(57)【要約】【課題】新規なプログラムを提供する。または、新規な情報処理装置を提供する。または、表示の更新に伴うちらつきの発生を抑制する。【解決手段】取得した情報に基づく画像を表示するステップと、付記および付記を当該画像に含まれる情報に紐付ける先の情報を取得するステップと、付記を含む画像を生成するステップと、画像を表示するステップと、付記および当該付記を画像に含まれる情報に紐付ける先の情報を記憶するステップと、を有する構成に想到した。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
情報を取得する第１のステップと、
前記情報に基づいて画像を生成する第２のステップと、
割り込み処理を許可する第３のステップと、
画像を表示する第４のステップと、
終了命令が供給された場合は第６のステップに進み、供給されなかった場合は前記第４のステップに進む第５のステップと、
前記割り込み処理において取得した、付記および付記を紐付ける先の情報を記録する第６のステップと、
終了する第７のステップと、を有し、
前記割り込み処理は、
第１のイベントが供給された場合は第９のステップに進み、供給されなかった場合は第１１のステップに進む第８のステップと、
前記付記および前記付記を紐付ける先の情報を取得する第９のステップと、
前記付記および前記紐付ける先の情報を含む画像を生成する第１０のステップと、
前記割り込み処理から前記第４のステップに復帰する第１１のステップと、を備える、演算部において実行されるプログラム。
【請求項２】
前記第９のステップにおいて、前記付記を紐付ける先の情報が、画像に含まれる文字列を含む、演算部において実行される請求項１に記載のプログラム。
【請求項３】
前記第９のステップにおいて、前記付記が傍線、下線、横線、囲み線、取り消し線またはハイライトを含む、演算部において実行される請求項１または請求項２に記載のプログラム。
【請求項４】
前記第９のステップにおいて、前記付記が文字列、音声または画像を含む、演算部において実行される請求項１乃至請求項３のいずれか一に記載のプログラム。
【請求項５】
情報を取得する第１のステップと、
前記情報に基づいて画像を生成する第２のステップと、
割り込み処理を許可する第３のステップと、
画像を第１のリフレッシュレートで表示する第４のステップと、
終了命令が供給された場合は第６のステップに進み、供給されなかった場合は前記第４のステップに進む第５のステップと、
前記割り込み処理において取得した、付記および付記を紐付ける先の情報を記録する第６のステップと、
終了する第７のステップと、を有し、
前記割り込み処理は、
第１のイベントが供給された場合は第９のステップに進み、供給されなかった場合は第１３のステップに進む第８のステップと、
前記付記および前記付記を紐付ける先の情報を取得する第９のステップと、
前記付記および紐付ける先の情報を含む画像を生成する第１０のステップと、
前記画像を第２のリフレッシュレートで表示する第１１のステップと、
第２のイベントが供給された場合は第１３のステップに進み、供給されなかった場合は第９のステップに進む第１２のステップと、
前記割り込み処理から前記第４のステップに復帰する第１３のステップと、を備える、演算部において実行されるプログラム。
【請求項６】
前記第１のリフレッシュレートは、前記第２のリフレッシュレートより低い頻度である、演算部において実行される請求項５に記載のプログラム。
【請求項７】
第１のイベントおよび第２のイベントを供給する操作部と、
前記第１のイベントおよび前記第２のイベントを供給され、一次画像信号および一次制御信号を供給する演算装置と、
前記一次画像信号および前記一次制御信号を供給され、前記一次画像信号を前記一次制御信号に基づく頻度で表示する表示装置と、を有し、
前記演算装置は、
前記第１のイベントを供給されてから前記第２のイベントを供給されるまでの期間に、他の期間とは異なる頻度でリフレッシュするための一次制御信号を供給するステップを含むプログラムを記憶する記憶部と、
前記プログラムを実行させる演算部と、を備える、情報処理装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、物、方法、または、製造方法に関する。または、本発明は、プロセス、マシン、マニュファクチャ、または、組成物（コンポジション・オブ・マター）に関する。特に、本発明は、例えば、半導体装置、表示装置、発光装置、蓄電装置、それらの駆動方法、または、それらの製造方法に関する。特に、本発明は、例えばプログラムまたは情報処理装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
静止画を表示部に表示する際に、リフレッシュレートを小さくすることにより、消費電力を低減する技術が知られている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２０１１−１８６４４９号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
本発明の一態様は、新規なプログラムを提供することを課題の一とする。または、新規な情報処理装置を提供することを課題の一とする。または、表示の更新に伴うちらつきの発生を抑制することを課題の一とする。
【０００５】
なお、これらの課題の記載は、他の課題の存在を妨げるものではない。なお、本発明の一態様は、これらの課題の全てを解決する必要はないものとする。なお、これら以外の課題は、明細書、図面、請求項などの記載から、自ずと明らかとなるものであり、明細書、図面、請求項などの記載から、これら以外の課題を抽出することが可能である。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明の一態様は、情報を取得する第１のステップと、情報に基づいて画像を生成する第２のステップと、割り込み処理を許可する第３のステップと、画像を表示する第４のステップと、終了命令が供給された場合は第６のステップに進み、供給されなかった場合は第４のステップに進む第５のステップと、割り込み処理において取得した、付記および付記を紐付ける先の情報を記録する第６のステップと、終了する第７のステップと、を有する演算部において実行されるプログラムである。
【０００７】
そして、割り込み処理は、第１のイベントが供給された場合は第９のステップに進み、供給されなかった場合は第１１のステップに進む第８のステップと、付記および付記を紐付ける先の情報を取得する第９のステップと、付記および紐付ける先の情報を含む画像を生成する第１０のステップと、割り込み処理から第４のステップに復帰する第１１のステップと、を備える。
【０００８】
上記本発明の一態様のプログラムは、取得した情報に基づく画像を表示するステップと、付記および付記を画像に含まれる情報に紐付ける先の情報を取得するステップと、付記を含む画像を生成するステップと、画像を表示するステップと、付記および付記を画像に含まれる情報に紐付ける先の情報を記憶するステップと、を含んで構成される。
【０００９】
これにより、情報を含む画像および当該情報に紐付けられた付記を表示することができる。または、付記および付記を紐付ける先の情報を、記録することができる。その結果、新規なプログラムを提供することができる。
【００１０】
また、本発明の一態様は、第９のステップにおいて、付記を紐付ける先の情報が、画像に含まれる文字列を含む、演算部において実行される上記のプログラムである。
【００１１】
また、本発明の一態様は、第９のステップにおいて、付記が傍線、下線、横線、囲み線、取り消し線またはハイライトを含む、演算部において実行される上記のプログラムである。
【００１２】
また、本発明の一態様は、第９のステップにおいて、付記が文字列、音声または画像を含む、演算部において実行される上記のプログラムである。
【００１３】
上記本発明の一態様のプログラムは、情報の一部に紐付けられた付記を表示し記録すること、ができる。または、傍線、下線、横線、囲み線、取り消し線またはハイライトなどを付記して表示し、記録することができる。または、文字列、音声または画像を含む付記を表示または再生し、記録することができる。その結果、新規なプログラムを提供することができる。
【００１４】
また、本発明の一態様は、情報を取得する第１のステップと、情報に基づいて画像を生成する第２のステップと、割り込み処理を許可する第３のステップと、画像を第１のリフレッシュレートで表示する第４のステップと、終了命令が供給された場合は第６のステップに進み、供給されなかった場合は第４のステップに進む第５のステップと、割り込み処理において取得した、付記および付記を紐付ける先の情報を記録する第６のステップと、終了する第７のステップと、を有する演算部において実行されるプログラムである。
【００１５】
そして、割り込み処理は、第１のイベントが供給された場合は第９のステップに進み、供給されなかった場合は第１３のステップに進む第８のステップと、付記および付記を紐付ける先の情報を取得する第９のステップと、付記および紐付ける先の情報を含む画像を生成する第１０のステップと、画像を第２のリフレッシュレートで表示する第１１のステップと、第２のイベントが供給された場合は第１３のステップに進み、供給されなかった場合は第９のステップに進む第１２のステップと、割り込み処理から第４のステップに復帰する第１３のステップと、を備える。
【００１６】
上記本発明の一態様のプログラムは、取得した情報に基づく画像を第１のリフレッシュレートで表示するステップと、付記および付記を画像に含まれる情報に紐付ける先の情報を取得するステップと、付記を含む画像を生成するステップと、第２のリフレッシュレートで画像を表示するステップと、付記および付記を画像に含まれる情報に紐付ける先の情報を記憶するステップと、を含んで構成される。
【００１７】
これにより、情報を含む画像および当該情報に紐付けられた付記を表示する第１のリフレッシュレートを、付記および紐付ける先の情報を取得する際に画像を表示する第２のリフレッシュレートと異ならせることができる。または、付記および付記を紐付ける先の情報を、記録することができる。その結果、新規なプログラムを提供することができる。
【００１８】
また、本発明の一態様は、第４のステップにおいて、第２のリフレッシュレートより低い第１のリフレッシュレートを用いて画像を表示する演算部において実行される上記のプログラムである。
【００１９】
上記本発明の一態様のプログラムは、第２のリフレッシュレートより低い第１のリフレッシュレートで、画像を更新して表示するステップと、画像を第２のリフレッシュレートで表示するステップと、を含んで構成される。
【００２０】
これにより、ちらつきの抑制された画像を表示することができる。また、付記および付記を紐付ける先の情報を取得する期間において、取得した付記が反映された画像を逐次表示することができる。その結果、新規なプログラムを提供することができる。
【００２１】
また、本発明の一態様は、第１のイベントおよび第２のイベントを供給する操作部と、第１のイベントおよび第２のイベントを供給され、一次画像信号および一次制御信号を供給する演算装置と、一次画像信号および一次制御信号を供給され、一次画像信号を一次制御信号に基づく頻度で表示する表示装置と、を有する情報処理装置である。
【００２２】
そして、演算装置は、第１のイベントを供給されてから第２のイベントを供給されるまでの期間に、他の期間とは異なる頻度でリフレッシュするための一次制御信号を供給するステップを含むプログラムを記憶する記憶部と、プログラムを実行させる演算部と、を備える。
【００２３】
上記本発明の一態様の情報処理装置は、第１のイベントを供給されてから第２のイベントを供給されるまでの期間に、他の期間とは異なる頻度でリフレッシュするための一次制御信号を供給するステップを含むプログラムを記憶する記憶部を含んで構成される。
【００２４】
これにより、第１のイベントを供給されてから第２のイベントを供給されるまでの期間に画像を表示する第１のリフレッシュレートを、他の期間に画像を表示する第２のリフレッシュレートと異ならせることができる。その結果、新規な画像処理装置を提供することができる。
【００２５】
なお、本明細書において、ＥＬ層とは発光素子の一対の電極間に設けられた層を示すものとする。従って、電極間に挟まれた発光物質である有機化合物を含む発光層はＥＬ層の一態様である。
【００２６】
なお、本明細書中において、発光装置とは画像表示デバイス、発光デバイス、もしくは光源（照明装置含む）を指す。また、発光装置にコネクター、例えばＦＰＣ（Ｆｌｅｘｉｂｌｅ  ｐｒｉｎｔｅｄ  ｃｉｒｃｕｉｔ）もしくはＴＣＰ（Ｔａｐｅ  Ｃａｒｒｉｅｒ  Ｐａｃｋａｇｅ）が取り付けられたモジュール、ＴＣＰの先にプリント配線板が設けられたモジュール、または発光素子が形成された基板にＣＯＧ（Ｃｈｉｐ  Ｏｎ  Ｇｌａｓｓ）方式によりＩＣ（集積回路）が直接実装されたモジュールも全て発光装置に含むものとする。
【００２７】
また、本明細書中において、トランジスタの第１の電極または第２の電極の一方がソース電極を、他方がドレイン電極を指す。
【発明の効果】
【００２８】
本発明の一態様によれば、新規なプログラムを提供できる。または、新規な情報処理装置を提供できる。または、表示の更新に伴うちらつきの発生を抑制できる。なお、これらの効果の記載は、他の効果の存在を妨げるものではない。なお、本発明の一態様は、必ずしも、これらの効果の全てを有する必要はない。なお、これら以外の効果は、明細書、図面、請求項などの記載から、自ずと明らかとなるものであり、明細書、図面、請求項などの記載から、これら以外の効果を抽出することが可能である。
【図面の簡単な説明】
【００２９】
【図１】実施の形態に係るプログラムを説明するフロー図。
【図２】実施の形態に係るプログラムの動作を説明する模式図。
【図３】実施の形態に係る情報処理装置の構成を説明するブロック図および模式図。
【図４】実施の形態に係るプログラムを説明するフロー図。
【図５】実施の形態に係るプログラムを説明するフロー図。
【図６】実施の形態に係る情報処理装置の構成を説明するブロック図。
【図７】実施の形態に係る情報処理装置の画素部の構成を説明するブロック図および回路図。
【図８】実施の形態に係る情報処理装置の表示部に用いることができるトランジスタの構成を説明する図。
【図９】実施の形態に係る情報処理装置に用いることができるタッチパネルの構成を説明する図。
【図１０】実施の形態に係る情報処理装置に用いることができるタッチパネルの構成を説明する図。
【図１１】実施の形態に係る情報処理装置に用いることができるタッチパネルの構成を説明する図。
【図１２】実施の形態に係る情報処理装置に用いることができるタッチパネルの構成を説明する図。
【図１３】実施の形態に係る電子機器を説明する図。
【図１４】実施の形態に係る情報処理装置の関係を説明する図。
【図１５】反射型液晶ディスプレイの構成例を示す図。Ａ、Ｂ：平面図。Ｃ：断面図。
【図１６】表示装置の断面模式図。
【図１７】表示装置の駆動方法の一例を示す概念図である。
【図１８】リフレッシュ動作の前後に生じる画像の変化を示すグラフ。
【発明を実施するための形態】
【００３０】
取得した情報に基づく画像を表示するステップと、付記および付記を当該画像に含まれる情報に紐付ける先の情報を取得するステップと、付記を含む画像を生成するステップと、画像を表示するステップと、付記および当該付記を画像に含まれる情報に紐付ける先の情報を記憶するステップと、を含んで構成される。
【００３１】
これにより、情報を含む画像および当該情報に紐付けられた付記を表示することができる。または、付記および付記を紐付ける先の情報を、記録することができる。その結果、新規なプログラムを提供することができる。
【００３２】
なお、付記とは本文等の元の情報に付け加えられた事項をいい、付記を紐付ける先の情報とは付記と関連付けられる情報をいう。例えば付記は、傍線、下線、横線、囲み線、取り消し線、ハイライトまたは注釈を含み、付記を紐付ける先の情報は、付記が付された文字、文字列または画像等を含む。
【００３３】
実施の形態について、図面を用いて詳細に説明する。但し、本発明は以下の説明に限定されず、本発明の趣旨及びその範囲から逸脱することなくその形態及び詳細を様々に変更し得ることは当業者であれば容易に理解される。従って、本発明は以下に示す実施の形態の記載内容に限定して解釈されるものではない。なお、以下に説明する発明の構成において、同一部分又は同様な機能を有する部分には同一の符号を異なる図面間で共通して用い、その繰り返しの説明は省略する。
【００３４】
（実施の形態１）
本実施の形態では、本発明の一態様のプログラムの構成について、図１乃至図３を参照しながら説明する。
【００３５】
図１は本発明の一態様のプログラムの構成を説明するフロー図である。
【００３６】
図２はプログラムの動作に伴い生成される画像を説明する模式図である。
【００３７】
図３（Ａ）はプログラムを実行する情報処理装置の構成を説明するブロック図であり、図３（Ｂ）および図３（Ｃ）はプログラムを実行する情報処理装置を使用する方法を説明する模式図である。
【００３８】
＜情報処理装置の構成例＞
本実施の形態で説明するプログラムを実行することができる情報処理装置５０は、情報を供給し、操作命令が供給される演算装置１０と、情報が供給され、操作命令を供給する入出力装置２０と、を有する（図３（Ａ））。
【００３９】
そして、入出力装置２０は、情報が供給され情報を表示する表示装置３０、操作命令を供給する操作部２２、情報を供給され供給する入出力部４５および情報ＣＯＭを供給され供給する通信部６０を備える。
【００４０】
また、演算装置１０は、演算部１１および演算部１１に実行させるプログラムを記憶する記憶部１２を備える。
【００４１】
また、演算装置１０は、情報を供給し供給される伝送路１４と、情報を供給し供給される入出力インターフェース１５を有していてもよい。
【００４２】
例えば、付記Ａ１Ｂが紐付けられた情報Ｌ１Ｂと共に表示されるタブレット型の情報処理装置５０Ｂを、使用者９の右手と共に図３（Ｂ）に示す。また、付記Ａ１Ｃが紐付けられた情報Ｌ１Ｃに重なるように表示されるインターネットテレビシステムに代表される情報処理装置５０Ｃを、それを観る使用者９の目と共に図３（Ｃ）に示す。
【００４３】
例えば、情報処理装置５０Ｂや、スマートフォン、ノート型のパーソナルコンピュータなどにおいて、付記Ａ２Ｂや情報などを入力または作成し、それらを、有線または無線の電気通信回線を介して、インターネットテレビシステムに代表される情報処理装置５０Ｃなどに、送信してもよい。そして、送信された付記Ａ２Ｂや情報などは、情報処理装置５０Ｃなどにおいて表示するようにしてもよい。その場合の例を図１４（Ａ）に示す。
【００４４】
なお、付記Ａ２Ｂや情報などは、直接送信するのではなく、有線または無線の電気通信回線７０を介して、サーバ７１などに付記Ａ２Ｂや情報などを保存し、サーバ７１などを介して、情報処理装置５０Ｃなどに送信してもよい。その場合の例を、図１４（Ｂ）に示す。
【００４５】
なお、図１４（Ｂ）に示すように、付記Ａ２Ｂや情報などは、情報処理装置５０Ｃだけでなく、他の情報処理装置５０Ｄにおいても、表示されるようにしてもよい。
【００４６】
なお、例えば、情報処理装置５０Ｂにおいて、付記Ａ２Ｂや情報などの一部または全部を変更、追加または削除した場合、サーバ７１、情報処理装置５０Ｃ、情報処理装置５０Ｄなどにおいても、所定の期間以内において、同じ状態になるように、更新されてもよい。つまり、それぞれの装置において、付記Ａ２Ｂや情報などについて、同期をとるようにしてもよい。
【００４７】
なお、付記Ａ２Ｂや情報などが、サーバ７１に保存されている場合、情報処理装置５０Ｂ、情報処理装置５０Ｃ、情報処理装置５０Ｄなどを用いて、アクセスすることが出来る。さらに、別の情報処理装置においても、アクセスすることが出来る。ただし、不特定の情報処理装置から、アクセスできるようにしてもよいし、特定の情報処理装置からのみ、アクセスできるようにしてもよい。それらは、自由に設定でき、自由に変更できるようにしてもよい。例えば、特定の情報処理装置からのみ、アクセスできるようにする場合には、ＩＤやパスワードを用いて、識別するようにしてもよい。
【００４８】
以下に、情報処理装置を構成する個々の要素について説明する。なお、これらの構成は明確に分離できず、一つの構成が他の構成を兼ねる場合や他の構成の一部を含む場合がある。
【００４９】
例えば表示装置にタッチセンサが重ねられたタッチパネルは、表示装置３０であるとともに、操作部２２でもある。
【００５０】
《表示装置》
表示装置３０は供給される画像情報を表示できるものであれば、特に限定されない。特に、横方向に７６８０個、縦方向に４３２０個の画素が配置されるスーパーハイビジョンまたはウルトラハイビジョンと呼ばれる規格の表示装置を用いると、自然な立体感を得られるため好ましい。
【００５１】
なお、可撓性を有する表示部を、表示装置３０に用いることができる。また、表示装置３０の表示部に適用可能な具体的な構成例を、実施の形態４、実施の形態５および実施の形態６に記載して説明する。
【００５２】
《操作部》
タッチセンサ２２Ｂ（図３（Ｂ）参照）またはポインティングデバイス２２Ｃ（図３（Ｃ）参照）等を操作部２２に用いることができる。
【００５３】
タッチセンサ２２Ｂは、近接するものを検知して近接するものの位置情報を演算装置１０に供給する。ポインティングデバイス２２Ｃは、表示装置３０に表示するカーソル等の座標を演算装置１０に供給する。
【００５４】
例えば、情報処理装置５０の使用者は指や掌等をタッチセンサ２２Ｂに近接させることにより、様々な操作命令を情報処理装置５０にすることができる。例えば、終了命令（プログラムを終了する命令）を含む操作命令を供給することができる。
【００５５】
なお、操作部２２に適用可能な具体的な構成例を、実施の形態４、実施の形態５および実施の形態６に記載して説明する。
【００５６】
《通信部》
通信部６０は、演算装置１０が供給する情報ＣＯＭを情報処理装置５０の外部の機器または通信網に供給する。また、情報ＣＯＭを外部の機器または通信網から取得して供給する。例えば、インターネットが供給する情報を取得してもよい。または、情報を供給してもよい。
【００５７】
情報ＣＯＭは、音声情報、画像情報等の他、様々な命令等を含むことができる。
【００５８】
外部の機器または通信網に接続するための通信手段、例えばハブ、ルータまたはモデム等を通信部６０に適用できる。なお、接続方法は有線による方法に限らず、無線（例えば電波または赤外線等）をもちいてもよい。
【００５９】
《入出力部》
例えばカメラ、マイク、読み取り専用の外部記憶部、外部記憶部、スキャナー、スピーカ、プリンタ等を入出力部４５に用いることができる。
【００６０】
具体的には、デジタルカメラおよびデジタルビデオカメラ等をカメラに用いることができる。
【００６１】
ハードディスクまたはリムーバブルメモリなどを外部記憶部に用いることができる。また、ＣＤＲＯＭ、ＤＶＤＲＯＭ等を読み取り専用の外部記憶部に用いることができる。なお、外部記憶部は電子書籍等の情報を記憶することができる。
【００６２】
《演算装置》
演算装置１０は、演算部１１および記憶部１２を備える。
【００６３】
例えば、演算装置１０は、情報処理装置５０の操作の用に供する画像を含む情報を供給する。
【００６４】
《演算部》
演算部１１は、記憶部１２が記憶するプログラムを実行する。例えば、操作の用に供する画像を表示した位置に関連付けられた位置情報が供給された場合、当該画像にあらかじめ関連付けられたプログラムを演算部１１は実行する。
【００６５】
《記憶部》
記憶部１２は、演算部１１に実行させるプログラムを記憶する。
【００６６】
《入出力インターフェース・伝送路》
入出力インターフェース１５は情報を供給し、情報が供給される。
【００６７】
伝送路１４は情報を供給することができ、演算部１１、記憶部１２および入出力インターフェース１５は情報を供給される。また、演算部１１、記憶部１２および入出力インターフェース１５は、情報を供給することができ、伝送路１４は情報を供給される。
【００６８】
＜プログラムの構成例＞
本実施の形態で説明するプログラムは、以下の第１のステップ乃至第１１のステップを有する処理を、例えば演算装置１０の演算部１１に実行させる（図１参照）。
【００６９】
第１のステップにおいて、情報を取得する（図１（Ａ）（Ｓ１））。
【００７０】
第２のステップにおいて、情報に基づいて画像を生成する（図１（Ａ）（Ｓ２））。
【００７１】
第３のステップにおいて、割り込み処理を許可する（図１（Ａ）（Ｓ３））。
【００７２】
第４のステップにおいて、画像を表示する（図１（Ａ）（Ｓ４））。
【００７３】
第５のステップにおいて、終了命令が供給された場合は第６のステップに進み、供給されなかった場合は第４のステップに進む（図１（Ａ）（Ｓ５））。
【００７４】
第６のステップにおいて、割り込み処理において取得した、付記および付記を紐付ける先の情報を記録する（図１（Ａ）（Ｓ６））。
【００７５】
第７のステップにおいて、終了する（図１（Ａ）（Ｓ７））。
【００７６】
割り込み処理は以下の第８のステップ乃至第１１のステップを備える（図１（Ｂ）参照）。
【００７７】
第８のステップにおいて、第１のイベントが供給された場合は第９のステップに進み、供給されなかった場合は第１１のステップに進む（図１（Ｂ）（Ｔ８））。
【００７８】
第９のステップにおいて、付記および前記付記を紐付ける先の情報を取得する（図１（Ｂ）（Ｔ９））。
【００７９】
第１０のステップにおいて、付記および紐付ける先の情報を含む画像を生成する（図１（Ｂ）（Ｔ１０））。
【００８０】
第１１のステップにおいて、割り込み処理から第４のステップに復帰する（図１（Ｂ）（Ｔ１１））。
【００８１】
本実施の形態で説明するプログラムは、取得した情報に基づく画像を表示するステップと、付記および付記を画像に含まれる情報に紐付ける先の情報を取得するステップと、付記を含む画像を生成するステップと、画像を表示するステップと、付記および付記を画像に含まれる情報に紐付ける先の情報を記憶するステップと、を含んで構成される。
【００８２】
これにより、情報を含む画像および当該情報に紐付けられた付記を表示することができる。または、付記および付記を紐付ける先の情報を、記録することができる。その結果、新規なプログラムを提供することができる。
【００８３】
《全体》
例示するプログラムは、第１のステップ乃至第１１のステップを有し、情報処理装置５０の演算部１１に実行させることができる（図１および図３参照）。
【００８４】
例示するプログラムは、主の処理と割り込み処理を有し、主の処理は第１のステップ乃至第７のステップを含み、割り込み処理は第７のステップ乃至第１１のステップを含む。
【００８５】
《第１のステップ》
主の処理について説明する。第１のステップにおいて、情報処理装置の演算装置に情報処理装置の初期化をさせる。例えば、外部記憶装置に情報を供給させ、供給された情報を記憶部が取得する（図１（Ａ）（Ｓ１）参照）。
【００８６】
例えば、初期化に伴い取得する情報に文字情報、画像情報、音声情報または映像情報等を用いることができる。具体的には、書籍、手帳、放送またはインターネットを流通する情報等を用いることができる。
【００８７】
また、第１のステップにおいて取得する情報に、例えば先の使用において、後に説明する第６のステップで記録した付記および付記を紐付ける先の情報を含めてもよい。これにより、使用者は過去の履歴を付記として蓄積することができる。
【００８８】
《第２のステップ》
第１のステップで供給され、取得した情報に基づいて、画像を生成する（図１（Ａ）（Ｓ２）参照）。
【００８９】
《第３のステップ》
第３のステップにおいて、演算装置に割り込み処理を許可する。割り込み処理が許可された演算装置は、主の処理と並行して割り込み処理を行うことができる（図１（Ｓ３）参照）。
【００９０】
割り込み処理から主の処理に復帰した演算装置は、割り込み処理をして得た結果を、主の処理に反映することができる。
【００９１】
なお、割り込み処理から復帰する際に、割り込み処理において演算装置が生成した画像を、主の処理に用いる画像にすることができる。
【００９２】
《第４のステップ》
第４のステップにおいて、生成した画像を表示する（図１（Ｓ４）参照）。例えば、ウィンドウＷ１、ウィンドウＷ２、ウィンドウＷ３、ウィンドウＷ４およびウィンドウＷ５を含む画像を表示する（図２（Ａ）参照）。
【００９３】
なお、ウィンドウＷ１は、文字列ＴＸＴ１１および画像ＩＭＧ１１等を含み、ウィンドウＷ２は画像ＩＭＧ２１および画像ＩＭＧ２２等を含む。
【００９４】
《第５のステップ》
第５のステップにおいて、終了命令が供給された場合は第６のステップに、供給されなかった場合は第５のステップに進む（図１（Ｓ５）参照）。なお、割り込み処理中に終了命令を受けつけて、割り込み処理から復帰した際にプログラムを終了してもよい。
【００９５】
《第６のステップ》
第６のステップにおいて、割り込み処理において取得した付記および付記を紐付ける先の情報を記録する（図１（Ｓ６）参照）。付記および付記を紐付ける先の情報が記録された情報を、使用者の「マイブック」ということができる。なお、第１のステップで取得する情報に関連付ける別の情報を付記といい、付記が関連付けられる第１のステップで取得する情報の一部を紐付ける（リンクさせるともいう）先の情報という。ステップ９において、付記と紐付ける先の情報の詳細を説明する。
【００９６】
例えば、情報処理装置の記憶部に付記および付記を紐付ける先の情報を記録する。また、プログラムを再開する際の第１のステップで取得する情報の一部に、付記および付記を紐付ける先の情報を含めることができる。
【００９７】
《第７のステップ》
第７のステップにおいて、演算装置にプログラムを終了させる（図１（Ｓ７）参照）。なお、プログラムと共に画像の表示を終了してもよい。
【００９８】
《第８のステップ》
割り込み処理について説明する。第８のステップにおいて、所定のイベントが供給された場合は第９のステップに進み、供給されなかった場合は第１１のステップに進む（図１（Ｔ８）参照）。
【００９９】
例えば、情報処理装置に表示された情報の一部を選択する命令に関連付けられたイベントを、所定のイベントとすることができる。具体的には、文字列や画像等を選択する命令に関連付けられた、クリックまたはタップなどのイベントを所定のイベントとすることができる。
【０１００】
《第９のステップ》
第９のステップにおいて、付記および付記を紐付ける先の情報を取得する（図１（Ｔ９）参照）。例えば、情報処理装置の使用者が、付記および付記を紐付ける先の情報を供給し、情報処理装置が取得する。
【０１０１】
例えば、画像に含まれる文字列を含む情報を、付記を紐付ける先の情報にすることができる。具体的には、ポインタＰ等を用いて表示された文字列ＴＸＴ１１の一部を選択する。紐付ける先の情報Ｌ１１に付記Ａ１１、紐付ける先の情報Ｌ１２に付記Ａ１２および紐付ける先の情報Ｌ１３に付記Ａ１３を供給することができる（図２（Ａ）および図２（Ｂ
）参照）。
【０１０２】
また、画像ＩＭＧ１１を紐付ける先の情報Ｌ１４に選択し、付記Ａ１４を供給することができる。
【０１０３】
例えば、傍線、下線、横線、囲み線、取り消し線またはハイライトを付記にすることができる。具体的には、表示された文字列の一部に、傍線、下線、横線、囲み線、取り消し線またはハイライト等を紐付けて付すことができる。
【０１０４】
例えば、文字列、音声または画像を含む情報を付記に用いることができる。具体的には、表示された文字列の一部に、付箋や吹き出しを模した画像を配置して、文字列、静止画像または音声もしくは動画像等を表示またはこれらを表示もしくは再生する命令と関連付けられた画像等を表示することができる。
【０１０５】
本実施の形態で例示するプログラムは、文字列に紐付けて付記を表示し記録することができる。または、傍線、下線、横線、囲み線、取り消し線またはハイライトなどを付記して表示し、記録することができる。または、文字列、音声または画像を含む付記を表示または再生し、記録することができる。その結果、新規なプログラムを提供することができる。
【０１０６】
また、表示または再生をする命令が供給された場合は、他の割り込み処理を実行してもよい。
【０１０７】
《第１０のステップ》
第１０のステップにおいて、紐付けられた付記を含む画像を生成する。生成された画像には、付記および付記が紐付けられた先の情報が含まれる（図１（Ｔ１０）参照）。これにより、例えば、複数のページに分けて表示される情報（例えば書籍）の一部に紐付けられた付記は、該当するページが表示される際に表示される。
【０１０８】
《第１１のステップ》
第１１のステップにおいて、割り込み処理から復帰する（図１（Ｔ１１）参照）。
【０１０９】
なお、本実施の形態は、本明細書で示す他の実施の形態と適宜組み合わせることができる。
【０１１０】
（実施の形態２）
本実施の形態では、本発明の一態様のプログラムの構成について、図４乃至図７を参照しながら説明する。
【０１１１】
図４は本発明の一態様のプログラムの構成を説明するフロー図である。
【０１１２】
図５は本発明の一態様のプログラムの割こり処理の構成を説明するフロー図である。
【０１１３】
図６は、本発明の一態様の情報処理装置５０の構成を説明するブロック図である。
【０１１４】
図７は、本発明の一態様の表示部３２の構成を説明するブロック図である。図７（Ａ−１）および図７（Ａ−２）は、表示部３２の画素と駆動回路の配置を説明するブロック図である。図７（Ｂ−１）および図７（Ｂ−２）は、画素に用いることができる画素回路を説明する回路図である。
【０１１５】
＜情報処理装置の構成例＞
本実施の形態で説明する情報処理装置５０は、第１のイベントおよび第２のイベントを供給する操作部２２と、第１のイベントおよび第２のイベントを供給され、一次画像信号Ｖ１および一次制御信号Ｃ１を供給する演算装置１０と、一次画像信号Ｖ１および一次制御信号Ｃ１を供給され、一次画像信号Ｖ１を一次制御信号Ｃ１に基づく頻度で表示する表示装置３０と、を有する（図６参照）。
【０１１６】
そして、演算装置１０は、第１のイベントを供給されてから第２のイベントを供給されるまでの期間に、他の期間とは異なる頻度でリフレッシュするための一次制御信号Ｃ１を供給するステップを含むプログラムを記憶する記憶部１２と、プログラムを実行させる演算部１１と、を備える。
【０１１７】
上記本発明の一態様の情報処理装置５０は、第１のイベントを供給されてから第２のイベントを供給されるまでの期間に、他の期間とは異なる頻度でリフレッシュするための一次制御信号を供給するステップを含むプログラムを記憶する記憶部１２を含んで構成される。
【０１１８】
これにより、第１のイベントを供給されてから第２のイベントを供給されるまでの期間に画像を表示する第１のリフレッシュレートを、他の期間に画像を表示する第２のリフレッシュレートと異ならせることができる。その結果、新規な画像処理装置を提供することができる。
【０１１９】
なお、演算装置１０は、伝送路１４および入出力インターフェース１５を備えていてもよい。
【０１２０】
入出力装置２０は、表示装置３０、操作部２２、入出力部および通信部６０を備えていてもよい。
【０１２１】
表示装置３０は、制御部３１および表示部３２を備えていてもよい。
【０１２２】
表示部３２は、画素部３２Ｄ、Ｇ駆動回路３２ＧＤ、Ｓ駆動回路３２ＳＤおよび光供給部３２Ｌを備えていてもよい。
【０１２３】
画素部３２Ｄは画素３２Ｐを備え、画素３２Ｐは画素回路３２ＰＣを備え、画素回路３２ＰＣは表示素子３２ＤＶを備えていてもよい。
【０１２４】
以下に、情報処理装置５０を構成する個々の要素について説明する。なお、これらの構成は明確に分離できず、一つの構成が他の構成を兼ねる場合や他の構成の一部を含む場合がある。
【０１２５】
例えばタッチセンサが表示パネルに重ねられたタッチパネルは、タッチセンサであるとともに表示パネルでもある。
【０１２６】
《全体の構成》
情報処理装置５０は、操作命令が供給され、一次制御信号Ｃ１および一次画像信号Ｖ１を供給する演算装置１０と、操作命令を供給し、一次制御信号Ｃ１および一次画像信号Ｖ１が供給される入出力装置２０と、を有する。そして、入出力装置２０は、操作命令を供給する操作部２２と、一次制御信号Ｃ１および一次画像信号Ｖ１を供給される表示装置３０と、を備える（図６参照）。
【０１２７】
表示装置３０は、一次制御信号Ｃ１および一次画像信号Ｖ１を供給され、二次制御信号Ｃ２および二次画像信号Ｖ２を供給する制御部３１と、二次制御信号Ｃ２および二次画像信号Ｖ２を供給される表示部３２と、を備える。
【０１２８】
表示部３２は、二次制御信号Ｃ２を供給されＧ信号を供給するＧ駆動回路３２ＧＤと、二次画像信号Ｖ２を供給されＳ信号を供給するＳ駆動回路３２ＳＤと、画素部３２Ｄと、を備える。
【０１２９】
なお、表示部３２は制御信号を供給される光供給部３２Ｌを備えていてもよい。制御部３１は光供給部３２Ｌを制御することができる信号を供給してもよい。
【０１３０】
なお、操作部２２および表示装置３０を含む入出力装置２０並びに演算装置１０は、電源電位等を供給される。
【０１３１】
《１．演算装置１０》
演算装置１０は、演算部１１、記憶部１２、入出力インターフェース１５および伝送路１４を備える（図６参照）。
【０１３２】
演算装置１０は、操作命令が供給され、一次制御信号Ｃ１および一次画像信号Ｖ１を供給する。
【０１３３】
例えば、演算装置１０は、情報処理装置５０の操作の用に供する画像情報を含む一次画像信号Ｖ１を供給し、入出力装置２０は一次画像信号Ｖ１を供給される。そして、表示装置３０は操作の用に供する画像を表示する。
【０１３４】
《１．１演算部１１》
演算部１１は、記憶部１２が記憶するプログラムを実行する。例えば、実施の形態１に記載して説明されるプログラムを実行する。
【０１３５】
また、実施の形態１に記載して説明されるプログラムの第３のステップを次のように変形することができる。
【０１３６】
第３のステップにおいて、所定の操作命令（イベントともいう）を供給される場合または動画を表示するアプリケーションの可視領域を含む画像を表示する場合に、他の場合に比べて高い頻度でリフレッシュして、マスク画像をマスク表示領域に重なるように最も手前に表示する。
【０１３７】
上記のプログラムは、動画像を表示する可視領域の有無または供給されるイベントの種類に応じて、異なる頻度で表示を更新するステップを含んで構成される。これにより、表示の更新に伴うちらつきの発生を抑制することができる。その結果、新規なプログラムを提供することができる。
【０１３８】
《１．２記憶部１２》
記憶部１２は、演算部１１に実行させるプログラムを記憶する。なお、実施の形態１に記載して説明するプログラムを、演算部１１に処理させるプログラムに適用できる。
【０１３９】
《１．３入出力インターフェース１５・伝送路１４》
入出力インターフェース１５は情報を供給し、情報が供給される。
【０１４０】
伝送路１４は情報を供給し、情報が供給される。演算部１１、記憶部１２および入出力インターフェース１５は情報を供給される。また、演算部１１、記憶部１２および入出力インターフェース１５は、情報を供給することができ、伝送路１４は情報を供給される。
【０１４１】
《２．入出力装置２０》
入出力装置２０は、例えば操作命令等を供給し、一次画像信号Ｖ１または一次制御信号Ｃ１等が供給される。操作命令等を供給する操作部２２および一次画像信号Ｖ１または一次制御信号Ｃ１等が供給される表示装置３０を入出力装置２０に適用できる。
【０１４２】
《２．１操作部２２》
操作部２２は、所定の操作命令（イベントともいう）を供給できる。所定の属性を備える画像データに変化を生じる操作命令を、所定の操作命令にすることができる。
【０１４３】
例えば、ウィンドウシステムを採用するグラフィカルユーザーインターフェース（ＧＵＩ：Ｇｒａｐｈｉｃａｌ  Ｕｓｅｒ  Ｉｎｔｅｒｆａｃｅ）において、所定の属性を備えるアプリケーションソフトウエアが使用するウィンドウについて行うイベント等を所定のイベントとすることができる。
【０１４４】
具体的にはウィンドウを新たに生成または消去するイベント、ウィンドウを移動するイベントまたはウィンドウの大きさを変えるイベント等を所定のイベントとすることができる。または、画像をスクロールするイベント等を所定のイベントとすることができる。
【０１４５】
なお、文字を含む文書等を表示するアプリケーションソフトウエアを、所定のアプリケーションソフトウエアに指定することができる。具体的にはワードプロセッサ、表計算ソフトウエア、文書閲覧用ソフトウエア、電子書籍閲覧用ソフトウエア、ウェブブラウザまたはメールクライアント等を所定のアプリケーションに指定することができる。
【０１４６】
操作部２２は、操作命令を供給することができる。例えば、キーボード、マウス、タッチパネル、タッチパッド、マウス、ジョイスティック、トラックボール、データグローブ、ジェスチャや視点動作などを検出するセンサまたは撮像装置などを操作部２２に用いることができる。なお、グラフィカルユーザーインターフェースを用いる場合、操作命令は操作命令を関連付ける画像が表示された表示部の座標情報を含む。
【０１４７】
演算装置１０は、操作命令に含まれる座標情報に基づいて、操作命令を表示部の座標に表示された画像情報に関連づける。これにより、例えば情報処理装置を使用する者は、表示部に表示された複数の画像情報から一を選んで処理するための操作命令を供給することができる。
【０１４８】
使用する者が操作部２２から供給する情報としては、例えば表示部に表示される画像の表示位置を変えるためにドラッグする命令、表示されている画像を送り次の画像を表示するためにスワイプする命令、帯状の画像を順に送るためにスクロールする命令、特定の画像を選択する命令、画像を表示する大きさを変化するためにピンチ・イン、ピンチ・アウトする命令の他、手書きによる文字を供給する命令などを挙げることができる。
【０１４９】
《２．２表示装置３０》
表示装置３０は、一次制御信号Ｃ１および一次画像信号Ｖ１に基づいて、画像を表示部３２に表示する。
【０１５０】
一次画像信号Ｖ１は、画像の階調情報（輝度情報ともいえる）の他、例えば色度情報等を含む。
【０１５１】
一次制御信号Ｃ１は、例えば表示装置３０の走査線の選択を開始するタイミング等を制御するための信号などを含む。
【０１５２】
《２．２．１制御部３１》
制御部３１は、表示部３２を制御する信号、例えば二次画像信号Ｖ２および／または二次制御信号Ｃ２等を生成し、を供給する。
【０１５３】
《２．２．１．１二次画像信号》
制御部３１は一次画像信号Ｖ１を供給され、二次画像信号Ｖ２を生成する。二次画像信号Ｖ２は画像情報を含む。
【０１５４】
例えば、制御部３１は一次画像信号Ｖ１の基準電位Ｖｓｃからの差を振幅とし、極性がフレーム毎に反転される二次画像信号Ｖ２を生成してもよい。
【０１５５】
《２．２．１．２二次制御信号》
二次制御信号Ｃ２は、表示部３２の第１の駆動回路（Ｇ駆動回路３２ＧＤともいう）を制御するための信号および／または第２の駆動回路（Ｓ駆動回路３２ＳＤともいう）を制御するための信号を含むことができる。
【０１５６】
例えば、二次制御信号Ｃ２は、垂直同期信号および／または水平同期信号などの同期信号を含むことができる。また、二次制御信号Ｃ２は、スタートパルス信号ＳＰ、ラッチ信号ＬＰ、パルス幅制御信号ＰＷＣおよびクロック信号ＣＫなどを含むことができる。
【０１５７】
具体的には、Ｓ駆動回路３２ＳＤの動作を制御するＳ駆動回路用のスタートパルス信号ＳＰ、Ｓ駆動回路用のクロック信号ＣＫ、ラッチ信号ＬＰなどを二次制御信号Ｃ２は含むことができる。
【０１５８】
また、Ｇ駆動回路３２ＧＤの動作を制御するＧ駆動回路用のスタートパルス信号ＳＰ、Ｇ駆動回路用のクロック信号ＣＫ、パルス幅制御信号ＰＷＣなどを二次制御信号Ｃ２は含むことができる。
【０１５９】
《２．２．１．３画像信号の極性》
制御部３１が、画像信号の極性をフレーム毎に反転する極性決定回路を備える構成としてもよい。
【０１６０】
例えば、極性決定回路が通知するタイミングに従って制御部３１が二次画像信号Ｖ２の極性を反転し、極性が反転された二次画像信号Ｖ２を供給してもよい。
【０１６１】
なお、制御部３１からの命令に従って表示部３２が二次画像信号Ｖ２の極性を反転してもよい。
【０１６２】
また、極性決定回路がカウンタおよび信号生成回路を具備し、カウンタが数える同期信号に基づいて信号生成回路がタイミングを通知してもよい。
【０１６３】
例えば、カウンタはフレーム期間の数を水平同期信号のパルスを数えて特定し、信号生成回路がタイミングを通知する。これにより、連続する複数のフレーム期間ごとに二次画像信号Ｖ２の極性を反転することができる。
【０１６４】
《２．２．２表示部３２》
表示部３２は、画素部３２Ｄを有する。また、第１の駆動回路（Ｇ駆動回路３２ＧＤともいう）並びに第２の駆動回路（Ｓ駆動回路３２ＳＤともいう）を有していてもよい。
【０１６５】
列方向に延在する複数の走査線Ｇ、行方向に延在する複数の信号線Ｓおよび走査線Ｇの一と電気的に接続され且つ信号線Ｓの一と電気的に接続される画素３２Ｐが画素部３２Ｄに配設されている。そして、複数の画素３２Ｐは行列状に配置されている。
【０１６６】
なお、画素部３２Ｄに配設される配線の種類及び数は、画素３２Ｐの数、構成および配置に基づいて決定される。
【０１６７】
例えば、画素３２Ｐをｘ列×ｙ行のマトリクス状に画素部３２Ｄに配置する場合、信号線Ｓ１乃至信号線Ｓｘ並びに走査線Ｇ１乃至走査線Ｇｙを、画素部３２Ｄ内に配置する（図７（Ａ−１）参照）。
【０１６８】
一の走査線（Ｇ１乃至Ｇｙ）はＧ駆動回路３２ＧＤに選択されている期間Ｇ信号を供給することができ、一の信号線（Ｓ１乃至Ｓｘ）はＳ駆動回路３２ＳＤに選択されている期間Ｓ信号を供給することができる。
【０１６９】
また、画素部３２Ｄを複数の領域に分割して駆動してもよい。例えば、第１領域３２Ｄａ、第２領域３２Ｄｂおよび第３領域３２Ｄｃに分割して駆動する構成を図７（Ａ−２）に示す。
【０１７０】
《２．２．２．１Ｇ駆動回路３２ＧＤ》
Ｇ駆動回路３２ＧＤは、複数の走査線から一の走査線を順番に選択し、選択した走査線にＧ信号を供給する。なお、Ｇ信号は第１の駆動信号ともいう。
【０１７１】
なお、選択された走査線は、その走査線に電気的に接続された画素３２ＰにＧ信号を供給する。これにより、画素３２Ｐにある画素回路３２ＰＣはＧ信号を供給される。
【０１７２】
Ｇ駆動回路３２ＧＤは、一の走査線を選択しＧ信号を供給する頻度を切り替えて動作することができる。例えば、Ｇ駆動回路３２ＧＤはＧ信号を所定の頻度で供給する第１のモードと、第１のモードより高い頻度で供給する第２のモードとで動作する。
【０１７３】
具体的には、第１のモードで動作するＧ駆動回路３２ＧＤは、３０Ｈｚ（１秒間に３０回）以上、好ましくは６０Ｈｚ（１秒間に６０回）以上９６０Ｈｚ（１秒間に９６０回）未満の頻度で一の走査線を選択しＧ信号を供給する。
【０１７４】
第２のモードで動作するＧ駆動回路３２ＧＤは、１１．６μＨｚ（１日に１回）以上０．１Ｈｚ（１秒間に０．１回）未満の頻度、好ましくは０．２８ｍＨｚ（１時間に１回）以上１Ｈｚ（１秒間に１回）未満の頻度で一の走査線を選択しＧ信号を供給する。
【０１７５】
Ｇ駆動回路３２ＧＤが、第１のモードと第２のモードとを切り替えて動作する方法としては、例えば、モード切り替え信号を含む二次制御信号Ｃ２を用いる方法、または二次制御信号Ｃ２に含まれるＧ駆動回路用のスタートパルスを用いる方法が挙げられる。いずれの方法を用いても、Ｇ駆動回路３２ＧＤの動作を第１のモードから第２のモードに切り替えることができる。
【０１７６】
具体的には、制御部３１を用いて二次制御信号Ｃ２に含まれるＧ駆動回路用のスタートパルスを供給する頻度を制御することができる。
【０１７７】
なお、画素部３２Ｄが複数の領域に分けられ、各領域にＧ駆動回路が設けられている場合、それぞれのＧ駆動回路を異なるモードで動作してもよい（図７（Ａ−２）参照）。
【０１７８】
例えば、第１の領域に設けられたＧ駆動回路を第１のモードで動作して、動画像を第１の領域に表示し、第２の領域に設けられたＧ駆動回路を第２のモードで動作して、静止画像を第２の領域に表示してもよい。
【０１７９】
または、複数のＧ駆動回路の一部を動作させて、他の駆動回路を停止してもよい。これにより、消費電力を低減することができる。
【０１８０】
《２．２．２．２Ｓ駆動回路３２ＳＤ》
Ｓ駆動回路３２ＳＤは、複数の信号線から一の信号線を順番に選択し、選択された信号線にＳ信号を供給する。なお、Ｓ信号は第２の駆動信号ともいう。
【０１８１】
なお、Ｓ信号が供給された信号線は、その信号線に接続された画素３２ＰにＳ信号を供給する。特に、Ｇ信号が供給されている状態の画素３２Ｐにある画素回路３２ＰＣは、Ｓ信号を書き込まれる。
【０１８２】
《２．２．２．３画素部３２Ｄ》
画素部３２Ｄは、図示されていない複数の画素３２Ｐを有する。
【０１８３】
画素３２Ｐは、表示素子３２ＤＶと当該表示素子３２ＤＶを含む画素回路３２ＰＣを備える（図６参照）。
【０１８４】
画素回路３２ＰＣは供給されるＳ信号を保持し、表示素子３２ＤＶに画像情報の一部を表示する。
【０１８５】
なお、利用する表示素子３２ＤＶの種類または駆動方法に応じて選択された構成を、画素回路３２ＰＣに用いることができる。
【０１８６】
《２．２．２．３．１画素回路１》
表示素子３２ＤＶに液晶素子３２ＬＣを利用する場合に選択することができる画素回路３２ＰＣの構成の一例を、図７（Ｂ−１）に示す。
【０１８７】
画素回路３２ＰＣ１は、Ｇ信号が供給されるゲート電極と、Ｓ信号が供給される第１の電極とを備えるトランジスタ３２Ｔと、トランジスタ３２Ｔの第２の電極に電気的に接続される第１の電極と、共通電位が供給される第２の電極を備える液晶素子３２ＬＣと、を具備する。
【０１８８】
画素回路３２ＰＣ１は、Ｓ信号の表示素子３２ＤＶへの供給を制御するトランジスタ３２Ｔを有する。
【０１８９】
トランジスタ３２Ｔのゲートは、走査線Ｇ１から走査線Ｇｙのいずれか１つに電気的に接続されている。トランジスタ３２Ｔのソース及びドレインの一方は、信号線Ｓ１から信号線Ｓｘのいずれか１つに電気的に接続され、トランジスタ３２Ｔのソース及びドレインの他方は、表示素子３２ＤＶの第１電極に電気的に接続されている。
【０１９０】
画素３２Ｐはトランジスタ３２ＴをＳ信号の画素３２Ｐへの供給を制御するスイッチング素子として用いることができる。また、複数のトランジスタを一のスイッチング素子として画素３２Ｐに用いてもよい。上記複数のトランジスタを並列に接続して一のスイッチング素子として用いてもよいし、直列に接続して用いても、直列と並列が組み合わされた接続を用いてもよい。
【０１９１】
画素３２Ｐは、必要に応じて液晶素子３２ＬＣの第１電極と第２電極間の電圧を保持するための容量素子３２Ｃの他、トランジスタ、ダイオード、抵抗素子、容量素子、インダクタなどのその他の回路素子を有していても良い。表示素子３２ＤＶの第２電極には、所定の共通電位Ｖｃｏｍが供給されている。
【０１９２】
容量素子３２Ｃの容量は適宜調整すればよい。例えば、Ｓ信号を比較的長い期間（具体的には、１／６０ｓｅｃ以上）保持する場合には、容量素子３２Ｃを設ける。また、容量素子３２Ｃ以外の構成を用いて、画素回路３２ＰＣ１の容量を調節してもよい。例えば、液晶素子３２ＬＣの第１の電極と第２の電極を重ねて設ける構成により、実質的に容量素子を形成してもよい。
【０１９３】
《２．２．２．３．２画素回路２》
表示素子３２ＤＶにＥＬ（Ｅｌｅｃｔｒｏｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｃｅ）素子、ＥＬ素子３２ＥＬを利用する場合に選択することができる画素回路３２ＰＣの構成の一例を、図７（Ｂ−２）に示す。
【０１９４】
画素回路３２ＰＣ２は、Ｇ信号が供給されるゲート電極と、Ｓ信号が供給される第１の電極と、容量素子３２Ｃの第１の電極と電気的に接続される第２の電極と、を有する第１のトランジスタ３２Ｔ１を有する。また、第１のトランジスタ３２Ｔ１の第２の電極に電気的に接続されるゲート電極と、容量素子３２Ｃの第２の電極と電気的に接続される第１の電極と、ＥＬ素子３２ＥＬの第１の電極と電気的に接続される第２の電極と、を有する第２のトランジスタ３２Ｔ２を有する。また、容量素子３２Ｃの第２の電極と、第２のトランジスタ３２Ｔ２の第１の電極には、電源電位が供給され、ＥＬ素子３２ＥＬの第２の電極には、共通電位が供給される。なお、電源電位と共通電位の電位差は、ＥＬ素子３２ＥＬの発光開始電圧よりも大きい。
【０１９５】
《２．２．２．３．３トランジスタ》
画素回路３２ＰＣ１において、トランジスタ３２Ｔは、信号線Ｓの電位を液晶素子３２ＬＣの第１電極に与えるか否かを制御する。また、画素回路３２ＰＣ２において、第１のトランジスタ３２Ｔ１は、信号線Ｓの電位に応じた電流をＥＬ素子３２ＥＬに与えるか否かを制御する。
【０１９６】
なお、本発明の一態様の表示装置に好適なトランジスタとして酸化物半導体を用いたトランジスタを適用することができる。酸化物半導体を用いたトランジスタの詳細については、実施の形態３の記載を参酌することができる。
【０１９７】
酸化物半導体膜が適用されたトランジスタは、オフ状態でのソースとドレイン間のリーク電流（オフ電流）を、従来のシリコンを用いたトランジスタと比較して極めて低いものとすることができる。オフ電流が極めて小さいトランジスタを画素部３２Ｄに用いることにより、フリッカーの発生を抑制しつつ、フレーム周波数を下げることができる。
【０１９８】
《２．２．２．３．４表示素子》
表示素子３２ＤＶは液晶素子３２ＬＣ、ＥＬ素子３２ＥＬに限られず、例えば、電気泳動を用いる電子インク、シャッター方式のＭＥＭＳ表示素子、光干渉方式のＭＥＭＳ表示素子など、さまざまな表示素子を適用できる。
【０１９９】
例えば、液晶素子３２ＬＣの偏光の透過率は、Ｓ信号の電位により制御することができ、これにより階調を表示することができる。また、反射型の液晶素子、透過型の液晶素子または半透過型の液晶素子を液晶素子３２ＬＣに適用することができる。
【０２００】
《２．２．３光供給部３２Ｌ》
光供給部３２Ｌは光源を備える。例えば、冷陰極蛍光ランプ、発光ダイオード（ＬＥＤ）、ＥＬ素子などを光源に用いることができる。
【０２０１】
制御部３１は制御信号を供給し、光供給部３２Ｌは制御信号が供給されて、光源が制御される。
【０２０２】
光供給部３２Ｌは、例えば画素部３２Ｄに光を供給することができる。具体的には、光供給部３２Ｌをバックライトに用いることができる。
【０２０３】
例えば、透過型の液晶素子または半透過型の液晶素子を表示素子３２ＤＶに適用する場合、光供給部３２Ｌを表示部３２に設けことができる。
【０２０４】
なお、例えばＥＬ素子やＬＥＤ等の自発光型の表示素子を用いる場合、または反射型液晶素子または電子インク等の反射型の表示素子を表示素子３２ＤＶに用いる場合は、表示部３２は光供給部３２Ｌを備えていなくてもよい。
【０２０５】
＜プログラムの構成例＞
本実施の形態で説明するプログラムは、以下の第１のステップ乃至第１３のステップを有する処理を、例えば演算装置１０の演算部１１に実行させる（図４および図５参照）。
【０２０６】
第１のステップにおいて、情報を取得する（図４（Ｕ１））。
【０２０７】
第２のステップにおいて、情報に基づいて画像を生成する（図４（Ｕ２））。
【０２０８】
第３のステップにおいて、割り込み処理を許可する（図４（Ｕ３））。
【０２０９】
第４のステップにおいて、画像を第１のリフレッシュレートで表示する（図４（Ｕ４））。
【０２１０】
第５のステップにおいて、終了命令が供給された場合は第６のステップに進み、供給されなかった場合は第４のステップに進む（図４（Ｕ５））。
【０２１１】
第６のステップにおいて、割り込み処理において取得した、付記および付記を紐付ける先の情報を記録する（図４（Ｕ６））。
【０２１２】
第７のステップにおいて、終了する（図４（Ｕ７））。
【０２１３】
割り込み処理は以下の第８のステップ乃至第１１のステップを備える（図５参照）。
【０２１４】
第８のステップにおいて、第１のイベントが供給された場合は第９のステップに進み、供給されなかった場合は第１３のステップに進む（図５（Ｖ８））。
【０２１５】
第９のステップにおいて、付記および付記を紐付ける先の情報を取得する（図５（Ｖ９））。
【０２１６】
第１０のステップにおいて、付記および紐付ける先の情報を含む画像を生成する（図５（Ｖ１０））。
【０２１７】
第１１のステップにおいて、画像を第２のリフレッシュレートで表示する（図５（Ｖ１１））。
【０２１８】
第１２のステップにおいて、第２のイベントが供給された場合は第１３のステップに進み、供給されなかった場合は第９のステップに進む（図５（Ｖ１２））。
【０２１９】
第１３のステップにおいて、割り込み処理から第４のステップに復帰する（図５（Ｖ１３））。
【０２２０】
本実施の形態で説明するプログラムは、取得した情報に基づく画像を第１のリフレッシュレートで表示するステップと、付記および付記を画像に含まれる情報に紐付ける先の情報を取得するステップと、付記を含む画像を生成するステップと、第２のリフレッシュレートで画像を表示するステップと、付記および付記を画像に含まれる情報に紐付ける先の情報を記憶するステップと、を含んで構成される。
【０２２１】
これにより、情報を含む画像および当該情報に紐付けられた付記を表示する第１のリフレッシュレートを、付記および紐付ける先の情報を取得する際に画像を表示する第２のリフレッシュレートと異ならせることができる。または、付記および付記を紐付ける先の情報を、記録することができる。その結果、新規なプログラムを提供することができる。
【０２２２】
《全体》
例示するプログラムは、第１のステップ乃至第１３のステップを有し、情報処理装置５０の演算部１１に実行させることができる（図４乃至図６参照）。
【０２２３】
例示するプログラムは、主の処理と割り込み処理を有し、主の処理は第１のステップ乃至第７のステップを含み、割り込み処理は第８のステップ乃至第１３のステップを含む。
【０２２４】
また、第４のステップにおいて画像を表示する第１のリフレッシュレートとは異なる第２のリフレッシュレートで、割り込み処理の第１のイベントが供給されてから第２のイベントが供給までの期間において画像を表示する点が、図１を参照しながら説明するプログラムとは異なる。ここでは異なるステップについて詳細に説明し、同様のステップを用いることができる部分は、上記の説明を援用する。
【０２２５】
具体的には、第４のステップ、第８のステップ、第１１のステップおよび第１２のステップについて説明する。
【０２２６】
《第４のステップ》
第４のステップにおいて、画像を第１のリフレッシュレートで表示する（図４（Ｕ４）参照）。
【０２２７】
例えば、前記第４のステップにおいて、前記第２のリフレッシュレートより低い第１のリフレッシュレートを用いて画像を表示することができる。
【０２２８】
これにより、第４のステップにおいて、ちらつきの抑制された画像を表示することができる。
【０２２９】
《第８のステップ》
第８のステップにおいて、第１のイベントが供給された場合は第９のステップに進む。例えば、情報処理装置に表示された情報の一部を選択する命令に関連付けられたイベントを、第１のイベントとすることができる。具体的には、文字列や画像等を選択する命令に関連付けられた、クリックまたはタップなどのイベントを所定のイベントとすることができる。
【０２３０】
《第１１のステップ》
第１１のステップにおいて、画像を第２のリフレッシュレートで表示する（図５（Ｖ１１）参照）。
【０２３１】
例えば、前記第１１のステップにおいて、前記第１のリフレッシュレートより高い第２のリフレッシュレートを用いて画像を表示することができる。
【０２３２】
これにより、紐付けされた付記を含む画像を高い頻度で更新しながら表示することができる。
【０２３３】
《第１２のステップ》
第１２のステップにおいて、第２のイベントが供給された場合は第１３のステップに進み、割り込み処理から復帰する（図５（Ｖ１２）および（Ｖ１３）参照）。なお、第２のイベントは第１３のステップに進む命令と関連付けられていればよく、特に限定されない。
【０２３４】
これにより、第４のステップにおいて、ちらつきの抑制された画像を表示することができる。
【０２３５】
なお、本実施の形態は、本明細書で示す他の実施の形態と適宜組み合わせることができる。
【０２３６】
（実施の形態３）
本実施の形態では、本発明の一態様の情報処理装置に用いることのできるトランジスタの構成について、図８を用いて説明する。
【０２３７】
例えば、実施の形態２で説明する情報処理装置５０に用いることができる。具体的には、表示装置３０が備える表示部３２の画素部に用いることができる。
【０２３８】
図８（Ａ）乃至図８（Ｃ）に、トランジスタ１５１の上面図及び断面図を示す。図８（Ａ）はトランジスタ１５１の上面図であり、図８（Ｂ）は、図８（Ａ）の一点鎖線Ａ−Ｂ間の切断面の断面図に相当し、図８（Ｃ）は、図８（Ａ）の一点鎖線Ｃ−Ｄ間の切断面の断面図に相当する。なお、図８（Ａ）では、明瞭化のため、構成要素の一部を省略して図示している。
【０２３９】
なお、本実施の形態において、第１の電極はトランジスタのソース電極またはドレイン電極の一方を、第２の電極は他方を指すものとする。
【０２４０】
トランジスタ１５１は、基板１０２上に設けられるゲート電極１０４ａと、基板１０２及びゲート電極１０４ａ上に形成される絶縁膜１０６及び絶縁膜１０７を含む第１の絶縁膜１０８と、第１の絶縁膜１０８を介して、ゲート電極１０４ａと重なる酸化物半導体膜１１０と、酸化物半導体膜１１０に接する第１の電極１１２ａ及び第２の電極１１２ｂとを有する。
【０２４１】
また、第１の絶縁膜１０８、酸化物半導体膜１１０、第１の電極１１２ａ及び第２の電極１１２ｂ上に、絶縁膜１１４、１１６、１１８を含む第２の絶縁膜１２０と、第２の絶縁膜１２０上に形成されるゲート電極１２２ｃとを有する。
【０２４２】
ゲート電極１２２ｃは、第１の絶縁膜１０８及び第２の絶縁膜１２０に設けられる開口１４２ｅにおいて、ゲート電極１０４ａと接続する。また、絶縁膜１１８上に画素電極として機能する導電膜１２２ａが形成され、導電膜１２２ａは、第２の絶縁膜１２０に設けられる開口１４２ａにおいて、第２の電極１１２ｂと接続する。
【０２４３】
なお、第１の絶縁膜１０８は、トランジスタ１５１の第１のゲート絶縁膜として機能し、第２の絶縁膜１２０は、トランジスタ１５１の第２のゲート絶縁膜として機能する。また、導電膜１２２ａは、画素電極として機能する。
【０２４４】
本実施の形態に示すトランジスタ１５１は、チャネル幅方向において、ゲート電極１０４ａ及びゲート電極１２２ｃの間に、第１の絶縁膜１０８及び第２の絶縁膜１２０を介して酸化物半導体膜１１０が設けられている。また、ゲート電極１０４ａは図８（Ａ）に示すように、上面形状において、第１の絶縁膜１０８を介して酸化物半導体膜１１０の側面と重なる。
【０２４５】
第１の絶縁膜１０８及び第２の絶縁膜１２０には複数の開口を有する。代表的には、図８（Ｂ）に示すように、第２の電極１１２ｂの一部が露出する開口１４２ａを有する。また、図８（Ｃ）に示すように、開口１４２ｅを有する。
【０２４６】
開口１４２ａにおいて、第２の電極１１２ｂと導電膜１２２ａが接続する。
【０２４７】
また、開口１４２ｅにおいて、ゲート電極１０４ａ及びゲート電極１２２ｃが接続する。
【０２４８】
ゲート電極１０４ａ及びゲート電極１２２ｃを有し、且つゲート電極１０４ａ及びゲート電極１２２ｃを同電位とすることで、キャリアが酸化物半導体膜１１０の広い範囲を流れる。これにより、トランジスタ１５１を移動するキャリアの量が増加する。
【０２４９】
この結果、トランジスタ１５１のオン電流が大きくなる共に、電界効果移動度が高くなり、代表的には電界効果移動度が１０ｃｍ２／Ｖ・ｓ以上、さらには２０ｃｍ２／Ｖ・ｓ以上となる。なお、ここでの電界効果移動度は、酸化物半導体膜の物性値としての移動度の近似値ではなく、トランジスタの飽和領域における電流駆動力の指標であり、見かけ上の電界効果移動度である。
【０２５０】
なお、トランジスタのチャネル長（Ｌ長ともいう。）を０．５μｍ以上６．５μｍ以下、好ましくは１μｍより大きく６μｍ未満、より好ましくは１μｍより大きく４μｍ以下、より好ましくは１μｍより大きく３．５μｍ以下、より好ましくは１μｍより大きく２．５μｍ以下とすることで、電界効果移動度の増加が顕著である。また、チャネル長が０．５μｍ以上６．５μｍ以下のように小さいことで、チャネル幅も小さくすることが可能である。
【０２５１】
また、ゲート電極１０４ａ及びゲート電極１２２ｃを有することで、それぞれが外部からの電界を遮蔽する機能を有するため、基板１０２及びゲート電極１０４ａの間、ゲート電極１２２ｃ上に設けられる荷電粒子等の電荷が、酸化物半導体膜１１０に影響しない。この結果、ストレス試験（例えば、ゲート電極にマイナスの電位を印加する−ＧＢＴ（Ｇａｔｅ  Ｂｉａｓ−Ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ）ストレス試験）の劣化が抑制されると共に、異なるドレイン電圧におけるオン電流の立ち上がり電圧の変動を抑制することができる。
【０２５２】
なお、ＢＴストレス試験は加速試験の一種であり、長期間の使用によって起こるトランジスタの特性変化（即ち、経年変化）を、短時間で評価することができる。特に、ＢＴストレス試験前後におけるトランジスタのしきい値電圧の変動量は、信頼性を調べるための重要な指標となる。ＢＴストレス試験前後において、しきい値電圧の変動量が少ないほど、信頼性が高いトランジスタであるといえる。
【０２５３】
以下に、基板１０２およびトランジスタ１５１を構成する個々の要素について説明する。
【０２５４】
《基板１０２》
基板１０２としては、アルミノシリケートガラス、アルミノホウケイ酸ガラス、バリウムホウケイ酸ガラスなどのガラス材料を用いる。量産する上では、基板１０２は、第８世代（２１６０ｍｍ×２４６０ｍｍ）、第９世代（２４００ｍｍ×２８００ｍｍ、または２４５０ｍｍ×３０５０ｍｍ）、第１０世代（２９５０ｍｍ×３４００ｍｍ）等のマザーガラスを用いることが好ましい。マザーガラスは、処理温度が高く、処理時間が長いと大幅に収縮するため、マザーガラスを使用して量産を行う場合、作製工程の加熱処理は、好ましくは６００℃以下、さらに好ましくは４５０℃以下、さらに好ましくは３５０℃以下とすることが望ましい。
【０２５５】
《ゲート電極１０４ａ》
ゲート電極１０４ａに用いる材料としては、アルミニウム、クロム、銅、タンタル、チタン、モリブデン、タングステンから選ばれた金属元素、または上述した金属元素を成分とする合金か、上述した金属元素を組み合わせた合金等を用いて形成することができる。また、ゲート電極１０４ａに用いる材料は、単層構造でも、二層以上の積層構造としてもよい。例えば、アルミニウム膜上にチタン膜を積層する二層構造、窒化チタン膜上にチタン膜を積層する二層構造、窒化チタン膜上にタングステン膜を積層する二層構造、窒化タンタル膜または窒化タングステン膜上にタングステン膜を積層する二層構造、チタン膜と、そのチタン膜上にアルミニウム膜を積層し、さらにその上にチタン膜を形成する三層構造等がある。また、アルミニウムに、チタン、タンタル、タングステン、モリブデン、クロム、ネオジム、スカンジウムから選ばれた元素の膜、または複数組み合わせた合金膜、もしくは窒化膜を用いてもよい。また、ゲート電極１０４ａに用いる材料としては、例えば、スパッタリング法を用いて形成することができる。
【０２５６】
《第１の絶縁膜１０８》
第１の絶縁膜１０８は、絶縁膜１０６と絶縁膜１０７の２層の積層構造を例示している。なお、第１の絶縁膜１０８の構造はこれに限定されず、例えば、単層構造または３層以上の積層構造としてもよい。
【０２５７】
絶縁膜１０６としては、例えば、窒化酸化シリコン膜、窒化シリコン膜、酸化アルミニウム膜などを用いればよく、ＰＥ−ＣＶＤ装置を用いて積層または単層で設ける。また、絶縁膜１０６を積層構造とした場合、第１の窒化シリコン膜として、欠陥が少ない窒化シリコン膜とし、第１の窒化シリコン膜上に、第２の窒化シリコン膜として、水素放出量及びアンモニア放出量の少ない窒化シリコン膜を設けると好適である。この結果、絶縁膜１０６に含まれる水素及び窒素が、後に形成される酸化物半導体膜１１０へ移動または拡散することを抑制できる。
【０２５８】
絶縁膜１０７としては、酸化シリコン膜、酸化窒化シリコン膜などを用いればよく、ＰＥ−ＣＶＤ装置を用いて積層または単層で設ける。
【０２５９】
また、第１の絶縁膜１０８としては、絶縁膜１０６として、例えば、厚さ４００ｎｍの窒化シリコン膜を形成し、その後、絶縁膜１０７として、厚さ５０ｎｍの酸化窒化シリコン膜を形成する積層構造を用いることができる。該窒化シリコン膜と、該酸化窒化シリコン膜は、真空中で連続して形成すると不純物の混入が抑制され好ましい。なお、ゲート電極１０４ａと重畳する位置の第１の絶縁膜１０８は、トランジスタ１５１のゲート絶縁膜として機能する。また、窒化酸化シリコンとは、窒素の含有量が酸素の含有量より大きい絶縁材料であり、他方、酸化窒化シリコンとは、酸素の含有量が窒素の含有量より大きな絶縁材料のことをいう。
【０２６０】
《酸化物半導体膜１１０》
酸化物半導体膜１１０は、酸化物半導体を用いると好ましく、該酸化物半導体としては、少なくともインジウム（Ｉｎ）、亜鉛（Ｚｎ）及びＭ（Ａｌ、Ｇａ、Ｇｅ、Ｙ、Ｚｒ、Ｓｎ、Ｌａ、ＣｅまたはＨｆ等の金属）を含むＩｎ−Ｍ−Ｚｎ酸化物で表記される膜を含むことが好ましい。または、ＩｎとＺｎの双方を含むことが好ましい。また、該酸化物半導体を用いたトランジスタの電気特性のばらつきを減らすため、それらと共に、スタビライザーを含むことが好ましい。
【０２６１】
スタビライザーとしては、ガリウム（Ｇａ）、スズ（Ｓｎ）、ハフニウム（Ｈｆ）、アルミニウム（Ａｌ）、またはジルコニウム（Ｚｒ）等がある。また、他のスタビライザーとしては、ランタノイドである、ランタン（Ｌａ）、セリウム（Ｃｅ）、プラセオジム（Ｐｒ）、ネオジム（Ｎｄ）、サマリウム（Ｓｍ）、ユウロピウム（Ｅｕ）、ガドリニウム（Ｇｄ）、テルビウム（Ｔｂ）、ジスプロシウム（Ｄｙ）、ホルミウム（Ｈｏ）、エルビウム（Ｅｒ）、ツリウム（Ｔｍ）、イッテルビウム（Ｙｂ）、ルテチウム（Ｌｕ）等がある。
【０２６２】
酸化物半導体膜１１０を構成する酸化物半導体として、例えば、Ｉｎ−Ｇａ−Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ−Ａｌ−Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ−Ｓｎ−Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ−Ｈｆ−Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ−Ｌａ−Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ−Ｃｅ−Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ−Ｐｒ−Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ−Ｎｄ−Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ−Ｓｍ−Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ−Ｅｕ−Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ−Ｇｄ−Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ−Ｔｂ−Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ−Ｄｙ−Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ−Ｈｏ−Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ−Ｅｒ−Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ−Ｔｍ−Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ−Ｙｂ−Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ−Ｌｕ−Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ−Ｓｎ−Ｇａ−Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ−Ｈｆ−Ｇａ−Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ−Ａｌ−Ｇａ−Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ−Ｓｎ−Ａｌ−Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ−Ｓｎ−Ｈｆ−Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ−Ｈｆ−Ａｌ−Ｚｎ系酸化物を用いることができる。
【０２６３】
なお、ここで、Ｉｎ−Ｇａ−Ｚｎ系酸化物とは、ＩｎとＧａとＺｎを主成分として有する酸化物という意味であり、ＩｎとＧａとＺｎの比率は問わない。また、ＩｎとＧａとＺｎ以外の金属元素が入っていてもよい。
【０２６４】
酸化物半導体膜１１０の成膜方法は、スパッタリング法、ＭＢＥ（Ｍｏｌｅｃｕｌａｒ  Ｂｅａｍ  Ｅｐｉｔａｘｙ）法、ＣＶＤ法、パルスレーザ堆積法、ＡＬＤ（Ａｔｏｍｉｃ  Ｌａｙｅｒ  Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法等を適宜用いることができる。とくに、酸化物半導体膜１１０を成膜する際、スパッタリング法を用いると緻密な膜が形成されるため、好適である。
【０２６５】
酸化物半導体膜１１０として、酸化物半導体膜を成膜する際、できる限り膜中に含まれる水素濃度を低減させることが好ましい。水素濃度を低減させるには、例えば、スパッタリング法を用いて成膜を行う場合には、成膜室内を高真空排気するのみならずスパッタガスの高純度化も必要である。スパッタガスとして用いる酸素ガスやアルゴンガスは、露点が−４０℃以下、好ましくは−８０℃以下、より好ましくは−１００℃以下、より好ましくは−１２０℃以下にまで高純度化したガスを用いることで酸化物半導体膜に水分等が取り込まれることを可能な限り防ぐことができる。
【０２６６】
また、成膜室内の残留水分を除去するためには、吸着型の真空ポンプ、例えば、クライオポンプ、イオンポンプ、チタンサブリメーションポンプを用いることが好ましい。また、ターボ分子ポンプにコールドトラップを加えたものであってもよい。クライオポンプを用いて排気した成膜室は、例えば、水素分子、水（Ｈ２Ｏ）など水素原子を含む化合物（より好ましくは炭素原子を含む化合物も）等の排気能力が高いため、当該成膜室で成膜した膜中に含まれる不純物の濃度を低減できる。
【０２６７】
また、酸化物半導体膜１１０として、酸化物半導体膜をスパッタリング法で成膜する場合、成膜に用いる金属酸化物ターゲットの相対密度（充填率）は９０％以上１００％以下、好ましくは９５％以上１００％以下とする。相対密度の高い金属酸化物ターゲットを用いることにより、成膜される膜を緻密な膜とすることができる。
【０２６８】
なお、基板１０２を高温に保持した状態で酸化物半導体膜１１０として、酸化物半導体膜を形成することも、酸化物半導体膜中に含まれうる不純物濃度を低減するのに有効である。基板１０２を加熱する温度としては、１５０℃以上４５０℃以下とすればよく、好ましくは基板温度が２００℃以上３５０℃以下とすればよい。
【０２６９】
次に、第１の加熱処理を行うこがと好ましい。第１の加熱処理は、２５０℃以上６５０℃以下、好ましくは３００℃以上５００℃以下の温度で、不活性ガス雰囲気、酸化性ガスを１０ｐｐｍ以上含む雰囲気、または減圧状態で行えばよい。また、第１の加熱処理の雰囲気は、不活性ガス雰囲気で加熱処理した後に、脱離した酸素を補うために酸化性ガスを１０ｐｐｍ以上含む雰囲気で行ってもよい。第１の加熱処理によって、酸化物半導体膜１１０に用いる酸化物半導体の結晶性を高め、さらに第１の絶縁膜１０８及び酸化物半導体膜１１０から水素や水などの不純物を除去することができる。なお、酸化物半導体膜１１０を島状に加工する前に第１の加熱工程を行ってもよい。
【０２７０】
《第１の電極、第２の電極》
第１の電極１１２ａおよび第２の電極１１２ｂに用いることのできる導電膜１１２の材料としては、アルミニウム、チタン、クロム、ニッケル、銅、イットリウム、ジルコニウム、モリブデン、銀、タンタル、またはタングステンからなる単体金属、またはこれを主成分とする合金を単層構造または積層構造として用いることができる。とくに、アルミニウム、クロム、銅、タンタル、チタン、モリブデン、タングステンの中から選択される一以上の元素を含むと好ましい。例えば、アルミニウム膜上にチタン膜を積層する二層構造、タングステン膜上にチタン膜を積層する二層構造、銅−マグネシウム−アルミニウム合金膜上に銅膜を積層する二層構造、チタン膜または窒化チタン膜と、そのチタン膜または窒化チタン膜上に重ねてアルミニウム膜または銅膜を積層し、さらにその上にチタン膜または窒化チタン膜を形成する三層構造、モリブデン膜または窒化モリブデン膜と、そのモリブデン膜または窒化モリブデン膜上に重ねてアルミニウム膜または銅膜を積層し、さらにその上にモリブデン膜または窒化モリブデン膜を形成する三層構造等がある。なお、酸化インジウム、酸化錫または酸化亜鉛を含む透明導電材料を用いてもよい。また、導電膜は、例えば、スパッタリング法を用いて形成することができる。
【０２７１】
《絶縁膜１１４、１１６》
第２の絶縁膜１２０は、絶縁膜１１４、１１６、１１８の３層の積層構造を例示している。なお、第２の絶縁膜１２０の構造はこれに限定されず、例えば、単層構造、２層の積層構造、または４層以上の積層構造としてもよい。
【０２７２】
絶縁膜１１４、１１６としては、酸化物半導体膜１１０として用いる酸化物半導体との界面特性を向上させるため、酸素を含む無機絶縁材料を用いることができる。酸素を含む無機絶縁材料としては、例えば酸化シリコン膜、または酸化窒化シリコン膜等が挙げられる。また、絶縁膜１１４、１１６としては、例えば、ＰＥ−ＣＶＤ法を用いて形成することができる。
【０２７３】
絶縁膜１１４の厚さは、５ｎｍ以上１５０ｎｍ以下、好ましくは５ｎｍ以上５０ｎｍ以下、好ましくは１０ｎｍ以上３０ｎｍ以下とすることができる。絶縁膜１１６の厚さは、３０ｎｍ以上５００ｎｍ以下、好ましくは１５０ｎｍ以上４００ｎｍ以下とすることができる。
【０２７４】
また、絶縁膜１１４、１１６は、同種の材料の絶縁膜を用いることができるため、絶縁膜１１４と絶縁膜１１６の界面が明確に確認できない場合がある。したがって、本実施の形態においては、絶縁膜１１４と絶縁膜１１６の界面は、破線で図示している。なお、本実施の形態においては、絶縁膜１１４と絶縁膜１１６の２層構造について、説明したが、これに限定されず、例えば、絶縁膜１１４の単層構造、絶縁膜１１６の単層構造、または３層以上の積層構造としてもよい。
【０２７５】
絶縁膜１１８は、外部からの不純物、例えば、水、アルカリ金属、アルカリ土類金属等が、酸化物半導体膜１１０へ拡散するのを防ぐ材料で形成される膜であり、更には水素を含む。
【０２７６】
絶縁膜１１８の一例としては、厚さ１５０ｎｍ以上４００ｎｍ以下の窒化シリコン膜、窒化酸化シリコン膜等を用いることができる。本実施の形態においては、絶縁膜１１８として、厚さ１５０ｎｍの窒化シリコン膜を用いる。
【０２７７】
また、上記窒化シリコン膜は、不純物等からのブロック性を高めるために、高温で成膜されることが好ましく、例えば基板温度１００℃以上基板の歪み点以下、より好ましくは３００℃以上４００℃以下の温度で加熱して成膜することが好ましい。また高温で成膜する場合は、酸化物半導体膜１１０として用いる酸化物半導体から酸素が脱離し、キャリア濃度が上昇する現象が発生することがあるため、このような現象が発生しない温度とする。
【０２７８】
《導電膜１２２ａ、ゲート電極１２２ｃ》
導電膜１２２ａ、ゲート電極１２２ｃに用いることのできる導電膜としては、インジウムを含む酸化物を用いればよい。例えば、酸化タングステンを含むインジウム酸化物、酸化タングステンを含むインジウム亜鉛酸化物、酸化チタンを含むインジウム酸化物、酸化チタンを含むインジウム錫酸化物、インジウム錫酸化物（以下、ＩＴＯと示す。）、インジウム亜鉛酸化物、酸化ケイ素を添加したインジウム錫酸化物などの透光性を有する導電性材料を用いることができる。また、導電膜１２２ａ、１２２ｂに用いることのできる導電膜としては、例えば、スパッタリング法を用いて形成することができる。
【０２７９】
なお、本実施の形態に示す構成及び方法などは、他の実施の形態に示す構成及び方法などと適宜組み合わせて用いることができる。
【０２８０】
（実施の形態４）
本実施の形態では、本発明の一態様の情報処理装置の表示部および操作部に適用することができる折り曲げ可能なタッチパネルの構成について、図９を参照しながら説明する。
【０２８１】
図９（Ａ）は本発明の一態様の情報処理装置５０に適用可能なタッチパネルの構造を説明する上面図である。
【０２８２】
図９（Ｂ）は図９（Ａ）の切断線Ａ−Ｂおよび切断線Ｃ−Ｄにおける断面図である。
【０２８３】
図９（Ｃ）は図９（Ａ）の切断線Ｅ−Ｆにおける断面図である。
【０２８４】
＜上面図の説明＞
本実施の形態で例示するタッチパネル３００は表示部３０１を有する（図９（Ａ）参照）。
【０２８５】
表示部３０１は、複数の画素３０２と複数の撮像画素３０８を備える。撮像画素３０８は表示部３０１に触れる指等を検知することができる。これにより、撮像画素３０８を用いてタッチセンサを構成することができる。
【０２８６】
画素３０２は、複数の副画素（例えば副画素３０２Ｒ）を備え、副画素は発光素子および発光素子を駆動する電力を供給することができる画素回路を備える。
【０２８７】
画素回路は、選択信号を供給することができる配線および画像信号を供給することができる配線と、電気的に接続される。
【０２８８】
また、タッチパネル３００は選択信号を画素３０２に供給することができる走査線駆動回路３０３ｇ（１）と、画像信号を画素３０２に供給することができる画像信号線駆動回路３０３ｓ（１）を備える。
【０２８９】
撮像画素３０８は、光電変換素子および光電変換素子を駆動する撮像画素回路を備える。
【０２９０】
撮像画素回路は、制御信号を供給することができる配線および電源電位を供給することができる配線と電気的に接続される。
【０２９１】
制御信号としては、例えば記録された撮像信号を読み出す撮像画素回路を選択することができる信号、撮像画素回路を初期化することができる信号、および撮像画素回路が光を検知する時間を決定することができる信号などを挙げることができる。
【０２９２】
タッチパネル３００は制御信号を撮像画素３０８に供給することができる撮像画素駆動回路３０３ｇ（２）と、撮像信号を読み出す撮像信号線駆動回路３０３ｓ（２）を備える。
【０２９３】
＜断面図の説明＞
タッチパネル３００は、基板３１０および基板３１０に対向する対向基板３７０を有する（図９（Ｂ）参照）。
【０２９４】
基板３１０および対向基板３７０に可撓性を有する材料を適用することにより、可撓性をタッチパネル３００に付与することができる。
【０２９５】
なお、可撓性を有するタッチパネル３００を変形すると、タッチパネル３００に設けられた機能素子は応力を受ける。機能素子を基板３１０と対向基板３７０のおよそ中央に配置すると機能素子の変形を抑制することができ好ましい。
【０２９６】
また、線膨張率がおよそ等しい材料を基板３１０および対向基板３７０に用いると好ましい。例えば、材料の線膨張率が１×１０−３／Ｋ以下、好ましくは５×１０−５／Ｋ以下、より好ましくは１×１０−５／Ｋ以下であるとよい。
【０２９７】
例えば、ポリエステル、ポリオレフィン、ポリアミド（ナイロン、アラミド等）、ポリイミド、ポリカーボネートまたはアクリル、ウレタン、エポキシもしくはシロキサン結合を有する樹脂含む材料を基板３１０および対向基板３７０に用いることができる。
【０２９８】
基板３１０は、可撓性を有する基板３１０ｂ、意図しない不純物の発光素子への拡散を防ぐバリア膜３１０ａおよび基板３１０ｂとバリア膜３１０ａを貼り合わせる樹脂層３１０ｃが積層された積層体である。
【０２９９】
対向基板３７０は、可撓性を有する基材３７０ｂ、意図しない不純物の発光素子への拡散を防ぐバリア膜３７０ａおよび基材３７０ｂとバリア膜３７０ａを貼り合わせる樹脂層３７０ｃの積層体である（図９（Ｂ）参照）。
【０３００】
封止材３６０は対向基板３７０と基板３１０を貼り合わせている。また、封止材３６０は空気より大きい屈折率を備え、光学接合層を兼ねる。画素回路および発光素子（例えば第１の発光素子３５０Ｒ）は基板３１０と対向基板３７０の間にある。
【０３０１】
《画素の構成》
画素３０２は、副画素３０２Ｒ、副画素３０２Ｇおよび副画素３０２Ｂを有する（図９（Ｃ）参照）。また、副画素３０２Ｒは発光モジュール３８０Ｒを備え、副画素３０２Ｇは発光モジュール３８０Ｇを備え、副画素３０２Ｂは発光モジュール３８０Ｂを備える。
【０３０２】
例えば副画素３０２Ｒは、第１の発光素子３５０Ｒおよび第１の発光素子３５０Ｒに電力を供給することができるトランジスタ３０２ｔを含む画素回路を備える（図９（Ｂ）参照）。また、発光モジュール３８０Ｒは第１の発光素子３５０Ｒおよび光学素子（例えば着色層３６７Ｒ）を備える。
【０３０３】
発光素子３５０Ｒは、第１の下部電極３５１Ｒ、上部電極３５２、下部電極３５１Ｒと上部電極３５２の間に発光性の有機化合物を含む層３５３を有する（図９（Ｃ）参照）。
【０３０４】
発光性の有機化合物を含む層３５３は、発光ユニット３５３ａ、発光ユニット３５３ｂおよび発光ユニット３５３ａと発光ユニット３５３ｂの間に中間層３５４を備える。
【０３０５】
発光モジュール３８０Ｒは、第１の着色層３６７Ｒを対向基板３７０に有する。着色層は特定の波長を有する光を透過するものであればよく、例えば赤色、緑色または青色等を呈する光を選択的に透過するものを用いることができる。または、発光素子の発する光をそのまま透過する領域を設けてもよい。
【０３０６】
例えば、発光モジュール３８０Ｒは、第１の発光素子３５０Ｒと第１の着色層３６７Ｒに接する封止材３６０を有する。
【０３０７】
第１の着色層３６７Ｒは第１の発光素子３５０Ｒと重なる位置にある。これにより、発光素子３５０Ｒが発する光の一部は、光学接合層を兼ねる封止材３６０および第１の着色層３６７Ｒを透過して、図中の矢印に示すように発光モジュール３８０Ｒの外部に射出される。
【０３０８】
《表示パネルの構成》
タッチパネル３００は、遮光層３６７ＢＭを対向基板３７０に有する。遮光層３６７ＢＭは、着色層（例えば第１の着色層３６７Ｒ）を囲むように設けられている。
【０３０９】
タッチパネル３００は、反射防止層３６７ｐを表示部３０１に重なる位置に備える。反射防止層３６７ｐとして、例えば円偏光板を用いることができる。
【０３１０】
タッチパネル３００は、絶縁膜３２１を備える。絶縁膜３２１はトランジスタ３０２ｔを覆っている。なお、絶縁膜３２１は画素回路に起因する凹凸を平坦化するための層として用いることができる。また、不純物のトランジスタ３０２ｔ等への拡散を抑制することができる層が積層された絶縁膜を、絶縁膜３２１に適用することができる。
【０３１１】
タッチパネル３００は、発光素子（例えば第１の発光素子３５０Ｒ）を絶縁膜３２１上に有する。
【０３１２】
タッチパネル３００は、第１の下部電極３５１Ｒの端部に重なる隔壁３２８を絶縁膜３２１上に有する（図９（Ｃ）参照）。また、基板３１０と対向基板３７０の間隔を制御するスペーサ３２９を、隔壁３２８上に有する。
【０３１３】
《画像信号線駆動回路の構成》
画像信号線駆動回路３０３ｓ（１）は、トランジスタ３０３ｔおよび容量３０３ｃを含む。なお、駆動回路は画素回路と同一の工程で同一基板上に形成することができる。
【０３１４】
《撮像画素の構成》
撮像画素３０８は、光電変換素子３０８ｐおよび光電変換素子３０８ｐに照射された光を検知するための撮像画素回路を備える。また、撮像画素回路は、トランジスタ３０８ｔを含む。
【０３１５】
例えばｐｉｎ型のフォトダイオードを光電変換素子３０８ｐに用いることができる。
【０３１６】
《他の構成》
タッチパネル３００は、信号を供給することができる配線３１１を備え、端子３１９が配線３１１に設けられている。なお、画像信号および同期信号等の信号を供給することができるＦＰＣ３０９（１）が端子３１９に電気的に接続されている。
【０３１７】
なお、ＦＰＣ３０９（１）にはプリント配線基板（ＰＷＢ）が取り付けられていても良い。
【０３１８】
同一の工程で形成されたトランジスタを、トランジスタ３０２ｔ、トランジスタ３０３ｔ、トランジスタ３０８ｔ等のトランジスタに適用できる。
【０３１９】
ボトムゲート型、トップゲート型等の構造を有するトランジスタを適用できる。
【０３２０】
様々な半導体をトランジスタに適用できる。例えば、酸化物半導体、単結晶シリコン、ポリシリコンまたはアモルファスシリコンなどを適用できる。
【０３２１】
なお、本実施の形態は、本明細書で示す他の実施の形態と適宜組み合わせることができる。
【０３２２】
（実施の形態５）
本実施の形態では、本発明の一態様の情報処理装置に適用することができる折り曲げ可能なタッチパネルの構成について、図１０及び図１１を参照しながら説明する。
【０３２３】
図１０（Ａ）は、本実施の形態で例示するタッチパネル５００の斜視図である。なお明瞭化のため、代表的な構成要素を図１０に示す。図１０（Ｂ）は、タッチパネル５００の斜視図である。
【０３２４】
図１１は、図１０（Ａ）に示すタッチパネル５００のＸ１−Ｘ２における断面図である。
【０３２５】
タッチパネル５００は、表示部５０１とタッチセンサ５９５を備える（図１０（Ｂ）参照）。また、タッチパネル５００は、基板５１０、基板５７０および基板５９０を有する。なお、基板５１０、基板５７０および基板５９０はいずれも可撓性を有する。
【０３２６】
表示部５０１は、基板５１０、基板５１０上に複数の画素および当該画素に信号を供給することができる複数の配線５１１を備える。複数の配線５１１は、基板５１０の外周部にまで引き回され、その一部が端子５１９を構成している。端子５１９はＦＰＣ５０９（１）と電気的に接続する。
【０３２７】
＜タッチセンサ＞
基板５９０には、タッチセンサ５９５と、タッチセンサ５９５と電気的に接続する複数の配線５９８を備える。複数の配線５９８は基板５９０の外周部に引き回され、その一部は端子を構成する。そして、当該端子はＦＰＣ５０９（２）と電気的に接続される。なお、図１０（Ｂ）では明瞭化のため、基板５９０の裏面側（紙面奥側）に設けられるタッチセンサ５９５の電極や配線等を実線で示している。
【０３２８】
タッチセンサ５９５として、例えば静電容量方式のタッチセンサを適用できる。静電容量方式としては、表面型静電容量方式、投影型静電容量方式等がある。
【０３２９】
投影型静電容量方式としては、主に駆動方式の違いから自己容量方式、相互容量方式などがある。相互容量方式を用いると同時多点検出が可能となるため好ましい。
【０３３０】
以下では、投影型静電容量方式のタッチセンサを適用する場合について、図１０（Ｂ）を用いて説明する。
【０３３１】
なお、指等の検知対象の近接または接触を検知することができるさまざまなセンサを適用することができる。
【０３３２】
投影型静電容量方式のタッチセンサ５９５は、電極５９１と電極５９２を有する。電極５９１は複数の配線５９８のいずれかと電気的に接続し、電極５９２は複数の配線５９８の他のいずれかと電気的に接続する。
【０３３３】
電極５９２は、図１０（Ａ）、（Ｂ）に示すように、一方向に繰り返し配置された複数の四辺形が角部で接続された形状を有する。
【０３３４】
電極５９１は四辺形であり、電極５９２が延在する方向と交差する方向に繰り返し配置されている。
【０３３５】
配線５９４は、電極５９２を挟む二つの電極５９１を電気的に接続する。このとき、電極５９２と配線５９４の交差部の面積ができるだけ小さくなる形状が好ましい。これにより、電極が設けられていない領域の面積を低減でき、透過率のムラを低減できる。その結果、タッチセンサ５９５を透過する光の輝度ムラを低減することができる。
【０３３６】
なお、電極５９１、電極５９２の形状はこれに限られず、様々な形状を取りうる。例えば、複数の電極５９１をできるだけ隙間が生じないように配置し、絶縁層を介して電極５９２を、電極５９１と重ならない領域ができるように離間して複数設ける構成としてもよい。このとき、隣接する２つの電極５９２の間に、これらとは電気的に絶縁されたダミー電極を設けると、透過率の異なる領域の面積を低減できるため好ましい。
【０３３７】
タッチセンサ５９５の構成を、図１１を用いて説明する。
【０３３８】
タッチセンサ５９５は、基板５９０、基板５９０上に千鳥状に配置された電極５９１及び電極５９２、電極５９１及び電極５９２を覆う絶縁層５９３並びに隣り合う電極５９１を電気的に接続する配線５９４を備える。
【０３３９】
樹脂層５９７は、タッチセンサ５９５が表示部５０１に重なるように、基板５９０を基板５７０に貼り合わせている。
【０３４０】
電極５９１及び電極５９２は、透光性を有する導電材料を用いて形成する。透光性を有する導電性材料としては、酸化インジウム、インジウム錫酸化物、インジウム亜鉛酸化物、酸化亜鉛、ガリウムを添加した酸化亜鉛などの導電性酸化物を用いることができる。なお、グラフェンを含む膜を用いることもできる。グラフェンを含む膜は、例えば膜状に形成された酸化グラフェンを含む膜を還元して形成することができる。還元する方法としては、熱を加える方法等を挙げることができる。
【０３４１】
透光性を有する導電性材料を基板５９０上にスパッタリング法により成膜した後、フォトリソグラフィ法等の様々なパターニング技術により、不要な部分を除去して、電極５９１及び電極５９２を形成することができる。
【０３４２】
また、絶縁層５９３に用いる材料としては、例えば、アクリル、エポキシなどの樹脂、シロキサン結合を有する樹脂の他、酸化シリコン、酸化窒化シリコン、酸化アルミニウムなどの無機絶縁材料を用いることもできる。
【０３４３】
また、電極５９１に達する開口が絶縁層５９３に設けられ、配線５９４が隣接する電極５９１を電気的に接続する。透光性の導電性材料は、タッチパネルの開口率を高まることができるため、配線５９４に好適に用いることができる。また、電極５９１及び電極５９２より導電性の高い材料は、電気抵抗を低減できるため配線５９４に好適に用いることができる。
【０３４４】
一の電極５９２は一方向に延在し、複数の電極５９２がストライプ状に設けられている。
【０３４５】
配線５９４は電極５９２と交差して設けられている。
【０３４６】
一対の電極５９１が一の電極５９２を挟んで設けられ、配線５９４は一対の電極５９１を電気的に接続している。
【０３４７】
なお、複数の電極５９１は、一の電極５９２と必ずしも直交する方向に配置される必要はなく、９０度未満の角度をなすように配置されてもよい。
【０３４８】
一の配線５９８は、電極５９１又は電極５９２と電気的に接続される。配線５９８の一部は、端子として機能する。配線５９８としては、例えば、アルミニウム、金、白金、銀、ニッケル、チタン、タングステン、クロム、モリブデン、鉄、コバルト、銅、又はパラジウム等の金属材料や、該金属材料を含む合金材料を用いることができる。
【０３４９】
なお、絶縁層５９３及び配線５９４を覆う絶縁層を設けて、タッチセンサ５９５を保護することができる。
【０３５０】
また、接続層５９９は、配線５９８とＦＰＣ５０９（２）を電気的に接続する。
【０３５１】
接続層５９９としては、様々な異方性導電フィルム（ＡＣＦ：ＡｎｉｓｏｔｒｏｐｉｃＣｏｎｄｕｃｔｉｖｅ  Ｆｉｌｍ）や、異方性導電ペースト（ＡＣＰ：Ａｎｉｓｏｔｒｏｐｉｃ  Ｃｏｎｄｕｃｔｉｖｅ  Ｐａｓｔｅ）などを用いることができる。
【０３５２】
樹脂層５９７は、透光性を有する。例えば、熱硬化性樹脂や紫外線硬化樹脂を用いることができ、具体的には、アクリル、ウレタン、エポキシ、またはシロキサン結合を有する樹脂などの樹脂を用いることができる。
【０３５３】
＜表示部＞
表示部５０１は、マトリクス状に配置された複数の画素を備える。画素は表示素子と表示素子を駆動する画素回路を備える。
【０３５４】
本実施の形態では、白色の光を射出する有機エレクトロルミネッセンス素子を表示素子に適用する場合について説明するが、表示素子はこれに限られない。
【０３５５】
例えば、副画素毎に射出する光の色が異なるように、発光色が異なる有機エレクトロルミネッセンス素子を副画素毎に適用してもよい。
【０３５６】
また、有機エレクトロルミネッセンス素子の他、電気泳動方式や電子粉流体方式やエレクトロウェッティング方式などにより表示を行う表示素子（電子インクともいう）、シャッター方式のＭＥＭＳ表示素子、光干渉方式のＭＥＭＳ表示素子、液晶素子など、様々な表示素子を表示素子に用いることができる。
【０３５７】
また、透過型液晶ディスプレイ、半透過型液晶ディスプレイ、反射型液晶ディスプレイ、直視型液晶ディスプレイなどにも適用できる。なお、半透過型液晶ディスプレイや反射型液晶ディスプレイを実現する場合には、画素電極の一部、または、全部が、反射電極としての機能を有するようにすればよい。例えば、画素電極の一部、または、全部が、アルミニウム、銀、などを有するようにすればよい。さらに、その場合、反射電極の下に、ＳＲＡＭなどの記憶回路を設けることも可能である。これにより、さらに、消費電力を低減することができる。また、適用する表示素子に好適な構成を様々な画素回路から選択して用いることができる。
【０３５８】
また、表示部において、画素に能動素子を有するアクティブマトリクス方式、または、画素に能動素子を有しないパッシブマトリクス方式を用いることが出来る。
【０３５９】
アクティブマトリクス方式では、能動素子（アクティブ素子、非線形素子）として、トランジスタだけでなく、さまざまな能動素子（アクティブ素子、非線形素子）を用いることが出来る。例えば、ＭＩＭ（Ｍｅｔａｌ  Ｉｎｓｕｌａｔｏｒ  Ｍｅｔａｌ）、又はＴＦＤ（Ｔｈｉｎ  Ｆｉｌｍ  Ｄｉｏｄｅ）などを用いることも可能である。これらの素子は、製造工程が少ないため、製造コストの低減、又は歩留まりの向上を図ることができる。または、これらの素子は、素子のサイズが小さいため、開口率を向上させることができ、低消費電力化や高輝度化をはかることが出来る。
【０３６０】
アクティブマトリクス方式以外のものとして、能動素子（アクティブ素子、非線形素子）を用いないパッシブマトリクス型を用いることも可能である。能動素子（アクティブ素子、非線形素子）を用いないため、製造工程が少ないため、製造コストの低減、又は歩留まりの向上を図ることができる。または、能動素子（アクティブ素子、非線形素子）を用いないため、開口率を向上させることができ、低消費電力化、又は高輝度化などを図ることが出来る。
【０３６１】
可撓性を有する材料を基板５１０および基板５７０に好適に用いることができる。
【０３６２】
意図しない不純物の透過が抑制された材料を基板５１０および基板５７０に用いることができる。例えば、水蒸気の透過率が１０−５ｇ／ｍ２・ｄａｙ以下、好ましくは１０−６ｇ／ｍ２・ｄａｙ以下である材料を好適に用いることができる。
【０３６３】
線膨張率がおよそ等しい材料を基板５１０および基板５７０に好適に用いることができる。例えば、線膨張率が１×１０−３／Ｋ以下、好ましくは５×１０−５／Ｋ以下、より好ましくは１×１０−５／Ｋ以下である材料を好適に用いることができる。
【０３６４】
基板５１０は、可撓性を有する基板５１０ｂ、意図しない不純物の発光素子への拡散を防ぐバリア膜５１０ａおよび基板５１０ｂとバリア膜５１０ａを貼り合わせる樹脂層５１０ｃが積層された積層体である。
【０３６５】
例えば、ポリエステル、ポリオレフィン、ポリアミド（ナイロン、アラミド等）、ポリイミド、ポリカーボネートまたはアクリル、ウレタン、エポキシもしくはシロキサン結合を有する樹脂含む材料を樹脂層５１０ｃに用いることができる。
【０３６６】
基板５７０は、可撓性を有する基板５７０ｂ、意図しない不純物の発光素子への拡散を防ぐバリア膜５７０ａおよび基板５７０ｂとバリア膜５７０ａを貼り合わせる樹脂層５７０ｃの積層体である。
【０３６７】
封止材５６０は基板５７０と基板５１０を貼り合わせている。封止材５６０は空気より大きい屈折率を備える。また、封止材５６０側に光を取り出す場合は、封止材５６０は光学接合層を兼ねる。画素回路および発光素子（例えば第１の発光素子５５０Ｒ）は基板５１０と基板５７０の間にある。
【０３６８】
《画素の構成》
画素は、副画素５０２Ｒを含み、副画素５０２Ｒは発光モジュール５８０Ｒを備える。
【０３６９】
副画素５０２Ｒは、第１の発光素子５５０Ｒおよび第１の発光素子５５０Ｒに電力を供給することができるトランジスタ５０２ｔを含む画素回路を備える。また、発光モジュール５８０Ｒは第１の発光素子５５０Ｒおよび光学素子（例えば着色層５６７Ｒ）を備える。
【０３７０】
発光素子５５０Ｒは、下部電極、上部電極、下部電極と上部電極の間に発光性の有機化合物を含む層を有する。
【０３７１】
発光モジュール５８０Ｒは、光を取り出す方向に第１の着色層５６７Ｒを有する。着色層は特定の波長を有する光を透過するものであればよく、例えば赤色、緑色または青色等を呈する光を選択的に透過するものを用いることができる。なお、他の副画素において、発光素子の発する光をそのまま透過する領域を設けてもよい。
【０３７２】
また、封止材５６０が光を取り出す側に設けられている場合、封止材５６０は、第１の発光素子５５０Ｒと第１の着色層５６７Ｒに接する。
【０３７３】
第１の着色層５６７Ｒは第１の発光素子５５０Ｒと重なる位置にある。これにより、発光素子５５０Ｒが発する光の一部は第１の着色層５６７Ｒを透過して、図中に示す矢印の方向の発光モジュール５８０Ｒの外部に射出される。
【０３７４】
《表示部の構成》
表示部５０１は、光を射出する方向に遮光層５６７ＢＭを有する。遮光層５６７ＢＭは、着色層（例えば第１の着色層５６７Ｒ）を囲むように設けられている。
【０３７５】
表示部５０１は、反射防止層５６７ｐを画素に重なる位置に備える。反射防止層５６７ｐとして、例えば円偏光板を用いることができる。
【０３７６】
表示部５０１は、絶縁膜５２１を備える。絶縁膜５２１はトランジスタ５０２ｔを覆っている。なお、絶縁膜５２１は画素回路に起因する凹凸を平坦化するための層として用いることができる。また、不純物の拡散を抑制できる層を含む積層膜を、絶縁膜５２１に適用することができる。これにより、予期せぬ不純物の拡散によるトランジスタ５０２ｔ等の信頼性の低下を抑制できる。
【０３７７】
表示部５０１は、発光素子（例えば第１の発光素子５５０Ｒ）を絶縁膜５２１上に有する。
【０３７８】
表示部５０１は、第１の下部電極の端部に重なる隔壁５２８を絶縁膜５２１上に有する。また、基板５１０と基板５７０の間隔を制御するスペーサを、隔壁５２８上に有する。
【０３７９】
《走査線駆動回路の構成》
走査線駆動回路５０３ｇ（１）は、トランジスタ５０３ｔおよび容量５０３ｃを含む。なお、駆動回路を画素回路と同一の工程で同一基板上に形成することができる。
【０３８０】
《他の構成》
表示部５０１は、信号を供給することができる配線５１１を備え、端子５１９が配線５１１に設けられている。なお、画像信号および同期信号等の信号を供給することができるＦＰＣ５０９（１）が端子５１９に電気的に接続されている。
【０３８１】
なお、ＦＰＣ５０９（１）にはプリント配線基板（ＰＷＢ）が取り付けられていても良い。
【０３８２】
表示部５０１は、走査線、信号線および電源線等の配線を有する。様々導電膜を配線に用いることができる。
【０３８３】
具体的には、アルミニウム、クロム、銅、タンタル、チタン、モリブデン、タングステン、ニッケル、イットリウム、ジルコニウム、銀またはマンガンから選ばれた金属元素、上述した金属元素を成分とする合金または上述した金属元素を組み合わせた合金等を用いることができる。とくに、アルミニウム、クロム、銅、タンタル、チタン、モリブデン、タングステンの中から選択される一以上の元素を含むと好ましい。特に、銅とマンガンの合金がウエットエッチング法を用いた微細加工に好適である。
【０３８４】
具体的には、アルミニウム膜上にチタン膜を積層する二層構造、窒化チタン膜上にチタン膜を積層する二層構造、窒化チタン膜上にタングステン膜を積層する二層構造、窒化タンタル膜または窒化タングステン膜上にタングステン膜を積層する二層構造、チタン膜と、そのチタン膜上にアルミニウム膜を積層し、さらにその上にチタン膜を形成する三層構造等を用いることができる。
【０３８５】
具体的には、アルミニウム膜上にチタン、タンタル、タングステン、モリブデン、クロム、ネオジム、スカンジウムから選ばれた元素の膜、または複数組み合わせた合金膜、もしくは窒化膜を積層する積層構造を用いることができる。
【０３８６】
また、酸化インジウム、酸化錫または酸化亜鉛を含む透光性を有する導電材料を用いてもよい。
【０３８７】
＜表示部の変形例１＞
様々なトランジスタを表示部５０１に適用できる。
【０３８８】
ボトムゲート型のトランジスタを表示部５０１に適用する場合の構成を、図１１（Ａ）および図１１（Ｂ）に図示する。
【０３８９】
例えば、酸化物半導体、アモルファスシリコン等を含む半導体層を、図１１（Ａ）に図示するトランジスタ５０２ｔおよびトランジスタ５０３ｔに適用することができる。
【０３９０】
例えば、少なくともインジウム（Ｉｎ）、亜鉛（Ｚｎ）及びＭ（Ａｌ、Ｇａ、Ｇｅ、Ｙ、Ｚｒ、Ｓｎ、Ｌａ、ＣｅまたはＨｆ等の金属）を含むＩｎ−Ｍ−Ｚｎ酸化物で表記される膜を含むことが好ましい。または、ＩｎとＺｎの双方を含むことが好ましい。
【０３９１】
スタビライザーとしては、ガリウム（Ｇａ）、スズ（Ｓｎ）、ハフニウム（Ｈｆ）、アルミニウム（Ａｌ）、またはジルコニウム（Ｚｒ）等がある。また、他のスタビライザーとしては、ランタノイドである、ランタン（Ｌａ）、セリウム（Ｃｅ）、プラセオジム（Ｐｒ）、ネオジム（Ｎｄ）、サマリウム（Ｓｍ）、ユウロピウム（Ｅｕ）、ガドリニウム（Ｇｄ）、テルビウム（Ｔｂ）、ジスプロシウム（Ｄｙ）、ホルミウム（Ｈｏ）、エルビウム（Ｅｒ）、ツリウム（Ｔｍ）、イッテルビウム（Ｙｂ）、ルテチウム（Ｌｕ）等がある。
【０３９２】
酸化物半導体膜を構成する酸化物半導体として、例えば、Ｉｎ−Ｇａ−Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ−Ａｌ−Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ−Ｓｎ−Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ−Ｈｆ−Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ−Ｌａ−Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ−Ｃｅ−Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ−Ｐｒ−Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ−Ｎｄ−Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ−Ｓｍ−Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ−Ｅｕ−Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ−Ｇｄ−Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ−Ｔｂ−Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ−Ｄｙ−Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ−Ｈｏ−Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ−Ｅｒ−Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ−Ｔｍ−Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ−Ｙｂ−Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ−Ｌｕ−Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ−Ｓｎ−Ｇａ−Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ−Ｈｆ−Ｇａ−Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ−Ａｌ−Ｇａ−Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ−Ｓｎ−Ａｌ−Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ−Ｓｎ−Ｈｆ−Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ−Ｈｆ−Ａｌ−Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ−Ｇａ系酸化物を用いることができる。
【０３９３】
なお、ここで、Ｉｎ−Ｇａ−Ｚｎ系酸化物とは、ＩｎとＧａとＺｎを主成分として有する酸化物という意味であり、ＩｎとＧａとＺｎの比率は問わない。また、ＩｎとＧａとＺｎ以外の金属元素が入っていてもよい。
【０３９４】
例えば、レーザーアニールなどの処理により結晶化させた多結晶シリコンを含む半導体層を、図１１（Ｂ）に図示するトランジスタ５０２ｔおよびトランジスタ５０３ｔに適用することができる。
【０３９５】
トップゲート型のトランジスタを表示部５０１に適用する場合の構成を、図１１（Ｃ）に図示する。
【０３９６】
例えば、多結晶シリコンまたは単結晶シリコン基板等から転置された単結晶シリコン膜等を含む半導体層を、図１１（Ｃ）に図示するトランジスタ５０２ｔおよびトランジスタ５０３ｔに適用することができる。
【０３９７】
なお、本実施の形態は、本明細書で示す他の実施の形態と適宜組み合わせることができる。
【０３９８】
（実施の形態６）
本実施の形態では、本発明の一態様の情報処理装置に適用することができる折り曲げ可能なタッチパネルの構成について、図１２を参照しながら説明する。
【０３９９】
図１２は、タッチパネル５００Ｂ断面図である。
【０４００】
本実施の形態で説明するタッチパネル５００Ｂは、供給された画像情報をトランジスタが設けられている側に表示する表示部５０１を備える点およびタッチセンサが表示部の基板５１０側に設けられている点が、実施の形態５で説明するタッチパネル５００とは異なる。ここでは異なる構成について詳細に説明し、同様の構成を用いることができる部分は、上記の説明を援用する。
【０４０１】
＜表示部＞
表示部５０１は、マトリクス状に配置された複数の画素を備える。画素は表示素子と表示素子を駆動する画素回路を備える。
【０４０２】
《画素の構成》
画素は、副画素５０２Ｒを含み、副画素５０２Ｒは発光モジュール５８０Ｒを備える。
【０４０３】
副画素５０２Ｒは、第１の発光素子５５０Ｒおよび第１の発光素子５５０Ｒに電力を供給することができるトランジスタ５０２ｔを含む画素回路を備える。
【０４０４】
発光モジュール５８０Ｒは第１の発光素子５５０Ｒおよび光学素子（例えば着色層５６７Ｒ）を備える。
【０４０５】
発光素子５５０Ｒは、下部電極、上部電極、下部電極と上部電極の間に発光性の有機化合物を含む層を有する。
【０４０６】
発光モジュール５８０Ｒは、光を取り出す方向に第１の着色層５６７Ｒを有する。着色層は特定の波長を有する光を透過するものであればよく、例えば赤色、緑色または青色等を呈する光を選択的に透過するものを用いることができる。なお、他の副画素において、発光素子の発する光をそのまま透過する領域を設けてもよい。
【０４０７】
第１の着色層５６７Ｒは第１の発光素子５５０Ｒと重なる位置にある。また、図１２（Ａ）に示す発光素子５５０Ｒは、トランジスタ５０２ｔが設けられている側に光を射出する。これにより、発光素子５５０Ｒが発する光の一部は第１の着色層５６７Ｒを透過して、図中に示す矢印の方向の発光モジュール５８０Ｒの外部に射出される。
【０４０８】
《表示部の構成》
表示部５０１は、光を射出する方向に遮光層５６７ＢＭを有する。遮光層５６７ＢＭは、着色層（例えば第１の着色層５６７Ｒ）を囲むように設けられている。
【０４０９】
表示部５０１は、絶縁膜５２１を備える。絶縁膜５２１はトランジスタ５０２ｔを覆っている。なお、絶縁膜５２１は画素回路に起因する凹凸を平坦化するための層として用いることができる。また、不純物の拡散を抑制できる層を含む積層膜を、絶縁膜５２１に適用することができる。これにより、例えば着色層５６７Ｒから拡散する予期せぬ不純物によるトランジスタ５０２ｔ等の信頼性の低下を抑制できる。
【０４１０】
＜タッチセンサ＞
タッチセンサ５９５は、表示部５０１の基板５１０側に設けられている（図１２（Ａ）参照）。
【０４１１】
樹脂層５９７は、基板５１０と基板５９０の間にあり、表示部５０１とタッチセンサ５９５を貼り合わせる。
【０４１２】
＜表示部の変形例１＞
様々なトランジスタを表示部５０１に適用できる。
【０４１３】
ボトムゲート型のトランジスタを表示部５０１に適用する場合の構成を、図１２（Ａ）および図１２（Ｂ）に図示する。
【０４１４】
例えば、酸化物半導体、アモルファスシリコン等を含む半導体層を、図１２（Ａ）に図示するトランジスタ５０２ｔおよびトランジスタ５０３ｔに適用することができる。また、一対のゲート電極をトランジスタのチャネルが形成される領域を上下に挟むように設けてもよい。これにより、トランジスタの特性の変動を抑制し、信頼性を高めることができる。
【０４１５】
例えば、多結晶シリコン等を含む半導体層を、図１２（Ｂ）に図示するトランジスタ５０２ｔおよびトランジスタ５０３ｔに適用することができる。
【０４１６】
トップゲート型のトランジスタを表示部５０１に適用する場合の構成を、図１２（Ｃ）に図示する。
【０４１７】
例えば、多結晶シリコンまたは転写された単結晶シリコン膜等を含む半導体層を、図１２（Ｃ）に図示するトランジスタ５０２ｔおよびトランジスタ５０３ｔに適用することができる。
【０４１８】
なお、本実施の形態は、本明細書で示す他の実施の形態と適宜組み合わせることができる。
【０４１９】
（実施の形態７）
本実施の形態では、本発明の一態様の電子機器の構成について、図１３を参照しながら説明する。
【０４２０】
図１３は本発明の一態様の電子機器の構成を説明する図である。
【０４２１】
図１３（Ａ）は本発明の一態様のテレビジョンシステムの外観図である。
【０４２２】
図１３（Ｂ）は本発明の一態様の情報処理装置の外観図である。
【０４２３】
図１３（Ｃ）は本発明の一態様の携帯電話の外観図である。
【０４２４】
図１３（Ｄ）は本発明の一態様の情報処理装置の外観図である。
【０４２５】
図１３（Ｅ）は本発明の一態様の情報処理装置の外観図である。
【０４２６】
図１３（Ｆ）は本発明の一態様の情報処理装置の外観図である。なお、左側には情報処理装置の正面と右側面を、右側には右側面と背面を図示した。
【０４２７】
＜電子機器＞
本実施の形態で例示する電子機器は、いずれも取得した情報に基づく画像を表示するステップと、付記および付記を当該画像に含まれる情報に紐付ける先の情報を取得するステップと、付記を含む画像を生成するステップと、画像を表示するステップと、付記および当該付記を画像に含まれる情報に紐付ける先の情報を記憶するステップと、を含んで構成されるプログラムを実行する。
【０４２８】
これにより、情報を含む画像および当該情報に紐付けられた付記を表示することができる。または、付記および付記を紐付ける先の情報を、記録することができる。
【０４２９】
《テレビジョンシステム》
テレビジョンシステムは、操作命令を供給されるテレビジョン装置７１００と操作命令を供給するコントローラ７１０９を有する。
【０４３０】
テレビジョン装置７１００は、演算装置と入出力装置と筐体７１０１とを有する。
【０４３１】
入出力装置は、画像情報が供給され画像情報を表示する表示部７１０３を含む。
【０４３２】
演算装置は、操作命令を供給され画像情報を供給する。
【０４３３】
筐体７１０１は、表示部７１０３および演算装置を収納する。
【０４３４】
コントローラ７１０９は、使用者が操作命令を選択することができる操作部７１１０と、操作に係る情報を表示する表示部７１０７を有する。コントローラ７１０９は、操作命令を赤外線や電波を用いて無線または有線で供給できる。
【０４３５】
《情報処理装置》
情報処理装置７２００は、演算装置と入出力装置と筐体７２０１とを有する。
【０４３６】
入出力装置は、画像情報を供給され画像情報を表示する表示部７２０３と、操作命令を供給する操作部と、を有する。
【０４３７】
演算装置は、画像情報を供給し操作命令を供給される。
【０４３８】
外部機器接続部７２０５は、情報を供給し、外部から情報を供給される。
【０４３９】
筐体７２０２は、表示部７２０３を収納し、筐体７２０１は演算装置を収納する。
【０４４０】
操作部は、例えばキーボード７２０４、タッチセンサ７２０６等を備える。
【０４４１】
《携帯電話》
携帯電話７４００は、演算装置と入出力装置と筐体７４０１とを有する。
【０４４２】
入出力装置は、画像情報が供給される表示部と操作命令を供給するタッチセンサを兼ねるタッチパネル７４０３と、音声信号が供給され音声を供給するスピーカ７４０５と、音声が供給され音声信号を供給するマイクロフォン７４０６と、操作スイッチ７４０２と、を有する。
【０４４３】
演算装置は、画像情報および音声信号を供給し且つ操作命令が供給される。
【０４４４】
筐体７４０１は、演算装置と入出力装置等を収納する。
【０４４５】
《情報処理装置１》
情報処理装置７４５０は、演算装置と入出力装置と筐体７４５１とを有する。
【０４４６】
入出力装置は、画像情報が供給される表示部と操作命令を供給するタッチセンサを兼ねるタッチパネル７４５３と、音声信号が供給され音声を供給するスピーカ７４５５Ｌおよび７４５５Ｒと、音声が供給され音声信号を供給するマイクロフォン７４５６と、操作スイッチ７４５２と、を有する。
【０４４７】
演算装置は、画像情報および音声信号を供給し且つ操作命令が供給される。
【０４４８】
筐体７４５１は、演算装置と入出力装置等を収納する。
【０４４９】
《情報処理装置２》
情報処理装置７４６０は、演算装置と入出力装置と筐体７４６１とを有する。
【０４５０】
入出力装置は、画像情報が供給される表示部と操作命令を供給するタッチセンサを兼ねるタッチパネル７４６３と、折り畳みセンサ７４６７と、を有する。
【０４５１】
タッチパネル７４６３は可撓性を備え、筐体７４６１およびタッチパネル７４６３は、一点鎖線で折り曲げることができる。
【０４５２】
折り畳みセンサ７４６７は、筐体７４６１が折り畳まれた状態か展開された状態かを検知して、演算装置に信号を供給する。
【０４５３】
《情報処理装置３》
情報処理装置７４７０は、演算装置と入出力装置と筐体７４７１とを有する。
【０４５４】
入出力装置は、画像情報が供給される表示部と操作命令を供給するタッチセンサを兼ねるタッチパネル７４７３を有する。
【０４５５】
タッチパネル７４７３は可撓性を備え、筐体７４７１に沿うように折り曲げられている。これにより、筐体７４７１の５つの面（正面、右側面、左側面、上面および背面）に画像を表示することができる。また、５つの面から位置情報を供給することができる。
【０４５６】
なお、本実施の形態は、本明細書で示す他の実施の形態と適宜組み合わせることができる。
【０４５７】
（実施の形態８）
本実施の形態では、反射型液晶ディスプレイの構成について図１５、図１６を参照しながら説明する。
【０４５８】
図１５（Ａ）および図１５（Ｂ）は反射型液晶ディスプレイの平面図である。図１５（Ｃ）は、反射型液晶ディスプレイの構成例を示す断面図であり、Ｍ−Ｎによる図１５（Ａ）および図１５（Ｂ）の断面図に相当する。
【０４５９】
反射型液晶ディスプレイは、基板４００１と基板４００６との間にシール材４００５によって液晶層４００８が封止されている構造を有する。
【０４６０】
基板４００１、基板４００６として透光性基板を用いることができる。例えば、ガラス、セラミックス、プラスチック等でなる基板を用いることができる。プラスチック基板としては、ＦＲＰ（Ｆｉｂｅｒ  Ｒｅｉｎｆｏｒｃｅｄ  Ｐｌａｓｔｉｃｓ）基板、ＰＶＦ（ポリビニルフルオライド）フィルム、ポリエステルフィルムまたはアクリル樹脂フィルム等がある。
【０４６１】
基板４００１上のシール材４００５に囲まれた領域に、複数の画素を有する表示部４００２および走査線駆動回路４００４が設けられている。基板４００１のシール材４００５の外側の領域に、単結晶半導体層又は多結晶半導体層で形成されたデータ線駆動回路４００３が実装されている。データ線駆動回路４００３の実装方式には、例えば、ＣＯＧ方式、ワイヤボンディング方式、およびＴＡＢ方式等がある。データ線駆動回路４００３は、図１５（Ａ）ではＣＯＧ方式により実装され、図１５（Ｂ）ではＴＡＢ方式により実装されている。
【０４６２】
データ線駆動回路４００３を基板４００１上に設けることもできる。あるいは、走査線駆動回路４００４を表示部４００２と異なる基板に形成して、基板４００１に実装してもよい。また、データ線駆動回路４００３の一部または走査線駆動回路４００４の一部を、表示部４００２と別の基板に形成し、基板４００１に実装してもよい。
【０４６３】
液晶素子４０１３を構成する画素電極４０３０は、トランジスタ４０１０に接続されている反射電極である。液晶素子４０１３を構成するコモン電極４０３１は基板４００６上に形成されている。画素電極４０３０、コモン電極４０３１、および液晶層４００８が重なっている部分が液晶素子４０１３に相当する。なお液晶素子４０１３の構造は、液晶パネルの表示モードにより適宜変更できる。図１５（Ｃ）には、反射型ディスプレイの例を示しているが、特に限定されない。
【０４６４】
画素電極４０３０、コモン電極４０３１は、酸化タングステンを含むインジウム酸化物、酸化タングステンを含むインジウム亜鉛酸化物、酸化チタンを含むインジウム酸化物、酸化チタンを含むインジウム錫酸化物、酸化インジウムスズ、インジウム亜鉛酸化物、酸化ケイ素を添加したインジウム錫酸化物等の透光性の導電性材料でなる層で形成される。
【０４６５】
画素電極４０３０、コモン電極４０３１上には、それぞれ、配向膜として機能する絶縁層４０３２、４０３３が設けられている。また、液晶パネルには、偏光板およびブラックマトリクスとして機能する遮光膜、カラーフィルタなどが適宜設けられる。
【０４６６】
絶縁物４０３５は、画素電極４０３０とコモン電極４０３１との間の距離（セルギャップ）を維持するためのスペーサである。絶縁物４０３５を形成する代わりに、球状のスペーサを用いることもできる。
【０４６７】
表示部４００２および走査線駆動回路４００４は複数のトランジスタを有するが、図１５（Ｃ）には、表示部４００２の画素のトランジスタ４０１０と、走査線駆動回路４００４のトランジスタ４０１１とが代表的に記載されている。
【０４６８】
トランジスタ４０１０およびトランジスタ４０１１は、半導体層の他、ゲート絶縁層、ゲート電極、および配線（ソース配線層や容量配線層等）で構成される。トランジスタ４０１０およびトランジスタ４０１１上には、絶縁層４０２０が形成されている。絶縁層４０２０上に絶縁層４０２１が形成され、絶縁層４０２１上に画素電極４０３０が形成されている。
【０４６９】
絶縁層４０２０としては、例えば、無機絶縁膜を形成する。絶縁層４０２１としては、ポリイミド、アクリル、ベンゾシクロブテン系樹脂、ポリアミド、エポキシ等の、耐熱性を有する有機材料を用いることができる。また上記有機材料の他に、低誘電率材料（ｌｏｗ−ｋ材料）、シロキサン系樹脂、ＰＳＧ（リンガラス）、およびＢＰＳＧ（リンボロンガラス）等を用いることができる。なお、これらの材料で形成される絶縁膜を複数積層させることで、絶縁層４０２１を形成してもよい。
【０４７０】
基板４００１上のシール材４００５の外側に形成されている電極４０１５および電極４０１６は、ＦＰＣ４０１８と、走査線駆動回路４００４および表示部４００２との接続用端子である。電極４０１５は透明導電膜から形成され、電極４０１６は、トランジスタ４０１０、４０１１のソース電極層およびドレイン電極層と同じ導電膜で形成されている。電極４０１５は、ＦＰＣ４０１８が有する端子と、異方性導電膜４０１９を介して電気的に接続されている。
【０４７１】
ＦＰＣ４０１８から各種制御信号および電源電圧が、データ線駆動回路４００３、走査線駆動回路４００４および表示部４００２に供給される。
【０４７２】
また、基板４００１には、コモン電極４０３１にコモン電圧を供給するための配線およびコモンコンタクト部が形成されている。コモンコンタクト部は、表示部４００２の外側に設けられ、例えば、シール材４００５と重なる領域に設けている。コモン電極４０３１は、導電性粒子を介してコモンコンタクト部に接続されている。
【０４７３】
トランジスタ４０１０、４０１１のチャネル形成領域を構成する半導体層は、非晶質、微結晶、多結晶または単結晶半導体層から選択される。例えば、シリコン又はゲルマニウム等の４族元素でなる半導体層、又は、酸化物半導体層を適用することができる。ここでは、トランジスタ４０１０、４０１１はｎチャネル型トランジスタである。特に画素のスイッチング素子となるトランジスタ４０１０を酸化物半導体層で作製することは望ましい。それは、酸化物半導体層でトランジスタを作製することで、そのオフ電流を極めて小さくすることができるため、画素に書き込んだビデオ電圧の変動をなくすことができるため、液晶表示装置の表示品位の向上を図ることができる。
【０４７４】
さらに、これらのパネルにタッチパネルを搭載し、タッチ入力可能な表示装置にすることもできる。図１６にタッチパネルとした場合の構成例の模式図を示す。図１６に示すように、表示装置は、基板４００１上に画素電極４０３０と、画素電極４０３０上に重なる有色層４０１４、異なる色の有色層４０１４の間にＢＭ４０８０と、基板４００６と、基板４００１と基板４００６の間に液晶と、基板４００６上に光学フィルム４０８３と、タッチパネル４０８４と、偏光フィルム４０８５とを有する構造となっている。なお、図１６において基板４００１上に形成されている画素電極４０３０と電気的に接続するトランジスタは図示していない。
【０４７５】
これらのデータからわかるように高精細な表示ができる反射型の液晶表示装置を実現することができる。
【０４７６】
さらに、これらの表示パネルは、電荷容量が大きい容量素子を有しているため、画素電極の電位を保持する時間を長くすることが可能であり、リフレッシュレートを低減する駆動モードを適用できる。さらに、液晶表示装置においてリフレッシュレートを低減する駆動モードを適用した場合であっても、液晶層に印加された電圧の変化を長期間抑制することが可能であるため、使用者による画像のちらつきの知覚をより防止することができる。したがって、低消費電力化と表示品質の向上を図ることができる。
【０４７７】
本実施例の表示装置において、リフレッシュ動作の前後に生じる画像の変化を確認した結果を図１８に示す。図１８に示すように、リフレッシュ動作の前後に生じる画像の変化は、白表示、グレー表示、黒表示のいずれにおいてもほとんどない。
【０４７８】
本実施例の表示装置は、リフレッシュレートを１Ｈｚ以下に低減する駆動モードを適用でき、目に優しい反射型の液晶表示装置とすることができる。また、本実施例の表示装置は、低消費電力をも実現した反射型の液晶表示装置ということもできる。
【０４７９】
容量素子は、面積の大きく、容量素子で蓄積する電荷容量が大きい。このため、画素電極の電位を保持する時間を長くすることが可能であり、リフレッシュレートを低減する駆動モードを適用できる。さらに、液晶表示装置においてリフレッシュレートを低減する駆動モードを適用した場合であっても、液晶層に印加された電圧の変化を長期間抑制することが可能であるため、使用者による画像のちらつきの知覚をより防止することができる。したがって、低消費電力化と表示品質の向上を図ることができる。
【０４８０】
ここで、リフレッシュレートを低減する効果に関して説明する。なお、リフレッシュレートとは、１秒間あたりの画像の切り換え回数であり、駆動周波数と呼ぶこともある。このような人の目で知覚することが難しいような高速の画面の切り換えが、目の疲労の原因として考えられている。
【０４８１】
目の疲労には、神経系の疲労と、筋肉系の疲労の２種類がある。神経系の疲労は、長時間液晶表示装置の発光、点滅画面を見続けることで、その明るさや眼の網膜や神経、脳を刺激して疲れさせるものである。筋肉系の疲労は、ピント調節のときに使用する毛様体の筋肉を酷使することにより疲れさせるものである。
【０４８２】
図１７（Ａ）に、従来の液晶表示装置の表示を表す模式図を示す。図１７（Ａ）に示すように、従来の液晶表示装置の表示では、１秒間に６０回の画像の書き換えが行われている。このような画面を長時間見続けることにより、使用者の眼の網膜や神経、脳を刺激して眼の疲労が引き起こされるおそれがあった。
【０４８３】
本実施の形態では、液晶表示装置の画素部のトランジスタに、オフ電流の極めて低いトランジスタ、例えば酸化物半導体を用いたトランジスタを適用する。また、液晶素子は、電面積の大きい容量素子を有する。これらによって、容量素子に蓄積された電荷のリークを抑制することが可能となるため、フレーム周波数を下げても、液晶表示装置の輝度の維持が可能となる。
【０４８４】
つまり、図１７（Ｂ）に示すように、例えば、５秒間に１回の画像の書き換えが可能となるため、極力同じ映像を見ることが可能となり、使用者に視認される画面のちらつきが低減される。これにより、使用者の眼の網膜や神経、脳の刺激が低減され、神経系の疲労が軽減される。
【０４８５】
本実施の形態は、目に優しい液晶表示装置を実現できる。
【０４８６】
また、リフレッシュ動作の前後に生じる画像の変化が、使用する者に弁別されないように、リフレッシュを行う必要がある。本実施の形態で得られる表示装置は、リフレッシュ動作の前後に生じる画像の変化がほとんどなく、良好な表示を得ることができる。
【０４８７】
なお、本実施の形態は、本明細書で示す他の実施の形態と適宜組み合わせることができる。
【符号の説明】
【０４８８】
１０    演算装置
１１    演算部
１２    記憶部
１４    伝送路
１５    入出力インターフェース
２０    入出力装置
２２    操作部
２２Ｂ    タッチセンサ
２２Ｃ    ポインティングデバイス
３０    表示装置
３１    制御部
３２    表示部
３２Ｃ    容量素子
３２Ｄ    画素部
３２Ｄａ    領域
３２Ｄｂ    領域
３２Ｄｃ    領域
３２ＤＶ    表示素子
３２ＥＬ    ＥＬ素子
３２ＧＤ    Ｇ駆動回路
３２Ｌ    光供給部
３２ＬＣ    液晶素子
３２Ｐ    画素
３２ＰＣ    画素回路
３２ＰＣ１    画素回路
３２ＰＣ２    画素回路
３２ＳＤ    Ｓ駆動回路
３２Ｔ    トランジスタ
３２Ｔ１    トランジスタ
３２Ｔ２    トランジスタ
４５    入出力部
５０    情報処理装置
５０Ｂ    情報処理装置
５０Ｃ    情報処理装置
５０Ｄ    情報処理装置
６０    通信部
１０２    基板
１０４ａ    ゲート電極
１０６    絶縁膜
１０７    絶縁膜
１０８    絶縁膜
１１０    酸化物半導体膜
１１２    導電膜
１１２ａ    電極
１１２ｂ    電極
１１４    絶縁膜
１１６    絶縁膜
１１８    絶縁膜
１２０    絶縁膜
１２２ａ    導電膜
１２２ｂ    導電膜
１２２ｃ    ゲート電極
１４２ａ    開口
１４２ｅ    開口
１５１    トランジスタ
３００    タッチパネル
３０１    表示部
３０２    画素
３０２Ｂ    副画素
３０２Ｇ    副画素
３０２Ｒ    副画素
３０２ｔ    トランジスタ
３０３ｃ    容量
３０３ｇ（１）    走査線駆動回路
３０３ｇ（２）    撮像画素駆動回路
３０３ｓ（１）    画像信号線駆動回路
３０３ｓ（２）    撮像信号線駆動回路
３０３ｔ    トランジスタ
３０８    撮像画素
３０８ｐ    光電変換素子
３０８ｔ    トランジスタ
３０９    ＦＰＣ
３１０    基板
３１０ａ    バリア膜
３１０ｂ    基板
３１０ｃ    樹脂層
３１１    配線
３１９    端子
３２１    絶縁膜
３２８    隔壁
３２９    スペーサ
３５０Ｒ    発光素子
３５１Ｒ    下部電極
３５２    上部電極
３５３    発光性の有機化合物を含む層
３５３ａ    発光ユニット
３５３ｂ    発光ユニット
３５４    中間層
３６０    封止材
３６７ＢＭ    遮光層
３６７ｐ    反射防止層
３６７Ｒ    着色層
３７０    対向基板
３７０ａ    バリア膜
３７０ｂ    基材
３７０ｃ    樹脂層
３８０Ｂ    発光モジュール
３８０Ｇ    発光モジュール
３８０Ｒ    発光モジュール
５００    タッチパネル
５００Ｂ    タッチパネル
５０１    表示部
５０２Ｒ    副画素
５０２ｔ    トランジスタ
５０３ｃ    容量
５０３ｇ    走査線駆動回路
５０３ｔ    トランジスタ
５０９    ＦＰＣ
５１０    基板
５１０ａ    バリア膜
５１０ｂ    基板
５１０ｃ    樹脂層
５１１    配線
５１９    端子
５２１    絶縁膜
５２８    隔壁
５５０Ｒ    発光素子
５６０    封止材
５６７ＢＭ    遮光層
５６７ｐ    反射防止層
５６７Ｒ    着色層
５７０    基板
５７０ａ    バリア膜
５７０ｂ    基板
５７０ｃ    樹脂層
５８０Ｒ    発光モジュール
５９０    基板
５９１    電極
５９２    電極
５９３    絶縁層
５９４    配線
５９５    タッチセンサ
５９７    樹脂層
５９８    配線
５９９    接続層
４００１  基板
４００２  表示部
４００３  データ線駆動回路
４００４  走査線駆動回路
４００５  シール材
４００６  基板
４００８  液晶層
４０１０  トランジスタ
４０１１  トランジスタ
４０１３  液晶素子
４０１５  電極
４０１６  電極
４０１８  ＦＰＣ
４０１９  異方性導電膜
４０２０  絶縁層
４０２１  絶縁層
４０３０  画素電極
４０３１  コモン電極
４０３２  絶縁層
４０３３  絶縁層
４０３５  絶縁物
４０８０  ＢＭ
４０８４  タッチパネル
７１００    テレビジョン装置
７１０１    筐体
７１０３    表示部
７１０７    表示部
７１０９    コントローラ
７１１０    操作部
７２００    情報処理装置
７２０１    筐体
７２０２    筐体
７２０３    表示部
７２０４    キーボード
７２０５    外部機器接続部
７２０６    タッチセンサ
７４００    携帯電話
７４０１    筐体
７４０２    操作スイッチ
７４０３    タッチパネル
７４０５    スピーカ
７４０６    マイクロフォン
７４５０    情報処理装置
７４５１    筐体
７４５２    操作スイッチ
７４５３    タッチパネル
７４５５Ｌ    スピーカ
７４５６    マイクロフォン
７４６０    情報処理装置
７４６１    筐体
７４６３    タッチパネル
７４６７    折り畳みセンサ
７４７０    情報処理装置
７４７１    筐体
７４７３    タッチパネル
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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