(57)【要約】【課題】外部機器が電流値を要求するタイミングにおける電流値を出力することができる構成を備えた電流センサを提供する。【解決手段】電流センサ１０は、センシング部４５から入力した正弦波信号及び余弦波信号に基づいてバスバー８０に流れる電流の大きさに対応した正接値を演算し、当該正接値をＥＣＵ９０に出力する演算回路部５３を備えている。また、電流センサ１０は、演算回路部５３の指令に応じてセンシング部４５と演算回路部５３とを接続または遮断するスイッチ部５１を備えている。そして、演算回路部５３は、ＥＣＵ９０から電流値を要求するトリガ信号を入力すると共に当該トリガ信号を入力したタイミングでスイッチ部５１を動作させてセンシング部４５と演算回路部５３とを電気的に接続する。さらに、演算回路部５３は、当該接続時に取得した正接値をＥＣＵ９０に出力する。【選択図】図３
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
被検出電流経路（８０）に被検出電流が流れることによって生じる第１磁界（Ｂｉ）に対して垂直方向に第２磁界（Ｂｂ）を発生させる磁界発生部（３０）と、
複数の磁気抵抗素子（４１〜４４）を有し、前記複数の磁気抵抗素子（４１〜４４）が外部の磁場の影響を受けたときの前記複数の磁気抵抗素子（４１〜４４）の抵抗値の変化に基づいて、前記第２磁界（Ｂｂ）と、前記第１磁界（Ｂｉ）及び前記第２磁界（Ｂｂ）で構成される合成磁界（Ｂｓ）と、の成す角度θに応じた正弦値を含む正弦波信号及び余弦値を含む余弦波信号を出力するセンシング部（４５）と、
前記正弦波信号及び前記余弦波信号を入力し、前記正弦波信号及び前記余弦波信号に基づいて前記被検出電流の大きさに対応した正接値を演算し、当該正接値を含んだセンサ信号を出力する演算回路部（５３）と、
前記演算回路部（５３）の指令に応じて前記センシング部（４５）と前記演算回路部（５３）とを接続または遮断するスイッチ部（５１）と、
を備え、
前記演算回路部（５３）は、外部機器（９０）から前記被検出電流の電流値を要求するトリガ信号を入力すると共に当該トリガ信号を入力したタイミングで前記スイッチ部（５１）を動作させて前記センシング部（４５）と前記演算回路部（５３）とを接続し、当該接続時に取得した前記正弦波信号及び前記余弦波信号に基づいて前記正接値を演算し、当該正接値を含んだセンサ信号を前記外部機器（９０）に出力することを特徴とする電流センサ。
【請求項２】
前記演算回路部（５３）は、前記外部機器（９０）に対してデジタル方式で通信を行うことを特徴とする請求項１に記載の電流センサ。
【請求項３】
前記演算回路部（５３）は、前記外部機器（９０）に対してアナログ方式で通信を行うことを特徴とする請求項１に記載の電流センサ。
【請求項４】
前記センシング部（４５）と前記演算回路部（５３）との間の経路に、前記正弦波信号及び前記余弦波信号を信号増幅して出力する増幅回路部（５２）を備えていることを特徴とする請求項１ないし３のいずれか１つに記載の電流センサ。
【請求項５】
前記スイッチ部（５１）は、前記センシング部（４５）と前記増幅回路部（５２）とを結ぶ経路に設けられていることを特徴とする請求項４に記載の電流センサ。
【請求項６】
前記スイッチ部（５１）は、前記増幅回路部（５２）と前記演算回路部（５３）とを結ぶ経路に設けられていることを特徴とする請求項４に記載の電流センサ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、被検出電流経路に流れる被検出電流の大きさを検出する電流センサに関する。
【背景技術】
【０００２】
従来より、バスバーに流れる電流を検出するように構成された電流センサが、例えば特許文献１で提案されている。具体的には、複数の磁気抵抗素子によって構成されたセンシング部と、センシング部からセンサ信号を入力して電流値の演算を行う演算回路と、を備えた電流センサの構成が提案されている。演算回路は、電流値を含んだ出力信号を外部機器に出力する。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２０１３−６４６６３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、上記従来の技術では、演算回路から外部機器に出力される電流値は演算処理を行った後の電流値である。すなわち、外部機器が取得した電流値は演算回路の演算処理時間前の電流値であり、外部機器が当該電流値を取得したときには実際の電流値は他の値に変化している。このように、外部機器が電流値を取得したいタイミングにおける電流値と、演算回路が外部機器に出力する電流値と、が乖離してしまうという問題があった。
【０００５】
本発明は上記点に鑑み、外部機器が電流値を要求するタイミングにおける電流値を出力することができる構成を備えた電流センサを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
上記目的を達成するため、請求項１に記載の発明では、被検出電流経路（８０）に被検出電流が流れることによって生じる第１磁界（Ｂｉ）に対して垂直方向に第２磁界（Ｂｂ）を発生させる磁界発生部（３０）を備えている。
【０００７】
また、複数の磁気抵抗素子（４１〜４４）を有し、複数の磁気抵抗素子（４１〜４４）が外部の磁場の影響を受けたときの複数の磁気抵抗素子（４１〜４４）の抵抗値の変化に基づいて、第２磁界（Ｂｂ）と、第１磁界（Ｂｉ）及び第２磁界（Ｂｂ）で構成される合成磁界（Ｂｓ）と、の成す角度θに応じた正弦値を含む正弦波信号及び余弦値を含む余弦波信号を出力するセンシング部（４５）を備えている。
【０００８】
また、正弦波信号及び余弦波信号を入力し、正弦波信号及び余弦波信号に基づいて被検出電流の大きさに対応した正接値を演算し、当該正接値を含んだセンサ信号を出力する演算回路部（５３）を備えている。さらに、演算回路部（５３）の指令に応じてセンシング部（４５）と演算回路部（５３）とを接続または遮断するスイッチ部（５１）を備えている。
【０００９】
そして、演算回路部（５３）は、外部機器（９０）から被検出電流の電流値を要求するトリガ信号を入力すると共に当該トリガ信号を入力したタイミングでスイッチ部（５１）を動作させてセンシング部（４５）と演算回路部（５３）とを接続し、当該接続時に取得した正弦波信号及び余弦波信号に基づいて前記正接値を演算し、当該正接値を含んだセンサ信号を外部機器（９０）に出力することを特徴とする。
【００１０】
このように、演算回路部（５３）はトリガ信号を入力したタイミングでスイッチ部（５１）を動作させたときの正接値を取得している。このため、演算回路部（５３）が取得する正接値は外部機器（９０）がセンサ信号を要求したタイミングに限りなく近いタイミングでの電流値に対応している。すなわち、電流値の真値と外部機器（９０）が取得する電流値との位相遅れによる乖離時間が短くなる。したがって、演算回路部（５３）は、外部機器（９０）が電流値を要求するタイミングにおける電流値を出力することができる。
【００１１】
なお、この欄及び特許請求の範囲で記載した各手段の括弧内の符号は、後述する実施形態に記載の具体的手段との対応関係を示すものである。
【図面の簡単な説明】
【００１２】
【図１】本発明の第１実施形態に係る電流センサをバスバーに取り付けたときの模式図である。
【図２】図１に示す電流センサの断面図である。
【図３】図１に示す電流センサの回路図である。
【図４】電流センサの作動を説明するためのタイミングチャートである。
【図５】電流真値からの乖離時間を模式的に示した図である。
【図６】本発明の第２実施形態に係る電流センサの回路図である。
【図７】本発明の第３実施形態に係る電流センサの回路図である。
【図８】本発明の第４実施形態に係る電流センサの回路図である。
【発明を実施するための形態】
【００１３】
以下、本発明の実施形態について図に基づいて説明する。なお、以下の各実施形態相互において、互いに同一もしくは均等である部分には、図中、同一符号を付してある。
【００１４】
（第１実施形態）
以下、本発明の第１実施形態について図を参照して説明する。本実施形態に係る電流センサは、例えば、車載モータのインバータ制御に用いられるものであり、車載モータに電源を供給する車載バッテリに接続されたバスバーに流れる被検出電流を検出するものである。
【００１５】
図１及び図２に示されるように、電流センサ１０は、基板２０、バイアス磁石３０、センサ素子４０、回路チップ５０、リード６０、及びモールド樹脂７０を備えて構成されている。
【００１６】
バイアス磁石３０は、検出対象であるバスバー８０に被検出電流Ｉが流れることによって生じる電流磁界Ｂｉに対して垂直方向にバイアス磁界Ｂｂを発生させるものである。バイアス磁石３０は、基板２０の一面２１に設置されている。バイアス磁石３０は、このバイアス磁界Ｂｂをセンサ素子４０に印加する役割を果たす。
【００１７】
センサ素子４０は、外部の磁場の影響を受けたときに抵抗値が変化する複数の磁気抵抗素子を有する板状のチップ部品である。図２に示されるように、センサ素子４０はバイアス磁石３０の上に配置されている。このため、例えば、センサ素子４０が矩形状のバイアス磁石３０の角部近傍等に配置される場合と比較して、各磁気抵抗素子に影響するバイアス磁界Ｂｂの角度のばらつきが抑制される。
【００１８】
回路チップ５０は、センサ素子４０から入力した信号に対して予め設定された演算を行うための信号処理回路を備えている。回路チップ５０は、基板２０の一面２１に設置されている。
【００１９】
リード６０は、外部と電流センサ１０とを電気的に接続するための接続部品である。本実施形態では、複数のリード６０が当該リード６０の長手方向に垂直な方向に並べられている。そして、各リード６０が図示しないワイヤを介して回路チップ５０と電気的に接続されている。
【００２０】
モールド樹脂７０は、基板２０、バイアス磁石３０、センサ素子４０、回路チップ５０、及びリード６０の一部を封止した封止部材である。具体的には、モールド樹脂７０は、リード６０のうち基板２０側とは反対側のアウターリードの部分が露出するように、各部品２０〜６０を封止している。これにより、電流センサ１０はモールドＩＣ化されている。モールド樹脂７０の材料として、例えばエポキシ樹脂等が採用される。
【００２１】
上記の構成を有する電流センサ１０は、図１に示されるように、バスバー８０に組み付けられる。具体的には、電流センサ１０は、バスバー８０に流れる電流方向すなわちバスバー８０の長手方向とバイアス磁界Ｂｂとが平行になるように、バスバー８０に組み付けられる。言い換えると、電流センサ１０は、バスバー８０に流れる被検出電流Ｉによって生成される電流磁界Ｂｉとバイアス磁界Ｂｂとが垂直となるように、バスバー８０に組み付けられる。そして、センサ素子４０には、バイアス磁界Ｂｂ及び電流磁界Ｂｉで構成される合成磁界Ｂｓが印加されるようになっている。
【００２２】
次に、電流センサ１０におけるセンサ素子４０と回路チップ５０の回路構成について説明する。センサ素子４０は、図３に示されるように、４つの磁気抵抗素子４１〜４４がブリッジ回路を形成するように構成されたセンシング部４５を有している。なお、図３では１つのセンシング部４５が示されているが、実際には同じ構成の２つのセンシング部４５がセンサ素子４０に設けられている。
【００２３】
各磁気抵抗素子４１〜４４は、図示しないが、下部電極の上にピン磁性層、非磁性層、フリー磁性層、及び上部電極が順に形成されたＧＭＲ素子として構成されている。ピン磁性層は磁化の向きが固定された強磁性金属層である。非磁性層はフリー磁性層からピン磁性層に電流を流すための層である。フリー磁性層は、外部の磁場の影響を受けて磁化の向きが変化する強磁性金属層である。
【００２４】
ここで、一方のセンシング部４５を構成する各磁気抵抗素子４１〜４４はそれぞれピン磁性層の磁化方向が互いに平行とされている。他方のセンシング部４５を構成する各磁気抵抗素子４１〜４４のピン磁性層の磁化方向は、一方のセンシング部４５を構成する各磁気抵抗素子４１〜４４のピン磁性層の磁化方向に対して垂直とされている。
【００２５】
そして、センサ素子４０は、一方のセンシング部４５の各磁気抵抗素子４１〜４４の磁化方向がバイアス磁界Ｂｂと垂直となると共に、他方のセンシング部４５の各磁気抵抗素子４１〜４４の磁化方向がバイアス磁界Ｂｂと平行となるようにバイアス磁石３０の上に設置される。このため、図１に示されるように、バイアス磁界Ｂｂと合成磁界Ｂｓとの成す角度をθとすると、一方のセンシング部４５から出力される電気信号（Ｖ１、Ｖ２）は、正弦値すなわちｓｉｎθを含む正弦波信号（ＳＩＮ出力）となる。一方、他方のセンシング部４５から出力される電気信号は余弦値すなわちｃｏｓθを含む余弦波信号（ＣＯＳ出力）となる。
【００２６】
したがって、センサ素子４０は、各センシング部４５が外部の磁場の影響を受けたときの各磁気抵抗素子４１〜４４の抵抗値の変化に基づいて、バイアス磁界Ｂｂと合成磁界Ｂｓとの成す角度θに応じた電気信号を出力する。
【００２７】
回路チップ５０は、スイッチ部５１、増幅回路部５２、及び演算回路部５３を有している。このうち、スイッチ部５１及び増幅回路部５２は、２つのセンシング部４５に対応してそれぞれ設けられている。
【００２８】
スイッチ部５１は、センシング部４５と増幅回路部５２とを結ぶ経路に設けられている。スイッチ部５１は、演算回路部５３の指令に応じてセンシング部４５と増幅回路部５２とを接続（導通）または遮断する。このようなスイッチ部５１は、２つのスイッチ５１ａ、５１ｂを有して構成されている。一方のスイッチ５１ａは磁気抵抗素子４３、４４の中点に接続され、他方のスイッチ５１ｂは磁気抵抗素子４１、４２の中点に接続されている。各スイッチ５１ａ、５１ｂは、例えば半導体スイッチとして構成されている。
【００２９】
増幅回路部５２は、センシング部４５から入力した電気信号を信号増幅して出力するように構成された回路である。増幅回路部５２は、スイッチ部５１と演算回路部５３との間の経路に設けられている。このような増幅回路部５２は、２個の抵抗５２ａ、５２ｂ及びオペアンプ５２ｃを備えて構成されている。
【００３０】
抵抗５２ａは、スイッチ部５１の一方のスイッチ５１ａとオペアンプ５２ｃの反転入力端子との間に接続されている。抵抗５２ｂは、オペアンプ５２ｃの反転入力端子と出力端子との間に接続され、これにより負帰還が構成されている。オペアンプ５２ｃの非反転入力端子は他方のスイッチ５１ｂに接続されている。オペアンプ５２ｃの出力端子が演算回路部５３に接続されている。このように、増幅回路部５２は差動増幅回路として構成されている。したがって、一方のセンシング部４５に対応した増幅回路部５２は正弦波信号を増幅して演算回路部５３に出力する。また、他方のセンシング部４５に対応した増幅回路部５２は余弦波信号を増幅して演算回路部５３に出力する。
【００３１】
演算回路部５３は、ＡＤＣ５３ａ、デジタル回路５３ｂ、及びＤＡＣ５３ｃを有している。このうち、ＡＤＣ５３ａは、各増幅回路部５２から入力したアナログ信号である正弦波信号及び余弦波信号をそれぞれデジタル信号に変換するアナログ−デジタル変換回路である。
【００３２】
デジタル回路５３ｂは、デジタル信号に変換された正弦波信号及び余弦波信号に基づいて被検出電流の大きさに対応した正接値を演算すると共に、当該正接値を含んだセンサ信号を生成する機能を有している。
【００３３】
ＤＡＣ５３ｃは、デジタル回路５３ｂから入力したデジタル信号であるセンサ信号をアナログ信号に変換して外部機器であるＥＣＵ９０に出力するデジタル−アナログ変換回路である。すなわち、演算回路部５３は、ＥＣＵ９０に対してアナログ方式で通信を行うように構成されている。これによると、演算回路部５３とＥＣＵ９０との間でセンサ信号がアナログ信号として取り扱われるので、演算回路部５３及びＥＣＵ９０の応答速度が速いというメリットがある。
【００３４】
上記の演算回路部５３の構成において、デジタル回路５３ｂは、ＥＣＵ９０からトリガ信号を入力し、このトリガ信号を入力したタイミングでスイッチ部５１の各スイッチ５１ａ、５１ｂを接続する機能を有している。また、デジタル回路５３ｂは、ＥＣＵ９０からトリガ信号を入力しなくなったタイミングでスイッチ部５１の各スイッチ５１ａ、５１ｂを遮断する機能を有している。なお、トリガ信号はアナログ信号及びデジタル信号のどちらでも良い。すなわち、デジタル回路５３ｂは、トリガ信号を対処できるように回路構成されていれば良い。
【００３５】
以上が、本実施形態に係る電流センサ１０の全体構成である。なお、回路チップ５０は、上記の構成の他にデジタル回路５３ｂ等を動作させるための電源回路等も備えている。
【００３６】
ＥＣＵ９０は、マイクロコンピュータ９１を主体として構成され、内蔵されたＲＯＭに記憶された各種の制御用のプログラムを実行する制御装置（Electrical Control Unit）である。本実施形態では、マイクロコンピュータ９１は、電流センサ１０からアナログ信号であるセンサ信号を入力してＡＤ変換し、このセンサ信号に基づいて図示しない車載モータをインバータ制御するように構成されている。また、マイクロコンピュータ９１は、センサ信号を取得するために当該センサ信号を取得したいタイミングで上述のトリガ信号を電流センサ１０に出力する機能を有している。
【００３７】
次に、電流センサ１０の作動について説明する。まず、図４に示されるように、ＥＣＵ９０は車載モータから入力したキャリア信号Ｖｆの頂点でバスバー８０に流れる電流の電流値をＡＤサンプリングする。すなわち、時点Ｔ１０は、ＥＣＵ９０が車載モータのインバータ制御に必要な電流値ＩAを必要とするタイミングである。したがって、時点Ｔ１０では、ＥＣＵ９０がバスバー８０に流れる電流の電流値ＩAを要求するトリガ信号を電流センサ１０に出力する。ＥＣＵ９０は、トリガ信号を出力した後は他の演算を実行する。
【００３８】
一方、電流センサ１０においては、演算回路部５３のデジタル回路５３ｂは、ＥＣＵ９０からトリガ信号を入力すると共に当該トリガ信号を入力したタイミングでスイッチ部５１を動作させる。これに伴い、スイッチ部５１の各スイッチ５１ａ、５１ｂが接続されるため、当該接続時のタイミングにおける各センシング部４５の各中点の電気信号ＶSである正弦波信号及び余弦波信号がスイッチ部５１及び増幅回路部５２を介して演算回路部５３に入力される。
【００３９】
ＡＤＣ５３ａはスイッチ部５１の接続時に取得した正弦波信号及び余弦波信号をデジタル信号に変換する。また、デジタル回路５３ｂは正弦波信号及び余弦波信号に基づいて正接値を演算する。そして、ＤＡＣ５３ｃは、当該正接値を含んだセンサ信号をＥＣＵ９０に出力する。
【００４０】
続いて、時点Ｔ１１では、ＥＣＵ９０は電流センサ１０から取得したセンサ信号に含まれる正接値から電流値を演算する。ここで、ＥＣＵ９０が時点Ｔ１１で取得した電流値は時点Ｔ１０における電流値であり、真値に近い電流値である。この後、時点Ｔ１２では、ＥＣＵ９０は時点Ｔ１０と同様の動作を行う。
【００４１】
以上説明したように、本実施形態では、電流センサ１０の演算回路部５３はＥＣＵ９０からトリガ信号を入力したタイミングでスイッチ部５１を動作させたときの正接値を取得している。このため、図５に示されるように、ＥＣＵ９０がトリガ信号を出力してからスイッチ部５１が動作するまでの送信時間すなわち処理に掛かる時間は長いように見えるが、電流真値からの乖離時間はセンシング部４５とスイッチ部５１との間の僅かな時間である。すなわち、電流値の真値とＥＣＵ９０が取得する電流値との位相遅れによる乖離時間が短くなる。
【００４２】
一方、スイッチ部５１が設けられていない構成では、ＥＣＵ９０が取得する電流値は、センシング部４５、増幅回路部５２、演算回路部５３を経由した後の電流値である。このため、電流真値からの乖離時間はセンシング部４５からＥＣＵ９０に至るまでの時間に対応し、ＥＣＵ９０が電流値を取得したときには実際の電流値は既に他の値に変化してしまう。
【００４３】
このような従来出力に対し、演算回路部５３のデジタル回路５３ｂが取得する正接値はＥＣＵ９０がセンサ信号を要求したタイミングに限りなく近いタイミングでの電流値に対応している。特に、本実施形態ではスイッチ部５１はセンシング部４５と増幅回路部５２とを結ぶ経路に設けられているので、電流真値からの乖離時間を非常に短くすることができる。したがって、電流センサ１０は、ＥＣＵ９０が電流値を要求するタイミングにおける電流値を出力することができる。
【００４４】
また、ＥＣＵ９０は任意のタイミングで電流値を取得及び演算をして次の電流値を決めるといったフィードバック制御を行っている。そして、ＥＣＵ９０は正確な電流値をフィードバックすることができるので、インバータシステムの制御上、高精度化を図ることができる。
【００４５】
なお、本実施形態の記載と特許請求の範囲の記載との対応関係については、電流磁界Ｂｉが特許請求の範囲の「第１磁界」に対応し、バイアス磁界Ｂｂが特許請求の範囲の「第２磁界」に対応する。また、バイアス磁石３０が特許請求の範囲の「磁界発生部」に対応し、バスバー８０が特許請求の範囲の「被検出電流経路」に対応する。さらに、ＥＣＵ９０が特許請求の範囲の「外部機器」に対応する。
【００４６】
（第２実施形態）
本実施形態では、第１実施形態と異なる部分について説明する。図６に示されるように、本実施形態では、スイッチ部５１は、増幅回路部５２と演算回路部５３とを結ぶ経路に設けられている。これによると、ＥＣＵ９０がトリガ信号を出力してからスイッチ部５１が動作するまでの送信時間すなわち処理に掛かる時間は増幅回路部５２の分だけ短くなる。もちろん、従来と比較して電流真値からの乖離時間は短くなるので、電流センサ１０はＥＣＵ９０が電流値を要求したタイミングにおける電流値に限りなく近い電流値を出力することができる。
【００４７】
（第３実施形態）
本実施形態では、第１、第２実施形態と異なる部分について説明する。図７に示されるように、電流センサ１０の演算回路部５３は、ＥＣＵ９０に対してデジタル方式で通信を行うように構成されている。すなわち、演算回路部５３はＡＤＣ５３ａ及びデジタル回路５３ｂを有する構成となっている。そして、デジタル回路５３ｂはセンサ信号をデジタル信号のままＥＣＵ９０に出力する。なお、スイッチ部５１は第１実施形態と同様にセンシング部４５と増幅回路部５２との間の経路に設けられている。
【００４８】
このように、演算回路部５３及びＥＣＵ９０は、センサ信号をアナログ信号に変換する必要がない。すなわち、電流センサ１０とＥＣＵ９０との間でセンサ信号をアナログ信号とデジタル信号とに繰り返し変換する必要がない。このため、演算回路部５３はトリガ信号の取り込みからスイッチ部５１を動作させるまでの送信時間を短縮することができる。また、演算回路部５３とＥＣＵ９０との間の通信時間を短縮することができる。さらに、センサ信号がデジタル信号として取り扱われるため、信号の誤差を低減することができる。
【００４９】
（第４実施形態）
本実施形態では、第３実施形態と異なる部分について説明する。図８に示されるように、電流センサ１０の演算回路部５３はＥＣＵ９０に対してデジタル方式で通信を行うように構成されている。そして、本実施形態では、スイッチ部５１は第２実施形態と同様にセンシング部４５と増幅回路部５２との間の経路に設けられている。このように、スイッチ部５１を配置することもできる。
【００５０】
（他の実施形態）
上記各実施形態で示された電流センサ１０の構成は一例であり、上記で示した構成に限定されることなく、本発明を実現できる他の構成に適宜変更することができる。例えば、電流センサ１０は車載用に限られるものではない。また、電流センサ１０において増幅回路部５２は設けられていなくても良い。この場合、スイッチ部５１はセンシング部４５と演算回路部５３との間の経路に設けられていれば良い。
【００５１】
上記各実施形態では、センシング部４５の各磁気抵抗素子４１〜４４はＧＭＲ素子として構成されていたが、これは素子の一例である。したがって、各磁気抵抗素子４１〜４４はＴＭＲ素子として構成されていても良い。
【００５２】
上記各実施形態では、電流センサ１０とＥＣＵ９０との間の通信方式がアナログ方式及びデジタル方式のいずれかであったが、電流センサ１０が電気的に接続される外部機器に応じて通信方式が適宜設定されれば良い。
【符号の説明】
【００５３】
３０        バイアス磁石（磁界発生部）
４１〜４４  磁気抵抗素子
４５        センシング部
５１        スイッチ部
５３        演算回路部
８０        バスバー（被検出電流経路）
９０        ＥＣＵ（外部機器）
Ｂｉ        電流磁界（第１磁界）
Ｂｂ        バイアス磁界（第２磁界）
Ｂｓ        合成磁界
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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