(57)【要約】【課題】半導体装置のワイヤ接合における接合信頼性を確保しつつ、低コスト化を実現する。【解決手段】ＢＧＡの製造方法は、電極パッド１２ｂを有する半導体チップ１２を準備し、その後、電極パッド１２ｂの表面に形成された自然酸化膜を除去する。さらに、上記自然酸化膜の除去により露出した電極パッド１２ｂの表面に、導電性部材から成る第１の膜１２ｄを形成し、その後、第１の膜１２ｄにワイヤ１１を接続し、ワイヤ１１の一部を電極パッド１２ｂに接触させることにより、ワイヤ１１と電極パッド１２ｂとの境界面に合金層１２ｅを形成する。ここで、第１の膜１２ｄの結晶構造は、体心立方格子または六方最密格子から成る。【選択図】図２
2015220248.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
以下の工程を含む、半導体装置の製造方法：
（ａ）電極パッドを有する半導体チップを準備する工程；
（ｂ）前記（ａ）工程の後、前記電極パッドの表面に形成された自然酸化膜を除去する工程；
（ｃ）前記（ｂ）工程の後、前記自然酸化膜の除去により露出した前記電極パッドの表面に、導電性部材から成るパッド被覆膜を形成する工程；
（ｄ）前記（ｃ）工程の後、前記パッド被覆膜に、金を含まない導電性材料から成るワイヤを接続し、前記ワイヤの一部を前記電極パッドに接触させることで、前記ワイヤと前記電極パッドとの境界面に合金層を形成する工程；
ここで、
前記パッド被覆膜の結晶構造は、体心立方格子または六方最密格子から成る。
【請求項２】
請求項１に記載の半導体装置の製造方法において、
前記（ｄ）工程では、前記パッド被覆膜を突き破って前記ワイヤと前記電極パッドとを接続する、半導体装置の製造方法。
【請求項３】
請求項１に記載の半導体装置の製造方法において、
前記パッド被覆膜は、クロム、チタンまたはタングステンから成る、半導体装置の製造方法。
【請求項４】
請求項１に記載の半導体装置の製造方法において、
前記（ｂ）工程では、真空雰囲気で前記自然酸化膜を除去し、前記（ｃ）工程では、前記（ｂ）工程の前記真空雰囲気を大気開放せずにそのままの前記真空雰囲気で前記パッド被覆膜を形成する、半導体装置の製造方法。
【請求項５】
請求項４に記載の半導体装置の製造方法において、
前記（ｂ）工程では、スパッタエッチングによって前記自然酸化膜を除去する、半導体装置の製造方法。
【請求項６】
請求項１に記載の半導体装置の製造方法において、
前記（ｃ）工程では、前記電極パッドの表面の全体に亘って前記パッド被覆膜を形成する、半導体装置の製造方法。
【請求項７】
請求項１に記載の半導体装置の製造方法において、
前記電極パッドは、アルミニウムを主成分とする材料から成り、前記ワイヤは、銅を主成分とする材料から成る、半導体装置の製造方法。
【請求項８】
主面および前記主面に形成された複数の電極パッドを備える半導体チップと、
前記半導体チップの周囲に配置された複数のリードと、
前記複数の電極パッドと前記複数のリードとをそれぞれ電気的に接続し、金を含まない導電性材料から成る複数のワイヤと、
を有し、
前記電極パッドの表面に、導電性部材から成るパッド被覆膜が形成され、
前記ワイヤは、前記電極パッドとの境界面に合金層が形成されるように前記電極パッドに接続され、
前記パッド被覆膜は、前記電極パッドの表面における前記ワイヤの前記電極パッドへの接続部の周囲に配置され、
前記パッド被覆膜の結晶構造は、体心立方格子または六方最密格子から成る、半導体装置。
【請求項９】
請求項８に記載の半導体装置において、
前記パッド被覆膜は、クロム、チタンまたはタングステンから成る、半導体装置。
【請求項１０】
請求項８に記載の半導体装置において、
前記電極パッドは、アルミニウムから成り、前記ワイヤは、銅を主成分とする材料から成る、半導体装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体装置の製造方法および半導体装置に関し、例えば、ワイヤボンディングが行われる半導体装置に適用して有効な技術に関する。
【背景技術】
【０００２】
ボンディングワイヤ（以降、単にワイヤとも呼ぶ）を用いた半導体装置において、銅を主成分とするワイヤを用いた半導体装置の構造が、例えば特開２０１３−１１８３１０号公報（特許文献１）および特開２０１０−１５７６８３号公報（特許文献２）に開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２０１３−１１８３１０号公報
【特許文献２】特開２０１０−１５７６８３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
ワイヤを用いた半導体装置の低コスト化を実現するために、近年では、金（Ａｕ）から成るワイヤではなく、金以外の導電性材料から成るワイヤを採用することが有効とされている。
【０００５】
しかし、半導体チップの電極パッドの表面に自然酸化膜が形成された場合、金以外の導電性材料から成るワイヤを採用すると、ワイヤと電極パッドとの間で接合不良が発生する恐れがある。
【０００６】
なお、半導体チップの電極パッドの表面に金から成る導電膜を形成し、この導電膜を介してワイヤを電極パッドに電気的に接続する方法がある。この導電膜は、例えばメッキ膜、ＯＰＭ（Over Pad Metallization）膜、あるいは、ＵＢＭ（Under Bump Metallization）膜である。しかしながら、上記の方法の場合、導電膜の材料として金を使用するため、半導体装置の低コスト化という点では好ましくない。
【０００７】
そこで、本願発明者は、ワイヤの接合信頼性を確保しつつ、半導体装置の低コスト化も実現することができる技術を検討した。
【０００８】
その他の課題と新規な特徴は、本明細書の記述および添付図面から明らかになるであろう。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
一実施の形態による半導体装置の製造方法は、（ａ）電極パッドを有する半導体チップを準備する工程、（ｂ）上記（ａ）工程の後、上記電極パッドの表面に形成された自然酸化膜を除去する工程、（ｃ）上記（ｂ）工程の後、上記自然酸化膜の除去により露出した上記電極パッドの表面に、導電性部材から成るパッド被覆膜を形成する工程、を含む。さらに、半導体装置の製造方法は、（ｄ）上記（ｃ）工程の後、上記パッド被覆膜に、金を含まない導電性材料から成るワイヤを接続し、上記ワイヤの一部を上記電極パッドに接触させることで、上記ワイヤと上記電極パッドとの境界面に合金層を形成する工程を含み、上記パッド被覆膜の結晶構造は、体心立方格子または六方最密格子から成る。
【００１０】
また、一実施の形態による半導体装置は、主面に形成された複数の電極パッドを備える半導体チップと、複数のリードと、上記複数の電極パッドと上記複数のリードとを電気的に接続し、金を含まない導電性材料から成る複数のワイヤと、を有し、上記電極パッドの表面に、導電性部材から成るパッド被覆膜が形成され、上記ワイヤは、上記電極パッドとの境界面に合金層が形成されるように上記電極パッドに接続されている。さらに、半導体装置において、上記パッド被覆膜は、上記電極パッドの表面における上記ワイヤの上記電極パッドへの接続部の周囲に配置され、上記パッド被覆膜の結晶構造は、体心立方格子または六方最密格子から成る。
【発明の効果】
【００１１】
上記一実施の形態によれば、半導体装置のワイヤ接合における接合信頼性を確保しつつ、低コスト化を実現することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１２】
【図１】実施の形態の半導体装置（ＢＧＡ）の構造の一例を示す断面図である。
【図２】図１に示す半導体装置のワイヤ接合部の構造の一例を示す部分拡大断面図である。
【図３】図２に示すワイヤ接合部の構造の一例を示す平面図と部分断面図である。
【図４】図１に示す半導体装置の第１の膜の結晶構造の一例を示す斜視図である。
【図５】図１に示す半導体装置の第１の膜の結晶構造の一例を示す斜視図である。
【図６】比較例の材料の結晶構造を示す斜視図である。
【図７】図１に示す半導体装置の組み立ての前工程の一例を示すフロー図である。
【図８】図１に示す半導体装置の組み立ての後工程の一例を示すフロー図である。
【図９】図７に示す前工程のパッド開口後の構造の一例を示す断面図である。
【図１０】図７に示す前工程の自然酸化膜形成状態の一例を示す断面図である。
【図１１】図７に示す前工程のプローブ検査後の構造の一例を示す断面図である。
【図１２】図７に示す前工程の自然酸化膜除去状態の一例を示す断面図である。
【図１３】図７に示す前工程の第１の膜形成後の構造の一例を示す断面図である。
【図１４】図７に示す前工程のホトレジスト形成状態の一例を示す断面図である。
【図１５】図７に示す前工程の第１の膜除去後の構造の一例を示す断面図である。
【図１６】図７に示す前工程のホトレジスト除去状態の一例を示す断面図である。
【図１７】図８に示す後工程で用いられる基板の構造の一例を示す平面図である。
【図１８】図８に示す後工程のペ付け後の構造の一例を示す平面図である。
【図１９】図８に示す後工程のワイヤボンディング後の構造の一例を示す平面図である。
【図２０】図８に示す後工程のモールド後の構造の一例を示す平面図である。
【図２１】図２０のＡ−Ａ線に沿って切断した構造の一例を示す断面図である。
【図２２】図８に示す後工程のボール付けおよび基板ダイシング時の構造の一例を示す断面図である。
【図２３】実施の形態における変形例１のワイヤ接合部の構造を示す部分拡大断面図である。
【図２４】比較例のワイヤ接合部の構造を示す部分拡大断面図である。
【図２５】実施の形態における変形例２のワイヤ接合部の構造を示す平面図と部分断面図である。
【図２６】実施の形態における変形例２のワイヤ接合部の構造を示す平面図と部分断面図である。
【図２７】実施の形態の変形例７の半導体装置の構造を示す平面図である。
【図２８】図２７に示す半導体装置の構造を示す断面図である。
【図２９】実施の形態の変形例７の半導体装置の構造を示す断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１３】
以下の実施の形態では特に必要なとき以外は同一または同様な部分の説明を原則として繰り返さない。
【００１４】
さらに、以下の実施の形態では便宜上その必要があるときは、複数のセクションまたは実施の形態に分割して説明するが、特に明示した場合を除き、それらはお互いに無関係なものではなく、一方は他方の一部または全部の変形例、詳細、補足説明などの関係にある。
【００１５】
また、以下の実施の形態において、要素の数など（個数、数値、量、範囲などを含む）に言及する場合、特に明示した場合および原理的に明らかに特定の数に限定される場合などを除き、その特定の数に限定されるものではなく、特定の数以上でも以下でも良いものとする。
【００１６】
また、以下の実施の形態において、その構成要素（要素ステップ等も含む）は、特に明示した場合および原理的に明らかに必須であると考えられる場合等を除き、必ずしも必須のものではないことは言うまでもない。
【００１７】
また、以下の実施の形態において、構成要素等について、「Ａから成る」、「Ａより成る」、「Ａを有する」、「Ａを含む」と言うときは、特にその要素のみである旨明示した場合等を除き、それ以外の要素を排除するものでないことは言うまでもない。同様に、以下の実施の形態において、構成要素等の形状、位置関係等に言及するときは、特に明示した場合および原理的に明らかにそうでないと考えられる場合等を除き、実質的にその形状等に近似または類似するもの等を含むものとする。このことは、上記数値および範囲についても同様である。
【００１８】
以下、本発明の実施の形態を図面に基づいて詳細に説明する。なお、実施の形態を説明するための全図において、同一の機能を有する部材には同一の符号を付し、その繰り返しの説明は省略する。また、図面をわかりやすくするために平面図であってもハッチングを付す場合がある。
【００１９】
（実施の形態）
図１は実施の形態の半導体装置（ＢＧＡ）の構造の一例を示す断面図、図２は図１に示す半導体装置のワイヤ接合部の構造の一例を示す部分拡大断面図、図３は図２に示すワイヤ接合部の構造の一例を示す平面図と部分断面図である。
【００２０】
＜半導体装置＞
図１に示す本実施の形態の半導体装置は、配線基板であるパッケージ基板２０の上面２０ａに搭載された半導体チップ１２が、封止体１３によって樹脂封止された半導体パッケージであり、半導体チップ１２がパッケージ基板２０のボンディングリード（リード）２０ｃとワイヤ１１を介して電気的に接続されている。
【００２１】
本実施の形態では、上記半導体装置の一例として、パッケージ基板２０の下面２０ｂに複数の外部接続用端子となる半田バンプ（半田ボール）１７が、グリッド状（格子状）に設けられたＢＧＡ（Ball Grid Array ）１０を取り上げて説明する。ただし、半田バンプ１７は、例えば、パッケージ基板２０の下面２０ｂの外周部に沿って設けられていてもよい。
【００２２】
ＢＧＡ１０の詳細構成について説明すると、上面２０ａ、上面２０ａに形成された複数の接続用端子であるボンディングリード２０ｃ、上面２０ａとは反対側の下面（裏面、実装面）２０ｂを備えたパッケージ基板（ＢＧＡ基板等ともいう）２０を有している。
【００２３】
さらに、ＢＧＡ１０は、パッケージ基板２０の上面２０ａに搭載された半導体チップ１２と、パッケージ基板２０の複数のボンディングリード２０ｃと半導体チップ１２の主面１２ａに露出する複数の電極パッド１２ｂとをそれぞれ電気的に接続する複数のワイヤ１１と、パッケージ基板２０の下面２０ｂにそれぞれ設けられた複数の外部接続用端子である半田バンプ１７とを有している。
【００２４】
なお、パッケージ基板２０上に搭載された半導体チップ１２は、その主面１２ａに露出するように、複数のボンディングパッドである電極パッド１２ｂを備えている。
【００２５】
そして、パッケージ基板２０の上面２０ａにおいて、半導体チップ１２の周囲には、複数のボンディングリード２０ｃが配置されており、半導体チップ１２の主面１２ａに露出する複数の電極パッド１２ｂと複数のボンディングリード２０ｃとが、複数のワイヤ１１のそれぞれによって電気的に接続されている。
【００２６】
以上のように、ＢＧＡ１０は、半導体チップ１２がパッケージ基板２０上に搭載されており、かつパッケージ基板２０とワイヤ接続され、さらに半導体チップ１２と複数のワイヤ１１とが樹脂から形成された封止体１３によって封止された基板タイプの半導体パッケージである。
【００２７】
また、半導体チップ１２は、主面１２ａとこの主面１２ａとは反対側の裏面１２ｃを有しており、この裏面１２ｃがパッケージ基板２０の上面２０ａと対向するように配置され、樹脂ペースト材等のダイボンド材１８によってパッケージ基板２０の上面２０ａに固着されている。
【００２８】
ここで、半導体チップ１２は、例えば、シリコンによって形成され、複数の電極パッド１２ｂのそれぞれは、アルミニウム（Ａｌ）を主成分とする材料から成る。さらに、ワイヤ１１は、例えば、銅（Ｃｕ）を主成分とする材料から成る。また、封止体１３を形成する封止用樹脂は、例えば、熱硬化性のエポキシ樹脂等から成る。そして、ＢＧＡ１０の外部接続用端子は、Ｓｎ−Ｐｂ系半田やＰｂフリー半田等の半田材を用いた半田バンプ１７であるが、Ｐｂフリー半田を採用することが好ましい。
【００２９】
また、パッケージ基板２０は、例えば、ガラスエポキシ樹脂等のコア材に対して複数の配線層や絶縁層が形成されて成る樹脂基板である。
【００３０】
このように半導体チップ１２の電極パッド１２ｂからＢＧＡ１０の外部接続用端子である半田バンプ１７までが、ワイヤ１１、ボンディングリード２０ｃ、図示しないビアおよびバンプランド等を介して電気的に接続されている。
【００３１】
次に、本実施の形態のＢＧＡ１０の半導体チップ１２における電極パッド１２ｂおよびワイヤ接合部１１ａの構造を、図２および図３を用いて説明する。
【００３２】
ＢＧＡ１０では、半導体チップ１２の電極パッド１２ｂの表面に、導電性部材から成る第１の膜（パッド被覆膜）１２ｄが形成されている。
【００３３】
ここで、半導体チップ１２の電極パッド１２ｂは、半導体チップ１２の主面１２ａに露出するように形成されている。すなわち、電極パッド１２ｂは、ＳｉＯ等の絶縁膜（保護膜）であるパッシベーション膜１２ｇの開口部１２ｊに露出して形成されている。
【００３４】
なお、本実施の形態では、電極パッド１２ｂがアルミニウム（Ａｌ）から成る場合を説明する。
【００３５】
そして、アルミニウムから成る電極パッド１２ｂの下層には、Ｔｉ／ＴｉＮ／Ｔｉ膜１２ｉ等のメタル膜が形成されている。
【００３６】
また、図２に示すように、電極パッド１２ｂの表面には第１の膜（パッド被覆膜）１２ｄが形成されている。この第１の膜１２ｄは、例えばクロムもしくはタングステン等の導電性部材から成り、電極パッド１２ｂに対して、ワイヤ１１が第１の膜１２ｄを付き破った状態で接続されている。
【００３７】
すなわち、本実施の形態の半導体チップ１２では、電極パッド１２ｂを形成する際に、まず、パッシベーション膜１２ｇを開口したことで形成される、後述する図１１に示す自然酸化膜１２ｆを除去し、電極パッド１２ｂの表面をピュアなアルミニウム面を露出させ、このピュアなアルミニウム面に、パッド被覆膜として安定した第１の膜１２ｄを形成する。そして、ワイヤボンディング時に、ワイヤ１１によって第１の膜１２ｄを突き破って（壊して）接合したものである。
【００３８】
したがって、ワイヤ接合部１１ａの接合面１１ｃ付近には、壊れた第１の膜１２ｄの複数の破片１２ｍが残在している。また、ワイヤボンディング時に、銅線であるワイヤ１１の一部が、第１の膜１２ｄを破壊してピュアなアルミニウムの電極パッド１２ｂに接触することで、ワイヤ１１と電極パッド１２ｂとの境界面に合金層１２ｅが形成される。すなわち、ワイヤ１１のＣｕと電極パッド１２ｂのＡｌとが反応し、合金層１２ｅとして、Ｃｕ／Ａｌ層が形成される。
【００３９】
なお、第１の膜１２ｄは、電極パッド１２ｂの表面におけるワイヤ１１の電極パッド１２ｂへの接続部（ワイヤ接合部１１ａ）の周囲に配置されている。本実施の形態では、図３の平面図に示すように、電極パッド１２ｂの表面の全体に亘って第１の膜１２ｄが形成されている。すなわち、電極パッド１２ｂの表面全体を覆うように第１の膜１２ｄが形成されている。
【００４０】
その際、図３の断面図に示すように、ワイヤ接合部１１ａの接合面１１ｃに接触する近辺まで第１の膜１２ｄが形成されており、図３の平面図に示すように上方から電極パッド１２ｂを眺めると、ワイヤ１１のボール径１１ｂより内側まで第１の膜１２ｄが入り込んだ状態となっている。
【００４１】
なお、図３の平面図に示すように、電極パッド１２ｂの表面のワイヤ接合部１１ａを避けた領域には、プローブテストによる複数のプローブ痕１２ｋが形成されており、これら複数のプローブ痕１２ｋも第１の膜１２ｄによって覆われている。
【００４２】
次に、半導体チップ１２の電極パッド１２ｂの表面に形成される第１の膜１２ｄの条件について説明する。
【００４３】
第１の膜１２ｄは、導電性部材（導電性材料）から成り、低抵抗の膜であることが好ましい。さらに、割れ易い（破断し易い）ように、ＡｌやＣｕとの硬度差が大きい方が好ましい。すなわち、ワイヤボンディング時にワイヤボンディング荷重でワイヤ１１を押圧した際に、第１の膜１２ｄを割ってワイヤ１１と電極パッド１２ｂのピュアＡｌとを安定的に接合するものである。
【００４４】
この時、第１の膜１２ｄは、割れる方が好ましいが、必ずしも割れなくてもよい。
【００４５】
次に、第１の膜１２ｄの結晶構造について説明する。
【００４６】
図４は図１に示す半導体装置の第１の膜の結晶構造（体心立方格子）の一例を示す斜視図、図５は図１に示す半導体装置の第１の膜の結晶構造（六方最密格子）の一例を示す斜視図、図６は比較例の材料の結晶構造（面心立方格子）を示す斜視図である。
【００４７】
図４に示す体心立方格子構造では、立方体形の単位格子の各頂点と中心に原子１９が位置している。また、図５に示す六方最密格子構造では、正六角柱の上面および底面の各角および中心と、正六角柱の内部で高さ１／２の箇所に３つの原子１９が存在している。さらに、図６の比較例の面心立方格子構造では、単位格子の各頂点および各面の中心に原子１９が位置している。
【００４８】
なお、ＡｌやＣｕは、面心立方格子構造である。したがって、割れ易いように、ＡｌやＣｕとの硬度差を大きくした結晶構造が第１の膜１２ｄの条件となり、その結果、本実施の形態の第１の膜１２ｄの結晶構造は、体心立方格子もしくは六方最密格子から成る。
【００４９】
ここで、第１の膜１２ｄに用いられる、体心立方格子から成る材料の一例は、リチウム（Ｌｉ）、ナトリウム（Ｎａ）、カリウム（ｋ）、バナジウム（Ｖ）、クロム（Ｃｒ）、鉄（Ｆｅ）、ルビジウム（Ｒｂ）、ニオブ（Ｎｂ）、モリブデン（Ｍｏ）、バリウム（Ｂａ）、タンタル（Ｔａ）、タングステン（Ｗ）、ユウロピウム（Ｅｕ）である。
【００５０】
また、第１の膜１２ｄに用いられる、六方最密格子から成る材料の一例は、ベリリウム（Ｂｅ）、マグネシウム（Ｍｇ）、スカンジウム（Ｓｃ）、チタン（Ｔｉ）、チタンナイトライド（ＴｉＮ）、コバルト（Ｃｏ）、亜鉛（Ｚｎ）、イットリウム（Ｙ）、ジルコニウム（Ｚｒ）、テクネチウム（Ｔｃ）、ルテニウム（Ｒｕ）、ガドリニウム（Ｇｄ）である。さらに、第１の膜１２ｄに用いられる、六方最密格子から成る材料の一例は、テルビウム（Ｔｂ）、ジスプロシウム（Ｄｙ）、ホルミウム（Ｈｏ）、エルビウム（Ｅｒ）、ツリウム（Ｔｍ）、ハフニウム（Ｈｆ）、レニウム（Ｒｅ）、オスミウム（Ｏｓ）である。
【００５１】
また、第１の膜（パッド被覆膜）１２ｄを別の定義で表すと、不動態金属（弁金属、バルブ金属）でもある。不動態とは、金属の表面に腐食作用に抵抗する酸化皮膜が生じた状態のことであり、不動態金属は、不動態になりやすい金属のことである。すなわち、不動態金属は、表面が安定していて酸化しにくく、接合強度を保てる金属であり、例えば、クロム、チタン、タングステン等である。
【００５２】
以上のことから、第１の膜（パッド被覆膜）１２ｄの材料として、割れ易さ等も考慮して好ましいのは、クロム、チタン、タングステン等であるが、耐腐食性の観点から最も好ましい材料は、クロムである。
【００５３】
クロムは、高温でも拡散しにくい。拡散現象によりボイドが形成されるカーケンダルボイドについても、クロムは起こりにくい。したがって、本実施の形態の第１の膜１２ｄとして最も好ましいのは、クロムである。
【００５４】
次に、本実施の形態の半導体装置の組み立てについて説明する。
【００５５】
図７は図１に示す半導体装置の組み立ての前工程（半導体チップの製造方法）の一例を示すフロー図、図８は図１に示す半導体装置の組み立ての後工程（ＢＧＡの製造方法）の一例を示すフロー図である。なお、図９〜図１６は、半導体チップの製造方法を示しており、図９は図７に示す前工程のパッド開口後の構造の一例を示す断面図、図１０は図７に示す前工程の自然酸化膜形成状態の一例を示す断面図、図１１は図７に示す前工程のプローブ検査後の構造の一例を示す断面図、図１２は図７に示す前工程の自然酸化膜除去状態の一例を示す断面図である。
【００５６】
さらに、図１３は図７に示す前工程の第１の膜形成後の構造の一例を示す断面図、図１４は図７に示す前工程のホトレジスト形成状態の一例を示す断面図、図１５は図７に示す前工程の第１の膜除去後の構造の一例を示す断面図、図１６は図７に示す前工程のホトレジスト除去状態の一例を示す断面図である。
【００５７】
また、図１７〜図２２は、半導体装置（ＢＧＡ）の製造方法であり、図１７は図８に示す後工程で用いられる基板の構造の一例を示す平面図、図１８は図８に示す後工程のペ付け後の構造の一例を示す平面図、図１９は図８に示す後工程のワイヤボンディング後の構造の一例を示す平面図、図２０は図８に示す後工程のモールド後の構造の一例を示す平面図である。さらに、図２１は図２０のＡ−Ａ線に沿って切断した構造の一例を示す断面図、図２２は図８に示す後工程のボール付けおよび基板ダイシング時の構造の一例を示す断面図である。
【００５８】
＜パッド開口＞
図７のステップＳ１に示す「パッド開口」を行う。その際、図９に示すように、複数の電極パッド１２ｂを有するチップ領域（半導体チップ）が複数形成された半導体ウエハを準備し、このウエハ状態で、各チップ領域の複数の電極パッド１２ｂのそれぞれにおいて、絶縁膜であるパッシベーション膜１２ｇと電極パッド１２ｂの上層に形成されているＴｉＮ層１２ｑを除去して開口部１２ｊを形成し、この開口部１２ｊに、Ａｌを主成分とする材料から成る電極パッド１２ｂを露出させる。電極パッド１２ｂの下層には、Ｔｉ／ＴｉＮ膜／Ｔｉ１２ｉが形成されている。この時、例えば、スパッタエッチング（材料の表面にエッチング作用を有するガスのイオンを衝突させて材料を除去する技術）によってパッシベーション膜１２ｇを除去する。
【００５９】
＜プローブ検査（Ｐ検）＞
上記パッド開口後、図７のステップＳ２に示す「Ｗ検Ｐ検」（プローブ検査）を行う。この時、図７の電極パッド１２ｂに対してプローブ針（図示せず）を接触させて導通検査等を行う。詳細には、図３に示すように、電極パッド１２ｂにおいて、ワイヤ接合部１１ａの外側の領域に上記プローブ針を接触させることで、図１１に示す複数のプローブ痕１２ｋが形成される。
【００６０】
上記パッシベーション膜１２ｇを除去した後、時間の経過とともに図１０および図１１に示すように、露出する電極パッド１２ｂの表面（露出面、ワイヤ接合面）には自然酸化膜１２ｆが形成される。この自然酸化膜１２ｆは、例えば、Ａｌ2 Ｏ3 である。
【００６１】
＜酸化膜除去／被膜形成＞
上記プローブ検査後、図７のステップＳ３に示す「酸化膜除去／被膜形成」を行う。
【００６２】
まず、図１２に示すように、電極パッド１２ｂの表面（露出面、ワイヤ接合面）に形成された図１１に示す自然酸化膜１２ｆを除去し、これによってＡｌの電極パッド１２ｂを露出させる。
【００６３】
この時、本実施の形態では、真空雰囲気で自然酸化膜１２ｆを除去する。例えば、スパッタリング装置を用いて、このスパッタリング装置の真空処理室（真空チャンバ）における真空雰囲気の環境下で自然酸化膜１２ｆを除去（スパッタエッチング）する。言い換えると、スパッタリング装置を用いて自然酸化膜１２ｆをエッチングする。
【００６４】
そして、自然酸化膜１２ｆを除去した後、自然酸化膜１２ｆの除去によって露出した電極パッド１２ｂの表面（露出面、ワイヤ接合面）に、図１３に示す導電性部材から成る第１の膜（パッド被覆膜）１２ｄを形成する。
【００６５】
この時、自然酸化膜１２ｆを除去する際に用いた上記スパッタリング装置内で、かつ、真空状態を保ちながら、膜形成（成膜）用の真空処理室に移動し、大気に触れずに第１の膜１２ｄを形成することが好ましい。
【００６６】
すなわち、スパッタリング装置の真空処理室内で、自然酸化膜１２ｆの除去と第１の膜（スパッタ膜）１２ｄの形成とを連続して処理する。
【００６７】
これにより、Ａｌから成る電極パッド１２ｂの最表面に酸化膜が形成されることを防ぐことができる。
【００６８】
さらに、自然酸化膜１２ｆの除去と第１の膜１２ｄの形成とを連続して処理することで、そのままの真空雰囲気でスパッタリングを行って電極パッド１２ｂの表面（露出面、ワイヤ接合面）に第１の膜１２ｄを形成するため、成膜処理を効率良く行うことができる。
【００６９】
ここで、第１の膜（パッド被覆膜）１２ｄは、その結晶構造が、体心立方格子または六方最密格子から成るものである。これは、Ａｌ（電極パッド１２ｂ）やＣｕ（ワイヤ１１）は、面心立方格子から成るため、壊れ易いように、ＡｌやＣｕとの硬度差が大きくなるような結晶構造であることが第１の膜１２ｄの条件である。
【００７０】
したがって、第１の膜１２ｄの結晶構造は、体心立方格子もしくは六方最密格子から成る。
【００７１】
一例としては、第１の膜１２ｄは、クロム、タングステン、チタン等から成る。
【００７２】
なお、図１３に示す構造では、第１の膜１２ｄは、電極パッド１２ｂ上からパッシベーション膜１２ｇ上に亘って形成されている。
【００７３】
第１の膜１２ｄを形成した後、図１４に示すように、ホトレジスト膜１２ｈの形成を行う。すなわち、電極パッド１２ｂの領域上における第１の膜１２ｄの上層にホトレジスト膜１２ｈを形成する。
【００７４】
そして、図１５に示すように、ホトレジスト膜１２ｈを形成した後、ホトレジスト膜１２ｈをマスクとして、図１４に示すように電極パッド１２ｂの領域上から外側にはみ出している第１の膜１２ｄを除去する。その際、例えば、スパッタリング装置を用いて除去（スパッタエッチング）する。さらに、はみ出した第１の膜１２ｄを除去した後、ホトレジスト膜１２ｈを除去して、図１６に示すように、電極パッド１２ｂ上の第１の膜１２ｄを露出させる。なお、図１５に示す、はみ出した第１の膜１２ｄの除去や、図１６に示すホトレジスト膜１２ｈの除去は、エッチング装置を用いたエッチングで行ってもよい。
【００７５】
これにより、ウエハにおける各チップ領域（半導体チップ１２）の複数の電極パッド１２ｂのそれぞれの上層に第１の膜１２ｄが形成される。
【００７６】
＜バックグラインド＞
上記酸化膜除去／被膜形成後、図７のステップＳ４に示すバックグラインドを行う。すなわち、ウエハの裏面を削って、ウエハを所望の厚さに形成する。その後、ステップＳ５に示すように、後工程に移る。すなわち、半導体装置の一例である図１のＢＧＡ１０の組み立てに移る。
【００７７】
＜ダイシング＞
図１に示すＢＧＡ１０の組み立て工程（後工程）では、まず、図８のステップＳ１１に示す「ダイシング」を行う。すなわち、図７のステップＳ５でバックグラインドを行って所望の厚さに形成したウエハに対してダイシングを行い、これによって、個々の半導体チップ１２に分割する（個片化する）。
【００７８】
一方、ＢＧＡ１０を形成するための、図１７に示すような多数個取り基板１４を準備する。すなわち、上面１４ａに複数のデバイス領域１４ｃを備えた多数個取り基板１４を準備する。なお、複数のデバイス領域１４ｃはマトリクス配置で形成され、さらに外周部には複数の孔部１４ｄが形成されている。複数の孔部１４ｄは、多数個取り基板１４の位置決め用等に用いられる。
【００７９】
また、本実施の形態のＢＧＡ１０は、多数個取り基板１４を用いて組み立てられる半導体装置である。その際、本実施の形態の組み立ての封止工程（モールド工程）では、複数のデバイス領域１４ｃに搭載された複数の半導体チップ１２を１つのキャビティ（図示せず）で覆った状態で、このキャビティ内に樹脂を供給する、所謂、一括モールド方式により樹脂封止を行う場合を説明するが、上記モールド方式は、一括モールド方式に限定されるものではない。
【００８０】
＜ぺ付け＞
上記ダイシング後、図８のステップＳ１２に示す「ぺ付け」を行う。すなわち、図１８に示すように、多数個取り基板１４のそれぞれのデバイス領域１４ｃに半導体チップ１２を搭載する。これにより、多数個取り基板１４の上面１４ａには複数の半導体チップ１２が搭載された状態となる。
【００８１】
なお、半導体チップ１２は、図１に示すように、ダイボンド材１８を介して基板に固着される。
【００８２】
＜ワイヤボンディング＞
上記ぺ付け後、図８のステップＳ１３に示す「ワイヤボンディング」を行う。その際、図１９に示すように、半導体チップ１２の複数の電極パッド（図１参照）１２ｂのそれぞれと、これらに対応するそれぞれのボンディングリード（図１参照）２０ｃとをボンディング用のワイヤ１１によって電気的に接続する。
【００８３】
なお、ワイヤ１１は、例えばＣｕワイヤである。
【００８４】
本実施の形態のワイヤボンディングでは、図２に示すように、半導体チップ１２の電極パッド１２ｂ上の第１の膜１２ｄにワイヤ１１を接続し、ワイヤ１１の一部を電極パッド１２ｂに接触させることで、ワイヤ１１と電極パッド１２ｂとの境界面に合金層１２ｅを形成する。
【００８５】
さらに、ワイヤボンディング時に、ワイヤ１１によって第１の膜１２ｄを突き破り、これにより、ピュアなＡｌの電極パッド１２ｂとＣｕワイヤ（ワイヤ１１）とを電気的に接続する。
【００８６】
したがって、ワイヤ接合部１１ａの電極パッド１２ｂとの境界付近には、第１の膜１２ｄの破片１２ｍが残存する。
【００８７】
以上のように、本実施の形態のワイヤボンディングでは、ワイヤ１１によって第１の膜１２ｄを突き破って（壊して）Ａｌの電極パッド１２ｂとワイヤ１１とを接続することで、ワイヤ１１と電極パッド１２ｂとの境界面にＣｕ／Ａｌから成る合金層１２ｅを形成することができる。
【００８８】
これにより、Ｃｕワイヤ（ワイヤ１１）の接合強度を確保することができ、その結果、ＢＧＡ１０のワイヤ接合における接合信頼性を確保することができる。
【００８９】
なお、第１の膜１２ｄは、ワイヤ１１によって突き破ることが好ましいが、必ずしも突き破らなくてもよく、第１の膜１２ｄを介してワイヤ１１と電極パッド１２ｂとが電気的に接合されていてもよい。第１の膜１２ｄを介してワイヤ１１と電極パッド１２ｂとが接合されていることにより、酸化膜を介してワイヤ１１と電極パッド１２ｂとが接合される場合に比較して高い接合信頼性を得ることができる。
【００９０】
＜モールド＞
ワイヤボンディング後、図８のステップＳ１４に示す「モールド」を行う。本実施の形態のモールドは、上述のように、一括モールディングである。
【００９１】
これにより、図２０に示すように、多数個取り基板１４の上面１４ａに一括封止部１６が形成され、図２１に示すように、複数の半導体チップ１２が一括封止部１６によって封止される。
【００９２】
＜ボール付け＞
モールド後、図８のステップＳ１５に示す「ボール付け」を行う。すなわち、図２２に示すように、多数個取り基板１４の下面１４ｂに外部接続用端子として複数の半田バンプ（半田ボール）１７を設ける。
【００９３】
なお、半田バンプ１７に用いられる半田材として、鉛フリー半田を採用することが好ましく、鉛フリー半田を採用することにより、環境負荷の低減化を図ることができる。ここで、鉛フリー半田とは、鉛（Ｐｂ）の含有量が０．１ｗｔ％以下のものを意味し、この含有量は、ＲｏＨＳ（Restriction of Hazardous Substances）指令の基準として定められている。
【００９４】
＜マーク＞
ボール付け後、図８のステップＳ１６に示す「マーク」を行う。例えば、一括封止部１６の上部にレーザー等を照射し、所定の製造番号や管理番号等のマークを付す。
【００９５】
＜基板ダイシング＞
マーク後、図８のステップＳ１７に示す「基板ダイシング」を行う。すなわち、図２２に示す一括封止部１６と多数個取り基板１４とをそれぞれのデバイス領域単位にダイシング用ブレード１５によって切断分割して個片化を行う。
【００９６】
これにより、図１に示すようなそれぞれのＢＧＡ１０に個片化される。
【００９７】
＜テスト＞
基板ダイシング後、図８のステップＳ１８に示す「テスト」を行う。すなわち、個片化されたそれぞれのＢＧＡ１０に対して動作テスト等のテストを行う。これにより、良品の選別を行う。
【００９８】
＜外観＞
テスト後、図８のステップＳ１９に示す「外観」を行う。すなわち、テストで選別されたＢＧＡ１０の外観検査を行い、これにより、図１に示すＢＧＡ１０の組み立てを終了する。
【００９９】
本実施の形態のＢＧＡ１０の製造方法およびＢＧＡ１０では、半導体チップ１２の主面１２ａに形成された電極パッド１２ｂにおいて、自然酸化膜１２ｆを除去した電極パッド１２ｂの表面にクロム膜等の第１の膜１２ｄを形成し、この第１の膜１２ｄを破壊してＣｕワイヤ（ワイヤ１１）が電極パッド１２ｂに接合される。
【０１００】
この時、クロムやタングステン等の第１の膜１２ｄは、ＡｌやＣｕとの硬度差が大きく、割れ易い。
【０１０１】
したがって、ワイヤ１１は、電極パッド１２ｂのピュアなＡｌの表面と接合するため、ワイヤ１１の電極パッド１２ｂとの接合部の安定化を図ることができる。
【０１０２】
その結果、ＢＧＡ１０のワイヤ接合における接合信頼性を確保することができる。
【０１０３】
さらに、ワイヤ１１を電極パッド１２ｂのピュアなＡｌの表面に接合することにより、電気的抵抗を低減することができ、ワイヤ接合部１１ａにおける電気的特性を向上させることができる。
【０１０４】
また、金線以外のＣｕワイヤ等のワイヤ１１を用いることにより、ＢＧＡ１０の低コスト化を実現することができる。すなわち、ＢＧＡ１０のワイヤ接合における接合信頼性を確保しつつ、ＢＧＡ１０の低コスト化を実現することができる。
【０１０５】
＜変形例＞
以上、本発明者によってなされた発明を実施の形態に基づき具体的に説明したが、本発明はこれまで記載した実施の形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能であることはいうまでもない。
【０１０６】
（変形例１）
図２３は実施の形態における変形例１のワイヤ接合部の構造を示す部分拡大断面図、図２４は比較例のワイヤ接合部の構造を示す部分拡大断面図である。
【０１０７】
図２４は本願発明者が比較検討した構造であり、変形例１では、電気的特性を考慮して厚いＡｌの電極パッド１２ｂが必要とされる半導体チップ１２への対策を説明する。厚いＡｌの電極パッド１２ｂが形成された半導体チップ１２では、電極パッド１２ｂのワイヤ接合部１１ａの周囲にパッドスプラッシュ１２ｎ（電極パッド１２ｂの盛り上がり）が形成され易い。
【０１０８】
厚い電極パッド１２ｂでは、パッドスプラッシュ１２ｎが大きくなり易いが、電極パッド１２ｂの厚さを薄くすると、ワイヤ接合部１１ａの下部のパッド厚も薄くなるため、下地ダメージの可能性が出てくる。したがって、ワイヤボンディング時のボンディング荷重を大きくすることは困難である。
【０１０９】
そこで、図２３に示すように、電極パッド１２ｂの厚さ方向の中間層に高硬度の中間膜（第２の膜）１２ｐを形成する。なお、中間膜１２ｐは、電極パッド１２ｂの厚さ方向の、必ずしも中間に位置していなくてもよく、電極パッド１２ｂの厚さ方向において上層側や下層側に形成されていてもよい。
【０１１０】
なお、中間膜１２ｐは、導電性部材から成る。このように電極パッド１２ｂに中間膜１２ｐが形成されていることにより、電極パッド１２ｂの剛性を強化することができる。また、パッドスプラッシュ１２ｎを抑制することができる。さらに、下地へのダメージを軽減させることができる。
【０１１１】
（変形例２）
上記実施の形態では、図３に示すように、電極パッド１２ｂの表面において第１の膜１２ｄが全体に亘って形成されている場合を説明したが、図２５および図２６に示すように、ワイヤ１１が接合される領域（ワイヤ接合部１１ａが形成される領域）のみに、第１の膜１２ｄを形成してもよい。
【０１１２】
ここで、図２５および図２６は、それぞれ実施の形態における変形例２のワイヤ接合部の構造を示す平面図と部分断面図である。
【０１１３】
図２５に示す構造は、第１の膜１２ｄを、リング状としたものであり、複数（例えば、２種類）のリング径のリング状の第１の膜１２ｄを、同心円上に形成したものである。その際、それぞれのリング上の第１の膜１２ｄは、繋がってはおらず、例えば、４つに分割された形状となっている。
【０１１４】
すなわち、ワイヤ接合部１１ａに、分割された複数の第１の膜１２ｄと、第１の膜１２ｄの周囲に配置された複数の自然酸化膜１２ｆとが接触しており、これにより、分割された複数の第１の膜１２ｄは、それぞれ端部による境界が増えるため、破断し易くなる。
【０１１５】
さらに、リング状の第１の膜１２ｄは、ボンディングツールであるキャピラリ（図示せず）の直下からの距離により、印加する荷重量に差がでるため、荷重量分布に合わせて第１の膜１２ｄと自然酸化膜を分割しており、自然酸化膜１２ｆが形成されている場合に比べてワイヤ１１の接合性を高めることができる。
【０１１６】
また、図２６に示す構造は、第１の膜１２ｄを、平面視で細かな複数の四角形に分割して形成したものである。この場合も、ワイヤ接合部１１ａに、分割された複数の第１の膜１２ｄと、第１の膜１２ｄの周囲に配置された複数の自然酸化膜１２ｆとが接触しており、図２５の構造と同様に、分割された複数の第１の膜１２ｄは、それぞれ端部による境界が増えるため、破断し易くなる。
【０１１７】
つまり、ワイヤ接合部１１ａに接触する第１の膜１２ｄのパターンを複数に分割することで、ワイヤ接合部１１ａに、複数の第１の膜１２ｄと、その周囲の自然酸化膜１２ｆとが接触し、その結果、複数の第１の膜１２ｄは、それぞれ端部（外周部）による境界が増える。これにより、第１の膜１２ｄを破断し易くすることができる。
【０１１８】
（変形例３）
上記実施の形態では、第１の膜（パッド被覆膜）１２ｄが、単層の場合を説明したが、第１の膜１２ｄは、複数の層から成る膜であってもよい。例えば、上層がクロム層で、下層が銅層から成る２層構造であってもよく、これにより、クロム層の下層に銅層が配置されるため、Ｃｕワイヤ（ワイヤ１１）との接合力を、より高めることができる。
【０１１９】
なお、第１の膜１２ｄは、例えば、クロムと銅とが混ざった混合層（単層）から成る膜であってもよい。さらには、クロムを含有する化合物（単層）であってもよい。
【０１２０】
（変形例４）
上記実施の形態では、半導体チップ１２の電極パッド１２ｂがアルミニウムを主成分とする材料から成り、かつワイヤ１１が銅を主成分とする材料から成る場合を説明したが、電極パッド１２ｂの主成分とワイヤ１１の主成分は、金（Ａｕ）以外の材料であれば、上記以外のものであってもよい。
【０１２１】
例えば、アルミニウムを主成分とするワイヤ１１とアルミニウムを主成分とする電極パッド１２ｂ、アルミニウムを主成分とするワイヤ１１と銅を主成分とする電極パッド１２ｂ等である。さらに、銀を主成分とするワイヤ１１とアルミニウムを主成分とする電極パッド１２ｂ、銀を主成分とするワイヤ１１と銅を主成分とする電極パッド１２ｂ、銅を主成分とするワイヤ１１と銅を主成分とする電極パッド１２ｂ等であってもよい。
【０１２２】
また、上記以外の組み合わせにおいても、互いに金を用いていない材料から成るワイヤ１１と電極パッド１２ｂとの組み合わせであれば適用可能である。
【０１２３】
（変形例５）
上記実施の形態では、半導体チップ１２の電極パッド１２ｂの表面に形成された自然酸化膜１２ｆを除去する方法として、スパッタリング装置を用いてスパッタエッチング処理によって除去する場合を説明したが、自然酸化膜１２ｆの除去は、例えば、エッチング装置を用いたエッチング処理によって行ってもよい。
【０１２４】
（変形例６）
上記実施の形態では、自然酸化膜１２ｆを除去した後、新たに露出した電極パッド１２ｂの表面（新生面）に、スパッタリング装置を用いてスパッタリング処理により第１の膜１２ｄを形成する場合を説明したが、第１の膜１２ｄの形成は、例えば、メッキ法によって形成してもよい。
【０１２５】
（変形例７）
上記実施の形態では、半導体装置がＢＧＡ１０の場合について説明したが、前記半導体装置は、リードフレームを用いて組み立てられるＱＦＰ（Quad Flat Package)やＱＦＮ（Quad Flat Non-leaded Package) 等であってもよい。
【０１２６】
ここで、図２７は実施の形態の変形例７の半導体装置の構造を示す平面図、図２８は図２７に示す半導体装置の構造を示す断面図、図２９は実施の形態の変形例７の半導体装置の構造を示す断面図である。
【０１２７】
図２７および図２８に示す半導体装置は、平面形状が略四角形からなる封止体２２のうちの４つの辺から、外部接続用端子となる複数のアウタ部２３ｂが突出する、所謂、ＱＦＰ２１である。
【０１２８】
ＱＦＰ２１は、タブ２３ｃ上に半導体チップ１２が搭載され、半導体チップ１２の複数の電極パッド１２ｂと複数のインナ部２３ａとがワイヤ１１を介して電気的に接続されている。そして、半導体チップ１２と複数のワイヤ１１は、封止用樹脂から成る封止体２２によって樹脂封止されている。
【０１２９】
このようなＱＦＰ２１においても、半導体チップ１２の電極パッド１２ｂの表面に第１の膜１２ｄを形成し、ワイヤボンディング時に第１の膜１２ｄを破壊してワイヤ１１を電極パッド１２ｂに接続することにより、ＱＦＰ２１のワイヤ接合における接合信頼性を確保することができる。
【０１３０】
次に、図２９に示す半導体装置は、平面形状が略四角形からなる封止体２２の裏面から、外部接続用端子となる複数のリード２５が露出する、所謂、ＱＦＮ２４である。
【０１３１】
ＱＦＮ２４も、タブ２３ｃ上に半導体チップ１２が搭載され、半導体チップ１２の複数の電極パッド１２ｂと複数のリード２５とがワイヤ１１を介して電気的に接続されている。そして、半導体チップ１２と複数のワイヤ１１は、封止用樹脂から成る封止体２２によって樹脂封止されている。
【０１３２】
このようなＱＦＮ２４においても、半導体チップ１２の電極パッド１２ｂの表面に第１の膜１２ｄを形成し、ワイヤボンディング時に第１の膜１２ｄを破壊してワイヤ１１を電極パッド１２ｂに接続することにより、ＱＦＮ２４のワイヤ接合における接合信頼性を確保することができる。
【０１３３】
（変形例８）
上記実施の形態では、半導体装置（ＢＧＡ１０）の外部接続用端子として半田バンプ１７を形成し、半田バンプ１７に用いられる半田材は、鉛（Ｐｂ）を実質的に含まない、鉛フリー半田の場合を説明したが、上記半田材は、Ｓｎ−Ｐｂ系半田等の鉛を含む半田材であってもよい。ただし、環境汚染問題を考慮すれば、上記鉛フリー半田から成る半田材の使用が好ましい。
【０１３４】
（変形例９）
さらに、上記実施の形態で説明した技術思想の要旨を逸脱しない範囲内において、変形例同士を組み合わせて適用することができる。
【符号の説明】
【０１３５】
１０  ＢＧＡ（半導体装置）
１１  ワイヤ
１２  半導体チップ
１２ａ  主面
１２ｂ  電極パッド
１２ｄ  第１の膜（パッド被覆膜）
１２ｅ  合金層
１２ｆ  自然酸化膜
１３  封止体
１４  多数個取り基板
１５  ダイシング用ブレード
１６  一括封止部
１７  半田バンプ
１８  ダイボンド材
２０  パッケージ基板
２０ｃ  ボンディングリード（リード）
【図１】
2015220248.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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【図２５】
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【図２６】
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【図２７】
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【図２８】
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【図２９】
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