(57)【要約】      （修正有）【課題】熱電変換モジュールにおいて、熱電半導体を破壊や、熱電半導体及び電極間の接合面で剥離を抑制し、耐久性を向上させる。【解決手段】ｐ型熱電半導体１１及びｎ型熱電半導体１２と、前記ｐ型熱電半導体及び前記ｎ型熱電半導体の高温熱源側の面に設置された高温側電極部１３、並びに前記ｐ型熱電半導体及び前記ｎ型熱電半導体の低温熱源側の面に設置された低温側電極部１４と、前記高温側電極部及び前記低温側電極部の外方においてそれぞれ第１の絶縁部材及び第２の絶縁部材を介して配設されたケース部材１９を具える熱電変換モジュールであって、前記高温側電極部は、金属製の弾性部材からなる。【選択図】図１
2015177049.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくとも一対のｐ型熱電半導体及びｎ型熱電半導体と、前記ｐ型熱電半導体及び前記ｎ型熱電半導体の高温熱源側の面に設置され、前記ｐ型熱電半導体及び前記ｎ型熱電半導体を電気的に直列に接続する高温側電極部、並びに前記ｐ型熱電半導体及び前記ｎ型熱電半導体の低温熱源側の面に設置され、前記ｐ型熱電半導体及び前記ｎ型熱電半導体を電気的に直列に接続する低温側電極部と、前記高温側電極部及び前記低温側電極部の外方においてそれぞれ第１の絶縁部材及び第２の絶縁部材を介して配設され、前記ｐ型熱電半導体、前記ｎ型熱電半導体、前記高温側電極部及び前記低温側電極部を収納するケース部材を具える熱電変換モジュールであって、
前記高温側電極部は、金属製の弾性部材からなることを特徴とする、熱電変換モジュール。
【請求項２】
前記第１の絶縁部材及び前記ケース部材間、並びに前記第２の絶縁部材及び前記ケース部材間にはそれぞれ第１の接合部材及び第２の接合部材が配設され、
前記高温側電極部及び前記第１の接合部材の少なくとも一方が前記金属製の弾性部材からなることを特徴とする、請求項１に記載の熱電変換モジュール。
【請求項３】
前記高温側電極部は、前記ｐ型熱電半導体及び前記ｎ型熱電半導体が位置する第１の部分と、前記ｐ型熱電半導体及び前記ｎ型熱電半導体が位置しない第２の部分とを有し、
前記第１の絶縁部材は、前記高温側電極部の前記第１の部分及び前記ケース部材間に配設したことを特徴とする、請求項１又は２に記載の熱電変換モジュール。
【請求項４】
前記金属製の弾性部材は板ばねであることを特徴とする、請求項１〜３のいずれか一に記載の熱電変換モジュール。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、例えば各種産業機器及び自動車などの廃熱を熱源とする、熱電変換モジュールに関する。
【背景技術】
【０００２】
従来の熱電変換モジュール（以下、「モジュール」と略す場合がある）は、複数のｐ型熱電半導体及びｎ型熱電半導体の上下面、すなわち高温熱源側の面及び低温熱源側の面に電極を配設して電気回路を構成し、さらに上記電極の外側両面にセラミックスなど電気絶縁板を介して、上記熱電半導体及び電極を収納するケース部材を備える構造が一般的である（特許文献１）。
【０００３】
熱電変換モジュールは、上記電極によって電気的に接続され、互いに対をなすｐ型熱電半導体及びｎ型熱電半導体の上下面に温度差を与えることによって発電するため、高温側の電極の熱膨張の度合いは低温側の電極の熱膨張の度合いよりも大きくなる。このため、熱電半導体及びその上下の電極にはせん断応力や引張応力、圧縮応力が作用し、脆弱な熱電半導体を破壊したり、熱電半導体及び電極間の接合面で剥離を生じたりする場合がある。  
【０００４】
このような問題は特に自動車や産業廃熱などを想定した使用温度５００℃以上の高温用熱電変換モジュールにおいて重大である。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２００６−４９８７２号
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
本発明は、熱電変換モジュールにおいて、熱電半導体を破壊や、熱電半導体及び電極間の接合面で剥離を抑制し、耐久性を向上させることを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上記目的を達成すべく、本発明は、
少なくとも一対のｐ型熱電半導体及びｎ型熱電半導体と、前記ｐ型熱電半導体及び前記ｎ型熱電半導体の高温熱源側の面に設置され、前記ｐ型熱電半導体及び前記ｎ型熱電半導体を電気的に直列に接続する高温側電極部、並びに前記ｐ型熱電半導体及び前記ｎ型熱電半導体の低温熱源側の面に設置され、前記ｐ型熱電半導体及び前記ｎ型熱電半導体を電気的に直列に接続する低温側電極部と、前記高温側電極部及び前記低温側電極部の外方においてそれぞれ第１の絶縁部材及び第２の絶縁部材を介して配設され、前記ｐ型熱電半導体、前記ｎ型熱電半導体、前記高温側電極部及び前記低温側電極部を収納するケース部材を具える熱電変換モジュールであって、
前記高温側電極部は、金属製の弾性部材からなることを特徴とする、熱電変換モジュールに関する。
【０００８】
本発明の熱電変換モジュールによれば、ｐ型熱電半導体及びｎ型熱電半導体と、ｐ型熱電半導体及びｎ型熱電半導体の高温熱源側の面に設置され、ｐ型熱電半導体及びｎ型熱電半導体を電気的に直列に接続する高温側電極部、並びにｐ型熱電半導体及びｎ型熱電半導体の低温熱源側の面に設置され、ｐ型熱電半導体及びｎ型熱電半導体を電気的に直列に接続する低温側電極部とを含む熱電変換モジュールにおいて、高温側電極部を金属製の弾性部材から構成している。
【０００９】
したがって、ｐ型熱電半導体及びｎ型熱電半導体の上下面に温度差を与えることによって上記熱電変換モジュールを動作させて発電する際に、高温側の電極（高温側電極部）の熱膨張の度合いが低温側の電極（低温側電極部）の熱膨張の度合いよりも十分に大きくなっても、高温側電極部の熱膨張は相当な割合でそれ自体の変形によって吸収されるようになる。このため、高温側電極部の熱膨張の度合いが低温側電極部の熱膨張の度合いよりも大きくなることを抑制することができようになる。この結果、熱電半導体及びその上下の電極にせん断応力が作用し、脆弱な熱電半導体を破壊したり、熱電半導体及び電極間の接合面で剥離を生じたりするのを抑制することができる。
【００１０】
なお、本発明の一例においては、第１の絶縁部材及びケース部材間、並びに第２の絶縁部材及びケース部材間にそれぞれ第１の金属部材及び第２の金属部材を配設することができる。一般にケース部材は金属材から形成され、絶縁部材はセラミック等の絶縁材（誘電体材料）から形成される。すなわち、ケース部材と絶縁部材とは互いに異種材料から構成されるので、それらの接合強度が低くなってしまい、ケース部材内に収納するｐ型熱電半導体、ｎ型熱電半導体、高温側電極部及び低温側電極部からなるモジュールの、上記ケース部材内での固定が不十分となる場合がある。
【００１１】
しかしながら、本例に従って、第１の絶縁部材及びケース部材間、並びに第２の絶縁部材及びケース部材間にそれぞれろう材等の第１の金属部材及び第２の金属部材を配設すれば、これらろう材によってケース部材と絶縁部材との接合強度を高くすることができる。したがって、ケース部材内に収納するｐ型熱電半導体、ｎ型熱電半導体、高温側電極部及び低温側電極部からなるモジュールの、上記ケース部材内での固定を十分に確保することができる。
【００１２】
なお、この場合においては、高温側電極部及び第１の金属部材の少なくとも一方を金属製の弾性部材から構成する。この際、ｐ型熱電半導体及びｎ型熱電半導体の上下面に温度差を与えることによって上記熱電変換モジュールを動作させて発電する際に、高温側の電極（高温側電極部）の熱膨張の度合いが低温側の電極（低温側電極部）の熱膨張の度合いよりも十分に大きくなっても、高温側電極部の熱膨張は相当な割合でそれ自体の変形あるいは第１の金属部材の変形によって吸収されるようになる。
【００１３】
このため、高温側電極部の熱膨張の度合いが低温側電極部の熱膨張の度合いよりも大きくなることを抑制することができようになる。この結果、熱電半導体及びその上下の電極にせん断応力や引張応力、圧縮応力が作用し、脆弱な熱電半導体を破壊したり、熱電半導体及び電極間の接合面で剥離を生じたりするのを抑制することができる。
【００１４】
また、本発明の一例において、高温側電極部は、ｐ型熱電半導体及びｎ型熱電半導体が位置する第１の部分と、ｐ型熱電半導体及びｎ型熱電半導体が位置しない第２の部分とを有し、第１の絶縁部材を、高温側電極部の第１の部分及びケース部材間に配設することができる。高温側電極部の第１の部分には、上述のようにｐ型熱電半導体及びｎ型熱電半導体が位置するため、上述のように高温側電極部が変形するに際しては、主としてこれら熱電半導体が位置しない第２の部分が担うことになる。したがって、当該第２の部分に第１の絶縁部材が存在すると、当該第１の絶縁部材と第２の部分とが密着接合している関係から、上記第２の部分の変形が上記第１の絶縁部材によって妨げられることになる。
【００１５】
しかしながら、本例においては、第１の絶縁部材を高温側電極部の第１の部分及びケース部材間に配設するようにしているので、上記第２の部分の変形が上記第１の絶縁部材によって妨げられることがない。したがって、上記熱電変換モジュールを動作させて発電する際に、高温側電極部の熱膨張の度合いが低温側電極部の熱膨張の度合いよりも十分に大きくなっても、高温側電極部の熱膨張は相当な割合でそれ自体の変形によって吸収することができるようになり、脆弱な熱電半導体を破壊や、熱電半導体及び電極間の接合面で剥離を十分に抑制することができる。
【００１６】
また、第１の絶縁部材及びケース部材間にろう材等の第１の金属部材を配設し、当該第１の金属部材の変形によって高温側電極部の熱膨脹を吸収する場合も、第１の金属部材の、主として熱電半導体が位置しない第２の部分に相当する部分が担うことになる。したがって、当該第２の部分に第１の絶縁部材が存在すると、当該第１の絶縁部材と第２の部分とが密着接合している関係から、上記第１の金属部材の、第２の部分に相当する部分の変形が上記第１の絶縁部材によって妨げられることになる。
【００１７】
しかしながら、本例においては、第１の絶縁部材を高温側電極部の第１の部分及びケース部材間に配設するようにしているので、上記第１の金属部材の、第２の部分に相当する部分の変形が上記第１の絶縁部材によって妨げられることがない。したがって、上記熱電変換モジュールを動作させて発電する際に、高温側電極部の熱膨張の度合いが低温側電極部の熱膨張の度合いより十分に大きくなっても、高温側電極部の熱膨張は相当な割合で第１の金属部材の変形によって吸収することができるようになり、脆弱な熱電半導体を破壊や、熱電半導体及び電極間の接合面で剥離を十分に抑制することができる。
【００１８】
なお、上述した金属製の弾性部材は各種形状の板ばねから構成することができる。
【発明の効果】
【００１９】
以上、本発明によれば、熱電変換モジュールにおいて、熱電半導体を破壊や、熱電半導体及び電極間の接合面で剥離を抑制し、耐久性を向上させることができる。
【図面の簡単な説明】
【００２０】
【図１】第１の実施形態における熱電変換モジュールの一部を拡大して示す断面図である。
【図２】第２の実施形態における熱電変換モジュールの一部を拡大して示す断面図である。
【図３】第３の実施形態における熱電変換モジュールの一部を拡大して示す断面図である。
【図４】第４の実施形態における熱電変換モジュールの一部を拡大して示す断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００２１】
以下、本発明の気密ケース入り熱電変換モジュールの詳細並びにその他の特徴について、実施の形態に基づいて説明する。
【００２２】
（第１の実施形態）
図１は、本実施形態における熱電変換モジュールの一部を拡大して示す断面図である。
図１に示すように、本実施形態の熱電変換モジュール１０は、ｐ型熱電半導体１１及びｎ型熱電半導体１２と、ｐ型熱電半導体１１及びｎ型熱電半導体１２の高温熱源側の面に設置された高温側電極部１３と、ｐ型熱電半導体１１及びｎ型熱電半導体１２の低温熱源側の面に設置された低温側電極部１４とを有している。
【００２３】
なお、図１においては、単一のｐ型熱電半導体１１及びｎ型熱電半導体１２のみが示されているが、実際には複数のｐ型熱電半導体１１及びｎ型熱電半導体１２が配設され、高温側電極部１３及び低温側電極部１４は、これらｐ型熱電半導体１１及びｎ型熱電半導体１２を電気的に直列に接続している。
【００２４】
また、高温側電極部１３の外方には第１の絶縁部材１５及び第１の金属部材１７が接合されて配設され、この金属部材１７とケース部材１９−１の壁面とは接合され配設されている。このように各部材が接合されて配設されているため、高温媒体に接するケース部材１９−１からｐ型熱電半導体１１及びｎ型熱電半導体１２に効率よく熱を伝達することができる。またまた、低温側電極部１４の外方には第２の絶縁部材１６及び第２の金属部材１８が配設され、さらに第２の金属部材の外方にはケース部材１９−２の壁面が配設されてる。ケース部材１９−１及び１９−２は、ｐ型熱電半導体１１、ｎ型熱電半導体１２、高温側電極部１３及び低温側電極部１４からなるモジュールを収納するためのものである。なお、第２の金属部材１８とケース部材１９−２との間には図示しない緩衝材を配設することもできる。また、第１の金属部材１７及び第２の金属部材１８は適宜省略することもできる。
【００２５】
低温側電極１４、第２の絶縁部材１６、第２の金属部材及びケース部材１９−２は、それぞれ当接されて配設されていてもよい。また、低温側電極１４、第２の絶縁部材１６、第２の金属部材及びケース部材１９−２の界面のうち少なくとも一つの界面を当接させて配設し、他の界面を接合して配設することができ、これらの界面のうち一つの界面のみを当接して、他の界面を接合することが好ましい。この場合、一つの界面が力学的にフリーな状態となり、後述する熱膨張に起因する熱応力を吸収するとともに、他の界面が接合されているため接合された部材間の熱伝達が効率よく行うことができる。なお、第２の金属部材１８とケース部材１９−１との間に緩衝材を配設する場合、緩衝材と第２の金属部材１８およびケース部材１９−１の少なくとも一方の界面のみ当接して配設し、他の低温側電極１４、第２の絶縁部材１６、第２の金属部材の間の界面を接合して配設することが好ましい。
【００２６】
図１に示すように、本実施形態の熱電変換モジュール１０では、高温側電極部１３は、開口部１３０Ａを有する半環状（半円筒形状）の板ばね１３０から構成されており、ｐ型熱電半導体１１及びｎ型熱電半導体１２は、板ばね１３０の断面両端側から断面内方側に向けて屈曲してなる屈曲部１３０Ｂ上に位置するように構成されている。
【００２７】
したがって、ｐ型熱電半導体１１及びｎ型熱電半導体１２の上下面に温度差を与えることによって熱電変換モジュール１０を動作させて発電する際に、高温側電極部１３の熱膨張の度合いが低温側電極部１４の熱膨張の度合いよりも十分に大きくなっても、高温側電極部１３の熱膨張は相当な割合で板ばね１３０から構成される高温側電極部１３自体の変形によって吸収されるようになる。
【００２８】
このため、高温側電極部１３の熱膨張の度合いが低温側電極部１４の熱膨張の度合いよりも大きくなって、熱電半導体１１，１２及びその上下の電極１３，１４間にせん断応力が作用し、脆弱な熱電半導体１１，１２を破壊したり、熱電半導体１１，１２及び電極１３，１４間の接合面で剥離を生じたりするのを抑制することができる。
【００２９】
また、本実施形態では、高温側電極部１３とケース部材１９−１との間、並びに低温側電極部１４とケース部材１９−２との間に、それぞれ第１の金属部材１７及び第２の金属部材１８を配設しているので、高温側電極部１３及び低温側電極部１４とケース部材１９−１及び１９−２との接合強度を向上させることができる。
【００３０】
ｐ型熱電半導体１１及びｎ型熱電半導体１２は熱伝導率が低く、高温側及び低温側で大きな温度差を得、熱電変換（ゼーベック効果）により大きな電位差を生成する材料から構成することが好ましく、例えば、Ｂｉ−Ｔｅ系，Ｐｂ−Ｔｅ系，Ｓｉ−Ｇｅ系，あるいはＭｇ−Ｓｉ系，Ｍｎ−Ｓｉ系等の半導体材料から構成する。
【００３１】
高温側電極部１３（板ばね１３０）及び低温側電極部１４は、耐熱性及び機械的強度に優れるとともに、比較的高い導電性を示すことが要求され、例えば、Ｍｏ，Ｃｕ，Ｗ，Ｔｉ，Ｎｉおよびこれらの合金あるいはステンレス鋼などから構成することができる。
【００３２】
第１の絶縁部材１５及び第２の絶縁部材１６は、アルミナ（Ａｌ２Ｏ３）、ジルコニア（ＺｒＯ２）、チッ化アルミニウム（ＡｌＮ）、炭化ケイ素（ＳｉＣ）、窒化ケイ素（Ｓｉ３Ｎ４）、ジルコニア（ＺｒＯ２）等から構成することができる。
【００３３】
ケース部材１９−１及び１９−２は、熱電変換モジュール１０を搭載する各種産業機器及び自動車等の軽量化、耐食性及び剛性の観点から、例えばＭｇ，Ａｌ、Ｍｏ，Ｃｕ，Ｗ，Ｔｉ，Ｎｉ，Ｆｅ，ステンレス鋼あるいはこれらの合金から構成することができる。
【００３４】
（第２の実施形態）
図２は、本実施形態における熱電変換モジュールの一部を拡大して示す断面図である。なお、図１に示す構成要素と同一あるいは類似の構成要素に関しては同一の符号を用いている。
【００３５】
本実施形態では、高温側電極部１３を、ｐ型熱電半導体１１及びｎ型熱電半導体１２が位置する第１の部分１３Ａと、ｐ型熱電半導体１１及びｎ型熱電半導体１２が位置しない第２の部分１３Ｂとを有し、第１の絶縁部材１５及びこれに合わせて第１の接合部材１７を、高温側電極部１３の第１の部分１３Ａ及びケース部材１９間にのみ配設している。
【００３６】
高温側電極部１３の第１の部分１３Ａには、ｐ型熱電半導体１１及びｎ型熱電半導体１２が位置するため、高温側電極部１３が変形するに際しては、主としてこれら熱電半導体１１，１２が位置しない第２の部分１３Ｂが担うことになる。したがって、第２の部分１３Ｂに第１の絶縁部材１５が存在すると、第１の絶縁部材１５と第２の部分１３Ｂとが密着接合している関係から、第２の部分１３Ｂの変形が第１の絶縁部材１５によって妨げられることになる。
【００３７】
しかしながら、本例においては、第１の絶縁部材１５を高温側電極部１３の第１の部分１３Ｂ及びケース部材１９間に配設するようにしているので、第２の部分１３Ｂの変形が第１の絶縁部材１５によって妨げられることがない。したがって、熱電変換モジュール２０を動作させて発電する際に、高温側電極部１３の熱膨張の度合いが低温側電極部１４の熱膨張の度合いよりも十分に大きくなっても、高温側電極部１３の熱膨張は相当な割合でそれ自体の変形によって吸収することができるようになり、脆弱な熱電半導体１１，１２の破壊や、熱電半導体１１，１２及び電極１３，１４間の接合面で剥離を十分に抑制することができる。
【００３８】
なお、本実施形態では、低温側電極部１４とケース部材１９−２とを電気的に絶縁する第２の絶縁部材１６も、低温側電極部１４の、ｐ型熱電半導体１１及びｎ型熱電半導体１２が位置する、高温側電極部１３の第１の部分１３Ａに相当する箇所にのみ配設するようにしている。したがって、高温側電極部１３の第２の部分１３Ｂの熱膨張の妨げを抑制することができる。また、第２の絶縁部材１６と低温側電極部１４との接触面積が減るので、低温側電極部１４が多少なりとも熱膨張した際にも、第２の絶縁部材１６と低温側電極部１４との間に作用するせん断力を低減することができる。この結果、これらの接合面での剥離を効果的に抑制することができる。
【００３９】
その他の特徴及び作用効果については、図１に示す第１の実施形態における熱電変換モジュール１０と同様であるので、説明を省略する。
【００４０】
なお、本実施形態では、ケース部材１９−１の面上に第１の金属部材１７及び第１の絶縁部材１５を介して高温側電極部１３を配設する代わりに、例えばシート状の絶縁膜からなる絶縁層をケース部材１９−１の面上に一様に形成し、絶縁層上に配設した接合層金属層を介して高温側電極部１３を配設するようにすることもできる。
【００４１】
（第３の実施形態）
図３は、本実施形態における熱電変換モジュールの一部を拡大して示す断面図である。なお、図１に示す構成要素と同一あるいは類似の構成要素に関しては同一の符号を用いている。
【００４２】
本実施形態では、高温側電極部１３とケース部材１９−１の壁面との間に配設した第１の絶縁部材１５及び第１の金属部材３７において、当該第１の金属部材３７を開口部３７０Ａを有する半環状（半円筒形状）の板ばね３７０から構成している。
【００４３】
したがって、ｐ型熱電半導体１１及びｎ型熱電半導体１２の上下面に温度差を与えることによって熱電変換モジュール１０を動作させて発電する際に、高温側電極部１３の熱膨張の度合いが低温側電極部１４の熱膨張の度合いよりも十分に大きくなっても、高温側電極部１３の熱膨張は相当な割合で板ばね３７０から構成される第１の接合部材３７の変形によって吸収されるようになる。
【００４４】
このため、高温側電極部１３の熱膨張の度合いが低温側電極部１４の熱膨張の度合いよりも大きくなって、熱電半導体１１，１２及びその上下の電極１３，１４間にせん断応力が作用し、脆弱な熱電半導体１１，１２を破壊したり、熱電半導体１１，１２及び電極１３，１４間の接合面で剥離を生じたりするのを抑制することができる。
【００４５】
その他の特徴及び作用効果については、図１に示す第１の実施形態における熱電変換モジュール１０と同様であるので、説明を省略する。
【００４６】
（第４の実施形態）
図４は、本実施形態における熱電変換モジュールの一部を拡大して示す断面図である。なお、図１に示す構成要素と同一あるいは類似の構成要素に関しては同一の符号を用いている。
【００４７】
本実施形態では、高温側電極部１３とケース部材１９−１の壁面との間に配設した第１の絶縁部材１５及び第１の金属部材４７において、当該第１の金属部材４７を一対の階段状の板ばね４７０から構成し、当該板ばね４７０の上端部４７０Ａに第１の絶縁部材１５が存在し、この第１の絶縁部材１５上にｐ型熱電半導体１１及びｎ型熱電半導体１２が位置するようにしている。なお、板ばね４７０は、例えば図示しないろう材等でケース部材１９の壁面に密着固定されている。
【００４８】
したがって、ｐ型熱電半導体１１及びｎ型熱電半導体１２の上下面に温度差を与えることによって熱電変換モジュール１０を動作させて発電する際に、高温側電極部１３の熱膨張の度合いが低温側電極部１４の熱膨張の度合いよりも十分に大きくなっても、高温側電極部１３の熱膨張は相当な割合で板ばね４７０から構成される第１の接合部材４７の変形によって吸収されるようになる。
【００４９】
また、本実施形態では、板ばね４７０の上端部４７０Ａにｐ型熱電半導体１１及びｎ型熱電半導体１２が配設され、結果として、高温側電極部１３は第１の部分１３Ａ及び第２の部分１３Ｂを有するようになる。したがって、高温側電極部１３の熱膨張は相当な割合で第２の部分１３Ｂの変形によって吸収されるようにもなる。
【００５０】
このため、本実施形態では、高温側電極部１３の熱膨張の度合いが低温側電極部１４の熱膨張の度合いよりも大きくなって、熱電半導体１１，１２及びその上下の電極１３，１４間にせん断応力が作用し、脆弱な熱電半導体１１，１２を破壊したり、熱電半導体１１，１２及び電極１３，１４間の接合面で剥離を生じたりするのをより効果的に抑制することができる。
【００５１】
なお、本実施形態では、低温側電極部１４とケース部材１９−２とを電気的に絶縁する第２の絶縁部材１６も、低温側電極部１４の、ｐ型熱電半導体１１及びｎ型熱電半導体１２が位置する、高温側電極部１３の第１の部分１３Ａに相当する箇所にのみ配設するようにしている。したがって、高温側電極部１３の第２の部分１３Ｂの熱膨張の妨げを抑制することができる。また、第２の絶縁部材１６と低温側電極部１４との接触面積が減るので、低温側電極部１４が多少なりとも熱膨張した際にも、第２の絶縁部材１６と低温側電極部１４との間に作用するせん断力を低減することができる。この結果、これらの接合面での剥離を効果的に抑制することができる。
【００５２】
その他の特徴及び作用効果については、図１に示す第１の実施形態における熱電変換モジュール１０と同様であるので、説明を省略する。
【００５３】
以上、本発明を上記具体例に基づいて詳細に説明したが、本発明は上記具体例に限定されるものではなく、本発明の範疇を逸脱しない限りにおいてあらゆる変形や変更が可能である。
【符号の説明】
【００５４】
１０，２０，３０，４０  熱電変換モジュール
１１  ｐ型熱電半導体
１２  ｎ型熱電半導体
１３，２３  高温側電極部
１４  低温側電極部
１５  第１の絶縁部材
１６  第２の絶縁部材
１７，３７，４７  第１の金属部材
１８  第２の金属部材
１９−１，１９−２  ケース部材
【図１】
2015177049.tif 000003
【図２】
2015177049.tif 000004
【図３】
2015177049.tif 000005
【図４】
2015177049.tif 000006