(57)【要約】【課題】共通信号線に供給される共通電位に対する抵抗の影響が軽減される液晶表示装置を提供する。【解決手段】画素電極と、共通電極９３０と、が形成されるＴＦＴ基板１０を有する液晶表示装置であって、ＧＡＬ層１００はゲート信号線１００を有し、ＣＭＴ層３００は、共通信号線３１０と、共通信号バスライン３２０と、を有し、ＳＤＬ層２００はデータ信号線２１０を有し、ＧＡＬ層１００と、ＳＤＬ層２００と、の少なくとも一方は、共通電位バスライン１３０，２２０を有し、更に、共通信号バスライン３２０と、共通電位バスライン１３０，２２０と、を接続する層間接続部６００，８００を有する。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数のトランジスタにより電位が制御される複数の画素電極と、共通電位が供給される共通電極と、が形成されるＴＦＴ基板を有する液晶表示装置であって、
前記ＴＦＴ基板は、
第１配線層と、
前記第１配線層の上に第１絶縁層を介して形成される第２配線層と、
前記第２配線層の上に第２絶縁層を介して形成される第３配線層と、を有し、
前記第１配線層、前記第２配線層、および前記第３配線層のいずれかの配線層は、
前記複数のトランジスタにゲート信号を供給する複数のゲート信号線を有し、
前記複数のゲート信号線を有する配線層と異なる配線層は、
前記共通電極に共通電位を供給する複数の共通信号線と、２以上の前記共通信号線の端部同士を接続する導電体からなる共通信号バスラインと、を有し、
前記複数のゲート信号線を有する配線層および前記複数の共通信号線と前記共通信号バスラインとを有する配線層と異なる配線層は、
前記複数のトランジスタにデータ信号を供給する複数のデータ信号線を有し、
前記複数のゲート信号線を有する配線層と、前記複数のデータ信号線を有する配線層と、の少なくとも一方は、前記複数の共通信号線に前記共通電位を供給する共通電位バスラインを有し、
前記ＴＦＴ基板は、更に、
前記共通信号バスラインと、前記共通電位バスラインと、を接続する導電体からなる層間接続部を有することを特徴とする液晶表示装置。
【請求項２】
請求項１に記載の液晶表示装置において、
前記２以上の共通信号線が、前記共通信号バスラインから突出して延伸するように形成されることを特徴とする液晶表示装置。
【請求項３】
請求項１に記載の液晶表示装置において、
前記ＴＦＴ基板の表面は、前記複数の画素電極が形成される表示領域と、前記表示領域を囲む非表示領域と、を有し、
前記共通信号バスラインおよび前記共通電位バスラインは、前記非表示領域に対応する領域に形成されることを特徴とする液晶表示装置。
【請求項４】
請求項１に記載の液晶表示装置において、
前記共通信号バスラインと、前記共通電位バスラインと、は少なくとも一部において互いに重畳することを特徴とする液晶表示装置。
【請求項５】
請求項１に記載の液晶表示装置において、
前記共通信号バスラインは、全ての前記共通信号線の端部同士を接続することを特徴とする液晶表示装置。
【請求項６】
請求項１に記載の液晶表示装置において、
前記第１配線層は、前記複数のゲート信号線を有し、
前記第２配線層は、前記複数のデータ信号線と、前記共通電位バスラインと、を有し、
前記第３配線層は、前記複数の共通信号線と、前記共通信号バスラインと、を有することを特徴とする液晶表示装置。
【請求項７】
請求項１に記載の液晶表示装置において、
前記第１配線層は、前記複数のゲート信号線と、前記共通電位バスラインと、を有し、
前記第２配線層は、前記複数のデータ信号線を有し、
前記第３配線層は、前記複数の共通信号線と、前記共通信号バスラインと、を有することを特徴とする液晶表示装置。
【請求項８】
請求項１に記載の液晶表示装置において、
前記第１配線層は、前記複数のゲート信号線を有し、
前記第２配線層は、前記複数のデータ信号線を有し、
前記第３配線層は、前記複数の共通信号線と、前記共通信号バスラインと、を有し、
前記共通電位バスラインは、前記第１配線層に形成される第１配線層共通電位バスラインと、前記第２配線層に形成される第２配線層共通電位バスラインと、を含むことを特徴とする液晶表示装置。
【請求項９】
請求項６に記載の液晶表示装置において、
前記層間接続部は、
前記第３配線層の上に第３絶縁層を介して形成される平面状の接続部と、
前記第３絶縁層を貫通して前記接続部と前記共通信号バスラインとを接続する第１貫通部と、
前記第３絶縁層、前記第３配線層、および前記第２絶縁層を貫通して前記接続部と前記共通電位バスラインとを接続する第２貫通部と、
を有することを特徴とする液晶表示装置。
【請求項１０】
請求項７に記載の液晶表示装置において、
前記層間接続部は、
前記第３配線層の上に第３絶縁層を介して形成される平面状の接続部と、
前記第３絶縁層を貫通して前記接続部と前記共通信号バスラインとを接続する第１貫通部と、
前記第３絶縁層、前記第３配線層、前記第２絶縁層、前記第２配線層、および前記第１絶縁層を貫通して前記接続部と前記共通電位バスラインとを接続する第２貫通部と、
を有することを特徴とする液晶表示装置。
【請求項１１】
請求項８に記載の液晶表示装置において、
前記層間接続部は、
前記第３配線層の上に第３絶縁層を介して形成される平面状の第１接続部と、
前記第３絶縁層を貫通して前記第１接続部と前記共通信号バスラインとを接続する第１貫通部と、
前記第３絶縁層、前記第３配線層、および前記第２絶縁層を貫通して前記第１接続部と前記第２配線層共通電位バスラインとを接続する第２貫通部と、からなる第１層間接続部と、
前記第３配線層の上に第３絶縁層を介して形成される平面状の第２接続部と、
前記第３絶縁層を貫通して前記第２接続部と前記共通信号バスラインとを接続する第３貫通部と、
前記第３絶縁層、前記第３配線層、前記第２絶縁層、前記第２配線層、および前記第１絶縁層を貫通して前記第２接続部と前記第１配線層共通電位バスラインとを接続する第４貫通部と、からなる第２層間接続部と、
を含むことを特徴とする液晶表示装置。
【請求項１２】
請求項９乃至１１のいずれかに記載の液晶表示装置において、
前記複数の層間接続部の前記第１貫通部は、それぞれ、前記共通信号バスラインの、前記複数の共通信号線のそれぞれの前記端部と隣接する部分に接続されることを特徴とする液晶表示装置。
【請求項１３】
請求項１乃至１２のいずれかに記載の液晶表示装置において、
前記共通電位バスラインと、前記共通信号バスラインと、は、前記ＴＦＴ基板の共通電位を供給する共通電位供給端子と接続されることを特徴とする液晶表示装置。
【請求項１４】
請求項１に記載の液晶表示装置であって、
前記層間接続部は、透明電極材料からなることを特徴とする液晶表示装置。
【請求項１５】
請求項１に記載の液晶表示装置であって、
前記層間接続部の数が、前記共通信号線の端部の数と同数であることを特徴とする液晶表示装置。
【請求項１６】
請求項６乃至８のいずれかに記載の液晶表示装置であって、
前記第３配線層は、有機材料からなる層を有することを特徴とする液晶表示装置。
【請求項１７】
請求項１に記載の液晶表示装置であって、
前記共通信号バスラインと、前記共通電位バスラインと、は、前記ＴＦＴ基板の短辺方向に形成されていることを特徴とする液晶表示装置。
【請求項１８】
請求項１に記載の液晶表示装置であって、
前記共通信号バスラインは、前記ＴＦＴ基板の長辺方向に形成されていることを特徴とする液晶表示装置。
【請求項１９】
請求項１３に記載の液晶表示装置であって、
前記共通電位供給端子は、前記ＴＦＴ基板の長辺方向に配置されていることを特徴とする液晶表示装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、液晶表示装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
液晶表示装置は、薄膜トランジスタにより電位が制御される画素電極、共通信号により電位が制御される共通電極、および画素電極と共通電極との間の電界が印加される液晶層を有する。液晶表示装置では、画素電極の電位を制御することで液晶層に印加される電界を変化させて液晶層におけるバックライトの光の透過／非透過を制御し、その表示面に画像を表示させる。
【０００３】
特許文献１には、対向電極（共通電極）に電位を供給するコモン電圧信号線が、共通バスラインで一纏めされて対向電極端子に接続される構成を有するアクティブ・マトリクス型液晶表示装置が開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００１−１１７１１８号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
画面サイズの大型化および表示画像の高精細化に伴い、各共通信号線に供給する共通電位の値がより大きくなり、各共通信号線の抵抗の影響が大きくなる。
【０００６】
本発明は、上述の課題を鑑みてなされたものであり、共通信号線に供給される共通電位に対する抵抗の影響が軽減される液晶表示装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上記課題を解決するため、本願発明に係る液晶表示装置は、複数のトランジスタにより電位が制御される複数の画素電極と、共通電位が供給される共通電極と、が形成されるＴＦＴ基板を有する液晶表示装置であって、前記ＴＦＴ基板は、第１配線層と、前記第１配線層の上に第１絶縁層を介して形成される第２配線層と、前記第２配線層の上に第２絶縁層を介して形成される第３配線層と、を有し、前記第１配線層、前記第２配線層、および前記第３配線層のいずれかの配線層は、前記複数のトランジスタにゲート信号を供給する複数のゲート信号線を有し、前記複数のゲート信号線を有する配線層と異なる配線層は、前記共通電極に共通電位を供給する複数の共通信号線と、２以上の前記共通信号線の端部同士を接続する導電体からなる共通信号バスラインと、を有し、前記複数のゲート信号線を有する配線層および前記複数の共通信号線と前記共通信号バスラインとを有する配線層と異なる配線層は、前記複数のトランジスタにデータ信号を供給する複数のデータ信号線を有し、前記複数のゲート信号線を有する配線層と、前記複数のデータ信号線を有する配線層と、の少なくとも一方は、前記複数の共通信号線に前記共通電位を供給する共通電位バスラインを有し、前記ＴＦＴ基板は、更に、前記共通信号バスラインと、前記共通電位バスラインと、を接続する導電体からなる層間接続部を有する。
【０００８】
本発明によると、共通信号が、層間接続部を介して接続される共通信号バスラインと、共通電位バスラインと、を伝播するため、単一のバスラインを有する構成に比べて共通信号線に供給される共通電位に対する信号線の抵抗の影響が軽減される液晶表示装置が提供される。
【０００９】
また、本発明の一態様では、前記２以上の共通信号線が、前記共通信号バスラインから突出して延伸するように形成される。
【００１０】
本発明によると、共通信号バスラインにより接続される端部を有する２以上の共通信号線が、共通信号バスラインから突出して延伸する態様で形成される。
【００１１】
また、本発明の一態様では、前記ＴＦＴ基板の表面は、前記複数の画素電極が形成される表示領域と、前記表示領域を囲む非表示領域と、を有し、前記共通信号バスラインおよび前記共通電位バスラインは、前記非表示領域に対応する領域に形成される。
【００１２】
本発明によると、共通信号バスラインおよび共通電位バスラインが、非表示領域に対応する領域に形成され、これらのバスラインが表示領域に対応する領域に形成される構成に比べ、液晶表示装置に表示される画像に対するこれらのバスラインの影響が抑えられる。
【００１３】
また、本発明の一態様では、前記共通信号バスラインと、前記共通電位バスラインと、は少なくとも一部において互いに重畳する。
【００１４】
本発明によると、共通信号バスラインと、共通電位バスラインと、が重畳するため、互いに重畳しない構成に比べ、これらのバスラインが形成される領域が抑えられる。
【００１５】
また、本発明の一態様では、前記共通信号バスラインは、全ての前記共通信号線の端部同士を接続する。
【００１６】
本発明によると、全ての共通信号線に対し、共通信号バスラインから共通信号が供給される。
【００１７】
また、本発明の一態様では、前記第１配線層は、前記複数のゲート信号線を有し、前記第２配線層は、前記複数のデータ信号線と、前記共通電位バスラインと、を有し、前記第３配線層は、前記複数の共通信号線と、前記共通信号バスラインと、を有する。
【００１８】
本発明によると、共通電位バスラインが第３配線層からより近い第２配線層に形成されるため、第３配線層に形成される共通信号線への電位の供給がより効率的に行うことができるＴＦＴ基板を有する液晶表示装置が提供される。
【００１９】
また、本発明の一態様では、前記第１配線層は、前記複数のゲート信号線と、前記共通電位バスラインと、を有し、前記第２配線層は、前記複数のデータ信号線を有し、前記第３配線層は、前記複数の共通信号線と、前記共通信号バスラインと、を有する。
【００２０】
本発明によると、第１配線層が複数のゲート信号線と共通電位バスラインを有し、第１配線層の上に第１絶縁層を介して形成される第２配線層が複数のデータ信号線を有し、第２配線層の上に第２絶縁層を介して形成される第３配線層が複数の共通信号線と共通信号バスラインとを有するＴＦＴ基板を有する液晶表示装置が提供される。
【００２１】
また、本発明の一態様では、前記第１配線層は、前記複数のゲート信号線を有し、前記第２配線層は、前記複数のデータ信号線を有し、前記第３配線層は、前記複数の共通信号線と、前記共通信号バスラインと、を有し、前記共通電位バスラインは、前記第１配線層に形成される第１配線層共通電位バスラインと、前記第２配線層に形成される第２配線層共通電位バスラインと、を含む。
【００２２】
本発明によれば、第１配線層、第２配線層、および第３配線層のいずれもから共通電位を共通信号線に供給することができるため、大型もしくは高精細の画面により適した液晶表示装置を提供することができる。
【００２３】
また、本発明の一態様では、前記層間接続部は、前記第３配線層の上に第３絶縁層を介して形成される平面状の接続部と、前記第３絶縁層を貫通して前記接続部と前記共通信号バスラインとを接続する第１貫通部と、前記第３絶縁層、前記第３配線層、および前記第２絶縁層を貫通して前記接続部と前記共通電位バスラインとを接続する第２貫通部と、を有する。
【００２４】
本発明によると、層間接続部によって、第３の配線層に形成される共通信号バスラインと第２配線層に形成される共通電位バスラインとを電気的に接続することができ、大きい共通電位を効率的に共通信号線まで供給することができる。
【００２５】
また、本発明の一態様では、前記層間接続部は、前記第３配線層の上に第３絶縁層を介して形成される平面状の接続部と、前記第３絶縁層を貫通して前記接続部と前記共通信号バスラインとを接続する第１貫通部と、前記第３絶縁層、前記第３配線層、前記第２絶縁層、前記第２配線層、および前記第１絶縁層を貫通して前記接続部と前記共通電位バスラインとを接続する第２貫通部と、を有する。
【００２６】
本発明によると、層間接続部によって、第３の配線層に形成される共通信号バスラインと第１配線層に形成される共通電位バスラインとを電気的に接続することができ、大きい共通電位を効率的に共通信号線まで供給することができる。
【００２７】
また、本発明の一態様では、前記層間接続部は、前記第３配線層の上に第３絶縁層を介して形成される平面状の第１接続部と、前記第３絶縁層を貫通して前記第１接続部と前記共通信号バスラインとを接続する第１貫通部と、前記第３絶縁層、前記第３配線層、および前記第２絶縁層を貫通して前記第１接続部と前記第２配線層共通電位バスラインとを接続する第２貫通部と、からなる第１層間接続部と、前記第３配線層の上に第３絶縁層を介して形成される平面状の第２接続部と、前記第３絶縁層を貫通して前記第２接続部と前記共通信号バスラインとを接続する第３貫通部と、前記第３絶縁層、前記第３配線層、前記第２絶縁層、前記第２配線層、および前記第１絶縁層を貫通して前記第２接続部と前記第１配線層共通電位バスラインとを接続する第４貫通部と、からなる第２層間接続部と、を含む。
【００２８】
本発明によると、層間接続部によって、第３の配線層に形成される共通信号バスラインと第１配線層および第２配線層に形成される共通電位バスラインとを電気的に接続することができ、大きい共通電位を効率的に共通信号線まで供給することができる。
【００２９】
また、本発明の一態様では、前記複数の層間接続部の前記第１貫通部は、それぞれ、前記共通信号バスラインの、前記複数の共通信号線のそれぞれの前記端部と隣接する部分に接続される。
【００３０】
本発明によると、第１貫通部は、共通信号線の端部により近い位置になり、共通電位を共通信号線により効率的に供給することができる。
【００３１】
また、本発明の一態様では、前記共通電位バスラインと、前記共通信号バスラインと、は、前記ＴＦＴ基板の共通電位を供給する共通電位供給端子と接続される。
【００３２】
本発明によると、共通電位供給端子から供給される電圧が共通電位バスラインと共通信号バスラインとに供給されることが可能となる。
【００３３】
また、本発明の一態様では、前記層間接続部は、透明電極材料からなる。
【００３４】
本発明によると、導電効果がより高くなり、効率的に共通電位を供給することができる。
【００３５】
また、本発明の一態様では、前記層間接続部の数が、前記共通信号線の端部の数と同数である。
【００３６】
本発明によると、導電効果がより高くなり、効率的に共通電位を供給することができる。
【００３７】
また、本発明の一態様では、前記第３配線層は、有機材料からなる層を有する。
【００３８】
本発明によると、第３配線層は、有機材料からなる層を有する。
【００３９】
また、本発明の一態様では、前記共通信号バスラインと、前記共通電位バスラインと、は、前記ＴＦＴ基板の短辺方向に形成されている。
【００４０】
また、本発明の一態様では、前記共通信号バスラインは、前記ＴＦＴ基板の長辺方向に形成されている。
【００４１】
また、本発明の一態様では、前記共通電位供給端子は、前記ＴＦＴ基板の長辺方向に配置されている。
【図面の簡単な説明】
【００４２】
【図１】本発明の第１の実施形態に係る液晶表示装置のＴＦＴ基板の、外周部の構成を示す図である。
【図２】本実施形態に係る液晶表示装置のＴＦＴ基板を形成するＧＡＬ層の、外周部の構成を示す図である。
【図３】本実施形態に係る液晶表示装置のＴＦＴ基板を形成するＳＤＬ層の、外周部の構成を示す図である。
【図４】本実施形態に係る液晶表示装置のＴＦＴ基板を形成するＣＭＴ層の、外周部の構成を示す図である。
【図５】本実施形態に係る液晶表示装置のＴＦＴ基板の、画素領域の構成を示す図である。
【図６】本実施形態に係る液晶表示装置のＴＦＴ基板の、Ｘ部における信号線の接続構造を示す図である。
【図７】本実施形態に係る液晶表示装置のＴＦＴ基板の、Ｙ部における信号線の接続構造を示す図である。
【図８】図１に示すＴＦＴ基板のＸ部の構造を示す上面図およびＡ−Ａ’線に沿った断面の構造を示す断面図である。
【図９】図１に示すＴＦＴ基板のＺ部の構造を示す上面図およびＢ−Ｂ’線に沿った断面の構造を示す断面図である。
【図１０】本発明の第２の実施形態に係る液晶表示装置のＴＦＴ基板の構成の一例を示す図である。
【図１１】本発明の第３の実施形態に係る液晶表示装置のＴＦＴ基板の構成の一例を示す図である。
【図１２】図１に示すＴＦＴ基板のＸ部の、他の構造を示す上面図である。
【図１３】図１に示すＴＦＴ基板のＺ部の、他の構造を示す上面図である。
【発明を実施するための形態】
【００４３】
（第１の実施形態）
図１は、本発明の第１の実施形態に係る液晶表示装置のＴＦＴ基板１０の、外周部の構成を示す図である。図２は、本実施形態に係る液晶表示装置のＴＦＴ基板１０を形成するＧＡＬ層１００の、外周部の構成を示す図である。図３は、本実施形態に係る液晶表示装置のＴＦＴ基板を形成するＳＤＬ層２００の、外周部の構成を示す図である。図４は、本実施形態に係る液晶表示装置のＴＦＴ基板を形成するＣＭＴ層３００の、外周部の構成を示す図である。本実施形態においては、第１配線層をＧＡＬ層、第２配線層をＳＤＬ層、第３配線層をＣＭＴ層とする。さらに、本実施の形態においては、ＳＤＬ層（第２配線層）２００は、第１絶縁層４００を介してＧＡＬ層（第１配線層）１００の上に形成され、ＣＭＴ層（第３配線層）３００は、第２絶縁層５００を介してＳＤＬ層（第２配線層２００）の上に形成されることとする。
【００４４】
ＴＦＴ基板１０は、ＧＡＬ層１００に形成される複数のゲート信号線１１０、共通信号入力線１２０、およびＧＡＬ層共通電位バスライン１３０、ＳＤＬ層２００に形成される複数のデータ信号線２１０およびＳＤＬ層共通電位バスライン２２０、ＣＭＴ層３００に形成される複数の共通信号線３１０および共通信号線３１０の端部を接続する共通信号バスライン３２０を有する。ここで、本実施形態において、全ての共通信号線３１０は共通信号バスライン３２０から突出して延伸するよう形成され、すなわち共通信号バスライン３２０は、全ての共通信号線３１０の端部を接続している。図１乃至４の破線で示される表示領域９００においては、複数のゲート信号線１１０および複数のデータ信号線２１０により複数の画素領域９１０がマトリクス状に形成される。一方、表示領域９００を囲む領域には画素領域９１０が形成されず、画像は表示されない。以下、当該領域を非表示領域と呼ぶ。図５は、本実施形態に係る液晶表示装置のＴＦＴ基板１０の、画素領域９１０の構成を示す図である。画素領域９１０には、該画素領域９１０に隣接するゲート信号線１１０およびデータ信号線２１０から供給されるデータ信号およびゲート信号により駆動される、薄膜トランジスタ９２０が形成される。また共通電極９３０には、共通信号線３１０から共通電位が供給される。
【００４５】
ここで、薄膜トランジスタ９２０を駆動するゲート信号は、ゲート信号供給端子１３から入力されて、ＧＡＬ層１００のゲート信号線１１０を伝播する。薄膜トランジスタ９２０を駆動するデータ信号は、ＴＦＴ基板１０のデータ信号供給端子１４から入力されて、ＳＤＬ層２００のデータ信号線２１０を伝播する。
【００４６】
共通信号線３１０から共通電極９３０に供給される共通信号は、ＴＦＴ基板１０の共通電位供給端子１１および１２から入力される。
【００４７】
ＴＦＴ基板１０の共通電位供給端子１１から入力される共通信号は、ＧＡＬ層１００に形成される共通信号入力線１２０を介して、ＳＤＬ層２００に形成されるＳＤＬ層共通電位バスライン２２０とＣＭＴ層３００に形成される共通信号バスライン３２０を伝播する。ＳＤＬ層共通電位バスライン２２０と、ＣＭＴ層３００の共通信号バスライン３２０と、は層間接続部６００を介して接続されている。さらに共通信号バスライン３２０と共通信号線３１０は、ＣＭＴ層３００において接続されて形成されているため、共通信号は共通信号線３１０に入力される。
【００４８】
図６は、本実施形態に係る液晶表示装置のＴＦＴ基板１０の、Ｘ部における信号線の接続構造を示す図である。図６に示されるように、ＳＤＬ層２００に形成されるＳＤＬ層共通電位バスライン２２０と、ＣＭＴ層３００に形成される共通信号バスライン３２０と、は、ＣＭＴ層３００の上に第３絶縁層５３０（図示しない）を介して形成される平面状の接続部６１０と、第３絶縁層５３０を貫通して接続部６１０と共通信号バスライン３２０とを接続する第１貫通部６２０と、第３絶縁層５３０、ＣＭＴ層３００、および第２絶縁層５００（図示しない）を貫通して接続部６１０とＳＤＬ層共通電位バスライン２２０とを接続する第２貫通部６３０と、からなる層間接続部６００により接続されている。図１および６に示されるように、層間接続部６００は、共通信号バスライン３２０の、共通信号線３１０の端部に隣接する部分に設けられ、共通信号線３１０と同じ数の層間接続部６００が設けられる。
【００４９】
一方、ＴＦＴ基板１０の共通電位供給端子１２から入力される共通信号は、ＧＡＬ層１００に形成されるＧＡＬ層共通電位バスライン１３０を伝播する。ＧＡＬ層共通電位バスライン１３０と、ＣＭＴ層３００の共通信号線３１０と、は第２層間接続部８００を介して接続されている。
【００５０】
図７は、本実施形態に係る液晶表示装置のＴＦＴ基板１０の、Ｙ部における信号線の接続構造を示す図である。図７に示されるように、ＧＡＬ層１００に形成されるＧＡＬ層共通電位バスライン１３０と、ＣＭＴ層３００に形成される共通信号線３１０と、は、ＣＭＴ層３００の上に第３絶縁層５３０（図示しない）を介して形成される平面状の接続部８１０と、第３絶縁層５３０を貫通して接続部８１０と共通信号線３１０とを接続する第１貫通部８２０と、第３絶縁層５３０、ＣＭＴ層３００、第２絶縁層５００、ＳＤＬ層２００、および第１絶縁層４００を貫通して接続部８１０とＧＡＬ層共通電位バスライン１３０とを接続する第２貫通部８３０と、からなる第２層間接続部８００により接続されている。図１に示されるように、共通信号線３１０と同じ数の第２層間接続部８００が設けられる。
【００５１】
図８は、図１に示すＴＦＴ基板１０のＸ部の構造を示す上面図およびＡ−Ａ’線に沿った断面の構造を示す断面図である。第１絶縁層４００の上にＳＤＬ層共通電位バスライン２２０が形成され、その上に無機材料からなる無機ＰＡＳ層５１０と、有機材料からなる有機ＰＡＳ層５２０と、からなる第２絶縁層５００が形成される。さらに、第２絶縁層５００の上に共通信号バスライン３２０が形成され、その上に無機材料からなる第３絶縁層５３０が形成される。第３絶縁層５３０には第３絶縁層開口部５３１が形成され、有機ＰＡＳ層５２０には第２絶縁層開口部５２１が形成される。その上に層間接続部６００が形成され、ＳＤＬ層共通電位バスライン２２０と、共通信号バスライン３２０と、が接続される。
【００５２】
図９は、図１に示すＴＦＴ基板１０のＺ部の構造を示す上面図およびＢ−Ｂ’線に沿った断面を示す断面図である。共通信号入力線１２０の上層に第１絶縁層４００を介してＳＤＬ層共通電位バスライン２２０が形成され、その上に無機材料からなる無機ＰＡＳ層５１０と、有機材料からなる有機ＰＡＳ層５２０と、からなる第２絶縁層５００が形成される。さらに、第２絶縁層５００の上に共通信号バスライン３２０が形成され、その上に無機材料からなる第３絶縁層５３０が形成される。第３絶縁層５３０には第３絶縁層開口部５３１が形成され、有機ＰＡＳ層５２０には第２絶縁層開口部５２１が形成される。その上に第３層間接続部７００が形成され、共通信号入力線１２０と、ＳＤＬ層共通電位バスライン２２０と、が接続される。
【００５３】
なお、上述の各図面においては、構成の理解の利便上、共通信号バスライン３２０と、ＧＡＬ層共通電位バスライン１３０およびＳＤＬ層共通電位バスライン２２０と、が互いに重畳しない構成が示されたが、これらのバスラインが少なくとも一部において互いに重畳する構成とすることで表示領域９００を更に広くできる。
【００５４】
以上の構成によれば、共通信号は共通電位供給端子１１，１２から供給され、共通電位供給端子１１から供給された共通信号は、ゲート信号供給端子１３側の辺においてＳＤＬ層共通電位バスライン２２０と、共通信号バスライン３２０と、の２つのバスラインを伝播し、共通信号バスライン３２０から共通信号線３１０に入力される。その結果、例えばＳＤＬ層共通電位バスライン２２０と、共通信号バスライン３２０と、の抵抗（誘電率）が等しい場合、ゲート信号供給端子１３側の辺を伝播する際の抵抗は、従来の構成の約半分になる。
【００５５】
一方、共通電位供給端子１２から入力された共通信号は、ゲート信号供給端子１３と対向する辺において、ＧＡＬ層１００に形成されるＧＡＬ層共通電位バスライン１３０を伝播し、第２層間接続部８００を介して共通信号線３１０に入力される。よって共通信号は従来の構成よりも多くの経路を伝播することになり、共通信号に対する抵抗はさらに低減される。
【００５６】
（第２の実施形態）
図１０は、本発明の第２の実施形態に係る液晶表示装置のＴＦＴ基板２０の構成の一例を示す図である。第１の実施形態と異なる点のみ説明し、同じ点は説明を省略する。本実施形態は、第１の実施形態と異なり、層間接続部６００を介して接続されるＳＤＬ層共通電位バスライン２２０及び共通信号バスライン３２０が、対向する２辺に形成される。本実施形態によれば、共通信号線が伝播する伝搬経路がより多くなり、その結果共通信号に対する伝搬経路の抵抗の影響がさらに軽減される。
【００５７】
（第３の実施形態）
図１１は、本発明の第３の実施形態に係る液晶表示装置のＴＦＴ基板３０の構成の一例を示す図である。第１の実施形態と異なる点のみ説明し、同じ点は説明を省略する。本実施形態は、第１の実施形態と異なり、共通信号が入力される共通電位供給端子１１が対向する２辺に形成される。本実施形態によれば、共通信号の供給源が第１の実施形態よりも多くなり、その結果、伝搬経路の抵抗の影響がより小さい共通信号が共通電極に供給される。
【００５８】
図１２は、図１に示すＴＦＴ基板１０のＸ部の、他の構造を示す上面図である。第１絶縁層４００の上にＳＤＬ層共通電位バスライン２２０が形成され、その上に無機材料からなる無機ＰＡＳ層５１０と、有機材料からなる有機ＰＡＳ層５２０と、からなる第２絶縁層５００が形成される。さらに、第２絶縁層５００の上に共通信号バスライン３２０が形成され、その上に無機材料からなる第３絶縁層５３０が形成される。第３絶縁層５３０には第３絶縁層開口部５３１が形成され、有機ＰＡＳ層５２０には第２絶縁層開口部５２１が形成される。その上に層間接続部６００が形成され、ＳＤＬ層共通電位バスライン２２０と、共通信号バスライン３２０と、が接続される。
【００５９】
図１３は、図１に示すＴＦＴ基板１０のＺ部の、他の構造を示す上面図である。共通信号入力線１２０の上層に第１絶縁層４００を介してＳＤＬ層共通電位バスライン２２０が形成され、その上に無機材料からなる無機ＰＡＳ層５１０と、有機材料からなる有機ＰＡＳ層５２０と、からなる第２絶縁層５００が形成される。さらに、第２絶縁層５００の上に共通信号バスライン３２０が形成され、その上に無機材料からなる第３絶縁層５３０が形成される。第３絶縁層５３０には第３絶縁層開口部５３１が形成され、有機ＰＡＳ層５２０には第２絶縁層開口部５２１が形成される。その上に第３層間接続部７００が形成され、共通信号入力線１２０と、ＳＤＬ層共通電位バスライン２２０と、が接続される。
【００６０】
（その他の変形例）
以上、本発明について実施形態を用いて説明がなされたが、本発明はその趣旨を逸脱しない範囲において変更がなされたさまざまな構成を含むことはいうまでもない。
【００６１】
例えば、上述の各実施形態においては、ゲート信号線１１０、共通信号入力線１２０、およびＧＡＬ層共通電位バスライン１３０が形成される層（ＧＡＬ層１００）の上にデータ信号線２１０およびＳＤＬ層共通電位バスライン２２０が形成される層（ＳＤＬ層２００）が形成され、さらにその上に共通信号線３１０および共通信号バスライン３２０が形成される層（ＣＭＴ層）が形成される構成が示されたが、本発明はこれらの構成に限定されない。例えばこれらの層の上下関係が入れ替わった構成としてもよいし、層間接続部６００または第２層間接続部８００を有する構成であれば、上述の構成において同一の層に設けられる部材が互いに異なる層に設けられる構成としてもよい。また層間接続部６００および第２層間接続部８００のいずれか一方のみを有する構成としてもよい。また、共通信号バスライン３２０は、共通信号線３１０のうち、一部の端部を接続する構成としてもよい。
【００６２】
また、上述の各実施形態においては、共通信号バスライン３２０、ＧＡＬ層共通電位バスライン１３０、およびＳＤＬ層共通電位バスライン２２０がＴＦＴ基板１０の短辺方向に（短辺に沿って）形成される構成が示されたが、本発明はこれに限定されず、例えば共通信号バスライン３２０がＴＦＴ基板１０の長辺方向に沿って形成されてもよいし、その場合、共通電位供給端子１１，１２はＴＦＴ基板１０の長辺方向に配置されてもよい。
【符号の説明】
【００６３】
１０，２０，３０  ＴＦＴ基板、１１，１２  共通電位供給端子、１３  ゲート信号供給端子、１４  データ信号供給端子、１００  ＧＡＬ層、１１０  ゲート信号線、１２０  共通信号入力線、１３０  ＧＡＬ層共通電位バスライン、２００  ＳＤＬ層、２１０  データ信号線、２２０  ＳＤＬ層共通電位バスライン、３００  ＣＭＴ層、３１０  共通信号線、３２０  共通信号バスライン、４００  第１絶縁層、５００  第２絶縁層、５１０  無機ＰＡＳ層，５２０  有機ＰＡＳ層、５２１  第２絶縁層開口部、５３０  第３絶縁層、５３１  第３絶縁層開口部、６００  層間接続部、６１０，８１０  接続部、６２０，８２０  第１貫通部、６３０，８３０  第２貫通部、７００  第３層間接続部、８００  第２層間接続部、９００  表示領域、９１０  画素領域、９２０  薄膜トランジスタ、９３０  共通電極。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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