(57)【要約】【課題】めっき処理を高速で行うことの可能なめっき装置を提供する。【解決手段】めっき装置１は、ケース１１，１２の内側の管状空間１３にワーク２を固定し、電気めっきを行う。管状空間１３の内壁に設けられた噴射口３３，３４からワーク２に向けて噴射されためっき液は、管状空間１３を軸方向の一方へ流れ、管内乱流流れを形成した後、その管状空間１３の軸方向の一方に設けられた排出口１６から重力方向下側へ排出される。これにより、ワーク２の界面を流れるめっき液の流速が速くなり、ワーク２の界面に金属イオンが次々に供給されるので、電気めっきを行う際の限界電流密度を高くすることが可能である。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
ワーク（２）を収容可能な管状空間（１３）を有するケース（１１，１２）と、
前記管状空間内に前記ワークを固定する固定手段（１１，１２，１７）と、
前記ワークに接続する陰極（３０）、及び前記管状空間に設けられた陽極（３１，３２）を有し、両電極に電流を供給可能な電流供給手段（３０、３１，３２，３５，３６）と、
前記管状空間に固定された前記ワークに向けてめっき液を噴射し、前記管状空間を軸方向の一方へ流れるめっき液に管内乱流流れを発生させる噴射手段（３３，３４，４１，４２、４３，４４）と、
前記管状空間の軸方向の一方に設けられ、前記管状空間を流れためっき液を重力方向下側へ排出する排出口（１６）と、を備えることを特徴とするめっき装置（１）。
【請求項２】
前記ケースは、前記管状空間を形成可能な上ケース（１１）と下ケース（１２）とを有し、
前記固定手段は、前記上ケース又は前記下ケースの接合面に設けられた溝（１７）に前記ワークを固定することを特徴とする請求項１に記載のめっき装置。
【請求項３】
前記ワークは、めっき処理を行うめっき処理部（２１）と、めっき処理を行わない非めっき処理部（２２）を有し、
前記固定手段は、前記ケースの前記溝に前記非めっき処理部を固定することにより、前記めっき処理部のみを前記管状空間に露出させることを特徴とする請求項２に記載のめっき装置。
【請求項４】
前記噴射手段は、前記管状空間の流路断面積、潤辺、及びめっき液の流量を調整し、前記管状空間内に管内乱流流れを発生させることを特徴とする請求項１から３のいずれか一項に記載のめっき装置。
【請求項５】
前記ケースは、管状空間の軸方向の一方に、前記管状空間よりも流路断面積が大きい開放空間（１４）を有し、
前記排出口は、前記開放空間の重力方向下側に設けられることを特徴とする請求項１から４のいずれか一項に記載のめっき装置。
【請求項６】
前記ワークは、前記管状空間の軸方向に平行に固定され、
前記噴射手段は、前記ワークに対し垂直にめっき液を噴射することを特徴とする請求項１から５のいずれか一項に記載のめっき装置。
【請求項７】
前記噴射手段は、前記陽極に設けられた噴射口（３３，３４）からめっき液を噴射することを特徴とする請求項１から６のいずれか一項に記載のめっき装置。
【請求項８】
前記噴射手段は、前記上ケース側から前記管状空間にめっき液を噴射する上噴射口（３３）と、前記下ケース側から前記管状空間にめっき液を噴射する下噴射口（３４）とを有し、
前記上噴射口から噴射されためっき液と前記下噴射口から噴射されためっき液とは前記管状空間で衝突することを特徴とする請求項１から７のいずれか一項に記載のめっき装置。
【請求項９】
前記ケースの内壁に形成されたディンプル（１８）を備えることを特徴とする請求項１から８のいずれか一項に記載のめっき装置。
【請求項１０】
前記ケースの内壁から前記管状空間に突出する柱（１９）を備えることを特徴とする請求項１から９のいずれか一項に記載のめっき装置。
【請求項１１】
請求項１に記載のめっき装置を使用しためっき方法において、
前記固定手段により前記ワークを前記管状空間内に固定する設置工程（Ｓ２）と、
前記ワークに接続する前記陰極と前記管状空間に設けられた前記陽極に電流を供給する電流供給工程（Ｓ４）と、
前記噴射手段によりめっき液を前記管状空間に噴射し、前記管状空間を軸方向の一方へ流れるめっき液に管内乱流流れを発生させ、そのめっき液を前記排出口から排出する乱流形成工程（Ｓ３）と、を含むことを特徴とするめっき方法。
【請求項１２】
前記設置工程は、前記ケースを構成する上ケース又は下ケースに設けられた溝に前記ワークの非めっき処理部を設置した後、前記上ケースと前記下ケースを密着することにより、前記ワークの前記非めっき処理部を固定し、前記めっき処理部のみを前記管状空間内に露出させることを特徴とする請求項１１に記載のめっき方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、めっき装置及びめっき方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来より、めっき液に浸漬した陽極からワークに電流を流し、めっき液に溶解した金属イオンをワークの界面で還元させ、ワークに金属皮膜を形成するめっき装置が知られている。
特許文献１に記載のめっき装置は、めっき液が貯留された槽の中に複数個のワークを浸漬し、噴射ノズルから槽内にめっき液を噴射することで、槽内のめっき液を攪拌しつつ、めっき処理を行っている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開昭６３−９３８９８号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、特許文献１に記載のめっき装置は、槽内に予め貯留されためっき液が噴射ノズルから噴射されためっき液で攪拌されるに過ぎず、そのめっき液の流れは層流となり、ワークの界面での流速が低いものとなる。
また、このめっき装置は、槽の上部の開口から溢れためっき液のみが循環し、それ以外のめっき液は槽内に貯留された状態を保っている。そのため、ワークの界面付近を流れるめっき液の金属イオン濃度が低くなり、ワークの界面に金属イオンが十分に供給されないおそれがある。この場合、ワークの焼き焦げを防ぐために限界電流密度を低くしなければならず、金属皮膜が析出する時間が長くなる。したがって、生産個数を増加するため、このめっき装置を使用して複数個のワークを一度にめっき処理すると、設備が大型化すると共に、めっき処理の前後の工程でワークの中間製品の在庫管理などの工数がかかることになる。
本発明は、上述の課題に鑑みてなされたものであり、めっき処理を高速で行うことの可能なめっき装置及びめっき方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
第１発明は、ケース内側の管状空間に固定したワークに電気めっきを行うめっき装置において、ワークに向けて噴射されためっき液は、管内乱流流れを形成して管状空間を軸方向の一方へ流れ、その先に設けられた排出口から重力方向下側に排出されることを特徴とする。
【０００６】
これにより、管状空間を流れるめっき液が管内乱流流れを形成することにより、ワークの界面を流れるめっき液の流速が速くなる。そのため、ワークの界面付近を流れるめっき液の金属イオン濃度が高い状態に保たれ、ワークの界面に金属イオンが次々に供給されるので、電気めっきを行う際の限界電流密度を高くすることが可能である。したがって、めっき装置は、ワークにめっき皮膜を短時間で成膜することができる。
また、管状空間を流れためっき液を重力方向下側へ排出することにより、管状空間にめっき液が滞留しないので、管状空間を流れるめっき液の圧力損失が低減される。そのため、めっき装置は、管状空間に管内乱流流れを容易に形成し、ワークの界面を流れるめっき液に含まれる金属イオン濃度を高い状態に保つことができる。
【０００７】
第２発明は、めっき方法の発明である。このめっき方法は、固定手段によりワークを管状空間内に固定し、陰極と陽極に電流を供給すると共に、管状空間を軸方向の一方へ流れるめっき液に管内乱流流れを発生させ、そのめっき液を排出口から排出することを特徴とする。
これにより、このめっき方法は、ワークの界面付近を流れるめっき液の流速を速くすることで、限界電流密度を高くすることが可能になるので、ワークにめっき皮膜を短時間で成膜することができる。
【図面の簡単な説明】
【０００８】
【図１】本発明の第１実施形態によるめっき装置の断面図である。
【図２】図１のＩＩ−ＩＩ線の断面図である。
【図３】図１のＩＩＩ−ＩＩＩ線の断面図である。
【図４】図１のＩＶ部分の拡大図である。
【図５】図４のＶ部分のめっき液の流速分布を示す模式図である。
【図６】第１実施形態によるめっき処理方法のフローチャートである。
【図７】第１実施形態によるめっき処理方法を示す説明図である。
【図８】第１実施形態によるめっき処理方法を示す説明図である。
【図９】本発明の第２実施形態によるめっき装置の要部断面図である。
【図１０】図９のＸ−Ｘ線の断面図である。
【図１１】本発明の第３実施形態によるめっき装置の要部断面図である。
【図１２】図１１のＸＩＩ−ＸＩＩ線の断面図である。
【図１３】本発明の第４実施形態によるめっき装置の断面図である。
【発明を実施するための形態】
【０００９】
以下、本発明による複数の実施形態を図面に基づいて説明する。
（第１実施形態）
本発明の第１実施形態を図１から図８に示す。本実施形態によるめっき装置１は、ワーク２としてのターミナル等の小物部品を１個ずつ高速でめっき処理を行うものである。
図１から図４に示すように、めっき装置１は、上ケース１１、下ケース１２、陽極３１，３２及び陰極３０などを備えている。以下、上ケース１１と下ケース１２を総称してケース１１，１２という。
【００１０】
ケース１１，１２は、ワーク２を収容可能な管状空間１３と、その管状空間１３の軸方向の一方に開放空間１４を有する。図４では、管状空間１３と開放空間１４との境界を概念的に破線Ｐで示しているが、これらの空間１３，１４は連通している。
管状空間１３は、１個のワーク２を収容可能な狭小空間であり、流路断面が長方形の管状に形成され、板状のワーク２と平行に延びている。管状空間１３の内壁とワーク２の外壁との距離は短いことが好ましい。本実施形態では、管状空間１３の内壁とワーク２の外壁との距離ｈ１、ｈ２は、例えば２ｍｍ程度である。
【００１１】
図１に示すように、管状空間１３の軸方向の一方に連通している開放空間１４は、その流路断面積が、管状空間１３の流路断面積よりも大きく形成されている。開放空間１４の重力方向下側に排出口１６が設けられる。排出口１６は、管状空間１３から開放空間１４を流れためっき液を重力方向下側へ排出する。
上ケース１１と下ケース１２との接合面には、環状のパッキン１５が設けられている。パッキン１５は、ケース１１，１２の内側に形成された管状空間１３及び開放空間１４を流れるめっき液がケース１１，１２の外側に漏れ出すこと防ぐものである。
【００１２】
図３に示すように、下ケース１２は、上ケース１１との接合面の一部に溝１７を有する。この溝１７にワーク２が設置される。上ケース１１と下ケース１２を離した状態でワーク２を溝１７に設置した後、上ケース１１と下ケース１２を接合すると、ワーク２はケース１１，１２に固定される。即ち、本実施形態における上ケース１１、下ケース１２及びその下ケース１２に設けられた溝１７は、特許請求の範囲に記載の「固定手段」の一例に相当する。なお、図３では、ワーク２が設置される位置を一点鎖線で示している。
【００１３】
ここで、ワーク２は、めっき装置１によりめっき処理が行われるめっき処理部２１と、めっき処理が行われない非めっき処理部２２を有する。なお、非めっき処理部２２は、めっき処理後の工程で切断、破棄される。
下ケース１２の溝１７には、ワーク２の非めっき処理部２２が固定される。したがって、管状空間１３にはめっき処理部２１のみが露出する。ワーク２のめっき処理部２１は、管状空間１３の軸方向に平行に固定される。
【００１４】
図２及び図３に示すように、下ケース１２の溝１７と上ケース１１との間にワーク２が固定された状態で、下ケース１２に設けられた陰極３０がワーク２に接触する。これにより、ワーク２と陰極３０とが導通する。
また、管状空間１３を形成する上ケース１１の内壁と下ケース１２の内壁には、それぞれ陽極３１，３２が設けられる。上下の陽極３１，３２は、めっき液を噴射可能な複数の噴射口３３，３４を有する。
陰極３０と陽極３１，３２には、そこに接続された配線３５を通じて電源３６から電流が供給される。本実施形態の陰極３０、陽極３１，３２、配線３５及び電源３６は、特許請求の範囲に記載の「電流供給手段」の一例に相当する。
【００１５】
図１から図３に示すように、上ケース１１と下ケース１２には、それぞれめっき液が供給される供給孔４１，４２が設けられている。この供給孔４１，４２には、液貯槽３に貯液されためっき液がポンプ４の駆動により配管５を通って供給される。供給孔４１，４２はケース内部でそれぞれ複数の分路４３，４４に分かれている。この複数の分路４３，４４は、陽極３１，３２に設けられた複数の噴射口３３，３４に連通している。以下の説明において、上ケース側に設けられた噴射口３３を上噴射口３３と称し、下ケース側に設けられた噴射口３４を下噴射口３４と称する。
本実施形態の供給孔４１，４２、複数の分路４３，４４及び複数の噴射口３３，３４は、特許請求の範囲に記載の「噴射手段」の一例に相当する。
【００１６】
図４に示すように、上噴射口３３と下噴射口３４は、それぞれワーク２に対し垂直にめっき液を噴射する。上噴射口３３から噴射されためっき液と、下噴射口３４から噴射されためっき液とは、互いに衝突するか又はワーク２に衝突した後、管状空間１３を軸方向へ流れる。
ここで、管状空間１３の流路断面積、潤辺、及びめっき液の流量は、管状空間１３に管内乱流流れを発生させるため、レイノルズ数が２３００以上となるように調整されている。図５（Ａ）に管内乱流流れの流速分布を模式的に示し、図５（Ｂ）に層流流れの流速分布を模式的に示す。図５（Ａ）に示すように、管内乱流流れは、中央部の流速とワーク２の界面の流速とが近似する。図５（Ｂ）に示すように、層流流れは、中央部の流速に対しワーク２の界面の流速が極めて遅い。したがって、管状空間１３に管内乱流流れを発生させることで、ワーク２の界面付近の流速を速くし、ワーク２の界面に金属イオンを大量に供給することが可能になる。
【００１７】
次に、上述しためっき装置１を用いためっき方法について、図６のフローチャート、図７及び図８を参照して説明する。なお、図６のフローチャートでは、ステップをＳと表記している。また、図７及び図８では、ワーク２が下ケース１２の溝１７に載置された状態を模式的に示している。
まず、ステップ１では、このめっき処理が行われる前工程でプレス加工などにより所定の形状に形成されたワーク２を図示しないチャックなどにより上ケース１１と下ケース１２との間に搬送する。
次にステップ２では設置工程として、図７に示すように、下ケース１２に設けられた溝１７にワーク２の非めっき処理部２２が設置される。その後、上ケース１１と下ケース１２とを密着することにより、ワーク２の非めっき処理部２２を固定し、管状空間内にめっき処理部２１のみを露出させる。
【００１８】
続いてステップ３では乱流形成工程として、図８に示すように、ポンプ４の駆動により、液貯槽３に貯液されためっき液をケース１１，１２の供給孔４１，４２に供給し、そこに連通する複数の分路４３，４４を介して複数の噴射口３３，３４から管状空間１３へ噴射する。このめっき液は管状空間１３に満たされ、矢印Ｆ１に示すように、その管状空間１３を軸方向に流れてレイノルズ数２３００以上の管内乱流流れを発生させる。管状空間１３から開放空間１４へ流れためっき液は、矢印Ｆ２，Ｆ３に示すように、排出口１６から排出され、液貯槽３に戻される。これにより、めっき液は、液貯槽３とケース１１，１２との間を循環する。なお、液貯槽３のめっき液は、ヒータ等の加熱機構６によりめっき処理に適した温度に加熱することが可能である。
【００１９】
ステップ４では、上述の乱流形成工程と同時に電流供給工程が行われる。すなわち、管状空間１３をめっき液が流れるとき、電源３６から陽極３１，３２、ワーク２及び陰極３０に電流が供給される。これにより、陽極３１，３２からめっき液に溶解した金属イオンがワーク２界面に供給され、還元反応によりワーク２表面に金属皮膜が形成される。
【００２０】
ステップ５では、上ケース１１と下ケース１２とを離間し、ワーク２の被非めっき処理部２２を図示しないチャックなどで挟み、めっき処理の後工程へ搬送する。後工程では、例えばワーク２の洗浄、及び被非めっき処理部２２の切断などが行われ、めっき被膜がされた製品となる。
【００２１】
次に、上述しためっき装置１によりめっき処理を行った実験結果を説明する。
この実験では、ワーク２として、真鍮製テストピース（長さ４４ｍｍ×幅１１ｍｍ×厚さ０．６ｍｍ）を使用した。管状空間１３は、ワーク２の外壁とケース内壁との距離を２ｍｍとした。噴射口３３，３４から噴射されるめっき液の流量を１２Ｌ/ｍｉｎ．として、めっき液供給時のレイノルズ数が３０００となるように設定した。めっき液は高濃度スルファミン酸Ｎｉ浴（スルファミン酸Ｎｉ：６００ｇ／Ｌ、塩化Ｎｉ：１０ｇ／Ｌ、ホウ酸：４０ｇ／Ｌ）を使用し、浴温を７０℃とした。
その結果、限界電流密度２２５Ａ／ｄｍ2、めっき析出速度４６μｍ／ｍｉｎ．を達成した。これは、従来の浸漬めっきに対し、約１００倍のめっき速度である。
【００２２】
第１実施形態のめっき装置１は、次の作用効果を奏する。
（１）第１実施形態では、狭小空間とした管状空間１３を軸方向の一方へ流れるめっき液に管内乱流流れを発生させ、その管状空間内でワーク２にめっき処理を行う。管状空間１３を流れるめっき液は、その先に設けられた排出口１６から重力方向下側に排出される。
これにより、管状空間１３でワーク２の界面を流れるめっき液の流速が速くなる。そのため、ワーク２の界面付近を流れるめっき液の金属イオン濃度が高い状態に保たれ、ワーク２の界面に金属イオンが次々に供給されるので、電気めっきを行う際の限界電流密度を高くすることが可能である。したがって、めっき装置１は、ワーク２にめっき皮膜を短時間で成膜することができる。
また、管状空間１３を流れためっき液を重力方向下側へ排出することにより、管状空間１３にめっき液が滞留しないので、管状空間１３を流れるめっき液の圧力損失が低減される。そのため、管状空間１３に管内乱流流れを容易に形成し、ワーク２の界面を流れるめっき液の金属イオン濃度を高い状態に保つことができる。
【００２３】
（２）第１実施形態では、上ケース１１又は下ケース１２との接合面に設けた溝１７により、ワーク２の非めっき処理部２２を固定する。
これにより、上ケース１１と下ケース１２を密着する１つの動作により、管状空間１３を形成すると同時にワーク２を固定することが可能である。したがって、めっき処理の時間を短くすることができる。
【００２４】
（３）第１実施形態では、ケース１１，１２は、ワーク２の非めっき処理部２２を溝１７に固定し、めっき処理部２１のみを管状空間１３に露出させる。
これにより、ワーク２のめっき処理部２１のみにめっき皮膜が成膜され、非めっき処理部２２にはめっき皮膜が殆ど成膜されないので、めっき処理に必要な電流量及びめっき液量等を低減することができる。
【００２５】
（４）第１実施形態では、ケース１１，１２は、管状空間１３の軸方向の一方に、管状空間１３よりも流路断面積が大きい開放空間１４を有する。その開放空間１４の重力方向下側に排出口１６は設けられる。
これにより、管状空間１３を流れるめっき液の圧力損失が低減されるので、噴射口３３，３４から噴射されためっき液はその流速が低下することなく、開放空間１４へ流れる。したがって、管状空間１３に管内乱流流れを容易に発生させることができる。
【００２６】
（５）第１実施形態では、めっき装置１は、管状空間１３の流路断面積、潤辺、及びめっき液の流量を調整し、管状空間１３に管内乱流流れを発生させる。
これにより、レイノルズ数を調整し、管内乱流流れを発生させることが可能である。なお、管内乱流の形成には、レイノルズ数２３００以上とすることが好ましく、レイノルズ数３０００以上とすることがさらに好ましい。
【００２７】
（６）第１実施形態では、ワーク２は、管状空間１３の軸方向に平行に固定される。めっき液は、噴射口３３，３４からワーク２に対して垂直に噴射される。
これにより、管状空間１３に管内乱流流れを容易に発生させ、ワーク２の界面に次々に金属イオンを供給することができる。
【００２８】
（７）第１実施形態では、上ケース１１に設けられた上噴射口３３から噴射されためっき液と、下ケース１２に設けられた下噴射口３４から噴射されためっき液とは管状空間１３で衝突する。
これにより、管状空間１３に管内乱流流れを容易に発生させることができる。
【００２９】
（８）第１実施形態では、陽極３１，３２に噴射口３３，３４が設けられる。
これにより、陽極３１，３２からめっき液に溶解した金属イオンをワーク２に十分に供給することができる。
【００３０】
（９）第１実施形態によるめっき方法は、上ケース１１と下ケース１２でワーク２を挟んで管状空間内に固定し、管状空間１３を軸方向の一方へ流れるめっき液に管内乱流流れを発生させた後、そのめっき液を排出口１６から液貯槽３に排出する。
これにより、ワーク２の界面付近を流れるめっき液の流速が速くなり、陰極３０と陽極３１，３２に電流を供給する限界電流密度を高くすることが可能になるので、ワーク２にめっき皮膜を短時間で成膜することができる。したがって、めっき製品の生産ラインの中で、ワーク２を１個ずつ高速でめっき処理工程を行うことが可能になるので、生産ラインにおける前後工程との同期一貫化を実現できる。その結果、大型のめっき槽を廃止し、設備を小型化することが可能である。さらに、複数のワーク２を一度に大量にめっき処理することがないので、中間製品の在庫管理や輸送等を廃止することができる。
【００３１】
（１０）第１実施形態によるめっき方法は、下ケース１２に設けられた溝１７にワーク２の非めっき処理部２２を設置した後、上ケース１１と下ケース１２を密着することにより、ワーク２のめっき処理部２１を管状空間内に固定する。
これにより、上ケース１１と下ケース１２を密着する１つの動作により、管状空間１３を形成すると同時にワーク２を固定することが可能である。したがって、めっき処理を高速で行うことができる。
【００３２】
（第２実施形態）
本発明の第２実施形態のめっき装置１の要部拡大断面図を図９及び図１０に示す。第２実施形態では、めっき装置１は、ケース１１，１２の管状空間１３の内壁に複数のディンプル１８を備えている。ディンプル１８は、管状空間１３の内壁に設けられた略半球状の溝であり、噴射口３３，３４から管状空間１３に噴射されためっき液の方向を複雑に変化させる。そのため、第２実施形態では、管状空間１３に管内乱流流れを容易に発生させることができる。
なお、ディンプル１８の形状、配置及び個数等は、管内乱流流れの形成に適するように変更することが可能である。
【００３３】
（第３実施形態）
本発明の第３実施形態のめっき装置１の要部拡大断面図を図１１及び図１２に示す。第３実施形態では、めっき装置１は、ケース１１，１２の管状空間１３の内壁から管状空間１３に突出する複数の柱１９を備えている。この柱１９は、噴射口３３，３４から管状空間１３に噴射されためっき液の方向を複雑に変化させる。そのため、第３実施形態では、管状空間１３に管内乱流流れを容易に発生させることができる。
なお、柱１９の形状、配置及び個数等は、管内乱流流れの形成に適するように変更することが可能である。
【００３４】
（第４実施形態）
本発明の第４実施形態のめっき装置１の要部拡大断面図を図１３に示す。第４実施形態では、ケース１１，１２は開放空間を有していない。ケース１１，１２の管状空間１３の軸方向の一方には、ケース１２の下側に排出口１６が設けられる。排出口１６は、管状空間１３を流れためっき液を重力方向下側へ排出する。この排出口１６の流路断面積は、管状空間１３の流路断面積よりも大きい。そのため、管状空間１３を流れるめっき液の圧力損失が低減されるので、管状空間１３に管内乱流流れを発生させることが可能である。
【００３５】
ポンプ４の駆動により、複数の噴射口４３，４４から管状空間１３へ噴射されためっき液は、管状空間１３に満たされ、矢印Ｆ４に示すように、その管状空間１３を軸方向に流れて管内乱流流れを発生させる。管状空間１３を流れためっき液は、矢印Ｆ５に示すように、排出口１６から排出され、液貯槽３に戻される。
第４実施形態は、第１実施形態と同様の作用効果を奏することができる。
【００３６】
（他の実施形態）
上述した第１実施形態の実験例では、Ｎｉめっき処理を行った。これに対し、本発明は、例えばＺｎめっき、Ｃｕめっき、Ａｕめっき、Ｃｒめっき、Ｎｉめっき等、種々のめっき処理に適用することが可能である。
以上、本発明は、上記実施形態に限定されるものではなく、上記第１−第４実施形態を組み合わせることに加え、発明の趣旨を逸脱しない範囲において種々の形態で実施可能である。
【符号の説明】
【００３７】
１  ・・・めっき装置
２  ・・・ワーク
１１・・・上ケース（ケース）
１２・・・下ケース（ケース）
１３・・・管状空間
１６・・・排出口
１７・・・溝
３０・・・陰極（電流供給手段）
３１，３２・・・陽極（電流供給手段）
３３，３４・・・噴射口（噴射手段）
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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