(57)【要約】【課題】従来の製造方法に比べ、搬送又は保管の際に付着した異物の除去性に優れ、最終品質が一定の磁気ディスク基板を提供することを目的とする。【解決手段】搬送後又は保管後の磁気ディスク基板を洗浄剤（Ｓ）接触させて洗浄する工程と、前記磁気ディスク基板を洗浄剤（Ｓ）並びに洗浄用テープ及び／又は超音波を使用して洗浄する工程を含む磁気ディスク基板の製造方法。【選択図】なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
搬送後又は保管後の磁気ディスク基板を洗浄剤（Ｓ）に接触させて洗浄する工程と、前記磁気ディスク基板を洗浄剤（Ｓ）並びに洗浄用テープ及び／又は超音波を使用して洗浄する工程を含む磁気ディスク基板の製造方法。
【請求項２】
該洗浄剤（Ｓ）が、アニオン性界面活性剤（Ａ）及び／又はノニオン性界面活性剤（Ｂ）を含有してなり、該洗浄剤（Ｓ）のｐＨが７〜１２である、請求項１に記載の磁気ディスクの製造方法。
【請求項３】
該アニオン性界面活性剤（Ａ）が、スルホン酸（塩）基、硫酸エステル（塩）基、カルボン酸（塩）基及びリン酸エステル（塩）基からなる群から選ばれる１種以上の基を有するアニオン性界面活性剤である請求項２に記載の磁気ディスクの製造方法。
【請求項４】
該ノニオン性界面活性剤（Ｂ）の曇点が３５〜９５℃である請求項２又は３に記載の磁気ディスク基板の製造方法。
【請求項５】
該洗浄剤が、キレート剤（Ｃ）を含む洗浄剤である請求項１〜４いずれかに記載の磁気ディスク基板用の製造方法。
【請求項６】
請求項１〜５いずれかに記載の磁気ディスク基板の製造方法を含む電子材料の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、磁気ディスク基板の製造方法に関する。
さらに詳しくは、電子材料の製造において、搬送後又は保管後の磁気ディスク基板を洗浄液に接触させて洗浄する工程を含む磁気ディスク基板の製造方法、及び磁気ディスク基板の製造方法を含む電子材料の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
電子材料、とりわけ磁気ディスクは、年々小型化、高容量化の一途をたどっており、磁気ヘッドの浮上量もますます小さくなってきている。そのため、磁気ディスク基板の製造工程で、砥粒や研磨屑等の残留のない基板が求められている。
【０００３】
磁気ディスク製造工程には、平坦化した基板を作成する工程であるサブストレート工程（１）と、磁性層を基板にスパッタする工程であるメディア工程（２）を含む。
このうち、サブストレート工程（１）では、基板の平坦化のために砥粒を含むスラリーによる研磨を行い、その後、スラリーおよび発生した研磨屑等のパーティクルをリンスして洗い流し、さらに、リンスで取り除けなかったパーティクルを後工程でスクラブ洗浄等の洗浄を行って完全に除去する。
【０００４】
一方、磁性層を基板にスパッタする工程であるメディア工程（２）では、搬送時や保管時に付着した異物を除去するためにスパッタリング前にスクラブ洗浄等の洗浄をおこなう。
【０００５】
近年の磁気ディスクのますますの高容量化に伴って、基板の清浄度がこれまで以上に求められるようになってきているため、従来よりも微細なサイズのパーティクルの残留を減らす高性能な洗浄剤が必要になってきている。
そのため、強固に基板に付着したパーティクル等の異物に対する洗浄性を向上させた洗浄剤が提案されている。例えば、１−ヒドロキシエタン−１，１−ジホスホン酸とポリオキシエチレンアルキルエーテル硫酸塩を含む洗浄剤が提案されている（特許文献１）。また、アルカリ金属の水酸化物、ヒドロキシカルボン酸と界面活性剤を含み、それぞれの濃度が一定範囲内にある洗浄剤が提案されている（特許文献２）。しかしながら、これらの洗浄剤は、基板に固着したパーティクルの除去性能が十分にあるとはいえず、清浄度は不十分である。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開２０１１−０４６８０７号公報
【特許文献２】特開２０１０−１０９３２９号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
サブストレート工程で仕上がった基板は、搬送又は保管を経てメディア工程に進む。その際に、環境や保管用のカセットからの異物が基板に付着してしまう。しかし、その汚染度は搬送方法や保管方法、あるいは搬送や保管の時間によって変化し、基板ごとに異なる。その汚染度の違いがメディア工程を経た最終的な基板の品質の違いにつながってしまうため、安定して品質の優れた基板を製造するのは難しい。
従って、本発明は、従来の製造方法に比べ、搬送又は保管の際に付着した異物の除去性に優れ、品質のバラツキを抑えることによって、最終品質の安定性に優れた磁気ディスク基板を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明者らは、上記の目的を達成するべく検討を行った結果、本発明に至った。
すなわち、本発明は、搬送後又は保管後の磁気ディスク基板を洗浄剤（Ｓ）に接触させて洗浄する工程と、前記磁気ディスク基板を洗浄剤（Ｓ）並びに洗浄用テープ及び／又は超音波を使用して洗浄する工程を含む磁気ディスク基板の製造方法である。
【発明の効果】
【０００９】
本発明の磁気ディスク基板の製造方法は、磁気ディスク基板の製造工程において問題となる異物の除去性に優れ、品質のバラツキを抑え、品質の安定性に優れた磁気ディスク基板の提供が可能である。  
【発明を実施するための形態】
【００１０】
本発明において磁気ディスク基板とは、特に限定するものではなく、磁気ディスク用ガラス基板又は表面がニッケル−リン（Ｎｉ−Ｐ）メッキされた磁気ディスク用アルミ基板等が挙げられる。
搬送後又は保管後の磁気ディスク基板とは、搬送のため又は保管のために容器に収められた磁気ディスク基板である。
【００１１】
本発明において磁気ディスク基板を洗浄剤（Ｓ）に接触させて洗浄する工程とは、磁気ディスク基板に洗浄剤（Ｓ）を浸漬したり、かけ流したりして、洗浄剤（Ｓ）に接触させて洗浄する工程をいう。また、前記磁気ディスク基板を洗浄剤（Ｓ）並びに洗浄用テープ及び／又は超音波を使用して洗浄する工程とは、洗浄剤（Ｓ）の存在下に洗浄用テープ及び／又は超音波を使用して、異物を除去して洗浄する工程をいう。
洗浄用テープには、ポリアミド、ポリエステル、セルロース、ポリウレタン製のテープなどが用いられる。超音波には、２００ｋＨｚ〜９５０ｋＨｚなどの様々な周波数が用いられる。
【００１２】
洗浄剤（Ｓ）としては、水系洗浄剤、非水系洗浄剤および準水系洗浄剤が挙げられる。
水系洗浄剤としては、界面活性剤、無機酸、有機酸、アルカリ、包接化合物、安定化剤、防錆剤、防腐剤などからなる洗浄剤がある。また、エマルションやマイクロエマルションなどの分散系の洗浄剤がある。
非水系洗浄剤としては、炭化水素系洗浄剤（例えば、ノルマルパラフィン系洗浄剤、イソパラフィン系洗浄剤、ナフテン系洗浄剤および芳香族系洗浄剤など）；アルコール系洗浄剤（例えば、イソプロピルアルコール系洗浄剤およびエタノール系洗浄剤など）；グリコールエーテル系洗浄剤；フッ素系洗浄剤｛例えば、パーフルオロカーボン（ＰＦＣ）、ハイドロクロロフルオロカーボン（ＨＣＦＣ）、ハイドロフルオロカーボン（ＨＦＣ）、ハイドロフルオロエーテル（ＨＦＥ）および脂環式ハイドロフルオロカーボンなど｝；塩素系洗浄剤（例えば、塩化メチレン、トリクロロエチレンおよびテトラクロロエチレンなど）；並びに、その他の非水系洗浄剤（例えば、シリコーン系洗浄剤、エステル系洗浄剤、ｎ−メチルピロリドン系洗浄剤およびテルペン系洗浄剤など）；が挙げられる。
準水系洗浄剤としては、有機溶剤（アルコール、炭化水素、ｎ−メチルピロリドンおよびグリコールエーテルなど）、水および界面活性剤などからなる洗浄剤などが挙げられる。
【００１３】
本発明における洗浄剤（Ｓ）としては、アニオン性界面活性剤（Ａ）及び／又はノニオン性界面活性剤（Ｂ）等が挙げられる。洗浄剤（Ｓ）は、好ましくはｐＨが７〜１２であり、更に好ましくはｐＨが８〜１１ある。
【００１４】
本発明におけるアニオン性界面活性剤（Ａ）は、スルホン酸（塩）基、硫酸エステル（塩）基、カルボン酸（塩）基及びリン酸エステル（塩）基からなる群から選ばれる１種以上の基を有するアニオン性界面活性剤である。具体的には、スルホン酸系界面活性剤（Ａ１）、硫酸エステル系界面活性剤（Ａ２）、カルボン酸系界面活性剤（Ａ３）及びリン酸エステル系界面活性剤（Ａ４）、及びこれらの酸（塩）基を含む高分子型アニオン性界面活性剤（Ａ５）等が挙げられる。
【００１５】
本明細書における「（塩）」とは、塩を形成しているものを含んでいてもよいことを意
味する。本発明における塩の具体例としては、アンモニウム塩、アルカリ金属塩（リチウム塩、ナトリウム塩及びカリウム塩等）、アルカリ土類金属塩（カルシウム塩、マグネシウム塩及びバリウム塩等）、及び窒素含有塩基性化合物からなる塩基との塩等が挙げられる。塩は、単独でも２種以上を併用したものであってもよい。
窒素含有塩基性化合物としては、例えば、１級アミン（メチルアミン、エチルアミン及びブチルアミン等のアルキルアミン、モノエタノールアミン並びにグアニジン等）；２級アミン（ジメチルアミン、ジエチルアミン及びジブチルアミン等のジアルキルアミン並びにジエタノールアミン等）；３級アミン｛トリメチルアミン、トリエチルアミン及びトリブチルアミン等のトリアルキルアミン、トリエタノールアミン、Ｎ−メチルジエタノールアミン並びに１，４−ジアザビシクロ［２．２．２］オクタン等｝；アミジン｛１，８−ジアザビシクロ［５．４．０］−７−ウンデセン（以下、ＤＢＵと略記する）、１，５−ジアザビシクロ［４．３．０］−５−ノネン、１Ｈ−イミダゾール、２−メチル−１Ｈ−イミダゾール、２−エチル−１Ｈ−イミダゾール、４，５−ジヒドロ−１Ｈ−イミダゾール、２−メチル−４，５−ジヒドロ−１Ｈ−イミダゾール、１，４，５，６−テトラヒドロ−ピリミジン、１，６（４）−ジヒドロピリミジン等｝、アンモニウム及び第４級アンモニウム（テトラアルキルアンモニウム等）が挙げられる。
【００１６】
アニオン性界面活性剤の内のスルホン酸系界面活性剤（Ａ１）としては、炭素数６〜２４のアルコールのスルホコハク酸モノ又はジエステル（塩）、炭素数８〜２４のα−オレフィンのスルホン酸化物（塩）、炭素数８〜１４のアルキル基を有するアルキルベンゼンスルホン酸（塩）及び石油スルホネート（塩）等が挙げられる。
【００１７】
硫酸エステル系界面活性剤（Ａ２）としては、炭素数８〜１８の脂肪族アルコールの硫酸エステル（塩）、炭素数８〜１８の脂肪族アルコールのアルキレンオキサイド１〜１０モル付加物の硫酸エステル（塩）、硫酸化油（塩）、硫酸化脂肪酸エステル（塩）及び硫酸化オレフィン（塩）等が挙げられる。
【００１８】
脂肪酸系界面活性剤（Ａ３）としては、炭素数８〜１８の脂肪酸（塩）及び炭素数８〜１８の脂肪族アルコールのエーテルカルボン酸（塩）等が挙げられる。
【００１９】
リン酸エステル系界面活性剤（Ａ４）としては、炭素数８〜２４の高級アルコールの燐酸モノ又はジエステル（塩）及び炭素数８〜２４の高級アルコールのアルキレンオキサイド付加物の燐酸モノ又はジエステル（塩）等が挙げられる。
【００２０】
高分子型アニオン性界面活性剤（Ａ５）としては、スルホン酸（塩）基、硫酸エステル（塩）基、ホスホン酸（塩）基、リン酸エステル（塩）基及びカルボン酸（塩）基からなる群から選ばれる１種以上の基を有し、３００〜８００，０００の重量平均分子量（以下、Ｍｗと略記する。）を有する高分子型アニオン性界面活性剤が挙げられる。
なお、本発明におけるＭｗは、ゲルパーミエーションクロマトグラフィーによって、ポリエチレンオキサイドを基準物質として４０℃で測定される。［例えば、装置本体：ＨＬＣ−８１２０（東ソー株式会社製）、カラム：東ソー株式会社製ＴＳＫｇｅｌ α６０００、Ｇ３０００ ＰＷＸＬ、検出器：装置本体内蔵の示差屈折計検出器、溶離液：０．５％酢酸ソーダ・水／メタノール（体積比７０／３０）、溶離液流量：１．０ｍｌ／分、カラム温度：４０℃、試料：０．２５％の溶離液溶液、注入量：２００μｌ、標準物質：東ソー（株）製ＴＳＫ ＳＴＡＮＤＡＲＤ ＰＯＬＹＥＴＨＹＬＥＮＥ ＯＸＩＤＥ、データ処理ソフト：ＧＰＣ−８０２０ｍｏｄｅｌＩＩ（東ソー株式会社製）］。
高分子型アニオン性界面活性剤は、通常、１分子中に少なくとも２個以上の繰り返し単位を有する。
【００２１】
（Ａ５）の具体例としては、以下の（Ａ５１）〜（Ａ５５）が挙げられる。
（Ａ５１）スルホン酸（塩）基を有する高分子型アニオン性界面活性剤：
ポリスチレンスルホン酸、スチレン／スチレンスルホン酸共重合体、２−（メタ）アクリロイルアミノ−２，２−ジメチルエタンスルホン酸／（メタ）アクリル酸共重合体、２−（メタ）アクリロイルアミノ−２，２−ジメチルエタンスルホン酸／（メタ）アクリル酸／アクリルアミド共重合体、ナフタレンスルホン酸ホルムアルデヒド縮合物、メチルナフタレンスルホン酸ホルムアルデヒド縮合物、ジメチルナフタレンスルホン酸ホルムアルデヒド縮合物等並びにこれらの塩等が挙げられる。
【００２２】
（Ａ５２）硫酸エステル（塩）基を有する高分子型アニオン性界面活性剤：
ポリ｛２−ヒドロキシエチル（メタ）アクリレート硫酸エステル｝、２−ヒドロキシエチル（メタ）アクリレート／２−ヒドロキシエチル（メタ）アクリレート硫酸エステル共重合体、ポリ｛２−ヒドロキシエチル（メタ）アクリレート｝の硫酸エステル化物等並びにこれらの塩等が挙げられる。
【００２３】
（Ａ５３）ホスホン酸（塩）基を有する高分子型アニオン性界面活性剤：
ポリ｛（メタ）アクリロイルオキシエチルホスホン酸｝、２−ヒドロキシエチル（メタ）アクリレート／（メタ）アクリロイルオキシエチルホスホン酸共重合体、ナフタレンホスホン酸ホルムアルデヒド縮合物等並びにこれらの塩等が挙げられる。
【００２４】
（Ａ５４）リン酸エステル（塩）基を有する高分子型アニオン性界面活性剤：
ポリ｛２−ヒドロキシエチル（メタ）アクリレートリン酸エステル｝、２−ヒドロキシ
エチル（メタ）アクリレート／２−ヒドロキシエチル（メタ）アクリレートリン酸エステル共重合体、ポリ｛２−ヒドロキシエチル（メタ）アクリレート｝のリン酸エステル化物並びにこれらの塩等が挙げられる。
【００２５】
（Ａ５５）カルボン酸（塩）基を有する高分子型アニオン性界面活性剤：
ポリ（メタ）アクリル酸、（メタ）アクリル酸−マレイン酸共重合体、（メタ）アクリル酸−イタコン酸共重合体、（メタ）アクリル酸−フマル酸共重合体、（メタ）アクリル酸／酢酸ビニル共重合体及び２−ヒドロキシエチルメタクリレート／（メタ）アクリル酸共重合体、ポリ｛２−ヒドロキシエチル（メタ）アクリレート｝のカルボキシメチル化物、カルボキシメチルセルロース、カルボキシメチルメチルセルロース、カルボキシメチルエチルセルロース、安息香酸ホルムアルデヒド縮合物、安息香酸−フェノール−ホルムアルデヒド縮合物及びこれらの塩等が挙げられる。
【００２６】
（Ａ５）のＭｗは、パーティクルの再付着防止性及び低泡性の観点等から、通常３００〜８００，０００、好ましくは６００〜４００，０００、更に好ましくは１，０００〜８０，０００、特に好ましくは２，０００〜４０，０００である。
【００２７】
アニオン性界面活性剤（Ａ）の内好ましいのは、パーティクルの再付着防止の観点から高分子型アニオン性界面活性剤（Ａ５）である。
高分子型アニオン性界面活性剤（Ａ５）を使用する場合は、必要によりさらにスルホン酸系界面活性剤（Ａ１）、硫酸エステル系界面活性剤（Ａ２）、脂肪酸系界面活性剤（Ａ３）及びリン酸エステル系界面活性剤（Ａ４）から選ばれる１種以上を併用してもよい。
【００２８】
本発明におけるノニオン性界面活性剤（Ｂ）は、アルキレンオキシド付加型ノニオン性界面活性剤及び多価アルコール型ノニオン性界面活性剤などが挙げられる。ノニオン性界面活性剤（Ｂ）の曇点は、好ましくは３５〜９５℃であり、更に好ましくは５０〜９０℃である。具体的には、ポリオキシエチレンモノアルキルエーテル、ポリオキシエチレンポリオキシプロピレンモノアルキルエーテル等などがあげられる。
【００２９】
本発明の洗浄剤（Ｓ）は、キレート剤（ｃ）を含有しても良い。
【００３０】
キレート剤（Ｃ）としては、カルボキシル基及び／又はカルボキシレート基を分子内に含有するキレート剤（Ｃ１）、ホスホン酸（塩）基又はリン酸（塩）基を分子内に含有するキレート剤（Ｃ２）及びその他のキレート剤（Ｃ３）が挙げられる。
カルボキシル基及び／又はカルボキシレート基を分子内に含有するキレート剤（Ｃ１）としては、水酸基を有するヒドロキシカルボン酸及び／又はその塩（Ｃ１１）と水酸基を有しないカルボン酸及び／又はその塩（Ｃ１２）がある。ヒドロキシカルボン酸及び／又はその塩（Ｃ１１）としては、クエン酸（塩）、乳酸（塩）、没食子酸（塩）等が挙げられる。水酸基を有しないカルボン酸及び／又はその塩（Ｃ１２）としては、エチレンジアミンテトラ酢酸（ＥＤＴＡ）（塩）、ジエチレントリアミンペンタ酢酸（ＤＴＰＡ）（塩）、ヒドロキシエチル−イミノ二酢酸（ＨＩＤＡ）（塩）、１，２−ジアミノシクロヘキサンテトラ酢酸（ＤＣＴＡ）（塩）、トリエチレンテトラミンヘキサ酢酸（ＴＴＨＡ）（塩）、ニトリロ三酢酸（ＮＴＡ）（塩）、β−アラニンジ酢酸（塩）、アスパラギン酸ジ酢酸（塩）、メチルグリシンジ酢酸（塩）、イミノジコハク酸（塩）、セリンジ酢酸（塩）、アスパラギン酸（塩）及びグルタミン酸（塩）、ピロメリット酸（塩）、ベンゾポリカルボン酸（塩）、シクロペンタンテトラカルボン酸（塩）等、カルボキシメチルオキシサクシネート、オキシジサクシネート、マレイン酸誘導体、シュウ酸（塩）、マロン酸（塩）、コハク酸（塩）、グルタル酸（塩）、アジピン酸（塩）等が挙げられる。
【００３１】
ホスホン酸（塩）基又はリン酸（塩）基を分子内に含有するキレート剤（Ｃ２）としては、メチルジホスホン酸（塩）、アミノトリ（メチレンホスホン酸）（塩）、１−ヒドロキシエチリデン−１、１−ジホスホン酸（塩）（ＨＥＤＰ）、ニトリロトリスメチレンホスホン酸（塩）（ＮＴＭＰ）、エチレンジアミンテトラ（メチレンホスホン酸）（塩）、ヘキサメチレンジアミンテトラ（メチレンホスホン酸）（塩）、プロピレンジアミンテトラ（メチレンホスホン酸）（塩）、ジエチレントリアミンペンタ（メチレンホスホン酸）（塩）、トリエチレンテトラミンヘキサ（メチレンホスホン酸）（塩）、トリアミノトリエチルアミンヘキサ（メチレンホスホン酸）（塩）、トランス−１、２−シクロヘキサンジアミンテトラ（メチレンホスホン酸）（塩）、グリコールエーテルジアミンテトラ（メチレンホスホン酸）（塩）及びテトラエチレンペンタミンヘプタ（メチレンホスホン酸）（塩）、メタリン酸（塩）、ピロリン酸（塩）、トリポリリン酸（塩）及びヘキサメタリン酸（塩）等が挙げられる。
【００３２】
その他のキレート剤（Ｃ３）としては、Ｎ，Ｎ’−ビス（サリチリデン）−１，２−エタンジアミン、Ｎ，Ｎ’−ビス（サリチリデン）−１，２−プロパンジアミン、Ｎ，Ｎ’−ビス（サリチリデン）−１，３−プロパンジアミン及びＮ，Ｎ’−ビス（サリチリデン）−１，４−ブタンジアミン等が挙げられる。
【００３３】
キレート剤（Ｃ）のうちで、洗浄性向上の観点から好ましいのは、カルボキシル基及び／又はカルボキシレート基を分子内に含有するキレート剤（Ｃ１）及びホスホン酸（塩）基又はリン酸（塩）基を分子内に含有するキレート剤（Ｃ２）であり、更に好ましいのは、クエン酸（塩）、ＥＤＴＡ（塩）、ＤＴＰＡ（塩）、ＨＩＤＡ（塩）、ＮＴＡ（塩）、ＮＴＭＰ（塩）、ＨＥＤＰ（塩）、エチレンジアミンテトラメチレンホスホン酸（塩）、ピロリン酸（塩）等である。特に好ましいのは、ＨＥＤＰ（塩）、ＮＴＭＰ（塩）、エチレンジアミンテトラメチレンホスホン酸（塩）、クエン酸（塩）、ＤＴＰＡ（塩）、及びＨＩＤＡ（塩）である。
【００３４】
磁気ディスク基板用洗浄剤中のアニオン性界面活性剤（Ａ）の含有量は、磁気ディスク基板用洗浄剤の重量に基づき、好ましくは０．００１〜１０重量％、更に好ましくは０．１〜１０重量％である。
磁気ディスク基板用洗浄剤中のノニオン性界面活性剤（Ｂ）の含有量は、磁気ディスク基板用洗浄剤の重量に基づき、好ましくは０．００１〜１０重量％、更に好ましくは０．１〜１０重量％である。
磁気ディスク基板用洗浄剤中のキレート剤（Ｃ）の含有量は、磁気ディスク基板用洗浄剤の重量に基づき、洗浄性の観点で好ましくは０．０１〜１０重量％、更に好ましくは０．１〜１０重量％である。
【００３５】
本発明の磁気ディスク基板用洗浄剤には、上記の（Ａ）〜（Ｃ）以外に、（Ａ）及び（Ｂ）以外の界面活性剤（Ｄ）、安定化剤（Ｅ）、防錆剤（Ｆ）、防腐剤（Ｇ）を含有しても良い。
本発明の磁気ディスク基板用洗浄剤の使用時のｐＨは、洗浄性の観点から、好ましくは７〜１２、更に好ましくは８〜１１である。
【００３６】
安定化剤（Ｅ）として、パラトルエンスルホン酸塩、安息香酸塩等が挙げられる。
【００３７】
防錆剤（Ｆ）として、市販の防錆剤を使用することができる。
【００３８】
防腐剤（Ｇ）として、市販の防腐剤を使用することができる。
【００３９】
本発明の別の実施態様は、上記の搬送後又は保管後の磁気ディスク基板を洗浄剤（Ｓ）に接触させて洗浄する工程と、前記磁気ディスク基板を洗浄剤（Ｓ）並びに洗浄用テープ及び／又は超音波を使用して洗浄する工程を含む磁気ディスク基板の製造方法であり、前記の磁気ディスク基板の製造方法を含む電子材料の製造方法に有用である。
【００４０】
本発明の磁気ディスク基板の製造方法は、メディア製造工程で用いることができる。
【実施例】
【００４１】
以下、実施例により本発明をさらに詳細に説明するが、本発明はこれに限定されるものではない。特に限定がない限り以下において部は重量部を示す。
【００４２】
実施例１〜３、および比較例１
表１に記載の組成となるように、各成分を配合し、２５℃、マグネチックスターラーで４０ｒｐｍ、２０分間撹拌して、本発明の洗浄剤および比較のための洗浄剤１００部を得た。
上記洗浄剤をさらに超純水で１００倍希釈して、性能試験用のサンプル液を作成した。
水系洗浄剤以外は希釈せずサンプル液とした。
環境からの有機汚染物質としては、クリーンルームの高性能エアフィルタから放出されるジオクチルフタレート、キャリアボックスからジブチルフタレートや酸化防止剤、建築部材のシリコンシーラントから環状シロキサン類が放出されていることが知られている。
洗浄試験のモデル化合物として、ジブチルフタレートを選択し、洗浄性の確認をした。
【００４３】
＜洗浄性＞
ジブチルフタレートをアセトンに溶解し、表面がニッケル−リン（Ｎｉ−Ｐ）メッキされた磁気ディスク用アルミ基板を浸漬した。
【００４４】
浸漬後、基板を取り出し窒素でブローして乾燥することにより、汚染基板を調製した。
前述した汚染基板を、常温（２５℃）の洗浄剤サンプル液に１０分間浸漬した。
浸漬後、基板を取り出し超純水で１分間洗い流した後、窒素ガスでブローして乾燥して評価用基板を得た。
磁気ディスク用基板表面に光を当て、１００ｎｍ以上の異物があればそれに当たった反射光を増幅して検出する表面検査装置（ビジョンサイテック社製「Ｍｉｃｒｏ−Ｍａｘ  ＶＭＸ−７１００」）で観察し、画像解析ソフト「Ｓｉｇｍａｓｃａｎ」を用いて基板上の１ｃｍ四方に付着している異物の個数を数えた。
また、洗浄液の代わりにブランクとして超純水で同様に試験した。
以下の判断基準で高温での洗浄性試験を判定し、判定結果を表１に示した。
【００４５】
【表１】
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【００４６】
[洗浄性試験の判断基準]
５：異物付着数がブランクの１／１００未満
４：異物付着数がブランクの１／１００以上１／２０未満
３：異物付着数がブランクの１／２０以上１／５未満
２：異物付着数がブランクの１／５以上１／２未満
１：異物付着数がブランクの１／２以上
【産業上の利用可能性】
【００４７】
本発明の磁気ディスク基板洗浄剤を使用することにより、清浄度が高い磁気ディスク基板を提供することができる。