(57)【要約】【課題】計測器などを用いることなく、窒化物半導体素子の駆動確認を目視で行なう。【解決手段】窒化アルミニウム単結晶からなる基板１００と、該基板の第１主面１１０上に形成された窒化物半導体積層部２０と、を有する窒化物半導体素子であって、前記基板１００の側面にＡｌＮｘＯ１．５ｙ（０＜（ｘ＋ｙ）＜１、０＜ｘ＜１、０≦ｙ＜１）領域１４を設ける。【選択図】図１
2015170712.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
窒化アルミニウム単結晶からなる基板と、
該基板の第１主面上に形成された窒化物半導体積層部と、
を有する窒化物半導体素子であって、
前記基板の側面にＡｌＮｘＯ１．５ｙ（０＜（ｘ＋ｙ）＜１、０＜ｘ＜１、０≦ｙ＜１）領域を有する窒化物半導体素子。
【請求項２】
前記側面は、前記ＡｌＮｘＯ１．５ｙ領域を、前記基板の第１主面または、前記基板の、前記第１主面に対して裏面となる第２主面の端部から連続する領域に有する請求項１に記載の窒化物半導体素子。
【請求項３】
前記側面は、前記ＡｌＮｘＯ１．５ｙ領域を、前記基板の第１主面または前記第２主面の端部から連続する領域に有し、かつ前記第１主面または前記第２主面に対して裏面となる前記第２主面または前記第１主面の端部から連続する領域にＡｌＮ領域を有する請求項２に記載の窒化物半導体素子。
【請求項４】
前記窒化物半導体積層部は、波長２１０ｎｍ以上３６０ｎｍ以下の領域で紫外発光をする請求項１から請求項３のいずれか１項に記載の窒化物半導体素子。
【請求項５】
ＡｌＮ単結晶を有する半導体素子の所望の領域に熱エネルギーを与えることでＡｌＮｘＯ１．５ｙ（０＜（ｘ＋ｙ）＜１、０＜ｘ＜１、０≦ｙ＜１）を生成する、ＡｌＮｘＯ１．５ｙの生成方法。
【請求項６】
ＡｌＮ単結晶を有する半導体素子にレーザを照射し、レーザ加工位置で素子分割することによりＡｌＮｘＯ１．５ｙ（０＜（ｘ＋ｙ）＜１、０＜ｘ＜１、０≦ｙ＜１）領域を側面に有する窒化物半導体素子の製造方法。
【請求項７】
請求項１から請求項４のいずれか１項に記載の窒化物半導体素子の前記窒化物半導体積層部に電力を印加し、前記基板の側面から放出される可視光により前記窒化物半導体素子の駆動を確認する、窒化物半導体素子の駆動確認方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は窒化物半導体素子、ＡｌＮｘＯ１．５ｙの生成方法、窒化物半導体素子の製造方法、および窒化物半導体素子の駆動確認方法に関し、特に、駆動確認を容易に行なうようにした窒化物半導体素子、ＡｌＮｘＯ１．５ｙの生成方法、窒化物半導体素子の製造方法、および窒化物半導体素子の駆動確認方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
窒化物半導体素子は、さまざまな電子機器に用いられており、演算処理装置や発光素子や受光素子などの光学デバイス、および各種センサなどに応用されている。これらは、外部からの電力を変換する、または外部電力を発光へと変換する、外部光を電力へと変換する装置である。
窒化物半導体素子の駆動確認には、非特許文献１に記載のように素子にかかる電圧、電流を測定・確認する手法が一般的に用いられている。
また、特許文献１には、人間の眼では認識できない赤外光を可視光へと変換することで、駆動を認識する発光装置が提案されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２０１３−２５１４６３号公報
【非特許文献】
【０００４】
【非特許文献１】Applied Physics Letters Volume 85, No.23 (2004) 5532-5534.
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
このように、窒化物半導体素子の駆動を確認するには別途駆動確認用の計測器・および可視変換部材等が必要となる。
しかしながら、計測器・可視変換部材の搭載はモジュール・製品の組立工程を複雑にする、またモジュールを大きくするといった問題がある。また、計測器においては駆動の確認のために、電圧・電流値を読み取らなくてはならないといった問題がある。
本発明は、このような問題に鑑みてなされたものであり、駆動確認用の計測器などを用いることなく、目視で駆動確認を行なうことの可能な窒化物半導体素子、ＡｌＮｘＯ１．５ｙ（０＜（ｘ＋ｙ）＜１、０＜ｘ＜１、０≦ｙ＜１）の生成方法、窒化物半導体素子の製造方法、および窒化物半導体素子の駆動確認方法を提供することを目的としている。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明の一態様は、窒化アルミニウム単結晶からなる基板（例えば図１に示す、基板１００）と、該基板の第１主面上に形成された窒化物半導体積層部（例えば図１に示す、窒化物半導体積層部２０）と、を有する窒化物半導体素子であって、前記基板の側面にＡｌＮｘＯ１．５ｙ（０＜（ｘ＋ｙ）＜１、０＜ｘ＜１、０≦ｙ＜１）領域（例えば図１に示す、変質層１４）を有する窒化物半導体素子、である。
【０００７】
前記側面は、前記ＡｌＮｘＯ１．５ｙ領域を、前記基板の第１主面（例えば図１に示す、第１主面１１０）または、前記基板の、前記第１主面に対して裏面となる第２主面（例えば図１に示す、第２主面１２０）の端部から連続する領域に有するものであってよい。
前記側面は、前記ＡｌＮｘＯ１．５ｙ領域を、前記基板の第１主面または前記第２主面の端部から連続する領域に有し、かつ前記第１主面または前記第２主面に対して裏面となる前記第２主面または前記第１主面の端部から連続する領域にＡｌＮ領域を有するものであってよい。
前記窒化物半導体積層部は、波長２１０ｎｍ以上３６０ｎｍ以下の領域で紫外発光をするものであってよい。
【０００８】
本発明の他の態様は、ＡｌＮ単結晶を有する半導体素子の所望の領域に熱エネルギーを与えることでＡｌＮｘＯ１．５ｙ（０＜（ｘ＋ｙ）＜１、０＜ｘ＜１、０≦ｙ＜１）を生成する、ＡｌＮｘＯ１．５ｙの生成方法、である。
また、本発明の他の態様は、ＡｌＮ単結晶を有する半導体素子にレーザを照射し、レーザ加工位置で素子分割することによりＡｌＮｘＯ１．５ｙ（０＜（ｘ＋ｙ）＜１、０＜ｘ＜１、０≦ｙ＜１）領域を側面に有する窒化物半導体素子の製造方法、である。
さらに、本発明の他の態様は、上記いずれかの態様に記載の窒化物半導体素子の前記窒化物半導体積層部に電力を印加し、前記基板の側面から放出される可視光により前記窒化物半導体素子の駆動を確認する、窒化物半導体素子の駆動確認方法、である。
【発明の効果】
【０００９】
本発明の窒化物半導体素子によれば、駆動時に電子・正孔が発光性再結合することで得られる紫外発光が、ＡｌＮｘＯ１．５ｙ（０＜（ｘ＋ｙ）＜１、０＜ｘ＜１、０≦ｙ＜１）で可視光変換される。このため、別途計測器を用いることなく、目視で発光を確認することが可能である。
また、本発明のＡｌＮｘＯ１．５ｙの生成方法によれば、第１主面、第２主面を塞ぐことなく選択的に側面にＡｌＮｘＯ１．５ｙを形成することが可能であり、光学デバイスの特性を最大限に引き出すことが可能である。
また、本発明の窒化物半導体素子の駆動確認方法を用いれば、計測器の値を確認することなく窒化物半導体素子の駆動を目視で確認することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１０】
【図１】本実施形態に係る窒化物半導体素子の製造方法の一例を工程順に示す断面模式図である。
【図２】本実施形態に係る窒化物半導体素子の製造方法のその他の例を工程順に示す断面模式図である。
【図３】分割した素子の側面のＳＥＭ画像である。
【図４】図３の一部の拡大図である。
【図５】実施例２により作製した素子の発光スペクトルの一例である。
【図６】実施例２により作製した素子の暗所での発光状態を撮影した図である。
【発明を実施するための形態】
【００１１】
以下、本発明を実施するための形態（以下、本実施形態と称する）について、図面を参照しながら説明する。
＜窒化物半導体素子＞
本実施形態の窒化物半導体素子は、窒化アルミニウム単結晶からなる基板と、該基板の第１主面上に形成された窒化物半導体積層部と、を有する窒化物半導体素子であって、前記基板の側面にＡｌＮｘＯ１．５ｙ（０＜（ｘ＋ｙ）＜１、０＜ｘ＜１、０≦ｙ＜１）領域を有する窒化物半導体素子である。
なお、ＡｌＮｘＯ１．５ｙは、ＡｌとＮとＯの比率が一定であれば同一の組成を表しており、例えばＡｌＯ１．５とＡｌ２Ｏ３は同一の組成物質を表している。
【００１２】
本実施形態の窒化物半導体素子は、駆動確認に別途計測器を必要とせず、ＡｌＮｘＯ１．５ｙでの可視光への波長変換により、目視で駆動の確認が可能である。また、発光点からＡｌＮｘＯ１．５ｙ領域までの距離が近い素子、例えば、ＡｌＮｘＯ１．５ｙ領域を、基板の第１主面または第２主面の端部から連続的に有する素子では、素子内部での光の減衰効果が少なくＡｌＮｘＯ１．５ｙでの波長変換が可能であるため、より強い可視光発光を確認できる効果がある。
【００１３】
また、本発明は特に、半導体素子への劣化を考慮し、ＡｌＮｘＯ１．５ｙ領域を前記基板の第１主面または第２主面の端部から連続的に有し、かつこれら第１主面または第２主面に対して裏面となる第２主面または第１主面の端部から連続的にＡｌＮを有する窒化物半導体素子に効果がある。さらに本発明は特に、蛍光体含有樹脂を用いると樹脂劣化を誘発してしまう波長２１０ｎｍ以上３６０ｎｍ以下の領域で紫外発光をする素子に効果がある。
前記ＡｌＮｘＯ１．５ｙ領域はＥＤＸ（Energy Dispersive X-ray spectroscopy：エネルギー分散型Ｘ線分析)、ＸＲＦ（X-ray Fluorescence Analysis：蛍光Ｘ線元素分析法）、ＡＥＳ（Auger Electron Spectroscopy：オージェ電子分光法）、ＳＩＭＳ（Secondary Ion Mass Spectrometry：二次イオン質量分析法）等各種分析手法で同定が可能であるが、特にＥＤＸでの測定が簡便で最適である。
【００１４】
［窒化物半導体積層部］
窒化物半導体積層部は、窒化アルミニウム基板の第１主面上に形成される。
窒化物半導体素子を発光素子とする場合、複数の窒化物半導体層からなるｐｎ接合またはｐｉｎ接合を有する積層構造とすることが出来る。波長２１０ｎｍ以上３６０ｎｍ以下の紫外領域の発光素子とする場合、該積層構造としては基板上にＮ型ＡｌＧａＮ、ＡｌＧａＮ多重量子井戸積層薄膜、Ｐ型ＡｌＧａＮ、Ｐ型ＧａＮを積層した構造を採用することが出来る。
その他にも、窒化物半導体素子の特性を引き出すための積層構造を有していればよく、上記の限りではない。
【００１５】
＜ＡｌＮｘＯ１．５ｙの生成方法＞
本実施形態では、ＡｌＮ単結晶を有する半導体素子の所望の領域に熱エネルギーを与えることでＡｌＮｘＯ１．５ｙ（０＜（ｘ＋ｙ）＜１、０＜ｘ＜１、０≦ｙ＜１）を生成する。ＡｌＮからＮ２が脱離する反応熱より大きく、ＡｌＮ気化熱より小さい熱エネルギーを与えたときに、ＡｌＮｘＯ１．５ｙが生成される。具体的には、レーザアブレーション加工を行った際に、アブレーション加工部の周囲に、ＡｌＮｘＯ１．５ｙを形成する手法が挙げられる。ＡｌＮｘＯ１．５ｙのように、Ｎ２が抜けたＡｌＮは、窒素欠陥由来の中間準位が形成されるため、紫外光を可視光へ変換する。このため、窒化物半導体素子の駆動が可視光での目視で確認可能となる。
【００１６】
＜窒化物半導体素子の製造方法＞
本実施形態の窒化物半導体素子の製造方法は、ＡｌＮ単結晶を有する半導体素子にレーザを照射し、レーザ加工位置で素子分割することによりＡｌＮｘＯ１．５ｙ（０＜（ｘ＋ｙ）＜１、０＜ｘ＜１、０≦ｙ＜１）領域を側面に有する窒化物半導体素子の製造方法である。つまり、ＡｌＮ基板の第１主面上に窒化物半導体積層部を有する窒化物半導体ウェハに対し、前記第１主面または、第１主面の裏面としての第２主面をレーザ加工する工程（レーザ加工工程）と、レーザ加工位置と対向する第２主面側の領域の一部または全部に外力を加えて素子分割する工程（素子分割工程）と、を備える。
【００１７】
本発明のレーザ加工工程では、ＡｌＮ基板をアブレーション加工する際、加工部周囲にＡｌＮがＮ２抜けするエネルギーより大きく、ＡｌＮが気化するより小さい熱エネルギーを瞬時に加えることで、ＡｌＮｘＯ１．５ｙ（０＜（ｘ＋ｙ）＜１、０＜ｘ＜１、０≦ｙ＜１）を形成する。本発明のＡｌＮｘＯ１．５ｙの生成方法を用いれば、素子の第１主面、第２主面を塞ぐことなく選択的に側面にＡｌＮｘＯ１．５ｙを形成することが可能であり、特に光学デバイスの特性を最大限に引き出すことが可能である。
【００１８】
＜窒化物半導体素子の駆動確認方法＞
本発明の窒化物半導体素子の駆動確認方法を用いれば、窒化物半導体素子はＡｌＮｘＯ１．５ｙを含み、ＡｌＮｘＯ１．５ｙのように、Ｎ２が抜けたＡｌＮは、紫外光を可視光に変換するため、別途駆動確認のための計測器などを用いることなく、窒化物半導体素子の確認が目視で可能となる。
【００１９】
＜構成要件の説明＞
以下、上述した本実施形態の窒化物半導体素子、ＡｌＮｘＯ１．５ｙ（０＜（ｘ＋ｙ）＜１、０＜ｘ＜１、０≦ｙ＜１）層の生成方法、窒化物半導体素子の製造方法、および窒化物半導体素子の駆動確認方法にかかる各構成要件について説明する。
各構成要件の説明は、上述した本実施形態の窒化物半導体素子、ＡｌＮｘＯ１．５ｙ（０＜（ｘ＋ｙ）＜１、０＜ｘ＜１、０≦ｙ＜１）層の生成方法、窒化物半導体素子の製造方法、および窒化物半導体素子の駆動確認方法のそれぞれに対して、独立または組み合わせて適用することが可能である。
【００２０】
［レーザ加工工程］
レーザ加工工程は、窒化物半導体ウェハにおいて、窒化物半導体積層部どうしの間の個別の素子に分割する位置に対応する領域をレーザ加工する工程である。なお、レーザ加工は窒化物半導体ウェハの第１主面、第２主面のいずれの主面に施すことが可能である。
ここでレーザ加工とは、レーザ光を素子表面あるいは素子内部に集光し、素子の基板や積層膜で吸光することで熱が発生し、素子材料が変質、気化することで加工する技術である。レーザ加工の種類としては、表面にアブレーション加工傷を形成するレーザスクライブ、基材を溶融させるＬＭＡ（Ｌａｓｅｒ  Ｍｅｌｔｉｎｇ  Ａｌｔｅｒａｔｉｏｎ法）、基材内部に集光し、変質層を形成するステルスダイシングなどが挙げられる。
【００２１】
［分割工程］
分割工程は、レーザ加工工程においてレーザ照射したレーザ加工位置と対向する主面側の領域の一部または全部に外力を加えて素子分割する工程である。
分割工程の例としては、ステージ上でローラを用いて圧力を加え分割する手法、テープなどの支持体にウェハを貼り付け、支持体を拡張することで分割する手法、ステージ上でブレード（刃）を加工傷に沿って押し付けることで分割する手法などが挙げられるが、素子を分割する手法であればこの限りではない。
【００２２】
＜より具体的な実施形態＞
以下、本実施形態の窒化物半導体素子、ＡｌＮｘＯ１．５ｙ（０＜（ｘ＋ｙ）＜１、０＜ｘ＜１、０≦ｙ＜１）の生成方法、窒化物半導体素子の製造方法、および窒化物半導体素子の駆動確認方法の、より具体的な実施形態について、図面等を参酌しながらより詳細に説明する。
［窒化物半導体素子の製造方法］
図１は本発明の窒化物半導体素子の製造方法にかかる第１の実施形態の製造方法を説明するための断面模式図である。
【００２３】
図１（ａ）は窒化物半導体ウェハを表す。図中、符号１００は基板、１１０は基板の第１主面、１２０は基板の第２主面、２０は、ｐ型窒化物半導体層、窒化物半導体発光層、ｎ型窒化物半導体層等を含む窒化物半導体積層部を表す。
図１（ｂ）は、ＡｌＮｘＯ１．５ｙ（０＜（ｘ＋ｙ）＜１、０＜ｘ＜１、０≦ｙ＜１）の生成工程を示す。図中、符号１３はレーザ加工溝を表す。第１主面１１０をレーザ加工していることが理解される。符号１４は、レーザにより基板１００が一部除去、あるいは変質していることを示す。
図１（ｂ）では一例としてレーザ加工された領域が除去（アブレーション）されているように示したが、上述のとおり本実施形態はこれに制限されず、除去および変質が同時におこるスクライブや、変質のみが生じるステルスダイシング等が適用可能である。
【００２４】
図１（ｃ）は、素子分割工程を示す。第２主面にブレード５を押し当てることで外力を加え、素子分割される。具体的には、レーザ加工溝１３と対向する第２主面の位置にブレード５を押し当てることにより、窒化物半導体ウェハは、レーザ加工溝１３部分で分割される。
図１（ｄ）は分割後の素子を表す。分割により、窒化物半導体素子１が得られることが理解される。
上述のように、レーザ加工溝１３は、レーザにより基板１００が一部除去、あるいは変質し、ＡｌＮｘＯ１．５ｙ（０＜（ｘ＋ｙ）＜１、０＜ｘ＜１、０≦ｙ＜１）１４が生成される。そして、窒化物半導体ウェハは、このレーザ加工溝１３部分で分割されるため、分割された素子の側面には、ＡｌＮｘＯ１．５ｙ（０＜（ｘ＋ｙ）＜１、０＜ｘ＜１、０≦ｙ＜１）１４が形成されていることになる。
【００２５】
図２は、第２主面１２０からレーザ加工した場合の、窒化物半導体素子の製造方法を示す断面模式図である。
図２において、図２（ａ）は、窒化物半導体ウェハを表す。図中、符号１００は基板、１１０は基板の第１主面、１２０は基板の第２主面、２０は、ｐ型窒化物半導体層、窒化物半導体発光層、ｎ型窒化物半導体層等を含む窒化物半導体積層部を表す。
図２（ｂ）は、ＡｌＮｘＯ１．５ｙ（０＜（ｘ＋ｙ）＜１、０＜ｘ＜１、０≦ｙ＜１）の生成工程を示す。図中、符号１３はレーザ加工溝を表す。第２主面１２０をレーザ加工していることが理解される。符号１４は、レーザにより基板１００が一部除去、あるいは変質していることを示す。図２（ｃ）は、素子分割工程を示す。第１主面１１０にブレード５を押し当てることで外力を加え、素子分割される。
図２（ｄ）は分割後の素子を表す。分割により、図１と同様に、窒化物半導体素子１が得られることが理解される。
なお、本実施形態の模式図では、電極が第１主面上にのみ形成された構造例を示しているが、電極を第１主面、第２主面両方に有する場合など、本発明の効果を有する構造であれば、有効な構造はここに記載する限りではない。
【００２６】
＜実施形態の効果＞
このように、本実施形態では、窒化物半導体素子の側面にＡｌＮｘＯ１．５ｙを形成した。そのため、駆動時に、電子・正孔が発光性再結合することで得られる紫外発光が、ＡｌＮｘＯ１．５ｙ（０＜（ｘ＋ｙ）＜１、０＜ｘ＜１、０≦ｙ＜１）で可視光変換される。その結果、別途計測器などを用いることなく、目視で発光を確認することができる。
【００２７】
また、窒化物半導体ウェハを、レーザ加工することによりＡｌＮｘＯ１．５ｙ（０＜（ｘ＋ｙ）＜１、０＜ｘ＜１、０≦ｙ＜１）が形成され、レーザ加工部分で分割して素子を形成するため、窒化物半導体基板の第１主面、および第２主面を塞ぐことなく、選択的に側面にＡｌＮｘＯ１．５ｙ（０＜（ｘ＋ｙ）＜１、０＜ｘ＜１、０≦ｙ＜１）を形成することができ、光学デバイスの特性を最大限に引き出すことができる。
【実施例】
【００２８】
以下、本実施形態の窒化物半導体素子、ＡｌＮｘＯ１．５ｙ（０＜（ｘ＋ｙ）＜１、０＜ｘ＜１、０≦ｙ＜１）層の生成方法、窒化物半導体素子の製造方法、および窒化物半導体素子の駆動確認方法、のより具体的な実施形態について、図面などを参酌しながらより詳細に説明する。
＜実施例１＞
ＡｌＮ基板に株式会社ディスコ製のレーザソー「ＤＦＬ７１６０」を用いてアブレーション加工を行い、第１主面にスクライブ傷を形成した。
【００２９】
次に、第２主面側から、前記スクライブ傷に沿って三星ダイヤモンド社製のブレードブレーカ「ＬＢ５０１」を用いて外力を加え、素子を分割した。
分割した素子の側面を、日立ハイテク製ＳＥＭ  Ｓ−４７００で観察した像を図３および図４に示す。
堀場製作所製ＥＤＸ  ＥＭＡＸ−７０００による組成分析の結果、レーザ加工部の組成はＡｌＮ０．６Ｏ０．２、レーザ被加工部の組成はＡｌＮであった。
なお、図３は、実施例１に示す手順で作成した窒化物半導体素子の基板１００の一部を示したものであって、基板１００は、ＳＥＭ固定台の上に載置されている。図３の上側の白い部分ａ１がレーザ加工部、下側のグレー部分ａ２が分割断面である。また、図４は、図３のレーザ加工部ａ１の拡大図である。
【００３０】
＜実施例２＞
ＡｌＮ基板の第１主面上にＮ型ＡｌＧａＮ、ＡｌＧａＮ発光層、Ｐ型ＡｌＧａＮ、Ｐ型ＧａＮを積層し、外部から電力を印加するためのメサ構造、Ｎ型電極、Ｐ型電極を形成した窒化物半導体ウェハを用意した。このウェハに株式会社ディスコ製のレーザソー「ＤＦＬ７１６０」を用いてアブレーション加工を行い、第１主面にスクライブ傷を形成した。
本素子の発光第２主面側から検出した発光スペクトルを図５に示す。図５から、深紫外単色発光が得られていることが分かる。
【００３１】
なお、図５は、レーザスクライブ前の紫外発光スペクトルである。ちなみにレーザスクライブ後のウェハプローブ測定でも特に青色は検出されない。
次に、第２主面側から、前記スクライブ傷に沿って三星ダイヤモンド社製のブレードブレーカ「ＬＢ５０１」を用いて外力を加え、素子を分割した。
分割した素子にプローブを当てて発光を目視で観察したところ、青色発光していることが確認された。図６に、暗所での発光を、センサーテクノロジー社製ＳＴＣ−ＴＣ２０２ＵＳＢ−ＡＣデジタルカメラを用いて撮影した図を示す。本カメラは可視光のみ撮影が可能であり、ＡｌＮｘＯ１．５ｙ（０＜（ｘ＋ｙ）＜１、０＜ｘ＜１、０≦ｙ＜１）領域で特に強く可視光発光が得られていることが分かる。
なお、図６において、側面の上部ｂ１がレーザスクライブ部、側面の下部ｂ２がブレーク部、上面ｂ３は電極パターン部（メサからは光が漏れている。）である。
【００３２】
＜比較例＞
ＡｌＮ基板の第１主面上にＮ型ＡｌＧａＮ、ＡｌＧａＮ発光層、Ｐ型ＡｌＧａＮ、Ｐ型ＧａＮを積層し、外部から電力を印加するためのメサ構造、Ｎ型電極、Ｐ型電極を形成した窒化物半導体ウェハを用意した。このウェハを東新理興製ガラス切りで、第１主面にスクライブ傷を形成した。次に、第２主面側から、前記スクライブ傷に沿って三星ダイヤモンド社製のブレードブレーカ「ＬＢ５０１」を用いて外力を加え、素子を分割した。
【００３３】
分割した素子にプローブを当てて発光を目視で観察したところ、発光は確認できなかった。
なお、本発明の範囲は、図示され記載された例示的な実施形態に限定されるものではなく、本発明が目的とするものと均等な効果をもたらすすべての実施形態をも含む。さらに、本発明の範囲は、すべての開示されたそれぞれの特徴のうち特定の特徴のあらゆる所望する組み合わせによって画されうる。
【符号の説明】
【００３４】
５  ブレード
１３  レーザ加工溝
１４  レーザによる変質層
２０  窒化物半導体積層部
１００  基板
１１０  第１主面
１２０  第２主面
【図１】
2015170712.tif 000003
【図２】
2015170712.tif 000004
【図３】
2015170712.tif 000005
【図４】
2015170712.tif 000006
【図５】
2015170712.tif 000007
【図６】
2015170712.tif 000008