(57)【要約】      （修正有）【課題】水晶振動子膜厚計の輻射熱による変動を補正して、蒸着レートを正確に検出制御し、成膜の均一性の低下を抑制することができる蒸着装置提供することである。【解決手段】蒸着装置は、蒸発粒子放出口１１ａを有する蒸発源１１と、第１および第２の水晶振動子膜厚計１２Ａ、１２Ｂと、を有する。第２の水晶振動子膜厚計１２Ｂは、もっぱら蒸発粒子放出口１１ａからの輻射熱を受けるようにし、第１の水晶振動子膜厚計１２Ａの出力Ｓ（Ａ）と、第２の水晶振動子膜厚計１２Ｂの出力Ｓ（Ｂ）の差分とにより蒸着レートを補正制御する。【選択図】図１Ｄ
2015117397.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
蒸発粒子放出口を有する蒸発源と、
第１および第２の水晶振動子膜厚計と、
を有し、
前記第１の水晶振動子膜厚計は、前記蒸発粒子放出口からの蒸発粒子および輻射熱を受けるようにされ、
前記第２の水晶振動子膜厚計は、前記蒸発粒子放出口からの輻射熱を受けるようにされ、
前記第１の水晶振動子膜厚計の出力をＳ（Ａ）と、前記第２の水晶振動子膜厚計の出力をＳ（Ｂ）とし、Ｓ（Ａ）とＳ（Ｂ）の差分により蒸着レートを補正制御するようにされる、
蒸着装置。
【請求項２】
請求項１において、
同じ輻射熱による前記第２の水晶振動子膜厚計の前記第１の水晶振動子膜厚計に対する上記蒸着レートの変動の感度係数を求めて、前記感度係数に基づいて前記Ｓ（Ｂ）を補正するようにされる、
蒸着装置。
【請求項３】
請求項２において、
蒸着材料を前記蒸発源に充填しない状態で、前記蒸発源を加熱し、前記蒸発源の対向面に熱輻射させ、この輻射熱による前記第１の水晶振動子膜厚計の出力をＳＴ（Ａ）、前記第２の水晶振動子膜厚計の出力をＳ’（Ｂ）、前記感度係数をＫとしたとき、ＳＴ(Ａ)＝Ｋ×Ｓ’（Ｂ）を満たすＫを求め、
前記Ｋを前記Ｓ’（Ｂ）に乗じた値を前記Ｓ（Ｂ）とするようにされる、
蒸着装置。
【請求項４】
請求項１において、
前記輻射熱を反射する反射部を有し、
前記第１の水晶振動子膜厚計の検出部は前記蒸発粒子放出口が直接見えるように配置され、
前記第２の水晶振動子膜厚計の検出部は前記蒸発粒子放出口が直接見えないように配置される、
蒸着装置。
【請求項５】
請求項４において、
防着板を有し、
前記防着板は、前記第２の水晶振動子膜厚計の検出部と前記蒸発粒子放出口との間に配置される、
蒸着装置。
【請求項６】
請求項４において、
前記反射部は、第１および第２の反射板を有し、
前記第１の反射板の反射面は、前記蒸発粒子放出口が直接見えるよう配置され、
前記第２の反射板の反射面は、前記蒸発粒子放出口が直接見えないように配置され、
前記蒸発粒子放出口と、前記第１の反射板の反射面、前記第２の反射板の反射面、および前記第２の水晶振動子膜厚計の検出部が、反射の法則を満たすよう配置される、
蒸着装置。
【請求項７】
請求項１において、
前記第１および第２の水晶振動子膜厚計の水晶振動子の温度を２６℃〜５１℃に制御するようにされる、
蒸着装置。
【請求項８】
請求項４において、
前記反射部は、第３の反射板１枚からなり、
前記第３の反射板の反射面は、前記蒸発粒子放出口が直接見えるよう配置され、
前記第２の水晶振動子膜厚計の検出部は、前記蒸発粒子放出口が直接見えないように配置され、
前記蒸発粒子放出口と、前記第３の反射板の反射面、および前記第２の水晶振動子膜厚計の検出部が、反射の法則を満たすよう配置される、
蒸着装置。
【請求項９】
請求項８において、
前記第３の反射板は凹面反射板である、
蒸着装置。
【請求項１０】
請求項８において、
前記第２の水晶振動子膜厚計の検出部が前記第１の水晶振動子膜厚計の検出部と逆向きである、
蒸着装置。
【請求項１１】
請求項４において、
前記反射部は、前記蒸発源の対向面とされ、
前記対向面は、前記蒸発粒子放出口が直接見えるよう配置され、
前記第２の水晶振動子膜厚計の検出部は、前記蒸発粒子放出口が直接見えないように配置され、
前記蒸発粒子放出口と、前記対向面、および前記第２の水晶振動子膜厚計の検出部が、反射の法則を満たすよう配置される、
蒸着装置。
【請求項１２】
請求項４において、
複数の水晶振動子を有する回転式膜厚計を備え、
前記回転式膜厚計は、蒸着レートを検出する第１の窓と、輻射熱による蒸着レートの変動を検出する第２の窓を有し、
回転により前記第１および第２の窓のそれぞれには前記複数の水晶振動子のうちの１つの水晶振動子が現れるようにされ、
前記第１の窓に現れる水晶振動子は、前記第１の水晶振動子膜厚計として用いられ、
前記第２の窓に現れる水晶振動子は、前記第２の水晶振動子膜厚計として用いられる、
蒸着装置。
【請求項１３】
請求項１２において、
前記第１および第２の窓は同じ向きである、
蒸着装置。
【請求項１４】
請求項１２において、
前記第１および第２の窓は隣同士である、
蒸着装置。
【請求項１５】
請求項１２において、
前記第１および第２の窓は逆向きである、
蒸着装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本開示は、蒸着装置に関し、例えば、蒸着レート制御用膜厚計と温度変化測定用膜厚計を有する蒸着装置に適用可能である。
【背景技術】
【０００２】
一般に、蒸着装置では、例えば基板を水平に配置し、その下方対向位置に蒸発源を配置し、蒸発源から蒸着したい材料の蒸気を基板に吹き付けることにより成膜する。蒸発源は、蒸着材料の入った坩堝をヒータで加熱することにより、蒸着材料を昇華、または液化して蒸発させるものである。
【０００３】
蒸着レート測定には、通常、高精度な水晶振動子膜厚計が用いられる。水晶振動子膜厚計の検出部は、蒸発源の蒸着粒子が放出される開口部の方向を向き、蒸着粒子を検出する。しかし、同時に、蒸発源の開口部からは輻射熱も放出され、対向するマスク、基板、等の物体で反射され、蒸発源開口部に入射し、さらに水晶振動子膜厚計に入射する。この輻射熱により、水晶振動子の温度が瞬間的に変化し、温度依存による変化が重畳されて、真の蒸着レートの変化とは異なる蒸着レートを示し、誤った膜厚制御がされる。その結果、基板に成膜される膜の膜厚均一性が低下する問題があった。この問題に関連するものとして特開平０３-２４３７６６号公報（特許文献１）がある。
【０００４】
特許文献１は、薄膜形成装置において、温度に対する周波数安定度を良好にして高精度の制御を可能とした膜厚制御装置を提供することを目的としている。このために、膜厚をモニタ用水晶振動子の発振周波数により監視するようにした膜厚制御装置において、前記モニタ用水晶振動子に温度検出用センサとしての水晶振動子を併設し、前記モニタ用水晶振動子の温度変化による発振周波数を補償したことを特徴とする膜厚制御装置を記載している。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開平０３-２４３７６６号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
特許文献１では、温度用振動子がモニタ用振動子と「蒸着装置内温度」として同じ温度であると仮定しているが、輻射熱の状況が場所により異なる場合の対応が考慮されていない。さらに、温度による変化のみを検出するため、温度用振動子への蒸発粒子の飛着を防止しながら、モニタ用振動子と同じ温度にする手段が示されていない。蒸発粒子の飛着を防止することにより２つの膜厚計の温度差が発生するが、その温度差はないものとみなし温度差の影響を考慮していない。その結果、基板に成膜される膜の膜厚均一性が低下する。
その他の課題と新規な特徴は、本開示の記述および添付図面から明らかになるであろう。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本開示のうち、代表的なものの概要を簡単に説明すれば、下記のとおりである。
すなわち、蒸着装置は、蒸発粒子放出口を有する蒸発源と、第１および第２の水晶振動子膜厚計と、を有する。第２の水晶振動子膜厚計は、もっぱら蒸発粒子放出口からの輻射熱を受けるようにし、第１の水晶振動子膜厚計の出力と、第２の水晶振動子膜厚計の出力の差分とにより蒸着レートを補正制御する。
【発明の効果】
【０００８】
上記蒸着装置によれば、基板に成膜される膜の膜厚の均一性の低下を防止することができる。
【図面の簡単な説明】
【０００９】
【図１Ａ】実施例に係る蒸着装置の蒸発源と膜厚計の構成を示す図である。
【図１Ｂ】図１Ａを横から見た図である。
【図１Ｃ】図１Ｂを上から見た図である。
【図１Ｄ】実施例に係る蒸着装置の蒸発源と膜厚計の制御を示す図である。
【図１Ｅ】実施例に係る蒸着装置の温度プロファイルを示す図である。
【図１Ｆ】実施例に係る輻射熱の影響測定結果を示す図である。
【図１Ｇ】実施例に係る輻射熱の影響補正結果を示す図である。
【図２Ａ】変形例１に係る蒸着装置の図１Ｃの破線Ｂの部分に対応する部分を示す図である。
【図２Ｂ】変形例２に係る蒸着装置の図１Ｃの破線Ｂの部分に対応する部分を示す図である。
【図３Ａ】変形例３に係る蒸着装置の蒸発源と膜厚計の構成を示す図である。
【図３Ｂ】図３Ａを横から見た図である。
【図４Ａ】変形例４に係る蒸着装置の図１Ｃの破線Ｂの部分に対応する部分を示す図である。
【図４Ｂ】図４Ａの回転軸方向から見た図である。
【図４Ｃ】変形例４に係る蒸着装置の膜厚計に用いる水晶振動子と感度係数を示す図である。
【図５Ａ】変形例５の蒸着装置の図１Ｃの破線Ｂの部分に対応する部分を示す図である。
【図５Ｂ】図５Ａの回転軸方向から見た図である。
【図５Ｃ】変形例５に係る蒸着装置の膜厚計に用いる水晶振動子と感度係数を示す図である。
【図６Ａ】変形例６に係る蒸着装置の図１Ｃの破線Ｂの部分に対応する部分を示す図である。
【図６Ｂ】図６Ａの回転軸方向から見た図である。
【図７Ａ】変形例７に係る蒸着装置の図１Ｃの破線Ｂの部分に対応する部分の回転軸方向から見た図である。
【図７Ｂ】変形例７に係る蒸着装置の膜厚計に用いる水晶振動子を示す図である。
【図８Ａ】変形例８に係る蒸着装置の図１Ｃの破線Ｂの部分に対応する部分を示す図である。
【図８Ｂ】図８Ａの回転軸方向から見た図である。
【図９Ａ】変形例９に係る蒸着装置の図１Ｃの破線Ｂの部分に対応する部分を示す図である。
【図９Ｂ】図９Ａの回転軸方向から見た図である。
【図９Ｃ】変形例９に係る蒸着装置の反射板の構造を示す図である。
【図１０Ａ】変形例１０の蒸着装置の図１Ｃの破線Ｂの部分に対応する部分を示す図である。
【図１０Ｂ】変形例１０に係る蒸着装置の膜厚計に用いる水晶振動子を示す図である。
【図１１】水晶振動子の周波数シフト量の温度依存を示す図である。
【図１２】実施例に係る有機ＥＬディスプレイ生産工程の一例を示した工程図である。
【発明を実施するための形態】
【００１０】
２つの水晶振動子膜厚計（膜厚計）を設け、第１の膜厚計を蒸着レート制御、第２の膜厚計を温度変化測定（温度変化による蒸着レート変化測定）に用いる。第１の膜厚計および第２の膜厚計を用いた、真の（制御に用いる）蒸着レートの求め方について、以下説明する。
第１および第２の膜厚計の蒸着レート出力をそれぞれＳ（Ａ）、Ｓ（Ｂ）とする。Ｓ（Ａ）は、真の蒸着レート（ＳＲ（Ａ））に、温度変化による見かけの蒸着レート変動（ＳＴ（Ａ））が重畳された蒸着レートである。すなわち、Ｓ（Ａ）は、式（１）で表される。
Ｓ（Ａ）＝ＳＲ（Ａ）＋ＳＴ（Ａ）      ・・・（１）
Ｓ（Ｂ）は、温度変化による蒸着レート変動である。
しかし、１つの第１の膜厚計でＳＲ（Ａ）とＳＴ（Ａ）を同時の測定することはできない。そこで、第１の膜厚計を用いてＳ（Ａ）を測定し、第２の膜厚計を用いてＳＴ（Ａ）を測定することができればよい。すなわち、式（２）を満足することができればよい。
Ｓ（Ｂ）＝ＳＴ（Ａ）                  ・・・（２）
式（１）および式（２）より、式（３）が得られる。
Ｓ（Ａ）＝ＳＲ（Ａ）＋Ｓ（Ｂ）        ・・・（３）
式（３）より、真の蒸着レートＳＲ（Ａ）は式（４）で表される。
ＳＲ（Ａ）＝Ｓ（Ａ）−Ｓ（Ｂ）        ・・・（４）
したがって、いかに式（２）を満足するかが課題である。そのためには、下記２つのことが必要である。
（イ）２つの膜厚計の配置等により受ける輻射熱の違いおよび水晶振動子の特性の製品ばらつきによる固体差によって、温度と温度変化が第１の膜厚計と第２の膜厚計で異なる。しかし、第２の膜厚計の出力Ｓ（Ｂ）を第１の膜厚計の温度変化による蒸着レート出力ＳＴ（Ａ）と同等とみなせるようにする。
（ロ）温度による変化のみを検出するため、温度変化測定時、温度変化測定用の水晶振動子膜厚計（第２の膜厚計）への蒸発粒子の入射を防止する。
【００１１】
以下、上記（イ）（ロ）について説明する。
図１１は水晶振動子の周波数変化量の温度依存を示す図である。横軸は水晶振動子の温度［℃］、縦軸は周波数変化量［Ｈｚ］である。図１１は、Ｉｎｆｉｃｏｎ社製ＡＴカット水晶振動子の周波数特性である。ここで、ＡＴカット水晶振動子は、人工水晶Ｚ軸より３５°１５’で切出した水晶振動子である。ＡＴ軸８’オフセットカット、６ＭＨｚ基準の製品は、ＡＴカットより６’〜１０’以内の特性を保証している。逆に、図１１に示すように、水晶振動子の周波数特性には、＋８’を中心として＋６’〜＋１０’の範囲で固体差がある。
【００１２】
銀（Ａｇ）の蒸着の場合、水晶振動子表面に蒸着した膜の膜厚をＴ、水晶振動子の周波数変化をΔＦとすると、式（５）のような比例関係になる。
Ｔ＝−０．１１６×ΔＦ                ・・・（５）
蒸着レートをＡとすると、ＡはＴの時間微分である。時間をΔｔとすると、Ａは式（６）で表される。
Ａ＝−０．１１６×ΔＦ／Δｔ          ・・・（６）
いま、Ａｇ蒸発源に用いる水晶振動子膜厚計の蒸着レートを、水晶振動子の寿命を考慮して０．１Å／ｓに設定する。式（５）より、蒸着レートが０．１Å／ｓのとき周波数変化ΔＦは０．８６Ｈｚである。例えば水晶振動子の温度が２０ｓで線形に１℃上昇した場合、蒸着レートは０．０２Å／ｓ変化する。これは設定蒸着レート０．１Å／ｓの２０％と決して無視できない大きさである。このため、輻射熱変動による蒸着レート変動の補正が重要である。
【００１３】
製品として購入する水晶振動子の周波数シフト量の温度依存特性は図１１のように一定ではない。したがって、第１の膜厚計と第２の膜厚計にはＡＴカットより６’〜１０’の範囲でばらつき、固体差がある。しかし、ＡＴカットより６’〜１０’でばらつくものの、例えば２６℃〜５１℃の範囲では、それぞれの水晶振動子に対して、水晶振動子の周波数シフト量の温度依存特性はほぼ線形である。このため、第１および第２の膜厚計の初期温度が異なり、受ける輻射熱が異なっても、第１および第２の膜厚計の周波数シフト量、すなわち蒸着レートの温度依存の関係も線形である。また、第１および第２の膜厚計の水晶振動子が受ける輻射熱の大きさも線形とみなせる。したがって、下記の誤差要因含めた総合的な関係は線形で近似できる。
誤差要因（ａ）：第１および第２の膜厚計の配置等による輻射熱の違い
誤差要因（ｂ）：水晶振動子の固体差
すなわち、第１および第２の膜厚計をそれぞれ実際の蒸着時と同じ位置に配置し、所定温度で、蒸発源からの輻射熱が変化したときの第１および第２の膜厚計の各水晶振動子膜厚計の温度変化による蒸着レート信号をＳＴ（Ａ）、Ｓ’（Ｂ）とし、感度係数をＫとすると、ＳＴ（Ａ）は式（７）のように比例関係で表せる。ここで、所定温度は、水晶振動子の周波数シフト量の温度依存特性が単調増加または減少する温度範囲（例えば２１−６６℃の範囲）であり、より好ましくはほぼ線形である温度範囲（例えば２６−５１℃の範囲）に冷却手段等で制御する温度である。
ＳＴ（Ａ）＝Ｋ×Ｓ’（Ｂ）            ・・・（７）
ここで、Ｋは、例えばＳＴ（Ａ）、Ｓ’（Ｂ）の出力波形を、Ｋをパラメータとして最小二乗法により求める。このＫは誤差要因（ａ）（ｂ）の両方を補正することができるので、残る誤差はノイズ成分だけである。
【００１４】
蒸着本番前に、あらかじめ、蒸発粒子が出ない状況で輻射熱の影響のみを測定し、Ｋを求めておく。このＫを用いて、Ｓ（Ｂ）は式（８）から求めることができる。
Ｓ（Ｂ）＝Ｋ×Ｓ’（Ｂ）              ・・・（８）
式（７）、（８）より、Ｓ（Ｂ）は式（９）で表すことができる。
Ｓ（Ｂ）＝ＳＴ（Ａ）                  ・・・（９）
蒸着本番では、第１の膜厚計の蒸着レート出力をＳ（Ａ）、第２の膜厚計の蒸着レート出力をＳ’（Ｂ）としたとき、上記の式（８）で求めたＳ（Ｂ)を用いることにより、真の（制御に用いる）蒸着レートは、Ｓ（Ａ）とＳ（Ｂ）の差分、すなわち式（４）から求めることができる。すなわち、Ｓ（Ａ）は測定値を、Ｓ（Ｂ）は測定値を補正した計算値を用いて、真の蒸着レートを求める。
【００１５】
このようにして、水晶振動子膜厚計の輻射熱による蒸着レート変動を補正して、真の蒸着レートを求め、蒸発源の制御に用いる。
【００１６】
次に、蒸着本番の際、第２の膜厚計に、いかに蒸発粒子を入射させずに、輻射熱を入射させるかについて説明する。第２の膜厚計に蒸発粒子を入射させずに、輻射熱を入射させるために、蒸発粒子入射の防止（抑制）手段と輻射熱反射手段を用いる。具体的には、第２の膜厚計の検出部は、蒸発源の蒸発粒子放出口が直接見えない構造とし、輻射熱を反射する反射部（反射板）を設けて、第１の膜厚計と同じ輻射熱を受ける構造とする。
【００１７】
以下、実施例および変形例について、図面を用いて説明する。ただし、以下の説明において、同一構成要素には同一符号を付し繰り返しの説明は省略する。
【実施例】
【００１８】
実施例に係る蒸着装置について、図１Ａ〜図１Ｇ用いて説明する。
図１Ａは実施例に係る蒸着装置の蒸発源と膜厚計の構成を示す図である。図１Ｂは図１Ａを横（矢印２５の方向）から見た図である。図１Ｃは図１Ｂの上（矢印２８の方向）から見た図である。図１Ｄは実施例に係る蒸着装置の蒸発源と膜厚計の制御を示す図である。図１Ｅは実施例に係る蒸着装置の温度プロファイルを示す図である。図１Ｆは実施例に係る輻射熱の影響測定結果を示す図である。図１Ｇは実施例に係る輻射熱の影響補正結果を示す図である。
【００１９】
図１Ａおよび図１Ｂに示すように、実施例に係る蒸着装置１０は、蒸発粒子放出口１１ａを有する蒸発源１１と、第１の膜厚計１２Ａと、第２の膜厚計１２Ｂと、構造体１５と、防着板１６等から構成されている。蒸発源１１は、蒸着を行わないときは、蒸発源待機位置２４に位置し、蒸着を行うときは、矢印２３Ａ、２３Ｂに示す範囲で走査される。第１および第２の膜厚計１２Ａ、１２Ｂは、蒸発源１１と常に同じ位置関係にあり、待機中および走査中において、構造体１５の下に位置するように配置される。第１の膜厚計１２Ａは、水晶振動子膜厚計で、水晶振動子の検出部を有し、蒸発粒子放出口１１ａから放出される蒸発粒子１１ｂによって蒸着される膜厚を測定し、蒸発源１１の蒸着レートを制御する制御用である。第２の膜厚計１２Ｂは、水晶振動子膜厚計で、水晶振動子の検出部を有し、蒸発源１１からの輻射熱による蒸着レート変動を測定する温度評価用である。膜厚計１２Ａ、１２Ｂは水冷されて、水晶振動子が、所定温度（例えば２６−５１℃の範囲）に維持されている。構造体１５は蒸発源１１の上方に対向して配置される基板１３と、蒸発源１１と基板１３の間の基板１３に近接して配置されるマスク１４、を支持する。防着板１６は構造体１５への蒸発粒子１１ｂの飛散汚染を防ぐ。さらに、蒸発源１１は図示しない蒸着材料を格納する坩堝と、坩堝を加熱する図示しないヒータと、坩堝底付近の温度を測定することにより蒸着材料の温度を評価するための熱電対１７を備えている。
【００２０】
図１Ｄに示すように、蒸着装置１０は、さらに制御装置１８、ヒータ電源１９、温度測定装置２０、レート演算器２１Ａ、２１Ｂ、および演算器２２を、装置筐体の外部に有する。なお、図１Ｄの破線Ａで囲まれた部分は装置筐体内部に配置される。熱電対１７および温度測定装置２０によって温度測定し、制御装置１８からヒータ電源１９にフィードバックされヒータ加熱電力が調整され、坩堝温度を所定の温度に維持したり、一定の温度上昇レートで目標温度まで昇温、あるいは逆に降温したりする。一方、制御用の膜厚計１２Ａの出力（振動子の周波数（ｆＡ））はレート演算器２１Ａで蒸着レートを表す出力信号（Ｓ（Ａ））に変換される。温度評価用の膜厚計１２Ｂの出力（振動子の周波数（ｆＢ））はレート演算器２１Ｂで蒸着レートを表す出力信号（Ｓ（Ｂ））に変換される。演算器２２によりＳ（Ａ）とＳ（Ｂ）の差分（Ｓ（Ａ）−Ｓ（Ｂ））が算出される。この出力が制御装置１８を通じてヒータ電源１９にフィードバックされ、ヒータ加熱電力が調整され、蒸着レートを所定の値に維持する。
【００２１】
（１）膜厚計校正（感度係数の測定）
膜厚計の校正法、すなわち、感度係数（Ｋ）の測定法を以下で述べる。Ａｇ蒸着を１１００［℃］で行う場合を例にとる。膜厚計校正を蒸着本番前の蒸発源昇温時に行う。蒸発源昇温は、熱電対１７で蒸発源１１内の坩堝温度を測定し、制御装置１８でヒータ電源１９にフィードバックして、図１Ｅに示すような所定の温度プロファイルで昇温していく。
【００２２】
Ａｇの蒸着を１１００［℃］で行うが、このときのＡｇの蒸気圧は４．６８［Ｐａ］である。まず、これより充分蒸気圧が低い温度である７００［℃］まで蒸発源１１内坩堝の温度を一定の昇温レートで上げる（時間ｔ０→ｔ１、例えば1時間）。７００［℃］でのＡｇの蒸気圧は２．９６×１０−４［Ｐａ］なので、１１００［℃］の６．３３×１０−５倍であり、４桁以上小さい。例えば、１枚の基板成膜時、１１００［℃］で水晶振動子表面に１［ｎｍ］成膜を行うとすると、７００［℃］で同じ時間成膜を行った場合、１×６．３３×１０−５＝０．００１３［ｎｍ］となり、ほとんど無視できる蒸着量である。
【００２３】
７００［℃］で例えば５０分（ｔ１→ｔ２）維持する。この期間にまずは蒸発源及び周辺部材の脱ガスを行う。例えば３０分で脱ガスができたとする（この時間は装置によって異なるので、その装置によって適当な時間を選べばよい）。残りの２０分で以下のように、膜厚計の校正を行う。
【００２４】
本番の蒸着と同様に、例えば９０秒で基板１３に対して蒸発源１１を蒸発源待機位置２４から矢印２３Ａ、２３Ｂの範囲で往復走査を行う。このとき、蒸発源１１の対向面がマスク１４であったり、構造体１５、防着板１６であったりして、熱的環境が異なることにより、蒸発粒子放出口１１ａから放射された輻射熱が反射される量が時間的に変化し、蒸発粒子放出口１１ａを臨む膜厚計１２Ａ，１２Ｂへの輻射熱も変化する。ただし、蒸発粒子１１ｂが無視できるので、この輻射熱の変化のみを受けた蒸着レート変化が膜厚計１２Ａ、１２Ｂの両方で測定される。膜厚計１２Ａ、膜厚計１２Ｂの出力は、両方とも輻射熱のみの影響であるので、２つの膜厚計が２つの要因：（ａ）配置、形状、検出回路特性の違いがなく、（ｂ）固体差（水晶振動子周波数シフト量の温度依存）がなければ、膜厚計１２Ａと膜厚計１２Ｂの出力は全く同じになるはずである。しかし、（ａ）も（ｂ）も異なるので、図１Ｆ（ａ）（ｂ）に示すように、膜厚計１２Ａの出力であるＳＴ（Ａ）と膜厚計１２Ｂの出力であるＳ’（Ｂ）とは異なる。前述したように、水晶振動子の周波数シフト量の温度依存は２６〜５１［℃］でほぼ線形である。したがって、膜厚計１２Ａ、１２Ｂの受ける輻射熱が異なって、例えば、膜厚計１２Ａの水晶振動子温度が３８［℃］で、膜厚計１２Ｂの水晶振動子温度が３４［℃］であっても、線形なので、比例定数（感度稀係数）を掛ければ同じになるはずである。比例定数をＫとすると、上記式（７）示すように、ＳＴ（Ａ）＝Ｋ×Ｓ’（Ｂ）となる。Ｋは、図１Ｆ（ａ）（ｂ）に示すようにＳＴ（Ａ）、Ｓ’（Ｂ）の出力波形を、Ｋをパラメータとして最小二乗法により演算器２２で求め、演算器２２内の記憶装置に格納される。このＫは要因（ａ）（ｂ）の両方を補正できるので、残る誤差はノイズ成分だけである。なお、図１Ｆ（ｃ）はＳ’（Ｂ）に最小二乗法により求めたＫを乗じたもので、図１Ｆ（ａ）とほぼ同じ波形になる。
【００２５】
Ａｇの融点は９６２［℃］なので、７００［℃］から９４０［℃］まで一定の昇温レートで速く昇温した後（ｔ２〜ｔ３）、９４０［℃］〜９８０［℃］まで一定の昇温レートでゆっくり昇温する。これにより、Ａｇが固体から液体に変化する際の坩堝へのストレスを軽減し、坩堝割れを防止している（ｔ３〜ｔ４）。最後に、目標温度１１００［℃］まで一定の昇温レートで速く昇温し（ｔ４〜ｔ５）する。なお、基板１３への蒸着を防ぐため、７００℃から目標温度の１１００℃までは、蒸発源１１を待機位置２４に待機して昇温する。坩堝温度が１１００℃に達する頃には、目標のＡｇの蒸着レートに近くなっているので、今度は、熱電対１７による温度制御から、水晶振動子対を用いた蒸着レート制御に移る。
（２）蒸着本番
蒸着レートが安定すると、基板１３への本番の蒸着を行う。この基板１３の蒸着が終わると、蒸発源１１は再び、待機位置２４に待機する。次の基板１３が送り込まれると、同様に蒸発源１１を走査し、基板１３への蒸着を行う。この繰り返しで大量の基板１３の蒸着を行う。
【００２６】
蒸着本番では、膜厚計１２Ａ、１２Ｂの蒸着レート出力は図１Ｇ（ａ）（ｂ）に示すようなＳ（Ａ）、Ｓ（Ｂ）である。ここで、Ｓ（Ｂ)は上記式（８）によりレート演算器２１Ｂで補正されたものである。図１Ｇ（ｃ）に示す測定値のＳ（Ａ）と補正値のＳ（Ｂ）から上記式（４）により演算器２２によって真の（制御に用いる）蒸着レートを求める。
【００２７】
このようにして、水晶振動子膜厚計の輻射熱による蒸着レート変動を補正して、蒸発源の制御に用いる。
【００２８】
次に、蒸着本番の際、温度変化測定用（温度変化による蒸着レート変化測定用）膜厚計１２Ｂに、いかに蒸発粒子１１ｂを入射させずに、輻射熱２６を入射させるについて説明する。図１Ｃに示すように膜厚計１２Ｂの検出部は、反射板２７ａにより蒸発源１１の蒸発粒子放出口１１ａが直接見えない構造とし、輻射熱２６を反射する反射部には反射板２７ａ、２７ｂを設けて、膜厚計１２Ａと同じ輻射熱を受ける構造とする。同時に、この反射板２７ａはその裏側で、蒸発源１１の蒸発粒子放出口１１ａからの蒸発粒子１１ｂを直接膜厚計１２Ｂに入射させることを防止する防着板の役割も果たす。
【００２９】
輻射熱２６は、入射角と反射角が等しいという反射の法則に従って、反射板２７ａ、２７ｂのそれぞれで反射される。輻射熱２６の大半が膜厚計１２Ｂに入射するように、反射板２７ａ、２７ｂと膜厚計１２Ｂとが配置される。
【００３０】
このようにすることにより、膜厚計１２Ｂは、蒸発粒子１１ｂの入射を防ぎながら、蒸発源１１からの輻射熱２６を受け、温度変動による蒸着レートの変動を測定することができる。したがって、差分出力（Ｓ（Ａ）−Ｓ（Ｂ））は、真の蒸着レートの変化を示すことになり、これによって蒸着レートを制御することによって、基板に成膜する膜の均一性の低下を防止することができるようになる。このため、歩留まりが向上し、コスト低減にもつなげることができる。
【００３１】
＜変形例１＞
変形例１に係る蒸着装置について、図２Ａを用いて説明する。
図２Ａは変形例１に係る蒸着装置の図１Ｃの破線Ｂの部分に対応する部分を示す図である。変形例１に係る蒸着装置は、実施例に係る蒸着装置とは蒸発粒子入射の防止（抑制）手段および輻射熱反射手段が異なるのみである。実施例と異なる構成のみを述べる。以下の変形例においても同様である。
【００３２】
図２Ａに示すように、膜厚計１２Ｂの検出部を、蒸発源１１の蒸発粒子放出口１１ａが直接見えないように配置する。本変形例では、膜厚計１２Ｂの検出部は、膜厚計１２Ａの検出部と逆向きに配置されている。これだけでは、膜厚計１２Ｂに蒸発源１１からの輻射熱２６が入射しない。そこで、１枚の反射板（凹面反射板）２７ｃの反射面を蒸発源１１の蒸発粒子放出口１１ａが直接見えるよう配置し、輻射熱２６が膜厚計１２Ｂの検出部に入るように配置する。すなわち、蒸発粒子放出口１１ａと、反射板（凹面反射板）２７ｃ、および膜厚計１２Ｂの検出部が、反射の法則を満たすよう配置すると共に、反射板（凹面反射板）２７ｃの反射面の曲率を調節する。
【００３３】
これにより、変形例１の蒸着装置は、実施例係る蒸着装置より枚数の少ない反射板で実施例の蒸着装置と同様な効果を得ることができる。
【００３４】
＜変形例２＞
変形例２に係る蒸着装置について、図２Ｂを用いて説明する。
図２Ｂは変形例２に係る蒸着装置の図１Ｃの破線Ｂの部分に対応する部分を示す図である。変形例２に係る蒸着装置は、変形例１に係る蒸着装置と反射板の構造が異なるのみである。変形例２に係る蒸着装置の反射板２７ｄは平面反射板である。
【００３５】
これにより、変形例２に係る蒸着装置は、反射板1枚で、実施例に係る蒸着装置に比べてより簡単に同様な効果を得ることができる。
【００３６】
＜変形例３＞
変形例３に係る蒸着装置について、図３Ａ、図３Ｂを用いて説明する。
図３Ａは変形例３に係る蒸着装置の蒸発源と膜厚計の構成を示す図である。図３Ｂは図３Ａを横（矢印３５の方向）から見た図である。変形例３に係る蒸着装置は、実施例に係る蒸着装置と、厚膜計の構成、蒸発粒子入射の防止（抑制）手段および輻射熱反射手段が異なるのみである。
【００３７】
変形例３に係る蒸着装置は、図３Ａ、図３Ｂに示すように、膜厚計１２Ｂの検出部が、基板１３、マスク１４の方を向き、反射部にこれまで設けられていた反射板が無いことである。蒸発源１１の蒸発粒子放出口１１ａから発した蒸発粒子１１ｂは直接膜厚計１２Ｂの検出部には入射しないが、その輻射熱２６は基板１３、マスク１４で反射され膜厚計１２Ｂに入射する。この場合には、蒸発源１１の対向面である基板１３、マスク１４、防着板１６が反射部の役割を果たしている。さらに、蒸発粒子放出口１１ａと、対向面である基板１３、マスク１４、および膜厚計１２Ｂの検出部が、反射の法則を満たすよう配置されている。
【００３８】
これにより、変形例３に係る蒸着装置は、新たに反射板を設けなくても（反射板０枚で）、簡便な構成で、実施例、変形例１および変形例２と同様な効果を得ることができる。
【００３９】
＜変形例４＞
変形例４に係る蒸着装置について、図４Ａ、図４Ｂ、図４Ｃを用いて説明する。
図４Ａは変形例４に係る蒸着装置の図１Ｃの破線Ｂの部分に対応する部分を示す図である。図４Ｂは図４Ａの回転軸方向（矢印４５の方向）から見た図である。図４Ｃは変形例４に係る蒸着装置の膜厚計に用いる水晶振動子と感度係数を示す図である。変形例４に係る蒸着装置は、実施例に係る蒸着装置と、厚膜計の構成、蒸発粒子入射の防止（抑制）手段および輻射熱反射手段が異なるのみである。
【００４０】
これまでの実施例および変形例１から変形例３は、膜厚計１２Ａと膜厚計１２Ｂに用いる水晶振動子がそれぞれ１個の場合であった。変形例４は、膜厚計１２Ａと膜厚計１２Ｂに用いる水晶振動子が複数の場合である。変形例４に係る膜厚計４２は、図４Ａ、図４Ｂに示すように、１２連回転式膜厚計であり、回転軸４４を中心に円周上に等間隔に水晶振動子膜厚計１２が１２個並んでいる。１２個の水晶振動子膜厚計１２のうち、回転軸４４を中心に１８０°の位置２か所の開口部（円形の第１の窓４３Ａおよび第２の窓４３Ｂ）に位置する水晶振動子膜厚計１２を除いた、破線Ｃ内に位置する１０個の水晶振動子膜厚計１２はカバーで覆われ、蒸発源１１からの蒸発粒子１１ｂが入射しない構造となっている。第１の窓４３Ａと第２の窓４３Ｂには角度制限筒４１Ａ、４１Ｂが設けられ、それぞれの膜厚計１２Ａ、１２Ｂで検出する方向を制限している。なお、角度制限筒４１Ａは設けなくてもよい。第１の窓４３Ａと第２の窓４３Ｂには、膜厚計１２Ａと膜厚計１２Ｂとして用いる水晶振動子膜厚計１２が配置される。
【００４１】
第２の窓４３Ｂの角度制限筒４１Ｂと蒸発源１１との間には、２枚の反射板２７ｅ、２７ｇと防着板２７ｆが設置されている。防着板２７ｆは、角度制限筒４１Ｂを備える第２の窓４３Ｂに存在する膜厚計１２Ｂへの蒸発源１１からの蒸発粒子１１ｂの入射を防止するためである。防着板２７ｆが無くても角度制限筒４１Ｂにより直接入射成分は防止できるが、角度制限筒４１Ｂの開口に直接入射す蒸発粒子１１ｂを防止するためである。
【００４２】
回転式膜厚計４２の１２個の水晶振動子を回転軸４４の周りに回転させて、６対用い、第１の窓４３Ａ，第２の窓４３Ｂの位置で膜厚計１２Ａ、１２Ｂ位置の１対で温度補正しながら蒸着レート、膜厚を測定する。例えば、１対の水晶振動子あたり２０時間使用すると、連続１２０時間使用することができる。１２個のうち、厚膜計１２Ａ（蒸発源制御用）として図４Ｃの水晶振動子（１）〜水晶振動子（６）の６個用い、厚膜計１２Ｂ（温度補正用）として水晶振動子（７）〜水晶振動子（１２）を用いる。
【００４３】
（１）膜厚計校正（感度係数の測定）
膜厚計１２Ａの位置に来る水晶振動子（１）〜水晶振動子（６）、膜厚計１２Ｂの位置に来る水晶振動子（７）〜水晶振動子（１２）の輻射熱の影響をすべて測定し、膜厚計１２Ａに対する膜厚計１２Ｂの輻射熱に対する感度を求める。購入した水晶振動子には水晶振動子周波数シフト量の温度依存の固体差があるから、使用する可能性のあるすべての水晶振動子の対について感度係数を前もって測定しておく必要がある。まず、水晶振動子（１）を膜厚計１２Ａ位置に、水晶振動子（７）を膜厚計１２Ｂの位置にセットする（図４ＣのＮｏ．１）。図４Ｃに示す感度係数は、例えばＮｏ．１であれば、水晶振動子（１）に対する水晶振動子（７）の感度係数である。以下同様である。図４Ｃに示したようにＮｏ．１で求めた感度係数をすべての場合に適応すると、誤差が発生することが分かる。逆に、すべての場合について感度係数を求めておくことで、水晶振動子の固体差による誤差を消すことができる。図４Ｃに使用する水晶振動子対の組み合わせを示す。
【００４４】
結局、図４ＣのＮｏ．１〜Ｎｏ．６のすべての場合に、上記誤差要因（ａ）、（ｂ）を消すことができるので、輻射熱による水晶振動子膜厚計の誤差を補正して、正確な蒸着レート測定ができる。また、感度係数（Ｋ）は蒸着装置稼働時間の温度立ち上げプロセスの途中の１時間未満の時間（図１Ｅのｔ１〜ｔ２）で求めることができる。
【００４５】
（２）蒸着本番
蒸着本番について述べる。膜厚計１２Ａを蒸発源１１の制御用に用い、膜厚計１２Ｂを膜厚計１２Ａの温度補正用に用いる。ただし、実際には両方の膜厚計を用いて蒸発源を制御している。図４Ｃに使用する水晶振動子対の組み合わせを示す。
（ａ）第１セット
まず、水晶振動子（１）を第１の窓４３Ａ、水晶振動子（６）を第２の窓４３Ｂにセットする。すなわち、水晶振動子（１）を膜厚計１２Ａに用い、水晶振動子（７）を膜厚計１２Ｂに用いる（図４ＣのＮｏ．１）。これにより、輻射熱の影響を補正して蒸着レートの時間変化を測定して、この蒸着レートが一定になるように、制御装置１８でヒータ電源１９の出力を制御しながら、蒸発源１１を往復走査して基板１３への蒸着を行う。１枚の基板１３への蒸着が終わると、次の基板１３が転送され、同様な方法でその基板１３への蒸着を行う。これを２０時間繰り返す。
（ｂ）第２セット
次に、回転式膜厚計４２を回転させ、水晶振動子（２）を第１の窓４３Ａ、水晶振動子（８）を第２の窓４３Ｂにセットする。すなわち、水晶振動子（２）を膜厚計１２Ａに用い、水晶振動子（８）を膜厚計１２Ｂに用いて（図４ＣのＮｏ．２）、上記（ｂ）の第１セットと同様な制御を行う。
（ｃ）第３セットから第５セット
図４ＣのＮｏ．３〜Ｎｏ．５の水晶振動子を用いてに第１セットと同様に制御を行う。
（ｄ）第６セット
最後に、回転式膜厚計４２を回転させ、水晶振動子（６）を第１の窓４３Ａ、水晶振動子（１２）を第２の窓４３Ｂにセットする。すなわち、水晶振動子（６）を膜厚計１２Ａに用い、水晶振動子（１２）を膜厚計１２Ｂに用いて（図４ＣのＮｏ．６）、上記（ａ）の第１セットと同様な制御を行う。
以上のようにして、回転軸４４周りに水晶振動子を、例えば２０時間おきに回転させて、水晶振動子の寿命が来るまでに交換して行き、１２０時間の連続運転に対応する。
【００４６】
目標の蒸着レート付近の温度になったら、膜厚計１２Ａと膜厚計１２Ｂを用いた蒸着レート制御に移行する。
膜厚計１２Ａとして１つの水晶振動子膜厚計１２を寿命近くまで使用すると、回転軸４４回りに水晶振動子膜厚計１２群を回転させて、隣接する新たな水晶振動子膜厚計１２を、膜厚計１２Ａの位置に配置する。そのときには、膜厚計１２Ｂの位置にも新たな水晶振動子膜厚計１２が配置されている。このように、順次隣接する水晶振動子膜厚計１２を使用していくことにより、蒸着装置の連続稼働時間を長くすることができる。
【００４７】
しかし、本変形例の場合は、図４Ｃに示すように膜厚計１２Ｂとして用いることができるのは１２個中、６個（水晶振動子（７）〜（１２））であり、連続で６個しか用いることができない。７個目の水晶振動子膜厚計（１）が膜厚計１２Ｂの位置に来たとき、７個目の水晶振動子膜厚計（１）はすでに膜厚計１２Ａとして使用されており、表面にＡｇが蒸着されているからである。初期状態と異なる状態になっており、輻射率も初期状態と異なっており、実施例で述べたあらかじめ求めておいた感度係数（Ｋ）が変化するからである。
【００４８】
以上のように本変形例では、複数の水晶振動子膜厚計１２を有する回転式膜厚計４２を有し、回転式膜厚計４２は蒸着レートを検出する第１の窓４３Ａと、輻射熱による蒸着レートの変動を検出する第２の窓４７Ｂを有し、回転により第１および第２の窓４３Ａ、４３Ｂには複数の水晶振動子膜厚計１２が現れ、第１の窓４３Ａに現れた水晶振動子膜厚計１２を膜厚計１２Ａ、第２の窓４３Ｂに現れた水晶振動子膜厚計１２を膜厚計１２Ｂとして用いる。また、回転式膜厚計４２の第１および第２の窓４３Ａ、４３Ｂは同じ向きである。
【００４９】
本変形例によれば、蒸着装置稼働時間の温度立ち上げプロセスの途中の時間で感度係数（Ｋ）を求めることができるので、ほとんどロス時間ない蒸着工程を構成することができる。
【００５０】
また、すべての使用する水晶振動子膜厚計の対に対して校正係数が求められているので、正確な蒸着レート制御ができ、基板への蒸着の均一性を向上することができ、その結果、歩留まりを上げることが可能となる。
【００５１】
さらに、複数の水晶振動子膜厚計を用いるので、蒸着装置の連続稼働時間を長くすることができ、また実施例で述べたと同様な効果も得ることができる。
【００５２】
＜変形例５＞
変形例５に係る蒸着装置について、図５Ａ、図５Ｂ、図５Ｃを用いて説明する。
図５Ａは変形例５に係る蒸着装置の図１Ｃの破線Ｂの部分に対応する部分を示す図である。図５Ｂは図５Ａの回転軸方向から見た図である。図５Ｃは変形例５に係る蒸着装置の膜厚計に用いる水晶振動子と感度係数を示す図である。変形例５に係る蒸着装置は、変形例４に係る蒸着装置と回転式厚膜計の構成が異なる。
【００５３】
変形例４との違いは、回転式膜厚計５２の第１の窓５３Ａおよび第２の窓５３Ｂの位置である。本変形例では、第１の窓５３Ａと第２の窓５３Ｂが隣接している。隣接した第１の窓５３Ａ，第２の窓５３Ｂに位置する水晶振動子膜厚計１２を除いた、破線Ｄ内に位置する１０個の水晶振動子膜厚計１２はカバーで覆われている。こうすることにより、変形例４では６個しか使用できなかった水晶振動子膜厚計１２を、１１個使用できるようにしている。
【００５４】
変形例５における水晶振動子膜厚計１２の補正法を以下で述べる。
回転式膜厚計５２の１２個の水晶振動子を回転軸４４の周りに回転させて、１０対用い、第１の窓５３Ａ、第２の窓５３Ｂの位置で膜厚計１２Ａ、１２Ｂ位置の１対で温度補正しながら蒸着レート、膜厚を測定する。例えば、１対の水晶振動子あたり２０時間使用すると、連続２００時間使用することができる。１２個のうち、膜厚計１２Ａ（蒸発源制御用）として図５Ｃの水晶振動子（１）〜水晶振動子（１１）の１１個用い、膜厚計１２Ｂ（温度補正用）として水晶振動子（２）〜水晶振動子（１２）を用いる。水晶振動子（１１）は膜厚計１２Ａの予備であり、水晶振動子（１２）は膜厚計１２Ｂの予備とする。
【００５５】
（１）膜厚計校正（感度係数の測定）
膜厚計１２Ａ、膜厚計１２Ｂの位置に水晶振動子（１）〜水晶振動子（１２）の隣り合う対同士の輻射熱の影響をすべて測定し、膜厚計１２Ａに対する膜厚計１２Ｂの輻射熱に対する感度を求める。図５Ｃに使用する水晶振動子対の組み合わせを示す。まず、水晶振動子（１）を膜厚計１２Ａ位置に、水晶振動子（２）を膜厚計１２Ｂの位置にセットする（図５ＣのＮｏ．１）。
【００５６】
しかし、同じ感度係数を、水晶振動子（２）を膜厚計１２Ａ位置に、水晶振動子（３）を膜厚計１２Ｂの位置にセットしたときに適用すると誤差が大きくなってしまう。購入した水晶振動子には（２）水晶振動子周波数シフト量の温度依存の固体差があるからである。したがって、使用する可能性のあるすべての水晶振動子の対について感度補正係数を前もって測定しておく必要がある。図５Ｃに示す感度係数は、例えばＮｏ．１であれば、水晶振動子（１）に対する水晶振動子（２）の感度係数である。以下同様である。図５Ｃに示したようにＮｏ．１で求めた感度係数をすべての場合に適応すると、誤差が発生することが分かる。逆に、すべての場合について感度係数を求めておくことで、水晶振動子の固体差による誤差を消すことができる。
【００５７】
結局、図５ＣのＮｏ．１〜Ｎｏ．１１のすべての場合に、上記誤差要因（ａ）、（ｂ）を消すことができるので、輻射熱による水晶振動子膜厚計の誤差を補正して、正確な蒸着レート測定ができる。また、感度係数（Ｋ）は蒸着装置稼働時間の温度立ち上げプロセスの途中の１時間未満の時間（図１Ｅのｔ１〜ｔ２）で求めることができる。
【００５８】
（２）蒸着本番
蒸着本番について述べる。膜厚計１２Ａを蒸発源１１の制御用に用い、膜厚計１２Ｂを膜厚計１２Ａの温度補正用に用いる（実際には両方の膜厚計を用いて制御）。図５Ｃに使用する水晶振動子対の組み合わせを示す。
（ａ）第１セット
まず、水晶振動子（１）を第１の窓５３Ａ、水晶振動子（２）を第２の窓５３Ｂにセットする。すなわち、水晶振動子（１）を膜厚計１２Ａに用い、水晶振動子（２）を膜厚計１２Ｂに用いる（図５ＣのＮｏ．１）。これにより、輻射熱の影響を補正して蒸着レートの時間変化を測定して、この蒸着レートが一定になるように、制御装置１８でヒータ電源１９の出力を制御しながら、蒸発源１１を往復走査して基板１３への蒸着を行う。１枚の基板１３への蒸着が終わると、次の基板１３が転送され、同様な方法でその基板１３への蒸着を行う。これを２０時間繰り返す。
（ｂ）第２セット
次に、回転式膜厚計５２を図５Ｂの回転方向４６に回転させ、水晶振動子（２）を第１の窓５３Ａ、水晶振動子（３）を第２の窓５３Ｂにセットする。すなわち、水晶振動子（２）を膜厚計１２Ａに用い、水晶振動子（３）を膜厚計１２Ｂに用いて（図５ＣのＮｏ．２）、上記（ａ）の第１セットと同様な制御を行う。
（ｃ）第３セットから第９セット
図５ＣのＮｏ．３〜Ｎｏ．９の水晶振動子を用いてに上記（ａ）の第１セットと同様に制御を行う。
（ｄ）第１０セット
最後に、回転式膜厚計５２を図５Ｂの回転方向４６に回転させ、水晶振動子（１０）を第１の窓５３Ａ、水晶振動子（１１）を第２の窓５３Ｂにセットする。すなわち、水晶振動子（２）を膜厚計１２Ａに用い、水晶振動子（３）を膜厚計１２Ｂに用いて（図５ＣのＮｏ．１０）、上記（ａ）の第１セットと同様な制御を行う。
【００５９】
以上のようにして、回転軸４４周りに水晶振動子を、例えば２０時間おきに回転させて、水晶振動子の寿命が来るまでに交換して行き、２００時間の連続運転に対応する。図５ＣのＮｏ．１１は予備である。例えばＮｏ．１０の調子が悪い場合、Ｎｏ．１１を使用する。
【００６０】
以上のように、本変形例の回転式膜厚計の第１の窓５３Ａ、第２の窓５３Ｂは隣同士に位置する。したがって、回転式膜厚計において含まれる水晶振動子膜厚計を有効に使用することができるので、変形例４よりも長時間の連続稼働が可能になる。
【００６１】
＜変形例６＞
変形例６に係る蒸着装置について、図６Ａ、図６Ｂを用いて説明する。
図６Ａは変形例６に係る蒸着装置の図１Ｃの破線Ｂの部分に対応する部分を示す図である。図６Ｂは図６Ａの回転軸方向から見た図である。変形例６に係る蒸着装置は、変形例４および５に係る蒸着装置と、回転式厚膜計の構成、蒸発粒子入射の防止（抑制）手段および輻射熱反射手段が異なる。
【００６２】
変形例６と変形例４、５との違いは、回転式膜厚計６２の回転軸６４の方向である。回転式膜厚計６２の回転軸６４は、角度制限筒４１Ａの長手方向と垂直であり、回転式膜厚計の円周サイドに第１の窓６３Ａ、第２の窓６３Ｂは水晶振動子膜厚計１２を配置している。蒸発源１１側の第１の窓６３Ａの位置に角度制限筒４１Ａを有する膜厚計１２Ａが配置、回転軸４４に対して１８０°の第２の窓６３Ｂの位置に角度制限筒４１Ｂを有さない膜厚計１２Ｂが配置されている。１２個の水晶振動子膜厚計１２のうち、円形の第１の窓６３Ａおよび第２の窓６３Ｂに位置する水晶振動子膜厚計１２を除いた、破線Ｅ内に位置する１０個の水晶振動子膜厚計１２はカバーで覆われ、蒸発源１１からの蒸発粒子１１ｂが入射しない構造となっている。膜厚計１２Ａには、蒸発粒子放出口１１ａからの蒸発粒子１１ｂが直接入射する。膜厚計１２Ｂには、回転式膜厚計６２の陰になるので、直接蒸発粒子１１ｂは入射しない。凹面反射板２７ｊを設けることにより、蒸発粒子放出口１１ａからの輻射熱２６が反射され膜厚計１２Ｂに入射する。変形例４と同様に、この場合に使用できる水晶振動子膜厚計１２の対は６である。変形例４と同様に膜厚計校正（感度係数の測定）と本番蒸着を行う。可能な膜厚計１２Ａと膜厚計１２Ｂの組み合わせと、それに対する測定された感度係数（Ｋ）は、図４Ｃに示される。
以上のように、回転式膜厚計の第１の窓６３Ａおよび第２の窓６３Ｂは逆向きに配置される。
【００６３】
本変形例によれば、反射板１枚という比較的簡単な構造で蒸着レートの補正ができ、蒸着装置の稼働時間を長くすることができる。
【００６４】
＜変形例７＞
変形例７に係る蒸着装置について、図７Ａ、図７Ｂを用いて説明する。
図７Ａは変形例７に係る蒸着装置の図１Ｃの破線Ｂの部分に対応する部分の回転軸方向から見た図である。図７Ｂは変形例７に係る蒸着装置の膜厚計に用いる水晶振動子と感度係数を示す図である。変形例７に係る蒸着装置は、変形例６に係る蒸着装置と回転式厚膜計の構成が異なる。
【００６５】
変形例６との違いは、水晶振動子膜厚計１２の数であり、回転式膜厚計７２は、水晶振動子膜厚計１２を２４個有する２４連回転式膜厚計である。ただし、回転式膜厚計７２が回転式膜厚計６２と同じ大きさであるときは、水晶振動子厚膜計は小さいものを使用する。回転式厚膜計７２の水晶振動子厚膜計が回転式膜厚計６２の水晶振動子厚膜計と同じ大きさであるときは、回転式厚膜計７２は回転式膜厚計６２よりも大きくなる。２４個の水晶振動子膜厚計１２のうち、円形の第１の窓７３Ａおよび第２の窓７３Ｂに位置する水晶振動子膜厚計１２を除いた、破線Ｆ内に位置する２２個の水晶振動子膜厚計１２はカバーで覆われ、蒸発源１１からの蒸発粒子１１ｂが入射しない構造となっている。図７Ｂに、可能な膜厚計１２Ａと膜厚計１２Ｂの組み合わせと、それに対する測定された感度係数（Ｋ）を示す。これにより、予備を含めて、１２個の膜厚計１２Ａ、膜厚計１２Ｂの対の組み合わせが使用可能になり、稼働時間をさらに長時間化できる。
【００６６】
また、１稼働期間、水晶振動子６個でよいとすると、１稼働期間に水晶振動子対を図７ＢのＮｏ．１−６まで用いる。Ｎｏ．７−１２は、次の稼働期間使用のため、実際の蒸着温度で感度係数（Ｋ）を求めておく。そのために、１稼働期間の全蒸着終了後、Ａｇを全部飛ばし切って、感度係数（Ｋ）を測定してもよい。このとき、Ｎｏ．６で蒸発源１１内坩堝内のＡｇの有無をモニタする。
【００６７】
以上より、本変形例においては、回転式膜厚計の第１の窓７３Ａおよび第２の窓７３Ｂは逆向きに配置される。さらに、蒸着装置の１稼働時間の終了後、坩堝内のＡｇを飛ばし切り、実際の蒸着温度で感度係数を測定する。
【００６８】
本変形例によれば、蒸着装置の稼働時間をより長くすることができる。さらに、実際の蒸着温度で感度係数（Ｋ）を求めるので、次の稼働期間により正確に求めた感度係数で蒸着レートを構成することができ、基板への成膜の均一性を向上することが可能となる。
【００６９】
＜変形例８＞
変形例８に係る蒸着装置について、図８Ａ、図８Ｂを用いて説明する。
図８Ａは変形例８に係る蒸着装置の図１Ｃの破線Ｂの部分に対応する部分を示す図である。図８Ｂは図８Ａの回転軸方向から見た図である。変形例８に係る蒸着装置は、変形例６に係る蒸着装置と回転式厚膜計の構成が異なる。
【００７０】
角度制限筒４１Ａを持つ膜厚計１２Ａと角度制限筒４１Ｂをもつ膜厚計１２Ｂが隣接しているので、変形例５と同様に、図５Ｃに示すように蒸着装置の１稼働期間に１１対の膜厚計１２Ａと膜厚計１２Ｂの組合せが使用できる。１２個の水晶振動子膜厚計１２のうち、円形の第１の窓８３Ａおよび第２の窓８３Ｂに位置する水晶振動子膜厚計１２を除いた、破線Ｇ内に位置する１０個の水晶振動子膜厚計１２はカバーで覆われ、蒸発源１１からの蒸発粒子１１ｂが入射しない構造となっている。さらに、反射板２７ｋを膜厚計１２Ｂの角度制限筒４１Ｂの先端に設置した。また、反射板２７ｋにあらかじめ、蒸着材で表面コーティングして、反射板の輻射率の経時変化、すなわち感度係数（Ｋ）の経時変化を防止する。なお、反射板を蒸着材で表面コーティングすることは、実施例や他の変形例に係る蒸着装置にも適用することができる。
【００７１】
以上より、本変形例では、膜厚計１２Ｂに設けられた角度制限筒４１Ｂの先端部に反射板２７ｋを設ける。さらに、反射板２７ｋの表面を、蒸着する物質でコーティングする。
【００７２】
本変形例によれば、角度制限筒４１Ｂの先端部に反射板２７ｋを設けたので、構造が簡単で製作し易く低コストになる効果がある。また、反射板２７ｋの表面を、蒸着する物質でコーティングしたので、反射板の輻射率の経時変化、すなわち感度係数（Ｋ）の経時変化を防止でき、基板へのより均一な成膜が可能になる。結果、歩留まりが向上する効果がある。
【００７３】
＜変形例９＞
変形例９に係る蒸着装置について、図９Ａ、図９Ｂ、図９Ｃを用いて説明する。
図９Ａは変形例９に係る蒸着装置の図１Ｃの破線Ｂの部分に対応する部分を示す図である。図９Ｂは図９Ａの回転軸方向から見た図である。図９Ｃは変形例９に係る蒸着装置の反射板の構造を示す図である。変形例９に係る蒸着装置は、変形例８に係る蒸着装置と回転式厚膜計の構成が異なる。
【００７４】
回転式膜厚計９２本体に軸９７が設けられ、軸９７を中心とする円板状の反射板２７ｌが設けられている。反射板２７ｌは、軸９７を中心に回転する機構を有し、全体が反射板カバー９８で覆われ、反射板２７ｌの反射面にカバーの孔９８ａが設けられ、このカバーの孔９８ａからのぞいているのは反射板２７ｌの反射領域９７ａである。これは、反射板２７ｌの反射領域９７ａに蒸発粒子１１ｂがある程度以上堆積しないように一定速度、あるいはデジタル的に回転し、新鮮な反射面が反射板２７ｌの反射領域９７ａに現われるようにしている。１２個の水晶振動子膜厚計１２は、破線Ｇ内に位置する１０個の水晶振動子膜厚計１２はカバーで覆われ、蒸発源１１からの蒸発粒子１１ｂが入射しない構造となっている。
【００７５】
本変形例によれば、常に反射板２７ｌの反射領域９７ａが新鮮な反射面となるので、感度係数（Ｋ）の経時変化を防止することができる。
【００７６】
＜変形例１０＞
変形例１０に係る蒸着装置について、図１０Ａ、図１０Ｂを用いて説明する。
図１０Ａは変形例１０に係る蒸着装置の図１Ｃの破線Ｂの部分に対応する部分の回転軸方向から見た図である。図１０Ｂは変形例１０に係る蒸着装置の膜厚計に用いる水晶振動子を示す図である。変形例１０に係る蒸着装置は、変形例８に係る蒸着装置と回転式厚膜計の構成が異なる。
【００７７】
変形例８との違いは、反射板２７ｋが取り付けられている角度制限筒４１Ｂ（膜厚計１２Ｂ）が回転式膜厚計８２とは別に設けられたことである。水晶振動子１２を有する膜厚計１２Ｂは、１２個の水晶振動子を有する回転式膜厚計の上部に固定されて、回転式膜厚計１０２を構成している。１２個の水晶振動子膜厚計１２のうち、破線Ｈ内に位置する１１個の水晶振動子膜厚計１２はカバーで覆われ、蒸発源１１からの蒸発粒子１１ｂが入射しない構造となっている。
【００７８】
本変形例によれば、膜厚計１２Ｂが回転式膜厚計とは別に、１個設けられているので、容易に製作することができる。
【００７９】
＜有機ＥＬ素子＞
有機エレクトロルミネッセンス素子（有機ＥＬ素子）は、現在、有機ＥＬディスプレイ（有機ＥＬ表示装置）として、携帯電話、スマートフォンなどの携帯機器やカーオーディオ等に使用されている。さらに、液晶やプラズマディスプレイなどに代わる次世代大型ディスプレイとして製品化されつつある。また、有機ＥＬ照明は、普及し始めたＬＥＤ（Light Emitting Diode）照明の後を追うように開発が進められている。ＬＥＤ照明は、ほとんど点発光であるために小型化には向いても発熱という制約や光の拡散に工夫が求められる。一方、有機ＥＬ照明は、面発光、形状に制約がなくフレキシブル、透明等の特色を有し、今後住み分けが進むか、さらにＬＥＤを超えて普及する可能性があると考えられている。
【００８０】
有機ＥＬ表示装置や照明装置に用いられる有機ＥＬ素子は、有機材料層（有機層）を陰極と陽極で挟んだサンドイッチ構造がガラス板やプラスチック板などの基板上に形成されたものである。この陰極と陽極に電圧を印加することにより各々から電子と正孔が有機層に注入され、それらが再結合して生じる励起子（エキシトン）の失活により発光する。
【００８１】
この有機層は、一般に、電子注入層、電子輸送層、発光層、正孔輸送層、正孔注入層を含む多層膜構造になっている。この有機層に使用される有機材料には高分子と低分子がある。このうち低分子材料は、蒸着装置を用いて成膜される。有機ＥＬ素子には、有機層の下にあるＴＦＴ基板を「底」と考え、光を下から取り出すボトムエミッション型と、上から取り出すトップエミッション型とがある。
【００８２】
一般に、電極には、陰極として金属材料、陽極として透明導電材料が用いられる。陰極は、電子を有機層に注入するために仕事関数が小さい方が有利であり、陽極は正孔注入層や正孔輸送層などの有機層に正孔を注入するために仕事関数が大きいことが必要であるからである。具体的には、陽極にはインジウムスズ酸化物（ＩＴＯ）、酸化スズ（ＳｎＯ２）などが用いられる。陰極には、マグネシウム銀（ＭｇＡｇ）合金、アルミニウム（Ａｌ）などが用いられる。有機層や界面に損傷を与えないため、陰極の成膜装置として蒸着装置を用いる場合が多い。
【００８３】
図１２は、有機ＥＬディスプレイ生産工程の一例を示した工程図である。図１２において、有機層と有機層に流れる電流を制御する薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）が形成されたＴＦＴ基板と、有機層を外部の湿気から保護する封止基板は別々に形成され、封止工程において組み合わされる。
【００８４】
図１２のＴＦＴ基板の製造工程において、ウェット洗浄された基板に対してドライ洗浄を行う（ステップＳ１、Ｓ２）。ドライ洗浄は紫外線照射による洗浄を含む場合もある。ドライ洗浄されたＴＦＴ基板に先ず、ＴＦＴが形成される。ＴＦＴの上にパッシベーション膜および平坦化膜が形成され、その上に有機ＥＬ層の下部電極が形成される。下部電極はＴＦＴのドレイン電極と接続している。下部電極をアノードとする場合は、例えば、ＩＴＯ膜が使用される。
【００８５】
下部電極の上に有機ＥＬ層が蒸着により形成される（ステップＳ３）。有機ＥＬ層は複数の層から構成される。下部電極がアノードの場合は、下から、例えば、ホール注入層、ホール輸送層、発光層、電子輸送層、電子注入層である。このような有機ＥＬ層は実施例および変形例１から１０のうちのいずれかの蒸着装置による蒸着によって形成される。
【００８６】
有機ＥＬ層の上には、各画素共通に、ベタ膜で上部電極が金属蒸着または透明電極スパッタで形成される（ステップＳ４）。有機ＥＬ表示装置がトップエミッションの場合は、上部電極にはＩＴＯ等の透明電極、あるいは、Ａｇ、ＭａＡｇ等の金属あるいは合金が使用され、有機ＥＬ表示装置がボトムエミッションの場合は、Ａｇ、Ｍｇ、Ａｌ等の金属膜が使用される。以上で説明したＡｌ蒸着等の例は本工程（ステップＳ４）での上部電極の蒸着に相当する。
【００８７】
図１２の封止基板工程において、ウェット洗浄およびドライ洗浄を行った封止基板に対してデシカント（乾燥剤）が配置される（ステップＳ１１、Ｓ１２、Ｓ１３）。有機ＥＬ層は水分があると劣化をするので、内部の水分を除去するためにデシカントが使用される。デシカントには種々な材料を用いることができるが、有機ＥＬ表示装置がトップエミッションかボトムエミッションかによってデシカントの配置方法が異なる。
【００８８】
このように、別々に製造されたＴＦＴ基板と封止基板は封止工程において、組み合わされる。ＴＦＴ基板と封止基板を封止するシール材は、封止基板に形成される（ステップＳ１４）。封止基板とＴＦＴ基板を組み合わせた後、封止工程でシール部に紫外線を照射して、シール部を硬化させ、封止を完了させる（ステップＳ５）。このようにして形成された有機ＥＬ表示装置に対して点灯検査を行う（ステップＳ６）。点灯検査において、黒点、白点等の欠陥が生じている場合でも欠陥修正可能なものは修正を行い、有機ＥＬ表示装置が完成する。なお、封止基板が存在しない、いわゆる固体封止の有機ＥＬ表示装置の製造についても、本実施例および変形例の蒸着装置を使用できることは言うまでもない。
【００８９】
本実施例および変形例の蒸着装置を使用することにより、蒸着レートの正確な検出および制御をすることができるので、有機ＥＬ表示装置などの有機ＥＬデバイス製造量産工程で、均一な成膜を行うことができる。それによって、有機ＥＬデバイスの発光が面内で均一にすることができる。
【００９０】
以上まとめると、実施例および変形例１から１０に係る蒸着装置は、下記のとおりである。
（１）蒸着装置（１０）は、蒸発粒子放出口（１１ａ）を有する蒸発源（１１）と、第１および第２の水晶振動子膜厚計（１２Ａ、１２Ｂ）と、を有する。第１の水晶振動子膜厚計（１２Ａ）は、蒸発粒子放出口（１１ａ）からの蒸発粒子（１１ｂ）および輻射熱（２６）を受けるようにされる。第２の水晶振動子膜厚計（１２Ｂ）は、蒸発粒子放出口（１１ａ）からの輻射熱（２６）を受けるようにされる。第１の水晶振動子膜厚計（１２Ａ）の出力をＳ（Ａ）と、第２の水晶振動子膜厚計（１２Ｂ）の出力をＳ（Ｂ）とし、Ｓ（Ａ）とＳ（Ｂ）の差分により蒸着レートを補正制御するようにされる。
（２）上記（１）の蒸着装置において、同じ輻射熱による第２の水晶振動子膜厚計（１２Ｂ）の第１の水晶振動子膜厚計（１２Ａ）に対する上記蒸着レートの変動の感度係数を求める。この感度係数に基づいて前記Ｓ（Ｂ）を補正するようにされる。
（３）上記（２）の蒸着装置において、蒸着材料を前記蒸発源に充填しない状態で、蒸発源（１１）を加熱し、蒸発源（１１）の対向面に熱輻射させ、この輻射熱による第１の水晶振動子膜厚計（１２Ａ）の出力をＳＴ（Ａ）、第２の水晶振動子膜厚計（１２Ｂ）の出力をＳ’（Ｂ）、上記感度係数をＫとしたとき、ＳＴ(Ａ)＝Ｋ×Ｓ’（Ｂ）を満たすＫを求める。このＫをＳ’（Ｂ）に乗じた値をＳ（Ｂ）とするようにされる。
（４）上記（１）の蒸着装置において、輻射熱（２６）を反射する反射部を有する。第１の水晶振動子膜厚計（１２Ａ）の検出部は蒸発粒子放出口（１１ａ）が直接見えるように配置さる。第２の水晶振動子膜厚計（１２Ｂ）の検出部は蒸発粒子放出口（１１ａ）が直接見えないように配置される。
（５）上記（４）の蒸着装置において、防着板（２７ａ）を有する。防着板（２７ａ）は、第２の水晶振動子膜厚計（１２Ｂ）の検出部と蒸発粒子放出口（１１ａ）との間に配置される。
（６）上記（４）の蒸着装置において、反射部は、第１および第２の反射板（２７ｂ、２７ａ）を有する。第１の反射板（２７ｂ）の反射面は、蒸発粒子放出口（１１ａ）が直接見えるよう配置される。第２の反射板（２７ａ）の反射面は、蒸発粒子放出口（１１ａ）が直接見えないように配置される。蒸発粒子放出口（１１ａ）と、第１の反射板（２７ｂ）の反射面、第２の反射板（２７ａ）の反射面、および第２の水晶振動子膜厚計（１２Ｂ）の検出部が、反射の法則を満たすよう配置される。
（７）上記（１）の蒸着装置において、第１および第２の水晶振動子膜厚計（１２Ａ、１２Ｂ）の水晶振動子の温度を２６℃〜５１℃に制御するようにされる。
（８）上記（４）の蒸着装置において、反射部は、第３の反射板（２７ｃ、２７ｄ）１枚からなる。第３の反射板（２７ｃ、２７ｄ）の反射面は、蒸発粒子放出口（１１ａ）が直接見えるよう配置される。第２の水晶振動子膜厚計（１２Ｂ）の検出部は、蒸発粒子放出口（１１ａ）が直接見えないように配置される。蒸発粒子放出口（１１ａ）と、第３の反射板（２７ｃ、２７ｄ）の反射面、および第２の水晶振動子膜厚計（１２Ｂ）の検出部が、反射の法則を満たすよう配置される。
（９）上記（８）の蒸着装置において、第３の反射板（２７ｃ）は凹面反射板である。
（１０）上記（８）の蒸着装置において、第２の水晶振動子膜厚計（１２Ｂ）の検出部が第１の水晶振動子膜厚計（１２Ａ）の検出部と逆向きである。
（１１）上記（４）の蒸着装置において、反射部は、蒸発源（１１）の対向面（１３、１４）とされる。対向面（１３、１４）は、蒸発粒子放出口（１１ａ）が直接見えるよう配置される。第２の水晶振動子膜厚計（１２Ｂ）の検出部は、蒸発粒子放出口（１１ａ）が直接見えないように配置される。蒸発粒子放出口（１１ａ）と、対向面（１３、１４）、および第２の水晶振動子膜厚計（１２Ｂ）の検出部が、反射の法則を満たすよう配置される。
（１２）上記（４）において、複数の水晶振動子を有する回転式膜厚計（４２、５２、６２、７２、８２、９２、１０２）を備える。回転式膜厚計（４２、５２、６２、７２、８２、９２、１０２）は、蒸着レートを検出する第１の窓（４３Ａ、５３Ａ、６３Ａ、７３Ａ、８３Ａ）と、輻射熱による蒸着レートの変動を検出する第２の窓（４３Ｂ、５３Ｂ、６３Ｂ、７３Ｂ、８３Ｂ）を有する。回転により第１および第２の窓（４３Ａ、５３Ａ、６３Ａ、７３Ａ、８３Ａ、４３Ｂ、５３Ｂ、６３Ｂ、７３Ｂ、８３Ｂ）のそれぞれには複数の水晶振動子のうちの１つの水晶振動子が現れるようにされる。第１の窓（４３Ａ、５３Ａ、６３Ａ、７３Ａ、８３Ａ）に現れる水晶振動子は、第１の水晶振動子膜厚計（１２Ａ）として用いられる。第２の窓（４３Ｂ、５３Ｂ、６３Ｂ、７３Ｂ、８３Ｂ）に現れる水晶振動子は、第２の水晶振動子膜厚計（１２Ｂ）として用いられる、
蒸着装置。
（１３）上記（１２）の蒸着装置において、第１および第２の窓（４３Ａ、５３Ａ、６３Ａ、７３Ａ、８３Ａ、４３Ｂ、５３Ｂ、６３Ｂ、７３Ｂ、８３Ｂ）は同じ向きである。
（１４）上記（１２）の蒸着装置において、第１および第２の窓（４３Ａ、５３Ａ、６３Ａ、７３Ａ、８３Ａ、４３Ｂ、５３Ｂ、６３Ｂ、７３Ｂ、８３Ｂ）は隣同士である。
（１５）上記（１２）の蒸着装置において、第１および第２の窓（４３Ａ、５３Ａ、６３Ａ、７３Ａ、８３Ａ、４３Ｂ、５３Ｂ、６３Ｂ、７３Ｂ、８３Ｂ）は逆向きである。
（１６）上記（１２）の蒸着装置において、第２の水晶振動子膜厚計（１２Ｂ）は、角度制限筒（４１Ｂ）を有する。反射部は、第４の反射板（２７ｋ、２７ｌ）を有する。角度制限筒（４１Ｂ）の先端部に第４の反射板（２７ｋ、２７ｌ）が設けられる。
（１７）上記（６）、（８）、（９）および（１６）のいずれか１つの蒸着装置において、反射部の有する反射板の表面は、蒸着する物質でコーティングされる。
（１８）上記（１６）の蒸着装置において、第４の反射板（２７ｌ）は回転式で、第４の反射板（２７ｌ）の反射部分にカバーの孔（９８ａ）が設けられる。
（１９）上記（１２）の蒸着装置において、第２の水晶振動子膜厚計（１２Ｂ）は、回転式膜厚計（１０２）とは別に設けられる。
【００９１】
以上、本発明者によってなされた発明を実施の形態、実施例および変形例に基づき具体的に説明したが、本発明は、上記実施の形態、実施例および変形例に限定されるものではなく、種々変更可能であることはいうまでもない。
【符号の説明】
【００９２】
１１  ・・・蒸発源
１１ａ・・・蒸発粒子放出口
１１ｂ・・・蒸発粒子
１２Ａ・・・第１の水晶振動子膜厚計
１２Ｂ・・・第２の水晶振動子膜厚計
１３  ・・・基板
１４  ・・・マスク
１５  ・・・構造体
１６  ・・・防着板
１７  ・・・熱電対
１８  ・・・制御装置
１９  ・・・ヒータ電源
２０  ・・・温度測定装置
２１Ａ・・・レート演算器
２１Ｂ・・・レート演算器
２２  ・・・演算器
【図１Ａ】
2015117397.tif 000003
【図１Ｂ】
2015117397.tif 000004
【図１Ｃ】
2015117397.tif 000005
【図１Ｄ】
2015117397.tif 000006
【図１Ｅ】
2015117397.tif 000007
【図１Ｆ】
2015117397.tif 000008
【図１Ｇ】
2015117397.tif 000009
【図２Ａ】
2015117397.tif 000010
【図２Ｂ】
2015117397.tif 000011
【図３Ａ】
2015117397.tif 000012
【図３Ｂ】
2015117397.tif 000013
【図４Ａ】
2015117397.tif 000014
【図４Ｂ】
2015117397.tif 000015
【図４Ｃ】
2015117397.tif 000016
【図５Ａ】
2015117397.tif 000017
【図５Ｂ】
2015117397.tif 000018
【図５Ｃ】
2015117397.tif 000019
【図６Ａ】
2015117397.tif 000020
【図６Ｂ】
2015117397.tif 000021
【図７Ａ】
2015117397.tif 000022
【図７Ｂ】
2015117397.tif 000023
【図８Ａ】
2015117397.tif 000024
【図８Ｂ】
2015117397.tif 000025
【図９Ａ】
2015117397.tif 000026
【図９Ｂ】
2015117397.tif 000027
【図９Ｃ】
2015117397.tif 000028
【図１０Ａ】
2015117397.tif 000029
【図１０Ｂ】
2015117397.tif 000030
【図１１】
2015117397.tif 000031
【図１２】
2015117397.tif 000032