(57)【要約】      （修正有）【課題】基板の斜面に工夫を加えることで、硬化用光の反射を抑制して、歩留まりを向上させることができる基板構造体および光モジュール用基板を提供する。【解決手段】基板１と、基板１の表面の斜面１ｃに沿って形成される内部導波路（感光性樹脂構造体）１６と、斜面１ｃの少なくとも一部に形成され、感光性樹脂の硬化用光の反射が基板１よりも抑制された反射抑制部２８とを備えている。反射抑制部２８は、斜面１ｃの少なくとも上端に沿って形成されている。【選択図】図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と、
前記基板の表面の斜面に沿って形成される感光性樹脂構造体と、
前記斜面の少なくとも一部に形成され、前記感光性樹脂の硬化用光の反射が前記基板よりも抑制された反射抑制部と、
を備えたことを特徴とする基板構造体。
【請求項２】
前記基板の斜面は、前記基板の表面に形成された導波路形成用溝の側面の斜面であり、
前記感光性樹脂構造体は、前記導波路形成用溝内に設けられた内部導波路であることを特徴とする請求項１に記載の光モジュール用基板。
【請求項３】
前記基板の表面に、前記導波路形成用溝の光路変換用のミラー部と対向し、前記ミラー部を介して前記内部導波路のコア部に光信号を発光し、若しくは前記ミラー部を介して前記内部導波路のコア部からの光信号を受光する光素子が配置され、
前記基板の表面に、前記光素子を電気的に接続する配線パッドが形成されていることを特徴とする請求項２に記載の光モジュール用基板。
【請求項４】
前記反射抑制部は、前記斜面の少なくとも上端に沿って形成されていることを特徴とする請求項２または３に記載の光モジュール用基板。
【請求項５】
前記反射抑制部は、前記斜面の上端に連なって前記導波路形成用溝の斜面に形成されていることを特徴とする請求項４に記載の光モジュール用基板。
【請求項６】
前記反射抑制部は、前記導波路形成用溝側の前記配線パッドの端部の付近から前記導波路形成用溝の溝部分の前端の付近の間の斜面に形成されていることを特徴とする請求項４に記載の光モジュール用基板。
【請求項７】
前記反射抑制部は、膜状であることを特徴とする請求項１〜６のいずれか一項に記載の光モジュール用基板。
【請求項８】
前記反射抑制部は、微細凹凸構造であることを特徴とする請求項１〜６のいずれか一項に記載の光モジュール用基板。
【請求項９】
前記反射抑制部は、前記ミラー部の反射膜や前記配線パッドの導電膜と同じ素材であることを特徴とする請求項３に記載の光モジュール用基板。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、基板構造体および光モジュール用基板に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、図６（ａ）のように、光モジュールは、基板１の表面に形成された第１溝（導波路形成用溝）１ａ内に設けられた内部導波路１６と、この第１溝１ａの先端面に形成された光路変換用のミラー部１５とを備えている。また、ミラー部１５を介して内部導波路１６のコア部１７に光信号を発光し、若しくはミラー部１５を介して内部導波路１６のコア部１７からの光信号を受光する光素子１２を備えている。
【０００３】
さらに、基板１の表面に形成された第２溝１ｂ内に設けられ、内部導波路１６のコア部１７と光学的に結合するファイバコア部２１を有する光ファイバ（外部導波路）２を備えている（特許文献１参照）。
【０００４】
また、図６（ｂ）のように、コア部１７の前端１７ａをミラー部１５から後退させることで温度上昇を抑制して、基板１からコア部１７が剥離しにくいように工夫したものも提案されている。
【０００５】
ところで、基板１の第１溝１ａ内に内部導波路１６を設ける工程では、図７（ａ）のように、先ず、コア部１７を形成し、ついで、コア部１７を覆うようにクラッド部１８を形成している。なお、基板１の表面と裏面には、薄い酸化膜（ＳｉＯ２）１ｐが形成されているが、以下での図示および説明は省略する。
【０００６】
ここで、クラッド部１８を形成する工程では、先ず、基板１の第１溝１ａを中心にして、基板１の表面の広い範囲に亘って、クラッド部１８となる感光性樹脂１８´を塗布する。次いで、図７（ｂ）のように、塗布した感光性樹脂１８´の上方にフォトマスク３５を配置し、硬化用光（例えばＵＶ光）３６を照射することで、感光性樹脂１８´に、硬化する露光部分と、硬化しない未露光部分とを形成する。その後、現像処理によって、硬化しない未露光部分を除去することで、クラッド部（感光性樹脂構造体）１８が形成されるようになる（特許文献２参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００７】
【特許文献１】特開２０１３−３５４９号公報
【特許文献２】特開２００９−２５１１３９号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
しかしながら、この硬化用光を照射する際、図７（ｂ）のように、第１溝１ａが略Ｖ字状であると、斜面１ｃで反射した硬化用光３６が、矢印ａのようにフォトマスク３５の裏面で反射する。続いて、基板１の表面で反射する等して、未露光であるべき部分までも露光されることがあり、パターニング精度が低下するおそれがある。特に、基板１が図７（ｂ）のような光モジュール用基板である場合、基板１の表面に、光素子１２を電気的に接続する配線パッド１０が形成されている。そして、この配線パッド１０にも塗布された感光性樹脂１８´が硬化して、光素子１２を電気的に接続できなくなるおそれがある。これらのことから、基板１の歩留まりが低下するという問題があった。
【０００９】
なお、特許文献２には、フォトマスク３５の裏面に光吸収体を設けることで、この箇所での硬化用光の反射を抑制して、未露光であるべき部分まで露光されることを抑える試みがなされている。しかし、この構成では、フォトマスクに追加の加工が必要であり、製造コストが増えるという問題がある。
【００１０】
本発明は、前記問題を解消するためになされたもので、基板の斜面に工夫を加えることで、硬化用光の反射を抑制して、歩留まりを向上させることができる基板構造体および光モジュール用基板を提供することを目的とするものである。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
前記課題を解決するために、本発明は、基板と、前記基板の表面の斜面に沿って形成される感光性樹脂構造体と、前記斜面の少なくとも一部に形成され、前記感光性樹脂の硬化用光の反射が前記基板よりも抑制された反射抑制部とを備えたことを特徴とする基板構造体である。
【００１２】
本発明によれば、基板の表面の斜面に沿った感光性樹脂構造体を形成する際に、斜面の少なくとも一部には反射抑制部を形成しているから、基板の斜面自体で、硬化用光の反射が抑制できるようなる。これにより、未露光であるべき部分までも露光されるおそれが少なくなり、パターニング精度が向上して、基板の歩留まりが向上するようになる。
【００１３】
前記基板の斜面は、前記基板の表面に形成された導波路形成用溝の側面の斜面であり、前記感光性樹脂構造体は、前記導波路形成用溝内に設けられた内部導波路である構成とすることができる。
【００１４】
この構成によれば、光モジュール用基板の導波路形成用溝の側面の斜面に反射抑制部を形成することで、光モジュール用基板の導波路形成用溝の斜面自体で、硬化用光の反射が抑制できるようなる。これにより、未露光であるべき部分までも露光されるおそれが少なくなり、パターニング精度が向上する。これらのことから、基板の歩留まりが向上するようになる。
【００１５】
前記基板の表面に、前記導波路形成用溝の光路変換用のミラー部と対向し、前記ミラー部を介して前記内部導波路のコア部に光信号を発光し、若しくは前記ミラー部を介して前記内部導波路のコア部からの光信号を受光する光素子が配置されている。前記基板の表面に、前記光素子を電気的に接続する配線パッドが形成されている構成とすることができる。
【００１６】
この構成によれば、光モジュール用基板の導波路形成用溝の側面の斜面に反射抑制部を形成することで、光モジュール用基板の導波路形成用溝の斜面自体で、硬化用光の反射が抑制できるようなる。また、基板の表面の配線パッドの部分においても硬化用光の反射が抑制されるので、この部分が露光されるおそれが少なくなり、電気的な接続が安定するようになる。
【００１７】
前記反射抑制部は、前記斜面の少なくとも上端に沿って形成されている構成とすることができる。
【００１８】
この構成によれば、光モジュール用基板の導波路形成用溝の側面の斜面少なくとも上端に反射抑制部を形成することで、光モジュール用基板の導波路形成用溝の斜面自体で、硬化用光の反射が抑制できるようなる。また、反射抑制部は、導波路形成用溝の斜面の上端にだけ形成すればよいから、反射抑制部の形成工程を簡略化でき、製造コストが低減するようになる。
【００１９】
前記反射抑制部は、前記斜面の上端に連なって前記導波路形成用溝の斜面に形成されている構成とすることができる。
【００２０】
この構成によれば、反射抑制部は、斜面の上端に連なって導波路形成用溝の斜面に形成しているから、斜面全体で、硬化用光の反射がより抑制できるようなる。
【００２１】
前記反射抑制部は、前記導波路形成用溝側の前記配線パッドの端部の付近から前記導波路形成用溝の溝部分の前端の付近の間の斜面に形成されている構成とすることができる。
【００２２】
この構成によれば、反射抑制部は、配線パッドに近接する導波路形成用溝の斜面にだけ形成すればよいから、反射抑制部の形成工程を簡略化でき、製造コストが低減するようになる。
【００２３】
前記反射抑制部は、膜状である構成とすることができる。
【００２４】
この構成によれば、反射抑制部は、膜状〔例えば、吸収膜（Ａｕ膜，金属黒ナノ粒子膜、光共振膜等）、低反射膜、透過膜、散乱膜等〕とすれば、他の部位の形成工程に容易に追加可能であるから、形成工程を簡略化でき、製造コストが低減するようになる。
【００２５】
前記反射抑制部は、微細凹凸構造である構成とすることができる。
【００２６】
この構成によれば、反射抑制部を微細凹凸構造（例えば凹凸状、針状）とすれば、他の部位の形成工程に容易に追加可能であるから、形成工程を簡略化でき、製造コストが低減するようになる。
【００２７】
前記反射抑制部は、前記ミラー部の反射膜や前記配線パッドの導電膜と同じ素材である構成とすることができる。
【００２８】
この構成によれば、反射抑制部をミラー部の反射膜や配線パッドの導電膜と同じ素材（例えばＡｕ）とすれば、反射膜や導電膜の形成工程と同時に形成可能であるから、形成工程を簡略化でき、製造コストが低減するようになる。
【発明の効果】
【００２９】
本発明によれば、基板の斜面自体で、硬化用光の反射が抑制できるようになるから、未露光であるべき部分まで露光されることを抑えることができるので、歩留まりを向上させることができる。
【図面の簡単な説明】
【００３０】
【図１】本発明に係る光モジュールの概略側面図である。
【図２】第１実施形態の反射抑制部を形成した基板であり、（ａ）は平面図、（ｂ）は（ａ）のＩ−Ｉ線断面図、（ｃ）は（ａ）のＩＩ−ＩＩ線断面図である。
【図３】第２実施形態の反射抑制部を形成した基板であり、（ａ）は平面図、（ｂ）は（ａ）のＩ−Ｉ線断面図、（ｃ）は（ａ）のＩＩ−ＩＩ線断面図である。
【図４】第３実施形態の反射抑制部を形成した基板の平面図である。
【図５】第１溝の前端と配線パッドの付近の基板であり、（ａ）は平面図、（ｂ）は参考例の平面図である。
【図６】背景技術の光モジュールの内部導波路であり、（ａ）は側面断面図、（ｂ）はコア部の前端を後退させた側面断面図である。
【図７】配線パッド付近の内部導波路であり、（ａ）は断面図、（ｂ）は露光工程時の断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００３１】
以下、本発明を実施するための形態について、図面を参照しながら詳細に説明する。なお、背景技術と同一構成・作用の箇所は、同一番号を付して詳細な説明を省略する。
【００３２】
図１は本発明に係る光モジュールの概略側面図である。図１において、光モジュールは、発光側の第１基板（マウント基板）１と、受光側の第１基板（マウント基板）３と、この第１基板１，３を光学的に結合する光ファイバ２とを備えている。
【００３３】
第１基板１，３は、実装時の熱の影響や使用環境による応力の影響を避けるために、剛性が必要である。また、光伝送の場合は、発光素子１２ａから受光素子１２ｂまでの光結合効率が必要になるので、光素子（発光素子１２ａと受光素子１２ｂ）１２を高精度に実装することや使用中の位置変動を極力抑制する必要がある。このため、第１基板１，３として、本実施形態ではシリコン（Ｓｉ）基板が採用されている。
【００３４】
特にシリコン基板であれば、シリコンの結晶方位を利用して表面に高精度のエッチング溝加工が可能〔この溝を利用して高精度なミラー部１５（後述）、溝内に内部導波路１６（後述）を形成する。〕となる。また、シリコン基板は、平坦性も良好である。
【００３５】
第１基板１，３は、それよりもサイズが大きい第２基板（インタポーザ基板）６の表面（上面）にそれぞれ設置されている。各第２基板６の裏面（下面）には、他の回路装置に電気的に接続するためのコネクタ７がそれぞれ取付けられている。
【００３６】
第１基板１の表面（上面）には、電気信号を光信号に変換する発光素子１２ａが発光面を下向きとしてバンプ１２ｃ〔図６（ｂ）参照〕でフリップチップ実装されている。また、第２基板６の表面には、この発光素子１２ａに電気信号を送信するためのＩＣ回路が形成されたＩＣ基板（信号処理部）４ａが実装されている。
【００３７】
発光素子１２ａとして、本実施形態では、半導体レーザである面発光レーザ〔ＶＣＳＥＬ（Ｖｅｒｔｉｃａｌ  Ｃａｖｉｔｙ  Ｓｕｒｆａｃｅ  Ｅｍｉｔｔｉｎｇ  Ｌａｓｅｒ）〕が採用されている。この発光素子１２ａはＬＥＤ等でもよい。
【００３８】
ＩＣ基板４ａは、前記ＶＣＳＥＬを駆動させるドライバＩＣであり、発光素子１２ａの近傍に配設されている。そして、発光素子１２ａおよびＩＣ基板４ａは、第１基板１の表面に形成された配線パターン（金等のスパッタによるパターニング回路）１０〔図２（ａ）参照〕に電気的に接続されている。
【００３９】
第１基板１の表面には、図２（ｃ）に示すような略Ｖ字形の第１溝（導波路形成用溝）１ａと、第１溝１ａよりも深い略Ｖ字形の第２溝１ｂが前後方向に連なって形成されている。
【００４０】
第１溝１ａの先端面には、発光素子１２ａの真下となる位置に、光路を９０度屈曲させるための光路変換用のミラー部１５が形成されている。
【００４１】
第１基板１の第１溝１ａ内には、第１基板１の発光素子１２ａと光学的に結合する内部導波路１６が設けられている。
【００４２】
内部導波路１６は、図２を参照すれば、光が伝播する屈折率の高いコア部１７と、それよりも屈折率の低いクラッド部１８とから構成されている。コア部１７の左右の両面は、クラッド部１８で覆われている。
【００４３】
コア部１７の上部は、第１基板１の表面よりも僅かに盛り上げられており、その前端１７ａはミラー部１５の上端付近に位置している。
【００４４】
クラッド部１８の上部は、コア部１７の上部よりも僅かに盛り上げられており、その前端１８ａはミラー部１５の上端よりも延在して、基板１の表面に密着されている。また、第１溝１ａの両側のクラッド部１８の上部は基板１の表面に密着されている。なお、コア部１７の前端１７ａの位置、クラッド部１８の前端１８ａの位置は、必ずしもこの位置である必要はない。これらのことは、第１溝１ａの断面形状を略台形とした場合でも同様である。
【００４５】
図１に戻って、内部導波路１６が設けられた第１基板１の表面の所定位置には、発光素子１２ａが実装され、この発光素子１２ａと第１基板１の表面との間には、アンダーフィルが充填されている。
【００４６】
一方、受光側の第１基板３の基本的な構成は、発光側の第１基板１と同様に構成されている。ただし、受光側の第１基板３の表面（上面）に、光信号を電気信号に変換する受光素子１２ｂが受光面を下向きとしてフリップチップ実装されている。また、第２基板６の表面に、この受光素子１２ｂに電気信号を送信するためのＩＣ回路が形成されたＩＣ基板（信号処理部）４ｂが実装されている点で、発光側の第１基板１と異なる。この受光素子１２ｂとしては、ＰＤ（Ｐｈｏｔｏ  Ｄｉｏｄｅ）が採用されており、ＩＣ基板４ｂは、電流・電圧の変換を行うＴＩＡ（Ｔｒａｎｓ−ｉｍｐｅｄａｎｃｅ  Ａｍｐｌｉｆｉｅｒ）などの素子である。
【００４７】
発光側の第１基板１と受光側の第１基板３およびＩＣ基板４ａ，４ｂは、第２基板６の表面に取付けたシールドケース８でそれぞれシールドされていて、光ファイバ２は、シールドケース８の貫通孔８ａを貫通させている。
【００４８】
光ファイバ２は、発光側の第１基板１の内部導波路１６のコア部１７と、受光側の第１基板３の内部導波路１６のコア部１７とを光学的に結合可能なファイバコア部２１を内部に有している。そして、このファイバコア部２１の外周を包囲するファイバクラッド部２２と、このファイバクラッド部２２の外周を被覆する被覆部２３とで構成されるコードタイプである。このファイバコア部２１とファイバクラッド部２２と被覆部２３は円形状である。
【００４９】
光ファイバ２は、シールドケース８の貫通孔８ａを貫通して第１基板１の第２溝１ｂの手前付近で被覆部２３が剥がされて、ファイバクラッド部２２が露出されている。
【００５０】
そして、第１基板１の第２溝１ｂに光ファイバ２のファイバクラッド部２２を設置して、第１溝１ａとの境部分の立ち上がり傾斜部でファイバクラッド部２２の位置決めをする。このときに、第１基板１の内部導波路１６のコア部１７と光ファイバ２のファイバコア部２１の光軸が一致した位置決め状態で光学的に結合されるようになる。
【００５１】
第１基板１の表面の位置において、光ファイバ２のファイバクラッド部２２の上部に押えブロック２４が配置され、この押えブロック２４と第２溝１ｂとの間の空間には、接着剤が充填されている。
【００５２】
このように、光ファイバ２のファイバクラッド部２２の先端側は、押えブロック２４で第２溝１ｂに押え付けられた状態で、押えブロック２４とともに第１基板１に接着剤で接着固定されるようになる。
【００５３】
図２は、第１実施形態の反射抑制部２８を形成した基板１であり、（ａ）は平面図、（ｂ）は（ａ）のＩ−Ｉ線断面図、（ｃ）は（ａ）のＩＩ−ＩＩ線断面図である。
【００５４】
基板１の第１溝１ａの断面形状は略Ｖ字形である。第１溝１ａの先端面にはミラー部１５が形成されており、ミラー部１５と第１溝１ａの略Ｖ字形の溝部分の前端１ｄとの間には、ミラー底１ｅが形成されている。
【００５５】
ミラー部１５には、ミラー底１ｅの最大幅よりも僅かに狭い幅で、ミラー部１５の上端付近からミラー底１ｅに跨って、反射膜（例えばＡｕ膜）１５ａが形成されている。
【００５６】
第１溝１ａの略Ｖ字形の溝部分の前端１ｄから後方に延在する、第１溝１ａの斜面１ｃの少なくとも一部、本例では、斜面１ｃの上端に沿って反射抑制部２８が形成されている。
【００５７】
反射抑制部２８は膜状とすることができる。低反射機能の膜状としては、例えば、吸収膜（Ａｕ膜，金属黒ナノ粒子膜、光共振膜等）、低反射膜、透過膜、散乱膜等がある。
【００５８】
このように、反射抑制部２８を膜状とすれば、他の部位の形成工程に容易に追加可能であるから、形成工程を簡略化でき、製造コストが低減するようになる。
【００５９】
吸収膜の内、Ａｕ膜は、硬化用光として用いるＵＶ光の吸収性が良いことが知られている。また、金属黒ナノ粒子膜は、硬化用光として用いるＵＶ光から赤外光までの波長域の光の吸収性が良いことが知られている（特開２００２−１８０２３９号公報参照）。なお、金属黒ナノ粒子膜は、後述するようなミラー部１５の反射膜として兼用することが困難であるので、ミラー部１５とは別に形成することが好ましい。
【００６０】
本実施形態では、硬化用光としてＵＶ光３６を照射することで、感光性樹脂１８´に、硬化する露光部分と、硬化しない未露光部分とを形成する方法を代表的に例示することとする。
【００６１】
また、反射抑制部２８は、微細凹凸構造とすることもできる。低反射機能の微細凹凸構造としては、例えば、凹凸状や針状等とすることができる。すなわち、シリコン製基板１の表面に、微細な凹凸状や針状等を形成することで、光が吸収されて反射が低減することが知られている。
【００６２】
このように、反射抑制部２８を微細凹凸形状とすれば、他の部位の形成工程に容易に追加可能であるから、形成工程を簡略化でき、製造コストが低減するようになる。
【００６３】
さらに、反射抑制部２８は、ミラー部１５の反射膜１５ａや配線パッド１０の導電膜と同じ素材（例えばＡｕ）とすることが特に好ましい。
【００６４】
このように、反射抑制部２８を反射膜１５ａや導電膜と同じ素材とすれば、反射膜１５ａや導電膜の形成工程と同時に形成可能であるから、形成工程を簡略化でき、製造コストが低減するようになる。
【００６５】
第１実施形態の構成であれば、基板１の表面の第１溝１ａの斜面１ｃに沿ったクラッド部（感光性樹脂構造体）１８を形成する際に、斜面１ｃの少なくとも一部には反射抑制部２８を形成している。したがって、基板１の第１溝１ａの斜面１ｃ自体で、硬化用光３６の反射が抑制できるようなる。これにより、未露光であるべき部分までも露光されるおそれが少なくなり、パターニング精度が向上するようになる。
【００６６】
特に、第１実施形態では、基板１の表面の第１溝１ａの斜面１ｃに沿ったクラッド部１８を形成する際に、斜面１ｃの上端に沿って反射抑制部２８を形成している。したがって、基板１の表面の配線パッド１０の部分においても硬化用光３６の反射が抑制されるので、この部分が露光されるおそれが少なくなり、電気的な接続が安定するようになる。これらのことから、基板１の歩留まりが向上するようになる。
【００６７】
さらに、反射抑制部２８は、第１溝１ａの斜面１ｃの上端に沿ってだけ形成すればよいから、反射抑制部２８の形成工程を簡略化でき、製造コストが低減するようになる。
【００６８】
図３は、第２実施形態の反射抑制部２８を形成した基板１であり、（ａ）は平面図、（ｂ）は（ａ）のＩ−Ｉ線断面図、（ｃ）は（ａ）のＩＩ−ＩＩ線断面図である。
【００６９】
第１実施形態と相違するのは、反射抑制部２８は、斜面１ｃの上端に連なって第１溝１ａの斜面１ｃの全面に形成されている点である。
【００７０】
第２実施形態の構成によれば、反射抑制部２８は、斜面１ｃの上端に連なって第１溝１ａの斜面１ｃにも形成しているから、斜面全体で、硬化用光３６の反射がより抑制できるようなる。
【００７１】
第２実施形態において、ミラー部１５の反射膜（例えばＡｕ膜）１５ａを、ミラー底１ｅから第１溝１ａの略Ｖ字形の溝部分の前端１ｄまで延在させ、さらに第１溝１ａの斜面１ｃの全面に延在させて形成することができる。
【００７２】
この構成であれば、反射抑制部２８を反射膜１５ａと同じ素材で形成することができる。これにより、反射膜１５ａの形成工程と同時に形成可能であるから、形成工程を簡略化でき、製造コストが低減するようになる。
【００７３】
図４は、第３実施形態の反射抑制部２８を形成した基板１の平面図である。
【００７４】
光素子（発光素子１２ａ、受光素子１２ｂ）１２をバンプ１２ｃで実装するための配線パッド１０は、４箇所に形成されている。すなわち、第１溝１ａの略Ｖ字形の溝部分の前端１ｄよりも第２溝１ｂ側に位置させた２箇所の第１溝側の配線パッド１０（Ａ）と、ミラー部１５付近に位置させた２箇所のミラー部側の配線パッド１０（Ｂ）の計４箇所である。
【００７５】
第１実施形態と相違するのは、反射抑制部２８は、第１溝１ａ側の配線パッド１０（Ａ）の端部１０ａの付近（好ましくは、図４のような端部１０ａの直前付近）から第１溝１ａの略Ｖ字形の溝部分の前端１ｄの間（符号Ｌ参照）の斜面部分に形成されている点である。
【００７６】
第３実施形態の構成によれば、反射抑制部２８は、配線パッド１０（Ａ）に近接する第１溝１ａの斜面部分にだけ形成すればよいから、反射抑制部２８の形成工程を簡略化でき、製造コストが低減するようになる。
【００７７】
第３実施形態において、ミラー部１５の反射膜（例えばＡｕ膜）１５ａを、ミラー底１ｅから第１溝１ａの略Ｖ字形の溝部分の前端１ｄまで延在させて、さらに配線パッド１０の端部１０ａの付近まで延在させて形成することができる。
【００７８】
この構成であれば、反射抑制部２８を反射膜１５ａと同じ素材で形成することができるこれにより、反射膜１５ａの形成工程と同時に形成可能であるから、反射抑制部２８の形成工程を簡略化でき、製造コストが低減するようになる。
【００７９】
前記各実施形態において、反射抑制部２８を反射膜１５ａと同じ素材で形成する場合、配線パッド１０の導電膜も同じ素材（例えばＡｕ）とすることができる。このようにすれば、反射抑制部２８を反射膜１５ａと導電膜の形成工程と同時に形成可能であるから、形成工程を簡略化でき、製造コストが低減するようになる。
【００８０】
前記各実施形態において、図４の第３実施形態の項で説明したように、光素子（発光素子１２ａ、受光素子１２ｂ）１２をバンプ１２ｃで実装するための配線パッド１０は、図５（ａ）のように４箇所に形成されている。
【００８１】
この場合の光素子（発光素子１２ａ、受光素子１２ｂ）１２の発光・受光部１２ｄは、ミラー部１５の真上位置（符号ａ参照）で、ミラー部側の配線パッド１０（Ｂ）側に片寄った位置となっている。
【００８２】
この構成であれば、第１溝側の配線パッド１０（Ａ）は、第１溝１ａの略Ｖ字形の溝部分の前端１ｄよりも第２溝１ｂ側に位置することになる。そのため、反射抑制部２８が無い場合、第１溝１ａの斜面１ｃで硬化用光３６の反射を抑制できないので、配線パッド１０（Ａ）にも塗布された感光性樹脂１８´が硬化して、光素子１２を電気的に接続できなくなるおそれがある。
【００８３】
そのため、図５（ｂ）のように、第１溝側の配線パッド１０（Ａ）は、第１溝１ａの略Ｖ字形の溝部分の前端１ｄよりもミラー部１５側に移動させる。これに伴い、ミラー部側の配線パッド１０（Ｂ）もクラッド部１８の前端１８ａの付近に移動させる。この結果、光素子（発光素子１２ａ、受光素子１２ｂ）１２の発光・受光部１２ｄは、ミラー部１５の真上位置から外れた位置（符号ｂ参照）となる。
【００８４】
そこで、光素子（発光素子１２ａ、受光素子１２ｂ）１２の向きを１８０°回転させることで、発光・受光部１２ｄは、ミラー部１５の真上位置（符号ａ参照）とすることができる。
【００８５】
この構成であれば、第１溝１ａの斜面１ｃで硬化用光３６の反射を抑制できなくても、第１溝側の配線パッド１０（Ａ）は、第１溝１ａの略Ｖ字形の溝部分の前端１ｄよりもミラー部１５側に移動されているから、硬化用光３６が配線パッド１０（Ａ）に到達しなくなる。
【００８６】
そのため、配線パッド１０（Ａ）にも塗布された感光性樹脂１８´は、未露光部分となり、除去されるから、光素子１２の電気的な接続が安定するので、基板１の歩留まりが向上するようになる。
【００８７】
すなわち、この構成は、基板１の表面に形成された第１溝１ａ内に設けられた内部導波路１６と、この溝１ａの先端面に形成された光路変換用のミラー部１５とを備えている。このミラー部１５と対向するように基板１の表面に実装され、ミラー部１５を介して内部導波路１６のコア部１７に光信号を発光し、若しくはミラー部１５を介して内部導波路１６のコア部１７からの光信号を受光する光素子（発光素子１２ａ、受光素子１２ｂ）１２とを少なくとも備えた光モジュールである。
【００８８】
そして、基板１の表面に、光素子１２を実装する配線パッド１０が形成され、第１溝側の配線パッド１０（Ａ）は、第１溝１ａの略Ｖ字形の溝部分の前端１ｄよりもミラー部１５側に移動させることを特徴とするものである。
【００８９】
また、光素子１２の発光・受光部１２ｄに関連づけて、第１溝側の配線パッド１０（Ａ）の移動位置を設定すれば、光素子１２の向きを１８０°回転させるだけで、発光・受光部１２ｄは、ミラー部１５の真上位置とすることができる。したがって、既存の光素子１２をそのまま用いることができる。
【００９０】
前記各実施形態は、光モジュール用基板１であったが、光モジュール用基板１のみに限られるものではない。すなわち、表面の斜面に沿って感光性樹脂構造体を形成する基板構造体であれば、他の用途の基板であっても、本発明が適用できることは言うまでもない。
【符号の説明】
【００９１】
１      第１基板（基板）
１ａ    第１溝（導波路形成用溝）
１ｂ    第２溝
１ｃ    斜面
１０    配線パッド
１０ａ  端部
１２    光素子
１２ａ  発光素子
１２ｂ  受光素子
１５    ミラー部
１６    内部導波路
１７    コア部
１７ａ  前端
１８    クラッド部（感光性樹脂構造体）
２８    反射抑制部
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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