(57)【要約】【課題】電流検出システムの磁気センサと導電線との間隔のばらつきに対して検出値のばらつきが生じることを抑制する。【解決手段】電流検出システムは、２つの端子Ｅ，Ｆと、端子Ｅ，Ｆ間に分岐を持たない電流経路を構成する導体１０１と、導体１０１を流れる電流によって発生した磁界の強度を検出する磁気センサ１０２とを備える。導体１０１は、電流経路に含まれる異なる区間にそれぞれ対応する第１及び第２の導体部分を含む。第１及び第２の導体部分は互いに近接して互いに実質的に平行に設けられ、第１及び第２の導体部分は、導体１０１に電流が流れるとき、第１及び第２の導体部分に互いに逆向きの電流が流れるように設けられる。磁気センサ１０２は、導体１０１の第１及び第２の導体部分の間に配置される。【選択図】図１
2015034774.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
２つの端子と、
上記２つの端子間に分岐を持たない電流経路を構成する導体と、
上記導体を流れる電流によって発生した磁界の強度を検出する磁気センサとを備えた電流検出システムであって、
上記導体は、上記電流経路に含まれる異なる区間にそれぞれ対応する第１及び第２の導体部分を含み、上記第１及び第２の導体部分は互いに近接して互いに実質的に平行に設けられ、上記第１及び第２の導体部分は、上記導体に電流が流れるとき、上記第１及び第２の導体部分に互いに逆向きの電流が流れるように設けられ、
上記磁気センサは上記第１及び第２の導体部分の間に配置されたことを特徴とする電流検出システム。
【請求項２】
上記磁気センサは磁気抵抗素子を含むことを特徴とする請求項１記載の電流検出システム。
【請求項３】
上記磁気抵抗素子は、ＡＭＲ（Anisotropic Magnetoresistance）素子、ＧＭＲ（Giant Magnetoresistance）素子、又はＴＭＲ（Tunneling Magnetoresistance）素子であることを特徴とする請求項２記載の電流検出システム。
【請求項４】
上記磁気センサはブリッジ回路として構成されたことを特徴とする請求項１〜３のいずれか１つに記載の電流検出システム。
【請求項５】
電源装置からの電力供給を受けてバッテリに充電する充電制御装置において、上記充電制御装置は、
上記電源装置と上記バッテリとの間に分岐を持たない電流経路を構成する第１の区間を含む導体と、
上記導体の第１の区間を流れる電流によって発生した磁界の強度を検出する磁気センサとを備えた電流検出システムであって、
上記導体の第１の区間は、当該第１の区間に含まれる異なる部分区間にそれぞれ対応する第１及び第２の導体部分を含み、上記第１及び第２の導体部分は互いに近接して互いに実質的に平行に設けられ、上記第１及び第２の導体部分は、上記導体の第１の区間に電流が流れるとき、上記第１及び第２の導体部分に互いに逆向きの電流が流れるように設けられ、
上記磁気センサは上記第１及び第２の導体部分の間に配置され、
上記磁界の強度に基づいて上記バッテリに流れる電流の大きさを計算することを特徴とする充電制御装置。
【請求項６】
上記バッテリに印加される電圧を検出する電圧検出装置をさらに備えたことを特徴とする請求項５記載の充電制御装置。
【請求項７】
電流検出システムにおいて２つの端子間の導体に流れる電流の大きさを検出する電流検出方法において、
上記電流検出システムは、
上記２つの端子間に分岐を持たない電流経路を構成する導体と、
上記導体を流れる電流によって発生した磁界の強度を検出する磁気センサとを備え、
上記導体は、上記電流経路に含まれる異なる区間にそれぞれ対応する第１及び第２の導体部分を含み、上記第１及び第２の導体部分は互いに近接して互いに実質的に平行に設けられ、上記第１及び第２の導体部分は、上記導体に電流が流れるとき、上記第１及び第２の導体部分に互いに逆向きの電流が流れるように設けられ、
上記磁気センサは上記第１及び第２の導体部分の間に配置され、
上記電流検出方法は、
上記電流検出システムにより上記２つの端子間の導体に流れる電流によって発生した磁界の強度を検出するステップと、
上記磁界の強度に基づいて上記導体を流れる電流の大きさを計算するステップとを含む
ことを特徴とする電流検出方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、磁気センサを用いた電流検出システム、電流検出方法、及び充電制御装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
磁気センサを用いた電流検出システムが知られている。磁気センサは、例えば、ホール素子及び磁気抵抗素子（ＡＭＲ（Anisotropic Magnetoresistance）素子、ＧＭＲ（Giant Magnetoresistance）素子、ＴＭＲ（Tunneling Magnetoresistance）素子、など）を含む。このような電流検出システムは、測定すべき電流が流れる導電線の近傍に配置され、その導電線に流れる電流によって発生する磁界の強度を検出する。
【０００３】
磁気センサを用いた電流検出システムとして、例えば、特許文献１〜３の発明が知られている。例えば、特許文献１によれば、導電線の近傍にホール素子が配置され、導電線を流れる電流により、ホール素子の最大応答軸に実質的に整列した方向に磁場が発生する。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかし、従来、磁気センサを用いた電流検出システムにおいて導電線と磁気センサとの間隔にばらつきがあると、導電線で発生して磁気センサに到達する磁界の磁束密度にもばらつきが生じる。これにより、電流検出システムの検出結果にばらつきを発生させ、精度を悪化させる。このため、高精度の電流検出システムを実現するためには、導電線と磁気センサとの間隔を一定に保って製造する高度な製造技術及び製造装置が必要となる。精度を確保するための補正を実施しようとすると、電流検出システムに補正機能の追加すること、及び、製造工程に補正工程を追加することが必要となり、コストが増大する。
【０００５】
本発明の目的は、導電線と磁気センサとの間隔のばらつきに対して検出値のばらつきが生じることを抑制することができる電流検出システムを提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明の態様に係る電流検出システムによれば、
２つの端子と、
上記２つの端子間に分岐を持たない電流経路を構成する導体と、
上記導体を流れる電流によって発生した磁界の強度を検出する磁気センサとを備えた電流検出システムであって、
上記導体は、上記電流経路に含まれる異なる区間にそれぞれ対応する第１及び第２の導体部分を含み、上記第１及び第２の導体部分は互いに近接して互いに実質的に平行に設けられ、上記第１及び第２の導体部分は、上記導体に電流が流れるとき、上記第１及び第２の導体部分に互いに逆向きの電流が流れるように設けられ、
上記磁気センサは上記第１及び第２の導体部分の間に配置されたことを特徴とする。
【発明の効果】
【０００７】
本発明の電流検出システムによれば、導電線と磁気センサとの間隔のばらつきに対して検出値のばらつきが生じることを抑制することができる。
【図面の簡単な説明】
【０００８】
【図１】本発明の第１の実施形態に係る電流検出システムの構成を示す斜視図である。
【図２】磁気抵抗素子のブリッジ回路として構成された磁気センサの構成を示す等価回路図である。
【図３】本発明の第１の実施形態の変形例に係る電流検出システムの構成を示す斜視図である。
【図４】１つの導電線１に電流を流したときに発生する磁束について説明する図である。
【図５】図４の導電線１からの距離に対する磁束密度の関係を示すグラフである。
【図６】２つの導電線２，３に流れる電流を検出する場合について説明する図である。
【図７】図６の導電線２，３に電流を流したときに発生する磁束について説明する図である。
【図８】図７の導電線２，３間の位置に対する磁束密度の関係を示すグラフである。
【図９】本発明の第２の実施形態に係る充電システムの構成を示すブロック図である。
【発明を実施するための形態】
【０００９】
以下、図面を参照して、本発明の実施形態について説明する。
【００１０】
第１の実施形態．
図１は、本発明の第１の実施形態に係る電流検出システムの構成を示す斜視図である。電流検出システムは、端子Ｅ，Ｆ間に分岐を持たない電流経路を構成する導体１０１と、導体１０１を流れる電流によって発生した磁界の強度を検出する磁気センサ１０２とを備えている。導体１０１は、電流経路に含まれる異なる区間にそれぞれ対応する第１及び第２の導体部分を含む。第１及び第２の導体部分は互いに近接して互いに実質的に平行に設けられ、第１及び第２の導体部分は、導体１０１に電流が流れるとき、第１及び第２の導体部分に互いに逆向きの電流が流れるように設けられる。導体１０１は、例えば、図１に示すように、ストリップ状の導体板をＵ字形に形成して構成される。磁気センサ１０２は、導体１０１の第１及び第２の導体部分の間に配置されている。磁気センサ１０２は、例えば、ホール素子、又は、ＡＭＲ素子、ＧＭＲ素子、もしくはＴＭＲ素子などの磁気抵抗素子を含む。導体１０１の端子Ｅから端子Ｆに向かって電流を流すと、電流によって発生する磁力線は、導体１０１の第１及び第２の導体部分の間（磁気センサ１０２が設けられた位置）では同じ方向になるので、２つの導体部分によって発生した磁界が互いに加算される。磁気センサ１０２は、加算された磁界の磁束密度を検出する。磁気センサ１０２は、信号線１０３，１０４を介して外部の信号処理回路（図示せず）に接続される。磁気センサ１０２が磁気抵抗素子である場合、導体１０１を流れる電流によって発生した磁界の強度が変化したとき、磁気抵抗素子の抵抗値が変化する。外部の信号処理回路は、磁気抵抗素子の抵抗値の変化を、信号線１０３，１０４を介して電圧又は電流の変化として検出し、この検出結果に基づいて導体１０１を流れる電流の大きさを計算する。
【００１１】
次に、図４〜図８を参照して、図１の電流検出システムの動作原理について説明する。
【００１２】
図４は、１つの導電線１に電流を流したときに発生する磁束について説明する図である。図４は、導電線（導電体でできた配線；電線、導線、プリント回路基板の導体パターン、など）１に電流を流したときに、導電線１の長手方向に垂直な平面に発生している磁束の状態を表す。導電線１に電流を流すと、アンペールの右ねじの法則に従って導電線１の周囲に磁場が発生する。中央の長方形が導電線１の断面であり、これに垂直な方向に向かって電流が流れている。導電線１を取り囲むように描かれている複数の同心円上の線が磁界を表し、線の間隔は磁束密度を表す。すなわち、線の間隔が狭いと磁束密度が大きく、線の間隔が広いと磁束密度が小さい。１つの導電線１に電流を流すと、磁界の強度（磁束密度と同義）は、導電線１からの距離の自乗に反比例する。
【００１３】
図５は、図４の導電線１からの距離に対する磁束密度の関係を示すグラフである。図５のグラフは、図４の導電線１の表面（Ｃ点）を距離０ｍｍとし、導電線１から４ｍｍ離れた位置（Ｄ点）まで磁界強度を示す。図５からわかるように、導電線１から離れるにつれて磁束密度は急激に低下する。
【００１４】
図６は、２つの導電線２，３に流れる電流を検出する場合について説明する図である。
導電線２，３は互いに近接して互いに実質的に平行に設けられ、導電線２，３には互いに逆向きの電流Ｉ１，Ｉ２が流れる。電流Ｉ１，Ｉ２の大きさは同じである。
【００１５】
図７は、図６の導電線２，３に電流を流したときに発生する磁束について説明する図である。図７は、導電線２，３に電流を流したときに、図６のＷＸＹＺ平面に発生している磁束の状態を表す。導電線２，３に電流を流すと、アンペールの右ねじの法則に従って導電線２，３の周囲に磁場が発生する。電流Ｉ１，Ｉ２のが互いに逆方向に流れるので、導電線２，３の間の磁束の向きは一致する。従って、導電線２を流れる電流によって発生する磁束と導電線３を流れる電流によって発生する磁束とは互いに加算され、磁束密度は、１つの導電線１に電流が流れる場合（図４）よりも大きくなっている。
【００１６】
図８は、図７の導電線２，３間の位置に対する磁束密度の関係を示すグラフである。図７の導電線２，３が互いに対向する面のうち、導電線２の表面（Ａ点）を０ｍｍとしたとき、導電線３の表面（Ｂ点）は、導電線２の表面から４ｍｍの距離にあるとする。図８からわかるように、磁束密度が最低になるのはＡ点及びＢ点の中間（距離２ｍｍ）の位置であり、この位置から導電線２又は３に近づくにつれて磁束密度が増加していく。図８では範囲外になるので図示していないが、磁束密度は、導電線２の表面（Ａ点）及び導電線３の表面（Ｂ点）の付近において最大になる。
【００１７】
以下、１つの導電線１に電流を流す場合（図５）と、互いに近接して互いに実質的に平行に設けられた２つの導電線２，３に互いに逆向きの電流を流す場合（図８）、すなわち図１の電流検出システムの場合とを比較する。
【００１８】
１つの導電線１に電流を流す場合には、前述のように、磁束密度は、導電線１からの距離の自乗に反比例して低下する。ここで、例えば、導電線１の表面から２ｍｍの位置に磁気センサを配置した電流検出システムを想定する。これは、特許文献１の電流検出システムに相当する。この場合、図５によれば、磁気センサは約１．２５μＴの磁界（距離２ｍｍのとき）の中にある。ところで、実際に電流検出システムを量産するときには、磁気センサを導電線１の表面から正確に２ｍｍの位置に配置することは不可能であり、必ず、所定の製造ばらつきが生じる。例えば、導電線１の表面から磁気センサまでの距離のばらつきが１．５ｍｍ〜２．５ｍｍ（２．０ｍｍ±０．５）あると仮定すると、距離１．５ｍｍのとき、磁束密度は最大値２．２μＴになり、距離２．５ｍｍのとき、磁束密度は最小値０．８μＴになる。従って、磁束密度の理想値１．２５μＴ（距離２ｍｍのとき）と比較すると、磁束密度は、その最大値のときに＋７６％変化し、その最小値のときに−３６％変化する。また、磁束密度の最大値は、磁束密度の最小値の２．７５倍である。
【００１９】
一方、互いに近接して互いに実質的に平行に設けられた２つの導電線２，３に互いに逆向きの電流を流す場合には、前述のように、磁束密度は、導電線２，３の中間の位置において最小になる。図８によれば、導電線２，３の中間の位置（距離２ｍｍのとき）において、磁気センサは約２．５μＴの磁界の中にある。例えば、導電線２，３間における磁気センサの位置のばらつきが距離１．５ｍｍ〜２．５ｍｍ（２．０ｍｍ±０．５）あると仮定する。この場合、距離１．５ｍｍ及び２．５ｍｍのとき、磁束密度は最大値３．０μＴになり、距離２．０ｍｍのとき、磁束密度は最小値２．５μＴになる。従って、磁束密度の理想値２．５μＴ（距離２ｍｍのとき）と比較すると、磁束密度は、その最大値のときに＋２０％変化し、その最小値のときに０％の変化になる。これらの変化率は、１つの導電線１に電流を流す場合（＋７６％及び−３６％）よりも大幅に少ない。また、磁束密度の最大値は、磁束密度の最小値の１．２倍である。従って、導電線２，３間における磁気センサの位置のばらつきにより磁束密度が変動する範囲もまた、１つの導電線１に電流を流す場合（磁束密度の最大値が磁束密度の最小値の２．７５倍）よりも大幅に小さい。この磁束密度の変動を補正するためには、１つの導電線１に電流を流す場合には、理想値の−３６％〜＋７６％にわたって補正可能でなければならないのに対して、図１の電流検出システムの場合では、０％〜＋２０％にわたって補正可能であれば十分である。従って、図１の電流検出システムによれば、補正回路の規模の縮小、補正精度の向上、及び製造コストの削減が見込めるという利点がある。
【００２０】
図１の電流検出システムは、導体１０１における電流が往復する２つの導体部分の間に磁気センサ１０２を配置したことを特徴とする。電流が逆方向に流れる２つの導体部分の中間に磁気センサ１０２を配置すると、磁気センサ１０２の位置の誤差に起因して生じる磁束密度の誤差を小さくすることができる。これにより、導体１０１と磁気センサ１０２との間隔がばらついても検出結果のばらつきが生じにくい電流検出システムを実現できる。
【００２１】
図１の電流検出システムにおいて、磁気センサ１０２は、樹脂又はプラスチックなどにより導体１０１の第１及び第２の導体部分の間に固定されてもよい。これにより、電流検出システムは１つの部品として取り扱いやすくなる。
【００２２】
図１の電流検出システムにおいて、磁気センサ１０２が間に設けられる導体１０１の２つの導体部分は、完全な平行でなくてもよい。２つの導体部分が互いに例えば１０°の角度を有して設けられていても、図８の特性に大きな影響を与えることはなく、従って、電流検出システムの校正により２つの導体部分の間の角度の影響を除去することができる。
【００２３】
図２は、磁気抵抗素子のブリッジ回路として構成された磁気センサの構成を示す等価回路図である。磁気センサは、磁気抵抗素子のブリッジ回路として構成されてもよい。図２の磁気センサ１１２は、磁気抵抗素子Ｒ１〜Ｒ４のブリッジ回路として構成され、信号線１１３〜１１６を介して外部の信号処理回路（図示せず）に接続される。磁気抵抗素子Ｒ１〜Ｒ４は、例えば、ＡＭＲ素子、ＧＭＲ素子、又はＴＭＲ素子である。磁気抵抗素子Ｒ１〜Ｒ４は、それぞれ、矢印の向きの磁場の強弱に応じて増減する抵抗値を有する。従って、例えば図２において右向きの磁場が増大するとき、磁気抵抗素子Ｒ１，Ｒ３の抵抗値は増大し、磁気抵抗素子Ｒ２，Ｒ４の抵抗値は減少する。従って、信号線１１４，１１６を介して電圧を印加したとき、信号線１１３，１１５における電圧は、磁場の強度の変化に応じて敏感に変化する。さらに、信号線１１３，１１５における電圧には、互いに逆の変化が生じる。このため、信号線１１３，１１５における電圧の差を計算することにより、磁場の強度の変化を高い感度で検出することができる。
【００２４】
図３は、本発明の第１の実施形態の変形例に係る電流検出システムの構成を示す斜視図である。電流検出システムは、端子Ｃ１，Ｃ２間に分岐を持たない電流経路を構成する導体１１１と、導体１１１を流れる電流によって発生した磁界の強度を検出する磁気センサ１１２とを備えている。導体１１１は、導体１１１ａ，１１１ｂを含む。導体１１１ａは、例えば、エッチング又はパンチングされた導体板として形成される。導体１１１ｂは、その一部が導体１１１ａに近接して実質的に平行に設けられるように、所定の３次元形状を有して形成される。導体１１１ａの一端には端子Ｃ２が設けられ、導体１１１ｂの一端には端子Ｃ１が設けられ、導体１１１ａ，１１１ｂの他端は互いに電気的に接続される。導体１１１ａの一部及び導体１１１ｂの一部は、導体１１１の電流経路に含まれる異なる区間にそれぞれ対応する。導体１１１ａの一部及び導体１１１ｂの一部は互いに近接して互いに実質的に平行に設けられ、導体１１１ａ，１１１ｂは、導体１１１に電流が流れるとき、導体１１１ａの一部及び導体１１１ｂの一部に互いに逆向きの電流が流れるように設けられる。磁気センサ１１２は、導体１１１ａ，１１１ｂの間に配置され、例えば、導体１１１ａの上に配置される。磁気センサ１１２は、例えば図２の磁気センサ１１２であり、信号線１１３〜１１６を介して端子Ｓ１〜Ｓ４に接続されている。信号線１１３〜１１６は、例えば、磁気センサ１１２の端子（図示せず）と、端子Ｓ１〜Ｓ４とをボンディングにより接続する導電性ワイヤである。端子Ｓ１〜Ｓ４は、例えば、エッチング又はパンチングされた導体板として形成される。端子Ｓ１〜Ｓ４は、外部の信号処理回路（図示せず）に接続される。外部の信号処理回路は、導体１１１を流れる電流によって発生した磁界の強度の変化を検出し、この検出結果に基づいて導体１１１を流れる電流の大きさを計算する。
【００２５】
図３の電流検出システムによれば、図１の電流検出システムと同様に、導体１１１と磁気センサ１１２との間隔がばらついても検出結果のばらつきが生じにくい電流検出システムを実現できる。
【００２６】
図３の電流検出システムは、広く普及している集積回路パッケージと同様に、磁気センサ１１２を樹脂等で充填したりモールド処理をしたりしてもよい。これにより、電流検出システムは１つの部品として取り扱いやすくなる。導体１１１ａ及び端子Ｓ１〜Ｓ４は、半導体パッケージのリードフレームと同様のものである。
【００２７】
図３の電流検出システムにおいて、４つの信号線１１３〜１１６を有する電流センサ１１２に代えて、図１の２つの信号線１０３，１０４を有する電流センサ１０２を用いてもよい。
【００２８】
第２の実施形態．
図９は、本発明の第２の実施形態に係る充電システムの構成を示すブロック図である。図９の充電システムは、電源装置２０１、充電制御装置２０２、及びバッテリ２０３を含む。充電制御装置２０２は、電源装置２０１からの電力供給を受けてバッテリ２０３に充電する。充電制御装置２０２は、導体１０１及び磁気センサ１０２を備えた電流検出システムを含み、バッテリ２０３に流れる電流Ｉｄｅｔを検出する。さらに、充電制御装置２０２は、バッテリ２０３に印加される電圧Ｖｄｅｔを検出する。充電制御装置２０２は、検出された電流Ｉｄｅｔ及び電圧Ｖｄｅｔに基づいて、バッテリ２０３に出力する適切な電流及び電圧を決定する。充電制御装置２０２は、図１の電流検出システムと同様に構成された電流検出システムを用いることにより、バッテリ２０３に流れる電流Ｉｄｅｔ及びバッテリ２０３に充電された電力量を正確に検出することができる。
【００２９】
本発明の態様に係る電流検出システム、電流検出方法、及び充電制御装置は、以下の構成を備えたことを特徴とする。
【００３０】
本発明の第１の態様に係る電流検出システムによれば、
２つの端子と、
上記２つの端子間に分岐を持たない電流経路を構成する導体と、
上記導体を流れる電流によって発生した磁界の強度を検出する磁気センサとを備えた電流検出システムであって、
上記導体は、上記電流経路に含まれる異なる区間にそれぞれ対応する第１及び第２の導体部分を含み、上記第１及び第２の導体部分は互いに近接して互いに実質的に平行に設けられ、上記第１及び第２の導体部分は、上記導体に電流が流れるとき、上記第１及び第２の導体部分に互いに逆向きの電流が流れるように設けられ、
上記磁気センサは上記第１及び第２の導体部分の間に配置されたことを特徴とする。
【００３１】
本発明の第２の態様に係る電流検出システムによれば、第１の態様に係る電流検出システムにおいて、
上記磁気センサは磁気抵抗素子を含むことを特徴とする。
【００３２】
本発明の第３の態様に係る電流検出システムによれば、第２の態様に係る電流検出システムにおいて、
上記磁気抵抗素子は、ＡＭＲ（Anisotropic Magnetoresistance）素子、ＧＭＲ（Giant Magnetoresistance）素子、又はＴＭＲ（Tunneling Magnetoresistance）素子であることを特徴とする。
【００３３】
本発明の第４の態様に係る電流検出システムによれば、第１〜第３のいずれかの態様に係る電流検出システムにおいて、
上記磁気センサはブリッジ回路として構成されたことを特徴とする。
【００３４】
本発明の第５の態様に係る充電制御装置によれば、
電源装置からの電力供給を受けてバッテリに充電する充電制御装置において、上記充電制御装置は、
上記電源装置と上記バッテリとの間に分岐を持たない電流経路を構成する第１の区間を含む導体と、
上記導体の第１の区間を流れる電流によって発生した磁界の強度を検出する磁気センサとを備えた電流検出システムであって、
上記導体の第１の区間は、当該第１の区間に含まれる異なる部分区間にそれぞれ対応する第１及び第２の導体部分を含み、上記第１及び第２の導体部分は互いに近接して互いに実質的に平行に設けられ、上記第１及び第２の導体部分は、上記導体の第１の区間に電流が流れるとき、上記第１及び第２の導体部分に互いに逆向きの電流が流れるように設けられ、
上記磁気センサは上記第１及び第２の導体部分の間に配置され、
上記磁界の強度に基づいて上記バッテリに流れる電流の大きさを計算することを特徴とする。
【００３５】
本発明の第６の態様に係る充電制御装置によれば、
上記バッテリに印加される電圧を検出する電圧検出装置をさらに備えたことを特徴とする。
【００３６】
本発明の第７の態様に係る電流検出方法によれば、
電流検出システムにおいて２つの端子間の導体に流れる電流の大きさを検出する電流検出方法において、
上記電流検出システムは、
上記２つの端子間に分岐を持たない電流経路を構成する導体と、
上記導体を流れる電流によって発生した磁界の強度を検出する磁気センサとを備え、
上記導体は、上記電流経路に含まれる異なる区間にそれぞれ対応する第１及び第２の導体部分を含み、上記第１及び第２の導体部分は互いに近接して互いに実質的に平行に設けられ、上記第１及び第２の導体部分は、上記導体に電流が流れるとき、上記第１及び第２の導体部分に互いに逆向きの電流が流れるように設けられ、
上記磁気センサは上記第１及び第２の導体部分の間に配置され、
上記電流検出方法は、
上記電流検出システムにより上記２つの端子間の導体に流れる電流によって発生した磁界の強度を検出するステップと、
上記磁界の強度に基づいて上記導体を流れる電流の大きさを計算するステップとを含む
ことを特徴とする。
【符号の説明】
【００３７】
１０１，１１１，１１１ａ，１１１ｂ…導体、
１０２，１１２…磁気センサ、
１０３，１０４，１１３〜１１６…信号線、
２０１…電源装置、
２０２…充電制御装置、
２０３…バッテリ、
Ｃ１，Ｃ２，Ｓ１〜Ｓ４…端子、
Ｒ１〜Ｒ４…磁気抵抗素子。
【先行技術文献】
【特許文献】
【００３８】
【特許文献１】特開２０１１−０６９８３７号公報
【特許文献２】特許第４５７９５３８号公報
【特許文献３】特開２００３−３２９７４９号公報
【図１】
2015034774.tif 000003
【図２】
2015034774.tif 000004
【図３】
2015034774.tif 000005
【図４】
2015034774.tif 000006
【図５】
2015034774.tif 000007
【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【手続補正書】
【提出日】平成25年9月25日(2013.9.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図９】
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