(57)【要約】      （修正有）【課題】アンダーフィルとして使用した際の注入性に優れ、且つ硬化物の密着性に優れ、フィレットクラックの発生及び進展を抑制できる半導体封止用樹脂組成物の提供。【解決手段】エポキシ化合物として式（Ｉ）で示されるグリコールウリル化合物と、硬化剤を含有する半導体封止用樹脂組成物。式（Ｉ）で示されるグリコールウリル化合物を除く、エポキシ化合物又はエポキシ樹脂を含有する半導体封止用樹脂組成物。2015117361.tif 000006（Ｒ１及びＲ２は同一又は異なって、Ｈ、低級アルキル基又はフェニル基；Ｒ３〜Ｒ５は同一又は異なって、Ｈ又はグリシジル基）【選択図】なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
化学式（Ｉ）で示されるグリコールウリル化合物と硬化剤を含有することを特徴とする半導体封止用樹脂組成物。
【化１】
2015117361.tif 000005
（式中、Ｒ１およびＲ２は、同一または異なって、水素原子、低級アルキル基またはフェニル基を表し、Ｒ３、Ｒ４およびＲ５は、同一または異なって、水素原子またはグリシジル基を表す。）
【請求項２】
化学式（Ｉ）で示されるグリコールウリル化合物を除くエポキシ化合物またはエポキシ樹脂を含有することを特徴とする請求項１記載の半導体封止用樹脂組成物。
【請求項３】
無機充填剤、硬化促進剤、コアシェルゴムおよび反応性希釈剤を含有することを特徴とする請求項１または請求項２記載の半導体封止用樹脂組成物。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、グリコールウリル化合物を含有することを特徴とする半導体封止用樹脂組成物に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、フリップチップ型への半導体実装方法の変化に伴い、半導体素子と基板との間のクリアランスを充填し（封止）、両者を固定する樹脂組成物、即ちアンダーフィルの開発が進んでいる。
【０００３】
一般に、アンダーフィルとして使用される半導体封止用樹脂組成物には、前記のクリアランスに充填する際の良好な注入性が要求される。更に、その硬化物には、優れた密着性や、フィレットクラックと呼ばれる基板と半導体素子などの材料との熱膨張係数の差により発生するクラックの発生および進展の抑制が要求される。
【０００４】
このような要求に対応するために、特許文献１には高粘度のエポキシ樹脂組成物を、作業に適した粘度に調整するために使用されるエポキシ樹脂用反応性希釈剤が提案されている。しかしながら、この文献に記載されている単官能エポキシ化合物や、多価アルコールグリシジルエーテルを希釈剤として使用した場合、硬化物のガラス転移温度（Ｔｇ）やその他の機械物性が低下してしまうといった問題があった。
【０００５】
また、フィレットクラックの抑制を目的として、樹脂組成物にゴム成分を添加する方法が知られている。しかしながら、樹脂組成物にゴム成分を添加した場合についても、前記方法と同様に、硬化物のガラス転移温度（Ｔｇ）やその他の機械物性が低下するだけでなく、樹脂組成物の粘度が上昇してしまうといった問題があった。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開平６−１７２３３６号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
本発明は、アンダーフィルとして使用した際の注入性に優れ、且つ硬化物の密着性に優れ、フィレットクラックの発生および進展を抑制することができる半導体封止用樹脂組成物を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明者は、前記の課題を解決するために鋭意研究を重ねた結果、エポキシ化合物としてグリコールウリル化合物を含有する樹脂組成物とすることにより、所期の目的を達成することを見い出し、本発明を完成するに至ったものである。
即ち、第１の発明は、化学式（Ｉ）で示されるグリコールウリル化合物と硬化剤を含有することを特徴とする半導体封止用樹脂組成物である。
【０００９】
【化１】
2015117361.tif 000002
（式中、Ｒ１およびＲ２は、同一または異なって、水素原子、低級アルキル基またはフェニル基を表し、Ｒ３、Ｒ４およびＲ５は、同一または異なって、水素原子またはグリシジル基を表す。）
第２の発明は、化学式（Ｉ）で示されるグリコールウリル化合物を除くエポキシ化合物またはエポキシ樹脂を含有することを特徴とする第１の発明の半導体封止用樹脂組成物である。
第３の発明は、無機充填剤、硬化促進剤、コアシェルゴムおよび反応性希釈剤を含有することを特徴とする第１の発明または第２の発明の半導体封止用樹脂組成物である。
【発明の効果】
【００１０】
本発明の半導体封止用樹脂組成物は、アンダーフィルとして使用した際の注入性に優れ、且つ硬化物の密着性に優れ、フィレットクラックの発生および進展を抑制することができる。
【発明を実施するための形態】
【００１１】
以下、本発明を詳細に説明する。
本発明の実施において使用するグリコールウリル化合物は、下記の化学式（Ｉ）で示されるエポキシ化合物であるが、例えば、
１−グリシジルグリコールウリル、
１，３−ジグリシジルグリコールウリル、
１，４−ジグリシジルグリコールウリル、
１，６−ジグリシジルグリコールウリル、
１，３，４−トリグリシジルグリコールウリル、
１，３，４，６−テトラグリシジルグリコールウリル、
１−グリシジル−３ａ−メチルグリコールウリル、
１，３−ジグリシジル−３ａ−メチルグリコールウリル、
１，４−ジグリシジル−３ａ−メチルグリコールウリル、
１，６−ジグリシジル−３ａ−メチルグリコールウリル、
１，３，４−トリグリシジル−３ａ−メチルグリコールウリル、
１，３，４，６−テトラグリシジル−３ａ−メチルグリコールウリル、
１−グリシジル−３ａ，６ａ−ジメチルグリコールウリル、
１，３−ジグリシジル−３ａ，６ａ−ジメチルグリコールウリル、
１，４−ジグリシジル−３ａ，６ａ−ジメチルグリコールウリル、
１，６−ジグリシジル−３ａ，６ａ−ジメチルグリコールウリル、
１，３，４−トリグリシジル−３ａ，６ａ−ジメチルグリコールウリル、
１，３，４，６−テトラグリシジル−３ａ，６ａ−ジメチルグリコールウリル、
１−グリシジル−３ａ，６ａ−ジフェニルグリコールウリル、
１，３−ジグリシジル−３ａ，６ａ−ジフェニルグリコールウリル、
１，４−ジグリシジル−３ａ，６ａ−ジフェニルグリコールウリル、
１，６−ジグリシジル−３ａ，６ａ−ジフェニルグリコールウリル、
１，３，４−トリグリシジル−３ａ，６ａ−ジフェニルグリコールウリル、
１，３，４，６−テトラグリシジル−３ａ，６ａ−ジフェニルグリコールウリルなどが挙げられる。これらのグリコールウリル化合物は、単独または２種以上を組み合わせて使用してもよい。
【００１２】
【化２】
2015117361.tif 000003
（式中、Ｒ１およびＲ２は、同一または異なって、水素原子、低級アルキル基またはフェニル基を表し、Ｒ３、Ｒ４およびＲ５は、同一または異なって、水素原子またはグリシジル基を表す。）
【００１３】
本発明の実施において使用する硬化剤としては、アミン系または酸無水物系の硬化剤が挙げられる。これらは、種類も多く、半導体素子のパッシベーション膜（例えば、ポリイミドなど）との密着性に優れるため、半導体封止用樹脂組成物に使用した場合に、耐吸湿リフロー性試験時の剥離を防止することができる。
【００１４】
前記のアミン系硬化剤としては、公知のアミン系硬化剤を特に制限なく採用することができるが、例えば、トリエチレンテトラアミン、テトラエチレンペンタミン、ｍ−キシレンジアミン、トリメチルヘキサメチレンジアミン、２−メチルペンタメチレンジアミンなどの脂肪族ポリアミン、イソフォロンジアミン、１，３−ビスアミノメチルシクロヘキサン、ビス（４−アミノシクロヘキシル）メタン、ノルボルネンジアミン、１，２−ジアミノシクロヘキサンなどの脂環式ポリアミン、Ｎ−アミノエチルピペラジン、１，４−ビス（２−アミノ−２−メチルプロピル）ピペラジンなどのピペラジン型のポリアミン、ジエチルトルエンジアミン、ジメチルチオトルエンジアミン、４，４’−ジアミノ−３，３’−ジエチルジフェニルメタン、ビス（メチルチオ）トルエンジアミン、ジアミノジフェニルメタン、ｍ−フェニレンジアミン、ジアミノジフェニルスルホン、ジエチルトルエンジアミン、トリメチレンビス（４−アミノベンゾエート）、ポリテトラメチレンオキシド−ジ−ｐ−アミノベンゾエートなどの芳香族ポリアミン類が挙げられる。これらは、単独または２種以上を組み合わせて使用してもよい。
【００１５】
本発明の半導体封止用樹脂組成物において、アミン系硬化剤の使用量としては、グリコールウリル化合物と、グリコールウリル化合物を除くエポキシ化合物またはエポキシ樹脂と、反応性希釈剤の各エポキシを合わせた全エポキシ当量に対して、０．０１〜３．０当量とすることが好ましい。
【００１６】
前記の酸無水物系硬化剤としては、公知の酸無水物系硬化剤を特に制限なく採用することができるが、例えば、メチルテトラヒドロフタル酸無水物、メチルヘキサヒドロフタル酸無水物、アルキル化テトラヒドロフタル酸無水物、ヘキサヒドロフタル酸無水物、メチルハイミック酸無水物、アルケニル基で置換されたコハク酸無水物、メチルナジック酸無水物、グルタル酸無水物、３，４−ジメチル−６−（２−メチル−１−プロペニル）−１，２，３，６−テトラヒドロフタル酸無水物、１−イソプロピル−４−メチル−ビシクロ［２．２．２］オクト−５−エン−２，３−ジカルボン酸無水物、ノルボルナン−２，３−ジカルボン酸無水物、メチルノルボルナン−２，３−ジカルボン酸無水物、水素化メチルナジック酸無水物、ジエチルグルタル酸無水物などが挙げられる。市販品としては、三菱化学社製酸無水物（グレード：ＹＨ３０６、ＹＨ３０７）などが挙げられる。これらは、単独または２種以上を組み合わせて使用してもよい。
【００１７】
本発明の半導体封止用樹脂組成物において、酸無水物系硬化剤の使用量としては、グリコールウリル化合物と、グリコールウリル化合物を除くエポキシ化合物またはエポキシ樹脂と、反応性希釈剤の各エポキシを合わせた全エポキシ当量に対して、０．５〜１．５当量とすることが好ましい。
【００１８】
本発明の実施において使用するグリコールウリル化合物を除くエポキシ化合物またはエポキシ樹脂（以下、両者を併せてエポキシ樹脂と云う）としては、常温で液状であることが好ましいが、常温で固体であっても、他の液状であるエポキシ樹脂および／または希釈剤を加えて、液状にして使用することができる。
【００１９】
前記のエポキシ樹脂としては、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、臭素化ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＡＤ型エポキシ樹脂、ビフェニル型エポキシ樹脂、ノボラック型エポキシ樹脂、脂環式エポキシ樹脂、ナフタレン型エポキシ樹脂、エーテル系またはポリエーテル系エポキシ樹脂、オキシラン環含有ポリブタジエン、アミノフェノール型エポキシ樹脂、シリコーンエポキシコポリマー樹脂などが挙げられる。
【００２０】
また、前記の常温で液状であるエポキシ樹脂としては、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂の平均分子量が約４００以下のもの；ｐ−グリシジルオキシフェニルジメチルトリスビスフェノールＡジグリシジルエーテルのような分岐状多官能ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂；ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂；フェノールノボラック型エポキシ樹脂の平均分子量が約５７０以下のもの；ビニル（３，４−シクロヘキセン）ジオキシド、３，４−エポキシシクロヘキシルカルボン酸（３，４−エポキシシクロヘキシル）メチル、アジピン酸ビス（３，４−エポキシ−６−メチルシクロヘキシルメチル）、２−（３，４−エポキシシクロヘキシル）−５，１−スピロ（３，４−エポキシシクロヘキシル）−ｍ−ジオキサンのような脂環式エポキシ樹脂；３，３’，５，５’−テトラメチル−４，４’−ジグリシジルオキシビフェニルのようなビフェニル型エポキシ樹脂；ヘキサヒドロフタル酸ジグリシジル、３−メチルヘキサヒドロフタル酸ジグリシジル、ヘキサヒドロテレフタル酸ジグリシジルのようなグリシジルエステル型エポキシ樹脂；ジグリシジルアニリン、ジグリシジルトルイジン、トリグリシジル−ｐ−アミノフェノール、テトラグリシジル−ｍ−キシリレンジアミン、テトラグリシジルビス（アミノメチル）シクロヘキサンのようなグリシジルアミン型エポキシ樹脂；１，３−ジグリシジル−５−メチル−５−エチルヒダントインのようなヒダントイン型エポキシ樹脂；ナフタレン環含有エポキシ樹脂などが挙げられる。
その他、１，３−ビス（３−グリシドキシプロピル）−１，１，３，３−テトラメチルジシロキサンのようなシリコーン骨格をもつエポキシ樹脂や、（ポリ）エチレングリコールジグリシジルエーテル、（ポリ）プロピレングリコールジグルシジルエーテル、ブタンジオールグリシジルエーテル、ネオペンチルグリコールジグリシジルエーテルのようなジエポキシド化合物；トリメチロールプロパントリグリシジルエーテル、グリセリントリグリシジルエーテルのようなトリエポキシド化合物なども挙げられる。
【００２１】
常温で固体ないし超高粘性のエポキシ樹脂を併用することも可能であり、そのようなエポキシ樹脂としては、高分子量のビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、ノボラックエポキシ樹脂、テトラブロモビスフェノールＡ型エポキシ樹脂などが挙げられる。これらは、常温で液体であるエポキシ樹脂と組み合わせて、流動性を調整することができる。
【００２２】
常温で固体ないし超高粘性のエポキシ樹脂を使用する場合は、低粘度のエポキシ樹脂、例えば、（ポリ）エチレングリコールジグリシジルエーテル、（ポリ）プロピレングリコールジグルシジルエーテル、ブタンジオールグリシジルエーテル、ネオペンチルグリコールジグリシジルエーテルのようなジエポキシド化合物；トリメチロールプロパントリグリシジルエーテル、グリセリントリグリシジルエーテルのようなトリエポキシド化合物などと組み合わせることが好ましい。
【００２３】
前記の希釈剤としては、非反応性希釈剤または反応性希釈剤の何れも使用できるが、反応性希釈剤が好ましい。本明細書において、反応性希釈剤とは、１つのエポキシ基を有する、常温で比較的低粘度の化合物を云うこととし、目的に応じて、エポキシ基以外に、他の重合性官能基、例えば、ビニル、アリルなどのアルケニル基；アクリロイル、メタクリロイルなどの不飽和カルボン酸残基を有していてもよい。
【００２４】
前記の反応性希釈剤としては、ｎ−ブチルグリシジルエーテル、２−エチルヘキシルグリシジルエーテル、フェニルグリシジルエーテル、クレジルグリシジルエーテル、ｐ−ｓ−ブチルフェニルグリシジルエーテル、スチレンオキシド、α−ピネンオキシドのようなモノエポキシド化合物；アリルグリシジルエーテル、メタクリル酸グリシジル、１−ビニル−３，４−エポキシシクロヘキサンのような他の官能基を有するモノエポキシド化合物などが挙げられる。
【００２５】
本発明の実施において使用する無機充填剤は、半導体封止用樹脂組成物に配合されて、該組成物の熱膨張係数を調整することにより、アンダーフィルとして使用した際に、耐サーマルサイクル性、耐熱性、耐湿性を向上させる。
【００２６】
本発明の半導体封止用樹脂組成物において、無機充填剤の使用量としては、無機充填剤を含まない半導体封止用樹脂組成物１００重量部に対して、１０〜５００重量部とすることが好ましい。
【００２７】
無機充填剤としては、半導体封止用やアンダーフィル用の樹脂組成物の成分として公知のものを制限なく使用することができる。例えば、シリカ、アクリルビーズ、ガラスビーズ、ウレタンビーズなどが挙げられ、コスト的な観点や、半導体封止用樹脂組成物の他の成分との相溶性の見地から、シリカが好適である。
【００２８】
本発明の実施において使用する硬化促進剤としては、エポキシ樹脂用として公知のものを制限なく使用することができる。例えば、イミダゾール系硬化促進剤（マイクロカプセル型、エポキシアダクト型を含む）、第三級アミン系硬化促進剤、リン系硬化促進剤などが挙げられ、特に、イミダゾール系硬化促進剤が、半導体封止用樹脂組成物の他の成分との相溶性および硬化速度の観点から好適である。
【００２９】
前記のイミダゾール系硬化促進剤としては、２−メチルイミダゾール、２−ウンデシルイミダゾール、２−ヘプタデシルイミダゾール、２−エチル−４−メチルイミダゾール、２−フェニルイミダゾール、２−フェニル−４−メチルイミダゾールなどのイミダゾール化合物などが挙げられる。
また、マイクロカプセル型イミダゾールやエポキシアダクト型イミダゾールと呼ばれるカプセル化イミダゾールも使用することができる。即ち、イミダゾール化合物を尿素やイソシアネート化合物でアダクトし、さらにその表面をイソシアネート化合物でブロックすることによりカプセル化したイミダゾール系潜在性硬化剤や、イミダゾール化合物をエポキシ化合物でアダクトし、さらにその表面をイソシアネート化合物でブロックすることによりカプセル化したイミダゾール系潜在性硬化剤も使用することができる。具体的には、ノバキュアＨＸ３９４１ＨＰ、ノバキュアＨＸＡ３０４２ＨＰ、ノバキュアＨＸＡ３９２２ＨＰ、ノバキュアＨＸＡ３７９２、ノバキュアＨＸ３７４８、ノバキュアＨＸ３７２１、ノバキュアＨＸ３７２２、ノバキュアＨＸ３０８８、ノバキュアＨＸ３７４１、ノバキュアＨＸ３７４２、ノバキュアＨＸ３６１３（いずれも旭化成イーマテリアルズ社製、製品名）などが挙げられる。なお、ノバキュアはカプセル化イミダゾールと熱硬化性エポキシ樹脂とを、ある比率にて混合した製品である。
【００３０】
本発明の半導体封止用樹脂組成物において、硬化促進剤の使用量は硬化促進剤の種類によって適宜設定されるが、イミダゾール系硬化促進剤の場合は、グリコールウリル化合物と、グリコールウリル化合物を除くエポキシ樹脂を合わせた重量（１００重量部）に対して、０．０１〜１００重量部とすることが好ましい。
【００３１】
本発明の実施において使用するコアシェルゴムは、半導体封止用樹脂組成物をアンダーフィルとして使用した際の、フィレットクラックの発生および進展を抑制する目的で使用する。具体的には、コアシェルゴムの含有により半導体封止用樹脂組成物の硬化物が低弾性化して、フィレット部に生じる応力が低減され、フィレットクラックの発生を抑制することができる。また、フィレットクラックが発生した場合には、コアシェルゴムが応力緩和剤として作用し、フィレットクラックの進展を抑制することができる。
【００３２】
本明細書において、コアシェルゴムとは、互いに異なる組成のコア層と、それを覆う１つ以上のシェル層で構成される多層構造のゴム材料を指す。コアシェルゴムとして、コア層を柔軟性に優れた材料で構成し、シェル層をグリコールウリル化合物や、グリコールウリル化合物を除くエポキシ樹脂などに対する親和性に優れた材料で構成することにより、分散性を高めつつ、低弾性化を達成する。
コア層の構成材料としては、シリコーン系エラストマー、ブタジエン系エラストマー、スチレン系エラストマー、アクリル系エラストマー、ポリオレフィン系エラストマー、シリコーン／アクリル系複合系エラストマーなどが挙げられる。
一方、シェル層の構成材料としては、アクリル樹脂、エポキシ樹脂などが挙げられ、アクリル樹脂が、グリコールウリル化合物や、グリコールウリル化合物を除くエポキシ樹脂などに対する親和性の観点から好適である。
【００３３】
半導体封止用樹脂組成物をアンダーフィルとして使用する際の注入性を良好にし、硬化物のフィレットクラックの発生を抑えるためには、コアシェルゴムの平均粒径は５０μｍ以下であることが好ましい。
【００３４】
本発明の半導体封止用樹脂組成物において、コアシェルゴムの使用量としては、グリコールウリル化合物と、グリコールウリル化合物を除くエポキシ樹脂を合わせた重量（１００重量部）に対して、０．１〜２００重量部とすることが好ましい。
【００３５】
本発明の実施において使用する反応性希釈剤は、半導体封止用樹脂組成物の粘度を下げる目的で使用する。反応性希釈剤は分子内にエポキシ基を有することにより、硬化剤と反応して硬化物の一部となるものであり、各種のモノエポキシ化合物や多価アルコールのグリシジルエーテル化合物が、反応性希釈剤として従来使用されていた。しかしながら、硬化剤との反応に寄与する官能基（エポキシ基）が１分子中に１つのみの化合物を反応性希釈剤として使用した場合、硬化時に三次元的な架橋を形成することができないため、半導体封止用樹脂組成物の硬化物におけるガラス転移温度（Ｔｇ）や靱性が低下するという問題があった。
本発明の半導体封止用樹脂組成物においては、反応性希釈剤として、１分子中に２つ以上のグリシジル基を含む化合物からなるものを使用することで、硬化時に三次元的に架橋を形成することができる。これにより、半導体封止用樹脂組成物の硬化物におけるガラス転移温度（Ｔｇ）や靱性の低下を抑制することができる。
【００３６】
反応性希釈剤としては、１分子中に２つ以上のグリシジル基を有するポリプロピレングリコールジグリシジルエーテルなどが好適である。
【００３７】
本発明の半導体封止用樹脂組成物において、反応性希釈剤の使用量としては、グリコールウリル化合物と、グリコールウリル化合物を除くエポキシ樹脂を合わせた重量（１００重量部）に対して、０．１〜２００重量部とすることが好ましい。
【００３８】
本発明の半導体封止用樹脂組成物において、密着性を向上させるために、シランカップリング剤を配合してもよい。
シランカップリング剤としては、エポキシ系、アミノ系、ビニル系、メタクリル系、アクリル系、メルカプト系などの各種シランカップリング剤が挙げられる。これらの中でも、エポキシ系シランカップリング剤は、半導体封止用樹脂組成物をアンダーフィルとして使用した際の、密着性および機械的強度を向上させる効果に優れることから好適である。
【００３９】
エポキシ系シランカップリング剤としては、３−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、２−（３，４−エポキシシクロヘキシル）エチルトリメトキシシラン（商品名：ＫＢＭ−３０３、信越化学社製）、３−グリシドキシプロピルメチルジメトキシシラン（商品名：ＫＢＭ−４０２、信越化学社製）、３−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン（商品名：ＫＢＭ−４０３、信越化学社製）、３−グリシドキシプロピルメチルジエトキシシラン、（商品名：ＫＢＥ−４０２、信越化学社製）、３−グリシドキシプロピルトリエトキシシラン（商品名：ＫＢＥ−４０３、信越化学社製）などが挙げられる。
【００４０】
シランカップリング剤を配合する場合は、半導体封止用樹脂組成物中、シランカップリング剤が０．０１〜１０重量％であることが好ましい。
【００４１】
本発明の半導体封止用樹脂組成物には、消泡剤、イオントラップ剤、界面活性剤、表面改質剤、顔料、染料、その他着色剤などを、本発明の効果を損なわない範囲において配合することができる。
【００４２】
本発明の半導体封止用樹脂組成物は、前述の各成分を所定量計り取って混合することにより、調製される。混合を行うために使用する装置としては、ライカイ機、ポットミル、三本ロールミル、回転式混合機、二軸ミキサーなどが挙げられる。グリコールウリル化合物またはグリコールウリル化合物を除くエポキシ樹脂が固体の場合には、加熱などにより液状化ないし流動化させて混合することが好ましい。
各成分を同時に混合しても、一部の成分を先に混合し、残りの成分を後から混合するなど、適宜の混合方法を採用しても差支えない。
【００４３】
本発明の半導体封止用樹脂組成物の硬化は、１００〜２５０℃／１秒〜３０分間の条件で実施することが好ましい。
【００４４】
本発明の半導体封止用樹脂組成物は、アンダーフィルとして好適に使用することができる。また、本発明の半導体封止用樹脂組成物は、接着剤などの用途にも使用することができる。
【００４５】
本発明を適用し得る電子部品は、アンダーフィルを使用し、基板と半導体素子との間のクリアランス（ギャップ）を封止したものである。ここで封止を行う電子部品としては、半導体素子、集積回路、大規模集積回路、トランジスタ、サイリスタ、ダイオード、コンデンサなどが挙げられる。
【実施例】
【００４６】
以下、本発明を実施例および比較例によって具体的に説明するが、本発明はこれらに限定されるものではない。
【００４７】
＜樹脂組成物の調製＞
エポキシ樹脂として、１，３，４，６−テトラグリシジルグリコールウリル（四国化成工業社製：ＴＧ−Ｇ）とビスフェノールＦ型エポキシ樹脂（新日鐵住金化学社製：ＹＤＦ８１７０Ｃ）を表１に示す割合で使用した。また、硬化剤として４，４’−ジアミノ−３，３’−ジエチルジフェニルメタン（日本化薬社製：カヤハードＡ−Ａ）を５０重量部、無機充填剤としてエポキシ表面処理シリカフィラー（アドマテックス社製：ＳＥ５２００ＳＥＥ、平均粒径２μｍ）を２００重量部、硬化促進剤として２−フェニル−４−メチル−５−ヒドロキシメチルイミダゾール（四国化成工業社製：２Ｐ４ＭＨＺ）を２重量部、コアシェルゴム（コア：シリコーンゴム、シェル：アクリル樹脂、平均粒径０．３μｍ）を１０重量部、反応性希釈剤としてポリプロピレングリコールジグリシジルエーテル（エポキシ当量：３２０、全塩素量：１０００ｐｐｍ）を２０重量部、シランカップリング剤として３−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン（信越化学社製：ＫＢＭ４０３）を２重量部配合した樹脂組成物を、ロールミルを用いて混錬し、実施例１〜３、比較例１の半導体封止用樹脂組成物を調製した。
【００４８】
＜粘度＞
前記の操作により得られた樹脂組成物について、ブルックフィールド粘度計を用いて、２５℃／５０ｒｐｍの条件にて、樹脂組成物の粘度を測定した。
【００４９】
＜ガラス転移温度＞
前記の操作により得られた樹脂組成物を１５０℃／１時間加熱硬化し、得られた硬化物について、ＴＭＡ法によりガラス転移温度（Ｔｇ）を測定した。なお、測定装置としてブルカーＡＳＸ製ＴＭＡ４０００ＳＡを用いた。
【００５０】
＜耐吸湿リフロー性＞
ＰＨＡＳＥ２Ｅ１７５（日立超ＬＳＩシステムズ社製）をフリップチップ実装させたＪＫＩＴ ＴｙｐｅIII基板（日立超ＬＳＩシステムズ社製）（サイズ３０ｍｍ×５０ｍｍ×０．７ｍｍ、ダイサイズ１０ｍｍ×１０ｍｍ×０．７ｍｍ、ＰＩパッシベーションダイ、Ｓｎ−３Ａｇ−０．５Ｃｕバンプ、バンプピッチ１７５μｍ）の間に、前記操作により得られた樹脂組成物を注入し、１５０℃／１時間加熱硬化させた後、抵抗値を測定した。次に、リフロー処理（２６０℃）を行った後、８５℃／８５％の条件で２４時間放置した。その後、再びリフロー処理を３回行った後、抵抗値の測定および剥離状態の観察を行い、下記の基準で耐吸湿リフロー性の評価を行った。
○＝リフロー処理の前後における抵抗値の変化率が±１０％未満であり、且つ剥離の発生している面積の割合が１％未満である
×＝リフロー処理の前後における抵抗値の変化率が±１０％以上である、および／または剥離の発生している面積の割合が１％以上である
【００５１】
＜耐フィレットクラック性＞
前記と同様の方法によって吸湿リフロー処理を行った基板を、１２５℃／３０分間と−５５℃／３０分間の加熱／冷却を１０００回実施した後、基板上のフィレットクラックを観察し、下記の基準で耐フィレットクラック性の評価を行った。
○＝ダイ周辺長さに対するフィレットクラックのダイと水平方向長さの割合が３０％未満
×＝ダイ周辺長さに対するフィレットクラックのダイと水平方向長さの割合が３０％以上
【００５２】
【表１】
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