(57)【要約】      （修正有）【課題】駆動電圧に優れる発光素子の製造に有用な金属錯体の提供。【解決手段】式（１）で表される金属錯体。2015174824.tif 000109［Ｒ４、Ｒ８、Ｒ９及びＲ１０のいずれかは、下式（Ｄ−Ａ）で表される基等である。］2015174824.tif 000110【選択図】なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
下記式（１）で表される金属錯体。
【化１】
2015174824.tif 000104
［式中、
ｎ１は、１、２または３を表す。ｎ２は、０または１を表す。ｎ２が複数存在する場合、それらは同一でも異なっていてもよい。
Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４、Ｒ５、Ｒ６、Ｒ７、Ｒ８、Ｒ９、Ｒ１０およびＲ１１は、それぞれ独立に、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アルコキシ基、シクロアルコキシ基、アリール基、アリールオキシ基、１価の複素環基またはハロゲン原子を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４、Ｒ５、Ｒ６、Ｒ７、Ｒ８、Ｒ９、Ｒ１０およびＲ１１が複数存在する場合、それらはそれぞれ同一でも異なっていてもよい。Ｒ１とＲ２、Ｒ３とＲ４、Ｒ４とＲ５、Ｒ５とＲ６、Ｒ７とＲ８、および、Ｒ１０とＲ１１は、それぞれ結合して、それぞれが結合する炭素原子とともに環を形成していてもよい。また、Ｒ４、Ｒ８、Ｒ９およびＲ１０からなる群から選ばれる少なくとも１つは、下記式（Ｄ−Ａ）または（Ｄ−Ｂ）で表される基である。
Ａ１−Ｇ１−Ａ２は、アニオン性の２座配位子を表し、Ｇ１は、Ａ１およびＡ２とともに２座配位子を構成する原子団を表す。Ａ１およびＡ２は、それぞれ独立に、炭素原子、酸素原子または窒素原子を表し、これらの原子は環を構成する原子であってもよい。Ａ１−Ｇ１−Ａ２が複数存在する場合、それらは同一でも異なっていてもよい。］
【化２】
2015174824.tif 000105
［式中、
ｍDA1、ｍDA2およびｍDA3は、それぞれ独立に、０以上の整数を表す。
ＧDAは、窒素原子、芳香族炭化水素基または複素環基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。
ＡｒDA1、ＡｒDA2およびＡｒDA3は、それぞれ独立に、アリーレン基または２価の複素環基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。ＡｒDA1、ＡｒDA2およびＡｒDA3が複数存在する場合、それらはそれぞれ同一でも異なっていてもよい。
ＴDAは、アリール基または１価の複素環基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。複数存在するＴDAは、同一でも異なっていてもよい。］
【化３】
2015174824.tif 000106
［式中、
ｍDA1、ｍDA2、ｍDA3、ｍDA4、ｍDA5、ｍDA6およびｍDA7は、それぞれ独立に、０以上の整数を表す。
ＧDAは、窒素原子、芳香族炭化水素基または複素環基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。複数存在するＧDAは、同一でも異なっていてもよい。
ＡｒDA1、ＡｒDA2、ＡｒDA3、ＡｒDA4、ＡｒDA5、ＡｒDA6およびＡｒDA7は、それぞれ独立に、アリーレン基または２価の複素環基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。ＡｒDA1、ＡｒDA2、ＡｒDA3、ＡｒDA4、ＡｒDA5、ＡｒDA6およびＡｒDA7が複数存在する場合、それらはそれぞれ同一でも異なっていてもよい。
ＴDAは、アリール基または１価の複素環基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。複数存在するＴDAは、同一でも異なっていてもよい。］
【請求項２】
前記のＲ４、Ｒ８、Ｒ９およびＲ１０からなる群から選ばれる少なくとも１つが、前記式（Ｄ−Ａ）で表される基であり、
前記式（Ｄ−Ａ）におけるＴDAが、炭素原子数４以上のアルキル基もしくは炭素原子数４以上のシクロアルキル基を置換基として有するアリール基、または、炭素原子数４以上のアルキル基もしくは炭素原子数４以上のシクロアルキル基を置換基として有する１価の複素環基である、請求項１に記載の金属錯体。
【請求項３】
前記のＲ４、Ｒ８、Ｒ９およびＲ１０からなる群から選ばれる少なくとも１つが、前記式（Ｄ−Ｂ）で表される基であり、
前記式（Ｄ−Ｂ）におけるＴDAが、炭素原子数４以上のアルキル基もしくは炭素原子数４以上のシクロアルキル基を置換基として有するアリール基、または、炭素原子数４以上のアルキル基もしくは炭素原子数４以上のシクロアルキル基を置換基として有する１価の複素環基である、請求項１に記載の金属錯体。
【請求項４】
前記のＲ４およびＲ９からなる群から選ばれる少なくとも１つが、前記式（Ｄ−Ａ）で表される基である、請求項１または２に記載の金属錯体。
【請求項５】
前記式（Ｄ−Ａ）で表される基が、下記式（Ｄ−Ａ１）、（Ｄ−Ａ２）または（Ｄ−Ａ３）で表される基である、請求項１、２および４のいずれか一項に記載の金属錯体。
【化４】
2015174824.tif 000107
［式中、
Ｒp1、Ｒp2およびＲp3は、それぞれ独立に、アルキル基、シクロアルキル基またはハロゲン原子を表す。Ｒp1およびＲp2が複数存在する場合、それらはそれぞれ同一でも異なっていてもよい。
ｎｐ１は、１〜５の整数を表し、ｎｐ２は０〜３の整数を表し、ｎｐ３は０または１を表す。複数存在するｎｐ１は、同一でも異なっていてもよい。］
【請求項６】
前記式（Ｄ−Ａ）で表される基が、前記式（Ｄ−Ａ１）で表される基である、請求項５に記載の金属錯体。
【請求項７】
前記ｎ２が１である、請求項１〜６のいずれか一項に記載の金属錯体。
【請求項８】
前記ｎ１が３である、請求項１〜７のいずれか一項に記載の金属錯体。
【請求項９】
請求項１〜８のいずれか一項に記載の金属錯体と、
下記式（Ｙ）で表される構成単位を含む高分子化合物とを含有する組成物。
【化５】
2015174824.tif 000108
［式（Ｙ）中、ＡｒY1は、アリーレン基、２価の複素環基、または、少なくとも１種のアリーレン基と少なくとも１種の２価の複素環基とが直接結合した２価の基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。］
【請求項１０】
請求項１〜８のいずれか一項に記載の金属錯体と、
正孔輸送材料、正孔注入材料、電子輸送材料、電子注入材料、発光材料、酸化防止剤および溶媒からなる群より選ばれる少なくとも１種の材料とを含有する組成物。
【請求項１１】
請求項１〜８のいずれか一項に記載の金属錯体を用いて得られる発光素子。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、金属錯体、該金属錯体を含有する組成物および該金属錯体を用いて得られる発光素子に関する。
【背景技術】
【０００２】
発光素子の発光層に用いる発光材料として、三重項励起状態からの発光を示す燐光発光性化合物等が検討されている。例えば、特許文献１には、下記式で表される金属錯体Ａが記載されている。また、特許文献２には、下記式で表される金属錯体Ｂが記載されている。これらの金属錯体は、配位子がフェニルイミダゾール構造を有する金属錯体である。
【０００３】
【化１】
2015174824.tif 000002
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開2008-303150号公報
【特許文献２】国際公開第2006/121811号
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかし、上記の金属錯体を用いて製造される発光素子は、駆動電圧が高いという問題があった。
【０００６】
そこで、本発明は、駆動電圧に優れる発光素子の製造に有用な金属錯体を提供することを目的とする。本発明はまた、該金属錯体を含有する組成物および該金属錯体を用いて得られる発光素子を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明は、第一に、下記式(１)で表される金属錯体を提供する。
【０００８】
【化２】
2015174824.tif 000003
［式中、
ｎ１は、１、２または３を表す。ｎ２は、０または１を表す。ｎ２が複数存在する場合、それらは同一でも異なっていてもよい。
Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４、Ｒ５、Ｒ６、Ｒ７、Ｒ８、Ｒ９、Ｒ１０およびＲ１１は、それぞれ独立に、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アルコキシ基、シクロアルコキシ基、アリール基、アリールオキシ基、１価の複素環基またはハロゲン原子を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４、Ｒ５、Ｒ６、Ｒ７、Ｒ８、Ｒ９、Ｒ１０およびＲ１１が複数存在する場合、それらはそれぞれ同一でも異なっていてもよい。Ｒ１とＲ２、Ｒ３とＲ４、Ｒ４とＲ５、Ｒ５とＲ６、Ｒ７とＲ８、および、Ｒ１０とＲ１１は、それぞれ結合して、それぞれが結合する炭素原子とともに環を形成していてもよい。また、Ｒ４、Ｒ８、Ｒ９およびＲ１０からなる群から選ばれる少なくとも１つは、下記式（Ｄ−Ａ）または（Ｄ−Ｂ）で表される基である。
Ａ１−Ｇ１−Ａ２は、アニオン性の２座配位子を表し、Ｇ１は、Ａ１およびＡ２とともに２座配位子を構成する原子団を表す。Ａ１およびＡ２は、それぞれ独立に、炭素原子、酸素原子または窒素原子を表し、これらの原子は環を構成する原子であってもよい。Ａ１−Ｇ１−Ａ２が複数存在する場合、それらは同一でも異なっていてもよい。］
【０００９】
【化３】
2015174824.tif 000004
［式中、
ｍDA1、ｍDA2およびｍDA3は、それぞれ独立に、０以上の整数を表す。
ＧDAは、窒素原子、芳香族炭化水素基または複素環基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。
ＡｒDA1、ＡｒDA2およびＡｒDA3は、それぞれ独立に、アリーレン基または２価の複素環基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。ＡｒDA1、ＡｒDA2およびＡｒDA3が複数存在する場合、それらはそれぞれ同一でも異なっていてもよい。
ＴDAは、アリール基または１価の複素環基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。複数存在するＴDAは、同一でも異なっていてもよい。］
【００１０】
【化４】
2015174824.tif 000005
［式中、
ｍDA1、ｍDA2、ｍDA3、ｍDA4、ｍDA5、ｍDA6およびｍDA7は、それぞれ独立に、０以上の整数を表す。
ＧDAは、窒素原子、芳香族炭化水素基または複素環基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。複数存在するＧDAは、同一でも異なっていてもよい。
ＡｒDA1、ＡｒDA2、ＡｒDA3、ＡｒDA4、ＡｒDA5、ＡｒDA6およびＡｒDA7は、それぞれ独立に、アリーレン基または２価の複素環基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。ＡｒDA1、ＡｒDA2、ＡｒDA3、ＡｒDA4、ＡｒDA5、ＡｒDA6およびＡｒDA7が複数存在する場合、それらはそれぞれ同一でも異なっていてもよい。
ＴDAは、アリール基または１価の複素環基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。複数存在するＴDAは、同一でも異なっていてもよい。］
【００１１】
本発明は、第二に、上記の金属錯体と、
下記式（Ｙ）で表される構成単位を含む高分子化合物とを含有する組成物、または、
上記の金属錯体と、
正孔輸送材料、正孔注入材料、電子輸送材料、電子注入材料、発光材料、酸化防止剤および溶媒からなる群より選ばれる少なくとも１種の材料とを含有する組成物を提供する。
【００１２】
【化５】
2015174824.tif 000006
［式中、ＡｒY1は、アリーレン基、２価の複素環基、または、少なくとも１種のアリーレン基と少なくとも１種の２価の複素環基とが直接結合した２価の基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。］
【００１３】
本発明は、第三に、上記の金属錯体を用いて得られる発光素子を提供する。
【発明の効果】
【００１４】
本発明によれば、駆動電圧に優れる発光素子の製造に有用な金属錯体を提供することができる。また、本発明によれば、該金属錯体を含有する組成物および該金属錯体を用いて得られる発光素子を提供することができる。
【発明を実施するための形態】
【００１５】
以下、本発明の好適な実施形態について詳細に説明する。
【００１６】
＜共通する用語の説明＞
本明細書で共通して用いられる用語は、特記しない限り、以下の意味である。
【００１７】
Meはメチル基、Etはエチル基、Buはブチル基、i-Prはイソプロピル基、t-Buはtert-ブチル基を表す。
【００１８】
水素原子は、重水素原子であっても、軽水素原子であってもよい。
【００１９】
金属錯体を表す式中、中心金属との結合を表す実線は、共有結合または配位結合を意味する。
【００２０】
「高分子化合物」とは、分子量分布を有し、ポリスチレン換算の数平均分子量が１×103〜１×108である重合体を意味する。
【００２１】
高分子化合物は、ブロック共重合体、ランダム共重合体、交互共重合体、グラフト共重合体のいずれであってもよいし、その他の態様であってもよい。
【００２２】
高分子化合物の末端基は、重合活性基がそのまま残っていると、高分子化合物を発光素子の作製に用いた場合に発光特性または輝度寿命が低下する可能性があるので、好ましくは安定な基である。この末端基としては、好ましくは主鎖と共役結合している基であり、例えば、炭素−炭素結合を介してアリール基または１価の複素環基と結合している基が挙げられる。
【００２３】
「低分子化合物」とは、分子量分布を有さず、分子量が１×104以下の化合物を意味する。
【００２４】
「構成単位」とは、高分子化合物中に１個以上存在する単位を意味する。
【００２５】
「アルキル基」は、直鎖および分岐のいずれでもよい。直鎖のアルキル基の炭素原子数は、置換基の炭素原子数を含めないで、通常１〜50であり、好ましくは３〜30であり、より好ましくは４〜20である。分岐のアルキル基の炭素原子数は、置換基の炭素原子数を含めないで、通常３〜50であり、好ましくは３〜30であり、より好ましくは４〜20である。
アルキル基は、置換基を有していてもよく、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基、イソブチル基、tert-ブチル基、ペンチル基、イソアミル基、2-エチルブチル基、ヘキシル基、ヘプチル基、オクチル基、2-エチルヘキシル基、3-プロピルヘプチル基、デシル基、3,7-ジメチルオクチル基、2-エチルオクチル基、2-ヘキシル-デシル基、ドデシル基、および、これらの基における水素原子が、シクロアルキル基、アルコキシ基、シクロアルコキシ基、アリール基、フッ素原子等で置換された基が挙げられ、例えば、トリフルオロメチル基、ペンタフルオロエチル基、パーフルオロブチル基、パーフルオロヘキシル基、パーフルオロオクチル基、3-フェニルプロピル基、3-(4-メチルフェニル）プロピル基、3-(3,5-ジ-ヘキシルフェニル)プロピル基、6-エチルオキシヘキシル基が挙げられる。
「シクロアルキル基」の炭素原子数は、置換基の炭素原子数を含めないで、通常３〜50であり、好ましくは３〜30であり、より好ましくは４〜20である。
シクロアルキル基は、置換基を有していてもよく、例えば、シクロヘキシル基、シクロヘキシルメチル基、シクロヘキシルエチル基が挙げられる。
【００２６】
「アリール基」は、芳香族炭化水素から環を構成する炭素原子に直接結合する水素原子１個を除いた残りの原子団を意味する。アリール基の炭素原子数は、置換基の炭素原子数を含めないで、通常６〜60であり、好ましくは６〜20であり、より好ましくは６〜10である。
アリール基は、置換基を有していてもよく、例えば、フェニル基、1-ナフチル基、2-ナフチル基、1-アントラセニル基、2-アントラセニル基、9-アントラセニル基、1-ピレニル基、2-ピレニル基、4-ピレニル基、2-フルオレニル基、3-フルオレニル基、4-フルオレニル基、2-フェニルフェニル基、3-フェニルフェニル基、4-フェニルフェニル基、および、これらの基における水素原子が、アルキル基、シクロアルキル基、アルコキシ基、シクロアルコキシ基、アリール基、フッ素原子等で置換された基が挙げられる。
【００２７】
「アルコキシ基」は、直鎖および分岐のいずれでもよい。直鎖のアルコキシ基の炭素原子数は、置換基の炭素原子数を含めないで、通常１〜40であり、好ましくは４〜10である。分岐のアルコキシ基の炭素原子数は、置換基の炭素原子数を含めないで、通常３〜40であり、好ましくは４〜10である。
アルコキシ基は、置換基を有していてもよく、例えば、メトキシ基、エトキシ基、プロピルオキシ基、イソプロピルオキシ基、ブチルオキシ基、イソブチルオキシ基、tert-ブチルオキシ基、ペンチルオキシ基、ヘキシルオキシ基、ヘプチルオキシ基、オクチルオキシ基、2-エチルヘキシルオキシ基、ノニルオキシ基、デシルオキシ基、3,7-ジメチルオクチルオキシ基、ラウリルオキシ基、および、これらの基における水素原子が、シクロアルキル基、アルコキシ基、シクロアルコキシ基、アリール基、フッ素原子等で置換された基が挙げられる。
「シクロアルコキシ基」の炭素原子数は、置換基の炭素原子数を含めないで、通常３〜40であり、好ましくは４〜10である。
シクロアルコキシ基は、置換基を有していてもよく、例えば、シクロヘキシルオキシ基が挙げられる。
【００２８】
「アリールオキシ基」の炭素原子数は、置換基の炭素原子数を含めないで、通常６〜60であり、好ましくは７〜48である。
アリールオキシ基は、置換基を有していてもよく、例えば、フェノキシ基、1-ナフチルオキシ基、2-ナフチルオキシ基、1-アントラセニルオキシ基、9-アントラセニルオキシ基、1-ピレニルオキシ基、および、これらの基における水素原子が、アルキル基、シクロアルキル基、アルコキシ基、シクロアルコキシ基、フッ素原子等で置換された基が挙げられる。
【００２９】
「ｐ価の複素環基」（ｐは、１以上の整数を表す。）とは、複素環式化合物から、環を構成する炭素原子またはヘテロ原子に直接結合している水素原子のうちｐ個の水素原子を除いた残りの原子団を意味する。ｐ価の複素環基の中でも、芳香族複素環式化合物から、環を構成する炭素原子またはヘテロ原子に直接結合している水素原子のうちｐ個の水素原子を除いた残りの原子団である「ｐ価の芳香族複素環基」が好ましい。
「芳香族複素環式化合物」は、オキサジアゾール、チアジアゾール、チアゾール、オキサゾール、チオフェン、ピロール、ホスホール、フラン、ピリジン、ピラジン、ピリミジン、トリアジン、ピリダジン、キノリン、イソキノリン、カルバゾール、ジベンゾシロール、ジベンゾホスホール等の複素環自体が芳香族性を示す化合物、および、フェノキサジン、フェノチアジン、ジベンゾボロール、ジベンゾシロール、ベンゾピラン等の複素環自体は芳香族性を示さなくとも、複素環に芳香環が縮環されている化合物を意味する。
【００３０】
１価の複素環基の炭素原子数は、置換基の炭素原子数を含めないで、通常、２〜60であり、好ましくは４〜20である。
１価の複素環基は、置換基を有していてもよく、例えば、チエニル基、ピロリル基、フリル基、ピリジル基、ピペリジル基、キノリル基、イソキノリル基、ピリミジニル基、トリアジニル基、および、これらの基における水素原子が、アルキル基、シクロアルキル基、アルコキシ基、シクロアルコキシ基等で置換された基が挙げられる。
【００３１】
「ハロゲン原子」とは、フッ素原子、塩素原子、臭素原子またはヨウ素原子を示す。
【００３２】
「アミノ基」は、置換基を有していてもよく、置換アミノ基が好ましい。アミノ基が有する置換基としては、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基または１価の複素環基が好ましい。
置換アミノ基としては、例えば、ジアルキルアミノ基、ジシクロアルキルアミノ基およびジアリールアミノ基が挙げられる。
アミノ基としては、例えば、ジメチルアミノ基、ジエチルアミノ基、ジフェニルアミノ基、ビス(4-メチルフェニル)アミノ基、ビス(4-tert-ブチルフェニル)アミノ基、ビス(3,5-ジ-tert-ブチルフェニル)アミノ基が挙げられる。
【００３３】
「アルケニル基」は、直鎖および分岐のいずれでもよい。直鎖のアルケニル基の炭素原子数は、置換基の炭素原子数を含めないで、通常２〜30であり、好ましくは３〜20である。分岐のアルケニル基の炭素原子数は、置換基の炭素原子数を含めないで、通常３〜30であり、好ましくは４〜20である。
「シクロアルケニル基」の炭素原子数は、置換基の炭素原子数を含めないで、通常３〜30であり、好ましくは４〜20である。
アルケニル基およびシクロアルケニル基は、置換基を有していてもよく、例えば、ビニル基、1-プロペニル基、2-プロペニル基、2-ブテニル基、3-ブテニル基、3-ペンテニル基、4-ペンテニル基、1-ヘキセニル基、5-ヘキセニル基、7-オクテニル基、および、これらの基が置換基を有する基が挙げられる。
【００３４】
「アルキニル基」は、直鎖および分岐のいずれでもよい。アルキニル基の炭素原子数は、置換基の炭素原子を含めないで、通常２〜20であり、好ましくは３〜20である。分岐のアルキニル基の炭素原子数は、置換基の炭素原子を含めないで、通常４〜30であり、好ましくは４〜20である。
「シクロアルキニル基」の炭素原子数は、置換基の炭素原子を含めないで、通常４〜30であり、好ましくは４〜20である。
アルキニル基およびシクロアルキニル基は、置換基を有していてもよく、例えば、エチニル基、1-プロピニル基、2-プロピニル基、2-ブチニル基、3-ブチニル基、3-ペンチニル基、4-ペンチニル基、1-ヘキセシニル基、5-ヘキシニル基、および、これらの基が置換基を有する基が挙げられる。
【００３５】
「アリーレン基」は、芳香族炭化水素から環を構成する炭素原子に直接結合する水素原子２個を除いた残りの原子団を意味する。アリーレン基の炭素原子数は、置換基の炭素原子数を含めないで、通常、６〜60であり、好ましくは６〜30であり、より好ましくは６〜18である。
アリーレン基は、置換基を有していてもよく、例えば、フェニレン基、ナフタレンジイル基、アントラセンジイル基、フェナントレンジイル基、ジヒドロフェナントレンジイル基、ナフタセンジイル基、フルオレンジイル基、ピレンジイル基、ペリレンジイル基、クリセンジイル基、および、これらの基が置換基を有する基が挙げられ、好ましくは、式(A-1)〜式(A-20)で表される基である。アリーレン基は、これらの基が複数結合した基を含む。
【００３６】
【化６】
2015174824.tif 000007
【００３７】
【化７】
2015174824.tif 000008
【００３８】
【化８】
2015174824.tif 000009
【００３９】
【化９】
2015174824.tif 000010
［式中、ＲおよびＲaは、それぞれ独立に、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基または１価の複素環基を表す。複数存在するＲおよびＲaは、各々、同一でも異なっていてもよく、Ｒa同士は互いに結合して、それぞれが結合する炭素原子と共に環を形成していてもよい。］
【００４０】
２価の複素環基の炭素原子数は、置換基の炭素原子数を含めないで、通常、２〜60であり、好ましくは、３〜20であり、より好ましくは、４〜15である。
２価の複素環基は、置換基を有していてもよく、例えば、ピリジン、ジアザベンゼン、トリアジン、アザナフタレン、ジアザナフタレン、カルバゾール、ジベンゾフラン、ジベンゾチオフェン、ジベンゾシロール、フェノキサジン、フェノチアジン、アクリジン、ジヒドロアクリジン、フラン、チオフェン、アゾール、ジアゾール、トリアゾールから、環を構成する炭素原子またはヘテロ原子に直接結合している水素原子のうち２個の水素原子を除いた２価の基が挙げられ、好ましくは、式(AA-1)〜式(AA-34)で表される基である。２価の複素環基は、これらの基が複数結合した基を含む。
【００４１】
【化１０】
2015174824.tif 000011
【００４２】
【化１１】
2015174824.tif 000012
【００４３】
【化１２】
2015174824.tif 000013
【００４４】
【化１３】
2015174824.tif 000014
【００４５】
【化１４】
2015174824.tif 000015
【００４６】
【化１５】
2015174824.tif 000016
【００４７】
【化１６】
2015174824.tif 000017
［式中、ＲおよびＲaは、前記と同じ意味を表す。］
【００４８】
「架橋基」とは、加熱処理、紫外線照射処理、ラジカル反応等に供することにより、新たな結合を生成することが可能な基であり、好ましくは、式(B-1)-(B-17)のいずれかで表される基である。これらの基は、置換基を有していてもよい。
【００４９】
【化１７】
2015174824.tif 000018
【００５０】
「置換基」とは、ハロゲン原子、シアノ基、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基、１価の複素環基、アルコキシ基、シクロアルコキシ基、アリールオキシ基、アミノ基、置換アミノ基、アルケニル基、シクロアルケニル基、アルキニル基またはシクロアルキニル基を表す。置換基は架橋基であってもよい。
【００５１】
「デンドロン」とは、原子または環を分岐点とする規則的な樹枝状分岐構造(即ち、デンドリマー構造)を有する基を意味する。デンドロンを有する化合物(以下、「デンドリマー」と言う。)としては、例えば、国際公開第02/067343号、特開2003-231692号公報、国際公開第2003/079736号、国際公開第2006/097717号等の文献に記載の構造が挙げられる。
【００５２】
デンドロンとしては、好ましくは、式(D-A)または(D-B)で表される基である。
【００５３】
【化１８】
2015174824.tif 000019
［式中、
ｍDA1、ｍDA2およびｍDA3は、それぞれ独立に、０以上の整数を表す。
ＧDAは、窒素原子、芳香族炭化水素基または複素環基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。
ＡｒDA1、ＡｒDA2およびＡｒDA3は、それぞれ独立に、アリーレン基または２価の複素環基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。ＡｒDA1、ＡｒDA2およびＡｒDA3が複数ある場合、それらはそれぞれ同一でも異なっていてもよい。
ＴDAは、アリール基または１価の複素環基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。複数あるＴDAは、同一でも異なっていてもよい。］
【００５４】
【化１９】
2015174824.tif 000020
［式中、
ｍDA1、ｍDA2、ｍDA3、ｍDA4、ｍDA5、ｍDA6およびｍDA7は、それぞれ独立に、０以上の整数を表す。
ＧDAは、窒素原子、芳香族炭化水素基または複素環基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。複数あるＧDAは、同一でも異なっていてもよい。
ＡｒDA1、ＡｒDA2、ＡｒDA3、ＡｒDA4、ＡｒDA5、ＡｒDA6およびＡｒDA7は、それぞれ独立に、アリーレン基または２価の複素環基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。ＡｒDA1、ＡｒDA2、ＡｒDA3、ＡｒDA4、ＡｒDA5、ＡｒDA6およびＡｒDA7が複数ある場合、それらはそれぞれ同一でも異なっていてもよい。
ＴDAは、アリール基または１価の複素環基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。複数あるＴDAは、同一でも異なっていてもよい。］
【００５５】
式（Ｄ−Ａ）および式（Ｄ−Ｂ）において、複数あるＴDAの少なくとも１つは、炭素原子数４以上のアルキル基もしくは炭素原子数４以上のシクロアルキル基を置換基として有するアリール基、または、炭素原子数４以上のアルキル基もしくは炭素原子数４以上のシクロアルキル基を置換基として有する１価の複素環基であることが好ましく、複数あるＴDAの全てが、炭素原子数４以上のアルキル基もしくは炭素原子数４以上のシクロアルキル基を置換基として有するアリール基、または、炭素原子数４以上のアルキル基もしくは炭素原子数４以上のシクロアルキル基を置換基として有する１価の複素環基であることがより好ましい。
【００５６】
ｍDA1、ｍDA2、ｍDA3、ｍDA4、ｍDA5、ｍDA6およびｍDA7は、通常10以下の整数であり、好ましくは５以下の整数であり、より好ましくは０または１である。ｍDA1、ｍDA2、ｍDA3、ｍDA4、ｍDA5、ｍDA6およびｍDA7は、同一の整数であることが好ましい。
【００５７】
ＧDAは、好ましくは式(GDA-11)〜(GDA-15)で表される基であり、これらの基は置換基を有していてもよい。
【００５８】
【化２０】
2015174824.tif 000021
［式中、
＊は、式(D-A)におけるＡｒDA1、式(D-B)におけるＡｒDA1、式(D-B)におけるＡｒDA2、または、式(D-B)におけるＡｒDA3との結合を表す。
＊＊は、式(D-A)におけるＡｒDA2、式(D-B)におけるＡｒDA2、式(D-B)におけるＡｒDA4、または、式(D-B)におけるＡｒDA6との結合を表す。
＊＊＊は、式(D-A)におけるＡｒDA3、式(D-B)におけるＡ
3、式(D-B)におけるＡｒDA5、または、式(D-B)におけるＡｒDA7との結合を表す。
ＲDAは、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アルコキシ基、シクロアルコキシ基、アリール基または１価の複素環基を表し、これらの基は更に置換基を有していてもよい。ＲDAが複数ある場合、それらは同一でも異なっていてもよい。］
【００５９】
ＲDAは、好ましくは水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アルコキシ基またはシクロアルコキシ基であり、より好ましくは水素原子、アルキル基またはシクロアルキル基であり、これらの基は置換基を有していてもよい。
【００６０】
ＡｒDA1、ＡｒDA2、ＡｒDA3、ＡｒDA4、ＡｒDA5、ＡｒDA6およびＡｒDA7は、好ましくは式(ArDA-1)〜(ArDA-3)で表される基である。
【００６１】
【化２１】
2015174824.tif 000022
［式中、
ＲDAは前記と同じ意味を表す。
ＲDBは、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基または１価の複素環基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。ＲDBが複数ある場合、それらは同一でも異なっていてもよい。］
【００６２】
ＲDBは、好ましくはアルキル基、シクロアルキル基、アリール基または１価の複素環基であり、より好ましくはアリール基または１価の複素環基であり、更に好ましくはアリール基である。
【００６３】
ＴDAは、好ましくは式(TDA-1)〜(TDA-3)で表される基である。
【００６４】
【化２２】
2015174824.tif 000023
［式中、ＲDAおよびＲDBは前記と同じ意味を表す。］
【００６５】
式（TDA-1）〜(TDA-3)で表される基において、複数あるＲDAおよびＲDBの少なくとも１つが、炭素原子数４以上のアルキル基または炭素原子数４以上のシクロアルキル基であることが好ましく、複数あるＲDAの少なくとも１つが、炭素原子数４以上のアルキル基または炭素原子数４以上のシクロアルキル基であることが好ましく、複数あるＲDAの全てが、炭素原子数４以上のアルキル基または炭素原子数４以上のシクロアルキル基であることがより好ましい。
【００６６】
式(D-A)で表される基は、好ましくは式(D-A1)〜(D-A3)で表される基である。
【００６７】
【化２３】
2015174824.tif 000024
［式中、
Ｒp1、Ｒp2およびＲp3は、それぞれ独立に、アルキル基、シクロアルキル基、アルコキシ基、シクロアルコキシ基またはハロゲン原子を表す。Ｒp1およびＲp2が複数ある場合、それらはそれぞれ同一であっても異なっていてもよい。
ｎｐ１は、０〜５の整数を表し、ｎｐ２は０〜３の整数を表し、ｎｐ３は０または１を表す。複数あるｎｐ１は、同一でも異なっていてもよい。］
【００６８】
式(D-B)で表される基は、好ましくは式(D-B1)〜(D-B3)で表される基である。
【００６９】
【化２４】
2015174824.tif 000025
［式中、
Ｒp1、Ｒp2およびＲp3は、それぞれ独立に、アルキル基、シクロアルキル基、アルコキシ基、シクロアルコキシ基またはハロゲン原子を表す。Ｒp1およびＲp2が複数ある場合、それらはそれぞれ同一でも異なっていてもよい。
ｎｐ１は０〜５の整数を表し、ｎｐ２は０〜３の整数を表し、ｎｐ３は０または１を表す。ｎｐ１およびｎｐ２が複数ある場合、それらはそれぞれ同一でも異なっていてもよい。］
【００７０】
ｎｐ１は、好ましくは０または１であり、より好ましくは１である。ｎｐ２は、好ましくは０または１であり、より好ましくは０である。ｎｐ３は好ましくは０である。
【００７１】
Ｒp1、Ｒp2およびＲp3は、好ましくはアルキル基またはシクロアルキル基である。
【００７２】
式（Ｄ−Ａ１）〜式（Ｄ−Ａ３）および式（Ｄ−Ｂ１）〜式（Ｄ−Ｂ３）中、複数あるＲp1の少なくとも１つは、炭素原子数４以上のアルキル基または炭素原子数４以上のシクロアルキル基であることが好ましく、複数あるＲp1の全てが、炭素原子数４以上のアルキル基または炭素原子数４以上のシクロアルキル基であることが好ましい。
【００７３】
式（Ｄ−Ａ）で表される基は、例えば、式（Ｄ−Ａ−１）〜式（Ｄ−Ａ−１７）で表される基が挙げられる。また、式（Ｄ−Ｂ）で表される基としては、式（Ｄ−Ｂ−１）〜式（Ｄ−Ｂ−７）で表される基が挙げられる。
【００７４】
【表１】
2015174824.tif 000026
【００７５】
【表２】
2015174824.tif 000027
【００７６】
【化２５】
2015174824.tif 000028
【００７７】
【化２６】
2015174824.tif 000029
【００７８】
Ｒｐは、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アルコキシ基またはシクロアルコキシ基を表し、これらの基は置換基を有していもてよく、メチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ｎ−ヘキシル基、２−エチルヘキシル基、式（Ｒｐ−１）で表される基または２−エチルヘキシルオキシ基であることが好ましく、ｔｅｒｔ−ブチル基または式（Ｒｐ−１）で表される基がより好ましい。
【００７９】
【化２７】
2015174824.tif 000030
【００８０】
＜金属錯体＞
次に、本発明の金属錯体について説明する。本発明の金属錯体は、式(１)で表される。
【００８１】
式(１)で表される金属錯体は、イリジウム原子と、添え字ｎ1でその数を規定されている配位子と、添え字(３−ｎ1)でその数を規定されている配位子とから構成されている。
【００８２】
式(１)中、ｎ1は、２または３であることが好ましく、３であることがより好ましい。
【００８３】
式(１)中、Ａ1−Ｇ1−Ａ2で表されるアニオン性の２座配位子としては、例えば、下記で表される配位子が挙げられる。
【００８４】
【化２８】
2015174824.tif 000031
【００８５】
【化２９】
2015174824.tif 000032
［式中、＊は、イリジウム原子と結合する部位を示す。］
【００８６】
式(１)中、Ａ1−Ｇ1−Ａ2で表されるアニオン性の２座配位子は、下記で表される配位子であってもよい。ただし、Ａ1−Ｇ1−Ａ2で表されるアニオン性の２座配位子は、添え字ｎ1でその数を定義されている配位子とは異なる。
【００８７】
【化３０】
2015174824.tif 000033
［式中、
＊は、イリジウム原子と結合する部位を表す。
ＲL1は、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基、１価の複素環基またはハロゲン原子を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。複数存在するＲL1は、同一でも異なっていてもよい。
ＲL2は、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基、１価の複素環基またはハロゲン原子を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。］
【００８８】
式(１)中、Ｒ1〜Ｒ6およびＲ8〜Ｒ10は、本発明の金属錯体の溶媒に対する溶解性および成膜性が優れるので、好ましくは、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基または１価の複素環基であり、より好ましくは、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基またはアリール基であり、更に好ましくは、水素原子である。ここで、Ｒ4、Ｒ8、Ｒ9およびＲ10からなる群から選ばれる少なくとも１つは、式(Ｄ−Ａ)または（Ｄ−Ｂ）で表される基であり、好ましくは、Ｒ4、Ｒ8、Ｒ9およびＲ10からなる群から選ばれる少なくとも１つが、式（Ｄ−Ａ）で表される基である。
【００８９】
Ｒ4およびＲ9からなる群から選ばれる少なくとも１つが、式(Ｄ−Ａ)または（Ｄ−Ｂ）で表される基であることが好ましく、Ｒ4が式(Ｄ−Ａ)または（Ｄ−Ｂ）で表される基でありＲ9が水素原子であること、または、Ｒ9が式(Ｄ−Ａ)または（Ｄ−Ｂ）で表される基でありＲ4が水素原子であることがより好ましい。
【００９０】
式(１)中、Ｒ7およびＲ11は、本発明の金属錯体の発光色が純青となるため、好ましくは、アルキル基またはシクロアルキル基であり、より好ましくは、アルキル基である。
【００９１】
式(１)中、好ましくは、式（１）中、Ｒ9は、式（Ｄ−Ａ）で表される基、式（Ｄ−Ｂ）で表される基、アリール基または１価の複素環基であることが好ましく、式（Ｄ−Ａ）で表される基、式（Ｄ−Ｂ）で表される基またはアリール基であることがより好ましく、式（Ｄ−Ａ）で表される基、式（Ｄ−Ｂ）で表される基またはフェニル基が更により好ましい。Ｒ9で表されるアリール基（フェニル基であってもよい）および１価の複素環基は置換基を有していてもよく、置換基としては、アルキル基またはシクロアルキル基が好ましい。
【００９２】
式(１)で表される金属錯体としては、例えば、下記式(Ir-1)-(Ir-22)で表される金属錯体が挙げられ、本発明の金属錯体を用いて得られる発光素子の発光効率が優れるので、好ましくは、式（Ir-1）〜（Ir-8）および式（Ir-20）〜（Ir-22）で表される金属錯体であり、より好ましくは、式（Ir-1）〜（Ir-8）で表される金属錯体である。
【００９３】
【化３１】
2015174824.tif 000034
【００９４】
【化３２】
2015174824.tif 000035
【００９５】
【化３３】
2015174824.tif 000036
【００９６】
【化３４】
2015174824.tif 000037
［式中、
ＲL1およびＲL2は、前記と同様の意味を表す。
ＲLは、水素原子、または、炭素原子数４以下のアルキル基もしくは炭素原子数４以下のシクロアルキル基を表す。複数存在するＲLは、同一でも異なっていてもよい。
Ｚ1は、前記式（Ｄ−Ａ）または（Ｄ−Ｂ）で表される基である。Ｚ1が複数存在する場合、それらは同一でも異なっていてもよい。］
【００９７】
式(Ir-1)〜(Ir-22)中、ＲLは、好ましくは、群IIの式(II-01)〜(II-06)のいずれかで表される基である。
【００９８】
＜群II＞
【００９９】
【化３５】
2015174824.tif 000038
【０１００】
式(Ir-1)〜(Ir-22)中、ＲLは、好ましくは、式(II-01)または(II-02)で表される基である。
【０１０１】
Ｚ1は、好ましくは、式（Ｄ−Ａ）で表される基である。
【０１０２】
Ｚ1は、好ましくは、式（Ｄ−Ａ−１）〜式（Ｄ−Ａ−１８）または式（Ｄ−Ｂ−１）〜式（Ｄ−Ｂ−７）で表される基であり、より好ましくは、式（Ｄ−Ａ−１）〜式（Ｄ−Ａ−１８）で表される基である。
【０１０３】
式(１)で表される金属錯体としては、例えば、下記式(Ir-26)-(Ir-35)で表される金属錯体が挙げられる。
【０１０４】
【化３６】
2015174824.tif 000039
【０１０５】
【化３７】
2015174824.tif 000040
【０１０６】
本発明の発光素子には、本発明の金属錯体を１種単独で用いても、２種以上を併用してもよい。
【０１０７】
式(１)で表される金属錯体には、複数の幾何異性体が考えられ、いずれの幾何異性体であってもよいが、本発明の金属錯体を用いて得られる発光素子の輝度寿命が優れるので、facial体が本発明の金属錯体全体に対して、好ましくは80モル％以上であり、より好ましくは90モル％以上であり、更に好ましくは99モル％以上であり、特に好ましくは100モル％である。
【０１０８】
＜金属錯体の製造方法＞
・製造方法１
本発明の金属錯体は、例えば、配位子となる化合物と金属化合物とを反応させる方法により製造することができる。必要に応じて、金属錯体の配位子の官能基変換反応を行ってもよい。
【０１０９】
式(１)で表される化合物は、例えば、式（Ｍ−１）で表される化合物と、イリジウム化合物またはその水和物とを反応させる工程Ａ、および、式（Ｍ−２)で表される金属錯体と、式（Ｍ−１）で表される化合物またはＡ1−Ｇ1−Ａ2で表される配位子の前駆体とを反応させる工程Ｂ、を含む方法により製造することができる。
【０１１０】
【化３８】
2015174824.tif 000041
［式中、Ｒ１〜Ｒ１１およびｎ２は、前記と同じ意味を表す。］
【０１１１】
工程Ａにおいて、イリジウム化合物としては、例えば、塩化イリジウム、クロロ(シクロオクタジエン)イリジウム（Ｉ）ダイマーが挙げられる。イリジウム化合物の水和物としては、例えば、塩化イリジウム・三水和物が挙げられる。
【０１１２】
工程Ａおよび工程Ｂは、通常、溶媒中で行う。溶媒としては、メタノール、エタノール、プロパノール、エチレングリコール、グリセリン、２-メトキシエタノール、2-エトキシエタノール等のアルコール系溶媒；ジエチルエーテル、テトラヒドロフラン(THF)、ジオキサン、シクロペンチルメチルエーテル、ジグライム等のエーテル系溶媒；塩化メチレン、クロロホルム等のハロゲン系溶媒；アセトニトリル、ベンゾニトリル等のニトリル系溶媒；ヘキサン、デカリン、トルエン、キシレン、メシチレン等の炭化水素系溶媒；Ｎ，Ｎ-ジメチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ-ジメチルアセトアミド等のアミド系溶媒；アセトン、ジメチルスルホキシド、水等が挙げられる。
【０１１３】
工程Ａおよび工程Ｂにおいて、反応時間は、通常、３０分〜１５０時間であり、反応温度は、通常、反応系に存在する溶媒の融点から沸点の間である。
【０１１４】
工程Ａにおいて、式(Ｍ−１)で表される化合物は、イリジウム化合物またはその水和物１モルに対して、通常、２〜２０モルである。
【０１１５】
工程Ｂにおいて、式(Ｍ−１)で表される化合物またはＡ1−Ｇ1−Ａ2で表される配位子の前駆体の量は、式(M-2)で表される金属錯体１モルに対して、通常、１〜１００モルである。
【０１１６】
工程Ｂにおいて、反応は、トリフルオロメタンスルホン酸銀等の銀化合物の存在下で行うことが好ましい。銀化合物を用いる場合、その量は、式（Ｍ−２）で表される金属錯体１モルに対して、通常、２〜２０モルである。
【０１１７】
式（Ｍ−１）で表される化合物は、例えば、式（Ｍ−３）で表される化合物と、式(２)で表される化合物とを、Suzuki反応、Kumada反応、Stille反応等のカップリング反応させる工程により合成することができる。
【０１１８】
【化３９】
2015174824.tif 000042
［式中、
ｎ２およびＺ1は、前記と同じ意味を表す。
Ｒ１２、Ｒ１３、Ｒ１３、Ｒ１４、Ｒ１５、Ｒ１６、Ｒ１７、Ｒ１８、Ｒ１９、Ｒ２０、Ｒ２１およびＲ２２は、それぞれ独立に、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アルコキシ基、シクロアルコキシ基、アリール基、アリールオキシ基、１価の複素環基、ハロゲン原子、−Ｂ(ＯＲW1)2で表される基、アルキルスルホニルオキシ基、シクロアルキルスルホニルオキシ基またはアリールスルホニルオキシ基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。ただし、Ｒ1５、Ｒ1９、Ｒ２０およびＲ２１の少なくとも１つは、−Ｂ(ＯＲW1)2で表される基、アルキルスルホニルオキシ基、シクロアルキルスルホニルオキシ基、アリールスルホニルオキシ基、塩素原子、臭素原子またはヨウ素原子である。
Ｗ1は、−Ｂ(ＯＲW1)2で表される基、アルキルスルホニルオキシ基、シクロアルキルスルホニルオキシ基、アリールスルホニルオキシ基、塩素原子、臭素原子またはヨウ素原子を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。
ＲW1は、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基またはアミノ基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。複数存在するＲW1は、同一でも異なっていてもよく、互いに結合して、それぞれが結合する酸素原子とともに環構造を形成していてもよい。］
【０１１９】
−Ｂ(ＯＲW1)2で表される基としては、例えば、下記式（Ｗ−１）−（Ｗ−１０）で表される基が挙げられる。
【０１２０】
【化４０】
2015174824.tif 000043
【０１２１】
Ｗ1で表されるアルキルスルホニルオキシ基としては、メタンスルホニルオキシ基、エタンスルホニルオキシ基、トリフルオロメタンスルホニルオキシ基等が挙げられる。
Ｗ1で表されるアリールスルホニルオキシ基としては、p-トルエンスルホニルオキシ基等が挙げられる。
【０１２２】
Ｗ1は、式(２)で表される化合物と式(M-3)で表される化合物とのカップリング反応が容易に進行するので、好ましくは、−Ｂ(ＯＲW1)2で表される基、トリフルオロメタンスルホニルオキシ基、臭素原子またはヨウ素原子であり、より好ましくは、式（Ｗ−７）で表される基である。
【０１２３】
Ｒ1５、Ｒ1９、Ｒ２０およびＲ２１で表されるアルキルスルホニルオキシ基、シクロアルキルスルホニルオキシ基およびアリールスルホニルオキシ基は、それぞれ、Ｗ1で表されるアルキルスルホニルオキシ基、シクロアルキルスルホニルオキシ基およびアリールスルホニルオキシ基と同じ意味を表す。
【０１２４】
Ｒ1５、Ｒ1９、Ｒ２０およびＲ２１は、好ましくは、臭素原子、ヨウ素原子または式（Ｗ−７）で表される基である。
【０１２５】
この反応は、通常、溶媒中で行う。溶媒、反応時間および反応温度は、工程Ａおよび工程Ｂについて説明したものと同じである。
【０１２６】
この反応において、式(２)で表される化合物の量は、式（Ｍ−３）で表される化合物１モルに対して、通常、０．０５〜２０モルである。
【０１２７】
式(２)で表される化合物は、例えば、国際公開第０２／０６７３４３号、特開２００３−２３１６９２号公報、国際公開第２００３／０７９７３６号、国際公開第２００６／０９７７１７号等の文献に記載の方法に従って合成することができる。
【０１２８】
式（Ｍ−３）で表される化合物は、例えば、国際公開第０６／１２１８１１号の文献に従って合成することができる。
【０１２９】
・製造方法２
本発明の金属錯体は、例えば、金属錯体の前駆体と金属錯体の配位子の前駆体とを反応させる方法によっても製造することができる。
【０１３０】
式(１)で表される化合物は、例えば、式(２)で表される化合物と、式(３)で表される金属錯体とをカップリング反応させることにより製造することができる。このカップリング反応は、式（Ｍ−１）で表される化合物について説明したものと同じである。
【０１３１】
【化４１】
2015174824.tif 000044
［式中、Ｒ１２、Ｒ１３、Ｒ１４、Ｒ１５、Ｒ１６、Ｒ１７、Ｒ１８、Ｒ１９、Ｒ２０、Ｒ２１、Ｒ２２、ｎ1、ｎ２、Ａ1、Ｇ1およびＡ2は、前記と同じ意味を表す。］
【０１３２】
式(３)で表される金属錯体の実施形態の１つである式(３ａ)または(３ｂ)で表される金属錯体は、例えば、式(４)で表される金属錯体から合成することができる。
【０１３３】
【化４２】
2015174824.tif 000045
［式中、Ｒ１２、Ｒ１３、Ｒ１４、Ｒ１６、Ｒ１７、Ｒ１８、Ｒ１９、Ｒ２０、Ｒ２１、Ｒ２２、ｎ1、ｎ２、Ａ1、Ｇ1およびＡ2は、前記と同じ意味を表す。］
【０１３４】
より詳しくは、式(３ａ)で表される金属錯体は、例えば、有機溶媒中で、式(４)で表される金属錯体と、Ｎ−ブロモスクシンイミドとを反応させる工程Ｃにより合成することができる。
【０１３５】
工程Ｃにおいて、Ｎ−ブロモスクシンイミドの量は、式(４)で表される化合物１モルに対して、通常、１〜５０モルである。
【０１３６】
より詳しくは、式(３ｂ)で表される金属錯体は、例えば、有機溶媒中で、式(３ａ)で表される金属錯体と、ビス（ピナコラート）ジボロンとを反応させる工程Ｄにより合成することができる。
【０１３７】
工程Ｄにおいて、ビス(ピナコラート)ジボロンの量は、式(３ａ)で表される化合物１モルに対して、通常、１〜５０モルである。
【０１３８】
工程Ｃおよび工程Ｄは、通常、溶媒中で行う。溶媒、反応時間および反応温度は、工程Ａおよび工程Ｂについて説明したものと同じである。
【０１３９】
式(３)で表される金属錯体の実施形態の１つである式(３ｃ)または(３ｄ)で表される金属錯体は、例えば、式（５）で表される化合物から合成することができる。
【化４３】
2015174824.tif 000046
［式中、Ｒ１２、Ｒ１３、Ｒ１４、Ｒ１５、Ｒ１６、Ｒ１７、Ｒ１８、Ｒ１９、Ｒ２１、Ｒ２２、ｎ1、ｎ２、Ａ1、Ｇ1およびＡ2は、前記と同じ意味を表す。］
【０１４０】
より詳しくは、式（３ｃ）で表される金属錯体は、例えば、有機溶媒中で、式（５）で表される化合物と、イリジウム化合物とを反応させる工程Ｅにより合成することができる。工程Ｅは、製造方法１の工程Ａおよび工程Ｂと同様の反応により行うことができる。
【０１４１】
より詳しくは、式（３ｄ）で表される金属錯体は、例えば、有機溶媒中で、式（３ｃ）で表される化合物と、ビス（ピナコラート）ジボロンとを反応させる工程Ｆにより合成することができる。
【０１４２】
工程Ｆにおいて、ビス(ピナコラート)ジボロンの量は、式(３ｃ)で表される化合物１モルに対して、通常、１〜５０モルである。
【０１４３】
工程Ｅおよび工程Ｆは、通常、溶媒中で行う。溶媒、反応時間および反応温度は、工程Ａおよび工程Ｂについて説明したものと同じである。
【０１４４】
・製造方法３
式(１)で表される化合物において、ｎ１が３の場合、例えば、式（Ｍ−１）で表される化合物と、イリジウム化合物とを反応させる工程Ｇを含む方法により合成することができる。
【０１４５】
【化４４】
2015174824.tif 000047
［式中、Ｒ１〜Ｒ１１およびｎ２は、前記と同じ意味を表す。］
【０１４６】
工程Ｇにおいて、イリジウム化合物としては、例えば、トリス（アセチルアセトナト）イリジウム（ＩＩＩ）、酢酸イリジウム（ＩＩＩ）が挙げられる。
【０１４７】
工程Ｇは、通常溶媒中で行うが、溶媒中で行わなくてもよい。溶媒としては、工程Ａおよび工程Ｂについて説明したもののうち、沸点が１００〜３００℃である溶媒が好ましい。
【０１４８】
工程Ｇにおいて、反応時間は、通常、３０分〜１５０時間である。
工程Ｇにおいて、反応温度は、通常、反応系に存在する溶媒の融点から沸点の間であるが、１００〜３００℃が好ましく、２００〜３００℃がより好ましい。
【０１４９】
工程Ｇにおいて、式（Ｍ−１）で表される化合物は、イリジウム化合物１モルに対して、通常、２〜２０モルである。
【０１５０】
・製造方法１と製造方法２の共通説明
カップリング反応において、反応を促進するために、パラジウム触媒等の触媒を用いてもよい。パラジウム触媒としては、酢酸パラジウム、ビス(トリフェニルホスフィン)パラジウム(II)ジクロリド、テトラキス(トリフェニルホスフィン)パラジウム(0)、[1,1'-ビス(ジフェニルホスフィノ)フェロセン]ジクロロパラジウム(II)、トリス(ジベンジリデンアセトン)二パラジウム(0)等が挙げられる。
【０１５１】
パラジウム触媒は、トリフェニルホスフィン、トリ(o-トリル)ホスフィン、トリ(tert-ブチル)ホスフィン、トリシクロヘキシルホスフィン、1,1'-ビス(ジフェニルホスフィノ)フェロセン等のリン化合物と併用してもよい。
【０１５２】
カップリング反応においてパラジウム触媒を用いる場合、その量は、例えば、式（２）、式（３）、式（Ｍ−３）で表される化合物１モルに対して、通常、有効量であり、好ましくは、パラジウム元素換算で0.00001〜10モルである。
【０１５３】
カップリング反応において、必要に応じて、塩基を併用する。
【０１５４】
＜金属錯体の製造方法＞で説明した各反応において用いられる化合物、触媒および溶媒は、各々、一種単独で用いても二種以上を併用してもよい。
【０１５５】
＜組成物＞
本発明の組成物は、正孔輸送材料、正孔注入材料、電子輸送材料、電子注入材料、発光材料（本発明の金属錯体とは異なる。）、酸化防止剤および溶媒からなる群から選ばれる少なくとも１種の材料と、本発明の金属錯体とを含有する。
【０１５６】
本発明の組成物において、本発明の金属錯体は、１種単独で含有されていても、２種以上含有されていてもよい。
【０１５７】
［ホスト材料］
本発明の金属錯体は、正孔注入性、正孔輸送性、電子注入性および電子輸送性からなる群から選ばれる少なくとも１つの機能を有するホスト材料との組成物とすることにより、本発明の金属錯体を用いて得られる発光素子の外部量子効率が特に優れたものとなる。本発明の組成物において、ホスト材料は、１種単独で含有されていても、２種以上含有されていてもよい。
【０１５８】
本発明の金属錯体とホスト材料とを含有する組成物において、本発明の金属錯体の含有量は、本発明の金属錯体とホスト材料との合計を100重量部とした場合、通常、0.05〜80重量部であり、好ましくは0.1〜50重量部であり、より好ましくは0.5〜40重量部である。
【０１５９】
ホスト材料の有する最低励起三重項状態(Ｔ1)は、本発明の組成物を用いて得られる発光素子の外部量子効率が優れるので、本発明の金属錯体の有するＴ1と同等のエネルギー準位、または、より高いエネルギー準位であることが好ましい。
【０１６０】
ホスト材料としては、本発明の組成物を用いて得られる発光素子を溶液塗布プロセスで作製できるので、本発明の金属錯体を溶解することが可能な溶媒に対して溶解性を示すものであることが好ましい。
【０１６１】
ホスト材料は、低分子化合物と高分子化合物とに分類される。
【０１６２】
ホスト材料として好ましい低分子化合物（以下、「低分子ホスト」と言う。）に関して説明する。
【０１６３】
［低分子ホスト］
低分子ホストは、好ましくは、式（Ｈ−１）で表される化合物である。
【０１６４】
【化４５】
2015174824.tif 000048
［式中、
ＡｒＨ１およびＡｒＨ２は、それぞれ独立に、アリール基または１価の複素環基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。
ｎＨ１およびｎＨ２は、それぞれ独立に、０または１を表す。ｎＨ１が複数存在する場合、それらは同一でも異なっていてもよい。複数存在するｎＨ２は、同一でも異なっていてもよい。
ｎＨ３は、０以上の整数を表す。
ＬＨ１は、アリーレン基、２価の複素環基、または、−［Ｃ（ＲＨ１１）２］ｎＨ１１−で表される基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。ＬＨ１が複数存在する場合、それらは同一でも異なっていてもよい。
ｎＨ１１は、１以上１０以下の整数を表す。ＲＨ１１は、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アルコキシ基、シクロアルコキシ基、アリール基または１価の複素環基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。複数存在するＲＨ１１は、同一でも異なっていてもよく、互いに結合して、それぞれが結合する炭素原子とともに環を形成していてもよい。
ＬＨ２は、−Ｎ（−ＬＨ２１−ＲＨ２１）−で表される基を表す。ＬＨ２が複数存在する場合、それらは同一でも異なっていてもよい。
ＬＨ２１は、単結合、アリーレン基または２価の複素環基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。ＲＨ２１は、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基または１価の複素環基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。］
【０１６５】
ＡｒＨ１およびＡｒＨ２は、フェニル基、フルオレニル基、スピロビフルオレニル基、ピリジル基、ピリミジニル基、トリアジニル基、キノリニル基、イソキノリニル基、チエニル基、ベンゾチエニル基、ジベンゾチエニル基、フリル基、ベンゾフリル基、ジベンゾフリル基、ピロリル基、インドリル基、アザインドリル基、カルバゾリル基、アザカルバゾリル基、ジアザカルバゾリル基、フェノキサジニル基またはフェノチアジニル基であることが好ましく、フェニル基、スピロビフルオレニル基、ピリジル基、ピリミジニル基、トリアジニル基、ジベンゾチエニル基、ジベンゾフリル基、カルバゾリル基またはアザカルバゾリル基であることがより好ましく、フェニル基、ピリジル基、カルバゾリル基またはアザカルバゾリル基であることが更に好ましく、上記式（ＴＤＡ−１）または（ＴＤＡ−３）で表される基であることが特に好ましく、上記式（ＴＤＡ−３）で表される基であることがとりわけ好ましく、これらの基は置換基を有していてもよい。
【０１６６】
ＡｒＨ１およびＡｒＨ２が有していてもよい置換基としては、ハロゲン原子、アルキル基、シクロアルキル基、アルコキシ基、シクロアルコキシ基、アリール基または１価の複素環基が好ましく、アルキル基、シクロアルコキシ基、アルコキシ基またはシクロアルコキシ基がより好ましく、アルキル基またはシクロアルコキシ基が更に好ましく、これらの基は更に置換基を有していてもよい。
【０１６７】
ｎＨ１は、好ましくは１である。ｎＨ２は、好ましくは０である。
【０１６８】
ｎＨ３は、通常、０以上１０以下の整数であり、好ましくは０以上５以下の整数であり、更に好ましくは１以上３以下の整数であり、特に好ましくは１である。
【０１６９】
ｎＨ１１は、好ましくは１以上５以下の整数であり、より好ましく１以上３以下の整数であり、更に好ましく１である。
【０１７０】
ＲＨ１１は、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基または１価の複素環基であることが好ましく、水素原子、アルキル基またはシクロアルキル基であることがより好ましく、水素原子またはアルキル基であることが更に好ましく、これらの基は置換基を有していてもよい。
【０１７１】
ＬＨ１は、アリーレン基または２価の複素環基であることが好ましい。
【０１７２】
ＬＨ１は、式（Ａ−１）〜（Ａ−３）、式（Ａ−８）〜（Ａ−１０）、式（ＡＡ−１）〜（ＡＡ−６）、式（ＡＡ−１０）〜（ＡＡ−２１）または式（ＡＡ−２４）〜（ＡＡ−３４）で表される基であることが好ましく、式（Ａ−１）、式（Ａ−２）、式（Ａ−８）、式（Ａ−９）、式（ＡＡ−１）〜（ＡＡ−４）、式（ＡＡ−１０）〜（ＡＡ−１５）または式（ＡＡ−２９）〜（ＡＡ−３４）で表される基であることがより好ましく、式（Ａ−１）、式（Ａ−２）、式（Ａ−８）、式（Ａ−９）、式（ＡＡ−２）、式（ＡＡ−４）、式（ＡＡ−１０）〜（ＡＡ−１５）で表される基であることが更に好ましく、式（Ａ−１）、式（Ａ−２）、式（Ａ−８）、式（ＡＡ−２）、式（ＡＡ−４）、式（ＡＡ−１０）、式（ＡＡ−１２）または式（ＡＡ−１４）で表される基であることが特に好ましく、式（Ａ−１）、式（Ａ−２）、式（ＡＡ−２）、式（ＡＡ−４）または式（ＡＡ−１４）で表される基であることがとりわけ好ましい。
【０１７３】
ＬＨ１が有していてもよい置換基としては、ハロゲン原子、アルキル基、シクロアルキル基、アルコキシ基、シクロアルコキシ基、アリール基または１価の複素環基が好ましく、アルキル基、アルコキシ基、アリール基または１価の複素環基がより好ましく、アルキル基、アリール基または１価の複素環基が更に好ましく、これらの基は更に置換基を有していてもよい。
【０１７４】
ＬＨ２１は、単結合またはアリーレン基であることが好ましく、単結合であることがより好ましく、このアリーレン基は置換基を有していてもよい。
【０１７５】
ＬＨ２１で表されるアリーレン基または２価の複素環基の定義および例は、ＬＨ１で表されるアリーレン基または２価の複素環基の定義および例と同様である。
【０１７６】
ＲＨ２１は、アリール基または１価の複素環基であることが好ましく、これらの基は置換基を有していてもよい。
【０１７７】
ＲＨ２１で表されるアリール基および１価の複素環基の定義および例は、ＡｒＨ１およびＡｒＨ２で表されるアリール基および１価の複素環基の定義および例と同様である。
【０１７８】
ＲＨ２１が有していてもよい置換基の定義および例は、ＡｒＨ１およびＡｒＨ２が有していてもよい置換基の定義および例と同様である。
【０１７９】
式（Ｈ−１）で表される化合物は、式（Ｈ−２）で表される化合物であることが好ましい。
【０１８０】
【化４６】
2015174824.tif 000049
［式中、ＡｒＨ１、ＡｒＨ２、ｎＨ３およびＬＨ１は、前記と同じ意味を表す。］
【０１８１】
式（Ｈ−１）で表される化合物としては、下記式（Ｈ−１０１）〜（Ｈ−１１８）で表される化合物が例示される。
【０１８２】
【化４７】
2015174824.tif 000050
【０１８３】
【化４８】
2015174824.tif 000051
【０１８４】
【化４９】
2015174824.tif 000052
【０１８５】
【化５０】
2015174824.tif 000053
【０１８６】
ホスト材料に用いられる高分子化合物としては、例えば、後述の正孔輸送材料である高分子化合物、後述の電子輸送材料である高分子化合物が挙げられる。
【０１８７】
［高分子ホスト］
ホスト材料として好ましい高分子化合物（以下、「高分子ホスト」と言う。）に関して説明する。
【０１８８】
高分子ホストは、好ましくは、式(Ｙ)で表される構成単位を含む高分子化合物である。
【０１８９】
【化５１】
2015174824.tif 000054
［式中、ＡｒY1は、アリーレン基、２価の複素環基、または、少なくとも１種のアリーレン基と少なくとも１種の２価の複素環基とが直接結合した２価の基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。］
【０１９０】
ＡｒY1で表されるアリーレン基は、より好ましくは、式(A-1)、式(A-2)、式(A-6)-(A-10)、式(A-19)または式(A-20)で表される基であり、更に好ましくは、式(A-1)、式(A-2)、式(A-7)、式(A-9)または式(A-19)で表される基であり、これらの基は置換基を有していてもよい。
【０１９１】
ＡｒY1で表される２価の複素環基は、より好ましくは、式(AA-1)-(AA-4)、式(AA-10)-(AA-15)、式(AA-18)-(AA-21)、式(A-53)または式(A-54)で表される基であり、更に好ましくは、式(AA-4)、式(AA-10)、式(AA-12)、式(AA-14)または式(AA-33)で表される基であり、これらの基は置換基を有していてもよい。
【０１９２】
ＡｒY1で表される少なくとも１種のアリーレン基と少なくとも１種の２価の複素環基とが直接結合した２価の基における、アリーレン基および２価の複素環基のより好ましい範囲、更に好ましい範囲は、それぞれ、前述のＡｒY1で表されるアリーレン基および２価の複素環基のより好ましい範囲、更に好ましい範囲と同様である。
【０１９３】
「少なくとも１種のアリーレン基と少なくとも１種の２価の複素環基とが直接結合した２価の基」としては、例えば、下記式で表される基が挙げられ、これらは置換基を有していてもよい。
【０１９４】
【化５２】
2015174824.tif 000055
［式中、ＲXXは、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基または１価の複素環基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。］
【０１９５】
ＲXXは、好ましくは、アルキル基、シクロアルキル基またはアリール基であり、これらの基は置換基を有していてもよい。
【０１９６】
ＡｒY1で表される基が有してもよい置換基は、好ましくは、アルキル基、シクロアルキル基またはアリール基であり、これらの基は更に置換基を有していてもよい。
【０１９７】
式(Ｙ)で表される構成単位としては、例えば、式(Y-1)-(Y-10)で表される構成単位が挙げられ、高分子ホストと本発明の金属錯体との組成物を用いた発光素子の輝度寿命の観点からは、好ましくは式(Y-1)-(Y-3)で表される構成単位であり、電子輸送性の観点からは、好ましくは式(Y-4)-(Y-7)で表される構成単位であり、正孔輸送性の観点からは、好ましくは式(Y-8)-(Y-10)で表される構成単位である。
【０１９８】
【化５３】
2015174824.tif 000056
［式中、ＲY1は、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アルコキシ基、シクロアルコキシ基、アリール基または１価の複素環基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。複数存在するＲY1は、同一でも異なっていてもよく、隣接するＲY1同士は互いに結合して、それぞれが結合する炭素原子と共に環を形成していてもよい。］
【０１９９】
ＲY1は、好ましくは、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基またはアリール基であり、これらの基は置換基を有していてもよい。
【０２００】
式(Y-1)で表される構成単位は、好ましくは、式(Y-1')で表される構成単位である。
【０２０１】
【化５４】
2015174824.tif 000057
［式中、ＲY11は、アルキル基、シクロアルキル基、アルコキシ基、シクロアルコキシ基、アリール基または１価の複素環基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。複数存在するＲY1は、同一でも異なっていてもよい。］
【０２０２】
ＲY11は、好ましくは、アルキル基、シクロアルキル基またはアリール基であり、より好ましくは、アルキル基またはシクロアルキル基であり、これらの基は置換基を有していてもよい。
【０２０３】
【化５５】
2015174824.tif 000058
［式中、ＲY1は前記と同じ意味を表す。ＸY1は、−Ｃ(ＲY2)2−、−Ｃ(ＲY2)＝Ｃ(ＲY2)−またはＣ(ＲY2)2−Ｃ(ＲY2)2−で表される基を表す。ＲY2は、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アルコキシ基、シクロアルコキシ基、アリール基または１価の複素環基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。複数存在するＲY2は、同一でも異なっていてもよく、ＲY2同士は互いに結合して、それぞれが結合する炭素原子と共に環を形成していてもよい。］
【０２０４】
ＲY2は、好ましくは、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基または１価の複素環基であり、より好ましくは、アルキル基、シクロアルキル基またはアリール基であり、これらの基は置換基を有していてもよい。
【０２０５】
ＸY1において、−Ｃ(ＲY2)2−で表される基中の２個のＲY2の組み合わせは、好ましくは両方がアルキル基もしくはシクロアルキル基、両方がアリール基、両方が１価の複素環基、または、一方がアルキル基もしくはシクロアルキル基で他方がアリール基若しくは１価の複素環基であり、より好ましくは一方がアルキル基もしくはシクロアルキル基で他方がアリール基であり、これらの基は置換基を有していてもよい。２個存在するＲY2は互いに結合して、それぞれが結合する原子と共に環を形成していてもよく、ＲY2が環を形成する場合、−Ｃ(ＲY2)2−で表される基としては、好ましくは式(Y-A1)-(Y-A5)で表される基であり、より好ましくは式(Y-A4)で表される基であり、これらの基は置換基を有していてもよい。
【０２０６】
【化５６】
2015174824.tif 000059
【０２０７】
ＸY1において、−Ｃ(ＲY2)＝Ｃ(ＲY2)−で表される基中の２個のＲY2の組み合わせは、好ましくは両方がアルキル基もしくはシクロアルキル基、または、一方がアルキル基もしくはシクロアルキル基で他方がアリール基であり、これらの基は置換基を有していてもよい。
【０２０８】
ＸY1において、−Ｃ(ＲY2)2−Ｃ(ＲY2)2−で表される基中の４個のＲY2は、好ましくは置換基を有していてもよいアルキル基またはシクロアルキル基である。複数あるＲY2は互いに結合して、それぞれが結合する原子と共に環を形成していてもよく、ＲY2が環を形成する場合、−Ｃ(ＲY2)2−Ｃ(ＲY2)2−で表される基は、好ましくは式(Y-B1)-(Y-B5)で表される基であり、より好ましくは式(Y-B3)で表される基であり、これらの基は置換基を有していてもよい。
【０２０９】
【化５７】
2015174824.tif 000060
［式中、ＲY2は前記と同じ意味を表す。］
【０２１０】
式(Y-2)で表される構成単位は、式(Y-2')で表される構成単位であることが好ましい。
【０２１１】
【化５８】
2015174824.tif 000061
［式中、ＲY1およびＸY1は前記と同じ意味を表す。］
【０２１２】
【化５９】
2015174824.tif 000062
［式中、ＲY1およびＸY1は前記と同じ意味を表す。］
【０２１３】
式(Y-3)で表される構成単位は、式(Y-3')で表される構成単位であることが好ましい。
【０２１４】
【化６０】
2015174824.tif 000063
［式中、ＲY11およびＸY1は前記と同じ意味を表す。］
【０２１５】
【化６１】
2015174824.tif 000064
【０２１６】
【化６２】
2015174824.tif 000065
［式中、ＲY1は前記と同じ意味を表す。ＲY3は、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アルコキシ基、シクロアルコキシ基、アリール基または１価の複素環基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。］
【０２１７】
ＲY3は、好ましくはアルキル基、シクロアルキル基、アルコキシ基、シクロアルコキシ基、アリール基または１価の複素環基であり、より好ましくはアリール基であり、これらの基は置換基を有していてもよい。
【０２１８】
式(Y-4)で表される構成単位は、式(Y-4')で表される構成単位であることが好ましく、式(Y-6)で表される構成単位は、式(Y-6')で表される構成単位であることが好ましい。
【０２１９】
【化６３】
2015174824.tif 000066
［式中、ＲY1およびＲY3は前記と同じ意味を表す。］
【０２２０】
【化６４】
2015174824.tif 000067
［式中、ＲY1は前記を同じ意味を表す。ＲY4は、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アルコキシ基、シクロアルコキシ基、アリール基または１価の複素環基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。］
【０２２１】
ＲY4は、好ましくはアルキル基、シクロアルキル基、アルコキシ基、シクロアルコキシ基、アリール基または１価の複素環基であり、より好ましくはアリール基であり、これらの基は置換基を有していてもよい。
【０２２２】
式(Ｙ)で表される構成単位としては、例えば、式(Y-101)-(Y-121)で表されるアリーレン基からなる構成単位、式(Y-201)-(Y-206)で表される２価の複素環基からなる構成単位、式(Y-301)-(Y-304)で表される少なくとも１種のアリーレン基と少なくとも１種の２価の複素環基とが直接結合した２価の基からなる構成単位が挙げられる。
【０２２３】
【化６５】
2015174824.tif 000068
【０２２４】
【化６６】
2015174824.tif 000069
【０２２５】
【化６７】
2015174824.tif 000070
【０２２６】
【化６８】
2015174824.tif 000071
【０２２７】
【化６９】
2015174824.tif 000072
【０２２８】
【化７０】
2015174824.tif 000073
【０２２９】
【化７１】
2015174824.tif 000074
【０２３０】
【化７２】
2015174824.tif 000075
【０２３１】
【化７３】
2015174824.tif 000076
【０２３２】
式(Ｙ)で表される構成単位であって、ＡｒY1がアリーレン基である構成単位は、高分子ホストと本発明の金属錯体との組成物を用いた発光素子の輝度寿命が優れるので、高分子化合物に含まれる構成単位の合計量に対して、好ましくは0.5〜80モル％であり、より好ましくは30〜60モル％である。
【０２３３】
式(Ｙ)で表される構成単位であって、ＡｒY1が２価の複素環基、または、少なくとも１種のアリーレン基と少なくとも１種の２価の複素環基とが直接結合した２価の基である構成単位は、高分子ホストと本発明の金属錯体との組成物を用いた発光素子の電荷輸送性が優れるので、高分子化合物に含まれる構成単位の合計量に対して、好ましくは0.5〜30モル％であり、より好ましくは３〜20モル％である。
【０２３４】
式(Ｙ)で表される構成単位は、高分子ホスト中に、１種のみ含まれていてもよく、２種以上含まれていてもよい。
【０２３５】
高分子ホストは、正孔輸送性が優れるので、更に、下記式(Ｘ)で表される構成単位を含むことが好ましい。
【０２３６】
【化７４】
2015174824.tif 000077
［式中、ａX1およびａX2は、それぞれ独立に、０以上の整数を表す。ＡｒX1およびＡｒX3は、それぞれ独立に、アリーレン基または２価の複素環基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。ＡｒX2およびＡｒX4は、それぞれ独立に、アリーレン基、２価の複素環基、または、少なくとも１種のアリーレン基と少なくとも１種の２価の複素環基とが直接結合した２価の基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。ＲX1、ＲX2およびＲX3は、それぞれ独立に、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基または１価の複素環基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。］
【０２３７】
ａX1は、高分子ホストと本発明の金属錯体との組成物を用いた発光素子の輝度寿命が優れるので、好ましくは２以下であり、より好ましくは１である。
【０２３８】
ａX2は、高分子ホストと本発明の金属錯体との組成物を用いた発光素子の輝度寿命が優れるので、好ましくは２以下であり、より好ましくは０である。
【０２３９】
ＲX1、ＲX2およびＲX3は、好ましくはアルキル基、シクロアルキル基、アリール基または１価の複素環基であり、より好ましくはアリール基であり、これらの基は置換基を有していてもよい。
【０２４０】
ＡｒX1およびＡｒX3で表されるアリーレン基は、より好ましくは式(A-1)または式(A-9)で表される基であり、更に好ましくは式(A-1)で表される基であり、これらの基は置換基を有していてもよい。
【０２４１】
ＡｒX1およびＡｒX3で表される２価の複素環基は、より好ましくは式(AA-1)、式(AA-2)または式(AA-7)-(AA-26)で表される基であり、これらの基は置換基を有していてもよい。
【０２４２】
ＡｒX1およびＡｒX3は、好ましくは置換基を有していてもよいアリーレン基である。
【０２４３】
ＡｒX2およびＡｒX4で表されるアリーレン基としては、より好ましくは式(A-1)、式(A-6)、式(A-7)、式(A-9)-(A-11)または式(A-19)で表される基であり、これらの基は置換基を有していてもよい。
【０２４４】
ＡｒX2およびＡｒX4で表される２価の複素環基のより好ましい範囲は、ＡｒX1およびＡｒX3で表される２価の複素環基のより好ましい範囲と同じである。
【０２４５】
ＡｒX2およびＡｒX4で表される少なくとも１種のアリーレン基と少なくとも１種の２価の複素環基とが直接結合した２価の基における、アリーレン基および２価の複素環基のより好ましい範囲、更に好ましい範囲は、それぞれ、ＡｒX1およびＡｒX3で表されるアリーレン基および２価の複素環基のより好ましい範囲、更に好ましい範囲と同様である。
【０２４６】
ＡｒX2およびＡｒX4で表される少なくとも１種のアリーレン基と少なくとも１種の２価の複素環基とが直接結合した２価の基としては、式(Ｙ)のＡｒY1で表される少なくとも１種のアリーレン基と少なくとも１種の２価の複素環基とが直接結合した２価の基と同様のものが挙げられる。
【０２４７】
ＡｒX2およびＡｒX4は、好ましくは置換基を有していてもよいアリーレン基である。
【０２４８】
ＡｒX1〜ＡｒX4およびＲX1〜ＲX3で表される基が有してもよい置換基としては、好ましくはアルキル基、シクロアルキル基またはアリール基であり、これらの基は更に置換基を有していてもよい。
【０２４９】
式(Ｘ)で表される構成単位は、好ましくは式(X-1)-(X-7)で表される構成単位であり、より好ましくは式(X-1)-(X-6)で表される構成単位であり、更に好ましくは式(X-3)-(X-6)で表される構成単位である。
【０２５０】
【化７５】
2015174824.tif 000078
【０２５１】
【化７６】
2015174824.tif 000079
【０２５２】
【化７７】
2015174824.tif 000080
【０２５３】
【化７８】
2015174824.tif 000081
［式中、ＲX4およびＲX5は、それぞれ独立に、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アルコキシ基、シクロアルコキシ基、アリール基、アリールオキシ基、ハロゲン原子、１価の複素環基またはシアノ基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。複数存在するＲX4は、同一でも異なっていてもよい。複数存在するＲX5は、同一でも異なっていてもよく、隣接するＲX5同士は互いに結合して、それぞれが結合する炭素原子と共に環を形成していてもよい。］
【０２５４】
式(Ｘ)で表される構成単位は、正孔輸送性が優れるので、高分子ホストに含まれる構成単位の合計量に対して、好ましくは0.1〜50モル％であり、より好ましくは１〜40モル％であり、更に好ましくは５〜30モル％である。
【０２５５】
式(Ｘ)で表される構成単位としては、例えば、式(X1-1)-(X1-11)で表される構成単位が挙げられ、好ましくは式(X1-3)-(X1-10)で表される構成単位である。
【０２５６】
【化７９】
2015174824.tif 000082
【０２５７】
【化８０】
2015174824.tif 000083
【０２５８】
【化８１】
2015174824.tif 000084
【０２５９】
【化８２】
2015174824.tif 000085
【０２６０】
【化８３】
2015174824.tif 000086
【０２６１】
高分子ホストにおいて、式(Ｘ)で表される構成単位は、１種のみ含まれていても、２種以上含まれていてもよい。
【０２６２】
高分子ホストとしては、例えば、表１の高分子化合物(P-1)〜(P-6)が挙げられる。ここで、「その他」の構成単位とは、式(Ｙ)で表される構成単位、式(Ｘ)で表される構成単位以外の構成単位を意味する。
【０２６３】
【表３】
2015174824.tif 000087
【０２６４】
高分子ホストは、ブロック共重合体、ランダム共重合体、交互共重合体、グラフト共重合体のいずれであってもよいし、その他の態様であってもよいが、複数種の原料モノマーを共重合してなる共重合体であることが好ましい。
【０２６５】
＜高分子ホストの製造方法＞
高分子ホストは、ケミカルレビュー(Chem. Rev.)，第109巻，897-1091頁(2009年)等に記載の公知の重合方法を用いて製造することができ、Suzuki反応、Yamamoto反応、Buchwald反応、Stille反応、Negishi反応およびKumada反応等の遷移金属触媒を用いるカップリング反応により重合させる方法が例示される。
【０２６６】
前記重合方法において、単量体を仕込む方法としては、単量体全量を反応系に一括して仕込む方法、単量体の一部を仕込んで反応させた後、残りの単量体を一括、連続または分割して仕込む方法、単量体を連続または分割して仕込む方法等が挙げられる。
【０２６７】
遷移金属触媒としては、パラジウム触媒、ニッケル触媒等が挙げられる。
【０２６８】
重合反応の後処理は、公知の方法、例えば、分液により水溶性不純物を除去する方法、メタノール等の低級アルコールに重合反応後の反応液を加えて、析出させた沈殿を濾過した後、乾燥させる方法等を単独または組み合わせて行う。高分子ホストの純度が低い場合、例えば、再結晶、再沈殿、ソックスレー抽出器による連続抽出、カラムクロマトグラフィー等の通常の方法にて精製することができる。
【０２６９】
本発明の金属錯体および溶媒を含有する組成物（以下、「インク」と言う。）は、インクジェットプリント法、ノズルプリント法等の印刷法を用いた発光素子の作製に好適である。
【０２７０】
インクの粘度は、印刷法の種類によって調整すればよいが、インクジェットプリント法等の溶液が吐出装置を経由する印刷法に適用する場合には、吐出時の目づまりと飛行曲がりが起こりづらいので、好ましくは25℃において１〜20mPa・sである。
【０２７１】
インクに含まれる溶媒は、好ましくは、インク中の固形分を溶解または均一に分散できる溶媒である。溶媒としては、例えば、1,2-ジクロロエタン、1,1,2-トリクロロエタン、クロロベンゼン、o-ジクロロベンゼン等の塩素系溶媒；THF、ジオキサン、アニソール、4-メチルアニソール等のエーテル系溶媒；トルエン、キシレン、メシチレン、エチルベンゼン、n-ヘキシルベンゼン、シクロヘキシルベンゼン等の芳香族炭化水素系溶媒；シクロヘキサン、メチルシクロヘキサン、n-ペンタン、n-ヘキサン、n-へプタン、n-オクタン、n-ノナン、n-デカン、n-ドデカン、ビシクロヘキシル等の脂肪族炭化水素系溶媒；アセトン、メチルエチルケトン、シクロヘキサノン、アセトフェノン等のケトン系溶媒；酢酸エチル、酢酸ブチル、エチルセルソルブアセテート、安息香酸メチル、酢酸フェニル等のエステル系溶媒；エチレングリコール、グリセリン、1,2-ヘキサンジオール等の多価アルコール系溶媒；イソプロピルアルコール、シクロヘキサノール等のアルコール系溶媒；ジメチルスルホキシド等のスルホキシド系溶媒；N-メチル-2-ピロリドン、N,N-ジメチルホルムアミド等のアミド系溶媒が挙げられる。溶媒は、一種単独で用いても二種以上を併用してもよい。
【０２７２】
インクにおいて、溶媒の配合量は、本発明の金属錯体100重量部に対して、通常、1000〜100000重量部であり、好ましくは2000〜20000重量部である。
【０２７３】
［正孔輸送材料］
正孔輸送材料は、低分子化合物と高分子化合物とに分類され、好ましくは高分子化合物であり、より好ましくは架橋基を有する高分子化合物である。
【０２７４】
高分子化合物としては、例えば、ポリビニルカルバゾールおよびその誘導体；側鎖または主鎖に芳香族アミン構造を有するポリアリーレンおよびその誘導体が挙げられる。高分子化合物は、電子受容性部位が結合された化合物でもよい。電子受容性部位としては、例えば、フラーレン、テトラフルオロテトラシアノキノジメタン、テトラシアノエチレン、トリニトロフルオレノン等が挙げられ、好ましくはフラーレンである。
【０２７５】
本発明の組成物において、正孔輸送材料の配合量は、本発明の金属錯体100重量部に対して、通常、１〜400重量部であり、好ましくは５〜150重量部である。
【０２７６】
正孔輸送材料は、一種単独で用いても二種以上を併用してもよい。
【０２７７】
［電子輸送材料］
電子輸送材料は、低分子化合物と高分子化合物とに分類される。電子輸送材料は、架橋基を有していてもよい。
【０２７８】
低分子化合物としては、例えば、8-ヒドロキシキノリンを配位子とする金属錯体、オキサジアゾール、アントラキノジメタン、ベンゾキノン、ナフトキノン、アントラキノン、テトラシアノアントラキノジメタン、フルオレノン、ジフェニルジシアノエチレンおよびジフェノキノン、並びに、これらの誘導体が挙げられる。
【０２７９】
高分子化合物としては、例えば、ポリフェニレン、ポリフルオレン、および、これらの誘導体が挙げられる。高分子化合物は、金属でドープされていてもよい。
【０２８０】
本発明の組成物において、電子輸送材料の配合量は、本発明の金属錯体100重量部に対して、通常、１〜400重量部であり、好ましくは５〜150重量部である。
【０２８１】
電子輸送材料は、一種単独で用いても二種以上を併用してもよい。
【０２８２】
［正孔注入材料および電子注入材料］
正孔注入材料および電子注入材料は、各々、低分子化合物と高分子化合物とに分類される。正孔注入材料および電子注入材料は、架橋基を有していてもよい。
【０２８３】
低分子化合物としては、例えば、銅フタロシアニン等の金属フタロシアニン；カーボン；モリブデン、タングステン等の金属酸化物；フッ化リチウム、フッ化ナトリウム、フッ化セシウム、フッ化カリウム等の金属フッ化物が挙げられる。
【０２８４】
高分子化合物としては、例えば、ポリアニリン、ポリチオフェン、ポリピロール、ポリフェニレンビニレン、ポリチエニレンビニレン、ポリキノリンおよびポリキノキサリン、並びに、これらの誘導体；芳香族アミン構造を主鎖または側鎖に含む重合体等の導電性高分子が挙げられる。
【０２８５】
本発明の組成物において、正孔注入材料および電子注入材料の配合量は、各々、本発明の金属錯体100重量部に対して、通常、１〜400重量部であり、好ましくは５〜150重量部である。
【０２８６】
正孔注入材料および電子注入材料は、各々、一種単独で用いても二種以上を併用してもよい。
【０２８７】
［イオンドープ］
正孔注入材料または電子注入材料が導電性高分子を含む場合、導電性高分子の電気伝導度は、好ましくは、１×10-5S/cm〜１×103S/cmである。導電性高分子の電気伝導度をかかる範囲とするために、導電性高分子に適量のイオンをドープすることができる。
【０２８８】
ドープするイオンの種類は、正孔注入材料であればアニオン、電子注入材料であればカチオンである。アニオンとしては、例えば、ポリスチレンスルホン酸イオン、アルキルベンゼンスルホン酸イオン、樟脳スルホン酸イオンが挙げられる。カチオンとしては、例えば、リチウムイオン、ナトリウムイオン、カリウムイオン、テトラブチルアンモニウムイオンが挙げられる。
【０２８９】
ドープするイオンは、一種単独で用いても二種以上を併用してもよい。
【０２９０】
［発光材料］
発光材料（本発明の金属錯体とは異なる。）は、低分子化合物と高分子化合物とに分類される。発光材料は、架橋基を有していてもよい。
【０２９１】
低分子化合物としては、例えば、ナフタレンおよびその誘導体、アントラセンおよびその誘導体、ペリレンおよびその誘導体、並びに、イリジウム、白金またはユーロピウムを中心金属とする三重項発光錯体が挙げられる。
【０２９２】
高分子化合物としては、例えば、フェニレン基、ナフタレンジイル基、アントラセンジイル基、フルオレンジイル基、フェナントレンジイル基、ジヒドロフェナントレンジイル基、式(X)で表される基、カルバゾールジイル基、フェノキサジンジイル基、フェノチアジンジイル基、アントラセンジイル基、ピレンジイル基等を含む高分子化合物が挙げられる。
【０２９３】
発光材料は、好ましくは、三重項発光錯体および高分子化合物を含む。
【０２９４】
三重項発光錯体としては、例えば、以下に示す金属錯体が挙げられる。
【０２９５】
【化８４】
2015174824.tif 000088
【０２９６】
【化８５】
2015174824.tif 000089
【０２９７】
本発明の組成物において、発光材料の含有量は、本発明の金属錯体100重量部に対して、通常、0.1〜400重量部である。
【０２９８】
［酸化防止剤］
酸化防止剤は、本発明の金属錯体と同じ溶媒に可溶であり、発光および電荷輸送を阻害しない化合物であればよく、例えば、フェノール系酸化防止剤、リン系酸化防止剤が挙げられる。
【０２９９】
本発明の組成物において、酸化防止剤の配合量は、本発明の金属錯体100重量部に対して、通常、0.001〜10重量部である。
【０３００】
酸化防止剤は、一種単独で用いても二種以上を併用してもよい。
【０３０１】
＜膜＞
膜は、本発明の金属錯体を含有する。
【０３０２】
膜には、本発明の金属錯体を架橋により溶媒に対して不溶化させた、不溶化膜も含まれる。不溶化膜は、本発明の金属錯体を加熱、光照射等の外部刺激により架橋させて得られる膜である。不溶化膜は、溶媒に実質的に不溶であるので、発光素子の積層化に好適に使用することができる。
【０３０３】
膜を架橋させるための加熱の温度は、通常、25〜300℃であり、外部量子効率が優れるので、好ましくは50〜250℃であり、より好ましくは150〜200℃である。
【０３０４】
膜を架橋させるための光照射に用いられる光の種類は、例えば、紫外光、近紫外光、可視光である。
【０３０５】
膜は、発光素子における正孔輸送層または正孔注入層として好適である。
【０３０６】
膜は、インクを用いて、例えば、スピンコート法、キャスティング法、マイクログラビアコート法、グラビアコート法、バーコート法、ロールコート法、ワイヤーバーコート法、ディップコート法、スプレーコート法、スクリーン印刷法、フレキソ印刷法、オフセット印刷法、インクジェット印刷法、キャピラリ−コート法、ノズルコート法により作製することができる。
【０３０７】
膜の厚さは、通常、１ｎｍ〜10μｍである。
【０３０８】
＜発光素子＞
本発明の発光素子は、本発明の金属錯体を用いて得られる発光素子であり、本発明の金属錯体が分子内または分子間で架橋されたものであってもよく、本発明の金属錯体が分子内および分子間で架橋されたものであってもよい。
本発明の発光素子の構成としては、例えば、陽極および陰極からなる電極と、該電極間に設けられた本発明の金属錯体を用いて得られる層とを有する。
【０３０９】
［層構成］
本発明の金属錯体を用いて得られる層は、通常、発光層、正孔輸送層、正孔注入層、電子輸送層、電子注入層の１種以上の層であり、好ましくは、発光層である。これらの層は、各々、発光材料、正孔輸送材料、正孔注入材料、電子輸送材料、電子注入材料を含む。これらの層は、各々、発光材料、正孔輸送材料、正孔注入材料、電子輸送材料、電子注入材料を、上述した溶媒に溶解させ、インクを調製して用い、上述した膜の作製と同じ方法を用いて形成することができる。
【０３１０】
発光素子は、陽極と陰極の間に発光層を有する。本発明の発光素子は、正孔注入性および正孔輸送性の観点からは、陽極と発光層との間に、正孔注入層および正孔輸送層の少なくとも１層を有することが好ましく、電子注入性および電子輸送性の観点からは、陰極と発光層の間に、電子注入層および電子輸送層の少なくとも１層を有することが好ましい。
【０３１１】
正孔輸送層、電子輸送層、発光層、正孔注入層および電子注入層の材料としては、本発明の金属錯体の他、各々、上述した正孔輸送材料、電子輸送材料、発光材料、正孔注入材料および電子注入材料等が挙げられる。
【０３１２】
正孔輸送層の材料、電子輸送層の材料および発光層の材料は、発光素子の作製において、各々、正孔輸送層、電子輸送層および発光層に隣接する層の形成時に使用される溶媒に溶解する場合、該溶媒に該材料が溶解することを回避するために、該材料が架橋基を有することが好ましい。架橋基を有する材料を用いて各層を形成した後、該架橋基を架橋させることにより、該層を不溶化させることができる。
【０３１３】
本発明の発光素子において、発光層、正孔輸送層、電子輸送層、正孔注入層、電子注入層等の各層の形成方法としては、低分子化合物を用いる場合、例えば、粉末からの真空蒸着法、溶液または溶融状態からの成膜による方法が挙げられ、高分子化合物を用いる場合、例えば、溶液または溶融状態からの成膜による方法が挙げられる。
【０３１４】
積層する層の順番、数および厚さは、外部量子効率および輝度寿命を勘案して調整する。
【０３１５】
［基板/電極］
発光素子における基板は、電極を形成することができ、かつ、有機層を形成する際に化学的に変化しない基板であればよく、例えば、ガラス、プラスチック、シリコン等の材料からなる基板である。不透明な基板の場合には、基板から最も遠くにある電極が透明または半透明であることが好ましい。
【０３１６】
陽極の材料としては、例えば、導電性の金属酸化物、半透明の金属が挙げられ、好ましくは、酸化インジウム、酸化亜鉛、酸化スズ；インジウム・スズ・オキサイド(ITO)、インジウム・亜鉛・オキサイド等の導電性化合物；銀とパラジウムと銅との複合体(APC)；NESA、金、白金、銀、銅である。
【０３１７】
陰極の材料としては、例えば、リチウム、ナトリウム、カリウム、ルビジウム、セシウム、ベリリウム、マグネシウム、カルシウム、ストロンチウム、バリウム、アルミニウム、亜鉛、インジウム等の金属；それらのうち２種以上の合金；それらのうち１種以上と、銀、銅、マンガン、チタン、コバルト、ニッケル、タングステン、錫のうち１種以上との合金；並びに、グラファイトおよびグラファイト層間化合物が挙げられる。合金としては、例えば、マグネシウム−銀合金、マグネシウム−インジウム合金、マグネシウム−アルミニウム合金、インジウム−銀合金、リチウム−アルミニウム合金、リチウム−マグネシウム合金、リチウム−インジウム合金、カルシウム−アルミニウム合金が挙げられる。
陽極および陰極は、各々、２層以上の積層構造としてもよい。
【０３１８】
［用途］
発光素子を用いて面状の発光を得るためには、面状の陽極と陰極が重なり合うように配置すればよい。パターン状の発光を得るためには、面状の発光素子の表面にパターン状の窓を設けたマスクを設置する方法、非発光部にしたい層を極端に厚く形成し実質的に非発光とする方法、陽極もしくは陰極、または、両方の電極をパターン状に形成する方法がある。これらのいずれかの方法でパターンを形成し、いくつかの電極を独立にON/OFFできるように配置することにより、数字、文字等を表示できるセグメントタイプの表示装置が得られる。ドットマトリックス表示装置とするためには、陽極と陰極を共にストライプ状に形成して直交するように配置すればよい。複数の種類の発光色の異なる高分子化合物を塗り分ける方法、カラーフィルターまたは蛍光変換フィルターを用いる方法により、部分カラー表示、マルチカラー表示が可能となる。ドットマトリックス表示装置は、パッシブ駆動も可能であるし、TFT等と組み合わせてアクティブ駆動も可能である。これらの表示装置は、コンピュータ、テレビ、携帯端末等のディスプレイに用いることができる。面状の発光素子は、液晶表示装置のバックライト用の面状光源、または、面状の照明用光源として好適に用いることができる。フレキシブルな基板を用いれば、曲面状の光源および表示装置としても使用できる。
【実施例】
【０３１９】
以下、実施例によって本発明を更に詳細に説明するが、本発明はこれらの実施例に限定されるものではない。
【０３２０】
実施例において、高分子化合物のポリスチレン換算の数平均分子量(Mn)およびポリスチレン換算の重量平均分子量(Mw)は、サイズエクスクルージョンクロマトグラフィー(SEC)（島津製作所製、商品名：LC-10Avp）により求めた。なお、SECの測定条件は、次のとおりである。
【０３２１】
［測定条件］
測定する高分子化合物を約0.05重量％の濃度でTHFに溶解させ、SECに10μＬ注入した。SECの移動相としてTHFを用い、2.0mL/分の流量で流した。カラムとして、PLgel MIXED-B（ポリマーラボラトリーズ製）を用いた。検出器にはUV-VIS検出器（島津製作所製、商品名：SPD-10Avp）を用いた。
【０３２２】
液体クロマトグラフ質量分析(LC-MS)は、下記の方法で行った。
測定試料を約２mg/mLの濃度になるようにクロロホルムまたはTHFに溶解させ、LC-MS（アジレントテクノロジー製、商品名：1100LCMSD）に約１μＬ注入した。LC-MSの移動相には、アセトニトリルおよびTHFの比率を変化させながら用い、0.2mL/分の流量で流した。カラムは、L-column 2 ODS（３μｍ）（化学物質評価研究機構製、内径：2.1mm、長さ：100mm、粒径３μｍ）を用いた。
【０３２３】
ＮＭＲの測定は、下記の方法で行った。
５〜１０mgの測定試料を約０．５ｍＬの重クロロホルム（ＣＤＣｌ３−ｄ１）、重テトラヒドロフラン（ＴＨＦ−ｄ８）または重アセトン（（ＣＤ３）２ＣＯ−ｄ６）に溶解させ、ＮＭＲ装置（バリアン（Ｖａｒｉａｎ，Ｉｎｃ）製、商品名：ＭＥＲＣＵＲＹ  ３００）または、ＮＭＲ装置（ブルカー（Ｂｒｕｋｅｒ  ｃｏｒｐｏｒａｔｉｏｎ）製、商品名：Ａｖａｎｃｅ  ＩＩＩ  ６００）を用いて測定した。
【０３２４】
化合物の純度の指標として、高速液体クロマトグラフィー(HPLC)面積百分率の値を用いた。この値は、特に記載がない限り、HPLC（島津製作所製、商品名：LC-20A）での254nmにおける値とする。この際、測定する化合物は、0.01〜0.2重量％の濃度になるようにTHFまたはクロロホルムに溶解させ、HPLCに、濃度に応じて１〜10μＬ注入した。HPLCの移動相には、アセトニトリルおよびTHFを用い、１mL/分の流速で、アセトニトリル/THF＝100/０〜０/100（容積比）のグラジエント分析で流した。カラムは、Kaseisorb LC ODS 2000（東京化成工業製）または同等の性能を有するODSカラムを用いた。検出器には、フォトダイオードアレイ検出器（島津製作所製、商品名：SPD-M20A）を用いた。
【０３２５】
＜合成例１＞  単量体ＣＭ１〜ＣＭ７の合成
高分子化合物Ｐ１およびP２の合成において用いた単量体ＣＭ１〜ＣＭ７の構造を下記に示す。
単量体ＣＭ１は、特開２０１１-１７４０６２号公報に記載の方法に従って合成した。
単量体ＣＭ２は、国際公開第２００５／０４９５４６号に記載の方法に従って合成した。
単量体ＣＭ３は、市販の材料を用いた。
単量体ＣＭ４は、特開２００８−１０６２４１号公報に記載の方法に従って合成した。
単量体ＣＭ５は、特開２０１０―１８９６３０号公報に記載の方法に従って合成した。
単量体ＣＭ６および単量体ＣＭ７は、国際公開第２０１３／１９１０８８号に記載の方法に従って合成した。
【０３２６】
【化８６】
2015174824.tif 000090
【０３２７】
＜合成例２＞  高分子化合物Ｐ１の合成
高分子化合物Ｐ１は、下記表４に示す単量体混合物Ｐ１ａを用いて、特開２０１２−１４４７２２号公報に記載の方法に従って合成した。高分子化合物Ｐ１のＭｎは７.９×１０４であり、Ｍｗは３．４×１０５であった。高分子化合物Ｐ１は、仕込み原料から求めた理論値では、それぞれの単量体から誘導される構成単位が、下記表４に示されるモル比で構成されてなる共重合体である。
【０３２８】
【表４】
2015174824.tif 000091
【０３２９】
＜合成例３＞  高分子化合物Ｐ２の合成
（工程１）
反応容器内を不活性ガス雰囲気とした後、下記表５に示す単量体混合物Ｐ２ａおよびトルエン（８４ｍＬ）を加え、８０℃に加熱した。そこへ、ジクロロビス〔トリス（２−メトキシフェニル）ホスフィン〕パラジウム（７．１１ｍｇ）および２０重量％テトラエチルアンモニウムヒドロキシド水溶液（１４．１ｇ）を加えた後、１００℃に加熱し、還流下で、４時間攪拌した。
【０３３０】
（工程２）
得られた反応液に、フェニルボロン酸（９８．５ｍｇ）、ジクロロビス〔トリス（２−メトキシフェニル）ホスフィン〕パラジウム（３．５２ｍｇ）および２０重量％テトラエチルアンモニウムヒドロキシド水溶液（１４．１ｇ）を加えた後、１００℃に加熱し、還流下で１９時間攪拌した。
【０３３１】
（工程３）
得られた反応液に、ジエチルジチアカルバミン酸ナトリウム水溶液を加え、８５℃に加熱しながら２時間撹拌した。得られた反応液を室温まで冷却し、水層を除去した後に、３．６重量％塩酸で２回、２．５重量％アンモニア水溶液で２回、イオン交換水で６回洗浄した。得られた溶液をメタノールに滴下したところ、沈澱が生じた。得られた沈殿物をろ取し、乾燥させることにより、固体を得た。得られた固体をトルエンに溶解させ、予めトルエンを通液したアルミナカラムおよびシリカゲルカラムに順番に通すことにより精製した。得られた溶液をメタノールに滴下し、撹拌したところ、沈殿が生じた。得られた沈殿物をろ取し、乾燥させることにより、高分子化合物Ｐ２（３．２１０ｇ）を得た。高分子化合物Ｐ２のＭｎは９．８×１０４であり、Ｍｗは２．７×１０５であった。高分子化合物Ｐ２は、仕込み原料から求めた理論値では、それぞれの単量体から誘導される構成単位が、下記表５に示されるモル比で構成されてなる共重合体である。
【０３３２】
【表５】
2015174824.tif 000092
【０３３３】
＜合成例４＞  金属錯体ＭＭ１の合成
【０３３４】
【化８７】
2015174824.tif 000093
【０３３５】
金属錯体ＭＭ１は、国際公開第２００６／１２１８１１号および特開２００８−３０３１５０号公報に記載の方法に準じて合成した。
【０３３６】
＜実施例１＞  金属錯体ＭＭ２の合成
【０３３７】
【化８８】
2015174824.tif 000094
【０３３８】
反応容器内をアルゴンガス雰囲気とした後、化合物Ｌ２−ａ(５．７５ｇ)、ピリジン（１２０ｍＬ）および化合物Ｌ２−ｂ（１３．５ｇ）を加え、室温で１６時間撹拌した後、得られた反応溶液を減圧濃縮することで白色固体を得た。得られた白色固体を水に加えた後、減圧ろ過することで固体を得た。得られた固体を、シリカゲルクロマトグラフィー（ジクロロメタン）で精製することにより、化合物Ｌ２−ｃ（１４．４ｇ、収率７１％、白色固体）を得た。
【０３３９】
１Ｈ−ＮＭＲ（４００ＭＨｚ、ＣＤＣｌ３）：δ（ｐｐｍ）＝８．０６（ｔ，１Ｈ），７．８３（ｄ，１Ｈ），７．６９（ｄ，１Ｈ），７．３８（ｔ，１Ｈ），７．３１（ｍ，１Ｈ），７．１７−７．１０（ｍ，３Ｈ），２．２８（ｍ，６Ｈ）．
【０３４０】
反応容器内をアルゴンガス雰囲気とした後、化合物Ｌ２−ｃ（６．８８ｇ）および五塩化リン（４．６４ｇ）を加えた。そこへ、塩化ホスホリル（６０ｍＬ）を滴下した後、加熱還流下で１６時間攪拌した。その後、室温まで冷却し、塩化ホスホリルを減圧濃縮した。その後、そこへ、２−プロパノール（６０ｍｌ）および化合物Ｌ２−ｄ（４８ｍＬ）を加え、１６時間撹拌した。その後、そこへ、１２Ｍの塩酸を滴下し、加熱還流下で２０時間攪拌した。その後、室温まで冷却し、析出した黒色固体をろ過して除いた。得られたろ液に、水酸化ナトリウム水溶液を加えてｐＨを１２程度とした後、トルエンを加えて抽出した。得られた有機層を減圧濃縮することで黒色油状物を得た。得られた黒色油状物を、シリカゲルクロマトグラフィー（酢酸エチル／ジクロロメタン）で精製することにより、化合物Ｌ２−ｅ（４．７３ｇ、収率６４％、淡黄色粉末）を得た。この作業を繰り返し行うことで、化合物Ｌ２−ｅの必要量を得た。
【０３４１】
１Ｈ−ＮＭＲ（４００ＭＨｚ、ＣＤＣｌ３）：δ（ｐｐｍ）＝７．６９（ｔ，１Ｈ），７．３６−７．２５（ｍ，３Ｈ），７．１７−７．１４（ｍ，３Ｈ），７．０３（ｔ，１Ｈ），６．９３（ｄ，１Ｈ），１．９６（ｓ．６Ｈ）．
【０３４２】
反応容器内をアルゴンガス雰囲気とした後、化合物Ｌ２−ｅ（５．７０ｇ）、化合物Ｌ２−ｆ（１６．３ｇ）、トリフェニルホスフィン（０．９１ｇ）、トルエン（３０ｍＬ）、エタノール（１５ｍＬ）、２Ｍの炭酸ナトリウム水溶液（３０ｍＬ）およびビス（トリフェニルホスフィン）パラジウム（ＩＩ）ジクロリド（０．６１ｇ）を加え、加熱還流下で１６時間攪拌した。その後、室温まで冷却し、トルエンを加えて抽出した。得られた有機層をイオン交換水で洗浄した後、減圧濃縮することで固体を得た。得られた固体を、シリカゲルクロマトグラフィー（酢酸エチル／ジクロロメタン）で精製することにより、化合物Ｌ２（９．９３ｇ、収率９９％）を得た。
【０３４３】
１Ｈ−ＮＭＲ（４００ＭＨｚ、（ＣＤ３）２ＣＯ−ｄ６）δ（ｐｐｍ）＝７．８２（ｔ，１Ｈ），７．７９（ｄｔ，１Ｈ），７．７５（ｍ，１Ｈ），７．７０（ｍ，４Ｈ），７．６０（ｍ，４Ｈ），７．５２（ｔ，１Ｈ），７．５０（ｄ，２Ｈ），７．４６（ｔ，１Ｈ），７．３０（ｄ，１Ｈ），７．２８−７．２０（ｍ，３Ｈ），７．１８（ｄ，１Ｈ），２．００（ｓ，６Ｈ），１．３９（ｓ，１８Ｈ）．
【０３４４】
【化８９】
2015174824.tif 000095
【０３４５】
反応容器内をアルゴンガス雰囲気とした後、化合物Ｌ２（１．５ｇ）、塩化イリジウム水和物（４００ｍｇ）、２−エトキシエタノール（３６ｍＬ）および水（１８ｍＬ）を加え、加熱還流下で１６時間攪拌した。その後、室温まで冷却し、得られた反応溶液を減圧濃縮した。その後、そこへ、水（２０ｍｌ）を加え、析出した黄緑色固体をろ過し、得られた固体を水とメタノールで順次洗浄した。得られた固体を減圧乾燥することで化合物ＭＭ２−ａ（１．６ｇ、黄緑色粉末）を得た。
【０３４６】
反応容器内をアルゴンガス雰囲気とした後、化合物ＭＭ２−ａ（１．６ｇ）、トリフルオロメタンスルホン酸銀（３１０ｍｇ）、ジクロロメタン（５７ｍＬ）およびメタノール（５７ｍＬ）を加え、加熱還流下で４時間攪拌した。その後、室温まで冷却し、溶媒を減圧濃縮した。その後、そこへ、ナトリウムアセチルアセトナート（０．６９ｇ）およびアセトニトリル（１００ｍＬ）を加え、加熱還流下で１６時間攪拌した。その後、室温まで冷却し、溶媒を減圧濃縮した。その後、そこへ、ジクロロメタン（１００ｍＬ）を加え、ろ過した。得られたろ液を減圧濃縮することで褐色固体を得た。得られた褐色固体を、シリカゲルカラムクロマトグラフィー（ジクロロメタン）で精製することにより、化合物ＭＭ２（０．９４ｇ、収率５７％、黄色粉末）を得た。
【０３４７】
１Ｈ−ＮＭＲ（４００ＭＨｚ、（ＣＤ３）２ＣＯ−ｄ６）：δ（ｐｐｍ）＝７．６４−７．５９（ｍ，１０Ｈ），７．５６−７．５３（ｍ，８Ｈ），７．４７（ｓ，６Ｈ），７．４２（ｄ，２Ｈ），７．３５（ｄ，４Ｈ），７．３３（ｄ，２Ｈ），７．０４（ｄｄ，２Ｈ），６．７５（ｄ，２Ｈ），６．５５（ｄ，２Ｈ），５．２９（ｓ，１Ｈ），２．２６（ｓ，６Ｈ），２．１５（ｓ，６Ｈ），１．７７（ｓ，６Ｈ），１．３７（ｓ，３６Ｈ）．
【０３４８】
＜合成例５＞  金属錯体ＭＭ３の合成
【０３４９】
【化９０】
2015174824.tif 000096
金属錯体ＭＭ３は、国際公開第２００６／１２１８１１号および米国特許出願公開第２０１１／００５７５５９号明細書に記載の方法に準じて合成した。
【０３５０】
＜実施例２＞  金属錯体ＭＭ４の合成
【０３５１】
【化９１】
2015174824.tif 000097
【０３５２】
化合物Ｌ４−ａは、米国特許出願公開第２０１１／００５７５５９号明細書に準じて合成した。
【０３５３】
反応容器内をアルゴンガス雰囲気とした後、化合物Ｌ４−ａ（９．９ｇ）、化合物Ｌ４−ｂ（１５ｇ）、２−ジシクロヘキシルホスフィノ−２’，６’−ジメトキシビフェニル（０．１１ｇ）、トリス（ジベンジリデンアセトン）ジパラジウム（０．１２ｇ）、２０重量％のテトラエチルアンモニウム水溶液（２０ｍＬ）、トルエン（２００ｍＬ）およびエタノール（５０ｍＬ）を加え、加熱還流下で１８時間攪拌した。その後、室温まで冷却し、トルエンを加え抽出した。得られた有機層を、イオン交換水を用いて洗浄した後、減圧濃縮することで固体を得た。得られた固体を、シリカゲルクロマトグラフィー（酢酸エチル／ヘキサン）で精製し、更に、トルエンおよびアセトニトリルの混合溶媒を用いて再結晶した後、減圧乾燥することで化合物Ｌ４（１７ｇ、収率９０％）を得た。
【０３５４】
【化９２】
2015174824.tif 000098
【０３５５】
反応容器内をアルゴンガス雰囲気とした後、化合物Ｌ４（１０ｇ）、塩化イリジウム水和物（２．２ｇ）、２−エトキシエタノール（１２０ｍＬ）および水（４０ｍＬ）を加え、加熱還流下で１４時間攪拌した。その後、室温まで冷却し、メタノールを加えたところ、沈殿が生じた。得られた沈殿をろ過し、得られた固体をメタノールで洗浄した後、減圧乾燥することにより、化合物ＭＭ４−ａ（１０ｇ、黄色粉末）を得た。
【０３５６】
反応容器内をアルゴンガス雰囲気とした後、化合物ＭＭ４−ａ（９．５ｇ）、トリフルオロメタンスルホン酸銀（３１ｇ）、ジクロロメタン（１００ｍＬ）およびメタノール（３０ｍＬ）を加え、室温で一晩攪拌した。析出した沈殿をろ過した後、得られたろ液を減圧濃縮した。その後、そこへ、化合物Ｌ４（７．８ｇ）、２，６−ルチジン（６．７ｍＬ）およびジエチレングリコールジメチルエーテル（１８０ｍＬ）を加え、加熱還流下で一晩攪拌した。その後、室温まで冷却し、イオン交換水およびメタノールの混合溶媒を加え、析出した沈殿をろ過した。得られた固体を、シリカゲルクロマトグラフィー（ジクロロメタン／ヘキサン）で精製し、更に、トルエンおよびアセトニトリルの混合溶媒を用いて再結晶した後、減圧乾燥することで金属錯体ＭＭ４（１．２ｇ、収率６．５％）を得た。
【０３５７】
１Ｈ−ＮＭＲ（６００ＭＨｚ、（ＣＤ３）２ＣＯ−ｄ６）δ（ｐｐｍ）＝８．０１−７．９７（ｍ，９Ｈ），７．９１（ｄ，６Ｈ），７．８１（ｄ，１２Ｈ），７．５９（ｄ，１２Ｈ），７．２５（ｓ，３Ｈ），６．９２−６．８９（ｍ，６Ｈ），６．５７（ｔ，３Ｈ），５．８７−５．８１（ｍ，６Ｈ），２．８９−２．８６（ｍ，３Ｈ），２．５２−２．４８（ｍ，３Ｈ），１．８７（ｓ，１２Ｈ），１．４２（ｓ，３６Ｈ），１．３８（ｄ，９Ｈ），１．１６（ｄ，９H），１．１２（ｄ，９Ｈ），１．０７（ｄ，９Ｈ），０．８０（５４Ｈ）．
【０３５８】
＜実施例３＞  化合物ＭＭ５の合成
【０３５９】
金属錯体ＭＭ５は、上記の金属錯体ＭＭ４の合成における化合物Ｌ−４ｂに代えて、化合物Ｌ−５ａを用いた以外は、金属錯体ＭＭ４の合成に準じて合成した。
【０３６０】
【化９３】
2015174824.tif 000099
【０３６１】
【化９４】
2015174824.tif 000100
【０３６２】
１Ｈ−ＮＭＲ（６００ＭＨｚ、ＴＨＦ−ｄ８）：δ（ｐｐｍ）＝７．８８−７．８７（ｍ，６Ｈ），７．８４（ｓ，３Ｈ），７．７５−７．７２（ｍ，６Ｈ），７．６９（ｄ，１２Ｈ），７．５２（ｄ，１２Ｈ），７．０６−７．０５（ｍ，３Ｈ），６．８６−６．８５（ｍ，３Ｈ），６．８２（ｄ，３Ｈ），６．５２−６．５０（ｍ，３Ｈ），６．３７−６．３６（ｍ，６Ｈ），２．８９−２．８５（ｍ，３Ｈ），２．５１−２．４７（ｍ，３Ｈ），１．４９（ｓ，５４Ｈ），１．３２（ｄ，９Ｈ），１．１２（ｄ，９Ｈ），１．０８（ｄ，９Ｈ），０．９９（ｄ，９Ｈ）．
【０３６３】
＜比較例ＣＤ１＞  発光素子ＣＤ１の作製および評価
（陽極および正孔注入層の形成）
ガラス基板にスパッタ法により４５ｎｍの厚みでＩＴＯ膜を付けることにより陽極を形成した。該陽極上に、ポリチオフェン・スルホン酸系の正孔注入剤であるＡＱ−１２００（Ｐｌｅｘｔｒｏｎｉｃｓ社製）をスピンコート法により３５ｎｍの厚さで成膜し、大気雰囲気下において、ホットプレート上で１７０℃、１５分間加熱することにより正孔注入層を形成した。
【０３６４】
（正孔輸送層の形成）
キシレンに、高分子化合物Ｐ１を０．７重量％の濃度で溶解させた。得られたキシレン溶液を用いて、正孔注入層の上にスピンコート法により２０ｎｍの厚さで成膜し、窒素ガス雰囲気下において、ホットプレート上で１８０℃、６０分間加熱させることにより正孔輸送層を形成した。
【０３６５】
（発光層の形成）
キシレンに、高分子化合物Ｐ２および金属錯体ＭＭ１（高分子化合物Ｐ２／金属錯体ＭＭ１＝６０重量％／４０重量％）を１．８重量％の濃度で溶解させた。得られたキシレン溶液を用いて、正孔輸送層の上にスピンコート法により７５ｎｍの厚さで成膜し、窒素ガス雰囲気下において、１３０℃、１０分間加熱させることにより発光層とした形成した。
【０３６６】
（陰極の形成）
発光層の形成した基板を蒸着機内において、１．０×１０-4Ｐａ以下にまで減圧した後、陰極として、発光層の上にフッ化ナトリウムを約４ｎｍ、次いで、フッ化ナトリウム層の上にアルミニウムを約８０ｎｍ蒸着した。蒸着後、ガラス基板を用いて封止することにより、発光素子ＣＤ１を作製した。
【０３６７】
（発光素子の評価）
発光素子ＣＤ１に電圧を印加することによりＥＬ発光が観測された。１００ｃｄ／ｍ２における駆動電圧［Ｖ］、発光スペクトルピーク波長［ｎｍ］およびＣＩＥ色度座標（ｘ、ｙ）を表６にそれぞれ示す。
【０３６８】
＜実施例Ｄ１＞  発光素子Ｄ１の作製および評価
比較例ＣＤ１における、金属錯体ＭＭ１に代えて、金属錯体ＭＭ２を用いた以外は、比較例ＣＤ１と同様にして、発光素子Ｄ１を作製した。
発光素子Ｄ１に電圧を印加することによりＥＬ発光が観測された。１００ｃｄ／ｍ２における駆動電圧［Ｖ］、発光スペクトルピーク波長［ｎｍ］およびＣＩＥ色度座標（ｘ、ｙ）を表６にそれぞれ示す。
【０３６９】
【表６】
2015174824.tif 000101
【０３７０】
＜比較例ＣＤ２＞  発光素子ＣＤ２の作製および評価
比較例ＣＤ１における、高分子化合物Ｐ２および金属錯体ＭＭ１（高分子化合物Ｐ２／金属錯体ＭＭ１＝６０重量％／４０重量％）を１．８重量％の濃度で溶解させたキシレン溶液に代えて、低分子化合物ＳＭ１（Ｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｃｅ  Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ社製、ＬＴ−Ｎ４０１３）および金属錯体ＭＭ３（低分子化合物ＳＭ１／金属錯体ＭＭ３＝７５重量％／２５重量％）を２．０重量％の濃度で溶解させたトルエン溶液を用いた以外は、比較例ＣＤ１と同様にして、発光素子ＣＤ２を作製した。
発光素子ＣＤ２に電圧を印加することによりＥＬ発光が観測された。１００ｃｄ／ｍ２における駆動電圧［Ｖ］、発光スペクトルピーク波長［ｎｍ］およびＣＩＥ色度座標（ｘ、ｙ）を表７にそれぞれ示す。
【０３７１】
【化９５】
2015174824.tif 000102
【０３７２】
＜実施例Ｄ２＞  発光素子Ｄ２の作製および評価
比較例ＣＤ２における、金属錯体ＭＭ３に代えて、金属錯体ＭＭ４を用いた以外は、比較例ＣＤ２と同様にして、発光素子Ｄ２を作製した。
発光素子Ｄ２に電圧を印加することによりＥＬ発光が観測された。１００ｃｄ／ｍ２における駆動電圧［Ｖ］、発光スペクトルピーク波長［ｎｍ］およびＣＩＥ色度座標（ｘ、ｙ）を表７にそれぞれ示す。
【０３７３】
【表７】
2015174824.tif 000103
【０３７４】
これらの結果から、本発明の金属錯体を用いた発光素子は、金属錯体ＭＭ１またはＭＭ３を用いた発光素子と比較して、駆動電圧に優れることがわかる。