(57)【要約】【課題】シリコン基板を分断したときに端面の垂直性を向上させること。【解決手段】シリコン基板２０の一方の面に分断予定ラインに沿って溝２１を形成する。そしてその溝２１の反対面より溝２１に沿ってスクライブ装置によってスクライブラインＳを形成する。次いでシリコン基板２０を反転し、溝２１を有する面より溝に沿ってブレイクバー１３を降下させてブレイクする。こうすれば溝に向けてスクライブラインに沿った亀裂が浸透するため、シリコン基板２０を完全に分断し、端面の精度を向上させることができる。【選択図】図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
シリコン基板の分断方法であって、
前記シリコン基板の一方の面に分断予定ラインに沿って溝を形成し、
前記シリコン基板の前記溝が形成されていない面より前記溝に対応するラインに沿ってスクライブラインを形成し、
前記シリコン基板の溝が形成された面に前記スクライブラインに沿ってブレイクバーを押し当ててブレイクすることによって、スクライブラインに沿って分断するシリコン基板の分断方法。
【請求項２】
前記シリコン基板の溝は、レーザ光の照射によって形成したものである請求項１記載のシリコン基板の分断方法。
【請求項３】
前記シリコン基板の溝は、少なくとも１０μｍの深さを有するものである請求項１記載のシリコン基板の分断方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明はシリコン基板に溝を形成して分断するシリコン基板の分断方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来シリコン基板を分断する場合には、ダイシングソー等を用いて分断することが多かった。又特許文献１にはガラスセラミックス基板を軽荷重で複数回スクライブした後にブレイクするガラスセラミックス基板の分断方法が提案されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００１−１１３５２１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
特許文献１ではガラスセラミックス基板を複数回スクライブしているが、シリコン基板を分断するものではなかった。又ガラス板の分断において、スクライブ装置によってガラス板にスクライブラインを形成し、スクライブラインに沿ってブレイクすることによって分断する方法が広く用いられており、この分断方法をシリコン基板に適用することが考えられる。
【０００５】
例えば図１（ａ）に示すようにシリコン基板１０上にスクライビングホイール１１でスクライブする。そしてシリコン基板１０を反転させ、一対の支持部材１２ａ，１２ｂの中間にスクライブラインＳが位置するようにシリコン基板１０を配置する。そして上部よりブレイクバー１３を垂直に降下させると、下方のスクライブラインＳに沿った亀裂が上方に進展して図１（ｃ）に示すようにガラス板と同様に分断することができる。
【０００６】
しかしながらこの分断方法をシリコン基板の分断に適用した場合には、図１（ｄ）に示すように分断する端面にソゲなどが生じ易く、端面の垂直性が低下するという問題点があった。
【０００７】
本発明はシリコン基板をスクライブ及びブレイクによって分断したときに、端面精度を向上させて分断できるようにすることを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
この課題を解決するために、本発明のシリコン基板の分断方法は、前記シリコン基板の一方の面に分断予定ラインに沿って溝を形成し、前記シリコン基板の前記溝が形成されていない面より前記溝に対応するラインに沿ってスクライブラインを形成し、前記シリコン基板の溝が形成された面に前記スクライブラインに沿ってブレイクバーを押し当ててブレイクすることによって、スクライブラインに沿って分断するものである。
【０００９】
ここで前記シリコン基板の溝は、レーザ光の照射によって形成したものとしてもよい。
【００１０】
前記シリコン基板の溝は、少なくとも１０μｍの深さを有するものとしてもよい。
【発明の効果】
【００１１】
このような特徴を有する本発明によれば、あらかじめシリコン基板の分断予定ラインに沿って溝を形成し、その溝に沿って反対面にスクライブラインを形成して、溝の部分からブレイクバーを押下してブレイクすることによってブレイクする。こうすれば溝に向けてスクライブラインに沿った亀裂が浸透するため、端面の精度を向上させることができるという効果が得られる。
【図面の簡単な説明】
【００１２】
【図１】図１は従来のシリコン基板の分断の一例を示す図である。
【図２】図２は本発明の実施の形態によるシリコン基板の分断処理を示す図である。
【図３】図３は本発明の実施の形態によるシリコン基板に形成する溝の異なった例を示す拡大断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１３】
次に本発明の実施の形態について説明する。図２（ａ）は本発明の実施の形態による分断の対象となるシリコン基板２０を示す図である。この基板は例えば０．４ｍｍの厚さを有するシリコン基板とする。
【００１４】
そしてこのシリコン基板２０を所定のパターンで分断する場合に、まず図２（ｂ）に示すように分断を予定するラインに沿って溝２１を形成する。この溝２１の形成はレーザやエッチングによって形成する。本実施の形態ではレーザとしてＹＡＧレーザを用い、例えば３倍波（３５５ｎｍ）の波長のＹＡＧレーザをパルス発振させて溝となる部分に照射することによって分断予定ラインに沿って溝２１を形成する。溝２１は図３（ａ）に示すように例えば幅ｗが１０〜１５μｍ、深さｄを３０μｍとする。
【００１５】
次に図２（ｃ）に示すようにシリコン基板２０を反転させ、溝２１の反対面より図示しないスクライブ装置によってスクライビングホイール１１を押圧し転動させて溝２１に沿ってスクライブする。こうして形成したスクライブラインをスクライブラインＳとする。このとき用いるスクライビングホイール１１は、最外周辺部の稜線に切欠きや溝の形成されていない通常のスクライビングホイール（ノーマルスクライビングホイール）であってもよく、刃先に切欠きや溝の形成されている高浸透型又は非高浸透型のスクライビングホイール（日本国特許文献３０７４１４３号、日本国特許文献５０２２６０２号、日本国特許文献５０７８３５４号、日本国特許文献５０５５１１９号等）であってもよい。
【００１６】
次いで図２（ｄ）に示すように、シリコン基板２０を反転し、図示しないブレイク装置の一対の支持部材１２ａ，１２ｂの中間にスクライブラインＳが位置するようにシリコン基板２０を配置する。そしてスクライブラインＳの真上からブレイクバー１３を押し下げ、ブレイクを行う。
【００１７】
こうすれば図２（ｅ）に示すように、シリコン基板２０をスクライブラインＳに沿って完全に分断し個別化することができ、端面精度を向上させることができる。そしてシリコン基板の分断を格子状に行うようにすれば略正方形の個別のチップを形成することができる。
【００１８】
前述した実施の形態においては、３倍波のＹＡＧレーザを照射してシリコン基板に溝を形成しているが、これに限定されるものではなく、他の形式のレーザによって溝を形成するようにしてもよい。又プラズマエッチングなどのドライエッチングや、ウエットエッチングを用いて溝を形成することも可能である。
【００１９】
又前述した実施の形態では溝２１の形状を例えば断面が略正方形状となるように形成しているが、図３（ｂ）に示すように底面が湾曲した形状の溝であってもよい。又図３（ｃ）に示すように断面がＶ字状の溝となるようにしてもよい。
【００２０】
又前述した実施の形態では、０．４ｍｍの厚さのシリコン基板に対して溝２１の深さｄを３０μｍとしているが、少なくとも１０μｍ以上とすることで分断したときに端面の直線性を向上させることができる。シリコン基板の厚さが大きくなれば溝の深さｄをより深くする必要がある。
【産業上の利用可能性】
【００２１】
本発明はシリコン基板をスクライブ装置とブレイク装置を用いて容易に分断することができ、微小なシリコン基板の製造に有効である。
【符号の説明】
【００２２】
１０，２０  シリコン基板
１１  スクライビングホイール
１２ａ，１２ｂ  支持部材
１３  ブレイクバー
２１  溝
Ｓ  スクライブライン
【図１】
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【図２】
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【図３】
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