(57)【要約】【課題】ウエハの端部の傾斜部を考慮しつつ、液浸領域がウエハエッジを通過する際の液体残りを抑制する点で有利な液浸露光装置を提供する。【解決手段】この液浸露光装置は、基板の周縁１０３を囲むように設置され、基板の平坦部１０１よりも低い高さの表面２１１を有する補助部材２１０を備え、補助部材の表面２１１の高さは、基板の平坦部１０１との間に、基板の端部にその周縁１０３にかけて傾斜するように形成された傾斜部１０２の厚みＨ１の範囲内の段差ｄ１が少なくとも形成される高さである。【選択図】図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
投影光学系と基板との間に液膜を形成した状態で前記基板を露光する液浸露光装置であって、
前記基板の周縁を囲むように設置され、前記基板の平坦部よりも低い高さの表面を有する補助部材を備え、
前記補助部材の表面の高さは、前記基板の平坦部との間に、前記基板の端部にその周縁にかけて傾斜するように形成された傾斜部の厚みの範囲内の段差が少なくとも形成される高さであることを特徴とする液浸露光装置。
【請求項２】
前記段差は、さらに、前記基板上に形成される液膜の厚みの１／４以下であることを特徴とする請求項１に記載の液浸露光装置。
【請求項３】
前記基板の傾斜部の厚みに関する情報を取得する制御部を有することを特徴とする請求項１または請求項２に記載の液浸露光装置。
【請求項４】
前記基板の傾斜部の厚みに関する情報に基づき、前記補助部材の表面と前記基板の平坦部のいずれか一方または両方の高さを調整する調整機構をさらに備えることを特徴とする請求項１ないし請求項３のいずれか１項に記載の液浸露光装置。
【請求項５】
前記基板の周縁と前記補助部材との隙間に浸入した前記液膜を排水する排水手段をさらに有することを特徴とする請求項１ないし請求項４のいずれか１項に記載の液浸露光装置。
【請求項６】
投影光学系と基板との間に液膜を形成した状態で前記基板を露光する露光方法であって、
前記基板の周縁を囲むように設置される補助部材の表面の高さを前記投影光学系側の前記基板の平坦部よりも低く設定する工程と、
前記補助部材の表面の高さは、前記基板の平坦部との間に、前記基板の端部にその周縁に向けて傾斜するように形成された傾斜部の厚みの範囲内の段差が少なくとも形成される高さに調整する工程と、を含むことを特徴とする露光方法。
【請求項７】
請求項１ないし６いずれか１項に記載の液浸露光装置を用いて基板を露光する工程と、
その露光した基板を現像する工程と、
を含むことを特徴とするデバイスの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、液浸露光装置、露光方法、およびそれを用いたデバイスの製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
フォトリソグラフィー技術を用いて半導体メモリや論理回路などの微細な半導体素子を製造する露光装置として、縮小投影型露光装置が知られている。近年、半導体素子の微細化に伴い、高い解像力を有する縮小投影型露光装置として液浸露光装置がある。このような液浸露光装置として、特許文献１は、投影光学系の最終レンズ面と基板との間の液浸領域を局所的に液体で満たし、投影光学系および液体を介して原版のパターンを基板に投影して基板を露光するローカルフィル方式の液浸露光装置を開示している。
【０００３】
ローカルフィル方式の液浸露光装置の場合、ウエハエッジ周辺を露光する際、液浸領域がウエハ表面を越え、その外側にあるウエハステージ上にまで達すると、液膜を保持することができず、液体が流出することがある。そこで、ウエハエッジ周辺を露光する際にも液体が流出することなく液浸領域を保持するため、通常の液浸露光装置は、ウエハステージ上にウエハエッジを囲むように補助部材を配置する。ここで、補助部材の上面とウエハの平坦部との高さによっては、液浸領域がウエハエッジを通過する際、補助部材とウエハとのうち高さが高いものの端部に液膜の一部が当たり易くなる。このように液膜がいずれかの端部に当たると、ウエハと補助部材の隙間に液膜が入り込んで分裂する可能性があり、その隙間だけでなく、ウエハと補助部材の表面にも液体残りが発生するおそれがある。この液体残りは、さらにウエハ表面にウォーターマークを、またステージ移動時にはステージ外への液体飛散などを発生させ、露光性能の低下やマシントラブルの原因となり得る。また、この液体残りは、ウエハステージの移動速度が上昇するにつれ発生しやすくなるため、ステージの移動速度を上げることができず、スループットが低下し得る。そこで、特許文献２は、その補助部材の上面とウエハの上面が同じ高さになるように調整する液浸露光装置を開示している。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】国際公開第９９／４９５０４号
【特許文献２】特開２００５−２０３６８１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、半導体用ウエハの端部には、べべリング等の面取り加工により、ウエハエッジにかけて傾斜する傾斜部が形成されており、ウエハ表面（上面）の高さは、ウエハエッジまで考えれば同一ではない。しかも、ウエハエッジは補助部材の内壁に近い部分であり、上述したような液膜の衝突が起こりやすい部分である。ところが、特許文献２のように従来は、このようなウエハエッジまでは考慮されていなかった。このため、もし従来のようにウエハの平坦部と補助部材の上面の高さを同一にすると、ウエハ表面の高さは、ウエハの平坦部からウエハエッジにかけて傾斜した分だけ、補助部材の内壁付近において補助部材の表面より低くなる。そのため、かえって補助部材の内壁端部に液膜が衝突し易くなり、液体残りが発生する可能性が高くなる。
【０００６】
本発明は、このような状況を鑑みてなされたものであり、例えば、ウエハの端部の傾斜部を考慮しつつ、液浸領域がウエハエッジを通過する際の液体残りを抑制する点で有利な液浸露光装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上記課題を解決するために、本発明は、投影光学系と基板との間に液膜を形成した状態で基板を露光する液浸露光装置であって、基板の周縁を囲むように設置され、基板の平坦部よりも低い高さの表面を有する補助部材を備え、補助部材の表面の高さは、基板の平坦部との間に、基板の端部にその周縁にかけて傾斜するように形成された傾斜部の厚みの範囲内の段差が少なくとも形成される高さである、ことを特徴とする。
【発明の効果】
【０００８】
本発明によれば、例えば、ウエハの端部の傾斜部を考慮しつつ、液浸領域がウエハエッジを通過する際の液体残りを抑制する点で有利な液浸露光装置を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【０００９】
【図１】本発明の一実施形態に係る液浸露光装置の概略構成を示す図である。
【図２】本発明の第１実施形態に係るウエハエッジ近傍の構成を示す図である。
【図３】比較例に係るウエハエッジ近傍の構成を示す図である。
【図４】本発明の第２実施形態に係る露光前の流れを示すフローチャートである。
【図５】本発明の第３実施形態に係るウエハエッジ近傍の構成を示す図である。
【図６】本発明の第３実施形態に係る露光前の流れを示すフローチャートである。
【発明を実施するための形態】
【００１０】
以下、本発明を実施するための形態について図面などを参照して説明する。
【００１１】
（第１実施形態）
まず、本発明の第１実施形態に係る液浸露光装置１の構成について説明する。図１は、本実施形態に係る液浸露光装置１の構成を示す概略図である。この液浸露光装置１は、一例として、半導体デバイスの製造工程に使用される、ステップ・アンド・スキャン方式とするが、その他の露光方式、例えば、ステップ・アンド・リピート方式の液浸露光装置にも適用することができる。液浸露光装置１は、投影光学系３０の最終面とウエハ１００との間の空間（液浸領域）に液体（液浸液）を供給し、液膜５０を形成した状態で、レチクル（原版）２１に形成されているパターン（例えば、回路パターン）をウエハ１００上（基板上）に露光転写する。ステップ・アンド・スキャン方式の液浸露光装置１では、レチクル２１を保持しているレチクルステージ（原版ステージ）２２とウエハ（基板）１００を保持しているウエハステージ（基板ステージ）２００が、一方が他方に同期しながら移動する。このような同期を通して、結果として、レチクル２１上のパターン全体が投影光学系３０を介してウエハ１００上に連続的に結像し、ウエハ１００表面に塗布されたレジストを感光させる。なお、図１では、鉛直方向であるＺ軸に垂直な平面内で露光時のレチクル２１およびウエハ１００の走査方向にＹ軸を取り、該Ｙ軸に直交する非走査方向にＸ軸を取っている。そして、本実施形態では、Ｚ軸と投影光学系３０の光軸とが平行である。この液浸露光装置１は、照明光学系１０と、レチクルステージ２２と、投影光学系３０と、ウエハステージ２００と、液体供給装置４１と、液体／気体回収装置４２、液浸露光装置１の各構成要素の動作などを制御する制御部６０とを備える。
【００１２】
照明光学系１０は、例えば、レンズ、ミラー、ライトインテグレーター、または絞りなどの光学素子を含み、不図示の光源から照射された光をスリット状に調整し、均一な照度分布の露光光でレチクル２１上の所定の照明領域を照明する。光源としては、水銀ランプの他に、例えば、ＫｒＦエキシマレ−ザーや、さらに短波長のＡｒＦエキシマレ−ザーやＦ２レ−ザーを照射する光源とし得る。
【００１３】
レチクルステージ２２は、レチクル２１を保持し、Ｘ、Ｙ軸方向へ移動可能、およびθＺ方向に微小回転可能とする。ただし、レチクルステージ２２は、１軸駆動から６軸駆動までのいずれの駆動を行うものでもよい。レチクルステージ２２は、リニアモーターなどの駆動装置（不図示）により駆動され、この駆動は、制御部６０により制御される。
【００１４】
投影光学系３０は、レチクル２１のレチクルパターンを所定の投影倍率でウエハ１００上に投影する。投影光学系３０は、複数のレンズ素子からなる屈折光学系、複数のレンズ素子と少なくとも１枚のミラー素子を有する反射屈折光学系などを使用することができる。液浸露光装置１は、投影光学系３０の最もウエハ１００側に配置された最終レンズ（光学素子）とウエハ１００との間の液浸領域に液膜５０を形成した状態で、ウエハ１００を露光する。
【００１５】
ウエハステージ２００は、定盤上に配置され、ウエハホルダ１１０を介してウエハ１００を保持し、リニアモーターなどの駆動装置（不図示）により、Ｘ、Ｙ、Ｚ軸方向へ移動可能とし、かつθＸ、θＹ、θＺ方向に微小回転可能とする。被露光体であるウエハ１００にはフォトレジストおよびトップコート等が塗布される。ウエハステージ２００のウエハ１００の周辺部分には、撥水性の高い平坦部を有する補助部材２１０が配置されている。ウエハ１００の周辺に補助部材２１０を配置することにより、液膜５０の液体のウエハステージ２００への流出を抑えている。
【００１６】
液体供給装置４１は、液浸領域に液体を供給する装置であり、例えば、液体を貯めるタンク、液体を送り出す圧送装置、液体の供給流量の制御を行う流量制御装置を含み得る。液体供給装置４１には、さらに、液体の供給温度を制御するための温度制御装置を含むことが好ましい。液体／気体回収装置４２は、液浸領域の液体およびその周囲の気体を回収する装置である。液体／気体回収装置４２は、例えば、回収した液体と気体を分離し、液体を一時的に貯めるタンクと、液体および気体を吸い取る吸引装置と、液体および気体の回収流量を制御する流量制御装置とを含み得る。液浸領域に液体が満たされた状態の場合、液体は、液体供給装置４１により供給され続けると共に、液体／気体回収装置４２により回収され続ける。そのため、図１に示すように、液浸領域の液体は、液浸領域外に流出することはない。
【００１７】
本実施形態の液浸露光装置１において、液膜５０を形成する液体は、露光光の吸収が少ない液体物質が好ましい。具体的には、例えば、純水、機能水、フッ化液（例えば、フルオロカーボン）などが採用され得る。
【００１８】
制御部６０は、例えばコンピュータなどで構成され、液浸露光装置１の各構成要素に回線を介して接続され、プログラムなどにしたがって各構成要素の制御を実行し得る。なお、制御部６０は、液浸露光装置１の他の部分と一体で構成してもよいし、液浸露光装置１の他の部分とは別の場所に設置してもよい。
【００１９】
次に、本実施形態における補助部材２１０の構成について説明する。図２は、本実施形態に係る液浸露光装置１のウエハエッジ１０３近傍の構成を示す概略図である。図２に示すように、半導体製造に使用されるウエハは、定められた規格によりウエハの端部に、ウエハエッジ（ウエハの周縁）１０３にかけて傾斜する傾斜部１０２（例えば、べベル部）を有する。そのため、水平面にウエハを置いた場合、ウエハエッジ１０３とウエハ平坦部１０１では高さが異なる。例えば、半導体用３００ｍｍウエハのウエハエッジ１０３の高さは、その平坦部１０１に対し垂直方向に、約７０〜２５０μｍ低い。ここで、ウエハ平坦部とは、ウエハ表面のうち、傾斜部１０２以外の部分を指す。平坦部１０１は、傾斜部１０２に対して、基板の中心部側に位置する。
【００２０】
図２に示すように、本実施形態において補助部材２１０は、ウエハ平坦部１０１よりも投影光学系３０からＺ軸方向に離れた状態である。補助部材２１０の高さは、ウエハ平坦部１０１と補助部材の上面（表面）２１１とによる段差をｄ１とし、ウエハエッジ１０３から平坦部１０１までの傾斜部１０２の厚み（高さ）をＨ１とした際、段差ｄ１が厚みＨ１以下の範囲となるよう設置される。例えば、傾斜部１０２がウエハエッジ１０３から平坦部１０１にかけて３５０μｍ存在し、ウエハエッジ１０３の高さが平坦部１０１に対するＺ軸方向に１５０μｍ低いウエハを用いた場合を想定する。この場合には、ウエハ平坦部１０１と補助部材の上面２１１による段差ｄ１が１５０μｍ程度となるよう補助部材２１０を設置する。
【００２１】
このように、本実施形態の液浸露光装置１は、ウエハの端部に形成される傾斜部１０２を考慮して、補助部材２１０とウエハ平坦部１０１に、積極的に傾斜部１０２の厚みＨ１の範囲内の段差ｄ１を設けている。この構成により、液膜の衝突が起こり易い傾斜部１０２と補助部材の上面２１１との間に発生する凹凸を抑制することができ、液膜５０を滑らかに移動させ、液浸領域がウエハエッジを通過する際の液体残りを抑制することができる。なお、ウエハ１００と補助部材２１０との間に段差が形成されることによる液体流出、圧力変動等の可能性も本発明の構成における段差範囲ならば非常に軽微である。
【００２２】
ここで、このような本実施形態の効果を、ウエハの端部に形成される傾斜部１０２を考慮せずに、補助部材の上面２１１とウエハ平坦部１０１を同じ高さにした場合についての比較例と比較しながらより詳細に説明する。図３は、本実施形態の比較例におけるウエハエッジ１０３近傍の構成を示す図である。なお、図３において、図２に示す第１実施形態に係るウエハエッジ１０３近傍の構成要素と同一構成のものには同一の符号を付し、説明を省略する。図３に示すように、補助部材の上面２１１とウエハ平坦部１０１の高さを同じにすると、傾斜部１０２が形成されるウエハエッジ１０３付近についてはかえって、補助部材２１０に対して部分的に高さが低くなる。このようにウエハエッジ１０３とウエハ平坦部１０１では高さが異なるので、補助部材２１０とウエハエッジ１０３との高さに差が生じる。このため、ウエハエッジ１０３周辺を露光する際、液膜５０がウエハ平坦部１０１からウエハエッジ１０３周辺に移動すると、この凹凸によって液膜５０が補助部材２１０の内壁端部ｂに衝突し易くなる。
【００２３】
これに対して、本実施形態によれば図２に示すように、補助部材２１０とウエハ平坦部１０１を、同じ高さにするのではなく、傾斜部１０２を考慮して、むしろ積極的にウエハの端部に形成される傾斜部１０２の厚みＨ１の範囲内の段差ｄ１を設けている。この構成により、傾斜部１０２で低くなるウエハ１００の高さを補うことができる（図２では、ウエハ平坦部１０１の高さが図３よりも段差の分だけ高くなっている）。そのため、液膜の衝突が起こり易い傾斜部１０２と補助部材の上面２１１との間に発生する凹凸を抑制することができ、液膜５０を滑らかに移動させ、液浸領域がウエハエッジを通過する際の液体残りを抑制することができる。
【００２４】
なお、本実施形態においては、ウエハ１００の高さに合わせて補助部材２１０の高さを定め、液膜５０の分裂を抑制する構成を説明したが、さらに、ウエハ１００と補助部材２１０の間に形成される隙間に排水手段１２０を設けてもよい。ウエハ１００と補助部材２１０との間を液膜５０が通過する際、この隙間に液体が存在すると、液膜５０が隙間に引き込まれやすくなり、液膜５０のＸＹ軸方向への移動に影響を与える可能性がある。さらに、ウエハステージ２００が高速移動する際には、この隙間に液体が存在すると、隙間から液体が飛び出し、ウエハ１００および補助部材２１０の表面に液体残りを発生させ、ウエハステージ２００外にまで液体が飛散する可能性がある。そこで、排水手段１２０を設置することにより、ウエハ１００と補助部材２１０の間に形成される隙間に浸入した液体を回収させることが可能となる。
【００２５】
さらに、本実施形態においては、ウエハ１００の高さに合わせて補助部材２１０の高さを定め、液膜５０の分裂を抑制する構成を説明したが、さらに、液膜５０の厚さに合わせて、補助部材２１０の高さを定める構成としてもよい。投影光学系３０とウエハ１００の間の間隙に応じて液膜５０の厚みが変わることがあり、その液膜５０の厚みに応じて、分裂し易さが変化する。そこで、補助部材２１０とウエハ１００とで形成される段差を液膜５０の厚みの１／４以下に設定することにより、液膜５０に余分な乱れが加わることなく、液膜５０がウエハ１００と補助部材２１０との間を移動することができる。
【００２６】
また、本発明は、本実施形態に限定されるものではなく、例えば、ウエハ１００の高さを計測する計測装置７０を設けてもよい。また、上記実施形態においては、補助部材２１０とウエハ１００の高さを両方とも固定した構成を説明したが、計測装置７０により測定した計測結果を使用してウエハ１００や補助部材２１０の高さや傾きを変更する調整機構３００を設置してもよい。この場合、個々のウエハに合わせて高さを調整することができるという効果があり、詳細については後述する。
【００２７】
（第２実施形態）
次に、本発明の第２実施形態に係る液浸露光装置１について説明する。本実施形態の液浸露光装置１の特徴は、上述したようにウエハエッジ１０３に形成される投影光学系側の傾斜部１０２の厚みＨ１および段差ｄ１を計測する計測装置７０を備える点にある。なお、本実施形態において、図２に示す第１実施形態に係るウエハエッジ１０３近傍の構成要素と同一構成のものには同一の符号を付し、説明を省略する。本実施形態で使用される計測装置は、例えば、レーザー反射型変位センサなどであり、ウエハエッジの形状を測定することにより、傾斜部１０２の厚みＨ１および段差ｄ１を求めることができる。
【００２８】
次に、本実施形態における液浸露光装置１の制御部６０の動作について説明する。図４は、本実施形態に係る露光前の流れを示すフローチャートである。まず、図４に示すように本実施形態に係る液浸露光装置１の制御部６０は、ウエハステージ２００上にウエハ１００を搭載して、計測装置７０を用いて厚みＨ１および段差ｄ１を計測し、高さ情報を取得する（ステップＳ３０１）。次に、制御部６０は、高さ情報を用いて、段差ｄ１が厚みＨ１以下の範囲にあるかどうか判断する（ステップＳ３０２）。制御部６０が、範囲外であると判断した場合には（ＮＯ）、制御部６０は、ウエハステージ２００に搭載されているウエハ１００をウエハステージ２００から引き下げる（ステップＳ３０３）。制御部６０が、範囲内であると判断した場合には（ＹＥＳ）、制御部６０は、当該ウエハ１００に対し露光シークエンスを実行する（ステップＳ３０４）。この構成により、液浸露光装置１は、計測装置７０の計測結果に基づき、傾斜部１０２の厚みＨ１と段差ｄ１との関係を満たさないウエハ１００を露光シーケンスに移る前に除去することができ、本実施形態は、第１実施形態同様の効果を有し得る。
【００２９】
なお、本実施形態においては、液浸露光装置１内に計測装置７０を備える構成としたが、装置外に計測装置を備える構成であってもよく、その場合、制御部６０が外部の計測装置から計測結果を取得し、傾斜部１０２の厚みＨ１と段差ｄ１とを比較する。
【００３０】
（第３実施形態）
次に、本発明の第３実施形態に係る液浸露光装置１について説明する。本実施形態における液浸露光装置１の特徴は、上述したように、ウエハホルダ１１０もしくは補助部材２１０の高さを調整できる調整機構３００を有する点にある。図５は、本実施形態における液浸露光装置１のウエハエッジ１０３近傍の構成を示す概略図である。なお、図５において、図２に示す第１実施形態および第２実施形態に係る構成要素と同一構成のものには同一の符号を付し、説明を省略する。本実施形態における液浸露光装置１は、第１および第２実施形態に記載の構成に加え、ウエハステージ２００とウエハホルダ１１０との間、およびウエハステージ２００と補助部材２１０との間に調整機構３００を有する。調整機構（アクチュエータ）３００は、計測装置７０の計測結果に基づき、ウエハホルダ１１０および補助部材２１０のＺ軸方向の高さおよび傾きを調整する。ここで、本実施形態において、調整機構３００は、ウエハホルダ１１０および補助部材２１０の底面両方に備えられる構成としたが、少なくともどちらか一方の高さおよび傾きを調整可能に設置されていてもよい。また、本実施形態においては、補助部材２１０側に１つ、ウエハ１００側に２つの調整機構３００を配置した構成としたが、調整機構３００の数は、１つであっても複数であってもよい。また、本実施形態においては、排水手段１２０を備える液浸露光装置１を説明するが、第１実施形態同様、排水手段１２０を含まない構成であってもよい。
【００３１】
次に、本実施形態における液浸露光装置１の制御部６０の動作について説明する。図６は、本実施形態に係る露光前の流れを示すフローチャートである。まず、図６に示すように本実施形態に係る液浸露光装置１の制御部６０は、ウエハステージ２００上にウエハ１００を搭載して、計測装置７０を用いて厚みＨ１および段差ｄ１を計測し、高さ情報を取得する（ステップＳ５０１）。制御部６０は、高さ情報を用いて、段差ｄ１が厚みＨ１以下の範囲にあるかどうか判断する（ステップＳ５０２）。制御部６０が、範囲外であると判断した場合には（ＮＯ）、制御部６０は、調整機構３００を作動させ、ウエハ１００および補助部材２１０の高さおよび傾きをｄ１≦Ｈ１の関係を満たすよう調整させる（ステップＳ５０３）。制御部６０が、範囲内であると判断した場合（ＹＥＳ）、およびステップＳ５０３により厚みＨ１および段差ｄ１の関係が満たされた場合、制御部６０は、当該ウエハ１００に対し露光シークエンスを実行する（ステップＳ５０４）。この構成により、本実施形態における液浸露光装置１は、どのような厚さのウエハを搭載したとしても計測装置７０の計測結果を用いて、傾斜部１０２の厚みＨ１と段差ｄ１との関係を満たすよう高さ調整をすることができる。従って、本実施形態は、第１実施形態同様の効果を有し得る。
【００３２】
（第４実施形態）
次に、本発明の第４実施形態に係る液浸露光装置１について説明する。第１実施形態においては、ウエハ１００の高さに合わせて補助部材２１０の高さを設定する構成を説明したが、本実施形態における液浸露光装置１の特徴は、ウエハの厚みのばらつきを考慮して補助部材２１０の高さを設定する点にある。なお、本実施形態においても、前述の実施形態に係る構成要素と同一構成のものには同一の符号を付し、説明を省略する。先に記載したように、半導体ウエハの形状には定められた規格があり、ウエハの厚みに関しては、０．０２５ｍｍのばらつきを有している。そのため、図２に示すように最小となる段差ｄ１を０．０２５ｍｍとなるように予めウエハホルダ１１０と補助部材２１０の段差ｄ２を構成する。段差ｄ２は、ウエハ１００の厚みＨ２から傾斜部１０２の厚みＨ１を差し引いた長さ以上であり、且つ、ウエハ１００の厚みＨ２以下となるよう設定する。具体的には、段差ｄ２は、Ｈ２−Ｈ１≦ｄ２≦Ｈ２の関係を満たす。この関係により、本実施形態においても、ウエハの端部に形成される傾斜部１０２を考慮した、傾斜部１０２の厚みＨ１の範囲内の段差ｄ１が、補助部材２１０とウエハ平坦部１０１に形成される。そのため、例えば、異なるロットのウエハ１００を使用して露光処理を行う場合においても、ウエハ１００や補助部材２１０の高さを調整することなく、液膜５０を滑らかに移動させ、液浸領域がウエハエッジを通過する際の液体残りを抑制することができる。
【００３３】
（デバイスの製造方法）
次に、本発明の一実施形態のデバイス（半導体デバイス、液晶表示デバイスなど）の製造方法について説明する。半導体デバイスは、ウエハに集積回路を作る前工程と、前工程で作られたウエハ上の集積回路チップを製品として完成させる後工程を経ることにより製造される。前工程は、前述の露光装置を使用して感光剤が塗布されたウエハを露光する工程と、ウエハを現像する工程を含む。後工程は、アッセンブリ工程（ダイシング、ボンディング）と、パッケージング工程（封入）を含む。液晶表示デバイスは、透明電極を形成する工程を経ることにより製造される。透明電極を形成する工程は、透明導電膜が蒸着されたガラス基板に感光剤を塗布する工程と、前述の露光装置を使用して感光剤が塗布されたガラス基板を露光する工程と、ガラス基板を現像する工程を含む。本実施形態のデバイス製造方法によれば、従来よりも高品位のデバイスを製造することができる。
【００３４】
以上、本発明の好ましい実施形態について説明したが、本発明は、これらの実施形態に限定されず、その要旨の範囲内で種々の変形および変更が可能である。
【符号の説明】
【００３５】
３０    投影光学系
１０１  ウエハ平坦部
１０２  傾斜部
１０３  ウエハエッジ
２１０  補助部材
２１１  補助部材の表面
Ｈ１  傾斜部の厚み
ｄ１  段差
【図１】
2015170799.tif 000003
【図２】
2015170799.tif 000004
【図３】
2015170799.tif 000005
【図４】
2015170799.tif 000006
【図５】
2015170799.tif 000007
【図６】
2015170799.tif 000008