(57)【要約】【課題】従来と同等のプロセス温度で且つより短時間の加圧を必要となしない加熱プロセスにて、固相温度が２００℃以下の低融点相を短時間で消失させることができ、それにより高い耐熱性をもった接合構造を提供する。【解決手段】不可避不純物を除いてＳｎ−Ｂｉ合金及びＣｕ及びＺｎで構成され、Ｓｎ−Ｂｉ合金の含有率をＸｗｔ％とし、Ｃｕの含有率をＹｗｔ％とし、Ｚｎの含有率をＺｗｔ％とした場合に、０．６Ｙ≦Ｘ、０．２Ｚ≦Ｙ、０．０３Ｘ≦Ｚ≦０．１Ｘ、の関係を満たすことを特徴とする接合材料による接合で、固相温度が２００℃以下の低融点相を短時間で消失させることで、高い耐熱性をもった接合構造を提供する。【選択図】図４
2015000986.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
不可避不純物を除いてＳｎ−Ｂｉ合金及びＣｕ及びＺｎで構成され、
Ｓｎ−Ｂｉ合金の含有率をＸｗｔ％とし、Ｃｕの含有率をＹｗｔ％とし、Ｚｎの含有率をＺｗｔ％とした場合に、０．６Ｙ≦Ｘ、０．２Ｚ≦Ｙ、０．０３Ｘ≦Ｚ≦０．１Ｘ、の関係を満たす、
接合材料。
【請求項２】
前記Ｓｎ−Ｂｉ合金は、該合金におけるＢｉの割合が２１ｗｔ％以上かつ５８ｗｔ％以下である、
請求項１に記載の接合材料。
【請求項３】
前記Ｓｎ−Ｂｉ合金の粒径サイズは０．１μｍ以上かつ３０μｍ以下であり、前記Ｃｕの粒子径サイズは０．５μｍ以上かつ３０μｍ以下であり、前記Ｚｎの粒子径サイズは０．００５μｍ以上かつ１０μｍ以下である、
請求項１又は２に記載の接合材料。
【請求項４】
前記Ｓｎ−Ｂｉ合金は、該合金における割合が０．００１ｗｔ％以上かつ３ｗｔ％以下のＡｇ、該合金における割合が０．００１ｗｔ％以上かつ３ｗｔ％以下のＮｉのうち一種以上を含む、
請求項１から３いずれか１項に記載の接合材料。
【請求項５】
第一の導体と第二の導体との接合部が、請求項１から４いずれか１項に記載の接合材料により接合された、
接合構造体。
【請求項６】
前記接合部は、前記第一の導体の第一面と前記第二の導体の第二面とを電気的に接続する経路を形成するＣｕ粒子の結合体を含む第一金属領域と、Ｃｕ−Ｓｎ金属間化合物、Ｃｕ−Ｚｎ金属間化合物またはＣｕ−Ｓｎ−Ｚｎ金属間化合物からなる群から選ばれる少なくとも２種の金属を主成分とする第二金属領域と、Ｂｉを主成分とする第三金属領域、から構成され、
前記第一金属領域では前記Ｃｕ粒子同士が互いに面接触することにより面接触部が形成され、前記第二金属領域の少なくとも一部分が前記第一金属領域に接触し、前記第三金属領域の少なくとも一部分が前記第二金属領域に接触している、
請求項５に記載の接合構造体。
【請求項７】
前記第二の導体がＣｕまたはＣｕ合金からなり、前記第一の導体がＳｉまたはＧａＮまたはＳｉＣからなる場合に、前記第一の導体の第一面の表面にはＣｕまたはＡｇまたはＮｉまたはＡｕが形成された、
請求項５または６に記載の接合構造体。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電力用半導体装置における配線接続など、耐熱性が要求される接合材料に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
電力用半導体装置において、半導体素子の電極と外部導体との接続は、アルミワイヤによる固相接合からはんだ接合に置き換わってきている。このはんだ接合の接合材料としては、例えば、Ｓｎ−Ａｇ系はんだが用いられている。
【０００３】
しかしながら、電力用半導体装置における半導体素子は、Ｓｉだけでなく、ＧａＮやＳｉＣといった高温環境でも動作が可能なものが使われ始めている。これらＧａＮやＳｉＣを用いた半導体素子は、半導体素子の電極と外部導体との接続に、例えば２００℃〜２５０℃といった耐熱性が求められる。しかしながら、鉛フリーはんだの一例であるＳｎ−Ａｇ系はんだでは、動作温度に対する融点差を確保できないことから、このような耐熱性を実現できていない。
【０００４】
耐熱性を確保した鉛フリーはんだ材料を実現するために、例えば特許文献１では、合金層を形成した接合材料を形成している。図６（ａ）、（ｂ）は、特許文献１に開示された接合材料の形成過程を示す図である。
【０００５】
特許文献１では、図６（ａ）に示すように、Ｓｎ−Ｂｉ系合金粒子５１とＣｕ粒子５２を準備した後、Ｓｎ−Ｂｉ系金属粒子５１の融点以上のプロセス温度で９０分以上加熱することにより、図６（ｂ）に示すように、Ｃｕ粒子５２の外周が合金層５４で覆われた接合材料５３を形成している。
【０００６】
このような接合材料５３は、固相温度２５０℃以上の合金層５４同士の接合により層間接続が行われているため、耐リフロー試験（例えば２３０℃）でも合金層５４が溶融せず、高い耐熱性を有する。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００７】
【特許文献１】特開２００２−９４２４２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
しかしながら、特許文献１の接合材料５３は、合金層５４を形成するために９０分以上の加熱が必要である。長時間の加熱が必要な理由は、ＣｕとＳｎの相互拡散の速度が遅いためである。この課題を解決する手段としては、拡散速度を上げるために、プロセス温度を例えば３００℃以上に高温化することや、１ＭＰａ以上で加圧しながら加熱することが考えられるが、いずれの方法も、Ｓｎ−Ｂｉ系合金粒子５１やＣｕ粒子５２へ負荷がかかるため、望ましくない。
【０００９】
本発明は、高いプロセス温度を必要とせず、かつ加圧を必要としない加熱プロセスにより、高い耐熱性を有する接合構造体を実現することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
上記課題を解決するために、本発明に係る接合材料は、不可避不純物を除いてＳｎ−Ｂｉ合金及びＣｕ及びＺｎで構成され、Ｓｎ−Ｂｉ合金の含有率をＸｗｔ％とし、Ｃｕの含有率をＹｗｔ％とし、Ｚｎの含有率をＺｗｔ％とした場合に、０．６Ｙ≦Ｘ、０．２Ｚ≦Ｙ、０．０３Ｘ≦Ｚ≦０．１Ｘ、の関係を満たすことを特徴とする。
【発明の効果】
【００１１】
本発明の接合材料によれば、高いプロセス温度を必要とせず、かつ加圧を必要としない加熱プロセスにより、高い耐熱性を有する接合構造体を実現することが可能になる。
【図面の簡単な説明】
【００１２】
【図１】（ａ）本発明の実施の形態１の接合構造体の概略図、（ｂ）本発明の実施の形態１の接合構造体の製造方法のフローチャート
【図２】Ｓｎ−Ｂｉの二元系状態図
【図３】本発明の実施の形態１において判明したＳｎ−Ｂｉ合金、Ｃｕ、Ｚｎの関係を示す図
【図４】本発明の実施の形態１の接合構造体の概略断面図
【図５】本実施の形態１の構成と従来例との効果を比較するための表を示す図
【図６】（ａ）、（ｂ）特許文献１に開示された接合材料の形成過程を示す図
【発明を実施するための形態】
【００１３】
以下、本発明の実施の形態について、図面を参照しながら説明する。
【００１４】
（実施の形態１）
本発明の実施の形態１にかかる接合構造体は、図１（ａ）に示すように、第一の導体１と第二の導体３とを接合材料２で接合したものである。
【００１５】
まず、本発明の実施の形態１にかかる接合材料の構成を説明する。本実施の形態１にかかる接合材料２は、例えば、電力用半導体装置における大電流に対応した配線接続や、電子回路基板の部品実装または配線形成に用いられるものである。本実施の形態１の接合材料２は、主に、合金、溶剤、活性剤で構成される。本実施の形態１の接合材料２は、これら合金、溶剤、活性剤を調製して、接合部材の形状によって粘度調整することで構成されるが、必要に応じてロジンやチクソ剤を添加し、接合材料にチクソ性を持たせてもよい。
【００１６】
本実施の形態１の接合材料２における合金は、不可避不純物を除き、Ｓｎ−Ｂｉ合金、Ｃｕ、Ｚｎの金属粉体で構成される。詳しくは後述するが、本実施の形態１の接合材料２における合金は、具体的には、Ｓｎ−Ｂｉ合金の含有率をＸｗｔ％とし、Ｃｕの含有率をＹｗｔ％とし、Ｚｎの含有率をＺｗｔ％とした場合、０．６Ｙ≦Ｘ、０．２Ｚ≦Ｙ、０．０３Ｘ≦Ｚ≦０．１Ｘの関係を満たすことを特徴の１つとしている。
【００１７】
また、詳しくは後述するが、本実施の形態１の接合材料２は、Ｓｎ−Ｂｉ合金の粒径サイズが０．１μｍ以上かつ３０μｍ以下であり、Ｃｕの粒子径サイズが０．５μｍ以上かつ３０μｍ以下であり、Ｚｎの粒子径サイズが０．００５μｍ以上かつ１０μｍ以下であることを、特徴の１つとしている。
【００１８】
本実施の形態１の接合材料２における溶剤は、例えば、オクタノールまたはテルピネオールである。
【００１９】
本実施の形態１の接合材料２における活性剤は、例えば、ジグリコール酸、またはセバシン酸などの有機酸である。
【００２０】
続いて、本実施の形態１の接合材料を用いた接合構造体の製造方法を、図１（ｂ）を用いて説明する。
【００２１】
図１（ｂ）において、まず、ステップＳ０１で、室温状態で、第一の導体１に接合材料２を供給する。この工程において、接合材料２の供給方法としては、例えば、ディスペンス、印刷工法を用いる。
【００２２】
次に、ステップＳ０２で、室温状態で、接合材料２上に第二の導体３を搭載する。
【００２３】
次に、ステップＳ０３で、接合材料２に含まれるＳｎ−Ｂｉの液相温度以上の温度で、第一の導体１及び第二の導体３に接合材料２を濡らした状態で加熱して、接合材料２における各合金の相互拡散反応を促す。具体的には、例えば、２３０℃で３０分間加熱することで、接合材料２における各合金の相互拡散反応を促す。このとき、雰囲気としては大気でも良いが、接合材料２の良好な濡れ性を確保する為には、水素及び窒素の混合雰囲気、或いは、水素雰囲気のような還元雰囲気であることが望ましい。更には、接合時の溶剤や活性剤の揮発による空隙を低減する為に、減圧雰囲気であることが望ましい。その後、同じくステップＳ０３で、各合金の相互拡散反応が促された接合材料２を冷却し、第一の導体１及び第二の導体３を接合材料２で接合することで、接合構造体が製造される。
【００２４】
ここで、接合材料２に含まれるＳｎ−Ｂｉの合金組成について、図２を用いて説明する。本実施の形態１では、Ｓｎ−Ａｇ系はんだ（例えば、融点２１７℃のＳｎ−３．０ｗｔ％Ａｇ−０．５ｗｔ％Ｃｕ）を溶融させることができる下限温度である２３０℃以下をプロセス温度のターゲットとしている。また、接合プロセスの温度バラつき１０℃を考慮して、Ｓｎに対するＢｉの下限値は２１ｗｔ％とし、上限値は共晶組成である５８ｗｔ％とした。
【００２５】
続いて、発明者らは、高いプロセス温度を必要とせず、かつ加圧を必要としない（無加圧状態での）加熱プロセスにより、高い耐熱性を有する接合構造体を製造可能な接合材料２の組成について、実証を行った。この実証により判明した結果を、図３に示す。図３は、発明者らの実証により判明した、Ｓｎ−Ｂｉ合金（Ｓｎ−２１ｗｔ％Ｂｉ）及びＣｕ及びＺｎの組成についての関係を示したものである。図３は、左下から右下に向けて、Ｃｕに対するＳｎ−Ｂｉ合金の組成が０ｗｔ％から１００ｗｔ％であることを示し、右下から上に向けて、Ｚｎに対するＣｕの組成が０ｗｔ％から１００ｗｔ％であることを示し、上から左下に向けて、Ｓｎ−Ｂｉ合金に対するＺｎの組成が０ｗｔ％から１００ｗｔ％であることを示している。
【００２６】
図３において、まず始めに、Ｓｎ−Ｂｉ合金とＣｕの関係について説明する。発明者らは、種々の実証を行うことにより、無加圧状態で接合材料２自体の濡れ性によりＣｕ粒子同士が互いに面接触させるためには、Ｃｕに対するＳｎ−Ｂｉ合金の組成が６０ｗｔ％以上必要であることを見出した。すなわち、無加圧状態でＣｕ粒子同士を互いに面接触させるためには、図３に示す矢印Ａ１の範囲内とする必要があることが判明した。
【００２７】
続いて、ＺｎとＣｕの関係について説明する。発明者らは、種々の実証を行うことにより、無加圧状態で接合材料２の濡れ性を確保するためには、Ｚｎに対するＣｕの組成が２０ｗｔ％以上必要であることを見出した。すなわち、無加圧状態で接合材料２の濡れ性を確保するためには、図３に示す矢印Ａ２の範囲内とする必要があることが判明した。
【００２８】
続いて、Ｓｎ−Ｂｉ合金とＺｎの関係について説明する。発明者らは、種々の実験を行うことにより、無加圧状態で接合部にＣｕ−Ｚｎ、Ｃｕ−Ｓｎ−Ｚｎの金属間化合物が形成されるためには、Ｓｎ−Ｂｉ合金に対するＺｎの組成が３ｗｔ％以上必要であることを見出した。また、種々の実験を行うことにより、無加圧状態で接合材料２の濡れ性を確保するためには、Ｓｎ−Ｂｉ合金に対するＺｎの組成が１０ｗｔ％以下であることが必要なことを見出した。すなわち、無加圧状態で接合部にＣｕ−Ｚｎ、Ｃｕ−Ｓｎ−Ｚｎの金属間化合物を形成すると共に、接合材料２の濡れ性を確保するためには、Ｓｎ−Ｂｉ合金に対するＺｎの組成が３ｗｔ％以上かつ１０ｗｔ％以下、図３に示す矢印Ａ３の範囲内とする必要があることが判明した。
【００２９】
以上判明した実証結果より、高いプロセス温度を必要とせず、かつ加圧を必要としない（無加圧状態での）加熱プロセスにより、高い耐熱性を有する接合構造体を製造可能な接合材料２の組成は、図３に領域Ｂ１で示す範囲であることが、発明者らにより見出された。具体的には、領域Ｂ１は、Ｓｎ−Ｂｉ合金の含有率をＸｗｔ％とし、Ｃｕの含有率をＹｗｔ％とし、Ｚｎの含有率をＺｗｔ％とした場合、０．６Ｙ≦Ｘ、０．２Ｚ≦Ｙ、０．０３Ｘ≦Ｚ≦０．１Ｘの関係を満たす範囲である。
【００３０】
なお、ＺｎやＣｕといった金属は、比較的高温にて酸化しやすい金属である。よって、接合材料２においてＺｎやＣｕを過剰な割合（例えば、８０ｗｔ％以上）で含有させることは、接合材料２自体の濡れ性に関して望ましくない。
【００３１】
続いて、以上説明した接合材料２を用いた接合構造体の詳細な構成について、説明する。図４は、以上説明した接合材料２で導体などを接合して製造した接合構造体を示す概略断面図である。
【００３２】
本実施の形態１における接合材料２に含まれるＳｎ−Ｂｉ合金、Ｃｕ、Ｚｎの組成の割合が図３における領域Ｂ１の範囲であれば、第一の導体１の接合面に当たる第一面１ｆと第二の導体３の接合面に当たる第二面３ｆの間に、高い耐熱性を有する接合部を形成することができる。具体的には、Ｃｕである第一面１ｆ及び第二面３ｆが、図１（ｂ）のステップＳ０３において接合材料２中に含まれるＳｎと相互拡散することにより、第一面１ｆ及び／又は第二面３ｆの一部に第二金属領域１２が形成され、この第二金属領域１２により第一の導体１と第二の導体３が接合される。
【００３３】
ここで、接合材料２は、図４にドットで示す第一金属領域１１と、図４に斜線で示す第二金属領域１２と、図４に横線で示す第三金属領域１３とから構成されている。ここで、第一金属領域１１は、第一面１ｆと第二面３ｆとを電気的に接続する経路を形成するＣｕ粒子の結合体を含む領域である。また、第二金属領域１２は、Ｓｎ−Ｃｕ金属間化合物、Ｃｕ−Ｚｎ金属間化合物、Ｃｕ−Ｓｎ−Ｚｎ金属間化合物からなる群から選ばれる少なくとも２種の金属を主成分とする領域である。また、第三金属領域１３は、Ｂｉを主成分とする領域である。第一金属領域１１では、Ｃｕ粒子同士が互いに面接触することにより、面接触部を形成している。また、第二金属領域１２の少なくとも一部分が第一金属領域１１に接触しており、第三金属領域１３の少なくとも一部分が第二金属領域１２に接触している。
【００３４】
このようにして構成された本実施の形態１の接合部材２は、固相温度が２００℃以下の低融点相が消失しており、固相温度が２５０℃以上で構成された高い耐熱性を持った接合部を形成することができる。具体的には、接合材料２は、融点１０８０℃のＣｕ、融点４１５℃以上のＳｎ−Ｃｕ金属間化合物、Ｃｕ−Ｚｎ金属間化合物、Ｃｕ−Ｓｎ−Ｚｎ金属間化合物からなる群から選ばれる少なくとも２種の金属、融点２７０℃のＢｉで構成されている。
【００３５】
なお、第一の導体１と第二の導体３のいずれか一方は、Ｓｉ、ＧａＮ、ＳｉＣのようなデバイスを用いても良い。例えば、第一の導体１にＳｉデバイスを用いた場合、第一面１ｆには、接合材料２中に含まれるＳｎと相互拡散する金属であるＣｕ、Ａｇ、ＮｉまたはＡｕが形成されている必要がある。これらの金属は、Ｓｎとの相互拡散により、Ｃｕ−Ｓｎ金属間化合物、Ａｇ−Ｓｎ金属間化合物、Ｎｉ−Ｓｎ金属間化合物またはＡｕ−Ｓｎ金属間化合物が形成されることで、接合することができる。いずれの金属間化合物も融点が２５０℃以上であるため、高い耐熱性を維持することができる。
【００３６】
次に、接合材料２に含まれる合金の粒径サイズ、上述以外の割合、添加元素について説明する。
【００３７】
合金の粒径サイズは、前述のように、本実施の形態１では、Ｓｎ−Ｂｉ合金の粒径サイズが０．１μｍ以上かつ３０μｍ以下であり、Ｃｕの粒子径サイズが０．５μｍ以上かつ３０μｍ以下であり、Ｚｎの粒子径サイズが０．００５μｍ以上かつ１０μｍ以下である。
【００３８】
Ｚｎの粒子径サイズを以上のように定義した理由について説明する。図１のステップＳ０３において、ＳｎとＺｎ及びＣｕとの相互拡散速度を上げるためには、拡散面積を増やすこと、つまり加熱時に固体として存在しているＺｎやＣｕを小粒径化することにより、比表面積を大きくする必要がある。ここで、例えば１１μｍ〜５８μｍといった大粒子径サイズのＺｎを用いると、ＳｎやＣｕと十分に相互拡散反応せず、単体元素として残存してしまって上述したようなＣｕ−Ｓｎ−Ｚｎ金属間化合物が形成されず、固相温度が２００℃以下の低融点相の消失速度が下がってしまう。このようにＣｕは、Ｓｎとの相互拡散速度が比較的遅いことから、溶融加熱以前の略球形状が保持されやすいため、接合部における第一面１ｆと第二面３ｆとを電気的に接続する経路を形成する役割を担いやすい。しかしながら、Ｃｕを小粒径化し過ぎると、第一面１ｆと第二面３ｆとの間のギャップが保持されず、第一金属領域１１によるマトリクスの形成が困難になり、接合部における第一面１ｆと第二面３ｆとを電気的に接続する経路が形成されにくくなる。そこで、本実施の形態１では、Ｚｎを小粒径化することで、これらの問題を解決している。
【００３９】
金属の小粒径化の方法は、気相法、液相法共に種々存在するが、本実施の形態１では、レーザ蒸発法を用いた。レーザ蒸発法を用いた理由は、参加を防ぐことで、所望の溶媒中でＺｎの小粒径化を行うためである。レーザ蒸発法は、高沸点の溶剤の中でＺｎを小粒径化することができるため、接合温度に達するまでは溶剤により被覆した状態を維持して、酸素との接触の抑制により酸化を防ぐことができる。これは、Ｚｎ自体が、金属の中でも比較的酸化しやすい金属であり、小粒径化すると比表面積が大きくなることで図１のステップＳ０３における高温環境では酸素と結びつきやすくなり、酸化が加速されてＳｎやＣｕとの相互拡散速度が低下し易いためである。
【００４０】
なお、溶媒としては、想定しているプロセス温度１５０℃〜２３０℃に対して、沸点１９５℃前後のオクタノールを選定した。溶媒としては、２１５℃前後のテルピネオールを選定してもよい。
【００４１】
以上の説明では、Ｓｎ−Ｂｉ合金の比率として、該合金におけるＢｉの割合が２１ｗｔ％のものを用いて説明したが、該合金におけるＢｉの割合は、２１ｗｔ％以上かつ５８ｗｔ％以下としておけば良い。合金におけるＢｉの割合が２１ｗｔ％から５８ｗｔ％に増えると、その組成が共晶組成に近づくことから、接合材料２自体の濡れ性は向上する。また、合金におけるＳｎの割合が７９ｗｔ％から４２ｗｔ％に減ることから、目的としている低融点相の消失時間も早まり、合金におけるＢｉの割合が２１ｗｔ％から５８ｗｔ％に増えることによる不具合は生じない。したがって、Ｂｉの割合が２１ｗｔ％以上かつ５８ｗｔ％以下であれば、図３における領域Ｂ１の範囲は縮小されず、問題は発生しない。
【００４２】
なお、Ｓｎ−Ｂｉ合金には、融点降下により接合材料２の濡れ性を向上させる目的として、合金における割合が０．００１ｗｔ％以上かつ３ｗｔ％以下のＡｇ、又は／及び、合金における割合が０．００１ｗｔ％以上かつ３ｗｔ％以下のＮｉを、微量添加元素として含んでいても良い。なお、Ｓｎ−Ｂｉ合金において、Ａｇ及びＮｉの含有割合が高い場合（例えば、Ａｇが３ｗｔ％でＮｉが３ｗｔ％の場合）は、Ｓｎ−Ｂｉ系合金と呼ばれることもあるが、本実施の形態では、Ｓｎ−Ｂｉ系合金も含めて、Ｓｎ−Ｂｉ合金としている。
【００４３】
次に、Ｓｎ−５８Ｂｉ合金を用いた場合の、本実施の形態１の構成と従来例との効果を比較する。図５に、この効果の比較を説明するための表を示す。ここで、第一の導体１及び第二の導体３の材料としては、Ｃｕを用いている。
【００４４】
図５に示すように、従来例に相当する接合材料に対してプロセス時間を変化させた水準１〜３を設定すると共に、本実施の形態１に相当する接合材料に対してプロセス時間を変化させた水準４〜５を０設定し、各水準で得た接合部のピーク温度を示差走査熱量分析（ＤＳＣ）により２回測定し、固相温度を計測した。その結果、以下のことが分かった。
【００４５】
水準１、水準４のようにプロセス時間が５分では、図１のステップＳ０３における接合プロセスの初期段階にあたり、２００℃以下の低融点相（Ｓｎ−Ｂｉ合金）が検出されている。
【００４６】
一方、水準３はプロセス時間が６０分でも低融点相が検出されているのに対し、水準５では水準３よりも３０分間短くても低融点相が検出されず、接合部の固相温度はＢｉの融点にあたる２７０℃となっている。すなわち、水準３と水準５を比較することで、Ｚｎを所定量含有させることで、Ｓｎは全て、Ｃｕ−Ｓｎ金属間化合物、或いはＣｕ−Ｚｎ−Ｓｎ金属間化合物に置き換わっていることが示唆される。この結果より、本実施の形態１の接合材料は、従来例と同等のプロセス温度で且つ短時間の加圧を必要となしない加熱プロセスにて、固相温度が２００℃以下の低融点相を短時間で消失させることができ、それにより高い耐熱性をもった接合構造を提供することが可能になる。
【産業上の利用可能性】
【００４７】
本発明は、例えば、電力用半導体装置における接合部に用いる接合材料として用いることができる。
【符号の説明】
【００４８】
１  第一の導体
１ｆ  第一面
２  接合材料
３  第二の導体
３ｆ  第二面
１１  第一金属領域
１２  第二金属領域
１３  第三金属領域
【図１】
2015000986.tif 000003
【図２】
2015000986.tif 000004
【図３】
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【図４】
2015000986.tif 000006
【図５】
2015000986.tif 000007
【図６】
2015000986.tif 000008