(57)【要約】【課題】  基板全面を赤外線ランプを有するヒータにより効率的に加熱することが可能な基板処理装置を提供する。【解決手段】  基板処理装置は、スピンチャック２１により保持されて回転する半導体ウエハ１００の表面にＳＰＭを供給する機能と、この半導体ウエハ１００の表面に供給されたＳＰＭを加熱するヒータとしての機能とを備えた一体型ヘッド６０を備える。スピンチャック２１に保持された半導体ウエハ１００の端縁付近と対向する位置に移動した一体型ヘッド６０と近接する位置には、一体型ヘッド６０からカップ部材２３方向に放射された赤外線を反射し、スピンチャック２１に保持された半導体ウエハ１００の端縁付近に向けて集光させる球面ミラー１１が配設されている。【選択図】        図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板を回転可能に保持するスピンチャックと、
前記スピンチャックに保持されて回転する基板の表面に処理液を供給する処理液供給ノズルと、
前記スピンチャックの外周を囲む形状を有し、前記基板の回転に伴って前記基板から飛散する処理液を捕獲するカップ部材と、
赤外線ランプからの赤外線の放射により、前記処理液供給ノズルから前記基板の表面に供給された処理液を加熱するヒータと、
前記ヒータを前記スピンチャックに保持された基板の表面に沿って移動させる移動機構と、
前記スピンチャックに保持された基板の外側において前記移動機構により前記スピンチャックに保持された基板の端縁付近に移動した前記ヒータと近接する位置に配設された反射部材と、
を備えたことを特徴とする基板処理装置。
【請求項２】
請求項１に記載の基板処理装置において、
前記反射部材は、前記ヒータから放射される赤外線を反射する前記カップ部材に付設されたミラーである基板処理装置。
【請求項３】
請求項２に記載の基板処理装置において、
前記ミラーは、前記ヒータから放射される赤外線を前記スピンチャックに保持された基板の端縁付近に向けて反射する球面ミラーである基板処理装置。
【請求項４】
請求項２に記載の基板処理装置において、
前記ミラーは、前記ヒータから放射される赤外線を拡散する拡散ミラーである基板処理装置。
【請求項５】
請求項１に記載の基板処理装置において、
前記移動機構により前記ヒータが前記スピンチャックに保持された基板の端縁付近への移動することと同期して、前記反射部材を、前記スピンチャックに保持された基板の外側から前記ヒータと対向する反射位置と、当該反射位置から離隔した退避位置との間で移動させる反射部材駆動機構を備える基板処理装置。
【請求項６】
請求項５に記載の基板処理装置において、
前記反射部材に付設され、前記スピンチャックに保持された基板の表面における前記ヒータと対向する領域付近の雰囲気を吸引する吸引手段をさらに備える基板処理装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は、有機ＥＬ表示装置用ガラス基板、液晶表示装置用ガラス基板、太陽電池用パネル基板、プラズマディスプレイ用ガラス基板、フォトマスク用ガラス基板、光ディスク用基板、半導体ウエハ等の基板に対して、高温の処理液を含む複数種の処理液を供給して基板を処理する基板処理装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
例えば、基板として半導体ウエハを使用した半導体製造時のレジスト剥離工程では、硫酸・過酸化水素水の混合溶液を洗浄液として用いるＳＰＭ（ｓｕｌｆｕｒｉｃ  ａｃｉｄ  ｈｙｄｒｏｇｅｎ  ｐｅｒｏｘｉｄｅ  ｍｉｘｔｕｒｅ）を利用した洗浄法が広く知られている。ＳＰＭによる洗浄は、濃硫酸中に過酸化水素水を一定の割合で混合することにより酸化力の強いカロ酸（ペルオキソ一硫酸）を生成させ、このカロ酸の酸化力を用いて半導体ウエハに付着したレジストを剥離して酸化分解するものである。
【０００３】
ここで、ＳＰＭ液に高いレジスト剥離性能を発揮させるためには、ＳＰＭの液温を摂氏２００度以上の高温まで昇温させる必要がある。このような高温のＳＰＭを使用した場合には、例えば、表面に硬化層を有するレジストであっても半導体ウエハ表面から除去することができる。また、ＳＰＭ液の液温を摂氏２００度以上に保つことにより、レジストの剥離効率が高まるから、レジスト剥離の処理時間の短縮を図ることもできる。
【０００４】
このため、半導体ウエハの表面に供給されたＳＰＭを、赤外線ランプを有するヒータにより加熱することで、レジスト剥離効率を向上させた基板処理装置も提案されている（特許文献１および特許文献２参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２０１３−１８２９５７号公報
【特許文献２】特開２０１３−１９７１１５号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
特許文献１および特許文献２に記載された赤外線ランプを有するヒータを利用した基板処理装置は、レジスト剥離効率を向上させることができる優れたものではあるが、このような基板処理装置においては、半導体ウエハの端縁付近においては赤外線ランプによる昇温効果が低下するという問題がある。
【０００７】
すなわち、特許文献１および特許文献２に記載された基板処理装置においては、赤外線ランプを有するヒータを、スピンチャックにより回転する半導体ウエハの回転中心と対向する位置と端縁と対向する位置との間で揺動させることにより、半導体ウエハの主面全域を加熱する構成を採用しているが、このような構成を採用した場合には、半導体ウエハの中央部付近と比較して、端縁付近の昇温効果が低下することになる。
【０００８】
この発明は上記課題を解決するためになされたものであり、基板全面を、赤外線ランプを有するヒータにより効率的に加熱することが可能な基板処理装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
請求項１に記載の発明は、基板を回転可能に保持するスピンチャックと、前記スピンチャックに保持されて回転する基板の表面に処理液を供給する処理液供給ノズルと、前記スピンチャックの外周を囲む形状を有し、前記基板の回転に伴って前記基板から飛散する処理液を捕獲するカップ部材と、赤外線ランプからの赤外線の放射により、前記処理液供給ノズルから前記基板の表面に供給された処理液を加熱するヒータと、前記ヒータを前記スピンチャックに保持された基板の表面に沿って移動させる移動機構と、前記スピンチャックに保持された基板の外側において前記移動機構により前記スピンチャックに保持された基板の端縁付近に移動した前記ヒータと近接する位置に配設された反射部材と、を備えたことを特徴とする。
【００１０】
請求項２に記載の発明は、請求項１に記載の発明において、前記反射部材は、前記ヒータから放射される赤外線を反射する前記カップ部材に付設されたミラーである。
【００１１】
請求項３に記載の発明は、請求項２に記載の発明において、前記ミラーは、前記ヒータから放射される赤外線を前記スピンチャックに保持された基板の端縁付近に向けて反射する球面ミラーである。
【００１２】
請求項４に記載の発明は、請求項２に記載の発明において、前記ミラーは、前記ヒータから放射される赤外線を拡散する拡散ミラーである。
【００１３】
請求項５に記載の発明は、請求項１に記載の発明において、前記移動機構により前記ヒータが前記スピンチャックに保持された基板の端縁付近への移動することと同期して、前記反射部材を、前記スピンチャックに保持された基板の外側から前記ヒータと対向する反射位置と、当該反射位置から離隔した退避位置との間で移動させる反射部材駆動機構を備える。
【００１４】
請求項６に記載の発明は、請求項５に記載の発明において、前記反射部材に付設され、前記スピンチャックに保持された基板の表面における前記ヒータと対向する領域付近の雰囲気を吸引する吸引手段をさらに備える。
【発明の効果】
【００１５】
請求項１に記載の発明によれば、反射部材の作用により、端縁付近を含む基板の全面を、赤外線ランプを有するヒータにより効率的に加熱することが可能となる。
【００１６】
請求項２に記載の発明によれば、カップ部材にミラーを付設することにより、簡易な構成でありながら、端縁付近を含む基板の全面を、赤外線ランプを有するヒータにより効率的に加熱することが可能となる。
【００１７】
請求項３に記載の発明によれば、球面ミラーの作用により、赤外線を基板の端縁付近に向けて集光させることが可能となる。
【００１８】
請求項４に記載の発明によれば、拡散ミラーの作用により、赤外線を基板の端縁付近に拡散反射させることが可能となる。
【００１９】
請求項５に記載の発明によれば、赤外線を基板の端縁付近に向けて反射する必要があるときにのみ、反射部材を反射位置に配置することが可能となる。
【００２０】
請求項６に記載の発明によれば、ヒータの作用により発生する処理液のヒュームを吸引して除去することが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【００２１】
【図１】この発明の第１実施形態に係る基板処理装置の側面概要図である。
【図２】この発明の第１実施形態に係る基板処理装置の要部を示す拡大図である。
【図３】一体型ヘッド６０の移動状態を示す説明図である。
【図４】一体型ヘッド６０の断面図である。
【図５】赤外線ランプ６２の斜視図である。
【図６】この発明の第２実施形態に係る基板処理装置の要部を示す拡大図である。
【図７】この発明の第３実施形態に係る基板処理装置の要部を示す拡大図である。
【図８】ミラー１３を昇降させる機構を示す概要図である。
【図９】この発明の第４実施形態に係る基板処理装置の要部を示す拡大図である。
【図１０】反射吸引部４０およびパージ部４２を昇降させる機構を示す概要図である。
【発明を実施するための形態】
【００２２】
以下、この発明の実施の形態を図面に基づいて説明する。図１は、この発明の第１実施形態に係る基板処理装置の側面概要図であり、図２は、その要部を示す拡大図である。また、図３は、一体型ヘッド６０の移動状態を示す説明図である。
【００２３】
この基板処理装置は、基板としての半導体ウエハ１００をＳＰＭにより洗浄処理するためのものであり、半導体ウエハ１００を回転可能に保持するスピンチャック２１を備える。このスピンチャック２１の上面には、半導体ウエハ１００の端縁を保持するための複数のチャック部材２２が配設されている。このスピンチャック２１は、基部２４内に配設されたモータ２５の駆動により、鉛直方向を向く中心軸を中心に回転する。また、スピンチャック２１の外周部には、半導体ウエハ１００の回転に伴って半導体ウエハ１００から飛散する処理液を捕獲するためのカップ部材２３が配設されている。そして、このカップ部材２３には、球面ミラー１１が付設されている。
【００２４】
また、この基板処理装置は、スピンチャック２１により保持されて回転する半導体ウエハ１００の表面にＳＰＭを供給する機能と、この半導体ウエハ１００の表面に供給されたＳＰＭを加熱するヒータとしての機能とを備えた一体型ヘッド６０を備える。この一体型ヘッド６０は、支持アーム８１に支持されている。そして、支持アーム８１は、回転昇降機構４６の駆動により回動および昇降する鉛直方向を向く軸４５と連結されている。
【００２５】
このため、一体型ヘッド６０は、図１において実線で示すその下面がカップ部材２３の上端より上方となる位置と、図１において仮想線で示すその下面がスピンチャック２１の保持された半導体ウエハ１００の表面に近接する位置との間を昇降するとともに、図３において実線で示すスピンチャック２１に保持されて回転する半導体ウエハ１００の回転中心と対向する位置と、図３において仮想線で示す半導体ウエハ１００の端縁付近と対向する位置との間を揺動する。
【００２６】
そして、上述した球面ミラー１１は、図３に示すように、スピンチャック２１により保持された半導体ウエハ１００の外側において、スピンチャック２１に保持された半導体ウエハ１００の端縁付近と対向する位置に移動した一体型ヘッド６０と近接する位置に配設されている。この球面ミラー１１は、一体型ヘッド６０からカップ部材２３方向に放射された赤外線を反射し、スピンチャック２１に保持された半導体ウエハ１００の端縁付近に向けて集光させる機能を有する。
【００２７】
なお、この基板処理装置は、スピンチャック２１により保持されて回転する半導体ウエハ１００に対してＳＣ１等の処理液を供給して半導体ウエハ１００を洗浄処理する機能や、ＤＩＷ等のリンス液を供給して半導体ウエハ１００をリンスする機能を有するが、それらの構成については説明を省略する。
【００２８】
図４は、一体型ヘッド６０の断面図である。
【００２９】
この一体型ヘッド６０は、スピンチャック２１により保持されて回転する半導体ウエハ１００の表面にＳＰＭを供給する機能と、この半導体ウエハ１００の表面に供給されたＳＰＭを加熱するヒータとしての機能とを備えたものであり、鉛直方向に延びるＳＰＭノズル６１と、ＳＰＭノズル６１の周囲を取り囲むように配置された略円環状の赤外線ランプ６２とを備えている。また、一体型ヘッド６０は、上部に開口部を有し、赤外線ランプ６２を収容するランプハウジング６３と、ランプハウジング６３の内部で赤外線ランプ６２を吊り下げて支持する支持部材６４と、ランプハウジング６３の開口部を閉塞するための蓋６５とを備える。蓋６５は、支持アーム８１の先端に支持されている。また、ＳＰＭノズル６１とランプハウジング６３とは、透明材料である石英を用いて一体に形成されている。
【００３０】
ＳＰＭノズル６１の上端部は、ＳＰＭの供給源と接続されている。一方、ＳＰＭノズル６１の下端部は、ランプハウジング６３の底部を貫通して下方に突出した開口部を備える。そして、このＳＰＭノズル６１の開口部から、ＳＰＭの供給源から供給されたＳＰＭが吐出される。
【００３１】
蓋６５内には、ランプハウジング６３の内部にエアを供給するための給気経路６６と、ランプハウジング６３の内部の雰囲気を排気するための排気経路６７とが形成されている。給気経路６６および排気経路６７は、各々、蓋６５の下面に開口する開口部を有している。給気経路６６はエアの供給源と接続されており、排気経路６７はエアの排気源に接続されている。給気経路６６からランプハウジング６３内にエアを供給しつつ、ランプハウジング６３内の雰囲気を、排気経路６７を通して排気することにより、ランプハウジング６３内の高温雰囲気を換気することができる。これにより、ランプハウジング６３の内部を冷却し、その結果赤外線ランプ６２およびランプハウジング６３を冷却することが可能となる。
【００３２】
図５は、赤外線ランプ６２の斜視図である。この赤外線ランプ６２は、円環部７１と、円環部７１の両端から鉛直上方に延びる一対の直線部７２、７３とを有する１本の赤外線ランプヒータであり、主として円環部７１が発光部として機能する。赤外線ランプ６２が支持部材６４に支持された状態で、円環部７１の中心軸線は、鉛直方向に延びている。また、赤外線ランプ６２における円環部７１は、ほぼ水平面内に配置される。
【００３３】
以上のような構成を有する一体型ヘッド６０において、赤外線ランプ６２に電圧が供給されると、赤外線ランプ６２が赤外線を放射し、ランプハウジング６３を介して、一体型ヘッド６０の下方に向けて赤外線が出射される。また、赤外線ランプ６２の放射により、ランプハウジング６３の底部が、例えば摂氏３００度程度に熱せられる。このため、ランプハウジング６３の底部が熱源として機能する。
【００３４】
また、赤外線ランプ６２に取り囲まれたＳＰＭノズル６１の管壁は、赤外線ランプ６２からの赤外線の照射により、摂氏３００度程度に熱せられる。この状態で、ＳＰＭノズル６１にＳＰＭが供給されると、ＳＰＭがＳＰＭノズル６１を流通する過程で、ＳＰＭノズル６１の管壁により加熱される。また、ＳＰＭノズル６１を流通するＳＰＭは、赤外線ランプ６２から照射される赤外線を受けて加熱される。したがって、ＳＰＭノズル６１を流通して高温化されたＳＰＭが、ＳＰＭノズル６１の下端部からからスピンチャック２１に保持されて回転する半導体ウエハ１００に向かって吐出される。
【００３５】
次に、以上のような構成を有する基板処理装置に、半導体ウエハ１００をＳＰＭにより洗浄処理する洗浄動作について説明する。
【００３６】
ＳＰＭによる洗浄処理を行う場合には、スピンチャック２１を半導体ウエハ１００とともに回転させる。このときの回転速度は、半導体ウエハ１００の表面に供給されたＳＰＭにより半導体ウエハ１００の表面を覆うことができる３０〜３００ｒｐｍ程度の速度である。そして、一体型ヘッド６０を半導体ウエハ１００と対向する位置に配置する。このときの一体型ヘッド６０の位置は、図３において実線で示すように、一体型ヘッド６０におけるＳＰＭノズル６１（図４参照）が半導体ウエハ１００の表面の回転中心と対向し、かつ、図１において仮想線で示すように、一体型ヘッド６０の下面が半導体ウエハ１００の表面と近接する位置である。
【００３７】
この状態において、ＳＰＭノズル６１からＳＰＭを吐出するとともに、赤外線ランプ６２を点灯させる。そして、支持アーム８１により、一体型ヘッド６０を、図３において実線で示す半導体ウエハ１００の回転中心と対向する位置と、図３において仮想線で示す半導体ウエハ１００の端縁と対向する位置との間で往復移動させる。このときには、赤外線ランプ６２に取り囲まれたＳＰＭノズル６１内を通過するＳＰＭが加熱された後、半導体ウエハ１００の表面に供給される。また、半導体ウエハ１００の表面に供給されたＳＰＭも、ヒータとしての赤外線ランプ６２の作用により加熱される。そして、ＳＰＭノズル６１からのＳＰＭの供給を停止するとともに、半導体ウエハ１００の回転速度を低速とする。このときにも、一体型ヘッド６０の往復移動と赤外線ランプ６２の作用によるＳＰＭの加熱を継続する。
【００３８】
このＳＰＭによる洗浄処理時において、一体型ヘッド６０が、図３において仮想線で示す半導体ウエハ１００の端縁と対向する位置に移動したときには、赤外線ランプ６２から放射される赤外線は、半導体ウエハ１００だけではなくカップ部材２３方向にも放射される。この赤外線は、球面ミラー１１の作用により反射され、スピンチャック２１に保持されて回転する半導体ウエハ１００の端縁付近に向けて集光される。このため、従来、カップ部材２３等の半導体ウエハ１００以外に発散していた赤外線を、半導体ウエハ１００の端縁の加熱に有効に利用することが可能となる。これにより、半導体ウエハ１００の端縁付近を含む半導体ウエハ１００の全面を赤外線ランプ６２からの赤外線により効率的に加熱することが可能となる。
【００３９】
ＳＰＭによる処理が終了すれば、ＤＩＷ等のリンス液によるリンス処理を実行することにより、半導体ウエハ１００表面のＳＰＭを除去する。そして、ＳＣ１等の処理液による洗浄処理やＤＩＷ等のリンス液によるリンス処理を実行した後、半導体ウエハ１００を高速で回転させることによる振り切り乾燥を実行して処理を終了する。
【００４０】
次に、この発明の他の実施形態について説明する。図６は、この発明の第２実施形態に係る基板処理装置の要部を示す拡大図である。なお、上述した第１実施形態と同様の部材については、同一の符号を付して詳細な説明を省略する。
【００４１】
この第２実施形態に係る基板処理装置は、上述した第１実施形態に係る基板処理装置の球面ミラー１１に替えて、拡散ミラー１２を使用している。この実施形態に係る基板処理装置においては、拡散ミラー１２の作用により、赤外線を半導体ウエハ１００の端縁付近に拡散反射させることが可能となる。このため、第１実施形態の場合と同様、従来、発散していた赤外線を、半導体ウエハ１００の端縁の加熱に有効に利用することが可能となる。これにより、半導体ウエハ１００の端縁付近を含む半導体ウエハ１００の全面を赤外線ランプ６２からの赤外線により効率的に加熱することが可能となる。
【００４２】
次に、この発明のさらに他の実施形態について説明する。図７は、この発明の第３実施形態に係る基板処理装置の要部を示す拡大図であり、図８は、そのミラー１３を昇降させる機構を示す概要図である。なお、上述した第１、第２実施形態と同様の部材については、同一の符号を付して詳細な説明を省略する。
【００４３】
この第３実施形態に係る基板処理装置においては、ミラー１３が昇降する構成が採用されている。なお、ミラー１３としては、第１実施形態における球面ミラー１１または第２実施形態における拡散ミラー１２と同様のものを使用することができる。
【００４４】
この第３実施形態に係る基板処理装置においては、図８に模式的に示すように、ミラー１３が支持部材３１を介して駆動機構３２と接続されている。このため、ミラー１３は、駆動機構３２の駆動により、図７および図８に示すスピンチャック２１に保持された半導体ウエハ１００の外側から一体型ヘッド６０と対向する反射位置と、この反射位置から上方または側方に離隔した退避位置との間を移動可能となっている。
【００４５】
このため、この第３実施形態に係る基板処理装置においては、一体型ヘッド６０が図３において仮想線で示す半導体ウエハ１００の端縁と対向する位置に移動したときに、ミラー１３を反射位置に配置することにより、赤外線を反射する必要があるときにのみミラー１３をスピンチャック２１に保持されて回転する半導体ウエハ１００の側方に配置することができる。このため、ミラー１３に対して半導体ウエハ１００から振り切られたＳＰＭ等の薬液が付着する時間を最短とすることが可能となる。
【００４６】
次に、この発明のさらに他の実施形態について説明する。図９は、この発明の第４実施形態に係る基板処理装置の要部を示す拡大図であり、図１０は、反射吸引部４０およびパージ部４２を昇降させる機構を示す概要図である。なお、上述した第１、第２実施形態と同様の部材については、同一の符号を付して詳細な説明を省略する。
【００４７】
この第４実施形態に係る基板処理装置は、ミラー１４と、このミラー１４に付設され、スピンチャック２１に保持された半導体ウエハ１００の表面における一体型ヘッド６０と対向する領域付近の雰囲気を吸引する吸引部４１とを備えた反射吸引部４０を備える。また、この第４実施形態に係る基板処理装置は、スピンチャック２１に保持された半導体ウエハ１００の表面に向けて不活性ガスとしての窒素ガスを噴出するパージ部４２を備える。なお、ミラー１４としては、第１実施形態における球面ミラー１１または第２実施形態における拡散ミラー１２と同様のものを使用することができる。
【００４８】
反射吸引部４０は、支持部材３３を介して駆動機構３４と接続されている。このため、反射吸引部４０は、駆動機構３４の駆動により、スピンチャック２１に保持された半導体ウエハ１００の外側から一体型ヘッド６０と対向する反射吸引位置と、この反射吸引位置から上方または下方に離隔した退避位置との間を移動可能となっている。また、パージ部４２は、支持部材３５を介して駆動機構３６と接続されている。このため、パージ部４２は、駆動機構３６の駆動により、スピンチャック２１に保持された半導体ウエハ１００の外側から半導体ウエハ１００の表面に向かう窒素ガスのパージ位置と、このパージ位置から上方または側方に離隔した退避位置との間を移動可能となっている。
【００４９】
一般的に、ＳＰＭによる洗浄処理時には、ＳＰＭからレジストが酸化した物質や硫酸を含む成分等のＳＰＭヒュームが発生する。このようなＳＰＭヒュームが発生した場合には、ＳＰＭヒュームが他の処理液を供給するための処理液吐出ノズルに付着して悪影響を及ぼしたり、ＳＰＭヒュームに含まれる成分が処理チャンバーに付着してパーティクルとなったりするという問題を生ずる。
【００５０】
このため、この第４実施形態に係る基板処理装置においてＳＰＭによる洗浄処理を行う場合には、反射吸引部４０を反射位置に配置するとともに、パージ部４２をパージ位置に配置する。そして、パージ部４２内に形成された窒素ガスの通路を介してＳＰＭが供給された半導体ウエハ１００の表面に向けて窒素ガスを噴出する。また、反射吸引部４０における吸引部４１内に形成された窒素ガスの通路から半導体ウエハ１００の表面における一体型ヘッド６０と対向する領域付近の雰囲気を吸引する。これにより、半導体ウエハ１００の表面に、図９において矢印で示す窒素ガスの気流ＡＲを発生させることにより、ＳＰＭヒュームがカップ部材２３の外部に飛散することを防止することが可能となる。
【００５１】
このとき、特に、吸引部４１は半導体ウエハ１００の表面における一体型ヘッド６０と近接した位置において、半導体ウエハ１００の表面における一体型ヘッド６０と対向する領域付近の雰囲気を吸引することから、赤外線によりＳＰＭヒュームが発生しやすい領域の雰囲気を直接的に吸引することができ、ＳＰＭニュームの飛散を特に効果的に防止することが可能となる。
【００５２】
なお、この第４実施形態において、パージ部４２を省略し、半導体ウエハ１００の表面における一体型ヘッド６０と対向する領域付近の雰囲気の吸引だけを実行する構成を採用してもよい。
【００５３】
上述した実施形態においては、いずれも、ランプハウジング６３内に配設された赤外線ランプ６２とＳＰＭノズル６１とを備えた一体型ヘッド６０を使用して、半導体ウエハ１００へのＳＰＭの供給とその加熱とを同時に実行しているが、ランプハウジング内に配設された赤外線ランプとＳＰＭノズルとを、別々の支持アームによって半導体ウエハ１００上に移動させる構成を採用してもよい。
【００５４】
また、上述した実施形態においては、いすれも、高温のＳＰＭを使用した半導体ウエハ１００の洗浄処理にこの発明を適用した場合について説明したが、例えば、高温の燐酸を用いた窒化膜等の選択エッチング処理にこの発明を適用してもよい。
【符号の説明】
【００５５】
１１      球面ミラー
１２      拡散ミラー
１３      ミラー
１４      ミラー
２１      スピンチャック
２２      チャック部材
２３      カップ部材
２５      モータ
３２      駆動機構
３４      駆動機構
３６      駆動機構
４０      反射吸引部
４１      吸引部
４２      パージ部
４６      回転昇降機構
６０      一体型ヘッド
６１      ＳＰＭノズル
６２      赤外線ランプ
６３      ランプハウジング
８１      支持アーム
１００    半導体ウエハ
【図１】
2015177015.tif 000003
【図２】
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【図３】
2015177015.tif 000005
【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
2015177015.tif 000009
【図８】
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【図９】
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【図１０】
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