(57)【要約】【課題】  十分な硬化反応性を有するとともに、熱履歴が負荷されても粘度変化が小さく良好な電気的接続を達成可能なアンダーフィル材及びこれを備える積層シート、並びに半導体装置の製造方法を提供すること。【解決手段】  本発明は、加熱処理前の１５０℃における溶融粘度が５０Ｐａ・ｓ以上３０００Ｐａ・ｓ以下であり、前記加熱処理前の１５０℃における溶融粘度をη１とし、１３０℃で１時間加熱処理した後の１５０℃における溶融粘度をη２とした際の（η２／η１）×１００で表わされる粘度変化率が５００％以下であり、ＤＳＣ測定における−５０℃から３００℃までの昇温過程での全発熱量をＱｔとし、１７５℃で２時間加熱後の−５０℃から３００℃までの昇温過程での全発熱量をＱｈとした際の{（Ｑｔ−Ｑｈ）／Ｑｔ}×１００で表わされる反応率が９０％以上であるアンダーフィル材である。【選択図】  図１Ｅ
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
加熱処理前の１５０℃における溶融粘度が５０Ｐａ・ｓ以上３０００Ｐａ・ｓ以下であり、
前記加熱処理前の１５０℃における溶融粘度をη１とし、１３０℃で１時間加熱処理した後の１５０℃における溶融粘度をη２とした際の（η２／η１）×１００で表わされる粘度変化率が５００％以下であり、
ＤＳＣ測定における−５０℃から３００℃までの昇温過程での全発熱量をＱｔとし、１７５℃で２時間加熱後の−５０℃から３００℃までの昇温過程での全発熱量をＱｈとした際の{（Ｑｔ−Ｑｈ）／Ｑｔ}×１００で表わされる反応率が９０％以上であるアンダーフィル材。
【請求項２】
潜在性硬化促進剤を含む請求項１に記載のアンダーフィル材。
【請求項３】
アクリル樹脂を含み、
前記アクリル樹脂１００重量部に対して前記潜在性硬化促進剤を１〜２重量部含む請求項２に記載のアンダーフィル材。
【請求項４】
基材及び該基材上に設けられた粘着剤層を有する粘着テープと、
前記粘着剤層上に積層された請求項１〜３のいずれか１項に記載のアンダーフィル材と
を備える積層シート。
【請求項５】
前記粘着テープは、半導体ウェハの裏面研削用テープ又はダイシングテープである請求項４に記載の積層シート。
【請求項６】
被着体と、該被着体と電気的に接続された半導体素子と、該被着体と該半導体素子との間の空間を充填するアンダーフィル材とを備える半導体装置の製造方法であって、
請求項１〜３のいずれか１項に記載のアンダーフィル材が前記半導体素子に貼り合わされたアンダーフィル材付き半導体素子を準備する工程と、
前記被着体と前記半導体素子の間の空間を前記アンダーフィル材で充填しつつ前記半導体素子と前記被着体とを電気的に接続する接続工程と
を含む半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、アンダーフィル材、積層シート及び半導体装置の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、半導体装置及びそのパッケージの薄型化、小型化がより一層求められている。そのための方策として、半導体チップ等の半導体素子が基板上にフリップチップボンディングにより実装された（フリップチップ接続された）フリップチップ型の半導体装置が広く利用されている。フリップチップ接続は、半導体チップの回路面が被着体の電極形成面と対向した状態で（フェイスダウン）、半導体チップがその回路面に形成された突起電極を介して被着体に固定される実装法である。半導体素子の被着体へのフリップチップ実装では、半導体素子に設けられたはんだバンプ等を溶融させて両者を電気的に接続する。
【０００３】
フリップチップ接続後には、半導体素子表面の保護や半導体素子と基板との間の接続信頼性を確保するために、半導体素子と基板との間の空間への封止樹脂の充填が行われている。このような封止樹脂としては、液状の封止樹脂（アンダーフィル材）が広く用いられているものの、液状の封止樹脂では注入位置や注入量の調節が困難である。そこで、シート状の封止樹脂を用いて半導体素子と基板との間の空間を充填する技術が提案されている（特許文献１）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特許第４４３８９７３号
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
上記技術により、半導体素子と被着体との間の空間が充填されて良好な接続信頼性が得られる。しかしながら、例えば半導体装置製造プロセスに挙げられるチップオンウェハ（ＣｏＷ）プロセスやＴＳＶ（Ｔｈｒｏｕｇｈ  Ｓｉｌｉｃｏｎ  Ｖｉａ）積層プロセスでは、プロセスの効率化のために、アンダーフィル材付きの多数の半導体チップを被着体（半導体ウェハ又は半導体チップ）上にフリップチップ接続様式にて仮固定しておき、最後に加熱して一括接合する手順が推奨されつつある。この場合、工程の初期にボンディングした半導体チップと終期にボンディングした半導体チップとでは熱履歴の差が生じることになる。そのため、初期にボンディングした半導体チップのアンダーフィル材では熱履歴の影響により粘度が大きく変化してしまい、その結果、一括接合の際にバンプ等の接続部材にクラックが生じたり、接続部材同士の接合ができなかったりして、半導体チップの被着体への電気的接続を図れない場合がある。
【０００６】
これに対し、熱履歴の影響を低減するために、アンダーフィル材の反応性を低下させる方策も採り得るものの、反応性を低下させすぎると硬化反応を十分進行させるのに長時間ないし高温を要することになり、プロセス効率化を図ることができないおそれがある。
【０００７】
本発明は前記問題点に鑑みなされたものであり、十分な硬化反応性を有するとともに、熱履歴が負荷されても粘度変化が小さく良好な電気的接続を達成可能なアンダーフィル材及びこれを備える積層シート、並びに半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本願発明者らは鋭意検討したところ、下記構成を採用することにより前記目的を達成できることを見出して、本発明を完成させるに至った。
【０００９】
すなわち、本発明は、加熱処理前の１５０℃における溶融粘度が５０Ｐａ・ｓ以上３０００Ｐａ・ｓ以下であり、
前記加熱処理前の１５０℃における溶融粘度をη１とし、１３０℃で１時間加熱処理した後の１５０℃における溶融粘度をη２とした際の（η２／η１）×１００で表わされる粘度変化率が５００％以下であり、
ＤＳＣ測定における−５０℃から３００℃までの昇温過程での全発熱量をＱｔとし、１７５℃で２時間加熱後の−５０℃から３００℃までの昇温過程での全発熱量をＱｈとした際の{（Ｑｔ−Ｑｈ）／Ｑｔ}×１００で表わされる反応率が９０％以上であるアンダーフィル材である。
【００１０】
当該アンダーフィル材では、加熱処理前の１５０℃での溶融粘度（以下、単に「溶融粘度」と称することがある。）が５０Ｐａ・ｓ以上３０００Ｐａ・ｓ以下である。上記下限の採用により、アンダーフィル材の半導体チップからのはみ出しを防止することができる。一方、上記上限の採用により、接続部材のアンダーフィル材への進入が容易となって電気的接続の確実性を向上させることができる。上記下限未満であると、アンダーフィル材のはみ出し量が大きくなって周辺要素の汚染等が生じる場合がある。また、上記上限を超えると、アンダーフィル材への接続部材への進入が不十分となって電気的に接続されないおそれがある。
【００１１】
また、当該アンダーフィル材では、１３０℃での加熱処理前後での１５０℃における粘度変化率（以下、単に「粘度変化率」と称することがある。）が５００％以下であるので、加熱処理後における過度の粘度上昇を抑制し、熱履歴の負荷を強いられるプロセスであっても良好な電気的接続を達成することができる。粘度変化率が５００％を超えるとバンプやパッド等の接続部材に応力が生じて接続部材のクラックに至ったり、接続部材同士の接触が妨げられたりして電気的接続を図ることができないおそれがある。
【００１２】
さらに、当該アンダーフィル材では、ＤＳＣ測定における−５０℃から３００℃までの昇温過程での全発熱量をＱｔとし、１７５℃で２時間加熱後の−５０℃から３００℃までの昇温過程での全発熱量をＱｈとした際の{（Ｑｔ−Ｑｈ）／Ｑｔ}×１００で表わされる反応率（以下、単に「反応率」と称することがある。）が９０％以上である。言い換えると、１７５℃で２時間加熱硬化させた際のアンダーフィル材の硬化反応の進行度が９０％以上となっている。上述のように当該アンダーフィル材では加熱後の粘度上昇が抑制されているにもかかわらず、１７５℃で２時間加熱した際にはアンダーフィル材の硬化反応が９０％以上進行することになるので、高温ないし長時間での硬化処理を行う必要がなく、半導体装置の製造プロセスの効率化に寄与することができる。上記反応率が９０％未満であると、従来と比してアンダーフィル材の硬化により高温ないしより長時間の加熱処理が必要となり、プロセス効率が低下することになる。また、アンダーフィル材の硬化際の硬化反応の進行度が不十分となりやすくなり、耐湿耐熱信頼性が低下するおそれがある。
【００１３】
当該アンダーフィル材は、潜在性硬化促進剤を含むことが好ましい。これにより、アンダーフィル材の熱履歴による粘度上昇の抑制と硬化反応性との両立を高いレベルで達成することができる。
【００１４】
当該アンダーフィル材は、アクリル樹脂を含み、
前記アクリル樹脂１００重量部に対して前記潜在性硬化促進剤を１〜２重量部含むことが好ましい。
【００１５】
アクリル樹脂の含有により適度な柔軟性が付与されて作業性が向上するとともに、アクリル樹脂に対する潜在性硬化促進剤の含有量を所定範囲とすることで不用意な粘度上昇と硬化反応とを抑制して良好な電気的接続を得ることができる。
【００１６】
本発明には、基材及び該基材上に設けられた粘着剤層を有する粘着テープと、
前記粘着剤層上に積層された当該アンダーフィル材と
を備える積層シートも含まれる。
【００１７】
当該アンダーフィル材と粘着テープとを一体的に用いることにより、半導体ウェハの加工から半導体素子の実装までの製造過程の効率化を図ることができる。
【００１８】
前記粘着テープは、半導体ウェハの裏面研削用テープ又はダイシングテープのいずれであってもよい。
【００１９】
本発明には、被着体と、該被着体と電気的に接続された半導体素子と、該被着体と該半導体素子との間の空間を充填するアンダーフィル材とを備える半導体装置の製造方法であって、
当該アンダーフィル材が前記半導体素子に貼り合わされたアンダーフィル材付き半導体素子を準備する工程と、
前記被着体と前記半導体素子の間の空間を前記アンダーフィル材で充填しつつ前記半導体素子と前記被着体とを電気的に接続する接続工程と
を含む半導体装置の製造方法も含まれる。
【００２０】
当該製造方法では特定の粘度変化率、溶融粘度及び反応率を有するアンダーフィル材を用いているので、複数の半導体素子を被着体に搭載又は積層させることでアンダーフィル材に熱履歴が負荷される場合であっても、アンダーフィル材の粘度上昇を抑制して半導体素子と被着体との良好な電気的接続を得ることができる。また、適度な硬化反応性を備えているので、プロセス効率の向上を図ることができる。
【図面の簡単な説明】
【００２１】
【図１Ａ】本発明の一実施形態に係る半導体装置の製造工程の一工程を示す断面模式図である。
【図１Ｂ】本発明の一実施形態に係る半導体装置の製造工程の一工程を示す断面模式図である。
【図１Ｃ】本発明の一実施形態に係る半導体装置の製造工程の一工程を示す断面模式図である。
【図１Ｄ】本発明の一実施形態に係る半導体装置の製造工程の一工程を示す断面模式図である。
【図１Ｅ】本発明の一実施形態に係る半導体装置の製造工程の一工程を示す断面模式図である。
【発明を実施するための形態】
【００２２】
以下に実施形態を掲げ、本発明を詳細に説明するが、本発明はこれらの実施形態のみに限定されるものではない。ただし、図の一部又は全部において、説明に不要な部分は省略し、また説明を容易にするために拡大または縮小等して図示した部分がある。
【００２３】
＜第１実施形態＞
以下、本発明の一実施形態について、ダイシングテープと該ダイシングテープ上に積層された所定のアンダーフィル材とを備える積層シート及びこれを用いる半導体装置の製造方法を例に説明する。従って、本実施形態では、粘着テープとしてダイシングテープを用いる。以下の説明は基本的にアンダーフィル材単独の場合にも適用することができる。
【００２４】
本実施形態では両面に回路が形成された半導体ウェハを用いて半導体装置を製造する。また、ダイシングテープ上でのダイシング、半導体素子のピックアップを行い、最後に半導体素子を被着体に実装する。
【００２５】
本実施形態の代表的な工程としては、上記積層シートを準備する準備工程、接続部材を有する回路面が両面に形成された半導体ウェハと上記積層シートのアンダーフィル材とを貼り合わせる貼合せ工程、上記半導体ウェハをダイシングして上記アンダーフィル材付きの半導体素子を形成するダイシング工程、上記アンダーフィル材付きの半導体素子を上記積層シートから剥離するピックアップ工程、上記半導体素子と上記被着体との相対位置を互いの接続予定位置に整合させる位置整合工程、及び上記被着体と上記半導体素子の間の空間を上記アンダーフィル材で充填しつつ上記接続部材を介して上記半導体素子と上記被着体とを電気的に接続する接続工程を含む。
【００２６】
［準備工程］
（積層シート）
準備工程では、ダイシングテープ１と該ダイシングテープ１上に積層された所定のアンダーフィル材２とを備える積層シート１０を準備する（図１Ａ参照）。
【００２７】
（ダイシングテープ）
ダイシングテープ１は、基材１ａと、基材１ａ上に積層された粘着剤層１ｂとを備えている。アンダーフィル材２は、粘着剤層１ｂ上に積層されている。なお、アンダーフィル材２は、図１Ａに示したように、半導体ウェハ３との貼り合わせに十分なサイズで設けられていればよく、ダイシングテープ１の全面に積層されていてもよい。
【００２８】
（基材）
上記基材１ａは積層シート１０の強度母体となるものである。例えば、低密度ポリエチレン、直鎖状ポリエチレン、中密度ポリエチレン、高密度ポリエチレン、超低密度ポリエチレン、ランダム共重合ポリプロピレン、ブロック共重合ポリプロピレン、ホモポリプロレン、ポリブテン、ポリメチルペンテン等のポリオレフィン、エチレン−酢酸ビニル共重合体、アイオノマー樹脂、エチレン−（メタ）アクリル酸共重合体、エチレン−（メタ）アクリル酸エステル（ランダム、交互）共重合体、エチレン−ブテン共重合体、エチレン−ヘキセン共重合体、ポリウレタン、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート等のポリエステル、ポリカーボネート、ポリイミド、ポリエーテルエーテルケトン、ポリイミド、ポリエーテルイミド、ポリアミド、全芳香族ポリアミド、ポリフェニルスルフイド、アラミド（紙）、ガラス、ガラスクロス、フッ素樹脂、ポリ塩化ビニル、ポリ塩化ビニリデン、セルロース系樹脂、シリコーン樹脂、金属（箔）、紙等が挙げられる。粘着剤層１ｂが紫外線硬化型である場合、基材１ａは紫外線に対し透過性を有するものが好ましい。
【００２９】
また基材１ａの材料としては、上記樹脂の架橋体等のポリマーが挙げられる。上記プラスチックフィルムは、無延伸で用いてもよく、必要に応じて一軸又は二軸の延伸処理を施したものを用いてもよい。
【００３０】
基材１ａの表面は、隣接する層との密着性、保持性等を高めるため、慣用の表面処理、例えば、クロム酸処理、オゾン暴露、火炎暴露、高圧電撃暴露、イオン化放射線処理等の化学的又は物理的処理、下塗剤（例えば、後述する粘着物質）によるコーティング処理を施すことができる。
【００３１】
上記基材１ａは、同種又は異種のものを適宜に選択して使用することができ、必要に応じて数種をブレンドしたものを用いることができる。また、基材１ａには、帯電防止能を付与するため、上記の基材１ａ上に金属、合金、これらの酸化物等からなる厚さが３０〜５００Å程度の導電性物質の蒸着層を設けることができる。基材に帯電防止剤を添加することによっても帯電防止能を付与することができる。基材１ａは単層又は２種以上の複層でもよい。
【００３２】
基材１ａの厚さは適宜に決定でき、一般的には５μｍ以上２００μｍ以下程度であり、好ましくは３５μｍ以上１２０μｍ以下である。
【００３３】
なお、基材１ａには、本発明の効果等を損なわない範囲で、各種添加剤（例えば、着色剤、充填剤、可塑剤、老化防止剤、酸化防止剤、界面活性剤、難燃剤等）が含まれていてもよい。
【００３４】
（粘着剤層）
粘着剤層１ｂの形成に用いる粘着剤は、ダイシングの際にアンダーフィル材を介して半導体ウェハをしっかり保持するとともに、ピックアップの際にアンダーフィル材付きの半導体素子を剥離可能に制御できるものであれば特に制限されない。例えば、アクリル系粘着剤、ゴム系粘着剤等の一般的な感圧性接着剤を用いることができる。上記感圧性接着剤としては、半導体ウェハやガラス等の汚染をきらう電子部品の超純水やアルコール等の有機溶剤による清浄洗浄性等の点から、アクリル系ポリマーをベースポリマーとするアクリル系粘着剤が好ましい。
【００３５】
上記アクリル系ポリマーとしては、アクリル酸エステルを主モノマー成分として用いたものが挙げられる。上記アクリル酸エステルとしては、例えば、（メタ）アクリル酸アルキルエステル（例えば、メチルエステル、エチルエステル、プロピルエステル、イソプロピルエステル、ブチルエステル、イソブチルエステル、ｓ−ブチルエステル、ｔ−ブチルエステル、ペンチルエステル、イソペンチルエステル、ヘキシルエステル、ヘプチルエステル、オクチルエステル、２−エチルヘキシルエステル、イソオクチルエステル、ノニルエステル、デシルエステル、イソデシルエステル、ウンデシルエステル、ドデシルエステル、トリデシルエステル、テトラデシルエステル、ヘキサデシルエステル、オクタデシルエステル、エイコシルエステル等のアルキル基の炭素数１〜３０、特に炭素数４〜１８の直鎖状又は分岐鎖状のアルキルエステル等）及び（メタ）アクリル酸シクロアルキルエステル（例えば、シクロペンチルエステル、シクロヘキシルエステル等）の１種又は２種以上を単量体成分として用いたアクリル系ポリマー等が挙げられる。なお、（メタ）アクリル酸エステルとはアクリル酸エステル及び／又はメタクリル酸エステルをいい、本発明の（メタ）とは全て同様の意味である。
【００３６】
上記アクリル系ポリマーは、凝集力、耐熱性等の改質を目的として、必要に応じ、上記（メタ）アクリル酸アルキルエステル又はシクロアルキルエステルと共重合可能な他のモノマー成分に対応する単位を含んでいてもよい。このようなモノマー成分として、例えば、アクリル酸、メタクリル酸、カルボキシエチル（メタ）アクリレート、カルボキシペンチル（メタ）アクリレート、イタコン酸、マレイン酸、フマル酸、クロトン酸等のカルボキシル基含有モノマー；無水マレイン酸、無水イタコン酸等の酸無水物モノマー；（メタ）アクリル酸２−ヒドロキシエチル、（メタ）アクリル酸２−ヒドロキシプロピル、（メタ）アクリル酸４−ヒドロキシブチル、（メタ）アクリル酸６−ヒドロキシヘキシル、（メタ）アクリル酸８−ヒドロキシオクチル、（メタ）アクリル酸１０−ヒドロキシデシル、（メタ）アクリル酸１２−ヒドロキシラウリル、（４−ヒドロキシメチルシクロヘキシル）メチル（メタ）アクリレート等のヒドロキシル基含有モノマー；スチレンスルホン酸、アリルスルホン酸、２−（メタ）アクリルアミド−２−メチルプロパンスルホン酸、（メタ）アクリルアミドプロパンスルホン酸、スルホプロピル（メタ）アクリレート、（メタ）アクリロイルオキシナフタレンスルホン酸等のスルホン酸基含有モノマー；２−ヒドロキシエチルアクリロイルホスフェート等のリン酸基含有モノマー；アクリルアミド、アクリロニトリル等があげられる。これら共重合可能なモノマー成分は、１種又は２種以上使用できる。これら共重合可能なモノマーの使用量は、全モノマー成分の４０重量％以下が好ましい。
【００３７】
さらに、上記アクリル系ポリマーは、架橋させるため、多官能性モノマー等も、必要に応じて共重合用モノマー成分として含むことができる。このような多官能性モノマーとして、例えば、ヘキサンジオールジ（メタ）アクリレート、（ポリ）エチレングリコールジ（メタ）アクリレート、（ポリ）プロピレングリコールジ（メタ）アクリレート、ネオペンチルグリコールジ（メタ）アクリレート、ペンタエリスリトールジ（メタ）アクリレート、トリメチロールプロパントリ（メタ）アクリレート、ペンタエリスリトールトリ（メタ）アクリレート、ジペンタエリスリトールヘキサ（メタ）アクリレート、エポキシ（メタ）アクリレート、ポリエステル（メタ）アクリレート、ウレタン（メタ）アクリレート等があげられる。これらの多官能性モノマーも１種又は２種以上用いることができる。多官能性モノマーの使用量は、粘着特性等の点から、全モノマー成分の３０重量％以下が好ましい。
【００３８】
上記アクリル系ポリマーは、単一モノマー又は２種以上のモノマー混合物を重合に付すことにより得られる。重合は、溶液重合、乳化重合、塊状重合、懸濁重合等の何れの方式で行うこともできる。清浄な被着体への汚染防止等の点から、低分子量物質の含有量が小さいのが好ましい。この点から、アクリル系ポリマーの数平均分子量は、好ましくは３０万以上、さらに好ましくは４０万〜３００万程度である。
【００３９】
また、上記粘着剤には、ベースポリマーであるアクリル系ポリマー等の数平均分子量を高めるため、外部架橋剤を適宜に採用することもできる。外部架橋方法の具体的手段としては、ポリイソシアネート化合物、エポキシ化合物、アジリジン化合物、メラミン系架橋剤等のいわゆる架橋剤を添加し反応させる方法があげられる。外部架橋剤を使用する場合、その使用量は、架橋すべきベースポリマーとのバランスにより、さらには、粘着剤としての使用用途によって適宜決定される。一般的には、上記ベースポリマー１００重量部に対して、５重量部程度以下、さらには０．１〜５重量部配合するのが好ましい。さらに、粘着剤には、必要により、上記成分のほかに、従来公知の各種の粘着付与剤、老化防止剤等の添加剤を用いてもよい。
【００４０】
粘着剤層１ｂは放射線硬化型粘着剤により形成することができる。放射線硬化型粘着剤は、紫外線等の放射線の照射により架橋度を増大させてその粘着力を容易に低下させることができ、アンダーフィル材付きの半導体ウェハの剥離を容易に行うことができる。放射線としては、Ｘ線、紫外線、電子線、α線、β線、中性子線等が挙げられる。
【００４１】
放射線硬化型粘着剤は、炭素−炭素二重結合等の放射線硬化性の官能基を有し、かつ粘着性を示すものを特に制限なく使用することができる。放射線硬化型粘着剤としては、例えば、上記アクリル系粘着剤、ゴム系粘着剤等の一般的な感圧性粘着剤に、放射線硬化性のモノマー成分やオリゴマー成分を配合した添加型の放射線硬化性粘着剤を例示できる。
【００４２】
配合する放射線硬化性のモノマー成分としては、例えば、ウレタンオリゴマー、ウレタン（メタ）アクリレート、トリメチロールプロパントリ（メタ）アクリレート、テトラメチロールメタンテトラ（メタ）アクリレート、ペンタエリスリトールトリ（メタ）アクリレート、ペンタエリストールテトラ（メタ）アクリレート、ジペンタエリストールモノヒドロキシペンタ（メタ）アクリレート、ジペンタエリスリトールヘキサ（メタ）アクリレート、１，４−ブタンジオールジ（メタ）アクリレート等があげられる。また放射線硬化性のオリゴマー成分はウレタン系、ポリエーテル系、ポリエステル系、ポリカーボネート系、ポリブタジエン系等種々のオリゴマーがあげられ、その重量平均分子量が１００〜３００００程度の範囲のものが適当である。放射線硬化性のモノマー成分やオリゴマー成分の配合量は、上記粘着剤層の種類に応じて、粘着剤層の粘着力を低下できる量を、適宜に決定することができる。一般的には、粘着剤を構成するアクリル系ポリマー等のベースポリマー１００重量部に対して、例えば５〜５００重量部、好ましくは４０〜１５０重量部程度である。
【００４３】
また、放射線硬化型粘着剤としては、上記説明した添加型の放射線硬化性粘着剤のほかに、ベースポリマーとして、炭素−炭素二重結合をポリマー側鎖または主鎖中もしくは主鎖末端に有するものを用いた内在型の放射線硬化性粘着剤があげられる。内在型の放射線硬化性粘着剤は、低分子成分であるオリゴマー成分等を含有する必要がなく、または多くは含まないため、経時的にオリゴマー成分等が粘着剤在中を移動することなく、安定した層構造の粘着剤層を形成することができるため好ましい。
【００４４】
上記炭素−炭素二重結合を有するベースポリマーは、炭素−炭素二重結合を有し、かつ粘着性を有するものを特に制限なく使用できる。このようなベースポリマーしては、アクリル系ポリマーを基本骨格とするものが好ましい。アクリル系ポリマーの基本骨格としては、上記例示したアクリル系ポリマーがあげられる。
【００４５】
上記アクリル系ポリマーへの炭素−炭素二重結合の導入法は特に制限されず、様々な方法を採用できるが、炭素−炭素二重結合はポリマー側鎖に導入するのが分子設計が容易である。例えば、予め、アクリル系ポリマーに官能基を有するモノマーを共重合した後、この官能基と反応しうる官能基および炭素−炭素二重結合を有する化合物を、炭素−炭素二重結合の放射線硬化性を維持したまま縮合または付加反応させる方法があげられる。
【００４６】
これら官能基の組合せの例としては、カルボキシル基とエポキシ基、カルボキシル基とアジリジル基、ヒドロキシル基とイソシアネート基等があげられる。これら官能基の組合せのなかでも反応追跡の容易さから、ヒドロキシル基とイソシアネート基との組合せが好適である。また、これら官能基の組み合わせにより、上記炭素−炭素二重結合を有するアクリル系ポリマーを生成するような組合せであれば、官能基はアクリル系ポリマーと上記化合物のいずれの側にあってもよいが、上記の好ましい組み合わせでは、アクリル系ポリマーがヒドロキシル基を有し、上記化合物がイソシアネート基を有する場合が好適である。この場合、炭素−炭素二重結合を有するイソシアネート化合物としては、例えば、メタクリロイルイソシアネート、２−メタクリロイルオキシエチルイソシアネート、ｍ−イソプロペニル−α，α−ジメチルベンジルイソシアネート等があげられる。また、アクリル系ポリマーとしては、上記例示のヒドロキシ基含有モノマーや２−ヒドロキシエチルビニルエーテル、４−ヒドロキシブチルビニルエーテル、ジエチレングルコールモノビニルエーテルのエーテル系化合物等を共重合したものが用いられる。
【００４７】
上記内在型の放射線硬化性粘着剤は、上記炭素−炭素二重結合を有するベースポリマー（特にアクリル系ポリマー）を単独で使用することができるが、特性を悪化させない程度に上記放射線硬化性のモノマー成分やオリゴマー成分を配合することもできる。放射線硬化性のオリゴマー成分等は、通常ベースポリマー１００重量部に対して３０重量部の範囲内であり、好ましくは０〜１０重量部の範囲である。
【００４８】
上記放射線硬化型粘着剤には、紫外線等により硬化させる場合には光重合開始剤を含有させることが好ましい。光重合開始剤としては、例えば、４−（２−ヒドロキシエトキシ）フェニル（２−ヒドロキシ−２−プロピル）ケトン、α−ヒドロキシ−α，α´−ジメチルアセトフェノン、２−メチル−２−ヒドロキシプロピオフェノン、１−ヒドロキシシクロヘキシルフェニルケトン等のα−ケトール系化合物；メトキシアセトフェノン、２，２−ジメトキシ−２−フェニルアセトフエノン、２，２−ジエトキシアセトフェノン、２−メチル−１−［４−（メチルチオ）−フェニル］−２−モルホリノプロパン−１等のアセトフェノン系化合物；ベンゾインエチルエーテル、ベンゾインイソプロピルエーテル、アニソインメチルエーテル等のベンゾインエーテル系化合物；ベンジルジメチルケタール等のケタール系化合物；２−ナフタレンスルホニルクロリド等の芳香族スルホニルクロリド系化合物；１−フェニル−１，２―プロパンジオン−２−（Ｏ−エトキシカルボニル）オキシム等の光活性オキシム系化合物；ベンゾフェノン、ベンゾイル安息香酸、３，３′−ジメチル−４−メトキシベンゾフェノン等のベンゾフェノン系化合物；チオキサンソン、２−クロロチオキサンソン、２−メチルチオキサンソン、２，４−ジメチルチオキサンソン、イソプロピルチオキサンソン、２，４−ジクロロチオキサンソン、２，４−ジエチルチオキサンソン、２，４−ジイソプロピルチオキサンソン等のチオキサンソン系化合物；カンファーキノン；ハロゲン化ケトン；アシルホスフィノキシド；アシルホスフォナート等があげられる。光重合開始剤の配合量は、粘着剤を構成するアクリル系ポリマー等のベースポリマー１００重量部に対して、例えば０．０５〜２０重量部程度である。
【００４９】
なお、放射線照射の際に、酸素による硬化阻害が起こる場合は、放射線硬化型の粘着剤層１ｂの表面よりなんらかの方法で酸素（空気）を遮断するのが望ましい。例えば、上記粘着剤層１ｂの表面をセパレータで被覆する方法や、窒素ガス雰囲気中で紫外線等の放射線の照射を行う方法等が挙げられる。
【００５０】
なお、粘着剤層１ｂには、本発明の効果等を損なわない範囲で、各種添加剤（例えば、着色剤、増粘剤、増量剤、充填剤、粘着付与剤、可塑剤、老化防止剤、酸化防止剤、界面活性剤、架橋剤等）が含まれていてもよい。
【００５１】
粘着剤層１ｂの厚さは特に限定されないが、半導体ウェハの研削面の欠け防止、アンダーフィル材２の固定保持の両立性等の観点から１〜５０μｍ程度であるのが好ましい。好ましくは５〜４０μｍ、さらには好ましくは１０〜３０μｍである。
【００５２】
（アンダーフィル材）
本実施形態におけるアンダーフィル材２は、表面実装（例えばフリップチップ実装等）された半導体素子と被着体との間の空間を充填する封止用フィルムとして好適に用いることができる。
【００５３】
アンダーフィル材２では、加熱処理前の１５０℃での溶融粘度が５０Ｐａ・ｓ以上３０００Ｐａ・ｓ以下である。上記溶融粘度は７５Ｐａ・ｓ以上２、０００Ｐａ・ｓ以下が好ましく、１００Ｐａ・ｓ以上１、０００Ｐａ・ｓ以下がより好ましい。上記下限の採用により、アンダーフィル材の半導体チップからのはみ出しを防止することができる。一方、上記上限の採用により、接続部材のアンダーフィル材への進入が容易となって電気的接続の確実性を向上させることができる。
【００５４】
また、アンダーフィル材２では、加熱処理前後での１５０℃における粘度変化率が５００％以下である。該粘度変化率は、４００％以下が好ましく、３００％以下がより好ましい。粘度変化率の下限は１００％が好ましいものの、アンダーフィル材の硬化性を考慮すると１５０％以上であってもよい。粘度変化率を上記範囲とすることで、加熱処理後における過度の粘度上昇を抑制し、アンダーフィル材が熱履歴を経ても良好な電気的接続を達成することができる。
【００５５】
さらに、アンダーフィル材２では、ＤＳＣ測定における−５０℃から３００℃までの昇温過程での全発熱量をＱｔとし、１７５℃で２時間加熱後の−５０℃から３００℃までの昇温過程での全発熱量をＱｈとした際の{（Ｑｔ−Ｑｈ）／Ｑｔ}×１００で表わされる反応率が９０％以上である。反応率は９０％以上であればよいものの、９２％以上が好ましく、９５％以上がより好ましい。アンダーフィル材では加熱後の粘度上昇が抑制されており、かつ１７５℃で２時間加熱した際にはアンダーフィル材の硬化反応が９０％以上進行するので、高温ないし長時間での硬化処理を行う必要がなく、半導体装置の製造プロセスの効率化に寄与することができる。また、アンダーフィル材の硬化反応を十分に進行させることができ、耐湿耐熱信頼性を向上させることができる。
【００５６】
アンダーフィル材の構成材料としては、樹脂成分、潜在性硬化促進剤、架橋剤、他の有機系添加剤等の有機成分（溶媒を除く。）や、無機充填剤、他の無機系添加剤等の無機成分等が挙げられる。樹脂成分としては、熱可塑性樹脂と熱硬化性樹脂とを併用したものが挙げられる。また、熱可塑性樹脂や熱硬化性樹脂単独でも使用可能である。
【００５７】
（熱可塑性樹脂）
前記熱可塑性樹脂としては、天然ゴム、ブチルゴム、イソプレンゴム、クロロプレンゴム、エチレン−酢酸ビニル共重合体、エチレン−アクリル酸共重合体、エチレン−アクリル酸エステル共重合体、ポリブタジエン樹脂、ポリカーボネート樹脂、熱可塑性ポリイミド樹脂、６−ナイロンや６，６−ナイロン等のポリアミド樹脂、フェノキシ樹脂、アクリル樹脂、ＰＥＴやＰＢＴ等の飽和ポリエステル樹脂、ポリアミドイミド樹脂、又はフッ素樹脂等が挙げられる。これらの熱可塑性樹脂は単独で、又は２種以上を併用して用いることができる。これらの熱可塑性樹脂のうち、イオン性不純物が少なく耐熱性が高く、半導体素子の信頼性を確保できるアクリル樹脂が特に好ましい。
【００５８】
前記アクリル樹脂としては、特に限定されるものではなく、炭素数３０以下、特に炭素数４〜１８の直鎖若しくは分岐のアルキル基を有するアクリル酸又はメタクリル酸のエステルの１種又は２種以上を成分とする重合体等が挙げられる。前記アルキル基としては、例えばメチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、ｔ−ブチル基、イソブチル基、アミル基、イソアミル基、へキシル基、へプチル基、シクロヘキシル基、２−エチルヘキシル基、オクチル基、イソオクチル基、ノニル基、イソノニル基、デシル基、イソデシル基、ウンデシル基、ラウリル基、トリデシル基、テトラデシル基、ステアリル基、オクタデシル基、又はエイコシル基等が挙げられる。
【００５９】
また、前記重合体を形成する他のモノマーとしては、特に限定されるものではなく、例えばアクリル酸、メタクリル酸、カルボキシエチルアクリレート、カルボキシペンチルアクリレート、イタコン酸、マレイン酸、フマール酸若しくはクロトン酸等の様なカルボキシル基含有モノマー、無水マレイン酸若しくは無水イタコン酸等の様な酸無水物モノマー、（メタ）アクリル酸２−ヒドロキシエチル、（メタ）アクリル酸２−ヒドロキシプロピル、（メタ）アクリル酸４−ヒドロキシブチル、（メタ）アクリル酸６−ヒドロキシヘキシル、（メタ）アクリル酸８−ヒドロキシオクチル、（メタ）アクリル酸１０−ヒドロキシデシル、（メタ）アクリル酸１２−ヒドロキシラウリル若しくは（４−ヒドロキシメチルシクロヘキシル）−メチルアクリレート等の様なヒドロキシル基含有モノマー、スチレンスルホン酸、アリルスルホン酸、２−（メタ）アクリルアミド−２−メチルプロパンスルホン酸、（メタ）アクリルアミドプロパンスルホン酸、スルホプロピル（メタ）アクリレート若しくは（メタ）アクリロイルオキシナフタレンスルホン酸等の様なスルホン酸基含有モノマー、又は２−ヒドロキシエチルアクリロイルホスフェート等の様な燐酸基含有モノマー、アクリロニトリル等のようなシアノ基含有モノマー等が挙げられる。
【００６０】
（熱硬化性樹脂）
前記熱硬化性樹脂としては、フェノール樹脂、アミノ樹脂、不飽和ポリエステル樹脂、エポキシ樹脂、ポリウレタン樹脂、シリコーン樹脂、又は熱硬化性ポリイミド樹脂等が挙げられる。これらの樹脂は、単独で又は２種以上を併用して用いることができる。特に、半導体素子を腐食させるイオン性不純物等の含有が少ないエポキシ樹脂が好ましい。また、エポキシ樹脂の硬化剤としてはフェノール樹脂が好ましい。
【００６１】
前記エポキシ樹脂は、接着剤組成物として一般に用いられるものであれば特に限定は無く、例えばビスフェノールＡ型、ビスフェノールＦ型、ビスフェノールＳ型、臭素化ビスフェノールＡ型、水添ビスフェノールＡ型、ビスフェノールＡＦ型、ビフェニル型、ナフタレン型、フルオンレン型、フェノールノボラック型、オルソクレゾールノボラック型、トリスヒドロキシフェニルメタン型、テトラフェニロールエタン型等の二官能エポキシ樹脂や多官能エポキシ樹脂、又はヒダントイン型、トリスグリシジルイソシアヌレート型若しくはグリシジルアミン型等のエポキシ樹脂が用いられる。これらは単独で、又は２種以上を併用して用いることができる。これらのエポキシ樹脂のうちノボラック型エポキシ樹脂、ビフェニル型エポキシ樹脂、トリスヒドロキシフェニルメタン型樹脂又はテトラフェニロールエタン型エポキシ樹脂が特に好ましい。これらのエポキシ樹脂は、硬化剤としてのフェノール樹脂との反応性に富み、耐熱性等に優れるからである。
【００６２】
さらに、前記フェノール樹脂は、前記エポキシ樹脂の硬化剤として作用するものであり、例えば、フェノールノボラック樹脂、フェノールアラルキル樹脂、クレゾールノボラック樹脂、ｔｅｒｔ−ブチルフェノールノボラック樹脂、ノニルフェノールノボラック樹脂等のノボラック型フェノール樹脂、レゾール型フェノール樹脂、ポリパラオキシスチレン等のポリオキシスチレン等が挙げられる。これらは単独で、又は２種以上を併用して用いることができる。これらのフェノール樹脂のうちフェノールノボラック樹脂、フェノールアラルキル樹脂が特に好ましい。半導体装置の接続信頼性を向上させることができるからである。
【００６３】
前記エポキシ樹脂とフェノール樹脂の配合割合は、例えば、前記エポキシ樹脂成分中のエポキシ基１当量当たりフェノール樹脂中の水酸基が０．５〜２．０当量になるように配合することが好適である。より好適なのは、０．８〜１．２当量である。すなわち、両者の配合割合が前記範囲を外れると、十分な硬化反応が進まず、エポキシ樹脂硬化物の特性が劣化し易くなるからである。
【００６４】
なお、本発明においては、エポキシ樹脂、フェノール樹脂及びアクリル樹脂を用いたアンダーフィル材が特に好ましい。これらの樹脂は、イオン性不純物が少なく耐熱性が高いので、半導体素子の信頼性を確保できる。この場合の配合比は、アクリル樹脂成分１００重量部に対して、エポキシ樹脂とフェノール樹脂の混合量が５０〜５００重量部である。
【００６５】
（潜在性硬化促進剤）
アンダーフィル材は硬化促進剤を含むことが好ましい。また、アンダーフィル材は潜在性硬化促進剤を含むことが好ましい。硬化促進剤として潜在性硬化促進剤を含むことで、加熱処理後の粘度上昇抑制と硬化反応性とをより高いレベルで両立することができる。潜在性硬化促進剤とは、ある特定の条件下（温度等）で硬化促進機能が発現されるものである。
【００６６】
潜在性硬化促進剤としては、例えば通常の硬化促進剤をマイクロカプセル等で保護したもの、硬化促進剤と各種化合物とが塩を形成した構造のもの等が挙げられる。このような潜在性硬化促進剤においては、例えば、特定の温度を超えるとマイクロカプセルや塩から硬化促進剤が系中に放出され、硬化促進機能を発現する。アンダーフィル材が目的とする粘度変化率、溶融粘度及び反応率を発揮するように適宜選択して用いることができる。
【００６７】
潜在性硬化剤の例としては、アミン化合物とエポキシ化合物の反応生成物（アミンーエポキシアダクト系）、アミン化合物とイソシアネート化合物、尿素化合物との反応生成物（尿素型アダクト系）が挙げられる。さらには、アンダーフィル材に不溶な固体粒子であって、加熱成形時に解離して硬化促進作用を発現するアミン化合物と有機酸との塩類、アミン化合物又はリン化合物にπ結合をもつ化合物を付加してなる分子内分極を有する化合物が潜在性硬化剤として好適に使用できる。
【００６８】
潜在性硬化剤を具体的に例示すれば、１，８−ジアザ−ビシクロ〔５．４．０〕ウンデカ−７−エン、１，５−ジアザ−ビシクロ〔４．３．０〕ノナ−５−エン、６−ジブチルアミノ−１，８−ジアザ−ビジクロ〔５．４．０〕ウンデカ−７−エン等のシクロアミジン化合物と有機酸との塩；トリエチレンアミン、ベンジルジメチルアミン、トリエタノールアミン、ジメチルアミンエタノール、トリス（ジメチルアミノメチル）フェノール等の三級アミン化合物の誘導体；２−メチルイミダゾール、２−エチル−４−メチルイミダゾール、２−フェニルイミダゾール、２−フェニル−４−メチルイミダゾール、２−ヘプタデシルイミダゾール等のイミダゾール化合物の誘導体；トリブチルホスフィン、メチルジフェニルホスフィン、トリフェニルホスフィン、ジフェニルホスフィン、フェニルホスフィン等の有機ホスフィン化合物に無水マレイン酸、１，４−ベンゾキノン、２，５−トルキノン、１，４−ナフトキノン、２，３−ジメチルベンゾキノン、２，６−ジメチルベンゾキノン、２，３−ジメトキシ−５−メチル−１，４−ベンゾキノン、２，３−ジメトキシ−１，４−ベンゾキノン、フェニル−１，４−ベンゾキノン等のキノン化合物、ジアゾフェニルメタン、フェノール樹脂等のπ結合をもつ化合物を付加してなる、分子内分極を有するリン化合物及びこれらの誘導体；トリフェニルホスフィントリフェニルボロン、テトラフェニルホスホニウムテトラフェニルボレート、２−エチル−４−メチルイミダゾールテトラフェニルボレート、Ｎ−メチルモルホリンテトラフェニルボレート等のフェニルボロン塩及びこれらの誘導体等が挙げられる。これらの潜在性硬化剤は１種を単独で用いても２種以上を組み合わせてもよい。これらの中でもテトラフェニルホスホニウムテトラフェニルボレートが好ましい。
【００６９】
上記塩を構成する有機酸としては特に制限されず、通常用いられる有機酸から適宜選択することができる。上記塩を構成する有機酸としては、大きくフェノール化合物、脂肪族カルボキシ化合物、芳香族カルボキシ化合物に分けられる。
【００７０】
フェノール化合物としては、特に制限はないが、例えばフェノール、クレゾール、レゾルシン、カテコール、ビスフェノールＡ、ビスフェノールＦ、フェニルフェノール、チオジフェノール、アミノフェノール等のフェノール類及びα―ナフトール、β―ナフトール、ジヒドロキシナフタレン等のナフトール類から選ばれる少なくとも１種と、ホルムアルデヒド、ベンズアルデヒド、サリチルアルデヒド等のアルデヒド基を有する化合物とを酸性触媒下で縮合又は共縮合させて得られるノボラック型フェノール樹脂；フェノール類及びナフトール類から選ばれる少なくとも１種と、ジメトキシパラキシレン又はビス（メトキシメチル）ビフェニルから合成されるフェノール・アラルキル樹脂；ナフトール・アラルキル樹脂等のアラルキル型フェノール樹脂；フェノール・ノボラック構造とフェノール・アラルキル樹脂がランダム・ブロック又は交互に繰り返された共重合型フェノール・アラルキル樹脂；パラキシリレン及び／又はメタキシリレン変性フェノール樹脂；メラミン変性フェノール樹脂；テルペン変性フェノール樹脂；ジシクロペンタジエン変性フェノール樹脂；シクロペンタジエン変性フェノール樹脂；多環芳香環変性フェノール樹脂等が挙げられる。
【００７１】
また脂肪族カルボキシ化合物としては、シュウ酸、乳酸、酒石酸、マレイン酸、フマル酸、マロン酸、コハク酸、リンゴ酸、クエン酸、アコニット酸、グルタル酸、アジピン酸、ギ酸、酢酸、プロピオン酸、酪酸、イソ酪酸、吉草酸、イソ吉草酸、カプロン酸、エナント酸、カプリル酸、ペラルゴン酸、カプリン酸、ラウリン酸、ミリスチン酸、ペンタデシル酸、パルミチン酸、マルガリン酸、ステアリン酸、オレイン酸、リノール酸、リノレン酸、ツベルクロステアリン酸、アラキジン酸、アラキドン酸、エイコサペンタエン酸、ベヘン酸、ドコサヘキサエン酸、リグノセリン酸、セロチン酸、モンタン酸、メリシン酸、Ｌ−アスコルビン酸等が挙げられる。
【００７２】
芳香族カルボキシ化合物としては、サリチル酸、没食子酸、安息香酸、フタル酸、ケイ皮酸、メリト酸、オキソカルボン酸、ピルビン酸等が挙げられる。その他の有機酸としては、アミノ酸等が挙げられる。
【００７３】
アンダーフィル材が潜在性硬化促進剤を含む場合の潜在性硬化促進剤の含有量は特に制限されない。潜在性硬化促進剤の含有量は、上記アクリル樹脂１００重量部に対して、１〜２重量部以上が好ましく、１．２〜１．８重量部がより好ましい。上記範囲とすることで、硬化反応性をより向上させることができるとともに、過度の粘度上昇をより効率的に抑制することができる。
【００７４】
（架橋剤）
本実施形態のアンダーフィル材２を予めある程度架橋をさせておく場合には、作製に際し、重合体の分子鎖末端の官能基等と反応する多官能性化合物を架橋剤として添加させておくのがよい。これにより、高温下での接着特性を向上させ、耐熱性の改善を図ることができる。
【００７５】
前記架橋剤としては、特に、トリレンジイソシアネート、ジフェニルメタンジイソシアネート、ｐ−フェニレンジイソシアネート、１，５−ナフタレンジイソシアネート、多価アルコールとジイソシアネートの付加物等のポリイソシアネート化合物がより好ましい。架橋剤の添加量としては、前記の重合体１００重量部に対し、通常０．０５〜７重量部とするのが好ましい。架橋剤の量が７重量部より多いと、接着力が低下するので好ましくない。その一方、０．０５重量部より少ないと、凝集力が不足するので好ましくない。また、この様なポリイソシアネート化合物と共に、必要に応じて、エポキシ樹脂等の他の多官能性化合物を一緒に含ませるようにしてもよい。
【００７６】
（無機充填剤）
また、アンダーフィル材２には、無機充填剤を適宜配合することができる。無機充填剤の配合は、導電性の付与や熱伝導性の向上、貯蔵弾性率の調節等を可能にする。
【００７７】
前記無機充填剤としては、例えば、シリカ、クレー、石膏、炭酸カルシウム、硫酸バリウム、酸化アルミナ、酸化ベリリウム、炭化珪素、窒化珪素等のセラミック類、アルミニウム、銅、銀、金、ニッケル、クロム、鉛、錫、亜鉛、パラジウム、はんだ等の金属、又は合金類、その他カーボン等からなる種々の無機粉末が挙げられる。これらは、単独で又は２種以上を併用して用いることができる。なかでも、シリカ、特に溶融シリカが好適に用いられる。
【００７８】
無機充填剤の平均粒径は特に限定されないものの、０．００５〜１０μｍの範囲内であることが好ましく、０．０１〜５μｍの範囲内であることがより好ましく、さらに好ましくは０．０５〜２．０μｍである。上記無機充填剤の平均粒径が０．００５μｍを下回ると、粒子の凝集が発生しやすくなり、アンダーフィル材の形成が困難となる場合がある。また、アンダーフィル材の可撓性が低下する原因にもなる。一方、上記平均粒径が１０μｍを超えると、アンダーフィル材と被着体との接合部への無機粒子の噛み込みが発生しやすくなるため、半導体装置の接続信頼性が低下するおそれがある。また、粒子の粗大化によりヘイズが上昇するおそれがある。なお、本発明においては、平均粒径が相互に異なる無機充填剤同士を組み合わせて使用してもよい。また、平均粒径は、光度式の粒度分布計（ＨＯＲＩＢＡ製、装置名；ＬＡ−９１０）により求めた値である。
【００７９】
前記無機充填剤の配合量は、樹脂成分１００重量部に対し１０〜４００重量部であることが好ましく、５０〜２５０重量部がより好ましい。無機充填剤の配合量が１０重量部未満であると、貯蔵弾性率が低下しパッケージの応力信頼性が大きく損なわれる場合がある。一方、４００重量部を超えると、アンダーフィル材２の流動性が低下し基板や半導体素子の凹凸に十分に埋まり込まずにボイドやクラックの原因となる場合がある。
【００８０】
（他の添加剤）
なお、アンダーフィル材２には、前記無機充填剤以外に、必要に応じて他の添加剤を適宜に配合することができる。他の添加剤としては、例えば難燃剤、シランカップリング剤又はイオントラップ剤等が挙げられる。前記難燃剤としては、例えば、三酸化アンチモン、五酸化アンチモン、臭素化エポキシ樹脂等が挙げられる。これらは、単独で、又は２種以上を併用して用いることができる。前記シランカップリング剤としては、例えば、β−（３、４−エポキシシクロヘキシル）エチルトリメトキシシラン、γ−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、γ−グリシドキシプロピルメチルジエトキシシラン等が挙げられる。これらの化合物は、単独で又は２種以上を併用して用いることができる。前記イオントラップ剤としては、例えばハイドロタルサイト類、水酸化ビスマス等が挙げられる。これらは、単独で又は２種以上を併用して用いることができる。
【００８１】
（アンダーフィル材の他の性状）
熱硬化前の上記アンダーフィル材２の温度２３℃、湿度７０％の条件下における吸水率は、１重量％以下であることが好ましく、０．５重量％以下であることがより好ましい。アンダーフィル材２が上記のような吸水率を有することにより、アンダーフィル材２への水分の吸収が抑制され、半導体素子３１の実装時のボイドの発生をより効率的に抑制することができる。なお、上記吸水率の下限は小さいほど好ましく、実質的に０重量％が好ましく、０重量％であることがより好ましい。
【００８２】
アンダーフィル材２の厚さ（複層の場合は総厚）は特に限定されないものの、アンダーフィル材２の強度や半導体素子３１と被着体１６との間の空間の充填性を考慮すると１０μｍ以上１００μｍ以下程度であってもよい。なお、アンダーフィル材２の厚さは、半導体素子３１と被着体１６との間のギャップや接続部材の高さを考慮して適宜設定すればよい。
【００８３】
積層シート１０のアンダーフィル材２は、セパレータにより保護されていることが好ましい（図示せず）。セパレータは、実用に供するまでアンダーフィル材２を保護する保護材としての機能を有している。セパレータは積層シートのアンダーフィル材２上に半導体ウェハ３を貼着する際に剥がされる。セパレータとしては、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリエチレン、ポリプロピレンや、フッ素系剥離剤、長鎖アルキルアクリレート系剥離剤等の剥離剤により表面コートされたプラスチックフィルムや紙等も使用可能である。
【００８４】
（積層シートの製造方法）
本実施の形態に係る積層シート１０は、例えばダイシングテープ１及びアンダーフィル材２を別々に作製しておき、最後にこれらを貼り合わせることにより作成することができる。具体的には、以下のような手順に従って作製することができる。
【００８５】
まず、基材１ａは、従来公知の製膜方法により製膜することができる。当該製膜方法としては、例えばカレンダー製膜法、有機溶媒中でのキャスティング法、密閉系でのインフレーション押出法、Ｔダイ押出法、共押出し法、ドライラミネート法等が例示できる。
【００８６】
次に、粘着剤層形成用の粘着剤組成物を調製する。粘着剤組成物には、粘着剤層の項で説明したような樹脂や添加物等が配合されている。調製した粘着剤組成物を基材１ａ上に塗布して塗布膜を形成した後、該塗布膜を所定条件下で乾燥させ（必要に応じて加熱架橋させて）、粘着剤層１ｂを形成する。塗布方法としては特に限定されず、例えば、ロール塗工、スクリーン塗工、グラビア塗工等が挙げられる。また、乾燥条件としては、例えば乾燥温度８０〜１５０℃、乾燥時間０．５〜５分間の範囲内で行われる。また、セパレータ上に粘着剤組成物を塗布して塗布膜を形成した後、上記乾燥条件で塗布膜を乾燥させて粘着剤層１ｂを形成してもよい。その後、基材１ａ上に粘着剤層１ｂをセパレータと共に貼り合わせる。これにより、基材１ａ及び粘着剤層１ｂを備えるダイシングテープ１が作製される。
【００８７】
アンダーフィル材２は、例えば、以下のようにして作製される。まず、アンダーフィル材２の形成材料である接着剤組成物を調製する。当該接着剤組成物には、アンダーフィル材の項で説明したとおり、熱可塑性成分やエポキシ樹脂、各種の添加剤等が配合されている。
【００８８】
次に、調製した接着剤組成物を基材セパレータ上に所定厚みとなる様に塗布して塗布膜を形成した後、該塗布膜を所定条件下で乾燥させ、アンダーフィル材を形成する。塗布方法としては特に限定されず、例えば、ロール塗工、スクリーン塗工、グラビア塗工等が挙げられる。また、乾燥条件としては、例えば乾燥温度７０〜１６０℃、乾燥時間１〜５分間の範囲内で行われる。また、セパレータ上に接着剤組成物を塗布して塗布膜を形成した後、上記乾燥条件で塗布膜を乾燥させてアンダーフィル材を形成してもよい。その後、基材セパレータ上にアンダーフィル材をセパレータと共に貼り合わせる。
【００８９】
続いて、ダイシングテープ１及びアンダーフィル材２からそれぞれセパレータを剥離し、アンダーフィル材と粘着剤層とが貼り合わせ面となる様にして両者を貼り合わせる。貼り合わせは、例えば圧着により行うことができる。このとき、ラミネート温度は特に限定されず、例えば３０〜１００℃が好ましく、４０〜８０℃がより好ましい。また、線圧は特に限定されず、例えば０．９８〜１９６Ｎ／ｃｍが好ましく、９．８〜９８Ｎ／ｃｍがより好ましい。次に、アンダーフィル材上の基材セパレータを剥離し、本実施の形態に係る積層シートが得られる。
【００９０】
［貼合せ工程］
貼合せ工程では、図１Ａに示すように、接続部材４ａを有する回路面３ａ及び裏面電極４ｂを有する回路面３ｂが両面に形成された半導体ウェハ３と上記積層シートのアンダーフィル材２とを貼り合わせる。なお、所定の厚さに薄型化された半導体ウェハの強度は弱いことから、補強のために半導体ウェハを仮固定材を介してサポートガラス等の支持体に固定することがある（図示せず）。この場合は、半導体ウェハとアンダーフィル材との貼り合わせ後に、仮固定材とともに支持体を剥離する工程を含んでいてもよい。半導体ウェハ３のいずれの回路面とアンダーフィル材２とを貼り合わせるかは、目的とする半導体装置の構造に応じて変更すればよい。
【００９１】
（半導体ウェハ）
半導体ウェハ３の回路面３ａ、３ｂには、それぞれ複数の接続部材４ａ及び複数の裏面電極４ｂが形成されている（図１Ａ参照）。バンプや導電材等の接続部材や裏面電極の材質としては、特に限定されず、例えば、錫−鉛系金属材、錫−銀系金属材、錫−銀−銅系金属材、錫−亜鉛系金属材、錫−亜鉛−ビスマス系金属材等のはんだ類（合金）や、金系金属材、銅系金属材等が挙げられる。接続部材及び裏面電極の高さも用途に応じて定められ、一般的には１５〜１００μｍ程度である。もちろん、半導体ウェハ３における個々の接続部材の高さは同一でも異なっていてもよい。
【００９２】
半導体ウェハ３の両面の接続部材４ａと裏面電極４ｂとは電気的に接続されていてもよく、接続されていなくてもよい。両者の電気的接続には、ＴＳＶ形式と呼ばれるビアを介しての接続等が挙げられる。
【００９３】
本実施形態に係る半導体装置の製造方法において、アンダーフィル材の厚さとしては、半導体ウェハ表面に形成された接続部材の高さＸ（μｍ）と前記アンダーフィル材の厚さＹ（μｍ）とが、下記の関係を満たすことが好ましい。
０．５≦Ｙ／Ｘ≦２
【００９４】
前記接続部材の高さＸ（μｍ）と前記硬化フィルムの厚さＹ（μｍ）とが上記関係を満たすことにより、半導体素子と被着体との間の空間を十分に充填することができると共に、当該空間からのアンダーフィル材の過剰のはみ出しを防止することができ、アンダーフィル材による半導体素子の汚染等を防止することができる。なお、各接続部材の高さが異なる場合は、最も高い接続部材の高さを基準とする。
【００９５】
（貼り合わせ）
まず、積層シート１０のアンダーフィル材２上に任意に設けられたセパレータを適宜に剥離し、図１Ａに示すように、前記半導体ウェハ３の接続部材４ａが形成された回路面３ａとアンダーフィル材２とを対向させ、前記アンダーフィル材２と前記半導体ウェハ３とを貼り合わせる（マウント）。
【００９６】
貼り合わせの方法は特に限定されないが、圧着による方法が好ましい。圧着は通常、圧着ロール等の公知の押圧手段により、好ましくは０．１〜１ＭＰａ、より好ましくは０．３〜０．７ＭＰａの圧力を負荷して押圧しながら行われる。この際、４０〜１００℃程度に加熱しながら圧着させてもよい。また、密着性を高めるために、減圧下（１〜１０００Ｐａ）で圧着することも好ましい。
【００９７】
［ダイシング工程］
ダイシング工程では、直接光や間接光、赤外線等により求めたダイシング位置に基づき、図１Ｂに示すように半導体ウェハ３及びアンダーフィル材２をダイシングしてダイシングされたアンダーフィル材付きの半導体素子３１を形成する。ダイシング工程を経ることで、半導体ウェハ３を所定のサイズに切断して個片化（小片化）し、半導体チップ（半導体素子）３１を製造する。ここで得られる半導体チップ３１は同形状に切断されたアンダーフィル材２と一体になっている。ダイシングは、半導体ウェハ３のアンダーフィル材２を貼り合わせた回路面３ａとは反対側の回路面３ｂ側から常法に従い行われる。
【００９８】
本工程では、例えば、ダイシングブレードによりダイシングテープ１まで切込みを行うフルカットと呼ばれる切断方式等を採用できる。本工程で用いるダイシング装置としては特に限定されず、従来公知のものを用いることができる。また、半導体ウェハは、ダイシングテープ１により優れた密着性で接着固定されているので、チップ欠けやチップ飛びを抑制できると共に、半導体ウェハの破損も抑制できる。なお、アンダーフィル材がエポキシ樹脂を含む樹脂組成物により形成されていると、ダイシングにより切断されても、その切断面においてアンダーフィル材のアンダーフィル材の糊はみ出しが生じるのを抑制又は防止することができる。その結果、切断面同士が再付着（ブロッキング）することを抑制又は防止することができ、後述のピックアップを一層良好に行うことができる。
【００９９】
なお、ダイシング工程に続いてダイシングテープのエキスパンドを行う場合、該エキスパンドは従来公知のエキスパンド装置を用いて行うことができる。エキスパンド装置は、ダイシングリングを介してダイシングテープを下方へ押し下げることが可能等ナッツ状の外リングと、外リングよりも径が小さくダイシングテープを支持する内リングとを有している。このエキスパンド工程により、後述のピックアップ工程において、隣り合う半導体チップ同士が接触して破損するのを防ぐことが出来る。
【０１００】
［ピックアップ工程］
ダイシングテープ１に接着固定された半導体チップ３１を回収するために、図１Ｃに示すように、アンダーフィル材２付きの半導体チップ３１のピックアップを行って、半導体チップ３１とアンダーフィル材２の積層体Ａをダイシングテープ１より剥離する。
【０１０１】
ピックアップの方法としては特に限定されず、従来公知の種々の方法を採用できる。例えば、個々の半導体チップをダイシングテープの基材側からニードルによって突き上げ、突き上げられた半導体チップをピックアップ装置によってピックアップする方法等が挙げられる。なお、ピックアップされた半導体チップ３１は、回路面３ａに貼り合わされたアンダーフィル材２と一体となって積層体Ａを構成している。
【０１０２】
ピックアップは、粘着剤層１ｂが紫外線硬化型の場合、該粘着剤層１ｂに紫外線を照射した後に行う。これにより、粘着剤層１ｂのアンダーフィル材２に対する粘着力が低下し、半導体チップ３１の剥離が容易になる。その結果、半導体チップ３１を損傷させることなくピックアップが可能となる。紫外線照射の際の照射強度、照射時間等の条件は特に限定されず、適宜必要に応じて設定すればよい。また、紫外線照射に使用する光源としては、例えば低圧水銀ランプ、低圧高出力ランプ、中圧水銀ランプ、無電極水銀ランプ、キセノン・フラッシュ・ランプ、エキシマ・ランプ、紫外ＬＥＤ等を用いることができる。
【０１０３】
［実装工程］
実装工程では、半導体素子３１の実装位置を直接光や間接光、赤外線等により予め求めておき、求めた実装位置に従って、被着体１６と半導体素子３１の間の空間をアンダーフィル材２で充填しつつ接続部材４ａを介して半導体素子３１と被着体１６とを電気的に接続する（図１Ｄ参照）。具体的には、積層体Ａの半導体チップ３１を、半導体チップ３１の回路面３ａが被着体１６と対向する形態で、被着体１６に常法に従い固定させる。例えば、半導体チップ３１に形成されているバンプ（接続部材）４ａを、被着体１６の接続パッドに被着された接合用の導電材１７（はんだ等）に接触させて押圧しながら導電材を溶融させることにより、半導体チップ３１と被着体１６との電気的接続を確保し、半導体チップ３１を被着体１６に固定させることができる。半導体チップ３１の回路面３ａにはアンダーフィル材２が貼り付けられているので、半導体チップ３１と被着体１６との電気的接続と同時に、半導体チップ３１と被着体１６との間の空間がアンダーフィル材２により充填されることになる。
【０１０４】
また、図１Ｅに示すように、半導体素子を多段積層する際には、実装した半導体素子３１上に別の積層体の半導体素子３２を固定する手順を目的とする段数分だけ繰り返せばよい。半導体素子３１の背面である回路面３ｂに設けた裏面電極４ｂと、半導体素子３２の接続部材４ａとを溶融により接合してもよい。下段の半導体素子３１と上段の半導体素子３２との接合処理は１段ごとに行ってもよく、所定段数の半導体素子を仮固定した後に一括して接合処理を行ってもよい。後者の手順は加熱処理が一度で済むことから効率面で好ましい。
【０１０５】
一般的に、実装工程における仮固定条件としては温度１００〜２００℃であり、加圧０．５〜１００Ｎである。また、実装工程における接合条件としては温度１５０〜３００℃であり、加圧１〜２００Ｎである。実装工程での１段ごとの接合処理は複数回に分けて行ってもよい。例えば、１５０℃、２０Ｎで１０秒間処理した後、２６０℃、３０Ｎで１０秒間処理するという手順を採用することができる。複数回での接合処理を行うことにより、接続部材とパッド間ないし接続部材と裏面電極間の樹脂を効率よく除去し、より良好な金属間接合を得ることが出来る。
【０１０６】
被着体１６としては、半導体ウェハ、リードフレームや回路基板（配線回路基板等）等の各種基板、他の半導体素子を用いることができる。基板の材質としては、特に限定されるものではないが、セラミック基板や、プラスチック基板が挙げられる。プラスチック基板としては、例えば、エポキシ基板、ビスマレイミドトリアジン基板、ポリイミド基板、ガラスエポキシ基板等が挙げられる。１つの被着体に実装する半導体素子の数も限定されず、１つ又は複数個のいずれであってもよい。アンダーフィル材２は、半導体ウェハに多数の半導体チップを実装するチップオンウェハプロセスにも好適に適用することができる。
【０１０７】
なお、実装工程では、接続部材、裏面電極及び導電材の一つ又はこれらを組み合わせて溶融させて、半導体チップ３１の接続部材形成面３ａのバンプ４ａと、被着体１６の表面の導電材１７とを接続させるとともに、半導体チップ３１の裏面電極４ｂと半導体チップ３２の接続部材４ａとを接合させているが、このバンプ４ａ、裏面電極４ｂ及び導電材１７の溶融時の温度としては、通常、２６０℃程度（例えば、２５０℃〜３００℃）となっている。本実施形態に係る積層シートは、アンダーフィル材２をエポキシ樹脂等により形成することにより、この実装工程における高温にも耐えられる耐熱性を有するものとすることができる。
【０１０８】
［アンダーフィル材硬化工程］
半導体素子３１と被着体１６と間、及び必要に応じて多段積層した半導体素子間の電気的接続を行った後は、アンダーフィル材２を加熱により硬化させる。これにより、半導体素子３１の表面を保護することができるとともに、半導体素子３１と被着体１６との間及び半導体素子間等の接続信頼性を確保することができる。アンダーフィル材の硬化のための加熱温度としては特に限定されず、１５０〜２５０℃程度であればよい。なお、実装工程における加熱処理によりアンダーフィル材が硬化する場合、本工程は省略することができる。以上の工程を経て、一段の半導体素子３１を有する半導体装置２０や半導体素子が多段積層された半導体装置４０を得ることができる。
【０１０９】
［封止工程］
次に、実装された半導体チップを備える半導体装置２０又は４０全体を保護するために封止工程を行ってもよい。封止工程は、封止樹脂を用いて行われる。このときの封止条件としては特に限定されないが、通常、１７５℃で６０秒間〜９０秒間の加熱を行うことにより、封止樹脂の熱硬化が行われるが、本発明はこれに限定されず、例えば１６５℃〜１８５℃で、数分間キュアすることができる。
【０１１０】
前記封止樹脂としては、絶縁性を有する樹脂（絶縁樹脂）であれば特に制限されず、公知の封止樹脂等の封止材から適宜選択して用いることができるが、弾性を有する絶縁樹脂がより好ましい。封止樹脂としては、例えば、エポキシ樹脂を含む樹脂組成物等が挙げられる。エポキシ樹脂としては、前記に例示のエポキシ樹脂等が挙げられる。また、エポキシ樹脂を含む樹脂組成物による封止樹脂としては、樹脂成分として、エポキシ樹脂以外に、エポキシ樹脂以外の熱硬化性樹脂（フェノール樹脂等）や、熱可塑性樹脂等が含まれていてもよい。なお、フェノール樹脂としては、エポキシ樹脂の硬化剤としても利用することができ、このようなフェノール樹脂としては、前記に例示のフェノール樹脂等が挙げられる。
【０１１１】
［半導体装置］
次に、当該積層シートを用いて得られる半導体装置について図面を参照しつつ説明する（図１Ｄ、１Ｅ参照）。本実施形態に係る半導体装置４０では、半導体素子３１と被着体１６とが、半導体素子３１上に形成されたバンプ（接続部材）４ａ及び被着体１６上に設けられた導電材１７を介して電気的に接続されている。さらに、半導体素子３１の裏面電極４ｂと半導体素子３２の接続部材４ａとが接合されることで、半導体素子３１、３２間の電気的接続が図られている。半導体素子３１と被着体１６との間及び半導体素子３１、３２間には、その空間を充填するようにアンダーフィル材２が配置されている。半導体装置４０は、所定のアンダーフィル材２及び光照射による位置合わせを採用する上記製造方法にて得られるので、半導体素子３１と被着体１６との間及び半導体素子３１、３２間で良好な電気的接続が達成されている。従って、半導体素子の表面保護、半導体素子３１と被着体１６との間の空間及び半導体素子３１、３２間の空間の充填、並びに半導体素子３１と被着体１６との間及び半導体素子３１、３２間の電気的接続がそれぞれ十分なレベルとなり、半導体装置４０として高い信頼性を発揮することができる。
【０１１２】
＜第２実施形態＞
第１実施形態では両面に回路が形成された半導体ウェハを用いているのに対し、本実施形態では片面に回路が形成された半導体ウェハを用いて半導体装置を製造する。また、本実施形態で用いる半導体ウェハが目的とする厚さを有していない場合、半導体ウェハの回路面とは反対側の裏面を研削する裏面研削工程を行う。従って、本実施形態では、裏面研削用テープ上に積層されたアンダーフィル材を備える積層シートを用いて半導体ウェハの裏面研削を行い、その後、ダイシングテープ上でのダイシング、半導体素子のピックアップを行い、最後に半導体素子を被着体に実装する。このような裏面研削用テープの基材及び粘着剤層、並びにアンダーフィル材としては、第１実施形態と同様のものを用いることができる。
【０１１３】
本実施形態の代表的な工程としては、裏面研削用テープと該裏面研削用テープ上に積層されたアンダーフィル材とを備える積層シートを準備する準備工程、半導体ウェハの接続部材が形成された回路面と上記積層シートのアンダーフィル材とを貼り合わせる貼合せ工程、上記半導体ウェハの裏面を研削する研削工程、上記アンダーフィル材とともに半導体ウェハを裏面研削用テープから剥離して該半導体ウェハをダイシングテープに貼り付ける固定工程、上記半導体ウェハにおけるダイシング位置を決定するダイシング位置決定工程、上記半導体ウェハをダイシングして上記アンダーフィル材付きの半導体素子を形成するダイシング工程、上記アンダーフィル材付きの半導体素子を上記ダイシングテープから剥離するピックアップ工程、上記半導体素子と上記被着体との相対位置を互いの接続予定位置に整合させる位置整合工程、及び上記被着体と上記半導体素子の間の空間を上記アンダーフィル材で充填しつつ上記接続部材を介して上記半導体素子と上記被着体とを電気的に接続する接続工程を含む。ダイシングテープは第１実施形態のダイシングテープを用いてもよく、公知の市販品等を用いてもよい。また、各工程の条件は公知の条件や第１実施形態と同様の条件を好適に採用することができる。
【０１１４】
＜第３実施形態＞
第１実施形態では積層シートの構成部材としてダイシングテープを用いたが、本実施形態では該ダイシングテープの粘着剤層を設けずに基材単独を用いる。従って、本実施形態の積層シートとしては、基材上にアンダーフィル材が積層された状態となる。本実施形態では、ピックアップ工程前の紫外線照射は粘着剤層の省略により行わない。これらの点を除けば、第１実施形態と同様の工程を経ることで所定の半導体装置を製造することができる。
【０１１５】
＜その他の実施形態＞
第１実施形態から第３実施形態では、ダイシング工程においてダイシングブレードを用いるダイシングを採用しているが、これに代えて、レーザー照射により半導体ウェハ内部に改質部分を形成し、この改質部分に沿って半導体ウェハを分割して個片化するいわゆるステルスダイシングを採用してもよい。
【実施例】
【０１１６】
以下に、この発明の好適な実施例を例示的に詳しく説明する。但し、この実施例に記載されている材料や配合量等は、特に限定的な記載がない限りは、この発明の範囲をそれらのみに限定する趣旨のものではない。また、部とあるのは、重量部を意味する。
【０１１７】
［実施例１〜５及び比較例１〜４］
（アンダーフィル材の作製）
以下の成分を表１に示す割合でメチルエチルケトンに溶解して、固形分濃度が２５．４〜６０．６重量％となる接着剤組成物の溶液を調製した。
【０１１８】
アクリル樹脂：アクリル酸エチル−メチルメタクリレートを主成分とするアクリル酸エステル系ポリマー（商品名「パラクロンＷ−１９７ＣＭ」、根上工業株式会社製）
エポキシ樹脂１：商品名「エピコート１００４」、ＪＥＲ株式会社製
エポキシ樹脂２：商品名「エピコート８２８」、ＪＥＲ株式会社製
フェノール樹脂：商品名「ミレックスＸＬＣ−４Ｌ」、三井化学株式会社製
無機充填剤：球状シリカ（商品名「ＳＯ−２５Ｒ」、株式会社アドマテックス製）
潜在性硬化促進剤：リン系硬化促進剤（商品名「ＴＰＰ−Ｋ」、北興化学株式会社製）
フラックス：ｏ−アニス酸（商品名「オルトアニス酸」、東京化成株式会社製）
【０１１９】
この接着剤組成物の溶液を、剥離ライナ（セパレータ）としてシリコーン離型処理した厚さが５０μｍのポリエチレンテレフタレートフィルムからなる離型処理フィルム上に塗布した後、１３０℃で２分間乾燥させることにより、厚さ１７μｍのアンダーフィル材を作製した。
【０１２０】
＜溶融粘度の測定＞
作製したアンダーフィル材を加熱処理を経ずにサンプルとし、レオメーター（ＨＡＡＫＥ社製、ＲＳ−１）を用いて、パラレルプレート法により測定した。詳細には、ギャップ１００μｍ、回転プレート直径２０ｍｍ、回転速度５ｓ−１、昇温速度１０℃／分の条件とし、８０℃から昇温させ、アンダーフィル材の硬化反応により粘度が上昇して、最終的に回転プレートが回転できなくなる温度（なお、全ての実施例及び比較例で２００℃以上であった。）まで測定を行った。その際の１５０℃での溶融粘度を読み取った。結果を表１に示す。
【０１２１】
＜粘度変化率の測定＞
上記溶融粘度の測定における１５０℃での溶融粘度をη１とした。さらに同様の手順を１３０℃で１時間加熱処理したサンプルについても行い、その際の１５０℃での溶融粘度η２を読み取った。下記式に基づき、１３０℃で１時間加熱処理行う前後での粘度変化率を算出した。結果を表１に示す。
粘度変化率（％）＝（η２／η１）×１００
【０１２２】
＜ＤＳＣ測定における反応率の測定＞
熱示差強度測定装置（ＴＡインスツルメンツ社製、Ｑ２０００）を用い、加熱処理前のアンダーフィル材を−５０℃から３００℃まで１０℃／ｍｉｎにて昇温させた際の全発熱量Ｑｔを算出した。別途、加熱処理前のアンダーフィル材に対して１７５℃で２時間の加熱処理を行い、この加熱処理後のサンプルについて−５０℃から３００℃まで１０℃／ｍｉｎにて昇温させた際の全発熱量Ｑｈを測定した。下記式に基づき、１７５℃で２時間加熱処理した際の反応率を算出した。結果を表１に示す。
反応率（％）＝{（Ｑｔ−Ｑｈ）／Ｑｔ}×１００
【０１２３】
＜バンプ接合性の評価＞
一方の面にバンプが形成され、他方の面にパッドが形成されている半導体チップを用意し、この半導体チップのバンプが形成されている側の面に、実施例及び比較例で作製したアンダーフィル材を８０℃で貼り合わせた。半導体チップとしては、以下の仕様のものを用いた。
【０１２４】
（半導体チップ）
サイズ：５ｍｍ角
厚さ：０．０５ｍｍ（５０μｍ）
バンプの材質：銅ピラー＋Ｓｎ−Ａｇ
バンプサイズ：高さ１５μｍ、直径２０μｍ
バンプピッチ：４０μｍ、フルアレイ
パッド：Ｎｉ−Ａｕパッド
パッドの高さ：２μｍ
【０１２５】
次に、下記の熱圧着条件により積層工程を行い、半導体チップのバンプ形成面と厚さ２００μｍの銅板とを対向させた状態で半導体チップを銅板に熱圧着して半導体チップの仮固定を行った。その後、銅板上に仮固定した第１段目の半導体チップ上に、同様の熱圧着条件にて第２段目のアンダーフィル材付き半導体チップを仮固定した。この手順を繰り返し、合計４段の半導体チップを積層した。
【０１２６】
（熱圧着条件）
フリップチップボンダー：商品名「ＦＣ−３０００Ｗ」東レエンジニアリング製
加熱温度：１５０℃
荷重：２０Ｎ
保持時間：２秒
【０１２７】
最後に、下記の接合条件にて４段の半導体チップを一括接合して、チップ接合体を作製した。
【０１２８】
（接合条件）
フリップチップボンダー：商品名「ＦＣ−３０００Ｗ」東レエンジニアリング製
加熱温度：２６０℃
荷重：３０Ｎ
保持時間：１０秒
【０１２９】
バンプ接合性の評価を以下の手順で行った。チップ接合体を１７５℃で２時間加熱処理し、アンダーフィル材を硬化させた。次に、チップ接合体の側面に切削処理を施し、第１段から第４段までのバンプ接合界面を露出させた。露出させた接合界面に対して断面研削を行った後、光学顕微鏡（１０００倍）を用いて観察し、問題なくバンプがパッドと接合していた場合を「○」、バンプにクラックが発生していたか、又はバンプがパッドに接合されていなかった場合を「×」として評価した。結果を表１に示す。
【０１３０】
＜吸湿はんだリフロー評価＞
得られたチップ接合体を１７５℃で２時間加熱処理し、アンダーフィル材を硬化させた。加熱処理後のチップ接合体を８５℃８５％Ｒｈの環境下に１６８時間放置した後、リフロー試験を行った。このときのリフロー試験の条件はＪＥＤＥＣ（Ｊ−ＳＴＤ−０２０Ｃ）で定められる条件に沿って行った。次いで、リフロー後、接合部分を含むようにチップ接合体を切断した。切断面を光学顕微鏡（１０００倍）を用いて確認し、問題なくバンプがパッドと接合していた場合を「○」、バンプにクラックが発生していたか、又はバンプがパッドに接合されていなかった場合を「×」として評価した。結果を表１に示す。
【０１３１】
【表１】
2015170754.tif 000003
【０１３２】
表１から分かるように、全ての実施例においてバンプ接合性は良好であり、アンダーフィル材に熱履歴が負荷されたとしても、良好な電気的接続が得られることが分かる。また、実施例のアンダーフィル材は耐湿耐熱信頼性も良好であった。一方、比較例１、３及び４ではバンプ接合性が劣る結果となった。これは、チップ積層時の粘度が高すぎるか、粘度変化率が高すぎ、バンプに応力が生じてクラックが発生したり、バンプがパッドに到達しなかったりしたことが原因であると考えられる。比較例２ではバンプ接合性は良好で合ったものの、吸湿リフロー試験後の信頼性が低下していた。これは、アンダーフィル材が十分に硬化しなかったことに起因すると考えられる。なお、比較例１、３及び４では、上述のようにバンプ接合の段階で不具合が生じたため、その後の吸湿リフロー試験自体を行うことができなかった。
【符号の説明】
【０１３３】
１    ダイシングテープ
１ａ    基材
１ｂ    粘着剤層
２    アンダーフィル材
３    半導体ウェハ
１０    積層シート
１６    被着体
２０、４０  半導体装置
３１    半導体チップ（半導体素子）
【図１Ａ】
2015170754.tif 000004
【図１Ｂ】
2015170754.tif 000005
【図１Ｃ】
2015170754.tif 000006
【図１Ｄ】
2015170754.tif 000007
【図１Ｅ】
2015170754.tif 000008