(57)【要約】【課題】有機層非形成領域への有機材料の付着を防止することが可能な表示装置および電子機器を提供する。【解決手段】有機層形成領域と、前記有機層形成領域の外側に設けられた有機層非形成領域とを有する第１基板と、前記第１基板上の前記有機層形成領域と前記有機層非形成領域との間に設けられた第１隔壁とを備えた表示装置。【選択図】図１
2015170493.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
有機層形成領域と、前記有機層形成領域の外側に設けられた有機層非形成領域とを有する第１基板と、
前記第１基板上の前記有機層形成領域と前記有機層非形成領域との間に設けられた第１隔壁と
を備えた表示装置。
【請求項２】
前記有機層非形成領域には、外部接続用の端子が設けられている
請求項１に記載の表示装置。
【請求項３】
前記第１基板と対向する第２基板を有し、
前記有機層非形成領域には、前記第２基板と前記第１基板との間の封止剤が設けられている
請求項１に記載の表示装置。
【請求項４】
前記第１基板上の前記有機層形成領域には、第１電極および第２電極が設けられ、
前記第２電極は、前記第１基板上の前記有機層非形成領域に設けられた配線に電気的に接続されている
請求項１に記載の表示装置。
【請求項５】
前記第１電極と前記第２電極との間には、発光層を含む有機層が設けられている
請求項４に記載の表示装置。
【請求項６】
前記第１基板上の前記前記有機層形成領域の外側に第２隔壁を有し、
前記第１隔壁と前記第２隔壁との間に、前記有機層非形成領域が設けられている
請求項１に記載の表示装置。
【請求項７】
前記第１基板には複数の前記有機層非形成領域および複数の前記第１隔壁が設けられ、
複数の前記第１隔壁のうちの少なくとも一部は、隣り合う前記有機層非形成領域の間に設けられている
請求項１に記載の表示装置。
【請求項８】
前記第１隔壁は、有機材料により構成されている
請求項１に記載の表示装置。
【請求項９】
前記有機層形成領域は、行列状に配置された複数の画素を有する画素領域である
請求項１に記載の表示装置。
【請求項１０】
前記基板上の前記有機層形成領域に、画素間絶縁膜を有し、
前記画素間絶縁膜は、前記第１隔壁の構成材料と同一の材料を含んでいる
請求項９に記載の表示装置。
【請求項１１】
前記複数の画素の列間領域に撥液領域を有している
請求項９に記載の表示装置。
【請求項１２】
表示装置を備え、
前記表示装置は、
有機層形成領域と、前記有機層形成領域の外側に設けられた有機層非形成領域とを有する第１基板と、
前記第１基板上の前記有機層形成領域と前記有機層非形成領域との間に設けられた第１隔壁とを含む
電子機器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本技術は、有機層を有する表示装置および電子機器に関する。
【背景技術】
【０００２】
表示装置は、一対の基板の間に配線層、発光層および絶縁層などの多数の層を有している。この表示装置の各層は有機材料または無機材料等により構成されている。
【０００３】
有機ＥＬ（Electroluminescence）表示装置では、基板上の画素領域に発光層を含む有機層が設けられている。画素領域の外側の周辺領域には外部接続用の端子等が配置されている。この端子等が設けられた領域は有機層非形成領域であり、この有機層非形成領域に有機材料が付着すると、表示装置の歩留まりおよび信頼性等を低下させる虞がある。したがって、表示装置の製造工程では有機層非形成領域への有機材料の付着を防ぐ必要がある（例えば、特許文献１，２）。
【０００４】
ところで、有機材料を成膜する方法として、印刷法が注目されている。印刷法としては、例えば、インクジェット印刷法、スリット印刷法、ストライプ印刷法およびノズル印刷法等が挙げられる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２００９−２６６７６６号公報
【特許文献２】特開２００８−６７８号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかしながら、印刷法を用いて画素領域に有機層を形成すると、有機層非形成領域にも有機材料が流れ込みやすく、歩留まりおよび信頼性等を低下させる虞がある。
【０００７】
本技術はかかる問題点に鑑みてなされたもので、その目的は、有機層非形成領域への有機材料の付着を防止することが可能な表示装置および電子機器を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本技術による表示装置は、有機層形成領域と、有機層形成領域の外側に設けられた有機層非形成領域とを有する第１基板と、第１基板上の有機層形成領域と有機層非形成領域との間に設けられた第１隔壁とを備えたものである。
【０００９】
本技術による電子機器は、上記表示装置を備えたものである。
【００１０】
本技術の表示装置または電子機器では、有機層形成領域に成膜する有機材料は、第１基板上の第１隔壁によりせき止められ、有機層非形成領域よりも内側にとどまる。
【発明の効果】
【００１１】
本技術の表示装置および電子機器によれば、第１基板上に第１隔壁を設けるようにしたので、有機層形成領域から有機層非形成領域への有機材料の流れ込みを防ぐことができる。よって、有機層非形成領域への有機材料の付着を防止することが可能となる。なお、ここに記載された効果は必ずしも限定されるものではなく、本開示中に記載されたいずれの効果であってもよい。
【図面の簡単な説明】
【００１２】
【図１】本技術の第１の実施の形態に係る表示装置の構成を表す平面図である。
【図２】図１に示した表示装置の全体構成を表す図である。
【図３】図２に示した画素駆動回路の一例を表す図である。
【図４】図１に示したＩＶ−ＩＶ線に沿った断面構成を表す図である。
【図５】図４に示した有機層の構成の一例を表す断面図である。
【図６】図５に示した有機層の他の例を表す断面図である。
【図７】図１に示したＶＩＩ−ＶＩＩ線に沿った断面構成を表す図である。
【図８】図１に示した隔壁の他の例を表す平面図である。
【図９】図７に示した隔壁の断面形状の他の例を表す図である。
【図１０】図７に示した隔壁の断面形状のその他の例を表す図である。
【図１１】図１に示した表示装置の製造工程の一例を表す図である。
【図１２Ａ】図１に示した表示装置の製造工程を表す断面図である。
【図１２Ｂ】図１に示した表示装置の製造工程を表す他の断面図である。
【図１３Ａ】図１２Ａに続く工程を表す断面図である。
【図１３Ｂ】図１２Ｂに続く工程を表す断面図である。
【図１４Ａ】図１３Ａに続く工程を表す断面図である。
【図１４Ｂ】図１３Ｂに続く工程を表す断面図である。
【図１５】変形例１に係る表示装置の構成を表す平面図である。
【図１６】図１５に示したＡ−Ａ線に沿った断面構成を表す図である。
【図１７】変形例２に係る表示装置の構成を表す平面図である。
【図１８】図１７に示したＢ−Ｂ線に沿った断面構成を表す図である。
【図１９】変形例３に係る表示装置の構成を表す断面図である。
【図２０】変形例４に係る表示装置の構成を表す断面図である。
【図２１】変形例５に係る表示装置の構成を表す断面図である。
【図２２】変形例６に係る表示装置の構成を表す断面図である。
【図２３】本技術の第２の実施の形態に係る表示装置の構成を表す平面図である。
【図２４】図２３に示した画素領域の構成を表す断面図である。
【図２５】図１等に示した表示装置を含むモジュールの概略構成を表す平面図である。
【図２６】適用例１の外観を表す斜視図である。
【図２７】適用例１の外観を表す他の斜視図である。
【図２８】適用例２の表側から見た外観を表す斜視図である。
【図２９】適用例２の裏側から見た外観を表す斜視図である。
【図３０】適用例３の外観を表す斜視図である。
【図３１】適用例４の外観を表す斜視図である。
【図３２】適用例５の表側から見た外観を表す斜視図である。
【図３３】適用例５の裏側から見た外観を表す斜視図である。
【図３４】適用例６の外観を表す斜視図である。
【図３５】適用例７の外観を表す斜視図である。
【図３６】適用例８の開いた状態を表す斜視図である。
【図３７】適用例８の閉じた状態を表す斜視図である。
【図３８】適用例９の閉じた状態を表す図である。
【図３９】適用例９の開いた状態を表す図である。
【発明を実施するための形態】
【００１３】
以下、本技術の実施の形態について、図面を参照して詳細に説明する。なお、説明は以下の順序で行う。
１．第１の実施の形態（表示装置：有機層非形成領域として端子領域を有する例）
２．変形例１（有機層非形成領域として封止領域を有する例）
３．変形例２（有機層非形成領域として接続領域を有する例）
４．変形例３〜６（複数の有機層非形成領域を有する例）
５．第２の実施の形態（表示装置：撥液領域を有する例）
６．適用例
【００１４】
＜第１の実施の形態＞
［表示装置１の全体構成］
図１は、本技術の第１の実施の形態に係る有機ＥＬ表示装置（表示装置１）の平面構成を模式的に表したものである。この表示装置１は基板２（第１基板）を含んでおり、基板２の中央部には画素領域３が、画素領域３の外側には周辺領域４が設けられている。
【００１５】
画素領域３は、複数の画素５が行列状（マトリクス状）に配置された矩形状の領域である。複数の画素５は、例えば赤色画素５Ｒ，緑色画素５Ｇ，青色画素５Ｂにより構成されている。この各画素５（赤色画素５Ｒ，緑色画素５Ｇ，青色画素５Ｂ）には、例えば、それぞれ対応する色の有機ＥＬ素子（後述の図４の有機ＥＬ素子１０）が設けられている。赤色画素５Ｒ，緑色画素５Ｇおよび青色画素５Ｂの各々はサブピクセルを構成し、隣り合う赤色画素５Ｒ，緑色画素５Ｇおよび青色画素５Ｂの組み合わせが一つの表示画素（ピクセル）を構成している。なお、ここにいう画素領域３は、実際に画像が表示されるいわゆる有効エリアと、その外側のダミー画素とを含んでいる。周辺領域４の端部には、端子領域６が設けられている。この端子領域６に外部接続用の端子７が配置され、端子７は例えばドライバＩＣ等に電気的に接続されている。
【００１６】
図２は、表示装置１の全体構成を表すものである。端子７に電気的に接続されたドライバＩＣは、例えば、映像表示用のドライバである信号線駆動回路１２０および走査線駆動回路１３０である。この信号線駆動回路１２０および走査線駆動回路１３０からの信号が端子７を介して画素領域３内の各画素５に送られるようになっている。画素領域３内には画素駆動回路１４０が設けられている。
【００１７】
図３は、画素駆動回路１４０の一例を表したものである。画素駆動回路１４０は、例えばアクティブ型の駆動回路である。具体的には、画素駆動回路１４０には、駆動トランジスタＴｒ１および書き込みトランジスタＴｒ２と、これらトランジスタＴｒ１，Ｔｒ２の間のキャパシタ（保持容量）Ｃｓと、第１の電源ライン（Ｖｃｃ）および第２の電源ライン（ＧＮＤ）の間において駆動トランジスタＴｒ１に直列に接続された有機ＥＬ素子（後述の図５の赤色有機ＥＬ素子１０Ｒ，緑色有機ＥＬ素子１０Ｇ，青色有機ＥＬ素子１０Ｂ）とが設けられている。有機ＥＬ素子のアノード電極（後述の図４のアノード電極１２）は、駆動トランジスタＴｒ１のソース電極に接続され、有機ＥＬ素子のカソード電極（後述の図４のカソード電極１５）は共通電源供給線（ＧＮＤ）に接続されている。駆動トランジスタＴｒ１および書き込みトランジスタＴｒ２は、一般的な薄膜トランジスタ（ＴＦＴ；Thin Film Transistor）により構成され、その構成は、例えば逆スタガ構造（いわゆるボトムゲート型）でもよいしスタガ構造（トップゲート型）でもよく特に限定されない。
【００１８】
画素駆動回路１４０において、列方向には信号線１２０Ａが複数配置され、行方向には走査線１３０Ａが複数配置されている。各信号線１２０Ａと各走査線１３０Ａとの交差点が、赤色画素５Ｒ，緑色画素５Ｇ，青色画素５Ｂのいずれか一つに対応している。各信号線１２０Ａは、信号線駆動回路１２０に接続され、この信号線駆動回路１２０から信号線１２０Ａを介して書き込みトランジスタＴｒ２のソース電極に画像信号が供給されるようになっている。各走査線１３０Ａは走査線駆動回路１３０に接続され、この走査線駆動回路１３０から走査線１３０Ａを介して書き込みトランジスタＴｒ２のゲート電極に走査信号が順次供給されるようになっている。
【００１９】
[表示装置１の要部構成]
図４は、画素領域３の詳細な構成を表す断面図であり、図１に示したＩＶ−ＩＶ線に沿った断面構成を表している。基板２上の画素領域３には、ＴＦＴ２０と、有機ＥＬ素子１０とが設けられている。赤色画素５Ｒは赤色の光を発生する赤色有機ＥＬ素子（後述の図５の赤色有機ＥＬ素子１０Ｒ）により、緑色画素５Ｇは緑色の光を発生する緑色有機ＥＬ素子（後述の図５の緑色有機ＥＬ素子１０Ｇ）により、青色画素５Ｂは青色の光を発生する青色有機ＥＬ素子（後述の図５の青色有機ＥＬ素子１０Ｂ）によりそれぞれ構成されている。ＴＦＴ２０および有機ＥＬ素子１０は、基板２と封止基板１７（第２基板）との間に設けられており、有機ＥＬ素子１０と封止基板１７との間は充てん層１６で満たされている。表示装置１は、例えばトップエミッション型の表示装置であり、有機ＥＬ素子１０で発生した光は封止基板１７から取り出されるようになっている。
【００２０】
基板２は、例えば、水分（水蒸気）および酸素の透過を遮断可能なガラスまたはプラスチック材料などにより形成されている。基板２は、その一主面に複数の画素５が配列形成される支持体である。基板２の構成材料としては、例えば高歪点ガラス、ソーダガラス（Ｎａ2Ｏ・ＣａＯ・ＳｉＯ2）、硼珪酸ガラス（Ｎａ2Ｏ・Ｂ2Ｏ3・ＳｉＯ2）、フォルステライト（２ＭｇＯ・ＳｉＯ2）および鉛ガラス（Ｎａ2Ｏ・ＰｂＯ・ＳｉＯ2）等のガラス基板、石英基板あるいはシリコン基板が挙げられる。このようなガラス基板、石英基板およびシリコン基板の表面に絶縁膜を設けて基板２を構成してもよい。基板２には、金属箔もしくは樹脂製のフィルムやシートなどを用いることも可能である。樹脂の材質としては、例えば、ポリメチルメタクリレート（ポリメタクリル酸メチル，ＰＭＭＡ）、ポリビニルアルコール（ＰＶＡ）、ポリビニルフェノール（ＰＶＰ）、ポリエーテルスルホン（ＰＥＳ）、ポリイミド、ポリカーボネート、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）およびポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）などの有機ポリマーが挙げられる。なお、トップエミッション型では後述の封止基板１７から光が取り出されるため、基板２は、透過性材料または非透過性材料のいずれにより形成されていてもよい。封止基板１７には基板２と同じ材料を用いるようにしてもよく、あるいは、異なる材料を用いるようにしてもよい。また、可撓性材料により基板２を構成してもよい。
【００２１】
ＴＦＴ２０は、有機ＥＬ素子１０を例えばアクティブマトリックス方式により駆動する駆動素子である。例えば、ＴＦＴ２０は画素駆動回路１４０を構成する駆動トランジスタＴｒ１または書き込みトランジスタＴｒ２である。ＴＦＴ２０は、例えばボトムゲート型のＴＦＴであり、チャネル（活性層）に、例えば酸化物半導体を用いたものである。このＴＦＴ２０では、基板２上に、ゲート電極２１、ゲート絶縁膜（第１ゲート絶縁膜２２，第２ゲート絶縁膜２３）、酸化物半導体層２４、チャネル保護膜２５およびソース・ドレイン電極２６がこの順に形成されている。ソース・ドレイン電極２６上には、パッシベーション膜２７および平坦化膜２８が基板２上の画素領域３全域にわたって設けられている。
【００２２】
ゲート電極２１は、ＴＦＴ２０に印加されるゲート電圧によって酸化物半導体層２４中のキャリア密度（例えば、電子密度）を制御する役割を果たすものである。このゲート電極２１は、例えばＭｏ，Ａｌおよびアルミニウム合金等のうちの１種よりなる単層膜、または２種以上よりなる積層膜により構成されている。なお、アルミニウム合金としては、例えばアルミニウム−ネオジム合金が挙げられる。
【００２３】
第１ゲート絶縁膜２２，第２ゲート絶縁膜２３は、シリコン酸化物（ＳｉＯ2）、シリコン窒化物（Ｓｉ3Ｎ4）、シリコン窒化酸化物（ＳｉＯＮ）および酸化アルミニウム（Ａｌ2Ｏ3）等のうちの１種よりなる単層膜、またはこれらのうちの２種以上よりなる積層膜である。ゲート絶縁膜を単層で構成するようにしてもよいが、ここでは、ＴＦＴ２０は第１ゲート絶縁膜２２および第２ゲート絶縁膜２３の２層構造を有している。第１ゲート絶縁膜２２が例えばＳｉＯ2膜、第２ゲート絶縁膜２３が例えばＳｉ3Ｎ4膜によりそれぞれ構成されている。第１ゲート絶縁膜２２および第２ゲート２３の積層方向（Ｚ方向）の厚み（以下、単に厚みという）は、例えば２００ｎｍ〜３００ｎｍである。
【００２４】
酸化物半導体層２４は、例えばインジウム（Ｉｎ），ガリウム（Ｇａ），亜鉛（Ｚｎ），スズ（Ｓｎ），Ａｌ，Ｔｉのうちの少なくとも１種の酸化物を主成分として含んでいる。この酸化物半導体層２４は、ゲート電圧の印加によりソース・ドレイン電極２６間にチャネルを形成するものである。この酸化物半導体層２４の厚みは後述の負の電荷の影響がチャネルへ及ぶように、薄膜トランジスタのオン電流の悪化を引き起こさない程度であることが望ましく、具体的には５ｎｍ〜１００ｎｍであることが望ましい。
【００２５】
チャネル保護膜２５は、酸化物半導体層２４上に形成され、ソース・ドレイン電極２６形成時におけるチャネルの損傷を防止するものである。チャネル保護膜２５の厚みは、例えば１０〜３００ｎｍである。
【００２６】
ソース・ドレイン電極２６は、例えばＭｏ，Ａｌ，銅（Ｃｕ），Ｔｉ，ＩＴＯおよびＴｉＯ等のうち１種よりなる単層膜またはこれらのうちの２種以上よりなる積層膜である。例えば、Ｍｏ，Ａｌ，Ｍｏの順に、５０ｎｍ，５００ｎｍ，５０ｎｍの厚みで積層した３層膜や、ＩＴＯおよび酸化チタン等の酸素を含む金属化合物のような酸素との結びつきの弱い金属または金属化合物を用いることが望ましい。これにより、酸化物半導体の電気特性を安定して保持することができる。
【００２７】
パッシベーション膜２７は例えば厚み５０ｎｍ〜３００ｎｍの無機絶縁膜により構成されている。この無機絶縁膜には、例えばシリコン酸化物、シリコン窒化物、シリコン窒化酸化物あるいは酸化アルミニウム等を用いることができる。これらの単層膜によってパッシベーション膜２７を構成するようにしてもよく、あるいは積層膜によりパッシベーション膜２７を構成するようにしてもよい。平坦化膜２８には、例えばポリイミド、ノボラック等の有機材料が用いられる。この平坦化膜２８の厚みは、例えば５００ｎｍ〜４０００ｎｍであり、好ましくは２０００ｎｍ以下である。この平坦化膜２８上に有機ＥＬ素子１０が設けられている。
【００２８】
有機ＥＬ素子１０は、例えば、平坦化膜２８に近い位置から順にアノード電極１２（第１電極）、画素間絶縁膜１３、有機層１４およびカソード電極１５（第２電極）をこの順に有している。画素間絶縁膜１３は、アノード電極１２の表面の一部を露出させる開口を有しており、この画素間絶縁膜１３の開口が有機ＥＬ素子１０の発光領域となっている。
【００２９】
アノード電極１２は、例えば反射層としての機能も兼ね備えたものであり、反射率が高く、かつ、正孔注入性も高い材料により構成されていることが望ましい。このようなアノード電極１２としては、例えば厚みが１００ｎｍ〜３００ｎｍの導電材料を用いることができる。アノード電極１２の構成材料としては、例えば、クロム（Ｃｒ），金（Ａｕ），白金（Ｐｔ），ニッケル（Ｎｉ），銅（Ｃｕ），モリブデン（Ｍｏ），タングステン（Ｗ），チタン（Ｔｉ），タンタル（Ｔａ），アルミニウム（Ａｌ），鉄（Ｆｅ）あるいは銀（Ａｇ）などの金属元素の単体または合金が挙げられる。アノード電極１２は、このような金属膜を複数積層したものであってもよい。光透過性の高い導電材料によりアノード電極１２を構成し、基板２とアノード電極１２との間に反射層を設けるようにしてもよい。
【００３０】
画素間絶縁膜１３はアノード電極１２とカソード電極１５との間の絶縁性を確保すると共に各有機ＥＬ素子１０の発光領域を区画分離するためのものである。この画素間絶縁膜１３は例えば、ポリイミド，アクリル樹脂またはノボラック系樹脂などの樹脂材料により構成されている。ＳｉＯ2およびＳｉ3Ｎ4等の無機絶縁材料と樹脂材料とを積層して画素間絶縁膜１３を構成するようにしてもよい。
【００３１】
アノード電極１２とカソード電極１５との間には、有機層１４が設けられている。図５は、この有機層１４の構成の一例を表すものである。有機層１４は、例えばアノード電極１２に近い位置から順に、正孔注入層１４Ａ，正孔輸送層１４Ｂ，発光層１４Ｃ（赤色発光層１４ＣＲ，緑色発光層１４ＣＧ，青色発光層１４ＣＢ），電子輸送層１４Ｄおよび電子注入層１４Ｅを積層した構成を有する。有機層１４の上面はカソード電極１５によって被覆されている。赤色発光層１４ＣＲは赤色有機ＥＬ素子１０Ｒに設けられ、赤色光ＬＲを発生させる。緑色発光層１４ＣＧは緑色有機ＥＬ素子１０Ｇに設けられ、緑色光ＬＧを発生させる。青色発光層１４ＣＢは青色有機ＥＬ素子１０Ｂに設けられ、青色光ＬＢを発生させる。
【００３２】
有機層１４の発光層１４Ｃは、例えば図６に示したように、黄色発光層１４ＣＹおよび青色発光層１４ＣＢにより構成されていてもよい。黄色発光層１４ＣＹは、黄色光ＬＹを発生させるものであり、赤色有機ＥＬ素子１０Ｒおよび緑色有機ＥＬ素子１０Ｇに設けられている。黄色光ＬＹは、カラーフィルタＣＦ（赤フィルタＣＦＲ，緑フィルタＣＦＧ）により赤色光ＬＲおよび緑色光ＬＧに色分離される。青色発光層１４ＣＢは青色有機ＥＬ素子１０Ｂに設けられている。
【００３３】
有機層１４のうち、正孔注入層１４Ａ，正孔輸送層１４Ｂ，電子輸送層１４Ｄおよび電子注入層１４Ｅは、画素領域３の全面に設けられ、全ての有機ＥＬ素子１０の共通層である。赤色発光層１４ＣＲ、緑色発光層１４ＣＧ、および黄色発光層１４ＣＹは有機ＥＬ素子１０の色に応じて有機ＥＬ素子１０毎に設けられている。青色発光層１４ＣＢは、画素領域３の全面に全ての有機ＥＬ素子１０の共通層として設けるようにしてもよく、あるいは有機ＥＬ素子１０の色に応じて有機ＥＬ素子１０毎に設けるようにしてもよい。発光層１４Ｃとして白色発光用の発光層を全ての有機ＥＬ素子１０の共通層として設けるようにしてもよい。
【００３４】
有機層１４を構成する各層の膜厚および構成材料等は特に限定されないが、一例を以下に示す。
【００３５】
正孔注入層１４Ａは、発光層１４Ｃへの正孔注入効率を高めると共に、リークを防止するためのバッファ層である。正孔注入層１４Ａの厚みは例えば５ｎｍ〜２００ｎｍであることが好ましく、さらに好ましくは８ｎｍ〜１５０ｎｍである。正孔注入層１４Ａの構成材料は、電極や隣接する層の材料との関係で適宜選択すればよく、例えばポリアニリン，ポリチオフェン，ポリピロール，ポリフェニレンビニレン，ポリチエニレンビニレン，ポリキノリン，ポリキノキサリンおよびそれらの誘導体、芳香族アミン構造を主鎖又は側鎖に含む重合体などの導電性高分子，金属フタロシアニン（銅フタロシアニン等），カーボンなどが挙げられる。導電性高分子の具体例としてはオリゴアニリンおよびポリ（３，４−エチレンジオキシチオフェン）（ＰＥＤＯＴ）などのポリジオキシチオフェンが挙げられる。
【００３６】
正孔輸送層１４Ｂは、発光層１４Ｃへの正孔輸送効率を高めるためのものである。正孔輸送層１４Ｂの厚みは、素子の全体構成にもよるが、例えば５ｎｍ〜２００ｎｍであることが好ましく、さらに好ましくは８ｎｍ〜１５０ｎｍである。正孔輸送層１４Ｂを構成する材料としては、有機溶媒に可溶な発光材料、例えば、ポリビニルカルバゾール，ポリフルオレン，ポリアニリン，ポリシランまたはそれらの誘導体、側鎖または主鎖に芳香族アミンを有するポリシロキサン誘導体，ポリチオフェンおよびその誘導体，ポリピロールまたはＡｌｑ3などを用いることができる。
【００３７】
発光層１４Ｃでは、電界がかかると電子と正孔との再結合が起こり発光する。発光層１４Ｃの厚みは、素子の全体構成にもよるが、例えば１０ｎｍ〜２００ｎｍであることが好ましく、さらに好ましくは２０ｎｍ〜１５０ｎｍである。発光層１４Ｃは、それぞれ単層あるいは積層構造であってもよい。
【００３８】
発光層１４Ｃを構成する材料は、それぞれの発光色に応じた材料を用いればよく、例えばポリフルオレン系高分子誘導体や、（ポリ）パラフェニレンビニレン誘導体，ポリフェニレン誘導体，ポリビニルカルバゾール誘導体，ポリチオフェン誘導体，ペリレン系色素，クマリン系色素，ローダミン系色素，あるいは上記高分子に有機ＥＬ材料をドープしたものが挙げられる。ドープ材料としては、例えばルブレン，ペリレン，９，１０−ジフェニルアントラセン，テトラフェニルブタジエン，ナイルレッド，クマリン６等を用いることができる。なお、発光層１４Ｃを構成する材料は、上記材料を２種類以上混合して用いてもよい。また、上記高分子量の材料に限らず、低分子量の材料を組み合わせて用いてもよい。低分子材料の例としては、ベンジン，スチリルアミン，トリフェニルアミン，ポルフィリン，トリフェニレン，アザトリフェニレン，テトラシアノキノジメタン，トリアゾール，イミダゾール，オキサジアゾール，ポリアリールアルカン，フェニレンジアミン，アリールアミン，オキザゾール，アントラセン，フルオレノン，ヒドラゾン，スチルベンあるいはこれらの誘導体、または、ポリシラン系化合物，ビニルカルバゾール系化合物，チオフェン系化合物あるいはアニリン系化合物等の複素環式共役系のモノマーあるいはオリゴマーが挙げられる。
【００３９】
発光層１４Ｃを構成する材料としては、上記材料の他に発光性ゲスト材料として、発光効率が高い材料、例えば、低分子蛍光材料、りん光色素あるいは金属錯体等の有機発光材料を用いることができる。
【００４０】
なお、発光層１４Ｃは、例えば上述した正孔輸送層１４Ｂを兼ねた正孔輸送性の発光層としてもよく、また、後述する電子輸送層１４Ｄを兼ねた電子輸送性の発光層としてもよい。
【００４１】
電子輸送層１４Ｄおよび電子輸送層１４Ｅは、発光層１４Ｃへの電子輸送効率を高めるためのものである。電子輸送層１４Ｄおよび電子輸送層１４Ｅの総膜厚は素子の全体構成にもよるが、例えば５ｎｍ〜２００ｎｍであることが好ましく、より好ましくは１０ｎｍ〜１８０ｎｍである。
【００４２】
電子輸送層１４Ｄの材料としては、優れた電子輸送能を有する有機材料を用いることが好ましい。発光層１４Ｃの輸送効率を高めることにより、電界強度による発光色の変化が抑制される。具体的には、例えばアリールピリジン誘導体およびベンゾイミダゾール誘導体などを用いることが好ましい。これにより、低い駆動電圧でも高い電子の供給効率が維持されるからである。電子輸送層１４Ｅの材料としては、アルカリ金属，アルカリ土類金属，希土類金属およびその酸化物，複合酸化物，フッ化物，炭酸塩等が挙げられる。
【００４３】
カソード電極１５は、例えば、厚みが１０ｎｍ程度であり、光透過性が良好で仕事関数が小さい材料により構成されている。また、酸化物を用いて透明導電膜を形成することによっても光取り出しを担保することが可能である。この場合には、ＺｎＯ，ＩＴＯ，ＩＺｎＯ，ＩｎＳｎＺｎＯ等を用いることが可能である。単層構造のカソード電極１５を用いるようにしてもよいが、ここではカソード電極１５が、例えばアノード電極１２に近い位置から順に第１層１５Ａ、第２層１５Ｂおよび第３層１５Ｃの積層構造を有する場合について説明する。
【００４４】
第１層１５Ａは、仕事関数が小さく、且つ、光透過性の良好な材料により形成されることが好ましい。具体的には、例えばカルシウム（Ｃａ），バリウム（Ｂａ）等のアルカリ土類金属、リチウム（Ｌｉ），セシウム（Ｃｓ）等のアルカリ金属、インジウム（Ｉｎ），マグネシウム（Ｍｇ）および銀（Ａｇ）が挙げられる。第１層１５ＡをＬｉ2Ｏ，Ｃｓ2Ｃｏ3，Ｃｓ2ＳＯ4，ＭｇＦ，ＬｉＦおよびＣａＦ2等のアルカリ金属酸化物，アルカリ金属，フッ化物，アルカリ土類金属酸化物またはアルカリ土類フッ化物により構成するようにしてもよい。
【００４５】
第２層１５Ｂは、薄膜のＭｇＡｇ電極およびＣａ電極などの光透過性を有し、且つ、導電性が良好な材料で構成されている。第３層１５Ｃは、電極の劣化を抑制するために透明なランタノイド系酸化物を用いることが好ましい。これにより、上面から光を取り出すことが可能な封止電極として用いることが可能となる。また、表示装置１がボトムエミッション型である場合には、第３層１５Ｃの材料として金（Ａｕ），白金（Ｐｔ）またはＡｕＧｅ等が用いられる。
【００４６】
このようなカソード電極１５は、例えば、全ての有機ＥＬ素子１０の共通電極であり、基板２の画素領域３全域にわたって設けられている。
【００４７】
また、カソード電極１５には、アルミキノリン錯体，スチリルアミン誘導体およびフタロシアニン誘導体等の有機発光材料を含有した混合層を用いるようにしてもよい。この場合に、さらにＭｇＡｇのような光透過性を有する層をカソード電極１５が含むようにしてもよい。また、カソード電極１５は上記のような積層構造に限定されることはなく、作製されるデバイスの構造に応じて最適な組み合わせ、積層構造を取ればよいことは言うまでもない。上記では、電極各層の機能分離、即ち有機層１４への電子注入を促進させる無機層（第１層１５Ａ）と、電極を司る無機層（第２層１５Ｂ）と、電極を保護する無機層（第３層１５Ｃ）とを分離した積層構造を有するカソード電極１５について説明したが、一つの層が複数の機能を備えるようにしてもよい。例えば、有機層１４への電子注入を促進させる無機層が、電極を司る無機層を兼ねるようにしてもよい。
【００４８】
この有機ＥＬ素子１０が、キャビティ構造となっている場合には、カソード電極１５が半透過半反射材料を用いて構成されることが好ましい。これにより、アノード電極１２側の光反射面と、カソード電極１５側の光反射面との間で多重干渉させた発光光がカソード電極１５側から取り出される。この場合、アノード電極１２側の光反射面とカソード電極１５側の光反射面との間の光学的距離は、取り出したい光の波長によって規定され、この光学的距離を満たすように各層の膜厚が設定されていることとする。このような上面発光型の表示素子においては、このキャビティ構造を積極的に用いることにより、外部への光取り出し効率の改善や発光スペクトルの制御を行うことが可能となる。
【００４９】
カソード電極１５は保護層（図示せず）で覆われている。この保護層は、有機層１４への水分の浸入を防止するためのものであり、透過性および透水性の低い材料を用いて、例えば厚さ２〜３μｍで形成される。保護層の材料としては、絶縁性材料または導電性材料のいずれにより構成されていてもよい。絶縁性材料としては、無機アモルファス性の絶縁性材料、例えばアモルファスシリコン（α−Ｓｉ）, アモルファス炭化シリコン（α−ＳｉＣ）, アモルファス窒化シリコン（α−Ｓｉ1-xＮx），アモルファスカーボン（α−Ｃ）などが好ましい。このような無機アモルファス性の絶縁性材料は、グレインを構成しないため透水性が低く、良好な保護膜となる。
【００５０】
保護層と封止基板１７との間の充てん層１６は、有機層１４への水分の侵入を防ぐと共に、表示装置１の機械的強度を高めるためのものである。この充てん層１６の光透過率は８０％程度であり、その厚みは例えば３μｍ〜２０μｍである。充てん層１６には例えば、エポキシ樹脂あるいはアクリル樹脂等を用いることができる。
【００５１】
封止基板１７は、有機ＥＬ素子１０のカソード電極１５の側に位置しており、接着層（図示せず）と共に有機ＥＬ素子１０を封止するものである。封止基板１７は、有機ＥＬ素子１０で発生した光に対して透明なガラスなどの材料により構成されている。封止基板１７には、例えば、カラーフィルタおよびブラックマトリクスとしての遮光膜（いずれも図示せず）が設けられており、有機ＥＬ素子１０で発生した光を取り出すと共に、各有機ＥＬ素子１０間の配線において反射された外光を吸収し、コントラストを改善するようになっている。
【００５２】
封止基板１７に設けられたカラーフィルタ（例えば図６のカラーフィルタＣＦ）は、例えば赤フィルタ，緑フィルタおよび青フィルタ（いずれも図示せず）を含んでおり、これらがそれぞれ赤色画素５Ｒ，緑色画素５Ｇ，青色画素５Ｂに対応して配置されている。赤フィルタ，緑フィルタおよび青フィルタは、それぞれ例えば矩形形状で隙間なく形成されている。これら赤フィルタ，緑フィルタおよび青フィルタは、顔料を混入した樹脂によりそれぞれ構成されており、顔料を選択することにより、目的とする赤，緑あるいは青の波長域における光透過率が高く、他の波長域における光透過率が低くなるように調整されている。
【００５３】
遮光膜は、例えば黒色の着色剤を混入した光学濃度が１以上の黒色の樹脂膜、または薄膜の干渉を利用した薄膜フィルタにより構成されている。このうち黒色の樹脂膜により構成するようにすれば、安価で容易に形成することができるので好ましい。薄膜フィルタは、例えば、金属，金属窒化物あるいは金属酸化物よりなる薄膜を１層以上積層し、薄膜の干渉を利用して光を減衰させるものである。薄膜フィルタとしては、具体的には、Ｃｒと酸化クロム（ＩＩＩ）（Ｃｒ2Ｏ3）とを交互に積層したものが挙げられる。
【００５４】
図７は、周辺領域４に設けられた端子領域６の詳細な構成を表すものであり、図１に示したＶＩＩ−ＶＩＩ線に沿った断面構成を表している。基板２上の周辺領域４には、配線７Ａが設けられており、この配線７Ａを画素領域３から延在するパッシベーション膜２７が覆っている。配線７Ａは、例えばカソード電極１５に電気的に接続されている。端子領域６では、この配線７Ａがパッシベーション膜２７から露出されている。換言すれば、パッシベーション膜２７から露出された配線７Ａが端子７を構成している。端子７には、例えばＦＰＣ（Flexible Printed Circuits）等（図示せず）が接続されている。図１には、基板２の２辺に端子領域６を設けた場合を示したが、端子領域６は基板２の１辺のみに設けるようにしてもよく、基板２の３辺に設けるようにしてもよい。基板２の全ての辺に端子領域６が配置されていてもよい。
【００５５】
本実施の形態では、この端子７が配置された端子領域６と画素領域３との間に隔壁８が設けられている。詳細は後述するが、これにより、有機層１４形成時に有機材料が画素領域３から端子領域６に流れ込むのを防ぐことができる。ここでは、画素領域３が本技術の有機層形成領域の一具体例であり、端子領域６が本技術の有機層非形成領域の一具体例である。
【００５６】
隔壁８は、例えばパッシベーション膜２７上に設けられている。隔壁８の高さ（Ｚ方向の距離）は例えば５００ｎｍ〜４０００ｎｍであり、隔壁８の幅（図７のＸ方向の距離）は５μｍ〜１００μｍである。隔壁８は、周辺領域４のうち、例えば端子領域６に隣接した位置に設けられている。隔壁８は、例えばポリイミド系樹脂，アクリル系樹脂およびノボラック系樹脂等の有機材料により構成されている。画素間絶縁膜１３に含まれる有機材料と同一の有機材料を用いて隔壁８を構成するようにしてもよい。隔壁８は撥液性を有していてもよい。例えば、上記有機材料にフッ素を混合することにより、撥液性の隔壁８を設けるようにしてもよい。あるいは、プラズマ処理あるいはフッ素加工処理により、撥液性の隔壁８を設けるようにしてもよい。
【００５７】
隔壁８は、画素領域３を囲むように設けるようにしてもよいが（図１）、図８に示したように、端子領域６が配置された基板２の辺に設けるようにしてもよい。
【００５８】
隔壁８の断面形状は例えば矩形状である（図７）。隔壁８は、テーパ形状あるいは逆テーパ形状を有していてもよい（図９，図１０）。
【００５９】
基板２上の周辺領域４には、端子７に加えて、例えば、封止剤（後述の図１６の封止剤１９）およびカソード電極１５が接続される配線（後述の図１８の配線２９）等が設けられている。
【００６０】
［表示装置１の製造方法］
図１１は、表示装置１の製造工程の一例を表したものである。上記のような表示装置１は、例えば次のようにして製造することができる（図１２Ａ〜図１４Ｂ）。図１２Ａ，図１３Ａおよび図１４Ａは画素領域３の断面構成を表し、図１２Ｂ，図１３Ｂおよび図１４Ｂは端子領域６近傍の断面構成を表している。
【００６１】
（ＴＦＴ２０および端子７の形成工程）
まず、基板２上の画素領域３に、所定の薄膜プロセスを経てゲート電極２１、第１ゲート絶縁膜２２、第２ゲート絶縁膜２３、酸化物半導体膜２４、チャネル保護膜２５およびソース・ドレイン電極２６をこの順に形成する。このとき、基板２上の周辺領域４には、配線７Ａを形成しておく。次いで、基板２の全面にわたってパッシベーション膜２７および平坦化膜２８を、例えばスピンコート法またはスリットコート法により成膜する。続いて、成膜した平坦化膜２８およびパッシベーション膜２７を、例えばフォトリソグラフィ法により、所定の形状にパターニングして配線７Ａの一部を露出させ、端子７を形成する（図１２Ｂ）。
【００６２】
（アノード電極１２の形成工程（Ｓ１０１））
ＴＦＴ２０を設けた後、図１２Ａに示したように、有機ＥＬ素子１０毎にアノード電極１２を形成する。アノード電極１２は、例えばＡｌＮｄ合金をスパッタ法により基板２全面にわたって成膜した後、例えばフォトリソグラフィ法を用いてパターニングすることにより形成される。
【００６３】
（画素間絶縁膜１３および隔壁８の形成工程（Ｓ１０２））
次いで、基板２全面にわたって例えばポリイミド系樹脂を成膜した後、これを所望の形状にパターニングする。これにより、画素領域３に画素間絶縁膜１３が、周辺領域４に隔壁８が形成される（図１３Ａ，図１３Ｂ）。
【００６４】
（有機層１４およびカソード電極１５の形成工程（Ｓ１０３，Ｓ１０４））
続いて、画素領域３に有機層１４を形成する（図１４Ａ）。具体的には、例えば以下のようにして有機層１４を形成する。まず、例えば真空蒸着法により、正孔注入層１４Ａおよび正孔輸送層１４Ｂを、画素領域３の全面にわたって成膜する。真空蒸着法は、蒸着源から基板２に種々の材料を蒸着させる方法である。画素領域３の全面に有機層１４を形成する場合には、蒸着源と基板２との間に、画素領域３と同一形状の開口を有するマスクを設けて蒸着を行う。正孔輸送層１４Ｂを設けた後、赤色画素５Ｒに赤色発光層１４ＣＲを、緑色画素５Ｇに緑色発光層１４ＣＧを、青色画素５Ｂに青色発光層１４ＣＢをそれぞれ形成する。発光層１４Ｃ（赤色発光層１４ＣＲ、緑色発光層１４ＣＧおよび青色発光層１４ＣＢ）は、例えばインクジェット印刷法、スリット印刷法、ストライプ印刷法およびノズル印刷法等の印刷法を用いて形成する。このような印刷法は、赤色発光層１４ＣＲ、緑色発光層１４ＣＧまたは青色発光層１４ＣＢを構成する有機材料を有機溶媒に溶解させたインクを基板２上に塗布する方法である。インクの粘度は、例えば１０ｃＰ以下である。発光層１４Ｃを形成する際には、端子領域６等の発光層１４Ｃを設けない領域を非接触式のマスク９で覆っておく（図１４Ｂ）。マスク９は隔壁８も覆うように配置することが好ましい。本実施の形態では、周辺領域４に隔壁８を形成しているので、この隔壁８によりインクがせき止められる。したがって、画素領域３から端子領域６へインクが流れ込むのを防ぐことができる。青色発光層１４ＣＢは、赤色発光層１４ＣＲおよび緑色発光層１４ＣＧを形成した後、画素領域３の全面にわたって形成するようにしてもよい。発光層１４Ｃとして、印刷法を用いて黄色発光層１４ＣＹおよび青色発光層１４ＣＢを形成するようにしてもよい（図６）。発光層１４Ｃを設けた後、例えば真空蒸着法を用いて電子輸送層１４Ｄ、電子注入層１４Ｅ、カソード電極１５および保護層をこの順に形成する。スパッタ法を用いてカソード電極１５を形成するようにしてもよい。
【００６５】
（封止基板１７の形成工程）
封止基板１７上には、例えば以下のようにして遮光膜およびカラーフィルタを形成する。まず、封止基板１７の全面に遮光膜の構成材料を成膜したのち、これを例えばフォトリソグラフィ工程を用いてマトリクス状にパターニングし、画素５の配置に合わせた開口を複数形成する。これにより遮光膜が形成される。次いで、遮光膜の開口に赤フィルタ、緑フィルタおよび青フィルタを順次パターニングして設け、カラーフィルタを形成する。
【００６６】
（基板２と封止基板１７との貼り合わせ工程）
上記のようにして形成した封止基板１７は、例えばＯＤＦ（One Drop Fill）工程により有機ＥＬ素子１０および充てん層１６を間にして、基板２に貼り合わされる。以上により、図１に示した表示装置１が完成する。
【００６７】
[表示装置１の動作]
表示装置１では、各有機ＥＬ素子１０に、各色の映像信号に応じた駆動電流が印加されると、アノード電極１２およびカソード電極１５を通じて、有機層１４に電子および正孔が注入される。これらの電子および正孔は、有機層１４に含まれる発光層１４Ｃにおいてそれぞれ再結合され、発光を生じる。この光はアノード電極１２で反射され、カソード電極１５，カラーフィルタおよび封止基板１７を透過して外部へ取り出される。このようにして、表示装置１では、例えばＲ，Ｇ，Ｂのフルカラーの映像表示がなされる。
【００６８】
[表示装置１の作用・効果]
【００６９】
ここで、表示装置１では、基板２上の画素領域３と端子領域６との間に隔壁８が設けられているので、有機層１４を形成する際に、画素領域３から端子領域６へのインク（有機材料）の流れ込みを防ぐことができる。以下、これについて説明する。
【００７０】
真空蒸着法は、画素領域３全域にわたって有機層１４を形成する場合には有用な方法であるが、真空蒸着法を用いて画素５毎に発光層１４Ｃ等の有機層１４を形成することは困難である。これは、マスクと基板２とのアラインメント、および材料の利用効率の低さ等が原因である。一方、印刷法は、画素５毎に有機層１４を形成する場合にも、画素領域３全域に有機層１４を形成する場合にも有用な方法である。特に、ノズル印刷法は安定して一定量のインクを塗布することができるため有機層１４の形成に適している。ノズル印刷法は、ノズルからインクを常に吐出させ、有機材料を塗布する方法である。
【００７１】
しかしながら、このような印刷法で使用するインクは粘度が低いので、画素領域３から周辺領域４にインクが流れ込みやすい。周辺領域４には、端子領域６等が設けられている。この端子領域６にインクが付着すると、端子７と外部の配線（例えばＦＰＣ）との電気的な接続を確保できず、歩留まりおよび信頼性等を損なう虞がある。
【００７２】
端子領域を有機材料の付着から保護する方法としては、例えば、粘着テープによる接触式のマスキングが提案されている（例えば特許文献１，２参照）。しかしながら、この方法では表示装置の構成部材に粘着剤が残存して、表示装置の信頼性を低下させる虞がある。また、粘着テープの縁にはインクのメニスカスが形成されるので、これに起因して、有機層に突起が生じる虞がある。なお、端子領域をマスキングせずに印刷法を用いることも考え得るが、例えば以下のような問題が生じる。ノズル印刷法は上記のように、有用な方法であるが、常時インクを吐出するため、マスキングせずに有機材料の付着を防ぐことはできない。インクジェト法は、所望の領域のみにインクを塗布しやすい方法であるが、画素毎に高い精度で有機層を形成するためには高価な装置が必要である。即ち、コストに影響する。スリット印刷法およびストライプ印刷法では、塗布領域の周縁部分での膜厚制御が困難であるので、これを考慮して画素領域よりも広い範囲にわたって有機層を形成する。このため、このインクの塗布領域よりも更に外側に端子領域を配置すると、所謂額縁領域が広くなり、表示装置の外観に影響を及ぼす虞がある。
【００７３】
これに対し、表示装置１では、画素領域３と端子領域６との間に隔壁８が設けられているので、有機層１４（発光層１４Ｃ）を形成する際に画素領域３に塗布したインクは隔壁８でせき止められる。即ち、端子領域６よりも内側にインクがとどまり、画素領域３から端子領域６へのインクの流入が抑えられる。ノズル印刷法を用いることにより、均一な膜厚で有機層１４を形成することができる。
【００７４】
また、粘着テープを使用しないので、粘着剤が残存せず、信頼性を維持できる。更に、粘着テープに起因した有機層の突起も形成されない。
【００７５】
加えて、非接触式のマスク（例えば図１４Ｂのマスク９）を用いて、ノズル印刷法、安価な装置によるインクジェット印刷法、スリット印刷法およびストライプ印刷法等を行うことができる。したがって、コストの上昇および額縁領域の増加を抑えることができる。
【００７６】
以上のように本実施の形態では、基板２上に隔壁８を設けるようにしたので、有機層１４を形成する際に、端子領域６への有機材料の付着を防止することが可能となる。よって、端子７と外部の配線との電気的な接続を確保し、表示装置１の歩留まりおよび信頼性等を向上させることが可能となる。
【００７７】
また、隔壁８は画素領域３の画素間絶縁膜１３と同一工程で形成することも可能であり、工程数の増加を抑えることができる。
【００７８】
以下、上記第１の実施の形態の変形例および他の実施の形態について説明するが、上記第１の実施の形態における構成要素と同一のものには同一の符号を付し、適宜説明を省略する。
【００７９】
＜変形例１＞
図１５は、変形例１に係る表示装置（表示装置１Ａ）の平面構成を表したものである。この表示装置１Ａは、画素領域３と封止領域（封止領域１８）との間に隔壁（隔壁８Ａ）を有している。即ち、ここでは、封止領域１８が本技術の有機層非形成領域の一具体例である。この点を除き、表示装置１Ａは表示装置１と同様の構成を有し、その作用および効果も同様である。
【００８０】
図１６は、図１５に示したＡ−Ａ線に沿った断面構成を表している。基板２上の封止領域１８には、封止剤１９が設けられている。この封止剤１９は、基板２と封止基板１７とを接着するものであり、基板２と封止基板１７との間の充てん層１６の周囲に設けられている。即ち、封止領域１８は、画素領域３を囲むように設けられている。封止剤１９は、外部から画素領域３への水分の侵入を防ぐ役割も担っており、例えばエポキシ樹脂あるいはアクリル樹脂等により構成されている。
【００８１】
仮に、この封止領域１８に有機層１４（図４）の有機材料が付着した場合には、封止剤１９と基板２との接着が阻まれ、封止強度が低下する。また、外部から画素領域３に水分が浸入しやすくなる。したがって、表示装置の信頼性を低下させる虞がある。
【００８２】
表示装置１Ａでは、画素領域３と封止領域１８との間に隔壁８Ａが設けられているので、有機層１４（図４）を形成する際に、封止領域１８への有機材料の付着を防止することが可能となる。よって、表示装置１Ａの信頼性を維持することができる。隔壁８Ａの構成材料、高さおよび幅等は上記隔壁８で説明したのと同様である。
【００８３】
隔壁８Ａの外側に隔壁８Ｂを設け、隔壁８Ａと隔壁８Ｂとの間に封止領域１８を配置するようにしてもよい。隔壁８Ｂは封止領域１８の外側、即ち、周辺領域４のうち封止領域１８と基板２の縁との間に設けられている。隔壁８Ｂは、隔壁８Ａと同様の材料を用いて構成すればよく、例えば隔壁８Ａと同程度の高さおよび幅を有している。このような隔壁８Ｂを設けることにより、仮に、封止領域１８の外側にインクが付着した場合にも、封止領域１８へのインクの流れ込みを防ぐことが可能となる。有機層１４を形成する際には、封止領域１８とともに隔壁８Ａ，８Ｂを覆うマスク（図１４Ｂのマスク９）が配置される。
【００８４】
＜変形例２＞
図１７は、変形例２に係る表示装置（表示装置１Ｂ）の平面構成を表したものである。この表示装置１Ｂは、画素領域３と接続領域（接続領域１５Ａ）との間に隔壁８Ａを有している。即ち、ここでは、接続領域１５Ａが本技術の有機層非形成領域の一具体例である。この点を除き、表示装置１Ｂは表示装置１と同様の構成を有し、その作用および効果も同様である。
【００８５】
図１８は、図１７に示したＢ−Ｂ線に沿った断面構成を表している。カソード電極１５は、画素領域３から周辺領域４に延在しており、周辺領域４で配線２９に電気的に接続されている。配線２９は、例えば平坦化膜２８上に設けられており、配線２９とカソード電極１５との間には絶縁膜３１が介在している。周辺領域４に設けられた接続領域１５Ａでは、この絶縁膜３１に接続孔が設けられており、この接続孔を介してカソード電極１５と配線２９とが接続されている。配線２９は、例えば、共通電源供給線（ＧＮＤ）に電気的に接続されている。
【００８６】
仮に、この接続領域１５Ａに有機層１４（図４）の有機材料が付着した場合には、カソード電極１５と配線２９との電気的な接続を確保できず、歩留まりおよび信頼性等を損なう虞がある。
【００８７】
表示装置１Ｂでは、画素領域３と接続領域１５Ａとの間に隔壁８Ａが設けられているので、有機層１４（図４）を形成する際に、接続領域１５Ａへの有機材料の付着を防止することが可能となる。よって、表示装置１Ａの歩留まりおよび信頼性等を維持することができる。上記表示装置１Ａで説明したのと同様に、隔壁８Ａの外側に隔壁８Ｂを設けて、隔壁８Ａと隔壁８Ｂとの間に接続領域１５Ａを配置するようにしてもよい。このような隔壁８Ｂを設けることにより、仮に、接続領域１５Ａの外側にインクが付着した場合にも、接続領域１５Ａへのインクの流れ込みを防ぐことが可能となる。有機層１４を形成する際には、接続領域１５Ａとともに隔壁８Ａ，８Ｂを覆うマスク（図１４Ｂのマスク９）が配置される。
【００８８】
＜変形例３＞
図１９は、変形例３に係る表示装置（表示装置１Ｃ）の要部の断面構成を表したものである。この表示装置１Ｃは、画素領域３に近い位置から順に、接続領域１５Ａ、封止領域１８および端子領域６を有している。即ち、表示装置１Ｃは、周辺領域４に複数の有機層非形成領域を有している。この表示装置１Ｃでは、基板２上の画素領域３と接続領域１５Ａとの間、画素領域３と封止領域１８との間、および画素領域３と端子領域６との間各々に隔壁（隔壁８または隔壁８Ａ）が設けられている。詳細には、隔壁は、画素領域３と最も画素領域３に近い有機層非形成領域（接続領域１５Ａ）との間に加えて、隣り合う有機層非形成領域の間（接続領域１５Ａと封止領域１８との間、および封止領域１８と端子領域６との間）に設けられている。この点を除き、表示装置１Ｃは表示装置１と同様の構成を有し、その作用および効果も同様である。
【００８９】
接続領域１５Ａおよび封止領域１８では、隔壁８Ａの外側に隔壁８Ｂが設けられている。即ち、接続領域１５Ａおよび封止領域１８はそれぞれ、隔壁８Ａと隔壁８Ｂとの間に設けられている。隔壁８Ｂを設けることにより、有機層１４（図４）を形成する際に、仮に、接続領域１５Ａと封止領域１８との間、または封止領域１８と端子領域６との間にインク（有機材料）が付着した場合にも、接続領域１５Ａおよび封止領域１８へのインクの流入を防ぐことができる。端子領域６の外側に更に、隔壁（図示せず）を設けて、隔壁間に端子領域６が配置されていてもよい。
【００９０】
以下で説明する変形例４〜６（表示装置１Ｄ〜表示装置１Ｆ）は、上記表示装置１Ｃと同様に画素領域３に近い位置から順に、接続領域１５Ａ、封止領域１８および端子領域６を有するものである。表示装置１Ｄ〜表示装置１Ｆでは、このうちのいずれか２つの領域と画素領域３の間に隔壁（隔壁８または隔壁８Ａ）が配置されている。
【００９１】
＜変形例４＞
図２０に示したように、表示装置１Ｄでは、画素領域３と封止領域１８との間、および画素領域３と端子領域６との間に隔壁（隔壁８または隔壁８Ａ）が設けられている。詳細には、隔壁は、接続領域１５Ａと封止領域１８との間、および封止領域１８と端子領域６との間に設けられている。封止領域１８では、隔壁８Ａの外側に隔壁８Ｂが設けられている。即ち、隔壁８Ａと隔壁８Ｂとの間に封止領域１８が配置されている。
【００９２】
＜変形例５＞
図２１に示したように、表示装置１Ｅでは、画素領域３と接続領域１５Ａとの間、および画素領域３と端子領域６との間に隔壁（隔壁８または隔壁８Ａ）が設けられている。詳細には、隔壁は、画素領域３と接続領域１５Ａとの間、および封止領域１８と端子領域６との間に設けられている。接続領域１５Ａでは、隔壁８Ａの外側に隔壁８Ｂが設けられている。即ち、隔壁８Ａと隔壁８Ｂとの間に接続領域１５Ａが配置されている。
【００９３】
＜変形例６＞
図２２に示したように、表示装置１Ｆでは、画素領域３と接続領域１５Ａとの間、および画素領域３と封止領域１８との間に隔壁８Ａが設けられている。詳細には、隔壁８Ａは、画素領域３と接続領域１５Ａとの間、および接続領域１５Ａと封止領域１８との間に設けられている。この接続領域１５Ａおよび封止領域１８では、隔壁８Ａの外側に隔壁８Ｂが設けられている。即ち、接続領域１５Ａおよび封止領域１８はそれぞれ、隔壁８Ａと隔壁８Ｂとの間に配置されている。
【００９４】
＜第２の実施の形態＞
図２３は本技術の第２の実施の形態に係る表示装置（表示装置３０）の平面構成を表したものであり、図２４は表示装置３０の画素領域３の断面構成を表している。この表示装置３０では、色毎の画素列５Ａ（赤色画素列５ＡＲ，緑色画素列５ＡＧ，青色画素列５ＡＢ）の間に撥液領域（撥液領域１３ＢＲ）が設けられている。この点を除き、表示装置３０は表示装置１と同様の構成を有し、その作用および効果も同様である。
【００９５】
表示装置３０では、有機層１４の形成に例えばノズル印刷法、スリット印刷法またはストライプ印刷法等が用いられる。撥液領域１３ＢＲは、画素列５Ａと同一方向に延在しており、有機層１４の発光層（図５の発光層１４Ｃ）を色別に塗布する際にインクのバンク（土手）として機能する。撥液領域１３ＢＲは、画素列５Ａを区画（分割）するように、ライン状に設けられている。この撥液領域１３ＢＲにより、画素列５Ａに吐出されたインクの過剰な濡れ広がりが抑えられ、隣接する画素列５Ａへのインクの浸入を防ぐことができる。撥液領域１３ＢＲは、周辺領域４に延び、画素領域３を囲む枠状部分を有していることが好ましい。周辺領域４にも撥液領域１３ＢＲを設けることにより、例えば塗布開始時に周辺領域４に吐出されたインクの濡れ広がりが抑えられる。この枠状の撥液領域１３ＢＲの外側に、例えば隔壁８が設けられている。撥液領域１３ＢＲは、撥液層１３Ｂ（図２４）により形成されている。
【００９６】
画素５の周囲は親液領域１３ＡＲとなっていることが好ましい。親液領域１３ＡＲは、インクの濡れ性を向上させるためのものであり、列方向に延在する撥液領域１３ＢＲと画素５との間および列方向に隣り合う画素５の間（行間領域）に設けられている。各画素５は親液領域１３ＡＲで囲まれている。親液領域１３ＡＲは、親液層１３Ａ（図２４）により構成されている。
【００９７】
周辺領域４の一部には、例えばビード形成領域４Ａが設けられている。ビード形成領域４Ａは、画素領域３を間にして対向する２辺に設けられている。有機層１４を形成する際に、周辺領域４内の塗布開始位置にインクを吐出して液柱（ビード）を形成する領域である。このビード形成領域４Ａには親液領域１３ＡＲが延在していることが好ましい。これにより、ビード形成領域４Ａの濡れ性が向上し、ビードが形成されやすくなる。
【００９８】
親液領域１３ＡＲを形成する親液層１３Ａは、有機ＥＬ素子１０の発光領域を除き、画素領域３全域にわたって設けられている。周辺領域４のうち、ビード形成領域４Ａにも親液層１３Ａが設けられていることが好ましい。親液層１３Ａは、平坦化膜２８とアノード電極１２の上面および側面とを覆っている。親液層１３Ａには、アノード電極１２の上面を露出させる開口が設けられており、この親液層１３Ａの開口により有機ＥＬ素子１０の発光領域が規定されるようになっている。親液層１３Ａの構成材料としては、例えば、酸化シリコン（ＳｉＯ2）および窒化シリコン（Ｓｉ3Ｎ4）等が挙げられる。
【００９９】
撥液領域１３ＢＲを構成する撥液層１３Ｂは、親液層１３Ａ上に設けられ、親液層１３Ａ上の領域のうちの一部を覆っている。親液層１３Ａのうち、開口（有機ＥＬ素子１０の発光領域）に隣接する領域は親液層１３Ａの表面が露出されている。親液層１３Ａとカソード電極１５との間に設けられた撥液層１３Ｂは、アノード電極１２とカソード電極１５との間の絶縁性を確保する役割を担っている。撥液層１３Ｂの構成材料としては、例えば、ポリイミドおよびノボラック等の有機材料が挙げられる。有機材料に例えばプラズマ処理を施すことにより、撥液性を有する撥液層１３Ｂが形成される。フッ素含有材料により撥液層１３Ｂを構成するようにしてもよい。
【０１００】
（適用例）
続いて、図２５ないし図３９を参照して、上記第１，第２実施の形態および変形例に係る表示装置の適用例について説明する。上記実施の形態等の表示装置（表示装置１，１Ａ，１Ｂ，１Ｃ，１Ｄ，１Ｅ，１Ｆ，３０）は、テレビジョン装置，デジタルカメラ，ノート型パーソナルコンピュータ、携帯電話やスマートフォン等の携帯端末装置あるいはビデオカメラなどのあらゆる分野の電子機器に適用することが可能である。言い換えると、この表示装置は、外部から入力された映像信号あるいは内部で生成した映像信号を、画像あるいは映像として表示するあらゆる分野の電子機器に適用することが可能である。
【０１０１】
（モジュール）
上記実施の形態等の表示装置は、例えば、図２５に示したようなモジュールとして、後述する適用例１〜９などの種々の電子機器に組み込まれる。このモジュールは、例えば、基板２の画素領域３の周囲の周辺領域４に、配線を延長して外部接続用の端子（例えば図１の端子７）を形成したものである。この端子には、信号の入出力のためのフレキシブルプリント配線基板（ＦＰＣ；Flexible Printed Circuit）９が接続されていてもよい。
【０１０２】
（適用例１）
図２６および図２７は、電子ブック２１０の外観構成を表している。この電子ブック２１０は、例えば、表示部２１１および非表示部２１２と、操作部２１３とを備えている。なお、操作部２１３は、図２６に示したように非表示部２１２の前面に設けられていてもよいし、図２７に示したように非表示部２１２の上面に設けられていてもよい。表示部２１１が上記実施の形態等の表示装置により構成される。なお、上記実施の形態等の表示装置が、図２６および図２７に示した電子ブックと同様の構成を有するＰＤＡ（Personal Digital Assistants）などに搭載されてもよい。
【０１０３】
（適用例２）
図２８および図２９は、スマートフォン２２０の外観を表したものである。このスマートフォン２２０は、例えば、表側に表示部２２１および操作部２２２を有し、裏側にカメラ２２３を有しており、この表示部２２１が上記実施の形態等の表示装置により構成されている。
【０１０４】
（適用例３）
図３０は、上記実施の形態等の表示装置が適用されるテレビジョン装置２３０の外観を表したものである。このテレビジョン装置２３０は、例えば、フロントパネル２３１およびフィルターガラス２３２を含む映像表示画面部２３３を有している。映像表示画面部２３３が上記実施の形態等の表示装置により構成されている。
【０１０５】
（適用例４）
図３１は、タブレットパーソナルコンピュータ２４０の外観を表したものである。このタブレットパーソナルコンピュータ２４０は、例えば、タッチパネル部２４１および筐体２４２を有しており、タッチパネル部２４１が上記実施の形態等の表示装置により構成されている。
【０１０６】
（適用例５）
図３２および図３３は、デジタルスチルカメラ２５０の外観を表したものである。このデジタルスチルカメラ２５０は、例えば、フラッシュ用の発光部２５１、表示部２５２、メニュースイッチ２５３およびシャッターボタン２５４を有しており、表示部２５２が上記実施の形態等の表示装置により構成されている。
【０１０７】
（適用例６）
図３４は、ノートブック型パーソナルコンピュータ２６０の外観を表したものである。このノートブック型パーソナルコンピュータ２６０は、例えば、本体２６１，文字等の入力操作のためのキーボード２６２および画像を表示する表示部２６３を有しており、表示部２６３が上記実施の形態等の表示装置により構成されている。
【０１０８】
（適用例７）
図３５は、ビデオカメラ２７０の外観を表したものである。このビデオカメラ２７０は、例えば、本体部２７１，この本体部２７１の前方側面に設けられた被写体撮影用のレンズ２７２，撮影時のスタート／ストップスイッチ２７３および表示部２７４を有している。表示部２７４が上記実施の形態等の表示装置により構成されている。
【０１０９】
（適用例８）
図３６および図３７は、他の電子ブック２８０の外観を表したものである。電子ブック２８０は、柔らかい素材をコンポーネント化して形成された薄型のフレキシブルディスプレイである。この電子ブック２８０では、複数枚の紙（頁）を綴じて作られる実際の本のように、装置全体を閉じたり（折り畳んだり）、あるいは開いたりすることができるようになっている。ユーザは実際に本を読んでいるかのような感覚で、電子ブッ２８０クに表示された内容（例えば書籍の頁等）を閲覧することが可能である。
【０１１０】
電子ブック２８０は、支持基板２８１上に、表示部２８２を備えたものであり、本における「背」の部分（背２８３Ａ）には、ヒンジ部２８３を有している。この電子ブック２８０の下面（閉じたときに外側になる面）側には軟らかい樹脂フィルムよりなるカバー２８４が設けられ、上面（閉じたときに内側になる面）側は、柔らかく、かつ表示光に対して透明性を有する樹脂フィルムよりなる保護シート２８５により覆われている。表示部２８２が上記実施の形態等の表示装置により構成されている。
【０１１１】
（適用例９）
図３８および図３９は、携帯電話機２９０の外観を表したものである。この携帯電話機２９０は、例えば、上側筐体２９１と下側筐体２９２とを連結部（ヒンジ部）２９３で連結したものであり、ディスプレイ２９４，サブディスプレイ２９５，ピクチャーライト２９６およびカメラ２９７を有している。ディスプレイ２９４またはサブディスプレイ２９５が上記実施の形態等の表示装置により構成されている。
【０１１２】
以上、実施の形態および変形例を挙げて本技術を説明したが、本技術はこれら実施の形態に限定されるものではなく、種々変形が可能である。
【０１１３】
例えば、上記実施の形態では、表示装置１，１Ａ〜１Ｆ，３０の構成を具体的に挙げて説明したが、表示装置１，１Ａ〜１Ｆ，３０は、図示した構成要素を全て備えるものに限定されるものではない。また、一部の構成要素を他の構成要素に置換することもできる。
【０１１４】
また、上記実施の形態において説明した各層の材料および厚み、または成膜方法および成膜条件等は限定されるものではなく、他の材料および厚みとしてもよく、または他の成膜方法および成膜条件としてもよい。例えば、上記実施の形態では、ＴＦＴ２０におけるチャネルとして酸化物半導体を用いたが、これに限らず、シリコンまたは有機半導体等を用いてもよい。各部の構成材料に応じて、ドライプロセスとウェットプロセスとを併用することも可能である。
【０１１５】
更にまた、上記実施の形態等では、発光層１４Ｃ以外の有機層１４を真空蒸着法を用いて形成する場合について説明したが、発光層１４Ｃ以外の有機層１４を印刷法を用いて形成するようにしてもよい。印刷法として、インクジェット法、ストライプ印刷法、スリット印刷法およびノズル印刷法に加えて、凸版印刷法、凹版印刷法、スクリーン印刷法およびマイクログラビアコート法等を用いるようにしてもよく、スピンコート法、ディッピング法、ドクターブレード法、吐出コート法およびスプレーコート法等の塗布法を用いて有機層１４を形成するようにしてもよい。発光層１４Ｃ以外の有機層１４を画素５毎に形成するようにしてもよい。
【０１１６】
なお、本明細書に記載された効果はあくまで例示であってこれに限定されるものではなく、また他の効果があってもよい。
【０１１７】
なお、本技術は以下のような構成も取ることができる。
（１）有機層形成領域と、前記有機層形成領域の外側に設けられた有機層非形成領域とを有する第１基板と、前記第１基板上の前記有機層形成領域と前記有機層非形成領域との間に設けられた第１隔壁とを備えた表示装置。
（２）前記有機層非形成領域には、外部接続用の端子が設けられている前記（１）に記載の表示装置。
（３）前記第１基板と対向する第２基板を有し、前記有機層非形成領域には、前記第２基板と前記第１基板との間の封止剤が設けられている前記（１）に記載の表示装置。
（４）前記第１基板上の前記有機層形成領域には、第１電極および第２電極が設けられ、前記第２電極は、前記第１基板上の前記有機層非形成領域に設けられた配線に電気的に接続されている前記（１）に記載の表示装置。
（５）前記第１電極と前記第２電極との間には、発光層を含む有機層が設けられている前記（４）に記載の表示装置。
（６）前記第１基板上の前記前記有機層形成領域の外側に第２隔壁を有し、前記第１隔壁と前記第２隔壁との間に、前記有機層非形成領域が設けられている前記（１）乃至（５）のうちいずれか１つに記載の表示装置。
（７）前記第１基板には複数の前記有機層非形成領域が設けられるとともに、複数の前記第１隔壁を有し、複数の前記第１隔壁のうちの少なくとも一部は、隣り合う前記有機層非形成領域の間に設けられている前記（１）乃至（６）のうちいずれか１つに記載の表示装置。
（８）前記第１隔壁は、有機材料により構成されている前記（１）乃至（７）のうちいずれか１つに記載の表示装置。
（９）前記有機層形成領域は、行列状に配置された複数の画素を有する画素領域である前記（１）乃至（８）のうちいずれか１つに記載の表示装置。
（１０）前記基板上の前記有機層形成領域に、画素間絶縁膜を有し、前記画素間絶縁膜は、前記第１隔壁の構成材料と同一の材料を含んでいる前記（９）に記載の表示装置。
（１１）前記複数の画素の列間領域に撥液領域を有している前記（９）または（１０）に記載の表示装置。
（１２）表示装置を備え、前記表示装置は、有機層形成領域と、前記有機層形成領域の外側に設けられた有機層非形成領域とを有する第１基板と、前記第１基板上の前記有機層形成領域と前記有機層非形成領域との間に設けられた第１隔壁とを含む電子機器。
【符号の説明】
【０１１８】
１，１Ａ，１Ｂ，１Ｃ，１Ｄ，１Ｅ，１Ｆ，３０・・・表示装置、１０・・・有機ＥＬ素子、１０Ｒ・・・赤色有機ＥＬ素子、１０Ｇ・・・緑色有機ＥＬ素子、１０Ｂ・・・青色有機ＥＬ素子、２・・・基板、３・・・画素領域、４・・・周辺領域、５・・・画素、５Ｒ・・・赤色画素、５Ｇ・・・緑色画素、５Ｂ・・・青色画素、６・・・端子領域、７・・・端子、８，８Ａ，８Ｂ・・・隔壁、１２・・・アノード電極、１３・・・画素間絶縁膜、１４・・・有機層、１５・・・カソード電極、１５Ａ・・・接続領域、１６・・・充てん層、１７・・・封止基板、１８・・・封止領域、１９・・・封止剤、２０・・・ＴＦＴ、２１・・・ゲート電極、２２・・・第１ゲート絶縁膜、２３・・・第２ゲート絶縁膜、２４・・・酸化物半導体層、２５・・・チャネル保護膜、２６・・・ソース・ドレイン電極、２７・・・パッシベーション膜、２８・・・平坦化膜、２９・・・配線、３１・・・絶縁層。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２Ａ】
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【図１２Ｂ】
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【図１３Ａ】
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【図１３Ｂ】
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【図１４Ａ】
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【図１４Ｂ】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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【図２５】
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【図２６】
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【図２７】
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【図２８】
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【図２９】
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【図３０】
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【図３１】
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【図３２】
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【図３３】
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【図３４】
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【図３５】
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【図３６】
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【図３７】
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【図３８】
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【図３９】
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