(57)【要約】【課題】共振構造を有する有機電界発光表示装置を容易に製造できる製造方法が提供される。【解決手段】本発明の一実施形態による有機電界発光表示装置の製造方法は、複数の画素領域が定義された基板を準備し、前記複数の画素領域に第１電極を各々形成する。前記第１電極上に有機発光層を各々形成し、前記有機発光層上に第２電極を形成する。前記第１電極の各々及び前記第２電極の間に共振距離を調節する共振調節部を形成する。前記画素領域の中で互いに異なる色相の光を出力する少なくとも２つの画素領域に一対一で対応して溶液が互いに同一の量で提供され、前記溶液は互いに異なる濃度を有し、前記提供された溶液から溶媒が除去されて前記共振調節部が形成される。【選択図】図２
2015118923.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の画素領域が定義された基板を準備する段階と、
前記複数の画素領域に第１電極を各々形成する段階と、
前記第１電極上に有機発光層を各々形成する段階と、
前記有機発光層上に第２電極を形成する段階と、
前記第１電極の各々及び前記第２電極の間に共振距離を調節する共振調節部を各々形成する段階と、
を含み、
前記共振調節部を形成する段階は、
前記画素領域の中で互いに異なる色相の光を出力する少なくとも２つの画素領域に一対一で対応して溶液を互いに同一の量で各々提供する段階と、
前記提供された溶液から溶媒を除去する段階と、
を含み、
前記溶液は、互いに異なる濃度を有することを特徴とする有機電界発光表示装置の製造方法。
【請求項２】
前記溶液は、互いに同一の時間の間に乾燥されて前記溶液から前記溶媒が除去されることを特徴とする請求項１に記載の有機電界発光表示装置の製造方法。
【請求項３】
前記提供された溶液に一対一で対応して予備共振調節部が形成され、前記予備共振調節部の厚さは、互いに同一であることを特徴とする請求項２に記載の有機電界発光表示装置の製造方法。
【請求項４】
前記溶液の濃度にしたがって、前記予備共振調節部から前記溶媒が除去された量が互いに異なって、前記共振調節部は、互いに異なる厚さで形成されることを特徴とする請求項３に記載の表示装置の製造方法。
【請求項５】
前記有機発光層を形成する段階は、
前記画素領域の第１画素領域に、第１有機発光層を形成する段階と、
前記画素領域の第２画素領域に、前記第１有機発光層とは異なる色相の光を発生する第２有機発光層を形成する段階と、
前記画素領域の第３画素領域に、前記第１及び第２有機発光層とは異なる色相の光を発生する第３有機発光層を形成する段階と、
を含み、
前記共振調節部を形成する段階は、
前記第１画素領域に、前記第１有機発光層と重畳される第１共振調節部を形成する段階と、
前記第２画素領域に、前記第２有機発光層と重畳され、前記第１共振調節部とは異なる厚さを有する第２共振調節部を形成する段階と、
前記第３画素領域に、前記第３有機発光層と重畳され、前記第１共振調節部及び第２共振調節部とは異なる厚さを有する第３共振調節部を形成する段階と、
を含むことを特徴とする請求項１に記載の有機電界発光表示装置の製造方法。
【請求項６】
前記第１共振調節部を形成する段階は、
前記第１有機発光層上に第１濃度を有する第１溶液を提供して第１予備共振調節層を形成する段階と、
前記第１予備共振調節層を乾燥する段階と、
を含み、
前記第２共振調節部を形成する段階は、
前記第２有機発光層上に前記第１濃度とは異なる第２濃度を有する第２溶液を提供して第２予備共振調節層を形成する段階と、
前記第２予備共振調節層を乾燥する段階と、
を含み、
前記第３共振調節部を形成する段階は、
前記第３有機発光層上に、前記第１濃度及び第２濃度とは異なる第３濃度を有する第３溶液を提供して第３予備共振調節層を形成する段階と、
前記第３予備共振調節層を乾燥する段階と、
を含むことを特徴とする請求項５に記載の有機電界発光表示装置の製造方法。
【請求項７】
前記第１予備共振調節層、第２予備共振調節層、及び第３予備共振調節層は、互いに同一の時間の間、乾燥されることを特徴とする請求項６に記載の有機電界発光表示装置の製造方法。
【請求項８】
前記第１溶液、第２溶液、及び第３溶液は、前記溶媒及び前記溶媒に溶解された溶質で構成され、前記第１溶液、第２溶液、及び第３溶液では、前記溶媒に溶解された前記溶質の量が、互いに異なることを特徴とする請求項６に記載の有機電界発光表示装置の製造方法。
【請求項９】
前記第１溶液は、第１噴射部を通して前記第１画素領域に提供され、前記第２溶液は、第２噴射部を通して前記第２画素領域に提供され、前記第３溶液は、第３噴射部を通して前記第３画素領域に提供されることを特徴とする請求項６に記載の有機電界発光表示装置の製造方法。
【請求項１０】
前記第１噴射部は、前記第１溶液を収容する第１貯蔵部から前記第１溶液が提供され、前記第２噴射部は、前記第２溶液を収容する第２貯蔵部から前記第２溶液が提供され、前記第３噴射部は、前記第３溶液を収容する第３貯蔵部から前記第３溶液が提供されることを特徴とする請求項９に記載の有機電界発光表示装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は有機電界発光表示装置の製造方法に関し、より詳細には共振構造を有する有機電界発光表示装置の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
有機電界発光表示装置は、平板表示装置の中の１つとして、液晶表示装置を代替していく。有機電界発光表示装置は、自己発光して映像を表示するので、液晶表示装置とは異なり、その構成要素として光を発生させるバックライトユニットを必要としない。したがって、有機電界発光表示装置は、その厚さを、液晶表示装置よりも薄くするのに有利であるのみでなく、応答特性に優れているので、次世代表示装置として次第にその使用範囲が拡大されている。
一般的に有機電界発光表示装置はアノード、カソード、及びアノードとカソードとの間に介在される有機発光層を含む。アノードを通して有機発光層へ正孔が提供され、カソードを通して有機発光層へ電子が提供される。したがって、有機発光層に提供された電子及び正孔が再結合されて励起子が生成され、その励起子が励起状態から基底状態に変化することによって発生するエネルギーによって、有機発光層から光が発生する。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】国際公開第２０１２／００１７４１号パンフレット
【特許文献２】韓国特許公開第２００８−００１７３６２号明細書
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
本発明の目的は共振構造を有する有機電界発光表示装置を容易に製造できる製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
上述した本発明の目的を達成するための有機電界発光表示装置の製造方法は次の通りである。複数の画素領域が定義された基板を準備し、複数の画素領域に第１電極を各々形成する。その第１電極上に有機発光層を各々形成し、有機発光層上に第２電極を形成する。その第１電極の各々及びその第２電極の間に共振距離を調節する共振調節部を形成する。
前記画素領域の中で互いに異なる色相の光を出力する少なくとも２つの画素領域に一対一で対応して溶液が互いに同一の量で提供され、溶液は互いに異なる濃度を有し、提供された溶液から溶媒が除去されて共振調節部が形成される。
【発明の効果】
【０００６】
本発明の実施形態によれば、有機電界発光表示装置の画素を共振モードで駆動させるのに使用される共振調節部の平坦度を最大化させることができ、共振調節部の平坦度を均一に制御することができる。したがって、前記共振調節部上に積層される他の薄膜の平坦度が大きくなって薄膜の断線及び短絡のような現象が発生するのを防止することができる。
【図面の簡単な説明】
【０００７】
【図１】本発明の実施形態による有機電界発光表示装置の第１画素を示す断面図である。
【図２】図１に図示された有機電界発光表示装置の第１画素、第２画素、及び第３画素を示す断面図である。
【図３】本発明の他の実施形態による有機電界発光表示装置の第１画素、第２画素、及び第２画素を示す断面図である。
【図４】図２に図示された有機発光層及び共振調節部を形成するのに使用される溶液供給装置を示す図面である。
【図５Ａ】図２に図示された有機電界発光表示装置の表示基板の製造方法を示す図面である。
【図５Ｂ】図２に図示された有機電界発光表示装置の表示基板の製造方法を示す図面である。
【図５Ｃ】図２に図示された有機電界発光表示装置の表示基板の製造方法を示す図面である。
【図５Ｄ】図２に図示された有機電界発光表示装置の表示基板の製造方法を示す図面である。
【図５Ｅ】図２に図示された有機電界発光表示装置の表示基板の製造方法を示す図面である。
【発明を実施するための形態】
【０００８】
以下、添付した図面を参照して本発明の実施形態を詳細に説明する。上述した本発明の目的、特徴、及び効果は図面に関連する実施形態を通して容易に理解され得る。但し、本発明はここで説明される実施形態に限定されるものではなく、多様な形態に応用されて変形されることもあり得る。むしろ後述される本発明の実施形態は本発明によって開示された技術思想をより明確にし、さらに本発明が属する分野において平均的な知識を有する当業者に、本発明の技術的思想が十分に伝達されるように提供される。したがって、本発明の範囲は後述される実施形態によって限定されるものとして解釈されてはならない。一方、下記の実施形態において、図面上の同一の参照番号は、同一の構成要素を示す。
また、本明細書において「第１」、「第２」等の用語は、限定的な意味ではなく、１つの構成要素を他の構成要素と区別する目的で使用されている。また、膜、領域、構成要素等の部分が他の部分「上に」又は「うえに」あるとした場合、他の部分の直ぐ上にある場合のみならず、その中間に、他の膜、領域、構成要素等が介在されている場合をも含む。
【０００９】
図１は本発明の実施形態による有機電界発光表示装置の第１画素を示す断面図である。
図１を参照すると、有機電界発光表示装置２００は表示基板１００及び表示基板１００を密封する封止部１５０を含む。表示基板１００は有機電界発光表示装置２００が映像を表示するのに使用される光を出力する。封止部１５０は表示基板１００をカバーして表示基板１００側に流れ込む水分及び空気を遮断する。この実施形態では、封止部１５０は多数の無機膜及び多数の無機膜と互いに交互に積層された多数の有機膜を含んでフレキシブル特性を有する。
表示基板１００は基板１０、駆動トランジスタＴＲ、画素定義膜ＰＤＬ、及び第１画素ＰＸＬ１を含む。第１画素ＰＸＬ１は第１電極Ｅ１、正孔注入層ＨＩＬ、第１共振調節部ＲＬ１、第１有機発光層ＥＬ１、電子輸送層ＥＴＬ、及び電子注入層ＥＩＬを含む。
駆動トランジスタＴＲは第１電極Ｅ１と電気的に連結されて第１電極Ｅ１側に提供される電源信号をスイッチングする。駆動トランジスタＴＲはゲート電極ＧＥ、アクティブパターンＡＰ、ソース電極ＳＥ、及びドレーン電極ＤＥを含む。ソース電極ＳＥは電源信号を伝送する電源ライン（図示せず）と電気的に連結され、ドレーン電極ＤＥは第１電極Ｅ１と電気的に連結される。したがって、ゲート電極ＧＥ側に印加されるゲート信号によって駆動トランジスタＴＲがターンオンされる場合に、電源信号は駆動トランジスターＴＲを通して第１電極Ｅ１側に提供される。
【００１０】
この実施形態では、アクティブパターンＡＰは非晶質シリコン及び結晶質シリコンなどの半導体物質を含む。しかし、本発明はアクティブパターンＡＰの物質に限定されるものではなく、他の実施形態では、例えばアクティブパターンＡＰはＩＧＺＯ、ＺｎＯ、ＳｎＯ２、Ｉｎ２Ｏ３、Ｚｎ２ＳｎＯ４、Ｇｅ２Ｏ３及びＨｆＯ２などの酸化物半導体（oxide semiconductor）を含み、ＧａＡｓ、ＧａＰ及びＩｎＰなどの化合物半導体（compound semiconductor）を含んでもよい。
ゲート絶縁膜Ｌ１はアクティブパターンＡＰをカバーしてゲート電極ＧＥ及びアクティブパターンＡＰの間を絶縁させ、層間絶縁膜Ｌ２はゲート電極ＧＥをカバーしてゲート電極ＧＥをソース及びドレーン電極ＳＥ、ＤＥと絶縁させる。また、平坦化膜Ｌ３は駆動トランジスタＴＲをカバーし、平坦化膜Ｌ３にはビアホールＶＨが形成されてビアホールＶＨを通して第１電極Ｅ１がドレーン電極ＤＥと電気的に連結される。
画素定義膜ＰＤＬは第１電極Ｅ１上に配置される。画素定義膜ＰＤＬには第１画素領域ＰＡ１に対応して開口部ＯＰが定義され、これによって開口部ＯＰを通して第１電極Ｅ１と正孔注入層ＨＩＬとが接触される。
【００１１】
第１画素ＰＸＬ１の構造は次の通りである。第１電極Ｅ１は第１画素領域ＰＡ１に対応して平坦化膜Ｌ３上に配置される。有機電界発光表示装置２００が前面発光型である場合に、第１電極Ｅ１はアルミニウムなどの金属を含んで光反射特性を有する。また、有機電界発光表示装置２００が背面発光型である場合に、第１電極Ｅ１は酸化インジウムスズ（indium tin oxide）などの導電物質を含んで光透過特性を有するか、或いは第１電極Ｅ１は透明導電膜及び透明導電膜上に積層された金属膜を含んで半透過特性を有する。
第１電極Ｅ１上に正孔注入層ＨＩＬ、第１共振調節部ＲＬ１、第１有機発光層ＥＬ１、電子輸送層ＥＴＬ、電子注入層ＥＩＬ、及び第２電極Ｅ２が順次的に積層される。第１電極Ｅ１がアノードとして作用し、第２電極Ｅ２がカソードとして作用する場合に、第１電極Ｅ１を通して注入された正孔は正孔注入層ＨＩＬ、第１共振調節部ＲＬ１を通して第１有機発光層ＥＬ１側に提供され、第２電極Ｅ２を通して注入される電子は電子注入層ＥＩＬ及び電子輸送層ＥＴＬを通して第１有機発光層ＥＬ１側に提供される。したがって、第１有機発光層ＥＬ１側に提供された正孔及び電子が再結合されることによって発生されるエネルギーによって第１有機発光層ＥＬ１から光が放出される。
【００１２】
この実施形態では、第１共振調節部ＲＬ１は第１画素領域ＰＡ１に配置されて第１有機発光層ＥＬ１と重畳される。この実施形態では、第１共振調節部ＲＬ１は、第１有機発光層ＥＬ１及び正孔注入層ＨＩＬの間に介在される正孔輸送層（図３の正孔輸送層ＨＴＬ）を含むか、或いは第１共振調節部ＲＬ１は、正孔輸送層の代わりに第１有機発光層ＥＬ１及び正孔注入層ＨＩＬの間に介在されてもよい。
この実施形態で、第１有機発光層ＥＬ１は、赤色光を放出して第１画素ＰＸＬ１は赤色光を出力する。この場合に、第１共振調節部ＲＬ１の第１厚さＴ１によって第１画素ＰＸＬ１の第１共振距離ＲＤ１が制御される。
第１共振距離ＲＤ１は概略的に第１電極Ｅ１と第２電極Ｅ２との間の距離によって定義され、第１共振距離ＲＤ１が概略的に赤色光の波長を２に割った値の整数倍に設定される場合に、第１有機発光層ＥＬ１から発光された赤色光が補強干渉され、その結果、第１画素ＰＸＬ１は共振モードに駆動されて第１画素ＰＸＬ１から出力される赤色光の強さが増加される。
【００１３】
この実施形態では、第１共振調節部ＲＬ１の上部面は凹んだ形状を有する。第１共振調節部ＲＬ１の上部面が凹んだ形状を有する理由は第１共振調節部ＲＬ１の製造方法と関連したことであって、これに対しては第１共振調節部ＲＬ１の製造方法を示す図面を参照して説明される。
第２電極Ｅ２は電子注入層ＥＩＬ上に配置される。有機電界発光表示装置２００が背面発光型である場合に、第２電極Ｅ２は、アルミニウムなどの金属を含んで光反射特性を有する。また、有機電界発光表示装置２００が背面発光型である場合に、第２電極Ｅ２は、酸化インジウムスズ（indium tin oxide）などの導電性物質を含んで光透過特性を有するか、或いは第２電極Ｅ２は、透明導電膜及び透明導電膜上に積層された金属膜を含んで半透過特性を有する。
【００１４】
図２は図１に図示された有機電界発光表示装置の第１画素、第２画素、及び第３画素を示す断面図である。図２の説明において、先に説明した構成要素に対しては、同じ図面符号を併記して、この構成要素に対する重複説明は省略する。
図２を参照すると、有機電界発光表示装置２００の表示基板１００は図１を参照して説明した第１画素ＰＸＬ１、第２画素ＰＸＬ２、及び第３画素ＰＸＬ３を含む。第１画素ＰＸＬ１は第１画素領域ＰＡ１に配置され、第２画素ＰＸＬ２は第２画素領域ＰＡ２に配置され、第３画素ＰＸＬ３は第３画素領域ＰＡ３に配置される。
この実施形態では、第１画素ＰＸＬ１、第２画素ＰＸＬ２、及び第３画素ＰＸＬ３は互いに異なる色相の光を出力し、より詳細には第１画素ＰＸＬ１は赤色光を出力し、第２画素ＰＸＬ２は緑色光を出力し、第３画素ＰＸＬ３は青色光を出力する。
先に図１を参照して説明した第１画素ＰＸＬ１のように、第２及び第３画素ＰＸＬ２、ＰＸＬ３の各々は第１電極Ｅ１、正孔注入層ＨＩＬ、電子輸送層ＥＴＬ及び電子注入層ＥＩＬを含む。また、第２画素ＰＸＬ２は第２有機発光層ＥＬ２及びその第２有機発光層ＥＬ２と重畳される第２共振調節部ＲＬ２を含み、第３画素ＰＸＬ３は第３有機発光層ＥＬ３及びその第３有機発光層ＥＬ３と重畳される第３共振調節部ＲＬ３をさらに含む。
この実施形態では、第２有機発光層ＥＬ２は緑色光を発光し、第３有機発光層ＥＬ３は青色光を発光する。また、先に図１を参照して説明した第１共振調節部ＲＬ１と同様に、第２及び第３共振調節部ＲＬ２、ＲＬ３の各々は正孔輸送層（図３の正孔輸送層ＨＴＬ）を含むか、或いは正孔輸送層を代替することができる。
【００１５】
この実施形態では、正孔注入層ＨＩＬ、電子輸送層ＥＴＬ、及び電子注入層ＥＩＬの各々は第１画素領域ＰＡ１、第２画素領域ＰＡ２、及び第３画素領域ＰＡ３の各々にパターニングされた形状を有する。しかし、本発明は、正孔注入層ＨＩＬ、電子輸送層ＥＴＬ、及び電子注入層ＥＩＬの各々の形状に、制限されない。例えば、他の実施形態では正孔注入層ＨＩＬ、電子輸送層ＥＴＬ、及び電子注入層ＥＩＬの中で少なくとも１つは第１画素領域ＰＡ１、第２画素領域ＰＡ２、及び第３画素領域ＰＡ３にわたって単一膜形状に配置されてもよい。
第２共振距離ＲＤ２は概略的に緑色光の波長を２に割った値の整数倍に設定される。したがって、第２画素ＰＸＬ２で第２共振調節部ＲＬ２の第２厚さＴ２によって第２共振距離ＲＤ２が容易に調節される。即ち、第２画素ＰＸＬ２を共振モードで駆動できるように第２厚さＴ２の制御された第２共振調節部ＲＬ２が、第２画素ＰＸＬ２に提供される。
第３共振距離ＲＤ３は概略的に緑色光の波長を２に割った値の整数倍に設定される。したがって、第３画素ＰＸＬ３で第３共振調節部ＲＬ３の第３厚さＴ３によって第３共振距離ＲＤ３が容易に調節される。即ち、第３画素ＰＸＬ３を共振モードで駆動できるように第３厚さＴ３の制御された第３共振調節部ＲＬ３が、第３画素ＰＸＬ３に提供される。
【００１６】
一方、赤色光の波長、緑色光の波長、及び青色光の波長は互いに異なるので、第１共振距離ＲＤ１、第２共振距離ＲＤ２、及び第３共振距離ＲＤ３も互いに異なる。より詳細には、赤色光の波長は、緑色光の波長よりも長く、緑色光の波長は青色光の波長よりも長いので、第１共振距離ＲＤ１、第２共振距離ＲＤ２、及び第３共振距離ＲＤ３の中で第１共振距離ＲＤ１が最も大きく、第３共振距離ＲＤ３が最も小さい。したがって、この実施形態では第１厚さＴ１は第２厚さＴ２より大きく、第２厚さＴ２は第３厚さＴ３より大きい。
この実施形態では、第１共振調節部ＲＬ１の上部面のみでなく、第２共振調節部ＲＬ２、及び第３共振調節部ＲＬ３の各々の上部面は凹んだ形状を有する。また、第１共振調節部ＲＬ１、第２共振調節部ＲＬ２、及び第３共振調節部ＲＬ３の上部面が有する曲率は、実質的に互いに同一である。これは、図５Ａ〜図５Ｅを参照して、より具体的に説明する。
【００１７】
図３は本発明の他の実施形態による有機電界発光表示装置の第１画素、第２画素、及び第３画素を示す断面図である。図３の説明において、先に図１及び図２を参照して説明した構成要素に対しては同じ参照符号を併記し、この構成要素に対する重複説明は省略する。
図３を参照すると、有機電界発光表示装置２０１は表示基板１０１及び封止部１５０を含み、表示基板１０１は第１画素ＰＸＬ１’、第２画素ＰＸＬ２’、及び第３画素ＰＸＬ３’を含む。この実施形態では、第１画素ＰＸＬ１’は赤色光を発光する第１有機発光層ＥＬ１を含んで赤色光を出力し、第２画素ＰＸＬ２’は緑色光を発光する第２有機発光層ＥＬ２を含んで緑色光を出力し、第３画素ＰＸＬ３’は青色光を発光する第３有機発光層ＥＬ３を含んで青色光を出力する。
この実施形態では、第１画素ＰＸＬ１’、第２画素ＰＸＬ２’、及び第３画素ＰＸＬ３’の各々は第１電極Ｅ１、正孔注入層ＨＩＬ、正孔輸送層ＨＴＬ、及び電子注入層ＥＩＬを含む。また、第１画素ＰＸＬ１’は第１有機発光層ＥＬ１及び電子注入層ＥＩＬの間に配置される第１共振調節部ＲＬ１を含み、第２画素ＰＸＬ２’は第２有機発光層ＥＬ２及び電子注入層ＥＩＬの間に配置される第２共振調節部ＲＬ２を含み、第３画素ＰＸＬ３’は第３有機発光層ＥＬ３及び電子注入層ＥＩＬの間に配置される第３共振調節部ＲＬ３を含む。
即ち、先に図２を参照して説明した実施形態とは異なり、この実施形態では、第１画素ＰＸＬ１’、第２画素ＰＸＬ２’、及び第３画素ＰＸＬ３’の各々で、正孔注入層ＨＩＬ上に正孔注入層ＨＩＬと接触される正孔輸送層ＨＴＬが配置され、第１画素ＰＸＬ１’、第３画素ＰＸＬ２’、及び第３画素ＰＸＬ３’で、電子輸送層（図２のＥＴＬ）の代わりに、第１共振調節部ＲＬ１、第２共振調節部ＲＬ２、及び第３共振調節部ＲＬ３が配置される。即ち、第１共振調節部ＲＬ１、第２共振調節部ＲＬ２、及び第３共振調節部ＲＬ３は、電子輸送層を含むか、或いは電子輸送層は第１共振調節部ＲＬ１、第２共振調節部ＲＬ２、及び第３共振調節部ＲＬ３に代替される。
先に図２を参照して説明した実施形態のように、この実施形態では第１画素ＰＸＬ１’に第１共振調節部ＲＬ１が配置されることによって第１共振調節部ＲＬ１の厚さによって第１共振距離ＲＤ１が容易に調節される。また、第２共振調節部ＲＬ２の厚さによって第２共振距離ＲＤ２が容易に調節され、第３共振調節部ＲＬ３の厚さによって第３共振距離ＲＤ３が容易に調節される。
【００１８】
図４は図２に図示された有機発光層及び共振調節部を形成するのに使用される溶液供給装置を示す図面である。
図４を参照すると、溶液供給装置３００は、第１貯蔵部ＳＴ１、第２貯蔵部ＳＴ２、第３貯蔵部ＳＴ３、第４貯蔵部ＳＴ４、第５貯蔵部ＳＴ５、及び第６貯蔵部ＳＴ６と、第１ラインＬＮ１、第２ラインＬＮ２、第３ラインＬＮ３、第４ラインＬＮ４、第５ラインＬＮ５、及び第６ラインＬＮ６と、第１噴射部Ｄ１、第２噴射部Ｄ２、第３噴射部Ｄ３、第４噴射部Ｄ４、第５噴射部Ｄ５、及び第６噴射部Ｄ６と、を含む。
第１溶液ＳＬ１、第２溶液ＳＬ２、第３溶液ＳＬ３、第４溶液ＳＬ４、第５溶液ＳＬ５、及び第６溶液ＳＬ６は、一対一で対応して第１貯蔵部ＳＴ１、第２貯蔵部ＳＴ２、第３貯蔵部ＳＴ３、第４貯蔵部ＳＴ４、第５貯蔵部ＳＴ５、及び第６貯蔵部ＳＴ６に収容される。また、第１ラインＬＮ１、第２ラインＬＮ２、第３ラインＬＮ３、第４ラインＬＮ４、第５ラインＬＮ５、及び第６ラインＬＮ６の一端は第１貯蔵部ＳＴ１、第２貯蔵部ＳＴ２、第３貯蔵部ＳＴ３、第４貯蔵部ＳＴ４、第５貯蔵部ＳＴ５、及び第６貯蔵部ＳＴ６と一対一で対応して連結され、第１ラインＬＮ１、第２ラインＬＮ２、第３ラインＬＮ３、第４ラインＬＮ４、第５ラインＬＮ５、及び第６ラインＬＮ６の他端は、第１噴射部Ｄ１、第２噴射部Ｄ２、第３噴射部Ｄ３、第４噴射部Ｄ４、第５噴射部Ｄ５、及び第６噴射部Ｄ６と一対一で対応して連結される。
したがって、第１溶液ＳＬ１、第２溶液ＳＬ２、第３溶液ＳＬ３、第４溶液ＳＬ４、第５溶液ＳＬ５、及び第６溶液ＳＬ６は、第１ラインＬＮ１、第２ラインＬＮ２、第３ラインＬＮ３、第４ラインＬＮ４、第５ラインＬＮ５、及び第６ラインＬＮ６を通して第１噴射部Ｄ１、第２噴射部Ｄ２、第３噴射部Ｄ３、第４噴射部Ｄ４、第５噴射部Ｄ５、及び第６噴射部Ｄ６と一対一で対応して第１噴射部Ｄ１、第２噴射部Ｄ２、第３噴射部Ｄ３、第４噴射部Ｄ４、第５噴射部Ｄ５、及び第６噴射部Ｄ６を通して吐出される。
第１溶液ＳＬ１は第１共振調節部（図２の第１共振調節部ＲＬ１）を形成する際に使用されるソース物質であり、第２溶液ＳＬ２は第２共振調節部（図２の第２共振調節部ＲＬ２）を形成するのに使用されるソース物質であり、第３溶液ＳＬ３は第３共振調節部（図２の第３共振調節部ＲＬ３）を形成するのに使用されるソース物質である。この実施形態では、第１溶液ＳＬ１、第２溶液ＳＬ２、及び第３溶液ＳＬ３は、１つの溶媒に１つの溶質を溶解して形成され、第１溶液ＳＬ１、第２溶液ＳＬ２、及び第３溶液ＳＬ３では、溶媒に溶解した溶質の濃度が互いに異なる。
この実施形態では、溶媒及び溶質の各々の材料に限定されるものではない。例えば、溶媒及び溶質は正孔輸送層（図３の正孔輸送層ＨＴＬ）をプリンティング方法で形成する際に使用されるソース溶液に関して既に公知の溶媒及び溶質と同一の材料を含む。
第４溶液ＳＬ４は第１有機発光層（図２の第１有機発光層ＥＬ１）を形成するのに使用されるソース物質であり、第５溶液ＳＬ５は第２有機発光層（図２の第２有機発光層ＥＬ２）を形成するのに使用されるソース物質であり、第６溶液ＳＬ６は第３有機発光層（図２の第３有機発光層ＥＬ３）を形成するのに使用されるソース物質である。先に上述したように、第１有機発光層〜第３有機発光層は互いに異なる色相の光を発光するので、第４溶液ＳＬ４〜第６溶液ＳＬ６に溶解された溶質は互いに異なる。
溶液供給装置３００を利用して図２に図示された有機電界発光表示装置（図２の有機電界発光表示装置２００）、より詳細には、有機電界発光表示装置の第１共振調節部、第２共振調節部、及び第３共振調節部（図２の第１共振調節部ＲＬ１、第２共振調節部ＲＬ２、第３共振調節部ＲＬ３）を形成する方法を説明すれば、次の通りである。
【００１９】
図５Ａ〜図５Ｅは、図２に図示された有機電界発光表示装置の表示基板の製造方法を示す図面である。
図５Ａを参照すると、第１画素領域ＰＡ１、第２画素領域ＰＡ２、及び第３画素領域ＰＡ３が定義された基板１０を準備し、基板１０上にゲート絶縁膜Ｌ１、層間絶縁膜Ｌ２、及び平坦化膜Ｌ３を形成する。図５Ａには図示しないが、平坦化膜Ｌ３を形成する前に、基板１０上に駆動トランジスタ（図１の駆動トランジスタＴＲ）が第１画素領域ＰＡ１、第２画素領域ＰＡ２、及び第３画素領域ＰＡ３に一対一で対応して多数に形成されることがあり得る。
平坦化膜Ｌ３が形成された後に、第１画素領域ＰＡ１、第２画素領域ＰＡ２、及び第３画素領域ＰＡ３の各々に第１電極Ｅ１を形成し、画素定義膜ＰＤＬを形成する。画素定義膜ＰＤＬには第１画素領域ＰＡ１、第２画素領域ＰＡ２、及び第３画素領域ＰＡ３の各々に対応して開口部ＯＰが形成される。
画素定義膜ＰＤＬが形成された後に、開口部ＯＰを通して外部に露出された第１電極Ｅ１上に正孔注入層ＨＩＬを形成する。この実施形態では、正孔注入層ＨＩＬはインクジェット方法を利用して形成される。他の実施形態では、正孔注入層ＨＩＬはスピンコーティング方法を利用して形成されてもよく、この場合に、正孔注入層ＨＩＬは、第１画素領域ＰＡ１、第２画素領域ＰＡ２、及び第３画素領域ＰＡ３にわたって単一膜形状に形成される。
【００２０】
図４及び図５Ｂを参照すると、第１画素領域ＰＡ１に第１予備共振調節部ＡＬ１を形成し、第２画素領域ＰＡ２に第２予備共振調節部ＡＬ２を形成し、第３画素領域ＰＡ３に第３予備共振調節部ＡＬ３を形成する。
第１予備共振調節部ＡＬ１、第２予備共振調節部ＡＬ２、及び第３予備共振調節部ＡＬ３を形成する方法は次の通りである。第１噴射部Ｄ１、第２噴射部Ｄ２、及び第３噴射部Ｄ３を準備する。第１噴射部Ｄ１は第１ラインＬＮ１を通して第１貯蔵部ＳＴ１と連結され、第２噴射部Ｄ２は第２ラインＬＮ２を通して第２貯蔵部ＳＴ２と連結され、第３噴射部Ｄ３は第３ラインＬＮ３を通して第３貯蔵部ＳＴ３と連結される。
第１噴射部Ｄ１は第１画素領域ＰＡ１に第１溶液ＳＬ１を噴射して第１予備共振調節部ＡＬ１が形成され、第２噴射部Ｄ２は第２画素領域ＰＡ２に第２溶液ＳＬ２を噴射して第２予備共振調節部ＡＬ２が形成され、第３噴射部Ｄ３は第３画素領域ＰＡ３に第３溶液ＳＬ３を噴射して第３予備共振調節部ＡＬ３が形成される。
この実施形態では、第１溶液ＳＬ１、第２溶液ＳＬ２、及び第３溶液ＳＬ３は互いに同一の量で提供される。その結果、第１予備共振調節部ＡＬ１、第２予備共振調節部ＡＬ２、及び第３予備共振調節部ＡＬ３の厚さは実質的に互いに同一である。例えば、第１予備共振調節部ＡＬ１が第４厚さＴ４を有すれば、第２予備共振調節部ＡＬ２、及び第３予備共振調節部ＡＬ３の各々は第４厚さＴ４を有する。
この実施形態では、第４厚さＴ４は第１厚さ、第２厚さ、及び第３厚さ（図２の第１厚さＴ１、第２厚さＴ２、第３厚さＴ３）の各々よりも大きく、その理由は後述される第１予備共振調節部ＡＬ１、第２予備共振調節部ＡＬ２、及び第３予備共振調節部ＡＬ３に対して乾燥工程を行っている間に、第１予備共振調節部ＡＬ１を具現する第１溶液ＳＬ１の溶媒、第２予備共振調節部ＡＬ２を具現する第２溶液ＳＬ２の溶媒、及び第３予備共振調節部ＡＬ３を具現する第３溶液ＳＬ３の溶媒が除去されるためである。
【００２１】
図５Ｂ及び図５Ｃを参照すると、第１予備共振調節部ＡＬ１、第２予備共振調節部ＡＬ２、及び第３予備共振調節部ＡＬ３に対して乾燥工程を行って第１共振調節部ＲＬ１、第２共振調節部ＲＬ２、及び第３共振調節部ＲＬ３を形成する。また、乾燥工程を行う場合、第１予備共振調節部ＡＬ１、第２予備共振調節部ＡＬ２、及び第３予備共振調節部ＡＬ３は互いに同一の条件で形成される。例えば、第１予備共振調節部ＡＬ１、第２予備共振調節部ＡＬ２、及び第３予備共振調節部ＡＬ３は常温で互いに同一の乾燥時間の間に一括的に乾燥されるか、或いは第１予備共振調節部ＡＬ１、第２予備共振調節部ＡＬ２、及び第３予備共振調節部ＡＬ３は所定の温度で同一の乾燥時間の間に熱処理されて一括的に乾燥される。
先に図４を参照して説明したように、第１予備共振調節部ＡＬ１、第２予備共振調節部ＡＬ２、及び第３予備共振調節部ＡＬ３を形成するのに使用される第１溶液ＳＬ１、第２溶液ＳＬ２、及び第３溶液ＳＬ３は１つの溶媒に１つの溶質を溶解して形成されるが、第１溶液ＳＬ１、第２溶液ＳＬ２、及び第３溶液ＳＬ３に溶解した溶質の濃度は互いに異なる。したがって、乾燥工程が行われる間に、第１予備共振調節部ＡＬ１で除去される溶媒の量は第２予備共振調節部ＡＬ２で除去される溶媒の量よりも少なく、第２予備共振調節部ＡＬ２で除去される溶媒の量は第３予備共振調節部ＡＬ３で除去される溶媒の量よりも少ない。その代わり、乾燥工程が終了した後に第１画素領域ＰＡ１に残っている溶質の量は、第２画素領域ＰＡ２に残っている溶質の量よりも多く、乾燥工程が終了した後に第２画素領域ＰＡ２に残っている溶質の量は第３画素領域ＰＡ３に残っている溶質の量よりも多い。その結果、第１共振調節部ＲＬ１の第１厚さＴ１は第２共振調節部ＲＬ２の第２厚さＴ２よりも厚く、第２共振調節部ＲＬ２の第２厚さＴ２は第３共振調節部ＲＬ３の第３厚さＴ３よりも厚い。
この実施形態では、乾燥工程を通して形成された第１共振調節部ＲＬ１、第２共振調節部ＲＬ２、及び第３共振調節部ＲＬ３の各々の上部面は凹んだ形状を有し、その理由は次の通りである。
第１溶液ＳＬ１で形成された第１予備共振調節部ＡＬ１を例として説明すると、第１予備共振調節部ＡＬ１に対して乾燥工程が行われている間に、第１予備共振調節部ＡＬ１の上部面のエッジ部分に位置した溶媒の蒸発速度は、エッジ部分によって囲まれている上部面の中央部分に位置した溶媒の蒸発速度よりも速い。その結果、溶媒が蒸発される間に、上部面に位置した溶質は中央部分からエッジ部分にリフロー（reflow）され、これによってリフローによってエッジ部分に溶質が積層される現象、所謂コーヒーリング（coffee ring）現象が発生される。したがって、乾燥工程が終了した後に、エッジ部分の高さは中央部分よりも高く、その結果、上部面は全般的に凹んだ形状を有する。
【００２２】
一方、第１共振調節部ＲＬ１、第２共振調節部ＲＬ２、及び第３共振調節部ＲＬ３の各々の上部面は平坦度が大きいほど、第１共振調節部ＲＬ１、第２共振調節部ＲＬ２、及び第３共振調節部ＲＬ３上に積層される他の薄膜の平坦度が大きくなり、これによって薄膜の大きい平坦度を有することによって断線及び短絡のような現象の発生が最小化する。しかし、乾燥工程のメカニズムによれば、乾燥工程が行われている間にコーヒーリング現象が伴うので、第１共振調節部ＲＬ１、第２共振調節部ＲＬ２、及び第３共振調節部ＲＬ３の各々の上部面は、断面上である程度凹んだ形状を有する。したがって、第１共振調節部ＲＬ１、第２共振調節部ＲＬ２、及び第３共振調節部ＲＬ３の上部面の平坦度を向上させるためには、上部面の各々の曲率を最小化することが重要である。この実施形態では次のような理由によって上部面の各々の曲率が最小化して上部面の平坦度を向上させる。
この実施形態では、先に上述したように、第１溶液ＳＬ１、第２溶液ＳＬ２、及び第３溶液ＳＬ３の濃度の差によって、第１溶液ＳＬ１、第２溶液ＳＬ２、及び第３溶液ＳＬ３に含有された溶媒の量が互いに微量の差異があっても、第１予備共振調節部ＡＬ１、第２予備共振調節部ＡＬ２、及び第３予備共振調節部ＡＬ３は、互いに同一の厚さで形成される。したがって、乾燥工程が行わていている間に、第１溶液ＳＬ１、第２溶液ＳＬ２、及び第３溶液ＳＬ３に含有された溶媒の、蒸発量の差を最小化することができる。この場合、第１予備共振調節部ＡＬ１、第２予備共振調節部ＡＬ２、及び第３予備共振調節部ＡＬ３は互いに同一の時間の間に乾燥され、これによって第１予備共振調節部ＡＬ１、第２予備共振調節部ＡＬ２、及び第３予備共振調節部ＡＬ３を乾燥している間に、第１予備共振調節部ＡＬ１、第２予備共振調節部ＡＬ２、及び第３予備共振調節部ＡＬ３の上部面に発生するコーヒーリング現象が維持される時間が互いに同じとなるので、第１共振調節部ＲＬ１、第２共振調節部ＲＬ２、及び第３共振調節部ＲＬ３の上部面は実質的に互いに同一の曲率を有する。
また、第１溶液ＳＬ１、第２溶液ＳＬ２、及び第３溶液ＳＬ３では、溶質が互いに異なる濃度で溶解されているので、第１予備共振調節部ＡＬ１、第２予備共振調節部ＡＬ２、及び第３予備共振調節部ＡＬ３に含有された溶質の量が異なる。したがって、乾燥工程が完了した後に、第１第１共振調節部ＲＬ１、第２共振調節部ＲＬ２、及び第３共振調節部ＲＬ３の厚さは、数ナノメータ〜数百ナノメータの範囲内で互いに異なる。
【００２３】
図５Ｂ及び図５Ｃを参照して説明した第１第１共振調節部ＲＬ１、第２共振調節部ＲＬ２、及び第３共振調節部ＲＬ３の製造方法によれば、互いに同一の厚さを有する第１予備共振調節部ＡＬ１、第２予備共振調節部ＡＬ２、及び第３予備共振調節部ＡＬ３を利用して互いに異なる厚さを有する第１共振調節部ＲＬ１、第２共振調節部ＲＬ２、及び第３共振調節部ＲＬ３が容易に形成される。したがって、第１予備共振調節部ＡＬ１、第２予備共振調節部ＡＬ２、及び第３予備共振調節部ＡＬ３を乾燥するのに必要とされる乾燥時間が互いに同様に設定され、これによって第１予備共振調節部ＡＬ１、第２予備共振調節部ＡＬ２、及び第３予備共振調節部ＡＬ３が互いに異なる乾燥時間で乾燥されるにしたがって、第１予備共振調節部ＡＬ１、第２予備共振調節部ＡＬ２、及び第３予備共振調節部ＡＬ３の中で一部が過乾燥されて、その上部面の平坦度が他の一部の上部面の平坦度よりも低下しまうことが防止される。まとめれば、乾燥時間を調節して第１共振調節部ＲＬ１、第２共振調節部ＲＬ２、及び第３共振調節部ＲＬ３の平坦度を最大化させるのが容易であり、第１共振調節部ＲＬ１、第２共振調節部ＲＬ２、及び第３共振調節部ＲＬ３に対して互いに同一の乾燥時間が適用されるので、平坦度が均一になる効果が得られる。
【００２４】
図４及び図５Ｄを参照すると、第１共振調節部ＲＬ１上に第１有機発光層ＥＬ１を形成し、第２共振調節部ＲＬ２上に第２有機発光層ＥＬ２を形成し、第３共振調節部ＲＬ３上に第３有機発光層ＥＬ３を形成する。
この実施形態による第１有機発光層ＥＬ１、第２有機発光層ＥＬ２、及び第３有機発光層ＥＬ３を形成する方法は次の通りである。第４噴射部Ｄ４、第５噴射部Ｄ５、及び第６噴射部Ｄ６を準備する。第４噴射部Ｄ４は第４ラインＬＮ４を通して第４貯蔵部ＳＴ４と連結され、第５噴射部Ｄ５は第５ラインＬＮ５を通して第５貯蔵部ＳＴ５と連結され、第６噴射部Ｄ６は第６ラインＬＮ６を通して第６貯蔵部ＳＴ６と連結される。
第４噴射部Ｄ４は第１画素領域ＰＡ１に第４溶液ＳＬ４を噴射して、第１有機発光層ＥＬ１が形成され、第５噴射部Ｄ５は第２画素領域ＰＡ２に第５溶液ＳＬ５を噴射して、第２有機発光層ＥＬ２が形成され、第６噴射部Ｄ６は第３画素領域ＰＡ３に第６溶液ＳＬ６を噴射して、第３有機発光層ＥＬ３が形成される。
【００２５】
図５Ｅを参照すると、第１有機発光層ＥＬ１、第２有機発光層ＥＬ２、及び第３有機発光層ＥＬ３の各々に電子輸送層ＥＴＬ及び電子注入層ＥＩＬを形成して第１画素ＰＸＬ１、第２画素ＰＸＬ２、及び第３画素ＰＸＬ３を形成する。その後に、電子注入層ＥＩＬ及び画素定義膜ＰＤＬをカバーする第２電極Ｅ２を形成して表示基板１００の製造を完了する。その後に、表示基板１００上に封止部１５０を形成して表示基板１００を密封する。
以上では本発明の望ましい実施形態を参照して説明したが、該当技術分野の熟練された当業者又は該当技術分野において通常の知識を有する者であれば、後述される特許請求の範囲に記載された本発明の思想及び技術領域から逸脱しない範囲内で本発明を多様に修正及び変形できることは理解できる。したがって、本発明の技術的範囲は明細書の詳細な説明に記載された内容に限定されることではなく、特許請求の範囲によって定まれなければならない。
【符号の説明】
【００２６】
１００    表示基板
１５０    封止部
２００    有機電界発光表示装置
Ｄ１      第１噴射部
Ｅ１      第１電極
Ｅ２      第２電極
ＬＮ１    第１ライン
ＰＤＬ    画素定義膜
ＰＸＬ１  第１画素
ＲＬ１    第１共振調節部
ＳＴ１    第１貯蔵部
【図１】
2015118923.tif 000003
【図２】
2015118923.tif 000004
【図３】
2015118923.tif 000005
【図４】
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【図５Ａ】
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【図５Ｂ】
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【図５Ｃ】
2015118923.tif 000009
【図５Ｄ】
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【図５Ｅ】
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