(57)【要約】【課題】反りの発生を抑制することができる配線基板を提供する。【解決手段】配線基板１０は、コア基板２０と、コア基板２０の上面２０Ａに積層された、補強材入りの絶縁性樹脂からなる絶縁層４１と、コア基板２０の下面２０Ｂに積層された、補強材入りの絶縁性樹脂からなる絶縁層３１と、絶縁層４１に形成されたビア配線４２とを含む配線構造１１を有する。配線基板１０は、感光性樹脂を主成分とする絶縁層５１，５３と配線層５０，５２，５４とを有し、絶縁層４１の上面４１Ａに積層された配線構造１２と、絶縁層３１の下面に積層された、感光性樹脂を主成分とするソルダレジスト層１３と、を有する。配線構造１２の配線密度は、配線構造１１の配線密度よりも高い。また、絶縁層４１内に設けられたガラスクロス４１Ｇが、絶縁層４１の厚さ方向の中心よりも上側に偏在している。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
コア基板と、前記コア基板の上面に積層された、第１補強材入りの絶縁性樹脂からなる第１絶縁層と、前記コア基板の下面に積層された、第２補強材入りの絶縁性樹脂からなる第２絶縁層と、前記第１絶縁層に形成されたビア配線と、を有する第１配線構造と、
感光性樹脂を主成分とする絶縁層と配線層とを有し、前記第１絶縁層の上面に積層された第２配線構造と、
前記第２絶縁層の下面に積層された、感光性樹脂を主成分とする最外絶縁層と、を有し、
前記第２配線構造の配線密度は、前記第１配線構造の配線密度よりも高く、
前記第１補強材が、前記第１絶縁層の厚さ方向の中心よりも上側に偏在していることを特徴とする配線基板。
【請求項２】
前記第１絶縁層の厚さは、前記第２絶縁層よりも薄く設定され、
前記第２配線構造を構成する前記絶縁層及び前記配線層は複数層からなることを特徴とする請求項１に記載の配線基板。
【請求項３】
前記第１絶縁層は、前記第１補強材と、前記第１補強材の上面を被覆する第１樹脂層と、前記第１補強材の下面を被覆する第２樹脂層とからなり、
前記第１樹脂層は、前記第２樹脂層よりも薄く設定され、
前記第１補強材は、前記第１絶縁層と前記第２配線構造とを合わせた厚さの中心付近に配設されていることを特徴とする請求項１又は２に記載の配線基板。
【請求項４】
前記第２補強材は、前記第２絶縁層の厚さ方向の中心に設けられていることを特徴とする請求項１〜３のいずれか一項に記載の配線基板。
【請求項５】
前記第２配線構造は、前記第１絶縁層の上面及び前記ビア配線の上端面に積層された第１配線層を有し、
前記ビア配線は、前記第１絶縁層を厚さ方向に貫通する貫通孔内を充填するように形成されるとともに、前記上端面が前記第１絶縁層の上面と面一になるように形成され、
前記第１配線層は、前記ビア配線の上端面とシード層を介して接続されていることを特徴とする請求項１〜４のいずれか一項に記載の配線基板。
【請求項６】
前記最外絶縁層の厚さは、前記第２配線構造内の全ての絶縁層を合わせた厚さと等しい、又は前記第２配線構造内の全ての絶縁層を合わせた厚さよりも厚く設定されていることを特徴とする請求項１〜５のいずれか一項に記載の配線基板。
【請求項７】
コア基板と、前記コア基板の上面に積層された、第１補強材入りの絶縁性樹脂からなる複数層の第１絶縁層と、前記コア基板の下面に積層された、第２補強材入りの絶縁性樹脂からなる複数層の第２絶縁層と、を有する第１配線構造と、
感光性樹脂を主成分とする絶縁層と配線層とを複数層有し、前記複数層の第１絶縁層のうち最上層の第１絶縁層の上面に積層された第２配線構造と、
前記複数層の第２絶縁層のうち最下層の第２絶縁層の下面に積層された、感光性樹脂を主成分とする最外絶縁層と、を有し、
前記第２配線構造の配線密度は、前記第１配線構造の配線密度よりも高く、
前記最上層の第１絶縁層内に含まれる第１補強材が、前記最上層の第１絶縁層の厚さ方向の中心よりも上側に偏在していることを特徴とする配線基板。
【請求項８】
請求項１〜７のいずれか一項に記載の配線基板と、前記第２配線構造の最上層の配線層にフリップチップ実装された半導体チップとを有する第１半導体パッケージと、
前記第１半導体パッケージ上に接続端子を介して積層された第２半導体パッケージと、
前記第１半導体パッケージと前記第２半導体パッケージとの間の空間を充填する封止樹脂と、
を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項９】
コア基板を準備する工程と、
前記コア基板の上面に、第１補強材入りの絶縁性樹脂からなる第１絶縁層を積層するとともに、前記コア基板の下面に、第２補強材入りの絶縁性樹脂からなる第２絶縁層を積層する工程と、
前記第１絶縁層を厚さ方向に貫通する貫通孔を形成する工程と、
前記貫通孔を充填するとともに、前記第１絶縁層の上面を被覆する導電層を形成する工程と、
前記第１絶縁層の上面から突出した前記導電層と前記第１絶縁層の上面の一部とを研磨することにより、前記第１補強材を前記第１絶縁層の厚さ方向の中心よりも上側に偏在させるとともに、前記第１絶縁層の上面に露出する上端面を有するビア配線を前記貫通孔内に形成する工程と、
前記第１絶縁層の上面に、感光性樹脂を主成分とする絶縁層と配線層とを有する第２配線構造を積層する工程と、
前記第２絶縁層の下面に、感光性樹脂を主成分とする最外絶縁層を積層する工程と、
を有することを特徴とする配線基板の製造方法。
【請求項１０】
前記第１絶縁層及び前記第２絶縁層を積層する工程では、前記コア基板の上面に前記第１絶縁層を積層するとともに、前記コア基板の下面に前記第１絶縁層と同じ厚さの前記第２絶縁層を積層し、
前記第１絶縁層を研磨する工程では、前記第１補強材の上面を被覆する第１樹脂層が前記第１補強材の下面を被覆する第２樹脂層よりも薄くなるように、前記第１樹脂層を薄化することを特徴とする請求項９に記載の配線基板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、配線基板、半導体装置及び配線基板の製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来、半導体パッケージ等に用いられる配線基板として、配線パターンを高密度化するため、コア基板の上下両面にビルドアップ配線層と絶縁層とを積層したビルドアップ配線基板が知られている（例えば、特許文献１，２参照）。
【０００３】
近年では、ビルドアップ配線基板に搭載される半導体チップ等の電子部品の高密度化及び小型化が進み、ビルドアップ配線基板に対し、更なる配線パターンの高密度化・微細化や、配線基板の小型化・薄型化が要求されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００３−０２３２５２号公報
【特許文献２】特開２００３−０２３２５３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
ところが、ビルドアップ配線基板の薄型化のためにコア基板を薄型化すると、コア基板の機械的強度が低下する。また、近年では、半導体チップの多端子化に伴って、コア基板を厚さ方向に貫通する貫通電極の数が増加している。この貫通電極の増加により、コア基板内に設けられた補強材が分断される量が増加するため、コア基板の機械的強度が低下する。このようにコア基板の機械的強度が低下すると、ビルドアップ配線基板の剛性が低下し、配線基板に反りが発生し易くなるという問題があった。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明の一観点によれば、コア基板と、前記コア基板の上面に積層された、第１補強材入りの絶縁性樹脂からなる第１絶縁層と、前記コア基板の下面に積層された、第２補強材入りの絶縁性樹脂からなる第２絶縁層と、前記第１絶縁層に形成されたビア配線と、を有する第１配線構造と、感光性樹脂を主成分とする絶縁層と配線層とを有し、前記第１絶縁層の上面に積層された第２配線構造と、前記第２絶縁層の下面に積層された、感光性樹脂を主成分とする最外絶縁層と、を有し、前記第２配線構造の配線密度は、前記第１配線構造の配線密度よりも高く、前記第１補強材が、前記第１絶縁層の厚さ方向の中心よりも上側に偏在している。
【０００７】
本発明の一観点によれば、コア基板を準備する工程と、前記コア基板の上面に、第１補強材入りの絶縁性樹脂からなる第１絶縁層を積層するとともに、前記コア基板の下面に、第２補強材入りの絶縁性樹脂からなる第２絶縁層を積層する工程と、前記第１絶縁層を厚さ方向に貫通する貫通孔を形成する工程と、前記貫通孔を充填するとともに、前記第１絶縁層の上面を被覆する導電層を形成する工程と、前記第１絶縁層の上面から突出した前記導電層と前記第１絶縁層の上面の一部とを研磨することにより、前記第１補強材を前記第１絶縁層の厚さ方向の中心よりも上側に偏在させるとともに、前記第１絶縁層の上面に露出する上端面を有するビア配線を前記貫通孔内に形成する工程と、前記第１絶縁層の上面に、感光性樹脂を主成分とする絶縁層と配線層とを有する第２配線構造を積層する工程と、前記第２絶縁層の下面に、感光性樹脂を主成分とする最外絶縁層を積層する工程と、を有する。
【発明の効果】
【０００８】
本発明の一観点によれば、反りの発生を抑制することができるという効果を奏する。
【図面の簡単な説明】
【０００９】
【図１】（ａ）は、第１実施形態の配線基板を示す概略断面図、（ｂ）は、（ａ）に示した配線基板の一部を拡大した拡大断面図。
【図２】第１実施形態の半導体装置を示す概略断面図。
【図３】（ａ），（ｂ）は、第１実施形態の配線基板の製造方法を示す概略断面図、（ｃ）は、（ｂ）に示した構造体の一部を拡大した拡大断面図。
【図４】（ａ），（ｃ）は、第１実施形態の配線基板の製造方法を示す概略断面図、（ｂ）は、（ａ）に示した構造体の一部を拡大した拡大断面図。
【図５】（ａ），（ｃ）は、第１実施形態の配線基板の製造方法を示す概略断面図、（ｂ）は、（ａ）に示した構造体の一部を拡大した拡大断面図。
【図６】（ａ）〜（ｃ）は、第１実施形態の配線基板の製造方法を示す概略断面図。
【図７】（ａ）は、第１実施形態の配線基板の製造方法を示す概略断面図、（ｂ）は、（ａ）に示した構造体の一部を拡大した拡大断面図。
【図８】（ａ）、（ｂ）は、第１実施形態の配線基板の製造方法を示す概略断面図。
【図９】（ａ）は、第１実施形態の配線基板の製造方法を示す概略断面図、（ｂ）は、（ａ）に示した構造体の一部を拡大した拡大断面図。
【図１０】（ａ）は、第１実施形態の配線基板の製造方法を示す概略断面図、（ｂ）は、第１実施形態の半導体装置の製造方法を示す概略断面図。
【図１１】第２実施形態の半導体パッケージを示す概略断面図。
【図１２】第２実施形態の半導体装置を示す概略断面図。
【図１３】（ａ），（ｂ）は、第２実施形態の配線基板の製造方法を示す概略断面図。
【図１４】（ａ），（ｂ）は、第２実施形態の配線基板の製造方法を示す概略断面図。
【図１５】（ａ）は、第２実施形態の配線基板の製造方法を示す概略断面図、（ｂ）は、第２実施形態の半導体パッケージの製造方法を示す概略断面図。
【図１６】第２実施形態の半導体装置の製造方法を示す概略断面図。
【図１７】第２実施形態の半導体装置の製造方法を示す概略断面図。
【図１８】第２実施形態の半導体装置の製造方法を示す概略断面図。
【図１９】変形例の半導体装置を示す概略断面図。
【図２０】変形例の半導体装置を示す概略断面図。
【図２１】変形例の半導体装置を示す概略断面図。
【図２２】変形例の配線基板を示す概略断面図。
【図２３】実施例１のシミュレーション結果を示す説明図。
【図２４】実施例１のシミュレーション結果を示す説明図。
【発明を実施するための形態】
【００１０】
以下、添付図面を参照して各実施形態を説明する。なお、添付図面は、特徴を分かりやすくするために便宜上特徴となる部分を拡大して示している場合があり、各構成要素の寸法比率などが実際と同じであるとは限らない。また、断面図では、各部材の断面構造を分かりやすくするために、一部の部材のハッチングを梨地模様に代えて示し、一部の部材のハッチングを省略している。
【００１１】
（第１実施形態）
以下、図１〜図１０に従って第１実施形態を説明する。
図１（ａ）に示すように、配線基板１０は、配線構造１１と、配線構造１１の一方の側（ここでは、上側）に積層された配線構造１２と、配線構造１１の他方の側（ここでは、下側）に積層されたソルダレジスト層１３とを有している。配線基板１０の平面形状は、任意の形状及び任意の大きさとすることができる。例えば、配線基板１０の平面形状は、１０ｍｍ×１０ｍｍ程度の正方形状とすることができる。
【００１２】
まず、配線構造１１の構造について説明する。
配線構造１１は、配線構造１２よりも配線密度の低い配線層が形成された低密度配線層である。この配線構造１１は、コア基板２０と、コア基板２０の下面２０Ｂに積層された絶縁層３１と、コア基板２０の上面２０Ａに積層された絶縁層４１とを有している。
【００１３】
ここで、コア基板２０及び絶縁層３１，４１の材料としては、例えば熱硬化性樹脂に対し、補強材を入れた絶縁性樹脂を用いることができる。例えば、コア基板２０及び絶縁層３１，４１の材料としては、補強材であるガラスクロス（ガラス織布）にエポキシ樹脂を主成分とする熱硬化性の絶縁性樹脂を含浸させ硬化させた、いわゆるガラスエポキシ樹脂を用いることができる。熱硬化性の絶縁性樹脂としてはエポキシ樹脂に限らず、例えば、ポリイミド樹脂やシアネート樹脂などの絶縁性樹脂を用いることができる。なお、コア基板２０及び絶縁層３１，４１は、例えば、シリカやアルミナ等のフィラーを含有していてもよい。
【００１４】
コア基板２０は、所要数（ここでは、１個）のガラスクロス２０Ｇを有している。絶縁層３１は、所要数（ここでは、１個）のガラスクロス３１Ｇを有している。絶縁層４１は、所要数（ここでは、１個）のガラスクロス４１Ｇを有している。
【００１５】
図１（ｂ）に示すように、ガラスクロス４１Ｇは、例えば、Ｘ方向に並設されたガラス繊維束Ｇ１と、Ｙ方向に並設されたガラス繊維束Ｇ２とが格子状に平織りされた形態を有している。ガラス繊維束Ｇ１，Ｇ２は、１本当たりの繊維径が例えば１〜２μｍ程度のガラス繊維を複数本束ねたものである。これらガラス繊維束Ｇ１，Ｇ２の厚さは、例えば１５〜２０μｍ程度とすることができる。なお、図１（ｂ）ではガラス繊維束Ｇ１におけるガラス繊維を図示したが、図３以降の拡大断面図では、ガラス繊維の図示を省略してガラス繊維束Ｇ１の断面形状を楕円形状として図示する。また、複数本のガラス繊維からなるガラス繊維束Ｇ１，Ｇ２の全体的な断面形状は特に限定されず、例えば略楕円形状であってもよいし、略円形状であってもよい。ガラスクロス２０Ｇ，３１Ｇは、図示は省略するが、ガラスクロス４１Ｇと同様の構造を有している。
【００１６】
なお、ガラス繊維束Ｇ１，Ｇ２を用いたガラスクロス２０Ｇ，３１Ｇ，４１Ｇ以外に、炭素繊維束、ポリエステル繊維束、ナイロン繊維束、アラミド繊維束、液晶ポリマ繊維束等を用いた織布や不織布を補強材として用いてもよい。また、繊維束の織り方は平織りに限定されず、朱子織り、綾織り等であってもよい。
【００１７】
図１（ａ）に示すように、コア基板２０は、配線構造１１の厚さ方向の中心付近に設けられている。コア基板２０の厚さは、例えば８０〜８００μｍ程度とすることができる。このコア基板２０の厚さ方向の中心付近にはガラスクロス２０Ｇが設けられている。
【００１８】
コア基板２０には、所要の箇所（図１（ａ）では４箇所）に貫通孔２０Ｘが設けられている。貫通孔２０Ｘは、コア基板２０の上面２０Ａから下面２０Ｂまでを貫通するように形成されている。この貫通孔２０Ｘによってガラスクロス２０Ｇが分断されている。貫通孔２０Ｘ内には、コア基板２０を厚さ方向に貫通する貫通電極２１が形成されている。本例の貫通電極２１は、貫通孔２０Ｘ内に充填されている。貫通孔２０Ｘ及び貫通電極２１は、図示は省略するが、例えば平面視略円形状に形成されている。これら貫通孔２０Ｘ及び貫通電極２１の直径は、例えば１００〜２００μｍ程度とすることができる。貫通孔２０Ｘ及び貫通電極２１のピッチは、例えば２００〜４００μｍ程度とすることができる。また、貫通電極２１の材料としては、例えば銅（Ｃｕ）や銅合金を用いることができる。
【００１９】
コア基板２０の下面２０Ｂには配線層２２が形成され、コア基板２０の上面２０Ａには配線層２３が形成されている。これら配線層２２，２３は貫通電極２１を介して相互に電気的に接続されている。配線層２２，２３の厚さは、例えば１５〜３５μｍ程度とすることができる。配線層２２，２３のラインアンドスペース（Ｌ／Ｓ）は、例えば２０μｍ／２０μｍ程度とすることができる。ここで、ラインアンドスペース（Ｌ／Ｓ）は、配線の幅と、隣り合う配線同士の間隔とを示す。なお、配線層２２，２３の材料としては、例えば銅や銅合金を用いることができる。
【００２０】
コア基板２０の下面２０Ｂには、絶縁層３１と、配線層３２とが順に積層されている。絶縁層３１は、配線層２２を被覆するように、コア基板２０の下面２０Ｂに積層されている。絶縁層３１の厚さは、例えば、コア基板２０よりも薄く設定されている。例えば、絶縁層３１の厚さは４０〜７５μｍ程度とすることができる。絶縁層３１は、補強材入りの絶縁層であって、機械的強度（剛性や硬度等）の高い絶縁層である。この絶縁層３１の厚さ方向の中心付近にはガラスクロス３１Ｇが設けられている。
【００２１】
絶縁層３１には、所要の箇所に、当該絶縁層３１を厚さ方向に貫通する貫通孔３１Ｘが形成されている。この貫通孔３１Ｘによってガラスクロス３１Ｇが分断されている。貫通孔３１Ｘ内には、配線層２２と配線層３２とを電気的に接続するビア配線３３が形成されている。このビア配線３３は、貫通孔３１Ｘを充填するように形成されている。これら貫通孔３１Ｘ及びビア配線３３は、図１（ａ）において上側（コア基板２０側）から下側（配線層３２側）に向かうに連れて径が大きくなるテーパ状に形成されている。例えば、貫通孔３１Ｘは、上側の開口端の開口径が下側の開口端の開口径よりも小径となる円錐台形状に形成され、ビア配線３３は、上面が下面よりも小径となる円錐台形状に形成されている。なお、貫通孔３１Ｘの下側の開口端の開口径及びビア配線３３の下面の直径は、貫通電極２１の直径よりも小径になるように設定されている。例えば、貫通孔３１Ｘの下側の開口端の開口径は５０〜７０μｍ程度とすることができ、ビア配線３３の下面の直径は５０〜７０μｍ程度とすることができる。
【００２２】
配線層３２は、絶縁層３１の下面に積層されている。配線層３２は、ビア配線３３を介して配線層２２と電気的に接続されている。配線層３２の厚さは、例えば１５〜３５μｍ程度とすることができる。配線層３２のラインアンドスペース（Ｌ／Ｓ）は、例えば２０μｍ／２０μｍ程度とすることができる。なお、配線層３２の材料としては、例えば銅や銅合金を用いることができる。
【００２３】
一方、コア基板２０の上面２０Ａには、絶縁層４１と、絶縁層４１に形成されたビア配線４２（配線層）とが積層されている。
絶縁層４１は、配線層２３を被覆するように、コア基板２０の上面２０Ａに積層されている。絶縁層４１の厚さは、例えば、コア基板２０よりも薄く設定され、且つ絶縁層３１よりも薄く設定されている。例えば、絶縁層４１の厚さは３５〜７０μｍ程度とすることができる。絶縁層４１は、補強材入りの絶縁層であって、機械的強度（剛性や硬度等）の高い絶縁層である。
【００２４】
図１（ｂ）に示すように、絶縁層４１は、ガラスクロス４１Ｇと、そのガラスクロス４１Ｇの上面を被覆する樹脂層４３と、ガラスクロス４１Ｇの下面を被覆する樹脂層４４とを有している。ガラスクロス４１Ｇは、絶縁層４１の厚さ方向の中心位置Ｃ１よりも上側に偏在している。すなわち、ガラスクロス４１Ｇは、絶縁層４１の厚さ方向の中心位置Ｃ１よりも上側に偏倚して設けられている。具体的には、ガラスクロス４１Ｇの厚さ方向の中心位置Ｃ２が絶縁層４１の厚さ方向の中心位置Ｃ１よりも上側に位置するように、ガラスクロス４１Ｇが絶縁層４１内に設けられている。詳述すると、絶縁層４１では、樹脂層４３の厚さＴ１（つまり、絶縁層４１の上面４１Ａから中心位置Ｃ２までの厚さ）が、樹脂層４４の厚さＴ２（つまり、中心位置Ｃ２から絶縁層４１の下面４１Ｂまでの厚さ）よりも薄く設定されている。さらに、樹脂層４３の厚さＴ１は、ガラスクロス４１Ｇが、配線構造１２（図１（ａ）参照）と絶縁層４１を合わせた厚さの中心付近に配設されるように、樹脂層４４の厚さＴ２よりも薄く設定されている。例えば、樹脂層４３の厚さＴ１は１５〜３５μｍ程度とすることができ、樹脂層４４の厚さＴ２は２０〜４０μｍ程度とすることができる。なお、ガラスクロス４１Ｇの上面から樹脂層４３の上面までの厚さは例えば１０〜１５μｍ程度とすることができ、ガラスクロス４１Ｇの下面から樹脂層４４の下面までの厚さは例えば１５〜２０μｍ程度とすることができる。
【００２５】
絶縁層４１には、当該絶縁層４１の上面４１Ａの所要の箇所に開口し、当該絶縁層４１を厚さ方向に貫通して配線層２３の上面の一部を露出する貫通孔４１Ｘが形成されている。貫通孔４１Ｘは、図１（ｂ）において下側（コア基板２０側）から上側（配線構造１２側）に向かうに連れて径が大きくなるテーパ状に形成されている。例えば、貫通孔４１Ｘは、下側の開口端の開口径が上側の開口端の開口径よりも小径となる逆円錐台形状に形成されている。なお、貫通孔４１Ｘの上側の開口端の開口径は、貫通電極２１の直径よりも小径に設定されている。例えば、貫通孔４１Ｘの上側の開口端の開口径は５０〜７０μｍ程度とすることができる。
【００２６】
この貫通孔４１Ｘによってガラスクロス４１Ｇが分断されている。そして、分断されたガラスクロス４１Ｇの端部Ａ１は、貫通孔４１Ｘの側壁から該貫通孔４１Ｘの内側に向かって突出している。この突出したガラスクロス４１Ｇ部分（つまり、端部Ａ１）の表面粗さは、樹脂部分（つまり、貫通孔４１Ｘの側壁を構成する樹脂層４３，４４）の表面粗さよりも大きい。
【００２７】
絶縁層４１の上面４１Ａは、凹凸が少ない平滑面（低粗度面）である。例えば、絶縁層４１の上面４１Ａは、貫通孔４１Ｘの内側面よりも表面粗度が低くなっている。絶縁層４１の上面４１Ａの粗度は、表面粗さＲａ値で例えば１５〜４０ｎｍ程度となるように設定されている。また、貫通孔４１Ｘの内側面の粗度は、表面粗さＲａ値で例えば３００〜４００ｎｍ程度となるように設定されている。ここで、表面粗さＲａ値とは、表面粗さを表わす数値の一種であり、算術平均粗さと呼ばれるものであって、具体的には測定領域内で変化する高さの絶対値を平均ラインである表面から測定して算術平均したものである。
【００２８】
貫通孔４１Ｘ内には、配線層２３と電気的に接続されるビア配線４２が形成されている。このビア配線４２は、絶縁層４１を厚さ方向に貫通するように形成されている。本例のビア配線４２は、貫通孔４１Ｘ内に充填されている。ビア配線４２は、貫通孔４１Ｘと同様に、図１（ｂ）において下側（配線層２３側）から上側に向かうに連れて径が大きくなるテーパ状に形成されている。例えば、ビア配線４２は、上端面４２Ａが下端面よりも大径となる略逆円錐台形状に形成されている。ビア配線４２の上端面４２Ａは、絶縁層４１の上面４１Ａから露出されている。例えば、ビア配線４２の上端面４２Ａは、絶縁層４１の上面４１Ａと略面一に形成されている。ビア配線４２の上端面４２Ａの直径は例えば５０〜７０μｍ程度とすることができる。なお、ビア配線４２の材料としては、例えば銅や銅合金を用いることができる。
【００２９】
ビア配線４２は、貫通孔４１Ｘ内において、その貫通孔４１Ｘの側壁から突出されたガラスクロス４１Ｇの端部全面を被覆するように形成されている。
次に、配線構造１２の構造について説明する。
【００３０】
図１（ａ）に示すように、配線構造１２は、配線構造１１の最上層に形成された絶縁層４１の上面４１Ａに積層された配線構造である。配線構造１２は、配線構造１１よりも配線密度の高い配線層が形成された高密度配線層である。
【００３１】
配線構造１２は、絶縁層４１上に積層された配線層５０と、絶縁層５１と、配線層５２と、絶縁層５３と、配線層５４とが順に積層された構造を有している。配線構造１２の厚さＴ３、具体的には配線構造１２内の全ての絶縁層５１，５３の厚さ（つまり、絶縁層４１の上面４１Ａから絶縁層５３の上面までの厚さ）Ｔ３は、例えば１０〜４０μｍ程度とすることができる。
【００３２】
ここで、配線層５０，５２，５４の材料としては、例えば銅や銅合金を用いることができる。また、絶縁層５１，５３の材料としては、例えば、フェノール系樹脂やポリイミド系樹脂等を主成分とする感光性の絶縁性樹脂を用いることができる。これら絶縁層５１，５３は、例えば、シリカやアルミナ等のフィラーを含有していてもよい。
【００３３】
また、配線層５０，５２，５４は、配線構造１１の配線層よりも薄い配線層である。絶縁層４１，５１上に形成された配線層５０，５２の厚さは、例えば１〜３μｍ程度とすることができる。絶縁層５３上に形成された配線層５４の厚さは、例えば１０〜１５μｍ程度とすることができる。配線層５０，５２，５４のラインアンドスペース（Ｌ／Ｓ）は、例えば２μｍ／２μｍ程度とすることができる。また、絶縁層５１，５３は、配線構造１１の絶縁層よりも薄い絶縁層である。絶縁層５１，５３の厚さは、例えば３〜１０μｍ程度とすることができる。
【００３４】
図１（ｂ）に示すように、配線層５０は、ビア配線４２の上端面４２Ａと接続するように、絶縁層４１の上面４１Ａ上に積層されている。すなわち、配線層５０の下面の一部がビア配線４２の上端面４２Ａと接しており、配線層５０とビア配線４２とが電気的に接続されている。換言すると、配線層５０とビア配線４２とは電気的に接続されているが、一体的ではない。具体的には、配線層５０は、例えば、ビア配線４２（例えば銅（Ｃｕ）層）の上端面４２Ａ上に形成されたシード層５０Ａ（例えば、チタン（Ｔｉ）層とＣｕ層の積層体）と、そのシード層５０Ａ上に形成された金属層５０Ｂ（例えばＣｕ層）とを有している。すなわち、金属層５０Ｂは、シード層５０Ａを介してビア配線４２に接続されている。
【００３５】
シード層５０Ａは、ビア配線４２の上端面４２Ａを被覆するとともに、その上端面４２Ａ周辺の絶縁層４１の上面４１Ａを被覆するように形成されている。シード層５０Ａとしては、スパッタ法により形成された金属膜（スパッタ膜）を用いることができる。スパッタ法により形成されたシード層５０Ａとしては、例えばビア配線４２の上端面４２Ａ及び絶縁層４１の上面４１Ａ上に、チタン（Ｔｉ）からなるＴｉ層と、銅（Ｃｕ）からなるＣｕ層とが順に積層された２層構造の金属膜を用いることができる。この場合、Ｔｉ層の厚さは例えば２０〜５０ｎｍ程度とすることができ、Ｃｕ層の厚さは例えば１００〜３００ｎｍ程度とすることができる。なお、Ｔｉ層は、Ｃｕ層や金属層５０Ｂ（例えばＣｕ層）から絶縁層４１に銅が拡散することを抑制する金属バリア膜として機能する。金属バリア膜として機能する金属膜の材料としては、Ｔｉの他に、窒化チタン（ＴｉＮ）、窒化タンタル（ＴａＮ）、タンタル（Ｔａ）、クロム（Ｃｒ）等を用いることができる。
【００３６】
金属層５０Ｂは、シード層５０Ａの上面全面を被覆するように形成されている。金属層５０Ｂとしては、電解めっき法により形成された金属層（電解めっき金属層）を用いることができる。なお、金属層５０Ｂの材料としては、例えば銅や銅合金を用いることができる。
【００３７】
図１（ａ）に示すように、絶縁層５１は、絶縁層４１の上面４１Ａに、配線層５０を被覆するように形成されている。絶縁層５１には、所要の箇所に、当該絶縁層５１を厚さ方向に貫通して配線層５０の上面の一部を露出する貫通孔５１Ｘが形成されている。貫通孔５１Ｘは、図１（ａ）において下側（配線構造１１側）から上側（配線層５４側）に向かうに連れて径が大きくなるテーパ状に形成されている。例えば、貫通孔５１Ｘは、上側の開口端の開口径が下側の開口端の開口径よりも大径となる逆円錐台形状に形成されている。貫通孔５１Ｘの上側の開口端の開口径は、例えば１０〜２０μｍ程度とすることができる。
【００３８】
配線層５２は、絶縁層５１の上面に積層されている。配線層５２は、配線層５０と電気的に接続されている。この配線層５２は、貫通孔５１Ｘ内に充填されたビア配線と、絶縁層５１の上面に形成された配線パターンとを有している。
【００３９】
絶縁層５３は、絶縁層５１の上面に、配線層５２を被覆するように形成されている。絶縁層５３には、所要の箇所に、当該絶縁層５３を厚さ方向に貫通して配線層５２の上面の一部を露出する貫通孔５３Ｘが形成されている。貫通孔５３Ｘは、図１（ａ）において下側（配線構造１１側）から上側（配線層５４側）に向かうに連れて径が大きくなるテーパ状に形成されている。例えば、貫通孔５３Ｘは、上側の開口端の開口径が下側の開口端の開口径よりも大径となる逆円錐台形状に形成されている。貫通孔５３Ｘの上側の開口端の開口径は、例えば１０〜２０μｍ程度とすることができる。
【００４０】
配線層５４は、絶縁層５３の上面に積層されている。配線層５４は、配線層５２と電気的に接続されている。この配線層５４は、貫通孔５３Ｘ内に充填されたビア配線と、絶縁層５３の上面から上方に突出するパッドＰ１とを有している。パッドＰ１の平面形状は、任意の形状及び任意の大きさとすることができる。例えば、パッドＰ１の平面形状は、直径が２０〜３０μｍ程度の円形状とすることができる。パッドＰ１のピッチは、例えば４０〜５０μｍ程度とすることができる。このパッドＰ１は、半導体チップ等の電子部品と電気的に接続するための電子部品搭載用のパッドとして機能する。
【００４１】
なお、必要に応じて、パッドＰ１の表面（上面及び側面、又は上面のみ）に表面処理層を形成するようにしてもよい。表面処理層の例としては、金（Ａｕ）層、ニッケル（Ｎｉ）層／Ａｕ層（Ｎｉ層とＡｕ層をこの順番で積層した金属層）、Ｎｉ層／パラジウム（Ｐｄ）層／Ａｕ層（Ｎｉ層とＰｄ層とＡｕ層をこの順番で積層した金属層）などを挙げることができる。これらＮｉ層、Ａｕ層、Ｐｄ層としては、例えば、無電解めっき法により形成された金属層（無電解めっき金属層）を用いることができる。また、Ｎｉ層はＮｉ又はＮｉ合金からなる金属層、Ａｕ層はＡｕ又はＡｕ合金からなる金属層、Ｐｄ層はＰｄ又はＰｄ合金からなる金属層である。また、パッドＰ１の表面（上面及び側面、又は上面のみ）に、ＯＳＰ（Organic Solderability Preservative）処理などの酸化防止処理を施して表面処理層を形成するようにしてもよい。
【００４２】
一方、ソルダレジスト層１３は、配線構造１１の下面に形成された最外層（ここでは、最下層）の絶縁層である。ソルダレジスト層１３は、配線構造１１の最下層に形成された絶縁層３１の下面に、配線構造１１の最下層の配線層３２を被覆するように積層されている。
【００４３】
ソルダレジスト層１３には、最下層の配線層３２の一部を外部接続用パッドＰ２として露出させるための開口部１３Ｘが形成されている。この外部接続用パッドＰ２には、配線基板１０をマザーボード等の実装基板に実装する際に使用されるはんだボールやリードピン等の外部接続端子７６（図３参照）が接続されるようになっている。なお、必要に応じて、開口部１３Ｘから露出する配線層３２上に表面処理層を形成するようにしてもよい。表面処理層の例としては、Ａｕ層、Ｎｉ／Ａｕ層（Ｎｉ層とＡｕ層をこの順番で積層した金属層）や、Ｎｉ層／Ｐｄ層／Ａｕ層（Ｎｉ層とＰｄ層とＡｕ層をこの順番で積層した金属層）などを挙げることができる。これらＮｉ層、Ａｕ層、Ｐｄ層としては、例えば、無電解めっき法により形成された金属層（無電解めっき金属層）を用いることができる。また、外部接続用パッドＰ２に、ＯＳＰ処理などの酸化防止処理を施して表面処理層を形成するようにしてもよい。なお、開口部１３Ｘから露出する配線層３２（あるいは、配線層３２上に表面処理層が形成されている場合には、その表面処理層）自体を、外部接続端子としてもよい。
【００４４】
開口部１３Ｘ及び外部接続用パッドＰ２の平面形状は、任意の形状及び任意の大きさとすることができる。例えば、開口部１３Ｘ及び外部接続用パッドＰ２の平面形状は、直径が２００〜３００μｍ程度の円形状とすることができる。なお、ソルダレジスト層１３の材料としては、例えば、フェノール系樹脂やポリイミド系樹脂などを主成分とする感光性の絶縁性樹脂を用いることができる。ソルダレジスト層１３は、例えば、シリカやアルミナ等のフィラーを含有していてもよい。
【００４５】
ソルダレジスト層１３の厚さＴ４、つまり絶縁層３１の下面からソルダレジスト層１３の下面までの厚さＴ４は、配線構造１２の厚さＴ３と等しい、又は、厚さＴ３よりも厚く設定されている。例えば、配線構造１２の厚さＴ３が３０μｍである場合には、ソルダレジスト層１３の厚さＴ４は例えば３０〜４０μｍ程度とすることができる。具体的には、ソルダレジスト層１３の厚さＴ４に対する配線構造１２の厚さＴ３の比率（Ｔ３／Ｔ４）は、１以下とすることが好ましく、１とすることがより好ましい。このようにソルダレジスト層１３の厚さを設定することにより、配線基板１０の反り量を低減することができる。
【００４６】
配線基板１０において、コア基板２０の弾性率は約３０ＧＰａ程度とし、コア基板２０の熱膨張係数は約１０ｐｐｍ／℃程度とすることが好ましい。また、熱硬化性樹脂を主成分とする、補強材入りの絶縁層３１，４１の弾性率は約１５〜３０ＧＰａ程度とし、絶縁層３１，４１の熱膨張係数は約１０〜２０ｐｐｍ／℃程度とすることが好ましい。また、感光性樹脂を主成分とする絶縁層５１，５３の弾性率は約５ＧＰａ程度とし、絶縁層５１，５３の熱膨張係数は約５０〜７０ｐｐｍ／℃程度とすることが好ましい。また、感光性樹脂を主成分とするソルダレジスト層１３の弾性率は約２〜４ＧＰａ程度とし、ソルダレジスト層１３の熱膨張係数は約４０〜５０ｐｐｍ／℃程度とすることが好ましい。
【００４７】
なお、各絶縁層の熱膨張係数は、例えば、フィラーの含有量により所定値に調整することができる。但し、感光性樹脂を主成分とする絶縁層では、フィラーの含有量が多くなると露光が不可能となるため、含有可能なフィラーの量には制限（上限）がある。したがって、感光性樹脂を主成分とする絶縁層の熱膨張係数は、熱硬化性樹脂を主成分とする絶縁層の熱膨張係数よりも大きくなる傾向がある。フィラーとしては、前述したシリカやアルミナ以外に、例えば、カオリン（Ａｌ２Ｓｉ２Ｏ５（ＯＨ４））、タルク（Ｍｇ３Ｓｉ４Ｏ１０（ＯＨ２））などを用いてもよい。または、これらを混在させてもよい。
【００４８】
上述した物性値（弾性率及び熱膨張係数）とすることにより、配線基板１０は、コア基板２０を中心として外層に向かうに連れて徐々に軟らかくなる構造となる。このため、上述したソルダレジスト層１３の厚さＴ４と配線構造１２の厚さＴ３の関係との相乗効果により、配線基板１０の反りが抑制される。
【００４９】
次に、図２に従って半導体装置（半導体パッケージ）６０の構造について説明する。
半導体パッケージ６０は、配線基板１０と、１又は複数の半導体チップ７０と、アンダーフィル樹脂７５と、外部接続端子７６とを有している。
【００５０】
半導体チップ７０は、配線基板１０にフリップチップ実装されている。すなわち、半導体チップ７０の回路形成面（ここでは、下面）に配設された接続端子７１を、接合部材７２を介して配線基板１０のパッドＰ１に接合することにより、半導体チップ７０は、接続端子７１及び接合部材７２を介してパッドＰ１（配線層５４）と電気的に接続されている。
【００５１】
半導体チップ７０としては、例えば、ＣＰＵ（Central Processing Unit）チップやＧＰＵ（Graphics Processing Unit）チップなどのロジックチップを用いることができる。また、半導体チップ７０としては、例えば、ＤＲＡＭ（Dynamic Random Access Memory）チップ、ＳＲＡＭ（Static Random Access Memory）チップやフラッシュメモリチップなどのメモリチップを用いることもできる。なお、配線基板１０に複数の半導体チップ７０を搭載する場合には、ロジックチップとメモリチップとを組み合わせて配線基板１０に搭載するようにしてもよい。例えば、配線基板１０にＣＰＵチップとＤＲＡＭチップとを搭載するようにしてもよいし、配線基板１０にＧＰＵチップとＤＲＡＭチップとを搭載するようにしてもよい。
【００５２】
半導体チップ７０の大きさは、例えば平面視で３ｍｍ×３ｍｍ〜１２ｍｍ×１２ｍｍ程度とすることができる。また、半導体チップ７０の厚さは、例えば５０〜１００μｍ程度とすることができる。
【００５３】
接続端子７１としては、例えば金属ポストを用いることができる。この接続端子７１は、半導体チップ７０の回路形成面から下方に延びる柱状の接続端子である。本例の接続端子７１は、例えば円柱状に形成されている。このような接続端子７１の高さは、例えば１０〜２０μｍ程度とすることができる。接続端子７１の直径は、例えば２０〜３０μｍ程度とすることができる。また、接続端子７１のピッチは、例えば４０〜５０μｍ程度とすることができる。接続端子７１の材料としては、例えば銅や銅合金を用いることができる。なお、接続端子７１としては、金属ポストの他に、例えば金バンプを用いることもできる。
【００５４】
接合部材７２は、パッドＰ１に接合されるとともに、接続端子７１に接合されている。接合部材７２としては、例えば、錫（Ｓｎ）層や鉛（Ｐｂ）フリーはんだのはんだめっきを用いることができる。はんだめっきの材料としては、例えば、Ｓｎ−銀（Ａｇ）系、Ｓｎ−Ｃｕ系、Ｓｎ−Ａｇ−Ｃｕ系の鉛フリーはんだを用いることができる。なお、接合部材７２の厚さは、例えば５〜１５μｍ程度とすることができる。
【００５５】
アンダーフィル樹脂７５は、配線基板１０と半導体チップ７０との隙間を充填するように設けられている。アンダーフィル樹脂７５の材料としては、例えば、エポキシ系樹脂などの絶縁性樹脂を用いることができる。
【００５６】
外部接続端子７６は、配線基板１０の外部接続用パッドＰ２上に形成されている。この外部接続端子７６は、例えば図示しないマザーボード等の実装基板に設けられたパッドと電気的に接続される接続端子である。外部接続端子７６としては、例えばはんだボールやリードピンを用いることができる。なお、本例では、外部接続端子７６として、はんだボールを用いている。
【００５７】
次に、配線基板１０及び半導体パッケージ６０の作用について説明する。
コア基板２０の上下両面に、補強材入りの絶縁性樹脂からなる絶縁層３１，４１を形成するようにした。これにより、コア基板２０の薄型化に起因してコア基板２０の機械的強度が低下した場合であっても、その低下した分を絶縁層３１，４１の機械的強度によって補うことができる。この点について以下に説明する。
【００５８】
まず、コア基板２０に形成される貫通電極２１の直径が１００〜２００μｍ程度であるのに対し、補強材入りの絶縁層３１，４１に形成されるビア配線３３，４２の直径は５０〜７０μｍ程度である。すなわち、ビア配線３３，４２は、貫通電極２１よりも小径に設定されている。このため、仮に貫通電極２１とビア配線３３（又は、ビア配線４２）とを同数設けた場合には、コア基板２０のガラスクロス２０Ｇが貫通電極２１により分断される量よりも、補強材入りの絶縁層３１のガラスクロス３１Ｇ（又は、絶縁層４１のガラスクロス４１Ｇ）がビア配線３３（又は、ビア配線４２）により分断される量の方が少なくなる。このため、補強材であるガラスクロス２０Ｇ，３１Ｇ，４１Ｇが占める面積が大きく確保される。従って、コア基板２０を薄型化し、その厚さ減少分よりも薄い絶縁層３１，４１をコア基板２０の上下両面に積層した場合であっても、絶縁層３１，４１のガラスクロス３１Ｇ，４１Ｇにより、配線基板１０の剛性を十分に確保することができる。このため、配線基板１０全体を薄型化することができ、さらに配線基板１０に反りやうねりが発生することを好適に抑制することができる。
【００５９】
また、配線基板１０に反りやうねりが発生した場合には、熱硬化性樹脂を主成分とする絶縁層４１と、感光性樹脂を主成分とする絶縁層５１との界面に応力が生じる。このとき、絶縁層４１の上面４１Ａが平滑面である場合には、絶縁層４１と絶縁層５１との密着性が弱いため、応力に起因して絶縁層５１が絶縁層４１から剥離しやすくなるという問題がある。これに対し、本例では、配線基板１０に反りやうねりが発生することを抑制できるため、絶縁層５１が絶縁層４１から剥離することを好適に抑制することができる。
【００６０】
ところで、配線基板１０は、配線構造１１の一方の側に高密度配線層である配線構造１２が形成され、他方の側にソルダレジスト層１３が形成された構造、つまり配線構造１１を中心として上下非対称の構造を有している。このため、仮に、コア基板２０の上面２０Ａに形成された絶縁層３１と、コア基板２０の下面２０Ｂに形成された絶縁層４１とを同じ厚さに設定した場合には、配線構造１２の存在に起因してコア基板２０の上面２０Ａ側と下面２０Ｂ側とで剛性に差が生じる。すなわち、コア基板２０の上面２０Ａに形成された上側構造体（つまり、絶縁層４１、ビア配線４２及び配線構造１２）の剛性と、コア基板２０の下面２０Ｂに形成された下側構造体（つまり、絶縁層３１、配線層３２、ビア配線３３及びソルダレジスト層３４）の剛性とに差が生じる。この剛性の差に起因して、配線基板１０に反りが発生してしまう。具体的には、絶縁層３１，４１を同じ厚さに設定した場合の配線基板１０は、上側構造体の剛性と下側構造体の剛性との差に起因して、半導体チップ７０搭載側（ここでは、上側）の面が凹状に反る傾向がある。そこで、本実施形態の配線基板１０では、コア基板２０の上面２０Ａ（つまり、配線構造１２が積層される側の面）に形成された絶縁層４１の厚さを、絶縁層３１よりも薄く設定することにより、上側構造体の剛性を下側構造体の剛性に近づけるにした。これにより、配線基板１０を上下方向（厚さ方向）に見たときのコア基板２０を中心とした剛性の分布を上下対称に近づけることができるため、配線基板１０に反りやうねりが発生することをより好適に抑制することができる。
【００６１】
また、絶縁層４１では、ガラスクロス４１Ｇを、絶縁層４１の厚さ方向の中心位置Ｃ１よりも上側に偏在させるようにした。さらに、絶縁層４１では、ガラスクロス４１Ｇが、上側構造体（絶縁層４１及び配線構造１２）の厚さ方向の中心付近に配設されるように、樹脂層４３の厚さＴ１を樹脂層４４の厚さＴ２よりも薄く設定するようにした。このため、上側構造体の厚さ方向の中心付近に機械的強度（剛性）の高いガラスクロス４１Ｇを配置することができる。これにより、上側構造体におけるガラスクロス４１Ｇを中心とした上下の剛性のバランスが良好となるため、配線基板１０に反りやうねりが発生することをより好適に抑制することができる。
【００６２】
次に、配線基板１０の製造方法について説明する。以下の説明では、１つの配線基板１０を拡大して説明するが、実際には１つの基板上に複数の配線基板１０となる部材を一括して作製した後、個々の配線基板１０に個片化される。
【００６３】
まず、図３（ａ）に示す工程では、例えばコア基板２０となる銅張積層板（Copper Clad Laminate：ＣＣＬ）に貫通孔２０Ｘを形成し、電解めっきやペースト充填等の方法により貫通孔２０Ｘ内に貫通電極２１を形成する。銅張積層板は、例えばプリプレグ（補強材であるガラスクロスにエポキシ樹脂等の熱硬化性樹脂を含浸させ、Ｂ−ステージ状態（半硬化状態）にした接着シート）の両面に銅箔を載せ、加熱・加圧することで形成することができる。
【００６４】
続いて、例えばサブトラクティブ法により、コア基板２０の上面２０Ａに配線層２３を形成するとともに、コア基板２０の下面２０Ｂに配線層２２を形成する。
次に、図３（ｂ）に示す工程では、コア基板２０の下面２０Ｂ及び配線層２２を被覆する絶縁層３１を形成するとともに、コア基板２０の上面２０Ａ及び配線層２３を被覆する絶縁層４１を形成する。これら絶縁層３１，４１は、例えばコア基板２０に樹脂フィルムをラミネートした後に、樹脂フィルムを押圧しながら１３０〜２００℃程度の温度で熱処理して硬化させることにより形成することができる。ここで、樹脂フィルムとしては、補強材であるガラスクロスにエポキシ樹脂等の熱硬化性樹脂を含浸させた樹脂フィルムを用いることができる。図３（ｃ）に示すように、本工程により形成された絶縁層４１では、ガラスクロス４１Ｇの上面が樹脂層４３によって被覆され、ガラスクロス４１Ｇの下面が樹脂層４３と同じ厚さの樹脂層４４によって被覆されている。このため、この場合の絶縁層４１では、ガラスクロス４１Ｇが絶縁層４１の厚さ方向の中心付近に配設されている。なお、ガラスクロス４１Ｇの厚さは例えば１５〜２０μｍ程度とすることができる。また、ガラスクロス４１Ｇの上面から樹脂層４３の上面までの厚さは例えば１５〜２０μｍ程度とすることができ、ガラスクロス４１Ｇの下面から樹脂層４４の下面までの厚さは１５〜２０μｍ程度とすることができる。
【００６５】
同様に、本工程により形成された絶縁層３１では、図３（ｂ）に示すように、ガラスクロス３１Ｇの両面が樹脂層によって被覆されており、ガラスクロス３１Ｇが絶縁層３１の厚さ方向の中心付近に配設されている。なお、本工程における絶縁層４１の厚さは、例えば、絶縁層３１と略同じ厚さに設定されている。この場合の絶縁層３１，４１の厚さは、例えば４０〜７５μｍ程度とすることができる。
【００６６】
続いて、図４（ａ）に示す工程では、配線層２２の下面の一部が露出されるように絶縁層３１の所定箇所に貫通孔３１Ｘを形成するとともに、配線層２３の上面の一部が露出されるように絶縁層４１の所定箇所に貫通孔４１Ｘを形成する。これら貫通孔３１Ｘ，４１Ｘは、例えばＣＯ２レーザやＵＶ−ＹＡＧレーザ等によるレーザ加工法によって形成することができる。レーザ加工法により貫通孔４１Ｘを形成すると、図４（ｂ）に示すように、レーザにより切断されたガラスクロス４１Ｇの端部Ａ１が貫通孔４１Ｘの側壁から突出する。これにより、ガラスクロス４１Ｇ部分の表面粗さが樹脂部分（つまり、貫通孔４１Ｘの側壁を構成する樹脂層４３，４４）の表面粗さよりも大きくなる。同様に、レーザ加工法により貫通孔３１Ｘを形成した場合には、レーザにより切断されたガラスクロス３１Ｇの端部が貫通孔３１Ｘの側壁から突出する。
【００６７】
次いで、貫通孔３１Ｘ，４１Ｘをレーザ加工法によって形成した場合には、デスミア処理を行って、貫通孔３１Ｘ，４１Ｘの底部に露出する配線層２２，２３の露出面に付着した樹脂スミアを除去する。なお、このデスミア処理により、貫通孔４１Ｘの内側面及び絶縁層４１の上面４１Ａが粗化される。
【００６８】
続いて、図４（ｃ）に示す工程では、絶縁層３１の貫通孔３１Ｘ内にビア配線３３を形成するとともに、そのビア配線３３を介して配線層２２と電気的に接続される配線層３２を絶縁層３１の下面に積層する。これらビア配線３３及び配線層３２は、例えば、セミアディティブ法やサブトラクティブ法などの各種の配線形成方法を用いて形成することができる。このような配線形成方法により、例えば銅や銅合金からなるめっき金属によってビア配線３３及び配線層３２が形成される。
【００６９】
また、図４（ｃ）に示す工程では、貫通孔４１Ｘの内面を含む絶縁層４１の表面全面及び貫通孔４１Ｘから露出する配線層２３の上面全面を被覆するシード層（図示略）を形成し、そのシード層を給電層とする電解めっきを施す。例えば、シード層を無電解銅めっき法により形成し、そのシード層を給電層とする電解銅めっき法を施す。これにより、貫通孔４１Ｘを充填するとともに、絶縁層４１の上面４１Ａ全面を被覆する導電層１００が形成される。
【００７０】
次いで、図５（ａ）に示す工程では、例えば、ＣＭＰ法（Chemical Mechanical Polishing）等により、絶縁層４１の上面４１Ａから突出する導電層１００を研磨するとともに、粗化面である絶縁層４１の上面４１Ａの一部を研磨する。これにより、貫通孔４１Ｘを充填するビア配線４２が形成されるとともに、そのビア配線４２の上端面４２Ａが絶縁層４１の上面４１Ａと略面一になるように形成される。このとき、図５（ｂ）に示すように、ビア配線４２は、貫通孔４１Ｘの側壁から突出するガラスクロス４１Ｇの端部Ａ１全面を被覆するように形成される。このため、貫通孔４１Ｘの側壁から突出されたガラスクロス４１Ｇの端部Ａ１がビア配線４２に食い込むように形成されることになる。
【００７１】
また、本工程では、絶縁層４１の上面４１Ａの一部を研磨することにより、絶縁層４１の上面４１Ａが平滑化される。例えば、研磨前における絶縁層４１の上面４１Ａの粗度が表面粗さＲａ値で３００〜４００ｎｍ程度であるのに対し、ＣＭＰ法等による研磨により絶縁層４１の上面４１Ａの粗度を表面粗さＲａ値で１５〜４０ｎｍ程度とすることができる。なお、貫通孔４１Ｘの内側面は粗面化された状態のままであるため、絶縁層４１の上面４１Ａは貫通孔４１Ｘの内側面よりも表面粗度が低くなる。
【００７２】
さらに、上述のように絶縁層４１の上面４１Ａの一部を研磨することにより、絶縁層４１の厚さが絶縁層３１（図５（ａ）参照）の厚さよりも薄くなる。具体的には、絶縁層４１の上面４１Ａの一部を研磨することにより、絶縁層４１のうちのガラスクロス４１Ｇの上面を被覆する樹脂層４３が薄化される。このため、樹脂層４３の厚さＴ１が、ガラスクロス４１Ｇの下面を被覆する樹脂層４４の厚さＴ２よりも薄くなる。これにより、研磨前には絶縁層４１の厚さ方向の中心付近に設けられていたガラスクロス４１Ｇは、絶縁層４１の厚さ方向の中心よりも上側に偏倚して設けられることになる。なお、本工程では、絶縁層４１内のガラスクロス４１Ｇが樹脂層４３から露出されないように、絶縁層４１の研磨が行われる。
【００７３】
ここで、本工程における絶縁層４１の削り量は、例えば５〜７μｍ程度とすることができる。このため、研磨後の絶縁層４１の厚さは例えば３５〜７０μｍ程度、樹脂層４３の厚さＴ１は例えば１５〜３５μｍ程度、樹脂層４４の厚さＴ２は例えば２０〜４０μｍ程度となる。なお、ガラスクロス４１Ｇの上面から樹脂層４３の上面までの厚さは例えば１０〜１５μｍ程度となる。
【００７４】
このように、本工程における絶縁層４１の削り量は、例えば、絶縁層４１の上面４１Ａを平滑化するためだけにその上面４１Ａを研磨する場合に比べて多い。これにより、研磨後の絶縁層４１の上面４１Ａに、電解めっきの際に使用したシード層が残存することを好適に抑制することができる。このため、本工程の研磨後に、絶縁層４１の上面４１Ａに残存するシード層を除去するためのエッチング処理を施す必要がなくなる。このエッチング処理を施すと、絶縁層４１の上面４１Ａに残存するシード層を除去するのと同時に、貫通孔４１Ｘの内側面を被覆するように形成されたシード層もエッチング除去されるため、ビア配線４２の外側面と貫通孔４１Ｘの内側面との間に間隙が形成されるという問題がある。これに対し、本実施形態の製造方法によれば、上述したようにエッチング処理を省略することが可能であるため、ビア配線４２の外側面と貫通孔４１Ｘの内側面との間に間隙が形成されることを好適に抑制することができる。
【００７５】
なお、本例のＣＭＰ法では、例えば、絶縁層４１の上面４１Ａに形成された導電層１００を研磨する際には、導電層１００（金属）の研磨量が、絶縁層４１（樹脂）の研磨量に比べて大きくなるようにスラリーの材質や研磨パッドの硬度等が調整されている。また、本例のＣＭＰ法では、例えば、絶縁層４１の上面４１Ａが露出された後に、スラリーの材質や研磨パッドの硬度等が変更される。具体的には、絶縁層４１の上面４１Ａが露出された後には、絶縁層４１（樹脂）の研磨量が、導電層１００（金属）の研磨量に比べて大きくなるようにスラリーの材質や研磨パッドの硬度等が調整される。
【００７６】
以上の製造工程により、配線構造１１を製造することができる。
次に、図５（ｃ）に示す工程では、絶縁層４１の上面４１Ａ全面及びビア配線４２の上端面４２Ａ全面を被覆するようにシード層５０Ａを形成する。このシード層５０Ａは、例えばスパッタ法や無電解めっき法により形成することができる。例えば、本工程では、絶縁層４１の上面４１Ａが平滑面であるため、その上面４１Ａに対してスパッタ法によりシード層５０Ａを均一に形成することができ、シード層５０Ａの上面を平滑に形成することができる。このため、粗化面に対してスパッタ法によりシード層５０Ａを形成する場合に比べて、シード層５０Ａを薄く形成することができる。例えば、スパッタ法によりシード層５０Ａを形成する場合には、まず、絶縁層４１の上面４１Ａ及びビア配線４２の上端面４２Ａを被覆するように、それら上面４１Ａ及び上端面４２Ａ上にチタン（Ｔｉ）をスパッタリングにより堆積させてＴｉ層を形成する。その後、Ｔｉ層上に銅をスパッタリングにより堆積させてＣｕ層を形成する。これにより、２層構造（Ｔｉ層／Ｃｕ層）のシード層５０Ａを形成することができる。このように、シード層５０Ａの下層にＴｉ層を形成することにより、絶縁層４１とシード層５０Ａとの密着性を向上させることができる。なお、Ｔｉ層を窒化チタン（ＴｉＮ）からなるＴｉＮ層に変更し、ＴｉＮ層とＣｕ層からなる２層構造のシード層５０Ａを形成するようにしてもよい。ここで、チタンや窒化チタンは、銅よりも耐腐食性の高い金属である。また、無電解めっき法によりシード層５０Ａを形成する場合には、例えば、無電解銅めっき法によりＣｕ層（１層構造）からなるシード層５０Ａを形成することができる。
【００７７】
なお、シード層５０Ａを形成する前に、絶縁層４１の上面４１Ａに、Ｏ２プラズマアッシング等のプラズマ処理を施すようにしてもよい。プラズマ処理を施すことにより、絶縁層４１の上面４１Ａを粗化できる。絶縁層４１の上面４１Ａを粗化することにより、シード層５０Ａと絶縁層４１との密着性を高めることができる。但し、絶縁層４１の上面４１Ａの粗度を低減して平滑度を向上することにより上面４１Ａ上に微細配線の形成が可能となるため、プラズマ処理では、後工程での微細配線の形成に支障のない程度に絶縁層４１の上面４１Ａを粗化する。
【００７８】
次いで、図６（ａ）に示す工程では、シード層５０Ａ上に、所定の箇所に開口パターン１０１Ｘを有するレジスト層１０１を形成する。開口パターン１０１Ｘは、配線層５０（図１参照）の形成領域に対応する部分のシード層５０Ａを露出するように形成される。レジスト層１０１の材料としては、例えば、次工程のめっき処理に対して耐めっき性がある材料を用いることができる。例えば、レジスト層１０１の材料としては、感光性のドライフィルムレジスト又は液状のフォトレジスト（例えば、ノボラック系樹脂やアクリル系樹脂等のドライフィルムレジストや液状レジスト）等を用いることができる。例えば、感光性のドライフィルムレジストを用いる場合には、シード層５０Ａの上面にドライフィルムを熱圧着によりラミネートし、そのドライフィルムをフォトリソグラフィ法によりパターニングして開口パターン１０１Ｘを有するレジスト層１０１を形成する。なお、液状のフォトレジストを用いる場合にも、同様の工程を経て、レジスト層１０１を形成することができる。本工程において、シード層５０Ａの上面が平滑面になっているため、そのシード層５０Ａ上に形成されるレジスト層１０１にパターニング欠陥が生じることを抑制することができる。すなわち、レジスト層１０１に開口パターン１０１Ｘを高精度に形成することができる。
【００７９】
次に、図６（ｂ）に示す工程では、レジスト層１０１をめっきマスクとして、シード層５０Ａの上面に、そのシード層５０Ａをめっき給電層に利用する電解めっき法を施す。具体的には、レジスト層１０１の開口パターン１０１Ｘから露出されたシード層５０Ａの上面に電解めっき法（ここでは、電解銅めっき法）を施すことにより、そのシード層５０Ａの上面に金属層５０Ｂ（電解めっき金属層）を形成する。
【００８０】
続いて、図６（ｃ）に示す工程では、図６（ｂ）に示したレジスト層１０１を例えばアルカリ性の剥離液により除去する。
次いで、図７（ａ）に示す工程では、金属層５０Ｂをエッチングマスクとして、不要なシード層５０Ａをエッチングにより除去する。これにより、図７（ｂ）に示すように、ビア配線４２の上端面４２Ａ及び絶縁層４１の上面４１Ａ上に配線層５０が形成される。この配線層５０は、ビア配線４２の上端面４２Ａと接合されたシード層５０Ａと、そのシード層５０Ａ上に形成された金属層５０Ｂとから構成されている。このように、配線層５０は、セミアディティブ法によって形成される。また、配線層５０とビア配線４２とは別工程で形成されるため、配線層５０とビア配線４２とは一体的に形成されていない。
【００８１】
次に、図８（ａ）に示す工程では、絶縁層４１の上面４１Ａ上に、配線層５０の表面（上面及び側面）全面を被覆する絶縁層５１を形成する。絶縁層５１として樹脂フィルムを用いる場合には、例えば、絶縁層４１の上面４１Ａに樹脂フィルムを熱圧着によりラミネートすることにより絶縁層５１を形成することができる。このとき、樹脂フィルムを真空雰囲気中でラミネートすることにより、ボイドの巻き込みを防止することができる。なお、樹脂フィルムとしては、例えば、フェノール系樹脂やポリイミド系樹脂等の感光性樹脂のフィルムを用いることができる。また、絶縁層５１として液状又はペースト状の絶縁性樹脂を用いる場合には、絶縁層４１の上面４１Ａに液状又はペースト状の絶縁性樹脂をスピンコート法などにより塗布することにより絶縁層５１を形成することができる。なお、液状又はペースト状の絶縁性樹脂としては、例えばフェノール系樹脂やポリイミド系樹脂等の感光性樹脂を用いることができる。
【００８２】
続いて、図８（ｂ）に示す工程では、例えばフォトリソグラフィ法により、絶縁層５１の所要箇所に、当該絶縁層５１を厚さ方向に貫通して配線層５０の上面を露出する貫通孔５１Ｘを形成する。なお、このような感光性樹脂からなる絶縁層５１の上面の粗度は、例えば、表面粗さＲａ値で２〜１０ｎｍ程度とすることができる。すなわち、絶縁層５１の上面は、貫通孔４１Ｘの内側面よりも表面粗度が低く、且つ絶縁層４１の上面４１Ａよりも表面粗度が低い。
【００８３】
次いで、図９（ａ）に示す工程では、図５（ｃ）〜図７（ｂ）に示した工程と同様に、例えばセミアディティブ法により、貫通孔５１Ｘに充填されたビア配線と、そのビア配線を介して配線層５０と電気的に接続され、絶縁層５１の上面に積層された配線パターンとを有する配線層５２を形成する。このとき、配線層５２は、図９（ｂ）に示すように、貫通孔５１Ｘの内面全面及び貫通孔５１Ｘ周辺の絶縁層５１の上面を被覆するシード層１０２と、そのシード層１０２上に形成された電解銅めっき層１０３とから構成されている。
【００８４】
次に、図８（ａ）及び図８（ｂ）に示した工程と同様に、絶縁層５１上に、配線層５２の上面の一部を露出する貫通孔５３Ｘを有する絶縁層５３を形成する。続いて、図５（ｃ）〜図７（ｂ）に示した工程と同様に、例えばセミアディティブ法により、貫通孔５３Ｘに充填されたビア配線と、そのビア配線を介して配線層５２と電気的に接続され、絶縁層５３の上面に積層されたパッドＰ１とを有する配線層５４を形成する。このとき、配線層５４は、貫通孔５３Ｘの内面全面及び貫通孔５３Ｘ周辺の絶縁層５３の上面を被覆するシード層１０４と、そのシード層１０４上に形成された電解銅めっき層１０５とから構成されている。なお、必要に応じて、配線層５４のパッドＰ１の表面に表面処理層を形成するようにしてもよい。
【００８５】
以上の製造工程により、配線構造１１の最上層に形成された絶縁層４１の上面４１Ａ上に配線構造１２を積層することができる。
次に、図１０（ａ）に示す工程では、配線構造１１の最下層の配線層３２の所要箇所に画定される外部接続用パッドＰ２を露出させるための開口部１３Ｘを有するソルダレジスト層１３を、絶縁層３１の下面に積層する。このとき、ソルダレジスト層１３の厚さＴ４（絶縁層３１の下面からソルダレジスト層１３の下面までの厚さ）は、配線構造１２の厚さＴ３（絶縁層４１の上面４１Ａから絶縁層５３の上面までの厚さ）と等しい、又は配線構造１２の厚さＴ３よりも厚く設定されている。このソルダレジスト層１３は、例えば感光性のソルダレジストフィルムをラミネートし、又は液状のソルダレジストを塗布し、当該レジストを所要の形状にパターニングすることにより形成することができる。これにより、ソルダレジスト層１３の開口部１３Ｘから配線層３２の一部が外部接続用パッドＰ２として露出される。
【００８６】
なお、必要に応じて、ソルダレジスト層１３の開口部１３Ｘから露出された配線層３２（つまり、外部接続用パッドＰ２）上に表面処理層を形成するようにしてもよい。
以上の製造工程により、図１に示した配線基板１０を製造することができる。
【００８７】
次に、半導体パッケージ６０の製造方法について説明する。
図１０（ｂ）に示す工程では、外部接続用パッドＰ２上に外部接続端子７６を形成する。例えば、外部接続用パッドＰ２上に、適宜フラックスを塗布した後、外部接続端子７６（ここでは、はんだボール）を搭載し、２４０〜２６０℃程度の温度でリフローして固定する。その後、表面を洗浄してフラックスを除去する。
【００８８】
また、図１０（ｂ）に示す工程では、柱状の接続端子７１を有する半導体チップ７０を用意する。接続端子７１は、公知の製造方法により製造することが可能であるため、図示を省略して詳細な説明を割愛するが、例えば以下のような方法で製造される。
【００８９】
まず、半導体チップ７０の回路形成面（ここでは、下面）に、例えば電極パッドを露出させる開口部を有する保護膜を形成し、その保護膜の下面及び電極パッドの下面を被覆するようにシード層を形成する。次に、接続端子７１の形成領域に対応する部分のシード層（電極パッドの下面を被覆するシード層）を露出させたレジスト層を形成する。続いて、レジスト層から露出されたシード層上に、そのシード層を給電層に利用する電解めっき法（例えば、電解銅めっき法）を施すことにより、電極パッド上に柱状の接続端子７１を形成する。
【００９０】
続いて、接続端子７１の下面に、接合部材７２を形成する。この接合部材７２は、例えばシード層上に形成されたレジスト層をめっきマスクに利用し、シード層をめっき給電層に利用する電解はんだめっき法により、接続端子７１の下面にはんだを被着することにより形成することができる。その後、不要なシード層及びレジスト層を除去する。
【００９１】
次いで、配線基板１０のパッドＰ１（配線層５４）上に、半導体チップ７０の接続端子７１をフリップチップ接合する。例えば、配線基板１０と半導体チップ７０とを位置合わせした後に、リフロー処理を行って接合部材７２（はんだめっき層）を溶融させ、接続端子７１をパッドＰ１に電気的に接続する。
【００９２】
その後、フリップチップ接合された半導体チップ７０と配線基板１０との間に、アンダーフィル樹脂７５（図２参照）を充填し、そのアンダーフィル樹脂７５を硬化する。以上の製造工程により、図２に示した半導体パッケージ６０を製造することができる。
【００９３】
以上説明した本実施形態によれば、以下の効果を奏することができる。
（１）コア基板２０の上下両面に、補強材入りの絶縁性樹脂からなる絶縁層３１，４１を形成するようにした。これにより、コア基板２０を薄型化し、その厚さ減少分よりも薄い絶縁層３１，４１をコア基板２０の上下両面に積層した場合であっても、配線基板１０の剛性を十分に確保することができる。このため、配線基板１０全体を薄型化することができ、且つ、配線基板１０に反りやうねりが発生することも好適に抑制することができる。
【００９４】
（２）さらに、配線基板１０に反りやうねりが発生することを抑制できるため、絶縁層５１が絶縁層４１から剥離することを好適に抑制することができる。
（３）絶縁層４１の厚さを、絶縁層３１よりも薄く設定するようにした。これにより、コア基板２０の上面２０Ａに形成された上側構造体（つまり、絶縁層４１、ビア配線４２及び配線構造１２）の剛性を、コア基板２０の下面２０Ｂに形成された下側構造体（つまり、絶縁層３１、配線層３２、ビア配線３３及びソルダレジスト層３４）の剛性に近づけることができる。したがって、配線基板１０を上下方向（厚さ方向）に見たときのコア基板２０を中心とした剛性の分布を上下対称に近づけることができるため、配線基板１０に反りやうねりが発生することをより好適に抑制することができる。
【００９５】
（４）ガラスクロス４１Ｇを、絶縁層４１の厚さ方向の中心位置Ｃ１よりも上側に偏在させるようにした。さらに、絶縁層４１では、ガラスクロス４１Ｇが、上側構造体（絶縁層４１及び配線構造１２）の厚さ方向の中心付近に配設されるように、樹脂層４３の厚さＴ１を樹脂層４４の厚さＴ２よりも薄く設定するようにした。このため、上側構造体の厚さ方向の中心付近に機械的強度（剛性）の高いガラスクロス４１Ｇを配置することができる。これにより、上側構造体におけるガラスクロス４１Ｇを中心とした上下の剛性のバランスが良好となるため、配線基板１０に反りやうねりが発生することをより好適に抑制することができる。
【００９６】
（５）ソルダレジスト層１３の厚さＴ４を、配線構造１２内の全ての絶縁層の厚さＴ３と等しい、又は厚さＴ３よりも厚く形成するようにした。これにより、配線基板１０を上下方向（厚さ方向）に見たときの物性値の分布を、コア基板２０を中心にして上下対称に近づけることができる。したがって、コア基板２０を中心とした上下の物性値のバランスが良好となり、熱収縮などに伴って配線基板１０に反りや変形が発生することを好適に抑制することができる。
【００９７】
（６）絶縁層４１の上面４１Ａを、その絶縁層４１の貫通孔４１Ｘの内側面よりも平滑な面とした。このため、例えばスパッタ法により、絶縁層４１の上面４１Ａに金属膜（例えば、シード層５０Ａ）を均一に形成することができる。したがって、粗化面にシード層５０Ａを形成する場合に比べて、シード層５０Ａを薄く形成することができる。さらに、絶縁層４１の上面４１Ａは凹凸の少ない平滑面であるため、絶縁層４１の上面４１Ａが凹凸の大きい粗化面である場合に比べて、シード層５０Ａをエッチング除去する際の残渣の発生を抑制することができる。これらにより、絶縁層４１の上面４１Ａに積層される配線層の微細化が進んだ場合であっても、その配線層の微細化に容易に対応することができる。
【００９８】
（７）ビア配線４２を、貫通孔４１Ｘの側壁から突出されたガラスクロス４１Ｇの端部Ａ１全面を被覆するように形成した。このため、貫通孔４１Ｘの側壁から突出されたガラスクロス４１Ｇの端部Ａ１がビア配線４２に食い込むように形成されることになる。これにより、ビア配線４２の引っ張り強度が高くなるため、ビア配線４２と絶縁層４１との接続信頼性を向上させることができる。
【００９９】
（８）絶縁層４１に設けられた貫通孔４１Ｘの内側面を粗化面とした。これにより、貫通孔４１Ｘの内側面が平滑面である場合に比べて、ビア配線４２と絶縁層４１との接触面積を増大させることができる。このため、ビア配線４２と絶縁層４１との密着性が向上し、ビア配線４２と絶縁層４１との線膨張係数の差に起因した引っ張り力に対して強くなる。したがって、ビア配線４２と絶縁層４１との接続信頼性を向上させることができる。
【０１００】
（第２実施形態）
以下、図１１〜図１８に従って第２実施形態を説明する。先の図１〜図１０に示した部材と同一の部材にはそれぞれ同一の符号を付して示し、それら各要素についての詳細な説明は省略する。
【０１０１】
図１１に示すように、半導体装置（半導体パッケージ）６０Ａは、配線基板１０Ａと、その配線基板１０Ａに実装された半導体チップ７０と、配線基板１０Ａと半導体チップ７０との間に形成されたアンダーフィル樹脂７５とを有している。
【０１０２】
配線基板１０Ａは、配線構造１１と、配線構造１１の一方の側（ここでは、上側）に積層された配線構造１２Ａと、配線構造１１の他方の側（ここでは、下側）に積層されたソルダレジスト層１３とを有している。配線基板１０Ａの平面形状は、任意の形状及び任意の大きさとすることができる。例えば、配線基板１０Ａの平面形状は、１０ｍｍ×１０ｍｍ程度の正方形状とすることができる。
【０１０３】
配線構造１１では、上記第１実施形態と同様に、コア基板２０の上面２０Ａ及び下面２０Ｂに補強材入りの絶縁層４１，３１がそれぞれ積層されている。そして、コア基板２０の上面２０Ａ（配線構造１２Ａが積層される側の面）に形成された絶縁層４１内では、ガラスクロス４１Ｇがその絶縁層４１の厚さ方向の中心よりも上側に偏在している。
【０１０４】
配線構造１２Ａは、絶縁層４１上に積層された配線層５０と、絶縁層５１と、配線層５２と、絶縁層５５と、配線層５６と、絶縁層５７と、最上層の配線層５４，５８とが順に積層された構造を有している。配線構造１２Ａの厚さＴ３Ａ、具体的には配線構造１２Ａ内の全ての絶縁層５１，５５，５７の厚さ（つまり、絶縁層４１の上面４１Ａから絶縁層５７の上面までの厚さ）Ｔ３Ａは、例えば２０〜４０μｍ程度とすることができる。この配線構造１２Ａの厚さＴ３Ａは、ソルダレジスト層１３の厚さＴ４と等しい、又は、厚さＴ４よりも薄く設定されている。なお、図示では、配線構造１２Ａの構造を分かりやすくするために、配線構造１２Ａの厚さＴ３Ａがソルダレジスト層１３の厚さＴ４よりも厚くなっている。
【０１０５】
ここで、配線層５６，５８の材料としては、例えば銅や銅合金を用いることができる。また、絶縁層５５，５７の材料としては、例えば、フェノール系樹脂やポリイミド系樹脂等を主成分とする感光性の絶縁性樹脂を用いることができる。これら絶縁層５５，５７は、例えば、シリカやアルミナ等のフィラーを含有していてもよい。
【０１０６】
また、配線層５６，５８は、配線構造１１の配線層よりも薄い配線層である。絶縁層５５，５７上に形成された配線層５６，５８の厚さは、例えば１〜３μｍ程度とすることができる。配線層５６のラインアンドスペース（Ｌ／Ｓ）は、例えば２μｍ／２μｍ程度とすることができる。また、絶縁層５５，５７は、配線構造１１の絶縁層よりも薄い絶縁層である。絶縁層５５，５７の厚さは、例えば５〜１０μｍ程度とすることができる。
【０１０７】
配線層５０は、ビア配線４２の上端面４２Ａと接続するように、絶縁層４１の上面４１Ａ上に積層されている。絶縁層５１は、絶縁層４１の上面４１Ａに、配線層５０を被覆するように形成されている。配線層５２は、絶縁層５１の上面に積層されている。
【０１０８】
絶縁層５５は、絶縁層５１の上面に、配線層５２を被覆するように形成されている。絶縁層５５には、所要の箇所に、当該絶縁層５５を厚さ方向に貫通して配線層５２の上面の一部を露出する貫通孔５５Ｘが形成されている。貫通孔５５Ｘは、図１１において下側（配線構造１１側）から上側（配線層５４，５８側）に向かうに連れて径が大きくなるテーパ状に形成されている。例えば、貫通孔５５Ｘは、上側の開口端の開口径が下側の開口端の開口径よりも大径となる逆円錐台形状に形成されている。貫通孔５５Ｘの上側の開口端の開口径は、例えば１０〜２０μｍ程度とすることができる。
【０１０９】
配線層５６は、絶縁層５５の上面に積層されている。配線層５６は、配線層５２と電気的に接続されている。この配線層５６は、貫通孔５５Ｘ内に充填されたビア配線と、絶縁層５５の上面に形成された配線パターンとを有している。
【０１１０】
絶縁層５７は、絶縁層５５の上面に、配線層５６を被覆するように形成されている。絶縁層５７には、所要の箇所に、当該絶縁層５７を厚さ方向に貫通して配線層５６の上面を露出する貫通孔５７Ｘ，５７Ｙが形成されている。貫通孔５７Ｙは、貫通孔５７Ｘよりも外側の領域に形成されている。貫通孔５７Ｘ，５７Ｙは、図１１において下側（配線構造１１側）から上側（配線層５４，５８側）に向かうに連れて径が大きくなるテーパ状に形成されている。例えば、貫通孔５７Ｘ，５７Ｙは、上側の開口端の開口径が下側の開口端の開口径よりも大径となる逆円錐台形状に形成されている。
【０１１１】
ここで、貫通孔５７Ｙは、貫通孔５７Ｘよりもアスペクト比が小さい値に設定されている。すなわち、貫通孔５７Ｙの開口径は、貫通孔５７Ｘの開口径よりも大径に設定されている。例えば、貫通孔５７Ｘの上側の開口端の開口径は、例えば１０〜２０μｍ程度とすることができ、貫通孔５７Ｙの上側の開口端の開口径は、例えば１００〜１５０μｍ程度とすることができる。また、貫通孔５７Ｘ，５７Ｙの深さは、例えば１〜３μｍ程度とすることができる。貫通孔５７Ｘのアスペクト比は、例えば０．０５〜０．１程度とすることができ、貫通孔５７Ｙのアスペクト比は、例えば０．０１〜０．０２程度とすることができる。例えば、貫通孔５７Ｙのアスペクト比は、貫通孔５７Ｘのアスペクト比の０．２〜０．４倍の値に設定されている。
【０１１２】
絶縁層５７の上面には、最上層の配線層５４，５８が積層されている。配線層５４，５８は、配線層５６と電気的に接続されている。
配線層５４は、アスペクト比の大きい貫通孔５７Ｘ内に充填されたビア配線と、そのビア配線の上面及び絶縁層５７の上面から上方に突出する凸状のパッドＰ１とを有している。ここで、パッドＰ１は、絶縁層５７の上面から上方に延びる柱状の金属ポストである。本例のパッドＰ１は、例えば円柱状に形成されている。パッドＰ１の直径は例えば２０〜３０μｍ程度とすることができ、パッドＰ１のピッチは例えば４０〜５０μｍ程度とすることができる。
【０１１３】
配線層５８は、アスペクト比の小さい貫通孔５７Ｙの内側面及び底面に沿って形成されるとともに、貫通孔５７Ｙ内から絶縁層５７の上面に延出するように形成されている。配線層５８は、貫通孔５７Ｙの内側面全面と、貫通孔５７Ｙの底面全面（つまり、貫通孔５７Ｙから露出する配線層５６の上面全面）と、貫通孔５７Ｙ周辺に位置する絶縁層５７の上面とを被覆するように形成されている。すなわち、配線層５８は、上面に凹部を有している。配線層５８は、他の半導体パッケージ６２（図１２参照）と電気的に接続される接続パッドＰ３として機能する。すなわち、貫通孔５７Ｙ内には、凹状の接続パッドＰ３が形成されている。
【０１１４】
なお、必要に応じて、接続パッドＰ３の表面（上面及び側面、又は上面のみ）に表面処理層を形成するようにしてもよい。表面処理層の例としては、Ａｕ層、Ｎｉ層／Ａｕ層（Ｎｉ層とＡｕ層をこの順番で積層した金属層）、Ｎｉ層／Ｐｄ層／Ａｕ層（Ｎｉ層とＰｄ層とＡｕ層をこの順番で積層した金属層）などを挙げることができる。これらＮｉ層、Ａｕ層、Ｐｄ層としては、例えば、無電解めっき法により形成された金属層（無電解めっき金属層）を用いることができる。また、接続パッドＰ３の表面（上面及び側面、又は上面のみ）に、ＯＳＰ（Organic Solderability Preservative）処理などの酸化防止処理を施して表面処理層を形成するようにしてもよい。
【０１１５】
接続パッドＰ３は、例えば平面視でペリフェラル状に配置されている。接続パッドＰ３の平面形状は、任意の形状及び任意の大きさとすることができる。例えば、接続パッドＰ３の平面形状は、直径が１２０〜１７０μｍ程度とすることができる。
【０１１６】
半導体チップ７０は、以上説明した配線基板１０Ａにフリップチップ実装されている。すなわち、半導体チップ７０の接続端子７１が、接合部材７２を介して配線基板１０ＡのパッドＰ１に接合されている。
【０１１７】
次に、図１２に従って半導体装置６１の構造について説明する。
半導体装置６１は、半導体パッケージ６０Ａと、その半導体パッケージ６０Ａに積層接合された半導体パッケージ６２と、半導体パッケージ６０Ａ，６２間に形成された封止樹脂６３と、外部接続端子７６とを有している。
【０１１８】
半導体パッケージ６２は、配線基板８０と、その配線基板８０に実装された１又は複数の半導体チップ９０と、配線基板８０と半導体チップ９０との間に形成されたアンダーフィル樹脂９２とを有している。
【０１１９】
配線基板８０は、コア基板８１と、コア基板８１に設けられた貫通電極８２と、最下層の配線層８３と、最上層の配線層８４と、ソルダレジスト層８５．８６とを有している。
コア基板８１は、配線基板８０の厚さ方向の中心付近に設けられている。コア基板２０の厚さは、例えば８０〜８００μｍ程度とすることができる。
【０１２０】
コア基板８１には、所要の箇所（図１２では２箇所）に貫通孔８１Ｘが設けられている。貫通孔８１Ｘは、コア基板８１の上面８１Ａから下面８１Ｂまでを貫通するように形成されている。貫通孔８１Ｘ内には、コア基板８１を厚さ方向に貫通する貫通電極８２が形成されている。貫通電極８２は、貫通孔８１Ｘ内に充填されている。貫通孔８１Ｘ及び貫通電極８２は、図示は省略するが、例えば平面視略円形状に形成されている。
【０１２１】
コア基板８１の下面８１Ｂには配線層８３が形成され、コア基板８１の上面８１Ａには配線層８４が形成されている。これら配線層８３，８４は貫通電極８２を介して相互に電気的に接続されている。なお、貫通電極８２及び配線層８３，８４の材料としては、例えば銅や銅合金を用いることができる。
【０１２２】
ソルダレジスト層８５は、配線層８３の一部を覆うようにコア基板８１の下面８１Ｂに積層されている。ソルダレジスト層８５の材料としては、例えば、フェノール系樹脂やポリイミド系樹脂などを主成分とする感光性の絶縁性樹脂を用いることができる。ソルダレジスト層８５は、例えば、シリカやアルミナ等のフィラーを含有していてもよい。ソルダレジスト層８５の厚さＴ５は、反り低減の観点から、半導体パッケージ６０Ａのソルダレジスト層１３の厚さＴ４と等しい厚さに設定することが好ましい。例えば、ソルダレジスト層８５の厚さＴ５は２０〜４０μｍ程度とすることができる。
【０１２３】
ソルダレジスト層８５には、配線層８３の一部を接続パッドＰ４として露出させるための開口部８５Ｘが形成されている。この接続パッドＰ４は、他の半導体パッケージ６０Ａと電気的に接続されるパッドである。各接続パッドＰ４は、半導体パッケージ６０Ａに形成された接続パッドＰ３の各々に対向するように設けられている。すなわち、接続パッドＰ４は、例えば平面視でペリフェラル状に配置されている。接続パッドＰ４及び開口部８５Ｘの平面形状は、任意の形状及び任意の大きさとすることができる。例えば、接続パッドＰ４及び開口部８５Ｘの平面形状は、直径が１２０〜１７０μｍ程度の円形状とすることができる。
【０１２４】
なお、必要に応じて、開口部８５Ｘから露出する配線層８３（つまり、接続パッドＰ４）上に表面処理層を形成するようにしてもよい。この表面処理層としては、例えば、接続パッドＰ３上に形成される表面処理層と同様のものを用いることができる。
【０１２５】
一方、ソルダレジスト層８６は、配線層８４の一部を覆うようにコア基板８１の上面８１Ａに積層されている。ソルダレジスト層８６の材料としては、例えば、フェノール系樹脂やポリイミド系樹脂などを主成分とする感光性の絶縁性樹脂を用いることができる。ソルダレジスト層８６は、例えば、シリカやアルミナ等のフィラーを含有していてもよい。ソルダレジスト層８６の厚さＴ６は、半導体装置６１の反り低減の観点から、半導体パッケージ６０Ａのソルダレジスト層１３の厚さＴ４と等しい厚さに設定することが好ましい。例えば、ソルダレジスト層８６の厚さＴ６は２０〜４０μｍ程度とすることができる。
【０１２６】
このように、当該半導体装置６１では、反り低減の観点から、配線構造１２Ａの厚さＴ３Ａと、ソルダレジスト層１３の厚さＴ４と、ソルダレジスト層８５の厚さＴ５と、ソルダレジスト層８６の厚さＴ６とを全て同じ厚さに設定することが好ましい。
【０１２７】
ソルダレジスト層８６には、配線層８４の一部をパッドＰ５として露出させるための開口部８６Ｘが形成されている。このパッドＰ５は、半導体チップや受動素子等の電子部品と電気的に接続するための電子部品搭載用のパッドとして機能する。パッドＰ５及び開口部８６Ｘの平面形状は、任意の形状及び任意の大きさとすることができる。例えば、パッドＰ５及び開口部８６Ｘの平面形状は、直径が５０〜１００μｍ程度の円形状とすることができる。
【０１２８】
なお、必要に応じて、開口部８６Ｘから露出する配線層８４（つまり、パッドＰ５）上に表面処理層を形成するようにしてもよい。この表面処理層としては、例えば、接続パッドＰ３上に形成される表面処理層と同様のものを用いることができる。
【０１２９】
半導体チップ９０は、以上説明した配線基板８０にフリップチップ実装されている。すなわち、半導体チップ９０の回路形成面（図１２では、下面）に配設されたバンプ９１をパッドＰ５に接合することにより、半導体チップ９０は、バンプ９１を介して配線層８４と電気的に接続されている。
【０１３０】
半導体チップ９０としては、ＣＰＵやＧＰＵなどのロジックチップ、ＤＲＡＭチップやＳＲＡＭチップなどのメモリチップを用いることができる。また、バンプ９１としては、例えば、金バンプやはんだバンプを用いることができる。はんだバンプの材料としては、例えば、Ｐｂを含む合金、ＳｎとＡｕの合金、ＳｎとＣｕの合金、ＳｎとＡｇの合金、ＳｎとＡｇとＣｕの合金等を用いることができる。
【０１３１】
アンダーフィル樹脂９２は、配線基板８０と半導体チップ９０との隙間を充填するように設けられている。アンダーフィル樹脂９２の材料としては、例えば、エポキシ系樹脂などの絶縁性樹脂を用いることができる。
【０１３２】
半導体パッケージ６０Ａに形成された凹状の接続パッドＰ３上には、はんだボール６４が接合されている。はんだボール６４は、半導体パッケージ６０Ａと半導体パッケージ６２との間に介在して設けられ、その一端が接続パッドＰ３に接合され、他端が接続パッドＰ４に接合されている。はんだボール６４は、半導体パッケージ６０Ａと半導体パッケージ６２とを接続（接合）する接続端子として機能するとともに、半導体パッケージ６０Ａと半導体パッケージ６２との間の距離（離間距離）を規定値に保持するスペーサとしても機能する。なお、はんだボール６４の高さは、例えば、半導体チップ７０の厚さよりも高く設定されている。具体的には、はんだボール６４の高さは、半導体チップ７０の厚さと、接続端子７１の厚さと、接合部材７２の厚さと、パッドＰ１の厚さとを合算した高さよりも高く設定されている。
【０１３３】
本例のはんだボール６４は、球形状の銅コアボール６４Ａの周囲をはんだ６４Ｂで覆った構造を有し、はんだ６４Ｂが接合材として機能し、銅コアボール６４Ａがスペーサとして機能する。すなわち、はんだボール６４は、はんだ６４Ｂによって接続パッドＰ３と接合されるとともに、はんだ６４Ｂによって接続パッドＰ４と接合されている。
【０１３４】
このように、半導体パッケージ６０Ａと半導体パッケージ６２とがはんだボール６４を介して積層接合され、ＰＯＰ（Package on Package）構造の半導体装置６１が形成されている。
【０１３５】
半導体パッケージ６０Ａと半導体パッケージ６２との間の空間には、封止樹脂６３が充填されている。この封止樹脂６３によって、半導体パッケージ６２が半導体パッケージ６０Ａに対して固定されるとともに、配線基板１０Ａに実装された半導体チップ７０が封止される。すなわち、封止樹脂６３は、半導体パッケージ６０Ａと半導体パッケージ６２とを接着する接着剤として機能するとともに、半導体チップ７０を保護する保護層として機能する。さらに、封止樹脂６３を設けたことにより、半導体装置６１全体の機械的強度を高めることができる。
【０１３６】
次に、半導体装置６１の製造方法について説明する。以下の説明では、１つの半導体装置６１を拡大して説明するが、実際には１つの基板上に複数の半導体装置６１となる部材を一括して作製した後、個々の半導体装置６１に個片化される。
【０１３７】
まず、配線基板１０Ａの製造方法について説明する。
図１３（ａ）に示す工程では、先の図３〜図９に示した工程と同様の製造工程を実施することにより、配線構造１１の最上層に形成された絶縁層４１上に、配線層５０と、絶縁層５１と、配線層５２と、絶縁層５５と、配線層５６とを順に積層した構造を得る。
【０１３８】
続いて、絶縁層５５の上面に、配線層５６の表面（上面及び側面）全面を被覆する絶縁層５７を形成する。この絶縁層５５は、絶縁層５１と同様に形成することができる。
次いで、図１３（ｂ）に示す工程では、例えばフォトリソグラフィ法により、絶縁層５７の所要箇所に、当該絶縁層５７を厚さ方向に貫通して配線層５６の上面の一部を露出する貫通孔５７Ｘ，５７Ｙを形成する。本工程では、絶縁層５７の周縁部近傍の領域にアスペクト比の小さい（開口径の大きい）貫通孔５７Ｙが形成され、その貫通孔５７Ｙの形成される領域も内側の領域に貫通孔５７Ｙよりもアスペクト比の大きい（開口径の小さい）貫通孔５７Ｘが形成される。すなわち、本工程では、絶縁層５１の所要箇所に、アスペクト比の異なる複数種類（ここでは、２種類）の貫通孔５７Ｘ，５７Ｙが形成される。
【０１３９】
次に、図１４（ａ）に示す工程では、絶縁層５７の表面（上面及び側面）全面及び絶縁層５７から露出する配線層５６の上面全面を被覆するようにシード層１０４を形成する。このシード層１０４は、例えばスパッタ法や無電解めっき法により形成することができる。
【０１４０】
続いて、シード層１０４上に、所定の箇所に開口パターン１０６Ｘ，１０６Ｙを有するレジスト層１０６を形成する。開口パターン１０６Ｘは、配線層５４（図１１参照）の形成領域に対応する部分のシード層１０４を露出するように形成される。また、開口パターン１０６Ｙは、配線層５８の形成領域に対応する部分のシード層１０４を露出するように形成される。レジスト層１０６の材料としては、例えば、次工程のめっき処理に対して耐めっき性がある材料を用いることができ、例えばレジスト層１０１と同様の材料を用いることができる。また、レジスト層１０６は、レジスト層１０１と同様の方法により形成することができる。
【０１４１】
次いで、図１４（ｂ）に示す工程では、レジスト層１０６をめっきマスクとして、シード層１０４の上面に、そのシード層１０４をめっき給電層に利用する電解めっき法を施す。具体的には、レジスト層１０６の開口パターン１０６Ｘ，１０６Ｙから露出されたシード層１０４の上面に電解めっき法（ここでは、電解銅めっき法）を施す。これにより、開口パターン１０６Ｘから露出されたシード層１０４の上面に電解銅めっき層１０５を形成し、開口パターン１０６Ｙから露出されたシード層１０４の上面に電解銅めっき層１０７を形成する。
【０１４２】
その後、図１５（ａ）に示す工程では、図１４（ｂ）に示したレジスト層１０６を例えばアルカリ性の剥離液により除去し、電解銅めっき層１０５，１０７をエッチングマスクとして、不要なシード層１０４をエッチングにより除去する。これにより、配線層５６上及び絶縁層５７上に、絶縁層５７の上面から上方に突出する凸状のパッドＰ１を有する配線層５４と、上面に凹部を有する凹状の配線層５８（接続パッドＰ３）とが形成される。なお、配線層５４は、シード層１０４と電解銅めっき層１０５とから構成され、配線層５８は、シード層１０４と電解銅めっき層１０７とから構成されている。
【０１４３】
このように、図１３（ｂ）〜図１５（ａ）に示した製造工程により、構造の異なる２種類のパッド（すなわち、凸状のパッドＰ１と凹状の接続パッドＰ３）が同時に形成される。詳述すると、図１３（ｂ）〜図１５（ａ）に示した製造工程において、貫通孔５７Ｙのアスペクト比が貫通孔５７Ｘのアスペクト比よりも大幅に低い値（例えば、０．２〜０．４倍程度の値）に設定されている。このため、貫通孔５７Ｘ，５７Ｙから露出するシード層１０４に同時に電解めっき法を施した場合であっても、貫通孔５７Ｘ，５７Ｙのアスペクト比の関係により、貫通孔５７Ｘを充填するビア配線上に凸状のパッドＰ１と、貫通孔５７Ｙ内に凹状の接続パッドＰ３とを同時に形成することができる。
【０１４４】
以上の製造工程により、配線構造１１の最上層に形成された絶縁層４１の上面４１Ａ上に配線構造１２Ａを積層することができる。
次いで、最下層の配線層３２の一部を外部接続用パッドＰ２として露出させるための開口部１３Ｘを有するソルダレジスト層１３を、絶縁層３１の下面に積層する。
【０１４５】
以上の製造工程により、図１１に示した配線基板１０Ａを製造することができる。
次に、図１５（ｂ）に示す工程では、配線基板１０ＡのパッドＰ１（配線層５４）上に、半導体チップ７０の接続端子７１をフリップチップ接合する。その後、フリップチップ接合された半導体チップ７０と配線基板１０Ａとの間に、アンダーフィル樹脂７５を充填し、そのアンダーフィル樹脂７５を硬化する。
【０１４６】
以上の製造工程により、図１１に示した半導体パッケージ６０Ａを製造することができる。
次に、図１６に示す工程では、配線基板８０を準備する。この配線基板８０は、公知の製造方法により製造することが可能であるため、その概略について、図１６を参照しながら簡単に説明する。
【０１４７】
まず、コア基板８１の所要箇所に貫通孔８１Ｘを形成し、その貫通孔８１Ｘを充填する貫通電極８２を形成することで両面を導通させた後、例えばサブトラクティブ法によりコア基板８１の上下面に配線層８３，８４を形成する。次に、配線層８３の一部を接続パッドＰ４として露出させるための開口部８５Ｘを有するソルダレジスト層８５を形成するとともに、配線層８４の一部をパッドＰ５として露出させるための開口部８６Ｘを有するソルダレジスト層８６を形成する。以上の工程により、配線基板８０を製造することができる。
【０１４８】
続いて、接続パッドＰ３上又は接続パッドＰ４上に、はんだボール６４を搭載（接合）する。例えば、接続パッドＰ４上に、適宜フラックスを塗布した後、はんだボール６４を搭載し、２３０〜２６０℃程度の温度でリフローして固定する。その後、フラックスを塗布した場合には、表面を洗浄してフラックスを除去する。次いで、半導体パッケージ６０Ａの上方に、はんだボール６４が搭載された配線基板８０を位置決めし、接続パッドＰ３上にはんだボール６４を接合する。具体的には、まず、接続パッドＰ３に適宜フラックスを塗布する。その後、配線基板８０を、はんだボール６４を間に挟んだ状態で半導体パッケージ６０Ａの上に配置し、それら半導体パッケージ６０Ａ及び配線基板８０をリフロー炉で２３０〜２６０℃程度の温度で加熱する。これにより、はんだボール６４のはんだ６４Ｂが溶融し、はんだボール６４が接続パッドＰ３に接合される。これにより、はんだボール６４を介して接続パッドＰ３と接続パッドＰ４とが電気的に接続されるとともに、はんだボール６４を介して配線基板８０が半導体パッケージ６０Ａ上に固定される。
【０１４９】
このとき、半導体パッケージ６０Ａ（配線基板１０Ａ）は、上記第１実施形態と同様の効果を奏する。詳述すると、半導体パッケージ６０Ａは、半導体パッケージ６０と同様に、配線構造１１を有し、配線構造１２Ａの厚さＴ３Ａとソルダレジスト層１３の厚さＴ４とを略同じ厚さに設定している。これにより、半導体パッケージ６０Ａの反りを低減することができるため、半導体パッケージ６０Ａを平坦な状態に保持することができる。したがって、その半導体パッケージ６０Ａに配線基板８０を容易に積層接合させることができる。
【０１５０】
次に、図１７に示す工程では、半導体パッケージ６０Ａと配線基板８０との間の空間、具体的には、絶縁層５７とソルダレジスト層８５との間の空間を充填するように封止樹脂６３を形成する。この封止樹脂６３によって、半導体パッケージ６０Ａと配線基板８０とが強固に固定される。例えば、封止樹脂６３の材料として熱硬化性を有したモールド樹脂を用いる場合には、図１６に示した構造体を金型内に圧力（例えば、５〜１０ＭＰａ）を印加し、流動化したモールド樹脂を導入する。その後、モールド樹脂を加熱（加熱温度は、例えば１８０℃）して硬化させることで、封止樹脂６３を形成する。なお、モールド樹脂を充填する方法としては、例えば、トランスファーモールド法、コンプレッションモールド法やインジェクションモールド法などの方法を用いることができる。
【０１５１】
続いて、図１８に示す工程では、配線基板８０のパッドＰ５上に、半導体チップ９０のバンプ９１をフリップチップ接合する。その後、フリップチップ接合された半導体チップ９０と配線基板８０との間に、アンダーフィル樹脂９２を充填し、そのアンダーフィル樹脂９２を硬化する。
【０１５２】
以上の製造工程により、半導体パッケージ６２が製造され、その半導体パッケージ６２が半導体パッケージ６０Ａ上に積層接合されたことになる。
その後、半導体パッケージ６０Ａの外部接続用パッドＰ２上に外部接続端子７６（図１２参照）を形成する。以上の製造工程により、図１２に示した半導体装置６１を製造することができる。
【０１５３】
以上説明した実施形態によれば、第１実施形態の（１）〜（８）の効果に加えて以下の効果を奏することができる。
（９）半導体装置６１では、半導体パッケージ６０Ａ上に半導体パッケージ６２を積層するようにした。この半導体パッケージ６２により半導体装置６１全体の厚さが厚くなるため、半導体装置６１の剛性を高めることができる。これにより、半導体装置６１の反りを低減することができる。
【０１５４】
（１０）半導体パッケージ６０Ａと半導体パッケージ６２との間に封止樹脂６３を形成するようにした。これにより、封止樹脂６３を設けない場合に比べて、半導体装置６１全体の剛性を高めることができるため、半導体装置６１の反りを低減することができる。
【０１５５】
（１１）配線基板１０Ａの最上層に、凸状のパッドＰ１と凹状の接続パッドＰ３との構造の異なる２種類のパッドを形成するようにした。半導体チップ７０との接続用に凸状のパッドＰ１を設けたことにより、半導体チップ７０の接続端子７１の狭ピッチ化に容易に対応することができる。その一方で、半導体パッケージ６２との接続用に凹状の接続パッドＰ３を設けたことにより、半導体装置６１の全体的な厚さを薄型化することができる。
【０１５６】
（１２）配線構造１２Ａの厚さＴ３Ａと、ソルダレジスト層１３の厚さＴ４と、ソルダレジスト層８５の厚さＴ５と、ソルダレジスト層８６の厚さＴ６とを全て同じ厚さに設定した。ソルダレジスト層８５の厚さＴ５とソルダレジスト層８６の厚さＴ６とを同じ厚さに設定したことにより、配線基板８０を上下方向に見たときのコア基板８１を中心とした剛性の分布を上下対称に近づけることができる。さらに、それらソルダレジスト層８５の厚さＴ５，Ｔ６とソルダレジスト層１３の厚さＴ４とを同じ厚さに設定することにより、配線基板８０における剛性の分布を、配線基板１０Ａにおける剛性の分布に近づけることができる。これらにより、半導体装置６１を上下方向に見たときの封止樹脂６３を中心とした上下の剛性のバランスが良好となるため、半導体装置６１に反りやうねりが発生することを好適に抑制することができる。
【０１５７】
なお、上記第２実施形態は、これを適宜変更した以下の態様にて実施することもできる。
・図１９に示すように、配線基板１０Ａ上に複数の半導体チップ７０を実装するようにしてもよい。この場合には、例えば、ロジックチップとメモリチップとを組み合わせて配線基板１０Ａに搭載するようにしてもよい。例えば、配線基板１０ＡにＣＰＵチップとＤＲＡＭチップとを搭載するようにしてもよいし、配線基板１０ＡにＧＰＵチップとＤＲＡＭチップとを搭載するようにしてもよい。
【０１５８】
・図２０に示すように、上記第２実施形態及び上記変形例における封止樹脂６３を省略してもよい。
・上記第２実施形態及び上記各変形例の配線基板８０において、最外層の配線層８３，８４よりも内層の構造については特に限定されない。すなあち、配線基板８０は、少なくとも、最外層の配線層８３，８４が基板内部を通じて相互に電気的に接続された構造を有していれば十分であるため、最外層の配線層８３，８４よりも内層の構造については特に限定されない。例えば、コア基板８１の構造及び材質は特に限定されない。また、コア基板８１の上面８１Ａ及び下面８１Ｂに、所要数の配線層と絶縁層とを積層するようにしてもよい。あるいは、配線基板８０を、コア基板８１を含まないコアレス基板としてもよい。
【０１５９】
・上記第２実施形態及び上記各変形例では、はんだボール６４の導電性コアボールとして銅コアボール６４Ａを用いるようにした。これに限らず、銅コアボール６４Ａの代わりに、例えば、金やニッケル等の銅以外の金属により形成された導電性コアボールを用いるようにしてもよいし、樹脂により形成された樹脂コアボールを用いるようにしてもよい。あるいは、はんだボール６４の代わりに、導電性コアボールや樹脂コアボールを省略した、はんだボールを用いるようにしてもよい。
【０１６０】
・上記第２実施形態及び上記各変形例では、半導体パッケージ６０Ａ（配線基板１０Ａ）と半導体パッケージ６２（配線基板８０）とを接続する接続端子としてはんだボール６４を用いるようにした。これに限らず、例えば、柱状の接続端子である金属ポストや、スプリング性を有した接続端子（スプリング接続端子）等を、半導体パッケージ６０Ａ（配線基板１０Ａ）と半導体パッケージ６２（配線基板８０）とを接続する接続端子として用いるようにしてもよい。
【０１６１】
・上記第２実施形態及び上記各変形例では、半導体パッケージ６０Ａ上に、半導体パッケージ６２を積層接合するようにした。具体的には、半導体パッケージ６０Ａに形成された凹状の接続パッドＰ３に接合されたはんだボール６４を介して、半導体パッケージ６２を半導体パッケージ６０Ａ上に積層接合するようにした。
【０１６２】
これに限らず、例えば図２１に示すように、半導体パッケージ６０Ａに、半導体チップ７０とは別の半導体チップ９３を実装するようにしてもよい。例えば、半導体パッケージ６０Ａの上面に半導体チップ９３をフリップチップ実装するようにしてもよい。この場合には、半導体チップ９３の回路形成面（ここでは、下面）に配設されたバンプ９４を接続パッドＰ３に接合することにより、半導体チップ９３は、バンプ９４を介して配線層５８と電気的に接続される。
【０１６３】
なお、半導体チップ９３としては、ＣＰＵやＧＰＵなどのロジックチップ、ＤＲＡＭチップやＳＲＡＭチップなどのメモリチップを用いることができる。また、バンプ９４としては、例えば、金バンプやはんだバンプを用いることができる。はんだバンプの材料としては、例えば、Ｐｂを含む合金、ＳｎとＡｕの合金、ＳｎとＣｕの合金、ＳｎとＡｇの合金、ＳｎとＡｇとＣｕの合金等を用いることができる。
【０１６４】
・上記第２実施形態及び上記各変形例における凹状の接続パッドＰ３を凸状の接続パッドに変更してもよい。
（第３実施形態）
以下、図２２に従って第３実施形態を説明する。先の図１〜図２１に示した部材と同一の部材にはそれぞれ同一の符号を付して示し、それら各要素についての詳細な説明は省略する。
【０１６５】
上記各実施形態及び上記各変形例では、コア基板２０の上面２０Ａに１層の絶縁層４１（第１絶縁層）を形成し、コア基板２０の下面２０Ｂに１層の絶縁層３１（第２絶縁層）を形成するようにした。これに限らず、コア基板２０の上面２０Ａ及び下面２０Ｂにそれぞれ形成される、補強材入りの絶縁層の層数を２層以上に設定してもよい。本実施形態では、補強材入りの絶縁層の層数を２層とした場合の一例について説明する。
【０１６６】
例えば、図２２に示すように、コア基板２０の下面２０Ｂに、２層の補強材入りの絶縁層３１，３４（第２絶縁層）を積層し、コア基板２０の上面２０Ａに、２層の補強材入りの絶縁層４１，４５（第１絶縁層）を積層するようにしてもよい。これらコア基板２０及び絶縁層３１，３４，４１，４５を有する配線構造１１の構造について以下に説明する。
【０１６７】
絶縁層３４，４５の材料としては、絶縁層３１，４１と同様に、例えば熱硬化性樹脂に対し、補強材を入れた絶縁性樹脂を用いることができる。例えば、絶縁層３４，４５の材料としては、補強材であるガラスクロス（ガラス織布）にエポキシ樹脂を主成分とする熱硬化性の絶縁性樹脂を含浸させ硬化させた、いわゆるガラスエポキシ樹脂を用いることができる。
【０１６８】
絶縁層３４は、配線層２２を被覆するように、コア基板２０の下面２０Ｂに積層されている。この絶縁層３４の厚さ方向の中心付近にはガラスクロス３４Ｇが設けられている。ガラスクロス３４Ｇは、ガラスクロス４１Ｇと同様の構造を有している。
【０１６９】
絶縁層３４には、その絶縁層３４を厚さ方向に貫通するビア配線３５が形成されている。絶縁層３４の下面には、ビア配線３５を介して配線層２２と電気的に接続される配線層３６が形成されている。また、絶縁層３４の下面には、配線層３６を被覆するように絶縁層３１が積層されている。上記第１実施形態と同様に、絶縁層３１にはビア配線３３が形成され、絶縁層３１の下面には最下層の配線層３２が形成されている。
【０１７０】
そして、複数層（ここでは、２層）の補強材入りの絶縁層３１，３４（第２絶縁層）のうち最下層の絶縁層３１の下面には、開口部１３Ｘを有するソルダレジスト層１３が形成されている。
【０１７１】
一方、絶縁層４５は、配線層２３を被覆するように、コア基板２０の上面２０Ａに積層されている。この絶縁層４５の厚さ方向の中心付近にはガラスクロス４５Ｇが設けられている。ガラスクロス４５Ｇは、ガラスクロス４１Ｇと同様の構造を有している。
【０１７２】
絶縁層４５には、その絶縁層４５を厚さ方向に貫通するビア配線４６が形成されている。絶縁層４５の上面には、ビア配線４６を介して配線層２３と電気的に接続される配線層４７が形成されている。また、絶縁層４５の上面には、配線層４７を被覆するように絶縁層４１が積層されている。上記第１実施形態と同様に、絶縁層４１にはビア配線４２が形成されている。
【０１７３】
そして、複数層（ここでは、２層）の補強材入りの絶縁層４１，４５（第１絶縁層）のうち最上層の絶縁層４１の上面４１Ａに、配線構造１２が積層されている。また、絶縁層４１内では、ガラスクロス４１Ｇがその絶縁層４１の厚さ方向の中心よりも上側に偏在している。
【０１７４】
以上説明した構造であっても、上記第１実施形態と同様の効果を奏することができる。なお、第２実施形態の配線基板１０Ａについても同様に変更することができる。
（他の実施形態）
なお、上記各実施形態は、これを適宜変更した以下の態様にて実施することもできる。
【０１７５】
・上記各実施形態及び上記各変形例では、ソルダレジスト層１３の厚さＴ４を、配線構造１２，１２Ａの厚さＴ３，Ｔ３Ａと等しい、又は厚さＴ３，Ｔ３Ａよりも厚く設定するようにした。これに限らず、例えば、ソルダレジスト層１３の厚さＴ４を、配線構造１２の厚さＴ３，Ｔ３Ａよりも薄く設定するようにしてもよい。
【０１７６】
・上記各実施形態及び上記各変形例では、絶縁層４１を絶縁層３１よりも薄く形成するようにした。これに限らず、例えば、絶縁層４１の厚さを絶縁層３１と同じ厚さに設定してもよい。
【０１７７】
・上記各実施形態及び上記各変形例では、ビア配線４２の上端面４２Ａを絶縁層４１の上面４１Ａと面一になるように形成した。これに限らず、例えば、ビア配線４２の上端面４２Ａを、絶縁層４１の上面４１Ａよりも下方に凹むように形成してもよい。また、ビア配線４２の上端面４２Ａを、絶縁層４１の上面４１Ａよりも上方に突出するように形成してもよい。
【０１７８】
・上記各実施形態及び上記各変形例では、配線基板１０，１０Ａに半導体チップ７０を実装するようにした。また、上記第２実施形態では、配線基板８０に半導体チップ９０を実装するようにした。また、図２１に示した変形例では、配線基板１０Ａに半導体チップ９３を実装するようにした。これに限らず、例えば、半導体チップ７０，９０，９３の代わりに、チップコンデンサ、チップ抵抗やチップインダクタ等のチップ部品や水晶振動子などの電子部品を配線基板１０，１０Ａに実装するようにしてもよい。
【０１７９】
・また、半導体チップ７０，９０，９３、チップ部品及び水晶振動子などの電子部品の実装の形態（例えば、フリップチップ実装、ワイヤボンディング実装、はんだ実装又はこれらの組み合わせ）などは様々に変形・変更することが可能である。
【０１８０】
・上記各実施形態及び上記各変形例の配線構造１１における配線層２２，２３，３２，３６，４７、ビア配線３５，３３，４２，４６及び絶縁層３１，３４，４１，４５の層数や配線の取り回しなどは様々に変形・変更することが可能である。
【０１８１】
・上記各実施形態及び上記各変形例では、コア基板２０の貫通孔２０Ｘを充填する貫通電極２１を介して配線層２２，２３を相互に電気的に接続するようにした。これに限らず、例えば、貫通孔２０Ｘの内壁に設けられたスルーホールめっき層（貫通電極）を介して配線層２２，２３を相互に電気的に接続するようにしてもよい。この場合、スルーホールめっき層よりも内側に形成された貫通孔２０Ｘの孔を樹脂で充填するようにしてもよい。
【０１８２】
・上記各実施形態及び上記各変形例の配線構造１２における配線層５２，５４，５６，５８及び絶縁層５１，５３，５５，５７の層数や配線の取り回しなどは様々に変形・変更することが可能である。
【０１８３】
（反りのシミュレーション）
［実施例１］
図１に示した配線基板１０と同様の構造を有する配線基板（以下、「配線基板Ａ」とする）について、反りのシミュレーションを実行した。具体的には、配線基板Ａの平面形状は、２１ｍｍ×１５ｍｍの矩形状とした。また、コア基板２０の厚さを４１０μｍ、配線層２２，２３の厚さを３５μｍ、配線層２２上に形成された絶縁層３１の厚さを４０μｍ、配線層５０の厚さを２μｍ、配線層５０上に形成された絶縁層５１の厚さを３μｍ、絶縁層５１上に形成された配線層５２の厚さを２μｍとした。配線層５２上に形成された絶縁層５３の厚さを３μｍ、パッドＰ１の厚さを１０μｍとし、ソルダレジスト層１３の厚さを２５μｍとした。そして、このような配線基板Ａにおいて、絶縁層４１の削り量を０μｍ、２．５μｍ、５μｍ、７．５μｍ（つまり、絶縁層４１の厚さを４０μｍ、３７．５μｍ、３５μｍ、３２．５μｍ）に変えた場合の反りのシミュレーションを実行した。なお、比較例として、絶縁層４１を補強材の入っていない絶縁層に変更し、その絶縁層の厚さを４０μｍとした場合の反りのシミュレーションも実行した。
【０１８４】
シミュレーション結果を図２３に示す。図２３に示すように、絶縁層４１に補強材（ガラスクロス４１Ｇ）を入れたことにより、配線基板Ａの反り量が低減されることが確認された。さらに、絶縁層４１を研磨により削ることで、配線基板Ａの反り量が低減されることが確認された。また、絶縁層４１の削り量が所定値（ここでは、５μｍ）以下の場合には、配線構造１２側が凹に反る傾向があり、絶縁層４１の削り量が所定値よりも大きい場合には、配線構造１２側が凸に反る傾向があることが確認された。
【０１８５】
以上の結果から、上下非対称構造である配線基板Ａであっても、補強材入りの絶縁層４１を削ることにより、配線基板Ａの反り量を低減できることが分かる。これは、絶縁層４１の研磨によって絶縁層４１が薄くなることにより、配線基板Ａを上下方向に見たときのコア基板２０を中心とした剛性の分布が上下対称に近づくためと考えられる。このことから、絶縁層４１の削り量（絶縁層４１の厚さ）を調整することにより、配線基板Ａを上下方向に見たときのコア基板２０を中心とした剛性の分布を上下対称に近づけることができ、配線基板Ａの反り量を低減できることが分かる。
【０１８６】
［実施例２］
図１１に示した配線基板１０Ａと同様の構造を有する配線基板（以下、「配線基板Ｂ」とする）について、反りのシミュレーションを実行した。具体的には、配線基板Ｂの平面形状は４０ｍｍ×４０ｍｍの矩形状とした。そして、配線構造１２Ａの厚さＴ３Ａを１５μｍに固定し、ソルダレジスト層１３の厚さＴ４を１０μｍ、１５μｍ、２０μｍ、２５μｍ、３０μｍ、４０μｍに変えた場合の配線基板Ｂの反りのシミュレーションを実行した。なお、配線構造１１の厚さも固定であり、コア基板２０の厚さを２００μｍとした。
【０１８７】
シミュレーション結果を図２４に示す。図２４に示すように、ソルダレジスト層１３の厚さＴ４に対する配線構造１２Ａの厚さＴ３Ａの比率Ｔ３Ａ／Ｔ４が所定値（ここでは、１）に近くなると配線基板Ｂの反り量が低減されることが確認された。また、比率Ｔ３Ａ／Ｔ４が所定値よりも大きい場合には配線構造１２Ａ側が凸に反る傾向があり、比率Ｔ３Ａ／Ｔ４が所定値よりも小さい場合には配線構造１２Ａ側が凹に反る傾向があることが確認された。
【０１８８】
以上の結果から、ソルダレジスト層１３の厚さＴ４を、配線構造１２Ａの厚さＴ３Ａと等しい厚さに設定することにより、配線基板Ｂの反り量を最も低減できることが分かる。また、配線基板Ｂにおいてコア基板２０を薄くした場合には、比率Ｔ３Ａ／Ｔ４が１に近くなると反り量が改善される傾向にあるが、比率Ｔ３Ａ／Ｔ４が１より大きくなっても小さくなっても反り量が悪化する傾向にあることが分かる。
【符号の説明】
【０１８９】
１０，１０Ａ  配線基板
１１  配線構造（第１配線構造）
１２、１２Ａ  配線構造（第２配線構造）
１３  ソルダレジスト層（最外絶縁層）
２０  コア基板
２２，２３  配線層
３１，３４  絶縁層（第２絶縁層）
３１Ｇ，３４Ｇ  ガラスクロス（第２補強材）
３２，３６  配線層
４１，４５  絶縁層（第１絶縁層）
４１Ａ  上面
４１Ｇ，４５Ｇ  ガラスクロス（第１補強材）
４１Ｘ  貫通孔
４２  ビア配線
４２Ａ  上端面
４３  樹脂層（第１樹脂層）
４４  樹脂層（第２樹脂層）
４７  配線層
５０  配線層（第１配線層）
５０Ａ  シード層
５０Ｂ  金属層（第１配線層）
５１，５３，５５，５７  絶縁層
５２，５６  配線層
５４  配線層（最上層の配線層）
６０  半導体パッケージ
６０Ａ  半導体パッケージ（第１半導体パッケージ）
６１  半導体装置
６２  半導体パッケージ（第２半導体パッケージ）
６３  封止樹脂
６４  はんだボール（接続端子）
７０  半導体チップ
１００  導電層
【図１】
2015122386.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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【手続補正書】
【提出日】平成26年6月16日(2014.6.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
コア基板と、前記コア基板の上面に積層された、第１補強材入りの熱硬化性の絶縁性樹脂からなる第１絶縁層と、前記コア基板の下面に積層された、第２補強材入りの熱硬化性の絶縁性樹脂からなる第２絶縁層と、前記第１絶縁層に形成されたビア配線と、を有する第１配線構造と、
感光性樹脂を主成分とする絶縁層と該絶縁層に形成された配線層とを有し、前記第１絶縁層の上面に積層された第２配線構造と、
前記第２絶縁層の下面に積層された、感光性樹脂を主成分とする最外絶縁層と、を有し、
前記第２配線構造は、前記第１絶縁層の上面及び前記ビア配線の上端面に形成された第１配線層を有し、
前記第２配線構造の配線密度は、前記第１配線構造の配線密度よりも高いことを特徴とする配線基板。
【請求項２】
前記ビア配線は、前記第１絶縁層を厚さ方向に貫通する貫通孔内を充填するように形成されるとともに、前記上端面が前記第１絶縁層の上面と面一になるように形成され、
前記第１配線層は、前記ビア配線の上端面とシード層を介して接続され、
前記第１絶縁層の上面及び前記ビア配線の上端面は研磨面であることを特徴とする請求項１に記載の配線基板。
【請求項３】
前記第１絶縁層の厚さは、前記第２絶縁層よりも薄く設定され、
前記第２配線構造を構成する前記絶縁層及び前記配線層は複数層からなることを特徴とする請求項１又は２に記載の配線基板。
【請求項４】
前記第１補強材が、前記第１絶縁層の厚さ方向の中心よりも上側に偏在していることを特徴とする請求項１〜３のいずれか一項に記載の配線基板。
【請求項５】
前記第１絶縁層は、前記第１補強材と、前記第１補強材の上面を被覆する第１樹脂層と、前記第１補強材の下面を被覆する第２樹脂層とからなり、
前記第１樹脂層は、前記第２樹脂層よりも薄く設定され、
前記第１補強材は、前記第１絶縁層と前記第２配線構造とを合わせた厚さの中心付近に配設されていることを特徴とする請求項１〜４のいずれか一項に記載の配線基板。
【請求項６】
前記第２補強材は、前記第２絶縁層の厚さ方向の中心に設けられていることを特徴とする請求項１〜５のいずれか一項に記載の配線基板。
【請求項７】
前記最外絶縁層の厚さは、前記第２配線構造内の全ての絶縁層を合わせた厚さと等しい、又は前記第２配線構造内の全ての絶縁層を合わせた厚さよりも厚く設定されていることを特徴とする請求項１〜６のいずれか一項に記載の配線基板。
【請求項８】
コア基板と、前記コア基板の上面に積層された、第１補強材入りの熱硬化性の絶縁性樹脂からなる複数層の第１絶縁層と、前記コア基板の下面に積層された、第２補強材入りの熱硬化性の絶縁性樹脂からなる複数層の第２絶縁層と、を有する第１配線構造と、
感光性樹脂を主成分とする絶縁層と該絶縁層に形成された配線層とを複数層有し、前記複数層の第１絶縁層のうち最上層の第１絶縁層の上面に積層された第２配線構造と、
前記複数層の第２絶縁層のうち最下層の第２絶縁層の下面に積層された、感光性樹脂を主成分とする最外絶縁層と、を有し、
前記第２配線構造は、前記最上層の第１絶縁層の上面と、前記最上層の第１絶縁層に形成されたビア配線の上端面とに形成された第１配線層を有し、
前記第２配線構造の配線密度は、前記第１配線構造の配線密度よりも高いことを特徴とする配線基板。
【請求項９】
請求項１〜８のいずれか一項に記載の配線基板と、前記第２配線構造の最上層の配線層にフリップチップ実装された半導体チップとを有する第１半導体パッケージと、
前記第１半導体パッケージ上に接続端子を介して積層された第２半導体パッケージと、
前記第１半導体パッケージと前記第２半導体パッケージとの間の空間を充填する封止樹脂と、
を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項１０】
コア基板を準備する工程と、
前記コア基板の上面に、第１補強材入りの熱硬化性の絶縁性樹脂からなる第１絶縁層を積層するとともに、前記コア基板の下面に、第２補強材入りの熱硬化性の絶縁性樹脂からなる第２絶縁層を積層する工程と、
前記第１絶縁層を厚さ方向に貫通する貫通孔を形成する工程と、
前記貫通孔を充填するとともに、前記第１絶縁層の上面を被覆する導電層を形成する工程と、
前記第１絶縁層の上面から突出した前記導電層と前記第１絶縁層の上面の一部とを研磨することにより、前記第１絶縁層の上面に露出する上端面を有するビア配線を前記貫通孔内に形成する工程と、
前記第１絶縁層の上面に、感光性樹脂を主成分とする絶縁層と配線層とを有する第２配線構造を積層する工程と、
前記第２絶縁層の下面に、感光性樹脂を主成分とする最外絶縁層を積層する工程と、
を有し、
前記第２配線構造を積層する工程は、前記第１絶縁層の上面及び前記ビア配線の上端面に第１配線層を形成する工程を有することを特徴とする配線基板の製造方法。
【請求項１１】
前記第１絶縁層及び前記第２絶縁層を積層する工程では、前記コア基板の上面に前記第１絶縁層を積層するとともに、前記コア基板の下面に前記第１絶縁層と同じ厚さの前記第２絶縁層を積層し、
前記第１絶縁層を研磨する工程では、前記第１補強材の上面を被覆する第１樹脂層が前記第１補強材の下面を被覆する第２樹脂層よりも薄くなるように、前記第１樹脂層を薄化することを特徴とする請求項１０に記載の配線基板の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
本発明の一観点によれば、コア基板と、前記コア基板の上面に積層された、第１補強材入りの熱硬化性の絶縁性樹脂からなる第１絶縁層と、前記コア基板の下面に積層された、第２補強材入りの熱硬化性の絶縁性樹脂からなる第２絶縁層と、前記第１絶縁層に形成されたビア配線と、を有する第１配線構造と、感光性樹脂を主成分とする絶縁層と該絶縁層に形成された配線層とを有し、前記第１絶縁層の上面に積層された第２配線構造と、前記第２絶縁層の下面に積層された、感光性樹脂を主成分とする最外絶縁層と、を有し、前記第２配線構造は、前記第１絶縁層の上面及び前記ビア配線の上端面に形成された第１配線層を有し、前記第２配線構造の配線密度は、前記第１配線構造の配線密度よりも高い。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
本発明の一観点によれば、コア基板を準備する工程と、前記コア基板の上面に、第１補強材入りの熱硬化性の絶縁性樹脂からなる第１絶縁層を積層するとともに、前記コア基板の下面に、第２補強材入りの熱硬化性の絶縁性樹脂からなる第２絶縁層を積層する工程と、前記第１絶縁層を厚さ方向に貫通する貫通孔を形成する工程と、前記貫通孔を充填するとともに、前記第１絶縁層の上面を被覆する導電層を形成する工程と、前記第１絶縁層の上面から突出した前記導電層と前記第１絶縁層の上面の一部とを研磨することにより、前記第１絶縁層の上面に露出する上端面を有するビア配線を前記貫通孔内に形成する工程と、前記第１絶縁層の上面に、感光性樹脂を主成分とする絶縁層と配線層とを有する第２配線構造を積層する工程と、前記第２絶縁層の下面に、感光性樹脂を主成分とする最外絶縁層を積層する工程と、を有し、前記第２配線構造を積層する工程は、前記第１絶縁層の上面及び前記ビア配線の上端面に第１配線層を形成する工程を有する。
【手続補正書】
【提出日】平成26年9月1日(2014.9.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
コア基板と、前記コア基板の上面に積層された、第１補強材入りの熱硬化性の絶縁性樹脂からなる第１絶縁層と、前記コア基板の下面に積層された、第２補強材入りの熱硬化性の絶縁性樹脂からなる第２絶縁層と、前記第１絶縁層に形成されたビア配線と、を有する第１配線構造と、
感光性樹脂を主成分とする絶縁層と該絶縁層に形成された配線層とを複数層有し、前記第１絶縁層の上面に積層された第２配線構造と、
前記第２絶縁層の下面に積層された、感光性樹脂を主成分とする最外絶縁層と、を有し、
前記第１絶縁層の上面及び前記ビア配線の上端面に形成された第１配線層は、前記第２配線構造に属し、
前記第２配線構造の配線密度は、前記第１配線構造の配線密度よりも高く、
前記第１絶縁層の上面及び前記ビア配線の上端面は研磨面であり、
前記第１補強材は、前記第１絶縁層の厚さ方向の中心よりも前記研磨面側に偏在しており、
前記第２配線構造の最上層の配線層は、半導体チップと接続されるパッドを有し、
前記最外絶縁層は、前記第２絶縁層の下面に積層された配線層の一部を外部接続用パッドとして露出させる開口部を有していることを特徴とする配線基板。
【請求項２】
コア基板と、前記コア基板の上面に積層された、第１補強材入りの熱硬化性の絶縁性樹脂からなる第１絶縁層と、前記コア基板の下面に積層された、第２補強材入りの熱硬化性の絶縁性樹脂からなる第２絶縁層と、前記第１絶縁層に形成されたビア配線と、を有する第１配線構造と、
感光性樹脂を主成分とする絶縁層と該絶縁層に形成された配線層とを複数層有し、前記第１絶縁層の上面に積層された第２配線構造と、
前記第２絶縁層の下面に積層された、感光性樹脂を主成分とする最外絶縁層と、を有し、
前記第１絶縁層の上面及び前記ビア配線の上端面に形成された第１配線層は、前記第２配線構造に属し、
前記第２配線構造の配線密度は、前記第１配線構造の配線密度よりも高く、
前記第２配線構造の最上層の配線層は、半導体チップと接続されるパッドを有し、
前記最外絶縁層は、前記第２絶縁層の下面に積層された配線層の一部を外部接続用パッドとして露出させる開口部を有していることを特徴とする配線基板。
【請求項３】
前記ビア配線は、前記第１絶縁層を厚さ方向に貫通する貫通孔内を充填するように形成されるとともに、前記上端面が前記第１絶縁層の上面と面一になるように形成され、
前記第１配線層は、前記ビア配線の上端面とシード層を介して接続され、
前記第１絶縁層の上面及び前記ビア配線の上端面は研磨面であることを特徴とする請求項２に記載の配線基板。
【請求項４】
前記ビア配線は、前記第１絶縁層を厚さ方向に貫通する貫通孔内を充填するように形成されるとともに、前記上端面が前記第１絶縁層の上面と面一になるように形成され、
前記第１配線層は、前記ビア配線の上端面とシード層を介して接続されていることを特徴とする請求項１に記載の配線基板。
【請求項５】
前記第１絶縁層の厚さは、前記第２絶縁層よりも薄く設定されていることを特徴とする請求項１〜４のいずれか一項に記載の配線基板。
【請求項６】
前記第２配線構造を構成する絶縁層の上面は、前記第１絶縁層の上面よりも表面粗度が低いことを特徴とする請求項１〜５のいずれか一項に記載の配線基板。
【請求項７】
前記第１絶縁層は、前記第１補強材と、前記第１補強材の上面を被覆する第１樹脂層と、前記第１補強材の下面を被覆する第２樹脂層とからなり、
前記第１樹脂層は、前記第２樹脂層よりも薄く設定され、
前記第１補強材は、前記第１絶縁層と前記第２配線構造とを合わせた厚さの中心付近に
配設されていることを特徴とする請求項１〜６のいずれか一項に記載の配線基板。
【請求項８】
前記第２補強材は、前記第２絶縁層の厚さ方向の中心に設けられていることを特徴とする請求項１〜７のいずれか一項に記載の配線基板。
【請求項９】
前記最外絶縁層の厚さは、前記第２配線構造内の全ての絶縁層を合わせた厚さと等しい、又は前記第２配線構造内の全ての絶縁層を合わせた厚さよりも厚く設定されていることを特徴とする請求項１〜８のいずれか一項に記載の配線基板。
【請求項１０】
コア基板と、前記コア基板の上面に積層された、第１補強材入りの熱硬化性の絶縁性樹脂からなる複数層の第１絶縁層と、前記コア基板の下面に積層された、第２補強材入りの熱硬化性の絶縁性樹脂からなる複数層の第２絶縁層と、を有する第１配線構造と、
感光性樹脂を主成分とする絶縁層と該絶縁層に形成された配線層とを複数層有し、前記複数層の第１絶縁層のうち最上層の第１絶縁層の上面に積層された第２配線構造と、
前記複数層の第２絶縁層のうち最下層の第２絶縁層の下面に積層された、感光性樹脂を主成分とする最外絶縁層と、を有し、
前記最上層の第１絶縁層の上面と、前記最上層の第１絶縁層に形成されたビア配線の上端面とに形成された第１配線層は、前記第２配線構造に属し、
前記第２配線構造の配線密度は、前記第１配線構造の配線密度よりも高く、
前記最上層の第１絶縁層の上面及び前記ビア配線の上端面は研磨面であり、
前記最上層の第１絶縁層に含まれる前記第１補強材は、前記最上層の第１絶縁層の厚さ方向の中心よりも前記研磨面側に偏在しており、
前記第２配線構造の最上層の配線層は、半導体チップと接続されるパッドを有していることを特徴とする配線基板。
【請求項１１】
コア基板と、前記コア基板の上面に積層された、第１補強材入りの熱硬化性の絶縁性樹脂からなる複数層の第１絶縁層と、前記コア基板の下面に積層された、第２補強材入りの熱硬化性の絶縁性樹脂からなる複数層の第２絶縁層と、を有する第１配線構造と、
感光性樹脂を主成分とする絶縁層と該絶縁層に形成された配線層とを複数層有し、前記複数層の第１絶縁層のうち最上層の第１絶縁層の上面に積層された第２配線構造と、
前記複数層の第２絶縁層のうち最下層の第２絶縁層の下面に積層された、感光性樹脂を主成分とする最外絶縁層と、を有し、
前記最上層の第１絶縁層の上面と、前記最上層の第１絶縁層に形成されたビア配線の上端面とに形成された第１配線層は、前記第２配線構造に属し、
前記第２配線構造の配線密度は、前記第１配線構造の配線密度よりも高く、
前記第２配線構造の最上層の配線層は、半導体チップと接続されるパッドを有していることを特徴とする配線基板。
【請求項１２】
前記ビア配線は、前記最上層の第１絶縁層を厚さ方向に貫通する貫通孔内を充填するように形成されるとともに、前記上端面が前記最上層の第１絶縁層の上面と面一になるように形成され、
前記第１配線層は、前記ビア配線の上端面とシード層を介して接続され、
前記最上層の第１絶縁層の上面及び前記ビア配線の上端面は研磨面であることを特徴とする請求項１１に記載の配線基板。
【請求項１３】
前記最上層の第１絶縁層は、前記第１補強材と、前記第１補強材の上面を被覆する第１樹脂層と、前記第１補強材の下面を被覆する第２樹脂層とからなり、
前記第１樹脂層は、前記第２樹脂層よりも薄く設定されていることを特徴とする請求項１０〜１２のいずれか一項に記載の配線基板。
【請求項１４】
前記第１配線構造を中心として上下非対称の構造を有していることを特徴とする請求項１〜１３のいずれか一項に記載の配線基板。
【請求項１５】
請求項１〜１４のいずれか一項に記載の配線基板と、前記パッドにフリップチップ実装された半導体チップとを有する第１半導体パッケージと、
前記第１半導体パッケージ上に接続端子を介して積層された第２半導体パッケージと、
前記第１半導体パッケージと前記第２半導体パッケージとの間の空間を充填する封止樹脂と、
を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項１６】
コア基板を準備する工程と、
前記コア基板の上面に、第１補強材入りの熱硬化性の絶縁性樹脂からなる第１絶縁層を積層するとともに、前記コア基板の下面に、第２補強材入りの熱硬化性の絶縁性樹脂からなり、前記第１絶縁層と同じ厚さの第２絶縁層を積層する工程と、
前記第１絶縁層を厚さ方向に貫通する貫通孔を形成する工程と、
前記貫通孔を充填するとともに、前記第１絶縁層の上面を被覆する導電層を形成する工程と、
前記第１絶縁層の上面から突出した前記導電層と前記第１絶縁層の上面の一部とを研磨することにより、前記第１絶縁層の上面に露出する上端面を有するビア配線を前記貫通孔内に形成する工程と、を含み、第１配線構造を形成する工程と、
前記第１絶縁層の上面に、感光性樹脂を主成分とする絶縁層と配線層とを複数層有する第２配線構造を積層する工程と、
前記第２絶縁層の下面に、感光性樹脂を主成分とする最外絶縁層を積層する工程と、
を有し、
前記第２配線構造を積層する工程は、
前記第１絶縁層の上面及び前記ビア配線の上端面に、前記第１配線構造よりも配線密度の高い前記第２配線構造に属する第１配線層を形成する工程と、
前記第２配線構造の最上層に、半導体チップと接続されるパッドを有する配線層を形成する工程と、を有し、
前記第１絶縁層を研磨する工程では、前記第１補強材が前記第１絶縁層の厚さ方向の中心よりも前記研磨された上面側に偏在するように、前記第１絶縁層を薄化することを特徴とする配線基板の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
本発明の一観点によれば、コア基板と、前記コア基板の上面に積層された、第１補強材入りの熱硬化性の絶縁性樹脂からなる第１絶縁層と、前記コア基板の下面に積層された、第２補強材入りの熱硬化性の絶縁性樹脂からなる第２絶縁層と、前記第１絶縁層に形成されたビア配線と、を有する第１配線構造と、感光性樹脂を主成分とする絶縁層と該絶縁層に形成された配線層とを複数層有し、前記第１絶縁層の上面に積層された第２配線構造と、前記第２絶縁層の下面に積層された、感光性樹脂を主成分とする最外絶縁層と、を有し、前記第１絶縁層の上面及び前記ビア配線の上端面に形成された第１配線層は、前記第２配線構造に属し、前記第２配線構造の配線密度は、前記第１配線構造の配線密度よりも高く、前記第１絶縁層の上面及び前記ビア配線の上端面は研磨面であり、前記第１補強材は、前記第１絶縁層の厚さ方向の中心よりも前記研磨面側に偏在しており、前記第２配線構造の最上層の配線層は、半導体チップと接続されるパッドを有している。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
本発明の一観点によれば、コア基板を準備する工程と、前記コア基板の上面に、第１補強材入りの熱硬化性の絶縁性樹脂からなる第１絶縁層を積層するとともに、前記コア基板の下面に、第２補強材入りの熱硬化性の絶縁性樹脂からなり、前記第１絶縁層と同じ厚さの第２絶縁層を積層する工程と、前記第１絶縁層を厚さ方向に貫通する貫通孔を形成する工程と、前記貫通孔を充填するとともに、前記第１絶縁層の上面を被覆する導電層を形成する工程と、前記第１絶縁層の上面から突出した前記導電層と前記第１絶縁層の上面の一部とを研磨することにより、前記第１絶縁層の上面に露出する上端面を有するビア配線を前記貫通孔内に形成する工程と、を含み、第１配線構造を形成する工程と、前記第１絶縁層の上面に、感光性樹脂を主成分とする絶縁層と配線層とを複数層有する第２配線構造を積層する工程と、前記第２絶縁層の下面に、感光性樹脂を主成分とする最外絶縁層を積層する工程と、を有し、前記第２配線構造を積層する工程は、前記第１絶縁層の上面及び前記ビア配線の上端面に、前記第１配線構造よりも配線密度の高い前記第２配線構造に属する第１配線層を形成する工程と、前記第２配線構造の最上層に、半導体チップと接続されるパッドを有する配線層を形成する工程と、を有し、前記第１絶縁層を研磨する工程では、前記第１補強材が前記第１絶縁層の厚さ方向の中心よりも前記研磨された上面側に偏在するように、前記第１絶縁層を薄化する。