(57)【要約】      （修正有）【課題】配線を微細化しても配線間の電界強度の増大を緩和できる技術を提供すること。【解決手段】電子部品は、同一の層に形成される複数の配線であり、何れか一の配線１ｂと平行な他の配線１ａの途中部分に前記一の配線１ｂの端部が形成される複数の配線と、前記複数の配線と同一の層に設けられる導体であり、前記他の配線１ａを間に挟んで前記一の配線１ｂの端部に併設される導体、または、前記一の配線１ｂの端部を間に挟んで前記他の配線１ａに併設される導体によって形成されるフローティング部２と、を有する。【選択図】図１
2015220280.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
同一の層に形成される複数の配線であり、何れか一の配線と平行な他の配線の途中部分に前記一の配線の端部が形成される複数の配線と、
前記複数の配線と同一の層に設けられる導体であり、前記他の配線を間に挟んで前記一の配線の端部に併設される導体、または、前記一の配線の端部を間に挟んで前記他の配線に併設される導体によって形成されるフローティング部と、を有する、
電子部品。
【請求項２】
前記フローティング部は、前記複数の配線と同一の層に設けられる導体であり、前記他の配線を基準として前記一の配線の端部と対称の位置に配置される導体、または、前記一の配線の端部を基準として前記他の配線と対称の位置に配置される導体によって形成される、
請求項１に記載の電子部品。
【請求項３】
前記複数の配線は、互いに平行な第１の配線と第２の配線とを有し、
前記第２の配線は、前記第１の配線の途中部分まで前記第１の配線に沿って延在し、
前記フローティング部は、前記複数の配線と同一の層に設けられる導体であり、前記第１の配線を間に挟んで前記第２の配線の端部に併設される導体、または、前記第２の配線の端部を間に挟んで前記第１の配線に併設される導体によって形成される、
請求項１または２に記載の電子部品。
【請求項４】
前記複数の配線は、配線を複数の層に形成した積層体のうち何れかの層に形成されており、前記一の配線の端部において前記一の配線が他層の配線と導通する、
請求項１から３の何れか一項に記載の電子部品。
【請求項５】
前記複数の配線は、互いに一定の配線ピッチで配置され、
前記フローティング部は、前記複数の配線と同一の層に設けられる導体であり、前記他の配線を前記配線ピッチと同じピッチで間に挟んで前記一の配線の端部に併設される導体、または、前記一の配線の端部を前記配線ピッチと同じピッチで間に挟んで前記他の配線に併設される導体によって形成される、
請求項１から４のいずれか一項に記載の電子部品。
【請求項６】
前記フローティング部は、前記端部の位置から前記他の配線の長手方向に沿って前記一の配線の配線幅以上の長さを有する前記導体によって形成される、
請求項１から５のいずれか一項に記載の電子部品。
【請求項７】
前記複数の配線は、互いに平行に形成されている、
請求項１から６のいずれか一項に記載の電子部品。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本願で開示する技術は、電子部品に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、電子機器に対する小型化、高性能化及び低価格化等の要求に伴い、半導体チップの微細化や多端子化がすすめられている。また、あわせて、半導体チップを搭載する回路基板の微細化、多層化および回路基板上での電子部品の高密度実装化が進められている。そのため、半導体装置には信頼性の高い微細な樹脂埋め込み配線構造が求められている。
【０００３】
配線の信頼性を高める技術としては、例えば、最も外側の配線の幅をその他の配線の幅よりも太くすることで、最も外側の配線がエッチングの際に細ることを防ぐ技術が提案されている（例えば、特許文献１）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２０００−２０８８８１号公報
【特許文献２】特開平２−５４１９号公報
【特許文献３】特開昭６３−３０５５８９号公報
【特許文献４】特開２０１３−１２８１１８号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
電子部品の配線間の電界強度は、配線ピッチを狭くすると増大する。よって、電子部品の小型化に伴って配線の微細化が進むと、配線間における電界強度の高まりにより、絶縁破壊の発生に至る可能性が高くなる。すなわち、配線の微細化が進むと、配線間の絶縁破壊により電子部品に不良が発生する可能性が高くなる。
【０００６】
そこで、本願は、配線を微細化しても配線間の電界強度の増大を緩和できる技術を提供することを課題とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本願は、次のような電子部品を開示する。
同一の層に形成される複数の配線であり、何れか一の配線と平行な他の配線の途中部分に前記一の配線の端部が形成される複数の配線と、
前記複数の配線と同一の層に設けられる導体であり、前記他の配線を間に挟んで前記一の配線の端部に併設される導体、または、前記一の配線の端部を間に挟んで前記他の配線に併設される導体によって形成されるフローティング部と、を有する、
電子部品。
【発明の効果】
【０００８】
上記電子部品は、配線を微細化しても配線間の電界強度の増大を緩和できる。
【図面の簡単な説明】
【０００９】
【図１】実施形態に係る電子部品が有する配線構造の一部を拡大して示した上面図の一例である。
【図２】図１のＡ−Ａ断面を例示する図である。
【図３Ａ】第１変形例に係る電子部品が有する配線構造の一部を拡大して示した上面図の一例である。
【図３Ｂ】第２変形例に係る電子部品が有する配線構造の一部を拡大して示した上面図の一例である。
【図３Ｃ】第３変形例に係る電子部品が有する配線構造の一部を拡大して示した上面図の一例である。
【図４Ａ】第１比較例に係る電子部品が有する配線構造の一部を拡大して示した上面図の一例である。
【図４Ｂ】図４ＡのＢ−Ｂ断面を示した図の一例である。
【図５】第２比較例に係る電子部品が有する配線構造の一部を拡大して示した上面図の一例である。
【図６】実施形態を基にしたシミュレーションにおける電界強度分布を例示する図である。
【図７】シミュレーション１における最大電界強度の結果を例示する図である。
【図８】第１変形例を基にしたシミュレーションのモデルを例示する図である。
【図９】第１変形例を基にしたシミュレーションにおける電界強度分布を例示する図である。
【図１０】第１比較例を基にしたシミュレーションのモデルを例示する図である。
【図１１】第１比較例を基にしたシミュレーションにおける電界強度分布を例示する図である。
【図１２】シミュレーション２における最大電界強度の結果を例示する図である。
【図１３】第３変形例を基にしたシミュレーションのモデルを例示する図である。
【図１４】第３変形例を基にしたシミュレーションにおける電界強度分布を例示する図である。
【図１５】第２比較例を基にしたシミュレーションのモデルを例示する図である。
【図１６】第２比較例を基にしたシミュレーションにおける電界強度分布を例示する図である。
【図１７】シミュレーション３における最大電界強度の結果を例示する図である。
【図１８】ウェハの断面を例示する図である。
【図１９】接続ポストが形成されたウェハの断面を例示する図である。
【図２０】感光性絶縁膜が塗布されたウェハの断面を例示する図である。
【図２１】露光、現像およびキュアを行った後のウェハの断面を例示する図である。
【図２２】密着層およびメッキシード層がスパッタされたウェハの断面を例示する図である。
【図２３】メッキ処理を行ったウェハの断面を例示する図である。
【図２４】化学機械研磨処理後のウェハの断面を例示する図である。
【発明を実施するための形態】
【００１０】
以下、実施形態について説明する。以下に示す実施形態は、単なる例示であり、本開示の技術的範囲を以下の態様に限定するものではない。
【００１１】
＜実施形態＞
実施形態に係る電子部品の一例を図１〜図２に示す。図１は、実施形態に係る電子部品が有する配線構造の一部を拡大して示した上面図の一例である。また、図２は、図１のＡ−Ａ断面を示した図の一例である。
【００１２】
電子部品Ｅは、配線部１、フローティング部２および絶縁部３を有している。配線部１は、配線１ａおよび配線１ｂを含む。配線１ａは、本願でいう「第１の配線」の一例に相当する。また、配線１ｂは、本願でいう「第２の配線」の一例に相当する。配線１ａおよび配線１ｂは、何れも同一の層に形成されている。配線１ｂは、配線１ａや配線１ｂが形成される層とは異なる他層の配線１ｔと導通している。配線１ａ、配線１ｂおよびフロー
ティング部２の各々の間は、絶縁部３によって絶縁されている。絶縁部３は、電気的に絶縁する絶縁体であれば如何なる材料であってもよく、例えば、絶縁性樹脂を適用することが可能である。電子部品Ｅとしては、例えば、半導体チップを搭載した各種の電子部品を挙げることができる。電子部品Ｅとして半導体チップを搭載した電子部品が例示される場合、配線部１やフローティング部２、絶縁部３は、例えば、ＬＳＩ（Large Scale Integration）の再配線層の一部として形成することができる。また、配線部１やフローティン
グ部２、絶縁部３は、例えば、ウェハーレベルパッケージや疑似ＳｏＣ（System on Chip）の一部に形成してもよい。
【００１３】
なお、図１では、配線１ａおよび配線１ｂが交互に配置されている。しかしながら、配線１ａおよび配線１ｂは交互に配置されていなくともよい。例えば、配線１ａが２本続けて並んで配置され、２本並ぶ配線１ａの隣に配線１ｂが１本配置されてもよい。また、配線１ａおよび配線１ｂは、互いに一定の間隔（ピッチ）で配置されていてもよいし、間隔が相違していてもよい。また、配線１ｂは、配線１ａの途中部分４まで配線１ａの脇に配線１ａに沿って配線１ａに平行に配置されている。しかしながら、配線１ｂは、配線１ａの途中部分４まで配線１ａの脇に配線１ａに沿って配線１ａに平行に配置されるものに限定されるものではない。配線１ｂは、例えば、一部が非直線状に形成されることにより、配線１ａと部分的に非平行に配置されてもよい。途中部分４とは、同一の層に形成される複数の配線のうち何れかの配線の端部に対応する部位である。配線の端部としては、例えば、配線が形成されている層において配線が途切れている部分が挙げられる。配線が途切れている部分としては、例えば、互いに並んで配置されている複数の配線のうち何れかの配線が他層の配線と導通するが故に層内で途切れている部分が挙げられ、電気的な経路そのものが途切れている部分を意図する概念ではない。例えば、本実施形態であれば、配線１ｂは、配線１ｂの端部において配線１ｔと導通するが故に配線１ａや配線１ｂが形成されている層内で途切れている。
【００１４】
フローティング部２は、周囲から電気的に絶縁されている導体によって形成される。図１において、フローティング部２は、絶縁部３によって配線１ａおよび配線１ｂと電気的に絶縁されている。つまり、フローティング部２は、電気信号を伝達するものではない。フローティング部２は、配線部２が有する配線１ａおよび配線１ｂと同一の層に形成される導体であり、配線１ａを間に挟んで配線１ｂの端部に併設される導体によって形成される。そして、フローティング部２を形成する導体は、配線１ａを基準として配線１ｂの端部と対称の位置に少なくとも配置される。
【００１５】
なお、図１において、フローティング部２は、配線１ａの途中部分４において配線１ａの両側のうち配線１ｂが配置された側の反対側のそれぞれに２本ずつ配置されている。しかしながら、フローティング部２は、１本あるいは３本以上並んで配置されていてもよい。また、フローティング部２は、配線１ａの途中部分４において配線１ａの両側のうち配線１ｂが配置された側に配置されてもよい。フローティング部２の幅は、例えば、配線１ａおよび配線１ｂの配線幅と同じ幅にしてもよいし、或いは異なる幅にしてもよい。また、フローティング部２の間隔は、例えば、配線１ａと配線１ｂの配線間隔と同じ間隔にしてもよいし、或いは異なる間隔にしてもよい。また、図１において、フローティング部２は、例えば、途中部分４から配線１ａに沿って配線１ａの配線幅以上の長さを長手方向に有する状態で図示されているが、フローティング部２はその他の寸法、形状、大きさで形成されてもよい。
【００１６】
＜第１変形例＞
上記実施形態は、例えば、以下のように変形することもできる。図３Ａは、第１変形例に係る電子部品が有する配線構造の一部を拡大して示した上面図の一例である。図３Ａでは、実施形態と同様の配線部１および絶縁部３の他、実施形態のフローティング部２を変
形したフローティング部２ａが例示されている。上述した実施形態では、フローティング部２は島状に形成されていた。一方、本第１変形例のフローティング部２ａは、配線１ａに沿って配線１ａと平行に延在している。すなわち、本第１変形例は、フローティング部２ａ以外の構成要素については実施形態と同様である。よって、実施形態と同様の構成要素については、同一の符号を付し、その説明を省略する。
【００１７】
＜第２変形例＞
また、上記実施形態は、例えば、以下のように変形することもできる。図３Ｂは、第２変形例に係る電子部品が有する配線構造の一部を拡大して示した上面図の一例である。図３Ｂでは、実施形態と同様のフローティング部２および絶縁部３の他、実施形態の配線部１を変形した配線部１ｘが例示されている。配線部１ｘは、実施形態に係る配線部１のように配線１ｂが配線１ａに囲まれるのではなく、フローティング部２と配線１ａとの間に配線１ｂを配置したものである。よって、本第２変形例において、フローティング部２を形成する導体は、配線１ｂの端部を間に挟んで配線１ａに併設されることになる。そして、本第２変形例において、フローティング部２を形成する導体は、配線１ｂの端部を基準として配線１ａと対称の位置に少なくとも配置される。本第２変形例は、配線部１ｘ以外の構成要素については実施形態と同様である。
【００１８】
＜第３変形例＞
また、上記実施形態は、例えば、以下のように変形することもできる。図３Ｃは、第３変形例に係る電子部品が有する配線構造の一部を拡大して示した上面図の一例である。図３Ｃでは、実施形態と同様の絶縁部３の他、第１変形例と同様のフローティング部２ａ、及び、第２変形例と同様の配線部１ｘが例示されている。すなわち、本第３変形例は、第１変形例および第２変形例を組み合わせたものであり、配線部１ｘおよびフローティング部２ａ以外の構成要素については実施形態と同様である。
【００１９】
上記実施形態及び各変形例に係る電子部品の配線構造について検証を行ったので、検証結果を以下に説明する。なお、以下の検証においては、フローティング部の効果について検証するため、以下のような比較例を用意した。
【００２０】
＜第１比較例＞
第１比較例に係る電子部品の一例を図４Ａ〜図４Ｂに示す。図４Ａは、第１比較例に係る電子部品が有する配線構造の一部を拡大して示した上面図の一例である。また、図４Ｂは、図４ＡのＢ−Ｂ断面を示した図の一例である。図４Ａでは、配線１ｃおよび配線１ｄが例示されている。配線１ｃおよび配線１ｄの各々の間は、絶縁部３ａによって絶縁されている。配線１ｃおよび配線１ｄは交互に配置されている。配線１ｄは、配線１ｃの途中部分４ａまで配線１ｃの脇に沿って配置されている。すなわち、第１比較例に係る電子部品Ｅ’には、実施形態や第１変形例の配線部１に相当するものが設けられているが、フローティング部２，２ａに相当するものが省かれている。
【００２１】
＜第２比較例＞
第２比較例に係る電子部品の一例を図５に示す。図５は、第２比較例に係る電子部品が有する配線構造の一部を拡大して示した上面図の一例である。図５では、配線１ｃおよび配線１ｄが例示されているが、本第２比較例は、配線１ｃの周囲に配線１ｄが配置されており、第１比較例のように配線１ｄが配線１ｃに取り囲まれていない。すなわち、本第２比較例は、第２変形例や第３変形例の配線部１ｘに相当するものが設けられているが、フローティング部２，２ａに相当するものが省かれている。
【００２２】
＜シミュレーション１＞
上記実施形態に係る電子部品の配線構造に相当するモデルを使ってシミュレーションを
実施し、フローティング部２による電界強度の低減効果を検討した。図６は、実施形態を基にしたシミュレーションにおける電界強度分布を例示する図である。図６では、配線１ａ、配線１ｂ、フローティング部２および等電位線２００が例示されている。
【００２３】
本シミュレーション１のモデルは、配線１ａおよび配線１ｂの配線幅を２μｍ、隣り合った配線１ａおよび配線１ｂの間隔を２μｍ、配線１ａおよび配線１ｂの高さを２μｍとした。また、配線１ａに３．３Ｖ、配線１ｂに０Ｖの電圧を印加している。
【００２４】
図６において局所的に強い電界が発生する箇所は、例えば、配線１ａおよび配線１ｂの配線間のうち途中部分４の付近（例えば、図６において、丸印の部分）である。この部分の等電位線２００が密になっていることからも強い電界が発生していることがわかる。
【００２５】
図７は、本シミュレーション１における最大電界強度の結果を例示する図である。なお、図７では、フローティング部２の長さとして４μｍおよび６μｍの２パターンの結果を示している。
【００２６】
図７のグラフの縦軸は、配線間で発生する最大電界強度（Ｖ／ｍ）を示している。また、図７のグラフの横軸は、フローティング部の本数を示している。本シミュレーション１では、フローティング部の本数や長さを互い違いにした幾つかのモデルについてシミュレーションを行っている。図７を参照すると、フローティング部が無い場合（「横軸」の本数０：比較例の一例に相当）、最大電界強度は１．０９×１０７（Ｖ／ｍ）程度となっている。一方、例えば、フローティング部を１本備え、フローティング部の長さが４μｍである場合（実施形態の一例に相当）では、最大電界強度は〜１．０４×１０７〜１．０５×１０７（Ｖ／ｍ）程度となっている。また、フローティング部が１本以上ある場合、０本の場合に比べて最大電界強度が何れも低いことが判る。このことから、フローティング部を設けると配線間に発生する電界強度が緩和されることがわかる。
【００２７】
本シミュレーション１の結果から明らかなように、実施形態では第１比較例と比較して、配線間に発生する電界強度を緩和できることが判る。よって、このような配線構造を有する実施形態の電子部品は、絶縁破壊の発生率が第１比較例よりも低減されると推定できる。従って、実施形態の電子部品であれば、配線を微細化しても配線間の電界強度の増大を緩和できる。
【００２８】
＜シミュレーション２＞
上記第１変形例に係る電子部品の配線構造に相当するモデルを使ってシミュレーションを実施し、フローティング部２ａによる電界強度の低減効果を検討した。図８は、第１変形例を基にしたシミュレーションのモデルを例示する図である。図８で例示されるシミュレーションのモデルでは、第１変形例に相当するシミュレーションモデルとして電極から櫛場状に配線され、フローティング部が櫛場状の配線の長手方向に沿って延在しているモデルを採用している。図８では、クシバ配線５１ａ、クシバ配線５１ｂ、フローティング部２ａ、電極５２ａおよび電極５２ｂが例示されている。クシバ配線５１ａは、電極５２ａに接続され、クシバ配線５１ｂの途中部分４ｃまでクシバ配線５１ｂに沿って延在している。クシバ配線５１ｂは、電極５２ｂに接続され、クシバ配線５１ａの途中部分４ｂまでクシバ配線５１ａに沿って延在している。フローティング部２ａは、クシバ配線５１ａおよびクシバ配線５１ｂの外側に設けられている。フローティング部２ａは、途中部分４ｂおよび途中部分４ｃの隣に少なくとも一部分が配置されている。フローティング部２ａは、クシバ配線５１ａおよびクシバ配線５１ｂと電気的に絶縁されている。
【００２９】
図９は、第１変形例を基にしたシミュレーションにおける電界強度分布を例示する図である。図９では、クシバ配線５１ａ、クシバ配線５１ｂ、フローティング部２ａおよび等
電位線２００が例示されている。
【００３０】
本シミュレーション２における第１変形例のモデルは、クシバ配線５１ａおよびクシバ配線５１ｂの配線幅を２μｍ、隣り合ったクシバ配線５１ａおよびクシバ配線５１ｂの間隔を２μｍ、クシバ配線５１ａおよびクシバ配線５１ｂの高さを２μｍとしている。また、クシバ配線５１ａに３．３Ｖ、クシバ配線５１ｂに０Ｖの電圧を印加している。
【００３１】
図９において局所的に強い電界が発生する箇所は、例えば、クシバ配線５１ａおよびクシバ配線５１ｂの配線間のうち途中部分４ｂの付近（例えば、図９において、丸印の部分）である。この部分の等電位線２００が密になっていることからも強い電界が発生していることがわかる。
【００３２】
図１０は、第１比較例を基にしたシミュレーションのモデルを例示する図である。図１０で例示されるシミュレーションのモデルでは、第１比較例に相当するシミュレーションモデルとして電極から櫛場状に配線されているモデルを採用している。図１０では、クシバ配線５３ａ、クシバ配線５３ｂ、電極５４ａおよび電極５４ｂが例示されている。クシバ配線５３ａは、電極５４ａに接続され、クシバ配線５３ｂの途中部分４ｄまでクシバ配線５３ｂに沿って延在している。クシバ配線５３ｂは、電極５４ｂに接続され、クシバ配線５３ａの途中部分４ｅまでクシバ配線５３ａに沿って延在している。
【００３３】
図１１は、第１比較例を基にしたシミュレーションにおける電界強度分布を例示する図である。図１１では、クシバ配線５３ａ、クシバ配線５３ｂおよび等電位線２００が例示されている。
【００３４】
本シミュレーション２における第１比較例のモデルは、クシバ配線５３ａおよびクシバ配線５３ｂの配線幅を２μｍ、隣り合ったクシバ配線５３ａおよびクシバ配線５３ｂの間隔を２μｍ、クシバ配線５３ａおよびクシバ配線５３ｂの高さを２μｍとしている。また、クシバ配線５３ａに３．３Ｖ、クシバ配線５３ｂに０Ｖの電圧を印加している。
【００３５】
図１１において局所的に強い電界が発生する箇所は、例えば、クシバ配線５３ａおよびクシバ配線５３ｂの配線間のうち途中部分４ｄの付近（例えば、図１１において、丸印の部分）である。この部分の等電位線２００が密になっていることからも強い電界が発生していることがわかる。
【００３６】
図１２は、本シミュレーション２における最大電界強度の結果を例示する図である。なお、図１２では、フローティング部２ａの突出量として０μｍ、１μｍ、２μｍ、３μｍ、４μｍ、８μｍおよび１２μｍの７パターンの結果を示している。突出量とは、フローティング部２ａが途中部分４ｂあるいは途中部分４ｃを超えて伸びている部分の長さである（図８を参照）。
【００３７】
図１２のグラフの縦軸は、配線間で発生する最大電界強度（Ｖ／ｍ）を示している。また、図１２のグラフの横軸は、フローティング部の本数を示している。図１２では、フローティング部の本数や長さを互い違いにした幾つかのモデルの結果を示している。図１２を参照すると、フローティング部が無い場合（「横軸」の本数０：第１比較例の一例に相当）、最大電界強度は１．３３×１０７（Ｖ／ｍ）程度となっている。一方、フローティング部を２本備え、フローティング部の突出量が１μｍである場合（第１変形例の一例に相当）では、最大電界強度は９．５×１０６（Ｖ／ｍ）程度となっている。また、フローティング部が１本以上ある場合、０本の場合に比べて最大電界強度が何れも低いことが判る。このことから、フローティング部を設けると配線間に発生する電界強度が緩和されることがわかる。
【００３８】
本シミュレーション２の結果から明らかなように、第１変形例では第１比較例と比較して、配線間に発生する電界強度を緩和できることが判る。よって、このような配線構造を有する第１変形例の電子部品は、絶縁破壊の発生率が第１比較例よりも低減されると推定できる。従って、第１変形例の電子部品であれば、配線を微細化しても配線間の電界強度の増大を緩和できる。
【００３９】
＜シミュレーション３＞
上記第３変形例に係る電子部品の配線構造に相当するモデルを使ってシミュレーションを実施し、実施形態に係る配線部１のように配線１ｂが配線１ａに囲まれるのではなく、フローティング部２ａと配線１ａとの間に配線１ｂを配置した場合におけるフローティング部２ａによる電界強度の低減効果を検討した。図１３は、第３変形例を基にしたシミュレーションのモデルを例示する図である。図１３で例示されるシミュレーションのモデルでは、第３変形例に相当するシミュレーションモデルとして電極から櫛場状に配線され、フローティング部が櫛場状の配線の長手方向に沿って延在しているモデルを採用している。図１３では、上記のシミュレーション２の説明において記載した第１変形例に相当するシミュレーションモデルのうち、クシバ配線５１ａとクシバ配線５１ｂの順序を入れ替えたものが例示されている。すなわち、第２変形例に相当する本シミュレーションモデルは、クシバ配線５１ａとクシバ配線５１ｂの順序を入れ替えた点を除き、第１変形例に相当するシミュレーションモデルと同様である。
【００４０】
図１４は、第３変形例を基にしたシミュレーションにおける電界強度分布を例示する図である。図１４では、クシバ配線５１ａ、クシバ配線５１ｂ、フローティング部２ａおよび等電位線２００が例示されている。
【００４１】
図１４において局所的に強い電界が発生する箇所は、例えば、クシバ配線５１ａおよびクシバ配線５１ｂの配線間のうち途中部分４ｂの付近（例えば、図１４において、丸印の部分）である。この部分の等電位線２００が密になっていることからも強い電界が発生していることがわかる。
【００４２】
図１５は、第２比較例を基にしたシミュレーションのモデルを例示する図である。図１５で例示されるシミュレーションのモデルでは、第２比較例に相当するシミュレーションモデルとして電極から櫛場状に配線されているモデルを採用している。図１５では、上記のシミュレーション２の説明において記載した第１比較例に相当するシミュレーションモデルのうち、クシバ配線５３ａとクシバ配線５３ｂの順序を入れ替えたものが例示されている。すなわち、第２比較例に相当する本シミュレーションモデルは、クシバ配線５３ａとクシバ配線５３ｂの順序を入れ替えた点を除き、第１比較例に相当するシミュレーションモデルと同様である。
【００４３】
図１６は、第２比較例を基にしたシミュレーションにおける電界強度分布を例示する図である。図１６では、クシバ配線５３ａ、クシバ配線５３ｂおよび等電位線２００が例示されている。
【００４４】
図１６において局所的に強い電界が発生する箇所は、例えば、クシバ配線５３ａおよびクシバ配線５３ｂの配線間のうち途中部分４ｄの付近（例えば、図１６において、丸印の部分）である。この部分の等電位線２００が密になっていることからも強い電界が発生していることがわかる。
【００４５】
図１７は、本シミュレーション３における最大電界強度の結果を例示する図である。なお、図１７では、フローティング部２ａの突出量として２μｍの１パターンの結果を示し
ている。図１７では、フローティング部の本数を互い違いにした幾つかのモデルの結果を示している。図１７を参照すると、フローティング部が無い場合（「横軸」の本数０：第２比較例の一例に相当）、最大電界強度は１．０４×１０７（Ｖ／ｍ）程度となっている。一方、フローティング部を４本備え、フローティング部の突出量が２μｍである場合（第３変形例の一例に相当）では、最大電界強度は９．００×１０６（Ｖ／ｍ）程度となっている。また、フローティング部が１本以上ある場合、０本の場合に比べて最大電界強度が何れも低いことが判る。このことから、実施形態に係る配線部１のように配線１ｂが配線１ａに囲まれるのではなく、フローティング部２ａと配線１ａとの間に配線１ｂが配置される場合であっても、配線間に発生する電界強度がフローティング部によって緩和されることがわかる。
【００４６】
本シミュレーション３の結果から明らかなように、第３変形例では第２比較例と比較して、配線間に発生する電界強度を緩和できることが判る。よって、このような配線構造を有する第３変形例の電子部品は、絶縁破壊の発生率が第２比較例よりも低減されると推定できる。従って、第３変形例の電子部品であれば、配線を微細化しても配線間の電界強度の増大を緩和できる。
【００４７】
＜製造工程＞
上記実施形態および各変形例の電子部品の配線構造は、例えば以下のような製造工程によって製造可能である。以下、図１８〜図２４を参照して実施形態および各変形例の配線構造の製造工程を説明する。ここでは、配線幅、配線間隔および配線の高さが２μｍである微細配線構造を有するダマシン配線の製造工程を例示する。
【００４８】
図１８は、ウェハの断面を例示する図である。ウェハ１００は、ＬＳＩチップ１０の表面部分にパッシベーション層１１および端子パッド１２が形成される。ＬＳＩチップ１０は、例えば、シリコン等の半導体で形成される。パッシベーション層１１は、ＬＳＩチップ１０の表面を被膜することでＬＳＩチップ１０を異物から保護する。パッシベーション層１１は、例えば、ＳｉＮ膜で形成される。図１８では、パッシベーション層１１は１層で形成されている。しかしながら、パッシベーション層１１は複数層で形成されていてもよい。端子パッド１２はパッシベーション層１１に設けられた穴部に設けられる。端子パッド１２はＬＳＩチップ１０と電気的に接続されている。端子パッド１２は、例えば、銅やアルミニウム等の導体で形成できる。
【００４９】
図１９は、接続ポストが形成されたウェハの断面を例示する図である。パッシベーション層１１および端子パッド１２が形成された後は、接続パッド１２上に接続ポスト１４が設けられる。接続ポスト１４は端子パッド１２を介してＬＳＩチップ１０と電気的に接続されている。接続ポスト１４は、例えば、銅やアルミニウム等の導体で形成できる。樹脂絶縁膜１３はパッシベーション層１１の表面を被膜する。樹脂絶縁膜１３は、例えば、酸化膜で形成される。樹脂絶縁膜１３は、配線層間の絶縁膜として機能する。
【００５０】
図２０は、感光性絶縁膜が塗布されたウェハの断面を例示する図である。接続ポスト１４が形成された後は、樹脂絶縁膜１３の表面に感光性絶縁膜１５が塗布される。感光性絶縁膜１５は、感光した部分が溶解するポジ型あるいは感光した部分が残るネガ型のいずれを用いてもよい。感光性絶縁膜１５は、例えば、樹脂で形成してもよい。感光性絶縁膜１５は、例えば、ＪＳＲ社のＷＲ−１２０１を用いて形成することができる。感光性絶縁膜１５は、ポストベーク後の厚さが２．５μｍとなるように設けてもよい。
【００５１】
図２１は、露光、現像およびキュアを行った後のウェハの断面を例示する図である。感光性絶縁膜１５が塗布された後は、露光、現像およびキュアが行われ、トレンチ１６が設けられる。
【００５２】
すなわち、感光性絶縁膜１５が表面に設けられたウェハ１００を、所望の配線パターンが形成されたマスクを用いて露光する。ここでは、上記実施形態や各変形例の配線部およびフローティング部に相当するパターンを含むマスクを露光に用いる。露光によって感光性絶縁膜１５は光と反応し、ダマシン配線形成のための配線パターンがＬＳＩチップ１０の表面に形成される。露光に用いるマスクに形成される配線パターンは実寸通りに作成してもよいし、実寸より大きく作成してもよい。実寸通りに作成したマスクによって露光を行う場合、露光は例えば等倍となるように行う。また、実寸より大きく作成したマスクによって露光を行う場合、ステッパーを用いて縮小投影露光する。実寸より大きな配線パターンを用いることで、微細な配線パターンのマスク作成が容易になる。
【００５３】
露光されたウェハ１００を現像液に浸し、余分な感光性絶縁膜１５を除去する。現像液は、例えば、感光性絶縁膜１５を溶解する薬液を用いる。現像を行うことで、ウェハ１００の表面に配線パターンが現れる。
【００５４】
さらに、現像を行ったウェハ１００をリンス液で数回すすぐ。この処理により、現像で除去しきれなかった余分な感光性絶縁膜１５が除去される。リンス液は超純水が用いられてもよい。
【００５５】
リンス液ですすいだウェハ１００にキュアが行われる。キュアは、例えば、ウェハ１００を２００℃で１時間加熱する処理を含む。キュアを行うことで、ウェハ１００上に、例えば、配線幅２μｍかつ配線高さ２．２μｍのトレンチ１６が形成される。
【００５６】
図２２は、密着層およびメッキシード層がスパッタされたウェハの断面を例示する図である。トレンチ１６が形成された後は、感光性絶縁膜１５上に密着層１７が形成される。密着層１７は、メッキシード層１８と感光性絶縁膜１５との密着性を高める。密着層１７は、例えば、チタン（Ｔｉ）で形成される。密着層１７の厚みは、例えば、３０〜２００ｎｍ程度とすることができる。
【００５７】
密着層１７が形成された後は、メッキシード層１８が密着層１７上に形成される。メッキシード層１８の材料としては、例えば、メッキ処理に用いる材料と同じ材料を用いることができる。例えば、メッキ処理を銅で行う場合、メッキシード層１８は銅で形成できる。メッキシード層１８を設けることで、メッキ処理が容易になされる。メッキシード層１８の厚みは、例えば、３０〜２００ｎｍ程度とすることができる。
【００５８】
図２３は、メッキ処理を行ったウェハの断面を例示する図である。メッキシード層１８が形成された後は、メッキ層１９が形成される。メッキ層１９は、例えば、銅等の導体で形成される。メッキ層１９の厚みは、例えば、３μｍ以上にすることができる。
【００５９】
図２４は、化学機械研磨（ｃｈｅｍｉｃａｌ  ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ  ｐｏｌｉｓｈｉｎｇ、ＣＭＰ）処理後のウェハの断面を例示する図である。メッキ層１９が形成された後は、ＣＭＰ処理が行われる。ＣＭＰは、化学反応と機械的な研磨によってウェハ１００の表面を平坦化する処理を含む。ここでは、例えば、Ｃｕスラリ（例えば、日立化成株式会社製Ｃｕスラリ  ＨＳ−３Ｃ９３５）を用いたＣｕＣＭＰを行うことができる。ＣＭＰは、例えば、感光性絶縁膜１５の厚さが２μｍとなるように行うことができる。図１８〜図２４の工程が行われることで、例えば、配線幅、配線間隔および配線の高さが２μｍのダマシン配線１９ａが形成され、上記実施形態や各変形例に係る電子部品が有する配線構造の形成に至る。
【００６０】
なお、上記製造工程は、次のように変形してもよい。例えば、上記製造工程は、メッキ
シード層１８を設けずに密着層１７に対してメッキ層１９を設ける、いわゆるダイレクトメッキを行ってもよい。また、各部の配線は、銅メッキで形成してもよいし、或いはアルミニウムで形成してもよい。また、上記実施形態や各変形例に係る電子部品の配線構造は、その他の製造工程によって形成されるものであってもよい。
【符号の説明】
【００６１】
Ｅ，Ｅ’・・・電子部品
１、１ｘ・・・配線部
１ａ、１ｂ、１ｃ、１ｄ、１ｔ・・・配線
２、２ａ・・・フローティング部
３、３ａ・・・絶縁部
４、４ａ、４ｂ、４ｃ、４ｄ、４ｅ・・・途中部分
５１ａ、５１ｂ、５３ａ、５３ｂ・・・クシバ配線
５２ａ、５２ｂ、５４ａ、５４ｂ・・・電極
１０・・・ＬＳＩチップ
１１・・・パッシベーション層
１２・・・端子パッド
１３・・・樹脂絶縁膜
１４・・・接続ポスト
１５・・・感光性絶縁膜
１６・・・トレンチ
１７・・・密着層
１８・・・メッキシード層
１９・・・メッキ層
１９ａ・・・ダマシン配線
１００・・・ウェハ
２００・・・等電位線
【図１】
2015220280.tif 000003
【図２】
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【図３Ａ】
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【図３Ｂ】
2015220280.tif 000006
【図３Ｃ】
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【図４Ａ】
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【図４Ｂ】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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