(57)【要約】      （修正有）【課題】熱電変換モジュールにおいて、熱電半導体を破壊や、熱電半導体及び電極間の接合面で剥離を抑制し、耐久性を向上させる。【解決手段】複数のｐ型熱電半導体１１及びｎ型熱電半導体１２と、ｐ型熱電半導１１体及びｎ型熱電半導体１２の高温熱源側の面に設置され、ｐ型熱電半導体１１及びｎ型熱電半導体１２を電気的に直列に接続する複数の高温側電極部１３、並びにｐ型熱電半導体１１及びｎ型熱電半導体１２の低温熱源側の面に設置され、ｐ型熱電半導体１１及びｎ型熱電半導体１２を電気的に直列に接続する複数の低温側電極部１４とを備える熱電変換モジュール１０であって、ｐ型熱電半導体１１及びｎ型熱電半導体１２を、熱電変換モジュール１０に対して流すガスの流れ方向に対して垂直な方向に列状に配列し、各列の端部に位置する電極部同士を、電極部材１７によって電気的に直列接合する。【選択図】図１
2015177051.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数のｐ型熱電半導体及びｎ型熱電半導体と、前記ｐ型熱電半導体及び前記ｎ型熱電半導体の高温熱源側の面に設置され、前記ｐ型熱電半導体及び前記ｎ型熱電半導体を電気的に直列に接続する複数の高温側電極部、並びに前記ｐ型熱電半導体及び前記ｎ型熱電半導体の低温熱源側の面に設置され、前記ｐ型熱電半導体及び前記ｎ型熱電半導体を電気的に直列に接続する複数の低温側電極部とを具える熱電変換モジュールであって、
前記ｐ型熱電半導体及び前記ｎ型熱電半導体を、前記熱電変換モジュールに対して流すガスの流れ方向に対して垂直な方向に列状に配列し、
各列の端部に位置する電極部同士を、電極部材によって電気的に直列接合したことを特徴とする、熱電変換モジュール。
【請求項２】
前記電極部材は、ブリッジ型の電極部材であることを特徴とする、請求項１に記載の熱電変換モジュール。
【請求項３】
前記電極部材は、複数の膜体からなることを特徴とする、請求項２に記載の熱電変換モジュール。
【請求項４】
前記電極部材は、少なくとも一部が多孔質金属体からなることを特徴とする、請求項１に記載の熱電変換モジュール。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、例えば各種産業機器及び自動車などの廃熱を熱源とする、熱電変換モジュールに関する。
【背景技術】
【０００２】
従来の熱電変換モジュール（以下、「モジュール」と略す場合がある）は、複数のｐ型熱電半導体及びｎ型熱電半導体の上下面、すなわち高温熱源側の面及び低温熱源側の面に電極を配設して電気回路を構成し、さらに上記電極の外側両面にセラミックスなど電気絶縁板を介して、上記熱電半導体及び電極を収納するケース部材を備える構造が一般的である（特許文献１）。
【０００３】
熱電変換モジュールは、上記電極によって電気的に接続され、互いに対をなすｐ型熱電半導体及びｎ型熱電半導体の上下面に温度差を与えることによって発電するため、高温側の電極の熱膨張の度合いは低温側の電極の熱膨張の度合いよりも大きくなる。このため、熱電半導体及びその上下の電極にはせん断応力や引張応力、圧縮応力が作用し、脆弱な熱電半導体を破壊したり、熱電半導体及び電極間の接合面で剥離を生じたりする場合がある。
【０００４】
このような問題は特に自動車や産業廃熱などを想定した使用温度５００℃以上の高温用熱電変換モジュールにおいて重大である。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２００６−４９８７２号
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
本発明は、熱電変換モジュールにおいて、熱電半導体を破壊や、熱電半導体及び電極間の接合面で剥離を抑制し、耐久性を向上させることを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上記目的を達成すべく、本発明は、
複数のｐ型熱電半導体及びｎ型熱電半導体と、前記ｐ型熱電半導体及び前記ｎ型熱電半導体の高温熱源側の面に設置され、前記ｐ型熱電半導体及び前記ｎ型熱電半導体を電気的に直列に接続する複数の高温側電極部、並びに前記ｐ型熱電半導体及び前記ｎ型熱電半導体の低温熱源側の面に設置され、前記ｐ型熱電半導体及び前記ｎ型熱電半導体を電気的に直列に接続する複数の低温側電極部とを具える熱電変換モジュールであって、
前記ｐ型熱電半導体及び前記ｎ型熱電半導体を、前記熱電変換モジュールに対して流すガスの流れ方向に対して垂直な方向に列状に配列し、
各列の端部に位置する電極部同士を、電極部材によって電気的に直列接合したことを特徴とする、熱電変換モジュールに関する。
【０００８】
一般に、ｐ型熱電半導体及びｎ型熱電半導体と、ｐ型熱電半導体及びｎ型熱電半導体の高温熱源側の面に設置され、ｐ型熱電半導体及びｎ型熱電半導体を電気的に直列に接続する高温側電極部と、ｐ型熱電半導体及びｎ型熱電半導体の低温熱源側の面に設置され、ｐ型熱電半導体及びｎ型熱電半導体を電気的に直列に接続する低温側電極部とを含む熱電変換モジュールに、高温のガス、例えば１００℃〜９００℃のガスを導入し、ｐ型熱電半導体及びｎ型熱電半導体の上下面に温度差を与えることによって上記熱電変換モジュールを動作させて発電する際に、熱電変換モジュールの全体では、高温側の電極（高温側電極部）の熱膨張の度合いが低温側の電極（低温側電極部）の熱膨張の度合いよりも大きくなる。また、熱電変換モジュールのガスの導入側の温度は、ガスの排出側の温度に比較して高くなるので、高温側電極部の熱膨脹の度合いは特にガスの導入側において大きくなる。
【０００９】
しかしながら、本発明では、熱電変換モジュールを構成するｐ型熱電半導体及びｎ型熱電半導体をガスの流れ（導入方向）に対して垂直となるように列状に配列し、各列同士は電極部材で直列に接合するようにしている。したがって、例えばガスの上流側に位置する列内の高温側電極部の大きな熱膨張とガスの下流側に位置する列内の高温側電極部の比較的小さな熱膨張とが互いに影響しあうことがなく、熱電変換モジュールの全体において、熱電半導体及びその上下の電極に比較的大きなせん断応力や引張応力、圧縮応力が作用するのを抑制できるようになる。このため、脆弱な熱電半導体を破壊したり、熱電半導体及び電極間の接合面で剥離を生じたりするのを抑制することができる。
【００１０】
なお、各列内に属する高温側電極部は、ガスの導入側及びガスの排出側から同じ位置に存在することになるので、これらの高温側電極部間における熱膨脹差は大きくならない。
【００１１】
また、各列は電極部材によって電気的に直列接合されている。したがって、熱電半導体が属する各列は、熱電変換モジュール素子を構成するとともに、これらの列の集合体は、熱電変換モジュール素子の集合体として熱電変換モジュールを構成することになる。結果として、本発明の熱電変換モジュールはその機能を担保することになる。
【００１２】
また、本発明における“ガス”とは、上述のように、熱電変換モジュールを構成するｐ型熱電半導体及びｎ型熱電半導体の上下面に温度差を与えることによって上記熱電変換モジュールを動作させて発電するためのガスを意味する。
【００１３】
本発明の一例において、上記電極部材はブリッジ型の電極部材から構成することができる。ブリッジ型の電極部材は、加熱及び冷却によって容易に膨張及び収縮して変形することができるので、ガスを熱電変換モジュールに対して流す（導入）する際に、高温のガス導入側に位置する列内の高温側電極部の大きな熱膨張と、低温のガス排出側に位置する列内の高温側電極部の比較的小さな熱膨張との差を、自身の変形によって吸収することができる。したがって、熱電変換モジュールを構成する列間の電気的接合をより確実に行うことができる。
【００１４】
また、上記ブリッジ型の電極部材は、複数の膜体から構成することができる。この場合、例えば高温のガス導入側に位置する列内の高温側電極部の大きな熱膨張と、低温のガス排出側に位置する列内の高温側電極部の比較的小さな熱膨張との差が大きく、いくつかの膜体が分断したような場合においても、膜体のいくつかは分断せずに残存し、その導電性を担保し、電極部材としての機能を果たすことができる。なお、膜体が分断しない場合は、上記ブリッジ型の電極部材と同様の作用効果を奏する。
【００１５】
また、本発明の一例において、上記電極部材は、少なくとも一部を多孔質金属体から構成することができる。この場合、電極部材の上記多孔質金属体から構成される部分は、他の非多孔質金属体から構成される部分に比較して密度が低減している。したがって、このような多孔質金属体は、加熱及び冷却によって容易に膨張及び収縮して変形することができるので、ガスを熱電変換モジュールに対して流す（導入）する際に、高温のガス導入側に位置する列内の高温側電極部の大きな熱膨張と、低温のガス排出側に位置する列内の高温側電極部の比較的小さな熱膨張との差を、自身の変形によって吸収することができる。したがって、熱電変換モジュールを構成する列間の電気的接合をより確実に行うことができる。
【００１６】
なお、電極部材を多孔質金属体から構成する場合は、各ブロックに属する電極部との接触部分において、上記多孔質金属体を圧潰してなる非多孔質金属体とすることが好ましい。この場合、各ブロックに属する電極部との接触抵抗を低減することができる。
【００１７】
また、電極部材を多孔質金属体から構成する場合は、各列に属する電極部との接触部分においては、バルク状の金属体とし、各列から延在した前記金属体同士を接合するようにして多孔質金属体を配設することもできる。この場合も、各列に属する電極部との接触抵抗を低減することができる。
【００１８】
上記電極部材は、各列に属する高温側電極部及び低温側電極部のいずれと接合させてもよいが、高温側電極部と接合させることが好ましい。熱電変換モジュールを動作及び停止させた際に、より大きな熱膨張及び熱収縮を生じさせるのは高温側電極部である。したがって、高温側電極部の熱膨張及び熱収縮の度合にあわせこんで電極部材を選定し、接合させることにより、当該電極部材が高温側電極部の熱膨張及び熱収縮に十分に追従することができ、列間の電気的接合をより確実なものとすることができる。
【００１９】
なお、低温側電極部の熱膨張及び熱収縮の度合にあわせこんで電極部材を選定し、接合させると、高温側電極部の熱膨張及び熱収縮によって低温側電極部が引っ張られ、これによって、低温側電極部に接合した電極部材が当該接合面から剥離したり、電極部材自体が破断したりする場合がある。
【発明の効果】
【００２０】
以上、本発明によれば、熱電変換モジュールにおいて、熱電半導体を破壊や、熱電半導体及び電極間の接合面で剥離を抑制し、耐久性を向上させることができる。
【図面の簡単な説明】
【００２１】
【図１】第１の実施形態における熱電変換モジュールの概略構成を示す斜視図である。
【図２】第２の実施形態における熱電変換モジュールの概略構成を示す斜視図である。
【図３】第３の実施形態における熱電変換モジュールの概略構成を示す斜視図である。
【発明を実施するための形態】
【００２２】
以下、本発明の気密ケース入り熱電変換モジュールの詳細並びにその他の特徴について、実施の形態に基づいて説明する。
【００２３】
（第１の実施形態）
図１は、本実施形態における熱電変換モジュールの概略構成を示す斜視図である。
図１に示すように、本実施形態の熱電変換モジュール１０は、複数のｐ型熱電半導体１１及びｎ型熱電半導体１２とが列状に配列され、合計６個の列Ａ，Ｂ，Ｃ，Ｄ，Ｅ，Ｆを構成している。また、各列に属するｐ型熱電半導体１１及びｎ型熱電半導体１２の高温熱源側の面には高温側電極部１３が配設されるとともに、ｐ型熱電半導体１１及びｎ型熱電半導体１２の低温熱源側の面には低温側電極部１４が配設され、これら熱電半導体１１，１２を直列に接続している。
【００２４】
ｐ型熱電半導体１１、ｎ型熱電半導体１２、高温側電極部１３及び低温側電極部１４から構成される列状のモジュールは、内部をガスが流れるように構成された管体１６の主面１６Ａ上に配設し、かつ当該ガスの流れる方向と垂直となるように配設されている。
【００２５】
なお、本実施形態においては、管体１６を配設し、その内部をガスが流れるようにしているが、当該ガスが熱電変換モジュール１０を駆動させることができるような態様で当該熱電変換モジュール１０に導入することができれば、その導入形態は特に限定されるものではない。
【００２６】
また、各列Ａ，Ｂ，Ｃ，Ｄ，Ｅ，Ｆの端部に位置する高温側電極部１３は、単一の膜体からなるブリッジ型の電極部材１７によって電気的に接合されている。
【００２７】
具体的には、列Ａ及び列Ｂの左端部に位置する高温側電極部１３同士がブリッジ型電極部材１７によって電気的に接続され、列Ｂ及び列Ｃの右端部に位置する高温側電極部１３同士がブリッジ型電極部材１７によって電気的に接続され、列Ｃ及び列Ｄの左端部に位置する高温側電極部１３同士がブリッジ型電極部材１７によって電気的に接続されている。また、列Ｄ及び列Ｅの右端部に位置する高温側電極部１３同士がブリッジ型電極部材１７によって電気的に接続され、列Ｅ及び列Ｆの左端部に位置する高温側電極部１３同士がブリッジ型電極部材１７によって電気的に接続されている。
【００２８】
これによって、６つの列Ａ，Ｂ，Ｃ，Ｄ，Ｅ，ＦがＡ→Ｂ→Ｃ→Ｄ→Ｅ→Ｆの順に直列に接続されている。したがって、熱電半導体１１，１２等が属する各列Ａ，Ｂ，Ｃ，Ｄ，Ｅ，Ｆは、熱電変換モジュール素子を構成するとともに、これらの列の集合体は、熱電変換モジュール素子の集合体として熱電変換モジュールを構成することになる。結果として、本実施形態の熱電変換モジュール１０はその機能を担保することになる。
【００２９】
本実施形態では、熱電変換モジュール１０を６つの列ブロックＡ，Ｂ，Ｃ，Ｄ，Ｅ，Ｆから構成しているが、列の数は６つに限られるものでなく、例えば２〜５０個の範囲で設定することができる。また、各列に属する熱電半導体１１，１２の数を合計６個としているが、各列に属する熱電半導体１１，１２の数は必要に応じて任意の数とすることができ、例えば４〜５０個とすることができる。また、熱電半導体１１，１２の形状を画定する幅、長さ、高さ等の大きさは例えば１〜４ｍｍとすることができる。
【００３０】
図１に示す熱電変換モジュール１０の、管体１６内の導入口１６Ｂから、高温のガス、例えば１００℃〜９００℃のガスを導入して排出口１６Ｃから排出し、高温側電極部１３を加熱し、ｐ型熱電半導体１１及びｎ型熱電半導体１２の上下面に温度差を与えることによって熱電変換モジュール１０を動作させて発電する際に、熱電変換モジュール１０の全体では、高温側電極部１３の熱膨張の度合いが低温側電極部１４の熱膨張の度合いよりも十分に大きくなる。また、熱電変換モジュール１０の管体１６へのガスの導入側１６Ｂの温度は、管体１６のガスの排出側１６Ｃの温度に比較して高くなるので、高温側電極部１３の熱膨脹の度合いは特に管体１６のガスの導入側１６Ｂにおいて大きくなる。
【００３１】
しかしながら、本実施形態では、熱電変換モジュール１０を構成するｐ型熱電半導体１１及びｎ型熱電半導体１２をガスの流れ（導入方向）に対して垂直となるように列状に配列している。したがって、ガスの導入側１６Ｂに位置する高温側電極部１３の大きな熱膨張とガスの排出側１６Ｃに位置する高温側電極部１３の比較的小さな熱膨張とが互いに影響しあうことなく、熱電変換モジュール１０の全体において、熱電半導体１１，１２及びその上下の電極１３，１４に比較的大きなせん断応力や引張応力、圧縮応力が作用するのを抑制できるようになる。このため、脆弱な熱電半導体１１，１２を破壊したり、熱電半導体１１，１２及び電極１３，１４間の接合面で剥離を生じたりするのを抑制することができる。
【００３２】
なお、各列内に属する高温側電極部１３は、管体１６のガスの導入側１６Ｂ及びガスの排出側１６Ｃから同じ位置に存在することになるので、これらの高温側電極部１３間における熱膨脹差は大きくならない。
【００３３】
また、本実施形態では、各列Ａ，Ｂ，Ｃ，Ｄ，Ｅ，Ｆをブリッジ型の電極部材１７で電気的に直列に接続している。ブリッジ型の電極部材１７は、加熱及び冷却によって容易に膨張及び収縮して変形することができるので、ガスを管体１６内に導入する際に、高温のガス導入側１６Ｂに位置する列内、例えば列Ａ内の高温側電極部１３の大きな熱膨張と、低温のガス排出側１６Ｃに位置する列内、例えば列Ｂ内の高温側電極部１３の比較的小さな熱膨張との差を、自身の変形によって吸収することができる。したがって、熱電変換モジュール１０を構成する列間の電気的接合をより確実に行うことができる。
【００３４】
なお、本実施形態においては、ブリッジ型の電極部材１７を高温側電極部１３と接合させるようにしている。熱電変換モジュール１０を動作及び停止させた際に、より大きな熱膨張及び熱収縮を生じさせるのは高温側電極部１３である。したがって、高温側電極部１３の熱膨張及び熱収縮の度合にあわせこんでブリッジ型の電極部材１７を選定し、接合させることにより、当該電極部材１７が高温側電極部１３の熱膨張及び熱収縮に十分に追従することができ、各列間の電気的接合をより確実なものとすることができる。
【００３５】
一方、低温側電極部１４の熱膨張及び熱収縮の度合にあわせこんでブリッジ型の電極部材１７を選定し、接合させると、高温側電極部１３の熱膨張及び熱収縮によって低温側電極部１４が引っ張られ、これによって、低温側電極部１４に接合したブリッジ型の電極部材１７が接合面から剥離したり、電極部材１７自体が破断したりする場合がある。
【００３６】
ｐ型熱電半導体１１及びｎ型熱電半導体１２は熱伝導率が低く、高温側及び低温側で大きな温度差を得、熱電変換（ゼーベック効果）により大きな電位差を生成する材料から構成することが好ましく、例えば、Ｂｉ−Ｔｅ系，Ｐｂ−Ｔｅ系，Ｓｉ−Ｇｅ系，あるいはＭｇ−Ｓｉ系，Ｍｎ−Ｓｉ系等の半導体材料から構成する。
【００３７】
高温側電極部１３、低温側電極部１４及びブリッジ型の電極部材１７は、耐熱性及び機械的強度に優れるとともに、比較的高い導電性を示すことが要求され、例えば、Ｍｏ，Ｃｕ，Ｗ，Ｔｉ，Ｎｉおよびこれらの合金あるいはステンレス鋼などから構成することができる。
【００３８】
管体１６は、熱電変換モジュール１０を搭載する各種産業機器及び自動車等の軽量化、耐食性及び剛性の観点から、例えばＭｇ，Ａｌ、Ｍｏ，Ｃｕ，Ｗ，Ｔｉ，Ｎｉ，Ｆｅ，ステンレス鋼あるいはこれらの合金から構成することができる。
【００３９】
（第２の実施形態）
図２は、本実施形態における熱電変換モジュールの概略構成を示す斜視図である。なお、図１に示す熱電変換モジュール１０と同一あるいは類似の構成要素については同一の符号を用いている。
【００４０】
本実施形態の熱電変換モジュール２０は、図１に示す第１の実施形態の熱電変換モジュール１０において、単一の膜体からなるブリッジ型の電極部材１７に代えて、複数の膜体からなるブリッジ型の電極部材２７を用いた以外は同一の構成を採っている。したがって、以下においては、本実施形態の熱電変換モジュール２０の特徴である電極部材２７の構成及びその作用効果について説明する。
【００４１】
本実施形態の熱電変換モジュール２０においては、各列Ａ，Ｂ，Ｃ，Ｄ，Ｅ，Ｆの高温側電極部１３に接合し、各列を電気的に直列接合するブリッジ型の電極部材２７を金属製の複数の膜体２７−１，２７−２，２７−３，２７−４から構成している。
【００４２】
この場合、例えば高温の管体１６のガス導入側１６Ｂに位置する列内、例えば列Ａ内の高温側電極部１３の大きな熱膨張と、低温の管体１６のガス排出側１６Ｃに位置する列内、例えば列Ｂ内の高温側電極部１３の比較的小さな熱膨張との差が大きく、膜体２７−１及び２７−３が分断したような場合においても、残存する膜体２７−２及び２７−４によってその導電性を担保することができ、電極部材２７としての機能を果たすことができる。
【００４３】
なお、膜体２７−１等が分断しない場合は、ブリッジ型の電極部材１７と同様の作用効果を奏する。すなわち、複数の膜体２７−１〜２７−４は、加熱及び冷却によって容易に膨張及び収縮して変形することができるので、ガスを管体１６内に導入する際に、高温のガス導入側１６Ｂに位置する列内、例えば列Ａ内の高温側電極部１３の大きな熱膨張と、低温のガス排出側１６Ｃに位置する列内、例えば列Ｂ内の高温側電極部１３の比較的小さな熱膨張との差を、自身の変形によって吸収することができる。したがって、熱電変換モジュール２０を構成する列間の電気的接合をより確実に行うことができる。
【００４４】
また、熱電変換モジュール２０において、ｐ型熱電半導体１１、ｎ型熱電半導体１２、高温側電極部１３及び低温側電極部１４から構成される列状のモジュールは、内部をガスが流れるように構成された管体１６の主面１６Ａ上に配設し、かつ当該ガスの流れる方向と垂直となるように配設することによる作用効果は第１の実施形態における熱電変換モジュール１０と同様である。
【００４５】
すなわち、熱電変換モジュール２０を構成するｐ型熱電半導体１１及びｎ型熱電半導体１２をガスの流れ（導入方向）に対して垂直となるように列状に配列することにより、ガスの導入側１６Ｂに位置する高温側電極部１３の大きな熱膨張とガスの排出側１６Ｃに位置する高温側電極部１３の比較的小さな熱膨張とが互いに影響しあうことなく、熱電変換モジュール２０の全体において、熱電半導体１１，１２及びその上下の電極１３，１４に比較的大きなせん断応力や引張応力、圧縮応力が作用するのを抑制できるようになる。このため、脆弱な熱電半導体１１，１２を破壊したり、熱電半導体１１，１２及び電極１３，１４間の接合面で剥離を生じたりするのを抑制することができる。
【００４６】
なお、本実施形態では、膜体の数を４としたが、必要に応じて任意の数とすることができる。また、膜体の厚さは必要に応じて任意の値に設定することができるが、例えば０．００２ｍｍ〜０．２ｍｍとすることができる。
【００４７】
なお、その他の特徴及び作用効果については第１の実施形態と同様であるので、説明を省略する。
【００４８】
（第３の実施形態）
図３は、本実施形態における熱電変換モジュールの概略構成を示す斜視図である。なお、図１に示す熱電変換モジュール１０と同一あるいは類似の構成要素については同一の符号を用いている。
【００４９】
本実施形態の熱電変換モジュール３０は、図１に示す第１の実施形態の熱電変換モジュール１０において、単一の膜体からなるブリッジ型の電極部材１７に代えて、多孔質金属体からなる電極部材３７を用いた以外は同一の構成を採っている。したがって、以下においては、本実施形態の熱電変換モジュール３０の特徴である電極部材３７の構成及びその作用効果について説明する。
【００５０】
本実施形態の熱電変換モジュール３０では、電極部材３７を多孔質金属体から構成している。多孔質金属体は、同じ材料の非多孔質金属体に比較して密度が低減している。したがって、このような多孔質金属体は、加熱及び冷却によって容易に膨張及び収縮して変形することができるので、ガスを管体１６内に導入する際に、高温のガス導入側１６Ｂに位置する列内、例えば列Ａ内の高温側電極部１３の大きな熱膨張と、低温のガス排出側１６Ｃに位置する列内、例えば列Ｂ内の高温側電極部１３の比較的小さな熱膨張との差を、自身の変形によって吸収することができる。したがって、熱電変換モジュール３０を構成する列間の電気的接合をより確実に行うことができる。
【００５１】
なお、本実施形態では、電極部材３７の各ブロックに属する高温側電極部１３との接触部分３７Ａにおいて、上記多孔質金属体を圧潰してなる非多孔質金属体としている。したがって、各ブロックに属する高温側電極部１３との接触抵抗を低減することができる。
【００５２】
電極部材３７を多孔質金属体から構成する場合、例えば気孔率を６０％〜９５％とすることができる。
【００５３】
なお、その他の特徴及び作用効果については第１の実施形態と同様であるので、説明を省略する。
【００５４】
以上、本発明を上記具体例に基づいて詳細に説明したが、本発明は上記具体例に限定されるものではなく、本発明の範疇を逸脱しない限りにおいてあらゆる変形や変更が可能である。
【００５５】
例えば、第３の実施形態において、電極部材を多孔質金属体から構成する場合は、各列に属する高温側電極部との接触部分においては、バルク状の金属体とし、各列から延在した前記金属体同士を接合するようにして多孔質金属体を配設することもできる。この場合も、各列に属する電極部との接触抵抗を低減することができる。
【符号の説明】
【００５６】
１０，２０，３０  熱電変換モジュール
１１  ｐ型熱電半導体
１２  ｎ型熱電半導体
１３  高温側電極部
１４  低温側電極部
１５  第１の絶縁部材
１６  第２の絶縁部材
１７，２７，３７  電極部材
【図１】
2015177051.tif 000003
【図２】
2015177051.tif 000004
【図３】
2015177051.tif 000005