(57)【要約】【課題】基板の表面からレジストを良好に除去できる、基板処理方法および基板処理装置を提供すること。【解決手段】基板処理装置１は、スピンチャック５と、スピンチャック５によって回転されている基板Ｗの上面中央部にＳＰＭを供給する第１のＳＰＭノズル２１と、スピンチャック５によって回転されている基板Ｗの上面周縁部にＳＰＭを供給する第２のＳＰＭノズル３１とを含む。第１のＳＰＭノズル２１からのＳＰＭの吐出に並行して、第２のＳＰＭノズル３１からＳＰＭが吐出される。また、ＳＰＭの吐出に並行して、赤外線ヒータ５８からの赤外線の照射位置が、基板Ｗの上面周縁部と基板Ｗの上面中央部との間で移動させられる。【選択図】図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板の表面からレジストを除去するための方法であって、
前記基板を所定の軸線回りに回転させる基板回転工程と、
前記基板回転工程の実行と並行して、第１のノズルから、前記基板の表面中央部を含む所定の領域に向けて、硫酸と過酸化水素水とを含むＳＰＭを吐出するＳＰＭ供給工程と、
前記ＳＰＭ供給工程の実行と並行して、前記第１のノズルとは異なる第２のノズルから、前記基板の表面周縁部に向けて、過酸化水素水を含む過酸化水素水含有液を吐出する過酸化水素水含有液供給工程と、
前記ＳＰＭ供給工程および前記過酸化水素水含有液供給工程の実行と並行して、加熱手段によって前記基板の表面を加熱する加熱工程と、
前記加熱工程に並行して、前記基板の表面に対する前記加熱手段からの加熱領域を、前記表面周縁部を含む領域の間で移動させる加熱領域移動工程とを含む、基板処理方法。
【請求項２】
前記過酸化水素水含有液は、硫酸と過酸化水素水とを含むＳＰＭである、請求項１に記載の基板処理方法。
【請求項３】
前記過酸化水素水含有液供給工程は、前記ＳＰＭ供給工程時と同じ硫酸濃度を有するＳＰＭを吐出する、請求項２に記載の基板処理方法。
【請求項４】
前記過酸化水素水含有液供給工程は、前記ＳＰＭ供給工程時よりも低い硫酸濃度を有するＳＰＭを吐出する、請求項２に記載の基板処理方法。
【請求項５】
前記過酸化水素水含有液は、過酸化水素水である、請求項１に記載の基板処理方法。
【請求項６】
前記ＳＰＭ供給工程の実行に並行して、前記基板の表面における、前記第１のノズルからのＳＰＭの供給位置を移動させる供給位置移動工程をさらに含む、請求項１〜５のいずれか一項に記載の基板処理方法。
【請求項７】
基板の表面からレジストを除去するための装置であって、
前記基板を保持しつつ、所定の軸線回りに回転させる基板回転保持手段と、
第１のノズルを有し、前記基板の表面中央部を含む所定の領域に向けて、硫酸と過酸化水素水とを含むＳＰＭを、前記第１のノズルから吐出する第１のＳＰＭ供給手段と、
前記第１のノズルとは異なる第２のノズルを有し、前記基板の表面周縁部に向けて、過酸化水素水を含む過酸化水素水含有液を吐出する過酸化水素水含有液供給手段と、
前記基板の表面を加熱する加熱手段と、
前記基板の表面に対する前記加熱手段からの加熱領域を、前記表面周縁部を含む領域の間で移動させる加熱領域移動手段とを含む、基板処理装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、基板の表面からレジストを除去するために用いられる基板処理方法および基板処理装置に関する。処理の対象となる基板には、たとえば、半導体ウエハ、液晶表示装置用基板、プラズマディスプレイ用基板、ＦＥＤ（Field Emission Display）用基板、光ディスク用基板、磁気ディスク用基板、光磁気ディスク用基板、フォトマスク用基板、セラミック基板、太陽電池用基板等が含まれる。
【背景技術】
【０００２】
下記特許文献１には、ウエハ回転機構によって回転させられているウエハの上面に対するＳＰＭ（sulfuric acid／hydrogen peroxide mixture：ＳＰＭ）の供給と並行して、ウエハの上面に対向配置された赤外線ヒータから赤外線を基板の上面に照射する手法が開示されている。ウエハの表面に対する赤外線の照射によりウエハやＳＰＭが温められ、これにより、ＳＰＭによるレジスト除去率を向上させることができる。特許文献１に記載の手法では、ウエハの表面における赤外線の照射位置を、ウエハの中央部とウエハの周縁部との間で移動させることにより、ウエハの表面全域に対して赤外線を照射できる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２０１３−１８２９５７号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、基板（ウエハ）の回転状態では、基板の周縁部の周速は基板中央部よりも速いので、赤外線ヒータから基板の周縁部に与えられる単位面積当たりの熱量は、基板中央部に比して少ない。そのため、赤外線の照射にも拘らず、基板の表面周縁部における基板やＳＰＭの温度が、基板の中央部に比して低くなっているおそれがある。その結果、基板の表面周縁部におけるレジスト除去効率が、基板の表面中央部に比して低下するおそれがある。
【０００５】
そこで、本発明の目的は、基板の周縁部におけるレジスト除去率を向上させることができ、これにより、基板の表面全域からレジストを良好に除去できる基板処理方法および基板処理装置を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
前記の目的を達成するための請求項１に記載の発明は、基板（Ｗ）の表面からレジストを除去するための方法であって、前記基板を所定の軸線（Ａ１）回りに回転させる基板回転工程（Ｓ２）と、前記基板回転工程の実行と並行して、第１のノズル（２１）から、前記基板の表面中央部を含む所定の領域に向けて、硫酸と過酸化水素水とを含むＳＰＭを吐出するＳＰＭ供給工程（Ｓ３）と、前記ＳＰＭ供給工程の実行と並行して、前記第１のノズルとは異なる第２のノズル（３１）から、前記基板の表面周縁部に向けて、過酸化水素水を含む過酸化水素水含有液を吐出する過酸化水素水含有液供給工程（Ｓ３）と、前記ＳＰＭ供給工程および前記過酸化水素水含有液供給工程の実行と並行して、加熱手段（５８）によって前記基板の表面を加熱する加熱工程（Ｓ３）と、前記加熱工程に並行して、前記基板の表面に対する前記加熱手段からの加熱領域を、前記表面周縁部を含む領域の間で移動させる加熱領域移動工程（Ｓ３）とを含む、基板処理方法を提供する。
【０００７】
なお、この項において、括弧内の英数字は、後述の実施形態における対応構成要素の参照符合を表すものであるが、これらの参照符号により特許請求の範囲を実施形態に限定する趣旨ではない。
この方法によれば、第１のノズルから吐出されるＳＰＭは、基板の表面中央部に着液した後、基板の回転による遠心力を受けて基板の表面に沿って外方に流れる。また、第２のノズルから吐出される過酸化水素水含有液は基板の表面周縁部に着液する。基板の表面周縁部に対する過酸化水素水含有液の供給に伴って、基板の表面周縁部に新鮮なＳＰＭが存在するようになる。
【０００８】
基板の回転状態において、基板の周縁部の周速は基板の中央部よりも速いので、基板の表面周縁部に対向する状態にある加熱手段から基板の表面周縁部に与えられる単位面積当たりの熱量は、基板の表面周縁部に対向する状態にある加熱手段から基板の表面周縁部に与えられる単位面積当たりの熱量に比して少ない。しかしながら、基板の周縁部に新鮮なＳＰＭが存在するので、基板の表面周縁部において、ＳＰＭによるレジスト除去効率を高めることができる。これにより、基板の表面全域からレジストを良好に除去できる基板処理方法を提供できる。
【０００９】
請求項２に記載の発明は、前記過酸化水素水含有液は、硫酸と過酸化水素水とを含むＳＰＭである、請求項１に記載の基板処理方法である。
この方法によれば、第２のノズルから基板の表面周縁部に向けて新鮮なＳＰＭが吐出される。すなわち、高いレジスト除去力を有する新鮮なＳＰＭが基板の表面周縁部に付与される。
【００１０】
高いレジスト除去力を有する新鮮なＳＰＭが、基板の表面周縁部に付与されるので、基板の表面周縁部において、ＳＰＭによるレジスト除去効率を高めることができる。これにより、基板の表面全域からレジストを良好に除去できる基板処理方法を提供することができる。
請求項３に記載のように、前記過酸化水素水含有液供給工程は、前記ＳＰＭ供給工程時と同じ硫酸濃度を有するＳＰＭを吐出してもよい。
【００１１】
請求項４に記載の発明は、前記過酸化水素水含有液供給工程は、前記ＳＰＭ供給工程時よりも低い硫酸濃度を有するＳＰＭを吐出する、請求項２に記載の基板処理方法である。
この方法によれば、請求項２に関連して記載した作用効果に加えて、以下の作用効果を奏する。
すなわち、第１のノズルから吐出される高濃度のＳＰＭは、基板の表面中央部に着液した後、基板の回転による遠心力を受けて基板の表面に沿って外方に流れる。また、第２のノズルから吐出される低濃度のＳＰＭは基板の表面周縁部に着液する。そして、基板の表面周縁部において、基板Ｗの表面中央部から流れてくる高濃度のＳＰＭと、第２のノズルからの低濃度のＳＰＭとが混合する。その結果、低濃度のＳＰＭに含まれる過酸化水素水が、基板の表面中央部からのＳＰＭに含まれる硫酸と反応して、基板Ｗの表面周縁部において新たなＳＰＭが生成される。これにより、基板Ｗの表面周縁部においてペルオキソ一硫酸が多量に発生すると共に、反応熱により基板Ｗの表面周縁部のＳＰＭが昇温する。これにより、基板Ｗの表面周縁部においてレジスト除去効率をより一層高めることができる。
【００１２】
請求項５に記載の発明は、前記過酸化水素水含有液は、過酸化水素水供給工程である、請求項１に記載の基板処理方法である。
この方法によれば、第１のノズルから吐出されるＳＰＭは、基板の表面中央部に着液した後、基板の回転による遠心力を受けて基板の表面に沿って外方に流れる。また、第２のノズルから吐出される過酸化水素水は基板の表面周縁部に着液する。そして、基板の表面周縁部において、基板Ｗの表面中央部から流れてくるＳＰＭと、第２のノズルからの過酸化水素水とが混合する。その結果、過酸化水素水が、基板の表面中央部からのＳＰＭに含まれる硫酸と反応して、基板Ｗの表面周縁部において新たなＳＰＭが生成される。これにより、基板Ｗの表面周縁部においてペルオキソ一硫酸が多量に発生すると共に、反応熱により基板Ｗの表面周縁部のＳＰＭが昇温する。これにより、基板Ｗの表面周縁部において、ＳＰＭによるレジスト除去効率をより一層高めることができる。
【００１３】
請求項６に記載のように、基板処理方法は、前記ＳＰＭ供給工程の実行に並行して、前記基板の表面における、前記第１のノズルからのＳＰＭの供給位置を移動させる供給位置移動工程をさらに含んでいてもよい。
前記の目的を達成するための請求項７に記載の発明は、基板の表面からレジストを除去するための装置（１）であって、前記基板を保持しつつ、所定の軸線回りに回転させる基板回転保持手段（５）と、第１のノズル（２１）を有し、前記基板の表面中央部を含む所定の領域に向けて、硫酸と過酸化水素水とを含むＳＰＭを、前記第１のノズルから吐出する第１のＳＰＭ供給手段（６）と、前記第１のノズルとは異なる第２のノズル（３１）を有し、前記基板の表面周縁部に向けて、過酸化水素水を含む過酸化水素水含有液を吐出する過酸化水素水含有液供給手段（７）と、前記基板の表面を加熱する加熱手段（５８）と、前記基板の表面に対する前記加熱手段からの加熱領域を、前記表面周縁部を含む領域の間で移動させる加熱領域移動手段（６０）とを含む、基板処理装置である。
【００１４】
この構成によれば、請求項１に関連して説明した作用効果と同等の作用効果を奏する。
【図面の簡単な説明】
【００１５】
【図１】本発明の一実施形態に係る基板処理装置の構成の模式的な平面図である。
【図２】図１に示す基板処理装置に備えられたチャンバの内部を水平に見た模式図である。
【図３】スピンベースおよびこれに関連する構成の模式的な平面図である。
【図４】赤外線ヒータの縦断面図である。
【図５】図２に示す処理ユニットによって行われるレジスト除去処理の第１の処理例を示すフローチャートである。
【図６】第１の処理例のＳＰＭ供給工程が行われているときの基板を水平に見た模式図である。
【図７】第２の処理例のＳＰＭ供給工程が行われているときの基板を水平に見た模式図である。
【図８】第３の処理例のＳＰＭ供給工程が行われているときの基板を水平に見た模式図である。
【発明を実施するための形態】
【００１６】
以下では、この発明の実施の形態を、添付図面を参照して詳細に説明する。
図１は、本発明の一実施形態に係る基板処理装置１の模式的な平面図である。図２は、基板処理装置１に備えられたチャンバ４の内部を水平に見た模式図である。図３は、スピンベース１２およびこれに関連する構成の模式的な平面図である。図４は、赤外線ヒータ５８の縦断面図である。
【００１７】
図１に示すように、基板処理装置１は、半導体ウエハなどの円板状の基板Ｗを一枚ずつ処理する枚葉式の装置である。基板処理装置１は、処理液や処理ガスによって基板Ｗを処理する複数の処理ユニット２と、各処理ユニット２のチャンバ４に対して基板Ｗの搬入および搬出を行う基板搬送ロボットＣＲと、基板処理装置１に備えられた装置の動作やバルブの開閉などを制御する制御装置（制御手段）３とを含む。
【００１８】
図２に示すように、各処理ユニット２は、枚葉式のユニットである。各処理ユニット２は、内部空間を有する箱形のチャンバ４と、チャンバ４内で一枚の基板Ｗを水平な姿勢で保持して、基板Ｗの中心を通る鉛直な回転軸線（所定の軸線）Ａ１まわりに基板Ｗを回転させるスピンチャック（基板保持回転手段）５と、スピンチャック５に保持されている基板ＷにＳＰＭ（硫酸過酸化水素水混合液。Ｈ２ＳＯ４（硫酸）およびＨ２Ｏ２（過酸化水素水）を含む混合液）またはＨ２Ｏ２を供給する第１のＳＰＭ供給ユニット（第１のＳＰＭ供給手段）６と、スピンチャック５に保持されている基板Ｗの周縁部にＳＰＭまたはＨ２Ｏ２を供給する第２のＳＰＭ供給ユニット（過酸化水素水含有液供給手段）７と、スピンチャック５に保持されている基板Ｗに薬液の一例のＳＣ１（ＮＨ４ＯＨとＨ２Ｏ２とを含む混合液）を供給するＳＣ１供給ユニット８と、スピンチャック５に保持されている基板Ｗにリンス液を供給するリンス液供給ユニット９と、基板Ｗを加熱する加熱ユニット１０と、スピンチャック５を取り囲む筒状のカップ１１とを含む。
【００１９】
図２に示すように、スピンチャック５は、水平な姿勢で保持された円板状のスピンベース１２と、スピンベース１２の上方で基板Ｗを水平な姿勢で保持する複数のチャックピン１３と、スピンベース１２の中央部から下方に延びる回転軸１４と、回転軸１４を回転させることにより基板Ｗおよびスピンベース１２を回転軸線Ａ１まわりに回転させるスピンモータ１５とを含む。スピンチャック５は、複数のチャックピン１３を基板Ｗの周端面に接触させる挟持式のチャックに限らず、非デバイス形成面である基板Ｗの裏面（下面）をスピンベース１２の上面に吸着させることにより基板Ｗを水平に保持するバキューム式のチャックであってもよい。
【００２０】
図２に示すように、第１のＳＰＭ供給ユニット６は、ＳＰＭまたはＨ２Ｏ２を基板Ｗの上面に向けて選択的に吐出する第１のＳＰＭノズル（第１のノズル）２１と、第１のＳＰＭノズル２１が先端部に取り付けられた第１のノズルアーム２２と、第１のノズルアーム２２を移動させることにより、第１のＳＰＭノズル２１を移動させる第１のノズル移動ユニット２３とを含む。
【００２１】
第１のＳＰＭノズル２１は、たとえば、連続流の状態でＳＰＭおよびＨ２Ｏ２を選択的に吐出するストレートノズルであり、たとえば基板Ｗの上面に垂直な方向に処理液を吐出する垂直姿勢で第１のノズルアーム２２に取り付けられている。第１のノズルアーム２２は水平方向に延びており、図３に示すように、スピンチャック５の周囲で鉛直方向に延びる回転軸線Ａ２まわりに回転可能に設けられている。なお、第１のＳＰＭノズル２１は、吐出口よりも内方（回転軸線Ａ１側）の位置にＳＰＭまたはＨ２Ｏ２が着液するように基板Ｗの上面に対して傾いた吐出方向にＳＰＭまたはＨ２Ｏ２が吐出される内向き姿勢で第１のノズルアーム２２に保持されていてもよいし、吐出口よりも外方（回転軸線Ａ１とは反対側）の位置にＳＰＭまたはＨ２Ｏ２が着液するように基板Ｗの上面に対して傾いた吐出方向にＳＰＭまたはＨ２Ｏ２を吐出する外向き姿勢で第１のノズルアーム２２に保持されていてもよい。
【００２２】
図３に示すように、第１のノズル移動ユニット２３は、回転軸線Ａ２まわりに第１のノズルアーム２２を回転させることにより、平面視で基板Ｗの上面中央部を通る軌跡に沿って第１のＳＰＭノズル２１を水平に移動させる。第１のノズル移動ユニット２３は、第１のＳＰＭノズル２１から吐出されたＳＰＭが基板Ｗの上面に着液する処理位置と、第１のＳＰＭノズル２１が平面視でスピンチャック５の周囲に設定されたホーム位置との間で、第１のＳＰＭノズル２１を水平に移動させる。この実施形態では、前記の処理位置は、たとえば、第１のＳＰＭノズル２１から吐出されたＳＰＭまたはＨ２Ｏ２が基板Ｗの上面中央部に着液する中央位置である。
【００２３】
図２に示すように、第１のＳＰＭ供給ユニット６は、第１のＳＰＭノズル２１に接続され、硫酸供給源からＨ２ＳＯ４が供給される第１の硫酸配管２４と、過酸化水素水供給源からＨ２Ｏ２が供給される第１の過酸化水素水配管２５とをさらに含む。
第１の硫酸配管２４の途中部には、第１の硫酸配管２４を開閉するための第１の硫酸バルブ２６、第１の硫酸流量調整バルブ２７および第１のヒータ２８が、第１のＳＰＭノズル２１側からこの順に介装されている。第１のヒータ２８は、Ｈ２ＳＯ４を室温よりも高い温度（７０〜１２０℃の範囲内の一定温度。たとえば９０℃）に維持する。Ｈ２ＳＯ４を加熱する第１のヒータ２８は、図２に示すようなワンパス方式のヒータであってもよいし、ヒータを含む循環経路の内部にＨ２ＳＯ４を循環させることによりＨ２ＳＯ４を加熱する循環方式のヒータであってもよい。後述する第２のヒータ３８についても同様である。図示はしないが、第１の硫酸流量調整バルブ２７は、弁座が内部に設けられたバルブボディと、弁座を開閉する弁体と、開位置と閉位置との間で弁体を移動させるアクチュエータとを含む。他の流量調整バルブについても同様である。
【００２４】
第１の過酸化水素水配管２５の途中部には、第１の過酸化水素水配管２５を開閉するための第１の過酸化水素水バルブ２９と、第１の過酸化水素水流量調整バルブ３０とが、第１のＳＰＭノズル２１側からこの順に介装されている。第１のＳＰＭノズル２１には、温度調整されていない常温（約２３℃）程度のＨ２Ｏ２が、第１の過酸化水素水配管２５を通して供給される。
【００２５】
第１のＳＰＭノズル２１は、たとえば略円筒状のケーシング（図示しない）を有している。第１の硫酸配管２４は、第１のＳＰＭノズル２１のケーシングの側壁に配置された硫酸導入口に接続されている。
第１の硫酸バルブ２６および第１の過酸化水素水バルブ２９が開かれると、第１の硫酸配管２４からのＨ２ＳＯ４および第１の過酸化水素水配管２５からのＨ２Ｏ２が、第１のＳＰＭノズル２１のケーシング（図示しない）内へと供給され、ケーシング内において十分に混合（攪拌）される。この混合によって、Ｈ２ＳＯ４とＨ２Ｏ２とが均一に混ざり合い、Ｈ２ＳＯ４とＨ２Ｏ２との反応によってＨ２ＳＯ４およびＨ２Ｏ２の混合液（ＳＰＭ）が生成される。ＳＰＭは、酸化力が強いペルオキソ一硫酸（Peroxymonosulfuric acid；Ｈ２ＳＯ５）を含み、混合前のＨ２ＳＯ４およびＨ２Ｏ２の温度よりも高い温度（１００℃以上。たとえば１６０℃）まで昇温させられる。生成された高温のＳＰＭは、第１のＳＰＭノズル２１のケーシングの先端（たとえば下端）に開口した吐出口から吐出される。
【００２６】
図２に示すように、第２のＳＰＭ供給ユニット７は、ＳＰＭまたはＨ２Ｏ２を基板Ｗの上面周縁部に向けて選択的に吐出する第２のＳＰＭノズル（第２のノズル）３１を含む。第２のＳＰＭノズル３１は、たとえば、連続流の状態でＳＰＭおよびＨ２Ｏ２を選択的に吐出するストレートノズルであり、吐出口が静止された状態でＳＰＭまたはＨ２Ｏ２を吐出する固定ノズルである。
【００２７】
第２のＳＰＭ供給ユニット７は、第２のＳＰＭノズル３１に接続され、硫酸供給源からＨ２ＳＯ４が供給される第２の硫酸配管３４と、過酸化水素水供給源からＨ２Ｏ２が供給される第２の過酸化水素水配管３５とをさらに含む。
第２の硫酸配管３４の途中部には、第２の硫酸配管３４を開閉するための第２の硫酸バルブ３６、第２の硫酸流量調整バルブ３７および第２のヒータ３８が、第２のＳＰＭノズル３１側からこの順に介装されている。第２のヒータ３８は、Ｈ２ＳＯ４を室温よりも高い温度（７０〜１２０℃の範囲内の一定温度。たとえば９０℃）に維持する。
【００２８】
第２の過酸化水素水配管３５の途中部には、第２の過酸化水素水配管３５を開閉するための第２の過酸化水素水バルブ３９と、第２の過酸化水素水流量調整バルブ４０とが、第２のＳＰＭノズル３１側からこの順に介装されている。第２のＳＰＭノズル３１には、温度調整されていない常温（約２３℃）程度のＨ２Ｏ２が、第２の過酸化水素水配管３５を通して供給される。
【００２９】
第２のＳＰＭノズル３１は、たとえば略円筒状のケーシング（図示しない）を有している。第２の硫酸配管３４は、第２のＳＰＭノズル３１のケーシングの側壁に配置された硫酸導入口（図示しない）に接続されている。
第２の硫酸バルブ３６および第２の過酸化水素水バルブ３９が開かれると、第２の硫酸配管３４からのＨ２ＳＯ４および第２の過酸化水素水配管３５からのＨ２Ｏ２が、第２のＳＰＭノズル３１のケーシング内へと供給され、ケーシング内において十分に混合（攪拌）される。この混合によって、Ｈ２ＳＯ４とＨ２Ｏ２とが均一に混ざり合い、Ｈ２ＳＯ４とＨ２Ｏ２との反応によってＳＰＭが生成される。ＳＰＭは、酸化力が強いペルオキソ一硫酸を含み、混合前のＨ２ＳＯ４およびＨ２Ｏ２の温度よりも高い温度（１００℃以上。たとえば１６０℃）まで昇温させられる。第２のＳＰＭノズル３１の混合室において生成された高温（たとえば、１６０℃）のＳＰＭは、ケーシングの先端（たとえば下端）に開口した吐出口から吐出される。
【００３０】
図２に示すように、ＳＣ１供給ユニット８は、ＳＣ１を基板Ｗの上面に向けて吐出するＳＣ１ノズル４１と、ＳＣ１ノズル４１が先端部に取り付けられた第２のノズルアーム４２と、第２のノズルアーム４２を移動させることにより、ＳＣ１ノズル４１を移動させる第２のノズル移動ユニット４３とを含む。図３に示すように、第２のノズル移動ユニット４３は、スピンチャック５の周囲で上下方向に延びる回動軸線Ａ３まわりに第２のノズルアーム４２を回動させることにより、ＳＣ１ノズル４１を水平に移動させる。
【００３１】
ＳＣ１供給ユニット８は、ＳＣ１をＳＣ１ノズル４１に案内するＳＣ１配管４４と、ＳＣ１配管４４の内部を開閉するＳＣ１バルブ４５とを含む。第ＳＣ１バルブ４５が開かれると、ＳＣ１供給源からのＳＣ１が、ＳＣ１配管４４からＳＣ１ノズル４１に供給される。これにより、ＳＣ１が、ＳＣ１ノズル４１から吐出される。
図２に示すように、リンス液供給ユニット９は、スピンチャック５に保持されている基板Ｗに向けてリンス液を吐出するリンス液ノズル４６と、リンス液ノズル４６にリンス液を供給するリンス液配管４７と、リンス液配管４７からリンス液ノズル４６へのリンス液の供給および供給停止を切り替えるリンス液バルブ４８とを含む。リンス液ノズル４６は、リンス液ノズル４６の吐出口が静止された状態でリンス液を吐出する固定ノズルである。リンス液供給ユニット８は、リンス液ノズル４６を移動させることにより、基板Ｗの上面に対するリンス液の着液位置を移動させるリンス液ノズル移動装置を備えていてもよい。
【００３２】
リンス液バルブ４８が開かれると、リンス液配管４７からリンス液ノズル４６に供給されたリンス液が、リンス液ノズル４６から基板Ｗの上面中央部に向けて吐出される。リンス液は、たとえば、純水（脱イオン水：Ｄeionzied Ｗater）である。リンス液は、純水に限らず、炭酸水、電解イオン水、水素水、オゾン水および希釈濃度（たとえば、１０〜１００ｐｐｍ程度）の塩酸水のいずれかであってもよい。
【００３３】
図２に示すように、カップ１１は、スピンチャック５に保持されている基板Ｗよりも外方（回転軸線Ａ１から離れる方向）に配置されている。カップ１１は、スピンベース１２の周囲を取り囲んでいる。スピンチャック５が基板Ｗを回転させている状態で、処理液が基板Ｗに供給されると、基板Ｗに供給された処理液が基板Ｗの周囲に振り切られる。処理液が基板Ｗに供給されるとき、上向きに開いたカップ１１の上端部１１ａは、スピンベース１２よりも上方に配置される。したがって、基板Ｗの周囲に排出された薬液（ＳＰＭやＳＣ１を含む）やリンス液などは、カップ１１によって受け止められる。そして、カップ１１に受け止められた処理液は、図示しない回収装置または廃液装置に送られる。
【００３４】
図２に示すように、加熱ユニット１０は、赤外線を基板Ｗに照射する赤外線ヒータ（加熱手段）５８と、赤外線ヒータ５８が先端部に取り付けられたヒータアーム５９と、ヒータアーム５９を移動させるヒータ移動ユニット（加熱領域移動手段）６０とを含む。
図２に示すように、赤外線ヒータ５８は、赤外線を発する赤外線ランプ６１と、赤外線ランプ６１を収容するランプハウジング６２とを含む。赤外線ランプ６１は、ランプハウジング６２内に配置されている。図３に示すように、ランプハウジング６２は、平面視で基板Ｗよりも小さい。そのため、このランプハウジング６２内に配置されている赤外線ヒータ５８は、平面視で基板Ｗよりも小さい。赤外線ランプ６１およびランプハウジング６２は、ヒータアーム５９に取り付けられている。そのため、赤外線ランプ６１およびランプハウジング６２は、ヒータアーム５９と共に移動する。
【００３５】
図４に示すように、赤外線ランプ６１は、制御装置３に接続されている。赤外線ランプ６１は、たとえばハロゲンランプである。赤外線ランプ６１は、ハロゲンランプの代わりに、カーボンヒータ等の他の発熱体であってもよい。赤外線ランプ６１は、フィラメントと、フィラメントを収容する石英管とを含む。ランプハウジング６２は次に述べるように透過部材を含み、そのため、赤外線ランプ６１が発光すると、赤外線ランプ６１からの光が、ランプハウジング６２を透過してランプハウジング６２の外面から外方に放射される。
【００３６】
図４に示すように、ランプハウジング６２の次に述べる底板部６６の下面は、基板Ｗの上面と平行でかつ平坦な基板対向面５８ａを含む。赤外線ヒータ５８が基板Ｗの上方に配置されている状態では、赤外線ヒータ５８の基板対向面５８ａが、間隔を空けて基板Ｗの上面に上下方向に対向する。この状態で赤外線ランプ６１が赤外線を発すると、赤外線を含む光が基板対向面５８ａから基板Ｗの上面に向かい、基板Ｗの上面に照射される。基板対向面５８ａは、たとえば、直径が基板Ｗの半径よりも小さい円形である。基板対向面５８ａは、円形に限らず、長手方向の長さが基板Ｗの半径以上である矩形状であってもよいし、円形および矩形以外の形状であってもよい。
【００３７】
図４に示すように、赤外線ランプ６１は、水平面に沿って配置された有端の円環部６３と、円環部６３の一端部および他端部から上方に延びる一対の鉛直部６４とを含む。ランプハウジング６２は、赤外線を透過させる透過部材を含む。透過部材は、上下方向に延びる筒状の収容部６５と、収容部６５の下端を塞ぐ円盤状の底板部６６とを含む。ランプハウジング６２は、さらに収容部６５の上端を塞ぐ蓋部材６７と、赤外線ランプ６１の一対の鉛直部６４を支持する支持部材６８とを含む。赤外線ランプ６１は、支持部材６８を介して蓋部材に支持されている。赤外線ランプ６１の円環部は、収容部６５と底板部６６と蓋部材６７とによって区画された空間に配置されている。底板部６６は、赤外線ランプ６１の下方に配置されており、間隔を空けて赤外線ランプ６１に上下方向に対向している。
【００３８】
図２に示すように、ヒータ移動ユニット６０は、赤外線ヒータ５８を所定の高さで保持している。図３に示すように、ヒータ移動ユニット６０は、スピンチャック５の周囲で上下方向に延びる回動軸線Ａ４まわりにヒータアーム５９を回動させることにより、赤外線ヒータ５８を水平に移動させる。これにより、赤外線を含む光が照射され加熱される加熱領域（基板Ｗの上面内の一部の領域）が基板Ｗの上面内で移動する。ヒータ移動ユニット６０は、平面視で基板Ｗの中心を通る円弧状の軌跡に沿ってヒータアーム５９の先端部を水平に移動させる。したがって、赤外線ヒータ５８は、スピンチャック５の上方を含む水平面内で移動する。また、ヒータ移動ユニット６０は、赤外線ヒータ５８を鉛直方向に移動させることにより、基板対向面５８ａと基板Ｗとの距離を変化させる。
【００３９】
図４に示すように、赤外線ヒータ５８からの赤外線は、基板Ｗの上面内の加熱領域に照射される。制御装置３は、赤外線ヒータ５８が発光している状態で、スピンチャック５によって基板Ｗを回転させながら、ヒータ移動ユニット６０によって赤外線ヒータ５８を回動軸線Ａ４まわりに回動させる。これにより、基板Ｗの上面が、赤外線ヒータ５８の加熱領域によって走査される。そのため、処理液などの液体（たとえばＳＰＭ）が基板Ｗ上に保持されている状態で赤外線ランプ６１が発光すると、基板Ｗの温度が上昇し、それに伴って、基板Ｗ上の液体の温度も上昇する。あるいは基板Ｗ上の液体自体が加熱され昇温する。
【００４０】
制御装置３は、たとえばマイクロコンピュータなどによって構成されている。制御装置３は、予め定められたプログラムに従って、スピンモータ１５、第１および第２のノズル移動ユニット２３，４３、ヒータ移動ユニット６０、第１および第２のヒータ２８，３８等の動作を制御する。また、制御装置３は、赤外線ランプ６１に供給される電力を調整する。さらに、制御装置３は、第１の硫酸バルブ２６、第１の過酸化水素水バルブ２９、第２の硫酸バルブ３６、第２の過酸化水素水バルブ３９、ＳＣ１バルブ４５、リンス液バルブ４８等の開閉を制御すると共に、流量調整バルブ２７，３０，３７，４０の開度を制御する。
【００４１】
図５は、処理ユニット２によって行われるレジスト除去処理の第１の処理例を示すフローチャートである。図６は、第１の処理例のＳＰＭ供給工程（Ｓ３）が行われているときの基板Ｗを水平に見た模式図である。
以下、図２、図５および図６を参照しつつレジスト除去処理の第１の処理例について説明する。図３および図４については適宜参照する。
【００４２】
処理ユニット２によって基板Ｗにレジスト除去処理が施されるときには、チャンバ４の内部に、高ドーズでのイオン注入処理後の基板Ｗが搬入される（ステップＳ１）。搬入される基板Ｗは、レジストをアッシングするための処理を受けていないものとする。具体的には、制御装置３は、ノズル等が全てスピンチャック５の上方から退避している状態で、基板Ｗを保持している基板搬送ロボットＣＲ（図１参照）のハンドをチャンバ４の内部に進入させることにより、基板Ｗがその表面を上方に向けた状態でスピンチャック５に受け渡される。その後、制御装置３は、スピンモータ１５によって基板Ｗの回転を開始させる（ステップＳ２。基板回転工程）。基板Ｗは予め定める液処理速度（３００〜１５００ｒｐｍの範囲内で、たとえば５００ｒｐｍ）まで上昇させられ、その液処理速度に維持される。
【００４３】
基板Ｗの回転速度が液処理速度に達すると、次いで、制御装置３は、ＳＰＭを基板Ｗに供給するＳＰＭ供給工程（ＳＰＭ供給工程および過酸化水素水含有液供給工程：ステップＳ３）を行う。ＳＰＭ供給工程（Ｓ３）では、第１のＳＰＭノズル２１から吐出されるＳＰＭが基板Ｗの上面中央部に着液すると共に、第２のＳＰＭノズル３１から吐出されるＳＰＭが基板Ｗの上面周縁部に着液する。
【００４４】
具体的には、制御装置３は、第１のノズル移動ユニット２３を制御することにより、第１のＳＰＭノズル２１をホーム位置から中央位置に移動させる。これにより、第１のＳＰＭノズル２１が基板Ｗの中央部の上方に配置される。
第１のＳＰＭノズル２１が基板Ｗの上方に配置された後、制御装置３は、第１の硫酸バルブ２６および第１の過酸化水素水バルブ２９を同時に開く。これにより、第１の硫酸配管２４の内部を流通するＨ２ＳＯ４が第１のＳＰＭノズル２１に供給されると共に、第１の過酸化水素水配管２５を流通する過酸化水素水が第１のＳＰＭノズル２１に供給される。そして、第１のＳＰＭノズル２１のケーシング内においてＨ２ＳＯ４とＨ２Ｏ２とが混合され、高温（たとえば、１６０℃）のＳＰＭが生成される。そのＳＰＭが、第１のＳＰＭノズル２１の吐出口から吐出され、基板Ｗの上面の中央部に着液する。
【００４５】
第１のＳＰＭノズル２１からのＳＰＭは、基板Ｗの回転による遠心力を受けて基板Ｗの上面に沿って外方に流れる。そして、図６に示すように、基板Ｗの上面全域を覆うＳＰＭの液膜８０が基板Ｗ上に形成される。
ここで、第１のＳＰＭノズル２１からは混合直後のＳＰＭが吐出されるため、第１のＳＰＭノズル２１から吐出されたＳＰＭは、上面中央部では高温（たとえば１６０℃）を有している。しかし、基板Ｗの上面に沿って流れる過程で、基板Ｗや外気との熱交換により温度低下するおそれがある。また、ＳＰＭは生成（混合）直後からその化学活性度が減衰していく性質があり、第１のＳＰＭノズル２１から吐出されたＳＰＭは、基板Ｗの上面周縁部に向けて流れる過程でその活性度が減衰する。すなわち、基板Ｗの上面周縁部においてペルオキソ一硫酸が少量になっているおそれがある。
【００４６】
また、第１のＳＰＭノズル２１からのＳＰＭ吐出（バルブ２６，２９の開成）に併せて、制御装置３は、第２の硫酸バルブ３６および第２の過酸化水素水バルブ３９を同時に開く。これにより、第２の硫酸配管３４の内部を流通するＨ２ＳＯ４が第２のＳＰＭノズル３１に供給されると共に、第２の過酸化水素水配管３５を流通する過酸化水素水が第２のＳＰＭノズル３１に供給される。そして、第２のＳＰＭノズル３１のケーシング内においてＨ２ＳＯ４とＨ２Ｏ２とが混合され、高温（たとえば、１６０℃）のＳＰＭが生成される。そのＳＰＭが、第２のＳＰＭノズル２１の吐出口から吐出され、基板Ｗの上面周縁部に着液する。すなわち、第２のＳＰＭノズル３１から、生成（混合）直後の新鮮なＳＰＭが吐出される。混合直後のＳＰＭは、多量のペルオキソ一硫酸が含まれると共に、Ｈ２ＳＯ４とＨ２Ｏ２との反応熱により高温（たとえば１６０℃）を有しており、高いレジスト除去力を有している。
【００４７】
なお、第１の処理例において、第２のＳＰＭノズル３１から吐出されるＳＰＭのＨ２ＳＯ４は、第１のＳＰＭノズル２１から吐出されるＳＰＭと略同濃度である。具体的には、第１および第２のＳＰＭノズル２１，３１から、Ｈ２ＳＯ４濃度が比較的高濃度（たとえば、Ｈ２ＳＯ４：Ｈ２Ｏ２＝２：１）のＳＰＭが吐出される。
また、ＳＰＭ供給工程（Ｓ３）と並行して、赤外線ヒータ５８によって基板Ｗおよび基板Ｗ上のＳＰＭを基板Ｗに供給される前のＳＰＭの温度よりも高温の加熱温度で加熱する加熱工程が行われる。具体的には、制御装置３は、ヒータ移動ユニット６０を制御することにより、図３に示すように、赤外線ヒータ５８を退避位置から処理位置に移動させる。これにより、赤外線ヒータ５８が基板Ｗの上方に配置される。その後、制御装置３は、赤外線ヒータ５８に発光を開始させる。これにより、赤外線ヒータ５８の温度が加熱温度（たとえば２００℃以上）まで上昇し、その加熱温度に維持される。
【００４８】
赤外線ヒータ５８が基板Ｗの上方で発光を開始した後、制御装置３は、図６に示すように、ヒータ移動ユニット６０によって赤外線ヒータ５８を移動させることにより、基板Ｗの上面における赤外線ヒータ５８による加熱領域（赤外線の照射位置）を、基板Ｗの上面周縁部と基板Ｗの上面中央部との間で移動させる（加熱領域移動工程）。基板Ｗが前記の液処理速度（たとえば５００ｒｐｍ）で回転している状態で、基板Ｗおよび基板Ｗ上のＳＰＭが加熱される。基板Ｗの回転状態において、基板Ｗの周縁部の周速は基板Ｗの中央部よりも速いので、基板Ｗの上面周縁部に対向する状態にある赤外線ヒータ５８から基板Ｗの上面周縁部に与えられる単位面積当たりの熱量は、基板Ｗの上面周縁部に対向する状態にある赤外線ヒータ５８から基板Ｗの上面周縁部に与えられる単位面積当たりの熱量に比して少ない。
【００４９】
制御装置３は、赤外線ヒータ５８による基板Ｗの加熱が所定時間にわたって行われた後、赤外線ヒータ５８の発光を停止させる。その後、制御装置３は、ヒータ移動ユニット６０を制御することにより、赤外線ヒータ５８を基板Ｗの上方から退避させる。
このように、制御装置３は、基板Ｗを回転させている状態で、基板Ｗの上面の加熱領域（赤外線の照射位置）を基板Ｗの上面内で移動させるので、基板Ｗの全面に対して熱量が与えられる。そのため、基板Ｗの上面全域を覆うＳＰＭの液膜８０も加熱される。これにより、基板ＷとＳＰＭとの界面の温度が、高温に維持され、基板Ｗからのレジストの除去が促進される。
【００５０】
なお、処理位置に配置された状態で、赤外線ヒータ５８の基板対向面が基板Ｗ上のＳＰＭの液膜８０に接触していてもよいし、図６に示すように、赤外線ヒータ５８の基板対向面が基板Ｗ上のＳＰＭの液膜８０から所定距離だけ離隔していてもよい。
また、赤外線ヒータ５８による基板Ｗの加熱時（加熱工程）において、基板Ｗの上方に配置された赤外線ヒータ５８を、静止状態で配置するようにしてもよい、
ＳＰＭの吐出開始から予め定めるＳＰＭ処理時間が経過すると、ＳＰＭ供給工程（Ｓ３）が終了する。ＳＰＭ供給工程（Ｓ３）の終了に引き続いて、Ｈ２Ｏ２を基板Ｗに供給する過酸化水素水供給工程（ステップＳ４）が行われる。
【００５１】
具体的には、制御装置３は、第１の過酸化水素水バルブ２９を開いた状態に維持しつつ第１の硫酸バルブ２６だけを閉じる。これにより、第１の硫酸配管２４の内部をＨ２ＳＯ４が流通せずに、Ｈ２Ｏ２だけが第１の過酸化水素水配管２５の内部を流通して第１のＳＰＭノズル２１に供給される。第１のＳＰＭノズル２１に供給されたＨ２Ｏ２は、第１のＳＰＭノズル２１のケーシング内を通って第１のＳＰＭノズル２１の吐出口から吐出される。そのＨ２Ｏ２が、液処理速度で回転している基板Ｗの上面中央部に着液する。すなわち、第１のＳＰＭノズル２１から吐出される処理液が、ＳＰＭからＨ２Ｏ２に切り換わる。
【００５２】
基板Ｗの上面中央部に着液したＨ２Ｏ２は、基板Ｗの周縁に向かって基板Ｗ上を外方に流れる。基板Ｗ上のＳＰＭがＨ２Ｏ２に置換され、やがて、基板Ｗの上面全域が、Ｈ２Ｏ２の液膜によって覆われる。
また、第１の硫酸バルブ２６の閉成と同期して、制御装置３は、第２の過酸化水素水バルブ３９を開いた状態に維持しつつ第２の硫酸バルブ３６だけを閉じる。これにより、第２の硫酸配管３４の内部をＨ２ＳＯ４が流通せずに、Ｈ２Ｏ２だけが第２の過酸化水素水配管３５の内部を流通して第２のＳＰＭノズル３１に供給される。第２のＳＰＭノズル３１に供給されたＨ２Ｏ２は、第２のＳＰＭノズル３１のケーシング内を通って第２のＳＰＭノズル３１の吐出口から吐出される。すなわち、第２のＳＰＭノズル３１から吐出される処理液が、ＳＰＭからＨ２Ｏ２に切り換わる。これにより、そのＨ２Ｏ２が、液処理速度で回転している基板Ｗの上面周縁部に着液する。
【００５３】
第１および第２のＳＰＭノズル２１，３１からのＨ２Ｏ２の吐出開始から、予め定める処理時間が経過すると、制御装置３は、第１の過酸化水素水バルブ２９を閉じて、第１のＳＰＭノズル２１からのＨ２Ｏ２の吐出を停止させる。また、制御装置３は、第１のＳＰＭノズル２１を中央位置からホーム位置に移動させる。これにより、第１のＳＰＭノズル２１が基板Ｗの上方から退避させられる。
【００５４】
次いで、リンス液を基板Ｗに供給する第１のリンス液供給工程（ステップＳ５）が行われる。具体的には、制御装置３は、リンス液バルブ４８を開いて、基板Ｗの上面中央部に向けてリンス液ノズル４６からリンス液を吐出させる。リンス液ノズル４６から吐出されたリンス液は、Ｈ２Ｏ２によって覆われている基板Ｗの上面中央部に着液する。基板Ｗの上面中央部に着液したリンス液は、基板Ｗの回転による遠心力を受けて基板Ｗの上面上を基板Ｗの周縁部に向けて流れる。これにより、基板Ｗ上のＨ２Ｏ２が、リンス液によって外方に押し流され、基板Ｗの周囲に排出される。そのため、基板Ｗ上のＨ２Ｏ２の液膜が、基板Ｗの上面全域を覆うリンス液の液膜に置換される。これにより、基板Ｗの上面の全域においてＨ２Ｏ２が洗い流される。そして、リンス液バルブ４８が開かれてから所定時間が経過すると、制御装置３は、リンス液バルブ４８を閉じて、リンス液ノズル４６からのリンス液の吐出を停止させる。
【００５５】
次いで、制御装置３は、ＳＣ１を基板Ｗに供給するＳＣ１供給工程（ステップＳ６）を実行する。具体的には、制御装置３は、第２のノズル移動ユニット４３を制御することにより、ＳＣ１ノズル４１を退避位置から処理位置に移動させる。制御装置３は、ＳＣ１ノズル４１が基板Ｗの上方に配置された後、ＳＣ１バルブ４５を開いて、回転状態の基板Ｗの上面に向けてＳＣ１をＳＣ１ノズル４１に吐出させる。この状態で、制御装置３は、第２のノズル移動ユニット４３を制御することにより、基板Ｗの上面に対するＳＣ１の着液位置を中央部と周縁部との間で移動させる。
【００５６】
ＳＣ１ノズル４１から吐出されたＳＣ１は、基板Ｗの上面に着液した後、基板Ｗの回転による遠心力を受けて基板Ｗの上面に沿って外方に流れる。そのため、基板Ｗ上のリンス液は、ＳＣ１によって外方に押し流され、基板Ｗの周囲に排出される。これにより、基板Ｗ上のリンス液の液膜が、基板Ｗの上面全域を覆うＳＣ１の液膜に置換される。さらに、制御装置３は、基板Ｗが回転している状態で、基板Ｗの上面に対するＳＣ１の着液位置を中央部と周縁部との間で移動させるので、ＳＣ１の着液位置が、基板Ｗの上面全域を通過し、基板Ｗの上面全域が走査される。そのため、ＳＣ１ノズル４１から吐出されたＳＣ１が、基板Ｗの上面全域に供給され、基板Ｗの上面全域が均一に処理される。
【００５７】
ＳＣ１の吐出開始から予め定める処理時間が経過すると、制御装置３は、ＳＣ１バルブ４５を閉じて、ＳＣ１ノズル４１からのＳＣ１の吐出を停止させる。また、制御装置３は、ＳＣ１ノズル４１を中央位置からホーム位置に移動させる。これにより、ＳＣ１ノズル４１が基板Ｗの上方から退避させられる。
次いで、リンス液を基板Ｗに供給する第２のリンス液供給工程（ステップＳ７）が行われる。具体的には、制御装置３は、リンス液バルブ４８を開いて、基板Ｗの上面中央部に向けてリンス液ノズル４６からリンス液を吐出させる。リンス液ノズル４６から吐出されたリンス液は、ＳＣ１によって覆われている基板Ｗの上面中央部に着液する。基板Ｗの上面中央部に着液したリンス液は、基板Ｗの回転による遠心力を受けて基板Ｗの上面上を基板Ｗの周縁部に向けて流れる。これにより、基板Ｗ上のＳＣ１が、リンス液によって外方に押し流され、基板Ｗの周囲に排出される。そのため、基板Ｗ上のＳＣ１の液膜が、基板Ｗの上面全域を覆うリンス液の液膜に置換される。これにより、基板Ｗの上面の全域においてＳＣ１が洗い流される。そして、リンス液バルブ４８が開かれてから所定時間が経過すると、制御装置３は、リンス液バルブ４８を閉じて、リンス液ノズル４６からのリンス液の吐出を停止させる。
【００５８】
次に、基板Ｗを乾燥させるスピンドライ工程（ステップＳ８）が行われる。具体的には、制御装置３は、スピンモータ１５を制御することにより、ＳＰＭ供給工程（Ｓ３）から第２のリンス液供給工程（Ｓ７）までの回転速度よりも大きい乾燥回転速度（たとえば数千ｒｐｍ）まで基板Ｗを加速させ、乾燥回転速度で基板Ｗを回転させる。これにより、大きな遠心力が基板Ｗ上の液体に加わり、基板Ｗに付着している液体が基板Ｗの周囲に振り切られる。このようにして、基板Ｗから液体が除去され、基板Ｗが乾燥する。そして、基板Ｗの高速回転が開始されてから所定時間が経過すると、制御装置３は、スピンモータ１５を制御することにより、スピンチャック５による基板Ｗの回転を停止させる（ステップＳ９）。
【００５９】
次に、チャンバ４内から基板Ｗが搬出される（ステップＳ１０）。具体的には、制御装置３は、全てのノズル等がスピンチャック５の上方から退避している状態で、基板搬送ロボットＣＲのハンドをチャンバ４の内部に進入させる。そして、制御装置３は、基板搬送ロボットＣＲのハンドにスピンチャック５上の基板Ｗを保持させる。その後、制御装置３は、基板搬送ロボットＣＲのハンドをチャンバ４内から退避させる。これにより、処理済みの基板Ｗがチャンバ４から搬出される。
【００６０】
以上により、第１の処理例によれば、ＳＰＭ供給工程（Ｓ３）において、第１のＳＰＭノズル２１から吐出されるＳＰＭは、基板Ｗの上面中央部に着液した後、基板Ｗの回転による遠心力を受けて基板Ｗの上面に沿って外方に流れる。第２のＳＰＭノズル３１から基板Ｗの上面周縁部に向けて、生成（混合）直後の新鮮なＳＰＭが吐出される。すなわち、高いレジスト除去力を有する新鮮なＳＰＭが基板Ｗの上面周縁部に付与される。
【００６１】
前述のように、基板Ｗの回転状態において、基板Ｗの周縁部の周速は基板Ｗの中央部よりも速いので、赤外線ヒータ５８から基板Ｗに与えられる熱量を単位面積当たりで換算する場合、基板Ｗの上面周縁部は、上面中央部に比して少なくなる。しかしながら、高いレジスト除去力を有する新鮮なＳＰＭが、基板Ｗの上面周縁部に付与されるので、赤外線ヒータ５８から与えられる単位面積当たりの熱量の少ない基板Ｗの上面周縁部においても、ＳＰＭによるレジスト除去効率を高めることができる。これにより、基板Ｗの上面全域からレジストを良好に除去できる基板処理装置１を提供することができる。
【００６２】
また、図５に示す第１の処理例では、ＳＰＭ供給工程（Ｓ３）において、基板Ｗを液処理速度（たとえば約５００ｒｐｍ）で回転させるとして説明したが、このときの基板Ｗの回転速度が、基板Ｗ上からのＳＰＭの排出が抑制されて基板Ｗの上面にＳＰＭの液膜が保持される状態（パドル状態）を維持できるような低回転速度（パドル回転速度）であってもよい。基板Ｗをパドル回転速度で回転させるパドル処理は、基板Ｗ上の液に作用する遠心力が小さいために、一般的に液の置換性が悪いとされている。しかしながら、この処理変形例では、第１および第２のＳＰＭノズル２１，３１によって、基板Ｗの上面中央部および上面周縁部にそれぞれＳＰＭ液を着液させるので、パドル処理においても、基板Ｗの上面全域をＳＰＭの液膜で覆うことができる。これにより、基板Ｗの上面全域を均一に処理することができる。
【００６３】
また、図５に示す第１の処理例では、ＳＰＭ供給工程（Ｓ３）の後に過酸化水素水供給工程（Ｓ４）を実行するとしたが、この過酸化水素水供給工程（Ｓ４）は省略可能である。
なお、図５に示す第１の処理例において、第１のリンス液供給工程（Ｓ５）の後にＳＣ１供給工程（Ｓ６）を実行するとしたが、このＳＣ１供給工程（Ｓ６）は省略可能である。
【００６４】
図７は、レジスト除去処理の第２の処理例のＳＰＭ供給工程（Ｓ３）が行われているときの基板を水平に見た模式図である。この第２の処理例は、ＳＰＭ供給工程（Ｓ３）において、第２のＳＰＭノズル３１から吐出されるＳＰＭのＨ２ＳＯ４濃度を、第１のＳＰＭノズル２１から吐出されるＳＰＭよりも低く設定する点において、第１の処理例と相違している。
【００６５】
より詳しくは、制御装置３は、ＳＰＭ供給工程において、第１のＳＰＭノズル２１から吐出されるＳＰＭのＨ２ＳＯ４濃度が比較的高濃度（たとえば、Ｈ２ＳＯ４：Ｈ２Ｏ２＝１０：１）となるように第１の硫酸流量調整バルブ２７および第１の過酸化水素水流量調整バルブ３０を制御すると共に、第１の硫酸バルブ２６および第１の過酸化水素水バルブ２９を開く。これにより、基板Ｗの上面中央部に向けて高濃度のＳＰＭが吐出され、このＳＰＭが基板Ｗの上面中央部に着液する。第１のＳＰＭノズル２１から吐出された高濃度のＳＰＭは、基板Ｗの回転による遠心力を受けて基板Ｗの上面に沿って外方に流れる。
【００６６】
また、制御装置３は、ＳＰＭ供給工程において、第２のＳＰＭノズル３１から吐出されるＳＰＭのＨ２ＳＯ４濃度が比較的低濃度（たとえば、Ｈ２ＳＯ４：Ｈ２Ｏ２＝２：１）となるように第２の硫酸流量調整バルブ３７および第２の過酸化水素水流量調整バルブ４０を制御すると共に、第２の硫酸バルブ３６および第２の過酸化水素水バルブ３９を開く。これにより、基板Ｗの上面周縁部に向けて低濃度のＳＰＭが吐出され、このＳＰＭが基板Ｗの上面周縁部に着液する。
【００６７】
そして、基板Ｗの上面周縁部において、基板Ｗの上面中央部から流れてくる高濃度のＳＰＭと、第２のＳＰＭノズル３１からの低濃度のＳＰＭとが混合する。その結果、低濃度のＳＰＭに含まれるＨ２Ｏ２が、基板Ｗの上面中央部からのＳＰＭに含まれるＨ２ＳＯ４と反応して、基板Ｗの上面周縁部において新たなＳＰＭが生成される。したがって、基板Ｗの上面周縁部においてペルオキソ一硫酸が多量に発生すると共に、反応熱により基板Ｗの上面周縁部のＳＰＭが昇温する。これにより、基板Ｗの上面周縁部において、ＳＰＭによるレジスト除去効率を、より一層高めることができる。
【００６８】
図８は、レジスト除去処理の第３の処理例のＳＰＭ供給工程（ＳＰＭ供給工程。過酸化水素水供給工程。Ｓ３）が行われているときの基板を水平に見た模式図である。この第３の処理例は、ＳＰＭ供給工程（Ｓ３）において、第２のＳＰＭノズル３１からＨ２Ｏ２のみを吐出する点において、第１の処理例と相違している。
より詳しくは、制御装置３は、第１の硫酸バルブ２６および第１の過酸化水素水バルブ２９を開く。また、制御装置３は、第２の硫酸バルブ３６を閉じると共に、第２の過酸化水素水バルブ３９を開く。
【００６９】
これにより、第１のＳＰＭノズル２１から基板Ｗの上面中央部に向けてＳＰＭが吐出され、このＳＰＭが基板Ｗの上面中央部に着液する。第１のＳＰＭノズル２１から吐出されたＳＰＭは、基板Ｗの回転による遠心力を受けて基板Ｗの上面に沿って外方に流れる。また、第２のＳＰＭノズル３１から基板Ｗの上面周縁部に向けてＨ２Ｏ２が吐出され、このＨ２Ｏ２が基板Ｗの上面周縁部に着液する。そして、基板Ｗの上面周縁部において、基板Ｗの上面中央部から流れてくるＳＰＭと、第２のＳＰＭノズル３１からのＨ２Ｏ２とが混合する。第２のＳＰＭノズル３１からのＨ２Ｏ２が、基板Ｗの上面中央部からのＳＰＭに含まれるＨ２ＳＯ４と反応して、基板Ｗの上面周縁部において新たなＳＰＭが生成される。したがって、基板Ｗの上面周縁部においてペルオキソ一硫酸が多量に発生すると共に、反応熱により基板Ｗの上面周縁部のＳＰＭが昇温する。これにより、基板Ｗの上面周縁部において、ＳＰＭによるレジスト除去効率を、より一層高めることができる。
【００７０】
以上、この発明の一実施形態について説明したが、本発明は他の形態で実施することも可能である。
たとえば、第１のＳＰＭノズル２１をスキャンノズルとし、第２のＳＰＭノズル３１を固定ノズルとしたが、第１および第２のＳＰＭノズル２１，３１はスキャンノズルおよび固定ノズルのいずれであってもよい。
【００７１】
また、第２のＳＰＭノズル３１は、第１のノズルアーム２２に設けられていてもよい。この場合では、アルカリであるＳＣ１を吐出するＳＣ１ノズルとは別に設けられているので、ＳＰＭとＳＣ１との混触を生じるおそれがない。
また、前述の第１〜第３処理例のＳＰＭ供給工程（Ｓ３）において、基板Ｗの上面の赤外線ヒータ５８による加熱領域を、基板Ｗの上面周縁部と基板Ｗの中央部との間で移動させる場合を例に挙げて説明したが、基板Ｗの一の上面周縁部と、前記の一の上面周縁部と上面中央部を挟んだ他の上面周縁部との間で、前記の加熱領域を移動させるようにしてもよい。また、上面周縁部と上面中央部の間に位置する中間位置と、上面周縁部との間で、前記の加熱領域を移動させるようにしてもよい。
【００７２】
また、前述の第１〜第３処理例のＳＰＭ供給工程（Ｓ３）において、第１のノズル移動ユニット２３を駆動して、第１のＳＰＭノズル２１を、基板Ｗの上面中央部を通る軌跡に沿って移動させてもよい。この場合、第１のＳＰＭノズル２１を、基板Ｗの上面中央部と基板Ｗの上面周縁部との間で移動させることができる。
また、前述の実施形態では、第１および第２のＳＰＭ供給ユニット６，７として、Ｈ２ＳＯ４およびＨ２Ｏ２の混合を第１および第２のＳＰＭノズル２１，３１の内部で行うノズル混合タイプのものを例に挙げて説明したが、第１および第２のＳＰＭノズル２１，３１の上流側に配管を介して接続された混合部を設け、この混合部において、Ｈ２ＳＯ４とＨ２Ｏ２との混合が行われる配管混合タイプのものを採用することもできる。
【００７３】
また、前述の各実施形態では、基板処理装置１が、円板状の基板Ｗを処理する装置である場合について説明したが、基板処理装置１は、液晶表示装置用基板などの多角形の基板Ｗを処理する装置であってもよい。
その他、特許請求の範囲に記載された事項の範囲で種々の設計変更を施すことが可能である。
【符号の説明】
【００７４】
１  基板処理装置
３  制御装置（制御手段）
５  スピンチャック（基板保持回転手段）
６  第１のＳＰＭ供給ユニット（第１のＳＰＭ供給手段）
７  第２のＳＰＭ供給ユニット（過酸化水素水含有液供給手段）
２１  第１のＳＰＭノズル（第１のノズル）
３１  第２のＳＰＭノズル（第２のノズル）
５８  赤外線ランプ（加熱手段）
６０  ヒータ移動ユニット（加熱領域移動手段）
Ａ１  回転軸線（所定の軸線）
Ｗ  基板
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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