(57)【要約】      （修正有）【課題】コイル間のショート（ｓｈｏｒｔ）の発生を防止し、コイルの幅に対する高さを増加させて高いアスペクト比（ＡＲ）を具現することができるチップ電子部品及びその製造方法を提供する。【解決手段】内部コイル部４０を形成するコイルパターンのうち中央部のコイルパターン４２の側面部及び最外周部のコイルパターン４１及び最内周部のコイルパターン４３の内側面部に難溶性膜９１を形成することで、電気めっきを行いコイルパターンを形成する際のコイルの高さ方向の成長を促しながらも、幅方向の成長を抑制する。【選択図】図３
2015170846.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁基板を含む磁性体本体と、
前記絶縁基板の少なくとも一面に形成される内部コイル部と、
前記磁性体本体の一端面に形成され、前記内部コイル部と接続される外部電極と、を含み、
前記内部コイル部を形成するコイルパターンの側面部に難溶性膜が形成され、前記内部コイル部のアスペクト比（ａｓｐｅｃｔ  ｒａｔｉｏ）が１．５以上である、チップ電子部品。
【請求項２】
前記難溶性膜は、前記内部コイル部を形成するコイルパターンのうち中央部のコイルパターンの側面部に形成される、請求項１に記載のチップ電子部品。
【請求項３】
前記難溶性膜は、前記内部コイル部を形成するコイルパターンのうち最外周部のコイルパターン及び最内周部のコイルパターンの内側面部に形成される、請求項１に記載のチップ電子部品。
【請求項４】
前記難溶性膜は、テトラゾール（ｔｅｔｒａｚｏｌｅ）系、トリアゾール（ｔｒｉａｚｏｌｅ）系及びイミダゾール（ｉｍｉｄａｚｏｌｅ）系からなる群より選択されたいずれか一つ以上の化合物を含む、請求項１に記載のチップ電子部品。
【請求項５】
前記内部コイル部は、前記絶縁基板上に形成された第１コイルパターン、前記第１コイルパターンを被覆するように形成された第２コイルパターン、及び前記第２コイルパターン上に形成された第３コイルパターンを含む、請求項１に記載のチップ電子部品。
【請求項６】
前記難溶性膜は、前記第２コイルパターンの側面部に形成される、請求項５に記載のチップ電子部品。
【請求項７】
前記第２コイルパターンは幅方向及び高さ方向に成長した形状であり、前記第３コイルパターンは高さ方向のみに成長した形状である、請求項５に記載のチップ電子部品。
【請求項８】
前記第２コイルパターンは等方めっきで形成され、前記第３コイルパターンは異方めっきで形成される、請求項５に記載のチップ電子部品。
【請求項９】
前記内部コイル部は、銀（Ａｇ）、パラジウム（Ｐｄ）、アルミニウム（Ａｌ）、ニッケル（Ｎｉ）、チタニウム（Ｔｉ）、金（Ａｕ）、銅（Ｃｕ）及び白金（Ｐｔ）からなる群より選択されたいずれか一つ以上を含む、請求項１に記載のチップ電子部品。
【請求項１０】
前記内部コイル部を被覆する絶縁層をさらに含む、請求項１に記載のチップ電子部品。
【請求項１１】
絶縁基板の少なくとも一面に内部コイル部を形成する段階と、
前記内部コイル部が形成された絶縁基板の上部及び下部に磁性体層を積層して磁性体本体を形成する段階と、
前記磁性体本体の少なくとも一端面に前記内部コイル部と接続されるように外部電極を形成する段階と、を含み、
前記内部コイル部を形成する段階は、コイルパターンの側面部に難溶性膜を形成し、電気めっきを行う、チップ電子部品の製造方法。
【請求項１２】
前記難溶性膜は、前記内部コイル部を形成するコイルパターンのうち中央部のコイルパターンの側面部に形成する、請求項１１に記載のチップ電子部品の製造方法。
【請求項１３】
前記難溶性膜は、前記内部コイル部を形成するコイルパターンのうち最外周部のコイルパターン及び最内周部のコイルパターンの内側面部に形成する、請求項１１に記載のチップ電子部品の製造方法。
【請求項１４】
前記難溶性膜は、テトラゾール（ｔｅｔｒａｚｏｌｅ）系、トリアゾール（ｔｒｉａｚｏｌｅ）系及びイミダゾール（ｉｍｉｄａｚｏｌｅ）系からなる群より選択されたいずれか一つ以上の化合物を含む、請求項１１に記載のチップ電子部品の製造方法。
【請求項１５】
前記内部コイル部を形成する段階は、
前記絶縁基板の少なくとも一面に第１コイルパターンを形成し、前記第１コイルパターン上に電気めっきを行って前記第１コイルパターンを被覆する第２コイルパターンを形成する段階と、
前記第２コイルパターンを被覆する難溶性膜を形成する段階と、
前記第２コイルパターンの側面部を除いた領域に形成された前記難溶性膜を除去する段階と、
前記難溶性膜が一部除去された第２コイルパターン上に電気めっきを行って第３コイルパターンを形成する段階と、を含む、請求項１１に記載のチップ電子部品の製造方法。
【請求項１６】
前記第２コイルパターンは等方めっきで形成され、前記第３コイルパターンは異方めっきで形成される、請求項１５に記載のチップ電子部品の製造方法。
【請求項１７】
前記内部コイル部は、アスペクト比（ａｓｐｅｃｔ  ｒａｔｉｏ）が１．５以上を満たすように形成する、請求項１１に記載のチップ電子部品の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、チップ電子部品及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
チップ電子部品の一つであるインダクタ（ｉｎｄｕｃｔｏｒ）は、抵抗、キャパシタとともに、電子回路を形成してノイズ（Ｎｏｉｓｅ）を除去する代表的な手動素子である。なお、電磁気的特性を用いることでキャパシタと組み合わせて特定周波数帯域の信号を増幅させる共振回路やフィルタ（Ｆｉｌｔｅｒ）回路などの構成に用いられる。
【０００３】
最近、各種の通信デバイスやディスプレイデバイスなどのＩＴデバイスの急速な小型化及び薄膜化に伴い、このようなＩＴデバイスに採用されるインダクタやキャパシタ、トランジスタなどの各種素子にも小型化及び薄型化に対する研究が継続的に行われている。その結果、インダクタも小型かつ高密度の自動表面実装が可能なチップへの転換が加速化しており、薄膜の絶縁基板の上下面にめっきで形成されるコイルパターン上に磁性粉末を樹脂と混合して形成させた薄膜型インダクタの開発が続いている。
【０００４】
インダクタの主な特性の一つである直流抵抗（Ｒｄｃ）は、コイルの断面積が大きくなるほど低くなる。そのため、直流抵抗（Ｒｄｃ）を減らし、インダクタンスを向上させるためには、内部コイルの断面積を増加する必要がある。
【０００５】
コイルの断面積を増加させるな方法としては、コイルの幅を増加させる方法、コイルの高さを増加させる方法の二つが挙げられる。
【０００６】
コイルの幅を増加させる場合、コイルとコイルとの間にショート（ｓｈｏｒｔ）が発生する可能性が非常に高くなり、インダクタチップで具現できるターン数に限界がある。また、磁性体が占める面積が減少して効率が低下し、高容量製品の具現に限界が生じる。
【０００７】
したがって、薄膜型インダクタの内部コイルには、コイルの高さを増加させた高いアスペクト比（Ａｓｐｅｃｔ  Ｒａｔｉｏ、ＡＲ）を有する構造が求められている。内部コイルのアスペクト比（ＡＲ）とは、コイルの高さをコイルの幅で分けた値を意味し、高いアスペクト比（ＡＲ）を具現するためには、コイルの幅方向の成長を抑制し、高さ方向の成長を促す必要がある。
【０００８】
しかし、従来、めっきレジストを用いるパターンめっき法を行ってコイルの高さを高く形成させるためには、めっきレジストを高く形成しなければならず、めっきレジストがその形状を維持するためには、一定幅以上を有する必要があるため、コイル間の間隔が非常に広くなるという限界があった。
【０００９】
また、従来、電気めっき法を行う際に、めっきが行われるにつれ、等方成長により、コイルの高さ方向とともに幅方向の成長が行われ、コイル間にショート（ｓｈｏｒｔ）が発生し、コイルの高いアスペクト比（ＡＲ）を具現することが困難になるという限界があった。
【先行技術文献】
【特許文献】
【００１０】
【特許文献１】特開第２００６−２７８４７９号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１１】
本発明の一形態は、コイル間のショート（ｓｈｏｒｔ）の発生を防止し、コイルの幅に対する高さを増加させて高いアスペクト比（ＡＲ）を具現することができるチップ電子部品及びその製造方法に関する。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
本発明の一形態は、絶縁基板を含む磁性体本体と、上記絶縁基板の少なくとも一面に形成される内部コイル部と、上記磁性体本体の一端面に形成され、上記内部コイル部と接続される外部電極と、を含み、上記内部コイル部を形成するコイルパターンの側面部に難溶性膜が形成され、上記内部コイル部のアスペクト比（ａｓｐｅｃｔ  ｒａｔｉｏ）が１．５以上であるチップ電子部品を提供する。
【００１３】
上記難溶性膜は、上記内部コイル部を形成するコイルパターンのうち中央部のコイルパターンの側面部に形成されることができる。
【００１４】
上記難溶性膜は、上記内部コイル部を形成するコイルパターンのうち最外周部のコイルパターン及び最内周部のコイルパターンの内側面部に形成されることができる。
【００１５】
上記難溶性膜は、テトラゾール（ｔｅｔｒａｚｏｌｅ）系、トリアゾール（ｔｒｉａｚｏｌｅ）系及びイミダゾール（ｉｍｉｄａｚｏｌｅ）系からなる群より選択されたいずれか一つ以上の化合物を含むことができる。
【００１６】
上記内部コイル部は、上記絶縁基板上に形成された第１コイルパターン、上記第１コイルパターンを被覆するように形成された第２コイルパターン、及び上記第２コイルパターン上に形成された第３コイルパターンを含むことができる。
【００１７】
上記難溶性膜は、上記第２コイルパターンの側面部に形成されることができる。
【００１８】
上記第２コイルパターンは幅方向及び高さ方向に成長した形状であり、上記第３コイルパターンは高さ方向のみに成長した形状であることができる。
【００１９】
上記第２コイルパターンは等方めっきで形成され、上記第３コイルパターンは異方めっきで形成されることができる。
【００２０】
上記内部コイル部は、銀（Ａｇ）、パラジウム（Ｐｄ）、アルミニウム（Ａｌ）、ニッケル（Ｎｉ）、チタニウム（Ｔｉ）、金（Ａｕ）、銅（Ｃｕ）及び白金（Ｐｔ）からなる群より選択されたいずれか一つ以上を含むことができる。
【００２１】
上記チップ電子部品は、上記内部コイル部を被覆する絶縁層をさらに含むことができる。
【００２２】
本発明の他の一形態は、絶縁基板の少なくとも一面に内部コイル部を形成する段階と、上記内部コイル部が形成された絶縁基板の上部及び下部に磁性体層を積層して磁性体本体を形成する段階と、上記磁性体本体の少なくとも一端面に上記内部コイル部と接続されるように外部電極を形成する段階と、を含み、上記内部コイル部を形成する段階は、コイルパターンの側面部に難溶性膜を形成し、電気めっきを行うチップ電子部品の製造方法を提供する。
【００２３】
上記難溶性膜は、上記内部コイル部を形成するコイルパターンのうち中央部のコイルパターンの側面部に形成することができる。
【００２４】
上記難溶性膜は、上記内部コイル部を形成するコイルパターンのうち最外周部のコイルパターン及び最内周部のコイルパターンの内側面部に形成することができる。
【００２５】
上記難溶性膜は、テトラゾール（ｔｅｔｒａｚｏｌｅ）系、トリアゾール（ｔｒｉａｚｏｌｅ）系及びイミダゾール（ｉｍｉｄａｚｏｌｅ）系からなる群より選択されたいずれか一つ以上の化合物を含むことができる。
【００２６】
上記内部コイル部を形成する段階は、上記絶縁基板の少なくとも一面に第１コイルパターンを形成し、上記第１コイルパターン上に電気めっきを行って上記第１コイルパターンを被覆する第２コイルパターンを形成する段階と、上記第２コイルパターンを被覆する難溶性膜を形成する段階と、上記第２コイルパターンの側面部を除いた領域に形成された上記難溶性膜を除去する段階と、上記難溶性膜が一部除去された第２コイルパターン上に電気めっきを行って第３コイルパターンを形成する段階と、を含むことができる。
【００２７】
上記第２コイルパターンは等方めっきで形成され、上記第３コイルパターンは異方めっきで形成されることができる。
【００２８】
上記内部コイル部は、アスペクト比（ａｓｐｅｃｔ  ｒａｔｉｏ）が１．５以上を満たすように形成することができる。
【発明の効果】
【００２９】
本発明の一形態によるチップ電子部品は、コイル間のショート（ｓｈｏｒｔ）の発生を防止し、コイルの幅に対する高さを増加させて高いアスペクト比（ＡＲ）を有する内部コイル構造を具現することができる。
【００３０】
これにより、コイルの断面積が大きくなり、直流抵抗（Ｒｄｃ）が減少し、インダクタンスが向上することができる。
【図面の簡単な説明】
【００３１】
【図１】本発明の一実施形態によるチップ電子部品の内部コイル部を示した概略斜視図である。
【図２】図１のＩ−Ｉ’線に沿った断面図である。
【図３】図２のＡ部分の一実施形態を拡大して示した概略図である。
【図４】本発明の一実施形態によるチップ電子部品の内部コイル部の一部を拡大して示した断面図である。
【図５】本発明の一実施形態によるチップ電子部品の製造方法を示した工程図である。
【図６】本発明の一実施形態によるチップ電子部品の製造方法を順に示した図面である。
【図７】本発明の一実施形態によるチップ電子部品の製造方法を順に示した図面である。
【図８】本発明の一実施形態によるチップ電子部品の製造方法を順に示した図面である。
【図９】本発明の一実施形態によるチップ電子部品の製造方法を順に示した図面である。
【発明を実施するための形態】
【００３２】
以下では、添付の図面を参照し、本発明の好ましい実施形態について説明する。しかし、本発明の実施形態は様々な他の形態に変形されることができ、本発明の範囲は以下で説明する実施形態に限定されない。また、本発明の実施形態は、当該技術分野で平均的な知識を有する者に本発明をより完全に説明するために提供されるものである。したがって、図面における要素の形状及び大きさなどはより明確な説明のために誇張されることがある。
【００３３】
チップ電子部品
【００３４】
以下では、本発明の一実施形態によるチップ電子部品を説明するにあたり、特に、薄膜型インダクタを例に挙げて説明するが、本発明はこれに制限されない。
【００３５】
図１は本発明の一実施形態によるチップ電子部品の内部コイル部を示した概略斜視図であり、図２は図１のＩ−Ｉ’線に沿った断面図であり、図３は図２のＡ部分の一実施形態を拡大して示した概略図である。
【００３６】
図１及び図２を参照すると、チップ電子部品の一例として、電源供給回路の電源ラインに用いられる薄膜型チップインダクタ１００が開示されている。上記チップ電子部品は、チップインダクタの他にも、チップビーズ（ｃｈｉｐ  ｂｅａｄ）、チップフィルタ（ｃｈｉｐ  ｆｉｌｔｅｒ）などに適切に応用されることができる。
【００３７】
上記薄膜型インダクタ１００は、磁性体本体５０、絶縁基板２０、内部コイル部４０、及び外部電極８０を含む。
【００３８】
磁性体本体５０は、薄膜型インダクタ１００の外観をなし、磁気特性を示す材料であれば制限されないが、例えば、フェライトまたは金属系軟磁性材料が充填されて形成されることができる。
【００３９】
上記フェライトとしては、Ｍｎ−Ｚｎ系フェライト、Ｎｉ−Ｚｎ系フェライト、Ｎｉ−Ｚｎ−Ｃｕ系フェライト、Ｍｎ−Ｍｇ系フェライト、Ｂａ系フェライトまたはＬｉ系フェライトなどの公知のフェライトを含むことができる。
【００４０】
上記金属系軟磁性材料としては、Ｆｅ、Ｓｉ、Ｃｒ、Ａｌ及びＮｉからなる群より選択されたいずれか一つ以上を含む合金であることができる。例えば、Ｆｅ−Ｓｉ−Ｂ−Ｃｒ系の非晶質金属粒子を含むことができるが、本発明はこれに制限されない。
【００４１】
上記金属系軟磁性材料は、粒子直径が０．１μｍ〜２０μｍであることができ、エポキシ（ｅｐｏｘｙ）樹脂やポリイミド（ｐｏｌｙｉｍｉｄｅ）などの高分子上に分散した状態で含まれることができる。
【００４２】
磁性体本体５０は、六面体状を有することができる。また、本発明の実施形態を明確に説明するために六面体の方向を定義すると、図１に示されるＬ、Ｗ及びＴは、それぞれ長さ方向、幅方向及び厚さ方向を示す。上記磁性体本体５０は長さ方向の長さが幅方向の長さより大きい直方体状を有することができる。
【００４３】
上記磁性体本体５０の内部に形成される絶縁基板２０は、例えば、ポリプロピレングリコール（ＰＰＧ）基板やフェライト基板、金属系軟磁性基板などで形成されることができる。
【００４４】
上記絶縁基板２０の中央部は、貫通されて孔を形成し、上記孔はフェライトや金属系軟磁性材料などの磁性体で充填されてコア部５５を形成することができる。磁性体で充填されるコア部５５が形成されることにより、インダクタンス（Ｌ）を向上させることができる。
【００４５】
上記絶縁基板２０の一面にはコイル状のパターンを有する内部コイル部４０が形成されることができ、上記絶縁基板２０の他面にもコイル状のパターンを有する内部コイル部４０が形成されることができる。
【００４６】
上記内部コイル部４０は、コイルパターンがらせん（ｓｐｉｒａｌ）状に形成されることができ、上記絶縁基板２０の一面及び他面に形成される内部コイル部４０は上記絶縁基板２０に形成されるビア電極４５によって電気的に接続されることができる。
【００４７】
図３を参照すると、上記内部コイル部４０を形成するコイルパターンの側面部には難溶性膜９１が形成されることができる。
【００４８】
上記難溶性膜９１は、内部コイル部４０を形成するコイルパターンのうち中央部のコイルパターン４２の側面部に形成されることができる。また、難溶性膜９１は、最外周部のコイルパターン４１及び最内周部のコイルパターン４３の内側面部にも形成されることができる。
【００４９】
上記の通り、コイルパターンの側面部に難溶性膜９１が形成されることにより、コイルの高さ方向の成長を促しながらも、幅方向の成長を抑制することで、コイル間のショート（ｓｈｏｒｔ）の発生を防止し、高いアスペクト比（Ａｓｐｅｃｔ  Ｒａｔｉｏ、ＡＲ）の内部コイル部４０を具現することができる。例えば、１．５以上のアスペクト比（ＡＲ、Ｔ／Ｗ）を示すことができる。
【００５０】
図４は本発明の一実施形態によるチップ電子部品の内部コイル部の一部を拡大して示した断面図である。
【００５１】
図４を参照すると、上記内部コイル部４０は、絶縁基板２０上に形成された第１コイルパターン４６、第１コイルパターン４６を被覆するように形成された第２コイルパターン４７、及び第２コイルパターン４７上に形成された第３コイルパターン４８を含むことができる。
【００５２】
上記第１コイルパターン４６は、パターニングされためっきレジストを絶縁基板２０上に形成し、開口部を伝導性金属で充填して形成したパターンめっき層であることができる。
【００５３】
上記第２コイルパターン４７は、電気めっきを行うことで形成されることができる。また、コイルの幅方向Ｗ及び高さ方向Ｔにともに成長した形状を有する等方めっき層であることができる。
【００５４】
上記難溶性膜９１は、第２コイルパターン４７をすべて被覆するように形成された後、インチング（ｉｎｃｈｉｎｇ）工法などで第２コイルパターン４７の側面部を除いた領域に形成された上記難溶性膜９１が除去されることにより、第２コイルパターン４７の側面部のみに形成されることができる。
【００５５】
また、側面部に難溶性膜９１が形成された第２コイルパターン４７上に電気めっきを行って第３コイルパターン４８を形成することができる。第３コイルパターン４８は、第２コイルパターン４７の側面部に形成された難溶性膜９１により、コイルの幅方向Ｗの成長は抑制されながら、高さ方向Ｔのみに成長した形状を有する異方めっき層で形成されることができる。
【００５６】
一方、上記難溶性膜９１は、中央部のコイルパターン４２では側面部にすべて形成されるが、最外周部のコイルパターン４１及び最内周部のコイルパターン４３では内側面部のみに形成されることができるため、上記最外周部のコイルパターン４１及び最内周部のコイルパターン４３の第３コイルパターン４９は、コイルの幅方向Ｗ及び高さ方向Ｔにともに成長した形状を有する等方めっき層で形成されることができる。
【００５７】
上記内部コイル部４０は、電気伝導性に優れた金属を含んで形成されることができる。例えば、銀（Ａｇ）、パラジウム（Ｐｄ）、アルミニウム（Ａｌ）、ニッケル（Ｎｉ）、チタニウム（Ｔｉ）、金（Ａｕ）、銅（Ｃｕ）、白金（Ｐｔ）またはこれらの合金などで形成されることができる。
【００５８】
第１コイルパターン４６、第２コイルパターン４７及び第３コイルパターン４８、４９は、同一金属で形成されることができ、銅（Ｃｕ）で形成されることが最も好ましい。
【００５９】
上記難溶性膜９１は、テトラゾール（ｔｅｔｒａｚｏｌｅ）系、トリアゾール（ｔｒｉａｚｏｌｅ）系及びイミダゾール（ｉｍｉｄａｚｏｌｅ）系からなる群より選択されたいずれか一つ以上の化合物を含むことができ、例えば、ベンズイミダゾール（ｂｅｎｚｉｍｉｄａｚｏｌｅ）系であることができる。
【００６０】
上記内部コイル部４０は、絶縁層３０で被覆されることができる。
【００６１】
絶縁層３０は、スクリーン印刷法、フォトレジスト（Ｐｈｏｔｏ  Ｒｅｓｉｓｔ、ＰＲ）の露光、現像を通じた工程、スプレー（ｓｐｒａｙ）塗布工程などの公知の方法で形成されることができる。内部コイル部４０は、絶縁層３０で被覆されて、磁性体本体５０をなす磁性体材料と直接的に接触しない。
【００６２】
絶縁基板２０の一面に形成される内部コイル部４０の一端部は磁性体本体５０の長さ方向の一端面に露出することができ、絶縁基板２０の他面に形成される内部コイル部４０の一端部は磁性体本体５０の長さ方向の他端面に露出することができる。
【００６３】
上記磁性体本体５０の長さ方向の両端面に露出する上記内部コイル部４０と接続されるように長さ方向の両端面には外部電極８０が形成されることができる。上記外部電極８０は、上記磁性体本体５０の厚さ方向の両端面及び／または幅方向の両端面に延びて形成されることができる。
【００６４】
上記外部電極８０は、電気伝導性に優れた金属を含んで形成されることができる。例えば、ニッケル（Ｎｉ）、銅（Ｃｕ）、すず（Ｓｎ）、銀（Ａｇ）などの単独またはこれらの合金などで形成されることができる。
【００６５】
チップ電子部品の製造方法
【００６６】
図５は本発明の一実施形態によるチップ電子部品の製造方法を示した工程図であり、図６から図９は本発明の一実施形態によるチップ電子部品の製造方法を順に示した図面である。
【００６７】
図５を参照すると、まず、絶縁基板２０の少なくとも一面に内部コイル部４０が形成される。
【００６８】
上記絶縁基板２０は、特に制限されないが、例えば、ポリプロピレングリコール（ＰＰＧ）基板、フェライト基板、金属系軟磁性基板などを用いることができ、４０μｍ〜１００μｍの厚さを有することができる。
【００６９】
上記内部コイル部４０の形成方法として、図６を参照すると、絶縁基板２０上に第１コイルパターン４６を形成し、第１コイルパターン４６を被覆するように第２コイルパターン４７を形成することができる。
【００７０】
上記第１コイルパターン４６は、絶縁基板２０上に第１コイルパターンを形成するための開口部を有するめっきレジストを形成し、第１コイルパターンを形成するための開口部に電気めっきなどの工程を適用して電気伝導性金属を充填した後、化学的エッチングなどの工程を適用してめっきレジストを除去することで形成されることができる。
【００７１】
上記めっきレジストは、一般の感光性レジストフイルムで、ドライフィルムレジストなどを用いることができるが、本発明はこれに制限されない。
【００７２】
上記第２コイルパターン４７は、第１コイルパターン４６上に電気めっきを行うことで形成されることができる。電気めっきの際に、電流密度、めっき液の濃度、めっき速度などを調節することにより、第２コイルパターン４７をコイルの幅方向Ｗ及び高さ方向Ｔにともに成長した形状を有する等方めっき層で形成することができる。
【００７３】
図７を参照すると、上記第２コイルパターン４７をすべて被覆するように難溶性膜９１を形成することができる。
【００７４】
上記難溶性膜９１は、テトラゾール（ｔｅｔｒａｚｏｌｅ）系、トリアゾール（ｔｒｉａｚｏｌｅ）系及びイミダゾール（ｉｍｉｄａｚｏｌｅ）系からなる群より選択されたいずれか一つ以上の化合物を含む溶液に入れて形成することができ、例えば、ベンズイミダゾール（ｂｅｎｚｉｍｉｄａｚｏｌｅ）系溶液を用いることができる。
【００７５】
図８を参照すると、上記第２コイルパターン４７を被覆する難溶性膜９１のうち第２コイルパターン４７の側面部を除いた領域に形成された難溶性膜９１を除去することができる。
【００７６】
上記難溶性膜９１は、インチング（ｉｎｃｈｉｎｇ）工法などを適用して除去することができ、物理的に打力が大きい部分の難溶性膜９１が除去されることができる。
【００７７】
このように、一部領域の難溶性膜９１が除去され、内部コイル部４０を形成するコイルパターンのうち中央部のコイルパターン４２の側面部、最外周部のコイルパターン４１、及び最内周部のコイルパターン４３の内側面部に難溶性膜９１が残存することができる。
【００７８】
図９を参照すると、難溶性膜９１が一部除去されて側面部のみに難溶性膜９１が形成された第２コイルパターン４７上に電気めっきを行うことにより、第３コイルパターン４８、４９を形成することができる。
【００７９】
第３コイルパターン４８は、第２コイルパターン４７の側面部に形成された難溶性膜９１により、コイルの幅方向Ｗの成長が抑制され、高さ方向Ｔのみに成長した形状を有する異方めっき層で形成されることができる。
【００８０】
一方、上記難溶性膜９１は、中央部のコイルパターン４２では側面部にすべて形成されるが、最外周部のコイルパターン４１及び最内周部のコイルパターン４３では内側面部のみに形成されることができるため、上記最外周部のコイルパターン４１及び最内周部のコイルパターン４３の第３コイルパターン４９は、コイルの幅方向Ｗ及び高さ方向Ｔにともに成長した形状を有する等方めっき層で形成されることができる。
【００８１】
上記第１コイルパターン４６、第２コイルパターン４７及び第３コイルパターン４８、４９を含む内部コイル部４０は、電気伝導性に優れた金属を含んで形成されることができる。例えば、銀（Ａｇ）、パラジウム（Ｐｄ）、アルミニウム（Ａｌ）、ニッケル（Ｎｉ）、チタニウム（Ｔｉ）、金（Ａｕ）、銅（Ｃｕ）、白金（Ｐｔ）またはこれらの合金などで形成されることができる。
【００８２】
第１コイルパターン４６、第２コイルパターン４７及び第３コイルパターン４８、４９は、同一金属で形成されることができ、銅（Ｃｕ）で形成されることが最も好ましい。
【００８３】
このように、コイルパターンの側面部に難溶性膜９１を形成し、電気めっきを行うことにより、コイルの高さ方向の成長を促しながらも、幅方向の成長を抑制することで、コイル間のショート（ｓｈｏｒｔ）の発生を防止し、高いアスペクト比（Ａｓｐｅｃｔ  Ｒａｔｉｏ、ＡＲ）の内部コイル部４０を具現することができる。例えば、１．５以上のアスペクト比（ＡＲ、Ｔ／Ｗ）を示すことができる。
【００８４】
上記絶縁基板２０の一部には、孔を形成し、伝導性物質を充填してビア電極４５を形成することができる。上記ビア電極４５により、絶縁基板２０の一面及び他面に形成される内部コイル部４０同士を電気的に接続させることができる。
【００８５】
上記絶縁基板２０の中央部には、ドリル、レーザー、サンドブラスト、パンチング加工などを行って絶縁基板を貫通する孔を形成することができる。
【００８６】
また、内部コイル部４０を形成した後、上記内部コイル部４０を被覆する絶縁層３０を形成することができる。絶縁層３０は、スクリーン印刷法、フォトレジスト（Ｐｈｏｔｏ  Ｒｅｓｉｓｔ、ＰＲ）の露光、現像を通じた工程、スプレー（ｓｐｒａｙ）塗布工程などの公知の方法で形成されることができるが、本発明はこれに制限されない。
【００８７】
その後、内部コイル部４０が形成された絶縁基板２０の上部及び下部に磁性体層を積層して磁性体本体５０を形成する。
【００８８】
磁性体本体５０は、磁性体層を絶縁基板２０の両面に積層し、ラミネート法または静水圧プレス法によって圧着することで形成されることができる。このとき、上記孔を磁性体で充填することにより、コア部５５を形成することができる。
【００８９】
続いて、上記磁性体本体５０の少なくとも一端面に露出する内部コイル部４０と接続されるように外部電極８０を形成することができる。
【００９０】
上記外部電極８０は、電気伝導性に優れた金属を含むペーストを用いることで形成されることができる。例えば、ニッケル（Ｎｉ）、銅（Ｃｕ）、すず（Ｓｎ）、銀（Ａｇ）などの単独またはこれらの合金などを含む伝導性ペーストであることができる。外部電極８０を形成する方法は、外部電極８０の形状により、プリンティング法やディッピング（ｄｉｐｐｉｎｇ）法などを行うことで形成することができる。
【００９１】
その他、上述した本発明の一実施形態によるチップ電子部品の特徴と同一部分に対してはその説明を省略する。
【００９２】
以上、本発明の実施形態について詳細に説明したが、本発明の権利範囲はこれに限定されず、特許請求の範囲に記載された本発明の技術的思想から外れない範囲内で多様な修正及び変形が可能であるということは、当技術分野の通常の知識を有するものには明らかである。
【符号の説明】
【００９３】
１００  薄膜型インダクタ
２０  絶縁基板
３０  絶縁層
４０  内部コイル部
４１  最外周部のコイルパターン
４２  中央部のコイルパターン
４３  最内周部のコイルパターン
４５  ビア電極
４６  第１コイルパターン
４７  第２コイルパターン
４８、４９  第３コイルパターン
５０  磁性体本体
５５  コア部
８０  外部電極
９１  難溶性膜
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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