(57)【要約】【課題】平衡端子間のアイソレーションを高くして、かつ小型にすることができるバラン及び電力増幅器を提供する。【解決手段】互いに同等のリアクタンス成分を有する第１リアクタンス素子２１及び第２リアクタンス素子２２を、第１平衡端子１２と第２平衡端子１３間に直列に接続している。抵抗素子２３の一端部を第１リアクタンス素子２１と第２リアクタンス素子２２間に接続して、他端部を電気的に接地している。これにより、第１平衡端子１２に入力された不要信号ｃ１による電力を抵抗素子２３で消費することで、不要信号ｃ１が第２平衡端子１３から出力されるのを抑制する。その結果、第１平衡端子１２と第２平衡端子１３間のアイソレーションを高くすることができる。また、不要信号ｃ１の波長の２分の１長さと同等の電気長を有する分布定数線路を不要として、より小型にすることができる。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
入力端子に入力された分配用信号を互いに逆位相の信号に分配して第１分配端子及び第２分配端子に出力するとともに、前記第１分配端子及び前記第２分配端子に入力された互いに逆位相の合成用信号を合成して前記入力端子に出力する逆相分配合成器と、
前記第１分配端子と前記第２分配端子間に直列に接続され、互いに同等の誘導成分を有する第１誘導性素子及び第２誘導性素子と、
前記第１誘導性素子と前記第２誘導性素子間に一端部を接続し、かつ、他端部を電気的に接地した第１抵抗素子と、
を具備することを特徴とするバラン。
【請求項２】
入力端子に入力された分配用信号を互いに逆位相の信号に分配して第１分配端子及び第２分配端子に出力するとともに、前記第１分配端子及び前記第２分配端子に入力された互いに逆位相の合成用信号を合成して前記入力端子に出力する逆相分配合成器と、
前記第１分配端子と前記第２分配端子間に直列に接続され、互いに同等の容量成分を有する第１容量性素子及び第２容量性素子と、
前記第１容量性素子と前記第２容量性素子間に一端部を接続し、かつ、他端部を電気的に接地した第２抵抗素子と、
を具備することを特徴とするバラン。
【請求項３】
前記第１分配端子と前記第２分配端子間に直列に接続され、互いに同等の容量成分を有する第１容量性素子及び第２容量性素子と、
前記第１容量性素子と前記第２容量性素子間に一端部を接続し、かつ、他端部を電気的に接地した第２抵抗素子と、
を具備することを特徴とする請求項１記載のバラン。
【請求項４】
入力端子に入力された分配用信号を互いに逆位相の信号に分配して第１分配端子及び第２分配端子に出力する逆相分配器と、
第１合成端子及び第２合成端子に入力された互いに逆位相の合成用信号を合成して出力端子から出力する逆相合成器と、
前記第１分配端子と前記第１合成端子間に接続した第１増幅器と、
前記第２分配端子と前記第２合成端子間に接続した第２増幅器と、
前記第１分配端子と前記第２分配端子間又は前記第１合成端子と前記第２合成端子間に直列に接続され、互いに同等の誘導成分を有する第１誘導性素子及び第２誘導性素子と、
前記第１誘導性素子と前記第２誘導性素子間に一端部を接続し、かつ、他端部を電気的に接地した第１抵抗素子と、
を具備することを特徴とする電力増幅器。
【請求項５】
入力端子に入力された分配用信号を互いに逆位相の信号に分配して第１分配端子及び第２分配端子に出力する逆相分配器と、
第１合成端子及び第２合成端子に入力された互いに逆位相の合成用信号を合成して出力端子から出力する逆相合成器と、
前記第１分配端子と前記第１合成端子間に接続した第１増幅器と、
前記第２分配端子と前記第２合成端子間に接続した第２増幅器と、
前記第１分配端子と前記第２分配端子間又は前記第１合成端子と前記第２合成端子間に直列に接続され、互いに同等の容量成分を有する第１容量性素子及び第２容量性素子と、
前記第１容量性素子と前記第２容量性素子間に一端部を接続し、かつ、他端部を電気的に接地した第２抵抗素子と、
を具備することを特徴とする電力増幅器。
【請求項６】
前記第１分配端子と前記第２分配端子間又は前記第１合成端子と前記第２合成端子間に直列に接続され、互いに同等の容量成分を有する第１容量性素子及び第２容量性素子と、
前記第１容量性素子と前記第２容量性素子間に一端部を接続し、かつ、他端部を電気的に接地した第２抵抗素子と、
を具備することを特徴とする請求項４記載の電力増幅器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は、バラン及びこのバランを用いた電力増幅器に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来、入力端子に入力された信号を分配して１対の分配端子から出力する分配器と、１対の合成端子に入力された信号を合成して出力端子から出力する合成器と、分配端子と合成端子間に接続した増幅回路とを有する電力増幅器が用いられている。
【０００３】
電力増幅器の分配器及び合成器には、不平衡端子に入力された不平衡信号（Ｕｎｂａｌａｎｃｅｄ  Ｓｉｇｎａｌ）を平衡信号（Ｂａｌａｎｃｅｄ  Ｓｉｇｎａｌ）に変換して１対の平衡端子から出力するとともに、１対の平衡端子に入力された平衡信号を不平衡信号に変換して不平衡端子から出力する平衡不平衡変換器（Ｂａｌａｎｃｅｄ／Ｕｎｂａｌａｎｃｅｄ  Ｃｏｎｖｅｒｔｅｒ）、いわゆる「バラン（Ｂａｌｕｎ）」が用いられている（例えば、特許文献１参照）。
【０００４】
平衡端子間の電気的な分離の程度（いわゆる「アイソレーション」）が低いバランにおいては、一方の平衡端子にのみ入力された信号は、バランの内部を通過して他方の平衡端子から出力される。このため、アイソレーションが低いバランを用いた電力増幅器においては、増幅回路で反射して一方の平衡端子にのみ入力された信号が、他方の平衡端子から増幅回路に再び出力される。その結果、電力増幅器から発振を起こす課題がある。
【０００５】
これに対し、特許文献１のバランは、入力信号の波長の２分の１長さと同等の電気的な長さ（いわゆる「電気長（ｅｌｅｃｔｒｉｃａｌ  ｌｅｎｇｔｈ）」）を有する分布定数線路を平衡端子間に接続している。これにより、バランの内部を通過した信号Ｓ１の位相θ１と、分布定数線路を通過した信号Ｓ２の位相θ２とを互いに逆位相とすることで、平衡端子間のアイソレーションを高くしている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開２００１−３６３１０号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
従来のバランは、平衡端子間のアイソレーションを高くするために、入力信号の波長の２分の１長さと同等の電気長を有する分布定数線路を設けている。この分布定数線路の線路長は、入力信号の周波数が低くなるにつれて長くなる。そのため、特に低い周波数の信号を用いる場合、分布定数線路を含む回路が大きくなる課題があった。
【０００８】
この発明は、上記のような課題を解決するためになされたものであり、平衡端子間のアイソレーションを高くして、かつ小型にすることができるバラン及び電力増幅器を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
この発明のバランは、入力端子に入力された分配用信号を互いに逆位相の信号に分配して第１分配端子及び第２分配端子に出力するとともに、第１分配端子及び第２分配端子に入力された互いに逆位相の合成用信号を合成して入力端子に出力する逆相分配合成器と、第１分配端子と第２分配端子間に直列に接続され、互いに同等の誘導成分を有する第１誘導性素子及び第２誘導性素子と、第１誘導性素子と第２誘導性素子間に一端部を接続し、かつ、他端部を電気的に接地した第１抵抗素子と、を具備するものである。
【００１０】
また、この発明のバランは、入力端子に入力された分配用信号を互いに逆位相の信号に分配して第１分配端子及び第２分配端子に出力するとともに、第１分配端子及び第２分配端子に入力された互いに逆位相の合成用信号を合成して入力端子に出力する逆相分配合成器と、第１分配端子と第２分配端子間に直列に接続され、互いに同等の容量成分を有する第１容量性素子及び第２容量性素子と、第１容量性素子と第２容量性素子間に一端部を接続し、かつ、他端部を電気的に接地した第２抵抗素子と、を具備するものである。
【００１１】
また、この発明の電力増幅器は、入力端子に入力された分配用信号を互いに逆位相の信号に分配して第１分配端子及び第２分配端子に出力する逆相分配器と、第１合成端子及び第２合成端子に入力された互いに逆位相の合成用信号を合成して出力端子から出力する逆相合成器と、第１分配端子と第１合成端子間に接続した第１増幅器と、第２分配端子と第２合成端子間に接続した第２増幅器と、第１分配端子と第２分配端子間又は第１合成端子と第２合成端子間に直列に接続され、互いに同等の誘導成分を有する第１誘導性素子及び第２誘導性素子と、第１誘導性素子と第２誘導性素子間に一端部を接続し、かつ、他端部を電気的に接地した第１抵抗素子と、を具備するものである。
【００１２】
また、この発明の電力増幅器は、入力端子に入力された分配用信号を互いに逆位相の信号に分配して第１分配端子及び第２分配端子に出力する逆相分配器と、第１合成端子及び第２合成端子に入力された互いに逆位相の合成用信号を合成して出力端子から出力する逆相合成器と、第１分配端子と第１合成端子間に接続した第１増幅器と、第２分配端子と第２合成端子間に接続した第２増幅器と、第１分配端子と第２分配端子間又は第１合成端子と第２合成端子間に直列に接続され、互いに同等の容量成分を有する第１容量性素子及び第２容量性素子と、第１容量性素子と第２容量性素子間に一端部を接続し、かつ、他端部を電気的に接地した第２抵抗素子と、を具備するものである。
【発明の効果】
【００１３】
この発明のバラン及び電力増幅器によれば、平衡端子間のアイソレーションを高くして、かつ小型にすることができる。
【図面の簡単な説明】
【００１４】
【図１】この発明の実施の形態１のバランの構成図である。
【図２】この発明の実施の形態２のバランの構成図である。
【図３】この発明の実施の形態３のバランの構成図である。
【図４】この発明の実施の形態４のバランの構成図である。
【図５】この発明の実施の形態４のバランの規格化周波数に対するアイソレーション値を示す特性図である。
【図６】この発明の実施の形態５の電力増幅器の構成図である。
【図７】この発明の実施の形態６の電力増幅器の構成図である。
【図８】この発明の実施の形態７の電力増幅器の構成図である。
【発明を実施するための形態】
【００１５】
実施の形態１．
図１を参照して、この発明の実施の形態１のバランについて説明する。
図中、１は逆相分配合成器である。逆相分配合成器１は、不平衡端子（入力端子）１１に入力された信号（分配用信号）を、互いに同振幅かつ逆位相の１対の信号に分配して、第１平衡端子（第１分配端子）１２及び第２平衡端子（第２分配端子）１３にそれぞれ出力するものである。また、逆相分配合成器１は、第１平衡端子１２及び第２平衡端子１３にそれぞれ入力された互いに同振幅かつ逆位相の１対の信号（合成用信号）を合成して、不平衡端子１１に出力するものである。
【００１６】
第１平衡端子１２と第２平衡端子１３間に、第１リアクタンス素子２１及び第２リアクタンス素子２２が直列に接続されている。第１リアクタンス素子２１及び第２リアクタンス素子２２は、互いに同等のリアクタンス成分を有するリアクタンス素子により各々構成されている。
【００１７】
第１リアクタンス素子２１と第２リアクタンス素子２２間に、抵抗素子２３の一端部が接続されている。抵抗素子２３の他端部は電気的に接地されている。このように、バラン１００が構成されている。
【００１８】
次に、図１を参照して、バラン１００の分配器の動作について説明する。
不平衡端子１１に、入力信号Ａが入力される。逆相分配合成器１は、入力信号Ａを互いに同振幅かつ逆位相の１対の出力信号ａ１，ａ２に分配して、第１平衡端子１２及び第２平衡端子１３にそれぞれ出力する。
【００１９】
ここで、第１リアクタンス素子２１及び第２リアクタンス素子２２は、互いに同等のリアクタンス成分を有している。このため、第１リアクタンス素子２１と第２リアクタンス素子２２間の接合部２４の電位は、出力信号ａ１の電位と出力信号ａ２の電位との中間の電位となる。
【００２０】
出力信号ａ１の振幅と出力信号ａ２の振幅とが互いに同振幅であり、かつ出力信号ａ１の位相と出力信号ａ２の位相とが互いに逆位相であるため、接合部２４の電位は０ボルト（Ｖ）になる。このため、抵抗素子２３の一端部と接地した他端部とは互いに同電位（いずれも０Ｖ）となり、抵抗素子２３は電力を消費しない。
【００２１】
次に、図１を参照して、バラン１００の合成器の動作について説明する。
第１平衡端子１２及び第２平衡端子１３に、互いに同振幅かつ逆位相の１対の入力信号ｂ１，ｂ２がそれぞれ入力される。
【００２２】
接合部２４の電位は、入力信号ｂ１の電位と入力信号ｂ２の電位との中間の電位となる。入力信号ｂ１の振幅と入力信号ｂ２の振幅とが互いに同振幅であり、かつ入力信号ｂ１の位相と入力信号ｂ２の位相とが互いに逆位相であるため、接合部２４の電位は０Ｖになる。このため、抵抗素子２３の一端部と接地した他端部とは互いに同電位（いずれも０Ｖ）となり、抵抗素子２３は電力を消費しない。
【００２３】
入力信号ｂ１，ｂ２は、逆相分配合成器１に入力される。逆相分配合成器１は、入力信号ｂ１，ｂ２を合成した出力信号Ｂを不平衡端子１１に出力する。
【００２４】
次いで、第１平衡端子１２にのみ、入力信号ｂ１と異なる（すなわち「不平衡動作成分」となる）不要信号ｃ１が更に入力される。接合部２４の電位は、入力信号ｂ１と不要信号ｃ１との合成信号の電位と、入力信号ｂ２の電位との中間の電位となる。合成信号は、振幅が入力信号ｂ２の振幅と異なる振幅になるか、又は位相が入力信号ｂ２の位相に対して逆位相からずれた位相になる。したがって、接合部２４の電位は０Ｖと異なる電位になる。このため、抵抗素子２３の一端部と接地した他端部との間に電位差が生じて、抵抗素子２３に電流が流れる。
【００２５】
これにより、不要信号ｃ１による電力が抵抗素子２３で消費される。その結果、不要信号ｃ１が第２平衡端子１３から出力されるのを抑制して、第１平衡端子１２と第２平衡端子１３間のアイソレーションを高くすることができる。
【００２６】
同様に、第２平衡端子１３にのみ不要信号ｃ２が入力された場合、不要信号ｃ２による電力が抵抗素子２３で消費される。その結果、不要信号ｃ２が第１平衡端子１２から出力されるのを抑制して、第１平衡端子１２と第２平衡端子１３間のアイソレーションを高くすることができる。
【００２７】
以上のように、この実施の形態１のバラン１００は、互いに同等のリアクタンス成分を有する第１リアクタンス素子２１及び第２リアクタンス素子２２を、第１平衡端子１２と第２平衡端子１３間に直列に接続している。抵抗素子２３の一端部を第１リアクタンス素子２１と第２リアクタンス素子２２間に接続して、他端部を電気的に接地している。
これにより、第１平衡端子１２に不要信号ｃ１が入力された場合、不要信号ｃ１による電力を抵抗素子２３で消費することで、不要信号ｃ１が第２平衡端子１３から出力されるのを抑制することができる。その結果、第１平衡端子１２と第２平衡端子１３間のアイソレーションを高くすることができる。
【００２８】
また、不要信号ｃ１の波長の２分の１長さと同等の電気長を有する分布定数線路を不要としている。さらに、第１リアクタンス素子２１及び第２リアクタンス素子２２のサイズは、不要信号ｃ１の周波数や波長によらず一定である。このため、バラン１００を小型にすることができる。
【００２９】
なお、第１リアクタンス素子２１及び第２リアクタンス素子２２は、互いに同等のリアクタンス成分を有するものであればよく、何れの種類のリアクタンス素子を用いたものとしてもよい。
【００３０】
実施の形態２．
図２を参照して、リアクタンス素子に誘導性素子を用いたバランについて説明する。なお、図１に示す実施の形態１のバラン１００と同様の構成部材には同一符号を付して説明を省略する。
【００３１】
第１平衡端子１２と第２平衡端子１３間に、第１誘導性素子２１ａ及び第２誘導性素子２２ａが直列に接続されている。第１誘導性素子２１ａ及び第２誘導性素子２２ａは、互いに同等の誘導成分（インダクタンス成分）を有する誘導性素子により各々構成されている。
【００３２】
第１誘導性素子２１ａと第２誘導性素子２２ａ間に、第１抵抗素子２３ａの一端部が接続されている。第１抵抗素子２３ａの他端部は電気的に接地されている。
【００３３】
このように構成されたバラン１０１は、以下のように実施の形態１のバラン１００と同様に動作する。
すなわち、第１平衡端子１２及び第２平衡端子１３に、互いに同振幅かつ逆位相の１対の入力信号ｂ１，ｂ２がそれぞれ入力される。第１誘導性素子２１ａ及び第２誘導性素子２２ａは互いに同等の誘導成分を有しているため、接合部２４ａの電位は０Ｖになる。これにより、第１抵抗素子２３ａの一端部と接地した他端部とは互いに同電位（いずれも０Ｖ）となり、第１抵抗素子２３ａは電力を消費しない。
【００３４】
入力信号ｂ１，ｂ２は、逆相分配合成器１に入力される。逆相分配合成器１は、入力信号ｂ１，ｂ２を合成した出力信号Ｂを不平衡端子１１に出力する。
【００３５】
次いで、第１平衡端子１２にのみ、不平衡動作成分となる不要信号ｃ１が更に入力される。接合部２４ａの電位は、入力信号ｂ１と不要信号ｃ１との合成信号の電位と、入力信号ｂ２の電位との中間の電位となる。合成信号は、振幅が入力信号ｂ２の振幅と異なる振幅になるか、又は位相が入力信号ｂ２の位相に対して逆位相からずれた位相になる。したがって、接合部２４ａの電位は０Ｖと異なる電位になる。このため、第１抵抗素子２３ａの一端部と接地した他端部との間に電位差が生じて、第１抵抗素子２３ａに電流が流れる。
【００３６】
これにより、不要信号ｃ１による電力が第１抵抗素子２３ａで消費される。その結果、不要信号ｃ１が第２平衡端子１３から出力されるのを抑制して、第１平衡端子１２と第２平衡端子１３間のアイソレーションを高くすることができる。
【００３７】
同様に、第２平衡端子１３にのみ不要信号ｃ２が入力された場合、不要信号ｃ２による電力が第１抵抗素子２３ａで消費される。その結果、不要信号ｃ２が第１平衡端子１２から出力されるのを抑制して、第１平衡端子１２と第２平衡端子１３間のアイソレーションを高くすることができる。
【００３８】
以上のように、この実施の形態２のバラン１０１は、互いに同等の誘導成分を有する第１誘導性素子２１ａ及び第２誘導性素子２２ａを、第１平衡端子１２と第２平衡端子１３間に直列に接続している。第１抵抗素子２３ａの一端部を第１誘導性素子２１ａと第２誘導性素子２２ａ間に接続して、他端部を電気的に接地している。
これにより、第１平衡端子１２に不要信号ｃ１が入力された場合、不要信号ｃ１による電力を第１抵抗素子２３ａで消費することで、不要信号ｃ１が第２平衡端子１３から出力されるのを抑制することができる。その結果、第１平衡端子１２と第２平衡端子１３間のアイソレーションを高くすることができる。
【００３９】
また、不要信号ｃ１の波長の２分の１長さと同等の電気長を有する分布定数線路を不要としている。さらに、第１誘導性素子２１ａ及び第２誘導性素子２２ａのサイズは、不要信号ｃ１の周波数や波長によらず一定である。このため、バラン１０１を小型にすることができる。
【００４０】
なお、第１誘導性素子２１ａ及び第２誘導性素子２２ａは、複数個の誘導性素子によって各々構成したものとしてもよい。
【００４１】
実施の形態３．
図３を参照して、リアクタンス素子に容量性素子を用いたバランについて説明する。なお、図１に示す実施の形態１のバラン１００と同様の構成部材には同一符号を付して説明を省略する。
【００４２】
第１平衡端子１２と第２平衡端子１３間に、第１容量性素子２１ｂ及び第２容量性素子２２ｂが直列に接続されている。第１容量性素子２１ｂ及び第２容量性素子２２ｂは、互いに同等の容量成分（キャパシタンス成分）を有する容量性素子により各々構成されている。
【００４３】
第１容量性素子２１ｂと第２容量性素子２２ｂ間に、第２抵抗素子２３ｂの一端部が接続されている。第２抵抗素子２３ｂの他端部は電気的に接地されている。
【００４４】
このように構成されたバラン１０２は、以下のように実施の形態１のバラン１００と同様に動作する。
すなわち、第１平衡端子１２及び第２平衡端子１３に、互いに同振幅かつ逆位相の１対の入力信号ｂ１，ｂ２がそれぞれ入力される。第１容量性素子２１ｂ及び第２容量性素子２２ｂは互いに同等の容量成分を有しているため、接合部２４ｂの電位は０Ｖになる。これにより、第２抵抗素子２３ｂの一端部と接地した他端部とは互いに同電位（いずれも０Ｖ）となり、第２抵抗素子２３ｂは電力を消費しない。
【００４５】
入力信号ｂ１，ｂ２は、逆相分配合成器１に入力される。逆相分配合成器１は、入力信号ｂ１，ｂ２を合成した出力信号Ｂを不平衡端子１１に出力する。
【００４６】
次いで、第１平衡端子１２にのみ、不平衡動作成分となる不要信号ｃ１が更に入力される。接合部２４ｂの電位は、入力信号ｂ１と不要信号ｃ１との合成信号の電位と、入力信号ｂ２の電位との中間の電位となる。合成信号は、振幅が入力信号ｂ２の振幅と異なる振幅になるか、又は位相が入力信号ｂ２の位相に対して逆位相からずれた位相になる。したがって、接合部２４ｂの電位は０Ｖと異なる電位になる。このため、第２抵抗素子２３ｂの一端部と接地した他端部との間に電位差が生じて、第２抵抗素子２３ｂに電流が流れる。
【００４７】
これにより、不要信号ｃ１による電力が第２抵抗素子２３ｂで消費される。その結果、不要信号ｃ１が第２平衡端子１３から出力されるのを抑制して、第１平衡端子１２と第２平衡端子１３間のアイソレーションを高くすることができる。
【００４８】
同様に、第２平衡端子１３にのみ不要信号ｃ２が入力された場合、不要信号ｃ２による電力が第２抵抗素子２３ｂで消費される。その結果、不要信号ｃ２が第１平衡端子１２から出力されるのを抑制して、第１平衡端子１２と第２平衡端子１３間のアイソレーションを高くすることができる。
【００４９】
以上のように、この実施の形態３のバラン１０２は、互いに同等の容量成分を有する第１容量性素子２１ｂ及び第２容量性素子２２ｂを、第１平衡端子１２と第２平衡端子１３間に直列に接続している。第２抵抗素子２３ｂの一端部を第１容量性素子２１ｂと第２容量性素子２２ｂ間に接続して、他端部を電気的に接地している。
これにより、第１平衡端子１２に不要信号ｃ１が入力された場合、不要信号ｃ１による電力を第２抵抗素子２３ｂで消費することで、不要信号ｃ１が第２平衡端子１３から出力されるのを抑制することができる。その結果、第１平衡端子１２と第２平衡端子１３間のアイソレーションを高くすることができる。
【００５０】
また、不要信号ｃ１の波長の２分の１長さと同等の電気長を有する分布定数線路を不要としている。さらに、第１容量性素子２１ｂ及び第２容量性素子２２ｂのサイズは、不要信号ｃ１の周波数や波長によらず一定である。このため、バラン１０２を小型にすることができる。
【００５１】
なお、第１容量性素子２１ｂ及び第２容量性素子２２ｂは、複数個の容量性素子によって各々構成したものとしてもよい。
【００５２】
実施の形態４．
図４を参照して、リアクタンス素子に誘導性素子及び容量性素子を用いたバランについて説明する。なお、図２に示す実施の形態２のバラン１０１と同様の構成部材には同一符号を付して説明を省略する。
【００５３】
第１平衡端子１２と第２平衡端子１３間に、第１容量性素子２１ｂ及び第２容量性素子２２ｂが直列に接続されている。第１容量性素子２１ｂ及び第２容量性素子２２ｂは、互いに同等の容量成分を有する容量性素子により各々構成されている。
【００５４】
第１容量性素子２１ｂと第２容量性素子２２ｂ間に、第２抵抗素子２３ｂの一端部が接続されている。第２抵抗素子２３ｂの他端部は電気的に接地されている。
【００５５】
このように構成されたバラン１０３は、以下のように実施の形態２のバラン１０１と同様に動作する。
すなわち、第１平衡端子１２及び第２平衡端子１３に、互いに同振幅かつ逆位相の１対の入力信号ｂ１，ｂ２がそれぞれ入力される。第１誘導性素子２１ａ及び第２誘導性素子２２ａは互いに同等の誘導成分を有しているため、接合部２４ａの電位は０Ｖになる。これにより、第１抵抗素子２３ａの一端部と接地した他端部とは互いに同電位（いずれも０Ｖ）となり、第１抵抗素子２３ａは電力を消費しない。
【００５６】
また、第１容量性素子２１ｂ及び第２容量性素子２２ｂは互いに同等の容量成分を有しているため、接合部２４ｂの電位も０Ｖになる。これにより、第２抵抗素子２３ｂの一端部と接地した他端部とは互いに同電位（いずれも０Ｖ）となり、第２抵抗素子２３ｂは電力を消費しない。
【００５７】
入力信号ｂ１，ｂ２は、逆相分配合成器１に入力される。逆相分配合成器１は、入力信号ｂ１，ｂ２を合成した出力信号Ｂを不平衡端子１１に出力する。
【００５８】
次いで、第１平衡端子１２にのみ、不平衡動作成分となる不要信号ｃ１が更に入力される。接合部２４ａの電位は、入力信号ｂ１と不要信号ｃ１との合成信号の電位と、入力信号ｂ２の電位との中間の電位となる。合成信号は、振幅が入力信号ｂ２の振幅と異なる振幅になるか、又は位相が入力信号ｂ２の位相に対して逆位相からずれた位相になる。したがって、接合部２４ａの電位は０Ｖと異なる電位になる。このため、第１抵抗素子２３ａの一端部と接地した他端部との間に電位差が生じて、第１抵抗素子２３ａに電流が流れる。
【００５９】
また、接合部２４ｂの電位も、入力信号ｂ１と不要信号ｃ１との合成信号の電位と、入力信号ｂ２の電位との中間の電位となる。したがって、接合部２４ｂの電位も０Ｖと異なる電位になる。このため、第２抵抗素子２３ｂの一端部と接地した他端部との間に電位差が生じて、第２抵抗素子２３ｂに電流が流れる。
【００６０】
これにより、不要信号ｃ１による電力が第１抵抗素子２３ａ及び第２抵抗素子２３ｂで消費される。その結果、不要信号ｃ１が第２平衡端子１３から出力されるのを抑制して、第１平衡端子１２と第２平衡端子１３間のアイソレーションを高くすることができる。
【００６１】
同様に、第２平衡端子１３にのみ不要信号ｃ２が入力された場合、不要信号ｃ２による電力が第１抵抗素子２３ａ及び第２抵抗素子２３ｂで消費される。その結果、不要信号ｃ２が第１平衡端子１２から出力されるのを抑制して、第１平衡端子１２と第２平衡端子１３間のアイソレーションを高くすることができる。
【００６２】
さらに、第１誘導性素子２１ａ及び第２誘導性素子２２ａと第１容量性素子２１ｂ及び第２容量性素子２２ｂとを組み合わせてなる回路は、いわゆる「整合回路」の機能を果たす。これにより、第１誘導性素子２１ａ及び第２誘導性素子２２ａの誘導成分と第１容量性素子２１ｂ及び第２容量性素子２２ｂの容量成分とを調整することで、逆相分配合成器１と第１平衡端子１２及び第２平衡端子１３に接続された後段回路との間でインピーダンスを整合させることができる。
【００６３】
次に、図５を参照して、バラン１０３の効果について説明する。
図５において、横軸は、入力信号の周波数ｆ［Ｈｚ］を設計時の基準周波数ｆ０［Ｈｚ］で除すことで規格化した規格化周波数ｆ／ｆ０の値を示している。縦軸は、一方の平衡端子にのみ入力された信号の強度に対する他方の平衡端子から出力される信号の強度の値（以下「アイソレーション値」という）［ｄＢ］を示している。
【００６４】
点線で示す特性線Ｉは、比較対象として逆相分配合成器１のみからなる従来のバランのアイソレーション値を示している。実線で示す特性線ＩＩは、この実施の形態４のバラン１０３のアイソレーション値を示している。
【００６５】
図５に示す如く、規格化周波数の値が０．３から１．７までの広い範囲に亘って、特性線ＩＩのアイソレーション値が特性線Ｉのアイソレーション値よりも低くなっている。特に、規格化周波数の値が１．０の近傍においては、特性線Ｉのアイソレーション値が約−８ｄＢであるのに対し、特性線ＩＩのアイソレーション値は約−１７ｄＢであり、両者の差分が大きくなっている。
【００６６】
すなわち、実施の形態４のバラン１０３は、従来のバランよりも、一方の平衡端子にのみ信号が入力された場合に他方の平衡端子から出力される信号の強度が低くなっている。
【００６７】
以上のように、この実施の形態４のバラン１０３は、互いに同等の誘導成分を有する第１誘導性素子２１ａ及び第２誘導性素子２２ａを、第１平衡端子１２と第２平衡端子１３間に直列に接続している。第１抵抗素子２３ａの一端部を第１誘導性素子２１ａと第２誘導性素子２２ａ間に接続して、他端部を電気的に接地している。また、互いに同等の容量成分を有する第１容量性素子２１ｂ及び第２容量性素子２２ｂを、第１平衡端子１２と第２平衡端子１３間に直列に接続している。第２抵抗素子２３ｂの一端部を第１容量性素子２１ｂと第２容量性素子２２ｂ間に接続して、他端部を電気的に接地している。
これにより、第１平衡端子１２にのみ不要信号ｃ１が入力された場合、不要信号ｃ１による電力を第１抵抗素子２３ａ及び第２抵抗素子２３ｂで消費することで、不要信号ｃ１が第２平衡端子１３から出力されるのを抑制することができる。その結果、第１平衡端子１２と第２平衡端子１３間のアイソレーションを高くすることができる。
【００６８】
また、不要信号ｃ１の波長の２分の１長さと同等の電気長を有する分布定数線路を不要としている。さらに、第１誘導性素子２１ａ、第２誘導性素子２２ａ、第１容量性素子２１ｂ及び第２容量性素子２２ｂのサイズは、不要信号ｃ１の周波数や波長によらず一定である。このため、バラン１０３を小型にすることができる。
【００６９】
また、第１誘導性素子２１ａ及び第２誘導性素子２２ａと第１容量性素子２１ｂ及び第２容量性素子２２ｂとを組み合わせてなる回路が、整合回路の機能を果している。これにより、インピーダンス整合専用の回路を不要として、バラン１０３を更に小型にすることができる。
【００７０】
実施の形態５．
図６を参照して、図２に示す実施の形態２のバラン１０１を用いて構成した電力増幅器について説明する。
図中、１ａは入力側逆相分配合成器（逆相分配器）である。入力側逆相分配合成器１ａは、入力側不平衡端子（入力端子）１１ａに入力された信号（分配用信号）を、互いに同振幅かつ逆位相の１対の信号に分配して、入力側第１平衡端子（第１分配端子）１２ａ及び入力側第２平衡端子（第２分配端子）１３ａにそれぞれ出力するものである。また、入力側逆相分配合成器１ａは、入力側第１平衡端子１２ａ及び入力側第２平衡端子１３ａにそれぞれ入力された互いに同振幅かつ逆位相の１対の信号を合成して、入力側不平衡端子１１ａに出力するものである。
【００７１】
入力側第１平衡端子１２ａと入力側第２平衡端子１３ａ間に、入力側第１誘導性素子（第１誘導性素子）２１ｃ及び入力側第２誘導性素子（第２誘導性素子）２２ｃが直列に接続されている。入力側第１誘導性素子２１ｃ及び入力側第２誘導性素子２２ｃは、互いに同等の誘導成分を有する誘導性素子により各々構成されている。
【００７２】
入力側第１誘導性素子２１ｃと入力側第２誘導性素子２２ｃ間に、入力側第１抵抗素子（第１抵抗素子）２３ｃの一端部が接続されている。入力側第１抵抗素子２３ｃの他端部は電気的に接地されている。
【００７３】
同様に、出力側逆相分配合成器（逆相合成器）１ｂは、出力側不平衡端子（出力端子）１１ｂに出力された信号を、互いに同振幅かつ逆位相の１対の信号に分配して、出力側第１平衡端子（第１合成端子）１２ｂ及び出力側第２平衡端子（第２合成端子）１３ｂにそれぞれ出力するものである。また、出力側逆相分配合成器１ｂは、出力側第１平衡端子１２ｂ及び出力側第２平衡端子１３ｂにそれぞれ出力された互いに同振幅かつ逆位相の１対の信号（合成用信号）を合成して、出力側不平衡端子１１ｂに出力するものである。
【００７４】
出力側第１平衡端子１２ｂと出力側第２平衡端子１３ｂ間に、出力側第１誘導性素子（第１誘導性素子）２１ｄ及び出力側第２誘導性素子（第２誘導性素子）２２ｄが直列に接続されている。出力側第１誘導性素子２１ｄ及び出力側第２誘導性素子２２ｄは、互いに同等の誘導成分を有する誘導性素子により各々構成されている。
【００７５】
出力側第１誘導性素子２１ｄと出力側第２誘導性素子２２ｄ間に、出力側第１抵抗素子（第１抵抗素子）２３ｄの一端部が接続されている。出力側第１抵抗素子２３ｄの他端部は電気的に接地されている。
【００７６】
入力側第１平衡端子１２ａと出力側第１平衡端子１２ｂ間に、第１増幅器３が接続されている。入力側第２平衡端子１３ａと出力側第２平衡端子１３ｂ間に、第２増幅器４が接続されている。第１増幅器３及び第２増幅器４は、互いに同等の利得を有し、かつ互いに同等の通過位相を有する増幅器により各々構成されている。このように、電力増幅器２００が構成されている。
【００７７】
次に、図６を参照して、電力増幅器２００の動作について説明する。
入力側不平衡端子１１ａに、入力信号Ａが入力される。入力側逆相分配合成器１ａは、入力信号Ａを互いに同振幅かつ逆位相の１対の出力信号ａ１，ａ２に分配して、入力側第１平衡端子１２ａ及び入力側第２平衡端子１３ａにそれぞれ出力する。
【００７８】
このとき、入力側第１誘導性素子２１ｃ及び入力側第２誘導性素子２２ｃは、互いに同等の誘導成分を有している。このため、入力側第１誘導性素子２１ｃと入力側第２誘導性素子２２ｃ間の接合部２４ｃの電位は、出力信号ａ１の電位と出力信号ａ２の電位との中間の電位となる。
【００７９】
出力信号ａ１の振幅と出力信号ａ２の振幅とが互いに同振幅であり、かつ出力信号ａ１の位相と出力信号ａ２の位相とが互いに逆位相であるため、接合部２４ｃの電位は０Ｖになる。これにより、入力側第１抵抗素子２３ｃの一端部と接地した他端部とは互いに同電位（いずれも０Ｖ）となり、入力側第１抵抗素子２３ｃは電力を消費しない。
【００８０】
次いで、出力信号ａ１は、第１増幅器３に入力される。出力信号ａ２は、第２増幅器４に入力される。
【００８１】
ここで、入力側逆相分配合成器１ａと第１増幅器３との間でインピーダンス整合が不十分である場合、第１増幅器３で反射した反射信号ｃ１が入力側第１平衡端子１２ａに入力される。接合部２４ｃの電位は、出力信号ａ１と反射信号ｃ１との合成信号の電位と、出力信号ａ２の電位との中間の電位となる。合成信号は、振幅が出力信号ａ２の振幅と異なる振幅になるか、又は位相が出力信号ａ２の位相に対して逆位相からずれた位相になる。したがって、接合部２４ｃの電位は０Ｖと異なる電位になる。このため、入力側第１抵抗素子２３ｃの一端部と接地した他端部との間に電位差が生じて、入力側第１抵抗素子２３ｃに電流が流れる。
【００８２】
これにより、反射信号ｃ１による電力が入力側第１抵抗素子２３ｃで消費される。その結果、反射信号ｃ１が入力側第２平衡端子１３ａから第２増幅器４に出力されるのを抑制して、電力増幅器２００の発振を抑制することができる。
【００８３】
同様に、第２増幅器４で反射した反射信号ｃ２が入力側第２平衡端子１３ａに入力された場合、反射信号ｃ２による電力が入力側第１抵抗素子２３ｃで消費される。その結果、反射信号ｃ２が入力側第１平衡端子１２ａから第１増幅器３に出力されるのを抑制して、電力増幅器２００の発振を抑制することができる。
【００８４】
次いで、第１増幅器３は、利得に応じて出力信号ａ１の振幅に対する振幅を増幅した増幅信号ｂ１を出力する。第２増幅器４は、利得に応じて出力信号ａ２の振幅に対する振幅を増幅した増幅信号ｂ２を出力する。
【００８５】
このとき、出力側第１誘導性素子２１ｄ及び出力側第２誘導性素子２２ｄは、互いに同等の誘導成分を有している。このため、出力側第１誘導性素子２１ｄと出力側第２誘導性素子２２ｄ間の接合部２４ｄの電位は、増幅信号ｂ１の電位と増幅信号ｂ２の電位との中間の電位となる。
【００８６】
増幅信号ｂ１の振幅と増幅信号ｂ２の振幅とが互いに同振幅であり、かつ増幅信号ｂ１の位相と増幅信号ｂ２の位相とが互いに逆位相であるため、接合部２４ｂの電位は０Ｖになる。これにより、出力側第１抵抗素子２３ｄの一端部と接地した他端部とは互いに同電位（いずれも０Ｖ）となり、出力側第１抵抗素子２３ｄは電力を消費しない。
【００８７】
ここで、第１増幅器３が利得や通過位相に誤差を有する場合、第１増幅器３は不平衡動作成分となる不要信号ｄ１を更に出力する。接合部２４ｄの電位は、増幅信号ｂ１と不要信号ｄ１との合成信号の電位と、増幅信号ｂ２の電位との中間の電位となる。合成信号は、振幅が増幅信号ｂ２の振幅と異なる振幅になるか、又は位相が増幅信号ｂ２の位相に対して逆位相からずれた位相になる。したがって、接合部２４ｄの電位は０Ｖと異なる電位になる。このため、出力側第１抵抗素子２３ｄの一端部と接地した他端部との間に電位差が生じて、出力側第１抵抗素子２３ｄに電流が流れる。
【００８８】
これにより、不要信号ｄ１による電力が出力側第１抵抗素子２３ｄで消費される。その結果、不要信号ｄ１が出力側第２平衡端子１３ｂから第２増幅器４に出力されるのを抑制して、電力増幅器２００の発振を抑制することができる。
【００８９】
同様に、第２増幅器４が不要信号ｄ２を出力した場合、不要信号ｄ２による電力が出力側第１抵抗素子２３ｄで消費される。その結果、不要信号ｄ２が出力側第１平衡端子１２ｂから第１増幅器３に出力されるのを抑制して、電力増幅器２００の発振を抑制することができる。
【００９０】
最後に、出力側逆相分配合成器１ｂは、入力された増幅信号ｂ１，ｂ２を合成した出力信号Ｂを不平衡端子１１に出力する。これにより、入力信号Ａの電力に対して電力を増幅した出力信号Ｂを得ることができる。
【００９１】
以上のように、この実施の形態５の電力増幅器２００は、互いに同等の誘導成分を有する入力側第１誘導性素子２１ｃ及び入力側第２誘導性素子２２ｃを、入力側第１平衡端子１２ａと入力側第２平衡端子１３ａ間に直列に接続している。入力側第１抵抗素子２３ｃの一端部を入力側第１誘導性素子２１ｃと入力側第２誘導性素子２２ｃ間に接続して、他端部を電気的に接地している。
これにより、第１増幅器３が反射信号ｃ１を反射した場合、反射信号ｃ１による電力を入力側第１抵抗素子２３ｃで消費することで、反射信号ｃ１が入力側第２平衡端子１３ａから第２増幅器４に出力されるのを抑制することができる。その結果、電力増幅器２００の発振を抑制することができる。
【００９２】
また、互いに同等の誘導成分を有する出力側第１誘導性素子２１ｄ及び出力側第２誘導性素子２２ｄを、出力側第１平衡端子１２ｂと出力側第２平衡端子１３ｂ間に直列に接続している。出力側第１抵抗素子２３ｄの一端部を出力側第１誘導性素子２１ｄと出力側第２誘導性素子２２ｄ間に接続して、他端部を電気的に接地している。
これにより、第１増幅器３が不要信号ｄ１を出力した場合、不要信号ｄ１による電力を入力側第１抵抗素子２３ｃで消費することで、不要信号ｄ１が出力側第２平衡端子１３ｂから第２増幅器４に出力されるのを抑制することができる。その結果、電力増幅器２００の発振を更に抑制することができる。
【００９３】
なお、入力側第１誘導性素子２１ｃ、入力側第２誘導性素子２２ｃ及び入力側第１抵抗素子２３ｃを除いたものとしてもよい。又は、出力側第１誘導性素子２１ｄ、出力側第２誘導性素子２２ｄ及び出力側第１抵抗素子２３ｄを除いたものとしてもよい。
【００９４】
実施の形態６．
図７を参照して、図３に示す実施の形態３のバラン１０２を用いて構成した電力増幅器について説明する。なお、図６に示す実施の形態５の電力増幅器２００と同様の構成部材には同一符号を付して説明を省略する。
【００９５】
入力側第１平衡端子１２ａと入力側第２平衡端子１３ａ間に、入力側第１容量性素子（第１容量性素子）２１ｅ及び入力側第２容量性素子（第２容量性素子）２２ｅが直列に接続されている。入力側第１容量性素子２１ｅ及び入力側第２容量性素子２２ｅは、互いに同等の容量成分を有する容量性素子により各々構成されている。
【００９６】
入力側第１容量性素子２１ｅと入力側第２容量性素子２２ｅ間に、入力側第２抵抗素子（第２抵抗素子）２３ｅの一端部が接続されている。入力側第２抵抗素子２３ｅの他端部は電気的に接地されている。
【００９７】
同様に、出力側第１平衡端子１２ｂと出力側第２平衡端子１３ｂ間に、出力側第１容量性素子（第１容量性素子）２１ｆ及び出力側第２容量性素子（第２容量性素子）２２ｆが直列に接続されている。出力側第１容量性素子２１ｆ及び出力側第２容量性素子２２ｆは、互いに同等の容量成分を有する容量性素子により各々構成されている。
【００９８】
出力側第１容量性素子２１ｆと出力側第２容量性素子２２ｆ間に、出力側第２抵抗素子（第２抵抗素子）２３ｆの一端部が接続されている。出力側第２抵抗素子２３ｆの他端部は電気的に接地されている。
【００９９】
このように構成された電力増幅器２０１は、以下のように実施の形態５の電力増幅器２００と同様に動作する。
すなわち、第１増幅器３で反射した反射信号ｃ１による電力は、入力側第２抵抗素子２３ｅで消費される。その結果、反射信号ｃ１が入力側第２平衡端子１３ａから第２増幅器４に出力されるのを抑制して、電力増幅器２０１の発振を抑制することができる。
【０１００】
同様に、第２増幅器４で反射した反射信号ｃ２による電力は、入力側第２抵抗素子２３ｅで消費される。その結果、反射信号ｃ２が入力側第１平衡端子１２ａから第１増幅器３に出力されるのを抑制して、電力増幅器２０１の発振を抑制することができる。
【０１０１】
また、第１増幅器３が出力した不要信号ｄ１による電力は、出力側第２抵抗素子２３ｆで消費される。その結果、不要信号ｄ１が出力側第２平衡端子１３ｂから第２増幅器４に出力されるのを抑制して、電力増幅器２０１の発振を更に抑制することができる。
【０１０２】
同様に、第２増幅器４が出力した不要信号ｄ２による電力は、出力側第２抵抗素子２３ｆで消費される。その結果、不要信号ｄ２が出力側第１平衡端子１２ｂから第１増幅器３に出力されるのを抑制して、電力増幅器２０１の発振を更に抑制することができる。
【０１０３】
なお、入力側第１容量性素子２１ｅ、入力側第２容量性素子２２ｅ及び入力側第２抵抗素子２３ｅを除いたものとしてもよい。又は、出力側第１容量性素子２１ｆ、出力側第２容量性素子２２ｆ及び出力側第２抵抗素子２３ｆを除いたものとしてもよい。
【０１０４】
また、入力側第１容量性素子２１ｅ、入力側第２容量性素子２２ｅ及び入力側第２抵抗素子２３ｅに代えて、図６に示す入力側第１誘導性素子２１ｃ、入力側第２誘導性素子２２ｃ及び入力側第１抵抗素子２３ｃを設けたものとしても良い。又は、出力側第１容量性素子２１ｆ、出力側第２容量性素子２２ｆ及び出力側第２抵抗素子２３ｆに代えて、図６に示す出力側第１誘導性素子２１ｄ、出力側第２誘導性素子２２ｄ及び出力側第１抵抗素子２３ｄを設けたものとしてもよい。
【０１０５】
実施の形態７．
図８を参照して、図４に示す実施の形態４のバラン１０３を用いて構成した電力増幅器について説明する。なお、図６に示す実施の形態５の電力増幅器２００と同様の構成部材には同一符号を付して説明を省略する。
【０１０６】
入力側第１平衡端子１２ａと入力側第２平衡端子１３ａ間に、入力側第１容量性素子（第１容量性素子）２１ｅ及び入力側第２容量性素子（第２容量性素子）２２ｅが直列に接続されている。入力側第１容量性素子２１ｅ及び入力側第２容量性素子２２ｅは、互いに同等の容量成分を有する容量性素子により各々構成されている。
【０１０７】
入力側第１容量性素子２１ｅと入力側第２容量性素子２２ｅ間に、入力側第２抵抗素子（第２抵抗素子）２３ｅの一端部が接続されている。入力側第２抵抗素子２３ｅの他端部は電気的に接地されている。
【０１０８】
同様に、出力側第１平衡端子１２ｂと出力側第２平衡端子１３ｂ間に、出力側第１容量性素子（第１容量性素子）２１ｆ及び出力側第２容量性素子（第２容量性素子）２２ｆが直列に接続されている。出力側第１容量性素子２１ｆ及び出力側第２容量性素子２２ｆは、互いに同等の容量成分を有する容量性素子により各々構成されている。
【０１０９】
出力側第１容量性素子２１ｆと出力側第２容量性素子２２ｆ間に、出力側第２抵抗素子（第２抵抗素子）２３ｆの一端部が接続されている。出力側第２抵抗素子２３ｆの他端部は電気的に接地されている。
【０１１０】
このように構成された電力増幅器２０２は、以下のように実施の形態５の電力増幅器２００と同様に動作する。
すなわち、第１増幅器３で反射した反射信号ｃ１による電力は、入力側第１抵抗素子２３ｃ及び入力側第２抵抗素子２３ｅで消費される。その結果、反射信号ｃ１が入力側第２平衡端子１３ａから第２増幅器４に出力されるのを抑制して、電力増幅器２０２の発振を抑制することができる。
【０１１１】
同様に、第２増幅器４で反射した反射信号ｃ２による電力は、入力側第１抵抗素子２３ｃ及び入力側第２抵抗素子２３ｅで消費される。その結果、反射信号ｃ２が入力側第１平衡端子１２ａから第１増幅器３に出力されるのを抑制して、電力増幅器２０２の発振を抑制することができる。
【０１１２】
また、第１増幅器３が出力した不要信号ｄ１による電力は、出力側第１抵抗素子２３ｄ及び出力側第２抵抗素子２３ｆで消費される。その結果、不要信号ｄ１が出力側第２平衡端子１３ｂから第２増幅器４に出力されるのを抑制して、電力増幅器２０２の発振を更に抑制することができる。
【０１１３】
同様に、第２増幅器４が出力した不要信号ｄ２による電力は、出力側第１抵抗素子２３ｄ及び出力側第２抵抗素子２３ｆで消費される。その結果、不要信号ｄ２が出力側第１平衡端子１２ｂから第１増幅器３に出力されるのを抑制して、電力増幅器２０２の発振を更に抑制することができる。
【０１１４】
なお、入力側第１誘導性素子２１ｃ、入力側第２誘導性素子２２ｃ及び入力側第１抵抗素子２３ｃを除いたものとしてもよい。又は、出力側第１誘導性素子２１ｄ、出力側第２誘導性素子２２ｄ及び出力側第１抵抗素子２３ｄを除いたものとしてもよい。
【０１１５】
また、入力側第１容量性素子２１ｅ、入力側第２容量性素子２２ｅ及び入力側第２抵抗素子２３ｅを除いたものとしてもよい。又は、出力側第１容量性素子２１ｆ、出力側第２容量性素子２２ｆ及び出力側第２抵抗素子２３ｆを除いたものとしてもよい。
【０１１６】
なお、本願発明はその発明の範囲内において、各実施の形態の自由な組み合わせ、あるいは各実施の形態の任意の構成要素の変形、もしくは各実施の形態において任意の構成要素の省略が可能である。
【符号の説明】
【０１１７】
１  逆相分配合成器、１ａ  入力側逆相分配合成器（逆相分配器）、１ｂ  出力側逆相分配合成器（逆相合成器）、３  第１増幅器、４  第２増幅器、１１  不平衡端子（入力端子）、１１ａ  入力側不平衡端子（入力端子）、１１ｂ  出力側不平衡端子（出力端子）、１２  第１平衡端子（第１分配端子）、１２ａ  入力側第１平衡端子（第１分配端子）、１２ｂ  出力側第１平衡端子（第１合成端子）、１３  第２平衡端子（第２分配端子）、１３ａ  入力側第２平衡端子（第２分配端子）、１３ｂ  出力側第２平衡端子（第２合成端子）、２１  第１リアクタンス素子、２１ａ  第１誘導性素子、２１ｂ  第１容量性素子、２１ｃ  入力側第１誘導性素子（第１誘導性素子）、２１ｄ  出力側第１誘導性素子（第１誘導性素子）、２１ｅ  入力側第１容量性素子（第１容量性素子）、２１ｆ  出力側第１容量性素子（第１容量性素子）、２２  第２リアクタンス素子、２２ａ  第２誘導性素子、２２ｂ  第２容量性素子、２２ｃ  入力側第２誘導性素子（第２誘導性素子）、２２ｄ  出力側第２誘導性素子（第２誘導性素子）、２２ｅ  入力側第２容量性素子（第２容量性素子）、２２ｆ  出力側第２容量性素子（第２容量性素子）、２３  抵抗素子、２３ａ  第１抵抗素子、２３ｂ  第２抵抗素子、２３ｃ  入力側第１抵抗素子（第１抵抗素子）、２３ｄ  出力側第１抵抗素子（第１抵抗素子）、２３ｅ  入力側第２抵抗素子（第２抵抗素子）、２３ｆ  出力側第２抵抗素子（第２抵抗素子）、２４，２４ａ，２４ｂ，２４ｃ，２４ｄ，２４ｅ，２４ｆ  接合部、１００，１０１，１０２，１０３  バラン、２００，２０１，２０２  電力増幅器。
【図１】
2015220481.tif 000003
【図２】
2015220481.tif 000004
【図３】
2015220481.tif 000005
【図４】
2015220481.tif 000006
【図５】
2015220481.tif 000007
【図６】
2015220481.tif 000008
【図７】
2015220481.tif 000009
【図８】
2015220481.tif 000010