(57)【要約】【課題】基板との接合が強固な半導体装置を提供する。【解決手段】アウターリード５がインナーリードを介してインナーリード吊りリード３と電気的に接続されることで、アウターリード切断面１１にもメッキ皮膜が形成され、封止樹脂１０から延出するアウターリード全表面に半田層が形成しやすくなる。【選択図】図１
2015170822.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
リードフレームのアイランド上に載置された半導体チップを覆う封止樹脂と、前記封止樹脂から側面に延出するアウターリードとからなる半導体装置であって、
前記アウターリードと接続されたインナーリードと、
前記インナーリードに接続され、前記封止樹脂から断面が露出するインナーリード吊りリードと、
前記アイランドに接続され、前記封止樹脂から断面が露出するアイランド吊りリードと、
を備え、
前記アウターリードは切断面である端面を有し、
前記アウターリードの実装面、前記実装面と向かい合う反対面、前記実装面と前記反対面との間の両側面、および前記端面は、全て、表面に設けられたメッキ皮膜を有していることを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
前記インナーリード吊りリードの前記断面およびアイランド吊りリードの前記断面は前記メッキ皮膜を有していないことを特徴とする請求項１記載の半導体装置。
【請求項３】
前記封止樹脂から露出している前記インナーリード吊りリードの断面の数と前記アウターリードの数とが等しいことを特徴とする請求項１記載の半導体装置。
【請求項４】
前記リードフレームは、アイランドおよびインナーリードがアウターリードに対しアップセットしていることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載の半導体装置。
【請求項５】
前記リードフレームは、アイランドとアウターリードを同一高さとし、インナーリードのみをアップセットしていることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載の半導体装置。
【請求項６】
リードフレームのアイランド上に載置された半導体チップを覆う封止樹脂と、前記封止樹脂から側面に延出するアウターリードとからなる半導体装置の製造方法であって、
前記アイランドと、前記アイランドと近接するインナーリードと、前記インナーリードに接続されたインナーリード吊りリードおよび前記アウターリードと、前記アイランドに接続されたアイランド吊りリードと、を備えるリードフレームを準備する工程と、
前記半導体チップを前記アイランドにダイボンディングする工程と、
前記半導体チップ上の電極パッドと前記インナーリードとをワイヤによりワイヤーボンディングする工程と、
前記半導体チップ、前記ワイヤ、前記インナーリードおよび前記アイランドの露出部分を覆うように封止樹脂により樹脂封止する工程と、
前記封止樹脂から露出している前記アウターリードの先端を切断し、切断面を形成する工程と、
電解メッキにて前記切断面を含む前記アウターリードにメッキ皮膜を形成する工程と、
前記インナーリード吊りリードおよび前記アイランド吊りリードを切断する工程と、
からなることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項７】
前記インナーリード吊りリードの切断とアイランド吊りリードを切断の間に電気特性を検査する工程を有することを特徴とする請求項６記載の半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、リードフレームを用いた半導体装置及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年の携帯電子機器の小型化に伴い、半導体装置に使用される半導体パッケージにも小型、薄型でなおかつ実装強度を確保することが必要とされている。半導体パッケージを小型化する手段として、外部端子を基板実装面に対して平行に出すようにした、表面実装型パッケージが知られている。このタイプのパッケージとしてはＳＯＮ（Small Outline Non-Lead Package）、ＱＦＮ( Quad Flat Non-Lead Package)などがある。
【０００３】
これらのパッケージはＤＩＰ(Dual Inline Package)やＳＯＰ(Small Outline Package)と比較すると基板に実装する際に必要となる外部電極が小さいため、基板実装後の半田フィレット形成が少なく、実装強度は弱いという特徴がある。またこれらのパッケージの製造はスタンピング金型、もしくはエッチングによる加工で作成されるリードフレームを用いることが多い。リードフレームの材料には１９４alloy材や銅合金を使用するのが一般的である。
【０００４】
リードフレームを用いた半導体装置の製造ではリードフレーム上に半導体チップを搭載し、半導体チップとリードフレームを電気的にワイヤで接続し樹脂封止加工を行い、バリ取り処理を行った後に、銅面に対して外装メッキ処理を行う。外装メッキ処理後、半導体装置を所定のサイズでリードフレームから切り離す。
【０００５】
このように外装メッキ後にリードフレームから半導体装置を切り離すため、アウターリード切断面には外装メッキ皮膜が形成されない。そのため半導体装置を基板に実装する際、半田濡れ性が悪いという問題がある。これらの条件で作成された半導体パッケージの実装強度を向上させるため、アウターリード先端部の、平面形状や断面形状を変更し基板実装後の半田濡れ性を向上させるため半田フィレットを形成しやすくし実装強度を上げる形状が提案されている（例えば、特許文献１、２を参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開２００６−１９４６５号公報
【特許文献２】特開平７−４５７６９号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
しかしながら、半導体装置の小型化、薄型化がすすむ中で、半導体装置の基板実装強度の更なる向上が求められている。本発明は、基板への半田接着強度を高めた半導体装置およびその製造方法を提供するものである。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
上記課題を解決するために、以下の手段を用いた。
まず、リードフレームのアイランド上に載置された半導体チップを覆う封止樹脂と、前記封止樹脂から側面に延出するアウターリードとからなる半導体装置であって、前記アウターリードと接続されたインナーリードと、前記インナーリードに接続し、前記封止樹脂から延出するインナーリード吊りリードと、前記アウターリード全表面に設けられたメッキ皮膜と、からなることを特徴とする半導体装置とした。
【０００９】
また、前記インナーリード吊りリードが前記封止樹脂から露出していることを特徴とする半導体装置とした。
また、前記リードフレームが、アイランドおよびインナーリードがアウターリードに対しアップセットしていることを特徴とする半導体装置とした。
また、前記リードフレームが、アイランドとアウターリードを同一高さとし、インナーリードのみをアップセットしていることを特徴とする半導体装置とした。
【００１０】
さらに、リードフレームのアイランド上に載置された半導体チップを覆う封止樹脂と、前記封止樹脂から側面に延出するアウターリードとからなる半導体装置の製造方法であって、前記アイランドと、前記アイランドと近接するインナーリードと、前記インナーリードに接続されたインナーリード吊りリードおよび前記アウターリードと、前記アイランドに接続されたアイランド吊りリードと、を備えるリードフレームを準備する工程と、前記半導体チップをダイボンディングとワイヤーボンディングと樹脂封止する工程と、前記アウターリードの先端を切断する工程と、電解メッキにて前記アウターリードの切断面にメッキ皮膜を形成する工程と、前記インナーリード吊りリードおよび前記アイランド吊りリードを切断する工程と、からなることを特徴とする半導体装置の製造方法を用いた。
また、前記インナーリード吊りリードの切断とアイランド吊りリードを切断の間に電気特性検査工程を有することを特徴とする半導体装置の製造方法を用いた。
【発明の効果】
【００１１】
本発明によれば、半導体装置を基板に実装するにあたり、封止樹脂から露出しているアウターリードの全ての面に厚膜半田層を形成するため、基板との間に強固な接合が可能となる。
【図面の簡単な説明】
【００１２】
【図１】アウターリードを上にして図示した本発明の半導体装置の第１の実施例を示す鳥瞰図である。
【図２】図１のＡ−Ａ線に沿った断面図である。（アウターリードを下にして図示）
【図３】図１のＢ−Ｂ線に沿った断面図である。（アウターリードを上にして図示）
【図４】本発明の半導体装置のアウターリードに半田付けした時の断面図である。
【図５】本発明の半導体装置の第１の実施例の製造方法を示す鳥瞰図である。
【発明を実施するための形態】
【００１３】
以下、本発明を図面に基づいて説明する。
図１は、本発明を実施した半導体装置の第１の実施例を示す鳥瞰図である。ここではアウターリード５を上側にして図示している。アウターリード５は、その上面（実装面）、端面（アウターリード切断面１１）、上面（実装面）と向い合う反対面、そして、実装面と反対面とアウターリード切断面１１のそれぞれと一般には直角をなす側面を有し、封止樹脂１０から延出している。また、ほぼ直方体の半導体装置の側面では、切断されたインナーリード吊りリード３とアイランド吊りリード４の断面が封止樹脂１０から露出している。
【００１４】
図２は、図１におけるＡ−Ａ線に沿った断面図である。ここではアウターリード５を下側にして図示しており、基板に実装される場合の実装面は本図の下面になる。アウターリード５の周囲にはメッキ皮膜５ａが設けられ、基板実装側下面、反対側の上面、側面および切断面である端面の全てがメッキ皮膜５ａで覆われている。
【００１５】
図３は、図１におけるＢ−Ｂ線に沿った断面図である。ここではアウターリード５を下面にして図示しており、基板に実装される場合の実装面は本図の下面である。アウターリード５の基板実装面側下面、反対側の上面およびアウターリード切断面１１が封止樹脂から露出し、アウターリードの露出面全てがメッキ皮膜５ａで覆われている。
【００１６】
図４は、本発明の半導体装置のアウターリードに半田付けした時の断面図である。アウターリード５の封止樹脂１０から露出した全ての面がメッキ皮膜５ａを介して半田層１３で覆われており、半導体装置と基板との接続が強固なものとなっている。これは、封止樹脂１０から露出したアウターリード５の全表面にメッキ皮膜５ａが施されているためであり、露出するアウターリードが小さなものであっても基板との強固な接続が可能となる。
【００１７】
次に、本発明の半導体装置の製造方法について説明する。
図５は、本発明の第１の実施例に係る半導体装置の製造方法を示す鳥瞰図である。
図５（ａ）は、本実施例のリードフレーム１を示す鳥瞰図である。リードフレーム１は、のちに半導体チップを載置するアイランド６と、アイランド６と離れて配置されたインナーリード２と、インナーリード２とつながるアウターリード５、そして、インナーリード２はインナーリード吊りリード３、アイランド６はアイランド吊りリード４によってリードフレーム枠に接続されている。インナーリード吊りリード３とインナーリード２は1対１で対応するので両者の数は等しい。インナーリード吊りリード３の数とアウターリード５の数も当然等しくなっている。
【００１８】
インナーリード２とアウターリード５の間には段差部があり、アウターリード下面がインナーリード下面よりも低くなるようにしている。インナーリード下面はアイランド下面と同じ高さとなるようにしている。インナーリード吊りリード３とアイランド吊りリード４には折曲げ部があり、インナーリード２と接続する部分のインナーリード吊りリード３の下面に対し、周囲のリードフレーム枠と接続する部分のインナーリード吊りリード３の下面は相対的に低くなっている。アイランド吊りリード４についても同様に、アイランド６と接続する部分のアイランド吊りリード４の下面に対し、周囲のリードフレーム枠と接続する部分のアイランド吊りリード４の下面は相対的に低くなっている。
【００１９】
すなわち、本説明のリードフレームは、アイランドおよびインナーリードをアップセットしたリードフレームである。このようなリードフレーム１は、所定の厚さの１９４alloy材もしくは銅合金からなる板材の型打ち抜きと型押しによって形成できる。  すなわち、アイランド６、インナーリード２、アウターリード５、インナーリード吊りリード３、アイランド吊りリード４の平面形状を決めるために板材の打ち抜きを行う。
【００２０】
次いで、アイランド６、インナーリード３、そして、インナーリード吊りリード３およびアイランド吊りリード４の一部が他の部分に対して相対的に高くなるように下から上方に型押しを行う。このとき、インナーリード２とアウターリード５との間に段差が形成されることになる。同時に、インナーリード吊りリード３およびアイランド吊りリード４にも折曲げ部が形成されることになる。
【００２１】
図５（ｂ）は、ワイヤーボンディング工程後の鳥瞰図である。成形されたリードフレーム１のアイランド６の上にペースト剤８を介して半導体チップ９をダイボンディングし、次いで、半導体チップ表面の電極パッドとインナーリード２とをワイヤ７を介して電気的に接続する。
【００２２】
図５（ｃ）は、樹脂封止工程後の鳥瞰図である。半導体チップ９，ワイヤ７，インナーリード２、およびアイランドの露出部分を覆うように封止樹脂１０にて封止する。図示されていないが、アイランド６の下面も封止樹脂１０によって覆われている。アウターリード５とインナーリード吊りリード３とアイランド吊りリード４の一部が封止樹脂１０から露出し、リードフレーム枠と繋がっている。このとき、インナーリード吊りリード３とアイランド吊りリード４の折曲げ部も封止樹脂１０の外に飛び出している。
【００２３】
図５（ｄ）は、アウターリード切断工程後の鳥瞰図である。封止樹脂１０の側面から露出するアウターリード５の先端部が切断され、リードフレーム枠と切り離され、切断面１１が形成されている。このとき、封止樹脂１０の異なる側面にはインナーリード吊りリード３とアイランド吊りリード４の一部が封止樹脂１０から露出しているが、リードフレーム枠と繋がった状態である。このため、リードフレーム枠とアウターリード切断面１１は電気的な接続を保持した状態であって、この形態で外装電界メッキを施すとアウターリード５の上面、底面、側面だけでなく切断面１１にもメッキ皮膜が形成されることになる。
【００２４】
図５（ｅ）は、外装メッキ工程を経て、インナーリード吊りリード３を切断した後の鳥瞰図である。アウターリード５の表面にはメッキ皮膜５ａが形成され、不要となったインナーリード吊りリード３は切断されてリードフレーム枠と切り離されているが、依然として、アイランド吊りリード４はリードフレーム枠と繋がっているので複数個の半導体装置は１枚のリードフレームに搭載されている状態である。この状態で電気特性検査（ストリップテスト）を行うことで効率的な検査が可能となる。その後、アイランド吊りリード４を切り離して半導体装置を個片化して図５（ｆ）に示す形状を得る。
以上のような製造方法を経ることで、アウターリードの全面にメッキ皮膜が形成され、基板との接続が強固な半導体装置を得ることができる。
【００２５】
以上では、アイランドおよびインナーリードをアップセットしたリードフレームを例に説明したが、段差部や折曲げ部が無く、アイランドとインナーリードとアウターリードとリードフレーム枠が同一高さとなっているリードフレームを用いて製造した半導体装置であっても構わない。さらに、アイランドとアウターリードとリードフレーム枠を同一高さとし、インナーリードのみをアップセットしたリードフレームを用いて製造した半導体装置であっても構わない。
【符号の説明】
【００２６】
１    リードフレーム
２    インナーリード
３    インナーリード吊りリード
４    アイランド吊りリード
５    アウターリード
５a   メッキ皮膜
６    アイランド
７    ワイヤ
８    ペースト剤
９    半導体チップ
１０  封止樹脂
１１  アウターリード切断面
１２  メッキ皮膜
１３  半田層
【図１】
2015170822.tif 000003
【図２】
2015170822.tif 000004
【図３】
2015170822.tif 000005
【図４】
2015170822.tif 000006
【図５】
2015170822.tif 000007