(57)【要約】      （修正有）【課題】短時間でプローブを半導体装置に確実に接触させることが出来る試験装置を提供する。【解決手段】半導体装置１０の上方にガイド部材３５を配置し、ガイド部材３５に複数のプローブ２４の先端部を接触させる。ガイド部材３５は、導電性リング３５Ａを有し、リング３５Ａにプローブ２４の選択を接触させることで、プローブ２４を半導体装置１０から僅かに離れた位置に、かつ複数のプローブ２４の先端の位置が略一致するように配置される。半導体装置１０を試験するときには、ガイド部材３５を下げてプローブ２４から離した後、半導体装置１０の上方から退避させる。その後、プローブ２４を下げて半導体装置１０の電極パッド１５に接触させる。【選択図】図７Ｂ
2015170730.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
移動機構に連結可能な支持部材と、
前記支持部材の先端に配置され、被試験体に接触可能な第１の部分と、前記第１の部分の反対側に配置され、前記被試験体の試験に使用するプローブに接触可能な第２の部分とを有するガイド部材と、
を含むことを特徴とする試験装置。
【請求項２】
前記ガイド部材が導電材料から製造されていることを特徴とする請求項１に記載の試験装置。
【請求項３】
前記ガイド部材は、円形又は多角形のリングであることを特徴とする請求項２に記載の試験装置。
【請求項４】
請求項１乃至請求項３のいずれか一項に記載のガイド部材と、
前記被試験体を載置するステージ装置と、
前記プローブを有し、前記プローブを介して前記被試験体に信号を入力可能なプロービング装置と、
を含むことを特徴とする試験装置。
【請求項５】
被試験体の電極から所定距離だけ上方にガイド部材を配置し、
前記ガイド部材にプローブを接触させた後、前記ガイド部材を前記被試験体の前記電極の上方から退避させ、
前記プローブを前記電極に接触させ、前記被試験体の試験用の信号を入力することを特徴とする試験方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、試験装置及び試験方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
例えば、半導体装置などの製造ラインにおける試験工程では、プロービング装置を使用して集積回路の検査を行っている。プロービング装置は、複数のプローブを有し、各々のプローブを集積回路の電極パッドに接触させてから所定の電気信号を半導体装置に入力するように構成されている。さらに、プロービング装置では、半導体装置からの出力信号をプローブを通して取得することが可能であり、出力信号を解析することで、半導体装置の直接微小電流リークや、しきい値電圧変動などの特性、コンタクト抵抗などを評価できる。
【０００３】
ここで、複数のプローブを電極パッドに接触させるときには、最初に光学的方法によりプローブの水平方向の位置を合わせる。次に、圧力センサーや光学的方法等によってプローブの高さ方向の位置を合わせる。このとき、電極パッドの高さのばらつきを吸収するために、プローブに所定の電流を流し、いずれかのプローブと電極パッドの導通を検出したら、その時点から所定量だけ半導体装置のステージを上昇させる。
【０００４】
また、プローブの位置のばらつきが大きいと、電極パッドとの間で接触不良を起こすことがある。このために、プロービング装置の故障を検出する方法として、プローブが最初に電極パッドに接触したときの位置と、全てのプローブが電極パッドに接触したときの位置を調べ、２つの位置の差がプローブの位置のばらつきの許容範囲内であれば、プロービング装置が正常に動作していると判定する。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２００３−２７３１７５公報
【特許文献２】特開２００７−９５９３８公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
近年では、半導体装置の小型化が進んでおり、これに伴って集積回路の電極パッドも微細化されている。例えば、小型化された半導体装置の集積回路を試験する検査装置は、ＳＥＭ（走査電子顕微鏡）を有し、ＳＥＭ内に複数のプローブを配置し、高倍率で集積回路の表面をリアルタイムで観察しながらプロービングすることが可能になっている。しかしながら、小型のプローブは変形し易いので、自動でプローブを電極パッドに接触させると、プローブにダメージを与え易い。このために、プローブを電極パッドに接触させるときには、手動で微小距離、例えば、０．１μｍのステップでプローブを半導体装置に向けて移動させている。このために、プローブを電極パッドに接触させる工程を時間がかかっていた。
この発明は、このような事情に鑑みてなされたものであり、短時間でプローブを半導体装置に確実に接触させることを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
実施形態の一観点によれば、移動機構に連結可能な支持部材と、前記支持部材の先端に配置され、半導体装置に接触可能な第１の部分と、前記第１の部分の反対側に配置され、前記半導体装置の試験に使用するプローブに接触可能な第２の部分とを有するガイド部材と、を含むことを特徴とする半導体装置の試験用プローブのガイド装置が提供される。
【０００８】
また、実施形態の別の観点によれば、請求項１乃至請求項３のいずれか一項に記載のガイド部材と、前記半導体装置を載置するステージ装置と、前記プローブを有し、前記プローブを介して前記半導体装置に信号を入力可能なプロービング装置と、を含むことを特徴とする半導体装置の試験装置が提供される。
【０００９】
また、実施形態の別の観点によれば、半導体装置の電極から所定距離だけ上方にガイド部材を配置し、前記ガイド部材にプローブを接触させた後、前記ガイド部材を前記半導体装置の前記電極の上方から退避させ、前記プローブを前記電極に接触させ、前記半導体装置の試験用の信号を入力することを特徴とする半導体装置の試験方法が提供される。
【発明の効果】
【００１０】
ガイド部材を半導体装置に接触させることで、半導体装置に対するガイド部材の位置決めが可能で、ガイド部材にプローブを接触させることで、ガイド部材に対するプローブの位置決めが可能になる。これにより、プローブを半導体装置の近傍に位置決めすることが可能になり、プローブを微動させる距離を短縮することが可能になり、検査時間を短縮できる。また、プローブと半導体装置の接触不良が防止できる。
【図面の簡単な説明】
【００１１】
【図１】図１は、本発明の実施の形態に係る半導体装置の試験装置の概略構成の一例を示す図である。
【図２】図２は、本発明の実施の形態に係る半導体装置の試験装置の概略構成の一例を示し、図１のＡ矢視の平面図である。
【図３】図３、本発明の実施の形態に係るガイド装置の概略構成の一例を示し、（ａ）は平面図であり、（ｂ）は側面図である。
【図４】図４は、本発明の実施の形態に係る半導体装置の試験方法の一例を説明するフローチャートである。
【図５Ａ】図５Ａは、本発明の実施の形態に係る半導体装置の試験方法の一例を説明する図であって、半導体装置にガイド部材を接触させた状態を示す側面図である。
【図５Ｂ】図５Ｂは、本発明の実施の形態に係る半導体装置の試験方法の一例を説明する図であって、図５Ａの一部を拡大して示す図である。
【図６Ａ】図６Ａは、本発明の実施の形態に係る半導体装置の試験方法の一例を説明する図であって、ガイド部材を半導体装置から上昇させた状態を示す側面図である。
【図６Ｂ】図６Ｂは、本発明の実施の形態に係る半導体装置の試験方法の一例を説明する図であって、図６Ａの一部を拡大して示す図である。
【図７Ａ】図７Ａは、本発明の実施の形態に係る半導体装置の試験方法の一例を説明する図であって、ガイド部材にプローブを接触させた状態を示す側面図である。
【図７Ｂ】図７Ｂは、本発明の実施の形態に係る半導体装置の試験方法の一例を説明する図であって、図７Ａの一部を拡大して示す図である。
【図８Ａ】図８Ａは、本発明の実施の形態に係る半導体装置の試験方法の一例を説明する図であって、ガイド部材にプローブから下降させた状態を示す側面図である。
【図８Ｂ】図８Ｂは、本発明の実施の形態に係る半導体装置の試験方法の一例を説明する図であって、図８Ａの一部を拡大して示す図である。
【図９Ａ】図９Ａは、本発明の実施の形態に係る半導体装置の試験方法の一例を説明する図であって、ガイド部材に半導体装置から退避させた状態を示す側面図である。
【図９Ｂ】図９Ｂは、本発明の実施の形態に係る半導体装置の試験方法の一例を説明する図であって、図９Ａの一部を拡大して示す図である。
【図１０Ａ】図１０Ａは、本発明の実施の形態に係る半導体装置の試験方法の一例を説明する図であって、プローブを半導体装置に接触させた状態を示す側面図である。
【図１０Ｂ】図１０Ｂは、本発明の実施の形態に係る半導体装置の試験方法の一例を説明する図であって、図１０Ａの一部を拡大して示す図である。
【図１１】図１１は、本発明の実施の形態の変形例に係るガイド装置であって、ガイド部材が四角形の場合の（ａ）平面図、（ｂ）拡大図である。
【図１２】図１２は、本発明の実施の形態の変形例に係るガイド装置であって、ガイド部材が六角形の場合の平面図である。
【図１３】図１３は、本発明の実施の形態の変形例に係るガイド装置であって、ガイド部材が八角形の場合の平面図である。
【図１４】図１４は、本発明の実施の形態の変形例に係るガイド装置であって、ガイド部材が楕円形の場合の平面図である。
【図１５】図１５は、本発明の実施の形態の変形例に係るガイド装置であって、ガイド部材が線状の場合の平面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１２】
発明の目的及び利点は、請求の範囲に具体的に記載された構成要素及び組み合わせによって実現され達成される。
前述の一般的な説明及び以下の詳細な説明は、典型例及び説明のためのものであって、本発明を限定するためのものではない。また、実施形態における上下左右は相対的なものである。
【００１３】
図１に示すように、検査装置１は、ＳＥＭ（走査電子顕微鏡）２を有し、ＳＥＭ２内にプロービング装置３と、ガイド装置４と、ステージ装置５が配置されている。ＳＥＭ２は、真空ポンプ７で真空引き可能な中空のチャンバー８を有し、チャンバー８の上部に電子銃９が取り付けられている。電子銃９には、例えば、電子を発生するフィラメントや、各種レンズ、走査コイルなどが内蔵されている。チャンバー８内には、被試験体として例えば半導体装置１０を載置するステージ装置５が配置されている。ステージ装置５は、半導体装置１０を吸着保持するステージ１１と、ステージ１１を上下及び左右の直交する３方向（ＸＹＺ方向）に移動させる移動部１２と、ステージを上下方向であるＺ軸回りに回転させる回転部１３とを有する。半導体装置１０は、不図示のトランジスタなどの半導体素子及び回路を有し、上面に電子信号を入出力する電極パッド１５が複数配置されている。また、半導体装置１０の表面には、電極パッド１５以外の配線パターンを配置しても良い。さらに、チャンバー８内には、電子銃９からの電子を半導体装置１０に照射したときに発生する二次電子を検出する二次電子検出装置１７が設けられている。また、検査装置１は、ＳＥＭ２や各種装置３〜５を制御する制御装置１８と、画像等の表示装置１９を備えている。
【００１４】
また、図１と、図１のＡ矢視図である図２とに示すように、プロービング装置３は、複数のプローブユニット２１を有する。各プローブユニット２１は、チャンバー８内に固定され、上下方向に移動可能なＺステージ２２に１つずつ固定された本体部２３と、本体部２３から延びるプローブ２４とを有する。プローブ２４は、本体部２３から略水平に延び、先端部がステージ５に向かって斜めに下がるカンチレバーになっている。図２の例では、６本のプローブユニット２１が、半導体装置１０を中心として等間隔に、かつ放射状に配置されている。しかしながら、プローブユニット２１の数や配置は、これに限定されない。また、プローブユニット２１は、プローブ２４を左右方向に移動する移動機構を有しても良い。
【００１５】
図１及び図２に示すように、ガイド装置４は、チャンバー８内に固定された不図示のベースを有し、ベース上にはＸＹＺ方向又はＸＺ方向のみに移動可能なステージ３２（移動機構）が搭載されている。ステージ３２には、ガイドユニット３３が取り付けられている。ガイドユニット３３は、ステージ３２の上方に延びる支持部材３４を有する。図２と、ガイド装置の一部拡大図である図３に示すように、支持部材３４は、先端部分がステージ３２と略平行になるように配置されると共に、略Ｕ字形に形成されており、Ｕ字形の先端部３４Ａにガイド部材３５が固定されている。
【００１６】
ガイド部材３５は、リング３５Ａと、リング３５Ａと支持部材３４を連結させる連結部材３５Ｂとを有する。リング３５Ａは、所定の線径を有する線状部材を所定の直径になるように整形することで形成されている。リング３５Ａの内径は、プローブ２４を接触させる複数の電極パッド１５の中心部分を内包する円の外径より大きい。さらに、リング３５Ａは、半導体装置１０に向けて配置され、被試験体側接触部となる第１の部分である底部３６Ａと、底部３６Ａの反対側にプローブ２４に向けて配置され、プローブ側接触部となる第２の部分である上部３６Ｂとを有する。また、連結部材３５Ｂは、支持部材３４の先端のＵ字形の先端部３４Ａと、リング３５Ａを連結するもので、図３（ａ）の例では、リング３５Ａの周方向に等間隔に３本配置されている。また、図３（ｂ）に示すように、連結部材３５Ｂは、リング３５Ａの下端が支持部材３４の先端部３４Ａの下端より下方に配置されるように両者を連結させている。
【００１７】
ここで、ガイド部材３５及び支持部材３４は、導電性を有する材料、例えば、タングステン、ステンレススチールなどの金属や、シリコンなどを使用して製造されている。なお、ガイド部材３５及び支持部材３４は、リング３５Ａのみが導電性を有しても良い。また、リング３５Ａの下端は、支持部材３４の先端部３４Ａの下端と一致させても良い。
【００１８】
図１に示すように、制御装置１８は、検査部４１と、ＳＥＭ制御部４２と、接触判定部４３と、移動制御部４４とに機能分割できる。検査部４１は、プローブユニット２１の駆動と、プローブ２４を介して半導体装置１０に入出力する電気信号の生成や解析を行うことで、半導体装置１０の電気的な検査を行う。ＳＥＭ制御部４２は、ステージ装置５や電子銃９など、ＳＥＭ２の制御を行う。接触判定部４３は、ガイド部材３５のリング３５Ａと半導体装置１０の電極パッド１５との接触、又はリング３５Ａとプローブ２４との接触をそれぞれの間の導通を調べることをよって判定する。移動制御部４４は、ガイドユニット３３の移動を制御する。
【００１９】
次に、半導体装置１０の検査方法の概要について図１と図４のフローチャートを主に参照して説明する。
最初に、ステップＳ１０１で、移動制御部４４がガイド装置４のステージ３２を駆動させて、ガイドユニット３３を半導体装置１０の任意の箇所に移動させる。続いて、ステップＳ１０２で、移動制御部４４がガイド部材３５の底部３６Ａが半導体装置１０に接触するまでガイドユニット３３を下げる。このとき、接触判定部４３は、半導体装置１０に接触した高さをゼロ点と記憶する。この後、ステップＳ１０３で、移動制御部４４がガイドユニット３３を半導体装置１０から所定距離、例えば３０μｍ上昇させる。
【００２０】
さらに、ステップＳ１０４で、検査部４１がプローブ２４をガイドユニット３３の近傍に移動させる。このとき、検査部４１は、Ｚステージ２２を駆動させてプローブユニット２１を半導体装置１０に向けて微動させる。そして、ステップＳ１０５に示すように、ガイドユニット３３のガイド部材３５とプローブ２４の位置が予め定められた許容範囲内に収まるまでプローブ２４を移動させたら、ステップＳ１０６で、検査部４１がＺステージ２２をさらに駆動させてプローブ２４をガイド部材３５の上部３６Ｂに接触するまで下げる。
【００２１】
プローブ２４とガイド部材３５の接触は、例えば、接触判定部４３が両者の間の導通を調べることで実現できる。また、接触確認は、全てのプローブ２４について行われる。そして、ステップＳ１０７に示すように、全てのプローブ２４がガイド部材３５に接触したことを確認したら、ステップＳ１０８に進み、移動制御部４４がガイドユニット３３を所定距離、例えば２０μｍ下げる。このときのガイド部材３５の下降量は、プローブ２４の先端より下方で、かつ半導体装置１０に接触しない距離である。
【００２２】
この後、ステップＳ１０９において、移動制御部４４がガイドユニット３３をプローブ２４及び半導体装置１０の検査範囲から退避させる。続いて、ステップＳ１１０で、検査部４１が全てのプローブ２４を電極パッド１５に電気的に接触させる。検査装置１は、プローブ２４を半導体装置１０に向けて移動させても良いし、半導体装置１０をプローブ２４に向けて移動させても良い。そして、ステップＳ１１１で半導体装置１０を検査する。半導体装置１０の検査は、検査部４１が予め定められたテストパターンに基づく電気信号などを所定のプローブ２４を通して所定の電極パッド１５に入力する。電気信号が入力されると半導体装置１０内で出力信号が生成されるので、出力信号を別の電極パッド１５から別のプローブ２４を介して取得する。そして、検査部４１が、半導体装置１０の出力信号のパターンなどと、半導体回路の設計データから期待されるデータとを比較し、両方のデータが一致するか不一致であっても誤差の範囲であれば、半導体装置１０は正常動作していると判定する。一方、両方のデータが誤差の範囲を超えて不一致であれば、半導体装置１０の動作不良を起こしていると判定する。
【００２３】
さらに、図４のフローチャートの工程の具体例について、図２、図５Ａから図１０Ｂを参照して説明する。
まず、図５Ａ、図５Ｂに、ステップＳ１０２で半導体装置１０に接触するまでガイドユニット３３を下げた状態の一例を示す。図５Ｂは、図５Ａのガイド部材３５のリング３５Ａ及びその周囲を拡大した図である。図２に示すように、上方から見ると、ガイド部材３５のリング３５Ａは、半導体装置１０の検査対象となる電極パッド１５を囲む位置に配置される。リング３５Ａの位置は、制御装置１８の移動制御部４４によって半導体装置１０がガイド装置４のステージ３２の位置が調整されることにより制御される。また、ＳＥＭ制御部４２がＳＥＭ２のステージ装置５を駆動制御することによってガイド部材３５と半導体装置１０の位置を調整しても良い。この場合、ＳＥＭ制御部４２は、画像処理や予め定められたデータに基づいて自動的にリング３５Ａと電極パッド１５の位置を調整しても良いし、ＳＥＭ観察により作業者が手動で調整しても良い。
【００２４】
このとき、図５Ａに示すように、各プローブ２４は、電極パッド１５の上方、かつガイド部材３５の上方に待機している。さらに、図５Ｂに示すように、ガイド部材３５のリング３５Ａの底部３６Ａは、いずれかの電極パッド１５に電気的に接触している。これにより、ガイド部材３５に所定の電流が流れるので、接触判定部４３がガイド部材３５と半導体装置１０が接触したことを検知する。なお、ガイド部材３５のリング３５Ａは、電極パッド１５以外の不図示の配線等と電気的に接触させても良い。
【００２５】
続いて、図６Ａ及び図６Ｂに示すように、ガイドユニット３３を半導体装置１０から所定距離だけ上昇させる。このとき、ガイド部材３５は、半導体装置１０と各プローブ２４のいずれにも接触していない。
【００２６】
さらに、図７Ａ及び図７Ｂに示すように、各プローブ２４を下げ、ガイド部材３５のリング３５Ａの上部３６Ｂに接触させる。このとき、ガイド部材３５の位置は固定しておき、各プローブ２４を微動させる。図７Ｂに示すように、検査部４１は、例えば、各プローブ２４に電流を印加しておく。リング３５Ａとプローブ２４の先端部が接触すると、両者の間に電流が流れるので、接触判定部４３がそのプローブ２４とガイド部材３５との接触を両者の間の導通を調べることにより検知できる。プローブ２４とガイド部材３５の接触確認は、全てのプローブ２４について実施する。ここまでの動作によって、全てのプローブ２４が電極パッド１５に近い位置で、かつガイド部材３５によって制御された略同じ高さに配置される。
【００２７】
続いて、図８Ａ及び図８Ｂに示すように、ガイドユニット３３を所定距離だけ下方に下げる。これによって、ガイドユニット３３は、各プローブ２４から離れ、かつ半導体装置１０にも接触しない位置に配置される。そして、図９Ａ及び図９Ｂに示すように、ガイド部材３５を検査領域、即ち半導体装置１０の上方から外側に退避させる。この後、図１０Ａ及び図１０Ｂに示すように、各プローブ２４を下降させて電極パッド１５に電気的に接触させる。ここまでの工程で各プローブ２４は、予め電極パッド１５から少しだけ離れたところに配置されているので、各プローブ２４を微動させる距離は短く済み、短時間でプローブ２４を電極パッド１５に接触させることができる。さらに、ガイド部材３５によって各プローブ２４の先端部は、略同じ高さになるように配置されているので、電極パッド１５と接触不良になったり、電極パッド１５を必要以上の力で押圧したりすることはない。
【００２８】
なお、他の領域の電極パッド１５の試験を行う場合には、例えば、ステージ装置５を駆動させて半導体装置１０の位置をガイド部材３５及びプローブ２４に対して相対的に移動させた後、前記の処理を繰り返す。
【００２９】
以上、説明したように、検査装置１は、ガイドユニット３３を有することによって、プローブ２４を半導体装置１０の近傍に位置決めして待機させることが可能になる。これは、ガイド部材３５の底部３６Ａで半導体装置１０を基準にした位置決めが行え、ガイド部材３５の上部３６Ｂでプローブ２４の位置決めが行えるため、ガイド部材３５を介してプローブ２４を半導体装置１０の近傍の所定位置に位置決めすることが可能になるためである。この際、プローブ２４は、ガイド部材３５に接触するまでは大きく移動させることができる。その一方で、プローブ２４を微動させる必要がある距離を短くできるので、半導体装置１０を短時間で検査することが可能になる。また、複数のプローブ２４をガイド部材３５に接触させることによって、各プローブ２４の先端位置を略同一にすることができるので、プローブ２４の先端位置のずれに起因する電極パッド１５との間の接触不良等を防止できる。なお、検査装置１は、ＳＥＭ２を有しない構成でも良い。また、リング３５Ａの底部３６Ａと上部３６Ｂは、最も高い部分又は最も低い部分で半導体装置１０又はプローブ２４に接触しても良いし、最も高い部分又は最も低い部分からずれた部分で半導体装置１０又はプローブ２４に接触しても良い。なお、被試験体は、外部からプローブを接触させて試験を行う部材又は装置であれば良く、半導体装置１０に限定されない。
【００３０】
次に、ガイド部材の形状の変形例を示す。
図１１（ａ）に示すガイド装置４のガイド部材３５は、四角形のリング５１を有する。図１１（ｂ）に示すように、リング５１は、４つの角部５１Ａを有し、リング５１の上部５１Ｂ（第２の部分）側の角部５１Ａにプローブ２４の先端部を接触させるようにすると、プローブ２４の先端を位置決めし易くなる。また、リング５１の底部は、半導体装置１０に接触する第１の部分になる。
【００３１】
また、図１２に示すガイド部材３５は、六角形のリング５２を有する。さらに、図１３に示すガイド部材３５は、八角形のリング５３を有する。これらリング５２，５３の上部５２Ｂ，５３Ｂ（第１の部分）の複数の角部５２Ａ〜５３Ａのそれぞれにプローブ２４を１つずつ配置すると、プローブ２４の先端の位置決めが行える。また、リング５２，５３の底部は、半導体装置１０に接触する第１の部分になる。なお、ガイドのリングは、四角形や六角形、八角形以外の多角形でも良い。ガイドのリングを多角形にする場合には、角部を半導体装置１０の電極パッド１５の配置に合わせた位置に形成するとプローブ２４を電極パッド１５に導き易くなる。また、多角形のリングの角部以外の上部にプローブ２４を接触させても良い。
【００３２】
また、図１４に示すガイド部材３５のように、リング５４は、楕円形でも良い。リング５４の上部５４Ａ（第２の部分）がプローブ２４に接触する第２の部分になり、反対側の底部が半導体装置１０に接触する第１の部分になる。さらに、図１５に示すガイド部材６１は、直線形状になっている。直線部分の上部６１Ａにプローブ２４を接触させることにより、プローブ２４を半導体装置１０の近傍に位置決めすることが可能になる。また、反対側の底部に半導体装置１０を接触させることが可能である。なお、ガイド部材６１は、リングや直線に限定されず、平面形状や屈曲した形状などであっても良い。
【００３３】
ここで挙げた全ての例及び条件的表現は、発明者が技術促進に貢献した発明及び概念を読者が理解するのを助けるためのものであり、ここで具体的に挙げたそのような例及び条件に限定することなく解釈するものであり、また、明細書におけるそのような例の編成は本発明の優劣を示すこととは関係ない。本発明の実施形態を詳細に説明したが、本発明の精神及び範囲から逸脱することなく、それに対して種々の変更、置換及び変形を施すことができる。
【００３４】
以下に、前記の実施の形態の特徴を付記する。
（付記１）  移動機構に連結可能な支持部材と、前記支持部材の先端に配置され、被試験体に接触可能な第１の部分と、前記第１の部分の反対側に配置され、前記被試験体の試験に使用するプローブに接触可能な第２の部分とを有するガイド部材と、を含むことを特徴とする試験装置。
（付記２）  前記ガイド部材が導電材料から製造されていることを特徴とする付記１に記載の半導体装置の試験用プローブのガイド装置。
（付記３）  前記ガイド部材は、円形又は多角形のリングであることを特徴とする付記２に記載の試験装置。
（付記４）  前記ガイド部材は、前記プローブを位置決めして接触させる角部を有する多角形のリングであることを特徴とする付記３に記載の試験装置。
（付記５）  前記支持部材を移動可能に支持する前記移動機構と、前記移動機構を駆動させ、前記ガイド部材の位置を制御する移動制御部と、前記ガイド部材と前記プローブの間に電流を印加して前記ガイド部材と前記プローブとの接触を検知する接触判定部と、を含むことを特徴とする付記１乃至付記４のいずれか一項に記載の試験装置。
（付記６）  付記１乃至付記５のいずれか一項に記載のガイド部材と、前記被試験体を載置するステージ装置と、前記プローブを有し、前記プローブを介して前記被試験体に信号を入力可能なプロービング装置と、を含むことを特徴とする試験装置。
（付記７）  被試験体の電極から所定距離だけ上方にガイド部材を配置し、前記ガイド部材にプローブを接触させた後、前記ガイド部材を前記被試験体の前記電極の上方から退避させ、前記プローブを前記電極に接触させ、前記被試験体の試験用の信号を入力することを特徴とする試験方法。
（付記８）  前記ガイド部材と前記プローブとの間の導通を調べることによって前記ガイド部材と前記プローブの接触を検出することを含むことを特徴とする付記７に記載の試験方法。
（付記９）  前記ガイド部材を前記被試験体に接触させた後、前記ガイド部材を所定距離だけ前記被試験体から上昇させることを含む付記７又は付記８に記載の試験方法。
（付記１０）  前記ガイド部材は、前記プローブを接触させる部分が多角形のリングであり、前記プローブを前記リングの角部に接触させることを特徴とする付記７乃至付記９のいずれか一項に記載の試験方法。
【符号の説明】
【００３５】
１  試験装置
４  ガイド装置
１０  半導体装置（被試験体）
１５  電極
３２  ステージ（移動機構）
３４  支持部材
２４  プローブ
３５  ガイド部材
３５Ａ，５１，５２，５３，５５  リング
３６Ａ  底部（第１の部分）
３６Ｂ，５１Ｂ，５２Ｂ，５３Ｂ，５５Ａ，６１Ａ  上部（第２の部分）
４３  接触判定部
４４  移動制御部
５１Ａ，５２Ａ，５３Ａ  角部
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５Ａ】
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【図５Ｂ】
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【図６Ａ】
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【図６Ｂ】
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【図７Ａ】
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【図７Ｂ】
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【図８Ａ】
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【図８Ｂ】
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【図９Ａ】
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【図９Ｂ】
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【図１０Ａ】
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【図１０Ｂ】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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