(57)【要約】      （修正有）【課題】ネガティブトーンリソグラフィー加工プロセスにおける使用に適した特性を有するシロキサンポリマー組成物を提供する。【解決手段】塩基性水溶液中で脱プロトン化可能な基を示し、更に熱又は放射線で開始される硬化工程中に反応可能な反応性官能基を示す骨格を有するシロキサンプレポリマーと、光反応性化合物および溶媒を含むシロキサンポリマー組成物。該組成物は，リソグラフィー製法の現像工程に水系現像剤システムを適用するネガティブトーンリソグラフィー加工工程に使用可能である。【選択図】なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
塩基性水溶液中で脱プロトン化可能な基を示し，更に熱又は放射線で開始させる硬化工
程中に反応可能な反応性官能基を示すシロキサン骨格を有するシロキサンプレポリマーと
，
該シロキサンプレポリマー用溶媒と，
光反応性化合物と
を含むシロキサン組成物。
【請求項２】
前記シロキサンプレポリマーは，平均分子量が約５００〜２０，０００ｇ／ｍｏｌ，特
には約１，０００〜１０，０００ｇ／ｍｏｌである請求項１に記載の組成物。
【請求項３】
固体濃度が，少なくとも１重量％で且つ約７０重量％以下である請求項１又は２に記載
の組成物。
【請求項４】
オルガノシロキサンポリマーが，脱プロトン化可能な基を少なくとも１個備えるモノマ
ーに由来する単位を少なくとも１モル％，特には，少なくとも５モル％含有する請求項１
〜３のいずれか一項に記載の組成物。
【請求項５】
前記溶媒が，前記シロキサンプレポリマーと反応可能な溶媒である請求項１〜４のいず
れか一項に記載の組成物。
【請求項６】
前記溶媒が，水，脂肪族アルコール，脂肪族エーテル及び芳香族アルコール，並びにそ
の混合物の群から選択される請求項５に記載の組成物。
【請求項７】
前記溶媒が，プロピレングリコールモノメチルエーテル，プロピレングリコールプロピ
ルエーテル，２−プロパノール，水，エタノール，メタノール及び乳酸エチル，並びにそ
の混合物の群から選択される請求項５に記載の組成物。
【請求項８】
前記光反応性化合物が，光酸発生剤又は光開始剤である請求項１〜７のいずれか一項に
記載の組成物。
【請求項９】
前記光反応性化合物は，紫外線処理又は熱処理を条件として，前記シロキサン組成物を
架橋することが可能である請求項８に記載の組成物。
【請求項１０】
前記組成物は，添加剤として熱酸発生剤を含む請求項９に記載の組成物。
【請求項１１】
前記シロキサンポリマー質量から算出した前記光反応性化合物濃度が，約０．１〜１０
％，好ましくは約０．５〜５％である請求項１〜１０のいずれか一項に記載の組成物。
【請求項１２】
前記組成物の５〜５０ｗｔ％量の固体ナノ粒子を含む請求項１〜１１のいずれか一項に
記載の組成物。
【請求項１３】
前記ナノ粒子が，光散乱顔料及び無機燐光体の群から選択される請求項１２に記載の組
成物。
【請求項１４】
溶媒相中にシロキサンプレポリマーを含むシロキサン組成物であって，
前記プレポリマーが，−Ｓｉ−Ｏ−繰返し単位によって形成されたシロキサン骨格と，
約１，０００〜約１０，０００ｇ／ｍｏｌの範囲の分子量を有し，前記シロキサン骨格が
，−Ｓｉ−Ｏ−単位の約５〜７０％量のヒドロキシル基を示し，繰返し単位量から算出し
た１〜１５ｍｏｌ％量のエポキシ基を更に示し，
前記組成物が，固形物重量基準で０．１〜３％の少なくとも１種の光反応性カチオン化
合物を更に含むシロキサン組成物。
【請求項１５】
前記溶媒相が，プロピレングリコールモノメチルエーテル，プロピレングリコールプロ
ピルエーテル，２−プロパノール，水，エタノール，メタノール及び乳酸エチル，並びに
その混合物の群から選択される溶媒を含む請求項１４に記載の組成物。
【請求項１６】
少なくとも異なる２種類のシランモノマーを加水分解する工程と，
分子量約５００〜２０，０００ｇ／ｍｏｌのシロキサンポリマーを形成するため，前記
シランモノマーを縮合する工程と，
シロキサンプレポリマー液体組成物を調合するため，光反応性化合物及び前記シロキサ
ンポリマー用の溶媒を組み入れる工程と
を備える請求項１〜１５のいずれか一項に記載のシロキサンプレポリマー組成物の製造方
法。
【請求項１７】
少なくとも異なる２種類のシランモノマーを加水分解する工程と，
分子量約５００〜２０，０００ｇ／ｍｏｌのシロキサンポリマーを形成するため，前記
シランモノマーを縮合する工程と，
溶媒相中の前記シロキサンポリマーを回収する工程と，
前記溶媒相中に光反応性化合物を組み入れる工程とを備え，
前記シランモノマーが，前記光反応性化合物の誘導下，シロキサンポリマーの架橋が遂
行可能な一つ又は複数の反応性官能基を含有するモノマーを含み，少なくとも一部のヒド
ロキシル基が前記ポリマー中に存するように前記加水分解工程及び前記縮合工程を行うシ
ロキサンプレポリマー組成物の製造方法。
【請求項１８】
前記加水分解工程を水性溶媒中で行う請求項１７に記載の方法。
【請求項１９】
シロキサンプレポリマー組成物の使用方法であって，
堆積フィルムの要求される膜厚に，前記プレポリマー組成物材料の固形分を任意に調整
する工程と，
膜厚１０ｎｍ〜１０μｍの層を形成するため，基材上に前記組成物を堆積する工程と，
堆積フィルムを任意に熱処理する工程と，
フォトマスク又はレチクルを使用し，堆積材料を紫外線露光することで，堆積材料層に
リソグラフィーを施す工程と，
露光材料を任意に熱処理する工程と，
前記層を水性の塩基性現像剤溶液に接触させることで，現像工程において除去される前
記フィルムの非露光領域を除去する工程と
を備える，リソグラフィー法における請求項１〜１５のいずれか一項に記載のシロキサン
プレポリマー組成物の使用方法。
【請求項２０】
前記水性の塩基性現像剤溶液は，ｐＨが少なくとも７，好適には少なくとも９である請
求項１９に記載の方法。
【請求項２１】
前記水性の塩基性現像剤溶液は，ｐＨが少なくとも１１，好適には少なくとも１２，特
には約１２〜１３である請求項２０に記載の方法。
【請求項２２】
フィルムが，周波数１００ｋＨｚにおいて，４以下の誘電率であるように製造される請
求項１９〜２１のいずれか一項に記載の方法。
【請求項２３】
フィルムが，波長６３３ｎｍにおいて，１．２〜１．９間の屈折率であるように製造さ
れる請求項１９〜２２のいずれか一項に記載の方法。
【請求項２４】
フィルムが，水銀ＵＶ光源のＩ線波長において，１００ｍＪ／ｃｍ2以下のＵＶ照射量
で，７０％以上の架橋度を示すように製造される請求項１９〜２３のいずれか一項に記載
の方法。
【請求項２５】
直接リソグラフィーパターン形成工程，通常のリソグラフィーマスキング及びエッチン
グ工程，又は刷り込み及び型押し工程によって，材料組成物にパターン形成する工程を備
える請求項１９〜２４のいずれか一項に記載の方法。
【請求項２６】
ＬＣＤ，プラズマ又はＯＬＥＤディスプレーのようなディスプレーデバイス，太陽電池
，ＬＥＤ又は半導体デバイス内に光学層を提供する工程を備える請求項１９〜２５のいず
れか一項に記載の方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は，シロキサンポリマー組成物に関する。特に，本発明は，ネガティブトーンリ
ソグラフィー加工プロセスにおける使用に適した特性を有するシロキサンポリマー組成物
に関する。また，本発明は，かかる組成物の合成，重合及び架橋に関する。
【背景技術】
【０００２】
フォトリソグラフィーは，集積回路（ＩＣｓ）のような半導体デバイスの加工，液晶デ
ィスプレー，プラズマディスプレー及び有機発光ディスプレーのようなフラットパネルデ
ィスプレーデバイス，並びに導波及び導光構造，格子及び光結晶等の光エレクトロニクス
及びフォトニックデバイスに常用される技術である。
【０００３】
フォトリソグラフィープロセスでは，基材上に感光性材料層を堆積して，被膜を形成す
る。堆積材料層を，紫外線などのある種放射線で選択露光する。露光手段及びマスク，又
はステップ・アンド・リピートプロジェクションシステムでは，レチクルを使用して，所
望の選択的露光を作る。マスクは，感光性材料層中に作られるパターンを画定する透明及
び不透明特徴部を含有する。現像剤として既知の特定溶媒を使用することで，露光領域が
可溶性又は不溶性のいずれかになる。
【０００４】
照射（露光）領域が可溶性である場合，マスクの陽画像が感光性材料中に作製される。
かかる材料をポジティブトーン感光性材料という［図１（ａ）参照］。
【０００５】
他方，現像剤により，非照射領域が溶解されれば，陰画像が得られる。この場合の材料
をネガティブトーン感光性材料という［図１（ｂ）参照］。
【０００６】
感光性材料中の潜像を最終像に変換するため，露光に次いで，感光性材料フィルムに現
像工程を施さねばならない。感光性材料が「犠牲層／犠牲構造」として機能するプロセス
においては，現像後に残存する感光性材料領域は，次工程のエッチング又はイオン注入工
程において基材領域を覆い，基材領域をマスクするように機能する。
【０００７】
感光性材料が除去された位置に，基材表面上へパターンを転写する多様な減色法又は加
色法を施すことができる。感光性材料が「活性層／活性構造」として機能するプロセスに
おいては，現像後に残存する感光性材料の領域は，最終デバイス／部品構造中で使用され
，追加エッチング又は他の減色法又は加色法は不要である。
【０００８】
典型的なポジティブトーン感光性材料用現像剤はアルカリ性水溶液，すなわち水で希釈
したアルカリ溶液である。いくつかの典型例を挙げると，水酸化テトラメチルアンモニウ
ム水溶液（ＴＭＡＨ水溶液）及び水酸化カリウム水溶液（ＫＯＨ水溶液）が，広範に用い
られている。その業界で汎用的に使用され，また環境的に安全であるため，かかる種類の
水性現像剤は好適である。
【０００９】
対照的に，ネガティブトーン感光性材料用現像剤は典型的には有機溶剤系又は有機溶剤
由来現像剤であり［例えば，アセトン，イソプロピルアルコール（ＩＰＡ），メチルイソ
ブチルケトン（ＭＩＢＫ），キシレン及びトルエン］，環境，健康及び安全（ＥＨＳ）上
の深刻な問題を潜在的に生じうる。オルガノシロキサンポリマー組成物のリソグラフィー
処理において，有機溶剤系現像剤を通常使用している。典型的に用いられる現像剤は，ア
セトン，ＩＰＡ及びＭＩＢＫである。ネガティブトーンシロキサン材料用の水溶性現像剤
は利用できなかった。
【発明の概要】
【発明の解決しようとする課題】
【００１０】
本発明の課題は，当該技術に関する問題点の少なくとも一部を除去して，水性の塩基性
現像剤システム用のネガティブトーンシロキサンポリマー組成物を提供することにある。
【００１１】
特には，本発明の目的は，リソグラフィープロセスの現像工程において水系現像剤シス
テムが適用されているネガティブトーンリソグラフィー加工プロセスにおける使用に好適
な特性を有する新材料組成物を提供することにある。
【００１２】
本発明の第二の目的は，これらに限定されないが，スピンオン，浸漬，スプレー，イン
クジェット，ロールツーロール，グラビア，フレキソ印刷，カーテン，スクリーン印刷コ
ーティング法，押出コーティング，スリットコーティングを含む，従来の費用効果ある液
相からの処理を使用して，フィルム及び構造体の作製に適する材料組成物を提供すること
にある。
【００１３】
熱感応性及び／又は照射感応性材料組成物に対するパターン形成工程は，これらに限定
されないが，直接リソグラフィーパターン形成工程，通常のリソグラフィーマスキング及
びエッチング工程，刷り込み及び型押し工程によって，実施できる。
【００１４】
本発明の第三の目的は，例えば，最高２４０℃の温度又は１００℃の温度でさえある，
比較的低温の処理温度で硬化できる材料組成物を提供することにある。
【００１５】
本発明の第四の目的は，４５０℃以下又は更には９００℃以下の温度で硬化できる材料
組成物を提供することにあり，スパッタリング，焼成，熱蒸発及び／又はＣＶＤ法のよう
な次の高温堆積工程で，該組成物によって材料フィルム又は構造体を結合することが可能
である。
【００１６】
本発明の第六の目的は，（ＬＣＤ，プラズマ，ＯＬＥＤディスプレー等の）ディスプレ
ーデバイス，太陽電池，ＬＥＤ又は半導体デバイス内の光学層として機能する組成物を提
供することにある。
【００１７】
本発明の第七の目的は，フィルム堆積（任意にパターン形成）及び材料フィルム及び構
造体の硬化後に，あらゆる堆積／パターン形成プロセス工程の強烈な湿式及び乾式エッチ
ングプロセス工程に耐えることが可能な材料組成物を提供することにある。
【００１８】
本発明の第八の目的は，上部に突出構造を有することがある基材又は電子デバイス上の
平坦化層として機能できる材料組成物を提供することにある。かかる基材は，ディスプレ
ーデバイス（例えば，液晶ディスプレー又はプラズマディスプレー又はＯＬＥＤディスプ
レー）の部材であってもよい。
【００１９】
本発明の第九の目的は，基材上又は電子部品内の絶縁層として機能できる材料組成物を
提供することにある。また，かかる絶縁層は同時に基材上又は電子デバイス内の平坦化層
としても機能できる。かかる基材及び／又は電子デバイス（薄膜トランジスタのような）
は，ディスプレーデバイス（例えば，液晶ディスプレー又はプラズマディスプレー又はＯ
ＬＥＤディスプレー）の部材であってもよい。
【００２０】
本発明の第十の目的は，ガラス，シリコン，窒化ケイ素，金属及びプラスチックのよう
な多様な基材表面に堆積できる材料組成物を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００２１】
アルカリ環境下，脱プロトン化可能な基をシロキサンポリマーが高含有率で有する場合
，該シロキサンポリマーは水性の塩基性現像剤溶液中（例えば，以下「ＴＭＡＨ」とも略
称する水酸化テトラメチルアンモニウム，又は水酸化カリウム，ＫＯＨ中）に容易に溶解
することを見出した。かかる基の例としては，ヒドロキシル，アミノ，チオール及びカル
ボキシルが挙げられる。脱プロトン化可能な基は，直接シロキサンポリマー骨格に結合で
き，又はシロキサンポリマー骨格に結合している有機官能性に結合できる。シロキサンポ
リマーは更に，例えば，アミノ基，エポキシ基，アクリロキシ基，アリル基又はビニル基
の反応性官能基を示す。かかる反応性有機基は，熱又は放射線により開始された硬化工程
中，反応可能である。
【００２２】
塩基性現像剤溶液中に，ポリマーを溶解する十分量の脱プロトン化基が存してよい。ま
た，ＵＶ照射の結果，架橋を提供する十分量の活性反応性があってもよい。
【００２３】
シロキサンプレポリマー組成物の製造方法は，
少なくとも異なる２種類のシランモノマーを加水分解する工程と，
分子量約５００〜２０，０００ｇ／ｍｏｌのシロキサンポリマーを形成するため，上記
シランモノマーを縮合する工程と，
シロキサンプレポリマー液体組成物を調合するため，光反応性化合物及びシロキサンポ
リマー用の溶媒を組み入れる工程と備える。
【００２４】
堆積フィルムの要求される膜厚に，上記プレポリマー組成物材料の固形分を任意に調整
する工程と，
膜厚１０ｎｍ〜１０μｍの層を形成するため，基材上に上記組成物を堆積する工程と，
上記堆積フィルムを任意に熱処理する工程と，
フォトマスク又はレチクルを使用し，堆積材料を紫外線露光することで，堆積材料層に
リソグラフィーを施す工程と，
上記露光材料を任意に熱処理する工程と，
上記層を水性の塩基性現像剤溶液に接触させることで，現像工程において除去される上
記フィルムの非露光領域を除去する工程と
を備えるリソグラフィー法におけるシロキサンプレポリマー組成物の使用方法を，また，
本発明は提供する。
【００２５】
より具体的には，本発明に係る組成物は，請求項１の特徴事項の記載により特定される
。
【００２６】
本組成物を製造するための本発明に係る方法は，請求項１６の特徴事項の記載により特
定される。
【００２７】
本発明は，かなりの利点を提供する。従って，その新規シロキサンは，業界で汎用的に
使用されるアルカリ性現像剤に可溶であり，それらは環境的に安全である。
【図面の簡単な説明】
【００２８】
【図１】図１ａは，ポジティブトーン感光性材料用リソグラフィープロセスの主要な工程の概要図であり，図１ｂは，ネガティブトーン感光性材料用リソグラフィープロセスの同様な工程の概要図である。
【図２】シリコン基材上に，１．５μｍ厚のパターン形成硬化構造体によって形成されたリソグラフィーパターン形成単一線特徴部のＳＥＭ像である。
【図３】シリコン基材上に，４μｍ厚のパターン形成硬化構造体によって形成されたリソグラフィーパターン形成単一線特徴部のＳＥＭ像である。
【図４】シリコン基材上に，１０μｍ厚のパターン形成硬化構造体によって形成されたリソグラフィーパターン形成単一線特徴部の顕微鏡像である。
【発明を実施するための形態】
【００２９】
すでに上述したように，本発明は，ネガティブトーンリソグラフィー加工プロセスにお
ける使用に適した特性を有するシロキサンポリマー組成物の合成及び重合全般に関する。
【００３０】
特に，本発明は，アルカリ性水溶液系現像剤システムを用いる製造ライン中に直接適応
可能なシロキサン又はオルガノシロキサンポリマー組成物の合成及び重合方法を提供する
。本発明の目的において，「アルカリ性水溶液」，「塩基性水溶液」及び「水性塩基」と
いう用語及びその類語は，ｐＨが７を超え，適切には９を超え，好適には約１１〜１４，
特には，約１１〜１３又は１２〜１３である水溶液を命名するのに互換的に使用される。
塩基性成分は，アルカリ金属若しくはアルカリ土類金属の水和物若しくは金属炭酸塩，ア
ミン又は他の適切なアルカリ性／塩基性化合物，及びかかる物質の２以上の組合せであり
うる。
【００３１】
本発明では，新規材料組成物はシロキサンポリマーであり，リソグラフィープロセス中
，より高い分子量を有するポリマーを生じるため，以下「プレポリマー」とも互換的に呼
称される。シロキサンポリマー／プレポリマーはシラン前駆体分子を出発材料として使用
して合成される。ポリマーは，−Ｓｉ−Ｏ−繰返し単位を含むシロキサン骨格を有する。
式（−Ｓｉ−Ｏ−）nにおいて，記号ｎは，一般には２〜１０００，特には３〜１００の
整数である。
【００３２】
プレポリマー材料の分子量の範囲は，５００〜２０，０００，好適には約７００〜１５
，０００，特には約１，０００〜１０，０００ｇ／ｍｏｌの範囲にある。
【００３３】
シロキサンポリマーの前駆体分子は，テトラ−，トリ−，ジ−又はモノ−官能性分子で
ありうる。テトラ−官能性分子は４つの加水分解性基を有し，トリ−官能性分子は３つの
加水分解性基を有し，ジ−官能性分子は２つを有し，モノ−官能性分子は１つを有する。
【００３４】
特に好適な一実施態様によれば，ポリマー中のトリ官能性又はテトラ官能性アルコキシ
ド（アルコキシシラン）残基は，例えば，エトキシシラン若しくはテトラメトキシシラン
又はその混合物のような，トリ（低級アルコキシ）シラン又はテトラ（低級アルコキシ）
シランから誘導される。かかる化合物を高比率で用いる（前駆体全量の少なくとも４０モ
ル％）ことによって，最終堆積フィルムの二酸化ケイ素含有量を最大化しうる。当然，前
駆体手順において，前駆体，すなわち，有機官能性を有するシランモノマーも使用できる
。
【００３５】
上記プロセスにおいて，多様なシランモノマー，及び特にはシランモノマーの組み合わ
せを本オルガノシロキサンポリマーの前駆体として使用できる。
【００３６】
一実施形態によれば，本発明の方法は，式Ｉ及びＩＩのいずれか又は両方のモノマーの
加水分解工程と重合工程を備える。
Ｒ1aＳｉＸ4-a      Ｉ
及び
Ｒ2bＳｉＸ4-b      ＩＩ
［ここで，Ｒ1及びＲ2は，独立に，水素，直鎖状及び分岐状のアルキル及びシクロアル
キル，アルケニル，アルキニル，（アルク）アクリレート，エポキシ，アリル，ビニル及
びアルコキシ，並びに１〜６個の環を有するアリールからなる群から選択され，
Ｘは，各々独立に，加水分解性基又は炭化水素残基であり，
ａ及びｂは，１〜３の整数である］
【００３７】
式Ｉ又はＩＩのモノマーと組合せて，又は，式ＩＩＩに該当する少なくとも１種類のモ
ノマー自体を更に使用できる。
Ｒ3cＳｉＸ4-c      ＩＩＩ
［ここで，Ｒ3は，水素，任意に１又は数個の置換基を有するアルキル基又はシクロア
ルキル基，又はアルコキシ基を表わし，
Ｘは，各々独立に，上記と同じ意義の加水分解性基又は炭化水素残基を示し，
ｃは，１〜３の整数である］
【００３８】
上記式のいずれでも，加水分解性基は特にはアルコキシ基である（式ＩＶ参照）。
【００３９】
上述のように，本発明は，トリ又はテトラアルコキシシランを用いたオルガノシロキサ
ンポリマーの生成を提供する。シランのアルコキシ基は，同一でも相違してもよく，好適
には，下記式を有するラジカル基から選択されうる。
−Ｏ−Ｒ4      ＩＶ
［ここで，Ｒ4は，ハロゲン，ヒドロキシル基，ビニル基，エポキシ基及びアリル基の
群から選択される１又は２種類の置換基を任意に示す炭素数１〜１０，好適には１〜６の
直鎖状又は分岐状のアルキル基を表わす］
【００４０】
上記前駆体分子を縮合重合して，最終シロキサンポリマー組成物が得られる。一般に，
トリ−，ジ−又はモノ−官能性分子の場合，前駆体分子の他の官能基（加水分解性基数に
よる）は，直鎖状の基，アリール基，環状の基，脂肪族基のような有機官能性でありうる
。また，かかる有機基は，例えば，アミン基，エポキシ基，アクリロキシ基，アリル基又
はビニル基のような反応性官能基を含むことができる。熱又は放射線により開始された硬
化工程中，かかる反応性有機基は反応可能である。材料組成物から特定の硬化特性を達成
するため，熱及び放射線感応性開始剤を使用できる。放射線感応性開始剤を使用する場合
，リソグラフィープロセスにおいてネガティブトーン感光性材料として材料は機能しうる
。
【００４１】
好適な実施形態によれば，上記モノマーを使用した場合，加水分解及び縮合に使用した
モノマーの少なくとも１つは，式Ｉ又はＩＩのモノマーから選択され，少なくとも１つの
置換基は，熱又は放射線により開始された硬化工程において，隣接するシロキサンポリマ
ー鎖に架橋を達成することが可能な活性基である。プレポリマーの調製のため，かかるモ
ノマーから誘導された単位のモル分率（又はモノマー全体量から算出した活性基を含有す
るモノマーのモル分率）は，約０．１〜７０％，好ましくは約０．５〜５０％，特には１
〜４０％である。一部の場合，モノマーのモル分率に対して約１〜１５％の濃度で，活性
官能基は存在する。
【００４２】
特に適切なモノマーは，トリエトキシシラン，テトラエトキシシラン，メチルトリエト
キシシラン，エチルトリエトキシシラン，ｎ−ブチルトリエトキシシラン，メチルジエト
キシビニルシラン，ジメチルジエトキシシラン，フェニルトリメトキシシラン，フェナン
トレン−９−トリエトキシシラン，ビニルトリメトキシシラン，３−グリシドキシプロピ
ルトリメトキシシラン，アミノプロピルトリメトキシシラン，メタクリロキシプロピルト
リメトキシシラン，アクリロキシプロピルトリメトキシシラン，アリルトリメトキシシラ
ン及びエポキシシクロヘキシルエチルトリメトキシシラン，並びにその混合物の群から選
択される。
【００４３】
一実施形態によれば，少なくとも５０モル％のモノマーは，テトラエトキシシラン，メ
チルトリエトキシシラン，エチルトリエトキシシラン，ｎ−ブチルトリエトキシシラン，
メチルジエトキシビニルシラン及びジメチルジエトキシシラン，並びにその混合物の群か
ら選択される。
【００４４】
一実施形態によれば，シロキサン組成物は，溶媒相中にシロキサンプレポリマーを含み
，ここで
上記プレポリマーが，−Ｓｉ−Ｏ−繰返し単位によって形成された約１，０００〜約１
０，０００ｇ／ｍｏｌの範囲の分子量を有するシロキサン骨格を有し，該シロキサン骨格
が，−Ｓｉ−Ｏ−単位の約５〜７０％量のヒドロキシル基を示し，繰返し単位量から算出
した約１〜１５ｍｏｌ％量のエポキシ基を示し，
上記組成物が，固形物重量基準で０．１〜３％の少なくとも１種の光反応性カチオン化
合物を更に含む。
【００４５】
シロキサンポリマー合成は，二工程で実施される。第一合成工程では，以下加水分解工
程とも呼ばれ，典型的には，水及び，塩酸やその他の鉱酸若しくは有機酸又は塩基のよう
な触媒の存在下，前駆体分子が加水分解され，第二工程，重合工程では，縮合重合によっ
て材料の分子量が増大する。加水分解工程で用いる水のｐＨは，典型的には７未満，好適
には６未満，特には５未満である。
【００４６】
加水分解中，部分縮合を開始し，比較的低分子量のプレポリマーを形成する。一部の前
駆体及び組成物に関しては，この合成段階にて，材料が最終材料として使用されるのに，
必要な場合には，処理溶媒の添加後にフィルム堆積及びパターン形成の準備が整うように
適切な分子量及び特性を既に有してもよい。
【００４７】
第二工程において，予め選択された範囲に一致した分子量を有するプレポリマーをもた
らすため，得られた低分子量プレポリマーを更に縮合重合する。適切な触媒存在下，重合
を実施するのが好ましい場合がある。この工程において，材料及びフィルムの堆積及び処
理に適した特性を促進するため，プレポリマーの分子量を増大させる。
【００４８】
アセトンやＰＧＭＥＡのような不活性溶媒又は不活性混合溶媒，又はアルコールのよう
な「非不活性溶媒」を用いて，あるいは溶媒なしで，加水分解，及び縮合反応を含むシロ
キサンポリマー合成を実施しうる。使用溶媒は，最終シロキサンポリマー組成物に影響す
る。触媒の存在下，塩基性，中性又は酸性条件で，反応を実施しうる。水（過剰量の水，
化学量論量の水又は準化学量論量の水）の存在下，前駆体の加水分解をしてもよい。反応
中，加熱してもよく，反応中，還流を使用しうる。
【００４９】
更なる縮合の前に，材料から過剰水を除去し，所望の場合には，この段階で，溶媒を他
の合成溶媒に交換しうる。この他の合成溶媒は，シロキサンポリマーの最終処理溶媒の最
後のもの又は１種として機能してもよい。更なる縮合工程の完了後，残留した水，アルコ
ール及びその他の副生成物を除去してもよい。最終処理溶媒の組み合わせを形成する調合
工程中に，１つ又は複数の追加の処理溶媒を添加してもよい。シロキサンポリマーの最終
ろ過の前に，熱開始剤，放射線感応性開始剤，界面活性剤及びその他の添加剤のような添
加剤を添加してもよい。組成物の調合後，その重合体は，例えば，リソグラフィープロセ
スにおける処理の準備ができている。
【００５０】
加水分解及び縮合条件を調整することで，脱プロトン化可能な基（例えば，ＯＨ基）及
びシロキサンポリマー組成物のシラン前駆体からの残留脱離基（例えば，アルコキシ基）
の濃度／含有量を制御し，また，シロキサンポリマーの最終分子量を制御しうる。これは
，水系現像剤溶液中へのシロキサンポリマー材料の溶解に多大な影響を与える。
【００５１】
そこで，例えば，残留ヒドロキシル基の含有率が高く，アルコキシ（例えば，エトキシ
）基の含有率が低い最終シロキサンポリマーの場合，アルカリ性現像剤水溶液（例えば，
水酸化テトラメチルアンモニウム；ＴＭＡＨ，又は水酸化カリウム；ＫＯＨ）中に，最終
シロキサンポリマーが容易に溶解することを見出した。
【００５２】
他方，最終シロキサンポリマーの残留アルコキシ基の含有率が高く，ほとんどＯＨ基を
含まない場合，最終シロキサンポリマーは，上記種類のアルカリ性現像剤水溶液中での溶
解性が非常に低い。アルカリ性現像剤システムへの溶解性が得られるＯＨ基又はアミノ（
ＮＨ2），チオール（ＳＨ），カルボキシル又は同様の基のような他の官能基は，シロキ
サンポリマー骨格のシリコン原子に直接結合でき，また任意にはシロキサンポリマー骨格
に結合している有機官能性に結合できる。
【００５３】
加水分解工程中,シロキサンポリマー中にヒドロキシ基を導入しうる。アミノ基，チオ
ール基及びその他の基は，かかる基を含有するシランモノマーを選択して組みこむことが
できる。かかるモノマーの一例として，アミノプロピルトリエトキシシランが挙げられる
。
【００５４】
一般的には，少なくとも約１の脱プロトン化基／１００のシリコン原子又は−Ｓｉ−Ｏ
−単位，好適には，約１の脱プロトン化基／５０の−Ｓｉ−Ｏ−単位から１０の脱プロト
ン化基／１０の−Ｓｉ−Ｏ−単位までである。特に好適には，約１の脱プロトン化基／２
０の−Ｓｉ−Ｏ−単位から約８の脱プロトン化官能基／１０の−Ｓｉ−Ｏ−単位までであ
る。このようにして，水性の塩基性現像剤溶液中に，層の未露光領域を容易に溶解できる
。
【００５５】
合成に適切な溶媒は，例えば，アセトン，テトラヒドロフラン（ＴＨＦ），トルエン，
２−プロパノール，メタノール，エタノール，プロピレングリコールモノメチルエーテル
，プロピレングリコールプロピルエーテル，メチル−ｔｅｒｔ−ブチルエーテル（ＭＴＢ
Ｅ），プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート（ＰＧＭＥＡ），プロピレン
グリコールモノメチルエーテル（ＰＧＭＥ）及びプロピレングリコールプロピルエーテル
（ＰｎＰ）である。
【００５６】
オルガノシロキサンポリマーを反応媒体中で回収できる。
【００５７】
合成後，フィルム堆積において予め選択した膜厚になるような固形分を与えるように適
切な溶媒又は溶媒の組み合わせを用いて材料を希釈する。
【００５８】
通常，シロキサン組成物に開始剤分子化合物を添加する。ＵＶ硬化工程において，「活
性」官能基の重合を開始できる種を作るため，該開始剤を使用する。エポキシ基の場合，
カチオン又はアニオン開始剤を使用しうる。合成材料中の「活性」官能基として，二重結
合を有する基の場合，ラジカル開始剤を使用しうる。また，「活性」官能基の架橋を促進
するため，熱開始剤（ラジカル，カチオン又はアニオンの機構によって作用する）を使用
しうる。また，光開始剤の適切な組合せの選択は，使用した露光光源（波長）によって決
まる。
【００５９】
組成物中の光反応性化合物の濃度は，シロキサンポリマーの質量から算出すると，一般
的には約０．１〜１０％，好ましくは約０．５〜５％である。
【００６０】
一実施態様によれば，少なくとも約２０モル％の有機ヒドロキシル化合物を含む組成物
に，オルガノシロキサンポリマーを調合する。
【００６１】
膜厚は，例えば５ｎｍ〜１０μｍの範囲であってもよい。米国特許第７，０９４，７０
９号には，多様な薄膜製造方法が記載されており，その内容を参照してここに取り込む。
【００６２】
本発明により作製されたフィルムは，典型的には，周波数１００ｋＨｚにおける誘電率
が４以下である。波長６３３ｎｍにおける屈折率は，１．２〜１．９間にある。
【００６３】
更に，フィルムは，水銀ＵＶ光源のＩ線波長において，１００ｍＪ／ｃｍ2以下のＵＶ
照射量で，７０％以上の架橋度を示す。
【００６４】
デバイス及び構造体製造プロセスそれぞれに応じて，被覆する最終膜厚を最適化しなけ
ればならない。例えば，上記合成過程の一方又は両方で，合成用溶媒としてＰＧＭＥＡを
使用した場合，半導体業界でも処理溶媒としてＰＧＭＥＡを通常使用するため，最終材料
用の溶媒を変更する必要がない。こうして，より簡易且つ省時間な材料の合成手順になる
。
【００６５】
最終シロキサンポリマーのＯＨ基／アルコキシ基比が５：９５〜９５：５の範囲内，好
ましくは１０：９０〜９０：１０間にある場合，材料がアルカリ性水系現像剤との併用に
よく適合すると結論づけうる。最終シロキサンポリマー分子量も，リソグラフィープロセ
ス中，アルカリ性現像剤のシロキサンポリマー溶解性能に影響することに注意する。
【００６６】
上記組成物は，組成物の５〜５０ｗｔ％量の固体ナノ粒子を含有してもよい。ナノ粒子
は，光散乱顔料及び無機燐光体の群から特に選択される。
【００６７】
本発明によれば，フィルム及び構造体の作製に適する材料を提供する。ガラス，シリコ
ン，窒化ケイ素，金属及びプラスチックのような多様な基材表面に層を堆積できる。
【００６８】
従来の費用効果ある液相からの処理によって，層を得ることができる。かかる処理方法
として，これらに限定されないが，スピンオン，浸漬，スプレー，インクジェット，ロー
ルツーロール，グラビア，フレキソ印刷，カーテン，スクリーン印刷コーティング法，押
出コーティング，スリットコーティングが挙げられる。
【００６９】
熱感応性及び／又は照射感応性材料組成物のパターン形成工程は，これらに限定されな
いが，直接リソグラフィーパターン形成工程，従来のリソグラフィーマスキング及びエッ
チング工程，又は，刷り込み及び型押し工程によって，行うことができる。
【００７０】
例えば，最高２４０℃又は１００℃の温度でさえある比較的低い処理温度，及びこれら
の限定間の範囲にて硬化する層を作るのに，上記組成物を使用しうる。
【００７１】
しかしながら，上記組成物から形成される層は，より高温で，すなわち，２４０℃を超
え，４５０℃以下又はさらに９００℃以下の温度でも硬化できる。かかる場合，組成物か
ら作製されたフィルム又は構造体は，スパッタリング，焼成，熱蒸発及び／又はＣＶＤ法
のような次の高温堆積工程で組み合わせることができる。
【００７２】
フィルム堆積（任意にパターン形成）及び材料フィルム及び構造体の硬化後に，あらゆ
る堆積／パターン形成プロセス工程の強烈な湿式及び乾式エッチングプロセス工程に耐え
ることが可能である。
【００７３】
組成物から堆積して説明したように硬化した層は，上部に突出構造を有することがある
基材又は電子デバイス上の平坦化層として機能できる。かかる基材は，ディスプレーデバ
イス（例えば，液晶ディスプレー又はプラズマディスプレー又はＯＬＥＤディスプレー）
の部材であってもよい。
【００７４】
一般に，材料組成物は，ディスプレーデバイス（ＬＣＤ，プラズマ，ＯＬＥＤディスプ
レー等），太陽電池，ＬＥＤ又は半導体デバイス内の光学層として機能しうる。
上記組成物は，基材上又は電子部品内の絶縁層を作製するため使用しうる。また，この
絶縁層は，基材上又は電子デバイス内の平坦化層としても同時に機能しうる。この基材及
び／又は電子デバイス（薄膜トランジスタ等）は，ディスプレーデバイス（例えば，液晶
ディスプレー，又はプラズマディスプレー，又はＯＬＥＤディスプレー）の部材であって
もよい。
【００７５】
以下，多くの例の支援により，本発明を説明し，上述のシロキサンポリマーコーティン
グ組成物の調製の更なる詳細を示す。
【００７６】
例１
メチルトリエトキシシラン（１４４０ｇ，９０ｍｏｌ％）及び３−グリシドキシプロピ
ルトリメトキシシラン（２１１．８４ｇ，１０ｍｏｌ％）を丸底フラスコに計量した。３
３０３．６８ｇのアセトンを丸底フラスコに添加した。マグネチックスターラーを用いて
反応混合物を一定に攪拌しながら，９６９．２８ｇの水（０．０１ＭのＨＮＯ3）を５分
以内で反応フラスコへ添加した。その後，室温（以下，「ＲＴ」と略記する）で１７分間
，反応混合物を撹拌し，電気マントルを用いて５時間，還流した。還流後，ロータリーエ
バポレーター（圧力３５０→２５０ｍｂａｒ，ｔ（浴槽）＝５０℃）を用いて反応混合物
から大部分のアセトンを除去した。大部分のアセトン除去後，２５０ｇのＰＧＭＥＡをフ
ラスコに添加した。ＰＧＭＥＡ添加後，ロータリーエバポレーター（圧力４５ｍｂａｒ，
ｔ（浴槽）＝５０℃，１時間）で，反応混合物を更に蒸発させ，溶媒交換を行った。溶媒
交換後，１２０℃で１時間，材料溶液を還流した。この後，材料は，調合（溶媒及び添加
剤の添加）及びろ過後に使用する準備が整う。膜厚要求（下記参照）に応じて，特定の固
形分に材料を調合し，０．１μｍＰＴＦＥフィルターを用いて材料をろ過した。溶液を，
以下で詳述するリソグラフィープロセスの処理に使用する準備ができた。
【００７７】
例２
メチルトリエトキシシラン（１２０ｇ，９０ｍｏｌ％）及びビニルトリエトキシシラン
（１４．２２ｇ，１０ｍｏｌ％）を丸底フラスコに計量した。２６８．４４ｇのアセトン
を丸底フラスコに添加した。マグネチックスターラーを用いて反応混合物を一定に攪拌し
ながら，８０．８３ｇの水（０．０１ＭのＨＮＯ3）を５分以内で反応フラスコへ添加し
た。その後，ＲＴで１７分間，反応混合物を撹拌し，電気マントルを用いて５時間，還流
した。還流後，ロータリーエバポレーター（圧力３５０→２５０ｍｂａｒ，ｔ（浴槽）＝
５０℃）を用いて反応混合物から大部分のアセトンを除去した。大部分のアセトン除去後
，８９．８３ｇのＰＧＭＥＡをフラスコに添加した。ＰＧＭＥＡ添加後，ロータリーエバ
ポレーター（圧力４５ｍｂａｒ，ｔ（浴槽）＝５０℃，１時間）で，反応混合物を更に蒸
発させ，溶媒交換を行った。溶媒交換後，１２０℃で１時間，材料溶液を還流した。１時
間の還流後，材料は，調合（溶媒及び添加剤の添加）及びろ過後に使用する準備が整う。
膜厚要求に応じて，特定の固形分に材料を調合し，０．１μｍＰＴＦＥフィルターを用い
て材料をろ過した。溶液を処理に使用する準備が整う。
【００７８】
例３
メチルトリエトキシシラン（３０ｇ，８０ｍｏｌ％），３−グリシドキシプロピルトリ
メトキシシラン（４．９７ｇ，１０ｍｏｌ％）及びフェニルトリメトキシシラン（４．１
７ｇ，１０ｍｏｌ％）を丸底フラスコに計量した。７８．２８ｇのアセトンを丸底フラス
コに添加した。マグネチックスターラーを用いて反応混合物を一定に攪拌しながら，２２
．７３ｇの水（０．０１ＭのＨＣｌ）を５分以内で反応フラスコへ添加した。その後，Ｒ
Ｔで１７分間，反応混合物を撹拌し，電気マントルを用いて５時間，還流した。還流後，
ロータリーエバポレーター（圧力３００→２００ｍｂａｒ，ｔ（浴槽）＝５０℃）を用い
て反応混合物から大部分のアセトンを除去した。大部分のアセトン除去後，３２ｇのＰＧ
ＭＥＡをフラスコに添加した。ＰＧＭＥＡ添加後，ロータリーエバポレーター（圧力４５
ｍｂａｒ，ｔ（浴槽）＝５０℃，１時間）で，反応混合物を更に蒸発させ，溶媒交換を行
った。溶媒交換後，１２０℃で１時間，材料溶液を還流した。１時間の還流後，材料は，
調合（溶媒及び添加剤の添加）及びろ過後に使用する準備が整う。膜厚要求に応じて，特
定の固形分に材料を調合し，０．１μｍＰＴＦＥフィルターを用いて材料をろ過した。溶
液を処理に使用する準備が整う。
【００７９】
例４
メチルトリエトキシシラン（３０ｇ，８０ｍｏｌ％），３−グリシドキシプロピルトリ
メトキシシラン（５．６８ｇ，１０ｍｏｌ％）及びフェニルトリメトキシシラン（９．５
３ｇ，２０ｍｏｌ％）を丸底フラスコに計量した。９０．４２ｇのアセトンを丸底フラス
コに添加した。マグネチックスターラーを用いて反応混合物を一定に攪拌しながら，２５
．９８ｇの水（０．０１ＭのＨＣｌ）を５分以内で反応フラスコへ添加した。その後，Ｒ
Ｔで２６分間，反応混合物を撹拌し，電気マントルを用いて５時間，還流した。還流後，
ロータリーエバポレーター（圧力８００→２５０ｍｂａｒ，ｔ（浴槽）＝５０℃）を用い
て反応混合物から大部分のアセトンを除去した。大部分のアセトン除去後，３６．７ｇの
ＰＧＭＥＡをフラスコに添加した。ＰＧＭＥＡ添加後，ロータリーエバポレーター（圧力
４５ｍｂａｒ，ｔ（浴槽）＝５０℃，１時間）で，反応混合物を更に蒸発させ，溶媒交換
を行った。溶媒交換後，１２０℃で１時間，材料溶液を還流した。１時間の還流後，材料
は，調合（溶媒及び添加剤の添加）及びろ過後に使用する準備が整う。膜厚要求に応じて
，特定の固形分に材料を調合し，０．１μｍＰＴＦＥフィルターを用いて材料をろ過した
。溶液を処理に使用する準備が整う。
【００８０】
例５
メチルトリエトキシシラン（７０ｇ，７０ｍｏｌ％）及び３−グリシドキシプロピルト
リメトキシシラン（３９．７６ｇ，３０ｍｏｌ％）を丸底フラスコに計量した。２１９．
５２ｇのアセトンを丸底フラスコに添加した。マグネチックスターラーを用いて反応混合
物を一定に攪拌しながら，６０．５８ｇの水（０．０１ＭのＨＣｌ）を４分以内で反応フ
ラスコへ添加した。その後，ＲＴで２６分間，反応混合物を撹拌し，電気マントルを用い
て５時間，還流した。還流後，ロータリーエバポレーター（圧力３５０→１５０ｍｂａｒ
，ｔ（浴槽）＝５０℃）を用いて反応混合物から大部分のアセトンを除去した。大部分の
アセトン除去後，６０ｇのＰＧＭＥＡをフラスコに添加した。ＰＧＭＥＡ添加後，ロータ
リーエバポレーター（圧力４５ｍｂａｒ，ｔ（浴槽）＝５０℃，１時間）で，反応混合物
を更に蒸発させ，溶媒交換を行った。溶媒交換後，１２０℃で１時間，材料溶液を還流し
た。１時間の還流後，材料は，調合（溶媒及び添加剤の添加）及びろ過後に使用する準備
が整う。膜厚要求に応じて，特定の固形分に材料を調合し，０．１μｍＰＴＦＥフィルタ
ーを用いて材料をろ過した。溶液を処理に使用する準備が整う。
【００８１】
例６
メチルトリエトキシシラン（６０ｇ，８０ｍｏｌ％），３−グリシドキシプロピルトリ
メトキシシラン（９．９４ｇ，１０ｍｏｌ％）及びフェナントレン−９−トリエトキシシ
ラン（１４．３６ｇ，１０ｍｏｌ％）を丸底フラスコに計量した。１６４．６ｇのアセト
ンを丸底フラスコに添加した。マグネチックスターラーを用いて反応混合物を一定に攪拌
しながら，４５．４７ｇの水（０．０１ＭのＨＣｌ）を４分以内で反応フラスコへ添加し
た。その後，ＲＴで２６分間，反応混合物を撹拌し，電気マントルを用いて５時間，還流
した。還流後，ロータリーエバポレーター（圧力８００→１５０ｍｂａｒ，ｔ（浴槽）＝
５０℃）を用いて反応混合物から大部分のアセトンを除去した。大部分のアセトン除去後
，５５．０ｇのＰＧＭＥＡをフラスコに添加した。ＰＧＭＥＡ添加後，ロータリーエバポ
レーター（圧力４５ｍｂａｒ，ｔ（浴槽）＝５０℃，１時間）で，反応混合物を更に蒸発
させ，溶媒交換を行った。溶媒交換後，１２０℃で１時間，材料溶液を還流した。１時間
の還流後，材料は，調合（溶媒及び添加剤の添加）及びろ過後に使用する準備が整う。膜
厚要求に応じて，特定の固形分に材料を調合し，０．１μｍＰＴＦＥフィルターを用いて
材料をろ過した。溶液を処理に使用する準備が整う。
【００８２】
例７
メチルトリエトキシシラン（１７．１４ｇ，４０ｍｏｌ％），３−グリシドキシプロピ
ルトリメトキシシラン（２２．３１ｇ，３０ｍｏｌ％）及びイソブチルトリメトキシシラ
ン（１６．３８ｇ，３０ｍｏｌ％）を丸底フラスコに計量した。２８１．４ｇのアセトン
を丸底フラスコに添加した。マグネチックスターラーを用いて反応混合物を一定に攪拌し
ながら，１７．０ｇの水（０．０１ＭのＨＣｌ）を４分以内で反応フラスコへ添加した。
その後，ＲＴで２６分間，反応混合物を撹拌し，電気マントルを用いて１時間，還流した
。還流後，ロータリーエバポレーター（圧力８００→１５０ｍｂａｒ，ｔ（浴槽）＝５０
℃）を用いて反応混合物から大部分のアセトンを除去した。大部分のアセトン除去後，１
９８．２８ｇのＰＧＭＥＡをフラスコに添加した。ＰＧＭＥＡ添加後，ロータリーエバポ
レーター（圧力４５ｍｂａｒ，ｔ（浴槽）＝５０℃，１時間）で，反応混合物を更に蒸発
させ，溶媒交換を行った。溶媒交換後，１２０℃で２４時間，材料溶液を還流した。材料
の還流後，材料は，調合（溶媒及び添加剤の添加）及びろ過後に使用する準備が整う。膜
厚要求に応じて，特定の固形分に材料を調合し，０．１μｍＰＴＦＥフィルターを用いて
材料をろ過した。溶液を処理に使用する準備が整う。
【００８３】
例８
メチルトリエトキシシラン（３１．８７ｇ，８５ｍｏｌ％），３−グリシドキシプロピ
ルトリメトキシシラン（４．９７ｇ，１０ｍｏｌ％）及びフェニルトリメトキシシラン（
２．０９ｇ，５ｍｏｌ％）を丸底フラスコに計量した。７７．８６ｇのアセトンを丸底フ
ラスコに添加した。マグネチックスターラーを用いて反応混合物を一定に攪拌しながら，
２２．７３ｇの水（０．０１ＭのＨＣｌ）を５分以内で反応フラスコへ添加した。その後
，ＲＴで２６分間，反応混合物を撹拌し，電気マントルを用いて５時間，還流した。還流
後，ロータリーエバポレーター（圧力３５０→２５０ｍｂａｒ，ｔ（浴槽）＝５０℃）を
用いて反応混合物から大部分のアセトンを除去した。大部分のアセトン除去後，３１．３
４ｇのＰＧＭＥＡをフラスコに添加した。ＰＧＭＥＡ添加後，ロータリーエバポレーター
（圧力４５ｍｂａｒ，ｔ（浴槽）＝５０℃，１時間）で，反応混合物を更に蒸発させ，溶
媒交換を行った。溶媒交換後，１２０℃で１時間，材料溶液を還流した。１時間の還流後
，材料は，希釈及びろ過後に使用する準備が整う。膜厚要求に応じて，固形分２０％に材
料を希釈し，０．１μｍＰＴＦＥフィルターを用いて材料をろ過した。溶液を処理に使用
する準備ができた。
【００８４】
例９
メチルトリエトキシシラン（４２．５１ｇ，８５ｍｏｌ％），３−グリシドキシプロピ
ルトリメトキシシラン（３．３１ｇ，５ｍｏｌ％）及びトリエトキシシラン（４．６０ｇ
，１０ｍｏｌ％）を丸底フラスコに計量した。１００．８４ｇのアセトンを丸底フラスコ
に添加した。マグネチックスターラーを用いて反応混合物を一定に攪拌しながら，３０．
２９ｇの水（０．０１ＭのＨＣｌ）を４分以内で反応フラスコへ添加した。その後，ＲＴ
で２６分間，反応混合物を撹拌し，電気マントルを用いて５時間，還流した。還流後，ロ
ータリーエバポレーター（圧力３５０→２５０ｍｂａｒ，ｔ（浴槽）＝５０℃）を用いて
反応混合物から大部分のアセトンを除去した。大部分のアセトン除去後，６０ｇのＰＧＭ
ＥＡをフラスコに添加した。ＰＧＭＥＡ添加後，ロータリーエバポレーター（圧力４５ｍ
ｂａｒ，ｔ（浴槽）＝５０℃，１時間）で，反応混合物を更に蒸発させ，溶媒交換を行っ
た。溶媒交換後，１２０℃で１時間，材料溶液を還流した。１時間の還流後，材料は，調
合（溶媒及び添加剤の添加）及びろ過後に使用する準備が整う。膜厚要求に応じて，特定
の固形分に材料を調合し，０．１μｍＰＴＦＥフィルターを用いて材料をろ過した。溶液
を処理に使用する準備が整う。
【００８５】
例１０
メチルトリエトキシシラン（２０ｇ，５０ｍｏｌ％）及び３−グリシドキシプロピルト
リメトキシシラン（２６．５１ｇ，５０ｍｏｌ％）を丸底フラスコに計量した。１３９．
５３ｇのアセトンを丸底フラスコに添加した。マグネチックスターラーを用いて反応混合
物を一定に攪拌しながら，２４．２３ｇの水（０．０１ＭのＨＣｌ）を５分以内で反応フ
ラスコへ添加した。その後，ＲＴで１７分間，反応混合物を撹拌し，電気マントルを用い
て５時間，還流した。還流後，ロータリーエバポレーター（圧力３５０→２５０ｍｂａｒ
，ｔ（浴槽）＝５０℃）を用いて反応混合物から大部分のアセトンを除去した。大部分の
アセトン除去後，１４ｇのＰＧＭＥＡをフラスコに添加した。ＰＧＭＥＡ添加後，ロータ
リーエバポレーター（圧力４５ｍｂａｒ，ｔ（浴槽）＝５０℃，１時間）で，反応混合物
を更に蒸発させ，溶媒交換を行った。調合（溶媒及び添加剤の添加）及びろ過後，材料を
使用する準備が整う。膜厚要求に応じて，特定の固形分に材料を調合し，０．１μｍＰＴ
ＦＥフィルターを用いて材料をろ過した。溶液を処理に使用する準備が整う。
【００８６】
例１１
メチルトリエトキシシラン（２０．０ｇ，７０ｍｏｌ％），３−グリシドキシプロピル
トリメトキシシラン（７．５７ｇ，２０ｍｏｌ％）及びテトラエトキシシラン（３．３４
ｇ，１０ｍｏｌ％）を丸底フラスコに計量した。９２．７３ｇのアセトンを丸底フラスコ
に添加した。マグネチックスターラーを用いて反応混合物を一定に攪拌しながら，１７．
３１ｇの水（０．０１ＭのＨＣｌ）を４分以内で反応フラスコへ添加した。その後，ＲＴ
で２６分間，反応混合物を撹拌し，電気マントルを用いて５時間，還流した。還流後，ロ
ータリーエバポレーター（圧力３５０→２５０ｍｂａｒ，ｔ（浴槽）＝５０℃）を用いて
反応混合物から大部分のアセトンを除去した。大部分のアセトン除去後，１０ｇのＰＧＭ
ＥＡをフラスコに添加した。ＰＧＭＥＡ添加後，ロータリーエバポレーター（圧力４５ｍ
ｂａｒ，ｔ（浴槽）＝５０℃，１時間）で，反応混合物を更に蒸発させ，溶媒交換を行っ
た。調合（溶媒及び添加剤の添加）及びろ過後，材料を使用する準備が整う。膜厚要求に
応じて，特定の固形分に材料を調合し，０．１μｍＰＴＦＥフィルターを用いて材料をろ
過した。溶液を処理に使用する準備が整う。
【００８７】
例１２
メチルトリエトキシシラン（４０．０ｇ，８０ｍｏｌ％），３−グリシドキシプロピル
トリメトキシシラン（６．６２ｇ，１０ｍｏｌ％）及びトリエトキシシラン（４．６０ｇ
，１０ｍｏｌ％）を丸底フラスコに計量した。１０２．４４ｇのアセトンを丸底フラスコ
に添加した。マグネチックスターラーを用いて反応混合物を一定に攪拌しながら，３０．
２９ｇの水（０．０１ＭのＨＣｌ）を４分以内で反応フラスコへ添加した。その後，ＲＴ
で２６分間，反応混合物を撹拌し，電気マントルを用いて５時間，還流した。還流後，ロ
ータリーエバポレーター（圧力３５０→２５０ｍｂａｒ，ｔ（浴槽）＝５０℃）を用いて
反応混合物から大部分のアセトンを除去した。大部分のアセトン除去後，６０ｇのＰＧＭ
ＥＡをフラスコに添加した。ＰＧＭＥＡ添加後，ロータリーエバポレーター（圧力４５ｍ
ｂａｒ，ｔ（浴槽）＝５０℃，１時間）で，反応混合物を更に蒸発させ，溶媒交換を行っ
た。溶媒交換後，１２０℃で１時間，材料溶液を還流した。１時間の還流後，材料は，調
合（溶媒及び添加剤の添加）及びろ過後に使用する準備が整う。膜厚要求に応じて，特定
の固形分に材料を調合し，０．１μｍＰＴＦＥフィルターを用いて材料をろ過した。溶液
を処理に使用する準備が整う。
【００８８】
例１３
ナフタレン−１−トリエトキシシラン（３０．０ｇ，８０ｍｏｌ％），３−グリシドキ
シプロピルトリメトキシシラン（３．４８ｇ，１０ｍｏｌ％）及びトリエトキシシラン（
２．４２ｇ，１０ｍｏｌ％）を丸底フラスコに計量した。７１．８０ｇのアセトンを丸底
フラスコに添加した。マグネチックスターラーを用いて反応混合物を一定に攪拌しながら
，１５．９０ｇの水（０．０１ＭのＨＣｌ）を３分以内で反応フラスコへ添加した。その
後，ＲＴで２６分間，反応混合物を撹拌し，電気マントルを用いて５時間，還流した。還
流後，ロータリーエバポレーター（圧力３５０→２５０ｍｂａｒ，ｔ（浴槽）＝５０℃）
を用いて反応混合物から大部分のアセトンを除去した。大部分のアセトン除去後，６０ｇ
のＰＧＭＥＡをフラスコに添加した。ＰＧＭＥＡ添加後，ロータリーエバポレーター（圧
力４５ｍｂａｒ，ｔ（浴槽）＝５０℃，１時間）で，反応混合物を更に蒸発させ，溶媒交
換を行った。溶媒交換後，１２０℃で１時間，材料溶液を還流した。１時間の還流後，材
料は，調合（溶媒及び添加剤の添加）及びろ過後に使用する準備が整う。膜厚要求に応じ
て，特定の固形分に材料を調合し，０．１μｍＰＴＦＥフィルターを用いて材料をろ過し
た。溶液を処理に使用する準備が整う。
【００８９】
例１４
メチルトリエトキシシラン（３０．０ｇ，６０ｍｏｌ％），３−グリシドキシプロピル
トリメトキシシラン（１９．８８ｇ，３０ｍｏｌ％）及びトリエトキシシラン（４．６０
ｇ，１０ｍｏｌ％）を丸底フラスコに計量した。１０８．９６ｇのアセトンを丸底フラス
コに添加した。マグネチックスターラーを用いて反応混合物を一定に攪拌しながら，３０
．２９ｇの水（０．０１ＭのＨＣｌ）を４分以内で反応フラスコへ添加した。その後，Ｒ
Ｔで２６分間，反応混合物を撹拌し，電気マントルを用いて５時間，還流した。還流後，
ロータリーエバポレーター（圧力３５０→２５０ｍｂａｒ，ｔ（浴槽）＝５０℃）を用い
て反応混合物から大部分のアセトンを除去した。大部分のアセトン除去後，６０ｇのＰＧ
ＭＥＡをフラスコに添加した。ＰＧＭＥＡ添加後，ロータリーエバポレーター（圧力４５
ｍｂａｒ，ｔ（浴槽）＝５０℃，１時間）で，反応混合物を更に蒸発させ，溶媒交換を行
った。溶媒交換後，１２０℃で１時間，材料溶液を還流した。１時間の還流後，材料は，
調合（溶媒及び添加剤の添加）及びろ過後に使用する準備が整う。膜厚要求に応じて，特
定の固形分に材料を調合し，０．１μｍＰＴＦＥフィルターを用いて材料をろ過した。溶
液を処理に使用する準備が整う。
【００９０】
例１５
メチルトリエトキシシラン（９０ｇ，９０ｍｏｌ％）及びエポキシシクロヘキシルエチ
ルトリメトキシシラン（１３．８２ｇ，１０ｍｏｌ％）を丸底フラスコに計量した。２０
７．６４ｇのアセトンを丸底フラスコに添加した。マグネチックスターラーを用いて反応
混合物を一定に攪拌しながら，６０．５８ｇの水（０．０１ＭのＨＣｌ）を３分以内で反
応フラスコへ添加した。その後，ＲＴで２７分間，反応混合物を撹拌し，電気マントルを
用いて５時間，還流した。還流後，ロータリーエバポレーター（圧力３５０→２５０ｍｂ
ａｒ，ｔ（浴槽）＝５０℃）を用いて反応混合物から大部分のアセトンを除去した。大部
分のアセトン除去後，１４ｇのＰＧＭＥＡをフラスコに添加した。ＰＧＭＥＡ添加後，ロ
ータリーエバポレーター（圧力４５ｍｂａｒ，ｔ（浴槽）＝５０℃，１時間）で，反応混
合物を更に蒸発させ，溶媒交換を行った。溶媒交換後，１２０℃で１時間，材料溶液を還
流した。１時間の還流後，材料は，調合（溶媒及び添加剤の添加）及びろ過後に使用する
準備が整う。膜厚要求に応じて，特定の固形分に材料を調合し，０．１μｍＰＴＦＥフィ
ルターを用いて材料をろ過した。溶液を処理に使用する準備が整う。
【００９１】
例１６
メチルトリエトキシシラン（１４４０ｇ，９０ｍｏｌ％）及び３−グリシドキシプロピ
ルトリメトキシシラン（２１１．８４ｇ，１０ｍｏｌ％）を丸底フラスコに計量した。３
３０５ｇのアセトンを丸底フラスコに添加した。マグネチックスターラーを用いて反応混
合物を一定に攪拌しながら，９７０ｇの水（０．０１ＭのＨＮＯ3）を５分以内で反応フ
ラスコへ添加した。その後，ＲＴで２３分間，反応混合物を撹拌し，電気マントルを用い
て５時間，還流した。還流後，ロータリーエバポレーター（圧力３５０→２５０ｍｂａｒ
，ｔ（浴槽）＝５０℃）を用いて反応混合物から大部分のアセトンを除去した。大部分の
アセトン除去後，２７０ｇのＰＧＭＥをフラスコに添加した。ＰＧＭＥ添加後，ロータリ
ーエバポレーター（圧力４５ｍｂａｒ，ｔ（浴槽）＝５０℃，１時間）で，反応混合物を
更に蒸発させ，溶媒交換を行った。溶媒交換後，１２０℃で１時間，材料溶液を還流した
。１時間の還流後，材料は，調合（溶媒及び添加剤の添加）及びろ過後に使用する準備が
整う。膜厚要求に応じて，特定の固形分に材料を調合し，０．１μｍＰＴＦＥフィルター
を用いて材料をろ過した。溶液を処理に使用する準備が整う。
【００９２】
例１７
メチルトリエトキシシラン（１４４０ｇ，９０ｍｏｌ％）及び３−グリシドキシプロピ
ルトリメトキシシラン（２１１．８４ｇ，１０ｍｏｌ％）を丸底フラスコに計量した。３
３０５ｇのアセトンを丸底フラスコに添加した。マグネチックスターラーを用いて反応混
合物を一定に攪拌しながら，９６０ｇの水（０．０１ＭのＨＮＯ3）を５分以内で反応フ
ラスコへ添加した。その後，ＲＴで２３分間，反応混合物を撹拌し，電気マントルを用い
て５時間，還流した。還流後，ロータリーエバポレーター（圧力３５０→２５０ｍｂａｒ
，ｔ（浴槽）＝５０℃）を用いて反応混合物から大部分のアセトンを除去した。大部分の
アセトン除去後，２６０ｇのＰｎＰをフラスコに添加した。ＰｎＰ添加後，ロータリーエ
バポレーター（圧力４５ｍｂａｒ，ｔ（浴槽）＝５０℃，１時間）で，反応混合物を更に
蒸発させ，溶媒交換を行った。溶媒交換後，１２０℃で１時間，材料溶液を還流した。１
時間の還流後，材料は，調合（溶媒及び添加剤の添加）及びろ過後に使用する準備が整う
。膜厚要求に応じて，特定の固形分に材料を調合し，０．１μｍＰＴＦＥフィルターを用
いて材料をろ過した。溶液を処理に使用する準備が整う。
【００９３】
前駆体材料及び使用組成物の選択により，材料の最終特性（光学的，機械的，化学的）
を変えることができる。また，材料の合成溶媒及び処理溶媒の選択も，最終材料特性に影
響する。上記のように，合成中及び／又は処理溶媒として，不活性溶媒又は反応性溶媒の
いずれをも使用可能である。適切な溶媒の選択は合成後のポリマーから得られる組成物，
最終組成物の安定性，リソグラフィープロセスでの材料の溶解速度，堆積フィルムの品質
，リソグラフィープロセスのパラメーターに影響する。一部の組成物に関して，合成シロ
キサン組成物と反応（共有結合又は配位）可能な処理溶媒として，反応性溶媒を使用する
のが好適である。これら反応性溶媒の例としては，ＰＧＭＥ，ＰｎＰ，２−プロパノール
，水（Ｈ2Ｏ），エタノール，メタノール，乳酸エチルが挙げられる。上記組成物に加え
て，これらの方法に基づき違った組成物の変形形態を合成でき，幅広い特性が得られる。
【００９４】
例１の材料に関するリソグラフィープロセス
（例１において上述した）材料の合成後，堆積フィルムの要求膜厚に応じて調整された
固形分に材料は調合される。また，得られた膜厚は，使用堆積方法（例えば，浸漬コーテ
ィング，スピンコーティング，スプレーコーティング，スロットコーティング）によるの
で，事例ごとに最適化しなければならない。また使用処理溶媒も得られる膜厚に影響する
。スピンコーティング及び処理溶媒としてプロピレングリコールモノメチルエーテルアセ
テート（ＰＧＭＥＡ）を用いることにより，固形分１〜６５％に調合したそれぞれに対し
，材料膜厚は１０ｎｍ〜１０μｍ間で変動しうる。より高い固形分を使用することで，さ
らにより厚い構造体が得られる。低い硬化温度が要求された場合，プロセス溶媒として低
沸点溶媒を選択すべきである。界面活性剤（例えば，Ｂｙｋ−３０７及びＦＣ４４３０又
は４４３２）のような他の添加物も，必要な場合，使用しうる。
【００９５】
例１において，材料は（３−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン前駆体分子から
得た）エポキシ官能性を有し，ＵＶ硬化工程中，重合を促進しうる。
【００９６】
合成材料におけるこの「活性」官能基（エポキシ基）に加え，ＵＶ硬化工程において，
「活性」官能基の重合を開始できる種を出るため，開始剤分子を使用しなければならない
。エポキシ基の場合，カチオン又はアニオン開始剤（Ｒｈｏｄｏｒｓｉｌ  Ｐｈｏｔｏｉ
ｎｉｔｉａｔｏｒ  ２０７４及びＣｙｒａｃｕｒｅ  Ｐｈｏｔｏｉｎｉｔｉａｔｏｒ  Ｕ
ＶＩ−６９７６等）を使用する。
【００９７】
合成材料における「活性」官能基として，例えば，二重結合を用いる場合，ＵＶ硬化工
程において，重合を促進するため，ラジカル開始剤（Ｉｒｃａｃｕｒｅ８１９，８１４及
び６５１等）を使用する。また，「活性」官能基の架橋を促進するため，熱開始剤（ラジ
カル，カチオン又はアニオン）を使用しうる。また，光開始剤の適切な組合せの選択は，
使用した露光光源（波長）によって決まる。
【００９８】
添加物及び光開始剤の濃度は，最終シロキサンポリマー組成物の固形分から計算する。
材料は，ネガティブトーンレジスト材料として作用し，該材料は露光領域で重合し，使用
現像剤溶液中で不溶性になることを意味する。処理溶剤及び添加剤を添加した場合，０．
１μｍ＋０．０４μｍのＰＴＦＥフィルターを用いて材料をろ過する。溶液を処理に使用
する準備が整う。以下，異なる膜厚が得られる３種類の異なるプロセスを示す。
【００９９】
合成例１のプロセス例Ａ（１．５μｍの膜厚が得られる）
調合及び添加剤
・ＰＧＭＥＡを用いて固形分３２％に調合
・１％ＵＶＩ６９７６光開始剤
・１％Ｒｈｏｄｏｒｓｉｌ光／熱開始剤
・０．０５％ＢＹＫ３０７界面活性剤
【０１００】
スピンコーティング
・低速回転している基材上に調剤（動的調剤工程）
・５０ｒｐｍで５秒間回転
・３００ｒｐｍで１０秒間回転
・最終速度（例えば,１５００ｒｐｍ）で３０秒間回転
・（例えば，６００ｒｐｍで）３０秒間，ＥＢＲ／裏面の洗浄
【０１０１】
ソフトベーク
材料堆積後，ソフトベークプロセスを使用する。対流式オーブン及びホットプレートベ
ーク法を共に適応してもよい。
・ホットプレート上に１４０℃で１分間置く
【０１０２】
冷却プレート
露光工程前，基材を冷却するとよい。
・冷却プレート上に１分間置く
【０１０３】
露光
フォトマスク又はレチクル及びＵＶ露光工程を用いて，堆積材料層にリソグラフィーパ
ターン形成する。材料はネガティブトーンレジスト材料として作用する。
・露光光源：水銀ＵＶランプ（１０．３ｍＷ／ｃｍ2，広帯域）又はＩ線ステッパー
（Ｉ線露光）
・露光時間５〜１０秒間が，典型的プロセスである。
【０１０４】
露光後ベーク
材料層全域露光後，露光後ベークプロセスを使用するとよい。対流式オーブン及びホッ
トプレートベーク法を共に適応してもよい。現像工程前，基材を冷却するとよい。
・ホットプレート上に９０℃で１０秒間置く
【０１０５】
現像（ＴＭＡＨ水溶液のようなアルカリ性現像剤）
材料層に露光して露光後のベーキングをした後，フィルムを現像剤溶液中に浸漬するこ
とで（又はパドル現像法によって），フィルムの未露光領域を除去する。ＤＩ水との比が
１：３の現像剤ＡＺ３２６ＭＩＦをフィルムの現像に使用しうる。
・１：３の溶液（ＡＺ３２６ＭＩＦ現像剤：ＤＩ水）中で１分間現像
【０１０６】
ハードベーク／硬化
硬化後，コーティングに高温プロセスを施す場合，硬化温度は２５０℃を超えてもよい
。しかしながら，低温硬化温度が，通常適応され，材料は安定であり，＜２５０℃等の温
度で材料を硬化する。対流式オーブン中（Ｎ2，雰囲気）において，
・３０分内に１５０℃へ上昇させ，３０分間保持
・３０分内に２５０℃へ上昇させ，２時間保持
・ゆっくり下降
・ホットプレート上に５分間置く
【０１０７】
得られたパターン形成硬化構造体は１．５μｍ厚である。図２は，シリコン基材上のリ
ソグラフィーパターン形成単一線特徴部のＳＥＭ像である。
【０１０８】
合成例１のプロセス例Ｂ（４μｍの膜厚を作る）
調合及び添加剤
・ＰＧＭＥＡを用いて固形分５０％に調合
・１％ＵＶＩ６９７６光開始剤
・１％Ｒｈｏｄｏｒｓｉｌ光／熱開始剤
・０．０５％ＢＹＫ３０７界面活性剤
【０１０９】
その他の点では，上記プロセスはプロセス例Ａの場合とまったく同一である。得られた
パターン形成硬化構造体は４μｍ厚である。図３は，シリコン基材上のリソグラフィーパ
ターン形成単一線特徴部のＳＥＭ像である。
【０１１０】
合成例１のプロセス例Ｃ（１０μｍの膜厚を作る）
調合及び添加剤
・ＰＧＭＥＡを用いて固形分６５％に調合
・１％ＵＶＩ６９７６光開始剤
・１％Ｒｈｏｄｏｒｓｉｌ光／熱開始剤
・０．０５％ＢＹＫ３０７界面活性剤
【０１１１】
その他の点では，上記プロセスはプロセス例Ａの場合とまったく同一である。得られた
パターン形成硬化構造体は１０μｍ厚である。図４は，シリコン基材上のリソグラフィー
パターン形成単一線特徴部の顕微鏡像である。
【図１】
2015147930.tif 000002
【図２】
2015147930.tif 000003
【図３】
2015147930.tif 000004
【図４】
2015147930.tif 000005
【手続補正書】
【提出日】平成27年4月7日(2015.4.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
塩基性水溶液中で脱プロトン化可能な基を示し，更に熱又は放射線で開始させる硬化工程中に反応可能な反応性官能基を示すシロキサン骨格を有するシロキサンプレポリマーと，
該シロキサンプレポリマー用溶媒と，
光反応性化合物と
を含むシロキサン組成物。
【請求項２】
前記シロキサンプレポリマーは，平均分子量が５００〜２０，０００ｇ／ｍｏｌである請求項１に記載の組成物。
【請求項３】
前記シロキサンプレポリマーは，平均分子量が１，０００〜１０，０００ｇ／ｍｏｌである請求項２に記載の組成物。
【請求項４】
固体濃度が，少なくとも１重量％で且つ７０重量％以下である請求項１〜３のいずれか一項に記載の組成物。
【請求項５】
オルガノシロキサンポリマーが，脱プロトン化可能な基を少なくとも１個備えるモノマーに由来する単位を少なくとも１モル％含有する請求項１〜４のいずれか一項に記載の組成物。
【請求項６】
前記溶媒が，前記シロキサンプレポリマーと反応可能な溶媒である請求項１〜５のいずれか一項に記載の組成物。
【請求項７】
前記溶媒が，水，脂肪族アルコール，脂肪族エーテル及び芳香族アルコール，並びにその混合物の群から選択される請求項６に記載の組成物。
【請求項８】
前記溶媒が，プロピレングリコールモノメチルエーテル，プロピレングリコールプロピルエーテル，２−プロパノール，水，エタノール，メタノール及び乳酸エチル，並びにその混合物の群から選択される請求項６に記載の組成物。
【請求項９】
前記光反応性化合物が，光酸発生剤又は光開始剤であり，前記光反応性化合物は，紫外線処理又は熱処理を条件として，前記シロキサン組成物を架橋することが可能であり，
任意に，添加剤として熱酸発生剤を含む請求項１〜８のいずれか一項に記載の組成物。
【請求項１０】
前記シロキサンポリマー質量から算出した前記光反応性化合物濃度が，０．１〜５％である請求項１〜９のいずれか一項に記載の組成物。
【請求項１１】
溶媒相中にシロキサンプレポリマーを含むシロキサン組成物であって，
前記プレポリマーが，−Ｓｉ−Ｏ−繰返し単位によって形成されたシロキサン骨格と，１，０００〜１０，０００ｇ／ｍｏｌの範囲の分子量を有し，前記シロキサン骨格が，−Ｓｉ−Ｏ−単位の５〜７０％量のヒドロキシル基を示し，繰返し単位量から算出した１〜１５ｍｏｌ％量のエポキシ基を更に示し，
前記組成物が，固形物重量基準で０．１〜３％の少なくとも１種の光反応性カチオン化合物を更に含み，
前記溶媒相が，プロピレングリコールモノメチルエーテル，プロピレングリコールプロピルエーテル，２−プロパノール，水，エタノール，メタノール及び乳酸エチル，並びにその混合物の群から選択される溶媒を含む請求項１に記載のシロキサン組成物。
【請求項１２】
少なくとも異なる２種類のシランモノマーを加水分解する工程と，
分子量５００〜２０，０００ｇ／ｍｏｌのシロキサンポリマーを形成するため，前記シランモノマーを縮合する工程と，
シロキサンプレポリマー液体組成物を調合するため，光反応性化合物及び前記シロキサンポリマー用の溶媒を組み入れる工程と
を備える請求項１〜１１のいずれか一項に記載のシロキサン組成物の製造方法。
【請求項１３】
少なくとも異なる２種類のシランモノマーを加水分解する工程と，
分子量５００〜２０，０００ｇ／ｍｏｌのシロキサンポリマーを形成するため，前記シランモノマーを縮合する工程と，
溶媒相中の前記シロキサンポリマーを回収する工程と，
前記溶媒相中に光反応性化合物を組み入れる工程とを備え，
前記シランモノマーが，前記光反応性化合物の誘導下，シロキサンポリマーの架橋が遂行可能な一つ又は複数の反応性官能基を含有するモノマーを含み，少なくとも一部のヒドロキシル基が前記ポリマー中に存するように前記加水分解工程及び前記縮合工程を行い，
前記加水分解工程を水性溶媒中で行う請求項１〜１１のいずれか一項に記載のシロキサン組成物の製造方法。
【請求項１４】
シロキサン組成物の使用方法であって，
堆積フィルムの要求される膜厚に，前記プレポリマー組成物材料の固形分を任意に調整する工程と，
膜厚１０ｎｍ〜１０μｍの層を形成するため，基材上に前記組成物を堆積する工程と，
堆積フィルムを任意に熱処理する工程と，
フォトマスク又はレチクルを使用し，堆積材料を紫外線露光することで，堆積材料層にリソグラフィーを施す工程と，
露光材料を任意に熱処理する工程と，
前記層を水性の塩基性現像剤溶液に接触させることで，現像工程において除去される前記フィルムの非露光領域を除去する工程と
を備える，リソグラフィー法における請求項１〜１１のいずれか一項に記載のシロキサン組成物の使用方法。
【請求項１５】
前記水性の塩基性現像剤溶液は，ｐＨが少なくとも９である請求項１４に記載の方法。
【請求項１６】
フィルムが，周波数１００ｋＨｚにおいて，４以下の誘電率であるように製造される請求項１４〜１５のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１７】
フィルムが，波長６３３ｎｍにおいて，１．２〜１．９間の屈折率であるように製造される請求項１４〜１６のいずれか一項に記載の方法。
【外国語明細書】
2015147930000001.pdf