(57)【要約】【課題】金属基板の反りが抑制され、かつ、金属基板表面の絶縁層のクラックが抑制された金属基板の製造方法、ならびに、その製造方法から得られる金属基板およびリードフレームを提供すること。【解決手段】金属基板１の製造方法は、金属層２と、金属層２の一方面に配置され、金属酸化物粉末からエアロゾルデポジション法により形成される絶縁層３とを備える金属基板１の製造方法であって、エアロゾルデポジション法は、金属酸化物粉末を噴出するための成膜ノズル２２と、金属層２とを間隔を隔てて対向配置する配置工程、および、金属酸化物粉末を、成膜ノズル２２から金属層２に向かって噴出させる噴出工程を備え、噴出工程において、噴出方向に交差する方向における金属層２と成膜ノズル２２との相対速度が、０．１〜１００ｍｍ／秒となるように、金属層２または成膜ノズル２２を移動させる。【選択図】図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
金属層と、前記金属層の一方面に配置され、金属酸化物粉末からエアロゾルデポジション法により形成される絶縁層とを備える金属基板の製造方法であって、
前記エアロゾルデポジション法は、
前記金属酸化物粉末を噴出するためのノズルと、前記金属層とを間隔を隔てて対向配置する配置工程、および、
前記金属酸化物粉末を、前記ノズルから前記金属層に向かって噴出させる噴出工程を備え、
前記噴出工程において、噴出方向に交差する方向における前記金属層と前記ノズルとの相対速度が、０．１〜１００ｍｍ／秒となるように、前記金属層または前記ノズルを移動させることを特徴とする、金属基板の製造方法。
【請求項２】
前記金属酸化物粉末が、アルミナ粉末であることを特徴とする、請求項１に記載の金属基板の製造方法。
【請求項３】
前記金属基板が、リードフレームであることを特徴とする、請求項１または２に記載の金属基板の製造方法。
【請求項４】
請求項１または２に記載の製造方法で得られることを特徴とする、金属基板。
【請求項５】
請求項３に記載の製造方法で得られることを特徴とする、リードフレーム。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、金属基板の製造方法、ならびに、その製造方法から得られる金属基板およびリードフレームに関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体素子がリードフレームに実装された半導体パッケージでは、半導体素子から生じる熱を効率よく外部に放熱する必要がある。
【０００３】
そのため、ヒートシンクの一面上に、リードフレームを平面的に配置して搭載するとともに、ヒートシンクとリードフレームとの間に電気的に絶縁性を有する絶縁層を介在させる半導体パッケージが提案されている（例えば、特許文献１参照。）。
【０００４】
また、リードフレームの一面および半導体素子を被覆して封止する封止樹脂を備え、リードフレームの一面のうち封止樹脂にて被覆される部位には、リードフレームよりも封止樹脂との密着力が大きくセラミックよりなる電気絶縁性の絶縁膜が当該部位を被覆するように設けられている半導体パッケージも提案されている（例えば、特許文献２参照。）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２００９−２１２２６９号公報
【特許文献２】特開２０１１−０４９２９０号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかるに、リードフレームなどの金属基板に絶縁層を設けると、絶縁層の内部応力により、金属基板に反りが発生したり、絶縁層にクラック（ひび割れ）が発生するという不具合がある。そうすると、金属基板の取扱い性が低下したり、絶縁層の絶縁性を十分に発現できなくなる。そして、これら特許文献のリードフレームでは、その反りやクラックの抑制が不十分であり、さらなる改良が求められている。
【０００７】
本発明の目的は、金属基板の反りが抑制され、かつ、金属基板表面の絶縁層のクラックが抑制された金属基板の製造方法、ならびに、その製造方法から得られる金属基板およびリードフレームを提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
上記目的を達成するために、本発明の金属基板の製造方法は、金属層と、前記金属層の一方面に配置され、金属酸化物粉末からエアロゾルデポジション法により形成される絶縁層とを備える金属基板の製造方法であって、前記エアロゾルデポジション法は、前記金属酸化物粉末を噴出するためのノズルと、前記金属層とを間隔を隔てて対向配置する配置工程、および、前記金属酸化物粉末を、前記ノズルから前記金属層に向かって噴出させる噴出工程を備え、前記噴出工程において、噴出方向に交差する方向における前記金属層と前記ノズルとの相対速度が、０．１〜１００ｍｍ／秒となるように、前記金属層または前記ノズルを移動させることを特徴としている。
【０００９】
また、本発明の金属基板の製造方法は、前記金属酸化物粉末が、アルミナ粉末であることが好適である。
【００１０】
また、本発明の金属基板の製造方法は、前記金属基板が、リードフレームであることが好適である。
【００１１】
また、本発明の金属基板は、上述の製造方法で得られることを特徴としている。
【００１２】
また、本発明のリードフレームは、上述の製造方法で得られることを特徴としている。
【発明の効果】
【００１３】
本発明の金属基板の製造方法では、反りが抑制され、かつ、絶縁層のクラックが抑制された金属基板およびリードフレームを製造することができる。
【００１４】
本発明の金属基板およびリードフレームは、反りが抑制され、かつ、絶縁層のクラックが抑制されている。
【図面の簡単な説明】
【００１５】
【図１】本発明の金属基板の一実施形態の断面図である。
【図２】図１に示す金属基板の製造方法に用いられるエアロゾルデポジション装置の概略構成図である。
【図３】本発明のリードフレームの一実施形態の断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１６】
図１に示すように、本発明の一実施形態としての金属基板１は、金属層２と、金属層２の一方面に積層される絶縁層３とを備える。
【００１７】
金属層２は、略平板状に形成されている金属箔、金属シートまたは金属板である。金属層２を構成する材料としては、例えば、銅、ニッケル、アルミニウムなどが挙げられ、好ましくは、銅が挙げられる。また、金属層２は、例えば、銅にニッケルめっきなどのめっき処理がなされためっき被覆金属層とすることもできる。
【００１８】
金属層２の厚みは、例えば、１０μｍ以上、好ましくは、１００μｍ以上であり、例えば、５０００μｍ以下、好ましくは、５００μｍ以下である。
【００１９】
絶縁層３は、金属酸化物粉末から形成されている。
【００２０】
金属酸化物粉末を構成する金属としては、例えば、アルミナ（酸化アルミニウム）、イットリア、ジルコニアなどが挙げられる。好ましくは、アルミナが挙げられる。
【００２１】
これら金属酸化物粉末は、公知または市販のものを使用することができる。具体的には、アルミナ粉末としては、例えば、商品名「ＡＬ−１６０ＳＧ−３」、商品名「ＡＳ−１６０ＳＧ−４」、商品名「ＡＬ−４５−Ａ」（いずれも昭和電工社製）などが挙げられる。イットリア粉末としては、例えば、ＤＴＳ−Ｙ３５（フジミインコーポレーテッド社製）などが挙げられる。ジルコニア粉末としては、例えば、ＴＺ−３Ｙ−Ｅ（東ソー社製）などが挙げられる。
【００２２】
これらの金属酸化物粉末は、単独使用または２種類以上併用することができる。
【００２３】
金属酸化物粉末の平均粒子径（メジアン径）は、例えば、０．１μｍ以上、好ましくは、０．５μｍ以上であり、また、例えば、２．０μｍ以下、好ましくは、０．８μｍ以下である。
【００２４】
平均粒子径（メジアン径）は、例えば、動的光散乱法による粒度分布測定装置によって測定される。
【００２５】
平均粒子径を上記下限値以上とすると、金属層２に対する密着性に優れる。一方、平均粒子径が上記上限値以下とすると、絶縁層３の内部応力を緩和し、金属層２のクラックを抑制することができる。
【００２６】
金属酸化物粉末の比表面積（ＢＥＴ法）は、例えば、２ｍ２／ｇ以上、好ましくは、３ｍ２／ｇ以上であり、また、例えば、４０ｍ２／ｇ以下、好ましくは、３０ｍ２／ｇ以下である。
【００２７】
絶縁層３を構成する金属酸化物粉末には、金属酸化物粉末以外の公知の添加物を含有することができる。
【００２８】
このような添加物としては、例えば、ポリテトラフルオロエチレン、ポリイミド、エポキシ樹脂などのポリマー粉末などが挙げられる。添加物の含有割合は、金属酸化物粉末１００質量部に対して、例えば、１．０質量部以下、好ましくは、０．７質量部以下、より好ましくは、０．４質量部以下である。
【００２９】
次いで、金属基板１の製造方法について、詳述する。
【００３０】
まず、この方法では、上述の金属層２を用意する。
【００３１】
そして、金属層２の一方面（表面）に、エアロゾルデポジション法（ＡＤ法）によって絶縁層３を形成する。
【００３２】
エアロゾルデポジション法（ＡＤ法・ガスデポジション法（気体堆積法））によって絶縁層３を形成するには、例えば、図２に示すエアロゾルデポジション装置１０が用いられる。
【００３３】
エアロゾルデポジション装置１０は、成膜チャンバー１１、エアロゾルチャンバー１２およびキャリアガス輸送装置１３を備えている。
【００３４】
成膜チャンバー１１は、金属層２の表面に、絶縁層３を形成するための成膜室であって、基板ホルダー１４、成膜チャンバー１１内の温度を測定するための温度計（図示せず）、および、成膜チャンバー１１内の圧力を測定するための圧力計（図示せず）を備えている。
【００３５】
基板ホルダー１４は、支柱１５、台座１６およびステージ１７を備えている。
【００３６】
支柱１５は、台座１６およびステージ１７を連結させるために、成膜チャンバー１１の天井壁を貫通して下方（鉛直方向下方）に突出するように設けられている。
【００３７】
台座１６は、金属層２を成膜チャンバー１１内に保持および固定するために、支柱１５の長手方向一端部（下端部）に設けられている。
【００３８】
ステージ１７は、絶縁層３の形成時において、金属層２を任意の方向（ｘ方向（前後方向）、ｙ方向（左右方向）、ｚ方向（上下方向）およびθ方向（回転方向））に移動可能とするために、成膜チャンバー１１の天井壁の上面に設けられ、支柱１５の長手方向他端部（上端部）に接続されている。
【００３９】
これにより、ステージ１７は、支柱１５を介して台座１６に接続され、ステージ１７により、台座１６を移動可能としている。
【００４０】
また、成膜チャンバー１１には、メカニカルブースターポンプ１８およびロータリーポンプ１９が接続されている。
【００４１】
メカニカルブースターポンプ１８およびロータリーポンプ１９は、成膜チャンバー１１内を減圧するとともに、成膜チャンバー１１に連結管２０（後述）を介して連通されるエアロゾルチャンバー１２内を減圧するため、成膜チャンバー１１に、順次接続されている。
【００４２】
エアロゾルチャンバー１２は、絶縁層３の材料（すなわち、金属酸化物粉末）を貯留する貯留槽であって、振動装置２１、および、エアロゾルチャンバー１２内の圧力を測定するための圧力計（図示せず）を備えている。
【００４３】
振動装置２１は、エアロゾルチャンバー１２、および、エアロゾルチャンバー１２内の絶縁層３の材料を振動させるための装置であって、公知の振盪器が用いられる。
【００４４】
また、エアロゾルチャンバー１２には、連結管２０が接続されている。
【００４５】
連結管２０は、エアロゾル化された材料（以下、エアロゾル）を、エアロゾルチャンバー１２から成膜チャンバー１１に輸送するための配管であって、その一方側端部（上流側端部）がエアロゾルチャンバー１２に接続されるとともに、他方側が成膜チャンバー１１の底壁を貫通して台座１６に向かって延びるように配置されている。また、成膜チャンバー１１内において、連結管２０の他方側端部（下流側端部）には、ノズルの一例としての成膜ノズル２２が接続されている。
【００４６】
成膜ノズル２２は、エアロゾルを金属層２の表面に噴き付けるための噴射装置であって、成膜チャンバー１１内において、噴射口が鉛直方向上側の台座１６に向かうように、配置されている。具体的には、成膜ノズル２２は、その噴射口が台座１６と所定間隔を隔てるように上下方向において対向配置されており、これにより、エアロゾルチャンバー１２から供給されるエアロゾルを、金属層２の表面に噴き付け可能としている。
【００４７】
なお、成膜ノズル２２の噴射口形状としては、特に制限されず、エアロゾルの噴射量、噴射範囲などに応じて、適宜設定される。
【００４８】
また、連結管２０の流れ方向途中には、連結管開閉弁２３が介在されている。連結管開閉弁２３としては、例えば、電磁弁など、公知の開閉弁が用いられる。
【００４９】
キャリアガス輸送装置１３は、キャリアガスボンベ２５を備えている。
【００５０】
キャリアガスボンベ２５は、例えば、酸素ガス、ヘリウムガス、アルゴンガス、窒素ガス、空気などのキャリアガスを貯留するボンベであって、ガス管２６を介して、エアロゾルチャンバー１２に接続されている。
【００５１】
ガス管２６は、キャリアガスをキャリアガスボンベ２５からエアロゾルチャンバー１２に輸送するための配管であって、その上流側端部がキャリアガスボンベ２５に接続されるとともに、下流側端部がエアロゾルチャンバー１２に接続されている。
【００５２】
また、ガス管２６の流れ方向途中には、ガス流量計２７が介在されている。ガス流量計２７は、ガス管２６内のガスの流量を調整するとともに、その流量を検知するための装置であって、特に制限されず、公知の流量計が用いられる。
【００５３】
さらに、ガス管２６の流れ方向途中には、ガス流量計２７よりも下流側において、ガス管開閉弁２８が介在されている。ガス管開閉弁２８としては、例えば、電磁弁など、公知の開閉弁が用いられる。
【００５４】
このようなエアロゾルデポジション装置１０により絶縁層３を形成するためには、まず、成膜ノズル２２と、金属層２とを間隔を隔てて対向配置する（配置工程）。具体的には、台座１６に、金属層２を、絶縁層３を形成させる表面が成膜ノズル２２側（下側）に向かうように配置する。
【００５５】
このとき、金属層２の表面（下側）と、成膜ノズル２２（具体的には、噴射口）との間隔は、例えば、１ｍｍ以上、好ましくは、１０ｍｍ以上であり、また、１００ｍｍ以下、好ましくは、５０ｍｍ以下である。
【００５６】
金属層２と成膜ノズル２２との間隔を上記範囲内とすることにより、より確実に絶縁層３のクラックおよび反りを抑制することができる。
【００５７】
一方、エアロゾルチャンバー１２には、上記した絶縁層３の材料の粉末（金属酸化物粉末）を投入する。
【００５８】
なお、投入の前に、金属酸化物粉末を予め乾燥させることもできる。
【００５９】
乾燥温度としては、例えば、５０〜１５０℃であり、乾燥時間としては、例えば、１〜２４時間である。
【００６０】
次いで、この方法では、ガス管開閉弁２８を閉とし、また、連結管開閉弁２３を開とするとともに、メカニカルブースターポンプ１８およびロータリーポンプ１９を駆動させることにより、成膜チャンバー１１内およびエアロゾルチャンバー１２内を減圧する。
【００６１】
成膜チャンバー１１内の圧力は、例えば、５〜８０Ｐａであり、エアロゾルチャンバー１２内の圧力は、例えば、５〜８０Ｐａである。
【００６２】
次いで、この方法では、金属酸化物粉末を、エアロゾルチャンバー１２内において、振動装置２１により振動させるとともに、ガス管開閉弁２８を開として、キャリアガスボンベ２５からキャリアガスをエアロゾルチャンバー１２に供給する。これにより、絶縁層３の材料をエアロゾル化させるとともに、発生したエアロゾルを、連結管２０を介して成膜ノズル２２に輸送することができる。このとき、エアロゾルは、成膜ノズル２２の内壁に衝突して破砕され、より粒径の小さな粒子となる。
【００６３】
また、ガス流量計２７により調整されるキャリアガスの流量は、例えば、１Ｌ／分以上、好ましくは、２Ｌ／分以上であり、また、２０Ｌ／分以下、好ましくは、１８Ｌ／分以下である。
【００６４】
次いで、この方法では、金属酸化物粉末を、成膜ノズル２２の噴射口から金属層２の表面に向けて噴出させる（噴出工程）。
【００６５】
この噴出工程では、噴出方向に交差する方向に、ステージ１７を移動させる。
【００６６】
金属層２と成膜ノズル２２との相対速度（すなわち、ステージ１７や台座１６の移動速度）は、０．１ｍｍ／秒以上であり、好ましくは、２ｍｍ／秒以上である。また、１００ｍｍ／秒以下、好ましくは、２０ｍｍ／秒以下である。
【００６７】
相対速度を０．１ｍｍ／秒以上とすることにより、金属層表面上での粒子間の過剰な衝突による過度な固化を防止できるので、形成する絶縁層３のクラックおよび反りを抑制することができる。また、相対速度を１００ｍｍ／秒以下とすることにより、均一な厚みの絶縁層を形成することができる。
【００６８】
ステージ１７を移動させる方向（すなわち、交差角度）は、噴出方向（鉛直方向上方）に対し、例えば、３０〜１５０度、好ましくは、６０〜１２０度、最も好ましくは、９０度である。すなわち、最も好ましくは、ステージ１７をｘ−ｙ方向（金属層２の面方向）に移動させる。
【００６９】
また、エアロゾル噴射中のエアロゾルチャンバー１２内の圧力は、例えば、５０Ｐａ以上、好ましくは、１０００Ｐａ以上であり、また、例えば、８００００Ｐａ以下、好ましくは、５００００Ｐａ以下である。また、成膜チャンバー１１内の圧力は、例えば、１０Ｐａ以上、好ましくは、３０Ｐａ以上であり、また、例えば、１０００Ｐａ以下、好ましくは、８００Ｐａ以下である。
【００７０】
また、エアロゾル噴射中のエアロゾルチャンバー１２内の温度は、例えば、０〜５０℃℃である。
【００７１】
これにより、金属層２の表面（鉛直方向下側）に、絶縁層３を形成することができる。その結果、金属層２および絶縁層３を備える金属基板１を得ることができる（図１参照）。
【００７２】
なお、上記では、噴出工程において、ステージ１７を移動させていたが、エアロゾルデポジション装置１０に応じて、成膜ノズル２２を移動させて、金属層２と成膜ノズル２２との相対速度を０．１〜１００ｍｍ／秒とさせることもできる。
【００７３】
また、相対速度や絶縁層３の厚みに応じて、上記噴出工程を複数回繰り返して実施してもよい。
【００７４】
絶縁層３の厚みは、例えば、５μｍ以上５００μｍである。耐電圧性および熱伝導性（放熱性）の観点から、好ましくは、１０μｍ以上、より好ましくは、２０μｍ以上であり、また、例えば、５００μｍ以下、より好ましくは、１５０μｍ以下である。
【００７５】
このような製造方法で得られる金属基板１は、絶縁層３におけるクラックの発生が抑制されているため、絶縁層３（すなわち、金属酸化物層）の特性が有効に発現され、例えば、絶縁性、熱伝導性（放熱性）、密着性などに優れる。また、金属基板１では、反りの発生も抑制されているため、取扱い性に優れている。
【００７６】
そのため、この金属基板１は、絶縁性、熱伝導性などを必要とする種々の用途に好適に用いることができる。例えば、半導体パッケージ（特に、車載用途などのパワー半導体パッケージ）、ハードディスク、ＬＥＤ装置、ＥＬ装置、キャパシタ、バッテリー（リチウムイオンバッテリーなど）、パワーモジュールなどの用途にも好適に用いることができる。好ましくは、半導体パッケージが挙げられる。この金属基板１を半導体パッケージに適用する場合、金属基板１は、半導体素子を実装するためのリードフレームとして供される。以下に、この実施形態を図３を用いて説明する。
【００７７】
図３は、半導体パッケージ３０を図示し、半導体パッケージ３０は、ヒートシンク３４と、リードフレーム１ａと、半導体素子３５とを備えている。
【００７８】
ヒートシンク３４は、半導体素子３５から生じる熱を放熱するための部材であって、例えば、アルニミウム、銅などの熱伝導性金属から形成されている。ヒートシンク３４は、平面視略矩形状の平板状に形成されており、下面には、放熱性を向上させるための複数の凸部が下方に向かって設けられている。
【００７９】
リードフレーム１ａは、金属基板１からなり、金属層２に相当するリードフレーム基材２ａと、リードフレーム基材２ａの表面に積層される、絶縁層３に相当するリードフレーム絶縁層３ａとを備えている。
【００８０】
なお、リードフレーム１ａは、金属基板１をリードフレーム形状に打ち抜くことにより形成してもよく、また、予めリードフレーム形状に打ち抜いたリードフレーム基材２ａにリードフレーム絶縁層３ａを積層することにより形成してもよい。
【００８１】
また、リードフレーム１ａは、ダイパッド３２と、リード３３とを備えている。
【００８２】
ダイパッド３２は、平面視略矩形状の平板に形成されている。ダイパッド３２は、リードフレーム絶縁層３ａがヒートシンク３４と接触するように、ヒートシンク３４の上面に設けられている。
【００８３】
リード３３は、ダイパッド３２を囲むように、ダイパッド３２と間隔を隔てて配置されている。リード３３は、リードフレーム基材２ａが上面となるように配置されている。
【００８４】
半導体素子３５は、平面視略矩形状に形成され、ダイパッド３２のリードフレーム基材２ａの上面に設けられている。半導体素子３５には、複数（２個）のボンディングワイヤ３６の一端が接続され、そのボンディングワイヤ３６の他端は、複数のリード３３のリードフレーム基材２ａのそれぞれに接続されている。
【００８５】
半導体素子３５、ダイパッド３２、リード３３の内側部分およびヒートシンク３４の上側部分は、封止材３７（図３の仮想線）によって被覆されている。
【００８６】
この半導体パッケージ３０では、リードフレーム１ａにおいては、リードフレーム基材２ａの反りが抑制されており、かつ、リードフレーム絶縁層３ａのクラックが抑制されている。
【００８７】
また、リードフレーム絶縁層３ａは、ダイパッド３２において、リードフレーム基材２ａのヒートシンク３４に対する絶縁性および熱伝導性を確保しており、リード３３において、リードフレーム基材２ａの封止材３７に対する密着性を確保している。
【実施例】
【００８８】
以下に、実施例および比較例を挙げて本発明をさらに詳しく説明するが、本発明は、何らこれらに限定されるものではない。以下に示す実施例の数値は、上記の実施形態において記載される数値（すなわち、上限値または下限値）に代替することができる。
【００８９】
実施例１
まず、金属層としてリードフレーム基材（銅製、厚み５００μｍ）を用意した。
【００９０】
そして、エアロゾルデポジション装置（キャリアガス：酸素ガス）を用意し、その成膜チャンバー（２２℃）内において、基板ホルダーの台座に、リードフレーム基材を設置した。
【００９１】
なお、このとき、成膜ノズルの噴射口とリードフレーム基材の表面との間隔が、２０ｍｍとなるように調節した。
【００９２】
一方、１２０℃において２０時間乾燥させたアルミナ粉末（メジアン径０．５２μｍ、ＢＥＴ法比表面積８．４ｍ２／ｇ、昭和電工社製、商品名ＡＬ−１６０ＳＧ−３）を１５０ｍＬ用意し、５００ｍＬのガラス製エアロゾルチャンバーに投入した。
【００９３】
その後、ガス管開閉弁を閉とし、また、連結管開閉弁を開とするとともに、メカニカルブースターポンプおよびロータリーポンプを駆動させることにより、成膜チャンバー内およびエアロゾルチャンバー内を、５０Ｐａまで減圧した。
【００９４】
次いで、酸素ガスの流量が５Ｌ／分となるようにガス流量計により調整し、また、エアロゾルチャンバーを振盪器により振動させながら、ガス管開閉弁を開とした。これによって、エアロゾルチャンバー内において、アルミナ粉末をエアロゾル化し、得られたエアロゾルを、成膜ノズルから噴射させた。
【００９５】
なお、このときのエアロゾルチャンバー内の圧力は、約１０００〜５００００Ｐａであり、成膜チャンバー内の圧力は、約２００Ｐａであった。
【００９６】
そして、基板ホルダーのステージによって、リードフレーム基材が固定された台座を移動速度（相対速度）０．２ｍｍ／秒でｘ−ｙ方向に移動させるとともに、成膜ノズルから噴射されるエアロゾルを、リードフレーム基材の表面に噴き付けて成膜した。
【００９７】
上記成膜を所定回数繰り返し重ねて実施することにより、リードフレーム基材の表面に、絶縁層として、厚み１０μｍのアルミナからなるリードフレーム絶縁層を積層し、金属基板としてのリードフレームを製造した。
【００９８】
実施例２〜４および比較例１、２
ステージ移動速度を表１に記載のように調整した以外は、実施例１と同様にして、リードフレームを製造した。
【００９９】
実施例５〜８および比較例３、４
ステージ移動速度を表１に記載のように調整し、膜厚２０μｍで絶縁層を形成した以外は、実施例１と同様にして、リードフレームを製造した。
【０１００】
実施例９〜１２および比較例５、６
ステージ移動速度を表１に記載のように調整し、成膜ノズルの噴射口とリードフレーム基材の表面との間隔を３０ｍｍとなるように調節した以外は、実施例１と同様にして、リードフレームを製造した。
【０１０１】
＜評価＞
（反り）
各実施例および各比較例のリードフレームを平面基板上に載置して、反りの有無を目視で観察した。反りが観察されなかった場合を○と評価し、反りが観察された場合を×と評価した。結果を表１〜３に示す。
【０１０２】
（クラック）
各実施例および各比較例のリードフレームのリードフレーム絶縁層の表面を目視で観察して、クラックの有無を観察した。クラックが観察されなかった場合を○と評価し、クラックが観察された場合を×と評価した。結果を表１〜３に示す。
【０１０３】
【表１】
2015034320.tif 000003
【０１０４】
【表２】
2015034320.tif 000004
【０１０５】
【表３】
2015034320.tif 000005
【符号の説明】
【０１０６】
１      金属基板
１ａ    リードフレーム
２      金属層
３      絶縁層
２２    成膜ノズル
【図１】
2015034320.tif 000006
【図２】
2015034320.tif 000007
【図３】
2015034320.tif 000008