(57)【要約】      （修正有）【課題】電力増幅器を高効率化する。【解決手段】２ケ入りＬＤＭＯＳ−ＦＥＴをプッシュプル増幅で用いて、前記ＦＥＴの2ケのドレインを半田付けしたプリント基板を互いに所定帯域の中心周波数の２次高調波を短絡する容量で接続し、前記２次高調波を短絡する容量で接続したプリント基板から前記中心周波数の基本波の波長の約１／１２の長さの同軸線で接続したプリント基板の信号路銅箔と接地銅箔とを前記中心周波数の３次高調波を開放する容量で接地し、結合容量で前記所定帯域の基本波の整合を行い飽和増幅する高周波電力増幅器において、前記ストリップラインの銅箔又は該ストリップラインの銅箔と並行な接地銅箔の少なくともどちらか一方の前記同軸線の出力側に、レジストまたはシルク印刷またはフェルトペンでの追記を設けて、前記容量を前記同軸線の出力側に小容量値を複数ケ半田付けし、前記所定帯域より低い周波数の３次高調波を開放する。【選択図】図１Ｆ
2015149661.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ＬＤＭＯＳ−ＦＥＴをプッシュプル増幅で用いて、前記ＬＤＭＯＳ−ＦＥＴの２ケのドレインを半田付けしたプリント基板から所定帯域の中心周波数の基本波の波長の約１／１２の長さの同軸線で接続したプリント基板の出力信号路のストリップラインの長方形銅箔と該長方形銅箔と並行な接地銅箔との対の対向部に前記中心周波数の３次高調波を開放する容量を半田付けし、前記中心周波数の３次高調波を開放する容量と結合容量とで前記所定帯域の基本波の整合を行い飽和増幅する高周波電力増幅器において、
前記ストリップラインの銅箔又は該ストリップラインの銅箔と両側に並行な二つの接地銅箔の３銅箔の少なくともどちらか一つの前記同軸線の出力側に、
レジストまたはシルク印刷またはペイント若しくはフェルトペン等での追記を設けて、前記所定帯域より低い周波数の３次高調波を開放する容量を前記信号路のストリップラインの長方形銅箔と前記両側に並行な二つの接地銅箔との対の２対向部の少なくともどちらか一方の前記同軸線の出力側に半田付けし、前記所定帯域より低い周波数の３次高調波を開放することを特徴とする高周波電力増幅器。
【請求項２】
請求項１の高周波電力増幅器において、前記中心周波数の３次高調波を開放する容量値の１／Ｎ（Ｎは２以上の自然数）以上の容量値の容量をＮ並列に前記信号路のストリップラインの長方形銅箔と前記両側に並行な二つの接地銅箔との対の２対向部の少なくともどちらか一方の前記同軸線の出力側に半田付けすることを特徴とする周波電力増幅器。
【請求項３】
ＬＤＭＯＳ−ＦＥＴをプッシュプル増幅で用いて、前記ＬＤＭＯＳ−ＦＥＴの2ケのドレインを半田付けしたプリント基板から前記中心周波数の基本波の波長の約１／１２の長さの同軸線で接続したプリント基板の出力信号路のストリップラインの長方形銅箔と該長方形銅箔と並行な接地銅箔との対の対向部に前記中心周波数の３次高調波を開放する容量を半田付けし、前記中心周波数の３次高調波を開放する容量と結合容量とで前記所定帯域の基本波の整合を行い飽和増幅する高周波電力増幅器において、
前記ストリップラインの長方形銅箔又は該ストリップラインの長方形銅箔と両側に並行な二つの接地銅箔の３銅箔の少なくともどちらか一つの前記同軸線の出力側に、レジストまたはシルク印刷またはペイント若しくはフェルトペンでの追記を設けることを特徴とする高周波電力増幅器に用いるプリント基板。
【請求項４】
ＬＤＭＯＳ−ＦＥＴをプッシュプル増幅で用いて、前記ＬＤＭＯＳ−ＦＥＴの２ケのドレインを半田付けしたプリント基板から所定帯域の中心周波数の基本波の波長の約１／１２の長さの同軸線で接続したプリント基板の出力信号路のストリップラインの長方形銅箔と該長方形銅箔と並行な接地銅箔との対の対向部に前記中心周波数の３次高調波を開放する容量を半田付けし、前記中心周波数の３次高調波を開放する容量と結合容量とで前記所定帯域の基本波の整合を行い飽和増幅する高周波電力増幅器において、
前記ストリップラインの長方形銅箔又は該ストリップラインの長方形銅箔と両側に並行な二つの接地銅箔の３銅箔の少なくともどちらか一つに、レジストまたはシルク印刷またはペイント若しくはフェルトペン等での追記を設けて、
前記中心周波数の３次高調波を開放する容量値の１／Ｎ（Ｎは２以上の自然数）以上の容量値の容量をＮ並列に前記信号路のストリップラインの銅箔と前記両側に並行な二つの接地銅箔との対の２対向部の少なくともどちらか一方に半田付けすることを特徴とする周波電力増幅器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電力増幅器により電力増幅された無線電波送信を行う送信装置の効率向上に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来の電力増幅器の効率向上技術、特に、Ｆ級とも呼ばれる３次高調波の共振による開放化の技術の例としては、特許文献１と特許文献２に記載のものがある。低容量で６００ＭＨｚまで増幅可能なLaterally Diffused Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistors：ＬＤＭＯＳ−ＦＥＴをプッシュプル増幅で用いれば、turn-off方向の過渡応答は遅くなることによる２次高調波の悪影響は無視できる。そのため、３次高調波を開放する容量の増幅出力回路の構成を示すブロック図の図２のような、従来の３次高調波の共振の技術でも３次高調波の共振容量値を調整すれば、単一周波数では例えば８１．３６ＭＨｚで１２５０Ｗで８４％と高効率化は容易である（非特許文献１参照）。
【０００３】
しかし、周波数が少しでも変わると３次高調波の共振がずれてしまう。そのため、従来の技術では、所定帯域では例えば８７．５−１０８ＭＨｚで８０％と単一周波数ほどの高効率化は困難だった（非特許文献１参照）。
さらに、所定帯域では例えば８７．５−１０８ＭＨｚで設計された回路の部品と同軸線の長さやプリント基板を元に、他の周波数例えば８２．５ＭＨｚで１２５０Ｗでは７６％と高効率化は困難だった。
特に、周波数ごとに、同軸線の長さを調整したりプリント基板を変更したりするのは、設計変更と再試作と治具の変更とが必要で、非常に困難だった。
【０００４】
また、高効率化のために飽和増幅させることにより、３次高調波を開放させる容量にも大電力が流れる。そのため、非特許文献１の指定する品種と容量値の非特許文献２の容量を用いても、セラミックコンデンサの共振のピークの鋭さを表す値(Quality factor：以下Ｑ) の特性例を示す模式図の図５Ａとセラミックコンデンサの等価直列抵抗（ Equivalent Series Resistance：以下ＥＳＲ）の特性例を示す模式図の図５Ｂの様に、３ｐＦでは１５０ＭＨｚでＱが約５１００でＥＳＲが約０．０６８Ωであり、基本波電力の１／８が通過すると仮定して近似計算してみると１２５０Ｗ÷８×０．０６８Ω÷５０Ω＝０．２１Ｗと無視できない値となり、損失により数十度も温度が上昇してしまう（非特許文献２参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開平５−２９８５１号公報
【特許文献２】特開平７−１８３７４４号公報
【非特許文献】
【０００６】
【非特許文献１】フリースケール  RF LDMOSパワートランジスタMRFE6VP61K25H   http://cache.freescale.com/files/rf_if/doc/data_sheet/MRFE6VP61K25H.pdf
【非特許文献２】American Technical Ceramics Corp  Porcelain Multilayer Capacitors  ＡＴＣ100Ｂ http://atceramics-asia.com/UserFiles/100b.pdf
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
本発明は、所定帯域の部品と同軸線の線長とプリント基板の信号路銅箔と接地銅箔を維持し、前記所定帯域より低い帯域でも、電力増幅器を高効率化することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明は、上記の目的を達成するために、（２ケ入り）ＬＤＭＯＳ−ＦＥＴをプッシュプル増幅で用いて、前記ＬＤＭＯＳ−ＦＥＴの2ケのドレインを半田付けしたプリント基板から所定帯域の中心周波数の基本波の波長の約１／１２の長さの同軸線で接続したプリント基板の出力信号路のストリップラインの長方形銅箔と該長方形銅箔と並行な接地銅箔との対の対向部に前記中心周波数の３次高調波を開放する容量を半田付けし、前記中心周波数の３次高調波を開放する容量と結合容量とで前記所定帯域の基本波の整合を行い飽和増幅する高周波電力増幅器において、
（前記ＬＤＭＯＳ−ＦＥＴの2ケのドレインを半田付けしたプリント基板同士を所定帯域の中心周波数の２次高調波を短絡する容量で接続し、）
前記ストリップラインの銅箔又は該ストリップラインの銅箔と両側に並行な二つの接地銅箔の３銅箔の少なくともどちらか一つの前記同軸線の出力側に、
（前記中心周波数の３次高調波を開放する容量の横に、８７−１０８ＭＨｚの表記のシルクまたはレジスト、ハンダを載せない線状のレジスト若しくは線状のシルク印刷の一組の出力側に、７６−８６ＭＨｚの表記のシルク若しくはレジストまたは８１−８６ＭＨｚの表記のシルク若しくはレジストおよび７６−８０ＭＨｚの表記のシルク若しくはレジストまたは８２−８６ＭＨｚの表記のシルク若しくはレジストおよび７８−８１ＭＨｚの表記のシルク若しくはレジストおよび７６−７７ＭＨｚの表記のシルク若しくはレジストを設けて、）
（線状の）レジストまたは（線状の）シルク印刷または（耐候性）ペイント若しくは（耐油性）フェルトペン等での追記を設けて、前記所定帯域より低い周波数の３次高調波を開放する容量を前記信号路のストリップラインの長方形銅箔と前記両側に並行な二つの接地銅箔との対の２対向部の少なくともどちらか一方の前記同軸線の出力側に半田付けし、前記所定帯域より低い周波数の３次高調波を開放することを特徴とする高周波電力増幅器である。
【０００９】
さらに、上記高周波電力増幅器において、（前記中心周波数の３次高調波を開放する容量を取り外し、）前記中心周波数の３次高調波を開放する容量値の１／Ｎ（Ｎは２以上の自然数）以上の容量値の容量をＮ並列に（記中心周波数の３次高調波を開放する容量値以上の容量値の容量、前記中心周波数の３次高調波を開放する容量値の１／２以上の容量値の容量を２並列に、前記中心周波数の３次高調波を開放する容量値の１／３以上の容量値の容量を３並列にまたは前記中心周波数の３次高調波を開放する容量値の１／４以上の容量値の容量を４並列にしてＱを高くＥＳＲを低くして、できれば１／Ｎより大きい容量値の容量をＮ並列に）前記出力信号路のストリップラインの長方形銅箔と前記両側に並行な二つの接地銅箔との対の２対向部の少なくともどちらか一方の前記同軸線の出力側に半田付け（し、３次高調波を開放が強くなり飽和が強くなるので、前記ＬＤＭＯＳ−ＦＥＴのバイアスを再度調整）することを特徴とする周波電力増幅器である。
【００１０】
または、  ＬＤＭＯＳ−ＦＥＴをプッシュプル増幅で用いて、前記ＬＤＭＯＳ−ＦＥＴの２ケのドレインを半田付けしたプリント基板から前記中心周波数の基本波の波長の約１／１２の長さの同軸線で接続したプリント基板の信号路のストリップラインの長方形銅箔と該信号路銅箔と並行な接地銅箔とを前記中心周波数の３次高調波を開放する容量で接地し、前記中心周波数の３次高調波を開放する容量と結合容量とで前記所定帯域の基本波の整合を行い飽和増幅する高周波電力増幅器において、前記ストリップラインの長方形銅箔又は該ストリップラインの長方形銅箔と両側に並行な二つの接地銅箔の３銅箔の少なくともどちらか一つの前記同軸線の出力側に、前記所定帯域より低い周波数の３次高調波を開放する容量を示すレジストまたはシルク印刷またはペイント若しくはフェルトペンでの追記を設けることを特徴とする高周波電力増幅器に用いるプリント基板である。
つまり、上記高周波電力増幅器に用いるプリント基板である。
【００１１】
さらに、ＬＤＭＯＳ−ＦＥＴをプッシュプル増幅で用いて、前記ＬＤＭＯＳ−ＦＥＴの２ケのドレインを半田付けしたプリント基板から所定帯域の中心周波数の基本波の波長の約１／１２の長さの同軸線で接続したプリント基板の信号路のストリップラインの長方形銅箔と該長方形銅箔と並行な接地銅箔との対の対向部に前記中心周波数の３次高調波を開放する容量を半田付けし、前記中心周波数の３次高調波を開放する容量と結合容量とで前記所定帯域の基本波の整合を行い飽和増幅する高周波電力増幅器において、
（前記ＬＤＭＯＳ−ＦＥＴの２ケのドレインを半田付けしたプリント基板同士を所定帯域の中心周波数の２次高調波を短絡する容量で接続し、）
前記ストリップラインの銅箔又は該ストリップラインの銅箔と両側に並行な二つの接地銅箔の３銅箔の少なくともどちらか一つに、レジストまたはシルク印刷またはペイント若しくはフェルトペン等での追記を設けて、
前記中心周波数の３次高調波を開放する容量値の１／Ｎ（Ｎは２以上の自然数）以上の（できれば１／Ｎより大きい）容量値の容量をＮ並列に前記信号路のストリップラインの銅箔と前記両側に並行な二つの接地銅箔との対の２対向部の少なくともどちらか一方に半田付けすることを特徴とする周波電力増幅器である。
【発明の効果】
【００１２】
以上説明したように本発明によれば、所定帯域の部品と同軸線の線長とプリント基板の信号路銅箔と接地銅箔を維持し、前記所定帯域より低い周波数の３次高調波のインピーダンスを高くし開放を理想に近くし、単一周波数同様の高効率化することが可能になる。また、３次高調波を開放する容量を半田付けする位置を容易に把握することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１３】
【図１Ａ】本発明の１実施例のPushPull増幅出力回路のプリント基板の信号出力部のストリップラインの長方形銅箔と両側平行な接地銅箔と線状のシルク印刷または３次高調波を開放する容量の信号出力部のストリップラインの出力側の位置を示すシルク印刷と周波数表記のシルク印刷と容量値を示すシルク印刷と、３次高調波を開放する容量Ｃ５，Ｃ６，Ｃ１４と、合成同軸COAX3とを示す模式図（（ａ）76-87MHz（信号路のストリップラインのみにシルク印刷）、（ｂ）88-108MHz、83-87MHz、79-82MHz又は78-80MHz（COAX3と反対側の接地銅箔のみにシルク印刷）、（ｃ）88-108MHz、85-87 MHz、82-84MHz、80-81MHz、78-79MHz又は76-77MHz（３銅箔にシルク印刷）、（ｄ）88-108MHz、87 MHz、86 MHz、85 MHz、84 MHz、83MHz、82MHz、81MHz、80MHz、79MHz、78MHz、77MHz又は76-77MHz、（信号路のストリップラインとCOAX3と反対側の接地銅箔にシルク印刷）（ｅ）88-108MHz、87 MHz、86 MHz、85 MHz、84 MHz、83MHz、82 MHz、81MHz、80 MHz、79MHz 、78 MHz、77MHz又は76 MHz（３銅箔にシルク印刷））
【図１Ｂ】本発明の他の１実施例のPushPull増幅出力回路のプリント基板の信号出力部のストリップラインの長方形銅箔と両側平行な接地銅箔と３次高調波を開放する容量の信号出力部のストリップラインの出力側の位置を示すレジストと周波数表記のレジストと容量値を示すレジストと、３次高調波を開放する容量Ｃ５，Ｃ６，Ｃ１４と、合成同軸COAX3とを示す模式図（（ａ）88-108MHz、81-87MHz又は76-80MHz、（ｂ）88-108MHz、83-87MHz、79-82MHz又は76-78MHz、（ｃ）88-108MHz、84-87MHz、81-83MHz、78-80MHz又は76-77MHz、）
【図１Ｃ】本発明の１実施例のPushPull増幅出力回路のプリント基板の信号出力部のストリップラインの長方形銅箔と両側平行な接地銅箔と線状のシルク印刷または３次高調波を開放する容量の信号出力部のストリップラインの出力側の位置を示すシルク印刷と周波数表記のシルク印刷と容量値を示すシルク印刷と、３次高調波を開放する容量Ｃ５，Ｃ６，Ｃ１４の並列接続と、合成同軸COAX3とを示す模式図（（ａ）76-87MHz（COAX3側の接地銅箔のみにシルク印刷で２並列）、（ｂ）88-108MHz又は76-87MHz（３銅箔にシルク印刷で２並列）、（ｃ）76-87MHz（３銅箔にシルク印刷で３並列））
【図１Ｄ】本発明の他の１実施例のPushPull増幅出力回路のプリント基板の信号出力部のストリップラインの長方形銅箔と両側平行な接地銅箔と線状のレジストまたは３次高調波を開放する容量の信号出力部のストリップラインの出力側の位置を示すシルクと周波数表記のレジストと容量値を示すレジストと、３次高調波を開放する容量Ｃ５，Ｃ６，Ｃ１４の並列接続と、合成同軸COAX3とを示す模式図（（ａ）88-108MHz、81-87MHz又は76-80MHz、（ｂ）88-108MHz、83-87MHz、79-82MHz又は76-78MHz、（ｃ）88-108MHz、84-87MHz、81-83MHz、78-80MHz又は76-77MHz、）
【図１Ｅ】本発明の１実施例のPushPull増幅出力回路のプリント基板の信号出力部のストリップラインの長方形銅箔と両側平行な接地銅箔と耐候性ペイントや耐油性フェルトペンでの追記と、３次高調波を開放する容量Ｃ６の信号出力部のストリップラインの出力側の位置と、合成同軸COAX3とを示す模式図（（ａ）82MHz（信号路のストリップラインのみに追記）、（ｂ）76MHz（COAX3と反対側の接地銅箔に追記）、（ｃ）80MHz（COAX3側の接地銅箔に追記））
【図１Ｆ】本発明の１実施例のPushPull増幅出力回路のプリント基板の信号出力部のストリップラインの長方形銅箔と両側平行な接地銅箔と耐候性ペイントや耐油性フェルトペンでの追記と、３次高調波を開放する容量Ｃ５，Ｃ６，Ｃ１４，Ｃ２５，Ｃ２６の信号出力部のストリップラインの出力側の位置と、合成同軸COAX3とを示す模式図（（ａ）1.5ｐＦ２並列Ｃ６，Ｃ１４（信号路のストリップラインのみに追記）、（ｂ）1.ｐＦ３並列Ｃ５，Ｃ６，Ｃ１４（３銅箔に追記）、（ｃ）０．８.ｐＦ４並列Ｃ５，Ｃ６，Ｃ２５，Ｃ２６（両側の接地銅箔に追記）、（ｄ）０．６.ｐＦ５並列Ｃ５，Ｃ６，Ｃ１４，Ｃ２５，Ｃ２６（両側の接地銅箔に追記）、（ｅ）１．２ｐＦ３並列Ｃ５，Ｃ６，Ｃ１４（COAX3と反対側の接地銅箔に追記））
【図２Ａ】本発明の１実施例のPushPull増幅出力回路のプリント基板の信号出力部のストリップラインの長方形銅箔と両側平行な接地銅箔と線状のシルク印刷または３次高調波を開放する容量Ｃ５，Ｃ６，Ｃ１４の信号出力部のストリップラインの出力側の位置を示すシルク印刷と周波数表記のシルク印刷と容量値を示すシルク印刷とを示す模式図（（ａ）76-87MHz（信号路のストリップラインのみにシルク印刷）、（ｂ）88-108MHz、83-87MHz、79-82MHz又は78-80MHz（COAX3と反対側の接地銅箔のみにシルク印刷）、（ｃ）88-108MHz、85-87 MHz、82-84MHz、80-81MHz、78-79MHz又は76-77MHz（３銅箔にシルク印刷）、（ｄ）88-108MHz、87 MHz、86 MHz、85 MHz、84 MHz、83MHz、82MHz、81MHz、80MHz、79MHz、78MHz、77MHz又は76-77MHz、（信号路のストリップラインとCOAX3と反対側の接地銅箔にシルク印刷）（ｅ）88-108MHz、87 MHz、86 MHz、85 MHz、84 MHz、83MHz、82 MHz、81MHz、80 MHz、79MHz 、78 MHz、77MHz又は76 MHz（３銅箔にシルク印刷））
【図２Ｂ】本発明の他の１実施例のPushPull増幅出力回路のプリント基板の信号出力部のストリップラインの長方形銅箔と両側平行な接地銅箔と３次高調波を開放する容量Ｃ５，Ｃ６，Ｃ１４の信号出力部のストリップラインの出力側の位置を示すレジストと周波数表記のレジストと容量値を示すレジストとを示す模式図（（ａ）88-108MHz、81-87MHz又は76-80MHz、（ｂ）88-108MHz、83-87MHz、79-82MHz又は76-78MHz、（ｃ）88-108MHz、84-87MHz、81-83MHz、78-80MHz又は76-77MHz、）
【図２Ｃ】本発明の１実施例のPushPull増幅出力回路のプリント基板の信号出力部のストリップラインの長方形銅箔と両側平行な接地銅箔と線状のシルク印刷または３次高調波を開放する容量Ｃ５，Ｃ６，Ｃ１４の信号出力部のストリップラインの出力側の位置を示すシルク印刷と周波数表記のシルク印刷と容量値を示すシルク印刷を示す模式図（（ａ）76-87MHz（COAX3側の接地銅箔のみにシルク印刷で２並列）、（ｂ）88-108MHz又は76-87MHz（３銅箔にシルク印刷で２並列）、（ｃ）76-87MHz（３銅箔にシルク印刷で３並列））
【図２Ｄ】本発明の他の１実施例のPushPull増幅出力回路のプリント基板の信号出力部のストリップラインの長方形銅箔と両側平行な接地銅箔と線状のレジストまたは３次高調波を開放する容量Ｃ５，Ｃ６，Ｃ１４の信号出力部のストリップラインの出力側の位置を示すシルクと周波数表記のレジストと容量値を示すレジストとを示す模式図（（ａ）88-108MHz、81-87MHz又は76-80MHz、（ｂ）88-108MHz、83-87MHz、79-82MHz又は76-78MHz、（ｃ）88-108MHz、84-87MHz、81-83MHz、78-80MHz又は76-77MHz、）
【図２Ｅ】本発明の１実施例のPushPull増幅出力回路のプリント基板の信号出力部のストリップラインの長方形銅箔と両側平行な接地銅箔と耐候性ペイントや耐油性フェルトペンでの追記の３次高調波を開放する容量Ｃ６の信号出力部のストリップラインの出力側の位置とを示す模式図（（ａ）82MHz（信号路のストリップラインのみに追記）、（ｂ）76MHz（COAX3と反対側の接地銅箔に追記）、（ｃ）80MHz（COAX3側の接地銅箔に追記））
【図２Ｆ】本発明の１実施例のPushPull増幅出力回路のプリント基板の信号出力部のストリップラインの長方形銅箔と両側平行な接地銅箔と耐候性ペイントや耐油性フェルトペンでの追記の３次高調波を開放する容量Ｃ５，Ｃ６，Ｃ１４，Ｃ２５，Ｃ２６の信号出力部のストリップラインの出力側の位置とを示す模式図（（ａ）1.5ｐＦ２並列Ｃ６，Ｃ１４（信号路のストリップラインのみに追記）、（ｂ）1.ｐＦ３並列Ｃ５，Ｃ６，Ｃ１４（３銅箔に追記）、（ｃ）０．８.ｐＦ４並列Ｃ５，Ｃ６，Ｃ２５，Ｃ２６（両側の接地銅箔に追記）、（ｄ）０．６.ｐＦ５並列Ｃ５，Ｃ６，Ｃ１４，Ｃ２５，Ｃ２６（両側の接地銅箔に追記）、（ｅ）１．２ｐＦ３並列Ｃ５，Ｃ６，Ｃ１４（COAX3と反対側の接地銅箔に追記））
【図３】本発明の１実施例の３次高調波を開放する容量Ｃ５，Ｃ６，Ｃ１４，Ｃ２５，Ｃ２６を信号出力部のストリップラインの出力側に用いたPushPull増幅出力回路の構成を示す回路図
【図４】本発明の１実施例の３次高調波を開放する容量Ｃ５，Ｃ６，Ｃ１４を信号出力部のストリップラインの出力側に用いたPushPull増幅出力回路のプリント基板と同軸線と部品との構成を示す模式図
【図５Ａ】セラミックコンデンサの共振のピークの鋭さを表す値(Quality factor：以下Ｑ) の特性例を示す模式図
【図５Ｂ】セラミックコンデンサの等価直列抵抗（ Equivalent Series Resistance：以下ＥＳＲ）の特性例を示す模式図
【発明を実施するための形態】
【００１４】
以下に本発明の概要について説明する。
図３は本発明の１実施例の３次高調波を開放する容量Ｃ５，Ｃ６，Ｃ１４，Ｃ２５，Ｃ２６を信号出力部のストリップラインの出力側に用いたPushPull増幅出力回路の構成を示す回路図であり、図４は本発明の１実施例の３次高調波を開放する容量Ｃ５，Ｃ６，Ｃ１４を信号出力部のストリップラインの出力側に用いたPushPull増幅出力回路のプリント基板と同軸線と部品との構成を示す模式図である。図３と図４では本発明の１実施例の３次高調波を開放する容量Ｃ５，Ｃ６，Ｃ１４，Ｃ２５，Ｃ２６の個数は任意である。
【００１５】
非特許文献１ではPushPull合成同軸線ＣＯＡＸ3の半田付け地点に３次高調波を開放する容量があるのに対し、本発明では、図３の様にプリント基板の信号出力ストリップラインの長方形銅箔の出力側に３次高調波を開放する容量があることと、３次高調波を開放する容量がＣ５，Ｃ６，Ｃ１４，Ｃ２５，Ｃ２６の任意と複数あることである。更に本発明では図４の様に、レジスト若しくはシルク印刷を追加するか、または耐候性ペイント若しくは耐油性フェルトペン等で追記し、３次高調波を開放する容量を半田付けする位置を容易に把握したことである。できれば図４の様に、周波数に対応した容量値を耐候性ペイント若しくは耐油性フェルトペン等で追記するのが好ましい。
【００１６】
図３と図４において、Ｃ５，Ｃ６，Ｃ１４， Ｃ２５，Ｃ２６は３次高調波を開放するセラミックコンデンサであり3ｐFで100MHｚで531Ω３次高調波300MHｚで177Ωであり、80MHｚで663Ω３次高調波240MHｚで221Ωである。3.3ｐFで100MHｚで482Ω３次高調波300MHｚで161Ωであり、80MHｚで603Ω３次高調波240MHｚで201Ωである。3.6ｐFで100MHｚで442Ω３次高調波300MHｚで147Ωであり、80MHｚで553Ω３次高調波240MHｚで184Ωである。
【００１７】
図３と図４において、中心周波数の基本波の波長の約１／１２の長さの同軸線の先のプリント基板の出力信号路のストリップラインの長方形銅箔と前記両側に並行な二つの接地銅箔との対の２対向部の出力側に、レジスト若しくはシルク印刷または耐候性ペイント若しくは耐油性フェルトペン等での追記を設けて、３次高調波を開放する容量を前記信号路の出力信号路のストリップラインの長方形銅箔と前記両側に並行な二つの接地銅箔との対の２対向部の出力側に半田付けし、前記所定帯域より低い周波数の３次高調波のインピーダンスを高くし開放を理想に近くすることである。
【００１８】
ここで、プリント基板が比誘電率εr=2.6のポリテトラフルオロエチレン基板ならば波長短縮率0.68であり、比誘電率εr=3.4のレジン基板 ならば波長短縮率0.61であり、比誘電率εr=3.5の基板なら波長短縮率0.6であり、比誘電率εr=4.3の基板ならば波長短縮率0.55である。
【００１９】
ＣＯＡＸ１（＝ＣＯＡＸ2）とＣＯＡＸ３の同軸線の実効長の合計が88-108MHzの中心周波数97MHｚの基本波の波長の１／１２の長さ258ｍｍに波長短縮率をかけた値に等しい。そこで、例えば82.5MHｚなら、基本波の波長の１／１２の長さ303ｍｍとの差313−258＝45ｍｍに比誘電率εr=3.5の基板の波長短縮率0.6をかけた27ｍｍＣＯＡＸ３から出力側に離れた前記信号路のストリップラインの銅箔と並行な接地銅箔との両方のプリント基板に３次高調波を開放するコンデンサＣ５を半田付けすれば、３次高調波の開放が理想に近づき、増幅出力回路が高効率となる。
ＣＯＡＸ３から出力側に離れた前記信号路のストリップラインの銅箔と並行な接地銅箔との両方のプリント基板にコンデンサＣ５，Ｃ６，Ｃ１４， Ｃ２５，Ｃ２６を半田付けすることにより、８２．５ＭＨｚで１２５０Ｗでは７６％から８４％と高効率化を目指す。
【実施例１】
【００２０】
以下に本発明の実施例について説明する。
図３は本発明の１実施例の３次高調波を開放する容量Ｃ５，Ｃ６，Ｃ１４，Ｃ２５，Ｃ２６を信号出力部のストリップラインの出力側に用いたPushPull増幅出力回路の構成を示す回路図であり、図４は本発明の１実施例の３次高調波を開放する容量Ｃ５，Ｃ６，Ｃ１４を信号出力部のストリップラインの出力側に用いたPushPull増幅出力回路のプリント基板と同軸線と部品との構成を示す模式図である。
【００２１】
図３と図４において、Ｂ１はフェライトビーズであり、Ｃ１−Ｃ３，Ｃ７−Ｃ１２，Ｃ１５−Ｃ１７，Ｃ２２−Ｃ２４はセラミックコンデンサであり、そのうち、Ｃ１とＣ３はゲートバイアスのデカップリングコンデンサであり、Ｃ２は入力の高調波成分削除のコンデンサ27ｐFで100MHｚで59Ωであり、Ｃ７−Ｃ１２はインピーダンス整合の３並列出力コンデンサ1000ｐFで100MHｚで1.6Ωで３並列で0.5Ωであり、Ｃ１５−Ｃ１７，Ｃ２２−Ｃ２４はコレクタ電源のデカップリングコンデンサである。Ｃ４は２次高調波を短絡するマイカコンデンサであり39ｐFで100MHｚで41Ω２次高調波200MHｚで20Ωである。Ｃ５，Ｃ６，Ｃ１４，Ｃ２５，Ｃ２６は３次高調波を開放するセラミックコンデンサであり例えば3ｐFで100MHｚで531Ω３次高調波300MHｚで177Ωである。Ｃ１８，Ｃ１９，Ｃ２０，Ｃ２１は導電高分子コンデンサのコレクタ電源のデカップリングコンデンサである。
【００２２】
Ｌ１−Ｌ５はインダクタであり、Ｑ１はＬＤＭＯＳであり、Ｒ１は抵抗であり、Ｔ１はバランであり、ＣＯＡＸ１，ＣＯＡＸ２は１２Ω同軸線150ｍｍであり、ＣＯＡＸ３は５０Ω同軸線221ｍｍでありＣＯＡＸ１−ＣＯＡＸ３の同軸線でPushPull合成している。
ＣＯＡＸ１とＣＯＡＸ３の同軸線の実効長の合計が88-108MHzの中心周波数97MHｚの基本波の波長の１／１２の長さ258ｍｍに波長短縮率をかけた値に等しい。
【００２３】
ＰＣＢは比誘電率εr=3.4で波長短縮率0.61で銅箔厚約７５μｍのプリント板 又は比誘電率εr=3.5で波長短縮率0.6で銅箔厚約７５μｍのプリント板である。比誘電率と銅箔厚が異なるとストリップラインの形状が異なる。
【００２４】
図１Ａは、本発明の１実施例のPushPull増幅出力回路のプリント基板の信号出力部のストリップラインの長方形銅箔と両側平行な接地銅箔と線状のシルク印刷または３次高調波を開放する容量の信号出力部のストリップラインの出力側の位置を示すシルク印刷と周波数表記のシルク印刷と容量値を示すシルク印刷と、３次高調波を開放する容量Ｃ５，Ｃ６，Ｃ１４と、合成同軸COAX3とを示す模式図である。図２Ａは、本発明の１実施例のPushPull増幅出力回路のプリント基板の信号出力部のストリップラインの長方形銅箔と両側平行な接地銅箔と線状のシルク印刷または３次高調波を開放する容量の信号出力部のストリップラインの出力側の位置を示すシルク印刷と周波数表記のシルク印刷と容量値を示すシルク印刷とを示す模式図である。
【００２５】
実施例１の効果は、シルク印刷なので、例えば図２Ａの（ｄ）（ｅ）の様に、３次高調波を開放する容量Ｃ５，Ｃ６，Ｃ１４の位置を１ＭＨｚ等の細かいステップで、明確に把握して半田付けすることができることである。
実施例１は、特に、８２．５ＭＨｚ等中間周波数のＦＭ放送局の放送に適している。
【実施例２】
【００２６】
図１Ｂは、本発明の他の１実施例のPushPull増幅出力回路のプリント基板の信号出力部のストリップラインの長方形銅箔と両側平行な接地銅箔と３次高調波を開放する容量の信号出力部のストリップラインの出力側の位置を示すレジストと周波数表記のレジストと容量値を示すレジストと、３次高調波を開放する容量Ｃ５，Ｃ６，Ｃ１４と、合成同軸COAX3とを示す模式図である。図２Ｂは、本発明の他の１実施例のPushPull増幅出力回路のプリント基板の信号出力部のストリップラインの長方形銅箔と両側平行な接地銅箔と３次高調波を開放する容量の信号出力部のストリップラインの出力側の位置を示すレジストと周波数表記のレジストと容量値を示すレジストとを示す模式図である。
図１Ｂと図２Ｂは共に、（ａ）88-108MHz、81-87MHz又は76-80MHz、（ｂ）88-108MHz、83-87MHz、79-82MHz又は76-78MHz、（ｃ）88-108MHz、84-87MHz、81-83MHz、78-80MHz又は76-77MHz、となっている。シルクが不要なレジストだけでも、図１Ｂと図２Ｂの（ｃ）の様に、３次高調波を開放する容量Ｃ５，Ｃ６，Ｃ１４の位置を２−３ＭＨｚ等の比較的細かいステップで、明確に把握して半田付けすることができることである。
実施例２の効果は、レジストなので、シルクが不要なことである。
実施例２は、特に、８５ＭＨｚ等比較的高い周波数のＦＭ放送局の放送に適している。
【実施例３】
【００２７】
実施例３の実施例１と実施例２との相違点のみ説明する。
高効率化のために飽和増幅させることにより、３次高調波を開放させる容量にも大電力が流れる。そのため、非特許文献１の指定する品種と容量値の非特許文献２のセラミックコンデンサを用いても、セラミックコンデンサの共振のピークの鋭さを表す値(Quality factor：以下Ｑ) の特性例を示す模式図の図５Ａやセラミックコンデンサの等価直列抵抗（ Equivalent Series Resistance：以下ＥＳＲ）の特性例を示す模式図の図５Ｂの様に、３ｐＦでは１５０ＭＨｚでＱが約５１００でＥＳＲが約０．０６８Ωであり、基本波電力の１／８が通過すると仮定して近似計算してみると１２５０Ｗ÷８×０．０６８Ω÷５０Ω＝０．２１Ｗと無視できない値となり、損失により数十度も温度が上昇してしまう。
そこで、実施例３では、３次高調波を開放する容量Ｃ５，Ｃ６，Ｃ１４の並列接続の図1Ｃ又は図1Dの様に、非特許文献２の容量を並列化する。図５Ａや図５Ｂの様に１．５ｐＦでは１５０ＭＨｚでＱが約９０００でＥＳＲが約０．０８５Ωで２並列ならＱが約９０００でＥＳＲが約０．０４３Ωで約４dB損失と温度上昇が低減する。１ｐＦでは１５０ＭＨｚでＱが約11０００でＥＳＲが約０．１Ωで３並列ならＱが約１１０００でＥＳＲが約０．０３３Ωで約６dB損失と温度上昇が低減する。基本波電力の１／８が通過すると仮定して近似計算してみると１２５０Ｗ÷８×０．０３３Ω÷５０Ω＝０．１Ｗと許容できる値となる。０．６ｐＦでは１５０ＭＨｚでＱが約1４０００でＥＳＲが約０．１２Ωで５並列ならＱが約１４０００でＥＳＲが約０．０２４Ωで約９dB損失と温度上昇が低減する。基本波電力の１／８が通過すると仮定して近似計算してみると１２５０Ｗ÷８×０．０２４Ω÷５０Ω＝０．０７５Ｗと無視できる値となる。つまり、損失を減らし３次高調波の共振インピーダンスを高くし開放を理想に近くする。
【００２８】
３次高調波開放する距離の真空λ／１２は例えば８２．５ＭＨｚで３０３ｍｍとレジン基板 の波長短縮率０．６１を考慮しても、３次高調波を開放させる非特許文献２のセラミックコンデンサの外形寸法２．８ｍｍ四方と比較して長く、３次高調波を開放させる容量Ｃ５，Ｃ６，Ｃ１４を並列化しても副作用は少ない。
ところで、セラミックコンデンサのＱ の特性例を示す模式図の図５ＡやセラミックコンデンサのＥＳＲの特性例を示す模式図の図５Ｂのように、容量値が大きくなるとＱが下がりＥＳＲが大きくなる。そのため、ＱとＥＳＲが理想に近い場合より少ない容量値のセラミックコンデンサを３次高調波を開放する容量に使用していた。そこで、３次高調波を開放する容量Ｃ５，Ｃ６，Ｃ１４の並列接続しＱが上がりＥＳＲが小さくなる場合は、並列接続の合計容量値は、非特許文献１の指定する容量値より大きいことが好ましい。
【００２９】
図１Ｃは、本発明の１実施例のPushPull増幅出力回路のプリント基板の信号出力部のストリップラインの長方形銅箔と両側平行な接地銅箔と線状のシルク印刷または３次高調波を開放する容量の信号出力部のストリップラインの出力側の位置を示すシルク印刷と周波数表記のシルク印刷と容量値を示すシルク印刷と、３次高調波を開放する容量Ｃ５，Ｃ６，Ｃ１４の並列接続と、合成同軸COAX3とを示す模式図である。図２Ｃは、本発明の１実施例のPushPull増幅出力回路のプリント基板の信号出力部のストリップラインの長方形銅箔と両側平行な接地銅箔と線状のシルク印刷または３次高調波を開放する容量の信号出力部のストリップラインの出力側の位置を示すシルク印刷と周波数表記のシルク印刷と容量値を示すシルク印刷とを示す模式図である。図１Ｃと図２Ｃにおいて、（ａ）は76-87MHz（COAX3側の接地銅箔のみにシルク印刷で２並列）で、（ｂ）は88-108MHz又は76-87MHz（３銅箔にシルク印刷で２並列）で、（ｃ）は76-87MHz（３銅箔にシルク印刷で３並列）である。
図１Ｄは、本発明の他の１実施例のPushPull増幅出力回路のプリント基板の信号出力部のストリップラインの長方形銅箔と両側平行な接地銅箔と線状のレジストまたは３次高調波を開放する容量の信号出力部のストリップラインの出力側の位置を示すレジストと周波数表記のレジストと容量値を示すレジストと、３次高調波を開放する容量Ｃ５，Ｃ６，Ｃ１４の並列接続と、合成同軸COAX3とを示す模式図である。図２Ｄは、本発明の他の１実施例のPushPull増幅出力回路のプリント基板の信号出力部のストリップラインの長方形銅箔と両側平行な接地銅箔と線状のレジストまたは３次高調波を開放する容量の信号出力部のストリップラインの出力側の位置を示すレジストと周波数表記のレジストと容量値を示すレジストとを示す模式図である。図１Ｄと図２Ｄは共に、（ａ）88-108MHz、81-87MHz又は76-80MHz、（ｂ）88-108MHz、83-87MHz、79-82MHz又は76-78MHz、（ｃ）88-108MHz、84-87MHz、81-83MHz、78-80MHz又は76-77MHz、となっている。シルクが不要なレジストだけでも、図１Ｃと図２Ｄの（ｃ）の様に、３次高調波を開放する容量Ｃ５の位置を２−３ＭＨｚ等の比較的細かいステップで、明確に把握して半田付けすることができることである。
【００３０】
実施例３の効果は、高価なマイカコンデンサを用いることなく、３次高調波を開放する容量Ｃ５，Ｃ６，Ｃ１４に比較的安価なセラミックコンデンサを並列接続することによりＱが上がりＥＳＲが小さくなり（並列接続の合計容量値が大きくなること）により、３次高調波を開放する容量での損失と温度上昇が下がり、３次高調波の共振インピーダンスを高くし３次高調波を開放が理想に近づき、効率と出力とがさらに向上することである。
実施例３は、特に、７５．６ＭＨｚや８０ＭＨｚ等比較的低い周波数のＦＭ放送局の放送に適している。
【実施例４】
【００３１】
実施例４の実施例３との相違点のみ説明する。実施例４では実施例３と異なり、３次高調波を開放する容量の信号出力部のストリップラインの出力側の位置の中心線を示す一点鎖線とセラミックコンデンサの容量値を耐候性ペイントや耐油性フェルトペンで、図1Ｆのように追記する。図２Ｆの追記を、追記ではなく、シルク印刷またはレジスト抜きしたプリント基板を用意しても良い。
図１Ｆは、本発明の１実施例のPushPull増幅出力回路のプリント基板の信号出力部のストリップラインの長方形銅箔と両側平行な接地銅箔と耐候性ペイントや耐油性フェルトペンでの追記と、３次高調波を開放する容量Ｃ５，Ｃ６，Ｃ１４，Ｃ２５，Ｃ２６の信号出力部のストリップラインの出力側の位置と、合成同軸COAX3とを示す模式図である。図２Ｆは、本発明の１実施例のPushPull増幅出力回路のプリント基板の信号出力部のストリップラインの長方形銅箔と両側平行な接地銅箔と耐候性ペイントや耐油性フェルトペンでの３次高調波を開放する容量Ｃ５，Ｃ６，Ｃ１４，Ｃ２５，Ｃ２６の信号出力部のストリップラインの出力側の位置の追記とを示す模式図である。図１Ｆと図２Ｆにおいて、（ａ）は1.5ｐＦ２並列Ｃ６，Ｃ１４（信号路のストリップラインのみに追記）で、（ｂ）は1.ｐＦ３並列Ｃ５，Ｃ６，Ｃ１４（３銅箔に追記）で、（ｃ）は０．８.ｐＦ４並列Ｃ５，Ｃ６，Ｃ２５，Ｃ２６（両側の接地銅箔に追記）で、（ｄ）は０．６.ｐＦ５並列Ｃ５，Ｃ６，Ｃ１４，Ｃ２５，Ｃ２６（両側の接地銅箔に追記）で、（ｅ）は１．２ｐＦ３並列Ｃ５，Ｃ６，Ｃ１４（COAX3と反対側の接地銅箔に追記）である。図１Ｆと図２Ｆにおいて、容量値と並列個数は任意である。
３次高調波開放する距離の真空λ／１２は例えば８２．５ＭＨｚで３０３ｍｍとレジン基板 の波長短縮率０．６１を考慮しても、３次高調波を開放させる非特許文献２のセラミックコンデンサの外形寸法２．８ｍｍ四方の５倍の１４ｍｍと比較しても長く、３次高調波を開放させる容量Ｃ５，Ｃ６，Ｃ１４を５ケ並列化しても副作用は少ない。
【００３２】
実施例４の効果は、設計の確定したP板のパターン、レジスト、シルク、部品、同軸線長さがそのまま活用できる。さらに、設計の確定した88-108MHz高周波電力増幅器を改造するだけで、76-87MHzの高効率な高周波増幅器が実現できることである。そして高価なマイカコンデンサを用いることなく、３次高調波を開放する容量Ｃ５，Ｃ６，Ｃ１４，Ｃ２５，Ｃ２６に比較的安価なセラミックコンデンサを多数並列接続することにより、Ｑが上がりＥＳＲが小さくなり（並列接続の合計容量値が大きくなること）により、３次高調波を開放する容量での損失と温度上昇が更に下がり、３次高調波の共振インピーダンスを高くし３次高調波を開放が更に理想に近づき、効率と出力とが更に向上することである。
そのため、実施例４の発明は、実施例１から実施例３より、76-87MHzの高周波増幅器を、短納期で高効率化することが可能になる。そのため、実施例４の発明は、スポット発注の可搬型ＦＭ放送用送信機の高周波電力増幅器に適している。
【実施例５】
【００３３】
実施例５では実施例３と実施例４で検討した現状のセラミックコンデンサにとらわれず、セラミックコンデンサのＥＳＲが減少しＱが倍増した場合を検討する。セラミックコンデンサのＥＳＲが１／２以下に減少した場合を近似計算してみると１２５０Ｗ÷８×０．０６８Ω÷２÷５０Ω＝０．１Ｗと許容できる値となる。セラミックコンデンサのＥＳＲが実施例４の５並列と同等の１／３以下に減少した場合を、基本波電力の１／８が通過すると仮定して近似計算してみると１２５０Ｗ÷８×０．０６８Ω÷３÷５０Ω＝０．０７Ｗと無視できる値となる。ところで、セラミックコンデンサのＱ の特性例を示す模式図の図５ＡやセラミックコンデンサのＥＳＲの特性例を示す模式図の図５Ｂのように、容量値が大きくなるとＱが下がりＥＳＲが大きくなる。そのため、ＱとＥＳＲが理想に近い場合より少ない容量値のセラミックコンデンサを３次高調波を開放する容量に使用していた。
そこで、セラミックコンデンサが非特許文献２よりもさらにＥＳＲが１／２以下に減少しＱが２倍増すれば、実施例５では、中心周波数の３次高調波を開放する容量値以上の容量値の容量を前記信号路のストリップラインの銅箔と並行な接地銅箔との両方の合成同軸COAX3の先端の出力側に半田付けし、（３次高調波を開放が強くなり飽和が強くなるので、）ＬＤＭＯＳ−ＦＥＴのバイアスを再度調整する。
【００３４】
セラミックコンデンサが非特許文献２よりもさらにＥＳＲが１／２以下に減少しＱが２倍増すれば、実施例５では、実施例１の高周波電力増幅器において、前記容量で接続したプリント基板から前記中心周波数の基本波の波長の約１／１２の長さの同軸線で接続したプリント基板の信号路銅箔と接地銅箔とを前記中心周波数の３次高調波を開放する容量で接地して、前記ＬＤＭＯＳ−ＦＥＴのバイアスを調整し、  前記中心周波数の３次高調波を開放する容量を取り外し、3次高調波開放する真空λ/12の差、88-108MHzの中心の97.75MHzの256mmと例えば82.5MHzの303mmとの差47ｍｍに誘電率によるストリップラインの波長短縮率０．６をかけて、28ｍｍ合成同軸COAX3の先端から出力側に３次高調波を開放する容量Ｃ５の位置基準となる線を、耐候性ペイントや耐油性フェルトペンで、図1Ｅのように描く。好ましくは、図1Ｅの（ｃ）のように中心線を示す一点鎖線かつ矢印付がより好ましい。また、図1Ｅの（ｂ）のように矢印線または図1Ｅの（a）のように中心線を直線で示しても構わない。
【００３５】
実施例５の効果は、設計の確定したP板のパターン、レジスト、シルク、部品、同軸線長さがそのまま活用できる。さらに、設計の確定した88-108MHz高周波電力増幅器を改造するだけで、76-87MHzの高効率な高周波増幅器が実現できることである。そしてセラミックコンデンサのＥＳＲが１／３に減少しＱが３倍増した場合は実施例４の５並列と同等に、３次高調波を開放する容量での損失と温度上昇が下がり、３次高調波の共振インピーダンスを高くし３次高調波を開放が理想に近づき、効率と出力とがさらに向上することである。
そのため、セラミックコンデンサのＥＳＲが１／２以下に減少しＱが２倍増した場合は実施例５の発明は実施例４より簡易で、実施例４と同等の効果となり、76-87MHzの高周波増幅器を、短納期で高効率化することが可能になる。そのため、実施例３の発明は、将来の可搬型ＦＭ放送用送信機の高周波電力増幅器に適している。
【００３６】
以上説明したように実施例１から実施例５の本発明によれば、所定帯域の部品と同軸線の線長とプリント基板の信号路銅箔と接地銅箔を維持し、所定帯域より低い周波数の３次高調波のインピーダンスを高くし開放を理想に近くし、単一周波数同様の高効率化することが可能になる。
【産業上の利用可能性】
【００３７】
本発明は、設計の確定したP板のストリップラインの銅箔と接地銅箔等のパターン、部品、同軸線長さがそのまま活用でき、所定帯域より低い周波数の３次高調波のインピーダンスを高くし開放を理想に近くし、単一周波数同様の高効率化することが可能となる。
そのため、本発明は、ＦＭ放送用送信機の高周波電力増幅器に適している。
【符号の説明】
【００３８】
Ｂ１：フェライトビーズ、
Ｃ１−Ｃ３，Ｃ７−Ｃ１２，Ｃ１５−Ｃ１７，Ｃ２２−Ｃ２４：セラミックコンデンサ、
Ｃ４：マイカコンデンサ（２次高調波短絡）、
Ｃ５，Ｃ６，Ｃ１４，Ｃ２５，Ｃ２６：セラミックコンデンサ（３次高調波開放）、
Ｃ１８，Ｃ１９，Ｃ２０，Ｃ２１：導電高分子コンデンサ、
Ｌ１−Ｌ５：インダクタ、
Ｑ１：ＬＤＭＯＳ、
Ｒ１：抵抗、
Ｔ１：バラン、
ＣＯＡＸ１，ＣＯＡＸ２：１２Ω同軸線、
ＣＯＡＸ３：５０Ω同軸線、
ＰＣＢ：プリント板、
【図１Ａ】
2015149661.tif 000003
【図１Ｂ】
2015149661.tif 000004
【図１Ｃ】
2015149661.tif 000005
【図１Ｄ】
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【図１Ｅ】
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【図１Ｆ】
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【図２Ａ】
2015149661.tif 000009
【図２Ｂ】
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【図２Ｃ】
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【図２Ｄ】
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【図２Ｅ】
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【図２Ｆ】
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【図３】
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【図４】
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【図５Ａ】
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【図５Ｂ】
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