(57)【要約】【課題】単結晶ＳｉＣ基板の表面に形成されたマクロステップバンチングを除去する方法を提供する。【解決手段】オフ角度を有する単結晶ＳｉＣ基板の表面処理中に形成されたマクロステップバンチングを除去する表面処理方法において、以下の方法が提供される。即ち、この方法では、単結晶ＳｉＣ基板の周囲の不活性ガス圧を調整することで、当該単結晶ＳｉＣ基板の表面をエッチングするエッチング速度を所定の範囲内にして、当該不活性ガス及びＳｉの雰囲気中で単結晶ＳｉＣ基板を加熱処理することで、マクロステップバンチングを除去する。【選択図】図６
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
オフ角度を有する単結晶ＳｉＣ基板の表面処理中に形成されたマクロステップバンチングを除去する表面処理方法において、
前記単結晶ＳｉＣ基板の周囲の不活性ガス圧を調整することで、当該単結晶ＳｉＣ基板の表面をエッチングするエッチング速度を所定の範囲内にして、当該不活性ガス及びＳｉの雰囲気中で前記単結晶ＳｉＣ基板を加熱処理することで、前記マクロステップバンチングを除去することを特徴とする単結晶ＳｉＣ基板の表面処理方法。
【請求項２】
請求項１に記載の単結晶ＳｉＣ基板の表面処理方法であって、
エッチング速度が１００ｎｍ／ｍｉｎ以上となるように前記不活性ガス圧を調整することを特徴とする単結晶ＳｉＣ基板の表面処理方法。
【請求項３】
請求項１又は２に記載の単結晶ＳｉＣ基板の表面処理方法であって、
前記マクロステップバンチングの除去時の加熱温度を考慮して、不活性ガス圧を調整することを特徴とする単結晶ＳｉＣ基板の表面処理方法。
【請求項４】
請求項１から３までの何れか一項に記載の単結晶ＳｉＣ基板の表面処理方法であって、
前記マクロステップバンチングの除去時の不活性ガス圧を、少なくとも一時的に０．５Ｐａ以上１０Ｐａ以下とすることを特徴とする単結晶ＳｉＣ基板の表面処理方法。
【請求項５】
請求項１から４までの何れか一項に記載の単結晶ＳｉＣ基板の表面処理方法であって、
前記単結晶ＳｉＣ基板にイオンが注入されるイオン注入工程を含み、
前記単結晶ＳｉＣ基板の表面のイオン注入不足部分と、前記マクロステップバンチングと、を同時に除去することを特徴とする単結晶ＳｉＣ基板の表面処理方法。
【請求項６】
請求項１から５までの何れか一項に記載の表面処理方法を用いて表面が処理されたことを特徴とする単結晶ＳｉＣ基板。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、主要には、単結晶ＳｉＣ基板の表面に発生したマクロステップバンチングを除去する方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
ＳｉＣは、Ｓｉ等と比較して耐熱性及び機械的強度等に優れるため、新たな半導体材料として注目されている。なお、単結晶ＳｉＣ基板の表面には、初めは結晶欠陥等が存在していることがある。
【０００３】
特許文献１は、この単結晶ＳｉＣ基板の表面を平坦化する（修復する）表面平坦化方法を開示する。この表面平坦化方法では、単結晶ＳｉＣ基板に炭化層及び犠牲成長層を形成し、この犠牲成長層をエッチングすることで、表面を平坦化する。これにより、エピタキシャル成長のための高品質な種基板を生産することができる。なお、特許文献１では、高真空下でエッチングを行う旨が開示されている。
【０００４】
一般的には、上記のようにして生産された種結晶に対して、エピタキシャル成長、イオン注入、及びイオン活性化等の処理が行われる。
【０００５】
また、特許文献２は、単結晶ＳｉＣ基板の表面にカーボン層（グラフェンキャップ）を形成した上で、上記のイオン活性化を行うことで、イオン活性化時のＳｉ及びＳｉＣの昇華を抑制する方法を開示する。その後、この方法では、カーボン層を除去するとともに、イオン注入不足部分を除去するために、単結晶ＳｉＣ基板の表面をエッチングする。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開２００８−２３０９４４号公報
【特許文献２】特開２０１１−２３３７８０号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
ところで、特許文献２には詳細は記載されていないが、オフ角を有する基板に対してイオン活性化等の加熱処理を行うことで、マクロステップバンチングが発生する。マクロステップバンチングとは、複数のＳｉＣ層によって高さが１ｎｍ以上のステップの束が形成される現象（又は複数のＳｉＣ層によって形成されたステップそのもの）である。
【０００８】
マクロステップバンチングが発生すると、半導体素子のデバイス構造が不安定になったり、電界の局所集中によって半導体素子としての性能が低下したりする。従って、従来では、高真空のＳｉ雰囲気中で加熱処理を行って、マクロステップバンチングを除去していた。
【０００９】
しかし、高真空中のＳｉ雰囲気中で加熱処理を行うと、エッチング速度が速いので基板を過剰に除去してしまう可能性がある。特に、イオン注入後の基板を除去する場合は、イオン注入部分を大幅に除去してしまう可能性があるため、解決が望まれていた。
【００１０】
本発明は以上の事情に鑑みてされたものであり、その主要な目的は、単結晶ＳｉＣ基板の表面に形成されたマクロステップバンチングを除去する方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段及び効果】
【００１１】
本発明の解決しようとする課題は以上の如くであり、次にこの課題を解決するための手段とその効果を説明する。
【００１２】
本発明の第１の観点によれば、オフ角度を有する単結晶ＳｉＣ基板の表面処理中に形成されたマクロステップバンチングを除去する表面処理方法において、以下の方法が提供される。即ち、この方法では、前記単結晶ＳｉＣ基板の周囲の不活性ガス圧を調整することで、当該単結晶ＳｉＣ基板の表面をエッチングするエッチング速度を所定の範囲内にして、当該不活性ガス及びＳｉの雰囲気中で前記単結晶ＳｉＣ基板を加熱処理することで、前記マクロステップバンチングを除去する。
【００１３】
これにより、マクロステップバンチングを除去することができるので、単結晶ＳｉＣ基板及びそれを用いた半導体素子の品質を向上させることができる。また、不活性ガス圧を用いてエッチング速度を制御することでエッチング速度を抑えることができるので、単結晶ＳｉＣ基板の表面が過剰に除去されることを防止できる。
【００１４】
前記の単結晶ＳｉＣ基板の表面処理方法においては、エッチング速度が１００ｎｍ／ｍｉｎ以上となるように前記不活性ガス圧を調整することが好ましい。
【００１５】
これにより、エッチング速度が約１００ｎｍ／ｍｉｎ以下だとマクロステップバンチングを除去できないため、上記の制御を行うことでマクロステップバンチングを確実に除去することができる。
【００１６】
前記の単結晶ＳｉＣ基板の表面処理方法においては、前記マクロステップバンチングの除去時の加熱温度を考慮して、不活性ガス圧を調整することが好ましい。
【００１７】
これにより、エッチング速度は加熱温度にも依存するため、上記の制御を行うことで、マクロステップバンチングを確実に除去するとともに、単結晶ＳｉＣ基板の表面が過剰に除去されることを防止できる。
【００１８】
前記の単結晶ＳｉＣ基板の表面処理方法においては、前記マクロステップバンチングの除去時の不活性ガス圧を、少なくとも一時的に０．５Ｐａ以上１０Ｐａ以下とすることが好ましい。
【００１９】
これにより、エッチング速度を１００ｎｍ／ｍｉｎ以上にすることができるので、マクロステップバンチングを確実に除去できる。
【００２０】
前記の単結晶ＳｉＣ基板の表面処理方法においては、以下のようにすることが好ましい。即ち、前記単結晶ＳｉＣ基板にイオンが注入されるイオン注入工程を含む。前記単結晶ＳｉＣ基板の表面のイオン注入不足部分と、前記マクロステップバンチングと、を同時に除去する。
【００２１】
これにより、イオン注入不足部分とマクロステップバンチングとを同時に除去できるので効率的に表面処理を行うことができる。また、本願ではエッチング速度を抑えることができるのでイオンが注入された部分が過剰に除去されることを防止できる。
【００２２】
本発明の第２の観点によれば、前記の表面処理方法を用いて表面が処理されたことを特徴とする単結晶ＳｉＣ基板が提供される。
【００２３】
これにより、マクロステップバンチングが除去されるとともに、必要な分だけ表面がエッチングされた単結晶ＳｉＣ基板を生産できるので、高品質な単結晶ＳｉＣ基板が実現できる。
【図面の簡単な説明】
【００２４】
【図１】本発明の表面処理方法に用いる高温真空炉の概要を説明する図。
【図２】各工程における基板の様子を概略的に示す図。
【図３】エッチングによりイオン注入不足部分が除去されることを示すグラフ。
【図４】加熱温度と、エッチング速度と、の関係性を示すグラフ。
【図５】不活性ガスの圧力と、エッチング速度と、の関係性を加熱温度毎に示すグラフ。
【図６】不活性ガスの圧力を変えてエッチングを行ったときの基板の表面の顕微鏡写真及び表面粗さを示す図。
【図７】（ａ）処理時間に対するエッチング量及びエッチング速度の関係を示すグラフ。（ｂ）処理時間を変えてエッチングを行ったときの基板の表面を示す顕微鏡写真。
【発明を実施するための形態】
【００２５】
次に、図面を参照して本発明の実施の形態を説明する。
【００２６】
初めに、図１を参照して、本実施形態の加熱処理で用いる高温真空炉１０について説明する。図１は、本発明の表面処理方法に用いる高温真空炉の概要を説明する図である。
【００２７】
図１に示すように、高温真空炉１０は、本加熱室２１と、予備加熱室２２と、を備えている。本加熱室２１は、単結晶ＳｉＣ基板を１０００℃以上２３００℃以下の温度に加熱することができる。予備加熱室２２は、単結晶ＳｉＣ基板を本加熱室２１で加熱する前に予備加熱を行うための空間である。
【００２８】
本加熱室２１には、真空形成用バルブ２３と、不活性ガス注入用バルブ２４と、真空計２５と、が接続されている。真空形成用バルブ２３により、本加熱室２１の真空度を調整することができる。不活性ガス注入用バルブ２４により、本加熱室２１内の不活性ガス（例えばＡｒガス）の圧力を調整することができる。真空計２５により、本加熱室２１内の真空度を測定することができる。
【００２９】
本加熱室２１の内部には、ヒータ２６が備えられている。また、本加熱室２１の側壁や天井には図略の熱反射金属板が固定されており、この熱反射金属板によって、ヒータ２６の熱を本加熱室２１の中央部に向けて反射させるように構成されている。これにより、単結晶ＳｉＣ基板を強力且つ均等に加熱し、１０００℃以上２３００℃以下の温度まで昇温させることができる。なお、ヒータ２６としては、例えば、抵抗加熱式のヒータや高周波誘導加熱式のヒータを用いることができる。
【００３０】
また、単結晶ＳｉＣ基板は、坩堝（収容容器）３０に収容された状態で加熱される。坩堝３０は、適宜の支持台等に載せられており、この支持台が動くことで、少なくとも予備加熱室から本加熱室まで移動可能に構成されている。
【００３１】
坩堝３０は、互いに嵌合可能な上容器３１と下容器３２とを備えている。また、坩堝３０は、タンタル金属からなるとともに、炭化タンタル層を内部空間に露出させるようにして構成されている。
【００３２】
単結晶ＳｉＣ基板を加熱処理する際には、初めに、図１の鎖線で示すように坩堝３０を高温真空炉１０の予備加熱室２２に配置して、適宜の温度（例えば約８００℃）で予備加熱する。次に、予め設定温度（例えば、約１８００℃）まで昇温させておいた本加熱室２１へ坩堝３０を移動させ、単結晶ＳｉＣ基板を加熱する。
【００３３】
次に、上記の高温真空炉１０を利用して単結晶ＳｉＣ基板４０から半導体素子を製造する処理について図２及び図３を参照して説明する。図２は、各工程における基板の様子を概略的に示す図である。図３は、エッチングによりイオン注入不足部分が除去されることを示すグラフである。なお、本実施形態では、オフ角を有する単結晶ＳｉＣ基板４０を用いるものとする。
【００３４】
初めに、図２（ａ）に示すように、単結晶ＳｉＣ基板４０にエピタキシャル層４１を形成する。エピタキシャル層を形成する方法は、任意であり、公知の気相エピタキシャル法や準安定溶媒エピタキシャル法等を用いることができる。更には、単結晶ＳｉＣ基板４０がＯＦＦ基板である場合、ステップフロー制御によってエピタキシャル層を形成するＣＶＤ法を用いることもできる。
【００３５】
次に、図２（ｂ）に示すように、エピタキシャル層４１が形成された単結晶ＳｉＣ基板４０にイオン注入を行う。このイオン注入は、対象物にイオンを照射する機能を有するイオンドーピング装置を用いて行う。イオンドーピング装置によって、エピタキシャル層４１の表面の全面又は一部に選択的にイオンが注入される。そして、イオンが注入されたイオン注入部分４２に基づいて半導体素子の所望の領域が形成されることになる。
【００３６】
また、イオンが注入されることによって、図２（ｃ）に示すように、イオン注入部分４２を含むエピタキシャル層４１の表面が荒れた状態になる（単結晶ＳｉＣ基板４０の表面が損傷し、平坦度が悪化する）。
【００３７】
次に、注入したイオンを活性化する処理を行う。この処理は、Ｓｉ蒸気圧下で単結晶ＳｉＣ基板４０を１５００℃以上２２００℃以下、望ましくは１６００℃以上２０００℃以下の環境で加熱する。これにより、注入されたイオンを活性化することができる。
【００３８】
また、本実施形態で用いた基板７０は、オフ角を有しているため、この加熱処理によって、マクロステップバンチングが発生する（図２（ｄ）を参照）。このマクロステップバンチングが発生すると、上述したように、半導体素子のデバイス構造が不安定になったり、電界の局所集中によって半導体素子としての性能が低下したりする。この点、本実施形態では、以下で説明するエッチング処理によって、このマクロステップバンチングを除去することができる。
【００３９】
マクロステップバンチングは、条件にもよるが基板７０の表面から１００ｎｍ程度まで形成されている。また、図３に示すように、単結晶ＳｉＣ基板４０の表面から数十ｎｍ程度には、注入されたイオンのイオン濃度が不足する部分（イオン注入不足部分）が表れる。以上の点を考慮して、本実施形態では単結晶ＳｉＣ基板４０の表面を１００ｎｍ程度除去する必要がある。以下具体的に説明する。
【００４０】
このエッチング工程では、Ｓｉ蒸気圧下で単結晶ＳｉＣ基板４０を加熱することで行う。なお、従来では、エッチング速度が高速であるため、イオン注入不足部分及びマクロステップバンチングのみを精度良く除去することが困難であった。
【００４１】
この点、本実施形態では、不活性ガスの圧力を調整することで、エッチング速度を正確かつ簡単に制御することができる。エッチング速度を制御することで、エッチング量を正確に把握することができるので、イオン注入不足部分及びマクロステップバンチングのみをエッチングにより除去することが可能となる。
【００４２】
以下、不活性ガスの圧力とエッチング速度との関係性等について図４から図６を参照して説明する。
【００４３】
従来から知られているように、単結晶ＳｉＣ基板のエッチング速度は、加熱温度に依存する。図４は、所定の環境下において、加熱温度を１６００℃、１７００℃、１７５０℃、及び１８００℃としたときのエッチング速度を示すグラフである。このグラフの横軸は温度の逆数であり、このグラフの縦軸はエッチング速度を対数表示している。図４に示すように、このグラフは直線となっている。そのため、例えば温度を変更したときのエッチング速度を見積もることができる。
【００４４】
図５は、オフ角が４°の基板における不活性ガス圧とエッチング速度との関係を示すグラフである。具体的には、このグラフから分かるように、従来エッチング処理を行っていた高真空環境ではエッチング速度が比較的高いため、エッチング量を正確に把握することが困難であった。この点、本実施形態では、不活性ガス圧を高くすることでエッチング速度を低下させることができる。これにより、エッチング量を正確に把握して、イオン注入不足部分とマクロステップバンチングのみを除去することができる。
【００４５】
次に、エッチング速度とマクロステップバンチングの除去との関係性について説明する。図６は、不活性ガスの圧力を変えてエッチングを行ったときの基板の表面を示す顕微鏡写真である。図７は、（ａ）処理時間に対する（累計の）エッチング量及びエッチング速度の関係を示すグラフと、（ｂ）処理時間を変えてエッチングを行ったときの基板７０の表面を示す顕微鏡写真である。
【００４６】
図６の左端には、エッチング処理を行う前における単結晶ＳｉＣ基板４０の表面の顕微鏡写真が示されている。この顕微鏡写真には無数の直線が写っているが、この直線はマクロステップバンチングの段差を示している。未処理の顕微鏡写真の右側には、不活性ガス圧を異ならせて１８００℃で１５分加熱した後における単結晶ＳｉＣ基板４０の表面の顕微鏡写真及び表面粗さが示されている。また、その下側には、対応する顕微鏡写真の拡大図が示されている。
【００４７】
これらの図に示すように、不活性ガスの圧力が１．３ｋＰａの場合はマクロステップバンチングが残存しており、不活性ガスの圧力が１３３Ｐａになると、表面粗さが顕著に低下しマクロステップバンチングの一部が除去されていることが分かる。また、不活性ガスの圧力が１３Ｐａと１．３Ｐａの場合及び高真空の場合は更に表面粗さが低下してマクロステップバンチングがほぼ全て除去できていることが分かる。
【００４８】
なお、図７では、不活性ガスの圧力を１．３ｋＰａとして１８００℃で１５分、６０分、及び１８０分加熱したときのデータが示されている。図７（ａ）に示すように、エッチング速度は略一定であるため、時間の経過に比例するようにエッチング量が増加している。しかし、図７（ｂ）に示すように、エッチング量が十分である６０分経過後及び１８０分経過後であってもマクロステップバンチングは除去されていない。従って、マクロステップバンチングを除去できるか否かは、エッチング量ではなくエッチング速度に依存していることが分かる。
【００４９】
ここで、これらの実験結果と図５のグラフ、及び図６の表面粗さの数値とに基づいて、エッチング速度が１００ｎｍ／ｍｉｎ以上である場合にマクロステップバンチングの分解が開始されて一部が除去され、更にエッチング速度を高めればマクロステップバンチングをほぼ全て除去可能であることが分かる。
【００５０】
また、エッチング速度が速過ぎる場合、イオン注入部分を過剰に除去してしまうおそれがあるので、エッチング速度が速過ぎることは好ましくない。以上より、不活性ガス圧を例えば０．５Ｐａから１０Ｐａ程度とすることが好ましい。なお、エッチング速度は、不活性ガス圧だけでなく、加熱温度及びＳｉの圧力にも依存するため、それらを考慮してエッチング速度を調整することが好ましい。
【００５１】
更には、図６に示すように、マクロステップバンチングを除去した後でも微小な凹凸が残存する場合がある。この微小な凹凸が半導体素子の性能の観点等から問題となる場合は、以下の処理を行っても良い。即ち、初めに不活性ガスの圧力を調整してエッチング速度を１００ｎｍ／ｍｉｎ以上にして加熱処理を行ってマクロステップバンチングを分解又は除去する。その後、不活性ガスを更に加えてエッチング速度を低下させ、表面の平坦性を向上させる。
【００５２】
次に、本実施形態のエッチングと、従来の方法によるエッチングと、を比較した実験及びその結果について説明する。
【００５３】
（実施例１）
４Ｈ−ＳｉＣ  ４°−ｏｆｆ（０００１）（□１０ｍｍ／４”）、エピタキシャル層ｎ−ｔｙｐｅ１×１０16／ｃｍ3〜１０μｍの単結晶ＳｉＣ基板に、Ａｌ＋イオンの多段注入を、高温（５００℃）、１×１０19ａｔｏｍｓ／ｃｍ3、基板表面から５００ｎｍ、の条件下で行った。このイオン注入後の単結晶ＳｉＣ基板を、直径２０ｍｍの蓋付の上記の坩堝内に載置し、１６００℃でＡｒ１．３ｋＰａ雰囲気下において５分間のエッチングを行った。
【００５４】
（比較例１）
イオン注入後の単結晶ＳｉＣ基板に、従来のカーボン層を形成してアニールを行い、上記の実施例１と電気特性を比較した。
【００５５】
実施例１及び比較例１の電気特性を測定したところ、比較例１によるアニール処理後では、シート抵抗１．３５×１０4ｏｈｍ／ｓｑｕａｒｅ、キャリア密度３．４７×１０17／ｃｍ3であったのに対し、実施例１によるアニール処理後では、シート抵抗３．２６×１０4ｏｈｍ／ｓｑｕａｒｅ、キャリア密度３．８９×１０17／ｃｍ3であった。従って、活性化は、ほぼ遜色のないレベルであることが確認された。
【００５６】
また、比較例１、実施例１に用いた単結晶ＳｉＣ基板の、エピタキシャル成長直後、イオン注入直後の表面について、ＲＢＳ（ラザフォード後方散乱）測定によりチャネリング測定を行ってχmin値を測定した。その結果、エピタキシャル成長直後は２．０％、イオン注入直後は７．８％となったが、実施例１は２．５％、比較例１は２．４％と、結晶性回復の効果についても従来のカーボン層を用いた場合と同等であることが確認された。
【００５７】
以上に説明したように、本実施形態では、単結晶ＳｉＣ基板４０の周囲の不活性ガス圧を調整することで、当該単結晶ＳｉＣ基板４０の表面をエッチングするエッチング速度を所定の範囲内にして、当該不活性ガス及びＳｉの雰囲気中で単結晶ＳｉＣ基板４０を加熱処理することで、マクロステップバンチングを除去する。
【００５８】
これにより、マクロステップバンチングを除去することができるので、単結晶ＳｉＣ基板４０及びそれを用いた半導体素子の品質を向上させることができる。また、不活性ガス圧を用いてエッチング速度を制御することでエッチング速度を抑えることができるので、単結晶ＳｉＣ基板４０の表面が過剰に除去されることを防止できる。
【００５９】
また、本実施形態の表面処理方法においては、エッチング速度が１００ｎｍ／ｍｉｎ以上となるように不活性ガス圧を調整する。
【００６０】
これにより、エッチング速度が約１００ｎｍ／ｍｉｎ以下だとマクロステップバンチングを除去できないため、上記の制御を行うことでマクロステップバンチングを確実に除去することができる。
【００６１】
また、本実施形態の表面処理方法においては、マクロステップバンチングの除去時の加熱温度を考慮して、不活性ガス圧を調整する。
【００６２】
これにより、エッチング速度は加熱温度にも依存するため、上記の制御を行うことで、マクロステップバンチングを確実に除去するとともに、単結晶ＳｉＣ基板４０の表面が過剰に除去されることを防止できる。
【００６３】
また、本実施形態の表面処理方法においては、マクロステップバンチングの除去時の不活性ガス圧を、少なくとも一時的に０．５Ｐａ以上１０Ｐａ以下とする。
【００６４】
これにより、エッチング速度を１００ｎｍ／ｍｉｎ以上にすることができるので、マクロステップバンチングを確実に除去できる。
【００６５】
また、本実施形態の表面処理方法においては、単結晶ＳｉＣ基板４０にイオンが注入されるイオン注入工程を含み、単結晶ＳｉＣ基板４０の表面のイオン注入不足部分と、マクロステップバンチングと、を同時に除去する。
【００６６】
これにより、イオン注入不足部分とマクロステップバンチングとを同時に除去できるので効率的に表面処理を行うことができる。また、本願ではエッチング速度を抑えることができるのでイオンが注入された部分が過剰に除去されることを防止できる。
【００６７】
以上に本発明の好適な実施の形態を説明したが、上記の構成は例えば以下のように変更することができる。
【００６８】
上記実施形態では、カーボン層（グラフェンキャップ）を形成する処理を行わないが、この処理を行っても良い。この場合、カーボン層を除去する処理と、イオンを活性化する処理と、単結晶ＳｉＣ基板をエッチングする処理と、を１つの工程で行うことができる。
【００６９】
不活性ガスの調整方法は任意であり、適宜の方法を用いることができる。また、エッチング工程の間、不活性ガス圧を一定にしても良いし、変化させても良い。不活性ガス圧を変化させることで、例えば初めはエッチング速度を高くして後にエッチング速度を低くして微調整を行う方法が考えられる。
【００７０】
処理を行った環境及び用いた単結晶ＳｉＣ基板等は一例であり、様々な環境及び単結晶ＳｉＣ基板に対して適用することができる。例えば、加熱温度は上記で挙げた温度に限られず、より低温とすることでエッチング速度を一層低下させることができる。また、上述した高温真空炉以外の加熱装置を用いても良い。
【符号の説明】
【００７１】
１０  高温真空炉
２１  本加熱室
２２  予備加熱室
３０  坩堝
４０  単結晶ＳｉＣ基板
４１  エピタキシャル層
４２  イオン注入部分
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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