(57)【要約】【課題】反りの発生を抑制することができる配線基板を提供する。【解決手段】配線基板１０は、コア基板２０と、コア基板２０の上面２０Ａに積層された、補強材入りの絶縁性樹脂からなる絶縁層４１と、コア基板２０の下面２０Ｂに積層された、補強材入りの絶縁性樹脂からなる絶縁層３１と、絶縁層４１に形成されたビア配線４２とを含む配線構造１１を有する。配線基板１０は、感光性樹脂を主成分とする絶縁層５１，５３，５５と配線層５２，５４，５６とを有し、絶縁層４１の上面４１Ａに積層された配線構造１２と、絶縁層３１の下面に積層された、感光性樹脂を主成分とするソルダレジスト層１３と、を有する。配線構造１２の配線密度は、配線構造１１の配線密度よりも高い。また、絶縁層４１の上面４１Ａには、絶縁層４１内に設けられたガラスクロス４１Ｇが露出されている。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
コア基板と、前記コア基板の上面に積層された、補強材入りの絶縁性樹脂からなる第１絶縁層と、前記コア基板の下面に積層された、補強材入りの絶縁性樹脂からなる第２絶縁層と、前記第１絶縁層に形成されたビア配線と、を有する第１配線構造と、
感光性樹脂を主成分とする絶縁層と配線層とを有し、前記第１絶縁層の上面に積層された第２配線構造と、
前記第２絶縁層の下面に積層された、感光性樹脂を主成分とする最外絶縁層と、を有し、
前記第２配線構造の配線密度は、前記第１配線構造の配線密度よりも高く、
前記第１絶縁層の上面には、該第１絶縁層内に設けられた前記補強材が露出されていることを特徴とする配線基板。
【請求項２】
前記第１絶縁層の厚さは、前記第２絶縁層よりも薄く設定され、
前記第２配線構造を構成する前記絶縁層及び前記配線層は複数層からなることを特徴とする請求項１に記載の配線基板。
【請求項３】
前記ビア配線は、前記第１絶縁層を厚さ方向に貫通する第１貫通孔内を充填するように形成され、
前記ビア配線の上端面が前記第１絶縁層の上面と面一になるように形成されていることを特徴とする請求項１又は２に記載の配線基板。
【請求項４】
前記第２配線構造は、
前記第１絶縁層の上面に露出された補強材を被覆するように、前記第１絶縁層の上面に積層された、感光性樹脂を主成分とする第３絶縁層と、
前記第３絶縁層の上面に開口し、前記第３絶縁層を厚さ方向に貫通して前記ビア配線の上端面を露出する第２貫通孔と、
前記第２貫通孔内に充填された第１配線層と、を有し、
前記第１配線層は、前記ビア配線の上端面とシード層を介して接続されていることを特徴とする請求項１〜３のいずれか一項に記載の配線基板。
【請求項５】
前記第１絶縁層の上面に露出された補強材は、前記第１絶縁層を構成する樹脂層の上面から突出していることを特徴とする請求項１〜４のいずれか一項に記載の配線基板。
【請求項６】
前記絶縁層の上面には、前記突出した補強材と前記樹脂層の上面とによって形成される凹凸と、前記露出した補強材の表面に形成された凹凸との２種類の凹凸が形成されていることを特徴とする請求項５に記載の配線基板。
【請求項７】
前記最外絶縁層の厚さは、前記第２配線構造内の全ての絶縁層を合わせた厚さと等しい、又は前記第２配線構造内の全ての絶縁層を合わせた厚さよりも厚く設定されていることを特徴とする請求項１〜６のいずれか一項に記載の配線基板。
【請求項８】
コア基板と、前記コア基板の上面に積層された、補強材入りの絶縁性樹脂からなる複数層の第１絶縁層と、前記コア基板の下面に積層された、補強材入りの絶縁性樹脂からなる複数層の第２絶縁層と、を有する第１配線構造と、
感光性樹脂を主成分とする絶縁層と配線層とを複数層有し、前記複数層の第１絶縁層のうち最上層の第１絶縁層の上面に積層された第２配線構造と、
前記複数層の第２絶縁層のうち最下層の第２絶縁層の下面に積層された、感光性樹脂を主成分とする最外絶縁層と、を有し、
前記第２配線構造の配線密度は、前記第１配線構造の配線密度よりも高く、
前記最上層の第１絶縁層の上面には、該最上層の第１絶縁層内に設けられた前記補強材が露出されていることを特徴とする配線基板。
【請求項９】
請求項１〜８のいずれか一項に記載の配線基板と、
前記第２配線構造の最上層の配線層にフリップチップ実装された半導体チップと、
を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項１０】
コア基板を準備する工程と、
前記コア基板の上面に、補強材入りの絶縁性樹脂からなる第１絶縁層を積層するとともに、前記コア基板の下面に、補強材入りの絶縁性樹脂からなる第２絶縁層を積層する工程と、
前記第１絶縁層を厚さ方向に貫通する第１貫通孔を形成する工程と、
前記第１貫通孔を充填するとともに、前記第１絶縁層の上面を被覆する導電層を形成する工程と、
前記導電層の上面側から前記導電層及び前記第１絶縁層の上面を研磨し、前記第１絶縁層の上面に該第１絶縁層内に設けられた前記補強材を露出するとともに、前記第１絶縁層の上面に露出する上端面を有するビア配線を前記第１貫通孔内に形成する工程と、
前記第１絶縁層の上面に、感光性樹脂を主成分とする絶縁層と配線層とを有する第２配線構造を積層する工程と、
前記第２絶縁層の下面に、感光性樹脂を主成分とする最外絶縁層を積層する工程と、
を有することを特徴とする配線基板の製造方法。
【請求項１１】
前記第２配線構造を積層する工程は、
前記第１絶縁層の上面に露出された補強材を被覆するように、前記第１絶縁層の上面に、感光性樹脂を主成分とする第３絶縁層を積層する工程と、
前記第３絶縁層の上面に開口し、前記第３絶縁層を厚さ方向に貫通して前記ビア配線の上端面を露出する第２貫通孔を形成する工程と、
前記第２貫通孔を充填する第１配線層を形成する工程と、を有することを特徴とする請求項１０に記載の配線基板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、配線基板、半導体装置及び配線基板の製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来、半導体パッケージ等に用いられる配線基板として、配線パターンを高密度化するため、コア基板の上下両面にビルドアップ配線層と絶縁層とを積層したビルドアップ配線基板が知られている（例えば、特許文献１，２参照）。
【０００３】
近年では、ビルドアップ配線基板に搭載される半導体チップ等の電子部品の高密度化及び小型化が進み、ビルドアップ配線基板に対し、更なる配線パターンの高密度化・微細化や、配線基板の小型化・薄型化が要求されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００３−０２３２５２号公報
【特許文献２】特開２００３−０２３２５３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
ところが、ビルドアップ配線基板の薄型化のためにコア基板を薄型化すると、コア基板の機械的強度が低下する。また、近年では、半導体チップの多端子化に伴って、コア基板を厚さ方向に貫通する貫通電極の数が増加している。この貫通電極の増加により、コア基板内に設けられた補強材が分断される量が増加するため、コア基板の機械的強度が低下する。このようにコア基板の機械的強度が低下すると、ビルドアップ配線基板の剛性が低下し、配線基板に反りが発生し易くなるという問題があった。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明の一観点によれば、コア基板と、前記コア基板の上面に積層された、補強材入りの絶縁性樹脂からなる第１絶縁層と、前記コア基板の下面に積層された、補強材入りの絶縁性樹脂からなる第２絶縁層と、前記第１絶縁層に形成されたビア配線と、を有する第１配線構造と、感光性樹脂を主成分とする絶縁層と配線層とを有し、前記第１絶縁層の上面に積層された第２配線構造と、前記第２絶縁層の下面に積層された、感光性樹脂を主成分とする最外絶縁層と、を有し、前記第２配線構造の配線密度は、前記第１配線構造の配線密度よりも高く、前記第１絶縁層の上面には、該第１絶縁層内に設けられた前記補強材が露出されている。
【０００７】
また、本発明の一観点によれば、コア基板を準備する工程と、前記コア基板の上面に、補強材入りの絶縁性樹脂からなる第１絶縁層を積層するとともに、前記コア基板の下面に、補強材入りの絶縁性樹脂からなる第２絶縁層を積層する工程と、前記第１絶縁層を厚さ方向に貫通する第１貫通孔を形成する工程と、前記第１貫通孔を充填するとともに、前記第１絶縁層の上面を被覆する導電層を形成する工程と、前記導電層の上面側から前記導電層及び前記第１絶縁層の上面を研磨し、前記第１絶縁層の上面に該第１絶縁層内に設けられた前記補強材を露出するとともに、前記第１絶縁層の上面に露出する上端面を有するビア配線を前記第１貫通孔内に形成する工程と、前記第１絶縁層の上面に、感光性樹脂を主成分とする絶縁層と配線層とを有する第２配線構造を積層する工程と、前記第２絶縁層の下面に、感光性樹脂を主成分とする最外絶縁層を積層する工程と、を有する。
【発明の効果】
【０００８】
本発明の一観点によれば、反りの発生を抑制することができるという効果を奏する。
【図面の簡単な説明】
【０００９】
【図１】（ａ）は、一実施形態の配線基板を示す概略断面図、（ｂ）は、（ａ）に示した配線基板の一部を拡大した拡大断面図。
【図２】ガラスクロスの一例を示す概略斜視図。
【図３】一実施形態の半導体装置を示す概略断面図。
【図４】（ａ），（ｂ）は、一実施形態の配線基板の製造方法を示す概略断面図、（ｃ）は、（ｂ）に示した構造体の一部を拡大した拡大断面図。
【図５】（ａ），（ｃ）は、一実施形態の配線基板の製造方法を示す概略断面図、（ｂ）は、（ａ）に示した構造体の一部を拡大した拡大断面図。
【図６】（ａ），（ｃ）は、一実施形態の配線基板の製造方法を示す概略断面図、（ｂ）は、（ａ）に示した構造体の一部を拡大した拡大断面図、（ｄ）は、（ｃ）に示した構造体の一部を拡大した拡大断面図。
【図７】（ａ）〜（ｃ）は、一実施形態の配線基板の製造方法を示す概略断面図。
【図８】（ａ）は、一実施形態の配線基板の製造方法を示す概略断面図、（ｂ）は、（ａ）に示した構造体の一部を拡大した拡大断面図。
【図９】（ａ）は、一実施形態の配線基板の製造方法を示す概略断面図、（ｂ）は、（ａ）に示した構造体の一部を拡大した拡大断面図。
【図１０】（ａ）は、一実施形態の配線基板の製造方法を示す概略断面図、（ｂ）は、一実施形態の半導体装置の製造方法を示す概略断面図。
【図１１】変形例の配線基板を示す概略断面図。
【発明を実施するための形態】
【００１０】
以下、一実施形態を添付図面を参照して説明する。
なお、添付図面は、特徴を分かりやすくするために便宜上特徴となる部分を拡大して示している場合があり、各構成要素の寸法比率などが実際と同じであるとは限らない。また、断面図では、各部材の断面構造を分かりやすくするために、一部の部材のハッチングを省略している。
【００１１】
図１（ａ）に示すように、配線基板１０は、配線構造１１と、配線構造１１の一方の側（ここでは、上側）に積層された配線構造１２と、配線構造１１の他方の側（ここでは、下側）に積層されたソルダレジスト層１３とを有している。配線基板１０の平面形状は、任意の形状及び任意の大きさとすることができる。例えば、配線基板１０の平面形状は、４０ｍｍ×４０ｍｍ程度の正方形状とすることができる。
【００１２】
まず、配線構造１１の構造について説明する。
配線構造１１は、配線構造１２よりも配線密度の低い配線層が形成された低密度配線層である。この配線構造１１は、コア基板２０と、コア基板２０の下面２０Ｂに積層された絶縁層３１と、コア基板２０の上面２０Ａに積層された絶縁層４１とを有している。
【００１３】
ここで、コア基板２０及び絶縁層３１，４１の材料としては、例えば熱硬化性樹脂に対し、補強材を入れた絶縁性樹脂を用いることができる。例えば、コア基板２０及び絶縁層３１，４１の材料としては、補強材であるガラスクロス（ガラス織布）にエポキシ樹脂を主成分とする熱硬化性の絶縁性樹脂を含浸させ硬化させた、いわゆるガラスエポキシ樹脂を用いることができる。熱硬化性の絶縁性樹脂としてはエポキシ樹脂に限らず、例えば、ポリイミド樹脂やシアネート樹脂などの絶縁性樹脂を用いることができる。なお、コア基板２０及び絶縁層３１，４１は、例えば、シリカやアルミナ等のフィラーを含有していてもよい。
【００１４】
コア基板２０は、所要数（図１では、１個）のガラスクロス２０Ｇを有している。絶縁層３１は、所要数（図１では、１個）のガラスクロス３１Ｇを有している。絶縁層４１は、所要数（図１では、１個）のガラスクロス４１Ｇを有している。
【００１５】
図２に示すように、ガラスクロス２０Ｇ，３１Ｇ，４１Ｇは、例えば、Ｘ方向に並設されたガラス繊維束Ｇ１と、Ｙ方向に並設されたガラス繊維束Ｇ２とが格子状に平織りされた形態を有している。ガラス繊維束Ｇ１，Ｇ２は、図１（ｂ）に示すように、１本当たりの繊維径が例えば１〜２μｍ程度のガラス繊維を複数本束ねたものである。これらガラス繊維束Ｇ１，Ｇ２の厚さは、例えば１５〜２０μｍ程度とすることができる。なお、図１（ｂ）ではガラス繊維束Ｇ１におけるガラス繊維を図示したが、図４以降の拡大断面図では、ガラス繊維の図示を省略してガラス繊維束Ｇ１の断面形状を楕円形状として図示する。また、複数本のガラス繊維からなるガラス繊維束Ｇ１，Ｇ２の全体的な断面形状は特に限定されず、例えば略楕円形状であってもよいし、略円形状であってもよい。
【００１６】
なお、ガラス繊維束Ｇ１，Ｇ２を用いたガラスクロス２０Ｇ，３１Ｇ，４１Ｇ以外に、炭素繊維束、ポリエステル繊維束、ナイロン繊維束、アラミド繊維束、液晶ポリマ繊維束等を用いた織布や不織布を補強材として用いてもよい。また、繊維束の織り方は平織りに限定されず、朱子織り、綾織り等であってもよい。
【００１７】
図１（ａ）に示すように、コア基板２０は、配線構造１１の厚さ方向の中心付近に設けられている。コア基板２０の厚さは、例えば８０〜４００μｍ程度とすることができる。このコア基板２０の厚さ方向の中心付近にはガラスクロス２０Ｇが設けられている。
【００１８】
コア基板２０には、所要の箇所（図１（ａ）では４箇所）に貫通孔２０Ｘが設けられている。貫通孔２０Ｘは、コア基板２０の上面２０Ａから下面２０Ｂまでを貫通するように形成されている。この貫通孔２０Ｘによってガラスクロス２０Ｇが分断されている。貫通孔２０Ｘ内には、コア基板２０を厚さ方向に貫通する貫通電極２１が形成されている。貫通電極２１は、貫通孔２０Ｘ内に充填されている。貫通孔２０Ｘ及び貫通電極２１は、図示は省略するが、例えば平面視略円形状に形成されている。これら貫通孔２０Ｘ及び貫通電極２１の直径は、例えば１００〜２００μｍ程度とすることができる。貫通孔２０Ｘ及び貫通電極２１のピッチは、例えば２００〜４００μｍ程度とすることができる。また、貫通電極２１の材料としては、例えば銅（Ｃｕ）や銅合金を用いることができる。
【００１９】
コア基板２０の下面２０Ｂには配線層２２が形成され、コア基板２０の上面２０Ａには配線層２３が形成されている。これら配線層２２，２３は貫通電極２１を介して相互に電気的に接続されている。配線層２２，２３の厚さは、例えば１５〜３５μｍ程度とすることができる。配線層２２，２３のラインアンドスペース（Ｌ／Ｓ）は、例えば２０μｍ／２０μｍ程度とすることができる。ここで、ラインアンドスペース（Ｌ／Ｓ）は、配線の幅と、隣り合う配線同士の間隔とを示す。なお、配線層２２，２３の材料としては、例えば銅や銅合金を用いることができる。
【００２０】
コア基板２０の下面２０Ｂには、絶縁層３１と、配線層３２とが順に積層されている。絶縁層３１は、配線層２２を被覆するように、コア基板２０の下面２０Ｂに積層されている。絶縁層３１の厚さは、例えば、コア基板２０よりも薄く設定されている。例えば、絶縁層３１の厚さは４０〜７５μｍ程度とすることができる。絶縁層３１は、補強材入りの絶縁層であって、機械的強度（剛性や硬度等）の高い絶縁層である。この絶縁層３１の厚さ方向の中心付近にはガラスクロス３１Ｇが設けられている。
【００２１】
絶縁層３１には、所要の箇所に、当該絶縁層３１を厚さ方向に貫通する貫通孔３１Ｘが形成されている。この貫通孔３１Ｘによってガラスクロス３１Ｇが分断されている。貫通孔３１Ｘ内には、配線層２２と配線層３２とを電気的に接続するビア配線３３が形成されている。このビア配線３３は、貫通孔３１Ｘを充填するように形成されている。これら貫通孔３１Ｘ及びビア配線３３は、図１（ａ）において上側（コア基板２０側）から下側（配線層３２側）に向かうに連れて径が大きくなるテーパ状に形成されている。例えば、貫通孔３１Ｘは、上側の開口端の開口径が下側の開口端の開口径よりも小径となる円錐台形状に形成され、ビア配線３３は、上面が下面よりも小径となる円錐台形状に形成されている。なお、貫通孔３１Ｘの下側の開口端の開口径及びビア配線３３の下面の直径は、貫通電極２１の直径よりも小径になるように設定されている。例えば、貫通孔３１Ｘの下側の開口端の開口径は５０〜７０μｍ程度とすることができ、ビア配線３３の下面の直径は５０〜７０μｍ程度とすることができる。
【００２２】
配線層３２は、絶縁層３１の下面に積層されている。配線層３２は、ビア配線３３を介して配線層２２と電気的に接続されている。配線層３２の厚さは、例えば１５〜３５μｍ程度とすることができる。配線層３２のラインアンドスペース（Ｌ／Ｓ）は、例えば２０μｍ／２０μｍ程度とすることができる。なお、配線層３２の材料としては、例えば銅や銅合金を用いることができる。
【００２３】
一方、コア基板２０の上面２０Ａには、絶縁層４１と、絶縁層４１に形成されたビア配線４２（配線層）とが積層されている。
絶縁層４１は、配線層２３を被覆するように、コア基板２０の上面２０Ａに積層されている。絶縁層４１の厚さは、例えば、コア基板２０よりも薄く設定され、且つ絶縁層３１よりも薄く設定されている。例えば、絶縁層４１の厚さは３０〜７０μｍ程度とすることができる。絶縁層４１は、補強材入りの絶縁層であって、機械的強度（剛性や硬度等）の高い絶縁層である。
【００２４】
図１（ｂ）に示すように、ガラスクロス４１Ｇは、絶縁層４１の厚さ方向の中央部よりも上側に設けられている。ガラスクロス４１Ｇの一部は、当該絶縁層４１を構成する樹脂層４３の上面４３Ａから露出されている。樹脂層４３の上面４３Ａから露出されたガラスクロス４１Ｇの表面４１Ｒの表面粗さは、樹脂層４３の上面４３Ａの表面粗さよりも大きい。また、樹脂層４３の上面４３Ａから露出されたガラスクロス４１Ｇは、例えば、樹脂層４３の上面４３Ａよりも上方に突出されている。このため、絶縁層４１の上面４１Ａには、樹脂層４３の上面４３Ａから突出されたガラスクロス４１Ｇと樹脂層４３の上面４３Ａとによって形成される凹凸と、ガラスクロス４１Ｇの表面４１Ｒに形成された凹凸との２種類の凹凸が形成されている。
【００２５】
絶縁層４１には、当該絶縁層４１の上面４１Ａの所要の箇所に開口し、当該絶縁層４１を厚さ方向に貫通して配線層２３の上面の一部を露出する貫通孔４１Ｘが形成されている。貫通孔４１Ｘは、図１（ｂ）において下側（コア基板２０側）から上側（配線構造１２側）に向かうに連れて径が大きくなるテーパ状に形成されている。例えば、貫通孔４１Ｘは、下側の開口端の開口径が上側の開口端の開口径よりも小径となる逆円錐台形状に形成されている。なお、貫通孔４１Ｘの上側の開口端の開口径は、貫通電極２１の直径よりも小径に設定されている。例えば、貫通孔４１Ｘの上側の開口端の開口径は５０〜７０μｍ程度とすることができる。
【００２６】
この貫通孔４１Ｘによってガラスクロス４１Ｇが分断されている。そして、分断されたガラスクロス４１Ｇの端部Ａ１は、貫通孔４１Ｘの側壁から該貫通孔４１Ｘの内側に向かって突出している。
【００２７】
貫通孔４１Ｘ内には、配線層２３と電気的に接続されるビア配線４２が形成されている。このビア配線４２は、絶縁層４１を厚さ方向に貫通するように形成されている。ビア配線４２は、貫通孔４１Ｘと同様に、図１（ｂ）において下側（配線層２３側）から上側に向かうに連れて径が大きくなるテーパ状に形成されている。例えば、ビア配線４２は、上端面４２Ａが下端面よりも大径となる略逆円錐台形状に形成されている。ビア配線４２の上端面４２Ａは、絶縁層４１から露出されている。例えば、ビア配線４２の上端面４２Ａは、絶縁層４１の上面４１Ａ（具体的には、樹脂層４３の上面４３Ａ）と略面一に形成されている。なお、後述する絶縁層５１との密着性を向上させるために、例えば、ビア配線４２の上端面４２Ａを、絶縁層４１の上面４１Ａ（具体的には、樹脂層４３の上面４３Ａ）よりも上方に突出させるようにしてもよい。ビア配線４２の上端面４２Ａの直径は例えば５０〜７０μｍ程度とすることができる。また、ビア配線４２の材料としては、例えば銅や銅合金を用いることができる。
【００２８】
ビア配線４２は、貫通孔４１Ｘ内において、その貫通孔４１Ｘの側壁から突出されたガラスクロス４１Ｇの端部全面を被覆するように形成されている。
次に、配線構造１２の構造について説明する。
【００２９】
図１（ａ）に示すように、配線構造１２は、配線構造１１の最上層に形成された絶縁層４１の上面４１Ａに積層された配線構造である。配線構造１２は、配線構造１１よりも配線密度の高い配線層が形成された高密度配線層である。
【００３０】
配線構造１２は、絶縁層４１上に積層された絶縁層５１と、配線層５２と、絶縁層５３と、配線層５４と、絶縁層５５と、配線層５６とが順に積層された構造を有している。配線構造１２の厚さＴ１、具体的には配線構造１２内の全ての絶縁層５１，５３，５５の厚さ（つまり、絶縁層４１の上面４１Ａから絶縁層５５の上面までの厚さ）Ｔ１は、例えば１０〜４０μｍ程度とすることができる。
【００３１】
ここで、絶縁層５１，５３，５５の材料としては、例えば、フェノール系樹脂やポリイミド系樹脂等を主成分とする感光性の絶縁性樹脂を用いることができる。これら絶縁層５１，５３，５５は、例えば、シリカやアルミナ等のフィラーを含有していてもよい。また、配線層５２，５４，５６の材料としては、例えば銅や銅合金を用いることができる。
【００３２】
絶縁層５１，５３，５５は、配線構造１１の絶縁層よりも薄い絶縁層である。絶縁層５１，５３，５５の厚さは、例えば３〜１０μｍ程度とすることができる。また、配線層５２，５４，５６は、配線構造１１の配線層よりも薄い配線層である。配線層５２，５４の厚さは、例えば１〜３μｍ程度とすることができる。配線層５６の厚さは、例えば１０〜１５μｍ程度とすることができる。配線層５２，５４のラインアンドスペースは、例えば２μｍ／２μｍ程度とすることができる。
【００３３】
図１（ｂ）に示すように、絶縁層５１は、絶縁層４１の上面４１Ａ及びビア配線４２の上端面４２Ａを被覆するように形成されている。絶縁層５１は、例えば、樹脂層４３の上面４３Ａから突出されたガラスクロス４１Ｇ全面を被覆するように形成されている。
【００３４】
絶縁層５１には、当該絶縁層５１の上面５１Ａの所要の箇所に開口し、当該絶縁層５１を厚さ方向に貫通してビア配線４２の上端面４２Ａの一部を露出する貫通孔５１Ｘが形成されている。貫通孔５１Ｘは、図１（ｂ）において下側（配線層２３側）から上側（配線層５２側）に向かうに連れて径が大きくなるテーパ状に形成されている。例えば、貫通孔５１Ｘは、上側の開口端の開口径が下側の開口端の開口径よりも大径となる逆円錐台形状に形成されている。
【００３５】
ここで、貫通孔５１Ｘの上側の開口端の開口径は、貫通孔４１Ｘの上側の開口端の開口径よりも小径に設定されている。また、貫通孔５１Ｘの上側の開口端の開口径は、貫通孔４１Ｘの下側の開口端の開口径よりも小径に設定されている。例えば、貫通孔５１Ｘの上側の開口端の開口径は、貫通孔４１Ｘの下側の開口端の開口径の０．１〜０．５倍程度の大きさであることが好ましい。なお、貫通孔５１Ｘの上側の開口端の開口径は、例えば１０〜２０μｍ程度とすることができる。
【００３６】
また、貫通孔５１Ｘは、貫通孔４１Ｘよりも浅く形成されている。貫通孔５１Ｘの深さは、例えば３〜１０μｍ程度とすることができる。
貫通孔５１Ｘ内には、ビア配線４２と配線層５２とを電気的に接続するビア配線５７が形成されている。このビア配線５７は、配線構造１２の最下層の絶縁層５１に形成された配線層である。ビア配線５７は、絶縁層５１を厚さ方向に貫通するように形成されている。また、ビア配線５７は、貫通孔５１Ｘを充填するように形成されている。ビア配線５７は、貫通孔５１Ｘと同様に、図１（ｂ）において下側（ビア配線４２側）から上側（配線層５２側）に向かうに連れて径が大きくなるテーパ状に形成されている。例えば、ビア配線５７は、上面が下端面よりも大径となる逆円錐台形状に形成されている。なお、ビア配線５７の上面の直径は例えば１０〜２０μｍ程度とすることができる。
【００３７】
貫通孔５１Ｘ及びビア配線５７は、下層の貫通孔４１Ｘ及びビア配線４２の真上に設けられている。具体的には、ビア配線５７は、ビア配線４２の上端面４２Ａの上に形成されている。好ましくは、ビア配線５７（貫通孔５１Ｘ）とビア配線４２（貫通孔４１Ｘ）とは、配線基板１０の積層方向（垂直方向、図中のＺ方向）に沿って直線状に積み重ねられて相互に接続されている。すなわち、本例のビア配線５７（貫通孔５１Ｘ）は、ビア配線４２（貫通孔４１Ｘ）の真上に積み重ねられた（スタックされた）スタックビア構造のビア（貫通孔）である。このように、ビア配線４２の真上には、直径がビア配線４２よりも小径のビア配線５７がスタックされている。
【００３８】
ビア配線５７は、その上面全面がビア配線４２の上面と平面視で重なるように設けられることが好ましい。また、ビア配線５７は、そのビア配線５７と絶縁層５１との界面が、ビア配線４２と絶縁層４１との界面と平面視でずれた位置に配設されるように、ビア配線４２上に積み重ねられることが好ましい。
【００３９】
ビア配線５７は、その底部（下端面）がビア配線４２の上端面４２Ａと接続するように上端面４２Ａ上に積層されている。具体的には、ビア配線５７の下端面全面がビア配線４２の上端面４２Ａと接しており、ビア配線５７とビア配線４２とが電気的に接続されている。換言すると、ビア配線５７とビア配線４２とは電気的に接続されているが、一体的ではない。具体的には、ビア配線５７は、例えば、ビア配線４２（例えば、Ｃｕ層）の上端面４２Ａ上に形成されたシード層５７Ａ（例えば、チタン（Ｔｉ）層とＣｕ層の積層体）と、そのシード層５７Ａ上に形成された金属層５７Ｂ（例えば、Ｃｕ層）とを有している。すなわち、金属層５７Ｂは、シード層５７Ａを介してビア配線４２に接続されている。
【００４０】
シード層５７Ａは、貫通孔５１Ｘの内側面全面を被覆するとともに、貫通孔５１Ｘの底部、つまり貫通孔５１Ｘから露出されたビア配線４２の上端面４２Ａを被覆するように形成されている。このシード層５７Ａは、絶縁層５１の上面５１Ａの一部を被覆するように形成されている。すなわち、シード層５７Ａは、貫通孔５１Ｘ内から絶縁層５１の上面５１Ａに延出するように形成されている。シード層５７Ａとしては、スパッタ法により形成された金属膜（スパッタ膜）を用いることができる。スパッタ法により形成されたシード層５７Ａとしては、例えば貫通孔５１Ｘの内側面及び底部上に、チタン（Ｔｉ）からなるＴｉ層と、銅（Ｃｕ）からなるＣｕ層とが順に積層された２層構造の金属膜を用いることができる。この場合、Ｔｉ層の厚さは例えば２０〜５０ｎｍ程度とすることができ、Ｃｕ層の厚さは例えば１００〜３００ｎｍ程度とすることができる。なお、Ｔｉ層は、Ｃｕ層や金属層５７Ｂ（例えば、Ｃｕ層）から絶縁層５１に銅が拡散することを抑制する金属バリア膜として機能する。金属バリア膜として機能する金属膜の材料としては、Ｔｉの他に、窒化チタン（ＴｉＮ）、窒化タンタル（ＴａＮ）、タンタル（Ｔａ）、クロム（Ｃｒ）等を用いることができる。
【００４１】
金属層５７Ｂは、貫通孔５１Ｘ内に形成されたシード層５７Ａの表面全面を被覆するように、シード層５７Ａよりも内側の貫通孔５１Ｘ内に形成されている。本例の金属層５７Ｂは、シード層５７Ａよりも内側の貫通孔５１Ｘを充填するように形成されている。金属層５７Ｂとしては、電解めっき法により形成された金属層（電解めっき金属層）を用いることができる。なお、金属層５７Ｂの材料としては、例えば銅や銅合金を用いることができる。
【００４２】
配線層５２は、ビア配線５７の上面と接続するように、絶縁層５１の上面５１Ａに積層されている。配線層５２は、ビア配線５７と一体に形成されている。配線層５２は、絶縁層５１の上面５１Ａに延出して形成されたシード層５７Ａと、そのシード層５７Ａの上面及び金属層５７Ｂの上面を被覆するように形成された金属層５２Ｂとを有している。なお、金属層５２Ｂは、金属層５７Ｂと一体に形成されている。金属層５２Ｂとしては、電解めっき法により形成された金属層（電解めっき金属層）を用いることができる。金属層５２Ｂの材料としては、例えば銅や銅合金を用いることができる。
【００４３】
図１（ａ）に示すように、絶縁層５３は、配線層５２を被覆するように、絶縁層５１の上面５１Ａに積層されている。絶縁層５３には、所要の箇所に、当該絶縁層５３を厚さ方向に貫通して配線層５２の上面の一部を露出する貫通孔５３Ｘが形成されている。この貫通孔５３Ｘ内には、配線層５２と配線層５４とを電気的に接続するビア配線５８が形成されている。このビア配線５８は、貫通孔５３Ｘを充填するように形成されている。
【００４４】
配線層５４は、絶縁層５３の上面に積層されている。配線層５４は、ビア配線５８を介して配線層５２と電気的に接続されている。配線層５４は、ビア配線５８と一体に形成されている。
【００４５】
絶縁層５５は、配線層５４を被覆するように、絶縁層５３の上面に積層されている。絶縁層５５には、所要の箇所に、当該絶縁層５５を厚さ方向に貫通して配線層５４の上面の一部を露出する貫通孔５５Ｘが形成されている。この貫通孔５５Ｘ内には、配線層５４と配線層５６とを電気的に接続するビア配線５９が形成されている。このビア配線５９は、貫通孔５５Ｘを充填するように形成されている。
【００４６】
ここで、貫通孔５３Ｘ，５５Ｘ及びビア配線５８，５９は、図１（ａ）において下側（配線構造１１側）から上側（配線層５６側）に向かうに連れて径が大きくなるテーパ状に形成されている。例えば、貫通孔５３Ｘ，５５Ｘは、上側の開口端の開口径が下側の開口端の開口径よりも大径となる逆円錐台形状に形成され、ビア配線５８，５９は、上面が下面よりも大径となる逆円錐台形状に形成されている。貫通孔５３Ｘ，５５Ｘの上側の開口端の開口径は例えば１０〜２０μｍ程度とすることができ、ビア配線５８，５９の上面の直径は例えば１０〜２０μｍ程度とすることができる。
【００４７】
配線層５６は、絶縁層５５の上面に積層されている。この配線層５６は、配線構造１２の最上層に形成された最上層の配線層である。配線層５６は、ビア配線５９を介して配線層５４と電気的に接続されている。配線層５６は、ビア配線５９と一体に形成されている。配線層５６の平面形状は、任意の形状及び任意の大きさとすることができる。例えば、配線層５６の平面形状は、直径が２０〜３０μｍ程度の円形状とすることができる。配線層５６のピッチは、例えば４０〜５０μｍ程度とすることができる。この配線層５６は、例えば、半導体チップ等の電子部品と電気的に接続するための電子部品搭載用のパッドとして機能する。
【００４８】
なお、必要に応じて、配線層５６の表面（上面及び側面、又は上面のみ）に表面処理層を形成するようにしてもよい。表面処理層の例としては、金（Ａｕ）層、ニッケル（Ｎｉ）層／Ａｕ層（Ｎｉ層とＡｕ層をこの順番で積層した金属層）、Ｎｉ層／パラジウム（Ｐｄ）層／Ａｕ層（Ｎｉ層とＰｄ層とＡｕ層をこの順番で積層した金属層）などを挙げることができる。これらＮｉ層、Ａｕ層、Ｐｄ層としては、例えば、無電解めっき法により形成された金属層（無電解めっき金属層）を用いることができる。また、Ｎｉ層はＮｉ又はＮｉ合金からなる金属層、Ａｕ層はＡｕ又はＡｕ合金からなる金属層、Ｐｄ層はＰｄ又はＰｄ合金からなる金属層である。また、配線層５６の表面（上面及び側面、又は上面のみ）に、ＯＳＰ（Organic Solderability Preservative）処理などの酸化防止処理を施して表面処理層を形成するようにしてもよい。
【００４９】
一方、ソルダレジスト層１３は、配線構造１１の下面に形成された最外層（ここでは、最下層）の絶縁層である。ソルダレジスト層１３は、配線構造１１の最下層に形成された絶縁層３１の下面に、配線構造１１の最下層の配線層３２を被覆するように積層されている。
【００５０】
ソルダレジスト層１３には、最下層の配線層３２の一部を外部接続用パッドＰ１として露出させるための開口部１３Ｘが形成されている。この外部接続用パッドＰ１には、配線基板１０をマザーボード等の実装基板に実装する際に使用されるはんだボールやリードピン等の外部接続端子７６（図３参照）が接続されるようになっている。なお、必要に応じて、開口部１３Ｘから露出する配線層３２上に表面処理層を形成するようにしてもよい。表面処理層の例としては、Ａｕ層、Ｎｉ／Ａｕ層（Ｎｉ層とＡｕ層をこの順番で積層した金属層）や、Ｎｉ層／Ｐｄ層／Ａｕ層（Ｎｉ層とＰｄ層とＡｕ層をこの順番で積層した金属層）などを挙げることができる。これらＮｉ層、Ａｕ層、Ｐｄ層としては、例えば、無電解めっき法により形成された金属層（無電解めっき金属層）を用いることができる。また、外部接続用パッドＰ１に、ＯＳＰ処理などの酸化防止処理を施して表面処理層を形成するようにしてもよい。なお、開口部１３Ｘから露出する配線層３２（あるいは、配線層３２上に表面処理層が形成されている場合には、その表面処理層）自体を、外部接続端子としてもよい。
【００５１】
開口部１３Ｘ及び外部接続用パッドＰ１の平面形状は、任意の形状及び任意の大きさとすることができる。例えば、開口部１３Ｘ及び外部接続用パッドＰ１の平面形状は、直径が２００〜３００μｍ程度の円形状とすることができる。なお、ソルダレジスト層１３の材料としては、例えば、フェノール系樹脂やポリイミド系樹脂などを主成分とする感光性の絶縁性樹脂を用いることができる。ソルダレジスト層１３は、例えば、シリカやアルミナ等のフィラーを含有していてもよい。
【００５２】
ソルダレジスト層１３の厚さＴ２、つまり絶縁層３１の下面からソルダレジスト層１３の下面までの厚さＴ２は、配線構造１２の厚さＴ１と等しい、又は、厚さＴ１よりも厚く設定されている。例えば、配線構造１２の厚さＴ１が３０μｍである場合には、ソルダレジスト層１３の厚さＴ２は例えば３０〜５０μｍ程度とすることができる。具体的には、ソルダレジスト層１３の厚さＴ２に対する配線構造１２の厚さＴ１の比率（Ｔ１／Ｔ２）は、１以下とすることが好ましく、０．７５以下とすることが更に好ましい。このようにソルダレジスト層１３の厚さを設定することにより、配線基板１０の反り量を低減することができる。
【００５３】
配線基板１０において、コア基板２０の弾性率は約３０ＧＰａ程度とし、コア基板２０の熱膨張係数は約１０ｐｐｍ／℃程度とすることが好ましい。また、熱硬化性樹脂を主成分とする、補強材入りの絶縁層３１，４１の弾性率は約１５〜３０ＧＰａ程度とし、絶縁層３１，４１の熱膨張係数は約１０〜２０ｐｐｍ／℃程度とすることが好ましい。また、感光性樹脂を主成分とする絶縁層５１，５３，５５の弾性率は約５ＧＰａ程度とし、絶縁層５１，５３，５５の熱膨張係数は約５０〜７０ｐｐｍ／℃程度とすることが好ましい。また、感光性樹脂を主成分とするソルダレジスト層１３の弾性率は約２〜４ＧＰａ程度とし、ソルダレジスト層１３の熱膨張係数は約４０〜５０ｐｐｍ／℃程度とすることが好ましい。
【００５４】
なお、各絶縁層の熱膨張係数は、例えば、フィラーの含有量により所定値に調整することができる。但し、感光性樹脂を主成分とする絶縁層では、フィラーの含有量が多くなると露光が不可能となるため、含有可能なフィラーの量には制限（上限）がある。したがって、感光性樹脂を主成分とする絶縁層の熱膨張係数は、熱硬化性樹脂を主成分とする絶縁層の熱膨張係数よりも大きくなる傾向がある。フィラーとしては、前述したシリカやアルミナ以外に、例えば、カオリン（Ａｌ２Ｓｉ２Ｏ５（ＯＨ４））、タルク（Ｍｇ３Ｓｉ４Ｏ１０（ＯＨ２））などを用いてもよい。または、これらを混在させてもよい。
【００５５】
上述した物性値（弾性率及び熱膨張係数）とすることにより、配線基板１０は、コア基板２０を中心として外層に向かうに連れて徐々に軟らかくなる構造となる。このため、上述したソルダレジスト層１３の厚さＴ２と配線構造１２の厚さＴ１の関係との相乗効果により、配線基板１０の反りが抑制される。
【００５６】
次に、図３に従って半導体装置６０の構造について説明する。
半導体装置６０は、配線基板１０と、１又は複数の半導体チップ７０と、アンダーフィル樹脂７５とを有している。
【００５７】
半導体チップ７０は、配線基板１０にフリップチップ実装されている。すなわち、半導体チップ７０の回路形成面（ここでは、下面）に配設された接続端子７１を、接合部材７２を介して配線基板１０の配線層５６に接合することにより、半導体チップ７０は、接続端子７１及び接合部材７２を介して配線層５６と電気的に接続されている。
【００５８】
半導体チップ７０としては、例えば、ＣＰＵ（Central Processing Unit）チップやＧＰＵ（Graphics Processing Unit）チップなどのロジックチップを用いることができる。また、半導体チップ７０としては、例えば、ＤＲＡＭ（Dynamic Random Access Memory）チップ、ＳＲＡＭ（Static Random Access Memory）チップやフラッシュメモリチップなどのメモリチップを用いることもできる。なお、配線基板１０に複数の半導体チップ７０を搭載する場合には、ロジックチップとメモリチップとを組み合わせて配線基板１０に搭載するようにしてもよい。例えば、配線基板１０にＣＰＵチップとＤＲＡＭチップとを搭載するようにしてもよいし、配線基板１０にＧＰＵチップとＤＲＡＭチップとを搭載するようにしてもよい。
【００５９】
半導体チップ７０の大きさは、例えば平面視で３ｍｍ×３ｍｍ〜１２ｍｍ×１２ｍｍ程度とすることができる。また、半導体チップ７０の厚さは、例えば５０〜１００μｍ程度とすることができる。
【００６０】
接続端子７１としては、例えば金属ポストを用いることができる。この接続端子７１は、半導体チップ７０の回路形成面から下方に延びる柱状の接続端子である。本例の接続端子７１は、例えば円柱状に形成されている。このような接続端子７１の高さは、例えば１０〜２０μｍ程度とすることができる。接続端子７１の直径は、例えば２０〜３０μｍ程度とすることができる。また、接続端子７１のピッチは、例えば４０〜５０μｍ程度とすることができる。接続端子７１の材料としては、例えば銅や銅合金を用いることができる。なお、接続端子７１としては、金属ポストの他に、例えば金バンプやはんだバンプを用いることもできる。
【００６１】
接合部材７２は、配線層５６に接合されるとともに、接続端子７１に接合されている。接合部材７２としては、例えば、錫（Ｓｎ）層や鉛（Ｐｂ）フリーはんだのはんだめっきを用いることができる。はんだめっきの材料としては、例えば、Ｓｎ−銀（Ａｇ）系、Ｓｎ−Ｃｕ系、Ｓｎ−Ａｇ−Ｃｕ系の鉛フリーはんだを用いることができる。なお、接合部材７２の厚さは、例えば５〜１５μｍ程度とすることができる。
【００６２】
アンダーフィル樹脂７５は、配線基板１０と半導体チップ７０との隙間を充填するように設けられている。アンダーフィル樹脂７５の材料としては、例えば、エポキシ系樹脂などの絶縁性樹脂を用いることができる。
【００６３】
外部接続端子７６は、配線基板１０の外部接続用パッドＰ１上に形成されている。この外部接続端子７６は、例えば図示しないマザーボード等の実装基板に設けられたパッドと電気的に接続される接続端子である。外部接続端子７６としては、例えばはんだボールやリードピンを用いることができる。なお、本例では、外部接続端子７６として、はんだボールを用いている。
【００６４】
次に、配線基板１０及び半導体装置６０の作用について説明する。
コア基板２０の上下両面に、補強材入りの絶縁性樹脂からなる絶縁層３１，４１を形成するようにした。これにより、コア基板２０の薄型化に起因してコア基板２０の機械的強度が低下した場合であっても、その低下した分を絶縁層３１，４１の機械的強度によって補うことができる。この点について以下に説明する。
【００６５】
まず、コア基板２０に形成される貫通電極２１の直径が１００〜２００μｍ程度であるのに対し、補強材入りの絶縁層３１，４１に形成されるビア配線３３，４２の直径は５０〜７０μｍ程度である。すなわち、ビア配線３３，４２は、貫通電極２１よりも小径に設定されている。このため、仮に貫通電極２１とビア配線３３（又は、ビア配線４２）とを同数設けた場合には、コア基板２０のガラスクロス２０Ｇが貫通電極２１により分断される量よりも、補強材入りの絶縁層３１のガラスクロス３１Ｇ（又は、絶縁層４１のガラスクロス４１Ｇ）がビア配線３３（又は、ビア配線４２）により分断される量の方が少なくなる。すなわち、補強材入りの絶縁層３１，４１は、比較的薄く形成した場合であっても十分な強度を確保することができる。
【００６６】
ここで、コア基板２０の上下両面に絶縁層３１，４１が形成された第１構造（配線構造１１）の厚さと、コア基板２０の上下両面に絶縁層３１，４１が形成されていない第２構造の厚さとを同一の厚さに設定した場合の機械的強度について比較する。例えば、第１構造におけるコア基板２０の厚さを３７５μｍ、絶縁層３１の厚さを７５μｍ、絶縁層４１の厚さを５０μｍとして第１構造全体の厚さを５００μｍとする一方で、第２構造におけるコア基板２０の厚さを５００μｍとして第２構造全体の厚さを５００μｍとする。この場合には、絶縁層３１，４１を設けたことにより、コア基板２０単体（第２構造）に比べてガラスクロスの分断量が減るため、第１構造は第２構造よりも機械的強度が高くなる。このため、仮に第１構造全体の厚さを第２構造全体の厚さよりも薄くした場合であっても、第１構造は第２構造と同等の機械的強度を有することができる。したがって、コア基板２０の上下両面に絶縁層３１，４１を形成する第１構造（配線構造１１）を採用することにより、その第１構造全体を薄型化しつつも、その第１構造によって配線基板１０に十分な剛性を持たせることができる。すなわち、コア基板２０を薄型化し、その厚さ減少分よりも薄い絶縁層３１，４１をコア基板２０の上下両面に積層した場合であっても、配線基板１０の剛性を十分に確保することができる。このため、配線基板１０全体を薄型化することができ、さらに配線基板１０に反りやうねりが発生することを好適に抑制することができる。
【００６７】
ところで、配線基板１０に反りやうねりが発生した場合には、熱硬化性樹脂を主成分とする絶縁層４１と、感光性樹脂を主成分とする絶縁層５１との界面に応力が生じる。このとき、絶縁層４１の上面が平滑面である場合には、絶縁層４１と絶縁層５１との密着性が弱いため、応力に起因して絶縁層５１が絶縁層４１から剥離しやすくなるという問題がある。これに対し、配線構造１１として第１構造を採用すれば、配線基板１０に反りやうねりが発生することを抑制できるため、絶縁層５１が絶縁層４１から剥離することを好適に抑制することができる。
【００６８】
さらに、配線基板１０では、補強材入りの絶縁層４１の上面４１Ａにガラスクロス４１Ｇを露出・突出させるようにした。この露出・突出されたガラスクロス４１Ｇにより、絶縁層４１の上面４１Ａの粗度が大きくなるため、絶縁層４１と絶縁層５１との密着性を向上させることができる。すなわち、絶縁層４１の上面４１Ａと絶縁層５１との接触面積が、絶縁層４１の上面４１Ａが平滑面である場合よりも増加するため、絶縁層４１と絶縁層５１との密着性を向上させることができる。したがって、絶縁層４１から絶縁層５１が剥離することをより好適に抑制することができる。
【００６９】
次に、配線基板１０の製造方法について説明する。以下の説明では、１つの配線基板１０を拡大して説明するが、実際には１つの基板上に複数の配線基板１０となる部材を一括して作製した後、個々の配線基板１０に個片化される。
【００７０】
まず、図４（ａ）に示す工程では、例えばコア基板２０となる銅張積層板（Copper Clad Laminate：ＣＣＬ）に貫通孔２０Ｘを形成し、電解めっきやペースト充填等の方法により貫通孔２０Ｘ内に貫通電極２１を形成する。銅張積層板は、例えばプリプレグ（補強材であるガラスクロスにエポキシ樹脂等の熱硬化性樹脂を含浸させ、Ｂ−ステージ状態（半硬化状態）にした接着シート）の両面に銅箔を載せ、加熱・加圧することで形成することができる。
【００７１】
続いて、例えばサブトラクティブ法により、コア基板２０の上面２０Ａに配線層２３を形成するとともに、コア基板２０の下面２０Ｂに配線層２２を形成する。
次に、図４（ｂ）に示す工程では、コア基板２０の下面２０Ｂ及び配線層２２を被覆する絶縁層３１を形成するとともに、コア基板２０の上面２０Ａ及び配線層２３を被覆する絶縁層４１を形成する。これら絶縁層３１，４１は、例えばコア基板２０に樹脂フィルムをラミネートした後に、樹脂フィルムを押圧しながら１３０〜２００℃程度の温度で熱処理して硬化させることにより形成することができる。ここで、樹脂フィルムとしては、補強材であるガラスクロスにエポキシ樹脂等の熱硬化性樹脂を含浸させた樹脂フィルムを用いることができる。図４（ｃ）に示すように、本工程により形成された絶縁層４１では、ガラスクロス４１Ｇの両面が樹脂層４３によって被覆されており、ガラスクロス４１Ｇが絶縁層４１の厚さ方向の中心付近に配設されている。同様に、本工程により形成された絶縁層３１では、図４（ｂ）に示すように、ガラスクロス３１Ｇの両面が樹脂層によって被覆されており、ガラスクロス３１Ｇが絶縁層３１の厚さ方向の中央部付近に配設されている。なお、本工程における絶縁層４１の厚さは、例えば、絶縁層３１と略同じ厚さに設定されている。
【００７２】
続いて、図５（ａ）に示す工程では、配線層２２の下面の一部が露出されるように絶縁層３１の所定箇所に貫通孔３１Ｘを形成するとともに、配線層２３の上面の一部が露出されるように絶縁層４１の所定箇所に貫通孔４１Ｘを形成する。これら貫通孔３１Ｘ，４１Ｘは、例えばＣＯ２レーザやＵＶ−ＹＡＧレーザ等によるレーザ加工法によって形成することができる。レーザ加工法により貫通孔４１Ｘを形成すると、図５（ｂ）に示すように、レーザにより切断されたガラスクロス４１Ｇの端部Ａ１が貫通孔４１Ｘの側壁から突出する。これにより、ガラスクロス４１Ｇ部分の表面粗さが樹脂部分の表面粗さよりも大きくなる。同様に、レーザ加工法により貫通孔３１Ｘを形成した場合には、レーザにより切断されたガラスクロス３１Ｇの端部が貫通孔３１Ｘの側壁から突出する。
【００７３】
次いで、貫通孔３１Ｘ，４１Ｘをレーザ加工法によって形成した場合には、デスミア処理を行って、貫通孔３１Ｘ，４１Ｘの底部に露出する配線層２２，２３の露出面に付着した樹脂スミアを除去する。
【００７４】
続いて、図５（ｃ）に示す工程では、絶縁層３１の貫通孔３１Ｘ内にビア配線３３を形成するとともに、そのビア配線３３を介して配線層２２と電気的に接続される配線層３２を絶縁層３１の下面に積層する。これらビア配線３３及び配線層３２は、例えば、セミアディティブ法やサブトラクティブ法などの各種の配線形成方法を用いて形成することができる。このような配線形成方法により、例えば銅や銅合金からなるめっき金属によってビア配線３３及び配線層３２が形成される。
【００７５】
また、図５（ｃ）に示す工程では、貫通孔４１Ｘの内面を含む絶縁層４１の表面全面を被覆するシード層（図示略）を形成し、そのシード層を給電層とする電解めっき（パネルめっき）を施す。例えば、絶縁層４１の表面全面を被覆するシード層を無電解銅めっき法により形成し、そのシード層を給電層とする電解銅めっき法を施す。これにより、貫通孔４１Ｘを充填するとともに、絶縁層４１の上面４１Ｃ全面を被覆する導電層８０が形成される。
【００７６】
次いで、図６（ａ）に示す工程では、例えばＣＭＰ法（Chemical Mechanical Polishing）により、導電層８０の上面側から導電層８０の上面及び絶縁層４１の上面４１Ｃを研磨する。本工程では、まず、絶縁層４１の上面４１Ｃに形成された導電層８０を研磨して上面４１Ｃを露出させ、その後、絶縁層４１内に設けられたガラスクロス４１Ｇの一部が露出されるまで、絶縁層４１の上面４１Ｃ及び導電層８０を研磨する。本例では、図６（ｂ）に示すように、絶縁層４１を構成する樹脂層４３の上面４３Ａからガラスクロス４１Ｇの一部が突出されるまで、絶縁層４１の上面４１Ｃ及び導電層８０が研磨される。これにより、樹脂層４３の上面４３Ａからガラスクロス４１Ｇの一部が突出した絶縁層４１の上面４１Ａを形成することができる。このとき、樹脂層４３の上面４３Ａから露出・突出するガラスクロス４１Ｇ部分の表面粗さが樹脂層４３部分の表面粗さよりも大きくなる。このため、絶縁層４１の上面４１Ａには、樹脂層４３の上面４３Ａとその上面４３Ａから突出されたガラスクロス４１Ｇとによって形成される凹凸と、ガラスクロス４１Ｇの表面４１Ｒに形成された凹凸との２種類の凹凸が形成される。
【００７７】
なお、本例のＣＭＰ法では、例えば、絶縁層４１の上面４１Ｃに形成された導電層８０を研磨する際には、導電層８０（金属）の研磨量が、絶縁層４１（樹脂）の研磨量に比べて大きくなるようにスラリーの材質や研磨パッドの硬度等が調整されている。また、絶縁層４１の上面４１Ｃが露出された後では、例えば、スラリーの材質や研磨パッドの硬度等が変更される。具体的には、絶縁層４１の上面４１Ｃが露出された後には、絶縁層４１（樹脂）の研磨量が、導電層８０（金属）の研磨量に比べて大きくなるようにスラリーの材質や研磨パッドの硬度等が調整される。
【００７８】
以上説明した本工程により、貫通孔４１Ｘを充填するビア配線４２が形成されるとともに、そのビア配線４２の上端面４２Ａが絶縁層４１の上面４１Ａ（例えば、樹脂層４３の上面４３Ａ）と略面一になるように形成される。このとき、ビア配線４２は、貫通孔４１Ｘの側壁から突出するガラスクロス４１Ｇの端部Ａ１全面を被覆するように形成される。このため、貫通孔４１Ｘの側壁から突出されたガラスクロス４１Ｇの端部Ａ１がビア配線４２に食い込むように形成されることになる。
【００７９】
なお、後工程で積層される絶縁層５１との密着性を向上させるために、例えば、スラリーの材質や研磨パッドの硬度等を調整して、絶縁層４１の上面４１Ａをビア配線４２の上端面４２Ａよりコア基板２０側に凹むように、絶縁層４１の上面４１Ｃを研磨してもよい。
【００８０】
以上の製造工程により、配線構造１１を製造することができる。
次に、図６（ｃ）に示す工程では、絶縁層４１の上面４１Ａ上に、その上面４１Ａ及びビア配線４２の上端面４２Ａ全面を被覆する絶縁層５１を形成する。このとき、図６（ｄ）に示すように、絶縁層５１は、樹脂層４３の上面４３Ａから突出するガラスクロス４１Ｇの表面全面を被覆するように形成される。このため、樹脂層４３の上面４３Ａから突出されたガラスクロス４１Ｇが絶縁層５１に食い込むように形成されることになる。これにより、絶縁層４１と絶縁層５１との密着強度が高くなるため、絶縁層５１が絶縁層４１から剥離することを好適に抑制することができる。
【００８１】
続いて、図７（ａ）に示す工程では、例えばフォトリソグラフィ法により、絶縁層５１の所要箇所に、当該絶縁層５１を厚さ方向に貫通してビア配線４２の上端面４２Ａの一部を露出する貫通孔５１Ｘを形成する。なお、このような感光性樹脂からなる絶縁層５１の上面５１Ａは、絶縁層４１の上面４１Ａよりも表面粗度が低い。例えば、絶縁層５１の上面５１Ａの粗度は、表面粗さＲａ値で２〜１０ｎｍ程度とすることができる。
【００８２】
次いで、図７（ｂ）に示す工程では、スパッタ法や無電解めっき法により、貫通孔５１Ｘの内面を含む絶縁層５１の表面全面を被覆するシード層５７Ａを形成する。このとき、本工程では、絶縁層５１の上面５１Ａが平滑面であるため、その上面５１Ａに対してスパッタ法によりシード層５７Ａを均一に形成することができ、シード層５７Ａの上面を平滑に形成することができる。このため、粗度粗度の高い面（例えば、絶縁層４１の上面４１Ａ）に対してスパッタ法によりシード層を形成する場合に比べて、シード層５７Ａを薄く形成することができる。
【００８３】
例えば、スパッタ法によりシード層５７Ａを形成する場合には、まず、貫通孔５１Ｘの内面を含む絶縁層５１の表面全面を被覆するように、絶縁層５１の表面上及びビア配線４２の上端面４２Ａ上にチタンをスパッタリングにより堆積させてＴｉ層を形成する。その後、Ｔｉ層上に銅をスパッタリングにより堆積させてＣｕ層を形成する。これにより、２層構造（Ｔｉ層／Ｃｕ層）のシード層５７Ａを形成することができる。このように、シード層５７Ａの下層にＴｉ層を形成することにより、絶縁層５１とシード層５７Ａとの密着性を向上させることができる。なお、Ｔｉ層を窒化チタン（ＴｉＮ）からなるＴｉＮ層に変更し、ＴｉＮ層とＣｕ層からなる２層構造のシード層５７Ａを形成するようにしてもよい。ここで、チタンや窒化チタンは、銅よりも耐腐食性の高い金属である。また、無電解めっき法によりシード層５７Ａを形成する場合には、例えば、無電解銅めっき法によりＣｕ層（１層構造）からなるシード層５７Ａを形成することができる。
【００８４】
なお、シード層５７Ａを形成する前に、絶縁層５１の表面に、Ｏ２プラズマアッシング等のプラズマ処理を施すようにしてもよい。プラズマ処理を施すことにより、絶縁層５１の表面を粗化できる。絶縁層５１の表面を粗化することにより、シード層５７Ａと絶縁層５１との密着性を高めることができる。但し、絶縁層５１の表面の粗度を低減して平滑度を向上することにより絶縁層５１の表面上に微細配線の形成が可能となるため、プラズマ処理では、後工程での微細配線の形成に支障のない程度に絶縁層５１の表面を粗化する。
【００８５】
次いで、図７（ｃ）に示す工程では、シード層５７Ａ上に、所定の箇所に開口パターン８１Ｘを有するレジスト層８１を形成する。開口パターン８１Ｘは、配線層５２（図１（ａ）参照）の形成領域に対応する部分のシード層５７Ａを露出するように形成される。レジスト層８１の材料としては、例えば、次工程のめっき処理に対して耐めっき性がある材料を用いることができる。例えば、レジスト層８１の材料としては、感光性のドライフィルムレジスト又は液状のフォトレジスト（例えば、ノボラック系樹脂やアクリル系樹脂等のドライフィルムレジストや液状レジスト）等を用いることができる。例えば、感光性のドライフィルムレジストを用いる場合には、シード層５７Ａの上面にドライフィルムを熱圧着によりラミネートし、そのドライフィルムをフォトリソグラフィ法によりパターニングして開口パターン８１Ｘを有するレジスト層８１を形成する。なお、液状のフォトレジストを用いる場合にも、同様の工程を経て、レジスト層８１を形成することができる。本工程では、レジスト層８１が形成されるシード層５７Ａの上面が平滑面になっているため、レジスト層８１にパターニング欠陥が生じることを抑制することができる。すなわち、レジスト層８１に開口パターン８１Ｘを高精度に形成することができる。
【００８６】
続いて、レジスト層８１をめっきマスクとして、シード層５７Ａの上面に、そのシード層５７Ａをめっき給電層に利用する電解めっき法を施す。具体的には、レジスト層８１の開口パターン８１Ｘから露出されたシード層５７Ａの上面に電解めっき法（ここでは、電解銅めっき法）を施す。これにより、シード層５７Ａよりも内側の貫通孔５１Ｘを充填する金属層５７Ｂ（電解めっき金属層）が形成されるとともに、その金属層５７Ｂの上面及びシード層５７Ａの上面に金属層５２Ｂ（電解めっき金属層）が形成される。
【００８７】
次に、図８（ａ）に示す工程では、図７（ｃ）に示したレジスト層８１を例えばアルカリ性の剥離液により除去する。続いて、金属層５２Ｂ，５７Ｂをエッチングマスクとして、不要なシード層５７Ａをエッチングにより除去する。これにより、図８（ｂ）に示すように、ビア配線４２の上端面４２Ａ上にスタックされたビア配線５７が形成され、そのビア配線５７を介してビア配線４２と電気的に接続される配線層５２が絶縁層５１上に形成される。ビア配線５７は、貫通孔５１Ｘの内側面及び貫通孔５１Ｘの底部（つまり、貫通孔５１Ｘに露出するビア配線４２の上端面４２Ａ）を被覆するシード層５７Ａと、そのシード層５７Ａよりも内側の貫通孔５１Ｘを充填する金属層５７Ｂとから構成されている。また、配線層５２は、絶縁層５１の上面５１Ａ上に形成されたシード層５７Ａと、ビア配線５７上に形成された金属層５２Ｂとから構成されている。このように、ビア配線５７及び配線層５２は、セミアディティブ法によって形成され、一体的に形成される。一方で、ビア配線４２とビア配線５７とは別工程で形成されるため、ビア配線４２とビア配線５７とは一体的に形成されていない。
【００８８】
さらに、本例では、絶縁層４１の上面４１Ａにビア配線４２と一体的に形成される配線層を形成していない。絶縁層４１の上面４１Ａに露出するガラスクロス４１Ｇを被覆するように配線層を形成すると、短絡しやすくなるという問題が生じる。そこで、本例では、絶縁層４１の上面４１Ａに配線層を形成せずに、ビア配線４２の上端面４２Ａ上に直接、ビア配線５７を積層するように形成している。なお、短絡の問題が生じない場合には、絶縁層４１の上面４１Ａにビア配線４２と一体的に形成される配線層を形成し、その配線層の上にビア配線５７を形成してもよい。
【００８９】
次に、図９（ａ）及び図９（ｂ）に示す工程では、図６（ｃ）〜図７（ａ）に示した工程と同様に、絶縁層５１上に、配線層５２の上面の一部を露出する貫通孔５３Ｘを有する絶縁層５３を形成する。続いて、図７（ｂ）〜図８（ｂ）に示した工程と同様に、例えばセミアディティブ法により、貫通孔５３Ｘを充填するビア配線５８を形成するとともに、そのビア配線５８を介して配線層５２と電気的に接続される配線層５４を絶縁層５３上に形成する。このとき、図９（ｂ）に示すように、ビア配線５８は、ビア配線５７と同様に、貫通孔５３Ｘ内に形成されたシード層８２と、そのシード層８２よりも内側の貫通孔５３Ｘ内を充填する電解銅めっき層８３とから構成されている。また、配線層５４は、配線層５２と同様に、絶縁層５３の上面に形成されたシード層８２と、そのシード層８２上に形成された電解銅めっき層８４とから構成されている。
【００９０】
次いで、図９（ａ）及び図９（ｂ）に示す工程では、図６（ｃ）〜図７（ａ）に示した工程と同様に、絶縁層５３上に、配線層５４の上面の一部を露出する貫通孔５５Ｘを有する絶縁層５５を形成する。その後、図７（ｂ）〜図８（ｂ）に示した工程と同様に、例えばセミアディティブ法により、貫通孔５５Ｘを充填するビア配線５９を形成するとともに、そのビア配線５９を介して配線層５４と電気的に接続される配線層５６を絶縁層５５上に形成する。このとき、図９（ｂ）に示すように、ビア配線５９は、ビア配線５７と同様に、貫通孔５５Ｘ内に形成されたシード層８５と、そのシード層８５よりも内側の貫通孔５５Ｘ内を充填する電解銅めっき層８６とから構成されている。また、配線層５６は、配線層５２と同様に、絶縁層５５の上面に形成されたシード層８５と、そのシード層８５上に形成された電解銅めっき層８７とから構成されている。なお、必要に応じて、配線層５６の表面に表面処理層を形成するようにしてもよい。
【００９１】
以上の製造工程により、配線構造１１の最上層に形成された絶縁層４１の上面４１Ａ上に配線構造１２を積層することができる。
次に、図１０（ａ）に示す工程では、配線構造１１の最下層の配線層３２の所要箇所に画定される外部接続用パッドＰ１を露出させるための開口部１３Ｘを有するソルダレジスト層１３を、絶縁層３１の下面に積層する。このとき、ソルダレジスト層１３の厚さＴ２（絶縁層３１の下面からソルダレジスト層１３の下面までの厚さ）は、配線構造１２の厚さＴ１（絶縁層４１の上面４１Ａから絶縁層５５の上面までの厚さ）と等しい、又は配線構造１２の厚さＴ１よりも厚く設定されている。このソルダレジスト層１３は、例えば感光性のソルダレジストフィルムをラミネートし、又は液状のソルダレジストを塗布し、当該レジストを所要の形状にパターニングすることにより形成することができる。これにより、ソルダレジスト層１３の開口部１３Ｘから配線層３２の一部が外部接続用パッドＰ１として露出される。
【００９２】
なお、必要に応じて、ソルダレジスト層１３の開口部１３Ｘから露出された配線層３２（つまり、外部接続用パッドＰ１）上に表面処理層を形成するようにしてもよい。
以上の製造工程により、図１に示した配線基板１０を製造することができる。
【００９３】
次に、半導体装置６０の製造方法について説明する。
図１０（ｂ）に示す工程では、外部接続用パッドＰ１上に外部接続端子７６を形成する。例えば、外部接続用パッドＰ１上に、適宜フラックスを塗布した後、外部接続端子７６（ここでは、はんだボール）を搭載し、２４０〜２６０℃程度の温度でリフローして固定する。その後、表面を洗浄してフラックスを除去する。
【００９４】
また、図１０（ｂ）に示す工程では、柱状の接続端子７１を有する半導体チップ７０を用意する。接続端子７１は、公知の製造方法により製造することが可能であるため、図示を省略して詳細な説明を割愛するが、例えば以下のような方法で製造される。
【００９５】
まず、半導体チップ７０の回路形成面（ここでは、下面）に、例えば電極パッドを露出させる開口部を有する保護膜を形成し、その保護膜の下面及び電極パッドの下面を被覆するようにシード層を形成する。次に、接続端子７１の形成領域に対応する部分のシード層（電極パッドの下面を被覆するシード層）を露出させたレジスト層を形成する。続いて、レジスト層から露出されたシード層上に、そのシード層を給電層に利用する電解めっき法（例えば、電解銅めっき法）を施すことにより、電極パッド上に柱状の接続端子７１を形成する。
【００９６】
続いて、接続端子７１の下面に、接合部材７２を形成する。この接合部材７２は、例えばシード層上に形成されたレジスト層をめっきマスクに利用し、シード層をめっき給電層に利用する電解はんだめっき法により、接続端子７１の下面にはんだを被着することにより形成することができる。その後、不要なシード層及びレジスト層を除去する。
【００９７】
次いで、配線基板１０の配線層５６上に、半導体チップ７０の接続端子７１をフリップチップ接合する。例えば、配線基板１０と半導体チップ７０とを位置合わせした後に、リフロー処理を行って接合部材７２（はんだめっき層）を溶融させ、接続端子７１を配線層５６に電気的に接続する。
【００９８】
その後、フリップチップ接合された半導体チップ７０と配線基板１０との間に、アンダーフィル樹脂７５（図３参照）を充填し、そのアンダーフィル樹脂７５を硬化する。以上の製造工程により、図３に示した半導体装置６０を製造することができる。
【００９９】
以上説明した本実施形態によれば、以下の効果を奏することができる。
（１）コア基板２０の上下両面に、補強材入りの絶縁性樹脂からなる絶縁層３１，４１を形成するようにした。これにより、コア基板２０を薄型化し、その厚さ減少分よりも薄い絶縁層３１，４１をコア基板２０の上下両面に積層した場合であっても、配線基板１０の剛性を十分に確保することができる。このため、配線基板１０全体を薄型化することができ、且つ、配線基板１０に反りやうねりが発生することも好適に抑制することができる。
【０１００】
（２）さらに、配線基板１０に反りやうねりが発生することを抑制できるため、絶縁層５１が絶縁層４１から剥離することを好適に抑制することができる。
（３）補強材入りの絶縁層４１の上面４１Ａにガラスクロス４１Ｇを露出・突出させるようにした。この露出・突出されたガラスクロス４１Ｇにより、絶縁層４１の上面４１Ａの粗度が大きくなるため、絶縁層４１と絶縁層５１との密着性を向上させることができる。したがって、絶縁層４１から絶縁層５１が剥離することをより好適に抑制することができる。
【０１０１】
（４）ソルダレジスト層１３の厚さＴ２を、配線構造１２内の全ての絶縁層の厚さＴ１と等しい、又は厚さＴ１よりも厚く形成するようにした。これにより、配線基板１０を上下方向（厚さ方向）に見たときの物性値の分布を、コア基板２０を中心にして上下対称に近づけることができる。したがって、コア基板２０を中心とした上下の物性値のバランスが良好となり、熱収縮などに伴って配線基板１０に反りや変形が発生することを好適に抑制することができる。
【０１０２】
（５）配線構造１２の最下層の配線層５２を、感光性樹脂を主成分とする絶縁層５１の上面５１Ａ（平滑面）に形成するようにした。これにより、表面粗度の大きい絶縁層４１の上面４１Ａに配線層を形成する場合に比べて微細な配線層５２を形成することができる。すなわち、絶縁層４１の上面４１Ａにガラスクロス４１Ｇを露出させて上面４１Ａの表面粗度を大きくした場合でも、その上面４１Ａに絶縁層５１を形成し、さらに絶縁層５１の上面５１Ａ（平滑面）に配線層５２を形成することにより、微細な配線層５２を好適に形成することができる。
【０１０３】
（６）ところで、スタックビア構造のビア配線を有する配線基板では、ビア配線と絶縁層との界面でクラックが発生しやすいという問題がある。このようなクラックは、以下のような理由で発生すると考えられる。詳述すると、同程度の径を有する複数のビア配線がスタックされる場合には、ビア配線同士が積層方向に沿って直線状に積み重ねられた構造を有し、さらにビア配線と絶縁層との界面も積層方向に沿って直線状に配設された構造を有している。すなわち、ビア配線と絶縁層との線膨脹係数の相違により熱応力が発生した場合に、その熱応力を緩和させにくい構造になっている。このため、ビア配線と絶縁層との界面、特にビア配線の底部と絶縁層との界面にクラックが発生しやすくなる、と考えられる。さらに、そのクラックに起因して、ビア配線の底部に剥離が発生するという問題があった。
【０１０４】
これに対し、本実施形態の配線基板１０では、ビア配線４２の真上に該ビア配線４２よりも小径のビア配線５７を積み重ねるようにした。このため、ビア配線５７と絶縁層５１との界面が、ビア配線４２と絶縁層４１との界面とは異なる平面位置に形成されることになる。すなわち、ビア配線４２と絶縁層４１との界面と、ビア配線５７と絶縁層５１との界面とが平面視でずれた状態でビア配線４２，５７が積層方向に積み重ねられた構造となる。換言すると、本例のスタックビア構造のビア配線４２，５７では、ビア配線４２と絶縁層４１との界面と、ビア配線５７と絶縁層５１との界面とが積層方向に沿って直線状に配設されていない。したがって、ビア配線４２，５７と絶縁層４１，５１との線膨脹係数の相違により熱応力が発生した場合に、その熱応力を分散させることができる。このため、スタックビア構造のビア配線４２，５７の一部（例えば、ビア配線５７の底部）に熱応力が集中することを好適に抑制することができ、ビア配線４２，５７と絶縁層４１，５１との界面にクラックが発生することを好適に抑制することができる。
【０１０５】
（７）ビア配線４２を、貫通孔４１Ｘの側壁から突出されたガラスクロス４１Ｇの端部Ａ１全面を被覆するように形成した。このため、貫通孔４１Ｘの側壁から突出されたガラスクロス４１Ｇの端部Ａ１がビア配線４２に食い込むように形成されることになる。これにより、ビア配線４２の引っ張り強度が高くなるため、ビア配線４２と絶縁層４１との接続信頼性を向上させることができる。
【０１０６】
（他の実施形態）
なお、上記実施形態は、これを適宜変更した以下の態様にて実施することもできる。
・上記実施形態では、コア基板２０の上面２０Ａに１層の絶縁層４１（第１絶縁層）を形成し、コア基板２０の下面２０Ｂに１層の絶縁層３１（第２絶縁層）を形成するようにした。これに限らず、コア基板２０の上面２０Ａ及び下面２０Ｂにそれぞれ形成される、補強材入りの絶縁層の層数を２層以上に設定してもよい。ここでは、補強材入りの絶縁層の層数を２層とした場合を例に挙げて説明する。
【０１０７】
例えば、図１１に示すように、コア基板２０の下面２０Ｂに、２層の補強材入りの絶縁層３１，３４（第２絶縁層）を積層し、コア基板２０の上面２０Ａに、２層の補強材入りの絶縁層４１，４４（第１絶縁層）を積層するようにしてもよい。これらコア基板２０及び絶縁層３１，３４，４１，４４を有する配線構造１１の構造について以下に説明する。
【０１０８】
絶縁層３４，４４の材料としては、絶縁層３１，４１と同様に、例えば熱硬化性樹脂に対し、補強材を入れた絶縁性樹脂を用いることができる。例えば、絶縁層３４，４４の材料としては、補強材であるガラスクロス（ガラス織布）にエポキシ樹脂を主成分とする熱硬化性の絶縁性樹脂を含浸させ硬化させた、いわゆるガラスエポキシ樹脂を用いることができる。
【０１０９】
絶縁層３４は、配線層２２を被覆するように、コア基板２０の下面２０Ｂに積層されている。この絶縁層３４の厚さ方向の中心付近にはガラスクロス３４Ｇが設けられている。ガラスクロス３４Ｇは、ガラスクロス３１Ｇと同様の構造を有している。
【０１１０】
絶縁層３４には、その絶縁層３４を厚さ方向に貫通するビア配線３５が形成されている。絶縁層３４の下面には、ビア配線３５を介して配線層２２と電気的に接続される配線層３６が形成されている。また、絶縁層３４の下面には、配線層３６を被覆するように絶縁層３１が積層されている。上記実施形態と同様に、絶縁層３１にはビア配線３３が形成され、絶縁層３１の下面には最下層の配線層３２が形成されている。
【０１１１】
そして、複数層（ここでは、２層）の補強材入りの絶縁層３１，３４（第２絶縁層）のうち最下層の絶縁層３１の下面には、開口部１３Ｘを有するソルダレジスト層１３が形成されている。
【０１１２】
一方、絶縁層４４は、配線層２３を被覆するように、コア基板２０の上面２０Ａに積層されている。この絶縁層４４の厚さ方向の中心付近にはガラスクロス４４Ｇが設けられている。ガラスクロス４４Ｇは、ガラスクロス４１Ｇ，３１Ｇと同様の構造を有している。
【０１１３】
絶縁層４４には、その絶縁層４４を厚さ方向に貫通するビア配線４５が形成されている。絶縁層４４の上面には、ビア配線４５を介して配線層２３と電気的に接続される配線層４６が形成されている。また、絶縁層４４の上面には、配線層４６を被覆するように絶縁層４１が積層されている。上記実施形態と同様に、絶縁層４１にはビア配線４２が形成されている。
【０１１４】
そして、複数層（ここでは、２層）の補強材入りの絶縁層４１，４４（第１絶縁層）のうち最上層の絶縁層４１の上面４１Ａに、配線構造１２が積層されている。また、最上層の絶縁層４１の上面４１Ａには、その絶縁層４１内に設けられたガラスクロス４１Ｇの一部が露出されている。
【０１１５】
以上説明した構造であっても、上記実施形態と同様の効果を奏することができる。
・上記実施形態及び上記各変形例では、ソルダレジスト層１３の厚さを、配線構造１２の厚さと等しい、又は配線構造１２の厚さよりも厚く設定するようにした。これに限らず、例えば、ソルダレジスト層１３の厚さを、配線構造１２の厚さよりも薄く設定するようにしてもよい。
【０１１６】
・上記実施形態及び上記各変形例では、絶縁層４１を絶縁層３１よりも薄く形成するようにした。これに限らず、例えば、絶縁層４１の厚さを絶縁層３１と同じ厚さに設定してもよい。
【０１１７】
・上記実施形態及び上記各変形例では、ビア配線４２の上端面４２Ａを絶縁層４１の上面４１Ａと面一になるように形成した。これに限らず、例えば、ビア配線４２の上端面４２Ａを、絶縁層４１の上面４１Ａよりも下方に凹むように形成してもよい。
【０１１８】
・上記実施形態及び上記変形例の配線構造１１における配線層２２，２３，３２，３６，４６、ビア配線３５，３３，４２，４５及び絶縁層３１，３４，４１，４４の層数や配線の取り回しなどは様々に変形・変更することが可能である。
【０１１９】
・上記実施形態の配線構造１２における配線層５２，５４，５６、ビア配線５７〜５９及び絶縁層５１，５３，５５の層数や配線の取り回しなどは様々に変形・変更することが可能である。
【０１２０】
・上記実施形態におけるビア配線３３，３５，４２，４５，５７〜５９の断面形状は特に限定されない。例えば、ビア配線３３，３５，４２，４５，５７〜５９を断面視略矩形状（ストレート形状）に形成するようにしてもよい。
【０１２１】
・上記実施形態における半導体装置６０上に別の半導体装置（半導体パッケージ）を積み重ねるようにしてもよい。
【符号の説明】
【０１２２】
１０  配線基板
１１  配線構造（第１配線構造）
１２  配線構造（第２配線構造）
１３  ソルダレジスト層（最外絶縁層）
２０  コア基板
２０Ｇ  ガラスクロス
２２，２３  配線層
３１，３４  絶縁層（第２絶縁層）
３１Ｇ，３４Ｇ  ガラスクロス（補強材）
３２，３６  配線層
４１，４４  絶縁層（第１絶縁層）
４１Ａ  上面
４１Ｇ，４４Ｇ  ガラスクロス（補強材）
４１Ｘ  貫通孔（第１貫通孔）
４２  ビア配線
４２Ａ  上端面
４６  配線層
５１  絶縁層（第３絶縁層）
５１Ｘ  貫通孔（第２貫通孔）
５３，５５  絶縁層
５２，５４，５６  配線層
５７  ビア配線（第１配線層）
５８，５９  ビア配線
５７Ａ  シード層
６０  半導体装置
７０  半導体チップ
８０  導電層
【図１】
2015122385.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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