(57)【要約】【課題】放熱経路を形成する樹脂シートの厚さの均一化を図り、放熱性のバラツキを抑制することができる半導体モジュールの製造方法を提供する。【解決手段】加圧接合工程で、負側電極の第７面と正側電極の第２領域との間に高熱伝導絶縁樹脂シートが挟まれ、第７面と第２領域との対向方向に、高熱伝導絶縁樹脂シートが加熱されつつ加圧されることにより、第７面と高熱伝導絶縁樹脂シートの第８面とが接合され、高熱伝導絶縁樹脂シートの第９面と第２領域とが接合される。ハンダリフロー工程では、ハンダリフローにより、各部材及び各素子の接続が行われる。【選択図】図４
2015220253.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１面を有する第１電極と、
第２面及び前記第２面の反対側の第３面を有し、前記第２面が前記第１面に接続された第１半導体素子と、
第４面及び前記第４面の反対側の第５面を有し、前記第４面が前記第１面に接続された第２半導体素子と、
第６面及び前記第６面の反対側の第７面を有し、前記第６面が前記第３面に接続された第２電極と、
第８面及び前記第８面の反対側の第９面を有し、前記第８面が前記第７面に接合された樹脂シートと、
前記第５面に接続された第１領域及び前記第９面に接合された第２領域を含む第１０面と、前記第１０面の反対側の放熱面とを有する第３電極と、
前記第１面と前記第１０面との間に設けられた第１樹脂部と、を備える半導体モジュールの製造方法であって、
前記第７面と前記第２領域との間に前記樹脂シートを挟み、前記樹脂シートを加熱しつつ前記第７面と前記第２領域とが対向する方向に加圧することにより、前記第７面と前記第８面とを接合し、前記第９面と前記第２領域とを接合する加圧接合工程と、
前記加圧接合工程の後、前記第１面と前記第２面とを接続し、前記第１面と前記第４面とを接続し、前記第３面と前記第６面とを接続し、前記第５面と前記第１領域とを接続するハンダリフロー工程と、
前記ハンダリフロー工程の後、前記第１面と前記第１０面との間に前記第１樹脂部を設けるモールド工程と、
を備えた半導体モジュールの製造方法。
【請求項２】
前記加圧接合工程の後、前記ハンダリフロー工程の前に、前記第２電極の周りを覆うように熱硬化性樹脂の第２樹脂部を設けるプリモールド工程を更に備えた請求項１に記載の半導体モジュールの製造方法。
【請求項３】
第１１領域及び第１２領域を含む第１１面と、前記第１１面の反対側の第１１放熱面とを有する第１１電極と、
第１２面及び前記第１２面の反対側の第１３面を有し、前記第１２面が前記第１１領域に接続された第１１半導体素子と、
第１４面及び前記第１４面の反対側の第１５面を有し、前記第１４面が前記第１２領域に接合された第１樹脂シートと、
第１６面及び前記第１６面の反対側の第１７面を含む第１部と、第１８面及び前記第１８面の反対側の第１９面を含む第２部とを有し、前記第１６面が前記第１３面に接続され、前記第１８面が前記第１５面に接合され、前記第１部と前記第２部とが互いに接続されている第１２電極と、
第２０面及び前記第２０面の反対側の第２１面を有し、前記第２０面が前記第１７面に接合された第２樹脂シートと、
第２２面及び前記第２２面の反対側の第２３面を有し、前記第２２面が前記第１９面に接続された第１２半導体素子と、
第１３領域及び第１４領域を含む第２４面と、前記第２４面の反対側の第１２放熱面とを有し、前記第１３領域が前記第２１面に接合され、前記第１４領域が前記第２３面に接続された第１３電極と、
前記第１１面と前記第２４面との間に設けられた第１１樹脂部と、を備える半導体モジュールの製造方法であって、
前記第２部から分離された状態の前記第１部の前記第１７面と前記第１３領域との間に前記第２樹脂シートを挟み、前記第２樹脂シートを加熱しつつ前記第１７面と前記第１３領域とが対向する方向に加圧することにより、前記第１７面と前記第２０面とを接合し、前記第２１面と前記第１３領域とを接合し、前記第１部から分離された状態の前記第２部の前記第１８面と前記第１２領域との間に前記第１樹脂シートを挟み、前記第１樹脂シートを加熱しつつ前記第１８面と前記第１２領域とが対向する方向に加圧することにより、前記第１２領域と前記第１４面とを接合し、前記第１５面と前記第１８面とを接合する加圧接合工程と、
前記加圧接合工程の後、前記第１１領域と前記第１２面とを接続し、前記第１３面と前記第１６面とを接続し、前記第１９面と前記第２２面とを接続し、前記第２３面と前記第１４領域とを接続し、前記第１部と前記第２部とを接続するハンダリフロー工程と、
前記ハンダリフロー工程の後、前記第１１面と前記第２４面との間に前記第１１樹脂部を設けるモールド工程と、
を備えた半導体モジュールの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体モジュールの製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
スイッチング素子であるＩＧＢＴ（Insulated  Gate  Bipolar  Transistor）素子と、整流素子であるダイオード素子とを積層して接続した半導体モジュールが製造されている。
【０００３】
例えば、特許文献１には、半導体モジュールの製造方法が開示されている。特許文献１の製造方法では、最初に、半導体モジュールの半導体素子と電極板とがハンダリフローにより接続される。熱硬化性樹脂の熱伝導シートが、電極板の半導体素子が接続された面とは反対側の面に配置される。熱硬化性樹脂の熱伝導シートが配置された電極板及び電極板に接続された半導体素子は、金型の中でトランスファーモールド成型される。熱硬化性樹脂の熱伝導シートが、トランスファーモールド時に金型の中で流動し、電極板や金型の形状に追従した後に硬化する。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２０１１‐２１７５４６号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
特許文献１の製造方法では、熱伝導シートが電極板や金型の形状に追従した後に硬化するため、半導体素子等の熱を外部に逃がすための放熱経路を形成する熱伝導シートの厚さにばらつきが生じる。熱伝導シートの熱伝導率は、電極板等のその他の部品に比べて低い。そのため、熱伝導シートの厚さにばらつきが生じると、熱伝導シートの面内での放熱特性にばらつきが生じる。その結果、所望の放熱特性が得られない可能性がある。
【０００６】
本発明は、放熱経路を形成する樹脂シートの厚さの均一化を図り、放熱性のバラツキを抑制することができる半導体モジュールの製造方法を提供する。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明の第１の態様に係る半導体モジュールの製造方法は、第１面を有する第１電極と、第２面及び第２面の反対側の第３面を有し、第２面が第１面に接続された第１半導体素子と、第４面及び第４面の反対側の第５面を有し、第４面が第１面に接続された第２半導体素子と、第６面及び第６面の反対側の第７面を有し、第６面が第３面に接続された第２電極と、第８面及び第８面の反対側の第９面を有し、第８面が第７面に接合された樹脂シートと、第５面に接続された第１領域及び第９面に接合された第２領域を含む第１０面と、第１０面の反対側の放熱面とを有する第３電極と、第１面と第１０面との間に設けられた第１樹脂部とを備える半導体モジュールの製造方法であって、第７面と第２領域との間に樹脂シートを挟み、樹脂シートを加熱しつつ第７面と第２領域とが対向する方向に加圧することにより、第７面と第８面とを接合し、第９面と第２領域とを接合する加圧接合工程と、加圧接合工程の後、第１面と第２面とを接続し、第１面と第４面とを接続し、第３面と第６面とを接続し、第５面と第１領域とを接続するハンダリフロー工程と、ハンダリフロー工程の後、第１面と第１０面との間に第１樹脂部を設けるモールド工程とを備えた半導体モジュールの製造方法である。
【０００８】
上記の態様において、加圧接合工程の後、ハンダリフロー工程の前に、第２電極の周りを覆うように熱硬化性樹脂の第２樹脂部を設けるプリモールド工程を更に備えても良い。
【０００９】
また、本発明の第２の態様に係る半導体モジュールの製造方法は、第１１領域及び第１２領域を含む第１１面と、第１１面の反対側の第１１放熱面とを有する第１１電極と、第１２面及び第１２面の反対側の第１３面を有し、第１２面が第１１領域に接続された第１１半導体素子と、第１４面及び第１４面の反対側の第１５面を有し、第１４面が第１２領域に接合された第１樹脂シートと、第１６面及び第１６面の反対側の第１７面を含む第１部と、第１８面及び第１８面の反対側の第１９面を含む第２部とを有し、第１６面が第１３面に接続され、第１８面が第１５面に接合され、第１部と第２部とが互いに接続されている第１２電極と、第２０面及び第２０面の反対側の第２１面を有し、第２０面が第１７面に接合された第２樹脂シートと、第２２面及び第２２面の反対側の第２３面を有し、第２２面が第１９面に接続された第１２半導体素子と、第１３領域及び第１４領域を含む第２４面と、第２４面の反対側の第１２放熱面とを有し、第１３領域が第２１面に接合され、第１４領域が第２３面に接続された第１３電極と、第１１面と第２４面との間に設けられた第１１樹脂部とを備える半導体モジュールの製造方法であって、第２部から分離された状態の第１部の第１７面と第１３領域との間に第２樹脂シートを挟み、第２樹脂シートを加熱しつつ第１７面と第１３領域とが対向する方向に加圧することにより、第１７面と第２０面とを接合し、第２１面と第１３領域とを接合し、第１部から分離された状態の第２部の第１８面と第１２領域との間に第１樹脂シートを挟み、第１樹脂シートを加熱しつつ第１８面と第１２領域とが対向する方向に加圧することにより、第１２領域と第１４面とを接合し、第１５面と第１８面とを接合する加圧接合工程と、加圧接合工程の後、第１１領域と第１２面とを接続し、第１３面と第１６面とを接続し、第１９面と第２２面とを接続し、第２３面と第１４領域とを接続し、第１部と第２部とを接続するハンダリフロー工程と、ハンダリフロー工程の後、第１１面と第２４面との間に第１１樹脂部を設けるモールド工程とを備えた半導体モジュールの製造方法である。
【発明の効果】
【００１０】
上記態様によれば、放熱経路を形成する樹脂シートの厚さの均一化を図り、放熱性のバラツキを抑制することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１１】
【図１】第１実施形態の半導体モジュールにより構成された三相インバータを示す回路図である。
【図２】第１実施形態の半導体モジュールを示す断面図である。
【図３】第１実施形態の半導体モジュールを正側電極の側から視た平面図である。
【図４】第１実施形態の半導体モジュールの製造工程を示すフローチャートである。
【図５】第１実施形態の加圧接合工程を示す断面図である。
【図６】第１実施形態のハンダリフロー工程を示す断面図である。
【図７】第１実施形態のモールド工程を示す断面図である。
【図８】第２実施形態の半導体モジュールを示す断面図である。
【図９】第２実施形態の半導体モジュールを正側電極の側から視た平面図である。
【図１０】第２実施形態の半導体モジュールの製造工程を示すフローチャートである。
【図１１】第２実施形態の加圧接合工程を示す断面図である。
【図１２】第３実施形態の半導体モジュールにより構成された三相インバータを示す回路図である。
【図１３】第３実施形態の半導体モジュールを示す断面図である。
【図１４】第３実施形態の半導体モジュールを正側電極の側から視た平面図である。
【図１５】第３実施形態の半導体モジュールの製造工程を示すフローチャートである。
【図１６】第３実施形態の加圧接合工程の負側電極と下アーム部との接合を示す断面図である。
【図１７】第３実施形態の加圧接合工程の正側電極と上アーム部との接合を示す断面図である。
【図１８】第３実施形態のハンダリフロー工程を示す断面図である。
【図１９】第４実施形態の半導体モジュールを示す断面図である。
【図２０】第４実施形態の半導体モジュールの製造工程を示すフローチャートである。
【図２１】第４実施形態のハンダリフロー工程を示す断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１２】
〈第１実施形態〉
以下、図面を参照して、本発明の実施形態に係る半導体モジュール及びその製造方法について詳細に説明する。本発明の第１実施形態の半導体モジュールは、例えば、車載のバッテリから供給される直流電力を三相交流に変換してモータ駆動用の電力変換を行う三相インバータに用いられる。本実施形態の半導体モジュールは、電気自動車又はハイブリッドカーの車輪を駆動するモータの電力変換を行う三相インバータに用いられる。図１に示すように、本実施形態の三相インバータでは、負側の母線であり第２電極である負側電極５０と、正側の母線であり第３電極である正側電極６０とに、直流電圧Ｂと、直流電圧Ｂから印加される直流電圧を平滑化するキャパシタＣＡＰと、直流電圧Ｂを交流電圧に変換するためのインバータ回路である３つの半導体モジュール１０ａが並列に接続されている。３つの半導体モジュール１０ａは、互いに負側電極５０及び正側電極６０を共通にする。
【００１３】
半導体モジュール１０ａは、スイッチング素子であるＩＧＢＴ素子等の第１トランジスタＴｒ１と整流素子である第１ダイオードＤ１とが積層されて接続された第１半導体素子である下アーム素子２０を備える。半導体モジュール１０ａは、スイッチング素子であるＩＧＢＴ素子等の第２トランジスタＴｒ２と整流素子である第２ダイオードＤ２とが積層されて接続された第２半導体素子である上アーム素子３０を備える。
【００１４】
下アーム素子２０の第１トランジスタＴｒ１のエミッタＥは、後述する下アーム素子２０の第３面２２に接続されている。下アーム素子２０の第１トランジスタＴｒ１のエミッタＥは、第３面２２を介して負側電極５０に接続されている。上アーム素子３０の第２トランジスタＴｒ２のコレクタＣは、後述する上アーム素子３０の第５面３２に接続されている。上アーム素子３０の第２トランジスタＴｒ２のコレクタＣは、第５面３２を介して正側電極６０に接続されている。
【００１５】
下アーム素子２０の第１トランジスタＴｒ１のコレクタＣは、後述する下アーム素子２０の第２面２１に接続されている。下アーム素子２０の第１トランジスタＴｒ１のコレクタＣは、第２面２１を介して第１電極である出力電極４０に接続されている。上アーム素子３０の第２トランジスタＴｒ２のエミッタＥは、後述する上アーム素子３０の第４面３１に接続されている。上アーム素子３０の第２トランジスタＴｒ２のエミッタＥは、第４面３１を介して出力電極４０に接続されている。３つの半導体モジュール１０ａの出力電極４０は、出力端子４０Ｕ，４０Ｖ，４０Ｗにそれぞれ接続されている。出力端子４０Ｕ，４０Ｖ，４０Ｗは、モータＭのＵ相コイルＵ、Ｖ相コイルＶ及びＷ相コイルＷにそれぞれ接続されている。
【００１６】
以下、本実施形態の半導体モジュール１０ａの構成の詳細について説明する。図２に示すように、本実施形態の半導体モジュール１０ａは、下アーム素子２０、上アーム素子３０、出力電極４０、負側電極５０、正側電極６０、モールド樹脂７０、ハンダ８０及び高熱伝導絶縁樹脂シート９０を備えている。半導体モジュール１０ａでは、下アーム素子２０及び上アーム素子３０が樹脂部であるモールド樹脂７０で封止されることにより一体となっている。図２及び図３に示すように、本実施形態では、出力電極４０、負側電極５０及び正側電極６０は、同じ方向に伸びている。
【００１７】
第１電極である出力電極４０は平板状の形状を有する金属板である。出力電極４０、負側電極５０及び正側電極６０として、Ｃｕ、Ｎｉ、Ａｌ等の金属板、あるいは、これらの金属板の表面にＡｇ、Ａｕ等のめっき処理を施した金属板を用いることができる。出力電極４０は、図１のモータＭのＵ相コイルＵ、Ｖ相コイルＶ又はＷ相コイルＷに接続される。出力電極４０は、第１面４１及び第１面４１の反対側の第２放熱面４２を有している。
【００１８】
上述したように、第１半導体素子である下アーム素子２０は、第１トランジスタＴｒ１及び第１ダイオードＤ１を有する。下アーム素子２０は、第１トランジスタＴｒ１のコレクタＣが接続された第２面２１を有する。下アーム素子２０は、第２面２１の反対側の第３面２２を有する。第３面２２には、第１トランジスタＴｒ１のエミッタＥが接続されている。下アーム素子２０の第２面２１は、導電性を有するハンダ８０を介して出力電極４０の第１面４１に接続されている。
【００１９】
上述したように、第２半導体素子である上アーム素子３０は、第２トランジスタＴｒ２及び第２ダイオードＤ２を有する。上アーム素子３０は、第２トランジスタＴｒ２のエミッタＥが接続された第４面３１を有する。上アーム素子３０は、第４面３１の反対側の第５面３２を有する。第５面３２には、第２トランジスタＴｒ２のコレクタＣが接続されている。上アーム素子３０の第４面３１は、ハンダ８０を介して出力電極４０の第１面４１に接続されている。
【００２０】
第２電極である負側電極５０は平板状の形状を有する金属板である。負側電極５０は、第６面５１及び第６面５１の反対側の第７面５２を有する。負側電極５０の第６面５１は、ハンダ８０を介して下アーム素子２０の第３面２２に接続されている。
【００２１】
樹脂シートである高熱伝導絶縁樹脂シート９０は、第８面９１及び第８面９１の反対側の第９面９２を有し、第８面９１が負側電極５０の第７面５２に接合されている。高熱伝導絶縁樹脂シート９０は、下アーム素子２０等の熱を外部に逃がすための放熱経路を形成する。高熱伝導絶縁樹脂シート９０は、モールド樹脂７０よりも熱伝導率が高い。高熱伝導絶縁樹脂シート９０の樹脂中には、モールド樹脂７０に含まれるＳｉＯ２等のフィラー材よりも高熱伝導のＡｌ２Ｏ３、ＢＮ又はＡｌＮ等の高放熱フィラー材が含まれている。例えば、高熱伝導絶縁樹脂シート９０は厚さが全面で均一となるように形成されている。高熱伝導絶縁樹脂シート９０は、負側電極５０と正側電極６０との間を絶縁する。
【００２２】
第３電極である正側電極６０は平板状の形状を有する金属板である。正側電極６０は、第１０面６１及び第１０面６１の反対側の放熱面である第１放熱面６２を有する。図２及び図３に示すように、第１０面６１は、第１領域６３、第２領域６４及び第１領域６３、第２領域６４の間の段差領域６１ｓを含む。第１領域６３は、ハンダ８０を介して上アーム素子３０の第５面３２に接続されている。第２領域６４は、高熱伝導絶縁樹脂シート９０の第９面９２にプレス加工により加熱及び加圧されることにより接合されている。段差領域６１ｓにより、第１放熱面６２から第１領域６３までの距離は、第１放熱面６２から第２領域６４までの距離よりも長い。また、第１放熱面６２から第１領域６３までの距離と、第１放熱面６２から負側電極５０の第６面５１までの距離は略同一である。
【００２３】
出力電極４０と正側電極６０とは、対向方向Ｄに沿って互いに対向する。負側電極５０の第７面５２と正側電極６０の第２領域６４とは、対向方向Ｄに沿って互いに対向する。正側電極６０は、下アーム素子２０及び負側電極５０を出力電極４０との間に挟むように配置されている。
【００２４】
正側電極６０の第１放熱面６２及び出力電極４０の第２放熱面４２には、高熱伝導絶縁樹脂シート９３及び金属板１００が順次積層されている。高熱伝導絶縁樹脂シート９３の材質は、高熱伝導絶縁樹脂シート９０と同様にすることができる。金属板１００には、Ｃｕ等の熱伝導性に優れた金属板を用いることができる。出力電極４０の第１面４１と正側電極６０の第１０面６１との間には、絶縁のために、第１樹脂部であるモールド樹脂７０が設けられている。モールド樹脂７０は、エポキシ樹脂にＳｉＯ２等のフィラー材を含む熱硬化性樹脂である。高熱伝導絶縁樹脂シート９３は、モールド樹脂７０に内蔵させられる。金属板１００の高熱伝導絶縁樹脂シート９３の反対側の面は、モールド樹脂７０から露出している。なお、上記の負側電極５０、正側電極６０、モールド樹脂７０、高熱伝導絶縁樹脂シート９３及び金属板１００は、三相インバータの３つの半導体モジュール１０ａに共通である。
【００２５】
以下、本実施形態の半導体モジュール１０ａの製造方法について説明する。以下の製造方法では、三相インバータの３つの半導体モジュール１０ａが一度に製造される。図４及び図５に示すように、加圧接合工程として、負側電極５０の第７面５２と正側電極６０の第２領域６４との間に高熱伝導絶縁樹脂シート９０が挟まれる。プレス機２００によって、高熱伝導絶縁樹脂シート９０が加熱されつつ第７面５２と第２領域６４との対向方向Ｄに加圧される。これにより、第７面５２と高熱伝導絶縁樹脂シート９０の第８面９１とが接合され、高熱伝導絶縁樹脂シート９０の第９面９２と第２領域６４とが接合される（Ｓ１１）。
【００２６】
図４及び図６に示すように、ハンダリフロー工程として、出力電極４０の第１面４１と下アーム素子２０の第２面２１との間、出力電極４０の第１面４１と上アーム素子３０の第４面３１との間、下アーム素子２０の第３面２２と負側電極５０の第６面５１との間及び上アーム素子３０の第５面３２と正側電極６０の第１領域６３との間にハンダ８０が配置される。出力電極４０、負側電極５０、正側電極６０、下アーム素子２０及び上アーム素子３０は、ハンダリフロー工程において、対向方向Ｄのそれぞれの間隔が所定の長さになるように治具で規定される。
【００２７】
リフロー炉の中で、ハンダ８０を加熱により溶融させた後に固化させることにより、出力電極４０の第１面４１と下アーム素子２０の第２面２１とが接続され、出力電極４０の第１面４１と上アーム素子３０の第４面３１とが接続され、下アーム素子２０の第３面２２と負側電極５０の第６面５１とが接続され、上アーム素子３０の第５面３２と正側電極６０の第１領域６３とが接続される（Ｓ１２）。
【００２８】
図４及び図７に示すように、モールド工程として、正側電極６０の第１放熱面６２及び出力電極４０の第２放熱面４２に、高熱伝導絶縁樹脂シート９３及び金属板１００が順次積層された後に、出力電極４０の第１面４１と正側電極６０の第１０面６１との間にモールド樹脂７０が設けられる（Ｓ１３）。モールド工程においては、例えば、射出圧縮成形法、圧縮成形法などの樹脂成型方法を採用することができる。例えば、射出圧縮成形法では、ハンダリフロー工程により互いに接続された出力電極４０及び正側電極６０等を金型内に配置した後、金型のキャビティをわずかに拡大した状態で射出により樹脂を充填し、型締め機構等を用いて金型を閉じ、圧縮しながら加熱により樹脂を硬化して所定の形状を付与する。
【００２９】
本実施形態では、ハンダリフロー工程で、負側電極５０の第７面５２と正側電極６０の第２領域６４との間に高熱伝導絶縁樹脂シート９０が挟まれ、高熱伝導絶縁樹脂シート９０が加熱されつつ第７面５２と第２領域６４との対向方向Ｄに加圧されることにより、第７面５２と高熱伝導絶縁樹脂シート９０の第８面９１とが接合され、高熱伝導絶縁樹脂シート９０の第９面９２と第２領域６４とが接合される。このため、放熱経路を形成する高熱伝導絶縁樹脂シート９０の厚さの均一化を図ることができる。一方、ハンダリフロー工程では、リフローハンダ付けにより、各部材及び各素子の接続が行われる。このため、各部材及び各素子の形状のバラツキを加熱により溶融させられるハンダ８０で吸収することができる。したがって、高熱伝導絶縁樹脂シート９０の厚さの均一化により、放熱特性のバラツキを抑制することができる。
【００３０】
この場合、ハンダ８０には対向方向Ｄの厚さのバラツキが生じる可能性がある。しかし、ハンダ８０の熱伝導率は高熱伝導絶縁樹脂シート９０の熱伝導率よりも高いため、ハンダ８０に厚さのバラツキが生じることによる放熱特性のバラツキは、高熱伝導絶縁樹脂シート９０に厚さのバラツキが生じることによる放熱特性のバラツキより少なくできる。したがって、全体として半導体モジュール１０ａの放熱特性のバラツキを抑制することができる。
【００３１】
また、高い熱伝導率を有する樹脂シートほど、一般的に柔軟性が低いが、本実施形態では、各部材及び各素子の形状のバラツキを樹脂シートではなくハンダ８０で吸収する。このため、柔軟性が低く高い熱伝導率を有する高熱伝導絶縁樹脂シート９０を適用することができる。
【００３２】
また、本実施形態では、図１の三相の下アーム素子２０及び上アーム素子３０が１個の三相インバータの内に備えられている態様において、出力電極４０がＵ相、Ｖ相及びＷ相で分割されている場合でも、各相の第１放熱面６２及び第２放熱面４２のいずれにも高熱伝導絶縁樹脂シート９３が積層され、モールド樹脂７０に内蔵させられる。このため、絶縁の信頼性を向上させることができる。
【００３３】
また、本実施形態では、各部材及び各素子の対向方向Ｄの厚さのバラツキをハンダ８０により吸収することができるため、耐久性を確保するための複数回のモールド樹脂７０による封止工程は必要ではない。本実施形態では、１回のモールド工程により、各部材及び各素子をモールド樹脂７０で絶縁することができるため、工程を簡素化することができる。
【００３４】
〈第２実施形態〉
図８及び図９に示すように、本発明の第２実施形態の半導体モジュール１０ｂでは、負側電極５０の周りを覆うように第２樹脂部である熱硬化性樹脂のモールド樹脂層７１が設けられている。モールド樹脂層７１は、負側電極５０の周りを囲むように環状に形成されている。本実施形態では、モールド樹脂層７１は、負側電極５０の表面から第６面５１及び第７面５２を除いた面を覆っている。モールド樹脂層７１から負側電極５０の負側端子５０Ｔの先端がモールド樹脂層７１及びモールド樹脂７０から露出している。また、モールド樹脂層７１は、高熱伝導絶縁樹脂シート９０の第８面９１から第７面５２と接する領域を除いた領域及び第９面９２を覆っている。また、モールド樹脂層７１は、正側電極６０の第２領域６４から第９面９２と接する領域を除いた領域及び段差領域６１ｓを覆っている。正側電極６０の正側端子６０Ｔの先端は、モールド樹脂７０から露出している。モールド樹脂層７１の材質は、モールド樹脂７０と同様に、エポキシ樹脂にＳｉＯ２等のフィラー材を含む熱硬化性樹脂とすることができる。なお、モールド樹脂層７１は、負側電極５０の表面から第６面５１及び第７面５２を除いたそれぞれの面について、全面を覆う必要はなく、一部が露出していてもよい。モールド樹脂層７１は、負側電極５０を囲むように環状に形成されていればよい。
【００３５】
以下、本実施形態の半導体モジュール１０ｂの製造方法について説明する。図１０及び図１１に示すように、加圧接合工程において、上記第１実施形態と同様に、負側電極５０の第７面５２と正側電極６０の第２領域６４との間に高熱伝導絶縁樹脂シート９０が挟まれ、高熱伝導絶縁樹脂シート９０が加熱されつつ対向方向Ｄに加圧されることにより、第７面５２と第８面９１とが接合され、第９面９２と第２領域６４とが接合される（Ｓ２１）。加圧接合工程の後、ハンダリフロー工程の前に、プリモールド工程として、接合された負側電極５０の周りを覆うようにモールド樹脂層７１が設けられる（Ｓ２２）。負側電極５０の第６面がモールド樹脂層７１から露出させられる。モールド樹脂層７１は、例えば、上述の射出圧縮成形法等により形成することができる。
【００３６】
以下の図１０のＳ２３及びＳ２４に示すハンダリフロー工程及びモールド工程は、図４のＳ１２及びＳ１３に示すハンダリフロー工程及びモールド工程と同様であるため、説明を省略する。
【００３７】
本実施形態では、加圧接合工程において、第７面５２と第８面９１とが接合され、第９面９２と第２領域６４とが接合された後に、ハンダリフロー工程の前に、プリモールド工程として、負側電極５０の周りを覆うように熱硬化性樹脂のモールド樹脂層７１が設けられる。その後のハンダリフロー工程が行われる前に、負側電極５０の周りを覆うように熱硬化性樹脂があることで、負側電極５０の熱膨張を抑え込むことができる。そのため、ハンダリフロー工程で生じる負側電極５０及び高熱伝導絶縁樹脂シート９０の間の熱応力に対する耐久性が向上し、高熱伝導絶縁樹脂シート９０の剥離及びクラックを抑えることができる。
【００３８】
〈第３実施形態〉
以下、本発明の第３実施形態について説明する。図１２に示す本実施形態の三相インバータは、図１に示す第１実施形態の三相インバータに相当する。本実施形態の三相インバータでは、半導体モジュール１１０ａが上記第１実施形態の半導体モジュール１０ａに相当する。同様に、第１１半導体素子である下アーム素子１２０が下アーム素子２０に相当し、第１２半導体素子である上アーム素子１３０が上アーム素子３０に相当する。同様に、第１２電極である出力電極１４０が出力電極４０に相当し、第１１電極である負側電極１５０が負側電極５０に相当し、第１３電極である正側電極１６０が正側電極６０に相当する。３つの半導体モジュール１１０ａは、互いに負側電極１５０及び正側電極１６０を共通にする。
【００３９】
下アーム素子１２０は、第１トランジスタＴｒ１及び第１ダイオードＤ１を有する。下アーム素子１２０の第１トランジスタＴｒ１のエミッタＥは、下アーム素子１２０の第１２面１２１に接続されている。下アーム素子１２０の第１トランジスタＴｒ１のエミッタＥは、第１２面１２１を介して負側電極１５０に接続されている。上アーム素子１３０は、第２トランジスタＴｒ２及び第２ダイオードＤ２を有する。上アーム素子１３０の第２トランジスタＴｒ２のコレクタＣは、上アーム素子１３０の第２３面１３２に接続されている。上アーム素子１３０の第２トランジスタＴｒ２のコレクタＣは、第２３面１３２を介して正側電極１６０に接続されている。
【００４０】
下アーム素子１２０の第１トランジスタＴｒ１のコレクタＣは、下アーム素子１２０の第１３面１２２に接続されている。下アーム素子１２０の第１トランジスタＴｒ１のコレクタＣは、第１３面１２２を介して出力電極１４０に接続されている。上アーム素子１３０の第２トランジスタＴｒ２のエミッタＥは、上アーム素子１３０の第２２面１３１に接続されている。上アーム素子１３０の第２トランジスタＴｒ２のエミッタＥは、第２２面１３１を介して出力電極１４０に接続されている。３つの半導体モジュール１１０ａの出力電極１４０は、出力端子１４０Ｕ，１４０Ｖ，１４０Ｗにそれぞれ接続されている。出力端子１４０Ｕ，１４０Ｖ，１４０Ｗは、モータＭのＵ相コイルＵ、Ｖ相コイルＶ及びＷ相コイルＷにそれぞれ接続されている。
【００４１】
図１２に示す本実施形態の三相インバータの上記以外については、図１に示す第１実施形態の三相インバータと同様であるため、説明を省略する。
【００４２】
以下、本実施形態の半導体モジュール１１０ａの構成の詳細について説明する。図１３に示すように、本実施形態の半導体モジュール１１０ａは、下アーム素子１２０、上アーム素子１３０、出力電極１４０、負側電極１５０、正側電極１６０、モールド樹脂７０、ハンダ８０及び高熱伝導絶縁樹脂シート１９１，１９２を備えている。
【００４３】
半導体モジュール１１０ａでは、下アーム素子１２０、上アーム素子１３０及び出力電極１４０が、負側電極１５０及び正側電極１６０の間で樹脂部であるモールド樹脂７０により封止されることにより一体となっている。図１３及び図１４に示すように、負側電極１５０及び正側電極１６０は、同じ方向に伸びている。図１４に示すように、出力電極１４０の出力端子１４０Ｕは、負側電極１５０及び正側電極１６０と同じ方向に伸びている。三相インバータの他の半導体モジュール１１０ａの出力端子１４０Ｖ，１４０Ｗも出力端子１４０Ｕと同様である。
【００４４】
第１１電極である負側電極１５０は、平板状の形状を有する金属板である。負側電極１５０、出力電極１４０及び正側電極１６０として、Ｃｕ、Ｎｉ、Ａｌ等の金属板、あるいは、これらの金属板の表面にＡｇ、Ａｕ等のめっき処理を施したものを用いることができる。負側電極１５０は、第１１領域１５３及び第１２領域１５４を含む第１１面１５１と、第１１面１５１の反対側の第１１放熱面１５２とを有する。第１１面１５１は、第１１領域１５３と第１２領域１５４との間に段差領域１５１ｓを含む。段差領域１５１ｓにより、第１１放熱面１５２から第１１領域１５３までの距離は、第１１放熱面１５２から第１２領域１５４までの距離よりも長い。
【００４５】
上述したように、第１１半導体素子である下アーム素子１２０は、第１トランジスタＴｒ１及び第１ダイオードＤ１を有する。下アーム素子１２０は、第１トランジスタＴｒ１のコレクタＣが接続された第１２面１２１を有する。下アーム素子１２０は、第１２面１２１の反対側の第１３面１２２を有する。第１３面１２２には、第１トランジスタＴｒ１のエミッタＥが接続されている。下アーム素子１２０の第１２面１２１は、ハンダ８０を介して負側電極１５０の第１１領域１５３に接続されている。
【００４６】
第１樹脂シートである高熱伝導絶縁樹脂シート１９１は、第１４面１９３及び第１４面１９３の反対側の第１５面１９４を有する。高熱伝導絶縁樹脂シート１９１の第１４面１９３は、負側電極１５０の第１２領域１５４にプレス加工により加熱及び加圧されることにより接合されている。高熱伝導絶縁樹脂シート１９１の材質は、上記第１実施形態の高熱伝導絶縁樹脂シート９０と同様にすることができる。高熱伝導絶縁樹脂シート１９１は、負側電極１５０と出力電極１４０との間を絶縁する。
【００４７】
第１２電極である出力電極１４０は、第１部である下アーム部１４３と第２部である上アーム部１４４とを有する。下アーム部１４３は、第１６面１４５及び第１６面１４５の反対側の第１７面１４６を含む。上アーム部１４４は、第１８面１４７及び第１８面１４７の反対側の第１９面１４８を含む。下アーム部１４３の第１６面１４５は、ハンダ８０を介して下アーム素子１２０の第１３面１２２に接続されている。上アーム部１４４の第１８面１４７は、高熱伝導絶縁樹脂シート１９１の第１５面１９４にプレス加工により加熱及び加圧されることにより接合されている。
【００４８】
下アーム部１４３は、負側電極１５０よりも正側電極１６０に近い側に位置している。上アーム部１４４は、正側電極１６０よりも負側電極１５０に近い側に位置している。下アーム部１４３は、負側電極１５０の側に屈曲して上アーム部１４４に至る屈曲部１４３ｂを含む。屈曲部１４３ｂの先端には接続面１４３ｃを含む。上アーム部１４４は、正側電極１６０の側に屈曲して下アーム部１４３に至る屈曲部１４４ｂを含む。屈曲部１４４ｂの先端には接続面１４４ｃを含む。接続面１４３ｃと接続面１４４ｃとが互いに接触することにより、下アーム部１４３と上アーム部１４４とが互いに段差をなすように接続されている。
【００４９】
第２樹脂シートである高熱伝導絶縁樹脂シート１９２は、第２０面１９５及び第２０面１９５の反対側の第２１面１９６を有する。高熱伝導絶縁樹脂シート１９２の第２０面１９５は、下アーム部１４３の第１７面１４６にプレス加工により加熱及び加圧されることにより接合されている。高熱伝導絶縁樹脂シート１９２の材質は、上記第１実施形態の高熱伝導絶縁樹脂シート９０と同様にすることができる。高熱伝導絶縁樹脂シート１９２は、正側電極１６０と出力電極１４０との間を絶縁する。
【００５０】
上述したように、第１２半導体素子である上アーム素子１３０は、第２トランジスタＴｒ２及び第２ダイオードＤ２を有する。上アーム素子１３０は、第２トランジスタＴｒ２のエミッタＥが接続された第２２面１３１を有する。上アーム素子１３０は、第２２面１３１の反対側の第２３面１３２を有する。第２３面１３２には、第２トランジスタＴｒ２のコレクタＣが接続されている。上アーム素子１３０の第２２面１３１は、ハンダ８０を介して上アーム部１４４の第１９面１４８に接続されている。
【００５１】
第１３電極である正側電極１６０は、平板状の形状を有する金属板である。正側電極１６０は、第１３領域１６３及び第１４領域１６４を含む第２４面１６１と、第２４面１６１の反対側の第１２放熱面１６２とを有する。正側電極１６０の第１３領域１６３は、高熱伝導絶縁樹脂シート１９２の第２１面１９６にプレス加工により加熱及び加圧されることにより接合されている。正側電極１６０の第１４領域１６４は、ハンダ８０を介して上アーム素子１３０の第２３面１３２に接続されている。第２４面１６１は、第１３領域１６３と第１４領域１６４との間に段差領域１６１ｓを含む。段差領域１６１ｓにより、第１２放熱面１６２から第１４領域１６４までの距離は、第１２放熱面１６２から第１３領域１６３までの距離よりも長い。
【００５２】
負側電極１５０と正側電極１６０とは、対向方向Ｄに沿って互いに対向する。下アーム部１４３の第１７面１４６と正側電極１６０の第１３領域１６３とは、対向方向Ｄに沿って互いに対向する。上アーム部１４４の第１８面１４７と負側電極１５０の第１２領域１５４とは、対向方向Ｄに沿って互いに対向する。負側電極１５０及び正側電極１６０は、下アーム素子１２０、上アーム素子１３０及び出力電極１４０を間に挟むように配置されている。
【００５３】
負側電極１５０が段差領域１５１ｓを有するため、負側電極の第１１領域１５３と上アーム部１４４の第１９面１４８とは、略同一平面上に位置する。正側電極１６０が段差領域１６１ｓを有するため、正側電極の第１４領域１６４と下アーム部１４３の第１６面１４５とは、略同一平面上に位置する。下アーム部１４３と上アーム部１４４とが互いに段差をなすように接続されているため、下アーム素子１２０の第１２面１２１と上アーム素子１３０の第２２面１３１とは、略同一平面上に位置する。また、下アーム素子１２０の第１３面１２２と上アーム素子１３０の第２３面１３２とは、略同一平面上に位置する。
【００５４】
負側電極１５０の第１１放熱面１５２及び正側電極１６０の第１２放熱面１６２には、高熱伝導絶縁樹脂シート９３及び金属板１００が順次積層されている。負側電極１５０の第１１面１５１と正側電極１６０の第２４面１６１との間には、絶縁のために、第１１樹脂部であるモールド樹脂７０が設けられている。高熱伝導絶縁樹脂シート９３は、モールド樹脂７０に内蔵させられる。金属板１００の高熱伝導絶縁樹脂シート９３の反対側の面は、モールド樹脂７０から露出している。なお、上記の負側電極１５０、正側電極１６０、モールド樹脂７０、高熱伝導絶縁樹脂シート９３及び金属板１００は、三相インバータの３つの半導体モジュール１１０ａに共通である。
【００５５】
以下、本実施形態の半導体モジュール１１０ａの製造方法について説明する。以下の製造方法では、三相インバータの３つの半導体モジュール１１０ａが一度に製造される。図１５及び図１６に示すように、加圧接合工程として、上アーム部１４４から分離された状態の下アーム部１４３の第１７面１４６と正側電極１６０の第１３領域１６３との間に高熱伝導絶縁樹脂シート１９２が挟まれる。プレス機２００によって、高熱伝導絶縁樹脂シート１９２が加熱されつつ第１７面１４６と第１３領域１６３との対向方向Ｄに加圧される。これにより、下アーム部１４３の第１７面１４６と高熱伝導絶縁樹脂シート１９２の第２０面１９５とが接合され、高熱伝導絶縁樹脂シート１９２の第２１面１９６とが接合される。
【００５６】
図１５及び図１７に示すように、加圧接合工程として、下アーム部１４３から分離された状態の上アーム部１４４の第１８面１４７と負側電極１５０の第１２領域１５４との間に高熱伝導絶縁樹脂シート１９１が挟まれる。プレス機２００によって、高熱伝導絶縁樹脂シート１９１が加熱されつつ第１８面１４７と第１２領域１５４との対向方向Ｄに加圧される。これにより、負側電極１５０の第１２領域１５４と高熱伝導絶縁樹脂シート１９１の第１４面１９３とが接合され、高熱伝導絶縁樹脂シート１９１の第１５面１９４と上アーム部１４４の第１８面１４７とが接合される（Ｓ３１）。
【００５７】
図１５及び図１８に示すように、ハンダリフロー工程として、負側電極１５０の第１１領域１５３と下アーム素子１２０の第１２面１２１との間、第１３面１２２と下アーム部１４３の第１６面１４５との間、上アーム部１４４の第１９面１４８と上アーム素子１３０の第２２面１３１との間及び上アーム素子１３０の第２３面１３２と正側電極１６０の第１４領域１６４との間にハンダ８０が配置される。また、下アーム部１４３の接続面１４３ｃと上アーム部１４４の接続面１４４ｃとが互いに接触させられることにより接続される。出力電極１４０、負側電極１５０、正側電極１６０、下アーム素子１２０及び上アーム素子１３０は、ハンダリフロー工程において、対向方向Ｄのそれぞれの間隔が所定の長さになるように治具で規定される。
【００５８】
リフロー炉の中で、ハンダ８０を加熱により溶融させた後に固化させることにより、負側電極１５０の第１１領域１５３と下アーム素子１２０の第１２面１２１とが接続され、第１３面１２２と下アーム部１４３の第１６面１４５とが接続され、上アーム部１４４の第１９面１４８と上アーム素子１３０の第２２面１３１とが接続され、上アーム素子１３０の第２３面１３２と正側電極１６０の第１４領域１６４とが接続される（Ｓ３２）。
【００５９】
モールド工程として、上記第１実施形態と同様に、負側電極１５０の第１１放熱面１５２及び正側電極１６０の第１２放熱面１６２に、高熱伝導絶縁樹脂シート９３及び金属板１００が順次積層された後に、負側電極１５０の第１１面１５１と正側電極１６０の第２４面１６１との間にモールド樹脂７０が設けられる（Ｓ３３）。
【００６０】
本実施形態では、加圧接合工程で、上アーム部１４４から分離された状態の下アーム部１４３の第１７面１４６と正側電極１６０の第１３領域１６３との間に高熱伝導絶縁樹脂シート１９２が挟まれ、高熱伝導絶縁樹脂シート１９２が加熱されつつ第１７面１４６と第１３領域１６３との対向方向Ｄに加圧されることにより、第１７面１４６と高熱伝導絶縁樹脂シート１９２の第２０面１９５とが接合され、高熱伝導絶縁樹脂シート１９２の第２１面と第１３領域１６３とが接合される。
【００６１】
同様にして、下アーム部１４３から分離された状態の上アーム部１４４の第１８面１４７と負側電極１５０の第１２領域１５４との間に高熱伝導絶縁樹脂シート１９１が挟まれ、第１２領域１５４と高熱伝導絶縁樹脂シート１９１の第１４面１９３とが接合され、高熱伝導絶縁樹脂シート１９１の第１５面１９４と第１８面１４７とが接合される。これにより、放熱経路を形成する二つの樹脂シート厚さの均一化を図ることができる。
【００６２】
一方、ハンダリフロー工程では、ハンダリフローにより、各部材及び各素子の接続を行う。このため、各部材及び各素子の形状のバラツキを加熱により溶融させられるハンダで吸収することができる。したがって、樹脂シートの厚さの均一化により、放熱特性のバラツキを抑制することができる。さらに、出力電極１４０の下アーム部１４３と上アーム部１４４とを互いに接触させることにより接続するため、簡単な工程で下アーム部１４３と上アーム部１４４とを接続することができる。その他、本実施形態は、上記第１実施形態と同様の効果を奏する。
【００６３】
〈第４実施形態〉
図１９に示すように、本発明の第４実施形態の半導体モジュール１１０ｂでは、下アーム部１４３の接続面１４３ｃと上アーム部１４４の接続面１４４ｃとがハンダ８０を介して互いに接続されている。図２０に示す本実施形態の半導体モジュール１１０ｂの製造方法においては、上記第３実施形態と同様の加圧接合工程が行われる（Ｓ４１）。
【００６４】
ハンダリフロー工程として、図２０及び図２１に示すように、上記第３実施形態と同様に負側電極１５０の第１１領域１５３と下アーム素子１２０の第１２面１２１との間等にハンダ８０が配置されることに加えて、下アーム部１４３の接続面１４３ｃと上アーム部１４４の接続面１４４ｃとの間にハンダ８０が配置される。
【００６５】
上記第３実施形態と同様にリフロー炉の中でハンダ８０を加熱により溶融させた後に固化させることにより、負側電極１５０の第１１領域１５３と下アーム素子１２０の第１２面１２１との間等が接続されることに加えて、下アーム部１４３の接続面１４３ｃと上アーム部１４４の接続面１４４ｃとが接続される（Ｓ４２）。
【００６６】
モールド工程として、上記第１実施形態と同様に、負側電極１５０の第１１放熱面１５２及び正側電極１６０の第１２放熱面１６２に、高熱伝導絶縁樹脂シート９３及び金属板１００が順次積層された後に、負側電極１５０の第１１面１５１と正側電極１６０の第２４面１６１との間にモールド樹脂７０が設けられる（Ｓ４３）。
【００６７】
本実施形態では、ハンダリフローにより、出力電極１４０の下アーム部１４３と上アーム部１４４とが接続される。このため、下アーム部１４３と上アーム部１４４とを確実に接続することができる。
【００６８】
尚、本発明の実施形態の半導体モジュールは、上記した実施の形態に限定されるものではなく、本発明の実施形態の要旨を逸脱しない範囲内において種々変更を加え得ることは勿論である。例えば、第２実施形態の加圧接合工程の後、ハンダリフロー工程の前に、接合された負側電極５０の周りを覆うようにモールド樹脂層７１が設けられるプリモールド工程は、上記第３実施形態及び第４実施形態においても含めることができる。
【符号の説明】
【００６９】
１０ａ，１０ｂ…半導体モジュール、２０…下アーム素子、２１…第２面、２２…第３面、３０…上アーム素子、３１…第４面、３２…第５面、４０…出力電極、４０Ｕ，４０Ｖ，４０Ｗ…出力端子、４１…第１面、４２…第２放熱面、５０…負側電極、５０Ｔ…負側端子、５１…第６面、５２…第７面、６０…正側電極、６０Ｔ…正側端子、６１…第１０面、６１ｓ…段差領域、６２…第１放熱面、６３…第１領域、６４…第２領域、７０…モールド樹脂、７１…モールド樹脂層、８０…ハンダ、９０…高熱伝導絶縁樹脂シート、９１…第８面、９２…第９面、９３…高熱伝導絶縁樹脂シート、１００…金属板、１１０ａ，１１０ｂ…半導体モジュール、１２０…下アーム素子、１２１…第１２面、１２２…第１３面、１３０…上アーム素子、１３１…第２２面、１３２…第２３面、１４０…出力電極、１４０Ｕ，１４０Ｖ，１４０Ｗ…出力端子、１４３…下アーム部、１４３ｂ…屈曲部、１４３ｃ…接続面、１４４…上アーム部、１４４ｂ…屈曲部、１４４ｃ…接続面、１４５…第１６面、１４６…第１７面、１４７…第１８面、１４８…第１９面、１５０…負側電極、１５１…第１１面、１５１ｓ…段差領域、１５２…第１１放熱面、１５３…第１１領域、１５４…第１２領域、１６０…正側電極、１６１…第２４面、１６１ｓ…段差領域、１６２…第１２放熱面、１６３…第１３領域、１６４…第１４領域、１９１，１９２…高熱伝導絶縁樹脂シート、１９３…第１４面、１９４…第１５面、１９５…第２０面、１９６…第２１面、２００…プレス機、Ｔｒ１…第１トランジスタ、Ｔｒ２…第２トランジスタ、Ｄ１…第１ダイオード、Ｄ２…第２ダイオード、Ｅ…エミッタ、Ｃ…コレクタ、Ｂ…直流電圧、ＣＡＰ…キャパシタ、Ｍ…モータ、Ｕ…Ｕ相コイル、Ｖ…Ｖ相コイル、Ｗ…Ｗ相コイル、Ｄ…対向方向。
【図１】
2015220253.tif 000003
【図２】
2015220253.tif 000004
【図３】
2015220253.tif 000005
【図４】
2015220253.tif 000006
【図５】
2015220253.tif 000007
【図６】
2015220253.tif 000008
【図７】
2015220253.tif 000009
【図８】
2015220253.tif 000010
【図９】
2015220253.tif 000011
【図１０】
2015220253.tif 000012
【図１１】
2015220253.tif 000013
【図１２】
2015220253.tif 000014
【図１３】
2015220253.tif 000015
【図１４】
2015220253.tif 000016
【図１５】
2015220253.tif 000017
【図１６】
2015220253.tif 000018
【図１７】
2015220253.tif 000019
【図１８】
2015220253.tif 000020
【図１９】
2015220253.tif 000021
【図２０】
2015220253.tif 000022
【図２１】
2015220253.tif 000023