(57)【要約】【課題】より自由に発光領域を配置できる表示装置およびこの製造方法、並びに電子機器を提供することにある。【解決手段】駆動配線と、前記駆動配線を覆うとともに、接続孔を有する平坦化層と、前記平坦化層上に設けられ、前記接続孔を介して前記駆動配線に電気的に接続された中継電極と、絶縁材料からなり、前記接続孔に設けられた穴埋め部材と、前記穴埋め部材と同一材料により構成されるとともに、前記中継電極の端部を覆う第１隔壁と、前記穴埋め部材を覆い、前記中継電極に電気的に接続された第１電極と、前記第１電極に対向する第２電極と、前記第１電極と前記第２電極との間の発光層を含む機能層とを備えた表示装置。【選択図】図１
2015149194.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
駆動配線と、
前記駆動配線を覆うとともに、接続孔を有する平坦化層と、
前記平坦化層上に設けられ、前記接続孔を介して前記駆動配線に電気的に接続された中継電極と、
絶縁材料からなり、前記接続孔に設けられた穴埋め部材と、
前記穴埋め部材と同一材料により構成されるとともに、前記中継電極の端部を覆う第１隔壁と、
前記穴埋め部材を覆い、前記中継電極に電気的に接続された第１電極と、
前記第１電極に対向する第２電極と、
前記第１電極と前記第２電極との間の発光層を含む機能層と
を備えた表示装置。
【請求項２】
前記穴埋め部材は前記接続孔を塞いでいる
請求項１に記載の表示装置。
【請求項３】
前記第１隔壁は、前記第１電極の端部も覆っている
請求項１に記載の表示装置。
【請求項４】
前記第１電極は、平面視で前記中継電極よりも広い領域にわたって延在している
請求項１に記載の表示装置。
【請求項５】
前記第１電極は、前記第１隔壁の側面を覆っている
請求項１に記載の表示装置。
【請求項６】
前記第１電極の端部を覆う第２隔壁を有する
請求項５に記載の表示装置。
【請求項７】
前記第１隔壁の側面に第１反射部材を有する
請求項１に記載の表示装置。
【請求項８】
前記穴埋め部材と同一材料により構成されるとともに、前記中継電極の一部を覆う第３隔壁を有する
請求項１に記載の表示装置。
【請求項９】
前記第１電極は前記第３隔壁を覆っている
請求項８に記載の表示装置。
【請求項１０】
複数の前記第３隔壁が、互いに間隙を有するように設けられている。
請求項８に記載の表示装置。
【請求項１１】
前記第３隔壁の側面に第２反射部材を有する
請求項８に記載の表示装置。
【請求項１２】
前記第１電極は光反射性材料を含み、
前記第２電極は光透過性材料を含んでいる
請求項１に記載の表示装置。
【請求項１３】
前記中継電極は光反射性材料を含み、
前記第１電極および前記第２電極は光透過性材料を含んでいる
請求項１に記載の表示装置。
【請求項１４】
前記駆動配線、前記中継電極および前記第１電極は光透過性材料を含み、
前記第２電極は光反射性材料を含んでいる
請求項１に記載の表示装置。
【請求項１５】
一つの前記中継電極が、複数の前記接続孔で前記駆動配線に電気的に接続されている
請求項１に記載の表示装置。
【請求項１６】
前記第１電極の厚みは、前記中継電極の厚みよりも小さい
請求項１に記載の表示装置。
【請求項１７】
前記穴埋め部材と前記第１隔壁とが接している
請求項１に記載の表示装置。
【請求項１８】
前記機能層は有機層である
請求項１に記載の表示装置。
【請求項１９】
表示装置を備え、
前記表示装置は、
駆動配線と、
前記駆動配線を覆うとともに、接続孔を有する平坦化層と、
前記平坦化層上に設けられ、前記接続孔を介して前記駆動配線に電気的に接続された中継電極と、
絶縁材料からなり、前記接続孔に設けられた穴埋め部材と、
前記穴埋め部材と同一材料により構成されるとともに、前記中継電極の端部を覆う第１隔壁と、
前記穴埋め部材を覆い、前記中継電極に電気的に接続された第１電極と、
前記第１電極に対向する第２電極と、
前記第１電極と前記第２電極との間の発光層を含む機能層とを含む
電子機器。
【請求項２０】
駆動配線を形成することと、
前記駆動配線を覆う平坦化層を成膜した後、前記平坦化層に接続孔を形成することと、
前記平坦化層上に中継電極を形成するとともに、前記接続孔を介して前記中継電極を前記駆動配線に電気的に接続することと、
前記接続孔に、絶縁材料からなる穴埋め部材を形成するととともに、前記中継電極の端部を覆う第１隔壁を、前記穴埋め部材と同一材料を用いて形成することと、
前記穴埋め部材を覆うように第１電極を形成するとともに、前記第１電極を前記中継電極に電気的に接続することと、
前記第１電極上に、発光層を含む機能層および第２電極をこの順に形成することと
を含む表示装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本技術は、例えば有機層等の機能層を有する表示装置およびその製造方法、並びに電子機器に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、モバイル用ディスプレイでは、高精細化への要求が高まっている。有機電界発光（Organic Electroluminescence）素子を用いたディスプレイは、自発光型であるので視野角が広く、消費電力が低いという特性を有しており、モバイル用ディスプレイへの適用も期待されている。
【０００３】
有機電界発光素子の構成としては、例えば第１電極，発光層を含む有機層および第２電極を順に積層したものが知られている（例えば、特許文献１参照）。第１電極は素子ごとに分離して設けられており、隣り合う第１電極の間の領域には絶縁膜からなる隔壁が設けられる。第１電極の下層には、トランジスタ等の駆動素子と駆動素子を覆う平坦化層とが配置され、駆動素子と第１電極とは平坦化層に設けられた接続孔を介して接続されている。この接続孔は、平面視で隔壁と重なる位置、即ち非発光領域に配置される（例えば、特許文献２参照）。換言すれば、接続孔を形成した領域を避けて発光領域が設けられる。接続孔に起因した段差が、有機電界発光素子の発光に影響を及ぼすためである。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００８−１３０３６３号公報
【特許文献２】特開２００１−１４８２９１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
このように、接続孔を形成する位置により発光領域の配置が制限されると、画素面積に対する発光領域の比が小さくなる。あるいは、画素面積自体が大きくなり、高精細化が困難となる。
【０００６】
本技術はかかる問題点に鑑みてなされたもので、その目的は、より自由に発光領域を配置することが可能な表示装置およびその製造方法、並びに電子機器を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本技術による表示装置は、駆動配線と、駆動配線を覆うとともに、接続孔を有する平坦化層と、平坦化層上に設けられ、接続孔を介して駆動配線に電気的に接続された中継電極と、絶縁材料からなり、接続孔に設けられた穴埋め部材と、穴埋め部材と同一材料により構成されるとともに、中継電極の端部を覆う第１隔壁と、穴埋め部材を覆い、中継電極に電気的に接続された第１電極と、第１電極に対向する第２電極と、第１電極と第２電極との間の発光層を含む機能層とを備えたものである。
【０００８】
本技術による電子機器は、上記表示装置を備えたものである。
【０００９】
本技術の表示装置または電子機器では、平坦化層の接続孔に穴埋め部材が設けられているので、接続孔に起因する段差の大きさが小さくなる。この穴埋め部材を覆う位置に第１電極、機能層および第２電極が積層されている。
【００１０】
本技術の表示装置の製造方法は、駆動配線を形成することと、駆動配線を覆う平坦化層を成膜した後、平坦化層に接続孔を形成することと、平坦化層上に中継電極を形成するとともに、接続孔を介して中継電極を駆動配線に電気的に接続することと、接続孔に、絶縁材料からなる穴埋め部材を形成するととともに、中継電極の端部を覆う第１隔壁を、穴埋め部材と同一材料を用いて形成することと、穴埋め部材を覆うように第１電極を形成するとともに、第１電極を中継電極に電気的に接続することと、第１電極上に、発光層を含む機能層および第２電極をこの順に形成することとを含むものである。
【００１１】
本技術の表示装置の製造方法では、接続孔に、絶縁材料からなる穴埋め部材を形成するので、接続孔に起因する段差の大きさが小さくなる。この穴埋め部材上に第１電極、機能層および第２電極をこの順に設けることにより、発光領域が形成される。
【発明の効果】
【００１２】
本技術の表示装置およびその製造方法、並びに電子機器によれば、接続孔に起因する段差の大きさを小さくするようにしたので、接続孔と平面視で重なる位置に発光領域を設けることができる。よって、より自由に発光領域を配置することが可能となる。なお、ここに記載された効果は必ずしも限定されるものではなく、本開示中に記載されたいずれの効果であってもよい。
【図面の簡単な説明】
【００１３】
【図１】本技術の第１の実施の形態に係る表示装置の構成を表す断面図である。
【図２】図１に示した表示装置の全体構成を表す図である。
【図３】図２に示した画素駆動回路の一例を表す図である。
【図４】図１に示した有機発光素子の発光領域を表す図である。
【図５Ａ】図１に示した表示装置の製造工程を表す断面図である。
【図５Ｂ】図５Ａに続く工程を表す断面図である。
【図５Ｃ】図５Ｂに続く工程を表す断面図である。
【図６Ａ】図５Ｃに続く工程を表す断面図である。
【図６Ｂ】図６Ａに続く工程を表す断面図である。
【図７】比較例１に係る表示装置の構成を表す図である。
【図８】比較例２に係る表示装置の構成を表す図である。
【図９】図８に示した接続孔近傍の詳細な構成を表す断面図である。
【図１０】図１に示した表示装置の画素領域について説明するための図である。
【図１１】図１に示した表示装置の発光領域について説明するための図である。
【図１２】発光領域の大きさと輝度劣化との関係を表す図である。
【図１３】変形例１に係る表示装置の構成を表す断面図である。
【図１４】変形例２に係る表示装置の構成を表す断面図である。
【図１５】変形例３に係る表示装置の構成を表す断面図である。
【図１６】変形例４に係る表示装置の構成を表す断面図である。
【図１７】変形例５に係る表示装置の構成を表す断面図である。
【図１８】図１７に示した表示装置における発光の様子を表す断面図である。
【図１９】混色が生じる場合について説明するための断面図である。
【図２０】図１７に示した表示装置の他の例を表す断面図である。
【図２１】本技術の第２の実施の形態に係る表示装置の要部の構成を表す図である。
【図２２】図２１に示した表示装置における発光の様子を表す断面図である。
【図２３】変形例６に係る表示装置の構成を表す断面図である。
【図２４】図２３に示した穴埋め部材の他の例を表す断面図である。
【図２５】変形例７に係る表示装置の構成を表す断面図である。
【図２６】本技術の第３の実施の形態に係る表示装置の要部の構成を表す図である。
【図２７】図２６に示した隔壁の構成の一例を表す図である。
【図２８】図２６に示した隔壁の構成の他の例を表す図である。
【図２９】図２６に示した隔壁の構成のその他の例を表す図である。
【図３０】図２６に示した表示装置における発光の様子を表す断面図である。
【図３１】図２６に示した表示装置の他の例を表す図である。
【図３２】図３１に示した隔壁の構成の他の例を表す図である。
【図３３】図３１に示した隔壁の構成のその他の例を表す図である。
【図３４】図２６に示した表示装置のその他の例を表す図である。
【図３５】変形例８に係る表示装置の構成を表す断面図である。
【図３６】図３５に示した表示装置における発光の様子を表す断面図である。
【図３７】変形例９に係る表示装置の構成を表す断面図である。
【図３８】本技術の第４の実施の形態に係る表示装置の要部の構成を表す断面図である。
【図３９】図１等に示した表示装置を含むモジュールの概略構成を表す平面図である。
【図４０】適用例１の外観を表す斜視図である。
【図４１】適用例２の表側から見た外観を表す斜視図である。
【発明を実施するための形態】
【００１４】
以下、本技術の実施の形態について、図面を参照して詳細に説明する。なお、説明は以下の順序で行う。
１．第１の実施の形態（表示装置：トップエミッション型）
２．変形例１（中継電極が反射性を有する例）
３．変形例２（一の中継電極が複数の接続孔で駆動配線に接続されている例）
４．変形例３（中継電極の一部の領域が保持容量素子の一方の電極を構成している例）
５．変形例４（第１電極の端部が隔壁により覆われている例）
６．変形例５（隔壁の側面に反射部材を有する例）
７．第２の実施の形態（隔壁の側面に第１電極が延在している例）
８．変形例６（穴埋め部材と隔壁とが一体化している例）
９．変形例７（第１電極の端部が隔壁により覆われている例）
１０．第３の実施の形態（中継電極の表面の一部を覆う隔壁を有する例）
１１．変形例８（隔壁の側面に反射部材を有する例）
１２．変形例９（第１電極の端部が隔壁により覆われている例）
１３．第４の実施の形態（ボトムエミッション型の例）
【００１５】
＜第１の実施の形態＞
［表示装置１の全体構成］
図１は、本技術の第１の実施の形態としての有機ＥＬ表示装置（表示装置１）の要部断面構成を表したものである。表示装置１は、基板１１上に、トランジスタ（後述の図３のサンプリング用トランジスタ４４Ａおよび駆動用トランジスタ４４Ｂ）を含むＴＦＴ層１２、駆動配線１３Ａ、平坦化層１３、中継電極１４および有機発光素子２０をこの順に有するものである。各有機発光素子２０は、例えば赤（Ｒ），緑（Ｇ），青（Ｂ）の３つのサブピクセル（後述の図２の画素ＰＸＬＣ）のいずれかを構成しており、これらの３つのサブピクセルが１つのピクセルとして機能するようになっている。図１には、赤色光を発する赤色有機発光素子２０Ｒおよび緑色光を発する緑色有機発光素子２０Ｇを示したが、青色光を発する青色有機発光素子も、これらとほぼ同じ構造を有している。隣り合う有機発光素子２０の間には、隔壁２４が設けられている。このような有機発光素子２０および隔壁２４は封止層２５で覆われている。有機発光素子２０および封止層２５を間にして基板１１には、封止基板３１が対向している。表示装置１は、有機発光素子２０が発した光を封止基板３１から取り出す、いわゆるトップエミッション型の表示装置である。
【００１６】
図２は、表示装置１の全体構成を表すものである。このように、例えば基板１１上には、有機発光素子２０（図１）を含む複数の画素ＰＸＬＣ（サブピクセル）がマトリクス状に配置されてなる表示領域４０が形成され、この表示領域４０の周辺に、信号線駆動回路としての水平セレクタ（ＨＳＥＬ）４１と、走査線駆動回路としてのライトスキャナ（ＷＳＣＮ）４２と、電源線駆動回路としての電源スキャナ（ＤＳＣＮ）４３とが設けられている。
【００１７】
表示領域４０において、列方向には複数（整数ｎ個）の信号線ＤＴＬ１〜ＤＴＬｎが配置され、行方向には、複数（整数ｍ個）の走査線ＷＳＬ１〜ＷＳＬｍおよび電源線ＤＳＬ１〜ＤＳＬｍがそれぞれ配置されている。また、各信号線ＤＴＬと各走査線ＷＳＬとの交差点に、各画素ＰＸＬＣ（Ｒ、Ｇ、Ｂに対応する画素のいずれか１つ）が設けられている。各信号線ＤＴＬは水平セレクタ４１に接続され、この水平セレクタ４１から各信号線ＤＴＬへ映像信号が供給されるようになっている。各走査線ＷＳＬはライトスキャナ４２に接続され、このライトスキャナ４２から各走査線ＷＳＬへ走査信号（選択パルス）が供給されるようになっている。各電源線ＤＳＬは電源スキャナ４３に接続され、この電源スキャナ４３から各電源線ＤＳＬへ電源信号（制御パルス）が供給されるようになっている。
【００１８】
図３は、画素ＰＸＬＣにおける具体的な回路構成例を表したものである。各画素ＰＸＬＣは、有機発光素子２０を含む画素回路５０を有している。この画素回路５０は、サンプリング用トランジスタ４４Ａおよび駆動用トランジスタ４４Ｂと、保持容量素子４４Ｃおよび補助容量素子４４Ｄと、有機発光素子２０とを有するアクティブ型の駆動回路である。
【００１９】
サンプリング用トランジスタ４４Ａは、そのゲートが対応する走査線ＷＳＬに接続され、そのソースおよびドレインのうちの一方が対応する信号線ＤＴＬに接続され、他方が駆動用トランジスタ４４Ｂのゲートに接続されている。駆動用トランジスタ４４Ｂは、そのドレインが対応する電源線ＤＳＬに接続され、ソースが有機発光素子２０のアノードに接続されている。また、この有機発光素子２０のカソードは、接地配線４４Ｈに接続されている。なお、この接地配線４４Ｈは、全ての画素ＰＸＬＣに対して共通に配線されている。保持容量素子４４Ｃは、駆動用トランジスタ４４Ｂのソースとゲートとの間に配置されている。補助容量素子４４Ｄは、有機発光素子２０のアノード（駆動用トランジスタ４４Ｂのソース）と接地配線４４Ｈとの間に配置されている。
【００２０】
サンプリング用トランジスタ４４Ａは、走査線ＷＳＬから供給される走査信号（選択パルス）に応じて導通することにより、信号線ＤＴＬから供給される映像信号の信号電位をサンプリングし、保持容量素子４４Ｃに保持するものである。駆動用トランジスタ４４Ｂは、所定の第１電位（図示せず）に設定された電源線ＤＳＬから電流の供給を受け、保持容量素子４４Ｃに保持された信号電位に応じて、駆動電流を有機発光素子２０へ供給するものである。有機発光素子２０は、この駆動用トランジスタ４４Ｂから供給された駆動電流により、映像信号の信号電位に応じた輝度で発光するようになっている。保持容量素子４４Ｃは、有機発光素子２０の容量不足分を補い、保持容量素子４４Ｃに対する映像信号の書き込みゲインを高める役割を担っている。
【００２１】
[表示装置１の要部構成]
次に、再び図１を参照して、基板１１、有機発光素子２０および封止基板３１等の詳細な構成について説明する。
【００２２】
基板１１は、例えば、水分（水蒸気）および酸素の透過を遮断可能なガラスまたはプラスチック材料などにより形成されている。基板１１は、その一主面に有機発光素子２０が配列形成される支持体である。基板１１の構成材料としては、例えば高歪点ガラス、ソーダガラス（Ｎａ2Ｏ・ＣａＯ・ＳｉＯ2）、硼珪酸ガラス（Ｎａ2Ｏ・Ｂ2Ｏ3・ＳｉＯ2）、フォルステライト（２ＭｇＯ・ＳｉＯ2）および鉛ガラス（Ｎａ2Ｏ・ＰｂＯ・ＳｉＯ2）等のガラス基板、石英基板あるいはシリコン基板が挙げられる。このようなガラス基板、石英基板およびシリコン基板の表面に絶縁膜を設けて基板１１を構成してもよい。基板１１には、金属箔もしくは樹脂製のフィルムやシートなどを用いることも可能である。樹脂の材質としては、例えば、ポリメチルメタクリレート（ポリメタクリル酸メチル，ＰＭＭＡ）、ポリビニルアルコール（ＰＶＡ）、ポリビニルフェノール（ＰＶＰ）、ポリエーテルスルホン（ＰＥＳ）、ポリイミド、ポリカーボネート、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）およびポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）などの有機ポリマーが挙げられる。なお、トップエミッション型では封止基板２０から光が取り出されるため、基板１１は、透過性材料または非透過性材料のいずれにより形成されていてもよい。封止基板２０には基板１１と同じ材料を用いるようにしてもよく、あるいは、異なる材料を用いるようにしてもよい。また、可撓性材料により基板１１を構成してもよい。
【００２３】
ＴＦＴ層１２は、上記サンプリング用トランジスタ４４Ａおよび駆動用トランジスタ４４Ｂを含み、有機発光素子２０の能動素子として機能するものである。ＴＦＴ層１２のトランジスタの構成は、逆スタガ構造（ボトムゲート型）であっても、スタガ構造（トップゲート型）であってもよい。駆動用トランジスタ４４Ｂのソースは、駆動配線１３Ａに電気的に接続されている。
【００２４】
平坦化層１３は、ＴＦＴ層１２および駆動配線１３Ａが形成された基板１１の表面を平坦化するためのものであり、例えばポリイミド，アクリル系樹脂またはノボラック系樹脂などの有機絶縁膜により構成されている。あるいは、無機絶縁膜、例えば酸化シリコン（ＳｉＯx），窒化シリコン（ＳｉＮx）および酸窒化シリコン（ＳｉＯＮ）等のうちの少なくとも１種を含む単層膜あるいは積層膜より平坦化層１３を構成するようにしてもよい。
【００２５】
平坦化層１３には、接続孔Ｈ１が設けられている。この接続孔Ｈ１を介して、平坦化層１３上の中継電極１４と駆動配線１３Ａとが電気的に接続されている。この中継電極１４は、駆動配線１３Ａと有機発光素子２０との間に設けられ、駆動配線１３Ａと有機発光素子２０（具体的には、後述の第１電極２１）とを電気的に接続するためのものである。中継電極１４は、平坦化層１３上から接続孔Ｈ１の壁面（側面および底面）に沿うように設けられており、接続孔Ｈ１の底面で駆動配線１３Ａに接している。中継電極１４は、有機発光素子２０で発生する光に対して反射率の高い導電材料により構成されている。この中継電極１４には、例えば厚み２００ｎｍのアルミニウム（Ａｌ）―ネオジム（Ｎｄ）合金を用いることができる。光反射性の中継電極１４を用いることにより、正面への光取り出し効率を向上させることができる。
【００２６】
本実施の形態では、この接続孔Ｈ１内の中継電極１４を覆うように、接続孔Ｈ１に穴埋め部材１５が設けられている。詳細は後述するが、これにより、接続孔Ｈ１に起因する段差の大きさが小さくなり、接続孔Ｈ１に平面視で重なる位置に発光領域（後述の図４（Ｂ）の発光領域Ｅ）を配置することができる。
【００２７】
穴埋め部材１５は、接続孔Ｈ１を塞ぐためのものであり、接続孔Ｈ１および接続孔Ｈ１の近傍に設けられている。穴埋め部材１５の表面の位置（Ｚ方向の位置）は、平坦化層１３上の中継電極１４の表面の位置に近いことが好ましい。穴埋め部材１５の表面は、例えば、平坦化層１３上の中継電極１４の表面から隆起するように設けられ、平坦化層１３上の中継電極１４の表面よりも１μｍ以下程度、封止基板３１に近い位置に設けられている。穴埋め部材１５の表面は、平坦化層１３上の中継電極１４の表面よりもへこんでいてもよく、平坦化層１３上の中継電極１４の表面よりも基板１１に近い位置に設けられていてもよい。穴埋め部材１５は、例えば、ポリイミド，アクリル系樹脂およびノボラック系樹脂等の有機絶縁膜により構成されている。
【００２８】
平面視で、この穴埋め部材１５上を含む領域に、有機発光素子２０が設けられている。有機発光素子２０は、平坦化層１３（基板１１）に近い位置から、第１電極２１、発光層を含む有機層２２および第２電極２３をこの順に有している。
【００２９】
第１電極２１は、穴埋め部材１５を覆うように設けられ、接続孔Ｈ１の周囲で中継電極１４に接している。図４は、接続孔Ｈ１近傍の詳細な構造を表したものであり、図４（Ａ）は断面構成、図４（Ｂ）は平面構成をそれぞれ表している。接続孔Ｈ１では、穴埋め部材１５を間にして中継電極１４と第１電極２１とが対向しており（図４（Ａ））、平面視で接続孔Ｈ１と重なる位置に中継電極１４、穴埋め部材１５および第１電極２１が設けられている（図４（Ｂ））。第１電極２１および中継電極１４は、有機発光素子２０毎に分離して設けられている。中継電極１４は、平面視で第１電極２１よりも広い面積にわたって設けられ、第１電極２１の周囲に拡幅している（図４（Ｂ））。
【００３０】
第１電極２１は例えばアノード電極としての機能および反射層としての機能を兼ね備えたものであり、反射率が高く、かつ、正孔注入性も高い材料により構成されていることが望ましい。このような第１電極２１としては、例えば、積層方向の厚み（以下、単に厚みと言う）が１００ｎｍ〜３００ｎｍの導電材料を用いることができる。第１電極２１の厚みは、例えば、中継電極１４の厚みよりも小さい。第１電極２１の構成材料としては、例えば、クロム（Ｃｒ），金（Ａｕ），白金（Ｐｔ），ニッケル（Ｎｉ），銅（Ｃｕ），モリブデン（Ｍｏ），タングステン（Ｗ），チタン（Ｔｉ），タンタル（Ｔａ），アルミニウム（Ａｌ），鉄（Ｆｅ）あるいは銀（Ａｇ）などの金属元素の単体または合金が挙げられる。第１電極２１は、このような金属膜を複数積層したものであってもよい。銀に０．３重量％〜１重量％のパラジウム（Ｐｄ）と０．３重量％〜１重量％の銅とを含有させたＡｇ―Ｐｄ―Ｃｕ合金あるいはＡｌ―ネオジム（Ｎｄ）合金を第１電極２１に用いるようにしてもよい。第１電極２１には仕事関数の高い材料を用いることが好ましいが、アルミニウムおよびアルミニウム合金等の仕事関数の小さい金属であっても、適切な有機層２２（特に、後述の正孔注入層）を選択することにより、第１電極２１として用いることが可能となる。光透過性の高い導電材料により第１電極２１を構成し、基板１１と第１電極２１との間に反射層を設けるようにしてもよい。
【００３１】
隣り合う第１電極２１の間には、隔壁２４が設けられている。この隔壁２４は、平坦化層１３上の中継電極１４の端部を覆っており、中継電極１４の周縁では中継電極１４と有機層２２との間に配置されている。このような隔壁２４を設けることにより、隣り合う有機発光素子２０が電気的に分離され、かつ、中継電極１４と第２電極２３との間の絶縁性も確保される。隔壁２４が設けられていない領域では、第１電極２１の表面と有機層２２とが、あるいは中継電極１４の表面と有機層２２とが接している。この第１電極２１と有機層２２との接触領域、および中継電極１４と有機層２２との接触領域が発光領域（図４（Ｂ）の発光領域Ｅ）となる。このように、表示装置１では、隔壁２４により有機発光素子２０の発光領域Ｅの形状が制御されている。また、中継電極１４の端部を覆う隔壁２４は、中継電極１４の厚みに起因した中継電極１４と第２電極２３との短絡を防ぐ役割を担っている。隔壁２４は、有機発光素子２０の光取り出し効率を高めるため、テーパ形状を有していることが好ましい。隔壁２４は穴埋め部材１５と同一材料により構成されており、例えば穴埋め部材１５と同一工程で形成することができる。隔壁２４の高さ（Ｚ方向の距離）は、穴埋め部材１５の高さと略同じであり、例えば１μｍ〜５μｍである。
【００３２】
有機層２２は、例えば、全ての有機発光素子２０に共通して設けられ、第１電極２１に近い位置から、正孔注入層，正孔輸送層，発光層，電子輸送層および電子注入層（いずれも図示せず）をこの順に有している。正孔輸送層，発光層および電子輸送層により有機層２２を構成するようにしてもよく、このとき、発光層が電子輸送層を兼ねるようにしてもよい。このような一連の積層構造（いわゆるタンデムユニット）が接続層を介して複数重なることで有機層２２が構成されてもよい。例えば、赤色、緑色、青色および白色の色毎にタンデムユニットを有し、これらを積層して有機層２２を構成するようにしてもよい。有機層２２の厚みは例えば１００ｎｍ〜３００ｎｍである。
【００３３】
正孔注入層は、正孔注入効率を高めるためのものであると共に、リークを防止するためのバッファ層である。正孔注入層は、例えば、厚みが１ｎｍ以上３００ｎｍ以下であり、化１または化２に示したヘキサアザトリフェニレン誘導体により構成されている。
【００３４】
【化１】
2015149194.tif 000003
（化１において、Ｒ１〜Ｒ６それぞれ独立に、水素、ハロゲン、ヒドロキシル基、アミノ基、アリールアミノ基、炭素数２０以下の置換あるいは無置換のカルボニル基、炭素数２０以下の置換あるいは無置換のカルボニルエステル基、炭素数２０以下の置換あるいは無置換のアルキル基、炭素数２０以下の置換あるいは無置換のアルケニル基、炭素数２０以下の置換あるいは無置換のアルコキシル基、炭素数３０以下の置換あるいは無置換のアリール基、炭素数３０以下の置換あるいは無置換の複素環基、ニトリル基、シアノ基、ニトロ基、またはシリル基から選ばれる置換基であり、隣接するＲｍ（ｍ＝１〜６）は環状構造を通じて互いに結合してもよい。また、Ｘ１〜Ｘ６はそれぞれ独立に炭素もしくは窒素原子である。）
【００３５】
【化２】
2015149194.tif 000004
【００３６】
正孔輸送層は、発光層への正孔輸送効率を高めるためのものである。正孔輸送層は、例えば、厚みが４０ｎｍ程度であり、４，４′，４″−トリス（３−メチルフェニルフェニルアミノ）トリフェニルアミン（ｍ−ＭＴＤＡＴＡ）またはα−ナフチルフェニルジアミン（αＮＰＤ）により構成されている。
【００３７】
発光層は例えば白色発光用の発光層であり、第１電極２１と第２電極２３との間、および中継連極１４と第２電極２３との間に例えば赤色発光層、緑色発光層および青色発光層（いずれも図示せず）の積層体を有している。赤色発光層，緑色発光層および青色発光層は、電界をかけることにより、第１電極２１から正孔注入層および正孔輸送層を介して注入された正孔の一部と、第２電極２３から電子注入層および電子輸送層を介して注入された電子の一部とが再結合して、それぞれ赤色，緑色および青色の光を発生させるものである。
【００３８】
赤色発光層は、例えば、赤色発光材料，正孔輸送性材料，電子輸送性材料および両電荷輸送性材料のうち少なくとも１種を含んでいる。赤色発光材料は、蛍光性のものでも燐光性のものでもよい。赤色発光層は、例えば、厚みが５ｎｍ程度であり、４，４−ビス（２，２−ジフェニルビニン）ビフェニル（ＤＰＶＢｉ）に２，６−ビス［（４’−メトキシジフェニルアミノ）スチリル］−１，５−ジシアノナフタレン（ＢＳＮ）を３０重量％混合したものにより構成されている。
【００３９】
緑色発光層は、例えば、緑色発光材料，正孔輸送性材料，電子輸送性材料および両電荷輸送性材料のうち少なくとも１種を含んでいる。緑色発光材料は、蛍光性のものでも燐光性のものでもよい。緑色発光層は、例えば、厚みが１０ｎｍ程度であり、ＤＰＶＢｉにクマリン６を５重量％混合したものにより構成されている。
【００４０】
青色発光層は、例えば、青色発光材料，正孔輸送性材料，電子輸送性材料および両電荷輸送性材料のうち少なくとも１種を含んでいる。青色発光材料は、蛍光性のものでも燐光性のものでもよい。青色発光層は、例えば、厚みが３０ｎｍ程度であり、ＤＰＶＢｉに４，４’−ビス［２−｛４−（Ｎ，Ｎ−ジフェニルアミノ）フェニル｝ビニル］ビフェニル（ＤＰＡＶＢｉ）を２．５重量％混合したものにより構成されている。
【００４１】
電子輸送層は、発光層への電子輸送効率を高めるためのものであり、例えば厚みが２０ｎｍ程度の８−ヒドロキシキノリンアルミニウム（Ａｌｑ３）により構成されている。電子注入層は、発光層への電子注入効率を高めるためのものであり、例えばＬｉＦあるいはＬｉ2Ｏ等により構成されている。
【００４２】
第２電極２３は、有機層２２を間にして第１電極２１および中継電極１４と対をなし、全ての有機発光素子２０に共通して設けられている。第２電極２３は例えばカソード電極としての機能および光透過層としての機能を兼ね備えたものであり、導電性が高く、かつ、光透過率も高い材料により構成されていることが望ましい。したがって、第２電極２３は、例えば、アルミニウム（Ａｌ），マグネシウム（Ｍｇ），銀（Ａｇ），カルシウム（Ｃａ）またはナトリウム（Ｎａ）の合金により構成されている。中でも、マグネシウムと銀との合金（Ｍｇ−Ａｇ合金）は、薄膜での導電性と吸収の小ささとを兼ね備えているので好ましい。Ｍｇ−Ａｇ合金におけるマグネシウムと銀との比率は特に限定されないが、膜厚比でＭｇ：Ａｇ＝２０：１〜１：１の範囲であることが望ましい。また、第２電極２３の材料には、アルミニウム（Ａｌ）とリチウム（Ｌｉ）との合金（Ａｌ−Ｌｉ合金）を用いるようにしてもよく、インジウム錫酸化物（ＩＴＯ），酸化亜鉛（ＺｎＯ），アルミナドープ酸化亜鉛（ＡＺＯ），ガリウムドープ酸化亜鉛（ＧＺＯ），インジウム亜鉛酸化物（ＩＺＯ），インジウムチタン酸化物（ＩＴｉＯ）またはインジウムタングステン酸化物（ＩＷＯ）等を用いてもよい。第２電極２３は、複数の膜を積層させて構成するようにしてもよい。例えば、カルシウム，バリウム（Ｂａ），リチウム，セシウム（Ｃｓ），インジウム（Ｉｎ），マグネシウムまたは銀等からなる膜に、マグネシウム，銀，あるいは、マグネシウムまたは銀を含む合金からなる膜を積層させて第２電極２３を構成するようにしてもよい。第２電極２３の厚みは、例えば５０ｎｍ〜５００ｎｍ程度である。
【００４３】
有機層２２と第２電極２３との間に高抵抗層（図示せず）を設けるようにしてもよい。高抵抗層は、第１電極２１および中継電極１４と第２電極２３との間の短絡の発生を防止するためのものであり、全ての有機発光素子２０に共通して設けられている。高抵抗層は、第１電極２１および第２電極２３よりも電気抵抗が高く、電荷の輸送機能あるいは電荷の注入機能を備えている。第１電極２１上に意図せずパーティクル（異物）や突起物が付着し、その状態で有機発光素子１を形成した場合、第１電極２１と第２電極２３との接触による短絡が生じるおそれがある。高抵抗層により、このような第１電極２１と第２電極２３との接触を防ぐことができる。
【００４４】
高抵抗層は、例えば、電気抵抗率が１×１０6Ω・ｍ以上１×１０8Ω・ｍ以下の材料により構成されていることが好ましい。この範囲内であれば、十分に短絡の発生を防止し、かつ、駆動電圧を低く抑えることができるためである。高抵抗層は、例えば、酸化ニオブ（Ｎｂ2Ｏ5），酸化チタン（ＴｉＯ2），酸化モリブデン（ＭｏＯ2，ＭｏＯ3），酸化タンタル（Ｔａ2Ｏ5），酸化ハフニウム（ＨｆＯ），酸化マグネシウム（ＭｇＯ），ＩＧＺＯ（ＩｎＧａＺｎＯx），酸化ニオブと酸化チタンとの混合物，酸化チタンと酸化亜鉛（ＺｎＯ）との混合物，酸化ケイ素（ＳｉＯ2）と酸化錫（ＳｎＯ2）との混合物または酸化亜鉛に酸化マグネシウム、酸化ケイ素あるいは酸化アルミニウム（Ａｌ2Ｏ3）のうちから少なくとも１つを混合した混合物により構成されている。これらの材料を適宜組み合わせて高抵抗層を構成するようにしてもよい。有機層２２および第２電極２３の屈折率に近い値、例えば屈折率１．７以上の高抵抗層を用いることが好ましく、１．９以上であることがより好ましい。これにより、有機層２２の発光層の外部量子効率が向上する。高抵抗層の厚みは、例えば１００ｎｍ〜１０００ｎｍ程度である。
【００４５】
第２電極２３上には、保護層（図示せず）が設けられている。この保護層は、有機層２２への水分の侵入を防ぐと共に、表示装置１の機械的強度を高めるためのものである。保護層は、光透過性が高く、かつ、透水性の低い材料により構成されており、例えばその厚みは５μｍ〜１５μｍである。保護層には、絶縁性材料および導電性材料のいずれを用いるようにしてもよい。保護層には、例えば、窒化ケイ素（ＳｉＮX），酸化ケイ素（ＳｉＯX），酸化アルミニウム（ＡｌＯX）またはこれらの組み合わせを用いることができる。保護層上には封止層２５を間にして封止基板３１が貼り合わされている。封止層２５は、例えば熱硬化型樹脂または紫外線硬化型樹脂などにより構成されている。
【００４６】
封止基板３１は、保護層と共に、各有機発光素子２０を封止するためのものであり、例えば、赤色，緑色，青色の各色光に対して透明な材料、例えばガラスなどにより構成されている。封止基板３１の基板１１との対向面には、カラーフィルタ３２および遮光層３３が設けられており、これらがオーバーコート層３４により覆われている。
【００４７】
カラーフィルタ３２は、例えば、赤色フィルタ３２Ｒ、緑色フィルタ３２Ｇおよび青色フィルタ（図示せず）を含み、これらが遮光層３３および有機発光素子２０のパターン毎に配色されている。遮光層３３に重なる位置にカラーフィルタ３２が設けられていてもよい。赤色フィルタ３２Ｒ、緑色フィルタ３２Ｇおよび青色フィルタは、例えば顔料または染料を混入した樹脂により構成されている。この顔料または染料の種類を適宜選択することにより、赤色フィルタ３２Ｒ、緑色フィルタ３２Ｇおよび青色フィルタではそれぞれ、赤色、緑色または青色それぞれの波長域の光透過率が高くなるように調整されている。赤色、緑色および青色の目的とする波長域以外では、カラーフィルタ３２の光透過率は低くなっている。カラーフィルタ３２の厚みは例えば、１〜４μｍである。カラーフィルタ３２を、封止基板３１の面のうち、基板１１との対向面と反対の面に設けるようにしてもよいが、基板１１との対向面に設けることが好ましい。カラーフィルタ３２が表面に露出せず、封止層２５等により保護することができるからである。また、有機層２２とカラーフィルタ３２との間の距離が狭くなることにより、有機層２２から出射した光が隣接する他の色のカラーフィルタに入射して混色を生じることを避けることができるからである。
【００４８】
遮光層３３は、いわゆるブラックマトリクス（ＢＭ）である。この遮光層３３は、表示領域４０（図２）では画素ＰＸＬＣの配置に合わせて、例えばマトリクス状にパターニングされている。遮光層３３は、例えばカーボンブラックにより構成される。遮光性と導電性を兼ねた材料、クロムおよびグラファイト等を遮光層３３に用いるようにしてもよい。あるいは、薄膜の干渉を利用した薄膜フィルタにより遮光層３３を構成するようにしてもよい。この薄膜フィルタは、例えば、金属、金属窒化物または金属酸化物等の薄膜を１層以上積層することにより、薄膜の干渉を生じさせて光を減衰させるものである。このような薄膜フィルタとしては、例えば、封止基板３１に近い位置から、窒化シリコン（ＳｉＮ）６５ｎｍ、アモルファスシリコン（ａ−Ｓｉ）２０ｎｍおよびモリブデン（Ｍｏ）５０ｎｍ以上をこの順に積層させたもの、あるいは、封止基板３１に近い位置から、酸化モリブデン（ＭｏＯx）４５ｎｍ、モリブデン１０ｎｍ、酸化モリブデン４０ｎｍおよびモリブデン（Ｍｏ）５０ｎｍ以上をこの順に積層させたもの等を挙げることができる。
【００４９】
オーバーコート層３４は、カラーフィルタ３２表面の平坦性を高め、保護するためのコーティング剤であり、例えば樹脂等の有機材料やＳｉＯ，ＳｉＮあるいはＩＴＯなどの無機材料により構成されている。
【００５０】
［製造方法］
上記のような表示装置１は、例えば次のようにして製造することができる（図５Ａ〜図６Ｂ）。
【００５１】
（ＴＦＴ層および平坦化層の形成工程）
まず、基板１１上に、所定の薄膜プロセスを経てＴＦＴ層１２を含む駆動回路および駆動配線１３Ａを形成した後、基板１１の全面にわたって平坦化層１３を、例えばスピンコート法またはスリットコート法により成膜する。続いて、成膜した平坦化層１３を、例えばフォトリソグラフィ法により、所定の形状にパターニングして平坦化層１３に接続孔Ｈ１を形成する（図５Ａ）。
【００５２】
（中継電極の形成工程）
次いで、平坦化層１３上にスパッタ法を用いて例えばＡｌ−Ｎｄ合金を基板１１の全面に成膜した後、これをフォトリソグラフィ法を用いてパターニングし、中継電極１４を形成する（図５Ｂ）。このとき、中継電極１４を平坦化層１３の接続孔Ｈ１を介して、駆動配線１３Ａに電気的に接続させる。
【００５３】
（穴埋め部材および隔壁の形成工程）
中継電極１４を設けた後、図５Ｃに示したように、接続孔Ｈ１に穴埋め部材１５を形成するとともに、平坦化層１３上には隔壁２４を形成する。具体的には、まず、例えば感光性樹脂材料を、スピンコート法により接続孔Ｈ１内と、平坦化層１３上および中継電極１４上に成膜する。次いで、所定のフォトマスクを用いて露光した後、現像し、感光性樹脂膜をウェットエッチング法を用いてパターニングする。これにより、同一工程で穴埋め部材１５および隔壁２４が形成される。穴埋め部材１５を形成することにより、平坦化層１３の接続孔Ｈ１が埋められ、接続孔Ｈ１に起因する段差の大きさが小さくなる。穴埋め部材１５および隔壁２４の形成にウェットエッチング法を用いることにより、穴埋め部材１５および隔壁２４の形状はテーパ状となる。
【００５４】
（有機発光素子の形成工程）
続いて、図６Ａに示したように、穴埋め部材１５上から中継電極１４上にわたって第１電極２１を形成する。第１電極２１は、例えばＡｌＮｄ合金をスパッタ法により基板１１全面にわたって成膜した後、例えばフォトリソグラフィ法を用いてパターニングすることにより形成される。このとき、中継電極１４に接触するように第１電極２１を形成することにより、第１電極２１を中継電極１４に電気的に接続させる。その後、例えば真空蒸着法等の物理的気相成長法（PVD法:Physical Vapor Deposition）により発光層を含む有機層２２および第２電極２３を基板１１上の表示領域４０の全面に形成する（図６Ｂ）。有機層２２および第２電極２３は、スクリーン印刷法およびインクジェット印刷法等の印刷法、レーザ転写法あるいは塗布法等により形成するようにしてもよい。
【００５５】
（封止基板の形成工程）
封止基板３１上には、例えば以下のようにして遮光層３３、カラーフィルタ３２、およびオーバーコート層３４を形成する。まず、封止基板３１の全面に遮光層３３の構成材料を成膜したのち、これを例えばフォトリソグラフィ工程を用いてマトリクス状にパターニングし、画素ＰＸＬＣの配置に合わせた開口を複数形成する。これにより遮光層３３が形成される。次いで、遮光層３３の開口に赤色フィルタ３２Ｒ、緑色フィルタ３２Ｇおよび青色フィルタを順次パターニングして設け、カラーフィルタ３２を形成する。その後、このカラーフィルタ３２を設けた封止基板３１の全面にオーバーコート層３４を成膜する。
【００５６】
（基板と封止基板との貼り合わせ工程）
上記のようにして形成した封止基板３１は、例えばＯＤＦ（One Drop Fill）工程により有機発光素子２０および封止層２５を間にして、基板１１に貼り合わされる。以上により、図１に示した表示装置１が完成する。
【００５７】
[表示装置１の動作]
表示装置１では、各有機発光素子２０に、各色の映像信号に応じた駆動電流が印加されると、第１電極２１および第２電極２３、または中継電極１４および第２電極２３を通じて、有機層２２に電子および正孔が注入される。これらの電子および正孔は、有機層２２に含まれる発光層においてそれぞれ再結合され、発光を生じる。この光は第１電極２１および中継電極１４で反射され、第２電極２３，カラーフィルタ３２および封止基板３１を透過して外部へ取り出される。このようにして、表示装置１では、例えばＲ，Ｇ，Ｂのフルカラーの映像表示がなされる。また、この映像表示動作の際に保持容量素子４４Ｃ（図３）の一端に、映像信号に対応する電位が印加されることにより、保持容量素子４４Ｃには、映像信号に対応する電荷が蓄積される。
【００５８】
ここで、表示装置１では、平坦化層１３の接続孔Ｈ１に穴埋め部材１５が設けられているので、接続孔Ｈ１に起因する段差の大きさが小さくなり、この接続孔Ｈ１と平面視で重なる位置に発光領域Ｅ（図４（Ｂ））を形成することが可能となる。以下、これについて説明する。
【００５９】
（比較例）
図７は比較例１に係る表示装置（表示装置１００）の要部の構成を表している。図７（Ａ）は表示装置１００の断面構成、図７（Ｂ）は表示装置１００の平面構成をそれぞれ表している。この表示装置１００には、中継電極が設けられておらず、第１電極（第１電極１２１）が平坦化層１３の接続孔Ｈ１を介して駆動配線１３Ａに接続されている。接続孔Ｈ１の直上には、隔壁（隔壁１２４）が設けられており、接続孔Ｈ１と平面視で重なる領域では、第１電極１２１と有機層２２とが電気的に分離されている。即ち、平面視で接続孔Ｈ１と重なる領域は非発光領域であり、発光領域Ｅは接続孔Ｈ１の位置を避けるように配置される。
【００６０】
図８は、平面視で接続孔Ｈ１に重なる領域にも発光領域Ｅを形成した表示装置（比較例２の表示装置１００Ａ）の構成を表すものである。図８（Ａ）は表示装置１００Ａの断面構成、図８（Ｂ）は表示装置１００Ａの平面構成をそれぞれ表している。このように、接続孔Ｈ１上に隔壁（隔壁１２４Ａ）を形成せずに、第１電極１２１、有機層２２および第２電極２３を成膜すると、図９に示したように、接続孔Ｈ１の段差に起因して第１電極１２１と第２電極２３とが短絡し（短絡部Ｓ）、正常に発光しない虞がある。詳細には、急激な傾斜を有する接続孔Ｈ１の壁面に、有機層２２を一定の厚みで成膜することが困難であり、一部有機層２２が分断される。この有機層２２の分断部分で第１電極１２１と第２電極２３とが短絡する。特に、有機層２２を蒸着法により成膜する場合には、第１電極１２１と第２電極２３とが接続孔Ｈ１で短絡しやすくなる。
【００６１】
これに対し、表示装置１では、平坦化層１３の接続孔Ｈ１に穴埋め部材１５が設けられているので、接続孔Ｈ１の壁面が穴埋め部材１５で覆われ、接続孔Ｈ１に起因する段差の大きさが小さくなる。したがって、接続孔Ｈ１と平面視で重なる位置に、所定の厚みで有機層２２が形成されやすくなる。穴埋め部材１５を覆う位置に設けた第１電極２１が、中継電極１４を介して駆動配線１３Ａに電気的に接続されており、この第１電極２１上に有機層２２および第２電極２３が設けられているので、接続孔Ｈ１上で発光が生じる。即ち、平面視で接続孔Ｈ１と重なる領域が発光領域Ｅとなる。
【００６２】
このように、接続孔Ｈ１の位置に関わらず発光領域Ｅを自由に配置することができるので、表示装置１では、画素領域の面積を小さくし、高精細化が可能になる。また、画素領域に対する発光領域Ｅの比を大きくすることも可能になる。以下、これについて説明する。
【００６３】
図１０および図１１は、画素（例えば、図３の画素ＰＸＬＣ）における発光領域Ｅの平面形状を表したものである。図１０（Ａ）および図１１（Ａ）は、接続孔Ｈ１を避けて発光領域Ｅを形成した画素、図１０（Ｂ）および図１１（Ｂ）は接続孔Ｈ１を含む領域に発光領域Ｅを形成した画素をそれぞれ表している。画素の周縁から発光領域Ｅまでは、例えば距離Ｌｍだけ離間している。
【００６４】
図１０（Ａ）の発光領域Ｅの面積および図１０（Ｂ）の発光領域Ｅの面積は同じである。このとき、図１０（Ｂ）では、接続孔Ｈ１の周囲の非発光領域がなくなるので、画素領域（画素領域Ｐ２）自体の面積を図１０（Ａ）の画素領域（画素領域Ｐ１）の面積に比べて小さくすることができる。即ち、画素領域Ｐ２を有する表示装置では、高精細化が可能となる。
【００６５】
一方、図１１（Ａ）および図１１（Ｂ）では、画素領域（画素領域Ｐ１）の面積は同じである。このとき、図１１（Ｂ）では、発光領域Ｅが接続孔Ｈ１に重なる部分にも広がるので、画素領域Ｐ１に対する発光領域Ｅの比を図１１（Ａ）に比べて高くすることができる。このように画素領域Ｐ１に対する発光領域Ｅの比を高めることにより、有機発光素子２０の電流密度を小さくすることができる。
【００６６】
図１２は、電流密度の大きさと有機発光素子の輝度劣化との関係を表したものである。破線が、電流密度の比較的大きな有機発光素子の輝度劣化を表し、実線が電流密度の比較的小さな有機発光素子の輝度劣化を表している。このように、電流密度を小さくすることにより、有機発光素子の輝度劣化を抑えることが可能となる。
【００６７】
以上のように本実施の形態では、平坦化層１３の接続孔Ｈ１に穴埋め部材１５を設けるようにしたので、より自由に発光領域Ｅを配置することが可能となる。よって、表示装置１では高精細化が可能となる。また、画素領域に対する発光領域Ｅの比を高め、有機発光素子２０の電流密度を小さくすることも可能である。
【００６８】
更に、穴埋め部材１５の構成材料は、隔壁２４の構成材料と同じであり、これらは同一工程で形成できるので、工程数の増加を抑えることができる。
【００６９】
以下、上記第１の実施の形態の変形例および他の実施の形態について説明するが、上記第１の実施の形態における構成要素と同一のものには同一の符号を付し、適宜説明を省略する。
【００７０】
＜変形例１＞
図１３は、変形例１に係る表示装置（表示装置１Ａ）の要部の断面構成を表したものである。この表示装置１Ａでは、第１電極（第１電極２１Ａ）が光透過性材料により構成されている。この点を除き、表示装置１Ａは表示装置１と同様の構成を有し、その作用および効果も同様である。
【００７１】
この第１電極２１Ａには、例えば、上述の第２電極２３の材料で例示した導電材料を用いることができる。中継電極１４は、表示装置１で説明したのと同様に、高反射性材料により構成されている。具体的に、中継電極１４には、上記表示装置１の第１電極２１で例示した、光反射性の導電材料を用いることができる。
【００７２】
このような表示装置１Ａでは、有機発光素子２０で生じた光のうち、中継電極１４に向かう光（光Ｌ１）が平坦化層１３の接続孔Ｈ１内で、中継電極１４により反射される。この中継電極１４での反射により、光Ｌ１は集光され、光透過性の第１電極２１Ａを透過して封止基板３１（図１）から取り出される。したがって、表示装置１Ａでは、正面輝度を向上させることが可能となる。
【００７３】
＜変形例２＞
図１４は、変形例２に係る表示装置（表示装置１Ｂ）の要部の断面構成を表したものである。このように、一つの中継電極１４を複数の接続孔Ｈ１で駆動配線１３Ａに接続するようにしてもよい。このとき、各々の接続孔Ｈ１に穴埋め部材１５が設けられる。光透過性の第１電極（図１３の第１電極２１Ａ）と光反射性の中継電極１４とを組み合わせて用いる場合には、複数の接続孔Ｈ１を設けることにより、より正面輝度を向上させることが可能となる。
【００７４】
＜変形例３＞
図１５は、変形例３に係る表示装置（表示装置１Ｃ）の要部の断面構成を表したものである。この表示装置１Ｃの中継電極１４は、保持容量素子（図３の保持容量素子４４Ｃ）の一方の電極としても機能する。この点を除き、表示装置１Ｃは表示装置１と同様の構成を有し、その作用および効果も同様である。
【００７５】
表示装置１Ｃは、例えば、駆動配線１３Ａと同層に、容量電極１３Ｂを有している。この容量電極１３Ｂは、中継電極１４の一部の領域と対向する位置に設けられている。平坦化層１３には、この容量電極１３Ｂに対向する位置に平坦化層１３を貫通する孔Ｈ２が設けられている。この平坦化層１３の孔Ｈ２と容量電極１３Ｂとの間には容量絶縁膜１３Ｉが設けられている。即ち、孔Ｈ２では、容量絶縁膜１３Ｉを間にして中継電極１４と容量電極１３Ｂとが対向しており、保持容量素子が構成されている。接続孔Ｈ１は、容量絶縁膜１３Ｉを貫通して、中継電極１４と駆動配線１３Ａとを電気的に接続する。
【００７６】
＜変形例４＞
図１６は、変形例４に係る表示装置（表示装置１Ｄ）の要部の断面構成を表したものである。この表示装置１Ｄでは、中継電極１４の端部と共に第１電極２１の端部が隔壁２４で覆われている。この点を除き、表示装置１Ｄは表示装置１と同様の構成を有し、その作用および効果も同様である。
【００７７】
第１電極２１は、例えば、平面視で中継電極１４よりも広い領域にわたって延在し、中継電極１４の端面を覆っている。即ち、第１電極２１の端部は、中継電極１４の端部よりも外側に設けられている。表示装置１Ｄでは、隔壁２４により、この第１電極２１の端部が覆われているので、第１電極２１の厚みに起因した第１電極２１と第２電極２３との短絡の発生が抑えられる。以下、これについて説明する。
【００７８】
第１電極２１の端部が隔壁２４で覆われていない場合（例えば図１）には、第１電極２１の端部が露出され、この第１電極２１の端部上にも有機層２２および第２電極２３が積層される。第１電極２１の端部では、第１電極２１の厚み分の段差があるので、有機層２２が分断され、第１電極２１と第２電極２３との短絡が生じる虞がある。この第１電極２１の端部を隔壁２４で覆うことにより、第１電極２１の厚みに起因する第１電極２１と第２電極２３との短絡の発生を防ぐことが可能となる。
【００７９】
このような隔壁２４は、例えば、穴埋め部材１５および第１電極２１を設けた後に、形成する。第１電極２１の端部は、隔壁２４で覆われていればよく、中継電極１４の端部よりも内側に設けられていてもよい。
【００８０】
＜変形例５＞
図１７は、変形例５に係る表示装置（表示装置１Ｅ）の断面構成を表したものである。この表示装置１Ｅは、隔壁２４の側面に反射部材２６（第１反射部材）を有するものである。この点を除き、表示装置１Ｅは表示装置１と同様の構成を有し、その作用および効果も同様である。
【００８１】
反射部材２６は、有機発光素子２０で発生した光を反射するためのものであり、例えば隔壁２４の上面から側面にわたり、設けられている。反射部材２６は、例えば、上述の第１電極２１の材料と同様の材料により構成されており、その厚みは１０ｎｍ〜１００ｎｍ程度である。このような反射部材２６は、第１電極２１と同一工程で形成することが可能である。
【００８２】
図１８に示したように、有機発光素子２０で発生した光のうち、隔壁２４に向かう光（光Ｌ２）は、反射部材２６で反射された後、封止基板３１から取り出される。このように、反射部材２６で光Ｌ２が反射されるので、混色の発生が抑えられる。
【００８３】
図１９に示したように、反射部材がない場合には、有機発光素子２０で発生した光のうち、隔壁２４に向かう光（光Ｌ３）は、隔壁２４を透過するので、例えば赤の画素ＰＸＬＣを構成する有機発光素子２０Ｒで発生した光が、緑色フィルタ３２Ｇを透過して取り出される虞がある。このような光Ｌ３は、隣接する緑の画素ＰＸＬＣへの漏れ光となり、混色の原因となる。
【００８４】
これに対し、隔壁２４の側面を反射部材２６で覆うことにより、光Ｌ２は反射部材２６で反射されて、各画素ＰＸＬＣの中心部に向かうようになる。したがって、隣接する画素ＰＸＬＣへの漏れ光を防ぎ、混色の発生を抑えることができる。また、表示装置１Ｅでは正面輝度を向上させることも可能である。
【００８５】
反射部材２６は、隔壁２４の各側面に分離して設けられていてもよく（図１７）、図２０に示したように、隔壁２４の上面から各側面にかけて一体化して設けられていてもよい。
【００８６】
＜第２の実施の形態＞
図２１は本技術の第２の実施の形態に係る表示装置（表示装置２）の要部の断面構成を表したものであり、図２１（Ａ）は断面構成、図２１（Ｂ）は平面構成をそれぞれ表している。この表示装置２では、第１電極（第１電極２１Ｂ）が隔壁２４上に延在しており、第１電極２１Ｂにより発光領域Ｅの形状が制御されている。この点を除き、表示装置２は表示装置１と同様の構成を有し、その作用および効果も同様である。
【００８７】
第１電極２１Ｂは、例えば、平面視で中継電極１４よりも広い領域にわたって設けられている（図２１（Ｂ））。この第１電極２１Ｂは、穴埋め部材１５を覆うとともに、穴埋め部材１５の周囲に延在して隔壁２４の側面も覆っている。この第１電極２１Ｂにより覆われた隔壁２４上では発光が生じ、第１電極２１Ｂが設けられた領域が発光領域Ｅとなる。
【００８８】
図２２に示したように、光反射性材料により第１電極２１Ｂを構成すると、有機発光素子２０で発生した光のうち、隔壁２４に向かう光Ｌ２は、隔壁２４の側面の第１電極２１Ｂで反射された後、封止基板３１から取り出される。したがって、上記表示装置１Ｅで説明したのと同様にして、混色の発生が抑えられ、また、正面輝度を向上させることも可能となる。
【００８９】
＜変形例６＞
図２３は、変形例６に係る表示装置（表示装置２Ａ）の断面構成を表したものである。この表示装置２Ａでは、穴埋め部材１５と隔壁２４とが接しており、これらが一体化されている。この点を除き、表示装置２Ａは表示装置２と同様の構成を有し、その作用および効果も同様である。
【００９０】
例えば、互いに高さの異なる穴埋め部材１５と隔壁２４とが、徐々に高さを変化させながら一体化されている（図２３）。
【００９１】
図２４に示したように、穴埋め部材１５の高さを隔壁２４の高さと同じにして、これらを一体化させるようにしてもよい。
【００９２】
＜変形例７＞
図２５は、変形例７に係る表示装置（表示装置２Ｂ）の断面構成を表したものである。この表示装置２Ｂでは、第１電極２１Ｂの端部が隔壁２７（第２隔壁）で覆われている。この点を除き、表示装置２Ｂは表示装置２と同様の構成を有し、その作用および効果も同様である。
【００９３】
隔壁２７には、例えば上述の隔壁２４と同様の絶縁材料を用いることができる。このような隔壁２７が隔壁２４上に設けられ、第１電極２１Ｂの端部を覆っている。隔壁２７は、隔壁２４上に第１電極２１Ｂを設けた後、基板１１の全面に絶縁材料を成膜し、これを例えばフォトリソグラフィ法を用いてパターニングすることにより形成することができる。
【００９４】
このような隔壁２７を設けることにより、上記表示装置１Ｄで説明したのと同様に、第１電極２１Ｂの厚みに起因する第１電極２１Ｂと第２電極２３との短絡の発生を防ぐことが可能となる。
【００９５】
＜第３の実施の形態＞
図２６は本技術の第３の実施の形態に係る表示装置（表示装置３）の要部の断面構成を表したものである。この表示装置３は、中継電極１４の両端部に設けられた隔壁２４間に、更に隔壁２８（第３隔壁）を有するものである。この点を除き、表示装置３は表示装置１と同様の構成を有し、その作用および効果も同様である。
【００９６】
隔壁２８は中継電極１４の表面の一部を覆うように設けられている。隔壁２８は、一つの中継電極１４に一つ設けるようにしてもよく（図示せず）、あるいは、一つの中継電極１４に複数の隔壁２８を設けるようにしてもよい。複数の隔壁２８は、所定の間隙で中継電極１４上に配置される。図２６には、中継電極１４の両端部に設けられた隔壁２４間に、３つの隔壁２８を設けた場合を図示したが、隔壁２８の数はいくつであってもよい。このような隔壁２８を設けることにより、中継電極１４の表面に凹凸が形成される。隔壁２８は、例えば、上述の隔壁２４と同一材料により構成されており、隔壁２４の高さと同一の高さを有している。隔壁２８は、例えば、隔壁２４と同一工程で形成することができる。
【００９７】
図２７、図２８および図２９は、隔壁２４，２８の構成の一例を表したものである。図２７（Ａ）、図２８（Ａ）および図２９（Ａ）は隔壁２４，２８の断面構成例、図２７（Ｂ）、図２８（Ｂ）および図２９（Ｂ）は隔壁２４，２８の平面構成例をそれぞれ表している。図２７（Ｂ）に示したように、隔壁２４と隔壁２８とを一体化させるようにしてもよい。このとき、中継電極１４と第１電極２１Ｂとは、例えばドット状等の島状の領域で接触する。あるいは、図２８（Ｂ）および図２９（Ｂ）に示したように、隔壁２４と隔壁２８とが分離されていてもよい。隔壁２８は、例えば、接続孔Ｈ１の周囲に四角形状に形成するようにしてもよく（図２８（Ｂ））、円状に形成するようにしてもよい（図２９（Ｂ））。
【００９８】
第１電極２１Ｂは隔壁２８を覆い（図２６）、この第１電極２１Ｂ上に有機層２２および第２電極２３が積層されている。このように、凹凸面に沿って形成した有機層２２の表面積は、平坦面に設けた有機層２２（例えば図２１の表示装置２参照）の表面積に比べて大きくなる。これにより、補助容量素子４４Ｄ（図３）の容量を増加させることが可能となる。
【００９９】
この表示装置３では、第１電極２１Ｂの設けられた領域が発光領域Ｅであり、隔壁２８上からも発光が生じる。
【０１００】
図３０に示したように、光反射性材料により第１電極２１Ｂを構成すると、有機発光素子２０で発生した光のうち、隔壁２８に向かう光（光Ｌ４）は、隔壁２８の側面の第１電極２１Ｂで反射された後、封止基板３１から取り出される。したがって、上記表示装置１Ｅで説明したのと同様にして、混色の発生が抑えられ、また、正面輝度を向上させることも可能となる。
【０１０１】
図３１，図３２および図３３に示したように、穴埋め部材１５と隔壁２４とが一体化されていてもよい。図３１（Ａ）、図３２（Ａ）および図３３（Ａ）は隔壁２４，２８の断面構成例、図３１（Ｂ）、図３２（Ｂ）および図３３（Ｂ）は隔壁２４，２８の平面構成例をそれぞれ表している。上記図２７、図２８および図２９で説明したのと同様にして、隔壁２４と隔壁２８とを一体化させるようにしてもよく（図３１）、隔壁２４と隔壁２８とが分離されていてもよい（図３２、図３３）。
【０１０２】
また、図３４に示したように、第１電極２１Ｂの端部を覆う隔壁２７を設けるようにしてもよい。
【０１０３】
＜変形例８＞
図３５は、変形例８に係る表示装置（表示装置３Ａ）の断面構成を表したものである。この表示装置３Ａは、隔壁２８の側面に反射部材２６（第２反射部材）を有するものである。この点を除き、表示装置３Ａは表示装置３と同様の構成を有し、その作用および効果も同様である。
【０１０４】
表示装置３Ａの第１電極２１は、接続孔Ｈ１上およびその近傍に設けられ、隔壁２４，２８の側面には設けられていない。この隔壁２４，２８の側面が反射部材２６で覆われている。
【０１０５】
接続孔Ｈ１上およびその近傍では、第１電極２１、有機層２２および第２電極２３がこの順に積層され、隔壁２４，２８の間隙（隔壁２８間および隔壁２８と隔壁２４との間）では、中間電極１４、有機層２２および第２電極２３がこの順に積層されている。したがって、表示装置３Ａでは、接続孔Ｈ１上およびその近傍と、隔壁２４，２８の間隙とで発光が生じるようになっている。
【０１０６】
図３６に示したように、表示装置３Ａでは、有機発光素子２０で発生した光のうち、隔壁２８に向かう光Ｌ４は、隔壁２８の側面の反射部材２６で反射された後、封止基板３１から取り出される。したがって、上記表示装置１Ｅで説明したのと同様にして、混色の発生が抑えられ、また、正面輝度を向上させることも可能となる。
【０１０７】
＜変形例９＞
図３７は、変形例９に係る表示装置（表示装置３Ｂ）の断面構成を表したものである。この表示装置３Ｂでは、中継電極１４の端部と共に第１電極２１の端部が隔壁２４で覆われている。この点を除き、表示装置３Ｂは表示装置３と同様の構成を有し、その作用および効果も同様である。
【０１０８】
表示装置３Ｂの第１電極２１は、隔壁２８を覆っている。即ち、隔壁２８の側面には第１電極２１が設けられている。第１電極２１は、例えば、平面視で中継電極１４よりも広い領域にわたって延在し、中継電極１４の端面を覆っている。このように隔壁２４により第１電極２１の端部が覆われた表示装置３Ｂでは、表示装置１Ｄ（図１６）で説明したのと同様に、第１電極２１の厚みに起因した第１電極２１と第２電極２３との短絡の発生が抑えられる。
【０１０９】
＜第４の実施の形態＞
図３８は本技術の第４の実施の形態に係る表示装置（表示装置４）の要部の断面構成を表したものである。この表示装置４は、ボトムエミッション型の表示装置であり、有機発光素子２０で発生した光（光Ｌ５）が基板１１から取り出される。この点を除き、表示装置４は表示装置１と同様の構成を有し、その作用および効果も同様である。
【０１１０】
表示装置４では、例えば、駆動配線１３Ａ、中継電極１４および第１電極２１が光透過率の高い導電材料により構成され、第２電極２３が反射性の導電材料により構成されている。光透過率の高い導電材料としては、例えば上記表示装置１で説明した第２電極２３の材料が挙げられ、光反射性の導電材料としては、例えば上記表示装置１で説明した第１電極２１および中継電極１４の材料が挙げられる。
【０１１１】
有機発光素子２０で発生した光のうち、第１電極２１に向かう光は、第１電極２１を透過して、基板１１から取り出される。有機発光素子２０で発生した光のうち、第２電極２３に向かう光は、第２電極２３で反射され、有機層２２および第１電極２１を透過して基板１１から取り出される。
【０１１２】
（適用例）
以下、上記のような表示装置（表示装置１，１Ａ，１Ｂ，１Ｃ，１Ｄ，１Ｅ，２，２Ａ，３，３Ａ，４）の電子機器への適用例について説明する。電子機器としては、例えばテレビジョン装置およびスマートフォン等が挙げられる。この他にも上記表示装置は、外部から入力された映像信号あるいは内部で生成した映像信号を、画像あるいは映像として表示するあらゆる分野の電子機器に適用することが可能であり、例えばタブレットや車載ディスプレイにも適用することができる。
【０１１３】
（モジュール）
上記表示装置は、例えば図３９に示したようなモジュールとして、後述の適用例１，２などの種々の電子機器に組み込まれる。このモジュールは、例えば、基板１１の一辺に、封止用基板３１から露出した領域６１を設け、この露出した領域６１に、水平セレクタ４１、ライトスキャナ４２および電源スキャナ４３の配線を延長して外部接続端子（図示せず）を形成したものである。この外部接続端子には、信号の入出力のためのフレキシブルプリント配線基板（ＦＰＣ；Flexible Printed Circuit）６２が設けられていてもよい。
【０１１４】
（適用例１）
図４０は、上記実施の形態の表示装置が適用されるスマートフォンの外観を表したものである。このスマートフォンは、例えば、表示部２３０および非表示部２４０を有しており、この表示部２３０が上記実施の形態の表示装置により構成されている。上記実施の形態等の表示装置は、電流密度が小さく、低消費電力であるので、スマートフォンにも好適に用いられる。
【０１１５】
（適用例２）
図４１は、上記実施の形態の表示装置が適用されるテレビジョン装置の外観を表したものである。このテレビジョン装置は、例えば、フロントパネル３１０およびフィルターガラス３２０を含む映像表示画面部３００を有しており、この映像表示画面部３００は、上記実施の形態の表示装置により構成されている。上記実施の形態等の表示装置は、高精細化が可能であるので、テレビジョン装置にも好適に用いられる。
【０１１６】
以上、実施の形態および変形例を挙げて本技術を説明したが、本技術は上記実施の形態等に限定されるものではなく、種々変形が可能である。例えば、上記実施の形態等において説明した各層の材料および厚み、または成膜方法および成膜条件等は限定されるものではなく、他の材料および厚みとしてもよく、または他の成膜方法および成膜条件としてもよい。
【０１１７】
また、上記実施の形態等においては、発光層として赤色発光層，緑色発光層および青色発光層の３層を含む白色発光用の発光層を形成した場合について説明したが、白色発光用の発光層の構成は特に限定されず、橙色発光層および青色発光層、あるいは、青緑色発光層および赤色発光層など、互いに補色関係にある２色の発光層を積層した構造としてもよい。更に、上記実施の形態等では、機能層として有機層を用いる場合について説明したが、発光層を含む無機層を用いるようにしてもよい。
【０１１８】
更に、上記実施の形態等では、第１電極２１を陽極、第２電極２３を陰極とする場合について説明したが、陽極および陰極を逆にして、第１電極２１を陰極、第２電極２３を陽極としてもよい。
【０１１９】
加えて、上記実施の形態等では、赤（Ｒ），緑（Ｇ），青（Ｂ）の３つのサブピクセルにより表示装置を構成する場合を例示したが、サブピクセルの構成はどのようなものであってもよく、例えば赤（Ｒ），緑（Ｇ），青（Ｂ），白（Ｗ）の４つのサブピクセルにより表示装置を構成するようにしてもよい。
【０１２０】
更にまた、上記実施の形態等では、カラーフィルタ３２を設ける場合について説明したが、カラーフィルタを設けずに表示装置を構成するようにしてもよい。例えば、サブピクセル毎に赤色発光層，緑色発光層，青色発光層を塗り分ける場合や、白黒表示を行う場合には、カラーフィルタを省略してもよい。
【０１２１】
なお、本明細書に記載された効果はあくまで例示であってこれに限定されるものではなく、また他の効果があってもよい。
【０１２２】
なお、本技術は以下のような構成も取ることができる。
（１）駆動配線と、前記駆動配線を覆うとともに、接続孔を有する平坦化層と、前記平坦化層上に設けられ、前記接続孔を介して前記駆動配線に電気的に接続された中継電極と、絶縁材料からなり、前記接続孔に設けられた穴埋め部材と、前記穴埋め部材と同一材料により構成されるとともに、前記中継電極の端部を覆う第１隔壁と、前記穴埋め部材を覆い、前記中継電極に電気的に接続された第１電極と、前記第１電極に対向する第２電極と、前記第１電極と前記第２電極との間の発光層を含む機能層とを備えた表示装置。
（２）前記穴埋め部材は前記接続孔を塞いでいる前記（１）に記載の表示装置。
（３）前記第１隔壁は、前記第１電極の端部も覆っている前記（１）または（２）に記載の表示装置。
（４）前記第１電極は、平面視で前記中継電極よりも広い領域にわたって延在している前記（１）乃至（３）のうちいずれか１つに記載の表示装置。
（５）前記第１電極は、前記第１隔壁の側面を覆っている前記（１）に記載の表示装置。
（６）前記第１電極の端部を覆う第２隔壁を有する前記（５）に記載の表示装置。
（７）前記第１隔壁の側面に第１反射部材を有する前記（１）乃至（６）のうちいずれか１つに記載の表示装置。
（８）前記穴埋め部材と同一材料により構成されるとともに、前記中継電極の一部を覆う第３隔壁を有する前記（１）に記載の表示装置。
（９）前記第１電極は前記第３隔壁を覆っている前記（８）に記載の表示装置。
（１０）複数の前記第３隔壁が、互いに間隙を有するように設けられている。前記（８）または（９）に記載の表示装置。
（１１）前記第３隔壁の側面に第２反射部材を有する前記（８）乃至（１０）のうちいずれか１つに記載の表示装置。
（１２）前記第１電極は光反射性材料を含み、前記第２電極は光透過性材料を含んでいる前記（１）乃至（１１）のうちいずれか１つに記載の表示装置。
（１３）前記中継電極は光反射性材料を含み、前記第１電極および前記第２電極は光透過性材料を含んでいる前記（１）乃至（１１）のうちいずれか１つに記載の表示装置。
（１４）前記駆動配線、前記中継電極および前記第１電極は光透過性材料を含み、前記第２電極は光反射性材料を含んでいる前記（１）乃至（１１）のうちいずれか１つに記載の表示装置。
（１５）一つの前記中継電極が、複数の前記接続孔で前記駆動配線に電気的に接続されている前記（１）乃至（１４）のうちいずれか１つに記載の表示装置。
（１６）前記第１電極の厚みは、前記中継電極の厚みよりも小さい前記（１）乃至（１５）のうちいずれか１つに記載の表示装置。
（１７）前記穴埋め部材と前記第１隔壁とが接している前記（１）乃至（１６）のうちいずれか１つに記載の表示装置。
（１８）前記機能層は有機層である前記（１）乃至（１７）のうちいずれか１つに記載の表示装置。
（１９）表示装置を備え、前記表示装置は、駆動配線と、前記駆動配線を覆うとともに、接続孔を有する平坦化層と、前記平坦化層上に設けられ、前記接続孔を介して前記駆動配線に電気的に接続された中継電極と、絶縁材料からなり、前記接続孔に設けられた穴埋め部材と、前記穴埋め部材と同一材料により構成されるとともに、前記中継電極の端部を覆う第１隔壁と、前記穴埋め部材を覆い、前記中継電極に電気的に接続された第１電極と、前記第１電極に対向する第２電極と、前記第１電極と前記第２電極との間の発光層を含む機能層とを含む電子機器。
（２０）駆動配線を形成することと、前記駆動配線を覆う平坦化層を成膜した後、前記平坦化層に接続孔を形成することと、前記平坦化層上に中継電極を形成するとともに、前記接続孔を介して前記中継電極を前記駆動配線に電気的に接続することと、前記接続孔に、絶縁材料からなる穴埋め部材を形成するととともに、前記中継電極の端部を覆う第１隔壁を、前記穴埋め部材と同一材料を用いて形成することと、前記穴埋め部材を覆うように第１電極を形成するとともに、前記第１電極を前記中継電極に電気的に接続することと、前記第１電極上に、発光層を含む機能層および第２電極をこの順に形成することとを含む表示装置の製造方法。
【符号の説明】
【０１２３】
１，１Ａ，１Ｂ，１Ｃ，１Ｄ，１Ｅ，２，２Ａ，３，３Ａ，４・・・表示装置、１０・・・有機発光素子、１０Ｒ・・・赤色有機発光素子、１０Ｇ・・・緑色有機発光素子、１１・・・基板、１２・・・ＴＦＴ層、１３・・・平坦化層、Ｈ１・・・接続孔、１４・・・中継電極、１５・・・穴埋め部材、２１，２１Ａ，２１Ｂ・・・第１電極、２２・・・有機層、２３・・・第２電極、２４，２７，２８・・・隔壁、２５・・・封止層、２６・・・反射部材、３１・・・封止基板、３２・・・カラーフィルタ、３３・・・遮光層、３４・・・オーバーコート層。
【図１】
2015149194.tif 000005
【図２】
2015149194.tif 000006
【図３】
2015149194.tif 000007
【図４】
2015149194.tif 000008
【図５Ａ】
2015149194.tif 000009
【図５Ｂ】
2015149194.tif 000010
【図５Ｃ】
2015149194.tif 000011
【図６Ａ】
2015149194.tif 000012
【図６Ｂ】
2015149194.tif 000013
【図７】
2015149194.tif 000014
【図８】
2015149194.tif 000015
【図９】
2015149194.tif 000016
【図１０】
2015149194.tif 000017
【図１１】
2015149194.tif 000018
【図１２】
2015149194.tif 000019
【図１３】
2015149194.tif 000020
【図１４】
2015149194.tif 000021
【図１５】
2015149194.tif 000022
【図１６】
2015149194.tif 000023
【図１７】
2015149194.tif 000024
【図１８】
2015149194.tif 000025
【図１９】
2015149194.tif 000026
【図２０】
2015149194.tif 000027
【図２１】
2015149194.tif 000028
【図２２】
2015149194.tif 000029
【図２３】
2015149194.tif 000030
【図２４】
2015149194.tif 000031
【図２５】
2015149194.tif 000032
【図２６】
2015149194.tif 000033
【図２７】
2015149194.tif 000034
【図２８】
2015149194.tif 000035
【図２９】
2015149194.tif 000036
【図３０】
2015149194.tif 000037
【図３１】
2015149194.tif 000038
【図３２】
2015149194.tif 000039
【図３３】
2015149194.tif 000040
【図３４】
2015149194.tif 000041
【図３５】
2015149194.tif 000042
【図３６】
2015149194.tif 000043
【図３７】
2015149194.tif 000044
【図３８】
2015149194.tif 000045
【図３９】
2015149194.tif 000046
【図４０】
2015149194.tif 000047
【図４１】
2015149194.tif 000048