(57)【要約】      （修正有）【課題】露光マスクを用いても、チップＩＤ等を効率よく記録することのできる露光装置、露光方法、および前記露光方法を用いた電気光学装置の製造方法を提供する。【解決手段】露光装置５００において、露光マスク５１０により規定される露光パターンと、画像生成装置５３０において入力情報に基づいて生成した画像とが重なって露光する。このため、配線や電極を形成するための露光については露光マスク５１０を利用し、チップＩＤを記録するための露光については画像生成装置５３０の画像を利用し、これらを利用した露光は同時に行われる。また、今回のマザー基板４００に対する露光を行った後、別のマザー基板４００に対する露光を行う際、画像生成装置５３０において生成される画像を変更する。【選択図】図３
2015197572.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
露光光を基板に照射する露光装置であって、
露光マスクと、
第１画像生成装置と、
を有し、
前記露光光は、前記露光マスクを介した光と、前記第１画像生成装置により生成した第
１画像と、を含むことを特徴とする露光装置。
【請求項２】
請求項１に記載の露光装置において、
第２画像を生成する第２画像生成装置を有し、
前記露光マスクは、複数の露光パターンが配列され、
前記露光光は、
前記複数の露光パターンのうち第１露光パターンと前記第１画像とを含んで前記基板の
第１チップ領域を露光する第１露光光と、
前記複数の露光パターンのうち第２露光パターンと前記第２画像とを含んで前記基板の
前記第１チップ領域とは異なる第２チップ領域を露光する第２露光光と、
を含み、
前記第１露光パターンは、前記第２露光パターンと同じパターンであり、
前記第１画像は、前記第２画像とは異なる画像であることを特徴とする露光装置。
【請求項３】
請求項２に記載の露光装置において、
第３画像を生成する第３画像生成装置と、
第４画像を生成する第４画像生成装置と、を有し、
前記露光光は、
前記複数の露光パターンのうち第３露光パターンと前記第３画像とを含んで前記基板の
前記第１チップ領域および前記第２チップ領域とは異なる第３チップ領域を露光する第３
露光光と、
前記複数の露光パターンのうち第４露光パターンと前記第４画像とを含んで前記基板の
前記第１チップ領域、前記第２チップ領域および前記第３チップ領域とは異なる第４チッ
プ領域を露光する第４露光光と、
を含み、
前記第３露光パターンおよび前記第４露光パターンは、前記第１露光パターンと同じパ
ターンであり、
前記第３画像は、前記第１画像および前記第２画像と異なる画像であり、
前記第４画像は、前記第１画像、前記第２画像および前記第３画像と異なる画像であり
、
前記露光マスクは、前記第１画像生成装置、前記第２画像生成装置、前記第３画像生成
装置および前記第４画像生成装置と重なるように配置され、
前記第１画像生成装置および前記第３画像生成装置は、前記露光マスクの一方の端部に
沿うように配列され、
前記第２画像生成装置および前記第４画像生成装置は、前記露光マスクの他方の端部に
沿うように配列されていることを特徴とする露光装置。
【請求項４】
請求項１に記載の露光装置において、
前記露光マスクは、複数の露光パターンが配列され、
前記第１画像生成装置は、複数の画像を生成し、
前記露光光は、
前記複数の露光パターンのうち第１露光パターンと前記複数の画像のうち第１画像とを
含んで前記基板の第１チップ領域を露光する第１露光光と、
前記複数の露光パターンのうち第２露光パターンと前記複数の画像のうち第２画像とを
含んで前記基板の前記第１チップ領域とは異なる第２チップ領域を露光する第２露光光と
、
を含み、
前記第１露光パターンは、前記第２露光パターンと同じパターンであり、
前記第１画像は、前記第２画像とは異なる画像であることを特徴とする露光装置。
【請求項５】
請求項１乃至４のいずれか一項に記載の露光装置において、
前記第１画像生成装置は、光源から照射された光の少なくとも一部を変調して画像を生
成する透過型光変調装置であることを特徴とする露光装置。
【請求項６】
請求項１、２または４に記載の露光装置において、
前記露光マスクを介した光は、光路合成素子によって前記第１画像生成装置が生成した
前記第１画像と重なることを特徴とする露光装置。
【請求項７】
請求項１、２または４に記載の露光装置において、
前記画像生成装置は、自発光型画像生成装置であり、
前記露光マスクを介した光は、光路合成素子によって前記第１画像生成装置が生成した
前記第１画像と重なることを特徴とする露光装置。
【請求項８】
基板の一方の面に形成された感光性樹脂を露光するにあたって、
露光マスクを介した光と、第１画像生成装置が生成した第１画像と、を含む露光光によ
って、前記感光性樹脂を露光することを特徴とする露光方法。
【請求項９】
請求項８に記載の露光方法において、
前記露光マスクは、複数の露光パターンが配列され、
前記露光光は、
前記複数の露光パターンのうち第１露光パターンと前記第１画像とを含んで前記基板の
第１チップ領域を露光する第１露光光と、
前記複数の露光パターンのうち第２露光パターンと、第２画像生成装置が生成した第２
画像とを含んで前記基板の前記第１チップ領域とは異なる第２チップ領域を露光する第２
露光光と、
を含み、
前記第１露光パターンは、前記第２露光パターンと同じパターンであり、
前記第１画像は、前記第２画像とは異なる画像であることを特徴とする露光方法。
【請求項１０】
請求項８に記載の露光方法において、
前記露光マスクは、複数の露光パターンが配列され、
前記第１画像生成装置は、複数の画像を生成し、
前記露光光は、
前記複数の露光パターンのうち第１露光パターンと前記複数の画像のうち第１画像とを
含んで前記基板の第１チップ領域を露光する第１露光光と、
前記複数の露光パターンのうち第２露光パターンと前記複数の画像のうち第２画像とを
含んで前記基板の前記第１チップ領域とは異なる第２チップ領域を露光する第２露光光と
、
を含み、
前記第１露光パターンは、前記第２露光パターンと同じパターンであり、
前記第１画像は、前記第２画像とは異なる画像であることを特徴とする露光方法。
【請求項１１】
請求項９または１０に記載の露光方法において、
前記基板に形成された前記感光性樹脂を露光した後、
別の基板に形成された感光性樹脂を露光する際には、前記第１画像生成装置において生
成される前記第１画像を変更することを特徴とする露光方法。
【請求項１２】
請求項９乃至１１の何れか一項に記載の露光方法を用いた電気光学装置の製造方法であ
って、
前記第１チップ領域の表示領域に前記第１露光パターンによって規定された形状のエッ
チングマスクを形成するとともに、前記第１チップ領域の表示領域の外側に前記第１画像
によって規定された形状のエッチングマスクを形成し、前記第２チップ領域の表示領域に
前記第２露光パターンによって規定された形状のエッチングマスクを形成するとともに、
前記第２チップ領域の表示領域の外側に前記第２画像によって規定された形状のエッチン
グマスクを形成するエッチングマスク形成工程と、
前記基板の一方の面をエッチングして前記第１チップ領域の表示領域の外側にチップＩ
Ｄを記録するとともに、前記第２チップ領域の表示領域の外側にチップＩＤを記録するエ
ッチング工程と、
を行い、
前記基板を分割して得た前記第１チップ領域を電気光学装置用基板として用いて電気光
学装置を製造し、前記基板を分割して得た前記第２チップ領域を電気光学装置用基板とし
て用いて電気光学装置を製造することを特徴とする電気光学装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、感光性樹脂等の露光に用いられる露光装置、露光方法、および前記露光方法
を用いた電気光学装置の製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
液晶装置や有機エレクトロルミネッセンス装置等の電気光学装置や、各種半導体装置で
は、基板にチップＩＤを付しておき、基板の履歴等を追跡できるようになっている。かか
るチップＩＤを付すにあたっては、露光マスクを介して感光性樹脂を露光した後、現像し
て得たエッチングマスクを用いて、金属膜等をパターニングして電極や配線を形成する際
、金属膜等のパターンングによってチップＩＤを記録することが好ましい。しかしながら
、電極や配線の形成パターンはいずれの基板でも共通するが、チップＩＤは、今回処理し
た基板と次回処理する基板とにおいて相違させる必要がある。このため、電極や配線に対
応する露光パターンを有する露光マスクと、チップＩＤを記録するための複数の露光マス
クとを必要とするため、２つの露光マスクの位置合わせに多大な手間がかかるとともに、
露光マスクに多大な費用が発生する。
【０００３】
一方、液晶パネルを露光マスクとして用いた露光装置が提案されており、かかる露光装
置によれば、露光パターンを任意に変更できる（特許文献１、２参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開平１１−５２５４１号公報
【特許文献２】国際公開ＷＯ０２／３９１８９
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、特許文献１、２に記載の露光装置では、レクチル等の従来の露光マスク
に比較して安定した露光精度を得ることができない。このため、チップＩＤを記録するた
めの露光装置として用いることができても、電極や配線を形成するための露光装置として
用いるレベルに到っていない。このため、特許文献１、２に記載の露光装置を用いた場合
、レクチル等の露光マスクを用いた露光工程と、液晶パネルを備えた露光装置を用いた露
光工程とを行う必要があるため、生産性が低下する。
【０００６】
以上の問題点に鑑みて、本発明の課題は、露光マスクを用いても、チップＩＤ等を効率
よく記録することのできる露光装置、露光方法、および前記露光方法を用いた電気光学装
置の製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上記課題を解決するために、本発明の露光装置の一態様は、露光マスクと、第１画像生
成装置と、を有し、前記露光光は、前記露光マスクを介した光と、前記第１画像生成装置
により生成した第１画像と、を含むことを特徴とする。
【０００８】
また、本発明の露光方法の一態様は、基板の一方の面に形成された感光性樹脂を露光す
るにあたって、露光マスクを介した光と、第１画像生成装置が生成した第１画像と、を含
む露光光によって、前記感光性樹脂を露光することを特徴とする。
【０００９】
本発明では、露光マスクと第１画像生成装置とを有しており、露光マスクの露光パター
ンと、第１画像生成装置で生成された第１画像とが重なって露光が同時に行われる。この
ため、配線や電極を形成するための露光については露光マスクを利用し、チップＩＤ等を
記録するための露光については第１画像生成装置の第１画像を利用し、これらを利用した
露光は同時に行われる。それ故、専用の露光マスクを用いてもチップＩＤ等を効率よく記
録することができる。
【００１０】
本発明に係る露光装置において、第２画像を生成する第２画像生成装置を有し、前記露
光マスクは、複数の露光パターンが配列され、前記露光光は、前記複数の露光パターンの
うち第１露光パターンと前記第１画像とを含んで前記基板の第１チップ領域を露光する第
１露光光と、前記複数の露光パターンのうち第２露光パターンと前記第２画像とを含んで
前記基板の前記第１チップ領域とは異なる第２チップ領域を露光する第２露光光と、を含
み、前記第１露光パターンは、前記第２露光パターンと同じパターンであり、前記第１画
像は、前記第２画像とは異なる画像であることが好ましい。すなわち、本発明に係る露光
方法において、前記露光マスクは、複数の露光パターンが配列され、前記露光光は、前記
複数の露光パターンのうち第１露光パターンと前記第１画像とを含んで前記基板の第１チ
ップ領域を露光する第１露光光と、前記複数の露光パターンのうち第２露光パターンと、
第２画像生成装置が生成した第２画像とを含んで前記基板の前記第１チップ領域とは異な
る第２チップ領域を露光する第２露光光と、を含み、前記第１露光パターンは、前記第２
露光パターンと同じパターンであり、前記第１画像は、前記第２画像とは異なる画像であ
ることが好ましい。かかる構成によれば、複数の領域を同時に露光する場合でも、基板上
の異なる位置にチップＩＤ等を記録することができる。
【００１１】
この場合、第３画像を生成する第３画像生成装置と、第４画像を生成する第４画像生成
装置と、を有し、前記露光光は、前記複数の露光パターンのうち第３露光パターンと前記
第３画像とを含んで前記基板の前記第１チップ領域および前記第２チップ領域とは異なる
第３チップ領域を露光する第３露光光と、前記複数の露光パターンのうち第４露光パター
ンと前記第４画像とを含んで前記基板の前記第１チップ領域、前記第２チップ領域および
前記第３チップ領域とは異なる第４チップ領域を露光する第４露光光と、を含み、前記第
３露光パターンおよび前記第４露光パターンは、前記第１露光パターンと同じパターンで
あり、前記第３画像は、前記第１画像および前記第２画像と異なる画像であり、前記第４
画像は、前記第１画像、前記第２画像および前記第３画像と異なる画像であり、前記露光
マスクは、前記第１画像生成装置、前記第２画像生成装置、前記第３画像生成装置および
前記第４画像生成装置と重なるように配置され、前記第１画像生成装置および前記第３画
像生成装置は、前記露光マスクの一方の端部に沿うように配列され、前記第２画像生成装
置および前記第４画像生成装置は、前記露光マスクの他方の端部に沿うように配列されて
いることが好ましい。
【００１２】
また、本発明に係る露光装置において、前記露光マスクは、複数の露光パターンが配列
され、前記第１画像生成装置は、複数の画像を生成し、前記露光光は、前記複数の露光パ
ターンのうち第１露光パターンと前記複数の画像のうち第１画像とを含んで前記基板の第
１チップ領域を露光する第１露光光と、前記複数の露光パターンのうち第２露光パターン
と前記複数の画像のうち第２画像とを含んで前記基板の前記第１チップ領域とは異なる第
２チップ領域を露光する第２露光光と、を含み、前記第１露光パターンは、前記第２露光
パターンと同じパターンであり、前記第１画像は、前記第２画像とは異なる画像である構
成を採用してもよい。かかる構成によれば、複数の領域を同時に露光する場合でも、基板
上の異なる位置にチップＩＤ等を記録することができる。
【００１３】
本発明において、前記第１画像生成装置は、光源から照射された光の少なくとも一部を
変調して画像を生成する透過型光変調装置である構成を採用することができる。
【００１４】
本発明において、前記露光マスクを介した光は、光路合成素子によって前記第１画像生
成装置が生成した前記第１画像光と重なる構成を採用することができる。
【００１５】
本発明において、前記画像生成装置は、自発光型画像生成装置であり、前記露光マスク
を介した光は、光路合成素子によって前記第１画像生成装置が生成した前記第１画像と重
なる構成を採用することができる。
【００１６】
本発明に係る露光方法において、前記基板に形成された前記感光性樹脂を露光した後、
別の基板に形成された感光性樹脂を露光する際には、前記第１画像生成装置において生
成される前記第１画像を変更することが好ましい。
【００１７】
本発明に係る露光方法は、電気光学装置の製造方法に適用できる。この場合、前記第１
チップ領域の表示領域に前記第１露光パターンによって規定された形状のエッチングマス
クを形成するとともに、前記第１チップ領域の表示領域の外側に前記第１画像によって規
定された形状のエッチングマスクを形成し、前記第２チップ領域の表示領域に前記第２露
光パターンによって規定された形状のエッチングマスクを形成するとともに、前記第２チ
ップ領域の表示領域の外側に前記第２画像によって規定された形状のエッチングマスクを
形成するエッチングマスク形成工程と、前記基板の一方の面をエッチングして前記第１チ
ップ領域の表示領域の外側にチップＩＤを記録するとともに、前記第２チップ領域の表示
領域の外側にチップＩＤを記録するエッチング工程と、を行い、前記基板を分割して得た
前記第１チップ領域を電気光学装置用基板として用いて電気光学装置を製造し、前記基板
を分割して得た前記第２チップ領域を電気光学装置用基板として用いて電気光学装置を製
造する。
【図面の簡単な説明】
【００１８】
【図１】本発明を適用した電気光学装置の液晶パネルの一態様を示す説明図である。
【図２】本発明を適用した電気光学装置の画素の一態様を示す説明図である。
【図３】本発明の実施の形態１に係る露光装置の一態様を模式的に示す説明図である。
【図４】本発明の実施の形態１に係る露光装置によってマザー基板を露光する様子の一例を示す説明図である。
【図５】本発明を適用した電気光学装置の製造方法において、チップＩＤと下層側遮光層とを同時形成する方法の一例を模式的に示す工程断面図である。
【図６】本発明の実施の形態２に係る露光装置の一態様を模式的に示す説明図である。
【図７】本発明の実施の形態３に係る露光装置の一態様を模式的に示す説明図である。
【図８】本発明の実施の形態４に係る露光装置の一態様を模式的に示す説明図である。
【発明を実施するための形態】
【００１９】
図面を参照して、本発明の実施の形態を説明する。なお、以下の説明で参照する図にお
いては、各層や各部材を図面上で認識可能な程度の大きさとするため、各層や各部材毎に
縮尺を異ならしめてある。
【００２０】
［実施の形態１］
（電気光学装置の全体構成）
図１は、本発明を適用した電気光学装置の液晶パネルの一態様を示す説明図であり、図
１（ａ）、（ｂ）は各々、液晶パネルを各構成要素と共に対向基板の側から見た平面図、
およびそのＨ−Ｈ′断面図である。
【００２１】
図１（ａ）、（ｂ）に示すように、本形態の電気光学装置１００は、液晶装置であり、
液晶パネル１００ｐを有している。液晶パネル１００ｐでは、素子基板１０と対向基板２
０とが所定の隙間を介してシール材１０７によって貼り合わされており、シール材１０７
は対向基板２０の外縁に沿うように枠状に設けられている。シール材１０７は、光硬化性
樹脂や熱硬化性樹脂等からなる接着剤であり、両基板間の距離を所定値とするためのグラ
スファイバーあるいはガラスビーズ等のギャップ材１０７ａが配合されている。液晶パネ
ル１００ｐにおいて、素子基板１０と対向基板２０との間のうち、シール材１０７によっ
て囲まれた領域内には、液晶層からなる電気光学層５０が設けられている。本形態におい
て、シール材１０７には、液晶注入口１０７ｃとして利用される途切れ部分が形成されて
おり、かかる液晶注入口１０７ｃは、液晶材料の注入後、封止材１０７ｄによって封止さ
れている。
【００２２】
かかる構成の液晶パネル１００ｐにおいて、素子基板１０および対向基板２０はいずれ
も四角形であり、素子基板１０は、Ｙ方向（第２方向）で対向する２つの側面１０ｅ、１
０ｆと、Ｘ方向（第１方向）で対向する２つの側面１０ｇ、１０ｈとを備えている。液晶
パネル１００ｐの略中央には、表示領域１０ａが四角形の領域として設けられており、か
かる形状に対応して、シール材１０７も略四角形に設けられている。表示領域１０ａの外
側は、四角枠状の外周領域１０ｃになっている。
【００２３】
素子基板１０において、外周領域１０ｃでは、素子基板１０においてＹ軸方向の一方側
に位置する側面１０ｅに沿ってデータ線駆動回路１０１および複数の端子１０２が形成さ
れており、この側面１０ｅに隣接する他の側面１０ｇ、１０ｈの各々に沿って走査線駆動
回路１０４が形成されている。なお、端子１０２には、フレキシブル配線基板（図示せず
）が接続されており、素子基板１０には、フレキシブル配線基板を介して外部制御回路か
ら各種電位や各種信号が入力される。
【００２４】
図２を参照して詳しくは後述するが、素子基板１０の一方面１０ｓおよび他方面１０ｔ
のうち、対向基板２０と対向する一方面１０ｓの側において、表示領域１０ａには、画素
電極９ａや、画素スイッチング素子がマトリクス状に配列されている。従って、表示領域
１０ａは、画素電極９ａがマトリクス状に配列された画素電極配列領域１０ｐとして構成
されている。かかる構成の素子基板１０において、画素電極９ａの上層側には配向膜１６
が形成されている。なお、素子基板１０の一方面１０ｓの側において、表示領域１０ａよ
り外側の外周領域１０ｃのうち、表示領域１０ａとシール材１０７とに挟まれた四角枠状
の周辺領域１０ｂには、画素電極９ａと同時形成されたダミー画素電極９ｂが形成されて
いる。
【００２５】
対向基板２０の一方面２０ｓおよび他方面２０ｔのうち、素子基板１０と対向する一方
面２０ｓの側には共通電極２１が形成されている。共通電極２１は、対向基板２０の略全
面あるいは複数の帯状電極として複数の画素に跨って形成されている。本形態において、
共通電極２１は、対向基板２０の略全面に形成されている。
【００２６】
対向基板２０の一方面２０ｓの側には、共通電極２１の下層側に遮光層２９が形成され
、共通電極２１の表面には配向膜２６が積層されている。遮光層２９は、表示領域１０ａ
の外周縁に沿って延在する額縁部分２９ａとして形成されており、遮光層２９の内周縁に
よって表示領域１０ａが規定されている。また、遮光層２９は、隣り合う画素電極９ａに
より挟まれた画素間領域に重なるブラックマトリクス部２９ｂとしても形成されている。
額縁部分２９ａはダミー画素電極９ｂと重なる位置に形成されており、額縁部分２９ａの
外周縁は、シール材１０７の内周縁との間に隙間を隔てた位置にある。従って、額縁部分
２９ａとシール材１０７とは重なっていない。
【００２７】
液晶パネル１００ｐにおいて、シール材１０７より外側には、対向基板２０の一方面２
０ｓの側の４つの角部分に基板間導通用電極２５が形成されており、素子基板１０の一方
面１０ｓの側には、対向基板２０の４つの角部分（基板間導通用電極２５）と対向する位
置に基板間導通用電極１９が形成されている。本形態において、基板間導通用電極２５は
、共通電極２１の一部からなる。基板間導通用電極１９には、共通電位Ｖcomが印加され
ている。基板間導通用電極１９と基板間導通用電極２５との間には、導電粒子を含んだ基
板間導通材１９ａが配置されており、対向基板２０の共通電極２１は、基板間導通用電極
１９、基板間導通材１９ａおよび基板間導通用電極２５を介して、素子基板１０側に電気
的に接続されている。このため、共通電極２１は、素子基板１０の側から共通電位Ｖcom
が印加されている。シール材１０７は、略同一の幅寸法をもって対向基板２０の外周縁に
沿って設けられているが、対向基板２０の角部分と重なる領域では基板間導通用電極１９
、２５を避けて内側を通るように設けられている。
【００２８】
本形態において、電気光学装置１００が透過型の液晶装置である場合、画素電極９ａお
よび共通電極２１は、ＩＴＯ（Indium Tin Oxide）膜やＩＺＯ（Indium Zinc Oxide）膜
等の透光性導電膜により形成されている。かかる透過型の液晶装置（電気光学装置１００
）では、例えば、対向基板２０の側から入射した光が素子基板１０の側から出射される間
に変調されて画像を表示する。また、電気光学装置１００が反射型の液晶装置である場合
、共通電極２１は、ＩＴＯ膜やＩＺＯ膜等の透光性導電膜により形成され、画素電極９ａ
は、アルミニウム膜等の反射性導電膜により形成される。かかる反射型の液晶装置（電気
光学装置１００）では、素子基板１０および対向基板２０のうち、対向基板２０の側から
入射した光が素子基板１０で反射して出射される間に変調されて画像を表示する。
【００２９】
（画素の具体的構成）
図２は、本発明を適用した電気光学装置１００の画素の一態様を示す説明図であり、図
２（ａ）、（ｂ）は、素子基板１０において隣り合う複数の画素の平面図、および電気光
学装置１００のＦ−Ｆ′断面図である。なお、図２（ａ）では、各層を以下の線
下層側遮光層８ａ＝細くて長い破線
半導体層１ａ＝細くて短い点線
走査線３ａ＝太い実線
ドレイン電極４ａ＝細い実線
データ線６ａおよび中継電極６ｂ＝細い一点鎖線
容量線５ａ＝太い一点鎖線
上層側遮光層７ａおよび中継電極７ｂ＝細い二点鎖線
画素電極９ａ＝太い破線
で示してある。また、図２（ａ）では、互いの端部が平面視で重なり合う層については、
層の形状等が分かりやすいように、端部の位置をずらしてある。
【００３０】
図２（ａ）に示すように、素子基板１０において対向基板２０と対向する一方面１０ｓ
には、複数の画素の各々に画素電極９ａが形成されており、隣り合う画素電極９ａにより
挟まれた画素間領域に沿ってデータ線６ａおよび走査線３ａが形成されている。本形態に
おいて、画素間領域は縦横に延在しており、走査線３ａは画素間領域のうち、Ｘ方向に延
在する第１画素間領域に沿って直線的に延在し、データ線６ａは、Ｙ方向に延在する第２
画素間領域に沿って直線的に延在している。また、データ線６ａと走査線３ａとの交差に
対応して画素スイッチング素子３０が形成されており、本形態において、画素スイッチン
グ素子３０は、データ線６ａと走査線３ａとの交差領域およびその付近を利用して形成さ
れている。素子基板１０には容量線５ａが形成されており、かかる容量線５ａには共通電
位Ｖcomが印加されている。本形態において、容量線５ａは、走査線３ａおよびデータ線
６ａに重なるように延在して格子状に形成されている。画素スイッチング素子３０の上層
側には上層側遮光層７ａが形成されており、かかる上層側遮光層７ａは、データ線６ａお
よび走査線３ａに重なるように延在している。画素スイッチング素子３０の下層側には下
層側遮光層８ａが形成されており、かかる下層側遮光層８ａは、走査線３ａおよびデータ
線６ａと重なるように延在している。
【００３１】
図２（ｂ）に示すように、素子基板１０は、基板本体が石英基板やガラス基板等の透光
性基板１０ｗからなり、透光性基板１０ｗの電気光学層５０側の面（対向基板２０と対向
する一方面１０ｓ側）には、以下に説明する画素電極９ａ、画素スイッチング用の画素ス
イッチング素子３０、および配向膜１６等が構成されている。また、対向基板２０の基板
本体は、石英基板やガラス基板等の透光性基板２０ｗからなり、透光性基板２０ｗの電気
光学層５０側の面（素子基板１０と対向する一方面２０ｓ）には、以下に説明する遮光層
２９、共通電極２１、および配向膜２６等が構成されている。
【００３２】
素子基板１０において、透光性基板１０ｗの一方面１０ｓ側には、導電性のポリシリコ
ン膜、金属シリサイド膜、金属膜あるいは金属化合物膜等の遮光膜からなる下層側遮光層
８ａが形成されている。本形態において、下層側遮光層８ａは、タングステンシリサイド
（ＷＳｉ）、タングステン、窒化チタン等の遮光膜からなり、電気光学装置１００を透過
した後の光が他の部材で反射した際、かかる反射光が半導体層１ａに入射して画素スイッ
チング素子３０で光電流に起因する誤動作が発生することを防止する。なお、下層側遮光
層８ａを走査線として構成する場合もあり、この場合、後述するゲート電極３ｂと下層側
遮光層８ａを導通させた構成とする。本形態において、下層側遮光層８ａは、タングステ
ンシリサイドからなる。
【００３３】
透光性基板１０ｗの一方面１０ｓ側において、下層側遮光層８ａの上層側には、シリコ
ン酸化膜からなる透光性の絶縁膜１２が形成されており、かかる絶縁膜１２の表面側に、
半導体層１ａを備えた画素スイッチング素子３０が形成されている。画素スイッチング素
子３０は、データ線６ａの延在方向に長辺方向を向けた半導体層１ａと、半導体層１ａの
長さ方向と直交する方向に延在して半導体層１ａの長さ方向の中央部分に重なるゲート電
極３ｂとを備えており、本形態において、ゲート電極３ｂは走査線３ａの一部からなる。
画素スイッチング素子３０は、半導体層１ａとゲート電極３ｂとの間に透光性のゲート絶
縁層２を有している。半導体層１ａは、ゲート電極３ｂに対してゲート絶縁層２を介して
対向するチャネル領域１ｇを備えているとともに、チャネル領域１ｇの両側にソース領域
１ｂおよびドレイン領域１ｃを備えている。本形態において、画素スイッチング素子３０
は、ＬＤＤ構造を有している。従って、ソース領域１ｂおよびドレイン領域１ｃは各々、
チャネル領域１ｇの両側に低濃度領域を備え、低濃度領域に対してチャネル領域１ｇとは
反対側で隣接する領域に高濃度領域を備えている。
【００３４】
半導体層１ａは、ポリシリコン膜（多結晶シリコン膜）等によって構成されている。ゲ
ート絶縁層２は、半導体層１ａを熱酸化したシリコン酸化膜からなる第１ゲート絶縁層２
ａと、温度が７００〜９００℃の高温条件での減圧ＣＶＤ法により形成されたシリコン酸
化膜からなる第２ゲート絶縁層２ｂとの２層構造からなる。ゲート電極３ｂおよび走査線
３ａは、導電性のポリシリコン膜、金属シリサイド膜、金属膜あるいは金属化合物膜等の
導電膜からなる。本形態において、ゲート電極３ｂは、導電性のポリシリコン膜とタング
ステンシリサイド膜との２層構造を有している。
【００３５】
ゲート電極３ｂの上層側には、ＮＳＧ、ＰＳＧ、ＢＳＧ、ＢＰＳＧ等のシリコン酸化膜
等からなる透光性の層間絶縁膜４１が形成され、層間絶縁膜４１の上層には、ドレイン電
極４ａが形成されている。本形態において、層間絶縁膜４１は、シリコン酸化膜からなる
。ドレイン電極４ａは、導電性のポリシリコン膜、金属シリサイド膜、金属膜あるいは金
属化合物膜等の導電膜からなる。本形態において、ドレイン電極４ａはチタン窒化膜から
なる。ドレイン電極４ａは、半導体層１ａのドレイン領域１ｃ（画素電極側ソースドレイ
ン領域）と一部が重なるように形成されており、層間絶縁膜４１およびゲート絶縁層２を
貫通するコンタクトホール４１ａを介してドレイン領域１ｃに導通している。
【００３６】
ドレイン電極４ａの上層側には、シリコン酸化膜等からなる透光性のエッチングストッ
パー層４７、および透光性の誘電体層４６が形成されており、かかる誘電体層４６の上層
側には容量線５ａが形成されている。誘電体層４６としては、シリコン酸化膜やシリコン
窒化膜等のシリコン化合物を用いることができる他、アルミニウム酸化膜、チタン酸化膜
、タンタル酸化膜、ニオブ酸化膜、ハフニウム酸化膜、ランタン酸化膜、ジルコニウム酸
化膜等の高誘電率の誘電体層を用いることができる。容量線５ａは、導電性のポリシリコ
ン膜、金属シリサイド膜、金属膜あるいは金属化合物膜等の導電膜からなる。本形態にお
いて、容量線５ａは、チタン窒化膜、アルミニウム膜、およびチタン窒化膜との３層構造
を有している。ここで、容量線５ａは、誘電体層４６を介してドレイン電極４ａと重なっ
ており、保持容量５５を構成している。
【００３７】
容量線５ａの上層側には層間絶縁膜４２が形成されており、かかる層間絶縁膜４２の上
層側には、データ線６ａと中継電極６ｂとが同一の導電膜により形成されている。層間絶
縁膜４２はシリコン酸化膜からなる。データ線６ａと中継電極６ｂは、導電性のポリシリ
コン膜、金属シリサイド膜、金属膜あるいは金属化合物膜等の導電膜からなる。本形態に
おいて、データ線６ａおよび中継電極６ｂは、アルミニウム合金膜や、チタン窒化膜とア
ルミニウム膜との２層乃至４層の積層膜からなる。データ線６ａは、層間絶縁膜４２、エ
ッチングストッパー層４７、層間絶縁膜４１およびゲート絶縁層２を貫通するコンタクト
ホール４２ａを介してソース領域１ｂ（データ線側ソースドレイン領域）に導通している
。中継電極６ｂは、層間絶縁膜４２およびエッチングストッパー層４７を貫通するコンタ
クトホール４２ｂを介してドレイン電極４ａに導通している。
【００３８】
データ線６ａおよび中継電極６ｂの上層側にはシリコン酸化膜等からなる透光性の層間
絶縁膜４４が形成されており、かかる層間絶縁膜４４の上層側には、上層側遮光層７ａお
よび中継電極７ｂが同一の導電膜によって形成されている。層間絶縁膜４４は、例えば、
テトラエトキシシランと酸素ガスとを用いたプラズマＣＶＤ法や、シランガスと亜酸化窒
素ガスとを用いたプラズマＣＶＤ法等により形成したシリコン酸化膜からなり、その表面
は平坦化されている。上層側遮光層７ａおよび中継電極７ｂは、導電性のポリシリコン膜
、金属シリサイド膜、金属膜あるいは金属化合物膜等の導電膜からなる。本形態において
、上層側遮光層７ａおよび中継電極７ｂは、アルミニウム合金膜や、チタン窒化膜とアル
ミニウム膜との２層乃至４層の積層膜からなる。中継電極７ｂは、層間絶縁膜４４を貫通
するコンタクトホール４４ａを介して中継電極６ｂに導通している。上層側遮光層７ａは
、データ線６ａと重なるように延在しており、遮光層として機能している。なお、上層側
遮光層７ａを容量線５ａと導通させて、シールド層として利用してもよい。
【００３９】
上層側遮光層７ａおよび中継電極７ｂの上層側には、シリコン酸化膜等からなる透光性
の層間絶縁膜４５が形成されており、かかる層間絶縁膜４５の上層側にはＩＴＯ膜等から
なる画素電極９ａが形成されている。層間絶縁膜４５には、層間絶縁膜４５を貫通して中
継電極７ｂまで到達したコンタクトホール４５ａが形成されており、画素電極９ａは、コ
ンタクトホール４５ａを介して中継電極７ｂに電気的に接続している。その結果、画素電
極９ａは、中継電極７ｂ、中継電極６ｂおよびドレイン電極４ａを介してドレイン領域１
ｃに電気的に接続している。層間絶縁膜４５は、例えば、テトラエトキシシランと酸素ガ
スとを用いたプラズマＣＶＤ法や、シランガスと亜酸化窒素ガスとを用いたプラズマＣＶ
Ｄ法等により形成したシリコン酸化膜からなる。また、層間絶縁膜４５は、ＮＳＧ（ノン
シリケートガラス）からなる下層側の第１絶縁膜と、ＢＳＧ（ボロンシリケートガラス）
からなる上層側の第２絶縁膜との構造を有している場合がある。いずれの場合も、層間絶
縁膜４５の表面は平坦化されている。
【００４０】
画素電極９ａの表面側には、ポリイミドや無機配向膜からなる配向膜１６が形成されて
いる。本形態において、配向膜１６は、ＳｉＯｘ（ｘ＜２）、ＳｉＯ２、ＴｉＯ２、Ｍｇ
Ｏ、Ａｌ２Ｏ３、Ｉｎ２Ｏ３、Ｓｂ２Ｏ３、Ｔａ２Ｏ５等の斜方蒸着膜（傾斜垂直配向膜
／無機配向膜）からなる。
【００４１】
（対向基板２０の構成）
対向基板２０では、石英基板やガラス基板等の透光性の透光性基板２０ｗ（透光性基板
）の電気光学層５０側の表面（素子基板１０に対向する一方面２０ｓ）には、遮光層２９
、シリコン酸化膜等からなる絶縁膜２８、およびＩＴＯ膜等の透光性導電膜からなる共通
電極２１が形成されており、かかる共通電極２１を覆うように、ポリイミドや無機配向膜
からなる配向膜２６が形成されている。本形態において、共通電極２１はＩＴＯ膜からな
る。本形態において、配向膜２６は、配向膜１６と同様、ＳｉＯｘ（ｘ＜２）、ＳｉＯ２
、ＴｉＯ２、ＭｇＯ、Ａｌ２Ｏ３、Ｉｎ２Ｏ３、Ｓｂ２Ｏ３、Ｔａ２Ｏ５等の斜方蒸着膜
（傾斜垂直配向膜／無機配向膜）である。かかる配向膜１６、２６は、電気光学層５０に
用いた誘電異方性が負のネマチック液晶化合物を傾斜垂直配向させ、液晶パネル１００ｐ
は、ノーマリブラックのＶＡモードとして動作する。本形態では、配向膜１６、２６とし
て、各種無機配向膜のうち、シリコン酸化膜（ＳｉＯｘ）の斜方蒸着膜が用いられている
。
【００４２】
（チップＩＤの構成）
図１に示すように、素子基板１０の一方面１０ｓにおいて、表示領域１０ａの外側（外
周領域１０ｃ）には、素子基板１０のチップＩＤ１０ｒが記録されており、対向基板２０
の一方面２０ｓにおいて、表示領域１０ａの外側（外周領域１０ｃ）には、対向基板２０
のチップＩＤ２０ｒが記録されている。図１（ａ）には、チップＩＤ１０ｒ、２０ｒがシ
ール材１０７と重なる領域に形成されている形態が例示されているが、チップＩＤ１０ｒ
、２０ｒは、表示領域１０ａの外側（外周領域１０ｃ）であれば、いずれの位置に記録さ
れていてもよい。
【００４３】
本形態において、チップＩＤ１０ｒは、素子基板１０がいずれのマザー基板から形成さ
れていたかの情報を含んでいるとともに、マザー基板のいずれの位置から分割されたかの
情報を含んでいる。また、チップＩＤ２０ｒは、対向基板２０がいずれのマザー基板から
形成されていたかの情報を含んでいるとともに、マザー基板のいずれの位置から分割され
たかの情報を含んでいる。
【００４４】
チップＩＤ１０ｒは、素子基板１０の表示領域１０ａに形成された電極や配線と同時形
成された膜からなり、チップＩＤ２０ｒは、対向基板２０の表示領域１０ａに形成された
電極等と同時形成された膜からなる。例えば、チップＩＤ１０ｒは、図２（ｂ）に示す下
層側遮光層８ａと同時形成された膜からなり、チップＩＤ２０ｒは、図１（ｂ）に示す遮
光膜２９と同時形成された膜からなる。
【００４５】
ここで、チップＩＤ１０ｒとチップＩＤ２０ｒとは、基本的には同一の工程を経て形成
されるため、チップＩＤ１０ｒの形成方法を以下に説明する。
【００４６】
（露光装置の構成）
図３は、本発明の実施の形態１に係る露光装置の一態様を模式的に示す説明図であり、
図３（ａ）、（ｂ）は、露光装置の断面図および平面図である。なお、図３（ｂ）では、
露光用光源部や投影レンズの図示を省略してある。図４は、本発明の実施の形態１に係る
露光装置によってマザー基板４００を露光する様子の一例を示す説明図である。
【００４７】
以下、図３および図４を参照しながら、本発明の実施の形態１に係る露光装置および露
光方法を説明する。
【００４８】
図３に示すように、本形態の露光装置５００は、露光マスク５１０と、露光マスク５１
０に光を照射する露光用光源部５２０と、入力情報に基づいて画像を生成する画像生成装
置５３０とを有しており、露光マスク５１０により規定される露光パターンと画像生成装
置５３０により生成された画像とが重なって、投影レンズ５４０からステージ５５０に載
置されたマザー基板４００の感光性樹脂（図示せず）に投射される。また、露光装置５０
０は、露光光の照射範囲を規定するマスキングプレート５６０を有している。
【００４９】
本形態において、露光マスク５１０は、マザー基板４００の２列×３列の計６つのチッ
プ領域４１０（第１チップ領域４１０ａ、第２チップ領域４１０ｂ、第３チップ領域４１
０ｃ、第４チップ領域４１０ｄ、第５チップ領域４１０ｅ、および第６チップ領域４１０
ｆ）を同時に露光するレクチルであり、露光装置５００は、図４に太線で囲んだ複数の領
域４９０ａ、４９０ｂ、４９０ｃ・・を順に露光する。ここで、第１チップ領域４１０ａ
、第３チップ領域４１０ｃ、および第５チップ領域４１０ｅは一列に配列され、かかるチ
ップ領域４１０と隣り合う位置で第２チップ領域４１０ｂ、第４チップ領域４１０ｄ、お
よび第６チップ領域４１０ｆが一列に配列されている。
【００５０】
ここで、露光マスク５１０では、６つの露光パターンＬ１（第１露光パターンＬ１ａ、
第２露光パターンＬ１ｂ、第３露光パターンＬ１ｃ、第４露光パターンＬ１ｄ、第５露光
パターンＬ１ｅ、および第６露光パターンＬ１ｆ）が配列されている。第１露光パターン
Ｌ１ａ、第２露光パターンＬ１ｂ、第３露光パターンＬ１ｃ、第４露光パターンＬ１ｄ、
第５露光パターンＬ１ｅ、および第６露光パターンＬ１ｆは同一のパターンである。また
、６つの露光パターンＬ１は各々、６つのチップ領域４１０の表示領域１０ａ（図１参照
）を露光する。
【００５１】
本形態において、画像生成装置５３０は、露光用光源部５２０から出射された光が透過
する際に光を変調して画像を生成する透過型液晶装置等の透過型光変調装置である。この
ため、画像生成装置５３０は、露光マスク５１０と露光用光源部５２０との間において支
持部材５７０によって保持されている。
【００５２】
本形態では、画像生成装置５３０として、第１画像生成装置５３０ａ、第２画像生成装
置５３０ｂ、第３画像生成装置５３０ｃ、第４画像生成装置５３０ｄ、第５画像生成装置
５３０ｅ、および第６画像生成装置５３０ｆを有している。第１画像生成装置５３０ａ、
第３画像生成装置５３０ｃおよび第５画像生成装置５３０ｅは、露光マスク５１０の一方
の端部５１１に沿って一列に配列され、第２画像生成装置５３０ｂ、第４画像生成装置５
３０ｄおよび第６画像生成装置５３０ｆは、露光マスク５１０の他方の端部５１２に沿っ
て一列に配列されている。従って、支持部材５７０は、マスキングプレート５６０より外
側で露光マスク５１０の一方の端部５１１および他方の端部５１２に沿って延在する２本
の延在部５７１と、２本の延在部５７１から画像生成装置５３０に向けて延在する６つの
腕部５７２とを有している。６つの腕部５７２は、画像生成装置５３０を支持していると
ともに、画像生成装置５３０に対して、生成する画像を指令する情報を入力可能である。
このため、支持部材５７０を設けても、露光用光源部５２０から出射された露光光を遮る
ことがない。
【００５３】
ここで、６つの画像生成装置５３０はいずれも、異なる画像Ｌ２（第１画像Ｌ２ａ、第
２画像Ｌ２ｂ、第３画像Ｌ２ｃ、第４画像Ｌ２ｄ、第５画像Ｌ２ｅ、および第６画像Ｌ２
ｆ）を生成し、６つの画像Ｌ２は各々、６つのチップ領域４１０の外周領域１０ｃ（図１
参照）を露光する。
【００５４】
このように構成した露光装置５００から出射される露光光Ｌは、図３（ａ）、（ｂ）に
示すように、複数の露光パターンＬ１のうち第１露光パターンＬ１ａと第１画像Ｌ２ａと
を含んでマザー基板４００の第１チップ領域４１０ａを露光する第１露光光Ｌａを含んで
いる。また、露光光Ｌは、図３（ａ）、（ｂ）に示すように、複数の露光パターンＬ１の
うち第２露光パターンＬ１ｂと第２画像Ｌ２ｂとを含んでマザー基板４００の第２チップ
領域４１０ｂを露光する第２露光光Ｌｂを含んでいる。また、露光光Ｌは、図３（ｂ）に
示すように、第３露光パターンＬ１ｃと第３画像Ｌ２ｃとを含んでマザー基板４００の第
３チップ領域４１０ｃを露光する第３露光光Ｌｃと、第４露光パターンＬ１ｄと第４画像
Ｌ２ｄとを含んでマザー基板４００の第４チップ領域４１０ｄを露光する第４露光光Ｌｄ
とを含んでいる。さらに、露光光Ｌは、図３（ｂ）に示すように、第５露光パターンＬ１
ｅと第５画像Ｌ２ｅとを含んでマザー基板４００の第５チップ領域４１０ｅを露光する第
５露光光Ｌｅと、第６露光パターンＬ１ｆと第６画像Ｌ２ｆとを含んでマザー基板４００
の第６チップ領域４１０ｆを露光する第６露光光Ｌｆとを含んでいる。
【００５５】
（電気光学装置の製造方法）
図５は、本形態を適用した電気光学装置１００の製造方法において、チップＩＤ１０ｒ
と下層側遮光層８ａとを同時形成する方法の一例を模式的に示す工程断面図である。なお
、以下に説明する露光等は、全てのチップ領域４１０で同様に行われるが、以下の説明で
は、第１チップ領域４１０ａおよび第２チップ領域４１０ｂを中心に説明する。
【００５６】
本形態の電気光学装置１００の製造方法では、素子基板１０より大型のマザー基板４０
０の複数チップ領域４１０の各々に、下層側遮光層８ａから配向膜１６までを形成した後
、マザー基板４００を分割して複数の素子基板１０を得る。
【００５７】
このようなマザー基板４００の状態で、各領域（第１チップ領域４１０ａおよび第２チ
ップ領域４１０ｂ）にチップＩＤ１０ｒと下層側遮光層８ａとを同時形成するには、まず
、図５（ａ）に示すように、導電性のポリシリコン膜、金属シリサイド膜、金属膜あるい
は金属化合物膜等の遮光膜８を形成した後、遮光膜８の表面に感光性レジスト４８０を塗
布する。
【００５８】
次に、図３および図４を参照して説明した露光装置および露光方法を用いて、マザー基
板４００の各領域４９０ａ、４９０ｂ、４９０ｃ、４９０ｄ・・を順次、露光する。その
際、６つの画像生成装置５３０で生成される画像Ｌ２を相違させるとともに、各領域４９
０ａ、４９０ｂ、４９０ｃ、４９０ｄ・・を順次、露光する度に６つの画像生成装置５３
０で生成される画像Ｌ２を相違させる。
【００５９】
ここで、感光性レジスト４８０としては、ポジタイプおよびネガタイプのいずれを用い
てもよい。ポジタイプの方が微細化等に適しているが、図５（ａ）では、露光の様子が分
かりやすいように、ネガタイプの感光性レジスト４８０を用いた場合を例示してある。ネ
ガタイプの感光性レジスト４８０を用いた場合、現像後に感光性レジスト４８０を残した
い部分に露光光Ｌを照射する。
【００６０】
本形態においては、第１チップ領域４１０ａおよび第２チップ領域４１０ｂの表示領域
１０ａに下層側遮光層８ａを形成する際、第１チップ領域４１０ａおよび第２チップ領域
４１０ｂの外周領域１０ｃにチップＩＤ１０ｒを残す。
【００６１】
このため、第１チップ領域４１０ａに形成された感光性レジスト４８０には、露光光Ｌ
に含まれる第１露光光Ｌａが照射される。ここで、第１露光光Ｌａのうち、露光マスク５
１０の第１露光パターンＬ１ａは、第１チップ領域４１０ａの表示領域１０ａに照射され
、第１画像Ｌ２ａは、第１チップ領域４１０ａの外周領域１０ｃに照射される。また、第
２チップ領域４１０ｂに形成された感光性レジスト４８０には、露光光Ｌに含まれる第２
露光光Ｌｂが照射される。ここで、第２露光光Ｌｂのうち、露光マスク５１０の第２露光
パターンＬ１ｂは、第２チップ領域４１０ｂの表示領域１０ａに照射され、第２画像Ｌ２
ｂは、第２チップ領域４１０ｂの外周領域１０ｃに照射される。その際、第１露光パター
ンＬ１ａと第２露光パターンＬ１ｂとは同一の露光パターンであるが、第１画像Ｌ２ａと
第２画像Ｌ２ｂとは異なる画像である。具体的には、第１画像Ｌ２ａは第１チップ領域４
１０ａに記録すべきチップＩＤ１０ｒ（チップＩＤ１０ｒａ）の画像であり、第２画像Ｌ
２ｂは第２チップ領域４１０ｂに記録すべきチップＩＤ１０ｒ（チップＩＤ１０ｒｂ）の
画像である。
【００６２】
次に、感光性レジスト４８０を現像し、図５（ｂ）に示すエッチングマスク４５１ａ、
４５２ｂ、４５１ｂ、４５２ｂを残した後、遮光膜をエッチングする。その結果、第１チ
ップ領域４１０ａの表示領域１０ａに下層側遮光層８ａが形成され、外周領域１０ｃにチ
ップＩＤ１０ｒ（チップＩＤ１０ｒａ）が形成される。また、第２チップ領域４１０ｂの
表示領域１０ａに下層側遮光層８ａが形成され、外周領域１０ｃにチップＩＤ１０ｒ（チ
ップＩＤ１０ｒｂ）が形成される。
【００６３】
このようにして、下層側遮光層８ａやチップＩＤ１０ｒを形成した後、図２（ｂ）に示
す各層を形成した後、マザー基板４００を切断し、素子基板１０を得る。
【００６４】
（本形態の主な効果）
以上説明したように、本形態の露光装置５００および露光方法では、露光マスク５１０
により規定される露光パターンと、画像生成装置５３０において入力情報に基づいて生成
した画像とを重なって露光する。このため、配線や電極を形成するための露光については
露光マスク５１０を利用し、チップＩＤ１０ｒを記録するための露光については画像生成
装置５３０の画像を利用し、これらを利用した露光は同時に行われる。それ故、専用の露
光マスクを用いなくてもチップＩＤ１０ｒ等を効率よく記録することができる。また、今
回のマザー基板４００に対する露光を行った後、別のマザー基板４００に対する露光を行
う際、画像生成装置５３０において生成される画像を変更するのが容易であるため、露光
マスクを交換せずに、マザー基板４００毎に異なるチップＩＤ１０ｒ等を記録することが
できる。
【００６５】
また、複数の画像生成装置５３０で生成された異なる画像Ｌ２が異なる複数のチップ領
域４１０に投影されるため、複数のチップ領域４１０を同時に露光する場合でも、チップ
領域４１０毎に異なるチップＩＤ１０ｒ等を効率よく記録することができる。従って、例
えば、電気光学装置１００の素子基板１０および対向基板２０を各々製造した後、例えば
、マザー基板４００の同一の位置にあった素子基板１０と対向基板２０とを組み合わせて
電気光学装置１００を製造することができる。それ故、マザー基板４００の位置によって
膜質等が変動する場合でも、相性のよい素子基板１０と対向基板２０とを組み合わせて電
気光学装置１００を製造することができるので、品質が安定した電気光学装置１００を製
造することができる。
【００６６】
また、透過型の画像生成装置５３０を用いるにあたって、複数の画像生成装置５３０が
露光マスク５１０の一方の端部５１１に沿って複数配置され、複数の画像生成装置５３０
が露光マスク５１０の他方の端部５１２に沿って配置されている。このため、画像生成装
置５３０を支持する支持部材５７０が、露光用光源部５２０から出射された露光光を遮る
ことがない。
【００６７】
［実施の形態２］
図６は、本発明の実施の形態２に係る露光装置の一態様を模式的に示す説明図である。
なお、本形態および後述する実施の形態３、４の基本的な構成は、実施の形態１と同様で
あるため、共通する部分には同一の符号を付してそれらの説明を省略する。
【００６８】
実施の形態１では、画像生成装置５３０として、露光用光源部５２０から出射された光
が透過する際に光を変調して画像を生成する透過型液晶パネル等の透過型光変調装置を用
いた。これに対して、本形態においては、図６に示すように、画像生成装置５３０は、画
像生成用光源部５９０から出射された光が透過する際に光を変調して画像を生成する透過
型液晶装置等の透過型光変調装置であり、露光マスク５１０の露光パターンＬ１と、画像
生成装置５３０によって生成された画像Ｌ２とは、ハーフミラー等の光路合成素子５８０
によって重畳されている。光路合成素子５８０としては偏光ビームスプリッターやダイク
ロイックミラー等を用いてもよい。
【００６９】
このように構成した露光装置５００において、画像生成装置５３０を露光マスク５１０
と露光用光源装置５２０との間に配置する必要がないので、１つの画像生成装置５３０に
よって複数の画像を生成し、マザー基板４００に投影することができる。
【００７０】
ここで、露光マスク５１０では、６つの露光パターンＬ１（第１露光パターンＬ１ａ、
第２露光パターンＬ１ｂ、第３露光パターンＬ１ｃ、第４露光パターンＬ１ｄ、第５露光
パターンＬ１ｅ、および第６露光パターンＬ１ｆ）が配列されている。また、画像生成装
置５３０は、図３を参照して説明した６つの画像Ｌ２を生成する。このため、露光装置５
００から出射される露光光Ｌは、第１露光パターンＬ１ａと第１画像Ｌ２ａとを含んでマ
ザー基板４００の第１チップ領域４１０ａを露光する第１露光光Ｌａと、第２露光パター
ンＬ１ｂと第２画像Ｌ２ｂとを含んでマザー基板４００の第２チップ領域４１０ｂを露光
する第２露光光Ｌｂとを含んでいる等、実施の形態１と同様である。
【００７１】
［実施の形態３］
図７は、本発明の実施の形態３に係る露光装置の一態様を模式的に示す説明図である。
図７に示すように、画像生成装置５３０は、画像生成用光源部５９０から出射された光を
反射する際に光を変調して画像を生成するデジタルマイクロミラーや反射型液晶装置等の
反射型光変調装置であり、露光マスク５１０の露光パターンと、画像生成装置５３０によ
って生成された画像とは、ハーフミラー等の光路合成素子５８０によって重畳されている
。
【００７２】
かかる構成によれば、画像生成装置５３０を露光マスク５１０と露光用光源装置５２０
との間に配置する必要がないので、１つの画像生成装置５３０によって複数の画像を生成
し、マザー基板４００に投影することができる。なお、光路合成素子５８０としては偏光
ビームスプリッターやダイクロイックミラー等を用いてもよい。
【００７３】
［実施の形態４］
図８は、本発明の実施の形態４に係る露光装置の一態様を模式的に示す説明図である。
図８に示すように、画像生成装置５３０は、有機エレクトロルミネッセンス装置、ＬＥＤ
素子アレイ、レーザー素子アレイ等の自発光型画像生成装置であり、露光マスク５１０の
露光パターンと、画像生成装置５３０によって生成された画像とは、ハーフミラー等の光
路合成素子５８０によって重畳されている。
【００７４】
かかる構成によれば、画像生成装置５３０を露光マスク５１０と露光用光源装置５２０
との間に配置する必要がないので、１つの画像生成装置５３０によって複数の画像を生成
し、マザー基板４００に投影することができる。なお、光路合成素子５８０としては偏光
ビームスプリッターやダイクロイックミラー等を用いてもよい。
【００７５】
［他の実施の形態］
上記実施の形態では、電気光学装置１００として、液晶装置にチップＩＤを記録したが
、有機エレクトロルミネッセンス装置、プラズマディスプレイ装置、電気泳動ディスプレ
イ装置、電子放出を用いた装置（Field Emission Display）、ＤＬＰ（Digital Light Pr
ocessing）等の電気光学装置に対してチップＩＤを記録する際に本発明を適用してもよい
。また、電気光学装置以外の半導体装置に対してチップＩＤを記録する際に本発明を適用
してもよい。
【符号の説明】
【００７６】
８ａ・・下層側遮光層、９ａ・・画素電極、１０・・素子基板、１０ｒ、２０ｒ・・チッ
プＩＤ、２０・・対向基板、２１・・共通電極、５０・・電気光学層、１００・・電気光
学装置、５００・・露光装置、５１０・・露光マスク、５２０・・露光用光源部、５３０
・・画像生成装置、Ｌ・・露光光、Ｌ１・・露光パターン、Ｌ２・・画像
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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