(57)【要約】【課題】太陽電池に用いる単結晶シリコンを対象として、単結晶シリコンの引上速度を高速化してもストラクチャーロスの発生を抑制可能とすることにより、生産性を向上することが可能な単結晶シリコン引上装置及び単結晶シリコン製造方法を提供すること。【解決手段】チャンバ内に配置された石英ルツボに貯留したシリコン融液にシードを浸漬し、前記シードを前記石英ルツボに対して相対的に回転させながら引き上げて単結晶シリコンを成長させる単結晶シリコンの製造方法であって、前記シードを引き上げる場合の引上速度Ｖ（ｍｍ／ｍｉｎ）と、前記石英ルツボの回転速度ＶＲ１と前記シードの回転速度ＶＲ２との回転速度比（ＶＲ２／ＶＲ１）とを、回転速度比（ＶＲ２／ＶＲ１）≧（（−０．０９１）×Ｖ）＋１．８９６  とすることを特徴とする。【選択図】図３
2015117168.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
石英ルツボと、
前記石英ルツボを軸線周りに回転するルツボ駆動手段と、
前記石英ルツボに貯留したシリコン融液に対して、シードを垂下、浸漬して引き上げるとともに、前記シードを軸線周りに回転するシード駆動手段と、
前記シード駆動手段及び前記ルツボ駆動手段を制御する制御部と、を備え、
前記制御部は、
前記シード駆動手段による前記シードを引き上げる引上速度Ｖを１．１５〜１．７５（ｍｍ／ｍｉｎ）とする場合に、
前記石英ルツボの回転速度ＶＲ１（ｒｐｍ）と、前記石英ルツボの回転速度ＶＲ１（ｒｐｍ）に対する前記シードの回転速度ＶＲ２（ｒｐｍ）の回転速度比（ＶＲ２／ＶＲ１）とを、
回転速度比（ＶＲ２／ＶＲ１）≧  （（−０．０９１）×ＶＲ１）＋１．８９６
に制御するように構成されていることを特徴とする単結晶シリコン引上装置。
【請求項２】
請求項１に記載の単結晶シリコン引上装置であって、
前記制御部は、
前記ルツボの回転速度ＶＲ１を５〜１４ｒｐｍに制御することを特徴とする単結晶シリコン引上装置。
【請求項３】
チャンバ内に配置された石英ルツボに貯留したシリコン融液にシードを浸漬し、前記シードを前記石英ルツボに対して相対的に回転させながら引き上げて単結晶シリコンを成長させる単結晶シリコンの製造方法であって、
前記シードの引上速度Ｖを１．１５〜１．７５（ｍｍ／ｍｉｎ）とする場合に、
前記石英ルツボの回転速度ＶＲ１（ｒｐｍ）と、前記石英ルツボの回転速度ＶＲ１（ｒｐｍ）に対する前記シードの回転速度ＶＲ２（ｒｐｍ）の回転速度比（ＶＲ２／ＶＲ１）とを、
回転速度比（ＶＲ２／ＶＲ１）≧  （（−０．０９１）×ＶＲ１）＋１．８９６
とすることを特徴とする単結晶シリコンの製造方法。
【請求項４】
請求項３に記載の単結晶シリコンの製造方法であって、
前記ルツボの回転速度ＶＲ１を５〜１４ｒｐｍに制御することを特徴とする単結晶シリコンの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は、太陽電池の材料として用いられる単結晶シリコンを引き上げるための単結晶シリコン引上装置及び単結晶シリコン製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、地球環境を保護するために、再生エネルギーの使用が注目されていて、特に太陽光発電が重視されている。
このような太陽光発電では、単結晶シリコンを材料とする太陽電池が大量に必要とされる。太陽電池に用いられる単結晶シリコンは、半導体用の単結晶シリコンに比較すると、高い性能が要求されない反面、生産性や歩留まり等、経済性が重視される傾向がある。
【０００３】
一方、半導体基板等に用いられる単結晶シリコンは、一般的に、単結晶シリコン引上装置を用いて、チョクラルスキー法（以下、ＣＺ法という）により製造されている。
【０００４】
ＣＺ法は、単結晶シリコン引上装置において、高耐圧気密チャンバ内に配置した石英製のルツボ内に多単結晶シリコンを入れて、石英ルツボ内の多単結晶シリコンを加熱溶融し、石英ルツボの上方に配置されたワイヤ等からなる上軸に保持されたシードチャックにシード（種結晶）を取り付けるとともに、このシードを石英ルツボ内のシリコン融液に浸漬して、シード及び石英ルツボを反対方向に回転させながらシードを引き上げて、単結晶シリコンを成長させるようになっている（例えば、特許文献１参照。）。
【０００５】
単結晶シリコン引上装置による単結晶シリコンの製造では、生産性を向上するためには、シードの引上速度を高速化することが必要である。
引上速度の高速化に際しては、融液が結晶化する際の凝固熱を充分に吸収できずに、単結晶シリコンがくねって変形するという問題がある。そこで、例えば、図４に示すように、引上速度を高速化するにつれて、回転速度を低速化することが一般的である。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開２００１−２７８６９６号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
しかしながら、回転速度を速くすると、単結晶シリコンにストラクチャーロス（有転移化、又は断線ともいう）が発生しやすくなり、かえって生産性が低下する場合がある。そこで、太陽電池に用いる単結晶シリコンの製造に関して、単結晶シリコンの引上速度を高速化してもストラクチャーロスの発生を抑制可能とすることにより、単結晶シリコンの生産性を向上することが可能な技術への強い要請がある。
【０００８】
この発明は、このような事情を考慮してなされたもので、太陽電池に用いる単結晶シリコンを対象として、単結晶シリコンの引上速度を高速化してもストラクチャーロスの発生を抑制可能とすることにより、生産性を向上することが可能な単結晶シリコン引上装置及び単結晶シリコン製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
上記課題を解決するために、この発明は以下の手段を提案している。
請求項１に記載の発明は、石英ルツボと、前記石英ルツボを軸線周りに回転するルツボ駆動手段と、前記石英ルツボに貯留したシリコン融液に対して、シードを垂下、浸漬して引き上げるとともに、前記シードを軸線周りに回転するシード駆動手段と、前記シード駆動手段及び前記ルツボ駆動手段を制御する制御部とを備え、前記制御部は、前記シード駆動手段による前記シードの引上速度Ｖを１．１５〜１．７５（ｍｍ／ｍｉｎ）とする場合に、前記石英ルツボの回転速度ＶＲ１（ｒｐｍ）と、前記石英ルツボの回転速度ＶＲ１（ｒｐｍ）に対する前記シードの回転速度ＶＲ２（ｒｐｍ）の回転速度比（ＶＲ２／ＶＲ１）とを、回転速度比（ＶＲ２／ＶＲ１）≧  （（−０．０９１）×ＶＲ１）＋１．８９６に制御するように構成されていることを特徴とする。
【００１０】
請求項３に記載の発明は、チャンバ内に配置された石英ルツボに貯留したシリコン融液にシードを浸漬し、前記シードを前記石英ルツボに対して相対的に回転させながら引き上げて単結晶シリコンを成長させる単結晶シリコンの製造方法であって、前記シードの引上速度Ｖを１．１５〜１．７５（ｍｍ／ｍｉｎ）とする場合に、前記石英ルツボの回転速度ＶＲ１（ｒｐｍ）と、前記石英ルツボの回転速度ＶＲ１（ｒｐｍ）に対する前記シードの回転速度ＶＲ２（ｒｐｍ）の回転速度比（ＶＲ２／ＶＲ１）とを、回転速度比（ＶＲ２／ＶＲ１）≧  （（−０．０９１）×ＶＲ１）＋１．８９６とすることを特徴とする。
【００１１】
この発明に係る単結晶シリコン引上装置及び単結晶シリコンの製造方法によれば、単結晶シリコンの製造において、シードの引上速度Ｖを１．１５〜１．７５（ｍｍ／ｍｉｎ）とする場合に、前記石英ルツボの回転速度ＶＲ１（ｒｐｍ）と、前記石英ルツボの回転速度ＶＲ１（ｒｐｍ）に対する前記シードの回転速度ＶＲ２（ｒｐｍ）の回転速度比（ＶＲ２／ＶＲ１）とを、回転速度比（ＶＲ２／ＶＲ１）≧  （（−０．０９１）×ＶＲ１）＋１．８９６とするので、上軸と下軸の回転によって融液対流が安定せずに単結晶シリコン製造過程においてストラクチャーロスが発生するのを抑制することができる。その結果、単結晶シリコンの生産性を向上することができる。
【００１２】
この明細書において、単結晶シリコンにストラクチャーロス（有転移化、又は断線ともいう）とは、単結晶シリコンの表面近傍に長手方向に形成される筋が単結晶シリコンの途中で切れることをいう。ストラクチャーロスが発生した場合、筋が断線した部分を、あらためてシリコン融液に浸漬しなおして、断線がない単結晶シリコンとする必要がある。
【００１３】
請求項２に記載の発明は、請求項１に記載の単結晶シリコン引上装置であって、前記制御部は、前記ルツボの回転速度ＶＲ１を５〜１４ｒｐｍに制御することを特徴とする。
【００１４】
請求項４に記載の発明は、請求項３に記載の単結晶シリコンの製造方法であって、前記ルツボの回転速度ＶＲ１を５〜１４ｒｐｍに制御することを特徴とする。
【００１５】
この発明に係る単結晶シリコン引上装置及び単結晶シリコンの製造方法によれば、単結晶シリコンの製造において、ルツボの回転速度ＶＲ１を５ｒｐｍ〜１４ｒｐｍとすることにより、単結晶シリコン製造過程におけるストラクチャーロスの発生を安定して低減することができる。
【発明の効果】
【００１６】
この発明に係る単結晶シリコン引上装置及び単結晶シリコン製造方法によれば、太陽電池に用いる単結晶シリコンを製造する際の生産性を向上することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１７】
【図１】本発明の一実施形態に係る単結晶シリコン引上装置の概略構成を説明する図である。
【図２】本発明の一実施形態に係る単結晶シリコンの製造に関する要部を説明する図である。
【図３】本発明の一実施形態に係る単結晶シリコンの製造条件について説明する図である。
【図４】従来の単結晶シリコンの製造条件を概念的に説明する図である。
【発明を実施するための形態】
【００１８】
発明者は、単結晶シリコン引上装置によって太陽電池に用いる単結晶シリコンを製造するついて、生産性を向上することが可能な単結晶シリコンの製造技術に関して鋭意研究した結果、シードを保持した上軸の回転数と石英ルツボの回転数の比を、大きく設定することにより、ストラクチャーロスの発生が抑制可能とされ、生産性を向上することが可能であるとの知見を得た。
【００１９】
以下、図面を参照し、この発明の一実施形態について説明する。
図１はこの発明の一実施形態に係る単結晶シリコン引上装置の概略を模式的に示す図であり、符号１は単結晶シリコン引上装置を示している。
【００２０】
単結晶シリコン引上装置１は、耐圧気密に構成されたチャンバ１０と、石英ルツボ１５と、黒鉛ルツボ１６と、シードチャック１７と、ヒータ１９と、ルツボ駆動機構２０と、ルツボ支持台２１と、シード駆動機構３０と、制御部５０とを備えている。
【００２１】
また、単結晶シリコン引上装置１は、減圧状態としたチャンバ１０内で、シードチャック１７に取り付けたシードＳを石英ルツボ１５内に貯留したシリコン融液Ｍに浸漬して、石英ルツボ１５を回転させるとともに、シードＳを石英ルツボ１５と反対向きに回転させながら上方に引き上げることで、単結晶シリコンＴを成長させるようになっている。
【００２２】
チャンバ１０は、メインチャンバ１１と、メインチャンバ１１の上方に接続されたトップチャンバ１２とトップチャンバ１２の上方に接続されたプルチャンバ１３とを備え、メインチャンバ１１は底部１１Ａと底部１１Ａに立設する筒状部１１Ｂとから構成されている。
【００２３】
また、チャンバ１０の平面視中心部には石英ルツボ１５が配置され、排気孔１１Ｄに図示しない真空ポンプが接続されてチャンバ１０内を減圧又は真空状態とすることが可能とされている。
【００２４】
メインチャンバ１１は、底部１１Ａに、スピルトレイ１４が配置されていて、石英ルツボ１５が破損してシリコン融液Ｍが流出することがあった場合に、シリコン融液Ｍが底部１１Ａと直接接触チャンバが破損するのを防止できるようになっている。
【００２５】
プルチャンバ１３は、略円筒形状に形成され、引き上げられた単結晶シリコンＴを収納する空間を有しており、トップチャンバ１２によってメインチャンバ１１と接続されている。
【００２６】
石英ルツボ１５は、石英ルツボ１５の凹部には単結晶シリコンＴの原料である塊状の多単結晶シリコンを保持可能とするとともに多単結晶シリコンが加熱、溶融されて生成したシリコン融液Ｍを貯留可能とされており、黒鉛ルツボ１６に収納されている。
【００２７】
黒鉛ルツボ１６は、ルツボ支持台２１の上面に配置されたペディスタル２１Ｃに保持されることにより一体に組み合わせて形成されている。
ルツボ支持台２１は、その支持部２１Ａがメインチャンバ１１の底部１１Ａの中心部において底部１１Ａ及びスピルトレイ１４を貫通して形成された貫通孔１１Ｈに挿入されている。
【００２８】
シードチャック１７は、その先端側がカーボンにより形成されたカーボンチャック部にはシード（種結晶）Ｓが挿入されて、シードＳが固定されるようになっている。
また、シードチャック１７は、基端側がワイヤＷに接続され、ワイヤＷがシード駆動機構３０を接続されることによりシードＳがメインチャンバ１１に対して相対的に回転及び昇降自在とされている。
【００２９】
ルツボ駆動機構２０は、ルツボ回転機構（ルツボ回転手段）２０Ａと、ルツボ昇降機構（不図示）とを備えており、ルツボ回転機構２０Ａは、支持部２１Ａと連結されるモータＭ１を有しており、平面視メインチャンバ１１の中心に形成される回転軸線Ｏ周りに、支持部２１Ａを回転可能とされるとともに、支持部２１Ａをメインチャンバ１１に対して昇降可能とされている。
【００３０】
また、黒鉛ルツボ１６の周囲には円筒状のヒータ１９と、ヒータ１９の外方に円筒状の保温筒２２とが配置され、保温筒２２は、円筒状の黒鉛からなる内側保温筒２２Ａと内側保温筒２２Ａの外方に配置された円筒状の多孔質黒鉛からなる外側保温筒２２Ｂとを有している。
【００３１】
保温筒２２は、内側保温筒２２Ａの内径と略同じ内径の孔が形成された円板状のロアリング２２Ｃに載置されるとともに上方には内側保温筒２２Ａの内径と略同じ内径の孔が形成された円板状のアッパリング２２Ｄが配置されている。
【００３２】
ヒータ１９は、下方が電極継手１９Ａにボルト１９Ｂで固定され、電極継手１９Ａはスピルトレイ１４に形成された貫通孔に配置された黒鉛電極１９Ｃを介して図示しない電源と接続されている。
【００３３】
また、保温筒２２の上端にはアッパリング２２Ｄ、アダプタ２３を介してフロー管２４が取り付けられている。
フロー管２４は、下端開口部より上端開口部が大径とされた逆円錐台形状の中空筒とされ、黒鉛またはＳｉＣにより形成されている。
【００３４】
シード駆動機構３０は、シード引上機構（シード引上手段）３１と、シード回転機構（シード回転手段）３５とを備え、プルチャンバ１３の上部に設けられている。
シード引上機構３１は、ワイヤＷの基端側が接続されてワイヤＷを巻回する巻取ドラム３２と、巻取ドラム３２を駆動するモータＭ２とを備え、巻取ドラム３２を回転させてワイヤＷを介してシードＳを昇降可能とされている。
【００３５】
シード回転機構３５は、ワイヤＷを平面視メインチャンバ１１の中心に形成される回転軸線Ｏと一致させて、ワイヤＷを回転軸線Ｏ周りに回転可能とされる回転駆動部３６と、回転駆動部３６に連結され回転駆動部３６を回転させるモータＭ３とを備えている。
かかる構成により、シード駆動機構３０は、シードＳを回転軸線Ｏ周りに回転させながら昇降して、単結晶シリコンＴを成長させるようになっている。
【００３６】
制御部５０は、例えば、第１のインバータ５１と、第２のインバータ５２と、第３のインバータ５３と、演算部５４とを備え、第１のインバータ５１、第２のインバータ５２、第３のインバータ５３は、演算部５４の指示信号に基づいて駆動信号を送出するように構成されている。
【００３７】
第１のインバータ５１は、演算部５４から出力された信号によって出力周波数が変化されてモータＭ１の回転を制御することにより、石英ルツボの回転方向及び回転速度を制御するように構成されている。この実施形態では、例えば、石英ルツボ１５を平面視右方向（矢印Ｒ１方向）に、回転速度ＶＲ１を５〜１４ｒｐｍに制御可能に構成されている。
【００３８】
第２のインバータ５２は、演算部５４から出力された信号によって出力周波数が変化されてモータＭ２の回転を制御することにより、巻取ドラム３２の回転方向及び回転速度を制御するように構成されている。この実施形態では、例えば、Ｖで上昇してシードを引き上げ可能に構成されている。
【００３９】
第３のインバータ５３は、演算部５４から出力された信号によって出力周波数が変化されてモータＭ３の回転を制御することにより、ワイヤＷの回転方向及び回転速度を制御するように構成されている。この実施形態では、例えば、ルツボ回転速度ＶＲ１に対するシードＳの回転速度ＶＲ２の速度比（ＶＲ２／ＶＲ１）が、０．９〜１．７となるようにシード回転機構３５を回転制御するように構成されている。
【００４０】
演算部５４は、例えば、設定された単結晶シリコンＴの直径及びシードＳの引き上げ速度Ｖをデータベース（不図示）と参照して、石英ルツボの回転方向及び回転速度石英ルツボの回転方向、及び回転速度比（ＶＲ２／ＶＲ１）を算出するとともに、シードＳの回転速度ＶＲ２を算出して、第１のインバータ５１、第２のインバータ５２、第３のインバータ５３に制御信号を出力するように構成されている。
【００４１】
この実施形態において、上記データベースには、例えば、図３に示すような製造似てきた範囲が格納されており、引上速度Ｖを１．１５〜１．７５ｍｍ／ｍｉｎである場合に、例えば、石英ルツボの回転速度ＶＲ１（ｒｐｍ）と、石英ルツボ１５を平面視右方向（矢印Ｒ１方向）で回転速度ＶＲ１（ｒｐｍ）に対するシードの回転速度ＶＲ２（ｒｐｍ）の回転速度比（ＶＲ２／ＶＲ１）とを、
回転速度比（ＶＲ２／ＶＲ１）≧  （（−０．０９１）×ＶＲ１）＋１．８９６
とし、石英ルツボの回転速度ＶＲ１：５〜１４ｒｐｍ、回転速度比（ＶＲ２／ＶＲ１）：１．４〜０．６とされている。
なお、適正範囲を、データベースに代えて演算により算出してもよい。
【００４２】
次に、単結晶シリコン引上装置１の作用について説明する。
（１）まず、原料となる塊状の多単結晶シリコンを石英ルツボ１５に充填する。
（２）次に、チャンバ１０内を減圧して、不活性ガスを導入してチャンバ１０内を減圧された不活性ガス雰囲気とし、ヒータ１９で石英ルツボ１５を加熱して多単結晶シリコンを溶解して１４２０℃のシリコン融液Ｍとする。
（３）所定時間放置して、シリコン融液Ｍ中のガスを十分に放出する。
（４）次に、シードチャック１７にシードＳを固定する。
（５）次いで、シード駆動機構３０を駆動して、シードチャック１７を下降させてシードＳをシリコン融液Ｍに浸漬し、シードＳをシリコン融液Ｍになじませる。
（６）シードＳがシリコン融液Ｍになじんだら、制御部５０は、シードチャック１７を、引上速度Ｖを１．１５〜１．７５ｍｍ／ｍｉｎで上昇させる。
（７）制御部５０は、石英ルツボ１５を平面視右方向（矢印Ｒ１方向）に回転し、シードＳが平面視左方向（矢印Ｒ２方向）となるようにワイヤＷを回転する。
このとき、制御部５０は、シードチャック１７を引き上げながら、例えば、石英ルツボの回転速度ＶＲ１を５〜１４ｒｐｍに制御する。
（８）上記条件によりシードＳを引き上げることで、単結晶シリコンＴを析出させながら、単結晶シリコンＴが成長する。
（９）次いで、シード駆動機構３０を駆動してワイヤＷを巻き取り、単結晶シリコンＴを成長させながら引き上げる。この場合、単結晶シリコンＴの成長にともない、石英ルツボ１５内のシリコン融液Ｍの液面が低下するので、シリコン融液Ｍの液面低下に対応してルツボ昇降機構を駆動してルツボ支持台２１を上方向に移動して、シリコン融液Ｍの液面レベルを一定に保つ。
【００４３】
結晶成長工程において、単結晶シリコンＴにストラクチャーロスが発生するのを抑制することができる。
その結果、単結晶シリコンの引上速度を高速化することができるので、単結晶シリコンＴを製造する際の生産性を向上することができる。
また、単結晶シリコンＴにストラクチャーロスが発生するのを抑制することにより、単結晶シリコンＴの品質を安定することができる。
【００４４】
なお、上記の実施形態において記載した技術的事項については、発明の趣旨を逸脱しない範囲で種々の変更を加えることが可能である。
【００４５】
例えば、上記実施の形態においては、インバータ５１、５２、５３によりモータＭ１、Ｍ２、Ｍ３の回転方向、回転速度を制御して、石英ルツボ１５の回転方向と回転速度、シードＳの引上げ速度、シードＳの水平方向の回転方向と回転速度を調整する場合について説明したが、制御手段、駆動手段については、周知の技術を任意に選択することが可能である。
【００４６】
また、上記実施の形態においては、石英ルツボの回転速度が５〜１４ｒｐｍに制御される場合について説明したが、この速度範囲外の引上げ速度により石英ルツボを回転させてもよい。
【００４７】
また、上記実施の形態においては、シードＳを平面視右回転し石英ルツボ１５を平面視左回転する場合について説明したが、シードＳを平面視左回転し石英ルツボ１５を平面視右回転するように構成してもよい。
【００４８】
〔実施例〕
以下に、単結晶シリコン引上装置１を用いて、単結晶シリコンＴを製造した場合の効果の確認結果について説明する。なお、図３に示す結果をデータベースの適正範囲とすることができる。
【００４９】
図３は、実施例におけるストラクチャーロスの発生状況を示す図である。
図３は、シードＳの引上速度Ｖが１．１５〜１．７５ｍｍ／ｍｉｎである場合に、石英ルツボの回転速度ＶＲ１（ｒｐｍ）を横軸として、石英ルツボの回転速度ＶＲ１（ｒｐｍ）に対するシードの回転速度ＶＲ２（ｒｐｍ）の回転速度比（ＶＲ２／ＶＲ１）を縦軸として、単結晶シリコンＴのストラクチャーロスの発生状況を示した図である。
【００５０】
単結晶シリコンＴのストラクチャーロスの発生状況は、単結晶シリコンＴのストラクチャーロスの発生回数を代用特性として図示した。
【００５１】
図３において、◎はストラクチャーロスが発生しなかった条件を示しており、〇はストラクチャーロスの発生回数が１回の条件を、△ではストラクチャーロスの発生回数が２回の条件を、×ではストラクチャーロスの発生回数が３回以上の条件を示している。
図３に示した網掛けの領域は、単結晶シリコンＴのストラクチャーロスの発生回数が低い範囲と判断した範囲である。
【００５２】
図３に示すように、引上速度Ｖを１．１５〜１．７５ｍｍ／ｍｉｎの場合に、石英ルツボの回転速度ＶＲ１（ｒｐｍ）が増加すると、回転速度比（ＶＲ２／ＶＲ１）が低くてもストラクチャーロスの発生回数が低くなることが確認された。
また、ストラクチャーロスの発生回数は、石英ルツボの回転速度ＶＲ１（ｒｐｍ）と、回転速度比（ＶＲ２／ＶＲ１）とが、
回転速度比（ＶＲ２／ＶＲ１）≧  （（−０．０９１）×ＶＲ１）＋１．８９６
を満足する場合に良好であることが判明した。
さらに、石英ルツボの回転速度ＶＲ１が７〜１３（ｒｐｍ）の範囲が好適であり、石英ルツボの回転速度ＶＲ１が８〜１２（ｒｐｍ）の範囲がより好適であり、石英ルツボの回転速度ＶＲ１が８〜１０（ｒｐｍ）の範囲がさらに好適である。
また、石英ルツボの回転方向は、適正範囲に有意差を発生させない。
【産業上の利用可能性】
【００５３】
本発明に係る単結晶シリコン引上装置及び単結晶シリコン製造方法によれば、太陽電池用単結晶シリコンを引き上げる際のストラクチャーロスの発生を抑制して、生産性を向上することができるので、産業上利用可能である。
【符号の説明】
【００５４】
Ｍ シリコン融液
Ｓ シード
Ｔ 単結晶シリコン
１ 単結晶シリコン引上装置
１０ チャンバ
１５ 石英ルツボ
２０  ルツボ駆動機構（ルツボ駆動手段）
２０Ａ  ルツボ回転機構（ルツボ駆動手段）
３０  シード駆動機構（シード駆動手段）
３１  シード引上機構（シード駆動手段）
３５  シード回転機構（シード駆動手段）
５０ 制御部
【図１】
2015117168.tif 000003
【図２】
2015117168.tif 000004
【図３】
2015117168.tif 000005
【図４】
2015117168.tif 000006