(57)【要約】      （修正有）【課題】直流重畳特性を向上させると共に、小型化可能なリアクトルを提供する。【解決手段】リアクトルは、第一透磁率を有する第一コア部２１と、第一透磁率と比べて大きい第二透磁率を有する第二コア部２２とを有し、第一コア部２１および第二コア部２２により閉磁路ＣＣ１が形成されるコアと、コアに巻き回されるコイルと、を備えている。第二コア部２２は、コアの軸ＡＺ１方向視において、軸ＡＺ１からの距離がそれぞれ異なる複数の位置部位２Ａ１、２Ａ２を有し、軸ＡＺ１からの距離がそれぞれ異なり、互いに隣り合う複数の位置部位２Ａ１、２Ａ２を通って閉磁路ＣＣ１の主部が形成されている。【選択図】図３
2015122456.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第一透磁率を有する第一コア部と、前記第一透磁率と比べて大きい第二透磁率を有する第二コア部とを有し、前記第一コア部および前記第二コア部により閉磁路が形成されるコアと、
前記コアに巻き回されるコイルと、
を備えるリアクトルであって、
前記第二コア部は、前記コアの軸方向視において前記軸からの距離がそれぞれ異なる複数の位置部位を有し、前記軸からの距離がそれぞれ異なり、互いに隣り合う複数の前記位置部位を通って前記閉磁路の主部が形成されているリアクトル。
【請求項２】
前記コアは、前記軸方向と垂直方向に区分された複数の層部位を有し、
隣接する前記層部位には、前記軸からの距離が異なる前記位置部位がそれぞれ設けられている請求項１に記載のリアクトル。
【請求項３】
隣り合う前記位置部位は、面接触または線接触している請求項１または２に記載のリアクトル。
【請求項４】
第一透磁率を有する第一コア部と、前記第一透磁率と比べて大きい第二透磁率を有する第二コア部とを有し、前記第一コア部および前記第二コア部により閉磁路が形成されるコアと、
前記コアに巻き回されるコイルと、
を備えるリアクトルであって、
前記コアは、前記コアの軸方向と垂直方向に区分された複数の層部位を有し、
前記第二コア部は、前記コアの軸方向視において周方向位置がそれぞれ異なる複数の周方向位置部位を有し、
隣接する前記層部位には、前記周方向位置が異なる前記周方向位置部位がそれぞれ設けられ、前記周方向位置がそれぞれ異なり、互いに隣り合う複数の前記周方向位置部位を通って前記閉磁路の主部が形成されているリアクトル。
【請求項５】
隣り合う前記周方向位置部位は、面接触または線接触している請求項４に記載のリアクトル。
【請求項６】
前記第一コア部と前記第二コア部の境界において、前記第二コア部から前記第一コア部に向かって透磁率が徐々に減少する請求項１〜５のいずれか一項に記載のリアクトル。
【請求項７】
前記コアには、前記第一コア部および前記第二コア部が存在しないギャップが設けられている請求項１〜６のいずれか一項に記載のリアクトル。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、コアにコイルが巻き回されているリアクトルに関する。
【背景技術】
【０００２】
リアクトルの一例として、特許文献１および２に記載の発明が挙げられる。特許文献１に記載のインダクタは、磁気飽和し易いコイル近傍の透磁率を他と比べて小さくして、磁束がコイル近傍に集中しないようにしている。また、特許文献２に記載のリアクトルは、透磁率の異なる磁路形成部材を多角形環状に配置して、コア全周にわたって磁束を磁路と平行に保持しようとしている。これにより、特許文献２に記載のリアクトルは、磁束が内周側に集中しないようにして、局所的に磁束密度が不均一になることを解消しようとしている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２０１０−１９２８９０号公報
【特許文献２】特開２０１１−１０８９８１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、特許文献１に記載の発明は、コイル近傍の透磁率を他と比べて小さくしても、コア外周部に磁束密度の不均一な箇所が生じ、コア内周部に磁束が集中して直流重畳特性が劣化する。また、特許文献２に記載の発明は、磁路形成部材を多角形環状に配置しているので、磁路形成部材を有しない空芯の場合と比べて、リアクトルの体格が増大する。
【０００５】
本発明は、このような事情に鑑みて為されたものであり、直流重畳特性を向上させると共に、小型化可能なリアクトルを提供することを課題とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
請求項１に記載のリアクトルは、第一透磁率を有する第一コア部と、前記第一透磁率と比べて大きい第二透磁率を有する第二コア部とを有し、前記第一コア部および前記第二コア部により閉磁路が形成されるコアと、前記コアに巻き回されるコイルと、を備えるリアクトルであって、前記第二コア部は、前記コアの軸方向視において前記軸からの距離がそれぞれ異なる複数の位置部位を有し、前記軸からの距離がそれぞれ異なり、互いに隣り合う複数の前記位置部位を通って前記閉磁路の主部が形成されている。
【０００７】
請求項１に記載のリアクトルによれば、コアは、第一コア部と第二コア部とを有している。第二コア部は、第一コア部と比べて透磁率が大きいので、主に、第二コア部を通って閉磁路が形成される。また、請求項１に記載のリアクトルは、軸からの距離がそれぞれ異なり、互いに隣り合う複数の位置部位を通って閉磁路の主部が形成されている。そのため、請求項１に記載のリアクトルは、磁路形成部材を有しない空芯の場合と比べて、磁束のコア内方への集中を防ぎ、磁束を均一化することができる。
【０００８】
また、請求項１に記載のリアクトルは、上記位置部位により、空芯の場合と比べて、磁路長を増大することができる。そのため、請求項１に記載のリアクトルは、インダクタンスの低下を抑制することができ、直流重畳特性を向上させることができる。さらに、請求項１に記載のリアクトルは、上記位置部位により、直流重畳特性を向上させることができるので、例えば、磁路形成部材を多角形にするなどコアを局所的に変形する必要がなく、リアクトルを小型化することができる。
【０００９】
請求項２に記載のリアクトルは、請求項１に記載のリアクトルにおいて、前記コアは、前記軸方向と垂直方向に区分された複数の層部位を有し、隣接する前記層部位には、前記軸からの距離が異なる前記位置部位がそれぞれ設けられている。そのため、請求項２に記載のリアクトルは、コアの軸方向にも磁路を形成することができ、さらに、直流重畳特性を向上させることができる。
【００１０】
請求項３に記載のリアクトルは、請求項１または２に記載のリアクトルにおいて、隣り合う前記位置部位は、面接触または線接触している。そのため、請求項３に記載のリアクトルは、隣り合う位置部位が離間している場合と比べて、当該位置部位を通らない磁束を低減することができる。
【００１１】
請求項４に記載のリアクトルは、第一透磁率を有する第一コア部と、前記第一透磁率と比べて大きい第二透磁率を有する第二コア部とを有し、前記第一コア部および前記第二コア部により閉磁路が形成されるコアと、前記コアに巻き回されるコイルと、を備えるリアクトルであって、前記コアは、前記コアの軸方向と垂直方向に区分された複数の層部位を有し、前記第二コア部は、前記コアの軸方向視において周方向位置がそれぞれ異なる複数の周方向位置部位を有し、隣接する前記層部位には、前記周方向位置が異なる前記周方向位置部位がそれぞれ設けられ、前記周方向位置がそれぞれ異なり、互いに隣り合う複数の前記周方向位置部位を通って前記閉磁路の主部が形成されている。
【００１２】
請求項４に記載のリアクトルは、上記周方向位置部位により、コアの軸方向にも磁路を形成することができるので、１つの層部位において閉磁路の主部を形成する場合と比べて、磁路長を増大することができる。よって、請求項４に記載のリアクトルは、直流重畳特性を向上させることができ、リアクトルを小型化することができる。
【００１３】
請求項５に記載のリアクトルは、請求項４に記載のリアクトルにおいて、隣り合う前記周方向位置部位は、面接触または線接触している。そのため、請求項５に記載のリアクトルは、隣り合う周方向位置部位が離間している場合と比べて、当該周方向位置部位を通らない磁束を低減することができる。
【００１４】
請求項６に記載のリアクトルは、請求項１〜５のいずれか一項に記載のリアクトルにおいて、前記第一コア部と前記第二コア部の境界において、前記第二コア部から前記第一コア部に向かって透磁率が徐々に減少する。そのため、請求項６に記載のリアクトルは、第二コア部から第一コア部に向かって徐々に磁束密度を低下させることができ、当該境界部分で透磁率が急変する場合と比べて、磁束の集中を防ぎ、第二コア部を通らない磁束を低減することができる。
【００１５】
請求項７に記載のリアクトルは、請求項１〜６のいずれか一項に記載のリアクトルにおいて、前記コアには、前記第一コア部および前記第二コア部が存在しないギャップが設けられている。そのため、請求項７に記載のリアクトルは、コアの全体の透磁率をギャップ長により調整することができ、所望の透磁率を容易に得ることができる。
【図面の簡単な説明】
【００１６】
【図１】第１実施形態に係り、リアクトル１を模式的に示す正面図である。
【図２】図１の矢印II方向視図である。
【図３】第１実施形態に係り、各層部位２Ｕ、２Ｍ、２Ｌにおける第一コア部２１および第二コア部２２の配置を示す説明図である。
【図４】変形形態に係り、各層部位２Ｕ、２Ｍ、２Ｌにおける第一コア部２１および第二コア部２２の配置を示す説明図である。
【図５】電流とインダクタンスの関係の一例を示す説明図である。
【図６】図３のXI−XI断面における磁束方向を説明する説明図である。
【図７】図４のXII−XII断面における磁束方向を説明する説明図である。
【図８】第２実施形態に係り、コア２における第一コア部２１および第二コア部２２の配置を示す説明図である。
【図９】第３実施形態に係り、各層部位２Ｕ、２Ｌにおける第一コア部２１および第二コア部２２の配置を示す説明図である。
【図１０】第４実施形態に係り、コア２における第一コア部２１および第二コア部２２の配置を示す説明図である。
【図１１】第５実施形態に係り、コア２における第一コア部２１および第二コア部２２の配置を示す説明図である。
【図１２】第６実施形態に係り、各層部位２Ｕ、２Ｍ、２Ｌにおける第一コア部２１および第二コア部２２の配置を示す説明図である。
【図１３】第７実施形態に係り、各層部位２Ｕ、２Ｌにおける第一コア部２１および第二コア部２２の配置を示す説明図である。
【図１４】第８実施形態に係り、各層部位２Ｕ、２Ｌにおける第一コア部２１および第二コア部２２の配置を示す説明図である。
【図１５】第９実施形態に係り、各層部位２Ｕ、２Ｍ、２Ｌにおける第一コア部２１および第二コア部２２の配置を示す説明図である。
【図１６】第１０実施形態に係り、各層部位２Ｕ、２Ｍ、２Ｌにおける第一コア部２１および第二コア部２２の配置を示す説明図である。
【図１７】第１１実施形態に係り、各層部位２Ｕ、２Ｌにおける第一コア部２１および第二コア部２２の配置を示す説明図である。
【図１８】第１２実施形態に係り、各層部位２Ｕ、２Ｍ、２Ｌにおける第一コア部２１および第二コア部２２の配置を示す説明図である。
【発明を実施するための形態】
【００１７】
以下、本発明の実施形態を図面に基づいて説明する。なお、各実施形態について、共通する箇所には共通の符号を付して対応させることにより、重複する説明を省略する。また、各図は概念図であり、細部構造の寸法まで規定するものではない。
【００１８】
＜第１実施形態＞
図１は、リアクトル１を模式的に示す正面図である。図２は、図１の矢印II方向視図である。図１および図２に示すように、本実施形態のリアクトル１は、コア２と、コア２に巻き回されるコイル３と、を備えており、コア２には、閉磁路ＣＣ１が形成される。図１に示す閉磁路ＣＣ０は、コア２を有しない空芯の場合に形成される閉磁路を示している。同図に示すように、コア２は、中空円柱状に形成されており、コア２の軸（中心軸）を軸ＡＺ１で示している。軸ＡＺ１は、紙面に垂直な方向に形成されている。
【００１９】
図２に示すように、コア２は、軸ＡＺ１方向（矢印Ｚ１方向）と垂直方向に区分されており、区分されたコア２を、層部位２Ｕ、２Ｍ、２Ｌで表している。図３は、各層部位２Ｕ、２Ｍ、２Ｌにおける第一コア部２１および第二コア部２２の配置を示す説明図である。図３に示すように、層部位２Ｕは、径方向に２層に形成されており、各層は、周方向に１２区分されている。このことは、層部位２Ｍ、２Ｌについても同様である。
【００２０】
コア２は、第一コア部２１および第二コア部２２を有している。図３に示すように、第二コア部２２が配置される箇所には、ハッチングが施されている。一方、第一コア部２１が配置される箇所には、ハッチングが施されていない。他の変形形態や実施形態においても同様に、ハッチングの有無により、第一コア部２１および第二コア部２２の配置を表すことにする。なお、上記ハッチングは、閉磁路ＣＣ１の主部を分かり易くするために、説明の便宜上施したものである。
【００２１】
第一コア部２１の透磁率を第一透磁率（比透磁率μ１）とし、第二コア部２２の透磁率を第二透磁率（比透磁率μ２）とする。第二透磁率（比透磁率μ２）は、第一透磁率（比透磁率μ１）と比べて大きく設定されている。コア２は、第一コア部２１および第二コア部２２により閉磁路ＣＣ１が形成されるが、第二コア部２２は、第一コア部２１と比べて透磁率が大きいので、主に、第二コア部２２を通って閉磁路ＣＣ１が形成される。そのため、図３に示すように、位置Ｐ０１〜Ｐ２０および位置Ｐ０１の順に、閉磁路ＣＣ１の主部が形成される。なお、閉磁路ＣＣ１の始点および終点は、説明の便宜上設けたものであり、他の変形形態や実施形態においても同様である。
【００２２】
第二コア部２２は、第一位置部位２Ａ１および第二位置部位２Ａ２を有している。第一位置部位２Ａ１および第二位置部位２Ａ２は、コア２の軸ＡＺ１方向（図２に示す矢印Ｚ１方向。以下同じ。）視において、軸ＡＺ１からの距離がそれぞれ異なる。例えば、位置Ｐ０１で示す領域は、第一位置部位２Ａ１であり、位置Ｐ０２で示す領域は、第二位置部位２Ａ２である。第一位置部位２Ａ１は、コア２の内周側であり、第二位置部位２Ａ２は、第一位置部位２Ａ１より外周側である。
【００２３】
つまり、本実施形態のリアクトル１は、コア２の軸ＡＺ１方向（矢印Ｚ１方向）視において、軸ＡＺ１からの距離がそれぞれ異なり、互いに隣り合う第一位置部位２Ａ１および第二位置部位２Ａ２を通って、閉磁路ＣＣ１の主部が形成されている。なお、「互いに隣り合う」には、第一位置部位２Ａ１および第二位置部位２Ａ２が接する場合の他、第一位置部位２Ａ１および第二位置部位２Ａ２が離間している場合も含まれる。以上のことは、位置Ｐ０５で示す領域と位置Ｐ０６で示す領域との間、位置Ｐ１１で示す領域と位置Ｐ１２で示す領域との間、および、位置Ｐ１５で示す領域と位置Ｐ１６で示す領域との間においても同様であり、閉磁路ＣＣ１の主部がそれぞれ形成されている。
【００２４】
そのため、本実施形態のリアクトル１は、空芯の場合と比べて、磁束のコア２内方（内周側）への集中を防ぎ、磁束を均一化することができる。また、本実施形態のリアクトル１は、第一位置部位２Ａ１および第二位置部位２Ａ２により、空芯の場合と比べて磁路長を増大することができる。ここで、磁界（Ｈｆ）、磁路長（ｌｍ）、コイル３の巻数（Ｔｎ）およびコイル３に流れる電流をコイル電流（Ｉｃ）とすると、これらの関係は、下記数１で示される。また、磁界（Ｈｆ）は、コイル電流（Ｉｃ）に比例し、インダクタンス（Ｌｓ）は、コイル電流（Ｉｃ）が大きくなるにつれて低下する。
（数１）
Ｈｆ＝Ｔｎ×Ｉｃ／ｌｍ
【００２５】
本実施形態のリアクトル１は、第一位置部位２Ａ１および第二位置部位２Ａ２により、空芯の場合と比べて磁路長（ｌｍ）を増大することができるので、コア２に生じる磁界（Ｈｆ）を低下させて、コイル電流（Ｉｃ）を低減することができる。よって、本実施形態のリアクトル１は、インダクタンス（Ｌｓ）の低下を抑制することができ、直流重畳特性を向上させることができる。直流重畳特性の向上とは、直流電流に交流成分を加えた直流重畳電流をコイル３に流した場合に、コア２における磁気飽和を抑制して、インダクタンスの低下を低減することをいう。
【００２６】
つまり、コイル電流（Ｉｃ）が増加するにつれてインダクタンス（Ｌｓ）は低下するが、本実施形態のリアクトル１は、磁路長（ｌｍ）を増大することができるので、大きな直流重畳電流に対してインダクタンス（Ｌｓ）の低下を抑制することができる。さらに、本実施形態のリアクトル１は、上記第一位置部位２Ａ１および第二位置部位２Ａ２により、直流重畳特性を向上させることができるので、例えば、磁路形成部材を多角形にするなどコア２を局所的に変形する必要がなく、リアクトル１を小型化することができる。
【００２７】
また、本実施形態では、層部位２Ｍの位置Ｐ２０で示す領域と、層部位２Ｌの位置Ｐ０２で示す領域とを通って閉磁路ＣＣ１の主部が形成されている。位置Ｐ２０で示す領域は、第一位置部位２Ａ１であり、位置Ｐ０２で示す領域は、第二位置部位２Ａ２である。つまり、層部位２Ｍの第一位置部位２Ａ１と、層部位２Ｌの第二位置部位２Ａ２とを通って閉磁路ＣＣ１の主部が形成されている。位置Ｐ０５で示す領域と位置Ｐ０７で示す領域との間、位置Ｐ１０で示す領域と位置Ｐ１２で示す領域との間、および、位置Ｐ１５で示す領域と位置Ｐ１７で示す領域との間においても同様であり、閉磁路ＣＣ１の主部がそれぞれ形成されている。したがって、本実施形態のリアクトル１は、コア２の軸ＡＺ１方向（矢印Ｚ１方向）にも磁路を形成することができ、さらに、直流重畳特性を向上させることができる。
【００２８】
なお、層部位２Ｍの位置Ｐ２０で示す領域と、層部位２Ｌの位置Ｐ０１で示す領域との間において、閉磁路ＣＣ１の主部を形成することができる。位置Ｐ２０で示す領域および位置Ｐ０１で示す領域は、いずれも第一位置部位２Ａ１である。つまり、層部位２Ｍの第一位置部位２Ａ１と、層部位２Ｌの第一位置部位２Ａ１とを通って閉磁路ＣＣ１の主部が形成されている。位置Ｐ０６で示す領域と位置Ｐ０７で示す領域との間、位置Ｐ１０で示す領域と位置Ｐ１１で示す領域との間、および、位置Ｐ１６で示す領域と位置Ｐ１７で示す領域との間においても同様であり、閉磁路ＣＣ１の主部がそれぞれ形成されている。なお、第二位置部位２Ａ２についても同様に、閉磁路ＣＣ１の主部を形成することができる。
【００２９】
図４は、各層部位２Ｕ、２Ｍ、２Ｌにおける第一コア部２１および第二コア部２２の配置を示す説明図である。図４に示すように、本変形形態においても、層部位２Ｕは、径方向に２層に形成されており、各層は、周方向に１２区分されている。このことは、層部位２Ｍ、２Ｌについても同様である。また、コア２は、第一コア部２１および第二コア部２２を有している。
【００３０】
図４に示すように、層部位２Ｕは、第一コア部２１のみを有し、第二コア部２２を有しない。層部位２Ｍ、２Ｌは、第一コア部２１および第二コア部２２をそれぞれ有しているが、これらの配置が第１実施形態と異なる。よって、図４に示すように、位置Ｐ０１（位置Ｐ０１Ｍ、位置Ｐ０１Ｌ）〜位置Ｐ１６および位置Ｐ０１（位置Ｐ０１Ｍ、位置Ｐ０１Ｌ）の順に、閉磁路ＣＣ１の主部が形成される。
【００３１】
例えば、位置Ｐ１６で示す領域、位置Ｐ０１で示す領域および位置Ｐ０２で示す領域を通る磁路として、主に、３通りの磁路が考えられる。１つ目の磁路は、位置Ｐ１６で示す領域、位置Ｐ０１Ｍで示す領域および位置Ｐ０２で示す領域を通る磁路である。２つ目の磁路は、位置Ｐ１６で示す領域、位置Ｐ０１Ｍで示す領域、位置Ｐ０１Ｌで示す領域および位置Ｐ０２で示す領域を通る磁路である。３つ目の磁路は、位置Ｐ１６で示す領域、位置Ｐ０１Ｌで示す領域および位置Ｐ０２で示す領域を通る磁路である。
【００３２】
層部位２Ｌにおいて、位置Ｐ０１Ｌで示す領域は、近傍に第一位置部位２Ａ１または第二位置部位２Ａ２を有しない。一方、層部位２Ｍにおいて、位置Ｐ０１Ｍで示す領域は、近傍に第一位置部位２Ａ１（位置Ｐ１６で示す領域）および第二位置部位２Ａ２（位置Ｐ０２で示す領域）を有している。そのため、磁路は、１つ目の磁路によって形成され易くなる。このように、複数の磁路を表す場合などには、軸ＡＺ１方向（矢印Ｚ１方向）の複数の第一位置部位２Ａ１または第二位置部位２Ａ２を対にして取扱い、表記する。例えば、第１実施形態の位置Ｐ０１に相当する領域は、位置Ｐ０１Ｌで示す領域と位置Ｐ０１Ｍで示す領域とを対にして取扱い、表記する。このことは、他の領域についても同様である。
【００３３】
本変形形態においても、位置Ｐ０１（位置Ｐ０１Ｍ、位置Ｐ０１Ｌ）で示す領域と、位置Ｐ０２で示す領域とを通って閉磁路ＣＣ１の主部が形成されている。位置Ｐ０１（位置Ｐ０１Ｍ、位置Ｐ０１Ｌ）で示す領域は、第一位置部位２Ａ１であり、位置Ｐ０２で示す領域は、第二位置部位２Ａ２である。つまり、軸ＡＺ１からの距離がそれぞれ異なり、互いに隣り合う第一位置部位２Ａ１および第二位置部位２Ａ２を通って、閉磁路ＣＣ１の主部が形成されている。位置Ｐ０５で示す領域と位置Ｐ０６（位置Ｐ０６Ｍ、位置Ｐ０６Ｌ）で示す領域との間、位置Ｐ０９（位置Ｐ０９Ｍ、位置Ｐ０９Ｌ）で示す領域と位置Ｐ１０で示す領域との間、および、位置Ｐ１３で示す領域と位置Ｐ１４（位置Ｐ１４Ｍ、位置Ｐ１４Ｌ）で示す領域との間においても同様であり、閉磁路ＣＣ１の主部がそれぞれ形成されている。よって、本変形形態のリアクトル１は、第１実施形態で既述の効果と同様の効果を得ることができる。
【００３４】
また、層部位２Ｌの位置Ｐ０１Ｌで示す領域と、層部位２Ｍの位置Ｐ０２で示す領域とを通って、閉磁路ＣＣ１の主部が形成されている。位置Ｐ０１Ｌで示す領域は、第一位置部位２Ａ１であり、位置Ｐ０２で示す領域は、第二位置部位２Ａ２である。つまり、層部位２Ｌの第一位置部位２Ａ１と、層部位２Ｍの第二位置部位２Ａ２とを通って、閉磁路ＣＣ１の主部が形成されている。位置Ｐ０５で示す領域と位置Ｐ０６Ｌで示す領域との間、位置Ｐ０９Ｌで示す領域と位置Ｐ１０で示す領域との間、および、位置Ｐ１３で示す領域と位置Ｐ１４Ｌで示す領域との間においても同様であり、閉磁路ＣＣ１の主部がそれぞれ形成されている。したがって、本変形形態のリアクトル１は、コア２の軸ＡＺ１方向（矢印Ｚ１方向）にも磁路を形成することができ、さらに、直流重畳特性を向上させることができる。
【００３５】
なお、層部位２Ｌの位置Ｐ０１Ｌで示す領域と、層部位２Ｍの位置Ｐ０１Ｍで示す領域との間において、閉磁路ＣＣ１の主部を形成することができる。位置Ｐ０１Ｌで示す領域および位置Ｐ０１Ｍで示す領域は、いずれも第一位置部位２Ａ１である。つまり、層部位２Ｌの第一位置部位２Ａ１と、層部位２Ｍの第一位置部位２Ａ１とを通って、閉磁路ＣＣ１の主部が形成されている。位置Ｐ０６Ｌで示す領域と位置Ｐ０６Ｍで示す領域との間、位置Ｐ０９Ｌで示す領域と位置Ｐ０９Ｍで示す領域との間、および、位置Ｐ１４Ｌで示す領域と位置Ｐ１４Ｍで示す領域との間においても同様であり、閉磁路ＣＣ１の主部がそれぞれ形成されている。
【００３６】
なお、図３に示すように、本実施形態では、層部位２Ｕにおいて、第一位置部位２Ａ１および第二位置部位２Ａ２を併せた領域は、軸ＡＺ１回りに非対称に配置されている。このことは、層部位２Ｌにおいても同様である。なお、層部位２Ｍにおいて、第一位置部位２Ａ１は、軸ＡＺ１回りに対称に配置されている。一方、図４に示すように、変形形態では、層部位２Ｍにおいて、第一位置部位２Ａ１および第二位置部位２Ａ２を併せた領域は、軸ＡＺ１回りに対称に配置されている。また、層部位２Ｌにおいて、第一位置部位２Ａ１は、軸ＡＺ１回りに対称に配置されている。
【００３７】
図５は、電流とインダクタンスの関係の一例を示す説明図である。曲線Ｌ１は、第１実施形態のリアクトル１の特性を示し、曲線Ｌ２は、変形形態のリアクトル１の特性を示している。曲線Ｌ２に示す変形形態のリアクトル１は、リアクトル１のコイル３に流れる電流が大きくなると、曲線Ｌ１に示す第１実施形態のリアクトル１と比べて、インダクタンスが低下している。
【００３８】
電流とインダクタンスの関係は、リアクトル１のコイル３の両端に、公知の直流重畳評価装置を接続して計測することができる。例えば、直流重畳評価装置は、公知の直流電源および正弦波供給電源を有しており、直流電源から出力される直流電圧に、正弦波供給電源から出力される正弦波状電圧を重畳することができる。また、直流重畳評価装置は、公知のＬＣＲメータを有しており、リアクトル１のコイル３の両端に直流重畳電圧を印加してコイル３に直流重畳電流を流した状態で、リアクトル１のインダクタンスを計測することができる。なお、磁界解析によっても同様の特性を得ることができる。
【００３９】
図６は、図３のXI−XI断面における磁束方向を説明する説明図である。図６は、磁界解析によって第１実施形態のリアクトル１の磁束方向を算出して、磁束方向を模式的に示したものである。図７は、図４のXII−XII断面における磁束方向を説明する説明図である。図７は、同様の磁界解析によって変形形態のリアクトル１の磁束方向を算出して、磁束方向を模式的に示したものである。図６および図７では、紙面に直交する方向に磁束が形成されるときの磁束方向を黒丸で示し、紙面上（XI−XI断面またはXII−XII断面）において磁束が形成されるときの磁束方向を矢印で示している。
【００４０】
第１実施形態のリアクトル１は、例えば、層部位２Ｌの位置Ｐ０５で示す領域（第二位置部位２Ａ２）および位置Ｐ０６で示す領域（第一位置部位２Ａ１）、並びに、層部位２Ｍの位置Ｐ０７で示す領域（第一位置部位２Ａ１）により、コア２の軸ＡＺ１方向（矢印Ｚ１方向）に閉磁路ＣＣ１の主部が形成される。そのため、図６に示すように、位置Ｐ０６で示す領域から位置Ｐ０７で示す領域にかけて、紙面に直交しない方向（紙面上）に磁束が形成されている。
【００４１】
変形形態のリアクトル１は、例えば、層部位２Ｌにおいて、位置Ｐ０６Ｌで示す領域（第一位置部位２Ａ１）の近傍に、第一位置部位２Ａ１または第二位置部位２Ａ２を有しない。一方、層部位２Ｍにおいて、位置Ｐ０５で示す領域（第二位置部位２Ａ２）、位置Ｐ０６Ｍで示す領域（第一位置部位２Ａ１）および位置Ｐ０７で示す領域（第一位置部位２Ａ１）は、周方向に連続して配置されている。よって、変形形態のリアクトル１は、第１実施形態のリアクトル１と比べて、コア２の軸ＡＺ１方向（矢印Ｚ１方向）への磁路の形成が少ない。そのため、図７に示すように、位置Ｐ０６Ｌで示す領域および位置Ｐ０６Ｍで示す領域においては、主に、紙面に直交する方向に磁束が形成されている。つまり、層部位２Ｌの位置Ｐ０６Ｌで示す領域と、層部位２Ｍの位置Ｐ０６Ｍで示す領域との間では、紙面に直交しない方向（紙面上）の磁路の形成は少ない。この現象は、特に、複数の第一位置部位２Ａ１または第二位置部位２Ａ２が連続して配置されていない場合にみられる。
【００４２】
また、第１実施形態のリアクトル１は、層部位２Ｕ、２Ｍ、２Ｌにおいて、閉磁路ＣＣ１の主部が形成されているが、変形形態のリアクトル１は、層部位２Ｍ、２Ｌにおいて、閉磁路ＣＣ１の主部が形成されている。そのため、変形形態のリアクトル１は、第１実施形態のリアクトル１と比べて、コア２の軸ＡＺ１方向（矢印Ｚ１方向）への磁路の形成が少ないので、第１実施形態のリアクトル１と比べて、磁路長が短くなる。よって、図５に示すように、曲線Ｌ２に示す変形形態のリアクトル１は、リアクトル１のコイル３に流れる電流が大きくなると、曲線Ｌ１に示す第１実施形態のリアクトル１と比べて、インダクタンスが低下している。
【００４３】
なお、図３に示すように、隣リ合う位置部位（第一位置部位２Ａ１および第二位置部位２Ａ２）は、面接触していると好適である。これにより、第１実施形態のリアクトル１は、隣り合う位置部位（第一位置部位２Ａ１および第二位置部位２Ａ２）が離間している場合と比べて、当該位置部位を通らない磁束を低減することができる。このことは、図４に示す変形形態のリアクトル１についても同様である。
【００４４】
次に、コア２およびコイル３について説明する。コア２は、例えば、純鉄粉末や鉄系粉末（例えばＦｅ−Ｓｉ系粉末）などの磁性材料を加圧成形することにより形成することができる。この場合、透磁率が小さい第一コア部２１を純鉄粉末で形成し、透磁率が大きい第二コア部２２をＦｅ−Ｓｉ系粉末で形成することができる。また、粉末の表面は、渦電流損失を低減するために、電気絶縁膜で覆われていると良い。なお、同じ材料組成で密度が大きい程、透磁率が大きいことから、同じ材料組成で第一コア部２１を低密度にして、第二コア部２２を高密度にしても良い。
【００４５】
磁性材料は、上記の磁性材料に限定されるものではない。磁性材料は、例えば、酸化鉄を主成分とする各種フェライトを用いることもできる。また、第一コア部２１は、非磁性材料を用いることもできる。例えば、非磁性材料で第一コア部２１を形成し、磁性材料で第二コア部２２を形成することができる。非磁性材料は限定されないが、例えば、二酸化ケイ素（ＳｉＯ２）、アルミナ（Ａｌ２Ｏ３）などを用いることができる。
【００４６】
また、コア２は、例えば、有底同心円筒に上記粉末を充填して、軸ＡＺ１方向（矢印Ｚ１方向）に加圧することにより、第一コア部２１および第二コア部２２を形成することができる。有底同心円筒は、例えば、直径の異なる２つの有底円筒を同心に配置する。２つの円筒の直径は、コア２の外径、コア２の内径にそれぞれ設定されている。そして、図３の位置Ｐ０１〜Ｐ０６で示す領域において、第二透磁率（比透磁率μ２）の粉末を充填し、位置Ｐ０１〜Ｐ０６で示す領域以外には、第一透磁率（比透磁率μ１）の粉末を充填する。そして、充填された粉末を軸ＡＺ１方向（矢印Ｚ１方向）に加圧することにより、層部位２Ｌを形成することができる。同様にして、層部位２Ｍ、２Ｕを形成することにより、軸ＡＺ１方向（矢印Ｚ１方向）に３区分されたコア２を形成することができる。
【００４７】
なお、第一コア部２１および第二コア部２２の配置に合わせて、適宜、仕切りを設けることもできる。なお、コア２の形成方法は、上記方法に限定されるものではない。例えば、第一コア部２１および第二コア部２２を個別に形成して、接着剤などにより第一コア部２１および第二コア部２２を固定することもできる。また、第一コア部２１は、一体に形成することもでき、第二コア部２２は、一体に形成することもできる。例えば、図３の位置Ｐ０１〜Ｐ０６で示す領域を一体に形成することができる。一体に形成する場合であっても、位置Ｐ０１、Ｐ０６に相当する領域は、第一位置部位２Ａ１であり、位置Ｐ０２〜Ｐ０５に相当する領域は、第二位置部位２Ａ２である。これらのことは、層部位２Ｕ、２Ｍについても同様である。
【００４８】
また、第一コア部２１と第二コア部２２の境界において、第二コア部２２から第一コア部２１に向かって透磁率を徐々に減少させることもできる。例えば、当該境界部分で第一コア部２１および第二コア部２２を形成する粉末の混合割合を変更することができる。つまり、第二コア部２２側は、第二透磁率（比透磁率μ２）の粉末を多くし、第一コア部２１側に向かうにつれて、第一透磁率（比透磁率μ１）の粉末を多くする。これにより、第二コア部２２から第一コア部２１に向かって徐々に磁束密度を低下させることができ、当該境界部分で透磁率が急変する場合と比べて、磁束の集中を防ぎ、第二コア部２２を通らない磁束を低減することができる。なお、第一コア部２１と第二コア部２２の境界は、同じ材料組成で、第一コア部２１から第二コア部２２に向かう程、高密度にしても良い。これらのことは、以降の実施形態においても同様である。
【００４９】
コア２における第二コア部２２の割合（第一コア部２１および第二コア部２２の領域に対する第二コア部２２の領域）は、必要なインダクタンスに合わせて、適宜、決定することができる。例えば、インダクタンスを増加させる場合は、第二コア部２２の割合を多くし、インダクタンスを減少させる場合は、第二コア部２２の割合を少なくする。なお、図３および図４に示すように、第一コア部２１および第二コア部２２の使用比率が同じ場合であっても、第一位置部位２Ａ１および第二位置部位２Ａ２の配置により、直流重畳特性を向上させることができる。
【００５０】
また、層部位２Ｕは、径方向に３層以上に形成することもできる。また、各層の周方向の区分数も１２区分に限定されるものではなく、均等に区分されていなくても良い。これらのことは、層部位２Ｍ、２Ｌについても同様である。例えば、コア２の径方向において、３つ以上の位置部位（第三位置部位、第四位置部位、．．．）を配置することができる。これにより、コア２の軸ＡＺ１方向（矢印Ｚ１方向）視において、軸ＡＺ１からの距離がそれぞれ異なり、互いに隣り合う３つ以上の位置部位を通って、閉磁路ＣＣ１の主部が形成される。
【００５１】
コア２の形状は、円環状に限定されるものではなく、コア２において閉磁路ＣＣ１が形成される形状であれば良い。例えば、軸ＡＺ１方向（矢印Ｚ１方向）視において、四角形状などの多角形状にすることもできる。また、コア２には、第一コア部２１および第二コア部２２が存在しないギャップを設けることもできる。この場合、コア２の全体の透磁率をギャップ長により調整することができ、所望の透磁率を容易に得ることができる。具体的には、ギャップ長を増大するとコア２の全体の透磁率は低下し、ギャップ長を減少するとコア２の全体の透磁率は増加する。これらのことは、以降の実施形態においても同様である。
【００５２】
コイル３は、導体表面がエナメルなどの絶縁層で被覆されている。コイル３の断面形状は、限定されるものではなく、任意の断面形状とすることができる。例えば、コイル３は、断面円形状の丸線、断面多角形状の角線などの種々の断面形状の導体を用いることができる。また、図１に示すように、コイル３は、コア２の全周にわたって巻き回すことができ、コア２の周方向の一部において、巻き回すこともできる。
【００５３】
＜第２実施形態＞
本実施形態では、コア２は、軸ＡＺ１方向（矢印Ｚ１方向）と垂直方向に区分されていない点で第１実施形態と異なる。図８は、コア２における第一コア部２１および第二コア部２２の配置を示す説明図である。同図に示すように、位置Ｐ０１〜Ｐ１６および位置Ｐ０１の順に、閉磁路ＣＣ１の主部が形成される。
【００５４】
本実施形態では、位置Ｐ０１で示す領域と、位置Ｐ０２で示す領域とを通って、閉磁路ＣＣ１の主部が形成されている。位置Ｐ０１で示す領域は、第一位置部位２Ａ１であり、位置Ｐ０２で示す領域は、第二位置部位２Ａ２である。つまり、軸ＡＺ１からの距離がそれぞれ異なり、互いに隣り合う第一位置部位２Ａ１および第二位置部位２Ａ２を通って、閉磁路ＣＣ１の主部が形成されている。位置Ｐ０５で示す領域と位置Ｐ０６で示す領域との間、位置Ｐ０９で示す領域と位置Ｐ１０で示す領域との間、および、位置Ｐ１３で示す領域と位置Ｐ１４で示す領域との間においても同様であり、閉磁路ＣＣ１の主部がそれぞれ形成されている。
【００５５】
よって、本実施形態のリアクトル１は、第１実施形態で既述の効果と同様の効果を得ることができる。なお、本実施形態のリアクトル１は、コア２が軸ＡＺ１方向（矢印Ｚ１方向）と垂直方向に区分されていないので、軸ＡＺ１方向（矢印Ｚ１方向）に磁路長を増大することはできない。
【００５６】
＜第３実施形態＞
本実施形態では、コア２は、軸ＡＺ１方向（矢印Ｚ１方向）と垂直方向に２つに区分されている点で第１実施形態と異なる。図９は、各層部位２Ｕ、２Ｌにおける第一コア部２１および第二コア部２２の配置を示す説明図である。同図に示すように、位置Ｐ０１〜Ｐ２０および位置Ｐ０１の順に、閉磁路ＣＣ１の主部が形成される。
【００５７】
本実施形態では、位置Ｐ０１で示す領域と、位置Ｐ０２で示す領域とを通って、閉磁路ＣＣ１の主部が形成されている。位置Ｐ０１で示す領域は、第一位置部位２Ａ１であり、位置Ｐ０２で示す領域は、第二位置部位２Ａ２である。つまり、軸ＡＺ１からの距離がそれぞれ異なり、互いに隣り合う第一位置部位２Ａ１および第二位置部位２Ａ２を通って、閉磁路ＣＣ１の主部が形成されている。位置Ｐ０５で示す領域と位置Ｐ０６で示す領域との間、位置Ｐ１１で示す領域と位置Ｐ１２で示す領域との間、および、位置Ｐ１５で示す領域と位置Ｐ１６で示す領域との間においても同様であり、閉磁路ＣＣ１の主部がそれぞれ形成されている。よって、本実施形態のリアクトル１は、第１実施形態で既述の効果と同様の効果を得ることができる。
【００５８】
また、層部位２Ｌの位置Ｐ２０で示す領域と、層部位２Ｕの位置Ｐ０２で示す領域とを通って、閉磁路ＣＣ１の主部が形成されている。位置Ｐ２０で示す領域は、第一位置部位２Ａ１であり、位置Ｐ０２で示す領域は、第二位置部位２Ａ２である。つまり、層部位２Ｌの第一位置部位２Ａ１と、層部位２Ｕの第二位置部位２Ａ２とを通って、閉磁路ＣＣ１の主部が形成されている。位置Ｐ０５で示す領域と位置Ｐ０７で示す領域との間、位置Ｐ１０で示す領域と位置Ｐ１２で示す領域との間、および、位置Ｐ１５で示す領域と位置Ｐ１７で示す領域との間においても同様であり、閉磁路ＣＣ１の主部がそれぞれ形成されている。したがって、本実施形態のリアクトル１は、コア２の軸ＡＺ１方向（矢印Ｚ１方向）にも磁路を形成することができ、さらに、直流重畳特性を向上させることができる。
【００５９】
なお、層部位２Ｌの位置Ｐ２０で示す領域と、層部位２Ｕの位置Ｐ０１で示す領域との間において、閉磁路ＣＣ１の主部を形成することができる。位置Ｐ２０で示す領域および位置Ｐ０１で示す領域は、いずれも第一位置部位２Ａ１である。つまり、層部位２Ｌの第一位置部位２Ａ１と、層部位２Ｕの第一位置部位２Ａ１とを通って、閉磁路ＣＣ１の主部が形成されている。位置Ｐ０６で示す領域と位置Ｐ０７で示す領域との間、位置Ｐ１０で示す領域と位置Ｐ１１で示す領域との間、および、位置Ｐ１６で示す領域と位置Ｐ１７で示す領域との間においても同様であり、閉磁路ＣＣ１の主部がそれぞれ形成されている。
【００６０】
軸ＡＺ１方向（矢印Ｚ１方向）と垂直方向に区分されるコア２の区分数は、限定されるものでなく、４つ以上に区分することもできる。なお、本実施形態では、層部位２Ｕにおいて、第一位置部位２Ａ１および第二位置部位２Ａ２を併せた領域は、コア２の軸ＡＺ１回りに対称に配置されているが、コア２の軸ＡＺ１回りに非対称に配置することもできる。また、層部位２Ｌにおいて、第一位置部位２Ａ１は、コア２の軸ＡＺ１回りに対称に配置されているが、コア２の軸ＡＺ１回りに非対称に配置することもできる。これらのことは、以降の実施形態においても同様である。
【００６１】
＜第４実施形態＞
本実施形態では、隣り合う位置部位（第一位置部位２Ａ１および第二位置部位２Ａ２）が線接触している点で第２実施形態と異なる。図１０は、コア２における第一コア部２１および第二コア部２２の配置を示す説明図である。同図に示すように、位置Ｐ０１〜Ｐ１２および位置Ｐ０１の順に、閉磁路ＣＣ１の主部が形成される。
【００６２】
本実施形態では、位置Ｐ１２で示す領域と、位置Ｐ０１で示す領域とを通って、閉磁路ＣＣ１の主部が形成されている。位置Ｐ１２で示す領域は、第一位置部位２Ａ１であり、位置Ｐ０１で示す領域は、第二位置部位２Ａ２である。つまり、軸ＡＺ１からの距離がそれぞれ異なり、互いに隣り合う第一位置部位２Ａ１および第二位置部位２Ａ２を通って、閉磁路ＣＣ１の主部が形成されている。位置Ｐ０４で示す領域と位置Ｐ０５で示す領域との間、位置Ｐ０６で示す領域と位置Ｐ０７で示す領域との間、および、位置Ｐ１０で示す領域と位置Ｐ１１で示す領域との間においても同様であり、閉磁路ＣＣ１の主部がそれぞれ形成されている。よって、本実施形態のリアクトル１は、第１実施形態で既述の効果と同様の効果を得ることができる。
【００６３】
また、同図に示すように、位置Ｐ１２で示す領域（第一位置部位２Ａ１）と、位置Ｐ０１で示す領域（第二位置部位２Ａ２）とは線接触している。位置Ｐ０４で示す領域と位置Ｐ０５で示す領域との間、位置Ｐ０６で示す領域と位置Ｐ０７で示す領域との間、および、位置Ｐ１０で示す領域と位置Ｐ１１で示す領域との間においても同様である。そのため、本実施形態のリアクトル１は、隣り合う位置部位（第一位置部位２Ａ１および第二位置部位２Ａ２）が離間している場合と比べて、当該位置部位を通らない磁束を低減することができる。なお、当該位置部位を通らない磁束を低減する観点からは、線接触の場合と比べて面接触が好ましい。また、第１実施形態および第３実施形態に示すように、コア２は、軸ＡＺ１方向（矢印Ｚ１方向）と垂直方向に区分することもできる。これにより、第１実施形態で既述の効果と同様の効果を得ることができる。
【００６４】
＜第５実施形態＞
本実施形態では、隣り合う位置部位（第一位置部位２Ａ１および第二位置部位２Ａ２）が、離間している点で第２実施形態と異なる。図１１は、コア２における第一コア部２１および第二コア部２２の配置を示す説明図である。同図に示すように、位置Ｐ０１〜Ｐ０８および位置Ｐ０１の順に、閉磁路ＣＣ１の主部が形成される。
【００６５】
本実施形態では、位置Ｐ０８で示す領域と、位置Ｐ０１で示す領域とを通って、閉磁路ＣＣ１の主部が形成されている。位置Ｐ０８で示す領域は、第一位置部位２Ａ１であり、位置Ｐ０１で示す領域は、第二位置部位２Ａ２である。つまり、軸ＡＺ１からの距離がそれぞれ異なり、互いに隣り合う第一位置部位２Ａ１および第二位置部位２Ａ２を通って、閉磁路ＣＣ１の主部が形成されている。位置Ｐ０２で示す領域と位置Ｐ０３で示す領域との間、位置Ｐ０４で示す領域と位置Ｐ０５で示す領域との間、および、位置Ｐ０６で示す領域と位置Ｐ０７で示す領域との間においても同様であり、閉磁路ＣＣ１の主部がそれぞれ形成されている。よって、本実施形態のリアクトル１は、第１実施形態で既述の効果と同様の効果を得ることができる。
【００６６】
また、同図に示すように、位置Ｐ０８で示す領域（第一位置部位２Ａ１）と、位置Ｐ０１で示す領域（第二位置部位２Ａ２）とは、離間している。位置Ｐ０２で示す領域と位置Ｐ０３で示す領域との間、位置Ｐ０４で示す領域と位置Ｐ０５で示す領域との間、および、位置Ｐ０６で示す領域と位置Ｐ０７で示す領域との間においても同様である。よって、本実施形態のリアクトル１は、上記離間距離を増減することにより、コア２の全体の透磁率を調整することができる。また、第１実施形態および第３実施形態に示すように、コア２は、軸ＡＺ１方向（矢印Ｚ１方向）と垂直方向に区分することもできる。これにより、第１実施形態で既述の効果と同様の効果を得ることができる。
【００６７】
＜第６実施形態＞
本実施形態では、各層部位２Ｕ、２Ｍ、２Ｌは、径方向に１層に形成されている点で第１実施形態と異なる。なお、本実施形態においても、各層部位２Ｕ、２Ｍ、２Ｌは、周方向に１２区分されている。図１２は、各層部位２Ｕ、２Ｍ、２Ｌにおける第一コア部２１および第二コア部２２の配置を示す説明図である。同図に示すように、位置Ｐ０１〜Ｐ１６および位置Ｐ０１の順に、閉磁路ＣＣ１の主部が形成される。
【００６８】
本実施形態では、第二コア部２２は、第一周方向位置部位２Ｂ１〜第四周方向位置部位２Ｂ４を有している。第一周方向位置部位２Ｂ１〜第四周方向位置部位２Ｂ４は、コア２の軸ＡＺ１方向（矢印Ｚ１方向）視において、周方向位置がそれぞれ異なる。例えば、位置Ｐ０１〜Ｐ０４で示す領域は、第一周方向位置部位２Ｂ１であり、位置Ｐ０５〜Ｐ０８で示す領域は、第二周方向位置部位２Ｂ２である。また、位置Ｐ０９〜Ｐ１２で示す領域は、第三周方向位置部位２Ｂ３であり、位置Ｐ１３〜Ｐ１６で示す領域は、第四周方向位置部位２Ｂ４である。同図に示すように、第一周方向位置部位２Ｂ１〜第四周方向位置部位２Ｂ４は、周方向位置がそれぞれ異なっている。
【００６９】
また、本実施形態においても、コア２は、コア２の軸ＡＺ１方向（矢印Ｚ１方向）と垂直方向に区分されており、区分されたコア２を、層部位２Ｕ、２Ｍ、２Ｌで表している。層部位２Ｌには、第一周方向位置部位２Ｂ１が設けられ、層部位２Ｍには、第二周方向位置部位２Ｂ２および第四周方向位置部位２Ｂ４が設けられ、層部位２Ｕには、第三周方向位置部位２Ｂ３が設けられている。そして、層部位２Ｌの位置Ｐ０１〜Ｐ０４で示す領域と、層部位２Ｍの位置Ｐ０５〜Ｐ０８で示す領域とを通って、閉磁路ＣＣ１の主部が形成されている。つまり、層部位２Ｌの第一周方向位置部位２Ｂ１と、層部位２Ｍの第二周方向位置部位２Ｂ２とを通って、閉磁路ＣＣ１の主部が形成されている。
【００７０】
位置Ｐ０５〜Ｐ０８で示す領域と位置Ｐ０９〜Ｐ１２で示す領域との間、位置Ｐ０９〜Ｐ１２で示す領域と位置Ｐ１３〜Ｐ１６で示す領域との間、および、位置Ｐ１３〜Ｐ１６で示す領域と位置Ｐ０１〜Ｐ０４で示す領域との間においても同様であり、閉磁路ＣＣ１の主部がそれぞれ形成されている。つまり、本実施形態のリアクトル１は、コア２の軸ＡＺ１方向（矢印Ｚ１方向）視において、周方向位置がそれぞれ異なり、互いに隣り合う第一周方向位置部位２Ｂ１〜第四周方向位置部位２Ｂ４を通って、閉磁路ＣＣ１の主部が形成されている。
【００７１】
本実施形態のリアクトル１は、上記第一周方向位置部位２Ｂ１〜第四周方向位置部位２Ｂ４により、コア２の軸ＡＺ１方向（矢印Ｚ１方向）にも磁路を形成することができるので、１つの層部位において閉磁路ＣＣ１の主部を形成する場合と比べて、磁路長を増大することができる。よって、本実施形態のリアクトル１は、直流重畳特性を向上させることができ、リアクトル１を小型化することができる。
【００７２】
＜第７実施形態＞
本実施形態では、コア２は、軸ＡＺ１方向（矢印Ｚ１方向）と垂直方向に２つに区分されている点で第６実施形態と異なる。図１３は、各層部位２Ｕ、２Ｌにおける第一コア部２１および第二コア部２２の配置を示す説明図である。同図に示すように、位置Ｐ０１〜Ｐ１６および位置Ｐ０１の順に、閉磁路ＣＣ１の主部が形成される。
【００７３】
本実施形態では、第二コア部２２は、第一周方向位置部位２Ｂ１〜第四周方向位置部位２Ｂ４を有している。例えば、位置Ｐ０１〜Ｐ０４で示す領域は、第一周方向位置部位２Ｂ１であり、位置Ｐ０５〜Ｐ０８で示す領域は、第二周方向位置部位２Ｂ２である。また、位置Ｐ０９〜Ｐ１２で示す領域は、第三周方向位置部位２Ｂ３であり、位置Ｐ１３〜Ｐ１６で示す領域は、第四周方向位置部位２Ｂ４である。同図に示すように、第一周方向位置部位２Ｂ１〜第四周方向位置部位２Ｂ４は、周方向位置がそれぞれ異なっている。
【００７４】
層部位２Ｕには、第一周方向位置部位２Ｂ１および第三周方向位置部位２Ｂ３が設けられ、層部位２Ｌには、第二周方向位置部位２Ｂ２および第四周方向位置部位２Ｂ４が設けられている。そして、層部位２Ｕの位置Ｐ０１〜Ｐ０４で示す領域と、層部位２Ｌの位置Ｐ０５〜Ｐ０８で示す領域とを通って、閉磁路ＣＣ１の主部が形成されている。つまり、層部位２Ｕの第一周方向位置部位２Ｂ１と、層部位２Ｌの第二周方向位置部位２Ｂ２とを通って、閉磁路ＣＣ１の主部が形成されている。
【００７５】
位置Ｐ０５〜Ｐ０８で示す領域と位置Ｐ０９〜Ｐ１２で示す領域との間、位置Ｐ０９〜Ｐ１２で示す領域と位置Ｐ１３〜Ｐ１６で示す領域との間、および、位置Ｐ１３〜Ｐ１６で示す領域と位置Ｐ０１〜Ｐ０４で示す領域との間においても同様であり、閉磁路ＣＣ１の主部がそれぞれ形成されている。つまり、本実施形態のリアクトル１は、コア２の軸ＡＺ１方向（矢印Ｚ１方向）視において、周方向位置がそれぞれ異なり、互いに隣り合う第一周方向位置部位２Ｂ１〜第四周方向位置部位２Ｂ４を通って、閉磁路ＣＣ１の主部が形成されている。よって、本実施形態のリアクトル１は、第６実施形態で既述の効果と同様の効果を得ることができる。なお、軸ＡＺ１方向（矢印Ｚ１方向）と垂直方向に区分されるコア２の区分数は、限定されるものでなく、４つ以上に区分することもできる。このことは、以降の実施形態においても同様である。
【００７６】
＜第８実施形態＞
本実施形態では、隣り合う周方向位置部位（第一周方向位置部位２Ｂ１〜第四周方向位置部位２Ｂ４）が線接触している点で第７実施形態と異なる。図１４は、各層部位２Ｕ、２Ｌにおける第一コア部２１および第二コア部２２の配置を示す説明図である。同図に示すように、位置Ｐ０１〜Ｐ１２および位置Ｐ０１の順に、閉磁路ＣＣ１の主部が形成される。
【００７７】
本実施形態では、第二コア部２２は、第一周方向位置部位２Ｂ１〜第四周方向位置部位２Ｂ４を有している。例えば、位置Ｐ０１〜Ｐ０４で示す領域は、第一周方向位置部位２Ｂ１であり、位置Ｐ０５〜Ｐ０６で示す領域は、第二周方向位置部位２Ｂ２である。また、位置Ｐ０７〜Ｐ１０で示す領域は、第三周方向位置部位２Ｂ３であり、位置Ｐ１１〜Ｐ１２で示す領域は、第四周方向位置部位２Ｂ４である。同図に示すように、第一周方向位置部位２Ｂ１〜第四周方向位置部位２Ｂ４は、周方向位置がそれぞれ異なっている。
【００７８】
層部位２Ｕには、第一周方向位置部位２Ｂ１および第三周方向位置部位２Ｂ３が設けられ、層部位２Ｌには、第二周方向位置部位２Ｂ２および第四周方向位置部位２Ｂ４が設けられている。そして、層部位２Ｕの位置Ｐ０１〜Ｐ０４で示す領域と、層部位２Ｌの位置Ｐ０５〜Ｐ０６で示す領域とを通って、閉磁路ＣＣ１の主部が形成されている。つまり、層部位２Ｕの第一周方向位置部位２Ｂ１と、層部位２Ｌの第二周方向位置部位２Ｂ２とを通って、閉磁路ＣＣ１の主部が形成されている。
【００７９】
位置Ｐ０５〜Ｐ０６で示す領域と位置Ｐ０７〜Ｐ１０で示す領域との間、位置Ｐ０７〜Ｐ１０で示す領域と位置Ｐ１１〜Ｐ１２で示す領域との間、および、位置Ｐ１１〜Ｐ１２で示す領域と位置Ｐ０１〜Ｐ０４で示す領域との間においても同様であり、閉磁路ＣＣ１の主部がそれぞれ形成されている。つまり、本実施形態のリアクトル１は、コア２の軸ＡＺ１方向（矢印Ｚ１方向）視において、周方向位置がそれぞれ異なり、互いに隣り合う第一周方向位置部位２Ｂ１〜第四周方向位置部位２Ｂ４を通って、閉磁路ＣＣ１の主部が形成されている。よって、本実施形態のリアクトル１は、第６実施形態で既述の効果と同様の効果を得ることができる。
【００８０】
また、同図に示すように、位置Ｐ０１〜Ｐ０４で示す領域（第一周方向位置部位２Ｂ１）と、位置Ｐ０５〜Ｐ０６で示す領域（第二周方向位置部位２Ｂ２）とは、線接触している。位置Ｐ０５〜Ｐ０６で示す領域（第二周方向位置部位２Ｂ２）と、位置Ｐ０７〜Ｐ１０で示す領域（第三周方向位置部位２Ｂ３）との間、位置Ｐ０７〜Ｐ１０で示す領域（第三周方向位置部位２Ｂ３）と、位置Ｐ１１〜Ｐ１２で示す領域（第四周方向位置部位２Ｂ４）との間、および、位置Ｐ１１〜Ｐ１２で示す領域（第四周方向位置部位２Ｂ４）と、位置Ｐ０１〜Ｐ０４で示す領域（第一周方向位置部位２Ｂ１）との間においても同様である。
【００８１】
そのため、本実施形態のリアクトル１は、隣り合う周方向位置部位（例えば、第一周方向位置部位２Ｂ１と第二周方向位置部位２Ｂ２）が離間している場合と比べて、当該周方向位置部位を通らない磁束を低減することができる。なお、第６実施形態および第７実施形態のリアクトル１は、隣り合う周方向位置部位（例えば、第一周方向位置部位２Ｂ１と第二周方向位置部位２Ｂ２）が面接触している。当該周方向位置部位を通らない磁束を低減する観点からは、線接触の場合と比べて面接触が好ましい。
【００８２】
＜第９実施形態＞
本実施形態では、第一周方向位置部位２Ｂ１〜第三周方向位置部位２Ｂ３間の接触面積が増加している点で第６実施形態と異なる。図１５は、各層部位２Ｕ、２Ｍ、２Ｌにおける第一コア部２１および第二コア部２２の配置を示す説明図である。同図に示すように、位置Ｐ０１（位置Ｐ０１Ｍ、位置Ｐ０１Ｌ）〜位置Ｐ１２（位置Ｐ１２Ｍ、位置Ｐ１２Ｕ）および位置Ｐ０１（位置Ｐ０１Ｍ、位置Ｐ０１Ｌ）の順に、閉磁路ＣＣ１の主部が形成される。
【００８３】
本実施形態では、第６実施形態と比べて、第一周方向位置部位２Ｂ１〜第三周方向位置部位２Ｂ３間の接触面積が増加している。そのため、層部位２Ｕ、２Ｍ、２Ｌ毎に、閉磁路ＣＣ１の主部を特定することが困難である。よって、図４で示した場合と同様に、軸ＡＺ１方向（矢印Ｚ１方向）の複数の第一周方向位置部位２Ｂ１〜第三周方向位置部位２Ｂ３を対にして取扱い、表記する。例えば、位置Ｐ０１Ｌで示す領域と、位置Ｐ０１Ｍで示す領域とを対にして取扱い、表記する。このことは、以降の実施形態においても同様である。
【００８４】
本実施形態では、第二コア部２２は、第一周方向位置部位２Ｂ１〜第三周方向位置部位２Ｂ３を有している。例えば、位置Ｐ０１Ｌ〜Ｐ０６Ｌで示す領域は、第一周方向位置部位２Ｂ１であり、位置Ｐ０１Ｍ〜Ｐ１２Ｍで示す領域は、第二周方向位置部位２Ｂ２である。また、位置Ｐ０７Ｕ〜Ｐ１２Ｕで示す領域は、第三周方向位置部位２Ｂ３である。同図に示すように、第一周方向位置部位２Ｂ１〜第三周方向位置部位２Ｂ３は、周方向位置がそれぞれ異なっている。
【００８５】
層部位２Ｌには、第一周方向位置部位２Ｂ１が設けられ、層部位２Ｍには、第二周方向位置部位２Ｂ２が設けられ、層部位２Ｕには、第三周方向位置部位２Ｂ３が設けられている。そして、層部位２Ｌの位置Ｐ０１Ｌ〜Ｐ０６Ｌで示す領域と、層部位２Ｍの位置Ｐ０１Ｍ〜Ｐ１２Ｍで示す領域と、層部位２Ｕの位置Ｐ０７Ｕ〜Ｐ１２Ｕで示す領域との間で、閉磁路ＣＣ１の主部が形成されている。つまり、層部位２Ｌの第一周方向位置部位２Ｂ１と、層部位２Ｍの第二周方向位置部位２Ｂ２と、層部位２Ｕの第三周方向位置部位２Ｂ３との間で、閉磁路ＣＣ１の主部が形成されている。
【００８６】
よって、本実施形態のリアクトル１は、第６実施形態で既述の効果と同様の効果を得ることができる。また、本実施形態では、第６実施形態と比べて、第一周方向位置部位２Ｂ１〜第三周方向位置部位２Ｂ３間の接触面積が増加している。そのため、本実施形態のリアクトル１は、第二コア部２２を通らない磁束を低減することができる。
【００８７】
＜第１０実施形態＞
本実施形態では、第一周方向位置部位２Ｂ１〜第八周方向位置部位２Ｂ８間において、面接触する部位と線接触する部位とを有している点で第６実施形態と異なる。図１６は、各層部位２Ｕ、２Ｍ、２Ｌにおける第一コア部２１および第二コア部２２の配置を示す説明図である。同図に示すように、位置Ｐ０１Ｍ〜位置Ｐ１２（位置Ｐ１２Ｕ、位置Ｐ１２Ｍ、位置Ｐ１２Ｌ）および位置Ｐ０１Ｍの順に、閉磁路ＣＣ１の主部が形成される。
【００８８】
本実施形態では、第二コア部２２は、第一周方向位置部位２Ｂ１〜第八周方向位置部位２Ｂ８を有している。例えば、位置Ｐ０２Ｌ〜Ｐ０３Ｌおよび位置Ｐ０２Ｕ〜Ｐ０３Ｕで示す領域は、第一周方向位置部位２Ｂ１であり、位置Ｐ０３Ｍ〜Ｐ０４Ｍで示す領域は、第二周方向位置部位２Ｂ２である。位置Ｐ０５Ｕ〜Ｐ０６Ｕおよび位置Ｐ０５Ｌ〜Ｐ０６Ｌで示す領域は、第三周方向位置部位２Ｂ３であり、位置Ｐ０６Ｍ〜Ｐ０７Ｍで示す領域は、第四周方向位置部位２Ｂ４である。位置Ｐ０８Ｕ〜Ｐ０９Ｕおよび位置Ｐ０８Ｌ〜Ｐ０９Ｌで示す領域は、第五周方向位置部位２Ｂ５であり、位置Ｐ０９Ｍ〜Ｐ１０Ｍで示す領域は、第六周方向位置部位２Ｂ６である。位置Ｐ１１Ｌ〜Ｐ１２Ｌおよび位置Ｐ１１Ｕ〜Ｐ１２Ｕで示す領域は、第七周方向位置部位２Ｂ７であり、位置Ｐ１２Ｍ〜Ｐ０１Ｍで示す領域は、第八周方向位置部位２Ｂ８である。
【００８９】
同図に示すように、第一周方向位置部位２Ｂ１〜第八周方向位置部位２Ｂ８は、周方向位置がそれぞれ異なっている。層部位２Ｌ、２Ｕには、第一周方向位置部位２Ｂ１、第三周方向位置部位２Ｂ３、第五周方向位置部位２Ｂ５および第七周方向位置部位２Ｂ７がそれぞれ設けられている。また、層部位２Ｍには、第二周方向位置部位２Ｂ２、第四周方向位置部位２Ｂ４、第六周方向位置部位２Ｂ６および第八周方向位置部位２Ｂ８が設けられている。
【００９０】
例えば、層部位２Ｌの位置Ｐ０２Ｌ〜Ｐ０３Ｌで示す領域（第一周方向位置部位２Ｂ１）と、層部位２Ｍの位置Ｐ０３Ｍ〜Ｐ０４Ｍで示す領域（第二周方向位置部位２Ｂ２）と、層部位２Ｕの位置Ｐ０５Ｕ〜Ｐ０６Ｕで示す領域（第三周方向位置部位２Ｂ３）と、層部位２Ｍの位置Ｐ０６Ｍ〜Ｐ０７Ｍで示す領域（第四周方向位置部位２Ｂ４）と、層部位２Ｕの位置Ｐ０８Ｕ〜Ｐ０９Ｕで示す領域（第五周方向位置部位２Ｂ５）と、層部位２Ｍの位置Ｐ０９Ｍ〜Ｐ１０Ｍで示す領域（第六周方向位置部位２Ｂ６）と、層部位２Ｌの位置Ｐ１１Ｌ〜Ｐ１２Ｌで示す領域（第七周方向位置部位２Ｂ７）と、層部位２Ｍの位置Ｐ１２Ｍ〜Ｐ０１Ｍで示す領域（第八周方向位置部位２Ｂ８）とを通って、閉磁路ＣＣ１の主部が形成されている。
【００９１】
また、層部位２Ｕの位置Ｐ０２Ｕ〜Ｐ０３Ｕで示す領域（第一周方向位置部位２Ｂ１）と、層部位２Ｍの位置Ｐ０３Ｍ〜Ｐ０４Ｍで示す領域（第二周方向位置部位２Ｂ２）と、層部位２Ｌの位置Ｐ０５Ｌ〜Ｐ０６Ｌで示す領域（第三周方向位置部位２Ｂ３）と、層部位２Ｍの位置Ｐ０６Ｍ〜Ｐ０７Ｍで示す領域（第四周方向位置部位２Ｂ４）と、層部位２Ｌの位置Ｐ０８Ｌ〜Ｐ０９Ｌで示す領域（第五周方向位置部位２Ｂ５）と、層部位２Ｍの位置Ｐ０９Ｍ〜Ｐ１０Ｍで示す領域（第六周方向位置部位２Ｂ６）と、層部位２Ｕの位置Ｐ１１Ｕ〜Ｐ１２Ｕで示す領域（第七周方向位置部位２Ｂ７）と、層部位２Ｍの位置Ｐ１２Ｍ〜Ｐ０１Ｍで示す領域（第八周方向位置部位２Ｂ８）とを通って、閉磁路ＣＣ１の主部が形成されている。
【００９２】
よって、本実施形態のリアクトル１は、第６実施形態で既述の効果と同様の効果を得ることができる。また、層部位２Ｌの位置Ｐ０２Ｌ〜Ｐ０３Ｌで示す領域（第一周方向位置部位２Ｂ１）と、層部位２Ｕの位置Ｐ０２Ｕ〜Ｐ０３Ｕで示す領域（第一周方向位置部位２Ｂ１）とを通って、閉磁路ＣＣ１の主部を形成することができる。層部位２Ｌの位置Ｐ０５Ｌ〜Ｐ０６Ｌで示す領域（第三周方向位置部位２Ｂ３）と、層部位２Ｕの位置Ｐ０５Ｕ〜Ｐ０６Ｕで示す領域（第三周方向位置部位２Ｂ３）との間、層部位２Ｌの位置Ｐ０８Ｌ〜Ｐ０９Ｌで示す領域（第五周方向位置部位２Ｂ５）と、層部位２Ｕの位置Ｐ０８Ｕ〜Ｐ０９Ｕで示す領域（第五周方向位置部位２Ｂ５）との間、および、層部位２Ｌの位置Ｐ１１Ｌ〜Ｐ１２Ｌで示す領域（第七周方向位置部位２Ｂ７）と、層部位２Ｕの位置Ｐ１１Ｕ〜Ｐ１２Ｕで示す領域（第七周方向位置部位２Ｂ７）との間においても、同様に、閉磁路ＣＣ１の主部を形成することができる。
【００９３】
また、位置Ｐ０２Ｌ〜Ｐ０３Ｌおよび位置Ｐ０２Ｕ〜Ｐ０３Ｕで示す第一周方向位置部位２Ｂ１と、位置Ｐ０３Ｍ〜Ｐ０４Ｍで示す第二周方向位置部位２Ｂ２とは、面接触している。位置Ｐ０３Ｍ〜Ｐ０４Ｍで示す第二周方向位置部位２Ｂ２と、位置Ｐ０５Ｌ〜Ｐ０６Ｌおよび位置Ｐ０５Ｕ〜Ｐ０６Ｕで示す第三周方向位置部位２Ｂ３とは、線接触している。以降、上記配置が繰り返されている。よって、本実施形態では、第一周方向位置部位２Ｂ１〜第八周方向位置部位２Ｂ８間において、面接触する部位と線接触する部位とを有している。
【００９４】
＜第１１実施形態＞
本実施形態では、コア２は、軸ＡＺ１方向（矢印Ｚ１方向）と垂直方向に２つに区分されている点で第１０実施形態と異なる。図１７は、各層部位２Ｕ、２Ｌにおける第一コア部２１および第二コア部２２の配置を示す説明図である。同図に示すように、位置Ｐ０１Ｌ〜位置Ｐ１２（位置Ｐ１２Ｕ、位置Ｐ１２Ｌ）および位置Ｐ０１Ｌの順に、閉磁路ＣＣ１の主部が形成される。
【００９５】
本実施形態では、第二コア部２２は、第一周方向位置部位２Ｂ１〜第八周方向位置部位２Ｂ８を有している。例えば、位置Ｐ０２Ｕ〜Ｐ０３Ｕで示す領域は、第一周方向位置部位２Ｂ１であり、位置Ｐ０３Ｌ〜Ｐ０４Ｌで示す領域は、第二周方向位置部位２Ｂ２である。位置Ｐ０５Ｕ〜Ｐ０６Ｕで示す領域は、第三周方向位置部位２Ｂ３であり、位置Ｐ０６Ｌ〜Ｐ０７Ｌで示す領域は、第四周方向位置部位２Ｂ４である。位置Ｐ０８Ｕ〜Ｐ０９Ｕで示す領域は、第五周方向位置部位２Ｂ５であり、位置Ｐ０９Ｌ〜Ｐ１０Ｌで示す領域は、第六周方向位置部位２Ｂ６である。位置Ｐ１１Ｕ〜Ｐ１２Ｕで示す領域は、第七周方向位置部位２Ｂ７であり、位置Ｐ１２Ｌ〜Ｐ０１Ｌで示す領域は、第八周方向位置部位２Ｂ８である。
【００９６】
同図に示すように、第一周方向位置部位２Ｂ１〜第八周方向位置部位２Ｂ８は、周方向位置がそれぞれ異なっている。層部位２Ｕには、第一周方向位置部位２Ｂ１、第三周方向位置部位２Ｂ３、第五周方向位置部位２Ｂ５および第七周方向位置部位２Ｂ７が設けられている。また、層部位２Ｌには、第二周方向位置部位２Ｂ２、第四周方向位置部位２Ｂ４、第六周方向位置部位２Ｂ６および第八周方向位置部位２Ｂ８が設けられている。
【００９７】
例えば、層部位２Ｕの位置Ｐ０２Ｕ〜Ｐ０３Ｕで示す領域（第一周方向位置部位２Ｂ１）と、層部位２Ｌの位置Ｐ０３Ｌ〜Ｐ０４Ｌで示す領域（第二周方向位置部位２Ｂ２）と、層部位２Ｕの位置Ｐ０５Ｕ〜Ｐ０６Ｕで示す領域（第三周方向位置部位２Ｂ３）と、層部位２Ｌの位置Ｐ０６Ｌ〜Ｐ０７Ｌで示す領域（第四周方向位置部位２Ｂ４）と、層部位２Ｕの位置Ｐ０８Ｕ〜Ｐ０９Ｕで示す領域（第五周方向位置部位２Ｂ５）と、層部位２Ｌの位置Ｐ０９Ｌ〜Ｐ１０Ｌで示す領域（第六周方向位置部位２Ｂ６）と、層部位２Ｕの位置Ｐ１１Ｕ〜Ｐ１２Ｕで示す領域（第七周方向位置部位２Ｂ７）と、層部位２Ｌの位置Ｐ１２Ｌ〜Ｐ０１Ｌで示す領域（第八周方向位置部位２Ｂ８）とを通って、閉磁路ＣＣ１の主部が形成されている。よって、本実施形態のリアクトル１は、第６実施形態で既述の効果と同様の効果を得ることができる。
【００９８】
また、位置Ｐ０２Ｕ〜Ｐ０３Ｕで示す領域（第一周方向位置部位２Ｂ１）と、位置Ｐ０３Ｌ〜Ｐ０４Ｌで示す領域（第二周方向位置部位２Ｂ２）とは、面接触している。位置Ｐ０３Ｌ〜Ｐ０４Ｌで示す領域（第二周方向位置部位２Ｂ２）と、位置Ｐ０５Ｕ〜Ｐ０６Ｕで示す領域（第三周方向位置部位２Ｂ３）とは、線接触している。以降、上記配置が繰り返されている。よって、本実施形態では、第一周方向位置部位２Ｂ１〜第八周方向位置部位２Ｂ８間において、面接触する部位と線接触する部位とを有している。
【００９９】
＜第１２実施形態＞
本実施形態では、第一周方向位置部位２Ｂ１〜第六周方向位置部位２Ｂ６が、それぞれ離間して配置されている点で第６実施形態と異なる。図１８は、各層部位２Ｕ、２Ｍ、２Ｌにおける第一コア部２１および第二コア部２２の配置を示す説明図である。同図に示すように、位置Ｐ０１Ｍ〜位置Ｐ１１（位置Ｐ１１Ｕ、位置Ｐ１１Ｌ）および位置Ｐ０１Ｍの順に、閉磁路ＣＣ１の主部が形成される。
【０１００】
本実施形態では、第二コア部２２は、第一周方向位置部位２Ｂ１〜第六周方向位置部位２Ｂ６を有している。例えば、位置Ｐ０１Ｍで示す領域は、第一周方向位置部位２Ｂ１であり、位置Ｐ０３Ｌ、Ｐ０３Ｕで示す領域は、第二周方向位置部位２Ｂ２である。位置Ｐ０５Ｍで示す領域は、第三周方向位置部位２Ｂ３であり、位置Ｐ０７Ｌ、Ｐ０７Ｕで示す領域は、第四周方向位置部位２Ｂ４である。位置Ｐ０９Ｍで示す領域は、第五周方向位置部位２Ｂ５であり、位置Ｐ１１Ｌ、Ｐ１１Ｕで示す領域は、第六周方向位置部位２Ｂ６である。
【０１０１】
同図に示すように、第一周方向位置部位２Ｂ１〜第六周方向位置部位２Ｂ６は、周方向位置がそれぞれ異なっている。層部位２Ｌ、２Ｕには、第二周方向位置部位２Ｂ２、第四周方向位置部位２Ｂ４および第六周方向位置部位２Ｂ６がそれぞれ設けられている。また、層部位２Ｍには、第一周方向位置部位２Ｂ１、第三周方向位置部位２Ｂ３および第五周方向位置部位２Ｂ５が設けられている。
【０１０２】
例えば、層部位２Ｍの位置Ｐ０１Ｍで示す領域（第一周方向位置部位２Ｂ１）と、層部位２Ｌの位置Ｐ０３Ｌで示す領域（第二周方向位置部位２Ｂ２）と、層部位２Ｍの位置Ｐ０５Ｍで示す領域（第三周方向位置部位２Ｂ３）と、層部位２Ｕの位置Ｐ０７Ｕで示す領域（第四周方向位置部位２Ｂ４）と、層部位２Ｍの位置Ｐ０９Ｍで示す領域（第五周方向位置部位２Ｂ５）と、層部位２Ｌの位置Ｐ１１Ｌで示す領域（第六周方向位置部位２Ｂ６）とを通って、閉磁路ＣＣ１の主部が形成されている。
【０１０３】
また、層部位２Ｍの位置Ｐ０１Ｍ（第一周方向位置部位２Ｂ１）で示す領域と、層部位２Ｕの位置Ｐ０３Ｕで示す領域（第二周方向位置部位２Ｂ２）と、層部位２Ｍの位置Ｐ０５Ｍで示す領域（第三周方向位置部位２Ｂ３）と、層部位２Ｌの位置Ｐ０７Ｌで示す領域（第四周方向位置部位２Ｂ４）と、層部位２Ｍの位置Ｐ０９Ｍで示す領域（第五周方向位置部位２Ｂ５）と、層部位２Ｕの位置Ｐ１１Ｕで示す領域（第六周方向位置部位２Ｂ６）とを通って、閉磁路ＣＣ１の主部が形成されている。
【０１０４】
よって、本実施形態のリアクトル１は、第６実施形態で既述の効果と同様の効果を得ることができる。また、層部位２Ｌの位置Ｐ０３Ｌで示す領域（第二周方向位置部位２Ｂ２）と、層部位２Ｕの位置Ｐ０３Ｕで示す領域（第二周方向位置部位２Ｂ２）とを通って、閉磁路ＣＣ１の主部を形成することもできる。層部位２Ｌの位置Ｐ０７Ｌで示す領域（第四周方向位置部位２Ｂ４）と、層部位２Ｕの位置Ｐ０７Ｕで示す領域（第四周方向位置部位２Ｂ４）との間、および、層部位２Ｌの位置Ｐ１１Ｌで示す領域（第六周方向位置部位２Ｂ６）と、層部位２Ｕの位置Ｐ１１Ｕで示す領域（第六周方向位置部位２Ｂ６）との間においても、同様に、閉磁路ＣＣ１の主部を形成することができる。
【０１０５】
また、同図に示すように、第一周方向位置部位２Ｂ１、第三周方向位置部位２Ｂ３および第五周方向位置部位２Ｂ５は、周方向に１２０°間隔で配置されている。第二周方向位置部位２Ｂ２、第四周方向位置部位２Ｂ４および第六周方向位置部位２Ｂ６は、周方向に１２０°間隔で配置されている。このように、第一周方向位置部位２Ｂ１〜第六周方向位置部位２Ｂ６が、それぞれ離間して配置されている場合であっても、第一周方向位置部位２Ｂ１〜第六周方向位置部位２Ｂ６の配置を工夫することにより、コア２の軸ＡＺ１方向（矢印Ｚ１方向）に磁路を形成することができ、磁路長を増大することができる。
【０１０６】
＜その他＞
本発明は上記し且つ図面に示した実施形態のみに限定されるものではなく、要旨を逸脱しない範囲内で適宜変更して実施することができる。
【符号の説明】
【０１０７】
１：リアクトル、
２：コア、２１：第一コア部、２２：第二コア部、
２Ｕ，２Ｍ，２Ｌ：層部位、
２Ａ１：第一位置部位、２Ａ２：第二位置部位、
２Ｂ１〜２Ｂ８：第一周方向位置部位〜第八周方向位置部位、
３：コイル、
ＣＣ１：閉磁路、
ＡＺ１：コア２の軸。
【図１】
2015122456.tif 000003
【図２】
2015122456.tif 000004
【図３】
2015122456.tif 000005
【図４】
2015122456.tif 000006
【図５】
2015122456.tif 000007
【図６】
2015122456.tif 000008
【図７】
2015122456.tif 000009
【図８】
2015122456.tif 000010
【図９】
2015122456.tif 000011
【図１０】
2015122456.tif 000012
【図１１】
2015122456.tif 000013
【図１２】
2015122456.tif 000014
【図１３】
2015122456.tif 000015
【図１４】
2015122456.tif 000016
【図１５】
2015122456.tif 000017
【図１６】
2015122456.tif 000018
【図１７】
2015122456.tif 000019
【図１８】
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