(57)【要約】【課題】光硬化型の異方性導電フィルムを単層化し、且つ透明基板の配線や接続端子の平面方向中央部に接した部位の硬化率を向上させ、導通抵抗を低下させる。【解決手段】光硬化性化合物と光硬化剤とを含むバインダ組成物と、その中に分散している導電粒子とを含有する異方性導電フィルムは、表面の少なくとも一部が光拡散性フィラで被覆されている導電粒子を使用する。異方性導電フィルムのＪＩＳ  Ｋ７３７５による全光線反射率は２５％以上である。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
光硬化性化合物と光硬化剤とを含むバインダ組成物と、その中に分散している導電粒子とを含有する異方性導電フィルムであって、導電粒子の表面の少なくとも一部が光拡散性フィラで被覆されており、ＪＩＳ  Ｋ７３７５全光線反射率が２５％以上である異方性導電フィルム。
【請求項２】
導電粒子の表面の１５％以上が光拡散性フィラで被覆されている請求項１記載の異方性導電フィルム。
【請求項３】
異方性導電フィルム中の全光拡散フィラに対する、導電粒子を被覆していない光拡散性フィラの割合が４〜１５質量％である請求項１又は２記載の異方性導電フィルム。
【請求項４】
光拡散性フィラが、無機酸化物である請求項１〜３のいずれかに記載の異方性導電導電フィルム。
【請求項５】
請求項１〜４のいずれかに記載の異方性導電フィルムを介して、透明基板の接続端子と電子部品の電極とが異方性導電接続されている接続体。
【請求項６】
請求項５記載の接続体の製造方法であって、透明基板の接続用端子に異方性導電フィルムを配置し、その異方性導電フィルムを介して電子部品の電極を透明基板の接続端子に位置合わせし、電子部品側から押圧した後、透明基板側から紫外線を照射することにより透明基板と電子部品とを接合する製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ＩＣチップ等の電子部品をガラス基板等の透明基板に実装する際に有用な異方性導電フィルムに関する。
【背景技術】
【０００２】
従来より、光硬化性バインダ組成物に導電粒子を分散させた異方性導電フィルムを、ＦＰＣやＩＣチップ等の電子部品と、配線と接続用端子とが形成された透明基板との間に配置し、押圧しながら、透明基板側から紫外線を照射して異方性導電フィルムを光硬化させることにより、電子部品と透明基板とを異方性導電接続することが実施されている。
【０００３】
このような異方性導電接続を行った場合、透明基板の配線や接続用端子に接した部位の異方性導電フィルムは、配線と接続用端子に紫外線が遮られるため、特に配線や端子の幅方向中央部の硬化率が相対的に低下し、透明基板と電子部品との間の導通抵抗が上昇するという問題があった。
【０００４】
そこで、異方性導電フィルムを、光硬化性の導電粒子含有層と光硬化性の絶縁性樹脂層とを積層したものから構成し、更に、それらの層の少なくともいずれかに光散乱性微粒子を含有させることが提案されている（特許文献１）。この異方性導電フィルムによれば、光散乱性微粒子が紫外線をフィルムの平面方向（エッジ方向）にも散乱させ、透明基板の配線又は接続用端子に接した部位の異方性導電フィルムに照射される紫外線量を増大させ、その部位の硬化率を上昇させることが期待できる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】国際公開２０１３／０７３５６３
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかしながら、特許文献１の光硬化型異方性導電フィルムは２層構造であるため、製造コストが増大するという問題があった。しかも、透明基板の配線や端子の平面方向中央部に接した異方性導電フィルムの硬化率が期待したほど上昇せず、意図した導通抵抗値を超えてしまうという問題があった。
【０００７】
本発明の目的は、従来技術の問題点を解決しようとするものであり、光硬化型の異方性導電フィルムを単層化し、且つ透明基板の配線や接続端子の平面方向中央部に接した部位の硬化率を向上させ、導通抵抗を低下させることのできる異方性導電フィルムを提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明者は、単層化した異方性導電フィルムに光拡散性フィラを配合する際に、フィルム全体に分散させるのではなく偏在化させることにより硬化率を改善できるのではないかとの推論の下、異方性導電フィルムのＪＩＳ  Ｋ７３７５による全光線反射率が２５％以上となるように導電粒子の表面の少なくとも一部を光拡散性フィラで被覆してみたところ、上述の目的を達成できることを見出し、本発明を完成させるに至った。
【０００９】
即ち、本発明は、光硬化性化合物と光硬化剤とを含むバインダ組成物と、その中に分散している導電粒子とを含有する異方性導電フィルムであって、導電粒子の表面の少なくとも一部が光拡散性フィラで被覆されており、ＪＩＳ  Ｋ７３７５による全光線反射率が２５％以上である異方性導電フィルムを提供する。
【００１０】
また、本発明は、上述の異方性導電フィルムを介して、透明基板の接続端子と電子部品の電極とが異方性導電接続されている接続体を提供する。
【００１１】
更に、本発明は、この接続体の製造方法であって、透明基板の接続用端子に異方性導電フィルムを配置し、その異方性導電フィルムを介して電子部品の電極を透明基板の接続端子に位置合わせし、電子部品側から押圧した後、透明基板側から紫外線を照射することにより透明基板と電子部品とを接合する製造方法を提供する。
【発明の効果】
【００１２】
光硬化型の本発明の異方性導電フィルムは、導電粒子の表面の少なくとも一部が光拡散性フィラで被覆されており、ＪＩＳ  Ｋ７３７５による全光線反射率が２５％以上を示す。このため、この異方性導電フィルムを介して透明基板の接続端子と電子部品の電極とを異方性導電接続して接続体を作成する際、透明基板側から照射された紫外線の一部は、光拡散性フィラにより異方性導電フィルム外に出射せずにフィルム内部でフィルムの平面方向に拡散する。この結果、透明基板の配線や接続端子の幅方向中央部に接した部位、即ち紫外線が届き難かった部位にまで紫外線を伝播させることができ、その部位の硬化率を向上させ、導通抵抗を低下させることができる。
【図面の簡単な説明】
【００１３】
【図１】図１は、異方性導電フィルムを介して透明基板と電子部品とを接合する際に、透明基板側から光照射した際の説明図である。
【発明を実施するための形態】
【００１４】
＜異方性導電フィルム＞
本発明の異方性導電フィルムは、光硬化性化合物と光硬化剤とを含むバインダ組成物と、その中に分散している導電粒子とから構成されており、その特徴は、導電粒子として、表面の少なくとも一部が光拡散性フィラで被覆されているもの（光拡散性フィラ被覆導電粒子）を使用し、また、異方性導電フィルムのＪＩＳ  Ｋ７３７５による全光線反射率が２５％以上であることである。
【００１５】
（光拡散性フィラ被覆導電粒子）
光拡散性フィラ被覆導電粒子は、文字通り、導電粒子の表面の少なくとも一部が光拡散性フィラで被覆されているものである。
【００１６】
「導電粒子」
導電粒子としては、従来より異方性導電フィルムに適用されてきた導電粒子を採用することができる。例えば、ニッケル、銀、金、パラジウム等の金属の粒子；半田等の合金の粒子；スチレン−ジビニルベンゼン共重合体、ベンゾグアナミン樹脂、架橋ポリスチレン樹脂、アクリル樹脂等の樹脂の粒子（樹脂コア粒子）の表面を、無電解めっき法、スパッタリング法等により、ニッケル薄膜やニッケル／金薄膜などの金属薄膜で被覆した金属被覆樹脂粒子を挙げることができる。これらの導電粒子は、必要に応じて薄い樹脂被膜で絶縁被覆することができる。
【００１７】
このような導電粒子の平均粒径は、異方性導電フィルムを適用する透明基板の配線ピッチや電子部品のバンプ径等により異なるが、通常、２μｍ以上１５μｍ以下、好ましくは２μｍ以上１０μｍ以下、より好ましくは２μｍ以上５μｍ以下である。なお、導電粒子の平均粒径は、一般的な粒度分布測定装置（例えば、ＦＰＡＲ−１０００、大塚電子株式会社製）などにより測定することができる。
【００１８】
また、導電粒子の異方性導電フィルム中の含有量は、異方性導電接続の際におけるショートの発生防止、導通抵抗の低減、導通信頼性の確保等の観点から、好ましくは５質量％以上５０質量％以下、より好ましくは５質量％以上３０質量％以下である。
【００１９】
「光拡散性フィラ」
光拡散性フィラは、異方性導電フィルム中に入射した紫外線を、結果的に異方性導電フィルムの平面方向（エッジ方向）に拡散させることが可能なものである。ここで、拡散とは、フィラ表面で紫外線を反射もしくは透過した紫外線を屈折させて出射させることを意味する。光拡散性フィラとしては、無機微粒子、有機微粒子を使用することができ、異方性導電フィルムの使用目的に応じて適宜選択することができる。無機微粒子としては酸化アルミニウム微粒子、酸化マグネシウム微粒子、酸化チタン微粒子、酸化亜鉛微粒子、シリカ微粒子などが挙げられる。有機微粒子としては、異方性導電フィルムを構成する光硬化性樹脂の硬化物よりも大きな屈折率を有する樹脂微粒子を使用することができる。
【００２０】
光拡散性フィラの平均粒径は、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができるが、配線上の非透過領域まで照射光を侵入させやすくする点から、好ましくは５０ｎｍ以上８００ｎｍ以下、より好ましくは１００ｎｍ以上５００ｎｍ以下である。また、光拡散性フィラの平均粒径は、前述の範囲であることを前提に、安定な異方性接続の観点から、導電粒子の平均粒径を１００としたときに好ましくは０．４〜４０、より好ましくは０．５〜４０、更により好ましくは６〜２５である。また、光拡散性フィラの平均粒径は、異方性導電接続の際に利用する照射光の波長の１／２に近しい大きさとすることが好ましい。なお、光拡散性フィラの平均粒径は、一般的な粒度分布測定装置（例えば、ＦＰＡＲ−１０００、大塚電子株式会社製）などにより測定することができる。
【００２１】
以上のような拡散性フィラによる導電粒子の表面の被覆率（導電粒子の全表面積に対する、光拡散性フィラ被覆導電粒子の光拡散性フィラで覆われている面積の割合）は、発明の効果を十分に実現するために少なくとも１５％以上、好ましくは３０％以上である。この被覆率は電子顕微鏡（ＳＥＭ）により測定することができ、通常は５０サンプルの平均値として定義することができる。
【００２２】
また、光拡散性フィラは、導電粒子を被覆していない存在態様として、異方性導電フィルム中に独立的に分散していてもよい。この場合、接続後の信頼性の点から、異方性導電フィルム中の全光拡散フィラに対する、導電粒子を被覆していない光拡散性フィラの割合は、好ましくは４質量％以上１５質量％以下、より好ましくは６質量％以上１２質量％以下である。
【００２３】
（硬化性化合物）
バインダ組成物を構成する光硬化性化合物としては、特に制限はなく、異方性導電フィルムの使用目的に応じて適宜選択することができ、例えば、光カチオン硬化性化合物、光ラジカル硬化性化合物などが挙げられる。
【００２４】
光カチオン硬化性化合物としては、公知の異方性導電フィルムに使用されている光カチオン重合性化合物（モノマーもしくはオリゴマー）を光カチオン重合させたものを使用することができる。例えば、ビスフェノールＡ型エポキシ化合物、ビスフェノールＦ型エポキシ化合物、ノボラック型エポキシ化合物、オキセタン化合物、脂環式エポキシ化合物、これらのアクリル、ウレタン又はカルボン酸変性エポキシ化合物等が挙げられる。これらは、１種単独で使用してもよいし、２種以上を併用してもよい。
【００２５】
光ラジカル硬化性化合物としては、公知の異方性導電フィルムに使用されている光ラジカル重合性化合物（モノマーもしくはオリゴマー）をラジカル重合させたものを使用することができる。このような光ラジカル重合性モノマーとしては、メチル（メタ）アクリレート、エチル（メタ）アクリレート、イソプロピル（メタ）アクリレート、イソブチル（メタ）アクリレート等の単官能（メタ）アクリレート、エチレングリコールジ（メタ）アクリレート、ジエチレングリコールジ（メタ）アクリレート、トリメチロールプロパントリ（メタ）アクリレート、ジメチロールトリシクロデカンジ（メタ）アクリレート、テトラメチレングリコールテトラ（メタ）アクリレート、２−ヒドロキシ−１，３−ジ（メタ）アクリロキシプロパン、２，２−ビス[４−（（メタ）アクリロキシメトキシ）フェニル]プロパン、２，２−ビス[４−（（メタ）アクリロキシエトキシ）フェニル]プロパン、ジシクロペンテニル（メタ）アクリレート、トリシクロデカニル（メタ）アクリレート、トリス（（メタ）アクリロキシエチル）イソシアヌレート等の多官能（メタ）アクリレート、エポキシ（メタ）アクリレート、ウレタン（メタ）アクリレート、（メタ）アクリレートオリゴマーなどが挙げられる。これらは、１種単独で使用してもよいし、２種以上を併用してもよい。ここで、「（メタ）アクリレートなる用語は、アクリレートとメタクリレートとを包含する用語である。
【００２６】
光硬化性化合物の異方性導電フィルム中の含有量は、導電粒子押し込み後の保持性や安定性の点から好ましくは５質量％以上５０質量％以下、より好ましくは５質量％以上３０質量％以下である。
【００２７】
（光硬化剤）
光硬化剤としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、紫外線より活性カチオン種又は活性ラジカル種を発生させる公知の光カチオン硬化剤又は光ラジカル硬化剤を使用することができる。光カチオン硬化剤としては、例えば、スルホニウム塩、オニウム塩などが挙げられ、光ラジカル硬化剤としては、例えば、アルキルフェノン系光重合開始剤、アシルフォスフィンオキサイド系光重合開始剤、チタノセン系光重合開始剤、オキシムエステル系光重合開始剤などが挙げられる。
【００２８】
光硬化剤の異方性導電フィルム中の含有量は、硬化率や硬化速度等の観点から、光カチオン硬化剤の場合には、光カチオン重合性化合物１００質量部に対し、好ましくは３質量部以上１５質量部以下、より好ましくは５質量部以上１０質量部以下である。また、光ラジカル硬化剤の場合には、光ラジカル重合性化合物１００質量部に対し、好ましくは３質量部以上１５質量部以下、より好ましくは５質量部以上１０質量部以下である。
【００２９】
（その他の成分）
バインダ組成物は、必要に応じ、発明の効果を損なわない範囲で、膜形成樹脂、シランカップリング剤、溶剤などを含有することができる。膜形成樹脂としては、フェノキシ樹脂、不飽和ポリエステル樹脂、飽和ポリエステル樹脂、ウレタン樹脂、ブタジエン樹脂、ポリイミド樹脂、ポリアミド樹脂、ポリオレフィン樹脂等が挙げられ、光硬化性化合物１００質量部に対し、好ましくは５０質量部以上１００質量部以下、より好ましくは６０質量部以上９０質量部以下で配合される。また、シランカップリング剤としては、エポキシ系シランカップリング剤、アクリル系シランカップリング剤、チオール系シランカップリング剤、アミン系シランカップリング剤等が挙げられ、光硬化性化合物と膜形成樹脂との合計１００質量部に対し、好ましくは２質量部以上２５質量部以下、より好ましくは２質量部以上１０質量部以下で配合される。
【００３０】
（異方性導電フィルムの厚み）
異方性導電フィルムの厚みとしては、導電粒子径、導電粒子含有量、光硬化性化合物の種類、異方性導電フィルムの使用目的等により適宜選択することができ、通常、１０μｍ以上３０μｍ以下が好ましく、１０μｍ以上２５μｍ以下がより好ましく、更により好ましくは１０μｍ以上２０μｍ以下である。
【００３１】
（異方性導電フィルムの全光線反射率）
本発明の異方性導電フィルムは、透明基板の接続端子と電子部品の電極とを異方性導電接続して接続体を作成した際に、照射光が届き難い透明基板の配線や接続端子の幅方向中央部に接した部位の硬化率を向上させ、導通抵抗を低下させるために、ＪＩＳ  Ｋ７３７５による全光線反射率が２５％以上、好ましくは３５〜６０％である。
【００３２】
異方性導電フィルムの全光線反射率の調整は、光拡散性フィラの種類、導電粒子の光拡散性フィラ被覆率、導電粒子を被覆していない光拡散性フィラの異方性導電フィルム中の存在量等を選択、調整することにより行うことができる。具体的には、全光線反射率を増大させる場合には、例えば、導電粒子の光拡散性フィラ被覆率を増大させること等により行うことができ、反対に、全光線反射率を低減させる場合には、導電粒子の光拡散性フィラ被覆率を低減させること等により行うことができる。
【００３３】
＜異方性導電フィルムの製造＞
本発明の異方性導電フィルムは、導電粒子の表面に光拡散性フィラを高速攪拌機等により付着させて光拡散性フィラ被覆導電粒子を調製し、この光拡散性フィラ被覆導電粒子を、光硬化性化合物と光硬化剤と、必要に応じて配合されるその他の溶剤や成膜用樹脂等の成分とを含有するバインダ組成物中に、常法により均一に分散させ、所期の厚さに成膜した後、必要に応じて５０℃以上１００℃以下で乾燥することにより製造できる。
【００３４】
＜接続体＞
本発明の異方性導電フィルムを介して、透明基板の接続端子と電子部品の電極とを異方性導電接続することにより接続体が得られるが、この接続体も本発明の一部である。透明基板としては紫外線透過性のガラス基板、プラスチック基板を採用することができ、また、接続端子や配線の材料、幅、ピッチ等は従来の透明基板で採用されているものを使用することができる。また、電子部品としては、異方性導電接続の対象となるものであり、ＦＰＣ、ＩＣチップ、液晶パネルなどが挙げられる。
【００３５】
＜接続体の製造方法＞
本発明の接続体は、図１に示すように、透明基板１の接続用端子２に異方性導電フィルム３を配置し、その異方性導電フィルム３を介して電子部品４の電極５を透明基板１の接続用端子２に位置合わせし、電子部品４側から押圧した後、好ましくはその押圧を維持しながら、透明基板１側から紫外線（図中矢印）を照射して透明基板１と電子部品４とを接合することにより製造することができる。この紫外線照射の際、異方性導電フィルム３中の光拡散性フィラ６で被覆された導電粒子７に照射された紫外線は、光拡散性フィラ６により、異方性導電フィルム３のエッジ方向にも拡散し、接続用端子２と電極５との間に挟まれた光硬化性のバインダ組成物の硬化率を向上させることができる。
【００３６】
なお、本発明の接続体を製造する際の好ましい押圧条件としては、圧力５０ＭＰａ以上９０ＭＰａ以下、押圧温度１００℃以上１２０℃以下、押圧時間３秒以上、好ましくは５秒以上を例示することができる。押圧した後に、紫外線照射するのは、押圧と同時に紫外線を照射すると、導電粒子が十分に押し込まれずに、導通抵抗が大きくなる傾向があるからである。これにより、透明基板の配線や接続端子の幅方向中央部に接した部位の異方性導電フィルムの硬化率を向上させ、導通抵抗を低下させることができる。なお、紫外線光源や、紫外線照射条件等についても、従来の接続体の製造方法における紫外線光源や紫外線照射条件を適用することができる。
【実施例】
【００３７】
以下、本発明をより具体的な実験例により説明する。
【００３８】
実施例１
（光拡散性フィラ被覆導電粒子の調製）
平均粒径約４μｍの導電粒子（ＡＵＬ７０４、積水化学工業株式会社製）１００質量部に対し、平均粒径１００ｎｍの酸化亜鉛微粒子２０質量部を高速攪拌機を用いて被覆処理することにより２０質量％の酸化亜鉛微粒子で被覆された光拡散性フィラ被覆導電粒子を得た。得られた光拡散性フィラ被覆導電粒子５０サンプルの酸化亜鉛微粒子による被覆率は１５％であった。
【００３９】
（異方性導電フィルムの作製）
得られた光拡散性フィラ被覆導電粒子３０質量部と、フェノキシ樹脂（ＹＰ７０、新日鉄住金化学株式会社製）２０質量部と、液状エポキシ樹脂（ＥＰ８２８、三菱化学株式会社製）３０質量部と、固形エポキシ樹脂（ＹＤ０１４、新日鉄住金化学株式会社製）２０質量部と、光カチオン系硬化剤（ＬＷ−Ｓ１、サンアプロ株式会社製）５質量部とを、撹拌装置（泡とり錬太郎、株式会社シンキー製）を用いて均一に混合した。得られた混合物を剥離処理したＰＥＴ上に乾燥後の平均厚みが２０μｍとなるように塗布し、８０℃で乾燥することにより異方性導電フィルムを得た。
【００４０】
＜接合体の製造＞
接合体の製造に以下の試験用ＦＰＣとガラス基板とを使用した。
【００４１】
「ガラス基板」
前記試験用ＩＣチップのバンプに対応する配線材料：Ａｌ／Ｃｒ／Ａｕ配線
配線幅：０．２ｍｍ、０．５ｍｍ、１．０ｍｍの三種
平均配線厚さ：０．５μｍ
基板厚：０．７ｍｍ
【００４２】
ガラス基板に、１．５ｍｍ幅にスリットした異方性導電フィルムを配置し、０．５ＭＰａ、６０℃、２秒で仮貼りし、その上に、試験用ＩＣチップを置いて仮固定した後、ヒートツール１．５ｍｍ幅で緩衝材（厚み７０μｍのテフロン（登録商標））を用いて、圧着条件１２０℃、８０ＭＰａ、１０秒間（ツールスピード２５ｍｍ／秒間、ステージ温度３０℃）で加熱押圧を開始し、開始から５秒間後に、加熱加圧を維持しながら、ガラス基板側から３６０ｎｍに最大発光波長を持つＬＥＤランプ（コントローラー：ＺＵＶ−Ｃ２０Ｈ、ヘッドユニット：ＺＵＶ−Ｈ２０ＭＢ、レンズユニット：ＺＵＶ−２１２Ｌ、オムロン株式会社製）を用いて４００Ｗ／ｃｍ２で５秒間、ＵＶ照射を行った。これにより接合体を得た。
【００４３】
実施例２
酸化亜鉛に代えて、平均粒径１００ｎｍの酸化アルミニウムを使用すること以外、実施例１と同様にして光拡散性フィラ被覆導電粒子（被覆率２０％）を作製し、それを用いて異方性導電フィルムを作製し、更に接続体を作製した。
【００４４】
実施例３
酸化亜鉛に代えて、平均粒径１００ｎｍの酸化マグネシウムを使用すること以外、実施例１と同様にして光拡散性フィラ被覆導電粒子（被覆率４５％）を作製し、それを用いて異方性導電フィルムを作製し、更に接続体を作製した。
【００４５】
実施例４
酸化亜鉛２０質量部に代えて、平均粒径１００ｎｍの酸化マグネシウム３０質量部を使用すること以外、実施例１と同様にして光拡散性フィラ被覆導電粒子（被覆率６０％）を作製し、それを用いて異方性導電フィルムを作製し、更に接続体を作製した。
【００４６】
実施例５
酸化亜鉛２０質量部に代えて、平均粒径１００ｎｍの酸化マグネシウム４０質量部を使用すること以外、実施例１と同様にして光拡散性フィラ被覆導電粒子（被覆率８０％）を作製し、それを用いて異方性導電フィルムを作製し、更に接続体を作製した。
【００４７】
比較例１
光拡散性フィラで被覆されていない平均粒径約４μｍの導電粒子（ＡＵＬ７０４、積水化学工業株式会社製）５部と、フェノキシ樹脂（ＹＰ７０、新日鉄住金化学株式会社製）２０質量部と、液状エポキシ樹脂（ＥＰ８２８、三菱化学株式会社製）３０質量部と、固形エポキシ樹脂（ＹＤ０１４、新日鉄住金化学株式会社製）２０質量部と、光カチオン系硬化剤（ＬＷ−Ｓ１、サンアプロ株式会社製）５質量部とを、撹拌装置（泡とり錬太郎、株式会社シンキー製）を用いて均一に混合した。得られた混合物を剥離処理したＰＥＴ上に乾燥後の平均厚みが２０μｍとなるように塗布し、８０℃で乾燥することにより異方性導電フィルムを得た。また、得られた異方性導電フィルムを用いて、実施例１と同様に接続体を作製した。
【００４８】
比較例２
比較例１の配合に、更に平均粒径１００ｎｍの酸化亜鉛微粒子６質量部を配合すること以外、比較例１と同様に異方性導電フィルムを得た。また、得られた異方性導電フィルムを用いて、実施例１と同様に接続体を作製した。
【００４９】
比較例３
比較例１の配合に、更に平均粒径１００ｎｍの酸化亜鉛微粒子１２質量部を配合すること以外、比較例１と同様に異方性導電フィルムを得た。また、得られた異方性導電フィルムを用いて、実施例１と同様に接続体を作製した。
【００５０】
＜評価＞
実施例及び比較例で得られた接続体について、「導通抵抗」、「配線中央の硬化率（％）」、「全光線反射率（％）」を以下に説明するように試験し、評価した。得られた結果を表１に示す。
【００５１】
「導通抵抗」
接続体について、３０カ所の抵抗値（Ω）を、４端子法を用いて電流１ｍＡの条件で測定した。実用的には１Ω以下であることが望ましい。
【００５２】
「配線中央の硬化率（％）」
接合体の配線の平面方向の中央に接した光硬化後の異方性導電フィルムの硬化率を、エポキシ基の９１４ｃｍ−１の赤外吸収強度の変化により調べた。硬化前の赤外吸収強度を１００とし、硬化後の赤外吸収強度をｘとしたとき、硬化率（％）は１００−ｘで求められる。なお、配線と重なっていない異方性導電フィルムの硬化率は、９３％であった。
【００５３】
「全光線反射率（％）」
ＪＩＳ  Ｋ７３７５に準拠した全光線反射率測定器（日立分光光度計Ｕ−３３００、株式会社日立ハイテクフィールディング製）を用い、異方性導電フィルムの全光線反射率（％）を求めた。
【００５４】
【表１】
2015191823.tif 000003
【００５５】
表１から分かるように、光拡散性フィラで被覆された導電粒子を含有する実施例１〜５の異方性導電フィルムは、導通抵抗値が１Ω以下であり実用上問題の無い値を示した。硬化率も、光拡散性フィラを全く使用していない比較例１だけでなく、導電粒子を被覆せずにフィルム全体に均一に分散している比較例２、３にも比べ、幅０．５ｍｍや幅１ｍｍの配線の平面方向中央部の異方性導電フィルムの硬化率に比べ、大きく改善された。
【産業上の利用可能性】
【００５６】
本発明の異方性導電フィルムは、使用する導電粒子の表面の少なくとも一部が光拡散性フィラで被覆されており、また、ＪＩＳ  Ｋ７３７５による全光線反射率が２５％以上である。このため、この異方性導電フィルムを介して、透明基板の接続端子と電子部品の電極とを異方性導電接続して接続体を作成した際に、透明基板の配線や接続端子の幅方向中央部に接した部位の硬化率を向上させ、接続抵抗を低下させることができるので、ＩＣチップ等の電子部品を透明基板に実装する際に有用である。
【符号の説明】
【００５７】
１  透明基板
２  接続用端子
３  異方性導電フィルム
４  電子部品
５  電極
６  光拡散性フィラ
７  導電粒子
【図１】
2015191823.tif 000004