(57)【要約】【課題】エッチング時のパターン形状の不均一性および欠陥発生を抑制すると共に、高いスループットで処理可能なエッチング方法を提供する。【解決手段】誘電体基体50に備えられているマスクパターン55が、複数の微細開口を有するパターン領域Ｂと、パターン領域以外の非パターン領域Ａとを備えたものであるとき、基体載置構造部110の所定位置に誘電体基体を載置した場合における、パターン領域Ｂについての誘電体基体50の表面50bと基体載置構造部110の所定電極112の表面112bとの間の平均比誘電率が、非パターン領域Ａについての平均比誘電率よりも大きくなるように、基体載置構造部110の構成を設定し、基体載置構造部110の所定位置に誘電体基体50を載置し、大気圧よりも減圧された雰囲気下において、プラズマを発生させ、誘電体基体50のエッチングを行う。【選択図】図５
2015170828.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
表面側にマスクパターンを備えた誘電体基体に対して、プラズマエッチングを行う方法であって、
前記誘電体基体に備えられている前記マスクパターンが、複数の微細開口を有するパターン領域と、該パターン領域以外の非パターン領域とを備えたものであるとき、
プラズマエッチング装置内の所定電極を含む基体載置構造部の所定位置に前記誘電体基体を載置した場合における、前記パターン領域についての前記誘電体基体の表面と前記基体載置構造部の前記所定電極の表面との間の平均比誘電率が、前記非パターン領域についての前記平均比誘電率よりも大きくなるように、前記基体載置構造部の構成を設定し、
前記基体載置構造部の前記所定位置に前記誘電体基体を載置し、
大気圧よりも減圧された雰囲気下において、プラズマを発生させ、前記誘電体基体のエッチングを行うプラズマエッチング方法。
【請求項２】
前記パターン領域の前記誘電体基体の表面と前記所定電極の表面との距離を、前記非パターン領域における前記距離よりも近くなるように前記基体載置構造部の構成を設定する請求項１記載のプラズマエッチング方法。
【請求項３】
前記パターン領域の前記誘電体基体の表面と前記所定電極の表面との間の自由空間の体積が前記非パターン領域における前記自由空間の体積よりも小さくなるように前記基体載置構造部の構成を設定する請求項１または２記載のプラズマエッチング方法。
【請求項４】
前記マスクパターンのマスク材料が非導体である請求項１から３いずれか１項記載のプラズマエッチング方法
【請求項５】
前記誘電体基体が、裏面の中央部にザグリ部を有する基体であり、
前記マスクパターンが、前記誘電体基体の前記ザグリ部に対応する領域の少なくとも一部に前記パターン領域を有し、前記誘電体基体の前記ザグリ部でない領域に対応する領域が前記非パターン領域であるマスクパターンである請求項１から４いずれか１項に記載のプラズマエッチング方法。
【請求項６】
誘電体基体の表面に、ハードマスク層、レジスト層を順次積層し、
前記レジストに複数の微細開口を形成してレジストパターンとし、
該レジストパターンをマスクとして、前記ハードマスク層をエッチングしてハードマスクパターンを形成し、
該ハードマスクパターンをマスクとして前記誘電体基体をエッチングしてパターン化基板を製造するに際し、
前記ハードマスク層のエッチングおよび／または前記誘電体基体のエッチング時に、請求項１から５いずれか１項に記載のプラズマエッチング方法を用いるパターン化基板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、プラズマエッチング方法およびパターン化基板の製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
ナノインプリントは、凹凸パターンを形成した型(一般的にモールド、スタンパ、テンプレートとも呼ばれる)を被加工物上に塗布されたレジストに押し付け、レジストを力学的に変形または流動させて微細なパターンを精密に転写する技術である。モールドを一度作製すれば、ナノレベルの微細構造を簡単に繰り返して成型できるため経済的であるとともに、有害な廃棄物および排出物が少ない転写技術であるため、近年、さまざまな分野への応用が期待されている。
【０００３】
ナノインプリントテンプレートにおいて、ナノインプリントリソグラフィ工程の各種問題解消の観点から（より詳細には，コンタクトプロセスの簡便性や、レジスト未充填欠陥抑制の観点から）、裏面にザグリ加工（凹部）を施したテンプレートを用いることが業界標準となりつつある。
【０００４】
半導体リソグラフィ用のナノインプリントテンプレートを製造するにあたり、こうした裏面に凹部加工を施した、従来使用されてこなかったテンプレート基板に対しても、従来のフォトマスクと同等以上に、高いスループットで、エッチングの面内形状均一性に優れたナノインプリントテンプレートが求められる。
【０００５】
１枚のマスター原盤（モールド）から複数のコピーテンプレートを作製する場合、石英等の基板上にハードマスク層を形成し、そのハードマスク層上にレジストパターンを形成し、レジストパターンをマスクとして、ハードマスク層をエッチングしてハードマスクパターンを形成し、その後、ハードマスクパターンをエッチングして基板表面に凹凸パターンを形成することによりコピーテンプレートを得る。
【０００６】
このようなエッチング処理を行う際には、通常、エッチング装置において、基板の載置部下に備えられた下部電極にエッチングバイアスを印加してエッチングを行う。このとき、エッチングイオンの照射エネルギーはエッチング時の基板の上面電位に大きく依存する。
【０００７】
上述のザグリ部（凹部）を有する基板としては、６インチ角、厚み６．３５ｍｍのものが多く用いられており、これは、デバイス製造で用いられるＳｉ上は（厚み０．６５ｍｍ〜０．７５ｍｍ程度）と比較して著しく厚い。これに起因して表面電位が増加し、結果として得られるイオンの照射エネルギーは小さくなる。特に、凹部では、静電容量が小さくなり、結果として、イオンエネルギーが小さくなる。エッチングレートはイオンエネルギーに比例するものであり、イオンエネルギーの減少に伴いエッチングレートが低下する。すなわち、エッチングレートの面内均一性を保つことができなくなる。
【０００８】
このようなエッチングレートの面内不均一性を解消する手段として、例えば、特許文献１には、テンプレート基板のザグリ部（凹部）を埋め戻すことにより、基板を含む領域の静電容量の面内分布、及び（又は）温度の面内分布を均一化する方法が提案されている。
【０００９】
また、特許文献２には、ガス封入口を２つ設けることによって、基板中央と周縁部とのエッチング不均一性を補償する方法が提案されており、特許文献３には、平らでない表面断面形状を有する固体もしくはガス状の誘電層をウエハ下部に配置し、プロセス面内不均一を補償する方法が提案されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【００１０】
【特許文献１】特開２０１３−２０６９７１号公報
【特許文献２】特開２０１３−４２１６０号公報
【特許文献３】特表２００３−５０６８８９号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１１】
しかしながら、特許文献１の方法では、凹部直上のパターン領域において、エッチング形状（側壁角度）の不均一を免れない。
特許文献２の方法では、チャンバーそのものを改造する必要があるなど、装置コストが著しく増加するという問題がある。
さらに、特許文献３では、パターン領域がウエハの一部のみにしか存在しない場合、パターン領域中において、エッチング後形状（側壁角度など）の形状不均一が生じ、また繰り返しプロセスにおいて、欠陥密度ＤＤ（Defect Density）が著しく上がるという問題がある。
【００１２】
上記のうち、側壁角度の不均一性、および欠陥密度の上昇の問題について、図１７〜図２１を用いて具体的に説明する。
図１７〜１９は、第１の問題点であるエッチング形状の不均一について説明するための模式図であり、図１７は、エッチング装置内部の模式断面図である。
エッチングの対象となる基体５０は、裏面にザグリ部（凹部）５１を有する基板であり、その表面はザグリ部５１上となるマスクパターン５５が存在するＢ領域（以下においてパターン領域Ｂ）と、マスクパターンの存在しないＡ領域（以下において非パターン領域Ａ）とにより構成されている。ナノインプリントテンプレートとして最もオーソックスな基板仕様である６インチ角石英基板（厚み６．３５ｍｍ）では、その凹部領域は中心部直径φ６４ｍｍであり、その凹部に対応する領域に凹凸パターンが形成されている。
【００１３】
特許文献１に提案されているエッチング装置では、図１７に示すように、基体５０が載置され下方に下部電極１１２を備えた載置部１１４上に、基体５０のザグリ部形状に応じた形状の基板と同等の誘電率を有する誘電体部材１２６が配置された載置部構造１２０を備えている。基体５０は載置部１１４上に配置され、その上面側からラジカルおよびイオンＸ＋によるプラズマエッチングがなされる。なお、図中においてラジカルは省略している。
【００１４】
このように、基板全域に渡って、静電容量を均一化できるため、エッチングレートは均一化されると考えられる。しかしながら、エッチング時には、エッチング（揮発）生成物が解離し、再度堆積する場合がある。そして、レジストパターンが形成されていない（マスクで覆われておらず開口率１００％である）非パターン領域Ａでは、パターン領域Ｂよりも多量のエッチング（揮発）生成物が発生する。そのため、領域Ｂにおいては、領域Ａに近いところほど、堆積物が付着する可能性が高く、エッチング生成物がエッチング後のパターン形状に影響を与える場合がある。すなわち、図１７に一部拡大図を示すように、領域Ｂ内において、そのパターン中央部と、領域Ａに近い境界領域とでパターン形状、特に、パターン側壁角度（側壁立ち上がり角度）の不均一性が生じ、その結果、領域Ｂ内でパターン形状（具体的にはパターン側壁角度）の不均一性が生じる恐れがあることが発明者の検討により明らかになった。
【００１５】
パターン側壁角度の不均一性の発生のメカニズムについて図１８を参照して説明する。図１８はマスクパターン５５の１つの凸部を中心とする領域の拡大図である。図１８に示すように、エッチングガスまたはエッチング生成物に由来する堆積物が、エッチング面の表面に堆積する。図１８は、エッチングと堆積が競合する場合であり、このとき、エッチングと堆積物の表面への堆積が交互に生じている様子を示している。現実的には、堆積とエッチングは同時になされているため、凸部の側壁５２は滑らかなテーパー状になる。
【００１６】
一方、図１９は、堆積物がより多く発生する場合の、エッチングと堆積物の表面への堆積が交互に生じている様子を示している。堆積がより大きくなる場合、凸部の側壁５２の側壁角度θ２が、図１８に示す競合時の側壁角度θ１よりも小さくなる。
【００１７】
図２０、２１は、第２の問題点である欠陥パターンの発生について説明するための模式図であり、図２０は、エッチング装置内部の模式断面図である。
エッチングの対象となる基体５０は、裏面にザグリ部（凹部）５１を有する基板であり、その表面はザグリ部５１上となるマスクパターン５５が存在するパターン領域Ｂと、マスク層で覆われている非パターン領域Ａとにより構成されている。
【００１８】
図１７で示した例では、領域Ａはマスク層が形成されていなかったが、ここでは領域Ａはマスク層で覆われているため、領域Ａはエッチングされない。しかし、実際には、図２１（ａ）に示すように、イオンが高エネルギーで照射されるためマスク層に対する物理的エッチングが起こっており、エッチング生成物５６の飛散が生じている。しかも非パターン領域Ａはパターン領域Ｂと比べて大面積であるため、領域Ａで生じるエッチング生成物５６はかなりの量となる。まず、このエッチング生成物５６が、直接領域Ｂのパターン内に付着することにより、パターン欠陥が生じる恐れがある。また、エッチング生成物５６がチャンバー１０１内壁に蓄積して汚れた後（図２１（ｂ））、別の被処理基板に対する次のエッチング処理時にその汚染物５６がその基板上に飛散し付着する（図２１（ｃ））ことにより、パターン欠陥が生じる恐れがある。
【００１９】
なお、非パターン領域からのエッチング生成物に起因するパターン欠陥の発生は、非パターン領域にマスクを備えマスクからエッチング生成物が生じる場合には、非パターン領域にマスクが形成されていない場合よりも、揮発生成物として除去できないエッチング生成物がより多く生じるため、より深刻なものとなる。
【００２０】
このようなエッチング処理において生じるチャンバー内の汚染物質による欠陥の発生を抑制するためには、エッチング処理毎にプラズマクリーニングの処理を施すなど、運用面での工夫が必須となる。しかしながら逐一クリーニング処理を挟むことは、生産スピードの大幅な低下を招くことから好ましくない。
【００２１】
本発明は上記問題に鑑みてなされたものであり、エッチング時のパターン形状の不均一性および欠陥発生を抑制すると共に、高いスループットで処理可能なエッチング方法および装置を提供することを目的とするものである。
【００２２】
さらに本発明は、パターン形状の均一性が高く、欠陥数の少ない、生産性の高いパターン化基板の製造方法を提供することを目的とするものである。
【課題を解決するための手段】
【００２３】
本発明のプラズマエッチング方法は、表面側にマスクパターンを備えた誘電体基体に対して、プラズマエッチングを行う方法であって、
誘電体基体に備えられている前記マスクパターンが、複数の微細開口を有するパターン領域と、パターン領域以外の非パターン領域とを備えたものであるとき、
プラズマエッチング装置内の所定電極を含む基体載置構造の所定位置に誘電体基体を載置した場合における、パターン領域についての誘電体基体の表面と基体載置構造部の所定電極の表面との間の平均比誘電率が、非パターン領域についての平均比誘電率よりも大きくなるように、基体載置構造部の構成を設定し、
基体載置構造部の所定位置に誘電体基体を載置し、
大気圧よりも減圧された雰囲気下において、プラズマを発生させ、誘電体基体のエッチングを行うものである。
【００２４】
所定の電極とは、プラズマエッチング装置において、一般に基体が載置される載置部の下方に配置されている下部電極を意味し、プラズマに対して負のバイアス電圧が誘起される。
【００２５】
パターン領域についての誘電体基体の表面と基体載置構造部の所定電極の表面との間の平均比誘電率が、非パターン領域についての平均比誘電率よりも大きくなるようにするための方法としては、パターン領域の誘電体基体の表面と所定電極の表面との距離を、非パターン領域における距離よりも近くなるように基体載置構造部の構成を設定する方法、および／または、パターン領域の前記誘電体基体の表面と所定電極の表面との間の自由空間の体積よりも非パターン領域における自由空間の体積が大きくなるように基体載置構造部の構成を設定する方法を採用することができる。
【００２６】
マスクパターンのマスク材料が非導体であることが好ましい。
【００２７】
誘電体基体が、裏面の中央部にザグリ部を有する基体であり、
マスクパターンが、誘電体基体のザグリ部に対応する領域の少なくとも一部にパターン領域を有し、誘電体基体のザグリ部でない領域に対応する領域が非パターン領域であることが好ましい。
【００２８】
本発明のパターン化基板の製造方法は、被加工基板の表面に、ハードマスク層、レジスト層を順次積層し、
レジスト層に複数の微細開口を形成してレジストパターンとし、
レジストパターンをマスクとして、ハードマスク層をエッチングしてハードマスクパターンを形成し、
ハードマスクパターンをマスクとして被加工基板をエッチングしてパターン化基板を製造する製造方法であって、
ハードマスク層のエッチングおよび／または被加工基板のエッチング時に、本発明のプラズマエッチング方法を用いることを特徴とする。
【発明の効果】
【００２９】
本発明のプラズマエッチング方法によれば、表面に複数の微細開口を有するパターン領域と、パターン領域以外の非パターン領域とを備えたマスクパターンが形成された誘電体基体をプラズマエッチングする際に、プラズマエッチング装置内の所定電極を含む基体載置構造の所定位置に誘電体基体を載置した場合における、パターン領域についての誘電体基体の表面と基体載置構造部の所定電極の表面との間の平均比誘電率が、非パターン領域についての平均比誘電率よりも大きくなるように基体載置構造部の構成を設定するので、パターン領域におけるエッチングレートを非パターン領域におけるエッチングレートよりも大きくすることができる。従って、エッチング時における、非パターン領域からのエッチング生成物の発生を抑制することができ、非パターン領域からのエッチング生成物のパターン領域への汚染、エッチング装置の処理容器壁面への生成物の付着等を抑制することができる。結果として誘電体基体のパターン領域におけるパターンの均一性を高めると共に、欠陥発生を抑制することができる。またエッチング装置の処理容器のクリーニング頻度を少なくすることができるので、高いスループットでエッチング処理を行うことができる。
【００３０】
また、本発明のパターン化基板の製造方法によれば、上記本発明のエッチング方法を用いているので、パターン形状の均一性が高く、欠陥数の少ない、生産性の高いパター
ン化基板を得ることができる。
【図面の簡単な説明】
【００３１】
【図１】本発明のエッチング方法を用いたパターン化基板の製造方法の工程を示す図である。
【図２】テンプレート用基板の平面図（Ａ）および断面図（Ｂ）を模式的に示す図である。
【図３】テンプレート用基板上にレジストパターンをナノインプリント法により形成する工程を示す図である。
【図４】本発明のエッチング方法を実施する一実施形態のエッチング装置の概略構成を示す図である。
【図５】本発明のエッチング方法を説明するためのエッチング装置の基体載置構造部の第１の構成例を説明するための図である。
【図６】基体載置構造部の第２の構成例を示す模式図である。
【図７】基体載置構造部の第３の構成例を示す模式図である。
【図８】基体載置構造部の第４の構成例を示す模式図である。
【図９】基体載置構造部の第５の構成例を示す模式図である。
【図１０】基体載置構造部の第６の構成例を示す模式図である。
【図１１】基体載置構造部の第７の構成例を示す模式図である。
【図１２】基体載置構造部の第８の構成例を示す模式図である。
【図１３】基体載置構造部の第９の構成例を示す模式図である。
【図１４】基体載置構造部の第１０の構成例を示す模式図である。
【図１５】基体載置構造部の第１１の構成例を示す模式図である。
【図１６】比較例１における基体載置構造部の構成を示す模式図である。
【図１７】従来技術の第１の問題点を説明するための模式図である。
【図１８】エッチングと堆積の繰り返しにより凸部側面がテーパー状となるものであることを示す図である。
【図１９】エッチングと堆積の繰り返しにより凸部側面がテーパー状となるものであることを示す図である。
【図２０】従来技術の第２の問題点を説明するための模式図である。
【図２１】エッチングによる処理容器内の汚染と汚染物の基板上への再付着を説明するための図である。
【図２２】パターン領域が形成されている台座部を模式的に示す平面図である。
【発明を実施するための形態】
【００３２】
以下、本発明の実施形態について図面を用いて説明するが、本発明はこれに限られるものではない。なお、視認しやすくするため、図面中の各構成要素の縮尺等は実際のものとは適宜異ならせてある。
【００３３】
本発明のプラズマエッチング方法によるエッチング工程を含む、表面に凹凸パターンを有するパターン化基板の製造方法を説明する。図１はパターン化基板の製造工程を模式的に示す図である。図１に示すように、本発明の実施形態におけるパターン化基板の製造方法は、最初にテンプレート用基板１０上にハードマスク層２０を形成し（図１ａ）、ハードマスク層２０上にレジストパターン３５を形成し（図１ｂ）、その後、レジストパターン３５をマスクとしてハードマスク層２０をエッチングしてハードマスクパターン２５を形成し（図１ｃ）、ハードマスクパターン２５をマスクとして、基板１０のエッチングを行い（図１ｄ）、最後にハードマスクパターン２５の除去を行うことによりパターン化基板を得る（図１ｅ）ものである。
【００３４】
初めに、テンプレート用基板について説明する。
（テンプレート用基板）
図２にテンプレート用基板１０の平面図Ａおよび断面図Ｂを模式的に示す。本実施形態で使用するテンプレート用基板１０は、光透過性を有する誘電体であり、目的に応じて適宜選択することができる。大きさ、構造については、半導体リソグラフィで用いられるレクチルの大きさで、６５ｍｍ×６５ｍｍ、５インチ×５インチ、６インチ×６インチ、又は９インチ×９インチの角型形状であり、且つ裏面中央に円形ザグリ部１１が施されたものが選択される。ザグリ加工の形状は、気体の透過性、ザグリ加工により薄層化した部位の基板のたわみ具合（曲げ剛性）を考慮して決定される。例えば、６インチ×６インチ、基板厚みＴは６．３５ｍｍ、ザグリ直径Ｄが６３ｍｍ、ザグリ部の残し厚みｔが１．１ｍｍである基板を使用することが出来る。
【００３５】
基板１０はザグリ部１１に対応する表面領域に、他の領域よりも段差Ｓだけ高く設けられた台座部１２を備えていることが好ましい。基板１０は台座部１２を備えず、全面に亘って平らなものであってもよいが、この台座部１２を備え、この台座部１２に凹凸パターンを備えたテンプレートを作製すれば、デバイス製造工程で使用する際に、テンプレートのウエハと接触する領域を台座（メサ）１２表面に限定できるため、テンプレートのパターン形成領域外に存在する構造との接触を避けることができる。台座１２の高さ（段差）Ｈは、好ましくは１〜１０００μｍ、より好ましくは１０〜５００μｍ、さらに好ましくは２０〜１００μｍである。
【００３６】
（ハードマスク層形成方法）
ハードマスク層は、気相成膜法、より詳細には、スパッタリング法、化学気相蒸着法、分子線エピタキシー法、イオンビームスパッタ法などにより形成することができる。
ハードマスク層の材料は、ハードマスク層エッチングにおいて、後述のレジスト層に対するハードマスク層のエッチング選択比が大きく、且つ基板エッチングにおいては、基板に対するハードマスク層のエッチング選択比が小さくなるように選択される。ハードマスク層の材料は、特にＣｒ、Ｗ、Ｔｉ、Ｎｉ、Ａｇ、Ｐｔ、Ａｕなどからなる金属材料、ＣｒＯx、ＷＯ２、ＴｉＯ２などからなる金属酸化物材料を含むことが好ましい。しかしながら、本発明の方法を実施するに当たっては、導体でない材料をハードマスク層として用いることが好ましい。ハードマスク層が存在する領域がパターン領域のみであれば、導体で形成されていてもよい。
【００３７】
Ｓｉ等のＵＶ光の透過が困難なマスターテンプレート（モールド）を用いて、ＵＶナノインプリント法でレジストパターンを形成する場合を考慮すると、ハードマスク層は３６５ｎｍ近傍の波長の光に対する透過率が３０％以上であることが好ましい、より好ましくは５０％以上であり、さらに好ましくは７０％以上である。ハードマスク層の厚みは最終的に得られる基板の狙い加工深さ、前述のエッチング選択比、そして透過率を考慮して適宜選択される。通常、１〜３０ｎｍ程度である。
【００３８】
（レジストパターン形成方法）
本実施形態において、レジストパターン３５は、ナノインプリント法、フォトリソグラフィ法、電子線リソグラフィ法等により形成することができる。ここでは、ナノインプリント法によりレジストパターン３５を形成する方法について説明する。図３は、ナノインプリント法によるレジストパターン３５の形成工程を模式的に示す図である。ナノインプリント法によるレジストパターンの形成は、テンプレート用基板１０上に形成されたハードマスク層２０の上にレジスト液３０を塗布する工程（図３ａ）、マスターテンプレート（モールド）１を被加工基板のレジスト液３０が塗布された面に接触させ、押し付ける押圧工程（図３ｂ、ｃ）、レジスト液膜３２を硬化させ、レジストパターン３５とする硬化工程（図３ｄ）、硬化された凹凸パターン形状とされたレジストパターン３５からモールド１を離型する離型工程（図３ｅ）をこの順に含む。以下、各工程について説明する。
【００３９】
＜レジスト液塗布工程＞
まず、使用するレジスト液３０について説明する。
レジスト液３０は、特に制限されるものではないが、例えば、重合性化合物に光重合開始剤（２質量％程度）、フッ素モノマー（０．１〜１質量％）を加えて調製された材料を用いることができる。また、必要に応じて酸化防止剤（１質量％程度）を添加することもできる。上記の手順により得られたレジスト液は波長３６０ｎｍの紫外光により硬化させることができる。溶解性の悪いものについては少量のアセトンまたは酢酸エチルを加えて溶解させた後、溶媒を蒸留して除去することが好ましい。上記重合性化合物としては、ベンジルアクリレート（ビスコート＃１６０：大阪有機化学株式会社製）、エチルカルビトールアクリレート（ビスコート＃１９０：大阪有機化学株式会社製）、ポリプロピレングリコールジアクリレート（アロニックスＭ−２２０：東亞合成株式会社製）、トリメチロールプロパンＰＯ変性トリアクリレート（アロニックスＭ−３１０：東亞合成株式会社製）等の他、下記構造式（１）で表される化合物Ａ等を挙げることができる。また、上記重合開始剤としては、２-(ジメチルアミノ)-２-[(４-メチルフェニル)メチル]-１-[４-(４-モルホリニル)フェニル]-１-ブタノン（ＩＲＧＡＣＵＲＥ ３７９：豊通ケミプラス株式会社製）等のアルキルフェノン系光重合開始剤を挙げることができる。また、上記フッ素モノマーとしては、下記構造式（２）で表される化合物Ｂ等を挙げることができる。ここで，レジスト剤の粘度は８〜２０ｃＰであることが好ましく、レジスト液塗布後のレジスト層の表面エネルギーは２５〜３５ｍＮ／ｍであることが好ましい。
【００４０】
【化１】
2015170828.tif 000003
【化２】
2015170828.tif 000004
【００４１】
上記のレジスト液を塗布するレジスト塗布方法としてはインクジェット法やディスペンス法など所定の量の液滴を基板またはモールド上の所定の位置に配置できる方法を用いる。ただし、スピンコート法やディップコート法など均一な膜厚でレジストを塗布できる方法を用いても良い。基板上に液滴を配置する際は、所望の液滴量に応じてインクジェットプリンターまたはディスペンサーを使い分けても良い。例えば、液滴量が１００ｎｌ（ナノリットル）未満の場合はインクジェットプリンターを用い、1００ｎｌ以上の場合はディスペンサーを用いるなどの方法が挙げられる。
【００４２】
液滴をノズルから吐出するインクジェットヘッドには、ピエゾ方式、サーマル方式、静電方式などが挙げられる。これらの中でも、液適量（配置された液滴１つ当たりの量）や吐出速度の調整が可能なピエゾ方式が好ましい。基板上に液滴を配置する前には、あらかじめ液滴量や吐出速度を設定及び調整する。例えば、液適量は、モールドの凹凸パターンの空間体積が大きい領域に対応する基板上の位置では多くし、モールドの凹凸パターンの空間体積が小さい領域に対応する基板上の位置では少なくするなど調整することが好ましい。このような調整は、液滴吐出量（吐出された液滴１つ当たりの量）に応じて適宜制御される。具体的には、液滴量を５ｐｌ（ピコリットル）と設定する場合には，液滴吐出量が１ｐｌであるインクジェットヘッドを用いて同じ場所に５回吐出するように、液滴量を制御する。液滴量は、例えば事前に同条件で基板上に吐出した液滴の３次元形状を共焦点顕微鏡等により測定し、その形状から体積を計算することで求められる。上記のようにして液滴量を調整した後、所定の液滴配置パターンに従って、基板上に液滴を配置する。液滴配置パターンは、基板上の液滴配置に対応する格子点群からなる２次元座標情報により構成される。
【００４３】
他方、スピンコート法やディップコート法を用いる際は，所定の厚みになるようにレジストを溶媒で希釈し，スピンコート法の場合は回転数，ディップコート法の場合は引き上げ速度を制御することにより均一な塗布膜を基板上に形成すればよい。
【００４４】
＜モールドを被加工基板のレジスト液が塗布された面に押し付ける押圧工程＞
モールドと基板のハードマスク層が形成されレジスト剤が塗布された基板のレジスト塗布面とを接触させる前に、モールドと基板との間の雰囲気を減圧または真空雰囲気にすることで残留気体を低減する。但し、高真空雰囲気下では硬化前のレジストが揮発し、均一な膜厚を維持することが困難となる可能性があるため、好ましくはモールドと基板間の雰囲気を、Ｈｅ雰囲気または減圧Ｈｅ雰囲気にすることで残留気体を低減する。Ｈｅは石英基板を透過するため、取り込まれた残留気体（Ｈｅ）は徐々に減少する。Ｈｅの透過には時間を要すため減圧Ｈｅ雰囲気とすることがより好ましい。減圧雰囲気は、１〜９０ｋＰａであることが好ましく、１〜１０ｋＰａが特に好ましい。
【００４５】
モールドと、レジスト剤が塗布された基板とは所定の相対位置関係となるように両者を位置合わせした後に接触させる。位置合わせにはアライメントマークを用いることが好ましい。
【００４６】
モールドの押し付け圧は、１００ｋＰａ以上、１０ＭＰａ以下の範囲で行う。圧力が大きい方が、レジスト液の流動が促進され、また残留気体の圧縮、残留気体のレジストへの溶解、石英基板中のＨｅの透過も促進し、残留気体の除去率向上に繋がる。しかし、加圧力が強すぎるとモールド接触時に異物を噛みこんだ際にモールド及び基板を破損する可能性がある。従って、モールドの押し付け圧は、１００ｋＰａ以上、１０ＭＰａ以下が好ましく、より好ましくは１００ｋＰａ以上、５ＭＰａ、更に好ましくは１００ｋＰａ以上、１ＭＰａ以下である。１００ｋＰａ以上としたのは、大気中でインプリントを行う際、モールドと基板との間が液体で満たされている場合、モールドと基板間が大気圧（約１０１ｋＰａ）で加圧されているためである。
【００４７】
＜レジスト液を硬化させる硬化工程＞
モールドを押し付けてレジスト膜を形成した後、レジスト液に含まれる重合開始材に合わせた波長を含む光で露光し、レジストを硬化させる。
【００４８】
＜硬化したレジスト膜からモールドを離型する離型工程＞
硬化後のレジスト膜からモールド１を剥離させる（離型する）。離型方法としては、モールドまたは基板の一方の裏面または外縁部を保持し、他方の裏面または外縁部を保持した状態で、外縁の保持部もしくは裏面の保持部を押圧と反対方向に相対移動させる方法が挙げられる。
【００４９】
（エッチング処理）
上述の通りナノインプリント法によりレジストパターン３５が形成された基板に対し、本発明のエッチング方法によるエッチング処理を行う。
【００５０】
図４は、本発明のエッチング方法を実施するためのエッチング装置１００の一実施形態の概略構成を示す模式図である。
エッチング装置１００は、大気圧よりも減圧された雰囲気を維持可能な処理容器（チャンバー）１０１と、処理容器１０１の内部を所定の圧力まで減圧するための圧力調整部１０２ａおよび真空ポンプ等の排気系１０２ｂを含む減圧部１０３と、処理容器１０１の内部に設けられ、被加工基体である誘電体基体５０が載置され、誘電体基体５０を支持固定する基体載置構造部１１０と、プラズマを発生させるための、高周波電源１０５およびプラズマ発生アンテナ１０６を含むプラズマ発生部１０７を有する。
【００５１】
基体載置構造部１１０は、下部電極１１２を含むものであり、本装置１００は、その下部電極１１２にバイアス電圧を付与するためのバイアス電源１０８を備えている。また、基体載置構造部１１０の温度を制御する温度調整器１０４、処理容器１０１内に所望のガスを導入するためのガス流量制御器を備えたガス導入部１０９を備えている。
【００５２】
本装置１００で実施されるエッチングは反応性イオンエッチング（ＲＩＥ）であることが好ましく、特にプラズマ発生のための機構としては、誘導結合型プラズマ（ＩＣＰ）−ＲＩＥ、容量結合型プラズマ（ＣＣＰ）−ＲＩＥまたは電子サイクロトロン共鳴型（ＥＣＲ）−ＲＩＥであることが好ましい。本実施形態においては、バイアス電力（プラズマと下部電極との間にバイアスを形成するための電力）の制御を容易にするため、プラズマ電力（プラズマを形成するための電力）と独立して制御可能な方式を採用している。
【００５３】
上記のようなエッチング装置１００を用い、レジストパターン３５が形成されたテンプレート用基板に対して、以下の３つのエッチング処理を行う。各エッチング処理はいずれも本発明のエッチング方法の実施態様の一つである。すなわち、各エッチング工程はいずれもレジストパターンが形成されたパターン領域Ｂとレジストパターンを備えていない非パターン領域Ａからなる誘電体基体に対しエッチングを行う方法である。各エッチング処理においては、図５に示すように、エッチング装置の処理容器１０１内の所定電極（基板下部電極）１１２を含む基体載置構造部１１０の所定位置に誘電体基体５０を載置した場合における、パターン領域Ｂについての誘電体基体５０の表面５０ｂと載置構造部１１０の所定電極１１２の表面１１２aとの間の平均比誘電率が、非パターン領域Ａについての誘電体基体の表面５０ａと載置構造部１１０の所定電極１１２の表面１１２ａとの間の平均比誘電率よりも大きくなるように、基体載置構造部１１０の構成を設定し、基体載置構造部１１０の所定位置に誘電体基体５０を載置し、大気圧よりも減圧された雰囲気下において、プラズマを発生させ、誘電体基体のエッチングを行う。
【００５４】
図５には、基板の平面方向における、基板表面と下部電極表面との間の比誘電率およびエッチングレート（エッチレート）のグラフを示している。図５に示すように、エッチングレートは、下部電極と基板表面との間の比誘電率に比例し、その比誘電率が大きいほどエッチングレートが大きくなる。すなわち、ここでパターン領域Ｂの平均比誘電率が、非パターン領域Ａの平均比誘電率よりも大きくなるように設定することにより、パターン領域Ｂのエッチングレートを非パターン領域Ａのエッチングレートよりも小さくすることができる。これにより、非パターン領域Ａにおけるエッチング生成物の発生を抑制することができるので、非パターン領域Ａにおいて生じるエッチング生成物に起因するパターンの不均一性、欠陥パターンの発生を抑制することができる。
【００５５】
図５に示す第１の構成例では、載置構造部１１０は、基板下部電極（ここでは−電極）１１２とその上備えられた基体載置部１１４と、誘電体基体のザグリ部５１を埋め戻すように基体載置部１１４の中央部に設置された導体からなる補助部材１１５とを含み、補助部材１１５は下部電極１１２と導電性接続部１１６により電気的に接続された構成とされている。補助部材１１５の表面１１５ｂは基体５０の裏面に対向する面であり、補助部材１１５は、導電性接続部１１６により下部電極１１２と電気的に接続されているため、下部電極１１２と等電位となっている。従って、パターン領域Ｂにおいては、補助部材１１５の表面１１５ｂが下部電極１１２の表面１１２ｂに相当する。
【００５６】
なお、本発明においてエッチング対象となる被加工基体５０は、単体であっても、積層体であってもよいが、誘電体から構成されてなるものであり、パターン領域と非パターン領域に渡る導電膜を備えていないものとする。被加工基体５０が導電体であったり、両領域に渡る導電膜を備えていたりすると、基体表面全域に渡って等電位となってしまい、パターン領域のみのエッチングレートを高める効果を得ることができない。
【００５７】
（１）残膜エッチング
残膜エッチング工程は、インナノプリント法によりレジストパターンを形成した際に凹部の底に形成されているレジスト残膜を除去するための工程である。エッチングガスとしては、酸素ガス、アルゴンガス、フルオロカーボンガスを挙げることが出来る。ここでは、基板１０、ハードマスク層２０、およびレジスト残膜の積層体が、本発明のエッチング方法における誘電体基体５０に相当し、レジストパターン３５がマスクパターン５５に相当する。
【００５８】
（２）ハードマスク層エッチング
ハードマスク層２０のエッチング工程は、レジストパターン３５をマスクとして凹部に露出するハードマスク層２０を除去して、ハードマスクパターン２５を形成するための工程である。前述の残膜エッチングと同様に、反応性イオンエッチング（ＲＩＥ）が用いられることが好ましく、特に誘導結合型プラズマ（ＩＣＰ）−ＲＩＥ、容量結合型プラズマ（ＣＣＰ）−ＲＩＥまたは電子サイクロトロン共鳴型（ＥＣＲ）−ＲＩＥであることが好ましい。さらに、本発明においてバイアス電力（プラズマと基体載置部側の電極（下部電極）との間にバイアスを形成するための電力）は、その制御を容易にするため、プラズマ電力（プラズマを形成するための電力）と独立して制御可能な方式を採用することが好ましい。ハードマスク層をエッチングする際の反応性イオンエッチングのエッチング条件については、レジストに対するハードマスク層のエッチング選択比が大きくなるように選択される（ここで、選択比＝マスク層エッチング速度/レジストエッチング速度、と定義している。）。選択比が小さくなると、部分的にレジストマスクが消失し、ブレーク（断線）欠陥が生じるためである。また、本工程では、少なくともバイアス電圧を付与する。これは、バイアス電圧を付与しないと、異方的にエッチングが進行しない理由に拠る。バイアスを付与しないと異方的にエッチングが進行せず、大幅なＣＤシフト（ＣＤ増加）を免れない。
ここでは、基板１０およびハードマスク層２０の積層体が、本発明のエッチング方法における誘電体基体５０に相当し、レジストパターン３５がマスクパターン５５に相当する。
【００５９】
（３）基板のエッチング
基板エッチングの工程は、ハードマスクパターン２５をマスクとして基板１０をエッチングするための工程である。前述の残膜エッチング、ハードマスク層エッチングと同様に、反応性イオンエッチング（ＲＩＥ）が用いられることが好ましく、特に誘導結合型プラズマ（ＩＣＰ）−ＲＩＥ、容量結合型プラズマ（ＣＣＰ）−ＲＩＥまたは電子サイクロトロン共鳴型（ＥＣＲ）−ＲＩＥであることが好ましい。使用するエッチングガスとしては、基板として石英を用いる場合には、ＣＨＦ３、ＣＦ４、ＳＦ６、Ａｒ等を挙げることが出来る。ここでは、基板１０が本発明のエッチング方法における誘電体基体５０に相当し、ハードマスクパターン２５がマスクパターン５５に相当する。
【００６０】
以上のエッチング工程を経て、テンプレート用基板１０の表面にレジストパターン３５に応じた凹凸パターンが形成され、凹凸パターン化基板を得ることができる。
【００６１】
基体載置構造部１１０は、エッチング対象である誘電体基体の形状に応じて、パターン領域で非パターン領域よりもエッチングレートが大きくなるように、その構成を設定することができる。非パターン領域のエッチングレートを下げ、パターン領域でのみエッチングレートを上げることが、形成パターンの凸部形状の不均一性およびコンタミによるパターン欠陥の発生を抑制することにつながる。下部電極の表面と基体表面との間の平均比誘電率を、非パターン領域よりもパターン領域で大きくなるようにすることにより、パターン領域でのエッチングレートを非パターン領域でのエッチング領域よりも大きくすることができる。具体的には、パターン領域下部に高誘電率材料、あるいは導体からなる補助部材を配置し、非パターン領域には誘電率の低い材料を設置する（あるいは自由空間とする）ことにより実現することができる。誘電性の補助部材の厚み、自由空間の空隙距離（補助部材表面と基体裏面との距離）、基体表面と下部電極面との距離のいずれか１つ、あるいは組合せて調整することによって、基体表面と下部電極面との間の比誘電率を制御することができる。
【００６２】
以下、基体載置部１１０の種々の態様について、図６〜１６を参照して説明する。図６〜図１６は、基体載置部１１０の種々の態様を示す模式図である。以下において、同一の構成要素については、同一符号を付し、詳細な説明は省略する。
【００６３】
図６に示す第２の構成例では、載置構造部１１０は、基板下部電極１１２とその上に備えられた基体載置部１１４と、誘電体基体５０のザグリ部５１を埋め戻すように基体載置部１１４の中央部に設置された基体５０よりも高誘電率の補助部材１１７とを含む構成に設定されている。高誘電率の補助部材１１７は、基体５０のザグリ部をほぼ満たすように、その表面１１７ａが基体５０の裏面に平行に対向するように配置形成されている。これにより、パターン領域Ｂ下部の平均比誘電率を非パターン領域Ａ下部の平均比誘電率よりも大きくしている。
【００６４】
図７に示す第３の構成例では、載置構造部１１０は、誘電体基体５０のザグリ部５１に対応する領域に凸部１１８を備えた基板下部電極１１２と、誘電体基体５０をその周縁で支持する電極１１２の周縁部に立設された基体載置部１１４とを含む構成である。凸部１１８は電極１１２と同一材料により一体的に形成されている。パターン領域Ｂにおける電極面１１２ｂと基体の表面５５ａとの距離を近くすると共に、凸部１１８の高さ、基体載置部１１４の高さを、それぞれ凸部表面１１８ｂと基体５０の裏面との間の距離Ｓ１、非パターン領域Ａにおける電極面１１２ａと基体裏面との間の距離Ｓ２を調整して、パターン領域Ｂにおける比誘電率が非パターン領域Ａにおける比誘電率よりも大きくなるように設定している。
【００６５】
図８に示す第４の構成例では、載置構造部１１０は、誘電体基体５０のザグリ部５１に対応する領域に凸部１１８を備えた基板下部電極１１２と、誘電体基体５０をパターン領域Ａの下面で支持する、凸部を囲むように形成されている基体載置部１１４を含む構成である。パターン領域Ｂにおける電極面１１２ｂと基体の表面５５ａとの距離を近くすることにより、両者間の比誘電率を非パターン領域Ａよりも大きくしている。
【００６６】
図９に示す第５の構成例では、載置構造部１１０は、誘電体基体５０のザグリ部５１に対応する領域に断面Ｔ字状の補助部材１１９を備えた基板下部電極１１２と、誘電体基体５０をその周縁で支持する電極１１２の周縁部に立設され基体載置部１１４とを含む構成である。図７に示した第３の構成例と同様に、補助部材１１９は下部電極１１２の一部として一体的に構成されており、ザグリ部に対応する領域において補助部材１１９の表面１１９ｂは基体の裏面に平行に対向する面となっており、下部電極１１２の電極面１１２ｂを構成している。これにより、パターン領域Ｂにおける電極面１１２ｂと基体の表面５５ｂとの距離を近接させている。そして、補助部材表面１１９ｂの高さと、基体支持部１１４の高さを、それぞれ補助部材表面１１９ｂと基体の裏面との間の距離Ｓ１、非パターン領域Ａにおける電極面１１２ａと基体裏面との間の距離Ｓ２を、パターン領域Ｂにおける比誘電率が非パターン領域Ａにおける比誘電率よりも大きくなるように設定し構成されている。
【００６７】
図１０に示す第６の構成例では、図６に示した第２の構成例と同様に、載置構造部１１０は、誘電体基体５０のザグリ部５１に対応する領域に、基体５０の比誘電率よりも高い比誘電率を有する補助部材１１７を備えている。また、基板下部電極１１２の周縁部に誘電体基体５０をその周縁で支持する載置部１１４が立設されている。補助部材１１７の高さ、載置部１１４の高さにより、それぞれ補助部材表面１１７ｂと基体の裏面との間の距離Ｓ１、非パターン領域Ａにおける電極面１１２ａと基体裏面との間の距離Ｓ２を、パターン領域Ｂにおける比誘電率が非パターン領域Ａよりも大きくなるように設定し構成されている。
【００６８】
図１１に示す第７の構成例、図１２に示す第８の構成例は、それぞれ図７に示す第３の構成例、図９に示す第５の構成例とほぼ同様の構成であるが、パターン領域Ｂにおける電極表面１１２ｂと基体５０の裏面との間の距離Ｓ１、非パターン領域Ａにおける電極面１１２ａと基体裏面との間の距離Ｓ２の差を大きくして、エッチングレートを調整している。
【００６９】
上記例においては、いずれも誘電体基体５０が、中央部にザグリ部を有する形状のものであるが、本発明においてエッチングの対象となる誘電体基体５０の形状はザグリ部を有しない基板であってもよい。図１３〜図１５には、ザグリ部を有さず、裏面が平坦な誘電体基体６０を被加工基板とする場合の載置構造部１１０の構成例を示す。なお、ここで、基体６０は、表面の中央部にやはり台座部を備えた構成となっているが、この台座部を有していない平坦な表面を有するものであっても構わない。
【００７０】
図１３に示す第９の構成例では、載置構造部１１０は、基板下部電極１１２と、下部電極１１２上の誘電体基体６０のパターン領域Ｂに対する領域に配置された補助部材１１７と、誘電体基体６０をその周縁で支持する電極１１２の周縁部に立設された基体載置部１１４とを含む構成である。補助部材１１７は自由空間よりも高い誘電率を有する高誘電率材料からなる。パターン領域Ｂに高誘電率の補助部材１１７を備えると共に、補助部材１１７の高さ、載置部１１４の高さを調整し、パターン領域Ｂにおける比誘電率が非パターン領域Ａよりも大きくなるように設定している。
なお、同様の構成において、高誘電率の補助部材１１７に代えて、導電性材料からなる補助部材を備えた構成としてもよい。
【００７１】
図１４に示す第１０の構成例は、図７に示した第３の構成例と同様であり、載置構造部１１０は、誘電体基体６０のパターン領域Ｂに対応する領域に凸部１１８を備えた基板下部電極１１２と、誘電体基体６０をその周縁で支持する電極１１２の周縁部に立設された基体載置部１１４とを含む構成である。凸部１１８は電極１１２と同一材料により一体的に形成されている。パターン領域Ｂにおける電極面１１２ｂと基体の表面６０ｂとの距離を非パターン領域Ａにおける電極面１１２ａと基体の表面６０ａとの距離よりも近くすると共に、凸部１１８の高さ、基体載置部１１４の高さを調整して、パターン領域Ｂにおける比誘電率が非パターン領域Ａにおける比誘電率よりも大きくなるように設定している。
【００７２】
図１５に示す第１１の構成例は、図９に示した第５の構成例と同様であり、載置構造部１１０は、誘電体基体６０のパターン領域Ｂに対応する領域に断面Ｔ字状の補助部材１１９を備えた基板下部電極１１２と、誘電体基体６０をその周縁で支持する電極１１２の周縁部に立設され基体載置部１１４とを含む構成である。補助部材１１９は下部電極と一体的に形成されており、電極の一部を構成するものである。そしてその表面１１９ｂは基体６０の裏面に平行に対向する電極面１１２ｂを構成しており、パターン領域Ｂにおける電極面１１２ｂと基体の表面６０ｂとの距離を近くするために設けられている。補助部材表面までの高さ、基体載置部１１４の高さを調整して、パターン領域Ｂにおける比誘電率が非パターン領域Ａにおける比誘電率よりも大きくなるように設定構成されている。
【００７３】
以上、載置構造部１１０として複数の例を挙げて説明したが、本発明のエッチング方法においては、パターン領域Ｂについての誘電体基体の表面と下部電極面との間の平均比誘電率が、非パターン領域Ａについての誘電体基体の表面と下部電極面との間の平均比誘電率よりも大きくなる構成であれば、特に制限されるものではない。
【実施例】
【００７４】
以下、本発明の実施例及び比較例について説明する。
【００７５】
「実施例１」
まず、本発明のエッチング方法を用いてパターン化基板を製造する実施例１について説明する。
【００７６】
（マスターテンプレート（モールド）の作製）
Ｓｉ基材上に、スピンコートによりＰＨＳ（ｐｏｌｙｈｙｄｒｏｘｙ ｓｔｙｒｅｎｅ）系の化学増幅型レジストなどを主成分とするレジスト液を塗布し、レジスト層を形成した。その後、Ｓｉ基材をＸＹステージ上で走査しながら、電子ビームを照射し、レジスト層の２５ｍｍ×３１ｍｍ角範囲に所望のパターン露光を行った。その後、レジスト層を現像処理し、露光部分を除去してレジストパターンを形成した。レジストパターンをマスクにしてＲＩＥにより選択エッチングを行い、凹凸パターンとして、幅２８ｎｍ、ピッチ５６ｎｍ、深さ６０ｎｍの溝形状のラインパターンを形成することで、Ｓｉマスターテンプレートを得た。このとき、Ｓｉマスターテンプレートの溝のテーパー角は８６°であった。モールド表面はディップコート法によりオプツール（登録商標）ＤＳＸで離型処理を行った。
【００７７】
（ナノインプリント用基板）
ナノインプリント用基板として、１５２ｍｍ角、厚さ６．３５ｍｍの石英基板であって、石英基板の基板中心部に被転写領域として２６ｍｍ×３２ｍｍ角、高さ３０μｍの台座形状がウエットエッチングにより形成され、基板裏面中央に直径６４ｍｍ、深さ５ｍｍのザグリ(凹部)加工が施されているものを用いた。その基板表面にエッチングマスク層（ハードマスク層）を付与するにあたっては、反応性スパッタリングにより４ｎｍ厚のＣｒＯｘＮｙ膜を形成した。その後、レジストとの密着性に優れるシランカップリング剤であるＫＢＭ−５１０３（信越化学工業（株）製）により表面処理をした。具体的には、ＫＢＭ−５１０３をＰＧＭＥＡ（プロピレングリコール1-モノメチルエーテル2-アセタート）で１質量％に希釈し、スピンコート法により基板表面に塗布した。続いて、塗布基板をホットプレート上で１５０℃、５分の条件でアニールし、シランカップリング剤を基板表面に結合させた。
【００７８】
（レジストパターン形成工程）
ここでは、ナノインプリント法によりレジストパターン形成を行った。
【００７９】
まず、既述の化合物Ａを４８ｗ％、アロニックス（登録商標）Ｍ２２０を４８ｗ％，ＩＲＧＡＣＵＲＥ（登録商標）３７９を３ｗ％、既述の化合物Ｂを１ｗ％含有するレジスト剤を調整し、このレジスト剤を石英基板のＣｒＯｘＮｙ膜上に塗布した。レジスト剤の塗布には、ピエゾ方式のインクジェットプリンターであるFUJIFILM Dimatix社製ＤＭＰ−２８３８を使用した。インクジェットヘッドには専用の１０ｐｌ（ピコリットル）ヘッドであるＤＭＣ−１１６１０を使用した。液滴量が概ね１０ｐｌに、あらかじめ吐出条件を設定及び調整した。液滴配置パターンは４５０μｍピッチの格子状パターンとした。この液滴配置パターンに従い転写領域（基板台座上）に液滴を配置した。
【００８０】
次に、モールドと石英基板をギャップが０．１ｍｍ以下になる位置まで近接させ、石英基板の背面から基板上のアライメントマークとモールド上のアライメントマークが一致するように位置合わせを行った。モールドと石英基板間の空間を９９体積％以上のＨｅガスで置換し、Ｈｅ置換後に５０Ｐａ以下まで減圧した。減圧Ｈｅ条件下でモールドをレジストからなる液滴に接触させた。接触後、１ＭＰａの押付け圧で５秒間加圧し、その後、３６０ｎｍの波長を含む紫外光により、照射量が３００ｍＪ/ｃｍ２となるように露光してレジストを硬化させ、モールドと基板を剥離した。
【００８１】
＜エッチング装置の基体載置部の構成＞
エッチング装置における基体載置構造部の構成は、図７に示す構成とした。
以下に示すエッチングおよびアッシングはいずれも図７に示す基体載置構造部を備えた誘導結合型（ＩＣＰ）の反応性イオンエッチング装置において行った。なお、図７における下部電極の凸部表面と基体裏面との距離Ｓ１は１ｍｍ、非パターン領域における下部電極の表面と基体裏面との距離Ｓ２は３ｍｍとした。
【００８２】
上記ナノインプリント法によるレジストパターン形成後、以下のエッチングおよびアッシングを順次行った。
【００８３】
＜残膜エッチング＞
まず、上記ナノインプリント法によるレジストパターンの形成後、凹部に残留するレジスト膜を除去するために、下記に示すエッチング条件で残膜エッチングを行った。
ガス種；  酸素：アルゴン＝２：１
プロセス圧力；  １Ｐａ
ＩＣＰパワー；  １００Ｗ
バイアスパワー；  ５０Ｗ
オーバーエッチング量；  ５０％
【００８４】
＜ハードマスク層エッチング＞
次に、レジストパターンをマスクとして、下記に示すエッチング条件でハードマスク層のエッチングを行い、ハードマスクパターンを形成した。
ガス種；  塩素：酸素＝３：１
プロセス圧力；  ５Ｐａ
ＩＣＰパワー；  １００Ｗ
バイアスパワー；  ５Ｗ
オーバーエッチング量；  ５０％
【００８５】
＜基板（石英）エッチング＞
次に、ハードマスクパターンをマスクとして、下記に示すエッチング条件で基板（石英）エッチングを行った。
ガス種；  ＣＨＦ３：ＣＦ４：Ａｒ＝３：１:１０
プロセス圧力；  ３Ｐａ
ＩＣＰパワー；  ７５Ｗ
バイアスパワー；  ７５Ｗ
狙い深さ；  ６０ｎｍ
【００８６】
さらにアッシング、及びハードマスク除去をそれぞれ以下の条件にて順次行った。
＜アッシング＞
ガス種；  酸素：アルゴン＝２：１
プロセス圧力；  １Ｐａ
ＩＣＰパワー；  １００Ｗ
Biasパワー；  ０Ｗ
＜マスク除去＞
ガス種；  塩素：酸素＝３：１
プロセス圧力；  ５Ｐａ
ＩＣＰパワー；  １００Ｗ
バイアスパワー；  ０Ｗ
【００８７】
なお、上記４種の（アッシングを含む）エッチング４工程は、それぞれ別々のチャンバーにて行った。すなわち、残膜エッチング用、ハードマスクエッチング用、基板（石英）エッチング用、アッシング＋マスク除去用の４チャンバーを用意した。
【００８８】
以上の手順により、石英基板の表面に凹凸パターンを形成して、パターン化基板を得た。
【００８９】
「比較例１」
エッチング装置における基体載置構造部の構成として、図１６に示す構成を用いた。図１６に示す基体載置構造部１２０は、下部電極１１２上のパターン領域Ｂに対応する領域（ザグリ部と対応する領域）に基体５０と同一の材料（ここでは石英）からなる補助部材１２６を備えている。そして、補助部材１２６表面と基体５０裏面との距離、非パターン領域における下部電極表面と基体５０裏面との距離はいずれも１ｍｍとなるように構成した。この構成によれば、基体表面と基板下部電極との間の静電容量は、パターン領域Ｂと非パターン領域Ａとでほぼ同等となる。この装置を用いた以外は、実施例１と同様の手順でパターン化基板を形成した。
【００９０】
実施例１および比較例１について以下の評価を行った。
【００９１】
（パターン形状評価）
パターン形状評価として、側壁角度を、台座中央部のパターン、およびパターン四隅からパターン領域の長辺短辺それぞれの方向について１ｍｍ内側の地点、の２箇所について比較評価を行った。図２２はパターン領域が形成されている台座部を模式的に示す平面図である。２６ｍｍ×３２ｍｍの台座部の内側に２５ｍｍ×３１ｍｍのパターン領域が形成されている。パターン領域にはライン状の凸部が複数形成されている。このパターン領域の略中央部の黒丸印部分およびパターン領域の１つの角部から縦横に１ｍｍずつ内側の白丸印部分の側壁角度をそれぞれ測定し、両者の角度の差を算出した。
それぞれの側壁角度は、集束イオンビーム法により、ラインパターンに直行する方向に基板をエッチングすることでパターン断面を切り出し、その後、透過型電子顕微鏡を用いてパターン断面の電子顕微鏡像を取得し、取得した電子顕微鏡像から算出した。
【００９２】
（評価結果）
実施例１について、上述の中央部と角部との側壁角度の差は０．８度であった。一方、比較例１については、中央部と角部との側壁角度の差は３．８度であった。すなわち、実施例１のパターン領域中央部と端部とでの側壁角度の差は比較例１の両者の差よりも小さく、エッチング形状（側壁角度）の面内均一性に関する本発明の従来技術に対する優位性が実証された。
【００９３】
次に、繰り返し処理を行うことによる欠陥発生の増加について検証を行った。
（実施例２）
上述の実施例１の処理を、連続して２５０枚の基板に対して行った際の、１枚目と２５０枚目についてエッチング工程を経た前後での欠陥密度の増加量（増加欠陥密度）を測定し、その増加欠陥密度の差を算出した。
【００９４】
具体的には、４つのエッチング工程の前（すなわち残膜エッチング前）および４つのエッチング工程の後（すなわちアッシング、マスク除去の後）においてＣＤ−ＳＥＭにて基板のパターン領域全域を観察することで、欠陥個数をカウントし欠陥密度ＤＤ（Defect Density/cm2）を求めた。続いて、エッチング工程の後と前との欠陥密度の差を求め、エッチング工程における増加欠陥密度を算出した。
【００９５】
（比較例２）
実施例１の処理に代えて上述の比較例１の処理を、連続して行うことを除いては実施例２と同様の処理を行い、同様に増加欠陥密度を算出した。
【００９６】
（評価結果）
実施例２において、２５０回のエッチング工程前後での増加ＤＤの差（２５０枚目の増加ＤＤ-１枚目の増加ＤＤ）は、３５．３/ｃｍ2であり、比較例２において、２５０回のエッチング工程前後での増加ＤＤの差は、３９５．１/ｃｍ2であった。すなわち、実施例２の増加ＤＤの差は、比較例２の増加ＤＤの差よりも格段に小さく、本実施例のエッチング方法を用いると、エッチング装置の汚染が抑制され、欠陥抑制されていることが実証された。
【符号の説明】
【００９７】
１  モールド
１０  テンプレート用基板
１１  ザグリ部
１２  台座
２０  ハードマスク層
２５  ハードマスクパターン
３０  レジスト液
３２  レジスト液膜
３５  レジストパターン
５０、６０  誘電体基体
５５  マスクパターン
１００  プラズマエッチング装置
１０１  処理容器
１１０  基体載置構造部
１１２  下部電極
１１４  基材載置部
１１６、１１７、１１９  補助部材
１１８  凸部
【図１】
2015170828.tif 000005
【図２】
2015170828.tif 000006
【図３】
2015170828.tif 000007
【図４】
2015170828.tif 000008
【図５】
2015170828.tif 000009
【図６】
2015170828.tif 000010
【図７】
2015170828.tif 000011
【図８】
2015170828.tif 000012
【図９】
2015170828.tif 000013
【図１０】
2015170828.tif 000014
【図１１】
2015170828.tif 000015
【図１２】
2015170828.tif 000016
【図１３】
2015170828.tif 000017
【図１４】
2015170828.tif 000018
【図１５】
2015170828.tif 000019
【図１６】
2015170828.tif 000020
【図１７】
2015170828.tif 000021
【図１８】
2015170828.tif 000022
【図１９】
2015170828.tif 000023
【図２０】
2015170828.tif 000024
【図２１】
2015170828.tif 000025
【図２２】
2015170828.tif 000026