(57)【要約】      （修正有）【課題】少ない工程で金属ペーストを焼成することができ、金属ペーストの焼成体である金属配線と基板との密着性に優れる配線基板の製造方法、並びに、金属配線と基板との密着性に優れる配線基板、この配線基板を備え、優れた信頼性を有する電子デバイス、電子機器および移動体を提供する。【解決手段】配線基板の製造方法は、Ｔｉ−Ａｇ−Ｃｕ合金からなる第１粒子と、バインダーと、を含む金属ペーストが表面に配置されているセラミックス基板を用意する工程と、セラミックス基板上の金属ペーストを焼成する工程４０４と、を有し、焼成する工程は、単位時間当たりの温度上昇量を減少させる昇温レート減少工程４０２を含む。【選択図】図６
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
金属ペーストが表面に配置されている基板を用意する工程と、
前記基板上の前記金属ペーストを焼成する工程と、を含み、
前記用意する工程において、前記金属ペーストは、周期律表の第４属に属し前記基板に含まれる成分に対して活性な活性金属、銀、および銅を含む第１粒子と、バインダーと、を含み、
前記焼成する工程は、単位時間当たりの温度上昇量を減少させる昇温レート減少ステップを含むことを特徴とする配線基板の製造方法。
【請求項２】
前記基板は、セラミックス基板であり、
前記活性金属は、前記セラミックス基板に含まれるセラミックス成分に対して活性である請求項１に記載の配線基板の製造方法。
【請求項３】
前記活性金属は、チタンを含んでいる請求項１または２に記載の配線基板の製造方法。
【請求項４】
前記金属ペーストは、さらに、周期律表の第６属に属する金属または周期律表の第６属に属する金属を含む第２粒子を含んでいる請求項１ないし３のいずれか１項に記載の配線基板の製造方法。
【請求項５】
前記基板を用意する工程では、前記第１粒子と前記第２粒子の合計重量中の前記第１粒子の含有量は、３５％以上８５％以下の範囲内にある請求項４に記載の配線基板の製造方法。
【請求項６】
前記焼成する工程は、
温度を上昇させる第１昇温ステップと、
単位時間当たりの温度上昇量が前記第１昇温ステップよりも小さい、前記昇温レート減少ステップと、
単位時間当たりの温度上昇量が前記昇温レート減少ステップよりも大きい、第２昇温ステップと、
を含んでいる請求項１ないし５のいずれか１項に記載の配線基板の製造方法。
【請求項７】
前記第１昇温ステップおよび前記第２昇温ステップは、それぞれ、１時間当たりの温度上昇量が１５０°以上２５０°以上の範囲内にある請求項６に記載の配線基板の製造方法。
【請求項８】
前記昇温レート減少ステップでの温度は、前記第１粒子の融点よりも低い請求項１ないし７のいずれか１項に記載の配線基板の製造方法。
【請求項９】
前記昇温レート減少ステップの保持時間は、１時間以上である請求項１ないし８のいずれか１項に記載の配線基板の製造方法。
【請求項１０】
前記焼成する工程での前記金属ペーストの焼成温度は、前記第１粒子の融点よりも高く、前記焼成温度の保持時間は、１時間以上である請求項１ないし９のいずれか１項に記載の配線基板の製造方法。
【請求項１１】
基板と、
前記基板に配置されている金属配線と、
前記基板と前記金属配線との間に配置され、前記基板に含まれる成分に対して活性な活性金属を含んでいる活性金属層と、を有し、
前記活性金属層の厚さが１μｍ以上２０μｍ以下の範囲内にあることを特徴とする配線基板。
【請求項１２】
請求項１１に記載の配線基板と、
前記配線基板に搭載されている電子部品と、を備えていることを特徴とする電子デバイス。
【請求項１３】
請求項１２に記載の電子デバイスを備えていることを特徴とする電子機器。
【請求項１４】
請求項１２に記載の電子デバイスを備えていることを特徴とする移動体。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、配線基板の製造方法、配線基板、電子デバイス、電子機器および移動体に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
例えば、配線基板（回路基板）の製造方法として、特許文献１に記載の製造方法が知られている。すなわち、まず、スルーホールを有するセラミックス焼結体基板を用意する。次に、印刷法を用いて、水素化チタン粉末と、銅粉末と、を含む第１金属ペーストをスルーホール内に充填し、１００°程度で熱乾燥することで第１金属ペースト層を形成する。次に、水素化チタン粉末と、銅粉末と、銀粉末と、を含む第２金属ペーストをセラミックス焼結体基板の表面に印刷し、１００°程度で熱乾燥することで第２金属ペースト層を形成する。次に、銀−銅合金粉末を含む第３金属ペーストを第の金属ペースト層上に印刷し、１００°程度で熱乾燥することで第３金属ペースト層を形成する。次に、真空中、９００°程度で３０分間、第１〜第３金属ペースト層を焼成し、スルーホール内に導電性ビアを形成するとともに、基板表面に表面導電層を形成する。これにより、配線基板が得られる。このような製造方法によれば、セラミックス焼結体基板と導電性ビアおよび表面導電層との間に活性層が形成され、これにより、セラミックス焼結体基板と導電性ビアおよび表面導電層との密着性が向上するという効果が得られる。
【０００３】
上述のように、特許文献１には、第１〜第３金属ペースト層を焼成する工程では、真空中、９００°で３０分間焼成することが記載されているが、この条件では、第１〜第３金属ペースト層をきれいに焼成することができない。具体的には、例えば、第１〜第３金属ペースト層が十分に加熱されず活性金属（水素化チタン）が溶融しなかったり、バインダーを十分に除去することができず、残存したバインダーによって活性金属（水素化チタン）が溶融しなかったり、セラミックス焼結体基板と第１〜第３の金属ペースト層との熱膨張差によってセラミックス焼結体基板にクラックが発生したりするおそれがある。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２０１３−１５３０５１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
本発明の目的は、少ない工程で金属ペーストを焼成することができ、金属ペーストの焼成体である金属配線と基板との密着性に優れる配線基板の製造方法、並びに、金属配線と基板との密着性に優れる配線基板、この配線基板を備え、優れた信頼性を有する電子デバイス、電子機器および移動体を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明は、上述の課題の少なくとも一部を解決するためになされたものであり、以下の適用例として実現することが可能である。
【０００７】
［適用例１］
本適用例の配線基板の製造方法は、金属ペーストが表面に配置されている基板を用意する工程と、
前記基板上の前記金属ペーストを焼成する工程と、を含み、
前記用意する工程において、前記金属ペーストは、周期律表の第４属に属し前記基板に含まれる成分に対して活性な活性金属、銀、および銅を含む第１粒子と、バインダーと、を含み、
前記焼成する工程は、単位時間当たりの温度上昇量を減少させる昇温レート減少ステップを含むことを特徴とする。
【０００８】
これにより、少ない工程で金属ペーストを焼成することができる。また、基板との界面に活性金属層が形成されるため、金属ペーストの焼成体である金属配線と基板との密着性に優れる配線基板が得られる。また、金属ペーストを焼成する前にバインダーを十分に除去することができるため、良質な活性金属を形成することができる。
【０００９】
［適用例２］
本適用例の配線基板の製造方法では、前記基板は、セラミックス基板であり、
前記活性金属は、前記セラミックス基板に含まれるセラミックス成分に対して活性であることが好ましい。
【００１０】
これにより、金属ペーストの焼成体である金属配線とセラミックス基板との密着性に優れる配線基板が得られる。
【００１１】
［適用例３］
本適用例の配線基板の製造方法では、前記活性金属は、チタンを含んでいることが好ましい。
これにより、基板との界面に良質な活性金属層を形成することができる。
【００１２】
［適用例４］
本適用例の配線基板の製造方法では、前記金属ペーストは、さらに、周期律表の第６属に属する金属または周期律表の第６属に属する金属を含む第２粒子を含んでいることが好ましい。
これにより、金属配線の形状保持性が向上する。
【００１３】
［適用例５］
本適用例の配線基板の製造方法では、前記基板を用意する工程では、前記第１粒子と前記第２粒子の合計重量中の前記第１粒子の含有量は、３５％以上８５％以下の範囲内にあることが好ましい。
これにより、十分な厚みを有する良質な活性金属層を形成することができる。
【００１４】
［適用例６］
本適用例の配線基板の製造方法では、前記焼成する工程は、
温度を上昇させる第１昇温ステップと、
単位時間当たりの温度上昇量が前記第１昇温ステップよりも小さい、前記昇温レート減少ステップと、
単位時間当たりの温度上昇量が前記昇温レート減少ステップよりも大きい、第２昇温ステップと、
を含んでいることが好ましい。
これにより、焼成する工程が簡単なものとなる。
【００１５】
［適用例７］
本適用例の配線基板の製造方法では、前記第１昇温ステップおよび前記第２昇温ステップは、それぞれ、１時間当たりの温度上昇量が１５０°以上２５０°以上の範囲内にあることが好ましい。
【００１６】
これにより、十分に時間をかけて昇温することができるので、より確実に、バインダーを除去し、かつ、金属ペーストを焼成することができる。
【００１７】
［適用例８］
本適用例の配線基板の製造方法では、前記昇温レート減少ステップでの温度は、前記第１粒子の融点よりも低いことが好ましい。
これにより、昇温レート減少工程において、第１粒子の溶融を防止することができる。
【００１８】
［適用例９］
本適用例の配線基板の製造方法では、前記昇温レート減少ステップの保持時間は、１時間以上であることが好ましい。
【００１９】
これにより、昇温レート減少工程において、十分にバインダーを除去することができる。
【００２０】
［適用例１０］
本適用例の配線基板の製造方法では、前記焼成する工程での前記金属ペーストの焼成温度は、前記第１粒子の融点よりも高く、前記焼成温度の保持時間は、１時間以上であることが好ましい。
これにより、十分に金属ペーストを焼成することができる。
【００２１】
［適用例１１］
本適用例の配線基板は、基板と、
前記基板に配置されている金属配線と、
前記基板と前記金属配線との間に配置され、前記基板に含まれる成分に対して活性な活性金属を含んでいる活性金属層と、を有し、
前記活性金属層の厚さが１μｍ以上２０μｍ以下の範囲内にあることを特徴とする。
これにより、金属配線と基板との密着性に優れる配線基板が得られる。
【００２２】
［適用例１２］
本適用例の電子デバイスは、上記適用例の配線基板と、
前記配線基板に搭載されている電子部品と、を備えていることを特徴とする。
これにより、信頼性の高い電子デバイスが得られる。
【００２３】
［適用例１３］
本適用例の電子機器は、上記適用例の電子デバイスを備えていることを特徴とする。
これにより、信頼性の高い電子機器が得られる。
【００２４】
［適用例１４］
本適用例の移動体は、上記適用例の電子デバイスを備えていることを特徴とする。
これにより、信頼性の高い移動体が得られる。
【図面の簡単な説明】
【００２５】
【図１】本発明の第１実施形態にかかる電子デバイスの平面図である。
【図２】図１中のＡ−Ａ線断面図である。
【図３】図１に示す電子デバイスが有する振動素子の平面図である。
【図４】図１に示す電子デバイスが有するベース基板の部分拡大断面図である。
【図５】図４に示すベース基板の製造方法を説明するための図である。
【図６】図４に示すベース基板の製造方法を説明するための図である。
【図７】本発明の電子機器を適用したモバイル型（またはノート型）のパーソナルコンピューターの構成を示す斜視図である。
【図８】本発明の電子機器を適用した携帯電話機（ＰＨＳも含む）の構成を示す斜視図である。
【図９】本発明の電子機器を適用したディジタルスチルカメラの構成を示す斜視図である。
【図１０】本発明の移動体を適用した自動車を示す斜視図である。
【図１１】実施例の評価を示す表である。
【図１２】ベース基板（良品）を示すＳＥＭ写真である。
【図１３】ベース基板（不良品）を示すＳＥＭ写真である。
【図１４】図１２に示すセラミックス焼結体基板、活性金属層および金属配線中の金属の含有量を示すグラフである。
【発明を実施するための形態】
【００２６】
以下、本発明の配線基板の製造方法、配線基板、電子デバイス、電子機器および移動体を添付図面に示す好適な実施形態に基づいて詳細に説明する。
【００２７】
１．電子デバイス
まず、本発明の配線基板を備える電子デバイスについて説明する。
【００２８】
図１は、本発明の第１実施形態にかかる電子デバイスの平面図である。図２は、図１中のＡ−Ａ線断面図である。図３は、図１に示す電子デバイスが有する振動素子の平面図である。図４は、図１に示す電子デバイスが有するベース基板の部分拡大断面図である。図５および図６は、それぞれ、図４に示すベース基板の製造方法を説明するための図である。なお、以下では、説明の都合上、図２中の上側を「上」、下側を「下」として説明する（その他の図面についても同様である）。
【００２９】
図１および図２に示すように、電子デバイス１００は、パッケージ２００と、パッケージ２００内に収容された電子部品としての振動素子３００とを有している。なお、電子部品としては、振動素子３００に限定されず、例えば、ＩＣチップ等の各種電子部品であってもよい。
【００３０】
−振動素子−
図３（ａ）は、振動素子３００を上方から見た平面図であり、同図（ｂ）は、振動素子３００を上方から見た透過図（平面図）である。図３（ａ）、（ｂ）に示すように、振動素子３００は、平面視形状が長方形の板状をなす圧電基板３１０と、圧電基板３１０の表面に形成された一対の励振電極３２０、３３０とを有している。
【００３１】
圧電基板３１０は、主として厚み滑り振動をする水晶素板である。本実施形態では、圧電基板３１０としてＡＴカットと呼ばれるカット角で切り出された水晶素板を用いている。なお、ＡＴカットとは、水晶の結晶軸であるＸ軸とＺ軸とを含む平面（Ｙ面）をＸ軸回りにＺ軸から反時計方向に約３５度１５分程度回転させて得られる主面（Ｘ軸とＺ’軸とを含む主面）を有するように切り出すことを言う。このような圧電基板３１０は、その長手方向が水晶の結晶軸であるＸ軸と一致する。
【００３２】
励振電極３２０は、圧電基板３１０の上面に形成された電極部３２１と、圧電基板３１０の下面に形成されたボンディングパッド３２２と、電極部３２１およびボンディングパッド３２２を電気的に接続する配線３２３とを有している。一方、励振電極３３０は、圧電基板３１０の下面に形成された電極部３３１と、圧電基板３１０の下面に形成されたボンディングパッド３３２と、電極部３３１およびボンディングパッド３３２を電気的に接続する配線３３３とを有している。
【００３３】
このような励振電極３２０、３３０は、例えば、圧電基板３１０上に蒸着やスパッタリングによってニッケル（Ｎｉ）またはクロム（Ｃｒ）の下地層を成膜した後、下地層の上に蒸着やスパッタリングによって金（Ａｕ）の電極層を成膜し、その後フォトリソグラフィ技術およびエッチング技術を用いて、所望の形状にパターニングすることにより形成することができる。下地層を形成することにより、圧電基板３１０と前記電極層との接着性が向上し、信頼性の高い振動素子３００が得られる。
【００３４】
なお、励振電極３２０、３３０の構成としては、上記の構成に限定されず、例えば、下地層を省略してもよいし、その構成材料を他の導電性を有する材料（例えば、銀（Ａｇ）、銅（Ｃｕ）、タングステン（Ｗ）、モリブテン（Ｍｏ）等の各種金属材料）としてもよい。
【００３５】
このような振動素子３００は、一対の導電性接着剤２９１、２９２を介してパッケージ２００に固定されている。
【００３６】
−パッケージ−
図１および図２に示すように、パッケージ２００は、板状のベース基板（本発明の配線基板）２１０と、下側に開放する凹部を有するキャップ状のリッド２３０と、ベース基板２１０とリッド２３０との間に介在しこれらを接合するメタライズ層２４０とを有している。このようなパッケージ２００では、リッド２３０の凹部の開口がベース基板２１０で塞がれることにより、前述の振動素子３００を収納する気密的な収納空間Ｓが形成されている。
【００３７】
リッド２３０は、箱状の本体２３１と、本体２３１の下端（すなわち、本体２３１の開口の周囲）に形成されたフランジ２３３とを有している。また、フランジ２３３の下面には、開口の周囲を囲むように、図示しない金属ろう材が膜状に設けられている。このようなリッド２３０は、金属ろう材とメタライズ層２４０との溶着によりベース基板２１０に接合されている。なお、金属ろう材としては、特に限定されず、例えば、金ろう、銀ろうなどを用いることができるが、銀ろうを用いるのが好ましい。また、リッド２３０の構成材料としては、特に限定されないが、ベース基板２１０（後述するセラミックス焼結体基板２１１）の構成材料と線膨張係数が近似する部材であると良く、例えば、コバール等の合金とするのが好ましい。
【００３８】
図２および図４に示すように、ベース基板２１０は、上下面（一方の主面と他方の主面）を貫通する２つの貫通孔（凹部）２１３、２１５を備えている板状のセラミックス焼結体基板（セラミックス基板）２１１と、セラミックス焼結体基板２１１の上下面と各貫通孔２１３内とに跨って形成されている第１金属配線２５０と、セラミックス焼結体基板２１１の上下面と各貫通孔２１５内とに跨って形成されている第２金属配線２６０と、第１金属配線２５０とセラミックス焼結体基板２１１との間に配置されている第１活性金属層２７０と、第２金属配線２６０とセラミックス焼結体基板２１１との間に配置されている第２活性金属層２８０と、を有している。
【００３９】
セラミックス焼結体基板２１１は、単層構造であってもよいし、複数の層（シート）が積層してなる積層構造であってもよいが、本実施形態では、単層構造のセラミック焼結体基板を用いている。これにより、セラミックス焼結体基板２１１の薄型化や、製造コストの低減を図ることができる。
【００４０】
セラミックス焼結体基板２１１への貫通孔２１３、２１５の形成方法は、特に限定されない。例えば、焼結処理前にパンチング等によって形成してもよいし、焼結処理後にレーザー加工、エッチング加工、ドリル加工等によって形成してもよい。ただし、セラミックス焼結体基板２１１は、焼結処理によって収縮するため、貫通孔２１３、２１５の配置や寸法の精度を高めたいのでれば、焼結処理後に形成した方が好ましい。貫通孔２１３、２１５の径としては、特に限定されないが、例えば、２０μｍ以上、１００μｍ以下程度とすることができる。
【００４１】
セラミックス焼結体基板２１１の構成材料であるセラミックスとしては、特に限定されないが、例えば、酸化アルミニウム系セラミックス、酸化ケイ素系セラミックス、酸化カルシウム系セラミックス、酸化マグネシウム系セラミックスなどの酸化物系セラミックスや、窒化アルミニウム系セラミックス、窒化ケイ素系セラミックス、窒化ホウ素系セラミックスなどの窒化物系セラミックスや、酸化ベリリウム、炭化ケイ素、ムライト、ホウケイ酸ガラス等を使用することができる。
【００４２】
このようなセラミックス焼結体基板２１１は、セラミックス粉末、焼結助剤、有機バインダー等が含まれている混合材料をシート状に成形してグリーンシートを得、このグリーンシートを焼結処理することにより得られる。なお、焼結助剤としてはセラミックス粉末の種類に応じて、公知の焼結助剤を用いることができる。また、有機バインダーとしては、例えば、ポリビニルブチラール、エチルセルロース類、アクリル樹脂類等を用いることができる。
【００４３】
第１金属配線２５０は、貫通孔２１３内に配置されているビア２５１と、セラミックス焼結体基板２１１の上面にビア２５１と重なって配置されている内部端子２５３と、セラミックス焼結体基板２１１の下面にビア２５１と重って配置されている実装端子２５５と、を有している。同様に、第２金属配線２６０は、貫通孔２１５内に配置されているビア２６１と、セラミックス焼結体基板２１１の上面にビア２６１と重なって配置されている内部端子２６３と、セラミックス焼結体基板２１１の下面にビア２６１と重って配置されている実装端子２６５と、を有している。
【００４４】
なお、第１、第２金属配線２５０、２６０の構成としては、本実施形態に限定されない。例えば、本実施形態では、内部端子２５３および実装端子２５５が共にビア２５１と重なって配置されているが、これとは異なり、内部端子２５３および実装端子２５５が共にビア２５１と重ならい位置に配置されていてもよい。この場合には、第１金属配線２５０は、さらに、セラミックス焼結体基板２１１の上面に配置され、ビア２５１と内部端子２５３とを接続する上面側配線と、セラミックス焼結体基板２１１の下面に配置され、ビア２５１と実装端子２５５とを接続する下面側配線とを有することとなる。第２金属配線２６０についても同様である。
【００４５】
第１、第２金属配線２５０、２６０は、周期律表の第６属に属する金属（元素）と、銀と、銅と、を含んでいることが好ましい。周期律表の第６属に属する金属としては、クロム（Ｃｒ）、モリブテン（Ｍｏ）、タングステン（Ｗ）が挙げられ、これらのうちの少なくとも１種の金属を含んでいればよい。なお、説明の便宜上、以下では、周期律表の第６属に属する金属を単に「第６属金属」とも言う。これら第６属金属は、共に含まれる銀、銅よりも融点が十分に高いため、後述する製造工程中にて、第６属金属が溶融することがなく、第１、第２金属配線２５０、２６０の形状（特にビア２５１、２６１の形状）を良好に保持することができる。そのため、形状保持性および導電性に優れたものとなる。なお、銀の融点は約９６２℃であり、銅の融点は約１０８５℃であり、クロムの融点は約１９０７℃であり、モリブテンの融点は約２６１７℃であり、タングステンの融点は約３４１０℃である。したがって、第６属金属の中でも、融点の最も高いタングステンを用いることによって、上述した効果をより効果的に発揮することができる。
【００４６】
また、図２に示すように、内部端子２５３は、導電性接着剤２９１を介して振動素子３００のボンディングパッド３２２と電気的に接続されており、内部端子２６３は、導電性接着剤２９２を介して振動素子３００のボンディングパッド３３２と電気的に接続されている。
【００４７】
以上、セラミックス焼結体基板２１１と第１、第２金属配線２５０、２６０の構成について説明した。ベース基板２１０では、セラミックス焼結体基板２１１と第１金属配線２５０との間に第１活性金属層２７０が配置されており、セラミックス焼結体基板２１１と第２金属配線２６０との間に第２活性金属層２８０が配置されている。
【００４８】
第１活性金属層２７０は、具体的にはビア２５１と貫通孔２１３の内周面との間と、内部端子２５３とセラミックス焼結体基板２１１の上面との間と、実装端子２５５とセラミックス焼結体基板２１１の下面との間と、にそれぞれ配置されている。そして、第１活性金属層２７０を介して、ビア２５１が貫通孔２１３の内周面に、内部端子２５３がセラミックス焼結体基板２１１の上面に、実装端子２５５がセラミックス焼結体基板２１１の下面に、それぞれ、接合されている。同様に、第２活性金属層２８０は、具体的にはビア２６１と貫通孔２１５の内周面との間と、内部端子２６３とセラミックス焼結体基板２１１の上面との間と、実装端子２６５とセラミックス焼結体基板２１１の下面との間と、にそれぞれ配置されている。そして、第２活性金属層２８０を介して、ビア２６１が貫通孔２１５の内周面に、内部端子２６３がセラミックス焼結体基板２１１の上面に、実装端子２６５がセラミックス焼結体基板２１１の下面に、それぞれ、接合されている。
【００４９】
ここで、第１、第２活性金属層２７０、２８０とは、第１、第２活性金属層２７０、２８０に含まれる活性金属とセラミックス焼結体基板２１１に含まれるセラミックス成分とが反応し、セラミックス焼結体基板２１１との界面に形成された層を言う。このような第１、第２活性金属層２７０、２８０を形成することで、セラミックス焼結体基板２１１と第１、第２金属配線２５０、２６０との密着性が向上する。よって、セラミックスとの密着性が弱い銀（Ａｇ）、銅（Ｃｕ）を前述したように第１、第２金属配線２５０、２６０の材料として用いた場合であっても、ビア２５１、２６の密着力を確保することができる。
【００５０】
このような第１、第２活性金属層２７０、２８０には、前記活性金属として、周期律表の第４（Ａ）属に属する金属（元素）が含まれている。周期律表の第４属に属する金属は、活性金属として好適に用いることができるので、より確実に、第１、第２活性金属層２７０、２８０を形成することができる。なお、周期律表の第４（Ａ）属に属する金属としては、チタン（Ｔｉ）、ジルコニウム（Ｚｒ）、ハフニウム（Ｈｆ）が挙げられる。これらのうちのいずれを用いてもよいが、これらの中でもチタン（Ｔｉ）を用いることが好ましい。チタン（Ｔｉ）、ジルコニウム（Ｚｒ）、ハフニウム（Ｈｆ）の中で、チタンが最も融点が低いため、第１、第２活性金属層２７０、２８０を形成する際の焼成温度を低く抑えることができ、製造時に前述の第６属金属の不本意な溶融を防止することができるとともに、セラミックス焼結体基板２１１への熱ダメージを低減することができる。
【００５１】
なお、第１、第２活性金属層２７０、２８０の厚さ（平均厚さ）としては、特に限定されないが、例えば、１μｍ以上２０μｍ以下の範囲内であることが好ましい。これにより、第１、第２活性金属層２７０、２８０の過度な厚み増を防止しつつ、第１、第２活性金属層２７０、２８０の厚さを十分なものとすることができる。そのため、ベース基板２１０の大型化を抑制しつつ、セラミックス焼結体基板２１１と第１、第２金属配線２５０、２６０との密着性を十分に高めることができる。
【００５２】
２．ベース基板の製造方法
次に、上述した電子デバイス１００が備えるベース基板（配線基板）２１０の製造方法について説明する。
【００５３】
ベース基板２１０の製造方法は、貫通孔（凹部）２１３、２１５を有するセラミックス焼結体基板２１１を用意する第１工程と、第４属金属、銀および銅を含む合金からなる第１粒子Ａと、第６属金属を含む合金からなる第２粒子Ｂとの金属ペーストＸを、セラミックス焼結体基板２１１の上下面および貫通孔２１３、２１５内に跨って配置する第２工程と、セラミックス焼結体基板２１１に配置された金属ペーストＸを焼成して第１、第２金属配線２５０、２６０を形成する第３工程と、を含んでいる。
【００５４】
［第１工程］
セラミックス焼結体基板２１１は、例えば、セラミックス粉末、焼結助剤、有機バインダー等が含まれている混合材料をシート状に成形してグリーンシートを得、このグリーンシートを焼結処理することにより得られる。貫通孔２１３、２１５は、焼結処理前にパンチング等によって形成してもよいし、焼結処理後にレーザー加工、エッチング加工、ドリル加工等によって形成してもよい。ただし、焼結処理によってセラミックス焼結体基板２１１が収縮するため、焼結処理前に貫通孔２１３、２１５を形成すると、配置や寸法の精度が低下するおそれがある。そのため、貫通孔２１３、２１５の配置や寸法の精度を高めたいのでれば、焼結処理後に形成した方が好ましい。なお、貫通孔２１３、２１５の径としては、特に限定されないが、例えば、２０μｍ以上１００μｍ以下程度とすることができる。
【００５５】
［第２工程］
−金属ペーストＸを準備する工程−
第４属金属Ｍ４、銀（Ａｇ）および銅（Ｃｕ）を含む第１合金（Ｍ４−Ａｇ−Ｃｕ系合金）からなる第１粒子Ａと、第６属金属Ｍ６およびニッケル（Ｎｉ）を含む第２合金（Ｍ６−Ｎｉ系合金）からなる第２粒子Ｂと、バインダーＣとを用意し、これらを混合することで金属ペーストＸが得られる。
【００５６】
第１合金に含まれる第４属金属Ｍ４は、セラミックス焼結体基板２１１に含まれるセラミックス成分と反応する（すなわち、セラミックス成分に対して活性な）活性金属である。そのため、第１合金が第４属金属Ｍ４を含むことで、第３工程にて、セラミックス焼結体基板２１１との界面に第１、第２活性金属層２７０、２８０を形成することができる。第４属金属Ｍ４として、チタン（Ｔｉ）、ジルコニウム（Ｚｒ）、ハフニウム（Ｈｆ）のいずれを用いてもよいが、これらの中でも、チタン（Ｔｉ）を用いることが好ましい。チタン（Ｔｉ）は、これらの中で融点が最も低いため、第３工程における焼成温度を抑えることができる。そのため、第３工程にて加わるセラミックス焼結体基板２１１への熱ダメージを低減することができる。
【００５７】
なお、第１合金中の第４属金属Ｍ４の含有量（重量％濃度）としては、特に限定されないが、例えば、２重量％以上２０重量％以下の範囲内であることが好ましく、７重量％以上１１重量％以下の範囲内であることがより好ましい。これにより、金属ペーストＸ中の第４属金属Ｍ４の含有量を十分に確保することができ、より確実に、第１、第２活性金属層２７０、２８０を形成することができる。また、第１合金中の銀（Ａｇ）の含有量としては、特に限定されないが、６０重量％以上８０重量％以下程度であるのが好ましい。
【００５８】
また、第１粒子Ａの平均粒径（メジアン径ｄ５０）としては、特に限定されず、貫通孔２１３、２１５の大きさとの兼ね合いもあるが、小さいほど好ましく、具体的には、４０μｍ以下であるのが好ましく、１０μｍ以下であるのが好ましく、５μｍ以下であるのがより好ましい。これにより、第１粒子Ａの表面酸化による失活を抑制することが可能になる。また、小径のビアに対しても充填の作業性を確保することが可能となる。したがって、生産性が向上し、また、優れた性能を有するベース基板２１０を製造することができる。
【００５９】
一方、第２粒子Ｂは、第６属金属とニッケルとを含む第２合金（Ｍ６−Ｎｉ系合金）で構成されている。第６属金属Ｍ６のような高融点金属を用いることで、第２合金の融点を、第１合金に対して十分に高くすることができる。そのため、後述する第３工程において、第２粒子Ｂを溶融することなく、第１、第２金属配線２５０、２６０を形成することができる。そのため、後述するように、第１、第２金属配線２５０、２６０の形状保持性や、密着性、貫通孔２１３、２１５への充填性等が向上する。なお、第６属金属Ｍ６として、クロム（Ｃｒ）、モリブテン（Ｍｏ）、タングステン（Ｗ）のいずれを用いてもよいが、これらの中でも、タングステン（Ｗ）を用いることが好ましい。タングステン（Ｗ）は、これらの中でも融点が最も高いので、第２合金の融点をより高くすることができ、上述した効果をより効果的に発揮することができる。
【００６０】
第２合金中の第６属金属Ｍ６の含有量としては、特に限定されないが、例えば、８０重量％以上９９．９重量％以下の範囲内であることが好ましい。これにより、第２合金の融点を第１合金の融点と比較して十分に高く保つことができる。なお、本実施形態の第２粒子Ｂは、第６属金属Ｍ６とニッケル（Ｎｉ）とを含む系合金で構成されているが、少量のニッケル（Ｎｉ）を含むことで、第２粒子Ｂと、第１粒子Ａ中の銀（Ａｇ）や銅（Ｃｕ）との密着性を向上させることができる。そのため、より密着性の高い第１、第２金属配線２５０、２６０を形成することができる。第２合金中のニッケル（Ｎｉ）の含有量は、特に限定されないが、０．１重量％以上２０重量％以下の範囲内であるのが好ましい。
【００６１】
また、第２粒子Ｂの平均粒径（メジアン径ｄ５０）としては、特に限定されず、貫通孔２１３、２１５の大きさとの兼ね合いもあるが、小さいほど好ましく、具体的には、４０μｍ以下であるのが好ましく、１０μｍ以下であるのが好ましく、５μｍ以下であるのがより好ましい。これにより、小径の貫通孔２１３、２１５に対しても充填の作業性を確保することが可能になる。また、貫通孔２１３、２１５内への第２粒子Ｂの充填密度を高めることができる。したがって、生産性が向上し、また、優れた性能を有するベース基板２１０を製造することができる。
なお、第２粒子Ｂとして、第６属金属Ｍ６からなる金属粒子を用いてもよい。
【００６２】
以上、第１粒子Ａおよび第２粒子Ｂについて説明した。金属ペーストＸ中の第１粒子Ａと第２粒子Ｂの重量比としては、特に限定されず、第１合金中の第４属金属Ｍ４の含有量によっても異なるが、例えば、３５：６５以上８５：１５以下の範囲内であるのが好ましく、５０：５０以上７０：３０以下の範囲内であることがより好ましい。また、第１粒子Ａと第２粒子Ｂの総重量に対して、第４属金属Ｍ４が０．７重量％以上１７．０重量％以下の範囲内であるのが好ましく、３．０重量％以上８．０重量％以下の範囲内であるのがより好ましい。これにより、金属ペーストＸに、十分な量の第４属金属Ｍ４を確保することができるので、第１、第２活性金属層２７０、２８０をより確実に形成することができる。なお、第１粒子Ａと第２粒子Ｂの総重量に対する第４属金属Ｍ４の含有量が上記下限値未満であると、第４属金属Ｍ４が不足し、第１、第２活性金属層２７０、２８０を十分な厚さに形成することができないおそれがある。一方、第１粒子Ａと第２粒子Ｂの総重量に対する第４属金属Ｍ４の含有量が上記上限値を超えると、第４属金属Ｍ４が過剰となり、第１、第２活性金属層２７０、２８０が脆くなるおそれがある。
【００６３】
バインダーＣとしては、公知のものを用いることができ、例えば、ポリアクリル酸エステル、ポリメタクリル酸エステル等のアクリル樹脂、メチルセルロース、ヒドロキシメチルセルロース、ニトロセルロース、セルロースアセテートブチレート等のセルロース系樹脂、ポリビニルブチラール、ポリビニルアルコール、ポリ塩化ビニル等のビニル基含有樹脂、ポリオレフィン等の炭化水素樹脂、ポリエチレンオキサイド等の含酸素樹脂などを一種または二種以上混合して使用することができる
以上、金属ペーストＸについて説明した。なお、金属ペーストＸには、第１粒子Ａ、第２粒子ＢおよびバインダーＣの他にも、必要に応じて、例えば、有機溶剤、分散剤、可塑剤等が含まれていてもよい。
【００６４】
−セラミックス焼結体基板２１１に金属ペーストＸを塗布する工程−
図５（ａ）に示すように、セラミックス焼結体基板２１１の貫通孔２１３、２１５内に金属ペーストＸを充填するとともに、セラミックス焼結体基板２１１の上面および下面に金属ペーストＸを内部端子２５３、２６３および実装端子２５５、２６５の形状に対応した形状に配置し、金属ペースト層Ｘ１、Ｘ２を形成する。なお、セラミックス焼結体基板２１１への金属ペーストＸの配置方法は、特に限定されないが、例えば、スクリーン印刷法を用いることができる。
【００６５】
［第３工程］
次に、図５（ｂ）に示すように、セラミックス焼結体基板２１１に配置した金属ペーストＸを焼成処理し、第１、第２金属配線２５０、２６０および第１、第２活性金属層２７０、２８０を形成する。金属ペーストＸの焼成処理は、図６に示すような温度条件で行うことが好ましい。
【００６６】
図６に示すように、焼成処理は、温度を上昇させる第１昇温ステップ４０１と、第１昇温ステップ４０１の目標温度をほぼ一定に維持してバインダーＣ等を除去するバインダー除去ステップ（昇温レート減少ステップ）４０２と、再び温度を上昇させる第２昇温ステップ４０３と、第２昇温ステップ４０３の目標温度をほぼ一定維持して金属ペースト層Ｘ１、Ｘ２を焼成する焼成ステップ４０４と、冷却ステップ４０５と、を有している。
【００６７】
−第１昇温ステップ４０１−
まず、金属ペースト層Ｘ１、Ｘ２が配置されたセラミックス焼結体基板２１１をチャンバー内に配置し、チャンバー内を真空雰囲気（例えば、１．３３×１０−３Ｐａ以下）とする。これにより、金属ペースト層Ｘ１、Ｘ２中のチタン（Ｔｉ）の酸化を防止することができ、良質な第１、第２活性金属層２７０、２８０を形成することができる。この真空雰囲気は、以下のバインダー除去ステップ４０２、第２昇温ステップ４０３、焼成ステップ４０４、冷却ステップ４０５においても維持される。なお、チャンバー内は、真空雰囲気に替えて、アルゴン（Ａｒ）ガス充填雰囲気等の非酸化雰囲気としてもよい。アルゴンガス充填雰囲気としても、真空雰囲気と同様に良質な第１、第２活性金属層２７０、２８０を形成することができる。
【００６８】
次に、チャンバー内の温度を上昇させ、金属ペースト層Ｘ１、Ｘ２を加熱する。本ステップでの目標温度（ピーク温度）Ｔ１は、第１粒子Ａの融点よりも低く、かつ、金属ペースト層Ｘ１、Ｘ２中のバインダーＣ、有機溶剤、水分等を蒸発・除去することのできる温度である。このような目標温度Ｔ１としては、特に限定されず、バインダーＣの種類や第１粒子Ａの融点によっても異なるが、例えば、３５０℃以上４５０℃以下程度であるのが好ましい。
【００６９】
また、本ステップでの１時間あたりの温度上昇量（昇温レート：℃／ｈ）としては、特に限定されないが、例えば、１５０℃／ｈ以上２５０℃／ｈ以下の範囲内であることが好ましく、２００℃／ｈ程度であることがより好ましい。これにより、十分に時間をかけてチャンバー内を昇温することができ、熱が伝わり難い真空中においても、十分に金属ペースト層Ｘ１、Ｘ２を昇温することができる。そのため、チャンバー内の設定温度と実際の金属ペースト層Ｘ１、Ｘ２の温度との乖離を低減することができ、次のバインダー除去ステップ４０２をより正確な温度条件で行うことができる。その結果、バインダー除去ステップ４０２において、より確実に、金属ペースト層Ｘ１、Ｘ２からバインダーＣ等を除去することができる。なお、昇温レートが上記下限値未満であると、チャンバーの大きさや雰囲気環境によっては、十分に金属ペースト層Ｘ１、Ｘ２を昇温することができないおそれがある。反対に、昇温レートが上記下限値を超えると、チャンバーの大きさや雰囲気環境によっては、チャンバー内の設定温度と実際の金属ペースト層Ｘ１、Ｘ２の温度との乖離を低減するという上記効果の向上をほとんど見込めず、本ステップの処理時間がただ長くなってしまうだけとなるおそれがある。
【００７０】
−バインダー除去ステップ４０２−
本ステップでは、第１昇温ステップ４０１での目標温度Ｔ１をほぼ一定に維持する。本ステップによれは、第１粒子Ａの溶融を防ぎつつ、金属ペースト層Ｘ１、Ｘ２から第１、第２粒子Ａ、Ｂ以外の材料（すなわち、バインダーＣ、有機溶剤、水分等）を除去することができる。これにより、金属ペースト層Ｘ１、Ｘ２の焼成（第１粒子Ａの溶融）をより確実に行うことができる。
【００７１】
本ステップの保持時間としては、特に限定されず、バインダーＣの量等によっても異なるが、例えば、１時間以上２時間以下の範囲内であるのが好ましく、１時間程度であることがより好ましい。これにより、金属ペースト層Ｘ１、Ｘ２からバインダーＣ等を効果的に除去することができる。なお、保持時間が上記下限値未満でると、バインダーＣの含有量によっては、金属ペースト層Ｘ１、Ｘ２からバインダーＣ等を十分に除去することができず、後の焼成ステップ４０４までバインダーＣ等が残存し、この残存したバインダーＣ等が第１粒子Ａの溶融を阻害するおそれがある。反対に、保持時間が上記上限値を超えると、バインダーＣの含有量によっては、本ステップが過度に長くなるだけで、それ以上のバインダーＣ等の除去効果の向上を見込めず、さらには、焼成処理全体の長時間化を招くことによって、セラミックス焼結体基板２１１への熱ダメージが大きくなるおそれがある。
【００７２】
なお、本実施形態のバインダー除去ステップ４０２では、第１昇温ステップ４０１での目標温度Ｔ１をほぼ一定に保っているが、これに限定されず、第１、第２昇温ステップ４０１、４０３での昇温レート（単位時間当たりの温度上昇量）よりも低ければ、昇温させてもよいし、反対に、降温させてもよい。ただし、降温させると、後の第２昇温ステップ４０３で上昇させなければならない温度が大きくなるため、昇温させるか、本実施形態のようにほぼ一定に維持するかのいずれかが好ましい。また、昇温させる場合には、その昇温レートとしては、特に限定されないが、５℃／ｈ以上５０℃／ｈ以下の範囲内であることが好ましい。これにより、バインダー除去ステップ４０２中に、金属ペースト層Ｘ１、Ｘ２が過度に加熱されてしまうことを低減することができ、例えば、意図しない第１粒子Ａの溶融等を効果的に防止することができる。
【００７３】
−第２昇温ステップ４０３−
本ステップでは、バインダー除去ステップ４０２を終えた後、再びチャンバー内の温度を上昇させ、金属ペースト層Ｘ１、Ｘ２を加熱する。第２昇温ステップ４０３での目標温度（ピーク温度）Ｔ２は、第１粒子Ａの融点よりも高く、第２粒子Ｂの融点よりも低い温度である。これにより、第２粒子Ｂの溶融を防止しつつ、第１粒子Ａを溶融させることができる。また、目標温度Ｔ２は、セラミックス焼結体基板２１１の焼成温度よりも低いことが好ましい。これにより、セラミックス焼結体基板２１１への熱ダメージを低減でき、信頼性の高いベース基板２１０が得られる。このような目標温度Ｔ２としては、特に限定されず、第１、第２粒子Ａ、Ｂの融点によっても異なるが、例えば、８００℃以上１０００℃以下の範囲内であるのが好ましい。なお、セラミックス焼結体基板２１１の焼成温度とは、セラミックス焼結体基板２１１を得る際にグリーンシートを焼成処理するときの目標温度であり、ある程度の幅を有する温度である。
【００７４】
また、本ステップでの１時間あたりの温度上昇量（昇温レート：℃／ｈ）としては、特に限定されないが、例えば、１５０℃／ｈ以上２５０℃／ｈ以下の範囲内であることが好ましく、２００℃／ｈ程度であることがより好ましい。このように十分に時間をかけてチャンバー内を昇温することで、熱が伝わり難い真空中においても、十分に金属ペースト層Ｘ１、Ｘ２を昇温することができる。そのため、チャンバー内の設定温度と実際の金属ペースト層Ｘ１、Ｘ２の温度との乖離を低減することができ、より正確な温度条件で次の焼成ステップ４０４を行うことができる。その結果、第１、第２活性金属層２７０、２８０をより確実に形成することができ、かつ、形成された第１、第２活性金属層２７０、２８０がより良質なものとなる。なお、昇温レートが上記下限値未満であると、チャンバーの大きさや雰囲気環境によっては、十分に金属ペースト層Ｘ１、Ｘ２を昇温することができないおそれがある。反対に、昇温レートが上記下限値を超えると、チャンバーの大きさや雰囲気環境によっては、チャンバー内の設定温度と実際の金属ペースト層Ｘ１、Ｘ２の温度との乖離を低減するという上記効果の向上をほとんど見込めず、本ステップの処理時間がただ長くなってしまうだけとなるおそれがある。
【００７５】
−焼成ステップ４０４−
本ステップでは、第２昇温ステップ４０３での目標温度Ｔ２をほぼ一定に維持する。図５（ｃ）に示すように、本ステップによれは、第１粒子Ａを溶融させることで、第１、第２活性金属層２７０、２８０および第１、第２金属配線２５０、２６０を形成することができる。具体的に説明すると、本ステップによって、第１粒子Ａが溶融し、第１粒子Ａ中に存在していたチタン（Ｔｉ）がセラミックス焼結体基板２１１のセラミックス成分と反応し、金属ペースト層Ｘ１、Ｘ２とセラミックス焼結体基板２１１との界面に、第１、第２活性金属層２７０、２８０が形成される。さらに、これとともに、第１粒子Ａ中に存在していた銀（Ａｇ）や銅（Ｃｕ）が流動して第２粒子Ｂ間に浸透し、これにより、第１、第２活性金属層２７０、２８０上に第１、第２金属配線２５０、２６０が形成される。このように、第１、第２金属配線２５０、２６０とセラミックス焼結体基板２１１との間に第１、第２活性金属層２７０、２８０が形成されることで、第１、第２金属配線２５０、２６０とセラミックス焼結体基板２１１との密着性が向上し、気密性および機械的強度に優れたベース基板２１０が得られる。また、本ステップでは、第２粒子Ｂを実質的に溶融させずに、第１粒子Ａのみを溶融させているため、第２粒子Ｂによって、金属ペースト層Ｘ１、Ｘ２の濡れ広がりや垂れ流れ等を効果的に抑制できる。そのため、配線形状保持性が向上し、設計形状により近く、電気的特性にも優れる第１、第２金属配線２５０、２６０を形成することができる。そのため、信頼性の高い第１、第２金属配線２５０、２６０が得られる。また、例えば、第２粒子Ｂを溶融させる場合と比較して本ステップの温度を低く抑えることができるので、セラミックス焼結体基板２１１への熱ダメージを低減することができる。
【００７６】
本ステップの保持時間としては、特に限定されず、金属ペースト層Ｘ１、Ｘ２の体積等によっても異なるが、例えば、１時間以上２時間以下の範囲内であることが好ましく、１時間程度であることがより好ましい。これにより、第１粒子Ａを十分に溶融させることができ、より確実に、第１、第２活性金属層２７０、２８０を形成することができる。なお、保持時間が上記下限値未満でると、金属ペースト層Ｘ１、Ｘ２の体積（第１粒子Ａの含有量）等によっては、第１粒子Ａを十分に溶融させることができず、第１、第２活性金属層２７０、２８０を十分に形成することができないおそれがある。反対に、保持時間が上記上限値を超えると、金属ペースト層Ｘ１、Ｘ２の体積（第１粒子Ａの含有量）等によっては、本ステップが過度に長くなるだけで、セラミックス焼結体基板２１１への熱ダメージが大きくなるおそれがある。
【００７７】
なお、本実施形態の焼成ステップ４０４では、目標温度Ｔ２をほぼ一定に保っているが、第１粒子Ａの融点よりも高く、第２粒子Ｂの融点よりも低い温度を維持している限り、これに限定されず、昇温させてもよいし、反対に、降温させてもよい。また、昇温と降温とを交互に繰り返してもよい。
【００７８】
−冷却ステップ４０５−
本ステップでは、目標温度Ｔ２から温度を徐々に低くしていき、セラミックス焼結体基板２１１、第１、第２活性金属層２７０、２８０および第１、第２金属配線２５０、２６０を例えば、常温まで冷却する。これにより、ベース基板２１０が得られる。本ステップでの１時間あたりの温度降下量（降温レート：℃／ｈ）としては、特に限定されないが、例えば、２０℃／ｈ以上１００℃／ｈ以下の範囲内であることが好ましく、４０℃／ｈ以上６０℃／ｈ以下の範囲内であることがより好ましい。このように十分に時間をかけて冷却することによって、セラミックス焼結体基板２１１、第１、第２活性金属層２７０、２８０、第１、第２金属配線２５０、２６０間の熱膨張率の差から、セラミックス焼結体基板２１１にクラック等が発生してしまうことを効果的に低減することができる。そのため、気密性や機械的強度に優れたベース基板２１０が得られる。
【００７９】
以上のようなベース基板２１０の製造方法によれば、第１、第２金属配線２５０、２６０とセラミックス焼結体基板２１１との密着性に優れ、さらには、第１、第２金属配線２５０、２６０の形状保持性、電気的特性に優れたベース基板２１０が得られる。また、セラミックス焼結体基板２１１へのクラックの発生を低減することができるので、機械的強度の低下を防止することができるとともに、ベース基板２１０の歩留まりを向上させることができる。
【００８０】
３．電子機器
次に、電子デバイス１００を備えた電子機器について説明する。
【００８１】
図７は、本発明の電子機器を適用したモバイル型（またはノート型）のパーソナルコンピューターの構成を示す斜視図である。この図において、パーソナルコンピューター１１００は、キーボード１１０２を備えた本体部１１０４と、表示部１１０８を備えた表示ユニット１１０６とにより構成され、表示ユニット１１０６は、本体部１１０４に対しヒンジ構造部を介して回動可能に支持されている。このようなパーソナルコンピューター１１００にはフィルター、共振器、基準クロック等として機能する電子デバイス１００が内蔵されている。
【００８２】
図８は、本発明の電子機器を適用した携帯電話機（ＰＨＳも含む）の構成を示す斜視図である。この図において、携帯電話機１２００は、複数の操作ボタン１２０２、受話口１２０４および送話口１２０６を備え、操作ボタン１２０２と受話口１２０４との間には、表示部１２０８が配置されている。このような携帯電話機１２００にはフィルター、共振器、基準クロック等として機能する電子デバイス１００が内蔵されている。
【００８３】
図９は、本発明の電子機器を適用したディジタルスチルカメラの構成を示す斜視図である。なお、この図には、外部機器との接続についても簡易的に示されている。ここで、通常のカメラは、被写体の光像により銀塩写真フィルムを感光するのに対し、ディジタルスチルカメラ１３００は、被写体の光像をＣＣＤ（Charge Coupled Device）などの撮像素子により光電変換して撮像信号（画像信号）を生成する。
【００８４】
ディジタルスチルカメラ１３００におけるケース（ボディー）１３０２の背面には、表示部１３１０が設けられ、ＣＣＤによる撮像信号に基づいて表示を行う構成になっており、表示部は、被写体を電子画像として表示するファインダーとして機能する。また、ケース１３０２の正面側（図中裏面側）には、光学レンズ（撮像光学系）やＣＣＤなどを含む受光ユニット１３０４が設けられている。
【００８５】
撮影者が表示部に表示された被写体像を確認し、シャッターボタン１３０６を押下すると、その時点におけるＣＣＤの撮像信号が、メモリー１３０８に転送・格納される。また、このディジタルスチルカメラ１３００においては、ケース１３０２の側面に、ビデオ信号出力端子１３１２と、データ通信用の入出力端子１３１４とが設けられている。そして、図示されるように、ビデオ信号出力端子１３１２にはテレビモニター１４３０が、デ−タ通信用の入出力端子１３１４にはパーソナルコンピューター１４４０が、それぞれ必要に応じて接続される。さらに、所定の操作により、メモリー１３０８に格納された撮像信号が、テレビモニター１４３０や、パーソナルコンピューター１４４０に出力される構成になっている。このようなディジタルスチルカメラ１３００には、フィルター、共振器、基準クロック等として機能する電子デバイス１００が内蔵されている。
【００８６】
なお、電子デバイスを備える電子機器は、図７のパーソナルコンピューター（モバイル型パーソナルコンピューター）、図８の携帯電話機、図９のディジタルスチルカメラの他にも、例えば、インクジェット式吐出装置（例えばインクジェットプリンター）、ラップトップ型パーソナルコンピューター、テレビ、ビデオカメラ、ビデオテープレコーダー、カーナビゲーション装置、ページャ、電子手帳（通信機能付も含む）、電子辞書、電卓、電子ゲーム機器、ワードプロセッサー、ワークステーション、テレビ電話、防犯用テレビモニター、電子双眼鏡、ＰＯＳ端末、医療機器（例えば電子体温計、血圧計、血糖計、心電図計測装置、超音波診断装置、電子内視鏡）、魚群探知機、各種測定機器、計器類（例えば、車両、航空機、船舶の計器類）、フライトシミュレーター等に適用することができる。
【００８７】
４．移動体
次に、電子デバイス１００を備えた移動体について説明する。
【００８８】
図１０は、本発明の移動体を適用した自動車を示す斜視図である。自動車１５００には、電子デバイス１００が搭載されている。電子デバイス１００は、例えば、キーレスエントリー、イモビライザー、カーナビゲーションシステム、カーエアコン、アンチロックブレーキシステム（ＡＢＳ）、エアバック、タイヤ・プレッシャー・モニタリング・システム（ＴＰＭＳ：Tire Pressure Monitoring System）、エンジンコントロール、ハイブリッド自動車や電気自動車の電池モニター、車体姿勢制御システム、等の電子制御ユニット（ＥＣＵ：electronic control unit）に広く適用できる。
【００８９】
以上、本発明の配線基板の製造方法、配線基板、電子デバイス、電子機器および移動体について、図示の実施形態に基づいて説明したが、本発明はこれに限定されるものではなく、各部の構成は、同様の機能を有する任意の構成のものに置換することができる。また、本発明に、他の任意の構成物が付加されていてもよい。
【００９０】
また、前述した実施形態では、セラミックス焼結体基板に設けられている凹部として貫通孔が形成されている構成について説明したが、貫通孔でなく有底の凹部であってもよい。すなわち、上面または下面に開口を有する有底の凹部であってもよい。また、凹部は省略してもよい。
【００９１】
また、前述した実施形態では、金属ペーストに第２粒子が含まれているが、第２粒子は、省略してもよい。
【実施例】
【００９２】
１．ベース基板（配線基板）の製造
（実施例１）
−セラミックス焼結体基板の製造−
まず、単層のセラミックスグリーンシートを用意した。セラミックスグリーンシートは、酸化アルミニウム（アルミナ）を主材料とし、酸化アルミニウムとバインダーを８９：１９（ｗ％）の割合で混合したものをシート状に成形したものを用いた。また、セラミックスグリーンシートのサイズは、（長さ×幅×厚さ）が（６０ｍｍ×５３ｍｍ×０．２ｍｍ）であった。このセラミックスグレーンシートに直径が２５０μｍの貫通孔を形成した。そして、このセラミックスグリーンシートを焼成処理することで、セラミックス焼結体基板を得た。焼成処理は、まず、チャンバー（ネムス株式会社製：ＥＤ４０×４０×４０）内にセラミックスグリーンシートを配置し、水素ガス雰囲気中で２００℃／ｈの昇温レートで昇温し、１５００℃で３０分焼成することで行った。
【００９３】
−金属ペーストの製造−
第１粒子として、Ｔｉ−Ａｇ−Ｃｕ合金（第１合金）からなる合金粉末（平均粒径ｄ５０＝３０μｍ：株式会社ナイス製、Ｖ１００８Ｔ）を用意した。第１合金中のＴｉの含有量が２重量％であり、Ａｇの含有量が７１重量％であり、Ｃｕの含有量が２７重量％である。そして、この第１粒子に有機ビヒクルを混合することで金属ペーストを得た。なお、有機ビヒクルとしては、水素化精製軽質留出の混合物を用い、金属ペースト中の第１粒子の含有量を２０重量％とした。
【００９４】
−金属ペーストの塗布−
次に、メタルマスクを使用したスクリーン印刷法を用いて、セラミックス焼結体基板の上面（一方の面）に所定形状の金属ペーストを印刷した。これにより、印刷済みのセラミックス焼結体基板を得た。
【００９５】
−焼成処理−
次に、印刷済みのセラミックス焼結体基板をチャンバー内に配置し、チャンバー内を１．３３×１０−３Ｐａ以下の真空雰囲気とした。次に、２００℃／ｈの昇温レートでチャンバー内の温度（印刷済みセラミックス焼結体基板の温度）を４００℃まで上昇させ（第１昇温工程）、４００℃を１時間保持した（バインダー除去工程）。次に、２００℃／ｈの昇温レートでチャンバー内の温度（印刷済みセラミックス焼結体基板の温度）を９００℃まで上昇させ（第２昇温工程）、９００℃を１時間保持した（焼結工程）。次に、５０℃／ｈの降温レートでチャンバー内の温度（印刷済みセラミックス焼結体基板の温度）を常温まで降下させた（冷却工程）。これにより、金属ペーストを焼成し、セラミックス焼結体基板との界面に活性金属層を形成するともに、活性金属層上に金属配線を形成した。
以上より、ベース基板を得た。
【００９６】
（実施例２）
金属ペーストを次のようにして製造した以外は、前述の実施例１と同様にしてベース基板を得た。
【００９７】
−金属ペーストの製造−
第１粒子として、Ｔｉ−Ａｇ−Ｃｕ合金（第１合金）からなる合金粉末（平均粒径ｄ５０＝３０μｍ：株式会社ナイス製、Ｖ１００８Ｔ）を用意した。第１合金中のＴｉの含有量が２重量％であり、Ａｇの含有量が７１重量％であり、Ｃｕの含有量が２７重量％である。また、第２粒子として、Ｗ−Ｎｉ合金（第２合金）からなる合金粉末（平均粒径ｄ５０＝３μｍ：エプソンアトミックス株式会社製）を用意した。第２合金中のＷの含有量が９８重量％であり、Ｎｉの含有量が２重量％である。そして、第１粒子と第２粒子とを重量比で５０：５０の割合となるように混合して金属混合物を得、さらに、この金属混合物に有機ビヒクルを混合することで金属ペーストを得た。なお、有機ビヒクルとしては、水素化精製軽質留出の混合物を用い、金属ペースト中の金属混合物の含有量を２０重量％とした。
【００９８】
（実施例３〜１０）
第１、第２昇温工程の昇温レート、バインダー除去工程の保持時間、冷却工程の降温レート等を図１１の表１のようにした以外は、前述の実施例１と同様にしてベース基板を得た。
【００９９】
（比較例１）
バインダー除去工程を省略した以外は、前述の実施例１と同様にしてベース基板を得た。
【０１００】
２．評価
実施形態１〜１０のベース基板について、以下の評価を行った。図１１に示す表１にそれぞれの評価結果を示す。
【０１０１】
−活性金属層の有無−
ベース基板に活性金属層が形成されているか否かをＳＥＭ観察によって評価した。また、本評価は、各実施例１〜１０のベース基板をそれぞれ１０個製造し、活性金属層が形成されていないベース基板の数で評価した。活性金属層が形成されていないベース基板が０個である実施例を「〇」、１個または２個である実施例を「△」、３個以上である実施例を「×」とした。なお、クラックが発生していないベース基板のＳＥＭ写真を図１２に示し、クラックが発生しているベース基板を図１３に示す。また、各層に含まれる金属（アルミニウム、チタン、タングステン、銅、銀）の含有量を図１４に示す。
【０１０２】
−セラミックス焼結体基板のクラック−
セラミックス焼結体基板にクラックが発生していないをＳＥＭ観察によって評価した。本評価は、各実施例１〜１０のベース基板をそれぞれ１０個製造し、クラックが発生しているベース基板の数で評価した。クラックが発生しているベース基板が０個である実施例を「〇」、１個または２個である実施例を「△」、３個以上である実施例を「×」とした。
【０１０３】
−配線形状保持性−
形成された金属配線が焼成前の形状を保っているかを評価した。本評価は、電子顕微鏡を用いて金属配線を観察し、焼成前と焼成後での配線幅（面積）の変化に基づいて評価した。焼成前後の配線幅の変化率が５％以下であるものを「〇」とし、変化率が５％を超えたものを「×」とした。なお、各実施例１〜１０の評価は、１０個のベース基板の平均値で評価している。
【０１０４】
３．評価結果
図１１に示す表１から、実施例１〜１０は、いずれも、比較例１と比較して優れた評価を有していることが分かる。また、実施例１、２に対して、第１昇温工程の昇温レートを高くした実施例４や、バインダー除去工程の保持時間を短くした実施例５や、第２昇温工程の昇温レートを高くした実施例８では、実施例１、２に対して活性金属層の有無に関する評価が低いことが分かる。また、実施例１、２に対して、冷却工程の降温レートを高くした実施例１０では、クラックが発生する確率が高くなっていることが分かる。また、実施例１、２に対して、第１昇温工程の昇温レートを低くした実施例３や、バインダー除去工程の保持時間を長くした実施例６や、第２昇温工程の昇温レートを低くした実施例７や、冷却工程の降温レートを低くした実施例９では、実施例１、２と同等の評価が得られたことが分かる。
【符号の説明】
【０１０５】
１００……電子デバイス  ２００……パッケージ  ２１０……ベース基板  ２１１……セラミックス焼結体基板  ２１３、２１５……貫通孔  ２３０……リッド  ２３１……本体  ２３３……フランジ  ２４０……メタライズ層  ２５０……第１金属配線  ２５１……ビア  ２５３……内部端子  ２５５……実装端子  ２６０……第２金属配線  ２６１……ビア  ２６３……内部端子  ２６５……実装端子  ２７０……第１活性金属層  ２８０……第２活性金属層  ２９１、２９２……導電性接着剤  ３００……振動素子  ３１０……圧電基板  ３２０……励振電極  ３２１……電極部  ３２２……ボンディングパッド  ３２３……配線  ３３０……励振電極  ３３１……電極部  ３３２……ボンディングパッド  ３３３……配線  ４０１……第１昇温工程  ４０２……バインダー除去工程  ４０３……第２昇温工程  ４０４……焼成工程  ４０５……冷却工程  １１００……パーソナルコンピューター  １１０２……キーボード  １１０４……本体部  １１０６……表示ユニット  １１０８……表示部  １２００……携帯電話機  １２０２……操作ボタン  １２０４……受話口  １２０６……送話口  １２０８……表示部  １３００……ディジタルスチルカメラ  １３０２……ケース  １３０４……受光ユニット  １３０６……シャッターボタン  １３０８……メモリー  １３１０……表示部  １３１２……ビデオ信号出力端子  １３１４……入出力端子  １４３０……テレビモニター  １４４０……パーソナルコンピューター  １５００……自動車  Ａ……第１粒子  Ｂ……第２粒子  Ｃ……バインダー  Ｓ……収納空間  Ｔ１、Ｔ２……目標温度  Ｘ……金属ペースト  Ｘ１、Ｘ２……金属ペースト層
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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