(57)【要約】【課題】発光素子を有し、小型化が容易な発光装置を提供する。【解決手段】上部に凹部が設けられた支持樹脂と、第１の半導体層を最下層とし第２の半導体層を最上層とする積層構造体を有し、側面が凹部の内壁面と対向し且つ第１の半導体層が凹部の底面と対向して、凹部内に埋め込まれた発光素子と、発光素子の第２の半導体層の上方に配置された透光性樹脂とを備える。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
上部に凹部が設けられた支持樹脂と、
第１の半導体層を最下層とし第２の半導体層を最上層とする積層構造体を有し、側面が前記凹部の内壁面と対向し且つ前記第１の半導体層が前記凹部の底面と対向して、前記凹部内に埋め込まれた発光素子と、
前記発光素子の前記第２の半導体層の上方に配置された透光性樹脂と
を備えることを特徴とする発光装置。
【請求項２】
前記支持樹脂が白色樹脂であることを特徴とする請求項１に記載の発光装置。
【請求項３】
前記支持樹脂の下部側から前記支持樹脂を貫通して、前記凹部内で前記第１の半導体層と接続する第１の電極と、
前記第２の半導体層と接続する第２の電極と
を更に備えることを特徴とする請求項１又は２に記載の発光装置。
【請求項４】
前記第２の電極が、前記支持樹脂の下部側から前記支持樹脂を貫通し、前記凹部内で前記第２の半導体層と接続することを特徴とする請求項３に記載の発光装置。
【請求項５】
前記第２の電極が前記第２の半導体層上に配置され、前記第１の電極と前記第２の電極とが前記発光素子を挟んで配置されていることを特徴とする請求項３に記載の発光装置。
【請求項６】
前記凹部の内壁面が前記凹部の底面に対して傾斜し、前記凹部が底部で狭く開口部で広く形成されていることを特徴とする請求項１乃至５のいずれか１項に記載の発光装置。
【請求項７】
前記発光素子と前記支持樹脂との間で前記凹部内に配置された、前記発光素子からの出射光を反射する反射膜を更に備えることを特徴とする請求項１乃至６のいずれか１項に記載の発光装置。
【請求項８】
前記反射膜が、前記凹部の底面と平行に配置されていることを特徴とする請求項７に記載の発光装置。
【請求項９】
前記凹部の内壁面に前記反射膜が配置されていることを特徴とする請求項７又は８に記載の発光装置。
【請求項１０】
前記透光性樹脂が透明樹脂であることを特徴とする請求項１乃至９のいずれか１項に記載の発光装置。
【請求項１１】
前記透光性樹脂が、前記発光素子の出射光によって励起されて励起光を放射する蛍光体を含有する蛍光体樹脂からなる層を有することを特徴とする請求項１乃至９のいずれか１項に記載の発光装置。
【請求項１２】
前記透光性樹脂が、前記蛍光体樹脂からなる層と透明樹脂からなる層を重ねた積層構造を有することを特徴とする請求項１１に記載の発光装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、フリップチップ実装された発光素子を有する発光装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
発光ダイオード（ＬＥＤ）などの発光素子を光源に用いた発光装置が実用化されている。例えば、マウントリードのカップの内部に発光素子が搭載され、透光性樹脂でカップを充填した発光装置が提案されている（例えば特許文献１参照。）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００９−１３５５４５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、カップなどのフレーム内に発光素子を搭載した構造の発光装置は、小型化することが困難である。本発明は、発光素子を有し、小型化が容易な発光装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本発明の一態様によれば、（ア）上部に凹部が設けられた支持樹脂と、（イ）第１の半導体層を最下層とし第２の半導体層を最上層とする積層構造体を有し、側面が凹部の内壁面と対向し且つ第１の半導体層が凹部の底面と対向して、凹部内に埋め込まれた発光素子と、（ウ）発光素子の第２の半導体層の上方に配置された透光性樹脂とを備える発光装置が提供される。
【発明の効果】
【０００６】
本発明によれば、発光素子を有し、小型化が容易な発光装置を提供できる。
【図面の簡単な説明】
【０００７】
【図１】本発明の第１の実施形態に係る発光装置の構造を示す模式的な断面図である。
【図２】本発明の第１の実施形態の透光性樹脂の構造例を示す模式的な断面図である。
【図３】比較例の発光装置の構造を示す模式的な断面図である。
【図４】本発明の第１の実施形態に係る発光装置の製造方法を説明するための模式的な断面図である（その１）。
【図５】本発明の第１の実施形態に係る発光装置の製造方法を説明するための模式的な断面図である（その２）。
【図６】本発明の第１の実施形態に係る発光装置の製造方法を説明するための模式的な断面図である（その３）。
【図７】本発明の第１の実施形態に係る発光装置の製造方法を説明するための模式的な断面図である（その４）。
【図８】本発明の第１の実施形態に係る発光装置の製造方法を説明するための模式的な断面図である（その５）。
【図９】本発明の第１の実施形態に係る発光装置の製造方法を説明するための模式的な断面図である（その６）。
【図１０】本発明の第１の実施形態に係る発光装置の製造方法を説明するための模式的な断面図である（その７）。
【図１１】本発明の第１の実施形態に係る発光装置の製造方法を説明するための模式的な断面図である（その８）。
【図１２】本発明の第１の実施形態に係る発光装置の製造方法を説明するための模式的な断面図である（その９）。
【図１３】本発明の第１の実施形態に係る発光装置の製造方法を説明するための模式的な断面図である（その１０）。
【図１４】本発明の第１の実施形態に係る発光装置の製造方法を説明するための模式的な断面図である（その１１）。
【図１５】本発明の第１の実施形態の第１の変形例に係る発光装置の構造を示す模式的な断面図である。
【図１６】本発明の第１の実施形態の第２の変形例に係る発光装置の構造を示す模式的な断面図である。
【図１７】本発明の第１の実施形態の第２の変形例に係る発光装置の製造方法を説明するための模式的な断面図である。
【図１８】本発明の第２の実施形態に係る発光装置の構造を示す模式的な断面図である。
【図１９】本発明の第２の実施形態に係る発光装置の製造方法を説明するための模式的な断面図である（その１）。
【図２０】本発明の第２の実施形態に係る発光装置の製造方法を説明するための模式的な断面図である（その２）。
【図２１】本発明の第２の実施形態に係る発光装置の製造方法を説明するための模式的な断面図である（その３）。
【図２２】本発明の第２の実施形態に係る発光装置の製造方法を説明するための模式的な断面図である（その４）。
【図２３】本発明の第２の実施形態に係る発光装置の製造方法を説明するための模式的な断面図である（その５）。
【発明を実施するための形態】
【０００８】
次に、図面を参照して、本発明の実施形態を説明する。以下の図面の記載において、同一又は類似の部分には同一又は類似の符号を付している。又、以下に示す実施形態は、この発明の技術的思想を具体化するための装置や方法を例示するものであって、この発明の技術的思想は、構成部品の形状、構造、配置等を下記のものに特定するものでない。この発明の実施形態は、特許請求の範囲において、種々の変更を加えることができる。
【０００９】
（第１の実施形態）
本発明の第１の実施形態に係る発光装置１は、図１に示すように、上部に凹部が設けられた支持樹脂１０と、支持樹脂１０の凹部内に埋め込まれた発光素子２０と、発光素子２０の上方に配置された透光性樹脂３０とを備える。
【００１０】
発光素子２０は、第１導電型の第１の半導体層２１を最下層とし、第２導電型の第２の半導体層２３を最上層とする積層構造体を有する。即ち、発光素子２０の側面は支持樹脂１０の凹部の内壁面と対向し、且つ第１の半導体層２１が凹部の底面と対向して、発光素子２０が凹部内に埋め込まれている。第２の半導体層２３の上方に、支持樹脂１０の凹部の開口部を蓋するように透光性樹脂３０が配置されている。
【００１１】
第１導電型と第２導電型とは互いに反対導電型である。即ち、第１導電型がｐ型であれば、第２導電型はｎ型であり、第１導電型がｎ型であれば、第２導電型はｐ型である。以下では、第１導電型がｐ型であり、第２導電型がｎ型である場合を例示的に説明する。つまり、第１の半導体層２１がｐ型半導体層であり、第２の半導体層２３がｎ型半導体層である。
【００１２】
発光素子２０は、例えば、第１の半導体層２１をｐ型クラッド層、第２の半導体層２３をｎ型クラッド層とするＬＥＤ素子である。図１に示した例では、第１の半導体層２１、発光層２２、第２の半導体層２３が積層されたダブルへテロ構造を発光素子２０に採用している。例えば、薄いＧａＡｓ層からなる発光層２２を、発光層２２よりもバンドギャップエネルギーの大きなＡｌＧａＡｓ層からなる第１の半導体層２１と第２の半導体層２３とで挟んだ構造などを採用可能である。
【００１３】
発光装置１は、第１の半導体層２１と接続する第１の電極４１と、第２の半導体層２３と接続する第２の電極４２を備える。図１に示した例では、第１の電極４１と第２の電極４２は、支持樹脂１０の下部側から支持樹脂１０を貫通し、支持樹脂１０の凹部内で第１の半導体層２１と第２の半導体層２３とそれぞれ接続する。
【００１４】
より具体的には、第２の半導体層２３が、平面視で第１の半導体層２１及び発光層２２の配置されていない領域まで凹部内を水平方向に延伸した延伸領域２３１を有する。そして、第２の電極４２が、第１の電極４１が支持樹脂１０を貫通する位置と離間した位置で支持樹脂１０の下部側から支持樹脂１０を貫通して、凹部内で第２の半導体層２３の延伸領域２３１と接続している。凹部内部では、絶縁膜５０によって、第２の電極４２と、発光層２２、第１の半導体層２１及び第１の電極４１とが絶縁分離されている。絶縁膜５０には、例えば酸化シリコン（ＳｉＯｘ）膜などを採用可能である。
【００１５】
第１の電極４１から第１の半導体層２１に正孔が供給され、第２の電極４２から第２の半導体層２３に電子が供給される。そして、発光層２２に、第１の半導体層２１から正孔が注入され、第２の半導体層２３から電子が注入される。注入された正孔と電子が発光層２２で再結合することにより、発光層２２で光が発生する。
【００１６】
発光層２２で発生した光は、第２の半導体層２３の主面を光取り出し面２００として外部に出射される。この発光素子２０の出射光は透光性樹脂３０を透過して、発光装置１から出力光Ｌとして出力される。このように、発光装置１は面実装型発光装置である。
【００１７】
上記のように第１の電極４１及び第２の電極４２が共に支持樹脂１０の下部側に配置され、光取り出し面２００が定義された第２の半導体層２３側には電極が配置されていない。このため、図１に示した発光装置１では、光取り出し面２００の面積を広く確保できる。
【００１８】
発光素子２０の底面及び側面は、支持樹脂１０によって囲まれている。このように支持樹脂１０によって発光素子２０の光取り出し面２００以外を覆うことにより、発光素子２０から出射された光は、発光素子２０の上方に配置された一定の厚みの透光性樹脂３０を通過する。このため、出力光Ｌの色安定性が向上する。更に、支持樹脂１０には、白色樹脂を使用することが好ましい。白色の支持樹脂１０によれば、支持樹脂１０での反射効率を向上させることができる。
【００１９】
支持樹脂１０には、フィラー入りのエポキシ系樹脂やシリコン系樹脂を採用可能である。また、白色顔料を加えることにより、白色の支持樹脂１０を実現できる。
【００２０】
なお、第２の半導体層２３の光取り出し面２００を粗面化することにより、発光素子２０の出射光が散乱され、出力光Ｌの輝度を向上させることができる。ただし、色安定性のために、光取り出し面２００の粗面化を実施しなくてもよい。
【００２１】
また、発光素子２０と支持樹脂１０との間に、発光素子２０の出射光を反射する反射膜を配置することが好ましい。図１に示した発光装置１では、反射膜６０が、第１の半導体層２１と支持樹脂１０との間で、支持樹脂１０の凹部内に配置された絶縁膜５０の内部に配置されている。反射膜６０によって、発光素子２０から第２の半導体層２３側に出射された光が第１の半導体層２１側に反射される。これにより、発光装置１からの出力光Ｌの輝度を高めることができる。反射膜６０には、例えば、アルミニウム（Ａｌ）膜、Ａｌ合金膜、銀（Ａｇ）膜、Ａｇ合金膜などを採用可能である。また、凹部の内壁面にも反射膜を配置してもよい。
【００２２】
透光性樹脂３０は、発光素子２０の封止材及び発光装置１のレンズとして機能する。発光素子２０の出射光を透過する樹脂であれば、透光性樹脂３０に熱可塑性樹脂や熱硬化性樹脂を採用可能である。透光性樹脂３０に透明樹脂を使用することによって、発光素子２０の出射光と同色の出力光Ｌを発光装置１から出力できる。
【００２３】
或いは、発光素子２０の出射光によって励起されて励起光を放射する蛍光体を含有する蛍光体樹脂を透光性樹脂３０に採用してもよい。透光性樹脂３０に蛍光体樹脂を採用することにより、所望の色の出力光Ｌを発光装置１から出力できる。また、発光装置１から、発光素子２０の出射光と励起光とが混色された出力光Ｌを出力させることも可能である。なお、図２に示すように、蛍光体樹脂３１と透明樹脂３２とを積層して透光性樹脂３０を構成してもよい。
【００２４】
上記のように、発光装置１の出力光Ｌに対する所望の色に応じて、透光性樹脂３０の構造、材料を任意に選択可能である。
【００２５】
例えば、出射光が青色光の発光素子２０を使用した場合に、青色光に励起されて黄色光を放射するイットリウム・アルミニウム・ガーネット（ＹＡＧ）などを透光性樹脂３０に含まれる蛍光体として用いる。このとき、発光素子２０から出射された青色光の一部が蛍光体を励起することにより、黄色光に波長変換される。蛍光体から放射された黄色光と発光素子２０から出射された青色光とが混合されることにより、白色の出力光Ｌが発光装置１から出力される。
【００２６】
なお、白色の出力光Ｌを得るための発光素子２０の出射光と蛍光体との組み合わせはこれに限られるものではない。例えば、近紫外光を出射する発光素子２０と、近紫外光によって励起されて赤色光、緑色光、及び青色光を放射する蛍光体を透光性樹脂３０に含有させてもよい。もちろん、発光装置１の出力光Ｌが白色光以外の場合にも、発光素子２０の出射光と蛍光体との種々の組み合わせを採用可能である。透明樹脂として、例えば、エポキシ樹脂、変性エポキシ樹脂、シリコーン樹脂、変性シリコーン樹脂などを採用可能である。また、蛍光体樹脂として前記の透明樹脂に蛍光材料を混合したものなどを採用可能である。
【００２７】
なお、透光性樹脂３０の各層に散乱剤を混入させてもよい。これにより透光性樹脂３０内で光が散乱され、出力光Ｌの輝度が向上する。また、透光性樹脂３０に蛍光体が含有される場合に、透光性樹脂３０に散乱剤を混入することによって効率よく蛍光体を励起させることができる。
【００２８】
本発明の第１の実施形態に係る発光装置１では、図１に示すように、側面及び底面を覆う支持樹脂１０によって、発光素子２０を構成する半導体層からなる積層構造体が支持されている。このため、例えば図３に示す比較例のように、支持基板２４によって発光素子２０ａの半導体層２５を支持する必要がない。なお、図３に示した比較例の発光装置は、発光素子２０ａがフレーム１０ａに形成された凹部内に配置され、発光素子２０ａの半導体層側がフレーム１０ａに接してフリップチップ実装された例である。半導体層２５から出射された光は、支持基板２４を透過してフレーム１０ａの凹部に充填された透光性樹脂３０ａに入射する。
【００２９】
支持基板２４にはシリコン基板などが採用され、半導体層２５から出射された光の一部は支持基板２４に吸収される。このため、支持基板を備えない発光装置１の出力光Ｌの輝度は、支持基板２４を有する比較例の発光装置と比べて高い。
【００３０】
また、発光装置１では、支持基板を介さずに第１の電極４１と第１の半導体層２１とを接続することにより、第１の電極４１と第１の半導体層２１間の抵抗を低減することができる。更に、第１の電極４１の面積を広くすることが可能である。このため、発光素子２０の順方向電圧Ｖｆの低減が可能である。
【００３１】
更に、発光装置１では、半導体層で発生した熱を支持基板を介さずに効率よく実装基板に放熱できる。これにより、発光装置１の特性の劣化が抑制され、信頼性が向上する。
【００３２】
発光装置１を実装基板に搭載する例としては、例えば図１に示したように、第１の電極４１と第２の電極４２にそれぞれ第１のプリント基板７１と第２のプリント基板７２を接続する方法などが採用可能である。発光装置１で発生した熱は、第１の電極４１及び第２の電極４２を介して、第１のプリント基板７１及び第２のプリント基板に放熱される。第１の電極４１と第１のプリント基板７１との接続、及び第２の電極４２と第２のプリント基板７２との接続には、例えば半田８０を使用する。第１のプリント基板７１及び第２のプリント基板７２には、金属プレートなどを採用可能である。
【００３３】
以上に説明したように、本発明の第１の実施形態に係る発光装置１では、樹脂によって発光素子２０が支持される。発光装置１には、支持基板のない発光素子２０を使用可能であり、更に、発光素子２０が搭載されるフレームがない。このように、支持樹脂１０によって発光素子２０が支持される発光装置１は、小型化が容易である。
【００３４】
また、図１に示した発光装置１では、すべての電極が第１の半導体層２１の側に配置されており、第２の半導体層２３の光取り出し面２００には電極が配置されていない。このため、第１の半導体層２１側に反射膜６０を配置したり、光取り出し面２００を粗面化したりできる。これにより、出力光Ｌの輝度を向上できる。
【００３５】
以下に、図４〜図１４を参照して、本発明の第１の実施形態に係る発光装置１の製造方法を説明する。なお、以下に述べる発光装置１の製造方法は一例であり、この変形例を含めて、これ以外の種々の製造方法により実現可能であることはもちろんである。
【００３６】
まず、図４に示すように、犠牲基板１００上に発光素子２０を構成する各層をエピタキシャル成長法などによって形成する。具体的には、第２の半導体層２３、発光層２２及び第１の半導体層２１を順次積層する。
【００３７】
次に、図５に示すように、第２の半導体層２３、発光層２２及び第１の半導体層２１を貫通し、先端が犠牲基板１００に達する分離溝１１０を形成する。この分離溝１１０は、後述するように発光装置１の素子分離に使用される。次いで、図６に示すように、第１の半導体層２１及び発光層２２の一部を除去して、第２の半導体層２３の一部を露出させる。この露出された部分が延伸領域２３１である。そして、第１の半導体層２１上に第１の電極４１の接続部４１１を形成し、延伸領域２３１上に第２の電極４２の接続部４２１を形成する。
【００３８】
その後、図７に示すように、第２の半導体層２３の延伸領域２３１上及び第１の半導体層２１上に、接続部４１１及び接続部４２１を覆って絶縁膜５０を形成する。このとき、発光装置１に反射膜６０が必要であれば、絶縁膜５０の形成を中断して、接続部４１１の上方の領域を除いて第１の半導体層２１上に反射膜６０を形成する。
【００３９】
そして、図８に示すように、絶縁膜５０の一部を選択的に除去して、接続部４１１が底部に露出したコンタクト孔５０１と、接続部４２１が底部に露出したコンタクト孔５０２を形成する。そして、図９に示すように、コンタクト孔５０１及びコンタクト孔５０２を埋め込むようにして、第１の電極４１と第２の電極４２それぞれの絶縁膜５０を貫通する部分である貫通部４１２と貫通部４２２を形成する。
【００４０】
次いで、図１０に示すように、分離溝１１０を埋め込むようにして、絶縁膜５０や貫通部４１２、貫通部４２２を覆って支持樹脂１０を形成する。支持樹脂１０の形成には、例えばトランスファーモールド（ＴＲＭ）法などを採用可能である。その後、図１１に示すように、支持樹脂１０の膜厚方向（図中の垂直方向）の厚みが所定値になるまで、支持樹脂１０の表面をバックグラインド工程によってエッチングする。
【００４１】
更に、支持樹脂１０の表面の一部を選択的にエッチング除去して、貫通部４１２と貫通部４２２の上面を露出させる。そして、図１２に示すように、貫通部４１２と接続する露出部４１３と、貫通部４２２に接続する露出部４２３を形成する。
【００４２】
その後、図１３に示すように、犠牲基板１００を除去する。なお、図１３〜図１４では、図１２までとは図面の向きを上下反転している。例えばバックグラインド工程によって、犠牲基板１００を除去する。これにより、第２の半導体層２３の表面が露出する。この後、露出した第２の半導体層２３の表面を粗面化してもよい。
【００４３】
次いで、図１４に示すように、第２の半導体層２３上に透光性樹脂３０を形成する。透光性樹脂３０の形成には、ＴＲＭ法などを採用可能である。その後、図１４に破線で示したように、ダイス分離工程において分離溝１１０に形成された支持樹脂１０を垂直方向に切断する。以上により、図１に示す発光装置１が完成する。
【００４４】
なお、第１の電極４１と第２の電極４２に高反射材料を使用してもよい。これにより、反射膜６０と共に第１の電極４１及び第２の電極４２を発光素子２０の出射光の反射に利用して、出力光Ｌの輝度を向上できる。
【００４５】
上記のような本発明の第１の実施形態に係る発光装置１の製造方法によれば、発光素子２０が支持樹脂１０によって支持された発光装置１が製造される。これにより、支持基板やフレームのない、小型化が容易な発光装置１を提供することができる。
【００４６】
＜第１の変形例＞
図１５に、本発明の第１の実施形態の第１の変形例に係る発光装置１を示す。図１５に示した発光装置１では、支持樹脂１０の凹部の内壁面に側壁反射膜６０Ａが配置されている。これにより、発光素子２０から出射された光が支持樹脂１０の凹部の内壁面においても反射する。その結果、発光装置１の出力光Ｌを更に明るくすることができる。
【００４７】
支持樹脂１０の凹部の内壁面に側壁反射膜６０Ａを配置するためには、例えば図１０に示した分離溝１１０を支持樹脂１０で埋め込む工程の前に、分離溝１１０の側面に露出した発光素子２０及び絶縁膜５０の側面に側壁反射膜６０Ａを形成する工程を追加する。側壁反射膜６０Ａには、例えばＡｌ膜、Ａｌ合金膜、Ａｇ膜、Ａｇ合金膜などを採用可能である。
【００４８】
＜第２の変形例＞
図１６に、本発明の第１の実施形態の第２の変形例に係る発光装置１を示す。図１６に示した発光装置１では、支持樹脂１０の凹部の内壁面が底面に対して傾斜している。つまり、支持樹脂１０の凹部が、底部で狭く開口部で広いテーパ形状である。これにより、発光素子２０から凹部の内壁面方向に出射された光が、光取り出し面に向けて効率的に反射される。なお、凹部の内壁面に側壁反射膜６０Ａを配置してもよい。
【００４９】
支持樹脂１０の凹部の内壁面を傾斜させるためには、例えば図５に示した分離溝１１０の形成工程において、図１７に示すように開口部で広く底部で狭いように分離溝１１０を台形状に形成する。
【００５０】
（第２の実施形態）
本発明の第２の実施形態に係る発光装置１は、図１８に示すように、第１の電極４１と第２の電極４２とが発光装置１の上下に分かれて配置されている。即ち、第２の電極４２が発光装置１の光取り出し面側に配置されていることが第１の実施形態と異なる点である。
【００５１】
具体的には、図１８に示した発光装置１では、支持樹脂１０の上部に設けられた凹部に、第１の半導体層２１、発光層２２及び第２の半導体層２３が順に積層されている。そして、第１の電極４１が支持樹脂１０の凹部の下部に埋め込まれて、第１の半導体層２１に接続している。第２の半導体層２３上に、支持樹脂１０の凹部に蓋をするように透光性樹脂３０が配置されている。そして、透光性樹脂３０に設けられた開口部において、透光性樹脂３０上に配置された第２の電極４２と第２の半導体層２３とが接続されている。
【００５２】
図１８に示した発光装置１では、支持樹脂１０の凹部内に第２の電極４２が配置されていない。このため、図１に示した発光装置１とは異なり、第２の電極４２と発光層２２、第１の半導体層２１及び第１の電極４１とを絶縁分離するための絶縁膜５０が凹部内に配置されていない。また、反射膜６０が凹部内に配置されていない。
【００５３】
図１９〜図２３を参照して、図１８に示した発光装置１の製造方法を説明する。なお、以下に述べる発光装置１の製造方法は一例であり、この変形例を含めて、これ以外の種々の製造方法により実現可能であることはもちろんである。
【００５４】
図４〜図６を参照して説明した方法と同様にして、犠牲基板１００上に第２の半導体層２３、発光層２２及び第１の半導体層２１を順次積層した後、分離溝１１０を形成する。その後、図１９に示すように、第１の半導体層２１上に第１の電極４１を形成する。
【００５５】
次いで、図２０に示すように、分離溝１１０を埋め込むようにして、第１の電極４１を覆って支持樹脂１０を形成する。そして、図２１に示すように、第１の電極４１の表面が露出するまで、支持樹脂１０の表面をバックグラインド工程によってエッチングする。
【００５６】
その後、図２２に示すように、犠牲基板１００を除去する。なお、図２２〜図２３では、図２１までとは図面の向きを上下反転している。例えばバックグラインド工程によって犠牲基板１００を除去して、第２の半導体層２３の表面を露出させる。この後、露出した第２の半導体層２３の表面を粗面化してもよい。
【００５７】
次に、第２の半導体層２３上に透光性樹脂３０を形成する。そして、図２３に示すように、透光性樹脂３０の一部を選択的に除去して開口部３００を設け、第２の半導体層２３の表面の一部を露出させる。そして、透光性樹脂３０の開口部３００を埋め込んで第２の電極４２を形成する。次いで、図２３に破線で示したように、ダイス分離工程において分離溝１１０に形成された支持樹脂１０を垂直方向に切断する。
【００５８】
以上により、第２の電極４２が第２の半導体層２３上に配置され、第１の電極４１と第２の電極４２とが発光素子２０を挟んで配置された、図１８に示した発光装置１が完成する。
【００５９】
なお、第１の電極４１に高反射材料を使用してもよい。これにより、第１の電極４１を発光素子２０の出射光の反射に利用して、出力光Ｌの輝度向上に利用できる。
【００６０】
本発明の第２の実施形態に係る発光装置１によれば、第１の実施形態に係る発光装置１よりも製造工程を削減することができる。つまり、支持基板やフレームのない小型化が容易な発光装置１を容易に製造することができる。
【００６１】
他は、第１の実施形態と実質的に同様であり、重複した記載を省略する。例えば、図１５に示した発光装置１と同様に、支持樹脂１０の凹部の内壁面に側壁反射膜６０Ａを配置してもよい。また、図１６に示した発光装置１と同様に、支持樹脂１０の凹部をテーパ形状にしてもよい。
【００６２】
（その他の実施形態）
上記のように、本発明は実施形態によって記載したが、この開示の一部をなす論述及び図面はこの発明を限定するものであると理解すべきではない。この開示から当業者には様々な代替実施形態、実施例及び運用技術が明らかとなろう。
【００６３】
例えば、支持樹脂１０の凹部に埋め込まれた発光素子２０が１つである例を示したが、発光装置１が複数の発光素子２０を備えてもよい。
【００６４】
このように、本発明はここでは記載していない様々な実施形態等を含むことは勿論である。したがって、本発明の技術的範囲は上記の説明から妥当な特許請求の範囲に係る発明特定事項によってのみ定められるものである。
【符号の説明】
【００６５】
１…発光装置
１０…支持樹脂
２０…発光素子
２１…第１の半導体層
２２…発光層
２３…第２の半導体層
３０…透光性樹脂
３１…蛍光体樹脂
３２…透明樹脂
４１…第１の電極
４２…第２の電極
５０…絶縁膜
６０…反射膜
６０Ａ…側壁反射膜
１００…犠牲基板
１１０…分離溝
２００…光取り出し面
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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