(57)【要約】      （修正有）【課題】反射層と対向電極との間の光路長を調整する陽極酸化膜を安定して形成することができる発光装置の製造方法を提供する。【解決手段】青色の光を発する発光領域を有するサブ画素と、緑色の光を発する発光領域を有するサブ画素と、を含み、発光領域に、反射層と、陽極酸化膜と、光透過性を有する画素電極と、有機発光層を含む発光機能層と、光透過性と光反射性とを有する対向電極とが順に積層された有機ＥＬ装置の製造方法であって、陽極酸化可能な材料で、青色の光を発する発光領域を有するサブ画素及び緑色の光を発する発光領域を有するサブ画素のそれぞれに反射層を形成する工程Ｓ２と、青色の光を発する発光領域を有するサブ画素に形成された反射層及び緑色の光を発する発光領域を有するサブ画素に形成された反射層に異なる電圧を印加し、反射層の一部を陽極酸化して陽極酸化膜を形成する工程Ｓ３と、を有している。【選択図】図６
2015197994.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１のピーク波長の光を発する発光領域を有する第１の画素と、第２のピーク波長の光
を発する発光領域を有する第２の画素と、を含み、
前記発光領域に、反射層と、光路長調整層と、光透過性を有する第１電極と、有機発光
層を含む機能層と、光透過性と光反射性とを有する第２電極とが順に積層された発光装置
の製造方法であって、
陽極酸化可能な材料で、前記第１の画素及び前記第２の画素のそれぞれに前記反射層を
形成する工程と、
前記第１の画素に形成された前記反射層、及び前記第２の画素に形成された前記反射層
に異なる電圧を印加し、前記反射層の一部を陽極酸化して前記光路長調整層を形成する工
程と、
を有していることを特徴とする発光装置の製造方法。
【請求項２】
前記第１の画素及び前記第２の画素は、それぞれ第１の方向に配列され、
前記第１の画素及び前記第２の画素のそれぞれに対して、前記第１の方向に延在するス
トライプ形状をなすように前記反射層を形成することを特徴とする請求項１に記載の発光
装置の製造方法。
【請求項３】
前記反射層の前記光路長調整層と反対側に設けられ前記第１電極に電気的に接続された
トランジスターと、前記トランジスターと前記反射層との間に設けられた層間絶縁層と、
をさらに有し、
前記光路長調整層を形成する工程を経た後に、前記トランジスターと前記第１電極とを
電気的に接続するための前記層間絶縁層を貫くコンタクトホールを形成する工程、を含む
ことを特徴とする請求項１または２に記載の発光装置の製造方法。
【請求項４】
前記コンタクトホールと平面的に重ならないように前記反射層を形成することを特徴と
する請求項３に記載の発光装置の製造方法。
【請求項５】
前記反射層の前記光路長調整層と反対側に設けられたトランジスターをさらに有し、
前記反射層を形成する工程では、前記トランジスターに電気的に接続されるように前記
反射層を形成し、
前記光路長調整層を形成する工程では、前記トランジスターを介して、前記第１の画素
に形成された前記反射層及び前記第２の画素に形成された前記反射層に異なる電圧を印加
し、前記反射層の一部を陽極酸化することを特徴とする請求項１に記載の発光装置の製造
方法。
【請求項６】
前記第１の画素及び前記第２の画素のそれぞれに対応して、前記反射層を島状に形成す
ることを特徴とする請求項５に記載の発光装置の製造方法。
【請求項７】
前記光路長調整層を形成する工程を経た後に、
前記光路長調整層を貫き前記反射層に至るコンタクトホールを形成する工程と、
前記コンタクトホールを覆うように透光性の導電材料を堆積する工程と、
前記透光性の導電材料をパターニングして、前記反射層に電気的に接続された前記第１
電極を形成する工程と、
を有していることを特徴とする請求項５または６に記載の発光装置の製造方法。
【請求項８】
前記コンタクトホールを形成する工程と前記透光性の導電材料を堆積する工程との間に
、前記反射層と前記第１電極とを電気的に接続する中継電極を形成する工程を含むことを
特徴とする請求項７に記載の発光装置の製造方法。
【請求項９】
アルミニウム、タンタル、チタン、マグネシウム、ジルコニウムのうちいずれかの元素
を含む材料を用いて、前記反射層を形成することを特徴とする請求項１乃至８のいずれか
１項に記載の発光装置の製造方法。
【請求項１０】
前記反射層の一部を陽極酸化して前記光路長調整層を形成する工程では、中性溶液の中
で前記反射層に陽極酸化処理を施すことを特徴とする請求項１乃至９のいずれか１項に記
載の発光装置の製造方法。
【請求項１１】
第１のピーク波長の光を発する発光領域を有する第１の画素と、第２のピーク波長の光
を発する発光領域を有する第２の画素と、を含み、
前記第１の画素及び前記第２の画素は、第１の方向に配列され、
前記発光領域には、前記第１の画素及び前記第２の画素のそれぞれに設けられた前記第
１の方向に延在するストライプ形状の反射層と、前記第１の画素及び前記第２の画素のそ
れぞれに対して異なる膜厚の前記反射層の陽極酸化膜で構成された光路長調整層と、光透
過性を有する第１電極と、有機発光層を含む機能層と、光透過性と光反射性とを有する第
２電極とが、順に積層されていることを特徴とする発光装置。
【請求項１２】
前記反射層の前記光路長調整層と反対側に設けられ、前記第１電極に電気的に接続され
たトランジスターと、
前記トランジスターと前記反射層との間に設けられた層間絶縁層と、
をさらに有し、
前記反射層は、前記トランジスターと前記第１電極とを電気的に接続するために設けら
れた前記層間絶縁層を貫くコンタクトホールと平面的に重ならないように配置されている
ことを特徴とする請求項１１に記載の発光装置。
【請求項１３】
第１のピーク波長の光を発する発光領域を有する第１の画素と、第２のピーク波長の光
を発する発光領域を有する第２の画素と、を含み、
前記発光領域には、前記第１の画素及び前記第２の画素のそれぞれに対して島状に設け
られた反射層と、前記第１の画素及び前記第２の画素のそれぞれに対して異なる膜厚の前
記反射層の陽極酸化膜で構成された光路長調整層と、光透過性を有する第１電極と、有機
発光層を含む機能層と、光透過性と光反射性とを有する第２電極とが、順に積層され、
前記光路長調整層は、前記反射層に至るコンタクトホールを有し、
前記第１電極は、前記コンタクトホールを介して前記反射層に電気的に接続されている
ことを特徴とする発光装置。
【請求項１４】
前記光路長調整層と前記第１電極との間に、前記コンタクトホールを覆い前記反射層と
前記第１電極とを電気的に接続する中継電極を有していることを特徴とする請求項１３に
記載の発光装置。
【請求項１５】
前記反射層の構成材料は、アルミニウム、タンタル、チタン、マグネシウム、ジルコニ
ウムのうちいずれかの元素を含んでいることを特徴とする請求項１１乃至１４のいずれか
１項に記載の発光装置。
【請求項１６】
請求項１１乃至１５のいずれか１項に記載の発光装置を備えていることを特徴とする電
子機器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、発光装置の製造方法、当該製造方法で製造された発光装置、及び当該発光装
置を備えた電子機器に関する。
【背景技術】
【０００２】
発光装置の一例として、例えばトランジスターや有機エレクトロルミネッセンス（以降
、有機ＥＬと称す）素子を有する画素がマトリックス状に配置された有機ＥＬ装置が提案
されている（特許文献１）。
【０００３】
特許文献１に記載の有機ＥＬ装置では、トランジスターが形成された基板の上に、反射
層と、反射層酸化膜と、画素電極と、有機発光層と、対向電極とが順に積層されている。
また、反射層と画素電極とは、同じトランジスターの電流端（ソース電極）に接するよう
に配置され、電気的に接続されている。
【０００４】
反射層酸化膜は、反射層を硫酸などの溶液に浸漬し、ソース電極から反射層に陽極酸化
電圧を印加し、反射層を陽極酸化することで形成されている。反射層を陽極酸化すること
で形成された陽極酸化膜（反射層酸化膜）はポーラスであり、沸騰水の中で陽極酸化膜の
細孔を封孔する処理（封孔処理）が施されている。
【０００５】
反射層の陽極酸化膜は、光路長調整層であり、反射層と対向電極との間の光路長（光学
的距離）を調整する役割を有している。有機発光層で発した光は、反射層と対向電極との
間で繰り返し反射され、反射層と対向電極との間の光路長に対応する共振波長の光の強度
が高められる。このように、特許文献１に記載の有機ＥＬ装置は、有機発光層で発した光
から、反射光の多重反射干渉によって色純度が高められた表示光（赤色の表示光、緑色の
表示光、青色の表示光）を取り出し、カラー表示を提供する。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開２０１０−１５３１７２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
特許文献１に記載の製造方法では、反射層及びソース電極が接した状態で、ソース電極
から反射層に陽極酸化電圧を印加し、反射層を陽極酸化している。例えば、ソース電極及
び反射層の両方が硫酸などの溶液に接した状態であると、ソース電極に印加される陽極酸
化電圧によって、ソース電極が変質するという不具合や、ソース電極に接する溶液が電気
分解され所望の膜厚の陽極酸化膜を形成することが難しいという不具合を招く恐れがあっ
た。
【０００８】
例えば、ソース電極が硫酸などの溶液に接しないようにレジストで保護すると、反射層
の一部もレジストで保護され、反射層の一部が陽極酸化されない恐れが生じる。特に、微
細な画素のマイクロディスプレイでは、反射層の全体に陽極酸化膜（光路長調整層）が形
成されていないと、同じ画素の中で異なる共振波長の光の強度が高められ、表示光の色純
度が低下する恐れがあった。
さらに、沸騰水の中で陽極酸化膜の細孔を封孔する処理（封孔処理）によって、ソース
電極が変質する恐れもあった。
【０００９】
このように、特許文献１に記載の製造方法では、反射層と対向電極との間に光路長調整
層としての陽極酸化膜を安定して形成することが難しいという課題を有していた。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本発明は、上述の課題の少なくとも一部を解決するためになされたものであり、以下の
形態または適用例として実現することが可能である。
【００１１】
［適用例１］本適用例に係る発光装置の製造方法は、第１のピーク波長の光を発する発
光領域を有する第１の画素と、第２のピーク波長の光を発する発光領域を有する第２の画
素と、を含み、前記発光領域に、反射層と、光路長調整層と、光透過性を有する第１電極
と、有機発光層を含む機能層と、光透過性と光反射性とを有する第２電極とが順に積層さ
れた発光装置の製造方法であって、陽極酸化可能な材料で前記第１の画素及び前記第２の
画素のそれぞれに前記反射層を形成する工程と、前記第１の画素に形成された前記反射層
、及び前記第２の画素に形成された前記反射層に異なる電圧を印加し、前記反射層の一部
を陽極酸化して前記光路長調整層を形成する工程と、を有していることを特徴とする。
【００１２】
反射層を陽極酸化可能な材料で形成し、第１の画素に形成された反射層及び第２の画素
に形成された反射層に異なる電圧を同時に印加すると、第１の画素及び第２の画素のそれ
ぞれで異なる膜厚の陽極酸化膜を一括形成することができる。例えば、真空成膜法で第１
の画素及び第２の画素のそれぞれで異なる膜厚の酸化膜（陽極酸化膜に相当する酸化膜）
を形成する場合、異なる膜厚の酸化膜を一括形成することが難しく、それぞれ別々に形成
する必要がある。よって、真空成膜法で酸化膜を形成する場合と比べて、酸化膜（陽極酸
化膜）の製造工程が簡素化され、発光装置の生産性を高めることができる。
【００１３】
さらに、第１の画素に形成された反射層の全体、及び第２の画素に形成された反射層の
全体を陽極酸化するので、反射層の一部が陽極酸化されない恐れがあるという公知技術（
特開２０１２−３８６７７号公報）の製造方法に係る課題を解決することができる。
【００１４】
［適用例２］上記適用例に記載の発光装置の製造方法において、前記第１の画素及び前
記第２の画素は、それぞれ第１の方向に配列され、前記第１の画素及び前記第２の画素の
それぞれに対して、前記第１の方向に延在するストライプ形状をなすように前記反射層を
形成することが好ましい。
【００１５】
第１の画素に形成されたストライプ形状の反射層、及び第２の画素に形成されたストラ
イプ形状の反射層のそれぞれに異なる電圧を同時に印加することによって、第１の画素及
び第２の画素のそれぞれで異なる膜厚の陽極酸化膜を一括形成することができる。
【００１６】
［適用例３］上記適用例に記載の発光装置の製造方法において、前記反射層の前記光路
長調整層と反対側に設けられ前記第１電極に電気的に接続されたトランジスターと、前記
トランジスターと前記反射層との間に設けられた層間絶縁層と、をさらに有し、前記光路
長調整層を形成する工程を経た後に、前記トランジスターと前記第１電極とを電気的に接
続するための前記層間絶縁層を貫くコンタクトホールを形成する工程を含むことが好まし
い。
【００１７】
トランジスターが層間絶縁層で覆われた状態で、反射層に陽極酸化処理を施すので、ト
ランジスターの電流端は当該陽極酸化処理による影響を受けない。また、反射層に陽極酸
化処理を施した後に層間絶縁層を貫くコンタクトホールを形成するので、当該コンタクト
ホールを介してトランジスターの電流端と第１電極とを良好に電気的に接続することがで
きる。
【００１８】
換言すれば、トランジスターの電流端が陽極酸化処理を施す溶液に接していない状態で
、反射層を陽極酸化するので、トランジスターの電流端が変質するという不具合や、当該
電流端に接する溶液が電気分解されて所望の膜厚の陽極酸化膜を形成することが難しいと
いう不具合などの公知技術の製造方法に係る課題を解決することができる。
【００１９】
［適用例４］上記適用例に記載の発光装置の製造方法において、前記コンタクトホール
と平面的に重ならないように前記反射層を形成することが好ましい。
【００２０】
平面視でコンタクトホールと重ならないように反射層が形成されているので、トランジ
スターと第１電極との間に反射層を配置しても、当該コンタクトホールを介してトランジ
スターと第１電極とを電気的に接続することができる。
【００２１】
［適用例５］上記適用例に記載の発光装置の製造方法において、前記反射層の前記光路
長調整層と反対側に設けられたトランジスターをさらに有し、前記反射層を形成する工程
では、前記トランジスターに電気的に接続されるように前記反射層を形成し、前記光路長
調整層を形成する工程では、前記トランジスターを介して、前記第１の画素に形成された
前記反射層及び前記第２の画素に形成された前記反射層に異なる電圧を印加し、前記反射
層の一部を陽極酸化することが好ましい。
【００２２】
トランジスターに電気的に接続されるように反射層を形成し、トランジスターを介して
、第１の画素に形成された反射層及び第２の画素に形成された反射層に異なる電圧を同時
に印加することで、第１の画素及び第２の画素のそれぞれで異なる膜厚の陽極酸化膜を一
括形成することができる。例えば、真空成膜法で第１の画素及び第２の画素のそれぞれで
異なる膜厚の酸化膜（陽極酸化膜に相当する酸化膜）を形成する場合、異なる膜厚の酸化
膜を一括形成することが難しく、それぞれ別々に形成する必要がある。よって、真空成膜
法で酸化膜を形成する場合と比べて、酸化膜（陽極酸化膜）の製造工程が簡素化され、発
光装置の生産性を高めることができる。
【００２３】
さらに、第１の画素に形成された反射層の全体、及び第２の画素に形成された反射層の
全体を陽極酸化するので、反射層の一部が陽極酸化されない恐れがあるという公知技術の
製造方法に係る課題を解決することができる。
【００２４】
［適用例６］上記適用例に記載の発光装置の製造方法において、前記第１の画素及び前
記第２の画素のそれぞれに対応して、前記反射層を島状に形成することが好ましい。
【００２５】
第１の画素及び第２の画素のそれぞれに対応して、反射層が島状に形成されているので
、反射層がストライプ形状に形成されている場合と比べて、第１の画素及び第２の画素の
配列の自由度を高めることができる。例えば、第１の画素及び第２の画素を、ストライプ
配列の他に、モザイク配列やデルタ配列などに配列することができる。
【００２６】
［適用例７］上記適用例に記載の発光装置の製造方法において、前記光路長調整層を形
成する工程を経た後に、前記光路長調整層を貫き前記反射層に至るコンタクトホールを形
成する工程と、前記コンタクトホールを覆うように透光性の導電材料を堆積する工程と、
前記透光性の導電材料をパターニングして、前記反射層に電気的に接続された前記第１電
極を形成する工程と、を有していることが好ましい。
【００２７】
光路長調整層（陽極酸化膜）を貫き反射層に至るコンタクトホールを介して、反射層と
電気的に接続される第１電極を形成することによって、反射層を介して第１電極をトラン
ジスターに電気的に接続させることができる。
【００２８】
［適用例８］上記適用例に記載の発光装置の製造方法において、前記コンタクトホール
を形成する工程と前記透光性の導電材料を堆積する工程との間に、前記反射層と前記第１
電極とを電気的に接続する中継電極を形成する工程を含むことが好ましい。
【００２９】
反射層と第１電極との間に中継電極を配置することによって、反射層と第１電極とが直
接接することによる不具合、例えば反射層と第１電極との電池作用による不具合を抑制し
、反射層と第１電極とを良好に電気的に接続することができる。
【００３０】
［適用例９］上記適用例に記載の発光装置の製造方法において、アルミニウム、タンタ
ル、チタン、マグネシウム、ジルコニウムのうちいずれかの元素を含む材料を用いて、前
記反射層を形成することが好ましい。
【００３１】
反射層は、アルミニウム、タンタル、チタン、マグネシウム、ジルコニウムのうちいず
れかの元素を含む材料で形成されているので、反射層を陽極酸化し、反射層を覆う陽極酸
化膜を形成することができる。
【００３２】
［適用例１０］上記適用例に記載の発光装置の製造方法において、前記反射層の一部を
陽極酸化して前記光路長調整層を形成する工程では、中性溶液の中で前記反射層に陽極酸
化処理を施すことが好ましい。
【００３３】
中性溶液の中で陽極酸化された反射層の陽極酸化膜は、緻密なバリアー型酸化被膜であ
り、封孔処理を必要とする細孔を有していない。従って、公知技術の製造方法における陽
極酸化膜の細孔を封孔する処理（封孔処理）を省略し、陽極酸化膜を形成する工程を簡素
化することができる。さらに、当該封孔処理によってトランジスターの電流端が変質する
恐れがあるという公知技術の製造方法に係る課題を解決することができる。
【００３４】
［適用例１１］本適用例に係る発光装置は、第１のピーク波長の光を発する発光領域を
有する第１の画素と、第２のピーク波長の光を発する発光領域を有する第２の画素と、を
含み、前記第１の画素及び前記第２の画素は、第１の方向に配列され、前記発光領域には
、前記第１の画素及び前記第２の画素のそれぞれに設けられた前記第１の方向に延在する
ストライプ形状の反射層と、前記第１の画素及び前記第２の画素のそれぞれに対して異な
る膜厚の前記反射層の陽極酸化膜で構成された光路長調整層と、光透過性を有する第１電
極と、有機発光層を含む機能層と、光透過性と光反射性とを有する第２電極とが、順に積
層されていることを特徴とする。
【００３５】
第１の画素及び第２の画素は、反射層と、陽極酸化膜（光路長調整層）と、光透過性を
有する第１電極と、有機発光層を含む機能層と、光透過性と光反射性とを有する第２電極
とが、順に積層された発光領域を有している。反射層と対向電極との間の光路長を陽極酸
化膜で調整し、有機発光層を含む機能層から発した光を反射層と対向電極との間で反射さ
せることによって、反射層と対向電極との間の光路長（光学的距離）に対応する共振波長
の光の強度を高めることができる。つまり、有機発光層を含む機能層から発した光から、
反射層と対向電極との間の光路長に対応する共振波長の光を取り出すことができる。
【００３６】
第１の画素では、第１のピーク波長の光が発せられるように陽極酸化膜の膜厚が設定さ
れ、第２の画素では、第２のピーク波長の光が発せられるように陽極酸化膜の膜厚が設定
されている。例えば、有機発光層を含む機能層から発した光から、青色の光、緑色の光、
及び赤色の光を取り出すように、陽極酸化膜の膜厚を設定することによってカラー表示を
得ることができる。
【００３７】
［適用例１２］本適用例に係る発光装置において、前記反射層の前記光路長調整層と反
対側に設けられ、前記第１電極に電気的に接続されたトランジスターと、前記トランジス
ターと前記反射層との間に設けられた層間絶縁層と、をさらに有し、前記反射層は、前記
トランジスターと前記第１電極とを電気的に接続するために設けられた前記層間絶縁層を
貫くコンタクトホールと平面的に重ならないように配置されていることが好ましい。
【００３８】
平面視で層間絶縁層を貫くコンタクトホールと重ならないように反射層が形成されてい
るので、トランジスターと第１電極との間に反射層を配置しても、当該コンタクトホール
を介してトランジスターと第１電極とを電気的に接続することができる。
【００３９】
［適用例１３］本適用例に係る発光装置において、第１のピーク波長の光を発する発光
領域を有する第１の画素と、第２のピーク波長の光を発する発光領域を有する第２の画素
と、を含み、前記発光領域には、前記第１の画素及び前記第２の画素のそれぞれに対して
島状に設けられた反射層と、前記第１の画素及び前記第２の画素のそれぞれに対して異な
る膜厚の前記反射層の陽極酸化膜で構成された光路長調整層と、光透過性を有する第１電
極と、有機発光層を含む機能層と、光透過性と光反射性とを有する第２電極とが、順に積
層され、前記光路長調整層は、前記反射層に至るコンタクトホールを有し、前記第１電極
は、前記コンタクトホールを介して前記反射層に電気的に接続されていることが好ましい
。
【００４０】
第１の画素及び第２の画素は、反射層と、陽極酸化膜（光路長調整層）と、光透過性を
有する第１電極と、有機発光層を含む機能層と、光透過性と光反射性とを有する第２電極
とが、順に積層された発光領域を有している。反射層と対向電極との間の光路長を陽極酸
化膜で調整し、有機発光層を含む機能層から発した光を反射層と対向電極との間で反射さ
せることによって、反射層と対向電極との間の光路長に対応する共振波長の光の強度を高
めることができる。つまり、有機発光層を含む機能層から発した光から、反射層と対向電
極との間の光路長に対応する共振波長の光を取り出すことができる。
【００４１】
第１の画素では、第１のピーク波長の光が発せられるように陽極酸化膜の膜厚が設定さ
れ、第２の画素では、第２のピーク波長の光が発せられるように陽極酸化膜の膜厚が設定
されている。例えば、有機発光層を含む機能層から発した光から、青色の光、緑色の光、
及び赤色の光を取り出すように、陽極酸化膜の膜厚を設定することによってカラー表示を
得ることができる。
【００４２】
さらに、第１の画素及び第２の画素のそれぞれに対応して、反射層が島状に形成されて
いるので、反射層がストライプ形状に形成されている場合と比べて、第１の画素及び第２
の画素の配列の自由度を高めることができる。例えば、第１の画素及び第２の画素を、ス
トライプ配列の他に、モザイク配列やデルタ配列などに配列することができる。
【００４３】
［適用例１４］本適用例に係る発光装置において、前記光路長調整層と前記第１電極と
の間に、前記コンタクトホールを覆い前記反射層と前記第１電極とを電気的に接続する中
継電極を有していることが好ましい。
【００４４】
反射層と第１電極との間に中継電極を配置することによって、反射層と第１電極とが直
接接することによる不具合、例えば反射層と第１電極との電池作用による不具合を抑制し
、反射層と第１電極とを良好に電気的に接続することができる。
【００４５】
［適用例１５］本適用例に係る発光装置において、前記反射層の構成材料は、アルミニ
ウム、タンタル、チタン、マグネシウム、ジルコニウムのうちいずれかの元素を含んでい
ることが好ましい。
【００４６】
反射層は、アルミニウム、タンタル、チタン、マグネシウム、ジルコニウムのうちいず
れかの元素を含む材料で形成されているので、反射層を陽極酸化することによって、反射
層を陽極酸化膜で覆うことができる。
【００４７】
［適用例１６］本適用例に係る電子機器は、上記適用例に記載の発光装置を備えている
ことを特徴とする。
【００４８】
上記適用例に記載の発光装置は、有機発光層を含む機能層から発した光から、青色の光
、緑色の光、及び赤色の光を取り出すように陽極酸化膜（光路長調整層）の膜厚を設定す
ることによってカラー表示を得ることができる。従って、上記適用例に記載の発光装置を
備えた電子機器も、カラー表示を提供することができる。例えば、ヘッドマウントディス
プレイ、ヘッドアップディスプレイ、デジタルカメラの電子ビューファインダー、携帯型
情報端末、ナビゲーターなどの表示部を有する電子機器に、上記適用例に記載の発光装置
を適用することができる。
【図面の簡単な説明】
【００４９】
【図１】実施形態１に係る有機ＥＬ装置の概要を示す概略平面図。
【図２】実施形態１に係る有機ＥＬ装置の電気的な構成を示す等価回路図。
【図３】サブ画素の構成要素の状態を示す概略平面図。
【図４】図３のＡ─Ａ’における有機ＥＬ装置の概略断面図。
【図５】図３のＢ─Ｂ’における有機ＥＬ装置の概略断面図。
【図６】実施形態１に係る有機ＥＬ装置の製造方法を示す工程フロー。
【図７】図６に示す工程フローの主要な工程を経た後の状態を示す概略断面図。
【図８】図６に示す工程フローの主要な工程を経た後の状態を示す概略断面図。
【図９】反射層を形成した後の状態を示す模式平面図。
【図１０】反射層に陽極酸化処理を施す工程の状態を示す概略図。
【図１１】実施形態２に係る有機ＥＬ装置のサブ画素の構成を示す概略平面図。
【図１２】図１１のＡ─Ａ’における有機ＥＬ装置の概略断面図。
【図１３】実施形態２に係る有機ＥＬ装置の製造方法を示す工程フロー。
【図１４】図１３に示す工程フローの主要な工程を経た後の状態を示す概略断面図。
【図１５】反射層を形成した後の有機ＥＬ装置の電気的な構成を示す等価回路図。
【図１６】反射層を形成した後の状態を示す模式平面図。
【図１７】反射層に陽極酸化処理を施す工程の状態を示す概略図。
【図１８】実施形態３に係るヘッドマウントディスプレイの概略図。
【発明を実施するための形態】
【００５０】
以下、図面を参照して、本発明の実施形態について説明する。かかる実施形態は、本発
明の一態様を示すものであり、この発明を限定するものではなく、本発明の技術的思想の
範囲内で任意に変更可能である。また、以下の各図においては、各層や各部位を図面上で
認識可能な程度の大きさとするため、各層や各部位の縮尺を実際とは異ならせしめてある
。
【００５１】
（実施形態１）
「有機ＥＬ装置の概要」
実施形態１に係る有機ＥＬ装置１００は、本発明における「発光装置」の一例であり、
後述するヘッドマウントディスプレイの表示部に好適な自発光型のマイクロディスプレイ
である。
図１は、本実施形態に係る有機ＥＬ装置の概要を示す概略平面図である。図２は、本実
施形態に係る有機ＥＬ装置（素子基板）の電気的な構成を示す等価回路図である。
まず、図１及び図２を参照して、本実施形態に係る有機ＥＬ装置１００の概要について
、説明する。
【００５２】
図１に示すように、本実施形態に係る有機ＥＬ装置１００は、素子基板１０と、素子基
板１０に対向配置された対向基板４０とを有している。両基板は、後述する樹脂層４２（
図４参照）によって接着されている。
【００５３】
素子基板１０は、画素２がマトリックスに配列された表示領域Ｅを有している。
対向基板４０は、透光性のガラス基板であり、素子基板１０に対向配置されている。対
向基板４０は、表示領域Ｅを覆い、表示領域Ｅに配置された後述する有機ＥＬ素子３０（
図２参照）が傷つかないように保護している。
【００５４】
平面視で、対向基板４０からはみ出した素子基板１０の第１辺に沿って、複数の外部接
続用端子１０３が配列されている。複数の外部接続用端子１０３と表示領域Ｅとの間には
、データ線駆動回路１０１が設けられている。該第１辺と直交し互いに対向する他の第２
辺、第３辺と表示領域Ｅとの間には、走査線駆動回路１０２が設けられている。
【００５５】
以降、当該第１辺に沿った方向をＸ方向とする。当該第１辺と直交し互いに対向する他
の２辺（第２辺、第３辺）に沿った方向をＹ方向とする。素子基板１０から対向基板４０
に向かう方向をＺ（＋）方向とする。
なお、Ｙ方向は、本発明における「第１の方向」の一例である。
【００５６】
画素２は、青色の光を発するサブ画素１Ｂと、緑色の光を発するサブ画素１Ｇと、赤色
の光を発するサブ画素１Ｒとで構成される。サブ画素１Ｂ、サブ画素１Ｇ、及びサブ画素
１Ｒのそれぞれは、Ｙ方向に配列されたストライプ配列をなしている。
なお、サブ画素１Ｂは本発明における「第１の画素」の一例であり、サブ画素１Ｇは本
発明における「第２の画素」の一例である。青色の光は本発明における「第１のピーク波
長の光」の一例であり、緑色の光は本発明における「第２のピーク波長の光」の一例であ
る。
以降の説明では、サブ画素１Ｂ、サブ画素１Ｇ、及びサブ画素１Ｒを、サブ画素１と称
する場合がある。
【００５７】
外部接続用端子１０３は、Ｘ（−）方向の側から順に配置された外部接続用端子１０３
Ｂと、外部接続用端子１０３Ｇと、外部接続用端子１０３Ｒと、複数の外部接続用端子１
０３ａとで構成される。外部接続用端子１０３Ｂによって、後述するサブ画素１Ｂの反射
層２０Ｂ（図３参照）と外部回路（図示省略）とが電気的に接続されている。外部接続用
端子１０３Ｇによって、後述するサブ画素１Ｇの反射層２０Ｇ（図３参照）と外部回路と
が電気的に接続されている。外部接続用端子１０３Ｒによって、後述するサブ画素１Ｒの
反射層２０Ｒ（図３参照）と外部回路とが電気的に接続されている。複数の外部接続用端
子１０３ａによって、駆動回路（データ線駆動回路１０１，走査線駆動回路１０２）及び
後述する電源線６（図２参照）と、外部回路とが電気的に接続されている。
【００５８】
図２に示すように、サブ画素１に対応する信号線として、走査線３、データ線４、点灯
制御線５、及び電源線６などが設けられている。走査線３と点灯制御線５はＸ方向に並行
して延び、走査線駆動回路１０２（図１）に電気的に接続されている。データ線４と電源
線６とはＹ方向に並行して延びている。データ線４は、データ線駆動回路１０１（図１）
に電気的に接続されている。上述したように、電源線６は、外部接続用端子１０３ａに電
気的に接続されている。
【００５９】
走査線３とデータ線４との交点付近には、サブ画素１の画素回路１１０を構成するトラ
ンジスター１２１と、トランジスター１２２と、トランジスター１２３と、容量２４と、
有機ＥＬ素子３０とが設けられている。
【００６０】
有機ＥＬ素子３０は、画素電極３１と、対向電極３３と、これら電極の間に挟まれた発
光層を含む発光機能層３２とを有している。対向電極３３は、複数のサブ画素１に跨って
設けられた共通電極である。対向電極３３には、例えば電源線６に与えられる電源電圧Ｖ
ｄｄに対して低電位（例えば、基準電位Ｖｓｓなど）が供給されている。
なお、画素電極３１は本発明における「第１電極」の一例であり、発光機能層３２は本
発明における「有機発光層を含む機能層」の一例であり、対向電極３３は本発明における
「第２電極」の一例である。
【００６１】
トランジスター１２１及びトランジスター１２３は、例えばｎチャネル型のトランジス
ターである。トランジスター１２２は、例えばｐチャネル型のトランジスターである。
【００６２】
トランジスター１２１のゲートは走査線３に電気的に接続され、一方の電流端（ソース
）はデータ線４に電気的に接続され、他方の電流端（ドレイン）はトランジスター１２２
のゲートと、容量２４の一方の電極とに電気的に接続されている。
【００６３】
トランジスター１２２の一方の電流端（ソース）は、電源線６に電気的に接続されると
共に容量２４の他方の電極に電気的に接続されている。トランジスター１２２の他方の電
流端（ドレイン）は、トランジスター１２３の一方の電流端（ドレイン）に電気的に接続
されている。
【００６４】
トランジスター１２３のゲートは点灯制御線５に電気的に接続され、他方の電流端（ソ
ース）は有機ＥＬ素子３０の画素電極３１に電気的に接続されている。
なお、トランジスター１２３は、本発明における「第１電極に電気的に接続されたトラ
ンジスター」の一例である。
【００６５】
走査線駆動回路１０２から走査線３に供給される走査信号Ｙｉの電圧水準がＨｉレベル
になると、トランジスター１２１がオン状態となり、データ線４と容量２４とが電気的に
接続される。そして、データ線駆動回路１０１からデータ線４にデータ信号が供給される
と、データ信号の電圧水準Ｖｄａｔａと電源線６に与えられた電源電圧Ｖｄｄとの電位差
が容量２４に蓄積される。
【００６６】
走査線駆動回路１０２から走査線３に供給される走査信号Ｙｉの電圧水準がＬｏｗレベ
ルになると、トランジスター１２１がオフ状態となり、トランジスター１２２のゲート・
ソース間電圧は、電圧水準Ｖｄａｔａが与えられたときの電圧に保持される。同時に、点
灯制御線５に供給される点灯制御信号Ｖｇｉの電圧水準がＨｉレベルとなり、トランジス
ター１２３がオン状態となる。そうすると、トランジスター１２２のゲート・ソース電圧
、つまり容量２４に保持された電圧に応じた電流が、電源線６からトランジスター１２２
及びトランジスター１２３を経由して、有機ＥＬ素子３０に供給される。
【００６７】
有機ＥＬ素子３０は、有機ＥＬ素子３０を流れる電流の大きさに応じて発光する。有機
ＥＬ素子３０を流れる電流は、容量２４に保持された電圧（データ線４の電圧水準Ｖｄａ
ｔａと電源電圧Ｖｄｄとの電位差）、及びトランジスター１２３がオン状態になる期間の
長さによって変化する。つまり、データ信号における電圧水準Ｖｄａｔａの値により、サ
ブ画素１において画像情報に応じた輝度の階調性を与えることができる。
【００６８】
「サブ画素の概要」
図３は、サブ画素の構成要素の状態を示す概略平面図である。図３には、サブ画素１の
構成要素のうち、反射層２０Ｂ，２０Ｇ，２０Ｒ、絶縁膜２８（図４参照）の開口２８Ｃ
Ｔ、画素電極３１、及び第４層間絶縁膜１９（図４参照）に設けられたコンタクトホール
１９ＣＴが図示され、他の構成要素の図示は省略されている。
次に、図３を参照してサブ画素１の概要（構成要素の状態）を説明する。
【００６９】
詳細は後述するが、サブ画素１には、第４層間絶縁膜１９と、反射層２０Ｂ，２０Ｇ，
２０Ｒと、画素電極３１と、絶縁膜２８とがＺ（＋）方向に配置されている（図４参照）
。
図３に示すように、画素電極３１及びコンタクトホール１９ＣＴは、サブ画素１毎に島
状に配置されている。コンタクトホール１９ＣＴは、画素電極３１とトランジスター１２
３とを電気的に接続するためのコンタクトホールであり、平面視で画素電極３１に重なり
、画素電極３１のコーナー部に配置されている。
なお、コンタクトホール１９ＣＴは、本発明における「層間絶縁層を貫くコンタクトホ
ール」の一例である。
【００７０】
平面視で、画素電極３１と部分的に重なるように反射層２０Ｂ，２０Ｇ，２０Ｒが配置
されている。反射層２０Ｂは、Ｙ方向に配列されたサブ画素１Ｂに跨って配置され、Ｙ方
向に延在するストライプ形状をなしている。反射層２０Ｇは、Ｙ方向に配列されたサブ画
素１Ｇに跨って配置され、Ｙ方向に延在するストライプ形状をなしている。反射層２０Ｒ
は、Ｙ方向に配列されたサブ画素１Ｒに跨って配置され、Ｙ方向に延在するストライプ形
状をなしている。
以降の説明では、反射層２０Ｂ、反射層２０Ｇ、及び反射層２０Ｒを、反射層２０と称
する場合がある。
【００７１】
Ｙ方向に延在する反射層２０は、画素電極３１とコンタクトホール１９ＣＴとが重なる
部分に凹部２０ＣＴを有し、平面視でコンタクトホール１９ＣＴと重ならないように配置
されている。凹部２０ＣＴが形成された部分では、平面視で画素電極３１は反射層２０か
らはみ出し、凹部２０ＣＴが形成されていない部分では、平面視で画素電極３１は反射層
２０の内側に配置されている。
【００７２】
絶縁膜２８は、画素電極３１と発光機能層３２との間に設けられている（図４参照）。
絶縁膜２８は、画素電極３１の周縁部を覆うように配置され、画素電極３１を露出する開
口２８ＣＴを有している。
【００７３】
開口２８ＣＴが設けられた部分では、画素電極３１と発光機能層３２とが接し、画素電
極３１から発光機能層３２に正孔が供給され、発光機能層３２が発光する。つまり、開口
２８ＣＴが設けられた領域（画素電極３１が開口２８ＣＴによって露出した領域）が、発
光機能層３２が発光する発光領域となる。
【００７４】
画素電極３１が絶縁膜２８で覆われた領域（開口２８ＣＴが設けられていない部分）で
は、画素電極３１から発光機能層３２への正孔の供給が抑制され、発光機能層３２の発光
が抑制される。つまり、絶縁膜２８が設けられた領域が、発光機能層３２の発光が抑制さ
れた領域となる。
【００７５】
「有機ＥＬ装置の断面構造」
図４は、図３のＡ─Ａ’における有機ＥＬ装置の概略断面図である。つまり、図４は、
サブ画素１Ｇにおける有機ＥＬ装置１００の概略断面図である。
図４には、画素回路１１０の中のトランジスター１２２，１２３が図示され、トランジ
スター１２１の図示が省略されている。なお、トランジスター１２１は、トランジスター
１２２，１２３と同じ構成を有している。
以下、図４を参照して、有機ＥＬ装置１００の断面構造を説明する。
【００７６】
図４に示すように、有機ＥＬ装置１００は、素子基板１０、対向基板４０、及び素子基
板１０と対向基板４０とで挟持された樹脂層４２などを有している。
樹脂層４２は、素子基板１０と対向基板４０とを接着する役割を有し、例えばエポキシ
樹脂やアクリル樹脂などを使用することができる。
【００７７】
素子基板１０には、トランジスター１２２，１２３、容量２４、信号線（走査線３、デ
ータ線４、点灯制御線５、電源線６など）、有機ＥＬ素子３０、封止層３４などが設けら
れている。
【００７８】
有機ＥＬ素子３０で発せられた光は、対向基板４０の側から表示光としてＺ（＋）方向
に射出される。つまり、有機ＥＬ装置１００は、トップエミッション構造を有している。
有機ＥＬ装置１００がトップエミッション構造であることから、素子基板１０の基材１０
ｓには、透明な石英基板やガラス基板などに加えて、不透明なセラミック基板や半導体基
板などを用いることができる。
本実施形態では、基材１０ｓにシリコンからなる半導体基板を使用している。
【００７９】
基材１０ｓには、半導体基板にイオンを注入することによって形成されたウェル部１０
a、ウェル部１０aと異なる種類のイオンをウェル部１０aに注入することにより形成され
たイオン注入部１０ｂ、ウェル部１０aを分離するＳＴＩ（Shallow Trench Isolation）
としてのシリコン酸化膜１０ｃなどが形成されている。ウェル部１０aは、サブ画素１に
おけるトランジスター１２２，１２３のチャネルとして機能する。イオン注入部１０ｂは
、トランジスター１２２，１２３のソース・ドレインや配線の一部として機能する。
ウェル部１０aやイオン注入部１０ｂが形成された領域に、トランジスター１２２及び
トランジスター１２３が形成されている。
【００８０】
基材１０ｓの表面を覆うように、絶縁膜１０ｄが設けられている。絶縁膜１０ｄは、ト
ランジスター１２２，１２３のゲート絶縁膜として機能する。絶縁膜１０ｄの上には、例
えばポリシリコンなどの導電膜からなるゲート電極２２ｇが設けられている。ゲート電極
２２ｇは、トランジスター１２２，１２３のチャネルとして機能するウェル部１０aに対
向するように配置されている。
【００８１】
ゲート電極２２ｇを覆うように、第１層間絶縁膜１５が形成されている。第１層間絶縁
膜１５には、例えばトランジスター１２２のゲート（ゲート電極２２ｇ）、ソース及びド
レインに至るコンタクトホールや、トランジスター１２３のソース及びドレインに至るコ
ンタクトホールが形成されている。これらコンタクトホールには、導電材料が充填されて
いる。
【００８２】
第１層間絶縁膜１５の上には、第１配線層１５−１が形成されている。第１配線層１５
−１によって、トランジスター１２２のゲート（ゲート電極２２ｇ）と電気的に接続され
る中継電極、トランジスター１２２のソース及びドレインと電気的に接続される中継電極
、トランジスター１２３のソースに電気的に接続される中継電極、及びトランジスター１
２３のドレインに電気的に接続される中継電極１５−１aなどが形成されている。また、
第１配線層１５−１で形成された中継電極によって、トランジスター１２２のドレインと
、トランジスター１２３のドレインとが電気的に接続されている。
【００８３】
第１配線層１５−１を覆うように、第２層間絶縁膜１６が形成されている。第２層間絶
縁膜１６には、中継電極１５−１aに至るコンタクトホールが形成されている。このコン
タクトホールには、導電材料が充填されている。
【００８４】
第２層間絶縁膜１６の上には、第２配線層１６−１が形成されている。第２配線層１６
−１によって、容量２４の一方の電極２４a及び中継電極１６−１aが形成されている。容
量２４の一方の電極２４aは、第１層間絶縁膜１５の上に形成された中継電極を介して、
トランジスター１２２のゲート（ゲート電極２２ｇ）に電気的に接続されている。中継電
極１６−１aは、中継電極１５−１aに電気的に接続されている。
【００８５】
第２配線層１６−１を覆うように、絶縁膜１７が形成されている。絶縁膜１７は、容量
２４を形成するための容量絶縁膜である。
【００８６】
絶縁膜１７の上には、第３配線層１７−１が形成されている。第３配線層１７−１によ
って、容量２４の他方の電極２４ｂが形成されている。その結果、一方の電極２４aと、
絶縁膜１７と、他方の電極２４ｂとで、容量２４が形成されている。
【００８７】
第３配線層１７−１を覆うように、第３層間絶縁膜１８が形成されている。第３層間絶
縁膜１８には、容量２４の他方の電極２４ｂに至るコンタクトホールが形成されている。
第３層間絶縁膜１８及び絶縁膜１７には、中継電極１６−１aに至るコンタクトホールが
形成されている。これらコンタクトホールの中には、導電材料が充填されている。
【００８８】
第３層間絶縁膜１８の上には、第４配線層１８−１が形成されている。第４配線層１８
−１によって、電源線６及び中継電極１８−１aが形成されている。電源線６は、容量２
４の他方の電極２４ｂに電気的に接続されている。中継電極１８−１aは、中継電極１６
−１aに電気的に接続されている。
【００８９】
第４配線層１８−１を覆うように、第４層間絶縁膜１９が形成されている。第４層間絶
縁膜１９には、中継電極１８−１aに至るコンタクトホール１９ＣＴが形成されている。
第４層間絶縁膜１９は、本発明における「トランジスターと反射層との間に設けられた
層間絶縁層」の一例である。
【００９０】
第４層間絶縁膜１９の上には、第５配線層１９−１が形成されている。第５配線層１９
−１は、陽極酸化可能な材料で構成され、光反射性を有している。本実施形態では、第５
配線層１９−１の構成材料は、アルミニウムである。第５配線層１９−１によって、反射
層２０Ｇが形成されている。反射層２０Ｇは、反射層２０Ｇを構成する材料（アルミニウ
ム）の陽極酸化膜（酸化アルミニウム）２１Ｇで覆われている。本実施形態において、反
射層２０の光反射率は好ましくは４０％以上、より好ましくは８０％以上である。
なお、陽極酸化膜２１Ｇは、本発明における「光路長調整層」の一例である。
【００９１】
陽極酸化膜２１Ｇの上には、画素電極３１が形成されている。画素電極３１は、発光機
能層３２に正孔を供給するためのアノードである。画素電極３１は、例えばＩＴＯ（Indi
um Tin Oxide）で形成され、光透過性を有している。本実施形態において、画素電極３１
の光透過率は好ましくは５０％以上、より好ましくは８０％以上である。画素電極３１は
、光透過性材料で構成されていればよく、上述したＩＴＯの他に、ＩＺＯ（Indium Zinc 
Oxide）、ＡＺＯ（Aluminum Zinc Oxide）、酸化亜鉛などを使用することができる。画素
電極３１は、コンタクトホール１９ＣＴの中にも充填され、中継電極１８−１ａに電気的
に接続されている。さらに、画素電極３１は、中継電極１８−１ａと、中継電極１６−１
ａと、中継電極１５−１ａとを介して、トランジスター１２３のドレインに電気的に接続
されている。
【００９２】
なお、コンタクトホール１９ＣＴの中に、例えばタングステンからなる導電材料を充填
し、コンタクトホール１９ＣＴの中に充填された導電材料を介して、画素電極３１と中継
電極１８−１ａとが電気的に接続される構成であってもよい。
【００９３】
画素電極３１の周縁部を覆うように、絶縁膜２８が形成されている。絶縁膜２８は、画
素電極３１の一部を露出させる開口２８ＣＴを有している。上述したように、開口２８Ｃ
Ｔが、サブ画素１の発光領域となる。
【００９４】
発光領域（開口２８ＣＴ）において、画素電極３１と、発光機能層３２と、対向電極３
３とがＺ（＋）方向に順に積層され、有機ＥＬ素子３０が形成されている。
【００９５】
発光機能層３２は、画素電極３１の側から順に積層された正孔注入層、正孔輸送層、有
機発光層、電子輸送層などを有している。有機発光層は、赤色、緑色、及び青色の光成分
を有する光を発する。有機発光層は、単層で構成してもよいし、複数の層（例えば、青色
で発光する青色発光層と、赤色及び緑色を含む光を発する黄色発光層）で構成してもよい
。
【００９６】
対向電極３３は、発光機能層３２に電子を供給するためのカソードである。対向電極３
３は、例えばＭｇとＡｇとの合金などで構成され、光透過性と光反射性とを有している。
本実施形態において、対向電極３３の光透過率は好ましくは２０％以上、より好ましくは
３０％以上であり、対向電極３３の光反射率は好ましくは２０％以上、より好ましくは５
０％以上である。
【００９７】
対向電極３３の上には、封止層３４が配置されている。封止層３４は、水分や酸素など
による発光機能層３２や対向電極３３の劣化を抑制するパッシベーションであり、発光機
能層３２や対向電極３３への水分や酸素の侵入を抑制している。なお、封止層３４のガス
バリア性としては、有機ＥＬ素子３０を大気中の酸素および水等から保護することが可能
な程度であれば特に限定されないが、酸素透過率が０．０１ｃｃ／ｍ２／ｄａｙ以下であ
ることが好ましく、水蒸気透過率が７×１０−３ｇ／ｍ２／ｄａｙ以下、中でも５×１０
−４ｇ／ｍ２／ｄａｙ以下、特に５×１０−６ｇ／ｍ２／ｄａｙ以下であることが好まし
い。封止層３４の光の透過率は、対向電極３３からの射出光に対し８０％以上であること
が好ましい。
【００９８】
封止層３４は、対向電極３３の側から順に積層された第１封止層３４ａと、平坦化層３
４ｂと、第２封止層３４ｃとで構成され、有機ＥＬ素子３０を覆い、素子基板１０の略全
面に設けられている。なお、封止層３４には、外部接続用端子１０３（図１参照）を露出
する開口（図示省略）が設けられている。
【００９９】
第１封止層３４ａ及び第２封止層３４ｃは、例えば公知技術のプラズマＣＶＤ（Chemic
al Vapor Deposition）法などを用いて形成されたシリコン酸窒化物で構成され、水分や
酸素に対して高いバリアー性を有している。
【０１００】
平坦化層３４ｂは、熱安定性に優れた例えばエポキシ系樹脂や塗布型の無機材料（シリ
コン酸化物など）などで構成されている。平坦化層３４ｂは、第１封止層３４ａの欠陥（
ピンホール、クラック）や異物などを被覆し、平坦な面を形成する。
【０１０１】
「光共振構造」
図５は、図３のＢ─Ｂ’における有機ＥＬ装置の概略断面図である。つまり、発光領域
（開口２８ＣＴ）が設けられた部分の概略断面図である。なお、図５では、基材１０ｓと
反射層２０との間に配置された素子基板１０の構成要素の図示が省略されている。
【０１０２】
図５に示すように、陽極酸化可能な材料（アルミニウム）で構成された第５配線層１９
−１によって、サブ画素１Ｂには反射層２０Ｂが形成され、サブ画素１Ｇには反射層２０
Ｇが形成され、サブ画素１Ｒには反射層２０Ｒが形成されている。さらに、反射層２０Ｂ
は陽極酸化膜２１Ｂで覆われ、反射層２０Ｇは陽極酸化膜２１Ｇで覆われ、反射層２０Ｒ
は陽極酸化膜２１Ｒで覆われている。陽極酸化膜２１Ｂ、陽極酸化膜２１Ｇ、及び陽極酸
化膜２１Ｒは、サブ画素１における反射層２０と対向電極３３との間の光路長（光学的距
離）を調整するための絶縁膜である。
以降の説明では、陽極酸化膜２１Ｂ、陽極酸化膜２１Ｇ、及び陽極酸化膜２１Ｒを、陽
極酸化膜２１と称する場合がある。
【０１０３】
発光領域（開口２８ＣＴ）では、光反射層としての反射層２０と、反射層２０と対向電
極３３との間の光路長を調整する陽極酸化膜２１と、光透過性を有する画素電極３１と、
発光機能層３２と、光反射性と光透過性とを有する対向電極３３とが、Ｚ（＋）方向に順
に積層されている。かかる構成によって、発光機能層３２で発した光を反射層２０と対向
電極３３との間で繰り返し反射させ、反射層２０と対向電極３３との間の光路長に対応す
る特定波長の光を共振させ、特定波長（共振波長）の光の強度を増幅させる。共振波長の
光は、対向基板４０から表示光としてＺ（＋）方向に射出される。このように、有機ＥＬ
装置１００は、共振波長の光の強度を選択的に増幅させる光共振構造を有している。
【０１０４】
サブ画素１Ｂでは、共振波長（輝度が最大となるピーク波長）が４７０ｎｍとなるよう
に、陽極酸化膜２１Ｂの膜厚が設定されている。サブ画素１Ｇでは、共振波長が５４０ｎ
ｍとなるように、陽極酸化膜２１Ｇの膜厚が設定されている。サブ画素１Ｒでは、共振波
長が６１０ｎｍとなるように、陽極酸化膜２１Ｒの膜厚が設定されている。このため、陽
極酸化膜２１Ｂの膜厚、陽極酸化膜２１Ｇの膜厚、及び陽極酸化膜２１Ｒの膜厚の順に、
膜厚が大きくなっている。
【０１０５】
その結果、サブ画素１Ｂから４７０ｎｍをピーク波長とする青色の光が発せられ、サブ
画素１Ｇから５４０ｎｍをピーク波長とする緑色の光が発せられ、サブ画素１Ｒから６１
０ｎｍをピーク波長とする赤色の光が発せられる。
【０１０６】
「製造方法」
図６は、本実施形態に係る有機ＥＬ装置の製造方法を示す工程フローである。図７は、
図４に対応する図であり、図６に示す工程フローの主要な工程を経た後の状態を示す概略
断面図である。図８は、図５に対応する図であり、図６に示す工程フローの主要な工程を
経た後の状態を示す概略断面図である。図９は、反射層を形成した後の状態を示す模式平
面図である。図１０は、反射層に陽極酸化処理を施す工程の状態を示す概略図である。
なお、図７では、基材１０ｓと第４層間絶縁膜１９との間に配置された素子基板１０の
構成要素の図示が省略されている。
以下に、図６乃至図１０を参照して、有機ＥＬ装置１００の製造方法の概要を説明する
。
【０１０７】
図６に示すように、本実施形態に係る製造方法は、第４層間絶縁膜１９を形成する工程
（ステップＳ１）と、反射層２０を形成する工程（ステップＳ２）と、反射層２０に陽極
酸化処理を施し陽極酸化膜２１を形成する工程（ステップＳ３）と、第４層間絶縁膜１９
にコンタクトホール１９ＣＴを形成する工程（ステップＳ４）と、を含んでいる。
【０１０８】
図７（ａ）に示すように、ステップＳ１では、例えばプラズマＣＶＤで酸化シリコンを
堆積し、電源線６及び中継電極１８−１aを覆う第４層間絶縁膜１９を形成する。
【０１０９】
図８（ａ）に示すように、ステップＳ２では、例えばスパッタ法でアルミニウムを堆積
した後、公知技術のドライエッチングでパターニングして、サブ画素１Ｂに反射層２０Ｂ
を形成し、サブ画素１Ｇに反射層２０Ｇを形成し、サブ画素１Ｒに反射層２０Ｒを形成す
る。つまり、Ｙ方向に配列されたサブ画素１Ｂ、サブ画素１Ｇ、サブ画素１Ｒのそれぞれ
に、Ｙ方向に延在するストライプ形状をなすように反射層２０を形成する。
なお、反射層２０の構成材料は、光反射性を有する陽極酸化可能な材料であればよく、
上述したアルミニウムの他に、例えばタンタル、チタン、マグネシウム、ジルコニウムな
どを使用することができる。
【０１１０】
図９では、ステップＳ２を経て反射層２０を形成した後の状態が模式的に図示されてい
る。
図９に示すように、表示領域Ｅにおいて、サブ画素１ＢにはＹ方向に延在する反射層２
０Ｂが形成され、サブ画素１ＧにはＹ方向に延在する反射層２０Ｇが形成され、サブ画素
１ＲにはＹ方向に延在する反射層２０Ｒが形成されている。反射層２０Ｂは、配線５５Ｂ
によって外部接続用端子１０３Ｂに電気的に接続されている。反射層２０Ｇは、配線５５
Ｇによって外部接続用端子１０３Ｇに電気的に接続されている。反射層２０Ｒは、配線５
５Ｒによって外部接続用端子１０３Ｒに電気的に接続されている。
【０１１１】
配線５５Ｂ、配線５５Ｇ、及び配線５５Ｒは、上述した第１配線層１５−１、第２配線
層１６−１、第３配線層１７−１、及び第４配線層１８−１のいずれかで構成されている
。すなわち、配線５５Ｂ、配線５５Ｇ、及び配線５５Ｒは、第１配線層１５−１、第２配
線層１６−１、第３配線層１７−１、及び第４配線層１８−１によって立体的に配線され
、それぞれ電気的に分離されている。さらに、配線５５Ｂ、配線５５Ｇ、及び配線５５Ｒ
は、少なくとも第４層間絶縁膜１９で覆われている。
【０１１２】
その結果、外部接続用端子１０３Ｂから配線５５Ｂを介して、反射層２０Ｂに任意の電
位（電圧）を印加することができる。外部接続用端子１０３Ｇから配線５５Ｇを介して、
反射層２０Ｇに任意の電位（電圧）を印加することができる。外部接続用端子１０３Ｒか
ら配線５５Ｒを介して、反射層２０Ｒに任意の電位（電圧）を印加することができる。
【０１１３】
図７（ｂ）及び図８（ｂ）に示すように、ステップＳ３では、反射層２０に陽極酸化処
理を施して、反射層２０の一部（表面）を陽極酸化し、反射層２０を覆う陽極酸化膜２１
を形成する。
【０１１４】
ステップＳ３では、図１０に示すように、容器５１の中に電解液５２を充填し、陽極酸
化したい部分、つまり反射層２０を電解液５２の中に浸漬する。さらに、反射層２０と対
向するように電極５３を配置し、電極５３に対して正の電圧を反射層２０に印加して、反
射層２０を陽極酸化する。
以降、反射層２０に印加される電極５３に対する正の電圧を、陽極酸化電圧と称す。
【０１１５】
具体的には、外部接続用端子１０３Ｂから反射層２０Ｂに陽極酸化電圧ＶＢを印加して
、反射層２０Ｂの表面を陽極酸化して、反射層２０Ｂを覆う陽極酸化膜２１Ｂを形成する
。外部接続用端子１０３Ｇから反射層２０Ｇに陽極酸化電圧ＶＧを印加して、反射層２０
Ｇの表面を陽極酸化して、反射層２０Ｇを覆う陽極酸化膜２１Ｇを形成する。外部接続用
端子１０３Ｒから反射層２０Ｒに陽極酸化電圧ＶＲを印加して、反射層２０Ｒの表面を陽
極酸化して、反射層２０Ｒを覆う陽極酸化膜２１Ｒを形成する。
ステップＳ３では、外部接続用端子１０３Ｂから反射層２０Ｂに陽極酸化電圧ＶＢを、
外部接続用端子１０３Ｇから反射層２０Ｇに陽極酸化電圧ＶＧを、外部接続用端子１０３
Ｒから反射層２０Ｒに陽極酸化電圧ＶＲを、外部回路から一括で（同時に）印加し、異な
る膜厚の陽極酸化膜２１（陽極酸化膜２１Ｂ、陽極酸化膜２１Ｇ、陽極酸化膜２１Ｒ）を
一括で（同時に）形成している。
以降、陽極酸化電圧ＶＢ、陽極酸化電圧ＶＧ、陽極酸化電圧ＶＲを、陽極酸化電圧Ｖと
称する場合がある。
【０１１６】
電極５３には、例えばステンレス板を使用することができる。電解液５２は、例えばホ
ウ酸及びホウ酸ナトリウムの混合溶液、クエン酸水溶液、マレイン酸水溶液、グリコール
酸水溶液などの中性溶液である。中性溶液で構成された電解液５２の中で反射層２０に陽
極酸化電圧Ｖを印加すると、反射層２０の表面が陽極酸化され、反射層２０を覆う緻密な
陽極酸化膜（バリアー型酸化被膜）２１が形成される。
【０１１７】
詳しくは、反射層２０（アルミニウム）に陽極酸化電圧Ｖを印加すると、電解液５２か
ら反射層２０に向かう方向に酸素イオンが拡散し、反射層２０から電解液５２に向か方向
にアルミニウムイオンが拡散し、両イオンが反応して反射層２０の表面に緻密な陽極酸化
膜（バリアー型酸化被膜）２１が形成される。さらに、酸素イオンが拡散した部分のアル
ミニウムが陽極酸化膜２１となり、酸素イオンが拡散していない部分のアルミニウムが反
射層２０となる。
【０１１８】
中性溶液の中で形成された陽極酸化膜（バリアー型酸化被膜）２１は、陽極酸化膜２１
の表面に細孔を有していないので、沸騰水の中で陽極酸化膜２１の細孔を封孔する処理（
封孔処理）を省略することができる。
【０１１９】
中性溶液の中で形成された陽極酸化膜（バリアー型酸化被膜）２１の膜厚は、陽極酸化
電圧Ｖに比例する。つまり、反射層２０に大きな陽極酸化電圧Ｖを印加すると、小さな陽
極酸化電圧Ｖを印加する場合と比べて、酸素イオンは反射層２０の内部により深く拡散す
るので、陽極酸化膜２１（酸素イオンが拡散した部分のアルミニウム）の膜厚が大きくな
り、反射層２０（酸素イオンが拡散していない部分のアルミニウム）の膜厚が小さくなる
。
【０１２０】
本実施形態では、陽極酸化電圧ＶＢ、陽極酸化電圧ＶＧ、陽極酸化電圧ＶＲの順に大き
くなった陽極酸化電圧Ｖを、反射層２０Ｂ、反射層２０Ｇ、反射層２０Ｒのそれぞれに同
時に印加し、陽極酸化膜２１Ｂ、陽極酸化膜２１Ｇ、陽極酸化膜２１Ｒの順に膜厚が大き
くなった陽極酸化膜２１を同時に形成している。すなわち、外部接続用端子１０３Ｂ、外
部接続用端子１０３Ｇ、外部接続用端子１０３Ｒを介して、反射層２０Ｂ、反射層２０Ｇ
、及び反射層２０Ｒのそれぞれに異なる陽極酸化電圧Ｖを同時に印加し、異なる膜厚の陽
極酸化膜２１Ｂ、陽極酸化膜２１Ｇ、陽極酸化膜２１Ｒを一括形成している。なお、反射
層２０の膜厚は、反射層２０Ｂ、反射層２０Ｇ、反射層２０Ｒの順に小さくなっている。
【０１２１】
陽極酸化法では、酸素イオンをアルミニウムの内部に拡散させて陽極酸化膜２１（酸化
アルミニウム）を形成するので、真空成膜法などの堆積法と比べて、反射層２０の表面形
状の影響や異物の影響などを受けにくく、均一な膜厚で反射層２０を覆うことができる。
すなわち、陽極酸化法で形成される陽極酸化膜２１（酸化アルミニウム）は、真空成膜法
などの堆積法で形成された酸化膜（酸化アルミニウム）と比べて、膜厚の均一性に優れて
いる。
【０１２２】
さらに、電解液５２の中で電極５３に対して正の電圧を反射層２０に印加するという簡
単な方法で陽極酸化膜２１を形成するので、真空成膜法などの堆積法と比べて装置コスト
が安く、さらに真空引きやベントなど操作が不要なため生産性に優れている。よって、陽
極酸化法では、真空成膜法と比べて低コスト、高スループットで酸化アルミニウム（陽極
酸化膜２１）を形成することができる。
【０１２３】
さらに、真空成膜法では、異なる膜厚の酸化アルミニウムを一括形成することが難しく
、本実施形態に対応する３種類の異なる膜厚の酸化膜（酸化アルミニウム）を形成する場
合、３工程に分けて３種類の異なる膜厚の酸化膜を形成する必要がある。本実施形態では
、３種類の異なる膜厚の陽極酸化膜２１を一括形成しているので、真空成膜法と比べて極
めて生産性に優れている。
【０１２４】
このように、ステップＳ３の製造方法（陽極酸化法）は、他の製造方法（真空成膜法）
と比べて、膜厚の均一性、生産性、及びコストに関して優れた優位性を有している。
【０１２５】
なお、ステップＳ３では、反射層２０と電極５３との間に一定の電流を流し、反射層２
０に印加される陽極酸化電圧Ｖを徐々に大きくし、最終的に反射層２０Ｂに陽極酸化電圧
ＶＢが印加され、反射層２０Ｇに陽極酸化電圧ＶＧが印加され、反射層２０Ｒに陽極酸化
電圧ＶＲを印加されるように、陽極酸化電圧Ｖを制御している。
【０１２６】
例えば、反射層２０に印加する陽極酸化電圧Ｖを段階的に（ステップ状に）上昇させて
、最終的に反射層２０Ｂに陽極酸化電圧ＶＢが印加され、反射層２０Ｇに陽極酸化電圧Ｖ
Ｇが印加され、反射層２０Ｒに陽極酸化電圧ＶＲを印加されるように、陽極酸化電圧Ｖを
制御してもよい。
【０１２７】
仮に、配線５５Ｂ、配線５５Ｇ、及び配線５５Ｒが電解液５２に接していると、電解液
５２と接した部分で、配線５５Ｂ、配線５５Ｇ、及び配線５５Ｒが電解液５２に溶出して
断線するという不具合や、電解液５２が電気分解され所望の陽極酸化電圧Ｖを印加できな
いという不具合が生じる。配線５５Ｂ、配線５５Ｇ、及び配線５５Ｒは、少なくとも第４
層間絶縁膜１９で覆われ、電解液５２に接してないので、これら不具合が生じることはな
い。
【０１２８】
さらに、中継電極１８−１ａ、電源線６、及び基材１０ｓと第４層間絶縁膜１９との間
に配置された素子基板１０の構成要素（トランジスター１２１，１２２，１２３、容量２
４、中継電極１５−１ａ，１６−１ａなど）も、少なくとも第４層間絶縁膜１９で覆われ
電解液５２に接してないので、上述した電解液５２への溶出や電解液５２の電気分解など
の不具合は生じない。
【０１２９】
続いて、図７（ｃ）に示すように、ステップＳ４では、公知技術のドライエッチングを
用いて第４層間絶縁膜１９を貫くコンタクトホール１９ＣＴを形成し、中継電極１８−１
ａを露出する。中継電極１８−１ａは、陽極酸化処理を施す工程（ステップＳ３）の悪影
響を受けないので、後工程で形成する画素電極３１と、コンタクトホール１９ＣＴを介し
て良好に電気的に接続される。
【０１３０】
さらに、画素電極３１を形成するステップ、絶縁膜２８を形成するステップ、発光機能
層３２を形成するステップ、対向電極３３を形成するステップ、及び封止層３４を形成す
るステップを経て、素子基板１０を形成する。
【０１３１】
本実施形態に係る製造方法によれば、以下の効果を得ることができる。
１）陽極酸化法で形成された酸化アルミニウム（陽極酸化膜２１）は、真空成膜法で形
成された酸化アルミニウムと比べて、異物や下地膜（反射層２０）の形状の影響を受けに
くく、膜厚の均一性に優れている。よって、反射層２０と対向電極３３との間の光路長の
均一性が良くなり、反射層２０と対向電極３３との間の反射光の多重反射干渉によって増
幅される光の波長の均一性（色純度）を高めることができる。
従って、色純度に優れた高品位な表示の有機ＥＬ装置１００を提供することができる。
【０１３２】
２）３種類の異なる膜厚の酸化アルミニウム（陽極酸化膜２１）を一括形成しているの
で、３種類の異なる膜厚の酸化アルミニウムを別々の工程で形成する真空成膜法と比べて
極めて生産性に優れている。
【０１３３】
３）真空成膜法で酸化アルミニウムを形成する場合と比べて、より安価な装置で、高ス
ループットで酸化アルミニウム（陽極酸化膜２１）を形成することができる
【０１３４】
４）上記２）及び３）より、真空成膜法と比べて低コストで酸化アルミニウム（陽極酸
化膜２１）を形成することができる。
【０１３５】
５）中継電極１８−１ａ、電源線６、及び基材１０ｓと第４層間絶縁膜１９との間に配
置された素子基板１０の構成要素は、少なくとも第４層間絶縁膜１９で覆われ電解液５２
に接していないので、陽極酸化処理を施す工程の悪影響を受けない。
その結果、例えば画素電極３１を、中継電極１８−１ａと、中継電極１６−１ａと、中
継電極１５−１ａとを介して、トランジスター１２３のドレインに良好に電気的に接続さ
せることができる。
【０１３６】
（実施形態２）
図１１は、図３に対応する図であり、実施形態２に係る有機ＥＬ装置のサブ画素の構成
を示す概略平面図である。図１２は、図４に対応する図であり、図１１のＡ─Ａ’におけ
る有機ＥＬ装置の概略断面図である。図１３は、本実施形態に係る有機ＥＬ装置の製造方
法を示す工程フローである。図１４は、図１２に対応する図であり、図１３に示す工程フ
ローの主要な工程を経た後の状態を示す概略断面図である。図１５は、図２に対応する図
であり、反射層を形成した後の有機ＥＬ装置（素子基板）の電気的な構成を示す等価回路
図である。図１６は、図９に対応する図であり、反射層を形成した後の状態を示す模式平
面図である。図１７は、図１０に対応する図であり、反射層に陽極酸化処理を施す工程の
状態を示す概略図である。
【０１３７】
本実施形態は、反射層２０がサブ画素１毎に島状に形成され且つトランジスター１２３
に電気的に接続されている点、画素電極３１が中継電極２９を介して反射層２０に電気的
に接続されている点、及び陽極酸化を施す工程ではトランジスターを介して反射層に陽極
酸化電圧を印加する点などが実施形態１と異なる。
以下、図１１乃至図１７を参照して、本実施形態に係る有機ＥＬ装置２００及び有機Ｅ
Ｌ装置２００の製造方法の概要を、実施形態１との相違点を中心に説明する。なお、実施
形態１と同一の構成部位については、同一の符号を附し、重複する説明を省略する。
【０１３８】
「有機ＥＬ装置の概要」
図１１に示すように、反射層２０Ｂはサブ画素１Ｂに島状に形成され、反射層２０Ｇは
サブ画素１Ｇに島状に形成され、反射層２０Ｒはサブ画素１Ｒに島状に形成されている。
サブ画素１Ｂにおいて、画素電極３１は、平面視で反射層２０Ｂに重なり反射層２０Ｂの
内側に配置され、コンタクトホール１９ＣＴは、平面視で反射層２０Ｂ及び画素電極３１
に重なり、反射層２０Ｂ及び画素電極３１のコーナー部に配置されている。
【０１３９】
同様に、サブ画素１Ｇ及びサブ画素１Ｒにおいて、画素電極３１は、平面視で反射層２
０Ｇ，２０Ｒに重なり反射層２０Ｇ，２０Ｒの内側に配置され、コンタクトホール１９Ｃ
Ｔは、平面視で反射層２０Ｇ，２０Ｒ及び画素電極３１に重なり、反射層２０Ｇ，２０Ｒ
及び画素電極３１のコーナー部に配置されている。
【０１４０】
図１２に示すように、反射層２０Ｇは、第４層間絶縁膜１９のコンタクトホール１９Ｃ
Ｔの中に充填され、中継電極１８−１ａに電気的に接続されている。つまり、反射層２０
Ｇは、中継電極１８−１ａと、中継電極１６−１ａと、中継電極１５−１ａとを介して、
トランジスター１２３のドレインに電気的に接続されている。図示を省略するが、反射層
２０Ｂ及び反射層２０Ｒも、中継電極１８−１ａと、中継電極１６−１ａと、中継電極１
５−１ａとを介して、それぞれトランジスター１２３のドレインに電気的に接続されてい
る。
【０１４１】
反射層２０Ｇは、反射層２０Ｇを構成する材料（アルミニウム）の陽極酸化膜２１Ｇで
覆われている。陽極酸化膜２１Ｇには、反射層２０Ｇに至るコンタクトホール２１ＣＴが
形成されている。
【０１４２】
コンタクトホール２１ＣＴを覆うように中継電極２９が形成されている。中継電極２９
はクロムやモリブデンなどの導電材料で構成されている。中継電極２９は、コンタクトホ
ール２１ＣＴの中に充填され、反射層２０Ｇと電気的に接続されている。
【０１４３】
さらに、中継電極２９を覆うように画素電極３１が形成されている。画素電極３１は、
中継電極２９を介して反射層２０Ｇに電気的に接続されている。つまり、画素電極３１は
、中継電極２９と、反射層２０Ｇと、中継電極１８−１ａと、中継電極１６−１ａと、中
継電極１５−１ａとを介して、トランジスター１２３のドレインに電気的に接続されてい
る。
【０１４４】
「製造方法」
図１３に示すように、本実施形態に係る製造方法は、第４層間絶縁膜１９を形成する工
程（ステップＳ１１）と、第４層間絶縁膜１９にコンタクトホール１９ＣＴを形成する工
程（ステップＳ１２）と、反射層２０を形成する工程（ステップＳ１３）と、反射層２０
に陽極酸化処理を施し陽極酸化膜２１を形成する工程（ステップＳ１４）と、陽極酸化膜
２１にコンタクトホール２１ＣＴを形成する工程（ステップＳ１５）と、中継電極２９を
形成する工程（ステップＳ１６）と、画素電極３１を形成する工程（ステップＳ１７）と
、を含んでいる。
なお、本実施形態におけるステップＳ１１は実施形態１におけるステップＳ１と同じで
あり、本実施形態におけるステップＳ１２は実施形態１におけるステップＳ４と同じであ
るので、説明を省略する。
【０１４５】
図１４（ａ）に示すように、ステップＳ１３では、例えばスパッタ法でアルミニウムを
堆積した後、公知技術のドライエッチングでパターニングして、サブ画素１Ｇに島状の反
射層２０Ｇを形成する。反射層２０Ｇは、コンタクトホール１９ＣＴの内側にも充填され
、中継電極１８−１ａに電気的に接続されている。
同様に、サブ画素１Ｂに島状の反射層２０Ｂを形成し、サブ画素１Ｒに島状の反射層２
０Ｒを形成する。
【０１４６】
図１５に示すように、反射層２０Ｂ、反射層２０Ｇ、及び反射層２０Ｒのそれぞれは、
トランジスター１２３のドレインに電気的に接続されている。本実施形態では、サブ画素
１Ｂに配置された電源線６（電源線６Ｂ）と、サブ画素１Ｇに配置された電源線６（電源
線６Ｇ）と、サブ画素１Ｒに配置された電源線６（電源線６Ｒ）とは、電気的に分離され
ている。
実施形態１では、サブ画素１Ｂに配置された電源線６と、サブ画素１Ｇに配置された電
源線６と、サブ画素１Ｒに配置された電源線６とは、電気的に接続されている。この点も
本実施形態と実施形態１との相違点である。
【０１４７】
図１６では、ステップＳ１３を経て反射層２０を形成した後の状態が模式的に図示され
ている。
図１６に示すように、本実施形態では、実施形態１における外部接続用端子１０３Ｂ、
外部接続用端子１０３Ｇ、及び外部接続用端子１０３Ｒが設けられていない。つまり、本
実施形態の外部接続用端子１０３は、複数の外部接続用端子１０３ａだけで構成されてい
る。複数の外部接続用端子１０３ａは、Ｘ（−）方向の側から順に配置された外部接続用
端子１０３ａ−Ｂと、外部接続用端子１０３ａ−Ｇと、外部接続用端子１０３ａ−Ｒと、
複数の外部接続用端子１０３ａ−１とで構成される。
【０１４８】
外部接続用端子１０３ａ−Ｂは、配線５６Ｂを介して、サブ画素１Ｂに配置された電源
線６Ｂに電気的に接続されている。外部接続用端子１０３ａ−Ｇは、配線５６Ｇを介して
サブ画素１Ｇに配置された電源線６Ｇに電気的に接続されている。外部接続用端子１０３
ａ−Ｒは、配線５６Ｒを介して、サブ画素１Ｒに配置された電源線６Ｒに電気的に接続さ
れている。複数の外部接続用端子１０３ａ−１のそれぞれは、データ線駆動回路１０１や
走査線駆動回路１０２などに電気的に接続されている。
【０１４９】
配線５６Ｂ、配線５６Ｇ、及び配線５６Ｒは、第１配線層１５−１、第２配線層１６−
１、第３配線層１７−１、及び第４配線層１８−１を使用して立体的に配線され、それぞ
れ電気的に分離されている。また、配線５６Ｂ、配線５６Ｇ、及び配線５６Ｒは、少なく
とも第４層間絶縁膜１９で覆われている。
よって、外部接続用端子１０３ａ−Ｂから配線５６Ｂを介して電源線６Ｂに任意の電圧
を印加することができ、外部接続用端子１０３ａ−Ｇから配線５６Ｇを介して電源線６Ｇ
に任意の電圧を印加することができ、外部接続用端子１０３ａ−Ｒから配線５６Ｒを介し
て電源線６Ｒに任意の電圧を印加することができる。
【０１５０】
図１４（ｂ）に示すように、ステップＳ１４では、反射層２０に陽極酸化処理を施して
、反射層２０の一部（表面）を陽極酸化し、反射層２０を覆う陽極酸化膜２１を形成する
。
【０１５１】
詳しくは、ステップＳ１４では、図１５に示すトランジスター１２１をオン状態とする
信号を走査線３からトランジスター１２１に供給し、トランジスター１２１をオン状態に
する。当該信号に同期して、トランジスター１２２をオン状態にする信号をデータ線４か
らトランジスター１２１を介してトランジスター１２２に供給し、トランジスター１２２
をオン状態にする。さらに、トランジスター１２３をオン状態にする信号を点灯制御線５
からトランジスター１２３に供給し、トランジスター１２３をオン状態にする。
【０１５２】
トランジスター１２２及びトランジスター１２３がオン状態となったタイミングで、外
部接続用端子１０３ａ−Ｂから陽極酸化電圧ＶＢを電源線６Ｂに、外部接続用端子１０３
ａ−Ｇから陽極酸化電圧ＶＧを電源線６Ｇに、外部接続用端子１０３ａ−Ｒから陽極酸化
電圧ＶＲを電源線６Ｒに、外部回路から一括で（同時に）印加する。
【０１５３】
電源線６Ｂに陽極酸化電圧ＶＢを印加すると、トランジスター１２２及びトランジスタ
ー１２３を介して反射層２０Ｂに陽極酸化電圧ＶＢが印加される。電源線６Ｇに陽極酸化
電圧ＶＧを印加すると、トランジスター１２２及びトランジスター１２３を介して反射層
２０Ｇに陽極酸化電圧ＶＢが印加される。電源線６Ｒに陽極酸化電圧ＶＲを印加すると、
トランジスター１２２及びトランジスター１２３を介して反射層２０Ｒに陽極酸化電圧Ｖ
Ｒが印加される。
【０１５４】
その結果、サブ画素１Ｂの反射層２０Ｂに陽極酸化電圧ＶＢが印加されて、反射層２０
Ｂを覆う陽極酸化膜２１Ｂが形成される。同時に、サブ画素１Ｇの反射層２０Ｇに陽極酸
化電圧ＶＧが印加されて反射層２０Ｇを覆う陽極酸化膜２１Ｇが形成され、サブ画素１Ｒ
の反射層２０Ｒに陽極酸化電圧ＶＲが印加されて反射層２０Ｒを覆う陽極酸化膜２１Ｒが
形成される。
このように、本実施形態ではトランジスター１２２及びトランジスター１２３を介して
陽極酸化電圧ＶＢ、陽極酸化電圧ＶＧ、及び陽極酸化電圧ＶＲを反射層２０に一括で（同
時に）印加し、異なる膜厚の陽極酸化膜２１（陽極酸化膜２１Ｂ、陽極酸化膜２１Ｇ、陽
極酸化膜２１Ｒ）を一括で（同時に）形成している。
【０１５５】
配線５６Ｂ、配線５６Ｇ、及び配線５６Ｒは、少なくとも第４層間絶縁膜１９で覆われ
ているので、電解液５２に接触していない。このため、配線５６Ｂ、配線５６Ｇ、及び配
線５６Ｒに陽極酸化電圧Ｖを印加しても、例えば電解液５２への溶出や電解液５２の電気
分解などの不具合などは生じない。
【０１５６】
図１４（ｃ）に示すように、ステップＳ１５では、公知技術のドライエッチングを用い
て、陽極酸化膜２１を貫くコンタクトホール２１ＣＴを形成する。
【０１５７】
図１４（ｄ）に示すように、ステップＳ１６では、例えばスパッタ法でクロムやモリブ
デンなどを堆積した後、公知技術のドライエッチングでパターニングして、コンタクトホ
ール２１ＣＴを覆う中継電極２９を形成する。中継電極２９は、コンタクトホール２１Ｃ
Ｔの中に充填され、反射層２０Ｇに電気的に接続されている。
【０１５８】
図１４（ｅ）に示すように、ステップＳ１７では、例えばスパッタ法でＩＴＯを堆積し
た後、公知技術のドライエッチングでパターニングして、中継電極２９を覆う画素電極３
１を形成する。画素電極３１は、中継電極２９を介して反射層２０Ｇに電気的に接続され
ている。
【０１５９】
反射層２０はアルミニウムで構成され、画素電極３１はＩＴＯで構成されている。反射
層２０（アルミニウム）及び画素電極３１（ＩＴＯ）の両方が、例えばアルカリ水溶液（
現像液）に接した場合、アルミニウムとＩＴＯとの電池作用によって、画素電極３１（Ｉ
ＴＯ）が劣化（例えば、変色）する恐れがある。反射層２０（アルミニウム）と画素電極
３１（ＩＴＯ）との間に、アルミニウムやＩＴＯと異なる導電材料で構成された中継電極
２９を介在させることによって、アルミニウムとＩＴＯとの電池作用による悪影響を抑制
することができる。
【０１６０】
なお、反射層２０（アルミニウム）及び画素電極３１（ＩＴＯ）の両方が現像液に接し
ない構成、例えば反射層２０（アルミニウム）の表面を無欠陥の画素電極３１（ＩＴＯ）
で覆い、画素電極３１（ＩＴＯ）だけが現像液に接する構成を有していれば、中継電極２
９を省略することが可能である。すなわち、画素電極３１が、反射層２０Ｇに電気的に接
続されている構成であってもよい。
【０１６１】
本実施形態では、実施形態１で得られた効果に加えて、以下の効果を得ることができる
。
１）サブ画素１毎に島状に反射層２０を形成し、反射層２０の一部（表面）を陽極酸化
膜２１で覆っているので、サブ画素１Ｂ、サブ画素１Ｇ、及びサブ画素１Ｒの配列の自由
度を高めることができる。例えば、サブ画素１Ｂ、サブ画素１Ｇ、サブ画素１Ｒを、実施
形態１のストライプ配列以外に、モザイク配列やデルタ配列などに配列することができる
。
【０１６２】
（実施形態３）
「電子機器」
図１８は、電子機器の一例としてのヘッドマウントディスプレイの概略図である。
図１８に示すように、ヘッドマウントディスプレイ１０００は、左右の目に対応して設
けられた２つの表示部１００１を有している。観察者Ｍはヘッドマウントディスプレイ１
０００を眼鏡のように頭部に装着することにより、表示部１００１に表示された文字や画
像などを見ることができる。例えば、左右の表示部１００１に視差を考慮した画像を表示
すれば、立体的な映像を見て楽しむこともできる。
【０１６３】
表示部１００１には、上記実施形態に係る有機ＥＬ装置１００及び有機ＥＬ装置２００
のいずれかが搭載されている。有機ＥＬ装置１００及び有機ＥＬ装置２００では、反射層
２０と対向電極３３との間の反射光の多重反射干渉によって増幅される光の波長の均一性
（色純度）が高められ、高品位な表示を提供することができる。従って、表示部１００１
に上記実施形態に係る有機ＥＬ装置１００及び有機ＥＬ装置２００のいずれかを搭載する
ことによって、高品位な表示のヘッドマウントディスプレイ１０００を提供することがで
きる。
【０１６４】
なお、上記実施形態に係る有機ＥＬ装置１００が搭載される電子機器は、ヘッドマウン
トディスプレイ１０００に限定されない。例えば、ヘッドアップディスプレイや、デジタ
ルカメラの電子ビューファインダー、携帯型情報端末、ナビゲーターなどの表示部を有す
る電子機器に搭載してもよい。
【０１６５】
本発明は、上記実施形態に限られるものではなく、請求の範囲及び明細書全体から読み
取れる発明の要旨あるいは思想に反しない範囲で適宜変更可能であり、そのような変更を
伴う表示装置及び当該表示装置が搭載された電子機器もまた本発明の技術的範囲に含まれ
る。
上記実施形態以外にも様々な変形例が考えられる。以下、変形例を挙げて説明する。
【０１６６】
（変形例１）
実施形態１に係る有機ＥＬ装置１００及び実施形態２に係る有機ＥＬ装置２００は、封
止層３４と樹脂層４２との間、または樹脂層４２と対向基板４０との間にカラーフィルタ
ー（着色層）を有していてもよい。カラーフィルター（着色層）を設けることによって、
カラーフィルター（着色層）を有してない場合と比べて、表示光の色純度を高めることが
できる。
【０１６７】
（変形例２）
実施形態１に係る有機ＥＬ装置１００は、電源線６と第４層間絶縁膜１９と反射層２０
とが順に積層された構成を有していたが、電源線６と第４層間絶縁膜１９とを省略し、反
射層２０に実施形態１の電源線６の機能を付加し、反射層２０によって有機ＥＬ素子３０
を発光させる電流を供給する構成としてもよい。
【符号の説明】
【０１６８】
１…サブ画素、１Ｂ…青色の光を発するサブ画素、１Ｇ…緑色の光を発するサブ画素、
１Ｒ…赤色の光を発するサブ画素、２…画素、３…走査線、４…データ線、５…点灯制御
線、６…電源線（高電位側の電源線）、１０…素子基板、１０ｓ…基材、１９…第４層間
絶縁膜、１９ＣＴ…コンタクトホール、２０，２０Ｂ，２０Ｇ，２０Ｒ…反射層、２１，
２１Ｂ，２１Ｇ，２１Ｒ…陽極酸化膜、２４…容量、２８ＣＴ…開口、２９…中継電極、
３０…有機ＥＬ素子、３１…画素電極、３２…発光機能層、３３…対向電極、３４…封止
層、３４ａ…第１封止層、３４ｂ…平坦化層、３４ｃ…第２封止層、４０…対向基板、４
２…樹脂層、５１…容器、５２…電解液、５３…電極、５５Ｂ，５５Ｇ，５５Ｒ…配線、
５６Ｂ，５６Ｇ，５６Ｒ…配線、１００，２００…有機ＥＬ装置、１０１…データ線駆動
回路、１０２…走査線駆動回路、１０３…外部接続用端子、１１０…画素回路、１２１…
トランジスター、１２２…トランジスター、１２３…トランジスター。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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