(57)【要約】【課題】本願は、支持部材に形成された配線層を転写する際の剥離性を改善する電子部品の製造方法、電子部品および支持具を提供する。【解決手段】電子部品の製造方法であり、水分が付与されると分解する剥離層を表面に形成した支持部材に配線層を形成し、前記支持部材に形成した前記配線層に基材を貼り合わせ、前記剥離層に水分を付与した状態で前記支持部材と前記配線層とを剥離する。【選択図】図１
2015177173.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
水分が付与されると分解する剥離層を表面に形成した支持部材に配線層を形成し、
前記支持部材に形成した前記配線層に基材を貼り合わせ、
前記剥離層に水分を付与した状態で前記支持部材と前記配線層とを剥離する、
電子部品の製造方法。
【請求項２】
前記基材は、配線を有しており、
前記配線層は、前記基材が有する配線よりも微細な配線を有している、
請求項１に記載の電子部品の製造方法。
【請求項３】
前記基材は、ビルドアップ基板である、
請求項１または２に記載の電子部品の製造方法。
【請求項４】
前記支持部材が剥離された前記配線層に半導体チップを更に貼り合わせる、
請求項１から３の何れか一項に記載の電子部品の製造方法。
【請求項５】
前記剥離層は、多孔質膜で形成されていることを特徴とする、
請求項１から４の何れか一項に記載の電子部品の製造方法。
【請求項６】
前記剥離層は、側鎖にフッ素原子を有するシロキサンポリマであることを特徴とする、
請求項１から５の何れか一項に記載の電子部品の製造方法。
【請求項７】
前記剥離層は、前記シロキサンポリマのフッ素含有量がシリコン原子１に対して０．３から０．７であることを特徴とする、
請求項６に記載の電子部品の製造方法。
【請求項８】
前記支持部材と前記配線層とを剥離する際は、６０℃以上の水または８０℃以上の水蒸気を付与した状態で前記支持部材と前記配線層とを剥離する、
請求項６または７に記載の電子部品の製造方法。
【請求項９】
配線層と、
前記配線層を支持する支持部材と、
前記支持部材と前記配線層との間に形成された、水分が付与されると分解する剥離層と、を備える、
電子部品。
【請求項１０】
電子部品の配線層を支持するための支持部材と、
前記支持部材の表面に形成された、水分が付与されると分解する剥離層と、を備える、
支持具。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本願は、電子部品の製造方法、電子部品および支持具に関する。
【背景技術】
【０００２】
電子機器は、小型化や高性能化の一途を辿っている。電子機器の小型化や高性能化に伴い、プリント基板の配線も微細化している。そこで、近年では、例えば、集積回路を有する半導体チップとビルドアップ基板等の基材との間を微細な配線で接続するＦａｎ−ｏｕｔ  ＷＬＰ（Wafer Level Package）構造や、その他の様々な構造の電子部品が提案され
ている（例えば、特許文献１−２を参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００４−１４６６０２号公報
【特許文献２】特開２００２−１６４４６７号公報
【特許文献３】特開２００８−２７４０１１号公報
【特許文献４】特公昭６２−２４０１７号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
半導体チップと基材との間を接続する配線を微細化する方策の一つとして、例えば、支持部材上に形成しておいた配線層を基材の表面に転写し、基材表面の配線層が転写された部分に半導体チップを搭載することが考えられる。そして、転写の際に配線層を支持部材から剥離する方法としては、例えば、従来から用いられている化学剥離や物理剥離が考えられる。ところが、化学剥離や物理剥離は、支持部材上に形成されている配線層の微細な配線や配線層そのものに与えるダメージが大きいため、例えば、配線の消失やクラックの発生といった各種不具合の原因になり得る。よって、配線層を支持していた支持部材から配線層を剥離する処理は、製品の歩留まりや信頼性を低下させる虞がある。
【０００５】
そこで、本願は、支持部材に形成された配線層を転写する際の剥離性を改善する電子部品の製造方法、電子部品および支持具を提供する。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本願は、次のような電子部品の製造方法を開示する。
水分が付与されると分解する剥離層を表面に形成した支持部材に配線層を形成し、
前記支持部材に形成した前記配線層に基材を貼り合わせ、
前記剥離層に水分を付与した状態で前記支持部材と前記配線層とを剥離する、
電子部品の製造方法。
【０００７】
また、本願は、次のような電子部品を開示する。
配線層と、
前記配線層を支持する支持部材と、
前記支持部材と前記配線層との間に形成された、水分が付与されると分解する剥離層と、を備える、
電子部品。
【０００８】
また、本願は、次のような支持具を開示する。
電子部品の配線層を支持するための支持部材と、
前記支持部材の表面に形成された、水分が付与されると分解する剥離層と、を備える、
支持具。
【発明の効果】
【０００９】
上記電子部品の製造方法、電子部品および支持具であれば、支持部材に形成された配線層を転写する際の剥離性を改善することが可能である。
【図面の簡単な説明】
【００１０】
【図１】図１は、実施形態に係る電子部品の製造方法を示したフローチャートの一例を示した図である。
【図２Ａ】図２Ａは、配線層を支持するための支持具の一例を示した図である。
【図２Ｂ】図２Ｂは、支持具に配線層が形成された状態の一例を示した図である。
【図２Ｃ】図２Ｃは、支持具に基材が貼り合わされた状態の一例を示した図である。
【図２Ｄ】図２Ｄは、支持部材が剥離される状態の一例を示した図である。
【図２Ｅ】図２Ｅは、配線層の表面にバンプを設けた状態の一例を示した図である。
【図２Ｆ】図２Ｆは、配線層に半導体チップが貼り合わされた状態の一例を示した図である。
【発明を実施するための形態】
【００１１】
以下、実施形態について説明する。以下に示す実施形態は、単なる例示であり、本開示の技術的範囲を以下の態様に限定するものではない。
【００１２】
図１は、実施形態に係る電子部品の製造方法を示したフローチャートの一例を示した図である。以下、実施形態に係る電子部品の製造方法について、図１に示すフローチャートに沿って説明する。
【００１３】
図２Ａは、配線層を支持するための支持具の一例を示した図である。本実施形態では、電子部品の配線層を支持するための支持具１を用意する（Ｓ１０１）。支持具１は、支持部材２と、支持部材２の表面に形成された剥離層３とを有している。剥離層３は、水分が付与されると分解する組成物によって形成される。剥離層３は、支持部材２の表面全域に形成されていてもよいし、配線層を形成する予定の領域に形成されていてもよい。なお、以下においては、水分の付与によって分解することを「加水分解」や「自己エッチング」という場合もある。
【００１４】
なお、図２Ａでは、支持部材２として板状の部材が図示されているが、支持部材２は、板状の部材に限定されるものではない。支持部材２は、剥離層３を形成するための平面を有するものであれば、如何なる形状の部材であってもよい。また、剥離層３は、例えば、多孔質膜で形成されていると、水分が浸透しやすいので、水分が付与された際に分解しやすい。
【００１５】
図２Ｂは、支持具に配線層が形成された状態の一例を示した図である。支持具１が用意された後は、配線４を樹脂５内に設けた配線層６が剥離層３を介して支持具１に形成される（Ｓ１０２）。配線層６は、剥離層３上に形成されることにより、剥離層３を介して支持具１に固定された状態となる。
【００１６】
図２Ｃは、支持具に基材が貼り合わされた状態の一例を示した図である。支持具１に配線層６が形成された後は、配線層６に基材７が貼り合わされる（Ｓ１０３）。なお、図２Ｃでは、基材７として板状の部材が図示されているが、基材７は、板状の部材に限定されるものではない。基材７は、配線層６を貼り合わせる対象になり得るものであれば如何なるものであってもよい。基材７は、半導体チップを搭載し得る部材であれば如何なるもの
であってもよく、例えば、配線層６の配線４と電気的に繋がる配線を有するもの（例えば、ビルドアップ基板といった各種の配線基板）や、その他の各種基板を適用可能である。
【００１７】
図２Ｄは、支持部材が剥離される状態の一例を示した図である。配線層６に基材７が貼り合わされた後は、支持具１の支持部材２が剥離される（Ｓ１０４）。支持部材２の剥離は、剥離層３に水分が付与された状態で行われる。剥離層３は、水分が付与されると分解する組成物によって形成されているため、支持部材２の剥離の際に水分を付与して分解することができる。また、支持部材２の剥離の際に付与される水分は、配線層６に対する化学的な影響がほとんどない。よって、支持部材２の剥離は、配線層６に対する物理的および化学的なダメージを伴うことなく実現される。支持部材２が剥離されることにより、配線層６と基材７とを貼り合わせた回路基板８（本願でいう「電子部品」の一例である）が形成される。
【００１８】
上記製造方法であれば、配線層６を支持部材２から剥離する際、剥離層３を水分の付与によって分解しているため、配線層６の配線４や配線層６そのものに与えるダメージが化学剥離や物理剥離の場合に比べて小さい。すなわち、支持具１に形成された配線層６を基材７へ転写する際の剥離性が化学剥離や物理剥離よりも優れている。よって、配線層６の配線４の消失やクラックの発生といった各種不具合を生ずることが無く、製品の歩留まりや信頼性を低下させる虞が無い。このため、例えば、基材７としてビルドアップ基板を適用し、配線層６の配線４を、基材７が有するビルドアップ基板の配線よりも微細なものにした場合であっても、配線層６の配線４の消失やクラックの発生を生ずることなく、製品の歩留まりや信頼性を低下させる虞が無い。なお、基材７としてビルドアップ基板を適用し、配線層６の配線４を、基材７が有するビルドアップ基板の配線よりも微細なものにした場合、配線層６に貼り合わされる半導体チップの配線の更なる微細化を図ることができるので、電子機器の小型化や高性能化を図ることができる。
【００１９】
ところで、上記製造方法は、例えば、次のような処理が更に行われることにより、上記回路基板８を用いた半導体装置（本願でいう「電子部品」の一例である）を製造することができる。
【００２０】
図２Ｅは、配線層の表面にバンプを設けた状態の一例を示した図である。例えば、上記ステップＳ１０４において支持部材２が剥離された後、回路基板８の配線層６の表面にバンプ９が設けられる。
【００２１】
図２Ｆは、配線層に半導体チップが貼り合わされた状態の一例を示した図である。配線層６の表面にバンプ９が設けられた後は、配線層６に半導体チップ１０が更に貼り合わされる。配線層６に貼り合わされた半導体チップ１０は、バンプ９を介して配線層６の配線４と電気的に接続される。配線層６に半導体チップ１０が貼り合わされることにより、回路基板８に半導体チップ１０が搭載された半導体装置１１（本願でいう「電子部品」の一例である）が形成される。半導体装置１１は、例えば、半導体チップ１０や配線層６を樹脂で封止し、半導体パッケージ（本願でいう「電子部品」の一例である）にしてもよい。
【００２２】
上記製造方法を用いて半導体装置１１を形成する場合、例えば、基材７としてビルドアップ基板を適用し、配線層６の配線４を、基材７が有するビルドアップ基板の配線より微細なものにしても、配線層６の配線４の消失やクラックの発生を生ずることが無い。よって、上記製造方法を用いて製造される半導体装置１１であれば、半導体チップ１０とビルドアップ基板等の基材７との間を電気的に接続する配線層６の配線４を微細化しても、歩留まりや信頼性を低下させる虞が無い。したがって、上記製造方法を、例えば、Ｆａｎ−ｏｕｔ  ＷＬＰや２．５Ｄ−ＩＣ、３Ｄ−ＩＣといった狭ピッチ化による微細な配線が用いられる半導体装置の製造に用いることにより、化学剥離や物理剥離を用いる場合に比べ
て低コストで且つ歩留まり及び信頼性の向上を図ることができる。また、上記製造方法は、配線層を複数有するプリント基板やＬＳＩ（Large Scale Integration）配線、ＭＥＭ
Ｓ（Micro Electro Mechanical Systems）、チップパッケージ基板、ウェハーレベルパッケージ（ＷＬＰ）、シリコンインターポーザといった積層構造を有する各種の電子部品の製造にも適用できる。製造される各種の電子部品が高密度実装の要求を受けて多端子、狭ピッチ化し、配線が微細化しても、上記製造方法であれば、配線にダメージを与えることが無いため、高い信頼性や歩留まりの実現を図ることが可能である。
【００２３】
ところで、剥離層３として適用可能な組成物としては、側鎖にフッ素原子を有するシロキサンポリマを挙げることができる。側鎖にフッ素原子を有するシロキサンポリマは、例えば、水分が付与されると骨格分子が分断されて低分子量化する。よって、側鎖にフッ素原子を有するシロキサンポリマを剥離層３の形成に用いれば、配線層６を支持部材２から剥離する際の水分の付与によって剥離層３を分解することができ、配線層６の配線４や配線層６そのものに与えるダメージを化学剥離や物理剥離の場合よりも小さくすることができる。なお、水分の付与の仕方は特に限定されないが、剥離時間の短縮を行うためには、例えば、６０℃以上の加熱した水または８０℃以上の水蒸気を付与することが好ましい。水と水蒸気の何れを選択するかについては限定されないが、水蒸気の方が水よりも微細な部分に浸入しやすく、剥離層３が分解されやすいと考えられる。
【００２４】
フッ素原子を含有するシロキサンポリマは、例えば、下記の一般式（１）または一般式（２）で示される２官能シラン、一般式（３）または一般式（４）で示される３官能シランの内、単独または複数のシラン化合物を原料とし、さらに、一般式（５）または一般式（６）で示される４官能シランの中から選ばれたシラン化合物を原料として含み、加水分解／縮重合反応によって形成したシロキサンポリマを前駆体とすることを特徴とする。
【００２５】
【化１】
2015177173.tif 000003
【００２６】
なお、上記一般式（１）において、Ｒ１，Ｒ２は同一でも互いに異なっても良く、水素，フッ素，芳香族炭化水素および炭素数１から３の炭化水素である。ただし、Ｒ１，Ｒ２の少なくとも一つがフッ素である。また、Ｒ３，Ｒ４は、炭素数１から３の炭化水素またはＣＨ3ＣＯである。
【００２７】
【化２】
2015177173.tif 000004
【００２８】
なお、上記一般式（２）において、Ｒ５，Ｒ６は同一でも互いに異なっても良く、水素，フッ素，芳香族炭化水素および炭素数１から３の炭化水素である。ただし、Ｒ５，Ｒ６の少なくとも一つがフッ素である。また、Ｘ１，Ｘ２はＣｌまたはＢｒである。
【００２９】
【化３】
2015177173.tif 000005
【００３０】
なお、上記一般式（３）において、Ｒ７は水素，フッ素，芳香族炭化水素および炭素数１から３の炭化水素である。ただし、一般式（３）のシラン化合物単体でシロキサンポリマを形成する場合はＲ７がフッ素である。また、Ｒ８，Ｒ９，Ｒ１０は炭素数１から３の炭化水素またはＣＨ3ＣＯである。
【００３１】
【化４】
2015177173.tif 000006
【００３２】
なお、上記一般式（４）において、Ｒ１１は水素，フッ素，芳香族炭化水素および炭素数１から３の炭化水素である。ただし、一般式（３）のシラン化合物単体でシロキサンポリマを形成する場合はＲ１１がフッ素である。また、Ｘ３，Ｘ４，Ｘ５はＣｌまたはＢｒである。
【００３３】
【化５】
2015177173.tif 000007
【００３４】
なお、上記一般式（５）において、Ｒ１２，Ｒ１３，Ｒ１４は炭素数１から３の炭化水素またはＣＨ3ＣＯである。
【００３５】
【化６】
2015177173.tif 000008
【００３６】
なお、上記一般式（６）において、Ｘ６，Ｘ７，Ｘ８，Ｘ９はＣｌまたはＢｒである。
【００３７】
なお、一般式（１）で示される２官能シランとしては、例えば、ジメトキシシラン、ジエトキシシラン、ジプロポキシシラン、ジアセトキシシラン、ジメチルジメトキシシラン、ジメチルジエトキシシラン、ジメチルジプロポキシシラン、ジメチルジアセトキシシラン、ジエチルジメトキシシラン、ジエチルジエトキシシラン、ジエチルジプロポキシシラン、ジエチルジアセトキシシラン、ジプロピルジメトキシシラン、ジプロピルジエトキシシラン、ジプロピルジプロポキシシラン、ジプロピルジアセトキシシラン、フェニルジメトキシシラン、フェニルジエトキシシラン、フェニルジプロポキシシラン、フェニルジア
セトキシシラン、ジフェニルジメトキシシラン、ジフェニルジエトキシシラン、ジフェニルジプロポキシシラン、ジフェニルジアセトキシシラン、フェニルメチルジメトキシシラン、フェニルメチルジエトキシシラン、フェニルメチルジプロポキシシラン、フェニルメチルジアセトキシシラン、フェニルエチルジメトキシシラン、フェニルエチルジエトキシシラン、フェニルエチルジプロポキシシラン、フェニルエチルジアセトキシシラン、フェニルプロピルジメトキシシラン、フェニルプロピルジエトキシシラン、フェニルプロピルジプロポキシシラン、フェニルプロピルジアセトキシシラン、ジフルオロジメトキシシラン、ジフルオロジエトキシシラン、ジフルオロジプロポキシシラン、ジフルオロジアセトキシシラン、フルオロメチルジメトキシシラン、フルオロメチルジエトキシシラン、フルオロメチルジプロポキシシラン、フルオロメチルジアセトキシシラン、フルオロプロピルジメトキシシラン、フルオロプロピルジエトキシシラン、フルオロプロピルジプロポキシシラン、フルオロプロピルジアセトキシシラン、フェニルフルオロジメトキシシラン、フェニルフルオロジエトキシシラン、フェニルフルオロジプロポキシシラン、フェニルフルオロジアセトキシシランが挙げられる。
【００３８】
また、一般式（２）で示される２官能シランとしては、例えば、ジクロロシラン、ジメチルジクロロシラン、ジエチルジクロロシラン、ジプロピルジクロロシラン、フェニルジクロロシラン、ジフェニルジクロロシラン、フェニルメチルジクロロシラン、フェニルエチルジクロロシラン、フェニルプロピルジクロロシラン、ジフルオロジクロロシラン、フルオロメチルジクロロシラン、フルオロプロピルジクロロシラン、フェニルフルオロジクロロシラン、ジブロモシラン、ジメチルジブロモシラン、ジエチルジブロモシラン、ジプロピルジブロモシラン、フェニルジブロモシラン、ジフェニルジブロモシラン、フェニルメチルジブロモシラン、フェニルエチルジブロモシラン、フェニルプロピルジブロモシラン、ジフルオロジブロモシラン、フルオロメチルジブロモシラン、フルオロプロピルジブロモシラン、フェニルフルオロジブロモシランが挙げられる。
【００３９】
さらに、一般式（３）で示される３官能シランとしては、例えば、トリメトキシシラン、トリエトキシシラン、トリプロポキシシシラン、トリアセトキシシラン、メチルトリメトキシシラン、メチルトリエトキシシラン、メチルトリプロポキシシシラン、メチルトリアセトキシシラン、エチルトリメトキシシラン、エチルトリエトキシシラン、エチルトリプロポキシシシラン、エチルトリアセトキシシラン、プロピルトリメトキシシラン、プロピルトリエトキシシラン、プロピルトリプロポキシシシラン、プロピルトリアセトキシシラン、フェニルトリメトキシシラン、フェニルトリエトキシシラン、フェニルトリプロポキシシシラン、フェニルトリアセトキシシラン、フルオロトリメトキシシラン、フルオロトリエトキシシラン、フルオロトリプロポキシシシラン、フルオロトリアセトキシシランが挙げられる。
【００４０】
また、一般式（４）で示される３官能シランとしては、例えば、トリクロロシラン、メチルトリクロロシラン、エチルトリクロロシラン、プロピルトリクロロシラン、フェニルトリクロロシラン、フルオロトリクロロシラン、トリブロモシラン、メチルトリブロモシラン、エチルトリブロモシラン、プロピルトリブロモシラン、フェニルトリブロモシラン、フルオロトリブロモシランが挙げられる。
【００４１】
さらに、一般式（５）で示される４官能シランとしては、例えば、テトラメトキシシラン、テトラエトキシシラン、テトラプロポキシシラン、テトラアセトキシシランが挙げられる。
【００４２】
また、一般式（６）で示される４官能シランとしては、例えば、テトラクロロシラン、テトラブロモシランが挙げられる。
【００４３】
さらに、前記シラン化合物を用いて剥離層３の前駆体を形成するためのポリマ化触媒としては、酸またはアルカリ性であれば特に限定されず、塩酸、硝酸、硫酸等の無機酸、マレイン酸、酢酸、スルホン酸、トルエンスルホン酸などの有機酸化合物や、アンモニア等の無機アルカリ、ピリジン、トリエチルアミン、ジメチルアミン、シクロヘキシルアミン、ジシクロヘキシルアミン、テトラメチルアンモニアウムハイドライドなどの有機アルカリ化合物が挙げられる。
【００４４】
前記シラン化合物は、単独または複数のシラン化合物を用いて剥離層３の前駆体を製造しても良いが、いずれか一つはフッ素原子を含むシラン化合物を用いる。その際、剥離層３の前駆体におけるフッ素原子の含有量は、シリコン原子１に対して０．３から０．７の範囲とすることが好ましい。これは、フッ素原子含有量が０．３未満の場合には水蒸気処理で自己エッチングによる剥離ができず、フッ素含有量が０．７よりも多い場合は水蒸気処理で発生した弗化水素で薄膜回路基板に形成された金属配線を腐食する可能性があるからである。
【００４５】
また、剥離速度を上げるために前記の剥離層３を多孔質膜としても良い。多孔質化の手法は特に限定されないが、例えば、加熱によって剥離層３の前駆体が硬化する課程において揮発する成分を添加し、キャリア基板との界面近傍に積極的に空孔を形成する方が好ましい。このような多孔質材料は、前記のフッ素原子を含有したシロキサンポリマに、下記の一般式（７）で示されるポリカルボシラン骨格を有するポリマを添加し、当該ポリカルボシランを含む前駆体を基板に塗布した後に加熱することで容易に形成することができる。
【００４６】
【化７】
2015177173.tif 000009
【００４７】
上記一般式（７）において、Ｒ１６，Ｒ１７は互いに異なってもよく、Ｈまたは炭素数１から３の炭化水素およびフェニル基である。Ｒ１８は炭素数１または３の炭化水素およびスチレンである。ｎは２から２０の整数である。
【００４８】
剥離層３は、例えば、スピンコ−ト法によって形成することができる。これは均一な薄膜が形成できる点で好ましい。前記のスピンコート法による塗布では、剥離層３を形成する前駆体を溶剤に希釈する。塗布溶剤としては前駆体を溶解できれば特に限定されず、例えば、メチルアルコール，エチルアルコール，プロピルアルコール，イソプロピルアルコール，ブチルアルコール，イソブチルアルコール，ｔｅｒｔ−ブチルアルコールなどのアルコール系、フェノール、クレゾール、ジエチルフェノール、トリエチルフェノール、プロピルフェノール、ノニルフェノール、ビニルフェノール、アリルフェノール、ノニルフェノールなどのフェノール系、シクロヘキサノン，メチルイソブチルケトン，メチルエチルケトンなどのケトン系、メチルセロソルブ，エチルセロソルブなどのセロソルブ系，ヘキサン，オクタン，デカンなどの炭化水素系、プロピレングリコール，プロピレングリコールモノメチルエーテル，プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテートなどのグリコール系などが挙げられる。
【００４９】
また、剥離層３の膜厚としては特に限定されないが、０．１μｍから２μｍ程度が好ましく、薄膜回路基板と支持基板の熱膨張差で生じる応力による信頼性や所望の剥離時間との関係から適宜選択することができる。構造やプロセス安定性などから考慮すると、０．
５μｍから２００μｍが好ましい。また、成膜後は加熱してもよく、加熱温度、時間は所望の物性によって適宜選択することができる。好ましくは１５０℃〜３００℃、５分〜６０分程度であり、一般的な塗布型シロキサンの成膜条件に基づいたものを適用できる。
【実施例】
【００５０】
剥離層３を作製し、剥離性の検証を行ったので、その結果を以下に示す。
【００５１】
＜実施例１  フッ素含有量０．３の剥離層材料の調製＞
テトラエトキシシラン４１．６ｇ（０．２ｍｏｌ）、フルオロトリエトキシシラン１８．２ｇ（０．１  ｍｏｌ）、メチルイソブチルケトン８９．７ｇを３００ｍｌの反応容器に仕込み、５００ｐｐｍの硝酸水溶液１９．８ｇ（１．１ｍｏｌ）を１０分間で滴下し、滴下終了後５０℃で２時間攪拌した。その後、室温に冷却してパーティクルを濾過することで剥離層材料を作製した。
【００５２】
＜実施例２  フッ素含有量０．５の剥離層材料の調製＞
テトラエトキシシラン４１．６ｇ（０．２ｍｏｌ）、フルオロトリエトキシシラン３６．４ｇ（０．２ｍｏｌ）、メチルイソブチルケトン１１７．０ｇを３００ｍｌの反応容器に仕込み、５００ｐｐｍの硝酸水溶液２５．２ｇ（１．４ｍｏｌ）を１０分間で滴下し、滴下終了後５０℃で２時間攪拌した。その後、室温に冷却してパーティクルを濾過することで剥離層材料を作製した。
【００５３】
＜実施例３  フッ素含有量０．７の剥離層材料の調製＞
テトラエトキシシラン２０．８ｇ（０．１ｍｏｌ）、フルオロトリエトキシシラン４３．６８ｇ（０．２４ｍｏｌ）、メチルイソブチルケトン９６．７ｇを３００ｍｌの反応容器に仕込み、５００ｐｐｍの硝酸水溶液２０．１６ｇ（１．１２ｍｏｌ）を１０分間で滴下し、滴下終了後５０℃で２時間攪拌した。その後、室温に冷却してパーティクルを濾過することで剥離層材料を作製した。
【００５４】
＜比較例１  フッ素含有量０の剥離層材料の調製＞
テトラエトキシシラン６２．４ｇ（０．３ｍｏｌ）、メチルイソブチルケトン９３．６ｇを３００ｍｌの反応容器に仕込み、５００ｐｐｍの硝酸水溶液２１．６ｇ（１．２ｍｏｌ）を１０分間で滴下し、滴下終了後５０℃で２時間攪拌した。その後、室温に冷却してパーティクルを濾過することで剥離層材料を作製した。
【００５５】
＜比較例２  フッ素含有量０．２の剥離層材料の調製＞
テトラエトキシシラン４１．６ｇ（０．２ｍｏｌ）、フルオロトリエトキシシラン１０．９２ｇ（０．０６ｍｏｌ）、メチルイソブチルケトン７８．７８ｇを３００ｍｌの反応容器に仕込み、５００ｐｐｍの硝酸水溶液２１．２４ｇ（１．１８ｍｏｌ）を１０分間で滴下し、滴下終了後５０℃で２時間攪拌した。その後、室温に冷却してパーティクルを濾過することで剥離層材料を作製した。
【００５６】
＜比較例３  フッ素含有量０．８の剥離層材料の調製＞
テトラエトキシシラン２０．８ｇ（０．１ｍｏｌ）、フルオロトリエトキシシラン４７．３２ｇ（０．２６ｍｏｌ）、メチルイソブチルケトン１０２．１８ｇを３００ｍｌの反応容器に仕込み、５００ｐｐｍの硝酸水溶液２１．２４ｇ（１．１８ｍｏｌ）を１０分間で滴下し、滴下終了後５０℃で２時間攪拌した。その後、室温に冷却してパーティクルを濾過することで剥離層材料を作製した。
【００５７】
＜実施例４  剥離層材料を用いた薄膜回路基板の形成および接合＞
６インチφのシリコンウエハを準備し、実施例１の剥離層材料を回転数２０００ｒｐｍ
、３０秒間の条件でスピンコート法により塗布した。次いで１３５℃のホットプレートで１分ベークし、膜厚約７００ｎｍの剥離層３を石英ウエハ上に形成した。次に、剥離層３上に透過防止層として厚さ５００ｎｍのＣｕをスパッタ法により形成した。
【００５８】
次に、配線層６を形成した。ノボラック型の液状レジストをスピンコート法により塗布した。更に、φ５００μｍのランドパターンを有するガラスマスクを用いてコンタクトアライナーでレジストを露光し、現像して、所定の位置にφ５００μｍのランドパターンを形成した。続いて電気Ｃｕめっきによりランドパターン部へめっきした。このとき、電気Ｃｕめっきは高さが３μｍ程度になるようにめっきした。
【００５９】
次に、レジストをＮ−メチル−２−ピロリジノンを用いて剥離した後、レジストの被覆によってめっきされなかった部分のシード層Ｃｕを過硫酸アンモニウムにてエッチングして、ランドを形成した。次に、ランド上にポリイミド剤をスピンコートで塗布し、１３０℃のホットプレートで２分硬化して絶縁層を形成した。膜厚は約８μｍであった。
【００６０】
次いで、前記のノボラック型の液状レジストを同様に塗布形成し、最小サイズ５μｍの配線パターンを有するガラスマスクを用いてコンタクトアライナーでレジストを露光し、現像して、所定の位置に配線パターンを形成した。続いて電気Ｃｕめっきにより配線パターン部へめっきした。このとき、電気Ｃｕめっきは高さが３μｍ程度になるようにめっきした。
【００６１】
次に、レジストをＮ−メチル−２−ピロリジノンを用いて剥離した後、レジストの被覆によってめっきされなかった部分のシード層Ｃｕを過硫酸アンモニウムにてエッチングして、配線パターンを形成した。次に、配線パターン上にポリイミド剤をスピンコートで塗布し、１３０℃のホットプレートで２分硬化して絶縁層を形成した。膜厚は約８μｍであった。
【００６２】
次に、再び前記ノボラック型の液状レジストを用いてφ７００μｍのランドパターンを有するガラスマスクを用いてコンタクトアライナーで該レジストを露光し、現像して、所定の位置にφ７００μｍのランドパターンを形成した。続いて電気Ｃｕめっきによりランドパターン部へめっきした。このとき、電気Ｃｕめっきは高さが６μｍ程度になるようにめっきした。
【００６３】
次に、φ７００μｍのランドパターン上にバンプを形成し、基材７に相当するビルドアップ基板を接合し、回路基板８を形成した。配線層６とビルドアップ基板の間には、アンダーフィル材を注入し、１２０℃で加熱してビルドアップ基板を固定した。
【００６４】
＜実施例５  フッ素含有量０．５の剥離層材料を用いた薄膜回路基板の形成および接合＞
実施例５は、実施例４において用いられている剥離層材料を実施例２の剥離層材料に置き換えた点を除き、実施例４と同じ手法にて回路基板８を形成したものである。
【００６５】
＜実施例６  フッ素含有量０．５の剥離層材料を用いた薄膜回路基板の形成および接合＞
実施例６は、実施例４において用いられている剥離層材料を実施例３の剥離層材料に置き換えた点を除き、実施例４と同じ手法にて回路基板８を形成したものである。
【００６６】
＜比較例４  フッ素含有量０の剥離層材料を用いた薄膜回路基板の形成および接合＞
比較例４は、実施例４において用いられている剥離層材料を比較例１の剥離層材料に置き換えた点を除き、実施例４と同じ手法にて回路基板を形成したものである。
【００６７】
＜比較例５  フッ素含有量０．２の剥離層材料を用いた薄膜回路基板の形成および接合＞
比較例５は、実施例４において用いられている剥離層材料を比較例２の剥離層材料に置き換えた点を除き、実施例４と同じ手法にて回路基板を形成したものである。
【００６８】
＜比較例６  フッ素含有量０．８の剥離層材料を用いた薄膜回路基板の形成および接合＞
比較例６は、実施例４において用いられている剥離層材料を比較例３の剥離層材料に置き換えた点を除き、実施例４と同じ手法にて回路基板を形成したものである。
【００６９】
＜剥離実験＞
上記の実施例４〜６および比較例４〜６について、剥離性の良否と配線のダメージの有無を確認する実験の結果を以下に示す。なお、本実験は、１２１℃，１００％ＲＨ，２気圧のプレッシャクッカーに１時間放置した際の支持部材の剥離性および回路基板の配線のダメージの有無を確認したものである。配線のダメージについては光学顕微鏡で観察した結果である。本実験の結果を下記の表１に示す。
【００７０】
【表１】
2015177173.tif 000010
【００７１】
上記の表１の結果から明らかなように、フッ素原子がシリコン原子１に対して０．３から０．８の範囲では水蒸気処理によって剥離したが、シリコン原子１に対しフッ素原子０および０．２では剥離できなかった。また、フッ素原子０．８では剥離層より生成したフッ酸の影響により配線が変色していることが確認された。
【００７２】
＜剥離温度の検証＞
上記の実施例４〜６について、加熱した水で剥離試験を行った結果を下記の表２に、水蒸気中で剥離試験を行った結果を下記の表３に示す。なお、剥離性の判定は量産性を考慮し、処理時間が２時間以内に剥離できた場合を『○』、２時間から２時間３０分未満で剥離できた場合を『△』、それ以外を『×』とした。
【００７３】
【表２】
2015177173.tif 000011
【００７４】
【表３】
2015177173.tif 000012
【００７５】
上記の表２、表３の結果から明らかなように、剥離を２時間以内に行うには、例えば、６０℃以上の加熱した水または８０℃以上の水蒸気を剥離層に付与することが好ましいことが判る。これは、加熱した水を付与して剥離する場合、６０℃未満で処理するとシロキサンポリマの加水分解反応が遅くなるためと考えられる。また、水蒸気を付与して剥離する場合、８０℃以下だと発生する水蒸気量が少なく、加水分解反応の進行が極度に低下するためと考えられる。
【００７６】
なお、本願は、以下の付記的事項を含む。
（付記１）
水分が付与されると分解する剥離層を表面に形成した支持部材に配線層を形成し、
前記支持部材に形成した前記配線層に基材を貼り合わせ、
前記剥離層に水分を付与した状態で前記支持部材と前記配線層とを剥離する、
電子部品の製造方法。
（付記２）
前記基材は、配線を有しており、
前記配線層は、前記基材が有する配線よりも微細な配線を有している、
付記１に記載の電子部品の製造方法。
（付記３）
前記基材は、ビルドアップ基板である、
付記１または２に記載の電子部品の製造方法。
（付記４）
前記支持部材が剥離された前記配線層に半導体チップを更に貼り合わせる、
付記１から３の何れか一項に記載の電子部品の製造方法。
（付記５）
前記剥離層は、多孔質膜で形成されていることを特徴とする、
付記１から４の何れか一項に記載の電子部品の製造方法。
（付記６）
前記剥離層は、側鎖にフッ素原子を有するシロキサンポリマであることを特徴とする、
付記１から５の何れか一項に記載の電子部品の製造方法。
（付記７）
前記剥離層は、前記シロキサンポリマのフッ素含有量がシリコン原子１に対して０．３から０．７であることを特徴とする、
付記６に記載の電子部品の製造方法。
（付記８）
前記支持部材と前記配線層とを剥離する際は、６０℃以上の水または８０℃以上の水蒸気を付与した状態で前記支持部材と前記配線層とを剥離する、
付記６または７に記載の電子部品の製造方法。
（付記９）
配線層と、
前記配線層を支持する支持部材と、
前記支持部材と前記配線層との間に形成された、水分が付与されると分解する剥離層と、を備える、
電子部品。
（付記１０）
前記電子部品は、前記配線層に貼り合わされており、配線を有する基材を更に備え、
前記配線層は、前記基材が有する配線よりも微細な配線を有している、
付記９に記載の電子部品。
（付記１１）
前記基材は、ビルドアップ基板である、
付記１０に記載の電子部品。
（付記１２）
前記剥離層は、多孔質の材料で形成されていることを特徴とする、
付記９から１１の何れか一項に記載の電子部品。
（付記１３）
前記剥離層は、側鎖にフッ素原子を有するシロキサンポリマであることを特徴とする、
付記９から１２の何れか一項に記載の電子部品。
（付記１４）
前記剥離層は、前記シロキサンポリマのフッ素含有量がシリコン原子１に対して０．３から０．７であることを特徴とする、
付記１３に記載の電子部品。
（付記１５）
電子部品の配線層を支持するための支持部材と、
前記支持部材の表面に形成された、水分が付与されると分解する剥離層と、を備える、
支持具。
（付記１６）
前記剥離層は、側鎖にフッ素原子を有するシロキサンポリマであることを特徴とする、
付記１５に記載の支持具。
（付記１７）
前記剥離層は、前記シロキサンポリマのフッ素含有量がシリコン原子１に対して０．３から０．７であることを特徴とする、
付記１６に記載の支持具。
【符号の説明】
【００７７】
１・・支持具：２・・支持部材：３・・剥離層：４・・配線：５・・樹脂：６・・配線層：７・・基材：８・・回路基板：９・・バンプ：１０・・半導体チップ：１１・・半導体装置
【図１】
2015177173.tif 000013
【図２Ａ】
2015177173.tif 000014
【図２Ｂ】
2015177173.tif 000015
【図２Ｃ】
2015177173.tif 000016
【図２Ｄ】
2015177173.tif 000017
【図２Ｅ】
2015177173.tif 000018
【図２Ｆ】
2015177173.tif 000019