(57)【要約】【課題】エネルギー効率が高く、かつ、清浄なリード面を有する樹脂封止型半導体装置を製造することが可能な樹脂封止型半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】モールド金型にリードフレームを挟み込み、各ダイパッドに対応してモールド金型に形成されているキャビティに樹脂を充填することで、ダイパッド及び半導体素子を封止して樹脂封止型半導体装置の半導体装置本体部を形成する半導体装置本体部形成工程Ｓ１０と、半導体装置本体部形成工程Ｓ１０において生成した樹脂バリと半導体装置本体部又はリードフレームとの境界部分に対してレーザー光を照射して半導体装置本体部及びリードフレームから樹脂バリを分離するレーザー光照射工程Ｓ２１を含み、レーザー光照射工程Ｓ２１で分離された樹脂バリを半導体装置本体部及びリードフレームから樹脂バリを除去する樹脂バリ除去工程Ｓ２０とを含むことを特徴とする樹脂封止型半導体装置の製造方法。【選択図】図６
2015149320.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ダイパッドが複数配列されたリードフレームを用いて、前記ダイパッドのそれぞれに半導体素子を固定し、樹脂で封止することで樹脂封止型半導体装置を製造する樹脂封止型半導体装置の製造方法であって、
モールド金型に前記リードフレームを挟み込み、各前記ダイパッドに対応して前記モールド金型に形成されているキャビティに樹脂を充填することで、前記ダイパッド及び前記半導体素子を封止して前記樹脂封止型半導体装置の半導体装置本体部を形成する半導体装置本体部形成工程と、
前記半導体装置本体部形成工程において生成した樹脂バリと前記半導体装置本体部又は前記リードフレームとの境界部分に対してレーザー光を照射して前記半導体装置本体部及び前記リードフレームから前記樹脂バリを分離するレーザー光照射工程を含み、前記レーザー光照射工程で分離された前記樹脂バリを前記半導体装置本体部及び前記リードフレームから除去する樹脂バリ除去工程とをこの順序で含むことを特徴とする樹脂封止型半導体装置の製造方法。
【請求項２】
請求項１に記載の樹脂封止型半導体装置の製造方法において、
前記レーザー光照射工程は、前記リードフレームを前記リードフレームの長手方向に沿って所定の搬送方向に向けて間欠的に搬送しながら、前記境界部分に対して前記リードフレームの上方のレーザー光源からレーザー光を照射する工程であって、
平面的に見て前記レーザー光源よりも搬送方向手前側に位置し、前記搬送方向と前記レーザー光源がある方向とが所定の仰角をなす所定の第１搬送位置において、前記レーザー光源から前記境界部分に対してレーザー光を照射する第１レーザー光照射工程と、
平面的に見て前記レーザー光源よりも搬送方向奥側に位置し、前記搬送方向とは反対の方向と前記レーザー光源がある方向とが所定の仰角をなす所定の第２搬送位置において、前記レーザー光源から前記境界部分に対してレーザー光を照射する第２レーザー光照射工程とをこの順序で含むことを特徴とする樹脂封止型半導体装置の製造方法。
【請求項３】
請求項１又は２に記載の樹脂封止型半導体装置の製造方法において、
前記樹脂バリ除去工程は、前記レーザー光照射工程では除去しきれなかった前記樹脂バリをブラシによって除去するブラッシング工程をさらに含むことを特徴とする樹脂封止型半導体装置の製造方法。
【請求項４】
請求項１〜３のいずれかに記載の樹脂封止型半導体装置の製造方法において、
前記樹脂バリ除去工程は、前記リードフレームの表面に生成した樹脂バリを除去するデフラッシャー工程をさらに含むことを特徴とする樹脂封止型半導体装置の製造方法。
【請求項５】
請求項１〜４のいずれかに記載の樹脂封止型半導体装置の製造方法において、
前記レーザー光照射工程は、直線に沿ってレーザー光を走査する工程であって、
前記レーザー光照射工程においては、同一の直線に沿って照射深さを変えてレーザー光を複数回走査することを特徴とする樹脂封止型半導体装置の製造方法。
【請求項６】
請求項１〜５のいずれかに記載の樹脂封止型半導体装置の製造方法において、
前記レーザー光照射工程は、平面的に見て複数の直線に沿ってレーザー光を走査する工程であって、
前記複数の直線のうちの１の直線に沿ってレーザー光を同一の照射深さで複数回走査した後、前記複数の直線のうちの他の直線に沿ってレーザー光を複数回走査することを特徴とする樹脂封止型半導体装置の製造方法。
【請求項７】
請求項１〜６のいずれかに記載の樹脂封止型半導体装置の製造方法において、
前記リードフレームの端部には、つぶし加工が施された部分が形成されており、
前記樹脂バリ除去工程において、前記つぶし加工が施された部分と前記樹脂バリとの境界部分にレーザー光を照射するときのレーザー照射幅は、前記つぶし加工が施された部分以外の部分と前記樹脂バリとの境界部分にレーザー光を照射するときのレーザー照射幅よりも広いことを特徴とする樹脂封止型半導体装置の製造方法。
【請求項８】
請求項１〜７のいずれかに記載の樹脂封止型半導体装置の製造方法によって製造された樹脂封止型半導体装置であって、
ダイパッド及び半導体素子が樹脂封止された半導体装置本体部と、
リードフレームから形成され、前記半導体装置本体部から延在するリード部とを備え、
前記樹脂封止型半導体装置は、前記半導体装置本体部を形成するときに生成した樹脂バリと前記半導体装置本体部又は前記リードフレームとの境界部分に対してレーザー光を照射して前記半導体装置本体部及び前記リードフレームから前記樹脂バリを分離することにより、前記樹脂バリが除去されたものであることを特徴とする樹脂封止型半導体装置。
【請求項９】
請求項８に記載の樹脂封止型半導体装置を製造する樹脂封止型半導体装置の製造装置であって、
リードフレームに複数配列されている各ダイパッドに対応したキャビティが形成されているモールド金型を有し、前記ダイパッドのそれぞれに半導体素子が固定された前記リードフレームを前記モールド金型に挟み込み、前記キャビティに樹脂を充填することで、前記ダイパッド及び前記半導体素子を封止して前記樹脂封止型半導体装置の半導体装置本体部を形成する成形装置と、
前記リードフレームを前記リードフレームの長手方向に沿って所定の搬送方向に向けて間欠的に搬送する搬送装置、及び、前記モールド金型によって前記半導体装置本体部を形成するときに生成した樹脂バリと前記半導体装置本体部又はリードフレームとの境界部分に対してレーザー光を照射して前記半導体装置本体部及び前記リードフレームから前記樹脂バリを分離するレーザー光照射装置を有し、前記レーザー光照射装置によって分離された前記樹脂バリを前記半導体装置本体部及び前記リードフレームから除去する樹脂バリ除去装置とを備えることを特徴とする樹脂封止型半導体装置の製造装置。
【請求項１０】
請求項９に記載の樹脂封止型半導体装置の製造装置において、
前記レーザー光照射装置は、
前記搬送装置によって前記リードフレームを搬送する搬送経路の上方に配設されたレーザー光源を有し、
平面的に見て前記レーザー光源よりも搬送方向手前側に位置し、前記搬送方向と前記レーザー光源がある方向とが所定の仰角をなす所定の第１搬送位置において、前記レーザー光源から前記境界部分に対してレーザー光を照射し、さらに、
平面的に見て前記レーザー光源よりも搬送方向奥側に位置し、前記搬送方向とは反対の方向と前記レーザー光源がある方向とが所定の仰角をなす所定の第２搬送位置において、前記レーザー光源から前記境界部分に対してレーザー光を照射することを特徴とする樹脂封止型半導体装置の製造装置。
【請求項１１】
請求項９又は１０に記載の樹脂封止型半導体装置の製造装置において、
前記樹脂バリ除去装置は、
前記レーザー光照射装置によって除去しきれなかった前記樹脂バリをブラシによって除去するブラッシング装置をさらに有することを特徴とする樹脂封止型半導体装置の製造装置。
【請求項１２】
請求項９〜１１のいずれかに記載の樹脂封止型半導体装置の製造装置において、
前記樹脂バリ除去装置は、
前記リードフレームの表面に生成した樹脂バリを除去するデフラッシャー装置をさらに有することを特徴とする樹脂封止型半導体装置の製造装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、樹脂封止型半導体装置の製造方法、樹脂封止型半導体装置及び樹脂封止型半導体装置の製造装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
図１２は、従来の樹脂封止型半導体装置の製造方法を説明するために示す図である。
【０００３】
従来、ダイパッドが複数配列されたリードフレームを用いて、ダイパッドのそれぞれに半導体素子を固定し、樹脂で封止することで樹脂封止型半導体装置を製造する樹脂封止型半導体装置の製造方法が知られている（例えば、特許文献１参照）。
【０００４】
従来の樹脂封止型半導体装置の製造方法は、ダイパッド及び半導体素子を封止して樹脂封止型半導体装置の半導体装置本体部９１０を形成する半導体装置本体部形成工程と、半導体装置本体部形成工程において生成した樹脂バリ９３０にレーザー光Ｌを照射するレーザー光照射工程を有し、半導体装置本体部９１０及びリードフレーム９２０から樹脂バリ９３０を除去する樹脂バリ除去工程とを含む（図１２参照。）。半導体装置本体部９１０とリードフレーム９２０とで囲まれた複数のブロックＢには樹脂バリ９３０が生じており、従来の樹脂封止型半導体装置の製造方法においては、当該複数のブロックＢのうちの１つのブロックに生じた樹脂バリ９３０全体にレーザー光Ｌを照射することによって樹脂バリ９３０を除去する。
【０００５】
従来の樹脂封止型半導体装置の製造方法によれば、レーザー光Ｌを照射することによって樹脂バリ３０を除去しているため、リードフレーム９２０に接触することなく樹脂バリ９３０を除去することが可能となり、リードフレーム９２０に傷をつけることを防ぐことが可能となる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開平３−１０６０６３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
しかしながら、従来の樹脂封止型半導体装置の製造方法においては、１つのブロックに生じた樹脂バリ９３０全体にレーザー光Ｌを照射して樹脂バリ９３０を除去しているために、１つのブロックに生じた樹脂バリ９３０に対してレーザー光Ｌを高エネルギーで照射する必要があり、エネルギー効率が低いという問題がある。また、レーザー光Ｌを照射することによって蒸発した樹脂がリードフレーム９２０に再付着するため、清浄なリード面を有する樹脂封止型半導体装置を製造することが困難となるという問題がある。
【０００８】
そこで、本発明はこのような問題を解決するためになされたもので、エネルギー効率が高く、かつ、清浄なリード面を有する樹脂封止型半導体装置を製造することが可能な樹脂封止型半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。また、このような樹脂封止型半導体装置の製造方法によって製造された樹脂封止型半導体装置を提供することを目的とする。さらにまた、このような樹脂封止型半導体装置を製造するための樹脂封止型半導体装置の製造装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
［１］本発明の樹脂封止型半導体装置の製造方法は、ダイパッドが複数配列されたリードフレームを用いて、前記ダイパッドのそれぞれに半導体素子を固定し、樹脂で封止することで樹脂封止型半導体装置を製造する樹脂封止型半導体装置の製造方法であって、モールド金型に前記リードフレームを挟み込み、各前記ダイパッドに対応して前記モールド金型に形成されているキャビティに樹脂を充填することで、前記ダイパッド及び前記半導体素子を封止して前記樹脂封止型半導体装置の半導体装置本体部を形成する半導体装置本体部形成工程と、前記半導体装置本体部形成工程において生成した樹脂バリと前記半導体装置本体部又は前記リードフレームとの境界部分に対してレーザー光を照射して前記半導体装置本体部及び前記リードフレームから前記樹脂バリを分離するレーザー光照射工程を含み、前記レーザー光照射工程で分離された前記樹脂バリを前記半導体装置本体部及び前記リードフレームから除去する樹脂バリ除去工程とをこの順序で含むことを特徴とする。
【００１０】
［２］本発明の樹脂封止型半導体装置の製造方法においては、前記レーザー光照射工程は、前記リードフレームを前記リードフレームの長手方向に沿って所定の搬送方向に向けて間欠的に搬送しながら、前記境界部分に対して前記リードフレームの上方のレーザー光源からレーザー光を照射する工程であって、平面的に見て前記レーザー光源よりも搬送方向手前側に位置し、前記搬送方向と前記レーザー光源がある方向とが所定の仰角をなす所定の第１搬送位置において、前記レーザー光源から前記境界部分に対してレーザー光を照射する第１レーザー光照射工程と、平面的に見て前記レーザー光源よりも搬送方向奥側に位置し、前記搬送方向とは反対の方向と前記レーザー光源がある方向とが所定の仰角をなす所定の第２搬送位置において、前記レーザー光源から前記境界部分に対してレーザー光を照射する第２レーザー光照射工程とをこの順序で含むことが好ましい。
【００１１】
［３］本発明の樹脂封止型半導体装置の製造方法においては、前記樹脂バリ除去工程は、前記レーザー光照射工程では除去しきれなかった前記樹脂バリをブラシによって除去するブラッシング工程をさらに含むことが好ましい。
【００１２】
［４］本発明の樹脂封止型半導体装置の製造方法においては、前記樹脂バリ除去工程は、前記リードフレームの表面に生成した樹脂バリを除去するデフラッシャー工程をさらに含むことが好ましい。
【００１３】
［５］本発明の樹脂封止型半導体装置の製造方法においては、前記レーザー光照射工程は、直線に沿ってレーザー光を走査する工程であって、前記レーザー光照射工程においては、同一の直線に沿って照射深さを変えてレーザー光を複数回走査することが好ましい。
【００１４】
［６］本発明の樹脂封止型半導体装置の製造方法においては、前記レーザー光照射工程は、平面的に見て複数の直線に沿ってレーザー光を走査する工程であって、前記複数の直線のうちの１の直線に沿ってレーザー光を同一の照射深さで複数回走査した後、前記複数の直線のうちの他の直線に沿ってレーザー光を複数回走査することが好ましい。
【００１５】
［７］本発明の樹脂封止型半導体装置の製造方法においては、前記リードフレームの端部には、つぶし加工が施された部分が形成されており、前記樹脂バリ除去工程において、前記つぶし加工が施された部分と前記樹脂バリとの境界部分にレーザー光を照射するときのレーザー照射幅は、前記つぶし加工が施された部分以外の部分と前記樹脂バリとの境界部分にレーザー光を照射するときのレーザー照射幅よりも広いことが好ましい。
【００１６】
［８］本発明の樹脂封止型半導体装置は、上記［１］〜［７］のいずれかに記載の樹脂封止型半導体装置の製造方法によって製造された樹脂封止型半導体装置であって、ダイパッド及び半導体素子が樹脂封止された半導体装置本体部と、リードフレームから形成され、前記半導体装置本体部から延在するリード部とを備え、前記樹脂封止型半導体装置は、前記半導体装置本体部を形成するときに生成した樹脂バリと前記半導体装置本体部又は前記リードフレームとの境界部分に対してレーザー光を照射して前記半導体装置本体部及び前記リードフレームから前記樹脂バリを分離することにより、前記樹脂バリが除去されたものであることを特徴とする。
【００１７】
［９］本発明の樹脂封止型半導体装置の製造装置は、上記［８］に記載の樹脂封止型半導体装置を製造する樹脂封止型半導体装置の製造装置であって、リードフレームに複数配列されている各ダイパッドに対応したキャビティが形成されているモールド金型を有し、前記ダイパッドのそれぞれに半導体素子が固定された前記リードフレームを前記モールド金型に挟み込み、前記キャビティに樹脂を充填することで、前記ダイパッド及び前記半導体素子を封止して前記樹脂封止型半導体装置の半導体装置本体部を形成する成形装置と、前記リードフレームを前記リードフレームの長手方向に沿って所定の搬送方向に向けて間欠的に搬送する搬送装置、及び、前記モールド金型によって前記半導体装置本体部を形成するときに生成した樹脂バリと前記半導体装置本体部又はリードフレームとの境界部分に対してレーザー光を照射して前記半導体装置本体部及び前記リードフレームから前記樹脂バリを分離するレーザー光照射装置を有し、前記レーザー光照射装置によって分離された前記樹脂バリを前記半導体装置本体部及び前記リードフレームから除去する樹脂バリ除去装置とを備えることを特徴とする。
【００１８】
［１０］本発明の樹脂封止型半導体装置の製造装置によれば、前記レーザー光照射装置は、前記搬送装置によって前記リードフレームを搬送する搬送経路の上方に配設されたレーザー光源を有し、平面的に見て前記レーザー光源よりも搬送方向手前側に位置し、前記搬送方向と前記レーザー光源がある方向とが所定の仰角をなす所定の第１搬送位置において、前記レーザー光源から前記境界部分に対してレーザー光を照射し、さらに、平面的に見て前記レーザー光源よりも搬送方向奥側に位置し、前記搬送方向とは反対の方向と前記レーザー光源がある方向とが所定の仰角をなす所定の第２搬送位置において、前記レーザー光源から前記境界部分に対してレーザー光を照射することが好ましい。
【００１９】
［１１］本発明の樹脂封止型半導体装置の製造装置によれば、前記樹脂バリ除去装置は、前記レーザー光照射装置によって除去しきれなかった前記樹脂バリをブラシによって除去するブラッシング装置をさらに有することが好ましい。
【００２０】
［１２］本発明の樹脂封止型半導体装置の製造装置によれば、前記樹脂バリ除去装置は、前記リードフレームの表面に生成した樹脂バリを除去するデフラッシャー装置をさらに有することが好ましい。
【発明の効果】
【００２１】
本発明の樹脂封止型半導体装置の製造方法によれば、樹脂バリと半導体装置本体部又はリードフレームとの境界部分に対してレーザー光を照射して半導体装置本体部及びリードフレームから樹脂バリを分離するレーザー光照射工程を含むため、従来の樹脂封止型半導体装置の製造方法と比較して、蒸発させる樹脂の量を大幅に減じることが可能となる。その結果、樹脂バリに対して高エネルギーでレーザー光を照射する必要がなくなり、エネルギー効率が高くなる。
【００２２】
また、本発明の樹脂封止型半導体装置の製造方法によれば、上記したレーザー光照射工程を含むため、従来の樹脂封止型半導体装置の製造方法と比較して、蒸発させる樹脂の量を大幅に減じることが可能となる。その結果、蒸発した樹脂がリードフレームに再付着することを起こりにくくし、清浄なリード面を有する樹脂封止型半導体装置を製造することが可能となる。
【００２３】
本発明の樹脂封止型半導体装置によれば、樹脂封止型半導体装置が、半導体装置本体部を形成するときに生成した樹脂バリと半導体装置本体部又はリードフレームとの境界部分に対してレーザー光を照射して半導体装置本体部及びリードフレームから樹脂バリを分離することにより、樹脂バリが除去されたものであるため、従来の樹脂封止型半導体装置を製造する場合と比較して、蒸発させる樹脂の量を大幅に減じることが可能となる。その結果、蒸発した樹脂がリードフレームに再付着することが起こりにくくなり、清浄なリード面を有する樹脂封止型半導体装置となる。
【００２４】
本発明の樹脂封止型半導体装置の製造装置によれば、樹脂バリ除去装置が、成形装置によって半導体装置本体部を形成するときに生成した樹脂バリと半導体装置本体部又はリードフレームとの境界部分に対してレーザー光を照射して半導体装置本体部及びリードフレームから樹脂バリを分離するレーザー光照射装置を有するため、従来の樹脂封止型半導体装置の製造装置と比較して、蒸発させる樹脂の量を大幅に減じることが可能となる。その結果、樹脂バリに対して高エネルギーでレーザー光を照射する必要がなくなり、エネルギー効率が高くなる。
【００２５】
また、本発明の樹脂封止型半導体装置の製造装置によれば、樹脂バリ除去装置が、上記したレーザー光照射装置を有するため、従来の樹脂封止型半導体装置の製造装置と比較して、蒸発させる樹脂の量を大幅に減じることが可能となる。その結果、蒸発した樹脂がリードフレームに再付着することを起こりにくくし、清浄なリード面を有する樹脂封止型半導体装置を製造することが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【００２６】
【図１】実施形態に係る樹脂封止型半導体装置１を示す図である。
【図２】実施形態における成形装置１１０を説明するために示す断面図である。
【図３】半導体装置本体部１０が形成されたリードフレーム２０を説明するために示すリードフレーム２０の平面図である。
【図４】実施形態における樹脂バリ除去装置１２０を説明するために示す側面図である。
【図５】実施形態に係る樹脂封止型半導体装置の製造方法を示すフローチャートである。
【図６】実施形態におけるレーザー光照射工程Ｓ２１を説明するために示す図である。
【図７】半導体装置本体部１０とリードフレーム２０とで囲まれた１つのブロックに生じた樹脂バリ３０を分離する様子を説明するために示す図である。
【図８】レーザー光照射工程Ｓ２１における図７（ｂ）のＡ−Ａ断面図である。
【図９】レーザー光照射工程Ｓ２１においてリードフレーム２０を連続的に処理する様子を説明するために示す図である。
【図１０】つぶし加工が施された部分Ｃと樹脂バリ３０との境界部分にレーザー光を照射する様子を説明するために示す図である。
【図１１】実施形態に係る樹脂封止型半導体装置の製造方法の効果を説明するために示す図である。
【図１２】従来の樹脂封止型半導体装置の製造方法を説明するために示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００２７】
以下、本発明の樹脂封止型半導体装置の製造方法、樹脂封止型半導体装置及び樹脂封止型半導体装置の製造装置について、図に示す実施形態に基づいて説明する。
【００２８】
［実施形態］
１．実施形態に係る樹脂封止型半導体装置１の構成
図１は、実施形態に係る樹脂封止型半導体装置１を示す図である。
【００２９】
実施形態に係る樹脂封止型半導体装置１は、図１に示すように、ダイパッド（図２における符号２４参照。）及び半導体素子（図２における符号１２参照。）が樹脂封止された半導体装置本体部１０と、リードフレーム（図３における符号２０参照。）から形成され、半導体装置本体部１０から延在する４本のリード部２２とを備える。
【００３０】
実施形態に係る樹脂封止型半導体装置１は、後述するように、半導体装置本体部１０を形成するときに生成した樹脂バリと半導体装置本体部１０又はリードフレーム２０との境界部分に対してレーザー光Ｌを照射して半導体装置本体部１０及びリードフレーム２０から樹脂バリを分離することにより、樹脂バリが除去されたものである。
【００３１】
２．実施形態に係る樹脂封止型半導体装置の製造装置１００の構成
以上のような構成を有する係る樹脂封止型半導体装置は、以下に示す製造装置（実施形態に係る樹脂封止型半導体装置の製造装置）を用いて製造することができる。
図２は、実施形態における成形装置１１０を説明するために示す断面図である。図３は、半導体装置本体部１０が形成されたリードフレーム２０を説明するために示すリードフレーム２０の平面図である。なお、図３中、符号２６はダムバーを示し、符号２８は補助バーを示す。図４は、実施形態における樹脂バリ除去装置１２０を説明するために示す側面図である。
【００３２】
実施形態に係る樹脂封止型半導体装置の製造装置１００は、成形装置１１０と、樹脂バリ除去装置１２０とを備える。
【００３３】
成形装置１１０は、図２に示すように、上金型１１２及び下金型１１４からなるモールド金型１１６を有する。モールド金型１１６には、上金型１１２と下金型１１４との間にはリードフレーム２０に複数配列されている各ダイパッド２４に対応したキャビティ１１８が形成されている。成形装置１１０は、ダイパッド２４のそれぞれに半導体素子１２が固定されたリードフレーム２０をモールド金型１１６に挟み込み、キャビティ１１８に樹脂を充填することで、ダイパッド２４及び半導体素子１２を封止して樹脂封止型半導体装置の半導体装置本体部１０を形成する。
【００３４】
本実施形態においては、図３に示すように、１つのリードフレーム２０に対して６個の半導体装置本体部１０を形成する。
【００３５】
樹脂バリ除去装置１２０は、図４に示すように、搬送装置１３０、レーザー光照射装置１４０、ブラッシング装置１５０及びデフラッシャー装置（図示せず。）を有する。
樹脂バリ除去装置１２０は、レーザー光照射装置１４０によって分離された樹脂バリ３０を半導体装置本体部１０及びリードフレーム２０から除去する
【００３６】
搬送装置１３０は、リードフレーム２０を供給する供給用マガジン１３２、ガイドレール１３４、樹脂バリが除去されたリードフレーム２０を収納する収納用マガジン１３６及び搬送ピッチ及び搬送速度を制御する制御装置（図示せず。）を有する。搬送装置１３０は、リードフレーム２０をリードフレーム２０の長手方向に沿って所定の搬送方向Ａに向けて一定のピッチで間欠的に搬送する。
【００３７】
樹脂バリ除去装置１２０で１つのリードフレームにおける樹脂バリ３０をリードフレーム２０及び半導体装置本体部１０からすべて分離する前に、搬送装置１３０は、次のリードフレーム２０を供給用マガジン１３２から搬送する。このとき、先に搬送されたリードフレーム２０と後から搬送されたリードフレーム２０とが衝突することを防ぐために、搬送装置１３０は、ストッパー１３８（後述する図９参照。）をさらに有する。
【００３８】
レーザー光照射装置１４０は、搬送装置１３０によってリードフレーム２０を搬送する搬送経路（ガイドレール１３４）の上方に配設されたレーザー光源１４２を有する。レーザー光照射装置１４０は、モールド金型１１６によって半導体装置本体部１０を形成するときに生成した樹脂バリ３０と半導体装置本体部１０又はリードフレーム２０との境界部分に対してレーザー光を照射して半導体装置本体部１０及びリードフレーム２０から樹脂バリ３０を分離する。
【００３９】
具体的には、平面的に見てレーザー光源１４２よりも搬送方向手前側に位置し、搬送方向Ａとレーザー光源１４２がある方向とが所定の仰角をなす所定の第１搬送位置Ｐ１において、レーザー光源１４２から当該境界部分に対してレーザー光Ｌ１を照射し、さらに、平面的に見てレーザー光源１４２よりも搬送方向奥側に位置し、搬送方向Ａとは反対の方向とレーザー光源１４２がある方向とが所定の仰角をなす所定の第２搬送位置Ｐ２において、レーザー光源１４２から当該境界部分に対してレーザー光Ｌ２を照射する。
【００４０】
ブラッシング装置１５０は、レーザー光照射装置１４０によって除去しきれなかった樹脂バリ３０をブラシ１５２によって除去する。ブラッシング装置１５０は、ブラシ１５２を上下動させることによって樹脂バリ３０を除去する。ブラシ１５２は、チャンネル式の直線ブラシであり、ブラシ１５２の毛材は、ナイロンに導電性のカーボンを配合したものを用いる。
【００４１】
デフラッシャー装置（図示せず。）は、「リードフレームの表面に生成した樹脂バリ」（薄バリ）を除去する。デフラッシャー装置は、研磨剤を薄バリに向けて噴射することによって薄バリを除去する。なお、研磨剤は適宜のものを用いることが可能である。
【００４２】
３．実施形態に係る樹脂封止型半導体装置の製造方法
実施形態に係る樹脂封止型半導体装置は、以下に示す製造方法（実施形態に係る樹脂封止型半導体装置の製造方法）により製造することができる。
【００４３】
図５は、実施形態に係る樹脂封止型半導体装置の製造方法を示すフローチャートである。
図６は、実施形態におけるレーザー光照射工程Ｓ２１を説明するために示す図である。図６（ａ）〜図６（ｃ）はそれぞれレーザー光照射工程Ｓ２１を実施する過程を示す図である。
図７は、半導体装置本体部１０とリードフレーム２０とで囲まれた１つのブロックに生じた樹脂バリ３０を分離する様子を説明するために示す図である。図７（ａ）〜図７（ｆ）はそれぞれ樹脂バリ３０を分離する過程を示す図である。
図８は、レーザー光照射工程Ｓ２１における図７（ｂ）のＡ−Ａ断面図である。図８（ａ）は１度目のレーザー光の走査の様子を示す断面図であり、図８（ｂ）は２度目のレーザー光の走査の様子を示す断面図である。
図９は、レーザー光照射工程Ｓ２１においてリードフレーム２０を連続的に処理する様子を説明するために示す図である。図９（ａ）〜図９（ｃ）はそれぞれリードフレーム２０を連続的に処理する過程を示す図である。
図１０は、つぶし加工が施された部分Ｃと樹脂バリ３０との境界部分にレーザー光を照射する様子を説明するために示す図である。図１０（ａ）はリードフレームにおけるつぶし加工が施された部分Ｃを説明するために示す図であり、図１０（ｂ）は図１０（ａ）における破線Ｂで囲まれた部分の拡大図であり、図１０（ｃ）は実施形態においてつぶし加工が施された部分Ｃと樹脂バリ３０との境界部分にレーザー光を照射する様子を示す図であり、図１０（ｄ）はつぶし加工が施された部分Ｃと樹脂バリ３０との境界部分にレーザー光を照射することができなかった場合の比較例を示す図である。なお、図１０（ｃ）及び図１０（ｄ）中、符号ｌは、レーザー光が照射される軌跡を示す。また、つぶし加工については後述する。
【００４４】
実施形態に係る樹脂封止型半導体装置の製造方法は、図５に示すように、「半導体装置本体部形成工程Ｓ１０」と、「樹脂バリ除去工程Ｓ２０」とをこの順序で含む。以下、工程に沿って実施形態に係る樹脂封止型半導体装置の製造方法を説明する。
【００４５】
（１）半導体装置本体部形成工程Ｓ１０
まず、ダイパッド２４が複数（６個）配列されたリードフレーム２０を用いて、ダイパッド２４のそれぞれに半導体素子１２を固定したものを準備する。次に、図２に示すように、成形装置１１０におけるモールド金型１１６にリードフレーム２０を挟み込み、各ダイパッド２４に対応してモールド金型１１６に形成されているキャビティ１１８に樹脂を充填することで、ダイパッド２４及び半導体素子１２を封止して樹脂封止型半導体装置１の半導体装置本体部１０を形成する半導体装置本体部形成工程Ｓ１０を実施する。
【００４６】
なお、このリードフレーム２０の両方の端部には、つぶし加工が施された部分Ｃが形成されている（図１０（ａ）参照。）。このような構成とすることにより、つぶし加工が施された部分Ｃにおいては、リードフレームの外縁が外側に向かって膨らんだ形状となる（図１０（ｂ）における領域Ｒ参照。）ため、半導体装置本体部形成工程Ｓ１０を実施するとき、リードフレームとモールド金型１１６との隙間から樹脂が流れ出ることを防ぐことが可能となる。
【００４７】
これにより、リードフレームに半導体装置本体部１０が６個配列されたリードフレーム２０が形成される（図３参照。）。なお、このとき、半導体装置本体部１０とリードフレーム２０との間及びリードフレーム２０の表面に樹脂バリが生成される。
【００４８】
（２）樹脂バリ除去工程Ｓ２０
次に、半導体装置本体部形成工程Ｓ１０において半導体装置本体部１０とリードフレーム２０との間に生成した樹脂バリ３０と半導体装置本体部１０又はリードフレーム２０との境界部分に対してレーザー光Ｌ１を照射して半導体装置本体部１０及びリードフレーム２０から樹脂バリ３０を分離するレーザー光照射工程Ｓ２１を実施し、レーザー光照射工程Ｓ２１で分離された樹脂バリ３０を半導体装置本体部１０及びリードフレーム２０から除去する樹脂バリ除去工程Ｓ２０を実施する。
【００４９】
「樹脂バリ除去工程Ｓ２０」は、「レーザー光照射工程Ｓ２１」と、「ブラッシング工程Ｓ２４」と、「デフラッシャー工程Ｓ２５」とをこの順序で含む。
【００５０】
（２−１）レーザー光照射工程Ｓ２１
レーザー光照射工程Ｓ２１は、リードフレーム２０をリードフレーム２０の長手方向に沿って所定の搬送方向Ａに向けて間欠的に搬送しながら、境界部分に対してリードフレーム２０の上方のレーザー光源１４２からレーザー光Ｌ１を照射する工程である。「レーザー光照射工程Ｓ２１」は、「第１レーザー光照射工程Ｓ２２」と「第２レーザー光照射工程Ｓ２３」とをこの順序で含む。
【００５１】
まず、半導体装置本体部形成工程Ｓ１０によって半導体装置本体部１０が形成されたリードフレーム２０を搬送装置１３０の供給用マガジン１３２にセットする。次に、搬送装置１３０によって、リードフレーム２０を所定の搬送方向Ａに向けて搬送する（図４参照。）。そして、半導体装置本体部１０ａが所定の第１搬送位置Ｐ１に到達したときに、リードフレーム２０の搬送を、一旦停止する。
【００５２】
ここで、「第１搬送位置Ｐ１」は、平面的に見てレーザー光源１４２よりも搬送方向手前側に位置し、搬送方向Ａとレーザー光源１４２がある方向とが所定の仰角をなす所定の位置である。
【００５３】
（２−１−１）第１レーザー光照射工程Ｓ２２
次に、第１搬送位置Ｐ１において、レーザー光源１４２から樹脂バリ３０（３０ａ１、３０ａ２，３０ａ３及び３０ａ４）と半導体装置本体部１０又はリードフレーム２０との境界部分に対してレーザー光Ｌ１を照射する（図６（ａ）参照。）。第１レーザー光照射工程Ｓ２２においては、当該境界部分のうち、各ブロックの中央よりも搬送方向手前側の境界部分に対してレーザー光Ｌ１を照射する。レーザー光Ｌ１を照射するときのレーザー照射幅は、後述するつぶし加工が施された部分Ｃと樹脂バリ３０との境界部分を除いて、リードフレーム２０を製造する際の公差（例えば、０．１ｍｍ）以上の幅であり、例えば、０．１６ｍｍである。なお、第１レーザー光照射工程Ｓ２２においては、搬送方向手前側の樹脂バリ３０から（樹脂バリ３０ａ４、３０ａ３、３０ａ２及び３０ａ１の順に）レーザー光を照射する。
【００５４】
第１レーザー光照射工程Ｓ２２においては、それぞれの樹脂バリ３０に対して、平面的に見て複数の直線(それぞれの樹脂バリ３０と半導体装置本体部１０又はリードフレーム２０との境界部分に沿った直線)に沿ってレーザー光を走査する。そして、複数の直線のうちの１の直線に沿ってレーザー光を同一の照射深さで複数回走査した後（実際には、レーザー光Ｌ１を同一の照射深さ（照射深さがレーザー光源１４２側の表面の深さ位置）で複数回走査し、次に、同一の直線に沿って照射深さを変えて同一の照射深さ（照射深さがリードフレームの厚みの半分の深さ位置）で複数回走査した後）、複数の直線のうちの他の直線に沿ってレーザー光を複数回走査する。例えば、まず、樹脂バリ３０と半導体装置本体部１０との境界部分の直線に沿ってレーザー光Ｌ１を同一の照射深さで複数回走査する（図７（ａ）参照。）。次に、リードフレーム２０のリード部２２と樹脂バリ３０との境界部分の直線に沿ってレーザー光Ｌ１を同一の照射深さで複数回走査する（図７（ｂ）参照。）。次に、リードフレーム２０のダムバー２６と樹脂バリ３０との境界部分の直線に沿ってレーザー光Ｌ１を同一の照射深さで複数回走査する（図７（ｃ）参照。）。
【００５５】
第１レーザー光照射工程Ｓ２２においては、同一の直線に沿って照射深さを変えてレーザー光Ｌ１を複数回（２回）走査する。具体的には、リード部２２と樹脂バリ３０との境界部分の直線に沿ってレーザー光Ｌ１を走査する（図７（ｂ）参照。）場合、まず、照射深さ（レーザー光の焦点位置）をレーザー光源１４２側の表面の深さ位置に合わせてレーザー光Ｌ１ａを走査する（図８（ａ）参照。）。このことにより、当該境界位置に溝が形成される。次に、照射深さ（レーザー光の焦点位置）をリードフレームの厚みの半分の深さ位置に合わせてレーザー光Ｌ１ｂを走査する（図８（ｂ）参照。）。このことにより、リード部２２と樹脂バリ３０との境界部分においては、レーザー光源１４２側の面からレーザー光源１４２とは反対側の表面まで分離された貫通溝３２が形成される。次に、半導体装置本体部１０と樹脂バリ３０との境界部分及びリードフレーム２０のダムバー２６と樹脂バリ３０との境界部分においても同様にレーザー光Ｌ１ａ、Ｌ１ｂを走査する。このようにして、半導体装置本体部１０ａとリードフレーム２０との間の樹脂バリ３０（３０ａ１、３０ａ２，３０ａ３及び３０ａ４）の全ての境界部分に対してレーザー光Ｌ１ａ、Ｌ１ｂを走査する。なお、樹脂バリ３０ａ１は、このとき、半導体装置本体部１０ａ及びリードフレーム２０から分離される。
【００５６】
このように、当該境界部分のうち、各ブロックの中央よりも搬送方向手前側の境界部分に対してレーザー光Ｌ１を照射した後、搬送装置１３０によって、リードフレーム２０を再び所定の搬送方向Ａに向けて搬送する。そして、リードフレーム２０の搬送方向先端部から２つ目に形成された半導体装置本体部１０ｂが第１搬送位置Ｐ１に到達したときに、リードフレーム２０の搬送を、再び一旦停止する。そして、樹脂バリ３０（３０ｂ１、３０ｂ２，３０ｂ３及び３０ｂ４）と半導体装置本体部１０ｂ又はリードフレーム２０との境界部分に対してレーザー光Ｌ１を照射する(図６（ｂ）参照。)。
【００５７】
次に、搬送装置１３０によって、リードフレーム２０を所定の搬送方向に向けて搬送する。そして、リードフレーム２０の搬送方向先端部から３つ目に形成された半導体装置本体部１０ｃが第１搬送位置Ｐ１に到達し、かつ、半導体装置本体部１０ａが第２搬送位置Ｐ２に到達したとき、リードフレーム２０の搬送を、一旦停止する。次に、第１搬送位置Ｐ１において、レーザー光源１４２から樹脂バリ３０（３０ｃ１、３０ｃ２，３０ｃ３及び３０ｃ４）と半導体装置本体部１０ｃ又はリードフレーム２０との境界部分に対してレーザー光Ｌ１を照射する(図６（ｃ）参照。)。
【００５８】
（２−１−２）第２レーザー光照射工程Ｓ２３
次に、第２搬送位置Ｐ２において、レーザー光源１４２から樹脂バリ３０（３０ａ２，３０ａ３，３０ａ４及び３０ｂ１）と半導体装置本体部１０又はリードフレーム２０との境界部分に対してレーザー光Ｌ２を照射する（図６（ｃ）参照。）。第２レーザー光照射工程Ｓ２３においては、当該境界部分のうち、各ブロックの中央よりも搬送方向奥側の境界部分に対してレーザー光Ｌ２を照射する。なお、第２レーザー光照射工程Ｓ２３においては、搬送方向手前側の樹脂バリ３０から（樹脂バリ３０ｂ１、３０ａ４、３０ａ３及び３０ａ２の順に）レーザー光を照射する。
【００５９】
ここで、「第２搬送位置Ｐ２」は、平面的に見てレーザー光源１４２よりも搬送方向奥側に位置し、搬送方向Ａとは反対の方向とレーザー光源１４２がある方向とが所定の仰角をなす所定の位置である。
【００６０】
第２レーザー光照射工程Ｓ２３においては、第１レーザー光照射工程Ｓ２２と同様に、平面的に見て複数の直線に沿ってレーザー光を走査する。そして、複数の直線のうちの１の直線に沿ってレーザー光を同一の照射深さで複数回走査した後、複数の直線のうちの他の直線に沿ってレーザー光を複数回走査する。例えば、まず、樹脂バリ３０と半導体装置本体部１０との境界部分の直線に沿ってレーザー光Ｌ２を同一の照射深さで複数回走査する（図７（ｄ）参照。）。次に、リードフレーム２０のリード部２２と樹脂バリ３０との境界部分の直線に沿ってレーザー光Ｌ２を同一の照射深さで複数回走査する（図７（ｅ）参照。）。次に、リードフレーム２０のダムバー２６と樹脂バリ３０との境界部分の直線に沿ってレーザー光Ｌ２を同一の照射深さで複数回走査する（図７（ｆ）参照。）。
【００６１】
第２レーザー光照射工程Ｓ２３においては、第１レーザー光照射工程Ｓ２２と同様に、同一の直線に沿って照射深さを変えてレーザー光Ｌ２を複数回走査する（図８参照。）。
このようにして、半導体装置本体部１０ａとリードフレーム２０との間の樹脂バリ３０の全てのブロックの境界部分に対してレーザー光Ｌ２を走査する。
【００６２】
次に、搬送装置１３０によって、リードフレーム２０を再び所定の搬送方向Ａに向けて搬送する。次に、リードフレーム２０の搬送方向先端部から４つ目に形成された半導体装置本体部１０ｄ及びリードフレーム２０との間に生成した樹脂バリ３０（３０ｄ１、３０ｄ２、３０ｄ３及び３０ｄ４）と半導体装置本体部１０ｄ又はリードフレーム２０との境界部分に対してレーザー光Ｌ１を照射し、さらに、リードフレーム２０の搬送方向先端部から２つ目に形成された半導体装置本体部１０ｂ及びリードフレーム２０との間に生成した樹脂バリ３０（３０ｂ２、３０ｂ３、３０ｂ４及び３０ｃ１）と半導体装置本体部１０ｂ又はリードフレーム２０との境界部分に対してレーザー光Ｌ２を照射する。これを繰り返してリードフレーム２０における半導体装置本体部１０及びリードフレーム２０との間に生成した全ての樹脂バリ３０を分離する。
【００６３】
なお、本実施形態においては、複数のリードフレームを連続的に処理する。
具体的には、まず、先に搬送されたリードフレーム（リードフレーム２０）の搬送方向先端部から６つ目に形成された半導体装置本体部１０ｆ及びリードフレーム２０との間に生成した樹脂バリ３０（３０ｆ１、３０ｆ２、３０ｆ３及び３０ｆ４）と半導体装置本体部１０ｆ又はリードフレーム２０との境界部分に対してレーザー光Ｌ１を照射するまでの間に、搬送装置１３０によって、供給用マガジン１３２(図４参照。)から次のリードフレーム２０を搬送する(図９（ａ）参照。)。このとき、搬送装置１３０のストッパー１３８によって、リードフレーム２０の半導体装置本体部１０ｆと、次のリードフレーム２０における搬送方向先端部から１つ目に形成された半導体装置本体部１０ａとの間隔が、リードフレーム２０における半導体装置本体部同士の間隔と同じ間隔となるように、リードフレーム２０の位置が調整される。なお、この後、移動プレート(図示せず。)によって、先に搬送されたリードフレーム２０と次のリードフレーム２０とを一括して搬送する。
【００６４】
そして、半導体装置本体部１０ａ及びリードフレーム２０との間に生成した樹脂バリ３０（３０ａ１、３０ａ２、３０ａ３及び３０ａ４）と半導体装置本体部１０ａ又はリードフレーム２０との境界部分に対してレーザー光Ｌ１を照射し、さらに、リードフレーム２０の搬送方向先端部から５つ目に形成された半導体装置本体部１０ｅ及びリードフレーム２０との間に生成した樹脂バリ３０（３０ｅ２、３０ｅ３、３０ｅ４及び３０ｆ１）と半導体装置本体部１０ｅ又はリードフレーム２０との境界部分に対してレーザー光Ｌ２を照射する(図９（ｂ）参照。)。
【００６５】
次に、リードフレーム２０の搬送方向先端部から２つ目に形成された半導体装置本体部１０ｂ及びリードフレーム２０との間に生成した樹脂バリ３０（３０ｂ１、３０ｂ２、３０ｂ３及び３０ｂ４）と半導体装置本体部１０ｂ又はリードフレーム２０との境界部分に対してレーザー光Ｌ１を照射し、さらに、リードフレーム２０の搬送方向先端部から６つ目に形成された半導体装置本体部１０ｆ及びリードフレーム２０との間に生成した樹脂バリ３０（３０ｆ２、３０ｆ３、３０ｆ４及び３０ｆ５）と半導体装置本体部１０ｆ又はリードフレーム２０との境界部分に対してレーザー光Ｌ２を照射する(図９（ｃ）参照。)。
このように、本実施形態においては、複数のリードフレームを連続的に処理する。
【００６６】
なお、リードフレーム２０の端部（図１０（ａ）参照。）におけるつぶし加工が施された部分Ｃにおいては、リードフレーム２０の外縁が外側に向かって膨らんだ形状をしている（図１０（ｂ）の破線で囲まれた領域Ｒ参照。）。このため、第１レーザー光照射工程Ｓ２２及び第２レーザー光照射工程Ｓ２３においては、つぶし加工が施された部分Ｃと樹脂バリ３０（具体的には、樹脂バリ３０ａ１及び３０ｆ５）との境界部分にレーザー光を照射するときのレーザー照射幅が、つぶし加工が施された部分Ｃ以外の部分と樹脂バリ３０との境界部分にレーザー光を照射するときのレーザー照射幅(例えば、０．１６ｍｍ)よりも広いレーザー照射幅（例えば、０．３２ｍｍ）になるように調整されている（図１０（ｃ）参照。）。このような構成とすることにより、図１０（ｄ）のように、つぶし加工が施された部分Ｃと樹脂バリ３０との境界部分にレーザー光が照射されない状態（図１０（ｄ）参照。）となることを防ぐことが可能となる。
【００６７】
（２−２）ブラッシング工程Ｓ２４
１つのリードフレーム２０における全ての樹脂バリ３０を分離した後、搬送装置１３０によって、リードフレーム２０を所定の搬送方向Ａに向けて搬送する。そして、レーザー光照射工程Ｓ２１では除去しきれなかった樹脂バリ３０をブラッシング装置１５０におけるブラシ１５２によって除去する。ブラッシング工程Ｓ２４においては、ブラシ１５２を上下させることにより樹脂バリ３０を除去する。
【００６８】
（２−３）デフラッシャー工程Ｓ２５
次に、デフラッシャー装置（図示せず。）によって、リードフレーム２０の表面に生成した樹脂バリ（薄バリ）を除去する。
【００６９】
この後、搬送装置１３０によって、リードフレーム２０を所定の搬送方向Ａに向けて搬送して収納用マガジン１３６に収納する。
【００７０】
この後、リードフレーム２０から個々の樹脂封止型半導体装置ごとに分割してダムバー２６及び補助バー２８を切り離す。以上の工程を実施することにより、実施形態に係る樹脂封止型半導体装置１を製造することができる。
【００７１】
４．実施形態に係る樹脂封止型半導体装置の製造方法の効果
図１１は、実施形態に係る樹脂封止型半導体装置の製造方法の効果を説明するために示す図である。図１１（ａ）は一方向のみから境界部分にレーザー光を照射した場合の比較例を示す図であり、図１１（ｂ）は第１レーザー光照射工程Ｓ２２の様子を示す図であり、図１１（ｃ）は第２レーザー光照射工程Ｓ２３の様子を示す図であり、図１１（ｄ）はレーザー光照射工程Ｓ２１実施後の様子を示す図である。なお、図１１（ａ）〜図１１（ｄ）において取り残し樹脂バリ以外の樹脂バリは図示を省略している。
【００７２】
実施形態に係る樹脂封止型半導体装置の製造方法によれば、樹脂バリ３０と半導体装置本体部１０又はリードフレーム２０との境界部分に対してのみレーザー光を照射して半導体装置本体部１０及びリードフレーム２０から樹脂バリ３０を分離するレーザー光照射工程Ｓ２１を含むため、従来の樹脂封止型半導体装置の製造方法と比較して、蒸発させる樹脂の量を大幅に減じることが可能となる。その結果、樹脂バリ３０に対して高エネルギーでレーザー光を照射する必要がなくなり、エネルギー効率が高くなる。
【００７３】
また、実施形態に係る樹脂封止型半導体装置の製造方法によれば、上記したレーザー光照射工程Ｓ２１を含むため、従来の樹脂封止型半導体装置の製造方法と比較して、蒸発させる樹脂の量を大幅に減じることが可能となる。その結果、蒸発した樹脂がリードフレーム２０に再付着することを起こりにくくし、清浄なリード面を有する樹脂封止型半導体装置を製造することが可能となる。
【００７４】
ところで、樹脂バリ３０と半導体装置本体部１０又はリードフレーム２０との境界部分に対してレーザー光を一方向のみから照射した場合には、図１１（ａ）に示すように、リードフレーム２０の影になる部分にレーザー光が照射されずに樹脂バリ３０が取り残されてしまう場合があるが、実施形態に係る樹脂封止型半導体装置の製造方法によれば、レーザー光照射工程Ｓ２１が、搬送方向Ａとレーザー光源１４２がある方向とが所定の仰角をなす所定の第１搬送位置Ｐ１において、レーザー光Ｌ１を当該境界部分に照射する第１レーザー光照射工程Ｓ２２（図１１（ｂ）参照。）と、搬送方向Ａとは反対の方向とレーザー光源１４２がある方向とが所定の仰角をなす所定の第２搬送位置Ｐ２において、レーザー光Ｌ２を当該境界部分に照射する第２レーザー光照射工程Ｓ２３（図１１（ｃ）参照。）とを含むため、リードフレーム２０の影になる部分にレーザー光が照射されずに樹脂バリ３０が取り残されてしまうことを防ぐことが可能となる（図１１（ｄ）参照。）。従って、取り残し樹脂バリの発生を抑えることが可能となる。
【００７５】
また、実施形態に係る樹脂封止型半導体装置の製造方法によれば、樹脂バリ除去工程Ｓ２０が、ブラッシング工程Ｓ２４を含むため、取り残し樹脂バリの発生をより一層抑えることが可能となる。
【００７６】
また、実施形態に係る樹脂封止型半導体装置の製造方法によれば、樹脂バリ除去工程Ｓ２０が、デフラッシャー工程Ｓ２５を含むため、リードフレーム２０の表面に生成した樹脂バリ（薄バリ）を除去することが可能となる。
【００７７】
また、実施形態に係る樹脂封止型半導体装置の製造方法によれば、レーザー光照射工程Ｓ２１においては、同一の直線に沿って照射深さを変えてレーザー光を複数回（２回）走査するため、境界部分における深い深さ位置までレーザー光を照射することが可能となる。よって、半導体装置本体部１０及びリードフレーム２０から樹脂バリ３０を分離しやすくなり、樹脂バリ３０を除去しやすくなる。
【００７８】
また、実施形態に係る樹脂封止型半導体装置の製造方法によれば、複数の直線のうちの１の直線に沿ってレーザー光を同一の照射深さで複数回走査した後、前記複数の直線のうちの他の直線に沿ってレーザー光を複数回走査するため、複数の直線に沿ってレーザー光をそれぞれ１回ずつ走査した後、再び複数の直線に沿ってレーザー光をそれぞれ１回ずつ走査することを繰り返した場合と比較して、レーザー光照射による熱が１の直線（境界部分）に残存した状態で再びレーザー光を照射することになり、半導体装置本体部１０及びリードフレーム２０から樹脂バリ３０を分離しやすくなる。
【００７９】
また、実施形態に係る樹脂封止型半導体装置の製造方法によれば、樹脂バリ除去工程Ｓ２０において、つぶし加工が施された部分Ｃと樹脂バリ３０との境界部分にレーザー光を照射するときのレーザー照射幅は、つぶし加工が施された部分Ｃ以外の部分と樹脂バリ３０との境界部分にレーザー光を照射するときのレーザー照射幅よりも広いことから、つぶし加工が施された部分Ｃのようにリードフレーム２０の外縁が膨らんでいる部分に樹脂バリが生じた場合であっても、半導体装置本体部１０及びリードフレーム２０から樹脂バリ３０を分離することが可能となる。
【００８０】
５．実施形態に係る樹脂封止型半導体装置の効果
実施形態に係る樹脂封止型半導体装置１によれば、樹脂封止型半導体装置１が、半導体装置本体部１０を形成するときに生成した樹脂バリ３０と半導体装置本体部１０又はリードフレーム２０との境界部分に対してレーザー光を照射して半導体装置本体部１０及びリードフレーム２０から樹脂バリ３０を分離することにより、樹脂バリ３０が除去されたものであるため、従来の樹脂封止型半導体装置を製造する場合と比較して、蒸発させる樹脂の量を大幅に減じることが可能となる。その結果、蒸発した樹脂がリードフレーム２０に再付着することが起こりにくくなり、清浄なリード面を有する樹脂封止型半導体装置となる。
【００８１】
６．実施形態に係る樹脂封止型半導体装置の製造装置１００の効果
実施形態に係る樹脂封止型半導体装置の製造装置１００によれば、樹脂バリ除去装置１２０が、成形装置１１０によって半導体装置本体部１０を形成するときに生成した樹脂バリ３０と半導体装置本体部１０又はリードフレーム２０との境界部分に対してレーザー光を照射して半導体装置本体部１０及びリードフレーム２０から樹脂バリ３０を分離するレーザー光照射装置１４０を有するため、従来の樹脂封止型半導体装置の製造装置と比較して、蒸発させる樹脂の量を大幅に減じることが可能となる。その結果、樹脂バリに対して高エネルギーでレーザー光を照射する必要がなくなり、エネルギー効率が高くなる。
【００８２】
また、実施形態に係る樹脂封止型半導体装置の製造装置１００によれば、レーザー光照射装置１４０を有するため、従来の樹脂封止型半導体装置の製造装置と比較して、蒸発させる樹脂の量を大幅に減じることが可能となる。その結果、蒸発した樹脂がリードフレーム２０に再付着することを起こりにくくし、清浄なリード面を有する樹脂封止型半導体装置を製造することが可能となる。
【００８３】
ところで、樹脂バリ３０と半導体装置本体部１０又はリードフレーム２０との境界部分に対してレーザー光を一方向のみから照射した場合には、図１１（ａ）に示すように、リードフレーム２０の影になる部分にレーザー光が照射されずに樹脂バリ３０が取り残されてしまう場合があるが、実施形態に係る樹脂封止型半導体装置の製造装置１００によれば、搬送方向Ａとレーザー光源１４２がある方向とが所定の仰角をなす所定の第１搬送位置Ｐ１において、レーザー光源１４２から当該境界部分に対してレーザー光Ｌ１を照射し（図１１（ｂ）参照。）、さらに、搬送方向Ａとは反対の方向とレーザー光源１４２がある方向とが所定の仰角をなす所定の第２搬送位置Ｐ２において、レーザー光源１４２から当該境界部分に対してレーザー光Ｌ２を照射する（図１１（ｃ）参照。）レーザー光照射装置１４０を備えるため、リードフレーム２０の影になる部分にレーザー光が照射されずに樹脂バリ３０が取り残されてしまうことを防ぐことが可能となる（図１１（ｄ）参照。）。従って、取り残し樹脂バリの発生を防ぐことが可能となる。
【００８４】
また、実施形態に係る樹脂封止型半導体装置の製造装置１００によれば、樹脂バリ除去装置１２０が、レーザー光照射装置１４０によって除去しきれなかった樹脂バリ３０をブラシ１５２によって除去するブラッシング装置１５０を有するため、取り残し樹脂バリの発生をより一層防ぐことが可能となる。
【００８５】
また、実施形態に係る樹脂封止型半導体装置の製造装置１００によれば、樹脂バリ除去装置１２０が、リードフレーム２０の表面に生成した樹脂バリ３０を除去するデフラッシャー装置（図示せず。）を有するため、リードフレーム２０の表面に生成した樹脂バリ（薄バリ）を除去することが可能となる。
【００８６】
以上、本発明を上記の実施形態に基づいて説明したが、本発明は上記の実施形態に限定されるものではない。その趣旨を逸脱しない範囲において種々の態様において実施することが可能であり、例えば、次のような変形も可能である。
【００８７】
（１）上記実施形態において記載した構成要素の数、材質、形状、位置、大きさ等は例示であり、本発明の効果を損なわない範囲において変更することが可能である。
【００８８】
（２）上記実施形態においては、リードフレームの搬送を一旦停止しているときに、第１搬送位置Ｐ１にレーザー光Ｌ１を照射した後、第２搬送位置Ｐ２にレーザー光Ｌ２を照射したが、本発明はこれに限定されるものではない。例えば、第２搬送位置Ｐ２にレーザー光Ｌ２を照射した後、第１搬送位置Ｐ１にレーザー光Ｌ１を照射してもよい。
【００８９】
（３）上記実施形態においては、レーザー光照射工程Ｓ２１において、樹脂バリ３０の１つのブロックに対して２つの方向からレーザー光を照射したが、本発明はこれに限定されるものではない。樹脂バリ３０の１つのブロックに対して３つ以上の方向からレーザー光を照射してもよい。
【００９０】
（４）上記実施形態において、ブラシ１５２は、チャンネル式の直線ブラシであるが、本発明はこれに限定されるものではない。例えば、ブラシ１５２は、チャンネル式のロールブラシ、植込み式の直線ブラシ、植込み式のロールブラシその他のブラシであってもよい。
【符号の説明】
【００９１】
１…樹脂封止型半導体装置、１０，１０ａ，１０ｂ，１０ｃ，１０ｄ…半導体装置本体部、１２…チップ、２０…リードフレーム、２２…外部リード、２４…ダイパッド、２６…ダムバー、２８、補助バー、３０…樹脂バリ（ダムバリ）、３２…貫通溝、１００…樹脂封止型半導体装置の製造装置、１１０…成形装置、１１２…上金型、１１４…下金型、１１６…モールド金型、１１８…キャビティ、１２０…樹脂バリ除去装置、１３０…搬送装置、１３２…供給用マガジン、１３４…ガイドレール、１３６…収納用マガジン、１３８…ストッパー、１４０…レーザー光照射装置、１４２…レーザー光源、１５０…ブラッシング装置、１５２…ブラシ、Ａ…搬送方向、Ｃ…つぶし加工が施された部分、Ｌ，Ｌ１，Ｌ１ａ，Ｌ１ｂ，Ｌ２…レーザー光、Ｐ１…第１搬送位置、Ｐ２…第２搬送位置
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１０】
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