(57)【要約】【課題】二次電池におけるメモリ効果の有無を判定することのできる電池状態判定方法及び電池状態判定装置を提供する。【解決手段】二次電池におけるメモリ効果の有無を判定する方法として、まず、二次電池における抵抗拡散領域に対応する周波数の複素インピーダンスを取得する。また、取得された複素インピーダンスの周波数ごとの位相を算出する。そして、算出された複素インピーダンスの位相のうち、二次電池における抵抗拡散領域に対応する周波数における位相が位相閾値以下であるときに、二次電池にメモリ効果が生じていると判定する。【選択図】図４
2015197363.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
二次電池におけるメモリ効果の有無を電池状態判定装置を用いて判定する電池状態判定方法であって、
前記電池状態判定装置が、
前記二次電池における抵抗拡散領域に対応する周波数の複素インピーダンスを取得するインピーダンス取得工程と、
前記インピーダンス取得工程において取得された複素インピーダンスの周波数ごとの位相を算出する位相算出工程と、
前記位相算出工程において算出された複素インピーダンスの位相のうち、前記二次電池における抵抗拡散領域に対応する周波数での位相が所定の閾値以下であるときに、前記二次電池にメモリ効果が生じていると判定する判定工程と
を実行することを特徴とする電池状態判定方法。
【請求項２】
前記判定工程では、前記位相算出工程において算出された複素インピーダンスの位相のうち、前記二次電池における抵抗拡散領域に対応する周波数の範囲内に前記閾値以下となる位相が含まれるときに、前記二次電池にメモリ効果が生じていると判定する請求項１に記載の電池状態判定方法。
【請求項３】
前記閾値は、メモリ効果を生じていない二次電池における抵抗拡散領域に対応する周波数の複素インピーダンスの位相に基づき設定される請求項１又は請求項２に記載の電池状態判定方法。
【請求項４】
前記二次電池における抵抗拡散領域に対応する複素インピーダンスの周波数の範囲が０．０１Ｈｚ〜０．１Ｈｚである請求項１〜３の何れか一項に記載の電池状態判定方法。
【請求項５】
前記二次電池がニッケル水素蓄電池である請求項１〜４の何れか一項に記載の電池状態判定方法。
【請求項６】
二次電池におけるメモリ効果の有無を判定する電池状態判定装置であって、
前記二次電池における抵抗拡散領域に対応する周波数の複素インピーダンスを取得するインピーダンス取得部と、
前記インピーダンス取得部が取得した複素インピーダンスの周波数ごとの位相を算出する位相算出部と、
前記位相算出部が算出した複素インピーダンスの位相のうち、前記二次電池における抵抗拡散領域に対応する周波数における位相が所定の閾値以下であるときに、前記二次電池にメモリ効果が生じていると判定する判定部と
を備えることを特徴とする電池状態判定装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、二次電池におけるメモリ効果の有無を判定する電池状態判定方法及び電池状態判定装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、二次電池に対して複素インピーダンス解析を行うことにより、二次電池の劣化状態や余寿命を評価する技術が提案されている。この方法によれば、二次電池を破壊することなく電池状態を評価できるので、正常であると判定された二次電池を再利用することも可能である。
【０００３】
複素インピーダンス解析方法の一例として、二次電池における正極及び負極の容量比が所望の値からずれているか否かを判定する方法が知られている（例えば、特許文献１参照）。この方法では、二次電池に対し、周波数を段階的に変化させながら交流電圧を印加することによって複素インピーダンスを測定する。そして、測定値からインピーダンスの実軸成分及び虚軸成分を求めた上で、それらの値を二次元平面にプロットすることによりナイキストプロットを得る。また、ナイキストプロットのうち、いわゆる抵抗拡散領域に対応する部分に含まれる、互いに異なる周波数に対応する２つの点を線分で結ぶ。そして、この線分の傾きが閾値よりも小さい場合に、二次電池における正極及び負極の容量比が所望の値からずれている旨を判定する。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】国際公開ＷＯ２０１３／１１５０３８号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
ところで、二次電池が長期間に亘って使用されたときには、使用頻度が高かったＳＯＣ（State of Charge：充電状態）の近傍における起電力が変化する現象であるメモリ効果が生じる。このメモリ効果は二次電池の劣化の要因となるため、二次電池の再利用の際にはメモリ効果の有無も併せて判定することが望ましい。
【０００６】
本発明は、このような実情に鑑みてなされたものであり、その目的は、二次電池におけるメモリ効果の有無を判定することのできる電池状態判定方法及び電池状態判定装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上記課題を解決するために、本発明の電池状態判定方法は、二次電池におけるメモリ効果の有無を電池状態判定装置を用いて判定する電池状態判定方法であって、前記電池状態判定装置が、前記二次電池の抵抗拡散領域に対応する周波数の複素インピーダンスを取得するインピーダンス取得工程と、前記インピーダンス取得工程において取得された複素インピーダンスの周波数ごとの位相を算出する位相算出工程と、前記位相算出工程において算出された複素インピーダンスの位相のうち、前記二次電池の抵抗拡散領域に対応する周波数における位相が所定の閾値以下であるときに、前記二次電池にメモリ効果が生じていると判定する判定工程とを実行する。
【０００８】
また、本発明の電池状態判定装置は、二次電池におけるメモリ効果の有無を判定する電池状態判定装置であって、前記二次電池の抵抗拡散領域に対応する周波数の複素インピーダンスを取得するインピーダンス取得部と、前記インピーダンス取得部が取得した複素インピーダンスの周波数ごとの位相を算出する位相算出部と、前記位相算出部が算出した複素インピーダンスの位相のうち、前記二次電池の抵抗拡散領域に対応する周波数における位相が所定の閾値以下であるときに、前記二次電池にメモリ効果が生じていると判定する判定部とを備える。
【０００９】
二次電池における複素インピーダンスの抵抗拡散領域は、複素インピーダンスの周波数応答のうち低周波数側に表れる部分であって、メモリ効果を生じた二次電池は抵抗拡散領域に対応する周波数の複素インピーダンスの位相がメモリ効果を生じていない二次電池よりも小さくなる。そこで、上記構成または方法では、判定対象の二次電池における抵抗拡散領域に対応する周波数の複素インピーダンスの位相を取得し、該取得した複素インピーダンスの位相に基づき二次電池におけるメモリ効果の有無を判定するようにした。これにより、メモリ効果の有無を容易に判定することができる。
【００１０】
上記電池状態判定方法として好ましくは、前記判定工程では、前記位相算出工程において算出された複素インピーダンスの位相のうち、前記二次電池の抵抗拡散領域に対応する周波数の範囲内に前記閾値以下となる位相が含まれるときに、前記二次電池にメモリ効果が生じていると判定する。
【００１１】
上記方法によれば、二次電池の抵抗拡散領域に対応する周波数の範囲内に閾値以下となる位相が含まれているか否かに基づき、二次電池におけるメモリ効果の有無をより容易に判定することができる。
【００１２】
上記電池状態判定方法として好ましくは、前記閾値は、メモリ効果を生じていない二次電池の抵抗拡散領域に対応する周波数の複素インピーダンスの位相に基づき設定される。
上記方法によれば、判定対象となる二次電池の抵抗拡散領域に対応する周波数の複素インピーダンスの位相を、メモリ効果を生じていない二次電池における同一の周波数の複素インピーダンスの位相に基づき設定された位相閾値と比較することにより、二次電池におけるメモリ効果の有無を判定するようにした。これにより、メモリ効果の有無を容易に判定する構成を実現できる。
【００１３】
上記電池状態判定方法として好ましくは、前記二次電池の抵抗拡散領域に対応する複素インピーダンスの周波数の範囲が０．０１Ｈｚ〜０．１Ｈｚである。
メモリ効果を生じた二次電池は、０．０１Ｈｚ〜０．１Ｈｚの周波数帯における複素インピーダンスの変化が顕著となる。そこで、上記方法では、判定対象の二次電池における０．０１Ｈｚ〜０．１Ｈｚの複素インピーダンスを取得し、該取得した複素インピーダンスに基づき二次電池におけるメモリ効果の有無を判定するようにした。これにより、メモリ効果の有無をより高精度に判定することができる。
【００１４】
上記電池状態判定方法として好ましくは、前記二次電池がニッケル水素蓄電池である。
上記方法によれば、長期間に亘って使用したときにメモリ効果が比較的生じやすい二次電池であるニッケル水素蓄電池についてメモリ効果の有無を判定することにより、使用済みのニッケル水素蓄電池を適正に再利用することができる。
【発明の効果】
【００１５】
本発明によれば、二次電池におけるメモリ効果の有無を判定することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１６】
【図１】電池状態判定装置の一実施の形態の概略構成を示す模式図。
【図２】二次電池における充電時及び放電時の起電圧の変化の推移を示すグラフ。
【図３】（ａ）は、二次電池における複素インピーダンスのゲインの周波数応答を示すグラフ、（ｂ）は、二次電池における複素インピーダンスの位相の周波数応答を示すグラフ。
【図４】同実施の形態の電池状態判定装置が二次電池におけるメモリ効果の有無を判定する際に実行する処理ルーチンの概要を示すフローチャート。
【発明を実施するための形態】
【００１７】
以下、本発明の電池状態判定装置の一実施の形態について説明する。
図１に示すように、電池状態判定システム１０は、車載用のリチウムイオン電池やニッケル水素蓄電池等の二次電池Ｍにおけるメモリ効果の有無を判定するシステムであって、測定装置１１と、電池状態判定装置１２とを備えている。なお、本実施の形態では、比較的メモリ効果の生じやすいニッケル水素蓄電池を二次電池Ｍとして、以下説明する。
【００１８】
測定装置１１は、ＳＯＣ調整部１１ａ及びインピーダンス測定部１１ｂを有している。測定装置１１は、ＳＯＣ調整部１１ａが測定対象の二次電池ＭのＳＯＣを調整した上で、インピーダンス測定部１１ｂが二次電池Ｍに対して交流電圧又は交流電流を印加することにより二次電池Ｍの複素インピーダンスＺを測定する。この場合、二次電池Ｍの複素インピーダンスＺは、ベクトル成分である実軸成分Ｚｒｅａｌ及び虚軸成分Ｚｉｍｇを用いて以下の式（１）にて表される。なお、「ｊ」は虚軸単位を意味している。
【００１９】
Ｚ＝Ｚｒｅａｌ＋ｊＺｉｍｇ…（１）
電池状態判定装置１２は、ＣＰＵ（Central Processing Unit）１２ａ、ＲＯＭ（Read Only Memory）１２ｂ及びＲＡＭ（Random Access Memory）１２ｃを有している。
【００２０】
ＣＰＵ１２ａは、二次電池Ｍの複素インピーダンスＺの測定データを測定装置１１から取得するインピーダンス取得部として機能する。また、ＣＰＵ１２ａは、測定装置１１から取得した複素インピーダンスＺの測定データに基づき、複素インピーダンスＺの周波数ごとの位相θを算出する位相算出部としても機能する。また、ＣＰＵ１２ａは、算出した位相θに基づき、二次電池Ｍにおけるメモリ効果の有無を判定する判定部としても機能する。この場合、複素インピーダンスＺの位相θは、以下の式（２）にて表される。
【００２１】
θ＝ｔａｎ−１（Ｚｉｍｇ／Ｚｒｅａｌ）…（２）
ＲＯＭ１２ｂは、二次電池Ｍにおけるメモリ効果の有無の判定に用いられるプログラムを格納している。また、ＲＯＭ１２ｂは、判定対象となる二次電池Ｍに対して実験等を通じて設定された測定周波数Ｆ及び位相閾値θｘを格納している。この場合、測定周波数Ｆ及び位相閾値θｘは、リチウムイオン電池やニッケル水素蓄電池等の二次電池の種別ごと（本実施の形態では、ニッケル水素蓄電池）に異なる値が設定されている。そして、ＣＰＵ１２ａは、二次電池Ｍにおけるメモリ効果の有無を判定する際には、判定対象となる二次電池Ｍの種別に応じた測定周波数Ｆ及び位相閾値θｘをＲＯＭ１２ｂから適宜読み出して設定する。
【００２２】
電池状態判定装置１２には、例えば表示装置や印刷装置等からなる出力装置１３が接続されている。そして、二次電池Ｍにおけるメモリ効果の有無の判定結果が電池状態判定装置１２から出力装置１３に出力される。
【００２３】
図２は、本実施の形態で判定対象としている二次電池Ｍにおける充電時及び放電時の起電圧の変化の推移を示している。図２に実線Ｌ１で示すように、メモリ効果を生じていない初期状態の二次電池Ｍは、充電時及び放電時における起電圧の変化の推移が互いに異なる現象であるヒステリシスを生じる。また、図２に破線Ｌ２で示すように、メモリ効果を生じている使用済みの二次電池Ｍも同様に、充電時及び放電時にヒステリシスを生じる。ただし、メモリ効果を生じている使用済みの二次電池Ｍでは、メモリ効果を生じていない初期状態の二次電池Ｍと比較して、使用頻度の高かったＳＯＣの範囲内におけるヒステリシスの大きさが相対的に大きくなる。なお、本実施の形態で判定対象としている車載用の二次電池Ｍでは、ＳＯＣ２０％〜８０％の範囲内における使用頻度が高くなる制御を実施している。そのため、図２に示すように、本実施の形態では、メモリ効果を生じている使用済みの二次電池Ｍは、ＳＯＣ２０％〜８０％の範囲内におけるヒステリシスの大きさがメモリ効果を生じていない初期状態の二次電池Ｍよりも大きくなる。
【００２４】
図３（ａ）及び図３（ｂ）は、本実施の形態で判定対象としている二次電池Ｍにおける複素インピーダンスＺのゲインＧ及び位相θの周波数応答の変化をそれぞれ示している。図３（ａ）及び図３（ｂ）には、メモリ効果を生じていない初期状態の二次電池Ｍにおける複素インピーダンスＺのゲインＧ及び位相θの周波数応答の変化が実線Ｌ３，Ｌ４で示されている。また、図３（ａ）及び図３（ｂ）には、メモリ効果を生じている使用済みの二次電池Ｍにおける複素インピーダンスＺのゲインＧ及び位相θの周波数応答の変化が破線Ｌ５，Ｌ６で示されている。この場合、メモリ効果を生じている二次電池Ｍ及びメモリ効果を生じていない二次電池Ｍにおける複素インピーダンスＺのゲインＧ及び位相θの周波数応答の変化は、複素インピーダンスＺの測定値に影響を及ぼし得る電池温度を含めて同一の測定条件で測定されている。
【００２５】
なお、複素インピーダンスＺのゲインＧは、以下の式（３）にて表される。
Ｇ＝｜Ｚ｜＝√（Ｚｉｍｇ２＋Ｚｒｅａｌ２）…（３）
また、二次電池Ｍにおける複素インピーダンスＺの周波数帯のうち低周波領域となる抵抗拡散領域は、物質拡散が関与したインピーダンスが表れた領域であって、０．０１Ｈｚ〜０．１Ｈｚの範囲に含まれる。
【００２６】
ここで、図３（ａ）に示すように、複素インピーダンスＺのゲインＧは、メモリ効果を生じている二次電池Ｍ及びメモリ効果を生じていない二次電池Ｍの双方が低周波領域から高周波領域にかけての全周波数帯においてほぼ共通の傾向を示している。すなわち、メモリ効果を生じた二次電池Ｍは、メモリ効果を生じていない二次電池Ｍと比較して使用頻度の高かったＳＯＣの範囲内における起電圧の大きさが変化するものの、その起電圧の変化に伴う複素インピーダンスＺのゲインＧの変化量は、二次電池Ｍにおけるメモリ効果の有無の判定には用いることができない程度に小さい。
【００２７】
これに対し、図３（ｂ）に示すように、二次電池Ｍにおける抵抗拡散領域に対応する周波数の複素インピーダンスＺの位相θは、メモリ効果を生じている二次電池Ｍの方がメモリ効果を生じていない二次電池Ｍよりも小さい傾向を示している。そこで、本実施の形態では、メモリ効果を生じている二次電池Ｍにおける抵抗拡散領域に対応する周波数の複素インピーダンスＺの位相θと、メモリ効果を生じていない二次電池Ｍにおける抵抗拡散領域に対応する周波数の複素インピーダンスＺの位相θとの間となる位相を位相閾値θｘとして周波数毎に設定する。つまり、位相閾値θｘは、位相閾値θｘ以下の複素インピーダンスを示す二次電池Ｍを、メモリ効果を生じている二次電池Ｍとして判断するための閾値である。なお、図３（ｂ）には、抵抗拡散領域に含まれる周波数ｆｘに対応して設定された位相閾値θｘが一例として示されている。
【００２８】
次に、本実施の形態の電池状態判定装置１２のＣＰＵ１２ａが二次電池Ｍにおけるメモリ効果の有無を判定する際に実行する処理ルーチンの概要を説明する。
まず、図４に示すように、ＣＰＵ１２ａは、測定装置１１のＳＯＣ調整部１１ａに制御信号を送信することにより、二次電池ＭのＳＯＣを調整する（ステップＳ１０）。この場合、ＳＯＣ調整部１１ａは、位相閾値θｘを設定する際の基準となった二次電池のＳＯＣの値となるまで二次電池Ｍの充電又は放電を行う。
【００２９】
そして次に、ＣＰＵ１２ａは、測定装置１１のインピーダンス測定部１１ｂに制御信号を送信することにより、二次電池Ｍの複素インピーダンスＺを測定する（ステップＳ１１）。この場合、二次電池Ｍの複素インピーダンスＺの測定は、その測定値に影響を及ぼし得る電池温度を含め、位相閾値θｘを設定する際の基準となった二次電池Ｍの複素インピーダンスＺの測定条件と同一の測定条件で行われる。そして、ＣＰＵ１２ａは、インピーダンス取得工程として、インピーダンス測定部１１ｂが測定した二次電池Ｍの複素インピーダンスＺの測定データを取得する。
【００３０】
続いて、ＣＰＵ１２ａは、位相算出工程として、測定装置１１から取得した二次電池Ｍの複素インピーダンスＺの測定データの中から、低周波領域となる抵抗拡散領域に対応する周波数の複素インピーダンスＺの位相θの値を読み出して算出する（ステップＳ１２）。そして次に、ＣＰＵ１２ａは、判定工程として、読み出した位相θの値が位相閾値θｘ以下であるか否かを判定する（ステップＳ１３）。具体的には、ＣＰＵ１２ａは、二次電池Ｍにおける抵抗拡散領域に対応する周波数の範囲内から読み出した複素インピーダンスＺの位相θの中に位相閾値θｘ以下となる位相が含まれているか否かを判定する。
【００３１】
そして、ＣＰＵ１２ａは、抵抗拡散領域に対応する周波数の範囲内において読み出した位相θの値の中に位相閾値θｘ以下のものがあるときには（ステップＳ１３＝ＹＥＳ）、判定対象の二次電池Ｍにメモリ効果が生じていると判定する（ステップＳ１４）。一方、ＣＰＵ１２ａは、読み出した位相θの値がすべて位相閾値θｘよりも大きいときには（ステップＳ１３＝ＮＯ）、判定対象の二次電池Ｍにメモリ効果が生じていないと判定する（ステップＳ１５）。その後、ＣＰＵ１２ａは、二次電池Ｍにおけるメモリ効果の有無の判定結果を示す情報を出力装置１３に出力した上で、図４に示す処理ルーチンを終了する。
【００３２】
次に、上記のように構成された電池状態判定装置１２の作用について説明する。
本願の発明者は、二次電池Ｍにおける抵抗拡散領域に対応する周波数の複素インピーダンスＺの位相θが二次電池Ｍにおけるメモリ効果の有無に応じて顕著に変化することを見出している。そこで、本実施の形態では、メモリ効果を生じている二次電池Ｍ及びメモリ効果を生じていない二次電池Ｍにおける複素インピーダンスＺの位相θの周波数応答の変化を予め測定するとともに、この測定結果に基づき二次電池Ｍにおけるメモリ効果の有無を判定する際の基準となる位相閾値θｘを予め設定している。そして、判定対象となる二次電池Ｍから取得した抵抗拡散領域に対応する周波数の複素インピーダンスＺの位相θの値が予め設定した位相閾値θｘ以下であるか否かを判定することにより、二次電池Ｍにおけるメモリ効果の有無を判定している。そのため、使用済みの二次電池Ｍの中からメモリ効果が生じずに劣化の度合いが比較的低い二次電池Ｍが選別されることにより、使用済みの二次電池Ｍの再利用が適正に行われる。
【００３３】
特に、本実施の形態では、判定対象となる二次電池Ｍから複素インピーダンスＺの抵抗拡散領域に対応する周波数の範囲内の位相θを読み出すとともに、読み出した位相θのうちに位相閾値θｘ以下である位相が含まれているか否かを判定している。そのため、複素インピーダンスＺの抵抗拡散領域に含まれる特定の周波数での位相に基づく場合と比較して、二次電池Ｍにおけるメモリ効果の有無をより容易に判定することが可能となる。
【００３４】
また、本実施の形態では、判定対象となる二次電池Ｍに対して交流電圧又は交流電流を印加したときの二次電池Ｍの複素インピーダンスＺの周波数応答に基づき、二次電池Ｍにおけるメモリ効果の有無を判定している。そのため、本実施の形態では、判定対象となる二次電池Ｍにおけるメモリ効果の有無を判定する際に、図２に示した充電時及び放電時の起電圧の変化の推移を測定する必要がない。すなわち、図２に示した推移を測定するためには、一般的に、数時間にかけて充放電を繰り返す必要があるが、本実施の形態では、このような充放電を行う必要がない。したがって、二次電池Ｍにおけるメモリ効果の有無を迅速に判定することが可能となる。
【００３５】
また、本実施の形態では、判定対象となる二次電池Ｍに対して交流電圧を印加したときに二次電池Ｍに流れる電流は微小である。そのため、本実施の形態では、判定対象となる二次電池Ｍにおけるメモリ効果の有無を判定する際に、二次電池ＭのＳＯＣを変化させることがほとんどない。したがって、二次電池Ｍにおけるメモリ効果の有無を判定する際に、二次電池ＭのＳＯＣの変化に伴って二次電池Ｍを劣化させることが抑えられる。
【００３６】
以上説明したように、上記実施の形態の電池状態判定装置によれば、以下に示す効果を得ることができる。
（１）二次電池Ｍにおける複素インピーダンスＺの抵抗拡散領域は、複素インピーダンスＺの周波数応答のうち低周波数側に表れる部分であって、メモリ効果を生じた二次電池Ｍは抵抗拡散領域に対応する周波数の複素インピーダンスＺの位相θがメモリ効果を生じていない二次電池Ｍよりも小さくなる。そこで、判定対象の二次電池Ｍにおける抵抗拡散領域に対応する周波数の複素インピーダンスＺの位相θを取得し、該取得した複素インピーダンスＺの位相θに基づき二次電池Ｍにおけるメモリ効果の有無を判定するようにした。これにより、メモリ効果の有無を容易に判定することができる。
【００３７】
（２）二次電池Ｍの複素インピーダンスＺの抵抗拡散領域に対応する周波数の範囲内に位相閾値θｘ以下である位相θが含まれているか否かに基づき、二次電池Ｍにおけるメモリ効果の有無をより容易に判定することができる。
【００３８】
（３）判定対象となる二次電池Ｍの抵抗拡散領域に対応する周波数の複素インピーダンスＺの位相θを、メモリ効果を生じていない二次電池Ｍにおける同一の周波数の複素インピーダンスＺの位相θに基づき設定した位相閾値θｘと比較し、二次電池Ｍにおけるメモリ効果の有無を判定するようにした。これにより、メモリ効果の有無を容易に判定する構成を実現できる。
【００３９】
（４）メモリ効果を生じた二次電池Ｍは、０．０１Ｈｚ〜０．１Ｈｚの周波数帯における複素インピーダンスＺの位相θの変化が顕著となる。そこで、判定対象の二次電池Ｍにおける０．０１Ｈｚ〜０．１Ｈｚの複素インピーダンスＺの位相θを取得し、該取得した複素インピーダンスＺの位相θに基づき二次電池Ｍにおけるメモリ効果の有無を判定するようにした。これにより、メモリ効果の有無をより高精度に判定することができる。
【００４０】
（５）長期間に亘って使用したときにメモリ効果が比較的生じやすい二次電池Ｍであるニッケル水素蓄電池についてメモリ効果の有無を判定することにより、使用済みのニッケル水素蓄電池を適正に再利用することができる。
【００４１】
なお、上記実施の形態は、以下のような形態にて実施することもできる。
・上記実施の形態では、メモリ効果を生じている二次電池Ｍにおける抵抗拡散領域に対応する周波数の複素インピーダンスＺの位相θと、メモリ効果を生じていない二次電池Ｍにおける抵抗拡散領域に対応する周波数の複素インピーダンスＺの位相θとの間となる位相を位相閾値θｘとして設定した。ただし、メモリ効果を生じていない二次電池Ｍにおける抵抗拡散領域に対応する周波数の複素インピーダンスＺの位相θが予め求まっているのであれば、この位相θよりも少しだけ小さい値を位相閾値θｘとして設定してもよい。
【００４２】
・上記実施の形態において、二次電池Ｍにおける複素インピーダンスＺの抵抗拡散領域に含まれる周波数であれば、特定の周波数における複素インピーダンスＺの位相θのみに基づき二次電池Ｍにおけるメモリ効果の有無を判定してもよい。
【００４３】
・上記実施の形態において、判定対象の二次電池Ｍの使用時におけるＳＯＣの使用範囲が定まっていたのであれば、二次電池ＭのＳＯＣを調整せずに二次電池Ｍから複素インピーダンスＺを取得してもよい。
【００４４】
・上記実施の形態では、比較的メモリ効果の生じやすいニッケル水素蓄電池を判定対象として説明した。しかし、メモリ効果を生じる二次電池であれば、ニッケル水素カドミウム電池等、他の二次電池を判定対象としてもよい。また、リチウムイオン電池等でも、微小ではあるがメモリ効果を生じる可能性があるため、本発明の判定対象となりうる。
【符号の説明】
【００４５】
１０…電池状態判定システム、１１…測定装置、１１ａ…ＳＯＣ調整部、１１ｂ…インピーダンス測定部、１２…電池状態判定装置、１２ａ…ＣＰＵ、１２ｂ…ＲＯＭ、１２ｃ…ＲＡＭ、１３…出力装置、Ｆ…測定周波数、θｘ…位相閾値、Ｍ…二次電池。
【図１】
2015197363.tif 000003
【図２】
2015197363.tif 000004
【図３】
2015197363.tif 000005
【図４】
2015197363.tif 000006