(57)【要約】【課題】有機ＥＬ素子の有機ＥＬ層で発生した熱や、ＴＦＴ回路の駆動や配線抵抗による熱を効率よく外部に放出することができる有機ＥＬ表示装置を提供する。【解決手段】基板１１の一方の面１１ａ側に形成された有機ＥＬ素子４０および有機ＥＬ素子４０を区画する複数の第１バンク１６を有する有機ＥＬ素子基板１０と、透明基板２１の一方の面２１ａ側に形成された色変換層２３および透明基板２１を複数の領域に区画する複数の第２バンク２５を有する封止基板２０と、を備え、第１バンク１６と第２バンク２５とが少なくとも１箇所接続されるように、有機ＥＬ素子基板１０と封止基板２０とが対向して配置され、透明基板２１と第２バンク２５との間に補助電極２６が設けられ、補助電極２６に給電点２７が設けられた有機ＥＬ表示装置１００。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と、前記基板の一方の面に形成された有機エレクトロルミネッセンス素子と、前記基板の一方の面側に形成され前記有機エレクトロルミネッセンス素子を区画する複数の第１バンクと、を有する有機エレクトロルミネッセンス素子基板と、
透明基板と、前記透明基板の一方の面に形成された色変換層と、前記透明基板の一方の面側に形成され、前記透明基板を複数の領域に区画する複数の第２バンクと、を有する封止基板と、を備え、
前記第１バンクと前記第２バンクとが少なくとも１箇所接続されるように、前記有機エレクトロルミネッセンス素子基板と前記封止基板とが対向して配置され、
前記透明基板と前記第２バンクとの間に、金属からなる補助電極が設けられ、前記補助電極に、外部電源と接続するための給電点が設けられたことを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス表示装置。
【請求項２】
前記第１バンクおよび前記第２バンクは、熱伝導性の材料または熱放射性の材料からなることを特徴とする請求項１に記載の有機エレクトロルミネッセンス表示装置。
【請求項３】
前記第１バンクの側面に、反射膜が設けられていることを特徴とする請求項１に記載の有機エレクトロルミネッセンス表示装置。
【請求項４】
前記第２バンクの側面に、反射膜が設けられていることを特徴とする請求項１に記載の有機エレクトロルミネッセンス表示装置。
【請求項５】
前記第２バンクは、前記透明基板の一方の面に対向する第１端面と、前記第１端面に対向し、前記第１端面の面積よりも小さい面積を有する第２端面と、側面と、から構成されることを特徴とする請求項１〜４のいずれか１項に記載の有機エレクトロルミネッセンス表示装置。
【請求項６】
前記第２バンクは、前記透明基板の一方の面に対向する第１端面と、前記第１端面に対向し、前記第１端面の面積よりも大きい面積を有する第２端面と、側面と、から構成されることを特徴とする請求項１〜４のいずれか１項に記載の有機エレクトロルミネッセンス表示装置。
【請求項７】
前記第１バンクと前記第２バンクとの間に、柱状または球状の導電性スペーサーが配設されていることを特徴とする請求項１〜６のいずれか１項に記載の有機エレクトロルミネッセンス表示装置。
【請求項８】
前記第１バンクと前記第２バンクとの間に、金属細線が配設されていることを特徴とする請求項１〜６のいずれか１項に記載の有機エレクトロルミネッセンス表示装置。
【請求項９】
前記透明基板と前記第２バンクとの間に、メッシュ状の金属細線が配設されていることを特徴とする請求項１〜８のいずれか１項に記載の有機エレクトロルミネッセンス表示装置。
【請求項１０】
前記有機エレクトロルミネッセンス素子基板と前記封止基板の間に、導電性充填剤が充填された充填剤層が設けられていることを特徴とする請求項１〜９のいずれか１項に記載の有機エレクトロルミネッセンス表示装置。
【請求項１１】
基板と、前記基板の一方の面に形成された有機エレクトロルミネッセンス素子と、前記基板の一方の面側に形成され前記有機エレクトロルミネッセンス素子を区画する複数の第１バンクと、を有する有機エレクトロルミネッセンス素子基板と、
透明基板と、前記透明基板の一方の面に形成された色変換層と、前記透明基板の一方の面側に形成され、前記透明基板を複数の領域に区画する複数の第２バンクと、を有する封止基板と、を備え、
前記第１バンクと前記第２バンクとが少なくとも１箇所接続されるように、前記有機エレクトロルミネッセンス素子基板と前記封止基板とが対向して配置され、
前記第１バンクに、外部電源と接続するための給電点が設けられたことを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス表示装置。
【請求項１２】
基板と、前記基板の一方の面に形成された有機エレクトロルミネッセンス素子と、前記基板の一方の面側に形成され前記有機エレクトロルミネッセンス素子を区画する複数の第１バンクと、を有する有機エレクトロルミネッセンス素子基板と、
透明基板と、前記透明基板の一方の面に形成された色変換層と、前記透明基板の一方の面側に形成され、前記透明基板を複数の領域に区画する複数の第２バンクと、を有する封止基板と、を備え、
前記第１バンクと前記第２バンクとが少なくとも１箇所接続されるように、前記有機エレクトロルミネッセンス素子基板と前記封止基板とが対向して配置され、
前記第２バンクに、外部電源と接続するための給電点が設けられたことを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス表示装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、有機エレクトロルミネッセンス表示装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
有機エレクトロルミネッセンス（以下、「有機ＥＬ」と言うこともある。）表示装置としては、有機ＥＬ素子と、蛍光体を含む波長変換層およびカラーフィルターの少なくとも一方とを組み合わせた波長変換方式の有機ＥＬ表示装置が知られている（例えば、特許文献１参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００５−２６８０６２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
有機ＥＬ表示装置を大型化した場合、表示画面の外周部と中央部とでは、各画素に駆動電流を供給するための配線の長さが極端に異なる。そのため、抵抗の高い材料からなる配線を使用した場合、部分的に電圧降下が生じて、有機ＥＬ層の輝度の均一性が低下し、輝度ムラが発生する。特に、多くのトップエミッションタイプの有機ＥＬ表示装置では、透明陰極の抵抗値が金属膜よりも高いため、電圧降下の影響が大きくなる。
【０００５】
また、有機ＥＬ表示装置では、有機ＥＬ層で発生した熱や、ＴＦＴ駆動や配線抵抗による熱が装置の内部に滞留し、その熱を効率よく装置の外部に放出できない。有機ＥＬ素子は、熱に弱く、高温で動作させると寿命の低下や発光ムラ、素子自体の破壊が生じることがある。そのため、有機ＥＬ素子から発生した熱や、ＴＦＴ駆動時に発生した熱を取り除く必要がある。
また、波長変換方式の有機ＥＬ表示装置では、有機ＥＬ層や波長変換層から発光する光が、それぞれの層内において、その厚み方向と垂直な方向に導波することにより光の損失が起こるため、光取り出し効率が低く、消費電力が高くなる。
【０００６】
本発明は、上記事情に鑑みてなされたものであって、有機エレクトロルミネッセンス素子の有機エレクトロルミネッセンス層で発生した熱や、ＴＦＴ回路の駆動や配線抵抗による熱を効率よく外部に放出することができる有機エレクトロルミネッセンス表示装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明の１つの態様の有機エレクトロルミネッセンス表示装置は、基板と、前記基板の一方の面に形成された有機エレクトロルミネッセンス素子と、前記基板の一方の面側に形成され前記有機エレクトロルミネッセンス素子を区画する複数の第１バンクと、を有する有機エレクトロルミネッセンス素子基板と、透明基板と、前記透明基板の一方の面に形成された色変換層と、前記透明基板の一方の面側に形成され、前記透明基板を複数の領域に区画する複数の第２バンクと、を有する封止基板と、を備え、前記第１バンクと前記第２バンクとが少なくとも１箇所接続されるように、前記有機エレクトロルミネッセンス素子基板と前記封止基板とが対向して配置され、前記透明基板と前記第２バンクとの間に、金属からなる補助電極が設けられ、前記補助電極に、外部電源と接続するための給電点が設けられたことを特徴とする。
【０００８】
本発明の１つの態様の有機エレクトロルミネッセンス表示装置において、前記第１バンクおよび前記第２バンクは、熱伝導性の材料または熱放射性の材料から構成されていてもよい。
【０００９】
本発明の１つの態様の有機エレクトロルミネッセンス表示装置において、前記第１バンクの側面に、反射膜が設けられていてもよい。
【００１０】
本発明の１つの態様の有機エレクトロルミネッセンス表示装置において、前記第２バンクの側面に、反射膜が設けられていてもよい。
【００１１】
本発明の１つの態様の有機エレクトロルミネッセンス表示装置において、前記第２バンクは、前記透明基板の一方の面に対向する第１端面と、前記第１端面に対向し、前記第１端面の面積よりも小さい面積を有する第２端面と、側面と、から構成されていてもよい。
【００１２】
本発明の１つの態様の有機エレクトロルミネッセンス表示装置において、前記第２バンクは、前記透明基板の一方の面に対向する第１端面と、前記第１端面に対向し、前記第１端面の面積よりも大きい面積を有する第２端面と、側面と、から構成されていてもよい。
【００１３】
本発明の１つの態様の有機エレクトロルミネッセンス表示装置において、前記第１バンクと前記第２バンクとの間に、柱状または球状の導電性スペーサーが配設されていてもよい。
【００１４】
本発明の１つの態様の有機エレクトロルミネッセンス表示装置において、前記第１バンクと前記第２バンクとの間に、金属細線が配設されていてもよい。
【００１５】
本発明の１つの態様の有機エレクトロルミネッセンス表示装置において、前記透明基板と前記第２バンクとの間に、メッシュ状の金属細線が配設されていてもよい。
【００１６】
本発明の１つの態様の有機エレクトロルミネッセンス表示装置において、前記有機エレクトロルミネッセンス素子基板と前記封止基板の間に、導電性充填剤が充填された充填剤層が設けられていてもよい。
【００１７】
本発明の１つの態様の有機エレクトロルミネッセンス表示装置は、基板と、前記基板の一方の面に形成された有機エレクトロルミネッセンス素子と、前記基板の一方の面側に形成され前記有機エレクトロルミネッセンス素子を区画する複数の第１バンクと、を有する有機エレクトロルミネッセンス素子基板と、透明基板と、前記透明基板の一方の面に形成された色変換層と、前記透明基板の一方の面側に形成され、前記透明基板を複数の領域に区画する複数の第２バンクと、を有する封止基板と、を備え、前記第１バンクと前記第２バンクとが少なくとも１箇所接続されるように、前記有機エレクトロルミネッセンス素子基板と前記封止基板とが対向して配置され、前記第１バンクに、外部電源と接続するための給電点が設けられたことを特徴とする。
【００１８】
本発明の１つの態様の有機エレクトロルミネッセンス表示装置は、基板と、前記基板の一方の面に形成された有機エレクトロルミネッセンス素子と、前記基板の一方の面側に形成され前記有機エレクトロルミネッセンス素子を区画する複数の第１バンクと、を有する有機エレクトロルミネッセンス素子基板と、透明基板と、前記透明基板の一方の面に形成された色変換層と、前記透明基板の一方の面側に形成され、前記透明基板を複数の領域に区画する複数の第２バンクと、を有する封止基板と、を備え、前記第１バンクと前記第２バンクとが少なくとも１箇所接続されるように、前記有機エレクトロルミネッセンス素子基板と前記封止基板とが対向して配置され、前記第２バンクに、外部電源と接続するための給電点が設けられたことを特徴とする。
【発明の効果】
【００１９】
本発明によれば、有機エレクトロルミネッセンス素子の有機エレクトロルミネッセンス層で発生した熱や、ＴＦＴ回路の駆動や配線抵抗による熱を効率よく外部に放出することができる有機エレクトロルミネッセンス表示装置を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００２０】
【図１】（Ａ）は、本発明の第１実施形態である有機ＥＬ表示装置の概略構成を示す断面図、（Ｂ）は、有機ＥＬ素子の概略構成を示す図。
【図２】本発明の第１実施形態である有機ＥＬ表示装置を示す上面図。
【図３】本発明の第２実施形態である有機ＥＬ表示装置の概略構成を示す断面図。
【図４】本発明の第３実施形態である有機ＥＬ表示装置の概略構成を示す断面図。
【図５】本発明の第４実施形態である有機ＥＬ表示装置の概略構成を示す断面図。
【図６】本発明の第５実施形態である有機ＥＬ表示装置の概略構成を示す断面図。
【図７】本発明の第６実施形態である有機ＥＬ表示装置の概略構成を示す断面図。
【図８】本発明の第７実施形態である有機ＥＬ表示装置の概略構成を示す断面図。
【図９】本発明の第８実施形態である有機ＥＬ表示装置の概略構成を示す断面図。
【図１０】本発明の第９実施形態である有機ＥＬ表示装置の概略構成を示す断面図。
【図１１】本発明の第１０実施形態である有機ＥＬ表示装置の概略構成を示す断面図。
【発明を実施するための形態】
【００２１】
本発明の有機エレクトロルミネッセンス表示装置の実施の形態について説明する。
なお、本実施の形態は、発明の趣旨をより良く理解させるために具体的に説明するものであり、特に指定のない限り、本発明を限定するものではない。
【００２２】
［第１実施形態］
図１（Ａ）は、本発明の第１実施形態である有機ＥＬ表示装置の概略構成を示す断面図である。図１（Ｂ）は、有機ＥＬ素子の概略構成を示す図である。
図１（Ａ）に示すように、本実施形態の有機ＥＬ表示装置１００は、有機ＥＬ素子基板１０と、封止基板（波長変換基板）２０と、有機ＥＬ素子基板１０と封止基板２０との間に設けられた充填層３０と、を備え、アクティブ駆動方式で駆動されるトップエミッションタイプの有機ＥＬ表示装置である。
【００２３】
有機ＥＬ素子基板１０は、基板１１、ＴＦＴ（薄膜トランジスタ）回路１２、有機ＥＬ素子（有機発光素子）４０を主として構成されており、ＴＦＴ回路１２を備えた基板１１上に複数の有機ＥＬ素子４０が設けられている。
【００２４】
封止基板（波長変換基板）２０は、透明基板２１、カラーフィルター層（色調整層）２２および色変換層（波長変換層）２３を主として構成されており、透明基板２１の一面２１ａ側に、Ｒ，Ｇ，Ｂの各サブ画素Ｓに対応したカラーフィルター層（色調整層）２２および色変換層２３が設けられている。
【００２５】
本実施形態の有機ＥＬ表示装置１００は、光源である有機ＥＬ素子４０から発光された光が、色変換層２３およびカラーフィルター層２２へと入射することで、赤色、緑色、青色の三色の光として波長変換基板２０の外側（観測者側）へと射出されるようになっている。
【００２６】
図１（Ｂ）に示すように、有機ＥＬ素子４０は、有機ＥＬ層４１が第１電極４２と第２電極４３とにより挟持されて構成されている。図１（Ａ）に示すように、第１電極４２は、層間絶縁膜１３および平坦化膜１４を貫通して設けられたコンタクトホール１２ｂにより、ＴＦＴ回路１２の１つに接続されている。第２電極４３は、層間絶縁膜１３、平坦化膜１４を貫通して設けられた不図示の配線によりＴＦＴ回路１２の１つに接続されている。
【００２７】
図２は、有機ＥＬ表示装置１００を示す上面図である。
図２に示すように、本実施形態の有機ＥＬ表示装置１００は、複数の画素２４を有している。各画素２４は、赤色光（Ｒ）、緑色光（Ｇ）、青色光（Ｂ）のそれぞれに対応する３つのサブ画素Ｓ（赤色画素部Ｓ（Ｒ）、緑色画素部Ｓ（Ｇ）、青色画素部Ｓ（Ｂ））から構成されている。
【００２８】
赤色画素部Ｓ（Ｒ）、緑色画素部Ｓ（Ｇ）、青色画素部Ｓ（Ｂ）は、ｙ軸に沿ってストライプ状に延長され、ｘ軸に沿って赤色画素部Ｓ（Ｒ）、緑色画素部Ｓ（Ｇ）、青色画素部Ｓ（Ｂ）が順に配置された、２次元的なストライプ配列とされている。
【００２９】
なお、図２に示す例では、ＲＧＢの各サブ画素（赤色画素部Ｓ（Ｒ）、緑色画素部Ｓ（Ｇ）、青色画素部Ｓ（Ｂ））がストライプ配列された例を示しているが、本実施形態はこれに限定されず、ＲＧＢの各サブ画素（赤色画素部Ｓ（Ｒ）、緑色画素部Ｓ（Ｇ）、青色画素部Ｓ（Ｂ））の配列はモザイク配列、デルタ配列等、従来公知のＲＧＢ画素配列とすることもできる。
【００３０】
「有機ＥＬ素子基板」
有機ＥＬ素子基板１０は、図１（Ａ）に示すように、アクティブマトリクス基板１５と、アクティブマトリクス基板１５上に設けられた複数の有機ＥＬ素子４０と、第１バンク１６と、封止層１７とを有して構成されている。アクティブマトリクス基板１５は、基板１１、基板１１上に形成されたＴＦＴ回路１２、層間絶縁膜１３および平坦化膜１４を有する。
【００３１】
基板１１上には、ＴＦＴ回路１２および各種配線（図示略）が形成され、さらに、基板１１の上面およびＴＦＴ回路１２を覆うように層間絶縁膜１３と平坦化膜１４が順次積層形成されている。
【００３２】
基板１１としては、例えば、ガラス、石英等からなる無機材料基板、ポリエチレンテレフタレート、ポリカルバゾール、ポリイミド等からなるプラスチック基板、アルミナ等からなるセラミックス基板等の絶縁性基板、アルミニウム（Ａｌ）、鉄（Ｆｅ）等からなる金属基板、これらの基板上に酸化シリコン（ＳｉＯ２）等の有機絶縁材料等からなる絶縁物を表面にコーティングした基板、または、アルミニウム等からなる金属基板の表面を陽極酸化等の方法で絶縁化処理を施した基板等が挙げられるが、本実施形態はこれらに限定されない。
【００３３】
ＴＦＴ回路１２は、有機ＥＬ素子４０を形成する前に、予め基板１１上に形成され、スイッチング用および駆動用として機能する。ＴＦＴ回路１２としては、従来公知のＴＦＴ回路を用いることができる。また、本実施形態においては、スイッチング用および駆動用素子としてＴＦＴの代わりに金属−絶縁体−金属（ＭＩＭ）ダイオードを用いることもできる。
【００３４】
ＴＦＴ回路１２は、公知の材料、構造および形成方法を用いて形成することができる。ＴＦＴ回路１２の活性層の材料としては、例えば、非晶質シリコン（アモルファスシリコン）、多結晶シリコン（ポリシリコン）、微結晶シリコン、セレン化カドミウム等の無機半導体材料、酸化亜鉛、酸化インジウム−酸化ガリウム−酸化亜鉛等の酸化物半導体材料または、ポリチオフェン誘導体、チオフエンオリゴマー、ポリ（ｐ−フェリレンビニレン）誘導体、ナフタセン、ペンタセン等の有機半導体材料が挙げられる。また、ＴＦＴ回路１２の構造としては、例えば、スタガ型、逆スタガ型、トップゲート型、コプレーナ型が挙げられる。
【００３５】
本実施形態で用いられるＴＦＴ回路１２のゲート絶縁膜は、公知の材料を用いて形成することができる。例えば、プラズマ誘起化学気相成長（ＰＥＣＶＤ）法、減圧化学気相成長（ＬＰＣＶＤ）法等により形成されたＳｉＯ２またはポリシリコン膜を熱酸化して得られるＳｉＯ２等が挙げられる。また、本実施形態で用いられるＴＦＴ回路１２の信号電極線、走査電極線、共通電極線、第１駆動電極および第２駆動電極は、公知の材料を用いて形成することができ、例えば、タンタル（Ｔａ）、アルミニウム（Ａｌ）、銅（Ｃｕ）等が挙げられる。
【００３６】
層間絶縁膜１３は、公知の材料を用いて形成することができ、例えば、その材料としては、酸化シリコン（ＳｉＯ２）、窒化シリコン（ＳｉＮ、または、Ｓｉ２Ｎ４）、酸化タンタル（ＴａＯ、または、Ｔａ２Ｏ５）等の無機材料、または、アクリル樹脂、レジスト材料等の有機材料等が挙げられる。
【００３７】
層間絶縁膜１３の形成方法としては、化学気相成長（ＣＶＤ）法、真空蒸着法等のドライプロセス、スピンコート法等のウエットプロセスが挙げられる。また、必要に応じてフォトリソグラフィー法等によりパターニングすることもできる。
【００３８】
平坦化膜１４は、ＴＦＴ回路１２の表面の凸凹により有機ＥＬ素子４０の欠陥（例えば、画素電極の欠損、有機ＥＬ層の欠損、対向電極の断線、画素電極と対向電極の短絡、耐圧の低下等）等が発生することを防止するために設けられる。なお、平坦化膜１４は省略することも可能である。
【００３９】
平坦化膜１４は、公知の材料を用いて形成することができ、例えば、酸化シリコン、窒化シリコン、酸化タンタル等の無機材料、ポリイミド樹脂、アクリル樹脂、レジスト材料等の有機材料等が挙げられる。平坦化膜１４の形成方法としては、ＣＶＤ法、真空蒸着法等のドライプロセス、スピンコート法等のウエットプロセスが挙げられるが、本実施形態はこれらの材料および形成方法に限定されない。また、平坦化膜１４は、単層構造でも多層構造でもよい。
【００４０】
第１バンク１６は、有機ＥＬ素子４０の周囲を取り囲み、各サブ画素Ｓを区画するようにして形成されている。第１バンク１６は、基板１１の一方の面１１ａ上の少なくとも各サブ画素Ｓ間に形成され、第１電極４２と第２電極４３との間でリークを起こすことを防止する。
【００４１】
具体的に、第１バンク１６は、基板１１に対向する第１端面１６ａと、第１端面１６ａに対向して第１端面１６ａの面積よりも小さい面積を有する第２端面１６ｂと、側面１６ｃと、を有した順テーパー形状となっている。ここで、「順テーパー形状」とは、基板１１から離れる方向に断面形状が細くなるテーパー形状のことをいう。
【００４２】
第１バンク１６は、有機ＥＬ素子４０からの光取り出し効率を考慮した白色のホワイトバンクからなる。これにより輝度が向上する。
第１バンク１６は、絶縁材料を用いて、電子線（ＥＢ）蒸着法、スパッタリング法、イオンプレーティング法、抵抗加熱蒸着法等の公知の方法により形成することができる。また、第１バンク１６は、公知のドライ法またはウェット法のフォトリソグラフィー法によりパターン化することができる。なお、第１バンク１６の形成方法は、これらの形成方法に限定されるものではない。また、第１バンク１６を構成する材料としては、特に限定されないが、公知の材料が用いられる。例えば、平坦化膜１４と同様の材料を用いることも可能である。
【００４３】
第１バンク１６は、第１電極４２と第２電極４３との絶縁性を十分に確保することのできる膜厚を有する。第１バンク１６の膜厚としては、例えば、１００ｎｍ〜２０００ｎｍであることが好ましい。第１バンク１６の膜厚が１００ｎｍ未満であると、絶縁性が十分ではなく、第１電極４２と第２電極４３との間でリークが起こり、消費電力の上昇、非発光の原因となる。一方、第１バンク１６の膜厚が２０００ｎｍを超えると、成膜プロセスに時間がかかるため生産性の悪化が懸念される。
【００４４】
第１バンク１６は、その全体または表面（第１端面１６ａ、第２端面１６ｂ、側面１６ｃ）が熱伝導性の材料または熱放射性の材料からなることが好ましい。
【００４５】
熱伝導性の材料または熱放射性の材料としては、アルミニウム（Ａｌ、２３５Ｗ／ｍ・Ｋ）、銅（Ｃｕ、４０１Ｗ／ｍ・Ｋ）、銀（Ａｇ、４２８Ｗ／ｍ・Ｋ）、金（Ａｕ、３１８Ｗ／ｍ・Ｋ）、錫（Ｓｎ）、チタン（Ｔｉ）、鉄（Ｆｅ）、亜鉛（Ｚｎ）、モリブデン（Ｍｏ）、ニッケル（Ｎｉ）等の金属、銅合金、リン青銅、ステンレス、金合金、ニッケル合金、鉄合金等の合金、酸化アルミニウム（Ａｌ２Ｏ３、４６Ｗ／ｍ・Ｋ）、二酸化ケイ素（ＳｉＯ２、８．３８Ｗ／ｍ・Ｋ）、酸化チタン（ＴｉＯ２、８．３８Ｗ／ｍ・Ｋ）、酸化マグネシウム（ＭｇＯ、６０Ｗ／ｍ・Ｋ）、炭化ケイ素（ＳｉＣ、８．Ｗ／ｍ・Ｋ）等の金属酸化物等が挙げられる。
なお、上記の数値は、それぞれの材料の熱伝導率（Ｗ／ｍ・Ｋ）を示している。また、第１バンク１６に用いられる絶縁材料である、アクリル樹脂の熱伝導率は０．２Ｗ／ｍ・Ｋ、ポリイミド樹脂の熱伝導率は０．３Ｗ／ｍ・Ｋである。
【００４６】
第１バンク１６の表面が熱伝導性の材料または熱放射性の材料からなる場合、第１バンク１６の表面に、熱伝導性の材料または熱放射性の材料からなる薄膜が設けられる。
第１バンク１６の表面に熱伝導性の材料または熱放射性の材料からなる薄膜を形成する方法としては、上記の熱伝導性の材料または熱放射性の材料を用い、例えば、化学気相成長（ＣＶＤ）法、真空蒸着法等のドライプロセス、スピンコート法等のウエットプロセスが挙げられる。
【００４７】
第１バンク１６は、第１電極４２と第２電極４３との絶縁性を十分に確保することのできる膜厚を有する。第１バンク１６の膜厚としては、例えば、１００ｎｍ〜２０００ｎｍであることが好ましい。第１バンク１６の膜厚が１００ｎｍ未満であると、絶縁性が十分ではなく、第１電極４２と第２電極４３との間でリークが起こり、消費電力の上昇、非発光の原因となる。一方、第１バンク１６の膜厚が２０００ｎｍを超えると、成膜プロセスに時間がかかるため生産性の悪化が懸念される。
【００４８】
有機ＥＬ素子４０は、第１電極４２、有機ＥＬ層４１、第２電極４３を有する。
第１電極４２および第２電極４３は、有機ＥＬ素子４０の陽極または陰極として対で機能する。
図１（Ａ）、（Ｂ）および以下の説明においては、第１電極４２が陽極、第２電極４３が陰極の場合を例に説明する。
【００４９】
第１電極４２および第２電極４３は、従来の電極材料を用いて形成することができる。
第１電極４２は、例えば、有機ＥＬ層４１に電子を効率良く注入するために、Ｃａ／ＡｌやＣｅ／Ａｌ、Ｃｓ／Ａｌ、Ｂａ／Ａｌ等の仕事関数の低い金属と安定な金属とを積層して形成するのが好ましい。また、第１電極１１は、Ｃａ：Ａｌ合金やＭｇ：Ａｇ合金、Ｌｉ：Ａｌ合金等の仕事関数の低い金属を含有する合金で形成してもよいし、ＬｉＦ／ＡｌやＬｉＦ／Ｃａ／Ａｌ、ＢａＦ２／Ｂａ／Ａｌ、ＬｉＦ／Ａｌ／Ａｇ等の薄膜の絶縁層と金属電極とを組み合わせて形成してもよい。
【００５０】
第２電極４３は、ＩＴＯやＩＤＩＸＯ、ＩＺＯ、ＧＺＯ、ＳｎＯ２等を用いて透明電極を形成することができる。第１電極４２と第２電極４３により微小共振器構造を構成する場合、第２電極４３として半透明電極を用いることが好ましい。
【００５１】
第２電極４３としては、金属の半透明電極と透明電極材料を組み合わせて用いることもできる。特に、半透明電極の材料としては、反射率と透過率の観点から、銀が好ましい。半透明電極の膜厚は、５ｎｍ〜３０ｎｍが好ましい。半透明電極の膜厚が５ｎｍ未満の場合には、光の反射が十分行えず、干渉の効果を十分得ることができない。また、半透明電極の膜厚が３０ｎｍを超える場合には、光の透過率が急激に低下することから、有機ＥＬ素子４０の輝度および発光効率が低下するおそれがある。
【００５２】
有機ＥＬ層４１は、第１電極４２と第２電極４３との間に配置され、電圧が印加されることによって発光する。有機ＥＬ層４１は、例えば、図１（Ｂ）に示すように、第１電極４２側から順に、正孔注入層４４、正孔輸送層４５、電子ブロッキング層４６、発光層４７、電子輸送層４８、電子注入層４９が設けられている（正孔注入層／正孔輸送層／電子ブロッキング層／発光層／電子輸送層／電子注入層）。本実施形態の発光層４７は、青色〜青緑色光を発光する単層構造とされている。
【００５３】
第１電極４２と第２電極４３により微小共振器構造が構成されると、第１電極４２と第２電極４３との干渉効果により、有機ＥＬ層４１の発光を正面方向（光取り出し方向）に集光することができる。その際、有機ＥＬ層４１の発光に指向性を持たせることができるため、周囲に逃げる発光損失を低減することができ、その発光効率を高めることができる。これにより、有機ＥＬ層４１で生じる発光エネルギーをより効率良く、色変換層２３側へ出射させることができ、ひいては、有機ＥＬ素子４０の正面輝度を高めることができる。
【００５４】
また、第１電極４２と第２電極４３により構成される微小共振器構造によれば、有機ＥＬ層４１の発光スペクトルを調整することも可能となり、所望の発光ピーク波長および半値幅に調整することができる。これにより、有機ＥＬ層４１の発光スペクトルを、色変換層２３中の有機蛍光色素を効果的に励起することが可能なスペクトルに制御することができる。
【００５５】
第１電極４２と第２電極４３の形成には、蒸着法やＥＢ法、ＭＢＥ法、スパッタ法等のドライプロセスを用いることもできるし、また、スピンコート法や印刷法、インクジェット法等のウエットプロセスを用いることもできる。
【００５６】
正孔注入層４４は、第１電極４２から効率良く正孔を受け取り、正孔輸送層４５へ効率良く受け渡すために設けられている。正孔注入層４４に用いられる材料のＨＯＭＯレベルは、正孔輸送層４５に用いられるＨＯＭＯレベルよりも低く、第１電極４２の仕事関数よりも高いのが好ましい。正孔注入層４４は、単層でも多層であってもよい。
【００５７】
接着用の樹脂には、例えば、ポリカーボネートやポリエステル等を用いることができる。溶剤は、材料を溶解、または、分散できればく、例えば、純水、メタノール、エタノール、ＴＨＦ、クロロホルム、キシレン、トリメチルベンゼン等を溶剤に用いることができる。
【００５８】
正孔注入層４４の材料には、有機ＥＬ素子や有機光導電体に対して一般に用いられている材料を用いることができる。例えば、無機ｐ型半導体材料や、ポルフィリン化合物、Ｎ，Ｎ'−ビス−（３−メチルフェニル）−Ｎ，Ｎ'−ビス−（フェニル）−ベンジジン（ＴＰＤ）、Ｎ，Ｎ'−ジ（ナフタレン−１−イル）−Ｎ，Ｎ'−ジフェニル−ベンジジン（ＮＰＤ）等の芳香族第三級アミン化合物、ヒドラゾン化合物、キナクリドン化合物、スチリルアミン化合物等の低分子材料、ポリアニリン（ＰＡＮＩ）、３，４−ポリエチレンジオキシチオフェン／ポリスチレンサルフォネイト（ＰＥＤＴ／ＰＳＳ）、ポリ［トリフェニルアミン誘導体］（Ｐｏｌｙ−ＴＰＤ）、ポリビニルカルバゾール（ＰＶＣｚ）等の高分子材料、ポリ（ｐ−フェニレンビニレン）前駆体（Ｐｒｅ−ＰＰＶ）、ポリ（ｐ−ナフタレンビニレン）前駆体（Ｐｒｅ−ＰＮＶ）等の高分子材料前駆体等を用いることができる。
【００５９】
正孔輸送層４５は、正孔注入層４４から効率良く正孔を受け取り、発光層４７へ効率良く受け渡すために設けられている。正孔輸送層４５に用いられる材料のＨＯＭＯレベルは、正孔注入層４４のＨＯＭＯレベルよりも高く、発光層４７のＨＯＭＯレベルよりも低いのが好ましい。正孔をより効率よく発光層４７に注入、輸送でき、発光に要する電圧の低減効果や発光効率の向上効果を得ることができるからである。
【００６０】
また、発光層４７からの電子の漏れが抑制できるように、正孔輸送層４５のＬＵＭＯレベルは発光層４７のＬＵＭＯレベルより低くするのが好ましい。そうすれば、発光層４７での発光効率を高めることができる。また、正孔輸送層４５のバンドギャップは発光層４７のバンドギャップより大きくするのが好ましい。そうすれば、発光層４７中に励起子を効果的に閉じ込めることができる。
【００６１】
正孔輸送層４５は、単層でも多層でもよく、ドライプロセスやウエットプロセスを用い、正孔注入層４４と同じようにして形成することができる。
【００６２】
電子ブロッキング層４６は、正孔注入層４４と同種の材料を用いて形成することができる。但し、その材料のＬＵＭＯレベルの絶対値は、電子ブロッキング層４６と接する発光層４７が含む正孔注入層４４の材料のＬＵＭＯレベルの絶対値より小さいのが好ましい。その理由は、電子をより効果的に発光層４７中に閉じ込めることができるからである。
電子ブロッキング層４６もまた、単層でも多層であってもよく、ドライプロセスやウエットプロセスを用い、正孔注入層４４と同じようにして形成することができる。
【００６３】
発光層４７は、以下に例示する有機発光材料のみから構成されていてもよく、発光性のドーパントとホスト材料の組み合わせから構成されていてもよく、任意に正孔輸送材料、電子輸送材料、添加剤（ドナー、アクセプター等）等を含んでいてもよい。また、これらの各材料が高分子材料（接着用樹脂）または無機材料中に分散された構成であってもよい。発光効率および耐久性の観点からは、発光層４７の材質は、ホスト材料中に発光性のドーパントが分散されたものが好ましい。
【００６４】
有機発光材料としては、有機ＥＬ素子向けの公知の発光材料を用いることができる。
このような発光材料は、低分子発光材料、高分子発光材料等に分類され、これらの具体的な化合物を以下に例示するが、本実施形態はこれらの材料に限定されない。
また、有機発光材料は、蛍光材料、燐光材料等に分類されるものでもよく、低消費電力化の観点から、発光効率の高い燐光材料を用いることが好ましい。
【００６５】
発光層４７に用いられる低分子発光材料（ホスト材料を含む）としては、４，４’−ビス（２，２’−ジフェニルビニル）−ビフェニル（ＤＰＶＢｉ）等の芳香族ジメチリデン化合物；５−メチル−２−［２−［４−（５−メチル−２−ベンゾオキサゾリル）フェニル］ビニル］ベンゾオキサゾール等のオキサジアゾール化合物；３−（４−ビフェニル）−４−フェニル−５−ｔ−ブチルフェニル−１，２，４−トリアゾール（ＴＡＺ）等のトリアゾール誘導体；１，４−ビス（２−メチルスチリル）ベンゼン等のスチリルベンゼン化合物；チオピラジンジオキシド誘導体、ベンゾキノン誘導体、ナフトキノン誘導体、アントラキノン誘導体、ジフェノキノン誘導体、フルオレノン誘導体等の蛍光性有機材料；アゾメチン亜鉛錯体、（８−ヒドロキシキノリナト）アルミニウム錯体（Ａｌｑ３）等の蛍光発光有機金属錯体；ＢｅＢｑ（ビス（ベンゾキノリノラト）ベリリウム錯体）；４，４’−ビス−（２，２−ジ−ｐ−トリル−ビニル）−ビフェニル（ＤＴＶＢｉ）；トリス（１，３−ジフェニル−１，３−プロパンジオノ）（モノフェナントロリン）Ｅｕ（ＩＩＩ）（Ｅｕ（ＤＢＭ）３（Ｐｈｅｎ））；ジフェニルエチレン誘導体；トリス［４−（９−フェニルフルオレン−９−イル）フェニル］アミン（ＴＦＴＰＡ）等のトリフェニルアミン誘導体；ジアミノカルバゾール誘導体；ビススチリル誘導体；芳香族ジアミン誘導体；キナクリドン系化合物；ペリレン系化合物；クマリン系化合物；ジスチリルアリーレン誘導体（ＤＰＶＢｉ）；オリゴチオフェン誘導体（ＢＭＡ−３Ｔ）；４，４’−ジ（トリフェニルシリル）−ビフェニル（ＢＳＢ）、ジフェニル−ジ（ｏ−トリル）シラン（ＵＧＨ１）、１，４−ビストリフェニルシリルベンゼン（ＵＧＨ２）、１，３−ビス（トリフェニルシリル）ベンゼン（ＵＧＨ３）、トリフェニル−（４−（９−フェニル−９Ｈ−フルオレン−９−イル）フェニル）シラン（ＴＰＳｉ−Ｆ）等のシラン誘導体；９，９−ジ（４−ジカルバゾール−ベンジル）フルオレン（ＣＰＦ）、３，６−ビス（トリフェニルシリル）カルバゾール（ｍＣＰ）、４，４’−ビス（カルバゾール−９−イル）ビフェニル（ＣＢＰ）、４，４’−ビス（カルバゾール−９−イル）−２，２’−ジメチルビフェニル（ＣＤＢＰ）、Ｎ，Ｎ−ジカルバゾリル−３，５−ベンゼン（ｍ−ＣＰ）、３−（ジフェニルホスホリル）−９−フェニル−９Ｈ−カルバゾール（ＰＰＯ１）、３，６−ジ（９−カルバゾリル）−９−（２−エチルヘキシル）カルバゾール（ＴＣｚ１）、９，９’−（５−（トリフェニルシリル）−１，３−フェニレン）ビス（９Ｈ−カルバゾール）（ＳｉｍＣＰ）、ビス（３，５−ジ（９Ｈ−カルバゾール−９−イル）フェニル）ジフェニルシラン（ＳｉｍＣＰ２）、３−（ジフェニルホスホリル）−９−（４−ジフェニルホスホリル）フェニル）−９Ｈ−カルバゾール（ＰＰＯ２１）、２，２−ビス（４−カルバゾリルフェニル）−１，１−ビフェニル（４ＣｚＰＢＰ）、３，６−ビス（ジフェニルホスホリル）−９−フェニル−９Ｈ−カルバゾール（ＰＰＯ２）、９−（４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）−３，６−ビス（トリフェニルシリル）−９Ｈ−カルバゾール（ＣｚＳｉ）、３，６−ビス［（３，５−ジフェニル）フェニル］−９−フェニル−カルバゾール（ＣｚＴＰ）、９−（４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）−３，６−ジトリチル−９Ｈ−カルバゾール（ＣｚＣ）、９−（４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）−３，６−ビス（９−（４−メトキシフェニル）−９Ｈ−フルオレン−９−イル）−９Ｈ−カルバゾール（ＤＦＣ）、２，２’−ビス（４−カルバゾール−９−イル）フェニル）−ビフェニル（ＢＣＢＰ）、９，９’−（（２，６−ジフェニルベンゾ［１，２−ｂ：４，５−ｂ’］ジフラン−３，７−ジイル）ビス（４，１−フェニレン））ビス（９Ｈ−カルバゾール）（ＣＺＢＤＦ）等のカルバゾール誘導体；４−（ジフェニルフォスフォイル）−Ｎ，Ｎ−ジフェニルアニリン（ＨＭ−Ａ１）等のアニリン誘導体；１，３−ビス（９−フェニル−９Ｈ−フルオレン−９−イル）ベンゼン（ｍＤＰＦＢ）、１，４−ビス（９−フェニル−９Ｈ−フルオレン−９−イル）ベンゼン（ｐＤＰＦＢ）、２，７−ビス（カルバゾール−９−イル）−９，９−ジメチルフルオレン（ＤＭＦＬ−ＣＢＰ）、２−［９，９−ジ（４−メチルフェニル）−フルオレン−２−イル］−９，９−ジ（４−メチルフェニル）フルオレン（ＢＤＡＦ）、２−（９，９−スピロビフルオレン−２−イル）−９，９−スピロビフルオレン（ＢＳＢＦ）、９，９−ビス［４−（ピレニル）フェニル］−９Ｈ−フルオレン（ＢＰＰＦ）、２，２’−ジピレニル−９，９−スピロビフルオレン（Ｓｐｉｒｏ−Ｐｙｅ）、２，７−ジピレニル−９，９−スピロビフルオレン（２，２’−Ｓｐｉｒｏ−Ｐｙｅ）、２，７−ビス［９，９−ジ（４−メチルフェニル）−フルオレン−２−イル］−９，９−ジ（４−メチルフェニル）フルオレン（ＴＤＡＦ）、２，７−ビス（９，９−スピロビフルオレン−２−イル）−９，９−スピロビフルオレン（ＴＳＢＦ）、９，９−スピロビフルオレン−２−イル−ジフェニル−フォスフィンオキサイド（ＳＰＰＯ１）等のフルオレン誘導体；１，３−ジ（ピレン−１−イル）ベンゼン（ｍ−Ｂｐｙｅ）等のピレン誘導体；プロパン−２，２’−ジイルビス（４，１−フェニレン）ジベンゾエート（ＭＭＡ１）等のベンゾエート誘導体；４，４’−ビス（ジフェニルフォスフィンオキサイド）ビフェニル（ＰＯ１）、２，８−ビス（ジフェニルフォスフォリル）ジベンゾ［ｂ，ｄ］チオフェン（ＰＰＴ）等のフォスフィンオキサイド誘導体；４，４”−ジ（トリフェニルシリル）−ｐ−ターフェニル（ＢＳＴ）等のターフェニル誘導体；２，４−ビス（フェノキシ）−６−（３−メチルジフェニルアミノ）−１，３，５−トリアジン（ＢＰＭＴ）等トリアジン誘導体等が挙げられる。
【００６６】
発光層４７に用いられる高分子発光材料としては、ポリ（２−デシルオキシ−１，４−フェニレン）（ＤＯ−ＰＰＰ）、ポリ［２，５−ビス−［２−（Ｎ，Ｎ，Ｎ−トリエチルアンモニウム）エトキシ］−１，４−フェニル−アルト−１，４−フェニルレン］ジブロマイド（ＰＰＰ−ＮＥｔ３＋）、ポリ［２−（２’−エチルヘキシルオキシ）−５−メトキシ−１，４−フェニレンビニレン］（ＭＥＨ−ＰＰＶ）、ポリ［５−メトキシ−（２−プロパノキシサルフォニド）−１，４−フェニレンビニレン］（ＭＰＳ−ＰＰＶ）、ポリ［２，５−ビス−（ヘキシルオキシ）−１，４−フェニレン−（１−シアノビニレン）］（ＣＮ−ＰＰＶ）等のポリフェニレンビニレン誘導体；ポリ（９，９−ジオクチルフルオレン）（ＰＤＡＦ）等のポリスピロ誘導体；ポリ（Ｎ−ビニルカルバゾール）（ＰＶＫ）等のカルバゾール誘導体等が挙げられる。
【００６７】
有機発光材料は、低分子発光材料が好ましく、低消費電力化の観点から、発光効率の高い燐光材料を用いることが好ましい。
【００６８】
発光層４７に用いられる発光性のドーパントとしては、有機ＥＬ素子用の公知のドーパントを用いることができる。このようなドーパントとしては、紫外発光材料であれば、ｐ−クォーターフェニル、３，５，３，５−テトラ−ｔｅｒｔ−ブチルセクシフェニル、３，５，３，５−テトラ−ｔｅｒｔ−ブチル−ｐ−クィンクフェニル等の蛍光発光材料等が挙げられる。また、青色発光材料であれば、スチリル誘導体等の蛍光発光材料；ビス［（４，６−ジフルオロフェニル）−ピリジナト−Ｎ，Ｃ２’］ピコリネート  イリジウム（ＩＩＩ）（ＦＩｒｐｉｃ）、ビス（４’，６’−ジフルオロフェニルポリジナト）テトラキス（１−ピラゾイル）ボレート  イリジウム（ＩＩＩ）（ＦＩｒ６）等の燐光発光有機金属錯体等が挙げられる。また、緑色発光材料であれば、トリス（２−フェニルピリジナート）イリジウム（Ｉｒ（ｐｐｙ）３）等の燐光発光有機金属錯体等が挙げられる。
発光層４７の膜厚は、５ｎｍ〜５００ｎｍであることが好ましい。
【００６９】
電子輸送層４８の材料としては、例えば、ｎ型半導体である無機材料、オキサジアゾール誘導体、トリアゾール誘導体、チオピラジンジオキシド誘導体、ベンゾキノン誘導体、ナフトキノン誘導体、アントラキノン誘導体、ジフェノキノン誘導体、フルオレノン誘導体等の低分子材料；ポリ（オキサジアゾール）（Ｐｏｌｙ−ＯＸＺ）、ポリスチレン誘導体（ＰＳＳ）等の高分子材料が挙げられる。
【００７０】
電子注入層４９は、第２電極４３から効率良く電子を受け取り、電子輸送層４８へ効率良く受け渡すために設けられている。電子注入層４９の材料としては、例えば、フッ化リチウム（ＬｉＦ）やフッ化バリウム（ＢａＦ２）等のフッ化物、酸化リチウム（Ｌｉ２Ｏ）等の酸化物等が挙げられる。
【００７１】
電子の注入、輸送をより効率よく行うために、電子注入層４９に用いる材料は、電子輸送層４８に用いられる材料よりもＬＵＭＯレベルが高いものが好ましい。また、電子輸送層４８に用いる材料は、電子注入層４９に用いられる材料より電子の移動度が高い材料を用いることが好ましい。
【００７２】
なお、有機ＥＬ層４１の構成はこれに限らず、必要に応じて適宜設定することができる。例えば、正孔輸送層／発光層／電子輸送層の構成や、正孔注入層／正孔輸送層／発光層／電子輸送層／電子注入層の構成、正孔注入層／正孔輸送層／電子ブロッキング層／発光層／正孔ブロッキング層／電子注入層の構成にすることもできる。
【００７３】
有機ＥＬ層４１を構成している各層の形成方法には、真空蒸着法等のドライプロセスや、ドクターブレード法、ディップコート法、マイクログラビア法、スプレー法、インクジェット法、印刷法等のウエットプロセスを用いることができる。ウエットプロセスでは、有機ＥＬ層４１等に対する酸素や水分による影響を考慮すると、不活性ガス雰囲気下や真空条件下で処理するのが好ましい。また、各層の形成後には、溶媒を除去するために加熱等による乾燥処理を行うのが好ましい。その際、乾燥処理は、不活性ガス雰囲気下で行うのが好ましく、減圧下で行うのがより好ましい。
【００７４】
封止層１７は、基板１１の一方の面１１ａ上に設けられた複数の有機ＥＬ素子４０を封止するものである。封止層１７は、第１バンク１６と第１バンク１６によって区画された有機ＥＬ素子４０との表面を覆うようにして形成されている。封止層１７により、外部から有機ＥＬ素子４０内へ酸素や水分や混入するのを防止することができ、ひいては、有機ＥＬ素子４０の寿命を向上させることができる。
【００７５】
封止層１７の形成方法としては、例えば、ＥＢ蒸着法、スパッタリング法、イオンプレーティング法、抵抗加熱蒸着法等を挙げることができる。また、封止層１７の材料としては、有機物であればフタロシアニン等が挙げられ、無機物であればＳｉＯＮやＳｉＯ、ＳｉＮ等が挙げられる。
【００７６】
「封止基板（波長変換基板）」
封止基板（波長変換基板）２０は、透明基板２１と、透明基板２１上に形成されたカラーフィルター層（色調整層）２２と、色変換層（波長変換層）２３と、第２バンク２５とを有して構成されている。
【００７７】
透明基板２１としては、特に限定されるものではないが、従来の有機ＥＬ表示装置で使用される光透過性を有する基板が用いられる。透明基板２１の材料としては、例えば、透明無機ガラス基板、各種透明プラスチック基板、各種透明フィルム等が挙げられる。
【００７８】
第２バンク２５は、サブ画素Ｓ同士の間に形成されるもので、透明基板２１の一方の面２１ａのうち、カラーフィルター層２２の赤色画素部Ｓ（Ｒ）、緑色画素部Ｓ（Ｇ）、青色画素部Ｓ（Ｂ）の間に形成されている。
具体的に、第２バンク２５は、透明基板２１に対向する第１端面２５ａと、第１端面２５ａに対向して第１端面２５ａの面積よりも小さい面積を有する第２端面２５ｂと、側面２５ｃと、を有した順テーパー形状となっている。ここで、「順テーパー形状」とは、透明基板２１から離れる方向に断面形状が細くなるテーパー形状のことをいう。
【００７９】
第２バンク２５の材料としては有機樹脂を用いることができる。第２バンク２５の形成方法としては、塗布法を用いることができ、特に、フォトプロセスを用いることが好ましい。第２バンク２５の膜厚は、色変換層２３をインクジェット塗布法で形成する際に色変換層材料が所定のサブ画素領域外にあふれるのを防止できる層厚であることが好ましい。
【００８０】
カラーフィルター層２２は、特定の波長の発光を得るもので、それ以外の波長の光を削減する機能を有する。
カラーフィルター層２２は、透明基板２１の一方の面２１ａに形成された、赤色カラーフィルター２２Ｒ、緑色カラーフィルター２２Ｇ、青色カラーフィルター２２Ｂを有する。赤色カラーフィルター２２Ｒにより赤色画素部Ｓ（Ｒ）が設定され、緑色カラーフィルター２２Ｇにより緑色画素部Ｓ（Ｇ）が設定され、青色カラーフィルター２２Ｂにより青色画素部Ｓ（Ｂ）が設定されることになる。
本実施形態におけるカラーフィルター層２２は、色変換層２３よりも低い屈折率を有する。
【００８１】
第２バンク２５は、その全体または表面（第１端面２５ａ、第２端面２５ｂ、側面２５ｃ）が熱伝導性の材料または熱放射性の材料からなることが好ましい。
【００８２】
熱伝導性の材料または熱放射性の材料としては、第１バンク１６と同様の材料が用いられる。
【００８３】
第２バンク２５の表面が熱伝導性の材料または熱放射性の材料からなる場合、第２バンク２５の表面に、熱伝導性の材料または熱放射性の材料からなる薄膜が設けられる。
第２バンク２５の表面に熱伝導性の材料または熱放射性の材料からなる薄膜を形成する方法としては、上記の熱伝導性の材料または熱放射性の材料を用い、例えば、化学気相成長（ＣＶＤ）法、真空蒸着法等のドライプロセス、スピンコート法等のウエットプロセスが挙げられる。
【００８４】
カラーフィルター層２２は、特定の波長の発光を得るもので、それ以外の波長の光を削減する機能を有する。
カラーフィルター層２２は、透明基板２１の一方の面２１ａに形成された、赤色カラーフィルター２２Ｒ、緑色カラーフィルター２２Ｇ、青色カラーフィルター２２Ｂを有する。赤色カラーフィルター２２Ｒにより赤色画素部Ｓ（Ｒ）が設定され、緑色カラーフィルター２２Ｇにより緑色画素部Ｓ（Ｇ）が設定され、青色カラーフィルター２２Ｂにより青色画素部Ｓ（Ｂ）が設定されることになる。
本実施形態におけるカラーフィルター層２２は、色変換層２３よりも低い屈折率を有する。
【００８５】
色変換層２３は、入射光を吸収して、異なる波長域の光を放射する機能を有する。具体的に、色変換層２３は、入射光（基板１１上に搭載される複数の有機ＥＬ素子４０から放出される光）の一部を吸収して波長分布変換を行い、入射光の非吸収分と変換光とを含む光（入射光とは異なる波長分布を有する光）を放出するための層である。
【００８６】
色変換層２３は、複数種の色変換色素からなる層であり、本実施形態においては赤色蛍光体層２３Ｒおよび緑色蛍光体層２３Ｇを有する。赤色蛍光体層２３Ｒおよび緑色蛍光体層２３Ｇは、透明基板２１上の第２バンク２５によって区画されたサブ画素のうち、サブ画素Ｓ（Ｒ）およびサブ画素Ｓ（Ｇ）に対応する位置に選択的に設けられている。赤色蛍光体層２３Ｒは、赤色画素部Ｓ（Ｒ）に対応する位置であって、赤色カラーフィルター２２Ｒの表面に積層されている。緑色蛍光体層２３Ｇは、緑色画素部Ｓ（Ｇ）に対応する位置であって、緑色カラーフィルター２２Ｇの表面に積層されている。
【００８７】
色変換色素は、少なくとも赤色領域の蛍光を発する蛍光色素の１種類以上を用い、さらに緑色領域の蛍光を発する蛍光色素の１種類以上と組み合わせてもよい。すなわち、光源として青色領域から青緑色領域の光を発光する有機ＥＬ素子４０を用いる場合、有機ＥＬ素子４０からの光を単なる赤色フィルタに通して赤色領域の光を得ようとすると、元々赤色領域の波長の光が少ないために極めて暗い出力光になってしまう。したがって、有機ＥＬ素子４０からの青色領域から青緑色領域の光を、色変換層２３の蛍光色素によって赤色領域の光に変換することにより、十分な強度を有する赤色領域の光の出力が可能となる。
【００８８】
一方、緑色領域の光は、赤色領域の光と同様に、有機ＥＬ素子４０からの光を別の有機蛍光色素によって緑色領域の光に変換させて出力してもよい。あるいは、有機ＥＬ素子４０の発光が緑色領域の光を十分に含んでいれば、有機ＥＬ素子４０からの光を単に緑色フィルタを通して出力してもよい。
【００８９】
有機ＥＬ素子４０から放出された光のうち、青色領域から青緑色領域の光を吸収して、赤色領域の蛍光を発する蛍光色素としては、例えば、ローダミンＢ、ローダミン６Ｇ、ローダミン３Ｂ、ローダミン１０１、ローダミン１１０、スルホローダミン、ベーシックバイオレット１１、ベーシックレッド２等のローダミン系色素、シアニン系色素、１−エチル−２−［４−（ｐ−ジメチルアミノフェニル）−１，３−ブタジエニル〕−ピリジニウム パークロレート（ピリジン１）等のピリジン系色素、あるいは、オキサジン系色素等が挙げられる。さらに、各種染料（直接染料、酸性染料、塩基性染料、分散染料等）も蛍光性があれば使用することができる。
【００９０】
有機ＥＬ素子４０から放出された光のうち、青色領域から青緑色領域の光を吸収して、緑色領域の蛍光を発する蛍光色素としては、例えば、３−（２’−ベンゾチアゾリル）−７−ジエチルアミノクマリン（クマリン６）、３−（２’−ベンゾイミダゾリル）−７−Ｎ，Ｎ−ジエチルアミノクマリン（クマリン７）、３−（２’−Ｎ−メチルベンゾイミダゾリル）−７−Ｎ，Ｎ−ジエチルアミノクマリン（クマリン３０）、２，３，５，６−１Ｈ，４Ｈ−テトラヒドロ−８−トリフルオロメチルキノリジン（９，９ａ，１−ｇｈ）クマリン（クマリン１５３）等のクマリン系色素、あるいはクマリン色素系染料であるベーシックイエロー５１、さらには、ソルベントイエロー１１、ソルベントイエロー１１６等のナフタルイミド系色素等が挙げられる。さらに、各種染料（直接染料、酸性染料、塩基性染料、分散染料等）も蛍光性があれば使用することができる。
【００９１】
なお、本実施形態に用いる有機蛍光色素を、ポリメタクリル酸エステル、ポリ塩化ビニル、塩化ビニル−酢酸ビニル共重合樹脂、アルキッド樹脂、芳香族スルホンアミド樹脂、ユリア樹脂、メラミン樹脂、ベンゾグアナミン樹脂およびこれらの樹脂混合物等に予め練り込んで顔料化して、有機蛍光顔料としてもよい。また、これらの有機蛍光色素や有機蛍光顔料（以下、有機蛍光色素と有機蛍光顔料とを合わせて有機蛍光色素と総称する。）は単独で用いてもよく、蛍光の色相を調整するために２種以上を組み合わせて用いてもよい。
【００９２】
本実施形態に用いる有機蛍光色素は、色変換層２３に対して、色変換層２３の質量を基準として０．０１質量％〜５質量％、より好ましくは０．１質量％〜２質量％含有される。もし、有機蛍光色素の含有量が、色変換層２３の質量に対して０．０１質量％未満ならば、十分な波長変換を行うことができない。また、有機蛍光色素の含有量が、色変換層２３の質量に対して５質量％を超えるならば、濃度消光等の効果により色変換効率の低下をもたらす。
【００９３】
本実施形態の色変換層２３に用いられるマトリクス樹脂は、光硬化性または光熱併用型硬化性樹脂（レジスト）を、光および／または熱処理して、ラジカル種またはイオン種を発生させて重合または架橋させ、不溶不融化させたものである。
【００９４】
また、パターニングに必要な色変換層２３の材料としては、光硬化性または光熱併用型硬化性樹脂を有するとともに、未露光の状態において有機溶媒またはアルカリ溶液に可溶性であることが望ましい。
【００９５】
具体的に、光硬化性または光熱併用型硬化性樹脂は、（１）アクロイル基やメタクロイル基を複数有するアクリル系多官能モノマーおよびオリゴマーと、光または熱重合開始剤とからなる組成物、（２）ボリビニル桂皮酸エステルと増感剤とからなる組成物、（３）鎖状または環状オレフィンとビスアジドとからなる組成物、および（４）エポキシ基を有するモノマーと酸発生剤とからなる組成物等を含む。特に（１）のアクリル系多官能モノマーおよびオリゴマーと光または熱重合開始剤とからなる組成物が、高精細なパターニングが可能であること、および耐溶剤性、耐熱性等の信頼性が高いことから好ましい。前述したように、光硬化性または光熱併用型硬化性樹脂に光および／または熱を作用させて、マトリクス樹脂を形成する。
【００９６】
本実施形態で用いることができる光重合開始剤、増感剤および酸発生剤は、含まれる蛍光変換色素が吸収しない波長の光によって重合を開始させるものであることが好ましい。
色変換層２３において、光硬化性を有する樹脂または光熱併用型硬化性樹脂中の樹脂が、光または熱により重合することが可能である場合には、光重合開始剤および熱重合開始剤を添加しないことも可能である。
【００９７】
また、透明基板２１と第２バンク２５との間に、金属からなる補助電極（補助配線）２６が設けられている。さらに、補助電極２６に、図示しない外部電源と接続するための給電点２７が、第２バンク２５の第１端面２５ａに設けられている。
【００９８】
補助電極２６は、公知の材料を用いて形成することができ、その材料としては、例えば、Ｃｕ、Ａｇ、Ａｕ、Ｐｔ、Ａｌ、Ｃｒ、Ｃｏ、Ｍｏ等が挙げられる。
給電点２７は、公知の材料を用いて形成することができ、その材料としては、例えば、銀ペーストやカーボンペースト等が挙げられる。
【００９９】
本実施形態の有機ＥＬ表示装置１００では、有機ＥＬ素子基板１０の第１バンク１６と、封止基板２０の第２バンク２５とが接続（接触）されるように、有機ＥＬ素子基板１０と封止基板２０とが対向して配置されている。
すなわち、図１に示すように、第１バンク１６の第１端面１６ａと、第２バンク２５の第１端面２５ａとが当接して、第１バンク１６と第２バンク２５とが接続されている。
【０１００】
有機ＥＬ素子基板１０と封止基板２０とは、有機ＥＬ素子基板１０および封止基板２０のいずれか一方の基板の周縁部に沿って配置されたシール部材３１を介して貼り合わされている。
【０１０１】
充填層３０は、有機ＥＬ素子基板１０と封止基板２０との間であって、シール部材３１によって囲まれた空間内に設けられる。
充填層３０は、透明性媒体からなる。透明性媒体としては、空気、窒素ガスやアルゴンガス等の不活性ガス、低屈折率の樹脂材料が用いられる。
【０１０２】
また、透明性媒体としては、イオン液体等の導電性充填剤が好ましい。イオン液体を構成するカチオンとしては、例えば、テトラアルキルアンモニウムイオン、テトラアルキルホスホニウムイオン、ジアルキルピペリジニウムイオン、ジアルキルイミダゾリウムイオン、トリアルキルイミダゾリウムイオン、トリアルキルスルホニウムイオン、アルキルピリジニウムイオン等が挙げられる。
充填層３０を構成する透明性媒体として導電性充填剤を用いることにより、有機ＥＬ素子４０の有機ＥＬ層４１で発生した熱や、ＴＦＴ回路１２の駆動や配線抵抗による熱を、充填層３０を介して、効率よく装置の外部（封止基板２０の透明基板２１側）に放出することができる。
【０１０３】
また、イオン液体を構成するアニオンとしては、例えば、ヘキサフルオロホスファートイオン、テトラフルオロボレートイオン、メタンスルホン酸イオン、塩化物イオン、臭化物イオン、酢酸イオン、トリフルオロ酸イオン、チオシアン酸イオン、ジシアナミドイオン、ビス（トリフルオロメタンスルホニル）イミドイオン、ジブチルフォスファートイオン等が挙げられる。
【０１０４】
透明な導電性充填剤としてイオン液体を用いる場合、イオン液体は、融点が常温以下であること、室温付近で低粘度の液体であること、紫外領域に吸収をもつ液体であることが好ましい。
【０１０５】
本実施形態の有機ＥＬ表示装置１００では、有機ＥＬ素子４０からの発光（励起光）が青色領域から青緑色領域の光である。青色画素部Ｓ（Ｂ）においては、有機ＥＬ素子４０からの光が青色カラーフィルター２２Ｂを透過することによって緑色の発光を削減して、色純度の高い青色の発光を得ている。緑色画素部Ｓ（Ｇ）においては、有機ＥＬ素子４０からの光がまず緑色蛍光体層２３Ｇを透過することによって略緑色に変換され、さらに緑色カラーフィルター２２Ｇを透過することによって、略緑色に変換された光のうち青色に近い波長の光を削減して、緑色の発光を得ている。赤色画素部Ｓ（Ｒ）においては、有機ＥＬ素子４０からの光がまず赤色蛍光体層２３Ｒを透過することによって略赤色に変換され、さらに、赤色カラーフィルター２２Ｒを透過することによって、略赤色に変換された光のうち緑色に近い波長の光を削減して、赤色の発光を得ている。
【０１０６】
本実施形態の有機ＥＬ表示装置１００によれば、第１バンク１６と第２バンク２５とが接続されているので、有機ＥＬ素子４０の有機ＥＬ層４１で発生した熱や、ＴＦＴ回路１２の駆動や配線抵抗による熱を効率よく装置の外部（封止基板２０の透明基板２１側）に放出することができる。すなわち、有機ＥＬ層４１やＴＦＴ回路１２で発生した熱を、第１バンク１６、第２バンク２５、補助電極２６および給電点２７を介して、装置の外部（封止基板２０の透明基板２１側）に放出することができる。よって、有機ＥＬ層４１やＴＦＴ回路１２で発生した熱が装置内部に滞留し、その熱により、有機ＥＬ素子４０が破壊することを防止できる。
【０１０７】
また、第１バンク１６の全体または表面が熱伝導性の材料または熱放射性の材料から構成され、かつ、第２バンク２５の全体または表面が熱伝導性の材料または熱放射性の材料から構成されていれば、第１バンク１６と第２バンク２５とを電気的に接続することができるので、有機ＥＬ層４１やＴＦＴ回路１２で発生した熱を、より熱を効率よく装置の外部（封止基板２０の透明基板２１側）に放出することができる。
【０１０８】
なお、本実施形態では、全ての第１バンク１６と第２バンク２５とが電気的に接続されている場合を例示したが、本実施形態はこれに限定されない。本実施形態にあっては、第１バンク１６と第２バンク２５とが少なくとも１箇所で電気的に接続されていればよい。第１バンク１６と第２バンク２５とが電気的に接続する箇所の数は、有機ＥＬ表示装置１００の大きさ等に応じて適宜調整される。すなわち、有機ＥＬ層４１やＴＦＴ回路１２で発生する熱量に応じて、第１バンク１６と第２バンク２５とが電気的に接続する箇所の数は、適宜調整される。
【０１０９】
［第２実施形態］
図３は、本発明の第２実施形態である有機ＥＬ表示装置の概略構成を示す断面図である。図３において、図１に示した有機ＥＬ表示装置１００と同一の構成要素には同一符号を付して、その説明を省略する。
本実施形態の有機ＥＬ表示装置１１０が、上述の第１実施形態の有機ＥＬ表示装置１００と異なる点は、第１バンク１６の側面１６ｃに、反射膜１１１が設けられている点である。
【０１１０】
第１バンク１６の側面１６ｃに反射膜１１１を設けることにより、有機ＥＬ素子４０からの等方発光のうち、側面方向へ発光（有機ＥＬ素子４０を通しての導波成分）して、封止基板２０側に取り出すことができない発光の損失成分を、反射膜１１１により、所望の画素内に反射、散乱させることで、発光を有効利用することができるようになり、所望の画素以外への発光の漏れによる色純度の低下を防止することができる。
【０１１１】
反射膜１１１を形成する材料としては、特に限定されないが、例えば、金、銀、アルミニウム等の金属等の反射膜、酸化チタン等の散乱膜が挙げられる。
第１バンク１６の側面１６ｃに反射膜１１１を形成する方法としては、例えば、化学気相成長（ＣＶＤ）法、真空蒸着法等のドライプロセス、スピンコート法等のウエットプロセスが挙げられる。
【０１１２】
なお、本実施形態では、第１バンク１６の側面１６ｃに反射膜１１１が設けられている場合を例示したが、本実施形態はこれに限定されない。本実施形態にあっては、第２バンク２５の側面２５ｃにも、反射膜１１１と同様の材料からなる反射膜が設けられていてもよい。
【０１１３】
［第３実施形態］
図４は、本発明の第３実施形態である有機ＥＬ表示装置の概略構成を示す断面図である。図４において、図１に示した有機ＥＬ表示装置１００と同一の構成要素には同一符号を付して、その説明を省略する。
本実施形態の有機ＥＬ表示装置１２０が、上述の第１実施形態の有機ＥＬ表示装置１００と異なる点は、封止基板２０の第２バンク２５が、透明基板２１に対向する第１端面２５ａとは反対側の第２端面２５ｂの面積が、透明基板２１に対向する第１端面２５ａの面積よりも大きい、逆テーパー形状となっている点である。ここで、「逆テーパー形状」とは、透明基板２１から離れる方向に断面形状が太くなるテーパー形状のことをいう。
【０１１４】
封止基板２０の第２バンク２５の形状を逆テーパー形状とすることにより、有機ＥＬ素子４０からの発光が、封止基板２０の色変換層２３に入射して、色変換層２３で波長変換された光を、透明基板２１側へ効果的に出射（伝搬）することができる。
【０１１５】
［第４実施形態］
図５は、本発明の第４実施形態である有機ＥＬ表示装置の概略構成を示す断面図である。図５において、図１に示した有機ＥＬ表示装置１００と同一の構成要素には同一符号を付して、その説明を省略する。
本実施形態の有機ＥＬ表示装置１３０が、上述の第１実施形態の有機ＥＬ表示装置１００と異なる点は、封止基板２０の第２バンク２５が逆テーパー形状となっている点、および、封止基板２０の第２バンク２５の側面２５ｃに、反射膜１３１が設けられている点である。
【０１１６】
第２バンク２５の側面２５ｃに反射膜１３１を設けることにより、色変換層２３（赤色蛍光体層２３Ｒ、緑色蛍光体層２３Ｇ）からの等方発光のうち、側面方向へ発光（色変換層２３を通しての導波成分）して、透明基板２１側に取り出すことができない発光の損失成分を、反射膜１３１により、所望の画素内に反射、散乱させることで、発光を有効利用することができるようになり、所望の画素以外への発光の漏れによる色純度の低下を防止することができる。また、色変換層２３からの発光を、各画素内に反射させることができるようになり、色変換層２３からの発光を有効利用できるので、発光効率を向上することができるとともに、消費電力を低下させることができる。
【０１１７】
反射膜１３１を形成する材料としては、特に限定されないが、例えば、金、銀、アルミニウム等の金属等の反射膜、酸化チタン等の散乱膜が挙げられる。
第２バンク２５の側面２５ｃに反射膜１３１を形成する方法としては、例えば、化学気相成長（ＣＶＤ）法、真空蒸着法等のドライプロセス、スピンコート法等のウエットプロセスが挙げられる。
【０１１８】
［第５実施形態］
図６は、本発明の第５実施形態である有機ＥＬ表示装置の概略構成を示す断面図である。図６において、図１に示した有機ＥＬ表示装置１００、図３に示した有機ＥＬ表示装置１１０、および、図５に示した有機ＥＬ表示装置１３０と同一の構成要素には同一符号を付して、その説明を省略する。
本実施形態の有機ＥＬ表示装置１４０が、上述の第１実施形態の有機ＥＬ表示装置１００と異なる点は、封止基板２０の第２バンク２５が逆テーパー形状となっている点、第１バンク１６の側面１６ｃに、反射膜１１１が設けられている点、および、封止基板２０の第２バンク２５の側面２５ｃに、反射膜１３１が設けられている点である。
【０１１９】
［第６実施形態］
図７は、本発明の第６実施形態である有機ＥＬ表示装置の概略構成を示す断面図である。図７において、図１に示した有機ＥＬ表示装置１００、図３に示した有機ＥＬ表示装置１１０、および、図５に示した有機ＥＬ表示装置１３０と同一の構成要素には同一符号を付して、その説明を省略する。
本実施形態の有機ＥＬ表示装置１５０が、上述の第１実施形態の有機ＥＬ表示装置１００と異なる点は、封止基板２０の第２バンク２５が逆テーパー形状となっている点、第１バンク１６の側面１６ｃに、反射膜１１１が設けられている点、封止基板２０の第２バンク２５の側面２５ｃに、反射膜１３１が設けられている点、および、第１バンク１６と第２バンク２５との間に、柱状または球状の導電性スペーサー１５１が配設されている点である。
【０１２０】
導電性スペーサー１５１としては、金メッキしたシリカビーズや、球状または柱状の金属粒子が用いられる。安全性および導電性が高ければ、何を用いてもよい。
【０１２１】
第１バンク１６と第２バンク２５との間、すなわち、第１バンク１６の第２端面１６ｂと第２バンク２５の第２端面２５ｂとの間に導電性スペーサー１５１が配設されていることにより、第１バンク１６と第２バンク２５とを確実に接続することができる。例えば、有機ＥＬ素子基板１０と封止基板２０とを対向して配設したとき、第１バンク１６と第２バンク２５との間に隙間があったとしても、導電性スペーサー１５１を配置することにより、第１バンク１６と第２バンク２５とを確実に接続することができる。特に、第１バンク１６および第２バンク２５が熱伝導性の材料または熱放射性の材料から構成されている場合、第１バンク１６と第２バンク２５との間に導電性スペーサー１５１を配設することにより、第１バンク１６と第２バンク２５とを確実に電気的に接続することができる。これにより、有機ＥＬ層４１やＴＦＴ回路１２で発生した熱を、より熱を効率よく装置の外部（封止基板２０の透明基板２１側）に放出することができる。
【０１２２】
［第７実施形態］
図８は、本発明の第７実施形態である有機ＥＬ表示装置の概略構成を示す断面図である。図８において、図１に示した有機ＥＬ表示装置１００、図３に示した有機ＥＬ表示装置１１０、および、図５に示した有機ＥＬ表示装置１３０と同一の構成要素には同一符号を付して、その説明を省略する。
本実施形態の有機ＥＬ表示装置１６０が、上述の第１実施形態の有機ＥＬ表示装置１００と異なる点は、封止基板２０の第２バンク２５が逆テーパー形状となっている点、第１バンク１６の側面１６ｃに、反射膜１１１が設けられている点、封止基板２０の第２バンク２５の側面２５ｃに、反射膜１３１が設けられている点、および、第１バンク１６と第２バンク２５との間に、金属細線１６１が配設されている点である。
【０１２３】
金属細線１６１としては、Ａｕ、Ｐｔ、Ｃｕ、Ｎｉ、Ｃｒ、Ａｌ等が用いられる。
【０１２４】
第１バンク１６と第２バンク２５との間、すなわち、第１バンク１６の第２端面１６ｂと第２バンク２５の第２端面２５ｂとの間に金属細線１６１が配設されていることにより、第１バンク１６と第２バンク２５とを確実に接続することができる。例えば、有機ＥＬ素子基板１０と封止基板２０とを対向して配設したとき、第１バンク１６と第２バンク２５との間に隙間があったとしても、金属細線１６１を配置することにより、第１バンク１６と第２バンク２５とを確実に接続することができる。特に、第１バンク１６および第２バンク２５が熱伝導性の材料または熱放射性の材料から構成されている場合、第１バンク１６と第２バンク２５との間に金属細線１６１を配設することにより、第１バンク１６と第２バンク２５とを確実に電気的に接続することができる。これにより、有機ＥＬ層４１やＴＦＴ回路１２で発生した熱を、より熱を効率よく装置の外部（封止基板２０の透明基板２１側）に放出することができる。
【０１２５】
［第８実施形態］
図９は、本発明の第８実施形態である有機ＥＬ表示装置の概略構成を示す断面図である。図９において、図１に示した有機ＥＬ表示装置１００、図３に示した有機ＥＬ表示装置１１０、および、図５に示した有機ＥＬ表示装置１３０と同一の構成要素には同一符号を付して、その説明を省略する。
本実施形態の有機ＥＬ表示装置１７０が、上述の第１実施形態の有機ＥＬ表示装置１００と異なる点は、封止基板２０の第２バンク２５が逆テーパー形状となっている点、第１バンク１６の側面１６ｃに、反射膜１１１が設けられている点、封止基板２０の第２バンク２５の側面２５ｃに、反射膜１３１が設けられている点、および、第１バンク１６に、その第２端面１６ｂを基端とし、第１端面１６ａ側に延在する給電点１７１が設けられ、その給電点１７１とＴＦＴ回路１２とが、導電体１７２，１７３を介して、外部電源１８０と接続されている点である。
【０１２６】
［第９実施形態］
図１０は、本発明の第９実施形態である有機ＥＬ表示装置の概略構成を示す断面図である。図１０において、図１に示した有機ＥＬ表示装置１００、図３に示した有機ＥＬ表示装置１１０、図５に示した有機ＥＬ表示装置１３０、および、図９に示した有機ＥＬ表示装置１７０と同一の構成要素には同一符号を付して、その説明を省略する。
本実施形態の有機ＥＬ表示装置１９０が、上述の第１実施形態の有機ＥＬ表示装置１００と異なる点は、封止基板２０の第２バンク２５が逆テーパー形状となっている点、第１バンク１６の側面１６ｃに、反射膜１１１が設けられている点、封止基板２０の第２バンク２５の側面２５ｃに、反射膜１３１が設けられている点、第１バンク１６に、その第２端面１６ｂを基端とし、第１端面１６ａ側に延在する給電点１７１が設けられ、その給電点１７１とＴＦＴ回路１２とが、導電体１７２，１７３を介して、外部電源１８０と接続されている点、および、第２バンク２５に、その第１端面２５ａ側から第２端面２５ｂ側に延在する金属細線１９１が設けられ、その金属細線１９１に、透明基板２１と第２バンク２５との間に配設されたメッシュ状の金属細線１９２が接続されている点である。
また、第１バンク１６の給電点から第２バンク２５を通じて、金属細線１９１，１９２に電流がリーク（漏洩）することを防ぐために、第２バンク２５は絶縁体であることが好ましい。
【０１２７】
透明基板２１と第２バンク２５との間に、メッシュ状の金属細線１９２が配設されていることにより、有機ＥＬ素子４０の有機ＥＬ層４１で発生した熱や、ＴＦＴ回路１２の駆動や配線抵抗による熱を、第１バンク１６、第２バンク２５、充填層３０、金属細線１９１を介して、金属細線１９２に伝道し、金属細線１９２から、装置の外部（封止基板２０の透明基板２１側）に放出することができる。
【０１２８】
［第１０実施形態］
図１１は、本発明の第１０実施形態である有機ＥＬ表示装置の概略構成を示す断面図である。図１１において、図１に示した有機ＥＬ表示装置１００、図３に示した有機ＥＬ表示装置１１０、図５に示した有機ＥＬ表示装置１３０、および、図９に示した有機ＥＬ表示装置１７０と同一の構成要素には同一符号を付して、その説明を省略する。
本実施形態の有機ＥＬ表示装置２００が、上述の第１実施形態の有機ＥＬ表示装置１００と異なる点は、封止基板２０の第２バンク２５が逆テーパー形状となっている点、第１バンク１６の側面１６ｃに、反射膜１１１が設けられている点、封止基板２０の第２バンク２５の側面２５ｃに、反射膜１３１が設けられている点、および、第２バンク２５に、その第２端面２５ｂを基端とし、第１端面２５ａ側に延在する給電点２０１が設けられ、その給電点２０１とＴＦＴ回路１２とが、導電体１７２，１７３を介して、外部電源１８０と接続されている点である。
【０１２９】
なお、第１〜第１０実施形態では、封止基板２０の全ての第２バンク２５の高さが等しい場合を例示したが、第１〜第１０実施形態はこれに限定されない。第１〜第１０実施形態にあっては、第２バンク２５の高さを、部分的に異ならせてもよい。このようにすれば、第１バンク１６と第２バンク２５の間に、部分的に隙間を形成することができるので、充填剤を介して、有機ＥＬ素子基板１０と波長変換基板２０とを貼り合せるとき、その充填剤を、有機ＥＬ素子基板１０の全面および波長変換基板２０の全面に十分に拡張させることができるため、有機ＥＬ素子基板１０と波長変換基板２０の間の距離（間隔）を小さくすることができる。これにより、第１バンク１６と第２バンク２５を接続し易くなる。
【産業上の利用可能性】
【０１３０】
本発明は、有機エレクトロルミネッセンス表示装置に利用可能である。
【符号の説明】
【０１３１】
１０・・・有機ＥＬ素子基板、１１・・・基板、１２・・・ＴＦＴ回路、１３・・・層間絶縁膜、１４・・・平坦化膜、１５・・・アクティブマトリクス基板、１６・・・第１バンク、１７・・・封止層、２０・・・封止基板（波長変換基板）、２１・・・透明基板、２２・・・カラーフィルター層、２３・・・色変換層（波長変換層）、２４・・・画素、２５・・・第２バンク、２６・・・補助電極、２７，１７１，２０１・・・給電点、３０・・・充填層、３１・・・シール部材、４０・・・有機ＥＬ素子、４１・・・有機ＥＬ層、４２・・・第１電極、４３・・・第２電極、４４・・・正孔注入層、４５・・・正孔輸送層、４６・・・電子ブロッキング層、４７・・・発光層、４８・・・電子輸送層、４９・・・電子注入層、１００，１１０，１２０，１３０，１４０，１５０，１６０，１７０，１９０，２００・・・有機エレクトロルミネッセンス表示装置（有機ＥＬ表示装置）、１１１，１３１・・・反射膜、１５１・・・導電性スペーサー、１６１，１９１，１９２・・・金属細線、１７２，１７３・・・導電体、１８０・・・外部電源。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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