(57)【要約】      （修正有）【課題】モールドのパターンの変形が低減されたインプリント装置を提供する。【解決手段】インプリント装置は、基板３を保持する基板ステージ４と、モールド８を保持するモールドステージ９と、前記基板３の前記モールド８に対する前記基板３の表面に平行な方向における相対位置を検出する検出器１０と、前記樹脂に振動を与える加振器６と、前記インプリント処理を制御する制御部Ｃと、を備える。前記制御部Ｃは、前記樹脂と前記モールド８とを接触させた後に、前記加振器６により前記樹脂に振動を与えながら、前記検出器１０の検出結果に基づいて前記基板３と前記モールド８とを位置合わせする。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板の上に供給された樹脂とモールドとを接触させることで、前記基板の上にパターンを形成するインプリント処理を行うインプリント装置であって、
前記基板を保持する基板ステージと、前記モールドを保持するモールドステージと、前記基板の前記モールドに対する前記基板の表面に平行な方向における相対位置を検出する検出器と、前記樹脂に振動を与える加振器と、前記インプリント処理を制御する制御部と、を備え、
前記制御部は、前記樹脂と前記モールドとを接触させた後に、前記加振器により前記樹脂に振動を与えながら、前記検出器の検出結果に基づいて前記基板と前記モールドとを位置合わせする、ことを特徴とするインプリント装置。
【請求項２】
前記加振器は、前記基板ステージに設置されている、ことを特徴とする請求項１に記載のインプリント装置。
【請求項３】
前記加振器は、前記モールドステージに設置されている、ことを特徴とする請求項１に記載のインプリント装置。
【請求項４】
前記制御部は、前記基板ステージおよび前記モールドステージの少なくとも一方を前記基板の表面に平行な方向に相対移動させて前記基板と前記モールドとを位置合わせすることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載のインプリント装置。
【請求項５】
前記制御部は、前記樹脂と接触している状態の前記モールドの表面と前記基板の表面との間の間隔及び使用する樹脂の種類の少なくともいずれかに基づいて前記振動の周波数及び大きさを決定する、ことを特徴とする請求項１乃至４のいずれか１項に記載のインプリント装置。
【請求項６】
前記加振器は、前記樹脂に１ｋＨｚ以上の振動を与えることを特徴とする請求項１乃至５のいずれか１項に記載のインプリント装置。
【請求項７】
前記モールドの形状を補正する形状補正機構を備え、
前記形状補正機構が前記モールドの形状を所定の形状に変形させることで、前記基板と前記モールドとを位置合わせすることを特徴とする請求項１乃至６のいずれか１項に記載のインプリント装置。
【請求項８】
基板の上に供給された樹脂とモールドとを接触させることで、前記基板の上にパターンを形成するインプリント処理を行うインプリント装置であって、
前記基板を保持する基板ステージと、前記モールドを保持するモールドステージと、前記基板の前記モールドに対する前記基板の表面に平行な方向における相対位置を検出する検出器と、前記インプリント処理を制御する制御部と、を備え、
前記樹脂と前記モールドとが接触しかつ前記樹脂が硬化されていない状態で前記基板ステージを前記モールドステージに対して前記方向に相対移動させたときに前記樹脂の粘弾性に起因して前記モールドと前記基板との間で発生する前記方向の力と前記基板ステージの前記方向における相対移動距離との関係は、前記相対移動距離が第１領域で線形性を示し、前記相対移動距離が前記第１領域より大きな第２領域で線形性を示さず、
前記制御部は、前記樹脂と前記モールドとを接触させた後に前記検出器の検出結果に基づいて前記基板ステージを前記モールドステージに対して相対移動させて前記基板を前記モールドに対して前記第１領域内の相対移動距離だけ離れた第１位置に位置決めするときに、前記基板ステージを相対移動距離が前記第２領域内である第２位置まで相対移動させ、次いで前記基板ステージを前記第２位置から前記第１位置まで相対移動させて前記第１位置に位置決めすることを特徴とするインプリント装置。
【請求項９】
前記制御部は、使用する樹脂の種類、前記樹脂と接触している状態の前記モールドの表面と前記基板の表面との間の間隔、前記基板ステージの前記方向における相対移動速度、及び、前記第１位置までの相対移動距離の少なくともいずれかに基づいて前記第２位置を決定する、ことを特徴とする請求項８に記載のインプリント装置。
【請求項１０】
前記制御部は、前記基板ステージを、前記モールドを前記基板に対して押し付ける方向に直交する方向に移動させて前記基板を前記モールドに対して位置決めする、ことを特徴とする請求項１乃至９のいずれか１項に記載のインプリント装置。
【請求項１１】
前記制御部は、前記モールドステージを前記方向に移動させて前記基板を前記モールドに対して位置決めする、ことを特徴とする請求項１乃至９のいずれか１項に記載のインプリント装置。
【請求項１２】
基板の上に供給された樹脂とモールドとを接触させることで、前記基板の上にパターンを形成するインプリント処理を行うインプリント装置であって、
前記基板の前記モールドに対する前記基板の表面に平行な方向における相対位置を検出する検出器と、前記モールドの形状を補正する形状補正機構と、前記インプリント処理を制御する制御部と、を備え、
前記樹脂と前記モールドとが接触しかつ前記樹脂が硬化されていない状態で前記形状補正機構を用いて前記モールドを前記方向の形状を補正したときに前記樹脂の粘弾性に起因して前記モールドと前記基板との間で発生する前記方向の力と前記補正機構の前記方向における補正距離との関係は、前記補正距離が第１領域で線形性を示し、前記補正距離が前記第１領域より大きな第２領域で線形性を示さず、
前記制御部は、前記樹脂と前記モールドとを接触させた後に前記検出器の検出結果に基づいて前記形状補正機構を用いて前記モールドの形状を補正する際の補正距離を前記第１領域内の第１補正距離とするときに、補正距離が前記第２領域内の第２補正距離となるまで前記形状補正機構を駆動させ、次いで補正距離が前記第２補正距離から前記第１補正距離となるまで前記形状補正機構を駆動させて前記モールドの形状を補正することを特徴とするインプリント装置。
【請求項１３】
請求項１乃至１２のいずれか１項に記載のインプリント装置を用いて基板にパターンを形成する工程と、
前記工程でパターンが形成された基板を加工する工程と、
を含む物品の製造方法。
【請求項１４】
基板の上に供給された樹脂とモールドとを接触させた状態で前記樹脂を硬化させるインプリント処理を行うインプリント方法であって、
前記基板の上に供給された樹脂を前記モールドと接触させる工程と、
前記モールドと接触している前記樹脂に振動を与えながら、前記基板を前記モールドに対して前記基板の表面に平行な方向に位置決めする工程と、
位置決めされた前記基板の上の前記樹脂を硬化する工程と、
を含む、ことを特徴とするインプリント方法。
【請求項１５】
基板の上に供給された樹脂とモールドとを接触させることで、前記基板の上にパターンを形成するインプリント処理を行うインプリント方法であって、
前記樹脂と前記モールドとが接触しかつ前記樹脂が硬化されていない状態で前記基板を前記モールドに対して前記基板の表面に平行な方向に相対移動させたときに前記樹脂の粘弾性に起因して前記モールドと前記基板との間で発生する前記方向の力と前記基板の前記方向における相対移動距離との関係は、前記相対移動距離が第１領域で線形性を示し、前記相対移動距離が前記第１領域より大きな第２領域で線形性を示さず、
前記インプリント方法は、
前記基板の上に供給された樹脂を前記モールドと接触させる工程と、
前記樹脂と前記モールドとが接触している状態で、前記基板を前記モールドに対して前記第１領域内の相対移動距離だけ離れた第１位置を超えて前記相対移動距離が前記第２領域内の相対移動距離だけ離れた第２位置まで相対移動させ、次いで前記基板を前記第２位置から前記第１位置まで相対移動させて前記第１位置に位置決めする工程と、
位置決めされた前記基板の上の前記樹脂を硬化する工程と、
を含む、ことを特徴とするインプリント方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、インプリント装置、インプリント方法及び物品の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
インプリント技術は、微細なパターンが形成されたモールドを用いて基板（ウエハ）の上に微細なパターンを形成する技術である。例えば、インプリント技術の１つとして、光硬化法がある。この光硬化法を用いたインプリント技術は、まず、基板の上のインプリント領域であるショット領域にインプリント材としての流動状の樹脂が供給される。樹脂にモールドのパターンが押し付けられた状態（押印）で光を照射することによって樹脂が硬化される。硬化された樹脂からモールドを引き離す（離型）ことにより、樹脂のパターンが基板の上に転写される。
【０００３】
半導体チップを製作する場合、基板上の樹脂にモールドを押印するときに、基板とモールドとの正確な位置合わせを必要とする。インプリント装置における基板とモールドとの位置合わせには、モールドに形成されたマークとショット領域毎に基板に形成されたマークとを検出することによって位置合わせを行う、いわゆるダイバイダイ方式が知られている。
【０００４】
特許文献１には、位置合わせマークの検出によりモールドと基板間の相対位置ずれを算出して、ステージ（モールド、基板ステージ）を相対的に動かすインプリント装置が記載されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特表２００８−５２２４１２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
微細なパターンのインプリントでは押印時のモールドと基板との隙間は１μｍ以下であり、この隙間に充填された樹脂は粘性と弾性の両方の特性を持つ粘弾性を持つ。押印時にモールドと基板との位置合わせのために両者を相対的に動かすと、樹脂の粘弾性によりモールドと基板との間に力が働く。この力はモールドのパターンに対しても作用するので、微細なパターンが変形する恐れがある。位置合わせ時のモールドと基板の相対移動量はショット領域毎に異なる。したがって、モールドと基板との間に働く力とモールドのパターンの変形もショット領域毎にばらつきを生じ、例えば半導体チップのインプリントでは不良チップが発生して歩留まりが低下するという問題がある。
【０００７】
本発明は、モールドのパターンの変形が低減されたインプリント装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明の１つの側面は、基板の上に供給された樹脂とモールドとを接触させることで、前記基板の上にパターンを形成するインプリント処理を行うインプリント装置であって、前記基板を保持する基板ステージと、前記モールドを保持するモールドステージと、前記基板の前記モールドに対する前記基板の表面に平行な方向における相対位置を検出する検出器と、前記樹脂に振動を与える加振器と、前記インプリント処理を制御する制御部と、を備え、前記制御部は、前記樹脂と前記モールドとを接触させた後に、前記加振器により前記樹脂に振動を与えながら、前記検出器の検出結果に基づいて前記基板と前記モールドとを位置合わせする、ことを特徴とする。
【発明の効果】
【０００９】
本発明によれば、モールドのパターンの変形が低減されたインプリント装置を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１０】
【図１】第１実施形態のインプリント装置の概念図である。
【図２】インプリント装置の制御系を示す図である。
【図３Ａ】従来技術のインプリント装置のモールドと樹脂との間に働く力の特性を説明したものである。
【図３Ｂ】第２実施形態のインプリント装置のモールドと樹脂との間に働く力の特性を説明したものである。
【図４Ａ】第３実施形態のインプリント装置のモールド近傍の側面図である。
【図４Ｂ】第３実施形態のインプリント装置のモールドを下から見た図である。
【発明を実施するための形態】
【００１１】
［第１実施形態］
以下、本発明の第１実施形態について説明する。図１は第１実施形態のインプリント装置の概要を示したものである。インプリント装置の本体１は、空気ばね等を用いた三脚または四脚の除振機構２を介して、床の上に設置される。基板（ウエハ）３は、不図示のウエハチャックにより基板ステージ（ウエハステージ）４に保持されている。ウエハステージ４は、ウエハ３の全面にインプリント処理を行い、かつウエハ３を不図示のウエハ交換ハンドにて載せ降ろしを行う交換位置まで移動できるのに十分なＸ方向およびＹ方向のストロークを持っている。
【００１２】
図１ではウエハステージ４は簡易的に一つの箱と車輪で示されているが、実際は次の構造を持つ。ウエハステージ４は、Ｘ方向およびＹ方向に長ストロークを持つ粗動ステージ上に、短ストロークで位置決め精度の高い微動ステージを搭載したものが使われている。ウエハステージ４の構成はこれに限らず、一般的に半導体露光装置用のウエハステージに用いられている高精度の位置決めのステージを用いることができる。
【００１３】
ウエハステージ４のＸ方向の位置は本体１に設けたレーザ干渉計５とウエハステージ４に設けたレーザ光を反射する不図示の反射鏡により計測される。同様にＹ方向を計測するレーザ干渉計も設けられている。ウエハステージ４の位置計測は、本体１に設けたスケール基板とウエハステージ４に設けた光学機器からなるエンコーダシステムを用いても良い。
【００１４】
ウエハステージ４には高周波の振動を発生して樹脂に振動を与える加振器６が設置されている。インプリント処理時に用いる光硬化型の樹脂（インプリント材）は、本体１に設けられたディスペンサ７によりウエハ３上に供給される。微細なパターンが形成されたモールド（型、テンプレートともいう）８は、本体１に設置されたモールドステージ（インプリントヘッド機構）９により保持されている。モールドステージ９は、モールド８を保持しながらモールド８をＺ方向に動かすことができる。ここでは、図１に示すようにモールドステージ９に保持されたモールド８を樹脂が供給されたウエハ３に対して押し付ける方向をＺ方向とする。モールド８をウエハ３に対して押し付ける方向に直交し、ウエハ３の表面に平行な方向をＸ方向およびＹ方向とする。
【００１５】
ウエハ３のモールド８に対するウエハ３の表面に平行な方向（Ｘ方向およびＹ方向）の相対的な位置は、本体１に設けられた検出器１０により検出される。ウエハ３には前の処理工程により各ショット領域の位置にアライメント用のマークが転写されている。モールド８にもこれに応じたアライメント用のマークが設けられている。検出器１０は、アライメント光をモールド８とウエハ３に照射して、両者のアライメント用のマークをアライメントスコープにより検出する。制御部Ｃは、アライメントスコープの検出結果を画像処理することにより、モールド８とウエハ３との相対的な位置ずれを算出する。樹脂を硬化させる紫外線を照射する照射系１１、は本体１に搭載されている。
【００１６】
図２は、インプリント装置の制御系を示したものである。ウエハステージ４の位置制御はウエハステージ制御部１２で行われる。ウエハステージ制御部１２は、主制御部１４から送られるステージ位置指令からレーザ干渉計５で計測されたステージ位置を引いた偏差をフィードバックするフィードバック制御系を用いている。検出器１０から出力されたモールド８とウエハ３の位置ずれはステージ位置補正算出器１３に入力され、ステージ位置補正信号としてウエハステージ制御部１２に送られる。ウエハステージ制御部１２では、前述のステージ位置指令にステージ位置補正信号を加えたものをウエハステージ４の目標位置として制御演算が行われる。制御演算の結果の制御指令はウエハステージ４を駆動するアクチュエータに送られて駆動力となり、ウエハステージ４を位置決め制御する。これらの制御系は複雑な演算が行われるので、デジタル計算機にて構成されている。
【００１７】
次に、インプリント処理時の各動作を説明する。ウエハステージ４はウエハ３の交換位置に移動して不図示のウエハ交換ハンドによりウエハ３が不図示のウエハチャックに搭載される。制御部Ｃは、ウエハ３上のインプリント処理を行うショット領域がディスペンサ７の下になるようにウエハステージ４を移動し、ディスペンサ７によりウエハ３に樹脂を供給する。制御部Ｃは、ショット領域がモールド８の下になるようにウエハステージ４を移動した後、モールドステージ９によりモールド８を降下して押印を行う。この押印とは、モールドステージ９をＺ方向に駆動してモールド８をウエハ面の樹脂に接触させることにより、モールド８とウエハ３の隙間を１μｍ以下として、この隙間に樹脂を充填することである。押印の初期はモールド８とウエハ３との水平方向（Ｘ方向、Ｙ方向）における相対位置に位置ずれが生じている。この位置ずれは前述のように検出器１０により検出され、ステージ位置補正算出器１３により生成されたステージ補正信号がウエハステージ制御部１２に送られる。
【００１８】
押印時にウエハステージ４を動かすと、モールド８とウエハ３との間に充填された樹脂の粘弾性に起因して、モールド８とウエハ３との間に力が働く。これは、ウエハステージ４を動かすことで、ウエハ３と樹脂との間に力が生じ、樹脂への反力がモールドに伝わるため、モールドと樹脂の間にも力が作用する。この粘弾性は樹脂に高周波振動を与えることで小さくなることがわかった。主制御部１４からの指令により、加振器６で高周波振動を発生させることで樹脂を高周波で加振して、樹脂の粘弾性を小さくする。高周波振動の周波数および大きさは、使用する樹脂の種類とモールド８の表面とウエハ３の表面と間の間隔によって決定される。よって、事前に周波数と大きさを変えてモールド８と樹脂との間に働く力をウエハステージ制御部１２の駆動力により測定し、実際に用いる値を決めるのが良い。また、周波数は１ｋＨｚ以下ではウエハステージ制御部１２のフィードバック系に影響を与える可能性があるので、１ｋＨｚ以上であることが望ましい。
【００１９】
検出器１０のアライメントスコープでは不図示の光学センサを用いている。光学センサでは検出光を所定の時間だけ蓄積して電気信号に変換されるので、結果として蓄積時間内の平均値が出力される。よって、1ｋＨｚ以上の高周波であれば、この平均効果により検出器１０での検出結果には高周波振動の影響はない。高周波で加振している間にウエハステージ４を移動することで、モールド８とウエハ３間の位置合わせを完了する。樹脂の粘弾性が非常に小さい状態でモールド８とウエハ３を相対移動させるので、位置合わせ時にモールド８と樹脂との間に力が生じるのを抑制できる。位置合わせ完了後、高周波振動は停止する。照射系１１にて紫外線を樹脂に当てて硬化させた後、モールドステージ９を上昇させて離型し、１ショット領域分のインプリント処理を完了する。以降は各ショット領域において、樹脂供給、押印、加振中の位置合わせ、硬化、離型、のシーケンスを繰り返して行う。各ショット領域は加振中に位置合わせを行うので、位置合わせ完了時にモールド８と樹脂との間に働く力が小さくなり、その結果、力のばらつきも小さくなる。ウエハ全面のインプリント処理を終えるとウエハステージ４はウエハ交換位置に移動し、ウエハ交換ハンドでインプリント済みのウエハ３を回収する。次のウエハ３をウエハチャックに搭載し、再びウエハ全面のインプリントシーケンスを実行する。
【００２０】
加振器６はウエハステージ４に設けたが、樹脂に高周波振動が伝わればよいのでモールドステージ９に設けても良い。ここではモールド８とウエハ３の位置合わせの際にウエハステージ４を動かす構成としたが、モールドステージ９にＸＹ方向の移動機構を設けてモールド８を動かすようにしても良い。この場合は、モールドステージ９のＸＹ方向の位置制御系があり、ステージ位置補正算出器１３によるステージ位置補正信号は、モールドステージ９にも送られる。モールド８とウエハ３と位置合わせするには、ウエハステージ４とモールドステージ９との少なくとも一方を動かせばよい。また、加振器６を別途設けず、ウエハステージ４を直接に高周波で加振しても良い。この場合は、ウエハステージ制御部１２からの制御指令には位置決め用の信号に加振用の信号が重ねられる。
【００２１】
［第２実施形態］
第２実施形態のインプリント装置は、図１に示した装置から加振器６を削除したものであるので、図示は省略する。図３Ａ、３Ｂはモールド８と樹脂との間の力の特性を示したものである。押印開始時はウエハステージ４を静止させた状態でモールドステージ９をＺ方向のみに動かすので、ＸＹ方向のモールド８とウエハ３の相対的な動きは無いので、モールド８と樹脂との間の力は零である。この状態を図３Ａの点Ａで示してある。検出器１０により測定されたモールド８とウエハ３との位置ずれがｄ１であったとする。ステージ位置補正算出器１３によるウエハステージ位置補正信号とウエハステージ制御部１２によりウエハステージ４が移動する。この結果、モールド８とウエハ３との相対移動量がｄ１となったところでモールド８とウエハ３との位置ずれが解消される。
【００２２】
この状態を図３Ａの点Ｂで示してある。この際のウエハステージ４の移動は非常に低速であるので、樹脂の粘弾性の粘性抵抗力はほとんど生じずほぼ弾性の特性が現れる。本実施形態も、ウエハステージ４を動かすことで、ウエハ３と樹脂との間に力が生じ、樹脂への反力がモールド８に伝わるため、モールド８と樹脂の間にも力が生じている。よって、点Ａから点Ｂまでの領域（第１領域）では、モールド８と樹脂と間の力とモールド８とウエハ３の相対移動距離との関係は、線形性を示す。点Ｂの状態で位置合わせが完了した直後に照射系１１により照射が行われるので、モールド８には力ｆ１が作用した状態で樹脂が硬化することになる。押印開始時のモールド８とウエハ３の位置ずれはショット領域毎に異なるので、位置合わせ終了時に作用するモールド８への力も異なることになる。この現象により、モールド８に設けたパターンのウエハ３への転写精度がショット領域毎にばらつき、不良チップの発生となり歩留まりが低下する。
【００２３】
図３Ｂは、本発明を用いた場合を示している。ステージ位置補正算出器１３では、押印開始時のモールド８とウエハ３の位置ずれｄ１に対して、ｄ１である第１位置を超えたｄ２の第２位置まで一旦移動してから、ｄ１の第１位置に復帰させるステージ位置補正信号を生成する。ここで、相対移動量ｄ１は第１領域内の相対移動量であり、相対移動量ｄ２は第２領域内の相対移動量である。モールド８とウエハ３の相対移動量が大きくなると樹脂の粘弾性が変化し、相対移動量に対してモールド８とウエハ３の間の力の増加は小さくなる。モールド８とウエハ３との相対移動距離がｄ２のあたりは、モールド８と樹脂との間に働く力が相対移動距離に対して線形性を示さない第２領域に属している。モールド８とウエハ３の相対移動量がｄ２となった点Ｃの第２位置から、相対移動の方向を反転してｄ１に向かうと、再び樹脂の粘弾性が変化する。このとき、モールド８とウエハ３の相対移動量に対して力の変動が大きくなる。すなわち、図３の線の傾きは粘弾性のばね性を示しており、傾きが大きいほどばね性が大きいことになる。点Ａから点Ｂに向かうときのばね性と、点Ｃから点Ｄに向かうときのばね性は、ほぼ同じ値であるので平行な直線となっている。モールド８とウエハ３の位置ずれが解消される点Ｄにおけるモールド８と樹脂との間の力はｆ２となり、本発明を用いずに点Ａから点Ｂまで移動したときの力ｆ１に比べて非常に小さくなる。
【００２４】
図３Ｂに示したモールド８とウエハ３の相対移動量とモールド８と樹脂との間の力の特性は、使用する樹脂の種類やモールド８とウエハ３の間隔、モールド８とウエハ３の相対移動速度などによって変わる。よって、予め特性を実験により求めて数値化してデジタル計算機の不揮発メモリに入れておき、これを基にステージ位置補正算出器１３においてｄ１に対してｄ２の値を決めている。ショット毎に異なる押印初期時のモールド８とウエハ３の位置ずれに応じて、位置合わせ終了時のモールド８と樹脂と間の力ｆ２が小さくなるようにｄ２をショット領域毎に設定する。この結果、樹脂の硬化時にモールド８に作用する力が小さくなり、かつ、力のばらつきが小さくなり、モールド８に設けたパターンのウエハ３への転写精度の低下を防ぐことができる。
【００２５】
ここではモールド８とウエハ３の位置合わせの際にウエハステージ４を動かす構成としたが、第１実施形態と同様にモールドステージ９にＸＹ方向の移動機構を設けてモールド８を動かすようにしても良い。また、上記何れの実施形態もモールド８とウエハ３上の樹脂とを接触させる（押印）際に、モールドステージ９をＺ方向に動かす構成としたが、ウエハステージ４にＺ方向の移動機構を設けてウエハ３を動かすようにしても良い。さらに、ウエハステージ４とモールドステージ９を順次または、同時に動かしてモールド８とウエハ３上の樹脂とを接触させても良い。
【００２６】
［第３実施形態］
第３実施形態のインプリント装置は、図１に示したインプリント装置のモールドステージ９に形状補正機構９１を備えたものである。図４Ａ、４Ｂはモールドステージ９に保持されたモールド８とモールド８の外周部側面を取り囲むように、設けられた形状補正機構９１を示したものである。形状補正機構９１は、モールド８に形成されたパターン部８１の形状を補正する装置であり、アクチュエータ及びリンク機構により構成されている。この駆動機構を用いて、モールド８をＸ方向とＹ方向に動かすようにしても良い。
【００２７】
パターンの高精度な形状補正が要求される場合には、モールド８と樹脂が接触した状態で、モールド８のパターン部８１の形状と基板上のショット領域の形状を合わせるために、パターン部８１の形状を補正する。パターン部８１の形状と基板上のショット領域の形状のずれは、検出器１０によりショット内の複数のアライメント用のマークを検出することで、求めることができる。検出器１０が検出したアライメント用のマークのずれを求めることで、パターン部８１の補正距離（形状補正機構９１の駆動量）を決めることができる。得られたパターン部８１の変形量（補正値）に応じて形状補正機構９１の駆動量（駆動距離）を求めることができる。形状補正機構９１によりパターン部８１の形状を補正すると、樹脂の粘弾性によりモールドと樹脂との間に力が働くため、モールドのパターンに対しても力が作用するので、微細なパターンが変形する恐れがある。また、形状補正機構９１によるパターン部８１の形状を補正する場合も、形状補正機構９１の駆動量はショット領域毎に異なる。そのため、形状補正終了時にモールド８のパターンと樹脂との間に作用する力も異なる。
【００２８】
そこで、図３Ｂと同様の特性として、形状補正機構９１の駆動量（駆動距離）と、モールドと樹脂間の力の関係を予め求めておく。その関係に基づいて、一旦、目標駆動量（目標駆動位置）を超える所定の駆動量を駆動させた後に、目標駆動量に戻すことで、形状補正終了時に作用するモールド８への力が小さくなり、かつ、力のばらつきを小さくできる。結果として、モールド８に設けたパターンのウエハ３への転写精度の低下を抑えることができる。
【００２９】
また、第１実施形態で説明したようにウエハステージ４を高周波で加振している間に、形状補正機構９１を駆動させモールド８のパターン部８１の形状を補正しても良い。ウエハステージ４による位置合わせをパターン部８１の形状の補正と並行して行っても良いし、ウエハステージ４による位置合わせを行った後に、形状補正による位置合わせを行っても良い。
【００３０】
また、第２実施形態のようにウエハステージ４を、一旦、目標駆動位置を超える所定の駆動距離を駆動させて、目標位置に戻すことによる位置合わせを行った後に、形状補正機構９１によるパターン部８１の形状を補正しても良い。ウエハステージ４による位置合わせをパターン部８１の形状の補正と並行して行っても良い。
【００３１】
また、上記の何れの実施形態も、図３Ｂに示したモールド８とウエハ３の相対移動量とモールド８と樹脂との間の力の特性は、モールド８とウエハ３の間隔などによって変わる。ウエハチャックに保持したウエハ３に対し、モールド８を押印する時、モールド８とウエハ３の間に充填された樹脂の表面張力により、モールド８とウエハ３の間隔は所定の間隔に設定することができる。しかし、実際には、ウエハ平坦度により、モールド８とウエハ３の間隔がショット毎に変化することがある。そのため、不図示の高さセンサにより、ウエハ３の高さを計測し、その計測結果をもとにモールド８に対するウエハ３の間隔の分布を計測する。ウエハ３の高さを計測はウエハ全面に対して行っても良いし、部分的に計測し、その間を補間しても良い。その分布情報をもとに、モールド８とウエハ３の相対移動量とモールド８と樹脂との間の力の特性を求める。また、同様に、形状補正機構９１の駆動量（駆動距離）と、モールドとウエハ間の力の特性を、求めておく。これらの特性を、前述の不揮発メモリに入れて位置合わせ時に参照して用いても良い。こうすることで、モールド８に設けたパターンのウエハ３への転写精度の低下を更に抑えることができる。
【００３２】
［物品の製造方法］
物品としてのデバイス（半導体集積回路デバイス、液晶表示デバイス、ＭＥＭＳ等）の製造方法は、前述したインプリント装置を用いて基板（ウエハ、ガラスプレート、フィルム状基板等）にパターンを転写（形成）するステップを含む。さらに、該製造方法は、パターンを転写された前記基板をエッチングするステップを含みうる。なお、パターンドメディア（記録媒体）や光学素子などの他の物品を製造する場合には、該製造方法は、エッチングステップの代わりに、パターンを転写された前記基板を加工する他の加工ステップを含みうる。
【図１】
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【図２】
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【図３Ａ】
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【図３Ｂ】
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【図４Ａ】
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【図４Ｂ】
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