(57)【要約】【課題】端子を大型化したり、極力複雑化したりすることなく、接触抵抗を低減できる接点接続構造を提供する。【解決手段】インデント部４が突設された第１接点部２ａ，３と、第２接点部１１とを有し、端子挿入過程では、第１接点部２ａ，３のインデント部４が第２接点部１１の接触面上を摺動し、端子挿入完了位置では、インデント部４の外周面が第２接点部１１に接触する接点接続構造であって、第２接点部１１の外面には、錫メッキ層１１ｂ，１１ｃが形成されていると共に、インデント部４の端子挿入完了位置に対応する領域では、他の箇所よりも高く錫メッキ１１ｃが形成されている。【選択図】図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
インデント部が突設された第１接点部と、第２接点部とを有し、端子挿入過程では、前記第１接点部の前記インデント部が前記第２接点部の接触面上を摺動し、端子挿入完了位置では、前記インデント部の外周面が前記第２接点部に接触する接点接続構造であって、
前記第２接点部の外面には、メッキ層が形成されていると共に、前記インデント部の端子挿入完了位置に対応する領域では、他の箇所よりも高くメッキ層が形成されていることを特徴とする接点接続構造。
【請求項２】
請求項１記載の接点接続構造であって、
前記メッキ層は、錫メッキ層であることを特徴とする接点接続構造。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、第１端子と第２端子間の電気的接続を行う接点接続構造に関する。
【背景技術】
【０００２】
図５及び図６には、従来の接点接続構造を適用したメス端子とオス端子が示されている（類似技術として特許文献１参照）。図５及び図６に示すように、メス端子５１は、四角形状の箱部５２と、この箱部５２に一体に設けられ、箱部５２内に配置された弾性撓み部５２とを有する。弾性撓み部５３には、底面側に向かって突出するインデント部５４が設けられている。インデント部５４は、その外周面がほぼ球面形状であり、中心の頂点が最下方に位置している。又、メス端子５１には、高温環境下での接続信頼性の向上、腐食環境下での耐食性の向上などの観点から錫メッキが施される。従って、弾性撓み部５３には、図７に示すように、銅合金材の母材層５３ａの外面に錫メッキ層５３ｂが形成されている。
【０００３】
図５及び図６に示すように、オス端子６０は、平板状のタブ部６１を有する。又、オス端子６０には、高温環境下での接続信頼性の向上、腐食環境下での耐食性の向上などの観点から錫メッキが施される。従って、タブ部６１には、図８に示すように、銅合金材の母材層６１ａの外面に錫メッキ層６１ｂが形成されている。
【０００４】
上記構成において、図５の位置にあって、オス端子６０のタブ部６１をメス端子５１の箱部５２に挿入すると、弾性撓み部５３が撓み変形してタブ部６１の挿入が許容される。タブ部６１の挿入過程では、弾性撓み部５３のインデント部５４がタブ部６１の接触面を摺動し、端子挿入完了位置では、図６及び図９に示すように、弾性撓み部５３のインデント部５４とタブ部６１の面が接触する。
【０００５】
この従来例では、弾性撓み部５３の撓み復帰力を接触荷重として、メス端子５１のインデント部５４とオス端子６０のタブ部６１の接触面とが電気的に接触する。
【０００６】
ところで、上記したタブ部６１の挿入過程では、錫はやわらかい金属であるため、インデント部５４がタブ部６１の錫メッキ層６１ｂに食い込む状態で摺動される。そのため、インデント部５４とタブ部６１との接触面Ｅ２は、図１０に示すように、上方から見た場合に、半円状となる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００７】
【特許文献１】特開２００７−２８０８２５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
しかしながら、前記従来の構造では、メス端子５１のインデント部５４がほぼ球面形状であり、その頂点箇所でオス端子６０のタブ部６１と接触する。従って、図１０に示すように、この単一の接触面の外径がみかけの接触面Ｅ２（直径：Ｄ２）となるため、みかけの接触面Ｅ２（図１０にて明確化のためハッチング表示）が小さい。
【０００９】
又、みかけの接触面Ｅ２は、表面粗さの影響等によって全領域が実際に接触しないために全領域が電気的通電を担うわけではなく、みかけの接触面Ｅ２の内で実際に接触する面（真実接触面）が電気的通電を担う。しかし、みかけの接触面径Ｄ２が小さいと、真実接触面も小さくなるため、接触抵抗が大きくなる。
【００１０】
ここで、みかけの接触面を大きくして接触抵抗の低減を図るため、弾性撓み部５３の撓み復帰力（ばね圧）を大きくしたり、接点部（インデント部５４）を大型化したりすることが考えられるが、端子５１，６０が大型化したり、複雑化する。
【００１１】
そこで、本発明は、前記した課題を解決すべくなされたものであり、端子を大型化したり、極力複雑化したりすることなく、接触抵抗を低減できる接点接続構造を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
本発明は、インデント部が突設された第１接点部と、第２接点部とを有し、端子挿入過程では、前記第１接点部の前記インデント部が前記第２接点部の接触面上を摺動し、端子挿入完了位置では、前記インデント部の外周面が前記第２接点部に接触する接点接続構造であって、前記第２接点部の外面には、メッキ層が形成されていると共に、前記インデント部の端子挿入完了位置に対応する領域では、他の箇所よりも高くメッキ層が形成されていることを特徴とする接点接続構造である。
【００１３】
前記メッキ層は、錫メッキ層であるものを含む。
【発明の効果】
【００１４】
本発明によれば、第１接点部のインデント部は、端子挿入完了位置では、従来よりも深くメッキ層にめり込んだ状態で第２接点部に接触するため、従来と比較して大きな接触面で接触し、みかけの接触面が大きくなる。みかけの接触面が大きくなるため、その中の真実接触のトータル面積も大きくなる。以上より、端子を大型化したり、極力複雑化したりすることなく、接触抵抗を低減できる。
【図面の簡単な説明】
【００１５】
【図１】本発明の一実施形態を示し、端子接続前のメス端子とオス端子の断面図である。
【図２】本発明の一実施形態を示し、（ａ）は端子接続状態のメス端子とオス端子の断面図、（ｂ）は接点接続箇所の要部断面図、（ｃ）みかけの接触面及び接触面径を示す図である。
【図３】本発明の一実施形態を示し、（ａ）はメス端子の接点部の要部断面図、（ｂ）は（ａ）のＡ矢視図である。
【図４】本発明の一実施形態を示し、（ａ）はオス端子の接点部の要部平面図、（ｂ）はオス端子の接点部の要部断面図である。
【図５】従来例を示し、端子接続前のメス端子とオス端子の断面図である。
【図６】従来例を示し、端子接続状態のメス端子とオス端子の断面図である。
【図７】従来例を示し、（ａ）はメス端子の接点部の要部側面図、（ｂ）は（ａ）のＢ矢視図である。
【図８】従来例を示し、（ａ）はオス端子の接点部の要部平面図、（ｂ）はオス端子の接点部の要部断面図である。
【図９】従来例を示し、接点接続箇所の要部断面図である。
【図１０】従来例のみかけの接触面及び接触面径を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００１６】
以下、本発明の一実施形態を図面に基づいて説明する。
【００１７】
図１〜図４は本発明の一実施形態を示す。第１端子であるメス端子と第２端子であるオス端子間に本発明に係る接点接続構造が適用されている。以下、説明する。
【００１８】
メス端子１は、メス側コネクタハウジング（図示せず）内の端子収容室に配置されている。メス端子１は、所定形状に打ち抜かれた導電性金属（例えば銅合金）を折り曲げ加工して形成されている。メス端子１は、オス端子１０が挿入される前方を開口した方形状の箱部２と、この箱部２の上面部より延設され、箱部２内に配置された弾性撓み部３とを有する。弾性撓み部３には、底面側に向かって突出するインデント部４が設けられている。インデント部４は、その外周面がほぼ球面形状であり、中心の頂点が最下方に位置している。インデント部４は、撓み変形部３の撓み変形によって上方に変移できる。
【００１９】
又、メス端子１には、高温環境下での接続信頼性の向上、腐食環境下での耐食性の向上などの観点から錫メッキが施される。従って、弾性撓み部３には、図３（ａ）、（ｂ）に示すように、銅合金材の母材層３ａの外面に錫メッキ層３ｂが形成されている。メス端子１は、弾性撓み部３と箱部２の底面部２ａが第１接点部を形成している。
【００２０】
オス端子１０は、オス側コネクタハウジング（図示せず）内の端子収容室に配置されている。オス端子１０は、所定形状に打ち抜かれた導電性金属（例えば銅合金）を折り曲げ加工して形成されている。オス端子１０は、平板状のタブ部１１を有する。又、オス端子１０には、高温環境下での接続信頼性の向上、腐食環境下での耐食性の向上などの観点から錫メッキが施される。従って、タブ部１１には、図４（ａ）、（ｂ）に示すように、銅合金材の母材層１１ａの外面に錫メッキ層１１ｂが形成されている。錫メッキ層１１ｂの上で、且つ、インデント部４の端子挿入完了位置に対応する領域には、更に錫メッキ層１１ｃが形成されている。つまり、タブ部１１のインデント部４の端子挿入完了位置に対応する領域は、錫メッキ層１１ｃのｈ高さ分だけ他の箇所よりも高くメッキが形成されている。一段高い錫メッキ層１１ｃは、ストライプメッキ、溶射、クラッド材によって形成することができる。オス端子１０は、タブ部１１が第２接点部を形成している。
【００２１】
上記構成において、メス側コネクタハウジング（図示せず）とオス側コネクタハウジング（図示せず）間をかん合すると、そのかん合過程ではオス端子１０のタブ部１１がメス端子１の箱部２に挿入される。すると、先ずタブ部１１の先端が弾性撓み部３に当接し、この当接箇所より更に挿入が進むと、弾性撓み部３が撓み変形してタブ部１１の挿入が許容される。タブ部１１の挿入過程（端子挿入過程）では、弾性撓み部３のインデント部４がタブ部１１の接触面を摺動する。端子挿入完了位置（コネクタかん合完了位置）では、図２（ａ）に示すように、弾性撓み部３の撓み復帰力を接触荷重として、弾性撓み部３のインデント部４がタブ部１１の面に接触する。
【００２２】
上記したタブ部１１の挿入過程（端子挿入過程）にあって、錫は軟らかい金属であるため、インデント部４がタブ部１１の錫メッキ層１１ｂに食い込みつつ摺動される。そして、挿入完了位置の手前位置では、錫メッキ層１１ｃの段差に突き当たるが、その段差状の錫メッキ層１１ｃにめり込みつつ摺動する。端子挿入完了位置では、インデント部４の外周面の挿入前方側が錫メッキ層１１ｂにめり込んだ状態で停まる。つまり、端子挿入完了位置では、インデント部４は、錫メッキ層１１ｂ，１１ｃによって深くめり込んだ状態となる。
【００２３】
この接点接続構造では、タブ部１１の外面には、錫メッキ層１１ｂが形成されていると共に、インデント部４の端子挿入完了位置に対応する領域では、他の箇所よりも高くメッキ層１１ｃが形成されている。従って、インデント部４は、端子挿入完了位置にあって、従来よりも深く錫メッキ層１１ｃにめり込んだ状態となるため、図２（ｃ）に示すように、上方から見た場合に、インデント部４がタブ部１１の接触面に大きな半円状の接触面Ｅ１で接触し、従来例よりみかけの接触面Ｅ１（みかけの接触面径：Ｄ１）が大きくなる。みかけの接触面Ｅ１が大きくなるため、その中の真実接触面のトータル面積も従来に較べて大きくなる。みかけの接触面Ｅ１は、図２（ｃ）では明確化のためハッチング表示する。以上より、メス端子１、オス端子１０を大型化したり、極力複雑化したりすることなく、接触抵抗を低減できる。
【００２４】
次に、Ｈｏｌｍの接触理論式によって接触抵抗が小さくなることを説明する。Ｈｏｌｍの接触理論式によれば、接触抵抗Ｒは、Ｄ：みかけの接触面径（直径）、ρ：接点材料の抵抗率、ａ：真実接触面（スポット）の半径、ｎ：真実接触面の数とすると、Ｒ＝（ρ／Ｄ）＋（ρ／２ｎａ）によって算出される。本発明では、従来よりみかけの接触面径Ｄが大きくなるため、接触抵抗が小さくなる。
【００２５】
タブ部１１には、インデント部４の端子挿入完了位置に対応する領域では、他の箇所よりも高くメッキ層１１ｃを形成すれば良いため、製造方法の大幅変更が不要である。
【００２６】
この実施形態では、メッキ層は、錫メッキ層４ｂ、４ｃである。従って、低コストである。メッキ層４ｂの材料は、導電性があり、且つ、錫程度に軟らかい材料（インジウム（Ｉｎ）、アルミニウム（ＡＬ）、半田（ＳｎＡｇＣｕ系）等であっても良い。
【００２７】
この実施形態では、インデント部４の外周面は、ほぼ球面形状であるが、外周面の形状は限定されない。頂点を最も高い位置とし、外周に向かうに従って滑らかな曲面によって徐々に低くなる曲面形状でも、楕円曲面形状でも、円錐形状でも、角錐形状でも良い。
【符号の説明】
【００２８】
１  メス端子（第１端子）
２ａ  底面部（第１接点部）
３  弾性撓み部（第１接点部）
４  インデント部
４ｂ  錫メッキ層
１０  オス端子（第２端子）
１１  タブ部（第２接点部）
１１ｂ  錫メッキ層
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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