(57)【要約】【課題】導電層の発熱を抑制できる積層発熱体を提供すること。【解決手段】セラミックから成る層を複数積層した本体部（３）と、ヒータ（５、７）と、本体部の一端に取り付けられた端子（１１）と、端子からヒータに給電する給電経路（２１）とを備え、給電経路は、複数の導電層及び複数のスルービアを組み合わせて成るものであり、端子側に位置する導電層Ｘ（Ｘ１）は、以下で定義するスルービアα（α１）との接続部Ｐ（Ｐ１）と、以下で定義するスルービアβ（β１ａ、β１ｂ）との接続部Ｑ（Ｑ１ａ、Ｑ１ｂ）とを有し、かつ、接続部Ｐと接続部Ｑとを結ぶ経路の少なくとも一部を含み、その周囲より膜厚が大きい領域ＡＸ（ＡＸ１）を有することを特徴とする積層発熱体。スルービアα：導電層Ｘと、ヒータ側に位置する他の導電層Ｚ又はヒータとを接続するスルービア。スルービアβ：導電層Ｘと、端子側に位置する他の導電層Ｙ（Ｙ１）又は端子とを接続するスルービア。【選択図】 図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
セラミックから成る層を複数積層した本体部と、
前記本体部に内蔵されたヒータと、
前記本体部における厚み方向の一端に取り付けられた端子と、
前記端子から前記ヒータに給電する給電経路と、を備え、
前記給電経路は、前記本体部内に設けられた複数の導電層及び複数のスルービアを組み合わせて成るものであり、
前記複数の導電層のうち、前記ヒータよりも前記端子側に位置する導電層Ｘは、以下で定義するスルービアαとの接続部Ｐと、以下で定義するスルービアβとの接続部Ｑとを有し、かつ、
前記接続部Ｐと前記接続部Ｑとを結ぶ経路の少なくとも一部を含み、その周囲より膜厚が大きい領域ＡＸを有することを特徴とする積層発熱体。
スルービアα：前記導電層Ｘと、前記導電層Ｘより前記ヒータ側に位置する他の導電層Ｚ又は前記ヒータとを接続するスルービア
スルービアβ：前記導電層Ｘと、前記導電層Ｘより前記端子側に位置する他の導電層Ｙ又は前記端子とを接続するスルービア
【請求項２】
前記領域ＡＸは、前記接続部Ｐ、及び前記接続部Ｑのうちの少なくとも一方を含むことを特徴とする請求項１に記載の積層発熱体。
【請求項３】
前記領域ＡＸは、前記接続部Ｐと前記接続部Ｑとを結ぶ前記経路を含むことを特徴とする請求項１に記載の積層発熱体。
【請求項４】
前記スルービアβを複数備え、
前記本体部を前記厚み方向から見たとき、前記スルービアαは、いずれか２つの前記スルービアβの間の位置、又は、いずれか１つの前記スルービアβと重なる位置にあることを特徴とする請求項１〜３のいずれか１項に記載の積層発熱体。
【請求項５】
前記導電層Ｙは、いずれか１つの前記スルービアβとの接続部Ｒと、他の１つの前記スルービアβとの接続部Ｓとを結ぶ経路の少なくとも一部を含み、その周囲より膜厚が大きい領域ＡＹを有することを特徴とする請求項４に記載の積層発熱体。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、例えば、静電チャック、セラミックヒータ等の積層発熱体に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、例えば半導体製造装置においては、半導体ウェハ（例えばシリコンウェハ）を固定してドライエッチング等の加工を行ったり、半導体ウェハを吸着固定して反りを矯正したり、半導体ウェハを吸着して搬送するなどの目的で、静電チャックが使用されている。
【０００３】
半導体ウェハの温度が場所ごとにばらつくとエッチングの加工精度が悪くなるので、半導体ウェハの加工精度を高めるためには、静電チャックに固定された半導体ウェハの温度を均一にする必要がある。そのため、静電チャックの内部にヒータを備え、そのヒータによって半導体ウェハを均一に加熱しようとする技術が開示されている（特許文献１参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００４−７１６４７号公報 （第４頁、図１）
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
ヒータを内蔵した静電チャックは、厚み方向の一端に取り付けられた端子からヒータに給電する給電経路を備え、その給電経路は、複数の導電層と、複数のスルービアとを交互に積層した構造を有する。給電経路を構成する導電層の発熱量が大きいと、静電チャックの表面における温度が不均一になってしまい、結果として、半導体ウェハの温度が不均一になってしまう。
【０００６】
本発明は以上の点に鑑みなされたものであり、導電層の発熱を抑制できる積層発熱体を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明の積層発熱体は、
セラミックから成る層を複数積層した本体部と、前記本体部に内蔵されたヒータと、前記本体部における厚み方向の一端に取り付けられた端子と、前記端子から前記ヒータに給電する給電経路と、を備え、前記給電経路は、前記本体部内に設けられた複数の導電層及び複数のスルービアを組み合わせて成るものであり、前記複数の導電層のうち、前記ヒータよりも前記端子側に位置する導電層Ｘは、以下で定義するスルービアαとの接続部Ｐと、以下で定義するスルービアβとの接続部Ｑとを有し、かつ、前記接続部Ｐと前記接続部Ｑとを結ぶ経路の少なくとも一部を含み、その周囲より膜厚が大きい領域ＡＸを有することを特徴とする。
【０００８】
スルービアα：前記導電層Ｘと、前記導電層Ｘより前記ヒータ側に位置する他の導電層Ｚ又は前記ヒータとを接続するスルービア
スルービアβ：前記導電層Ｘと、前記導電層Ｘより前記端子側に位置する他の導電層Ｙ又は前記端子とを接続するスルービア
本発明の積層発熱体が備える導電層Ｘは、接続部Ｐと接続部Ｑとを結ぶ経路を含む領域ＡＸにおいて、周囲より膜厚が大きくなっている。そのため、本発明の積層発熱体は、その経路における電気抵抗を低下させ、導電層Ｘでの発熱を抑制することができる。
【０００９】
前記領域ＡＸは、例えば、前記接続部Ｐ、及び前記接続部Ｑのうちの少なくとも一方を含むことができる。この場合、本発明の積層発熱体は、接続部Ｐと接続部Ｑとを結ぶ経路の発熱を一層抑制することができる。
【００１０】
前記領域ＡＸは、例えば、前記接続部Ｐと前記接続部Ｑとを結ぶ前記経路を含むことができる。この場合、本発明の積層発熱体は、接続部Ｐと接続部Ｑとを結ぶ経路の発熱を一層抑制することができる。
【００１１】
本発明の積層発熱体は、例えば、前記スルービアβを複数備え、前記本体部を前記厚み方向から見たとき、前記スルービアαは、いずれか２つの前記スルービアβの間の位置、又は、いずれか１つの前記スルービアβと重なる位置にあることができる。
【００１２】
この場合、本発明の積層発熱体においては、スルービアα、及びスルービアβが上述した位置関係を有することにより、導電層Ｘにおける発熱を一層低減することができる。
前記導電層Ｙは、例えば、いずれか１つの前記スルービアβとの接続部Ｒと、他の１つの前記スルービアβとの接続部Ｓとを結ぶ経路の少なくとも一部を含み、その周囲より膜厚が大きい領域ＡＹを有することができる。この場合、導電層Ｙにおける発熱を抑制することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１３】
【図１】静電チャック１の構成を表す側断面図である。
【図２】静電チャック１の構成を表す上面図である。
【図３】静電チャック１における一部の構成を表す上面図である。
【図４】図３におけるVI-VI断面での断面図である。
【図５】図３におけるV-V断面での断面図である。
【図６】別形態における静電チャック１の構成を表す側断面図である。
【図７】領域ＡＸ１の別形態を表す平面図である。
【図８】セラミックヒータ１０１の構成を表す側断面図である。
【図９】別形態におけるスルービアα１、β１ａ、β１ｂ付近の構成を表す断面図である。
【図１０】別形態における領域ＡＸ１の構成を表す断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１４】
本発明の実施形態を図面に基づき説明する。
＜第１の実施形態＞
１.静電チャック１の構成
積層発熱体の一実施形態である静電チャック１の構成を図１〜図５に基づいて説明する。静電チャック１は、円盤状の本体部３、その内部に設けられた吸着電極４、インナーヒータ５、アウターヒータ７、及び導電層Ｘ１、Ｘ２、Ｘ３、Ｘ４、Ｙ１、Ｙ２、Ｙ３、Ｙ４を備える。また、静電チャック１は、端子９、１１、１３、１５、１７を備える。
【００１５】
本体部３は、セラミックから成る層（グリーンシート）をその厚み方向（図１における上下方向）に複数積層して成る円盤状の部材である。吸着電極４は、ＷやＭｏから成るメタライズ層である。吸着電極４は、本体部３における上方の面である吸着面３ａ寄りの位置に、吸着面３ａと平行となるように設けられている。吸着電極４は、給電経路１９により、端子９に接続している。なお、吸着面３ａは、半導体ウェハ（例えばシリコンウェハ）を吸着固定する面である。
【００１６】
インナーヒータ５は、ＷやＭｏから成るメタライズ層であり、吸着電極４よりも下側に位置する、渦巻き型のヒータである。図２に示すように、上方から（静電チャック１の厚み方向から）見たとき、インナーヒータ５の中心は本体部３の中心と一致し、インナーヒータ５は、本体部３の中周（半径方向における中間位置）まで広がっている。インナーヒータ５の内周側の端部５ａは、導電層Ｘ１上に位置し、外周側の端部５ｂは、導電層Ｘ２上に位置する。
【００１７】
アウターヒータ７は、ＷやＭｏから成るメタライズ層であり、インナーヒータ５と同一平面上、且つインナーヒータ５よりも外側に位置する渦巻状のヒータである。図２に示すように、上方から見たとき、アウターヒータ７の中心は本体部３の中心と一致し、アウターヒータ７は、インナーヒータ５の最外周と、本体部３の外周端との間に広がっている。アウターヒータ７の内周側の端部７ａは、導電層Ｘ３上に位置し、外周側の端部７ｂは、導電層Ｘ４上に位置する。
【００１８】
導電層Ｘ１、Ｘ２、Ｘ３、Ｘ４は、それぞれ、インナーヒータ５及びアウターヒータ７よりも下側において、それらのヒータに隣接する、ＷやＭｏから成るメタライズ層である。導電層Ｘ１、Ｘ２、Ｘ３、Ｘ４は、それぞれ、円を４等分した形状を有し、上方から見たとき、図２のように配置されている。
【００１９】
導電層Ｘ１と端部５ａとは、図１、図４に示すように、スルービアα１により接続されている。また、導電層Ｘ２と端部５ｂとは、図１、図５に示すように、スルービアα２により接続されている。また、導電層Ｘ３と端部７ａとは、図１に示すように、スルービアα３により接続されている。また、導電層Ｘ４と端部７ｂとは、図１に示すように、スルービアα４により接続されている。スルービアα１、α２、α３、α４は、それぞれ、本体部３を構成するセラミックの層に形成した貫通孔に、ＷやＭｏを主成分とするメタライズを充填したものである。後述するスルービアβ１ａ、β１ｂ、β２ａ、β２ｂ、β３ａ、β３ｂ、β４ａ、β４ｂも同様である。
【００２０】
導電層Ｙ１、Ｙ２、Ｙ３、Ｙ４は、それぞれ、導電層Ｘ１、Ｘ２、Ｘ３、Ｘ４よりも下側において、導電層Ｘ１、Ｘ２、Ｘ３、Ｘ４に隣接する、ＷやＭｏから成るメタライズ層である。導電層Ｙ１、Ｙ２、Ｙ３、Ｙ４は、それぞれ、導電層Ｘ１、Ｘ２、Ｘ３、Ｘ４と同一の形状を有し、上方から見たとき、図２のように配置されている。ここで、導電層Ｙ１は導電層Ｘ１の下側に位置し、導電層Ｙ２は導電層Ｘ２の下側に位置し、導電層Ｙ３は導電層Ｘ３の下側に位置し、導電層Ｙ４は導電層Ｘ４の下側に位置する。
【００２１】
導電層Ｘ１と導電層Ｙ１とは、図１、及び図４に示すように、スルービアβ１ａ、β１ｂにより接続されている。上方から見たとき、図３に示すように、スルービアβ１ａの位置は、スルービアα１よりも内周側にあり、スルービアβ１ｂの位置は、スルービアα１よりも外周側にある。すなわち、上方から見たとき、スルービアα１は、スルービアβ１ａ、及びスルービアβ１ｂの間に位置する。
【００２２】
また、導電層Ｘ２と導電層Ｙ２とは、図１、図５に示すように、スルービアβ２ａ、β２ｂにより接続されている。上方から見たとき、図３に示すように、スルービアβ２ａの位置は、スルービアα２よりも内周側にあり、スルービアβ２ｂの位置は、スルービアα２よりも外周側にある。すなわち、上方から見たとき、スルービアα２は、スルービアβ２ａ、及びスルービアβ２ｂの間に位置する。
【００２３】
また、導電層Ｘ３と導電層Ｙ３とは、図１に示すように、スルービアβ３ａ、β３ｂにより接続されている。上方から見たとき、スルービアβ３ａの位置は、スルービアα３よりも内周側にあり、スルービアβ３ｂの位置は、スルービアα３よりも外周側にある。すなわち、上方から見たとき、スルービアα３は、スルービアβ３ａ、及びスルービアβ３ｂの間に位置する。
【００２４】
また、導電層Ｘ４と導電層Ｙ４とは、図１に示すように、スルービアβ４ａ、β４ｂにより接続されている。上方から見たとき、スルービアβ４ａの位置は、スルービアα４よりも内周側にあり、スルービアβ４ｂの位置は、スルービアα４よりも外周側にある。すなわち、上方から見たとき、スルービアα４は、スルービアβ４ａ、及びスルービアβ４ｂの間に位置する。
【００２５】
スルービアα１、β１ａ、β１ｂは、それぞれ、図４に示すように、並列に配置された複数のスルービアである。また、スルービアα２、β２ａ、β２ｂも、それぞれ、図５に示すように、並列に配置された複数のスルービアである。スルービアα３、β３ａ、β３ｂ、α４、β４ａ、β４ｂについても同様である。
【００２６】
図１、図４に示すように、導電層Ｘ１は、スルービアα１との接続部である接続部Ｐ１と、スルービアβ１ａとの接続部である接続部Ｑ１ａと、スルービアβ１ｂとの接続部である接続部Ｑ１ｂとを有する。導電層Ｘ１において、上方から見たとき、接続部Ｐ１、接続部Ｑ１ａ、及び接続部Ｑ１ｂを含む１つの領域ＡＸ１は、その周囲（導電層Ｘ１における領域ＡＸ１以外の部分）よりも膜厚が大きくなっている。領域ＡＸ１は、導電層Ｘ１において接続部Ｑ１ａと接続部Ｐ１とを結ぶ経路を全て含むとともに、導電層Ｘ１において接続部Ｑ１ｂと接続部Ｐ１とを結ぶ経路を全て含む。
【００２７】
この領域ＡＸ１は、導電層Ｘ１の上面が周囲よりも一段隆起した領域である。領域ＡＸ１の外周端面は、導電層Ｘ１の主たる面（図１、図４における水平面）に対し傾斜している。導電層Ｘ１の下面は領域ＡＸ１を含めて平坦である。上方から見たとき、領域ＡＸ１は、図２、図３に示すように、帯状の基本形態を有するとともに、その長手方向における両端が円弧形状となっている。領域ＡＸ１は、接続部Ｑ１ａよりもさらに静電チャック１の内周方向に延び、上方から見て端子１１と重なる位置まで至っている。
【００２８】
図１、図５に示すように、導電層Ｘ２は、スルービアα２との接続部である接続部Ｐ２と、スルービアβ２ａとの接続部である接続部Ｑ２ａと、スルービアβ２ｂとの接続部である接続部Ｑ２ｂとを有する。導電層Ｘ２において、上方から見たとき、接続部Ｐ２、接続部Ｑ２ａ、及び接続部Ｑ２ｂを含む１つの領域ＡＸ２は、その周囲（導電層Ｘ２における領域ＡＸ２以外の部分）よりも膜厚が大きくなっている。領域ＡＸ２は、導電層Ｘ２において接続部Ｑ２ａと接続部Ｐ２とを結ぶ経路を全て含むとともに、導電層Ｘ２において接続部Ｑ２ｂと接続部Ｐ２とを結ぶ経路を全て含む。
【００２９】
この領域ＡＸ２は、導電層Ｘ２の上面が周囲よりも一段隆起した領域である。領域ＡＸ２の外周端面は、導電層Ｘ２の主たる面（図１、図５における水平面）に対し傾斜している。導電層Ｘ２の下面は領域ＡＸ２を含めて平坦である。上方から見たとき、領域ＡＸ２は、図２、図３に示すように、帯状の基本形態を有するとともに、その長手方向における両端が円弧形状となっている。領域ＡＸ２は、接続部Ｑ２ａよりもさらに静電チャック１の内周方向に延び、上方から見て端子１３と重なる位置まで至っている。
【００３０】
導電層Ｘ３も、導電層Ｘ１、Ｘ２の領域ＡＸ１、ＡＸ２と同様の、領域ＡＸ３を有する。すなわち、図１に示すように、導電層Ｘ３は、スルービアα３との接続部である接続部Ｐ３と、スルービアβ３ａとの接続部である接続部Ｑ３ａと、スルービアβ３ｂとの接続部である接続部Ｑ３ｂとを有する。導電層Ｘ３において、上方から見たとき、接続部Ｐ３、接続部Ｑ３ａ、及び接続部Ｑ３ｂを含む１つの領域ＡＸ３は、その周囲（導電層Ｘ３における領域ＡＸ３以外の部分）よりも膜厚が大きくなっている。領域ＡＸ３は、導電層Ｘ３において接続部Ｑ３ａと接続部Ｐ３とを結ぶ経路を全て含むとともに、導電層Ｘ３において接続部Ｑ３ｂと接続部Ｐ３とを結ぶ経路を全て含む。
【００３１】
この領域ＡＸ３は、導電層Ｘ３の上面が周囲よりも一段隆起した領域である。領域ＡＸ３の外周端面は、導電層Ｘ３の主たる面（図１における水平面）に対し傾斜している。導電層Ｘ３の下面は領域ＡＸ３を含めて平坦である。上方から見たとき、領域ＡＸ３は、図２に示すように、帯状の基本形態を有するとともに、その長手方向における両端が円弧形状となっている。領域ＡＸ３は、接続部Ｑ３ａよりもさらに静電チャック１の内周方向に延び、上方から見て端子１５と重なる位置まで至っている。
【００３２】
導電層Ｘ４も、導電層Ｘ１、Ｘ２、Ｘ３の領域ＡＸ１、ＡＸ２、ＡＸ３と同様の、領域ＡＸ４を有する。すなわち、図１に示すように、導電層Ｘ４は、スルービアα４との接続部である接続部Ｐ４と、スルービアβ４ａとの接続部である接続部Ｑ４ａと、スルービアβ４ｂとの接続部である接続部Ｑ４ｂとを有する。導電層Ｘ４において、上方から見たとき、接続部Ｐ４、接続部Ｑ４ａ、及び接続部Ｑ４ｂを含む１つの領域ＡＸ４は、その周囲（導電層Ｘ４における領域ＡＸ４以外の部分）よりも膜厚が大きくなっている。領域ＡＸ４は、導電層Ｘ４において接続部Ｑ４ａと接続部Ｐ４とを結ぶ経路を全て含むとともに、導電層Ｘ４において接続部Ｑ４ｂと接続部Ｐ４とを結ぶ経路を全て含む。
【００３３】
この領域ＡＸ４は、導電層Ｘ４の上面が周囲よりも一段隆起した領域である。領域ＡＸ４の外周端面は、導電層Ｘ４の主たる面（図１における水平面）に対し傾斜している。導電層Ｘ４の下面は領域ＡＸ４を含めて平坦である。上方から見たとき、領域ＡＸ４は、図２に示すように、帯状の基本形態を有するとともに、その長手方向における両端が円弧形状となっている。領域ＡＸ４は、接続部Ｑ４ａよりもさらに静電チャック１の内周方向に延び、上方から見て端子１７と重なる位置まで至っている。
【００３４】
導電層Ｙ１において、図１に示すように、上方から見て領域ＡＸ１と一致する領域ＡＹ１は、その周囲より膜厚が大きくなっている。図１、図４に示すように、導電層Ｙ１は、スルービアβ１ａとの接続部である接続部Ｒ１と、スルービアβ１ｂとの接続部である接続部Ｓ１とを有する。領域ＡＹ１は、上方から見たとき、接続部Ｒ１、及び接続部Ｓ１を含む。よって、領域ＡＹ１は、導電層Ｙ１において接続部Ｒ１と接続部Ｓ１とを結ぶ経路を全て含む。この領域ＡＹ１は、導電層Ｙ１の上面が周囲よりも一段隆起した領域である。領域ＡＹ１の外周端面は、導電層Ｙ１の主たる面に対し傾斜している。導電層Ｙ１の下面は領域ＡＹ１を含めて平坦である。
【００３５】
導電層Ｙ２において、図１に示すように、上方から見て領域ＡＸ２と一致する領域ＡＹ２は、その周囲より膜厚が大きくなっている。図１、図５に示すように、導電層Ｙ２は、スルービアβ２ａとの接続部である接続部Ｒ２と、スルービアβ２ｂとの接続部である接続部Ｓ２とを有する。領域ＡＹ２は、上方から見たとき、接続部Ｒ２、及び接続部Ｓ２を含む。よって、領域ＡＹ２は、導電層Ｙ２において接続部Ｒ２と接続部Ｓ２とを結ぶ経路を全て含む。この領域ＡＹ２は、導電層Ｙ２の上面が周囲よりも一段隆起した領域である。領域ＡＹ２の外周端面は、導電層Ｙ２の主たる面に対し傾斜している。導電層Ｙ２の下面は領域ＡＹ２を含めて平坦である。
【００３６】
導電層Ｙ３において、図１に示すように、上方から見て領域ＡＸ３と一致する領域ＡＹ３は、その周囲より膜厚が大きくなっている。導電層Ｙ３は、スルービアβ３ａとの接続部である接続部Ｒ３と、スルービアβ３ｂとの接続部である接続部Ｓ３とを有する。領域ＡＹ３は、上方から見たとき、接続部Ｒ３、及び接続部Ｓ３を含む。よって、領域ＡＹ３は、導電層Ｙ３において接続部Ｒ３と接続部Ｓ３とを結ぶ経路を全て含む。この領域ＡＹ３は、導電層Ｙ３の上面が周囲よりも一段隆起した領域である。領域ＡＹ３の外周端面は、導電層Ｙ３の主たる面に対し傾斜している。導電層Ｙ３の下面は領域ＡＹ３を含めて平坦である。
【００３７】
導電層Ｙ４において、図１に示すように、上方から見て領域ＡＸ４と一致する領域ＡＹ４は、その周囲より膜厚が大きくなっている。導電層Ｙ４は、スルービアβ４ａとの接続部である接続部Ｒ４と、スルービアβ４ｂとの接続部である接続部Ｓ４とを有する。領域ＡＹ４は、上方から見たとき、接続部Ｒ４、及び接続部Ｓ４を含む。よって、領域ＡＹ４は、導電層Ｙ４において接続部Ｒ４と接続部Ｓ４とを結ぶ経路を全て含む。この領域ＡＹ４は、導電層Ｙ４の上面が周囲よりも一段隆起した領域である。領域ＡＹ４の外周端面は、導電層Ｙ４の主たる面に対し傾斜している。導電層Ｙ４の下面は領域ＡＹ４を含めて平坦である。
【００３８】
端子９は、図１に示すように、本体部３における下方の端部に設けられた、導電性の材料から成る棒状の端子である。端子９は、上述したように、給電経路１９により、吸着電極４に接続している。給電経路１９は、導電層とスルービアとにより構成される周知の構造の給電経路である。
【００３９】
端子１１、１３、１５、１７は、本体部３における下方の端部（厚み方向の一端）に設けられた、導電性の材料から成る棒状の端子であり、上方から見たとき、図２に示す配置となるように、端子９の周囲に設けられている。端子１１は給電経路２１により導電層Ｙ１と接続しており、端子１３は給電経路２３により導電層Ｙ２と接続しており、端子１５は給電経路２５により導電層Ｙ３と接続しており、端子１７は給電経路２７により導電層Ｙ４と接続している。給電経路２１、２３、２５、２７は、それぞれ、導電層とスルービアとにより構成される周知の構造の給電経路である。
【００４０】
上記の構成を有する静電チャック１においては、インナーヒータ５に関し、端子１１→給電経路２１→導電層Ｙ１→スルービアβ１ａ、β１ｂ→導電層Ｘ１→スルービアα１→インナーヒータ５→スルービアα２→導電層Ｘ２→スルービアβ２ａ、β２ｂ→導電層Ｙ２→給電経路２３→端子１３という電流の経路が形成されている。また、アウターヒータ７に関し、端子１５→給電経路２５→導電層Ｙ３→スルービアβ３ａ、β３ｂ→導電層Ｘ３→スルービアα３→アウターヒータ７→スルービアα４→導電層Ｘ４→スルービアβ４ａ、β４ｂ→導電層Ｙ４→給電経路２７→端子１７という電流の経路が形成されている。
【００４１】
静電チャック１が上述した構成を有することは、静電チャック１を、接続部Ｐ及び接続部Ｑを含む面（接続部Ｐ１及び接続部Ｑ１ａ、Ｑ１ｂを含む面、接続部Ｐ２及び接続部Ｑ２ａ、Ｑ２ｂを含む面、接続部Ｐ３及び接続部Ｑ３ａ、Ｑ３ｂを含む面、接続部Ｐ４及び接続部Ｑ４ａ、Ｑ４ｂを含む面）で破断し、その断面を観察することにより確認できる。
【００４２】
なお、上記の「端子１１→給電経路２１→導電層Ｙ１→スルービアβ１ａ、β１ｂ→導電層Ｘ１→スルービアα１→インナーヒータ５」と、「インナーヒータ５→スルービアα２→導電層Ｘ２→スルービアβ２ａ、β２ａ→導電層Ｙ２→給電経路２３→端子１３」と、「端子１５→給電経路２５→導電層Ｙ３→スルービアβ３ａ、β３ｂ→導電層Ｘ３→スルービアα３→アウターヒータ７」と、「アウターヒータ７→スルービアα４→導電層Ｘ４→スルービアβ４ａ、β４ｂ→導電層Ｙ４→給電経路２７→端子１７」とは、給電経路の一実施形態である。
【００４３】
２．静電チャック１の製造方法
静電チャック１は、以下の(i)〜(viii)の手順により製造することができる。
(i)セラミック、焼結助剤、有機バインダ等を原料とした周知の組成のグリーンシート（セラミックの層）を作成する。
【００４４】
(ii)グリーンシートを所望のサイズに切断する。
(iii)グリーンシートにおいて、後にスルービアを形成する部分に貫通孔を穿孔する。
(iv)貫通孔に、ＷやＭｏを主成分とするメタライズを充填し、スルービアを形成する。
【００４５】
(v)グリーンシートに、スクリーン印刷の手法を用いてＷやＭｏを主成分とするメタライズを塗布し、吸着電極４、インナーヒータ５、アウターヒータ７、導電層Ｘ１、Ｘ２、Ｘ３、Ｘ４、Ｙ１、Ｙ２、Ｙ３、Ｙ４、及び各給電経路の導電層を形成する。
【００４６】
導電層Ｘ１の形成は、詳しくは、以下のようにする。導電層Ｘ１の下側となるグリーンシートの上面に、導電層Ｘ１の全領域に対応するメタライズを塗布する。また、導電層Ｘ１の上側となるグリーンシートの下面に、導電層Ｘ１の領域ＡＸ１に対応するメタライズを塗布する。導電層Ｘ１の下側となるグリーンシートと、導電層Ｘ１の下側となるグリーンシートとを重ねあわせることで、領域ＡＸ１の膜厚が厚くなった導電層Ｘ１が形成される。これと同様に、導電層Ｘ２、Ｘ３、Ｘ４、Ｙ１、Ｙ２、Ｙ３、Ｙ４も形成することができる。
【００４７】
(vi) グリーンシートにおいて、ドリル加工により、端子９、１１、１３、１５、１７を取り付ける孔等を形成する。また、グリーンシートの外径を静電チャック１の形状に応じて整える。
【００４８】
(vii)セラミックグリーンシート同士を積層圧着し、積層体を作製する。
(viii)得られた積層体を焼成し、端子９、１１、１３、１５、１７を取り付けて、静電チャック１を完成する。
【００４９】
３．静電チャック１が奏する作用効果
（１）導電層Ｘ１は、接続部Ｐ１と接続部Ｑ１ａとを結ぶ経路、及び接続部Ｐ１と接続部Ｑ１ｂとを結ぶ経路（いずれも、インナーヒータ５に供給する電流が流れる経路）を含む領域ＡＸ１において、周囲より膜厚が大きくなっている。そのため、それらの経路における電気抵抗を低下させ、発熱を抑制することができる。
【００５０】
また、同様に、導電層Ｘ２、Ｘ３、Ｘ４も、領域ＡＸ２、ＡＸ３、ＡＸ４を有することにより、インナーヒータ５又はアウターヒータ７に供給する電流が流れる経路の電気抵抗を低下させ、発熱を抑制することができる。
【００５１】
（２）静電チャック１においては、スルービアα１、スルービアβ１ａ、及びスルービアβ１ｂが、図１、図３、図４に示す位置関係（上方から見たとき、スルービアα１は、スルービアβ１ａ、及びスルービアβ１ｂの間に位置する）を有することにより、導電層Ｘ１における電流の流れが、スルービアβ１ａからスルービアα１に向う経路と、スルービアβ１ｂからスルービアα１に向う経路とに別れるので、導電層Ｘ１における電流密度を低下させて発熱を低減し、その結果、静電チャック１の表面における温度のばらつきを小さくすることができる。
【００５２】
また、同様に、スルービアα２、スルービアβ２ａ、及びスルービアβ２ｂの位置関係により、導電層Ｘ２における発熱を低減することができ、スルービアα３、スルービアβ３ａ、及びスルービアβ３ｂの位置関係により、導電層Ｘ３における発熱を低減することができ、スルービアα４、スルービアβ４ａ、及びスルービアβ４ｂの位置関係により、導電層Ｘ４における発熱を低減することができる。
【００５３】
（３）導電層Ｙ１は、接続部Ｒ１と接続部Ｓ１とを結ぶ経路（インナーヒータ５に供給する電流が流れる経路）を含む領域ＡＹ１において、周囲より膜厚が大きくなっている。そのため、その経路における電気抵抗を低下させ、発熱を抑制することができる。
【００５４】
また、同様に、導電層Ｙ２、Ｙ３、Ｙ４も、領域ＡＹ２、ＡＹ３、ＡＹ４を有することにより、インナーヒータ５又はアウターヒータ７に供給する電流が流れる経路の電気抵抗を低下させ、発熱を抑制することができる。
＜第２の実施形態＞
１．セラミックヒータ１０１の構成
積層発熱体の一実施形態であるセラミックヒータ１０１の構成を、図８に基づいて説明する。セラミックヒータ１０１は、前記第１の実施形態における静電チャック１と基本的には同様の構成を有する。ただし、セラミックヒータ１０１は、吸着電極４、端子９、及び給電経路１９を備えていない。
【００５５】
２．セラミックヒータ１０１の作用効果
セラミックヒータ１０１も、前記第１の実施形態における静電チャック１と同様の作用効果を奏する。
【００５６】
＜その他の実施形態＞
（１）前記第１、第２の実施形態において、導電層Ｘ１は、インナーヒータ５又はアウターヒータ７に隣接する導電層以外のものであってもよい。すなわち、導電層Ｘ１は、本体部３の厚み方向において、インナーヒータ５又はアウターヒータ７の側から数えてｎ番目の導電層であってもよい（ｎは２以上の自然数）。この場合、図６に示すように、導電層Ｘ１よりもインナーヒータ５及びアウターヒータ７側に位置する導電層Ｚ１が存在し、スルービアα１は、導電層Ｘ１と導電層Ｚ１とを接続する。この場合も、導電層Ｘ１は、領域ＡＸ１を有することにより、インナーヒータ５又はアウターヒータ７に供給する電流が流れる経路の電気抵抗を低下させ、発熱を抑制することができる。また、導電層Ｘ２、Ｘ３、Ｘ４についても導電層Ｘ１と同様である。
【００５７】
また、導電層Ｘ１は、図６に示すように、本体部３の厚み方向において、最も端子１１側の導電層であってもよい。この場合、スルービアβ１ａ、β１ｂは、導電層Ｘ１と端子１１とを接続する。この場合も、導電層Ｘ１は、領域ＡＸ１を有することにより、インナーヒータ５又はアウターヒータ７に供給する電流が流れる経路の電気抵抗を低下させ、発熱を抑制することができる。また、導電層Ｘ２、Ｘ３、Ｘ４についても導電層Ｘ１と同様である。
【００５８】
（２）前記第１、第２の実施形態において、領域ＡＸ１の形態は上述したもの以外であってもよい。例えば、図７Ａに示すように、領域ＡＸ１は、接続部Ｐ１及び接続部Ｑ１ａは含むが、接続部Ｑ１ｂは含まないものであってもよい。この場合、領域ＡＸ１は、接続部Ｐ１と接続部Ｑ１ａとを結ぶ経路は全て含むが、接続部Ｐ１と接続部Ｑ１ｂとを結ぶ経路の全部又は一部は含まない。また、領域ＡＸ１は、接続部Ｐ１及び接続部Ｑ１ｂは含むが、接続部Ｑ１ａは含まないものであってもよい。この場合、領域ＡＸ１は、接続部Ｐ１と接続部Ｑ１ｂとを結ぶ経路は全て含むが、接続部Ｐ１と接続部Ｑ１ａとを結ぶ経路の全部又は一部は含まない。
【００５９】
また、例えば、図７Ｂに示すように、領域ＡＸ１は、接続部Ｐ１は含むが、接続部Ｑ１ａ及び接続部Ｑ１ｂは含まないものであってもよい。この場合、領域ＡＸ１は、接続部Ｐ１と接続部Ｑ１ａとを結ぶ経路の一部と、接続部Ｐ１と接続部Ｑ１ｂとを結ぶ経路の一部とを含む。
【００６０】
また、例えば、図７Ｃに示すように、領域ＡＸ１が２つ存在し、一方は、接続部Ｑ１ａを含むが、接続部Ｐ１及び接続部Ｑ１ｂを含まず、他方は、接続部Ｑ１ｂを含むが、接続部Ｐ１及び接続部Ｑ１ａを含まないものであってもよい。この場合、領域ＡＸ１は、接続部Ｐ１と接続部Ｑ１ａとを結ぶ経路の一部と、接続部Ｐ１と接続部Ｑ１ｂとを結ぶ経路の一部とを含む。
【００６１】
また、領域ＡＸ２、ＡＸ３、ＡＸ４、領域ＡＹ１〜ＡＹ４も、領域ＡＸ１と同様に、種々の形態（例えば図７Ａ〜図７Ｃで示す形態）を有することができる。
（３）前記第１、第２の実施形態において、図９に示すように、スルービアα１は、厚み方向（図９における上下方向）から見たとき、スルービアβ１ｂと重なる位置にあってもよい。また、スルービアα１は、厚み方向から見たとき、スルービアβ１ａと重なる位置にあってもよい。
【００６２】
さらに、スルービアα２も、厚み方向から見たとき、スルービアβ２ａ若しくはスルービアβ２ｂと重なる位置にあってもよい。スルービアα３も、厚み方向から見たとき、スルービアβ３ａ若しくはスルービアβ３ｂと重なる位置にあってもよい。スルービアα４も、厚み方向から見たとき、スルービアβ４ａ若しくはスルービアβ４ｂと重なる位置にあってもよい。上記の場合も、前記第１及び第２の実施形態と略同様の効果を奏することができる。
【００６３】
ただし、スルービアβ１ａ、β１ｂ、及びスルービアδ（導電層Ｙ１と、それよりも一つ下側の導電層Ｖとを接続するスルービア）の位置関係が図９に示すものである場合、スルービアα１は、厚み方向（図９における上下方向）から見たとき、スルービアβ１ｂと重なる位置にはない（すなわち、スルービアβ１ａとスルービアβ１ｂとの間にあるか、スルービアβ１ａと重なる位置にある）ことがより好ましい。この場合、導電層Ｘ１における発熱を一層低減することができる。また、スルービアα２、α３、α４の位置についてもスルービアα１の場合と同様である。
【００６４】
（４）前記第１、第２の実施形態において、スルービアβ１ａとスルービアβ１ｂとのうちの一方はなくてもよい。スルービアβ１ｂがない場合、領域ＡＸ１は、接続部Ｐ１と接続部Ｑ１ａを結ぶ経路の少なくとも一部を含む。また、スルービアβ１ａがない場合、領域ＡＸ１は、接続部Ｐ１と接続部Ｑ１ｂを結ぶ経路の少なくとも一部を含む。
【００６５】
（５）前記第１、第２の実施形態において、領域ＡＸ１を有する導電層Ｘ１の製造方法は上述した方法には限定されない。例えば、まず、膜厚がどこでも均一な導電層を形成し、次に、領域ＡＸ１以外の部分を切削して膜厚を薄くしてもよい。この場合、切削されなかった部分が領域ＡＸ１となる。
【００６６】
（６）前記第１、第２の実施形態において、導電層Ｘ１の領域ＡＸ１は、図１０Ａに示すように、導電層Ｘ１の下面が周囲よりも一段隆起したものであってもよい。また、導電層Ｘ１の領域ＡＸ１は、図１０Ｂに示すように、導電層Ｘ１の上面及び下面の両方において、周囲よりも一段隆起したものであってもよい。また、導電層Ｘ２、Ｘ３、Ｘ４、導電層Ｙ１〜Ｙ４についても同様である。
【００６７】
（７）前記第１、第２の実施形態において、上方から見た領域ＡＸ１の形状は、上述したもの以外であってもよく、例えば、円形、楕円形、矩形、台形、三角形等とすることができる。また、導電層Ｘ２、Ｘ３、Ｘ４、導電層Ｙ１〜Ｙ４についても同様である。
【００６８】
（８）前記第１、第２の実施形態において、導電層Ｙ１〜Ｙ４は、領域ＡＹ１〜ＡＹ４を備えておらず、どの場所でも均一な膜厚を有していてもよい。
尚、本発明は前記実施形態になんら限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲において種々の態様で実施しうることはいうまでもない。
【符号の説明】
【００６９】
１…静電チャック、３…本体部、３ａ…吸着面、４…吸着電極、５…インナーヒータ、５ａ、５ｂ…端部、７…アウターヒータ、７ａ、７ｂ…端部、９、１１、１３、１５、１７…端子、１９、２１、２３、２５、２７…給電経路、１０１…セラミックヒータ、ＡＸ１、ＡＸ２、ＡＸ３、ＡＸ４、ＡＹ１、ＡＹ２、ＡＹ３、ＡＹ４…領域、Ｐ１、Ｐ２、Ｐ３、Ｐ４、Ｑ１ａ、Ｑ１ｂ、Ｑ２ａ、Ｑ２ｂ、Ｑ３ａ、Ｑ３ｂ、Ｑ４ａ、Ｑ４ｂ、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４、Ｓ１、Ｓ２、Ｓ３、Ｓ４…接続部、Ｘ１、Ｘ２、Ｘ３、Ｘ４、Ｙ１、Ｙ２、Ｙ３、Ｙ４、Ｚ１、Ｖ…導電層、α１、α２、α３、α４、β１ａ、β１ｂ、β２ａ、β２ｂ、β３ａ、β３ｂ、β４ａ、β４ｂ、δ…スルービア
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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