(57)【要約】【課題】電子デバイス、電子機器、及びセンサシステムにおいて、一つの電子デバイスにマイクロフォンとガスセンサの両方の機能を設けること。【解決手段】マイクロフォンMの振動電極２と、振動電極２に対向し、外気が流通する孔５ａを備えたマイクロフォンMの固定電極５と、振動電極２と固定電極５との間に設けられたガス検知電極４とを有することを特徴とする電子デバイス１０による。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
マイクロフォンの振動電極と、
前記振動電極に対向し、外気が流通する孔を備えた前記マイクロフォンの固定電極と、
前記振動電極と前記固定電極との間に設けられたガス検知電極と、
を有することを特徴とする電子デバイス。
【請求項２】
第１のキャビティを備えた本体を更に有し、
前記振動電極によって前記第１のキャビティが塞がれたことを特徴とする請求項１に記載の電子デバイス。
【請求項３】
前記ガス検知電極を加熱するヒータを更に有することを特徴とする請求項１又は請求項２に記載の電子デバイス。
【請求項４】
前記振動電極と前記固定電極との間に設けられ、前記振動電極及び前記固定電極と協働して第２のキャビティを形成するスペーサを更に有し、
前記第２のキャビティに前記ガス検知電極が表出し、
前記スペーサに、前記ヒータの熱を遮断する断熱構造が設けられたことを特徴とする請求項２に記載の電子デバイス。
【請求項５】
前記ガス検知電極の表面に紫外線を照射する光源を更に有することを特徴とする請求項１又は請求項２に記載の電子デバイス。
【請求項６】
音とガスを検知して、音に係る第１の音情報とガスに係る第１のガス情報とを出力する第１の電子デバイスと、
音とガスを検知して、音に係る第２の音情報とガスに関する第２のガス情報とを出力する第２の電子デバイスと、
前記第１の音情報と前記第２の音情報との差を求めることにより、前記１の音情報と前記第２の音情報の各々に共通に含まれるノイズ成分をキャンセルする第１のノイズキャンセル回路と、
前記第１のガス情報と前記第２のガス情報との差を求めることにより、前記１のガス情報と前記第２のガス情報の各々に共通に含まれるノイズ成分をキャンセルする第２のノイズキャンセル回路と、
を有することを特徴とする電子機器。
【請求項７】
発電素子と、前記発電素子で発電された電力で駆動して環境に係る情報を取得する電子デバイスと、前記情報を送信する送信回路とを備えた電子ユニットを複数有し、
前記電子デバイスが、
マイクロフォンの振動電極と、
前記振動電極に対向し、外気が流通する孔を備えた前記マイクロフォンの固定電極と、
前記振動電極と前記固定電極との間に設けられたガス検知電極と、
を有することを特徴とするセンサシステム。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電子デバイス、電子機器、及びセンサシステムに関する。
【背景技術】
【０００２】
環境中に複数のセンサを敷設してなるセンサシステムにおいては、各センサにより環境の様々な情報を取得し、それらの情報に基づいてユーザが環境についての様々な知見を得ることができる。
【０００３】
センサシステムで使用し得るセンサとしては様々な種類のものがある。例えば、センサとしてマイクロフォンを使用すると環境中の音を測定することができる。また、センサとしてガスセンサを使用すれば、環境中にどのようなガスが含まれているのかが分かる。
【０００４】
これらのセンサは、音の測定やガスの測定等のように単一の機能のみを備えたものが多いが、これではユーザの便宜に資することができない。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特表２０１１−５１４５０５公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
電子デバイス、電子機器、及びセンサシステムにおいて、一つの電子デバイスにマイクロフォンとガスセンサの両方の機能を設けることを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
以下の開示の一観点によれば、マイクロフォンの振動電極と、前記振動電極に対向し、外気が流通する孔を備えた前記マイクロフォンの固定電極と、前記振動電極と前記固定電極との間に設けられたガス検知電極とを有する電子デバイスが提供される。
【０００８】
また、その開示の別の観点によれば、音とガスを検知して、音に係る第１の音情報とガスに係る第１のガス情報とを出力する第１の電子デバイスと、音とガスを検知して、音に係る第２の音情報とガスに関する第２のガス情報とを出力する第２の電子デバイスと、前記第１の音情報と前記第２の音情報との差を求めることにより、前記１の音情報と前記第２の音情報の各々に共通に含まれるノイズ成分をキャンセルする第１のノイズキャンセル回路と、前記第１のガス情報と前記第２のガス情報との差を求めることにより、前記１のガス情報と前記第２のガス情報の各々に共通に含まれるノイズ成分をキャンセルする第２のノイズキャンセル回路とを有する電子機器が提供される。
【０００９】
更に、その開示の他の観点によれば、発電素子と、前記発電素子で発電された電力で駆動して環境に係る情報を取得する電子デバイスと、前記情報を送信する送信回路とを備えた電子ユニットを複数有し、前記電子デバイスが、マイクロフォンの振動電極と、前記振動電極に対向し、外気が流通する孔を備えた前記マイクロフォンの固定電極と、前記振動電極と前記固定電極との間に設けられたガス検知電極とを有するセンサシステムが提供される。
【発明の効果】
【００１０】
以下の開示によれば、マイクロフォンの振動電極と固定電極との間の隙間を活用し、その隙間にガス検知電極を設けることで、マイクロフォンとガスセンサの両方の機能を兼ね備えた新規な電子デバイスと提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１１】
【図１】図１は、第１実施形態に係る電子デバイスの分解斜視図である。
【図２】図２は、第１実施形態に係る電子デバイスの上面図である。
【図３】図３は、第１実施形態に係る電子デバイスが備えるスペーサの一部断面平面図である。
【図４】図４は、第１実施形態に係る電子デバイスが備える本体の上面図である。
【図５】図５（ａ）、（ｂ）は、第１実施形態に係る電子デバイスの製造途中の断面図（その１）である。
【図６】図６（ａ）、（ｂ）は、第１実施形態に係る電子デバイスの製造途中の断面図（その２）である。
【図７】図７（ａ）、（ｂ）は、第１実施形態に係る電子デバイスの製造途中の断面図（その３）である。
【図８】図８（ａ）、（ｂ）は、第１実施形態に係る電子デバイスの製造途中の断面図（その４）である。
【図９】図９（ａ）、（ｂ）は、第１実施形態に係る電子デバイスの製造途中の断面図（その５）である。
【図１０】図１０（ａ）、（ｂ）は、第１実施形態に係る電子デバイスの製造途中の断面図（その６）である。
【図１１】図１１（ａ）、（ｂ）は、第１実施形態に係る電子デバイスの製造途中の断面図（その７）である。
【図１２】図１２は、第１実施形態に係る電子デバイスの製造途中の断面図（その８）である。
【図１３】図１３は、第１実施形態に係る電子デバイスの製造途中の断面図（その９）である。
【図１４】図１４は、第１実施形態に係る電子デバイスの製造途中の断面図（その１０）である。
【図１５】図１５は、第１実施形態に係る電子デバイスの製造途中の断面図（その１１）である。
【図１６】図１６は、第１実施形態に係る電子デバイスの製造途中の断面図（その１２）である。
【図１７】図１７は、第２実施形態に係る電子デバイスの分解斜視図である。
【図１８】図１８は、第３実施形態に係る電子デバイスの分解斜視図である。
【図１９】図１９は、第４実施形態に係る電子デバイスの分解斜視図である。
【図２０】図２０は、第５実施形態の第１例に係る電子機器の模式図である。
【図２１】図２１は、第５実施形態の各例に係る電子機器の回路図である。
【図２２】図２２は、第５実施形態の第２例に係る電子機器の模式図である。
【図２３】図２３は、第５実施形態の第３例に係る電子機器について説明するための模式図である。
【図２４】図２４（ａ）、（ｂ）は、第６実施形態に係る電子ユニットの製造途中の断面図（その１）である。
【図２５】図２５（ａ）、（ｂ）は、第６実施形態に係る電子ユニットの製造途中の断面図（その２）である。
【図２６】図２６（ａ）、（ｂ）は、第６実施形態に係る電子ユニットの製造途中の断面図（その３）である。
【図２７】図２７は、第７実施形態に係るセンサシステムの機能ブロック図である。
【図２８】図２８は、第７実施形態に係るセンサシステムが備える第２の子機の機能ブロック図である。
【図２９】図２９は、第７実施形態における子機の敷設例について示す模式図である。
【図３０】図３０は、第７実施形態における子機の別の敷設例について示す模式図である。
【図３１】図３１は、第７実施形態における子機の更に別の敷設例について示す模式図である。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１２】
前述のように、センサシステムで使用し得るセンサとしては、マイクロフォンやガスセンサがある。このうち、マイクロフォンは、火災時の音や電話で通話しているときなどの音声等を取得するのに使用し得る。一方、ガスセンサは、火災の原因となるガス漏れや、飲酒チェック、口臭チェック、及び疾病検知等に使用し得る。
【００１３】
ユーザの便宜に資するには、これらマイクロフォンとガスセンサの両方の機能を備えたセンサを提供するのが好ましい。但し、市場に流通しているマイクロフォンとガスセンサは、それらの大きさや消費電力が異なるため、単純にそれらを組み合わせて一つの電子デバイスとするのが難しい。
【００１４】
以下に、マイクロフォンとガスセンサの各々の機能を備えた電子デバイスについて説明する。
【００１５】
（第１実施形態）
図１は、第１実施形態に係る電子デバイスの分解斜視図である。
【００１６】
この電子デバイス１０は、マイクロフォンとガスセンサの両方の機能を有しており、第１のキャビティ１ａが形成された本体１を有する。
【００１７】
本体１は、例えばMEMS(Micro Electro Mechanical Systems)技術によりシリコン基板を加工してなり、第１のキャビティ１ａの開口端１ｂには振動電極２が形成される。振動電極２は、その主面方向に振動可能な導電性薄膜であって、その材料としてはAuやAl等の金属を採用し得る。なお、Si等の半導体に不純物を導入して導電性を高めた材料を振動電極２の材料として採用してもよい。
【００１８】
また、第１のキャビティ１ａは振動電極２によって塞がれており、第１のキャビティ１ａ内には窒素が充填される。
【００１９】
振動電極２の上にはスペーサ３が設けられる。スペーサ３は、平面視でリング状の内面を有し、前述の振動電極２と協働して第２のキャビティ３ａを形成する。また、スペーサ３は、本体１と同様にシリコン基板を加工して作製し得る。
【００２０】
そのスペーサ３の内面にはガス検知電極４が設けられる。
【００２１】
ガス検知電極４は、スペーサ３の内面に薄膜状に形成され、その材料としてはSnO、ZnO、WO3、TiO2、In2O3、CuO、及びNiOのいずれかの金属酸化物を含む半導体材料を採用し得る。なお、これらの金属酸化物に代えて、カーボンナノチューブ、InPナノロッド、Seナノワイヤ、及びTeナノワイヤ等のナノ材料半導体を使用してもよい。更に、Si、GaN、GaAs、及びInP等の単結晶半導体又は多結晶半導体をガス検知電極４の材料として採用してもよい。
【００２２】
また、スペーサ３には、上記のガス検知電極４を加熱するためのヒータ７が設けられる。ヒータ７は、抵抗加熱型のヒータであって、例えばチタン膜とプラチナ膜とをこの順に積層することで形成される。
【００２３】
更に、ヒータ７の横のスペーサ３には断熱構造として空洞３ｂが設けられる。空洞３ｂは、ヒータ７の熱を遮断することにより、ヒータ７の熱がスペーサ３全体に広がるのを防止する役割を担う。
【００２４】
また、スペーサ３の上には、第２のキャビティ３ａの一部を画定する固定電極５が設けられる。固定電極５は前述の振動電極２と対向しており、振動電極２と固定電極５とによりコンデンサ型マイクロフォンMが形成される。
【００２５】
固定電極５には、第２のキャビティ３ａと外部との間で外気を流通させる複数の孔５ａが形成される。
【００２６】
固定電極５の材料は特に限定されない。振動電極２と同様に、AuやAl等の金属で固定電極５を形成してもよいし、Si等の半導体に不純物を導入して導電性を高めた材料で固定電極５を形成してもよい。
【００２７】
固定電極５の上には蓋体６設けられる。蓋体６は、シリコン基板を加工することで作製され、固定電極５の孔５ａの各々に繋がる複数の貫通孔６ａを有する。
【００２８】
次に、この電子デバイス１０の平面構造について、図２〜図４を参照しながら説明する。
【００２９】
図２は、電子デバイス１０の上面図である。
【００３０】
図２に示すように、上記の貫通孔６ａの周囲の蓋体６には、第１及び第２の引出電極２６ｚ、２６ｗと、第１及び第２の端子２６ｘ、２６ｙとが設けられる。
【００３１】
このうち、第１の引出電極２６ｚは振動電極２（図１参照）の電位を引き出すのに供され、第２の引出電極２６ｗは固定電極５の電位を引き出すのに供される。
【００３２】
この例では、各引出電極２６ｗ、２６ｚの電位差が、コンデンサ型マイクロフォンMで検知される音に係る音情報Ssとなる。
【００３３】
また、第１の端子２６ｘはガス検知電極４に電流を供給するのに供され、その電流量が測定対象のガスに係るガス情報Sgとなる。
【００３４】
そして、第２の端子２６ｙはヒータ７に電流を供給するのに供される。
【００３５】
図３は、上記したスペーサ３の一部断面平面図である。
【００３６】
図３に示すように、第２のキャビティ３ａの輪郭は平面視で円形であって、その内側に前述のガス検知電極４が概略リング状に設けられる。
【００３７】
そして、そのガス検知電極４と略同心円をなすように、ヒータ７と空洞３ｂも概略リング状に設けられる。
【００３８】
また、スペーサ３の表面には、第１〜第３の下部導電パッド３４ｘ〜３４ｚが設けられる。
【００３９】
このうち、第１の下部導電パッド３４ｘは、前述のガス検知電極４と第１の端子２６ｘ（図２参照）とに電気的に接続される。そして、第２の下部導電パッド３４ｙは、前述のヒータ７と第２の端子２６ｙ（図２参照）とに電気的に接続される。
【００４０】
更に、第３の下部導電パッド３４ｚは、前述の第１の引出電極２６ｚ（図２参照）と電気的に接続される。
【００４１】
図４は、本体１の上面図である。
【００４２】
図４に示すように、本体１に設けられた第１のキャビティ１ａは、第２のキャビティ３ａ（図３参照）と略同じ大きさの円形である。
【００４３】
再び図１を参照し、電子デバイス１０の動作について説明する。
【００４４】
前述のように、電子デバイス１０は、コンデンサ型マイクロフォンMとガスセンサの各々の機能を兼ね備える。
【００４５】
実使用下においては、電子デバイス１０の外部の音波が孔５ａを通じて第２のキャビティ３ａに到達すると、その音波の強度や振動数に応じて振動電極２が振動し、振動電極２と固定電極５との間隔が変動する。これにより、振動電極２と固定電極５とで形成されるコンデンサの容量も変動するため、各電極２、５の電位差である前述の音情報Ssからその容量を求めることで、コンデンサ型マイクロフォンMで音波を検知することができる。
【００４６】
特に、この例では振動電極２で第１のキャビティ１ａを塞いだため、キャビティ１ａ内が外部の音波から隔離され、振動電極２の表面と裏面との間で音圧の差が大きくなる。その結果、外部の音波によって振動電極２が大きく振動し、コンデンサ型マイクロフォンMの感度を高めることができる。
【００４７】
一方、ガスセンサはガス検知電極４により実現される。ガス検知電極４の材料である半導体は、その表面に特定の種類のガスが吸着すると、そのガスの濃度に応じて空乏層の厚さが変動して電気抵抗が変化する。このような抵抗変化により、ガス検知電極４を流れる電流量であるガス情報Sgが変化し、そのガス情報Sgに基づいてガスの濃度を検知することができる。
【００４８】
なお、常にガス検知電極４に電流を流す必要ななく、ガスの濃度を測定するときのみガス検知電極４に電流を流してもよい。
【００４９】
更に、ガス検知電極４の材料である半導体の組成比は特に限定されないが、測定対象のガスに対して敏感に抵抗が変化するように当該組成比を選定するのが好ましい。例えば、ガス検知電極４の材料がSnOやZnOの場合には、これらの材料に貴金属を添加すると共に、半導体における貴金属の組成比を調節することで、特定のガスに対してガス検知電極４の抵抗が大きく変化することができる。
【００５０】
また、本実施形態では、上記のようにガス検知電極４を加熱するためのヒータ７を設けたので、ガス検知電極４の表面に吸着したガス分子を脱離させることができ、ガス検知電極４に吸着するガス分子を適度な量に維持することができる。これにより、過度に多くのガス分子がガス検知電極４に吸着することが原因でガスの検知感度が低下するのを防止できる。
【００５１】
更に、スペーサ３に空洞３ｂを設けたことでヒータ７の熱がスペーサ３に無駄に拡散するのを防止できる。これにより、ヒータ７に供給する電流を抑制しながら効率的にガス検知電極４を加熱でき、ヒータ７の消費電力を低減することが可能となる。
【００５２】
以上説明したように、本実施形態によれば、マイクロフォンとガスセンサの両方の機能を兼ね備えた電子デバイス１０を提供することができる。その電子デバイス１０の使用用途は特に限定されない。例えば、マイクロフォンの機能を用いて、火災時の音や電話で通話しているときなどの音声等を取得するのに電子デバイス１０を使用し得る。また、ガスセンサの機能により、火災の原因となるガス漏れや、飲酒チェック、口臭チェック、及び疾病検知等に電子デバイス１０を使用し得る。
【００５３】
更に、その電子デバイス１０においては、コンデンサ型マイクロフォンMの各電極２、５の間の隙間を活用し、その隙間にガスセンサ用のガス検知電極４を設けるので、電子デバイス１０の大型化を避けることができる。
【００５４】
次に、本実施形態に係る電子デバイス１０の製造方法について説明する。
【００５５】
図５〜図１６は、本実施形態に係る電子デバイス１０の製造途中の断面図である。
【００５６】
なお、これらの図においては、図２のI-I線断面、II-II線断面、及びIII-III線断面、IV-IV線断面を併記する。
【００５７】
最初に、図５〜図７を参照し、蓋体６の加工方法について説明する。
【００５８】
まず、図５（ａ）に示すように、蓋体６として厚さが１００μm〜５００μm程度のシリコン基板を用意し、その蓋体６の表面に第１の絶縁膜２１として酸化シリコン膜を形成する。その第１の絶縁膜２１はCVD法で形成してもよいし、蓋体６の表面を熱酸化して形成してもよい。
【００５９】
次に、図５（ｂ）に示すように、第１の絶縁膜２１の上に蒸着法により金膜を１００nm〜１０００nm程度の厚さに形成し、その金膜を固定電極５とする。なお、金膜に代えてアルミニウム膜を固定電極５として形成してもよいし、Si等の半導体に不純物を導入して導電性を高めてなる導電膜を固定電極５として形成してもよい。
【００６０】
次に、図６（ａ）に示すように、フォトリソグラフィとドライエッチングにより固定電極５をパターニングする。これにより、I-I線断面に現れる固定電極５には複数の孔５ａが形成される。そして、II-II線断面には第１及び第２の上部導電パッド５ｘ、５ｙが形成され、IV-IV線断面には第３の上部導電パッド５ｚが形成される。なお、これらの上部導電パッド５ｘ〜５ｚは、上記のパターニングによって固定電極５とは電気的に隔離される。
【００６１】
一方、III-III線断面には、上記の固定電極５に繋がる引出部５ｗが形成される。
【００６２】
なお、本工程で使用されるエッチングガスは特に限定されないが、固定電極５としてアルミニウム膜を形成する場合には、そのエッチングガスとして塩素ガスを含むガスを使用し得る。
【００６３】
次に、図６（ｂ）に示すように、固定電極５とは反対側から蓋体６と第１の絶縁膜２１とをドライエッチングし、複数の孔５ａの各々の上に複数の貫通孔６ａを蓋体６に形成する。
【００６４】
なお、このドライエッチングでは、第１〜第３の上部導電パッド５ｘ〜５ｚと引出部５ｗの各々の上の蓋体６に第１のコンタクトホール６ｂが形成される。
【００６５】
また、このドライエッチングで使用するエッチングガスとしては、例えば、蓋体６用のエッチングガスとしてはSF6ガスとC4F8ガスとの混合ガスがあり、第１の絶縁膜２１用のエッチングガスとしてはCF4ガスがある。
【００６６】
続いて、図７（ａ）に示すように、蓋体６の上側全面、貫通孔６ａ、及び第１のコンタクトホール６ｂの各々の内面に第２の絶縁膜２５としてCVD法で酸化シリコン膜を形成する。
【００６７】
なお、この第２の絶縁膜２５は、第１のコンタクトホール６ｂ内に露出する部分の第１〜第３の上部導電パッド５ｘ〜５ｚや引出部５ｗにも形成されるが、当該部分の第２の絶縁膜２５はドライエッチングにより除去される。
【００６８】
次に、図７（ｂ）に示すように、第１のコンタクトホール６ｂ内と第２の絶縁膜２５の上に蒸着法等により金膜を形成した後、リフトオフ法等でその金膜をパターニングする。これにより、第１の上部導電パッド５ｘと第２の上部導電パッド５ｙの上に、それぞれ第１の端子２６ｘと第２の端子２６ｙが形成される。そして、第３の上部導電パッド５ｚの上には第１の引出電極２６ｚが形成され、引出部５ｗの上には第２の引出電極２６ｗが形成される。
【００６９】
以上により、蓋体６に対する加工を終了する。
【００７０】
次に、図８〜図１２を参照しながら、スペーサ３の加工について説明する。
【００７１】
まず、図８（ａ）に示すように、スペーサ３として厚さが１００μm〜５００μm程度のシリコン基板を用意する。
【００７２】
次いで、図８（ｂ）に示すように、不図示のレジスト膜をマスクにしてスペーサ３を途中の深さまでドライエッチングすることにより、スペーサ３に第１の溝３ｘと第２の溝３ｙを形成する。そのドライエッチングで使用するエッチングガスとしては、例えば、SF6ガスとC4F8ガスとの混合ガスがある。
【００７３】
続いて、図９（ａ）に示すように、上記の各溝３ｘ、３ｙを形成した側のスペーサ３の表面に第３の絶縁膜３１を形成し、各溝３ｘ、３ｙを形成した側とは反対側のスペーサ３の表面に第４の絶縁膜３２を形成する。
【００７４】
第３の絶縁膜３１と第４の絶縁膜３２として、例えば、CVD法により酸化シリコン膜を形成し得る。
【００７５】
次いで、図９（ｂ）に示すように、第１の溝３ｘにヒータ７としてチタン膜とプラチナ膜とをこの順にスパッタ法等で形成し、第２の溝３ｙにガス検知電極４として例えばSnO膜をスパッタ法で形成する。なお、ヒータ７として、チタン膜とタングステン膜をこの順に形成してもよい。
【００７６】
また、これらのヒータ７やガス検知電極４は、リフトオフ法等によりパターニングされて各溝３ｘ、３ｙ内のみに選択的に形成される。
【００７７】
続いて、図１０（ａ）に示すように、第４の絶縁膜３２の上に振動電極２として蒸着法により金膜を１００nm〜１０００nm程度の厚さに形成する。なお、Si等の半導体に不純物を導入して導電性を高めてなる導電膜や、アルミニウム膜等の金属膜を振動電極２として形成してもよい。
【００７８】
次に、図１０（ｂ）に示すように、不図示のレジスト膜をマスクにしながら、スペーサ３と各絶縁膜３１、３２をドライエッチングする。これにより、スペーサ３に第２のキャビティ３ａが形成され、その第２のキャビティ３ａ内にガス検知電極４が表出する。
【００７９】
なお、そのドライエッチングでは、ヒータ７の横のスペーサ３もエッチングされて空洞３ｂが形成される。また、IV-IV線断面においては、振動電極２に至る深さの第２のコンタクトホール３ｚが形成される。
【００８０】
本工程で使用し得るエッチングガスとしては、例えば、スペーサ３用のエッチングガスとしてはSF6ガスとC4F8ガスとの混合ガスがあり、第３の絶縁膜３１用のエッチングガスとしてはCF4ガスがある。
【００８１】
次いで、図１１（ａ）に示すように、IV-IV線断面における第３の絶縁膜３１の上と第２のコンタクトホール３ｚ内とに第５の絶縁膜３３としてCVD法で酸化シリコン膜を形成する。
【００８２】
その後、第５の絶縁膜３３をエッチバックすることにより、第２のコンタクトホール３ｚの内面のみに第５の絶縁膜３３を残す。
【００８３】
次に、図１１（ｂ）に示すように、第３の絶縁膜３１の上に金膜を形成し、リフトオフ法等によりその金膜をパターニングする。これにより、II-II線断面においては、ガス検知電極４とヒータ７の各々の上に第１の下部導電パッド３４ｘと第２の下部導電パッド３４ｙが形成される。そして、IV-IV線断面においては、第２のコンタクトホール３ｚ内とその周囲の第３の絶縁膜３１上に第３の下部導電パッド３４ｚが形成される。
【００８４】
その後に、図１２に示すように、スペーサ３の上側全面に第６の絶縁膜３６としてCVD法で酸化シリコン膜を形成し、更にリフトオフ法でその第６の絶縁膜３６をパターニングして各下部導電パッド３４ｘ〜３４ｚの上から第６の絶縁膜３６を除去する。
【００８５】
以上により、スペーサ３に対する加工を終了する。
【００８６】
次に、図１３〜図１４を参照しながら、本体１の加工について説明する。
【００８７】
まず、図１３に示すように、本体１としてシリコン基板を用意する。そのシリコン基板の厚さは特に限定されないが、この例ではその厚さを１００μm〜５００μmとする。
【００８８】
そして、その本体１の表面にCVD法等で第７の絶縁膜３７として酸化シリコン膜を形成する。
【００８９】
次いで、図１４に示すように、不図示のレジスト膜をマスクにしながら、本体１と第７の絶縁膜３７とをドライエッチングすることにより、本体１に第１のキャビティ１ａを形成する。
【００９０】
そのドライエッチングでは、第７の絶縁膜３７のエッチングガスとしてCF4ガスを使用し、本体１のエッチングガスとしてはSF6ガスとC4F8ガスとの混合ガスを使用し得る。
【００９１】
以上により、本体１に対する加工を終了する。
【００９２】
この後は、上記のように加工した本体１、スペーサ３、及び蓋体６を積層する工程に移る。
【００９３】
まず、図１５に示すように、上記の本体１、スペーサ３、及び蓋体６をこの順に配する。
【００９４】
次いで、図１６に示すように、本体１、スペーサ３、及び蓋体６を張り合わせる。張り合わせの手法としては、例えば、直接接合法、陽極接合法、及び接着剤を用いた接着等がある。
【００９５】
また、このように張り合わせた結果、II-II線断面においては、第１の下部導電パッド３４ｘと第１の上部導電パッド５ｘとが接続され、かつ、第２の下部導電パッド３４ｙと第２の上部導電パッド５ｙとが接続される。
【００９６】
そして、IV-IV線断面においては、第３の下部導電パッド３４ｚと第３の上部導電パッド５ｚとが接続される。
【００９７】
以上により、本実施形態に係る電子デバイス１０の基本構造が完成する。
【００９８】
このようにして製造された電子デバイス１０においては、第１の端子２６ｘを介してガス検知電極４に電流を供給できると共に、第２の端子２６ｙを介してヒータ７に電流を供給できる。
【００９９】
更に、第１の引出電極２６ｚを介して振動電極２の電圧を取得でき、第２の引出電極２６ｗを介して固定電極５の電圧を取得できるため、これらの引出電極２６ｚ、２６ｗの電位差に基づいてコンデンサ型マイクロフォンMの容量を測定できる。
【０１００】
（第２実施形態）
第１実施形態では、図１に示したように、ガス検知電極４とヒータ７の各々をスペーサ３に設けた。ガス検知電極４とヒータ７を設ける部位はこれに限定されない。
【０１０１】
図１７は、本実施形態に係る電子デバイスの分解斜視図である。
【０１０２】
なお、図１７において、第１実施形態で説明したのと同じ要素には第１実施形態におけるのと同じ符号を付し、以下ではその説明を省略する。
【０１０３】
図１７に示すように、本実施形態に係る電子デバイス４０においては、振動電極２の上下にガス検知電極４とヒータ７とを設ける。なお、振動電極２の下のヒータ７の熱が本体１に広がるのを防止するために、そのヒータ７の横の本体１に断熱機構として空洞１ｃを設けるのが好ましい。
【０１０４】
更に、振動電極２の上下の二つのガス検知電極４の各々は、同種のガスを検出するためにその材料である半導体の組成比が同一にされる。
【０１０５】
そして、振動電極２の下に設けられたガス検知電極４は、第１のキャビティ１ａ内に露出してバクグラウンドノイズを検知する。一方、振動電極２の上に設けられたガス検知電極４は、第１実施形態と同様に環境中のガスを検知する。
【０１０６】
これによれば、上下の二つのガス検知電極４を流れる電流のうち一方を第１のガス情報Sg1とし、他方を第２のガス情報Sg2として、両者の差（Sg2−Sg1）をとることでバックグラウンドノイズをキャンセルし、環境中のガスを高い感度で検知できる。
【０１０７】
（第３実施形態）
第１実施形態と第２実施形態では、ガス検知電極４を加熱するためにヒータ７を設けた。本実施形態では、そのヒータ７に代えて以下のような光源を用いる。
【０１０８】
図１８は、本実施形態に係る電子デバイスの分解斜視図である。なお、図１８において、第１実施形態や第２実施形態で説明したのと同じ要素にはこれらにおけるのと同じ符号を付し、以下ではその説明を省略する。
【０１０９】
図１８に示すように、この電子デバイス４３においては、第２のキャビティ３ａ内に光源４４を設ける。光源４４は、ガス検知電極４の表面に紫外線を照射するLED (Light Emitting Diode)であって、固定電極５の表面に接着剤等で固着される。
【０１１０】
このようにガス検知電極４に紫外線を照射することで、ガス検知電極４の表面に吸着したガス分子を脱離させることができ、ガス検知電極４に適度な量のガス分子を吸着させることができる。これにより、過度に多くのガス分子がガス検知電極４に吸着することが原因でガスの検知感度が低下するのを防止できる。
【０１１１】
なお、光源４４が生成する紫外線の波長は特に限定されないが、ガス検知電極４の半導体材料のバンドギャップに相当する波長以下の紫外線を光源４４で生成するのが好ましい。
【０１１２】
例えば、ガス検知電極４の材料としてSnOやZnOを用いる場合、これらの材料のバンドギャップ（３．２eV）に相当する３６５nmの波長の紫外線を発光するInGaN-LEDを光源４４として用いるのが好ましい。
【０１１３】
これにより、ガス検知電極４の価電子帯にある電子が紫外線によって伝導帯に移り易くなり、その電子によってガス検知電極４からガス分子を脱離させることが容易となる。
【０１１４】
なお、本実施形態では電子デバイス４３にヒータ７（図１参照）を設けないため、ヒータ７の熱が拡散するのを防止するための空洞３ｂをスペース３に形成する必要はない。
【０１１５】
（第４実施形態）
第１〜第３実施形態では、ガス検知電極４からガス分子を脱離させるためにヒータ７（図１参照）や光源４４（図１８参照）を用いた。ガス検知電極４によって十分な感度でガスを検出できる場合には、本実施形態のようにヒータ７や光源４４を省いてもよい。
【０１１６】
図１９は、実施形態に係る電子デバイスの分解斜視図である。
【０１１７】
図１９に示すように、本実施形態に係る電子デバイス４５には前述のヒータ７と光源４４が設けられていない。これにより、ヒータ７や光源４４を設ける場合と比較して電子デバイス３４の製造工程を簡略化することができる。
【０１１８】
（第５実施形態）
本実施形態では第１実施形態で説明した電子デバイス１０の適用例について説明する。なお、以下では電子デバイス１０を例にして説明するが、電子デバイス１０に代えて第２〜第４実施形態で説明した各電子デバイス４０、４３、４５を用いてもよい。
【０１１９】
・第１例
図２０は、本実施形態の第１例に係る電子機器の模式図である。
【０１２０】
この電子機器５０は、受話器５０ａと本体５０ｂとを備えた電話機であって、受話器５０ａと本体５０ｂにそれぞれ第１の電子デバイス５１と第２の電子デバイス５２とが設けられる。
【０１２１】
第１の電子デバイス５１と第２の電子デバイス５２は、例えば第１実施形態で説明した電子デバイス１０であって、ガスセンサとマイクロフォンの両方の機能を兼ね備える。
【０１２２】
図２１は、この電子機器５０の回路図である。
【０１２３】
図２１に示すように、電子機器５０は、上記の第１の電子デバイス５１と第２の電子デバイス５２と共に、第１のノイズキャンセル回路５５と第２のノイズキャンセル回路５６とを有する。
【０１２４】
第１の電子デバイス５１は、環境中の音に係る第１の音情報Ss1とガスに係る第１のガス情報Sg1とを出力する。同様に、第２の電子デバイス５２は、環境中の音に係る第２の音情報Ss2とガスに係る第２のガス情報Sg2とを出力する。
【０１２５】
そして、第１のノイズキャンセル回路５５は、上記の各音情報Ss1、Ss2の差Ss2−Ss1を求めることにより、各音情報Ss1、Ss2に共通に含まれるノイズ成分をキャンセルし、その差Ss2−Ss1を音声信号として電話回線に送出する。
【０１２６】
一方、第２のノイズキャンセル回路５６は、上記の各ガス情報Sg1、Sg2の差Sg2−Sg1を求めることにより、各ガス情報Sg1、Sg2に共通に含まれるノイズ成分をキャンセルする。
【０１２７】
このようにノイズ成分をキャンセルすることで、本実施形態ではノイズが低減されたクリアな音声を電話回線に送出することができ、電話機の通話品質を向上させることができる。
【０１２８】
また、受話器５０ａに設けた第１の電子デバイス５１により、通話時のユーザの口臭をモニタすることができ、ユーザに対して口臭エチケットについて注意喚起をすることもできる。
【０１２９】
なお、この例ではノイズ成分をキャンセルするために第１の電子デバイス５１と第２の電子デバイス５２を対にして使用したが、ノイズが問題にならない場合には、第１の電子デバイス５１のみを受話器５０ａに設けてもよい。
【０１３０】
また、電子機器５０は固定電話機に限定されず、スマートフォン、タブレット端末、パーソナルコンピュータ、及びヘッドマウントディスプレイのいずれかを電子機器５０として用いてもよい。
【０１３１】
・第２例
図２２は、本実施形態の第２例に係る電子機器の模式図である。
【０１３２】
この電子機器６０は、建物内に設けられた火災報知器やガス漏れ探知器であって、第１例と同様に第１の電子デバイス５１と第２の電子デバイス５２とを有する。
【０１３３】
また、各電子デバイス５１、５２から出力された各音情報Ss1、Ss2と各ガス情報Sg1、Sg2は、第１例と同様にノイズキャンセル回路（図２１参照）に入力され、ノイズ成分がキャンセルされた各信号Sg2−Sg1、Ss2−Ss1が得られる。
【０１３４】
本実施形態では、音情報の差（Ss2−Ss1）に基づいて、火災燃焼音や建物内への不審者の侵入音を検知できる。そして、ガス情報の差（Sg2−Sg1）に基づいて、火災時に発生する水素や一酸化炭素等のようなガスを検知することもできる。
【０１３５】
なお、第１例と同様に、ノイズ成分が問題にならない場合には、第１の電子デバイス５１と第２の電子デバイスのいずれか一方のみを電子機器６０に設けてもよい。
【０１３６】
・第３例
図２３は、本実施形態の第３例に係る電子機器について説明するための模式図である。
【０１３７】
本実施形態では、図２３に示すように、自動車の車内における電子機器に、第１例で説明した第１の電子デバイス５１と第２の電子デバイス５２を設ける。
【０１３８】
これらの電子デバイス５１を設ける部位は特に限定されないが、この例ではハンドル６１に第１の電子デバイス５１を設け、ハンドル６１から離れたダッシュボード６２に第２の電子デバイス５２を設ける。
【０１３９】
各電子デバイス５１、５２から出力された各音情報Ss1、Ss2と各ガス情報Sg1、Sg2は、第１例と同様にノイズキャンセル回路（図２１参照）に入力され、ノイズ成分がキャンセルされた各信号Sg2−Sg1、Ss2−Ss1が得られる。
【０１４０】
本実施形態では、音情報の差（Sg2−Sg1）に基づいて車内の騒音を検知することで、車内音響がその騒音に邪魔されずに心地よく聞こえるようにオーディオ機器を調節することができる。
【０１４１】
更に、ガス情報の差（Sg2−Sg1）に基づいて運転手の呼気にアルコールが含まれているかどうかを検出することができ、運転手に対して飲酒運転の注意喚起をすることができる。
【０１４２】
なお、第１例や第２例と同様に、ノイズ成分が問題にならない場合には、第１の電子デバイス５１と第２の電子デバイスのいずれか一方のみを車内に設けてもよい。
【０１４３】
（第６実施形態）
本実施形態では、第１実施形態で説明した電子デバイス１０と発電素子とを混載してなる電子ユニットについて、その製造方法を追いながら説明する。
【０１４４】
図２４〜図２６は、本実施形態に係る電子ユニットの製造途中の断面図である。
【０１４５】
まず、図２４（ａ）に示すように、シリコン基板やガラス基板等の仮固定基板７１の上に接着層７２を形成する。接着層７２としては、加熱や紫外線照射によって接着力が低下する接着シートを使用し得る。
【０１４６】
そして、その接着層７２の上に、各引出電極２６ｗ、２６ｚを下側にして電子デバイス１０を接着する。更に、その電子デバイス１０と共に、二次電池７３、発電素子７５、及び回路素子８３も接着層７２に接着する。
【０１４７】
これらのうち、二次電池７３は、例えば全固体二次電池であって、正極７３ａと負極７３ｂとを有する。
【０１４８】
また、発電素子７５は、例えば熱電変換素子であって、温度差が付与される第１の電極７６と第２の電極７７とを有し、これらの電極の間にn型半導体７９とp型半導体８０とが交互に配される。この例では、各電極のうち第１の電極７６を接着層５２に接着する。
【０１４９】
一方、回路素子８３は、無線送信機能を備えたMPU (Micro Processing Unit)等の演算ユニットである。
【０１５０】
次に、図２４（ｂ）に示すように、熱硬化性のエポキシ樹脂等を材料とする樹脂層８５により、上記の電子デバイス１０、二次電池７３、発電素子７５、及び回路素子８３を覆う。その後、樹脂層８５を加熱して熱硬化させる。
【０１５１】
続いて、図２５（ａ）に示すように、樹脂層８５の上面を研削又は研磨することにより、発電素子７５の第２の電極７７を樹脂層８５から露出させる。
【０１５２】
そして、図２５（ｂ）に示すように、加熱や紫外線照射によって接着層７２の接着力を弱めた後、仮固定基板７１から樹脂層８５を剥離する。これにより、樹脂層８５の下面８５ｘに、電子デバイス１０の各引出電極２６ｗ、２６ｚが露出する。また、二次電池７３の正極７３ａと負極７３ｂ、発電素子７５の第１の電極７６、及び回路素子８３の各々も、下面８５ｘ側に露出する。
【０１５３】
続いて、図２６（ａ）に示すように、樹脂層８５の下面８５ｘ側にシード層として不図示の無電解銅めっき膜を形成した後、そのシード層の上に導電層８７として電解めっきで銅めっき膜を形成する。導電層８７の厚さは特に限定されないが、その導電層８７から形成される配線層を微細化するためになるべく薄い厚さに導電層８７を形成するのが好ましく、本実施形態では０．１μm〜１μm程度の厚さに導電層８７を形成する。
【０１５４】
次に、図２６（ｂ）に示すように、不図示のレジスト膜をマスクにするドライエッチングで導電層８７をパターニングすることにより配線層８７ａを形成する。
【０１５５】
その配線層８７ａは、電子デバイス１０、二次電池７３、発電素子７５、及び回路素子８３の各々を所定の回路パターンで互いに電気的に接続する。
【０１５６】
以上により、本実施形態に係る電子ユニット９０の基本構造が完成する。
【０１５７】
この電子ユニット９０においては、発電素子７５で発電された電力が二次電池７３に蓄えられ、その二次電池７３の電力によって電子デバイス１０や回路素子８３が駆動する。これにより、環境中の熱から得られた電力によって電子デバイス１０がその環境中の音やガス等を検知することができるようになる。
【０１５８】
なお、電子ユニット９０の大きさは特に限定されないが、小型化と低コスト化の観点からこの例では電子ユニット９０の長さLを１cm以下にすると共に、樹脂層８５の表面８５ｘの表面積を１cm2以下とする。
【０１５９】
また、上記では電子ユニット９０に第１実施形態に係る電子デバイス１０を設けたが、これに代えて第２〜第４実施形態に係る電子デバイス４０、４３、４５のいずれかを電子ユニット９０に設けてもよい。
【０１６０】
（第７実施形態）
本実施形態では、第６実施形態で説明した電子ユニット９０を利用したセンサシステムについて説明する。
【０１６１】
図２７は、本実施形態に係るセンサシステムの機能ブロック図である。
【０１６２】
図２７に示すように、このセンサシステム１０５は、複数の第１の子機１０６と、親機１３０と、サーバ１４０とを有する。
【０１６３】
これらのうち、第１の子機１０６としては、例えば第６実施形態の電子ユニット９０（図２６（ｂ）参照）を使用し得る。第１の子機１０６は、前述の電子デバイス１０、二次電池７３、発電素子７５、電力制御回路１１０、演算素子１１１、送信回路１１２、受信回路１１５、及びアンテナ１１３を有する。
【０１６４】
電力制御回路１１０、演算素子１１１、送信回路１１２、及び受信回路１１５の各々は、第６実施形態の回路素子８３（図２６（ｂ）参照）の一例であって、二次電池７３や発電素子７５と共に樹脂層８５で封止される。
【０１６５】
電力制御回路１１０は、発電素子７５で発電された電力で二次電池７３を充電したり、二次電池７３を放電してその電力を演算素子１１１に供給する充放電コントローラとしての機能を有する。
【０１６６】
なお、電力制御回路１１０、演算素子１１１、送信回路１１２、及びアンテナ１１３、及び受信回路１１５は、上記の二次電池７３から得られた電力を動力源として駆動する。
【０１６７】
また、電子デバイス１０は、環境中における音とガスとを検知し、その検出結果を音情報Ssやガス情報Sgとして出力する。
【０１６８】
演算素子１１１は、例えば上記の音情報Ssやガス情報Sgをデジタル化して後段の送信回路１１２に出力する。なお、デジタル化された各情報Ss、Sgに対して演算素子１１１が暗号化を行ってもよい。
【０１６９】
更に、演算素子１１１は、複数の第１の子機１０６の各々を識別するための識別子を各情報Ss、Sgに付与する機能も有する。
【０１７０】
そして、演算素子１１１から各情報Ss、Sgを受けた送信回路１１２はそれらの情報Ss、Sgを無線変調してアンテナ１１３に出力し、アンテナ１１３から各情報Ss、Sgが無線送信される。
【０１７１】
一方、親機１３０は、受信回路１３１、送信回路１３２、アンテナ１３３、記憶素子１３４、演算素子１３５、及び送受信回路１３６を有する。
【０１７２】
アンテナ１３３は、子機１０６のアンテナ１１３から無線送信された各情報Ss、Sgを受信し、それらの情報Ss、Sgを後段の受信回路１３１に出力する。受信回路１３１は、無線変調されている各情報Ss、Sgを復調して演算素子１３５に出力する。
【０１７３】
演算素子１３５は、暗号化されている各情報Ss、Sgを復号したり、子機１０６を識別するために各情報Ss、Sgに付与されている識別子に基づき、各情報Ss、Sgがどの子機１０６から無線送信されたものなのかを識別する。
【０１７４】
なお、演算素子１３５が所定のタイミングで指示信号SIを生成し、その指示信号SIを送信回路１３２が無線変調してアンテナ１３３から無線送信するようにしてもよい。この場合は、演算素子１１１は、指示信号SIを受けたときのみ電子デバイス１０から各情報Ss、Sgを取得することになる。
【０１７５】
そして、演算素子１３５の制御下において、上記の識別子ごとに各情報Ss、Sgが記憶素子１３４に格納される。記憶素子１３４としては、DRAM (Dynamic Random Access Memory)、FeRAM (Ferroelectric Random Access Memory)、及びフラッシュメモリ等の任意の素子を使用し得る。
【０１７６】
また、演算素子１３５は、所定のタイミングで記憶素子１３４から各情報Ss、Sgを取り出し、これらの情報Ss、Sgを送受信回路１３６に出力する。送受信回路１３６は、記憶素子１３４から得られた各情報Ss、Sgを所定の通信プロトコルでサーバ１４０に送信する。送信の形態は、無線でも有線でもよい。
【０１７７】
サーバ１４０は、演算素子１４１、送受信回路１４２、記憶素子１４３、及び表示部１４４を有する。
【０１７８】
このうち、送受信回路１４２は、親機１３０から送信された各情報Ss、Sgを受け、これらの情報Ss、Sgを演算素子１４１に出力する。
【０１７９】
演算素子１４１は、保存のために各情報Ss、Sgを記憶素子１４３に格納したり、これらの情報Ss、Sgを適当な画像信号に変換してディスプレイ等の表示手段１４４に表示する。そして、ユーザは、表示手段１４４に表示された各情報Ss、Sg基づき、子機１０６が置かれている環境中におけるガスの濃度や音を知ることができる。
【０１８０】
このようなセンサシステム１０５によれば、環境中の温度を利用して発電素子７５が発電を行い、それにより得られた電力により電子デバイス１０を駆動するエネルギ・ハーベストを実現することができる。
【０１８１】
なお、上記した第１の子機１０６に代えて、図２８に示すような第２の子機１０７を用いてもよい。
【０１８２】
第２の子機１０７は、第１の子機１０６における受信回路１１５を省いたものであって、親機１３０の指示信号SIを受けずに自らの判断で電子デバイス１０から各情報Ss、Sgを取得する。
【０１８３】
更に、上記した第１の子機１０６と第２の子機１０７を混在させて環境中に敷設してもよい。
【０１８４】
図２９は、各子機１０６、１０７の敷設例について示す模式図である。
【０１８５】
図２９の例では、モータ等の機器１５０に複数の子機１０６、１０７を敷設する。この場合は、機器１５０の発熱を利用して発電素子７５が発電を行い、その電力により各子機１０６、１０７が動作する。
【０１８６】
そして、各子機１０６、１０７が備える電子デバイス１０により、機器１５０から発生するガスや異音をモニタすることができ、機器１５０が正常に稼働しているか否かをユーザが判断することができる。その結果、機器１５０が故障に至る前に機器１５０の修理や交換等の対応をすることができる。
【０１８７】
図３０は、各子機１０６、１０７の別の敷設例について示す模式図である。
【０１８８】
この例では、ビルや工場等の建物１５１に複数の子機１０６、１０７を敷設する。
【０１８９】
この場合は、電子デバイス１０が備えるマイクロフォンの機能を利用して、建物１５１内の異音をモニタすることができる。また、電子デバイス１０のガスセンサの機能により建物１５１内の異臭等もモニタすることができる。
【０１９０】
図３１は、各子機１０６、１０７の更に別の敷設例について示す模式図である。
【０１９１】
この例では、道路、橋、及びトンネル等の交通施設１５２に複数の子機１０６、１０７を敷設する。
【０１９２】
この場合も、電子デバイス１０のマイクロフォンやガスセンサの機能により、交通施設１５２の異音や異臭をモニタすることができる。
【０１９３】
以上、各実施形態について詳細に説明したが、各実施形態は上記に限定されない。例えば、上記ではマイクロフォンM（図１参照）で環境の音を検知したが、大気圧を測る圧力センサとしてマイクロフォンMを用いてもよい。
【０１９４】
以上説明した各実施形態に関し、更に以下の付記を開示する。
【０１９５】
（付記１）  マイクロフォンの振動電極と、
前記振動電極に対向し、外気が流通する孔を備えた前記マイクロフォンの固定電極と、
前記振動電極と前記固定電極との間に設けられたガス検知電極と、
を有することを特徴とする電子デバイス。
【０１９６】
（付記２）  第１のキャビティを備えた本体を更に有し、
前記振動電極によって前記第１のキャビティが塞がれたことを特徴とする付記１に記載の電子デバイス。
【０１９７】
（付記３）  前記ガス検知電極を加熱するヒータを更に有することを特徴とする付記１又は付記２に記載の電子デバイス。
【０１９８】
（付記４）  前記振動電極と前記固定電極との間に設けられ、前記振動電極及び前記固定電極と協働して第２のキャビティを形成するスペーサを更に有し、
前記第２のキャビティに前記ガス検知電極が表出し、
前記スペーサに、前記ヒータの熱を遮断する断熱構造が設けられたことを特徴とする付記３に記載の電子デバイス。
【０１９９】
（付記５）  前記断熱構造は、前記スペーサに設けられた空洞であることを特徴とする付記４に記載の電子デバイス。
【０２００】
（付記６）  前記ガス検知電極の表面に紫外線を照射する光源を更に有することを特徴とする付記１又は付記２に記載の電子デバイス。
【０２０１】
（付記７）  前記第１のキャビティにも前記ガス検知電極が設けられたことを特徴とする付記２に記載の電子デバイス。
【０２０２】
（付記８）  音とガスを検知して、音に係る第１の音情報とガスに係る第１のガス情報とを出力する第１の電子デバイスと、
音とガスを検知して、音に係る第２の音情報とガスに関する第２のガス情報とを出力する第２の電子デバイスと、
前記第１の音情報と前記第２の音情報との差を求めることにより、前記１の音情報と前記第２の音情報の各々に共通に含まれるノイズ成分をキャンセルする第１のノイズキャンセル回路と、
前記第１のガス情報と前記第２のガス情報との差を求めることにより、前記１のガス情報と前記第２のガス情報の各々に共通に含まれるノイズ成分をキャンセルする第２のノイズキャンセル回路と、
を有することを特徴とする電子機器。
【０２０３】
（付記９）  前記第１の電子デバイスと前記第２の電子デバイスの各々は、
マイクロフォンの振動電極と、
前記振動電極に対向し、外気が流通する孔を備えた前記マイクロフォンの固定電極と、
前記振動電極と前記固定電極との間に設けられたガス検知電極とを有することを特徴とする付記８に記載の電子機器。
【０２０４】
（付記１０）  前記第１の電子デバイスと前記第２の電子デバイスが、電話機、建物内、及び自動車のいずれかに設けられたことを特徴とする付記８又は付記９に記載の電子機器。
【０２０５】
（付記１１）  発電素子と、前記発電素子で発電された電力で駆動して環境に係る情報を取得する電子デバイスと、前記情報を送信する送信回路とを備えた電子ユニットを複数有し、
前記電子デバイスが、
マイクロフォンの振動電極と、
前記振動電極に対向し、外気が流通する孔を備えた前記マイクロフォンの固定電極と、
前記振動電極と前記固定電極との間に設けられたガス検知電極と、
を有することを特徴とするセンサシステム。
【０２０６】
（付記１２）  複数の前記電子ユニットの各々が、機器、建物、及び交通施設のいずれかに敷設されたことを特徴とする付記１０に記載のセンサシステム。
【符号の説明】
【０２０７】
１…本体、１ａ…第１のキャビティ、１ｂ…開口端、２…振動電極、３…スペーサ、３ａ…第２のキャビティ、３ｂ…空洞、３ｘ、３ｙ…第１及び第２の溝、４…ガス検知電極、５…固定電極、５ａ…孔、５ｘ〜５ｚ…第１〜第３の上部導電パッド、５ｗ…引出部、６…蓋体、６ａ…貫通孔、６ｂ…第１のコンタクトホール、７…ヒータ、１０、４０、４３、４５…電子デバイス、２１…第１の絶縁膜、２５…第２の絶縁膜、２６ｘ、２６ｙ…第１及び第２の端子、２６ｚ、２６ｗ…第１及び第２の引出電極、３１…第３の絶縁膜、３２…第４の絶縁膜、３３…第５の絶縁膜、３４ｘ〜３４ｚ…第１〜第３の下部導電パッド、３６…第６の絶縁膜、５０、６０…電子機器、５０ａ…受話器、５０ｂ…本体、５１…第１の電子デバイス、５２…第２の電子デバイス、５５…第１のノイズキャンセル回路、５６…第２のノイズキャンセル回路、６１…ハンドル、６２…ダッシュボード、７１…仮固定基板、７２…接着層、７３…二次電池、７３ａ…正極、７３ｂ…負極、７５…発電素子、７６…第１の電極、７７…第２の電極、７９…n型半導体、８０…p型半導体、８３…回路素子、８５…樹脂層、８５ｘ…下面、８７…導電層、８７ａ…配線層、９０…電子ユニット、１０６…第１の子機、１０７…第２の子機、１１０…電力制御回路、１１１…演算素子、１１２…送信回路、１１５…受信回路、１３０…親機、１３１…受信回路、１３２…送信回路、１３３…アンテナ、１３４…記憶素子、１３５…演算素子、１３６…送受信回路、１４０…サーバ、１４１…演算素子、１４２…送受信回路、１４３…記憶素子、１４４…表示部、１５０…機器、１５１…建物、１５２…交通施設。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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【図２５】
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【図２６】
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【図２７】
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【図２８】
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【図２９】
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【図３０】
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【図３１】
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