(57)【要約】【課題】大口径の窒化物半導体膜を形成する。【解決手段】本発明の窒化物半導体基板の製造方法は、上面及び側面を有する複数の窒化物半導体の小片を準備する準備工程Ｓ１０と、複数の小片を、上面が露出するように基板保持台の載置面に載置する載置工程Ｓ２０と、複数の小片のから窒化物半導体結晶を成長させ、小片各々から成長させた窒化物半導体同士を互いに接合させて窒化物半導体膜を形成する成長工程Ｓ３０とを含む。複数の小片の半数以上は、上面が、［１１−２Ｘ］を法線とする第１面を含み、側面が、ｃ軸又はｃ軸を０°より大かつ９０°より小の範囲で傾けた軸を法線とする第２面と、ｍ軸を０°より大かつ９０°より小の範囲で傾けた軸であって、ｃ軸と直交しない軸を法線とする第３面とを含む。また、第２面の法線及び第３面の法線各々が同じ向きとなり、かつ、第２面同士又は第３面同士が隣接する小片と対向するように基板保持台に載置される。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
上面及び側面を有する複数の窒化物半導体の小片を準備する準備工程と、
複数の前記小片を、前記上面が露出するように基板保持台の載置面に載置する載置工程と、
前記載置工程の後、複数の前記小片の前記上面各々から窒化物半導体結晶を成長させ、前記小片各々から成長させた窒化物半導体同士を互いに接合させて窒化物半導体膜を形成する成長工程と
を含み、
複数の前記小片の半数以上は、
前記上面が、［１１−２Ｘ］を法線とする第１面を含み、
前記側面が、ｃ軸又はｃ軸を０°より大かつ９０°より小の範囲で傾けた軸を法線とする第２面と、ｍ軸を０°より大かつ９０°より小の範囲で傾けた軸であって、ｃ軸と直交しない軸を法線とする第３面とを含み、
前記第２面同士又は前記第３面同士が隣接する前記小片と対向するように前記基板保持台に載置される窒化物半導体基板の製造方法。
【請求項２】
請求項１に記載の窒化物半導体基板の製造方法において、
ｃ軸を前記第１面に投影した第１の投影線と、前記第３面の法線を前記第１面に投影した第２の投影線とは直交しない窒化物半導体基板の製造方法。
【請求項３】
請求項１又２に記載の窒化物半導体基板の製造方法において、
前記第２の投影線は、ｍ軸を前記第１面に投影した第３の投影線から５°以上４０°以下傾いている窒化物半導体基板の製造方法。
【請求項４】
請求項３に記載の窒化物半導体基板の製造方法において、
前記第２の投影線は、前記第３の投影線から１０°以上２０°以下傾いている窒化物半導体基板の製造方法。
【請求項５】
請求項１から４のいずれか１項に記載の窒化物半導体基板の製造方法において、
複数の前記小片の半数以上は、前記第２面の法線及び前記第３面の法線各々が同じ向きとなるように前記基板保持台に載置される窒化物半導体基板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、窒化物半導体基板の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
特許文献１には、大口径の窒化物半導体自立基板を製造することを１つの課題とした窒化物半導体自立基板製造方法の発明が開示されている。当該発明では、種基板となる窒化物半導体自立基板上に、種基板と同種の窒化物半導体をエピタキシャル成長し、その後、エピタキシャル成長面と平行にスライスして２分割することで、１枚の種基板から２枚の窒化物半導体自立基板を製造する。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００８−１５６１８９号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
本発明者らは、基板保持台に複数の窒化物半導体の小片を並べ、複数の小片各々から窒化物半導体を成長させると、成長過程で各小片から成長した窒化物半導体同士が互いに接合し、大口径の窒化物半導体膜が得られることを新たに見出した。また、発明者らは、当該技術で得られた大口径の窒化物半導体膜の成長面において、各小片から成長した窒化物半導体同士が接合した界面部分に溝が形成され得るという新たな課題を見付けた。
【０００５】
本発明は、成長面に溝が形成される不都合を軽減して、大口径の窒化物半導体膜を形成する技術を提供することを課題とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明によれば、
上面及び側面を有する複数の窒化物半導体の小片を準備する準備工程と、
複数の前記小片を、前記上面が露出するように基板保持台の載置面に載置する載置工程と、
前記載置工程の後、複数の前記小片の前記上面各々から窒化物半導体結晶を成長させ、前記小片各々から成長させた窒化物半導体同士を互いに接合させて窒化物半導体膜を形成する成長工程と
を含み、
複数の前記小片の半数以上は、
前記上面が、［１１−２Ｘ］を法線とする第１面を含み、
前記側面が、ｃ軸又はｃ軸を０°より大かつ９０°より小の範囲で傾けた軸を法線とする第２面と、ｍ軸を０°より大かつ９０°より小の範囲で傾けた軸であって、ｃ軸と直交しない軸を法線とする第３面とを含み、
前記第２面同士又は前記第３面同士が隣接する前記小片と対向するように前記基板保持台に載置される窒化物半導体基板の製造方法が提供される。
【発明の効果】
【０００７】
本発明によれば、成長面に溝が形成される不都合を軽減して、大口径の窒化物半導体膜を形成する技術が実現される。
【図面の簡単な説明】
【０００８】
【図１】本実施形態のＩＩＩ族窒化物半導体基板の製造方法の処理の流れの一例を示すフローチャートである。
【図２】小片の一例を模式的に示す図である。
【図３】小片の構成を説明するための図である。
【図４】支持基板の載置面に複数の個片を載置した状態の一例を示す平面図である。
【図５】支持基板の載置面に複数の個片を載置した状態の一例を示す側面図である。
【図６】支持基板の載置面に複数の個片を載置した状態の一例を示す側面図である。
【図７】本実施形態のＩＩＩ族窒化物半導体基板の製造方法に用いる装置の一例を示す概略図である。
【図８】本実施形態のＩＩＩ族窒化物半導体基板の模式図の一例である。
【図９】本実施形態のＩＩＩ族窒化物半導体基板の製造方法の作用効果を説明するための図である。
【図１０】本実施形態のＩＩＩ族窒化物半導体基板の製造方法の作用効果を説明するための図である。
【図１１】本実施形態のＩＩＩ族窒化物半導体基板の製造方法の作用効果を説明するための図である。
【図１２】本実施形態のＩＩＩ族窒化物半導体基板の製造方法の作用効果を説明するための図である。
【発明を実施するための形態】
【０００９】
以下、本発明の窒化物半導体基板の製造方法の実施形態について図面を用いて説明する。なお、図はあくまで発明の構成を説明するための概略図であり、各部材の大きさ、形状、数、異なる部材の大きさの比率などは図示するものに限定されない。
【００１０】
本発明者らは、基板保持台に複数の窒化物半導体の小片を並べ、複数の小片各々から窒化物半導体を成長させるとともに、成長させた窒化物半導体同士を互いに接合させることで大口径の窒化物半導体膜を形成する技術を鋭意検討した。
【００１１】
その結果、本発明者らは、第１及び第２の小片を、ｃ軸又はｃ軸を０°より大かつ９０°より小の範囲で傾けた軸を法線とする面同士（ｃ面同士、又は、ｃ面に対して所定のオフ角を有する面同士）が対向するように基板保持台に並べ、第１及び第２の小片から窒化物半導体を成長させるとともに、それらを接合させた場合、第１及び第２の小片から成長した窒化物半導体同士が接合した界面部分に溝が形成されない、または、形成された溝が小さいことを見出した。
【００１２】
また、本発明者らは、第１及び第２の小片を、ｍ軸を法線とする面同士（ｍ面同士）が対向するように基板保持台に並べ、第１及び第２の小片から窒化物半導体を成長させるとともに、それらを接合させた場合、第１及び第２の小片から成長した窒化物半導体同士が接合した界面部分に比較的大きい溝が形成されることを見出した。
【００１３】
さらに、本発明者らは、第１及び第２の小片を、ｍ軸を０°より大かつ９０°より小の範囲で傾けた軸であって、ｃ軸と直交しない軸を法線とする面同士（ｍ面に対して所定のオフ角を有する面同士）が対向するように基板保持台に並べ、窒化物半導体を成長させるとともに、それらを接合させた場合、第１及び第２の小片から成長した窒化物半導体同士が接合した界面部分に形成された溝が、ｍ面同士を対向させた場合に比べて小さくなることを見出した。
【００１４】
これらの事実は、以下の実施例で示す。本発明は、これらの事実に基づいてなされたものである。本発明は、所望の面を側面として有する小片を準備するとともに、その小片を所望の面同士が対向するように並べた状態で、窒化物半導体を成長・接合させることにより、複数の小片各々から成長した窒化物半導体が接合した窒化物半導体膜の成長面に溝ができる不都合を軽減する。すなわち、本発明は、小片の側面に現れる面を適切にコントルールするとともに、基板保持台に並べる際に隣接する小片同士が対向する面を適切にコントロールすることで、窒化物半導体膜の成長面に溝ができる不都合を軽減する。以下、詳細に説明する。
【００１５】
図１は、本発明の実施形態のＩＩＩ族窒化物半導体基板の製造方法の処理の流れの一例を示すフローチャートである。図示するように、本実施形態のＩＩＩ族窒化物半導体（ＡｌｘＧａ１−ｘ−ｙＩｎｙＮ（０≦ｘ≦１、０≦ｙ≦１、０≦ｘ＋ｙ≦１））基板の製造方法は、準備工程Ｓ１０と、載置工程Ｓ２０と、成長工程Ｓ３０とを有する。
【００１６】
準備工程Ｓ１０では、上面及び側面を有する複数の窒化物半導体の小片を準備する。複数の小片は同一種類のＩＩＩ族窒化物半導体（ｘ及びｙの値が同一）である。図２に、小片の一例を模式的に示す。小片は、上面１と、第１の側面１０と、第２の側面２とを含む。小片は、互いに表裏の関係にある２つの第１の側面１０を有してもよい。また、小片は、互いに表裏の関係にある２つの第２の側面２を有してもよい。
【００１７】
複数の小片の半数以上は、上面１が、［１１−２Ｘ］を法線とする第１面を含む。複数の小片の半数以上は、第１面の法線方向が同一方向となるのが好ましい（すなわち、Ｘの値は一致）が、異なっていてもよい。なお、上面１は第１面以外の面を含んでもよいが、第１面が主面（例：上面１の中の面積占有率５０％以上）となるのが好ましい。
【００１８】
また、複数の小片の半数以上は、第１の側面１０が、ｃ軸又はｃ軸を０°より大かつ９０°より小の範囲で任意の方向に傾けた軸を法線とする第２面を含む。第２面は、ｃ面又はｃ面に対して所定のオフ角（０°より大かつ９０°より小）を有する面である。複数の小片の半数以上は、第２面の法線方向が同一方向である。なお、第１の側面１０は第２面以外の面を含んでもよいが、第２面が主面（例：第１の側面１０の中の面積占有率５０％以上）となるのが好ましい。
【００１９】
また、複数の小片の半数以上は、第２の側面２が、ｍ軸を０°より大かつ９０°より小の範囲で傾けた軸であって、ｃ軸と直交しない軸を法線とする第３面を含む。第３面は、ｍ面に対して所定のオフ角（０°より大かつ９０°より小）を有する面である。複数の小片の半数以上は、第３面の法線方向が同一方向である。なお、第２の側面２は第３面以外の面を含んでもよいが、第３面が主面（例：第２の側面２の中の面積占有率５０％以上）となるのが好ましい。
【００２０】
ここで、図３を用いて、第３面の法線について説明する。図３には、互いに直交するｍ軸方向とｃ軸方向が示されている。図示するｍ軸を丸２方向（ｃ軸と重なる方向）に傾けた場合、傾けた後の軸とｃ軸とは直交しなくなる。一方、図示するｍ軸を丸１方向（ｃ軸周り方向、ｃ軸を回転軸とする回転方向）に傾けた場合、傾けた後の軸とｃ軸とは直交する。上述の通り、第３面の法線は、ｍ軸を０°より大かつ９０°より小の範囲で傾けた軸であって、ｃ軸と直交しない軸である。すなわち、第３面の法線は、ｍ軸を少なくとも図示する丸２方向に０°より大かつ９０°より小の範囲で傾けた軸である。第３面の法線は、丸２方向の傾きに加えて、ｍ軸をさらに図示する丸１方向に０°より大かつ９０°より小の範囲で傾けた軸であってもよい。
【００２１】
なお、図２に示す６面体形状の小片はあくまで一例であり、上述のような上面１、第１の側面１０、及び、第２の側面２を含んでいれば、その他の形状であってもよい。また、複数の小片の大きさも特段制限されない。複数の小片の形状及び大きさは、小片間でバラつきがあってもよいし、略均一であってもよい。
【００２２】
このような小片は、例えば、ＩＩＩ族窒化物半導体基板の破片であってもよいし、所望の大きさまで成長しなかったＩＩＩ族窒化物半導体のかけらであってもよいし、所定形状のＩＩＩ族窒化物半導体基板からワイヤソー等を利用して切り出したものであってもよいし、または、このようにして得られた小片の表面を加工（研磨等）して、上面１、第１の側面１０、及び、第２の側面２を露出させたものであってもよい。
【００２３】
図１に戻り、載置工程Ｓ２０では、例えば図４に示すように、複数の小片を、上面１が露出するように基板保持台２０の載置面２１に載置する。複数の小片の上面１が互いに略平行となるのが好ましい。図４に示す例の場合、紙面に対して垂直な方向が、上面１が有する第１面の法線方向（［１１−２Ｘ］）である。図示するｃ軸投影方向及びｍ軸投影方向は、ｃ軸及びｍ軸各々を第１面に投影した軸方向である。当該前提は、以下で説明する図９及び１１も同様である。また、図２に示す第３面の法線投影方向は、第３面の法線を第１面に投影した軸方向である。
【００２４】
複数の小片の半数以上は、第２面同士（第１の側面１０同士）又は第３面同士（第２の側面２同士）が隣接する小片と対向するように基板保持台２０に載置される。すなわち、ｍ面同士が隣接する小片と対向するようには載置されない。図中、ｍ軸投影方向に沿って並んだ小片同士が対向する面が、第３面を有する第２の側面２である。図中、ｃ軸投影方向に沿って並んだ小片同士が対向する面が、第２面を有する第１の側面１０である。複数の小片は、隣接する他の小片と接していてもよいし、わずかな隙間をはさんでもよい。小片を所定形状に整形している場合、複数の小片を規則正しく基板保持台２０上に配列することができる。
【００２５】
また、複数の小片の半数以上は、第１の側面１０が有する第２面の法線、及び、第２の側面２が有する第３面の法線各々が同じ向きとなるように基板保持台に載置されてもよい。すなわち、複数の小片の半数以上は、第１の側面１０が有する第２面の法線が互いに同じ向きとなるように基板保持台２０に載置される。また、複数の小片の半数以上は、第２の側面２が有する第３面の法線が互いに同じ向きとなるように基板保持台２０に載置される。ここで、「第１の線と第２の線が同じ向き」とは、第１の線と第２の線が平行である場合、及び、第１の線と第２の線の傾きが０°より大かつ１５°以下である場合を意味する。
【００２６】
図示するように、このようなルールで複数の小片を基板保持台２０に載置した場合、以下のような特徴が現れる。
【００２７】
特徴１：ｃ軸を第１面（上面１）に投影した第１の投影線（図中、ｃ軸投影方向参照）と、第３面の法線を第１面（上面１）に投影した第２の投影線（図中、第３面の法線投影方向参照）とは直交しない。
【００２８】
特徴２：第３面の法線を第１面（上面１）に投影した第２の投影線（図中、第３面の法線投影方向参照）と、ｍ軸を第１面（上面１）に投影した第３の投影線（図中、ｍ軸投影方向参照）とは平行でない。
【００２９】
第２の投影線は、第３の投影線から５°以上４０°以下傾いていることが好ましく、さらに、１０°以上２０°以下傾いていることがより好ましい。この理由は、以下の実施例で説明する。
【００３０】
図５及び６は、支持基板２０の載置面２１に複数の小片を載置した状態の一例を示す側面図である。図５及び６に示す例の場合、図中上下方向が、上面１が有する第１面の法線方向（［１１−２Ｘ］）である。図示するｃ軸投影方向及びｍ軸投影方向は、ｃ軸及びｍ軸各々を第１面に投影した軸方向である。当該前提は、以下で説明する図８も同様である。図５に示すように、複数の小片の厚さは一致し、上面１は同一平面上に位置してもよい。また、図６に示すように、複数の小片の厚さは不一致であり、上面１は同一平面上に位置しなくてもよい。
【００３１】
なお、支持基板２０に複数の小片を載置した後、当該状態のまま、複数の小片を載置した支持基板２０が気相成長装置内に設置され、ＩＩＩ族窒化物半導体の成長がなされる。このような利用がなされる支持基板２０の構成は、従来技術に準じた任意の構成とすることができる。
【００３２】
図１に戻り、成長工程Ｓ３０は、配置工程Ｓ２０の後に行われる。成長工程Ｓ３０では、複数の小片の上面１各々から窒化物半導体結晶を成長させ、小片各々から成長させた窒化物半導体同士を互いに接合させて窒化物半導体膜を形成する。
【００３３】
ＩＩＩ族窒化物半導体を成長させる手段は特段制限されず、従来のあらゆる手段を使用することができる。例えば、気相成長法を利用してもよい。成長条件は設計的事項である。なお、上面１上に成長させるＩＩＩ族窒化物半導体は、小片と同一種類のＩＩＩ族窒化物半導体（ｘ及びｙの値が同一）であってもよいし、異なる種類のＩＩＩ族窒化物半導体（ｘ及びｙの値の少なくとも一方が異なる）であってもよい。
【００３４】
例えば、図７に示した構造の装置を用いたハイドライド気相成長法で、ＩＩＩ族窒化物半導体を成長させてもよい。なお、図７に示す例の場合、支持基板２０の載置面２１は、地面に対して水平でない状態となる。かかる場合、例えば、金具等を利用して、複数の小片を載置面２１に固定し、載置面２１からの落下を防止するとともに、所定の配列状態を維持してもよい。なお、図示しないが、支持基板２０の載置面２１が地面に対して水平になるような装置を利用することもできる。
【００３５】
成長工程Ｓ３０の後、得られたＩＩＩ族窒化物半導体膜の表面を平坦化することで、図８に示すような、本実施形態のＩＩＩ族窒化物半導体基板が得られる。図示するＩＩＩ族窒化物半導体基板４０は、複数の小片が並んでいる支持層５０と、複数の小片から成長し、接合して一体となったＩＩＩ族窒化物半導体膜３０とを有する。
【００３６】
なお、成長工程Ｓ３０の後、得られたＩＩＩ族窒化物半導体膜の表面を平坦化する工程を経ずに、ＩＩＩ族窒化物半導体膜をスライスして、複数の自立基板を得ることもできる。
【００３７】
以上、説明した本実施形態のＩＩＩ族窒化物半導体膜の製造方法では、複数の小片を、（１）ｃ軸又はｃ軸を０°より大かつ９０°より小の範囲で傾けた軸を法線とする面同士が対向するように、又は、（２）ｍ軸を０°より大かつ９０°より小の範囲で傾けた軸であって、ｃ軸と直交しない軸を法線とする面同士が対向するように基板保持台に並べ、窒化物半導体を成長・接合させる。すなわち、ｍ面同士が対向するように基板保持台に並んでいない状態で、窒化物半導体を成長・接合させる。
【００３８】
このような本実施形態のＩＩＩ族窒化物半導体膜の製造方法によれば、第１及び第２の小片から成長した窒化物半導体同士が接合した界面部分において大きな溝が形成される不都合を軽減することができる。
【００３９】
＜＜実施例＞＞
＜比較例１＞
所定形状のＩＩＩ族窒化物半導体基板からワイヤソー等を利用して小片を切り出した。その後、表面を加工（研磨等）して、（１１−２２）面に対して−１０°のオフ角を有する面を上面とし、ｃ面に対して所定のオフ角を有する面及びｍ面を側面として有する略直方体形状の小片を９個用意した。
【００４０】
その後、９個の小片を、ｍ面同士、又は、ｃ面を所定角度傾けた面同士が対向するように基板保持台に並べた。次いで、この小片上に窒化物半導体結晶を成長させ、小片各々から成長させた窒化物半導体同士を互いに接合させて窒化物半導体膜を形成した。
【００４１】
図９に、９個の小片上に形成された窒化物半導体膜の平面模式図を示す。図中、奥側に９個の小片が存在し、手前側に９個の小片上に形成された窒化物半導体膜が存在する。９個の小片は、図中点線で識別表示されている。比較例１の場合、図９に示すように、窒化物半導体膜の成長面上であって、ｍ面同士が対向する２つの小片から成長した窒化物半導体同士の接合界面部分に比較的大きい溝Ａが形成された。一方、ｃ面に対して所定のオフ角を有する面同士が対向する２つの小片から成長した窒化物半導体同士の接合界面部分には溝が形成されなかった。
【００４２】
図１０に、ｍ面同士が対向する２つの小片から成長した窒化物半導体同士の接合界面部分に形成される溝の段差（接合部の段差）と、窒化物半導体の成長膜厚との関係を示す。溝の段差は、マイクロスコープを用いて測定した。具体的には、溝の底部分に焦点をあてた時の焦点距離と、溝の開口周辺の成長面に焦点をあてた時の焦点距離との差により求めた。図示する接合部１、接合部２、接合部３及び接合部４は、各々、異なる小片ペアの接合部に形成された段差を示す。
【００４３】
図１０より、膜厚が厚くなるに連れ（成長が進むに連れ）、溝の段差（接合部の段差）が大きくなることが分かる。
【００４４】
＜実施例１＞
所定形状のＩＩＩ族窒化物半導体基板からワイヤソー等を利用して小片を切り出した。その後、表面を加工（研磨等）して、（１１−２２）面に対して−１０．０°又は−１０．１°のオフ角を有する面を上面１とし、ｃ面に対して所定のオフ角を有する面、及び、ｍ面を所定角度傾けた面（第２の側面２の第３面）又はｍ面を側面２及び１０として有する小片を７個用意した。すなわち、７個の小片の中には、（１１−２２）面に対して−１０．０°のオフ角を有する面を上面１とした小片と、（１１−２２）面に対して−１０．１°のオフ角を有する面を上面１とした小片とが混在している。そして、これらの小片を、図１１に示すように基板保持台に並べた。次いで、この小片上に窒化物半導体結晶を成長させ、小片各々から成長させた窒化物半導体同士を互いに接合させて窒化物半導体膜を形成した。
【００４５】
図中下側４つの小片は、（１１−２２）面に対して−１０．０°のオフ角を有する面を上面１とした小片である。図中上側３つの小片は、（１１−２２）面に対して−１０．０°のオフ角を有する面を上面１とした小片である。
【００４６】
また、図中下側４つの小片は、ｍ面を所定角度傾けた面（第２の側面２の第３面）を側面として有する小片である。この４つの小片の内、左端の小片と左から２番目の小片とが対向する面（第２の側面２の第３面）は、ｍ面を１０°傾けた面（図３の丸２の方向に）である。この場合、第３面の法線を上面１の第１面（紙面）に投影した第２の投影線は、ｍ軸を第１面（紙面）に投影した第３の投影線から１０°傾いている。左から２番目の小片と左から３番目の小片とが対向する面（第２の側面２の第３面）は、ｍ面を２０°傾けた面（図３の丸２の方向に）である。この場合、第３面の法線を上面１の第１面（紙面）に投影した第２の投影線は、ｍ軸を第１面（紙面）に投影した第３の投影線から２０°傾いている。左から３番目の小片と右端の小片とが対向する面（第２の側面２の第３面）は、ｍ面を３０°傾けた面（図３の丸２の方向に）である。この場合、第３面の法線を上面１の第１面（紙面）に投影した第２の投影線は、ｍ軸を第１面（紙面）に投影した第３の投影線から３０°傾いている。
【００４７】
図１２に、第２の側面２の第３面同士が対向する２つの小片から成長した窒化物半導体同士の接合界面部分に形成される溝の段差（接合部の段差）と、窒化物半導体の成長膜厚との関係を示す。段差は、比較例１と同様の方法で測定した。
【００４８】
図１２より、第２の投影線が第３の投影線から５°以上４０°以下傾いている第３面同士が対向するように２つの小片を並べた場合、これらの小片から成長した窒化物半導体同士の接合界面部分に形成される溝の段差（接合部の段差）は、膜厚が厚くなってもほとんど変化しないことがわかる。また、ｍ面同士が対向するように小片を並べた場合の結果（図１０参照）に比べて、溝の段差を大幅に軽減できることが分かる。さらに、第２の投影線が第３の投影線から１０°以上３０°以下傾いている第３面同士が対向するように２つの小片を並べた場合、確実に上記効果を実現できることがわかる。さらに、図１１より、第２の投影線の第３の投影線からの傾きが大きくなるほど、２つの小片間の界面の長さが長くなり、結果、界面に沿ってできる溝が長くなることがわかる。第２の投影線が第３の投影線から１０°以上２０°以下傾いている第３面同士が対向するように２つの小片を並べた場合、確実に上記効果を実現できるとともに、２つの小片間の界面の長さが長くなる不都合を軽減し、結果、界面に沿ってできる溝の長さが長くなる不都合を抑制できる。
【００４９】
以下、参考形態の例を付記する。
１．  上面及び側面を有する複数の窒化物半導体の小片を準備する準備工程と、
複数の前記小片を、前記上面が露出するように基板保持台の載置面に載置する載置工程と、
前記載置工程の後、複数の前記小片の前記上面各々から窒化物半導体結晶を成長させ、前記小片各々から成長させた窒化物半導体同士を互いに接合させて窒化物半導体膜を形成する成長工程と
を含み、
複数の前記小片の半数以上は、
前記上面が、［１１−２Ｘ］を法線とする第１面を含み、
前記側面が、ｃ軸又はｃ軸を０°より大かつ９０°より小の範囲で傾けた軸を法線とする第２面と、ｍ軸を０°より大かつ９０°より小の範囲で傾けた軸であって、ｃ軸と直交しない軸を法線とする第３面とを含み、
前記第２面同士又は前記第３面同士が隣接する前記小片と対向するように前記基板保持台に載置される窒化物半導体基板の製造方法。
２．  １に記載の窒化物半導体基板の製造方法において、
ｃ軸を前記第１面に投影した第１の投影線と、前記第３面の法線を前記第１面に投影した第２の投影線とは直交しない窒化物半導体基板の製造方法。
３．  １又２に記載の窒化物半導体基板の製造方法において、
前記第２の投影線は、ｍ軸を前記第１面に投影した第３の投影線から５°以上４０°以下傾いている窒化物半導体基板の製造方法。
４．  ３に記載の窒化物半導体基板の製造方法において、
前記第２の投影線は、前記第３の投影線から１０°以上２０°以下傾いている窒化物半導体基板の製造方法。
５．  １から４のいずれかに記載の窒化物半導体基板の製造方法において、
複数の前記小片の半数以上は、前記第２面の法線及び前記第３面の法線各々が同じ向きとなるように前記基板保持台に載置される窒化物半導体基板の製造方法。
【符号の説明】
【００５０】
１    上面
２    第２の側面
１０  第３の側面
２０  支持基板
２１  載置面
３０  ＩＩＩ族窒化物半導体膜
４０  ＩＩＩ族窒化物半導体基板
５０  支持層
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１２】
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【図１１】
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