(57)【要約】【課題】トランジスターと画素電極とを接続するコンタクト領域（表示に寄与しない領域）の面積を小さくする。【解決手段】第３トランジスター２３に接続された第１の中継電極７と、第１の中継電極７を覆う層間絶縁層２５と、層間絶縁層２５に接して設けられた電源線１４と、電源線１４の表面上であって画素電極３１側に積層された第１の絶縁膜１と、壁面ＣＴ１ａを有する第１の開口部ＣＴ１と、壁面ＣＴ１ａを覆う第２の絶縁膜２と、第２の絶縁膜２を挟んで第１の開口部ＣＴ１の内側に形成された第２の開口部ＣＴ２と、少なくとも第２の開口部ＣＴ２の内側を覆う第２の中継電極８と、第２の中継電極８の内面側に充填された導電材料９と、を備え、画素電極３１は、平面視で少なくとも第１の開口部ＣＴ１を覆い、第２の開口部ＣＴ２の内側に設けられた導電材料９と第２の中継電極８とを介して、第１の中継電極７に電気的に接続されていることを特徴とする。【選択図】図５
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
トランジスターが設けられた基材と、前記基材の第１面の側に配置され、前記トランジスターで駆動される表示用の画素電極と、を有する電気光学装置であって、
前記トランジスターに電気的に接続された第１の中継電極と、
前記第１の中継電極を覆う層間絶縁層と、
前記層間絶縁層と前記画素電極との間で、前記層間絶縁層に接して設けられた導電層と、
前記導電層の表面上であって、前記画素電極側に積層された第１の絶縁膜と、
前記第１面から前記画素電極に向かう第１の方向に沿った壁面を有し、前記第１の絶縁膜と前記導電膜とを貫く第１の開口部と、
前記壁面を覆う第２の絶縁膜と、
前記第２の絶縁膜を挟んで前記第１の開口部の内側に形成された第１の部分と、前記第１の部分に連続して形成され前記第１の中継電極に至る第２の部分と、からなる第２の開口部と、
少なくとも前記第２の開口部の内側を覆う第２の中継電極と、
前記第２の中継電極の内面側に充填された導電材料と、
を備え、
前記画素電極は、平面視で少なくとも前記第１の開口部を覆い、前記第２の開口部の内側に設けられた前記導電材料と前記第２の中継電極とを介して、前記第１の中継電極に電気的に接続されていることを特徴とする電気光学装置。
【請求項２】
前記第２の中継電極は、平面視で前記第１の開口部よりも広く設けられていることを特徴とする請求項１に記載の電気光学装置。
【請求項３】
前記導電層は、光反射性の材料で構成され、
前記基材の前記第１面の側には、前記第１の方向に沿って前記導電層と、光学的距離調整層と、前記画素電極と、発光機能層と、対向電極とがこの順に積層された発光領域が配置され、
前記光学的距離調整層は、第１の層厚の部分と、前記第１の層厚の部分よりも厚い第２の層厚の部分と、前記第２の層厚の部分よりも厚い第３の層厚の部分と、を有し、
前記画素電極は、前記第１の層厚の部分に設けられた第１の画素電極と、前記第２の層厚の部分に設けられた第２の画素電極と、前記第３の層厚の部分に設けられた第３の画素電極と、を備えていることを特徴とする請求項１または２に記載の電気光学装置。
【請求項４】
前記第１の絶縁膜は、前記画素電極が配置された領域に亘って設けられ、前記光学的距離調整層の一部をなしていることを特徴とする請求項３に記載の電気光学装置。
【請求項５】
前記第１の絶縁膜は、平面視で前記第２の中継電極の外縁と前記第１の開口部との間に配置されていることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載の電気光学装置。
【請求項６】
前記光学的距離調整層は、前記第１の方向に沿って順に積層された、前記第１の絶縁膜と、第３の絶縁膜と、第４の絶縁膜とを有し、
前記第１の層厚の部分は、前記第１の絶縁膜で構成され、
前記第２の層厚の部分は、前記第１の絶縁膜と前記第４の絶縁膜とで構成され、
前記第３の層厚の部分は、前記第１の絶縁膜と前記第３の絶縁膜と前記第４の絶縁膜とで構成され、
前記第３の絶縁膜の構成材料及び前記第４の絶縁膜の構成材料は、酸化シリコンであることを特徴とする請求項３または４に記載の電気光学装置。
【請求項７】
前記光学的距離調整層は、前記第１の方向に沿って順に積層された、第５の絶縁膜と、第６の絶縁膜と、第７の絶縁膜とを有し、
前記第１の層厚の部分は、前記第５の絶縁膜で構成され、
前記第２の層厚の部分は、前記第５の絶縁膜と前記第７の絶縁膜とで構成され、
前記第３の層厚の部分は、前記第５の絶縁膜と前記第６の絶縁膜と前記第７の絶縁膜とで構成され、
前記第５の絶縁膜の構成材料は窒化シリコンであり、前記第６の絶縁膜及び前記第７の絶縁膜の構成材料は酸化シリコンであることを特徴とする請求項３または５に記載の電気光学装置。
【請求項８】
前記光学的距離調整層は、前記第１の方向に沿って順に積層された、第８の絶縁膜と、第９の絶縁膜と、第１０の絶縁膜とを有し、
前記第１の層厚の部分は、前記第１０絶縁膜で構成され、
前記第２の層厚の部分は、前記第９の絶縁膜と前記第１０の絶縁膜とで構成され、
前記第３の層厚の部分は、前記第８の絶縁膜と前記第９の絶縁膜と前記第１０の絶縁膜とで構成され、
前記第８の絶縁膜及び前記第９の絶縁膜の構成材料は酸化シリコンであり、前記第１０の絶縁膜の構成材料は窒化シリコンであることを特徴とする請求項３または５に記載の電気光学装置。
【請求項９】
前記層間絶縁層は少なくとも酸化シリコン膜を含み、前記第１の絶縁膜及び前記第２の絶縁膜の構成材料は窒化シリコンであることを特徴とする請求項１乃至８のいずれか１項に記載の電気光学装置。
【請求項１０】
前記導電材料はタングステンであり、前記第２の中継電極は窒化チタンであることを特徴とする請求項１乃至９のいずれか１項に記載の電気光学装置。
【請求項１１】
請求項１乃至１０のいずれか１項に記載の電気光学装置を備えていることを特徴とする電子機器。
【請求項１２】
トランジスターが設けられた基材と、前記基材の第１面の側に配置され、前記トランジスターで駆動される表示用の画素電極と、を含む電気光学装置の製造方法であって、
前記トランジスターに電気的に接続された第１の中継電極と、前記第１の中継電極を覆う層間絶縁層と、前記層間絶縁層と前記画素電極との間に設けられた前記層間絶縁層に接する導電層と前記導電層に接する第１の絶縁膜と、を有し、
前記導電層と前記第１の絶縁膜とに、前記画素電極から前記第１面に向かう第２の方向の異方性エッチングを施し、前記導電層と前記第１の絶縁膜のエッチング面からなり前記第２の方向に沿った壁面が前記層間絶縁層に至ってなる第１の開口部を形成する工程と、
前記壁面を覆う部分と、前記層間絶縁層の表面を覆う部分とを有する第２の絶縁膜を形成する工程と、
前記第２の絶縁膜と前記層間絶縁層とに前記第２の方向の異方性エッチングを施し、前記第１の開口部内であって、前記第２の絶縁膜のエッチング面が前記層間絶縁膜まで至ってなる第１の部分と、前記層間絶縁層のエッチング面が前記第１の部分に連続し、且つ前記第１の中継電極に至ってなる第２の部分とからなる第２の開口部を形成する工程と、
前記第２の開口部の内側を覆い、平面視で前記第１の開口部よりも広い第２の中継電極を形成する工程と、
前記第２の中継電極の内面側に導電材料を充填する工程と、
平面視で少なくとも前記第１の開口部を覆い、少なくとも前記導電材料に接する前記画素電極を形成する工程と、
を有していることを特徴とする電気光学装置の製造方法。
【請求項１３】
前記第２の中継電極を形成する工程では、前記第２の中継電極と前記導電層との間からはみ出した前記第１の絶縁膜もエッチングすることを特徴とする請求項１２に記載の電気光学装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電気光学装置、当該電気光学装置の製造方法、及び当該電気光学装置が搭載された電子機器に関する。
【背景技術】
【０００２】
電気光学装置の一例として、例えば有機エレクトロルミネッセンス（以降、有機ＥＬと称す）素子を有する画素がマトリックス状に配置された有機ＥＬ装置が提案されている（特許文献１）。
特許文献１に記載の有機ＥＬ装置は、画素電極と発光機能層と共通電極とが積層された部分（発光部）や、駆動用トランジスターのソース電極と電極（中継電極）と画素電極とが積層された部分（コンタクト部）などを有し、当該コンタクト部において駆動用トランジスターから画素電極に信号が供給され、発光部の発光機能層が発光する。画素電極、駆動用トランジスター、及び中継電極などは、フォトリソグラフィ法、すなわちレジスト塗布〜露光（アライメント）〜現像〜エッチングなどのフォトエッチ工程を経て形成される。さらに、特許文献１に記載の有機ＥＬ装置では、補助配線によって共通電極が低抵抗化されているので、表示ムラのない高性能な表示が提供されるとしている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００９−１９９８６８号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
画素電極と発光機能層と共通電極とが積層された発光部は、表示に寄与する領域となり、ソース電極と中継電極と画素電極とが積層されたコンタクト部は、表示に寄与しない領域になる。明るい表示を実現するためには、表示に寄与する領域（発光部）を大きくし、表示に寄与しない領域（コンタクト部）を小さくする必要がある。コンタクト部は、レジスト塗布〜露光（アライメント）〜現像〜エッチングなどのフォトエッチ工程を経て形成されているために、例えば露光装置の状態や基板の熱収縮などが影響して、アライメント誤差や寸法ばらつきなどが発生する。このため、コンタクト部の構成要素（電極、コンタクトホールなど）を、当該アライメント誤差や当該寸法ばらつきなどの影響を受けにくい余裕のある寸法（大きな寸法）で形成する必要があった。従って、コンタクト部の寸法を小さくすると、上記アライメント誤差や寸法ばらつきなどの影響を受けて電気的な特性（例えば、コンタクト抵抗）が変動する恐れがあるので、微小なコンタクト部を形成することが難しいという課題があった。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本発明は、上述した課題の少なくとも一部を解決するためになされたものであり、以下の形態または適用例として実現することが可能である。
【０００６】
［適用例１］本適用例に係る電気光学装置は、トランジスターが設けられた基材と、前記基材の第１面の側に配置され、前記トランジスターで駆動される表示用の画素電極と、を有する電気光学装置であって、前記トランジスターに電気的に接続された第１の中継電極と、前記第１の中継電極を覆う層間絶縁層と、前記層間絶縁層と前記画素電極との間で前記層間絶縁層に接して設けられた導電層と、前記導電層の表面上であって前記画素電極側に積層された第１の絶縁膜と、前記第１面から前記画素電極に向かう第１の方向に沿った壁面を有し、前記第１の絶縁膜と前記導電膜とを貫く第１の開口部と、前記壁面を覆う第２の絶縁膜と、前記第２の絶縁膜を挟んで前記第１の開口部の内側に形成された第１の部分と、前記第１の部分に連続して形成され前記第１の中継電極に至る第２の部分と、からなる第２の開口部と、少なくとも前記第２の開口部の内側を覆う第２の中継電極と、前記第２の中継電極の内面側に充填された導電材料と、を備え、前記画素電極は、平面視で少なくとも前記第１の開口部を覆い、前記第２の開口部の内側に設けられた前記導電材料と前記第２の中継電極とを介して、前記第１の中継電極に電気的に接続されていることを特徴とする。
【０００７】
本適用例に係る電気光学装置は、第１の絶縁膜及び導電膜の壁面で構成される第１の開口部と、第１の開口部の内側に形成された第２の絶縁膜の壁面（第１の部分）と層間絶縁層の壁面（第２の部分）とで構成された第２の開口部と、を有している。つまり、第２の開口部は、第２の絶縁膜を挟んで第１の開口部の内側に設けられ、第１の開口部と第２の開口部との間の寸法は、第２の絶縁膜の膜厚（第１の方向に交差する方向の寸法）となる。このため、第２の開口部の開口寸法（第１の方向に交差する方向の寸法）は、第１の開口部の開口寸法（第１の方向に交差する方向の寸法）から、第２の絶縁膜の膜厚の２倍の寸法を差し引いた寸法となる。このように、本適用例に係る電気光学装置は、第１の開口部の開口寸法と第２の絶縁膜の膜厚とで、第２の開口部の開口寸法が自動的に（自己整合的に）決定される構成を有している。
【０００８】
例えば、フォトエッチ工程を用いて、第１の開口部の内側に第２の開口部を形成する場合、露光装置のアライメント誤差の影響を回避するために、第１の開口部と第２の開口部との間の寸法を、少なくとも上記アライメント誤差よりも大きな寸法に設定する必要がある。つまり、第１の開口部と第２の開口部との間の寸法を、第２の絶縁膜の膜厚に加えてアライメント誤差を含む寸法に設定する必要がある。よって、本適用例に係る電気光学装置では、アライメント誤差を考慮して第１の開口部の内側に第２の開口部を形成する必要がないため、フォトエッチ工程を用いて形成した場合と比べて、第１の開口部と第２の開口部との間の寸法（間隔）を小さくできる。例えば、公知技術で形成可能な最小寸法で第１の開口部を形成した場合、第２の開口部は、第２の絶縁膜を挟んで、第１の開口部の内側に自動的に（自己整合的に）形成されるので、最小寸法の第１の開口部の内側にさらに小さい第２の開口部（コンタクトホール）を高精度に形成できる。
【０００９】
第２の開口部は、画素電極と第１の中継電極とを電気的に接続するためのコンタクトホールである。上述したように、本適用例に係る電気光学装置は、フォトエッチ工程を用いて形成した場合と比べて、より小さな第２の開口部（コンタクトホール）を形成できる構成を有している。従って、本適用例に係る電気光学装置は、画素電極と第１の中継電極とを電気的に接続するコンタクト部、つまり表示に寄与しない領域を小さくし、表示に寄与する領域を大きくすることができるので、より明るい表示を提供することができる。
【００１０】
［適用例２］上記適用例に係る電気光学装置では、前記第２の中継電極は、平面視で前記第１の開口部よりも広く設けられていることが好ましい。
【００１１】
トランジスターから画素電極に供給される信号によって、画素電極の側で光の発光や変調などが生じる。また、トランジスターは、第１の開口部を挟んで、画素電極が配置された側（光の発光や変調が生じる側）と反対側に配置されている。第１の開口部は、平面視で第１の開口部よりも広く設けられた第２の中継電極によって遮光されているので、上述した光の発光や変調などが、第１の開口部を通過して、トランジスターの動作に悪影響を及ぼすことが抑制される。
【００１２】
［適用例３］上記適用例に係る電気光学装置では、前記導電層は光反射性の材料で構成され、前記基材の前記第１面の側には、前記第１の方向に沿って前記導電層と、光学的距離調整層と、前記画素電極と、発光機能層と、対向電極とがこの順に積層された発光領域が配置され、前記光学的距離調整層は、第１の層厚の部分と、前記第１の層厚の部分よりも厚い第２の層厚の部分と、前記第２の層厚の部分よりも厚い第３の層厚の部分と、を有し、前記画素電極は、前記第１の層厚の部分に設けられた第１の画素電極と、前記第２の層厚の部分に設けられた第２の画素電極と、前記第３の層厚の部分に設けられた第３の画素電極と、を備えていることが好ましい。
【００１３】
本適用例に係る電気光学装置は、光反射性の導電層（光反射層）と光学的距離調整層と画素電極と発光機能層と対向電極とがこの順に積層された光共振構造を有している。このため、発光機能層で発した光は、光反射層と対向電極との間を往復し、光反射層と対向電極との間の光学的な距離に応じて共振し、特定波長の光が増幅される。光学的な距離は、光学的距離調整層の層厚によって変化する。光学的距離調整層は、第１の層厚の部分と第２の層厚の部分と第３の層厚の部分とを有しているので、３種類の共振波長の光が発せられる。例えば、青、緑、赤の３種類の波長の光が増幅されるように、光学的距離調整層の膜厚を設定することで、発光機能層で発した青、緑、赤の光の色純度を高め、鮮やかな表示を提供することができる。
【００１４】
［適用例４］上記適用例に係る電気光学装置では、前記第１の絶縁膜は、前記画素電極が配置された領域に亘って設けられ、前記光学的距離調整層の一部をなしていることが好ましい。
【００１５】
第１の絶縁膜は、光学的距離調整層の一部をなしているので、第１の絶縁膜とは別に光学的距離調整層を形成する場合と比べて、光学的距離調整層を形成する工程を簡略化することができる。
【００１６】
［適用例５］上記適用例に係る電気光学装置では、前記第１の絶縁膜は、平面視で前記第２の中継電極の外縁と前記第１の開口部との間に配置されていることが好ましい。
【００１７】
第１の絶縁膜は、平面視で第２の中継電極の外縁と第１の開口部との間に配置されている。つまり、光反射層と画素電極との間に配置される光学的距離調整層は、第１の絶縁膜を含まない。よって、第１の絶縁膜を形成する過程で生じる膜厚の変動やバラツキなどが、光学的距離調整層に影響を及ぼすことがない。
【００１８】
［適用例６］上記適用例に係る電気光学装置では、前記光学的距離調整層は、前記第１の方向に沿って順に積層された、前記第１の絶縁膜と第３の絶縁膜と第４の絶縁膜とを有し、前記第１の層厚の部分は前記第１の絶縁膜で構成され、前記第２の層厚の部分は前記第１の絶縁膜と前記第４の絶縁膜とで構成され、前記第３の層厚の部分は前記第１の絶縁膜と前記第３の絶縁膜と前記第４の絶縁膜とで構成され、前記第３の絶縁膜の構成材料及び前記第４の絶縁膜の構成材料は、酸化シリコンであることが好ましい。
【００１９】
第１の層厚の部分は第１の絶縁膜で構成され、第２の層厚の部分は第１の絶縁膜と第４の絶縁膜（酸化シリコン）とで構成され、第３の層厚の部分は第１の絶縁膜と第３の絶縁膜（酸化シリコン）と第４の絶縁膜（酸化シリコン）とで構成されている。酸化シリコンは優れた光学特性（例えば、光の透過率）を有するので、少なくとも酸化シリコンを有する第２の層厚の部分及び第３の層厚の部分も、優れた光学特性を有する。
【００２０】
［適用例７］上記適用例に係る電気光学装置では、前記光学的距離調整層は、前記第１の方向に沿って順に積層された、第５の絶縁膜と第６の絶縁膜と第７の絶縁膜とを有し、前記第１の層厚の部分は前記第５の絶縁膜で構成され、前記第２の層厚の部分は前記第５の絶縁膜と前記第７の絶縁膜とで構成され、前記第３の層厚の部分は前記第５の絶縁膜と前記第６の絶縁膜と前記第７の絶縁膜とで構成され、前記第５の絶縁膜の構成材料は窒化シリコンであり、前記第６の絶縁膜及び前記第７の絶縁膜の構成材料は酸化シリコンであることが好ましい。
【００２１】
第１の層厚の部分は第５の絶縁膜（窒化シリコン）で構成され、第２の層厚の部分は第５の絶縁膜（窒化シリコン）と第７の絶縁膜（酸化シリコン）とで構成され、第３の層厚の部分は第５の絶縁膜（窒化シリコン）と第６の絶縁膜（酸化シリコン）と第７の絶縁膜（酸化シリコン）とで構成されている。窒化シリコン及び酸化シリコンは優れた光学特性（例えば、光の透過率）を有するので、第１の層厚の部分、第２の層厚の部分、及び第３の層厚の部分も、優れた光学特性を有する。
【００２２】
［適用例８］上記適用例に係る電気光学装置では、前記光学的距離調整層は、前記第１の方向に沿って順に積層された、第８の絶縁膜と第９の絶縁膜と第１０の絶縁膜とを有し、前記第１の層厚の部分は前記第１０絶縁膜で構成され、前記第２の層厚の部分は前記第９の絶縁膜と前記第１０の絶縁膜とで構成され、前記第３の層厚の部分は前記第８の絶縁膜と前記第９の絶縁膜と前記第１０の絶縁膜とで構成され、前記第８の絶縁膜及び前記第９の絶縁膜の構成材料は酸化シリコンであり、前記第１０の絶縁膜の構成材料は窒化シリコンであることが好ましい。
【００２３】
第１の層厚の部分は第１０絶縁膜（窒化シリコン）で構成され、第２の層厚の部分は第９の絶縁膜（酸化シリコン）と第１０の絶縁膜（窒化シリコン）とで構成され、第３の層厚の部分は第８の絶縁膜（酸化シリコン）と第９の絶縁膜（酸化シリコン）と第１０の絶縁膜（窒化シリコン）とで構成されている。窒化シリコン及び酸化シリコンは優れた光学特性（例えば、光の透過率）を有するので、第１の層厚の部分、第２の層厚の部分、及び第３の層厚の部分も、優れた光学特性を有する。
【００２４】
［適用例９］上記適用例に係る電気光学装置では、前記層間絶縁層は少なくとも酸化シリコン膜を含み、前記第１の絶縁膜及び前記第２の絶縁膜の構成材料は窒化シリコンであることが好ましい。
【００２５】
酸化シリコン及び窒化シリコンは、加工性に優れ、例えばドライエッチング法によって容易に微細パターンを形成することができる。よって、ドライエッチング法によって、少なくとも第１の絶縁膜（窒化シリコン）を貫き、微小な第１の開口部を形成することができる。さらに、ドライエッチング法によって、第２の絶縁膜（窒化シリコン）と少なくとも酸化シリコン膜を含む層間絶縁層とを貫き、第１の開口部の内側に微小な第２の開口部を形成することができる。
【００２６】
［適用例１０］上記適用例に係る電気光学装置では、前記導電材料はタングステンであり、前記第２の中継電極は窒化チタンであることが好ましい。
【００２７】
タングステンは、加工性や耐熱性に優れ、第２の中継電極の内面を充填する材料（導電材料）として好ましい。窒化チタンは、第１の中継電極及び導電材料との密着性に優れ、且つ第１の中継電極を構成する材料と導電材料を構成する材料との相互拡散を抑制する。従って、第１の中継電極と導電材料との間に窒化チタン（第２の中継電極）を配置することで、電気的な接続が安定したコンタクト部が形成される。
【００２８】
［適用例１１］本適用例に係る電子機器は、上記適用例に記載の電気光学装置を備えていることを特徴とする。
【００２９】
本適用例に係る電子機器は、上記適用例に記載の電気光学装置を備え、電気光学装置に設けられた小さなコンタクト部と光共振構造とによって、明るく鮮やかな表示を提供することができる。例えば、ヘッドマウントディスプレイ、ヘッドアップディスプレイ、デジタルカメラの電子ビューファインダー、携帯型情報端末、ナビゲーターなどの表示部を有する電子機器に、上記適用例に記載の電気光学装置を適用することができる。
【００３０】
［適用例１２］本適用例に係る電気光学装置の製造方法は、トランジスターが設けられた基材と、前記基材の第１面の側に配置され、前記トランジスターで駆動される表示用の画素電極と、を含む電気光学装置の製造方法であって、前記トランジスターに電気的に接続された第１の中継電極と、前記第１の中継電極を覆う層間絶縁層と、前記層間絶縁層と前記画素電極との間に設けられた前記層間絶縁層に接する導電層と前記導電層に接する第１の絶縁膜と、を有し、前記導電層と前記第１の絶縁膜とに、前記画素電極から前記第１面に向かう第２の方向の異方性エッチングを施し、前記導電層と前記第１の絶縁膜のエッチング面からなり前記第２の方向に沿った壁面が前記層間絶縁層に至ってなる第１の開口部を形成する工程と、前記壁面を覆う部分と、前記層間絶縁層の表面を覆う部分とを有する第２の絶縁膜を形成する工程と、前記第２の絶縁膜と前記層間絶縁層とに前記第２の方向の異方性エッチングを施し、前記第１の開口部内であって、前記第２の絶縁膜のエッチング面が前記層間絶縁膜まで至ってなる第１の部分と、前記層間絶縁層のエッチング面が前記第１の部分に連続し、且つ前記第１の中継電極に至ってなる第２の部分とからなる第２の開口部を形成する工程と、前記第２の開口部の内側を覆い、平面視で前記第１の開口部よりも広い第２の中継電極を形成する工程と、前記第２の中継電極の内面側に導電材料を充填する工程と、平面視で少なくとも前記第１の開口部を覆い、少なくとも前記導電材料に接する前記画素電極を形成する工程と、を有していることを特徴とする。
【００３１】
第２の絶縁膜は、第２の方向に沿った壁面を覆う部分と、層間絶縁層の表面を覆う部分とを有する。さらに、壁面と層間絶縁層の表面とを略同等の厚さ（膜厚）の第２の絶縁膜で覆うと、壁面を覆う部分の第２の絶縁膜において、第２の方向に沿った寸法は、第１の絶縁膜の膜厚と導電層の膜厚と第２の絶縁膜の膜厚とを足した寸法となり、第２の方向に交差する方向の寸法は、第２の絶縁膜の膜厚に対応する寸法となる。層間絶縁層の表面を覆う部分の第２の絶縁膜において、第２の方向に沿った寸法は、第２の絶縁膜の膜厚に対応する寸法となる。よって、壁面を覆う部分の第２の絶縁膜の第２の方向に沿った寸法は、層間絶縁層の表面を覆う部分の第２の絶縁膜の第２の方向に沿った寸法よりも大きくなる。このように、第２の絶縁膜は、第２の方向に沿って大きな寸法の部分（壁面を覆う部分）と、第２の方向に沿って小さな寸法の部分（層間絶縁層の表面を覆う部分）とを有する。
【００３２】
第２の絶縁膜と層間絶縁層とに第２の方向の異方性エッチングを施すと、第２の方向に沿って大きな寸法の部分の第２の絶縁膜と比べて、第２の方向に沿って小さな寸法の部分の第２の絶縁膜が早く除去されるので、第２の方向に沿って大きな寸法の部分の第２の絶縁膜をエッチングマスクとして、第２の方向に沿って小さな寸法の部分の第２の絶縁膜を貫く開口が形成される。当該開口によって層間絶縁層が露出すると、層間絶縁層も第２の方向にエッチングされ、層間絶縁膜を貫く開口が形成される。すなわち、第２の方向に沿って大きな寸法の部分の第２の絶縁膜をエッチングマスクとして、第２の方向に沿って大きな寸法の部分の第２の絶縁膜の内側に、第２の絶縁膜と層間絶縁膜とを貫く開口（第２の開口部）を形成することができる。
なお、第２の方向に交差する方向のエッチングは抑制されているので、第２の方向に沿って大きな寸法の部分の第２の絶縁膜（壁面を覆う部分の第２の絶縁膜）において、第２の方向に交差する方向の寸法は、殆ど変化せず、第２の絶縁膜の膜厚に相当する寸法が維持される。
【００３３】
よって、第１の開口部内であって、第２の絶縁膜のエッチング面が層間絶縁膜まで至ってなる第１の部分と、第１の部分に連続し第１の中継電極に至ってなる第２の部分（層間絶縁層のエッチング面）とからなる第２の開口部を形成することができる。つまり、壁面を覆う部分の第２の絶縁膜を挟んで、第１の開口部の内側に、第２の絶縁膜と層間絶縁膜とを貫く第２の開口部を形成することができる。
【００３４】
このように、第２の開口部を形成する工程は、フォトエッチ工程を含まず、壁面を覆う部分の第２の絶縁膜をエッチングマスクとして、第２の開口部が第１の開口部の内側に自動的に（自己整合的に）形成される。よって、当該第２の開口部を形成する工程は、フォトエッチ工程の影響（例えば、アライメント誤差）が除外されるので、フォトエッチ工程を用いる場合と比べて、小さい開口寸法の第２の開口部を高精度に形成することができる。
【００３５】
第２の開口部は、画素電極と第１の中継電極とを電気的に接続するためのコンタクトホールである。上述したように、本適用例に係る製造方法では、フォトエッチ工程を用いて形成した場合と比べて、より小さな第２の開口部（コンタクトホール）を形成できる。従って、本適用例に係る製造方法では、画素電極と第１の中継電極とを電気的に接続するコンタクト部、つまり表示に寄与しない領域を小さくし、表示に寄与する領域を大きくすることができるので、より明るい表示を提供することができる。
【００３６】
［適用例１３］上記適用例に係る電気光学装置の製造方法において、前記第２の中継電極を形成する工程では、前記第２の中継電極と前記導電層との間からはみ出した前記第１の絶縁膜もエッチングすることが好ましい。
【００３７】
第２の中継電極と導電層との間の第１の絶縁膜は、画素電極とトランジスターとを電気的に接続するコンタクト部の構成要素の一部となる。一方、第２の中継電極と導電層との間からはみ出した第１の絶縁膜は、上記コンタクト部と別の場所に設けられ、画素電極とトランジスターとを電気的に接続するコンタクト部に影響しない余分な構成要素であるので、エッチング除去することが好ましい。
【図面の簡単な説明】
【００３８】
【図１】実施形態１に係る有機ＥＬ装置の構成を示す概略平面図。
【図２】実施形態１に係る有機ＥＬ装置の電気的な構成を示す等価回路図。
【図３】発光画素の概略平面図。
【図４】図３のＡ−Ａ’線に沿った発光領域の概略断面図。
【図５】図３のＢ−Ｂ’線に沿った画素コンタクトが設けられた領域の概略断面図。
【図６】実施形態１に係る有機ＥＬ装置の製造方法を示す工程フロー。
【図７】各工程を経た後の有機ＥＬ装置の状態を示す概略断面図。
【図８】各工程を経た後の有機ＥＬ装置の状態を示す概略断面図。
【図９】実施形態２に係る有機ＥＬ装置の発光領域の概略断面図。
【図１０】実施形態２に係る有機ＥＬ装置の画素コンタクトの概略断面図。
【図１１】実施形態２に係る有機ＥＬ装置の製造方法を示す工程フロー。
【図１２】各工程を経た後の有機ＥＬ装置の状態を示す概略断面図。
【図１３】各工程を経た後の有機ＥＬ装置の状態を示す概略断面図。
【図１４】実施形態３に係る有機ＥＬ装置の発光領域の概略断面図。
【図１５】実施形態３に係る有機ＥＬ装置の画素コンタクトの概略断面図。
【図１６】実施形態３に係る有機ＥＬ装置の製造方法を示す工程フロー。
【図１７】各工程を経た後の有機ＥＬ装置の状態を示す概略断面図。
【図１８】各工程を経た後の有機ＥＬ装置の状態を示す概略断面図。
【図１９】ヘッドマウントディスプレイの概略図。
【発明を実施するための形態】
【００３９】
以下、図面を参照して、本発明の実施形態について説明する。かかる実施形態は、本発明の一態様を示すものであり、この発明を限定するものではなく、本発明の技術的思想の範囲内で任意に変更可能である。また、以下の各図においては、各層や各部位を図面上で認識可能な程度の大きさとするため、各層や各部位の縮尺を実際とは異ならせしめてある。
【００４０】
（実施形態１）
「有機ＥＬ装置の概要」
実施形態１に係る有機ＥＬ装置１００は、電気光学装置の一例であり、表示光の色純度を高めることができる光共振構造を有している。
まず、本実施形態に係る有機ＥＬ装置１００の概要について、図１乃至図３を参照して説明する。図１は有機ＥＬ装置の構成を示す概略平面図であり、図２は有機ＥＬ装置の電気的な構成を示す等価回路図であり、図３は発光画素の概略平面図である。
なお、図３では、説明に必要な構成要素が図示され、他の構成要素の図示が省略されている。また、図３における二点鎖線は、発光画素２０の輪郭を示している。
【００４１】
図１に示すように、本実施形態に係る有機ＥＬ装置１００は、素子基板１０と、封止基板７０とを有している。両基板は、後述する樹脂層７１（図４参照）によって接着されている。
素子基板１０には、表示領域Ｅにマトリックス状に配置された複数の発光画素２０Ｂ，２０Ｇ，２０Ｒ、複数の発光画素２０Ｂ，２０Ｇ，２０Ｒを駆動制御する周辺回路（データ線駆動回路１０１、走査線駆動回路１０２）、外部回路との電気的な接続を図るための外部接続用端子１０３などが配置されている。
【００４２】
素子基板１０の第１辺に沿って、複数の外部接続用端子１０３が配列されている。複数の外部接続用端子１０３と表示領域Ｅとの間には、データ線駆動回路１０１が設けられている。該第１辺と直交し互いに対向する他の第２辺、第３辺と表示領域Ｅとの間には、走査線駆動回路１０２が設けられている。
【００４３】
以降、該第１辺に沿った方向をＸ方向、該第１辺と直交し互いに対向する他の２辺（第２辺、第３辺）に沿った方向をＹ方向、及び素子基板１０から封止基板７０に向かう方向をＺ（＋）方向として説明する。
なお、素子基板１０から封止基板７０に向かうＺ（＋）方向は、本発明における「第１の方向」の一例である。封止基板７０から素子基板１０に向かうＺ（−）方向は、本発明における「第２の方向」の一例である。
【００４４】
封止基板７０は、素子基板１０よりも小さく、外部接続用端子１０３が露出されるように配置されている。封止基板７０は、透光性の絶縁基板であり、石英基板やガラス基板などを使用することができる。封止基板７０は、表示領域Ｅに配置された後述する有機ＥＬ素子３０（図２参照）が傷つかないように保護する役割を有し、表示領域Ｅよりも広く設けられている。
【００４５】
有機ＥＬ装置１００は、青色（Ｂ）の発光が得られる発光画素２０Ｂと、緑色（Ｇ）の発光が得られる発光画素２０Ｇと、赤色（Ｒ）の発光が得られる発光画素２０Ｒとを有している。さらに、発光画素２０Ｂは画素電極３１Ｂを有し、発光画素２０Ｇは画素電極３１Ｇを有し、発光画素２０Ｒは画素電極３１Ｒを有している。有機ＥＬ装置１００では、Ｘ方向に配置された発光画素２０Ｂと発光画素２０Ｇと発光画素２０Ｒとが表示単位Ｐとなって、フルカラーの表示が提供される。
なお、画素電極３１Ｂは本発明における「第１の画素電極」の一例であり、画素電極３１Ｇは本発明における「第２の画素電極」の一例であり、画素電極３１Ｒは本発明における「第３の画素電極」の一例である。
以降の説明では、発光画素２０Ｂ，２０Ｇ，２０Ｒをまとめて発光画素２０と称する場合、及び画素電極３１Ｂ，３１Ｇ，３１Ｒをまとめて画素電極３１と称する場合がある。
【００４６】
Ｙ方向には、同じ色の発光が得られる発光画素２０が配置されている。つまり、青色（Ｂ）の発光が得られる発光画素２０Ｂ、緑色（Ｇ）の発光が得られる発光画素２０Ｇ、及び赤色（Ｒ）の発光が得られる発光画素２０Ｒは、それぞれＹ方向に繰り返し配置されている。
【００４７】
Ｘ方向には、異なる色の発光が得られる発光画素２０が、Ｂ，Ｇ，Ｒの順に繰り返し配置されている。なお、Ｘ方向における発光画素２０の配置は、Ｂ，Ｇ，Ｒの順でなくてもよく、例えばＲ，Ｇ，Ｂの順であってもよい。
【００４８】
透光性の光学的距離調整層２８が、外部接続用端子１０３の形成領域を除く素子基板１０の略全面に設けられている。
透光性の光学的距離調整層２８は、発光画素２０Ｂ（画素電極３１Ｂ）が配置される第１の領域２８Ｂと、発光画素２０Ｇ（画素電極３１Ｇ）が配置される第２の領域２８Ｇと、発光画素２０Ｒ（画素電極３１Ｒ）が配置される第３の領域２８Ｒとを有している。
【００４９】
第１の領域２８Ｂは、Ｙ方向に延在し、発光画素２０Ｂが配置される領域に設けられている。第２の領域２８Ｇは、Ｙ方向に延在し、発光画素２０Ｇが配置される領域に設けられている。第３の領域２８Ｒは、Ｙ方向に延在し、発光画素２０Ｒが配置される領域に設けられている。第１の領域２８Ｂ、第２の領域２８Ｇ、及び第３の領域２８ＲのＹ方向寸法は、表示領域ＥのＹ方向寸法と同じである。
なお、第１の領域２８Ｂ、第２の領域２８Ｇ、及び第３の領域２８ＲのＹ方向寸法は、表示領域ＥのＹ方向寸法より大きくてもよい。
【００５０】
第１の領域２８Ｂ、第２の領域２８Ｇ、第３の領域２８Ｒは、Ｘ方向においてこの順に繰り返して配置されている。第１の領域２８Ｂ、第２の領域２８Ｇ、及び第３の領域２８ＲのＸ方向寸法は、発光画素２０のＸ方向寸法と略同じである。
【００５１】
詳細は後述するが、第１の領域２８Ｂ、第２の領域２８Ｇ、及び第３の領域２８Ｒにおける光学的距離調整層２８の厚さ（膜厚）は、それぞれ異なる。つまり、第２の領域２８Ｇにおける光学的距離調整層２８の膜厚は、第１の領域２８Ｂにおける光学的距離調整層２８の膜厚よりも大きくなっている。第３の領域２８Ｒにおける光学的距離調整層２８の膜厚は、第２の領域２８Ｇにおける光学的距離調整層２８の膜厚よりも大きくなっている。このように、光学的距離調整層２８の膜厚は、第１の領域２８Ｂ、第２の領域２８Ｇ、第３の領域２８Ｒの順に大きくなっている。
なお、第１の領域２８Ｂの光学的距離調整層２８は本発明における「第１の層厚の部分」の一例であり、第２の領域２８Ｇの光学的距離調整層２８は本発明における「第２の層厚の部分」の一例であり、第３の領域２８Ｒの光学的距離調整層２８は本発明における「第３の層厚の部分」の一例である。
【００５２】
図２に示すように、素子基板１０には、発光画素２０に対応する信号線として、走査線１１、データ線１２、点灯制御線１３、及び電源線１４が設けられている。走査線１１と点灯制御線１３とはＸ方向に並行して延び、走査線駆動回路１０２（図１）に接続されている。データ線１２と電源線１４とはＹ方向に並行して延びている。データ線１２は、データ線駆動回路１０１（図１）に接続されている。電源線１４は、複数配置された外部接続用端子１０３のうちいずれかに接続されている。
【００５３】
走査線１１とデータ線１２とで区画された領域には、発光画素２０の画素回路を構成する第１トランジスター２１と、第２トランジスター２２と、第３トランジスター２３と、蓄積容量２４と、有機ＥＬ素子３０とが設けられている。
第３トランジスター２３は、本発明における「トランジスター」の一例である。
【００５４】
有機ＥＬ素子３０は、陽極である画素電極３１と、陰極である対向電極３３と、これら電極の間に挟まれた発光層を含む発光機能層３２とを有している。対向電極３３は、複数の発光画素２０に跨って設けられた共通電極である。対向電極３３には、例えば電源線１４に与えられる電源電圧Ｖｄｄに対して低電位の、基準電位ＶｓｓやＧＮＤの電位などが与えられている。
【００５５】
第１トランジスター２１及び第３トランジスター２３は、例えばｎチャネル型のトランジスターである。第２トランジスター２２は、例えばｐチャネル型のトランジスターである。
【００５６】
第１トランジスター２１のゲート電極は走査線１１に接続され、一方の電流端はデータ線１２に接続され、他方の電流端は第２トランジスター２２のゲート電極と、蓄積容量２４の一方の電極とに接続されている。
【００５７】
第２トランジスター２２の一方の電流端は、電源線１４に接続されると共に蓄積容量２４の他方の電極に接続されている。第２トランジスター２２の他方の電流端は、第３トランジスター２３の一方の電流端に接続されている。言い換えれば、第２トランジスター２２と第３トランジスター２３とは一対の電流端のうち１つの電流端を共有している。
【００５８】
第３トランジスター２３のゲート電極は点灯制御線１３に接続され、他方の電流端は有機ＥＬ素子３０の画素電極３１に接続されている。
以降の説明では、第３トランジスター２３と画素電極３１とが接続される部分を、画素コンタクトと称す。
第１トランジスター２１、第２トランジスター２２及び第３トランジスター２３のそれぞれにおける一対の電流端は、一方がソースであり、他方がドレインである。
【００５９】
このような画素回路において、走査線駆動回路１０２から走査線１１に供給される走査信号Ｙｉの電圧がＨｉレベルになると、ｎチャネル型の第１トランジスター２１がオン状態（ＯＮ）となる。オン状態（ＯＮ）の第１トランジスター２１を介してデータ線１２と蓄積容量２４とが電気的に接続される。そして、データ線駆動回路１０１からデータ線１２にデータ信号が供給されると、データ信号の電圧Ｖｄａｔａと電源線１４に与えられた電源電圧Ｖｄｄとの電位差に応じた電圧が蓄積容量２４に保持される。
【００６０】
走査線駆動回路１０２から走査線１１に供給される走査信号Ｙｉの電圧がＬｏｗレベルになると、ｎチャネル型の第１トランジスター２１がオフ状態（ＯＦＦ）となり、第２トランジスター２２のゲート・ソース間電圧Ｖｇｓは、電圧Ｖｄａｔａが与えられたときの電圧に保持される。また、走査信号ＹｉがＬｏｗレベルになった後に、点灯制御線１３に供給される点灯制御信号Ｖｇｉの電圧がＨｉレベルとなり、第３トランジスター２３がオン状態（ＯＮ）となる。そうすると、第２トランジスター２２のゲート・ソース間電圧Ｖｇｓ、つまり蓄積容量２４に保持された電圧に応じた電流が、電源線１４から第２トランジスター２２及び第３トランジスター２３を経由して、有機ＥＬ素子３０に供給される。
【００６１】
有機ＥＬ素子３０は、有機ＥＬ素子３０を流れる電流の大きさに応じて発光する。有機ＥＬ素子３０を流れる電流は、蓄積容量２４に保持された電圧（データ線１２の電圧Ｖｄａｔａと電源電圧Ｖｄｄとの電位差）、及び第３トランジスター２３がオン状態になる期間の長さによって変化し、有機ＥＬ素子３０の発光輝度が規定される。つまり、データ信号における電圧Ｖｄａｔａの値により、発光画素２０において画像情報に応じた輝度の階調性を与えることができる。
【００６２】
なお、本実施形態において、発光画素２０の画素回路は、３つのトランジスター２１，２２，２３を有することに限定されず、例えばスイッチング用トランジスターと駆動用トランジスターとを有する構成（二つのトランジスターを有する構成）としてもよい。また画素回路を構成するトランジスターは、ｎチャネル型のトランジスターでもよいし、ｐチャネル型のトランジスターでもよいし、ｎチャネル型のトランジスター及びｐチャネル型のトランジスターの双方を備えるものであってもよい。また、発光画素２０の画素回路を構成するトランジスターは、半導体基板にアクティブ層を有するＭＯＳ型トランジスターであってもよいし、薄膜トランジスターであってもよいし、電界効果トランジスターであってもよい。
【００６３】
また、走査線１１、データ線１２以外の信号線である点灯制御線１３、電源線１４の配置は、トランジスターや蓄積容量２４の配置により左右され、これに限定されるものではない。
本実施形態では、発光画素２０の画素回路を構成するトランジスターとして、半導体基板にアクティブ層を有するＭＯＳ型トランジスターを採用している。
【００６４】
「発光画素」
次に、図３を参照して、発光画素２０の概要を説明する。
図３に示すように、発光画素２０は、Ｚ（＋）方向に配置（積層）された、電源線１４と、光学的距離調整層２８と、画素電極３１と、誘電膜２９とを有している。
電源線１４は、表示領域Ｅの略全面に設けられ、発光画素２０毎に第１の開口部ＣＴ１を有している。第１の開口部ＣＴ１の内側には、第２の開口部ＣＴ２が設けられている。詳細は後述するが、電源線１４は、光反射性の導電材料で構成され、光反射膜としての機能を有する。
なお、電源線１４は、本発明における「導電層」の一例である。
【００６５】
光学的距離調整層２８は、電源線１４を覆うように設けられている。画素電極３１は、光学的距離調整層２８を挟んで、電源線１４に対向配置されている。画素電極３１は、Ｙ方向に長くなった矩形状を有し、平面視で第１の開口部ＣＴ１を覆うように設けられている。誘電膜２９は、画素電極３１の周縁部を覆うように設けられている。誘電膜２９は、画素電極３１の一部を露出させる開口２９Ｂ，２９Ｇ，２９Ｒを有している。開口２９Ｂ，２９Ｇ，２９Ｒも、画素電極３１と同じく、Ｙ方向に長くなった矩形状を有している。
【００６６】
誘電膜２９が設けられていない部分の画素電極３１、つまり開口２９Ｂ，２９Ｇ，２９Ｒで露出された画素電極３１は、発光機能層３２に接し、発光機能層３２に電流を供給し、発光機能層３２を発光させる。このため、誘電膜２９に設けられた開口２９Ｂ，２９Ｇ，２９Ｒが、発光画素２０Ｂ，２０Ｇ，２０Ｒの発光領域となる。このように、誘電膜２９は、発光画素２０の発光領域を規定し、隣り合う画素電極３１同士を電気的に絶縁する役割を有している。
【００６７】
詳細は後述するが、第１の開口部ＣＴ１や第２の開口部ＣＴ２は、第３トランジスター２３と画素電極３１とを電気的に接続する画素コンタクトの構成要素となる。画素コンタクト（第１の開口部ＣＴ１、第２の開口部ＣＴ２など）は、発光画素２０の非発光領域に設けられている。より明るい表示を提供するためには、発光領域（開口２９Ｂ，２９Ｇ，２９Ｒ）の面積を大きくし、非発光領域の面積、すなわち画素コンタクト（第１の開口部ＣＴ１、第２の開口部ＣＴ２なお）の面積を小さくする必要がある。本実施形態は、画素コンタクト（第１の開口部ＣＴ１、第２の開口部ＣＴ２など）の面積を小さくするために好適な構成を有しており、以下にその詳細を説明する。
【００６８】
「有機ＥＬ装置の断面構造」
まず、図４及び図５を参照して、有機ＥＬ装置１００の断面構造について説明する。
図４は、図３のＡ−Ａ’線に沿った概略断面図、つまり発光領域の概略断面図である。図５は、図３のＢ−Ｂ’線に沿った概略断面図、つまり画素コンタクトが設けられた領域の概略断面図である。
なお、図４は、画素回路のうち、第１トランジスター２１及び第２トランジスター２２や、第１トランジスター２１及び第２トランジスター２２に関連する配線などを示し、第３トランジスター２３の図示が省略されている。図５は、第３トランジスター２３や、第３トランジスター２３に関連する配線などを示し、第１トランジスター２１や第２トランジスター２２の図示が省略されている。さらに、図５では、Ｂ−Ｂ’に沿った断面図と、画素コンタクトの拡大図とが図示されている。
【００６９】
最初に、図４を参照して、発光領域の断面構造について説明する。
図４に示すように、有機ＥＬ装置１００は、素子基板１０、封止基板７０、及び素子基板１０と封止基板７０とで挟持された樹脂層７１などを有している。
【００７０】
樹脂層７１は、素子基板１０と封止基板７０とを接着する役割を有し、例えばエポキシ樹脂やアクリル樹脂などを使用することができる。
【００７１】
素子基板１０には、画素回路（第１トランジスター２１、第２トランジスター２２、第３トランジスター２３、蓄積容量２４、有機ＥＬ素子３０）、封止層４０、及びカラーフィルター５０などが設けられている。
【００７２】
発光画素２０で発せられた光は、カラーフィルター５０を透過して封止基板７０の側から射出される。つまり、有機ＥＬ装置１００は、トップエミッション構造となっている。有機ＥＬ装置１００がトップエミッション構造であることから、素子基板１０の基材１０ｓには、透明な石英基板やガラス基板などに加えて、不透明なセラミック基板や半導体基板などを用いることができる。本実施形態では、基材１０ｓには、シリコン基板（不透明な半導体基板）を使用している。
【００７３】
基材１０ｓには、半導体基板にイオンを注入することによって形成されたウェル部１０ｗと、ウェル部１０ｗとは異なる種類のイオンをウェル部１０ｗに注入することにより形成されたアクティブ層であるイオン注入部１０ｄとが設けられている。ウェル部１０ｗは、発光画素２０におけるトランジスター２１，２２，２３のチャネルとして機能する。イオン注入部１０ｄは、発光画素２０におけるトランジスター２１，２２，２３のソース・ドレインや配線の一部として機能する。
なお、チャネルとして機能するウェル部１０ｗが設けられた基材１０ｓは、本発明における「トランジスターが設けられた基材」の一例である。チャネルとして機能するウェル部１０ｗが設けられた基材１０ｓの面１０ｆは、本発明における「第１面」の一例であり、以降、基材１０ｓの表面１０ｆと称す。
【００７４】
基材１０ｓの表面１０ｆを覆うように、絶縁膜１０ａが設けられている。絶縁膜１０ａは、トランジスター２１，２２，２３のゲート絶縁膜として機能する。絶縁膜１０ａの上には、例えばポリシリコンなどの導電膜からなるゲート電極２２ｇが設けられている。ゲート電極２２ｇは、第２トランジスター２２のチャネルとして機能するウェル部１０ｗに対向するように配置されている。他の第１トランジスター２１や第３トランジスター２３にも、同様にゲート電極が設けられている。
【００７５】
ゲート電極２２ｇを覆うように、第１層間絶縁膜１５が設けられている。第１層間絶縁膜１５には、例えば第１トランジスター２１のドレインや第２トランジスター２２のゲート電極２２ｇに至るコンタクトホールが設けられている。このコンタクトホール内を少なくとも被覆し、第１層間絶縁膜１５の表面を覆う導電膜が成膜され、これをパターニングすることにより、例えば第１トランジスター２１のドレイン電極２１ｄと第２トランジスター２２のゲート電極２２ｇとに接続される配線が設けられている。
【００７６】
次に、第１層間絶縁膜１５や、第１層間絶縁膜１５の上の配線を覆うように、第２層間絶縁膜１６が設けられている。第２層間絶縁膜１６には、第１層間絶縁膜１５の上に設けられた配線に至るコンタクトホールが設けられている。このコンタクトホール内を少なくとも被覆し、第２層間絶縁膜１６の表面を覆う導電膜（例えば、窒化チタンとアルミニウムと窒化チタンとの三層膜）が成膜され、これをパターニングすることにより、例えば蓄積容量２４の一方の電極２４ａと第２トランジスター２２のゲート電極２２ｇとを電気的に接続させるコンタクト部が設けられている。また、蓄積容量２４の一方の電極２４ａと同層にデータ線１２や第１の中継電極７（図５参照）が設けられている。データ線１２は、図４では図示省略された中継電極（配線）によって、第１トランジスター２１のソースに接続されている。
【００７７】
容量絶縁膜２４ｃが、蓄積容量２４の一方の電極２４ａを覆うように設けられている。蓄積容量２４の他方の電極２４ｂは、容量絶縁膜２４ｃを挟んで、蓄積容量２４の一方の電極２４ａに対向して設けられている。これら一対の電極２４ａ，２４ｂと、容量絶縁膜２４ｃとで、蓄積容量２４が形成されている。
なお、容量絶縁膜２４ｃは、例えば窒化シリコンで構成され、概略３０ｎｍ〜６０ｎｍの膜厚を有している。また、蓄積容量２４の他方の電極２４ｂは、例えば窒化チタンで構成される。
【００７８】
蓄積容量２４を覆うように、第３層間絶縁膜１７が設けられている。第３層間絶縁膜１７は、酸化シリコンで構成され、膜厚は概略８０ｎｍである。容量絶縁膜２４ｃと第３層間絶縁膜１７とで、層間絶縁層２５が構成される。層間絶縁層２５の膜厚は、概略８５０ｎｍである。換言すれば、第２層間絶縁膜１６の上に設けられたデータ線１２や第１の中継電極７（図５参照）は、層間絶縁層２５で覆われている。第３層間絶縁膜１７には、例えば蓄積容量２４の他方の電極２４ｂや第２層間絶縁膜１６上に形成された配線に至るコンタクトホールが設けられている。このコンタクトホール内を少なくとも被覆し、第３層間絶縁膜１７（層間絶縁層２５）の表面を覆う導電膜が成膜され、これをパターニングすることにより、電源線１４が設けられている。
【００７９】
電源線１４は、光反射性の導電材料、例えばアルミニウムやアルミニウム合金などで構成されている。電源線１４の膜厚は、概略１００ｎｍである。
上述したように、電源線１４は、表示領域Ｅの略全面に亘って設けられ、画素電極３１に対向するように配置されている。電源線１４は、発光領域（開口２９Ｂ，２９Ｇ，２９Ｒ）で発した光を反射する光反射層としての役割も有している。第１の絶縁膜１は、窒化シリコンで構成され、電源線１４を覆い、表示領域Ｅの略全面に亘って設けられている。
【００８０】
電源線１４と画素電極３１との間に、光学的距離調整層２８が設けられている。光学的距離調整層２８は、電源線１４の側からＺ（＋）方向に沿って順に積層された、第１の絶縁膜１と、第１の酸化シリコン膜３と、第２の酸化シリコン膜４とで構成される。第１の絶縁膜１、第１の酸化シリコン膜３、及び第２の酸化シリコン膜４は、光透過性を有する絶縁材料である。第１の絶縁膜１は、窒化シリコンで構成されている。第１の絶縁膜１の膜厚は、概略５０ｎｍである。第１の酸化シリコン膜３及び第２の酸化シリコン膜４の膜厚は、概略６０ｎｍ〜７０ｎｍである。
なお、第１の酸化シリコン膜３は本発明における「第３の絶縁膜」の一例であり、第２の酸化シリコン膜４は本発明における「第４の絶縁膜」の一例である。
【００８１】
発光画素２０Ｂ（第１の領域２８Ｂ）の光学的距離調整層２８は、第１の絶縁膜１で構成され、膜厚Ｂｄ１を有している。発光画素２０Ｇ（第２の領域２８Ｇ）の光学的距離調整層２８は、第１の絶縁膜１と第２の酸化シリコン膜４とで構成され、膜厚Ｇｄ１を有している。発光画素２０Ｒ（第３の領域２８Ｒ）の光学的距離調整層２８は、第１の絶縁膜１と第１の酸化シリコン膜３と第２の酸化シリコン膜４とで構成され、膜厚Ｒｄ１を有している。発光画素２０Ｂ（第１の領域２８Ｂ）の光学的距離調整層２８の膜厚Ｂｄ１は概略５０ｎｍであり、発光画素２０Ｇ（第２の領域２８Ｇ）の光学的距離調整層２８の膜厚Ｇｄ１は概略１１５ｎｍであり、発光画素２０Ｒ（第３の領域２８Ｒ）の光学的距離調整層２８の膜厚Ｒｄ１は概略１７０ｎｍである。
なお、膜厚Ｂｄ１は本発明における「第１の層厚」の一例であり、膜厚Ｇｄ１は本発明における「第２の層厚」の一例であり、膜厚Ｒｄ１は本発明における「第３の層厚」の一例である。
【００８２】
画素電極３１は、光学的距離調整層２８の上に島状に設けられている。詳しくは、画素電極３１Ｂは膜厚Ｂｄ１の光学的距離調整層２８の上に島状に設けられ、画素電極３１Ｇは膜厚Ｇｄ１の光学的距離調整層２８の上に島状に設けられ、画素電極３１Ｒは膜厚Ｒｄ１の光学的距離調整層２８の上に島状に設けられている。画素電極３１は、光透過性を有し、例えばＩＴＯ（Indium Tin Oxide）などの光透過性材料で形成され、発光機能層３２に正孔を供給するための電極となる。画素電極３１の膜厚は、概略１００ｎｍである。
【００８３】
画素電極３１の周縁部を覆うように、誘電膜２９が設けられている。誘電膜２９は、例えば酸化シリコンで構成され、各画素電極３１Ｂ，３１Ｇ，３１Ｒのそれぞれを絶縁している。誘電膜２９の膜厚は、概略６０ｎｍである。誘電膜２９には、開口２９Ｂ，２９Ｇ，２９Ｒが設けられている。上述したように、開口２９Ｂ，２９Ｇ，２９Ｒが設けられた領域が、発光画素２０の発光領域となる。なお、誘電膜２９は、有機材料、例えばアクリル系の感光性樹脂を用いて形成してもよい。
【００８４】
画素電極３１及び誘電膜２９を覆うように、発光機能層３２と、対向電極３３と封止層４０とが、Ｚ（＋）方向に沿って順に積層されている。
【００８５】
発光機能層３２は、Ｚ（＋）方向に沿って画素電極３１の側から順に積層された正孔注入層、正孔輸送層、有機発光層、及び電子輸送層などを有している。有機発光層において、画素電極３１から供給される正孔と、対向電極３３から供給される電子とにより励起子（エキシトン；電子と正孔とがクーロン力にて互いに束縛された状態）が形成され、励起子（エキシトン）が消滅する際（電子と正孔とが再結合する際）にエネルギーの一部が蛍光や燐光となって放出される。つまり、発光機能層３２が発光する（光を発する）。発光機能層３２の膜厚は、概略１１０ｎｍである。
【００８６】
有機発光層は、赤色、緑色、及び青色の光成分を有する光を発する。有機発光層は、単層で構成してもよいし、複数の層（例えば、電流が流れると主に青色で発光する青色発光層と、電流が流れると赤色と緑色を含む光を発する黄色発光層）で構成してもよい。
【００８７】
対向電極３３は、発光機能層３２に電子を供給するための共通電極である。対向電極３３は、発光機能層３２を覆って設けられ、例えばＭｇとＡｇとの合金などで構成され、光透過性と光反射性とを有している。対向電極３３の膜厚は、概略１０ｎｍ〜３０ｎｍである。対向電極３３の構成材料（ＭｇとＡｇとの合金など）を薄膜化することで、光反射性の機能に加えて光透過性の機能を付与することができる。
【００８８】
対向電極３３の上には、封止層４０が配置されている。封止層４０は、水分や酸素などによる発光機能層３２や対向電極３３の劣化を抑制するパッシベーション膜であり、発光機能層３２や対向電極３３への水分や酸素の侵入を抑制している。封止層４０は、対向電極３３の側から順に積層された第１封止層４１と緩衝層４２と第２封止層４３とで構成され、有機ＥＬ素子３０（表示領域Ｅ）を覆い、素子基板１０の略全面に設けられている。なお、封止層４０には、外部接続用端子１０３（図１参照）を露出させる開口（図示省略）が設けられている。
【００８９】
第１封止層４１は、例えば公知技術のプラズマＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）法などを用いて形成されたシリコン酸窒化物で構成され、水分や酸素に対して高いバリア性を有している。第１封止層４１の膜厚は、概略２００ｎｍ〜４００ｎｍである。第１封止層４１を構成する材料は、上述したシリコン酸窒化物の他に、シリコン酸化物、シリコン窒化物、及び酸化チタンなどの金属酸化物などを使用することができる。
【００９０】
緩衝層４２は、熱安定性に優れた例えばエポキシ系樹脂や塗布型の無機材料（シリコン酸化物など）などで構成されている。緩衝層４２の膜厚は、第１封止層４１の膜厚よりも大きく、概略１０００ｎｍ〜５０００ｎｍである。緩衝層４２は、第１封止層４１の欠陥（ピンホール、クラック）や異物などを被覆し、平坦な面を形成する。
【００９１】
第２封止層４３は、例えば公知技術のプラズマＣＶＤ法などを用いて形成されたシリコン酸窒化物で構成される。第２封止層４３の膜厚は、概略３００ｎｍ〜７００ｎｍである。第２封止層４３は、第１封止層４１と同じ材料で構成され、水分や酸素に対して高いバリア性を有している。
【００９２】
封止層４０の上には、発光画素２０Ｂ，２０Ｇ，２０Ｒに対応した着色層５０Ｂ，５０Ｇ，５０Ｒが設けられている。換言すれば、封止層４０の上には、着色層５０Ｂ，５０Ｇ，５０Ｒで構成されるカラーフィルター５０が設けられている。
【００９３】
次に、図５を参照して、画素コンタクトの断面構造について説明する。
【００９４】
図５に示すように、基材１０ｓには、半導体基板にイオンを注入することによって形成されたウェル部１０ｗと、ウェル部１０ｗとは異なる種類のイオンをウェル部１０ｗに注入することにより形成されたイオン注入部１０ｄとが設けられている。イオン注入部１０ｄは、第３トランジスター２３のソースとして機能する。
【００９５】
基材１０ｓの表面１０ｆを覆うように、絶縁膜１０ａと第１層間絶縁膜１５とが設けられている。第１層間絶縁膜１５及び絶縁膜１０ａには、第３トランジスター２３のイオン注入部１０ｄに至るコンタクトホールが設けられている。このコンタクトホール内を少なくとも被覆し、第１層間絶縁膜１５の表面を覆う導電膜が成膜され、これをパターニングすることにより、第３トランジスター２３のソース電極２３ｓ及び当該ソース電極２３ｓに接続される配線が設けられている。
【００９６】
第１層間絶縁膜１５及びソース電極２３ｓに接続される配線は、第２層間絶縁膜１６で覆われている。第２層間絶縁膜１６には、ソース電極２３ｓに接続される配線に至るコンタクトホールが設けられている。このコンタクトホール内を少なくとも被覆し、第２層間絶縁膜１６の表面を覆う導電膜（例えば、窒化チタンとアルミニウムと窒化チタンとの三層膜）が成膜され、これをパターニングすることにより、第２層間絶縁膜１６の上に第１の中継電極７が設けられている。上述したように、第１の中継電極７と、データ線１２と、蓄積容量２４の一方の電極２４ａ（図４）とは、同じ工程で形成されている。
【００９７】
第１の中継電極７は、容量絶縁膜２４ｃと第３層間絶縁膜１７とで構成される層間絶縁層２５で覆われている。層間絶縁層２５の上には電源線１４と第１の絶縁膜１とが積層されている。
【００９８】
電源線１４及び第１の絶縁膜１には、電源線１４と第１の絶縁膜１とを貫く第１の開口部ＣＴ１が設けられている。第１の開口部ＣＴ１は、Ｚ（＋）方向に沿った壁面ＣＴ１ａで構成される。壁面ＣＴ１ａを覆うように第２の絶縁膜２が設けられている。第２の絶縁膜２は窒化シリコンで構成されている。第２の開口部ＣＴ２は、第２の絶縁膜２の側に設けられたＺ（＋）方向に沿った第１の壁面ＣＴ２ａと、層間絶縁層２５の側に設けられたＺ（＋）方向に沿った第２の壁面ＣＴ２ｂとで構成される。換言すれば、第２の開口部ＣＴ２は、第２の絶縁膜２を挟んで第１の開口部ＣＴ１の内側に形成された第１の部分（第１の壁面ＣＴ２ａ）と、第１の部分（第１の壁面ＣＴ２ａ）に連続して形成され第１の中継電極７に至る第２の部分（第２の壁面ＣＴ２ｂ）とで構成される。すなわち、第２の開口部ＣＴ２は、第２の絶縁膜２と層間絶縁層２５とを貫き、第１の中継電極７を露出させるコンタクトホールである。
【００９９】
上述したように、第１の絶縁膜１の膜厚（Ｚ方向寸法）は概略５０ｎｍであり、電源線１４の膜厚（Ｚ方向寸法）は概略１００ｎｍであるので、第２の絶縁膜２の膜厚（Ｚ方向寸法）及び第１の開口部ＣＴ１の深さ（Ｚ方向寸法）は概略１５０ｎｍである。また、第１の開口部ＣＴ１のＸ方向寸法Ｗ１（以降、開口寸法Ｗ１と称す）は、概略５００ｎｍである。
【０１００】
第２の絶縁膜２の膜厚は概略１５０ｎｍであり、層間絶縁層２５の膜厚は概略８５０ｎｍであるので、第２の開口部ＣＴ２の深さ（Ｚ方向寸法）は概略１０００ｎｍである。また、第２の開口部ＣＴ２のＸ方向寸法Ｗ２（以降、開口寸法Ｗ２と称す）は、概略３００ｎｍである。
【０１０１】
第２の開口部ＣＴ２の内側と、第２の開口部ＣＴ２で露出された第１の中継電極７の表面と、第１の絶縁膜１の表面の一部とを覆う第２の中継電極８が設けられている。第２の中継電極８の構成材料としては、窒化タングステン、タングステンとチタンとの合金、窒化タンタル、窒化チタンなどのバリアメタルを使用することができる。窒化チタンは、他のバリアメタルと比べて加工性に優れているので、本実施形態では第２の中継電極８に窒化チタンを使用している。第２の中継電極８の膜厚は概略５０ｎｍである。このように、少なくとも第２の開口部ＣＴ２の内側を覆うように第２の中継電極８が設けられている。第２の中継電極８は、第２の開口部ＣＴ２の形状を反映した凹部状に形成される。
【０１０２】
凹部状に形成された第２の中継電極８の内面側には、導電材料９が充填される。導電材料９の構成材料としては、例えばタングステン、モリブデン、タンタル、チタン、ニッケルなどの高融点金属を使用することができる。タングステンは、他の高融点金属と比べて加工性（成膜やエッチングのし易さ）や耐熱性の点で優れているので、本実施形態では導電材料９にタングステンを使用している。
【０１０３】
第２の中継電極８は、平面視で第１の開口部ＣＴ１を覆うように、第１の開口部ＣＴ１よりも広く設けられている。かかる構成によって、発光機能層３２で発した光は、第１の開口部ＣＴ１を通過してトランジスター２１，２２，２３に入射しないように、第２の中継電極８によって遮光される。すなわち、第２の中継電極８は、発光機能層３２で発した光の入射を遮り、トランジスター２１，２２，２３の誤動作を抑制する役割を有している。
【０１０４】
発光画素２０Ｂにおいて、導電材料９及び第２の中継電極８を覆うように、画素電極３１Ｂが設けられている。つまり、画素電極３１Ｂは、導電材料９と第２の中継電極８に接し、導電材料９と第２の中継電極８とを介して、第１の中継電極７に電気的に接続されている。
【０１０５】
発光画素２０Ｇにおいて、導電材料９及び第２の中継電極８を覆う第２の酸化シリコン膜４が設けられている。第２の酸化シリコン膜４には、導電材料９及び第２の中継電極８を露出させるコンタクトホールＣＴＧ１が設けられている。画素電極３１Ｇは、導電材料９及び第２の中継電極８（第１の開口部ＣＴ１）を覆うように、第１の酸化シリコン膜３の上に設けられ、コンタクトホールＣＴＧ１を介して導電材料９及び第２の中継電極８に電気的に接続されている。つまり、画素電極３１Ｇは、導電材料９と第２の中継電極８とを介して、第１の中継電極７に電気的に接続されている。
【０１０６】
発光画素２０Ｒにおいて、導電材料９及び第２の中継電極８を覆う第１の酸化シリコン膜３と第２の酸化シリコン膜４とが順に設けられている。第１の酸化シリコン膜３及び第２の酸化シリコン膜４には、導電材料９及び第２の中継電極８を露出させるコンタクトホールＣＴＲ１が設けられている。画素電極３１Ｒは、導電材料９及び第２の中継電極８（第１の開口部ＣＴ１）を覆うように、第１の酸化シリコン膜３の上に設けられ、コンタクトホールＣＴＲ１を介して導電材料９及び第２の中継電極８に電気的に接続されている。つまり、画素電極３１Ｒは、導電材料９と第２の中継電極８とを介して、第１の中継電極７に電気的に接続されている。
【０１０７】
このように、画素電極３１は、導電材料９及び第２の中継電極８を介して、第１の中継電極７に電気的に接続されている。なお、発光画素２０Ｇ及び発光画素２０Ｒにおいて、コンタクトホールＣＴＧ１，ＣＴＲ１を小さくし、コンタクトホールＣＴＧ１，ＣＴＲ１によって導電材料９だけを露出させ、画素電極３１Ｇ，３１Ｒと導電材料９とが電気的に接続される構成であってもよい。本実施形態では、画素電極３１は導電材料９及び第２の中継電極８の両方に接する構成を有しており、画素電極３１が導電材料９だけと接する構成と比べて、画素電極３１と第１の中継電極７との間の抵抗を小さくすることができる。
【０１０８】
画素コンタクトでは、第３トランジスター２３のソース電極２３ｓが、当該ソース電極２３ｓに電気的に接続されている配線と、当該配線に電気的に接続されている第１の中継電極７と、第２の中継電極８及び導電材料９と、を介して画素電極３１に電気的に接続されている。
【０１０９】
「光共振構造」
発光領域（開口２９Ｂ，２９Ｇ，２９Ｒ）では、Ｚ（＋）方向に沿って、光反射層としての電源線１４と、光学的距離調整層２８と、画素電極３１と、発光機能層３２と、光反射性と光透過性とを有する対向電極３３とが順に積層されている（図４参照）。かかる構成によって、発光機能層３２で発した光を電源線１４と対向電極３３との間で往復させ、特定波長の光を共振（増幅）させる。特定波長の光は、封止基板７０から表示光としてＺ（＋）方向に射出される。このように、有機ＥＬ装置１００は、特定波長の光を選択的に増幅させる光共振構造を有している。
以下に光共振構造の概要を説明する。
【０１１０】
光学的距離調整層２８は、電源線１４と対向電極３３との間の光路長（光学的な距離）を調整する役割を有し、光学的距離調整層２８の膜厚に応じて共振波長が変化するようになっている。詳しくは、電源線１４から対向電極３３までの光学的な距離をＤ、反射層での反射における位相シフトをφＬ、対向電極３３での反射における位相シフトをφＵ、定在波のピーク波長をλ、整数をｍとすると、光学的な距離Ｄは、下記の数式（１）を満たすようになっている。
Ｄ＝{（２πｍ＋φＬ＋φＵ）／４π}λ・・・（１）
【０１１１】
発光画素２０Ｂ，２０Ｇ，２０Ｒの光共振構造における光学的な距離Ｄは、発光画素２０Ｂ、発光画素２０Ｇ、発光画素２０Ｒの順に大きくなり、電源線１４と画素電極３１との間に配置された光学的距離調整層２８の膜厚を異ならせることによって調整されている。
【０１１２】
上述したように、発光画素２０Ｂでは、電源線１４と画素電極３１Ｂとの間に配置される光学的距離調整層２８は、膜厚Ｂｄ１を有している。発光画素２０Ｇでは、電源線１４と画素電極３１Ｇとの間に配置される光学的距離調整層２８は、膜厚Ｇｄ１を有している。発光画素２０Ｒでは、電源線１４と画素電極３１Ｒとの間に配置される光学的距離調整層２８は、膜厚Ｒｄ１を有している。このため、光学的距離調整層２８の膜厚は、発光画素２０Ｂ（膜厚Ｂｄ１）＜発光画素２０Ｇ（膜厚Ｇｄ１）＜発光画素２０Ｒ（膜厚Ｒｄ１）の順に大きくなる。光学的な距離Ｄも、発光画素２０Ｂ＜発光画素２０Ｇ＜発光画素２０Ｒの順に大きくなる。
【０１１３】
発光画素２０Ｒでは、共振波長（輝度が最大となるピーク波長）が６１０ｎｍとなるように、光学的な距離Ｄが設定されている。同じく、発光画素２０Ｇでは、共振波長（輝度が最大となるピーク波長）が５４０ｎｍとなるように、光学的な距離Ｄが設定されている。発光画素２０Ｂでは、共振波長（輝度が最大となるピーク波長）が４７０ｎｍとなるように、光学的な距離Ｄが設定されている。
【０１１４】
上記ピーク波長を実現するため、ＩＴＯなどの透明導電膜からなる画素電極３１Ｂ，３１Ｇ，３１Ｒの膜厚を概略１００ｎｍとし、発光機能層３２の膜厚を概略１１０ｎｍとし、上記数式（１）においてｍ＝１として、反射層と対向電極３３との間の光学的距離調整層２８の膜厚を算出すると、発光画素２０Ｒでは１７０ｎｍ、発光画素２０Ｇでは１１５ｎｍ、及び発光画素２０Ｂでは５０ｎｍとなる。すなわち、発光画素２０Ｒ（第３の領域２８Ｒ）における光学的距離調整層２８の膜厚Ｒｄ１は概略１７０ｎｍ、発光画素２０Ｇ（第２の領域２８Ｇ）における光学的距離調整層２８の膜厚Ｇｄ１は概略１１５ｎｍ、発光画素２０Ｂ（第１の領域２８Ｂ）における光学的距離調整層２８の膜厚Ｂｄ１は概略５０ｎｍとなる。このような光学的距離調整層２８が形成されるように、第１の絶縁膜１、第１の酸化シリコン膜３、及び第２の酸化シリコン膜４の膜厚が調整されている。
【０１１５】
その結果、発光画素２０Ｒから６１０ｎｍをピーク波長とする赤色（Ｒ）の光が発せられ、発光画素２０Ｇから５４０ｎｍをピーク波長とする緑色（Ｇ）の光が発せられ、発光画素２０Ｂから４７０ｎｍをピーク波長とする青色（Ｂ）の光が発せられる。
このように、本実施形態に係る有機ＥＬ装置１００では、上述した光共振構造によって発光画素２０から発する光の色純度を高め、鮮やかな表示を提供することができる。
【０１１６】
「有機ＥＬ装置の製造方法」
次に、図６乃至図８を参照して、有機ＥＬ装置１００の製造方法を説明する。図６は、有機ＥＬ装置の製造方法を示す工程フローである。図７及び図８は、図５に対応し、図６に示す各工程を経た後の有機ＥＬ装置の状態を示す概略断面図である。なお、図７及び図８では、素子基板１０における電源線１４よりも下層に設けられた画素回路や配線の図示を省略している。
【０１１７】
図６に示すように、有機ＥＬ装置１００を製造する工程は、光反射層としての電源線１４及び電源線１４を覆う第１の絶縁膜１を形成する工程（ステップＳ１）と、第１の開口部ＣＴ１を形成する工程（ステップＳ２）と、第２の絶縁膜２を堆積する工程（ステップＳ３）と、第２の開口部ＣＴ２を形成する工程（ステップＳ４）と、窒化チタン膜を形成する工程（ステップＳ５）と、導電材料を充填する工程（ステップＳ６）と、窒化チタン膜をエッチングする工程（ステップＳ７）と、第１の酸化シリコン膜３を形成する工程（ステップＳ８）と、第２の酸化シリコン膜４を形成する工程（ステップＳ９）と、画素電極３１を形成する工程（ステップＳ１０）と、を含んでいる。
【０１１８】
ステップＳ１では、図７（ａ）に示すように、層間絶縁層２５の上に、例えばスパッタ法を用いて概略１００ｎｍの膜厚のアルミニウムを成膜して電源線１４を形成し、例えばプラズマＣＶＤ法を用いて概略２００ｎｍの窒化チタンを成膜して第１の絶縁膜１を形成する。つまり、電源線１４のＺ（−）方向の膜厚は１００ｎｍであり、第１の絶縁膜１のＺ（−）方向の膜厚は２００ｎｍである。
【０１１９】
ステップＳ２では、図７（ｂ）に示すように、例えばＲＩＥ（Reactive Ionic Etching）装置などの容量結合型ドライエッチング装置を用いたドライエッチング法によって、第１の絶縁膜１及び電源線１４にＺ（−）方向の異方性エッチングを施し、第１の開口部ＣＴ１を形成する。詳しくは、フッ素系ガスを用いたドライエッチング法によって第１の絶縁膜１をＺ（−）方向にエッチングした後に、塩素系ガスを用いたドライエッチング法によって電源線１４をＺ（−）方向にエッチングする。その結果、第１の絶縁膜１及び電源線１４には、Ｚ（−）方向に沿った壁面ＣＴ１ａで構成される第１の開口部ＣＴ１が形成される。第１の開口部ＣＴ１の開口寸法Ｗ１は、概略５００ｎｍである。第１の開口部の深さ（壁面ＣＴ１ａのＺ（−）方向の長さ）は、電源線１４の膜厚（１００ｎｍ）と第１の絶縁膜１の膜厚（２００ｎｍ）とを足した寸法（概略３００ｎｍ）となる。
【０１２０】
換言すれば、ステップＳ２は、電源線１４と第１の絶縁膜１とに、Ｚ（−）方向の異方性エッチングを施し、電源線１４と第１の絶縁膜１のエッチング面（壁面ＣＴ１ａ）からなり、Ｚ（−）方向に沿った壁面ＣＴ１ａが層間絶縁層２５に至ってなる第１の開口部ＣＴ１を形成する工程である。
【０１２１】
ステップＳ３では、図７（ｃ）に示すように、例えばプラズマＣＶＤ法を用いて膜厚が概略１００ｎｍの窒化シリコンを成膜して、第２の絶縁膜２を形成する。プラズマＣＶＤ法を用いた窒化シリコンは段差被覆性に優れ、第１の開口部ＣＴ１は略同じ厚さの窒化シリコン（第２の絶縁膜２）で覆われる。つまり、層間絶縁層２５の表面を覆う第２の絶縁膜２のＺ（−）方向の寸法（膜厚）と、壁面ＣＴ１ａを覆う第２の絶縁膜２のＸ方向の寸法（膜厚）と、第１の絶縁膜１の表面を覆う第２の絶縁膜２のＺ（−）方向の寸法（膜厚）とは、ほぼ同等であり、全て概略１００ｎｍである。
【０１２２】
第２の絶縁膜２は、層間絶縁層２５の表面を覆う第１の部分２−１と、壁面ＣＴ１ａを覆う第２の部分２−２と、第１の絶縁膜１の表面を覆う第３の部分２−３とで構成される。第１の部分２−１及び第３の部分２−３における第２の絶縁膜２のＺ（−）方向の膜厚は、概略１００ｎｍである。さらに、第２の部分２−２における第２の絶縁膜２のＺ（−）方向の寸法は、電源線１４のＺ（−）方向の膜厚（１００ｎｍ）と、第１の絶縁膜１のＺ（−）方向の膜厚（２００ｎｍ）と、第３の部分２−３における第２の絶縁膜２の膜厚（１００ｎｍ）とを足した寸法（概略４００ｎｍ）となる。また、第２の部分２−２における第２の絶縁膜２のＸ方向の膜厚は、概略１００ｎｍである。
このように、第２の絶縁膜２は、Ｚ（−）方向の膜厚が１００ｎｍである部分（第１の部分２−１、第３の部分２−３）と、Ｚ（−）方向の膜厚が４００ｎｍである部分（第２の部分２−２）とを有する。
【０１２３】
ステップＳ４では、図７（ｄ）に示すように、例えばＲＩＥ装置などの容量結合型ドライエッチング装置とフッ素系ガスとを用いたドライエッチング法によって、第２の絶縁膜２及び層間絶縁層２５にＺ（−）方向の異方性エッチングを施し、第２の開口部ＣＴ２を形成する。ステップＳ４では、フォトレジストなどの新たなエッチングマスクを形成しない状態で、Ｚ（−）方向の異方性エッチングを施す。
【０１２４】
Ｚ（−）方向の異方性エッチングによって、第１の部分２−１及び第３の部分２−３の第２の絶縁膜２を除去する。このとき、第２の部分２−２の第２の絶縁膜２のＺ（−）方向の膜厚は、第１の部分２−１及び第３の部分２−３の第２の絶縁膜２のＺ（−）方向の膜厚よりも厚いので、第２の部分２−２の第２の絶縁膜２の一部はエッチングされるが、第２の部分２−２の第２の絶縁膜２の多くは残存する。
【０１２５】
Ｚ（−）方向の異方性エッチングによって、第１の部分２−１及び第３の部分２−３の第２の絶縁膜２を除去すると、第１の絶縁膜１と層間絶縁層２５の第３層間絶縁膜１７とが露出するので、引き続き層間絶縁層２５の第３層間絶縁膜１７にＺ（−）方向の異方性エッチングを施す。第１の絶縁膜１及び第２の絶縁膜２は窒化シリコンで構成され、層間絶縁層２５の第３層間絶縁膜１７は酸化シリコンで構成されている。フッ素ガスを用いたドライエッチング（異方性エッチング）では、例えば窒化シリコンのエッチングレートを１とすると、酸化シリコンエッチングレートは１０以上であり、高いエッチングの選択性が実現される。よって、第３層間絶縁膜１７のＺ（−）方向の異方性エッチングでは、第１の絶縁膜１及び第２の絶縁膜２のＺ（−）方向のエッチングは抑制される。
【０１２６】
Ｚ（−）方向の異方性エッチングによって、層間絶縁層２５の第３層間絶縁膜１７を除去すると、層間絶縁層２５の容量絶縁膜２４ｃが露出するので、引き続き層間絶縁層２５の容量絶縁膜２４ｃにＺ（−）方向の異方性エッチングを施す。容量絶縁膜２４ｃは窒化シリコンで構成されているので、容量絶縁膜２４ｃのＺ（−）方向の異方性エッチングでは、第１の絶縁膜１及び第２の絶縁膜２も、容量絶縁膜２４ｃと略同程度Ｚ（−）方向にエッチングされる。容量絶縁膜２４ｃの膜厚は、概略３０ｎｍ〜６０ｎｍと薄いので、容量絶縁膜２４ｃのＺ（−）方向の異方性エッチングでは、第１の絶縁膜１及び第２の絶縁膜２（第２の部分２−２）の一部がエッチングされ、第１の絶縁膜１及び第２の絶縁膜２（第２の部分２−２）の多くは残存する。
【０１２７】
一方、Ｚ（−）方向の異方性エッチングでは、Ｚ（−）方向に交差する方向（Ｘ方向、Ｙ方向）のエッチングが抑制される。よって、Ｚ（−）方向の異方性エッチングでは、第２の部分２−２の第２の絶縁膜２のＸ方向及びＹ方向のエッチングが抑制され、第２の部分２−２における第２の絶縁膜２のＸ方向の膜厚は殆ど変化せず、概略１００ｎｍの状態が維持される。
【０１２８】
このように、ステップＳ４は、第２の部分２−２の第２の絶縁膜２をエッチングマスクとして、第１の部分２−１の第２の絶縁膜２と層間絶縁層２５とをエッチングして、第２の開口部ＣＴ２を形成する工程である。第２の開口部ＣＴ２は、第２の部分２−２の第２の絶縁膜２のＺ（−）方向に沿ったエッチング面である第１の壁面ＣＴ２ａと、層間絶縁層２５のＺ（−）方向にそったエッチング面である第２の壁面ＣＴ２ｂとで構成される。
【０１２９】
換言すれば、ステップＳ４は、第２の絶縁膜２と層間絶縁層２５とにＺ（−）方向の異方性エッチングを施し、第１の開口部ＣＴ１内であって、第２の絶縁膜２のエッチング面が層間絶縁層２５まで至ってなる部分（第１の壁面ＣＴ２ａ）と、第１の壁面ＣＴ２ａに連続し且つ第１の中継電極７に至ってなる部分（第２の壁面ＣＴ２ｂ）とからなる第２の開口部ＣＴ２を形成する工程である。
【０１３０】
ステップＳ４のＺ（−）方向の異方性エッチングによって、第１の開口部ＣＴ１の内側に第２の開口部ＣＴ２を形成する。また、第１の開口部ＣＴ１と第２の開口部ＣＴ２との間に第２の部分２−２の第２の絶縁膜２が介在し、第１の開口部ＣＴ１と第２の開口部ＣＴ２との間隔は、第２の部分２−２の第２の絶縁膜２のＸ方向寸法、つまり概略１００ｎｍとなる。このため、第１の開口部ＣＴ１の開口寸法Ｗ１が概略５００ｎｍであるので、第２の開口部ＣＴ２の開口寸法Ｗ２は概略３００ｎｍとなる。
【０１３１】
このように、ステップＳ４では、フォトリソプロセスを使用せず、第２の部分２−２の第２の絶縁膜２をエッチングマスクとして、第１の開口部ＣＴ１の内側に第２の開口部ＣＴ２を形成する。換言すれば、第２の開口部ＣＴ２は、フォトリソプロセスを使用せずに、自己整合的に形成される。このため、フォトリソプロセスに起因するアライメント誤差の影響を受けず、第１の開口部ＣＴ１の内側に、より小さな第２の開口部ＣＴ２を高精度に形成することができる。さらに、第２の開口部ＣＴ２の開口寸法Ｗ２は、第１の開口部ＣＴ１の開口寸法Ｗ１と、第２の部分の第２の絶縁膜２のＸ方向寸法（つまり、ステップＳ３における第２の絶縁膜２の膜厚）とで決定される。このため、第１の開口部ＣＴ１の開口寸法Ｗ１をさらに小さくする、または第２の絶縁膜２をさらに厚くすると、第２の開口部ＣＴ２の開口寸法Ｗ２をさらに小さくすることができる。
【０１３２】
ステップＳ４では、フォトリソプロセスが省略され、アライメント誤差などの影響を受けないので、フォトリソプロセスを用いた場合と比べて、画素コンタクト（第２の開口部ＣＴ２）をより小さくし、さらに有機ＥＬ装置１００の生産性を高めることができる。
【０１３３】
ステップＳ５では、図７（ｅ）に示すように、例えばスパッタ法で概略５０ｎｍの窒化チタンを成膜し、第１の絶縁膜１及び第２の絶縁膜２の表面、並びに第２の開口部ＣＴ２の内側を覆う窒化チタン膜８ａを形成する。このとき、窒化チタン膜８ａには、第２の開口部ＣＴ２の凹形状を反映した凹部が、第２の開口部ＣＴ２の内側に形成される。
【０１３４】
ステップＳ６では、図７（ｅ）に示すように、ＣＶＤ法によってタングステンを成膜し、上述した窒化チタン膜８ａの凹部にタングステンを充填する。タングステンは、窒化チタン膜８ａの平坦部（表面）など、窒化チタン膜８ａの凹部以外にも形成されるので、公知技術（例えば、フッ素系ガスを用いたドライエッチング法）で不要なタングステンを除去して、窒化チタン膜８ａの凹部に充填された導電材料９を形成する。
【０１３５】
ステップＳ７では、図８（ａ）に示すように、窒化チタン膜８ａに、例えば塩素系ガスを用いたドライエッチング法によってＺ（−）方向のエッチングを施し、第２の開口部ＣＴ２の内側を覆い、平面視で第１の開口部ＣＴ１よりも広くなった第２の中継電極８を形成する。
窒化チタン膜８ａのＺ（−）方向のエッチングが進行し下地膜の第１の絶縁膜１が露出すると、露出した部分の第１の絶縁膜１の膜厚がＢｄ１（概略５０ｎｍ）となるように第１の絶縁膜１にもＺ（−）方向のエッチングを施す。つまり、ステップＳ７では、第１の絶縁膜１もエッチングされるように窒化チタン膜８ａをオーバーエッチ気味にエッチングし、窒化チタン膜８ａのオーバーエッチ時に、露出した部分の第１の絶縁膜１（第２の中継電極８で覆われていない部分の第１の絶縁膜１）の膜厚がＢｄ１（概略５０ｎｍ）となるように、第１の絶縁膜１をエッチングする。
【０１３６】
ステップＳ８では、図８（ｂ）に示すように、プラズマＣＶＤ法で概略６０ｎｍ〜７０ｎｍの酸化シリコンを成膜した後、例えばフッ素系ガスを用いたドライエッチング法を用いて、酸化シリコンにＺ（−）方向のエッチングを施して第１の酸化シリコン膜３を形成する。上述したように、フッ素系ガスを用いたドライエッチングでは、酸化シリコンのエッチングレートと比べて窒化シリコンのエッチングレートが小さくなるので、第１の絶縁膜１（窒化シリコン）が露出したところで、Ｚ（−）方向のエッチングが実質的に停止する。ステップＳ８では、第１の領域２８Ｂ及び第２の領域２８Ｇの酸化シリコン及び、コンタクトホールＣＴＲ１に対応する領域の酸化シリコンを除去し、第１の絶縁膜１の上にコンタクトホールＣＴＲ１を有する第１の酸化シリコン膜３を、第３の領域２８Ｒに形成する。コンタクトホールＣＴＲ１によって、第２の中継電極８と導電材料９とを露出させる。
【０１３７】
ステップＳ９では、図８（ｃ）に示すように、プラズマＣＶＤ法で概略６０ｎｍ〜７０ｎｍの酸化シリコンを成膜した後、例えばフッ素系ガスを用いたドライエッチング法を用いて、酸化シリコンにＺ（−）方向のエッチングを施して第２の酸化シリコン膜４を形成する。上述したように、酸化シリコンにＺ（−）方向のエッチングを施すと、第１の絶縁膜１（窒化シリコン）が露出したところで、Ｚ（−）方向のエッチングが実質的に停止する。ステップＳ９では、第１の領域２８Ｂの酸化シリコンと、コンタクトホールＣＴＧ１に対応する領域の酸化シリコンと、コンタクトホールＣＴＲ１に対応する領域の酸化シリコンとを除去し、第２の領域２８Ｇの第１の絶縁膜１及び第３の領域２８Ｒの第１の酸化シリコン膜３を覆う、コンタクトホールＣＴＧ１またはコンタクトホールＣＴＲ１を有する第２の酸化シリコン膜４を形成する。コンタクトホールＣＴＧ１によって、第２の中継電極８と導電材料９とを露出させる。
【０１３８】
ステップＳ１０では、図８（ｄ）に示すように、スパッタ法で膜厚が概略１００ｎｍのＩＴＯを成膜し、これをパターニングして、平面視で少なくとも第１の開口部ＣＴ１を覆い、少なくとも導電材料９に接する画素電極３１を形成する。発光画素２０Ｂでは、第２の中継電極８及び導電材料９に接する画素電極３１Ｂが形成される。発光画素２０Ｇでは、コンタクトホールＣＴＧ１を介して第２の中継電極８及び導電材料９に接する画素電極３１Ｇが形成される。発光画素２０Ｒでは、コンタクトホールＣＴＲ１を介して第２の中継電極８及び導電材料９に接する画素電極３１Ｒが形成される。
【０１３９】
さらに、発光画素２０Ｂでは、電源線１４と画素電極３１Ｂとの間に、第１の絶縁膜１で構成される膜厚Ｂｄ１の光学的距離調整層２８が形成される。発光画素２０Ｇでは、電源線１４と画素電極３１Ｇとの間に、第１の絶縁膜１と第１の酸化シリコン膜３とで構成される膜厚Ｇｄ１の光学的距離調整層２８が形成される。  発光画素２０Ｒでは、電源線１４と画素電極３１Ｒとの間に、第１の絶縁膜１と第１の酸化シリコン膜３と第２の酸化シリコン膜４とで構成される膜厚Ｒｄ１の光学的距離調整層２８が形成される。
その後、発光画素２０の発光領域を規定する誘電膜２９を形成するステップ、発光機能層３２を形成するステップ、対向電極３３を形成するステップ、封止層４０を形成するステップ、及びカラーフィルター５０を形成するステップを有する。
上記製造方法によって、本実施形態に係る有機ＥＬ装置１００を安定して製造することができる。
【０１４０】
以上述べたように、本実施形態に係る有機ＥＬ装置１００では、以下の効果を得ることができる。
（１）本実施形態に係る有機ＥＬ装置１００は、光共振構造を有し、発光画素２０Ｂでは、共振波長が４７０ｎｍとなる膜厚Ｂｄ１の光学的距離調整層２８（第１の絶縁膜１）が設けられている。発光画素２０Ｇでは、共振波長が５４０ｎｍとなる膜厚Ｇｄ１の光学的距離調整層２８（第１の絶縁膜１、第１の酸化シリコン膜３）が設けられている。発光画素２０Ｒでは、共振波長が６１０ｎｍとなる膜厚Ｒｄ１の光学的距離調整層２８（第１の絶縁膜１、第１の酸化シリコン膜３、第２の酸化シリコン膜４）が設けられている。よって、発光画素２０Ｂから４７０ｎｍをピーク波長とする青色（Ｂ）の光が発せられ、発光画素２０Ｇから５４０ｎｍをピーク波長とする緑色（Ｇ）の光が発せられ、発光画素２０Ｒから６１０ｎｍをピーク波長とする赤色（Ｒ）の光が発せられる。従って、本実施形態に係る有機ＥＬ装置１００では、発光画素２０から発する光の色純度を高め、鮮やかな表示を提供することができる。
【０１４１】
（２）画素電極３１と第１の中継電極７とは、第２の開口部ＣＴ２の内側に配置される第２の中継電極８と導電材料９とを介して、電気的に接続されている。さらに、第２の開口部ＣＴ２は、フォトリソプロセスを使用せず、第２の部分２−２の第２の絶縁膜２をエッチングマスクとして、第１の開口部ＣＴ１の内側に自己整合的に形成され、フォトリソプロセスに起因するアライメント誤差などの影響を受けない。よって、フォトリソプロセスを使用して形成する場合と比べて、第１の開口部ＣＴ１の内側に、より小さな第２の開口部ＣＴ２を高精度に形成することができる。つまり、より小さな画素コンタクトを形成することができる。よって、発光画素２０における非発光領域（画素コンタクト）の面積を小さくし、発光領域（開口２９Ｂ、２９Ｇ，２９Ｒ）の面積を大きくすることができる。従って、本実施形態に係る有機ＥＬ装置１００では、発光領域を広くし、明るい表示を提供することができる。
【０１４２】
（３）第１の絶縁膜１には減膜処理が施され、第１の絶縁膜１は、光学的距離調整層２８の構成要素の一部をなす。さらに、第２の開口部ＣＴ２を形成する工程では、フォトリソプロセスが省略されている。つまり、光学的距離調整層２８を第１の絶縁膜１とは別に形成する構成、及びフォトリソプロセスを用いて第２の開口部ＣＴ２を形成する構成と比べて、製造工程が簡略化され、有機ＥＬ装置１００の生産性を高めることができる。
【０１４３】
（実施形態２）
「有機ＥＬ装置の概要」
図９は、図４に対応し、実施形態２に係る有機ＥＬ装置の発光領域の概略断面図である。図１０は、図５に対応し、本実施形態に係る有機ＥＬ装置の画素コンタクトの概略断面図である。図１１は、本実施形態に係る有機ＥＬ装置の製造方法を示す工程フローである。図１２及び図１３は、図７及び図８に対応し、図１１に示す各工程を経た後の有機ＥＬ装置の状態を示す概略断面図である。
以下、図９乃至図１３を参照して、本実施形態に係る有機ＥＬ装置２００の概要を、実施形態１との相違点を中心に説明する。なお、実施形態１と同一の構成部位については、同一の符号を附し、重複する説明を省略する。
【０１４４】
本実施形態に係る有機ＥＬ装置２００では、第１の絶縁膜１の形状及び光学的距離調整層２８の構成が、実施形態１と異なり、他の構成は実施形態１と同じである。詳しくは、実施形態１の第１の絶縁膜１は、画素コンタクト及び表示領域Ｅに配置され、光学的距離調整層２８の一部をなす。本実施形態の第１の絶縁膜１は、画素コンタクトのみに配置され、光学的距離調整層２８の構成要素とならない。このため、本実施形態の光学的距離調整層２８では、実施形態１の第１の絶縁膜１に代わる新たな膜（窒化シリコン膜５）が付加されている。
【０１４５】
図９に示すように、電源線１４と画素電極３１との間に、光学的距離調整層２８が設けられている。光学的距離調整層２８は、電源線１４の側からＺ（＋）方向に沿って順に積層された、窒化シリコン膜５と、第１の酸化シリコン膜３と、第２の酸化シリコン膜４とで構成される。窒化シリコン膜５の膜厚は、概略５０ｎｍである。第１の酸化シリコン膜３及び第２の酸化シリコン膜４の膜厚は、概略６０ｎｍ〜７０ｎｍである。
なお、窒化シリコン膜５は本発明における「第５の絶縁膜」の一例であり、第１の酸化シリコン膜３は本発明における「第６の絶縁膜」の一例であり、第２の酸化シリコン膜４は本発明における「第７の絶縁膜」の一例である。
【０１４６】
発光画素２０Ｂ（第１の領域２８Ｂ）の光学的距離調整層２８は、窒化シリコン膜５で構成され、膜厚Ｂｄ１（概略５０ｎｍ）を有している。発光画素２０Ｇ（第２の領域２８Ｇ）の光学的距離調整層２８は、窒化シリコン膜５と第２の酸化シリコン膜４とで構成され、膜厚Ｇｄ１（概略１１５ｎｍ）を有している。発光画素２０Ｒ（第３の領域２８Ｒ）の光学的距離調整層２８は、窒化シリコン膜５と第１の酸化シリコン膜３と第２の酸化シリコン膜４とで構成され、膜厚Ｒｄ１（概略１７０ｎｍ）を有している。
【０１４７】
図１０に示すように、電源線１４及び第１の絶縁膜１には、電源線１４と第１の絶縁膜１とを貫く第１の開口部ＣＴ１が設けられている。第１の開口部ＣＴ１の内側には、第２の絶縁膜２と層間絶縁層２５とを貫く第２の開口部ＣＴ２が設けられている。さらに、第２の開口部ＣＴ２の内側と、第２の開口部ＣＴ２で露出された第１の中継電極７と、第１の絶縁膜１の表面の一部とを覆う第２の中継電極８が設けられている。第２の中継電極８の内面側に導電材料９が充填されている。
【０１４８】
第１の絶縁膜１は、平面視で第２の中継電極８の外縁と第１の開口部ＣＴ１との間に配置されている。つまり、第１の絶縁膜１は、電源線１４と第２の中継電極８との間からはみ出さないように配置されている。
【０１４９】
発光画素２０Ｂにおいて、導電材料９及び第２の中継電極８を覆う窒化シリコン膜５が設けられている。窒化シリコン膜５には、導電材料９及び第２の中継電極８を露出させるコンタクトホールＣＴＢ２が設けられている。画素電極３１Ｂは、窒化シリコン膜５の上に設けられ、コンタクトホールＣＴＢ２を介して導電材料９及び第２の中継電極８に電気的に接続されている。
【０１５０】
発光画素２０Ｇにおいて、導電材料９及び第２の中継電極８を覆う窒化シリコン膜５及び第２の酸化シリコン膜４が設けられている。窒化シリコン膜５及び第２の酸化シリコン膜４には、導電材料９及び第２の中継電極８を露出させるコンタクトホールＣＴＧ２が設けられている。画素電極３１Ｇは、第２の酸化シリコン膜４の上に設けられ、コンタクトホールＣＴＧ２を介して導電材料９及び第２の中継電極８に電気的に接続されている。
【０１５１】
発光画素２０Ｒにおいて、導電材料９及び第２の中継電極８を覆う、窒化シリコン膜５、第１の酸化シリコン膜３、及び第２の酸化シリコン膜４が設けられている。窒化シリコン膜５、第１の酸化シリコン膜３及び第２の酸化シリコン膜４には、導電材料９及び第２の中継電極８を露出させるコンタクトホールＣＴＲ２が設けられている。画素電極３１Ｒは、第２の酸化シリコン膜４の上に設けられ、コンタクトホールＣＴＲ２を介して導電材料９及び第２の中継電極８に電気的に接続されている。
【０１５２】
「有機ＥＬ装置の製造方法」
次に、図１１乃至図１３を参照して、有機ＥＬ装置２００の製造方法を説明する。
図１１に示すように、有機ＥＬ装置２００を製造する工程は、光反射層としての電源線１４及び電源線１４を覆う第１の絶縁膜１を形成する工程（ステップＳ１１）と、第１の開口部ＣＴ１を形成する工程（ステップＳ１２）と、第２の絶縁膜２を堆積する工程（ステップＳ１３）と、第２の開口部ＣＴ２を形成する工程（ステップＳ１４）と、窒化チタン膜８ａを形成する工程（ステップＳ１５）と、導電材料９を充填する工程（ステップＳ１６）と、窒化チタン膜８ａをエッチングする工程（ステップＳ１７）と、第１の絶縁膜１をエッチングする工程（ステップＳ１８）と、窒化シリコン膜５と第１の酸化シリコン膜３とを堆積する工程（ステップＳ１９）と、第１の酸化シリコン膜３をエッチングする工程（ステップＳ２０）と、第２の酸化シリコン膜４を形成する工程（ステップＳ２１）と、窒化シリコン膜５をエッチングする工程と（ステップＳ２２）と、画素電極３１を形成する工程（ステップＳ２３）と、を含んでいる。
【０１５３】
本実施形態におけるステップＳ１１〜ステップＳ１７は、実施形態１におけるステップＳ１〜Ｓ７と同じである。
【０１５４】
ステップＳ１７では、図１２（ａ）に示すように、窒化チタン膜８ａに、例えば塩素系ガスを用いたドライエッチング法によってＺ（−）方向のエッチングを施し、第２の開口部ＣＴ２の内側を覆い、平面視で第１の開口部ＣＴ１よりも広くなった第２の中継電極８を形成する。
なお、窒化チタン膜８ａのオーバーエッチ時に、第２の中継電極８で覆われていない部分の第１の絶縁膜１もＺ（−）方向にエッチングされる。
【０１５５】
ステップＳ１８では、図１２（ｂ）に示すように、例えばフッ素系ガスを用いたドライエッチング法によって、第１の絶縁膜１に第２の中継電極８をエッチングマスクとしたＺ（−）方向のエッチングを施し、第２の中継電極８と電源線１４との間からはみ出した第１の絶縁膜１を除去する。
ステップＳ１７においても、第２の中継電極８で覆われてない部分の第１の絶縁膜１はＺ（−）方向にエッチングされるが、第１の絶縁膜１のエッチングレートが小さいため、ステップＳ１８では、反応ガスを塩素系ガスからフッ素系ガスに切り替えて第１の絶縁膜１をエッチングしている。
【０１５６】
ステップＳ１９は、図１２（ｃ）に示すように、例えばプラズマＣＶＤ法を用いて、導電材料９及び第２の中継電極８を覆う窒化シリコン膜５と第１の酸化シリコン膜３とを順に堆積する。窒化シリコン膜５の膜厚は概略５０ｎｍであり、第１の酸化シリコン膜３の膜厚は概略６０ｎｍ〜７０ｎｍである。
【０１５７】
ステップＳ２０では、図１２（ｄ）に示すように、例えばフッ素系ガスを用いたドライエッチング法を用いて、第１の酸化シリコン膜３にＺ（−）方向のエッチングを施して、第１の領域２８Ｂの第１の酸化シリコン膜３、第２の領域２８Ｇの第１の酸化シリコン膜３、及びコンタクトホールＣＴＲ２に対応する領域の第１の酸化シリコン膜３を除去する。上述したように、フッ素系ガスを用いたドライエッチングでは、酸化シリコンのエッチングレートと比べて窒化シリコンのエッチングレートが小さいので、窒化シリコン膜５が露出したところで、Ｚ（−）方向のエッチングが実質的に停止する。その結果、コンタクトホールＣＴＲ２を有する第１の酸化シリコン膜３が、第３の領域２８Ｒに形成される。
【０１５８】
ステップＳ２１では、図１３（ａ）に示すように、プラズマＣＶＤ法で概略６０ｎｍ〜７０ｎｍの酸化シリコン膜を成膜した後、例えばフッ素系ガスを用いたドライエッチング法を用いて、上記酸化シリコン膜にＺ（−）方向のエッチングを施して第２の酸化シリコン膜４を形成する。詳しくは、ステップＳ２０において、第１の領域２８Ｂの上記酸化シリコン膜と、コンタクトホールＣＴＧ２に対応する領域の上記酸化シリコン膜と、コンタクトホールＣＴＲ２に対応する領域の上記酸化シリコン膜とを除去し、第２の領域２８Ｇの窒化シリコン膜５及び第３の領域２８Ｒの第１の酸化シリコン膜３を覆う、コンタクトホールＣＴＧ２またはコンタクトホールＣＴＲ２を有する第２の酸化シリコン膜４を形成する。
【０１５９】
ステップＳ２２では、図１３（ｂ）に示すように、例えばフッ素系ガスを用いたドライエッチング法を用いて、コンタクトホールＣＴＢ２，ＣＴＧ２，ＣＴＲ２に対応する領域の窒化シリコン膜５を除去し、発光画素２０Ｂの窒化シリコン膜５にコンタクトホールＣＴＢ２を形成し、発光画素２０Ｇの窒化シリコン膜５にコンタクトホールＣＴＧ２を形成し、発光画素２０Ｒの窒化シリコン膜５にコンタクトホールＣＴＲ２を形成する。窒化シリコン膜５に設けたコンタクトホールＣＴＢ２，ＣＴＧ２，ＣＴＲ２によって、第２の中継電極８と導電材料９とを露出させる。
【０１６０】
ステップＳ２３では、図１３（ｃ）に示すように、スパッタ法で膜厚が概略１００ｎｍのＩＴＯ膜を成膜し、これをパターニングして、平面視で少なくとも第１の開口部ＣＴ１を覆い、少なくとも導電材料９に接する画素電極３１を形成する。発光画素２０Ｂでは、コンタクトホールＣＴＢ２を介して第２の中継電極８及び導電材料９に接する画素電極３１Ｂが形成される。発光画素２０Ｇでは、コンタクトホールＣＴＧ２を介して第２の中継電極８及び導電材料９に接する画素電極３１Ｇが形成される。発光画素２０Ｒでは、コンタクトホールＣＴＲ２を介して第２の中継電極８及び導電材料９に接する画素電極３１Ｒが形成される。
【０１６１】
実施形態１の製造方法では、光学的距離調整層２８の膜厚Ｂｄ１（５０ｎｍ）となるように、ステップＳ５で第１の絶縁膜１に減膜処理（ドライエッチング処理）を施し、第１の絶縁膜１（窒化シリコン膜）を光学的距離調整層２８の一部とした。すなわち、実施形態１の製造方法では、光学的距離調整層２８の一部をなす、窒化シリコン膜（第１の絶縁膜１）の膜厚Ｂｄ１を、ドライエッチングによって調整した。
【０１６２】
本実施形態の製造方法では、光学的距離調整層２８の一部をなす窒化シリコン膜（窒化シリコン膜５）の膜厚Ｂｄ１を、プラズマＣＶＤ法による成膜のみで調整する。エッチングで膜厚を調整する場合、エッチング装置の状態や基板の状態などによってエッチングレートが変動し、減膜量にバラツキが生じる恐れがある。よって、エッチングで膜厚を調整する実施形態１の製造方法と比べて、成膜で膜厚を調整する実施形態２の製造方法の方が、目標とする膜厚を安定して得られる。すなわち、本実施形態の製造方法では、実施形態１の製造方法と比べて、光学的距離調整層２８の一部をなす膜厚Ｂｄ１（５０ｎｍ）の窒化シリコン膜５を、安定して形成することができる。
【０１６３】
以上述べたように、本実施形態に係る有機ＥＬ装置２００は、第３トランジスター２３（第１の中継電極７）と画素電極３１とが接続される部分（画素コンタクト）が小さいという実施形態１と同じ効果に加えて、実施形態１に係る有機ＥＬ装置１００と比べて目標膜厚に対して光学的距離調整層２８をより高精度に形成することができるため、発光画素２０から目標とする共振波長の光が発せられ、発光画素２０から発する光の色純度をさらに高め、より鮮やかな表示を提供することができる。
【０１６４】
すなわち、光学的距離調整層２８は、Ｚ（＋）方向に沿って順に積層された、窒化シリコン膜５と、第１の酸化シリコン膜３と、第２の酸化シリコン膜４とを有し、光学的距離調整層２８の膜厚Ｂｄ１の部分は窒化シリコン膜５で構成され、光学的距離調整層２８の膜厚Ｇｄ１の部分は窒化シリコン膜５と第２の酸化シリコン膜４とで構成され、光学的距離調整層２８の膜厚Ｒｄ１の部分は窒化シリコン膜５と第１の酸化シリコン膜３と第２の酸化シリコン膜４とで構成されていることが好ましい。
【０１６５】
（実施形態３）
「有機ＥＬ装置の概要」
図１４は、図９に対応し、実施形態３に係る有機ＥＬ装置の発光領域の概略断面図である。図１５は、図１０に対応し、本実施形態に係る有機ＥＬ装置の画素コンタクトの概略断面図である。図１６は、本実施形態に係る有機ＥＬ装置の製造方法を示す工程フローである。図１７及び図１８は、図１２及び図１３に対応し、図１６に示す各工程を経た後の有機ＥＬ装置の状態を示す概略断面図である。
以下、図１４乃至図１８を参照して、本実施形態に係る有機ＥＬ装置３００の概要を、実施形態２との相違点を中心に説明する。
【０１６６】
本実施形態に係る有機ＥＬ装置３００では、光学的距離調整層２８の構成が実施形態２と異なり、他の構成は実施形態２と同じである。詳しくは、実施形態２の光学的距離調整層２８は、Ｚ（＋）方向に順に積層された窒化シリコン膜５と、第１の酸化シリコン膜３と、第２の酸化シリコン膜４とで構成される。本実施形態の光学的距離調整層２８は、Ｚ（＋）方向に順に積層された第１の酸化シリコン膜３と、第２の酸化シリコン膜４と、窒化シリコン膜５とで構成される。すなわち、本実施形態と実施形態２とでは、光学的距離調整層２８を構成する窒化シリコン膜５、第１の酸化シリコン膜３、及び第２の酸化シリコン膜４の積層の順番が異なる。
【０１６７】
図１４に示すように、電源線１４と画素電極３１との間に、光学的距離調整層２８が設けられている。光学的距離調整層２８は、電源線１４の側からＺ（＋）方向に沿って順に積層された、第１の酸化シリコン膜３と、第２の酸化シリコン膜４と、窒化シリコン膜５とで構成される。第１の酸化シリコン膜３及び第２の酸化シリコン膜４の膜厚は、概略６０ｎｍ〜７０ｎｍである。窒化シリコン膜５の膜厚は、概略５０ｎｍである。
なお、第１の酸化シリコン膜３は本発明における「第８の絶縁膜」の一例であり、第２の酸化シリコン膜４は本発明における「第９の絶縁膜」の一例であり、窒化シリコン膜５は本発明における「第１０の絶縁膜」の一例である。
【０１６８】
発光画素２０Ｂ（第１の領域２８Ｂ）の光学的距離調整層２８は、窒化シリコン膜５で構成され、膜厚Ｂｄ１を有している。発光画素２０Ｇ（第２の領域２８Ｇ）の光学的距離調整層２８は、Ｚ（＋）方向に沿って順に積層された第２の酸化シリコン膜４と窒化シリコン膜５とで構成され、膜厚Ｇｄ１を有している。発光画素２０Ｒ（第３の領域２８Ｒ）の光学的距離調整層２８は、Ｚ（＋）方向に沿って順に積層された第１の酸化シリコン膜３と第２の酸化シリコン膜４と窒化シリコン膜５とで構成され、膜厚Ｒｄ１を有している。発光画素２０Ｂ（第１の領域２８Ｂ）の光学的距離調整層２８の膜厚Ｂｄ１は概略５０ｎｍであり、発光画素２０Ｇ（第２の領域２８Ｇ）の光学的距離調整層２８の膜厚Ｇｄ１は概略１１５ｎｍであり、発光画素２０Ｒ（第３の領域２８Ｒ）の光学的距離調整層２８の膜厚Ｒｄ１は概略１７０ｎｍである。
【０１６９】
図１５に示すように、発光画素２０Ｂにおいて、導電材料９及び第２の中継電極８を覆う窒化シリコン膜５が設けられている。窒化シリコン膜５には、導電材料９及び第２の中継電極８を露出させるコンタクトホールＣＴＢ３が設けられている。画素電極３１Ｂは、窒化シリコン膜５の上に設けられ、コンタクトホールＣＴＢ３を介して導電材料９及び第２の中継電極８に電気的に接続されている。
【０１７０】
発光画素２０Ｇにおいて、導電材料９及び第２の中継電極８を覆う第２の酸化シリコン膜４及び窒化シリコン膜５が設けられている。第２の酸化シリコン膜４及び窒化シリコン膜５には、導電材料９及び第２の中継電極８を露出させるコンタクトホールＣＴＧ３が設けられている。画素電極３１Ｇは、窒化シリコン膜５の上に設けられ、コンタクトホールＣＴＧ３を介して導電材料９及び第２の中継電極８に電気的に接続されている。
【０１７１】
発光画素２０Ｒにおいて、導電材料９及び第２の中継電極８を覆う第１の酸化シリコン膜３、第２の酸化シリコン膜４及び窒化シリコン膜５が設けられている。第１の酸化シリコン膜３、第２の酸化シリコン膜４、及び窒化シリコン膜５には、導電材料９及び第２の中継電極８を露出させるコンタクトホールＣＴＲ３が設けられている。画素電極３１Ｒは、窒化シリコン膜５の上に設けられ、コンタクトホールＣＴＲ３を介して導電材料９及び第２の中継電極８に電気的に接続されている。
【０１７２】
「有機ＥＬ装置の製造方法」
次に、図１６乃至図１８を参照して、有機ＥＬ装置３００の製造方法を説明する。
【０１７３】
図１６に示すように、有機ＥＬ装置３００を製造する工程は、光反射層としての電源線１４及び電源線１４を覆う第１の絶縁膜１を形成する工程（ステップＳ３１）と、第１の開口部ＣＴ１を形成する工程（ステップＳ３２）と、第２の絶縁膜２を堆積する工程（ステップＳ３３）と、第２の開口部ＣＴ２を形成する工程（ステップＳ３４）と、窒化チタン膜８ａを形成する工程（ステップＳ３５）と、導電材料を充填する工程（ステップＳ３６）と、窒化チタン膜８ａをエッチングする工程（ステップＳ３７）と、第１の絶縁膜１をエッチングする工程（ステップＳ３８）と、第１の酸化シリコン膜３を形成する工程（ステップＳ３９）と、第２の酸化シリコン膜４を形成する工程（ステップＳ４０）と、窒化シリコン膜５を形成する工程（ステップＳ４１）と、画素電極３１を形成する工程（ステップＳ４２）と、を含んでいる。
本実施形態におけるステップＳ３１〜ステップＳ３８は、実施形態２におけるステップＳ１１〜Ｓ１８と同じである。
【０１７４】
ステップＳ３８では、図１７（ａ）に示すように、例えばフッ素系ガスを用いたドライエッチング法によって、第１の絶縁膜１に第２の中継電極８をエッチングマスクとしたＺ（−）方向のエッチングを施し、第２の中継電極８と電源線１４との間からはみ出した第１の絶縁膜１を除去する。
【０１７５】
ステップＳ３９では、図１７（ｂ）に示すように、例えばプラズマＣＶＤ法を用いて、膜厚が概略６０ｎｍ〜７０ｎｍの酸化シリコン膜を成膜した後、例えばフッ素系ガスを用いたドライエッチング法を用いて、当該酸化シリコン膜にＺ（−）方向のエッチングを施して第１の酸化シリコン膜３を形成する。第１の酸化シリコン膜３は、第３の領域２８Ｒに配置され、コンタクトホールＣＴＲ３を有する。
【０１７６】
ステップＳ４０では、図１７（ｃ）に示すように、例えばプラズマＣＶＤ法を用いて、膜厚が概略６０ｎｍ〜７０ｎｍの酸化シリコンを成膜した後、例えばフッ素系ガスを用いたドライエッチング法を用いて、当該酸化シリコン膜にＺ（−）方向のエッチングを施して第２の酸化シリコン膜４を形成する。第２の酸化シリコン膜４は、第２の領域２８Ｇ及び第３の領域２８Ｒに配置され、コンタクトホールＣＴＧ３とコンタクトホールＣＴＲ３とを有する。
【０１７７】
ステップＳ４１では、図１８（ａ）に示すように、例えばプラズマＣＶＤ法を用いて、膜厚が概略５０ｎｍの窒化シリコン膜を成膜した後、例えばフッ素系ガスを用いたドライエッチング法を用いて、当該窒化シリコン膜にＺ（−）方向のエッチングを施して窒化シリコン膜５を形成する。窒化シリコン膜５は、第１の領域２８Ｂ、第２の領域２８Ｇ、及び第３の領域２８Ｒに配置され、コンタクトホールＣＴＢ３、コンタクトホールＣＴＧ３、及びコンタクトホールＣＴＲ３を有する。
【０１７８】
ステップＳ４２では、図１８（ｂ）に示すように、スパッタ法で膜厚が概略１００ｎｍのＩＴＯ膜を成膜し、これをパターニングして、平面視で少なくとも第１の開口部ＣＴ１を覆い、少なくとも導電材料９に接する画素電極３１を形成する。発光画素２０Ｂでは、コンタクトホールＣＴＢ３を介して第２の中継電極８及び導電材料９に接する画素電極３１Ｂが形成される。発光画素２０Ｇでは、コンタクトホールＣＴＧ３を介して第２の中継電極８及び導電材料９に接する画素電極３１Ｇが形成される。発光画素２０Ｒでは、コンタクトホールＣＴＲ３を介して第２の中継電極８及び導電材料９に接する画素電極３１Ｒが形成される。
【０１７９】
実施形態２の製造方法と、本実施形態の製造方法との相違点は、光学的距離調整層２８を構成する窒化シリコン膜５が、酸化シリコン膜３，４をエッチングするためのプラズマ雰囲気に曝されるかどうかという点にある。詳しくは、実施形態２の製造方法では、窒化シリコン膜５は、酸化シリコン膜３，４をエッチングするためのプラズマ雰囲気に曝される。本実施形態の製造方法は、酸化シリコン膜３，４を形成した後に窒化シリコン膜５を形成するので、窒化シリコン膜５は酸化シリコン膜３，４をエッチングするためのプラズマ雰囲気に曝されない。この点が、実施形態２の製造方法と本実施形態の製造方法との相違点である。
【０１８０】
本実施形態の製造方法では、窒化シリコン膜５はプラズマ雰囲気に曝されないので、上述したプラズマ雰囲気に曝されたことによるエッチングが生じない。従って、本実施形態の製造方法では、実施形態２の製造方法と比べて、目標とする膜厚（膜厚Ｂｄ１）となるように、窒化シリコン膜５の膜厚をより高精度に制御（形成）することができる。
【０１８１】
以上述べたように、本実施形態に係る有機ＥＬ装置３００は、第３トランジスター２３（第１の中継電極７）と画素電極３１とが接続される部分（画素コンタクト）が小さいという実施形態１及び実施形態２と同じ効果に加えて、実施形態２に係る有機ＥＬ装置２００と比べて目標膜厚に対して光学的距離調整層２８をより高精度に形成することができるため、発光画素２０から目標とする共振波長の光が発せられ、発光画素２０から発する光の色純度をさらに高め、より鮮やかな表示を提供することができる。
【０１８２】
すなわち、光学的距離調整層２８は、Ｚ（＋）方向に沿って順に積層された、第１の酸化シリコン膜３と、第２の酸化シリコン膜４と、窒化シリコン膜５とを有し、光学的距離調整層２８の膜厚Ｂｄ１の部分は窒化シリコン膜５で構成され、光学的距離調整層２８の膜厚Ｇｄ１の部分は第２の酸化シリコン膜４と窒化シリコン膜５とで構成され、光学的距離調整層２８の膜厚Ｒｄ１の部分は第１の酸化シリコン膜３と第２の酸化シリコン膜４と窒化シリコン膜５とで構成されていることが好ましい。
【０１８３】
（実施形態４）
「電子機器」
図１９は、電子機器の一例としてのヘッドマウントディスプレイの概略図である。
図１９に示すように、ヘッドマウントディスプレイ１０００は、左右の目に対応して設けられた２つの表示部１００１を有している。観察者Ｍはヘッドマウントディスプレイ１０００を眼鏡のように頭部に装着することにより、表示部１００１に表示された文字や画像などを見ることができる。例えば、左右の表示部１００１に視差を考慮した画像を表示すれば、立体的な映像を見て楽しむこともできる。
【０１８４】
表示部１００１には、上記実施形態に係る有機ＥＬ装置１００，２００，３００のいずれかが搭載されている。有機ＥＬ装置１００，２００，３００では、非発光領域（画素コンタクト）の面積を小さくし、発光領域の面積を大きくできるので、明るい表示が提供される。さらに、有機ＥＬ装置１００，２００，３００は、光共振構造を有しているので、発光画素２０から発する光の色純度が高められ、鮮やかな表示が提供される。つまり、有機ＥＬ装置１００，２００，３００では、明るく鮮やかな表示が提供される。従って、表示部１００１に当該有機ＥＬ装置を搭載することで、明るく鮮やかな表示のヘッドマウントディスプレイ１０００を提供することができる。
【０１８５】
なお、当該有機ＥＬ装置が搭載される電子機器は、ヘッドマウントディスプレイ１０００に限定されない。例えば、ヘッドアップディスプレイや、デジタルカメラの電子ビューファインダー、携帯型情報端末、ナビゲーターなどの表示部を有する電子機器に搭載してもよい。さらに、表示部に限定されず、本発明を照明装置や露光装置にも適用することができる。
【０１８６】
本発明は、上記実施形態に限られるものではなく、請求の範囲及び明細書全体から読み取れる発明の要旨あるいは思想に反しない範囲で適宜変更可能であり、そのような変更を伴う電気光学装置及び該電気光学装置が搭載された電子機器もまた本発明の技術的範囲に含まれる。
上記実施形態以外にも様々な変形例が考えられる。以下、変形例を挙げて説明する。
【０１８７】
（変形例１）
本発明に係る電気光学装置は、上述した有機ＥＬ装置１００，２００，３００に限定されず、例えば液晶装置であってもよい。すなわち、すなわち、本発明に係る画素コンタクトの構造やその製造方法が適用された反射型あるいは透過型の液晶装置も、本発明の技術的範囲に含まれる。
【０１８８】
（変形例２）
本発明に係る製造方法で形成されたコンタクト部（画素コンタクト）を有するセンサー、アクチュエーター、電子回路などを半導体基板や絶縁基板などの上に形成するＭＥＭＳ（Micro Electro Mechanical Systems）、及び半導体デバイスも、本発明の技術的範囲に含まれる。
すなわち、第１の中継電極７を１層目の配線、電源線１４を２層目の配線、及び画素電極３１を３層目の配線として、本発明に係る製造方法で形成された小さなコンタクトホール（第２の開口部ＣＴ２）を介して、１層目の配線と３層目の配線とを電気的に接続させるコンタクト部を有するＭＥＭＳ基板や半導体デバイスも、本発明の技術的範囲に含まれる。
【符号の説明】
【０１８９】
ＣＴ１…第１の開口部、ＣＴ１ａ…壁面、ＣＴ２…第２の開口部、ＣＴ２ａ…第１の壁面、ＣＴ２ｂ…第２の壁面、１…第１の絶縁膜、２…第２の絶縁膜、７…第１の中継電極、８…第２の中継電極、９…導電材料、１０…素子基板、１０ａ…絶縁膜、１０ｆ…表面、１０ｄ…イオン注入部、１０ｓ…基材、１０ｗ…ウェル部、１１…走査線、１２…データ線、１３…点灯制御線、１４…電源線、１５…第１層間絶縁膜、１６…第２層間絶縁膜、１７…第３層間絶縁膜、２０，２０Ｂ，２０Ｇ，２０Ｒ…発光画素、２１…第１トランジスター、２２…第２トランジスター、２３…第３トランジスター、２３ｇ…ゲート電極、２３ｓ…ソース電極、２４…蓄積容量、２４ａ…一方の電極、２４ｂ…他方の電極、２４ｃ…容量絶縁膜、２５…層間絶縁層、２８…光学的距離調整層、２８Ｂ…第１の領域、２８Ｇ…第２の領域、２８Ｒ…第３の領域、２９…誘電膜、２９Ｂ，２９Ｇ，２９Ｒ…開口、３０…有機ＥＬ素子、３１，３１Ｂ，３１Ｇ，３１Ｒ…画素電極、３２…発光機能層、３３…対向電極、４０…封止層、４１…第１封止層、４２…緩衝層、４３…第２封止層、５０…カラーフィルター、５０Ｂ，５０Ｇ，５０Ｒ…着色層、７１…樹脂層、７０…封止基板、１００，２００，３００…有機ＥＬ装置、ＣＴＧ、ＣＴＲ…コンタクトホール、Ｗ１，Ｗ２…開口寸法。
【図１】
2015075717.tif 000003
【図２】
2015075717.tif 000004
【図３】
2015075717.tif 000005
【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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