(57)【要約】【課題】金属基板の反りが抑制され、かつ、金属基板表面の絶縁層のクラックが抑制された金属基板およびそれからなるリードフレームを提供すること。【解決手段】金属基板１は、金属層２と、金属層２の一方面に積層される絶縁層３とを備え、絶縁層３は、アルミナ粉末およびポリテトラフルオロエチレン粉末を含有する粉末混合物を用いてエアロゾルデポジション法により形成されており、ポリテトラフルオロエチレン粉末の含有割合は、アルミナ粉末およびポリテトラフルオロエチレン粉末の合計量に対して、０．０５質量％以上１．５０質量％以下である。【選択図】図１
2015034318.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
金属層と、前記金属層の一方面に積層される絶縁層とを備え、
前記絶縁層は、アルミナ粉末およびポリテトラフルオロエチレン粉末を含有する粉末混合物を用いてエアロゾルデポジション法により形成されており、
前記ポリテトラフルオロエチレン粉末の含有割合は、前記アルミナ粉末および前記ポリテトラフルオロエチレン粉末の合計量に対して、０．０５質量％以上１．５０質量％以下であることを特徴とする、金属基板。
【請求項２】
前記絶縁層の厚みが、１０μｍ以上５００μｍ以下であることを特徴とする、請求項１に記載の金属基板。
【請求項３】
請求項１または２に記載の金属基板からなることを特徴とする、リードフレーム。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、金属基板およびリードフレームに関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体素子がリードフレームに実装された半導体パッケージでは、半導体素子から生じる熱を効率よく外部に放熱する必要がある。
【０００３】
そのため、ヒートシンクの一面上に、リードフレームを平面的に配置して搭載するとともに、ヒートシンクとリードフレームとの間に電気的に絶縁性を有する絶縁層を介在させる半導体パッケージが提案されている（例えば、特許文献１参照。）。
【０００４】
また、リードフレームの一面および半導体素子を被覆して封止する封止樹脂を備え、リードフレームの一面のうち封止樹脂にて被覆される部位には、リードフレームよりも封止樹脂との密着力が大きくセラミックよりなる電気絶縁性の絶縁膜が当該部位を被覆するように設けられている半導体パッケージも提案されている（例えば、特許文献２参照。）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２００９−２１２２６９号公報
【特許文献２】特開２０１１−０４９２９０号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかるに、リードフレームなどの金属基板に絶縁層を設けると、絶縁層の内部応力により、金属基板に反りが発生したり、絶縁層にクラック（ひび割れ）が発生するという不具合がある。そうすると、金属基板の取扱い性が低下したり、絶縁層の絶縁性を十分に発現できなくなる。そして、これら特許文献のリードフレームでは、その反りやクラックの抑制が不十分であり、さらなる改良が求められている。
【０００７】
特に車載用などのパワー半導体パッケージ用途などでは、より大きい耐電圧性、熱伝導性などを必要とするため、絶縁層の厚みを大きくする場合がある。そのような厚み（例えば、１０μｍ以上）では、反りの発生やクラックの発生がより一層生じやすくなる。
【０００８】
本発明の目的は、金属基板の反りが抑制され、かつ、金属基板表面の絶縁層のクラックが抑制された金属基板およびそれからなるリードフレームを提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
上記目的を達成するために、本発明の金属基板は、金属層と、前記金属層の一方面に積層される絶縁層とを備え、前記絶縁層は、アルミナ粉末およびポリテトラフルオロエチレン粉末を含有する粉末混合物を用いてエアロゾルデポジション法により形成されており、前記ポリテトラフルオロエチレン粉末の含有割合は、前記アルミナ粉末および前記ポリテトラフルオロエチレン粉末の合計量に対して、０．０５質量％以上１．５０質量％以下であることを特徴としている。
【００１０】
また、本発明の金属基板では、前記絶縁層の厚みが、１０μｍ以上５００μｍ以下であることが好適である。
【００１１】
また、本発明のリードフレームは、上記の金属基板からなることを特徴としている。
【発明の効果】
【００１２】
本発明の金属基板およびリードフレームでは、反りが抑制され、かつ、絶縁層のクラックが抑制されている。
【図面の簡単な説明】
【００１３】
【図１】本発明の金属基板の一実施形態の断面図である。
【図２】図１に示す金属基板の製造方法に用いられるエアロゾルデポジション装置の概略構成図である。
【図３】本発明のリードフレームの一実施形態の断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１４】
図１に示すように、本発明の金属基板１は、金属層２と、金属層２の一方面に積層される絶縁層３とを備える。
【００１５】
金属層２は、略平板状に形成されている金属箔、金属シートまたは金属板である。金属層２を構成する材料としては、例えば、銅、ニッケル、アルミニウムなどが挙げられ、好ましくは、銅が挙げられる。また、金属層２は、例えば、銅にニッケルめっきなどのめっき処理がなされためっき被覆金属層とすることもできる。
【００１６】
金属層２の厚みは、例えば、１０μｍ以上、好ましくは、１００μｍ以上であり、例えば、５０００μｍ以下、好ましくは、５００μｍ以下である。
【００１７】
絶縁層３は、アルミナ粉末およびポリテトラフルオロエチレン粉末（以下、ＰＴＦＥ粉末ともいう。）を含有する粉末混合物から形成されている。
【００１８】
アルミナ粉末（酸化アルミニウム粉末）は、公知または市販のものを使用することができる。具体的には、例えば、商品名「ＡＬ−１６０ＳＧ−３」、商品名「ＡＳ−１６０ＳＧ−４」、商品名「ＡＬ−４５−Ａ」（いずれも昭和電工社製）などが挙げられる。これらのアルミナ粉末は、単独使用または２種類以上併用することができる。
【００１９】
アルミナ粉末の平均粒子径（メジアン径）は、例えば、０．１μｍ以上、好ましくは、０．５μｍ以上であり、また、例えば、２．０μｍ以下、好ましくは、０．８μｍ以下である。
【００２０】
平均粒子径（メジアン径）は、例えば、動的光散乱法による粒度分布測定装置によって測定される。
【００２１】
平均粒子径を上記下限値以上とすると、金属層２に対する密着性に優れる。一方、平均粒子径が上記上限値以下とすると、絶縁層３の内部応力を緩和し、金属層２のクラックを抑制することができる。
【００２２】
アルミナ粉末の比表面積（ＢＥＴ法）は、例えば、２ｍ２／ｇ以上、好ましくは、３ｍ２／ｇ以上であり、また、例えば、４０ｍ２／ｇ以下、好ましくは、３０ｍ２／ｇ以下である。
【００２３】
アルミナ粉末の含有割合は、アルミナ粉末およびＰＴＦＥ粉末の合計量に対して、９８．５０質量％以上であり、好ましくは、９９．００質量％以上である。また、９９．９５質量％以下であり、好ましくは、９９．９０質量％以下である。アルミナ粉末の含有割合を上記範囲とすると、耐電圧性、絶縁性、熱伝導性などに優れる。
【００２４】
ＰＴＦＥ粉末は、公知または市販のものを使用することができる。具体的には、例えば、ＰＴＦＥ「Ｇ１９０」、ＰＴＦＥ「Ｇ３４０」（いずれも旭硝子社製）、例えば、テフロン「８０７―Ｎ」、テフロン「６−Ｊ」（いずれも三井・デュポンフロロケミカル社製）、「Ｍｉｃｒｏｄｉｓｐｅｒｓ−２００」（ポリサイエンス社製）、「Ｐｏｌｙ（ｔｅｔｒａｆｌｕｏｒｏｅｔｈｙｌｅｎｅ）ｐｏｗｄｅｒｆｒｅｅ−ｆｌｏｗｉｎｇ」（シグマアルドリッチ社製）などが挙げられる。これらのＰＴＦＥ粉末は、単独使用または２種類以上併用することができる。
【００２５】
ＰＴＦＥ粉末の平均粒子径（メジアン径）は、例えば、０．１μｍ以上、好ましくは、０．２μｍ以上であり、また、例えば、８．０μｍ以下、好ましくは、５．０μｍ以下である。
【００２６】
平均粒子径を上記下限値以上とすると、金属層２に対する密着性に優れる。一方、平均粒子径が上記上限値以下とすると、絶縁層３（シート状）への成形性に優れ、表面が均一な絶縁層３とすることができる。
【００２７】
ＰＴＦＥ粉末の比表面積（ＢＥＴ法）は、例えば、２ｍ２／ｇ以上、好ましくは、５ｍ２／ｇ以上であり、また、例えば、例えば、２０ｍ２／ｇ以下、好ましくは、１５ｍ２／ｇ以下である。
【００２８】
ＰＴＦＥ粉末の含有割合は、アルミナ粉末およびＰＴＦＥ粉末の合計量に対して、０．０５質量％以上であり、好ましくは、０．１０質量％以上である。また、１．５０質量％以下であり、好ましくは、１．００質量％以下である。
【００２９】
ＰＴＦＥ粉末の含有割合を上記下限値以上とすると、金属基板１の反りや絶縁層３のクラックを抑制することができる。一方、ＰＴＦＥ粉末の含有割合を上記上限値以下とすると、各粉末を凝集させることができ、絶縁層３（シート状）への成形性に優れる。
【００３０】
絶縁層３を構成する粉末混合物には、アルミナ粉末およびＰＴＦＥ粉末以外の公知の添加物を含有することができる。
【００３１】
このような添加物としては、アルミナ粉末以外の金属粉末、ＰＴＦＥ粉末以外のポリマー粉末などが挙げられる。添加物の含有割合は、粉末混合物に対して、例えば、１．０質量％以下、好ましくは、０．７質量％以下、より好ましくは、０．４質量％以下である。
【００３２】
次いで、このような金属基板１の製造方法について、詳述する。
【００３３】
この方法では、まず、金属層２を用意する。
【００３４】
次いで、この方法では、金属層２の一方面（表面）に、エアロゾルデポジション法（ＡＤ法）によって絶縁層３を形成する。
【００３５】
エアロゾルデポジション法（ＡＤ法・ガスデポジション法（気体堆積法））によって絶縁層３を形成するには、図２に示すエアロゾルデポジション装置１０が用いられる。
【００３６】
エアロゾルデポジション装置１０は、成膜チャンバー１１、エアロゾルチャンバー１２およびキャリアガス輸送装置１３を備えている。
【００３７】
成膜チャンバー１１は、金属層２の表面に、絶縁層３を形成するための成膜室であって、基板ホルダー１４、成膜チャンバー１１内の温度を測定するための温度計（図示せず）、および、成膜チャンバー１１内の圧力を測定するための圧力計（図示せず）を備えている。
【００３８】
基板ホルダー１４は、支柱１５、台座１６およびステージ１７を備えている。
【００３９】
支柱１５は、台座１６およびステージ１７を連結させるために、成膜チャンバー１１の天井壁を貫通して下方（鉛直方向下方）に突出するように設けられている。
【００４０】
台座１６は、金属層２を成膜チャンバー１１内に保持および固定するために、支柱１５の長手方向一端部（下端部）に設けられている。
【００４１】
ステージ１７は、絶縁層３の形成時において、金属層２を任意の方向（ｘ方向（前後方向）、ｙ方向（左右方向）、ｚ方向（上下方向）およびθ方向（回転方向））に移動可能とするために、成膜チャンバー１１の天井壁の上面に設けられ、支柱１５の長手方向他端部（上端部）に接続されている。
【００４２】
これにより、ステージ１７は、支柱１５を介して台座１６に接続され、ステージ１７により、台座１６を移動可能としている。
【００４３】
また、成膜チャンバー１１には、メカニカルブースターポンプ１８およびロータリーポンプ１９が接続されている。
【００４４】
メカニカルブースターポンプ１８およびロータリーポンプ１９は、成膜チャンバー１１内を減圧するとともに、成膜チャンバー１１に連結管２０（後述）を介して連通されるエアロゾルチャンバー１２内を減圧するため、成膜チャンバー１１に、順次接続されている。
【００４５】
エアロゾルチャンバー１２は、絶縁層３の材料（すなわち、アルミナ粉末およびＰＴＦＥ粉末を含有する粉末混合物）を貯留する貯留槽であって、振動装置２１、および、エアロゾルチャンバー１２内の圧力を測定するための圧力計（図示せず）を備えている。
【００４６】
振動装置２１は、エアロゾルチャンバー１２、および、エアロゾルチャンバー１２内の絶縁層３の材料を振動させるための装置であって、公知の振盪器が用いられる。
【００４７】
また、エアロゾルチャンバー１２には、連結管２０が接続されている。
【００４８】
連結管２０は、エアロゾル化された材料（以下、エアロゾル）を、エアロゾルチャンバー１２から成膜チャンバー１１に輸送するための配管であって、その一方側端部（上流側端部）がエアロゾルチャンバー１２に接続されるとともに、他方側が成膜チャンバー１１の底壁を貫通して台座１６に向かって延びるように配置されている。また、成膜チャンバー１１内において、連結管２０の他方側端部（下流側端部）には、成膜ノズル２２が接続されている。
【００４９】
成膜ノズル２２は、エアロゾルを金属層２の表面に噴き付けるための噴射装置であって、成膜チャンバー１１内において、噴射口が鉛直方向上側の台座１６に向かうように、配置されている。具体的には、成膜ノズル２２は、その噴射口が台座１６と所定間隔（例えば、１ｍｍ以上、好ましくは、３ｍｍ以上であり、また、１００ｍｍ以下、好ましくは、５０ｍｍ以下）を隔てるように上下方向において対向配置されており、これにより、エアロゾルチャンバー１２から供給されるエアロゾルを、金属層２の表面に噴き付け可能としている。
【００５０】
なお、成膜ノズル２２の噴射口形状としては、特に制限されず、エアロゾルの噴射量、噴射範囲などに応じて、適宜設定される。
【００５１】
また、連結管２０の流れ方向途中には、連結管開閉弁２３が介在されている。連結管開閉弁２３としては、例えば、電磁弁など、公知の開閉弁が用いられる。
【００５２】
キャリアガス輸送装置１３は、キャリアガスボンベ２５を備えている。
【００５３】
キャリアガスボンベ２５は、例えば、酸素ガス、ヘリウムガス、アルゴンガス、窒素ガス、空気などのキャリアガスを貯留するボンベであって、ガス管２６を介して、エアロゾルチャンバー１２に接続されている。
【００５４】
ガス管２６は、キャリアガスをキャリアガスボンベ２５からエアロゾルチャンバー１２に輸送するための配管であって、その上流側端部がキャリアガスボンベ２５に接続されるとともに、下流側端部がエアロゾルチャンバー１２に接続されている。
【００５５】
また、ガス管２６の流れ方向途中には、ガス流量計２７が介在されている。ガス流量計２７は、ガス管２６内のガスの流量を調整するとともに、その流量を検知するための装置であって、特に制限されず、公知の流量計が用いられる。
【００５６】
さらに、ガス管２６の流れ方向途中には、ガス流量計２７よりも下流側において、ガス管開閉弁２８が介在されている。ガス管開閉弁２８としては、例えば、電磁弁など、公知の開閉弁が用いられる。
【００５７】
このようなエアロゾルデポジション装置１０により絶縁層３を形成するためには、まず、台座１６に、金属層２を、絶縁層３を形成させる表面が成膜ノズル２２側（下側）に向かうように配置する。
【００５８】
一方、エアロゾルチャンバー１２には、上記した絶縁層３の材料の粉末を投入する。
【００５９】
なお、投入の前に、絶縁層３の材料を予め乾燥させることもできる。
【００６０】
乾燥温度としては、例えば、５０〜１５０℃であり、乾燥時間としては、例えば、１〜２４時間である。
【００６１】
次いで、この方法では、ガス管開閉弁２８を閉とし、また、連結管開閉弁２３を開とするとともに、メカニカルブースターポンプ１８およびロータリーポンプ１９を駆動させることにより、成膜チャンバー１１内およびエアロゾルチャンバー１２内を減圧する。
【００６２】
成膜チャンバー１１内の圧力は、例えば、５〜８０Ｐａであり、エアロゾルチャンバー１２内の圧力は、例えば、５〜８０Ｐａである。
【００６３】
次いで、この方法では、絶縁層３の材料を、エアロゾルチャンバー１２内において、振動装置２１により振動させるとともに、ガス管開閉弁２８を開として、キャリアガスボンベ２５からキャリアガスをエアロゾルチャンバー１２に供給する。これにより、絶縁層３の材料をエアロゾル化させるとともに、発生したエアロゾルを、連結管２０を介して成膜ノズル２２に輸送することができる。このとき、エアロゾルは、成膜ノズル２２の内壁に衝突して破砕され、より粒径の小さな粒子となる。
【００６４】
また、ガス流量計２７により調整されるキャリアガスの流量は、例えば、１Ｌ／分以上、好ましくは、２Ｌ／分以上であり、また、２０Ｌ／分以下、好ましくは、１８Ｌ／分以下である。
【００６５】
次いで、この方法では、破砕された材料の粒子を、成膜ノズル２２の噴射口から金属層２の表面に向けて噴射する。
【００６６】
エアロゾル噴射中のエアロゾルチャンバー１２内の圧力は、例えば、５０Ｐａ以上、好ましくは、１０００Ｐａ以上であり、また、例えば、８００００Ｐａ以下、好ましくは、５００００Ｐａ以下である。また、成膜チャンバー１１内の圧力は、例えば、１０Ｐａ以上、好ましくは、３０Ｐａ以上であり、また、例えば、１０００Ｐａ以下、好ましくは、８００Ｐａ以下である。
【００６７】
また、エアロゾル噴射中のエアロゾルチャンバー１２内の温度は、例えば、０〜５０℃℃である。
【００６８】
また、エアロゾル噴射中、好ましくは、ステージ１７を適宜移動させることにより、金属層２の表面に均等にエアロゾルを噴き付ける。
【００６９】
このような場合において、ステージ１７の移動速度（すなわち、成膜ノズル２２の移動速度）は、例えば、０．１ｍｍ／秒以上、好ましくは、０．２ｍｍ／秒以上であり、また例えば、３０ｍｍ／秒以下、好ましくは、２８ｍｍ／秒以下である。
【００７０】
これにより、金属層２の表面（鉛直方向下側）に、絶縁層３を形成することができる。
【００７１】
絶縁層３の厚みは、例えば、５μｍ以上６００μｍ以下である。絶縁層に生じるクラックおよび反りを抑制する観点や耐電圧性の観点から、好ましくは、１０μｍ以上、より好ましくは、１５μｍ以上、さらに好ましくは、２０μｍ以上であり、また、好ましくは、５００μｍ以下であり、より好ましくは、２００μｍ以下でもある。
【００７２】
これにより、金属層２および絶縁層３を備える金属基板１を形成することができる（図１参照）。
【００７３】
金属基板１の耐電圧は、例えば、１．０ｋＶを超過し、好ましくは、１．５ｋＶを超過し、また、例えば、５０ｋＶ以下である。耐電圧の測定方法は、実施例にて後述する。
【００７４】
このような金属基板１では、絶縁層３におけるクラックの発生が抑制されているため、絶縁層３（すなわちアルミナ含有層）の特性が有効に発現され、例えば、絶縁性、熱伝導性（放熱性）、密着性などに優れる。また、金属基板１では、反りの発生が抑制されているため、取扱い性に優れている。さらに、金属基板１は、耐電圧性にも優れている。
【００７５】
そのため、この金属基板１は、絶縁性、熱伝導性などを必要とする種々の用途に好適に用いることができる。例えば、半導体パッケージ（特に、車載用途などのパワー半導体パッケージ）、ハードディスク、ＬＥＤ装置、ＥＬ装置、キャパシタ、バッテリー（リチウムイオンバッテリーなど）、パワーモジュールなどの用途にも好適に用いることができる。好ましくは、半導体パッケージが挙げられる。この金属基板１を半導体パッケージに適用する場合、金属基板１は、半導体素子を実装するためのリードフレームとして供される。以下に、この実施形態を図３を用いて説明する。
【００７６】
図３は、半導体パッケージ３０を図示し、半導体パッケージ３０は、ヒートシンク３４と、リードフレーム１ａと、半導体素子３５とを備えている。
【００７７】
ヒートシンク３４は、半導体素子３５から生じる熱を放熱するための部材であって、例えば、アルニミウム、銅などの熱伝導性金属から形成されている。ヒートシンク３４は、平面視略矩形状の平板状に形成されており、下面には、放熱性を向上させるための複数の凸部が下方に向かって設けられている。
【００７８】
リードフレーム１ａは、金属基板１からなり、金属層２に相当するリードフレーム基材２ａと、リードフレーム基材２ａの表面に積層される、絶縁層３に相当するリードフレーム絶縁層３ａとを備えている。
【００７９】
なお、リードフレーム１ａは、金属基板１をリードフレーム形状に打ち抜くことにより形成してもよく、また、予めリードフレーム形状に打ち抜いたリードフレーム基材２ａにリードフレーム絶縁層３ａを積層することにより形成してもよい。
【００８０】
また、リードフレーム１ａは、ダイパッド３２と、リード３３とを備えている。
【００８１】
ダイパッド３２は、平面視略矩形状の平板に形成されている。ダイパッド３２は、リードフレーム絶縁層３ａがヒートシンク３４と接触するように、ヒートシンク３４の上面に設けられている。
【００８２】
リード３３は、ダイパッド３２を囲むように、ダイパッド３２と間隔を隔てて配置されている。リード３３は、リードフレーム基材２ａが上面となるように配置されている。
【００８３】
半導体素子３５は、平面視略矩形状に形成され、ダイパッド３２のリードフレーム基材２ａの上面に設けられている。半導体素子３５には、複数（２個）のボンディングワイヤ３６の一端が接続され、そのボンディングワイヤ３６の他端は、複数のリード３３のリードフレーム基材２ａのそれぞれに接続されている。
【００８４】
半導体素子３５、ダイパッド３２、リード３３の内側部分およびヒートシンク３４の上側部分は、封止材３７（図３の仮想線）によって被覆されている。
【００８５】
この半導体パッケージ３０では、リードフレーム１ａにおいて、リードフレーム基材２ａの反りが抑制されており、かつ、リードフレーム絶縁層３ａのクラックが抑制されている。
【００８６】
また、リードフレーム絶縁層３ａは、ダイパッド３２において、リードフレーム基材２ａのヒートシンク３４に対する絶縁性および熱伝導性を確保しており、リード３３において、リードフレーム基材２ａの封止材３７に対する密着性を確保している。
【実施例】
【００８７】
以下に、実施例および比較例を挙げて本発明をさらに詳しく説明するが、本発明は、何らこれらに限定されるものではない。以下に示す実施例の数値は、上記の実施形態において記載される数値（すなわち、上限値または下限値）に代替することができる。
【００８８】
実施例１
まず、金属層としてリードフレーム基材（銅製、厚み５００μｍ）を用意した。
【００８９】
そして、エアロゾルデポジション装置（キャリアガス：酸素ガス）を用意し、その成膜チャンバー（２２℃）内において、基板ホルダーの台座に、リードフレーム基材を設置した。
【００９０】
なお、このとき、成膜ノズルの噴射口とリードフレーム基材の表面との間隔が、１５ｍｍとなるように調節した。
【００９１】
一方、１２０℃において２０時間乾燥させたアルミナ粉末（メジアン径０．５２μｍ、ＢＥＴ法比表面積８．４ｍ２／ｇ、昭和電工社製、商品名ＡＬ−１６０ＳＧ−３）およびＰＴＦＥ粉末（メジアン径０．２０μｍ、ＢＥＴ法比表面積１０ｍ２／ｇ、ポリサイエンス社製、商品名「Ｍｉｃｒｏｄｉｓｐｅｒｓ−２００」）との粉末混合物（配合割合は表１に記載）を１５０ｍＬ用意し、５００ｍＬのガラス製エアロゾルチャンバーに投入した。
【００９２】
その後、ガス管開閉弁を閉とし、また、連結管開閉弁を開とするとともに、メカニカルブースターポンプおよびロータリーポンプを駆動させることにより、成膜チャンバー内およびエアロゾルチャンバー内を、５０Ｐａまで減圧した。
【００９３】
次いで、酸素ガスの流量が５Ｌ／分となるようにガス流量計により調整し、また、エアロゾルチャンバーを振盪器により振動させながら、ガス管開閉弁を開とした。これによって、エアロゾルチャンバー内において、粉末混合物をエアロゾル化し、得られたエアロゾルを、成膜ノズルから噴射させた。
【００９４】
なお、このときのエアロゾルチャンバー内の圧力は、約１０００〜５００００Ｐａであり、成膜チャンバー内の圧力は、約２００Ｐａであった。
【００９５】
そして、基板ホルダーのステージによって、リードフレーム基材が固定された台座を移動速度５ｍｍ／秒でｘ−ｙ方向に移動させるとともに、成膜ノズルから噴射されるエアロゾルを、リードフレーム基材の表面に噴き付けた。
【００９６】
これにより、リードフレーム基材の表面に、絶縁層として、厚み１９μｍのリードフレーム絶縁層を積層し、金属基板としてのリードフレームを製造した。
【００９７】
実施例２〜７
粉末混合物の配合割合を表１に記載の配合割合に変更した以外は、実施例１と同様にして、所定の厚みで絶縁層を形成してリードフレームを製造した。
【００９８】
比較例１〜４
粉末混合物の配合割合および粉末の種類を表１に記載の配合割合に変更した以外は、実施例１と同様にして、所定の厚みで絶縁層を形成してリードフレームを製造した。なお、比較例２に記載の配合割合では、粉末混合物が凝集せず、成膜（シート化）できなかった。
【００９９】
なお、比較例３については、ＰＴＦＥ粉末の代わりに、ＥＴＦＥ粉末（テトラフルオロエチレン・エチレン共重合体（旭硝子社製、Ｆｌｕｏｎ（登録商標）、ＥＴＦＥ  Ｚ８８２０Ｘ）を使用した。比較例４については、アルミナ粉末の代わりに、酸化銅（ＩＩ）粉末（キシダ化学社製、製品番号「２００−１８３４１」）を用いた。
【０１００】
比較例５
実施例１の配合割合を塗布法により成膜することによって、リードフレーム基材の表面に絶縁層を積層し、金属基板としてのリードフレームを製造した。
【０１０１】
＜評価＞
（反り）
各実施例および各比較例のリードフレームを平面基板上に載置して、反りの有無を目視で観察した。反りが観察されなかった場合を○と評価し、ごくわずかな反りが観測された場合を△と評価し、反りが観察された場合を×と評価した。結果を表１に示す。
【０１０２】
（クラック）
各実施例および各比較例のリードフレームのリードフレーム絶縁層の表面を目視で観察して、クラックの有無を観察した。クラックが観察されなかった場合を○と評価し、ごくわずかなクラックが観測された場合を△と評価し、クラックが観察された場合を×と評価した。結果を表１に示す。
【０１０３】
（耐電圧）
耐電圧・絶縁抵抗試験器（菊水電子工業株式会社製、商品番号「ＴＯＳ５１０１」）を用いて、リードフレームの両面（リードフレーム基板および絶縁層）に端子を設置し、絶縁油中、常温で、リードフレームの厚み方向に昇圧速度２．５ｋＶ/分で電圧を印加し、そのときのリーク電流を測定した。
【０１０４】
リーク電流が５ｍＡになった時点の電圧が１．０ｋＶ以下であった場合を×と評価し、１．０ｋＶを超過し１．５ｋＶ以下であった場合を△と評価し、１．５ｋＶを超過していた場合を○と評価した。結果を表１に示す。
【０１０５】
【表１】
2015034318.tif 000003
【符号の説明】
【０１０６】
１      金属基板
２      金属層
３      絶縁層
【図１】
2015034318.tif 000004
【図２】
2015034318.tif 000005
【図３】
2015034318.tif 000006