(57)【要約】  【課題】  熱応力等による枠状メタライズ層の剥がれが抑制された多数個取り配線基板等を提供すること。  【解決手段】  複数の配線基板領域101が設けられており、配線基板領域101の外周に沿って設けられた分割溝110を含む主面を有する母基板100と、母基板100の主面に、分割溝110に沿って設けられた枠状メタライズ層105とを備えており、枠状メタライズ層105は、分割溝110に接する外端部が母基板100内に食い込んでいる多数個取り配線基板である。枠状メタライズ層105の外端部が母基板100内に食い込んでいるため、アンカー効果等により、特にこの外端部からの枠状メタライズ層105の剥がれが抑制される。【選択図】  図１
2015177104.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の配線基板領域が配列されており、該配線基板領域の外周に沿って設けられた分割溝を含む主面を有する母基板と、
該母基板の前記主面に、前記分割溝に沿って設けられた枠状メタライズ層とを備えており、
該枠状メタライズ層は、前記分割溝に接する外端部が前記母基板内に食い込んでいることを特徴とする多数個取り配線基板。
【請求項２】
前記枠状メタライズ層は、前記外端部において前記母基板内に位置している下部層と、該下部層上に設けられた上部層とを含んでいることを特徴とする請求項１に記載の多数個取り配線基板。
【請求項３】
前記枠状メタライズ層は、前記外端部において少なくとも前記下部層にセラミック粒子が含有されていることを特徴とする請求項２に記載の多数個取り配線基板。
【請求項４】
前記枠状メタライズ層は、前記外端部において前記下部層および前記上部層にセラミック粒子が含有されており、前記下部層における前記セラミック粒子の含有量が、前記上部層における前記セラミック粒子の含有量よりも多いことを特徴とする請求項３に記載の多数個取り配線基板。
【請求項５】
前記下部層は、前記枠状メタライズ層の前記外端部に近いほど、その厚みが厚いことを特徴とする請求項２乃至請求項４のいずれかに記載の多数個取り配線基板。
【請求項６】
前記分割溝がレーザー加工によって形成されていることを特徴とする請求項１乃至請求項５のいずれかに記載の多数個取り配線基板。
【請求項７】
前記枠状メタライズ層の露出表面に設けられためっき層をさらに備えており、前記分割溝がレーザー加工によって形成されており、前記めっき層の厚みが、前記枠状メタライズ層のうち前記下部層において前記上部層よりも薄いことを特徴とする請求項３乃至請求項５のいずれかに記載の多数個取り配線基板。
【請求項８】
請求項１乃至請求項７のいずれかに記載された前記多数個取り配線基板が、前記配線基板領域毎に分割されてなることを特徴とする配線基板。
【請求項９】
上面を有しているとともに複数の配線基板領域が配列されたセラミックグリーンシートを準備する工程と、
前記セラミックグリーンシートの前記上面に、前記配線基板領域の境界に沿って枠状にメタライズ用ペーストを塗布する工程と、
前記複数の配線基板領域のそれぞれの前記境界に沿って分割溝を形成する工程とを備えており、
前記メタライズ用ペーストを塗布する工程において、該メタライズ用ペーストを前記境界において前記セラミックグリーンシート内に食い込ませることを特徴とする多数個取り配線基板の製造方法。
【請求項１０】
前記メタライズ用ペーストを塗布する工程は、該メタライズ用ペーストを前記配線基板領域の前記境界に沿って第１の幅で印刷する第１補助工程と、前記メタライズ用ペーストを前記第１の幅よりも広い第２の幅で、前記第１補助工程で印刷したメタライズ用ペーストから前記セラミックグリーンシートの表面にかけて覆うように印刷する第２補助工程とをさらに含むことを特徴とする請求項９記載の多数個取り配線基板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、複数の配線基板領域が母基板に縦横の並びに配列された多数個取り配線基板、その多数個取り配線基板から製作される配線基板、および多数個取り配線基板の製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来、半導体素子や弾性表面波素子等の電子部品を搭載するために用いられる配線基板は、酸化アルミニウム質焼結体やガラスセラミック焼結体等のセラミック焼結体からなる絶縁基板に、電子部品を搭載するための搭載部を有している。絶縁基板は、一般に、四角平板状の基部と、搭載部を取り囲むように基部の上面に積層された四角枠状の枠部とからなる。枠部の上面には枠状メタライズ層が形成されており、この枠状メタライズ層にろう付けされた金属枠体を介して、または枠状メタライズ層に直接に金属蓋体が接合されて、搭載部（搭載部に搭載される電子部品）が気密封止される。
【０００３】
このような配線基板は、一般に、１枚の広面積の母基板から複数個の配線基板を同時集約的に得るようにした、いわゆる多数個取り配線基板の形態で製作されている。多数個取り配線基板は、例えば酸化アルミニウム質焼結体からなる母基板に複数の配線基板領域が縦横に配列されている。配線基板領域の境界に沿って、母基板の上面等の主面に分割溝が形成されている。この分割溝を挟んで母基板に曲げ応力が加えられて母基板が破断することによって、個片の配線基板に分割される。分割溝は、例えば、未焼成の母基板の主面の所定位置にカッター刃を押し込むことによって形成されている。
【０００４】
近年、配線基板は小さなものとなってきており、例えば平面視における縦横の寸法が1.6×1.2ｍｍの大きさのものが製作されている。このような小型化が著しい配線基板領域が配列された多数個取り配線基板においては、隣り合う配線基板領域の境界にカッター刃等を用いて分割溝を設けることが難しい。そこで、焼成後の母基板において隣り合う配線基板領域の境界に、レーザー加工によって分割溝を成形する方法が提案されている（特許文献１を参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開2012−230945号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかしながら、上述した多数個取り配線基板においては、配線基板領域の小型化に伴い次のような不具合が生じる可能性があった。すなわち、このような小型化が著しい配線基板においては、枠部および枠状メタライズ層の幅が非常に狭いものとなってきており、枠部の上面と枠状メタライズ層との接合面積が小さくなってきている。そのため、例えば金属蓋体の接合時の熱応力により枠状メタライズ層が剥がれやすくなるという問題があった。
【０００７】
このような不具合は、特に、レーザー加工で分割溝が形成されている場合に発生しやすい。これは、以下のような理由によると考えられる。すなわち、仮に分割溝がカッター刃で形成されたとすると、カッター刃の押し込みに伴いメタライズ層が分割溝内面に回り込んだ形状になり、剥がれやすさが低減される可能性がある。これに対し、レーザー加工で分割溝が形成されている場合には、このような効果が得られる可能性は小さい。したがっ
て、枠状メタライズ層の剥がれが発生しやすくなる。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明の一つの態様の多数個取り配線基板は、複数の配線基板領域が設けられており、該配線基板領域の外周に沿って設けられた分割溝を含む主面を有する母基板と、該母基板の前記主面に、前記分割溝に沿って設けられた枠状メタライズ層とを備えており、該枠状メタライズ層は、前記分割溝に接する外端部が前記母基板内に食い込んでいることを特徴とする。
【０００９】
本発明の一つの態様の配線基板は、前記多数個取り配線基板が、前記配線基板領域毎に分割されてなることを特徴とする。
【００１０】
本発明の一つの態様の多数個取り配線基板の製造方法は、複数のセラミックグリーンシートを積層して、上面を有しているとともに複数の配線基板領域が配列された積層体を製作する工程と、前記積層体の上面に、前記複数の配線基板領域の境界に沿って枠状にメタライズ用ペーストを塗布する工程と、前記複数の配線基板領域のそれぞれの境界に沿って分割溝を形成する工程と、を備えており、前記メタライズ用ペーストを塗布する工程において、該メタライズ用ペーストを前記境界において前記積層体内に食い込ませることを特徴とする。
【発明の効果】
【００１１】
本発明の一つの態様の多数個取り配線基板によれば、枠状メタライズ層が、分割溝に接する外端部において母基板内に食い込んでいることから、枠状メタライズ層と母基板（枠部）との接合面積を大きくしてこれらの接合強度を大きくすることができるとともに、大きなアンカー効果が得られる。つまり、特に熱応力が大きく作用する傾向がある枠状メタライズ層の外端部が枠部に強固に接合されている。そのため、枠状メタライズ層が枠部から剥がれることが抑制される配線基板を製造可能な多数個取り配線基板を提供することができる。
【００１２】
本発明の一つの態様の配線基板によれば、上記構成の多数個取り配線基板が、配線基板領域毎に分割されてなることから、枠状メタライズ層が枠部から剥がれることが抑制された配線基板を提供できる。
【００１３】
本発明の一つの態様の多数個取り配線基板の製造方法によれば、上記工程を含むことから、枠状メタライズ層と枠部との接合面積を大きくできるとともに、枠状メタライズ層の外端部を枠部の外周に強固に接合された構造を容易に形成することができる。したがって、枠状メタライズ層が枠部から剥がれることが抑制される配線基板を製造可能な多数個取り配線基板を容易に製作できる。
【図面の簡単な説明】
【００１４】
【図１】（ａ）は本発明の実施形態の多数個取り配線基板を示す上面図であり、（ｂ）は（ａ）のＸ−Ｘ’線における断面図である。
【図２】本発明の実施形態の配線基板を示す上面図である。
【図３】本発明の実施形態の配線基板の要部を示す断面拡大図である。
【図４】図３の変形例の配線基板の要部を示す断面拡大図である。
【図５】図１に示す多数個取り配線基板の変形例における要部を示す上面図である。
【図６】（ａ）および（ｂ）は、それぞれ図２の変形例の配線基板を示す上面図である。
【図７】（ａ）〜（ｃ）は、本発明の実施形態の多数個取り配線基板の製造方法における要部を工程順に示す断面図である。
【図８】（ａ）および（ｂ）は、本発明の実施形態の多数個取り配線基板の製造方法における要部を工程順に示す断面図である。
【図９】図３の他の変形例における要部を示す断面拡大図である。
【発明を実施するための形態】
【００１５】
本発明の多数個取り配線基板、および配線基板、ならびに多数個取り配線基板の製造方法について、添付の図面を参照しつつ説明する。
【００１６】
図１（ａ）は、本発明の実施形態の多数個取り配線基板を示す上面図であり、図１（ｂ）は、図１（ａ）のＸ−Ｘ’線における断面図である。また、図２は、図１に示す多数個取り配線基板から得られた配線基板を示す上面図である。
【００１７】
母基板100に複数の配線基板領域101が配列されて多数個取り配線基板が基本的に形成されている。実施形態の例において、母基板100は基部102と、基部102上に積層された枠部103とを有している。配線基板領域101には電子部品が収容される搭載部104が設けられている。また、この搭載部104を平面視で囲むように枠状メタライズ層105が設けられている。
【００１８】
母基板100の上面に、配線基板領域101の境界116に沿って分割溝110が形成されている。多数個取り配線基板は、さらに多数の配線基板領域101が縦横の並びに配列されたもので
あってもよい。
【００１９】
母基板100は、平板状の基部102と、基部上に設けられた枠部103とによって基本的に形
成されている。枠部103は、複数の開口部（符号なし）を有している。この開口部と開口
部の内側で露出している基部102の上面とによって凹状の搭載部104が形成されている。すなわち、枠部103は、搭載部104を形成する複数の枠状の部位を有している。
【００２０】
このような多数個取り配線基板（母基板100）が配線基板領域101の境界116に沿って分
割されて、例えば図２に示すような個片の配線基板101ａが製作される。製作される配線
基板101ａは、四角平板状の下側基板（母基板100の基部102）の上面に枠状の上側基板（
母基板100の枠部103）が積層されてなる絶縁基板（符号なし）に、上記枠状メタライズ層105および配線導体108等が設けられて、基本的に構成されている。
【００２１】
母基板100は、酸化アルミニウム質焼結体，ガラスセラミック焼結体，窒化アルミニウ
ム質焼結体，炭化珪素質焼結体，窒化珪素質焼結体，ムライト質焼結体等のセラミック焼結体により形成されている。
【００２２】
また、母基板100の外周には、配列された複数の配線基板領域101を取り囲むように捨て代領域（図示せず）が設けられていてもよい。捨て代領域は、多数個取り配線基板の取り扱いを容易とすること等のために設けられている。
【００２３】
母基板100は、複数のセラミック絶縁層が一体焼成されて製作されている。すなわち、
酸化アルミニウムおよび酸化ケイ素等の、ガラス成分を含む原料粉末に適当な有機溶剤およびバインダーを添加してシート状に成形して複数のセラミックグリーンシートを製作する。次に、この複数のセラミックグリーンシートのうち一部のものについて打ち抜き加工を施して枠状に成形した後、平板状のセラミックグリーンシートの上に枠状のセラミックグリーンシートを積層する。その後、この積層体を一体焼成すれば、複数のセラミック絶縁層が積層されてなる母基板100を製作することができる。この場合、複数のセラミック
グリーンシートのうち一部のセラミックグリーンシートに打ち抜き加工を施して開口部を設けておき、開口部を設けたセラミックグリーンシート（枠部103になるもの）を上層に
積層すれば、上面に凹部を有する母基板100を製作することができる。
【００２４】
母基板100に配列された複数の配線基板領域101は、中央部等に電子部品（図示せず）の搭載部104を有しており、それぞれが個片の配線基板101ａとなる領域である。それぞれの配線基板領域101は、上記のように平板状の基部102の上面に枠部103が積層された形態で
ある。枠部103は、搭載部104に収容される電子部品を保護するためのものである。
【００２５】
搭載部104に収容される電子部品としては、水晶振動素子等の圧電振動素子，弾性表面
波素子，半導体集積回路素子（ＩＣ）等の半導体素子，容量素子，インダクタ素子および抵抗器等の種々の電子部品を挙げることができる。
【００２６】
母基板100の内部および表面には、搭載部104から母基板100の下面にかけて配線導体108が形成されている。配線導体108のうち母基板100の下面に形成された部位は、例えばそれぞれの配線基板領域101における下面の外周部に位置している。配線導体108のうち母基板100の内部に形成されたものは貫通導体（いわゆるビア導体等）や内部配線層等の形態で
ある。搭載部104に搭載される電子部品を搭載部104内に形成された配線導体108に電気的
に接続させることにより、配線導体108を介して電子部品が外部の電気回路に電気的に接
続される。
【００２７】
配線導体108は、例えば銅や銀，パラジウム，金，白金，タングステン，モリブデン，
マンガン等の金属材料からなる。配線導体108は、例えば、モリブデンからなる場合であ
れば、モリブデンの粉末に有機溶剤およびバインダーを添加して製作した金属ペースト（メタライズ用ペースト）（図示せず）を母基板100となるセラミックグリーンシートに所
定パターンに塗布しておき、同時焼成することによって形成することができる。
【００２８】
このような形態の多数個取り配線基板が個片に分割されて製作される配線基板101ａに
は上記のような各種の電子部品が収容される。配線基板101ａに電子部品が収容されてな
る電子装置は、各種の電子機器に部品として実装される。例えば、電子部品が圧電振動素子等の発振素子の場合であれば、電子装置は、携帯電話や自動車電話等の通信機器、コンピュータ、ＩＣカード等の情報機器等の電子機器において、周波数や時間の基準となる発振器として使用される。
【００２９】
母基板100の分割のために、配線基板領域101の境界116に沿って、母基板100の上面および下面には分割溝110が形成されている。分割溝110が形成されている部分（配線基板領域101の境界116）で母基板100に応力を加えて母基板100を厚み方向に破断させることによって、母基板100が個片の配線基板101ａに分割されることになる。
【００３０】
分割溝110は、例えば枠部103となるセラミックグリーンシート（図示せず）の各配線基板領域101の上面の全面に枠状メタライズ層105となるメタライズ用ペーストを印刷塗布した後、基部102となるセラミックグリーンシート（図示せず）上に枠部103となるセラミックグリーンシートを積層して積層体を得た後、積層体の上面側の隣接した配線基板領域101の境界116にカッター刃またはレーザー光等により切れ込みを入れることによって製作される。
【００３１】
母基板100は、例えば、平面視における一辺の長さが60〜120ｍｍ程度の平板状である。この母基板100の外周部に形成されている捨て代領域（図示せず）の幅は５〜10ｍｍ程度
である。多数個取り配線基板について、母基板100の各配線基板領域101を個片に分割する方法としては、例えば、ローラー等で母基板100を上下から挟んで加圧する方法が挙げら
れる。具体的には、移送用ローラーおよび押圧用ローラーで母基板100が上下方向から挟
まれ、移送用ローラーを支点、押圧用ローラーを作用点として、分割溝110に沿って母基
板100の厚み方向に圧力が加えられて、この圧力で母基板100が厚み方向に破断されて各配
線基板101ａに分割される方法が採用される。
【００３２】
分割溝110に接するそれぞれの配線基板領域101の上面には枠状メタライズ層105が形成
されている。そして、後述するように金属蓋体113が直接枠状メタライズ層105に、または枠状メタライズ層105にろう付けされた金属枠体115を介して接合されて、搭載部104（搭
載部に搭載される電子部品）が気密封止される。図１および図２の例では、枠状メタライズ層105は、枠部103の上面の全面を覆っている。枠状メタライズ層105は、必ずしも枠部103の上面の全面を覆っているものである必要はないが、枠部103の上面の全面に枠状メタ
ライズ層105が設けられていれば、金属蓋体113の接合面積の確保等の点では有利である。
【００３３】
枠状メタライズ層105は、例えばタングステンやモリブデン等の金属からなる。例えば
、枠状メタライズ層105がモリブデンのメタライズ層からなる場合であれば、モリブデン
の粉末、およびセラミック粉末に有機溶剤、バインダー等を添加して製作したメタライズ用ペーストを、枠部103となるセラミックグリーンシートの上面に所定パターンで印刷し
ておくことにより形成することができる。
【００３４】
この実施形態の例においては、枠状メタライズ層105の上面にニッケルめっき層および
金めっき層等のめっき層112が被着されている。
【００３５】
このめっき層112は、例えば、枠状メタライズ層105の酸化腐食を防止するとともに、ろう付け等の際のろう材114の濡れ性向上や接合力強化のために形成されたものである。め
っき層112は、例えば下側にニッケルめっき層が形成され、上側に金めっき層が形成され
てなる二層構造（図示せず）となっているのが好ましい。ここで、コストの面では、めっき層112は薄く形成されるのが好ましく、ニッケルめっき層は2〜20μｍ程度、金めっき層は0.1〜1.0μｍ程度に形成される。めっき層112は、例えばめっき液中で被めっき部（枠
状メタライズ層105の表面）にめっき被着用の電流を供給し、電解めっきを施すことによ
り形成することができる。
【００３６】
枠状メタライズ層105は、例えば図１に示すように、分割溝110に接する外端部が母基板100内に食い込んでいる。このような構造としたことから、枠状メタライズ層105と枠部103との接合面積を大きくして枠状メタライズ層105と枠部103との接合強度を大きくするこ
とができる。つまり、特に熱応力が大きく作用する傾向がある枠状メタライズ層105の外
周部が枠部103に強固に拘束されている。そのため、枠状メタライズ層105が枠部103から
剥がれることが抑制される配線基板101ａを製造可能な多数個取り配線基板を提供するこ
とができる。
【００３７】
なお、上記の熱応力は、例えば金属蓋体（図１では図示せず）が枠部103上に接合され
る時に、枠部103と金属蓋体との熱膨張率の差に起因して生じる。実際には、金属蓋体の
枠部103に対する接合は個片の配線基板101ａに対して行なわれる。また、金属蓋体は、実際には枠部103の上面に設けられた枠状メタライズ層105に、ろう材等の接合材（図１では図示せず）を介して接合される。そのため、熱応力は配線基板101ａの枠状メタライズ層105と金属蓋体との間で生じる。
【００３８】
また、分割溝110に接する外端部が母基板100内に食い込んでいる枠状メタライズ層105
の形状としては、例えば図１（ｂ）に示したように外端部における下部が下方に円弧状に突出した例が挙げられる。この、枠状メタライズ層105の円弧状の突出部分が配線基板領
域101の外周において母基板100（枠部103）内に食い込んでいる。
【００３９】
なお、枠状メタライズ層105は、配線基板領域101の境界116に近い部分においてその厚
みが他の部分よりも厚くなっているものとみなすこともできる。この場合、枠状メタライ
ズ層105の外端部（配線基板領域101の境界部分）における比較的厚い部分の厚み（突出高さ）は、例えば約10〜30μｍ程度に設定される。また、枠状メタライズ層105の外端部に
おける厚みは、例えば約15〜40μｍ程度に設定される。分割溝110は、枠状メタライズ層105の外端部の厚みが厚くなっている部分を切り込んで二分割している。各配線基板領域101の上面の外端部において、分割溝110内の表面に枠状メタライズ層105の一部が露出して
いる。
【００４０】
外端部が母基板100内に食い込んでいる枠状メタライズ層105は、例えば上記のように、枠状メタライズ層105の厚みが外端部分（配線基板領域101の境界116に沿った部分）で他
の部分よりも厚くなるようにして、このより厚い部分が母基板100（枠部103）内に埋まるようにすればよい。具体的には、母基板100となるセラミックグリーンシートにメタライ
ズ用ペーストを塗布する際に、その厚みを配線基板領域101の境界116に沿った部分で他の部分よりも厚くなるようにして、このより厚い部分を加圧等の手段でセラミックグリーンシート内に食い込ませるようにすればよい。印刷厚みは、例えばスクリーン印刷用の版面（製版）とセラミックグリーンシートとの間の距離、メタライズ用ペーストの粘度または印刷回数等によって適宜調整することができる。
【００４１】
枠部103に形成された枠状メタライズ層105の上面に金属蓋体113が接合された状態の配
線基板101ａの要部を図３に示す。図３は実施形態の配線基板の要部を示す断面拡大図で
ある。図３において図１および図２と同様の部位には同様の符号を付している。
【００４２】
図３の例のように、枠状メタライズ層105は、外端部において配線基板101ａの絶縁基板内に位置している下部層106と、下部層106上に設けられた上部層107とを含んでいてもよ
い。なお、配線基板101ａの絶縁基板は母基板100が個片に分割されたものであるため、多数個取り配線基板についても、枠状メタライズ層105が下部層106および上部層107を含む
ものとされ、下部層106が母基板100内に食い込んでいる。
【００４３】
この場合には、上記のように外端部における厚みが他の部分よりも厚く、この厚みの差による突出部分が母基板100内に食い込んだ枠状メタライズ層105の形成がより容易である。また、食い込み量の調整等もより容易である。そのため、枠状メタライズ層105の外端
部となる下部層106を枠部103の外周に拘束するためのメタライズ層としてより効果的に形成できる。また、金属蓋体113を枠状メタライズ層105の上面に接合するための上部層107
を広面積の接合面として効果的に形成できる。
【００４４】
図４は、図３の変形例の配線基板を示す断面拡大図である。図４において図３と同様の部位には同様の符号を付している。図４の例では、枠状メタライズ層105の上面に金属枠
体115が接合され、この金属枠体115の上面に金属蓋体113が接合されている。金属枠体115を介して金属蓋体113が枠状メタライズ層105（配線基板101ａ）に接合されている点以外
は、図３の例と図４の例とは、互いに同様の構成である。
【００４５】
図３および図４の例において、枠状メタライズ層105の下部層106は、分割溝110に接す
る外端部（下部）が絶縁基板（母基板100）内に食い込んで形成されている。また、枠状
メタライズ層105の上部層107は、下部層106の上面の全面を覆うとともに、絶縁基板の枠
状の部分（枠部103）の上面の全面を覆って形成されている。
【００４６】
ここで、このように枠状メタライズ層105の下部層106が絶縁基板（配線基板領域101）
の外周に食い込んでいる形状とするためには、例えば上記のように多数個取り配線基板として枠状メタライズ層105が下部層106および上部層107を含むものとしておけばよい。す
なわち、まず、セラミックグリーンシート（母基板100）の配線基板領域101の境界116の
全周に沿って下部層106となる幅が狭い第１メタライズ用ペーストを印刷しておく。次に
、印刷した第１メタライズ用ペーストを覆うとともに、配線基板領域101の枠部103の全周に上部層107となる幅が広い第２メタライズ用ペーストを印刷する。その後、第１メタラ
イズ用ペーストおよび第２メタライズ用ペーストを同時に加圧し、同時焼成することにより、下部層106が枠部103内に埋設されて上部層107が枠部103の上面に平坦に形成された枠状メタライズ層105を形成することができる。
【００４７】
なお、下部層106は、焼成後の厚みを10〜30μｍ程度とすることが好ましい。以下、多
数個取り配線基板の形態として説明する。下部層106の厚みが10μｍ未満の場合、枠状メ
タライズ層105の食い込んだ領域により枠状メタライズ層105の外端部を枠部103の外周に
拘束する効果が小さくなり、金属蓋体113の接合時等の熱応力による枠状メタライズ層105の剥がれを抑制する効果が低くなる可能性がある。また、下部層106の厚みが30μｍを超
える場合、下部層106を枠部103内に食い込ませるメタライズ層としてのボリュームが大きくなり、下部層106を枠部103内に食い込ませる際の枠部103（セラミックグリーンシート
）の変形や割れが発生する可能性がある。よって、下部層106の厚みは10〜30μｍ程度で
あることが好ましい。そして、焼成後の枠状メタライズ層105における上部層107の厚みが５〜10μｍ程度となるように形成される。よって、この場合には、下部層106と上部層107が平面視で重なっている領域の枠状メタライズ層105の合計の厚みは、15〜40μｍ程度と
なる。
【００４８】
枠状メタライズ層105は、外端部において少なくとも下部層106にセラミック粒子が含有されていてもよい。この場合には、枠状メタライズ層105の下部層106と枠部103（セラミ
ック）との接合強度を大きくすることができる。つまり、母基板100となる積層体の焼成
時に、下部層106となるメタライズ用ペースト中に含まれるセラミック粒子と枠部103となるセラミックグリーンシート（積層体）とが反応することにより、接合強度を大きくすることができる。
【００４９】
例えば、酸化アルミニウム質焼結体からなる母基板100（個片の配線基板101ａの絶縁基板）となる積層体に印刷されるメタライズ用ペーストの場合であれば、タングステン（Ｗ）、モリブデン（Ｍｏ）等の高融点金属粉末、および酸化アルミニウム等のセラミック粉末に有機溶剤、溶媒を添加してペースト状とする。この際に添加するセラミック粉末は、例えば母基板100となるセラミックグリーンシートに含まれるセラミック粉末と同様のも
のを使用すればよい。そして、下部層106におけるセラミック粒子の含有量を例えば５〜20ｖｏｌ％程度とすることにより、下部層106と枠部103との接合強度を大きくすることが
できる。
【００５０】
そして、作製した下部層106となるメタライズ用ペーストをセラミックグリーンシート
の表面にスクリーン印刷等により被着させ、しかる後、セラミックグリーンシートを適宜積層して還元雰囲気中で1450〜1700℃の温度で焼成する。以上の工程により、酸化アルミニウム質焼結体の酸化アルミニウム結晶粒子間に介在するガラス成分の一部が高融点金属の金属粒子間に移行し、酸化アルミニウム粒子（上記粉末の焼結体）と高融点金属とがガラス成分を介して接着され、酸化アルミニウム質焼結体からなる枠部103（母基板100）に固着される。この際に、下部層106にセラミック粒子が含有されていることにより、枠部103（酸化アルミニウム質焼結体）の酸化アルミニウム結晶粒子間に介在するガラス成分の一部だけでなく、下部層106となるメタライズ用ペースト中のセラミック粒子と、枠部103となるセラミックグリーンシートとが反応するため、枠部103と下部層106との接合に寄与するためである。
【００５１】
一方で、上部層107にはセラミック粒子が含有されていないことが好ましい。上部層107にセラミック粒子が含有されていない場合には、上部層107にニッケルや金等のめっき層112が被着される際に、その被着がより良好に（容易かつ強固に）行なわれる。上部層107
にセラミック粒子が含有されていない場合でも、上部層107と枠部103（セラミック）との接合強度は、枠部103に含まれるガラス成分の一部で補われる。ガラス成分の一部が上部
層107内に移行したとしても、セラミック粒子が含有されていない上部層107の上面にはガラス成分が這い上がりにくい。そのため、金属成分が多い状態で枠状メタライズ層105の
上面が形成される。
【００５２】
ただし、枠状メタライズ層105は、外端部において下部層106および上部層107の両方に
セラミック粒子が含有されていてもよい。この場合には、下部層106におけるセラミック
粒子の含有量が、上部層107におけるセラミック粒子の含有量よりも多いものとすること
が好ましい。この場合には、焼成時におけるセラミックグリーンシート（枠部103を含む
母基板100）とメタライズ用ペースト（枠状メタライズ層105）との収縮率の差がより低減される。そのため、この収縮率の違いにより配線基板領域101の封止面（枠状メタライズ
層105）が反ることをより効果的に抑制できる。つまり、封止面となる枠部103の上面の全面を覆う上部層107にもセラミック粒子が含有されていることから、枠部103となるセラミックグリーンシートと、上部層107となるメタライズ用ペーストとの焼成時の収縮率がよ
り近いものとなる。その結果、上部層107となるメタライズ用ペーストが枠部103となるセラミックグリーンシートを圧縮方向または収縮方向に拘束することが抑制されて配線基板領域101の封止面が反り難い。
【００５３】
また、枠状メタライズ層105の下部層106と枠部103（セラミック）との接合強度をより
大きくすることができる。つまり、上部層107と枠部103との接合強度を、下部層106と同
様に、母基板100となる積層体の焼成時に、下部層106となるメタライズ用ペースト中に含まれるセラミック粒子と枠部103となるセラミックグリーンシート（積層体）とが反応す
ることにより大きくすることができる。そして、下部層106におけるセラミック粒子の含
有量を上述したように例えば５〜20ｖｏｌ％程度とした場合、上部層107におけるセラミ
ック粒子の含有量を２〜５ｖｏｌ％程度とすることにより、めっき層112の被着性を犠牲
にすることなく下部層106と枠部103、および上部層107と枠部103との接合強度を大きくすることができる。また同時に、上部層107については下部層106よりもセラミック粒子の含有量が少ないため、上部層107の表面に露出するセラミック粒子の表面積が小さくなると
ともに、上部層107の上面にガラス成分が這い上がることが抑制される。そのため、金属
成分が比較的多い状態で枠状メタライズ層105の上面が形成されて、良好にニッケルや金
などのめっき層112が被着される。
【００５４】
また、このような構成の場合、枠状メタライズ層105の外端部における下部層106と上部層107との接合においても、高融点金属粉末の焼結とともに下部層106となる第１メタライズ用ペースト中に含まれるセラミック粒子に含有するガラス成分の一部と上部層107とな
る第２メタライズ用ペースト中に含まれるセラミック粒子に含有するガラス成分の一部が、下部層106と上部層107との接合に寄与して、枠状メタライズ層105の下部層106と上部層107との接合強度も強固なものとすることができる。
【００５５】
本実施形態において、下部層106は、枠状メタライズ層105の外端部に近いほど、その厚みが厚くなっている。この場合には、下部層106の厚みが厚い部分ほど下部層106が枠部103に対してより大きく食い込んで、より強固に接合される。そのため、熱応力がより大き
く作用する枠状メタライズ層105の外周部においても枠状メタライズ層105の剥がれがより効果的に抑制される。詳細には次の通りである。
【００５６】
すなわち、枠状メタライズ層105にろう付けされた金属枠体115を介して、または直接枠状メタライズ層105に金属蓋体113が、ろう材114を介して接合された際に、金属蓋体113の接合時の熱応力により、接合された金属蓋体113が枠状メタライズ層105を絶縁基板の中央側に引っ張るような熱応力が作用する。この際に、この枠状メタライズ層105の食い込ん
だ領域の最も応力が加わる外端部の枠状メタライズ層105の厚みが厚いことにより、枠状
メタライズ層105の外周部を枠部103の外周により強固に拘束することができる。
【００５７】
また、外端部における下部層106の厚み（つまり枠部103への食い込みの深さ）を確保しつつ、枠状メタライズ層105としてのボリュームをより小さくすることができる。そのた
め、外端部が枠部103内に食い込んだ枠状メタライズ層105を含む構成において、熱応力がより低減され、この熱応力に起因した枠部103（セラミックグリーンシート）の変形や割
れをより効果的に抑制できる。
【００５８】
そして、枠状メタライズ層105は、外端部においてより強固な接合強度を有しながら、
金属蓋体113や金属枠体115が接合される封止面が平坦性よく形成される構造を実現できる。封止面が平坦であることは、金属蓋体113や金属枠体115を枠状メタライズ層105と接合
する際のろう材114のボリュームを抑制できる、つまり、封止面の凸凹形状にろう材114のボリュームが無駄に取られないという効果を有する。よって、銀ろう等のろう材114によ
り金属蓋体113を枠状メタライズ層105に接合する際に、部材コストの上昇を抑えながら、気密信頼性に優れた封止構造を実現できる。
【００５９】
母基板100に形成される分割溝110は、例えばレーザー加工によって形成されている。レーザー加工は、焼成後の母基板100に対して施されてもよく、焼成前のセラミックグリー
ンシートに対して行なわれてもよい。この場合には、分割溝110の加工の加工精度がよく
小型の配線基板101ａに対応することができる。また、枠状メタライズ層105の枠部103（
母基板100および個片の絶縁基板）に対する接合強度に優れた枠状メタライズ層105を実現できる。
【００６０】
つまり、背景技術に関する説明で述べたように、レーザー加工は非接触加工であるために、枠状メタライズ層105の外端部にカッター刃等を押し入れて枠部103の外端部を変形させる（切り込みを入れる）ことで分割溝110を形成する場合に比べて、枠状メタライズ層105の外端部に剥離の起点ができやすい。そのため枠状メタライズ層105が剥離し易くなる
傾向がある。これに対して、本実施形態の多数個取り配線基板および配線基板は、上記構成の枠状メタライズ層105を有することから、枠状メタライズ層105の剥がれが効果的に抑制され得る。具体的には、カッター刃による分割溝110形成のときのような枠部103の変形を伴わない場合においても枠状メタライズ層105の外端部が母基板100（枠部103および個
片の絶縁基板）に食い込んでいるため、枠状メタライズ層105の剥がれが効果的に抑制で
きる。したがって、金属蓋体113や金属枠体115が上面に接合される枠状メタライズ層105
を、外端部に変形がなく接合強度に優れた広面積の接合面として効果的に形成できる。
【００６１】
母基板100にレーザー加工により分割溝110を形成するためには、例えば、固体レーザー（例えばＹＡＧレーザー）により励起された基本波のレーザー光（以下、単にレーザーという）を枠状メタライズ層105の上から照射し、境界116の部位にＶ字状の分割溝110を形
成する方法が挙げられる。具体的には、複数のセラミックグリーンシートが積層されてなる積層体を製作しておき、この積層体に複数の配線基板領域101を縦横に配列するととも
に、配線基板領域101の境界116にレーザーを照射して分割溝110を形成すればよい。また
は、上記積層体に対する加工と同様の加工を母基板100に対して施してもよい。
【００６２】
この場合には、図５で示したように、積層体の外周の捨て代領域に下部層106と同じ並
びの位置に位置決めパターン117を形成しておいてもよい。図５は、図１に示す多数個取
り配線基板の変形例における要部を示す上面図である。図５において図１と同様の部位には同様の符号を付している。位置決めパターン117は、レーザーが確実に下部層106を二分割できるように下部層106となるメタライズ用ペーストを枠部103となるセラミックグリーンシートにスクリーン印刷等で形成する際に、同時に印刷等で形成されたものである。こ
れにより、下部層106の全面が上部層107で覆われた枠状メタライズ層105であっても、下
部層106の位置を推定できることから、レーザーをより位置精度よく確実に下部層106に照射することが可能となり、下部層106を含む枠状メタライズ層105を二分割することができる。この際、位置決めパターン117は単層であり、枠状メタライズ層105よりも薄く形成されることから、加圧による母基板100への食い込みが抑制される。よって、位置決めパタ
ーン117の厚みの分だけレーザー加工による分割溝110の深さが浅く形成されるため、捨て代領域の強度を確保できるという効果もある。
【００６３】
母基板100は、例えば上記のようにアルミナ、窒化珪素、窒化アルミニウム、炭化珪素
、ムライト、フェライト、ガラスセラミックスなどを主成分とするセラミック焼結体で形成されている。このような材料によって、例えば25〜150μｍ程度の厚みのセラミックグ
リーンシートが複数積層され、例えば150〜500μｍの厚みに形成されている。そして、母基板100には、レーザーの吸収率を高くするための成分として、Ｍｇ、Ｍｎ、Ｃｏ、Ｃｒ
、Ｃｕ、Ｎｉ、及びＦｅの群から選ばれる少なくとも１種の金属酸化物が含まれていてもよい。
【００６４】
母基板100は、前述したように、枠状メタライズ層105の露出表面に設けられためっき層112をさらに有するものであってもよい。これにより、枠状メタライズ層105の酸化の抑制、およびろう材114の濡れ性等に対して有利になる。
【００６５】
また、分割溝110がレーザー加工によって形成されており、分割溝110の内面において枠状メタライズ層105の下部層106および上部層107の一部が露出しているとともに下部層106におけるセラミック粒子の含有量が比較的多い場合には、例えば図３および図４に示したように、めっき層112の厚みが、枠状メタライズ層105のうち下部層106において上部層107よりも薄い構造となっている。このような構造の場合には、配線基板101ａの小型化が進
んで隣接する配線基板領域101の境界116に形成される分割溝110の幅が狭くなっても、隣
接する配線基板領域101の枠状メタライズ層105が分割溝110を挟んで隣り合った同士で、
めっき層112同士が互いに癒着するようなことが抑制される。したがって、母基板100を分割溝110に沿って個片に分割する際に配線基板101ａにバリや欠けが発生することが抑制される。
【００６６】
つまり、分割溝110を形成する時に枠状メタライズ層105の上面からレーザー加工すると、非接触加工であり枠部103の変形がない状態でＶ字状の分割溝110が形成されるとともに、分割溝110側に下部層106が露出することになる。下部層106はセラミック粒子を比較的
多く含んでいるため、レーザー加工時の熱によりセラミック粒子中のガラス成分の一部が分割溝110側に露出した下部層106の表面に這い上がり、上部層107よりも多く形成される
。この状態で母基板100にめっき層112を被着すると、ガラス成分で一部が覆われた下部層106の表面にはめっき層112が形成され難くなる。
【００６７】
その結果、図３や図４の断面図で示したように、めっき層112の厚みが枠状メタライズ
層105のうち下部層106において上部層107よりも薄い構造となることから、隣接する配線
基板領域101の枠状メタライズ層105が分割溝110を挟んで隣り合った同士で癒着するよう
なことが抑制される。分割溝110はＶ字状であり、隣接する配線基板領域101での上部層107の間隔（分割溝110の隙間）よりも下部層106の間隔が小さいため、このような構造は、
配線基板領域101同士の枠状メタライズ層105の癒着を抑制するうえで有効である。
【００６８】
配線基板101ａは、前述したように、上記いずれかの構成の多数個取り配線基板が、配
線基板領域101毎に分割されて製作されている。これにより、枠状メタライズ層105と枠部103との接合面積を大きくして枠状メタライズ層105と枠部103との接合強度を大きくした
配線基板101ａを提供できる。つまり、枠状メタライズ層105に直接に、または金属枠体11
5を介して金属蓋体113が接合される際に、金属蓋体113が枠状メタライズ層105を絶縁基板の中央側に引っ張るような熱応力が作用しても、この枠状メタライズ層105の食い込んだ
部分により枠状メタライズ層105の外周部が枠部103の外周に拘束される。そのため、枠状メタライズ層105が枠部103から剥がれることが抑制された配線基板101ａとすることがで
きる。
【００６９】
枠状メタライズ層105は、例えば枠部103の全面に形成されており、母基板100内に食い
込んでいる下部層106と、下部層106および枠部103の上面を覆って形成される上部層107とから構成されている。なお、図２に示す配線基板101ａの例において、下部層106の形成位置が破線で示されている。この破線の位置に下部層106の内周が位置している。下部層106は、破線の外側に、枠部103の外周に沿って形成されている。そして、例えば、焼成後の
個片の配線基板101ａにおける下部層106の幅が、30〜80μｍ程度となるように形成されている。分割溝110の形成による位置ずれや、レーザー加工による枠状メタライズ層105（メタライズ用ペースト）の消失等を考慮すると、下部層106の幅は50〜80μｍ程度が好まし
い。
【００７０】
また、下部層106は、必ずしも配線基板領域101の枠部103の外周に沿って連続的に形成
されている必要はなく、例えば図６に示すような形態でもよい。図６（ａ）および（ｂ）は、それぞれ図２に示す配線基板の変形例を示す上面図である。図６（ａ）および（ｂ）ともに、枠状メタライズ層105が下部層106と上部層107とからなる例を示している。図６
において図２と同様の部位には同様の符号を付している。
【００７１】
図６（ａ）の例においては、キャスタレーション109に接する領域（コーナー部分）を
除く４辺に、下部層106が形成されている。これにより、キャスタレーション109を構成する小径の孔部の変形をより効果的に抑制することができる。
【００７２】
また、図６（ｂ）の例においては、枠部103の外周に沿って不連続に下部層106が形成されている。この場合には、母基板100内に食い込む枠状メタライズ層105の量を抑制しながら、枠状メタライズ層105の外端部におけるアンカー効果を効果的に得ることができる。
つまり、比較的幅が狭い枠部103内に埋まる枠状メタライズ層105の体積が抑制されるため、例えば枠部103に変形が生じる可能性がより低減され得る。この場合には、枠状メタラ
イズ層105のうち剥がれが発生しやすい傾向がある角部分またはその近くに下部層106が位置していることが好ましい。
【００７３】
また、個片の配基板101ａについても、上記多数個取り配線基板の場合と同様の構成が
含まれている場合には同様の効果が得られる。例えば、下部層106にセラミック粒子が含
有されている場合には、上述したように枠状メタライズ層105の下部層106と枠部103（セ
ラミック）との接合強度を大きくすることができる。さらに、下部層106および上部層107の両方にセラミック粒子が含有されている場合には、焼成時の枠部103上面部分の変形が
抑制され、配線基板領域101の封止面の反りが抑制された、気密封止性に優れた配線基板101ａを実現できる。
【００７４】
また、下部層106が、枠状メタライズ層105の外周に近いほど、その厚みが厚くなっている場合には、枠状メタライズ層105にろう付けされた金属枠体115を介して、または直接枠状メタライズ層105に金属蓋体113を、ろう材114を介して接合した際に、金属蓋体113の接合時の熱応力により接合された金属蓋体113が枠状メタライズ層105を絶縁基板の中央側に引っ張るような熱応力が作用しても、この枠状メタライズ層105の食い込んだ領域の最も
応力が加わる外端部の枠状メタライズ層105の厚みが厚いことにより、枠状メタライズ層105の外周部を枠部103の外周により強固に拘束することができる配線基板101ａを実現できる。さらに、配線基板101ａの外周面（多数個取り配線基板の分割溝内に位置していた表
面）がレーザー加工によって形成されている場合には、製品としての外形の寸法精度に優れ、上記外周面にバリや欠けが発生することが抑制された配線基板101ａを実現できる。
【００７５】
本発明の実施形態の多数個取り配線基板の製造方法について説明する。実施形態の多数個取り配線基板の製造方法は、以下の各工程を含んでいる。すなわち、上面を有しているとともに複数の配線基板領域101が配列されたセラミックグリーンシートを準備する工程
。セラミックグリーンシート（枠部103となるもの）の上面に、配線基板領域101の境界116に沿って枠状にメタライズ用ペーストを塗布する工程。および複数の配線基板領域101のそれぞれの境界116に沿って分割溝110を形成する工程である。また、メタライズ用ペーストを塗布する工程において、メタライズ用ペーストを境界116において積層体内に食い込
ませる。
【００７６】
メタライズ用ペーストを塗布するセラミックグリーンシートは、１層でもよく、複数の層が積層されたものでもよい。このような本発明の多数個取り配線基板の製造方法の工程順における要部を、図７（ａ）〜（ｃ）および図８（ａ）、（ｂ）に示した。図７（ａ）〜（ｃ）および図８（ａ）、（ｂ）は、本発明の実施形態の多数個取り配線基板の製造方法における要部を工程順に示す断面図である。図７および図８において図１と同様の部位には同様の符号を付している。なお、図７および図８ならびに以下の説明においては、セラミックグリーンシートおよびメタライズ用ペーストとして別途符号を設けず、実施形態の多数個取り配線基板に関する説明で用いたのと同様の符号を用いている。
【００７７】
図７（ａ）は、セラミックグリーンシート（枠部103となるもの）を準備する工程と、
その上面に、配線基板領域101の境界116に沿って枠状にメタライズ用ペーストを塗布する工程の一部（第１補助工程）とを示している。セラミックグリーンシートおよびメタライズ用ペーストは実施形態の多数個取り配線基板に関する説明で挙げた例と同様の材料を用い、同様の方法で作製および塗布が可能である。塗布するメタライズ用ペーストは下部層106となるものである。この場合の塗布のパターンの幅は、下部層106と同様に比較的狭い幅（第１の幅）に設定する。
【００７８】
図７（ｂ）は、配線基板領域101の境界116に沿って枠状にメタライズ用ペーストを塗布する工程の一部（第２補助工程）とを示している。塗布するメタライズ用ペーストは上部層107となるものである。このメタライズ用ペーストも、実施形態の多数個取り配線基板
に関する説明で挙げた例と同様の材料を用い、同様の方法で作製および塗布することができる。この場合の塗布のパターンの幅は、下部層106を覆う上部層107と同様に比較的広い幅（第２の幅）に設定する。
【００７９】
図７（ｃ）は、メタライズ用ペースト（下部層106となるもの）を境界116において枠部103となる積層体内に食い込ませる工程を示している。この工程も、例えば前述したよう
にメタライズ用ペーストを加圧することにより行なわれる。
【００８０】
図８（ａ）は、枠部103となるセラミックグリーンシートの下に基部102となるセラミックグリーンシートを積層する工程を示している。基部102となるセラミックグリーンシー
トも、実施形態の多数個取り配線基板に関する説明で挙げた例と同様の材料を用い、同様の方法で作製することができる。
【００８１】
図８（ｂ）は、分割溝110を形成する工程を示している。分割溝110は、例えば上記と同様のレーザー加工で行なうことができる。分割溝110の形成に伴い、配線基板領域101の境界116に沿って、塗布したメタライズ用ペースト（下部層106および上部層107となるもの
）が長さ方向に二つに分割される。
【００８２】
このような製造方法としたことから、枠状メタライズ層105の外端部となる下部層106が枠部103の外周に食い込んだ形態の多数個取り配線基板を容易に制作することができる。
【００８３】
つまり、分割溝110が形成される前の枠状メタライズ層105となるメタライズ用ペーストの外端部となる領域（境界116）の厚みを最も厚くしておくことにより、加圧する方向に
枠状メタライズ層105（メタライズ用ペースト）がセラミックグリーンシート内に食い込
む。この食い込みの形状は、丸みを帯びた形状となる。よって、下部層106となるメタラ
イズ用ペーストを境界116上において加圧により容易に食い込ませることができる。また
、配線基板領域101が小さくなり枠部103の幅が狭くなっても、見かけ上２つの枠部103が
接した幅広い状態で、下部層106となるメタライズ用ペーストを隣接する配線基板領域101の外端部に同時に形成できる。なお、セラミックグリーンシートへのメタライズ用ペーストの加圧は、搭載部104を形成するための枠部103を打ち抜く工程の前であってもよい。これにより、メタライズ用ペーストの加圧によるセラミックグリーンシートの変形が抑制される。
【００８４】
そして、境界116に沿って分割溝110を形成した際に、配線基板領域101の枠部103の外端部に下部層106が食い込んで形成されることから、枠状メタライズ層105と枠部103との接
合面積を大きくして枠状メタライズ層105と枠部103との接合強度を大きくすることができる配線基板101ａを効率よく製作することが可能な製造方法を提供できる。
【００８５】
なお、本発明の多数個取り配線基板、配線基板および多数個取り配線基板の製造方法は、以上の実施の形態の例に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲で種々の変更を加えても何ら差し支えない。例えば、上記実施形態において、枠状メタライズ層105に、ろう付けされた金属枠体115を介して、または直接枠状メタライズ層105に平板
状の金属蓋体113をろう材114を介して接合した配線基板101ａを示したが、金属蓋体113の代わりにキャップ状の金属蓋体（図示せず）が接合される平板状等の配線基板101ａとし
てもよい。また、２層のセラミックグリーンシートから構成される配線基板101ａを示し
たが、３層以上のセラミックグリーンシートから構成される配線基板101ａとしてもよい
。
【００８６】
また、枠状メタライズ層105が下部層106および上部層107とからなるときに、例えば図
９に示すように、下部層106が枠部103の上面のほぼ全面を覆う程度に幅が広いものであり、上部層107の幅が下部層106の幅よりも小さいものであってもよい。図９は、図３の他の変形例における要部を示す断面拡大図である。図９において図３と同様の部位には同様の符号を付している。図９の例では、下部層106が配線基板領域101の境界部分（外端部）で下方に曲がって母基板100内に食い込んでいる。上部層107は、下部層106が母基板100内に食い込んでいる外端部において下部層106上に設けられている。この場合も、アンカー効
果等によって枠状メタライズ層105の外端部における剥がれが効果的に抑制され得る。た
だし、前述したように下部層106に比較的多くのセラミック粒子が含有される場合に、枠
状メタライズ層105にめっき層112が被着されるときには、図３または図４の例のように、上部層107が下部層106を覆っている形態の方が好ましい。
【符号の説明】
【００８７】
100・・・母基板
101・・・配線基板領域
101ａ・・・配線基板
102・・・基部
103・・・枠部
104・・・搭載部
105・・・枠状メタライズ層
106・・・下部層
107・・・上部層
108・・・配線導体
109・・・キャスタレーション
110・・・分割溝
111・・・外部接続導体
112・・・めっき層
113・・・金属蓋体
114・・・ろう材
115・・・金属枠体
116・・・境界
117・・・位置決めパターン
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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