(57)【要約】【課題】表示品質の低下が抑えられた液晶装置、液晶装置の製造方法、及び電子機器を提供する。【解決手段】液晶層と、液晶層と電極（２７，３１）との間に無機配向膜Ｍと、を備え、無機配向膜Ｍは、酸化珪素を含む第１柱状構造物７１を有する第１無機配向膜Ｍ１と、第１柱状構造物７１の少なくとも一部を覆うように形成され、窒素を含む第２無機配向膜Ｍ２と、を有する。【選択図】図５
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
液晶層と、
前記液晶層と電極との間に無機配向膜と、を備え、
前記無機配向膜は、
酸化珪素を含む柱状構造物を有する第１蒸着膜と、
前記柱状構造物の少なくとも一部を覆うように形成され、窒素を含む第２蒸着膜と、
を有することを特徴とする液晶装置。
【請求項２】
請求項１に記載の液晶装置であって、
前記第１蒸着膜は、垂直蒸着膜であり、
前記第２蒸着膜は、斜方蒸着膜であることを特徴とする液晶装置。
【請求項３】
請求項１に記載の液晶装置であって、
前記第１蒸着膜及び前記第２蒸着膜は、斜方蒸着膜であることを特徴とする液晶装置。
【請求項４】
基材の上に電極を形成する工程と、
前記電極及び前記基材の上に酸化珪素を含む柱状構造物を有する第１蒸着膜を形成する工程と、
前記第１蒸着膜の少なくとも一部を覆うように窒素を含む第２蒸着膜を形成する工程と、
前記第２蒸着膜の上に液晶層を配置する工程と、
を有することを特徴とする液晶装置の製造方法。
【請求項５】
請求項４に記載の液晶装置の製造方法であって、
前記第１蒸着膜は、垂直蒸着法によって形成され、
前記第２蒸着膜は、斜方蒸着法によって形成されることを特徴とする液晶装置の製造方法。
【請求項６】
請求項４に記載の液晶装置の製造方法であって、
前記第１蒸着膜及び前記第２蒸着膜は、斜方蒸着法によって形成されることを特徴とする液晶装置の製造方法。
【請求項７】
請求項１乃至請求項３のいずれか一項に記載の液晶装置を備えることを特徴とする電子機器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、液晶装置、液晶装置の製造方法、及び電子機器に関する。
【背景技術】
【０００２】
上記液晶装置として、例えば、画素電極をスイッチング制御する素子としてトランジスターを画素ごとに備えたアクティブ駆動方式の液晶装置が知られている。液晶装置は、例えば、直視型ディスプレイやライトバルブなどにおいて用いられている。
【０００３】
液晶装置は、素子基板と対向基板との間に液晶層が挟持された構造となっている。素子基板の液晶層側の表面、及び対向基板の液晶層側の表面には、例えば、特許文献１に記載のように、酸化シリコン（ＳｉＯ2）等の無機材料を斜方蒸着した無機配向膜が設けられている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００３−１６７２５５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、斜方蒸着した無機配向膜の表面にシラノール基（ＯＨ基）が残っている場合、無機配向膜に光が照射されると、光化学反応を起こして配向規制力が低下し、表示品質が低下するという課題がある。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明の態様は、上記課題の少なくとも一部を解決するためになされたものであり、以下の形態又は適用例として実現することが可能である。
【０００７】
［適用例１］本適用例に係る液晶装置は、液晶層と、前記液晶層と電極との間に無機配向膜と、を備え、前記無機配向膜は、酸化珪素を含む柱状構造物を有する第１蒸着膜と、前記柱状構造物の少なくとも一部を覆うように形成され、窒素を含む第２蒸着膜と、を有することを特徴とする。
【０００８】
本適用例によれば、第１蒸着膜を構成する酸化珪素の表面に存在するシラノール基を、窒素を含む第２蒸着膜で覆うことにより、無機配向膜の表面にシラノール基が露出することを抑えることができる。よって、例えば、表面にシラノール基が存在する無機配向膜に光が照射された場合のように、光化学反応を起こして配向規制力が低下することを抑えることができる。その結果、表示品質が低下することを抑えることができる。
【０００９】
［適用例２］上記適用例に係る液晶装置において、前記第１蒸着膜は、垂直蒸着膜であり、前記第２蒸着膜は、斜方蒸着膜であることが好ましい。
【００１０】
本適用例によれば、１層目の第１蒸着膜が垂直蒸着なので、斜方蒸着のように電極の影となる部分に無機配向膜が設けられないことを抑えることができる。よって、配向特性を高めることができる。
【００１１】
［適用例３］上記適用例に係る液晶装置において、前記第１蒸着膜及び前記第２蒸着膜は、斜方蒸着膜であることが好ましい。
【００１２】
本適用例によれば、１層目の第１蒸着膜と２層目の第２蒸着膜が同じ方向からの斜方蒸着であるので、配向方向を維持させることができる。
【００１３】
［適用例４］本適用例に係る液晶装置の製造方法は、基材の上に電極を形成する工程と、前記電極及び前記基材の上に酸化珪素を含む柱状構造物を有する第１蒸着膜を形成する工程と、前記第１蒸着膜の少なくとも一部を覆うように窒素を含む第２蒸着膜を形成する工程と、前記第２蒸着膜の上に液晶層を配置する工程と、を有することを特徴とする。
【００１４】
本適用例によれば、酸化珪素を含む第１蒸着膜の上に窒素を含む第２蒸着膜を形成するので、酸化珪素の表面に存在するシラノール基を、窒素を含む第２蒸着膜で覆うことができる。よって、無機配向膜の表面にシラノール基が露出することを抑えることができる。これにより、例えば、表面にシラノール基が存在する無機配向膜に光が照射された場合のように、光化学反応を起こして配向規制力が低下することを抑えることができる。その結果、表示品質が低下することを抑えることができる。
【００１５】
［適用例５］上記適用例に係る液晶装置の製造方法において、前記第１蒸着膜は、垂直蒸着法によって形成され、前記第２蒸着膜は、斜方蒸着法によって形成されることが好ましい。
【００１６】
本適用例によれば、１層目の第１蒸着膜を垂直蒸着で形成するので、斜方蒸着のように電極の影となる部分に無機配向膜が形成されないことを抑えることができる。よって、配向特性を高めることができる。
【００１７】
［適用例６］上記適用例に係る液晶装置の製造方法において、前記第１蒸着膜及び前記第２蒸着膜は、斜方蒸着法によって形成されることが好ましい。
【００１８】
本適用例によれば、１層目の第１蒸着膜と２層目の第２蒸着膜を同じ方向からの斜方蒸着で形成するので、配向方向を維持させることができる。
【００１９】
［適用例７］本適用例に係る電子機器は、上記の液晶装置を備えることを特徴とする。
【００２０】
本適用例によれば、上記液晶装置を備えているので、表示品質の低下が抑えられた電子機器を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００２１】
【図１】第１実施形態の液晶装置の構成を示す模式平面図。
【図２】図１に示す液晶装置のＨ−Ｈ’線に沿う模式断面図。
【図３】液晶装置の電気的な構成を示す等価回路図。
【図４】液晶装置のうち主に画素の構造を示す模式断面図。
【図５】無機配向膜の柱状構造物（カラム）の構造を示す模式断面図。
【図６】無機配向膜の表面の状態を、従来と本実施形態とを比較した図。
【図７】液晶装置を構成する素子基板（被処理基板）や対向基板（被処理基板）に膜を蒸着処理する蒸着装置の構成を示す模式図。
【図８】液晶装置の製造方法を工程順に示すフローチャート。
【図９】無機配向膜の形成方法を示す模式断面図。
【図１０】液晶装置を備えた投射型表示装置の構成を示す概略図。
【図１１】第２実施形態の液晶装置の構造を示す模式断面図。
【図１２】無機配向膜の製造方法を工程順に示す模式断面図。
【図１３】第３実施形態の液晶装置の構造を示す模式断面図。
【図１４】無機配向膜の製造方法を工程順に示す模式断面図。
【図１５】第４実施形態の液晶装置の構造を示す模式断面図。
【図１６】無機配向膜の製造方法を工程順に示す模式断面図。
【図１７】変形例１の一例である無機配向膜の構造を示す模式断面図。
【図１８】変形例１の一例である無機配向膜の構造を示す模式断面図。
【発明を実施するための形態】
【００２２】
以下、本発明を具体化した実施形態について図面に従って説明する。なお、使用する図面は、説明する部分が認識可能な状態となるように、適宜拡大または縮小して表示している。
【００２３】
なお、以下の形態において、例えば「基板上に」と記載された場合、基板の上に接するように配置される場合、または基板の上に他の構成物を介して配置される場合、または基板の上に一部が接するように配置され、一部が他の構成物を介して配置される場合を表すものとする。
【００２４】
本実施形態では、液晶装置の一例として、薄膜トランジスター（ＴＦＴ：Thin Film Transistor）を画素のスイッチング素子として備えたアクティブマトリックス型の液晶装置を例に挙げて説明する。この液晶装置は、例えば、後述する投射型表示装置（液晶プロジェクター）の光変調素子（液晶ライトバルブ）として好適に用いることができるものである。
【００２５】
（第１実施形態）
＜液晶装置の構成＞
図１は、液晶装置の構成を示す模式平面図である。図２は、図１に示す液晶装置のＨ−Ｈ’線に沿う模式断面図である。図３は、液晶装置の電気的な構成を示す等価回路図である。以下、液晶装置の構成を、図１〜図３を参照しながら説明する。
【００２６】
図１及び図２に示すように、本実施形態の液晶装置１００は、対向配置された素子基板１０及び対向基板２０と、これら一対の基板によって挟持された液晶層１５とを有する。素子基板１０を構成する第１基材１０ａは、例えば、ガラス基板、石英基板、シリコン基板などの基板が用いられている。対向基板２０を構成する第２基材２０ａは、例えば、ガラス基板、石英基板などの透明基板が用いられている。
【００２７】
素子基板１０は対向基板２０よりも大きく、両基板は、対向基板２０の外周に沿って配置されたシール材１４を介して接合されている。その隙間に、正または負の誘電異方性を有する液晶が封入されて液晶層１５を構成している。
【００２８】
シール材１４は、例えば、熱硬化性又は紫外線硬化性のエポキシ樹脂などの接着剤が採用されている。シール材１４には、一対の基板の間隔を一定に保持するためのスペーサー（ガラスビーズ）が混入されている。ガラスビーズは、セルギャップを出すために用いられる。
【００２９】
シール材１４の内側には、表示に寄与する複数の画素Ｐが配列した画素領域の一例である表示領域Ｅが設けられている。表示領域Ｅの周囲には、表示に寄与しないダミー画素領域（図示せず）が設けられている。また、図１及び図２では図示を省略したが、表示領域Ｅにおいて複数の画素Ｐをそれぞれ平面的に区分する遮光部（ブラックマトリックス：ＢＭ）が対向基板２０に設けられている。
【００３０】
素子基板１０の１辺部に沿ったシール材１４と該１辺部との間に、データ線駆動回路２２が設けられている。また、該１辺部に対向する他の１辺部に沿ったシール材１４と表示領域Ｅとの間に、検査回路２５が設けられている。
【００３１】
さらに、該１辺部と直交し互いに対向する他の２辺部に沿ったシール材１４と表示領域Ｅとの間に走査線駆動回路２４が設けられている。該１辺部と対向する他の１辺部に沿ったシール材１４と検査回路２５との間には、２つの走査線駆動回路２４を繋ぐ複数の配線２９が設けられている。
【００３２】
対向基板２０側における額縁状に配置されたシール材１４の内側には、同じく額縁状に遮光膜１８（見切り部）が設けられている。遮光膜１８は、例えば、遮光性の金属あるいは金属酸化物などからなり、遮光膜１８の内側が複数の画素Ｐを有する表示領域Ｅとなっている。
【００３３】
これらデータ線駆動回路２２、走査線駆動回路２４に繋がる配線は、該１辺部に沿って配列した複数の外部接続用端子６１に接続されている。以降、該１辺部に沿った方向をＸ方向とし、該１辺部と直交し互いに対向する他の２辺部に沿った方向をＹ方向として説明する。なお、検査回路２５の配置はこれに限定されず、データ線駆動回路２２に沿ったシール材１４と表示領域Ｅとの間に設けてもよい。
【００３４】
図２に示すように、第１基材１０ａの液晶層１５側の表面には、画素Ｐごとに設けられた透光性又は反射性の画素電極２７およびスイッチング素子の一例である薄膜トランジスター（ＴＦＴ：Thin Film Transistor、以降、「ＴＦＴ３０」と呼称する）と、信号配線と、これらを覆う無機配向膜２８とが形成されている。
【００３５】
また、ＴＦＴ３０における半導体層に光が入射してスイッチング動作が不安定になることを防ぐ遮光構造が採用されている。本発明における素子基板１０は、少なくとも画素電極２７、ＴＦＴ３０、信号配線、無機配向膜２８を含むものである。
【００３６】
対向基板２０の液晶層１５側の表面には、遮光膜１８と、これを覆うように成膜された絶縁層３３と、絶縁層３３を覆うように設けられた対向電極３１と、対向電極３１を覆う無機配向膜３２とが設けられている。本発明における対向基板２０は、少なくとも遮光膜１８、対向電極３１、無機配向膜３２を含むものである。
【００３７】
遮光膜１８は、図１に示すように、表示領域Ｅを取り囲むと共に、平面的に走査線駆動回路２４、検査回路２５と重なる位置に設けられている。これにより対向基板２０側からこれらの駆動回路を含む周辺回路に入射する光を遮蔽して、周辺回路が光によって誤動作することを防止する役目を果たしている。また、不必要な迷光が表示領域Ｅに入射しないように遮蔽して、表示領域Ｅの表示における高いコントラストを確保している。
【００３８】
絶縁層３３は、例えば、酸化シリコンなどの無機材料からなり、光透過性を有して遮光膜１８を覆うように設けられている。このような絶縁層３３の形成方法としては、例えばプラズマＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）法などを用いて成膜する方法が挙げられる。
【００３９】
対向電極３１は、例えばＩＴＯ（Indium Tin Oxide）などの透明導電膜からなり、絶縁層３３を覆うと共に、図１に示すように対向基板２０の四隅に設けられた上下導通部２６により素子基板１０側の配線に電気的に接続している。
【００４０】
画素電極２７を覆う無機配向膜２８および対向電極３１を覆う無機配向膜３２は、液晶装置１００の光学設計に基づいて選定される。無機配向膜２８，３２としては、気相成長法を用いてＳｉＯｘ（酸化シリコン）などの無機材料を成膜して、負の誘電異方性を有する液晶分子に対して略垂直配向させた無機配向膜が挙げられる。
【００４１】
このような液晶装置１００は、例えば透過型であって、電圧が印加されない時の画素Ｐの透過率が電圧印加時の透過率よりも大きいノーマリーホワイトや、電圧が印加されない時の画素Ｐの透過率が電圧印加時の透過率よりも小さいノーマリーブラックモードの光学設計が採用される。光の入射側と射出側とにそれぞれ偏光素子が光学設計に応じて配置されて用いられる。
【００４２】
図３に示すように、液晶装置１００は、少なくとも表示領域Ｅにおいて互いに絶縁されて直交する複数の走査線３ａおよび複数のデータ線６ａと、容量線３ｂとを有する。走査線３ａが延在する方向がＸ方向であり、データ線６ａが延在する方向がＹ方向である。
【００４３】
走査線３ａとデータ線６ａならびに容量線３ｂと、これらの信号線類により区分された領域に、画素電極２７と、ＴＦＴ３０と、容量素子１６とが設けられ、これらが画素Ｐの画素回路を構成している。
【００４４】
走査線３ａはＴＦＴ３０のゲートに電気的に接続され、データ線６ａはＴＦＴ３０のデータ線側ソースドレイン領域（一方のソースドレイン領域）に電気的に接続されている。画素電極２７は、ＴＦＴ３０の画素電極側ソースドレイン領域（他方のソースドレイン領域）に電気的に接続されている。
【００４５】
データ線６ａは、データ線駆動回路２２（図１参照）に電気的に接続されており、データ線駆動回路２２から供給される画像信号Ｄ１，Ｄ２，…，Ｄｎを画素Ｐに供給する。走査線３ａは、走査線駆動回路２４（図１参照）に接続されており、走査線駆動回路２４から供給される走査信号ＳＣ１，ＳＣ２，…，ＳＣｍを各画素Ｐに供給する。
【００４６】
データ線駆動回路２２からデータ線６ａに供給される画像信号Ｄ１〜Ｄｎは、この順に線順次で供給してもよく、互いに隣り合う複数のデータ線６ａ同士に対してグループごとに供給してもよい。走査線駆動回路２４は、走査線３ａに対して、走査信号ＳＣ１〜ＳＣｍを所定のタイミングでパルス的に線順次で供給する。
【００４７】
液晶装置１００は、スイッチング素子であるＴＦＴ３０が走査信号ＳＣ１〜ＳＣｍの入力により一定期間だけオン状態とされることで、データ線６ａから供給される画像信号Ｄ１〜Ｄｎが所定のタイミングで画素電極２７に書き込まれる構成となっている。そして、画素電極２７を介して液晶層１５に書き込まれた所定レベルの画像信号Ｄ１〜Ｄｎは、画素電極２７と液晶層１５を介して対向配置された対向電極３１との間で一定期間保持される。
【００４８】
保持された画像信号Ｄ１〜Ｄｎがリークするのを防止するため、画素電極２７と対向電極３１との間に形成される液晶容量と並列に容量素子１６が接続されている。容量素子１６は、ＴＦＴ３０の画素電極側ソースドレイン領域と容量線３ｂとの間に設けられている。容量素子１６は、２つの容量電極の間に誘電体層を有するものである。
【００４９】
＜液晶装置を構成する画素の構成＞
図４は、液晶装置のうち主に画素の構造を示す模式断面図である。以下、液晶装置のうち画素の構造を、図４を参照しながら説明する。なお、図４は、各構成要素の断面的な位置関係を示すものであり、明示可能な尺度で表されている。
【００５０】
図４に示すように、液晶装置１００は、素子基板１０と、これに対向配置される対向基板２０とを備えている。素子基板１０を構成する第１基材１０ａ、及び対向基板２０を構成する第２基材２０ａは、例えば、石英基板等によって構成されている。
【００５１】
図４に示すように、第１基材１０ａ上には、例えば、Ａｌ（アルミニウム）、Ｔｉ（チタン）、Ｃｒ（クロム）、Ｗ（タングステン）等の材料を含む下側遮光膜３ｃが形成されている。下側遮光膜３ｃは、平面的に格子状にパターニングされており、各画素Ｐの開口領域を規定している。なお、下側遮光膜３ｃは、導電性を有し、走査線３ａの一部として機能するようにしてもよい。第１基材１０ａ及び下側遮光膜３ｃ上には、酸化シリコン等からなる下地絶縁層１１ａが形成されている。
【００５２】
下地絶縁層１１ａ上には、ＴＦＴ３０及び走査線３ａ等が形成されている。ＴＦＴ３０は、例えば、ＬＤＤ（Lightly Doped Drain）構造を有しており、ポリシリコン（高純度の多結晶シリコン）等からなる半導体層３０ａと、半導体層３０ａ上に形成されたゲート絶縁層１１ｇと、ゲート絶縁層１１ｇ上に形成されたポリシリコン膜等からなるゲート電極３０ｇとを有する。走査線３ａは、ゲート電極３０ｇとしても機能する。
【００５３】
半導体層３０ａは、例えば、リン（Ｐ）イオン等のＮ型の不純物イオンが注入されることにより、Ｎ型のＴＦＴ３０として形成されている。具体的には、半導体層３０ａは、チャネル領域３０ｃと、データ線側ＬＤＤ領域３０ｓ１と、データ線側ソースドレイン領域３０ｓと、画素電極側ＬＤＤ領域３０ｄ１と、画素電極側ソースドレイン領域３０ｄとを備えている。
【００５４】
チャネル領域３０ｃには、ボロン（Ｂ）イオン等のＰ型の不純物イオンがドープされている。その他の領域（３０ｓ１，３０ｓ，３０ｄ１，３０ｄ）には、リン（Ｐ）イオン等のＮ型の不純物イオンがドープされている。このように、ＴＦＴ３０は、Ｎ型のＴＦＴとして形成されている。
【００５５】
ゲート電極３０ｇ及びゲート絶縁層１１ｇ上には、酸化シリコン等からなる第１層間絶縁層１１ｂが形成されている。第１層間絶縁層１１ｂ上には、容量素子１６が設けられている。具体的には、ＴＦＴ３０の画素電極側ソースドレイン領域３０ｄ及び画素電極２７に電気的に接続された画素電位側容量電極としての第１容量電極１６ａと、固定電位側容量電極としての容量線３ｂ（第２容量電極１６ｂ）の一部とが、誘電体膜１６ｃを介して対向配置されることにより、容量素子１６が形成されている。
【００５６】
誘電体膜１６ｃは、例えば、シリコン窒化膜である。第２容量電極１６ｂ（容量線３ｂ）は、例えば、Ｔｉ（チタン）、Ｃｒ（クロム）、Ｗ（タングステン）、Ｔａ（タンタル）、Ｍｏ（モリブデン）等の高融点金属のうち少なくとも一つを含む、金属単体、合金、金属シリサイド、ポリシリサイド、これらを積層したもの等からなる。或いは、Ａｌ（アルミニウム）膜から形成することも可能である。
【００５７】
第１容量電極１６ａは、例えば、導電性のポリシリコン膜からなり容量素子１６の画素電位側容量電極として機能する。ただし、第１容量電極１６ａは、容量線３ｂと同様に、金属又は合金を含む単一層膜又は多層膜から構成してもよい。第１容量電極１６ａは、画素電位側容量電極としての機能のほか、コンタクトホールＣＮＴ１，ＣＮＴ３，ＣＮＴ４を介して、画素電極２７とＴＦＴ３０の画素電極側ソースドレイン領域３０ｄ（他方のソースドレイン領域）とを中継接続する機能を有する。
【００５８】
容量素子１６上には、第２層間絶縁層１１ｃを介してデータ線６ａが形成されている。データ線６ａは、ゲート絶縁層１１ｇ、第１層間絶縁層１１ｂ、誘電体膜１６ｃ、及び第２層間絶縁層１１ｃに開孔されたコンタクトホールＣＮＴ２を介して、半導体層３０ａのデータ線側ソースドレイン領域３０ｓ（一方のソースドレイン領域）に電気的に接続されている。
【００５９】
データ線６ａの上層には、第３層間絶縁層１１ｄを介して画素電極２７が形成されている。第３層間絶縁層１１ｄは、例えば、シリコンの酸化物や窒化物からなり、ＴＦＴ３０が設けられた領域を覆うことによって生じる表面の凸部を平坦化する平坦化処理が施される。平坦化処理の方法としては、例えば化学的機械的研磨処理（Chemical Mechanical Polishing：ＣＭＰ処理）やスピンコート処理などが挙げられる。第３層間絶縁層１１ｄには、コンタクトホールＣＮＴ４が形成されている。
【００６０】
電極の一例である画素電極２７は、コンタクトホールＣＮＴ４，ＣＮＴ３を介して第１容量電極１６ａに接続されることにより、半導体層３０ａの画素電極側ソースドレイン領域３０ｄに電気的に接続されている。なお、画素電極２７は、例えば、ＩＴＯ膜等の透明導電膜又はＡｌ膜等の光反射性を有する金属膜から形成されている。
【００６１】
画素電極２７及び隣り合う画素電極２７間の第３層間絶縁層１１ｄ上には、酸化シリコン（ＳｉＯ2）などの無機材料を斜方蒸着した無機配向膜２８が設けられている。無機配向膜２８上には、シール材１４（図１及び図２参照）により囲まれた空間に液晶等が封入された液晶層１５が設けられている。
【００６２】
一方、第２基材２０ａ上（液晶層１５側）には、例えば、ＰＳＧ膜（リンをドーピングした酸化シリコン）などからなる絶縁層３３が設けられている。絶縁層３３上には、その全面に渡って対向電極３１が設けられている。対向電極３１上には、酸化シリコン（ＳｉＯ2）などの無機材料を斜方蒸着した無機配向膜３２が設けられている。対向電極３１は、上述の画素電極２７と同様に、例えばＩＴＯ膜等の透明導電膜からなる。
【００６３】
液晶層１５は、画素電極２７と対向電極３１との間で電界が生じていない状態で無機配向膜２８，３２によって所定の配向状態をとる。シール材１４は、素子基板１０及び対向基板２０を貼り合わせるための、例えば光硬化性樹脂や熱硬化性樹脂からなる接着剤であり、素子基板１０と対向基板２０の距離を所定値とするためのグラスファイバー或いはガラスビーズ等のスペーサーが混入されている。
【００６４】
＜無機配向膜の構造＞
図５は、無機配向膜の柱状構造物（カラム）の構造を示す模式断面図である。図６は、無機配向膜の表面の状態を、従来と本実施形態とを比較した図である。以下、無機配向膜の構造及び表面の状態を、図５及び図６を参照しながら説明する。なお、素子基板１０側の無機配向膜と、対向基板２０側の無機配向膜とは、同じ構造である。よって、以降、無機配向膜２８，３２をＭとして、無機配向膜Ｍの構造の説明をする。
【００６５】
図５に示すように、無機配向膜Ｍは、素子基板１０上に形成された第１蒸着膜としての第１無機配向膜Ｍ１と、第１無機配向膜Ｍ１を覆うように形成された第２蒸着膜としての第２無機配向膜Ｍ２とを備えている。第１無機配向膜Ｍ１は、酸化珪素を含む材料であり、例えば、酸化シリコン（ＳｉＯ2）である。第２無機配向膜Ｍ２は、窒素を含む材料であり、例えば、窒化シリコン（ＳｉＮ）である。
【００６６】
また、第１無機配向膜Ｍ１は、斜方蒸着法により、素子基板１０の表面１０ｂに対して傾斜して第１柱状構造物７１が形成されている。第２無機配向膜Ｍ２は、第１無機配向膜Ｍ１と同様に、第１柱状構造物７１が延在する方向に沿って傾斜して第２柱状構造物７２が形成されている。本実施形態では、第２柱状構造物７２は、第１柱状構造物７１の先端部分を覆うように形成されている。
【００６７】
このように、斜方蒸着膜である第１無機配向膜Ｍ１の上に斜方蒸着膜である第２無機配向膜Ｍ２が積層されて構成されていることにより、図６に示すように、酸化シリコンで構成された第１無機配向膜Ｍ１の表面にシラノール基（ＯＨ基）が存在しても、第１無機配向膜Ｍ１を覆うように窒化シリコンで構成された第２無機配向膜Ｍ２を形成するので、無機配向膜Ｍの表面にシラノール基が露出することを抑えることができる（無機配向膜Ｍの表面のシラノール基を少なくすることができる）。
【００６８】
よって、多くのシラノール基が存在する無機配向膜Ｍに光が照射された場合のように、光化学反応を起こして配向規制力が低下することを抑えることができる。その結果、表示品質が低下することを抑えることができる。
【００６９】
＜蒸着装置の構造＞
図７は、液晶装置を構成する素子基板（被処理基板）や対向基板（被処理基板）に膜を蒸着処理する蒸着装置の構成を示す模式図である。以下、蒸着装置の構造を、図７を参照しながら説明する。
【００７０】
図７に示すように、蒸着装置４０は、素子基板１０や対向基板２０（以降、基板としての「被処理基板Ｗ」と称する。）に無機配向膜Ｍを形成する装置である。蒸着装置４０は、例えば、真空槽としてのチャンバー４１と、防着板４２と、成膜室４３と、蒸着源４４と、電子銃４５と、シャッター４６と、減圧装置４７と、を備えている。
【００７１】
チャンバー４１は、内部に被処理基板Ｗを収容可能な容器である。例えば、ステンレスなどの金属からなる。チャンバー４１は、密閉可能に構成されており、配管５１を介して接続される減圧装置４７によって内部を減圧可能に構成されている。
【００７２】
チャンバー４１の内部には、チャンバー４１の内壁に無機配向膜Ｍが付着することを抑える防着板４２が、チャンバー４１の内壁に沿うように配置されている。防着板４２で囲まれた空間が、蒸着処理を行う成膜室４３となる。
【００７３】
成膜室４３の下方中央には、蒸着材料５２ａが入れられた蒸着源４４と、蒸着材料５２ａを昇華させるための電子銃４５と、蒸着処理を開始又は停止させるシャッター４６とが備えられている。なお、電子銃４５に限定されず、蒸着材料５２ａを蒸発又は昇華させるものであればよく、抵抗加熱、レーザーなど他の加熱手段を用いるようにしてもよい。
【００７４】
蒸着材料５２ａは、第１無機配向膜Ｍ１を形成するときは酸化シリコン（ＳｉＯ2）であり、第２無機配向膜Ｍ２を形成するときは窒化シリコン（ＳｉＮ）である。
【００７５】
減圧装置４７は、配管５１を介して成膜室４３に接続されている。減圧装置４７は、成膜室４３内の気体を外部に排出して、成膜室４３内の圧力を大気圧よりも低下させることができるように構成されている。減圧装置４７としては、例えば、コンプレッサー等を用いることができる。減圧装置４７は、図示しない制御装置に接続されており、成膜室４３内を所定の圧力に維持できるように構成されている。
【００７６】
成膜室４３における蒸着源４４の上方には、被処理基板Ｗが配置されている。被処理基板Ｗは、図示しない保持手段によって、所望の角度に保持される。なお、保持手段は、被処理基板Ｗの表面に対して斜方蒸着、又は垂直蒸着をすることができるように、被処理基板Ｗの角度を可変することが可能になっている。そして被処理基板Ｗの表面には、蒸着材料５２ａが斜方蒸着されて無機配向膜Ｍが形成される。
【００７７】
＜液晶装置の製造方法＞
図８は、液晶装置の製造方法を工程順に示すフローチャートである。図９は、無機配向膜（柱状構造物（カラム））の形成方法を示す模式断面図である。以下、液晶装置の製造方法、及び無機配向膜の形成方法を、図８及び図９を参照しながら説明する。
【００７８】
最初に、素子基板１０側の製造方法を説明する。ステップＳ１１では、ガラス基板などからなる第１基材１０ａ上にＴＦＴ３０等を形成する。具体的には、周知の成膜技術、フォトリソグラフィ技術及びエッチング技術を用いて、第１基材１０ａ上にＴＦＴ３０などを形成する。
【００７９】
ステップＳ１２では、画素電極２７を形成する。具体的には、第３層間絶縁層１１ｄ上に、ＩＴＯ膜などからなる画素電極２７を、公知のフォトリソグラフィ技術及びエッチング技術を用いて形成する。
【００８０】
ステップＳ１３では、第１無機配向膜Ｍ１を形成する。具体的には、図７に示す蒸着装置４０を用いて画素電極２７などを覆うように第１無機配向膜Ｍ１を斜方蒸着法により形成する。
【００８１】
第１無機配向膜Ｍ１の蒸着材料５２ａは、酸化シリコン（ＳｉＯ2）である。これにより、図９（ａ）に示すように、素子基板１０の表面に、所定の角度に傾くように柱状に積み重ねられた第１柱状構造物７１を有する第１無機配向膜Ｍ１が形成される。
【００８２】
ステップＳ１４では、第１無機配向膜Ｍ１の上に第２無機配向膜Ｍ２を形成する。第２無機配向膜Ｍ２の製造方法としては、窒化シリコン（ＳｉＮ）などの無機材料を斜方蒸着する。これにより、図９（ｂ）に示すように、第１柱状構造物７１の先端部分を覆うように第２柱状構造物７２が形成される。
【００８３】
これにより、第１無機配向膜Ｍ１の表面に多く存在するシラノール基（ＯＨ基）を、窒化シリコンで覆うことが可能となり、無機配向膜Ｍの表面に露出するシラノール基を少なくすることができる。以上により、素子基板１０側が完成する。次に、対向基板２０側の製造方法を説明する。
【００８４】
まず、ステップＳ２１では、ガラス基板等の透光性材料からなる第２基材２０ａ上に、周知の成膜技術、フォトリソグラフィ技術及びエッチング技術を用いて、対向電極３１を形成する。
【００８５】
ステップＳ２２では、対向電極３１上に第１無機配向膜Ｍ１を形成する。第１無機配向膜Ｍ１の製造方法は、上記した素子基板１０側の第１無機配向膜Ｍ１と同様であり、例えば、斜方蒸着法を用いて形成する。
【００８６】
ステップＳ２３では、第１無機配向膜Ｍ１の上に第２無機配向膜Ｍ２を形成する。第２無機配向膜Ｍ２の製造方法は、上記した素子基板１０側の第２無機配向膜Ｍ２と同様である。
【００８７】
これにより、図６に示すように、従来と比較して、無機配向膜Ｍの表面にＯＨ基が残ることを抑えることができる（ＯＨ基を少なくすることができる）。以上により、対向基板２０側が完成する。次に、素子基板１０と対向基板２０とを貼り合わせる方法を説明する。
【００８８】
ステップＳ３１では、素子基板１０上にシール材１４を塗布する。詳しくは、素子基板１０とディスペンサー（吐出装置でも可能）との相対的な位置関係を変化させて、素子基板１０における表示領域Ｅの周縁部に（表示領域Ｅを囲むように）シール材１４を塗布する。
【００８９】
ステップＳ３２では、素子基板１０と対向基板２０とを貼り合わせる。具体的には、素子基板１０に、塗布されたシール材１４を介して素子基板１０と対向基板２０とを貼り合わせる。
【００９０】
ステップＳ３３では、液晶注入口（図示せず）から構造体の内部に液晶を注入し、その後、液晶注入口を封止する。封止には、例えば、樹脂等の封止材が用いられる。以上により、液晶装置１００が完成する。
【００９１】
次に、本実施形態の電子機器としての投射型表示装置について、図１０を参照しながら説明する。図１０は、上記した液晶装置を備えた投射型表示装置の構成を示す概略図である。
【００９２】
図１０に示すように、本実施形態の投射型表示装置１０００は、システム光軸Ｌに沿って配置された偏光照明装置１１００と、光分離素子としての２つのダイクロイックミラー１１０４，１１０５と、３つの反射ミラー１１０６，１１０７，１１０８と、５つのリレーレンズ１２０１，１２０２，１２０３，１２０４，１２０５と、３つの光変調手段としての透過型の液晶ライトバルブ１２１０，１２２０，１２３０と、光合成素子としてのクロスダイクロイックプリズム１２０６と、投射レンズ１２０７とを備えている。
【００９３】
偏光照明装置１１００は、超高圧水銀灯やハロゲンランプなどの白色光源からなる光源としてのランプユニット１１０１と、インテグレーターレンズ１１０２と、偏光変換素子１１０３とから概略構成されている。
【００９４】
ダイクロイックミラー１１０４は、偏光照明装置１１００から射出された偏光光束のうち、赤色光（Ｒ）を反射させ、緑色光（Ｇ）と青色光（Ｂ）とを透過させる。もう１つのダイクロイックミラー１１０５は、ダイクロイックミラー１１０４を透過した緑色光（Ｇ）を反射させ、青色光（Ｂ）を透過させる。
【００９５】
ダイクロイックミラー１１０４で反射した赤色光（Ｒ）は、反射ミラー１１０６で反射した後にリレーレンズ１２０５を経由して液晶ライトバルブ１２１０に入射する。ダイクロイックミラー１１０５で反射した緑色光（Ｇ）は、リレーレンズ１２０４を経由して液晶ライトバルブ１２２０に入射する。ダイクロイックミラー１１０５を透過した青色光（Ｂ）は、３つのリレーレンズ１２０１，１２０２，１２０３と２つの反射ミラー１１０７，１１０８とからなる導光系を経由して液晶ライトバルブ１２３０に入射する。
【００９６】
液晶ライトバルブ１２１０，１２２０，１２３０は、クロスダイクロイックプリズム１２０６の色光ごとの入射面に対してそれぞれ対向配置されている。液晶ライトバルブ１２１０，１２２０，１２３０に入射した色光は、映像情報（映像信号）に基づいて変調されクロスダイクロイックプリズム１２０６に向けて射出される。
【００９７】
このプリズムは、４つの直角プリズムが貼り合わされ、その内面に赤色光を反射する誘電体多層膜と青色光を反射する誘電体多層膜とが十字状に形成されている。これらの誘電体多層膜によって３つの色光が合成されて、カラー画像を表す光が合成される。合成された光は、投射光学系である投射レンズ１２０７によってスクリーン１３００上に投射され、画像が拡大されて表示される。
【００９８】
液晶ライトバルブ１２１０は、上述した液晶装置１００が適用されたものである。液晶装置１００は、色光の入射側と射出側とにおいてクロスニコルに配置された一対の偏光素子の間に隙間を置いて配置されている。他の液晶ライトバルブ１２２０，１２３０も同様である。
【００９９】
このような投射型表示装置１０００によれば、液晶ライトバルブ１２１０，１２２０，１２３０を用いているので、高い電気的な信頼性を得ることができる。
【０１００】
なお、液晶装置１００が搭載される電子機器としては、投射型表示装置１０００の他、ＥＶＦ（Electrical View Finder）、モバイルミニプロジェクター、ヘッドアップディスプレイ、スマートフォン、携帯電話、モバイルコンピューター、デジタルカメラ、デジタルビデオカメラ、ディスプレイ、車載機器、オーディオ機器、露光装置や照明機器など各種電子機器に用いることができる。
【０１０１】
以上詳述したように、第１実施形態の液晶装置１００、液晶装置１００の製造方法、及び電子機器によれば、以下に示す効果が得られる。
【０１０２】
（１）第１実施形態の液晶装置１００、及び液晶装置１００の製造方法によれば、酸化シリコンで構成される第１無機配向膜Ｍ１の表面に存在するシラノール基を、窒化シリコンを含む第２無機配向膜Ｍ２で覆うことにより、無機配向膜Ｍの表面にシラノール基が露出することを抑えることができる。よって、例えば、表面にシラノール基が存在する無機配向膜Ｍに光が照射された場合のように、光化学反応を起こして配向規制力が低下することを抑えることができる。その結果、表示品質が低下することを抑えることができる。
【０１０３】
（２）第１実施形態の液晶装置１００、及び液晶装置の製造方法によれば、１層目の第１無機配向膜Ｍ１と２層目の第２無機配向膜Ｍ２とを同じ方向からの斜方蒸着で形成するので、配向方向を維持させることができる。
【０１０４】
（３）第１実施形態の電子機器によれば、上記液晶装置１００を備えているので、表示品質の低下が抑えられた電子機器を提供することができる。
【０１０５】
（第２実施形態）
＜液晶装置の構成、及び液晶装置の製造方法＞
図１１は、第２実施形態の液晶装置の構造を示す模式断面図である。図１２は、液晶装置の製造方法のうち無機配向膜の製造方法を工程順に示す模式断面図である。以下、液晶装置、及び液晶装置の製造方法について、図１１及び図１２を参照しながら説明する。
【０１０６】
第２実施形態の液晶装置２００は、上述の第１実施形態の液晶装置１００と比べて、第１無機配向膜Ｍ１が素子基板１０の表面１０ｂに対して垂直に形成されている部分が異なり、その他の部分については概ね同様である。このため第２実施形態では、第１実施形態と異なる部分について詳細に説明し、その他の重複する部分については適宜説明を省略する。
【０１０７】
図１１に示すように、第２実施形態の液晶装置２００は、素子基板１０上に形成された酸化シリコンで構成された垂直蒸着膜である第１無機配向膜Ｍ１と、第１無機配向膜Ｍ１上に形成された窒化シリコンで構成された斜方蒸着膜である第２無機配向膜Ｍ２とを有する。
【０１０８】
無機配向膜Ｍの形成方法としては、図１２（ａ）に示すように、まず、素子基板１０の表面１０ｂに対して酸化シリコンの第１柱状構造物７１が垂直に形成されるように垂直蒸着する。
【０１０９】
次に、図１２（ｂ）に示すように、第１無機配向膜Ｍ１上に、窒化シリコンの第２柱状構造物７２を斜方蒸着法により、素子基板１０の表面１０ｂに対して傾斜するように蒸着する。
【０１１０】
このように、素子基板１０の表面１０ｂに対し垂直に垂直蒸着膜である第１無機配向膜Ｍ１を形成することにより、例えば、斜方蒸着のように画素電極２７（図２、図４参照）の影となる部分に第１無機配向膜Ｍ１が形成されないことを抑えることができる。よって、配向特性を高めることができる。
【０１１１】
加えて、第１無機配向膜Ｍ１の上に第２無機配向膜Ｍ２を形成することにより、酸化シリコンで構成された第１無機配向膜Ｍ１の表面にシラノール基（ＯＨ基）が存在しても、第１無機配向膜Ｍ１を覆うように窒化シリコンで構成された第２無機配向膜Ｍ２を形成するので、無機配向膜Ｍの表面にシラノール基が露出することを抑えることができる（表面のシラノール基を少なくすることができる）。
【０１１２】
以上詳述したように、第２実施形態の液晶装置２００、液晶装置２００の製造方法によれば、上記した（１）の効果に加えて、以下に示す効果が得られる。
【０１１３】
（４）第２実施形態の液晶装置２００によれば、１層目の第１無機配向膜Ｍ１を垂直蒸着で形成するので、例えば、斜方蒸着のように画素電極２７の影となる部分に無機配向膜Ｍが設けられないことを抑えることができる。よって、配向特性を高めることができる。
【０１１４】
（第３実施形態）
＜液晶装置、及び液晶装置の製造方法＞
図１３は、第３実施形態の液晶装置の構造を示す模式断面図である。図１４は、液晶装置の製造方法のうち無機配向膜の製造方法を工程順に示す模式断面図である。以下、液晶装置、及び液晶装置の製造方法について、図１３及び図１４を参照しながら説明する。
【０１１５】
第３実施形態の液晶装置３００は、上述の第１実施形態の液晶装置１００と比べて、酸化シリコンで構成される第１無機配向膜Ｍ１が２層で構成されている部分が異なり、その他の部分については概ね同様である。このため第３実施形態では、第１実施形態と異なる部分について詳細に説明し、その他の重複する部分については適宜説明を省略する。
【０１１６】
図１３に示すように、第３実施形態の液晶装置３００は、素子基板１０上に形成された酸化シリコンで構成された斜方蒸着膜である第１無機配向膜Ｍ１ａと、同様に酸化シリコンで構成された斜方蒸着膜である第１無機配向膜Ｍ１ｂと、第１無機配向膜Ｍ１ｂ上に形成された窒化シリコンで構成された斜方蒸着膜である第２無機配向膜Ｍ２とを有する。
【０１１７】
無機配向膜Ｍの形成方法としては、図１４（ａ）に示すように、まず、素子基板１０の表面１０ｂに対して酸化シリコンの第１柱状構造物７１ａが傾斜するように斜方蒸着する。
【０１１８】
次に、図１４（ｂ）に示すように、第１柱状構造物７１ａを有する第１無機配向膜Ｍ１ａ上に、酸化シリコンで構成された第１柱状構造物７１ｂを有する第１無機配向膜Ｍ１ｂを斜方蒸着する。
【０１１９】
その後、図１４（ｃ）に示すように、第１無機配向膜Ｍ１ｂの上に、窒化シリコンで構成された第２無機配向膜Ｍ２を斜方蒸着する。
【０１２０】
このように、酸化シリコンで構成された２層の第１無機配向膜Ｍ１ａ，Ｍ１ｂを斜方蒸着し、第１無機配向膜Ｍ１ｂの上に、窒化シリコンで構成された第２無機配向膜Ｍ２を斜方蒸着することにより、第１実施形態の無機配向膜Ｍと比べて、配向方向をより維持させることができる。
【０１２１】
以上詳述したように、第３実施形態の液晶装置３００、液晶装置３００の製造方法によれば、上記した（１）の効果に加えて、以下に示す効果が得られる。
【０１２２】
（５）第３実施形態の液晶装置３００、及び液晶装置３００の製造方法によれば、１層目の第１無機配向膜Ｍ１ａと２層目の第１無機配向膜Ｍ１ｂ、及び第２無機配向膜Ｍ２が同じ方向からの斜方蒸着で形成するので、配向方向をより維持させることができる。
【０１２３】
（第４実施形態）
＜液晶装置、及び液晶装置の製造方法＞
図１５は、第４実施形態の液晶装置の構造を示す模式断面図である。図１６は、液晶装置の製造方法のうち無機配向膜の製造方法を工程順に示す模式断面図である。以下、液晶装置、及び液晶装置の製造方法について、図１５及び図１６を参照しながら説明する。
【０１２４】
第４実施形態の液晶装置は、上述の第３実施形態の液晶装置３００と比べて、１層目の酸化シリコンで構成される垂直蒸着膜である第１無機配向膜Ｍ１ａが素子基板１０の表面１０ｂに対して垂直に形成されている部分が異なり、その他の部分については概ね同様である。このため第４実施形態では、第３実施形態と異なる部分について詳細に説明し、その他の重複する部分については適宜説明を省略する。
【０１２５】
図１５に示すように、第４実施形態の液晶装置４００は、素子基板１０上に形成された酸化シリコンで構成された垂直蒸着膜である第１無機配向膜Ｍ１ａと、同様に酸化シリコンで構成された斜方蒸着膜である２層目の第１無機配向膜Ｍ１ｂと、第１無機配向膜Ｍ１ｂ上に形成された窒化シリコンで構成された斜方蒸着膜である第２無機配向膜Ｍ２とを有する。
【０１２６】
無機配向膜Ｍの形成方法としては、図１６（ａ）に示すように、まず、素子基板１０の表面１０ｂに対して酸化シリコンの第１柱状構造物７１ａが垂直になるように蒸着する。
【０１２７】
次に、図１６（ｂ）に示すように、１層目の第１無機配向膜Ｍ１ａ上に、酸化シリコンで構成された２層目の第１無機配向膜Ｍ１ｂを斜方蒸着する。
【０１２８】
その後、図１６（ｃ）に示すように、第１無機配向膜Ｍ１ｂの上に、窒化シリコンで構成された第２無機配向膜Ｍ２を斜方蒸着する。
【０１２９】
このように、１層目の第１無機配向膜Ｍ１ａを素子基板１０の表面１０ｂに対して垂直に形成し、その上の第１無機配向膜Ｍ１ｂを斜方蒸着し、第１無機配向膜Ｍ１ｂの上に、窒化シリコンで構成された第２無機配向膜Ｍ２を斜方蒸着することにより、第３実施形態の無機配向膜Ｍと比べて、例えば、斜方蒸着のように画素電極２７の影となる部分に第１無機配向膜Ｍ１ａが形成されないことを抑えることができる。よって、配向特性を高めることができる。
【０１３０】
以上詳述したように、第４実施形態の液晶装置４００、液晶装置４００の製造方法によれば、上記した（１）の効果に加えて、以下に示す効果が得られる。
【０１３１】
（６）第４実施形態の液晶装置４００によれば、１層目の第１無機配向膜Ｍ１ａを垂直蒸着で形成し、２層目の第１無機配向膜Ｍ１ｂを斜方蒸着し、更に、第２無機配向膜Ｍ２を斜方蒸着するので、画素電極２７の影となる部分に無機配向膜Ｍが設けられないことを抑えることができる。よって、配向特性を高めることができる。加えて、配向方向をより維持させることができる。
【０１３２】
なお、本発明の態様は、上記した実施形態に限られるものではなく、請求の範囲及び明細書全体から読み取れる発明の要旨あるいは思想に反しない範囲で適宜変更可能であり、本発明の態様の技術範囲に含まれるものである。また、以下のような形態で実施することもできる。
【０１３３】
（変形例１）
上記したように、窒化シリコンで構成された第２無機配向膜Ｍ２は、下地の第１無機配向膜Ｍ１の先端部分を覆うように形成されることに限定されず、例えば、下地となる第１無機配向膜Ｍ１の略全体を覆うように形成されていてもよい。
【０１３４】
図１７及び図１８は、変形例１の一例である無機配向膜の構造を示す模式断面図である。図１７に示す無機配向膜Ｍは、第１実施形態の無機配向膜Ｍと比較して、下地となる第１無機配向膜Ｍ１の根元付近（素子基板１０の表面１０ｂ近く）まで第２無機配向膜Ｍ２が形成されて部分が異なっている。これによれば、第１無機配向膜Ｍ１の表面にシラノール基が存在しても、第１無機配向膜Ｍ１を覆うように窒化シリコンで構成された第２無機配向膜Ｍ２を形成するので、無機配向膜Ｍの表面にシラノール基が露出することを抑えることができる。
【０１３５】
図１８に示す無機配向膜Ｍは、第３実施形態の無機配向膜Ｍと比較して、第２無機配向膜Ｍ２の下地である２層目の第１無機配向膜Ｍ１ｂの略全体を覆うように第２無機配向膜Ｍ２が形成されている部分が異なっている。これによれば、２層目の第１無機配向膜Ｍ１ｂを覆うように第２無機配向膜Ｍ２が形成されているので、配向方向をより維持させることができる。
【符号の説明】
【０１３６】
３ａ…走査線、３ｂ…容量線、３ｃ…下側遮光膜、ＣＮＴ１〜ＣＮＴ４…コンタクトホール、６ａ…データ線、１０…素子基板、１０ａ…第１基材、１０ｂ…表面、１１ａ…下地絶縁層、１１ｂ…第１層間絶縁層、１１ｃ…第２層間絶縁層、１１ｄ…第３層間絶縁層、１１ｇ…ゲート絶縁層、１４…シール材、１５…液晶層、１６…容量素子、１６ａ…第１容量電極、１６ｂ…第２容量電極、１６ｃ…誘電体膜、１８…遮光膜、２０…対向基板、２０ａ…第２基材、２２…データ線駆動回路、２４…走査線駆動回路、２５…検査回路、２６…上下導通部、２７…電極としての画素電極、２８，３２（Ｍ，Ｍ１，Ｍ１ａ，Ｍ１ｂ，Ｍ２）…無機配向膜（第１蒸着膜、第２蒸着膜）、２９…配線、３０…ＴＦＴ、３０ａ…半導体層、３０ｃ…チャネル領域、３０ｄ…画素電極側ソースドレイン領域、３０ｄ１…画素電極側ＬＤＤ領域、３０ｇ…ゲート電極、３０ｓ…データ線側ソースドレイン領域、３０ｓ１…データ線側ＬＤＤ領域、３１…電極としての対向電極、３３…絶縁層、４０…蒸着装置、４１…チャンバー、４２…防着板、４３…成膜室、４４…蒸着源、４５…電子銃、４６…シャッター、４７…減圧装置、５１…配管、５２ａ…蒸着材料、６１…外部接続用端子、７１，７１ａ，７１ｂ…第１柱状構造物、７２…第２柱状構造物、１００，２００，３００，４００…液晶装置、１０００…投射型表示装置、１１００…偏光照明装置、１１０１…ランプユニット、１１０２…インテグレーターレンズ、１１０３…偏光変換素子、１１０４，１１０５…ダイクロイックミラー、１１０６，１１０７，１１０８…反射ミラー、１２０１，１２０２，１２０３，１２０４，１２０５…リレーレンズ、１２０６…クロスダイクロイックプリズム、１２０７…投射レンズ、１２１０，１２２０，１２３０…液晶ライトバルブ、１３００…スクリーン。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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