(57)【要約】      （修正有）【課題】Ｌｏｗ−ｋ膜を含む積層体がウェーハの基板表面に積層されたウェーハであっても、効率よく確実に個々のデバイスチップに分割することのできるウェーハの加工方法を提供すること。【解決手段】ウェーハ１１に対して透過性を有し積層体に対して吸収性を有する波長のレーザービームを積層体側から分割予定ラインに沿ってウェーハに照射し、積層体を部分的に除去してウェーハの表面にレーザー加工溝２３を形成するとともに、ウェーハの内部にウェーハの破断起点となる改質層２５を同時に形成するレーザー加工ステップと、レーザー加工ステップを実施した後、ウェーハに外力を付与して分割予定ラインに沿ってウェーハを個々のデバイスチップに分割する分割ステップと、を備え、レーザー加工ステップでは、レーザービームの集光点を該積層体近傍のウェーハ内部に位置付ける。【選択図】図３
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板の表面に積層された積層体によって複数のデバイスが形成されたウェーハを、該複数のデバイスを区画する分割予定ラインに沿って分割するウェーハの加工方法であって、
ウェーハに対して透過性を有し該積層体に対して吸収性を有する波長のレーザービームを該積層体側から該分割予定ラインに沿ってウェーハに照射し、該積層体を部分的に除去してウェーハの表面にレーザー加工溝を形成するとともに、ウェーハの内部にウェーハの破断起点となる改質層を同時に形成するレーザー加工ステップと、
該レーザー加工ステップを実施した後、ウェーハに外力を付与して該分割予定ラインに沿ってウェーハを個々のデバイスチップに分割する分割ステップと、を備え、
該レーザー加工ステップでは、レーザービームの集光点を該積層体近傍のウェーハ内部に位置付けることを特徴とするウェーハの加工方法。
【請求項２】
前記レーザー加工ステップを実施する前に、ウェーハを裏面から研削して所望の厚さに加工する研削ステップを更に備えた請求項１記載のウェーハの加工方法。
【請求項３】
前記分割ステップでは、ウェーハの裏面を研削して所定の厚みに形成するとともに該改質層を破断起点にしてウェーハを該分割予定ラインに沿って個々のデバイスチップに分割する請求項１記載のウェーハの加工方法。
【請求項４】
前記レーザー加工ステップを実施する前に、ウェーハの表面に保護部材を配設する保護部材配設ステップを更に備え、
該レーザー加工ステップでは、レーザービームの波長は該保護部材に対して透過性を有し、該保護部材越しにウェーハに該レーザービームを照射することを特徴とする請求項１〜３の何れかに記載のウェーハの加工方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ウェーハの加工方法、特に、層間絶縁膜として低誘電率絶縁膜（Ｌｏｗ−ｋ
膜）を使用したウェーハの加工方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体デバイス製造プロセスにおいては、略円板形状であるシリコンウェーハ、ガリウム砒素ウェーハ等の半導体ウェーハの表面に格子状に形成されたストリートと呼ばれる分割予定ラインによって複数の領域が区画され、区画された各領域にＩＣ、ＬＳＩ等のデバイスを形成する。
【０００３】
このような半導体ウェーハは研削装置によって裏面が研削されて所定の厚みに加工された後、切削装置又はレーザー加工装置によって個々のデバイスに分割され、分割されたデバイスは携帯電話、パソコン等の各種電気機器に広く利用されている。
【０００４】
切削装置としては一般にダイシング装置と呼ばれる切削装置が用いられており、この切削装置ではダイアモンドやＣＢＮ等の超砥粒をメタルやレジンで固めて厚さ２０〜３０μｍの切刃を有する切削ブレードが約３００００ｒｐｍ等の高速で回転しつつ半導体ウェーハへ切り込むことで切削が遂行される。
【０００５】
半導体ウェーハの表面に形成された半導体デバイスは、金属配線が何層にも積層されて信号を伝達しており、各金属配線間は主にＳｉＯ２から形成された層間絶縁膜により絶縁されている。
【０００６】
近年、構造の微細化に伴い、配線間距離が近くなり、近接する配線間の電気容量は大きくなってきている。これに起因して信号の遅延が発生し、消費電力が増加するという問題が顕著になってきている。
【０００７】
各層間の寄生容量を軽減すべく、デバイス（回路）形成時に各層間を絶縁する層間絶縁膜として従来は主にＳｉＯ２絶縁膜を採用していたが、最近になりＳｉＯ２絶縁膜よりも誘電率の低い低誘電率絶縁膜（Ｌｏｗ−ｋ膜）が採用されるようになってきている。
【０００８】
低誘電率絶縁膜としては、ＳｉＯ２膜（誘電率ｋ＝４．１）よりも誘電率が低い（例えばｋ＝２．５乃至３．６程度）材料、例えばＳｉＯＣ，ＳｉＬＫ等の無機物系の膜、ポリイミド系、パリレン系、ポリテトラフルオロエチレン系等のポリマー膜である有機物系の膜、及びメチル含有ポリシロキサン等のポーラスシリカ膜を挙げることができる。
【０００９】
このような低誘電率絶縁膜を含む積層体を切削ブレードにより分割予定ラインに沿って切削すると、低誘電率絶縁膜は雲母のように非常に脆いことから積層体が剥離するという問題が生じる。
【００１０】
この問題を解決するために、例えば特開２００５−０６４２３０号公報又は特開２００５−２０９７１９号公報では、切削ブレードでの切削に先立って、予め分割予定ライン上の積層体をレーザービームの照射により除去し、その後切削ブレードでチップへと分割する半導体ウェーハの加工方法が提案されている。
【００１１】
予め分割予定ライン上の積層体をレーザービームの照射により除去して加工溝を形成する加工方法の場合、加工溝の形成時に発生するデブリがデバイス部分に付着しないよう、レーザービームの照射に先立ちウェーハの表面に保護膜を塗付しておき、溝形成後に保護膜を洗浄して除去する方法が提案されている（例えば、特許第４４７１６３２号公報参照）。
【００１２】
一方、半導体ウェーハの分割にレーザー加工装置を用い、ウェーハに対し透過性を有する波長のパルスレーザービームをウェーハの内部に集光点を合わせて照射して、ウェーハ内部に分割予定ラインに沿った改質層を形成し、この改質層で強度が低下した分割予定ラインに外力を付与することにより、改質層を分割起点にウェーハを個々のデバイスチップに分割する方法も知られている（例えば、特開２００９−１０１０５号公報参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【００１３】
【特許文献１】特開２００５−０６４２３０号公報
【特許文献２】特開２００５−２０９７１９号公報
【特許文献３】特許第４４７１６３２号公報
【特許文献４】特開２００９−１０１０５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１４】
ウェーハ内部に改質層を形成し、ウェーハを改質層を分割起点に個々のデバイスチップに分割する加工方法の場合、ウェーハの表面に積層された積層体がＬｏｗ−ｋ膜を含む分割されにくい材料から形成されている場合、積層体部分の分割位置がずれたり、積層体がウェーハの基板上面から剥離したりするという問題があった。
【００１５】
本発明はこのような点に鑑みてなされたものであり、その目的とするところは、Ｌｏｗ−ｋ膜を含む積層体がウェーハの基板表面に積層されたウェーハであっても、効率よく確実に個々のデバイスチップに分割することのできるウェーハの加工方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【００１６】
本発明によると、基板の表面に積層された積層体によって複数のデバイスが形成されたウェーハを、該複数のデバイスを区画する分割予定ラインに沿って分割するウェーハの加工方法であって、ウェーハに対して透過性を有し該積層体に対して吸収性を有する波長のレーザービームを該積層体側から該分割予定ラインに沿ってウェーハに照射し、該積層体を部分的に除去してウェーハの表面にレーザー加工溝を形成するとともに、ウェーハの内部にウェーハの破断起点となる改質層を同時に形成するレーザー加工ステップと、該レーザー加工ステップを実施した後、ウェーハに外力を付与して該分割予定ラインに沿ってウェーハを個々のデバイスチップに分割する分割ステップと、を備え、該レーザー加工ステップでは、レーザービームの集光点を該積層体近傍のウェーハ内部に位置付けることを特徴とするウェーハの加工方法が提供される。
【００１７】
好ましくは、ウェーハの加工方法は、レーザー加工ステップを実施する前に、ウェーハを裏面から研削して所望の厚さに加工する研削ステップを更に備えている。
【００１８】
好ましくは、分割ステップでは、ウェーハの裏面を研削して所定の厚みに形成するとともに該改質層を破断起点にしてウェーハを分割予定ラインに沿って個々のデバイスチップに分割する。
【００１９】
好ましくは、ウェーハの加工方法は、レーザー加工ステップを実施する前に、ウェーハの表面に保護部材を配設する保護部材配設ステップを更に備えており、レーザー加工ステップでは、レーザービームの波長は保護部材に対して透過性を有し、保護部材越しにウェーハにレーザービームを照射する。
【発明の効果】
【００２０】
本発明のウェーハの加工方法では、ウェーハに対して透過性を有し積層体に対して吸収性を有する波長のレーザービームの集光点を積層体近傍のウェーハ内部に位置付けて、レーザービームを積層体側から分割予定ラインに沿ってウェーハに照射して、レーザー加工溝と改質層を一括して形成するため、分割不良を起こすことなくウェーハを個々のデバイスチップに分割することが一回のレーザー加工ステップで可能になるという効果を奏する。
【図面の簡単な説明】
【００２１】
【図１】半導体ウェーハの表面側斜視図である。
【図２】半導体ウェーハの表面を外周部が環状フレームに貼着されたダイシングテープに貼着した状態の斜視図である。
【図３】レーザー加工ステップを示す断面図である。
【図４】レーザービーム照射ユニットのブロック図である。
【図５】第１実施形態の分割ステップの斜視図である。
【図６】ウェーハの裏面を研削する研削ステップを示す斜視図である。
【図７】レーザー加工ステップを示す断面図である。
【図８】第２実施形態の分割ステップを示す断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００２２】
以下、本発明の実施形態を図面を参照して詳細に説明する。図１を参照すると、半導体ウェーハ（以下、単にウェーハと略称することがある）１１の表面側斜視図が示されている。半導体ウェーハ１１は、所定厚み（例えば７００μｍ）のシリコン基板１３上に複数の半導体デバイス１９を形成する積層体１５が積層されて構成されている。
【００２３】
各デバイス１９は格子状に形成された複数の分割予定ライン１７で区画された領域に形成されている。本実施形態の半導体ウェーハ１１では、デバイス１９形成時に層間絶縁膜として低誘電率絶縁膜（Ｌｏｗ−ｋ膜）が使用されている。
【００２４】
本発明第１実施形態のウェーハの加工方法では、まず、図２に示すように、ウェーハ１１の表面１１ａを外周部が環状フレームＦに貼着されたダイシングテープＴに貼着し、ウェーハ１１の裏面１１ｂを露出させる。
【００２５】
本実施形態では、ダイシングテープＴがウェーハ１１の表面１１ａに形成されたデバイス１９を保護する保護部材として作用する。従って、これを保護部材配設ステップと称することにする。
【００２６】
保護部材配設ステップを実施後、図３に示したように、レーザー加工装置のチャックテーブル１０でウェーハ１１の裏面１１ｂ側を吸引保持し、環状フレームＦの上に同一形状の第２の環状フレーム５０を重ねてダイシングテープＴの外周部をサンドイッチし、この状態でクランプ５２により第２の環状フレーム５０をクランプして固定する。
【００２７】
保護テープ貼着ステップを実施した後、図３に示したように、ダイシングテープＴ及びウェーハ１１に対して透過性を有し積層体１５に対して吸収性を有する波長のレーザービームをダイシングテープＴ越しにウェーハ１１に照射し、積層体１５を部分的に除去してウェーハ１１の表面に分割予定ライン１７に沿ってレーザー加工溝２３を形成するとともに、ウェーハ１１の内部にウェーハ１１の破断起点となる改質層２５が同時に形成するレーザー加工ステップを実施する。
【００２８】
このレーザー加工ステップでは、レーザービームの集光点を積層体１５近傍のウェーハ１１の内部に位置付けてレーザービームを照射することが重要である。例えば、レーザービームの集光点をウェーハ１１の表面１１ａから２０〜３０μｍ程度の深さに位置付けて、レーザービームをダイシングテープＴ越しにウェーハ１１に照射する。
【００２９】
これにより、積層体１５が部分的に除去されてウェーハ１１の表面にレーザー加工溝２３が形成されるとともに、ウェーハ１１の表面１１ａから２０〜３０μｍ程度の深さに改質層２５が同時に形成される。
【００３０】
図３及び図４を参照すると、レーザービーム照射ユニット１２は、ケーシング中に収容されたレーザービーム発生ユニット１６と、ケーシングの先端に取り付けられた集光器（レーザーヘッド）１８とから構成される。
【００３１】
レーザービーム発生ユニット１６は、図４に示すように、ＹＡＧパルスレーザー又はＹＶＯ４パルスレーザーを発振するレーザー発振器２２と、繰り返し周波数設定手段２４と、パルス幅調整手段２６と、パワー調整手段２８とを含んでいる。特に図示しないが、レーザー発振器２２はブリュースター窓を有しており、レーザー発振器２２から出射するレーザービームは直線偏光のレーザービームである。
【００３２】
レーザービーム発生ユニット１６のパワー調整手段２８で所定パワーに調整されたパルスレーザービームは、集光器１８のミラー３０で反射され、更に集光用対物レンズ３２で集光されてチャックテーブル１０に保持されたウェーハ１１にダイシングテープＴ越しに照射される。
【００３３】
レーザー加工ステップを実施する前に、分割予定ライン１７を加工送り方向と平行で且つ集光器１８と整列させるアライメントステップを実施する。アライメントステップは、図示しない撮像ユニットの赤外線撮像手段を用いてダイシングテープＴ越しに分割予定ライン１７を検出して実施する。このアライメントステップは、第１の方向に伸長する分割予定ライン１７と、第１の方向に直交する分割予定ライン１７について実施する。
【００３４】
アライメントステップ実施後、集光器１８をレーザー加工すべき分割予定ライン１７に整列させて、ダイシングテープＴ及びウェーハ１１のシリコン基板１３に対して透過性を有しウェーハ１１の積層体１５に対して吸収性を有する波長のレーザービームをダイシングテープＴ越しにウェーハ１１に照射し、チャックテーブル１０を矢印Ｘ１方向に加工送りすることにより、ウェーハ１１の積層体１０を部分的に除去して分割予定ライン１７に沿ったレーザー加工溝２３を形成するとともに、ウェーハ１１の内部に改質層２５を同時に形成するレーザー加工ステップを実施する。
【００３５】
チャックテーブル１０を加工送り方向Ｘ１と直交する方向に分割予定ライン１７の間隔ずつ割り出し送りしながら、第１の方向に伸長する分割予定ライン１７に沿って積層体１５に同様なレーザー加工溝２３を形成するとともに、ウェーハ１１の内部に改質層２５を次々と形成する。
【００３６】
第１の方向に伸長する全ての分割予定ライン１７に沿ってレーザー加工溝２３及び改質層２５の形成終了後、チャックテーブル１０を９０°回転して、第１の方向に直交する第２の方向に伸長する全ての分割予定ライン１７に沿ってウェーハ１１の積層体１５にレーザー加工溝２３を形成するとともにウェーハ１１の内部に改質層２５を同時に形成する。
【００３７】
レーザー加工ステップにおけるレーザー加工条件は、例えば以下のとおりである。
【００３８】
波長                    ：５００ｎｍ〜１０００ｎｍ
平均出力                ：０．５Ｗ
繰り返し周波数          ：１００ｋＨｚ
送り速度                ：３００ｍｍ／ｓ
【００３９】
レーザー加工ステップを実施した後、ウェーハ１１の裏面１１ｂを研削してウェーハ１１を仕上げ厚みへと薄化するとともに、研削押圧力によりウェーハ１１を改質層２５を分割起点に個々のデバイスチップへと分割する分割ステップを実施する。
【００４０】
この分割ステップについて図５を参照して説明する。分割ステップでは、図５（Ａ）に示すように、研削装置のチャックテーブル３６によりウェーハ１１の表面１１ａ側をダイシングテープＴを介して吸引保持し、ウェーハ１１の裏面１１ｂ側を露出させる。
【００４１】
研削装置の研削ユニット３８は、モータにより回転駆動されるスピンドル４０と、スピンドル４０の先端に固定されたホイールマウント４２と、ホイールマウント４２に複数のねじ４３で着脱可能に固定された研削ホイール４４とを含んでいる。研削ホイール４４は環状のホイール基台４６と、ホイール基台４６の下端外周部に環状に固着された複数の研削砥石４８とから構成される。
【００４２】
分割ステップでは、チャックテーブル３６を矢印ａ方向に例えば３００ｒｐｍで回転しつつ、研削ホイール４４をチャックテーブル３６と同一方向に、即ち矢印ｂ方向に例えば６０００ｒｐｍで回転させるとともに、図示しない研削ユニット送り機構を駆動して、研削砥石４８をウェーハ１１の裏面１１ｂに接触させる。
【００４３】
そして、研削ホイール４４を所定の研削送り速度で下方に所定量研削送りして、ウェーハ１１を研削して所望の厚さに加工する。ウェーハ１１の研削中にはウェーハ１１の裏面１１ｂに研削押圧力が掛かるため、ウェーハ１１は強度が低下された改質層２５を分割起点に、図５（Ｂ）に示すように、分割溝２７で画成された個々のデバイスチップ２９に分割される。
【００４４】
本実施形態のウェーハの加工方法では、レーザー加工ステップでウェーハ１１の内部に改質層２５が形成されるとともにウェーハ１１の積層体１５に分割予定ライン１７に沿ったレーザー加工溝２３が形成されるため、積層体１５がＬｏｗ−ｋ膜等の分離しにくい材料を含んでいる場合にも、積層体１５部分の分割位置がずれたり、積層体１５がウェーハ１１の基板１３表面から分離したりするという問題が発生することはない。
【００４５】
次に、本発明第２実施形態のウェーハの加工方法について、図６乃至図８を参照して説明する。本実施形態の加工方法では、まず、ウェーハ１１の裏面１１ｂを研削してウェーハ１１を所定厚さに加工する研削ステップを実施する。この研削ステップでは、図６に示すように、研削装置のチャックテーブル３６でダイシングテープＴを介してウェーハ１１を吸引保持し、ウェーハ１１の裏面１１ｂを露出させる。
【００４６】
好ましくは、この時図示しない研削装置のクランプで環状フレームＦをクランプして環状フレームＦを下方に引き落とし、ウェーハ１１の研削ステップで環状フレームＦが邪魔にならないようにする。
【００４７】
研削ステップでは、チャックテーブル３６を矢印ａ方向に例えば３００ｒｐｍで回転しつつ、研削ホイール４４をチャックテーブル３６と同一方向に、即ち矢印ｂ方向に例えば６０００ｒｐｍで回転させるとともに、図示しない研削ユニット送り機構を駆動して、研削砥石４８をウェーハ１１の裏面１１ｂに接触させる。
【００４８】
そして、研削ホイール４４を所定の研削送り速度で下方に所定量研削送りして、ウェーハ１１の研削を実施する。接触式又は非接触式の厚み測定ゲージでウェーハ１１の厚みを測定しながら、ウェーハ１１を所望の厚み、例えば１００μｍに仕上げる。
【００４９】
研削ステップ実施後、ダイシングテープＴ及びウェーハ１１の基板１３に対して透過性を有し積層体１５に対して吸収性を有する波長のレーザービームをダイシングテープＴ越しにウェーハ１１の分割予定ライン１７に沿って照射し、積層体１５を部分的に除去してウェーハの表面にレーザー加工溝２３を形成するとともに、ウェーハ１１の内部にウェーハ１１の破断起点となる改質層２５を同時に形成するレーザー加工ステップを実施する。
【００５０】
このレーザー加工ステップは、図３及び図４を参照して説明した第１実施形態のレーザー加工ステップと同様であるので、ここではその詳細な説明を省略する。
【００５１】
レーザー加工ステップ実施後、レーザー加工溝２３及び改質層２５が形成されたウェーハ１１に対して外力を付与し、分割予定ライン１７に沿ってウェーハ１１を個々のデバイスチップ２９に分割する分割ステップを実施する。
【００５２】
この分割ステップには、図８に示すような分割装置６０を使用する。図８（Ａ）において、分割装置６０は環状フレームＦを支持するフレーム保持ユニット６２と、フレーム保持ユニット６２に保持された環状フレームＦに装着されたダイシングテープＴを拡張する拡張ドラム６４を具備している。
【００５３】
フレーム保持ユニット６０は、環状のフレーム保持部材６６と、フレーム保持部材６６の外周に配設された固定手段としての複数のクランプ６８から構成される。フレーム保持部材６６の上面は環状フレームＦを載置する載置面６６ａを形成しており、この載置面６６ａ上に環状フレームＦが載置される。
【００５４】
フレーム保持ユニット６２は、エアシリンダ７２から構成された駆動手段７０により、環状のフレーム保持部材６６をその載置面６６ａが拡張ドラム６４の上端と略同一高さとなる基準位置と、拡張ドラム６４の上端より所定量下方の拡張位置の間を上下方向に移動する。エアシリンダ７２のピストンロッド７４がフレーム保持部材６６の下面に連結されている。
【００５５】
分割ステップでは、図８（Ａ）に示すように、ウエーハ１１をダイシングテープＴを介して支持した環状フレームＦを、フレーム保持部材６６の載置面６６ａ上に載置し、クランプ６８によってフレーム保持部材６６を固定する。このとき、フレーム保持部材６６はその載置面６６ａが拡張ドラム６４の上端と略同一高さとなる基準位置に位置付けられる。
【００５６】
次いで、エアシリンダ７２を駆動してフレーム保持部材６６を図８（Ｂ）に示す拡張位置に下降する。これにより、フレーム保持部材６６の載置面６６ａ上に固定されている環状フレームＦも下降するため、環状フレームＦに装着されたダイシングテープＴは拡張ドラム６４の上端縁に当接して主に半径方向に拡張される。
【００５７】
その結果、ダイシングテープＴに貼着されているウェーハ１１には放射状に引っ張り力が作用する。このようにウェーハ１１に放射状に引っ張り力が作用すると、ウェーハ１１の内部に形成された改質層２５は強度が低下されているので、改質層２５が分割起点となってウェーハ１１は分割予定ライン１７に沿って個々のデバイスチップ２９に分割される。
【００５８】
本実施形態でも、レーザー加工ステップでウェーハ１１の積層体１５には分割予定ライン１７に沿ったレーザー加工溝２３がウェーハ１１内部に形成される改質層２５と同時に形成されるため、積層体１５がＬｏｗ−ｋ膜等の分離しにくい材料を含んでいる場合であっても、積層体１５部分の分割位置がずれたり、積層体１５がウェーハ１１の基板１３上面から剥離したりするという問題が発生することがない。
【００５９】
上述した第１実施形態では、図３に示したレーザー加工ステップ及び図５に示した分割ステップを環状フレームＦに貼着したダイシングテープＴを張り替える必要がなく実施できる。
【００６０】
また、第２実施形態では、図６に示した研削ステップ、図７に示したレーザー加工ステップ及び図８に示した分割ステップを実施するのに、環状フレームＦに貼着したダイシングテープＴを張り替える必要がない。従って、加工方法は効率的であり、生産性が向上する。
【００６１】
上述した第１及び第２実施形態では、レーザービームをダイシングテープＴ越しにウェーハ１１に照射し、積層体１５を部分的に除去して分割予定ライン１７に沿ったレーザー加工溝２３を形成するため、デバイス部分にデブリが飛散するのをウェーハの表面に配設されたダイシングテープＴで防止することができる。レーザービームをダイシングテープＴ越しに照射するため、従来必要であった保護膜塗付工程が不要となる。
【符号の説明】
【００６２】
１１    半導体ウェーハ
１２    レーザービーム照射ユニット
１３    シリコン基板
１５    積層体
１６    レーザービーム発生ユニット
１７    分割予定ライン
１８    集光器
１９    デバイス
２３    レーザー加工溝
２５    改質層
２７    分割溝
２９    デバイスチップ
３８    研削ユニット
４２    フレーム保持ユニット
４４    研削ホイール
６０    分割装置
６４    拡張ドラム
【図１】
2015149445.tif 000003
【図２】
2015149445.tif 000004
【図３】
2015149445.tif 000005
【図４】
2015149445.tif 000006
【図５】
2015149445.tif 000007
【図６】
2015149445.tif 000008
【図７】
2015149445.tif 000009
【図８】
2015149445.tif 000010