(57)【要約】【課題】品質の高い液晶装置の製造方法を提供する。【解決手段】オリフラ５１１が設けられた第１大型基板５００ａと、ノッチ５１２が設けられた第２大型基板５００ｂと、を貼り合せる工程と、第１大型基板５００ａのオリフラ５１１が設けられた位置から張り出す第２大型基板５００ｂのノッチ５１２を含む領域を切断する工程と、を有する。【選択図】図９
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
オリフラが設けられた第１基板と、ノッチが設けられた第２基板と、を貼り合せる工程と、
前記第１基板の前記オリフラが設けられた位置から張り出す前記第２基板の前記ノッチを含む領域を切断する工程と、
を有することを特徴とする電気光学装置の製造方法。
【請求項２】
請求項１に記載の電気光学装置の製造方法であって、
前記第２基板の前記ノッチを含む領域を切断する工程において、前記第１基板の前記オリフラの端面より内側の領域を切断することを特徴とする電気光学装置の製造方法。
【請求項３】
請求項１又は請求項２に記載の電気光学装置の製造方法であって、
前記ノッチを含む領域を切断する工程の後、貼り付けられた前記第１基板及び前記第２基板を位置決めする工程を有し、
前記位置決めする工程において、前記オリフラに当接する部分に２本、前記オリフラを除く前記第１基板及び前記第２基板の外周に当接する部分に１本の位置決めピンが配置されることを特徴とする電気光学装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電気光学装置の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
上記電気光学装置の一つとして、例えば、画素電極をスイッチング制御する素子としてトランジスターを画素ごとに備えたアクティブ駆動方式の液晶装置が知られている。液晶装置は、例えば、直視型ディスプレイやプロジェクターのライトバルブなどにおいて用いられている。
【０００３】
液晶装置は、例えば、特許文献１に記載のように、複数の素子基板となる大型の第１基板（マザー基板）と、複数の対向基板となる大型の第２基板（マザー基板）とを貼り合せた後、液晶装置のサイズに切断することにより形成される。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００９−２０５１４０号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、第１基板と第２基板との形状が異なる場合（例えば、第１基板にはオリフラが形成され、第２基板は丸い基板にノッチのみが形成されている場合）、液晶装置の外周形状に切断する工程において、第１基板のオリフラの端面で位置決めしようとしても、オリフラの端面から第２基板が張り出しているため、位置決めができないという課題がある。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明の態様は、上記課題の少なくとも一部を解決するためになされたものであり、以下の形態又は適用例として実現することが可能である。
【０００７】
［適用例１］本適用例に係る液晶装置の製造方法は、オリフラが設けられた第１基板と、ノッチが設けられた第２基板と、を貼り合せる工程と、前記第１基板の前記オリフラが設けられた位置から張り出す前記第２基板の前記ノッチを含む領域を切断する工程と、を有することを特徴とする。
【０００８】
本適用例によれば、第１基板のオリフラの端面から張り出す、第２基板のノッチを含む領域を切断するので、オリフラが設けられた第１基板の形状と略同様の形状にすることが可能となる。よって、第１基板のオリフラの端面を基準に、貼り合わされた第１基板及び第２基板の位置決めをすることができる。言い換えれば、第１基板のオリフラの端面より張り出す第２基板の領域に影響されることなく、オリフラを基準に第１基板及び第２基板の位置決めをすることができる。
【０００９】
［適用例２］上記適用例に係る液晶装置の製造方法において、前記第２基板の前記ノッチを含む領域を切断する工程は、前記第１基板の前記オリフラの端面より内側の領域を切断することが好ましい。
【００１０】
本適用例によれば、第１基板のオリフラの端面より内側の第２基板の領域を切断する、言い換えれば、第１基板の形状より小さくするので、切断の形状ばらつきが生じた場合でも、第１基板のオリフラの端面と位置決めピンとを確実に当接させることができる。
【００１１】
［適用例３］上記適用例に係る液晶装置の製造方法において、前記ノッチを含む領域を切断する工程の後、貼り付けられた前記第１基板及び前記第２基板を位置決めする工程を有し、前記位置決めする工程は、前記オリフラに当接する部分に２本、前記オリフラを除く前記第１基板及び前記第２基板の外周に当接する部分に１本の位置決めピンが配置されることが好ましい。
【００１２】
本適用例によれば、３本の位置決めピンで、貼り付けられた第１基板及び第２基板との位置決めを行うので、第１基板及び第２基板と、切断する装置との位置関係を正規の位置関係にすることができる。
【図面の簡単な説明】
【００１３】
【図１】大型基板の構成を示す模式平面図。
【図２】図１に示す大型基板のＡ部を拡大して示す拡大平面図。
【図３】液晶装置の構成を示す模式平面図。
【図４】図３に示す液晶装置のＨ−Ｈ’線に沿う模式断面図。
【図５】液晶装置の電気的な構成を示す等価回路図。
【図６】液晶装置のうち主に画素の構造を示す模式断面図。
【図７】液晶装置の製造方法を工程順に示すフローチャート。
【図８】液晶装置の製造方法のうち一部の工程を示す模式図。
【図９】液晶装置の製造方法のうち一部の工程を示す模式図。
【図１０】液晶装置の製造方法のうち一部の工程を示す模式図。
【図１１】液晶装置の製造方法のうち一部の工程を示す模式図。
【図１２】液晶装置の製造方法のうち一部の工程を示す模式図。
【図１３】投射型表示装置の構成を示す概略図。
【図１４】変形例の液晶装置の製造方法のうち一部の工程を示す模式図。
【図１５】変形例の液晶装置の製造方法のうち一部を示す模式断面図。
【発明を実施するための形態】
【００１４】
以下、本発明を具体化した実施形態について図面に従って説明する。なお、使用する図面は、説明する部分が認識可能な状態となるように、適宜拡大または縮小して表示している。
【００１５】
なお、以下の形態において、例えば「基板上に」と記載された場合、基板の上に接するように配置される場合、または基板の上に他の構成物を介して配置される場合、または基板の上に一部が接するように配置され、一部が他の構成物を介して配置される場合を表すものとする。
【００１６】
本実施形態では、電気光学装置の一例として、薄膜トランジスター（ＴＦＴ：Thin Film Transistor）を画素のスイッチング素子として備えたアクティブマトリックス型の液晶装置を例に挙げて説明する。この液晶装置は、例えば、投射型表示装置（液晶プロジェクター）の光変調素子（液晶ライトバルブ）として好適に用いることができるものである。
【００１７】
＜電気光学装置を含む大型基板の構成＞
図１は、大型基板の構成を示す模式平面図である。図２は、図１に示す大型基板のＡ部を拡大して示す拡大平面図である。以下、大型基板の構成を、図１及び図２を参照しながら説明する。
【００１８】
図１に示すように、大型基板５００は、例えば、液晶装置１００を同時に複数製造するために用いられる。大型基板５００には、液晶装置１００を構成する一対の基板が複数個分、マトリックス状に面付けされている。大型基板５００の大きさは、例えば、８インチである。大型基板５００のうち一方の基板（第１基板としての第１大型基板）の厚みは、例えば、１．２ｍｍである。他方の基板（第２基板としての第２大型基板）の厚みは、例えば、０．７ｍｍである。大型基板５００の材質は、例えば、石英である。
【００１９】
大型基板５００は、液晶装置１００のうち製品となる領域の有効チップ領域５０１と、有効チップ領域５０１の周囲の領域である、液晶装置１００のうち製品とならない領域のダミーチップ領域５０２とを有する。
【００２０】
図２に示すように、各液晶装置１００には、表示領域Ｅの周辺に、周辺回路としてのデータ線駆動回路２２、走査線駆動回路２４、及び外部接続用端子３５が形成されている。データ線駆動回路２２及び走査線駆動回路２４と外部接続用端子３５とは、互いに配線２９によって、電気的に接続されている。
【００２１】
＜電気光学装置としての液晶装置の構成＞
図３は、液晶装置の構成を示す模式平面図である。図４は、図３に示す液晶装置のＨ−Ｈ’線に沿う模式断面図である。図５は、液晶装置の電気的な構成を示す等価回路図である。以下、液晶装置の構成を、図３〜図５を参照しながら説明する。
【００２２】
図３及び図４に示すように、本実施形態の液晶装置１００は、対向するように配置された素子基板１０及び対向基板２０と、これら一対の基板によって挟持された液晶層１５とを有する。素子基板１０を構成する基板としての第１基材１０ａ、および対向基板２０を構成する第２基材２０ａは、例えば、ガラス基板、石英基板などの透明基板が用いられている。
【００２３】
素子基板１０は対向基板２０よりも大きく、両基板１０，２０は、対向基板２０の外周に沿って配置されたシール材１４を介して接合されている。平面視で環状に設けられたシール材１４の内側で、素子基板１０は対向基板２０の間に正または負の誘電異方性を有する液晶が封入されて液晶層１５を構成している。シール材１４は、例えば熱硬化性又は紫外線硬化性のエポキシ樹脂などの接着剤が採用されている。シール材１４には、一対の基板の間隔を一定に保持するためのスペーサー（図示省略）が混入されている。
【００２４】
シール材１４の内縁より内側には、複数の画素Ｐが配列した表示領域Ｅが設けられている。表示領域Ｅは、表示に寄与する複数の画素Ｐに加えて、複数の画素Ｐを囲むように配置されたダミー画素を含むとしてもよい。また、図３及び図４では図示を省略したが、表示領域Ｅにおいて複数の画素Ｐをそれぞれ平面的に区分する遮光膜（ブラックマトリックス：ＢＭ）が対向基板２０に設けられている。
【００２５】
素子基板１０の１辺部に沿ったシール材１４と該１辺部との間に、データ線駆動回路２２が設けられている。また、該１辺部に対向する他の１辺部に沿ったシール材１４と表示領域Ｅとの間に、検査回路２５が設けられている。さらに、該１辺部と直交し互いに対向する他の２辺部に沿ったシール材１４と表示領域Ｅとの間に走査線駆動回路２４が設けられている。該１辺部と対向する他の１辺部に沿ったシール材１４と検査回路２５との間には、２つの走査線駆動回路２４を繋ぐ複数の配線２９が設けられている。
【００２６】
対向基板２０における環状に配置されたシール材１４と表示領域Ｅとの間には、遮光部材としての遮光膜１８（見切り部）が設けられている。遮光膜１８は、例えば、遮光性の金属あるいは金属酸化物などからなり、遮光膜１８の内側が複数の画素Ｐを有する表示領域Ｅとなっている。なお、図３では図示を省略したが、表示領域Ｅにおいても複数の画素Ｐを平面的に区分する遮光膜が設けられている。
【００２７】
これらデータ線駆動回路２２、走査線駆動回路２４に繋がる配線は、該１辺部に沿って配列した複数の外部接続用端子３５に接続されている。以降、該１辺部に沿った方向をＸ方向とし、該１辺部と直交し互いに対向する他の２辺部に沿った方向をＹ方向として説明する。
【００２８】
図４に示すように、第１基材１０ａの液晶層１５側の表面には、画素Ｐごとに設けられた透光性の画素電極２７およびスイッチング素子である薄膜トランジスター（ＴＦＴ：Thin Film Transistor、以降、「ＴＦＴ３０」と呼称する）と、信号配線と、これらを覆う配向膜２８とが形成されている。
【００２９】
また、ＴＦＴ３０における半導体層に光が入射してスイッチング動作が不安定になることを防ぐ遮光構造が採用されている。本発明における素子基板１０は、少なくとも画素電極２７、ＴＦＴ３０、配向膜２８を含むものである。
【００３０】
対向基板２０の液晶層１５側の表面には、遮光膜１８と、これを覆うように成膜された絶縁膜３３と、絶縁膜３３を覆うように設けられた対向電極３１と、対向電極３１を覆う配向膜３２とが設けられている。本発明における対向基板２０は、少なくとも絶縁膜３３、対向電極３１、配向膜３２を含むものである。
【００３１】
遮光膜１８は、図３に示すように、表示領域Ｅを取り囲むと共に、平面的に走査線駆動回路２４、検査回路２５と重なる位置に設けられている（図示簡略）。これにより対向基板２０側からこれらの駆動回路を含む周辺回路に入射する光を遮蔽して、周辺回路が光によって誤動作することを防止する役目を果たしている。また、不必要な迷光が表示領域Ｅに入射しないように遮蔽して、表示領域Ｅの表示における高いコントラストを確保している。
【００３２】
絶縁膜３３は、例えば酸化シリコンなどの無機材料からなり、光透過性を有して遮光膜１８を覆うように設けられている。このような絶縁膜３３の形成方法としては、例えばプラズマＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）法などを用いて成膜する方法が挙げられる。
【００３３】
対向電極３１は、例えばＩＴＯ（Indium Tin Oxide）などの透明導電膜からなり、絶縁膜３３を覆うと共に、図３に示すように対向基板２０の四隅に設けられた上下導通部２６により素子基板１０側の配線に電気的に接続している。
【００３４】
画素電極２７を覆う配向膜２８、および対向電極３１を覆う配向膜３２は、液晶装置１００の光学設計に基づいて選定される。配向膜２８，３２としては、気相成長法を用いてＳｉＯｘ（酸化シリコン）などの無機材料を成膜して、負の誘電異方性を有する液晶分子に対して略垂直配向させた無機配向膜が挙げられる。
【００３５】
このような液晶装置１００は透過型であって、電圧が印加されない時の画素Ｐの透過率が電圧印加時の透過率よりも大きいノーマリーホワイトや、電圧が印加されない時の画素Ｐの透過率が電圧印加時の透過率よりも小さいノーマリーブラックモードの光学設計が採用される。光の入射側と射出側とにそれぞれ偏光素子が光学設計に応じて配置されて用いられる。
【００３６】
図５に示すように、液晶装置１００は、少なくとも表示領域Ｅにおいて互いに絶縁されて直交する複数の走査線３ａおよび複数のデータ線６ａと、共通電位配線としての容量線３ｂとを有する。走査線３ａが延在する方向がＸ方向であり、データ線６ａが延在する方向がＹ方向である。
【００３７】
走査線３ａとデータ線６ａならびに容量線３ｂと、これらの信号線類により区分された領域に、画素電極２７と、ＴＦＴ３０と、容量素子１６とが設けられ、これらが画素Ｐの画素回路を構成している。
【００３８】
走査線３ａはＴＦＴ３０のゲートに電気的に接続され、データ線６ａはＴＦＴ３０のデータ線側ソースドレイン領域（ソース領域）に電気的に接続されている。画素電極２７は、ＴＦＴ３０の画素電極側ソースドレイン領域（ドレイン領域）に電気的に接続されている。
【００３９】
データ線６ａは、データ線駆動回路２２（図３参照）に接続されており、データ線駆動回路２２から供給される画像信号Ｄ１，Ｄ２，…，Ｄｎを画素Ｐに供給する。走査線３ａは、走査線駆動回路２４（図３参照）に接続されており、走査線駆動回路２４から供給される走査信号ＳＣ１，ＳＣ２，…，ＳＣｍを各画素Ｐに供給する。
【００４０】
データ線駆動回路２２からデータ線６ａに供給される画像信号Ｄ１〜Ｄｎは、この順に線順次で供給してもよく、互いに隣り合う複数のデータ線６ａ同士に対してグループごとに供給してもよい。走査線駆動回路２４は、走査線３ａに対して、走査信号ＳＣ１〜ＳＣｍを所定のタイミングで供給する。
【００４１】
液晶装置１００は、スイッチング素子であるＴＦＴ３０が走査信号ＳＣ１〜ＳＣｍの入力により一定期間だけオン状態とされることで、データ線６ａから供給される画像信号Ｄ１〜Ｄｎが所定のタイミングで画素電極２７に書き込まれる構成となっている。そして、画素電極２７を介して液晶層１５に書き込まれた所定レベルの画像信号Ｄ１〜Ｄｎは、画素電極２７と液晶層１５を介して対向配置された対向電極３１との間で一定期間保持される。
【００４２】
保持された画像信号Ｄ１〜Ｄｎがリークするのを防止するため、画素電極２７と対向電極３１との間に形成される液晶容量と並列に容量素子１６が接続されている。容量素子１６は、ＴＦＴ３０の画素電極側ソースドレイン領域と容量線３ｂとの間に設けられている。容量素子１６は、２つの容量電極の間に誘電体層を有するものである。
【００４３】
＜液晶装置を構成する画素の構成＞
図６は、液晶装置のうち主に画素の構造を示す模式断面図である。以下、液晶装置のうち画素の構造を、図６を参照しながら説明する。なお、図６は、各構成要素の断面的な位置関係を示すものであり、明示可能な尺度で表されている。
【００４４】
図６に示すように、液晶装置１００は、素子基板１０と、これに対向配置される対向基板２０とを備えている。素子基板１０を構成する第１基材１０ａは、上記したように、例えば、石英基板等によって構成されている。
【００４５】
図６に示すように、第１基材１０ａ上には、例えば、Ａｌ（アルミニウム）、Ｔｉ（チタン）、Ｃｒ（クロム）、Ｗ（タングステン）等の材料を含む下側遮光層３ｃが形成されている。下側遮光層３ｃは、平面的に格子状にパターニングされており、各画素Ｐの開口領域を規定している。なお、下側遮光層３ｃは、導電性を有し、走査線３ａの一部として機能するようにしてもよい。第１基材１０ａ及び下側遮光層３ｃ上には、酸化シリコン等からなる下地絶縁層１１ａが形成されている。
【００４６】
下地絶縁層１１ａ上には、ＴＦＴ３０及び走査線３ａ等が形成されている。ＴＦＴ３０は、例えば、ＬＤＤ（Lightly Doped Drain）構造を有しており、ポリシリコン（高純度の多結晶シリコン）等からなる半導体層３０ａと、半導体層３０ａ上に形成されたゲート絶縁層１１ｇと、ゲート絶縁層１１ｇ上に形成されたポリシリコン膜等からなるゲート電極３０ｇとを有する。走査線３ａは、ゲート電極３０ｇとしても機能する。
【００４７】
半導体層３０ａは、例えば、リン（Ｐ）イオン等のＮ型の不純物イオンが注入されることにより、Ｎ型のＴＦＴ３０として形成されている。具体的には、半導体層３０ａは、チャネル領域３０ｃと、データ線側ＬＤＤ領域３０ｓ１と、データ線側ソースドレイン領域３０ｓと、画素電極側ＬＤＤ領域３０ｄ１と、画素電極側ソースドレイン領域３０ｄとを備えている。
【００４８】
チャネル領域３０ｃには、ボロン（Ｂ）イオン等のＰ型の不純物イオンがドープされている。その他の領域（３０ｓ１，３０ｓ，３０ｄ１，３０ｄ）には、リン（Ｐ）イオン等のＮ型の不純物イオンがドープされている。このように、ＴＦＴ３０は、Ｎ型のＴＦＴとして形成されている。
【００４９】
ゲート電極３０ｇ及びゲート絶縁層１１ｇ上には、酸化シリコン等からなる第１層間絶縁層１１ｂが形成されている。第１層間絶縁層１１ｂ上には、容量素子１６が設けられている。具体的には、ＴＦＴ３０の画素電極側ソースドレイン領域３０ｄ及び画素電極２７に電気的に接続された画素電位側容量電極としての第１容量電極１６ａと、固定電位側容量電極としての容量線３ｂ（第２容量電極１６ｂ）の一部とが、誘電体膜１６ｃを介して対向配置されることにより、容量素子１６が形成されている。
【００５０】
誘電体膜１６ｃは、例えば、シリコン窒化膜である。第２容量電極１６ｂ（容量線３ｂ）は、例えば、Ｔｉ（チタン）、Ｃｒ（クロム）、Ｗ（タングステン）、Ｔａ（タンタル）、Ｍｏ（モリブデン）等の高融点金属のうち少なくとも一つを含む、金属単体、合金、金属シリサイド、ポリシリサイド、これらを積層したもの等からなる。或いは、Ａｌ（アルミニウム）膜から形成することも可能である。
【００５１】
第１容量電極１６ａは、例えば、導電性のポリシリコン膜からなり容量素子１６の画素電位側容量電極として機能する。ただし、第１容量電極１６ａは、容量線３ｂと同様に、金属又は合金を含む単一層膜又は多層膜から構成してもよい。第１容量電極１６ａは、画素電位側容量電極としての機能のほか、コンタクトホールＣＮＴ１，ＣＮＴ３，ＣＮＴ４を介して、画素電極２７とＴＦＴ３０の画素電極側ソースドレイン領域３０ｄ（ドレイン領域）とを中継接続する機能を有する。
【００５２】
容量素子１６上には、第２層間絶縁層１１ｃを介してデータ線６ａが形成されている。データ線６ａは、ゲート絶縁層１１ｇ、第１層間絶縁層１１ｂ、誘電体膜１６ｃ、及び第２層間絶縁層１１ｃに開孔されたコンタクトホールＣＮＴ２を介して、半導体層３０ａのデータ線側ソースドレイン領域３０ｓ（ソース領域）に電気的に接続されている。
【００５３】
データ線６ａの上層には、第３層間絶縁層１１ｄを介して画素電極２７が形成されている。第３層間絶縁層１１ｄは、例えば、シリコンの酸化物や窒化物からなり、ＴＦＴ３０が設けられた領域を覆うことによって生じる表面の凸部を平坦化する平坦化処理が施される。平坦化処理の方法としては、例えば化学的機械的研磨処理（Chemical Mechanical Polishing：ＣＭＰ処理）やスピンコート処理などが挙げられる。第３層間絶縁層１１ｄには、コンタクトホールＣＮＴ４が形成されている。
【００５４】
画素電極２７は、コンタクトホールＣＮＴ４，ＣＮＴ３を介して第１容量電極１６ａに接続されることにより、半導体層３０ａの画素電極側ソースドレイン領域３０ｄ（ドレイン領域）に電気的に接続されている。なお、画素電極２７は、例えば、ＩＴＯ膜等の透明導電性膜から形成されている。
【００５５】
画素電極２７及び隣り合う画素電極２７間の第３層間絶縁層１１ｄ上には、酸化シリコン（ＳｉＯ2）などの無機材料を斜方蒸着した配向膜２８が設けられている。配向膜２８の上には、シール材１４（図３及び図４参照）により囲まれた空間に液晶等が封入された液晶層１５が設けられている。
【００５６】
一方、第２基材２０ａ上（液晶層１５側）には、例えば、ＰＳＧ膜（リンをドーピングした酸化シリコン）などからなる絶縁膜３３が設けられている。絶縁膜３３上には、その全面に渡って対向電極３１が設けられている。対向電極３１上には、酸化シリコン（ＳｉＯ2）などの無機材料を斜方蒸着した配向膜３２が設けられている。対向電極３１は、上述の画素電極２７と同様に、例えばＩＴＯ膜等の透明導電性膜からなる。
【００５７】
液晶層１５は、画素電極２７と対向電極３１との間で電界が生じていない状態で配向膜２８，３２によって所定の配向状態をとる。シール材１４は、素子基板１０及び対向基板２０を貼り合わせるための、例えば光硬化性樹脂や熱硬化性樹脂からなる接着剤であり、素子基板１０と対向基板２０の距離を所定値とするためのグラスファイバー或いはガラスビーズ等のスペーサーが混入されている。
【００５８】
＜液晶装置の製造方法＞
図７は、液晶装置の製造方法を工程順に示すフローチャートである。図８〜図１２は、液晶装置の製造方法のうち一部の工程を示す模式図である。以下、液晶装置の製造方法を、図７〜図１２を参照しながら説明する。
【００５９】
最初に、素子基板１０側の製造方法を説明する。まず、ステップＳ１１では、石英基板などからなる第１基材１０ａ上にＴＦＴ３０を形成する。具体的には、まず、第１基材１０ａ上に、アルミニウムなどからなる下側遮光層３ｃ（走査線）を成膜する。その後、周知の成膜技術を用いて、酸化シリコンなどからなる下地絶縁層１１ａを成膜する。
【００６０】
次に、下地絶縁層１１ａ上に、ＴＦＴ３０を形成する。具体的には、周知の成膜技術、フォトリソグラフィ技術、及びエッチング技術を用いて、ＴＦＴ３０を形成する。
【００６１】
ステップＳ１２では、画素電極２７を形成する。製造方法としては、上記と同様に、周知の成膜技術、フォトリソグラフィ技術、及びエッチング技術を用いて、画素電極２７を形成する。
【００６２】
ステップＳ１３では、配向膜２８を形成する。具体的には、画素電極２７などを覆うように配向膜２８を斜方蒸着法により形成する。これにより、素子基板１０の表面に、所定の角度に傾くように柱状に積み重ねられたカラム（図示省略）を有する配向膜２８が形成される。以上により、素子基板１０側が完成する。
【００６３】
次に、対向基板２０側の製造方法を説明する。まず、ステップＳ２１では、ガラス基板等の透光性材料からなる第２基材２０ａ上に、周知の成膜技術、フォトリソグラフィ技術及びエッチング技術を用いて、対向電極３１を形成する。
【００６４】
ステップＳ２２では、対向電極３１上に配向膜３２を形成する。配向膜３２の製造方法は、上記した配向膜２８の場合と同様であり、例えば、斜方蒸着法を用いて形成する。以上により、対向基板２０側が完成する。次に、素子基板１０と対向基板２０とを貼り合わせる方法を説明する。
【００６５】
ステップＳ３１では、素子基板１０上にシール材１４を塗布する。具体的には、例えば、素子基板１０とディスペンサー（吐出装置でも可能）との相対的な位置関係を変化させて、素子基板１０における表示領域Ｅの周縁部に（表示領域Ｅを囲むように）シール材１４を塗布する。
【００６６】
シール材１４としては、例えば、紫外線硬化型エポキシ樹脂が挙げられる。なお、紫外線などの光硬化型樹脂に限定されず、熱硬化型樹脂などを用いるようにしてもよい。また、シール材１４には、例えば、素子基板１０と対向基板２０との間隔（ギャップ或いはセルギャップ）を所定値とするためのスペーサー等のギャップ材が含まれている。
【００６７】
ステップＳ３２では、シール材１４で囲まれた中に液晶を滴下する。詳しくは、シール材１４で囲まれた領域に液晶を滴下する（ＯＤＦ（One Drop Fill）方式）。滴下する方法としては、例えば、インクジェットヘッドなどを用いることができる。また、液晶は、シール材１４によって囲まれた領域（表示領域Ｅ）の中央部に滴下することが望ましい。
【００６８】
ステップＳ３３では、素子基板１０と対向基板２０とを貼り合わせる。具体的には、図８に示すように、第１大型基板５００ａに塗布されたシール材１４（図３、図４参照）を介して第１大型基板５００ａと第２大型基板５００ｂとを貼り合わせる。このときの第１大型基板５００ａには、オリフラ５１１が形成されている。第２大型基板５００ｂには、オリフラ５１１は形成されておらず、ノッチ５１２が形成されている。
【００６９】
ステップＳ３４（切断１）では、大型基板５００（第２大型基板５００ｂ）の一部を切断する。まず、図９（ａ）に示す工程では、ステージ（図示せず）上に大型基板５００を配置する。次に、図９（ｂ）に示す工程では、第２大型基板５００ｂにおけるノッチ５１２を含む領域を切断する。具体的には、平面視で第１大型基板５００ａのオリフラ５１１の端面から張り出す第２大型基板５００ｂの領域を切断する。切断する方法としては、例えば、スクライブ・ブレイク法で行ってもよいし、ダイシング法（ダイサー）で行ってもよい。
【００７０】
図９（ｃ）では、大型基板５００を位置決めする。具体的には、前工程で切断した部分であるオリフラ５１１の端面を、ステージ上に配置された位置決めピン５１３（５１３ａ，５１３ｂ）に押し当てる。位置決めピン５１３は、オリフラ５１１の端面に当たる２本（５１３ａ，５１３ｂ）と、大型基板５００のオリフラ５１１を除く外周端面に当たる１本（５１３ｃ）とが配置されている。この３本の位置決めピン５１３（５１３ａ〜５１３ｃ）に大型基板５００を押し当てることにより、ステージと大型基板５００との位置を正規の位置に決めることができる。
【００７１】
ステップＳ３５（切断２）では、大型基板５００から液晶装置１００を切断する。まず、図１０（ａ）に示す工程では、第２大型基板５００ｂの両面のうち液晶層１５に面しない側の切り込み面５００ｂ１から、第１切り込み部５２１を形成する。
【００７２】
次に、図１０（ｂ）に示す工程では、第１大型基板５００ａの両面のうち液晶層１５に面しない貼り付け面５００ａ１に第１テープ５２２を貼り付ける。第１テープ５２２は、後述する複合基板（５００）をブレイクすることを目的として貼り付けられているため、貼り付け面５００ａ１全体に貼り付けられる。
【００７３】
次に、図１０（ｃ）に示すように、第１テープ５２２の両面のうち貼り付け面５００ａ１に接しない裏面５２２ａの側から第１切り込み部５２１に向かって力Ｆ１を加えることによって、第１切り込み部５２１を起点として、第２大型基板５００ｂの両面のうち液晶層１５に面する側の第１面５００ｂ２まで延びる第１分離面５２３を形成する。即ち、第２大型基板５００ｂは、分離されるようにブレイクされる。
【００７４】
次に、図１１（ａ）に示すように、切り込み面５００ｂ１において、第１分離面５２３とずれた位置から第２大型基板５００ｂにダイシング処理を施すことによって、切り込み面５００ｂ１から第１面５００ｂ２まで延びる第１分離溝５２４を形成する。
【００７５】
第１分離溝５２４は、第１大型基板５００ａの両面のうち液晶層１５に面する側の面を規定する複数の縁のうち外部接続用端子３５が形成されている側の縁に沿って当該縁に重なるように形成される。このように外部接続用端子３５上では、ダイシング処理のみを行なうので、外部接続用端子３５及び外部接続用端子３５に電気的に接続された配線を傷付けることが無い。また、第１切り込み部５２１に沿ってハーフダイシング処理を行なうことにより対向基板２０の外形寸法精度を向上させる。
【００７６】
次に、図１１（ｂ）に示す工程では、第２大型基板５００ｂのうち第１分離面５２３、第１分離溝５２４、及び第１面５００ｂ２に囲まれた部分である小片部５２５を除去する。小片部５２５は、最終的に製造される液晶装置１００において、外部接続用端子３５と重なる部分であるため、当該工程で予め除去しておく。
【００７７】
次に、図１１（ｃ）に示すように、第１テープ５２２を貼り付け面５００ａ１から取り除いた後、切り込み面５００ｂ１に第２テープ５３２を貼り付ける。これにより、切り込み面５００ｂ１側から複合基板（５００）が第２テープ５３２に固定される。尚、第２テープ５３２は、第１テープ５２２と同様に、切り込み面５００ｂ１の全体、より具体的には、上述の小片部５２５が除去された後の切り込み面５００ｂ１全体に貼り付けられているほうが好ましい。
【００７８】
次に、図１２（ａ）に示す工程では、貼り付け面５００ａ１における第１分離溝５２４に対応した位置に第２切り込み部５４１を形成する。
【００７９】
次に、図１２（ｂ）に示す工程では、第２テープ５３２の両面のうち切り込み面５００ｂ１に面しない裏面５３２ａの側から第２切り込み部５４１に向かって力Ｆ２を加えることによって、第２切り込み部５４１を起点として、第１大型基板５００ａの両面のうち液晶層１５に面する側の第２面５００ａ２まで延びる第２分離面５４２を形成する。
【００８０】
第２切り込み部５４１は、第１大型基板５００ａをブレイクする際の起点となる切り込み部である。したがって、第２テープ５３２の両面のうち切り込み面５００ｂ１に面しない裏面５３２ａの側から第２切り込み部５４１に向かって力Ｆ２を加えることによって、第１大型基板５００ａがブレイクされる。
【００８１】
次に、図１２（ｃ）に示すように、相互に分離された複数の液晶装置１００を第２テープ５３２から分離する。複数の液晶装置１００を第２テープ５３２から取り除く際、言い換えれば、第２テープ５３２からはがす際には、ソータ装置等の吸引手段によって複数の液晶装置１００を吸引する。以上により、液晶装置１００が完成する。
【００８２】
＜電子機器の構成＞
次に、上記液晶装置を備えた投射型表示装置について、図１３を参照しながら説明する。図１３は、投射型表示装置の構成を示す概略図である。
【００８３】
図１３に示すように、本実施形態の投射型表示装置１０００は、システム光軸Ｌに沿って配置された偏光照明装置１１００と、光分離素子としての２つのダイクロイックミラー１１０４，１１０５と、３つの反射ミラー１１０６，１１０７，１１０８と、５つのリレーレンズ１２０１，１２０２，１２０３，１２０４，１２０５と、３つの光変調手段としての透過型の液晶ライトバルブ１２１０，１２２０，１２３０と、光合成素子としてのクロスダイクロイックプリズム１２０６と、投射レンズ１２０７とを備えている。
【００８４】
偏光照明装置１１００は、超高圧水銀灯やハロゲンランプなどの白色光源からなる光源としてのランプユニット１１０１と、インテグレーターレンズ１１０２と、偏光変換素子１１０３とから概略構成されている。
【００８５】
ダイクロイックミラー１１０４は、偏光照明装置１１００から射出された偏光光束のうち、赤色光（Ｒ）を反射させ、緑色光（Ｇ）と青色光（Ｂ）とを透過させる。もう１つのダイクロイックミラー１１０５は、ダイクロイックミラー１１０４を透過した緑色光（Ｇ）を反射させ、青色光（Ｂ）を透過させる。
【００８６】
ダイクロイックミラー１１０４で反射した赤色光（Ｒ）は、反射ミラー１１０６で反射した後にリレーレンズ１２０５を経由して液晶ライトバルブ１２１０に入射する。ダイクロイックミラー１１０５で反射した緑色光（Ｇ）は、リレーレンズ１２０４を経由して液晶ライトバルブ１２２０に入射する。ダイクロイックミラー１１０５を透過した青色光（Ｂ）は、３つのリレーレンズ１２０１，１２０２，１２０３と２つの反射ミラー１１０７，１１０８とからなる導光系を経由して液晶ライトバルブ１２３０に入射する。
【００８７】
液晶ライトバルブ１２１０，１２２０，１２３０は、クロスダイクロイックプリズム１２０６の色光ごとの入射面に対してそれぞれ対向配置されている。液晶ライトバルブ１２１０，１２２０，１２３０に入射した色光は、映像情報（映像信号）に基づいて変調されクロスダイクロイックプリズム１２０６に向けて射出される。
【００８８】
このプリズムは、４つの直角プリズムが貼り合わされ、その内面に赤色光を反射する誘電体多層膜と青色光を反射する誘電体多層膜とが十字状に形成されている。これらの誘電体多層膜によって３つの色光が合成されて、カラー画像を表す光が合成される。合成された光は、投射光学系である投射レンズ１２０７によってスクリーン１３００上に投射され、画像が拡大されて表示される。
【００８９】
液晶ライトバルブ１２１０は、上述した液晶装置１００が適用されたものである。液晶装置１００は、色光の入射側と射出側とにおいてクロスニコルに配置された一対の偏光素子の間に隙間を置いて配置されている。他の液晶ライトバルブ１２２０，１２３０も同様である。
【００９０】
このような投射型表示装置１０００に、液晶ライトバルブ１２１０，１２２０，１２３０を用いているので、高い信頼性を得ることができる。
【００９１】
なお、液晶装置１００が搭載される電子機器としては、投射型表示装置１０００の他、ヘッドアップディスプレイ（ＨＵＤ）、ヘッドマウントディスプレイ（ＨＭＤ）、スマートフォン、ＥＶＦ（Electrical View Finder）、モバイルミニプロジェクター、電子ブック、携帯電話、モバイルコンピューター、デジタルカメラ、デジタルビデオカメラ、ディスプレイ、車載機器、オーディオ機器、露光装置や照明機器など各種電子機器に用いることができる。
【００９２】
以上詳述したように、本実施形態の液晶装置１００の製造方法によれば、以下に示す効果が得られる。
【００９３】
（１）本実施形態の液晶装置１００の製造方法によれば、第１大型基板５００ａから張り出す、第２大型基板５００ｂのノッチ５１２を含む領域を切断するので、オリフラ５１１が設けられた第１大型基板５００ａの形状と略同様の形状にすることが可能となる。よって、第１大型基板５００ａのオリフラ５１１の端面を基準に、貼り合わされた第１大型基板５００ａ及び第２大型基板５００ｂの位置決めをすることができる。言い換えれば、第１大型基板５００ａのオリフラ５１１の端面より張り出す第２大型基板５００ｂの領域に邪魔されることなく、オリフラ５１１の端面を用いて大型基板５００（５００ａ，５００ｂ）の位置決めをすることができる。
【００９４】
なお、本発明の態様は、上記した実施形態に限られるものではなく、請求の範囲及び明細書全体から読み取れる発明の要旨あるいは思想に反しない範囲で適宜変更可能であり、本発明の態様の技術範囲に含まれるものである。また、以下のような形態で実施することもできる。
【００９５】
（変形例１）
上記したように、第１大型基板５００ａのオリフラ５１１から張り出す第２大型基板５００ｂの領域を切断する（オリフラ５１１の端面のラインに合わせて切断する）ことに限定されず、図１４に示すように切断してもよい。図１４は、変形例の液晶装置の製造方法を工程順に示す模式図である。図１４に示す液晶装置１００の製造方法は、上記実施形態と比較して、第２大型基板５００ｂにおいてオリフラ５１１の端面より内側の領域を切断する部分が異なっている。以下、異なる部分について説明する。
【００９６】
図１４（ａ）に示す工程では、ステージ（図示せず）上に大型基板５００を配置する。次に、図１４（ｂ）に示す工程では、第２大型基板５００ｂにおけるノッチ５１２を含む領域を切断する。具体的には、第１大型基板５００ａのオリフラ５１１の端面より大型基板５００の中心側の領域を切断する。図１４（ｃ）では、大型基板５００を位置決めする。具体的には、オリフラ５１１の端面を、ステージ上に配置された位置決めピン５１３（５１３ａ，５１３ｂ）に押し当てる。
【００９７】
この方法によれば、オリフラ５１１の部分において、第２大型基板５００ｂの大きさを、第１大型基板５００ａの形状より小さくするので（オリフラ５１１の端面より内側を切断するので）、切断のばらつきが生じた場合でも、第１大型基板５００ａのオリフラ５１１の端面と位置決めピン５１３ａ，５１３ｂとを確実に当接させることができる。
【００９８】
また、図１５に示すように、上記変形例の大型基板５００を上下反転し、第１大型基板５００ａのオリフラ５１１の端面を位置決めピン５１３に押し当てるようにして位置決めをするようにしてもよい。
【００９９】
（変形例２）
上記したように、第１大型基板５００ａにオリフラ５１１が設けられ、第２大型基板５００ｂにノッチ５１２が設けられていることに限定されず、第１大型基板５００ａにノッチ５１２が設けられ、第２大型基板５００ｂにオリフラ５１１が設けられている形態でもよい。この場合は、オリフラ５１１の端面から張り出す第１大型基板５００ａの領域を切断することにより、位置決めを行うことができる。
【０１００】
（変形例３）
上記したように、透過型の液晶装置１００に限定されず、反射型の液晶装置に本発明を適用するようにしてもよい。
【符号の説明】
【０１０１】
３ａ…走査線、３ｂ…容量線、３ｃ…下側遮光層、ＣＮＴ１〜ＣＮＴ４…コンタクトホール、６ａ…データ線、１０…素子基板、１０ａ…第１基材、１１ａ…下地絶縁層、１１ｂ…第１層間絶縁層、１１ｃ…第２層間絶縁層、１１ｄ…第３層間絶縁層、１１ｇ…ゲート絶縁層、１４…シール材、１５…液晶層、１６…容量素子、１６ａ…第１容量電極、１６ｂ…第２容量電極、１６ｃ…誘電体膜、１８…遮光膜、２０…対向基板、２０ａ…第２基材、２２…データ線駆動回路、２４…走査線駆動回路、２５…検査回路、２６…上下導通部、２７…画素電極、２８，３２…配向膜、２９…配線、３０…ＴＦＴ、３０ａ…半導体層、３０ｃ…チャネル領域、３０ｄ…画素電極側ソースドレイン領域、３０ｄ１…画素電極側ＬＤＤ領域、３０ｇ…ゲート電極、３０ｓ…データ線側ソースドレイン領域、３０ｓ１…データ線側ＬＤＤ領域、３１…対向電極、３３…絶縁膜、３５…外部接続用端子、１００…液晶装置、５００…大型基板、５００ａ…第１基板としての第１大型基板、５００ｂ…第２基板としての第２大型基板、５０１…有効チップ領域、５０２…ダミーチップ領域、５１１…オリフラ、５１２…ノッチ、５１３（５１３ａ，５１３ｂ，５１３ｃ）…位置決めピン、５２１…第１切り込み部、５２２…第１テープ、５２２ａ…裏面、５２３…第１分離面、５２４…第１分離溝、５２５…小片部、５３２…第２テープ、５３２ａ…裏面、５４１…第２切り込み部、５４２…第２分離面、１０００…投射型表示装置、１１００…偏光照明装置、１１０１…ランプユニット、１１０２…インテグレーターレンズ、１１０３…偏光変換素子、１１０４，１１０５…ダイクロイックミラー、１１０６，１１０７，１１０８…反射ミラー、１２０１，１２０２，１２０３，１２０４，１２０５…リレーレンズ、１２０６…クロスダイクロイックプリズム、１２０７…投射レンズ、１２１０，１２２０，１２３０…液晶ライトバルブ、１３００…スクリーン。
【図１】
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【図２】
2015222343.tif 000004
【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
2015222343.tif 000014
【図１３】
2015222343.tif 000015
【図１４】
2015222343.tif 000016
【図１５】
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