(57)【要約】【課題】複数の細孔を有する陽極酸化金属膜からなる細孔構造体と、複数の細孔のうち少なくとも一部の細孔の内部に形成された導電体とを備え、複数の細孔内の導電体は、結晶性が良く、化学的安定性が高く、融点が高く、長さが均一化されており、従来よりも少ない製造工程で製造することが可能な異方性導電体膜を提供する。【解決手段】異方性導電体膜１は、面方向に対して交差方向に延びた複数の細孔を有する陽極酸化金属膜からなる細孔構造体２１と、複数の細孔のうち少なくとも一部の細孔の内部に形成された導電体２２と、細孔構造体２１の一方の面２１Ｓに形成された導電体膜３０とを備える。異方性導電体膜１において、導電体２２は誘起共析型合金を含む。【選択図】図１
2015117384.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
面方向に対して交差方向に延びた複数の細孔を有する陽極酸化金属膜からなる細孔構造体と、
前記複数の細孔のうち少なくとも一部の細孔の内部に形成された導電体と、
前記細孔構造体の一方の面に形成された導電体膜とを備えた異方性導電体膜であって、
前記導電体は誘起共析型合金を含む、異方性導電体膜。
【請求項２】
前記誘起共析型合金は、
単独で前記細孔内にメッキ可能な少なくとも１種の第１の金属元素と、
前記第１の金属元素よりも高融点で、単独では前記細孔内にメッキ不可能であるが、前記第１の金属元素と誘起共析可能な少なくとも１種の第２の金属元素とを含む、
請求項１に記載の異方性導電体膜。
【請求項３】
前記第１の金属元素は、Ｆｅ、Ｎｉ、及びＣｏからなる群より選択され、
前記第２の金属元素は、Ｍｏ、Ｗ、及びＢからなる群より選択される、
請求項２に記載の異方性導電体膜。
【請求項４】
前記細孔は貫通孔である、請求項１〜３のいずれかに記載の異方性導電体膜。
【請求項５】
前記導電体は、前記複数の貫通孔のうち一部の貫通孔の内部に選択的に形成された、請求項４に記載の異方性導電体膜。
【請求項６】
前記導電体膜は、内部に前記導電体が形成された前記貫通孔の開口部を覆い、前記導電体の材料をメッキ可能な第１の導電体膜と、内部に前記導電体が形成されていない前記貫通孔の開口部を覆い、前記第１の導電体膜に繋がって形成され、前記導電体の材料をメッキ難な第２の導電体膜とを含む、
請求項５に記載の異方性導電体膜。
【請求項７】
前記第１の導電体膜は、内部に前記導電体が形成された前記貫通孔の開口部を覆い、内部に前記導電体が形成されていない前記貫通孔の開口部を覆わないパターンで、複数の領域に分かれて形成されており、
前記第２の導電体膜は、内部に前記導電体が形成されていない前記貫通孔の開口部を覆い、かつ、前記複数の領域に分かれて形成された前記第１の導電体膜のパターン単位同士を繋ぐように形成された、
請求項６に記載の異方性導電体膜。
【請求項８】
前記第２の導電体膜は、内部に前記導電体が形成されていない前記貫通孔の開口部を覆い、内部に前記導電体が形成された前記貫通孔の開口部を覆わないパターンで、複数の領域に分かれて形成されており、
前記第１の導電体膜は、内部に前記導電体が形成された前記貫通孔の開口部を覆い、かつ、前記複数の領域に分かれて形成された前記第２の導電体膜のパターン単位同士を繋ぐように形成された、
請求項６に記載の異方性導電体膜。
【請求項９】
前記第１の導電体膜は、Ａｕ、Ａｇ、Ｃｕ、Ｆｅ、Ｎｉ、Ｓｎ、及びＺｎからなる群より選択された少なくとも１種の金属元素を含む金属または金属化合物を含み、
前記第２の導電体膜は、Ａｌ、Ｍｇ、Ｓｉ、Ｔｉ、Ｍｏ、及びＷからなる群より選択された少なくとも１種の金属元素を含む金属または金属化合物、またはステンレスを含む、
請求項６〜８のいずれか１項に記載の異方性導電体膜。
【請求項１０】
面方向に対して交差方向に延びた複数の細孔を有する陽極酸化金属膜からなる細孔構造体と、
前記複数の細孔のうち少なくとも一部の細孔の内部に形成された導電体と、
前記細孔構造体の一方の面に形成された導電体膜とを備えた異方性導電体膜の製造方法であって、
前記細孔構造体を用意する工程（Ａ）と、
前記導電体膜を形成する工程（Ｂ）と、
単独で前記細孔内にメッキ可能な少なくとも１種の第１の金属元素と、前記第１の金属元素よりも高融点で、単独では前記細孔内にメッキ不可能であるが、前記第１の金属元素と誘起共析可能な少なくとも１種の第２の金属元素とを含むメッキ液を用いて、前記細孔内に電解メッキを実施する工程（Ｃ）とを順次有する、
異方性導電体膜の製造方法。
【請求項１１】
請求項１〜９のいずれかに記載の異方性導電体膜を備えた、デバイス。
【請求項１２】
請求項１〜９のいずれかに記載の異方性導電体膜を備えてなり、
前記細孔内に形成された前記導電体からなる電子源と、前記導電体膜からなる電極層とを備えた、電子放出素子。
【請求項１３】
請求項１２に記載の電子放出素子を含む第１の電極基板と、
前記第１の電極基板に対して真空空間を介して対向配置され、電極層と蛍光体層とを含む第２の電極基板とを備えた、
フィールドエミッションランプ。
【請求項１４】
請求項１２に記載の電子放出素子を含む第１の電極基板と、
前記第１の電極基板に対して真空空間を介して対向配置され、電極層と蛍光体層とを含む第２の電極基板とを備え、
前記蛍光体層から発光される光の変調により表示を行う、
フィールドエミッションディスプレイ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、異方性導電体膜とその製造方法、及び、この異方性導電体膜を用いたデバイス／電子放出素子／フィールドエミッションランプ／フィールドエミッションディスプレイに関するものである。
【背景技術】
【０００２】
フィールドエミッション（Field Emission：ＦＥ、電界電子放出）デバイスは、低消費電力で高輝度が得られることが期待されている。ＦＥデバイスは、フィールドエミッションランプ（Field Emission Lump：ＦＥＬ、照明装置）あるいはフィールドエミッションディスプレイ（Field Emission Display：ＦＥＤ、表示装置）等として利用できる。
ＦＥデバイスでは、カソード基板に備えられたエミッタ（電子源）から放出された電子線によりアノード基板に備えられた蛍光体層が励起されて、発光が得られる。従来、エミッタとしては、スピント型エミッタ及びカーボンナノチューブ（ＣＮＴ）エミッタ等が用いられている。しかしながら、スピント型エミッタは、作製プロセスが複雑で大面積化が困難である。ＣＮＴエミッタは、結晶性が高いＣＮＴを、長さを揃えて規則的に配列する構造設計が困難である。
【０００３】
Ａｌ等の被陽極酸化金属体の少なくとも一部を陽極酸化して、複数の針状の非貫通孔とバリア層とを有する陽極酸化金属膜を得ることができる。この陽極酸化金属膜のバリア層側を部分的に除去することにより、面方向に対して交差方向に延びた複数の針状の貫通孔を有する細孔構造体を得ることができる。この細孔構造体の一方の面に導電体膜を形成し、複数の貫通孔の内部に電解メッキを行うことにより針状の導電体を形成することができる。貫通孔の内部に形成された導電体の先端には、電界中で局所的に高電界を発生させることができる。
非特許文献１には、上記構造体のＦＥデバイスへの利用が提案されている。細孔構造体の一方の面に形成された導電体膜は電極層として、貫通孔の内部に形成された針状の導電体はエミッタとして、それぞれ用いることができる。
特許文献１には、上記構造体における複数の貫通孔の内部に形成された導電体の上にさらにスピント型エミッタを形成した構造が開示されている（Ｆｉｇ．１）。
本明細書では、電極層上に面方向に並んだ複数のエミッタの層を「エミッタ層」と称す。また、電極層とエミッタ層とを備えた素子を、「電子放出素子」と称す。
陽極酸化金属膜を用いることで、電子放出素子を簡易なプロセスで形成でき、その大面積化も容易である。エミッタとして機能する針状導電体の成長方向等を制御しやすいので、構造設計も容易である。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特許4681939号公報
【非特許文献】
【０００５】
【非特許文献１】Electrochemistry Communications 11 (2009) 660-663.
【非特許文献２】M.P. Proenca et. al., Electrochimica Acta 72 (2012) 215?221.
【非特許文献３】Nano Lett., Vol. 7, No. 8 (2007)  2535-2539.
【非特許文献４】G. Kartopu et. al., Materials Chemistry and Physics 107 (2008) 226?230.
【非特許文献５】「水溶液中のＭｏ錯体構造とＭｏ合金めっき機構」、表面技術49 (1998) 87-93.
【非特許文献６】「グルコン酸塩浴からの電析Ｎｉ−Ｍｏ合金の作製と耐食性」、表面技術 55  (2004) 56-60.
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
ＦＥデバイスにおいては、面発光ムラが少ないことが好ましい。このためには、ＦＥデバイスを構成する複数のエミッタの長さの均一性が高いことが好ましい。
従来、上記細孔構造体の複数の貫通孔への電解メッキには、一般にＮｉ等のメッキしやすく安価な金属を含むメッキ液が用いられる。
メッキ法には、交流メッキ法と直流メッキ法とがある。
交流メッキ法では、バリア層の厚みムラの影響を受けやすく、複数の貫通孔内に均一長の針状導電体を形成することは難しい。
直流メッキ法は交流メッキ法における針状導電体の長さの不均一性を低減させる方法として知られているが、針状導電体の長さの均一化は不充分である。
従来の直流メッキ法では、金属イオンの拡散速度ムラにより複数の貫通孔内に形成される針状導電体の成長速度にばらつきが生じ、複数の貫通孔内の針状導電体の長さにばらつきが生じる。
例えば、非特許文献２には、陽極酸化アルミナ膜の複数の貫通孔内に直流メッキ法によりＮｉを形成した異方性導電体膜のＳＥＭ断面写真が掲載されている（Ｆｉｇ．６）。
非特許文献３には、陽極酸化アルミナ膜の複数の貫通孔内に直流メッキ法によりＢｉ２Ｔｅ３を形成した異方性導電体膜のＳＥＭ断面写真が掲載されている（Ｆｉｇ．１）。
非特許文献４には、陽極酸化アルミナ膜の複数の貫通孔内に直流メッキ法によりＰｄを形成した異方性導電体膜のＳＥＭ断面写真が掲載されている（Ｆｉｇ．３）。
非特許文献２〜４のＳＥＭ断面写真ではいずれも、複数の貫通孔内に形成された針状導電体の長さにばらつきが見られている。
そのため、従来は一般に、電解メッキ後に表面研磨等により、複数の貫通孔内に形成された針状導電体の長さを均一化する処理がなされる（特許文献１の請求項２等）。製造効率と製造コストを考慮すれば、表面研磨等の処理を行うことなく、複数の貫通孔内に均一な長さの針状導電体を形成できることができることが好ましい。
【０００７】
ＦＥデバイスにおいてはまた、エミッタの耐久性が高いことが好ましい。このためには、エミッタは、結晶性が良く、化学的安定性が高く、融点が高いことが好ましい。
【０００８】
上記課題は、用途に関係なく、陽極酸化膜からなる細孔構造体の複数の細孔（貫通孔又は非貫通孔）内に電解メッキにより導電体を形成する場合に同様である。
【０００９】
本発明は上記事情に鑑みてなされたものであり、
複数の細孔を有する陽極酸化金属膜からなる細孔構造体と、複数の細孔のうち少なくとも一部の細孔の内部に形成された導電体とを備え、
複数の細孔内の導電体は、結晶性が良く、化学的安定性が高く、融点が高く、長さが均一化されており、
従来よりも少ない製造工程で製造することが可能な異方性導電体膜とその製造方法を提供することを目的とするものである。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本発明の異方性導電体膜は、
面方向に対して交差方向に延びた複数の細孔を有する陽極酸化金属膜からなる細孔構造体と、
前記複数の細孔のうち少なくとも一部の細孔の内部に形成された導電体と、
前記細孔構造体の一方の面に形成された導電体膜とを備えた異方性導電体膜であって、
前記導電体は誘起共析型合金を含むものである。
【００１１】
本発明の異方性導電体膜の製造方法は、
面方向に対して交差方向に延びた複数の細孔を有する陽極酸化金属膜からなる細孔構造体と、
前記複数の細孔のうち少なくとも一部の細孔の内部に形成された導電体と、
前記細孔構造体の一方の面に形成された導電体膜とを備えた異方性導電体膜の製造方法であって、
前記細孔構造体を用意する工程（Ａ）と、
前記導電体膜を形成する工程（Ｂ）と、
単独で前記細孔内にメッキ可能な少なくとも１種の第１の金属元素と、前記第１の金属元素よりも高融点で、単独では前記細孔内にメッキ不可能であるが、前記第１の金属元素と誘起共析可能な少なくとも１種の第２の金属元素とを含むメッキ液を用いて、前記細孔内に電解メッキを実施する工程（Ｃ）とを順次有するものである。
【００１２】
本発明のデバイスは、上記の本発明の異方性導電体膜を備えたものである。
【００１３】
本発明の電子放出素子は、
上記の本発明の異方性導電体膜を備えてなり、
前記細孔内に形成された前記導電体からなる電子源と、前記導電体膜からなる電極層とを備えたものである。
【００１４】
本発明のフィールドエミッションランプ（ＦＥＬ）は、
上記の本発明の電子放出素子を含む第１の電極基板と、
前記第１の電極基板に対して真空空間を介して対向配置され、電極層と蛍光体層とを含む第２の電極基板とを備えたものである。
【００１５】
本発明のフィールドエミッションディスプレイ（ＦＥＤ）は、
上記の本発明の電子放出素子を含む第１の電極基板と、
前記第１の電極基板に対して真空空間を介して対向配置され、電極層と蛍光体層とを含む第２の電極基板とを備え、
前記蛍光体層から発光される光の変調により表示を行うものである。
【発明の効果】
【００１６】
本発明によれば、
複数の細孔を有する陽極酸化金属膜からなる細孔構造体と、複数の細孔のうち少なくとも一部の細孔の内部に形成された導電体とを備え、
複数の細孔内の導電体は、結晶性が良く、化学的安定性が高く、融点が高く、長さが均一化されており、
従来よりも少ない製造工程で製造することが可能な異方性導電体膜とその製造方法を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１７】
【図１】本発明に係る一実施形態の異方性導電体膜の構成を示す模式断面図である。
【図２Ａ】図１の異方性導電体膜の製造方法を示す工程図である。
【図２Ｂ】図１の異方性導電体膜の製造方法を示す工程図である。
【図２Ｃ】図１の異方性導電体膜の製造方法を示す工程図である。
【図２Ｄ】図１の異方性導電体膜の製造方法を示す工程図である。
【図２Ｅ】図１の異方性導電体膜の製造方法を示す工程図である。
【図３Ａ】図１の異方性導電体膜の設計変更例を示す模式断面図である。
【図３Ｂ】図１の異方性導電体膜の設計変更例を示す模式断面図である。
【図４Ａ】本発明の異方性導電体膜の製造方法における電解メッキ法を説明する説明図である。
【図４Ｂ】従来の電解メッキ法を説明する説明図である。
【図５Ａ】本発明に係る一実施形態のＦＥＬの模式断面図である。
【図５Ｂ】本発明に係る一実施形態のＦＥＤの模式断面図である。
【図６】実施例１において電解メッキの途中段階のＳＥＭ断面写真である。
【図７】実施例２で得られた異方性導電体膜のＳＥＭ表面写真である。
【図８】比較例２で得られた異方性導電体膜のＳＥＭ表面写真である。
【図９Ａ】実施例１で得られた異方性導電体膜のＸＲＤパターンである。
【図９Ｂ】比較例１で得られた異方性導電体膜のＸＲＤパターンである。
【図１０】実施例１で得られた異方性導電体膜を用いたＦＥＬの発光写真である。
【発明を実施するための形態】
【００１８】
「異方性導電体膜」
図面を参照して、本発明に係る一実施形態の異方性導電体膜の構成について、説明する。
図１は、本実施形態の異方性導電体膜の模式断面図である。
【００１９】
本実施形態の異方性導電体膜１は、フィールドエミッション（ＦＥ）デバイス等に用いられる電子放出素子に好ましく利用できる。
詳細については後述するが、ＦＥデバイスは、電極層とエミッタ（電子源）とを含む電子放出素子を備えた第１の電極基板と、この第１の電極基板に対して真空空間を介して対向配置され、電極層と蛍光体層とを含む第２の電極基板とを備えたデバイスである。
【００２０】
図１に示すように、本実施形態の異方性導電体膜１は、面方向に対して交差方向に延びた複数の針状の細孔を有する陽極酸化金属膜からなる細孔構造体２１を備える。
本実施形態において、細孔構造体２１の細孔は貫通孔２１Ｈである。詳細については後述するが、貫通孔２１Ｈは、陽極酸化後にバリア層を除去することで形成される。
なお、本発明は、陽極酸化後にバリア層を除去しないで得られる、細孔が非貫通孔である細孔構造体を用いた異方性導電体膜にも適用可能である。
【００２１】
本実施形態において、異方性導電体膜１においては、複数の貫通孔２１Ｈのうちすべての貫通孔２１Ｈの内部に導電体２２が形成されている。
【００２２】
図中、符号２１Ｓは細孔構造体２１の一方の面（図示下面）であり、符号２１Ｄは面２１Ｓにおける貫通孔２１Ｈの開口部である。
細孔構造体２１の面２１Ｓには、ほぼ全面に導電体膜３０が形成されている。
【００２３】
本実施形態において、貫通孔２１Ｈの内部に形成された導電体２２は、電解メッキ可能な材料からなり、誘起共析型合金を含む。
誘起共析型合金は、
単独で細孔（本実施形態では貫通孔２１Ｈ）内にメッキ可能な少なくとも１種の第１の金属元素と、
第１の金属元素よりも高融点で、単独では細孔（貫通孔２１Ｈ）内にメッキ不可能であるが、上記第１の金属元素と誘起共析可能な少なくとも１種の第２の金属元素とを含む。
第１の金属元素は、Ｆｅ、Ｎｉ、及びＣｏからなる群より選択された少なくとも１種であり、第２の金属元素は、Ｍｏ、Ｗ、及びＢからなる群より選択された少なくとも１種であることが好ましい。
【００２４】
導電体膜３０は、導電体２２の材料をメッキ可能な材料からなる。
導電体膜３０は、Ａｕ、Ａｇ、Ｃｕ、Ｆｅ、Ｎｉ、Ｓｎ、及びＺｎからなる群より選択された少なくとも１種の金属元素を含む金属または金属化合物を含むことが好ましい。
上記の中で、標準電極電位が高い点から、Ａｕ及び／又Ａｇを含む金属または金属化合物が特に好ましい。
金属は、単体の金属でもよいし、合金でもよい。
金属化合物としては、金属酸化物等が挙げられる。
【００２５】
本実施形態の異方性導電体膜１は、ＦＥデバイス等に用いられる電子放出素子として利用できる。この場合、複数の貫通孔２１Ｈの内部に形成された導電体２２はエミッタ（電子源）として、導電体膜３０は電極層として、それぞれ利用できる。
【００２６】
電子放出素子における導電体２２と貫通孔２１Ｈの好ましいサイズ設計は、以下の通りである。
【００２７】
電子放出性能が高くなることから、導電体２２の長さは１μｍ以上であることが好ましく、５μｍ以上であることが特に好ましい。
電子放出性能が高くなることから、導電体２２の直径は５００ｎｍ以下であることが好ましく、１００ｎｍ以下であることがより好ましく、５０ｎｍ以下であることが特に好ましい。
形成容易性を考慮すれば、導電体２２の直径は２０ｎｍ以上であることが好ましい。
電子放出性能が高くなることから、導電体２２の長さ／直径は１００以上であることが好ましい。
【００２８】
本実施形態において、導電体２２は貫通孔２１Ｈの内部に形成されている。
導電体２２の好ましいサイズを考慮すれば、貫通孔２１Ｈの長さは１μｍ以上であることが好ましく、５μｍ以上であることが特に好ましい。
貫通孔２１Ｈの直径は５００ｎｍ以下であることが好ましく、１００ｎｍ以下であることがより好ましく、５０ｎｍ以下であることが特に好ましい。
貫通孔２１Ｈの長さ／直径は１００以上であることが好ましい。
【００２９】
図面上は、内部に導電体２２が形成された貫通孔２１Ｈにおける導電体２２の充填率がいずれも１００％である場合について図示してあるが、導電体２２の充填率は１００％でなくてもよい。
ただし、電子放出性能が高くなることから、内部に導電体２２が形成された貫通孔２１Ｈにおける導電体２２の充填率は高いほど好ましく、７０〜１００％が好ましい。
本明細書において、貫通孔２１Ｈの内部における導電体２２の充填率は、導電体２２の長さ／貫通孔２１Ｈの長さ×１００（％）により定義するものとする。
【００３０】
貫通孔２１Ｈの長さは、好ましい導電体２２の長さと、貫通孔２１Ｈの内部における導電体２２の充填率とを考慮して、決定される。
【００３１】
本実施形態の異方性導電体膜１においては、導電体２２は誘起共析型合金を含むので、後記製造方法にて詳述するように、導電体２２の形成後に表面研磨等の処理を実施しなくても、複数の細孔（本実施形態では貫通孔２１Ｈ）内の導電体２２の長さ（充填率）を均一化することができる。
複数の細孔（貫通孔２１Ｈ）内の導電体２２の長さ（充填率）が均一化されているので、本実施形態の異方性導電体膜１をＦＥデバイスに用いる場合、面発光ムラを抑制することができる。
誘起共析型合金を用いた導電体２２は、従来電解メッキに一般に用いられるＮｉ等と同等レベルの結晶性を有する。誘起共析型合金を用いた導電体２２はまた、従来電解メッキに一般に用いられるＮｉ等に比して、化学的安定性が高く、高融点な第２の金属元素を含む。誘起共析型合金を含む導電体２２は、結晶性が良く、化学的安定性が高く、高融点であるので、本実施形態の異方性導電体膜１をＦＥデバイスに用いる場合、エミッタ（電子源）の材料安定性が高く、耐久性に優れる。
【００３２】
「異方性導電体膜の製造方法」
図面を参照して、異方性導電体膜の製造方法の例について説明する。
図２Ａ〜図２Ｅは工程図である。図２Ａ及び図２Ｂは模式斜視図であり、図２Ｃ〜図２Ｅは模式断面図である。
【００３３】
（工程（Ａ））
以下のようにして、複数の貫通孔２１Ｈを有する細孔構造体２１を用意する。
【００３４】
＜工程（ＡＸ）＞
はじめに図２Ａに示すように、被陽極酸化金属体Ｍを用意する。
被陽極酸化金属体Ｍの主成分としては特に制限なく、Ａｌ、Ｔｉ、Ｔａ、Ｈｆ、Ｚｒ、Ｓｉ、Ｗ、Ｎｂ、及びＺｎ等が挙げられる。被陽極酸化金属体はこれらを１種又は複数種含むことができる。
被陽極酸化金属体の主成分としては、Ａｌ等が特に好ましい。
本明細書において、「被陽極酸化金属体の主成分」は９９質量％以上の成分と定義する。
被陽極酸化金属体Ｍの形状は制限されず、板状等が挙げられる。また、支持体の上に被陽極酸化金属体Ｍが層状に成膜されたものなど、支持体付きの形態で用いることも差し支えない。
【００３５】
図２Ｂに示すように、被陽極酸化金属体Ｍの少なくとも一部を陽極酸化すると、金属酸化物膜からなる細孔構造体２１Ｘが生成される。例えば、被陽極酸化金属体ＭがＡｌを主成分とする場合、Ａｌ２Ｏ３を主成分とする細孔構造体２１Ｘが生成される。
板状等の被陽極酸化金属体Ｍを用いる場合、通常、被陽極酸化金属体Ｍの一部を残して、被陽極酸化金属体Ｍの一部を陽極酸化する。図中、符号１０が被陽極酸化金属体Ｍの残部である。この場合、通常、被陽極酸化金属体Ｍの残部１０に対して、生成される細孔構造体２１は薄いが、図面では、視認しやすくするため、細孔構造体２１Ｘを大きく図示してある。
【００３６】
陽極酸化は例えば、被陽極酸化金属体Ｍを陽極とし、カーボンあるいはアルミニウム等を陰極（対向電極）とし、これらを陽極酸化用電解液に浸漬させ、陽極と陰極との間に電圧を印加することで実施できる。
電解液としては制限されず、硫酸、リン酸、クロム酸、シュウ酸、スルファミン酸、ベンゼンスルホン酸、及びアミドスルホン酸等の酸を、１種又は２種以上含む酸性電解液が好ましく用いられる。
【００３７】
被陽極酸化金属体Ｍを陽極酸化すると、図２Ｂに示すように、表面（図示上面）からこの面に対して略垂直方向に酸化反応が進行し、金属酸化物膜が生成される。
陽極酸化により生成される金属酸化物膜は、略正六角柱状の複数の柱状体２１Ｃが互いに隙間なく隣接して配列した構造を有するものとなる。各柱状体２１Ｃの略中心部には、表面から深さ方向に延びた針状の非貫通孔２１Ａが開孔される。非貫通孔２１Ａの底面と金属酸化物膜の底面との間には、バリア層２１Ｂが生成される。
図示するように、非貫通孔２１Ａは被陽極酸化金属体Ｍの表面に対して概ね垂直方向に開孔されるが、多少斜め方向に開孔される場合もある。
【００３８】
＜工程（ＡＹ）＞
工程（ＡＸ）後に被陽極酸化金属体Ｍの残部１０がある場合にはこの残部１０とバリア層２１Ｂとを除去し、工程（ＡＸ）後に被陽極酸化金属体Ｍの残部１０がない場合にはバリア層２１Ｂを除去して、非貫通孔２１Ａを貫通孔２１Ｈとする。
被陽極酸化金属体Ｍの残部１０は例えば、陽極酸化の方法において逆方向に電圧を印加する逆電解剥離によって除去できる。
被陽極酸化金属体Ｍの残部１０及びバリア層２１Ｂは、リン酸等の酸性液に浸漬することでも除去できる。
被陽極酸化金属体Ｍの残部１０及びバリア層２１Ｂは、切削等により物理的に除去することができる。
以上のようにして、図２Ｃに示す、複数の貫通孔２１Ｈを有する細孔構造体２１が得られる。
なお、用途等によっては、バリア層を除去せず、陽極酸化後に得られる複数の非貫通孔とバリア層とを有する細孔構造体をそのまま用いて、以下の工程を実施してもよい。
【００３９】
（工程（Ｂ））
次に図２Ｄに示すように、細孔構造体２１の一方の面（図示下面）２１Ｓに、公知方法により導電体膜３０を形成する。
【００４０】
（工程（Ｃ））
次に図２Ｅに示すように、導電体膜３０を電極層として、細孔構造体２１に対して電解メッキを実施する。
本実施形態では、単独で細孔（本実施形態では貫通孔２１Ｈ）内にメッキ可能な少なくとも１種の第１の金属元素と、第１の金属元素よりも高融点で、単独では細孔（貫通孔２１Ｈ）内にメッキ不可能であるが、第１の金属元素と誘起共析可能な少なくとも１種の第２の金属元素とを含むメッキ液を用いて、電解メッキを実施する。
本実施形態では、直流メッキ法にて電解メッキを実施する。
【００４１】
図４Ａ及び図４Ｂを参照して、本実施形態の製造方法における電解メッキ法と従来の電解メッキ法との相違について説明する。
図４Ａの左図は、本実施形態の製造方法において電解メッキを行っている最中の様子を示す模式断面図である。
図４Ｂは、従来の方法において電解メッキを行っている最中の様子を示す模式断面図である。
これらの図では便宜上、図１と同じ参照符号を用いて説明するが、上記のように、図４Ｂは従来の方法を示しており、上記実施形態の異方性導電体膜１とは異なる。
【００４２】
従来、細孔構造体の複数の細孔への電解メッキには、一般にＮｉ等のメッキしやすく安価な金属を含むメッキ液が用いられる。
図４Ｂでは、例としてＮｉを用いた場合について図示してある。
Ｎｉのメッキ効率は８０％程度と高い。ここで、「メッキ効率」は、電気量に対する析出量（モル）から求められるパラメータである。
直流メッキ法において、細孔内へのメッキ速度は金属イオンの拡散速度が影響する。
図４Ｂに示すように、従来の直流メッキ法では、金属イオンの拡散速度ムラにより複数の細孔（貫通孔２１Ｈ）内に形成される導電体２２の成長速度にばらつきが生じ、複数の細孔（貫通孔２１Ｈ）内の導電体２２の長さにばらつきが生じることが一般的である。
そのため、従来の製造方法では一般に、電解メッキ後に表面研磨等により複数の細孔（貫通孔２１Ｈ）内の導電体２２の長さを均一化することがなされる。
【００４３】
本実施形態の製造方法では、上記したように、単独で細孔（本実施形態では貫通孔２１Ｈ）内にメッキ可能な少なくとも１種の第１の金属元素と、第１の金属元素よりも高融点で、単独では細孔（貫通孔２１Ｈ）内にメッキ不可能であるが、第１の金属元素と誘起共析可能な少なくとも１種の第２の金属元素とを含むメッキ液を用いて、直流メッキ法により電解メッキを実施する。
メッキ液中には、第１の金属元素のイオンの周りに第２の金属元素を含む配位子が結合した金属錯イオンが形成されると考えられる。
図４Ａでは、例として第１の金属元素がＮｉであり、第２の金属元素がＭｏである場合について図示してある。この場合、例えば図４Ａの右図に示すように、Ｎｉイオンの周りに複数のＭｏＯ６のイオン（ポリモリブデン酸イオン）が配位した錯イオンが形成される。
錯イオンはその構造を解くのにエネルギーを要するため、金属イオンを析出するためには高い過電圧が必要となる。高い過電圧下でのメッキでは水素発生反応が優先して進行するため、メッキ効率は低い。
例えばＭｏ−Ｎｉ共析の場合、メッキ効率は６％程度である。
従来の電解メッキ法ではメッキ効率が高い方が好ましいとされている。
本実施形態の製造方法では、あえてメッキ効率が低い系で電解メッキを行う。これにより、図４Ａに示すように、全体的に金属イオン（金属錯イオン）の消費速度を落とし、複数の細孔内に金属イオン（金属錯イオン）を充分に供給することができる。その結果、複数の細孔（貫通孔２１Ｈ）内でのメッキ反応が電子供給律速で進行するようになり、複数の細孔（貫通孔２１Ｈ）内の導電体２２の成長速度を均一化することができる。
本実施形態の製造方法では、Ｎｉ等のメッキ効率の高い材料を用いる場合に比して電解メッキに高エネルギーが必要となるが、印加電圧を高くする、あるいはメッキ時間を長くする等により、所望の長さの導電体２２を成長することができる。
本実施形態の製造方法における電解メッキでは、導電体２２は特定方向（細孔（貫通孔２１Ｈ）の延びる方向）に成長するので、結晶性の良い導電体２２を成長できる（図９ＡのＸＲＤパターンを参照）。
なお、平板上へのＭｏ−Ｎｉ合金の電解メッキについては、「背景技術」の項に挙げた非特許文献５、６に記載があるが、陽極酸化金属膜からなる細孔構造体への適用については従来知られていない。
【００４４】
以上のようにして、異方性導電体膜１が製造される。
【００４５】
電子放出性能は、導電体２２の延びる方向が電圧印加方向に近い程、効果的に発現する。陽極酸化法によれば、電圧印加方向に対して平行又はそれに近い方向に延びる複数の貫通孔２１Ｈが規則正しくアレイ配列した細孔構造体２１を、簡易なプロセスで形成できる。陽極酸化法によれば、貫通孔２１Ｈのサイズ（長さと直径）及び数密度の制御がしやすく、大面積化も容易である。陽極酸化法は、低コストな方法である。
【００４６】
本実施形態の製造方法では、単独で細孔内にメッキ可能な少なくとも１種の第１の金属元素と、第１の金属元素よりも高融点で、単独では細孔内にメッキ不可能であるが、第１の金属元素と誘起共析可能な少なくとも１種の第２の金属元素とを含むメッキ液を用いて、細孔（貫通孔２１Ｈ）内に電解メッキを実施する。この方法により、結晶性が良く、化学的安定性が高く、高融点な誘起共析型合金を含む導電体２２を形成することができる。この方法では、導電体２２の形成後に表面研磨等の処理を実施しなくても、複数の細孔（貫通孔２１Ｈ）内の導電体２２の長さを均一化することができる。
【００４７】
「設計変更例」
図３Ａに示す異方性導電体膜２Ａあるいは図３Ｂに示す異方性導電体膜２Ｂのように、複数の貫通孔２１Ｈのうち一部の貫通孔２１Ｈの内部に選択的に導電体２２が形成されていてもよい。
図３Ａ及び図３Ｂは、異方性導電体膜の設計変更例を示す模式断面図である。上記実施形態の異方性導電体膜１と同じ構成要素には同じ参照符号を付してある。  
【００４８】
異方性導電体膜２Ａ、２Ｂにおいて、貫通孔２１Ｈの内部に導電体２２が形成された部分を「封孔部ＳＡ」と称す。また、貫通孔２１Ｈの内部に導電体２２が形成されていない部分を「未封孔部ＮＳＡ」と称す。
１つの封孔部ＳＡに含まれる貫通孔２１Ｈの数は単数でも複数でもよい。
【００４９】
異方性導電体膜２Ａ、２Ｂにおいて、細孔構造体２１の面２１Ｓには、第１の導電体膜３１と第２の導電体膜３２とからなる導電体膜３０が形成されている。これら異方性導電体膜２Ａ、２Ｂにおいて、細孔構造体２１の面２１Ｓには、内部に導電体２２が形成された貫通孔２１Ｈの開口部２１Ｄを覆い、導電体２２の材料をメッキ可能な第１の導電体膜３１と、内部に導電体２２が形成されていない貫通孔２１Ｈの開口部２１Ｄを覆い、第１の導電体膜３１に繋がって形成され、導電体２２の材料をメッキ難な第２の導電体膜３２とが形成されている。
【００５０】
図３Ａに示す異方性導電体膜２Ａにおいて、第１の導電体膜３１は、内部に導電体２２が形成された貫通孔２１Ｈの開口部２１Ｄを覆い、内部に導電体２２が形成されていない貫通孔２１Ｈの開口部２１Ｄを覆わないパターンで、複数の領域に分かれて形成されている。第２の導電体膜３２は、内部に導電体２２が形成されていない貫通孔２１Ｈの開口部２１Ｄを覆い、かつ、複数の領域に分かれて形成された第１の導電体膜３１のパターン単位同士を繋ぐように形成されている。異方性導電体膜２Ａにおいて、第２の導電体膜３２はパターンを有しないベタ膜である。
【００５１】
図３Ｂに示す異方性導電体膜２Ｂにおいて、第２の導電体膜３２は、内部に導電体２２が形成されていない貫通孔２１Ｈの開口部２１Ｄを覆い、内部に導電体２２が形成された貫通孔２１Ｈの開口部２１Ｄを覆わないパターンで、複数の領域に分かれて形成されている。第１の導電体膜３１は、内部に導電体２２が形成された貫通孔２１Ｈの開口部２１Ｄを覆い、かつ、複数の領域に分かれて形成された第２の導電体膜３２のパターン単位同士を繋ぐように形成されている。異方性導電体膜２Ｂにおいて、第１の導電体膜３１はパターンを有しないベタ膜である。
【００５２】
第１の導電体膜３１は、導電体２２の材料をメッキ可能な材料からなる。
第１の導電体膜３１は、Ａｕ、Ａｇ、Ｃｕ、Ｆｅ、Ｎｉ、Ｓｎ、及びＺｎからなる群より選択された少なくとも１種の金属元素を含む金属または金属化合物を含むことが好ましい。
上記の中で、標準電極電位が高い点から、Ａｕ及び／又Ａｇを含む金属または金属化合物が特に好ましい。
金属は、単体の金属でもよいし、合金でもよい。
金属化合物としては、金属酸化物等が挙げられる。
【００５３】
第２の導電体膜３２は、導電体２２の材料をメッキ難な材料（難メッキ材料）からなる。難メッキ材料としては、表面に絶縁性が高い酸化皮膜が発生しやすい金属または金属化合物が挙げられる。
第２の導電体膜３２は、Ａｌ、Ｍｇ、Ｓｉ、Ｔｉ、Ｍｏ、及びＷからなる群より選択された少なくとも１種の金属元素を含む金属または金属化合物、またはステンレスを含むことが好ましい。
上記の中で、製造容易で安価な点から、Ａｌを含む金属または金属化合物が特に好ましい。
金属は、単体の金属でもよいし、合金でもよい。
金属化合物としては、金属酸化物等が挙げられる。
ステンレスとしては、Ｆｅ−Ｎｉ−Ｃｒ合金等が挙げられる。
【００５４】
工程（Ｂ）において第１の導電体膜３１と第２の導電体膜３２とからなる導電体膜３０を形成することにより、工程（Ｃ）において直下に第１の導電体膜３１が形成された貫通孔２１Ｈの内部に選択的に導電体２２を形成することができる。
具体的な製造例については、後記［実施例］の項を参照されたい。
【００５５】
異方性導電体膜２Ａ、２Ｂにおいても、導電体２２は誘起共析型合金を含み、異方性導電体膜１と同様の効果が得られる。
【００５６】
異方性導電体膜２Ａ、２Ｂでは、第１の導電体膜３１の直上に形成された複数の貫通孔２１Ｈの内部に形成された導電体２２が、１つの封孔部ＳＡを構成している。平面視で、複数の封孔部ＳＡは、内部に導電体２２が形成されていない複数の貫通孔２１Ｈ（未封孔部ＮＳＡ）を介して、互いに離間されている。
異方性導電体膜２Ａ、２Ｂでは、複数の封孔部ＳＡの間が互いに離間されており、その間隔の制御も容易である。
異方性導電体膜２Ａ、２ＢをＦＥデバイス等に使用する場合、エミッタ間隙を広範囲で制御することができる。例えば、エミッタ間隙（本実施形態では、互いに隣接する封孔部ＳＡの間隙）を１００ｎｍ程度から数十μｍ程度の範囲で制御することができる。その結果、エミッタ間隙が狭くなりすぎて、各エミッタ先端にかかる電界が遮蔽され、電子放出性能が低下することを抑制でき、高い電子放出性能を発現できる。
【００５７】
異方性導電体膜２Ａ、２Ｂにおいて、必要に応じて、導電体２２の形成後に貫通孔２１Ｈの内部に導電体２２が形成されていない未封孔部ＮＳＡの少なくとも一部を除去するようにしてもよい。
【００５８】
以上説明したように、本実施形態及びその設計変更例によれば、
複数の細孔（貫通孔２１Ｈ）を有する陽極酸化金属膜からなる細孔構造体２１と、複数の細孔（貫通孔２１Ｈ）のうち少なくとも一部の細孔の内部に形成された導電体２２とを備え、
複数の細孔（貫通孔２１Ｈ）内の導電体２２は、結晶性が良く、化学的安定性が高く、融点が高く、長さが均一化されており、
従来よりも少ない製造工程で製造することが可能な異方性導電体膜１、２Ａ、２Ｂとその製造方法を提供することができる。
【００５９】
「ＦＥデバイス」
図面を参照して、本発明に係る一実施形態のフィールドエミッションランプ（Field Emission Lump：ＦＥＬ、照明装置）の構造について説明する。
図５Ａは模式断面図である。
【００６０】
ＦＥＬ３は、
基板本体１１０とカソード層（導電体膜３０）とを有するカソード基板（第１の電極基板）１００と、
基板本体２１０とアノード層２２０とを有するアノード基板（第２の電極基板）２００とを備えている。
カソード層（導電体膜３０）とアノード層２２０との間には電圧が印加されるようになっている。
【００６１】
本実施形態において、カソード基板１００は、基板本体１１０の内面に、図１に示した異方性導電体膜１を備えたものである。
基板本体１１０としては、金属板もしくはＩＴＯ（インジウム錫酸化物）等の透光性導電体膜付きガラス基板等が用いられる。
カソード基板１００は、上記実施形態の異方性導電体膜１に対して、基板本体１１０をはんだ付けする、もしくは導電性両面テープを用いて接着することで、得られる。
カソード基板１００において、異方性導電体膜１における導電体膜３０がカソード層であり、細孔構造体２１の貫通孔２１Ｈの内部に形成された導電体２２がエミッタ（電子源）である。
図５Ａでは、異方性導電体膜１の構造を簡略化して図示してあるが、図１に示したのと同様の構造である。
【００６２】
アノード層２２０は、基板本体２１０の内面のほぼ全面に形成された、ＩＴＯ（インジウム錫酸化物）等の透光性導電体膜である。
基板本体２１０としては、ガラス基板等が用いられる。
【００６３】
アノード層２２０の内面には、蛍光体層２３０が形成されている。
蛍光体層２３０の材料としては公知材料を用いることができる。
蛍光体層２３０の材料としては特に限定されないが、ＺｎＳ：Ａｇ,Ｃｌ 、ＺｎＳ：Ａｇ,Ａｌ、ＺｎＧａ２Ｏ４、ＺｎＯ：Ｚｎ、ＺｎＳ：Ｃｕ,Ａｌ 、Ｙ２ＳｉＯ５：Ｃｅ、 Ｙ２ＳｉＯ５：Ｔｂ、Ｙ３(Ａｌ,Ｇａ)５Ｏ１２：Ｔｂ、Ｙ２Ｏ３：Ｅｕ、Ｙ２Ｏ２Ｓ：Ｅｕ、ＲｂＶＯ３、及びＣｓＶＯ３等が挙げられる。
蛍光体層２３０の発光色は任意である。
白色光源の場合、蛍光体層２３０の材料として、青色材料、緑色材料、及び赤色材料等の発光色の異なる複数種の公知の材料を任意に組み合わせて、白色光を得ることができる。
【００６４】
カソード基板１００とアノード基板２００との間にはスペーサ３００が設けられ、カソード基板１００とアノード基板２００との間の空間は高真空になっている。
【００６５】
カソード基板１００の導電体２２（エミッタ）から放射される電子線により蛍光体層２３０が励起され、発光した光が出射される。
【００６６】
本実施形態ではＦＥＬを例として説明したが、図５Ｂに示すように、蛍光体層２３０として、赤（Ｒ）の蛍光体層２３０Ｒ、緑（Ｇ）の蛍光体層２３０Ｇ、及び青（Ｂ）の蛍光体層２３０Ｂをパターン形成し、ドットごとに光変調を行う構成とすれば、フィールドエミッションディスプレイ（Field Emission Display：ＦＥＤ、表示装置）に適用することができる。
図５Ｂ中、符号４はＦＥＤである。
図５Ｂ中、カソード層（導電体膜３０）とアノード層２２０の図示を省略してある。
【実施例】
【００６７】
以下に実施例及び比較例を挙げて本発明をさらに説明するが、本発明はこれらに限定されない。
【００６８】
（実施例１）
図２Ａ〜図２Ｅに記載の方法に従って、図１に示したような異方性導電体膜を製造した。
【００６９】
厚み３ｍｍの１００×１００ｍｍアルミニウム板に対して、以下の条件で陽極酸化処理を行い、複数の針状の非貫通孔とバリア層とを有するアルミナ膜を形成した。
・対向電極（陰極）：アルミニウム
・電解液:０．３Ｍ硫酸
・浴温：１５〜１９℃
・電圧：直流電圧２５Ｖ
・時間：８時間
【００７０】
得られたアルミナ膜について、走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ、日立製作所社製「Ｓ−４８００」）を用いて表面及び断面を観察した。表面ＳＥＭ像（８０,０００倍）において、細孔１００個の細孔面積から平均細孔径を求めた。また、同表面ＳＥＭ像中の細孔個数から細孔密度を求めた。断面ＳＥＭ像 (１０,０００倍)において、細孔１００個の細孔長から平均細孔長を求めた。
得られたアルミナ膜は、複数の針状の非貫通孔がほぼ規則正しく開孔しており、平均細孔径０．０２μｍ、平均細孔長５０μｍ、平均細孔密度３００個／μｍ２であった。
【００７１】
次に、アルミナ膜を陰極に、Ｐｔ-Ｔｉ電極を陽極に接続した状態で、直流５Ｖを印加して、アルミナ膜をＡｌ基板から剥離させた。
次に、アルミナ膜をリン酸に浸漬することで、アルミナ膜底部のバリア層を溶解し、アルミナ膜の複数の非貫通孔をすべて貫通孔とした。
以上のようにして、複数の貫通孔を有する、厚み５０μｍの細孔構造体を得た。
【００７２】
次に、上記細孔構造体の一方の面（バリア層があった側の面）に対して、ほぼ全面に、真空蒸着装置（真空デバイス社製「ＶＥ−２０３０」）を用い、マスクを用いずに、６０ｎｍ厚の金膜（Ａｕ膜、導電体膜）を形成した。蒸着条件は以下の通りとした。
・蒸着源：９９．９％金線（ニラコ社製）
・真空度：１×１０−４Ｐａ以下
・基板温度：２５℃
・蒸着速度：５ｎｍ／ｍｉｎ．
【００７３】
次に、金膜を電極層として、細孔構造体に対してＭｏ−Ｎｉ合金（Ｍｏ：Ｎｉ（質量比）＝３６：６４）を直流法により電解メッキ析出させた。メッキ条件は以下の通りとした。
・電解浴：０．２Ｍ硫酸ニッケル・６水和物、０．１Ｍモリブデン酸ナトリウム、及び０．３Ｍグルコン酸ナトリウムの混合液
・対極：Ｐｔ電極
・浴温：２５℃
・ｐＨ：アンモニア水を用いて１０に調整
・電圧：−１．８Ｖ  ｖｓ．Ａｇ／ＡｇＣｌ
・処理時間：４５０分
【００７４】
電解メッキの途中段階中の細孔構造体のＳＥＭ観察を実施した。
得られたＳＥＭ断面写真を図６に示す。
図中、ＡＡＯは細孔構造体（陽極酸化アルミナ）を示し、ＡＡＯ＿Ｍｏ３６−Ｎｉ６４（％）は、細孔構造体（陽極酸化アルミナ）ＡＡＯの複数の貫通孔内にＭｏ−Ｎｉ合金（Ｍｏ：Ｎｉ（質量比）＝３６：６４）が形成された部分を示している。図中、ハンダはＳｎを主成分とする合金膜である。
なお、このＳＥＭ写真は、ＩＴＯ膜付きガラス基板に対して、得られた異方性導電体膜をＳｎを主成分とする合金ハンダを用いて接着させたサンプルの写真である。
細孔構造体の貫通孔内に６．５μｍの高さまでＭｏ−Ｎｉ合金が成長している様子が見られた。電解メッキの途中段階であったが、細孔構造体の貫通孔内に成長したＭｏ−Ｎｉ合金の長さはばらつきがなく非常に均一であった。
【００７５】
電解メッキ後の細孔構造体のＳＥＭ観察を実施した。
ＳＥＭ断面観察において、すべての貫通孔内におけるＭｏ−Ｎｉの充填率は１００％であり、充填率のばらつきは見られなかった。
ＳＥＭ表面写真は後記実施例２の封孔部のＳＥＭ写真（図７の右上図）と同様であり、すべての貫通孔内においてＭｏ−Ｎｉが表面に到達している様子が見られた。
【００７６】
（実施例２）
実施例１と同様にして、複数の貫通孔を有する、厚み５０μｍの細孔構造体（陽極酸化アルミナ）を得た。
【００７７】
次に、上記細孔構造体の一方の面（バリア層があった側の面）に対して、目開８μｍ、線径８μｍの金属メッシュをマスクとして、真空蒸着装置（真空デバイス社製「ＶＥ−２０３０」）を用いて、６０ｎｍ厚の金膜（Ａｕ膜、第１の導電体膜）を形成した。蒸着条件は以下の通りとした。
・蒸着源：９９．９％金線（ニラコ社製）
・真空度：１×１０−４Ｐａ以下
・基板温度：２５℃
・蒸着速度：５ｎｍ／ｍｉｎ．
【００７８】
次に、細孔構造体の金蒸着を実施した面に対して、ほぼ全面に、真空蒸着装置（真空デバイス社製「ＶＥ−２０３０」）を用いて、１５０ｎｍ厚のアルミニウム膜を形成した（Ａｌ膜、第２の導電体膜）。蒸着条件は以下の通りとした。
・蒸着源：９９．９９％アルミニウム線（ニラコ社製）
・真空度：１×１０−４Ｐａ以下
・基板温度：２５℃
・蒸着速度：１０ｎｍ／ｍｉｎ．
【００７９】
次に、金膜とアルミニウム膜とからなる導電体膜を電極層として、細孔構造体に対してＭｏ−Ｎｉ合金（Ｍｏ：Ｎｉ（質量比）＝３６：６４）を電解メッキ析出させた。メッキ条件は以下の通りとした。
・電解浴：０．２Ｍ硫酸ニッケル・６水和物、０．１Ｍモリブデン酸ナトリウム、及び０．３Ｍグルコン酸ナトリウムの混合液
・対極：Ｐｔ電極
・浴温：２５℃
・ｐＨ：アンモニア水を用いて１０に調整
・電圧：−１．８Ｖ  ｖｓ．Ａｇ／ＡｇＣｌ
・処理時間：４５０分
【００８０】
電解メッキ後の細孔構造体のＳＥＭ観察を実施した。
得られたＳＥＭ表面写真を図７に示す。
図７において、左上図は倍率１０００倍のＳＥＭ表面写真である。金蒸着に用いた金属メッシュの開口部のパターンに対応して、８μｍ×８μｍの複数の略矩形状パターン単位がスペース８μｍを空けてマトリクス状に形成されたパターンが見られた。
図７において、右図は倍率６００００倍のＳＥＭ写真である。この写真は上記略矩形状パターン単位の部分を拡大したものである。この部分は、貫通孔の直下に金膜（第１の導電体膜）が形成された部分である。貫通孔の内部にＭｏ−Ｎｉが形成されている様子が見られた（封孔部）。ＳＥＭ断面観察を実施したところ、封孔部のすべての貫通孔内におけるＭｏ−Ｎｉの充填率は１００％であり、充填率にばらつきは見られなかった。
図７において、下図は倍率１５００００倍のＳＥＭ表面写真である。この写真は上記複数の略矩形状パターン単位を除いた格子状パターンの部分を拡大したものである。この部分は、貫通孔の直下にアルミニウム膜（第２の導電体膜）が形成された部分である。貫通孔はすべて空孔のままであり、貫通孔内にＭｏ−Ｎｉ形成は見られなかった（未封孔部）。
細孔構造体の複数の貫通孔のうち一部の貫通孔の内部に選択的にＭｏ−Ｎｉが形成されていることが確認された。
【００８１】
（比較例１）
細孔構造体に対してＭｏ−Ｎｉ合金の代わりにＮｉを電解メッキした以外は実施例１と同様にして、異方性導電体膜を得た。Ｎｉメッキ条件は以下の通りとした。
・電解浴：１．２Ｍ硫酸ニッケル・６水和物、０．２Ｍ塩化ニッケル、及び０．７Ｍ硼酸の混合液
・浴温：３２〜３７℃
・ｐＨ：４．０〜５．０
・電圧：−０．９Ｖ  ｖｓ．Ａｇ／ＡｇＣｌ
・処理時間：１２０分
【００８２】
電解メッキの途中段階中の細孔構造体のＳＥＭ観察を実施した。細孔構造体の貫通孔内に６．５〜１０μｍの高さまでＮｉが成長している様子が見られた。電解メッキの途中段階であったが、細孔構造体の貫通孔内に成長したＮｉの長さは非特許文献２のＦｉｇ．６のＳＥＭ写真と同様に非常に不均一であった。
【００８３】
電解メッキ後の細孔構造体のＳＥＭ観察を実施した。
ＳＥＭ断面観察において、貫通孔内におけるＮｉの充填率は７０〜１００％であり、充填率にばらつきが見られた。ＳＥＭ表面写真は後記比較例２の封孔部のＳＥＭ写真（図８の右上図）と同様であり、一部の貫通孔内においてＮｉが表面に到達していない様子が見られた。
【００８４】
（比較例２）
細孔構造体に対してＭｏ−Ｎｉ合金の代わりにＮｉを電解メッキした以外は実施例２と同様にして、異方性導電体膜を得た。Ｎｉの電解メッキは比較例１と同様の条件で行った。
【００８５】
電解メッキ後の細孔構造体のＳＥＭ表面観察及びＳＥＭ断面観察を実施した。
得られたＳＥＭ表面写真を図８に示す。
図８において、左上図は倍率３０００倍のＳＥＭ表面写真である。金蒸着に用いた金属メッシュの開口部のパターンに対応して、８μｍ×８μｍの複数の略矩形状パターン単位がスペース８μｍを空けてマトリクス状に形成されたパターンが見られた。
図８において、右図は倍率８００００倍のＳＥＭ写真である。この写真は上記略矩形状パターン単位の部分を拡大したものである。この部分は、貫通孔の直下に金膜（第１の導電体膜）が形成された部分である。貫通孔の内部にＮｉが形成されている様子が見られた（封孔部）。封孔部の一部の貫通孔内においてＮｉが表面に到達していない様子が見られた。ＳＥＭ断面観察を実施したところ、貫通孔内におけるＮｉの充填率は７０〜１００％であり、充填率にばらつきが見られた。なお、右上図のＳＥＭ表面写真は表面を撮影したものであるので、Ｎｉの充填率が１００％未満の貫通孔については空孔のように見えるが、実際には内部にＮｉが形成されている。
図８において、下図は倍率１５００００倍のＳＥＭ表面写真である。この写真は上記複数の略矩形状パターン単位を除いた格子状パターンの部分を拡大したものである。この部分は、貫通孔の直下にアルミニウム膜（第２の導電体膜）が形成された部分である。貫通孔はすべて空孔のままであり、貫通孔内にＮｉ形成は見られなかった（未封孔部）。
細孔構造体の複数の貫通孔のうち一部の貫通孔の内部に選択的にＮｉが形成されていることが確認された。
【００８６】
（ＸＲＤ分析）
実施例１及び比較例１で得られた異方性導電体膜について、ＸＲＤ（Ｘ線回折）分析を実施した。得られたＸＲＤパターンを図９Ａ、図９Ｂに示す。
実施例１におけるＭｏ−Ｎｉ合金は、比較例１のＮｉと同じところに回折ピークが見られた。このピークは、Ｎｉ（２２０）結晶に由来するピークである。
実施例１におけるＭｏ−Ｎｉ合金は、Ｎｉと同様、結晶性が良好であった。なお、実施例１におけるＭｏ−Ｎｉ合金中のＭｏは、Ｎｉ（２２０）結晶中に非晶質状態で存在していると思われる。
【００８７】
（真空中でのＩ−Ｖ特性と電界集中係数βの測定）
実施例１〜２及び比較例１〜２で得られた各異方性導電体膜について、真空中でのＩ−Ｖ特性と電界集中係数βを測定した。
ＩＴＯ膜付きガラス基板に対して、得られた異方性導電体膜をハンダで接着させて、カソード基板とした。
アノード基板として、ＩＴＯ膜付きガラス基板を用意した。
上記カソード基板とアノード基板との間に、スペーサとしてアルミナ板を配置した。
異方性導電体膜とアノード基板との離間距離は０．５ｍｍとした。
得られたサンプルを、真空チャンバー内に設置して、１×１０−４Ｐａの真空度以下とした。カソード電極とアノード電極との間に、直流電源（松定プレシジョン社製「ＨＪＰＭ−５Ｎ１．２−ＳＰ」）を用いて電圧を印加した。
真空に放出される電流密度は、下記のファウラノルドハイム（Ｆｏｗｌｅｒ−Ｎｏｒｄｈｅｉｍ）の式で表される。
Ｉ＝ｓＡＦ２／φｅｘｐ（−Ｂ３／２／Ｆ）、
Ｆ＝βＥ＝βＶ／ｄ
ただし、上記式中、Ｉは電界放射電流、ｓは電界放射面積、Ａは定数、Ｆは導電体先端の電界強度、φは仕事関数、Ｂは定数、βは電界集中係数、Ｅは平板の電界強度、Ｖは印加電圧、ｄはカソード基板とアノード基板との距離である。
電界集中係数β（無次元）は、先端部分の形状あるいは素子の幾何学的形状に応じて、平板の電界強度と比較して、どれだけ増大したかを示す係数である。
各異方性導電体膜について、真空中でのＩ−Ｖ特性を上記ファウラノルドハイム（Ｆｏｗｌｅｒ−Ｎｏｒｄｈｅｉｍ）の式で解析し、電界集中係数βを測定した。
各例の主な製造条件と評価結果を表１及び表２に示す。
初期状態において、実施例１では比較例１よりも高特性が得られ、実施例２では比較例２よりも高特性が得られた。
比較例１〜２では、初期電流密度３μＡ／ｃｍ２の半減時間が５時間程度であったのに対して、実施例１〜２では、同半減時間が１０時間以上に延び、貫通孔内の導電体（エミッタ）の耐久性の大幅な向上が見られた。
【００８８】
（ＦＥＬの製造）
実施例１〜２及び比較例１〜２で得られた各異方性導電体膜を用いて、ＦＥＬを製造した。
ＩＴＯ膜付きガラス基板に対して、得られた異方性導電体膜をハンダで接着させて、カソード基板とした。
アノード基板として、ＺｎＯ：Ｚｎ蛍光体層が塗布されたＩＴＯ膜付きガラス基板を用意した。
上記カソード基板とアノード基板との間に、スペーサとしてアルミナ板を配置した。
異方性導電体膜とアノード基板との離間距離は０．５ｍｍとした。
得られたデバイスを、真空チャンバー内に設置して、１×１０−４Ｐａの真空度以下とした。カソード電極とアノード電極との間に、直流電源（松定プレシジョン社製「ＨＪＰＭ−５Ｎ１．２−ＳＰ」）を用いて電圧を印加した。
目視にて、青緑色の発光が確認された。得られたデバイスの発光輝度を輝度計（トプコン社製「ＢＭ−９」）を用いて測定したところ、いずれも６０００ｃｄ／ｍ２であった。
代表として、実施例１で得られた異方性導電体膜を用いたＦＥＬの光学顕微鏡による発光写真を図１０に示しておく。
【００８９】
【表１】
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【００９０】
【表２】
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【産業上の利用可能性】
【００９１】
本発明の異方性導電体膜とその製造方法は、ＦＥＬ及びＦＥＤ等のＦＥデバイス等に用いられる電子放出素子に好ましく適用することができる。
【符号の説明】
【００９２】
１、２Ａ、２Ｂ  異方性導電体膜
２１  細孔構造体
２１Ａ  非貫通孔
２１Ｂ  バリア層
２１Ｈ  貫通孔
２１Ｄ  開口部
２１Ｓ  面
２２  導電体（エミッタ、電子源）
３０  導電体膜（カソード層）
３１  第１の導電体膜
３２  第２の導電体膜
３  ＦＥＬ
４  ＦＥＤ
１００  カソード基板
２００  アノード基板
２２０  アノード層
２３０、２３０Ｒ、２３０Ｇ、２３０Ｂ  蛍光体層
ＳＡ  封孔部
ＮＳＡ  未封孔部
Ｍ  被陽極酸化金属体
【図１】
2015117384.tif 000005
【図２Ａ】
2015117384.tif 000006
【図２Ｂ】
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【図２Ｃ】
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【図２Ｄ】
2015117384.tif 000009
【図２Ｅ】
2015117384.tif 000010
【図３Ａ】
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【図３Ｂ】
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【図４Ａ】
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【図４Ｂ】
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【図５Ａ】
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【図５Ｂ】
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【図９Ａ】
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【図９Ｂ】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図１０】
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