(57)【要約】【課題】  ヒータを用いて処理液を加熱する場合等においても、処理液のヒュームの外部への飛散を効果的に防止することが可能な基板処理装置を提供する。【解決手段】  半導体ウエハ１００をＳＰＭで処理するときには、エアシリンダ１８の作用により第１カップ部材１０のカップ部１３を、傾斜部１１の上端が処理チャンバー５０の上壁５１と当接する当接位置まで上昇させる。このカップ部１３の上昇に伴いカップ部１３の下端に形成された係合部９１とカップ部１５の上端に形成された係合部９２が係合し、カップ部１５の下端に形成された係合部９３がカップ部１６の上端に形成された係合部９４と係合することで、カップ部材１０を構成するカップ部１３、１５、１６が互いに同期して上昇する。【選択図】        図２
2015177014.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
処理チャンバーと、
前記処理チャンバー内において基板を回転可能に保持するスピンチャックと、
前記スピンチャックに保持されて回転する基板の表面に、高温の処理液を含む複数種の処理液を供給する処理液供給手段と、
前記スピンチャックの外周部を取り囲む形状を有し、基板の回転に伴って基板から飛散する処理液を捕獲するカップ部材と、
前記カップ部材を、当該カップ部材の上端が前記スピンチャックに保持された基板より下方となる待機位置と、前記処理チャンバーの上壁に当接する当接位置との間で昇降させるカップ部材昇降機構と、を備え、
基板に対して高温の処理液を供給して処理するときに、前記カップ部材の上端を前記処理チャンバーの上壁に当接させることを特徴とする基板処理装置。
【請求項２】
請求項１に記載の基板処理装置において、
赤外線ランプを有し、前記スピンチャックに保持されて回転する基板の表面に供給された高温の処理液を加熱するヒータをさらに備える基板処理装置。
【請求項３】
請求項１または請求項２に記載の基板処理装置において、
前記処理チャンバーの上壁には、処理チャンバー内に空気を送風するファンフィルターユニットが配設されており、
前記カップ部材の上端が前記処理チャンバーの上壁に当接した状態においては、前記ファンフィルターユニットから送風される空気は、前記カップ部材内に送風される基板処理装置。
【請求項４】
請求項１から請求項３のいずれかに記載の基板処理装置において、
前記カップ部材は、複数の同心円状の略円筒状部材から構成さる入れ子構造を有し、当該略円筒状部材の上端と下端とを係合させることで垂直方向に伸縮自在に構成される基板処理装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は、有機ＥＬ表示装置用ガラス基板、液晶表示装置用ガラス基板、太陽電池用パネル基板、プラズマディスプレイ用ガラス基板、フォトマスク用ガラス基板、光ディスク用基板、半導体ウエハ等の基板に対して、高温の処理液を含む複数種の処理液を供給して基板を処理する基板処理装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
例えば、基板として半導体ウエハを使用した半導体製造時のレジスト剥離工程では、硫酸・過酸化水素水の混合溶液を洗浄液として用いるＳＰＭ（ｓｕｌｆｕｒｉｃ  ａｃｉｄ  ｈｙｄｒｏｇｅｎ  ｐｅｒｏｘｉｄｅ  ｍｉｘｔｕｒｅ）を利用した洗浄法が広く知られている。ＳＰＭによる洗浄は、濃硫酸中に過酸化水素水を一定の割合で混合することにより酸化力の強いカロ酸（ペルオキソ一硫酸）を生成させ、このカロ酸の酸化力を用いて半導体ウエハに付着したレジストを剥離して酸化分解するものである。
【０００３】
このＳＰＭによる処理時には、高温の処理液であるＳＰＭから、レジストが酸化した物質や硫酸を含む成分等のＳＰＭヒュームが発生する。このＳＰＭヒュームは、ミストを含む液体状または気体状の物質である。このようなＳＰＭヒュームが発生した場合には、ＳＰＭヒュームが他の処理液を供給するための処理液吐出ノズルに付着して悪影響を及ぼしたり、ＳＰＭヒュームに含まれる成分が処理チャンバーに付着してパーティクルの原因となったりするという問題を生ずる。
【０００４】
このため、処理チャンバー内部に遮断板を設けることにより、半導体ウエハに供給された処理液成分が外部に飛散することを抑制することも考えられる（特許文献１参照）。一方、半導体ウエハの表面に供給されたＳＰＭを、赤外線ランプを有するヒータにより加熱することで、レジスト剥離効率を向上させた基板処理装置も提案されている（特許文献２および特許文献３参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２０１２−１５６５６１号公報
【特許文献２】特開２０１３−１８２９５７号公報
【特許文献３】特開２０１３−１９７１１５号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
特許文献２および特許文献３に記載された赤外線ランプを有するヒータを利用した基板処理装置を使用した場合には、レジスト剥離効率を向上させることができる。しかしながら、このような基板処理装置に特許文献１に記載された遮断板を配設した場合には、遮断板とヒータとが干渉するという問題を生ずる。このため、特許文献２および特許文献３に記載された赤外線ランプを有するヒータを利用した基板処理装置を使用する場合には、特許文献１に記載されたような遮断板を使用することができず、ＳＰＭヒュームの外部への飛散を防止することができないという問題が生ずる。また、特許文献１に記載された遮断板を使用した場合には、処理チャンバーの高さが高くなり、多層構造を採用しにくいという問題も生ずる。
【０００７】
この発明は上記課題を解決するためになされたものであり、ヒータを用いて処理液を加熱する場合等においても、処理液のヒュームの外部への飛散を効果的に防止することが可能な基板処理装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
請求項１に記載の発明は、処理チャンバーと、前記処理チャンバー内において基板を回転可能に保持するスピンチャックと、前記スピンチャックに保持されて回転する基板の表面に、高温の処理液を含む複数種の処理液を供給する処理液供給手段と、前記スピンチャックの外周部を取り囲む形状を有し、基板の回転に伴って基板から飛散する処理液を捕獲するカップ部材と、前記カップ部材を、当該カップ部材の上端が前記スピンチャックに保持された基板より下方となる待機位置と、前記処理チャンバーの上壁に当接する当接位置との間で昇降させるカップ部材昇降機構と、を備え、基板に対して高温の処理液を供給して処理するときに、前記カップ部材の上端を前記処理チャンバーの上壁に当接させることを特徴とする。
【０００９】
請求項２に記載の発明は、請求項１に記載の発明において、赤外線ランプを有し、前記スピンチャックに保持されて回転する基板の表面に供給された高温の処理液を加熱するヒータをさらに備える。
【００１０】
請求項３に記載の発明は、請求項１または請求項２に記載の発明において、前記処理チャンバーの上壁には、処理チャンバー内に空気を送風するファンフィルターユニットが配設されており、前記カップ部材の上端が前記処理チャンバーの上壁に当接した状態においては、前記ファンフィルターユニットから送風される空気は、前記カップ部材内に送風される。
【００１１】
請求項４に記載の発明は、請求項１から請求項３のいずれかに記載の発明において、前記カップ部材は、複数の同心円状の略円筒状部材から構成さる入れ子構造を有し、当該略円筒状部材の上端と下端とを係合させることで垂直方向に伸縮自在に構成される。
【発明の効果】
【００１２】
請求項１に記載の発明によれば、カップ部材の上端を処理チャンバーの上壁に当接させることによりカップ部材の内部を密閉状態として、処理液のヒュームがカップ部材の外部に飛散することを効果的に防止することが可能となる。
【００１３】
なお、ここで「当接させることにより密閉状態とする」とは、実質的にカップ部材の内部とカップ部材の外との間に気流の発生が無い状態をいい、厳密に気密性を有することに限定されない。すなわち、処理チャンバーの上壁とカップ部材の間に若干の間隙があっても、ヒュームが外部に飛散しない程度であれば許容されるものとする。
【００１４】
請求項２に記載の発明によれば、基板上にヒータを配置して処理液を加熱する場合においても、加熱により生ずる処理液のヒュームがカップ部材の外部に飛散することを防止することが可能となる。
【００１５】
請求項３に記載の発明によれば、カップ部材の外部への空気の流れを防止して、処理液のヒュームがカップ部材外に飛散することを防止することが可能となる。
【００１６】
請求項４に記載の発明によれば、入れ子構造を有する複数の同心円状の略円筒状部材により、簡易な構成でありながら、カップ部材の上端を、スピンチャックに保持された基板より下方となる待機位置と、処理チャンバーの上壁に当接する当接位置との間で昇降させることが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【００１７】
【図１】この発明に係る基板処理装置の側面概要図である。
【図２】この発明に係る基板処理装置の側面概要図である。
【図３】この発明に係る基板処理装置の平面概要図である。
【図４】一体型ヘッド６０の断面図である。
【図５】赤外線ランプ６２の斜視図である。
【図６】この発明に係る基板処理装置による基板の処理動作を示す説明図である。
【図７】この発明に係る基板処理装置による基板の処理動作を示す説明図である。
【図８】この発明に係る基板処理装置による基板の処理動作を示す説明図である。
【図９】この発明に係る基板処理装置による基板の処理動作を示す説明図である。
【図１０】この発明に係る基板処理装置による基板の処理動作を示す説明図である。
【発明を実施するための形態】
【００１８】
以下、この発明の実施の形態を図面に基づいて説明する。図１および図２は、この発明に係る基板処理装置の側面概要図であり、図３は、この発明に係る基板処理装置の平面概要図である。なお、図１においては、第１カップ部材１０が半導体ウエハ１００の搬入・搬出を行うための待機位置に配置された状態を示し、図２においては、第１カップ部材１０がＳＰＭによる処理を行うための当接位置に移動した状態を示している。
【００１９】
この基板処理装置は、基板としての半導体ウエハ１００をＳＰＭにより洗浄処理するためのものであり、その内部において半導体ウエハ１００を処理するための処理チャンバー５０を備える。この処理チャンバー５０は、上壁５１を備えており、この上壁５１の上部には、ファンフィルターユニット（ＦＦＵ）５２が配設されている。このファンフィルターユニット５２は、処理チャンバー５０外部の空気を濾過した後に、処理チャンバー５０内に送風する。
【００２０】
また、この基板処理装置は、処理チャンバー５０内で半導体ウエハ１００を回転可能に保持するスピンチャック４１を備える。このスピンチャック４１の上面には、半導体ウエハ１００の端縁を保持するための複数のチャック部材４２が配設されている。このスピンチャック４１は、基部４３内に配設されたモータの駆動により、鉛直方向を向く中心軸を中心に回転する。
【００２１】
スピンチャック４１の外周部には、半導体ウエハ１００の回転に伴って半導体ウエハ１００から飛散する処理液を捕獲するための第１カップ部材１０、第２カップ部材２０および第３カップ部材３０が配設されている。第１カップ部材１０は、３個のカップ部１３、１５、１６から構成され、エアシリンダ１８の作用により待機位置と当接位置との間を昇降する。また、第２カップ部材２０および第３カップ部材３０も、図示を省略したエアシリンダの駆動により昇降する。
【００２２】
図１および図２に示すように、第１カップ部材１０は、３個の同心円状の略円筒状を有するカップ部１３、１５、１６から構成される入れ子構造を有する。カップ部１３には、傾斜部１１と水平部１２とが付設されている。また、カップ部１３の下端には係合部９１が形成されている。同様に、カップ部１５の上端には係合部９２が形成され、下端には係合部９３が形成されている。さらに、カップ部１６の上端には、係合部９４が形成されている。
【００２３】
図１に示す状態から、カップ部１３の水平部１２がエアシリンダ１８のシリンダロッド１７により押圧されれば、カップ部１３が上昇する。そして、カップ部１３の上昇が継続すれば、カップ部１３の下端の係合部９１がカップ部１５の上端の係合部９２と係合し、カップ部１５はカップ部１３とともに上昇する。さらに、カップ部１３およびカップ部１５の上昇が継続すれば、カップ部１５の下端部の係合部９３がカップ部１６の上端の係合部９４と係合する。そして、図２に示すように、カップ部１３における傾斜部１１の上端が処理チャンバー５０の上壁５１と当接した時点で、カップ部１３の上昇が停止する。この状態においては、ファンフィルターユニット５２の下面は、平面視において、第１カップ部材１０を構成する傾斜部１１に囲まれた状態となる。第１カップ部材１０を構成する傾斜部１１の上端の位置は、エアシリンダ１８の駆動により制御される。
【００２４】
なお、カップ部１３には、支持アーム８１および一体型ヘッド６０を通過させるための開口部１４が形成されている。
【００２５】
図３に示すように、処理チャンバー５０内には、スピンチャック４１により保持されて回転する半導体ウエハ１００の表面にＳＰＭを供給する機能と、この半導体ウエハ１００の表面に供給されたＳＰＭを加熱するヒータとしての機能とを備えた一体型ヘッド６０が配設されている。この一体型ヘッド６０は、支持アーム８１に支持された状態で、スピンチャック４１により保持されて回転する半導体ウエハ１００の回転中心と対向する位置と、図３に示す第１カップ部材１０の外側の領域との間を揺動する。
【００２６】
また、図３に示すように、処理チャンバー５０内には、スピンチャック４１により保持されて回転する半導体ウエハ１００の表面にアンモニア水と過酸化水素水を含む処理液であるＳＣ１を供給するためのノズル８２が配設されている。このノズル８２は、支持アーム８３により支持された状態で、スピンチャック４１により保持されて回転する半導体ウエハ１００の回転中心と対向する位置と、図３に示す第１カップ部材１０の外側の領域との間を揺動する。さらに、処理チャンバー５０内には、スピンチャック４１により保持されて回転する半導体ウエハ１００の表面にリンス液として機能する処理液であるＤＩＷを供給するためのノズル８４が配設されている。このノズル８４は、支持アーム８５により支持された状態で、スピンチャック４１により保持されて回転する半導体ウエハ１００の回転中心と対向する位置と、図３に示す第１カップ部材１０の外側の領域との間を揺動する。
【００２７】
図４は、一体型ヘッド６０の断面図である。
【００２８】
この一体型ヘッド６０は、スピンチャック４１により保持されて回転する半導体ウエハ１００の表面にＳＰＭを供給する機能と、この半導体ウエハ１００の表面に供給されたＳＰＭを加熱するヒータとしての機能とを備えたものであり、鉛直方向に延びるＳＰＭノズル６１と、ＳＰＭノズル６１の周囲を取り囲むように配置された略円環状の赤外線ランプ６２とを備えている。また、一体型ヘッド６０は、上部に開口部を有し、赤外線ランプ６２を収容するランプハウジング６３と、ランプハウジング６３の内部で赤外線ランプ６２を吊り下げて支持する支持部材６４と、ランプハウジング６３の開口部を閉塞するための蓋６５とを備える。蓋６５は、支持アーム８１の先端に支持されている。また、ＳＰＭノズル６１とランプハウジング６３とは、透明材料である石英を用いて一体に形成されている。
【００２９】
ＳＰＭノズル６１の上端部は、ＳＰＭの供給源と接続されている。一方、ＳＰＭノズル６１の下端部は、ランプハウジング６３の底部を貫通して下方に突出した開口部を備える。そして、このＳＰＭノズル６１の開口部から、ＳＰＭの供給源から供給されたＳＰＭが吐出される。
【００３０】
蓋６５内には、ランプハウジング６３の内部にエアを供給するための給気経路６６と、ランプハウジング６３の内部の雰囲気を排気するための排気経路６７とが形成されている。給気経路６６および排気経路６７は、各々、蓋６５の下面に開口する開口部を有している。給気経路６６はエアの供給源と接続されており、排気経路６７はエアの排気源に接続されている。給気経路６６からランプハウジング６３内にエアを供給しつつ、ランプハウジング６３内の雰囲気を、排気経路６７を通して排気することにより、ランプハウジング６３内の高温雰囲気を換気することができる。これにより、ランプハウジング６３の内部を冷却し、その結果赤外線ランプ６２およびランプハウジング６３を冷却することが可能となる。
【００３１】
図５は、赤外線ランプ６２の斜視図である。この赤外線ランプ６２は、円環部７１と、円環部７１の両端から鉛直上方に延びる一対の直線部７２、７３とを有する１本の赤外線ランプヒータであり、主として円環部７１が発光部として機能する。赤外線ランプ６２が支持部材６４に支持された状態で、円環部７１の中心軸線は、鉛直方向に延びている。また、赤外線ランプ６２における円環部７１は、ほぼ水平面内に配置される。
【００３２】
以上のような構成を有する一体型ヘッド６０において、赤外線ランプ６２に電圧が供給されると、赤外線ランプ６２が赤外線を放射し、ランプハウジング６３を介して、一体型ヘッド６０の下方に向けて赤外線が出射される。また、赤外線ランプ６２の放射により、ランプハウジング６３の底部が、例えば摂氏３００度程度に熱せられる。このため、ランプハウジング６３の底部が熱源として機能する。
【００３３】
また、赤外線ランプ６２に取り囲まれたＳＰＭノズル６１の管壁は、赤外線ランプ６２から放射された赤外線により、摂氏３００度程度に熱せられる。この状態で、ＳＰＭノズル６１にＳＰＭが供給されると、ＳＰＭがＳＰＭノズル６１を流通する過程で、ＳＰＭノズル６１の管壁により加熱される。また、ＳＰＭノズル６１を流通するＳＰＭは、赤外線ランプ６２から放射される赤外線を受けて加熱される。したがって、ＳＰＭノズル６１を流通して高温化されたＳＰＭが、ＳＰＭノズル６１の下端部からスピンチャック４１に保持されて回転する半導体ウエハ１００に向かって吐出される。
【００３４】
次に、以上のような構成を有する基板処理装置による半導体ウエハ１００の洗浄動作について説明する。図６から図１０は、この発明に係る基板処理装置による基板の処理動作を示す説明図である。なお、これらの図においては、第１カップ部材１０については、カップ部１３のみを図示し、そして、図７以外においてはカップ部１３における水平部１２の図示を省略している。
【００３５】
最初に、図示しない搬送アームにより半導体ウエハ１００をスピンチャック４１上に搬入し、スピンチャック４１に配設された複数のチャック部材４２により半導体ウエハ１００の端縁を保持する。この半導体ウエハ１００の搬入時には、図１および図６に示すように、第１カップ部材１０、第２カップ部材２０および第３カップ部材３０は下降している。なお、半導体ウエハ１００の処理中においては、ファンフィルターユニット５２により処理チャンバー５０内には常にダウンフローが形成されており、処理チャンバー５０内の雰囲気は、図１、図２および図６において矢印で示す排気部９６より排気される。
【００３６】
次に、図２および図７に示すように、エアシリンダ１８の作用により第１カップ部材１０のカップ部１３を、傾斜部１１の上端が処理チャンバー５０の上壁５１と当接する当接位置まで上昇させる。このカップ部１３の上昇に伴い、図２に示すように、カップ部１３の下端に形成された係合部９１とカップ部１５の上端に形成された係合部９２が係合し、カップ部１５の下端に形成された係合部９３がカップ部１６の上端に形成された係合部９４と係合することで、第１カップ部材１０を構成するカップ部１３、１５、１６が互いに同期して上昇する。
【００３７】
この状態で、スピンチャック４１を半導体ウエハ１００とともに回転させる。このときの回転速度は、半導体ウエハ１００の表面に供給されたＳＰＭにより半導体ウエハ１００の表面を覆うことができる３０〜３００ｒｐｍ程度の速度である。
【００３８】
そして、図２および図７に示すように、一体型ヘッド６０を半導体ウエハ１００と対向する位置に配置する。このときには、一体型ヘッド６０および支持アーム８１は、第１カップ部材１０に形成された開口部１４を通過する。このときの一体型ヘッド６０の位置は、一体型ヘッド６０におけるＳＰＭノズル６１（図４参照）が半導体ウエハ１００の表面の回転中心に対向する位置である。この状態において、ＳＰＭノズル６１からＳＰＭを吐出するとともに、赤外線ランプ６２を点灯させる。そして、支持アーム８１により、一体型ヘッド６０を半導体ウエハ１００の回転中心と半導体ウエハ１００の端縁との間で往復移動させる。
【００３９】
このときには、赤外線ランプ６２に取り囲まれたＳＰＭノズル６１内を通過するＳＰＭが加熱された後、半導体ウエハ１００の表面に供給される。また、半導体ウエハ１００の表面に供給されたＳＰＭも、ヒータとしての赤外線ランプ６２の作用により加熱される。そして、ＳＰＭノズル６１からのＳＰＭの供給を停止するとともに、半導体ウエハ１００の回転速度を低速とする。このときにも、赤外線ランプ６２の作用によるＳＰＭの加熱を継続する。
【００４０】
このときには、図２および図７に示すように、第１カップ部材１０におけるカップ部１３の傾斜部１１の上端が処理チャンバー５０の上壁５１と当接している。このため、一体型ヘッド６０および半導体ウエハ１００は、カップ部１３、カップ部１５およびカップ部１６により構成される第１カップ部材１０により取り囲まれる。また、ファンフィルターユニット５２により処理チャンバー５０内形成されるダウンフローは、第１カップ部材１０内だけを通過して、図２および図７に示す排気部９６より排気される。このため、第１カップ１０部材内においてＳＰＭヒュームが発生したとしても、このＳＰＭヒュームが第１カップ１０部材の外部まで飛散してノズル８２やノズル８４等を汚染することなく、排気部９６より排気される。
【００４１】
ＳＰＭによる処理が終了すれば、スピンチャック４１により半導体ウエハ１００を高速回転させ、半導体ウエハ１００表面のＳＰＭを遠心力により振り切って除去する。半導体ウエハ１００より除去されたＳＰＭは、回収部９７により回収される。
【００４２】
またこの間に、一体型ヘッド６０は第１カップ部材１０に形成された開口部１４を通過し、第１カップ部材１０よりも外の退避位置に移動する。
【００４３】
次に、図８に示すように、第１カップ部材１０を下降させるとともに第２カップ部材２０を上昇させ、第２カップ部材２０を、スピンチャック４１に保持された半導体ウエハ１００の端縁と対向する高さ位置に配置する。そして、支持アーム８３の作用によりノズル８２をスピンチャック４１に保持されて回転する半導体ウエハ１００の回転中心と対向する位置に配置し、スピンチャック４１により半導体ウエハ１００を回転させた状態で、ノズル８２を支持アーム８３により揺動させながら、ノズル８２より半導体ウエハ１００の表面にＤＩＷを供給する。これにより、半導体ウエハ１００に付着したＳＰＭが除去され、半導体ウエハ１００の表面がリンスされる。このリンス工程において、半導体ウエハ１００の表面から遠心力により振り切られるＤＩＷは、第２カップ部材２０により捕獲され、回収部９８により回収される。
【００４４】
次に、図９に示すように、第２カップ部材２０を下降させ、第１カップ部材１０を、スピンチャック４１に保持された半導体ウエハ１００の端縁と対向する高さ位置に配置する。そして、支持アーム８５の作用によりノズル８４をスピンチャック４１に保持されて回転する半導体ウエハ１００の回転中心と対向する位置に配置し、スピンチャック４１により半導体ウエハ１００を回転させた状態で、ノズル８４を支持アーム８５により揺動させながら、ノズル８４より半導体ウエハ１００の表面にＳＣ１を供給する。これにより、半導体ウエハ１００がＳＣ１により処理される。このＳＣ１による処理工程において、半導体ウエハ１００の表面から遠心力により振り切られるＳＣ１は、第１カップ部材１０により捕獲され、回収部９７により回収される。
【００４５】
次に、図８に示すように、第２カップ部材２０を上昇させ、再度、第２カップ部材２０を、スピンチャック４１に保持された半導体ウエハ１００の端縁と対向する高さ位置に配置する。そして、支持アーム８３の作用によりノズル８２をスピンチャック４１に保持されて回転する半導体ウエハ１００の回転中心と対向する位置に配置し、スピンチャック４１により半導体ウエハ１００を回転させた状態で、ノズル８２を支持アーム８３により揺動させながら、ノズル８２より半導体ウエハ１００の表面にＤＩＷを供給する。これにより、半導体ウエハ１００に付着したＳＣ１が除去され、半導体ウエハ１００の表面がリンスされる。このリンス工程において、半導体ウエハ１００の表面から遠心力により振り切られるＤＩＷは、第２カップ部材２０により捕獲され、回収部９８により回収される。
【００４６】
しかる後、図１０に示すように、第３カップ部材３０を上昇させ、第３カップ部材３０を、スピンチャック４１に保持された半導体ウエハ１００の端縁と対向する高さ位置に配置する。この状態においてスピンチャック４１により半導体ウエハ１００を高速回転させることにより振り切り乾燥を行う。
【００４７】
半導体ウエハ１００の乾燥が完了すれば、図１および図６に示すように、第１カップ部材１０、第２カップ部材２０および第３カップ部材３０を下降される。そして、図示しない搬送アームにより、半導体ウエハ１００をスピンチャック４１から搬出する。
【００４８】
なお、上述した実施形態においては、ランプハウジング６３内に配設された赤外線ランプ６２とＳＰＭノズル６１とを備えた一体型ヘッド６０を使用して、半導体ウエハ１００へのＳＰＭの供給とその加熱とを同時に実行しているが、ランプハウジング内に配設された赤外線ランプとＳＰＭノズルとを、別々の支持アームによって半導体ウエハ１００上に移動させる構成を採用してもよい。また、ＳＰＭ等の高温の処理液のみで半導体ウエハ１００を処理するような、ヒータによりＳＰＭを加熱しない基板処理装置にこの発明を適用してもよい。
【００４９】
また、上述した実施形態においては、第１、第２、第３カップ部材１０、２０、３０のうちの第１カップ部材１０を、入れ子構造を有する３個のカップ部１３、１５，１６から構成している。しかしながら、この発明に係るカップ部材は、このような形状に限定されるものではない。例えば、第１カップ部材１０におけるカップ部１５、１６の代わりに、伸縮自在の蛇腹状部材を円筒形に加工したものを使用してもよく、鉛直方向に大きなサイズを有するカップ部材を使用してもよい。
【００５０】
また、上述した実施形態においては、第１カップ部材１０以外に、第２、第３カップ部材２０、３０をも使用しているが、半導体ウエハ１００から振り切られる処理液を一括して回収してもよいのであれば単一のカップ部材のみを使用してもよい。
【００５１】
さらに、上述した実施形態においては、高温のＳＰＭを使用した半導体ウエハ１００の洗浄処理にこの発明を適用した場合について説明したが、例えば、高温の燐酸を用いた窒化膜等の選択エッチング処理にこの発明を適用してもよい。
【符号の説明】
【００５２】
１０      第１カップ部材
１１      傾斜部
１３      カップ部
１４      開口部
１５      カップ部
１６      カップ部
１８      エアシリンダ
３０      第３カップ部
４１      スピンチャック
４２      チャック部材
５０      処理チャンバー
５１      上壁
５２      ファンフィルターユニット
６０      一体型ヘッド
６１      ＳＰＭノズル
６２      赤外線ランプ
６３      ランプハウジング
８１      支持アーム
８２      ノズル
８３      支持アーム
８４      ノズル
８５      支持アーム
１００    半導体ウエハ
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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