(57)【要約】【課題】５００℃以下の低温焼成によっても樹脂が十分に燃え抜けて、導電性や接着性に優れた導体膜を形成することのできる低温焼成用の導体ペーストを提供する。【解決手段】かかる導体ペースト（銅ペースト）は、銅粉末と、ガラスフリットと、熱可塑性樹脂と、溶媒と、を含む。上記熱可塑性樹脂は、不活性ガス雰囲気において５００℃以下の温度で燃え抜ける性質を有し、且つ、上記導体ペースト全体を１００質量％としたときに０．１〜１質量％の割合で含まれる。また、上記溶媒は、２０℃における粘度が２００〜２０００ｍＰａ・ｓの高粘性有機溶剤を含んでいる。【選択図】図１
2015149162.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
導体膜を形成するための導体ペーストであって、
銅粉末と、ガラスフリットと、熱可塑性樹脂と、溶媒と、を含み、
前記熱可塑性樹脂は、不活性ガス雰囲気において５００℃以下の温度で燃え抜ける性質を有し、且つ、前記導体ペースト全体を１００質量％としたときに０．１〜１質量％の割合で含まれ、
前記溶媒は、２０℃における粘度が２００〜２０００ｍＰａ・ｓの高粘性有機溶剤を含む、導体ペースト。
【請求項２】
前記熱可塑性樹脂のガラス転移点が５０〜９０℃である、請求項１に記載の導体ペースト。
【請求項３】
前記熱可塑性樹脂が、アクリル樹脂、ポリビニルブチラ−ル樹脂、ポリスチレン樹脂、ポリプロピレン樹脂、ポリアセタール樹脂から選択される１種または２種以上である、請求項１または２に記載の導体ペースト。
【請求項４】
前記高粘性有機溶剤の沸点が２００〜３００℃である、請求項１から３のいずれか１項に記載の導体ペースト。
【請求項５】
前記高粘性有機溶剤がジオール類および／またはトリオール類である、請求項１から４のいずれか１項に記載の導体ペースト。
【請求項６】
前記ガラスフリットが、以下の条件：
（１）ガラス軟化点が３００℃以上４００℃以下である；
（２）熱膨張係数が６ｐｐｍ／℃以上７．５ｐｐｍ／℃以下である；
（３）ＳｎとＰとを必須構成元素として含む；
を具備する、請求項１から５のいずれか１項に記載の導体ペースト。
【請求項７】
以下の酸化物換算の成分全体を１００ｍｏｌ％としたときに、前記ガラスフリットの各成分のモル含有率が、
ＳｎＯ            ４０〜５０ｍｏｌ％、
Ｐ２Ｏ５          １０〜２０ｍｏｌ％、
ＳｉＯ２          １５〜２５ｍｏｌ％、
Ａｌ２Ｏ３          ５〜１５ｍｏｌ％、
ＭｇＯ、ＣａＯ及びＳｒＯのうちの少なくとも１種  １０〜１５ｍｏｌ％、
であり、それら成分の合計が該ガラスフリット全体の９５ｍｏｌ％以上である、請求項１から６のいずれか１項に記載の導体ペースト。
【請求項８】
セラミックスからなる絶縁基板と、該絶縁基板の表面に備えられた放熱層であって、請求項１から７のいずれか１項に記載の導体ペーストを付与して５００℃以下の温度で焼成してなる放熱層と、を備える放熱性基板。
【請求項９】
前記放熱層の厚みが１００〜３００μｍである、請求項８に記載の放熱性基板。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、パワー半導体等のセラミックス電子材料に用いられる放熱性基板や配線回路基板に関する。詳しくは、上記基板の表面に放熱層や回路パターンを直接形成するための導体ペーストに関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、コンバータやインバータ等の電力制御に用いられる次世代の半導体デバイス（典型的にはパワーデバイス）が盛んに研究開発されている。かかる半導体デバイスでは、小型化、高密度化および高速化等といった高性能化の進行に伴って放熱量が増大し、その熱を逃がすことが重要な課題となっている。
【０００３】
放熱機構の一例として、電気絶縁性を有するセラミックス製の基板の表面に、熱伝導性の高い金属からなる放熱層（金属層）を備えた放熱性基板が挙げられる。
従来、このような放熱性基板の作製には活性金属法が用いられていた。活性金属法では、セラミックス基板の表面に接合剤（ろう材等）を塗布し、その上から金属板（例えば銅箔）を重ね合わせて高温（例えば９００〜１２００℃）で焼成することにより、金属化（メタライズ化）処理する。しかしながら、上記手法は高温での焼成が必要なため、熱応力がたまって放熱性基板に歪みや反り等が生じ易いという問題があった。また、複雑な配線パターンを形成するには、基板の表面に金属板を接着した後でエッチングする等、煩雑な作業を行わざるを得なかった。さらに、上記手法では厚みの異なる放熱層を簡便に作製することが困難であった。
【０００４】
そこで近年、基板上に導体ペースト（例えば銅ペースト）を直接塗工し、乾燥、焼成する手法が検討されている。これに関連する先行技術文献として、特許文献１〜５が挙げられる。例えば、特許文献４，５には、セラミックス基板上に銅ペーストを塗布した後、不活性ガス下において５００℃以下の低温で焼成することにより導体膜を形成することが記載されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２００４−２９９９７０号公報
【特許文献２】特開２０００−１５１１０６号公報
【特許文献３】特開平０６−２４３７１６号公報
【特許文献４】国際公開２０１２−０９０８８１号公報
【特許文献５】特開２００９−１０５０３９号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
特許文献４，５に記載されているように、焼成温度を５００℃以下と従来に比べて低めに設定することで、焼成時の熱収縮（熱応力による歪み）を抑えることができ、基板との密着性に優れた導体膜を形成することができる。しかしながら、本発明者の検討によれば、例えば放熱性の向上を目的として比較的厚め（例えば１００〜３００μｍ程度）の導体膜を形成する場合があること等を考慮すると、上述の導体ペーストには未だ改善の余地が認められた。
すなわち、導体ペーストは一般に金属粉末、ガラスフリット、樹脂、溶剤等から構成される。樹脂としては、一般に焼成によって燃え抜ける（燃えかす（残渣）の出ない）材料が用いられる。銅ペースト中に樹脂が含まれていなければ、該ペーストの粘性が低くなりすぎて塗工時にダレや滲み等の問題が生じたり、乾燥、焼成後に導体膜が基板から剥離したりすることがあり得る。このため、樹脂は通常、銅ペースト全体の凡そ５〜１０質量％の割合で含有させることが一般的である。ところが、比較的厚めの導体膜を形成する場合にこれだけ多くの樹脂を含んでいると、５００℃以下の低温焼成では十分に燃え抜けさせることが困難である。その結果、焼成後の導体膜中に樹脂またはその残渣が残存することとなり、導体膜の導電性が低下することがある。
【０００７】
本発明はかかる点に鑑みてなされたものであり、その目的は、５００℃以下の低温焼成によっても樹脂が十分に燃え抜け、導電性や接着性に優れた導体膜を形成することのできる低温焼成用導体ペースト（典型的には銅ペースト）を提供することである。また、他の目的は、かかる導体ペーストを用いて形成された放熱層を備える放熱性基板を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明者は、導電性に優れた導体膜を実現するために、例えば比較的厚めの導体膜を形成した場合であっても、５００℃以下の低温焼成で樹脂が十分に燃え抜けるよう樹脂の含有量を低減することを考えた。しかしながら、単純に樹脂の割合を低下させると上述のような問題（塗工不良や接着不良）が生じ得る。そこで、本発明者は、この背反する２つの特性を備える導体ペーストを実現するべく鋭意検討を重ねた結果、これを解決し得る手段を見出し、本発明を完成させた。
すなわち、本発明によって、銅粉末と、ガラスフリット（ガラス粉末）と、熱可塑性樹脂と、溶媒とを含む導体ペースト（銅ペースト）が提供される。上記熱可塑性樹脂は、不活性ガス雰囲気において５００℃以下の温度で燃え抜ける性質を有し、且つ、上記導体ペースト全体を１００質量％としたときに０．１〜１質量％の割合で含まれる。また、上記溶媒は、２０℃における粘度が２００〜２０００ｍＰａ・ｓの高粘性有機溶剤を含んでいる。
【０００９】
５００℃以下の温度で燃え抜ける性質の樹脂を用いることで、低温焼成によっても該樹脂を十分に燃え抜けさせることができる。また、ペースト中に占める樹脂の割合を従来に比べて低減することで、比較的厚めの導体膜を形成した場合であっても、焼成後の導体膜中に樹脂が残存し難くなる。このため、導電性の高い導体膜を実現することができる。さらに、ペースト中の樹脂の割合が減少したことによる粘性の低下を補うために、粘度の高い溶媒を含ませることで、塗工不良や接着不良等の問題を改善し、例えば比較的厚めの導体膜の形成にも適用可能な粘性を備えた導体ペーストを実現することができる。その結果、基板と強固に一体化され、導電性に優れた（例えば電気抵抗率が５０μΩ・ｃｍ以下の、特には電気抵抗率が２０μΩ・ｃｍ以下の）導体膜を安定的に実現することができる。
【００１０】
なお、樹脂が「不活性ガス雰囲気において５００℃以下の温度で燃え抜ける」か否かについては、一般的な熱重量測定（Thermogravimetry Analysis：ＴＧＡ）によって確認することができる。具体的には、不活性ガス雰囲気において、所定量の樹脂を５００℃まで昇温して一定時間５００℃で保持したときの、温度Ｔに対する重量変化ΔＷ（％）を測定したとする。このときに、上記測定における重量変化量が９９％以上（例えば９９．５％以上、敢えて言えば１００％）の樹脂を「不活性ガス雰囲気において５００℃以下の温度で燃え抜ける」とみなすことができる。
また、本明細書において「粘度」とは、液温が２０℃の状態において一般的な粘度計を用いて測定した値をいう。例えば、平行円板型回転粘度計（Ｂ型粘度計）を用いて、ローターの回転速度２０ｒｐｍで測定した値をいう。
【００１１】
ここで開示される導体ペーストの好適な一態様では、上記熱可塑性樹脂のガラス転移点が５０〜９０℃である。これにより、樹脂を好適に溶媒中に溶解または分散させることができ、均質な導体ペーストを実現することができる。また、より少量の樹脂で銅粒子同士や銅粒子と基板とを固着させることが可能となり、樹脂の使用量を一層低減することができる。なお、本明細書において「ガラス転移点」とは、一般的な示差走査熱量分析（Differential Scanning Calorimetry：ＤＳＣ）によって測定した値をいう。
【００１２】
ここで開示される導体ペーストの好適な一態様では、上記熱可塑性樹脂が、アクリル樹脂、ポリビニルブチラ−ル樹脂、ポリスチレン樹脂、ポリプロピレン樹脂、ポリアセタール樹脂から選択される１種または２種以上である。これらの樹脂は不活性ガス雰囲気において燃え抜け温度が４６０℃以下である。なかでもアクリル樹脂は燃え抜け温度が２５０℃と極めて低いために燃え抜けやすく、より導電性の高い導体膜を実現することができる。
【００１３】
ここで開示される導体ペーストの好適な一態様では、上記高粘性有機溶剤の沸点が２００〜３００℃である。これにより、かすれや滲み等の塗工不良を低減することができ、ペーストの取扱性を向上することができる。また、乾燥、焼成によって好適に除去することができるため、焼成後の導体膜中に残存し難い。したがって、本発明の効果をより高いレベルで発揮することができる。
【００１４】
ここで開示される導体ペーストの好適な一態様では、上記高粘性有機溶剤がジオール類および／またはトリオール類である。ポリオール類は高粘度であるため、ペーストの粘度を好適に高めることができる。
【００１５】
ここで開示される導体ペーストの好適な一態様では、上記ガラスフリットが、以下の条件：（１）ガラス軟化点が３００℃以上４００℃以下である；（２）熱膨張係数が６ｐｐｍ／℃以上７．５ｐｐｍ／℃以下である；（３）ＳｎとＰとを必須構成元素として含む；を具備する。
一般に、銅粉末と基板とは熱膨張係数が大きく異なる場合が多い。例えば、２５〜５００℃における銅（Ｃｕ）の熱膨張係数が１６ｐｐｍ／℃であるのに対し、窒化物系セラミックスの熱膨張係数は２．６ｐｐｍ／℃（Ｓｉ３Ｎ４）〜４．６ｐｐｍ／℃（ＡｌＮ）程度と、３〜５倍以上もの違いがある。上述の性状を満たすガラスフリットを備えた導体ペーストを用いることで、熱膨張係数の小さな基板に対しても優れた密着性を実現することができる。
【００１６】
なお、本明細書において「ガラス軟化点」とは、近似的にこれより低い温度ではガラスフリットのほとんどの成形操作が不可能となる温度を意味し、凡そ１０７．６ｄＰａ・Ｓの粘度に相当する温度をいう。かかるガラス軟化点は、ＪＩＳ Ｒ ３１０３−１（２００１）に準拠して測定することができる。具体的には、直径０．６５ｍｍ、長さ２３５ｍｍの寸法の円形断面のガラス繊維を用いて、この上部１００ｍｍの部分を規定の炉中で（５±１）℃／ｍｉｎの昇温速度で加熱したときに、ガラス繊維が自重で１ｍｍ／ｍｉｎの速度で伸びる温度を軟化点とする。
また、本明細書において「熱膨張係数」とは、熱機械分析装置（Thermomechanical Analysis：ＴＭＡ）を用いて、室温（２５℃）からガラス軟化点以下の温度（例えば３００℃）までの温度領域において測定した平均線膨張係数を意味し、試料の長さの変化量を温度差で割った値をいう。かかる線膨張係数は、ＪＩＳ Ｒ ３１０２（１９９５）に準拠して測定することができる。
【００１７】
ここで開示される導体ペーストの好適な一態様では、以下の酸化物換算の成分全体を１００ｍｏｌ％としたときに、上記ガラスフリットの各成分のモル含有率が、
ＳｎＯ            ４０〜５０ｍｏｌ％、
Ｐ２Ｏ５          １０〜２０ｍｏｌ％、
ＳｉＯ２          １５〜２５ｍｏｌ％、
Ａｌ２Ｏ３          ５〜１５ｍｏｌ％、
ＭｇＯ、ＣａＯ及びＳｒＯのうちの少なくとも１種  １０〜１５ｍｏｌ％、
であり、それら成分の合計が該ガラスフリット全体の９５ｍｏｌ％以上である。
このような組成のガラスフリットを備えた導体ペーストを用いることで、該導体ペーストを用いて形成された導体膜の接着強度をより一層向上させることができる。
【００１８】
また、本発明の他の側面として、セラミックスからなる絶縁基板と、該絶縁基板の表面に備えられた放熱層と、を備える放熱性基板が提供される。上記放熱層は、ここで開示される導体ペーストを上記基板上に塗工して５００℃以下で焼成することにより形成されている。
上述の通り、ここで開示される導体ペーストによれば基板と放熱層とを強固に一体化することができる。また、上記形成された放熱層は、優れた導電性（例えば電気抵抗率が５０μΩ・ｃｍ以下）や放熱性を有する。このため、例えば室温〜高温のヒートサイクルを繰り返した場合であっても、セラミックス基板から放熱層が剥離し難く、信頼性や耐久性、さらには導電性や放熱性に優れた放熱性基板を実現することができる。
【００１９】
ここで開示される放熱性基板の好適な一態様では、上記放熱層の厚みが１００〜３００μｍである。本発明は、比較的厚みが大きな放熱層を形成する際に、とりわけ顕著な効果を奏するものである。また、上記構成によれば、一層高い放熱性を実現することができる。
【図面の簡単な説明】
【００２０】
【図１】一実施形態に係る放熱性基板を模式的に示す断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００２１】
以下、ここで開示される技術の好適な実施形態を説明する。なお、本明細書において特に言及している事項以外の事柄であって本発明の実施に必要な事柄（例えば一般的な放熱性基板の製造方法等）は、当該分野における従来技術に基づく当業者の設計事項として把握され得る。本発明は、本明細書に開示されている内容と当該分野における技術常識とに基づいて実施することができる。
【００２２】
＜導体ペースト＞
ここで開示される導体ペースト（銅ペースト）は、銅粉末と、ガラスフリットと、熱可塑性樹脂と、溶媒とを含んでいる。そして、上記熱可塑性樹脂が（Ａ）不活性ガス雰囲気において５００℃以下の温度で燃え抜ける性質を有する；（Ｂ）上記導体ペースト全体を１００質量％としたときに０．１〜１質量％の割合で含まれる；を満たし、且つ、上記溶媒が（Ｃ）２０℃における粘度が２００〜２０００ｍＰａ・ｓの高粘性有機溶剤を含む；ことにより特徴づけられる。したがって、その他の構成要素については特に限定されず、種々の用途に応じて任意に決定することができる。以下、各構成要素について順に説明する。
【００２３】
〔銅粉末〕
銅粉末は、導体膜（放熱層）に電気伝導性や放熱性を付与するための成分である。なお、本明細書において「銅粉末」とは、銅（Ｃｕ）を主体とする粒子の集合体をいい、典型的には銅単体から成る粒子の集合体であるが、例えば銅を主体とする合金や銅以外の不純物を微量含むものであっても、全体として銅を主体とする粒子の集合体であればここでいう「銅粉末」に包含され得る。
銅粉末を構成する粒子としては、低温（５００℃以下）での焼結に適した大きさ（粒径）のものを好適に用いることができる。具体的には、レーザー回折・光散乱法に基づく平均粒径が１０μｍ以下（例えば０．０１〜１０μｍ）のものが適当であり、５μｍ以下（例えば０．１〜５μｍ）のものが好適に用いられる。また、銅粉末を構成する粒子の形状は、例えば、球状、鱗片状、円錐状、繊維状等であり得る。なかでも、充填性がよく緻密な導体膜を形成しやすい等の理由から、球状もしくは鱗片状の粒子が好ましく用いられる。このような平均粒径および／または粒子形状の銅粉末を用いた導体ペーストによれば、放熱性や電気伝導性、機械的強度に優れた導体膜を実現することができる。
【００２４】
導体ペースト中の銅の含有割合は特に限定されないが、典型的には導体ペースト全体の５０質量％以上（例えば６０質量％以上、好ましくは６５質量％以上、より好ましくは７０質量％以上）であって、９８質量％以下（典型的には９０質量％以下、例えば８０質量％以下）であるとよい。これにより、放熱性や電気伝導性の高い導体膜を好適に実現することができる。
【００２５】
〔ガラスフリット〕
ガラスフリットは、例えば銅粒子同士や銅粒子と基板との接着強度を向上させる接着成分（無機バインダ成分）である。なお、本明細書において「ガラスフリット」とは、通常の非晶質ガラスの他、結晶相を有する結晶化ガラスをも包含する用語である。
ガラスフリットとしては、５００℃以下の焼成温度において十分に軟化し、且つ、使用時のヒートサイクルの最高温度（例えば１５０〜２５０℃）では軟化しないものであれば特に限定されず、従来この種の導体ペーストに一般的に使用されているものを特に制限なく用いることができる。
【００２６】
好適な一態様では、ガラスフリットのガラス軟化点が３００℃以上（典型的には３３０℃以上、例えば３５０℃以上）であって、４００℃以下（典型的には３９０℃以下、例えば３８０℃以下）である。このように軟化点の低いガラスフリットを用いることで、熱応力をより小さく抑えることができ、基板との界面に歪み等の不具合が生じ難い。したがって、基板上に導体膜をより強固に密着させることができる。
【００２７】
好適な他の一態様では、ガラスフリットの２５℃から３００℃までの熱膨張係数が、６ｐｐｍ／℃以上（典型的には６ｐｐｍ／℃より大きく、例えば６．２ｐｐｍ／℃以上）であって、７．５ｐｐｍ／℃以下（典型的には７ｐｐｍ／℃以下、例えば６．５ｐｐｍ／℃以下）である。このようなガラスフリットを用いることで、熱膨張係数の小さな基板との整合をとることができる。したがって、例えば窒化物系セラミックスのように熱膨張係数の小さな基板上に導体膜をより強固に密着させることができる。
【００２８】
好適な他の一態様では、ガラスフリットがスズ（Ｓｎ）成分とリン（Ｐ）成分とを必須構成成分として含んでいる。かかる成分は、典型的には、酸化物（すなわち、酸化スズ、酸化リン）の形態でガラスフリット中に含まれている。これにより、上記性状（低いガラス軟化点および／または小さい熱膨張係数）を好適に実現することができる。
【００２９】
スズ成分（典型的にはＳｎＯ）は、ガラス軟化点を下げたり、ネットワークモディファイア（網目修飾酸化物）として熱膨張係数を調整したりする成分である。ガラスフリット全体に占めるスズ成分の割合は特に限定されないが、典型的には主成分（最も大きな割合を占める成分）であり、酸化物換算のモル含有率で、凡そ４０ｍｏｌ％以上（典型的には４２ｍｏｌ％以上、例えば４３ｍｏｌ％以上）であって、５０ｍｏｌ％以下（典型的には４９ｍｏｌ％以下、例えば４８ｍｏｌ％以下）であるとよい。これにより、上記性状を好適に実現することができる。さらに、ガラスの安定性を向上させることができ、耐水性、耐薬品性、耐久性のうちの少なくとも１つを向上させることができる。
【００３０】
リン成分（典型的にはＰ２Ｏ５）は、ガラスネットワークフォーマー（網目形成酸化物）として機能する成分である。ガラスフリット全体に占めるリン成分の割合は特に限定されないが、酸化物換算のモル含有率で、凡そ１０ｍｏｌ％以上（典型的には１０ｍｏｌ％より大きく、例えば１１ｍｏｌ％以上）であって、２０ｍｏｌ％以下（典型的には１５ｍｏｌ％以下、例えば１３ｍｏｌ％以下）であるとよい。これにより、高い接着性を好適に実現することができる。さらに、ガラスの安定性を向上させることができ、耐水性、耐薬品性、耐熱衝撃性のうちの少なくとも１つを向上させることができる。
【００３１】
好適な一態様では、上記酸化物換算のスズ成分とリン成分のモル比率が、ＳｎＯ：Ｐ２Ｏ５＝１：３〜１：５である。これにより、低温で焼成した場合であっても耐環境性（例えば環境温度の変化に対する耐性）に優れた導体膜を実現することができる。
また、他の好適な一態様では、スズ成分とリン成分との合計がガラスフリット全体の５０ｍｏｌ％以上（例えば５５ｍｏｌ％以上）を占める。これにより、上述のような性状を有する導体膜を安定的に実現することができる。
【００３２】
好適な一態様では、以下の酸化物換算の成分全体を１００ｍｏｌ％としたときに、ガラスフリットの各成分のモル含有率が、
ＳｎＯ            ４０〜５０ｍｏｌ％（例えば４２〜４９ｍｏｌ％）、
Ｐ２Ｏ５          １０〜２０ｍｏｌ％（例えば１０〜１５ｍｏｌ％）、
ＳｉＯ２          １５〜２５ｍｏｌ％（例えば１６〜２４ｍｏｌ％）、
Ａｌ２Ｏ３          ５〜１５ｍｏｌ％（例えば７〜１３ｍｏｌ％）、
ＭｇＯ、ＣａＯ及びＳｒＯのうちの少なくとも１種  １０〜１５ｍｏｌ％、
であり、それら成分の合計が該ガラスフリット全体の９５ｍｏｌ％以上である。
このような組成とすることで、ガラスフリットが多成分系で構成されるため物理的安定性を向上することができる。また、例えば窒化物系セラミックスとの濡れ性を向上させることもできる。したがって、本願発明の効果を更に高いレベルで発揮することができる。
【００３３】
ケイ素成分（典型的には、酸化ケイ素（ＳｉＯ２））は、ガラスネットワークフォーマー（網目形成酸化物）として機能する成分であり、ガラス軟化点を調整する成分でもある。また、構成元素としてケイ素（Ｓｉ）を含有することで、例えば窒化ケイ素や炭化ケイ素のようなセラミックス基板との親和性を向上することができ、基板と導体膜との界面における抵抗（接触抵抗）を低減することができる。したがって、耐水性や耐薬品性、耐熱衝撃性に優れた放熱性基板を実現することができる。
アルミニウム成分（典型的には、酸化アルミニウム（Ａｌ２Ｏ３））は、ガラスフリット溶融時の流動性を制御して付着安定性に寄与する成分である。この成分を含有することで、基板の表面により安定的に（均質に）導体膜を形成することができる。さらに、この成分を含有することで、導体膜の耐薬品性を向上させることができる。
アルカリ土類金属成分（典型的には、酸化マグネシウム（ＭｇＯ）、酸化カルシウム（ＣａＯ）、酸化ストロンチウム（ＳｒＯ）のうちの少なくとも１種）は、ガラスフリットの熱的安定性を向上させる（熱膨張係数を調整する）成分であり、網目修飾酸化物（ネットワークモディファイア）としても機能する成分である。また、この成分を含有することで、導体膜の物理的安定性や熱的安定性を向上させることができる。これに加えて、マグネシウム成分（ＭｇＯ）は、ガラスフリット溶融時の粘度調整を行うことができる成分でもある。また、カルシウム成分（ＣａＯ）は、ガラスフリットの硬度を上げて、導体膜の耐摩耗性を向上させる成分でもある。このため、目的や用途に応じて、ガラスフリット中にマグネシウム成分および／またはカルシウム成分を含ませるとよい。
【００３４】
ガラスフリットは、上述した２種または５種の主要構成成分のみから構成されていてもよく、あるいは、本発明の効果を著しく損なわない限りにおいて、上記以外の任意の成分を含むものであってもよい。このような付加的な構成成分としては、酸化物の形態で、ＴｉＯ２、Ｖ２Ｏ５、ＦｅＯ、Ｆｅ２Ｏ３、Ｆｅ３Ｏ４、ＣｕＯ、Ｃｕ２Ｏ、ＺｎＯ、ＺｒＯ２、Ｎｂ２Ｏ５、Ｌａ２Ｏ３、ＣｅＯ２、Ｂｉ２Ｏ３等が挙げられる。また、必要に応じて従来この種のガラスフリットに一般的に使用されている添加剤を含むこともできる。さらに、不可避的な不純物等による微量な元素の混入が許容されることは言うまでもない。これら副次的成分が占める割合は、ガラスフリット全体の凡そ５質量％以下（典型的には２質量％以下、例えば１質量％未満）であることが好ましい。
【００３５】
また、ガラスフリットは、アルカリ金属成分（典型的にはＬｉ２Ｏ、Ｎａ２Ｏ、Ｋ２Ｏ、Ｒｂ２Ｏ、Ｃｓ２Ｏ、Ｆｒ２Ｏ、特にはＬｉ２Ｏ、Ｎａ２Ｏ、Ｋ２Ｏ）を含まないことが好ましい（不可避的な不純物等は許容され得る。）。アルカリ金属成分はガラス軟化点を下げる成分として知られているが、一方で、導体膜の安定性や電気特性（例えば電気伝導性）を低下させる原因となり得る。導体ペースト中にアルカリ金属成分（典型的にはアルカリ金属酸化物）を含まないことで、熱膨張係数をより小さく抑えることができる。そして、ここに開示されるガラスフリットを備えることで、アルカリ金属成分を含まずともガラス軟化点が低く、且つ、基板との接着性に優れた導体ペーストを実現することができる。
【００３６】
導体ペースト中のガラスフリット（無機バインダ）の含有割合は、形成する導体膜の厚み等によっても異なるため特に限定されないが、典型的には導体ペースト全体の１質量％以上（典型的には５質量％以上、例えば１０質量％以上）であって、３０質量％以下（典型的には２５質量％以下、例えば２０質量％以下）であるとよい。かかる構成によると、放熱性の向上を目的として導体膜（放熱層）を比較的厚めに形成した場合であっても該導体膜に剥離等の不具合が生じ難い。また、バインダとしてのガラス成分の含有量を比較的少なく抑えることで、放熱性や電気伝導性に一層優れた導体膜を実現することができる。
【００３７】
なお、このようなガラスフリットの製造方法は、従来公知のものに準じればよい。具体的には、例えば、まず、上述のような各構成成分を含有する酸化物、炭酸塩、硝酸塩、複合酸化物等を含む工業製品、試薬、または各種の鉱物原料を用意し、これらが所望の組成となるよう混合する。好適な一態様では、かかるガラス原料粉末が、酸化物換算のモル比で、ＳｎＯ  ４０〜５０ｍｏｌ％、Ｐ２Ｏ５  １０〜２０ｍｏｌ％、ＳｉＯ２  １５〜２５ｍｏｌ％、Ａｌ２Ｏ３  ５〜１５ｍｏｌ％、ＭｇＯ、ＣａＯ及びＳｒＯのうちの少なくとも１種  １０〜１５ｍｏｌ％の組成となるよう調製する。次に、このようにして得られたガラス原料粉末を乾燥した後、高温（典型的には１０００〜１５００℃）条件下で加熱・溶融して、冷却または急冷する。得られたガラスを粉砕や篩いがけ（分級）によって適当な大きさ（粒径）に調整することでガラスフリットを用意することができる。ガラスフリットの平均粒径は、典型的には銅粉末と概ね同等であり、通常凡そ０．０１〜５０μｍ（例えば１〜１０μｍ）であるとよい。
【００３８】
〔熱可塑性樹脂〕
熱可塑性樹脂は、例えば導体ペーストを乾燥させた後に銅粒子同士や銅粒子と基板とを仮固着させるための接着成分（有機バインダ成分）である。
熱可塑性樹脂としては、使用する溶媒（典型的には有機溶剤）に可溶であって、不活性ガス雰囲気中、５００℃以下の低温焼成によって熱分解されて燃え抜けるものであれば、従来公知のもののなかから１種を単独で、または２種以上を組み合せて用いることができる。なかでも、基本骨格が、酸素（Ｏ）、炭素（Ｃ）、水素（Ｈ）から構成される熱可塑性樹脂を好ましく用いることができる。このような構成元素からなる熱可塑性樹脂は、焼成後の導体膜に燃えかす（残渣）が残りにくい。このため、より高い導電性や放熱性を実現することができ、好ましい。
【００３９】
好適例として、ポリメタクリル酸メチル樹脂、ポリメタクリル酸エチル樹脂、ポリアクリル酸ブチル樹脂等のアクリル樹脂（メタクリル樹脂を含む。）；ポリアセタール樹脂；ポリビニルブチラ−ル、ポリビニルアルコールとエチレンの共重合体等のポリビニルアセタール樹脂；ポリスチレン、アクリロニトリルとブタジエンとスチレン共重合体（ＡＢＳ樹脂）等のポリスチレン樹脂；ポリエチレン、ポリプロピレン、環状オレフィン等のポリオレフィン樹脂；ポリ酢酸ビニル樹脂；ポリカーボネート樹脂；ポリウレタン樹脂；等が挙げられる。なかでも、以下の樹脂：アクリル樹脂（燃え抜け温度：２５０℃）、ポリビニルブチラ−ル樹脂（燃え抜け温度：４６０℃）、ポリスチレン樹脂（燃え抜け温度：４１０℃）、ポリプロピレン樹脂（燃え抜け温度：４４５℃）、ポリアセタール樹脂（燃え抜け温度：３１０℃）；を好適に用いることができ、特には燃え抜け温度が３５０℃以下であるアクリル樹脂および／またはポリアセタール樹脂を用いることが好ましい。
【００４０】
好適な一態様では、熱可塑性樹脂のガラス転移点が４０℃以上（典型的には５０℃以上）であって、１２０℃以下（典型的には１００℃以下、好ましくは９０℃以下、例えば７０℃以下）である。ガラス転移点を４０℃以上とすることで、該樹脂の使用量を低減することができる。また、ガラス転移点を１２０℃以下（好ましくは１００℃以下）とすることで、溶媒中に好適に溶解または分散させることができ、均質な導体ペーストを実現することができる。
【００４１】
また、熱可塑性樹脂の重量平均分子量は特に限定されないが、良好な接着性と本発明の効果を高いレベルで得る目的から、例えば１０，０００〜１００，０００程度であるとよい。なお、重量平均分子量は、一般的なゲルクロマトグラフィー（Gel Permeation Chromatography：ＧＰＣ）によって測定することができる。
【００４２】
ここで開示される技術では、導体ペースト全体に占める熱可塑性樹脂（有機バインダ）の割合が、銅粉末およびガラスフリットを基板上に固定するために必要な最小限の量まで低減されている。すなわち、導体ペースト中の熱可塑性樹脂の含有割合は、導体ペースト全体の０．１質量％以上（典型的には０．１５質量％以上、例えば０．１７質量％以上）であって、１質量％以下（好ましくは０．８質量％以下、より好ましくは０．７５質量％以下、典型的には０．５質量％以下、例えば０．４質量％以下、敢えて言えば０．３質量％以下、あるいは０．２質量％以下）である。
本発明者が種々の検討を重ねた結果、樹脂の割合が０．１質量％未満の場合は、安定的に導体膜を形成することが困難な場合があった。また、樹脂の割合が１質量％より多い場合は、例えば１００μｍ以上の厚みの導体膜を形成した際に、該導体膜の電気抵抗が上昇することがあった。樹脂の含有割合が上記範囲にあることで、比較的厚めの導体膜を形成した場合であっても焼成後の導体膜中に樹脂が残存し難くなる。その結果、基板との密着性を確保しつつ、放熱性や電気伝導性に優れた導体膜を実現することができる。
【００４３】
〔溶媒〕
溶媒は、ここで開示される導体ペーストの構成成分（すなわち、固形分としての銅粉末とガラスフリットと熱可塑性樹脂）を溶解または分散させるものであると同時に、溶媒の粘度を向上させて塗工時のダレや滲み等を防止する役割をも併せ持つ。導体ペーストは、典型的には基板の表面に塗工して導体膜（放熱層）を形成するために用いられる。このため、ペースト状（インク状、スラリー状を包含する。）に調製することで、作業性や成形性を向上させることができ、均質な導体膜を安定的に形成することが可能となる。
ここで開示される技術では、溶媒として、２０℃における粘度が２００〜２０００ｍＰａ・ｓ（例えば２５０〜１７００ｍＰａ・ｓ）の高粘性有機溶剤を含んでいる。導体ペースト中に粘度の高い溶媒を含ませて熱可塑性樹脂の低減に伴う粘性の低下を補うことで、塗工不良や接着不良等の不具合を好適に防止することができる。
【００４４】
かかる高粘性有機溶媒としては、従来公知のもののなかから１種を単独で、または２種以上を組み合せて用いることができる。好適例として、エチレングリコール、プロピレングリコール、１，２−プロパンジオール、１，３−プロパンジオール、１，３−ブタンジオール、１，４−ブタンジオール、ネオペンチルグリコール、１，５−ペンタンジオール、１，６−ヘキサンジオール、３−メチルペンタンジオール、ジエチレングリコール、１，４−シクロヘキサンジメタノール、オクタンジオール（２−エチルヘキサン−１，３−ジオール）、１，２−オクタンジオール、１，８−オクタンジオール、３，６−オクタンジオール、４，５−オクタンジオール、トリエチレングリコール、３−メチル−１，５−ペンタンジオール、２−メチル−１，３−プロパンジオール、２，２−ジエチル−１，３−プロパンジオール、２，４−ジメチル−１，５−ペンタンジオール、２，４-ジエチル−１，５−オクタンジオール、３，６−ジメチル−３，６−オクタンジオール、ビスフェノールＡ等のジオール類；トリメチロールプロパン、トリメチロールエタン、１，２，６−ヘキサントリオール、１，２，４−ブタントリオール等のトリオール類；等、およびこれら化合物のアルキレンオキサイド付加物（例えば、エチレンオキサイド付加物、プロピレンオキサイド付加物）等が例示される。ポリオール類は、粘度が高いため、ペーストの粘度を好適に上昇させることができる。
【００４５】
好適な一態様では、上記高粘性有機溶剤の沸点が１５０℃以上（典型的には２００℃以上）であって、３００℃以下（例えば２５０℃以下）である。沸点を１５０℃以上とすることで、塗工後に溶媒がすぐ蒸発してしまうことを防止し、取扱い性を向上することができる。また、沸点を３００℃以下とすることで、乾燥、焼成によって導体膜中から溶媒成分を好適に除去することができる。
【００４６】
なお、溶媒中には、本発明の効果を著しく低減しない限りにおいて、上述の高粘性有機溶剤以外の一般的な有機溶剤を必要に応じて含ませることができる。このような有機溶剤としては、アルコール系溶媒（例えばテルピネオール）、エーテル系溶媒（例えばジエチレングリコールモノブチルエーテル）、エステル系溶媒（例えばエチレングリコールモノブチルエーテルアセタート）、ケトン系溶媒、アミド系溶媒、芳香族炭化水素系溶媒（例えばトルエン、キシレン）等が挙げられる。
【００４７】
使用する溶媒の量は、上記構成成分を均質に溶解または分散させ得る量であって、例えば形成する導体膜の厚み等を考慮して塗工に適した粘度となるよう調整すればよい。導体ペースト中の溶媒の含有割合は特に限定されないが、典型的には導体ペースト全体の０．１質量％以上（典型的には１質量％以上、例えば５質量％以上）であって、２０質量％以下（典型的には１５質量％以下、例えば１０質量％以下）であるとよい。
さらに、好適な一態様では、導体ペースト中に上記熱可塑性樹脂と溶媒の総和が占める割合を、導体ペースト全体の１０質量％以下（典型的には、１〜１０質量％、例えば５〜１０質量％）である。このように固形分率（すなわち、銅粉末とガラスフリットの層側占める割合）を高めることで、例えば１００μｍ以上の厚みの導体膜を好適に形成することができる。
【００４８】
なお、ここで開示される導体ペーストには、該導体ペーストを適した性状（例えば粘性やｐＨ、接着強度等）に調整することを目的として、上記主要構成成分に加えて各種の添加剤が含まれても良い。かかる添加剤の一例を挙げると、界面活性剤、消泡剤、可塑剤、増粘剤、酸化防止剤、分散剤、ｐＨ調整剤、防腐剤、着色剤等が挙げられる。
【００４９】
導体ペースト（銅ペースト）は、上記構成成分を所定の割合になるよう調合し、従来公知の分散・混練手法（例えば、ロールミル、ミキサー等）で混練することにより、調製することができる。このように調製された導体ペーストは、従来に比べ低い温度（典型的には５００℃以下、例えば４００〜５００℃）で焼結可能で、電気伝導性やセラミックスとの接着性に優れることを特徴とする。したがって、セラミックスからなる絶縁基板上に放熱層や配線（回路）パターンを形成する用途で好ましく用いることができる。
【００５０】
＜放熱性基板＞
以下、図１を参照しつつ好適な一実施形態に係る放熱性基板について説明する。なお、以下の図面において、同様の作用を奏する部材・部位には同じ符号を付して説明し、重複する説明は省略または簡略化することがある。図面に記載の実施形態は、本発明を明瞭に説明するために必要に応じて模式化されており、実際の放熱性基板の寸法関係（長さ、幅、厚さ等）を必ずしも正確に反映したものではない。
【００５１】
図１に示すように、ここで開示される放熱性基板１は、絶縁基板（回路基板）２の表面に放熱層４を直接的に備える、いわゆるＤＢＣ（Direct Bonded Copper）基板である。すなわち、ここで開示される放熱層４は、従来の活性金属法で形成されたものとは異なり、ろう材等の接合剤を介することなく絶縁基板２の表面に直接設けられている。図１に示す実施形態では、絶縁基板２の一方の表面にサイズ（長さ等）や厚みの異なる放熱層４ａが別個に独立して複数（ここでは計７つ）備えられている。また、絶縁基板２のもう一方の表面には、ほぼ全面に渡って放熱層４ｂが備えられている。
このように、放熱層４は絶縁基板２の一部に備えられていても良いし、絶縁基板２のほぼ全面に渡って備えられていても良い。また、放熱層４は、絶縁基板２の少なくとも一方の面に備えられていればよく、例えば片面のみに備えられていても良い。
【００５２】
絶縁基板２はセラミックスからなる。かかるセラミックスとしては、例えば、金属炭化物からなる炭化物系セラミックス；金属窒化物からなる窒化物系セラミックス；金属酸化物からなる酸化物系セラミックス；金属のホウ化物、フッ化物、水酸化物、炭酸塩、リン酸塩等からなるセラミックス；が挙げられる。
ここで開示される技術では熱膨張係数が相対的に小さなセラミックスを用いる際にとりわけ顕著な効果を奏し得る。このようなセラミックスの具体例としては、窒化ケイ素（シリコンナイトライド：Ｓｉ３Ｎ４）、窒化アルミニウム（アルミナイトライド：ＡｌＮ）、窒化ホウ素（ＢＮ）等の窒化物系セラミックス；炭化ケイ素（シリコンカーバイド：ＳｉＣ）等の炭化物系セラミックス；コーディエライト（２ＭｇＯ・２Ａｌ２Ｏ３・５ＳｉＯ２）、ムライト（３Ａｌ２Ｏ３・２ＳｉＯ２）等の複合酸化物系セラミックス；等が挙げられる。なかでもとりわけ熱膨張係数の小さいもの（および該セラミックスの熱膨張係数（２５〜５００℃））を例示すると、コーディエライト（＜０．１ｐｐｍ／℃）、窒化ホウ素（１．４ｐｐｍ／℃）、窒化ケイ素（２．６ｐｐｍ／℃）、炭化ケイ素（３．７ｐｐｍ／℃）、窒化アルミニウム（４．６ｐｐｍ／℃）、ムライト（５．０ｐｐｍ／℃）が挙げられる。特に窒化ケイ素は、例えば曲げ強度が凡そ６００〜８００ＭＰａと、殊に機械的強度に優れるため、耐久性の要求される用途で好ましく用いることができる。また、窒化アルミニウムは曲げ強度が凡そ２００〜４００ＭＰａと窒化ケイ素ほどの高温耐久性は期待できないが、熱伝導率が１５０〜２００Ｗ／ｍ・Ｋと高いため、高放熱性を要求される用途で好ましく用いることができる。
【００５３】
この放熱層４は、上述の導体ペーストを塗工して５００℃以下で焼成してなる。導体ペースト中の熱可塑性樹脂と溶媒は、焼成によってほぼ完全に燃え抜けるため、かかる導体ペーストを用いてなる放熱層４は、典型的には銅成分とガラス成分（無機バインダ成分）とから構成される。なお、これら成分については、上記導体ペーストを構成するものと同等なため、詳細な説明は省略する。
放熱層４における銅成分とガラス成分との割合は特に限定されないが、例えば、銅成分とガラス成分との合計を１００質量％としたときに、ガラス成分が、５質量％以上（典型的には１０質量％以上、例えば１５質量％以上）であって、３０質量％以下（典型的には２５質量％以下、例えば２０質量％以下）の割合で含まれていることが好ましい。ガラス成分を上記割合とすることで、絶縁基板２との密着性に優れ、かつ放熱性や電気伝導性の高い放熱層４を実現することができる。
放熱層４のサイズや厚みは、例えば実装（接続）する半導体素子の寸法、高さ、間隔（配置）等を考慮して決定すればよく、特に限定されない。また、放熱性の観点からは、放熱層をできるだけ広い領域に、比較的厚めに形成することが好ましい。かかる理由から、好適な一態様では、放熱層４の厚みが１００μｍ以上（典型的には１２０μｍ以上、例えば１５０μｍ以上）であって、３００μｍ以下（例えば２５０μｍ以下）である。
【００５４】
〔放熱性基板の製造方法〕
このような放熱性基板は、例えば以下の工程：
（１）銅粉末とガラスフリットと熱可塑性樹脂と溶媒とを含む上記導体ペーストと、セラミックスからなる絶縁基板とを用意すること；
（２）上記導体ペーストを上記絶縁基板上に付与すること；および
（３）上記導体ペーストを付与した絶縁基板を、不活性雰囲気中で、上記熱可塑性樹脂の燃え抜け温度以上であって５００℃以下で焼成し、放熱層を形成すること；
を包含する製造方法によって作製することができる。以下、各工程を順に説明する。
【００５５】
まず、導体ペーストと、セラミックスからなる絶縁基板とを用意する。これらの材料については、既に上述したものを用いることができる。
次に、絶縁基板の表面に導体ペーストを付与する。導体ペーストの付与（典型的には塗工）には、従来公知の手法（例えば、スクリーン印刷法、メタルマスク印刷法、グラビア印刷法、ドクターブレード法、ディスペンサー塗布法、ディップ塗布法、インクジェット法等）を用いることができる。なかでも、上記に例示したような各種の印刷手法を好ましく採用することができる。印刷法を用いることで、例えば複雑な形状の（例えば厚みやサイズの異なる）配線パターンに対応した塗工を、簡便かつ精度良く行うことができる。
次に、典型的には、付与した導体ペーストを適当な温度（典型的には３０〜１５０℃、例えば８０〜１２０℃）で予備乾燥させる。
その後、導体ペーストが十分に焼結され得る温度で所定時間、焼成を行う。焼成温度は、使用する熱可塑性樹脂が燃え抜ける温度より高く、且つ、５００℃以下に設定する。典型的には３５０〜５００℃、例えば４００〜５００℃に設定するとよい。また、焼成時間は、通常凡そ０．１〜５時間程度（典型的には０．５〜３時間）とすることができる。また、焼成時のガス雰囲気は、銅の酸化を防止して電気伝導性の低下や体積膨張等の不具合を抑制する観点から、不活性ガス雰囲気とすることが好ましい。ここで不活性ガス雰囲気とは、酸素および炭化水素ガスを実質的に含まない雰囲気として規定できる。典型的な雰囲気ガスとして、窒素ガス、アルゴンやヘリウム等の希ガスが挙げられる。
【００５６】
このように製造された放熱性基板は、放熱性や電気伝導性、機械的強度等の諸特性に優れ、かつ絶縁基板と放熱層とが強固に一体化されたものであり得る。したがって、パワー半導体等のセラミックス電子材料を構成する部材として好適に用いることができる。
【００５７】
以下、本発明に関する実施例を説明するが、本発明を以下の実施例に示すものに限定することを意図したものではない。
【００５８】
ここでは、導体ペーストを用いて基板上に放熱層を形成し、塗工性、基板と放熱層との接着性、および放熱層の電気的特性について評価した。
具体的には、まず、銅粉末（平均粒径３．８μｍ）と、表１に示す性状のガラスフリットと、表２に示す樹脂（例１〜７）と、表２に示す有機溶剤（例１〜７）とを、表２に示す割合で混合して、導体ペースト（例１〜７）を調製した。なお、日香ＭＡＲＳは、日本香料薬品株式会社製の溶剤であり、２，４−ジエチル−１，５−ペンタンジオール、２−ブチル−２−エチル−１，３−プロパンジオール等の異性体の混合物である。また、日香ＭＨＤは、日本香料薬品株式会社製の溶剤であり、２−（４−メチルシクロヘキサン−１−イル）プロパン−２−オール、１−メチル−４−（イソプロピル）シクロヘキサン−１−オール等の数種の化合物で構成された混合物である。また、アクリル樹脂としては、三菱レイヨン株式会社製のダイヤナール（商標）ＢＲ−１０５を使用した。
【００５９】
【表１】
2015149162.tif 000003
【００６０】
【表２】
2015149162.tif 000004
【００６１】
次に、上記調製した導体ペースト（例１〜７）をドクターブレード法によって市販の窒化ケイ素基板（三菱マテリアル製）の表面に孔版印刷した。印刷パターン（メタルマスク穴条件）は、３０ｍｍ×３０ｍｍの方形で、塗工厚みを０．１８ｍｍとした。そして、外観上から（目視で）塗膜形状のダレや滲み、擦れ等の印刷不良が無いかを確認した。結果を、表２の「印刷性」の欄に示す。なお、表２において「○」は、上述のような外観上の不具合が認められなかったことを、「×」は上述のような外観上の不具合が認められたことを、表している。
【００６２】
次に、上記導体ペーストを印刷した基板をホットプレート上で加熱乾燥（１２０℃、３時間）した後、不活性ガス雰囲気中で焼成（５００℃、１時間）した。これにより、窒化ケイ素からなる絶縁基板の表面に放熱層を備えた放熱性基板（例１〜７）を作製した。
【００６３】
［接着性］
上記得られた放熱性基板（例１〜７）について、外観上から（目視で）歪みや割れ等の不具合がないかを確認した後、ピンセットで基板から放熱層を剥がせるか否かを確認し、基板と放熱層との機械的な接着性を評価した。結果を表２の「接着性」の欄に示す。なお、表２において「○」は、歪みや割れ等の外観上の不具合が確認されず、かつ両者が良好に接着されていたことを、「×」は外観上の不具合が確認されたおよび／または両者が接着されていなかったこと、を表している。
【００６４】
［電気的特性］
上記形成した放熱層（例１〜７）について、株式会社三菱化学アナリテック製の抵抗率計（型式：ロレスタＧＰ  ＭＣＰ−Ｔ６１０）を用いて４端子４探針法で電気抵抗率を測定した。結果を表２の「電気抵抗率」の欄に示す。
【００６５】
表２に示すように、一般的な有機溶剤としてブチルジグリコールアセテートやターピネオールを用いた例４および５では塗工不良が認められ、さらに基材と接着されていなかった。本発明者は、念のために溶媒の量を０．９〜２質量％の範囲で増減させて検討を試みたが、印刷や接着を適切に行うことはできなかった。また、日香ＭＨＤを用いた例６は、溶媒量を調整することで適切に印刷を行うことができたが、電気抵抗率が高かった。さらに、樹脂の割合をペースト全体の２質量％と多くした例７では、電気抵抗率が非常に高かった。
これらに対して、樹脂の割合をペースト全体の１質量％以下として、さらに高粘度有機溶剤を用いた例１〜３では、印刷性や接着性が良好であり、かつ電気抵抗率を５０μΩ・ｃｍ以下（特には４０μΩ・ｃｍ以下）と小さく抑えることができた。なかでも、高粘度有機溶剤としてオクタンジオール（２−エチルヘキサン−１，３−ジオール）を用いた場合には、電気抵抗率を３０μΩ・ｃｍ以下（特には２０μΩ・ｃｍ以下）と極めて小さく抑えることができた。かかる結果はここで開示される発明の技術的意義を裏付けるものである。
【００６６】
以上、本発明の具体例を詳細に説明したが、これらは例示にすぎず、請求の範囲を限定するものではない。請求の範囲に記載の技術には、以上に例示した具体例を様々に変形、変更したものが含まれる。
【符号の説明】
【００６７】
１              放熱性基板
２              絶縁基板（窒化ケイ素基板）
４、４ａ、４ｂ  放熱層
【図１】
2015149162.tif 000005