(57)【要約】      （修正有）【課題】高い導電性を有するタッチパネルセンサを提供する。【解決手段】隣り合う２つの第２電極３３ａを接続する第２接続部３３ｂは、透光性を有する導電性積層体によって構成されている。導電性積層体は、第２電極３３ａの透明導電層に接する第１金属酸化物層と、第１金属酸化物層上に設けられた金属薄膜層と、金属薄膜層上に設けられた第２金属酸化物層と、を含んでいる。このうち第１金属酸化物層は、２〜１０ｎｍの範囲内の厚みを有するＩＺＯから構成されている。また金属薄膜層は、５〜８ｎｍの範囲内の厚みを有する銀または銀合金から構成されている。また第２金属酸化物層は、その厚みが１０〜３０ｎｍの範囲内となるよう構成されている。【選択図】図２
2015118537.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
タッチパネルセンサであって、
第１面および前記第１面の反対側にある第２面を含む基材と、
前記基材の前記第１面または前記第２面のいずれか一方に配置されたセンサ電極と、を備え、
前記センサ電極は、第１方向に並ぶ複数の第１電極と、前記第１方向に交差する第２方向に並ぶ複数の第２電極と、を備え、
前記第１方向において隣り合う２つの前記第１電極は、第１接続部によって接続されており、
前記第２方向において隣り合う２つの前記第２電極は、前記第１接続部上に設けられた絶縁層を介して前記第１接続部と交差するよう配置された第２接続部によって接続されており、
前記第１電極、前記第２電極および前記第１接続部は、少なくともその表面が透明導電層によって構成されており、
前記第２接続部は、透光性を有する導電性積層体によって構成されており、
前記導電性積層体は、前記第２電極の前記透明導電層に接する第１金属酸化物層と、前記第１金属酸化物層上に設けられた金属薄膜層と、前記金属薄膜層上に設けられた第２金属酸化物層と、を含み、
前記第１金属酸化物層は、２〜１０ｎｍの範囲内の厚みを有するＩＺＯから構成されており、
前記金属薄膜層は、５〜８ｎｍの範囲内の厚みを有する銀または銀合金から構成されており、
前記第２金属酸化物層は、その厚みが１０〜３０ｎｍの範囲内となるよう構成されている、タッチパネルセンサ。
【請求項２】
前記透明導電層は、前記第１金属酸化物層を構成するＩＺＯとは異なる金属酸化物材料から構成されている、請求項１に記載のタッチパネルセンサ。
【請求項３】
前記透明導電層は、ＩＴＯから構成されている、請求項２に記載のタッチパネルセンサ。
【請求項４】
前記金属薄膜層は、銅およびパラジウムを含む銀合金から構成されている、請求項１乃至３のいずれか一項に記載のタッチパネルセンサ。
【請求項５】
前記第１金属酸化物層の厚みは、前記金属薄膜層の厚み以下になっている、請求項１乃至４のいずれか一項に記載のタッチパネルセンサ。
【請求項６】
前記第２金属酸化物層は、１０〜３０ｎｍの範囲内の厚みを有するＩＺＯから構成されている、請求項１乃至５のいずれか一項に記載のタッチパネルセンサ。
【請求項７】
前記第２金属酸化物層は、１５〜２５ｎｍの範囲内の厚みを有するＩＴＯから構成されている、請求項１乃至５のいずれか一項に記載のタッチパネルセンサ。
【請求項８】
表示装置と、
前記表示装置の表示面上に配置されたタッチパネルセンサと、を備え、
前記タッチパネルセンサは、請求項１乃至７のいずれか一項に記載のタッチパネルセンサからなる、タッチ位置検出機能付き表示装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、タッチパネルセンサに関する。また本発明は、タッチパネルセンサと表示装置とを組み合わせることによって得られるタッチ位置検出機能付き表示装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
今日、入力手段として、タッチパネル装置が広く用いられている。タッチパネル装置は、タッチパネルセンサ、タッチパネルセンサ上への接触位置を検出する制御回路、配線およびＦＰＣ（フレキシブルプリント基板）を含んでいる。タッチパネル装置は、多くの場合、液晶ディスプレイや有機ＥＬディスプレイ等の表示装置が組み込まれた種々の装置等（例えば、券売機、ＡＴＭ装置、携帯電話、ゲーム機）に対する入力手段として、表示装置とともに用いられている。このような装置においては、タッチパネルセンサが表示装置の表示面上に配置されており、これによって、表示装置に対する極めて直接的な入力が可能になっている。タッチパネルセンサのうち表示装置の表示領域に対面する領域は透明になっており、タッチパネルセンサのこの領域が、接触位置（接近位置）を検出し得るアクティブエリアを構成するようになる。
【０００３】
タッチパネル装置は、タッチパネルセンサ上への接触位置（接近位置）を検出する原理に基づいて、種々の形式に区別される。昨今では、光学的に明るいこと、意匠性があること、構造が容易であること、機能的にも優れていること等の理由から、容量結合方式のタッチパネル装置が用いられている。容量結合方式のタッチパネル装置においては、位置を検知されるべき外部導体（典型的には、指）が誘電体を介してタッチパネルセンサに接触（接近）する際、新たに奇生容量が発生する。この奇生容量に起因する静電容量の変化に基づいて、タッチパネルセンサ上における対象物の位置が検出される。
【０００４】
また近年は、スマートフォンなどの小型の表示装置だけでなく、タブレットＰＣやＰＣ用モニタなどの大型の表示装置にもタッチパネル装置が組み込まれている。一方、タッチパネルセンサが大型化すると、タッチパネルセンサのセンサ電極や額縁配線のパターン長が増大するため、それらの電気抵抗値が大きくなり、この結果、タッチ位置の検出精度が低下してしまうことが懸念される。このような課題を解決するため、センサ電極の層構成の改良によって、センサ電極の電気抵抗値を低減するための試みがなされている。例えば特許文献１，２においては、タッチパネルセンサの基材の一方の面上に設けられた第１センサ電極と第２センサ電極とが交差する部分である交差部を構成する層として、金属層と金属酸化物層とが交互に積層された導電性積層体を用いることが提案されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】国際公開第２０１０／１５０６６８号パンフレット
【特許文献２】特開２０１２−８８８３６号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
タッチパネルセンサのセンサ電極は、表示装置のアクティブエリアに設けられるものであるため、高い透過率で光を透過させることが求められる。従って、上述のようにセンサ電極の交差部を導電性積層体で構成する場合、金属層は、光を透過させることができる程度に薄く構成される。
【０００７】
そのような薄い金属層を含む導電性積層体からなる交差部は、一般には、はじめに基材の全域に導電性積層体を設け、次に交差部に対応したパターンを有する感光層をフォトリソグラフィー法によって導電性積層体上に形成し、その後、感光層をレジスト膜として導電性積層体をウェットエッチングすることによって形成される。ところで、金属層および金属酸化物層の両者を選択的にエッチングすることができるエッチング液の準備は容易ではない。このため、導電性積層体をエッチングする場合、金属層および金属酸化物層の両者をエッチングすることができるエッチング液（以下、共通エッチング液とも称する）が通常は用いられる。しかしながら、共通エッチング液に対する金属層の溶解は一般に、共通エッチング液に対する金属酸化物層の溶解よりも速く進行する。この場合、エッチングによって形成される交差部の側面が、金属層の部分で深く内側に削り取られたものとなる現象、いわゆるサイドエッチングが生じてしまう。また、サイドエッチングを抑制するためにエッチング時間を短くすると、金属酸化物層のエッチングが十分に進行せず、この結果、金属酸化物層の残渣が基材上に生じてしまう。サイドエッチングや残渣は、タッチパネルセンサの導電性や意匠性を低下させる原因になる。
【０００８】
本発明は、このような点を考慮してなされたものであり、高い導電性を有し、かつウェットエッチングによる加工性に優れた導電性積層体を用いることによって作製されたタッチパネルセンサを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明は、タッチパネルセンサであって、第１面および前記第１面の反対側にある第２面を含む基材と、前記基材の前記第１面または前記第２面のいずれか一方に配置されたセンサ電極と、を備え、前記センサ電極は、第１方向に並ぶ複数の第１電極と、前記第１方向に交差する第２方向に並ぶ複数の第２電極と、を備え、前記第１方向において隣り合う２つの前記第１電極は、第１接続部によって接続されており、前記第２方向において隣り合う２つの前記第２電極は、前記第１接続部上に設けられた絶縁層を介して前記第１接続部と交差するよう配置された第２接続部によって接続されており、前記第１電極、前記第２電極および前記第１接続部は、少なくともその表面が透明導電層によって構成されており、前記第２接続部は、透光性を有する導電性積層体によって構成されており、前記導電性積層体は、前記第２電極の前記透明導電層に接する第１金属酸化物層と、前記第１金属酸化物層上に設けられた金属薄膜層と、前記金属薄膜層上に設けられた第２金属酸化物層と、を含み、前記第１金属酸化物層は、２〜１０ｎｍの範囲内の厚みを有するＩＺＯから構成されており、前記金属薄膜層は、５〜８ｎｍの範囲内の厚みを有する銀または銀合金から構成されており、前記第２金属酸化物層は、その厚みが１０〜３０ｎｍの範囲内となるよう構成されている、タッチパネルセンサである。
【００１０】
本発明によるタッチパネルセンサにおいて、前記透明導電層は好ましくは、前記第１金属酸化物層を構成するＩＺＯとは異なる金属酸化物材料から構成されている。例えば前記透明導電層は、ＩＴＯから構成されている。
【００１１】
本発明によるタッチパネルセンサにおいて、前記金属薄膜層は、銅およびパラジウムを含む銀合金から構成されていてもよい。
【００１２】
本発明によるタッチパネルセンサにおいて、前記第１金属酸化物層の厚みは好ましくは、前記金属薄膜層の厚み以下になっている。
【００１３】
本発明によるタッチパネルセンサにおいて、前記第２金属酸化物層は、１０〜３０ｎｍの範囲内の厚みを有するＩＺＯから構成されていてもよい。若しくは前記第２金属酸化物層は、１５〜２５ｎｍの範囲内の厚みを有するＩＴＯから構成されていてもよい。
【００１４】
本発明は、表示装置と、前記表示装置の表示面上に配置されたタッチパネルセンサと、を備え、前記タッチパネルセンサは、上記記載のタッチパネルセンサからなる、タッチ位置検出機能付き表示装置である。
【発明の効果】
【００１５】
本発明において、隣り合う２つの第２電極を接続する第２接続部は、透光性を有する導電性積層体によって構成されている。導電性積層体は、第２電極の透明導電層に接する第１金属酸化物層と、第１金属酸化物層上に設けられた金属薄膜層と、金属薄膜層上に設けられた第２金属酸化物層と、を含んでいる。このうち第１金属酸化物層は、２〜１０ｎｍの範囲内の厚みを有するＩＺＯから構成されている。また金属薄膜層は、５〜８ｎｍの範囲内の厚みを有する銀または銀合金から構成されている。このことにより、高い光透過率および導電性を有する第２接続部を提供することができる。また、エッチング液に対する第１金属酸化物層の溶解速度と、エッチング液に対する金属薄膜層の溶解速度との差を小さくすることができる。このため、第２接続部の側面が金属薄膜層の部分で内側に深く削り取られてしまうことを抑制することができる。これによって、第２接続部の電気抵抗値を十分に小さくすることができる。また、第２金属酸化物層は、その厚みが１０〜３０ｎｍの範囲内となるよう構成されている。このため、第２接続部によって外光が反射されて観察者に到達してしまうことを抑制することができ、このことにより、第２接続部が観察者によって視認されてしまうことを抑制することができる。このように本発明によれば、高い導電性および優れた光学的特性を有する第２接続部を備えたタッチパネルセンサを提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１６】
【図１】図１は、本発明の実施の形態におけるタッチ位置検出機能付き表示装置を示す展開図。
【図２】図２は、図１のタッチ位置検出機能付き表示装置におけるタッチパネルセンサを示す平面図。
【図３】図３は、図２のタッチパネルセンサの、III線に沿った断面図。
【図４】図４は、図４のタッチパネルセンサの第２接続部を拡大して示す断面図。
【図５】図５は、図４の第２接続部の、Ｖ線に沿った断面図。
【図６】図６は、導電性積層体をエッチングする際に透明導電層もエッチングされる例を示す図。
【図７】図７は、第２接続部に生じるサイドエッチングの例を示す図。
【図８】図８は、第１金属酸化物層の残渣が生じる例を示す図。
【図９Ａ】図９Ａは、タッチパネルセンサの製造工程を説明するための図。
【図９Ｂ】図９Ｂは、タッチパネルセンサの製造工程を説明するための図。
【図９Ｃ】図９Ｃは、タッチパネルセンサの製造工程を説明するための図。
【図９Ｄ】図９Ｄは、タッチパネルセンサの製造工程を説明するための図。
【図９Ｅ】図９Ｅは、タッチパネルセンサの製造工程を説明するための図。
【図９Ｆ】図９Ｆは、タッチパネルセンサの製造工程を説明するための図。
【図９Ｇ】図９Ｇは、タッチパネルセンサの製造工程を説明するための図。
【図１０】図１０は、導電性積層体を用いて作製されたタッチパネルセンサの一変形例を示す平面図。
【図１１】図１１は、図１０のタッチパネルセンサの、ＸＩ線に沿った断面図。
【図１２】図１２は、導電性積層体を用いて作製されたタッチパネルセンサのその他の変形例を示す断面図。
【図１３】図１３は、実施例１〜９および比較例１〜６によるサンプルの導電性積層体の層構成、および、光学的特性等の評価結果を示す図。
【図１４Ａ】図１４Ａは、実施例３のサンプルにおける透過スペクトルおよび反射スペクトルの測定結果を示す図。
【図１４Ｂ】図１４Ｂは、実施例４のサンプルにおける透過スペクトルおよび反射スペクトルの測定結果を示す図。
【図１４Ｃ】図１４Ｃは、実施例５のサンプルにおける透過スペクトルおよび反射スペクトルの測定結果を示す図。
【図１４Ｄ】図１４Ｄは、比較例１のサンプルにおける透過スペクトルおよび反射スペクトルの測定結果を示す図。
【図１４Ｅ】図１４Ｅは、比較例２のサンプルにおける透過スペクトルおよび反射スペクトルの測定結果を示す図。
【発明を実施するための形態】
【００１７】
以下、図１乃至図９Ｇを参照して、本発明の実施の形態について説明する。なお、本明細書に添付する図面においては、図示と理解のしやすさの便宜上、適宜縮尺および縦横の寸法比等を、実物のそれらから変更し誇張してある。
【００１８】
タッチパネル装置およびタッチ機能付き表示装置
はじめに図１を参照して、タッチパネルセンサ３０を備えたタッチ位置検出機能付き表示装置１０について説明する。図１に示すように、タッチ位置検出機能付き表示装置１０は、タッチパネルセンサ３０を含むタッチパネル装置２０と、液晶ディスプレイや有機ＥＬディスプレイなどの表示装置１５とを組み合わせることによって構成されている。表示装置１５は、表示面１６ａを有した表示パネル１６と、表示パネル１６に接続された表示制御部（図示せず）と、を有している。表示パネル１６は、映像を表示することができるアクティブエリアＡ１と、アクティブエリアＡ１を取り囲むようにしてアクティブエリアＡ１の外側に配置された非アクティブエリア（額縁領域とも呼ばれる）Ａ２と、を含んでいる。表示制御部は、表示されるべき映像に関する情報を処理し、映像情報に基づいて表示パネル１６を駆動する。表示パネル１６は、表示制御部の制御信号に基づいて、所定の映像を表示面１６ａに表示する。すなわち、表示装置１５は、文字や図等の情報を映像として出力する出力装置としての役割を担っている。
【００１９】
タッチパネルセンサ３０は例えば、表示装置１５の表示面１６ａ上に接着層（図示せず）を介して接着されている。タッチパネルセンサ３０の後述する端子部には、図示はしないが、タッチパネルセンサ３０からの信号を取り出すための部材、例えばフレキシブルプリント基板の一端が接合されている。フレキシブルプリント基板の他端は、タッチパネルセンサ３０からの信号を処理する検出制御部（図示せず）に接続されている。これによって、タッチパネルセンサ３０からの信号を検出制御部に伝達することができる。
【００２０】
図１に示すように、タッチパネル装置２０は、タッチパネルセンサ３０の観察者側、すなわち、表示装置１５とは反対の側に、透光性を有した保護板１２をさらに有していてもよい。保護板１２は例えば、タッチパネルセンサ３０の観察者側の面に接着層などによって接着されている。この保護板１２は、指などの外部導体との接触によってタッチパネルセンサ３０のパターンや表示装置１５が損傷することを防ぐためのものであり、いわゆる前面板とも称されるものである。
【００２１】
タッチパネルセンサ
次に図２を参照して、タッチパネルセンサ３０について説明する。図２は、タッチパネルセンサ３０を示す平面図である。
【００２２】
ここでは、タッチパネルセンサ３０が、投影型の静電容量結合方式のタッチパネルセンサとして構成される例について説明する。なお、「容量結合」方式は、タッチパネルの技術分野において「静電容量」方式や「静電容量結合」方式等とも呼ばれており、本件では、これらの「静電容量」方式や「静電容量結合」方式等と同義の用語として取り扱う。典型的な静電容量結合方式のタッチパネルセンサは、透光性を有する導電性のパターンを有しており、外部の導体（典型的には人間の指）がタッチパネルセンサに接近することにより、外部の導体とタッチパネルセンサの導電性のパターンとの間でコンデンサ（静電容量）が形成される。そして、このコンデンサの形成に伴った電気的な状態の変化に基づき、タッチパネルセンサ上において外部導体が接近している位置（タッチ位置）の位置座標が特定される。
【００２３】
図２に示すように、タッチパネルセンサ３０は、表示装置１５側を向く第１面３１ａおよび第１面３１ａの反対側にある第２面３１ｂを含み、透光性を有する基材３１を備えている。基材３１は、タッチ位置を検出され得る領域に対応する矩形状のアクティブエリアＡａ１と、アクティブエリアＡａ１の周辺に位置する矩形枠状の非アクティブエリアＡａ２と、を含んでいる。アクティブエリアＡａ１および非アクティブエリアＡａ２はそれぞれ、表示パネル１６のアクティブエリアＡ１および非アクティブエリアＡ２に対応して区画されたものである。
【００２４】
基材３１は、タッチパネルセンサ３０において誘電体として機能するものである。基材３１を構成する材料としては、例えば、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、シクロオレフィンポリマー（ＣＯＰ）やフレキシブルガラスなど、十分な透光性および柔軟性を有する材料が用いられる。なお後述するセンサ電極、額縁配線や端子部を適切に保持することができる限りにおいて、基材３１の具体的な層構成が特に限られることはない。例えば基材３１は、図３に示すように、ＰＥＴなどから構成されるベース層３１ｃに加えて、タッチパネルセンサ３０における光の反射率や透過率を調整するためのインデックスマッチング層３１ｄをさらに含んでいてもよい。インデックスマッチング層３１ｄとは、センサ電極３２，３３が存在する領域と存在しない領域との間における光の透過率および反射率の差を、薄膜干渉の効果によって抑制するための層である。インデックスマッチング層３１ｄは例えば、交互に積層された高屈折率層および低屈折率層を含んでいる。他にも、ベース層３１ｃの表面に設けられたハードコート層がさらに基材３１に含まれていてもよい。すなわち本実施の形態において、基材３１とは、何らかの具体的な構造や材料を意味するものではなく、タッチパネルセンサ３０を構成するセンサ電極などのパターンの下地となるものを意味するに過ぎない。
【００２５】
また図２に示すように、タッチパネルセンサ３０は、基材３１の第１面３１ａ側でアクティブエリアＡａ１内に配置されたセンサ電極３２，３３をさらに備えている。図２に示すように、センサ電極３２，３３は、第１方向、例えば図２の左右方向に並ぶ複数の第１電極３２ａと、第１方向に交差する第２方向、例えば図２の上下方向に並ぶ複数の第２電極３３ａと、を備えている。このうち、第１方向において隣り合う２つの第１電極３２ａは、第１方向に延びる第１接続部３２ｂによって接続されている。また、第２方向において隣り合う２つの第２電極３３ａは、第２方向に延びる第２接続部３３ｂによって接続されている。第１接続部３２ｂおよび第２接続部３３ｂは、図２に示すように、基材３１の法線方向から見て互いに交差するよう、配置されている。なお、第１接続部３２ｂと第２接続部３３ｂとの間の導通を防ぐため、後述するように、第１接続部３２ｂと第２接続部３３ｂとの間には絶縁層が介在されている。
【００２６】
またタッチパネルセンサ３０は、対応する第１センサ電極３２に第１額縁配線３６ａを介して接続された複数の第１端子部３７ａと、対応する第２センサ電極３３に第２額縁配線３６ｂを介して接続された複数の第２端子部３７ｂと、をさらに備えている。額縁配線３６ａ，３６ｂおよび端子部３７ａ，３７ｂはいずれも、基材３１の第１面３１ａ側で非アクティブエリアＡａ２内に配置されている。
【００２７】
次に図３を参照して、タッチパネルセンサ３０の層構成について説明する。図３は、図２のタッチパネルセンサ３０の、III線に沿った断面図である。
【００２８】
（第１電極、第２電極および第１接続部）
図３に示すように、第２電極３３ａおよび第１接続部３２ｂは、同一平面上に位置する透明導電層４１によって構成されている。また図示はしないが、第１電極３２ａは第２電極３３ａおよび第１接続部３２ｂと同一平面上に位置しており、また第２電極３３ａおよび第１接続部３２ｂと同様に透明導電層４１によって構成されている。透明導電層４１を構成する材料としては、透光性および導電性を有する金属酸化物材料を用いることができる。透明導電層４１を構成する金属酸化物材料としては、例えば、インジウム錫酸化物（ＩＴＯ）、インジウム亜鉛酸化物（ＩＺＯ）やインジウム−ガリウム−亜鉛酸化物（ＩＧＺＯ）などを用いることができる。
【００２９】
なお図３においては、第１電極３２ａ、第２電極３３ａおよび第１接続部３２ｂが透明導電層４１のみを含む例が示されているが、第１電極３２ａ、第２電極３３ａおよび第１接続部３２ｂの表面が透明導電層４１によって構成される限りにおいて、第１電極３２ａ、第２電極３３ａおよび第１接続部３２ｂの具体的な層構成が特に限られることはない。例えば第１電極３２ａ、第２電極３３ａおよび第１接続部３２ｂは、基材３１と透明導電層４１との間に配置され、透光性を有する導電層をさらに含んでいてもよい。
【００３０】
（第２接続部）
図３に示すように、第１接続部３２ｂ上には、第１接続部３２ｂを覆う絶縁層３４が設けられている。また絶縁層３４上には、基材３１の法線方向から見た場合に第１接続部３２ｂと交差するよう配置された第２接続部３３ｂが設けられている。この第２接続部３３ｂは、図３に示すように、導電性積層体４２によって構成されている。この導電性積層体４２は、高い導電性および透光性を有するよう構成された積層体である。以下、導電性積層体４２について、図４および図５を参照して詳細に説明する。図４は、図４のタッチパネルセンサ３０の第２接続部３３ｂを拡大して示す断面図であり、図５は、図４の第２接続部３３ｂの、Ｖ線に沿った断面図である。
【００３１】
図４および図５に示すように、導電性積層体４２は、透明導電層４１からなる第２電極３３ａに接続される第１金属酸化物層４３と、第１金属酸化物層４３上に設けられた金属薄膜層４４と、金属薄膜層４４上に設けられた第２金属酸化物層４５と、を含んでいる。以下、各層４３，４４，４５についてそれぞれ説明する。
【００３２】
〔金属薄膜層〕
はじめに金属薄膜層４４について説明する。金属薄膜層４４は、高い導電性を有する金属材料から構成されており、例えば銀または銀合金から構成されている。銀合金としては、例えば、銅およびパラジウムを含む銀合金、いわゆるＡＰＣ合金を用いることができる。
【００３３】
金属薄膜層４４の厚みは、導電性積層体４２が十分な導電性および透光性を有するよう設定される。
例えば、金属薄膜層４４の厚みの上限は、金属薄膜層４４における光透過率を７０％以上にするという目標仕様に基づいて、８ｎｍに設定される。これによって、表示装置１５から放射された光の大半が第２接続部３３ｂを透過することができるようになる。このため、第２接続部３３ｂが、その周辺の構成要素、例えば第１電極３２ａ、第２電極３３ａや第１接続部３２ｂに比べて目立って視認されてしまうことを防ぐことができる。従って、タッチパネルセンサ３０の意匠性を向上させることができる。
一方、金属薄膜層４４の厚みの下限は、金属薄膜層４４から構成される第２接続部３３ｂのシート抵抗を１０〜２０Ω／ｓｑ.の範囲内にするという目標仕様に基づいて、５ｎｍに設定される。これによって、第２接続部３３ｂを含む第２センサ電極３３の電気抵抗値を低減することができ、このことにより、タッチ位置の検出精度を向上させることができる。また、第２接続部３３ｂの電気抵抗値が、第２電極３３ａや第２額縁配線３６ｂの電気抵抗値に比べて著しく高くなることを抑制することができるので、第２接続部３３ｂがジュール熱、あるいは高電圧放電に起因する損傷の起点になることを抑制することができる。なおシート抵抗とは、一様の厚みを有する薄い層や積層体の電気抵抗値のことである。
【００３４】
第２接続部３３ｂの幅や長さは、視認性の観点や、求められる電気抵抗値や、タッチパネルセンサ３０の検出の分解能に応じて適宜設定される。例えば、第２接続部３３ｂの長さは７０〜５００μｍの範囲内になっており、第２接続部３３ｂの幅は４〜２０μｍの範囲内になっている。なお本明細書において、「〜」という記号によって表現される数値範囲は、「〜」という符号の前後に置かれた数値を含んでいる。例えば、「７０〜５００μｍの範囲内」という表現によって画定される数値範囲は、「７０μｍ以上かつ５００μｍ以下」という表現によって画定される数値範囲と同一である。
【００３５】
なお金属薄膜層４４の厚みが上述のように小さく、例えば１０ｎｍ以下になっている場合、金属薄膜層４４の電気的特性が不安定になることが知られている。このような課題を解決する手段として、金属薄膜層４４の両面に導電層を接触させ、これによって金属薄膜層４４の電気的特性を安定化する、ということが従来行われている。例えば本実施の形態において、第１金属酸化物層４３は、金属薄膜層４４に下面側から（基材３１側から）接する層であり、第２金属酸化物層４５は、金属薄膜層４４に上面側から（基材３１から遠い側から）接する層である。第１金属酸化物層４３および第２金属酸化物層４５を構成する材料としては、透光性および導電性を有する金属酸化物材料が用いられる。
【００３６】
〔第１金属酸化物層〕
次に第１金属酸化物層４３について説明する。第２接続部３３ｂは後述するように、はじめに基材３１の全域に導電性積層体を設け、次に第２接続部３３ｂに対応したパターンを有する感光層をフォトリソグラフィー法によって導電性積層体４２上に形成し、その後、感光層をレジスト膜として導電性積層体４２をウェットエッチングすることによって形成される。このような工程を考慮し、第１金属酸化物層４３は、導電性積層体４２のエッチング特性を良好なものとするという観点に基づいて構成される。本実施の形態において、導電性積層体４２のエッチング特性とは、エッチングによって得られる第２接続部３３ｂの形状が設計通りに正確に得られること、基材３１上に第１金属酸化物層４３の残渣が生じにくいこと、および、エッチングの際の他の構成要素に損傷を与えないこと、などを意味している。
【００３７】
はじめに、第２接続部３３ｂの形状の正確さ（第１の観点）について考える。ここでは、エッチング液として、金属薄膜層４４および第１金属酸化物層４３の両方を溶解することができる共通エッチング液、例えば燐硝酢酸溶液が用いられるものとする。ここで、燐硝酢酸溶液とは、燐酸、硝酸、酢酸を混合した酸溶液である。燐酸、硝酸、酢酸の混合比率を調整することにより、燐硝酢酸溶液のエッチング特性を制御することが可能である。
【００３８】
共通エッチング液に対する金属薄膜層４４の溶解速度は一般に、共通エッチング液に対する第１金属酸化物層４３の溶解速度よりも大きい。この場合、図６に示すように、エッチングによって形成される第２接続部３３ｂの側面が、金属薄膜層４４の部分で深く内側に削り取られたものとなる現象、いわゆるサイドエッチングが生じ易い。なお図６は、図５と同様に、図４の第２接続部３３ｂの、Ｖ線に沿った断面図である。
【００３９】
サイドエッチングが図６のように深く生じると、金属薄膜層４４の幅が設計よりも著しく狭くなってしまい、この結果、第２接続部３３ｂの電気抵抗値が設計よりも著しく高くなるだけでなく、第２接続部３３ｂの光学特性も設計から著しく変化してしまう。従って、第１金属酸化物層４３は、このようなサイドエッチングの発生を抑制することができるよう構成される必要がある。具体的には、共通エッチング液に対する第１金属酸化物層４３の溶解速度と、共通エッチング液に対する金属薄膜層４４の溶解速度との差を小さくすることが求められる。このような観点に基づいて、本件発明者らは、第１金属酸化物層４３を構成する金属酸化物材料として、ＩＺＯを採用することを提案する。本件発明者らが鋭意研究を重ねた結果、燐硝酢酸溶液に対するＩＺＯの溶解速度は、金属薄膜層４４を構成する材料、例えばＡＰＣ合金の、燐硝酢酸溶液に対する溶解速度の１／７程度であった。一方、燐硝酢酸溶液に対するアモルファス状態のＩＴＯの溶解速度は、燐硝酢酸溶液に対するＡＰＣ合金の溶解速度の１／２０程度であった。従って本実施の形態によれば、ＩＺＯを用いて第１金属酸化物層４３を構成することにより、ＩＴＯを用いて第１金属酸化物層４３を構成する場合に比べて、金属薄膜層４４との間での溶解速度の差を小さくすることができる。このため、図６に示すようなサイドエッチングが第２接続部３３ｂに生じてしまうことを抑制することができる。
【００４０】
次に、基材３１上に第１金属酸化物層４３の残渣が生じにくいこと（第２の観点）について考える。残渣とは、残るべきではない場所に残っている第１金属酸化物層４３のことである。例えば図７においては、第１電極３２ａ上などに第１金属酸化物層４３が残渣４３ａとして残ってしまっている。残渣４３ａが存在する場合、タッチパネルセンサ３０光学特性が変化して、視認性が著しく低下してしまう。なお図７は、図５と同様に、図４の第２接続部３３ｂの、Ｖ線に沿った断面図である。
【００４１】
このような残渣４３ａは、第１の観点の場合と同様に、共通エッチング液に対する第１金属酸化物層４３の溶解速度が、共通エッチング液に対する金属薄膜層４４の溶解速度に比べて著しく小さい場合に生じやすくなる。従って、第１の観点の場合と同様に、ＩＺＯを用いて第１金属酸化物層４３を構成することが、残渣４３ａを抑制する上でも有効な対策となる。
【００４２】
なお、第１金属酸化物層４３を構成する金属酸化物材料と、第１電極３２ａや第２電極３３ａの透明導電層４１を構成する金属酸化物材料とが同一である場合、第１金属酸化物層４３が透明導電層４１に密着あるいは癒着してしまい、第１金属酸化物層４３と透明導電層４１との界面が共通エッチング液に溶解しにくくなってしまうことが考えられる。従って、第２の観点に関しては、透明導電層４１を、第１金属酸化物層４３を構成するＩＺＯとは異なる金属酸化物材料から構成する、ということも有効な対策になり得る。例えば、第１金属酸化物層４３がＩＺＯから構成される場合、透明導電層４１をＩＴＯから構成することが有効であると言える。
【００４３】
次に、エッチングの際の他の構成要素に損傷を与えないこと、（第３の観点）について考える。上述のように、第１電極３２ａや第２電極３３ａの透明導電層４１も、第１金属酸化物層４３と同様に金属酸化物材料から構成されている。このため、導電性積層体４２をエッチングする工程に長時間を要する場合、エッチング工程の間に導電性積層体４２だけでなく透明導電層４１も部分的に溶解してしまい、図８に示すように透明導電層４１の表面が荒らされてしまうことが考えられる。透明導電層４１にこのような損傷が生じることを抑制するためには、導電性積層体４２をエッチングする工程、特に第１金属酸化物層４３をエッチングする工程に要する時間を短くすることが有効である。すなわち、第１金属酸化物層４３を構成する材料として、燐硝酢酸溶液などの共通エッチング液に対して迅速に溶解され得る金属酸化物材料を用いることが有効である。従って、第１の観点の場合と同様に、ＩＺＯを用いて第１金属酸化物層４３を構成することが、透明導電層４１に対する損傷を抑制する上でも有効な対策となる。
【００４４】
なお、透明導電層４１に対する損傷を抑制する上では、透明導電層４１自体の耐薬性（共通エッチング液に対する耐性）を向上させることも有効である。ところで、透明導電層４１を構成する金属酸化物材料の候補の１つであるＩＴＯは、その結晶性が高いほど、高い耐薬性を有するようになることが知られている。また、ＩＴＯの結晶性を高める手段として、ＩＴＯに対してアニール処理を施すということが知られている。従って、アニール処理されたＩＴＯを透明導電層４１として用いることによって、透明導電層４１に対する損傷をさらに抑制することが可能である。
【００４５】
上述のように、ＩＺＯを用いて第１金属酸化物層４３を構成することは、上述の第１〜第３の観点を全て満たすことができるものであると言える。
【００４６】
ＩＺＯによって構成される第１金属酸化物層４３の厚みは、好ましくは、後述する実施例によって支持されているように、２〜１０ｎｍの範囲内になっている。より好ましくは、第１金属酸化物層４３の厚みは、金属薄膜層４４の厚み以下になっており、さらに好ましくは金属薄膜層４４の厚みの１／２以下になっている。このように厚みを設定することによって、導電性積層体４２の金属薄膜層４４にサイドエッチングが生じることをさらに抑制することができる。
【００４７】
〔第２金属酸化物層〕
次に第２金属酸化物層４５について説明する。タッチ位置検出機能付き表示装置１０に組み込まれているタッチパネルセンサ３０には、観察者側から外光が入射する。このような外光が金属薄膜層４４に起因して第２接続部３３ｂによって反射されて観察者側に戻ると、第２接続部３３ｂのパターンが観察者によって視認されてしまうことになる。第２金属酸化物層４５を構成する金属酸化物材料および第２金属酸化物層４５の厚みは、このような金属薄膜層４４に起因する反射を抑制するよう、構成される。具体的には、第２金属酸化物層４５は、その厚みが１０〜３０ｎｍの範囲内となるよう構成されている。このように厚みを設定することにより、後述する実施例によって支持されるように、第２金属酸化物層４５によって反射される光と金属薄膜層４４によって反射される光との干渉を利用して、すなわち薄膜干渉の効果を利用して、第２接続部３３ｂからの反射光を抑制することができる。
【００４８】
第２金属酸化物層４５を構成する金属酸化物材料としては、ＩＴＯやＩＺＯを挙げることができる。なお、上述のように第１金属酸化物層４３はＩＺＯによって構成されるので、材料の調達性の観点からは、ＩＺＯを用いて第２金属酸化物層４５を構成することが好ましい。ところで上述のようにＩＴＯは、アニール処理によってその結晶性が高められるという特徴を有している。従って、ＩＴＯを用いて第２金属酸化物層４５を構成する場合、アニール処理を利用して第２金属酸化物層４５の電気抵抗値を低減することができる。一方、ＩＺＯを用いて第２金属酸化物層４５を構成する場合、ＩＴＯの場合とは異なり、熱によって第２金属酸化物層４５の電気抵抗値が変化することを防ぐことができる。
【００４９】
（額縁配線および端子部）
センサ電極３２，３３からの信号を適切に伝達することができる限りにおいて、額縁配線３６ａ，３６ｂおよび端子部３７ａ，３７ｂの具体的な構成が特に限られることはない。例えば額縁配線３６ａ，３６ｂおよび端子部３７ａ，３７ｂは、第２接続部３３ｂを構成する導電性積層体４２と同一の積層体によって構成されたものであってもよい。図３においては、第２額縁配線３６ｂおよび第２端子部３７ｂが導電性積層体４２を含む例が示されている。また額縁配線３６ａ，３６ｂおよび端子部３７ａ，３７ｂは、その他の導電層を含んでいてもよい。図３においては、第２額縁配線３６ｂおよび第２端子部３７ｂが、導電性積層体４２と基材３１との間に配置された透明導電層４１をさらに含む例が示されている。第２額縁配線３６ｂおよび第２端子部３７ｂの透明導電層４１は、第１電極３２ａ、第２電極３３ａおよび第１電極３２ａを構成する透明導電層４１と同一のものである。若しくは図示はしないが、額縁配線３６ａ，３６ｂおよび端子部３７ａ，３７ｂは、透明導電層４１のみによって構成され、導電性積層体４２を含んでいなくてもよい。
【００５０】
タッチパネルセンサの製造方法
次に、以上のような構成からなるタッチパネルセンサ３０を製造する方法について、図９Ａ〜図９Ｇを参照して説明する。なお図９Ａ〜図９Ｇは、各製造工程において基材３１を図２のIII線に沿って切断した場合を示す断面図である。
【００５１】
はじめに基材３１を準備する。次に図９Ａに示すように、基材３１の第１面３１ａ上に透明導電層４１を設ける。透明導電層４１を設ける方法としては、スパッタリング法や真空蒸着法を挙げることができる。なお透明導電層４１がＩＴＯから構成される場合、スパッタリング法や真空蒸着法によって基材３１上にＩＴＯを成膜した後、ＩＴＯを加熱するアニール処理を実施してもよい。これによって、ＩＴＯの結晶化を促すことができ、このことにより、高い導電性および耐薬性を有する透明導電層４１を得ることができる。
【００５２】
その後、図９Ｂに示すように、透明導電層４１上に第１感光層５１を所定のパターンで形成する。第１感光層５１は、特定波長域の光、例えば紫外線に対する感光性を有している。第１感光層５１のタイプが特に限られることはない。例えば光溶解型の感光層が用いられてもよく、若しくは光硬化型の感光層が用いられてもよい。
第１感光層５１は、第１電極３２ａ、第２電極３３ａ、第１接続部３２ｂ、額縁配線３６ａ，３６ｂおよび端子部３７ａ，３７ｂに対応したパターンで形成されている。第１感光層５１は、例えば、はじめに、透明導電層４１の表面上にコーターを用いて感光性材料をコーティングし、次に、感光性材料を所定のパターンで露光して現像することによって形成される。
【００５３】
次に、図９Ｃに示すように、第１感光層５１をレジスト膜として透明導電層４１をエッチングする。これによって、透明導電層４１からなる第１電極３２ａ、第２電極３３ａおよび第１接続部３２ｂを作製することができる。透明導電層４１用のエッチング液としては、例えば塩化第二鉄を含む溶液や、ハロゲン化水素系（ＨＣｌ、ＨＢｒ等）の溶液を用いることができる。エッチング工程の後、残っている第１感光層５１を除去する。
【００５４】
その後、感光性材料を含む絶縁性材料を上述の第１電極３２ａ、第２電極３３ａおよび第１接続部３２ｂ上に設け、その後、絶縁性材料を所定のパターンで露光および現像する。これによって、図９Ｄに示すように、第１接続部３２ｂ上に設けられ、第１接続部３２ｂを覆う絶縁層３４を形成することができる。なお図９Ｄにおいては、絶縁層３４が第１接続部３２ｂ上にのみ形成される例が示されているが、これに限られることはなく、絶縁層３４は第１電極３２ａや第２電極３３ａ上にも形成されていてもよい。
【００５５】
次に図９Ｅに示すように、基材３１の第１面３１ａ側の全域にわたって導電性積層体４２を設ける。具体的には、導電性積層体４２を構成する上述の第１金属酸化物層４３、金属薄膜層４４および第２金属酸化物層４５を基材３１の第１面３１ａ側に順次設ける。第１金属酸化物層４３、金属薄膜層４４および第２金属酸化物層４５を設ける方法としては、スパッタリング法や真空蒸着法を挙げることができる。
【００５６】
なお上述のように、第２接続部３３ｂのサイドエッチングを抑制するためには、第１金属酸化物層４３の溶解速度と金属薄膜層４４の溶解速度との差が小さい方が好ましい。従って、好ましくは、第１金属酸化物層４３は、結晶化の進行が抑制されるような成膜条件で形成される。例えば、第１金属酸化物層４３は、アモルファス状態のＩＺＯから構成される。
【００５７】
その後、図９Ｆに示すように、導電性積層体４２上に第２感光層５２を所定のパターンで形成する。第２感光層５２は、上述の第１感光層５１と同様に、特定波長域の光、例えば紫外線に対する感光性を有している。第２感光層５２は、第２接続部３３ｂに対応したパターンで形成されている。
【００５８】
次に、図９Ｇに示すように、第２感光層５２をレジスト膜として導電性積層体４２をエッチングする。これによって、導電性積層体４２からなる第２接続部３３ｂを作製することができる。導電性積層体４２に含まれる層４３，４４，４５を同時にエッチングすることができる共通エッチング液としては、例えば燐硝酢酸溶液を用いることができる。
【００５９】
その後、残っている第２感光層５２を除去する。これによって、図３に示すタッチパネルセンサ３０を得ることができる。
【００６０】
本実施の形態によれば、第２センサ電極３３の第２接続部３３ｂが、第１金属酸化物層４３、金属薄膜層４４および第２金属酸化物層４５を含む導電性積層体４２によって構成されている。
このため、第２接続部３３ｂがＩＴＯやＩＺＯなどの単層で構成されている場合に比べて、第２接続部３３ｂの電気抵抗値を低減することができる。これによって、タッチパネルセンサ３０におけるタッチ位置の検出精度を向上させることができる。また、第２接続部３３ｂが、ジュール熱、あるいは高電圧放電などに起因する損傷の起点になることを抑制することができる。
また、第２接続部３３ｂが銀などの金属材料の単層で構成されている場合に比べて、第２接続部３３ｂが光を透過し得る程度に金属層の厚みを低減することができる。このため、観察者によって第２接続部３３ｂが視認されてしまうことを抑制することができる。このことにより、タッチパネルセンサ３０の意匠性を高めることができる。
【００６１】
また本実施の形態によれば、導電性積層体４２の第１金属酸化物層４３は、２〜１０ｎｍの範囲内の厚みを有するＩＺＯから構成されており、金属薄膜層４４は、５〜８ｎｍの範囲内の厚みを有する銀または銀合金から構成されている。このため、第１金属酸化物層４３の溶解速度が金属薄膜層４４の溶解速度に比べて著しく小さくなることを防ぐことができる。このことにより、導電性積層体４２が金属薄膜層４４の部分で深く内側に削り取られてしまうことを抑制することができる。また、第１金属酸化物層４３の残渣４３ａが基材３１上に生じてしまうことを抑制することができる。
【００６２】
なお、上述した実施の形態に対して様々な変更を加えることが可能である。以下、図面を参照しながら、変形例について説明する。以下の説明および以下の説明で用いる図面では、上述した実施の形態と同様に構成され得る部分について、上述の実施の形態における対応する部分に対して用いた符号と同一の符号を用いることとし、重複する説明を省略する。また、上述した実施の形態において得られる作用効果が変形例においても得られることが明らかである場合、その説明を省略することもある。
【００６３】
上述の本実施の形態においては、基材３１の第１面３１ａ側（表示装置１５側）に第１センサ電極３２および第２センサ電極３３が設けられる例を示した。しかしながら、これに限られることはなく、第１センサ電極３２および第２センサ電極３３が基材３１の第２面３１ｂ側（観察者側）に設けられていてもよい。
【００６４】
上述の本実施の形態においては、基材３１側から順に積層された第１金属酸化物層４３、金属薄膜層４４および第２金属酸化物層４５を含む導電性積層体４２が、第２センサ電極３３の第２接続部３３ｂに適用される例を示した。しかしながら、これに限られることはなく、導電性積層体４２は、タッチパネルセンサ３０のその他の構成要素に適用されてもよい。例えば、第１電極３２ａ、第２電極３３ａおよび第１接続部３２ｂが導電性積層体４２によって構成されていてもよい。
【００６５】
また上述の本実施の形態においては、基材３１の一方の側に第１センサ電極３２および第２センサ電極３３のいずれもが設けられる例を示した。しかしながら、これに限られることはなく、第１センサ電極３２および第２センサ電極３３がそれぞれ基材３１の別々の側に設けられていてもよい。以下、基材３１の両面にセンサ電極が設けられる例について、図１０および図１１を参照して説明する。図１０は、本変形例によるタッチパネルセンサ３０を示す平面図であり、図１１は、図１０のタッチパネルセンサ３０の、ＸＩ線に沿った断面図である。
【００６６】
図１０に示すように、タッチパネルセンサ３０は、基材３１の第１面３１ａ側に配置された第１センサ電極３２、第１額縁配線３６ａおよび第１端子部３７ａと、基材３１の第２面３１ｂ側に配置された第２センサ電極３３、第２額縁配線３６ｂおよび第２端子部３７ｂと、を備えている。なお図１０においては、タッチパネルセンサ３０を基材３１の第１面３１ａ側から見ているため、第２面３１ｂ側に配置された第２センサ電極３３、第２額縁配線３６ｂおよび第２端子部３７ｂが点線で示されている。
【００６７】
本変形例においては、センサ電極３２の第１電極３２ａおよび第１接続部３２ｂ、第２センサ電極３３の第２電極３３ａおよび第２接続部３３ｂ、額縁配線３６ａ，３６ｂ並びに端子部３７ａ，３７ｂがいずれも、導電性積層体４２によって構成されている。図１１においては、第１電極３２ａ、第２電極３３ａおよび第１額縁配線３６ａが導電性積層体４２によって構成されている様子が示されている。このように各構成要素を１種類の導電性積層体４２によって構成することにより、タッチパネルセンサ３０の作製に要する工数を削減することができる。また上述のように、導電性積層体４２においては高い導電性や透光性が実現されているため、電気的特性および光学的特性に優れたタッチパネルセンサ３０を提供することができる。
【００６８】
なお図１１においては、各電極３２ａ，３３ａが、連続的に広がる導電性積層体４２によって構成される例を示したが、これに限られることはない。例えば電極３２ａ，３３ａは、メッシュタイプの電極として構成されていてもよい。具体的には、図１２に示すように、各電極３２ａ，３３ａは、網目状に配置された多数の導線から構成されていてもよい。この際、導電性積層体４２を用いて各導線を構成することによって、電気的特性および光学的特性に優れたメッシュタイプのタッチパネルセンサ３０を提供することができる。
【実施例】
【００６９】
以下、実施例および比較例を用いて本発明をより詳細に説明するが、本発明はこの実施例に限定されるものではない。
【００７０】
（共通エッチング液の選定）
ＡＰＣ合金および金属酸化物材料の両方を適切に溶解することができる共通エッチング液の選定を実施した。
【００７１】
共通エッチング液の候補として、第１サンプル液〜第４サンプル液の４種類を準備した。各サンプル液の組成は以下の通りである。
第１サンプル液：３０〜７５重量％の燐酸と、酢酸および硝酸と、を含む溶液
第２サンプル液：３〜１０重量％のシュウ酸を含む溶液
第３サンプル液：５〜１０重量％の塩酸を含む溶液
第４サンプル液：２〜５重量％の塩化銅（ＣｕＣｌ２）と、硫酸とを含む溶液
【００７２】
また、共通エッチング液によってエッチングされる積層体として、第１サンプル積層体〜第３サンプル積層体の３種類を準備した。各サンプル積層体の層構成は以下の通りである。
第１サンプル積層体：基材側から順に、ＩＺＯ（厚み３ｎｍ）／ＡＰＣ（厚み３ｎｍ）／ＩＺＯ（厚み２５ｎｍ）
第２サンプル積層体：基材側から順に、ＩＴＯ（厚み５ｎｍ）／ＡＰＣ（厚み５ｎｍ）／ＩＴＯ（厚み２０ｎｍ）
第３サンプル積層体：基材側から順に、ＩＴＯ（厚み２０ｎｍ）／ＡＰＣ（厚み１０ｎｍ）／ＩＴＯ（厚み６０ｎｍ）
各サンプル積層体の面積は、１００×１００ｍｍとした。
【００７３】
はじめに、第１サンプル液〜第３サンプル液を用いて第２サンプル積層体のＩＴＯ／ＡＰＣ／ＩＴＯ層をエッチングし、長さ２００μｍ、幅１０μｍのパターンを作製することを試みた。
結果、第１サンプル液を用いた場合は、３６０〜４２０秒のエッチング時間で上述のパターンを得ることができた。このとき、ＡＰＣ部分は１〜２μｍ程度サイドエッチングされていた。
一方、第２サンプル液を用いた場合は、４０分経過後であっても、基材側のＩＴＯのエッチングが完了しなかった。このとき、ＡＰＣ部分は１０〜２０μｍ程度サイドエッチングされていた。
また、第３サンプル液を用いた場合は、３分経過後であっても、基材側のＩＴＯのエッチングが完了しなかった。このとき、ＡＰＣ部分は１０〜２０μｍ程度サイドエッチングされていた。
【００７４】
次に、第１サンプル液および第２サンプル液を用いて第３サンプル積層体のＩＴＯ／ＡＰＣ／ＩＴＯ層をエッチングし、長さ２００μｍ、幅１０μｍのパターンを作製することを試みた。
結果、第１サンプル液を用いた場合は、６００秒経過後であっても、基材側のＩＴＯのエッチングが完了しなかった。このとき、ＡＰＣ部分は３〜６μｍ程度サイドエッチングされていた。
また、第２サンプル液を用いた場合は、６０分経過後であっても、基材側のＩＴＯのエッチングが完了しなかった。このとき、ＡＰＣ部分は１５〜３０μｍ程度サイドエッチングされていた。
【００７５】
次に、第１サンプル液および第４サンプル液を用いて第１サンプル積層体のＩＺＯ／ＡＰＣ／ＩＺＯ層をエッチングし、長さ２００μｍ、幅１０μｍのパターンを作製することを試みた。
結果、第１サンプル液を用いた場合は、１６０〜２００秒のエッチング時間で上述のパターンを得ることができた。このとき、ＡＰＣ部分は１〜２μｍ程度サイドエッチングされていた。
一方、第４サンプル液を用いた場合は、３６０秒経過後であっても、基材側のＩＺＯのエッチングが完了しなかった。このとき、ＡＰＣ部分において生じるサイドエッチングが非常に大きく、第１サンプル積層体によってはサイドエッチングの程度を適切に評価することが困難であることがわかった。この結果を受けて、第１サンプル積層体と同一の層構成を有し、かつより大きな面積を有する積層体を準備し、改めてＡＰＣ部分において生じるサイドエッチングを評価した。結果、ＡＰＣ部分は１００〜１４０μｍ程度サイドエッチングされることが確認された。なお上述の評価結果のいずれにおいても、サイドエッチングが生じる方向は、サンプル積層体のＩＺＯ／ＡＰＣ／ＩＺＯ層によって形成されるパターンの幅方向には限られない。
なお、第２サンプル液および第３サンプル液については、第２サンプル積層体および第３サンプル積層体において芳しくない結果が得られていたので、第１サンプル積層体に対しては試さなかった。
【００７６】
上述のように、燐酸と、酢酸および硝酸を含む燐硝酢酸溶液からなる第１サンプル液を用いて第１および第２サンプル積層体をエッチングした場合には、短時間で積層体をエッチングすることができ、かつ、ＡＰＣ合金部分のサイドエッチングも小さかった。なお第３サンプル積層体を用いた場合にエッチングが完了しなかったのは、基材側のＩＴＯ層の厚みが大きすぎたためと考えらえる。
なお、上述の第２サンプル液（３〜１０重量％のシュウ酸を含む溶液）および第３サンプル液（５〜１０重量％の塩酸を含む溶液）は、燐硝酢酸溶液に比べて酸化力が弱い。従って、仮にＡＰＣ合金が、十分な厚さの単層（バルク）の状態で存在している場合、これらのサンプル液はＡＰＣ合金をほとんど溶かすことができない。一方、上述の評価においては、ＡＰＣ合金の層の厚みが極めて小さく、かつその分布が疎らである。従って、ＡＰＣ合金の層にサイドエッチングが生じるかどうかは、ＡＰＣ合金自体の耐薬性などの特性だけでなく、ＡＰＣ合金の層の上下に位置する層、すなわちＩＺＯ層およびＩＴＯ層のエッチング状態に基づいて決定されると考えられる。このため上述のように、第２サンプル液や第３サンプル液を用いたエッチングの場合にも、ＡＰＣ合金の層におけるサイドエッチングが観察されたと考えられる。
【００７７】
以上の結果から、ＡＰＣ合金および金属酸化物材料の両方を適切に溶解することができる共通エッチング液としては、燐硝酢酸溶液が好ましいと言える。後述の評価においては、共通エッチング液として燐硝酢酸溶液を用いている。
【００７８】
（導電性積層体の光学的特性等の評価）
以下、基材側から順に積層されたＩＺＯ層（以下、下側ＩＺＯ層とも称する）、ＡＰＣ層およびＩＺＯ層（以下、上側ＩＺＯ層とも称する）からなる各種の導電性積層体に対して実施した評価の結果について説明する。
【００７９】
〔実施例１〕
基材と、基材上に設けられた、２ｎｍの厚みの下側ＩＺＯ層、５ｎｍの厚みのＡＰＣ層、および１５ｎｍの厚みの上側ＩＺＯ層からなる導電性積層体と、を含むサンプルを準備した。基材としては、ハードコート層付きで厚み約１００μｍのＰＥＴフィルムを用いた。なお各層の厚みは、各層を成膜する際の条件に基づいて算出された推定値である。
【００８０】
（評価１  透過率および反射率）
上記サンプルにおける光の透過率および反射率を測定した。得られる測定値は、ＰＥＴフィルム基材を含めた光学特性である。また、反射率は、上側ＩＺＯ層側からサンプルに入射する光に対するものである。
透過率および反射率の測定においては、はじめに、サンプルにおける光の透過スペクトルおよび反射スペクトルを、光波長４００〜７００ｎｍの範囲内で測定した。測定器としては、コニカミノルタ製の分光測色計ＣＭ−３６００ｄを用いた。評価用光源としては、標準の光Ｄ６５を用いた。その後、得られた透過スペクトルおよび反射スペクトルに基づいて、ＸＹＺ表色系における等色関数を用いて、ＸＹＺ表色系におけるＹ値をそれぞれ求めた。このようにして得られたＹ値を、サンプルの透過率および反射率とした。結果、透過率は８２．６％であり、反射率は６．９％であった。なお透過率および反射率の好ましい数値としては、例えば、それぞれ７０％以上および１０％以下という基準を挙げることができる。実施例１のサンプルは、いずれの基準をも満たしていた。
【００８１】
（評価２  エッチング特性）
燐硝酢酸溶液をエッチング液として用いて、上記サンプルの導電性積層体をエッチングし、長さ２００μｍ、幅１０μｍのパターンを作製した。得られた導電性積層体のパターンについて、ＡＰＣ層の部分にサイドエッチングが生じているかどうかを確認した。結果、サイドエッチングは許容範囲内であった。なおサイドエッチングの許容範囲としては、例えば２μｍ以下という値を挙げることができる。
【００８２】
（評価３  シート抵抗）
エッチングによって得られた導電性積層体のパターンについて、４端子法を用いてシート抵抗を測定した。結果、シート抵抗は３０Ω／ｓｑ.であった。なおシート抵抗の好ましい数値としては、例えば、３０Ω／ｓｑ.以下という基準を挙げることができる。実施例１のサンプルは、この基準を満たしていた。
【００８３】
〔実施例２〜９〕
下側ＩＺＯ層、ＡＰＣ層および上側ＩＺＯ層の厚みを様々に変更したサンプルを用いて、実施例１の場合と同様にして、上述の評価１〜３を実施した。実施例２〜９において用いたサンプルの導電性積層体において、下側ＩＺＯ層の厚みは２〜１０ｎｍの範囲内とし、ＡＰＣ層の厚みは５〜８ｎｍとし、上側ＩＺＯ層の厚みは１０〜３０ｎｍの範囲内とした。実施例２〜９で用いた各サンプルの導電性積層体の層構成、並びに、透過率、反射率、エッチング特性およびシート抵抗の評価結果を、実施例１の評価結果と併せて図１３に示す。また実施例３〜５については、透過スペクトルおよび反射スペクトルの測定結果を図１４Ａ〜図１４Ｃにそれぞれ示す。
【００８４】
〔比較例１〜６〕
下側ＩＺＯ層、ＡＰＣ層および上側ＩＺＯ層の厚みを様々に変更したサンプルを用いて、実施例１の場合と同様にして、上述の評価１〜３を実施した。比較例１〜６において用いたサンプルの導電性積層体においては、下側ＩＺＯ層の厚みが２〜１０ｎｍの範囲から外れるか、ＡＰＣ層の厚みが５〜８ｎｍの範囲から外れるか、若しくは、上側ＩＺＯ層の厚みが１０〜３０ｎｍの範囲から外れていた。比較例１〜６で用いた各サンプルの導電性積層体の層構成、並びに、透過率、反射率、エッチング特性およびシート抵抗の評価結果を、実施例１〜９の評価結果と併せて図１３に示す。また比較例１，２については、透過スペクトルおよび反射スペクトルの測定結果を図１４Ｄ〜図１４Ｅにそれぞれ示す。
【００８５】
実施例１〜９のうち、透過率が最も高かったのは実施例３であった。実施例３においては、反射率も、実施例１〜９の中で最も低かった。図１３に示すように、実施例３のサンプルの導電性積層体では、ＡＰＣ層の厚みを５ｎｍに設定している。このため、サンプルの透過率を十分に高くし、かつ反射率を十分に低くすることができたと考えられる。また実施例３のサンプルでは、上側ＩＺＯ層の厚みを２５ｎｍに設定している。このことによって、サンプルの反射率をさらに低くすることができたと考えられる。
【００８６】
実施例１〜９のうち、シート抵抗が最も低かったのは実施例８であった。実施例８のサンプルの導電性積層体では、ＡＰＣ層の厚みを８ｎｍに設定している。このため、サンプルから得られた導電性積層体のパターンのシート抵抗を十分に低くすることができたと考えられる。
【００８７】
一方、下側ＩＺＯ層の厚みが１ｎｍである比較例１においては、透過率、反射率およびシート抵抗の評価結果が、上述の基準を満たしていなかった。比較例１においては、下側ＩＺＯ層の厚みが小さすぎるため、ＡＰＣ層の下側界面からの自由電子の移動補助効果が不足しており、このため、十分な光学的特性および電気的特性が得られなかったと考えられる。
【００８８】
また、ＡＰＣ層の厚みが３ｎｍである比較例２においては、透過率、反射率およびシート抵抗の評価結果が、上述の基準を満たしていなかった。比較例２による導電性積層体のパターンから測定されたシート抵抗の値は、ＩＺＯ単層の場合のシート抵抗程度の値であった。比較例２においては、ＡＰＣ層層の厚みが小さすぎるためＡＰＣ合金の分布が疎らになり、この結果、可視光の吸収性が強まるとともに、導電性が弱められたと考えられる。
【００８９】
また、上側ＩＺＯ層の厚みが５ｎｍである比較例３においては、反射率の評価結果が、上述の基準を満たしていなかった。比較例３による導電性積層体のパターンから測定されたシート抵抗の値は、ＩＺＯ単層の場合のシート抵抗程度の値であった。比較例３においては、上側ＩＺＯ層の厚みが、上述の干渉を生じさせるように適切に調整されたものではなく、結果として長波長領域の反射率が高くなり、Ｌ＊ａ＊ｂ＊表色系における色座標ｂ＊が（＋）に大きく振れてしまったと考えられる。
【００９０】
また、下側ＩＺＯ層の厚みが２０ｎｍである比較例４においては、ＡＰＣ層の部分におけるサイドエッチングが、上述の許容範囲からはずれていた。比較例４においては、ＡＰＣ層のエッチングが完了した後、下側ＩＺＯ層のエッチングが完了するまでに要する時間が長くなりすぎ、この結果、大きなサイドエッチングが生じたと考えられる。
【００９１】
また、ＡＰＣ層の厚みが１０ｎｍである比較例５においては、透過率および反射率の評価結果が、上述の基準を満たしていなかった。比較例５においては、ＡＰＣ層の厚みが大きすぎるため、サンプルの透過率が低下し、かつ反射率が増大したと考えられる。
【００９２】
また、上側ＩＺＯ層の厚みが３５ｎｍである比較例６においては、反射率の評価結果が、上述の基準を満たしていなかった。比較例６においては、上側ＩＺＯ層の厚みが、上述の干渉を生じさせるように適切に調整されたものではなく、結果として短波長領域の反射率が高くなり、Ｌ＊ａ＊ｂ＊表色系における色座標ｂ＊が（−）に大きく振れてしまったと考えられる。
【符号の説明】
【００９３】
１０  タッチ位置検出機能付き表示装置
１２  保護板
１５  表示装置
２０  タッチパネル装置
３０  タッチパネルセンサ
３１  基材
３２  第１センサ電極
３２ａ  第１電極
３２ｂ  第１接続部
３３  第２センサ電極
３３ａ  第２電極
３３ｂ  第２接続部
３４  絶縁層
４１  透明導電層
４２  導電性積層体
４３  第１金属酸化物層
４３ａ  残渣
４４  金属薄膜層
４５  第２金属酸化物層
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９Ａ】
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【図９Ｂ】
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【図９Ｃ】
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【図９Ｄ】
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【図９Ｅ】
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【図９Ｆ】
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【図９Ｇ】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４Ａ】
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【図１４Ｂ】
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【図１４Ｃ】
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【図１４Ｄ】
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【図１４Ｅ】
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