(57)【要約】【課題】絶縁層の主面のうち平面導体が形成されていない主面同士を向かい合わせて積層する場合でも、多層基板の大型化を抑制しながら大きな容量を形成することが可能な多層基板およびその製造方法を提供する。【解決手段】多層基板２０は、平面導体を第１主面上のみに形成した絶縁層１１Ａおよび絶縁層１１Ｂを積層することにより形成され、絶縁層１１Ａおよび絶縁層１１Ｂの平面導体が形成されていない第２主面同士を対向させて積層した部分を有する。絶縁層１１Ａおよび絶縁層１１Ｂの第２主面同士を対向させて積層した部分において、絶縁層１１Ａの平面導体１２Ａから積層方向に沿って絶縁層１１Ｂに向けて絶縁層１１Ａを貫通するビア導体１３Ａが形成されている。ビア導体１３Ａの絶縁層１１Ｂ側の端部と、絶縁層１１Ｂの平面導体１２Ｃとでキャパシタ１５が形成されている。【選択図】図３
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
平面導体を第１主面上のみに形成した絶縁層を積層することにより形成され、前記絶縁層の平面導体が形成されていない第２主面同士を対向させて積層した部分を有する多層基板であって、
前記第２主面同士を対向させて積層した部分において、一方の絶縁層の平面導体から積層方向に沿って他方の絶縁層に向けて少なくとも前記一方の絶縁層を貫通する貫通導体が形成され、
前記貫通導体の前記他方の絶縁層側の端部と、前記他方の絶縁層の平面導体とでキャパシタが形成されている、多層基板。
【請求項２】
前記キャパシタを形成している、前記貫通導体の前記他方の絶縁層側端部と前記他方の絶縁層の平面導体とは、積層方向において互いに対向している、請求項１に記載の多層基板。
【請求項３】
前記貫通導体の前記他方の絶縁層側端部と前記他方の絶縁層の平面導体とは、１つの前記絶縁層を介して前記キャパシタを形成している、請求項１または２に記載の多層基板。
【請求項４】
前記第２主面同士を対向させて積層した部分において、前記一方の絶縁層および前記他方の絶縁層の両方を貫通し、前記一方の絶縁層の平面導体と前記他方の絶縁層の平面導体とを接続する層間接続導体を備える、請求項１ないし３のいずれかに記載の多層基板。
【請求項５】
前記貫通導体および前記層間接続導体は、前記絶縁層に設けられた貫通孔に導電ペーストが充填されて硬化されることにより形成されている、請求項４に記載の多層基板。
【請求項６】
前記貫通導体が複数設けられており、
前記キャパシタは、複数の前記貫通導体の前記他方の絶縁層側の端部と、前記他方の絶縁層の１つの平面導体とで形成されている、請求項１ないし５のいずれかに記載の多層基板。
【請求項７】
前記第２主面同士を対向させて積層した部分において、前記貫通導体が貫通した前記一方の絶縁層の厚さは、前記他方の絶縁層の厚さよりも厚い、請求項１ないし６のいずれかに記載の多層基板。
【請求項８】
可撓性を有する部分を備え、
前記可撓性を有する部分に前記貫通導体が形成されている、請求項１ないし７のいずれかに記載の多層基板。
【請求項９】
前記第２主面同士を対向させて積層した部分において、前記一方の絶縁層の第１主面上および前記他方の絶縁層の第１主面上には、それぞれ、コイル形成パターンが設けられている、請求項１ないし８のいずれかに記載の多層基板。
【請求項１０】
平面導体を第１主面上のみに形成した熱可塑性樹脂からなる絶縁層を有する少なくとも第１基材および第２基材を積層することにより形成され、前記第１基材および前記第２基材の絶縁層の平面導体が形成されていない第２主面同士を対向させて積層した部分を有する多層基板の製造方法であって、
前記第１基材の平面導体から積層方向に前記絶縁層を貫通する貫通孔を前記第１基材に形成する工程と、
前記第１基材の貫通孔に導電ペーストを充填する工程と、
前記第１基材の導電ペーストが充填された貫通孔の端部と前記第２基材の平面導体とが積層方向に対向するように、前記第１基材と前記第２基材とを第２主面同士を対向させて積層する工程と、
積層された前記第１基材と前記第２基材とを加熱プレスする工程と、を備える、多層基板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、絶縁層を積層して形成された多層基板およびその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
多層基板を形成する方法として、片面に銅箔を張り合わせた片面銅張り基材を積層する方法がある。この方法は、簡易なプロセスで多層基板を形成できるため、従来から好まれて用いられている。
【０００３】
片面銅張り基材を用いて多層基板を形成する方法として、例えば、特許文献１に記載のものがある。この方法では、片面導体パターンフィルム（片面銅張り基材）の導体パターンが形成されていない面同士を向かい合わせて積層する層と、導体パターンが形成された面と導体パターンが形成されていない面とを向かい合わせて積層する層とを組み合わせる。これにより、片面銅張り基材を用いて、多層基板の両面（上面および下面）に導体パターンからなる電極を形成することができる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特許第３４０７７３７号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
上記特許文献１に記載の多層基板では、多層基板の両面に電極を設けるために、片面銅張り基材の導体パターンが形成されていない主面同士を向かい合わせて積層する層を設けており、これらの導体パターン間で容量を形成しようとすると、導体パターン間に２層分の間隔が空いているため、形成される容量が小さくなってしまう。また、導体パターン間の容量を大きくしようとすると、導体パターンの互いの対向面積を大きくする必要が生じ、多層基板全体の大型化につながる。
【０００６】
本発明の目的は、絶縁層の主面のうち平面導体が形成されていない主面同士を向かい合わせて積層する場合でも、多層基板の大型化を抑制しながら大きな容量を形成することが可能な多層基板およびその製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
（１）本発明の多層基板は、平面導体を第１主面上のみに形成した絶縁層を積層することにより形成され、絶縁層の平面導体が形成されていない第２主面同士を対向させて積層した部分を有する。第２主面同士を対向させて積層した部分において、一方の絶縁層の平面導体から積層方向に沿って他方の絶縁層に向けて少なくとも一方の絶縁層を貫通する貫通導体が形成されている。貫通導体の他方の絶縁層側の端部と、他方の絶縁層の平面導体とでキャパシタが形成されている。
【０００８】
この構成では、第２主面同士を対向させて積層した部分において、貫通導体の他方の絶縁層側の端部と、他方の絶縁層の平面導体とでキャパシタが形成されている。このため、キャパシタを形成する導体間の距離が近くなるので、絶縁層の第２主面同士を向かい合わせて積層する場合でも、多層基板の大型化を抑制しながら大きな容量を形成することができる。
【０００９】
（２）本発明の多層基板では、キャパシタを形成している、貫通導体の他方の絶縁層側端部と他方の絶縁層の平面導体とは、積層方向において互いに対向していることが好ましい。
【００１０】
この構成では、貫通導体の他方の絶縁層側端部および他方の絶縁層の平面導体の位置が対向位置からずれている場合に比べて、さらに大きな容量を形成することができる。
【００１１】
（３）本発明の多層基板では、貫通導体の他方の絶縁層側端部と他方の絶縁層の平面導体とは、１つの絶縁層を介してキャパシタを形成していることが好ましい。
【００１２】
この構成では、貫通導体の他方の絶縁層側端部と他方の絶縁層の平面導体との間に１層分の間隔が空くだけなので、さらに大きな容量を形成することができる。
【００１３】
（４）本発明の多層基板は、第２主面同士を対向させて積層した部分において、一方の絶縁層および他方の絶縁層の両方を貫通し、一方の絶縁層の平面導体と他方の絶縁層の平面導体とを接続する層間接続導体を備えることで、絶縁層の第２主面同士を対向させて積層した部分の上下の導通を取ることができる。
【００１４】
（５）本発明の多層基板では、貫通導体および層間接続導体は、絶縁層に設けられた貫通孔に導電ペーストが充填されて硬化されることにより形成されていることが好ましい。
【００１５】
（６）本発明の多層基板では、貫通導体が複数設けられており、キャパシタは、複数の貫通導体の他方の絶縁層側の端部と、他方の絶縁層の１つの平面導体とで形成されていることが好ましい。
【００１６】
この構成では、貫通導体の個数に応じて容易に大きな容量を形成できる。
【００１７】
（７）本発明の多層基板では、第２主面同士を対向させて積層した部分において、貫通導体が貫通した一方の絶縁層の厚さは、他方の絶縁層の厚さよりも厚いことが好ましい。
【００１８】
この構成では、絶縁層が厚い方に貫通導体が形成されるので、キャパシタを形成する導体間の距離をより近づけることができ、より大きな容量を形成できる。
【００１９】
（８）本発明の多層基板は、可撓性を有する部分を備え、可撓性を有する部分に貫通導体が形成されていることで、例えば、フレキシブルケーブル内に形成される容量を大きくすることができる。
【００２０】
（９）本発明の多層基板では、第２主面同士を対向させて積層した部分において、一方の絶縁層の第１主面上および他方の絶縁層の第１主面上には、それぞれ、コイル形成パターンが設けられていることが好ましい。
【００２１】
この構成では、第１主面と第２主面とを貼り合わせた絶縁層にコイル形成パターンを設ける場合に比べて、積層数を増やさず、積層方向における各コイル形成パターンの間隔を広くすることができる。各コイル形成パターンの間隔を広くすることで、コイル形成パターン間の線間容量を小さくでき、コイルの自己共振周波数を高くできる。したがって、多層基板の大型化を抑制しながら、平面導体と貫通導体とで大きな容量を形成し、かつ、コイルの自己共振周波数を高めることができる。
【００２２】
（１０）本発明の多層基板の製造方法は、平面導体を第１主面上のみに形成した熱可塑性樹脂からなる絶縁層を有する少なくとも第１基材および第２基材を積層することにより形成され、第１基材および第２基材の絶縁層の平面導体が形成されていない第２主面同士を対向させて積層した部分を有する多層基板の製造方法である。本発明の多層基板の製造方法は、第１基材の平面導体から積層方向に絶縁層を貫通する貫通孔を第１基材に形成する工程と、第１基材の貫通孔に導電ペーストを充填する工程と、第１基材の導電ペーストが充填された貫通孔の端部と第２基材の平面導体とが積層方向に対向するように、第１基材と第２基材とを第２主面同士を対向させて積層する工程と、積層された第１基材と第２基材とを加熱プレスする工程とを備える。
【００２３】
この構成では、上述のように、絶縁層の第２主面同士を向かい合わせて積層する場合でも、多層基板の大型化を抑制しながら大きな容量を形成することができる。
【発明の効果】
【００２４】
本発明によれば、絶縁層の主面のうち平面導体が形成されていない主面同士を向かい合わせて積層する場合でも、多層基板の大型化を抑制しながら大きな容量を形成することができる。
【図面の簡単な説明】
【００２５】
【図１】図１（Ａ）は、第１の実施形態に係る多層基板の一部を示す外観斜視図である。図１（Ｂ）は、第１の実施形態に係る多層基板の一部を示す分解斜視図である。
【図２】第１の実施形態に係る多層基板の一部を示す分解平面図である。
【図３】図３（Ａ）は、第１の実施形態に係る多層基板の一部を示すＡ−Ａ断面図である。図３（Ｂ）は、第１の実施形態に係る多層基板の一部を示すＢ−Ｂ断面図である。
【図４】第１の実施形態に係る多層基板の外観斜視図である。
【図５】第１の実施形態に係る多層基板の製造方法を示す断面図である。
【図６】図６（Ａ）は、第２の実施形態に係る多層基板の一部を示す外観斜視図である。図６（Ｂ）は、第２の実施形態に係る多層基板の一部を示す分解斜視図である。
【図７】第２の実施形態に係る多層基板の一部を示す分解平面図である。
【図８】第２の実施形態に係る多層基板の一部を示すＡ−Ａ断面図である。
【図９】第３の実施形態に係る多層基板の一部を示す断面図である。
【図１０】他の実施形態に係る多層基板の一部を示す断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００２６】
《第１の実施形態》
本発明の第１の実施形態に係る多層基板１０について説明する。図１（Ａ）は、第１の実施形態に係る多層基板の一部を示す外観斜視図である。図１（Ｂ）は、第１の実施形態に係る多層基板の一部を示す分解斜視図である。図２は、多層基板１０の一部を示す分解平面図である。図３（Ａ）は、第１の実施形態に係る多層基板の一部を示すＡ−Ａ断面図である。図３（Ｂ）は、第１の実施形態に係る多層基板の一部を示すＢ−Ｂ断面図である。
【００２７】
多層基板１０は、絶縁層１１Ａ、絶縁層１１Ｂ、平面導体１２Ａ、平面導体１２Ｂ、平面導体１２Ｃ、ビア導体１３Ａ、ビア導体１３Ｂおよびビア導体１３Ｃを備える。絶縁層１１Ａは本発明の「一方の絶縁層」の一例である。絶縁層１１Ｂは本発明の「他方の絶縁層」の一例である。ビア導体１３Ａは本発明の貫通導体の一例である。ビア導体１３Ｂおよびビア導体１３Ｃは本発明の層間接続導体の一例である。平面導体１２Ａおよび平面導体１２Ｂは本発明のコイル形成パターンの一例である。
【００２８】
絶縁層１１Ａおよび絶縁層１１Ｂは、例えば、液晶ポリマ（ＬＣＰ）等の熱可塑性樹脂を材料としている。平面導体１２Ａ、平面導体１２Ｂおよび平面導体１２Ｃは銅箔等の導電性材料から形成されている。ビア導体１３Ａ、ビア導体１３Ｂおよびビア導体１３Ｃは、後述のように、絶縁層に設けられたビアホールに導電ペーストが充填されて硬化されることにより形成される。
【００２９】
多層基板１０は、絶縁層１１Ａおよび絶縁層１１Ｂを積層して形成されている。多層基板１０の上面には平面導体１２Ａが形成されている。以下では、絶縁層１１Ａの上面および絶縁層１１Ｂの下面を第１主面と称し、絶縁層１１Ａの下面および絶縁層１１Ｂの上面を第２主面と称する。
【００３０】
平面導体１２Ａは、絶縁層１１Ａの第１主面に形成されている。平面導体１２Ｂおよび平面導体１２Ｃは、絶縁層１１Ｂの第１主面に形成されている。絶縁層１１Ａと絶縁層１１Ｂとは、絶縁層１１Ａの第２主面と絶縁層１１Ｂの第２主面とが当接するように積層されている。このように、多層基板１０は、平面導体を第１主面上のみに形成した絶縁層を積層することにより形成され、絶縁層の平面導体が形成されていない第２主面同士を対向させて積層した部分を有する。
【００３１】
平面導体１２Ａは、平面視で矩形を描くようにパターニングされている。平面導体１２Ａの一部は、矩形の中心から離れる方向に延伸している。平面導体１２Ａの端部のうち延伸された側の端部には、ビア導体１３Ａが接続されている。ビア導体１３Ａは積層方向に絶縁層１１Ａを貫通している。ビア導体１３Ａは、絶縁層１１Ａおよび絶縁層１１Ｂの第２主面同士を対向させて積層した部分において、絶縁層１１Ａの平面導体１２Ａから積層方向に沿って絶縁層１１Ｂに向けて絶縁層１１Ａを貫通する。また、平面導体１２Ａの端部のうちビア導体１３Ａが接続された側と反対側の端部には、ビア導体１３Ｂが接続されている。ビア導体１３Ｂは積層方向に絶縁層１１Ａを貫通している。
【００３２】
平面導体１２Ｂは、平面視で平面導体１２Ａと重なるようにパターニングされている。平面導体１２Ｂの一部は外側へ引き出されている。平面導体１２Ｂは、平面視でビア導体１３Ｂと重なる位置においてビア導体１３Ｃと接続されている。ビア導体１３Ｃは積層方向に絶縁層１１Ｂを貫通している。ビア導体１３Ｂとビア導体１３Ｃとは接続されている。ビア導体１３Ｂおよびビア導体１３Ｃからなる層間接続導体は、絶縁層１１Ａおよび絶縁層１１Ｂの第２主面同士を対向させて積層した部分において、絶縁層１１Ａおよび絶縁層１１Ｂの両方を貫通し、絶縁層１１Ａの平面導体１２Ａと絶縁層１１Ｂの平面導体１２Ｂとを接続する。平面導体１２Ａ、ビア導体１３Ｂ、ビア導体１３Ｃおよび平面導体１２Ｂはスパイラル状に構成されている。これにより、コイル１６（図３参照）が形成されている。すなわち、絶縁層１１Ａおよび絶縁層１１Ｂの第２主面同士を対向させて積層した部分において、絶縁層１１Ａの第１主面上および絶縁層１１Ｂの第１主面上には、それぞれ、コイル形成パターンが設けられている。
【００３３】
平面導体１２Ｃは、矩形状部分と矩形状部分から延伸する線状部分からなる。平面導体１２Ｃは、平面視でビア導体１３Ａと重なる位置に矩形状部分が形成されている。ビア導体１３Ａの端部（絶縁層１１Ａの第２主面側）と平面導体１２Ｃの矩形状部分とは絶縁層１１Ｂを介して対向している。これにより、キャパシタ１５（図３参照）が形成されている。すなわち、ビア導体１３Ａの絶縁層１１Ｂ側の端部と、絶縁層１１Ｂの平面導体１２Ｃとでキャパシタ１５が形成されている。キャパシタ１５を形成している、ビア導体１３Ａの絶縁層１１Ｂ側端部と絶縁層１１Ｂの平面導体１２Ｃとは、積層方向において互いに対向している。ビア導体１３Ａの絶縁層１１Ｂ側端部と絶縁層１１Ｂの平面導体１２Ｃとは、１つの絶縁層１１Ｂを介してキャパシタ１５を形成している。
【００３４】
図４は多層基板１０の外観斜視図である。多層基板１０は、略矩形平板状であり、長手方向に長く伸びている。多層基板１０は可撓性を有する。多層基板１０は折り曲げ部分１９で折り曲げて用いられる。折り曲げ部分１９では、インダクタおよびコンデンサからなる高周波整合回路１７が内部に形成されている。高周波整合回路１７は図１〜図３に示したように構成されている。すなわち、可撓性を有する部分にビア導体１３Ａが形成されている。多層基板１０の端部では、ＩＣチップ１８Ａおよびコンデンサ１８Ｂが上面に実装されている。高周波整合回路１７、ＩＣチップ１８Ａおよびコンデンサ１８Ｂは、多層基板１０の内部に形成された配線（図示せず）で電気的に接続されている。このような多層基板１０はフレキシブルケーブルとして用いられる。なお、多層基板１０には、他の電子部品が内蔵されたり、形成されたりしてもよい。
【００３５】
図５は、多層基板１０の製造方法を示す断面図である。多層基板１０の製造方法は、平面導体を第１主面上のみに形成した熱可塑性樹脂からなる絶縁層を有する片面銅張り基材１４Ａおよび片面銅張り基材１４Ｂを積層することにより形成され、片面銅張り基材１４Ａおよび片面銅張り基材１４Ｂの絶縁層の平面導体が形成されていない第２主面同士を対向させて積層した部分を有する多層基板の製造方法である。片面銅張り基材１４Ａは本発明の第１基材の一例である。片面銅張り基材１４Ｂは本発明の第２基材の一例である。
【００３６】
まず、図５（Ａ）に示すように、片面銅張り基材１４Ａを用意する。片面銅張り基材１４Ａは、片面に銅箔１２１が形成された絶縁層１１Ａからなる。ここでは、銅箔を例示しているが、これに限られず、導体箔であればよい。なお、以下では、片面銅張り基材の主面のうち銅箔が形成された側の主面を第１主面と称し、第１主面と反対側の主面を第２主面と称する。
【００３７】
次に、図５（Ｂ）に示すように、フォトリソグラフィまたはエッチング技術により、銅箔１２１にパターン処理を行うことにより、適切な位置に平面導体１２Ａを形成する。また、レーザ加工等により、平面視で平面導体１２Ａと重なるように、かつ、積層方向に絶縁層１１Ａを貫通するように、ビアホール１３２を形成する。すなわち、片面銅張り基材１４Ａの平面導体１２Ａから積層方向に絶縁層１１Ａを貫通するビアホール１３２を片面銅張り基材１４Ａに形成する。ビアホール１３２は本発明の貫通孔の一例である。
【００３８】
次に、図５（Ｃ）に示すように、片面銅張り基材１４Ａのビアホール１３２に導電ペースト１３１を充填する。導電ペースト１３１はスズや銀を主成分とした導電性材料からなる。これにより、平面導体１２Ａが形成され、導電ペースト１３１が充填された片面銅張り基材１４Ａが形成される。
【００３９】
次に、図５（Ｄ）に示すように、片面銅張り基材１４Ａの場合と同様の工程により、片面銅張り基材１４Ｂを用意する。片面銅張り基材１４Ｂは、片面に平面導体１２Ｂおよび平面導体１２Ｃが形成された絶縁層１１Ｂからなる。
【００４０】
次に、図５（Ｅ）に示すように、片面銅張り基材１４Ａの第２主面と片面銅張り基材１４Ｂの第２主面とを当接させ、片面銅張り基材１４Ａと片面銅張り基材１４Ｂを積層する。この際、充填された導電ペースト１３１の端部（片面銅張り基材１４Ａの第２主面側）と平面導体１２Ｃとを対向させる。すなわち、片面銅張り基材１４Ａの導電ペースト１３１が充填されたビアホール１３２の端部と片面銅張り基材１４Ｂの平面導体１２Ｃとが積層方向に対向するように、片面銅張り基材１４Ａと片面銅張り基材１４Ｂとを第２主面同士を対向させて積層する。また、図示されない他の片面銅張り基材も積層する。
【００４１】
次に、図５（Ｆ）に示すように、積層された片面銅張り基材１４Ａおよび片面銅張り基材１４Ｂを加熱プレスする。これにより、絶縁層１１Ａおよび絶縁層１１Ｂを構成する熱可塑性樹脂が軟化し、絶縁層１１Ａおよび絶縁層１１Ｂが接合し、一体化する。また、充填された導電ペースト１３１が硬化して、ビア導体１３Ａが形成される。以上の工程により、キャパシタ１５が形成された多層基板１０が完成する。
【００４２】
第１の実施形態では、上述のように、ビア導体１３Ａは、平面導体１２Ａから絶縁層１１Ａの第２主面側に向けて絶縁層１１Ａを貫通し、平面導体１２Ｃと対向している。このため、対向する導体間の距離が近くなるので、絶縁層の第２主面同士を向かい合わせて積層する場合でも、多層基板の大型化を抑制しながら大きな容量を形成することができる。また、ビア導体１３Ａのビア径を変化させることで容量の大きさを調整することができる。
【００４３】
また、例えば、銅箔が形成された面と銅箔が形成されていない面とを貼り合わせて積層された片面銅張り基材（順積み）に、２つの絶縁層を介して平面導体を配置するためには、３つの片面銅張り基材が必要となる。一方、銅箔が形成されていない主面同士を貼り合わせた片面銅張り基材に、２つの絶縁層を介して平面導体を配置するためには、２つの片面銅張り基材が必要なだけである。このため、第２主面同士を貼り合わせた絶縁層１１Ａおよび絶縁層１１Ｂにコイル１６を形成することで、順積みの場合に比べて積層数を増やさず、平面導体１２Ａと平面導体１２Ｂとを積層方向に離すことができる。平面導体１２Ａと平面導体１２Ｂとを積層方向に離すことで、コイル１６で線間容量を小さくできるので、コイル１６の自己共振周波数を高くできる。したがって、多層基板１０では、多層基板の大型化を抑制しながら、平面導体１２Ｃとビア導体１３Ａとで大きな容量を形成し、かつ、コイル１６の自己共振周波数を高めることができる。
【００４４】
《第２の実施形態》
本発明の第２の実施形態に係る多層基板２０について説明する。図６（Ａ）は、第２の実施形態に係る多層基板の一部を示す外観斜視図である。図６（Ｂ）は、多層基板２０の一部を示す分解斜視図である。図７は、多層基板２０の一部を示す分解平面図である。図８は、多層基板２０の一部を示すＡ−Ａ断面図である。
【００４５】
多層基板２０は、平面導体を第１主面上のみに形成した絶縁層を積層することにより形成され、絶縁層の平面導体が形成されていない第２主面同士を対向させて積層した部分を有する。絶縁層１１Ａおよび絶縁層１１Ｂの第２主面同士を対向させて積層した部分において、絶縁層１１Ａの平面導体２２Ａから積層方向に沿って絶縁層１１Ｂに向けて絶縁層１１Ａを貫通するビア導体２３Ａが形成されている。ビア導体２３Ａの絶縁層１１Ｂ側の端部と、絶縁層１１Ｂの平面導体１２Ｃとでキャパシタ２５が形成されている。
【００４６】
平面導体２２Ａの端部（コイルを形成する部分から延伸された側の端部）は矩形状になっている。平面導体２２Ａの矩形状部分と平面導体１２Ｃの矩形状部分とは、略同一形状になっており、積層方向から見て重なっている。
【００４７】
４つのビア導体２３Ａが、積層方向に絶縁層１１Ａを貫通するように形成されている。ビア導体２３Ａの端部と平面導体１２Ｃの矩形状部分とが絶縁層１１Ｂを介して対向することにより、キャパシタ２５が形成されている。すなわち、ビア導体２３Ａが複数設けられており、キャパシタ２５は、複数のビア導体２３Ａの絶縁層１１Ｂ側の端部と、絶縁層１１Ｂの１つの平面導体１２Ｃとで形成されている。
【００４８】
第２の実施形態では、上述のように、複数のビア導体２３Ａが平面導体１２Ｃに対向している。このため、対向面積を広くして大きな容量を形成できる。また、積層方向に平行して並ぶビア導体間に絶縁層が入るので、ビア径が大きいビア導体で同等の対向面積を形成する場合に比べて多層基板１０の可撓性を保持することができる。また、ビア導体２３Ａの数を変化させることで、ビア導体２３Ａの個数に応じて容易に容量の大きさを調整することができる。
【００４９】
《第３の実施形態》
本発明の第３の実施形態に係る多層基板３０について説明する。図９は、多層基板３０の一部を示す断面図である。多層基板３０は、絶縁層３１Ａ、絶縁層３１Ｂ、平面導体３２Ａ、平面導体３２Ｃおよびビア導体３３Ａを備える。
【００５０】
多層基板３０は、平面導体を第１主面上のみに形成した絶縁層を積層することにより形成され、絶縁層の平面導体が形成されていない第２主面同士を対向させて積層した部分を有する。絶縁層３１Ａおよび絶縁層３１Ｂの第２主面同士を対向させて積層した部分において、絶縁層３１Ａの平面導体３２Ａから積層方向に沿って絶縁層３１Ｂに向けて絶縁層３１Ａを貫通するビア導体３３Ａが形成されている。ビア導体３３Ａの絶縁層３１Ｂ側の端部と、絶縁層３１Ｂの平面導体３２Ｃとでキャパシタ３５が形成されている。絶縁層３１Ａおよび絶縁層３１Ｂの第２主面同士を対向させて積層した部分において、ビア導体３３Ａが貫通した絶縁層３１Ａの厚さは、絶縁層３１Ｂの厚さよりも厚い。ビア導体３３Ａの端部が絶縁層３１Ｂを介して平面導体３２Ｃと対向することで、キャパシタ３５が形成されている。
【００５１】
第３の実施形態では、上述のように、絶縁層３１Ｂに比べて厚い絶縁層３１Ａにビア導体３３Ａが形成されている。すなわち、絶縁層が厚い方にビア導体が形成されるので、対向する導体間の距離をより近づけることができ、より大きな容量を形成できる。
【００５２】
なお、上述の実施形態では、容量を形成するビア導体の端部と平面導体とは積層方向に対向しているが、本発明はこれに限られない。ビア導体の端部と平面導体との間に容量が形成されていれば、ビア導体の端部および平面導体の位置が対向位置からずれていてもよい。
【００５３】
また、上述の実施形態では、容量を形成するビア導体は１層の絶縁層を貫通しているが、本発明はこれに限られない。容量を形成するビア導体が複数の絶縁層を貫通してもよい。また、上述の実施形態では、容量を形成するビア導体の端部と平面導体との間に一層の絶縁層が設けられているが、本発明はこれに限られない。容量を形成するビア導体の端部と平面導体との間に複数の絶縁層が設けられてもよい。
【００５４】
また、上述の実施形態では、容量を形成するビア導体は１層の絶縁層を貫通しているが、本発明はこれに限られない。図１０に示すように、容量を形成するビア導体４３Ａが１層の絶縁層４１Ａを貫通し、さらにもう１層の絶縁層４１Ｂの途中まで延伸したものであってもよい。すなわち、絶縁層４１Ｂの途中に位置するビア導体４３Ａの端部と平面導体４２Ｃとでキャパシタ４５を形成してもよい。このように絶縁層の途中まで延伸するようにビア導体を形成できれば、ビア導体の端部と平面導体との距離を任意に調整することができ、設計の自由度が高まる。
【符号の説明】
【００５５】
１０〜３０…多層基板
１１Ａ…絶縁層（一方の絶縁層）
１１Ｂ…絶縁層（他方の絶縁層）
３１Ａ，３１Ｂ，４１Ａ，４１Ｂ…絶縁層
１２Ａ，１２Ｂ…平面導体（コイル形成パターン）
１２Ｃ…平面導体
２２Ａ，３２Ａ，３２Ｃ，４２Ｃ…平面導体
１３Ａ…ビア導体（貫通導体）
１３Ｂ，１３Ｃ…ビア導体（層間接続導体）
２３Ａ，３３Ａ，４３Ａ…ビア導体
１４Ａ…片面銅張り基材（第１基材）
１４Ｂ…片面銅張り基材（第２基材）
１５，２５，３５，４５…キャパシタ
１６…コイル
１７…高周波整合回路
１８Ａ…ＩＣチップ
１８Ｂ…コンデンサ
１２１…銅箔
１３１…導電ペースト
１３２…ビアホール（貫通孔）
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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