(57)【要約】【課題】欠陥画素を高効率にリペアする有機ＥＬ表示装置の製造方法を提供する。【解決手段】複数の発光画素１００の中から、短絡欠陥のある有機ＥＬ素子２０１を有する欠陥画素を特定する特定ステップＳ３０と、特定ステップＳ３０で特定された欠陥画素の撮像データから、当該欠陥画素に存在する複数の異物のそれぞれについて、濃度総和と輪郭強度値とを測定する測定ステップＳ４１と、有機ＥＬ素子の短絡経路を形成しない非キラー異物について大きさと輪郭強度値との関係を表す特性を近似した近似曲線と、測定ステップＳ４１で測定された複数の異物のそれぞれについての濃度総和及び輪郭強度値とを比較することにより、リペアすべき対象の異物を判別する判別ステップＳ４０とを含む。【選択図】図６
2015210842.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
有機ＥＬ素子を有する複数の発光画素を備えた有機ＥＬ表示装置の製造方法であって、
検査対象の前記有機ＥＬ表示装置が備える前記複数の発光画素の中から、短絡欠陥のある有機ＥＬ素子を有する欠陥画素を特定する特定ステップと、
前記特定ステップで特定された前記欠陥画素の撮像データから、当該欠陥画素に存在する複数の異物のそれぞれについて、異物の大きさを表す濃度総和と当該異物の外周部の輝度値を表す輪郭強度値とを測定する測定ステップと、
有機ＥＬ素子の短絡経路を形成しない非短絡異物について濃度総和及び輪郭強度値の関係を表す特性を近似した近似曲線と、前記測定ステップで測定された前記複数の異物のそれぞれについての前記濃度総和及び前記輪郭強度値とを比較することにより、前記異物を、リペアすべき対象の異物であると判別する判別ステップとを含む
有機ＥＬ表示装置の製造方法。
【請求項２】
前記近似曲線は、前記濃度総和をｘ、前記輪郭強度値をｙとした場合、ｙ＝ｆ（ｘ）で表される関数であり、
前記測定ステップでは、前記特定ステップで特定された前記欠陥画素に存在する複数の異物のそれぞれについて、前記濃度総和の実測値Ｘｋと前記輪郭強度値の実測値Ｙｋとを測定し、
前記判別ステップでは、前記複数の異物のそれぞれについて、前記実測値Ｙｋと、前記関数に実測値Ｘｋを代入して得られた近似値ｆ（Ｘｋ）との差分の絶対値が閾値より大きい場合、前記異物をリペアすべき対象の異物であると判別する
請求項１に記載の有機ＥＬ表示装置の製造方法。
【請求項３】
前記近似曲線は、前記測定ステップの前に代表抽出された前記有機ＥＬ表示装置が有する欠陥画素の撮像データから、当該欠陥画素に存在する複数の前記非短絡異物のそれぞれについて、前記濃度総和と前記輪郭強度値とを測定することにより、予め算出される
請求項１または２に記載の有機ＥＬ表示装置の製造方法。
【請求項４】
さらに、
前記判別ステップで前記リペアすべき対象の異物と判別された異物をリペアするリペアステップを含む
請求項１〜３のいずれか１項に記載の有機ＥＬ表示装置の製造方法。
【請求項５】
さらに、
前記判別ステップで前記リペアすべき対象の異物と判別された異物をリペアするリペアステップを含み、
前記リペアステップでは、前記判別ステップで前記リペアすべき対象の異物と判別された異物のうち、前記絶対値が大きい異物ほど優先的にリペアする
請求項２に記載の有機ＥＬ表示装置の製造方法。
【請求項６】
前記リペアステップでは、
前記判別ステップで前記リペアすべき対象の異物と判別された異物のうち、最も優先度の高い異物をリペアし、
前記リペアされた前記異物が存在する前記欠陥画素の点灯確認を行った結果、前記欠陥画素の輝度値が所定値よりも小さい場合、２番目に優先度の高い異物をリペアし、前記欠陥画素の輝度値が所定値以上である場合、当該欠陥画素のリペアを終了する
請求項５に記載の有機ＥＬ表示装置の製造方法。
【請求項７】
前記リペアステップでは、レーザーを用いて前記リペアすべき対象の異物と判別された異物をリペアする
請求項４〜６のいずれか１項に記載の有機ＥＬ表示装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、有機ＥＬ表示装置の製造方法に関し、特にリペア可能な有機ＥＬ素子を有する有機ＥＬ表示装置の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、陽極と陰極との間に有機層が介在されてなる有機エレクトロルミネッセンス（以下、有機ＥＬと称する）素子を備えた有機ＥＬ表示装置において、製造工程で導電性の異物が付着または混入して有機ＥＬ素子の電極間が短絡した欠陥画素が発生する場合がある。この場合、欠陥画素の短絡部分にレーザー照射を行うことで、当該短絡部分をリペア（解消）する方式がある（特許文献１）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２０１１−１２４１５２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
特許文献１に記載された欠陥画素のリペア方法では、欠陥画素を観測して異物を特定し、当該異物に対してレーザーリペアを実行する。
【０００５】
しかしながら、例えば、欠陥画素内にて複数の異物が観測された場合、当該欠陥画素内には、電極間をショートさせる要因となっている異物（キラー異物）と、そうでない異物とが混在する。この場合において、観測された全ての異物にレーザー照射を施すとリペア工数が増え、生産効率が低下してしまう。
【０００６】
本発明は、上記の課題に鑑みてなされたものであり、欠陥画素を高効率にリペアすることを可能にする有機ＥＬ表示装置の製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上記課題を解決するために、本発明の一態様に係る有機ＥＬ表示装置の製造方法は、有機ＥＬ素子を有する複数の発光画素を備えた有機ＥＬ表示装置の製造方法であって、検査対象の前記有機ＥＬ表示装置が備える前記複数の発光画素の中から、短絡欠陥のある有機ＥＬ素子を有する欠陥画素を特定する特定ステップと、前記特定ステップで特定された前記欠陥画素の撮像データから、当該欠陥画素に存在する複数の異物のそれぞれについて、異物の大きさを表す濃度総和と当該異物の外周部の輝度値を表す輪郭強度値とを測定する測定ステップと、有機ＥＬ素子の短絡経路を形成しない非短絡異物について濃度総和及び輪郭強度値の関係を表す特性を近似した近似曲線と、前記測定ステップで測定された前記複数の異物のそれぞれについての前記濃度総和及び前記輪郭強度値とを比較することにより、前記異物を、リペアすべき対象の異物であると判別する判別ステップとを含む。
【発明の効果】
【０００８】
本開示によれば、欠陥画素に存在する異物について、リペア対象の異物であるか否かを判別するので、欠陥画素を高効率にリペアでき、生産効率が向上する。
【図面の簡単な説明】
【０００９】
【図１】実施の形態に係る有機ＥＬ表示装置の構成を示す機能ブロック図である。
【図２Ａ】有機ＥＬ表示パネルの有する正常な発光画素の回路構成図である。
【図２Ｂ】欠陥画素の回路構成図である。
【図３】実施の形態に係る発光画素の構造断面図である。
【図４】複数の異物が存在する欠陥画素を模式的に表す断面図である。
【図５】実施の形態に係る有機ＥＬ表示装置の製造方法を示す動作フローチャートである。
【図６】実施の形態に係るリペア対象異物を判定する工程を説明する動作フローチャートである。
【図７】異物についての濃度総和と輪郭検出ピーク値との関係を表すグラフである。
【図８】リペア対象異物の判定基準を説明するグラフである。
【図９】実施の形態に係る有機ＥＬ表示パネルの製造方法を用いて製造された薄型フラットＴＶの外観図である。
【発明を実施するための形態】
【００１０】
以下、有機ＥＬ表示装置の製造方法の一実施の形態について、図面を用いて説明する。なお、以下に説明する実施の形態は、いずれも本開示における好ましい一具体例を示すものである。したがって、以下の実施の形態で示される、数値、形状、材料、構成要素、構成要素の配置位置及び接続形態、工程、並びに、工程の順序などは、一例であって本発明を限定する主旨ではない。よって、以下の実施の形態における構成要素のうち、本発明における最上位概念を示す独立請求項に記載されていない構成要素については、任意の構成要素として説明される。
【００１１】
なお、各図は、模式図であり、必ずしも厳密に図示されたものではない。また、各図において、実質的に同一の構成に対しては同一の符号を付しており、重複する説明は省略又は簡略化する。
【００１２】
（実施の形態）
［１．有機ＥＬ表示パネルの構成］
まず、本実施の形態に係る製造方法の対象となる有機ＥＬ表示パネル１の構成について、図１を用いて説明する。
【００１３】
図１は、実施の形態に係る有機ＥＬ表示パネルの構成を示す機能ブロック図である。同図に記載された有機ＥＬ表示パネル１は、表示部１１と、データ線駆動回路１２と、走査線駆動回路１３とを備える有機ＥＬ表示装置である。
【００１４】
データ線駆動回路１２は、各データ線へ、信号電圧を出力することにより、映像信号に対応した発光画素１００の発光を実現させる。
【００１５】
走査線駆動回路１３は、各走査線へ走査信号を出力することにより、発光画素１００の有する回路素子を所定の駆動タイミングで駆動する。
【００１６】
表示部１１は、複数の発光画素１００が行列状に配置されている。発光画素１００は、データ線駆動回路１２からの階調信号、及び、走査線駆動回路１３からの走査信号に応じて発光する。
【００１７】
［２．正常画素の構成］
図２Ａは、有機ＥＬ表示パネルの有する正常な発光画素の回路構成図である。同図に記載された発光画素１００は、有機ＥＬ素子１０１と、駆動トランジスタ１０２と、選択トランジスタ１０３と、コンデンサ１０４とを備える。また、発光画素列ごとにデータ線１２０が配置され、発光画素行ごとに走査線１４０が配置され、全ての発光画素１００に共通して正電源線１５１及び負電源線１５２が配置されている。選択トランジスタ１０３のドレイン電極はデータ線１２０に接続され、ゲート電極は走査線１４０に接続され、ソース電極はコンデンサ１０４の第１電極及び駆動トランジスタ１０２のゲート電極に接続されている。また、駆動トランジスタ１０２のドレイン電極は正電源線１５１に接続され、ソース電極は有機ＥＬ素子１０１のアノード電極及びコンデンサ１０４の第２電極に接続されている。
【００１８】
ここで、有機ＥＬ素子１０１の構造について説明する。
【００１９】
図３は、実施の形態に係る発光画素の構造断面図である。同図に記載された発光画素１００は、基板１１０と、駆動回路層１７０と、発光層１６０と、透明封止膜１８０とを備える。
【００２０】
基板１１０は、例えば、ガラス基板である。また、基板１１０は、樹脂からなるフレキシブル基板を用いることも可能である。基板１１０は、駆動回路層１７０とともに、薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）基板を構成する。なお、図３に記載されたようなトップエミッション構造の場合には、基板１１０は透明である必要はないので、非透明の基板、例えば、シリコン基板を用いることもできる。
【００２１】
駆動回路層１７０は、基板１１０の上に形成された駆動トランジスタ１０２と、コンデンサ１０４と、選択トランジスタ１０３とを備える。駆動回路層１７０は、平坦化膜により、その上面の平担性が確保されている。
【００２２】
発光層１６０は、有機ＥＬ素子１０１を形成する層であり、陽極１６１と、正孔注入層１６２Ａと、正孔輸送層１６２Ｂと、有機発光層１６２Ｃと、電子注入層１６２Ｄと、透明陰極１６３と、バンク層１６４とを備える。
【００２３】
図３に示された発光画素１００は、トップエミッション構造を有している。つまり、発光層１６０に電圧を印加すると、有機発光層１６２Ｃで光が生じ、透明陰極１６３及び透明封止膜１８０を通じて光が上方に出射する。また、有機発光層１６２Ｃで生じた光のうち下方に向かったものは、陽極１６１で反射され、透明陰極１６３及び透明封止膜１８０を通じて上方に出射する。
【００２４】
陽極１６１は、駆動回路層１７０の平坦化膜の表面上に積層され、透明陰極１６３に対して正の電圧を発光層１６０に印加する電極である。陽極１６１を構成する陽極材料としては、例えば、反射率の高い金属であるＡｌ、Ａｇ、またはそれらの合金が好ましい。また、陽極１６１の厚さは、例えば、１００〜３００ｎｍである。
【００２５】
正孔注入層１６２Ａは、陽極１６１の表面上に形成され、正孔を安定的に、又は正孔の生成を補助して、有機発光層１６２Ｃへ正孔を注入する機能を有する。これにより、発光層１６０の駆動電圧が低電圧化され、正孔注入の安定化により素子が長寿命化される。正孔注入層１６２Ａの材料としては、例えばＰＥＤＯＴ（ポリエチレンジオキシチオフェン）などを用いることができる。また、正孔注入層１６２Ａの膜厚は、例えば、１０ｎｍ〜１００ｎｍ程度にすることが好ましい。
【００２６】
正孔輸送層１６２Ｂは、正孔注入層１６２Ａの表面上に形成され、正孔注入層１６２Ａから注入された正孔を有機発光層１６２Ｃ内へ効率良く輸送し、有機発光層１６２Ｃと正孔注入層１６２Ａとの界面での励起子の失活防止をし、さらには電子をブロックする機能を有する。正孔輸送層１６２Ｂとしては、例えば、生じた正孔を分子間の電荷移動反応により伝達する性質を有する有機高分子材料であり、例えば、トリフェルアミン、ポリアニリンなどが挙げられる。また、正孔輸送層１６２Ｂの厚さは、例えば、５〜５０ｎｍ程度である。
【００２７】
なお、正孔輸送層１６２Ｂは、その隣接層である正孔注入層１６２Ａや有機発光層１６２Ｃの材料により省略される場合がある。
【００２８】
有機発光層１６２Ｃは、正孔輸送層１６２Ｂの表面上に形成され、正孔と電子が注入され再結合されることにより励起状態が生成され発光する機能を有する。有機発光層１６２Ｃとしては、低分子有機材料だけでなく、インクジェットやスピンコートのような湿式製膜法で製膜できる発光性の高分子有機材料も適用される。高分子有機材料の特徴としては、デバイス構造が簡単であること、膜の信頼性に優れ、低電圧駆動のデバイスであることも挙げることができる。芳香環または縮合環のような共役系を持った高分子あるいはπ共役系高分子は蛍光性を有することから、有機発光層１６２Ｃを構成する高分子有機材料として用いることができる。有機発光層１６２Ｃを構成する高分子発光材料としては、例えば、ポリフェニレンビニレン（ＰＰＶ）またはその誘導体（ＰＰＶ誘導体）、ポリフルオレン（ＰＦＯ）またはその誘導体（ＰＦＯ誘導体）、ポリスピロフルオレン誘導体などを挙げることができる。また、ポリチオフェンまたはその誘導体を用いることも可能である。
【００２９】
バンク層１６４は、正孔注入層１６２Ａの表面上に形成され、湿式製膜法を用いて形成される正孔輸送層１６２Ｂ及び有機発光層１６２Ｃを所定の領域に形成するバンクとしての機能を有する。バンク層１６４に用いられる材料は、無機物質および有機物質のいずれであってもよいが、有機物質の方が、一般的に、撥水性が高いので、より好ましく用いることができる。このような材料の例としては、ポリイミド、ポリアクリルなどの樹脂が挙げられる。バンク層１６４の厚さは、例えば、１００〜３０００ｎｍ程度である。
【００３０】
電子注入層１６２Ｄは、有機発光層１６２Ｃの上に形成され、有機発光層１６２Ｃへの電子注入の障壁を低減し発光層１６０の駆動電圧を低電圧化すること、励起子失活を抑制する機能を有する。これにより、電子注入を安定化し素子を長寿命化すること、透明陰極１６３との密着を強化し発光面の均一性を向上させ素子欠陥を減少させることが可能となる。電子注入層１６２Ｄは、特に限定されるものではないが、好ましくはバリウム、アルミニウム、フタロシアニン、フッ化リチウム、さらに、バリウム−アルミニウム積層体などからなる。電子注入層１６２Ｄの厚さは、例えば、２〜５０ｎｍ程度である。
【００３１】
透明陰極１６３は、電子注入層１６２Ｄの表面上に積層され、陽極１６１に対して負の電圧を発光層１６０に印加し、電子を素子内（特に有機発光層１６２Ｃ）に注入する機能を有する。透明陰極１６３としては、特に限定されるものではないが、透過率の高い物質および構造を用いることが好ましい。これにより、発光効率が高いトップエミッション有機ＥＬ素子を実現することができる。透明陰極１６３の構成としては、特に限定されるものではないが、金属酸化物層が用いられる。この金属酸化物層としては、特に限定されるものではないが、インジウム錫酸化物（以下、ＩＴＯと記す）、あるいはインジウム亜鉛酸化物（以下、ＩＺＯと記す）からなる層が用いられる。また、透明陰極１６３の厚さは、例えば、５〜２００ｎｍ程度である。
【００３２】
透明封止膜１８０は、透明陰極１６３の表面上に形成され、水分から素子を保護する機能を有する。また、透明封止膜１８０は、透明であることが要求される。透明封止膜１８０は、例えば、ＳｉＮ、ＳｉＯＮ、または有機膜からなる。また、透明封止膜１８０の厚さは、例えば、２０〜５０００ｎｍ程度である。
【００３３】
以上説明した発光画素１００の構造により、有機ＥＬ表示パネル１は、アクティブマトリクス型の表示装置としての機能を有する。
【００３４】
なお、図３には図示していないが、本実施の形態に係る有機ＥＬ表示パネル１は、さらに、透明封止膜１８０の上に、駆動回路層１７０及び発光層１６０を保護する透明基板を有している。
【００３５】
上記構成において、走査線１４０に走査信号が入力され、選択トランジスタ１０３をオン状態にすると、データ線１２０を介して供給された信号電圧に対応した電圧がコンデンサ１０４に書き込まれる。そして、コンデンサ１０４に書き込まれた信号電圧に対応した保持電圧は、１フレーム期間を通じて保持される。この保持電圧により、駆動トランジスタ１０２のコンダクタンスがアナログ的に変化し、発光階調に対応した駆動電流が有機ＥＬ素子１０１のアノードに供給される。さらに、有機ＥＬ素子１０１のアノードに供給された駆動電流は、有機ＥＬ素子１０１のカソードへと流れる。これにより、有機ＥＬ素子１０１が発光し画像として表示される。このとき、有機ＥＬ素子１０１のアノードには、信号電圧に対応した順バイアス電圧が印加されていることになる。
【００３６】
なお、上述した発光画素の回路構成は、図２Ａに示された回路構成に限定されない。選択トランジスタ１０３、駆動トランジスタ１０２は、信号電圧に応じた駆動電流を有機ＥＬ素子１０１に流すために必要な回路構成要素であるが、上述した形態に限定されない。また、上述した回路構成要素に、別の回路構成要素が付加される場合も、本実施の形態に係る有機ＥＬ表示パネル１の発光画素回路に含まれる。
【００３７】
［３．欠陥画素の構成］
アクティブマトリクス型の有機ＥＬ表示パネルでは、発光画素の構造が微細化、薄型化されるほど、また、発光画素数が増加するほど、微細加工を必要とする製造工程において、有機ＥＬ素子のアノード−カソード間の短絡や開放といった電気的な不具合が発生してしまう。
【００３８】
図２Ｂは、欠陥画素の回路構成図である。同図に記載された回路構成は、有機ＥＬ素子のアノード−カソード間が短絡している状態を表している。つまり、図２Ａに示された回路構成と比較して、有機ＥＬ素子２０１のアノードとカソードとの間を常時電気的導通状態とする短絡成分２０２が並列接続されている点が異なる。ここで、有機ＥＬ素子２０１が短絡している状態とは、短絡成分２０２の抵抗値が低抵抗状態である場合に、有機ＥＬ素子２０１は短絡状態であると定義する。有機ＥＬ素子２０１のアノード−カソード間が短絡状態である場合の一例としては、有機ＥＬ素子２０１のアノード及びカソードにわたり導電性異物が介在する場合が想定される。アノード−カソード間を低抵抗状態とする導電性異物を、短絡異物と定義する。
【００３９】
図２Ｂに示された欠陥画素に、信号電圧に対応した順方向バイアス電圧が印加されても、短絡成分２０２を短絡電流が流れてしまうため、有機ＥＬ素子２０１には順方向バイアス電圧に対応した電流が流れず正常発光しない。これにより、上記欠陥画素は滅点化する。
【００４０】
有機ＥＬ表示パネルの表示品質を確保するためには、短絡成分２０２を有する欠陥画素の流出を防止することが必要である。このため、製造工程において、上記欠陥画素が発生した場合には、当該欠陥画素を確実にリペアすることが必要である。短絡成分２０２を除去するリペア工程として、例えば、短絡成分２０２の存在箇所にレーザーを照射することが挙げられる。これにより、レーザーリペアされた画素に順バイアス電圧をかけて通常発光させた場合、リペアされた部分は黒点となるが、その他の発光領域において正常発光がなされる。
【００４１】
図４は、複数の異物が存在する欠陥画素を模式的に表す断面図である。有機ＥＬ表示パネルが有する発光画素内には、複数の粒状物が存在する場合がある。複数の粒状物の中でも、特に導電性の異物は、その存在位置により有機ＥＬ素子１０１の発光特性に影響を及ぼす。図４では、１つの発光画素内に存在する２つの異物が示されている。一方の異物（図４の右側の異物：非キラー異物）は、正孔注入層１６２Ａ、正孔輸送層１６２Ｂ、有機発光層１６２Ｃ及び電子注入層１６２Ｄからなる発光ユニット１６２、透明陰極１６３及び透明封止膜１８０と接触するが、陽極１６１とは接触せずに存在している。また、他方の異物（図４の左側の異物：キラー異物）は、発光ユニット１６２、透明陰極１６３、透明封止膜１８０及び陽極１６１と接触して存在している。
【００４２】
図４に示された画素状態では、陽極１６１と透明陰極１６３との間に発光電圧が印加された場合、電流パスは、低抵抗である上記キラー異物を優先的に通過する。一方、陽極１６１と接触していない非キラー異物には電流は流れない。これにより、発光ユニット１６２には発光のための電流は流れず、滅点画素（欠陥画素）となる。つまり、欠陥画素内には、電極間の短絡経路を形成する短絡異物（キラー異物）と、非短絡異物（非キラー異物）とが混在する。
【００４３】
従来、欠陥画素内に存在する複数の異物のうち、キラー異物に該当するものを判別する手法として、顕微鏡観察が挙げられる。従来の顕微鏡観察の場合、レーザーリペアの精度を確保するため、レーザー焦点レベルと観察焦点レベルとを合わせる。このため、焦点レベルから離れたレベルにおける異物の像を正確には観測できないため、複数の異物のうち、透明陰極１６３と陽極１６１の双方に跨って存在する異物を特定することは困難である。よって、例えば、欠陥画素内にて複数の異物が観測された場合、キラー異物を特定せずにレーザー照射を施すという事態が発生するため、リペア工数が増え生産効率が低下してしまう。
【００４４】
これに対して、本実施の形態に係る有機ＥＬ表示装置の製造方法では、画像計測により得られた異物の大きさ及び輪郭検出ピーク値から、キラー異物であるか否かを推定判別する。そして、リペア工程の前に、上記推定判別に基づいて、リペア対象となる異物を予め選別する。これにより、欠陥画素を高効率にリペアでき、生産効率が向上する。以下、本実施の形態に係る有機ＥＬ表示装置の製造方法を詳細に説明する。
【００４５】
［４．有機ＥＬ表示パネル（装置）の製造方法］
図５は、実施の形態に係る有機ＥＬ表示装置の製造方法を示す動作フローチャートである。本実施の形態に係る有機ＥＬ表示装置の製造方法は、駆動回路層の形成工程、発光層の形成工程、欠陥画素の特定工程、リペア対象異物の判定工程、及びリペア工程を含む。なお、以下で説明する各工程において、「異物をリペアする」とは、当該異物または当該異物に隣接する周辺部の、欠陥画素内における電気的状態または存在位置を能動的に変更させることである。例えば、本実施の形態においては、「異物をリペアする」とは、異物に直接レーザーを照射して異物の導電性または周辺部との接触状態を変化させる、または、異物の周辺部にレーザーを照射して当該周辺部を高抵抗化させ当該異物を介在する短絡経路を遮断する、ことである。
【００４６】
まず、基板１１０の上に、図２Ａに示された回路素子である駆動トランジスタ１０２、コンデンサ１０４、選択トランジスタ１０３及び回路配線などを適宜配置させた駆動回路層１７０を形成する（Ｓ１０）。
【００４７】
具体的には、駆動回路層１７０の一層として、メタルマスク製膜、リフトオフ及びエッチングなどの手法を用いて、例えば、ＭｏとＷとの合金からなる下側電極層を形成する。ここで、下側電極層は、コンデンサ１０４の一方の電極であり、選択トランジスタ１０３のソース電極と、駆動トランジスタ１０２のゲート電極とを接続するように形成される。次に、下側電極層の上に、例えば、ＳｉＯｘまたはＳｉＮなどからなる絶縁層を、下側電極層を覆うように形成する。このとき、必要に応じて、絶縁層の表面を平坦化することが好ましい。次に、絶縁層の上に、メタルマスク製膜、リフトオフ及びエッチングなどの手法を用いて、例えば、ＭｏとＷとの合金／Ａｌ／ＭｏとＷとの合金の積層構造からなる上側電極層を形成する。ここで、上側電極層は、コンデンサ１０４の他方の電極であり、正電源線１５１と、駆動トランジスタ１０２のドレイン電極とを接続するように形成される。
【００４８】
次に、駆動回路層１７０の上に、駆動回路層１７０の平坦化工程を経た後、有機ＥＬ素子１０１を有する発光層１６０を形成する（Ｓ２０）。
【００４９】
具体的には、発光層１６０は、例えば、陽極１６１、正孔注入層１６２Ａ、正孔輸送層１６２Ｂ、有機発光層１６２Ｃ、バンク層１６４、電子注入層１６２Ｄ、及び透明陰極１６３を有する。
【００５０】
なお、ステップＳ２０は、発光層１６０の形成後に、透明封止膜１８０及び透明基板を形成する工程を含む。
【００５１】
次に、短絡欠陥のある有機ＥＬ素子２０１を有する欠陥画素を特定する（Ｓ３０）。具体的には、発光層１６０を含み透明基板までが形成された有機ＥＬ表示パネルの各発光画素１００へ、順バイアス電圧を印加する。この状態で、例えば、発光画素１００の発光状態を撮像させ、撮像画像を取得する。この撮像画像から各発光画素１００の発光輝度を算出し、当該発光輝度が閾値以下である発光画素、つまり、短絡欠陥のある有機ＥＬ素子２０１を有する欠陥画素を検出する。
【００５２】
次に、特定された欠陥画素において、対象異物がリペア対象異物であるか否かを判定する（Ｓ４０）。以下、ステップＳ４０を詳細に説明する。
【００５３】
図６は、実施の形態に係るリペア対象異物を判定する工程を説明する動作フローチャートである。
【００５４】
まず、例えば、外部光を照射してＣＣＤカメラにより得られた発光画素の撮像データから、欠陥画素内の異物Ｇ１〜Ｇｎを特定する。ここで、上記欠陥画素において、異物Ｇ１〜Ｇｎは複数特定されたと仮定する。
【００５５】
次に、特定された欠陥画素内の複数の異物Ｇ１〜Ｇｎのそれぞれについて、輪郭検出ピーク値Ｙｋ及び濃度総和Ｘｋ（ｋ＝１〜ｎ）を測定する（Ｓ４１）。
【００５６】
図７は、異物についての濃度総和と輪郭検出ピーク値との関係を表すグラフである。同図に示されたグラフにおいて、横軸は濃度総和Ｘｋを表し、縦軸は輪郭検出ピーク値Ｙｋを表す。ここで、濃度総和とは、画像上で観測された異物の大きさ（面積）を表すパラメータであり、当該異物内の外部光による輝度を積分した値である。また、輪郭検出ピーク値とは、画像上で観測された異物外周部の外部光による輝度を表す輪郭強度値である。
【００５７】
例えば、図７において、同じ濃度総和を有するが輪郭検出ピーク値が異なる２つの異物が存在する場合、輪郭検出ピーク値が大きい異物は、ＣＣＤカメラの焦点レベルに近い位置に異物の輪郭があると判断できる。一方、輪郭検出ピーク値が小さい異物は、いわゆる輪郭ぼけが生じており上記焦点レベルから遠い位置に異物の輪郭があると判断できる。つまり、同じ大きさを有する異物であっても、焦点レベルである透明陰極１６３付近に輪郭が出現している異物と、発光ユニット１６２付近に輪郭が出現している異物とがある。この場合には、発光ユニット１６２付近に輪郭が出現している異物は、キラー異物となる可能性が高く、透明陰極１６３付近に輪郭が出現している異物は、陽極１６１と接触しておらず、非キラー異物となる可能性が高いと判断できる。
【００５８】
図７に示されたグラフにおいて、まず、濃度総和が大きいほど、キラー異物の可能性が高いことが解る。つまり、異物が大きいほど、キラー異物である可能性が高い。ここで、濃度総和が２００００以上であることは、異物の大きさが２〜３μｍ以上であることを示している。一方、陽極１６１及び透明陰極１６３に挟まれた発光ユニット１６２の厚みは、例えば、１μｍ以下であるので、濃度総和が２００００以上の異物は、キラー異物である可能性が高い。また、濃度総和が比較的小さい領域（＜２００００）では、輪郭検出ピーク値が大きいほど、非キラー異物の可能性が高いことが解る。つまり、発光層の上部に存在する小さい異物は、非キラー異物である可能性が高い。
【００５９】
ここで、図７のグラフに基づいて、非キラー異物の特性を示す近似曲線ｙ＝ｆ（ｘ）を定義する。なお、この近似曲線は、関数であってもよいし、複数の測定データとそれらを補完するデータとで構成されたデータテーブルであってもよい。また、この近似曲線は、有機ＥＬ表示パネルの製造工程開始時に、製造対象の有機ＥＬ表示パネルに共通したデータとして、予めメモリに格納されているものである。なお、この近似曲線は、製造開始前に、予め代表抽出された有機ＥＬ表示パネルの仕掛品の撮像データから算出されてもよく、製造バッチ（例えば所定の製造期間内での仕掛品を１製造バッチと定義）ごと、または製造ロット（例えば同一プロセスによる仕掛品を１製造ロットと定義）ごとに更新されてもよい。
【００６０】
ここで、ステップＳ４０に戻って説明する。
【００６１】
次に、特定された欠陥画素内の複数の異物Ｇ１〜Ｇｎのそれぞれについて、測定された（Ｘｋ、Ｙｋ）と近似曲線とを比較する（Ｓ４２）。具体的には、近似曲線ｙ＝ｆ（ｘ）に実測値Ｘｋを代入して得られた近似値ｆ（Ｘｋ）と、実測値Ｙｋとの大小関係を比較する。
【００６２】
図８は、リペア対象異物の判定基準を説明するグラフである。同図の横軸は、欠陥画素内で検出されたｎ個の異物を表し、縦軸は、上記ｆ（Ｘｋ）とＹｋとの差分の絶対値｜ｆ（Ｘｋ）−Ｙｋ｜を表している。同図に示されたグラフより、上記絶対値が大きいほどキラー異物である確率が高く、上記絶対値が小さいほど非キラー異物である確率が高いことが解る。本実施の形態のステップＳ４２では、キラー異物か否かを判別する指標として閾値Ｆｔｈ＝０．２を設定している。
【００６３】
つまり、絶対値｜ｆ（Ｘｋ）−Ｙｋ｜が閾値Ｆｔｈより大きい場合（Ｓ４２でＹ）、異物Ｇｋはキラー異物である可能性が高く、リペアすべき対象の異物候補と判定する（Ｓ４３）。一方、絶対値｜ｆ（Ｘｋ）−Ｙｋ｜が閾値Ｆｔｈ以下の場合（Ｓ４２でＮ）、異物Ｇｋは非キラー異物である可能性が高く、リペア対象でない異物と判定する（Ｓ４４）。
【００６４】
ステップＳ４２による判定を、検出された異物Ｇ１〜Ｇｎについて繰り返す（Ｓ４５）。
【００６５】
次に、ステップＳ４３で判定されたリペアすべき対象の異物候補から、リペアする異物を選定する（Ｓ４６）。本ステップにおける異物選定の基準としては、例えば、絶対値｜ｆ（Ｘｋ）−Ｙｋ｜の大きいものについてリペア優先度を高くする。
【００６６】
以上で、ステップＳ４０が完了する。
【００６７】
つまり、ステップＳ４０では、キラー異物について濃度総和と輪郭検出ピーク値との関係を表す特性を近似した近似曲線ｙ＝ｆ（ｘ）と、ステップＳ４０で測定された複数の異物のそれぞれについての濃度総和Ｘｋ及び輪郭検出ピーク値Ｙｋとを比較することにより、短絡解消すべき対象となる異物を判別する。ここで、図５に戻って、本実施の形態に係る製造方法を説明する。
【００６８】
最後に、ステップＳ４６で選定されたリペアすべき対象の異物について、リペアを実施する（Ｓ５０）。具体的には、リペアすべき対象の異物またはその周辺にレーザーを照射することにより、欠陥箇所の短絡を解消する。例えば、透明陰極１６３にレーザー焦点を合わせて、上記異物と接触している透明陰極１６３の短絡部分の周囲に照射して透明陰極１６３の一部を高抵抗化させることにより、当該異物に起因する短絡不良を解消する。
【００６９】
ここで、ステップＳ５０では、ステップＳ４０でリペアすべき対象と判別された異物Ｇｋのうち、絶対値｜ｆ（Ｘｋ）−Ｙｋ｜が大きい異物Ｇｋほど優先的にリペアしてもよい。具体的には、例えば、ステップＳ４０でリペアすべき対象と判別された異物Ｇｋのうち、まず、最も優先度の高い異物をリペアする。次に、リペアされた異物が存在する欠陥画素の点灯確認を行った結果、当該欠陥画素の輝度値が所定値よりも小さい場合、２番目に優先度の高い異物をリペアする。また、上記欠陥画素の輝度値が所定値以上である場合、当該欠陥画素内の異物のリペアを終了する。
【００７０】
なお、ステップＳ４２において、異物Ｇ１〜Ｇｎの全てが非キラー異物であると判別された場合には、リペア対象の欠陥画素の発光輝度が閾値以下である原因は、異物によるものではないと判定される。この場合には、リペアステップ（Ｓ５０）は実行しない。つまり、本実施の形態に係る有機ＥＬ表示装置の製造方法には、判別ステップ（Ｓ４０）を実行するが、リペアステップ（Ｓ５０）を実行しない場合も含まれる。
【００７１】
上述した本実施の形態に係る有機ＥＬ表示装置の製造方法によれば、欠陥画素の撮像データから測定された異物の大きさ及び輪郭検出ピーク値に基づいて、リペアすべき対象となる異物であるか否かを判別する。よって、非キラー異物に対してリペアを施すという無駄な工程を省略できるので、欠陥画素の異物を高効率にリペアでき、生産効率が向上する。
【００７２】
［５．効果など］
以上のように、本実施の形態に係る表示パネルの製造方法は、（１）検査対象の有機ＥＬ表示パネルが備える複数の発光画素１００の中から、短絡欠陥のある有機ＥＬ素子２０１を有する欠陥画素を特定する特定ステップと、（２）当該特定ステップで特定された欠陥画素の撮像データから、当該欠陥画素に存在する複数の異物のそれぞれについて、異物の大きさを表す濃度総和と当該異物の外周部の輝度値を表す輪郭強度値とを測定する測定ステップと、（３）有機ＥＬ素子２０１の短絡経路を形成するキラー異物について濃度総和及び輪郭強度値の関係を表す特性を近似した近似曲線と、測定ステップで測定された複数の異物のそれぞれについての濃度総和及び輪郭強度値とを比較することにより、リペアすべき対象となる異物を判別する判別ステップとを含む。
【００７３】
これによれば、欠陥画素の撮像データから測定された異物の濃度総和及び輪郭強度値に基づいてリペアすべき対象となる異物であるか否かを判別するので、欠陥画素を高効率にリペアでき生産効率が向上する。
【００７４】
また、近似曲線は、キラー異物の大きさをｘ、輪郭強度値をｙとした場合、ｙ＝ｆ（ｘ）で表される関数であり、測定ステップでは、特定ステップで特定された欠陥画素に存在する複数の異物のそれぞれについて、上記濃度総和の実測値Ｘｋと上記輪郭強度値の実測値Ｙｋとを測定する。判別ステップでは、複数の異物のそれぞれについて、実測値Ｙｋと、関数ｙ＝ｆ（ｘ）に実測値Ｘｋを代入して得られた近似値ｆ（Ｘｋ）との差分の絶対値が閾値Ｆｔｈより大きい場合、異物をリペアすべき対象となる異物であると判別してもよい。
【００７５】
これにより、判別ステップで判別されたリペアすべき対象となる異物は、陽極１６１と透明陰極１６３との間の短絡経路を形成するキラー異物である確率が極めて高くなる。よって、非キラー異物に対してリペアを施すという無駄な工程を極力排除できるので、欠陥画素を高効率にリペアでき生産効率が向上する。
【００７６】
また、近似曲線は、測定ステップの前に代表抽出された有機ＥＬ表示パネルが有する欠陥画素の撮像データから、当該欠陥画素に存在する複数のキラー異物のそれぞれについて、濃度総和と輪郭強度値とを測定することにより、予め算出されてもよい。
【００７７】
これにより、検査対象である表示パネルの欠陥画素の異物の濃度総和と輪郭強度値とを測定する毎に、キラー異物の特性を表す近似曲線との比較をすることが可能となる。よって、リペアすべき対象となる異物か否かの判別に要する時間が短縮され、生産効率が向上する。
【００７８】
また、さらに、（４）判別ステップでリペアすべき対象と判別された異物の短絡経路を解消するリペアステップを含む。
【００７９】
これにより、欠陥画素が正常画素へと修正されるので、有機ＥＬ表示パネルの生産歩留まりが向上する。
【００８０】
また、リペアステップでは、判別ステップでリペアすべき対象と判別された異物Ｇｋのうち、上記絶対値が大きい異物Ｇｋほど優先的にリペアしてもよい。具体的には、リペアステップでは、判別ステップでリペアすべき対象と判別された異物Ｇｋのうち、最も優先度の高い異物をリペアし、リペアされた異物Ｇｋが存在する欠陥画素の点灯確認を行った結果、欠陥画素の輝度値が所定値よりも小さい場合、２番目に優先度の高い異物をリペアし、欠陥画素の輝度値が所定値以上である場合、当該欠陥画素のリペアを終了してもよい。
【００８１】
これにより、判別ステップで判別されたリペアすべき対象となる異物のうち、キラー異物である確率が最も高い異物から順にリペアを施す。ここで、１回の異物リペアごとに欠陥画素の点灯確認を行う。そして、欠陥画素から正常画素へと転じた時点で、当該欠陥画素のリペアを終了する。よって、短絡経路を形成するキラー異物のみに対してリペアを施すことができるので、欠陥画素を高効率にリペアでき生産効率が向上する。
【００８２】
また、リペアステップでは、レーザーを用いてリペアすべき対象と判別された異物をリペアしてもよい。
【００８３】
これにより、特定された欠陥画素の有する有機ＥＬ素子のキラー異物に対し、レーザーを照射して確実に短絡経路を遮断することが可能となる。よって、正常画素のみを有する表示パネルのみを後工程へ送ることができ、信頼性の高い有機ＥＬ表示装置を提供することができる。
【００８４】
（他の実施の形態）
以上、実施の形態に係る有機ＥＬ表示装置の製造方法について説明したが、本開示の有機ＥＬ表示装置の製造方法は、上述した実施の形態に限定されるものではない。上記実施の形態に対して、本発明の主旨を逸脱しない範囲で当業者が思いつく各種変形を施して得られる変形例や、実施の形態に係る有機ＥＬ表示装置の製造方法を用いて製造した有機ＥＬ表示装置も本発明に含まれる。
【００８５】
また、例えば、上記実施の形態に係る有機ＥＬ表示装置の製造方法は、図９に示されたような薄型フラットＴＶに適用される。上記実施の形態に係る有機ＥＬ表示装置の製造方法を用いることにより、製造工程が簡素化及び短縮化された表示パネル（有機ＥＬ表示装置）を有する薄型フラットＴＶが実現される。
【産業上の利用可能性】
【００８６】
本開示に係る有機ＥＬ表示装置の製造方法は、例えば、有機ＥＬ表示パネルなどの製造方法に利用することができる。
【符号の説明】
【００８７】
１    有機ＥＬ表示パネル
１１    表示部
１２    データ線駆動回路
１３    走査線駆動回路
１００    発光画素
１０１、２０１    有機ＥＬ素子
１０２    駆動トランジスタ
１０３    選択トランジスタ
１０４    コンデンサ
１１０    基板
１２０    データ線
１４０    走査線
１５１    正電源線
１５２    負電源線
１６０    発光層
１６１    陽極
１６２    発光ユニット
１６２Ａ    正孔注入層
１６２Ｂ    正孔輸送層
１６２Ｃ    有機発光層
１６２Ｄ    電子注入層
１６３    透明陰極
１６４    バンク層
１７０    駆動回路層
１８０    透明封止膜
【図１】
2015210842.tif 000003
【図２Ａ】
2015210842.tif 000004
【図２Ｂ】
2015210842.tif 000005
【図３】
2015210842.tif 000006
【図４】
2015210842.tif 000007
【図５】
2015210842.tif 000008
【図６】
2015210842.tif 000009
【図７】
2015210842.tif 000010
【図８】
2015210842.tif 000011
【図９】
2015210842.tif 000012