(57)【要約】【課題】高電圧を印加してはじめて発生する不良箇所を特定するために検査対象に高電圧を印加すると、不良箇所近傍が破壊され、不良箇所を特定できないようことがあった。また、適当な高電圧を印加するパルス発生源がなかったので、検査対象を破壊してしまう場合があった。【解決手段】１０００Ｖ以上のパルス高さで１ｍｓｅｃ以下のパルス幅のパルスを複数発生するパルス発生ユニットと赤外線検出器とロックイン制御ユニットからの信号と同期させて動作させる。【選択図】  図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体素子を載せるステージと、
前記半導体素子の上部に接触可能に設けられたプローブと、
前記プローブまたは前記ステージにパルス電圧を印加でき、前記ステージおよび前記プローブと電気的に接続されたパルス発生器と、
前記半導体素子から発せられる赤外線の分布を検知する赤外線検出装置とを備え、
前記パルス発生器は、１０００Ｖ以上のパルス高さで１ｍｓｅｃ以下のパルス幅のパルスを複数発生し、
前記赤外線検出装置からの信号から前記パルス発生器と同期した成分が抽出されることを特徴とする半導体素子発熱解析装置。
【請求項２】
前記パルス発生器のパルス発生パターンは、パルスを連続的印加するパルス発生期間とパルスを発生させない休止期間とを周期的に繰り返すパターンであることを特徴とする請求項１に記載の半導体素子発熱解析装置。
【請求項３】
前記パルス発生器は、直流電源と、コンデンサと、パルス発生部からの信号によってオン／オフする２つのスイッチング素子とを備えたことを特徴とする請求項１または２に記載の半導体素子発熱解析装置。
【請求項４】
前記パルス発生部は、パルスジェネレータと、前記パルスジェネレータから出力されるパルスに応じて時間が少しずれた２つのパルスを発生するダブルパルス発生器と、前記ダブルパルス発生器の出力を光信号に変換する光変換器と、前記光変換器からの光信号をゲート駆動信号に変換するゲートドライバとを備えることを特徴とする請求項３に記載の半導体素子発熱解析装置。
【請求項５】
前記パルスは、電圧が１×１０18Ｖ／ｓｅｃ以上の変化率で変化することを特徴とする請求項１乃至４のいずれか１項に記載の半導体素子発熱解析装置。
【請求項６】
ステージに載せた半導体素子にプローブを接触させる工程と、
前記ステージにパルス発生器を電気的に接続する工程と、
前記ステージに前記パルス発生器で発生した１０００Ｖ以上のパルス高さで１ｍｓｅｃ以下のパルス幅の複数のパルスを印加する工程と、
前記半導体素子から発せられる赤外線の分布を赤外線検出装置で検知する工程と、
前記赤外線検出装置からの信号から前記パルス発生器と同期した成分を抽出する工程と
を備えたことを特徴とする半導体素子発熱解析方法。
【請求項７】
前記パルスは、印加電圧Ｖ、電流値Ｉ、パルスの印加デューティー比ＤがＩ×Ｖ×Ｄ≧１ｍＷの関係を満たすことを特徴とする請求項６に記載の半導体素子発熱解析方法。
【請求項８】
前記プローブは、前記半導体素子の端部を非導電性物質で囲んだ内側に当てられることを特徴とする請求項６に記載の半導体素子発熱解析方法。
【請求項９】
ステージに載せた半導体素子にプローブを接触させる工程と、
前記半導体素子の表面に有機膜を形成する工程と、
前記ステージにパルス発生器を電気的に接続する工程と、
前記ステージに前記パルス発生器で発生した複数のパルスを印加する工程と、
前記半導体素子から発せられる赤外線の分布を赤外線検出装置で検知する工程と、
前記赤外線検出装置からの信号から前記パルス発生器と同期した成分を抽出する工程と
を備えたことを特徴とする半導体素子発熱解析方法。
【請求項１０】
前記有機膜は、電着法により形成されることを特徴とする請求項９に記載の半導体素子発熱解析方法。
【請求項１１】
前記有機膜は、スプレー法、または、回転塗布法により形成されることを特徴とする請求項９に記載の半導体素子発熱解析方法。
【請求項１２】
前記有機膜は、前記半導体素子の上部に前記プローブを接触させた後に形成することを特徴とする請求項９に記載の半導体素子発熱解析方法。
【請求項１３】
有機膜は、微粒子のグラファイトからなることを特徴とする請求項９に記載の半導体素子発熱解析方法。
【請求項１４】
前記有機膜は、常温の表面輻射率が０．９以上であり、厚さが１μｍ以上であることを特徴とする請求項９に記載の半導体素子発熱解析方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体素子の発熱解析の分野に属するもので、特に高耐圧を有する素子の欠陥特定及び熱分布測定を行うための方法または装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来の半導体素子の発熱解析手法には、半導体素子表面に塗布した液晶の液晶層の温度による相転位を利用して異常発熱箇所を検出する液晶法があった。また、高電圧の信号を断続的に印加することにより過熱を防止する方法（例えば特許文献１，２）、素子の動作と熱画像化システムをともにロックイン周波数で動作させる方法（例えば特許文献３）などが知られていた。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００９−２８８０９０号公報
【特許文献２】特開平７−２７８１７号公報
【特許文献３】特開２０１２−９３３５５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
液晶法では、まず液晶を半導体素子表面に均一に塗布することが必要であるが、液晶を適度な濃度に薄めることが難しく、また、液晶を適度な濃度に薄めることができた場合でも、液晶が表面張力により凝集するため、液晶を均一に塗布することが困難であった。また、液晶を均一に塗布できたとしても、印加電圧を徐々に増加させ液晶が相転位を起こす電圧に達すると同時に液晶が流動し始め、相転位の位置、すなわち、発熱位置を特定することが困難であった。また、液晶を通過した光が屈折することも、発熱位置を特定することを困難にしていた。
【０００５】
さらに、従来から、半導体素子が発熱し破壊したり電界集中により放電破壊したりすることを避けるために断続的に電圧を印加する方法はあったが、１０００Ｖを超える電圧のパルスを１ｍｓｅｃ以下のパルス時間幅で印加するためのパルス発生装置を実現できず、半導体素子の素子抵抗によっては、半導体素子に損傷を与えずにパルス状に１０００Ｖを越える電圧を印加することが困難であった。
また、パワーデバイスにおいては、従来の素子の数倍もの高耐圧を有する素子の開発が進展し、３０００Ｖ以上の高電圧の耐圧仕様を有する半導体素子の欠陥位置特定の必要性がより高まってきた。
【０００６】
この発明は、上記のような問題点を解決するためになされたものであり、高電圧の耐圧仕様を有する半導体素子に損傷を与えずに１０００Ｖを超える高電圧パルスを印加可能とし、半導体素子を破壊することなく欠陥の検出や半導体素子の熱分布の測定などを行なうことができる半導体素子発熱解析装置、および、半導体素子発熱解析方法を得ることを目的としている。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明の半導体素子発熱解析装置は、半導体素子を載置するステージと、前記半導体素子の上部に接触可能に設けられたプローブと、前記プローブまたは前記ステージにパルス電圧を印加でき、前記ステージおよび前記プローブと電気的に接続されたパルス発生器と、前記半導体素子から発せられる赤外線分布を検知する赤外線検出装置とを備え、前記パルス発生器は、１０００Ｖ以上のパルス高さで１ｍｓｅｃ以下のパルス幅のパルスを複数発生し、前記赤外線検出装置からの信号から前記パルス発生器と同期した成分が抽出されるものである。
【発明の効果】
【０００８】
本発明によれば、半導体素子に１０００Ｖ以上の高電圧でパルスの時間幅が１ｍｓｅｃ以下の高圧短時間幅パルスを印加することができ、高圧仕様の半導体素子の発熱箇所の位置を精度よく特定して検出することができる。
【図面の簡単な説明】
【０００９】
【図１】本発明の実施の形態１における半導体素子発熱解析装置を説明する概要図である。
【図２】本発明の実施の形態１における半導体素子発熱解析装置の半導体素子に接触している状態を説明する図である。
【図３】本発明の実施の形態１における発熱解析装置のパルス発生ユニットの回路図である。
【図４】本発明の実施の形態１におけるパルス発生部の概要図である。
【図５】本発明の実施の形態１におけるロックイン機能とパルスとの関係を説明する図である。
【図６】本発明の実施の形態１における半導体素子発熱解析装置の半導体素子へのワイヤーボンディングの状態を説明する図である。
【図７】本発明の実施形態２によるスプレーで有機膜を塗布する図である。
【図８】本発明の実施の形態２における電着法を説明する図である。
【図９】本発明の実施の形態３における回転塗布法を説明する図である。
【図１０】本発明の実施の形態３におけるテープ貼り付け法を説明する図である。
【発明を実施するための形態】
【００１０】
実施の形態１．
図１は、本発明の実施の形態１の半導体素子発熱解析装置を説明する装置概要図である。図１において、半導体素子発熱解析装置は、ロックイン制御ユニット４と、ロックイン制御ユニット４から出力される信号によってパルスを発生させるパルス発生ユニット２と、パルス発生ユニット２から発生するパルスを半導体素子１に印加できるステージ３０と、半導体素子１を接地電位に接続するプローブ６と、半導体素子１から発する赤外線の画像を検出し、半導体素子１を載せるステージ３０の上方に設けられた赤外線検出器３と、検出信号を表示する表示部５を備えている。
【００１１】
図２は、本発明の実施の形態１の半導体素子発熱解析装置のプローブ６が半導体素子１に接触している状態を説明する模式図である。図２において、プローブ６は、半導体素子１の表面電極７に当てられている。表面電極７に当てられているプローブ６の周囲の半導体素子１の端部には、ゴムなどの非導電性物質８が設けられている。プローブ６の先端は丸みを帯びた形状となっている。さらに、プローブ６は、沿面放電を避けるために、半導体素子１の中央部に当てられる。
【００１２】
次に、本発明の実施の形態１の半導体素子発熱解析装置の動作について説明する。
ロックイン制御ユニット４の信号を受けたパルス発生ユニット２は、ステージ３０を通して半導体素子１にパルス状の高電圧を印加する。また、プローブ６は、半導体素子１を接地電位に接続する。半導体素子１の動作による発熱画像を赤外線検出器３で検出し、その検出信号からロックイン制御ユニット４を用いてロックイン制御ユニット４が発生するパルスと同期した信号のみを抽出し、画像処理を行なった後に表示部５に表示する。
【００１３】
ここで、赤外線検出器３としては、例えばＩｎＳｂカメラを使用すればよい。ＩｎＳｂカメラを使用することにより、３μm以上の波長の赤外線を検出でき、また、スターリングサイクル冷却することで温度のノイズが抑えられる。
【００１４】
パルス発生ユニット２は、パルス時間幅が１ｍｓｅｃ以下で１０００Ｖを超える電圧のパルスを発生する。ここで、パルス時間幅が１ｍｓｅｃ以下のパルスは、立下りが急峻で、なまったりテイルをひいたりすることがなく、かつ、パルスが出力されている期間にリンギングやノイズが無く一定レベルを保った矩形波である。
【００１５】
図３は、パルス発生ユニット２の中のパルス発生部の回路図である。図３において、直流電源１２に並列にコンデンサ１３が接続され、コンデンサ１３に並列にＩＧＢＴ−Ａ１０とＩＧＢＴ−Ｂ１１と遮断抵抗１５が直列接続されている。また、ＩＧＢＴ−Ｂ１１と遮断抵抗１５とが直列接続されたものに並列に、サージ抑制抵抗１４と検査対象１６が直列接続されている。ＩＧＢＴ−Ａ１０とＩＧＢＴ−Ｂ１１とは、パルス発生部９からの信号によりオン／オフが制御されるスイッチング素子である。
【００１６】
ここで、ロックイン制御ユニット４からの信号によってパルス発生部９が駆動し、ＩＧＢＴ−Ａ１０がオンで、かつ、ＩＧＢＴ−Ｂ１１がオフのときに、直流電源１２からコンデンサ１３に蓄えられた高電圧がサージ抑制抵抗１４を通り検査対象１６に印加される。
【００１７】
図４は、パルス発生ユニット２のパルス発生部９の中の動作の概要を説明する模式図である。図４に示すように、ロックイン制御ユニット４の信号を受けたパルスジェネレータ１７からパルスが発生し、このパルスを受けて、ダブルパルス発生器１８からは少しずれたよりパルス時間幅の狭い２つのパルスが発生する。時間幅の狭い少しずれた２つのパルスは光変換器１９によって光信号に変換され、ゲートドライバ２０に達する。ゲートドライバ２０は、ＩＧＢＴ−Ａ１０とＩＧＢＴ−Ｂ１１を駆動する。
【００１８】
図５は、パルス発生ユニット２から発生するパルスの例を示す模式図である。図５に示すように、パルス発生ユニット２から発生するパルスは、ロックイン制御ユニット４から出力される任意の周波数のロックイン出力波形２１に応じて、パルスが連続的印加されるパルス発生期間２２とパルスが発生しない休止期間２３が周期的に繰り返される。パルス発生期間２２と休止期間２３との時間は、同じである必要は無い。
パルス発生期間２２においては、パルス発生ユニット２から出力されるパルス高さ１０００Ｖ以上でパルス時間幅が１ｍｓｅｃ以下の単位パルスが繰り返し発生する。
【００１９】
このように、ロックイン制御ユニット４からの信号に連動してパルス発生ユニット２からパルスが発生する。ロックイン制御ユニット４は、赤外線検出器３からの検出信号の中からロックイン制御ユニット４から発した信号に同期した信号のみを抽出する。ロックイン制御ユニット４から発した信号に同期した半導体素子１の発熱分布信号は、表示部５に表示される。このように、ロックイン制御ユニット４からの信号に同期した半導体素子１からの赤外線分布を抽出できるので、パルス発生ユニット２からのパルスによる半導体素子１の発熱だけを精度よく検出できる。
【００２０】
また、ロックイン制御ユニット４から発せられる信号の周波数、デューティー、パルス発生ユニット２から発生するパルスのパルス幅、パルスとパルスの間隔は、半導体素子１の仕様、印加電圧、半導体素子１の表面状態によって適宜調整すれば良い。半導体素子１にパルスを過大に印加すると放電破壊が発生するため、赤外線検出器３によって半導体素子１の発熱と放熱の状態をモニターしながら、ロックイン制御ユニット４から発せられる信号の周波数、デューティー、および、パルス発生ユニット２から発生するパルスのパルス幅、および、パルスとパルスの間隔を調整するとよい。
【００２１】
パルスの印加による発熱を赤外で検出できる感度は少なくとも１ｍＷ程度が必要となる場合が多い。このため、パルス印加電圧をＶ、その時の電流値をＩ、パルスの印加デューティー比をＤとして、Ｉ×Ｖ×Ｄ≧１ｍＷの関係を満たすパルス印加電圧Ｖ、電流値Ｉ、パルスの印加デューティー比Ｄを選択すると良い。ただし、発熱を多くし過ぎると、検出は容易になるが、半導体素子１が破壊されやすくなるので、適度なＩ×Ｖ×Ｄを選択する必要がある。
【００２２】
このとき、ステージ３０の温度などの環境温度を調整してもよい。加熱機構または冷却機構を用いて、半導体素子１を載せるステージ３０の温度を室温から例えば１００℃程度に上げてもよいし、０℃以下に冷却してもよい。
【００２３】
一般に、印加電圧が高電圧になるにつれパルス幅を短くしないと破壊や放電を抑えることができないが、本実施の形態の半導体素子発熱解析装置によれば、パルス高さ１０００Ｖ以上でパルス時間幅が１ｍｓｅｃ以下の単位パルスを休止期間を入れて印加できるため、素子破壊や放電破壊が生じさせずに、３．３〜４．５ｋＶのパルスを印加することができた。半導体素子１の表面状態にも依存するが、３．３ｋＶのパルス高さの場合は、パルス時間幅を５００μｓｅｃ程度に設定すればよく、４．５ｋＶのパルス高さの場合は、パルス時間幅を１μｓｅｃ程度に設定すればよい。
【００２４】
このように、本発明の本実施の形態の半導体素子発熱解析装置を用いて発熱解析をすることにより、高電圧印加時の発熱箇所を精度よく特定することができる。
【００２５】
なお、プローブ６を当てる方法については、図２に示したようなものでなく、図６に示すようにワイヤボンド２５を形成する方法であってもよい。ワイヤボンド２５は、沿面放電を避けるように半導体素子１の中央部にボンディングされ、横に伸ばしたワイヤ２６が半導体素子１の表面と平行になるようボンディングするとよい。また、半導体素子１の表面と横に延びるワイヤ２６との距離は、０．２ｍｍ以上にすることが望ましい。半導体素子１の表面と横に延びるワイヤ２６との距離が０．２ｍｍより小さく例えば０．１ｍｍ程度であれば、沿面放電が生じる可能性が増大する。このとき、高圧パルスの信号は、半導体素子を載せたステージ上第１電極２７から供給し、接地電位は、ワイヤボンド２５を経由して接続されたステージ上第２電極２８を通って接続すればよい。
【００２６】
また、パルス発生ユニット２のＩＧＢＴ−Ａ１０、ＩＧＢＴ−Ｂ１１のスイッチング素子は、高電圧をスイッチングできればＩＧＢＴである必要はなく、ＭＯＳＦＥＴなどであってもよい。さらに、ＳｉＣ−ＭＯＳＦＥＴなどの高圧スイッチング素子であってもよい。パルス発生部９の光変換器２０は、磁気を介した変換器であってもよい。
さらに、本実施の形態においては、高圧パルスの信号をステージ３０から供給し、接地電位をプローブ６から供給したが、半導体素子１のタイプによってはその逆であってもよく、高圧パルスの信号をプローブ６から供給し、接地電位をステージ３０から供給してもよい。
【００２７】
また、パルス発生ユニット２の出力パルスの電圧は、１×１０18Ｖ／ｓｅｃ以上の変化率で変化することが望ましい。出力パルスの電圧変化率が小さいと、パルス幅以外の電圧印加時間が増加し、発熱による半導体素子１の破壊が発生しやすくなる。また、出力パルスの電圧変化率が小さいと、高周波でパルス高さの大きなパルスを印加できない場合が発生する。
【００２８】
実施の形態２．
実施の形態１では、半導体試料１に保護膜を形成しないでそのまま測定する方法を主に説明したが、本実施の形態では、半導体素子１を保護して測定する場合を説明する。その他の点については、実施の形態１と同様であるので、詳しい説明を省略する。
【００２９】
本発明の本実施の形態の半導体素子発熱解析方法においては、放電発生を防止するために、半導体素子１を例えば絶縁性の有機膜で覆って測定する。
図７は、半導体素子１にスプレー２９により有機膜を塗布する様子を示す模式図であるが、図７に示すように、スプレー法により半導体素子１の表面に絶縁性の有機膜を塗布することにより、表面輻射率を１に近く均一にすることができる。
【００３０】
このように、絶縁性の有機膜を均一に塗布することにより、半導体素子１の表面輻射率を均一にすることができ、例えば、数μｍの厚い金属層の下部の発熱を検知することができるようになる。有機膜の厚さは１０μｍ以上５０μｍ以下などであればよい。
【００３１】
なお、実施の形態１で説明した半導体素子１の表面状態とは、このような有機膜の有無、条件などを含む。本実施の形態においても、実施の形態１の場合と同様に、Ｉ×Ｖ×Ｄ≧１ｍＷの関係を満たすパルス印加電圧Ｖ、電流値Ｉ、パルスの印加デューティー比Ｄを選択すると良い。
【００３２】
また、本実施の形態では、半導体素子１への絶縁性の有機膜形成方法としてスプレー法の例を説明したが、有機膜形成方法はこれに限るものではなく、均一に形成できる方法であれば他の方法であっても良い。半導体試料１への有機膜形成方法は、ラッカースプレーでもいいし、電着を用いた塗膜であってもよい。電着塗装を用いた場合、半導体素子１の表面だけではなくワイヤ２６にも膜厚が制御された有機膜を均一に塗膜できるので、有機膜の膜厚差による発熱の差を抑えることができ、発熱箇所を精度良く検出できる。そのため、放電破壊の発生を抑制することができる。
【００３３】
さらに、有機膜の塗装の色は黒色などの色が付いたものでも透明でもよい。透明な有機膜を用いた場合、素子表面の輻射率が均一になり材質による発熱の差を抑えることができる。また、顕微鏡によって素子表面の観察を行なうことが可能となる。一方、黒色などの有機膜の場合、赤外線が見易くなるメリットがある。このように、検査対象などによって、最も適した絶縁性の有機膜の種類、厚さを選択すればよい。
【００３４】
ここで、電着塗装について、詳しく説明しておく。
図８は、本発明の実施の形態２における、半導体素子１の表面に有機膜を形成する方法の電着法のひとつであるカチオン型電着工程の概念図である。図８において、半導体素子１を陰極（−）とし、電着槽内にもう１つ設けた極板４０を陽極（＋）とし、陰極と陽極とを同時に水溶性塗料４１に浸漬し、電源４２により陽極と陰極との間に直流電流を通電する。このようにして、半導体素子１の表面に電気的に塗膜を析出させ、有機膜を形成する。
【００３５】
電着法には、このように半導体素子などの塗装対象物を陰極としたカチオン型電着塗装と、塗装対象物を陽極にした場合のアニオン型電着塗装とがある。本実施の形態では、塗料としてエポキシ系鉛フリータイプのものを使用したカチオン型電着塗装を行なった。塗料としては、エポキシ系、アクリル系などの水溶性塗料を使用してもよい。
【００３６】
電着法は、膜の厚さの制御がしやすく、塗装対象物の複雑な形状にも対応でき、エッジのカバーリング性に優れ密着性が良い。また、塗装のムラが無く均一に塗膜でき、ゴミの付着や液ダレも殆ど起こらないので、塗装したものへの防錆効果が有る。このような点が、電着法を用いることの長所である。
例えば、絶縁性の超微粒子であるグラファイトを、数μｍ以上５０μｍ以下の厚さで、半導体素子１の表面に塗膜すると、半導体素子１の表面だけでなく半導体素子１の周囲やワイヤにまで、凹凸無く均一に、表面輻射率が１に近い膜を形成することができる。このような膜を形成することにより、形状や材質から生じる電界集中を効果的に回避でき、想定外の箇所で絶縁破壊することなく、半導体素子１の素子終端部も内部も詳細に観察することができる。超微粒子であるグラファイトからなる有機膜を形成するためには、超微粒子であるグラファイトを主成分とする常温黒染剤を使用すれば良い。
また、半導体素子１の表面輻射率が均一になると、例えば、数十μmの厚い金属層の下部の発熱をも検知することができるようになる。
【００３７】
ここで、実施の形態１の図６で説明したものに電着塗装を行なう場合について、説明する。ステージ上第２電極２８にはワイヤボンド２５が垂直に接続されているものとする。超微粒子のグラファイトからなる有機膜を電着法により、厚さ１μｍ以上形成すると、常温の表面輻射率が０．９以上になる。さらに、超微粒子のグラファイトからなる有機膜を厚さが２〜３μｍになるまで形成すると、表面輻射率を１に近くでき、また、均一にできる。
【００３８】
このようにして電着法により厚さ２〜３μｍの有機膜を形成した半導体素子１の表面をスターリングサイクル冷却しながら波長３μｍ以上の赤外線検出器３で検出することにより、より精度よく半導体素子１の発熱箇所を特定することができる。
【００３９】
実施の形態３．
半導体素子１の表面に有機膜を形成する方法としては、スプレー法、電着法でなくてもよい。本実施の形態では、回転塗布法、および、テープ貼付け法で有機膜を形成する方法について説明する。
【００４０】
図９に回転塗布法で有機膜を形成する方法の概念図を示す。発熱解析を行う対象の半導体素子１をプロービング前もしくはワイヤーボンディング後に回転台５１の上に載せ、半導体素子１の中央上部のノズル５２より絶縁性の有機膜を滴下する。回転台５１を回転させ、半導体素子１の側面も有機膜が覆うようにする。回転数を調整することによって、有機膜の厚さを調整できる。
【００４１】
図１０にテープ貼り付け法の概念図を示す。図１０に示すように、発熱解析の対象である半導体素子１の表面を非導電性のテープやメンディングテープなどのテープ６０で覆い表面輻射率を均一にしてから発熱解析を行なう。このとき、半導体素子１とテープ６０との間に空気が混入しないようにして半導体素子１をテープ６０で覆う。このようにすることで、想定外の放電の発生を避けつつ半導体素子１の発熱箇所を特定することができる。
【符号の説明】
【００４２】
１  半導体素子、２  パルス発生ユニット、３  赤外線検出器、４  ロックイン制御ユニット、５  表示部、６  プローブ、７  表面電極、８  非導電物質、９  パルス発生部、１０  ＩＧＢＴ−Ａ、１１  ＩＧＢＴ−Ｂ、１２  直流電源、１３  コンデンサ、１４  サージ抑制抵抗、１５  遮断抵抗、１６  検査対象、１７、パルスジェネレータ、１８  ダブルパルス発生器、１９  光変換器、２０  ゲートドライバ、２１  ロックイン出力波形、２２  パルス発生期間、２３  休止期間、２５  ワイヤボンド、２６  ワイヤ、２７  ステージ上第１電極、２８  ステージ上第２電極、２９  スプレー、３０  ステージ、４０  極板、４１  水溶性塗料、４２  電源、５１  回転台、５２  ノズル、６０  テープ。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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