(57)【要約】【課題】基板の一面を親液性領域と撥液性領域とに区画し、液体の表面張力を利用して親液性領域上に半導体チップをアライメントして固定するようにした半導装置において、基板と半導体チップとの間にアンダーフィルを適切に注入して充填できるようにする。【解決手段】基板１０と、基板１０の一面１ａ上に搭載、固定された半導体チップ２０と、基板１０と半導体チップ２０との間に充填されたアンダーフィル３０と、を備え、基板１０の一面１ａのうち半導体チップ２０の直下に位置する第１の領域１１の表面は親液性領域とされ、第１の領域１１を取り巻く第２の領域１２の表面は撥液性領域とされており、第２の領域１２の一部には、半導体チップ２０の端面２３の側方から当該端面２３に到達するように延びるスリット形状をなし、表面が第１の領域１１と同一の親液性を有する第３の領域１３が、第２の領域１２に代えて設けられている。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板（１０）と、
前記基板の一面（１ａ）上に搭載されて前記基板に固定された半導体チップ（２０）と、
前記基板の一面と前記半導体チップとの間に充填された絶縁性樹脂よりなるアンダーフィル（３０）と、を備え、
前記基板の一面のうち前記半導体チップの直下に位置する領域を第１の領域（１１）、前記第１の領域に隣接して前記第１の領域を取り巻く領域を第２の領域（１２）としたとき、
前記第１の領域の表面は、親液性領域とされ、
前記第２の領域の表面は、前記第１の領域よりも撥液性の大きい撥液性領域とされ、
前記第２の領域の一部には、前記半導体チップの端面（２３）の側方から当該端面に到達するように延びるスリット形状をなし、表面が前記第１の領域と同一の親液性を有する第３の領域（１３）が、前記第２の領域に代えて設けられていることを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
前記第３の領域は、前記第１の領域と連続して繋がっていることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
【請求項３】
前記第３の領域は、前記半導体チップの端面の側方から当該端面に向かって窄まっているテーパ状をなしていることを特徴とする請求項１または２に記載の半導体装置。
【請求項４】
前記第３の領域は、前記半導体チップの端面側の部位の方が当該端面よりも外側の部位に比べて細くなった形状をなしていることを特徴とする請求項１または２に記載の半導体装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、基板と、基板の一面上に固定された半導体チップと、基板の一面と半導体チップとの間に充填されたアンダーフィルと、を備える半導体装置に関し、特に、水等の液体の表面張力を利用して基板と半導体チップとのアライメントを行うようにしたものに関する。
【背景技術】
【０００２】
従来より、基板に半導体チップを積層する際の自己組織化によるアライメント技術としては、基板上に親液性領域（水に対しては親水性領域）と撥液性領域（水に対しては疎水性領域）とを形成し、水を閉じ込めて水の表面張力を利用するものが一般的である。
【０００３】
このような水等の液体の表面張力を利用した半導体装置としては、たとえば特許文献１に記載のものが提案されている。このものは、仮基板に対して水の表面張力を利用して半導体チップをアライメントした後に、半導体チップを基板としてのウェハに転写して固定し、仮基板を取り除くようにしたものである。
【０００４】
しかし、この特許文献１による転写の手法では、仮基板への接合とウェハへの転写という２回のアライメントを行うため、手間がかかるし、アライメント精度を向上させることが困難となる。
【０００５】
この点を補うものとして、非特許文献１に示されるような、水の表面張力を利用して、半導体チップを基板に直接、搭載することにより、アライメントおよび接合を一括して行う直接アライメントの手法が提案されている。
【０００６】
この直接アライメントは、次のようにして行われる。まず、基板としてのウェハの一面における半導体チップの搭載領域を親液性領域とし、この親液性領域の全周の回りを撥液性領域とする。そして、親液性領域に水を配置し、この水の上に半導体チップを搭載し、水の表面張力を利用してチップのアライメントを行う。
【０００７】
その後、これを加熱することで、水を蒸発させるとともに、半導体チップ側の電極と基板側の電極とを、はんだ接合、あるいは金属接合等の固相接合により接合する。こうして、半導体チップと基板とが固定される。以上が、直接アライメントの手法であり、これによれば、基板と半導体チップとのアライメントは１回で済むので、上記した２回のアライメントを行う場合に比べて、簡素化およびアライメント精度の向上が図れる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００８】
【特許文献１】特開２０１０−２２５８０３号公報
【非特許文献】
【０００９】
【非特許文献１】Ｆｉｋｕｓｈｉｍａ、外７名，「Ｍｕｌｔｉｃｈｉｐ−ｔｏ−Ｗａｆｅｒ  Ｔｈｒｅｅ−Ｄｉｍｅｎｓｉｏｎａｌ  Ｉｎｔｅｇｒａｔｉｏｎ  Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ  Ｕｓｉｎｇ  Ｃｈｉｐ  Ｓｅｌｆ−Ａｓｓｅｍｂｌｙ  Ｗｉｔｈ  Ｅｘｃｉｍｅｒ  Ｌａｍｐ  Ｉｒｒａｄｉａｔｉｏｎ」，ＩＥＥＥ  ＴＲＡＮＳＡＣＴＩＯＮＳ  ＯＮ  ＥＬＥＣＴＲＯＮ  ＤＥＶＩＣＥＳ．Ｖｏｌ．５９，Ｎｏ．１１，Ｎｏｖ．２０１２，ｐ．２９５６−２９６３
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１０】
本発明者は、上記直接アライメントの手法を用いた半導体装置において、さらに、基板と半導体チップとの間にアンダーフィルを充填することを、検討している。ここで、アンダーフィルは、半導体装置の分野で通常用いられるエポキシ樹脂等よりなるもので、基板と半導体チップとの接合部の接合強度を補強したり、当該接合部を封止して保護したりするめのものである。
【００１１】
この場合、上記した直接アライメントの手法により基板と半導体チップとを固定した後、溶媒等を混合することで液状とされたアンダーフィルを、半導体チップの端面側から半導体チップの直下に注入するようにする。
【００１２】
しかし、このとき、直接アライメントの手法においては、基板の一面のうち半導体チップの直下は親液性領域とされ、この親液性領域の外側では、半導体チップの端面全周を囲むように撥液性領域とされている。そのため、液状のアンダーフィルが、半導体チップ外側の撥液性領域で弾かれてしまい、半導体チップ直下の親液性領域に入って行かないという問題が生じる。
【００１３】
本発明は、上記問題に鑑みてなされたものであり、基板の一面を親液性領域と撥液性領域とに区画し、液体の表面張力を利用して親液性領域上に半導体チップをアライメントして固定するようにした半導装置において、基板と半導体チップとの間にアンダーフィルを適切に注入して充填できるようにすることを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１４】
上記目的を達成するため、請求項１に記載の発明では、基板（１０）と、基板の一面（１ａ）上に搭載されて基板に固定された半導体チップ（２０）と、基板の一面と半導体チップとの間に充填された絶縁性樹脂よりなるアンダーフィル（３０）と、を備える半導体装置であって、
基板の一面のうち半導体チップの直下に位置する領域を第１の領域（１１）、第１の領域に隣接して第１の領域を取り巻く領域を第２の領域（１２）としたとき、第１の領域の表面は、親液性領域とされ、第２の領域の表面は、第１の領域よりも撥液性の大きい撥液性領域とされ、第２の領域の一部には、半導体チップの端面（２３）の側方から当該端面に到達するように延びるスリット形状をなし、表面が第１の領域と同一の親液性を有する第３の領域（１３）が、第２の領域に代えて設けられていることを特徴とする。
【００１５】
それによれば、アンダーフィルは、半導体チップの外側において、親液性領域であるスリット形状をなす第３の領域にて撥液性領域である第２の領域よりも優先的に濡れる。つまり、半導体チップの側方から半導体チップの端面に向かう細長のスリット状をなす第３の領域が、アンダーフィルの注入経路を規定する。
【００１６】
そのため、本発明によれば、アンダーフィルは、半導体チップの端面から当該チップ直下に位置する親液性領域である第１の領域に入り込みやすくなるので、基板と半導体チップとの間にアンダーフィルを適切に注入して充填することができる。
【００１７】
なお、特許請求の範囲およびこの欄で記載した各手段の括弧内の符号は、後述する実施形態に記載の具体的手段との対応関係を示す一例である。
【図面の簡単な説明】
【００１８】
【図１】（ａ）は、本発明の第1実施形態にかかる半導体装置を示す概略平面図であり、（ｂ）は（ａ）中の一点鎖線Ａ−Ａに沿った概略断面図である。
【図２】図１における半導体基板の一面側の平面形状を示す概略平面図である。
【図３】第1実施形態にかかる半導体装置の製造方法の要部工程を示す概略平面図である。
【図４】（ａ）は、本発明の第２実施形態にかかる半導体装置を示す概略平面図であり、（ｂ）は（ａ）中の一点鎖線Ｂ−Ｂに沿った概略断面図である。
【図５】（ａ）は、本発明の第３実施形態にかかる半導体装置を示す概略平面図であり、（ｂ）は（ａ）中の一点鎖線Ｃ−Ｃに沿った概略断面図である。
【図６】本発明の第４実施形態にかかる半導体装置を示す概略平面図である。
【図７】本発明の第５実施形態にかかる半導体装置を示す概略平面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１９】
以下、本発明の実施形態について図に基づいて説明する。なお、以下の各実施形態相互において、互いに同一もしくは均等である部分には、説明の簡略化を図るべく、図中、同一符号を付してある。また、以下の各平面図においては、識別の容易化のために、親液性領域である第１の領域１１および第３の領域１３の表面に点ハッチング、撥液性領域である第２の領域１２の表面に斜線ハッチングを、それぞれ便宜上、施してある。
【００２０】
（第１実施形態）
本発明の第１実施形態にかかる半導体装置Ｓ１について、図１、図２を参照して述べる。なお、図２では、実際には矩形の第１の領域１１と実質的に同位置にある半導体チップ２０の外形線を、一点鎖線で示すとともに、識別のため、当該外形線を第１の領域１１とは、多少ずらして示してある。
【００２１】
この半導体装置Ｓ１は、たとえば自動車などの車両に搭載され、車両用の各種電子装置を駆動するための装置として適用されるものである。本実施形態の半導体装置Ｓ１は、大きくは、基板１０と、基板１０の一面１ａ上に搭載されて基板１０に固定された半導体チップ２０と、基板１０の一面１ａと半導体チップ２０との間に充填された絶縁性樹脂よりなるアンダーフィル３０と、を備えて構成されている。
【００２２】
基板１０は、半導体チップ２０を搭載するものであればよく、典型的には半導体チップ２０と電気的に接続されて回路を構成する配線基板等とすることができる。たとえば、この基板１０としては、Ｓｉ（シリコン）やＳｉＣ（シリコンカーバイト）等の半導体基板、エポキシ樹脂等をベースとするプリント基板、アルミナ等よりなるセラミック基板等が挙げられる。
【００２３】
図２に示される例では、基板１０は、ベース１０ａ上に後述する第１の領域１１、第２の領域１２および第３の領域１３を構成する各膜が積層されたものであり、これら膜が基板１０の一面１ａを構成している。また、ベース１０ａは基板１０本体を構成するものであり、上述のようにＳｉ等の半導体、エポキシ樹脂等の樹脂、アルミナ等のセラミック等よりなる。
【００２４】
半導体チップ２０は、表裏の板面の一方を一面２１、他方を他面２２とし、これら一面２１および他面２２を連結する端面２３を有する板状をなす。ここでは、半導体チップ２０は、典型的な矩形板状をなす。
【００２５】
このような半導体チップ２０は、ＳｉやＳｉＣ等の半導体よりなる。具体的に半導体チップ２０としては、たとえば通常の半導体プロセスにより作製されたＩＣチップやマイコン、各種トランジスタ素子等が挙げられる。
【００２６】
また、アンダーフィル３０は、半導体装置の分野で接合部の補強や封止による保護等の役割を果たすものであり、たとえばエポキシ樹脂等よりなる。このようなアンダーフィル３０は、基板１０と半導体チップ２０とを固定した後、溶媒等を混合することで液状とされたアンダーフィル３０を、半導体チップ２０の端面２３側から半導体チップ２０の直下に注入し、これを加熱して硬化することで配置される。
【００２７】
ここで、基板１０の一面１ａのうち半導体チップ２０の直下に位置する領域を第１の領域１１とし、第１の領域１１に隣接して第１の領域１１を取り巻く領域を第２の領域１２とする。この第１の領域１１は、半導体チップ２０の端面２３で区画される半導体チップ２０の外形と同一もしくはそれ以下の大きさであり、半導体チップ２０の外形の範囲内に位置するものである。
【００２８】
ここでは、図１、図２に示されるように、半導体チップ２０の外形と第１の領域１１とは、実質的に同一サイズ、同一形状の矩形をなしている。しかし、その他にも、たとえば第１の領域１１は、半導体チップ２０の外形よりも一回り小さい矩形をなすものであってもよい。この場合、半導体チップ２０の端面２３よりも内側の周辺部直下に、第２の領域１２が入り込んだ形とされる。
【００２９】
ここで、第１の領域１１の表面は、親液性領域とされ、第２の領域１２の表面は、第１の領域１１よりも撥液性の大きい撥液性領域とされている。つまり、第１の領域１１と第２の領域１２とでは、第１の領域１１の方が水等の液体が濡れやすく、第２の領域１２の方が水等の液体をはじきやすい。
【００３０】
たとえば、親液性である第１の領域１１と撥液性である第２の領域１２とでは、液体の接触角差が１０度以上、第２の領域１２の方が大きいものとする。また、この接触角の大小関係を維持した上で、第１の領域１１の接触角θ１は、たとえば１００度以下のものとされ、第２の領域１２の接触角θ２は、たとえば６０度以上のものとされる。
【００３１】
さらに、図１〜図３に示されるように、基板１０の一面１ａのうち第２の領域１２の一部には、表面が第１の領域１１と同一の親液性を有する第３の領域１３が、第２の領域１２に代えて設けられている。つまり、第３の領域１３は、第１の領域１１と同じレベルの親液性領域である。
【００３２】
ここでは、第３の領域１３は、第１の領域１１および半導体チップ２０の端面２３の回りに、複数個設けられている。それぞれの第３の領域１３は、半導体チップ２０の端面２３の側方から当該端面２３に到達するように延びる細長形状、つまりスリット形状をなしている。ここでは、第３の領域１３は、幅が一定の長方形状をなす。
【００３３】
なお、ここでは、第１の領域１１と半導体チップ２０の外形とが、同一形状および同一サイズであるので、第３の領域１３のチップ側の端部は、半導体チップ２０の端面２３と一致した位置にある。
【００３４】
ここで、第１の領域１１が半導体チップ２０の外形よりも小さい場合には、第３の領域１３のチップ側の端部は、半導体チップ２０の端面２３よりも半導体チップ２０の内側に位置することになる。しかし、いずれの場合でも、スリット形状をなす第３の領域１３は、半導体チップ２０の端面２３の側方から当該端面２３に到達するように延びるものであることに何ら変わりない。
【００３５】
また、ここでは、第３の領域１３は、第１の領域１１と連続して繋がっている。つまり、矩形をなす第１の領域１１の端部からスリット状をなす第３の領域１３が連続してのびている。また、上述したが、第３の領域１３は、第１の領域１１と同じレベルの親液性領域であり、上記した第１の領域１１と第２の領域１２との接触角の大小関係は、そのまま第３の領域１３と第２の領域１２との接触角の大小関係について当てはまる。
【００３６】
また、第１の領域１１と第３の領域１３とは、親液性が同一ならば互いに異なる材質よりなるものであってもよいが、同一の親液性を有する連続した領域であるから、基本的には同じ材質のものとする。たとえば、第１の領域１１および第３の領域１３の材質については、二酸化シリコン、窒化シリコン、親水性ポリイミド樹脂、および、親水性エポキシ樹脂等が挙げられる。
【００３７】
一方、撥液性である第２の領域の材質については、単結晶シリコン、多結晶シリコン、アモルファスシリコン、フッ素樹脂、シリコン樹脂、疎水性ポリイミド樹脂、および、疎水性エポキシ樹脂等が挙げられる。ポリイミド樹脂やエポキシ樹脂は、処理により親水性、疎水性を変化させることが可能である。
【００３８】
このような第１の領域１１〜第３の領域１３は、材料に応じて、蒸着や塗布、硬化あるいは熱酸化等といった通常の成膜方法を用いることによって形成することが可能である。ここで、典型的には、第１の領域１１および第３の領域１３を構成する膜は、同じ材料を用いて同時に成膜する。
【００３９】
なお、材質によっては、各領域１１〜１３は、基板１０のベース１０ａ上に成膜された膜ではなく、基板１０のベース１０ａそのものであってもかまわない。たとえば、第２の領域１２がシリコン材料である場合は、シリコン半導体基板としての基板１０のベース１０ａそのものを露出させて、この露出面を第２の領域１２として構成してもよい。
【００４０】
また、本実施形態の半導体装置Ｓ１において、アンダーフィル３０は、基板１０の一面１ａと半導体チップ２０の他面２２との間に介在している。具体的には、半導体チップ２０の他面２２と第１の領域１１との間がアンダーフィル３０で充填されている。
【００４１】
ここで、半導体チップ２０の他面２２の一部には図示しないバンプ等の電極が設けられている。一方、基板１０の一面１ａ側には、この半導体チップ２０の電極に対応した位置に、ランド等の電極が設けられている。この基板１０の電極の部分では、第１の領域１１を構成する膜は、当該電極を露出させるように開口されている。
【００４２】
そして、これら半導体チップ２０の電極と基板１０の電極とが、はんだ接合や金属接合等により接合され、電気的および機械的に接続されている。そして、アンダーフィル３０は、半導体チップ２０と基板１０との間において上記電極の接合部以外の部位を、充填している。
【００４３】
このような半導体装置Ｓ１は、上記通常の成膜方法を用いた各領域１１〜１３の選択的作製による基板１０の形成、上記直接アライメントの手法による半導体チップ２０と基板１０との接合を行った後、アンダーフィル３０の注入を行うことにより製造される。限定するものではないが、この半導体装置Ｓ１の製造方法の一具体例について、図３を参照して、より具体的に述べることとする。
【００４４】
図３に示される具体例では、各領域１１〜１３が、図１、図２の例のように、基板１０のベース１０ａ上に成膜された膜の場合について、各領域１１〜１３の形成方法の一例を示している。
【００４５】
まず、基板１０としては、シリコン半導体をベース１０ａとする半導体基板を用いる。ここで、図３（ａ）に示されるように、ベース１０ａ上の全面に熱酸化等によりシリコン酸化膜１４を形成しておく。このシリコン酸化膜１４は、親液性領域として最終的に第１の領域１１および第３の領域１３となるものである。
【００４６】
そして、図３（ａ）に示されるように、このシリコン酸化膜１４の表面のうち、第１の領域１１および第３の領域１３となる部位に、塗布等によりレジストＲを形成する。このレジストＲは、たとえば露光、現像を行うフォトリソグラフ法等により形成されるものである。
【００４７】
これにより、シリコン酸化膜１４の表面のうち第１の領域１１および第３の領域１３となる部位が、レジストＲでマスキングされる。次に、このものの全面に、図３（ｂ）に示されるように、最終的に第２の領域１２となる撥液性の膜１５を、形成する。これにより、レジストＲ全体およびシリコン酸化膜１４のうちレジストＲより露出する部分の全体が、撥液性の膜１５で被覆される。
【００４８】
その後、ＮＭＰ（Ｎ−メチルピロリドン）などの有機溶剤によりレジストＲをリフトオフする。これにより、図３（ｃ）に示されるように、レジストＲで被覆されていた部位では、シリコン酸化膜１４が現れて、これが親液性の第１の領域１１および第３の領域１３となる。一方、レジストＲが存在しない部位は、撥液性の膜１５よりなる第２の領域１２として形成される。こうして、一面１ａに各領域１１〜１３が形成された基板１０ができあがる。
【００４９】
そして、この基板１０に対して、基板１０の一面１ａのうちの第１の領域１１に水を塗布し、その上に半導体チップ２０を搭載する。これにより、水は第１の領域１１に閉じ込められた状態で配置される。このとき、水は、第１の領域１１に連続する第３の領域１３にも多少はみ出すけれども、特に問題はない。
【００５０】
しかし、よりアライメント精度を向上させるためには、この水のはみ出しは防止することがよい。その点を鑑みれば、スリット形状をなす第３の領域１３の幅を、表面張力によって第３の領域１３に水が入り込まない程度に、細くすることが望ましい。たとえば、第３の領域１３の幅としては、１００μｍ以下が望ましい。なお、この幅とは、第３の領域１３のうちの第１の領域１１に接する部位の幅である。
【００５１】
こうして、水を介して半導体チップ２０のアライメントを行った後、加熱する。この加熱により、水が蒸発するとともに、半導体チップ２０側の電極と基板１０側の電極とが、はんだ接合、あるいは金属接合等の固相接合により接合される。こうして、半導体チップ２０と基板１０とが固定される。ここまでが、直接アライメントの手法である。
【００５２】
その後、上述のように、溶媒等を混合することで液状とされたアンダーフィル３０を、半導体チップ２０の端面２３側から半導体チップ２０の直下に注入する。このとき、親液性領域である第３の領域１３に、液状のアンダーフィル３０を配置し、この第3の領域１３を介して当該注入を行う。
【００５３】
このとき、アンダーフィル３０は、半導体チップ２０の外側において、親液性領域である第３の領域１３にて撥液性領域である第２の領域１２よりも優先的に濡れる。つまり、液状のアンダーフィル３０の注入経路は、第３の領域１３により規定される。そのため、アンダーフィル３０は、第３の領域１３の外側に実質はみ出すことなく、毛細管現象によって半導体チップ２０の直下の第１の領域１１に流れ込む。
【００５４】
こうして、接合固定されている半導体チップ２０と基板１０との間にアンダーフィル３０の注入が行われ、当該間にアンダーフィル３０が充填される。その後、アンダーフィル３０を加熱することにより、アンダーフィル３０が硬化し、本実施形態の半導体装置Ｓ１ができあがる。
【００５５】
このように、本実施形態によれば、アンダーフィル３０は、半導体チップ２０の端面２３から当該チップ直下に位置する親液性領域である第１の領域１１に入り込みやすくなる。よって、本実施形態によれば、基板１０と半導体チップ２０との間にアンダーフィル３０を適切に注入して充填することができる。
【００５６】
また、第３の領域１３をアンダーフィル３０の注入経路とするにあたっては、半導体チップ２０の外側から半導体チップ２０へ向かうアンダーフィル３０の流れを形成するために、スリット形状の第３の領域１３の長さが或る程度長いものであることが望ましい。限定するものではないが、たとえば第３の領域１３の長さは、２０μｍ以上であることが望ましい。
【００５７】
また、本実施形態では、第３の領域１３は、第１の領域１１と連続して繋がっている。そのため、アンダーフィル３０の注入経路としての第３の領域１３から、半導体チップ２０の直下の第１の領域１１に対して、アンダーフィル３０の注入を、よりスムーズに行うことが可能となる。
【００５８】
（第２実施形態）
本発明の第２実施形態にかかる半導体装置Ｓ２について、図４を参照して、上記第１実施形態との相違点を中心に述べることとする。上記第１実施形態では、上記図１、図３に示されるように、第３の領域１３は、第１の領域１１および半導体チップ２０の端面２３の回りに、複数個設けられていた。
【００５９】
これに対して、図４に示される本実施形態のように、第３の領域１３は、第１の領域１１および半導体チップ２０の端面２３の外側に、１個のみ設けられていてもよい。この場合も、この１個の第３の領域１３をアンダーフィル３０の注入経路とすることで、上記第１実施形態と同様、基板１０と半導体チップ２０との間にアンダーフィル３０を適切に注入して充填することができる。
【００６０】
つまり、第３の領域１３は、第１の領域１１および半導体チップ２０の端面２３の外側にて、１個もしくは複数個設けられていればよい。ただし、複数個の場合の方が、１個の場合に比べて、アンダーフィル３０の注入場所についての制約が小さくなるという利点はある。
【００６１】
（第３実施形態）
本発明の第３実施形態にかかる半導体装置Ｓ３について、図５を参照して述べる。本実施形態は、上記第２実施形態と同様、第３の領域１３を１個のみとしたものであり、上記第２実施形態との相違点を中心に述べることとする。上記第２実施形態では、上記第１実施形態と同様、半導体チップ２０の外形と第１の領域１１とは、実質的に同一サイズ、同一形状の矩形をなしているものであった。
【００６２】
しかし、本実施形態では、図５に示されるように、第１の領域１１は、半導体チップ２０の外形よりも一回り小さい矩形をなすものとされている。つまり、本実施形態では、半導体チップ２０の端面２３よりも内側の周辺部直下に、第２の領域１２が入り込んだ形とされている。
【００６３】
そして、本実施形態では、図５に示されるように、第３の領域１３は、第１の領域１１と連続して繋がっておらず、第１の領域１１と第３の領域１３との間に第２の領域１２が介在したものとされている。
【００６４】
この場合でも、アンダーフィル３０の注入においては、アンダーフィル３０は、第３の領域１３から元来親液性である半導体チップ２０の他面２２を通って、半導体チップ２０直下の第１の領域１１に入り込むため、注入性についての問題は実質的に無い。そのため、本実施形態によっても、基板１０と半導体チップ２０との間にアンダーフィル３０を適切に注入して充填することができる。
【００６５】
また、本実施形態では、第１の領域１１と第３の領域１３との間に第２の領域１２が介在しているため、上記した水によるアライメントの際に、水が第１の領域１１から第３の領域１３まではみ出すことを確実に防止できる、という利点がある。
【００６６】
なお、本実施形態は、第１の領域１１と第３の領域１３との間に第２の領域１２が介在した構成を採用したものであるから、第３の領域１３が複数個の場合でも適用できることはもちろんである。つまり、本実施形態は上記第１実施形態と組み合わせて適用してもよいことは言うまでもない。
【００６７】
（第４実施形態）
本発明の第４実施形態にかかる半導体装置Ｓ４について、図６を参照して、上記第１実施形態との相違点を中心に述べることとする。上記第１実施形態では、上記図１、図３に示されるように、第３の領域１３は、幅が一定の長方形状をなしていた。
【００６８】
これに対して、図６に示されるように、本実施形態では、第３の領域１３は、半導体チップ２０の端面２３の側方から当該端面２３に向かって窄まっているテーパ状をなしている。具体的には、本実施形態の第３の領域１３は、半導体チップ２０の端面２３の側方から当該端面２３に向かって幅が狭くなった台形状をなしている。
【００６９】
それによれば、上記した水によるアライメントにおいて水を第１の領域１１に閉じ込めるときに、第３の領域１３のうちの第１の領域１１側の幅が狭いものとされるので、水が第３の領域１３まではみ出すことを防止しやすくなる、という利点がある。
【００７０】
なお、本実施形態は、第３の領域１３を、半導体チップ２０の端面２３の側方から当該端面２３に向かって窄まっているテーパ状とした構成を採用したものであるから、第３の領域１３が１個の場合でも適用できることはもちろんである。つまり、本実施形態は、上記第１実施形態だけでなく、上記第２実施形態および第３実施形態と組み合わせて適用してもよいことは言うまでもない。
【００７１】
（第５実施形態）
本発明の第５実施形態にかかる半導体装置Ｓ５について、図７を参照して、上記第１実施形態との相違点を中心に述べることとする。上記第１実施形態では、上記図１、図３に示されるように、第３の領域１３は、幅が一定の長方形状をなしていた。
【００７２】
これに対して、図７に示されるように、本実施形態では、第３の領域１３は、半導体チップ２０の端面２３側の部位の方が当該端面２３よりも外側の部位に比べて細くなった形状をなしている。なお、上記第４実施形態では、第３の領域１３は、半導体チップ２０の端面２３の側方から当該端面２３に向かって連続的に幅が狭くなっていたが、本実施形態では、段差を有して不連続的に幅が狭くなっている。
【００７３】
つまり、本実施形態によっても、上記第４実施形態と同様、上記した水によるアライメントにおいて水を第１の領域１１に閉じ込めるときに、第３の領域１３のうちの第１の領域１１側の幅が狭いものとされるので、水が第３の領域１３まではみ出すことを防止しやすくなる。
【００７４】
なお、本実施形態は、第３の領域１３を、半導体チップ２０の端面２３側の部位の方が当該端面２３よりも外側の部位に比べて段差を有して不連続的に細くなった形状をなしている構成を採用したものであるから、第３の領域１３が１個の場合でも適用できることはもちろんである。つまり、本実施形態は、上記第１実施形態だけでなく、上記第２実施形態および第３実施形態と組み合わせて適用してもよいことは言うまでもない。
【００７５】
（他の実施形態）
なお、半導体チップ２０と基板１０とのアライメントを行うものとしては、上記水に限定するものではなく、表面張力を用いたアライメントを行うのに適したものであるならば、水以外の液体でもよい。
【００７６】
また、半導体チップ２０の平面形状および第１の領域１１の外形は、上記図に示した矩形に限定されるものではなく、それ以外の多角形、円形等であってもよい。いずれにせよ、第１の領域１１が、その直上にある半導体チップ２０の外形の範囲内に位置していればよい。
【００７７】
また、上記図３では、リフトオフによる各領域１１〜１３の選択的作製の例を述べた。しかし、その他にも、マスク等を用いた選択的な成膜を用いたり、上記したようなベース１０ａそのものを当該各領域として構成したりすることで、各領域１１〜１３を形成してもよいことはもちろんである。
【００７８】
また、本発明は上記した実施形態に限定されるものではなく、特許請求の範囲に記載した範囲内において適宜変更が可能である。また、上記各実施形態は、互いに無関係なものではなく、組み合わせが明らかに不可な場合を除き、適宜組み合わせが可能であり、また、上記各実施形態は、上記の図示例に限定されるものではない。また、上記各実施形態において、実施形態を構成する要素は、特に必須であると明示した場合および原理的に明らかに必須であると考えられる場合等を除き、必ずしも必須のものではないことは言うまでもない。また、上記各実施形態において、実施形態の構成要素の個数、数値、量、範囲等の数値が言及されている場合、特に必須であると明示した場合および原理的に明らかに特定の数に限定される場合等を除き、その特定の数に限定されるものではない。また、上記各実施形態において、構成要素等の形状、位置関係等に言及するときは、特に明示した場合および原理的に特定の形状、位置関係等に限定される場合等を除き、その形状、位置関係等に限定されるものではない。
【符号の説明】
【００７９】
１ａ    基板の一面
１０    基板
１１    第１の領域
１２    第２の領域
１３    第３の領域
２０    半導体チップ
２３    半導体チップの端面
３０    アンダーフィル
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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