(57)【要約】【課題】精度良く欠陥検査を行うことができるテンプレート基板を提供すること。【解決手段】実施形態のテンプレート基板は、基板部と被覆部とを備えている。前記基板部は、第１の光透過材を用いて形成されている。また、前記基板部は、インプリントによって転写されるテンプレートパターンが形成される第１の面と、前記第１の面に対向する面側で所定の加工が行われた第２の面と、を有している。前記被覆部は、第２の光透過材を用いて前記第２の面上の少なくとも一部を被覆する。前記被覆部は、前記第２の面に所定の加工が行われた後に、前記基板部とは異なるプロセスで形成されたものである。【選択図】図３
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の光透過材を用いて形成されるとともに、インプリントによって転写されるテンプレートパターンが形成される第１の面と、前記第１の面に対向する面側で所定の加工が行われた第２の面と、を有した基板部と、
第２の光透過材を用いて前記第２の面上の少なくとも一部を被覆する被覆部と、
を備え、
前記第１および第２の光透過材は、同じ材料であり、
前記第２の面側には、前記テンプレートパターンの形成領域に対向する第１の領域と、前記第１の領域よりも外側の領域であってインプリントの際に真空吸着される第２の領域とが配置され、
前記第１の領域は、前記第２の領域よりも低い凹部領域であり、
前記被覆部は、前記第２の面に所定の加工が行われた後に、前記基板部とは異なるプロセスで形成されたものであり、かつ前記第２の面から除去可能なよう前記凹部領域の底面に形成されていることを特徴とするテンプレート基板。
【請求項２】
第１の光透過材を用いて形成されるとともに、インプリントによって転写されるテンプレートパターンが形成される第１の面と、前記第１の面に対向する面側で所定の加工が行われた第２の面と、を有した基板部と、
第２の光透過材を用いて前記第２の面上の少なくとも一部を被覆する被覆部と、
を備え、
前記被覆部は、前記第２の面に所定の加工が行われた後に、前記基板部とは異なるプロセスで形成されたものであることを特徴とするテンプレート基板。
【請求項３】
前記第１および第２の光透過材は、同じ材料であることを特徴とする請求項２に記載のテンプレート基板。
【請求項４】
前記被覆部は、前記第２の面から除去可能なよう前記第２の面上に形成されていることを特徴とする請求項２または３に記載のテンプレート基板。
【請求項５】
前記第２の面側には、前記テンプレートパターンの形成領域に対向する第１の領域と、前記第１の領域よりも外側の領域であってインプリントの際に真空吸着される第２の領域とが配置され、
前記第１の領域は、前記第２の領域よりも低い凹部領域であり、
前記被覆部は、前記凹部領域の底面に形成されていることを特徴とする請求項２から４のいずれか１つに記載のテンプレート基板。
【請求項６】
前記被覆部は、前記凹部領域の底面のうち当該底面の外周部が前記底面の中央部よりも厚くなるよう形成されていることを特徴とする請求項５に記載のテンプレート基板。
【請求項７】
第１の光透過材を用いて形成されるとともに、インプリントによって転写されるテンプレートパターンと、前記テンプレートパターンの形成されている面に対向する面側で所定の加工が行われた第２の面と、を有した基板部と、
第２の光透過材を用いて前記第２の面上の少なくとも一部を被覆する被覆部と、
を備え、
前記被覆部は、前記第２の面に所定の加工が行われた後に、前記基板部とは異なるプロセスで形成されたものであることを特徴とするテンプレート。
【請求項８】
インプリントによって転写されるテンプレートパターンが形成される第１の面と、前記第１の面に対向する面側で所定の加工が行われた第２の面と、を有した基板部を、第１の光透過材を用いて形成する基板部形成ステップと、
前記第２の面に所定の加工が行われた後に、前記基板部とは異なるプロセスで第２の光透過材を用いて前記第２の面上の少なくとも一部を被覆する被覆ステップと、
を含むことを特徴とするテンプレート基板作製方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明の実施形態は、テンプレート基板、テンプレートおよびテンプレート基板作製方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体素子の製造工程において、１００ｎｍ以下の微細パターンの形成と量産性とを両立させる技術として、被転写基板に原版の型（テンプレート）を転写するインプリント法が注目されている。このインプリント法は、転写するパターンを形成したテンプレートを、被転写基板上に塗布されているレジスト層に接触させ、テンプレートの溝に充分なレジストが充填されてからレジスト層を硬化させることにより、レジスト層にパターンを転写する方法である。
【０００３】
このようなインプリント法では、テンプレートの欠陥がそのまま被転写基板に転写されるので、テンプレートの欠陥検査が重要である。ところが、テンプレートの裏面に傷があると、検査光が裏面の傷で乱反射されるので、欠陥検査精度が落ちるという問題があった。
【０００４】
ところで、インプリント法で用いられるテンプレートは、レジストの充填時間を短くするために、パターン形成部のテンプレート材料が薄く加工されている。テンプレート材料を薄くするためには、パターン形成部の裏面側から加工が行われる。このとき、パターン形成部の裏面には、傷が発生しやすい。この結果、パターン形成部の裏面加工が原因で、テンプレートを精度良く検査できなかった。このため、精度良く欠陥検査を行うことができるテンプレートの開発が望まれている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２０１２−３２７８５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
本発明が解決しようとする課題は、精度良く欠陥検査を行うことができるテンプレート基板、テンプレートおよびテンプレート基板作製方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
実施形態によれば、テンプレート基板が提供される。前記テンプレート基板は、基板部と被覆部とを備えている。前記基板部は、第１の光透過材を用いて形成されている。また、前記基板部は、インプリントによって転写されるテンプレートパターンが形成される第１の面と、前記第１の面に対向する面側で所定の加工が行われた第２の面と、を有している。前記被覆部は、第２の光透過材を用いて前記第２の面上の少なくとも一部を被覆する。前記被覆部は、前記第２の面に所定の加工が行われた後に、前記基板部とは異なるプロセスで形成されたものである。
【図面の簡単な説明】
【０００８】
【図１】図１は、インプリント装置の構成を示す図である。
【図２】図２は、テンプレート基板の形成方法を説明するための図である。
【図３】図３は、実施形態に係るテンプレート基板の断面構成例を示す図である。
【図４】図４は、メサ部を有した実施形態に係るテンプレートの断面構成例を示す図である。
【図５】図５は、メサ部を有さない実施形態に係るテンプレートの断面構成例を示す図である。
【図６】図６は、テンプレートの第１の作製処理手順を示す図である。
【図７】図７は、テンプレートの第２の作製処理手順を示す図である。
【図８】図８は、テンプレートの第３の作製処理手順を示す図である。
【図９】図９は、テンプレートの第４の作製処理手順を示す図である。
【図１０】図１０は、テンプレートの第５の作製処理手順を示す図である。
【図１１】図１１は、テンプレートから光透過材を除去する際の処理手順を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【０００９】
以下に添付図面を参照して、実施形態に係るテンプレート基板、テンプレートおよびテンプレート基板作製方法を詳細に説明する。なお、この実施形態により本発明が限定されるものではない。
【００１０】
（実施形態）
図１は、インプリント装置の構成を示す図である。インプリント装置１０１は、ウエハＷｘなどの被転写基板に、モールド基板であるテンプレート（インプリントモールド）Ｔ１１のテンプレートパターン（回路パターンなど）を転写する装置である。
【００１１】
インプリント装置１０１は、原版ステージ２２、ＵＶ光源２３、基板チャック２４、試料ステージ２５、基準マーク２６、アライメントセンサ２７、液滴下装置２８、ステージベース２９を備えている。
【００１２】
試料ステージ２５は、ウエハＷｘを載置するとともに、載置したウエハＷｘと平行な平面内（水平面内）を移動する。試料ステージ２５は、ウエハＷｘに転写材としてのレジスト（インプリントレジスト）を滴下する際には、ウエハＷｘを液滴下装置２８の下方側に移動させ、ウエハＷｘへの押圧処理を行う際には、ウエハＷｘをテンプレートＴ１１の下方側に移動させる。
【００１３】
また、試料ステージ２５上には、基板チャック２４が設けられている。基板チャック２４は、ウエハＷｘを試料ステージ２５上の所定位置に固定する。また、試料ステージ２５上には、基準マーク２６が設けられている。基準マーク２６は、試料ステージ２５の位置を検出するためのマークであり、ウエハＷｘを試料ステージ２５上にロードする際の位置合わせに用いられる。
【００１４】
ステージベース２９の底面側（ウエハＷｘ側）には、原版ステージ２２が設けられている。原版ステージ２２は、テンプレートＴ１１を真空吸着する真空チャック２１を有している。真空チャック２１は、テンプレートＴ１１の裏面側（テンプレートパターンの形成されていない側の面）からテンプレートＴ１１を真空吸着することによって、所定位置に固定する。真空チャック２１は、テンプレートＴ１１のうちの後述する真空吸着領域を真空吸着する。
【００１５】
ステージベース２９は、原版ステージ２２によってテンプレートＴ１１を支持するとともに、テンプレートＴ１１のテンプレートパターン側をウエハＷｘ上のレジストに押し当てる。ステージベース２９は、上下方向（鉛直方向）に移動することにより、テンプレートＴ１１のレジストへの押し当てと、テンプレートＴ１１のレジストからの引き離し（離型）と、を行う。インプリントに用いるレジストは、例えば、光硬化性などの樹脂（有機材料）である。また、ステージベース２９上には、アライメントセンサ２７が設けられている。アライメントセンサ２７は、ウエハＷｘの位置検出やテンプレートＴ１１の位置検出を行うセンサである。
【００１６】
液滴下装置２８は、インクジェット方式によってウエハＷｘ上にレジストを滴下する装置である。ＵＶ光源２３は、ＵＶ光を照射する光源であり、ステージベース２９の上方に設けられている。ＵＶ光源２３は、テンプレートＴ１１がレジストに押し当てられた状態で、テンプレートＴ１１上からＵＶ光を照射する。
【００１７】
ここで、インプリント工程の処理手順について説明する。ウエハＷｘへのインプリントを行う際には、試料ステージ２５に載せられたウエハＷｘが液滴下装置２８の直下まで移動させられる。そして、ウエハＷｘの所定ショット位置上でレジストが滴下される。このとき、液滴下装置２８は、所定のレジスト配置位置上にレジストを滴下させる。
【００１８】
その後、試料ステージ２５上のウエハＷｘがテンプレートＴ１１の直下に移動させられる。そして、テンプレートＴ１１がウエハＷｘ上のレジストに押し当てられる。石英基板（ブランク）等のテンプレート基板を掘り込んで作ったテンプレートＴ１１をレジストに押し当てると、毛細管現象によってテンプレートＴ１１のテンプレートパターン内にレジストが流入する。
【００１９】
予め設定しておいた時間だけ、テンプレートＴ１１がウエハＷｘ上のレジストに押し当てられることにより、レジストがウエハＷｘ上で広がりながらテンプレートパターン内に充填される。この状態でＵＶ光源２３が、レジストにＵＶ光を照射してレジストを硬化させる。そして、硬化したレジストからテンプレートＴ１１が離型されることにより、テンプレートパターンを反転させたレジストパターンがウエハＷｘ上に形成（パターニング）される。この後、次のショットへのインプリント処理が行われる。
【００２０】
つぎに、テンプレートＴ１１の構成、およびテンプレートＴ１１が形成される前の基板であるテンプレート基板（基板部）の構成について説明する。図２は、テンプレート基板の形成方法を説明するための図である。
【００２１】
テンプレート基板Ｓｘは、テンプレート材料（石英などのガラス材料）を用いて形成された板状部材である。また、テンプレートＴ１１は、テンプレート基板Ｓｘにテンプレートパターン（凹凸パターン）が形成されたものである。テンプレートＴ１１は、表面側にテンプレートパターンが形成される。
【００２２】
テンプレート基板Ｓｘは、テンプレートパターンへのレジストの充填時間を短くするために、テンプレートパターンが形成される領域（パターン形成部）の裏面側が薄く加工される。
【００２３】
例えば、テンプレート基板Ｓｘの裏面側は、加工ヘッド３０を回転させることによって座繰り加工される。この座繰り加工によって、テンプレート基板Ｓｘのうち、パターン形成部の裏面側には、例えば、円柱状の穴（凹部領域）が形成される。これにより、パターン形成部のテンプレート材料が薄く加工される。
【００２４】
パターン形成部は、テンプレート基板Ｓｘの表面側（第１の面側）のうちの中央領域に形成される。したがって、テンプレート基板Ｓｘの裏面側（第１の面に対向する第２の面側）のうちの中央領域が、座繰り加工される。換言すると、パターン形成部の形成される面に対向する面側に座繰り加工される領域が設けられる。テンプレート基板Ｓｘの裏面側のうちの外周領域は、真空チャック２１によって真空吸着される領域である。テンプレート基板Ｓｘの裏面側のうち、座繰り加工される領域が凹部となり、真空吸着される外周領域（以下、真空吸着領域という）が凸部領域となる。
【００２５】
パターン形成部の裏面側は、加工ヘッド３０で削られるので、その切削面には傷が発生する。また、パターン形成部の裏面側には、切削時に発生する異物などが付着する場合がある。そこで、本実施形態では、テンプレート基板Ｓｘの裏面側に樹脂などの補修材を塗布して硬化させる。これにより、テンプレート基板Ｓｘを用いてテンプレートＴ１１を形成した後の欠陥検査の際に、検査光が裏面の傷で乱反射されることを抑制する。
【００２６】
図３は、実施形態に係るテンプレート基板の断面構成例を示す図である。テンプレート基板Ｓｘは、座繰り加工された個所（以下、被加工部という）などに対して光透過材などの補修材（被覆部）が塗布される。この光透過材は、所定の処理（加熱など）によって硬化させられる。
【００２７】
光透過材料は、ＵＶ光などのレジスト硬化の際に用いられる光（レジストを硬化させる波長の光）を透過させる材料であって、この光に対する耐久性を有する材料であれば、何れの材料であってもよい。光透過材は、例えば、テンプレート基板Ｓｘと同様の材料を用いて構成されている。この場合において、光透過材を構成する材料の成分や組成などは、テンプレート基板Ｓｘと異なるものであってもよい。
【００２８】
なお、光透過材料は、ＵＶ光などのレジスト硬化の際に用いられる光の屈折率がテンプレート基板Ｓｘと略同じであれば、テンプレート基板Ｓｘと異なる材料であってもよい。また、光透過材料は、耐洗浄性を有する材料であってもよいし、耐洗浄性を有さない材料であってもよい。光透過材は、例えば、アクリル系の樹脂であってもよいし、塗布型のガラス材料（ＳＯＧ（Spin  On  Glass）など）であってもよい。光透過材料は、テンプレート基板Ｓｘとは、異なるプロセスで形成される。
【００２９】
図３の（ａ）では、被加工部の底面に光透過材Ｍ１が形成された場合のテンプレート基板Ｓ１の構成を示している。また、図３の（ｂ）では、被加工部の底面および側面と、真空吸着領域とに光透過材Ｍ２が形成された場合のテンプレート基板Ｓ２の構成を示している。
【００３０】
光透過材Ｍ１，Ｍ２は、例えば、スピンコート法などによってテンプレート基板Ｓｘに塗布される。このとき、テンプレート基板Ｓｘは、回転させられるとともに、被加工部の中央部などに光透過材Ｍ１，Ｍ２が滴下される。このため、回転速度によっては、被加工部の外周部の光透過材Ｍ１，Ｍ２は、中央部の光透過材Ｍ１，Ｍ２よりも厚くなる。
【００３１】
図３の（ｃ）では、被加工部の外周部が中央部よりも厚くなるよう、被加工部の底面および側面に光透過材Ｍ３が形成された場合のテンプレート基板Ｓ３の構成を示している。また、図３の（ｄ）では、テンプレート基板Ｓ３に対してさらに真空吸着領域に光透過材Ｍ４が形成された場合のテンプレート基板Ｓ４の構成を示している。このように、テンプレート基板Ｓ４は、被加工部と真空吸着領域とに光透過材Ｍ３，Ｍ４が形成された構成となっている。
【００３２】
このように、被加工部の外周部の光透過材は、外周部と中央部とで同じ厚さであってもよいし、外周部が中央部よりも厚くてもよい。被加工部の外周部の光透過材が、中央部の光透過材よりも厚く構成される場合、被加工部の外周部にかけられる応力が小さくなるので、テンプレート基板Ｓ３，Ｓ４の強度が増す。また、被加工部の外周部に異物が付着した場合であっても、異物の除去が容易になる。なお、光透過材Ｍ３は、被加工部の側面全体を覆う場合に限らず、側面の一部を覆うように形成されてもよい。
【００３３】
図４は、メサ部を有した実施形態に係るテンプレートの断面構成例を示す図である。図４では、テンプレート基板Ｓ１〜Ｓ４を用いて形成された、実施形態に係るテンプレートＴ１１〜Ｔ１４の構成を示している。
【００３４】
テンプレートＴ１１〜Ｔ１４は、メサ部を有している。テンプレートＴ１１〜Ｔ１４では、このメサ部に、テンプレートパターンが形成されている。換言すると、メサ部は、パターン形成領域に形成される。メサ部は、例えば、テンプレート基板Ｓｘと同様の材料を用いて構成されている。このように、テンプレートＴ１１〜Ｔ１４は、第１の主面と第２の主面とを有し、第１の主面のパターン形成領域が周囲よりも高い凸状の段差構造（メサ部）を有している。
【００３５】
図４の（ａ）では、テンプレート基板Ｓ１を用いて形成されたテンプレートＴ１１の構成を示し、図４の（ｂ）では、テンプレート基板Ｓ２を用いて形成されたテンプレートＴ１２の構成を示している。また、図４の（ｃ）では、テンプレート基板Ｓ３を用いて形成されたテンプレートＴ１３の構成を示し、図４の（ｄ）では、テンプレート基板Ｓ４を用いて形成されたテンプレートＴ１４の構成を示している。
【００３６】
テンプレートＴ１１は、被加工部の底面に光透過材Ｍ１が形成されている。テンプレートＴ１２は、被加工部の底面および側面と真空吸着領域とに光透過材Ｍ２が形成されている。テンプレートＴ１３は、被加工部の外周部が中央部よりも厚くなるよう、被加工部に光透過材Ｍ３が形成されている。テンプレートＴ１４は、被加工部の外周部が中央部よりも厚くなるよう、被加工部に光透過材Ｍ３が形成されるとともに、真空吸着領域に光透過材Ｍ４が形成されている。
【００３７】
図５は、メサ部を有さない実施形態に係るテンプレートの断面構成例を示す図である。図５では、テンプレート基板Ｓ１〜Ｓ４を用いて形成された、実施形態に係るテンプレートＴ２１〜Ｔ２４の構成を示している。
【００３８】
テンプレートＴ２１〜Ｔ２４は、メサ部を有しておらず、パターン形成部に、テンプレートパターンが形成されている。図５の（ａ）では、テンプレート基板Ｓ１を用いて形成されたテンプレートＴ２１の構成を示し、図５の（ｂ）では、テンプレート基板Ｓ２を用いて形成されたテンプレートＴ２２の構成を示している。また、図５の（ｃ）では、テンプレート基板Ｓ３を用いて形成されたテンプレートＴ２３の構成を示し、図５の（ｄ）では、テンプレート基板Ｓ４を用いて形成されたテンプレートＴ２４の構成を示している。
【００３９】
テンプレートＴ２１は、被加工部の底面に光透過材Ｍ１が形成されている。テンプレートＴ２２は、被加工部と真空吸着領域とに光透過材Ｍ２が形成されている。テンプレートＴ２３は、被加工部の外周部が中央部よりも厚くなるよう、被加工部に光透過材Ｍ３が形成されている。テンプレートＴ２４は、被加工部の外周部が中央部よりも厚くなるよう、被加工部に光透過材Ｍ３が形成されるとともに、真空吸着領域に光透過材Ｍ４が形成されている。なお、以下では、テンプレートＴ１１〜Ｔ１４，Ｔ２１〜Ｔ２４を、テンプレートＴＸという場合がある。また、光透過材Ｍ１〜Ｍ４を光透過材ＭＸという場合がある。
【００４０】
つぎに、テンプレートＴＸの作製処理手順について説明する。まず、テンプレートＴ１１〜Ｔ１４の作製処理手順について説明し、その後、テンプレートＴ２１〜Ｔ２４の作製処理手順について説明する。
【００４１】
なお、テンプレートＴ１１〜Ｔ１４は、同様の処理手順によって作製されるので、ここでは、テンプレートＴ１１の作製処理手順について説明する。また、テンプレートＴ２１〜Ｔ２４は、同様の処理手順によって作製されるので、ここでは、テンプレートＴ２１の作製処理手順について説明する。
【００４２】
以下では、メサ部を有したテンプレートＴ１１の作製処理手順として、３種類の作製処理手順（第１〜第３の作製処理手順）を説明する。また、メサ部を有さないテンプレートＴ２１の作製処理手順として、２種類の作製処理手順（第４および第５の作製処理手順）を説明する。
【００４３】
図６は、テンプレートの第１の作製処理手順を示す図である。ここでは、後述するメサ部８０を有したテンプレートＴ１１の１つ目の作製処理手順について説明する。テンプレート基板Ｓｘが形成された後（ｓｔ１）、被加工部に光透過材Ｍ１が形成されることによって、テンプレート基板Ｓｘからテンプレート基板Ｓ１が形成される（ｓｔ２）。
【００４４】
この後、テンプレート基板Ｓ１にメサ部８０が形成されることによって、テンプレート基板Ｓ１からテンプレート基板Ｓ１１が形成される（ｓｔ３）。さらに、テンプレート基板Ｓ１１のメサ部８０にテンプレートパターンが形成されることによって、テンプレート基板Ｓ１１からテンプレートＴ１１が形成される（ｓｔ４）。
【００４５】
なお、メサ部８０は、テンプレート基板Ｓｘ上に所定の部材を接合することによって形成してもよいし、テンプレート基板Ｓｘからメサ部８０以外の箇所を削り落とすことによって形成してもよい。
【００４６】
図７は、テンプレートの第２の作製処理手順を示す図である。ここでは、メサ部８０を有したテンプレートＴ１１の２つ目の作製処理手順について説明する。テンプレート基板Ｓｘが形成された後（ｓｔ１１）、テンプレート基板Ｓｘにメサ部８０が形成されることによって、テンプレート基板Ｓｘからテンプレート基板Ｓ１２が形成される（ｓｔ１２）。
【００４７】
この後、テンプレート基板Ｓ１２の被加工部に光透過材Ｍ１が形成されることによって、テンプレート基板Ｓ１２からテンプレート基板Ｓ１１が形成される（ｓｔ１３）。さらに、テンプレート基板Ｓ１１のメサ部８０にテンプレートパターンが形成されることによって、テンプレート基板Ｓ１１からテンプレートＴ１１が形成される（ｓｔ１４）。
【００４８】
図８は、テンプレートの第３の作製処理手順を示す図である。ここでは、メサ部８０を有したテンプレートＴ１１の３つ目の作製処理手順について説明する。テンプレート基板Ｓｘが形成された後（ｓｔ２１）、テンプレート基板Ｓｘにメサ部８０が形成されることによって、テンプレート基板Ｓｘからテンプレート基板Ｓ１２が形成される（ｓｔ２２）。
【００４９】
この後、テンプレート基板Ｓ１２のメサ部８０にテンプレートパターンが形成されることによって、テンプレート基板Ｓ１２からテンプレートＴ３０が形成される（ｓｔ２３）。さらに、テンプレートＴ３０の被加工部に光透過材Ｍ１が形成されることによって、テンプレートＴ３０からテンプレートＴ１１が形成される（ｓｔ２４）。
【００５０】
図９は、テンプレートの第４の作製処理手順を示す図である。ここでは、メサ部８０を有さないテンプレートＴ２１の１つ目の作製処理手順について説明する。テンプレート基板Ｓｘが形成された後（ｓｔ３１）、被加工部に光透過材Ｍ１が形成されることによって、テンプレート基板Ｓｘからテンプレート基板Ｓ１が形成される（ｓｔ３２）。この後、テンプレート基板Ｓ１にテンプレートパターンが形成されることによって、テンプレート基板Ｓ１からテンプレートＴ２１が形成される（ｓｔ３３）。
【００５１】
図１０は、テンプレートの第５の作製処理手順を示す図である。ここでは、メサ部を有さないテンプレートＴ２１の２つ目の作製処理手順について説明する。テンプレート基板Ｓｘが形成された後（ｓｔ４１）、テンプレート基板Ｓｘにテンプレートパターンが形成されることによって、テンプレート基板ＳｘからテンプレートＴ３１が形成される（ｓｔ４２）。この後、テンプレートＴ３１の被加工部に光透過材Ｍ１が形成されることによって、テンプレートＴ３１からテンプレートＴ２１が形成される（ｓｔ４３）。
【００５２】
このようにして作製されたテンプレートＴＸは、欠陥検査装置などによって、欠陥検査が行われる。そして、欠陥検査で合格となったテンプレートＴＸが、インプリント処理に用いられることとなる。
【００５３】
なお、テンプレートＴＸは、欠陥検査後に、光透過材ＭＸが除去されてもよい。この場合、テンプレートＴＸ上には、除去可能なよう光透過材ＭＸを形成しておく。ここで、光透過材ＭＸの除去処理手順について説明する。なお、テンプレートＴ１１〜Ｔ１４，Ｔ２１〜Ｔ２４は、同様の処理手順によって光透過材ＭＸが除去されるので、ここでは、テンプレートＴ１１から光透過材Ｍ１を除去する際の処理手順について説明する。
【００５４】
図１１は、テンプレートから光透過材を除去する際の処理手順を示す図である。テンプレート基板Ｓｘが入荷された後（ｓｔ５１）、テンプレート基板Ｓｘを用いてテンプレートＴ１１が作製される。テンプレートＴ１１は、例えば、上述した第１〜第３の作製処理手順によって作製される。このときの、テンプレートＴ１１には、テンプレートパターンと、光透過材Ｍ１とが形成されている。テンプレートＴ１１が作製された後、テンプレートＴ１１は、欠陥検査装置などによって、欠陥検査が行われる（ｓｔ５２）。
【００５５】
テンプレートＴ１１が欠陥検査で合格と判定されると、テンプレートＴ１１からは光透過材Ｍ１が除去される（ｓｔ５３）。光透過材Ｍ１は、何れの方法によって除去されてもよい。光透過材Ｍ１は、例えば、テンプレートＴ１１から剥がされてもよいし、薬品などによって溶かされてもよい。また、光透過材Ｍ１は、洗浄処理などによって除去されてもよい。
【００５６】
テンプレートＴ１１から光透過材Ｍ１が除去されることによって、テンプレートＴ１１からテンプレートＴ５０が作製される。この後、光透過材Ｍ１が除去されたテンプレートＴ５０を用いて、ウエハＷｘへのインプリント処理が実行される（ｓｔ５４）。
【００５７】
このように、本実施形態では、パターン形成部の裏面に光透過材ＭＸが形成されているので、パターン形成部の裏面に発生した傷を埋めることができる。これにより、テンプレートパターンを欠陥検査する際に、検査光が裏面の傷で乱反射されることを抑制できる。この結果、テンプレートパターンの欠陥検査精度を向上させることが可能となる。
【００５８】
なお、光透過材ＭＸの形成は、スピンコート法やディスペンス法等の何れの方法で行ってもよい。また、光透過材ＭＸの膜厚は、何れの厚さであってもよい。また、光透過材ＭＸは、膜状に形成される場合に限らず、被加工部などの傷のある箇所のみを埋める程度に形成されてもよい。また、テンプレートＴＸは、何れの手順で作製されてもよい。
【００５９】
光透過材ＭＸが形成されたテンプレートＴＸは、例えばウエハプロセスのレイヤ毎に作製される。そして、作製されたテンプレートＴＸは、欠陥検査が行われ、その後、検査に合格したテンプレートＴＸを用いて半導体デバイス（半導体集積回路）が製造される。具体的には、検査に合格したテンプレートＴＸを用いて、レジストの塗布された製品ウエハにテンプレートパターンが転写され、これにより、製品ウエハ上にレジストパターンが形成される。その後、レジストパターンをマスクとしてレジストの下層側がエッチングされる。これにより、レジストパターンに対応する実パターンが製品ウエハ上に形成される。半導体デバイスを製造する際には、テンプレートＴＸを用いたインプリント処理、エッチング処理、成膜処理などがレイヤ毎に繰り返される。
【００６０】
このように実施形態によれば、テンプレートＴＸやテンプレート基板Ｓ１〜Ｓ４の座繰り加工された被加工部に対して、光透過材ＭＸを形成しているので、テンプレートパターンを検査する際の検査光が被加工部で乱反射することを防止できる。したがって、テンプレートＴＸを精度良く欠陥検査することが可能となる。
【００６１】
本発明のいくつかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これら新規な実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これら実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれるとともに、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる。
【符号の説明】
【００６２】
２１…真空チャック、２３…ＵＶ光源、３０…加工ヘッド、８０…メサ部、１０１…インプリント装置、Ｍ１〜Ｍ４…光透過材、Ｓｘ，Ｓ１〜Ｓ４，Ｓ１１，Ｓ１２…テンプレート基板、Ｔ１１〜Ｔ１４，Ｔ２１〜Ｔ２４…テンプレート、Ｗｘ…ウエハ。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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