(57)【要約】【課題】携帯端末の小型化、低背化に対処でき、また製造コストを削減可能とした水晶発振器などの水晶デバイスを提供する。【解決手段】一方の主面に水晶振動子７を固定し、他方の主面に上記水晶振動子と共に水晶デバイスを構成するＩＣチップ等の電子部品５を搭載する基板に一枚のセラミックシート（セラミックシート平板）２を用い、水晶振動子７を固定した一方の主面は帽子状のカバー１０で封止することで水晶振動子７を収容するための空間を形成する。そして、他方の主面には厚膜印刷で実装端子３を形成する。実装端子３は、ＩＣチップ等の電子部品５の搭載厚と同等以上の厚みに形成することで、ＩＣチップ等の搭載スペースを確保する。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
一方の主面に設けた水晶振動子保持端子に水晶振動子を固定し、他方の主面に前記水晶振動子と共に発振回路及び／又は温度補償回路などの付帯回路を備えた発振回路等を集積したＩＣチップ等の電子部品を搭載したセラミックシート平板と、
前記セラミックシート平板の前記一方の主面を覆って、当該セラミックシート平板の端部周面に封止材で固着されて、前記水晶振動子を封止する帽子状カバーと、
前記セラミックシート平板の前記他方の主面の端部周面の複数個所に設けた実装端子と、
前記セラミックシート平板の前記他方の主面に設けられて、前記水晶振動子および前記実装端子との間を電気的に接続する配線パターンを有し、
前記実装端子は、前記配線パターンと同層の薄膜導電層と、この薄膜導電層の上に形成された厚膜導電層からなり、
前記実装端子の前記セラミックシート平板の他方の主面から見た高さが、前記電子部品の主面から見た高さ以上であることを特徴とする水晶デバイス。
【請求項２】
請求項１に記載の水晶デバイスにおいて、
前記帽子状カバーは金属成形品、ガラス成形品、水晶成形品の何れかであり、前記封止材は金属封止材、ガラス封止材、樹脂封止材のうちの前記帽子状カバーの材質に最適な封止材を用いて、前記セラミックシート平板に固着したことを特徴とする水晶デバイス。
【請求項３】
請求項１に記載の水晶デバイスにおいて、
前記実装端子を構成する前記厚膜導電層の上面にはんだ層が形成されていることを特徴とする水晶デバイス。
【請求項４】
請求項１に記載の水晶デバイスにおいて、
前記実装端子を構成する前記厚膜導電層自体がはんだ材から形成されていることを特徴とする水晶デバイス。
【請求項５】
請求項１に記載の水晶デバイスにおいて、
前記実装端子を構成する薄膜導電層と厚膜導電層は、共に印刷により形成されたものであることを特徴とする水晶デバイス。
【請求項６】
請求項１に記載の水晶デバイスにおいて、
前記他方の主面に搭載された電子部品の当該セラミックシート平板との間およびその周囲に充填された樹脂を有することを特徴とする水晶デバイス。
【請求項７】
請求項１に記載の水晶デバイスにおいて、
前記セラミックシート平板の前記一方の主面に設けた水晶振動子保持端子と前記他方の主面に有する配線パターンを、当該セラミックシート平板を貫通して設けたスルーホールを介して電気的に接続してなることを特徴とする水晶デバイス。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、表面実装用の水晶デバイスに係り、特に単一の絶縁基板のみに水晶振動子や発振回路等を構成するための電子部品を搭載した水晶デバイスに関する。
【背景技術】
【０００２】
表面実装型の水晶発振器に代表される水晶デバイスは、小型・軽量、かつ低背であることから各種の携帯機器に広く用いられている。その典型である水晶発振器は、動作周波数及び時間の基準源として多用されている。以下では、水晶デバイスとして水晶発振器を例として説明する。水晶発振器は、水晶振動子の収容部と電子部品の収容部とを有する二部屋型（Ｈ型とも称する）のパッケージ（容器本体）を用いているものが多い。
【０００３】
図８は、二部屋型の容器本体を用いた表面実装型の水晶発振器の従来例を説明する断面図である。この水晶発振器１は、セラミックシートの基板２ａの一方の主面（表面）と他方の主面（背面）に、同じくセラミックシートの枠壁２ｂ，２ｃを積層し、焼成して、それぞれの主面の凹部１３，１４が形成された容器本体を有する。表面側の凹部１３と背面側の凹部１４を形成した容器本体の断面は、図示したようにＨ型となる。そして、表面側の凹部１３の底面には水晶振動子保持端子８が形成されており、この水晶振動子保持端子８には導電性接着剤９により水晶振動子が固定されている。
【０００４】
水晶振動子保持端子８に水晶振動子７を固定した表面側の凹部１３の開口端面（枠壁２ｂの開放端面）には金属リング１５がロウ付けされている。この金属リング１５を介して金属カバー１０をシーム溶接し、水晶振動子７を封止する。背面側の凹部１４の開口端面には半田層１９ａが形成されている。ＩＣ実装基板１６の他方の主面にはＩＣチップ５がＩＣ実装用バンプ１７と異方性導電樹脂１８により固定されている。
【０００５】
また、ＩＣ実装基板１６の背面側の凹部１４の開口端面と対向する側の周端面には半田層１９ｂが形成されている。このＩＣ実装基板１６は、凹部１４の開口端面の半田層１９ａに半田層１９ｂを合わせ、加熱して固定する。図８は半田層１９ａと半田層１９ｂが溶融して一体に固化した状態を示す。ＩＣ実装基板１６の他方の主面の周面には、実装端子３が複数設けられている。
【０００６】
図８で説明したような、セラミックシートの積層体（多層セラミックシート）で水晶振動子と発振器を構成するＩＣチップなどの電子部品を収容する容器本体を構成するものでは、全体の厚み低減に限界があるため、低背化の妨げとなっている。また、従来の水晶発振器は、底壁から枠壁までを、多層のセラミックシートで成形した容器本体を用いるものが殆どなので製造コストが高く、低背化にも自ずと限界がある。最近の各種携帯端末等の薄型指向に沿って、これら端末等に実装される水晶発振器などの電子部品も大幅な低背化が要求されている。
【０００７】
なお、この種の従来技術を開示したものは、特許文献１、特許文献２、特許文献３、特許文献４などを挙げることができる。これらの先行技術は、複数のセラミックシートで形成した容器を用いた水晶発振器を開示している。特許文献１、特許文献２には、Ｈ型本体容器の一方の凹部を構成する底面に直接水晶振動子を固定し、他方の凹部に搭載するＩＣチップは容器本体とは別個の基板に搭載した状態で他方の凹部に設置する構造とした水晶発振器が記載されている。
【０００８】
特許文献１、特許文献３は、水晶等の圧電振動子をＩＣチップとは別のユニットとして、圧電振動子のユニットとは別にＩＣチップを搭載した基板を貼り合わせた圧電発振器を開示する。また、特許文献４には、水晶振動子を収容する凹部のみを積層セラミックシートの一方の主面（表面）に形成し、ＩＣチップは別個に容易したセラミックシートに搭載したものを上記の積層セラミックシートの他方の主面（背面）に接合した構造の水晶発振器も開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００９】
【特許文献１】特開２０１３−９８６２８号公報
【特許文献２】特開２００９−１０５６２８号公報
【特許文献３】特開２００４−１８００１２号公報
【特許文献４】特開２０１３−１４３６０７号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１０】
上記の従来技術では、パッケージを高価なセラミックシートを多層で用いるため、コスト削減に限界があり、多層のセラミックシートを用いること自体、低背化を促進することは困難である。また、基板となるセラミックシートを単一のシート（平板）とし、水晶振動子を一方の面に直接固定し、他方の面にＩＣチップを搭載する構造とすることも考えられる。しかし、その場合、水晶振動子側には帽子状のカバーで封止しても、ＩＣチップを搭載するための空間（凹部、キャビティー）を確保するためにセラミックシートの枠壁が必要となる。結果的に、高価な多層セラミックシート構造になってしまう。
【００１１】
本発明の目的は、一枚のセラミックシートを用いて、携帯端末の小型化、低背化（薄型化）に対処でき、また製造コストを削減可能とした水晶発振器などの水晶デバイスを提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
上記目的を達成するため、本発明は、一方の主面に水晶振動子を固定し、他方の主面に上記水晶振動子と共に水晶デバイスを構成するＩＣチップ等の電子部品を搭載する基板に一枚のセラミックシート（セラミックシート平板）を用い、水晶振動子を固定した一方の主面は帽子状のカバーで封止することで水晶振動子を収容するための空間を形成する。そして、他方の主面には厚膜印刷で実装端子を形成する。実装端子は、ＩＣチップ等の電子部品の搭載厚と同等以上の厚みに形成することで、ＩＣチップ等の電子部品の搭載スペースを確保する。
【００１３】
このように、水晶振動子とＩＣチップ等の電子部品を搭載する基板に単一のセラミックシートからなる基板を用い、帽子状カバーをセラミックシート平板に適宜の封止材で固着して水晶振動子の収容空間を形成したことで、セラミックシート平板の機械的脆弱性を補強することが可能となり、低背化を実現しながら水晶デバイス全体としての剛性を向上できる。本発明に係る水晶デバイスの代表的構成を記述すると次のとおりである。
【００１４】
本発明の水晶デバイスは、一方の主面に設けた水晶振動子保持端子に水晶振動子を固定し、他方の主面に前記水晶振動子と共に発振回路及び／又は温度補償回路などの付帯回路を備えた発振回路等を集積したＩＣチップ等の電子部品を搭載したセラミックシート平板と、
前記セラミックシート平板の前記一方の主面を覆って、当該セラミックシート平板の端部周面に封止材で固着されて、前水晶振動子を封止する帽子状カバーと、
前記セラミックシート平板の前記他方の主面の端部周面の複数個所に設けた実装端子と、
前記セラミックシート平板の前記他方の主面に設けられて、前記水晶振動子および前記実装端子との間を電気的に接続する配線パターンを有し、
前記実装端子は、前記配線パターンと同層の薄膜導電層と、この薄膜導電層の上に形成された厚膜導電層からなり、
前記実装端子の前記セラミックシート平板の他方の主面から見た高さが、前記電子部品の主面から見た高さ以上であることを特徴とする。
【００１５】
前記帽子状カバーは金属成形品、ガラス成形品、水晶成形品の何れかであり、前記封止材は金属封止材、ガラス封止材、樹脂封止材のうちの前記帽子状カバーの材質に最適な封止材を用いて、前記セラミックシート平板に固着したことを特徴とする。
【００１６】
前記実装端子を構成する前記厚膜導電層の上面にはんだ層が形成されていることを特徴とする。
【００１７】
前記実装端子を構成する薄膜導電層と厚膜導電層は、共に印刷により形成されたものであることを特徴とする。
【００１８】
前記他方の主面に搭載された電子部品の当該セラミックシート平板との間およびその周囲に充填された樹脂を有することを特徴とする。
【００１９】
前記セラミックシート平板の前記一方の主面に設けた水晶振動子保持端子と前記他方の主面に有する配線パターンを、当該セラミックシート平板を貫通して設けたスルーホールを介して電気的に接続してなることを特徴とする。
【００２０】
本発明は、上記の構成に限定されるものではなく、本発明の技術思想を逸脱しない範囲で種々の変形が可能であることは言うまでもない。
【発明の効果】
【００２１】
水晶振動子とＩＣチップ等の電子部品を搭載する基板として、セラミックシート平板を用いたこと、帽子状カバーをセラミックシート平板に適宜の封止材で固着して水晶振動子の収容空間を形成したこと、実装端子を厚膜印刷により形成したことで、電子デバイスの大幅な低背化を実現できる。また、基板がセラミックシート平板であることによる反りなどの機械的脆弱性を帽子状カバーで矯正し、補強することで、低背化を実現しながら水晶デバイス全体としての形状変形を抑制し、剛性を向上することができる。
【００２２】
実装端子を形成する印刷法として、広く知られているマスク印刷法やシリコーン凹版を用いた超厚膜印刷法を用いることができるため、蒸着法やスパッタリング法などにおけるような真空環境を必要としないので、製造コストを大幅に低減できる。
【００２３】
電子部品の前記高さに応じて、厚膜導電層を複数回の重ね塗りで対応でき、例えば、厚みの大きいＩＣチップなどにも対応可能である。
【図面の簡単な説明】
【００２４】
【図１】本発明に係る水晶デバイスの実施例１を説明する水晶発振器の（ａ）断面図、（ｂ）実装端子を形成した他方の主面の平面図である。
【図２】本発明に係る水晶デバイスの実施例１を説明するための図１に示した水晶発振器の全体像を示す斜視図である。
【図３】本発明に係る水晶デバイスの実施例１を説明するための図１の水晶発振器の製造プロセスを示す（ａ）断面図、（ｂ）他方の主面の平面図である。
【図４】本発明に係る水晶デバイスの実施例１を説明するための図１の水晶発振器の図３に続く製造プロセスを示す（ａ）断面図、（ｂ）他方の主面の平面図である。
【図５】本発明に係る水晶デバイスの実施例１を説明するための図１の水晶発振器の図４に続く製造プロセスを示す（ａ）断面図、（ｂ）他方の主面の平面図である。
【図６】本発明に係る水晶デバイスの実施例１を説明するための図１の水晶発振器の図５に続く製造プロセスを示す（ａ）断面図、（ｂ）他方の主面の平面図である。
【図７】本発明に係る水晶発振器の実施例１に係る回路構成例の説明図である。
【図８】二部屋型の容器本体を用いた表面実装型の水晶発振器の従来例を説明する断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００２５】
以下、本発明の実施形態について、実施例の図面を参照して詳細に説明する。
【実施例１】
【００２６】
図１は、本発明に係る水晶デバイスの実施例１を説明するための水晶発振器の（ａ）全体断面図、（ｂ）実装端子を形成した他方の主面の平面図である。（ａ）全体断面図は（ｂ）他方の主面のＸ−Ｘ’線に沿った断面に相当する。実施例１の水晶発振器は、所謂温度補償型水晶発振器（ＴＣＸＯ）を想定している。なお、説明のために形状やサイズを誇張した部分もある。また、図２は、図１に示した水晶発振器の全体像を示す斜視図である。
【００２７】
図１に示したように、本発明の実施例１に係る水晶発振器１は、一枚のセラミックシート基板であるセラミックシート平板２の一方の主面（図１（ａ）の紙面上側）に水晶振動子７が固定され、他方の主面（図１（ａ）の紙面下側：同図（ｂ））に電子部品であるＩＣチップ５が搭載されている。このＩＣチップ５には、水晶振動子７と共に発振器を構成する発振回路と、周囲温度の変化による水晶振動子の振動数のずれを補償する温度補償回路などの付帯回路が集積されている。
【００２８】
セラミックシート平板２の一方の主面には、水晶振動子保持端子８が形成されており、この水晶振動子保持端子８に水晶振動子７が導電性接着剤９で電気的かつ機械的に固定されている。水晶振動子保持端子８を固定したセラミックシート平板２の水晶振動子保持端子８の直下には、当該セラミックシート平板２を貫通して設けたスルーホール２１ａ，２１ｂが形成されている。このスルーホール２１ａ，２１ｂには導体（図示せず）が埋設されており、水晶振動子保持端子８を他方の主面に形成された配線パターン４１に電気的に接続している。
【００２９】
セラミックシート平板２の他方の主面において、水晶振動子保持端子８に接続するスルーホール２１ａ，２１ｂに繋がる配線パターンには、それぞれ水晶検査端子６ａ，６ｂが形成されている。また、当該他方の主面の四隅には、実装端子３がそれぞれ設けられている。この実施例における実装端子３は、図１（ａ）に示したように、３層で構成されている。最下層の実装端子パッド３ａは、ＩＣ接続パッド４、配線パターン４１と同時の薄膜印刷などのパターニングで形成された薄膜導電層である。この薄膜導電層を形成する薄膜印刷は、銀（Ａｇ）粒子、銀―パラジューム（Ａｇ−Ｐｄ）や金（Ａｕ）粒子、銅（Ｃｕ）粒子などの既知の金属粒子入りスラリーをマスク印刷（スクリーン印刷）などの薄膜印刷法で形成する。
【００３０】
この実装端子パッド３ａの上に、上記と同様の導体スラリーを用いた厚膜印刷、あるいは凹版印刷等の超厚膜印刷法で導電層３ｂを形成する。この導電層３ｂは、当該他方の主面に搭載する電子部品の高さサイズに応じて、複数回の印刷で積み重ね、所望の膜厚とする。そして、導電層３ｂの上にはんだメッキを施してはんだ層３ｃを形成する。
【００３１】
ＩＣチップ５は、当該ＩＣチップの集積回路形成面に設けられた金属バンプを配線４１に設けたＩＣ接続パッドに加熱等で接続して、所謂フリップチップボンディング（ＦＣＢ）で搭載される。なお、ＩＣ接続パッドには、スタッドバンプ、メッキバンプ、はんだバンプなどが形成される。セラミックシート平板２の他方の主面とＩＣチップ５の間およびその周囲に熱硬化樹脂を好適とする樹脂が充填されて、ＩＣチップ５の接続の補強が行なわれる。
【００３２】
図３乃至図６を参照して、本発明の実施例１に係る水晶発振器の製造工程を説明する。図３は、本発明に係る水晶デバイスの実施例１を説明するための図１の水晶発振器の製造プロセスを示す（ａ）断面図、（ｂ）他方の主面の平面図である。図３乃至図６の（ａ）断面図は（ｂ）他方の主面の平面図のＸ−Ｘ’線に沿った断面である。
【００３３】
このセラミックシート平板２の一方の主面（図３（ａ）の上面）の水晶振動子保持端子と他方の主面（図３（ａ）の下面）の実装端子パット３ａ、配線パターン４１、水晶検査端子６は金属ベーストによる薄膜印刷で形成される。点線５’はＩＣチップの搭載位置を示す。ＩＣチップは配線パターン４１に設けたＩＣ接続パッド４にそのＩＣ端子を接続することで搭載される。
【００３４】
セラミックシート平板２の厚み方向に貫通して、水晶振動子の水晶振動子保持端子の位置にスルーホール８Ａ，８Ｂが設けられている。スルーホール８Ａ，８Ｂには、導体（図に示せず）が埋設されており、水晶振動子保持端子８を他方の主面に形成された配線パターン４１に電気的に接続している。スルーホール８Ａ，８Ｂの導体埋設は上記の水晶振動子保持端子８や実装端子パッド３ａや配線パターン４１等を薄膜印刷する際に、導体ペーストをスルーホール８Ａ，８Ｂ内に充填させて導体層（導体柱）を形成させるようにすることができる。なお、メッキによりスルーホール８Ａ，８Ｂ内の導体層を形成してもよいことは言うまでもない。
【００３５】
図４は、セラミックシート平板２の他方の主面の実装端子３の実装端子パッド３ａの上に厚膜印刷で形成した厚膜導電層である導電層３ｂを形成した状態を示す。図３での薄膜印刷処理後、実装端子形成部分に厚膜印刷で導電層３ｂを形成する。導電層３ｂは、凹版印刷原版のスラリー収容部である凹部深さ、あるいは複数回印刷での塗り重ねで、ＩＣチップ等の電子部品の搭載スペースを確保するための所望の厚さとする。
【００３６】
そして、図５に示したように、セラミックシート平板２の他方の主面の実装端子形成部分の導電層３ｂの上にはんだ層３ｃを形成する。このはんだ層３ｃも薄膜印刷方で形成するが、これに替えてメッキ処理ではんだ層３ｃを形成してもよい。これにより、実装端子パッド３ａ、導電層３ｂ、はんだ層３ｃの３層の積層からなる実装端子３が形成される。
【００３７】
上記の実装端子は薄膜導体の上に厚膜導体を印刷・焼成後、さらに半田層を形成した構造となっておりますが、焼成した薄膜導体の上に直接半田層を厚塗りして加熱硬化にて実装端子とするのもよい。この方が、工程が簡潔で、コストメリットがある。
【００３８】
実装端子３を形成した後、図６に示したように、セラミックシート平板２の一方の主面に水晶振動子７を固定し、他方の主面にある水晶検査端子を用いて、水晶振動子の周波数を測定しながら、水晶発振周波数の合わせ込みを行う。水晶振動子の発振周波数を合わせ込み後、帽子状のカバー１０が封止材１１で固着される。これによって、水晶振動子は気密封止され、外部環境から隔離される。その後、他方の主面にＩＣチップ５を搭載する。
【００３９】
前記したように、セラミックシート平板２の他方の主面からの実装端子３の高さはＩＣチップ５等の電子部品の高さ以上となるようにしている。このような水晶発振器に適用されるＩＣチップ（ベアチップ）等の厚みは厚くても０．２ｍｍ程度で、０．１ｍｍ以下のものも実現されている。従って、実装端子３の高さは０．１乃至０．３ｍｍ程度とする。なお、この実装端子に半田ボールを設けて実装可能であることは言うまでもない。
【００４０】
セラミックシート平板２の他方の主面に搭載したＩＣチップ５と当該セラミックシート平板２との間、及びＩＣチップ５の周囲の領域にエポキシ系樹脂を好適とする熱硬化性樹脂を充填し、熱処理工程で硬化させ、所謂アンダーフィル１２とすることで、ＩＣチップ５の確実な固定と水晶発振器全体の剛性の向上を図ることができる。
【００４１】
上記では、ＩＣチップ５をカバー１０封止後に搭載するごとく説明したが、カバー封止時の加熱によるＩＣへの影響が小さい場合は、セラミックシート平板の一方の主面に水晶振動子７を固着後、セラミックシート平板２の他方の主面にＩＣチップ５を搭載することもできる。この場合、水晶振動子の発振周波数合わせ込みは、ＩＣにて水晶振動子を発振させながら行うことが出来、結果的に、ＩＣのバラツキ（発振回路のバラツキ）による発振周波数変動が周波数合わせ時、補正されることになる。そして、上記と同様に水晶振動子の発振周波数を合わせ込み後、カバー１０を固着する。カバー１０はコバールを好適とする金属、ガラスあるいは水晶で形成したものとすることができる。封止材１１はカバー１０の材質とセラミックシート平板２との接着の相性を考慮したフリットガラス、樹脂などの適宜の接合材料を用いる。
【００４２】
図７は、本発明に係る水晶デバイスの１実施例である温度補償型水晶発振器の回路構成例を説明するブロック図である。この水晶発振器は、水晶振動子７と共に発振器を構成する水晶発振回路２３を備える。そして、温度補償回路は、温度補償電圧を発生させる温度センサ回路２０と、温度センサ回路２０の出力を用いて温度補償電圧を発生させる温度補償回路２１と、温度補償量を決定するための不揮発性メモリ２５と、水晶発振回路２３と、水晶発振回路２３に接続された制御入力調整回路２６と、定電圧回路２７と、水晶発振回路２３が出力するアナログ信号を出力するための出力バッファ回路２４と、から構成されている。
【００４３】
ここで、この温度補償回路の作用を説明する。温度センサ回路２０は、温度変化に対し出力が１次関数的に変化する電圧を発生し、温度補償回路２１は、温度センサ回路２０の出力電圧から水晶振動子２の周波数温度変化分を補償するための電圧を発生する。不揮発性メモリ２５は、温度補償に用いるデータを格納し、自動周波数制御入力調整回路２６は、制御電圧入力端子（イネーブル／デスエーブル端子兼用）Ｖcon or E/Dからの入力電圧に対する電圧利得を調整し、制御電圧による周波数可変幅を調整する。また、水晶発振回路２３は、ＩＣチップ５の外部に接続された水晶振動子２と内蔵した増幅器、可変容量素子により電圧制御水晶発振器を構成している。さらに、定電圧回路２７は、ＤＣ電源電圧から温度や電源電圧に依存しないＩＣチップ内部で使用する電圧を発生し、出力バッファ回路２４は、水晶発振回路の出力をバッファし、発振出力として出力する。
【００４４】
上記で説明した実施例により、セラミックシート平板でありながら、熱工程での基板の反りが要請され、低背で剛性の高い水晶発振器などの水晶デバイスを得ることができる。
【符号の説明】
【００４５】
１・・・水晶発振器、２・・・セラミックシート平板、３・・・実装端子、３a・・・実装端子パッド（薄膜導電層）、３b・・・導電層（厚膜導電層）、３c・・・はんだ層、４・・・ＩＣ接続パッド、４１・・・配線パターン、５・・・ＩＣチップ、６・・・水晶検査端子、７・・・水晶振動子、８・・・水晶振動子保持端子、８Ａ，８Ｂ・・・スルーホール、９・・・導電性接着剤、１０・・・カバー、１１・・・封止材、１２・・・アンダーフィル、２０・・・温度センサ、２１・・・温度補償回路、２３・・・水晶発振回路、２４・・・出力バッファ回路、２５・・・不揮発メモリ、２６・・・制御入力調整回路、２７・・・定電圧回路。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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