(57)【要約】【課題】  送電装置との距離の急激な変動への応答特性に優れ、比較的安価に製造可能で、かつ、信頼性の高い無線電力伝送用受電装置を提供する。【解決手段】  無線により電力を伝送するシステムに用いる無線電力伝送用受電装置であって、アンテナ素子と共振するキャパシタが接続され、無線信号を交流電気信号に変換して出力するアンテナ部と、当該交流電気信号を直流電気信号に変換して出力する整流回路部と、ドレイン−ソース間を前記アンテナ部のキャパシタの一部または全部に並列接続されたＭＯＳ−ＦＥＴを含むシャント部とを備えており、前記シャント部を構成する前記ＭＯＳ−ＦＥＴのゲートには、前記整流回路部からの直流電気信号を分圧した信号が結合され、前記ＭＯＳ−ＦＥＴのドレイン−ソース間の抵抗を、前記整流回路部からの直流電気信号に応じて、直接、可変抵抗として制御する。【選択図】  図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
無線により電力を伝送するシステムに用いる無線電力伝送用受電装置であって、
アンテナ素子と共振するキャパシタが接続され、無線信号を交流電気信号に変換して出力するアンテナ部と、
当該交流電気信号を直流電気信号に変換して出力する整流回路部と、
ドレイン−ソース間を前記アンテナ部のキャパシタの一部または全部に並列接続されたトランジスタを含むシャント部とを備えており、
前記シャント部を構成する前記トランジスタのゲートには、前記整流回路部からの直流電気信号を分圧した信号が結合され、
前記トランジスタのドレイン−ソース間の抵抗を、前記整流回路部からの直流電気信号に応じて、直接、可変抵抗として制御することを特徴とする無線電力伝送用受電装置。
【請求項２】
前記請求項１に記載した無線電力伝送用受電装置において、前記シャント部を構成する前記トランジスタはＭＯＳ−ＦＥＴであり、そのゲートには、前記整流回路部の出力端に接続された、少なくとも２つの抵抗が直列接続された分圧抵抗の接合点が、接続されており、もって、前記整流回路部からの直流電気信号を分圧した信号が結合されていることを特徴とする無線電力伝送用受電装置。
【請求項３】
前記請求項２に記載した無線電力伝送用受電装置において、前記シャント部を構成する前記ＭＯＳ−ＦＥＴは、その非導通状態におけるドレイン−ソース間抵抗が、前記アンテナ部へほとんど影響を及ぼさない程度の大きさの抵抗を有するＭＯＳ−ＦＥＴであることを特徴とする無線電力伝送用受電装置。
【請求項４】
前記請求項２に記載した無線電力伝送用受電装置において、前記シャント部を構成する前記ＭＯＳ−ＦＥＴとして、そのドレイン容量及びソース容量が、当該ＭＯＳ−ＦＥＴの導通時における共振周波数ｆ１に大きな影響を及ぼさない程度のものを使用することを特徴とする無線電力伝送用受電装置。
【請求項５】
前記請求項２に記載した無線電力伝送用受電装置において、前記シャント部を構成する前記ＭＯＳ−ＦＥＴのドレイン−ソース間に、ダイオードブリッジを挿入したことを特徴とする無線電力伝送用受電装置。
【請求項６】
前記請求項５に記載した無線電力伝送用受電装置において、前記ダイオードブリッジは、前記アンテナ部を構成する共振キャパシタの両端と前記ＭＯＳ−ＦＥＴのドレイン−ソースとの間に挿入されていることを特徴とする無線電力伝送用受電装置。
【請求項７】
前記請求項５に記載した無線電力伝送用受電装置において、前記アンテナ部はインダクタを備えており、前記ダイオードブリッジは、当該インダクタの両端と前記ＭＯＳ−ＦＥＴのドレイン−ソースとの間に挿入されていることを特徴とする無線電力伝送用受電装置。
【請求項８】
前記請求項１に記載した無線電力伝送用受電装置において、前記整流回路部の出力端には、更に、電圧制限部を接続していることを特徴とする無線電力伝送用受電装置。
【請求項９】
前記請求項８に記載した無線電力伝送用受電装置において、前記電圧制限部は、ツェナダイオードと抵抗の直列接続により構成されていることを特徴とする無線電力伝送用受電装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電磁結合や電界結合を用いて無線で電力を伝送するシステムにおいて、送電装置と共に用いられる、所謂、無線電力伝送用受電装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
本発明に関連する背景技術として、以下の特許文献１が既に知られている。
【０００３】
即ち、当該特許文献１では、一つ又は複数の無線充電デバイスに電力を供給するときに、送信アンテナと受信アンテナとの結合の変化に合わせることにより、受信アンテナに結合された受信デバイスへの電力伝送を最適化または調整するための方法及び装置として、無線電力受信機の一部に、離調回路を備えたものが提案されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特表２０１３−５０４２９８号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
ところで、電磁結合や電界結合を用いて無線で電力を伝送するシステムにおいては、伝送距離を長くしようとして送信する電力を増加させるような場合等において、逆に、伝送距離が近接してしまうと、受電側の電圧が上昇してしまい、そのため、部品の耐電圧を大きくしなければならないという課題がある。
【０００６】
しかしながら、上述した特許文献１により知られる離調回路を備えた無線電力受信機では、当該離調回路は、制御信号に応じて線形に変化する離調を行うため、アナログ比較器と共に、その第２の入力に結合される電圧基準信号が必要であり、特に、その内部に電池等を備えていない無線電力伝送用受電装置では、送電装置との間の距離の急激な変動等に対する応答特性、更には、離調回路を構成するためのアナログ比較器等の部品によるコストの上昇等において、なお課題があった。
【０００７】
本発明は、上述した従来技術における課題を解消するために達成されたものであり、その目的は、より詳細には、送電装置との間の距離の急激な変動等に対する応答特性にも優れ、かつ、比較的安価に製造することが可能な信頼性の高い無線電力伝送用受電装置を提供することになる。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
上記課題を解決するために、例えば、特許請求の範囲に記載の構成を採用する。
本願は、上記課題を解決する手段を複数含んでいるが、その一例を挙げるならば、無線により電力を伝送するシステムに用いる無線電力伝送用受電装置であって、アンテナ素子と共振するキャパシタが接続され、無線信号を交流電気信号に変換して出力するアンテナ部と、当該交流電気信号を直流電気信号に変換して出力する整流回路部と、ドレイン−ソース間を前記アンテナ部のキャパシタの一部または全部に並列接続されたトランジスタを含むシャント部とを備えており、前記シャント部を構成する前記トランジスタのゲートには、前記整流回路部からの直流電気信号を分圧した信号が結合され、前記トランジスタのドレイン−ソース間の抵抗を、前記整流回路部からの直流電気信号に応じて、直接、可変抵抗として制御する無線電力伝送用受電装置が提供される。
【発明の効果】
【０００９】
上述した本発明になる無線電力伝送用受電装置によれば、急激に受電側の電圧が上昇しようとした場合にも、アンテナ部の共振周波数をずらすことにより、電圧を降下させ、電圧上昇を抑制することができ、もって、送電装置との間の距離の急激な変動等に対する応答特性にも優れ、かつ、比較的安価に製造することが可能な信頼性の高い無線電力伝送用受電装置を提供することが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【００１０】
【図１】本発明の実施例１になる無線電力伝送用受電装置の構成を示すブロック図である。
【図２】上記実施例１の無線電力伝送用受電装置の動作を説明するためのグラフを示す図である。
【図３】本発明の実施例２になる無線電力伝送用受電装置の構成を示すブロック図である。
【図４】本発明の実施例３になる無線電力伝送用受電装置の構成を示すブロック図である。
【図５】上記実施例３の無線電力伝送用受電装置の動作を説明するためのグラフを示す図である。
【図６】本発明の実施例４になる無線電力伝送用受電装置の構成を示すブロック図である。
【図７】上記実施例４の無線電力伝送用受電装置の動作を説明するためのグラフを示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００１１】
以下、本発明になる種々の実施の形態について、添付の図面を参照しながら説明する。なお、以下の説明では、その実施の形態として、主に、磁界を用いて無線電力伝送を行う無線電力伝送用送電装置とともに用いられる無線電力伝送用受電装置の例を説明する。
【実施例１】
【００１２】
図１は、本実施例１の無線電力伝送用受電装置の構成を示す図であり、図２は、当該無線電力伝送用受電装置の動作を説明するグラフを示す図である。
【００１３】
アンテナ部５００は、ここでは図示しない無線電力用の送電装置から出力された周波数ｆ１の交流電磁波を受信して交流の電気信号に変換し、整合回路部２００に出力する。また、アンテナ部５００は、ループ状のアンテナ素子５１０とキャパシタ５２０、５２１とにより、周波数ｆ１で共振する回路が構成されており、かかる構成により、交流電磁波のレベルが弱い場合でも多くの電力を取り出せるようにしている。
【００１４】
整合回路部２００は、例えば、巻き線比１：ｎのトランス２１０で構成されており、上記アンテナ部５００側から当該整流回路部３００を見たインピーダンスは、１／ｎ２倍となり、逆に整流回路部３００側からアンテナ部５００を見たインピーダンスは、ｎ２倍となる。これにより、アンテナ部５００と整流回路部３００との間の整合をより良くして、電力を効率よく整流回路部３００に伝送している。
【００１５】
整流回路部３００では、入力された交流信号レベルに比例した直流電圧に整流を行い、定電圧回路部４００及びシャント回路部１００へ出力する。
【００１６】
定電圧回路部４００では、整流出力は、受電装置内の各回路で必要な電圧に変換され、各回路においてそれぞれ使用される。
【００１７】
シャント回路部１００では、整流回路部３００の出力電圧を抵抗１１０、１２０で分圧した電圧をＮ型ＭＯＳ−ＦＥＴ１３０のゲートに印加している。
【００１８】
このシャント回路部１００を構成する電子部品としては、Ｎ型ＭＯＳ−ＦＥＴが好適であり、アンテナ部５００へ入力される交流電磁波のレベルが小さく、Ｎ型ＭＯＳ−ＦＥＴ１３０のゲート−ソース間電圧が閾値電圧Ｖｔｈより低い場合、Ｎ型ＭＯＳ−ＦＥＴ１３０のドレイン−ソース間抵抗が大きく、アンテナ部５００への影響はほとんど無いものを選択することが好ましい。ただし、キャパシタ５２１に対して、Ｎ型ＭＯＳ−ＦＥＴ１３０のドレイン容量、ソース容量が、共振周波数ｆ１に大きな影響を及ぼさないものを使用する。
【００１９】
一方、アンテナ部５００へ入力される交流電磁波のレベルが大きくなると、出力される交流信号のレベルも大きくなる。同時に、整合回路部２００からの出力交流信号のレベルも大きくなる。即ち、図２に示すように、整流回路部３００から出力される直流電圧も高くなり、Ｎ型ＭＯＳ−ＦＥＴ１３０のゲート電圧も高くなる。このゲート−ソース間電圧が閾値電圧Ｖｔｈ近くになると、Ｎ型ＭＯＳ−ＦＥＴ１３０のドレイン−ソース間抵抗が小さくなりはじめる。このＮ型ＭＯＳ−ＦＥＴ１３０のドレイン−ソース間抵抗が小さくなると、共振回路を構成するキャパシタ５２１の容量が大きくなった状態と等価に動作するため、共振周波数が低くなる。共振周波数が低くなると、アンテナ部５００から出力される交流信号のレベルが低下しようとし、整合回路部２００から出力される交流信号のレベルも低下しようとするため、整流回路部３００から出力される直流電圧も、低くなろうとする。このため、Ｎ型ＭＯＳ−ＦＥＴ１３０のゲート電圧は、閾値電圧Ｖｔｈの状態が継続するようにフィードバック制御がかかった状態となる。
【００２０】
ゲート電圧がさらに高くなると、Ｎ型ＭＯＳ−ＦＥＴ１３０は完全にオン状態となり、ドレイン−ソース間抵抗が非常に小さく（例えば０．１Ω程度）なり、キャパシタ５２１の容量は、アンテナ部５００の共振にほとんど寄与しなくなり、アンテナ素子５１０とキャパシタ５２０により周波数ｆ２で共振するようになる。この状態で、アンテナ部５００へ入力される交流電磁波のレベルが大きくなると、フィードバック制御の範囲外となり、整流回路部３００から出力される直流電圧も、入力される交流電磁波のレベルに応じて高くなっていく。
【００２１】
即ち、上述した本実施例１の無線電力伝送用受電装置では、Ｎ型ＭＯＳ−ＦＥＴ１３０と共に、整流回路部３００からの出力電圧を分圧するための抵抗１１０、１２０により構成することが出来ることから、装置の製造価格を低減することが可能となると共に、送電装置との間の距離の急激な変動等によって整流出力（直流電圧）が急減に変動しても、当該整流出力（直流電圧）を、直接的に、ＭＯＳ−ＦＥＴ１３０を制御するためのゲートへの入力信号としていることから、応答特性にも優れている。
【実施例２】
【００２２】
続いて、本発明の実施例２になる無線電力伝送用受電装置について、図３を参照しながら説明する。なお、本実施例２は、無線電力伝送用送電装置から出力された周波数ｆ１が低い場合だけでなく、高い周波数でも適用可能な無線電力伝送用受電装置の構成となっている。また、ここでは、上記実施例１で既に説明した図１に示された同一の符号を付された構成と同一の機能を有する部分については、重複を避けるため、その説明を省略する。
【００２３】
この実施例２になる無線電力伝送用受電装置では、上述した実施例１とは異なり、共振回路を構成するキャパシタ５２１には、ダイオード１４０、１４１、１４２、１４３で構成されたダイオードブリッジが接続されている。このダイオードブリッジのアノードが共通になっている部分は、Ｎ型ＭＯＳ−ＦＥＴ１３０のソースに接続し、カソードが共通になっている部分は、Ｎ型ＭＯＳ−ＦＥＴ１３０のドレインに接続している。
【００２４】
上記にその構成を説明した実施例２になる無線電力伝送用受電装置によれば、アンテナ部５００へ入力される交流電磁波のレベルが小さく、Ｎ型ＭＯＳ−ＦＥＴ１３０のゲート−ソース間電圧が閾値電圧Ｖｔｈより低い場合、Ｎ型ＭＯＳ−ＦＥＴ１３０のドレイン−ソース間抵抗が大きく、そのため、当該ダイオードブリッジには電流が流れない。電流が流れないため、ダイオードブリッジの両端は、高い周波数の信号に対してもハイインピーダンス状態となるため、Ｎ型ＭＯＳ−ＦＥＴ１３０のドレイン容量、ソース容量は、キャパシタ５２１に影響を与えない。したがって、アンテナ部５００の共振周波数ｆ１は、Ｎ型ＭＯＳ−ＦＥＴ１３０のドレイン容量、ソース容量に関係なく、アンテナ素子５１０とキャパシタ５２０、５２１とで決定され、高い周波数でも対応できることとなる。
【００２５】
一方、アンテナ部５００へ入力される交流電磁波のレベルが大きくなり、Ｎ型ＭＯＳ−ＦＥＴ１３０のゲート−ソース間電圧が閾値電圧Ｖｔｈ近くになると、Ｎ型ＭＯＳ−ＦＥＴ１３０のドレイン−ソース間抵抗が小さくなりはじめる。Ｎ型ＭＯＳ−ＦＥＴ１３０のドレイン−ソース間抵抗が小さくなると、ダイオード１４０、１４１、１４２、１４３で構成されたダイオードブリッジに電流が流れ始め、共振回路を構成するキャパシタ５２１の容量が大きくなった状態と等価に動作するため、共振周波数が低くなる。共振周波数が低くなると、アンテナ部５００から出力される交流信号のレベルが低下しようとし、整合回路部２００から出力される交流信号のレベルも低下しようとするため、整流回路部３００から出力される直流電圧も低くなろうとする。このため、上記の実施例１と同様に、Ｎ型ＭＯＳ−ＦＥＴ１３０のゲート電圧は、閾値電圧Ｖｔｈの状態が継続するようにフィードバック制御がかかった状態となる。
【００２６】
そして、当該実施例２になる無線電力伝送用受電装置によれば、ゲート電圧がさらに高くなると、Ｎ型ＭＯＳ−ＦＥＴ１３０は完全にオン状態となり、ドレイン−ソース間抵抗が非常に小さく（例えば０．１Ω程度）なり、ダイオードブリッジにアンテナ部の電流がほとんど流れるようになるため、キャパシタ５２１の容量は、アンテナ部５００の共振にほとんど寄与しなくなり、アンテナ素子５１０とキャパシタ５２０により周波数ｆ２で共振するようになる。この状態で、アンテナ部５００へ入力される交流電磁波のレベルが大きくなると、フィードバック制御の範囲外となり、整流回路部３００から出力される直流電圧も、入力される交流電磁波のレベルに応じて高くなっていく。
【００２７】
即ち、本実施例２の無線電力伝送用受電装置によれば、上述した本実施例１と同様に、製造価格の低減や応答特性の改善等の効果と共に、ダイオード１４０、１４１、１４２、１４３で構成されたダイオードブリッジをＮ型ＭＯＳ−ＦＥＴ１３０のドレイン−ソース間に接続することにより、Ｎ型ＭＯＳ−ＦＥＴ１３０のドレイン容量、ソース容量が、キャパシタ５２１に対して影響を及ぼすような場合においても、当該Ｎ型ＭＯＳ−ＦＥＴ１３０のドレイン容量、ソース容量の影響を抑制し、もって、共振周波数ｆ１に大きな影響を及ぼさないようにすることが出来る。換言すれば、本発明の無線電力伝送用受電装置において採用可能なＮ型ＭＯＳ−ＦＥＴ１３０の条件を緩和し、より自由な装置の設計（設計自由度の拡大）を可能にする。
【実施例３】
【００２８】
次に、本発明の実施例３になる無線電力伝送用受電装置について、添付の図４及び図５を参照しながら説明する。なお、この実施例３は、アンテナ部がアンテナ素子とキャパシタで構成されている場合だけでなく、アンテナ部がアンテナ素子とインダクタとキャパシタで構成されている場合でも、同様に適用可能な、無線電力伝送用受電装置の構成となっている。また、ここでも、上記実施例１及び２において既に説明した、上記図１及び図３に示されたと同一の符号が付された構成と同一の機能を有する部分については、重複を避けるため、その説明を省略する。
【００２９】
図４は、実施例３における無線電力伝送用受電装置の構成図であり、図５は、当該無線電力伝送用受電装置の動作を説明するためのグラフを示している。
【００３０】
本実施例３では、上記の実施例１や２とは異なり、アンテナ部５０１は、ループ状のアンテナ素子５１０とキャパシタ５２０と共に、インダクタを含んでおり、このアンテナ部５０１は、上記と同様に、無線電力用送電装置から出力された周波数ｆ３の交流電磁波を受信し、交流の電気信号に変換し、整合回路部２００に出力する。また、ループ状のアンテナ素子５１０とキャパシタ５２０、インダクタ５１１により周波数ｆ３で共振する回路を構成することにより、交流電磁波のレベルが弱い場合でも多くの電力を取り出せるように構成されている。
【００３１】
かかる構成の無線電力伝送用受電装置によれば、同様に、アンテナ部５０１へ入力される交流電磁波のレベルが小さく、Ｎ型ＭＯＳ−ＦＥＴ１３０のゲート−ソース間電圧が閾値電圧Ｖｔｈより低い場合、Ｎ型ＭＯＳ−ＦＥＴ１３０のドレイン−ソース間抵抗が大きく、ダイオードブリッジに電流が流れない。電流が流れないため、ダイオードブリッジの両端は、高い周波数の信号に対してもハイインピーダンス状態となるため、Ｎ型ＭＯＳ−ＦＥＴ１３０のドレイン容量、ソース容量は、インダクタ５１１に影響を与えない。したがって、アンテナ部５０１の共振周波数ｆ３は、Ｎ型ＭＯＳ−ＦＥＴ１３０のドレイン容量、ソース容量に関係なく、アンテナ素子５１０、キャパシタ５２０、インダクタ５１１で決定される。
【００３２】
一方、アンテナ部５０１へ入力される交流電磁波のレベルが大きくなり、Ｎ型ＭＯＳ−ＦＥＴ１３０のゲート−ソース間電圧が閾値電圧Ｖｔｈ近くになると、やはり、Ｎ型ＭＯＳ−ＦＥＴ１３０のドレイン−ソース間抵抗が小さくなりはじめる。Ｎ型ＭＯＳ−ＦＥＴ１３０のドレイン−ソース間抵抗が小さくなると、ダイオード１４０、１４１、１４２、１４３で構成されたダイオードブリッジに電流が流れ始め、共振回路を構成するインダクタ５１１のインダクタンスが小さくなった状態と等価に動作するため、共振周波数が高くなる。共振周波数が高くなるとアンテナ部５０１から出力される交流信号のレベルが低下しようとし、整合回路部２００から出力される交流信号のレベルも低下しようとするため、整流回路部３００から出力される直流電圧も低くなろうとする。このため、Ｎ型ＭＯＳ−ＦＥＴ１３０のゲート電圧は、閾値電圧Ｖｔｈの状態が継続するようにフィードバック制御がかかった状態となる。
【００３３】
そして、ゲート電圧がさらに高くなると、Ｎ型ＭＯＳ−ＦＥＴ１３０は完全にオン状態となり、ドレイン−ソース間抵抗が非常に小さく（例えば０．１Ω程度）なり、ダイオードブリッジにアンテナ部の電流がほとんど流れるようになるため、インダクタ５１１のインダクタンスは、アンテナ部５０１の共振にほとんど寄与しなくなり、アンテナ素子５１０とキャパシタ５２０により周波数ｆ４で共振するようになる。この状態で、アンテナ部５０１へ入力される交流電磁波のレベルが大きくなると、フィードバック制御の範囲外となり、整流回路部３００から出力される直流電圧も、入力される交流電磁波のレベルに応じて高くなっていく。
【００３４】
上述した本実施例３の無線電力伝送用受電装置によれば、上述した効果と共に、アンテナ部がアンテナ素子とキャパシタで構成されている場合だけでなく、アンテナ部がアンテナ素子とインダクタとキャパシタで構成されている場合でも、本発明を同様に適用することが可能となる。即ち、アンテナ部のより自由な装置の設計（設計自由度の拡大）を可能にし、換言すれば、共振周波数ｆ３をより自由に設計することが可能となる。
【実施例４】
【００３５】
続いて、本発明の実施例４になる無線電力伝送用受電装置について、添付の図６及び図７を参照しながら説明する。なお、本実施例４になる無線電力伝送用受電装置は、特に、整流出力電圧の上昇をさらに抑制する場合に好適な構成である。図６は、本実施例４における無線電力伝送用受電装置の構成を示し、図７は、当該無線電力伝送用受電装置の動作を説明するためのグラフである。また、ここでも、上記実施例１、２及び３で既に説明し、上記図１、図３及び図４に示されたと同一の符号が付された構成と同一の機能を有する部分については、重複を避けるため、その説明を省略する。
【００３６】
図６にも示すように、本実施例４では、上記図３に示した実施例２の構成において、更に、整流回路部３００の出力と定電圧回路部４００の間に、並列に、電圧制限部６００を挿入しており、当該電圧制限部６００は、ツェナダイオード６１０と抵抗６２０の直列接続により構成されている。
【００３７】
なお、本実施例４も、アンテナ部５００へ入力される交流電磁波のレベルが小さく、整流回路部３００の出力電圧が電圧制限部６００内にあるツェナダイオード６１０のツェナ電圧Ｖｚより低い状態では、上記の実施例２と同様の動作をする。
【００３８】
そして、本実施例４の無線電力伝送用受電装置では、図７にも示すように、アンテナ部５００へ入力される交流電磁波のレベルがさらに大きくなり、ツェナダイオード６１０のツェナ電圧Ｖｚより高くなると、電圧制限部６００のツェナダイオード６１０および抵抗６２０に電流が流れ始める。このため、電圧制限部６００を備えていない構成に比較し、整流回路部３００からの出力電圧は低くなる。
【００３９】
即ち、整流回路部３００の出力と定電圧回路部４００の間に抵抗を挿入し、定電圧回路部４００と並列にツェナダイオードを挿入する方法と比較した場合、抵抗の電圧降下が無い分、定電圧回路部への入力電圧が上昇するため、アンテナ部５００へ入力される交流電磁波のレベルがより小さい条件でも動作させることができる利点がある。
【００４０】
以上、本発明になる実施例について詳細に説明したが、しかしながら、本発明は上記した実施例に限定されるものではなく、様々な変形例が含まれる。例えば、上記した実施例は本発明を分かりやすく説明するためにシステム全体を詳細に説明したものであり、必ずしも説明した全ての構成を備えるものに限定されるものではない。また、ある実施例の構成の一部を他の実施例の構成に置き換えることが可能であり、また、ある実施例の構成に他の実施例の構成を加えることも可能である。また、各実施例の構成の一部について、他の構成の追加・削除・置換をすることが可能である。
【００４１】
例えば、上述した全ての実施例においては、主に磁界を用いて無線電力伝送を行う場合について述べたため、ループ状のアンテナ素子を例にあげたが、本発明はこれに限るものではなく、アンテナ素子としては、キャパシタと共振させるアンテナ部であれば、棒状のアンテナ素子等でも同様の効果を得ることができる。
【００４２】
また、シャント部に用いるトランジスタとしてＮ型ＭＯＳ−ＦＥＴを用いて説明したが、本発明はこれに限るものではなく、Ｐ型ＭＯＳ−ＦＥＴの場合は、そのデバイスの特性上、整流回路部３００の出力の高電位側と低電位側の接続を反転させて、低電位側の電圧を分圧してゲートに入力し、ドレインを整流回路部３００の出力の高電位側に接続し、ソースをグランド接続から開放することにより同様の効果を得ることができる。
【００４３】
さらに、シャント部に用いるトランジスタとしてバイポーラトランジスタを用いて、ＮＰＮ型バイポーラトランジスタの場合Ｎ型ＭＯＳ−ＦＥＴと同様の配線、ＰＮＰ型バイポーラトランジスタの場合Ｐ型ＭＯＳ−ＦＥＴと同様の配線とし、ゲート＝ベース、ドレイン＝コレクタ、ソース＝エミッタとなるように置き換えても、分圧用抵抗１１０、１２０にベースに必要な電流が流れるような抵抗値を用いることにより、同様の効果を得ることができる。
【符号の説明】
【００４４】
１００…シャント回路部、１１０、１２０…抵抗、１３０…Ｎ型ＭＯＳ−ＦＥＴ、２００…整合回路部、２１０…トランス、３００…整流回路部、４００…定電圧回路部、５００…アンテナ部、５１０…アンテナ素子、５２０、５２１…キャパシタ、６００…電圧制限部、６１０…ツェナダイオード、６２０…抵抗
【図１】
2015177597.tif 000003
【図２】
2015177597.tif 000004
【図３】
2015177597.tif 000005
【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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