(57)【要約】  【課題】  分割溝の視認性が高く、分割溝に沿った分割が可能であり、導体の流れ込みの少ない多数個取りセラミック基板およびこの多数個取りセラミック基板から分割されてなるセラミック基板を提供する。  【解決手段】  表面に分割溝３を有してなり、分割溝３を含む断面視において、分割溝３の深さの長さＡを１としたとき、稜部の幅の長さＢの比が1.5以上2.0以下であり、分割溝３の上方から0.35の位置Ｃにおける稜部までの幅である上部幅の長さＤの比が0.32以上0.40以下であり、下方から0.35の位置Ｅにおける稜部までの幅である下部幅の長さＦの比が0.07以上0.12以下であり、位置Ｃまでにあたる稜部の上部が外方側に膨らんだ曲線状の多数個取りセラミック基板１である。【選択図】  図１
2015191909.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
表面に分割溝を有してなる多数個取りセラミック基板であって、前記分割溝を含む断面視において、該分割溝の深さの長さを１としたとき、稜部の幅の長さの比が１．５以上２．０以下であり、前記分割溝の上方から０．３５の位置における前記稜部までの幅である上部幅の長さの比が０．３２以上０．４０以下であり、下方から０．３５の位置における前記稜部までの幅である下部幅の長さの比が０．０７以上０．１２以下であり、前記分割溝の上方から０．３５の位置までにあたる前記稜部の上部が外方側に膨らんだ曲線状であることを特徴とする多数個取りセラミック基板。
【請求項２】
前記分割溝の深さの長さを１としたとき、上方から０．３５を超えて０．６５未満にあたる前記稜部の領域に、仮想稜線より凹んだ凹部を有していることを特徴とする請求項１に記載の多数個取りセラミック基板。
【請求項３】
請求項１乃至請求項３のいずれかに記載の多数個取りセラミック基板から分割されてなるセラミック基板。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、多数個取りセラミック基板およびこの多数個取りセラミック基板から分割されたセラミック基板に関する。
【背景技術】
【０００２】
ハイブリッドＩＣ、抵抗ネットワーク、チップ抵抗器等の電子部品の基体として、厚膜信頼性を有するセラミック基板が用いられており、セラミック基板の表面に電極となる導体が印刷され、焼成されることによって電極が形成され、この電極上等に電子部品が搭載されて用いられている。そして、セラミック基板の形成のみならず、電子部品の形成における生産コストを低減するため、分割溝によって仕切られた１枚の基板から複数のセラミック基板を取得することができる多数個取りセラミック基板が用いられている（特許文献１参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開2004−276386号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
このような多数個取り基板は、個片とするための分割において、分割溝が視認されなければ、分割溝の左右に掛かる力のバランスが崩れ、分割溝に沿って分割することができないおそれがある。ただし、分割溝の視認性を高めるために、単に、分割溝の幅を広げてしまっては、分割溝に沿った分割ができなかったり、電極の形成領域が狭くなってしまったり、電極となる導体等が分割溝に流れ込むなどの不具合が生じやすくなるという問題があった。
【０００５】
そのため、今般の多数個取りセラミック基板には、分割溝の視認性が高く、分割溝に沿った分割が可能であり、導体の流れ込みの少ないことが求められている。
【０００６】
また、多数個取りセラミック基板から分割されてなるセラミック基板においては、電子部品が搭載された場合、精密機器等に用いられるものであることから、カケによってセラミック基板を構成する粒子が落ちるおそれが少ないことが求められている。
【０００７】
本発明は、上記要求を満たすべく案出されたものであり、分割溝の視認性が高く、分割溝に沿った分割が可能であり、導体の流れ込みの少ない多数個取りセラミック基板およびこの多数個取りセラミック基板から分割されてなるセラミック基板を提供するものである。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明の多数個取りセラミック基板は、表面に分割溝を有してなる多数個取りセラミック基板であって、前記分割溝を含む断面視において、該分割溝の深さの長さを１としたとき、稜部の幅の長さの比が1.5以上2.0以下であり、前記分割溝の上方から0.35の位置における前記稜部までの幅である上部幅の長さの比が、0.32以上0.40以下であり、下方から0.35の位置における前記稜部までの幅である下部幅の長さの比が、0.07以上0.12以下であり、前記上部幅までにあたる前記稜部の上部が外方側に膨らんだ曲線状であることを特徴とするものである。
【０００９】
また、本発明のセラミック基板は、上記構成の多数個取りセラミック基板から分割されてなることを特徴とするものである。
【発明の効果】
【００１０】
本発明の多数個取りセラミック基板によれば、分割溝の視認性が高く、分割溝に沿った分割が可能であり、導体の流れ込みを少なくすることができる。
【００１１】
また、本発明のセラミック基板によれば、上記構成の多数個取りセラミック基板から分割されてなることから、カケが生じにくく、精密機器に搭載される電子部品の基体に適している。
【図面の簡単な説明】
【００１２】
【図１】本実施形態の多数個取りセラミック基板の一例を示す、（ａ）は平面図であり、（ｂ）は（ａ）におけるＸ−Ｘ’線での断面の拡大図である。
【図２】本実施形態の多数個取りセラミック基板の他の例を示す部分断面拡大図である。
【発明を実施するための形態】
【００１３】
以下、本発明の多数個取りセラミック基板およびこの多数個取りセラミック基板から分割されてなるセラミック基板の実施の形態の例について説明する。
【００１４】
図１は、本実施形態の多数個取りセラミック基板の一例を示す、（ａ）は平面図であり、（ｂ）は（ａ）におけるＸ−Ｘ’線での断面の拡大図である。
【００１５】
図１に示す例の本実施形態の多数個取りセラミック基板１は、表面に縦横に分割溝３を有しており、分割することによって複数のセラミック基板２を得ることができるものである。
【００１６】
そして、本実施形態の多数個取りセラミック基板１において分割溝３は、図１（ｂ）に示すように、分割溝３の深さの長さＡを１としたとき、稜部の幅の長さＢの比（Ｂ／Ａ）が1.5以上2.0以下であり、分割溝３の上方から0.35の位置Ｃにおける稜部までの幅である上部幅の長さＤの比（Ｄ／Ａ）が0.32以上0.40以下であり、下方から0.35の位置Ｅにおける稜部までの幅である下部幅の長さＦの比（Ｆ／Ａ）が0.07以上0.12以下である。
【００１７】
このような構成を満たしていることにより、分割溝３の視認性が高く、分割溝３に沿った分割が可能であり、導体の流れ込みを少なくすることができる。また、位置Ｃまでにあたる稜部の上部が外方側に膨らんだ曲線状であることから、個片となった場合に、稜部に角部を有していないため、接触等によるカケが少ない、すなわちセラミック基板２を構成する粒子が落ちるおそれが少ない。また、位置Ｃまでにあたる稜部の上部が外方側に膨らんだ曲線状であれば、稜部を含むセラミック基板２の表面に電極を形成したとき、電極が切れるおそれが少なる。それゆえ、本実施形態の多数個取りセラミック基板１から分割されてなるセラミック基板１は、精密機器に搭載される電子部品の基体に適している。
【００１８】
これに対し、Ｂ／Ａが1.5未満であるとき、Ｄ／Ａが0.32未満であるとき、Ｆ／Ａが0.07未満であるときには、分割溝３の視認性が低くなる。また、Ｂ／Ａが2.0を超えるとき、Ｄ／Ａが0.40を超えるとき、Ｆ／Ａが0.12を超えるときには、分割溝３に沿って分割できなかったり、導体が流れ込みやすくなるおそれがある。
【００１９】
また、位置Ｃまでにあたる稜部の上部に、角部等があれば、接触等によるカケが生じやすくなるとともに、稜部を含むセラミック基板２の表面に電極を形成したとき、電極が切
れるおそれが高くなる。
【００２０】
なお、図１においては、分割溝３のみが形成された多数個取りセラミック基板１を示したが、分割溝３を有しているものであれば、分割溝３の他にスルーホール等が形成されているものであってもよいことはいうまでもない。
【００２１】
また、多数個取りセラミック基板１の材質としては、アルミナ、ムライト、ジルコニア、アルミナおよびジルコニアの複合したものなどの酸化物や、窒化珪素、炭化珪素、窒化アルミニウムなどの非酸化物が挙げられる。
【００２２】
図２は、本実施形態の多数個取りセラミック基板の他の例を示す部分断面拡大図である。図２に示す部分断面拡大図のように、分割溝３の深さの長さＡを１としたとき、上方から0.35を超えて0.65未満にあたる稜部の領域（Ｃ−Ｅ間）に、仮想稜線Ｇより凹んだ凹部Ｈを有していることが好適である。
【００２３】
このような構成を満たしているときには、分割溝３の視認性をより高めることができる。
【００２４】
ここで、分割溝３におけるそれぞれの長さや比の確認方法について説明する。まず、多数個取りセラミック基板１から、分割溝３に直交するように試料を切り出し、樹脂埋めを行なう。次に、クロスセクションポリッシャ（ＣＰ研磨）を行ない観察サンプルとする。次に、公知の顕微鏡（走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）、光学顕微鏡、金属顕微鏡など）を用いて100〜300倍の倍率で観察し、この観察画像若しくは撮影した写真を用いて、それぞれの長さを測定して、比を求めればよい。なお、この長さの測定において起点となるのは、隣接するセラミック基板２の稜部の頂上（セラミック基板２の表面において、平らな面となるところとの分岐箇所）を結ぶ線と、分割溝３の最深部からの垂線とが交わる点とする。この起点から分割溝３の最深部までの距離を分割溝の深さの長さＡであり、この起点から稜部の頂上までの距離を稜部の幅の長さＢである。
【００２５】
そして、位置Ｃとは、分割溝３の最深部からの垂線を基準線とし、分割溝３の深さの長さＡを１としたときの分割溝３の上方から0.35のところで、基準線に対して引いた垂線と稜線とが交わるところであり、この垂線の距離が上部幅Ｄである。また、位置Ｅとは、分割溝３の最深部からの垂線を基準線とし、分割溝の深さの長さＡを１としたときの分割溝３の下方から0.35のところで、基準線に対して引いた垂線と稜線とが交わるところであり、この垂線の距離が下部幅Ｆである。
【００２６】
また、個片であるセラミック基板２の場合は、表面の確認を行ない、焼成（焼き肌）面のみの面と、焼成面と分割面であるのかを確認し、焼成面と分割面からなる面において、焼成面と分割面の境界が分割溝の最深部とみなし、焼成面と分割面からなる面の焼成面から続くのが稜部である。
【００２７】
次に、アルミナ質焼結体からなる本実施形態の多数個取りセラミック基板１の作製方法の一例について説明する。
【００２８】
まず、主成分であるアルミナ粉末（Ａｌ２Ｏ３）と、シリカ粉末（ＳｉＯ２）、カルシア粉末（ＣａＯ）、マグネシア粉末（ＭｇＯ）等の焼結助剤粉末とを用意し、これを出発原料とする。
【００２９】
そして、この出発原料と、溶媒と、例えば、ポリビニルアルコール、ポリエチレングリコール、アクリル樹脂等の成形用バインダを入れて混合することにより、スラリーを得る
。
【００３０】
次に、このスラリーを用いてドクターブレード法によりグリーンシートを形成する。または、スラリーを噴霧乾燥させて得られた顆粒を用いてロールコンパクション法によりグリーンシートを形成する。
【００３１】
そして、所定形状の金型を用いて打ち抜くことにより、成形体を得る。なお、本実施形態の多数個取りセラミック基板１を得るには、本実施形態の多数個取りセラミック基板１における分割溝３の特徴的な形状を転写可能な金型を用いればよい。
【００３２】
具体的には、金型のカッター刃が、曲線状の盛り上がり部を有しており、カッター刃の高さ（金型の平面部からカッター刃の先端まで）の長さを１としたとき、金型側から0.35の位置におけるカッター刃の幅の長さの比が0.64以上0.80以下であり、カッター刃の先端から0.35の位置におけるカッター刃の幅の長さの比が0.14以上0.24以下の金型を用いる。
【００３３】
次に、得られた成形体を焼成炉に入れて、1450℃以上1600℃以下の最高温度で焼成することにより、本実施形態の多数個取りセラミック基板１を得ることができる。なお、焼成効率を向上させるために、成形体にスラリーを塗布し、複数枚重ねて焼成してもよい。このように、複数枚重ねて焼成した場合には、焼成後にブラスト処理等により、成形体に塗布したスラリーに含まれていた粒子等を除去することが好適である。
【００３４】
また、図２に示したような、分割溝の深さの長さＡを１としたとき、上方から0.35を超えて0.65未満にあたる稜部の領域（Ｃ−Ｅ間）に、仮想稜線Ｇより凹んだ凹部Ｈを有する分割溝３を備える多数個取りセラミック基板１を得るには、上述した金型のカッター刃の構成に加えて、カッター刃の先端から0.35を超えて0.65未満にあたる領域に、カッター刃の仮想稜線よりも突出した凸部をカッター刃形状とすればよい。
【００３５】
そして、本実施形態のセラミック基板２は、このようにして得られた多数個取りセラミック基板１を、分割溝３に沿って分割することにより、得ることができる。本実施形態のセラミック基板２は、本実施形態の多数個取りセラミック基板１から分割されてなるものであることから、接触等によって稜部からセラミック基板２を構成する粒子が落ちるおそれが少なく、稜部を含むセラミック基板２の表面に電極を形成したとき、電極が切れるおそれが少ないため、精密機器に搭載される電子部品の基体に適している。
【符号の説明】
【００３６】
１：多数個取りセラミック基板
２：セラミック基板
３：分割溝
Ａ：分割溝の深さの長さ
Ｂ：稜部の幅の長さ
Ｃ：分割溝の深さの長さを１としたとき、稜部における分割溝の上方から0.35の位置
Ｄ：上部幅
Ｅ：分割溝の深さの長さを１としたとき、稜部における分割溝の下方から0.35の位置
Ｆ：下部幅
Ｇ：仮想曲線
Ｈ：凹部
【図１】
2015191909.tif 000003
【図２】
2015191909.tif 000004