(57)【要約】【課題】半導体レーザ素子を内蔵するキャップ部材の気密性向上を図った半導体レーザを提供する。【解決手段】半導体レーザ素子１１と、半導体レーザ素子１１が設置されたパッケージ１２と、パッケージ１２上に設けられ上部壁１６Ａに開口部１７を有する金属製の金属カバー１６１３と、開口部１７に設けられた透明ガラス１８とを備え、金属カバー１６によって半導体レーザ素子１１が封止された半導体レーザ１０であって、パッケージ１２には金属カバー１６１３との間に半導体レーザ素子１１の周りを囲んで金属部１５が配置され、金属カバー１６の上部壁１６Ａはパッケージ１２の上面１４Ａに対して傾斜し、金属部１５は、金属カバー１６の側部壁１６Ｂの高さが高い高側部壁１６ＢＢ側では幅が広く、側部壁１６Ｂの高さが低い低側部壁１６ＢＡ側では幅が狭くなっている。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
発光素子と、
該発光素子が設置されたパッケージと、
該パッケージ上に設けられ上部壁に開口部を有する金属製のキャップ部材と、
前記開口部に固着剤によって固着された透明ガラスとを備え、
前記キャップ部材によって前記発光素子が封止された半導体レーザであって、
前記パッケージには前記キャップ部材との間に前記発光素子の周りを囲んで金属部が配置され、
前記キャップ部材の上部壁は前記パッケージの上面に対して傾斜して形成され、
前記金属部は、前記キャップ部材の側部壁の高さが高い側では幅が広く、前記キャップ部材の側部壁の高さが低い側では幅が狭くなっていることを特徴とする半導体レーザ。
【請求項２】
前記キャップ部材の側部壁は、前記パッケージの上面に対して垂直に形成されていることを特徴とする請求項１に記載の半導体レーザ。
【請求項３】
前記キャップ部材の側部壁は、角型筒形状または円筒形状に形成されていることを特徴とする請求項１又は２に記載の半導体レーザ。
【請求項４】
前記固着剤は、軟質ガラスであることを特徴とする請求項１〜３のいずれか一項に記載の半導体レーザ。
【請求項５】
前記キャップ部材と前記金属部は同一材料で構成され、かつ抵抗溶接によって互いに接合されていることを特徴とする請求項１〜４のいずれか一項に記載の半導体レーザ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は半導体レーザに係り、特に、内部に半導体レーザ素子を封止したキャップ部材のパッケージ技術に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体レーザは、光通信、光インターコネクションなどの分野、及び光記録モジュールなどの分野に適用することが期待されている。一般に半導体レーザは、ＧａＡｓ（ガリウムヒ素）やＧａＮ（ガリウムナイトライド）等からなる化合物半導体を実装した半導体レーザ素子を備えている。このような半導体レーザには、気密性が要求されている。
【０００３】
半導体レーザの一例として、半導体発光素子等の半導体レーザ素子を金属からなるパッケージに固着するとともに、キャップ部材をパッケージ上に固定することにより、半導体レーザ素子を封止したものが提案されている（特許文献１参照）。なお、半導体レーザ素子を封止する操作は、Ｎ2雰囲気化で実施されるのが一般的である。
【０００４】
上記の特許文献１において、パッケージは、コバール（Ｋｏｖａｒ：Ｆｅ‐Ｎｉ‐Ｃｏ合金）からなる基台（ステム）と、基台上に固着され無酸素銅からなるブロック部（ヒートシンク）とを有している。また、基台には複数のリードピンが固着され、これらリードピンは、ブロック部の内部に設けられたワイヤを介して、半導体レーザ素子に電気的に接続されている。
【０００５】
また、キャップ部材は、パッケージと同じ材料であるコバール（Ｋｏｖａｒ：Ｆｅ‐Ｎｉ‐Ｃｏ合金）からなる金属カバーと、この金属カバー上部の開口部に光学透明素子として設けられた透明ガラスとを有している。透明ガラスは、軟質ガラス等の固着剤で開口部に固着されている。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかしながら、従来の半導体レーザでは、キャップ部材の金属カバー及びパッケージを同じ材料であるコバールで構成しても、金属カバーの開口部に透明ガラスを固着する固着剤と透明ガラスとの間、及び金属カバーと固着剤との間に熱膨張係数の差が生じている。その結果、金属カバーのフランジ部をパッケージ上に抵抗溶接する際に、固着剤及び透明ガラスに応力が加わり、固着剤の接着強度が低下する。特に、フランジ部と透明ガラスまでの距離が短いと、溶接時の熱が固着剤に伝熱されやすく、固着剤は熱が伝わると接着強度が低下して、キャップ部材の気密性が低下する。
【０００７】
なお、気密性の低下を防止するため、金属カバーのフランジ部をパッケージに銀ろう等によってろう付けする方法も考えられる。しかし、ろう付けは半導体レーザ素子を１０００℃近くの高温にさらすことになるため、半導体レーザ素子内の半導体積層構造が変質してしまい、半導体レーザ素子の動作特性が大きく劣化してしまう虞がある。
【０００８】
本発明の課題は、キャップ部材とパッケージとの抵抗溶接時の熱が、固着剤に伝熱されるのを抑制して、固着剤及び透明ガラスでの熱による応力発生を防ぐことにより、キャップ部材の気密性向上を図った半導体レーザを提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
上記課題を解決するために、本発明は、発光素子と、該発光素子が設置されたパッケージと、該パッケージ上に設けられ上部壁に開口部を有する金属製のキャップ部材と、前記開口部に固着剤によって固着された透明ガラスとを備え、前記キャップ部材によって前記発光素子が封止された半導体レーザであって、前記パッケージには前記キャップ部材との間に前記発光素子の周りを囲んで金属部が配置され、前記キャップ部材の上部壁は前記パッケージの上面に対して傾斜して形成され、前記金属部は、前記キャップ部材の側部壁の高さが高い側では幅が広く、前記キャップ部材の側部壁の高さが低い側では幅が狭くなっていることを特徴とする。
【発明の効果】
【００１０】
本発明によれば、金属部の幅は、キャップ部材の側壁の高さが高い方では広くなっており面積が広く、開口部への抵抗溶接時の伝熱量は大きいが、キャップ部材の側壁の高さが低い方では狭くなっており面積が小さいために開口部への抵抗溶接時の伝熱量が小さい。その結果、キャップ部材の側壁の高さが低い側において、透明ガラスを開口部に固着している固着剤へ伝熱される熱量を抑制することができ、固着剤及び透明ガラスでの熱による応力発生を防ぐことができる。これにより、固着剤の接着強度を高いままに維持でき、気密性が高い半導体レーザを実現することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１１】
【図１】実施例１による半導体レーザの縦断面図である。
【図２】図１の半導体レーザの平面図である。
【図３】図１のＳＡ−ＳＡ線に沿った断面図である。
【図４】図１の半導体レーザの斜視図である。
【図５】図１の半導体レーザの製造工程の一部を説明する図である。
【図６】パッケージの基台上にキャップ部材の金属カバーを接合する手順を説明したフローチャートである。
【図７】透明ガラスの歪み量の測定結果を示す図である。
【図８】実施例２による半導体レーザの縦断面図である。
【図９】図８の半導体レーザの平面図である。
【図１０】図８のＳＢ−ＳＢ線に沿った断面図である。
【図１１】図８の半導体レーザの斜視図である。
【発明を実施するための形態】
【００１２】
以下、本発明の実施例を図面に従って説明する。
【実施例】
【００１３】
《実施例１》
図１〜図４は実施例１による半導体レーザを示しており、図１はその縦断面図、図２は平面図、図３は図１のＳＡ−ＳＡ線に沿った断面図、図４は斜視図である。
【００１４】
本実施例の半導体レーザ１０は、図１に示すように、発光素子としての半導体レーザ素子１１と、半導体レーザ素子１１が設置されたパッケージ１２と、パッケージ１２上に設けられた金属製のキャップ部材１３とを備えている。
【００１５】
パッケージ１２は、セラミックで構成された板状の基台１４を有し、この基台１４の上面１４Ａに金属部１５が銀ろう等により固着されている。基台１４は、図２に示すように上方から見ると、長辺１４Ｂと短辺１４Ｃを有する長方形を成している。
【００１６】
また、図１に示すように、パッケージ１２の上面及び下面、つまり基台１４の上面１４Ａ及び下面１４Ｄは、それぞれ平坦でかつ互いに平行になっている。そして、パッケージ１２の上面、つまり基台１４の上面１４Ａの略中央に半導体レーザ素子１１が設置されている。
【００１７】
キャップ部材１３は、コバール（Ｋｏｖａｒ：Ｆｅ‐Ｎｉ‐Ｃｏ合金）からなる金属カバー１６を有し、この金属カバー１６の上部壁１６Ａの開口部１７に、透明光学素子としてＢＫ７等の透明ガラス１８が設けられている。金属カバー１６は、角型筒形状（ここでは、四角形筒形状）の側部壁１６Ｂを有し、この側部壁１６Ｂの上部に前記上部壁１６Ａが設けられている。側部壁１６Ｂは、基台１４の上面１４Ａに対して垂直に設けられている。なお、側部壁１６Ｂの４つの角部はアール状に形成されている（図２参照）。
【００１８】
また、側部壁１６Ｂの下部には、該側部壁１６Ｂから外方へ突出してフランジ部１６Ｃが設けられている。このフランジ部１６Ｃは、図２に示すように、基台１４の長辺１４Ｂに沿った側では突出量が小さく、短辺１４Ｃに沿った側では突出量が大きくなっている。フランジ部１６Ｃの４つの角部はアール状に形成されている。また、フランジ部１６Ｃの周縁には、上部側が側部壁１６Ｂに接近し下部側が側部壁１６Ｂから離れた構成の傾斜側面１６Ｄが形成されている。傾斜側面１６Ｄは、フランジ部１６Ｃの全周に設けられている。なお、傾斜側面１６Ｄは、フランジ部１６Ｃの全周ではなく、少なくとも左側縁部１６Ｅ及び右側縁部１６Ｆに設けられていれば良い。
【００１９】
金属カバー１６の側部壁１６Ｂは、図１に示すように、左側に高さの低い低側部壁１６ＢＡが、右側に高さの高い高側部壁１６ＢＢがそれぞれ形成されている。本実施例では、高さの低い低側部壁１６ＢＡは０.５ｍｍに、高さの高い高側部壁１６ＢＢは２.５ｍｍにそれぞれ設定されている。
【００２０】
高さの低い低側部壁１６ＢＡと高さの高い高側部壁１６ＢＢが設けられているので、側部壁１６Ｂ上部の上部壁１６Ａは、パッケージ１２の上面つまり基台１４の上面１４Ａに対して傾斜している。詳細には、上部壁１６Ａは、左側縁部１６Ｅに近い側が低く、右側縁部１６Ｆに近い側が高くなるよう傾斜して設けられている。上部壁１６Ａが傾斜していると、半導体レーザ素子１１から射出され透明ガラス１８で反射したレーザ光が半導体レーザ素子１１に戻らないようになる。なお、本実施例では、上部壁１６Ａの傾斜角θは１５度に設定されている。
【００２１】
金属カバー１６の傾斜した上部壁１６Ａには、上述したように、その略中央に円形の開口部１７が形成され、その開口部１７に円形の透明ガラス１８が設けられている。透明ガラス１８は、その外径が開口部１７の内径よりも大きく設定され、軟質ガラス等からなる固着剤１９によって開口部１７に固着されている。透明ガラス１８は、金属カバー１６の内部側から開口部１７に押し当てられた状態で、その周縁部１８Ａが固着剤１９によって固着されている。このような構成により、半導体レーザ素子１１は、金属カバー１６の内部つまりキャップ部材１３の内部に封止された格好となっている。なお、透明ガラス１８は、その中心軸Ｌ１が半導体レーザ素子１１の中心軸Ｌ２と、透明ガラス１８の略中央にて交差するように配置されている。
【００２２】
パッケージ１２の上面つまり基台１４の上面１４Ａには、金属カバー１６のフランジ部１６Ｃの底面１６Ｇとの間に、半導体レーザ素子１１を囲む帯状の金属部１５が配置されている。すなわち、金属部１５は、図３に示すように、フランジ部１６Ｃの底面１６Ｇ（図１参照）に沿って、半導体レーザ素子１１の周りを一周して設けられている。そして、金属部１５は、左側部分（低側部壁１６ＢＡに近い側の部分）１５Ａでは幅が狭く、右側部分（高側部壁１６ＢＢに近い側の部分）１５Ｂでは幅が広く設定されている。本実施例では、金属部１５のうち幅の狭い左側部分１５Ａは１ｍｍに、幅の広い右側部分１５Ｂは２ｍｍにそれぞれ設定されている。
【００２３】
なお、金属部１５は、キャップ部材１３の金属カバー１６と同様、コバール（Ｋｏｖａｒ：Ｆｅ‐Ｎｉ‐Ｃｏ合金）で構成されている。そのため、金属部１５の熱膨張係数は、キャップ部材１３の金属カバー１６の熱膨張係数と同じである。
【００２４】
図３において上側と下側も金属部１５の幅も、左側部分１５Ａと同様、狭く設定されている。また、半導体レーザ素子１１の周りを一周する帯状の金属部１５は、４つの角部が内周側及び外周側においてアール状に形成されている。
【００２５】
次に、本実施例による半導体レーザ装置において、パッケージ１２の基台１４上にキャップ部材１３の金属カバー１６を接合する方法について、図５及び図６を参照しながら説明する。
【００２６】
基台１４の上面１４Ａ上には、あらかじめ金属部１５が銀ろう等により接着されている。そして先ず、半導体レーザ素子１１を基台１４の上面１４Ａ上に固着し（ステップＳ１１）、その基台１４を固定台２０を用いて所定の位置に固定する（ステップＳ１２）。
【００２７】
次に、金属カバー１６のフランジ部１６Ｃを、基台１４の上面１４Ａに接着された金属部１５に位置合わせして、金属カバー１６を基台１４の所定の位置に載せる（ステップＳ１３）。
【００２８】
続いて、図５に示すように、金属カバー１６のフランジ部１６Ｃ先端の傾斜側面１６Ｄにそれぞれ押さえ電極２１，２２を接触させる（ステップＳ１４）。このとき、押さえ電極２１は左側縁部１６Ｅに近い側の傾斜側面１６Ｄに、押さえ電極２２は右側縁部１６Ｆに近い側の傾斜側面１６Ｄにそれぞれ接触させる。
【００２９】
押さえ電極２１，２２は、縦断面が逆台形状を成し、上面にはそれぞれ押圧棒２１Ａ，２２Ａが設けられている。そして、押圧棒２１Ａ，２２Ａを介して押さえ電極２１，２２を矢印Ａ方向に押圧するとともに、押さえ電極２１，２２間に電圧を印加する（ステップＳ１５）。
【００３０】
押さえ電極２１，２２間に電圧を印加すると、例えば、押さえ電極２１が正極で、押さえ電極２２が負極の場合、押さえ電極２１→左側のフランジ部１６Ｃ→金属部１５→右側のフランジ部１６Ｃ→押さえ電極２２へと所定の電流が流れる。これにより、金属カバー１６のフランジ部１６Ｃが加熱されて溶融し、フランジ部１６Ｃと金属部１５とが溶接される。この場合、フランジ部１６Ｃと金属部１５は、同一材料のコバールで構成されているため、フランジ部１６Ｃが加熱により溶融した後、フランジ部１６Ｃと金属部１５とを容易に接合することができる。
【００３１】
フランジ部１６Ｃと金属部１５との接合が終わったら、押さえ電極２１，２２をフランジ部１６Ｃから外す（ステップＳ１６）。
【００３２】
本実施例における半導体レーザと従来の半導体レーザとについて、気密性を比較した。本実施例における半導体レーザでは、上述したように金属部１５の幅が一定ではなく、低側部壁１６ＢＡに近い側の部分１５Ａでは幅が狭く、高側部壁１６ＢＢに近い側の部分１５Ｂでは幅が広く設定されている。従来の半導体レーザでは、金属部のどの部分でも幅は一定である。
【００３３】
比較した結果、従来の半導体レーザでは、気密性について良品率が８０％程度であったが、本実施例における半導体レーザでは、気密性についても良品率は１００％であった。
【００３４】
本実施例によれば、金属部１５の幅を、低側部壁１６ＢＡに近い側では高側部壁１６ＢＢに近い側よりも狭く設定したので、低側部壁１６ＢＡに近い側における開口部１７への伝熱量を、高側部壁１６ＢＢに近い側における開口部１７への伝熱量よりも小さくすることができる。そのため、低側部壁１６ＢＡを介して、金属カバー１６の開口部１７と透明ガラス１８との接合部（つまり、固着剤１９）への熱伝導を少なくすることができる。その結果、固着剤１９及び透明ガラス１８に作用する応力を低減することができ、気密性の高い半導体レーザ１０を得ることができる。
【００３５】
ここで、本実施例の半導体レーザと従来の半導体レーザについて、透明光学素子（本実施例では透明ガラス１８）の歪み量の測定を行った。図７は、その測定結果を示したものである。
【００３６】
図７において、実線は本実施例における透明光学素子（つまり、透明ガラス１８）の歪量を、破線は従来技術における透明光学素子の歪量をそれぞれ示している。図７から分かるように、本実施例における半導体レーザ構造の方が、従来の半導体レーザ構造よりも透明光学素子の歪量が小さい。
【００３７】
なお、図中、一点鎖線で示した「初期」は、本実施例において、金属カバー１６のフランジ部１６Ｃに金属部１５を抵抗溶接する前における透明ガラス１８の歪み量を示している。また、図中、横軸の「位置」は透明光学素子の位置であって、「０」は透明光学素子の中心軸であり、「２」、「４」及び「６」は中心軸から一方向への距離を、「−２」、「−４」及び「−６」は中心軸から他方向への距離をそれぞれ示している。
【００３８】
《実施例２》
図８〜図１１は実施例２による半導体レーザを示しており、図８はその縦断面図、図９は平面図、図１０は図８のＳＢ−ＳＢ線に沿った断面図、図１１は斜視図である。
【００３９】
本実施例の半導体レーザ３０は、図８に示すように、半導体レーザ素子１１と、半導体レーザ素子１１が設置されたパッケージ１２と、パッケージ１２上に設けられた金属製のキャップ部材３３とを備えている。なお、半導体レーザ素子１１とパッケージ１２は、実施例１に用いたものと同じである。
【００４０】
キャップ部材３３は、コバール（Ｋｏｖａｒ：Ｆｅ‐Ｎｉ‐Ｃｏ合金）からなる金属カバー３６を有し、この金属カバー３６の上部壁３６Ａの開口部３７に、透明光学素子としてＢＫ７等の透明ガラス３８が設けられている。金属カバー３６は、円筒形状の側部壁３６Ｂを有し、この側部壁３６Ｂの上部に前記上部壁３６Ａが設けられている。側部壁３６Ｂは、基台１４の上面１４Ａに対して垂直に設けられている。
【００４１】
また、側部壁３６Ｂの下部には、該側部壁３６Ｂから外方へ突出してフランジ部３６Ｃが設けられている。このフランジ部３６Ｃは、図９に示すように、基台１４の長辺１４Ｂに沿った側では突出量が小さく、短辺１４Ｃに沿った側では突出量が大きくなっている。フランジ部３６Ｃの４つの角部はアール状に形成されている。また、フランジ部３６Ｃの周縁には、上部側が側部壁３６Ｂに接近し下部側が側部壁３６Ｂから離れた構成の傾斜側面３６Ｄが形成されている。傾斜側面３６Ｄは、フランジ部３６Ｃの全周に設けられている。なお、傾斜側面３６Ｄは、フランジ部３６Ｃの全周ではなく、少なくとも左側縁部３６Ｅ及び右側縁部３６Ｆに設けられていれば良い。
【００４２】
金属カバー３６の側部壁３６Ｂは、図８に示すように、左側に高さの低い低側部壁３６ＢＡが、右側に高さの高い高側部壁３６ＢＢがそれぞれ形成されている。本実施例では、高さの低い低側部壁３６ＢＡは０.５ｍｍに、高さの高い高側部壁３６ＢＢは２.５ｍｍにそれぞれ設定されている。
【００４３】
高さの低い低側部壁３６ＢＡと高さの高い高側部壁３６ＢＢが設けられているので、側部壁３６Ｂ上部の上部壁３６Ａは、パッケージ１２の上面つまり基台１４の上面１４Ａに対して傾斜している。詳細には、上部壁３６Ａは、左側縁部３６Ｅに近い側が低く、右側縁部３６Ｆに近い側が高くなるよう傾斜して設けられている。上部壁３６Ａが傾斜していると、半導体レーザ素子１１から射出され透明ガラス３８で反射したレーザ光が半導体レーザ素子１１に戻らないようになる。なお、本実施例では、上部壁３６Ａの傾斜角θは１５度に設定されている。
【００４４】
金属カバー３６の傾斜した上部壁３６Ａには、上述したように、その略中央に円形の開口部３７が形成され、その開口部３７に円形の透明ガラス３８が設けられている。透明ガラス３８は、その外径が開口部３７の内径よりも大きく設定され、軟質ガラス等からなる固着剤３９によって開口部３７に固着されている。透明ガラス３８は、金属カバー３６の内部側から開口部３７に押し当てられた状態で、その周縁部３８Ａが固着剤３９によって固着されている。このような構成により、半導体レーザ素子１１は、金属カバー３６の内部つまりキャップ部材３３の内部に封止された格好となっている。なお、透明ガラス３８は、その中心軸Ｌ３が半導体レーザ素子１１の中心軸Ｌ２と、透明ガラス３８の略中央にて交差するように配置されている。
【００４５】
パッケージ１２の上面と金属カバー３６のフランジ部３６Ｃとの間には金属部３５が設けられている。すなわち、基台１４の上面１４Ａには、フランジ部３６Ｃの底面３６Ｇとの間に、半導体レーザ素子１１を囲む帯状の金属部３５が配置されている。
【００４６】
金属部３５は、図８に示すように、実施例１の場合と同様、フランジ部３６Ｃの底面３６Ｇ（図８参照）に沿って、半導体レーザ素子１１の周りを一周して設けられている。そして、金属部３５は、左側部分（低側部壁３６ＢＡに近い側の部分）３５Ａでは幅が狭く、右側部分（高側部壁３６ＢＢに近い側の部分）３５Ｂでは幅が広く設定されている。本実施例では、金属部３５のうち幅の狭い左側部分３５Ａは１ｍｍに、幅の広い右側部分３５Ｂは２ｍｍにそれぞれ設定されている。
【００４７】
なお、金属部３５は、キャップ部材３３の金属カバー３６と同様、コバール（Ｋｏｖａｒ：Ｆｅ‐Ｎｉ‐Ｃｏ合金）で構成されている。そのため、金属部３５の熱膨張係数は、キャップ部材３３の金属カバー３６の熱膨張係数と同じである。
【００４８】
図１０において上側と下側も金属部３５の幅も、左側部分３５Ａと同様、狭く設定されている。また、半導体レーザ素子１１の周りを一周する帯状の金属部３５は、４つの角部が内周側及び外周側においてアール状に形成されている。
【００４９】
本実施例の場合も、金属部３５の幅を、低側部壁３６ＢＡに近い側では高側部壁３６ＢＢに近い側よりも狭く設定したので、低側部壁３６ＢＡに近い側における開口部３７への伝熱量を、高側部壁３６ＢＢに近い側における開口部３７への伝熱量よりも小さくすることができる。そのため、低側部壁３６ＢＡを介して、金属カバー３６の開口部３７と透明ガラス３８との接合部（つまり、固着剤３９）への熱伝導を少なくすることができる。その結果、固着剤３９及び透明ガラス３８に作用する応力を低減することができ、気密性の高い半導体レーザ３０を得ることができる。
【００５０】
また、本実施例によれば、金属カバー３６の側部壁３６Ｂを円筒形状にしたので、側部壁３６Ｂの製造が容易となり、金属カバー３６の製造歩留まりを向上させることができる。これにより、製造コストを低減させることが可能となる。
【００５１】
以上、本発明の実施例を図面により詳述してきたが、上記各実施例は本発明の例示にしか過ぎないものであり、本発明は上記各実施例の構成にのみ限定されるものではない。本発明の要旨を逸脱しない範囲の設計の変更等があっても、本発明に含まれることは勿論である。
【００５２】
例えば、実施例１における金属カバー１６の側部壁１６Ｂは四角形の筒形状に限らず、他の多角形の筒形状であっても良い。また、実施例１における透明ガラス１８や実施例２における透明ガラス３８に代わって、他の透明光学素子（例えば、透明なプラスチック材等）を用いることもできる。
【符号の説明】
【００５３】
１０  半導体レーザ
１１  半導体レーザ素子
１２  パッケージ
１４  基台
１４Ａ  上面
１４Ｂ  長辺
１４Ｃ  短辺
１４Ｄ  下面
１５  金属部
１５Ａ  幅の狭い部分（左側部分）
１５Ｂ  幅の広い部分（右側部分）
１６  金属カバー
１６Ａ  上部壁
１６Ｂ  側部壁
１６ＢＡ  低側部壁
１６ＢＢ  高側部壁
１６Ｃ  フランジ部
１６Ｄ  傾斜側面
１６Ｇ  底面
１７  開口部
１８  透明ガラス（透明光学素子）
１９  固着剤（軟質ガラス）
２１，２２  押さえ電極
３０  半導体レーザ
３５  金属部
３５Ａ  幅の狭い部分（左側部分）
３５Ｂ  幅の広い部分（右側部分）
３６  金属カバー
３６Ａ  上部壁
３６Ｂ  側部壁
３６ＢＡ  低側部壁
３６ＢＢ  高側部壁
３６Ｃ  フランジ部
３６Ｄ  傾斜側面
３６Ｇ  底面
３７  開口部
３８  透明ガラス（透明光学素子）
３９  固着剤（軟質ガラス）
【先行技術文献】
【特許文献】
【００５４】
【特許文献１】特開２００９−１３５２３５号公報
【図１】
2015122378.tif 000003
【図２】
2015122378.tif 000004
【図３】
2015122378.tif 000005
【図４】
2015122378.tif 000006
【図５】
2015122378.tif 000007
【図６】
2015122378.tif 000008
【図７】
2015122378.tif 000009
【図８】
2015122378.tif 000010
【図９】
2015122378.tif 000011
【図１０】
2015122378.tif 000012
【図１１】
2015122378.tif 000013