(57)【要約】【課題】１つの実施形態は、例えば、データの信頼性を向上できる磁気ディスク装置を提供することを目的とする。【解決手段】１つの実施形態によれば、光源と光照射素子とコントローラとを有する磁気ディスク装置が提供される。光照射素子は、光源からの光を受け、磁気ディスクに光を照射する。コントローラは、磁気ディスクに書き込むべきデータのパルス幅に応じて、第１の制御と第２の制御とを切り替える。第１の制御では、光源の出力を第１の値に維持させる。第２の制御では、光源の出力を第１の値及び第２の値の間で周期的に変動させる。第２の値は、第１の値より低い。【選択図】図１
2015149110.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
光源と、
前記光源からの光を受け、磁気ディスクに光を照射する光照射素子と、
前記磁気ディスクに書き込むべきデータのパルス幅に応じて、前記光源の出力を第１の値に維持させる第１の制御と前記光源の出力を前記第１の値及び前記第１の値より低い第２の値の間で周期的に変動させる第２の制御とを切り替えるコントローラと、
を備えた磁気ディスク装置。
【請求項２】
前記第２の値は、前記光源の出力がオフされる値であり、
前記コントローラは、前記第２の制御において、前記光源から間欠的に光が出力されるように前記光源を制御する
請求項１に記載の磁気ディスク装置。
【請求項３】
前記コントローラは、前記磁気ディスクに書き込むべきデータのパルス幅が第１の閾値未満である場合、前記第１の制御を行い、前記磁気ディスクに書き込むべきデータのパルス幅が前記第１の閾値以上である場合、前記第２の制御を行う
請求項１又は２に記載の磁気ディスク装置。
【請求項４】
前記コントローラは、前記書き込むべきデータのパルスのエッジのタイミングから次のエッジのタイミングまでの第１の時間が前記第１の閾値未満である場合、前記光源の出力を前記第１の値に維持させ、前記第１の時間が前記第１の閾値以上である場合、前記光源の出力を前記第１の値から前記第２の値に変える
請求項３に記載の磁気ディスク装置。
【請求項５】
前記コントローラは、前記光源の出力が前記第２の値になるタイミングと前記磁気ディスクに書き込むべきデータのパルスのエッジのタイミングとが重ならないように、前記第１の制御と前記第２の制御とを切り替える
請求項１から４のいずれか１項に記載の磁気ディスク装置。
【請求項６】
光源と前記光源からの光を受け磁気ディスクに光を照射する光照射素子とを有する磁気ディスク装置における前記光源を制御する制御方法であって、
前記光源の出力を第１の値に維持させる第１の制御を行い、
前記光源の出力を前記第１の値及び前記第１の値より低い第２の値の間で周期的に変動させる第２の制御を行い、
前記磁気ディスクに書き込むべきデータのパルス幅に応じて、前記第１の制御と前記第２の制御とを切り替える、
制御方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明の実施形態は、磁気ディスク装置、及び制御方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、１Ｔｂｉｔ／ｉｎｃｈ２クラスの高密度磁気記録が可能な技術として、熱アシスト記録方式が注目されている。熱アシスト記録方式は、光源（レーザダイオード）で発生させたレーザ光を近接場光素子で近接場光に変換して磁気ディスクの表面の一部に照射し、局所的に磁気ディスクの温度を上げる。そして、磁気ディスクにおける温度が上がった部分に磁界発生素子で磁場を印加してデータを磁気的に記録する。このとき、データの信頼性を向上することが望まれる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００６−７３１７５号公報
【特許文献２】特開２０１３−１４３１７７号公報
【特許文献３】特開２０１２−５３９５０号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
１つの実施形態は、例えば、データの信頼性を向上できる磁気ディスク装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
１つの実施形態によれば、光源と光照射素子とコントローラとを有する磁気ディスク装置が提供される。光照射素子は、光源からの光を受け、磁気ディスクに光を照射する。コントローラは、磁気ディスクに書き込むべきデータのパルス幅に応じて、第１の制御と第２の制御とを切り替える。第１の制御では、光源の出力を第１の値に維持させる。第２の制御では、光源の出力を第１の値及び第２の値の間で周期的に変動させる。第２の値は、第１の値より低い。
【図面の簡単な説明】
【０００６】
【図１】実施形態にかかる磁気ディスク装置の構成を示す図。
【図２】実施形態におけるＲＤＣに関連した構成を示す図。
【図３】実施形態におけるＲＤＣの構成を示す図。
【図４】実施形態におけるプリアンプの構成を示す図。
【図５】実施形態にかかる磁気ディスク装置の動作を示す波形図。
【図６】実施形態にかかる磁気ディスク装置の動作を示すフローチャート。
【図７】実施形態における周波数特性の影響を説明するための図。
【図８】実施形態による効果を説明するための図。
【図９】実施形態による効果を説明するための図。
【図１０】実施形態による効果を説明するための図。
【図１１】実施形態による効果を説明するための図。
【図１２】実施形態の変形例にかかる磁気ディスク装置の動作を示す波形図。
【図１３】実施形態の他の変形例にかかる磁気ディスク装置の動作を示す波形図。
【発明を実施するための形態】
【０００７】
以下に添付図面を参照して、実施形態にかかる磁気ディスク装置を詳細に説明する。なお、この実施形態により本発明が限定されるものではない。
【０００８】
（実施形態）
実施形態にかかる磁気ディスク装置１００の概要について図１及び図２を用いて説明する。図１は、実施形態にかかる磁気ディスク装置の構成を示す図である。図２は、実施形態にかかる磁気ディスク装置によるデータ記録に関連する構成を示す図である。
【０００９】
磁気ディスク５０は、各種情報を記録する円盤状の記録媒体であり、スピンドルモータ１０３により回転駆動される。磁気ディスク５０は、表面に対して垂直方向に異方性をもつ垂直記録層を有する。磁気ディスク５０は、例えば、スピンドルモータ１０３の回転中心近傍を中心とする同心円状の複数のトラックを有する。
【００１０】
磁気ディスク５０の読み書きは、ヘッド支持機構であるアーム１０７の一方の先端にヘッドスライダ１０４を介して設けられた磁気ヘッド５によって行われる。磁気ヘッド５は、記録ヘッド５ｗ及び再生ヘッド５ｒを含む。
【００１１】
記録ヘッド５ｗは、磁気ディスク５０の回転によって生じる揚力によって、磁気ディスク５０の表面からわずかに浮いた状態を維持しながら、ダウントラック方向に磁気ディスク５０の表面に対して相対的に移動し、磁界発生素子５ｄで磁気ディスク５０に情報を記録する。
【００１２】
このとき、記録ヘッド５ｗでは、熱アシスト記録方式に従って、光源（例えば、ＬＤ：レーザダイオード）５ａで発生させたレーザ光を導波路５ｂにより近接場光素子（光照射素子）５ｃへ導き、近接場光素子５ｃでレーザ光を近接場光に変換する。記録ヘッド５ｗでは、変換された近接場光を近接場光素子５ｃから磁気ディスク５０の表面の一部に照射して局所的に磁気ディスク５０の温度を上げ、温度が上がった部分に磁界発生素子５ｄで磁場を印加して情報を磁気的に記録する。例えば、磁界発生素子５ｄは、書き込むべきデータのレベルが１か０かで磁化する磁界の方向を反転させながらデータを磁気ディスク５０に書き込む。すなわち、記録ヘッド５ｗは、磁気ディスク５０に対して、熱アシスト記録方式によるライト動作に用いられる。
【００１３】
なお、光源５ａは、導波路５ｂを介して近接場光素子（光照射素子）５ｃにレーザ光を供給可能に構成されていれば、磁気ヘッド５の外部に設けられていてもよい。
【００１４】
再生ヘッド５ｒは、磁気ディスク５０の回転によって生じる揚力によって、磁気ディスク５０の表面からわずかに浮いた状態を維持しながら、ダウントラック方向に磁気ディスク５０の表面に対して相対的に移動し、磁気抵抗素子５ｅで磁気ディスク５０に記録された情報を読み出す。すなわち、再生ヘッド５ｒは、磁気ディスク５０に対するリード動作に用いられる。
【００１５】
アーム１０７のもう一方の端に設けられたヘッド駆動機構であるボイスコイルモータ１０２の駆動により、アーム１０７が軸１０８を中心とする円弧上を回動し、記録ヘッド５ｗ及び再生ヘッド５ｒが磁気ディスク５０のクロストラック方向にシーク移動し、読み書きする対象のトラックを変更する。磁気ディスク５０、磁気ヘッド５、ボイスコイルモータ１０２、スピンドルモータ１０３は、ケース１０１に収容されている。
【００１６】
また、図１に示すように、磁気ディスク装置１００は、磁気記録制御部１２０を有する。磁気記録制御部１２０は、ヘッド制御部（プリアンプ）１２３、パワー制御部１２１、リードライトチャネル（ＲＤＣ）１２４、ハードディスク制御部（ＨＤＣ）１２２、及び記憶部１２５を有する。ヘッド制御部１２３は、ライト電流制御部１２３ａ、再生信号検出部１２３ｂ、及び熱アシスト制御部１２３ｃを有する。パワー制御部１２１は、スピンドルモータ制御部１２１ａ及びボイスコイルモータ制御部１２１ｂを有する。記憶部１２５は、例えば、ＲＡＭ、ＲＯＭ又は不揮発性メモリで構成されている。
【００１７】
熱アシスト記録方式によるライト動作では、一定のレーザパワーに応じた近接場光で磁気ディスク５０を加熱し、磁界発生素子５ｄからの磁界を変調することで磁気ディスク５０に情報を記録する制御（第１の制御）が適用される。第１の制御は、例えば図７の７Ｄに一点鎖線で示すように、光源５ａの出力を第１の値ＯＰ１に維持させる制御である。図７は、周波数特性の影響を説明するための図である。
【００１８】
仮に、第１の制御を固定的に行うと、記録時に一定の光パワーを光源５ａから近接場光素子５ｃに供給し続けることになる。これにより、光源５ａ及び近接場光素子５ｃのそれぞれが自身の発熱により劣化しやすく、光源５ａ及び近接場光素子５ｃのそれぞれの信頼性が低下する可能性がある（図１０、図１１参照）。また、光源５ａでレーザ光を発生させるために光源５ａに一定の駆動電流を供給し続ける必要があるので、光源５ａにおける消費電力が増大しやすい。
【００１９】
一方、熱アシスト記録方式によるライト動作における他の制御として、磁界発生素子５ｄからの発生磁界の極性反転に同期して、光源５ａからのレーザ光をパルス状に（例えば、間欠的に）変動させながらに照射する制御（第２の制御）が適用される。第２の制御は、例えば図７の７Ｄに実線で示すように、光源５ａの出力を第１の値ＯＰ１及び第２の値ＯＰ２の間で周期的に変動させる制御である。第２の値ＯＰ２は、第１の値ＯＰ１より低い値である。
【００２０】
仮に、第２の制御を固定的に行う場合、光源５ａへ一定の電流を継続的に印加する必要が無い。これにより、第１の制御を固定的に行う場合に比べ、光源５ａの光を受ける近接場光素子５ｃの発熱による劣化を抑制できるので、近接場光素子５ｃを長寿命化でき、近接場光素子５ｃの信頼性の低下を抑制できる。また、時間平均した光源５ａに供給する電流量を低減できるので、光源５ａにおける消費電力を低減できる。
【００２１】
しかし、第２の制御を固定的に行う場合、磁気ディスク５０に書き込まれるデータの信頼性が低下する可能性がある。
【００２２】
第２の制御では、光源５ａの駆動電流を制御するための制御信号（Ｐｕｌｓｅ  Ｄａｔａ）がＲＤＣ１２４からプリアンプ１２３へ供給される。このとき、図７の７Ａで示したＲＤＣ１２４から出力される矩形状の波形が、レーザ駆動制御を行う伝送路の周波数特性（ｆ特性Ａ）の影響を受けて、プリアンプ１２３へ入力される際に図７の７Ｂに示すようになまる。また、プリアンプ１２３内の周波数特性（ｆ特性Ｂ）の影響を受けて、プリアンプ１２３から光源５ａへ供給される駆動電流の波形は、図７の７Ｃに示すようになまる。さらに、光源５ａ内の周波数特性（ｆ特性Ｃ）の影響を受けて、光源５ａから出射されるレーザ光の出力の波形は、図７の７Ｄに示すようにさらになまる。
【００２３】
このため、第２の制御を固定的に行うと、レーザ制御用伝送路の周波数特定が磁界制御用信号伝送路以下しか得られない場合に、レーザ制御電流値が制御周波数に応じて変化してしまうため、磁気ディスク装置１００に記録されるデータの全ての帯域において、均一な信号品質を得ることが困難になる。例えば、レーザ光の出力の波形では、理想的な波形に比べて、磁気ディスク５０に書き込むべきデータＷＤＡＴＡのパルス幅が短くなった場合にその振幅が減衰しやすい。これにより、データＷＤＡＴＡのパルス幅が短くなるほど、書き込むべきデータＷＤＡＴＡに対して、実際に磁気ディスク５０に書き込まれるデータの信頼性が低下する可能性がある（図８参照）。
【００２４】
そこで、本実施形態では、磁気ディスク装置１００において、磁気ディスク５０に書き込むべきデータのパルス幅に応じて第１の制御と第２の制御とを切り替えることで、光源５ａ、近接場光素子５ｃの長寿命化及び光源５ａの低消費電力化を図りながら、磁気ディスク５０に書き込まれるデータの信頼性を向上させる。
【００２５】
磁気ディスク装置１００では、図２に示すように、ＲＤＣ（コントローラ）１２４が、ＨＤＣ１２２から受けたコマンド及び／又はデータ５１に応じて、第１の制御と第２の制御との切り替えを行う。
【００２６】
具体的には、ＨＤＣ１２２は、ホストＨＳからホストＩ／Ｆ１２２ａを介して受けたコマンド及び／又はデータ１に応じて、所定のコマンド及び／又はデータ５１を生成してＲＤＣ１２４へ出力する。ＲＤＣ１２４は、所定のコマンド及び／又はデータ５１に応じた制御を行う。例えば、ＲＤＣ１２４は、書き込みコマンドを受けた場合、磁気ディスク５０に書き込むべきデータφ５４を生成してプリアンプ１２３へ出力する。
【００２７】
また、ＲＤＣ１２４は、熱アシスト制御信号φ２００を生成してプリアンプ１２３へ出力する。熱アシスト制御信号φ２００は、プリアンプ１２３で発生させるべき光源５ａの駆動電流を制御するための信号である。
【００２８】
このとき、ＲＤＣ１２４は、書き込むべきデータφ５４のパルス幅に応じて、第１の制御と第２の制御とを切り替えながら、熱アシスト制御信号φ２００を生成する。第１の制御は、光源５ａの出力を第１の値ＯＰ１に維持させる制御である。第２の制御は、光源５ａの出力を第１の値ＯＰ１及び第２の値ＯＰ２の間で周期的に変動させる制御である。第２の値ＯＰ２は、第１の値ＯＰ１より低い値であり、例えば光源５ａの出力がオフされる値である。すなわち、ＲＤＣ１２４は、第２の制御において、光源５ａから間欠的に光が出力されるように光源５ａを制御する。
【００２９】
例えば、ＲＤＣ１２４は、磁気ディスク５０に書き込むべきデータφ５４のパルス幅が第１の閾値未満である場合、第１の制御を行う。また、ＲＤＣ１２４は、データφ５４のパルス幅が第１の閾値以上である場合、第２の制御を行う。
【００３０】
ここで、磁界反転周期１３９は記憶部１２５に格納されており、ＲＤＣ１２４は、記憶部１２５を参照して磁界反転周期１３９を取得する。ＲＤＣ１２４は、磁界反転周期１３９に応じて第１の閾値を求める。ＲＤＣ１２４は、書き込み対象データφ５３（図３参照）のパルスにおけるエッジのタイミングから次のエッジのタイミングまでの時間（第１の時間）と第１の閾値とを比較する。ＲＤＣ１２４は、その比較結果に応じて、第１の時間が第１の閾値未満である場合、光源５ａの出力を第１の値ＯＰ１に維持させる。一方、ＲＤＣ１２４は、第１の時間が第１の閾値以上である場合、光源５ａの出力を第１の値ＯＰ１から第２の値ＯＰ２に変える。
【００３１】
また、記憶部１２５には熱アシスト周期１３３が格納されている。ＲＤＣ１２４は、記憶部１２５を参照して熱アシスト周期１３３を取得する。ＲＤＣ１２４は、熱アシスト周期１３３に応じて第２の閾値を求める。ＲＤＣ１２４は、光源５ａの出力を第１の値ＯＰ１から第２の値ＯＰ２に変えたタイミングからの経過時間と第２の閾値とを比較する。ＲＤＣ１２４は、その比較結果に応じて、経過時間が第２の閾値未満である場合、光源５ａの出力を第２の値ＯＰ２に維持させる。ＲＤＣ１２４は、経過時間が第２の閾値以上である場合、光源５ａの出力を第２の値ＯＰ２から第１の値ＯＰ１に変える。
【００３２】
また、ＲＤＣ１２４は、第３の閾値を設定でき、例えば第３の閾値として第２の閾値の２倍の値を設定できる。ＲＤＣ１２４は、光源５ａの出力を第２の値ＯＰ２から第１の値ＯＰ１に変えたタイミングから書き込み対象データφ５３（図３参照）のパルスのエッジのタイミングまでの時間（第２の時間）と第３の閾値とを比較する。ＲＤＣ１２４は、その比較結果に応じて、第２の時間が第３の閾値未満である場合、光源５ａの出力を第１の値ＯＰ１に維持させる。ＲＤＣ１２４は、第２の時間が第３の閾値以上である場合、光源５ａの出力を第１の値ＯＰ１から第２の値ＯＰ２に変える。
【００３３】
なお、記憶部１２５にはクロック逓倍設定値１３７が記憶されており、ＲＤＣ１２４は、記憶部１２５を参照してクロック逓倍設定値１３７を取得する。ＲＤＣ１２４は、熱アシスト制御信号φ２００を生成する際にクロック逓倍設定値１３７も用いることができる。
【００３４】
プリアンプ１２３は、書き込むべきデータφ５４に応じて、Ｗｒｉｔｅ電流５６を生成して磁気ヘッド５に供給する。これにより、磁界発生素子５ｄは、Ｗｒｉｔｅ電流５６に応じた磁界を発生させて磁気ディスク５０にデータを書き込む。このとき、プリアンプ１２３は、記憶部１２５から熱アシスト電流設定３００を取得する。プリアンプ１２３は、熱アシスト制御信号φ２００と熱アシスト電流設定３００とに応じて、駆動電流（駆動信号）５８を発生させて磁気ヘッド５に供給する。これにより、光源５ａで発生させたレーザ光を導波路５ｂにより近接場光素子５ｃへ導き、近接場光素子５ｃでレーザ光を近接場光に変換する。そして、変換された近接場光を近接場光素子（光照射素子）５ｃから磁気ディスク５０の表面の一部に照射して局所的に磁気ディスク５０の温度を上げ、温度が上がった部分に磁界発生素子５ｄで磁場を印加してデータを磁気的に記録する。
【００３５】
次に、ＲＤＣ１２４の構成及び動作について図３及び図５を用いて説明する。図３は、ＲＤＣ１２４の構成を示す図である。図５は、ＲＤＣ１２４を含む磁気ディスク装置１００の動作を示す波形図である。
【００３６】
ＲＤＣ１２４は、主として、磁気ディスク５０に記録するための記録データ、すなわち書き込むべきデータφ５４を生成するための構成と、光源５ａで発生すべき駆動電流を制御するための熱アシスト制御信号φ２００を生成するための構成とを有する。具体的には、ＲＤＣ１２４は、クロック生成回路（第１のクロック生成部）１５７、データ生成回路（データ生成部）１３５、逓倍クロック生成回路（第２のクロック生成部）１５９、磁界反転周期判定部１６１、熱アシスト制御信号生成回路１６３、遅延回路（遅延部）１４０、及び遅延回路（遅延部）１４２を有する。
【００３７】
クロック生成回路１５７は、クロック（第１のクロック）φ６２（周期＝ｔ）を生成する。クロック生成回路１５７は、生成されたクロックφ６２をデータ生成回路１３５、磁界反転周期判定部１６１、及び逓倍クロック生成回路１５９へ供給する。
【００３８】
データ生成回路１３５は、所定のコマンド及び／又はデータ５１をＨＤＣ１２２から受け、クロックφ６２をクロック生成回路１５７から受ける。例えば、データ生成回路１３５は、クロックφ６２に同期して、ＨＤＣ１２２からの書き込みコマンド及びデータ５１に従い、磁気ディスク５０に書き込み対象データφ５３を生成する。データ生成回路１３５は、生成したデータφ５３を遅延回路１４０及び磁界反転周期判定部１６１へ供給する。
【００３９】
逓倍クロック生成回路１５９は、クロックφ６２（周期＝ｔ、周波数＝１／ｔ）をクロック生成回路１５７から受ける。逓倍クロック生成回路１５９は、クロック逓倍設定値（Ｎ）１３７を記憶部１２５から取得する。逓倍クロック生成回路１５９は、クロック逓倍設定値（Ｎ）１３７に応じて、クロックφ６２を逓倍して（例えば、Ｎ逓倍して）、逓倍クロック（第２のクロック）φ６４（周期＝ｔ／Ｎ、周波数＝Ｎ／ｔ）を生成する。逓倍クロック生成回路１５９は、逓倍クロックφ６４を熱アシスト制御信号生成回路１６３へ供給する。
【００４０】
磁界反転周期判定部１６１は、磁気ディスク５０に書き込み対象データφ５３をデータ生成回路１３５から受け、クロックφ６２をクロック生成回路１５７から受ける。磁界反転周期判定部１６１は、磁界反転周期（Ｍ）１３９を記憶部１２５から取得する。磁界反転周期判定部１６１は、磁界反転周期（Ｍ）１３９に応じて第１の閾値を求める。例えば、磁界反転周期判定部１６１は、磁界反転周期（Ｍ）１３９にクロックφ６２の周期ｔを乗算して、乗算結果（Ｍｔ）を第１の閾値として求める。磁界反転周期判定部１６１は、クロックφ６２に同期して、書き込み対象データφ５３のパルス幅と第１の閾値（Ｍｔ）とを比較し、その比較結果に応じて、データφ５３のパルス幅が第１の閾値（Ｍｔ）以上であるか否かを判定する。
【００４１】
また、磁界反転周期判定部１６１は、クロックφ６２に基づいて、磁界が反転するタイミングから次に磁界が反転するタイミングまでの時間（第１の時間）のクロック数ｍをカウントする。磁界反転周期判定部１６１は、クロック数ｍにクロックφ６２の周期ｔを乗算して、乗算結果（ｍｔ）を次回磁界反転までの時間長さとして求める。磁界反転周期判定部１６１は、次回磁界反転までの時間長さ（ｍｔ）と第１の閾値（Ｍｔ）とを比較し、その比較結果に応じて、次回磁界反転までの時間長さ（ｍｔ）が第１の閾値（Ｍｔ）以上であるか否かを判定する。
【００４２】
図５では、例えばＭ＝３、Ｎ＝１、Ｋ＝１．５に設定されている場合について例示されている。
【００４３】
タイミングＴ１において、磁界反転周期判定部１６１は、タイミングＴ２〜タイミングＴ３までの第１の時間のクロック数ｍ＝２をカウントし、第１の時間（２ｔ）と第１の閾値（３ｔ）とを比較し、第１の時間（２ｔ）が第１の閾値（３ｔ）未満であると判定する。
【００４４】
タイミングＴ４において、磁界反転周期判定部１６１は、タイミングＴ５〜タイミングＴ８までの第１の時間のクロック数ｍ＝４をカウントし、第１の時間（４ｔ）と第１の閾値（３ｔ）とを比較し、第１の時間（４ｔ）が第１の閾値（３ｔ）以上であると判定する。
【００４５】
タイミングＴ９において、磁界反転周期判定部１６１は、タイミングＴ１０〜タイミングＴ１８までの第１の時間のクロック数ｍ＝７をカウントし、第１の時間（７ｔ）と第１の閾値（３ｔ）とを比較し、第１の時間（７ｔ）が第１の閾値（３ｔ）以上であると判定する。
【００４６】
図３に示す磁界反転周期判定部１６１は、判定結果として磁界反転周期判定値６６を熱アシスト制御信号生成回路１６３へ供給する。また、磁界反転周期判定部１６１は、次回磁界反転までの時間長さ（ｍｔ）が第１の閾値（Ｍｔ）以上である場合、次回磁界反転までの時間長さ（ｍｔ）を熱アシスト制御信号生成回路１６３へ供給する。
【００４７】
熱アシスト制御信号生成回路１６３は、逓倍クロックφ６４を逓倍クロック生成回路１５９から受け、磁界反転周期判定値６６を磁界反転周期判定部１６１から受ける。熱アシスト制御信号生成回路１６３は、熱アシスト周期（Ｋ）１３３を記憶部１２５から取得する。
【００４８】
熱アシスト制御信号生成回路１６３は、次回の磁界反転タイミングが規定の長さ以上であることが磁界反転周期判定値６６で示される場合（ｍｔ＞Ｍｔである場合）に、次回磁界反転までの時間長さ（ｍｔ）を受信する。熱アシスト制御信号生成回路１６３は、次回磁界反転までの時間長さ（ｍｔ）を受信したことに応じて、熱アシスト制御信号φ２３０のレベルをＨｉｇｈ（ａｃｔｉｖｅ）からＬｏｗ（ｉｎａｃｔｉｖｅ）に変えて遅延回路１４２に出力する。すなわち、熱アシスト制御信号生成回路１６３は、ＲＤＣ１２４の制御動作を第１の制御から第２の制御に切り替える。
【００４９】
例えば図５にタイミングＴ４，Ｔ９のそれぞれにおいて、熱アシスト制御信号生成回路１６３は、次回磁界反転までの時間長さ（ｍｔ）を受信して、それに応じて「ＬＤ  ＯＦＦ制御」フラグをアクティブにする。
【００５０】
タイミングＴ５，Ｔ１０のそれぞれにおいて、熱アシスト制御信号生成回路１６３は、「ＬＤ  ＯＦＦ制御」フラグがアクティブになっていることに応じて、熱アシスト制御信号φ２３０のレベルをＨｉｇｈ（ａｃｔｉｖｅ）からＬｏｗ（ｉｎａｃｔｉｖｅ）に変える。また、熱アシスト制御信号生成回路１６３は、「ＬＤ  ＯＦＦ制御」フラグをノンアクティブにする。
【００５１】
図３に示す熱アシスト制御信号生成回路１６３は、熱アシスト周期（Ｋ）１３３に応じて第２の閾値を求める。例えば、熱アシスト制御信号生成回路１６３は、逓倍クロックφ６４の周期ｔ／Ｎに熱アシスト周期（Ｋ）１３３を乗算して、乗算結果（Ｋ×ｔ／Ｎ）を第２の閾値として求める。
【００５２】
熱アシスト制御信号生成回路１６３は、熱アシスト制御信号φ２３０のレベルをＨｉｇｈからＬｏｗに変えたタイミングからの経過時間と第２の閾値とを比較する。熱アシスト制御信号生成回路１６３は、逓倍クロックφ６４に基づいて、経過時間のクロック数ｋをカウントする。熱アシスト制御信号生成回路１６３は、クロック数ｋに逓倍クロックφ６４の周期ｔ／Ｎを乗算して、乗算結果（ｋ×ｔ／Ｎ）を経過時間として求める。熱アシスト制御信号生成回路１６３は、経過時間（ｋ×ｔ／Ｎ）と第２の閾値（Ｋ×ｔ／Ｎ）とを比較し、その比較結果に応じて、経過時間（ｋ×ｔ／Ｎ）が第２の閾値（Ｋ×ｔ／Ｎ）以上であるか否かを判断する。すなわち、第２の閾値（Ｋ×ｔ／Ｎ）は、熱アシスト制御信号φ２３０のレベルをＬｏｗに維持すべき期間である。
【００５３】
熱アシスト制御信号生成回路１６３は、経過時間（ｋ×ｔ／Ｎ）が第２の閾値（Ｋ×ｔ／Ｎ）以上になったタイミングで、熱アシスト制御信号φ２３０のレベルをＬｏｗ（ｉｎａｃｔｉｖｅ）からＨｉｇｈ（ａｃｔｉｖｅ）に変えて遅延回路１４２に出力する。
【００５４】
例えば図５に示すタイミングＴ６において、熱アシスト制御信号生成回路１６３は、タイミングＴ７における経過時間（１．５×ｔ／Ｎ）と第２の閾値（１．５×ｔ／Ｎ）とを比較し、経過時間（１．５×ｔ／Ｎ）が第２の閾値（１．５×ｔ／Ｎ）以上であると判断する。それに応じて、熱アシスト制御信号生成回路１６３は、「ＬＤ  ＯＮ制御」フラグをアクティブにする。図５に示すタイミングＴ１１においても、同様の処理が行われる。
【００５５】
タイミングＴ７，Ｔ１２のそれぞれにおいて、熱アシスト制御信号生成回路１６３は、「ＬＤ  ＯＮ制御」フラグがアクティブになっていることに応じて、熱アシスト制御信号φ２３０のレベルをＬｏｗ（ｉｎａｃｔｉｖｅ）からＨｉｇｈ（ａｃｔｉｖｅ）に変える。また、熱アシスト制御信号生成回路１６３は、「ＬＤ  ＯＮ制御」フラグをノンアクティブにする。
【００５６】
また、図３に示す熱アシスト制御信号生成回路１６３は、熱アシスト制御信号φ２３０としてＬｏｗ（ｉｎａｃｔｉｖｅ）を出力してからＨｉｇｈ（ａｃｔｉｖｅ）を出力する間、次回磁界反転までの長さ情報（ｍｔ）からカウントダウンし、次回磁界反転までの残りの時間（第２の時間）を算出する。
【００５７】
すなわち、熱アシスト制御信号生成回路１６３は、次回磁界反転までの長さ（ｍｔ）から第２の閾値（Ｋ×ｔ／Ｎ）を減算して、次回反転までの残りの時間（第２の時間）Ａ（＝ｍｔ−Ｋ×ｔ／Ｎ）を求める。熱アシスト制御信号生成回路１６３は、第３の閾値を設定でき、例えば、第２の制御におけるオフデュティーを５０％にする場合、第２の閾値（熱アシスト制御信号φ２３０のレベルをＬｏｗに維持すべき期間）の２倍（２×Ｋ×ｔ／Ｎ）を第３の閾値とすることができる。
【００５８】
熱アシスト制御信号生成回路１６３は、第２の時間と第３の閾値とを比較し、その比較結果に応じて、第２の時間が第３の閾値未満である場合、熱アシスト制御信号φ２３０のレベルをＨｉｇｈに維持させて遅延回路１４２に出力する。すなわち、熱アシスト制御信号生成回路１６３は、ＲＤＣ１２４の制御動作を第２の動作から第１の動作に切り替える。
【００５９】
一方、熱アシスト制御信号生成回路１６３は、第２の時間が第３の閾値以上である場合、熱アシスト制御信号φ２３０がＬｏｗからＨｉｇｈになったタイミングから第２の閾値が経過したタイミングで、熱アシスト制御信号φ２３０のレベルをＨｉｇｈからＬｏｗに変えて遅延回路１４２に出力する。すなわち、熱アシスト制御信号生成回路１６３は、ＲＤＣ１２４の制御動作を第２の動作に維持する。
【００６０】
例えば図５に示すタイミングＴ７において、熱アシスト制御信号生成回路１６３は、第２の時間（２．５ｔ）と第３の閾値（３ｔ）とを比較し、その比較結果に応じて、第２の時間（２．５ｔ）が第３の閾値（３ｔ）未満であると判断する。それに応じて、熱アシスト制御信号生成回路１６３は、熱アシスト制御信号φ２３０のレベルをＨｉｇｈに維持させる。
【００６１】
タイミングＴ１１において、熱アシスト制御信号生成回路１６３は、第２の時間（５．５ｔ）と第３の閾値（３ｔ）とを比較し、その比較結果に応じて、第２の時間（５．５ｔ）が第３の閾値（３ｔ）以上であると判断する。それに応じて、熱アシスト制御信号生成回路１６３は、タイミングＴ１２から第２の閾値（１．５ｔ）が経過したタイミングＴ１４で、熱アシスト制御信号φ２３０のレベルをＨｉｇｈからＬｏｗに変える。
【００６２】
熱アシスト制御信号φ２３０のレベルをＨｉｇｈからＬｏｗに変えた場合、図３に示す熱アシスト制御信号生成回路１６３は、熱アシスト制御信号φ２３０をＨｉｇｈからＬｏｗに変えたタイミングから第２の閾値が経過したタイミングで、熱アシスト制御信号φ２３０をＬｏｗからＨｉｇｈに変えて遅延回路１４２に出力する。その後、熱アシスト制御信号生成回路１６３は、熱アシスト制御信号φ２３０がＬｏｗからＨｉｇｈになったタイミングから次回反転までの残りの時間（第２の時間）と第３の閾値とを再び比較し、その比較結果に応じて、第２の時間が第３の閾値未満である場合、熱アシスト制御信号φ２３０のレベルをＨｉｇｈに維持させて遅延回路１４２に出力する。すなわち、熱アシスト制御信号生成回路１６３は、ＲＤＣ１２４の制御動作を第２の動作から第１の動作に切り替える。
【００６３】
例えば図５に示すように、熱アシスト制御信号生成回路１６３は、タイミングＴ１４から第２の閾値（１．５ｔ）が経過したタイミングＴ１６で、熱アシスト制御信号φ２３０をＬｏｗからＨｉｇｈに変える。
【００６４】
また、タイミングＴ１７において、熱アシスト制御信号生成回路１６３は、第２の時間（２ｔ）と第３の閾値（３ｔ）とを比較し、その比較結果に応じて、第２の時間（２ｔ）が第３の閾値（３ｔ）未満であると判断する。それに応じて、熱アシスト制御信号生成回路１６３は、熱アシスト制御信号φ２３０のレベルをＨｉｇｈに維持させる。
【００６５】
遅延回路１４０は、書き込み対象データφ５３をデータ生成回路１３５から受ける。遅延回路１４０は、データφ５３を所定の遅延量で遅延させて、書き込むべきデータφ５４を生成する。遅延回路１４０は、データφ５４をプリアンプ１２３へ出力する。
【００６６】
遅延回路１４２は、熱アシスト制御信号φ２３０を熱アシスト制御信号生成回路１６３から受ける。遅延回路１４２は、熱アシスト制御信号φ２３０を所定の遅延量で遅延させて、熱アシスト制御信号φ２００を生成する。熱アシスト制御信号生成回路１６３は、熱アシスト制御信号φ２００をプリアンプ１２３へ出力する。
【００６７】
なお、遅延回路１４０における所定の遅延量と遅延回路１４０における所定の遅延量とは、磁界反転周期判定部１６１及び熱アシスト制御信号生成回路１６３における処理に要する時間（例えば、書き込み対象データφ５３における最大パルス幅に応じた時間）を考慮して、書き込むべきデータφ５４と熱アシスト制御信号φ２００とが図５に示す位相関係で同期するように互いに調整されている。
【００６８】
例えば、書き込み対象データφ５３におけるタイミングＴ１０〜タイミングＴ１８のパルス幅のカウントはタイミングＴ１８で完了するが、磁界反転周期判定部１６１は、そのカウント値をタイミングＴ９において把握する必要がある。そのため、遅延回路１４０における所定の遅延量を遅延回路１４２における所定の遅延量より多くするとともに、その多くする量をタイミングＴ１０〜タイミングＴ１８の時間以上に確保することができる。これにより、磁界反転周期判定部１６１は、書き込み対象データφ５３のタイミングＴ１０〜タイミングＴ１８のパルス幅のカウント値をタイミングＴ９において把握することができ、ＲＤＣ１２４から出力される際には、書き込むべきデータφ５４と熱アシスト制御信号φ２００とを図５に示す位相関係で同期させることができる。
【００６９】
次に、プリアンプ１２３の構成及び動作について図４及び図５を用いて説明する。図４は、プリアンプ１２３の構成を示す図である。図５は、プリアンプ１２３を含む磁気ディスク装置１００の動作を示す図である。
【００７０】
プリアンプ１２３は、リード・ライト処理部３０２及び熱アシスト電流制御部３０１を有する。
【００７１】
リード・ライト処理部３０２は、書き込むべきデータφ５４をＲＤＣ１２４から受ける。リード・ライト処理部３０２は、データφ５４に応じて、Ｗｒｉｔｅ電流５６を生成して磁気ヘッド５に供給する。これにより、磁界発生素子５ｄは、Ｗｒｉｔｅ電流５６に応じた磁界を発生させて磁気ディスク５０にデータを書き込む。
【００７２】
ここで、熱アシスト電流設定３００が記憶部１２５に格納されており、熱アシスト電流制御部３０１は、記憶部１２５を参照して熱アシスト電流設定３００を取得する。熱アシスト電流設定３００は、熱アシスト制御信号のレベルと発生すべき駆動電流の値との関係を示す設定情報である。熱アシスト電流設定３００では、熱アシスト制御信号φ２００のＨｉｇｈレベルと光源５ａの出力の第１の値ＯＰ１とが対応付けられ、熱アシスト制御信号φ２００のＬｏｗレベルと光源５ａの出力の第２の値ＯＰ２とが対応付けられている。
【００７３】
熱アシスト電流制御部３０１は、熱アシスト制御信号φ２００と熱アシスト電流設定３００とに応じて、駆動電流５８を発生させて磁気ヘッド５に供給する。熱アシスト電流制御部３０１は、熱アシスト制御信号φ２００がＨｉｇｈレベルである場合、光源５ａの出力が第１の値ＯＰ１になるように、駆動電流５８を発生させて光源５ａへ供給する。熱アシスト電流制御部３０１は、熱アシスト制御信号φ２００がＬｏｗレベルである場合、光源５ａの出力が第２の値ＯＰ２になるように、駆動電流５８を発生させて光源５ａへ供給する、あるいは、駆動電流５８をオフさせて光源５ａへ供給しない。
【００７４】
例えば図５に示すタイミングＴ１において、熱アシスト電流制御部３０１は、熱アシスト制御信号φ２００がＨｉｇｈレベルに維持されていることに応じて、光源５ａの出力が第１の値ＯＰ１に維持されるように、駆動電流を第１の電流値Ｉ１に維持する。
【００７５】
タイミングＴ５において、熱アシスト電流制御部３０１は、熱アシスト制御信号φ２００がＨｉｇｈレベルからＬｏｗレベルに変わったことに応じて、光源５ａの出力が第１の値ＯＰ１から第２の値ＯＰ２に変わるように、駆動電流を第１の電流値Ｉ１から第２の電流値Ｉ２に変える。
【００７６】
タイミングＴ７において、熱アシスト電流制御部３０１は、熱アシスト制御信号φ２００がＬｏｗレベルからＨｉｇｈレベルに変わったことに応じて、光源５ａの出力が第２の値ＯＰ２から第１の値ＯＰ１に変わるように、駆動電流を第２の電流値Ｉ２から第１の電流値Ｉ１に変える。
【００７７】
タイミングＴ８において、熱アシスト電流制御部３０１は、熱アシスト制御信号φ２００がＨｉｇｈレベルに維持されていることに応じて、光源５ａの出力が第１の値ＯＰ１に維持されるように、駆動電流を第１の電流値Ｉ１に維持する。
【００７８】
次に、磁気ディスク装置１００の動作について図６を用いて説明する。図６は、磁気ディスク装置１００の動作を示すフローチャートである。
【００７９】
ＲＤＣ１２４は、逓倍クロックφ６４の立ち上がりタイミング又は立ち下がりタイミングになるまで待機し（ステップＳ１でＮｏ）、逓倍クロックφ６４の立ち上がりタイミング又は立ち下がりタイミングになったら（ステップＳ１でＹｅｓ）、熱アシストカウンターＣＮＴ１が存在するか否か判断する（ステップＳ２）。
【００８０】
熱アシストカウンターＣＮＴ１は、熱アシスト制御信号φ２３０をＨｉｇｈレベルからＬｏｗレベルに変えたタイミングからの経過時間（例えば、図５に示すタイミングＴ１０からの経過時間）をカウントするためにＲＤＣ１２４内（熱アシスト制御信号生成回路１６３内）で生成されるカウンタである。熱アシストカウンターＣＮＴ１には、逓倍クロックφ６４の半周期の単位でのカウント値Ｃが設定される。
【００８１】
ＲＤＣ１２４は、熱アシストカウンターＣＮＴ１が存在する場合（ステップＳ２でＹｅｓ）、熱アシストカウンターＣＮＴ１のカウント値Ｃをディクリメントする（ステップＳ３）。ＲＤＣ１２４は、熱アシストカウンターＣＮＴ１のカウント値Ｃがゼロになったか否かを判定する（ステップＳ４）。熱アシストカウンターのカウント値Ｃがゼロになっていない（ステップＳ４でＮｏ）場合、処理はステップＳ１に戻る。ＲＤＣ１２４は、熱アシストカウンターＣＮＴ１のカウント値Ｃがゼロになった（ステップＳ４でＹｅｓ）場合、熱アシスト制御信号φ２３０をＬｏｗレベル（ｉｎａｃｔｉｖｅ）からＨｉｇｈレベル（ａｃｔｉｖｅ）に変えて（ステップＳ５）、熱アシストカウンターＣＮＴ１を削除する。それとともに、ＲＤＣ１２４は、熱アシストカウンターＣＮＴ２を生成し、熱アシストカウンターＣＮＴ２のカウント値ｔｅｍｐ＿ｔに初期値（０）を設定する。
【００８２】
熱アシストカウンターＣＮＴ２は、熱アシスト制御信号φ２３０をＬｏｗレベルからＨｉｇｈレベルに変えたタイミングからの経過時間（例えば、図５に示すタイミングＴ１２からの経過時間）をカウントするためにＲＤＣ１２４内（熱アシスト制御信号生成回路１６３内）に仮想的に生成されるカウンタである。熱アシストカウンターＣＮＴ２には、逓倍クロックφ６４の半周期の単位でのカウント値ｔｅｍｐ＿ｔが設定される。
【００８３】
ＲＤＣ１２４は、熱アシスト制御信号φ２３０をＬｏｗレベルからＨｉｇｈレベルに変えたタイミングから次に磁界が反転するタイミングまでの時間（第２の時間）と第３の閾値（１．５ｔ×２）とを比較し、その比較結果に応じて、第２の時間が第３の閾値以上であるか否かを判断する（ステップＳ６）。ＲＤＣ１２４は、第２の時間が第３の閾値未満である（ステップＳ６でＮｏ）場合、処理をステップＳ１に戻す。
【００８４】
一方、ＲＤＣ１２４は、熱アシストカウンターＣＮＴ１が存在しない場合（ステップＳ２でＮｏ）、磁界を反転すべきタイミングになったか否かを判断する（ステップＳ７）。磁界を反転すべきタイミングになっていない（ステップＳ７でＮｏ）場合、処理はステップＳ１に戻る。ＲＤＣ１２４は、磁界を反転すべきタイミングになった（ステップＳ７でＹｅｓ）場合、次に磁界を反転すべきタイミングまでの時間（第１の時間）と第１の閾値とを比較し、その比較結果に応じて、第１の時間が第１の閾値以上であるか否かを判断する（ステップＳ８）。ＲＤＣ１２４は、第１の時間が第１の閾値未満である（ステップＳ８でＮｏ）場合、処理をステップＳ１に戻す。ＲＤＣ１２４は、第１の時間が第１の閾値以上である（ステップＳ８でＹｅｓ）場合、熱アシストカウンターＣＮＴ１を生成するとともに熱アシストカウンターＣＮＴ１のカウンタ値Ｃに初期値（３）を設定して（ステップＳ９）、熱アシスト制御信号φ２３０をＨｉｇｈレベル（ａｃｔｉｖｅ）からＬｏｗレベル（ｉｎａｃｔｉｖｅ）に変える（ステップＳ１０）。その後、処理はＳ１に戻る。
【００８５】
ＲＤＣ１２４は、第２の時間が第３の閾値以上である（ステップＳ６でＹｅｓ）場合、逓倍クロックφ６４の立ち上がりタイミング又は立ち下がりタイミングになるまで待機する（ステップＳ１１でＮｏ）。ＲＤＣ１２４は、逓倍クロックφ６４の立ち上がりタイミング又は立ち下がりタイミングになったら（ステップＳ１１でＹｅｓ）、熱アシストカウンターＣＮＴ２のカウント値ｔｅｍｐ＿ｔをインクリメントする（ステップＳ１２）。ＲＤＣ１２４は、熱アシストカウンターＣＮＴ２のカウント値ｔｅｍｐ＿ｔが３になったか否かを判断する（ステップＳ１３）。熱アシストカウンターＣＮＴ２のカウント値ｔｅｍｐ＿ｔが３になっていない（ステップＳ１３でＮｏ）場合、処理はステップＳ１１に戻る。ＲＤＣ１２４は、熱アシストカウンターＣＮＴ２のカウント値ｔｅｍｐ＿ｔが３になった（ステップＳ１３でＹｅｓ）場合、熱アシストカウンターＣＮＴ２を削除する。そして、ＲＤＣ１２４は、熱アシストカウンターＣＮＴ１を生成するとともに熱アシストカウンターＣＮＴ１のカウンタ値Ｃに初期値（３）を設定して（ステップＳ１４）、熱アシスト制御信号φ２３０をＨｉｇｈレベル（ａｃｔｉｖｅ）からＬｏｗレベル（ｉｎａｃｔｉｖｅ）に変えて（ステップＳ１５）、処理をステップＳ１に戻す。
【００８６】
以上のように、本実施形態では、磁気ディスク装置１００において、ＲＤＣ１２４が、磁気ディスク５０に書き込むべきデータのパルス幅に応じて、第１の制御と第２の制御とを切り替える。第１の制御は、光源５ａの出力を第１の値に維持させる制御である。第２の制御は、光源５ａの出力を第１の値及び第２の値の間で周期的に変動させる制御である。第２の値は、第１の値より低い値である。ＲＤＣ１２４は、磁気ディスク５０に書き込むべきデータのパルス幅が第１の閾値未満である場合、第１の制御を行い、磁気ディスク５０に書き込むべきデータのパルス幅が第１の閾値以上である場合、第２の制御を行う。
【００８７】
これにより、第２の制御を固定的に行う場合に比べて、磁気ディスク５０に書き込まれるデータの信頼性を向上できる。例えば、図８に示すように、磁気ディスク５０に書き込まれるデータのパルス幅が短い場合に、第２の制御を固定的に行う場合に比べてデータの振幅を確保できるので、書き込まれるデータの信頼性を向上できる。これにより、図９の９Ａに示すように、第２の制御を固定的に行う場合に比べて、同一周波数に対するエラーレートを低減できるので、ライト動作における信頼性を改善できる。また、図９の９Ｂに示すように、第２の制御を固定的に行う場合に比べて、同一エラーレートに対する線記録密度を向上できるので、ライト動作における記録密度を向上させることができる。図８、図９は、第２の制御を固定的に行う場合と比較した本実施形態の効果を説明するための図である。
【００８８】
また、第１の制御を固定的に行う場合に比べて、光源５ａに供給する時間平均した場合の電流量を低減できるので、光源５ａにおける消費電力を低減できる。さらに、第１の制御を固定的に行う場合に比べて、記録時に一定の光パワーを光源５ａから近接場光素子５ｃに供給し続ける必要がないので、光源５ａの発熱による光源５ａの劣化を抑制でき、光源５ａの光を受ける近接場光素子５ｃの発熱による近接場光素子５ｃの劣化を抑制できる。これにより、図１０、図１１に示すように、光源５ａ及び近接場光素子５ｃをそれぞれ長寿命化でき、光源５ａ及び近接場光素子５ｃのそれぞれの信頼性の低下を抑制できる。図１０、図１１は、第１の制御を固定的に行う場合に比較した本実施形態の効果を説明するための図である。
【００８９】
したがって、本実施形態によれば、光源５ａ、近接場光素子５ｃの長寿命化及び光源５ａの低消費電力化を図りながら、磁気ディスク５０に書き込まれるデータの信頼性を向上させることができる。また、信号品質の向上が可能となり、記録容量の増大が可能となる。
【００９０】
なお、上記の実施形態では、光源５ａの駆動電流を制御することで光源５ａの出力を制御する場合について例示的に説明しているが、光源５ａの駆動電圧（駆動信号）を制御することで光源５ａの出力を制御してもよい。
【００９１】
あるいは、上記の実施形態では、図５において、逓倍クロック生成回路１５９で生成される逓倍クロックφ６４の逓倍数Ｎ＝１である場合の動作を例示的に示しているが、逓倍クロックφ６４の逓倍数Ｎは、１より大きくてもよい。例えば、図１２に示すように、逓倍クロックφ６４の逓倍数Ｎ＝２であってもよい。この場合、書き込み対象データφ５３を生成するためのクロックφ６２の周期ｔに比べて逓倍クロックφ６４の周期ｔ／Ｎを短くできるので、熱アシスト制御信号φ２３０のオフデューティを細かく設定でき、熱アシスト制御信号φ２３０のオフデューティを５０％より大きくできる。例えば、図１２に示す例では、第２の制御における熱アシスト制御信号φ２３０のオフデューティを６２．５％に設定できる。これにより、第１の制御を固定的に行う場合に比べて、光源５ａにおける消費電力をさらに低減できる。
【００９２】
あるいは、上記の実施形態では、書き込むべきデータφ５４と熱アシスト制御信号φ２００とを図５に示す位相関係で同期させる場合について例示しているが、ＲＤＣ１２４は、光源５ａの出力が第２の値になるタイミングと磁気ディスク５０に書き込むべきデータのパルスのエッジのタイミングとが重ならないように、第１の制御と第２の制御とを切り替えてもよい。例えば、図１３に示すように、ＲＤＣ１２４は、磁気ディスク５０に書き込むべきデータのパルスのエッジに対して第１の制御と第２の制御とを切り替えるタイミングを遅延させてもよい。この場合、図３に示す遅延回路１４０における所定の遅延量と遅延回路１４２における所定の遅延量とは、書き込むべきデータφ５４と熱アシスト制御信号φ２００とが図１３に示す位相関係になるように、互いに調整されていればよい。すなわち、遅延回路１４０における所定の遅延量を遅延回路１４２における所定の遅延量より多くする量を、書き込むべきデータφ５４と熱アシスト制御信号φ２００とが図１３に示す位相関係になるように、本実施形態に比べて若干少なくすることができる。
【００９３】
あるいは、本実施形態では、第２の制御において光源５ａの出力を第１の値ＯＰ１及び第２の値ＯＰ２の間で周期的に変動させる際の第２の値ＯＰ２がオフレベルである場合について例示しているが、第２の値ＯＰ２は、第１の値ＯＰ１とオフレベルとの間の値であってもよい。この場合でも、第１の制御を固定的に行う場合に比べて、光源５ａに供給する時間平均した場合の電流量を低減できるので、光源５ａにおける消費電力を低減できる。
【００９４】
本発明のいくつかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これら新規な実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これら実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれるとともに、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる。
【符号の説明】
【００９５】
５ａ  光源、５ｃ  近接場光素子、５０  磁気ディスク、１００  磁気ディスク装置、１２４  リードライトチャネル（ＲＤＣ）。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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