(57)【要約】【課題】乾燥ムラを低減しつつ、比較的簡単な吐出パターンで、厚さの異なる複数の層を形成することができる発光装置の製造方法を提供すること、また、この製造方法で製造された発光装置およびこれを備える電子機器を提供すること。【解決手段】本発明の発光装置の製造方法は、インク４ａ、４ｂ、４ｃをインクジェットヘッド２００からＲ、Ｇ、Ｂ画素領域に供給する供給工程と、Ｒ、Ｇ、Ｂ画素領域に供給されたインク４ａ、４ｂ、４ｃを固化させることにより正孔注入層を形成する固化工程と、を有し、インク４ａ、４ｂ、４ｃの固形分濃度が互いに異なり、供給工程において、Ｒ、Ｇ、Ｂ画素領域に対するインク４ａ、４ｂ、４ｃの供給をそれぞれインクジェットヘッド２００の複数回スキャンで分割して行い、かつ、インク４ａ、４ｂ、４ｃの供給量の分割パターンを互いに異ならせる。【選択図】図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１画素領域および第２画素領域にそれぞれ有機エレクトロルミネッセンス素子が設けられた発光装置の製造方法であって、
第１材料を溶解または分散させた第１インクをインクジェットヘッドから前記第１画素領域に供給するとともに、第２材料を溶解または分散させた第２インクを前記インクジェットヘッドから前記第２画素領域に供給する供給工程と、
前記第１画素領域に供給された前記第１インクを固化させることにより第１層を形成するとともに、前記第２画素領域に供給された前記第２インクをそれぞれ固化させることにより第２層を形成する固化工程と、を有し、
前記第１インク中の前記第１材料の濃度は、前記第２インク中の前記第２材料の濃度と異なり、
前記供給工程において、前記第１画素領域に対する前記第１インクの供給および前記第２画素領域に対する前記第２インクの供給をそれぞれ前記インクジェットヘッドの複数回スキャンで分割して行い、かつ、前記第１インクおよび前記第２インクの供給量の分割パターンを互いに異ならせることを特徴とする発光装置の製造方法。
【請求項２】
前記供給工程において、前記複数回スキャンによる前記第１画素領域に対する前記第１インクの全供給量と第２画素領域に対する前記第２インクの全供給量とを互いに等しくするように、前記分割パターンを設定する請求項１に記載の発光装置の製造方法。
【請求項３】
前記第１インク中の前記第１材料の濃度は、前記第２インク中の前記第２材料の濃度よりも低く、
前記供給工程において、１回目のスキャンにおける前記第１画素領域に対する前記第１インクの供給量を、後続するスキャンにおける前記第１画素領域に対する前記第１インクの供給量よりも多くする請求項１または２に記載の発光装置の製造方法。
【請求項４】
前記第１材料および前記第２材料は、それぞれ、正孔注入層または正孔輸送層の構成材料またはその前駆体である請求項１ないし３のいずれか１項に記載の発光装置の製造方法。
【請求項５】
前記第１材料および前記第２材料は、互いに発光色の異なる発光層の構成材料またはその前駆体である請求項１ないし３のいずれか１項に記載の発光装置の製造方法。
【請求項６】
第１画素領域および第２画素領域にそれぞれ有機エレクトロルミネッセンス素子が設けられた発光装置の製造方法であって、
第１材料を溶解または分散させた第１インクをインクジェットヘッドから前記第１画素領域に供給するとともに、第２材料を溶解または分散させた第２インクを前記インクジェットヘッドから前記第２画素領域に供給する供給工程と、
前記第１画素領域に供給された前記第１インクを固化させることにより第１層を形成するとともに、前記第２画素領域に供給された前記第２インクをそれぞれ固化させることにより第２層を形成する固化工程と、を有し、
前記第１インク中の前記第１材料の濃度は、前記第２インク中の前記第２材料の濃度よりも低く、
前記供給工程において、第２画素領域に対して前記第２インクを供給した後に、前記第１画素領域に対して前記第１インクを供給することを特徴とする発光装置の製造方法。
【請求項７】
請求項１ないし６のいずれか１項に記載の発光装置に製造方法を用いて製造されたことを特徴とする発光装置。
【請求項８】
請求項１ないし６のいずれか１項に記載の発光装置の製造方法を用いて製造されたことを特徴とする電子機器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、発光装置の製造方法、発光装置および電子機器に関する。
【背景技術】
【０００２】
有機エレクトロルミネセンス素子（いわゆる有機ＥＬ素子）は、陽極と陰極との間に少なくとも１層の発光性有機層（発光層）を介挿した構造を有する発光素子である。このような発光素子では、陰極と陽極との間に電界を印加することにより、発光層に陰極側から電子が注入されるとともに陽極側から正孔が注入され、発光層中で電子と正孔が再結合することにより励起子が生成し、この励起子が基底状態に戻る際に、そのエネルギー分が光として放出される。
【０００３】
このような有機ＥＬ素子の製造方法として、発光層をインクジェット法のような液相プロセスを用いて形成する方法が知られている（例えば、特許文献１参照）。
【０００４】
ここで、例えば、Ｒ（赤色）、Ｇ（緑色）およびＢ（青色）のサブ画素をそれぞれ構成する発光素子を備えるディスプレイパネルでは、異なる色のサブ画素の発光層や正孔輸送層等の層の厚さを異ならせる場合がある。このような厚さの異なる層をインクジェット法で形成する場合、異なるサブ画素に対して、固形分濃度の異なるインクを同量塗布するか、または、固形分濃度の同じインクを異なる量塗布することが行われる。
【０００５】
しかし、従来では、いずれの場合でも、サブ画素間でインクの乾燥速度が異なってしまい、その結果、乾燥ムラが生じたり、インクジェットヘッドのインク吐出パターン（ビットマップ）が複雑になり、吐出バラツキの制御が困難になったりするという問題があった。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】国際公開第１１／００１６１４号
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
本発明の目的は、乾燥ムラを低減しつつ、比較的簡単な吐出パターンで、厚さの異なる複数の層を形成することができる発光装置の製造方法を提供すること、また、この製造方法で製造された発光装置およびこれを備える電子機器を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明は、上述の課題の少なくとも一部を解決するためになされたものであり、以下の形態または適用例として実現することが可能である。
【０００９】
［適用例１］
本発明の発光装置の製造方法は、第１画素領域および第２画素領域にそれぞれ有機エレクトロルミネッセンス素子が設けられた発光装置の製造方法であって、
第１材料を溶解または分散させた第１インクをインクジェットヘッドから前記第１画素領域に供給するとともに、第２材料を溶解または分散させた第２インクを前記インクジェットヘッドから前記第２画素領域に供給する供給工程と、
前記第１画素領域に供給された前記第１インクを固化させることにより第１層を形成するとともに、前記第２画素領域に供給された前記第２インクをそれぞれ固化させることにより第２層を形成する固化工程と、を有し、
前記第１インク中の前記第１材料の濃度は、前記第２インク中の前記第２材料の濃度と異なり、
前記供給工程において、前記第１画素領域に対する前記第１インクの供給および前記第２画素領域に対する前記第２インクの供給をそれぞれ前記インクジェットヘッドの複数回スキャンで分割して行い、かつ、前記第１インクおよび前記第２インクの供給量の分割パターンを互いに異ならせることを特徴とする。
【００１０】
このような発光装置に製造方法によれば、乾燥ムラを低減しつつ、比較的簡単な吐出パターンで、厚さの異なる複数の層（第１層および第２層）を形成することができる
【００１１】
［適用例２］
本発明の発光装置に製造方法では、前記供給工程において、前記複数回スキャンによる前記第１画素領域に対する前記第１インクの全供給量と第２画素領域に対する前記第２インクの全供給量とを互いに等しくするように、前記分割パターンを設定することが好ましい。
【００１２】
これにより、第１インクと第２インクとの乾燥時間の差を少なくし、乾燥ムラを低減することができる。
【００１３】
［適用例３］
本発明の発光装置に製造方法では、前記第１インク中の前記第１材料の濃度は、前記第２インク中の前記第２材料の濃度よりも低く、
前記供給工程において、１回目のスキャンにおける前記第１画素領域に対する前記第１インクの供給量を、後続するスキャンにおける前記第１画素領域に対する前記第１インクの供給量よりも多くすることが好ましい。
【００１４】
これにより、第２インクよりも固形分濃度の低い第１インクが全スキャン完了前に乾燥して乾燥ムラが生じるのを低減することができる。
【００１５】
［適用例４］
本発明の発光装置に製造方法では、前記第１材料および前記第２材料は、それぞれ、正孔注入層または正孔輸送層の構成材料またはその前駆体であることが好ましい。
【００１６】
これにより、第１層および第２層として互いに厚さの異なる正孔注入層または正孔輸送層を形成することができる。
【００１７】
［適用例５］
本発明の発光装置に製造方法では、前記第１材料および前記第２材料は、互いに発光色の異なる発光層の構成材料またはその前駆体であることが好ましい。
【００１８】
これにより、第１層および第２層として互いに厚さの異なる発光層を形成することができる。
【００１９】
［適用例６］
本発明の発光装置に製造方法は、第１画素領域および第２画素領域にそれぞれ有機エレクトロルミネッセンス素子が設けられた発光装置の製造方法であって、
第１材料を溶解または分散させた第１インクをインクジェットヘッドから前記第１画素領域に供給するとともに、第２材料を溶解または分散させた第２インクを前記インクジェットヘッドから前記第２画素領域に供給する供給工程と、
前記第１画素領域に供給された前記第１インクを固化させることにより第１層を形成するとともに、前記第２画素領域に供給された前記第２インクをそれぞれ固化させることにより第２層を形成する固化工程と、を有し、
前記第１インク中の前記第１材料の濃度は、前記第２インク中の前記第２材料の濃度よりも低く、
前記供給工程において、第２画素領域に対して前記第２インクを供給した後に、前記第１画素領域に対して前記第１インクを供給することを特徴とする。
【００２０】
このような発光装置に製造方法によれば、乾燥ムラを低減しつつ、比較的簡単な吐出パターンで、厚さの異なる複数の層（第１層および第２層）を形成することができる
【００２１】
［適用例７］
請求項１ないし６のいずれか１項に記載の発光装置に製造方法を用いて製造されたことを特徴とする発光装置。
これにより、優れた特性を有する発光装置を提供することができる。
【００２２】
［適用例８］
請求項１ないし６のいずれか１項に記載の発光装置の製造方法を用いて製造されたことを特徴とする電子機器。
これにより、優れた特性を有する発光装置を備える電子機器を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００２３】
【図１】本発明の第１実施形態に係る発光装置（表示装置）を示す断面図である。
【図２】図１に示す発光装置の製造方法（第１方法）を説明するための図である。
【図３】図１に示す発光装置の製造方法（第１方法）を説明するための図である。
【図４】図１に示す発光装置の製造方法（第２方法）を説明するための図である。
【図５】本発明の第２実施形態に係る発光装置（表示装置）を示す断面図である。
【図６】本発明の電子機器の一例であるモバイル型（またはノート型）のパーソナルコンピュータの構成を示す斜視図である。
【図７】本発明の電子機器の一例である携帯電話機（ＰＨＳも含む）の構成を示す斜視図である。
【図８】本発明の電子機器の一例であるディジタルスチルカメラの構成を示す斜視図である。
【発明を実施するための形態】
【００２４】
以下、本発明の発光装置の製造方法、発光装置および電子機器について、図面に示す好適な実施形態に基づいて説明する。なお、各図では、説明の便宜上、各部の縮尺が適宜変更されており、図示の構成は実際の縮尺と必ずしも一致するわけではない。
【００２５】
（発光装置）
まず、本発明の発光装置の一例である表示装置について説明する。
【００２６】
＜第１実施形態＞
図１は、本発明の第１実施形態に係る発光装置（表示装置）を示す断面図である。なお、以下では、説明の都合上、図１中の上側を「上」、下側を「下」として説明を行う。
【００２７】
図１に示す発光装置１００は、複数の発光素子１Ｒ、１Ｇ、１Ｂがサブ画素１００Ｒ、１００Ｇ、１００Ｂに対応して設けられ、ボトムエミッション構造のディスプレイパネルを構成している。なお、本実施形態では表示装置の駆動方式としてアクティブマトリックス方式を採用した例に説明するが、パッシブマトリックス方式を採用したものであってもよい。
【００２８】
発光装置１００は、回路基板２０と、回路基板２０上に設けられた複数の発光素子１Ｒ、１Ｇ、１Ｂと、封止基板４０と、を有している。
【００２９】
回路基板２０は、基板２１と、基板２１上に設けられた層間絶縁膜２２、複数のスイッチング素子２３および配線２４と、を有している。
【００３０】
基板２１は、実質的に透明（無色透明、着色透明または半透明）とされる。これにより、各発光素子１Ｒ、１Ｇ、１Ｂからの光を基板２１側から光を取り出すことができる。基板２１の構成材料としては、例えば、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート、ポリプロピレン、シクロオレフィンポリマー、ポリアミド、ポリエーテルサルフォン、ポリメチルメタクリレート、ポリカーボネート、ポリアリレートのような樹脂材料や、石英ガラス、ソーダガラスのようなガラス材料等が挙げられ、これらのうちの１種または２種以上を組み合わせて用いることができる。
【００３１】
なお、発光素子１Ｒ、１Ｇ、１Ｂからの光を基板２１とは反対側から取り出すトップエミッション構造とする場合は、基板２１は、不透明基板であってもよく、かかる不透明基板としては、例えば、アルミナのようなセラミックス材料で構成された基板、ステンレス鋼のような金属基板の表面に酸化膜（絶縁膜）を形成したもの、樹脂材料で構成された基板等が挙げられる。
【００３２】
このような基板２１上には、複数のスイッチング素子２３がマトリクス状に配列されている。各スイッチング素子２３は、各発光素子１Ｒ、１Ｇ、１Ｂに対応して設けられ、各発光素子１Ｒ、１Ｇ、１Ｂを駆動するための駆動用トランジスタである。
【００３３】
このような各スイッチング素子２３は、シリコンからなる半導体層２３１と、半導体層２３１上に形成されたゲート絶縁層２３２と、ゲート絶縁層２３２上に形成されたゲート電極２３３と、ソース電極２３４と、ドレイン電極２３５と、を有している。
【００３４】
このような複数のスイッチング素子２３を覆うように、絶縁材料で構成された層間絶縁膜２２が形成されている。この層間絶縁膜２２には、配線２４が設けられている。
【００３５】
層間絶縁膜２２上には、各スイッチング素子２３に対応して発光素子１Ｒ、１Ｇ、１Ｂが設けられている。発光素子１Ｒは、層間絶縁膜２２上に、陽極３Ｒ、正孔注入層４Ｒ、正孔輸送層５Ｒ、発光層６Ｒ、電子輸送層７、電子注入層８、陰極９がこの順に積層されている。同様に、発光素子１Ｇは、層間絶縁膜２２上に、陽極３Ｇ、正孔注入層４Ｇ、正孔輸送層５Ｇ、発光層６Ｇ、電子輸送層７、電子注入層８、陰極９がこの順に積層されている。また、発光素子１Ｂは、層間絶縁膜２２上に、陽極３Ｂ、正孔注入層４Ｂ、正孔輸送層５Ｂ、発光層６Ｂ、電子輸送層７、電子注入層８、陰極９がこの順に積層されている。
【００３６】
ここで、陽極３Ｒ、３Ｇ、３Ｂは、対応する発光素子１Ｒ、１Ｇ、１Ｂごとに個別に設けられた画素電極を構成し、各スイッチング素子２３のドレイン電極２３５に配線２４を介して電気的に接続されている。また、正孔注入層４Ｒ、４Ｇ、４Ｂ、正孔輸送層５Ｒ、５Ｇ、５Ｂ、発光層６Ｒ、６Ｇ、６Ｂも、それぞれ、対応する発光素子１Ｒ、１Ｇ、１Ｂごとに個別に設けられている。一方、陰極９は、発光素子１Ｒ、１Ｇ、１Ｂに共通して設けられた共通電極を構成している。また、電子輸送層７、電子注入層８も、それぞれ、発光素子１Ｒ、１Ｇ、１Ｂに共通して設けられている。なお、以下では、発光素子１Ｒ、１Ｇ、１Ｂを総称して「発光素子１」、陽極３Ｒ、３Ｇ、３Ｂを総称して「陽極３」、正孔注入層４Ｒ、４Ｇ、４Ｂを総称して「正孔注入層４」、正孔輸送層５Ｒ、５Ｇ、５Ｂを総称して「正孔輸送層５」、発光層６Ｒ、６Ｇ、６Ｂを総称して「発光層６」ともいう。
【００３７】
隣接する発光素子１Ｒ、１Ｇ、１Ｂ同士の間には、隔壁３１（バンク）が設けられている。また、このような発光素子１Ｒ、１Ｇ、１Ｂは、エポキシ樹脂等の熱硬化性樹脂で構成された樹脂層３２を介して、封止基板４０が接合されている。
【００３８】
前述したように本実施形態の各発光素子１Ｒ、１Ｇ、１Ｂはボトムエミッション型であるため、封止基板４０は、透明基板であっても、不透明基板であってもよく、封止基板４０の構成材料としては、前述した基板２１と同様の材料を用いることができる。
【００３９】
以下、発光素子１Ｒ、１Ｇ、１Ｂを詳細に説明する。
発光素子１Ｒ、１Ｇ、１Ｂにあっては、発光層６Ｒ、６Ｇ、６Ｂに対し、陰極９側から電子が供給（注入）されるとともに、陽極３Ｒ、３Ｇ、３Ｂ側から正孔が供給（注入）される。そして、発光層６Ｒ、６Ｇ、６Ｂでは、それぞれ、正孔と電子とが再結合し、この再結合に際して放出されたエネルギーによりエキシトン（励起子）が生成し、エキシトンが基底状態に戻る際にエネルギー（蛍光やりん光）を放出（発光）する。
【００４０】
以下、発光素子１の各部の構成を簡単に説明する。
（陽極）
陽極３（３Ｒ、３Ｇ、３Ｂ）は、正孔注入層４（４Ｒ、４Ｇ、４Ｂ）に正孔を注入する電極である。この陽極３Ｒ、３Ｇ、３Ｂの構成材料としては、仕事関数が大きく、導電性に優れる材料を用いるのが好ましい。
【００４１】
陽極３Ｒ、３Ｇ、３Ｂの構成材料としては、それぞれ、例えば、ＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ  Ｔｉｎ  Ｏｘｉｄｅ）、ＩＺＯ（Ｉｎｄｉｕｍ  Ｚｉｎｃ  Ｏｘｉｄｅ）、Ｉｎ３Ｏ３、ＳｎＯ２、Ｓｂ含有ＳｎＯ２、Ａｌ含有ＺｎＯ等の酸化物、Ａｕ、Ｐｔ、Ａｇ、Ｃｕまたはこれらを含む合金等が挙げられ、これらのうちの１種または２種以上を組み合わせて用いることができる。ここで、陽極３Ｒ、３Ｇ、３Ｂの構成材料は、互いに同じであっても異なっていてもよい。
【００４２】
（正孔注入層）
正孔注入層４（４Ｒ、４Ｇ、４Ｂ）は、陽極３（３Ｒ、３Ｇ、３Ｂ）からの正孔注入効率を向上させる機能を有するものである。
【００４３】
この正孔注入層４Ｒ、４Ｇ、４Ｂの構成材料（正孔注入材料）としては、それぞれ、特に限定されないが、例えば、ＴＡＰＣ（(1,1-ビス[4-(ジ-p-トリル)アミ.ノフェニル]シクロヘキサン)) ：4,4'-Cyclohexylidenebis[N,N-bis(4-methylphenyl)aniline]）、ＴＰＤ（N,N’-ジフェニル-N,N’-ビス-(3-メチルフェニル)-１,１’ビフェニル-4,4’-ジアミン）、α−ＮＰＤ（N,N’-ジフェニル-N,N’-ビス-(1-ナフチル)-１,１’ビフェニル-4,4’-ジアミン）、ｍ−ＭＴＤＡＴＡ（4，4’，4”−トリス（Ｎ−３−メチルフェニルアミノ）−トリフェニルアミン：4,4’,4”-Tris(N-3-methylphenyl-N-phenylamino)-triphenylamine）、２−ＴＮＡＴＡ（４，４’，４”−トリス（Ｎ, Ｎ−（２−ナフチル）フェニルアミノ）トリフェニルアミン）、ＴＣＴＡ（4，4’，4”−トリ（Ｎ−カルバゾル基）トリフェニルアミン：Tris-(4-carbazoyl-9-yl-phenyl)-amine）、ＴＤＡＰＢ（１，３，５−トリス−（Ｎ，Ｎ−ビス−（４−メトキシ−フェニル）−アミノフェニル）−ベンゼン：1,3,5-tris[4-(diphenylamino)phenyl]benzene）、スピローＴＡＤ、ＨＴＭ１（Tri-p-tolylamineHTM2,1,1-bis[(di-4-tolylamino) phenyl]cyclohexane）、ＨＴＭ２（1,1-bis[(di-4-tolylamino) phenyl]cyclohexane）、ＴＰＴ１（1,3,5-tris(4-pyridyl)-2,4,6-triazin）、ＴＰＴＥ（Triphenylamine-tetramer）等が挙げられ、これらのうちの１種または２種以上を組み合わせて用いることができる。ここで、正孔注入層４Ｒ、４Ｇ、４Ｂの構成材料は、互いに同じであっても異なっていてもよい。
【００４４】
本実施形態では、正孔注入層４Ｒの厚さｔ１が正孔注入層４Ｂの厚さｔ３よりも薄く、かつ、正孔注入層４Ｇの厚さｔ２が正孔注入層４Ｂの厚さｔ３よりも厚い。すなわち、これらの厚さｔ１、ｔ２、ｔ３は、ｔ１＜ｔ３＜ｔ２の関係を満たしている。これにより、発光素子１Ｒ、１Ｇ、１Ｂごとに、正孔注入性を最適化したり、陽極３と陰極９との間の光学ギャップを最適化したりすることができる。なお、厚さｔ１、ｔ２、ｔ３の大小関係は、これに限定されるものではない。
【００４５】
このような正孔注入層４Ｒ、４Ｇ、４Ｂの具体的な厚さｔ１、ｔ２、ｔ３は、それぞれ、特に限定されないが、５〜１５０ｎｍ程度であるのが好ましく、１０〜１００ｎｍ程度であるのがより好ましい。
【００４６】
なお、正孔注入層４Ｒ、４Ｇ、４Ｂは、省略することができる。この場合、正孔輸送層５Ｒ、５Ｇ、５Ｂが正孔注入層４Ｒ、４Ｇ、４Ｂを兼ねていてもよい。
【００４７】
（正孔輸送層）
正孔輸送層５（５Ｒ、５Ｇ、５Ｂ）は、陽極３（３Ｒ、３Ｇ、３Ｂ）から正孔注入層４（４Ｒ、４Ｇ、４Ｂ）を介して注入された正孔を発光層６（６Ｒ、６Ｇ、６Ｂ）まで輸送する機能を有するものである。
【００４８】
この正孔輸送層５Ｒ、５Ｇ、５Ｂの構成材料としては、それぞれ、特に限定されないが、例えば、ＴＦＢ（poly(9,9-dioctyl-fluorene-co-N-(4- butylphenyl)-diphenylamine)）等のトリフェニルアミン系ポリマー等のアミン系化合物、ポリフルオレン誘導体（ＰＦ）やポリパラフェニレンビニレン誘導体（ＰＰＶ）、ポリパラフェニレン誘導体（ＰＰＰ）、ポリビニカルバゾール（ＰＶＫ）、ポリチオフェン誘導体、ポリメチルフェニルシラン（ＰＭＰＳ）を含むポリシラン系などの高分子有機材料が挙げられ、これらのうちの１種または２種以上を組み合わせて用いることができる。ここで、正孔輸送層５Ｒ、５Ｇ、５Ｂの構成材料は、互いに同じであっても異なっていてもよい。また、前述した正孔注入層４Ｒ、４Ｇ、４Ｂの構成材料を正孔輸送層５Ｒ、５Ｇ、５Ｂの構成材料として用いることもできる。
【００４９】
このような正孔輸送層５Ｒ、５Ｇ、５Ｂの厚さは、それぞれ、特に限定されないが、１０〜１５０ｎｍ程度であるのが好ましく、１０〜１００ｎｍ程度であるのがより好ましい。ここで、正孔輸送層５Ｒ、５Ｇ、５Ｂの厚さは、互いに同じであっても異なっていてもよい。
【００５０】
なお、正孔輸送層５Ｒ、５Ｇ、５Ｂは、省略することができる。この場合、正孔注入層４Ｒ、４Ｇ、４Ｂが正孔輸送層５Ｒ、５Ｇ、５Ｂを兼ねていてもよい。
【００５１】
（発光層）
発光層６（６Ｒ、６Ｇ、６Ｂ）は、正孔輸送層５（５Ｒ、５Ｇ、５Ｂ）に接して設けられている。この発光層６Ｒ、６Ｇ、６Ｂは、それぞれ、発光材料を含んで構成されている。この発光材料としては、特に限定されず、各種蛍光材料、燐光材料を１種または２種以上組み合わせて用いることができる。すなわち、発光層６Ｒは、発光材料として赤色蛍光材料または赤色燐光材料が用いられ、発光層６Ｇは、発光材料として緑色蛍光材料または緑色燐光材料が用いられ、発光層６Ｂは、発光材料として青色蛍光材料または青色燐光材料が用いられる。
【００５２】
赤色蛍光材料としては、赤色の蛍光を発するものであれば特に限定されず、例えば、ジインデノペリレン誘導体等のペリレン誘導体、ユーロピウム錯体、ベンゾピラン誘導体、ローダミン誘導体、ベンゾチオキサンテン誘導体、ポルフィリン誘導体、ナイルレッド、２−（１，１−ジメチルエチル）−６−（２−（２，３，６，７−テトラヒドロ−１，１，７，７−テトラメチル−１Ｈ，５Ｈ−ベンゾ（ｉｊ）キノリジン−９−イル）エテニル）−４Ｈ−ピラン−４Ｈ−イリデン）プロパンジニトリル（ＤＣＪＴＢ）、４−（ジシアノメチレン）−２−メチル−６−（ｐ−ジメチルアミノスチリル）−４Ｈ−ピラン（ＤＣＭ）等を挙げられる。
【００５３】
赤色燐光材料としては、赤色の燐光を発するものであれば特に限定されず、例えば、イリジウム、ルテニウム、白金、オスミウム、レニウム、パラジウム等の金属錯体が挙げられ、これら金属錯体の配位子の内の少なくとも１つがフェニルピリジン骨格、ビピリジル骨格、ポルフィリン骨格等を持つものも挙げられる。より具体的には、トリス（１−フェニルイソキノリン）イリジウム、ビス［２−（２’−ベンゾ［４，５−α］チエニル）ピリジネート−Ｎ，Ｃ３’］イリジウム（アセチルアセトネート）（ｂｔｐ２Ｉｒ（ａｃａｃ））、２，３，７，８，１２，１３，１７，１８−オクタエチル−１２Ｈ，２３Ｈ−ポルフィリン−白金（ＩＩ）、ビス［２−（２’−ベンゾ［４，５−α］チエニル）ピリジネート−Ｎ，Ｃ３’］イリジウム、ビス（２−フェニルピリジン）イリジウム（アセチルアセトネート）が挙げられる。
【００５４】
緑色蛍光材料としては、緑色の蛍光を発するものであれば特に限定されず、例えば、クマリン誘導体、キナクリドン誘導体等のキナクリドンおよびその誘導体、９，１０−ビス［（９−エチル−３−カルバゾール）−ビニレニル］−アントラセン、ポリ（９，９−ジヘキシル−２，７−ビニレンフルオレニレン）、ポリ［（９，９−ジオクチルフルオレン−２，７−ジイル）−コ−（１，４−ジフェニレン−ビニレン−２−メトキシ−５−｛２−エチルヘキシルオキシ｝ベンゼン）］、ポリ［（９，９−ジオクチル−２，７−ジビニレンフルオレニレン）−オルト−コ−（２−メトキシ−５−（２−エトキシルヘキシルオキシ）−１，４−フェニレン）］等が挙げられる。
【００５５】
緑色燐光材料としては、緑色の燐光を発するものであれば特に限定されず、例えば、イリジウム、ルテニウム、白金、オスミウム、レニウム、パラジウム等の金属錯体が挙げられ、具体的には、ファク−トリス（２−フェニルピリジン）イリジウム（Ｉｒ（ｐｐｙ）３）、ビス（２−フェニルピリジネート−Ｎ，Ｃ２’）イリジウム（アセチルアセトネート）、ファク−トリス［５−フルオロ−２−（５−トリフルオロメチル−２−ピリジン）フェニル−Ｃ，Ｎ］イリジウム等が挙げられる。
【００５６】
青色蛍光材料としては、青色の蛍光を発するものであれば、特に限定されず、例えば、ジスチリルジアミン系化合物等のジスチリルアミン誘導体、フルオランテン誘導体、ピレン誘導体、ペリレンおよびペリレン誘導体、アントラセン誘導体、ベンゾオキサゾール誘導体、ベンゾチアゾール誘導体、ベンゾイミダゾール誘導体、クリセン誘導体、フェナントレン誘導体、ジスチリルベンゼン誘導体、テトラフェニルブタジエン、４，４’−ビス（９−エチル−３−カルバゾビニレン）−１，１’−ビフェニル（ＢＣｚＶＢｉ）、ポリ［（９．９−ジオクチルフルオレン−２，７−ジイル）−コ−（２，５−ジメトキシベンゼン−１，４−ジイル）］、ポリ［（９，９−ジヘキシルオキシフルオレン−２，７−ジイル）−オルト−コ−（２−メトキシ−５−｛２−エトキシヘキシルオキシ｝フェニレン−１，４−ジイル）］、ポリ［（９，９−ジオクチルフルオレン−２，７−ジイル）−コ−（エチルニルベンゼン）］等が挙げられる。
【００５７】
青色燐光材料としては、青色の燐光を発するものであれば、特に限定されず、例えば、イリジウム、ルテニウム、白金、オスミウム、レニウム、パラジウム等の金属錯体が挙げられ、具体的には、ビス［４，６−ジフルオロフェニルピリジネート−Ｎ，Ｃ２’］−ピコリネート−イリジウム、トリス［２−（２，４−ジフルオロフェニル）ピリジネート−Ｎ，Ｃ２’］イリジウム、ビス［２−（３，５−トリフルオロメチル）ピリジネート−Ｎ，Ｃ２’］−ピコリネート−イリジウム、ビス（４，６−ジフルオロフェニルピリジネート−Ｎ，Ｃ２’）イリジウム（アセチルアセトネート）等が挙げられる。
【００５８】
また、発光層６Ｒ、６Ｇ、６Ｂ中には、それぞれ、前述した発光材料の他に、発光材料がゲスト材料として添加されるホスト材料が含まれていてもよい。このホスト材料は、正孔と電子とを再結合して励起子を生成するとともに、その励起子のエネルギーを発光材料に移動（フェルスター移動またはデクスター移動）させて、発光材料を励起する機能を有する。このようなホスト材料を用いる場合、例えば、ゲスト材料である発光材料をドーパントとしてホスト材料にドープして用いることができる。
【００５９】
このようなホスト材料としては、用いる発光材料に対して前述したような機能を発揮するものであれば、特に限定されないが、例えば、ナフタセン誘導体、ナフタレン誘導体、アントラセン誘導体のようなアセン誘導体（アセン系材料）、ジスチリルアリーレン誘導体、ペリレン誘導体、ジスチリルベンゼン誘導体、ジスチリルアミン誘導体、トリス（８−キノリノラト）アルミニウム錯体（Ａｌｑ３）等のキノリノラト系金属錯体、トリフェニルアミンの４量体等のトリアリールアミン誘導体、オキサジアゾール誘導体、シロール誘導体、ジカルバゾール誘導体、オリゴチオフェン誘導体、ベンゾピラン誘導体、トリアゾール誘導体、ベンゾオキサゾール誘導体、ベンゾチアゾール誘導体、キノリン誘導体、４，４’−ビス（２，２’−ジフェニルビニル）ビフェニル（ＤＰＶＢｉ）等が挙げられ、これらのうちの１種または２種以上を組み合わせて用いることもできる。
【００６０】
前述したような発光材料（ゲスト材料）およびホスト材料を用いる場合、発光層６Ｒ、６Ｇ、６Ｂ中における発光材料の含有量（ドープ量）は、それぞれ、０．０１〜１０ｗｔ％であるのが好ましく、０．１〜５ｗｔ％であるのがより好ましい。発光材料の含有量をこのような範囲内とすることで、発光効率を最適化することができる。
【００６１】
このような発光層６Ｒ、６Ｇ、６Ｂの厚さは、それぞれ、特に限定されないが、１０〜１５０ｎｍ程度であるのが好ましく、１０〜１００ｎｍ程度であるのがより好ましい。ここで、発光層６Ｒ、６Ｇ、６Ｂの厚さは、互いに同じであっても異なっていてもよい。また、発光層６Ｒ、６Ｇ、６Ｂは、積層された複数の発光層で構成されていてもよく、その場合、任意の発光層間に発光しない中間層が介在していてもよい。
【００６２】
（電子輸送層）
電子輸送層７は、陰極９から電子注入層８を介して注入された電子を発光層６Ｒ、６Ｇ、６Ｂに輸送する機能を有するものである。
【００６３】
電子輸送層７の構成材料（電子輸送材料）としては、例えば、トリス（８−キノリノラト）アルミニウム（Ａｌｑ３）等の８−キノリノールなしいその誘導体を配位子とする有機金属錯体などのキノリン誘導体、オキサジアゾール誘導体、ペリレン誘導体、ピリジン誘導体、ピリミジン誘導体、キノキサリン誘導体、ジフェニルキノン誘導体、ニトロ置換フルオレン誘導体等が挙げられ、これらのうちの１種または２種以上を組み合わせて用いることができる。
【００６４】
電子輸送層７の平均厚さは、特に限定されないが、０．５〜１００ｎｍ程度であるのが好ましく、１〜５０ｎｍ程度であるのがより好ましい。
なお、この電子輸送層７は、省略することができる。
【００６５】
（電子注入層）
電子注入層８は、陰極９からの電子注入効率を向上させる機能を有するものである。
【００６６】
この電子注入層８の構成材料（電子注入材料）としては、例えば、各種の無機絶縁材料、各種の無機半導体材料が挙げられる。
【００６７】
このような無機絶縁材料としては、例えば、アルカリ金属カルコゲナイド（酸化物、硫化物、セレン化物、テルル化物）、アルカリ土類金属カルコゲナイド、アルカリ金属のハロゲン化物およびアルカリ土類金属のハロゲン化物等が挙げられ、これらのうちの１種または２種以上を組み合わせて用いることができる。これらを主材料として電子注入層を構成することにより、電子注入性をより向上させることができる。特にアルカリ金属化合物（アルカリ金属カルコゲナイド、アルカリ金属のハロゲン化物等）は仕事関数が非常に小さく、これを用いて電子注入層８を構成することにより、発光素子１は、高い輝度が得られるものとなる。
【００６８】
アルカリ金属カルコゲナイドとしては、例えば、Ｌｉ２Ｏ、ＬｉＯ、Ｎａ２Ｓ、Ｎａ２Ｓｅ、ＮａＯ等が挙げられる。アルカリ土類金属カルコゲナイドとしては、例えば、ＣａＯ、ＢａＯ、ＳｒＯ、ＢｅＯ、ＢａＳ、ＭｇＯ、ＣａＳｅ等が挙げられる。アルカリ金属のハロゲン化物としては、例えば、ＣｓＦ、ＬｉＦ、ＮａＦ、ＫＦ、ＬｉＣｌ、ＫＣｌ、ＮａＣｌ等が挙げられる。アルカリ土類金属のハロゲン化物としては、例えば、ＣａＦ２、ＢａＦ２、ＳｒＦ２、ＭｇＦ２、ＢｅＦ２等が挙げられる。
【００６９】
また、無機半導体材料としては、例えば、Ｌｉ、Ｎａ、Ｂａ、Ｃａ、Ｓｒ、Ｙｂ、Ａｌ、Ｇａ、Ｉｎ、Ｃｄ、Ｍｇ、Ｓｉ、Ｔａ、ＳｂおよびＺｎのうちの少なくとも１つの元素を含む酸化物、窒化物または酸化窒化物等が挙げられ、これらのうちの１種または２種以上を組み合わせて用いることができる。
【００７０】
電子注入層８の平均厚さは、特に限定されないが、０．１〜１０００ｎｍ程度であるのが好ましく、０．２〜１００ｎｍ程度であるのがより好ましく、０．２〜５０ｎｍ程度であるのがさらに好ましい。
なお、この電子注入層８は、省略することができる。
【００７１】
（陰極）
陰極９は、電子注入層８を介して電子輸送層７に電子を注入する電極である。この陰極９の構成材料としては、仕事関数の小さい材料を用いるのが好ましい。
【００７２】
陰極９の構成材料としては、例えば、Ｌｉ、Ｍｇ、Ｃａ、Ｓｒ、Ｌａ、Ｃｅ、Ｅｒ、Ｅｕ、Ｓｃ、Ｙ、Ｙｂ、Ａｇ、Ｃｕ、Ａｌ、Ｃｓ、Ｒｂまたはこれらを含む合金等が挙げられ、これらのうちの１種または２種以上を組み合わせて（例えば、複数層の積層体等）用いることができる。
【００７３】
特に、陰極９の構成材料として合金を用いる場合には、Ａｇ、Ａｌ、Ｃｕ等の安定な金属元素を含む合金、具体的には、ＭｇＡｇ、ＡｌＬｉ、ＣｕＬｉ等の合金を用いるのが好ましい。かかる合金を陰極９の構成材料として用いることにより、陰極９の電子注入効率および安定性の向上を図ることができる。
【００７４】
また、本実施形態の発光素子１は、ボトムエミッション型であるため、陰極９は、光透過性を有していなくてもよい。
【００７５】
（発光装置の製造方法）
次に、本発明の発光装置の製造方法について、前述した発光装置１００を製造する場合を例に説明する。
【００７６】
図２および図３は、図１に示す発光装置の製造方法（第１方法）を説明するための図である。また、図４は、図１に示す発光装置の製造方法（第２方法）を説明するための図である。
【００７７】
−第１方法−
まず、発光装置１００を製造する第１方法について説明する。
【００７８】
［１］
まず、回路基板２０を用意し、図２（ａ）に示すように、この回路基板２０上に陽極３Ｒ、３Ｇ、３Ｂを形成した後、隔壁３１を形成する。
【００７９】
陽極３Ｒ、３Ｇ、３Ｂは、例えば、回路基板２０上に、蒸着法、ＣＶＤ法等の気相成膜法を用いて電極材料を成膜した後、これをエッチング等を用いてパターニングすることにより得られる。
【００８０】
また、隔壁３１は、陽極３Ｒ、３Ｇ、３Ｂがそれぞれ露出するようにフォトリソグラフィー法等を用いてパターニングすること等により形成することができる。なお、以下では、陽極３Ｒ、３Ｇ、３Ｂに対応する各隔壁３１内の領域を、それぞれ、Ｒ画素領域（第１画素領域）、Ｇ画素領域（第２画素領域）、Ｂ画素領域（第３画素領域）という。
【００８１】
ここで、隔壁３１の構成材料は、耐熱性、撥液性、インク溶剤耐性、回路基板２０等との密着性等を考慮して選択される。具体的には、隔壁３１の構成材料としては、例えば、アクリル系樹脂、ポリイミド系樹脂、エポキシ系樹脂のような有機材料や、ＳｉＯ２のような無機材料が挙げられる。
【００８２】
また、陽極３Ｒ、３Ｇ、３Ｂおよび隔壁３１の形成後、必要に応じて、陽極３Ｒ、３Ｇ、３Ｂおよび隔壁３１の表面に酸素プラズマ処理を施してもよい。これにより、陽極３Ｒ、３Ｇ、３Ｂの表面に親液性を付与すること、陽極３Ｒ、３Ｇ、３Ｂおよび隔壁３１の表面に付着する有機物を除去（洗浄）すること、陽極３Ｒ、３Ｇ、３Ｂの表面付近の仕事関数を調整すること等を行うことができる。
【００８３】
ここで、酸素プラズマ処理の条件としては、例えば、プラズマパワー１００〜８００Ｗ程度、酸素ガス流量５０〜１００ｍＬ／ｍｉｎ程度、被処理部材（陽極３Ｒ、３Ｇ、３Ｂ）の搬送速度０．５〜１０ｍｍ／ｓｅｃ程度、回路基板２０の温度７０〜９０℃程度とするのが好ましい。
【００８４】
また、この酸素プラズマ処理の後、ＣＦ４等のフッ素系ガスを処理ガスとしてプラズマ処理するのが好ましい。これにより、有機材料である感光性樹脂からなる隔壁３１の表面のみにフッ素系ガスが反応して撥液化される。これによって、隔壁３１内に付与される液体が不本意に濡れ拡がるのを低減することができる。
【００８５】
［２］
２−１供給工程
次に、図２（ｂ）〜図２（ｄ）に示すように、インクジェットヘッド２００から正孔注入層形成用のインク４ａ、４ｂ、４ｃを隔壁３１内の陽極３Ｒ、３Ｇ、３Ｂ上（Ｒ画素領域、Ｇ画素領域、Ｂ画素領域）にそれぞれ供給する。ここで、インク４ａ、４ｂ、４ｃの供給は、それぞれ、対応する画素領域に対して、インクジェットヘッド２００を複数回（本実施形態では３回）スキャン（走査）させ、複数回のスキャンで分割して行う。これにより、誤差分散により、最終的に供給されるインク量を画素領域間で均一化することができる。
【００８６】
具体的に説明すると、１スキャン目では、最終的な供給量を３分割した量のうちの１分割目の量となるように、図２（ｂ）に示すように、インクジェットヘッド２００から、インク４ａ（第１インク）を陽極３Ｒ上（Ｒ画素領域）に、インク４ｂ（第２インク）を陽極３Ｇ上（Ｇ画素領域）に、インク４ｃ（第３インク）を陽極３Ｂ上（Ｂ画素領域）に供給する。
【００８７】
２スキャン目では、最終的な供給量を３分割した量のうちの２分割目の量となるように、図２（ｃ）に示すように、インクジェットヘッド２００から、インク４ａを陽極３Ｒ上（Ｒ画素領域）に、インク４ｂを陽極３Ｇ上（Ｇ画素領域）に、インク４ｃを陽極３Ｂ上（Ｂ画素領域）に供給する。
【００８８】
３スキャン目では、最終的な供給量を３分割した量のうちの３分割目の量となるように、図２（ｄ）に示すように、インクジェットヘッド２００から、インク４ａを陽極３Ｒ上（Ｒ画素領域）に、インク４ｂを陽極３Ｇ上（Ｇ画素領域）に、インク４ｃを陽極３Ｂ上（Ｂ画素領域）に供給する。
【００８９】
ここで、インク４ａは、正孔注入層４Ｒの構成材料またはその前駆体を第１材料（溶質または分散質）として溶媒に溶解または分散媒に分散させてなるものである。また、インク４ｂは、正孔注入層４Ｇの構成材料またはその前駆体を第２材料（溶質または分散質）として溶媒に溶解または分散媒に分散させてなるものである。また、インク４ｃは、正孔注入層４Ｂの構成材料またはその前駆体を第３材料（溶質または分散質）として溶媒に溶解または分散媒に分散させてなるものである。溶媒または分散媒としては、例えば、各種無機溶媒や、各種有機溶媒、または、これらを含む混合溶媒等が挙げられる。
【００９０】
本実施形態では、インク４ａの固形分濃度（溶媒または分散媒に対する溶質または分散質の含有率）がインク４ｃの固形分濃度よりも低く、かつ、インク４ｂの固形分濃度がインク４ｃの固形分濃度よりも高い。すなわち、これらのインクの固形分濃度は、（インク４ａの固形分濃度）＜（インク４ｃの固形分濃度）＜（インク４ｂの固形分濃度）の関係を満たしている。これにより、最終的に供給されるインク量をＲ、Ｇ、Ｂ画素領域間で等しくし、吐出パターンを簡単化することができる。
【００９１】
このようなインクを画素領域に対して複数回のスキャンで分割して供給する場合、最終的な量のインクが供給される前の画素領域では、インク量が少なく、溶媒または分散媒が揮発しやすい。特に、固形分濃度が低いインクは、固形分濃度が高いインクに比べて、溶媒または分散媒が揮発しやすい。このようなことから、かかる場合、スキャンごとのインク供給量をスキャン回数で均等に分割した量とすると、最終的な量のインクが供給される前（特に１スキャン目）の画素領域では、インクの供給量が少なすぎてしまい、固形分濃度の低いインクの溶媒または分散媒が揮発することによって、最終的に得られる膜（すなわち正孔注入層）に乾燥ムラが生じ、その結果、素子特性に悪影響を及ぼすという問題がある。
【００９２】
そこで、本実施形態では、インクの固形分濃度に応じて、スキャンごとのインク供給量（供給量の分割パターン）を異ならせる。具体的には、インク４ｂ、４ｃよりも固形分濃度の低いインク４ａにおいて、１スキャン目の供給量を後発（後続またはそれ以降）の３スキャン目の供給量よりも多くする。本実施形態では、２スキャン目のインク４ａの供給量も後発（後続またはそれ以降）の３スキャン目のインク４ａの供給量よりも多くする。これにより、前述したような溶媒または分散媒の揮発に起因する乾燥ムラを低減することができる。
【００９３】
一方、インク４ａ、４ｃよりも固形分濃度の高いインク４ｂにおいて、１スキャン目の供給量を後発（後続またはそれ以降）の３スキャン目の供給量よりも少なくする。本実施形態では、２スキャン目のインク４ｂの供給量も後発（後続またはそれ以降）の３スキャン目のインク４ｂの供給量よりも少なくする。これにより、インク４ａより溶媒または分散媒が揮発し難いインク４ｂからの溶媒または分散媒の揮発を促進させて、インク４ｂの乾燥速度がインク４ａ、４ｃの乾燥速度と差が生じるのを低減し、その結果、前述したような溶媒または分散媒の揮発に起因する乾燥ムラを効果的に低減することができる。
【００９４】
また、インク４ａとインク４ｂとの間の固形分濃度のインク４ｃでは、各スキャンにおける供給量を互いに等しくする。
【００９５】
ここで、インク４ａ、４ｂ、４ｃの最終的な供給量が互いに等しい。そのため、前述したようにスキャンごとのインク供給量を設定した結果、１スキャン目において、インク４ｂ、４ｃよりも固形分濃度の低いインク４ａの供給量（１分割目の供給量）をインク４ｂ、４ｃの供給量よりも多くし、また、インク４ｂよりも固形分濃度の低いインク４ｃの供給量を、インク４ｂの供給量よりも多くする。
【００９６】
また、２スキャン目においても、インク４ｂ、４ｃよりも固形分濃度の低いインク４ａの供給量（２分割目の供給量）をインク４ｂ、４ｃの供給量よりも多くする。
【００９７】
そして、３スキャン目において、インク４ｂ、４ｃよりも固形分濃度の低いインク４ａの供給量（３分割目の供給量）をインク４ｂ、４ｃの供給量よりも少なくし、また、インク４ｂよりも固形分濃度の低いインク４ｃの供給量を、インク４ｂの供給量よりも少なくする。これにより、最終的な供給量を画素領域間で等しくすることができる。
【００９８】
以上のように、インク４ａ、４ｂ、４ｃを陽極３Ｒ、３Ｇ、３Ｂ上（Ｒ画素領域、Ｇ画素領域、Ｂ画素領域）にそれぞれ分割して供給することにより、最終的に得られる正孔注入層４Ｒ、４Ｇ、４Ｂの乾燥ムラを低減するとともに、インクジェットヘッド２００の吐出パターンを簡単化することができる。
なお、スキャン回数は、３回に限定されず、２回または４回以上であってもよい。
【００９９】
２−２固化工程
その後、陽極３Ｒ、３Ｇ、３Ｂ上のインク４ａ、４ｂ、４ｃを、乾燥（脱溶媒または脱分散媒）し、必要に応じて加熱処理することにより、固化させて、図３（ａ）に示すように、正孔注入層４Ｒ、４Ｇ、４Ｂ（第１層、第２層、第３層）を形成する。
【０１００】
乾燥は、例えば、大気圧または減圧雰囲気中での放置、加熱処理、不活性ガスの吹付け等により行うことができるが、５Ｐａ以下の真空状態で１０分間〜１時間程度減圧乾燥を行った後に、大気圧のオーブン内にて１５０℃〜２５０℃で５分間〜３０分間程度加熱乾燥することが好ましい。これにより、平坦で優れた特性を有する正孔注入層４Ｒ、４Ｇ、４Ｂを形成することができる。
【０１０１】
以上のように、インク４ａ、４ｂ、４ｃを用いた液相プロセスにより、正孔注入層４Ｒ、４Ｇ、４Ｂが形成される。
【０１０２】
［３］
次に、図３（ｂ）に示すように、正孔注入層４Ｒ、４Ｇ、４Ｂ上に、正孔輸送層５Ｒ、５Ｇ、５Ｂ、発光層６Ｒ、６Ｇ、６Ｂをこの順で形成する。
【０１０３】
正孔輸送層５Ｒ、５Ｇ、５Ｂおよび発光層６Ｒ、６Ｇ、６Ｂの形成は、前述した工程［２］と同様、液相プロセスを用いて形成することができる。なお、本工程では、各画素領域に対するインクの供給量、供給順序等の条件は、前述した工程［２］と異なっていてもよい。
【０１０４】
［４］
次に、図３（ｃ）発光層６Ｒ、６Ｇ、６Ｂ上に、隔壁３１を跨ってこれらを覆うようにして、電子輸送層７、電子注入層８および陰極９をこの順で形成する。
【０１０５】
電子輸送層７、電子注入層８および陰極９は、それぞれ、例えば、真空蒸着等の乾式メッキ法等を用いた気相プロセスにより形成することができる。
【０１０６】
［５］
最後に、図３（ｄ）に示すように、陰極９を樹脂層３２（封止層）を介して封止基板４０を接着する。これにより、発光装置１００が得られる。
【０１０７】
以上説明したような発光装置１００の製造方法によれば、供給工程２−１において、Ｒ、Ｇ、Ｂ画素領域に対するインク４ａ、４ｂ、４ｃの供給をそれぞれインクジェットヘッド２００の複数回スキャンで分割して行い、かつ、互いに固形分濃度の異なるインク４ａ、４ｂ、４ｃの供給量の分割パターンを互いに異ならせることにより、乾燥ムラを低減しつつ、比較的簡単な吐出パターンで、厚さの異なる複数の正孔注入層４Ｒ、４Ｇ、４Ｂを形成することができる。
【０１０８】
特に、供給工程２−２において、複数回スキャンによるＲ、Ｇ、Ｂ画素領域に対するインク４ａ、４ｂ、４ｃの全供給量を互いに等しくするように、分割パターンを設定することにより、インク４ａ、４ｂ、４ｃの乾燥時間の差を少なくし、乾燥ムラを低減することができる。
【０１０９】
また、インク４ｂ、４ｃよりも固形分濃度の低いインク４ａについて、１回目のスキャンにおけるＲ画素領域に対する供給量を、後続するスキャンにおけるＲ画素領域に対する供給量よりも多くすることにより、インク４ａが全スキャン完了前に乾燥して乾燥ムラが生じるのを低減することができる。
【０１１０】
−第２方法−
次に、発光装置１００を製造する第２方法について説明する。
【０１１１】
第２方法に係る発光装置１００の製造方法は、前述した第１方法に係る発光装置１００の製造方法において、前述した工程［２］中の工程２−１に代えて、下記工程２−１Ａを有する。以下、この工程２−１Ａについて説明する。なお、以下では、前述した第１方法と異なる事項を中心に説明し、同様の事項については、その説明を省略する。
【０１１２】
２−１Ａ
まず、図４（ａ）に示すように回路基板２０を用意した後、図４（ｂ）に示すように、インクジェットヘッド２００から正孔注入層形成用のインク４ｂを隔壁３１内の陽極３Ｇ上（Ｇ画素領域）に供給する。このとき、インク４ｂを最終的な量となるまで供給する。
【０１１３】
次に、図４（ｃ）に示すように、インクジェットヘッド２００から正孔注入層形成用のインク４ｃを隔壁３１内の陽極３Ｂ上（Ｂ画素領域）に供給する。このとき、インク４ｃを最終的な量となるまで供給する。
【０１１４】
その後、図４（ｄ）に示すように、インクジェットヘッド２００から正孔注入層形成用のインク４ａを隔壁３１内の陽極３Ｒ上（Ｒ画素領域）に供給する。このとき、インク４ａを最終的な量となるまで供給する。
【０１１５】
このように、固形分濃度の高い順でインク４ａ、４ｂ、４ｃを供給することによっても、固形分濃度の低いインクからの溶媒または分散媒の揮発が抑えられ、その結果、前述したような溶媒または分散媒の揮発に起因する乾燥ムラをより効果的に低減することができる。
【０１１６】
＜第２実施形態＞
図５は、本発明の第２実施形態に係る発光装置（表示装置）を示す断面図である。
【０１１７】
以下、第２実施形態の発光装置について、前述した実施形態の発光装置との相違点を中心に説明し、同様の事項については、その説明を省略する。
【０１１８】
第２実施形態の発光装置１００Ａは、正孔注入層および発光層の厚さが異なる以外は、第１実施形態の発光装置１００と同様である。
【０１１９】
図５に示す発光装置１００Ａでは、発光層６Ｒの厚さｔ４が発光層６Ｂの厚さｔ６よりも薄く、かつ、発光層６Ｇの厚さｔ５が発光層６Ｂの厚さｔ６よりも厚い。すなわち、これらの厚さｔ４、ｔ５、ｔ６は、ｔ４＜ｔ６＜ｔ５の関係を満たしている。これにより、発光素子１Ｒ、１Ｇ、１Ｂごとに、発光特性を最適化したり、陽極３と陰極９との間の光学ギャップを最適化したりすることができる。なお、厚さｔ４、ｔ５、ｔ６の大小関係は、これに限定されるものではない。
【０１２０】
このような発光装置１００Ａの発光層６Ｒ、６Ｇ、６Ｂは、前述した第１実施形態の発光装置１００の製造方法における正孔注入層４Ｒ、４Ｇ、４Ｂと同様に形成することができる。これにより、発光層６Ｒ、６Ｇ、６Ｂの乾燥ムラを低減するとともに、インクジェット法を用いて発光層６Ｒ、６Ｇ、６Ｂを形成する際の吐出パターンを簡単化することができる。
【０１２１】
（電子機器）
図６は、本発明の電子機器を適用したモバイル型（またはノート型）のパーソナルコンピュータの構成を示す斜視図である。
【０１２２】
この図において、パーソナルコンピュータ１１００は、キーボード１１０２を備えた本体部１１０４と、表示部を備える表示ユニット１１０６とにより構成され、表示ユニット１１０６は、本体部１１０４に対しヒンジ構造部を介して回動可能に支持されている。
【０１２３】
このパーソナルコンピュータ１１００において、表示ユニット１１０６が備える表示部が前述の発光装置１００で構成されている。
【０１２４】
図７は、本発明の電子機器を適用した携帯電話機（ＰＨＳも含む）の構成を示す斜視図である。
【０１２５】
この図において、携帯電話機１２００は、複数の操作ボタン１２０２、受話口１２０４および送話口１２０６とともに、表示部を備えている。
携帯電話機１２００において、この表示部が前述の発光装置１００で構成されている。
【０１２６】
図８は、本発明の電子機器を適用したディジタルスチルカメラの構成を示す斜視図である。なお、この図には、外部機器との接続についても簡易的に示されている。
【０１２７】
ここで、通常のカメラは、被写体の光像により銀塩写真フィルムを感光するのに対し、ディジタルスチルカメラ１３００は、被写体の光像をＣＣＤ（Charge Coupled Device）などの撮像素子により光電変換して撮像信号（画像信号）を生成する。
【０１２８】
ディジタルスチルカメラ１３００におけるケース（ボディー）１３０２の背面には、表示部が設けられ、ＣＣＤによる撮像信号に基づいて表示を行う構成になっており、被写体を電子画像として表示するファインダとして機能する。
【０１２９】
ディジタルスチルカメラ１３００において、この表示部が前述の発光装置１００で構成されている。
【０１３０】
ケースの内部には、回路基板１３０８が設置されている。この回路基板１３０８は、撮像信号を格納（記憶）し得るメモリが設置されている。
【０１３１】
また、ケース１３０２の正面側（図示の構成では裏面側）には、光学レンズ（撮像光学系）やＣＣＤなどを含む受光ユニット１３０４が設けられている。
【０１３２】
撮影者が表示部に表示された被写体像を確認し、シャッタボタン１３０６を押下すると、その時点におけるＣＣＤの撮像信号が、回路基板１３０８のメモリに転送・格納される。
【０１３３】
また、このディジタルスチルカメラ１３００においては、ケース１３０２の側面に、ビデオ信号出力端子１３１２と、データ通信用の入出力端子１３１４とが設けられている。そして、図示のように、ビデオ信号出力端子１３１２にはテレビモニタ１４３０が、デ−タ通信用の入出力端子１３１４にはパーソナルコンピュータ１４４０が、それぞれ必要に応じて接続される。さらに、所定の操作により、回路基板１３０８のメモリに格納された撮像信号が、テレビモニタ１４３０や、パーソナルコンピュータ１４４０に出力される構成になっている。
このような本発明の電子機器は、優れた信頼性を有する。
【０１３４】
なお、本発明の電子機器は、図６のパーソナルコンピュータ（モバイル型パーソナルコンピュータ）、図７の携帯電話機、図８のディジタルスチルカメラの他にも、例えば、テレビや、ビデオカメラ、ビューファインダ型、モニタ直視型のビデオテープレコーダ、ラップトップ型パーソナルコンピュータ、カーナビゲーション装置、ページャ、電子手帳（通信機能付も含む）、電子辞書、電卓、電子ゲーム機器、ワードプロセッサ、ワークステーション、テレビ電話、防犯用テレビモニタ、電子双眼鏡、ＰＯＳ端末、タッチパネルを備えた機器（例えば金融機関のキャッシュディスペンサー、自動券売機）、医療機器（例えば電子体温計、血圧計、血糖計、心電表示装置、超音波診断装置、内視鏡用表示装置）、魚群探知機、各種測定機器、計器類（例えば、車両、航空機、船舶の計器類）、フライトシミュレータ、その他各種モニタ類、プロジェクター等の投射型表示装置等に適用することができる。
【０１３５】
以上、本発明の発光装置の製造方法、発光装置および電子機器を、図示の実施形態に基づいて説明したが、本発明はこれらに限定されるものでない。
【実施例】
【０１３６】
次に、本発明の具体的な実施例について説明する。
１．発光装置の製造
（実施例１）
＜１＞  まず、平均厚さ０．５ｍｍの透明なガラス基板を用意した。次に、この基板上に、スパッタ法により、ＲＧＢの各画素領域にそれぞれ、平均厚さ１００ｎｍのＩＴＯ電極（陽極）を形成した。その後、アクリル系樹脂で構成される絶縁層を形成した後、この絶縁層をフォトリソグラフィー法を用いて各ＩＴＯ電極を露出するようにパターニングすることで隔壁（バンク）を形成した。この隔壁の平面視形状は、長さ３００μｍ、幅１００μｍの長方形とし、隔壁の高さを２μｍとした。
【０１３７】
そして、基板をアセトン、２−プロパノールの順に浸漬し、超音波洗浄した後、酸素プラズマ処理およびアルゴンプラズマ処理を施した。これらのプラズマ処理は、それぞれ、基板を７０〜９０℃に加温した状態で、プラズマパワー１００Ｗ、ガス流量２０ｓｃｃｍ、処理時間５ｓｅｃで行った。
【０１３８】
＜２＞  次に、正孔注入層形成用インクを、各画素領域の隔壁内にインクジェット法により充填してＩＴＯ電極上付与した後に、これを減圧乾燥した後に加熱処理（焼成）することにより、正孔注入層を形成した。
【０１３９】
ここで、各画素用の正孔注入層形成用インクとして、ＴＦＢ（poly(9,9-dioctyl-fluorene-co-N-(4- butylphenyl)-diphenylamine)）を、3-PhenoxytolueneとTriethyleneglycol dimethyl etherとの混合溶液（質量比５０：５０）に溶解した溶液を用いた。また、Ｒ画素用の正孔注入層形成用インクの固形分濃度を１．０ｖｏｌ％とし、Ｇ画素用の正孔注入層形成用インクの固形分濃度を２．０ｖｏｌ％とし、Ｂ画素用の正孔注入層形成用インクの固形分濃度を１．５ｖｏｌ％とした。
【０１４０】
また、各画素への正孔注入層形成用インクの供給は、３回のスキャンに分けて行い。Ｒ画素領域に対しては、１回目、２回目、３回目のスキャン時における吐出回数をそれぞれ５ショット、５ショット、２ショットとし、計１２ショットのインク供給を行った。また、Ｇ画素領域に対しては、１回目、２回目、３回目のスキャン時における吐出回数をそれぞれ３ショット、４ショット、５ショットとし、計１２ショットのインク供給を行った。また、Ｂ画素領域に対しては、１回目、２回目、３回目のスキャン時における吐出回数をそれぞれ４ショット、４ショット、４ショットとし、計１２ショットのインク供給を行った。なお、１ショットあたりのインク供給量は、約１０ｎｇ、各画素領域での最終的なインク供給量（１０ｎｇ×１２ショット）は、１２０ｎｇであった。
【０１４１】
また、焼成は、窒素で満たされたグローブボックス内で行い、焼成温度を１８０℃とし、焼成時間を３０分間とした。
【０１４２】
＜３＞  次に、発光層形成用インクを、各画素領域の隔壁内にインクジェット法により充填して正孔輸送層上に付与した後に、これを減圧乾燥した後に加熱処理（焼成）することにより、平均厚さ２０ｎｍの発光層を形成した。
【０１４３】
ここで、Ｒ画素の発光層形成用インクとして、赤色発光材料とホスト材料とを混合して溶媒に溶解した溶液を用いた。また、Ｇ画素の発光層形成用インクとして、緑色発光材料とホスト材料とを混合して溶媒に溶解した溶液を用いた。また、Ｂ画素の発光層形成用インクとして、青色発光材料とホスト材料とを混合して溶媒に溶解した溶液を用いた。
【０１４４】
また、焼成は、窒素で満たされたグローブボックス内で行い、焼成温度を１８０℃とし、焼成時間を３０分間とした。
【０１４５】
＜４＞  次に、ＲＧＢの画素領域を覆うように、各発光層上に、Ａｌｑ３を真空蒸着法により成膜し、平均厚さ２０ｎｍの電子輸送層を形成した。
【０１４６】
＜５＞  次に、電子輸送層上に、フッ化リチウム（ＬｉＦ）を真空蒸着法により成膜し、平均厚さ０．５ｎｍの電子注入層を形成した。
【０１４７】
＜６＞  次に、電子注入層上に、Ａｌを真空蒸着法により成膜した。これにより、Ａｌで構成される平均厚さ１５０ｎｍの陰極を形成した。
以上の工程により、発光装置を製造した。
【０１４８】
（比較例１）
正孔注入層形成用インクを供給する際に、ＲＧＢのいずれの画素領域に対しても、１回目、２回目、３回目のスキャン時における吐出回数をそれぞれ４ショット、４ショット、４ショットとし、計１２ショットのインク供給を行った以外は、前述した実施例１と同様にして発光装置を製造した。
【０１４９】
（比較例２）
正孔注入層形成用インクを供給する際に、ＲＧＢのいずれの画素領域に対しても、１回目、２回目、３回目のスキャン時における吐出回数をそれぞれ２ショット、５ショット、５ショットとし、計１２ショットのインク供給を行った以外は、前述した実施例１と同様にして発光装置を製造した。
【０１５０】
（比較例３）
正孔注入層形成用インクを供給する際に、ＲＧＢのいずれの画素領域に対しても、１回目、２回目、３回目のスキャン時における吐出回数をそれぞれ５ショット、５ショット、２ショットとし、計１２ショットのインク供給を行った以外は、前述した実施例１と同様にして発光装置を製造した。
【０１５１】
（実施例２）
正孔注入層形成用インクを供給する際に、Ｇ画素領域に１２ショット供給した後に、Ｂ画素領域に１２ショット供給し、その後、Ｒ画素領域に１２ショット供給した以外は、前述した実施例１と同様にして発光装置を製造した。
【０１５２】
２．評価
上述したようにして製造した各発光装置を発光させて、各画素の発光状態を観察し、以下の評価基準に従い、乾燥ムラについて評価した。
○：乾燥ムラに起因するスジが観察されず、発光状態が均一であった。
△：乾燥ムラに起因するスジが観察され、発光状態の不均一な部分が認められた。
×：乾燥ムラに起因するスジが顕著に観察され、発光状態が不均一であった。
その評価結果を表１に示す。
【０１５３】
【表１】
2015191791.tif 000003
【符号の説明】
【０１５４】
１‥‥発光素子
１Ｂ‥‥発光素子
１Ｇ‥‥発光素子
１Ｒ‥‥発光素子
３‥‥陽極
３Ｂ‥‥陽極
３Ｇ‥‥陽極
３Ｒ‥‥陽極
４‥‥正孔注入層
４Ｂ‥‥正孔注入層
４Ｇ‥‥正孔注入層
４Ｒ‥‥正孔注入層
４ａ‥‥インク
４ｂ‥‥インク
４ｃ‥‥インク
５‥‥正孔輸送層
５Ｂ‥‥正孔輸送層
５Ｇ‥‥正孔輸送層
５Ｒ‥‥正孔輸送層
６‥‥発光層
６Ｂ‥‥発光層
６Ｇ‥‥発光層
６Ｒ‥‥発光層
７‥‥電子輸送層
８‥‥電子注入層
９‥‥陰極
２０‥‥回路基板
２１‥‥基板
２２‥‥層間絶縁膜
２３‥‥スイッチング素子
２４‥‥配線
３１‥‥隔壁
３２‥‥樹脂層
４０‥‥封止基板
１００‥‥発光装置
１００Ａ‥‥発光装置
１００Ｒ‥‥サブ画素
１００Ｇ‥‥サブ画素
１００Ｂ‥‥サブ画素
２００‥‥インクジェットヘッド
２３１‥‥半導体層
２３２‥‥ゲート絶縁層
２３３‥‥ゲート電極
２３４‥‥ソース電極
２３５‥‥ドレイン電極
１１００‥‥パーソナルコンピュータ
１１０２‥‥キーボード
１１０４‥‥本体部
１１０６‥‥表示ユニット
１２００‥‥携帯電話機
１２０２‥‥操作ボタン
１２０４‥‥受話口
１２０６‥‥送話口
１３００‥‥ディジタルスチルカメラ
１３０２‥‥ケース
１３０４‥‥受光ユニット
１３０６‥‥シャッタボタン
１３０８‥‥回路基板
１３１２‥‥ビデオ信号出力端子
１３１４‥‥入出力端子
１４３０‥‥テレビモニタ
１４４０‥‥パーソナルコンピュータ
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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