(57)【要約】【課題】より簡易な方法で信頼性を向上させることが可能な有機ＥＬ表示装置および有機ＥＬ表示装置の製造方法ならびに電子機器を提供する。【解決手段】本開示の有機ＥＬ表示装置は、第１基板上に、第１電極、発光層を含む有機層および第２電極をこの順に有する素子基板と、素子基板に対向配置され、第２基板の素子基板側に設けられた有機材料層上に導電層を有する対向基板とを備え、導電層は少なくとも１つ以上の有機材料層に達する孔部を有する。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１基板上に、第１電極、発光層を含む有機層および第２電極をこの順に有する素子基板と、
前記素子基板に対向配置され、第２基板の前記素子基板側に設けられた有機材料層上に導電層を有する対向基板とを備え、
前記導電層は少なくとも１つ以上の前記有機材料層に達する孔部を有する
有機ＥＬ表示装置。
【請求項２】
それぞれ発光素子を有する複数の画素が配設された表示領域を有し、前記孔部は前記表示領域の前記複数の画素に対応する位置にそれぞれ設けられている、請求項１に記載の有機ＥＬ表示装置。
【請求項３】
それぞれ発光素子を有する複数の画素が配設された表示領域を有し、前記孔部は前記表示領域の前記複数の画素間に設けられている、請求項１に記載の有機ＥＬ表示装置。
【請求項４】
前記画素間に設けられた前記孔部は、前記表示領域の全面にわたって複数設けられている、請求項３に記載の有機ＥＬ表示装置。
【請求項５】
前記導電層は複数の無機膜を積層したものである、請求項１に記載の有機ＥＬ表示装置。
【請求項６】
前記導電層は、前記第２基板の全面を覆う第１導電層と前記第２基板の少なくとも一部に配設された第２導電層とからなる、請求項１に記載の有機ＥＬ表示装置。
【請求項７】
前記第２導電層と前記第２電極との間に導電性部材が配設されると共に、前記導電性部材は前記第１導電層によって被覆されている、請求項６に記載の有機ＥＬ表示装置。
【請求項８】
前記導電性部材は少なくとも表面が導電性を有する柱状部材である、請求項７に記載の有機ＥＬ表示装置。
【請求項９】
前記有機材料層は、遮光層と、複数の色要素を有するカラーフィルタと、オーバーコートとを含む、請求項１に記載の有機ＥＬ表示装置。
【請求項１０】
第１基板上に、第１電極、発光層を含む有機層および第２電極をこの順に有する素子基板を形成する工程と、
第２基板上に、有機材料層および導電層をこの順に有する対向基板を形成する工程と、
前記導電層に前記有機材料層に達する少なくとも１つ以上の孔部を形成する工程と、
前記素子基板と前記対向基板とを対向配置し、貼り合わせる工程と
を含む有機ＥＬ表示装置の製造方法。
【請求項１１】
前記孔部を形成したのち、前記対向基板にベーク処理を行う、請求項１０に記載の有機ＥＬ表示装置の製造方法。
【請求項１２】
前記素子基板と前記対向基板とを封止層を介して貼り合わせる、請求項１０に記載の有機ＥＬ表示装置の製造方法。
【請求項１３】
有機ＥＬ表示装置を備え、
前記有機ＥＬ表示装置は、
第１基板上に、第１電極、発光層を含む有機層および第２電極をこの順に有する素子基板と、
前記素子基板に対向配置され、第２基板の前記素子基板側に設けられた有機材料層上に導電層を有する対向基板とを備え、
前記導電層は少なくとも１つ以上の前記有機材料層に達する孔部を有する
電子機器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本開示は、有機エレクトロルミネセンス（ＥＬ；Electro Luminescence）現象を利用して発光する有機ＥＬ表示装置およびその製造方法ならびにそのような有機ＥＬ表示装置を備えた電子機器に関する。
【背景技術】
【０００２】
上面発光型（トップエミッション方式）の有機ＥＬ表示装置では、上部電極を透明電極材料により構成し、基板と反対側の面（上面）から光を取り出す。上部電極として用いられる透明導電材料は、一般的に、金属材料よりも高い抵抗値を有する。このため、より大型の有機ＥＬ表示装置では、表示面の端部領域から中央領域に向かうほど電圧降下の影響により表示性能が低下する。これに対して、上部電極の膜厚を厚くすると抵抗値が下がり、表示面内における電圧降下は緩和されるものの、対向電極の可視光透過率が低下し、発光素子の光取り出し効率が低下するという問題が生じる。
【０００３】
そこで、光取り出し側の基板（対向基板）に第２電極（上記、上部電極に相当）と電気的に接続される補助電極を形成した上面発光型の有機ＥＬ表示装置が提案されている（例えば、特許文献１，２参照）。このような有機ＥＬ表示装置では、表示領域において、対向基板側に形成された補助電極およびピラーとその表面を覆う透明導電膜とを第２電極と接続させることによって、第２電極の電圧降下を防いでいる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２０１１−１０３２０５号公報
【特許文献２】特開２０１３−１９６９１９号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、上記有機ＥＬ表示装置では、対向基板側のカラーフィルタ上に補助電極や透明導電膜のような金属の導電層と形成するため、カラーフィルタ内に水分等が残存する虞がある。カラーフィルタに含まれる水分等は、表示装置を組み立てた後、徐々に封止材を介して有機ＥＬ素子に浸透し、非発光欠陥の発生や発光寿命が短くなるといった信頼性の低下の原因となり、歩留まりを低下させる。一般的に、カラーフィルタに含まれる水分等はベーク処理によって除去することができるが、カラーフィルタが金属の導電層によって覆われた有機ＥＬ表示装置では、高温あるいは真空下での長時間のベーク処理が必要となり、生産性が低下するという問題があった。
【０００６】
本開示はかかる問題点に鑑みてなされたもので、その目的は、より簡易な方法で信頼性を向上させることが可能な有機ＥＬ表示装置および有機ＥＬ表示装置の製造方法ならびに電子機器を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本開示の有機ＥＬ表示装置は、第１基板上に、第１電極、発光層を含む有機層および第２電極をこの順に有する素子基板と、素子基板に対向配置され、第２基板の素子基板側に設けられた有機材料層上に導電層を有する対向基板とを備え、導電層は少なくとも１つ以上の有機材料層に達する孔部を有するものである。
【０００８】
本開示の有機ＥＬ表示装置の製造方法は、第１基板上に、第１電極、発光層を含む有機層および第２電極をこの順に有する素子基板を形成する工程と、第２基板上に、有機材料層および導電層をこの順に有する対向基板を形成する工程と、導電層に有機材料層に達する少なくとも１つ以上の孔部を形成する工程と、素子基板と対向基板とを対向配置し、貼り合わせる工程とを含むものである。
【０００９】
本開示の電子機器は、上記本開示の有機ＥＬ表示装置を備えたものである。
【００１０】
本開示の有機ＥＬ表示装置およびその製造方法ならびに電子機器では、対向基板に設けられた有機材料層上の導電層に、有機材料層に達する孔部を設けることにより、有機材料層に含まれる水分等の除去が容易になる。
【発明の効果】
【００１１】
本開示の有機ＥＬ表示装置およびその製造方法ならびに電子機器によれば、有機材料層上の導電層に有機材料層に達する孔部を設け、有機材料層に含まれる水分等を容易に除去できるようにしたので、より簡易な方法で信頼性を向上させることが可能となる。なお、ここに記載された効果は必ずしも限定されるものではなく、本開示中に記載されたいずれの効果であってもよい。
【図面の簡単な説明】
【００１２】
【図１】本開示の一実施形態に係る有機ＥＬ表示装置の構成を表す断面図である。
【図２】図１に示した対向基板の平面図である。
【図３Ａ】図２に示した対向基板の詳細構成を表す断面図である。
【図３Ｂ】図２に示した対向基板の詳細構成を表す断面図である。
【図４Ａ】図１に示した素子基板の形成工程を説明するための断面図である。
【図４Ｂ】図４Ａに続く工程を表す断面図である。
【図５Ａ】図４Ｂに続く工程を表す断面図である。
【図５Ｂ】図５Ａに続く工程を表す断面図である。
【図６Ａ】図５Ｂに続く工程を表す断面図である。
【図６Ｂ】図６Ａに続く工程を表す断面図である。
【図７】図６に続く工程を表す断面図である。
【図８】図１に示した対向基板の形成工程を説明するための断面図および平面図である。
【図９】図８に続く工程を表す断面図および平面図である。
【図１０】図９に続く工程を表す断面図および平面図である。
【図１１】図１０に続く工程を表す断面図および平面図である。
【図１２】素子基板および対向基板の接着工程を説明するための断面図である。
【図１３】各条件と対向基板中の水分含有量との関係を表す特性図である。
【図１４】各実施の形態に係る表示装置の周辺回路を含む全体構成を表す図である。
【図１５】図１４に示した画素の回路構成を表す図である。
【図１６】図１に示した表示装置を含むモジュールの概略構成を表す平面図である。
【図１７】適用例１の外観を表す斜視図である。
【発明を実施するための形態】
【００１３】
以下、本開示の実施の形態について、図面を参照して詳細に説明する。なお、説明は以下の順序で行う。
１．実施の形態（導電層に有機材料層に達する孔部を形成した例）
２．表示装置の全体構成例，画素回路構成例
３．適用例（電子機器への適用例）
【００１４】
＜１．実施の形態＞
［構成］
図１は、本開示の一実施の形態に係る有機ＥＬ表示装置（有機ＥＬ表示装置１）の断面構成を表したものである。有機ＥＬ表示装置１は、例えば、画素として複数の有機ＥＬ素子１０Ａが形成された素子基板１０上に、封止層３０を介して対向基板２０が貼り合わされたものであり、光を対向基板２０の上方から取り出すトップエミッション型の有機ＥＬ表示装置である。この有機ＥＬ表示装置１では、例えば赤（Ｒ），緑（Ｇ），青（Ｂ），白（Ｗ）の４色のサブピクセルにより１つのピクセルが構成されている。
【００１５】
（素子基板１０）
素子基板１０では、表示領域（後述の表示領域５０）を構成する画素として、有機ＥＬ素子１０Ａが、例えばマトリクス状に複数配置されている。例えば、素子基板１０では、第１基板１１上に、画素の駆動素子として、ゲート電極１２ａ、ゲート絶縁膜１２ｂ、図示しないソース電極，ドレイン電極および半導体層を含むＴＦＴ（Thin Film Transistor）１２が画素毎に配設されている。このＴＦＴ１２上には、層間絶縁膜１２ｃを介して配線層１３が設けられている。配線層１３は、層間絶縁膜１２ｃに設けられたコンタクトプラグを通じて、例えばＴＦＴ１２のソース電極またはドレイン電極に電気的に接続されている。これらのＴＦＴ１２および配線層１３を含む画素回路は、層間絶縁膜１４によって覆われている。素子基板１０では、この層間絶縁膜１４上に、表示領域５０を構成する画素としての有機ＥＬ素子１０Ａが複数配置されている。
【００１６】
第１基板１１は、例えばガラス基板あるいはプラスチック基板からなる。ガラス基板としては、例えば、高歪点ガラス、ソーダ石灰ガラス（Ｎａ2Ｏ・ＣａＯ・ＳｉＯ2）、硼珪酸ガラス（Ｎａ2Ｏ・Ｂ2Ｏ3・ＳｉＯ2）、フォルステライト（２ＭｇＯ・ＳｉＯ2）および鉛ガラス（Ｎａ2Ｏ・ＰｂＯ・ＳｉＯ2）等が挙げられる。あるいは、これらのガラスの表面に絶縁膜が形成されたものであってもよいし、他にも石英、シリコン、金属等の表面に絶縁膜が形成されたものを用いることもできる。プラスチック基板としては、例えば、ポリメチルメタクリレート（ポリメタクリル酸メチル，ＰＭＭＡ）、ポリビニルアルコール（ＰＶＡ）、ポリビニルフェノール（ＰＶＰ）、ポリエーテルスルホン（ＰＥＳ）、ポリイミド（ＰＩ）、ポリカーボネート（ＰＣ）あるいはポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）等の有機ポリマーが挙げられる。なお、プラスチック基板は、可撓性を有するフィルム状あるいはシート状の形態のものも含む。
【００１７】
ＴＦＴ１２は、例えば後述の画素回路４０におけるトランジスタ３Ａ，３Ｂに相当するものであり、その構成は例えば逆スタガ構造（ボトムゲート構造）でもよいしスタガ構造（トップゲート構造）であってもよい。
【００１８】
層間絶縁膜１２ｃ，１４は、酸化シリコン（ＳｉＯ2）、ＢＰＳＧ、ＰＳＧ、ＢＳＧ、ＡｓＳＧ、ＰｂＳＧ、ＳｉＯＮ、ＳＯＧ（スピンオングラス）、低融点ガラス、ガラスペーストといったＳｉＯ2系無機材料、ＳｉＮ系無機材料、およびポリイミド等の樹脂材料のうちのいずれかよりなる単層膜か、あるいはそれらのうちの２種以上よりなる積層膜である。
【００１９】
配線層１３は、導電性金属よりなり、例えば下部電極１５との接触面には、下部電極１５に対する接触抵抗が小さな金属またはそのような金属酸化物を有することが望ましい。
【００２０】
層間絶縁膜１４は、平坦性に優れた材料からなることが望ましい。層間絶縁膜１４の構成材料としては、上記層間絶縁膜１２ｃと同様の材料を用いてもよいし、異なる絶縁材料を用いてもよい。
【００２１】
有機ＥＬ素子１０Ａは、例えば下部電極１５、発光層を含む有機層１７、高抵抗層１８および上部電極１９がこの順に積層されたものである。下部電極１５は、層間絶縁膜１４に設けられたコンタクトホールを通じて、配線層１３に電気的に接続されている。素子基板１０では、複数の有機ＥＬ素子１０Ａはそれぞれ、層間絶縁膜１４上に形成された画素間絶縁膜１６によって素子分離されている。具体的には、画素間絶縁膜１６には、下部電極１５に対向して開口が形成されており、この開口において、上記のような下部電極１５、有機層１７、高抵抗層１８および上部電極１９の積層構造が形成されている。
【００２２】
下部電極１５は、有機ＥＬ素子１０Ａ毎に設けられている。下部電極１５の構成材料としては、例えばアノードとして機能する場合には、例えば白金（Ｐｔ），金（Ａｕ），銀（Ａｇ），クロム（Ｃｒ），タングステン（Ｗ），ニッケル（Ｎｉ），銅（Ｃｕ），鉄（Ｆｅ），コバルト（Ｃｏ），タンタル（Ｔａ）等の仕事関数の高い金属の単体あるいはそのような金属の合金が挙げられる。合金としては、例えば、銀を主成分とし、０．３重量％〜１重量％のパラジウム（Ｐｄ）と、０．３重量％〜１重量％の銅とを含むＡｇ−Ｐｄ−Ｃｕ合金、あるいはＡｌ−Ｎｄ合金を挙げることができる。あるいは、下部電極１５は、上記のような金属元素の単体または合金よりなる金属膜と、ＩＴＯ等の透明導電膜との積層構造を有していてもよい。下部電極１５は、正孔注入性の高い材料により構成されていることが望ましいが、そうでない材料（アルミニウム（Ａｌ）あるいはアルミニウムを含む合金等）であっても、適切な正孔注入層を設けることによってアノードとして使用することができる。この下部電極１５の厚みは、例えば１０ｎｍ〜１０００ｎｍである。なお、ボトムエミッション型の場合には、透明導電膜、例えばインジウムとスズの酸化物（ＩＴＯ）、インジウム亜鉛オキシド（ＩＺＯ）、および酸化亜鉛（ＺｎＯ）とアルミニウム（Ａｌ）との合金のうちのいずれかよりなる単層膜または２種以上からなる積層膜により構成されている。
【００２３】
画素間絶縁膜１６は、有機ＥＬ素子１０Ａの下部電極１５と上部電極１９との絶縁性を確保すると共に、それぞれの画素領域を区画（分離）するためのものである。画素間絶縁膜１６は、平坦性に優れると共に、水分による有機層１７の劣化を防止して発光輝度を維持するために吸水率の低い絶縁材料から構成することが望ましく、例えばポリイミド樹脂、アクリル樹脂あるいはノボラック樹脂等よりなる。この画素間絶縁膜１６の開口配列に応じて、複数の有機ＥＬ素子１０Ａの配列は、例えばストライプ配列、ダイアゴナル配列、デルタ配列、あるいは、レクタングル配列とされる。
【００２４】
有機層１７は、少なくとも有機電界発光層（以下、単に発光層という）を含み、本実施の形態では、この発光層（例えば、白色発光層）が全画素に共通の層として形成されている。これにより、画素毎の塗り分けプロセスを省いている。白色発光層としては、青色発光層および黄色発光層を積層したもの、あるいは、青色、緑色、赤色の発光層を積層したもの等が挙げられる。赤色発光層としては、例えば赤色発光材料，正孔輸送性材料および電子輸送性材料のうち少なくとも１種を含み、例えば４，４−ビス（２，２−ジフェニルビニン）ビフェニル（ＤＰＶＢｉ）に２，６−ビス［（４'−メトキシジフェニルアミノ）スチリル］−１，５−ジシアノナフタレン（ＢＳＮ）を混合したものから構成されている。緑色発光層は、例えば、緑色発光材料，正孔輸送性材料および電子輸送性材料のうち少なくとも１種を含み、例えば、ＡＤＮやＤＰＶＢｉにクマリン６を混合したものから構成されている。青色発光層は、例えば、青色発光材料，正孔輸送性材料および電子輸送性材料のうち少なくとも１種を含み、例えば、ＤＰＶＢｉに４，４'−ビス［２−｛４−（Ｎ，Ｎ−ジフェニルアミノ）フェニル｝ビニル］ビフェニル（ＤＰＡＶＢｉ）を混合したものから構成されている。有機層１７には、このような発光層の他にも、例えば、正孔注入層、正孔輸送層、電子輸送層等が積層されていてもよい。また、電子輸送層と上部電極１９との間には、例えばリチウム（Ｌｉ）、セシウム（Ｃｓ）、カルシウム（Ｃａ）、バリウム（Ｂａ）、インジウム（Ｉｎ）あるいはマグネシウム（Ｍｇ）等の酸化物または複合酸化物よりなる電子注入層が設けられていてもよい。更に、これらの積層構造をユニット（便宜上、タンデムユニットと呼ぶ）として、２つ以上のタンデムユニットが接続層を介して積層されていてもよい。
【００２５】
高抵抗層１８は、有機層１７と上部透明電極１９の間において、透明かつ電気抵抗率の高い材料、例えば酸化ニオブ（Ｎｂ2Ｏ5）、ＩＴＯあるいはＩＺＯにより構成されている。高抵抗層１８を設けることにより、下部電極１５および上部電極１９間に電圧を印加したときに、例えば異物等に起因して、それらの電極間に短絡が発生することを抑制し、欠陥画素あるいは欠線の発生を防止することができる。この高抵抗層１８の電気抵抗率は、例えば１×１０6Ω・ｍ〜１×１０8Ω・ｍであることが望ましい。但し、高抵抗層１８は、必要に応じて設けられればよく、有機層１７上に直に上部電極１９が形成されていてもよい。
【００２６】
上部電極１９は、有機層１７と高抵抗層１８を介して電気的に接続され、複数の有機ＥＬ素子１０Ａに共通して設けられている。本実施の形態では、トップエミッション型であることから、この上部電極１９は、透明導電膜よりなる。透明導電膜としては、例えばインジウムとスズの酸化物（ＩＴＯ）、ＩｎＺｎＯ（インジウ亜鉛オキシド）、および酸化亜鉛（ＺｎＯ）とアルミニウム（Ａｌ）との合金のうちのいずれかよりなる単層膜または２種以上からなる積層膜である。この上部電極１９の厚みは、例えば１０ｎｍ〜５００ｎｍである。ここで、上記のような透明導電膜は高抵抗であるため、通常電圧降下を抑制するために、厚膜化してシート抵抗を下げる必要があり、これによって光学特性を損なうことがある。これに対し、本実施の形態では、後述するように、対向基板２０に導電層２４を設けることにより電圧降下が抑制されることから、上部電極１９を薄膜化して、良好な光学特性を得ることができる。
【００２７】
（封止層３０）
封止層３０は、素子基板１０を封止すると共に、素子基板１０と対向基板２０との接着層となるものであり、外部から有機層１７への水分の侵入を防止する目的と、機械的な強度を増す目的で形成される。封止層３０は、例えば紫外線（ＵＶ）硬化樹脂あるいは熱硬化樹脂等により構成されている。この封止層３０は、基板外周部にダム材（外壁）として設けられた樹脂層３１０ａと、この樹脂層３１０によって囲まれた領域内に形成された樹脂層３１０ｂ（いずれも図１には図示せず）とを有している。なお、これらのうち、有機ＥＬ素子１０Ａに対向する樹脂層３１０ｂでは、有機層１７から発光した光の透過率が８０％以上であることが望ましい。一方、ダム材としての樹脂層３１０ａについては、透過率については特に制限されないが、水分の透過率が低いことが重要である。図１では、封止層３０として、これらのうち樹脂層３１０ｂの一部に対応する部分が示されている。
【００２８】
封止層３０の厚みは、例えば３〜２０μｍが好適である。２０μｍ以下とすることにより、有機ＥＬ素子１０Ａと後述のカラーフィルタ層との間の距離を適切に保持し、表示面を斜めから見たときと正面から見たときの輝度変化や色度変化を抑制して、良好な視野角特性を得ることができる。また、３μｍ以上とすることにより、封止時に異物等が挟み込まれた場合であっても、その異物が有機ＥＬ素子１０Ａを加圧することに起因する不良が発生を抑制することができる。
【００２９】
（対向基板２０）
対向基板２０は、第２基板２１の一面（素子基板１０側の面）に、カラーフィルタ（ＣＦ）、ブラックマトリクス（ＢＭ）およびオーバーコート（ＯＣ）層を含むＣＦ／ＢＭ／ＯＣ層２２（有機材料層）が形成されたものである。このＣＦ／ＢＭ／ＯＣ層２２上には、所定の位置にピラー２３（導電性部材）および導電層２４Ａが配設されており、これらＣＦ／ＢＭ／ＯＣ層２２、ピラー２３および導電層２４Ａを覆うように導電層２４Ｂが形成されている。本実施の形態では、導電層２４Ａおよび導電層２４Ｂには下層に設けられているＣＦ／ＢＭ／ＯＣ層２２に達する複数の孔部Ｈ（Ｈ１，Ｈ２）が形成されている。第２基板２１は、上記第１基板１１の構成材料として挙げたものと同様のものから構成され、第１基板１１と同一の材料から構成されてもよいし、異なっていてもよいが、第２基板２１は、透明性を有する材料よりなる。以下、この対向基板２０の各部の構成について詳細に説明する。
【００３０】
図２は、対向基板２０を封止層３０側からみた平面構成を表したものである。図３Ａおよび図３Ｂは、それぞれ、図２におけるＩ−Ｉ線およびＩＩ−ＩＩ線における対向基板２０の断面構成を拡大して示したものである。
【００３１】
対向基板２０の一面には、ブラックマトリクスとして遮光層２２１が設けられており、この遮光層２２１には、各有機ＥＬ素子１０Ａに対向して、遮光層２２１を貫通する開口部Ａ１が設けられている。各開口部Ａ１には、それぞれを埋め込むように、カラーフィルタを構成する赤色樹脂層２２０Ｒ、緑色樹脂層２２０Ｇおよび青色樹脂層２２０Ｂが形成されている。具体的には、本実施の形態では、上述したようにＲ，Ｇ，Ｂ，Ｗの４画素を１ピクセルとした構成であるため、例えば、２×２の配列で４画素が配置され、４つの開口部Ａ１のいずれかに赤色樹脂層２２０Ｒ、緑色樹脂層２２０Ｇおよび青色樹脂層２２０Ｂが形成されている。なお、Ｗ画素については、カラーフィルタを設ける必要はないが、必要に応じて、輝度調整のための透過率制御フィルタが設けられていてもよい。
【００３２】
赤色樹脂層２２０Ｒ，緑色樹脂層２２０Ｇ，青色樹脂層２２０Ｂはそれぞれ、特定の波長域の光を選択的に透過する（他の波長の光は吸収する）カラーフィルタである。これにより、各画素では、有機層１７から発せられた白色光を、Ｒ，Ｇ，Ｂのいずれかの色光として出射させることができる。但し、Ｗ画素（高輝度画素）では、有機層１７から発せられた白色光を、カラーフィルタによって吸収させることなく、そのまま白色光として取り出す。このような赤色樹脂層２２０Ｒ，緑色樹脂層２２０Ｇ，青色樹脂層２２０Ｂは、例えば感光性樹脂に、染料あるいは顔料を混入したものである。また、各層の厚みは、必要とされる色度等に応じて適宜設定されればよいが、例えば０．１μｍ〜５μｍである。
【００３３】
遮光層２２１は、例えば感光性樹脂に、黒色の顔料等を混入したものである。これらの樹脂遮光層２２１Ｄおよびカラーフィルタ層を覆うように、第２基板２１の全面にわたってオーバーコート層２２２（保護層）が形成されている。オーバーコート層２２２は、カラーフィルタ層を保護する機能を有し、例えばアクリル樹脂等の有機材料によって形成される。
【００３４】
このように、対向基板２０の一面にはＣＦ／ＢＭ／ＯＣ層２２が設けられており、このＣＦ／ＢＭ／ＯＣ層２２上には導電層２４が設けられている。導電層２４は一部が多層構造を有し、例えばパターニングされた導電層２４Ａと第２基板２１の全面にわたって設けられた導電層２４Ｂとからなる。
【００３５】
導電層２４Ａは、上部電極１９の補助電極として機能するものであり、即ち、上部電極１９（透明導電膜）よりも電気抵抗率が低くなるような材料および膜厚により構成されている。導電層２４Ａは所定の位置に形成されており、例えば遮光層２２１と同様のパターン形状を有している。具体的には、図２に示したように、各画素を囲むように格子状に形成されている。またこの他、たとえばＸ軸方向に延在する帯状に形成していてもよい。
【００３６】
この導電層２４Ａは、例えば、下部電極１５をアノード、上部電極１９をカソードとした場合には、例えば画素部の周辺領域に設けられたカソードコンタクト部に接続されている。これにより、上部電極１９側から取り出された電流は、導電層２４Ａおよびカソードコンタクト部を介して素子基板１０側の電源に戻ってくる。なお、下部電極１５をカソードとした場合であっても、同様に、画素部周辺部にアノードコンタクト部を形成することで電気的には等価になる。
【００３７】
導電層２４Ａは、導電性が高く、且つ、空気中で酸化しにくい材料により構成されていることが好ましい。具体的には、例えば、アルミニウム（Ａｌ）、銀（Ａｇ）、金（Ａｕ）、銅（Ｃｕ）、クロム（Ｃｒ）、亜鉛（Ｚｎ）、鉄（Ｆｅ）、タングステン（Ｗ）およびコバルト（Ｃｏ）等の金属の単体あるいはそのような金属の合金が挙げられる。アルミニウムは比較的酸化しやすいので、表面をモリブデン（Ｍｏ）またはチタン（Ｔｉ）等で被覆して構成することが好ましい。
【００３８】
導電層２４Ａの厚みは、電圧降下を十分に抑えるために、有機ＥＬ表示装置の特性に応じて適宜設定されればよいが、１００ｎｍ〜１０００ｎｍ程度が好適である。導電特性を考慮すると１００ｎｍ以上が好適であり、製膜プロセスの負荷を考慮すると、１０００ｎｍ以下が好適である。
【００３９】
このような導電層２４Ａの一例としては、例えば、第２基板２１の側から順に、Ａｌ（３００ｎｍ）／Ｍｏ（５０ｎｍ）の２層積層膜が挙げられる。この他にも、Ｍｏ（５０ｎｍ）／Ａｌ（３００ｎｍ）／Ｍｏ（５０ｎｍ）の３層積層膜であってもよいし、Ａｇ合金（３００ｎｍ）の単層膜であってもよい。
【００４０】
導電層２４Ｂは、例えばＩＴＯ等の透明導電膜よりなり、厚みは例えば１０ｎｍ〜５０００ｎｍである。導電層２４Ｂは、ここではピラー２３の表面だけでなく、赤色樹脂層２２０Ｒ，緑色樹脂層２２０Ｇ，青色樹脂層２２０Ｂ等が設けられた表示領域５０の全面にわたって設けられている。このため、導電層２４Ｂは透明性を有することが好ましいが、必ずしも透明性を有している必要はない。
【００４１】
本実施の形態では、導電層２４（２４Ａ，２４Ｂ）には、図２および図３Ａ，３Ｂに示したように導電層２４を貫通してＣＦ／ＢＭ／ＯＣ層２２に達する複数の孔部Ｈが設けられている。孔部Ｈは、補助配線としての導電層２４（特に、導電層２４Ａ）の電気抵抗が上がらない程度、例えば導電層２４の全面にわたって万遍無く、例えば導電層２４の形成領域に対して５０％程度の割合で一様に設けられていることが好ましい。本実施の形態では、格子状に設けられた導電層２４Ａには、図２に示したように複数の孔部Ｈ２Ａが一様に形成されている。第２基板２１の全面に設けられた導電層２４Ｂには、図２に示したように画素の開口と略同一の孔部（孔部Ｈ１）が形成されている。なお、画素の開口部（開孔Ａ３）には導電層２４Ａは形成されていないため、画素上には図３Ａに示したように、導電層２４Ａに形成された孔部Ｈ１によってＣＦ／ＢＭ／ＯＣ層２２が露出される。更に、導電層２４Ｂには、導電層２４Ａに形成された孔部Ｈ２Ａと同じ位置に孔部（孔部Ｈ２Ｂ）が形成されており、これにより、図３Ｂに示したように、各画素間にＣＦ／ＢＭ／ＯＣ層２２まで貫通する孔部２が形成される。なお、孔部Ｈ２は、導電層２４Ａに形成された孔部Ｈ２Ａと導電層２４Ｂに形成された孔部Ｈ２Ｂとが必ずしも完全に一致している必要はなく、各孔部Ｈ２Ａ，Ｈ２Ｂの少なくとも一部が重なり、ＣＦ／ＢＭ／ＯＣ層２２まで貫通していればよい。このように、導電層２４に、これら孔部Ｈを形成することによってＣＦ／ＢＭ／ＯＣ層２２の一部が露出され、後述するベーク処理において孔部ＨからＣＦ／ＢＭ／ＯＣ層２２に含まれる水分等を除去することができる。
【００４２】
ピラー２３は、素子基板１０および対向基板２０間のスペーサとして機能すると共に、詳細は後述するが、導電層２４Ａと、素子基板１０の上部電極１９とを電気的に接続するための部材である。このため、ピラー２３は、導電性を有する材料から構成されることが望ましいが、絶縁材料から構成されていてもよい。例えば、ピラー２３は、導電層２４Ａ上にフォトレジスト等の感光性樹脂を用いて形成され、その表面は導電層２４Ｂによって被覆されている。
【００４３】
このピラー２３は、対向基板２０の面内に複数、例えば、図２に示したようにＹ方向に隣接する画素間にそれぞれ配設される。このため、複数のピラー２３の高さのばらつきを吸収し得る程度以上の弾性を有していることが望ましい。ピラー２３の形成時に高さにばらつきが生じると、封止時に上部電極１９と最初にコンタクトする部分（比較的高いピラー２３）と、時間的に後からコンタクトする部分（比較的低いピラー２３）が生じる。ピラー２３が十分な弾性を有していれば、高さのあるピラー２３を弾性変形により縮めてコンタクトさせることができ、低いピラー２３の高さに合わせてセルギャップを規定することができる。ピラー２３に高さのばらつきが生じた場合であっても、基板全面でのコンタクトが可能となる。まら、ピラー２３が弾性を有することで、高さのばらつきに起因して生じるクラックの発生を抑制することもできる。
【００４４】
（上部電極１９と導電層２４Ａの電気的接続）
本実施の形態では、上記のように、第２基板上に、遮光膜２２１、カラーフィルタ２２０およびオーバーコート層２２２がこの順に形成されており、オーバーコート層２２２上には補助電極としての導電層２４Ａが局所的に形成されている。この導電層２４Ａ上には、素子基板１０側に突出するピラー２３が設けられ、これらピラー２３および導電層２４Ａを含む第２基板２１の全面が導電層２４Ｂによって覆われている。ピラー２３の先端部分では、導電層２４Ｂと、素子基板１０の上部電極１９とが接触している。これにより。ピラー２３および導電層２４Ｂを介して、上部電極１０と導電層２４Ａ（補助電極）とが電気的に接続されている。
【００４５】
このように、ピラー２３を用いて上部電極１９と導電層２４Ａとの電気的接続を確保する場合、ピラー２３を対向基板２０側に予め形成しておくことから、接続位置を明確に規定することができる。
【００４６】
［製造方法］
上記のような有機ＥＬ表示装置１は、例えば次のようにして製造することができる。図４〜図１２は、有機ＥＬ表示装置１の製造工程を表したものである。
【００４７】
（素子基板１０の作製）
まず、素子基板１０を作製する。具体的には、図４Ａに示したように、第１基板１１上に、公知の薄膜形成プロセスにより、ゲート電極１２ａ、ゲート絶縁膜１２ｂおよび層間絶縁膜１２ｃ等を順次形成することにより、ＴＦＴ１２を形成した後、このＴＦＴ１２に導通する配線層１３を形成する。
【００４８】
続いて、図４Ｂに示したように、層間絶縁膜１４を形成する。具体的には、まず、基板全面にわたって、上述した材料よりなる層間絶縁膜１４を、例えばＣＶＤ法、塗布法、スパッタリング法、あるいは各種印刷法等を用いて成膜する。この後、例えばフォトリソグラフィ法を用いたエッチングにより、層間絶縁膜１４の配線層１３に対向する領域にコンタクトホールＡ２を形成する。
【００４９】
次いで、図５Ａに示したように、下部電極１５を形成する。即ち、まず、層間絶縁膜１４上に、コンタクトホールＡ２を埋め込むように、上述した材料よりなる下部電極１５を、例えばスパッタリング法等により成膜する。この後、成膜した下部電極１５を、例えばフォトリソグラフィ法を用いたエッチングにより、所定の形状にパターニングすると共に画素毎に分離する。
【００５０】
続いて、図５Ｂに示したように、画素間絶縁膜１６を形成する。即ち、まず、基板全面にわたって、上述した材料よりなる画素間絶縁膜１６を成膜した後、下部電極１５に対応する領域に開口部Ａ３を形成する。この際、画素間絶縁膜１６として感光性樹脂を用いる場合には、成膜後、フォトマスクを用いて露光することにより開口部Ａ３を形成可能である。また、開口部Ａ３の形成後、必要に応じてリフローを行ってもよい。この開口部Ａ３がいわゆる各画素の発光領域（画素開口）となる。
【００５１】
次に、図６Ａに示したように、有機層１７を形成する。本実施の形態では、上述したように、各画素に共通の発光層（例えば白色発光層）を形成することから、例えば赤色、緑色、青色の各発光材料を基板全面にわたって、例えば真空蒸着法により順次成膜する。あるいは、有機層１７の形成方法としては、この真空蒸着法の他にも、スクリーン印刷法やインクジェット印刷法といった印刷法および塗布法を用いてもよい。また、転写用基板上に、レーザ光吸収層と有機層との積層体を形成しておき、この転写用基板にレーザ照射を行うことで転写用基板から有機層を分離して転写する、といったレーザ転写法を用いてもよい。なお、有機層１７として、上記発光層の他に、正孔輸送層や電子輸送層等を形成する際には、いずれの層も発光層と真空一貫プロセスにより形成されることが望ましい。
【００５２】
続いて、図６Ｂに示したように、上述した材料よりなる高抵抗層１８を、有機層１７上の全面にわたって、例えばスパッタ法、蒸着法あるいはＣＶＤ法等により形成する。
【００５３】
次いで、図７に示したように、上述した透明導電膜よりなる上部電極１９を、例えばスパッタ法により基板全面にわたって形成する。このようにして、素子基板１０を形成する。
【００５４】
（対向基板２０の作製）
一方、対向基板２０を、例えば次のようにして作製する。図８〜図１０は、対向基板２０の作製工程を表すものである。
【００５５】
具体的には、まず、図８に示したように、第２基板２１上に、遮光層２２１およびカラーフィルタ層をそれぞれパターン形成する。次いで、図９に示したように、遮光層２２１およびカラーフィルタ２２０を覆って、オーバーコート層２２２を例えばスリットコータ法、スパッタ法により形成する。
【００５６】
続いて、図１０に示したように、オーバーコート層２２２上に、上述した導電層２４Ａを構成する低抵抗材料を、例えばスパッタ法により成膜した後、例えばフォトリソグラフィ法を用いたエッチングによりパターニングすることにより導電層２４Ａを形成する。このとき、画素部における孔部Ｈ１と共に、孔部Ｈ２Ａを形成する。
【００５７】
次いで、図１１に示したように、導電層２４Ａ上の選択的な領域に、ピラー２３を形成する。ピラー２３としては、例えばフォトスペーサ等に用いられる感光性アクリル樹脂を使用することができ、このような感光性樹脂をフォトマスクを用いて露光することにより形成する。この後、例えば基板全面にわたって、例えばスパッタ法により導電層２４Ｂを形成する。このとき、導電層２４Ａとピラー２３の表面に形成された導電層２４Ｂとが電気的に接続される。
【００５８】
続いて、この導電層２４Ｂに、導電層２４Ａで形成した孔部Ｈ２Ａと同位置と、表示領域の画素の開口部Ａ３の両方に、カラーフィルタ２２０まで達する状態の孔部Ｈ２Ｂ，Ｈ１を、通常のリソグラフィー工程のパターニングによって形成する。ここでは、図２，図３Ｂに示したように、導電層２４Ｂに、導電層２４Ａで形成した孔部と同じサイズの、例えば５μｍ×５μｍの矩形上の孔部を、幅方向および長さ方向にそれぞれ１０μｍの間隔を有して形成することとする。また、画素の開口部Ａ３に相当する領域を、開口のサイズに合わせて矩形上に形成することとする。このようにして、画素の非開口部に相当する領域、導電層２４Ａと導電層２４Ｂの両方を貫通する孔部Ｈ２と、開口部Ａ３に相当する領域に導電層２４Ｂを貫通する孔部Ｈ１が形成され、それぞれの孔部Ｈ１，Ｈ２の表面は、ＣＦ／ＢＭ／ＯＣ層２２が露出された状態が形成される。
【００５９】
次に、対向基板２０を、微小異物を除去するために純水でスピン洗浄を行った後、ベーク処理を行う。このとき、導電膜に形成した孔部を通して、ＣＦ／ＢＭ／ＯＣ層２２内部に残存している水分などが除去される。例えば、１５０℃で３０分のベーク処理で、ＣＦ／ＢＭ／ＯＣ層２２内の水分などは確実に除去される。
【００６０】
導電層２４Ａと導電層２４Ｂに形成される孔部Ｈ１，Ｈ２は、開口が大きいほうが望ましいが、導電層２４Ａ上の面積を小さくしてしまうと、抵抗が下がってしまうので、５０％程度の割合で形成されたほうがよい。また、孔部Ｈ１，Ｈ２は均等に配列されたほうが、ＣＦ／ＢＭ／ＯＣ層２２の水分などを除去しやすい。また、孔部Ｈ１，Ｈ２の形状は、ここでは矩形状としたが、円形あるいはライン状でもかまわない。
【００６１】
なお、導電層２４の孔部Ｈ１，Ｈ２の形成方法として、通常のリソグラフィー工程のパターニングを用いたが、この方法に限定されるものではなく、例えば、レーザアブレーションなどの方法で、導電層２４を除去することも可能である。
【００６２】
（貼り合わせ（封止）工程）
次に、上記のようにしてそれぞれ作製した素子基板１０および対向基板２０を、封止層３０を介して貼り合わせる。この際、例えば、ＯＤＦ（One Drop Fill)法と呼ばれる成膜手法を用いるのが好ましい。ＯＤＦ法とは、素子基板１０（あるいは対向基板２０）上に、複数の樹脂滴（樹脂ドロップ）を等間隔に配置し、真空中で両基板を圧着させる手法である。この後、大気に開放することで、基板にかかる圧力（大気圧）により樹脂滴が基板間に充填される。このようにして樹脂を充填した後、樹脂を硬化させる。
【００６３】
具体的には、まず、図１２（Ａ）に示したように、真空チャンバー内のプレート２８０Ａ，２８０Ｂ間に素子基板１０および対向基板２０を対向配置させ、例えば素子基板１０上に、封止層３０として、樹脂層３１０ａ（ダム材）を素子基板１０ａの外周に沿って塗布した後、樹脂層３１０ａによって囲まれた領域内に、樹脂層３１０ｂを、例えば樹脂材料を等間隔で複数個所に滴下する。ここで、樹脂層３１０ａ，３１０ｂは、硬化前の状態では、液体またはゲル状であるが、樹脂層３１０ａは比較的粘性が高い材料からなり、樹脂層３１０ｂは、粘性の低い材料からなる。
【００６４】
続いて、図１２（Ｂ）に示したように、プレート２８０Ａ，２８０Ｂを用いて、機械的に素子基板１０および対向基板２０を圧着する。これにより、素子基板１０および対向基板２０間の領域では、樹脂層３１０ａによって囲まれる領域内において、樹脂層３１０ｂが広がる。
【００６５】
この後、図１２（Ｃ）に示したように、素子基板１０および対向基板２０をチャンバー内から取り出し、大気に曝すと、大気圧によって素子基板１０および対向基板２０へ更に圧力がかかり、基板間が樹脂層３１０ａ，３１０ｂにより満たされる。最後に、樹脂層３１０ａ，３１０ｂを硬化させることにより、封止層３０を形成する。以上により、図１に示した有機ＥＬ表示装置１を完成する。
【００６６】
なお、樹脂層３１０ａ，３１０ｂとしては、熱硬化樹脂を用いても、光硬化樹脂を用いてもよいが、光硬化樹脂の場合にはカラーフィルタ層を透過する波長により硬化するものを用いる。または、光遅延型硬化樹脂を用いてもよく、この場合には、圧着前に予め光照射を行い、樹脂が完全に硬化する前に上記のようにして基板間に樹脂を充填させ、この後、再度光照射を行って樹脂を完全に硬化させる。
【００６７】
［作用・効果］
有機ＥＬ表示装置１では、各画素では、図示しない駆動回路から供給される走査信号等に応じ、画素（有機ＥＬ素子１０Ａ）毎に、下部電極１５および上部電極１９を通じて有機層１７に所定の駆動電流が注入される。これにより、有機層１７の発光層では、正孔と電子との再結合により発光が生じる。有機層１７から生じた光（白色光）は、高抵抗層１８、上部電極１９，封止層３０および対向基板２０を透過することにより、表示光として取り出される。対向基板２０を通過する際、画素毎に対応する色のカラーフィルタ層（Ｗ画素では開口部Ｈ１）をそれぞれ透過することにより、Ｒ，Ｇ，Ｂ，Ｗのいずれかの色光として取り出される。
【００６８】
このように、トップエミッション型の有機ＥＬ表示装置１では、対向基板２０の側にカラーフィルタ層が形成され、有機層１７から発せられた白色光を上部電極１９側から取り出し、カラーフィルタ層を透過させることによって、カラーの表示を実現する。このため、上部電極１９としては、高抵抗な透明導電膜を用いる必要があるが、光学的な観点から上部電極１９を厚膜化しにくい。上部電極１９を薄膜化するとその分抵抗が高くなり、電圧降下が生じる。また、上述したように、大型化、高精細化に伴って、画素部内の領域毎の配線抵抗のばらつきが無視できなくなり、電圧降下に起因する面内輝度のばらつきが生じる。
【００６９】
そこで、前述したように、対向基板側に低抵抗なメタルよりなる補助電極およびピラーの表面を覆う透明導電膜と上部電極とを電気的に接続することによって上部電極の電圧降下を抑制する方法が考えられる。しかしながら、対向基板側にはカラーフィルタ層等の有機材料からなる層（有機材料層）が形成されており、上記透明導電膜は、これら有機材料層を覆うように形成されるため、有機材料層に含まれる水分等を除去することが困難となる。有機材料層に含まれる水分等は、表示装置を組み立てた後、徐々に封止層を介して有機ＥＬ素子に浸透し、非発光欠陥や発光寿命の低下といった問題の原因となる。また、有機材料層中の水分等は高温あるいは真空下での長時間のベーク処理を行うことによって除去することは可能であるが、生産性が低下するという問題が発生する。
【００７０】
これに対して、本実施の形態では、対向基板２０に設けられた上記有機材料層に相当するＣＦ／ＢＭ／ＯＣ層２２上に設けられた導電層２４（２４Ａ，２４Ｂ）にＣＦ／ＢＭ／ＯＣ層２２まで達する孔部Ｈ（Ｈ１，Ｈ２）を形成した。図１３は、対向基板がガラスのみで構成された場合を基準として、各構成および各ベーク条件における対向基板の水分含有量を相対的に表したものである。表１は、各構成、各ベーク条件および対向基板に含まれる水分量（水分含有量）をまとめたものである。図１３および表１から以下のことがわかる。まず、条件２と条件３とを比較すると、有機材料からなるカラーフィルタ（ＣＦ）上に金属材料からなる補助配線を設けることで同じ条件でベーク処理を行ってもカラーフィルタに含まれる水分が除去されず、対向基板に含まれる水分量が大きく増加した。この条件３と条件４〜条件６とを比較すると、ベーク条件を激しくするに従って（具体的には加熱条件を１５０℃から１９０℃に（条件４）、さらに処理時間を３０分から１２０分に（条件５）、さらに、真空中で行う（条件６））対向基板に含まれる水分量は減少した。これに対して、本実施の形態である、補助配線（導電層２４）に孔部（孔部Ｈ）を形成した条件７では、条件２および条件３と同じベーク処理にて、対向基板に含まれる水分量を条件６以下の値まで低減することができた。このように、ＣＦ／ＢＭ／ＯＣ層２２上に設けられた導電層２４（２４Ａ，２４Ｂ）にＣＦ／ＢＭ／ＯＣ層２２まで達する孔部Ｈ（Ｈ１，Ｈ２）を形成することにより、低温短時間（例えば１５０℃で３０分）といった穏やかな条件でのベーク処理によってＣＦ／ＢＭ／ＯＣ層２２中に含まれる水分等を除去することが可能となる。
【００７１】
【表１】
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【００７２】
以上のように本実施の形態では、有機材料によって構成された層を含むＣＦ／ＢＭ／ＯＣ層２２上に設けられた導電層２４（２４Ａ，２４Ｂ）にＣＦ／ＢＭ／ＯＣ層２２まで達する孔部Ｈ（Ｈ１，Ｈ２）を形成するようにした。これにより、より簡易な方法でＣＦ／ＢＭ／ＯＣ層２２中の水分等の除去が可能となり、有機ＥＬ素子への水分の侵入による非発光欠陥や発光寿命の短縮等を防ぐことが可能となる。即ち、高い信頼性を有する表示装置を提供することが可能となる。
【００７３】
また、ＣＦ／ＢＭ／ＯＣ層２２に含まれる水分等の除去が上記のような穏やかな条件で可能となるため、生産性が向上する。
【００７４】
更に、本実施の形態では、画素の開口部Ａ３に合わせて透明導電材料からなる導電層２４Ｂに孔部Ｈ１を形成するようにしたので、導電層２４Ｂが有する光吸収がよくなり、発光効率が上昇する。これにより、消費電力を低下させることが可能となる。
【００７５】
更にまた、本実施の形態では、カラーフィルタ２２０および遮光層２２１上にオーバーコート層２２２を形成することにより、導電層２４のパターニング時に使用するエッチング液等からカラーフィルタ２２０および遮光層２２１が保護され、これらの損傷を抑制できる。
【００７６】
＜２．表示装置の全体構成、画素回路構成＞
上記実施の形態等に係る有機ＥＬ表示装置（以下、単に表示装置という）の全体構成および画素回路構成について説明する。図１４は、有機ＥＬディスプレイとして用いられる表示装置の周辺回路を含む全体構成を表すものである。このように、例えば基板１１上には、有機ＥＬ素子を含む複数の画素ＰＸＬＣがマトリクス状に配置されてなる表示領域５０が形成され、この表示領域５０の周辺に、信号線駆動回路としての水平セレクタ（ＨＳＥＬ）５１と、走査線駆動回路としてのライトスキャナ（ＷＳＣＮ）５２と、電源線駆動回路としての電源スキャナ（ＤＳＣＮ）５３とが設けられている。
【００７７】
表示領域５０において、列方向には複数（整数ｎ個）の信号線ＤＴＬ１〜ＤＴＬｎが配置され、行方向には、複数（整数ｍ個）の走査線ＷＳＬ１〜ＷＳＬｍおよび電源線ＤＳＬ１〜ＤＳＬｍがそれぞれ配置されている。また、各信号線ＤＴＬと各走査線ＷＳＬとの交差点に、各画素ＰＸＬＣ（Ｒ、Ｇ、Ｂ，Ｗに対応する画素のいずれか１つ）が設けられている。各信号線ＤＴＬは水平セレクタ５１に接続され、この水平セレクタ５１から各信号線ＤＴＬへ映像信号が供給されるようになっている。各走査線ＷＳＬはライトスキャナ５２に接続され、このライトスキャナ５２から各走査線ＷＳＬへ走査信号（選択パルス）が供給されるようになっている。各電源線ＤＳＬは電源スキャナ５３に接続され、この電源スキャナ５３から各電源線ＤＳＬへ電源信号（制御パルス）が供給されるようになっている。
【００７８】
図１５は、画素ＰＸＬＣにおける具体的な回路構成例を表したものである。各画素ＰＸＬＣは、有機ＥＬ素子５Ｄを含む画素回路４０を有している。この画素回路４０は、サンプリング用トランジスタ３Ａおよび駆動用トランジスタ３Ｂと、保持容量素子３Ｃと、有機ＥＬ素子３Ｄとを有するアクティブ型の駆動回路である。これらのうち、トランジスタ３Ａ（またはトランジスタ３Ｂ）が、上記実施の形態等のＴＦＴ１２に相当し、有機ＥＬ素子３Ｄが、上記実施の形態等の有機ＥＬ素子１０Ａに相当する。
【００７９】
サンプリング用トランジスタ３Ａは、そのゲートが対応する走査線ＷＳＬに接続され、そのソースおよびドレインのうちの一方が対応する信号線ＤＴＬに接続され、他方が駆動用トランジスタ３Ｂのゲートに接続されている。駆動用トランジスタ３Ｂは、そのドレインが対応する電源線ＤＳＬに接続され、ソースが有機ＥＬ素子３Ｄのアノードに接続されている。また、この有機ＥＬ素子３Ｄのカソードは、接地配線３Ｈに接続されている。なお、この接地配線３Ｈは、全ての画素ＰＸＬＣに対して共通に配線されている。保持容量素子３Ｃは、駆動用トランジスタ３Ｂのソースとゲートとの間に配置されている。
【００８０】
サンプリング用トランジスタ３Ａは、走査線ＷＳＬから供給される走査信号（選択パルス）に応じて導通することにより、信号線ＤＴＬから供給される映像信号の信号電位をサンプリングし、保持容量素子３Ｃに保持するものである。駆動用トランジスタ３Ｂは、所定の第１電位（図示せず）に設定された電源線ＤＳＬから電流の供給を受け、保持容量素子３Ｃに保持された信号電位に応じて、駆動電流を有機ＥＬ素子３Ｄへ供給するものである。有機ＥＬ素子３Ｄは、この駆動用トランジスタ３Ｂから供給された駆動電流により、映像信号の信号電位に応じた輝度で発光するようになっている。
【００８１】
このような回路構成では、走査線ＷＳＬから供給される走査信号（選択パルス）に応じてサンプリング用トランジスタ３Ａが導通することにより、信号線ＤＴＬから供給された映像信号の信号電位がサンプリングされ、保持容量素子３Ｃに保持される。また、上記第１電位に設定された電源線ＤＳＬから駆動用トランジスタ３Ｂへ電流が供給され、保持容量素子３Ｃに保持された信号電位に応じて、駆動電流が有機ＥＬ素子３Ｄ（赤色、緑色および青色の各有機ＥＬ素子）へ供給される。そして、各有機ＥＬ素子３Ｄは、供給された駆動電流により、映像信号の信号電位に応じた輝度で発光する。これにより、表示装置において、映像信号に基づく映像表示がなされる。
【００８２】
＜３．適用例＞
以下、上記実施の形態等の有機ＥＬ表示装置（以下、表示装置という）の電子機器への適用例について説明する。電子機器としては、例えばテレビジョン装置，デジタルカメラ，ノート型パーソナルコンピュータ、携帯電話等の携帯端末装置あるいはビデオカメラ等が挙げられる。言い換えると、上記表示装置は、外部から入力された映像信号あるいは内部で生成した映像信号を、画像あるいは映像として表示するあらゆる分野の電子機器に適用することが可能である。
【００８３】
（モジュール）
上記表示装置は、例えば図１６に示したようなモジュールとして、後述の適用例１等の種々の電子機器に組み込まれる。このモジュールは、例えば、第１基板１１の一辺に、第２基板２１から露出した領域２１０を設け、この露出した領域２１０に、水平セレクタ５１、ライトスキャナ５２および電源スキャナ５３の配線を延長して外部接続端子（図示せず）を形成したものである。この外部接続端子には、信号の入出力のためのフレキシブルプリント配線基板（ＦＰＣ；Flexible Printed Circuit）２２０が設けられていてもよい。
【００８４】
（適用例１）
図１７は、テレビジョン装置の外観を表したものである。このテレビジョン装置は、例えば、フロントパネル３１０およびフィルターガラス３２０を含む映像表示画面部３００を有しており、この映像表示画面部３００が上記表示装置に相当する。
【００８５】
以上、実施の形態および適用例を挙げて本開示を説明したが、本開示はこれらの実施の形態等に限定されず、種々の変形が可能である。例えば、上記実施の形態等において説明した各層の材料および厚み、または成膜方法および成膜条件等は限定されるものではなく、他の材料および厚みとしてもよく、または他の成膜方法および成膜条件としてもよい。例えば、上記実施の形態では、遮光膜２２１を樹脂材料を用いて形成したが、例えば、無機材料からなる多層膜として形成してもよい。
【００８６】
また、上記実施の形態等では、有機ＥＬ表示装置の一例として、Ｒ，Ｇ，Ｂ，Ｗの４画素を用いてカラー表示を行うものを例示したが、必ずしもこのような４画素を利用したものでなくともよく、Ｒ，Ｇ，Ｂの３画素を用いたものであってもよい。対向基板にカラーフィルタ層や遮光層等の樹脂層を有するものであれば、本開示内容を適用することができる。
【００８７】
更に、上記実施の形態等では、有機ＥＬ素子１０Ａの構成を具体的に挙げて説明したが、全ての層を備える必要はなく、また、他の層を更に備えていてもよい。また、上記実施の形態等では、有機層１７における発光層を各画素に共通して形成したが、画素毎に発光層が分離されていてもよいし、画素毎にＲ，Ｇ，Ｂの各色の発光層のいずれかが設けられていてもよい。
【００８８】
加えて、上記実施の形態等では、アクティブマトリクス型の表示装置の場合について説明したが、本開示はパッシブマトリクス型の表示装置への適用も可能である。更にまた、アクティブマトリクス駆動のための画素駆動回路の構成は、上記実施の形態で説明したものに限られず、必要に応じて容量素子やトランジスタを追加してもよい。その場合、画素駆動回路の変更に応じて、上述した信号線駆動回路１２０や走査線駆動回路１３０のほかに、必要な駆動回路を追加してもよい。
【００８９】
また、上記実施の形態等では、トップエミッション型の有機ＥＬ表示装置を例示して説明したが、本開示の有機ＥＬ表示装置は、ボトムエミッション型の有機ＥＬ表示装置にも適用可能である。特に、上部電極を例えば透明導電膜等の高抵抗な導電膜により構成する場合に好適に適用可能である。
【００９０】
なお、本明細書中に記載された効果はあくまで例示であって限定されるものではなく、また、他の効果があってもよい。
【００９１】
なお、本開示は以下のような構成を取ることも可能である。
（１）
第１基板上に、第１電極、発光層を含む有機層および第２電極をこの順に有する素子基板と、
前記素子基板に対向配置され、第２基板の前記素子基板側に設けられた有機材料層上に導電層を有する対向基板とを備え、
前記導電層は少なくとも１つ以上の前記有機材料層に達する孔部を有する
有機ＥＬ表示装置。
（２）
それぞれ発光素子を有する複数の画素が配設された表示領域を有し、前記孔部は前記表示領域の前記複数の画素に対応する位置にそれぞれ設けられている、
上記（１）に記載の有機ＥＬ表示装置。
（３）
それぞれ発光素子を有する複数の画素が配設された表示領域を有し、前記孔部は前記表示領域の前記複数の画素間に設けられている、
上記（１）または（２）に記載の有機ＥＬ表示装置。
（４）
前記画素間に設けられた前記孔部は、前記表示領域の全面にわたって複数設けられている、
上記（３）に記載の有機ＥＬ表示装置。
（５）
前記導電層は複数の無機膜を積層したものである、
上記（１）乃至（４）に記載の有機ＥＬ表示装置。
（６）
前記導電層は、前記第２基板の全面を覆う第１導電層と前記第２基板の少なくとも一部に配設された第２導電層とからなる、
上記（１）〜（５）のいずれかに記載の有機ＥＬ表示装置。
（７）
前記第２導電層と前記第２電極との間に導電性部材が配設されると共に、前記導電性部材は前記第１導電層によって被覆されている、
上記（６）に記載の有機ＥＬ表示装置。
（８）
前記導電性部材は少なくとも表面が導電性を有する柱状部材である、
上記（７）に記載の有機ＥＬ表示装置。
（９）
前記有機材料層は、遮光層と、複数の色要素を有するカラーフィルタと、オーバーコートとを含む、
上記（１）乃至（８）のいずれかに記載の有機ＥＬ表示装置。
（１０）
第１基板上に、第１電極、発光層を含む有機層および第２電極をこの順に有する素子基板を形成する工程と、
第２基板上に、有機材料層および導電層をこの順に有する対向基板を形成する工程と、
前記導電層に前記有機材料層に達する少なくとも１つ以上の孔部を形成する工程と、
前記素子基板と前記対向基板とを対向配置し、貼り合わせる工程と
を含む有機ＥＬ表示装置の製造方法。
（１１）
前記孔部を形成したのち、前記対向基板にベーク処理を行う、
上記（１０）に記載の有機ＥＬ表示装置の製造方法。
（１２）
前記素子基板と前記対向基板とを封止層を介して貼り合わせる、
上記（１０）に記載の有機ＥＬ表示装置の製造方法。
（１３）
有機ＥＬ表示装置を備え、
前記有機ＥＬ表示装置は、
第１基板上に、第１電極、発光層を含む有機層および第２電極をこの順に有する素子基板と、
前記素子基板に対向配置され、第２基板の前記素子基板側に設けられた有機材料層上に導電層を有する対向基板とを備え、
前記導電層は少なくとも１つ以上の前記有機材料層に達する孔部を有する
電子機器。
【符号の説明】
【００９２】
１…有機ＥＬ表示装置、１０…素子基板、１０Ａ…有機ＥＬ素子、１１…第１基板、１２…ＴＦＴ、１３…配線層、１４…層間絶縁膜、１５…下部電極、１６…画素間絶縁膜、１７…有機層、１８…高抵抗層、１９…上部電極、２０…対向基板、２１…第２基板、２２…ＣＦ／ＢＭ／ＯＣ層、２３…ピラー、２４…導電膜、３０…封止層、２２０Ｒ…赤色樹脂層、２２０Ｇ…緑色樹脂層、２２０Ｂ…青色樹脂層、２２１…遮光層、２２２…オーバーコート層。
【図１】
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【図２】
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【図３Ａ】
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【図３Ｂ】
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【図４Ａ】
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【図４Ｂ】
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【図５Ａ】
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【図５Ｂ】
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【図６Ａ】
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【図６Ｂ】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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