(57)【要約】【課題】回路の高密度化の阻害を抑えて伝熱導体による放熱を効率良く行うことが可能な回路基板及びその製造方法を提供する。【解決手段】本発明の回路基板１０では、放熱用導体１７が、コア基板１１の厚さ方向と平行な中心軸を有する２つの円柱部１７Ａ，１７Ａと、それら２つの円柱部１７Ａ，１７Ａの直径より小さい板厚の平板状をなして両側辺に２つの円柱部１７Ａ，１７Ａを一体に備える中間板部１７Ｂとを有した形状をなして、その中間板部１７Ｂが、スルーホール導電導体１５，１５同士の間の空きスペースに配置されているので、空きスペースを有効利用して放熱用導体１７を大きくすることができる。これにより、回路の高密度化の阻害を抑えることができ、スルーホール内の導体で放熱を行うより、効率良く放熱を行うことができる。【選択図】図３
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
キャビティを有する絶縁層と、
前記キャビティに収容される放熱用導体と、
前記絶縁層の表裏の両面にそれぞれ形成される導体回路層と、
前記絶縁層を貫通する複数の第１貫通孔にめっきを充填してなり、前記絶縁層の表裏の前記導体回路層同士の間を接続する複数のスルーホール導電導体と、を有する回路基板であって、
前記放熱用導体は、前記絶縁層の厚さ方向と平行な中心軸を有する２つの円柱部と、それら２つの円柱部の直径より小さい板厚の平板状をなして両側辺に前記２つの円柱部を一体に備える中間板部とを有し、
前記中間板部は、前記スルーホール導電導体同士の間に配置されている。
【請求項２】
請求項１に記載の回路基板であって、
前記キャビティの内面と前記放熱用導体との隙間に充填されている充填樹脂部材を有する。
【請求項３】
請求項１又は２に記載の回路基板であって、
前記２つの円柱部の軸方向の両端面と前記中間板部の両端面とが面一となって前記放熱用導体全体の両端面を構成し、
前記キャビティは前記絶縁層を貫通し、
前記放熱用導体の両端面が前記絶縁層の表裏の両面と面一に配置されている。
【請求項４】
請求項１乃至３の何れか１の請求項に記載の回路基板において、
前記キャビティは、前記円柱部を収容する２つの丸孔と、それら２つの丸孔の間を連通しかつ前記丸孔の内径より幅狭で前記中間板部を収容するスリットとを有してなる。
【請求項５】
請求項１乃至４の何れか１の請求項に記載の回路基板において、
前記絶縁層は、コア基板であり、
前記コア基板の表裏の両方に積層されるビルドアップ層と、
前記ビルドアップ層に含まれるビルドアップ絶縁層を貫通するビアホールにめっきを充填してなり、前記ビルドアップ層に含まれるビルドアップ導体回路層を前記コア基板上の導電回路層に導通するビア導電導体と、
前記ビルドアップ絶縁層を貫通するビアホールにめっきを充填してなり、前記ビルドアップ層に含まれるビルドアップ導体伝熱層を前記放熱用導体における円柱部の端面に接続するビア伝熱導体とを有する。
【請求項６】
請求項５に記載の回路基板において、
前記ビルドアップ導体伝熱層には、複数の前記ビア伝熱導体上に位置する複数の円形伝熱部と、前記円形伝熱部同士の間を接続しかつ前記円形伝熱部の直径より幅が狭い帯状伝熱部とが備えられ、
前記ビルドアップ導体伝熱層の前記帯状伝熱部は、少なくとも２つの前記ビア導電導体の間で、それらビア導電導体同士の並び方向に対して交差する方向に延びている。
【請求項７】
前記請求項１乃至６の何れか１の請求項に記載の回路基板において、
前記絶縁層に内蔵される電子部品を有し、
前記電子部品の近傍に前記放熱用導体が内蔵されている。
【請求項８】
絶縁層にキャビティを形成することと、
前記絶縁層に複数の導電用貫通孔を形成することと、
前記キャビティに放熱用導体を収容することと、
前記複数の導電用貫通孔にめっきを充填して複数のスルーホール導電導体を形成することと、
前記絶縁層の表裏の両面に前記複数のスルーホール導電導体によって導通接続される導体回路層を形成することとを行う回路基板の製造方法であって、
前記絶縁層の厚さ方向と平行な中心軸を有する２つの円柱部と、それら２つの円柱部の直径より小さい板厚の平板状をなして両側辺に前記２つの円柱部を一体に備える中間板部とを有する形状の前記放熱用導体を使用して、前記中間板部を前記スルーホール導電導体同士の間に配置することを行う。
【請求項９】
コア基板にキャビティを形成することと、
前記コア基板に複数の導電用貫通孔を形成することと、
前記キャビティに放熱用導体を収容することと、
前記複数の導電用貫通孔にめっきを充填して複数のスルーホール導電導体を形成することと、
前記コア基板の表裏の両面に前記複数のスルーホール導電導体によって導通接続される導体回路層を形成することと、
前記導体回路層上にビルドアップ絶縁層を積層することと、
前記ビルドアップ絶縁層を貫通する複数の導電用ビアホールを形成することと、
前記ビルドアップ絶縁層を貫通する複数の伝熱用ビアホールを形成することと、
前記複数の導電用ビアホールにめっきを充填して、前記コア基板上の導電回路層に接続される複数のビア導電導体を形成することと、
前記複数の伝熱用ビアホールにめっきを充填して前記キャビティに接続される複数のビア伝熱導体を形成することと、
前記表裏のビルドアップ絶縁層上に前記複数の前記ビア導電導体により前記コア基板上の導電回路層に接続されるビルドアップ導体回路層を形成することと、
前記表裏のビルドアップ絶縁層上に前記ビア伝熱導体により前記放熱用導体に接続されるビルドアップ導体伝熱層を形成することとを行う回路基板の製造方法であって、
前記絶縁層の厚さ方向と平行な中心軸を有する２つの円柱部と、それら２つの円柱部の直径より小さい板厚の平板状をなして両側辺に前記２つの円柱部を一体に備える中間板部とを有する形状の前記放熱用導体を使用して、前記中間板部を前記スルーホール導電導体同士の間に配置することと、
前記２つの円柱部の端面にそれぞれ前記ビア伝熱導体を接続し、それらビア伝熱導体上に、前記ビルドアップ導体伝熱層の一部として複数の円形伝熱部を形成することと、
前記円形伝熱部同士を接続しかつ前記円形伝熱部の直径より幅が狭い帯状伝熱部を、前記ビルドアップ導体伝熱層の一部として、少なくとも２つの前記ビア導電導体の間で、それらビア導電導体同士の並び方向に対して交差する方向に延びる形状に形成することとを行う。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、放熱用の伝熱導体を内蔵する回路基板及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、この種の回路基板として、予めブロック状に形成された放熱用の伝熱導体を絶縁層に埋設して備えたものが知られている。そして、この回路基板は、伝熱導体が半導体チップの真下に配置されるように使用される（例えば、特許文献１参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】米国公開２０１２／０２５５１６５公報（ＦＩＧ．９、ＦＩＧ．１４）
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、上記した従来の回路基板では、伝熱導体が回路の高密度化を大きく阻害するという問題が生じていた。一方、スルーホール内の導体のみで放熱を行うと放熱効率を上げることが困難であるという問題があった。
【０００５】
本発明は、上記事情に鑑みてなされたもので、回路の高密度化の阻害を抑えて伝熱導体による放熱を効率良く行うことが可能な回路基板及びその製造方法の提供を目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
上記目的を達成するためなされた請求項１に係る発明は、キャビティを有する絶縁層と、前記キャビティに収容される放熱用導体と、前記絶縁層の表裏の両面にそれぞれ形成される導体回路層と、前記絶縁層を貫通する複数の第１貫通孔にめっきを充填してなり、前記絶縁層の表裏の前記導体回路層同士の間を接続する複数のスルーホール導電導体と、を有する回路基板であって、前記放熱用導体は、前記絶縁層の厚さ方向と平行な中心軸を有する２つの円柱部と、それら２つの円柱部の直径より小さい板厚の平板状をなして両側辺に前記２つの円柱部を一体に備える中間板部とを有し、前記中間板部は、前記スルーホール導電導体同士の間に配置されている。
【図面の簡単な説明】
【０００７】
【図１】本発明の第１実施形態に係る回路基板の平面図
【図２】回路基板における製品領域の平面図
【図３】図２のＡ−Ａ切断面における回路基板の断面図
【図４】（Ａ）回路基板の側断面図、（Ｂ）Ｂ−Ｂ切断面における平断面図、（Ｃ）Ｃ−Ｃ切断面における平断面図
【図５】回路基板の製造工程を示す断面図
【図６】回路基板の製造工程を示す断面図
【図７】回路基板の製造工程を示す断面図
【図８】回路基板の製造工程を示す断面図
【図９】回路基板の製造工程を示す断面図
【図１０】回路基板を含むＰｏＰの断面図
【発明を実施するための形態】
【０００８】
［第１実施形態］
以下、本発明の第１実施形態を図１から図１０に基づいて説明する。本実施形態の回路基板１０は、図１の平面図に示されているように、例えば、外縁部に沿った枠状の捨て領域Ｒ１を有し、その捨て領域Ｒ１の内側が正方形の複数の製品領域Ｒ２に区画されている。図２には、１つの製品領域Ｒ２が拡大して示され、その製品領域Ｒ２を対角線に沿って切断した回路基板１０の断面構造が図３に拡大して示されている。
【０００９】
図３に示すように、回路基板１０は、コア基板１１の表裏の両面にビルドアップ層２０Ａ，２０Ｂを有する構造になっている。コア基板１１は、本発明に係る「絶縁層」に相当し、絶縁性部材で構成されている。コア基板１１の表側の面であるＦ面１１Ｆには、導体回路層１２Ａが形成され、コア基板１１の裏側の面であるＳ面１１Ｓにも導体回路層１２Ｂが形成されている。また、コア基板１１には、キャビティ１６と複数の導電用貫通孔１４が形成されている。
【００１０】
導電用貫通孔１４は、コア基板１１のＦ面１１Ｆ及びＳ面１１Ｓの両面からそれぞれ穿孔しかつ奥側に向かって徐々に縮径したテーパー孔１４Ａ，１４Ｂの小径側端部を互いに連通させた中間括れ形状をなしている。これに対し、図４（Ｃ）に示すように、キャビティ１６は、２つの丸孔１６Ａ，１６Ａの間をそれら丸孔１６Ａの直径より幅狭のスリット１６Ｂで連絡した形状をなしている。また、キャビティ１６のスリット１６Ｂは、導電用貫通孔１４，１４同士の間に配置されて、それら導電用貫通孔１４，１４同士の並び方向に対して交差する方向に延びている。
【００１１】
図３に示すように、各導電用貫通孔１４内にはめっきが充填されて複数のスルーホール導電導体１５がそれぞれ形成され、それらスルーホール導電導体１５によってＦ面１１Ｆの導体回路層１２ＡとＳ面１１Ｓの導体回路層１２Ｂとの間が接続されている。
【００１２】
キャビティ１６には、放熱用導体１７が収容されている。放熱用導体１７は、例えば銅製であって、２つの円柱部１７Ａ，１７Ａと、それら２つの円柱部１７Ａ，１７Ａの直径より小さい板厚の平板状をなして両側辺に２つの円柱部１７Ａ，１７Ａを一体に備える中間板部１７Ｂとからなる。また、円柱部１７Ａ，１７Ａにおける上下方向の両端面と中間板部１７Ｂにおける上下方向の両端面とは面一になっている。そして、円柱部１７Ａ，１７Ａがキャビティ１６の丸孔１６Ａ，１６Ａに収容されると共に、中間板部１７Ｂがキャビティ１６のスリット１６Ｂに収容されて、キャビティ１６の両端面（即ち、円柱部１７Ａ及び中間板部１７Ｂの端面）がコア基板１１の両端面と面一になっている。また、放熱用導体１７の中間板部１７Ｂは、２つのスルーホール導電導体１５，１５の間に配置され、放熱用導体１７のうちスルーホール導電導体１５に最も接近した部分が中間板部１７Ｂになっていて、それら中間板部１７Ｂとスルーホール導電導体１５との間隔Ｌ１が１５〜２０μｍになっている。
【００１３】
コア基板１１のＦ面１１Ｆ側のビルドアップ層２０Ａは、導体回路層１２Ａ上に積層されるビルドアップ絶縁層２１Ａと、そのビルドアップ絶縁層２１Ａ上に積層されるビルドアップ導体層２２Ａとからなる。また、ビルドアップ導体層２２Ａ上には、ソルダーレジスト層２３Ａが積層されている。
【００１４】
ビルドアップ導体層２２Ａは、同一面内に配置されて互いに離間しているビルドアップ導体回路層２２Ａ１とビルドアップ導体伝熱層２２Ａ２とからなる。また、ビルドアップ絶縁層２１Ａには、複数の導電用ビアホール２４Ａと複数の伝熱用ビアホール２６Ａとが形成されている。各導電用ビアホール２４Ａ及び各伝熱用ビアホール２６Ａは、共にコア基板１１側に向かって徐々に縮径したテーパー状になっている。
【００１５】
各導電用ビアホール２４Ａ内にはめっきが充填されて複数のビア導電導体２５Ａがそれぞれ形成され、それらビア導電導体２５Ａによりビルドアップ導体回路層２２Ａ１と導体回路層１２Ａとの間が接続されている。また、各伝熱用ビアホール２６Ａ内にはめっきが充填されて複数のビア伝熱導体２７Ａがそれぞれ形成され、それらビア伝熱導体２７Ａによりビルドアップ導体伝熱層２２Ａ２と放熱用導体１７との間が接続されている。詳細には、図４（Ｂ）に示すように、ビルドアップ導体伝熱層２２Ａ２は、２つの円形伝熱部７２の間を、それら円形伝熱部７２，７２の直径より幅狭の帯状伝熱部７３で連絡した形状をなしている。そして、図４（Ａ）に示すように、２つの円形伝熱部７２，７２が、ビア伝熱導体２７Ａ，２７Ａによって放熱用導体１７における円柱部１７Ａ，１７Ａに接続されている。また、図４（Ｂ）に示すように、帯状伝熱部７３は、ビア導電導体２５Ａ，２５Ａの間に配置され、それらビア導電導体２５Ａ，２５Ａ上のビルドアップ導体回路層２２Ａ１と帯状伝熱部７３との間隔も、前記した中間板部１７Ｂとスルーホール導電導体１５との間隔Ｌ１と同様に、１５〜２０μｍになっている。
【００１６】
また、ソルダーレジスト層２３Ａには、複数のパッド用孔が形成され、ビルドアップ導体回路層２２Ａ１の一部がパッド用孔内に位置して導電用パッド３２Ａになり、ビルドアップ導体伝熱層２２Ａ２の一部がパッド用孔内に位置して伝熱用パッド３１Ａになっている。
【００１７】
コア基板１１のＳ面１１Ｓ側のビルドアップ層２０Ｂは、上述したＦ面１１Ｆ側のビルドアップ層２０Ａと同様の層構造をなしている。なお、図３〜図１０におけるＳ面１１Ｓ側のビルドアップ層２０Ｂの各部位には、それら各部位に相当するＦ面１１Ｆ側のビルドアップ層２０Ａの各部位の符号中の「Ａ」を「Ｂ」に変更した符号が付されている。
【００１８】
図２に示すように、回路基板１０におけるＦ面１０Ｆ（表側面）の複数のパッドは、製品領域Ｒ２の外縁部に沿って２列に並べられた大パッド群と、それら大パッド群に囲まれた内側の領域に縦横複数列に並べられた小パッド群とからなり、例えば、小パッド群の中央で製品領域Ｒ２の対角線方向に並んだ２つの小パッドと、それら２つの小パッドから離れた位置に配置された３つの小パッドとが伝熱用パッド３１Ａになっていて、それ以外の小パッド及び大パッドは導電用パッド３２Ａになっている。一方、回路基板１０のＳ面１０Ｓ（表側面）の複数のパッドは、均一の大きさの中パッドになっていて、それら中パッドのうち回路基板１０のＦ面１０Ｆ側の伝熱用パッド３１Ａの真下又は真下近傍のパッドが伝熱用パッド３１Ｂをなし、それ以外のパッドは、導電用パッド３２Ｂになっている。
【００１９】
本実施形態の回路基板１０は、以下のようにして製造される。
（１）図５（Ａ）に示すように、コア基板１１としてエポキシ樹脂又はＢＴ（ビスマレイミドトリアジン）樹脂とガラスクロスなどの補強材からなる絶縁性基材１１Ｋの表裏の両面に、銅箔１１Ｃがラミネートされているものが用意される。
【００２０】
（２）図５（Ｂ）に示すように、コア基板１１にＦ面１１Ｆ側から例えばＣＯ２レーザが照射されて導電用貫通孔１４（図３参照）を形成するためのテーパー孔１４Ａが穿孔される。
【００２１】
（４）図５（Ｃ）に示すように、コア基板１１のＳ面１１Ｓのうち前述したＦ面１１Ｆ側のテーパー孔１４Ａの真裏となる位置にＣＯ２レーザが照射されてテーパー孔１４Ｂが穿孔され、それらテーパー孔１４Ａ，１４Ｂから導電用貫通孔１４が形成される。
【００２２】
（５）無電解めっき処理が行われ、銅箔１１Ｃ上と導電用貫通孔１４の内面に無電解めっき膜（図示せず）が形成される。
（６）図５（Ｄ）に示すように、銅箔１１Ｃ上の無電解めっき膜上に、所定パターンのめっきレジスト３３が形成される。
【００２３】
（７）電解めっき処理が行われ、図６（Ａ）に示すように、電解めっきが導電用貫通孔１４内に充填されてスルーホール導電導体１５が形成されると共に、銅箔１１Ｃ上の無電解めっき膜（図示せず）のうちめっきレジスト３３から露出している部分に電解めっき膜３４が形成される。
【００２４】
（８）めっきレジスト３３が剥離されると共に、めっきレジスト３３の下方の無電解めっき膜（図示せず）及び銅箔１１Ｃが除去され、図６（Ｂ）に示すように、残された電解めっき膜３４、無電解めっき膜及び銅箔１１Ｃにより、コア基板１１のＦ面１１Ｆ上に導体回路層１２Ａが形成されると共に、コア基板１１のＳ面１１Ｓ上に導体回路層１２Ｂが形成される。そして、Ｆ面１１Ｆの導体回路層１２ＡとＳ面１１Ｓの導体回路層１２Ｂとがスルーホール導電導体１５によって接続された状態になる。
【００２５】
（９）図６（Ｃ）に示すように、コア基板１１に、ルーターによってキャビティ１６が形成される。具体的には、キャビティ１６のうち図４（Ｃ）に示した丸孔１６Ａ，１６Ａをルーターに取り付けた所定の工具によって成形してから、その工具より径が小さい工具を使用してスリット１６Ｂを形成する。ここで、ルーター加工以外に、レーザや金型を用いてキャビティを形成してもよい。
【００２６】
（１０）図６（Ｄ）に示すように、キャビティ１６が塞がれるように、ＰＥＴフィルムからなるテープ９０がコア基板１１のＳ面１１Ｓ上に張り付けられる。
（１１）図７（Ａ）に示すように、図示しないマウンターによって放熱用導体１７がキャビティ１６に押し込まれる。
【００２７】
（１２）図７（Ｂ）に示すように、コア基板１１のＦ面１１Ｆ上の導体回路層１２Ａ上に、ビルドアップ絶縁層２１Ａとしてのプリプレグ（心材を樹脂含浸してなるＢステージの樹脂シート）と銅箔３７が積層されてから、加熱プレスされる。その際、コア基板１１のＦ面１１Ｆの導体回路層１２Ａ，１２Ａ同士の間がプリプレグにて埋められ、プリプレグから染み出でた熱硬化性樹脂がキャビティ１６の内面と放熱用導体１７との隙間に充填される。
【００２８】
（１３）図７（Ｃ）に示すように、テープ９０を除去する。
（１４）図７（Ｄ）に示すように、コア基板１１のＳ面１１Ｓ上の導体回路層１２Ｂ上にビルドアップ絶縁層２１Ｂとしてのプリプレグと銅箔３７が積層されてから、加熱プレスされる。その際、コア基板１１のＳ面１１Ｓの導体回路層１２Ｂ，１２Ｂ同士の間がプリプレグにて埋められ、プリプレグから染み出でた熱硬化性樹脂がキャビティ１６の内面と放熱用導体１７との隙間に充填される。なお、ビルドアップ絶縁層２１Ａ，２１Ｂとしてプリプレグの代わりに心材を含まない樹脂フィルムを用いてもよい。その場合は、銅箔を積層することなく、樹脂フィルムの表面に、直接、セミアディティブ法で導体回路層を形成することができる。
【００２９】
（１５）図８（Ａ）に示すように、上記したプリプレグによって形成されたビルドアップ絶縁層２１Ａ，２１ＢにＣＯ２レーザが照射されて、導電用ビアホール２４Ａ，２４Ｂと伝熱用ビアホール２６Ａ，２６Ｂが形成される。
【００３０】
（１６）無電解めっき処理が行われ、ビルドアップ絶縁層２１Ａ，２１Ｂ上と、導電用ビアホール２４Ａ，２４Ｂ内及び伝熱用ビアホール２６Ａ，２６Ｂ内とに無電解めっき膜（図示せず）が形成される。
【００３１】
（１７）図８（Ｂ）に示すように、銅箔３７上の無電解めっき膜上に、所定パターンのめっきレジスト４０が形成される。
【００３２】
（１８）電解めっき処理が行われ、図８（Ｃ）に示すように、電解めっきが導電用ビアホール２４Ａ，２４Ｂ内に充填されてビア導電導体２５Ａ，２５Ｂが形成されると共に、電解めっきが伝熱用ビアホール２６Ａ，２６Ｂ内に充填されてビア伝熱導体２７Ａ，２７Ｂが形成され、さらには、ビルドアップ絶縁層２１Ａ，２１Ｂ上の無電解めっき膜（図示せず）のうちめっきレジスト４０から露出している部分に電解めっき膜３９，３９が形成される。
【００３３】
（１９）めっきレジスト４０が剥離されると共に、めっきレジスト４０の下方の無電解めっき膜（図示せず）が除去され、図９（Ａ）に示すように、残された電解めっき膜３９、無電解めっき膜及び銅箔３７により、コア基板１１のＦ面１１Ｆ側にビルドアップ導体回路層２２Ａ１とビルドアップ導体伝熱層２２Ａ２とからなるビルドアップ導体層２２Ａが形成されると共に、コア基板１１のＳ面１１Ｓ側にビルドアップ導体回路層２２Ｂ１とビルドアップ導体伝熱層２２Ｂ２とからなるビルドアップ導電層２２Ｂが形成される。そして、ビルドアップ導体回路層２２Ａ１，２２Ｂ１と導体回路層１２Ａ，１２Ｂとが、ビア導電導体２５Ａ，２５Ｂによって接続され、ビルドアップ導体伝熱層２２Ａ２，２２Ｂ２と放熱用導体１７とが、ビア伝熱導体２７Ａ，２７Ｂによって接続された状態になる。
【００３４】
（２０）図９（Ｂ）に示すように、ビルドアップ導体層２２Ａ，２２Ｂ上にソルダーレジスト層２３Ａ，２３Ｂが積層される。
【００３５】
（２１）図９（Ｃ）に示すように、ソルダーレジスト層２３Ａ，２３Ｂの所定箇所にテーパー状のパッド用孔が形成されてビルドアップ導体層２２Ａ，２２Ｂにおけるビルドアップ導体回路層２２Ａ１，２２Ｂ１の一部がソルダーレジスト層２３Ａ，２３Ｂから露出して上記した導電用パッド３２Ａ，３２Ｂになると共に、ビルドアップ導体層２２Ａ，２２Ｂにおけるビルドアップ導体伝熱層２２Ａ２，２２Ｂ２の一部がソルダーレジスト層２３Ａ，２３Ｂから露出して上記した伝熱用パッド３１Ａ，３１Ｂになる。
【００３６】
（２２）図３に示すように、導電用パッド３２Ａ，３２Ｂ上及び伝熱用パッド３１Ａ，３１Ｂ上に、ニッケル層、金層の順に積層されて金属膜４１が形成される。以上で回路基板１０が完成する。
【００３７】
本実施形態の回路基板１０の構造及び製造方法に関する説明は以上である。次に回路基板１０の作用効果を、回路基板１０の使用例と共に説明する。本実施形態の回路基板１０は、例えば、以下のようにして使用される。即ち、図１０に示すように、回路基板１０の有する前述の大、中、小のパッド上に、それら各パッドの大きさに合った大、中、小の半田バンプ７９Ａ，７９Ｂ，７９Ｃが形成される。そして、例えば、回路基板１０のＦ面１０Ｆの小パッド群と同様に配置されたパッド群を下面に有するＣＰＵ８０が、各製品領域Ｒ２の小半田バンプ７９Ｃ群上に搭載されて半田付けされて、第１パッケージ基板１０Ｐが形成される。このときＣＰＵ８０が有する例えばグランド用のパッドが回路基板１０における伝熱用パッド３１Ａに半田付けされる。
【００３８】
次いで、メモリ８１を回路基板８２のＦ面８２Ｆに実装してなる第２パッケージ基板８２Ｐが、ＣＰＵ８０の上方から第１パッケージ基板１０Ｐ上に配されて、その第２パッケージ基板８２Ｐにおける回路基板８２のＳ面８２Ｓに備えるパッドに第１パッケージ基板１０Ｐにおける回路基板１０の大半田バンプ７９Ａが半田付けされてＰｏＰ８３（Ｐａｃｋａｇｅ  ｏｎ  Ｐａｃｋａｇｅ８３）が形成される。なお、ＰｏＰ８３における回路基板１０，８２の間には図示しない樹脂が充填される。
【００３９】
次いで、ＰｏＰ８３がマザーボード８４上に配されて、そのマザーボード８４が有するパッド群にＰｏＰ８３における回路基板１０の中半田バンプ７９Ｂが半田付けされる。このとき、マザーボード８４が有する例えばグランド用のパッドが回路基板１０における伝熱用パッド３１Ｂと半田付けされる。なお、ＣＰＵ８０及びマザーボード８４が放熱専用のパッドを有している場合には、それら放熱専用のパッドと回路基板１０の伝熱用パッド３１Ａ，３１Ｂとが半田付けされてもよい。
【００４０】
さて、ＣＰＵ８０が発熱すると、その熱は、ＣＰＵ８０が実装されている回路基板１０のビルドアップ導体伝熱層２２Ａ２，２２Ｂ２、ビア伝熱導体２７Ａ，２７Ｂ、放熱用導体１７を通して回路基板１０の反対側のマザーボード８４へと放熱される。
【００４１】
ここで、本実施形態の回路基板１０では、放熱用導体１７が、コア基板１１の厚さ方向と平行な中心軸を有する２つの円柱部１７Ａ，１７Ａと、それら２つの円柱部１７Ａ，１７Ａの直径より小さい板厚の平板状をなして両側辺に２つの円柱部１７Ａ，１７Ａを一体に備える中間板部１７Ｂとを有した形状をなして、その中間板部１７Ｂが、スルーホール導電導体１５，１５同士の間の空きスペースに配置されているので、空きスペースを有効利用して放熱用導体１７を大きくすることができる。これにより、回路の高密度化の阻害を抑えることができ、スルーホール内の導体で放熱を行うより、効率良く放熱を行うことができる。また、ビア伝熱導体２７Ａ，２７Ａ（２７Ｂ，２７Ｂ）同士が、ビルドアップ導体伝熱層２２Ａ２（２２Ｂ２）で接続されることで、多くの伝熱ルートが形成されているので、効率よく放熱を行うことができる。また、ビルドアップ導体伝熱層２２Ａ２（２２Ｂ２）のうちビア伝熱導体２７Ａ，２７Ａ同士の間を接続する帯状伝熱部７３の幅が、ビア伝熱導体２７Ａ，２７Ａ上の円形伝熱部７２，７２の直径より小さくなっていてビア導電導体２５Ａ，２５Ａ（２５Ｂ，２５Ｂ）同士の間の空きスペースに配置されているので、空きスペースを有効利用して伝熱ルートを増やすことができ、この点においても、回路の高密度化の阻害を抑えて、効率良く放熱を行うことができる。
［他の実施形態］
【００４２】
本発明は、前記実施形態に限定されるものではなく、例えば、以下に説明するような実施形態も本発明の技術的範囲に含まれ、さらに、下記以外にも要旨を逸脱しない範囲内で種々変更して実施することができる。
【００４３】
（１）前記第１実施形態の回路基板１０は、回路基板に実装されたＣＰＵ８０の放熱に使用されたが、他の電子部品の放熱に本発明を適用した回路基板を使用してもよい。例えば、図１１に示す回路基板９０のように、コア基板１１の絶縁性基材１１Ｋに電子部品９１を内蔵し、その電子部品９１の近傍に放熱用導体１７を配置することができる。この電子部品９１は基板に平行な方向の両端に電極９２，９２を備え、それぞれの電極９２，９２がビア導電導体２５Ａ，２５Ｂによってビルドアップ導体回路層２２Ａ１，２２Ｂ１に接続されている。そして、この電子部品９１が発生する熱を放熱用導体１７によって放熱することができる。ここで、放熱用導体１７は、電子部品９１から７０〜２００［μｍ］離した位置に形成することが好ましい。そうすれば、電子部品９１との絶縁を確保し、かつ、電子部品９１の発熱に対して十分な放熱効果が期待できる。なお、電子部品９１の種類は、任意である。例えば、コンデンサ、抵抗、コイル等の受動部品のほか、ＩＣ回路等の能動部品など、任意の電子部品を採用することができる。
【００４４】
（２）前記第１実施形態のキャビティ１６は、ルーターによって形成されていたが、他の回転工具やレーザによってキャビティ１６を形成してもよい。
【符号の説明】
【００４５】
１０    回路基板
１１    コア基板
１２Ａ，１２Ｂ    導体回路層
１４    導電用貫通孔
１５    スルーホール導電導体
１６    キャビティ
１６Ａ    丸孔
１６Ｂ    スリット
１７    放熱用導体
１７Ａ    円柱部
１７Ｂ    中間板部
２０Ａ，２０Ｂ    ビルドアップ層
２１Ａ，２１Ｂ    ビルドアップ絶縁層
２２Ａ１，２２Ｂ１    ビルドアップ導体回路層
２２Ａ２，２２Ｂ２    ビルドアップ導体伝熱層
２３Ａ，２３Ｂ    ソルダーレジスト層
２４Ａ，２４Ｂ    導電用ビアホール
２５Ａ，２５Ｂ    ビア導電導体
２６Ａ，２６Ｂ    伝熱用ビアホール
２７Ａ，２７Ｂ    ビア伝熱導体
７２    円形伝熱部
７３    帯状伝熱部
９１    電子部品
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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