(57)【要約】      （修正有）【課題】高効率且つ長寿命の有機エレクトロルミネッセンス素子材料及びそれを用いた有機エレクトロルミネッセンス素子を提供する。【解決手段】一般式（１）で表される有機エレクトロルミネッセンス素子用材料。2015122371.tif 000042式（１）中、Ar1及びAr2はそれぞれ独立に、置換若しくは無置換のアルキル基、置換若しくは無置換のアリール基、又は置換若しくは無置換のヘテロアリール基であり、Lは単結合、置換若しくは無置換のアリール基、又は置換若しくは無置換のヘテロアリール基である。【選択図】図１
2015122371.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
下記一般式（１）で表されることを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子用材料。
【化１】
2015122371.tif 000041
［式（１）中、Ar1及びAr2はそれぞれ独立に、置換若しくは無置換のアルキル基、置換若しくは無置換のアリール基、又は置換若しくは無置換のヘテロアリール基であり、Lは単結合、置換若しくは無置換のアリール基、又は置換若しくは無置換のヘテロアリール基である。］
【請求項２】
前記式（１）中、前記Ar1及び前記Ar2の一つ以上は、置換若しくは無置換の環形成炭素数６以上２４以下のアリール基であることを特徴とする請求項１に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子用材料。
【請求項３】
前記式（１）中、前記Ar1及び前記Ar2の一つ以上は、置換若しくは無置換のカルバゾリル基、置換若しくは無置換のジベンゾフリル基、又は置換若しくは無置換のジベンゾチエニル基であることを特徴とする請求項１又は２に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子用材料。
【請求項４】
前記式（１）中、前記Lが、単結合、又は置換若しくは無置換の環形成炭素数６以上１８以下のアリール基であることを特徴とする請求項１乃至３の何れか一に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子用材料。
【請求項５】
請求項１乃至４の何れか一に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子用材料を含むことを特徴とする正孔輸送材料。
【請求項６】
請求項１乃至４の何れか一に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子用材料を陽極と発光層との間に配置される積層膜の一つの膜に含むことを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は有機エレクトロルミネッセンス素子用材料及びそれを用いた有機エレクトロルミネッセンス素子に関する。特に、青色発光領域及び緑色発光領域において、高効率の有機エレクトロルミネッセンス素子材料及びそれを用いた有機エレクトロルミネッセンス素子に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、画像表示装置として、有機エレクトロルミネッセンス表示装置（Organic Electroluminescence Display：有機ＥＬ表示装置）の開発が盛んになってきている。有機ＥＬ表示装置は、液晶表示装置等とは異なり、陽極及び陰極から注入された正孔及び電子を発光層において再結合させることにより、発光層における有機化合物を含む発光材料を発光させて表示を実現するいわゆる自発光型の表示装置である。
【０００３】
有機エレクトロルミネッセンス素子（有機EL素子）としては、例えば、陽極、陽極上に配置された正孔輸送層、正孔輸送層上に配置された発光層、発光層上に配置された電子輸送層及び電子輸送層上に配置された陰極から構成された有機エレクトロルミネッセンス素子が知られている。陽極からは正孔が注入され、注入された正孔は正孔輸送層を移動して発光層に注入される。一方、陰極からは電子が注入され、注入された電子は電子輸送層を移動して発光層に注入される。発光層に注入された正孔と電子とが再結合することにより、発光層内で励起子が生成される。有機エレクトロルミネッセンス素子は、その励起子の輻射失活によって発生する光を利用して発光する。尚、有機エレクトロルミネッセンス素子は、以上に述べた構成に限定されず、種々の変更が可能である。
【０００４】
有機エレクトロルミネッセンス素子を表示装置に応用するにあたり、有機エレクトロルミネッセンス素子の高効率化及び長寿命化が求められている。有機エレクトロルミネッセンス素子の高効率化及び長寿命化を実現するために、正孔輸送層の定常化、安定化などが検討されている。正孔輸送層に用いられる材料としては、芳香族アミン系化合物等の様々な化合物などが知られている。例えば、特許文献１では、カルバゾール誘導体が正孔輸送材料又は正孔注入材料として提案されている。また、特許文献２では、ターフェニル基を有するアミン化合物が正孔輸送材料及び発光層中のホスト材料として提案されている。特許文献３では、フルオレニル基を有するアミン化合物が正孔輸送材料又は正孔注入材料として提案されている。
【０００５】
しかしながら、これらの材料を用いた有機エレクトロルミネッセンス素子も充分な発光効率と発光寿命を有しているとは言い難く、現在では一層、高効率で、発光寿命の長い有機エレクトロルミネッセンス素子が望まれている。有機エレクトロルミネッセンス素子のさらなる高効率化と長寿命化を実現するためには、新たな材料の開発が必要である。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】米国特許出願公開第２００７／０２３１５０３号明細書
【特許文献２】国際公開第２０１２／０９１４７１号
【特許文献３】国際公開第２０１０／１１０５５３号
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
本発明は、上述の問題を解決するものであって、高効率且つ長寿命の有機エレクトロルミネッセンス素子材料及びそれを用いた有機エレクトロルミネッセンス素子を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明の一実施形態によると、下記一般式（１）で表される有機エレクトロルミネッセンス素子用材料が提供される。
【化１】
2015122371.tif 000003
式（１）中、Ar1及びAr2はそれぞれ独立に、置換若しくは無置換のアルキル基、置換若しくは無置換のアリール基、又は置換若しくは無置換のヘテロアリール基であり、Lは単結合、置換若しくは無置換のアリール基、又は置換若しくは無置換のヘテロアリール基である。
【０００９】
本発明の一実施形態に係る有機エレクトロルミネッセンス素子用材料は、カルバゾリル基よりも高い電子耐性を有するインドロ［３，２，１‐ｊｋ］カルバゾリル基の６位の位置に結合したアミン化合物であることにより、有機エレクトロルミネッセンス素子の高効率化及び長寿命化を達成することができる。
【００１０】
前記有機エレクトロルミネッセンス素子用材料において、前記式（１）中、前記Ar1及び前記Ar2の一つ以上は、置換若しくは無置換の環形成炭素数６以上２４以下のアリール基であってもよい。
【００１１】
前記有機エレクトロルミネッセンス素子用材料において、前記式（１）中、前記Ar1及び前記Ar2の一つ以上は、置換若しくは無置換のカルバゾリル基、置換若しくは無置換のジベンゾフリル基、又は置換若しくは無置換のジベンゾチエニル基であってもよい。
【００１２】
前記有機エレクトロルミネッセンス素子用材料において、前記式（１）中、前記Lが、単結合、又は置換若しくは無置換の環形成炭素数６以上１８以下のアリール基であってもよい。
【００１３】
本発明の一実施形態に係る有機エレクトロルミネッセンス素子用材料は、単結合又は連結基として置換若しくは無置換の環形成炭素数６以上１８以下のアリール基を介して、インドロ［３，２，１‐ｊｋ］カルバゾリル基の６位の位置に結合したアミン化合物であることにより、有機エレクトロルミネッセンス素子の高効率化及び長寿命化を達成することができる。
【００１４】
また、本発明の一実施形態によると、前記何れか一に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子用材料を含む正孔輸送材料が提供される。
【００１５】
本発明の一実施形態に係る正孔輸送材料は、カルバゾリル基よりも高い電子耐性を有するインドロ［３，２，１‐ｊｋ］カルバゾリル基の６位の位置に結合したアミン化合物であることにより、有機エレクトロルミネッセンス素子の高効率化及び長寿命化を実現可能な正孔輸送層を形成することができる。
【００１６】
また、本発明の一実施形態によると、前記何れか一に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子用材料を陽極と発光層との間に配置される積層膜の一つの膜に含む有機エレクトロルミネッセンス素子が提供される。
【００１７】
本発明の一実施形態に係る有機エレクトロルミネッセンス素子は、カルバゾリル基よりも高い電子耐性を有するインドロ［３，２，１‐ｊｋ］カルバゾリル基の６位の位置に結合したアミン化合物を用いて陽極と発光層との間に配置される積層膜の一つの膜を形成することにより、有機エレクトロルミネッセンス素子の高効率化及び長寿命化を実現することができる。
【発明の効果】
【００１８】
本発明によると、高効率且つ長寿命の有機エレクトロルミネッセンス素子材料及びそれを用いた有機エレクトロルミネッセンス素子を提供することができる。特に、本発明によると、正孔輸送層に用いる高効率で長寿命の有機エレクトロルミネッセンス素子材料及びそれを用いた有機エレクトロルミネッセンス素子を提供することができる。本発明は、カルバゾリル基よりも広いπ平面を有するインドロ［３，２，１‐ｊｋ］カルバゾリル基の６位の位置に結合したアミン化合物を正孔輸送材料に用いることにより、有機エレクトロルミネッセンス素子の高効率化及び長寿命化を達成することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１９】
【図１】本発明の一実施形態に係る有機エレクトロルミネッセンス素子１００を示す模式図である。
【発明を実施するための形態】
【００２０】
上述の問題を解決すべく鋭意検討した結果、本発明者らは、カルバゾリル基よりも高い電子耐性を有するインドロ［３，２，１‐ｊｋ］カルバゾリル基を有するアミン化合物を、有機エレクトロルミネッセンス素子の正孔輸送材料に用いることにより、有機エレクトロルミネッセンス素子の高効率化及び長寿命化を達成することができることを見出した。特に、アミンにインドロ［３，２，１‐ｊｋ］カルバゾリル基の６位の位置で結合することにより、青色発光領域及び緑色発光領域において、有機エレクトロルミネッセンス素子の格段の高効率化及び長寿命化を実現することができることを見出し、発明を完成させた。
【００２１】
以下、図面を参照して本発明に係る有機エレクトロルミネッセンス素子用材料及びそれを用いた有機エレクトロルミネッセンス素子について説明する。但し、本発明の有機エレクトロルミネッセンス素子用材料及びそれを用いた有機エレクトロルミネッセンス素子は多くの異なる態様で実施することが可能であり、以下に示す実施の形態の記載内容に限定して解釈されるものではない。なお、本実施の形態で参照する図面において、同一部分又は同様な機能を有する部分には同一の符号を付し、その繰り返しの説明は省略する。
【００２２】
本発明に係る有機エレクトロルミネッセンス素子用材料は、下記一般式（１）で示されるアミン化合物を含む。
【化２】
2015122371.tif 000004
【００２３】
本発明に係る有機エレクトロルミネッセンス素子用材料において、式（１）中、Ar1及びAr2はそれぞれ独立に、置換若しくは無置換のアルキル基、置換若しくは無置換のアリール基、又は置換若しくは無置換のヘテロアリール基である。Lは単結合、置換若しくは無置換のアリール基、又は置換若しくは無置換のヘテロアリール基である。
【００２４】
ここで、Ar1及びAr2として用いるアルキル基は、置換若しくは無置換の炭素数１以上３０以下のアルキル基が好ましく、具体的には、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、ｓ−ブチル基、ｔ−ブチル基、ｉ−ブチル基、２−エチルブチル基、３、３−ジメチルブチル基、ｎ−ペンチル基、ｉ−ペンチル基、ネオペンチル基、ｔ−ペンチル基、シクロペンチル基、１−メチルペンチル基、３−メチルペンチル基、２−エチルペンチル基、４−メチル−２−ペンチル基、ｎ−ヘキシル基、１−メチルヘキシル基、２−エチルヘキシル基、２−ブチルヘキシル基、シクロヘキシル基、４−メチルシクロヘキシル基、４−ｔ−ブチルシクロヘキシル基、ｎ−ヘプチル基、１−メチルヘプチル基、２、２−ジメチルヘプチル基、２−エチルヘプチル基、２−ブチルヘプチル基、ｎ−オクチル基、ｔ−オクチル基、２−エチルオクチル基、２−ブチルオクチル基、２−ヘキシルオクチル基、３、７−ジメチルオクチル基、シクロオクチル基、ｎ−ノニル基、ｎ−デシル基、アダマンチル基、２−エチルデシル基、２−ブチルデシル基、２−ヘキシルデシル基、２−オクチルデシル基、ｎ−ウンデシル基、ｎ−ドデシル基、２−エチルドデシル基、２−ブチルドデシル基、２−ヘキシルドデシル基、２−オクチルドデシル基、ｎ−トリデシル基、ｎ−テトラデシル基、ｎ−ペンタデシル基、ｎ−ヘキサデシル基、２−エチルヘキサデシル基、２−ブチルヘキサデシル基、２−ヘキシルヘキサデシル基、２−オクチルヘキサデシル基、ｎ−ヘプタデシル基、ｎ−オクタデシル基、ｎ−ノナデシル基、ｎ−イコシル基、２−エチルイコシル基、２−ブチルイコシル基、２−ヘキシルイコシル基、２−オクチルイコシル基、ｎ−ヘンイコシル基、ｎ−ドコシル基、ｎ−トリコシル基、ｎ−テトラコシル基、ｎ−ペンタコシル基、ｎ−ヘキサコシル基、ｎ−ヘプタコシル基、ｎ−オクタコシル基、ｎ−ノナコシル基、及びｎ−トリアコンチル基等を例示することができるが、これらに限定されるものではない。
【００２５】
ここで、Ar1及びAr2の一つ以上は、置換若しくは無置換の環形成炭素数６以上２４以下のアリール基であることが好ましい。本発明に係る有機エレクトロルミネッセンス素子用材料に導入するアリール基としては、フェニル基、ナフチル基、アントラセニル基、フェナントリル基、ビフェニル基、ターフェニル基、クォーターフェニル基、キンクフェニル基、セキシフェニル基、フルオレニル基、トリフェニレン基、ビフェニレン基、ピレニル基、ベンゾフルオランテニル基、クリセニル基等が挙げられるが、これらに限定されるものではない。
【００２６】
また、式（１）中、Ar1及びAr2の一つ以上は、置換若しくは無置換の環形成炭素数４以上３０以下（環形成原子数５以上３５以下）のヘテロアリール基であることが好ましい。具体的には、ベンゾチアゾリル基、チオフェニル基、チエノチオフェニル基、チエノチエノチオフェニル基、ベンゾチオフェニル基、ベンゾフリル基、ジベンゾチオフェニル基、ジベンゾフリル基、Ｎ−アリールカルバゾリル基、Ｎ−ヘテロアリールカルバゾリル基、Ｎ−アルキルカルバゾリル基、フェノキサジル基、フェノチアジル基、ピリジル基、ピリミジル基、トリアジル基、キノリニル基、キノキサリル基等を例示することができるが、これらに限定されるものではない。さらに好ましくは、ジベンゾチオフェニル基、ジベンゾフリル基、Ｎ−アリールカルバゾリル基が挙げられる。
【００２７】
式（１）中、Lが、単結合、又は置換若しくは無置換の環形成炭素数６以上１８以下のアリール基であることが好ましい。一実施形態において、本発明に係る有機エレクトロルミネッセンス素子用材料は、単結合又は連結基として置換若しくは無置換の環形成炭素数６以上１８以下のアリール基を介して、インドロ［３，２，１‐ｊｋ］カルバゾリル基の６位の位置に結合したアミン化合物であることにより、有機エレクトロルミネッセンス素子の高効率化及び長寿命化を達成することができる。
【００２８】
ここで、式（１）中のLとして導入可能な環形成炭素数６以上１８以下のアリール基としては、フェニル基、ナフチル基、アントラセニル基、フェナントリル基、ビフェニル基、ターフェニル基、フルオレニル基、トリフェニレン基、ビフェニレン基、ピレニル基、クリセニル基等が挙げられるが、これらに限定されるものではない。
【００２９】
本発明に係る有機エレクトロルミネッセンス素子用材料は、上述の構造を有し、真空蒸着プロセスに適合させるため、分子量を１０００以下とすることが好ましい。
【００３０】
本発明に係る有機エレクトロルミネッセンス素子用材料は、カルバゾリル基よりも高い電子耐性を有するインドロ［３，２，１‐ｊｋ］カルバゾリル基の６位の位置に結合したアミン化合物を正孔輸送材料に用いることにより、有機エレクトロルミネッセンス素子の高効率化及び長寿命化を達成することができる。
【００３１】
本発明に係る有機エレクトロルミネッセンス素子用材料は、一例として、以下の構造式により示された物質である。
【化３】
2015122371.tif 000005
【００３２】
本発明に係る有機エレクトロルミネッセンス素子用材料は、一例として、以下の構造式により示された物質である。
【化４】
2015122371.tif 000006
【００３３】
本発明に係る有機エレクトロルミネッセンス素子用材料は、一例として、以下の構造式により示された物質である。
【化５】
2015122371.tif 000007
【００３４】
本発明に係る有機エレクトロルミネッセンス素子用材料は、一例として、以下の構造式により示された物質である。
【化６】
2015122371.tif 000008
【００３５】
本発明に係る有機エレクトロルミネッセンス素子用材料は、一例として、以下の構造式により示された物質である。
【化７】
2015122371.tif 000009
【００３６】
本発明に係る有機エレクトロルミネッセンス素子用材料は、一例として、以下の構造式により示された物質である。
【化８】
2015122371.tif 000010
【００３７】
本発明に係る有機エレクトロルミネッセンス素子用材料は、一例として、以下の構造式により示された物質である。
【化９】
2015122371.tif 000011
【００３８】
本発明に係る有機エレクトロルミネッセンス素子用材料は、一例として、以下の構造式により示された物質である。
【化１０】
2015122371.tif 000012
【００３９】
本発明に係る有機エレクトロルミネッセンス素子用材料は、一例として、以下の構造式により示された物質である。
【化１１】
2015122371.tif 000013
【００４０】
本発明に係る有機エレクトロルミネッセンス素子用材料は、一例として、以下の構造式により示された物質である。
【化１２】
2015122371.tif 000014
【００４１】
本発明に係る有機エレクトロルミネッセンス素子用材料は、一例として、以下の構造式により示された物質である。
【化１３】
2015122371.tif 000015
【００４２】
本発明に係る有機エレクトロルミネッセンス素子用材料は、一例として、以下の構造式により示された物質である。
【化１４】
2015122371.tif 000016
【００４３】
本発明に係る有機エレクトロルミネッセンス素子用材料は、一例として、以下の構造式により示された物質である。
【化１５】
2015122371.tif 000017
【００４４】
本発明に係る有機エレクトロルミネッセンス素子用材料は、一例として、以下の構造式により示された物質である。
【化１６】
2015122371.tif 000018
【００４５】
本発明に係る有機エレクトロルミネッセンス素子用材料は、一例として、以下の構造式により示された物質である。
【化１７】
2015122371.tif 000019
【００４６】
本発明に係る有機エレクトロルミネッセンス素子用材料は、一例として、以下の構造式により示された物質である。
【化１８】
2015122371.tif 000020
【００４７】
本発明に係る有機エレクトロルミネッセンス素子用材料は、一例として、以下の構造式により示された物質である。
【化１９】
2015122371.tif 000021
【００４８】
本発明に係る有機エレクトロルミネッセンス素子用材料は、一例として、以下の構造式により示された物質である。
【化２０】
2015122371.tif 000022
【００４９】
本発明に係る有機エレクトロルミネッセンス素子用材料は、一例として、以下の構造式により示された物質である。
【化２１】
2015122371.tif 000023
【００５０】
本発明に係る有機エレクトロルミネッセンス素子用材料は、一例として、以下の構造式により示された物質である。
【化２２】
2015122371.tif 000024
【００５１】
本発明に係る有機エレクトロルミネッセンス素子用材料は、一例として、以下の構造式により示された物質である。
【化２３】
2015122371.tif 000025
【００５２】
本発明に係る有機エレクトロルミネッセンス素子用材料は、一例として、以下の構造式により示された物質である。
【化２４】
2015122371.tif 000026
【００５３】
本発明に係る有機エレクトロルミネッセンス素子用材料は、一例として、以下の構造式により示された物質である。
【化２５】
2015122371.tif 000027
【００５４】
本発明に係る有機エレクトロルミネッセンス素子用材料は、一例として、以下の構造式により示された物質である。
【化２６】
2015122371.tif 000028
【００５５】
本発明に係る有機エレクトロルミネッセンス素子用材料は、一例として、以下の構造式により示された物質である。
【化２７】
2015122371.tif 000029
【００５６】
本発明に係る有機エレクトロルミネッセンス素子用材料は、一例として、以下の構造式により示された物質である。
【化２８】
2015122371.tif 000030
【００５７】
本発明に係る有機エレクトロルミネッセンス素子用材料は、一例として、以下の構造式により示された物質である。
【化２９】
2015122371.tif 000031
【００５８】
本発明に係る有機エレクトロルミネッセンス素子用材料は、一例として、以下の構造式により示された物質である。
【化３０】
2015122371.tif 000032
【００５９】
本発明に係る有機エレクトロルミネッセンス素子用材料は、一例として、以下の構造式により示された物質である。
【化３１】
2015122371.tif 000033
【００６０】
本発明に係る有機エレクトロルミネッセンス素子用材料は、陽極と発光層との間に配置される積層膜の一つの膜に用いることができる。例えば、有機エレクトロルミネッセンス素子用の正孔輸送材料に好適に用いることができる。また、本発明に係る有機エレクトロルミネッセンス素子用材料を用いて正孔輸送層を形成することにより、有機エレクトロルミネッセンス素子の高効率化と長寿命化を実現することができる。
【００６１】
また、本発明に係る有機エレクトロルミネッセンス素子用材料の用途は、有機エレクトロルミネッセンス素子の正孔輸送材料に限定されるわけではない。例えば、本実施形態に係る有機エレクトロルミネッセンス素子用材料を、正孔注入層の材料にも好ましく用いることが可能である。本実施形態に係る有機エレクトロルミネッセンス素子用材料を正孔注入層の材料として用いる場合も、電子が原因となる正孔注入層の劣化を抑制することができるため、正孔輸送層の材料として使用した場合と同様に、有機ＥＬ素子の長寿命化を実現することが可能となる。また、本実施形態に係るジアミン誘導体は電子耐性を有しているため、発光層中のホスト材料としても用いることもできる。
【００６２】
（有機エレクトロルミネッセンス素子）
本発明に係る有機エレクトロルミネッセンス素子用材料を用いた有機エレクトロルミネッセンス素子について説明する。図１は、本発明の一実施形態に係る有機エレクトロルミネッセンス素子１００を示す模式図である。有機エレクトロルミネッセンス素子１００は、例えば、基板１０２、陽極１０４、正孔注入層１０６、正孔輸送層１０８、発光層１１０、電子輸送層１１２、電子注入層１１４及び陰極１１６を備える。一実施形態において、本発明に係る有機エレクトロルミネッセンス素子用材料は、正孔輸送層に用いることができる。
【００６３】
例えば、本発明に係る有機エレクトロルミネッセンス素子用材料を正孔輸送層１０８に用いる場合について説明する。基板１０２は、例えば、透明ガラス基板や、シリコン等から成る半導体基板樹脂等のフレキシブルな基板であってもよい。陽極１０４は、基板１０２上に配置され、酸化インジウムスズ（ITO）やインジウム亜鉛酸化物（IZO）等を用いて形成することができる。正孔注入層１０６は、陽極１０４上に配置され、例えば、4,4′,4′′-Tris[2-naphthyl(phenyl)amino]triphenylamine（2-TNATA）、N,N,N′,N′-Tetrakis(3-methylphenyl)-3,3′-dimethylbenzidine（HMTPD）等を含む。正孔輸送層１０８は、正孔注入層１０６上に配置され、本発明に係る有機エレクトロルミネッセンス素子用材料を用いて形成される。発光層１１０は、正孔輸送層１０８上に配置され、本発明に係る有機エレクトロルミネッセンス素子用材料を用いて形成される。また、例えば、9,10-Di(2-naphthyl)anthracene（ADN）を含むホスト材料に2,5,8,11-Tetra-t-butylperylene (TBP)をドープして形成することもできる。電子輸送層１１２は、発光層１１０上に配置され、例えば、Tris(8-hydroxyquinolinato)aluminium（Alq3）を含む材料により形成される。電子注入層１１４は、電子輸送層１１２上に配置され、例えば、フッ化リチウム（LiF）を含む材料により形成される。陰極１１６は、電子注入層１１４上に配置され、Al等の金属や酸化インジウムスズ（ITO）やインジウム亜鉛酸化物（IZO）等の透明材料により形成される。上記薄膜は、真空蒸着、スパッタ、各種塗布など材料に応じた適切な成膜方法を選択することにより、形成することができる。
【００６４】
本実施形態に係る有機エレクトロルミネッセンス素子１００においては、上述した本発明に係る有機エレクトロルミネッセンス素子用材料を用いることにより、高効率化と長寿命化を実現可能な正孔輸送層が形成される。なお、本発明に係る有機エレクトロルミネッセンス素子用材料は、TFTを用いたアクティブマトリクスの有機EL発光装置にも適用することができる。
【実施例】
【００６５】
（製造方法）
上述した本発明に係る有機エレクトロルミネッセンス素子用材料は、例えば、以下の方法で合成することができる。
【００６６】
（化合物８の合成方法）
【化３２】
2015122371.tif 000034
【００６７】
反応容器にインドロカルバゾール化合物（３.０ｍｍｏｌ）、アミン化合物（３.０ｍｍｏｌ）、パラジウム触媒（０．３ｍｏｌ）、ホスフィン配位子（１．２ｍｏｌ）、塩基性試薬（１２ｍｍｏｌ）、トルエン（１００ｍＬ）を加え、容器内を窒素置換し、その後還流下で２５時間撹拌した。放冷後、反応溶液に水を加えて有機層の抽出を行った。得られた有機層を無水硫酸マグネシウムで乾燥させ、ろ過後に、ろ液をロータリーエバポレーターで濃縮した。得られた粗生成物をシリカゲルカラムクロマトグラフィーにより精製し、得られた固体を再結晶したところ、目的物である化合物８の粉末状固体を収率３５％で得た（ＡＰＣＩ＋：Ｃ４８Ｈ３２Ｎ２、測定値６３６）。
【００６８】
（化合物１４の合成方法）
【化３３】
2015122371.tif 000035
【００６９】
反応容器にインドロカルバゾール化合物（４．５ｍｍｏｌ）、アミン化合物（４．５ｍｍｏｌ）、パラジウム触媒（０．５ｍｏｌ）、ホスフィン配位子（２ｍｏｌ）、塩基性試薬（２０ｍｍｏｌ）、トルエン（１５０ｍＬ）を加え、容器内を窒素置換し、その後還流下で２０時間撹拌した。放冷後、反応溶液に水を加えて有機層の抽出を行った。得られた有機層を無水硫酸マグネシウムで乾燥させ、ろ過後に、ろ液をロータリーエバポレーターで濃縮した。得られた粗生成物をシリカゲルカラムクロマトグラフィーにより精製し、得られた固体を再結晶したところ、目的物である化合物１４の粉末状固体を収率４０％で得た（ＡＰＣＩ＋：Ｃ６０Ｈ４２Ｎ２Ｓｉ、測定値８１８）。
【００７０】
（化合物２１４の合成方法）
【化３４】
2015122371.tif 000036
【００７１】
反応容器にインドロカルバゾール化合物（５．０ｍｍｏｌ）、カルバゾール化合物（５.０ｍｍｏｌ）、パラジウム触媒（０．５ｍｏｌ）、ホスフィン配位子（２．０ｍｏｌ）、塩基性試薬（２０ｍｍｏｌ）、トルエン（３００ｍＬ）、水（３０ｍＬ）、エタノール（１５ｍＬ）を加え、容器内を窒素置換し、その後還流下で１８時間撹拌した。放冷後、反応溶液に水を加えて有機層の抽出を行った。得られた有機層を無水硫酸マグネシウムで乾燥させ、ろ過後に、ろ液をロータリーエバポレーターで濃縮した。得られた粗生成物をシリカゲルカラムクロマトグラフィーにより精製し、得られた固体を再結晶したところ、目的物である化合物２１４の粉末状固体を収率５０％で得た（ＡＰＣＩ＋：Ｃ４８Ｈ３２Ｎ２、測定値６３６）。
【００７２】
（化合物５５の合成方法）
【化３５】
2015122371.tif 000037
【００７３】
反応容器にインドロカルバゾール化合物（２.０ｍｍｏｌ）、カルバゾール化合物（２．０ｍｍｏｌ）、パラジウム触媒（０．２ｍｏｌ）、ホスフィン配位子（０．８ｍｏｌ）、塩基性試薬（８ｍｍｏｌ）、トルエン（１００ｍＬ）、水（１０ｍＬ）、エタノール（５ｍＬ）を加え、容器内を窒素置換し、その後還流下で２０時間撹拌した。放冷後、反応溶液に水を加えて有機層の抽出を行った。得られた有機層を無水硫酸マグネシウムで乾燥させ、ろ過後に、ろ液をロータリーエバポレーターで濃縮した。得られた粗生成物をシリカゲルカラムクロマトグラフィーにより精製し、得られた固体を再結晶したところ、目的物である化合物５５の粉末状固体を収率５３％で得た（ＡＰＣＩ＋：Ｃ５４Ｈ３２Ｎ２Ｏ、測定値７２６）。
【００７４】
（化合物２２４の合成方法）
【化３６】
2015122371.tif 000038
【００７５】
反応容器にインドロカルバゾール化合物（６.０ｍｍｏｌ）、カルバゾール化合物（６．０ｍｍｏｌ）、パラジウム触媒（０．６ｍｏｌ）、ホスフィン配位子（２．４ｍｏｌ）、塩基性試薬（２４ｍｍｏｌ）、トルエン（３５０ｍＬ）、水（３５ｍＬ）、エタノール（１８ｍＬ）を加え、容器内を窒素置換し、その後還流下で２０時間撹拌した。放冷後、反応溶液に水を加えて有機層の抽出を行った。得られた有機層を無水硫酸マグネシウムで乾燥させ、ろ過後に、ろ液をロータリーエバポレーターで濃縮した。得られた粗生成物をシリカゲルカラムクロマトグラフィーにより精製し、得られた固体を再結晶したところ、目的物である化合物２２４の粉末状固体を収率４３％で得た（ＡＰＣＩ＋：Ｃ６０Ｈ３４Ｎ２Ｓｉ、測定値８１８）。
【００７６】
上述した化合物８、１４、２１４、５５及び２２４を正孔輸送材料として用いて、上述した製造方法により、実施例１〜５の有機エレクトロルミネッセンス素子を形成した。また、比較例として、下記に示す化合物２５１及び２５２を正孔輸送材料として用いて、比較例１及び２の有機エレクトロルミネッセンス素子を形成した。
【化３７】
2015122371.tif 000039
【００７７】
本実施例においては、基板１０２には透明ガラス基板を用い、１５０ｎｍの膜厚のＩＴＯで陽極１０４を形成し、６０ｎｍの膜厚の２−ＴＮＡＴＡで正孔注入層１０６を形成し、実施例及び比較例の化合物を用いて３０ｎｍの膜厚の正孔輸送層１０８を形成し、ＡＤＮにＴＢＰを３％ドープした２５ｎｍの膜厚の発光層１１０を形成し、２５ｎｍの膜厚のＡｌｑ３で電子輸送層１１２を形成し、１ｎｍの膜厚のＬｉＦで電子注入層１１４を形成し、１００ｎｍの膜厚のＡｌで陰極１１６を形成した。
【００７８】
作成した有機エレクトロルミネッセンス素子について、電圧及び発光効率及び寿命を評価した。なお、電流密度を１０  ｍＡ／ｃｍ２とし、半減寿命は１，０００  ｃｄ／ｍ２で測定して評価した。
【表１】
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【００７９】
表１から明らかなように、インドロ［３，２，１‐ｊｋ］カルバゾリル基の６位の位置に結合したアミン化合物は、インドロ［３，２，１‐ｊｋ］カルバゾリル基を有するアミン化合物である比較例１や、アリール基が結合したジアミン化合物である比較例２と比較して、発光効率の向上とともに、素子半減寿命の伸張が認められた。
【符号の説明】
【００８０】
１００  有機ＥＬ素子、１０２  基板、１０４  陽極、１０６  正孔注入層、１０８  正孔輸送層、１１０  発光層、１１２  電子輸送層、１１４  電子注入層、１１６  陰極
【図１】
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