(57)【要約】【課題】配向膜などを光学処理する際に、紫外線照射をしたくない部分に対し、容易に遮光膜を提供し、必要に応じて容易に除去できる材料を提供する。【解決手段】水溶性または水分散性樹脂と、水溶性染料とを含む水性溶液からなり、前記水性溶液で作られた遮光膜が５μｍ以下の厚さにおいて、波長２４０〜３７０ｎｍの範囲内のいずれかの波長の紫外線に対する遮光度が１以上となる紫外線遮光材。紫外線で光配向処理する工程で既に表示装置、電子機器を構成する基板に具備されている紫外線暴露を防ぐべきトランジスタ、配線および／または薄膜に前記水溶性遮光材を塗布・乾燥して遮光膜を選択的に形成し、紫外線を用いた光学処理を施した後に、前記基板から前記遮光膜を除去する光学処理方法。【選択図】図４
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
表示装置を構成する基板を紫外線照射して処理をする工程で、紫外線によって劣化をもたらす構成材料もしくは部品部分を、被覆して遮光するための材料であって、水溶性または水分散性樹脂と、水溶性染料とを含む水性溶液からなり、前記水性溶液で作られた遮光膜が５μｍ以下の厚さにおいて、波長２４０〜３７０ｎｍの範囲内のいずれかの波長の紫外線に対する遮光度が１以上となることを特徴とする紫外線遮光材。
【請求項２】
水溶性紫外線吸収剤をさらに含むことを特徴とする請求項１に記載の水溶性遮光材。
【請求項３】
有機溶剤をさらに含むことを特徴とする請求項１または２に記載の水溶性遮光材。
【請求項４】
表示装置または電子機器を構成する基板の紫外線によって劣化をもたらす構成材料もしくは部品部分の上に直接に、請求項１〜３に記載の水溶性遮光材を塗布・乾燥して遮光膜を選択的に形成して保護し、前記基板に紫外線を照射した後に、前記基板から前記遮光膜を除去することを特徴とする表示装置または電子機器の光学処理方法。
【請求項５】
前記表示装置または電子機器を構成する基板が液晶表示装置の液晶配向膜であり、その液晶配向膜に紫外線を用いた光配向処理の前に、前記基板に具備されている紫外線への暴露を防ぐべきトランジスタ、配線および／または薄膜の上に直接に前記水溶性遮光材を塗布・乾燥して遮光膜を選択的に形成して保護し、前記光配向膜に紫外線を用いた光配向処理を施した後に、前記基板から前記遮光膜を除去することを特徴とする請求項４に記載のまたは電子機器表示装置の光学処理方法。
【請求項６】
前記水溶性遮光材の塗布を印刷法で行うことを特徴とする請求項４または５に記載の表示装置または電子機器の光学処理方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、液晶装置などの表示装置及び電子機器に関連し、具体的には、紫外線に暴露されると劣化する部分を有する基板を紫外線を用いた光学処理を行うに際し有用な紫外線遮光材と、その紫外線遮光材を用いた表示装置の光学処理方法、より特定的には、液晶表示装置の製造にあたり、液晶表示装置を構成する光配向膜を有する基板に紫外線を照射して処理する工程において、基板の紫外線にて劣化する部分を遮光するための好適な遮光材料とそれを用いた光配向処理方法を提供するものである。
【背景技術】
【０００２】
液晶装置では、電場等の作用によって液晶の分子配列の状態を変化させ、この変化を光学的に利用することによって表示に活用している。液晶を特定の方向に配列させるためには配向処理が施されるが、従来のラビング法では微細な粉塵や静電気が発生するという問題があるので、近年、偏光紫外線を配向膜に照射して配向処理を行う光配向処理が提案され、実施されている（特許文献１，２）。
【０００３】
一方で、表示装置を構成する薄膜トランジスタ基板やカラーフィルター基板などには、強力な紫外線で劣化してしまう部分がある。例えば、薄膜トランジスタ基板の各画素に配置されたスイッチング回路や、低温ポリシリコンやIGZOなどの酸化物半導体を用いた時に採用されている有効表示エリアの外に配置されている論理回路は、紫外線が照射されると素子の劣化があり誤動作の原因となる。また、カラーフィルター基板のオーバーコート層が紫外線によって劣化し、劣化したオーバーコート層から液晶層への水分侵入を許してしまい、製品の信頼性を損なうと指摘されてきた。このため、光配向処理工程では、紫外線を当てたくない部分を遮光するマスクを使って処理をしていた。しかしながら、当該マスクは処理すべき基板と密着させて照射するのは困難で、どうしても０．１ｍｍ内外の隙間ができてしまい、紫外線の当てたくないところに紫外線が回り込んでしまい特性が劣化してしまう不具合が発生する問題があった。
【０００４】
図７を参照すると、基板１１上の遮光されるべき部分（遮光部）１２を紫外線ＵＶから遮光するためにマスク１３が用いられている。マスク１３は基板１１の上方に設置され、紫外線を遮るパターンを有している。一般的には、石英ガラスまたはパイレックス（登録商標）ガラスが用いられ、パターンは金属クロムによって形成されている。このようなマスクを使用すると、基板との隙間が問題となり、光の回り込みがあり、所望の遮光部分１２を多くできないという問題がある。特に第５世代基板（１１００ｘ１３００ｎｍ）以上になると、マスクも大型になり、マスクのたわみの無視できなくなり、さらに遮光部分の精度が悪くなる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２０１２−１８１４４７号公報
【特許文献２】特開平１０−２２１７００号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
本発明の目的は、光配向処理などの光学処理をする工程において、従来のマスクによる遮光での紫外線に暴露したくない部分に紫外線が回り込むような不具合を防いだ表示装置、電子機器にするための新たな工程とそれを可能にする材料を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上記の課題を解決するため、本発明によれば、下記が提供される。
（１）表示装置または電子機器を構成する基板を紫外線照射して処理をする工程で、紫外線によって劣化をもたらす構成材料もしくは部品部分を、被覆して遮光するための材料であって、水溶性または水分散性樹脂と、水溶性染料とを含む水性溶液からなり、前記水性溶液で作られた遮光膜が５μm以下の厚さにおいて、波長２４０〜３７０ｎｍの範囲内のいずれかの波長の紫外線に対する遮光度が１以上となることを特徴とする紫外線遮光材。
【０００８】
（２）水溶性紫外線吸収剤をさらに含むことを特徴とする請求項１に記載の水溶性遮光材。
【０００９】
（３）有機溶剤をさらに含むことを特徴とする上記（１）または（２）に記載の水溶性遮光材。
【００１０】
（４）表示装置または電子機器を構成する基板の紫外線によって劣化をもたらす構成材料もしくは部品部分の上に直接に、上記（１）〜（３）に記載の水溶性遮光材を塗布・乾燥して遮光膜を選択的に形成して保護し、前記基板に紫外線を照射した後に、前記基板から前記遮光膜を除去することを特徴とする表示装置または電子機器の光学処理方法。
【００１１】
（５）前記表示装置または電子機器を構成する基板が液晶表示装置の液晶配向膜であり、その液晶配向膜に紫外線を用いた光配向処理の前に、前記基板に具備されている紫外線への暴露を防ぐべきトランジスタ、配線および／または薄膜の上に直接に前記水溶性遮光材を塗布・乾燥して遮光膜を選択的に形成して保護し、前記光配向膜に紫外線を用いた光配向処理を施した後に、前記基板から前記遮光膜を除去することを特徴とする上記（４）に記載の表示装置のまたは電子機器光学処理方法。
【００１２】
（６）前記水溶性遮光材の塗布を印刷法で行うことを特徴とする上記（４）または（５）に記載の表示装置または電子機器の光学処理方法。
【発明の効果】
【００１３】
本発明によれば、表示装置または電子機器を構成する基板の紫外線を照射したくない部分に水溶性樹脂と、水溶性染料、及び水溶性紫外線吸収剤からなる群より選択された溶液からなり、該溶液で作られた遮光膜が５μｍ以下の厚さにおいて、遮光度１以上となる遮光材を塗布することにより、紫外線照射での処理工程でも遮光材料を塗布した部分は紫外線での劣化は観察できず、また、精度よく紫外線をカットできるため、高信頼性の高精細表示装置を提供できた。本発明の遮光膜およびそれを用いた光学処理方法は、液晶表示装置に限定されず、光学処理によって劣化する部分を含む表示装置または電子機器の基板の光学処理に広く有用であることは明らかである。
【図面の簡単な説明】
【００１４】
【図１】本発明の遮光材料を塗布すべき基板の一例（液晶表示装置を構成する光配向材塗布用のＴＦＴ基板）を示す模式平面図である。
【図２】図１の基板のＡ−Ａ’に沿った模式断面図である。
【図３】本発明の実施例１において得られる、遮光材料塗布後のＴＦＴ基板の一例を示す模式断面図である。
【図４】図３の基板のＢ−Ｂ’に沿った模式断面図である。
【図５】本発明の実施例１において得られる、遮光材料塗布後のカラーフィルター基板を示す模式平面図である。
【図６】図５のカラーフィルター基板のＣ−Ｃ’ に沿った模式断面図である。
【図７】従来のマスクと対象基板との関係を示す模式断面図である。
【図８】ＵＶラベルの色と照射量との対応関係を示す図である。
【図９】紫外線照射後のＵＶラベルの状況と、照射量、膜厚との関係を示す図である。
【図１０】ＵＶラベルの色と照射量との関係を示す図である。
【図１１】紫外線照射後のＵＶラベルの状況（コート液：ＣＬＢ４）を示す図である。
【図１２】紫外線照射後のＵＶラベルの状況（コート液：ＣＬＢ５）を示す図である。
【図１３】紫外線透過率と膜厚との関係（コート液：ＣＬＢ４）を示すグラフである。
【図１４】紫外線透過率と膜厚との関係（コート液：ＣＬＢ４）を示すグラフである。
【発明を実施するための形態】
【００１５】
（従来技術と本発明）
本発明は、背景技術の欄で述べたマスクを用いる遮光技術に伴う問題を解決するものであり、本発明によれば、表示装置または電子機器を構成する基板を紫外線照射して処理をする工程で、紫外線によって劣化をもたらす構成材料もしくは部品部分を、被覆して遮光するための材料であって、水溶性または水分散性樹脂と、水溶性染料とを含む水性溶液からなり、前記水性溶液で作られた遮光膜が５μm以下の厚さにおいて、波長２４０〜３７０ｎｍの範囲内のいずれかの波長の紫外線に対する遮光度が１以上となることを特徴とする紫外線遮光材を提供する。
【００１６】
本発明によれば、水溶性遮光材において水溶性樹脂に水溶性染料と任意に水溶性紫外線吸収剤を併用することにより、遮光膜の厚さ５μｍ以下において紫外線の遮光度を１以上、好ましくは１．３以上、さらには２以上である。ここで遮光度とは、吸光度（Ａｂｓｏｒｂａｎｃｅ）と同義であり、遮光度は所望の波長（例えば２５４ｎｍ、３１３ｎｍ、３６０ｎｍなど２４０〜３７０ｎｍの範囲内の波長）での媒体の吸光度になり、遮光度Ａ＝−ｌｏｇ（Ｔ／１００）［式中、Ｔは透過率（単位％）］である。遮光度あるいは吸光度の測定方法は、分光光度計（例えば島津製作所製）により測定できる。試料として石英基板上に塗布、乾燥した遮光材料の分光スペクトルをとり、結果として、紫外領域の波長（例えば２５４ｎｍ）で透過率Ｔが１０％以下、吸光度（遮光度）で１以上あればよいということになる。遮光度の測定において紫外線としては光処理に通常用いられる１０００ｍＪ/ｃｍ２程度の場合、照射強度には影響されない。
【００１７】
（水性溶媒）
本発明の紫外線遮光材は、水性溶液であり、溶媒は水性、すなわち、水だけか、水と有機溶剤の混合溶媒を用いる。有機溶媒を用いると作業環境として負荷があるので、溶媒は水だけが好ましく、本発明の紫外線遮光材は溶媒として水だけでよいという特徴があるが、必要に応じて有機溶剤を混合使用してもよい。有機溶剤の混合割合としては、５０質量％未満、好ましくは２０質量％以下、より好ましくは１０質量％以下である。
【００１８】
水に混合して使用できる有機溶媒を例示すると、アルコール類、酢酸、テトラヒドロフラン（ＴＨＦ）、１，４−ジオキサン、アセトン、アクリロニトリル、ジメチルホルムアミド（ＤＭＦ）、ピリジン、Ｎ−メチルピロリドン（ＮＭＰ）を挙げることができる。
【００１９】
このような水溶性溶媒は特に制限されないが、環境への影響の点からは、該水溶性溶媒はアルコールであることが好ましい。本発明において使用可能なアルコールを列挙すれば、メタノール、エタノール、プロパノール、イソプロピルアルコール、ブタノール、エチレングリコールがある。本発明においては、アルコール類の中でも、安全性、揮発性、ないし水溶性高分子等の「溶質」の溶解度の点からは、イソプロピルアルコール、エタノールが好適に使用可能である。すなわち、本発明においては、水とアルコールとの各種割合の混合物が、溶媒として好適に使用可能である。
【００２０】
（水溶性樹脂）
本発明の水溶性遮光材においては、水性溶媒中の固形分として水溶性高分子（水溶性樹脂）を含有する。
【００２１】
前記水溶性高分子（水溶性樹脂）は、遮光材の基材となるものであり、水、さらにはアルコールなどの有機溶剤に溶解させて塗布及び乾燥させて膜を形成し得るものであれば、特に制限されず、例えばポリエチレングリコール、ポリアクリル酸、メチルセルロース、エチルセルロース、ポリビニルアルコール、ポリビニルピロリドン、ポリグリセリン、その他澱粉、アラビアゴム、ゼラチン、メチルビニルエーテル／無水マレイン酸共重合体、サクローズオクタアセテート、アルギン酸アンモニウム、アルギン酸ナトリウム、ポリビニルアミンポリエチレンオキシド、ポリスチレンスルホン酸等が挙げられる。これらは単独で或いは混合して用いられる。
【００２２】
また、本発明において、紫外線遮光膜は、光配向処理などの光学処理の後、水洗によって除去されるものであり、水洗性を考慮するならば、水溶性樹脂としてポリエチレングリコールをとして使用することが好ましく、さらにその（平均）重合度は、１００〜５００程度が好ましく、更には２００〜４００程度が好ましく、特に、２５０〜３００（例えば３００）程度が好ましい。
【００２３】
本発明の水溶性遮光材において水溶性高分子（水溶性樹脂）の配合量は、固形分を基準に３０質量％から７０質量％が好ましく、３０質量％から７０質量％がより好ましい。本発明の紫外線遮光材の固形分は、典型的には、水溶性高分子（水溶性樹脂）と、水溶性染料と、任意に配合される水溶性紫外線吸収剤であり、これらの合計を基準とすることができる。
【００２４】
（水溶性染料）
本発明の水溶性遮光材においては、上述した水溶性樹脂に水溶性染料を併用する。顔料では表示装置または電子機器の基板が汚染される可能性があり、また有機溶媒系の染料では作業場に防爆装置を必要とするなどの不便がある。すなわち、本発明の水溶性遮光材は、顔料および有機溶媒系の染料を用いないことを特徴とするが、本発明を阻害しない範囲であれば、顔料および有機溶媒系の染料を含んでもよい。その配合量は固形分基準で高々５質量％未満、さらには２質量％以下である。
【００２５】
水溶性染料としては、アゾ染料、アクリジン染料、アジン染料、アントラキノン染料、インジゴイド染料、オキシケトン染料、キノフタロン染料、キノリン染料、キノンイミン染料、スチルベン染料、トリフェニルメタン染料、ヒドラゾン染料、フタロシアニン染料、ポリメチン染料、ピラゾン染料、等の公知の染料を用いる事ができ、アゾ染料が好ましい。
【００２６】
本発明の水溶性遮光材において水溶性染料の配合量は、固形分を基準にして３０質量％から７０質量％が好ましく、３０質量％から７０質量％がより好ましい。
【００２７】
（水溶性紫外線吸収剤）
上述した水溶性樹脂と必要に応じて併用される水溶性紫外線吸収剤としては、２−（２'−ヒドロキシ−５'−メチルフェニル）ベンゾトリアゾール、２テトラヒドロキシベンゾフェノン、チルヘルペリジン、ジエタノールアミンｐ−メトキシシンナメート、２−ヒドロキシ−４−メトキシベンゾフェノン−５−スルホン酸ナトリウム等を用いることができ、２−（２'−ヒドロキシ−５'−メチルフェニル）ベンゾトリアゾールが好ましい。
【００２８】
本発明の水溶性遮光材において任意に配合される水溶性紫外線吸収剤の配合量は、固形分を基準に、０．００１質量％から１．００質量％が好ましく、０．０１質量％から０．５質量％がより好ましい。
【００２９】
（光照射処理工程および方法）
本発明によれば、表示装置または電子機器を製造する工程において、紫外線を照射することで基板への機能付加処理工程に関し、基板上の紫外線が照射されることにより機能劣化する部分を、紫外線照射する工程の前に、水溶性樹脂と、水溶性染料、及び任意に水溶性紫外線吸収剤を含む水性溶液を用いて基板上の紫外線が照射されることにより機能劣化する部分の上に直接に選択的に保護膜を作成し、該水性溶液で作られた遮光膜が5μm以下の厚さにおいて、紫外線の遮光度２以上となる遮光材を塗布することを特徴とする機能付加処理方法が提供される。
【００３０】
本発明は、表示装置または電子機器を製造する際に表示装置または電子機器を構成する基板に紫外線を照射して処理をする工程において、従来の遮光マスクを用いるのではなく、紫外線の照射したくない部分の基板に直接下記の遮光材料を塗布することにより、精度よく紫外線照射の害を防ぐものである。
【００３１】
遮光材は、水溶性樹脂と、水溶性染料、及び任意に水溶性紫外線吸収剤を含む水性溶液からなり、該溶液で作られた遮光膜が５μm以下の厚さにおいて、遮光度１以上となることを特徴とする。
【００３２】
これらの遮光材の直接の塗布方法は、紫外線の照射したくない部分に塗布するため、印刷法が望ましく、凹版印刷、凸版印刷、インクジェット方式、スクリーン印刷、スタンピングなど方式をいとわない。直接印刷にて遮光部分のパターンを作ることにより、従来の遮光マスクのたわみを考慮したパターンの補正設計は必要としない。
【００３３】
固形分濃度が１１．２％で１３．７μｍの膜厚で塗布し８０℃３分焼成乾燥後、溶媒が蒸発し約１．１μｍの膜厚を得ることができる。この遮光膜で１０００ｍＪ／ｃｍ2射しても遮光することが確認できている。一方、固形分濃度１６%で３０μｍの膜厚で塗布し８０℃３分焼成乾燥後、溶媒が蒸発し約４．１μｍの膜厚を得ることができる。この遮光膜は、２０００μｍＪ／ｃｍ2照射しても遮光することが確認できている。
【００３４】
さらにこうして作成した遮光膜は水洗することで残渣なく完全に基板上から除去できた。すなわち遮光膜の剥離法は、シャワー洗浄でも、超音波洗浄でも数秒で剥離できることが確認できた。
【００３５】
本発明は、とりわけ、液晶表示装置の液晶配向膜を有する基板において、液晶配向膜を紫外線を用いて光配向処理する場合に、紫外線への暴露を防ぐべきトランジスタ、配線、薄膜（カラーフィルタのオーバーコートなど）などの構成要素を保護するために、特に有用である。トランジスタ、配線、薄膜などの構成要素の上に直接に水溶性遮光材を塗布・乾燥して遮光膜を形成して当該部分を保護してから、紫外線で光配向処理を行い、光配向処理後に遮光膜を除去することで、従来のマスクの場合の光の回り込みを防止することができる。トランジスタ、配線、薄膜などの紫外線への暴露を防ぐべき部分に遮光膜を形成するには、露光方法を用いてもよいが、印刷法を用いることで、遮光膜を形成するための露光工程も不要になり、配向膜への悪影響も防止できる。
【００３６】
表示装置の基板に対する光配向処理などの光学処理は、公知の光学処理であることができる。
【実施例】
【００３７】
＜吸光係数の測定＞
吸光度（ａｂｓ）：紫外線分光光度計（島津製作所ＵＶ−３１５０）により、波長２５４ｎｍにおける試料溶液の吸光度を測定した。
【００３８】
吸光係数：実測された上記吸光度から、試料溶液の吸光係数を求めた。
【００３９】
（実施例１）
図１〜６を参照すると、液晶表示装置を構成する２枚の基板の内の一方は、低温ポリシリコンを用いたＴＦＴ基板１であり、もう一方はカラーフィルター基板１’である。ＴＦＴ基板１には有効表示エリアに形成された画素２、論理回路形成部３、カラーフィルター基板１’にはカラーフィルター形成部６が形成されている。この２枚の基板１，１’に光配向材料ＲＮ−２４６７（商品名：日産化学製）をフレキソ印刷法により、有効表示エリアを覆い周辺シール材に接するパターンで印刷し、２３０℃、３０分オーブンで焼成することにより膜厚１０００Åの光配向膜４を形成した。
【００４０】
また、質量比がポリビニルアルコール５００（関東化学）１０％、水溶性染料黒インク  ＫＡＹＡＣＩＯＮ  ＢＬＡＣＫ  Ｐ−ＧＳ（日本化薬）６％、紫外線吸収剤アデカスタブＬＡ−４６（アデカ）０．１％、イソプロピルアルコール５％、水７８．９％からなる、固形分濃度が１６％の塗布液を作成した。
【００４１】
上記により得た塗布液を、ＴＦＴ基板の有効表示エリア以外に形成された論理回路部分３（図１〜２）を完全に覆うように塗布し、８０℃、３分で乾燥を行い、厚さ１μｍの遮光膜５を作成した（図３、図４）。
【００４２】
なお、この遮光膜５の透光度（遮光度）として、上記塗布液から石英基板上に同様に塗布、乾燥して形成した材料について、分光光度計（例えば島津製作所製）により遮光材料の分光スペクトルをとり、紫外線の透過率を測定したところ、２５４ｎｍにおける紫外線透過率は、１％以下であった。すなわち、ＵＶ領域の波長（２５４ｎｍ）で透過率Ｔが１％以下であり、吸光度（遮光度）は２以上であった。
【００４３】
同様に、カラーフィルター基板１’においても、光配向材料４が塗布されていない部分にＴＦＴ基板に形成したものと同様の遮光膜５を形成した（図５、図６）。
【００４４】
このようにして処理された２枚の基板１，１’に高圧水銀灯ランプから主波長２５４ｎｍの紫外線を、少なくとも２５４ｎｍの波長を偏光光にするワイヤーグリッド偏光板を通して偏光を作成し、照射した。照射量は１０００ｍＪ／ｃｍ２であった。
【００４５】
その後、この２枚の基板を純水シャワーで３０秒流すと、遮光膜５は純水に溶解して完全に除去できた。
【００４６】
その後の工程を経てこの２枚の基板１，１’から成る液晶表示装置を作成し表示特性を評価した。
【００４７】
液晶分子は光配向膜の偏光方向に配列し、かつ、表示の誤動作などなく正常に動作することが確認できた。
【００４８】
また、このようにして作成した液晶表示装置を８０℃、９０％の高温高湿試験に供したところ、１０００時間の該試験に耐えた。これにより、本実施例装置の長寿命化が確認できた。この際、遮光マスクで発生するような問題は見られなかった。
【００４９】
（実施例２）
実施例１と同様にして、ポリビニルアルコール５００（関東化学）、水溶性染料黒インク  ＫＡＹＡＣＩＯＮ  ＢＬＡＣＫ  Ｐ−ＧＳ（日本化薬）、紫外線吸収剤アデカスタブＬＡ−４６（アデカ）、イソプロピルアルコール、水を表１に記載した質量比および固形分濃度で含む紫外線遮光コーティング剤ＣＬＢ２を作成した。表１におけるＣＬＢ３が実施例１のである。
【００５０】
【表１】
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【００５１】
最初に紫外線照射量を変えてＵＶラベルの状況を確認し、遮光膜の紫外線透過量を測定した。
【００５２】
寸法３０×４０ｍｍ、厚さ０．１２−０．１７ｍｍのカバーグラス（ＭＡＴＵＮＡＭＩ写生）を用い、このカバーグラスに紫外線遮光コーティング剤を塗布しないもの（未加工品）と、紫外線遮光コーティング剤Ｍａｓｋ Ｌｉｑｕｉｄ ＣＬＢ２（固形分濃度１１．２％、粘度１７．２ｃｐ（１５℃）、ｐＨ８．１）およびＭａｓｋ Ｌｉｑｕｉｄ ＣＬＢ３（固形分濃度１６．０％）を所定膜厚に塗布した加工品を用意した。
【００５３】
カバーグラスに紫外線遮光コーティング剤を塗布するとき、バーコーター（テスター産業社製、製品名：ＳＡ−２０３）に、バーコーター（テスター産業社製）＃６（膜厚１３．７２）、＃９（膜厚２０．６１μｍ）、＃１３（膜厚２９．７７μｍ）を用い、下記の条件で塗布および乾燥した。
【００５４】
【表２】
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【００５５】
上記紫外線カットコーティング剤を塗布しないカバーグラスと塗布したカバーグラスに、ＵＶランプ（アズワンＳＬＵＶ−４：波長２５４ｎｍ）を用いて、波長２５４ｎｍの紫外線を一定時間照射した（表３を参照）。
【００５６】
このとき市販の「ＵＶラベル」（日油技研工業社製ＵＶ−Ｈ、超高感度（０〜２０００ｍｊ／ｃｍ２））を用いて、試験品を透過する紫外線量を測定した。このときのＵＶラベルの色と照射量との関係を、図８に示す（以下、図８〜１２に示すＵＶラベルの色は白黒表示であるが、実際には薄く着色している）。また、紫外線照射後のＵＶラベルの状況を図９に示す。このようなＵＶラベルの色と照射量との関係の詳細に関しては、必要に応じて、下記のＵＲＬ（日油技研工業  紫外線インジケーター  ＵＶラベルのサイト）を参照することができる。
【００５７】
ＵＲＬ：  http://ondolab.com/product/seal/thermolabel/uv.html
得られた試験結果（膜厚と紫外線照射量の関係）を、表３に示す。
【００５８】
【表３】
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【００５９】
（実施例３〜４）
実施例１と同様にして、ポリビニルアルコール５００（関東化学）、水溶性染料黒インク  ＫＡＹＡＣＩＯＮ  ＢＬＡＣＫ  Ｐ−ＧＳ（日本化薬）、紫外線吸収剤アデカスタブＬＡ−４６（アデカ）、イソプロピルアルコール、水を表１に記載した質量比および固形分濃度で含む紫外線遮光コーティング剤ＣＬＢ４,ＣＬＢ５を作成した。
【００６０】
紫外線遮光コーティング剤（日油技研工業社製ＵＶ−Ｈ）として、Ｍａｓｋ Ｌｉｑｕｉｄ ＣＬＢ４：（形分濃度２０％）およびＭａｓｋ Ｌｉｑｕｉｄ ＣＬＢ５（固形分濃度３０％（増粘タイプ）を用いて、実施例２と同様にして膜厚が０．５μｍ、０．７μｍ、１．０μｍになる条件で塗布し、乾燥（８０℃、３分）する以外は、実施例２と同様に試験した。
【００６１】
紫外線カットコーティング剤を塗布したカバーグラスに、ＵＶランプを用いて波長２５４ｎｍの紫外線を一定時間照射し、このときのＵＶラベルを用いて試験品を透過する紫外線量を測定した。照射した紫外線量と透過した紫外線量により紫外線透過率を算出したときの、ＵＶラベルの色と照射量との関係を図１０に示す。
【００６２】
上記により得られた、各コート液について紫外線照射後のＵＶラベルの状況を、図１１（紫外線照射後のＵＶラベルの状況；ＣＬＢ４）および図１２（紫外線照射後のＵＶラベルの状況；ＣＬＢ５）に示す。
【００６３】
ラベルの色の変化により透過量を目視で確認した。この結果により遮光膜の紫外線透過率を算出し、それらの結果を、図１３および図１４に示す。
【符号の説明】
【００６４】
１    ガラス基板
２    有効表示エリアに形成された画素
３    論理回路形成部
４    光配向材料
５    遮光膜
６    カラーフィルター形成部
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図１３】
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【図１４】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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