構造に等分割されている。したがって、基本構造５０６の中心を回転軸として、基本構造５０６を６０度、１２０度、１８０度、２４０度、３００度の角度でそれぞれ回転させた場合、０度、すなわち回転させない場合と同一の形状となる。
【００７５】
図１０（ｅ）及び図１０（ｆ）においては、基本構造５０７における導体板５０７１が、正六角形のパターンＰ２５の各辺に対し、Ｌ字形状の配線パターンＰ２６、Ｐ２７、Ｐ２８、Ｐ２９、Ｐ３０、Ｐ３１をそれぞれ接続し、誘電体基板５０７３の表面に形成されている。ここで、基本構造５０７の外周と平行な、導体板５０７１における配線パターンＰ２６、Ｐ２７、Ｐ２８、Ｐ２９、Ｐ３０、Ｐ３１の辺が、隣接する他の基本構造における導体板と接続される。すでに説明した、第１の実施形態から第４の実施形態と同様に、誘電体基板５０７３の裏面に、導体板５０７１と同一の形状の導体板が導体板５０７１と平面視で重なるように形成されている。また、第１の実施形態から第４の実施形態と同様に、（１）式を満足させる容量値及びインダクタンスを有する、導体板５０７１、誘電体基板５０７３の裏面の導体板、図示しない誘電体基板５０７３を貫通する導体柱が形成されている。
そして、基本構造５０７は、基本構造５０７自身の中心を通り、６０度の角度を有する直線Ｄ６、Ｄ７及びＤ８の各々により、６つの単位構造に等分割されている。したがって、基本構造５０７の中心を回転軸として、基本構造５０７を６０度、１２０度、１８０度、２４０度、３００度の角度でそれぞれ回転させた場合、０度、すなわち回転させない場合と同一の形状となる。
【００７６】
図１０（ｇ）においては、基本構造５０７における導体板５０７１Ａが、正六角形のパターンＰ２５の各頂点に対し、Ｌ字形状のパターンＰ２６、Ｐ２７、Ｐ２８、Ｐ２９、Ｐ３０、Ｐ３１それぞれを基本構造５０７の辺と、基本構造５０７の辺に対向するパターン２６、Ｐ２７、Ｐ２８、Ｐ２９、Ｐ３０、Ｐ３１の辺が平行となるように接続し、誘電体基板５０７３の表面に形成されている。ここで、基本構造５０７の外周と平行な、導体板５０７１Ａにおける配線パターンＰ２６、Ｐ２７、Ｐ２８、Ｐ２９、Ｐ３０、Ｐ３１の辺が、隣接する他の基本構造における導体板と接続される。すでに説明した、第１の実施形態から第４の実施形態と同様に、誘電体基板５０７３の裏面に、導体板５０７１Ａと同一の形状の導体板が導体板５０７１Ａと平面視で重なるように形成されている。また、第１の実施形態から第４の実施形態と同様に、（１）式を満足させる容量値及びインダクタンスを有する、導体板５０７１Ａ、誘電体基板５０７３の裏面の導体板、図示しない誘電体基板５０７３を貫通する導体柱が形成されている。
そして、基本構造５０７は、基本構造５０７自身の中心を通り、６０度の角度を有する直線Ｄ６、Ｄ７及びＤ８の各々により、６つの単位構造に等分割されている。したがって、基本構造５０７の中心を回転軸として、基本構造５０７を６０度、１２０度、１８０度、２４０度、３００度の角度でそれぞれ回転させた場合、０度、すなわち回転させない場合と同一の形状となる。
【００７７】
図１０（ｈ）においては、基本構造５０７における導体板５０７１Ｂが、正円形のパターンＰ３２の円周上に６０度の位置毎に、Ｌ字形状のパターンＰ２６、Ｐ２７、Ｐ２８、Ｐ２９、Ｐ３０、Ｐ３１それぞれを、基本構造５０７の辺と、基本構造５０７の辺に対向するパターンＰ２６、Ｐ２７、Ｐ２８、Ｐ２９、Ｐ３０、Ｐ３１の辺が平行となるように接続し、誘電体基板５０７３の表面に形成されている。ここで、基本構造５０７の外周と平行な、導体板５０７１Ｂにおける配線パターンＰ２６、Ｐ２７、Ｐ２８、Ｐ２９、Ｐ３０、Ｐ３１の辺が、隣接する他の基本構造における導体板と接続される。すでに説明した、第１の実施形態から第４の実施形態と同様に、誘電体基板５０７３の裏面に、導体板５０７１Ｂと同一の形状の導体板が導体板５０７１Ｂと平面視で重なるように形成されている。また、第１の実施形態から第４の実施形態と同様に、（１）式を満足させる容量値及びインダクタンスを有する、導体板５０７１Ｂ、誘電体基板５０７３の裏面の導体板、図示しない誘電体基板５０５３を貫通する導体柱が形成されている。
そして、基本構造５０７は、基本構造５０７自身の中心を通り、６０度の角度を有する直線Ｄ６、Ｄ７及びＤ８の各々により、６つの単位構造に等分割されている。したがって、基本構造５０７の中心を回転軸として、基本構造５０７を６０度、１２０度、１８０度、２４０度、３００の角度でそれぞれ回転させた場合、０度、すなわち回転させない場合と同一の形状となる。
【００７８】
上述したように、第５の実施形態から第７の実施形態においては、導体板が、ｎを３、４、６のいずれかとし、θ＝２π／ｎとして、基本構造の中心に対して、角度を０、θ、２θ、…、（ｎ−１）θとして、２次元面（誘電体基板の表面及び裏面の各々の面）に回転させて周期的に配置して合成された形状となっている。すなわち、導体板は、隣接する前記基本構造が当該基本構造の０、θ、２θ、…、（ｎ−１）θ方向に２次元に周期配置されている構造となっている。
【００７９】
以上、この発明の実施形態を図面を参照して詳述してきたが、具体的な構成はこの実施形態に限られるものではなく、この発明の要旨を逸脱しない範囲の設計等も含まれる。したがって、本発明の範囲は、特許請求の範囲及びその均等範囲によってのみ規定されるものである。
【符号の説明】
【００８０】
１，２，３，４…接続端子
５，６，７，８…コンデンサ
９，１０，１１，１２…インダクタ
１００，２００，３００，４００…透過波制御基板
１０１，２０１，４０１，５０１，５０２，５０３，５０４，５０５，５０６，５０７…基本構造
１０１１，１０１４，２０１１，３０１１，４０１１，５０１１，５０２１，５０３１，５０４１，５０４１Ａ，５０４１Ｂ，５０５１，５０５１Ａ，５０５１Ｂ，５０６１，５０６１Ａ，５０６１Ｂ，５０７１，５０７１Ａ，５０７１Ｂ…導体板
１０１２，２０１２，３０１２，４０１２…導体柱
１０１３，２０１３，３０１３，４０１３，５０１３，５０２３，５０３３，５０４３，５０５３，５０６３，５０７３…誘電体基板
Ｐ１，Ｐ２，Ｐ３，Ｐ４，Ｐ５，Ｐ６，Ｐ７，Ｐ８，Ｐ９，Ｐ１０，Ｐ１１，Ｐ１２，Ｐ１３，Ｐ１４，Ｐ１５，Ｐ１６，Ｐ１７，Ｐ１８，Ｐ１９，Ｐ２０，Ｐ２１，Ｐ２２，Ｐ２３，Ｐ２４，Ｐ２５，Ｐ２６，Ｐ２７，Ｐ２８，Ｐ２９，Ｐ３０，Ｐ３１，Ｐ３２…配線パターン
Ｄ１，Ｄ２，Ｄ３，Ｄ４，Ｄ５，Ｄ６，Ｄ７，Ｄ８…直線
【図１】
2015154208.tif 000006
【図２】
2015154208.tif 000007
【図３】
2015154208.tif 000008
【図４】
2015154208.tif 000009
【図５】
2015154208.tif 000010
【図６】
2015154208.tif 000011
【図７】
2015154208.tif 000012
【図８】
2015154208.tif 000013
【図９】
2015154208.tif 000014
【図１０】
2015154208.tif 000015
【図１１】
2015154208.tif 000016
【図１２】
2015154208.tif 000017
【図１３】
2015154208.tif 000018
【図１４】
2015154208.tif 000019
【図１５】
2015154208.tif 000020