(57)【要約】      （修正有）【課題】積層型で製造されて薄い厚さを維持するとともに小型化が可能でありながらも、優れた磁気的特性を提供することで高電流においても高いインダクタンスを維持でき、優れた直流重畳特性を有する積層型電子部品を提供する【解決手段】金属磁性粒子１０は、粗粉の第１金属磁性粒子１１及び微粉の第２金属磁性粒子１２を含んで構成され、高い充填率を達成することにより、うず電流損（Ｅｄｄｙ  ｃｕｒｒｅｎｔ  ｌｏｓｓ）が制御される範囲において透磁率を向上させることができる。【選択図】図４
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の磁性体層が積層された磁性体本体及び前記磁性体本体内に形成された導体パターンを含み、
前記磁性体本体は、
金属磁性粒子と、
前記金属磁性粒子の表面に形成され、前記金属磁性粒子の少なくとも一成分が酸化されて形成される第１酸化物からなる酸化膜と、
前記金属磁性粒子間の空間に形成され、前記金属磁性粒子の少なくとも一成分が酸化されて形成される第２酸化物からなる充填部と、を含み、
隣接する金属磁性粒子の間に前記第１酸化物及び第２酸化物のいずれか一つ以上を含み、
金属磁性粒子の表面に形成される酸化膜は隣接する金属磁性粒子の酸化膜とネッキングされるネッキング部を含む、積層型電子部品。
【請求項２】
前記金属磁性粒子同士は隔離される、請求項１に記載の積層型電子部品。
【請求項３】
前記金属磁性粒子はＦｅ、Ｓｉ、Ｃｒ、Ａｌ及びＮｉからなる群より選択されたいずれか一つ以上を含む合金である、請求項１に記載の積層型電子部品。
【請求項４】
前記金属磁性粒子はＦｅ−Ｓｉ−Ｃｒ系合金である、請求項１に記載の積層型電子部品。
【請求項５】
前記Ｆｅ−Ｓｉ−Ｃｒ系合金はＦｅ  ８７ｗｔ％以上、Ｃｒ  ４〜６ｗｔ％及び残量のＳｉを含む、請求項４に記載の積層型電子部品。
【請求項６】
前記金属磁性粒子は粒子サイズが４５μｍ以下である、請求項１に記載の積層型電子部品。
【請求項７】
前記金属磁性粒子は、粒度分布Ｄ５０が１０〜２０μｍの第１金属磁性粒子と、粒度分布Ｄ５０が１〜５μｍの第２金属磁性粒子と、を含む、請求項１に記載の積層型電子部品。
【請求項８】
前記第１酸化物及び第２酸化物は同一金属の酸化物である、請求項１に記載の積層型電子部品。
【請求項９】
前記第１酸化物及び第２酸化物はＣｒ２Ｏ３を含む、請求項１に記載の積層型電子部品。
【請求項１０】
前記第１酸化物からなる酸化膜は５０〜１００ｎｍの厚さで形成される、請求項１に記載の積層型電子部品。
【請求項１１】
前記第１及び第２酸化物は前記磁性体本体の断面積の２０〜３５％を占める、請求項１に記載の積層型電子部品。
【請求項１２】
前記積層型電子部品は８０ｍＡ以上のＡＣにおけるＱ値（ｑｕａｌｉｔｙ  ｆａｃｔｏｒ）の減少率が１０％以下である、請求項１に記載の積層型電子部品。
【請求項１３】
複数の磁性体層が積層された磁性体本体及び前記磁性体本体内に形成された導体パターンを含み、
前記磁性体本体は、
金属磁性粒子と、
前記金属磁性粒子の間には前記金属磁性粒子の少なくとも一成分が酸化されて形成される酸化物と、を含み、
前記酸化物は、前記金属磁性粒子の中心部から遠くなるほど、前記金属磁性粒子の少なくとも一成分の含量が減少する勾配を有する、積層型電子部品。
【請求項１４】
前記金属磁性粒子同士は隔離される、請求項１３に記載の積層型電子部品。
【請求項１５】
前記金属磁性粒子はＦｅ−Ｓｉ−Ｃｒ系合金である、請求項１３に記載の積層型電子部品。
【請求項１６】
前記Ｆｅ−Ｓｉ−Ｃｒ系合金はＦｅ  ８７ｗｔ％以上、Ｃｒ  ４〜６ｗｔ％及び残量のＳｉを含む、請求項１４に記載の積層型電子部品。
【請求項１７】
前記金属磁性粒子は粒子サイズが４５μｍ以下である、請求項１３に記載の積層型電子部品。
【請求項１８】
前記酸化物はＣｒ２Ｏ３を含む、請求項１３に記載の積層型電子部品。
【請求項１９】
前記金属磁性粒子の表面には酸化膜が形成され、前記酸化膜は前記金属磁性粒子の少なくとも一成分の酸化物を含む、請求項１３に記載の積層型電子部品。
【請求項２０】
前記金属磁性粒子の表面に形成される酸化膜は、隣接する金属磁性粒子の酸化膜とネッキングされるネッキング部を含む、請求項１９に記載の積層型電子部品。
【請求項２１】
前記酸化物は、前記磁性体本体の断面積の２０〜３５％を占める、請求項１３に記載の積層型電子部品。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、積層型電子部品に関するもので、より詳細には、優れた磁気的特性を有し、小型化及び大量生産が可能な積層型電子部品に関する。
【背景技術】
【０００２】
電子部品の一つであるインダクタは、抵抗、キャパシタとともに、電子回路をなす重要な受動素子の一つとして、ノイズ（Ｎｏｉｓｅ）を除去したり、ＬＣ共振回路をなす部品に用いられる。上記インダクタは、構造によって積層型、巻線型、薄膜型など、多様に分類されることができる。
【０００３】
最近は、電子機器の小型化が求められるにつれ、ＤＣ−ＤＣコンバータではインダクタやコンデンサなどの付着部品が増え、電源回路の面積が大きくなってきている。
【０００４】
そのため、機器の小型化のためには、まず、これらの部品を小型化する必要がある。ＤＣ−ＤＣコンバータのスイッチング周波数を高周波化すると、必要とするインダクタまたはコンデンサの定数が小さくなり、上記付着部品の小型化が可能となる。最近は、半導体製造技術の進歩によるＩＣの高性能化に伴い、スイッチング周波数の高周波化がさらに行われている。
【０００５】
このような流れに伴い、ＤＣ−ＤＣコンバータ回路で用いられるパワーインダクタとして、従来は、金属系磁性材料に導線が巻かれた形態の巻線型インダクタが多く用いられていたが、このような形態のインダクタは小型化に根本的な限界を有する。そのため、最近は、巻線型インダクタに代わって積層型インダクタの使用が増加している。
【０００６】
一方、積層型インダクタは、巻線型パワーインダクタに比べて電流印加によるインダクタンス値の変化が大きいという短所がある。
【０００７】
一般に、積層型インダクタは、磁性体層と導体パターンが交互に積層され、上記導体パターンが層間において電気的に接続されるため、コイル導体からなっている。積層型インダクタの磁性体材料として主に用いられる酸化物フェライト系は、透磁率及び電気抵抗が高い一方で飽和磁束密度が低いため、磁気飽和によるインダクタンスの低下が大きく、直流重畳特性が悪いという短所がある。
【０００８】
即ち、このような構成の積層型インダクタは、直流の電流が印加されると、電流の増加により磁性体に磁気飽和が発生するため、インダクタンスが急激に低下してしまう。
【０００９】
そのため、従来のフェライトを磁性材料として用いた積層型パワーインダクタの場合、直流重畳特性を確保するために、別途の非磁性体層をギャップとして層間に挿入しなければならないという問題点があった。
【００１０】
また、フェライトを用いるインダクタはフェライト板上に回路を設置してから焼結過程を経る必要があるが、焼結過程で生じるねじれ現象によって一定以上のインダクタンスまたは直流重畳特性を確保するのに制約があるためその広さを広くすることができず、特に最近は、インダクタが小型化されて厚さ１ｍｍ以下の製品が量産される中でその広さがさらに制限される状況下にある。つまり、多様な形態のインダクタンス及び直流重畳特性が提供できなくなる。
【００１１】
これを解決すべく、飽和磁化値が低いフェライト磁性体に代わって飽和磁化値が大きい金属磁性体を積層型電子部品に適用した。しかし、積層型電子部品の製造工程には、巻線型、薄膜型インダクタの製造工程とは異なって磁性体本体の内部に形成される導体パターンを焼結するための高温焼結工程が必要となる。しかし、このような高温焼結工程によって金属磁性体は急激に酸化し、磁気的特性を失うため、従来は、金属磁性体を用いた磁性体を積層型電子部品に適用できなかった。
【００１２】
下記特許文献１は、積層型電子部品における磁性体の製造方法に関し、合金の他にガラス成分を含む磁性体ペーストを用いて形成された磁性体層及び導体パターンを積層して窒素雰囲気において高温焼成した後、上記焼成物に熱硬化性樹脂を含浸させる方法を開示している。
【００１３】
しかし、特許文献１の発明は、絶縁性を確保するために金属と樹脂の合成物（ｃｏｍｐｏｓｉｔｅ）で構成されるため十分な透過性を得られず、樹脂を維持するために低温の熱処理を必要とするため内部電極が緻密化されないという問題点がある。
【先行技術文献】
【特許文献】
【００１４】
【特許文献１】特開第２００７−０２７３５４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１５】
本発明による一形態の目的は、積層型で製造されて薄い厚さを維持するとともに小型化が可能でありながらも、優れた磁気的特性を提供することで高電流においても高いインダクタンスを維持でき、優れた直流重畳特性を有する積層型電子部品を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１６】
上述した課題を解決すべく、本発明の一形態は、複数の磁性体層が積層された磁性体本体及び上記磁性体本体内に形成された導体パターンを含み、上記磁性体本体は、金属磁性粒子と、上記金属磁性粒子の表面に形成され、上記金属磁性粒子の少なくとも一成分が酸化されて形成される第１酸化物からなる酸化膜と、上記金属磁性粒子間の空間に形成され、上記金属磁性粒子の少なくとも一成分が酸化されて形成される第２酸化物からなる充填部と、を含み、隣接する金属磁性粒子の間に上記第１酸化物及び第２酸化物のいずれか一つ以上を含み、金属磁性粒子の表面に形成される酸化膜は隣接する金属磁性粒子の酸化膜とネッキングされるネッキング部を含む積層型電子部品を提供することができる。
【００１７】
上記金属磁性粒子同士は隔離されることができる。
【００１８】
上記金属磁性粒子はＦｅ、Ｓｉ、Ｃｒ、Ａｌ及びＮｉからなる群より選択されたいずれか一つ以上を含む合金であることができる。
【００１９】
上記金属磁性粒子はＦｅ−Ｓｉ−Ｃｒ系合金であることができる。
【００２０】
上記Ｆｅ−Ｓｉ−Ｃｒ系合金はＦｅ  ８７ｗｔ％以上、Ｃｒ  ４〜６ｗｔ％及び残量のＳｉを含むことができる。
【００２１】
上記金属磁性粒子は粒子サイズが４５μｍ以下であることができる。
【００２２】
上記金属磁性粒子は、粒度分布Ｄ５０が１０〜２０μｍの第１金属磁性粒子と、粒度分布Ｄ５０が１〜５μｍの第２金属磁性粒子と、を含むことができる。
【００２３】
上記第１酸化物及び第２酸化物は同一金属の酸化物であることができる。
【００２４】
上記第１酸化物及び第２酸化物はＣｒ２Ｏ３を含むことができる。
【００２５】
上記第１酸化物からなる酸化膜は５０〜１００ｎｍの厚さで形成されることができる。
【００２６】
上記第１及び第２酸化物は、上記磁性体本体の断面積の２０〜３５％を占めることができる。
【００２７】
上記積層型電子部品は８０ｍＡ以上のＡＣにおけるＱ値（ｑｕａｌｉｔｙ  ｆａｃｔｏｒ）の減少率が１０％以下であることができる。
【００２８】
また、本発明の一形態は、複数の磁性体層が積層された磁性体本体及び上記磁性体本体内に形成された導体パターンを含み、上記磁性体本体は、金属磁性粒子を含み、上記金属磁性粒子の間には上記金属磁性粒子の少なくとも一成分が酸化されて形成される酸化物を含み、上記酸化物は、上記金属磁性粒子の中心部から遠くなるほど、上記金属磁性粒子の少なくとも一成分の含量が減少する勾配を有する積層型電子部品を提供することができる。
【００２９】
上記金属磁性粒子同士は隔離されることができる。
【００３０】
上記金属磁性粒子はＦｅ−Ｓｉ−Ｃｒ系合金であることができる。
【００３１】
上記Ｆｅ−Ｓｉ−Ｃｒ系合金はＦｅ  ８７ｗｔ％以上、Ｃｒ  ４〜６ｗｔ％及び残量のＳｉを含むことができる。
【００３２】
上記金属磁性粒子は粒子サイズが４５μｍ以下であることができる。
【００３３】
上記酸化物はＣｒ２Ｏ３を含むことができる。
【００３４】
上記金属磁性粒子の表面には酸化膜が形成され、上記酸化膜は上記金属磁性粒子の少なくとも一成分の酸化物を含むことができる。
【００３５】
上記金属磁性粒子の表面に形成される酸化膜は隣接する金属磁性粒子の酸化膜とネッキングされるネッキング部を含むことができる。
【００３６】
上記酸化物は上記磁性体本体の断面積の２０〜３５％を占めることができる。
【発明の効果】
【００３７】
本発明の一形態による積層型電子部品は、優れた磁気的特性を有し、高電流の印加によるインダクタンスの低下を防止でき、優れた直流重畳特性を有しながらも小型化及び大量生産が可能である。
【図面の簡単な説明】
【００３８】
【図１】本発明の一実施例による積層型インダクタの斜視図である。
【図２】図１に示されたＩ−Ｉ’線に沿った断面図である。
【図３】図２のＡ部分の第１実施例を拡大して示した概略図である。
【図４】図２のＡ部分の第２実施例を拡大して示した概略図である。
【図５】本発明の一実施例による積層型インダクタのＷＴ方向の断面部を走査電子顕微鏡（ＳＥＭ、Ｓｃａｎｎｉｎｇ  Ｅｌｅｃｔｒｏｎ  Ｍｉｃｒｏｓｃｏｐｅ）で観察した写真である。
【図６】図５のＢ部分の微細構造を走査電子顕微鏡（ＳＥＭ、Ｓｃａｎｎｉｎｇ  Ｅｌｅｃｔｒｏｎ  Ｍｉｃｒｏｓｃｏｐｅ）で観察した写真である。
【図７】本発明の一実施例による積層型インダクタ及びフェライトを磁性材料として用いた比較例の積層型インダクタの交流電流によるＱ特性（ｑｕａｌｉｔｙ  ｆａｃｔｏｒ）を示したグラフである。
【図８】本発明の一実施例による積層型インダクタ（２５２０、１．０ｕＨ）の周波数によるインダクタンス値を示したグラフである。
【図９】本発明の一実施例による積層型インダクタ（２５２０、１．０ｕＨ）の周波数によるＱ特性（ｑｕａｌｉｔｙ  ｆａｃｔｏｒ）を示したグラフである。
【図１０】本発明の一実施例による積層型インダクタ（２５２０、１．０ｕＨ）のＤＣ−Ｂｉａｓ特性を示したグラフである。
【発明を実施するための形態】
【００３９】
以下では、添付の図面を参照し、本発明の好ましい実施形態について説明する。しかし、本発明の実施形態は様々な他の形態に変形されることができ、本発明の範囲は以下で説明する実施形態に限定されない。また、本発明の実施形態は、当該技術分野で平均的な知識を有する者に本発明をより完全に説明するために提供されるものである。したがって、図面における要素の形状及び大きさなどはより明確な説明のために誇張されることがある。
【００４０】
また、明細書全体において、ある構成要素を「含む」というのは、特に反対される記載がない限り、他の構成要素を除外するのではなく、他の構成要素をさらに含むことができることを意味する。
【００４１】
積層型電子部品
【００４２】
図１は本発明の一実施例による積層型インダクタの斜視図であり、図２は図１に示されたＩ−Ｉ’線に沿った断面図である。
【００４３】
図１及び図２に示されているように、本発明の一実施例による積層型インダクタ１００は、複数の磁性体層が積層されて形成された磁性体本体１１０、磁性体本体内に形成された導体パターン１２１の組み合わせによって形成されるコイル部１２０、及び磁性体本体１１０の両側面にコイル部１２０の両先端と電気的に連結されるように形成される外部電極１３０を含むことができる。
【００４４】
また、本発明の実施形態を明確に説明するために磁性体本体１１０の方向を定義すると、図１に示されたＬ、Ｗ及びＴはそれぞれ長さ方向、幅方向及び厚さ方向を示す。ここで、厚さ方向は、磁性体層が積層された積層方向と同一の概念で用いられることができる。
【００４５】
図３は図２に示された磁性体本体１１０のＡ部分をなす微細構造の一実施例を模式的に示した断面図である。
【００４６】
本発明による一実施例の磁性体本体１１０は金属磁性粒子１０を含む。上記金属磁性粒子１０の表面には上記金属磁性粒子の少なくとも一成分が酸化されて形成される第１酸化物からなる酸化膜２１が形成される。上記酸化膜２１が形成された金属磁性粒子１０間の空間には上記金属磁性粒子１０の少なくとも一成分が酸化されて形成される第２酸化物からなる充填部２２が形成される。
【００４７】
隣接する金属磁性粒子１０の間には上記第１酸化物及び第２酸化物のいずれか一つ以上が含まれることができる。隣接する金属磁性粒子１０の間には上記第１酸化物及び第２酸化物のいずれか一つ以上が存在して隣接する金属磁性粒子同士はネッキング（ｎｅｃｋｉｎｇ）現象なく隔離されることができる。これに対し、金属磁性粒子１０の表面に形成される酸化膜２１は、隣接する金属磁性粒子の酸化膜とネッキング（ｎｅｃｋｉｎｇ）されるネッキング部３０を含むことができる。
【００４８】
金属磁性粒子１０同士がネッキング（ｎｅｃｋｉｎｇ）される場合、うず電流損（Ｅｄｄｙ  ｃｕｒｒｅｎｔ  ｌｏｓｓ）が増加してＱ値（Ｑｕａｌｉｔｙ  ｆａｃｔｏｒ）が低下するのみならず、金属粒子間の接触面が増加してＡＣ増加によるＱ値が大きく低下する可能性がある。これに対し、本発明の実施形態では、金属磁性粒子１０の酸化膜２１によるネッキング（ｎｅｃｋｉｎｇ）のみがあるためうず電流損（Ｅｄｄｙ  ｃｕｒｒｅｎｔ  ｌｏｓｓ）が減少し、金属磁性粒子１０間の直接接触面がないためＡＣ増加によるＱ減少が少ないことから、パワーインダクタへの適用時に高電力効率の面において有利に働く。
【００４９】
上記金属磁性粒子１０は、特定の軟磁性合金で構成されることができる。具体的には、Ｆｅ、Ｓｉ、Ｃｒ、Ａｌ及びＮｉからなる群より選択されたいずれか一つ以上を含む合金などであることができ、例えば、Ｆｅ−Ｓｉ−Ｃｒ系合金であることができる。
【００５０】
一実施例として、Ｆｅ  ８７ｗｔ％以上、Ｃｒ  ４〜６ｗｔ％及び残量のＳｉを含むＦｅ−Ｓｉ−Ｃｒ系合金を用いることができる。
【００５１】
上記Ｆｅ−Ｓｉ−Ｃｒ系合金を用いたとき、Ｆｅの含有率が８７ｗｔ％未満の場合、磁気的特性が大きく低下した。
【００５２】
また、Ｃｒの含有率が４〜６ｗｔ％の場合、高い焼結温度においてＦｅの酸化を防止するという効果があった。これに対し、Ｃｒが４ｗｔ％未満含まれる場合は、積層型インダクタの製造過程時に、高い焼結温度においてＦｅの酸化を防止することが困難になって磁気的特性を失う現象が観察されており、６ｗｔ％を超過すると、Ｃｒの酸化物が過剰に生成されてギャップ（ｇａｐ）効果が必要以上に増加して磁気的特性が低下する可能性があった（表１参照）。
【００５３】
本発明の好ましい一実施例として、上記金属磁性粒子１０の粒子サイズは４５μｍ以下になるようにすることができる。金属磁性粒子１０のサイズ分布は、磁性特性を決定するのに極めて重要な要素となる。粒子が大きくなれば、充填率を高めて透磁率を向上させるという利点があるが、高周波におけるコアロス（ｃｏｒｅ  ｌｏｓｓ）が大きく増加してＱ特性（ｑｕａｌｉｔｙ  ｆａｃｔｏｒ）が大きく低下するという問題点がある（表２参照）。そのため、高周波における高い効率を示し、小型化を可能にするためには、金属磁性粒子１０の粒子サイズが最大４５μｍ以下、粒度分布Ｄ５０は２０μｍ以下であることが好ましい。
【００５４】
ここで、３０，０００倍で撮影したＳＥＭ（Ｓｃａｎｎｉｎｇ  Ｅｌｅｃｔｒｏｎ  Ｍｉｃｒｏｓｃｏｐｅ）写真の１視野面積を１２．５μｍ２にしたとき、５０視野分に該当する金属磁性粒子の粒度を求めて粒度が小さい順に羅列し、各粒度の累計が視野全体の５０％に達する粒度をその視野における粒度分布Ｄ５０と定義した。
【００５５】
また、金属磁性粒子１０は、図４に示されているように、粗粉の第１金属磁性粒子１１及び微粉の第２金属磁性粒子１２を含んで構成されることができる。このとき、第１金属磁性粒子１１は粒度分布Ｄ５０が１０〜２０μｍであることができ、第２金属磁性粒子１２は粒度分布Ｄ５０が１〜５μｍであることができる。
【００５６】
上記金属磁性粒子１０が粗粉の第１金属磁性粒子１１及び微粉の第２金属磁性粒子１２で構成される場合、高い充填率を達成することにより、うず電流損（Ｅｄｄｙ  ｃｕｒｒｅｎｔ  ｌｏｓｓ）が制御される範囲において透磁率を向上させることができるという効果がある。
【００５７】
上記金属磁性粒子１０の表面の酸化膜２１を形成する第１酸化物及び金属磁性粒子１０間の空間を満たす充填部２２を形成する第２酸化物は、上記金属磁性粒子１０をなす合金金属のうち少なくとも一つの金属が酸化されて形成される酸化物である。
【００５８】
第１酸化物及び第２酸化物は、金属磁性粒子１０をなす合金金属の元素のうち同一金属の酸化物で形成されることができる。上記金属磁性粒子１０がＦｅ−Ｓｉ−Ｃｒ系合金である場合、第１酸化物及び第２酸化物はＣｒ２Ｏ３を含むことができる。
【００５９】
一方、酸化膜２１の存在は、走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）による３，０００倍程度の撮影相におけるコントラスト（明るさ）の差異で認識されることができる。
【００６０】
本発明による一実施例の磁性体本体１１０は、飽和磁化値が高い金属磁性粒子１０を含み、金属磁性粒子１０の間には上記金属磁性粒子１０をなす合金金属のうち少なくとも一つの金属が酸化されて形成される酸化物を含むことができる。また、隣接する金属磁性粒子１０の間には酸化物が存在するため、金属磁性粒子同士はネッキング（ｎｅｃｋｉｎｇ）現象なく隔離されることができる。
【００６１】
上記酸化物は、金属磁性粒子１０の中心部から遠くなるほど、金属磁性粒子１０をなす合金金属のうち酸化されて酸化物を形成する少なくとも一つの金属の含量が減少する勾配を有する。
【００６２】
このとき、金属磁性粒子１０の表面には、金属磁性粒子１０をなす合金金属のうち酸化されて酸化物を形成する少なくとも一つの金属の酸化物を含む酸化膜２１が形成されることができる。
【００６３】
上記酸化膜２１は、隣接する金属磁性粒子の表面に形成された酸化膜とネッキング（ｎｅｃｋｉｎｇ）されることができる。
【００６４】
本発明の一実施例では、金属磁性粒子１０同士はネッキング（ｎｅｃｋｉｎｇ）されず、金属磁性粒子１０の表面に形成された酸化膜２１同士にはネッキング（ｎｅｃｋｉｎｇ）が発生するためうず電流損（Ｅｄｄｙ  ｃｕｒｒｅｎｔ  ｌｏｓｓ）を減らし、金属磁性粒子１０間の直接接触面がないためＡＣ増加によるＱ減少が少ないことから、パワーインダクタへの適用時に高電力効率の面において有利に働く。
【００６５】
上記第１酸化物からなる酸化膜２１は、５０〜１００ｎｍの厚さで形成されることができる。酸化膜の厚さが５０ｎｍ未満の場合、磁性複合体の比抵抗が低くなるという問題点があり、１００ｎｍを超過すると、酸化膜によるギャップ（ｇａｐ）効果が大きくなって磁気的特性を低下させるという問題が発生する可能性がある。
【００６６】
また、上記第１酸化物及び第２酸化物の酸化物は、磁性体本体１１０の断面積の２０〜３５％を占めることが好ましい。酸化物の面積が２０％未満で過度に少ないと、交流効率、直流電流特性及び高周波Ｑ特性（ｑｕａｌｉｔｙ  ｆａｃｔｏｒ）が減少するという問題点がある。また、酸化物の面積が３５％を超過して過度に多いと、磁気的特性が顕著に低下する可能性がある（表３参照）
【００６７】
上記の通り、本発明の好ましい一実施例による磁性体本体１１０を含む積層型電子部品は、８０ｍＡ以上のＡＣにおいてＱ値（ｑｕａｌｉｔｙ  ｆａｃｔｏｒ）の減少率が１０％以下を満たすことができる（図７参照）。
【００６８】
以下では、実施例を挙げて本発明についてより具体的に説明する。しかし、下記実施例が本発明の範囲を制限するものではなく、本発明の理解を助けるためのものであると解釈されなければならない。
【００６９】
＜実施例１＞
【００７０】
Ｆｅ−Ｓｉ−Ｃｒ（Ｆｅ  ９０ｗｔ％、Ｓｉ  ５ｗｔ％、Ｃｒ  ５ｗｔ％）の組成を有する合金粉末にＰＶＢ系の有機バインダー、分散剤、可塑剤を混合して製造したスラリーをキャリアフィルム（ｃａｒｒｉｅｒ  ｆｉｌｍ）上に塗布して乾燥することで製造された複数個の磁性体グリーンシートを設けた。
【００７１】
次に、上記磁性体グリーンシート上にスクリーンを用いて銅（Ｃｕ）導電性ペーストを塗布して導電パターンを形成した。その後、上記導電パターンと同一層になるように上記導電パターンの周りの上記磁性体グリーンシート上に上記スラリーを塗布して上記磁性体グリーンシートとともに一つの積層キャリアを形成した。
【００７２】
続いて、導電パターンが形成された積層キャリアを繰り返し積層し、上記導電パターンが電気的に接続されて積層方向にコイルパターンを有するようにした。ここで、上記磁性体グリーンシートにはビア電極が形成されて上記磁性体グリーンシートを介して上部導電パターンと下部導電パターンは電気的に接続されることができる。
【００７３】
また、上部及び下部カバー層とともに上記積層キャリアを１０層〜２０層の範囲内で積層し、この積層体を８５℃において１０００ｋｇｆ／ｃｍ２の圧力条件で等圧圧縮成形（ｉｓｏｓｔａｔｉｃ  ｐｒｅｓｓｉｎｇ）した。圧着されたチップ積層体を個別のチップ状に切断し、切断されたチップは大気雰囲気において２３０℃、４０時間維持して脱バインダーを行った。
【００７４】
次いで、７５０℃温度の雰囲気において１時間焼成した。このとき、焼成後のチップは２．５ｍｍ×２．０ｍｍ（Ｌ×Ｗ）、２５２０サイズになるように製作した。
【００７５】
最後に、外部電極の塗布や電極焼成、めっきなどの工程を経て外部電極を形成した。
【００７６】
上記製造された積層型インダクタの磁性体本体にはＣｒ２Ｏ３の酸化膜で被覆された金属磁性粒子、他の空間にはＣｒ２Ｏ３の酸化物が存在する。このとき、金属磁性粒子同士のネッキング（ｎｅｃｋｉｎｇ）はなく、酸化膜同士のネッキング（ｎｅｃｋｉｎｇ）現象は発見された。
【００７７】
図５は上記実施例による積層型インダクタのＷＴ方向の断面部を走査電子顕微鏡（ＳＥＭ、Ｓｃａｎｎｉｎｇ  Ｅｌｅｃｔｒｏｎ  Ｍｉｃｒｏｓｃｏｐｅ）で２００倍拡大して観察した写真であり、図６は図５に示された磁性体本体のＡ部分を走査電子顕微鏡（ＳＥＭ）で５ｋ倍拡大して微細構造を観察した写真である。
【００７８】
＜実施例２から８＞
【００７９】
Ｆｅ−Ｓｉ−Ｃｒ合金のＣｒ含量を下記表１のようにそれぞれ異ならせた点を除いては、実施例１と同一に製造して行った。
【００８０】
下記表１は、実施例２から８及び実施例１のＦｅ−Ｓｉ−Ｃｒ合金のＣｒ含量の変化による焼結前後のＭｓ値の結果を示したものである。
【００８１】
【表１】
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【００８２】
＜実施例９から１６＞
【００８３】
Ｆｅ−Ｓｉ−Ｃｒ合金のサイズを下記表２のようにそれぞれ異ならせた点を除いては、実施例１と同一製造して行った。
【００８４】
下記表２は、実施例９から１６のＦｅ−Ｓｉ−Ｃｒサイズの変化による透磁率、Ｑ特性（ｑｕａｌｉｔｙ  ｆａｃｔｏｒ）の結果を示したものである。
【００８５】
【表２】
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【００８６】
＜実施例１７から２７＞
【００８７】
磁性体本体の断面における酸化物の面積を下記表３のようにそれぞれ異ならせた点を除いては、実施例１と同一に製造した。
【００８８】
下記表３は、実施例１７から２７の酸化物面積比の変化による透磁率、インダクタンス、及びＱ特性（ｑｕａｌｉｔｙ  ｆａｃｔｏｒ）の結果を示したものである。
【００８９】
【表３】
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【００９０】
＜比較例＞
【００９１】
Ｆｅ−Ｓｉ−Ｃｒの合金粉末に代わってＮｉ−Ｚｎ−Ｃｕ系フェライトのパウダーを含む磁性体グリーンシートを積層して製造した点を除いては、実施例１と同一に製造して行った。
【００９２】
図７は、実施例１の積層型インダクタの交流電流によるＱ特性（ｑｕａｌｉｔｙ  ｆａｃｔｏｒ）を示したものである。
【００９３】
図７から分かるように、実施例１は比較例に比べて高いＡＣにおけるＱ値が少なく減少した。具体的には、８０ｍＡ以上のＡＣにおけるＱ値（ｑｕａｌｉｔｙ  ｆａｃｔｏｒ）の減少率が１０％以下を満たした。
【００９４】
図８は実施例１の積層型インダクタの周波数によるインダクタンス値を示したグラフであり、図９は実施例１の積層型インダクタの周波数によるＱ特性（ｑｕａｌｉｔｙ  ｆａｃｔｏｒ）を示したグラフである。
【００９５】
図８から分かるように、本発明の一実施形態に従い、金属磁性粒子で積層型工法を用いてチップを製作したとき、パワーインダクタとして高いインダクタンスの周波数特性が具現される。
【００９６】
図９から分かるように、本発明の一実施形態による金属磁性粒子同士がネッキングされない構造によって高周波Ｑ特性（ｑｕａｌｉｔｙ  ｆａｃｔｏｒ）に優れる。
【００９７】
また、図１０は、実施例１の積層型インダクタのＤＣ−Ｂｉａｓ特性を示したグラフであり、高い飽和磁化値（Ｍｓ）の結晶質Ｆｅ−Ｓｉ−Ｃｒの金属磁性粒子を用いることにより、内部磁路及び外部磁路を効果的に用いる積層型構造を適用することで、Ｉｓａｔ（△Ｌ／Ｌ：−３０％）が５Ａ以上で非常に優れていることが分かる。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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