(57)【要約】      （修正有）【課題】バックライトアセンブリ及びこれを含む表示装置を提供する。【解決手段】バックライトアセンブリは、光を放出する複数の光源を含む光源部５００と、光源部５００上に位置し、光源部５００から放出された光の波長を変換する波長変換部材７００を含み、波長変換部材７００は、光源部５００上に位置する第１基板と、第１基板上に位置する第２基板と、第１基板と第２基板との間に介在する複数の波長変換層７２０と、を含み、複数の波長変換層７２０のそれぞれは複数の光源５２０のそれぞれに対応する。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
光を放出する複数の光源を含む光源部と、
前記光源部上に位置し、前記光源部から放出された光の波長を変換する波長変換部材と、を含み、
前記波長変換部材は、
前記光源部上に位置する第１基板と、
前記第１基板上に位置する第２基板と、
前記第１基板と前記第２基板との間に介在する複数の波長変換層と、を含み、
前記複数の波長変換層のそれぞれは、前記複数の光源のそれぞれに対応するバックライトアセンブリ。
【請求項２】
前記複数の波長変換層は、量子ドットを含む請求項１に記載のバックライトアセンブリ。
【請求項３】
前記第１基板及び前記第２基板のうち少なくとも一つは前記複数の光源のそれぞれ上に位置するリセスパターンを含み、
前記複数の波長変換層のそれぞれは、前記リセスパターン内に位置する請求項１に記載のバックライトアセンブリ。
【請求項４】
前記複数の光源の中心を連結する平面及び前記複数の波長変換層の中心を連結する平面は互いに平行である請求項１に記載のバックライトアセンブリ。
【請求項５】
前記複数の波長変換層のそれぞれの厚さは、前記複数の波長変換層のそれぞれと対応する前記複数の光源のそれぞれの中心部に行くほど増加する請求項１に記載のバックライトアセンブリ。
【請求項６】
前記複数の波長変換層のそれぞれは、互いに離隔された複数のサブ波長変換層を含む請求項１に記載のバックライトアセンブリ。
【請求項７】
光を放出する複数の光源と、
前記複数の光源の間に位置し、前記複数の光源から放出された光の波長を変換する複数の波長変換部材と、を含み、
前記複数の波長変換部材のそれぞれは、
第１基板と、
前記第１基板上に位置する第２基板と、
前記第１基板と前記第２基板との間に介在する波長変換層と、を含むバックライトアセンブリ。
【請求項８】
前記波長変換層は、量子ドットを含む請求項７に記載のバックライトアセンブリ。
【請求項９】
前記第１基板は、リセスパターンを含み、
前記波長変換層は前記リセスパターン内に位置する請求項７に記載のバックライトアセンブリ。
【請求項１０】
前記複数の光源は、同一平面上に位置し、
前記波長変換層及び前記第２基板の界面は、前記複数の光源が位置する平面と垂直である請求項９に記載のバックライトアセンブリ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、バックライトアセンブリ及びこれを含む表示装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
表示装置は、データを視覚的に表示する装置である。表示装置としては液晶表示装置（Ｌｉｑｕｉｄ  Ｃｒｙｓｔａｌ  Ｄｉｓｐｌａｙ）、電気泳動表示装置（Ｅｌｅｃｔｒｏｐｈｏｒｅｔｉｃ  Ｄｉｓｐｌａｙ）、有機発光表示装置（Ｏｒｇａｎｉｃ  Ｌｉｇｈｔ  Ｅｍｉｔｔｉｎｇ  Ｄｉｓｐｌａｙ）、無機ＥＬ表示装置（Ｅｌｅｃｔｒｏ  Ｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｔ  Ｄｉｓｐｌａｙ）、電界放出表示装置（Ｆｉｅｌｄ  Ｅｍｉｓｓｉｏｎ  Ｄｉｓｐｌａｙ）、表面伝導電子放出表示装置（Ｓｕｒｆａｃｅ−ｃｏｎｄｕｃｔｉｏｎ  Ｅｌｅｃｔｒｏｎ−ｅｍｉｔｔｅｒ  Ｄｉｓｐｌａｙ）、プラズマ表示装置（Ｐｌａｓｍａ  Ｄｉｓｐｌａｙ）、及び陰極線管表示装置（Ｃａｔｈｏｄｅ  Ｒａｙ  Ｄｉｓｐｌａｙ）などがある。
【０００３】
このような表示装置のうち液晶表示装置は、透明な二つの基板の間に液晶層を配置して液晶層の駆動によって各画素別に光透過率を調節することによって所望する画像を表示できる表示装置である。
【０００４】
このような液晶表示装置は、液晶自体は発光できないため、装置に別途の光源部を設け、各画素（ｐｉｘｅｌ）に設置された液晶を介して通過光の強度を調節して階調（ｃｏｎｔｒａｓｔ）を実現する。ここで、光源部を含むバックライトアセンブリは液晶表示装置の輝度及び均一度など画質を決定する重要な部品である。最近では、このようなバックライトアセンブリに蛍光体などを適用して光源部から放出される光の色純度を高める試みが行われている。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかし、一般的な有機または無機蛍光体を使用すると、これを通過する光の色純度を一定水準以上に向上させることに困難がある。
【０００６】
これに、一般的な有機または無機蛍光体の代りに量子ドットを利用して光源部から放出された光の波長を変換させる。量子ドットは、ナノサイズの半導体物質として量子閉じ込め（ｑｕａｎｔｕｍ  ｃｏｎｆｉｎｅｍｅｎｔ）効果を示す物質である。量子ドットは通常の蛍光体より強い光を狭い波長帯で発生させるため、これを利用すると光源部から放出された光の色純度を一定水準以上に向上させることができる。
【０００７】
しかし、このような量子ドットは非常に高価であるため、量子ドットを光源部の全面上に一体型に位置させると、量子ドットを含むバックライトアセンブリ及び表示装置の製造費用が増加する。
【０００８】
これに、本発明が解決しようとする課題は、量子ドットのような高価な波長変換物質を最小限に含み、簡単な工程により製造できる波長変換部材を含むバックライトアセンブリを提供しようとすることにある。
【０００９】
また、本発明が解決しようとする他の課題は、量子ドットのような高価な波長変換物質を最小限に含み、簡単な工程により製造できる波長変換部材を含む表示装置を提供しようとすることにある。
【００１０】
本発明の課題は、以上で言及した技術的課題に制限されず、言及されていないまた他の技術的課題は、次の記載から当業者に明確に理解できるであろう。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
前記課題を達成するための本発明の一実施形態によるバックライトアセンブリは、光を放出する複数の光源を含む光源部と、光源部上に位置し、光源部から放出された光の波長を変換する波長変換部材と、を含み、波長変換部材は、光源部上に位置する第１基板と、第１基板上に位置する第２基板と、第１基板と第２基板との間に介在する複数の波長変換層と、を含み、複数の波長変換層のそれぞれは複数の光源のそれぞれに対応する。
【００１２】
前記複数の波長変換層は、量子ドットを含み得る。
【００１３】
前記第１基板及び第２基板のうち少なくとも一つは、複数の光源のそれぞれ上に位置するリセスパターンを含み、複数の波長変換層のそれぞれは、リセスパターン内に位置し得る。
【００１４】
前記複数の光源の中心を連結する平面及び複数の波長変換層の中心を連結する平面は互いに平行であり得る。
【００１５】
前記波長変換部材は、複数の波長変換層の間に位置し、複数の波長変換層と光源部との間の距離を維持させる複数の支持台をさらに含み得る。
【００１６】
前記波長変換部材は、第１基板及び第２基板のうち少なくとも何れか一つ上に位置する複数の光学パターンをさらに含み得る。
【００１７】
ここで、前記複数の光学パターンは波長変換層上にだけ位置し得る。
【００１８】
前記第１基板及び第２基板のうち少なくとも何れか一つは、内部に複数の拡散ビーズを含み得る。
【００１９】
前記複数の波長変換層のそれぞれの厚さは、複数の波長変換層のそれぞれと対応する複数の光源のそれぞれの中心部に行くほど増加し得る。
【００２０】
前記複数の波長変換層のそれぞれは、複数の波長変換層のそれぞれと対応する複数の光源のそれぞれの中心部上にのみ形成され、複数の光源のそれぞれの枠部上には形成されない場合もある。
【００２１】
前記複数の波長変換層のそれぞれは、互いに離隔された複数のサブ波長変換層を含み得る。
【００２２】
前記課題を達成するための本発明の他の実施形態によるバックライトアセンブリは、光を放出する複数の光源と、複数の光源の間に位置し、複数の光源から放出された光の波長を変換する複数の波長変換部材を含み、複数の波長変換部材のそれぞれは、第１基板と、第１基板上に位置する第２基板と、第１基板と第２基板との間に介在する波長変換層を含む。
【００２３】
前記波長変換層は量子ドットを含み得る。
【００２４】
前記第１基板は、リセスパターンを含み得、波長変換層はリセスパターン内に位置し得る。
【００２５】
ここで、前記複数の光源は同一の平面上に位置し得、波長変換層及び第２基板の界面は複数の光源が位置する平面と垂直し得る。
【００２６】
前記複数の波長変換部材のそれぞれの高さは、複数の光源のそれぞれの高さより高い場合もある。
【００２７】
前記複数の光源はマトリックス形態に配列され得、複数の波長変換部材のそれぞれはマトリックスの互いに隣接する二行間または互いに隣接する二列間に位置し得る。
【００２８】
前記他の課題を達成するための本発明の一実施形態による表示装置は、画像を表示する表示パネルと、表示パネルに光を提供するバックライトアセンブリを含み、バックライトアセンブリは、表示パネルに提供される光を放出する複数の光源を含む光源部と、光源部上に位置し、光源部から放出された光の波長を変換する波長変換部材を含み、波長変換部材は、光源部上に位置する第１基板と、第１基板上に位置する第２基板と、第１基板と第２基板との間に介在する複数の波長変換層と、を含み、複数の波長変換層のそれぞれは複数の光源のそれぞれに対応する。
【００２９】
前記複数の波長変換層は量子ドットを含み得る。
【００３０】
前記第１基板及び第２基板のうち少なくとも一つは複数の光源のそれぞれ上に位置するリセスパターンを含み得、複数の波長変換層のそれぞれはリセスパターン内に位置し得る。
【００３１】
その他実施形態の具体的な内容は詳細な説明及び図面に含まれている。
【発明の効果】
【００３２】
本発明によれば、量子ドットのような高価な波長変換物質を最小限に含み、簡単な工程により製造できる波長変換部材を含むバックライトを含む技術を提供することができる。
【００３３】
本発明による効果は、以上で例示された内容によって制限されず、さらに多様な効果が本明細書内に含まれている。
【図面の簡単な説明】
【００３４】
【図１】本発明の一実施形態による表示装置の分解斜視図である。
【図２】図１に示す表示装置のバックライトアセンブリの斜視図である。
【図３】図２に示すバックライトアセンブリの平面図である。
【図４】図３に示すIV−IV’線に沿って切断した断面図である。
【図５】本発明の他の実施形態によるバックライトアセンブリの平面図である。
【図６】図５に示すVI−VI’線に沿って切断した断面図である。
【図７】本発明のまた他の実施形態によるバックライトアセンブリの断面図である。
【図８】本発明のまた他の実施形態によるバックライトアセンブリの断面図である。
【図９】本発明のまた他の実施形態によるバックライトアセンブリの断面図である。
【図１０】本発明のまた他の実施形態によるバックライトアセンブリの断面図である。
【図１１】本発明のまた他の実施形態によるバックライトアセンブリの断面図である。
【図１２】本発明のまた他の実施形態によるバックライトアセンブリの断面図である。
【図１３】本発明のまた他の実施形態によるバックライトアセンブリの断面図である。
【図１４】本発明のまた他の実施形態によるバックライトアセンブリの断面図である。
【図１５】本発明のまた他の実施形態によるバックライトアセンブリの断面図である。
【図１６】本発明のまた他の実施形態によるバックライトアセンブリの断面図である。
【図１７】本発明の他の実施形態による表示装置の分解斜視図である。
【図１８】図１７に示す表示装置のバックライトアセンブリの斜視図である。
【図１９】図１８に示すバックライトアセンブリの平面図である。
【図２０】図１９に示すXX−XX’線に沿って切断した断面図である。
【図２１】本発明のまた他の実施形態による表示装置の分解斜視図である。
【図２２】図２１に示すXXII部分を拡大した平面図である。
【発明を実施するための形態】
【００３５】
本発明の利点及び特徴、これらを達成する方法は添付する図面と共に詳細に後述する実施形態において明確になるであろう。しかし、本発明は、以下で開示する実施形態に限定されるものではなく、互いに異なる多様な形態で実現されるものであり、本実施形態は、単に本発明の開示を完全にし、本発明が属する技術分野で通常の知識を有する者に発明の範疇を完全に知らせるために提供されるものであり、本発明は、請求項の範囲によってのみ定義される。
【００３６】
素子（ｅｌｅｍｅｎｔｓ）または層が他の素子または層の「上（ｏｎ）」と指称された場合、他の素子の真上にまたは中間に他の層または他の素子を介在する場合のすべてを含む。明細書全体において、同一の参照符号は同一の構成要素を指称する。
【００３７】
第１、第２などが多様な素子、構成要素を叙述するために使用されるが、これら素子、構成要素はこれらの用語によって制限されないことはいうまでもない。これらの用語は、単に一つ構成要素を他の構成要素と区別するために使用するものである。したがって、以下で言及される第１構成要素は本発明の技術的思想内で第２構成要素であり得ることは勿論である。
【００３８】
以下、図面を参照して本発明の実施形態について説明する。
【００３９】
図１は、本発明の一実施形態による表示装置の分解斜視図である。図１を参照すると、本発明の一実施形態による表示装置は、表示パネル２００及びバックライトアセンブリを含む。また、本発明の一実施形態による表示装置は、トップシャーシ１００及びボトムシャーシ９００をさらに含み得る。
【００４０】
表示パネル２００は、画像を表示するパネルとして、ＬＣＤパネル（Ｌｉｑｕｉｄ  Ｃｒｙｓｔａｌ  Ｄｉｓｐｌａｙ  Ｐａｎｅｌ）、電気泳動表示パネル（Ｅｌｅｃｔｒｏｐｈｏｒｅｔｉｃ  Ｄｉｓｐｌａｙ  Ｐａｎｅｌ）、ＯＬＥＤパネル（Ｏｒｇａｎｉｃ  Ｌｉｇｈｔ  Ｅｍｉｔｔｉｎｇ  Ｄｉｏｄｅ  Ｐａｎｅｌ）、ＬＥＤパネル（Ｌｉｇｈｔ  Ｅｍｉｔｔｉｎｇ  Ｄｉｏｄｅ  Ｐａｎｅｌ）、無機ＥＬパネル（Ｅｌｅｃｔｒｏ  Ｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｔ  Ｄｉｓｐｌａｙ  Ｐａｎｅｌ）、ＦＥＤパネル（Ｆｉｅｌｄ  Ｅｍｉｓｓｉｏｎ  Ｄｉｓｐｌａｙ  Ｐａｎｅｌ）、ＳＥＤパネル（Ｓｕｒｆａｃｅ−ｃｏｎｄｕｃｔｉｏｎ  Ｅｌｅｃｔｒｏｎ−ｅｍｉｔｔｅｒ  Ｄｉｓｐｌａｙ  Ｐａｎｅｌ）、ＰＤＰ（Ｐｌａｓｍａ  Ｄｉｓｐｌａｙ  Ｐａｎｅｌ）、ＣＲＴ（Ｃａｔｈｏｄｅ  Ｒａｙ  Ｔｕｂｅ）表示パネルであり得る。以下では、本発明の一実施形態による表示装置として液晶表示装置を例に挙げて説明し、表示パネル２００もＬＣＤパネルとして説明するが、本発明の表示装置及び表示パネル２００はこれに制限されない。多様な方式の表示装置及び表示パネルが使用され得る。
【００４１】
表示パネル２００は、画像がディスプレイされる表示領域及び画像がディスプレイされない非表示領域を含み得る。また、表示パネル２００は第１表示基板２１０、第１表示基板２１０に対向する第２表示基板２２０、および第１表示基板２１０と第２表示基板２２０との間に介在した液晶層（図示せず）を含み得る。
【００４２】
第１表示基板２１０及び第２表示基板２２０は直六面体形状であり得る。図１では説明の便宜上第１表示基板２１０及び第２表示基板２２０の形状が直六面体である場合を示すが、これに限定されない。表示パネル２００の形状に応じて第１表示基板２１０及び第２表示基板２２０は多様な形状に製造できる。
【００４３】
第１表示基板２１０と第２表示基板２２０との間には液晶層が介在する。また、第１表示基板２１０と第２表示基板２２０との間にはシーラントなどのようなシーリング部材（図示せず）が第１表示基板２１０及び第２表示基板２２０の縁部分に沿って配置され、第１表示基板２１０と第２表示基板２２０を相互合着して密封できる。
【００４４】
図１に示していないが、表示パネル２００は第１表示基板２１０または第２表示基板２２０に付着した駆動部と軟性回路基板を含み得る。駆動部は、表示領域で画像を表示するために必要な駆動信号を生成してこれを表示領域上の素子に印加する。軟性回路基板は、外部の制御機器及び電源などと連結され、駆動部に各種外部信号などを印加する。
【００４５】
バックライトアセンブリは、表示パネル２００の下部に配置される。バックライトアセンブリは表示パネル２００に光を提供する。本発明の一実施形態によるバックライトアセンブリは光源部５００及び波長変換部材７００を含む。また、本発明の一実施形態によるバックライトアセンブリは拡散板６００、光学シート４００、反射板８００と、モールドフレーム３００をさらに含み得る。
【００４６】
光源部５００は表示パネル２００の一面と重畳して位置する。詳細には、本発明の一実施形態によるバックライトアセンブリは、直下型バックライトアセンブリであり得、これによって光源部５００は表示パネル２００の表示領域と重なるように形成される。このような光源部５００は表示パネル２００に提供される光を発生させる。
【００４７】
光源部５００は、回路基板５１０及び複数の光源５２０を含み得る。
【００４８】
回路基板５１０は、拡散板６００とボトムシャーシ９００との間に介在し、複数の光源５２０を支持し、複数の光源５２０に電圧及び多様な信号を伝達する。回路基板５１０は直六面体のプレート形状であり得、軟性回路基板と連結されて駆動部から調光信号（ｄｉｍｍｉｎｇ  ｓｉｇｎａｌ）などを提供される。
【００４９】
複数の光源５２０は回路基板５１０上に実装される。このような複数の光源５２０は外部から電圧を印加され、表示パネル２００に伝達される光を生成できる。
【００５０】
複数の光源５２０は同一平面上に位置する。例示的な実施形態で、複数の光源５２０は拡散板６００の下面と、平行な平面上に位置する。複数の光源５２０のそれぞれは発光ダイオード（Ｌｉｇｈｔ  Ｅｍｉｔｔｉｎｇ  Ｄｉｏｄｅ、ＬＥＤ）であるが、これに限定されず、光を放出できるすべての素子を意味する。例示的な実施形態で、複数の光源５２０はマトリックス形態に配列されるが、これに限定されず、表示パネル２００の形状に応じてその配列形態を変形できる。
【００５１】
複数の光源５２０のそれぞれは青色の光を放出する。例示的な実施形態で、複数の光源５２０のそれぞれは、窒化ガリウム系の半導体を含む青色発光ダイオードであり得るが、これに限定されず、青色の光を放出するすべての素子を意味する。
【００５２】
複数の光源５２０のそれぞれは、トップエミット型（Ｔｏｐ  ｅｍｉｔｔｉｎｇ  ｔｙｐｅ）のレンズを含み得る。すなわち、複数の光源５２０のそれぞれで生成された光は複数の光源５２０の上部方向に放出される。言い換えれば、本発明の一実施形態によるバックライトアセンブリはトップビュー（Ｔｏｐ  ｖｉｅｗ）タイプのバックライトアセンブリであり得る。
【００５３】
波長変換部材７００は光源部５００上に位置する。詳細には、波長変換部材７００は表示パネル２００と光源部５００との間に介在する。波長変換部材７００は光源部５００から放出された光の波長を変換する。すなわち、光源部５００から放出された光は波長変換部材７００を通過しながら相対的に長い波長の光に変換され、変換された光は表示パネル２００に提供される。この際、変換された光の色は白色であり得る。このような波長変換部材７００に関する詳細な説明は後述する。
【００５４】
拡散板６００は波長変換部材７００上に位置する。詳細には、拡散板６００は波長変換部材７００と表示パネル２００との間に位置する。拡散板６００は光源部５００から入射する光の輝度均一性を向上させる役割を果たす。
【００５５】
光学シート４００は拡散板６００の上部に配置される。詳細には、光学シート４００は表示パネル２００と拡散板６００との間に配置される。光学シート４００は光源部５００から出射され、拡散板６００を通過した光の光学的特性を変調できる。このような光学シート４００は複数であり得、複数の光学シート４００は互いに重なるように積層され、互いを補完する。例えば、光学シート４００はプリズムシートなどを含み得る。
【００５６】
反射板８００は拡散板６００の下側に配置される。詳細には、反射板８００は拡散板６００と光源部５００との間に介在する。反射板８００は、光源部５００から出射され、ボトムシャーシ９００方向に進行する光の経路を拡散板６００方向に変更させることができる。
【００５７】
反射板８００は複数の挿入孔８００ａを含み得る。このような複数の挿入孔８００ａのそれぞれには複数の光源５２０のそれぞれが対応する。すなわち、複数の光源５２０のそれぞれは複数の挿入孔８００ａのそれぞれに挿入され得る。
【００５８】
モールドフレーム３００は表示パネル２００と光学シート４００との間に配置され得る。モールドフレーム３００はボトムシャーシ９００とかみ合うことによって、光学シート４００、光源部５００、拡散板６００、波長変換部材７００、および反射板８００を固定させる。また、モールドフレーム３００は表示パネル２００の縁部分と接触し、表示パネル２００を支持して固定させることもできる。
【００５９】
トップシャーシ１００は表示パネル２００の縁を覆い、表示パネル２００及びバックライトアセンブリの側面を囲む。ボトムシャーシ９００はバックライトアセンブリを収納する。トップシャーシ１００及びボトムシャーシ９００は互いにかみ合い、表示パネル２００及びバックライトアセンブリを囲む。このようなトップシャーシ１００及びボトムシャーシ９００は、導電性を有する物質、例えば金属からなる。ここで、ボトムシャーシ９００は内側に波長変換部材７００がはめ込まれる溝９００ａを含み得る。すなわち、波長変換部材７００はボトムシャーシ９００の内側に形成された溝９００ａにはめ込まれることによって安定的に固定される。しかし、このような溝９００ａはボトムシャーシ９００にのみ形成されるのではなく、モールドフレーム３００にも形成され得る。
【００６０】
以下、図２から図４を参照して本発明の一実施形態によるバックライトアセンブリについて詳細に説明する。図２は、図１に示す表示装置のバックライトアセンブリの斜視図である。図３は、図２に示すバックライトアセンブリの平面図である。図４は、図３に示すIV−IV’線に沿って切断した断面図である。
【００６１】
図２〜図４を参照すると、本発明の一実施形態によるバックライトアセンブリに含まれる波長変換部材７００は第１基板７１０、複数の波長変換層７２０、及び第２基板７３０を含む。
【００６２】
第１基板７１０は光源部５００上に位置する。また、第１基板７１０は光源部５００と一定の距離離隔して位置する。また、第１基板７１０の下面は複数の光源５２０が実装される回路基板５１０の一面と実質的に平行に位置する。また、第１基板７１０は光源部５００に含まれるすべての光源５２０を覆う。
【００６３】
第１基板７１０は水分及び酸素を遮断できる物質からなる。例示的な実施形態で、第１基板７１０は絶縁性物質、例えば、酸化ケイ素（ＳｉＯｘ）、窒化ケイ素（ＳｉＮｘ）、またはこれらの組合せを含み得る。他の例示的な実施形態で、第１基板７１０はポリエチレンテレフタレート（Ｐｏｌｙｅｔｈｙｌｅｎｅ  ｐｈｔｈａｌａｔｅ、ＰＥＴ）及びポリカーボネート（Ｐｏｌｙｃａｒｂｏｎａｔｅ、ＰＣ）のようなプラスチックフィルムであり得る。また他の例示的な実施形態で、第１基板７１０はラス材質からなる。
【００６４】
第１基板７１０は複数のリセスパターンを含み得る。複数のリセスパターンは第１基板７１０の上面、すなわち、光源部５００と対向しない第１基板７１０の一面に形成される。つまり、第１基板７１０の上面から所定の厚み（深さ）の凹部を形成するようにリセスパターンが形成される。例示的な実施形態で、一つの光源５２０に一つのリセスパターンが対応するが、これに限定されるものではなく、一つの光源５２０に複数のリセスパターンが対応することもできる。
【００６５】
複数のリセスパターンのそれぞれの厚さ、つまり第１基板７１０の上面からの深さは第１基板７１０の厚さの約１／４ないし３／４であり得る。例示的な実施形態で、複数のリセスパターンのそれぞれの厚さは第１基板７１０の厚さの約１／２であり得る。しかし、これに限定されず、光源５２０及び波長変換層７２０の種類などによって複数のリセスパターンのそれぞれの厚さが変わる場合もある。
【００６６】
複数のリセスパターンのそれぞれはそれに対応する光源５２０をすべて覆う。例示的な実施形態で、複数のリセスパターンのそれぞれの中心部はそれに対応する光源５２０と重複して複数のリセスパターンのそれぞれの縁部はそれに対応する光源５２０と重複しない場合もある。しかし、これに限定されず、複数のリセスパターンのそれぞれはそれに対応する光源５２０と完全に重複することもできる。
【００６７】
複数のリセスパターンのそれぞれの平面視における形状は円形状であり得るが、これに限定されず、楕円形状または多角形状であり得る。このような複数のリセスパターンのそれぞれの平面形状はこれに含まれる波長変換層７２０の形状を決定する。
【００６８】
複数のリセスパターンは一般的なフォトレジスト工程により形成される。すなわち、加工前の状態のガラス基板またはフィルムを準備した後、その上にフォトレジストを塗布した後、これを露光、現像、エッチング、及び洗浄を順次に行うことによって複数のリセスパターンを含む第１基板７１０を製造できる。しかし、これに限定されず、押出工程やインプリンティング工程などにより第１基板７１０を製造することもできる。
【００６９】
複数の波長変換層７２０は第１基板７１０上に位置する。詳細には、複数の波長変換層７２０は第１基板７１０に形成された複数のリセスパターン内に位置する。例示的な実施形態で、複数の波長変換層７２０は複数のリセスパターンを完全に充填することができる。これによって、複数の波長変換層７２０の表面及び複数のリセスパターンが形成されていない部分の第１基板７１０の上面は同一の平面上に位置することができる。また、複数の波長変換層７２０の中心を連結する仮想の平面及び複数の光源５２０の中心を連結する仮想の平面は互いに概ね平行である。
【００７０】
複数の波長変換層７２０のそれぞれの幅はそれに対応する光源５２０の発光領域の幅の約５０％以上であり得る。例えば、１つの光源５２０からの光が第１基板７１０の下面の対応する波長変換層７２０を照らす場合、１つの光源５２０が第１基板７１０の下面を照らした領域を発光領域とすると、対応する波長変換層７２０の幅は、その発光領域の約５０％以上であり得る。しかし、これに限定されず、複数の波長変換層７２０のそれぞれの幅は光源５２０の種類及び波長変換層７２０の厚さにより変わる。
【００７１】
複数の波長変換層７２０は入射する光の波長を相対的に長く変換できる。すなわち、複数の波長変換層７２０を通過する前の光の波長より複数の波長変換層７２０を通過した後の光の波長がさらに長い場合もある。
【００７２】
複数の波長変換層７２０は蛍光体、量子ドット、またはこれらの組合せを含み得る。
【００７３】
蛍光体は一般的な有機蛍光体または無機蛍光体であり得る。例示的な実施形態で、蛍光体は黄色蛍光体であり得る。このような黄色蛍光体はＹＡＧ系蛍光物質、シリケート系蛍光物質、酸窒化物蛍光物質、またはこれらの組合せであり得るが、これに限定されない。
【００７４】
量子ドットは、コアシェル（Ｃｏｒｅ−Ｓｈｅｌｌ）構造の半導体ナノ粒子としてサイズが数ｎｍないし数十ｎｍサイズを有し、量子閉じ込め効果（Ｑｕａｎｔｕｍ  Ｑｕａｎｆｉｎｅｍｅｎｔ  Ｅｆｆｅｃｔ）によって粒子のサイズによって発光光が異なって出る特性を有することを意味する。より詳細には、量子ドットは狭い波長帯で強い光を発生し、量子ドットが発散する光は伝導帯（Ｃｏｎｄｕｃｔｉｏｎ  ｂａｎｄ）から価電子帯（ｖａｌｅｎｃｅ  ｂａｎｄ）に不安定な（励起）状態の電子が降りる際に発生する。このとき、量子ドットはその粒子が小さいほど短い波長の光が発生して粒子が大きいほど長い波長の光を発生する性質がある。したがって、量子ドットのサイズを調節すると所望する波長の可視光線領域の光をすべて出すことができる。
【００７５】
量子ドットは、Ｓｉ系ナノ結晶、ＩＩ−ＶＩ族系化合物半導体ナノ結晶、ＩＩＩ−Ｖ族系化合物半導体ナノ結晶、ＩＶ−ＶＩ族系化合物半導体ナノ結晶及びこれらの混合物のうち何れか一つのナノ結晶を含み得る。
【００７６】
前記ＩＩ−ＶＩ族系化合物半導体ナノ結晶は、ＣｄＳ、ＣｄＳｅ、ＣｄＴｅ、ＺｎＳ、ＺｎＳｅ、ＺｎＴｅ、ＨｇＳ、ＨｇＳｅ、ＨｇＴｅ、ＣｄＳｅＳ、ＣｄＳｅＴｅ、ＣｄＳＴｅ、ＺｎＳｅＳ、ＺｎＳｅＴｅ、ＺｎＳＴｅ、ＨｇＳｅＳ、ＨｇＳｅＴｅ、ＨｇＳＴｅ、ＣｄＺｎＳ、ＣｄＺｎＳｅ、ＣｄＺｎＴｅ、ＣｄＨｇＳ、ＣｄＨｇＳｅ、ＣｄＨｇＴｅ、ＨｇＺｎＳ、ＨｇＺｎＳｅ、ＨｇｇＺｎＴｅ、ＣｄＺｎＳｅＳ、ＣｄＺｎＳｅＴｅ、ＣｄＺｎＳＴｅ、ＣｄＨｇＳｅＳ、ＣｄＨｇＳｅＴｅ、ＣｄＨｇＳＴｅ、ＨｇＺｎＳｅＳ、ＨｇＺｎＳｅＴｅ及びＨｇＺｎＳＴｅで構成された群から選択された何れか一つであり得る。
【００７７】
また、前記ＩＩＩ−Ｖ族系化合物半導体ナノ結晶は、ＧａＰＡｓ、ＡｌＮＰ、ＡｌＮＡｓ、ＡｌＰＡｓ、ＩｎＮＰ、ＩｎＮＡｓ、ＩｎＰＡｓ、ＧａＡｌＮＰ、ＧａＡｌＮＡｓ、ＧａＡｌＰＡｓ、ＧａＩｎＮＰ、ＧａＩｎＮＡｓ、ＧａＩｎＰＡｓ、ＩｎＡｌＮＰ、ＩｎＡｌＮＡｓ、及びＩｎＡｌＰＡｓで構成された群から選択された何れか一つであり得、前記ＩＶ−ＶＩ族系化合物半導体ナノ結晶はＳｂＴｅであり得る。
【００７８】
複数の波長変換層７２０は一種類の量子ドットを含み得る。例えば、複数の波長変換層７２０は入射する光の波長を黄色光の波長に変換する黄色量子ドットを含み得る。しかし、これに限定されず、複数の波長変換層７２０は二つの種類以上の量子ドットを含み得る。例えば、複数の波長変換層７２０は入射する光の波長を赤色光の波長に変換する赤色量子ドット及び入射する光の波長を緑色光の波長に変換する緑色量子ドットを含み得る。
【００７９】
複数の波長変換層７２０は蛍光体及び量子ドットのような波長変換物質の他に波長変換物質を分散させる分散媒質をさらに含み得る。すなわち、前記蛍光体または量子ドットは有機溶媒または高分子樹脂のような分散媒質に自然に配位した形態に分散され得る。このような分散媒質としては、蛍光体または量子ドットの波長変換性能に影響を及ぼさず、かつ光を反射させず、光吸収を起こさない範囲で透明な媒質であれば、いかなるものでも使用できる。
【００８０】
前記有機溶媒は、例えば、トルエン（ｔｏｌｕｅｎｅ）、クロロホルム（ｃｈｌｏｒｏｆｏｒｍ）及びエタノール（ｅｔｈａｎｏｌ）のうち少なくとも一つを含み得、高分子樹脂は例えば、エポキシ（ｅｐｏｘｙ）、シリコン（ｓｉｌｉｃｏｎｅ）、ポリスチレン（ｐｏｌｙｓｔｙｒｅｎｅ）及びアクリレート（ａｃｒｙｌａｔｅ）のうち少なくとも一つを含み得る。
【００８１】
また、複数の波長変換層７２０は前記分散媒質の他にＵＶ開始剤、熱硬化添加剤、架橋剤、拡散剤、及びこれらの組合せをさらに含み得る。このように、波長変換層７２０は波長変換物質と前記添加剤が混合された状態で第１基板７１０上に位置する。
【００８２】
複数の波長変換層７２０は一般的なディスペンシング（ｄｉｓｐｅｎｓｉｎｇ）工程により形成される。例示的な実施形態で、複数の波長変換層７２０はインクジェットプリンタによって複数のリセスパターン内に選択的に塗布され得る。
【００８３】
第２基板７３０は複数の波長変換層７２０上に位置する。詳細には、第２基板７３０は第１基板７１０と共に複数の波長変換層７２０を囲む。
【００８４】
第２基板７３０は第１基板７１０とは異なり、パターニングされない場合もある。すなわち、第２基板７３０には、第１基板７１０に形成されたリセスパターンと同じパターンを含めない場合もある。
【００８５】
第２基板７３０は水分及び酸素を遮断できる物質からなる。例示的な実施形態で、第２基板７３０は、絶縁性物質、例えば、酸化ケイ素（ＳｉＯｘ）、窒化ケイ素（ＳｉＮｘ）、またはこれらの組合せを含み得る。他の例示的な実施形態で、第２基板７３０はポリエチレンテレフタレート（Ｐｏｌｙｅｔｈｙｌｅｎｅ  ｐｈｔｈａｌａｔｅ、ＰＥＴ）及びポリカーボネート（Ｐｏｌｙｃａｒｂｏｎａｔｅ、ＰＣ）のようなプラスチックフィルムであり得る。また他の例示的な実施形態で、第２基板７３０はガラス材質でからなる。また他の例示的な実施形態で、第２基板７３０は第１基板７１０と同じ物質からなる。
【００８６】
図面に示していないが、第１基板７１０と第２基板７３０との間にはシーラントなどのようなシーリング部材が第１基板７１０及び第２基板７３０の縁に沿って配置され、第１基板７１０と第２基板７３０を相互合着して密封することができる。例示的な実施形態で、シーリング部材は第１基板７１０と第２基板７３０との間に位置できるが、これに限定されず、第１基板７１０及び第２基板７３０の側面をすべてを覆うことによって、複数の波長変換層７２０を外部の水分及び酸素から保護できる。
【００８７】
第１基板７１０と第２基板７３０が剛性（Ｒｉｇｉｄ）のガラス材質からなる場合、波長変換部材７００は第１基板７１０のパターニング後、波長変換層７２０を形成し、波長変換層７２０上に第２基板７３０を合着する工程により形成される。また、第１基板７１０と第２基板７３０がフレキシブル（Ｆｌｅｘｉｂｌｅ）のフィルム材質からなる場合、波長変換部材７００はラミネート（Ｌａｍｉｎａｔｉｏｎ）工程により形成され得る。
【００８８】
このような本発明の一実施形態による表示装置のバックライトアセンブリでは、複数の波長変換層７２０のそれぞれが複数の光源５２０のそれぞれに対応することによって、拡散板６００に伝達される光の色の均一性を確保できる。すなわち、一つの光源５２０に最適化された一つの波長変換層７２０を配置することによって、光源５２０から放出された光の波長を効率的に変換すると共に、互いに隣接した光源５２０の間での色汚れ（ｃｏｌｏｒ  ｓｔａｉｎ）を防止できる。例示的な実施形態で、光源５２０が青色の光を放出し、波長変換層７２０が光源５２０から放出された光の色を白色に変換する場合、光源５２０から放出されて波長変換部材７００を通過した光は全体的に均一な白色を有し得る。
【００８９】
また、波長変換層７２０を光源部５００の全面上に一体型に形成せず、光源５２０に対応する部分上にのみ形成することによって、費用的な側面から有利になる。特に、波長変換層７２０が高価な量子ドットを含む場合、波長変換層７２０を光源部５００全面上に一体型に形成すると、費用的な側面から不利である。これに、本発明の一実施形態による波長変換部材７００は、一つの波長変換層７２０ではない複数の波長変換層７２０を含み、複数の波長変換層７２０のそれぞれが複数の光源５２０のそれぞれに対応する部分にのみ位置することによって波長変換層７２０形成に必要な費用を節減できる。
【００９０】
また、簡単な工程により所望する位置に波長変換層７２０を位置させることによって工程効率性を向上させることができる。すなわち、第１基板７１０をパターニングした後、第１基板７１０のパターニングした部分に波長変換層７２０を位置させることによって、別途のガイドなしで所望する位置に波長変換層７２０を形成できる。
【００９１】
図５は、本発明の他の実施形態によるバックライトアセンブリの平面図である。図６は、図５に示すVI-VI’線に沿って切断した断面図である。説明の便宜上、前述した図面に示す各エレメントと実質的に同一のエレメントは同一符号で示し、重複する説明は省略する。
【００９２】
図５及び図６を参照すると、波長変換部材（７００−１）は複数の支持台７４０をさらに含み得る。複数の支持台７４０は第１基板７１０の下面及び反射板８００と直接的に接触することによって、複数の波長変換層７２０と複数の光源５２０との間の距離を維持させる。すなわち、複数の支持台７４０は前述した溝９００ａと共に波長変換部材（７００−１）を固定する機能を行う。なお、前述の通り、波長変換波長変換部材（７００−１）は、ボトムシャーシ９００の内側に形成された溝９００ａにはめ込まれることによって安定的に固定される。
【００９３】
複数の支持台７４０は複数の光源５２０のようにマトリックス形態に配列される。例示的な実施形態で、複数の支持台７４０のそれぞれは四個の光源５２０に囲まれるが、これに限定されない。
【００９４】
複数の支持台７４０は複数の波長変換層７２０と重複しない場合もある。複数の支持台７４０は複数の波長変換層７２０と重複しないことによって、波長変換部材（７００−１）の波長変換機能を妨害しない。
【００９５】
複数の支持台７４０は耐熱性のプラスチックからなるが、これに限定されず、金属性材質からなる。また、複数の支持台７４０は第１基板７１０と同じ物質からなる。また、複数の支持台７４０は第１基板７１０と一体型に形成され得る。
【００９６】
図７は、本発明のまた他の実施形態に他のバックライトアセンブリの断面図である。
説明の便宜上、前述した図面に示す各エレメントと実質的に同じエレメントは同一符号で示し、重複する説明は省略する。
【００９７】
図７を参照すると、波長変換部材（７００−２）は第２基板７３０の上面上に複数の光学パターン７５０をさらに含み得る。ここで、複数の光学パターン７５０のそれぞれはプリズムパターンであり得る。このような複数の光学パターン７５０は第２基板７３０の前面上に形成される。このようなプリズムパターンは光源部５００から放出された光を集光する機能を行う。ただし、これに限定されず、複数の光学パターン７５０は第１基板７１０の下面上に位置することもできる。
【００９８】
図８は、本発明のまた他の実施形態に他のバックライトアセンブリの断面図である。説明の便宜上、前述した図面に示した各エレメントと実質的に同一エレメントは同一符号で示し、重複する説明は省略する。
【００９９】
図８を参照すると、波長変換部材（７００−３）の複数の光学パターン７５１のそれぞれはマイクロレンズパターンであり得る。このようなマイクロレンズパターンは光源部５００から放出された光を集光するだけでなく拡散することもできる。
【０１００】
図９は、本発明のまた他の実施形態に他のバックライトアセンブリの断面図である。説明の便宜上、前述した図面に示した各エレメントと実質的に同じエレメントは同一符号で示し、重複する説明は省略する。
【０１０１】
図９を参照すると、波長変換部材（７００−４）の複数の光学パターン７５２は波長変換層７２０上にのみ形成される。詳細には、複数のプリズムパターンは一つの波長変換層７２０上に密集して位置する。これによって、複数の光源５２０のそれぞれの個別的な光特性調節が可能である。
【０１０２】
図１０は、本発明のまた他の実施形態に他のバックライトアセンブリの断面図である。説明の便宜上、前述した図面に示す各エレメントと実質的に同じエレメントは同一符号で示し、重複する説明は省略する。
【０１０３】
図１０を参照すると、波長変換部材（７００−５）の複数の光学パターン７５３のそれぞれは複数の波長変換層７２０のそれぞれに対応する。すなわち、一つの光学パターン７５３は一つの波長変換層７２０上に形成される。ここで、光学パターン７５３はマイクロレンズパターンであり得る。
【０１０４】
図１１は、本発明のまた他の実施形態に他のバックライトアセンブリの断面図である。説明の便宜上、前述した図面に示した各エレメントと実質的に同じエレメントは同一符号で示し、重複する説明は省略する。
【０１０５】
図１１を参照すると、波長変換部材（７００−６）の第２基板７３１は複数の拡散ビーズ（ｂｅａｄ）７３１ａを含み得る。すなわち、複数の拡散ビーズ７３１ａは第２基板７３１の内部にランダムに分散されている。これによって、光源部５００から放出されて波長変換層７２０を通過した光は第２基板７３１を通過しながら拡散され得る。このような第２基板７３１を使用すると、拡散板６００の厚さを減らしたり拡散板６００を省略したりすることもできる。図１１には第２基板７３１内部に複数の拡散ビーズ７３１ａが形成された場合のみを示しているが、これに限定されず、第１基板７１０の内部または第１基板７１０及び第２基板７３１のすべての内部に複数の拡散ビーズ７３１ａが形成され得る。
【０１０６】
図１２は、本発明のまた他の実施形態に他のバックライトアセンブリの断面図である。説明の便宜上、前述した図面に示した各エレメントと実質的に同一エレメントは同一符号で示し、重複する説明は省略する。
【０１０７】
図１２を参照すると、波長変換部材（７００−７）の複数の波長変換層７２１のそれぞれの厚さが一定でない場合もある。例示的な実施形態で、複数の波長変換層７２１のそれぞれの厚さはそれに対応する複数の光源５２０のそれぞれの中心部に行くほど増加する。これは、光源５２０の中心部上に位置する波長変換部材（７００−７）に入射する光の強度が光源５２０の縁部上に位置する波長変換部材（７００−７）に入射する光の強度より一般的に強いからである。すなわち、相対的に強い強度の光が入射する部分の波長変換層７２１の厚さを厚くし、相対的に弱い強度の光が入射する部分の波長変換層７２１の厚さを薄くすることにより、波長変換部材（７００−７）を通過した光の色の均一性を確保できる。これによって、第１基板７１１のリセスパターンの形状も波長変換層７２１の形状に対応するように変形される。
【０１０８】
図１３は、本発明のまた他の実施形態に他のバックライトアセンブリの断面図である。説明の便宜上、前述した図面に示した各エレメントと実質的に同じエレメントは同一符号で示し、重複する説明は省略する。
【０１０９】
図１３を参照すると、波長変換部材（７００−８）の複数の波長変換層７２２のそれぞれは複数のサブ波長変換層を含み得る。複数のサブ波長変換層は互いに一定間隔離隔して位置する。すなわち、複数のサブ波長変換層はそれに対応する複数の光源５２０のそれぞれ上に密集して位置する。これによって、第１基板７１２のリセスパターンの形状も複数のサブ波長変換層の形状に対応するように変形される。つまり、第１基板７１２の１つの光源５２０に対応する部分には、複数のリセスパターンが形成される。１つの光源５２０に対する複数のリセスパターンを充填することで、複数のサブ波長変換層が形成され、１つの光源５２０に対応する１つの波長変換層７２２が形成される。
【０１１０】
図１４は、本発明のまた他の実施形態に他のバックライトアセンブリの断面図である。説明の便宜上、前述した図面に示した各エレメントと実質的に同じエレメントは同一符号で示し、重複する説明は省略する。
【０１１１】
図１４を参照すると、波長変換部材（７００−９）の第１基板７１３はパターニングされない場合もある。これに対し、第２基板７３２がパターニングされ得る。すなわち、第２基板７３２が複数のリセスパターンを含み得、複数のリセスパターンのそれぞれに複数の波長変換層７２３のそれぞれが位置する。このような形態の波長変換部材（７００−９）はフィルムラミネーション工程により形成される。例示的な実施形態で、フレキシブルフィルム材質からなる第１基板７１３上に波長変換層７２３をパターン塗布した後、リセスパターンを含み、第１基板７１３と同じ物質からなる第２基板７３２を第１基板７１３とラミネートすることができる。この際、第２基板７３２のリセスパターンと第１基板７１３上の波長変換層７２３とが重なるようにアラインする工程が含まれる。
【０１１２】
図１５は、本発明のまた他の実施形態に他のバックライトアセンブリの断面図である。説明の便宜上、前述した図面に示した各エレメントと実質的に同じエレメントは同一符号で示し、重複する説明は省略する。
【０１１３】
図１５を参照すると、波長変換部材（７００−１０）の第１基板７１４及び第２基板７３３が全てリセスパターンを含み得る。ここで、第１基板７１４が含むリセスパターン及び第２基板７３３が含むリセスパターンは互いに対向する。つまり、第１基板７１４のリセスパターンと、それに対向する第２基板７３３のリセスパターンとによりリセスパターンが形成される。このため、波長変換層７２４は第１基板７１４のリセスパターン及び第２基板７３３のリセスパターンに囲まれる。例えば一例であるが、第１基板７１４にリセスパターンを形成した後、第１基板７１４のリセスパターンに波長変換層７２４をラミネートし、第１基板７１４のリセスパターンに第２基板７３３のリセスパターンをアラインさせて形成され得る。
【０１１４】
図１６は、本発明のまた他の実施形態に他のバックライトアセンブリの断面図である。説明の便宜上、前述した図面に示した各エレメントと実質的に同じエレメントは同一符号で示し、重複する説明を省略する。
【０１１５】
図１６を参照すると、波長変換部材（７００−１１）の複数の波長変換層７２５のそれぞれは、それに対応する複数の光源５２０のそれぞれの中心部上にのみ形成され、縁部上には形成されない場合もある。例えば、第１基板７１５及び第２基板７３４のすべてがリセスパターンを含み、前記リセスパターンは複数の光源５２０のそれぞれの中心部上にのみ形成される。例示的な実施形態で、光源５２０が青色の光を放出し、波長変換層７２５が前記光の波長を長く変換する場合、複数の波長変換層７２５のそれぞれを通過した光の色は黄色になり、複数の波長変換層７２５の間を通過した光の色はそのまま青色であるため、この２つの色の光が混ざることによって、表示パネル２００に白色の光が伝達され得る。なお、光源５２０の中心部上と縁部上とは、前述のように２つの色の混色により白色を形成可能な範囲で分離され得る。
【０１１６】
図１７は、本発明の他の実施形態による表示装置の分解斜視図である。説明の便宜上、前述した図面に示した各エレメントと実質的に同じエレメントは同一符号で示し、重複する説明は省略する。
【０１１７】
図１７を参照すると、光源部５０１は複数の回路基板５１１及び複数の光源５２１を含み得る。
【０１１８】
複数の回路基板５１１のそれぞれはバー（ｂａｒ）形状を有する。複数の回路基板５１１は互いに平行に並んで配置され得る。また、複数の回路基板５１１は同一平面上に配置され得る。図面には３つの回路基板５１１を示しているが、これに限定されない。
【０１１９】
複数の光源５２１は複数の回路基板５１１上に位置する。例示的な実施形態で、複数の光源５２１の一部は一つの回路基板５１１上に互いに離隔して一列に配列され得るが、これに限定されない。また、複数の光源５２１は同一平面上に位置することができる。
【０１２０】
複数の光源５２１のそれぞれは側面放出型（Ｓｉｄｅ  ｅｍｉｔｔｉｎｇ  ｔｙｐｅ）のレンズを含み得る。すなわち、複数の光源５２１のそれぞれで生成された光は複数の光源５２１の側上部方向に放出され得る。言い換えれば、本発明の他の実施形態による表示装置に含まれるバックライトアセンブリは、図１に示す表示装置と共に直下型バックライトアセンブリであるが、トップビュータイプではないサイドビュー（Ｓｉｄｅ  ｖｉｅｗ）タイプのバックライトアセンブリであり得る。図１９に示す例示的な実施形態で、複数の光源５２１のそれぞれは、図１９において左側及び右側方向に光を放出する。
【０１２１】
波長変換部材（７００−１２）は複数であり得る。複数の波長変換部材（７００−１２）は光源部５０１上に互いに離隔して位置する。複数の波長変換部材（７００−１２）に関する詳細な説明は後述する。
【０１２２】
反射板８０１は光源部５０１と複数の波長変換部材（７００−１２）との間に位置する。反射板８０１は金属と同じ反射性物質からなり、傾斜した側壁を含む容器形態を有する。つまり、反射板８０１は、ボトムシャーシ９０１の板状面と対向する底面と、底面から傾斜して広がるように延びる内側壁と、を有する。底面は、概ね長方形状であり、４つの側辺を有している。内側壁は、底面の各側辺から斜めに広がるように形成されており、隣接する各内側壁は互いに繋がっている。反射板８０１底面は、複数の光源５２１が挿入される複数の挿入孔８０１ａを含み得る。複数の挿入孔８０１ａのそれぞれは長孔形状を有し、一つの回路基板５１１に対応する。複数の挿入孔８０１ａは、互いに離隔して並列に形成される。また、反射板８０１の内側壁は、複数の波長変換部材（７００−１２）がはめ込まれる複数の溝８０１ｂを含み得る。複数の溝８０１ｂは反射板８０１の内側壁を切り欠くよう又は凹部を形成するように形成される。この際、複数の溝８０１ｂのそれぞれの長さは反射板８０１の側壁の高さより小さい場合もある。
【０１２３】
反射板８０１が複数の波長変換部材（７００−１２）を固定させる複数の溝８０１ｂを含むため、ボトムシャーシ９０１はこのような溝を含まない場合がある。つまり、ボトムシャーシ９０１は、前述の溝９００ａを含まない場合がある。しかし、これに限定されず、ボトムシャーシ９０１またはモールドフレーム３００が複数の波長変換部材（７００−１２）を固定させる溝を含むこともできる。
【０１２４】
以下、  図１８〜図２０を参照して図１に示す表示装置に含まれるバックライトアセンブリの複数の波長変換部材（７００−１２）について詳細に説明する。図１８は、図１７に示す表示装置のバックライトアセンブリの斜視図である。図１９は、図１８に示すバックライトアセンブリの平面図である。図２０は、図１９に示すXX−XX’線に沿って切断した断面図である。
【０１２５】
図１８〜図２０を参照すると、複数の波長変換部材（７００−１２）のそれぞれは一方向に延長されたプレート形状を有する。例示的な実施形態で、複数の波長変換部材（７００−１２）のそれぞれは表示パネル２００の短辺と平行な方向に延長するプレート形状であり得るが、これに限定されず、表示パネル２００の長辺と平行な方向に延長するプレート形状を有し得る。
【０１２６】
複数の波長変換部材（７００−１２）は互いに平行に離隔して配置される。つまり、波長変換部材（７００−１２）は、その延長方向と交差する方向において、互いに概ね平行に離隔して配置される。例示的な実施形態で、互いに隣接する複数の波長変換部材（７００−１２）の離隔距離は一定であり得る。
【０１２７】
複数の波長変換部材（７００−１２）は複数の光源５２１の間に位置する。例示的な実施形態で、複数の光源５２１はマトリックス形態に配列され、複数の波長変換部材（７００−１２）のそれぞれは前記マトリックスの互いに隣接する二行間または互いに隣接する二列間に位置する。しかし、これに限定されず、複数の波長変換部材（７００−１２）は格子形状に配置され、それぞれの光源５２１を囲み得る。
【０１２８】
複数の波長変換部材（７００−１２）のそれぞれはリセスパターンを含む第１基板７１６、リセスパターン内に位置する波長変換層７２６と、波長変換層７２６上に位置する第２基板７３５を含む。すなわち、第１基板７１６と第２基板７３５との間に一つの波長変換層７２６が介在し得る。しかし、これに限定されず、図１のように複数の波長変換層７２６が介在することもできる。つまり、図１９を参照すると、１つの波長変換部材（７００−１２）は、第１基板７１６と第２基板７３５との間に一つの波長変換層７２６が形成されている。しかし、例えば、光源５２１それぞれに対応するようにそれぞれ波長変換層７２６が個別に形成されていてもよい。
【０１２９】
複数の波長変換部材（７００−１２）のそれぞれの波長変換層７２６及び第２基板７３５の界面は、複数の光源５２１が位置する平面と概ね垂直であり得る。例えば、図２０に示すように、回路基板５１１の平面と、波長変換層７２６及び第２基板７３５の界面とは、概ね平行である。例示的な実施形態で、平面図上で複数の光源５２１及び複数の波長変換部材（７００−１２）は重複しない場合もある。また、複数の波長変換部材（７００−１２）のそれぞれの高さは複数の光源５２１のそれぞれの高さより高い場合もある。
【０１３０】
このように、本発明の他の実施形態による表示装置に含まれるバックライトアセンブリでは光源部５０１から放出された光が光源５２１の側上部方向に進み、光源５２１の側部に位置する波長変換部材（７００−１２）を通過する。波長変換部材（７００−１２）を通過した光は波長変換されて拡散板６００に伝達される。この際、波長変換部材（７００−１２）のそれぞれの高さが複数の光源５２１のそれぞれの高さより高いため、光源５２１の側上部方向に放出された光が概ねすべて波長変換され得る。
【０１３１】
図２１は、本発明のまた他の実施形態による表示装置の分解斜視図である。図２２は、図２１に示すXXII部分を拡大した平面図である。説明の便宜上、前述した図面に示した各エレメントと実質的に同じエレメントは同一符号で示し、重複する説明を省略する。
【０１３２】
図２１及び図２２を参照すると、本発明のまた他の実施形態による表示装置に含まれるバックライトアセンブリはエッジ型バックライトアセンブリであり得る。
【０１３３】
このようなエッジ型バックライトアセンブリは、表示パネル２００の下部に位置する導光板６５０を含み得る。導光板６５０は光源部５０２から放出された光をガイドして表示パネル２００に伝達する。
【０１３４】
導光板６５０は透明な材質からなる。例示的な実施形態で、導光板６５０はポリメチルメタクリレート（Ｐｏｌｙｍｅｔｈｙｌ−Ｍｅｔｈａｃｒｙｌａｔｅ、ＰＭＭＡ）からなるが、これに限定されず、光をガイドできる多様な透明物質からなる。また、導光板６５０は剛性（ｒｉｇｉｄ）物質からなるが、これに限定されず、フレキシブル物質からなる。また、導光板６５０は直六面体のプレート形状を有するが、これに限定されず、多様な形状を有する導光板６５０が適用され得るのはもちろんである。
【０１３５】
光源部５０２は導光板６５０の一側面上に位置する。しかし、これに限定されず、光源部５０２は導光板６５０の互いに対向する側部またはすべての側部上に位置する。このような光源部５０２は導光板６５０に表示パネル２００に伝達される光を提供する。
【０１３６】
光源部５０２は回路基板５１２及び複数の光源５２２を含み得る。回路基板５１２はバー形状を有する。回路基板５１２の板状面の一面は、これと対向する導光板６５０の一側面と概ね平行である。複数の光源５２２は導光板６５０と対向する回路基板５１２の一面上に実装される。複数の光源５２２は互いに一定間隔離隔して一列に配列される。複数の光源５２２のそれぞれは導光板６５０の方向に光を放出する。
【０１３７】
波長変換部材（７００−１３）は導光板６５０と光源部５０２との間に介在する。波長変換部材（７００−１３）は光源部５０２上に位置し、複数のリセスパターンを含む第１基板７１７、前記複数のリセスパターン内に位置する複数の波長変換層７２７、及び複数の波長変換層７２７上に位置する第２基板７３６を含み得る。ここで、複数の波長変換層７２７のそれぞれは複数の光源５２２のそれぞれに対応する。このような波長変換部材（７００−１３）はボトムシャーシ９０２の側壁の内側に形成された溝９０２ａにはめ込まれて固定される。
【０１３８】
反射板８０２は導光板６５０とボトムシャーシ９０２との間に介在する。反射板８０２は反射性物質からなる平たい形状のプレートであり得る。
【０１３９】
このように、本発明の実施形態による波長変換部材（７００、７００−１ないし１３）はトップビュータイプ及びサイドビュータイプの直下型バックライトアセンブリだけではなく、エッジ型バックライトアセンブリにも適用することができる。
【０１４０】
本実施形態によれば、波長変換部材を通過した光の色の均一性を確保できる。
【０１４１】
また、必要な部分にのみ波長変換層を形成することによって材料費用を節減できる。
【０１４２】
また、簡単な工程により所望する位置に波長変換層を位置させることによって工程効率性を向上させることができる。
【０１４３】
以上では本発明の実施形態を中心に説明したが、これは単なる例示だけであり、本発明を限定するものではない。本発明が属する分野の通常の知識を有する者は、本発明の実施形態の本質的な特性から外れない範囲で以上で例示していない多様な形態に変形及び応用できることが分かる。例えば、本発明の実施形態に詳細に示した各構成要素は変形して実施することができる。また、このような変形と応用に関する差異点は添付する請求範囲に規定する本発明の範囲に含まれるもと解釈されなければならない。
【符号の説明】
【０１４４】
１００    トップシャーシ
２００    表示パネル
２１０    第１表示基板
２２０    第２表示基板
３００    モールドフレーム
４００    光学シート
５００、５０１、５０２    光源部
５１０、５１１、５１２    回路基板
５２０、５２１、５２２    光源
６００    拡散板
６５０    導光板
７００、７００−１、７００−２、７００−３、７００−４、７００−５、７００−６、７００−７、７００−８、７００−９、７００−１０、７００−１１、７００−１２、７００−１３    波長変換部材
７１０、７１１、７１２、７１３、７１４、７１５、７１６、７１７    第１基板
７２０、７２１、７２２、７２３、７２４、７２５、７２６、７２７    波長変換層
７３０、７３１、７３２、７３３、７３４、７３５、７３６    第２基板
７３１ａ    拡散ビーズ
７４０    支持台
７５０、７５１、７５２、７５３    光学パターン
８００、８０１、８０２    反射板
８００ａ、８０１ａ    挿入孔
８０１ｂ    溝
９００、９０１、９０２    ボトムシャーシ
９００ａ、９０２ａ    溝
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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