(57)【要約】      （修正有）【課題】ボンディングパッドおよび表面配線の酸化を抑制した半導体装置を提供する。【解決手段】ボンディングパッドおよび表面配線３を、白金（Ｐｔ）４若しくは、パラジウム（Ｐｄ）６、あるいは白金（Ｐｔ）４とパラジウム（Ｐｄ）６の２層膜で被覆する。これによってボンディングパッド、表面配線３上に樹脂保護膜５を形成した場合におけるボンディングパッド、表面配線３の酸化を防ぐことができ、これによって半導体装置の電気特性の変化を防ぐことができ、半導体装置の品質を保持することができる。【選択図】図７
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体基板上にボンディングパットと、これと接続する表面配線を有し、
ボンディングパットおよび表面配線が樹脂保護膜で被覆されている構造の半導体装置において、ボンディングパットおよび表面配線が、白金（Ｐｔ）で被覆されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
半導体基板上にボンディングパットと、これと接続する表面配線を有し、
ボンディングパットおよび表面配線が樹脂保護膜で被覆されている構造の半導体装置において、ボンディングパットおよび表面配線が、パラジウム（Ｐｄ）で被覆されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
半導体基板上にボンディングパットと、これと接続する表面配線を有し、
ボンディングパットおよび表面配線が樹脂保護膜で被覆されている構造の半導体装置において、ボンディングパットおよび表面配線が、白金（Ｐｔ）およびパラジウム（Ｐｄ）の２層膜で被覆されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項４】
請求項３において、ボンディングパットまたは配線金属と白金（Ｐｔ）が接し、白金（Ｐｔ）とパラジウム（Ｐｄ）が連続で接する積層構造を有し、白金（Ｐｔ）の膜厚よりパラジウム（Ｐｄ）の膜厚が厚いことを特徴とする半導体装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ボンディングパットを具備する半導体装置の、ボンディングパットおよびボンディングパットと接続する表面の配線構造に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体装置においては、シリコン等からなる半導体基板（ウエハ）中にトランジスタ等の半導体素子が形成される。半導体装置の最上層においては、ボンディングパットおよびボンディングパットと繋がる表面配線が具備されている。半導体装置はパッケージ内に実装されて使用されるが、この際、パッケージ側に形成された端子と、半導体装置の配線層とを電気的に接続する必要がある。このため通常は、ボンディングパッドとパッケージの端子とが、ボンディングワイヤを介して接続される。
【０００３】
ボンディングパットおよび配線金属は、通常、アルミニウム（Ａｌ）、銅（Ｃｕ）などの金属で構成される。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２０１３-２５１５６６  号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら従来技術では、ボンディングパッドおよびそれと接続する表面配線を、ポリイミド（(PI)、ポリベンゾオキサゾール（ＰＢＯ）などの樹脂系保護膜で被覆した場合、樹脂に接触する金属が樹脂から解離した酸素などによって酸化するという問題があった。
【０００６】
本発明は上記問題点を解決する発明を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明は上記問題を解決すべく、以下に掲げる構成とした。本発明の半導体装置は、ボンディングパットおよびボンディングパットと接続する表面配線を有する構成において、ボンディングパットおよび表面配線を、白金（Ｐｔ）、またはパラジウム（Ｐｄ）、または、白金（Ｐｔ）の上にパラジウム（Ｐｄ）を積層した２層構造の膜で覆う構造を有する。
【発明の効果】
【０００８】
本発明によれば、ボンディングパットおよび表面配線を樹脂系保護膜で被覆した場合、樹脂による酸化を防ぐことができるため、配線の電気的特性の変動を少なく抑えることができ、信頼性の高い半導体装置を得ることができる。
【図面の簡単な説明】
【０００９】
【図１】本発明の従来例に係わるボンディングパット断面を示す図である。
【図２】本発明の従来例に係わる表面配線の断面を示す図である。
【図３】本発明の実施例１に係わるボンディングパット断面を示す図である。
【図４】本発明の実施例１に係わる表面配線の断面を示す図である。
【図５】本発明の実施例２に係わるボンディングパッド断面を示す図である。
【図６】本発明の実施例２に係わる表面配線の断面を示す図である。
【図７】本発明の実施例３に係わるボンディングパット断面を示す図である。
【図８】本発明の実施例３に係わる表面配線の断面を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００１０】
以下、本発明の実施の形態となる構造について説明する。図１は従来構造のボンディングパッドの断面図、図２は従来構造の表面配線の断面図である。また図３、図５、図７は本発明の実施例を示すボンディングパッドの断面図である。
また、図４、図６、図８は本発明の実施例を示す表面配線の断面図である。
【実施例１】
【００１１】
実施例１に係るボンディングパッドの構造について説明する。図３に示されているようにシリコン基板１の上には絶縁膜２を介して、ボンディングパット３が形成されている。ボンディングパット表面は白金（Ｐｔ）４で覆われており、樹脂保護膜５と接している。白金（Ｐｔ）は貴金属であり酸化されにくいため、樹脂と接してもボンディングパットが酸化することを回避できる。
白金（Ｐｔ）の膜厚は、５０Åから２．６μmの  範囲、さらには１００Åから１．５μｍの範囲であることが望ましい。この膜厚範囲であればデバイスに応力的ストレスを発生させることなく効果的にボンディングパットの酸化を防ぐことができる。
【００１２】
実施例２に係るボンディングパッドの構造について説明する。図５に示されているようにシリコン基板１の上には絶縁膜２を介して、ボンディングパット３が形成されている。ボンディングパット表面はパラジウム（Ｐｄ）６で覆われており、樹脂保護膜５と接している。パラジウム（Ｐｄ）は酸素を遮蔽する効果があるため、樹脂と接してもボンディングパットが酸化することを回避できる。パラジウムの膜厚は５０Åから２.９μmの  範囲、さらには１３０Åから１.９μｍの範囲であることが望ましい。この膜厚範囲であればデバイスに応力的ストレスを発生させることなく効果的にボンディングパットの酸化を防ぐことができる。
【００１３】
実施例３に係るボンディングパットの構造について説明する。図７に示されているようにシリコン基板１の上には層間絶縁膜２を介して、ボンディングパット３が形成されている。ボンディングパット表面は白金（Ｐｔ）４とパラジウム（Ｐｄ）６の２層の膜で覆われている。構造としては、ボンディングパット上に白金（Ｐｔ）を形成し、白金（Ｐｔ）の上にパラジウムを連続で形成する２層の複合膜であることが望ましい。
白金（Ｐｔ）とパラジウム（Ｐｄ）の膜厚の関係は、Ｐｄ＞Ｐｔであることが望ましい。これによってデバイスに応力的ストレスを発生させず、効果的にボンディングパット、表面配線の酸化を防ぐことができる。
【符号の説明】
【００１４】
１、シリコン基板
２、絶縁膜
３、ボンディングパッド、配線
４、白金（Ｐｔ）
５、樹脂保護膜
６、パラジウム（Ｐｄ）
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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