(57)【要約】【課題】ファインパターンの回路形成性、高周波域における伝送特性に優れ、かつ樹脂基材との密着性に優れる銅箔を提供する。【解決手段】少なくとも一方の面に粗化粒子を有する銅箔であり、該銅箔を幅方向に切断した断面の３０μｍの範囲において、粗化高さ１．５μｍ以上の粗化粒子が１個以上５個未満であり、粗化高さ１．０μｍ以下の粗化粒子が１０個以上存在することを特徴とする高周波回路用銅箔、該高周波回路用銅箔を用いた銅張積層板、該銅張積層板を用いたプリント配線板である。  なお、前記銅箔断面の観察は、例えばイオンミリングを用いて幅方向に断面加工を施し、ＨＲ−ＳＥＭ（走査型電子顕微鏡）で、測定倍率３０００倍、またはそれ以上の倍率で撮影した画像により測定した値である。【選択図】図２
2015147978.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくとも一方の面に粗化粒子を有する銅箔であり、該銅箔を幅方向に切断した断面の３０μｍ範囲において、粗化高さ１．５μｍ以上の粗化粒子が１個以上５個未満存在し、粗化高さ１．０μｍ以下の粗化粒子が１０個以上であることを特徴とする高周波回路用銅箔。
【請求項２】
銅箔の少なくとも一方の面に粗化粒子を有し、該粗化粒子の分布が、銅箔の幅方向切断面における３０μｍ範囲において、粗化高さ１．５μｍ以上の粗化粒子が１個以上３個未満であり、粗化高さ０．８μｍ以下の粗化粒子が１０個以上であることを特徴とする高周波回路用銅箔。
【請求項３】
前記粗化粒子が銅または銅合金であることを特徴とする請求項１または２に記載の高周波回路用銅箔。
【請求項４】
前記粗化粒子の上にクロメート処理が施されている請求項１〜３のいずれかに記載の高周波回路用銅箔。
【請求項５】
前記クロメート処理が施された表面に、シランカップリング剤処理が施されている請求項４に記載の高周波回路用銅箔。
【請求項６】
樹脂基材の片面又は両面に請求項１〜５のいずれかに記載の高周波回路用銅箔を張り合わせてなる銅張積層板。
【請求項７】
請求項６に記載の銅張積層板を用いたプリント配線板。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ファインパターンでの回路形成性や高周波域における伝送特性に優れ、かつ樹脂基材との密着性に優れる銅箔、該銅箔を用いた銅張積層板及び多層プリント配線板やフレキシブルプリント配線板等のプリント配線板に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
近年、電子機器の小型化・薄型化が進行しており、特に携帯電話やスマートフォンに代表される携帯機器に用いられる各種電子部品は高度に集積化され、小型でかつ高密度のプリント配線板を内蔵するＩＣやＬＳＩなどを使用している。
これに対応して、これらに使用される高密度実装用のプリント配線板（多層プリント配線板、フレキシブルプリント配線板等）における配線パターンにも高密度化が要求され、配線の幅と間隔が微細な配線パターン、いわゆるファインパターンのプリント配線板が要求されている。例えば、フレキシブルプリント配線板においては配線の幅と間隔とがそれぞれ５０μｍ前後のものが要求されており、小型ＩＣに使用されるプリント配線板においては配線の幅と間隔とがそれぞれ３０μｍ前後という微細な回路配線を有するプリント配線板が要求されている。
【０００３】
プリント配線板は次のようにして製造されている。
まず、エポキシ樹脂やポリイミド樹脂等から成る電気絶縁性の基板（以下、樹脂基材ということがある）の表面に、回路形成用の薄い銅箔を置いたのち、加熱・加圧して銅張積層板を製造する。
次いで、該銅張積層板に、スルーホールを設け、スルーホールめっきを行った後、該銅張積層板の銅箔表面にマスクパターンを形成してエッチング処理を行い、所望する配線幅と間隔を備えた配線パターンを形成し、最後に、ソルダーレジストの形成やその他の仕上げ処理を行う。
【０００４】
上記のプリント配線板の製造工程のうち、樹脂基材の両面に銅箔が設けられた銅張積層基板（以下、単に積層基板ということがある）にサブトラクティブ法により配線パターンを形成する具体的な工程を説明する。
【０００５】
まず、積層基板の一方の銅箔表面（表面側）に、感光性フィルム（レジスト）を貼り付け、該感光性フィルム面に露光マスクを装着した露光装置を用い、露光光の照射によって露光マスクのパターンを感光性フィルム上に転写（投影）し、感光性フィルムのうち露光されていない部分を現像プロセスにて除去しフィルムレジストパターン（エッチングレジスト）を形成する。
次いで、フィルムレジストパターンで覆われていない（露出している）部分の銅箔をエッチング工程にて除去して、表面側の配線を形成する。エッチング工程で使用する薬品としては、例えば塩化第二鉄または塩化第二銅の水溶液に塩酸を加えたものが用いられる。その後、エッチング工程で使用済みのフィルムレジストパターンを、例えばアルカリ水溶液を用いて回路配線上から除去する。
上記と同様の工程でもう一方の面（裏面側）の銅箔にも所定の配線を施す。
なお、他の電子部品やプリント配線板とのはんだ接続を容易にするために、回路配線の端部には必要に応じて無電解錫（Ｓｎ）めっきが施される。
【０００６】
上述した工程により表裏面に回路配線を形成した後、表面側回路配線と裏面側回路配線とを導通するためのブラインドビアホールを設ける。
ブラインドビアホールは、表面側に露出した樹脂基材にＣＯ２レーザーで穴を加工する。このレーザーでの穴あけ工程では穴の底部（裏面側回路配線の粗化処理面）に樹脂基材（絶縁樹脂）の滓（スミア）が残ることがある。滓（スミア）が残った場合にはこの滓を除去するために過マンガン酸カリウム溶液等の酸化性の薬剤を用いて滓を除去するデスミア処理を行う。
【０００７】
次に、樹脂基材に加工された穴の側面の絶縁部に導電性を付与するために、無電解銅めっきにより銅皮膜（導通層）を形成する。このための前処理として、穴の底部（裏面側回路配線）を硫酸−過酸化水素系のソフトエッチング液にて処理するソフトエッチング処理を施し、銅箔表面の金属めっきや防錆めっきを除去する。
【０００８】
最後に、無電解銅めっきにより形成された導通層の上に電気銅めっきを施して、穴の側面および底部（裏面側回路配線）と表面側回路配線とを導通させ、両面プリント配線板を完成させる。
なお、裏面側の銅箔に配線を形成する工程はブラインドビアホールを形成した後に行うことも可能である。
【０００９】
従来、プリント配線板に用いる銅箔は、樹脂基材に熱圧着する側の表面を粗化面とし、この粗化面で樹脂基材に対するアンカー効果を発揮させ、樹脂基材と銅箔との接合強度を高めてプリント配線板としての信頼性を確保している。（特許文献１）
【００１０】
銅箔の樹脂基材に熱圧着する側の表面を粗化面とする方法は、一般的に次の二段階の電解処理を施すことにより行われている。
(1)酸性銅電解浴中で銅箔を陰極とし、限界電流密度付近で電解を行うことにより粒状銅の微細な突起群を付着させる、いわゆる「やけめっき」を施す。
(2)「やけめっき」で施された粒状銅の微細な突起群を通常の銅めっきの薄層（いわゆる「カプセル層」）で覆って、該粒状銅の微細な突起群を銅箔の表面に固定する。
このような二段階の電解処理により、銅箔表面を凹凸のある粗化面とする。
【００１１】
また、電子機器の情報処理速度アップや無線通信への対応のため、電子部品には電気信号の高速伝送が求められており、高周波対応基板の適用も進行している。高周波対応基板では電気信号の高速伝送のために伝送損失の低減を図る必要があり、樹脂基材の低誘電率化に加えて導体である回路配線の伝送損失を低減することも要求されている。
【００１２】
数ＧＨｚを超える高周波帯域においては、表皮効果により配線を流れる電流が銅箔表面に集中する。このため、高周波基板対応用の銅箔として従前の粗化処理を施した銅箔を用いた場合には、粗化処理部における伝送損失が大きくなり伝送特性が悪化する不具合が発生していた。
【００１３】
配線を流れる電流の周波数が高くなればなるほど、その表面に電流が集中する。この現象を表皮効果(skin effect)と呼び、その電流の流れる深さを表皮深さ(skin depth)と呼んでいる。表皮深さδは次式で表される。
【００１４】
【数１】
2015147978.tif 000003
ここでμは透磁率、ωは電流の角速度、σは導電率である。
銅箔の回路構成で、透磁率μ＝４π×１０−７、導電率σ＝５８×１０６（Ｓ／ｍ）を代入して単位をμｍにすると、
【００１５】
【数２】
2015147978.tif 000004
となる。ここで、ｆは電流の周波数、σｒは銅に対する比導電率である。
【００１６】
粗化処理は通常平滑なめっきに換算して１〜２μｍ程度の厚さに相当する量の銅電析を行う。上記の式により表皮深さを求めると１０ＧＨｚで０．６６μｍ、４０ＧＨｚで０．３３μｍとなる。
すなわち、数ＧＨｚを超える高周波帯域においては、表皮効果により配線を流れる電流の大部分が銅箔の表面、つまり粗化処理の部分を流れることになり、粗化の高さが高い場合、電流の移動距離が延びることになり、移動中に失われる電気信号の損失量も多くなる。
【００１７】
前述のように従来の粗化処理は酸性銅電解浴中で銅箔を陰極とし、限界電流密度付近で電解を行うことにより粒状銅の微細な突起群を銅箔表面に付着させる。銅箔表面に付着させる銅粒は水素発生が起こる限界電流密度付近で銅電析を行っているので、銅粒はポーラスな銅粒になっている。従って平滑な銅めっき皮膜に比べると、その電気抵抗が高い。
【００１８】
このため、高周波特性を高める方法として、粗化処理層の付着厚さ（付着量）を最小限に下げて、粗化高さを低くすることで、電流の移動距離を短くして損失量を抑えるという試みが行われてきた。しかし、粗化処理層の厚さを最小限に抑えるということは、一方で銅箔と樹脂基材との密着性を低下させることになり、高周波特性と樹脂基材との密着性を両立させることは非常に困難であった。
【００１９】
同様な方法として、表面性状を制御した、または粗化処理を施さない平滑な銅箔上に樹脂基材との密着性を高める表面処理を行って、高周波特性に優れ、同時に銅箔と樹脂基材との密着性が高い銅箔を得る検討がなされてきた。（特許文献２、３、４、５）
しかしながらこれらの検討において、ファインパターンの回路形成性や高周波域における伝送特性に優れる表面平滑な銅箔は得られるものの、銅箔と樹脂基材との密着性を十分に高めることはできず、回路配線のエッチング工程あるいは回路配線の端部へのＳｎめっき工程において、銅箔と樹脂基材との界面で薬品の染み込みが発生し、あるいはプリント配線板の製造工程および製品使用中の熱負荷により密着性が低下する等の課題が指摘されていた。特に、ファインパターン対応のプリント配線板では回路配線（銅箔）と樹脂基材との接合面積が極めて小さく構成されるため、薬品の染み込みや熱負荷後の密着性低下が発生すると樹脂基材から回路配線が剥離する危険性があり、樹脂基材との密着性が良好な銅箔が望まれている。樹脂基材との密着性が低下することを防ぐために、表面にシランカップリング剤を中心とした接着層を使用する方法がある。しかし、特に高周波領域で用いられるプリント基板の樹脂材料〔例えば、メグトロン（登録商標）に代表されるポリフェニレンエーテル樹脂や液晶ポリマー等〕は、プリント基板材料と銅箔表面のシランカップリング剤とが化学結合を作り難く、粗化形状を小さくした、または粗化処理を施さない銅箔に対しては、銅箔と樹脂基板との密着性が著しく低下してしまうという問題があった。
【先行技術文献】
【特許文献】
【００２０】
【特許文献１】特公昭６２−５６６７７号公報
【特許文献２】特開２００８−１３８４７号公報
【特許文献３】特再２００４−００５５８８号公報
【特許文献４】特開２００５−３４４１７４号公報
【特許文献５】特開２００９−６５５７号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００２１】
本発明の目的は、ファインパターンの回路形成性や高周波域における伝送特性に優れ、かつ樹脂基材との密着性に優れる銅箔を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００２２】
本発明の高周波回路用銅箔は、少なくとも一方の面に粗化粒子を有する銅箔であり、該銅箔を幅方向に切断した断面の３０μｍの範囲において、粗化高さ１．５μｍ以上の粗化粒子が１個以上５個未満であり、粗化高さ１．０μｍ以下の粗化粒子が１０個以上存在することを特徴とする。
なお、前記銅箔断面における粗化粒子の個数は、例えばイオンミリングを用いて幅方向に断面加工を施し、ＨＲ−ＳＥＭ（走査型電子顕微鏡）で、測定倍率３，０００倍またはそれ以上の倍率で撮影した画像により測定することができる。
【００２３】
本発明の高周波回路用銅箔は、少なくとも一方の面に粗化粒子層を有する銅箔であり、該銅箔を幅方向に切断した断面の３０μｍの範囲において、粗化高さ１．５μｍ以上の粗化粒子が１個以上３個未満であり、粗化高さ０．８μｍ以下の粗化粒子が１０個以上存在することを特徴とする。
なお、前記銅箔断面における粗化粒子の個数は、例えばイオンミリングを用いて幅方向に断面加工を施し、ＨＲ−ＳＥＭ（走査型電子顕微鏡）で、測定倍率３，０００倍またはそれ以上の倍率で撮影した画像により測定することができる。
【００２４】
本発明の高周波回路用銅箔の少なくとも一方の面に設ける粗化粒子は銅または銅合金であることが好ましい。
また、前記粗化粒子の上にクロメート処理が施されていることが好ましい。
更に、前記クロメート処理が施された表面にシランカップリング剤処理が施されていることが好ましい。
【００２５】
本発明の銅張積層板は、樹脂基材の片面又は両面に本発明の高周波回路用銅箔を張り合わせたことを特徴とする銅張積層板である。
また、本発明のプリント配線板は、本発明の銅張積層板に配線回路を施したことを特徴とするプリント配線板である。
【発明の効果】
【００２６】
本発明によれば、銅箔の表面に形成された粗化粒子において、粗化高さ１．５μｍ以上の粒子の数と粗化高さ１．０μｍ、より好ましくは０．８μｍ以下の粒子の数を適切な範囲とすることで樹脂基材との密着性が良好で、かつ高周波伝送特性に優れた高周波回路用銅箔を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００２７】
【図１】本発明高周波回路用銅箔の一実施形態の粗化粒子面を示す模式図である。
【図２】本発明高周波回路用銅箔の一実施形態の粗化粒子面を示すＳＥＭ写真である。
【発明を実施するための形態】
【００２８】
本発明の高周波回路用銅箔は、金属基材としての銅箔表面(表面粗さは特に限定されないが、Ｒｚが５．０μｍ以下であることが好ましい）に、ヤケめっきにより粗化粒子を設けて粗化粒子層を形成し、次いで該粗化粒子層に平滑めっき（カプセルめっき）によりカプセル層を設け、銅箔表面を粗化粒子が粉落ちすることのない強固で健全な粗化コブ処理形状とする。
本発明において、ヤケめっきの条件は下記のとおりである。
硫酸濃度                                １３０〜１８０ｇ／Ｌ
硫酸銅（銅濃度として）                  １８〜２５ｇ−Ｃｕ／Ｌ
（銅金属として１８〜２５ｇに相当する量の硫酸銅を意味する。以下同様。）
モリブデン化合物（Ｍｏ濃度として）      １３０〜１８０ｍｇ−Ｍｏ／Ｌ
鉄化合物（Ｆｅ濃度として）              ９０〜１２０ｇ−Ｆｅ／Ｌ
クロム化合物（三価クロム濃度として）    ２０〜５０ｍｇ−Ｃｒ／Ｌ
バナジュウム化合物（Ｖ濃度として）      ７０〜９０ｍｇ−Ｖ／Ｌ
【００２９】
本発明においてカプセルめっきの条件は下記の通りである。
硫酸濃度                    ８０〜１５０ｇ／Ｌ
硫酸銅（銅濃度として）      ４０〜７５ｇ−Ｃｕ／Ｌ
浴温                        ４０〜６０℃
電流密度（直流整流で）      １８〜３０Ａ／ｄｍ２
【００３０】
図２に本発明の一実施形態のＳＥＭ写真を示す。また、図１にＨＲ−ＳＥＭで測定した銅箔の幅方向断面の模式図を示す。
本明細書において銅箔の粗化高さは、図1に示すように元箔（未処理銅箔に相当する部分）１と粗化粒子２との境界線ｂから粗化粒子２の頭頂部ｃに向かって垂直に線を引き、この線の長さＬを粗化高さとする。また、本明細書において「幅方向」とは、電解銅箔又は電解銅合金箔の場合には電解ドラムにより巻き取られる方向に対して垂直となる方向、圧延銅箔又は圧延銅合金箔の場合には圧延方向に対して垂直となる方向を指す。
【００３１】
本発明は、前記粗化粒子の分布を、銅箔の幅方向切断面をＨＲ−ＳＥＭで測定倍率３０００倍で観察した際、銅箔断面の３０μｍの範囲において、粗化高さ１．５μｍ以上の粗化粒子の数が１個以上５個未満であり、粗化高さ１．０μｍ以下の粗化粒子が１０個以上存在するように形成する。
さらに、前記粗化粒子の分布を、銅箔の幅方向切断面をＨＲ−ＳＥＭで測定倍率３０００倍で観察した際、銅箔断面の３０μｍの範囲において、粗化高さ１．５μｍ以上の粗化粒子の数が１個以上３個未満であり、粗化高さ０．８μｍ以下の粗化粒子が１０個以上存在するように形成することが特に好ましい。
なお、本発明では粗化粒子の分布をＨＲ−ＳＥＭで測定するが、他の測定方法で測定してもよく、また、前記説明ではＨＲ−ＳＥＭの倍率を３０００倍で測定しているが、測定精度をより向上させるためには３０００倍以上（下記実施例では１万倍）で測定する。
【００３２】
本発明において、銅箔断面の３０μｍの範囲において、粗化高さ１．５μｍ以上の粗化粒子の数が１個以上５個未満と限定するのは、樹脂基板との密着性を確保するためには１個以上が必要であり、また、５個以上では伝送特性が悪化するなるため好ましくなく、樹脂との接着性と伝送特性とを勘案すると１〜５個の範囲が好適であり、より好ましくは３個未満である。
また本発明において、銅箔断面の３０μｍの範囲に粗化高さ１．０μｍ以下の粗化粒子が１０個以上存在する、と限定するのは樹脂基板との密着性を確保するためであり、１０個以下では樹脂基板との密着力が低下せず、高周波特性を悪化させないためである。
【００３３】
上記平滑めっきを施した上に、クロメート被膜からなる防錆層を形成することが望ましい。
更に、防錆層の上にシランカップリング剤処理を施すことが好ましい。
シランカップリング剤は対象となる樹脂基材によりエポキシ系、アミノ系、メタクリル系、ビニル系、メルカプト系等から適宜選択することができる。
高周波対応基板に用いられる樹脂基材には、特に相性の優れるエポキシ系、アミノ系、ビニル系のカップリング剤を選択することが好ましく、フレキシブルプリント配線板に用いられるポリイミドには、特に相性の優れるアミノ系のカップリング剤を選択することが好ましい。
本発明の高周波回路用銅箔は、樹脂基材に積層してなる銅張積層板とすることに優れている。
また、本発明の高周波回路用銅箔は前記銅張積層板を用いたプリント配線板とすることに優れている。
本発明で用いる高周波回路用銅箔は、電解銅箔、電解銅合金箔、圧延銅箔、圧延銅合金箔のいずれでも良く、銅張積層板、該銅張積層板を用いたプリント配線板の用途等に応じて適宜選択することができる。
【００３４】
樹脂基材としては、種々の成分の高分子樹脂を用いることができる。リジッド配線板やＩＣ用のプリント配線板には主にエポキシ樹脂を用いる。フレキシブル基板には主にポリイミド樹脂を用いる。ファインパターン（高密度）配線板や高周波基板用には寸法安定性のよい材料、反り、ねじれの少ない材料、熱収縮の少ない材料などとしてガラス転移点（Ｔｇ）の高い耐熱樹脂を用いる。耐熱樹脂としては、例えば耐熱エポキシ樹脂、ＢＴ（ビスマレイミド トリアジン）レジン、あるいはポリイミド、ポリアミドイミド、ポリエーテルイミド、ポリエーテルエーテルケトン、ポリフェニレンエーテル、ポリフェニレンオキサイド、シアネートエステル系樹脂などがあげられる。
【００３５】
電気信号の伝送速度が速くなると、樹脂基材の材質が特性インピーダンスや信号伝搬速度等に重要に関与してくるため、高周波回路用プリント配線板に適した樹脂基材として誘電率や誘電体損失等の特性に優れた基材が要求される。これらを満足させるために種々な材料が提案されており、例えば電気信号の高速伝送のためには、誘電率が小さく、誘電体損失も小さい樹脂基材として、液晶ポリマー、ポリフッ化エチレン、イソシアネート化合物、ポリエーテルイミド、ポリエーテルエーテルケトン、ポリフェニレンエーテル等の樹脂を挙げることができる。
【００３６】
これらの樹脂基材と高周波回路用銅箔を張り合わせる方法としては、熱プレス方式、連続ロールラミネート方式、連続ベルトプレス方式などを用いることができ、接着剤等を介さずに熱圧着することができる。
また、別の方法としては、溶融状態や溶剤に溶解して流動性を有する状態とした樹脂含有物を高周波回路用銅箔の表面に塗布した後に、熱処理により樹脂を硬化させる方法もある。
また、高周波回路用銅箔表面を予めエポキシ樹脂やポリイミドのような接着用樹脂で被覆し、該接着用樹脂を半硬化状態（Ｂステージ）とした樹脂付き銅箔を回路形成用の銅箔として用い、その接着用樹脂側を樹脂基材に熱圧着して多層プリント配線板やフレキシブルプリント配線板を製造することも可能である。この方法では高周波回路用銅箔と樹脂基材との密着力をさらに高めることができるため、本発明と組み合わせることにより密着性の良好な銅張積層板を製造することができ、より効果的である。
【００３７】
本発明の高周波回路用銅箔を用いた銅張積層板は、銅箔と樹脂基材との密着性が優れ、またＣＯ２ガスレーザー等のレーザーで容易にブラインドビアホールの形成加工ができることから、ブラインドビアホール（ブラインドビアホールとは、プリント配線板の片側のみが開口しているビアであり、社団法人日本プリント回路工業会編「プリント回路用語」等に記載されている。）の形成工程においてエッチング、穴空け、デスミア、ソフトエッチング、銅めっき等の加工をおこなった後でも、銅箔と樹脂基材との剥がれ等に問題はなく使用することが可能である。
【００３８】
上述したように本発明の銅張積層板は、ＣＯ２ガスレーザー等のレーザーによるブラインドビアホールの形成工程、穴空け、デスミア、ソフトエッチング、銅めっき等の加工を容易に行える。従って、レーザーの照射エネルギー等の加工条件については樹脂基材の厚みや樹脂の種類により適宜、最適化した条件を選択でき、また銅張積層板への穴形成方法および穴の内部および底部のデスミア処理方法、デスミア後の穴の側面や底部への無電解銅めっきの前処理であるソフトエッチング処理方法についても最適化した条件を選択でき、所望する箇所に最適なホールを形成することが可能となる。
【００３９】
＜実施例１〜３＞
金属基材として表面粗さＲｚが０．５μｍ程度、厚さが１２μｍの平滑な未処理銅箔を用意し、この未処理銅箔にヤケめっき処理を表１に示す電解液（溶液）Ａを用い、表２に示す電流密度で粗化処理し、粗化粒子層を施した。
＜比較例１〜５＞
金属基材として表面粗さＲｚが０．５μｍ程度、厚さが１２μｍの平滑な未処理銅箔を用意し、この未処理銅箔にヤケめっき処理を表１に示す電解液（溶液）ＢまたはＣを用い、表２に示す電流密度で粗化処理し、粗化粒子層を施した。
【００４０】
【表１】
2015147978.tif 000005
【００４１】
【表２】
2015147978.tif 000006
【００４２】
次いで、前記粗化粒子が粉落ちすることなく、強固で健全な粗化コブ処理形状とするために、下記の浴組成とめっき条件でカプセルめっきを施した。
硫酸濃度：１００ｇ／Ｌ
硫酸銅からの銅濃度：５０ｇ−Ｃｕ／Ｌ
浴温：５５℃
電流密度：直流整流で２２Ａ／ｄｍ２
上記のヤケめっき、及びカプセルめっきと同様の処理をもう一度繰り返した後に、該銅箔の両面を公知のクロメート処理液(ＣｒＯ３濃度で３．０ｇ／l相当)にて防錆処理を行った。
【００４３】
このようにして作製した銅箔を、イオンミリング(日立ハイテクIM4000)を用いて幅方向に断面加工を施し、ＨＲ−ＳＥＭ（日立ハイテクSU8020）を用い、加速電圧３ＫＶ（２次電子像，低角度反射電子像）で、１万倍の倍率で断面観察を行い、幅方向の任意の箇所における銅箔断面の３０μｍ範囲において粗化高さ１．５μｍ以上の粒子数及び粗化高さ１．０μｍ未満の粒子数をカウントした。
前記のように表面粗化銅箔を作製した銅箔を市販の高周波対応絶縁基板(パナソニック会社製)に２００℃、３５ｋｇｆ／ｃｍ２、１２０ｍｉｎの条件で積層した。この積層板にレジスト幅３００μｍ、回路間隔４５０ｍｍのパターンフィルムを用いてＵＶ露光によって配線パターンを形成し、さらにエッチングを施した。その後、基板にスルーホールを作成し、基板の酸化防止のために３μｍのＮｉめっき及び０．０５μｍのＡｕめっきを施し、伝送特性測定用基板を作成した。この伝送特性測定用基板をオシロスコープ(Tektronix TDS7704B)を用いて４０ＧＨｚの周波数で通過特性Ｓ２１の測定を行った。
また、同時に前記積層板の回路幅１０ｍｍの引き剥がし強さを測定した。
以上の評価方法により各実施例及び比較例に係わる高周波回路用銅箔について評価した結果を表２に示す。
【００４４】
なお、表２では、４０ＧＨｚにおける通過特性Ｓ２１が−３０ｄＢ以上の場合を“◎”、通過特性Ｓ２１が−３３ｄＢ以上−３０ｄＢ未満の場合を“○”、通過特性Ｓ２１が−３３ｄＢ未満の場合を“×”で示している。
また、引き剥がし強さが０．６ｋＮ／ｍ以上の場合を“◎”、引き剥がし強さが０．５ｋＮ／ｍ以上０．６ｋＮ／ｍ未満の場合を“○”、引き剥がし強さが０．５ｋＮ／ｍ未満の場合を“×”で示している。
【００４５】
表２から明らかなように実施例１〜３の表面処理銅箔は、銅箔の幅方向切断面をＦＩＢ−ＳＩＭで測定倍率１万倍で観察した結果、銅箔断面の３０μｍの範囲において、粗化高さ１．５μｍ以上の粗化粒子の数が１個以上５個未満であり、粗化高さ１．０５μｍ未満の粗化粒子の数が１０個以上であり、その結果、樹脂基板との密着性に優れ、伝送特性に優れた銅箔となっている。
【００４６】
一方、比較例１の表面処理銅箔は、銅箔の幅方向切断面をＦＩＢ−ＳＩＭで測定倍率一万倍で観察した結果、銅箔断面の３０μｍの範囲において、粗化高さ１．５μｍ以上の粗化粒子の数が０個であり、その結果、伝送特性は優れていたが、樹脂基板との密着性に劣る銅箔となっている。
比較例２の表面処理銅箔は、銅箔の幅方向切断面をＦＩＢ−ＳＩＭで測定倍率一万倍で観察した結果、銅箔断面の３０μｍの範囲において、粗化高さ１．５μｍ以上の粗化粒子の数が８個であり、その結果、樹脂基板との密着性には優れるが、伝送特性に劣る銅箔となっている。
【００４７】
比較例３の表面処理銅箔は、銅箔の幅方向切断面をＦＩＢ−ＳＩＭで測定倍率一万倍で観察した結果、銅箔断面の３０μｍの範囲において、粗化高さ１．５μｍ以上の粗化粒子の数は１個であるが、粗化高さ１．０μｍ未満の粗化粒子の数が３個であり、その結果、伝送特性は優れていたが、樹脂基板との密着性に劣る銅箔となっている。
比較例５の表面処理銅箔は、銅箔の幅方向切断面をＦＩＢ−ＳＩＭで測定倍率一万倍で観察した結果、銅箔断面の３０μｍの範囲において、粗化高さ１．５μｍ以上の粗化粒子の数が１３個で、粗化高さ１．０μｍ未満の粗化粒子の数は０個である。その結果、伝送特性は優れていたが、樹脂基板との密着性に劣る銅箔となっている。
【００４８】
本発明は上述したように、伝送特性に優れ、樹脂基板との密着性に優れた銅箔であり、該銅箔は特に銅張積層基板用として、プリント配線板用として優れた基材となるものである。
【符号の説明】
【００４９】
１    元箔（未処理銅箔に相当する部分）
２    粗化粒子
【図１】
2015147978.tif 000007
【図２】
2015147978.tif 000008