(57)【要約】【課題】めっき速度の低下を抑制することができる無電解めっき方法を提供する。【解決手段】めっきレジスト２３が形成された被めっき材２を洗浄する水洗工程Ｓ１２と、被めっき材２にめっき触媒４５１を付与する触媒付与工程Ｓ０９と、を少なくとも含む前処理工程Ｓ０２〜Ｓ１２と、被めっき材２を無電解めっき液５１１に浸漬する無電解めっき工程Ｓ１３と、を備えた無電解めっき方法であり、前処理工程Ｓ０２〜Ｓ１２の前に行われ、無電解めっき工程Ｓ１３における無電解めっき液５１１の温度以上の温度に加熱した浸漬液３１に被めっき材２を浸漬する予浸工程Ｓ０１をさらに備えている。【選択図】  図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
めっきレジストが形成された被めっき材を洗浄する洗浄工程と、前記被めっき材にめっき触媒を付与する触媒付与工程と、を少なくとも含む前処理工程と、
前記被めっき材を無電解めっき液に浸漬するめっき液浸漬工程と、を備えた無電解めっき方法であって、
前記前処理工程の前に行われ、前記めっき液浸漬工程における前記無電解めっき液の温度以上の温度に加熱した浸漬液に前記被めっき材を浸漬する予浸工程をさらに備えたことを特徴とする無電解めっき方法。
【請求項２】
請求項１に記載の無電解めっき方法であって、
前記予浸工程で用いる前記浸漬液は、前記めっき液浸漬工程における前記無電解めっき液の温度以上の温度に水を加熱してなる湯であることを特徴とする無電解めっき方法。
【請求項３】
請求項１又は２に記載の無電解めっき方法であって、
前記予浸工程における前記被めっき材の前記浸漬液への浸漬時間は、１０分以上であることを特徴とする無電解めっき方法。
【請求項４】
めっきレジストが形成された被めっき材を洗浄する洗浄手段と、前記被めっき材にめっき触媒を付与する触媒付与手段と、を少なくとも含む前処理装置と、
前記被めっき材を無電解めっき液に浸漬するめっき液浸漬装置と、を備えた無電解めっき装置であって、
前記前処理装置による処理の前に、前記めっき液浸漬装置における前記無電解めっき液の温度以上の温度に加熱した浸漬液に前記被めっき材を浸漬する予浸装置をさらに備えたことを特徴とする無電解めっき装置。
【請求項５】
請求項４に記載の無電解めっき装置であって、
前記予浸装置は、
前記浸漬液を加熱する加熱手段と、
前記浸漬液の温度を計測する温度計測手段と、を有し、
前記加熱手段は、前記温度計測手段による計測結果に基づいて、前記めっき液浸漬装置における前記無電解めっき液の温度以上の温度に前記浸漬液を加熱することを特徴とする無電解めっき装置。
【請求項６】
請求項４又は５に記載の無電解めっき装置であって、
前記予浸装置は、
前記浸漬液を貯留する貯留槽と、
前記浸漬液を前記貯留槽内で循環させる循環手段と、を有することを特徴とする無電解めっき装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、無電解めっき方法及び無電解めっき装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
無電解ニッケルめっき液において、金属イオンとしてのニッケル塩と、錯化剤としてのリンゴ酸と、のモル比を調整することにより、ニッケルの析出速度を維持させる技術が知られている（例えば特許文献１参照）。
【０００３】
また、無電解ニッケルリンめっき液に、液安定剤として所定量の鉛イオンと２−２´ビピリジルを加えることにより、当該めっき液の安定化を図り、ニッケル析出速度の低下を抑える技術が知られている（例えば特許文献２参照）。
【０００４】
また、無電解Ｎｉ−Ｐめっき液中のヒドロキシカルボン酸と異なるヒドロキシカルボン酸を含む補充液を当該めっき液に補充することにより、めっき液の安定性向上を図り、ニッケル析出速度を維持する技術が知られている（例えば特許文献３参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開平５−６５６５８号公報
【特許文献２】特開平５−２９５５５７号公報
【特許文献３】特開平８−１７６８３８号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかしながら、上記技術においても、めっきレジストが形成された被めっき材に無電解めっきを行う場合には、無電解めっきの繰り返しに伴ってめっき速度が低下する場合があった。
【０００７】
そこで、本発明者は、めっき速度の低下を抑制するために鋭意検討を行った結果、めっきレジストが形成された被めっき材に対して無電解めっきを行う際に、当該めっきレジストの成分がめっき液中に溶出することによっても、めっき速度が低下することを見出した。
【０００８】
本発明が解決しようとする課題は、めっき速度の低下を抑制することができる無電解めっき方法及び無電解めっき装置を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
［１］本発明に係る無電解めっき方法は、めっきレジストが形成された被めっき材を洗浄する洗浄工程と、前記被めっき材にめっき触媒を付与する触媒付与工程と、を少なくとも含む前処理工程と、前記被めっき材を無電解めっき液に浸漬するめっき液浸漬工程と、を備えた無電解めっき方法であって、前記前処理工程の前に行われ、前記めっき液浸漬工程における前記無電解めっき液の温度以上の温度に加熱した浸漬液に前記被めっき材を浸漬する予浸工程をさらに備えたことを特徴とする。
【００１０】
［２］上記発明において、前記予浸工程で用いる前記浸漬液は、前記めっき液浸漬工程における前記無電解めっき液の温度以上の温度に水を加熱してなる湯であってもよい。
【００１１】
［３］上記発明において、前記予浸工程における前記被めっき材の前記浸漬液への浸漬時間は、１０分以上であってもよい。
【００１２】
［４］本発明に係る無電解めっき装置は、めっきレジストが形成された被めっき材を洗浄する洗浄手段と、前記被めっき材にめっき触媒を付与する触媒付与手段と、を少なくとも含む前処理装置と、前記被めっき材を無電解めっき液に浸漬するめっき液浸漬装置と、を備えた無電解めっき装置であって、前記前処理装置による処理の前に、前記めっき液浸漬装置における前記無電解めっき液の温度以上の温度に加熱した浸漬液に前記被めっき材を浸漬する予浸装置をさらに備えたことを特徴とする。
【００１３】
［５］上記発明において、前記予浸装置は、前記浸漬液を加熱する加熱手段と、前記浸漬液の温度を計測する温度計測手段と、を有し、前記加熱手段は、前記温度計測手段による計測結果に基づいて、前記めっき液浸漬装置における前記無電解めっき液の温度以上の温度に前記浸漬液を加熱してもよい。
【００１４】
［６］上記発明において、前記予浸装置は、前記浸漬液を貯留する貯留槽と、前記浸漬液を前記貯留槽内で循環させる循環手段と、を有していてもよい。
【発明の効果】
【００１５】
本発明によれば、無電解めっきを行う際の前処理工程の前に、無電解めっき液の温度以上の温度の浸漬液に被めっき材を浸漬する。これにより、無電解めっきを行う際において、めっきレジストの成分が無電解めっき液中に溶出することによるめっき速度の低下を抑制することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１６】
【図１】図１は、本発明の実施形態における無電解めっき装置の構成を示す概念図である。
【図２】図２（Ａ）及び図２（Ｂ）は本発明の実施形態における被めっき材を示す図であり、図２（Ａ）は斜視図であり、図２（Ｂ）は図２（Ａ）のＩＩＢ−ＩＩＢ線に沿った断面図である。
【図３】図３は、本発明の実施形態における無電解めっき装置が備える予浸装置を示す模式図である。
【図４】図４は、本発明の実施形態における無電解めっき装置が備える前処理装置を示す模式図である。
【図５】図５は、本発明の実施形態における無電解めっき装置が備えるめっき液浸漬装置を示す模式図である。
【図６】図６（Ａ）及び図６（Ｂ）は本発明の実施形態における移送装置を示す図であり、図６（Ａ）は側面図であり、図６（Ｂ）は正面図である。
【図７】図７は、本発明の実施形態における無電解めっき方法を示すフローチャートである。
【発明を実施するための形態】
【００１７】
以下、本発明の実施形態を図面に基づいて説明する。
【００１８】
図１は本実施形態における無電解めっき装置の構成を示す概念図であり、図２（Ａ）及び図２（Ｂ）は本実施形態における被めっき材を示す図であり、図３は本実施形態における無電解めっき装置が備える予浸装置を示す模式図であり、図４は本実施形態における無電解めっき装置が備える前処理装置を示す模式図であり、図５は本実施形態における無電解めっき装置が備えるめっき液浸漬装置を示す模式図であり、図６（Ａ）及び図６（Ｂ）は本実施形態における移送装置を示す図である。
【００１９】
本実施形態における無電解めっき装置１は、被めっき材２に対して無電解めっきを行う装置であり、図１に示すように、予浸装置３と、前処理装置４と、めっき液浸漬装置５と、を備えている。
【００２０】
本実施形態における被めっき材２は、図２に示すように、ベース基板２１と、当該ベース基板２１上に形成された配線パターン２２と、無電解めっきが施される配線パターン以外の配線を保護するめっきレジスト２３と、を有している。なお、被めっき材２の構成は特に限定されない。
【００２１】
ベース基板２１は、電気絶縁性の樹脂等から構成されている。このような電気絶縁性の樹脂としては、フェノール樹脂や、尿素樹脂、メラミン樹脂、ポリアミドイミド樹脂、アクリル樹脂、エポキシ樹脂、シリコーン樹脂等の熱硬化性樹脂や、ポリイミド樹脂等の熱可塑性樹脂、又はこれらの混合樹脂等を例示することができる。
【００２２】
配線パターン２２は、銅等の導電性材料から形成されており、このような配線パターン２２の形成方法としては、サブトラクト法や、アディティブ法、セミアディティブ法等を例示することができる。本実施形態における配線パターン２２は、図２に示すように、被めっき部２２Ａと、当該被めっき部２２Ａと接続された配線部２２Ｂと、から構成されており、当該被めっき部２２Ａに対して無電解めっきが施される。
【００２３】
めっきレジスト２３は、例えば、以下のような方法で形成することができる。即ち、まず、配線パターン２２を形成したベース基板２１に対して、熱硬化型のソルダーレジストを塗布し、８０℃で加熱し仮乾燥する。次いで、所望のパターンを有するフォトマスクを介して当該ソルダーレジストにＵＶ露光を行い現像した後、不要部分を溶解除去させ、１５０℃で加熱硬化させることにより形成することができる。本実施形態におけるめっきレジスト２３には、図２に示すように、平面視において被めっき部２２Ａと略等しい形状を有し、当該被めっき部２２Ａと対応する位置に形成された貫通孔２３１が設けられており、当該貫通孔２３１から被めっき部２２Ａが露出している。
【００２４】
なお、ベース基板２１の形状や、当該ベース基板２１に形成される配線パターン２２及びめっきレジスト２３の配置や形状等は特に限定されない。
【００２５】
予浸装置３は、図３に示すように、湯３１が注入された予浸槽３２と、湯３１の温度を調整するための温度調整装置３３と、循環ポンプ３４と、を有している。本実施形態における湯３１が本発明の浸漬液の一例に相当し、本実施形態における予浸槽３２が本発明の貯留槽の一例に相当する。
【００２６】
温度調整装置３３は、湯３１の温度を測定する温度センサ３３１と、湯３１を加温する加温装置３３２と、加温装置３３２を制御する制御装置３３３と、を備えている。
【００２７】
温度センサ３３１は、予浸槽３２内の湯３１の温度を測定する機能を有しており、測定した結果は制御部３３３に送出される。本実施形態における温度センサ３３１が本発明の温度計測手段の一例に相当する。
【００２８】
加温装置３３２は、予浸槽３２内の湯３１を加温する装置であり、例えば、電気ヒータや、蒸気ヒータ、温水ヒータ、オイルヒータ等から構成される。本実施形態における加温装置３３２が本発明の加温手段の一例に相当する。
【００２９】
制御装置３３３は、温度センサ３３１により測定された湯３１の温度に基づいて、加温装置３３２を制御する機能を有している。これにより、予め定めた所定の温度（めっき液浸漬装置５における無電解めっき液５１１の温度以上の温度）に湯３１の温度を保つことが可能となっている。
【００３０】
循環ポンプ３４は、予浸槽３２の一部（図３において左側部３４１）から湯３１を抜き取ると共に、抜き取った湯３１を予浸槽３２の所定箇所（図３において底部３４２）から予浸槽３２に戻すことにより、当該予浸槽３２内で湯３１を循環させる機能を有している。この循環ポンプ３４の機能により、予浸槽３２内での湯３１の温度を均一にすることが可能となっている。本実施形態における循環ポンプ３４が本発明の循環手段の一例に相当する。
【００３１】
なお、特に図示しないが、湯３１の温度を低下させるチラーを温度調整装置３３が備えていてもよく、この様なチラーとしては、水冷チラー、空冷チラー、オイルチラー等を例示することができる。
【００３２】
本実施形態における前処理装置４は、図４に示すように、脱脂槽４１と、ソフトエッチング槽４２と、デスマット槽４３と、プレディップ槽４４と、触媒付与槽４５と、ポストディップ槽４６と、を備えている。
【００３３】
また、前処理装置４は、脱脂槽４１とソフトエッチング槽４２との間に設けられた第１の水洗槽４０１と、ソフトエッチング槽４２とデスマット槽４３との間に設けられた第２の水洗槽４０２と、デスマット槽４３とプレディップ槽４４との間に設けられた第３の水洗槽４０３と、触媒付与槽４５とポストディップ槽４６との間に設けられた第４の水洗槽４０４と、ポストディップ槽４６の後に設けられた第５の水洗槽４０５と、を備えている。
【００３４】
脱脂槽４１には、被めっき材２の表面に付着している油脂成分を除去するための洗浄液４１１が注入されている。このような洗浄液４１１としては、界面活性剤水溶液等を例示することができる。
【００３５】
ソフトエッチング槽４２には、被めっき材２の表面に形成されている酸化膜を除去するためのエッチング液４２１が注入されている。このようなエッチング液４２１としては、過硫酸アンモニウム水溶液、過硫酸ナトリウム水溶液、硫酸―過酸化水素水溶液等を例示することができる。
【００３６】
デスマット槽４３には、被めっき材２の表面に付着したスマット（例えば、銅以外の金属元素や金属間化合物等）の除去を行うためのデスマット処理液４３１が注入されている。
【００３７】
プレディップ槽４４には、前に行われた処理時の処理液（デスマット処理液等）が後の触媒付与槽に持ち込まれるのを防ぐためのプレディップ液４４１（触媒付与槽４５の触媒液から触媒を抜いた液）が注入されている。
【００３８】
触媒付与槽４５には、被めっき材に無電解めっきを行う為の触媒液４５１が注入されている。このような触媒液４５１としては、パラジウム（Ｐｄ）延を含む強酸液等を例示することができる。本実施形態における触媒付与槽４５及び触媒液４５１が本発明の触媒付与手段の一例に相当する。
【００３９】
ポストディップ槽４６には、被めっき材２の不導体部に付着した触媒等を除去するためのポストディップ液４６１が注入されている。
【００４０】
本実施形態における第１〜第５の水洗槽４０１〜４０５には、被めっき材２に付着した余分な液（洗浄液４１１やエッチング液４２１等）などを落とすための水４０１ａ〜４０５ａがそれぞれ注入されている。本実施形態における第１〜第５の水洗槽４０１〜４０５及び水４０１ａ〜４０５ａが本発明の洗浄手段の一例に相当する。
【００４１】
本実施形態におけるめっき液浸漬装置５は、図５に示すように、めっき槽５１を備えており、当該めっき槽５１には無電解めっき液５１１が注入されている。このような無電解めっき液５１１としては、無電解Ｎｉ−Ｐめっき液、無電解Ｎｉ−Ｂめっき液、無電解Ｎｉ−Ｐ−Ｂめっき液、無電解Ｎｉ−Ｐ−Ｆｅめっき液、無電解Ｎｉ−Ｃｕ―Ｐ等を例示することができる。
【００４２】
本実施形態では、図３〜図５に示すように、移送装置６が被めっき材２を移送させることにより、予浸装置３が備える予浸槽３２、前処理装置４が備える槽（脱脂槽４１〜第５の水洗槽４０５）、及びめっき液浸漬装置５が備えるめっき槽５１において当該被めっき材２は順次浸漬される。なお、予浸槽３２からめっき槽５１までの各槽に被めっき材２を浸漬させるための装置や方法は特に限定されない。
【００４３】
移送装置６は、図６（Ａ）及び図６（Ｂ）に示すように、移送体６０と、当該移送体６０の移送方向を規定するレール６４と、を有している。移送体６０は、把持部６１と、昇降機構６２と、駆動部６３と、を有している。
【００４４】
把持部６１は、昇降機構６２における昇降部６２１の下部６２１ａに設けられており、モータ等の駆動装置（不図示）によって把持爪６１１で被めっき材２の上端を挟むことにより、被めっき材２を把持することが可能となっている。なお、把持部６１に替えて、例えば昇降部６２１の下部６２１ａにフックやクリップを設けることにより、被めっき材２を昇降部６２１に取り付けてもよい。
【００４５】
昇降機構６２は、昇降部６２１と、モータ等から構成される動力部６２２と、を有している。動力部６２２は、昇降部６２１の側部６２１ｂと対応する位置に設けられており、当該動力部６２２の機能により昇降部６２１を上下動させると共に、把持部６１が把持する被めっき材２を上下動させることが可能となっている。なお、エアシリンダや油圧シリンダを用いた機構により把持部６１が把持する被めっき材２を上下動させてもよい。
【００４６】
駆動部６３には、レール６４と対応する位置に車輪６３１が設けられており、当該車輪６３１がモータ等（不図示）の動力で回転することにより、移送体６０をレール６４に沿って移動させることが可能となっている。なお、特に図示しないが、移送ベルト等を用いて移送体６０を移送させる機構としてもよい。
【００４７】
この移送装置６によって、例えば、予浸装置３における予浸槽３２の湯３１に被めっき材２を浸漬する際は、図３に示すように、予浸槽３２の図中左端において、被めっき材２の全てが湯３１に浸る高さまで昇降機構６２の昇降部６２１が下降する。そして、その状態で移送体６０はレール６４に沿って予浸槽３２の図中右端に向かって移動する。この間、被めっき材２は、湯３１の中に浸漬される。
【００４８】
次いで、移送体６０が予浸槽３２の図中右端に近づくと、昇降装置６２の昇降部６２１が上昇し、被めっき材２が湯３１から引き上げられることにより浸漬が終了する（図３中の破線矢印参照）。同様にして、前処理装置４の各槽やめっき液浸漬装置５のめっき槽５１に被めっき材２を浸漬する際も、レール６４に沿って移送体６０が移動しながら順次被めっき材２の浸漬が行われる（図４及び図５中の破線矢印参照）。
【００４９】
次に、本実施形態における無電解めっき方法について説明する。図７は、本実施形態における無電解めっき装置の処理工程を示すフローチャートである。
【００５０】
まず、予浸工程Ｓ０１として、被めっき材２を予浸装置３における予浸槽３２の湯３１に浸漬することにより、被めっき材２のめっきレジスト２３から有機酸やハロゲンイオン、重金属等の溶出成分を溶出させる。
【００５１】
この際、湯３１の温度は８０℃以上であることが好ましく、湯３１への被めっき材２の浸漬時間は１０分以上であることが好ましい。この場合において、めっきレジスト２３からの溶出成分を確実に溶出させ、それらがめっき液浸漬装置５のめっき槽５１において溶出するのを抑制することができる。湯３１の温度が８０℃未満である場合や、湯３１への被めっき材２の浸漬時間が１０分未満である場合には、めっきレジスト２３からの溶出成分の一部がめっき槽５１において溶出する場合がある。
【００５２】
なお、予浸槽３２に注入される液体は、アルコール等の有機溶剤やアルカリ液を除く液体であればよく、湯（水）に特に限定されない。例えば、ｐＨ５〜７程度の弱酸性水溶液（希塩酸、希硫酸、有機酸等）を予浸槽３２に注入してもよい。
【００５３】
次いで、移送装置６によって被めっき材２を前処理装置４に移送すると共に、当該被めっき材２を脱脂槽４１の洗浄液４１１に浸漬する。これにより、被めっき材２の表面に付着した油脂の除去を行う（脱脂工程Ｓ０２）。
【００５４】
その後、移送装置６によって被めっき材２を第１の水洗槽４０１に移送すると共に、当該被めっき材２を水４０１ａに浸漬する。これにより、脱脂工程Ｓ０２において被めっき材２に付着した洗浄液４１１等を除去する（第１の水洗工程Ｓ０３）。
【００５５】
次いで、移送装置６によって被めっき材２をソフトエッチング槽４２に移送すると共に、当該被めっき材２をエッチング液４２１に浸漬し、被めっき材２の表面層を除去する（ソフトエッチング工程Ｓ０４）。
【００５６】
その後、移送装置６によって被めっき材２を第２の水洗槽４０２に移送すると共に、当該被めっき材２を水４０２ａに浸漬する。これにより、ソフトエッチング工程Ｓ０４において被めっき材２に付着したエッチング液４２１等を除去する（第２の水洗工程Ｓ０５）。
【００５７】
次いで、移送装置６によって被めっき材２をデスマット槽４３に移送すると共に、当該被めっき材２をデスマット処理液４３１に浸漬する。これにより、ソフトエッチング工程Ｓ０４において被めっき材２の表面に形成された金属酸化物（スマット）の除去を行う（デスマット処理工程Ｓ０６）。
【００５８】
その後、移送装置６によって被めっき材２を第３の水洗槽４０３に移送すると共に、当該被めっき材２を水４０３ａに浸漬する。これにより、デスマット処理工程Ｓ０６において被めっき材２に付着したデスマット処理液４３１等を除去する（第３の水洗工程Ｓ０７）。
【００５９】
次いで、移送装置６によって被めっき材２をプレディップ槽４４に移送すると共に、当該被めっき材２をプレディップ液４４１に浸漬する。これにより、後述する触媒付与工程Ｓ０９における触媒液４５１の有効成分の濃度変動を抑制する（プレディップ工程Ｓ０８）。
【００６０】
その後、移送装置６によって被めっき材２を触媒付与槽４５に移送すると共に、当該被めっき材２を触媒液４５１に浸漬し、被めっき材２上に触媒を付与する（触媒付与工程Ｓ０９）。
【００６１】
次いで、移送装置６によって被めっき材２を第４の水洗槽４０４に移送すると共に、当該被めっき材２を水４０４ａに浸漬する。これにより、触媒付与工程Ｓ０９において被めっき材２に付着した余分な触媒液４５１等を除去する（第４の水洗工程Ｓ１０）。
【００６２】
次いで、移送装置６によって被めっき材２をポストディップ槽４６に移送すると共に、当該被めっき材２をポストディップ液４６１に浸漬する。これにより、被めっき材２の不導体部分に付着した余分な触媒を除去する（ポストディップ工程Ｓ１１）。
【００６３】
その後、移送装置６によって被めっき材２を第５の水洗槽４０５に移送すると共に、当該被めっき材２を水４０５ａに浸漬する。これにより、ポストディップ工程Ｓ１１において被めっき材２に付着した余分なポストディップ液４６１等を除去する（第５の水洗工程Ｓ１２）。
【００６４】
なお、本実施形態おける第１〜第５の水洗工程Ｓ０３、Ｓ０５、Ｓ０７、Ｓ１０、Ｓ１２が本発明の洗浄工程の一例に相当し、本実施形態における脱脂工程Ｓ０２〜第５の水洗工程Ｓ１２が本発明の前処理工程の一例に相当する。
【００６５】
次いで、移送装置６によって被めっき材２を、めっき液浸漬装置５におけるめっき槽５１に移送すると共に、当該被めっき材２を無電解めっき液５１１に浸漬し、被めっき材２に無電解めっきを行う（無電解めっき工程Ｓ１３）。本実施形態における無電解めっき工程Ｓ１３が本発明のめっき液浸漬工程の一例に相当する。
【００６６】
次に、本実施形態における無電解めっき装置１及び無電解めっき方法の作用について説明する。
【００６７】
一般に、無電解めっきを行う際の無電解めっき液の温度は常温よりも高い温度（例えば８０℃）であるため、めっきレジストを有する被めっき材を無電解めっき液に浸漬すると、当該めっきレジストから有機酸やハロゲンイオン、重金属等の溶出成分が溶出する。そして、これらの溶出成分が、析出させる金属イオンを錯化させることにより、めっき速度の低下を招く場合がある。
【００６８】
これに対し、本実施形態における無電解めっき装置１では、予浸工程Ｓ０１として、予浸装置３における予浸槽３２の湯３１に被めっき材２を浸漬する。この場合において湯３１は、めっき液浸漬装置５における無電解めっき液５１１の温度以上の温度となっている。
【００６９】
これにより、被めっき材２のめっきレジスト２３からの溶出成分は、主として当該予浸装置３において溶出されるため、無電解めっき液５１１での当該溶出成分の溶出は軽減される。このため、めっき速度の低下を抑制することができる。
【００７０】
なお、以上に説明した実施形態は、本発明の理解を容易にするために記載されたものであって、本発明を限定するために記載されたものではない。したがって、上記の実施形態に開示された各要素は、本発明の技術的範囲に属する全ての設計変更や均等物をも含む趣旨である。
【実施例】
【００７１】
以下に、本発明をさらに具体化した実施例及び比較例により本発明の効果を確認した。以下の実施例及び比較例は、上述した実施形態におけるめっき速度の低下抑制効果を確認するためのものである。
【００７２】
＜実施例１＞
（被めっき材の作製）
大きさ２５０ｍｍ×３５０ｍｍ、厚さ２０μｍのポリイミドフィルム上に、厚さ３０μｍの銅箔を有する片面ＣＣＬを用意する。次いで、当該片面ＣＣＬの銅箔面にエポキシ系樹脂を主原料とする熱硬化型ソルダーレジストを、およそ１５μｍの膜厚となるよう塗布し、８０℃で加熱し仮乾燥する。そして、当該熱硬化型ソルダーレジストに対し、所定のパターンを有するフォトマスクを介してＵＶ露光を行い現像した後、不要部分を溶解除去し、次いで１５０℃で加熱硬化した。これにより、長さ９０ｍｍ、幅９０ｍｍの銅箔が露出するパターンを有するめっきレジストが形成された被めっき材を得た。
【００７３】
（無電解めっき装置の作製）
まず、被めっき材の全体を収容する形状を有する９０Ｌの容器を予浸槽として用意し、当該容器に水（イオン交換水）を入れた後、当該水を循環ポンプで撹拌しながら電気ヒータで加温して８２℃の湯とした。そして、その湯に被めっき材を３０分浸漬させることにより予浸工程を行った。なお、以下の脱脂槽、ソフトエッチング槽、デスマット槽、プレディップ槽、触媒付与槽、ポストディップ槽、めっき槽、及び第１〜第５の水洗槽においても、上記の予浸槽と同様の容器を用いた。
【００７４】
脱脂槽には洗浄液（界面活性剤および有機酸を含有した水溶液）を入れ、当該洗浄液に被めっき材を浸漬し、脱脂工程を行った。
【００７５】
ソフトエッチング槽にはソフトエッチング液（過硫酸アンモニウムと硫酸を含有した水溶液）を入れ、当該ソフトエッチング液に被めっき材を浸漬し、ソフトエッチング工程を行った。
【００７６】
デスマット槽にはデスマット処理液（濃度５％の硫酸水溶液）を入れ、当該デスマット処理液に被めっき材を浸漬し、デスマット処理工程を行った。
【００７７】
プレディップ槽にはプレディップ液（触媒液とほぼ同じｐｈの硫酸水溶液）を入れ、当該プレディップ液に被めっき材を浸漬し、プレディップ工程を行った。
【００７８】
触媒付与槽には触媒液（パラジウム塩、錯化剤、硫酸を含有した水溶液）を入れ、当該触媒液に被めっき材を浸漬し、触媒付与工程を行った。
【００７９】
ポストディップ槽にはポストディップ液（濃度５％の硫酸水溶液）を入れ、当該ポストディップ液に被めっき材を浸漬し、ポストディップ工程を行った。
【００８０】
めっき槽で用いる無電解めっき液としては、無電解ニッケルめっき液ＮＰＧ−１（上村工業株式会社製）を用い、前処理工程後の被めっき材を当該無電解めっき液に浸漬し（浸漬時間３０分、８２℃）、無電解めっき工程を行った。
【００８１】
また、第１〜第５の水洗工程は、第１〜第５の水洗に室温の水（水道水）を入れ、各槽への被めっき材の浸漬時間はそれぞれ１分とした。
【００８２】
以上に説明した構成を有する無電解めっき装置のサンプルを用いて、被めっき材に無電解めっきを行った際のめっき速度の低下率を測定する以下の試験を行った。
【００８３】
具体的には、下記（１）式に従って、めっき速度の低下率をした測定した。
Ｄ＝（Ｖ０−Ｖ３）／Ｖ０×１００・・・（１）
但し、上記（１）において、Ｄはめっき速度低下率［％］であり、Ｖ０はめっき開始時におけるめっき速度［μｍ／ｈｒ］であり、Ｖ３は３ターン（３ＭＴＯ）時におけるめっき速度［μｍ／ｈｒ］である。
【００８４】
なお、１ターン（１ＭＴＯ）とは、めっき槽のＮｉイオンが仮想的に１回入れ替わった時点を示す。めっき速度は、無電解めっき後における被めっき材の断面を研磨した後、当該断面を実体顕微鏡で観察してめっき厚を測定し、被めっき材を無電解めっき液に浸漬した時間で当該測定結果を除算することにより算出した。
【００８５】
この場合において、無電解めっき液への浸漬は、被めっき材をめっきしながら、随時Ｎｉイオン濃度を分析し、消費したＮｉイオンをめっき槽に補給した。なお、開始時におけるめっき速度Ｖ０は、１回目のＮｉイオンの補給前に測定しためっき速度である。
【００８６】
＜実施例２＞
実施例２では、予浸工程における被めっき材の浸漬時間を１０分としたこと以外は、実施例１と同様にして無電解めっき装置のサンプルを作製した。この無電解めっき装置についても、実施例１と同様の条件で上記の試験を行った。
【００８７】
＜実施例３＞
実施例３では、予浸工程における被めっき材の浸漬温度を９０℃としたこと以外は、実施例１と同様にして無電解めっき装置のサンプルを作製した。この無電解めっき装置についても、実施例１と同様の条件で上記の試験を行った。
【００８８】
＜実施例４＞
実施例３では、予浸工程における被めっき材の浸漬時間を５分としたこと以外は、実施例１と同様にして無電解めっき装置のサンプルを作製した。この無電解めっき装置についても、実施例１と同様の条件で上記の試験を行った。
【００８９】
＜比較例１＞
比較例１では、予浸工程を省略したこと以外は、実施例１と同様にして無電解めっき装置のサンプルを作製した。この無電解めっき装置についても、実施例１と同様の条件で上記の試験を行った。
【００９０】
＜比較例２＞
比較例２では、予浸工程における被めっき材の浸漬温度を７０℃としたこと以外は、実施例１と同様にして無電解めっき装置のサンプルを作製した。この無電解めっき装置についても、実施例１と同様の条件で上記の試験を行った。
【００９１】
実施例１〜４、及び比較例１、２の試験結果を表１に示す。
【表１】
2015094008.tif 000003
【００９２】
表１に示す結果によると、予浸工程での浸漬温度が８２℃、浸漬時間が３０分における実施例１のめっき速度低下率は５％であることが分かった。また、予浸工程での浸漬温度が８２℃、浸漬時間が１０分における実施例２のめっき速度低下率は９％であることが分かった。予浸工程での浸漬温度が９０℃、浸漬時間が３０分における実施例３のめっき速度低下率は４％であることが分かった。また、予浸工程での浸漬温度が８２℃、浸漬時間が５分における実施例４のめっき速度低下率は１１％であることが分かった。
【００９３】
一方、予浸工程を省略した比較例１のめっき速度低下率は２０％、予浸工程での浸漬温度を７０℃、浸漬時間を３０分とした比較例２のめっき速度低下率は１６％であり、何れの比較例におけるめっき速度低下率も実施例１〜４のめっき速度低下率に比べて大きいことが分かった。
【００９４】
以上のように、無電解めっき工程における無電解めっき液の温度（８２℃）以上の温度の湯で予浸工程を行った実施例１〜４は、めっき速度低下率が比較的小さく、めっき速度の低下が抑制されていることが確認された。また、実施例１及び実施例３の結果から、予浸工程における浸漬温度が高い方がより優れためっき速度低減抑制効果を奏することが確認された。
【００９５】
また、実施例２及び実施例４の結果から、予浸工程における浸漬時間が１０分以上の場合に、より優れためっき速度低減抑制効果を奏すること（めっき速度低下率が１０％以下となること）が確認された。さらに、実施例１及び実施例２の結果から、予浸工程における浸漬時間が３０分の場合に、さらにより優れためっき速度低減抑制効果を奏することが確認された。
【００９６】
これは、予浸工程における浸漬温度が高いほど、また、予浸工程での浸漬時間が長いほど、めっきレジストから有機酸やハロゲンイオン、重金属等の溶出成分が溶出され、無電解めっき液への当該溶出成分の溶出が抑制されたためであると考えられる。
【符号の説明】
【００９７】
１・・・無電解めっき装置
２・・・被めっき材
２３・・・めっきレジスト
３・・・予浸装置
３１・・・湯
３２・・・予浸槽
３３・・・温度調整装置
３３１・・・温度センサ
３３２・・・加温装置
３４・・・循環ポンプ
４・・・前処理装置
５・・・めっき液浸漬装置
５１１・・・無電解めっき液
６・・・移送装置
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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