(57)【要約】【課題】投資及び製作費用を抑えることが可能で、かつ仕様に応じてパッケージサイズを簡易に変更でき、またアウターリードも適切な長さに製作可能となるようにする。【解決手段】リードフレーム１０に複数の回路素子１３を接続した集合体を形成し、この集合体のリードフレーム１０の上下面を除くリードフレーム側面部（リード側面部）とワイヤ１５等の接続部を含む回路素子１３の周囲とに樹脂が成形されるように、集合体のリードフレーム下面位置から上側片面を樹脂モールドし、この樹脂モールドされた集合体をダイシングにより個片化して回路パッケージを製作する。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
リードフレームの表裏面のいずれかを上面とし、このリードフレームの上面に回路素子が接続される回路パッケージにおいて、
上記リードフレームの上下面を除くリードフレーム側面部と上記回路素子及びその接続部とを含むリードフレーム下面位置から上側片面にモールド樹脂を成形したことを特徴とするリード内蔵型回路パッケージ。
【請求項２】
集合リードフレームの表裏面のいずれかを上面とし、この集合リードフレームの上面に複数の回路素子を接続した集合体を作製し、
この集合体の上記リードフレームの上下面を除くリードフレーム側面部と上記回路素子及びその接続部とに樹脂が成形されるように、上記集合体のリードフレーム下面位置から上側片面を樹脂モールドし、
この樹脂モールドされた集合体をダイシングにより個片化するリード内蔵型回路パッケージの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ダイオード装置や抵抗装置等のような電子部品に適用され、リードフレームを用いるリード内蔵型回路パッケージ及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来から、ダイオードや抵抗等の電子部品（半導体素子等）を電気回路に実装する場合、例えばアキシャルリードタイプパッケージのようにリードがあるタイプのパッケージや、チップ抵抗のようにリードがないタイプのパッケージ等が多く使用されている。
【０００３】
近年、回路実装技術が向上し、高密度実装品が増えているが、溶接実装においても小型化の要求が強く、例えば半導体素子に溶接時の熱ストレスによるダメージが入らないように、リードを有するタイプの小型パッケージを用いることが要請されている。
また、ダイオードや抵抗等の電子部品自体の仕様範囲も広がり、これに伴い回路パッケージのサイズも大小様々なものが必要になっている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】実開平６−８６３４９号公報
【特許文献２】特開平６−２１２９３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
ところで、従来、上記ダイオードや抵抗を搭載する回路パッケージとしては、上記特許文献１，２に示されるように、アキシャルリードタイプが主に用いられるが、このタイプのパッケージを作製する場合は、各仕様によって、ダイオードや抵抗を保護するモールド樹脂を形成するモールド金型とリードを切断する切断金型が必須となるため、製作に大きな投資が必要であった。
【０００６】
また、ダイオードや抵抗等の電子部品の仕様によっては、回路パッケージサイズを柔軟に手配することが求められるが、これらの要求に応えるためには、各仕様に対応したモールド金型、切断金型が必要であり、投資及び製作費用がかかるという問題があった。
【０００７】
更に、半導体素子では電気回路に実装するためのアウターリードを有するが、このアウターリードの長さは、切断金型の関係で長目に製作されており、個別の電気回路へ接続する際に、不要なリードが発生するという問題等もあった。
【０００８】
本発明は上記問題点に鑑みてなされたものであり、その目的は、投資及び製作費用を抑えることが可能で、かつ仕様に応じてパッケージサイズを簡易に変更でき、またアウターリードも適切な長さに製作可能となるリード内臓型回路パッケージ及びその製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
上記目的を達成するために、請求項１に係る発明のリード内蔵型回路パッケージは、リードフレームの表裏面のいずれかを上面とし、このリードフレームの上面に回路素子が接続される回路パッケージにおいて、上記リードフレームの上下面を除くリードフレーム側面部と上記回路素子及びその接続部とを含むリードフレーム下面位置から上側片面にモールド樹脂を成形したことを特徴とする。
請求項２に係る発明のリード内蔵型回路パッケージの製造方法は、集合リードフレームの表裏面のいずれかを上面とし、この集合リードフレームの上面に複数の回路素子を接続した集合体を作製し、この集合体の上記リードフレームの上下面を除くリードフレーム側面部と上記回路素子及びその接続部とに樹脂が成形されるように、上記集合体のリードフレーム下面位置から上側片面を樹脂モールドし、この樹脂モールドされた集合体をダイシングにより個片化することを特徴とする。
【００１０】
上記の構成によれば、片面樹脂モールド（金型成形）により、リードフレームの側面部と回路素子の周囲及びその接続部に樹脂が成形され、リードは仕様に合った適切な長さで切断されることで、リード内蔵型回路パッケージが製作される。従って、樹脂モールドは片側（上側）のモールド金型のみの使用となり、切断金型も不要となる。
【発明の効果】
【００１１】
本発明の構成によれば、モールド樹脂に関しては片面側のモールド金型のみで製作することができ、またリードの長さはダイシングによって自由に変更できるため、従来のように、１パッケージ毎に上下のモールド金型と切断金型を用意する必要がなく、かつ仕様に応じてパッケージサイズを簡易に変更でき、初期投資及び製作費用を大幅に抑えることが可能となるという効果がある。
【００１２】
また、製造時のリードフレームのリードを長目に設定しておき、ダイシング時に、用途に適切なリード長さで切断することができるため、電気回路への実装時に不要なリードが発生せず、ゴミの発生もなくなる。
更に、リードの両側がモールド樹脂で固定されるため、リードの上下面に容易に溶接することができるという利点がある。
【図面の簡単な説明】
【００１３】
【図１】本発明に係る実施例のリード内蔵型回路パッケージの構成を示し、図（Ａ）は上面図、図（Ｂ）は下面図、図（Ｃ）は側面一部断面図である。
【図２】実施例のリード内蔵型回路パッケージの他の構成を示す側面一部断面図である。
【図３】実施例のリード内蔵型回路パッケージの製造で用いられるリードフレームの構成を示す上面図である。
【図４】実施例のリード内蔵型回路パッケージの製造において、樹脂モールド成形時の構成を示す上面図である。
【図５】実施例のリード内蔵型回路パッケージの製造において、ダイシング時の構成を示す上面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１４】
図１には、実施例のリード内蔵型回路パッケージ（表面実装パッケージ）の構成が示され、図３〜図５には、この回路パッケージの製造工程における各構成が示されており、実施例では、例えば図３に示されるリードフレーム１０が用いられる。このリードフレーム１０は、複数（多数）の回路パッケージを製作するために複数組のリードを集合配置させた集合リードフレームで、端子部１２ａを有する複数組のリード１２が均等に形成されている。
【００１５】
図１に示されるように、上記リード１２は、１つの回路素子について左右一対が使用され、図１（Ｃ）のように、リード１２の端子部１２ａに、回路素子（半導体素子）１３が接続される。即ち、実施例では、樹脂ペースト、樹脂フイルム等の非導電性のダイアタッチ材１４により回路素子１３の両端の下面部が端子部１２ａに接続され、回路素子１３の上面端子が金、銅、アルミといった金属のワイヤ１５にて端子部１２ａに接続（ワイヤボンディング）される。
【００１６】
このように複数の回路素子１３を接続した集合体は、上側モールド金型により片面樹脂モールドが行われ、図４に示されるように、リードフレーム１０（リード１２）の上下面を除いたリードフレーム側面部（リード側面部）、回路素子１３の周囲、そして回路素子１３とワイヤ１５及びダイアタッチ材１４との接続部に樹脂１７が成形される。即ち、集合体におけるリードフレーム１０の下面位置から上側片面側が樹脂モールドされ、この樹脂モールドでは、リードフレーム側面部に、リード１２の厚さと同等の厚さの樹脂１７Ｌ、回路素子１３の部分には、この回路素子１３及びワイヤ１５を包含する厚さの樹脂１７Ｈが形成される。
【００１７】
その後、図５に示されるように、集合体は、横カット線１００、縦カット線２００の位置で、ブレード、レーザー等を用いたダイシングにより切断されることになり、これにより、回路パッケージの個片化が行われる。この個片化後に得られる回路パッケージが図１の状態となり、図示されるように、この回路パッケージでは、リード１２の両側に樹脂１７Ｌが充填されると共に、ダイアタッチ材１４、ワイヤ１５を含む回路素子１３の周囲が樹脂１７Ｈにて封止される。
【００１８】
また、実施例では、縦カット線２００の位置でダイシングを行うことで、リード１２が所定の長さで切断されるが、この縦カット線２００の位置を変えることにより、リード１２の長さを任意に選択することが可能となる。これにより、回路パッケージのリード１２を実装される仕様毎の電気回路に合わせた適切な長さにすることが可能となる。
【００１９】
図２には、リード内蔵型回路パッケージの他の構成例が示されており、この回路パッケージでは、リード１２の端子部１２ａの上に、回路素子１８の表面端子部を金属バンプ１９によって接続している。その他の構成は、図１の場合と同様であり、このような回路パッケージにおいても、上記の製造方法により、リード１２の両側に樹脂１７Ｌを充填し、かつ金属バンプ１９の接続部を含む回路素子１３の周囲を樹脂１７Ｈにて封止するように構成される。
【００２０】
以上のように、実施例によれば、上側モールド金型を用いた片面樹脂モールドにより樹脂封止され、従来のような下側モールド金型が不要で、また切断金型も不要となる。しかも、モールドエリア、リードフレームの幅、長さ等は、任意のサイズで設計（フレーム設計等）することで、各種の仕様に対応することができ、かつサイズを統一することで、半導体素子等の回路素子を搭載するために必要な設備投資を抑制することが可能となる。
【００２１】
また、リードフレーム１０は、ブレード、レーザー等のダイシング方式によって分離されるため、そのリード長さ等を設定で変更でき、切断のための設備投資を抑えることができ、しかも溶接に必要な最低限のリード長さを容易に変更できるため、溶接時に発生する不要なリードの発生がなく、最小サイズのパッケージとして作製することが可能となる。
【００２２】
更に、実施例の回路パッケージを実装するとき、リード１２の上面、下面（表裏面）のいずれの面にも溶接・接続を行うことが可能であり、この際には、リード１２の両側がモールド樹脂で固定されているので、リード１２の溶接が容易である。
【００２３】
なお、上記実施例では、上側（表面）片面に樹脂モールドを施すようにしたが、図１の上下関係を逆にし、下側（裏面）片面に樹脂モールドを施してもよい。
【符号の説明】
【００２４】
１０…リードフレーム、
１２…リード、            １２ａ…端子部、
１３，１８…回路素子（半導体素子）、
１４…ダイアタッチ材、    １５…ワイヤ、
１７…樹脂、              １９…バンプ、
１００，２００…切断線。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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