(57)【要約】【課題】高品質且つ大型の１３族窒化物単結晶を得ることができるようにする。【解決手段】本発明に係る１３族窒化物結晶の製造方法はフラックス法により１３族窒化物結晶５を製造するものであって、反応容器１３内にアルカリ金属又はアルカリ土類金属及び１３族元素を含む混合融液６と種結晶７とを収容する工程と、反応容器１３を回転させることにより混合融液６を撹拌する工程とを含む。種結晶７は反応容器１３の中心軸上に設置される。反応容器１３は内部に混合融液６を撹拌するための構造体１４を備える。構造体１４は種結晶７の位置を基準として点対称に設置される。【選択図】図２
2015034105.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
フラックス法により１３族窒化物結晶を製造する１３族窒化物結晶の製造方法であって、
反応容器内にアルカリ金属又はアルカリ土類金属及び１３族元素を含む混合融液と種結晶とを収容する工程と、
前記反応容器を回転させることにより前記混合融液を撹拌する工程と
を含み、
前記種結晶は前記反応容器の中心軸上に設置され、
前記反応容器は内部に前記混合融液を撹拌するための構造体を備え、
前記構造体は前記種結晶の位置を基準として点対称に設置されている
１３族窒化物結晶の製造方法。
【請求項２】
前記種結晶の主成長面は前記反応容器の外周方向を向いている
請求項１に記載の１３族窒化物結晶の製造方法。
【請求項３】
前記種結晶の特定の結晶軸の延長線上に、前記構造体が備えられていることを特徴とする請求項１又は２に記載の１３族窒化物結晶の製造方法。
【請求項４】
前記構造体は前記混合融液が前記反応容器の外周側から前記主成長面に向かって流れるように設置される
請求項１〜３のいずれか１項に記載の１３族窒化物結晶の製造方法。
【請求項５】
前記構造体の一部が前記反応容器に接している
請求項１〜４のいずれか１項に記載の１３族窒化物結晶の製造方法。
【請求項６】
前記種結晶は柱状である
請求項１〜５のいずれか１項に記載の１３族窒化物結晶の製造方法。
【請求項７】
前記反応容器を回転させる回転機構の回転軸と前記中心軸とが一致している
請求項１〜６のいずれか１項に記載の１３族窒化物結晶の製造方法。
【請求項８】
前記反応容器は回転及び停止を繰り返すように回転する
請求項１〜７のいずれか１項に記載の１３族窒化物結晶の製造方法。
【請求項９】
前記反応容器は回転及び停止した後、停止前の回転方向とは逆方向に回転する
請求項８に記載の１３族窒化物結晶の製造方法。
【請求項１０】
複数の前記反応容器がそれらの前記中心軸と前記回転軸とが一致するように設置されている
請求項７〜９のいずれか１項に記載の１３族窒化物結晶の製造方法。
【請求項１１】
請求項１〜１０のいずれか１項に記載の１３族窒化物結晶の製造方法を利用して１３族窒化物結晶を製造する１３族窒化物結晶の製造装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、１３族窒化物結晶の製造方法及び製造装置に関する。特に、窒化ガリウム、窒化アルミニウム等の１３族窒化物単結晶を製造するための技術に関する。
【背景技術】
【０００２】
１３族窒化物結晶を製造する方法として、フラックス法が知られている。フラックス法とは、アルカリ金属又はアルカリ土類金属及び１３族金属を含む混合融液（フラックス）に窒素ガス等の原料ガスを溶解して過飽和状態にすることにより、混合融液中で自発核を成長させる、あるいは種結晶を核として１３族窒化物結晶を成長させる方法である。
【０００３】
フラックス法においては、原料ガスが混合融液と原料ガスとの気液界面から混合融液中に溶解するため、混合融液中の溶質（窒素）濃度は気液界面近傍で高くなりやすく、混合融液中に溶質濃度分布が生じやすい。このような溶質濃度分布は、得られる結晶の品質を低下させる原因となる。
【０００４】
混合融液中の溶質濃度分布を小さくする方法として、混合融液を揺動や回転により攪拌する方法が知られている（特許文献１，２）。また、混合融液中にじゃま板、プロペラ等の構造物を設置し、これらを回転させることで混合融液を撹拌する技術も開示されている。例えば特許文献３には、反応容器内部にじゃま板等を設置し、気液界面から原料内部に向かって流れが生じるように混合融液を撹拌する方法が開示されている。特許文献４には、反応容器内に種結晶を保持する種結晶ホルダを設け、これを回転させる方法が開示されている。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、フラックス法を用いて種結晶から１３族窒化物結晶を結晶成長させる場合、結晶成長が進行して結晶が大型化することで、結晶自体もじゃま板等と同様の効果を持つようになり、反応容器の回転と共に混合融液を撹拌するようになる。そのため、じゃま板と種結晶の設置場所によっては、混合融液内の流れに乱れが生じ、１３族窒化物結晶が多結晶化したり、雑結晶が析出したりする場合がある。
【０００６】
ここで、特許文献１，３のように結晶の成長時間を数時間から数十時間程度と想定している場合には、結晶サイズは比較的小さく、上述したような成長した結晶自体の撹拌効果による悪影響は比較的小さいといえる。しかし、近年、高品質且つ大型の１３族窒化物単結晶に対するニーズが増加しており、このようなニーズに応えるためには、数１００時間以上にわたって安定した結晶成長を維持する必要がある。このような長時間にわたる結晶成長工程においては、結晶サイズが大きくなるため、上述したような成長した結晶自体の撹拌効果による悪影響が大きくなる。従って、上記のような従来の方法では高品質且つ大型の結晶を製造することは極めて困難である。
【０００７】
本発明は、上記に鑑みてなされたものであって、高品質且つ大型の１３族窒化物単結晶を得ることができるようにすることを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
上述した課題を解決し、目的を達成するために、本発明は、フラックス法により１３族窒化物結晶を製造する１３族窒化物結晶の製造方法であって、反応容器内にアルカリ金属又はアルカリ土類金属及び１３族元素を含む混合融液と種結晶とを収容する工程と、前記反応容器を回転させることにより前記混合融液を撹拌する工程とを含み、前記種結晶は前記反応容器の中心軸上に設置され、前記反応容器は内部に前記混合融液を撹拌するための構造体を備え、前記構造体は前記種結晶の位置を基準として点対称に設置されていることを特徴とするものである。
【発明の効果】
【０００９】
本発明によれば、高品質且つ大型の１３族窒化物単結晶を得ることができる。
【図面の簡単な説明】
【００１０】
【図１】図１は、本実施の形態に係る１３族窒化物結晶の製造装置の全体的な構成を示す図である。
【図２】図２は、本実施の形態に係る耐圧容器の内部の構成を示す図である。
【図３】図３は、本実施の形態に係る種結晶の第１の例を示す図である。
【図４】図４は、本実施の形態に係る種結晶の第２の例を示す図である。
【図５】図５は、本実施の形態に係る種結晶の第３の例を示す図である。
【図６】図６は、本実施の形態に係る種結晶の第４の例を示す図である。
【図７】図７は、本実施の形態に係る種結晶の第５の例を示す図である。
【図８】図８は、本実施の形態に係る種結晶の第６の例を示す図である。
【図９】図９は、本実施の形態に係る種結晶及びバッフルの設置方法の第１の例を示す図である。
【図１０】図１０は、本実施の形態に係る種結晶及びバッフルの設置方法の第１の例を示す図であり、図９のＸ−Ｘ断面図である。
【図１１】図１１は、本実施の形態に係る種結晶及びバッフルの設置方法の第２の例を示す図である。
【図１２】図１２は、本実施の形態に係る種結晶及びバッフルの設置方法の第２の例を示す図であり、図１１のＸII−ＸII断面図である。
【図１３】図１３は、本実施の形態に係る種結晶及びバッフルの設置方法の第３の例を示す図である。
【図１４】図１４は、本実施の形態に係る種結晶及びバッフルの設置方法の第３の例を示す図であり、図１３のＸIV−ＸIV断面図である。
【図１５】図１５は、本実施の形態に係る種結晶及びバッフルの設置方法の第４の例を示す図である。
【図１６】図１６は、種結晶及びバッフルの設置方法の不適当な例を示す図である。
【図１７】図１７は、種結晶及びバッフルの設置方法の不適当な例を示す図であり、図１５のＸVI−ＸVI断面図である。
【図１８】図１８は、本実施の形態に係る回転制御の第１の例を示す図である。
【図１９】図１９は、本実施の形態に係る回転制御の第２の例を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００１１】
以下に添付図面を参照して、本発明の実施の形態を詳細に説明する。図１は、本実施の形態に係る１３族窒化物結晶の製造装置１の全体的な構成を示している。図２は、製造装置１の耐圧容器１１の内部の構成を示している。尚、図２の説明では便宜的に図１で示す耐圧容器１１の外部からガスを導入する配管３１、３２を省略している。
【００１２】
製造装置１はフラックス法により１３族窒化物結晶５を製造するための装置である。耐圧容器１１は例えばステンレスにより構成される。耐圧容器１１の内部には内部容器１２が設置されている。内部容器１２の内部には更に反応容器１３が収容されている。
【００１３】
反応容器１３は混合融液（フラックス）６及び種結晶７を保持し、１３族窒化物結晶５を結晶成長させるための容器である。反応容器１３の内部には混合融液６を撹拌するための構造物であるバッフル１４が設置されている（バッフル１４については後に詳述する）。
【００１４】
反応容器１３の材質は特に限定されるものではなく、ＢＮ焼結体、Ｐ−ＢＮ等の窒化物、アルミナ、ＹＡＧ等の酸化物、ＳｉＣ等の炭化物等を使用することができる。また、反応容器１３の内壁面、すなわち反応容器１３が混合融液６と接する部位は、混合融液６と反応し難い材質で構成されていることが望ましい。該材質の例としては、窒化ホウ素（ＢＮ）、パイロリティックＢＮ（Ｐ−ＢＮ）、窒化アルミニウム等の窒化物、アルミナ、イットリウム・アルミニウム・ガーネット（ＹＡＧ）等の酸化物、ステンレス鋼（ＳＵＳ）等が挙げられる。
【００１５】
混合融液６は、アルカリ金属又はアルカリ土類金属と１３族元素とを含む融液である。アルカリ金属としては、ナトリウム（Ｎａ）、リチウム（Ｌｉ）、及びカリウム（Ｋ）から選ばれる少なくとも１つが挙げられる。好ましくは、ナトリウム又はカリウムである。アルカリ土類金属としては、カルシウム（Ｃａ）、マグネシウム（Ｍｇ）、ストロンチウム（Ｓｒ）、及びバリウム（Ｂａ）から選ばれる少なくとも１つが挙げられる。１３族元素としては、ホウ素（Ｂ）、アルミニウム（Ａｌ）、ガリウム（Ｇａ）、インジウム（Ｉｎ）、及びタリウム（Ｔｌ）から選ばれる少なくとも１つが挙げられる。好ましくは、ガリウムである。代表的な混合融液６としては、Ｇａ−Ｎａ混合融液が挙げられる。
【００１６】
反応容器１３の内部には、種結晶７が混合融液６中に浸漬するように配置される。本実施の形態においては、種結晶７は反応容器１３の底部に固定された状態となっている。種結晶７とは、１３族窒化物結晶５の結晶成長の核となる窒化物結晶である（種結晶７については後に詳述する）。
【００１７】
内部容器１２は耐圧容器１１内のターンテーブル２１上に着脱可能に設置されている。ターンテーブル２１は回転軸２２に固定され、耐圧容器１１の外側にある回転機構１６により回転可能である。回転機構１６は、モータ等により回転軸２２を回転させるものである。回転軸２２の回転速度、回転方向等は、プログラムに従って動作するコンピュータ、各種論理回路等から構成される制御部により制御される（回転軸２２の制御については後に詳述する）。回転軸２２の回転に伴い内部容器１２、反応容器１３、バッフル１４等が回転する。尚、回転軸２２の回転に伴い回転する部材はこれらに限られるものではなく、例えば更にヒータ１５が回転してもよく、反応容器１３のみが回転してもよい。反応容器１３の回転に伴いバッフル１４が回転することにより、混合融液６が撹拌される。
【００１８】
耐圧容器１１の内部には、窒素を含む原料ガスが供給される。図１に示すように、耐圧容器１１の内部空間及び内部容器１２の内部空間には、それぞれ１３族窒化物結晶５の原料である窒素（Ｎ２）ガス及び全圧調整用の希釈ガスを供給する配管３１，３２が接続されている。配管３３は２つの配管３４，３５に分岐している。配管３４は窒素ガスが、配管３５は希釈ガスがそれぞれ供給出来るようになっている。配管３４，３５にはそれぞれバルブ３６，３７が設けられている。希釈ガスとしては、不活性ガスのアルゴン（Ａｒ）ガスを用いることが望ましいが、これに限定されず、ヘリウム（Ｈｅ）やネオン（Ｎｅ）等を用いてもよい。
【００１９】
窒素ガスは、ガスボンベ等から配管３４に流入し、圧力制御装置４１で圧力が調整された後、バルブ３６を介して配管３３に流入する。一方、希釈ガスは、ガスボンベ等から配管３５に流入し、圧力制御装置４２で圧力が調整された後、バルブ３７を介して配管３３に流入する。このようにして圧力が調整された窒素ガス及び希釈ガスは配管３３内で混合ガスとなる。
【００２０】
上記混合ガスは、配管３３からバルブ３８及び配管３１を経て耐圧容器１１の内部空間に供給されると共に、バルブ３９及び配管３２を経て内部容器１２の内部空間に供給される。内部容器１２の内部空間と反応容器１３の内部空間とは耐圧容器１１内で連通しており、同じ略同一雰囲気、略同一圧力となっている。内部容器１２は製造装置１から取り外すことが可能となっている。配管３１は配管３３とバルブ４０を介して外部につながっている。
【００２１】
配管３３には圧力計４５が設けられている。圧力計４５を監視することにより耐圧容器１１及び内部容器１２（反応容器１３）の内部空間の圧力を調整することができる。このように、窒素ガス及び希釈ガスの圧力をバルブ３６，３７と圧力制御装置４１，４２とにより調整することにより、反応容器１３内の窒素分圧を調整することができる。また、耐圧容器１１及び内部容器１２の全圧を調整できるので、内部容器１２内の全圧を高くして反応容器１３内の混合融液６（例えばナトリウム）の蒸発を抑制することができる。すなわち、窒化ガリウムの結晶成長条件に影響を与える窒素分圧と、混合融液６の蒸発に影響を与える全圧とを別々に制御することができる。勿論、希釈ガスを導入せずに窒素ガスのみを反応容器内に導入しても良い。尚、上記図１に示す製造装置１の全体構成は例示に過ぎず、反応容器１３内に窒素を含むガスを供給する機構等の変更は本発明の技術的範囲に影響を与えない。
【００２２】
また、図１に示すように、耐圧容器１１内の内部容器１２の外周及び底部の下にはヒータ１５が設置されている。ヒータ１５は内部容器１２及び反応容器１３を加熱し、混合融液６の温度を調整する。
【００２３】
反応容器１３に種結晶７、原料（アルカリ金属又はアルカリ土類金属及び１３族元素）、Ｃ等の添加剤、Ｇｅ等のドーパント等を投入する作業は、例えばアルゴンガスのような不活性ガス雰囲気のグローブボックス内に内部容器１２を入れた状態で行うとよい。また、この作業を内部容器１２に反応容器１３を入れた状態で行ってもよい。
【００２４】
尚、混合融液６に含まれる１３族元素とアルカリ金属とのモル比は、特に限定されるものではないが、１３族元素とアルカリ金属との総モル数に対するアルカリ金属のモル比を４０％〜９５％とすることが好ましい。
【００２５】
このように原料等を投入した後、ヒータ１５に通電して内部容器１２及び反応容器１３を結晶成長温度まで加熱すると、反応容器１２内で原料の１３族元素、アルカリ金属又はアルカリ土類金属、その他の添加物等が溶融し、混合融液６が生成する。この混合融液６に所定の窒素分圧の原料ガスを接触させることにより、混合融液６中に窒素が溶解する。このような混合融液６中に溶解している原料は種結晶７の表面に供給され、１３族窒化物結晶５が結晶成長していく。
【００２６】
このような結晶成長工程において、回転機構１６により反応容器１３及びバッフル１４を回転させ、混合融液６を撹拌することにより、混合融液６中の窒素濃度分布を均一に保つことができる。窒素濃度分布が均一な混合融液６中で長時間結晶成長させることにより、高品質且つ大型の１３族窒化物結晶５を製造することができる。
【００２７】
以下に、上記製造装置１及び製造方法に利用可能な種結晶７について説明する。図３〜図８は、それぞれ種結晶７の第１〜第６の例を示している。尚、これらの異なる例において同一又は同様の作用効果を奏する箇所については同一の符号を付してその説明を省略する場合がある。
【００２８】
図３及び図４に示す第１及び第２の例に係る種結晶７Ａ，７Ｂは、横断面六角形状の針状（柱状）結晶である（例えば特開２０１１−２１３５７９号公報参照）。種結晶７Ａ，７Ｂは６つの側面（｛１−１００｝面）５１及び６つの斜面（｛１−１０１｝面）５２を有する。種結晶７Ｂは更に上面（｛０００１｝面）５３を有する。各側面５１及び各斜面５２は１３族窒化物結晶の結晶成長工程における主成長面となる。主成長面とは、１３族窒化物結晶が等方的に成長していく主な面である。側面５１及び斜面５２（種結晶７Ａ，７Ｂの主成長面）は反応容器１３の外周方向を向いている。すなわち、側面５１は反応容器１３の外周面に対して縦方向に略平行に対面しており、斜面５２は当該外周面に対して所定の角度を持って対面している。このように主成長面が反応容器１３の外周方向を向いている種結晶７Ａ，７Ｂは、本実施の形態に係る製造装置１及び製造方法に特に適している。後述するように、バッフル１４の撹拌効果により混合融液６中には反応容器１３の外周部から中心部（種結晶７の設置位置）へ向かう上昇流を含む安定した循環流が形成されるからである。
【００２９】
図５及び図６に示す第３及び第４の例に係る種結晶７Ｃ，７Ｄは、ピラミッド状結晶である。種結晶７Ｃ，７Ｄは６つの斜面（｛１−１０１｝面）５２を有する。種結晶７Ｄは更に上面（｛０００１｝面）５３を有する。各斜面５２は上記主成長面となり、反応容器１３の外周方向を向いている。すなわち、斜面５２は反応容器１３の外周面に対して所定の角度を持って対面している。このように、反応容器１３の外周面に対して平行に対面する主成長面を有さないが、当該外周面に対して所定の角度を持って対面する主成長面を有する種結晶７Ｃ，７Ｄも本実施の形態に係る製造装置１及び製造方法に適している。
【００３０】
図７に示す第５の例に係る種結晶７Ｅは円盤状結晶である。図８に示す第６の例に係る種結晶７Ｆは六角板状結晶である。種結晶７Ｅは曲面状の側面５５及び上面（｛０００１｝面）５６を有する。種結晶７Ｆは６つの側面（｛１−１００｝面）５７及び上面（｛０００１｝面）５８を有する。このような場合、上面５６，５８が主成長面となる。しかし、数１００時間以上にわたる結晶成長によりこれらの種結晶７Ｅ，７Ｆの厚さが増加すれば、成長した結晶が混合融液６の流れを乱す原因となることもある。従って、このように主成長面が外周方向を向いていない種結晶７Ｅ，７Ｆであっても本実施の形態に係る製造装置１及び製造方法に適用可能である。
【００３１】
以下に、種結晶７及びバッフル１４の設置方法について説明する。図９及び図１０は、種結晶７及びバッフル１４の設置方法の第１の例を示している。図１０は、図９のＸ−Ｘ断面図である。図１１及び図１２は、種結晶７及びバッフル１４の設置方法の第２の例を示している。図１２は、図１１のＸII−ＸII断面図である。図１３及び図１４は、種結晶７及びバッフル１４の設置方法の第３の例を示している。図１４は、図１３のＸIV−ＸIV断面図である。図１５は、種結晶７及びバッフル１４の設置方法の第４の例を示している。図１６及び図１７は、種結晶７及びバッフル１４の設置方法の不適当な例を示している。図１７は、図１６のＸVI−ＸVI断面図である。尚、これらの異なる例において同一又は同様の作用効果を奏する箇所については同一の符号を付してその説明を省略する場合がある。
【００３２】
図９及び図１０に示す設置方法の第１の例においては、種結晶７は反応容器１３の中心軸６１上に設置されている。種結晶７の周囲には６つの直方体形状のバッフル１４が設置されている。各バッフル１４は反応容器１３の底面に中心から放射状に立設された状態で固定されている。各バッフル１４は種結晶７のａ軸（［１１−２０］軸）６２の延長線上に設置され、種結晶７の位置（中心軸６１）を基準として点対称に設置されている。尚、上記中心軸６１上及びａ軸６２上という語句には、その近傍部が含まれるものとする。近傍部とは、中心軸６１又はａ軸６２から所定距離の範囲内であって、撹拌効果に実質的な影響がない範囲である。以下においても同様である。
【００３３】
上記構成の反応容器１３を回転させた後停止すると、混合融液６が慣性によりバッフル１４に衝突し、反応容器１３の外周部から中心部に向かって上昇流が発生する。このとき、バッフル１４が図１０に示すように設置されていることにより、混合融液６は反応容器１３の外周部から種結晶７の各主成長面６５に向かって導かれた後主成長面６５に沿って上昇流となる。これにより、溶質（溶解種）が各主成長面６５に均等且つ十分に供給され、結晶成長速度を速めることができ、且つ主成長面６５の均一性が高い結晶を得ることができる。また、結晶成長により徐々に結晶サイズを拡大したとしても、上記流れが変わることはないため、主成長面６５と垂直な面においても均一性の高い１３族窒化物結晶を得ることができる。
【００３４】
尚、バッフル１４の数は、混合融液６を各主成長面６５に沿って均等に流すために、主成長面６５の数に合わせることが好ましい。図３又は図４に示す種結晶７Ａ，７Ｂを用いる場合には、主成長面６５は側面５１（｛１−１００｝面）及び斜面５２（｛１−１０１｝面）であり、これらはそれぞれ６面ずつあることから、バッフル１４の数は６つであることが好ましい。
【００３５】
図１１及び図１２に示す設置方法の第２の例においては、各バッフル１４は種結晶７のａ軸６２の延長線に対して角度θだけ傾斜した状態で設置され、種結晶７の位置（中心軸６１）を基準として点対称に設置されている。その他の構成は上記図９及び図１０に示す第１の例と同様である。
【００３６】
上記構成によれば、反応容器１３を回転・停止させると、混合融液６は反応容器１３の外周部から中心部へ向かう際に主成長面６５に対して垂直の方向からやや傾いた角度で流れ、その後上昇流となって種結晶７に沿って流れる。このとき、混合融液６とバッフル１４とが衝突する角度が緩やかとなり、主成長面６５に沿って流れる混合融液６の流速が遅くなる。そのため、結晶成長速度が遅くなり、各バッフルを傾斜させない場合に比べ、高品質な１３族窒化物結晶５を成長させることができる。このようにバッフル１４と混合融液６とが衝突する角度を変えることで、主成長面６５に沿って流れる上昇流の速度を変えることができる。これにより、結晶成長速度を制御することが可能となり、高品質な１３族窒化物結晶５を製造することが可能となる。
【００３７】
図１３及び図１４に示す設置方法の第３の例においては、反応容器１３の中心軸６１上に２つの種結晶、すなわち下段の種結晶７−１と上段の種結晶７−２とが設置されている。上段の種結晶７−２は、対面する一対のバッフル１４Ａ，１４Ｂの間に架設された固定部材６８上に設置されている。各バッフル１４の上端部は上段の種結晶７−２の長手方向の中央部付近に達している。また、各バッフル１４の上端部と混合融液６との間には、気液界面付近の流れの乱れを抑制するために所定の距離が確保されている。
【００３８】
このように複数の種結晶７−１，７−２を反応容器１３の中心軸６１上に設置すれば、１本の種結晶７を用いる場合と同様に複数の種結晶７−１，７−２に対して同時に結晶成長させることができる。これにより、高品質且つ大型の１３族窒化物結晶を複数同時に製造することが可能となる。
【００３９】
図１５に示す設置方法の第４の例においては、上記第３の例に係る反応容器１３−１，１３−２，１３−３が３つ積み重ねられている。各反応容器１３−１，１３−２，１３−３はそれらの中心軸６１と回転軸２２（図１及び図２参照）とが一致するように積み重ねられており、回転軸２２の回転に伴い全ての反応容器１３−１，１３−２，１３−３が同時に回転する。
【００４０】
このように複数の反応容器１３−１，１３−２，１３−３を同軸上に設置したことにより、１つの反応容器１３を用いた場合と同様に、全ての反応容器１３−１，１３−２，１３−３内の全ての主成長面６５に同時に混合融液６を十分に流すことができる。これにより、高品質な１３族窒化物結晶５を同時に複数得ることが可能となり、生産性が更に向上する。
【００４１】
図１６及び図１７は、種結晶７及びバッフル１４の設置方法の不適当な例を示している。この例においては、バッフル１４は３つ設置されており、その内２つは種結晶７の位置を対称中心として対向して設置されているが、残り一つは、前記２つのバッフル１４の周方向の中間となる位置に設置されている。即ちバッフル１４が種結晶７の位置を対称中心として点対称に設置されておらず、また種結晶７の主成長面６５とバッフル１４との間に特別な関係性がない。
【００４２】
このような場合には、反応容器１３を回転・停止させた際に反応容器１３の外周部から中心部へ向かって生ずる上昇流に乱れが生ずる。このような混合融液６の乱れにより、各主成長面６５（｛１−１００｝面（ｍ面））からの結晶成長が不均一になる場合が多い。混合融液６の乱れは溶質濃度分布を生じさせるため、局所的に高過飽和度となった部分において１３族窒化物結晶が多結晶化して結晶品質が悪化したり、新たに雑結晶が析出したり、結晶成長速度が結晶成長面間でばらついたりする原因となる。
【００４３】
以下に、回転機構１６による回転軸２２の回転制御について説明する。図１８は、回転制御の第１の例を示している。図１９は、回転制御の第２の例を示している。
【００４４】
バッフル１４を一方向に一定の速度で回転させた場合、混合融液６とバッフル１４との間に相対速度が生じないため、混合融液６の上昇流等の理想的な流れは生じない。そのため、バッフル１４が回転、停止等を繰り返すように回転制御を行うことにより、混合融液６とバッフル１４との間に相対速度を生じさせることが好ましい。
【００４５】
図１８に示す第１の例に係る回転制御は、停止状態から第１の回転方向への加速、所定速度での回転、所定速度から停止状態への減速、及び停止状態の維持からなる１サイクルを繰り返すものである。このような回転制御を行うことにより、混合融液６とバッフル１４との間に相対速度を生じさせ、反応容器１３の外周部から中心部へ向かって生ずる上昇流を安定して発生させることができ、混合融液６を効果的に撹拌することができる。この第１の例では同一方向の回転を繰り返している。
【００４６】
図１９に示す第２の例に係る回転制御は、停止状態から第１の回転方向への加速、所定速度での回転の維持、所定速度から停止状態への減速、停止状態の維持、停止状態から第１の回転方向とは逆の第２の回転方向への加速、所定速度での回転、所定速度から停止状態への減速、及び停止状態の維持からなる１サイクルを繰り返すものである。このような回転制御を行うことにより、上昇流が主成長面６５の隅々にまで行きわたるようになり、図１８に示す第１の例より更に効果的に混合融液６を撹拌することができる。
【００４７】
以下に、本実施の形態に係る製造装置１を用いて１３族窒化物結晶５を製造した実施例を記載する。
【００４８】
（実施例１）
本実施例では、１３族窒化物結晶としてＧａＮ（窒化ガリウム）結晶５を成長させた。先ず、高純度Ａｒ雰囲気のグローブボックス内でアルミナからなる反応容器１３に、図３に示す柱状のＧａＮからなる種結晶７Ａを設置した。
【００４９】
次いで、図９及び図１０に示すように、種結晶７Ａのａ軸６２（［１１−２０］軸）の延長線上に、アルミナからなる６つの直方体形状のバッフル１４を反応容器１３の中心部から放射状に設置した。種結晶７Ａは反応容器１３の底面にあけた穴に差し込んで保持した。
【００５０】
次に、混合融液（フラックス）６として、加熱して液体にしたナトリウム（Ｎａ）を反応容器１３内に入れた。ナトリウムが固化した後、ガリウム（Ｇａ）とカーボンを入れた。ガリウムとナトリウムとのモル比を０．２５：０．７５とした。カーボンの含有量をガリウムとナトリウムとカーボンの全モル数に対して０．５％とした。
【００５１】
その後、反応容器１３を内部容器１２内に収納し、内部容器１２をグローブボックスから出して製造装置１に組み込んだ。図１及び図２に示すように、内部容器１２を耐圧容器１１内のターンテーブル２１上に反応容器１３の中心軸６１と回転機構１６の回転軸２２とが一致するように設置した。
【００５２】
内部容器１２内の全圧を２．２ＭＰａにし、ヒータ１５に通電し、反応容器１３を結晶成長温度まで昇温させた。結晶成長工程における温度条件を８７０℃、窒素ガス圧力を３．０ＭＰａとした。この状態で反応容器１３を一方向に間欠回転させ（図１８参照）、１０００時間結晶成長を行った。このときの回転速度を１５ｒｐｍとした。
【００５３】
図１８に示す回転制御において回転を停止した際に、図９の矢印で示すように反応容器１３の外周部から中心部に向かって上昇流が発生した。各バッフル１４は種結晶７Ａのａ軸６２の延長線上に設置されているため、回転を停止した際に反応容器１３の中心部に向かって生じる上昇流は種結晶７Ａの主成長面（｛１−１００｝面）６５に沿って流れた。これにより、各主成長面６５には均等に且つ十分に溶質が供給され、主成長面の均一性が高い結晶を得ることができた。また、主成長面６５が成長することでＧａＮ結晶５が反応容器１３の中心部から径方向に大きくなった場合でも、反応容器１３の回転を停止した際に上記上昇流が変化することはなかった。これにより、主成長面６５の成長方向、すなわち主成長面６５と垂直な面においても均一性が高い、即ち結晶内部の均一性が高い結晶を得ることができた。
【００５４】
上記結晶成長工程を経ることによって、ｃ軸方向の長さ６５ｍｍ、ｃ軸と垂直方向の長さ５５ｍｍのバルク状のＧａＮ結晶５を製造することができた。雑晶は発生せず、成長したＧａＮ結晶５が多結晶化することもなかった。このときの平均的な結晶成長速度はｃ軸方向が１５μｍ／ｈ、ｍ軸方向が２７．５μｍ／ｈであった。製造したバルク状のＧａＮ結晶５をｍ面、ｃ面に平行にスライスしてＸＲＤ測定を行ったところ、ＸＲＣのＦＷＨＭとピーク位置がｍ面全面及びｃ面全面にわたってばらつきの小さいＧａＮ結晶５が得られたことがわかった。このときのＧａＮ結晶５のＸＲＣのＦＷＨＭはｍ面、ｃ面とも３０±１０ａｒｃｓｅｃであった。また、得られた結晶の転位密度は１０４ｃｍ−２以下と少なく、高品質な結晶であった。
【００５５】
（実施例２）
本実施例では、図１１及び図１２に示すように種結晶７Ａとバッフル１４を設置した状態でＧａＮ結晶５を成長させた。種結晶７Ａを反応容器１３の中心軸６１上に設置した。アルミナからなる６つの直方体形状のバッフル１４を種結晶７Ａのａ軸６２の略延長線上から角度θ＝１５°傾けて設置し、固定した。その他の結晶成長条件や回転条件を上記実施例１と同様にして結晶成長を行った。
【００５６】
バッフル１４を種結晶７Ａのａ軸６２の略延長線上から角度θ＝１５°傾けて設置したことで、反応容器１３を回転・停止した際に混合融液６とバッフル１４とが衝突する角度が緩やかとなり、主成長面６５に沿って流れる混合融液６の流速が遅くなった。そのため、結晶成長速度が遅くなり、より高品質なＧａＮ結晶５を成長させることができた。
【００５７】
上記結晶成長工程を経ることによって、ｃ軸方向の長さ６０ｍｍ、ｃ軸と垂直方向の長さ５１ｍｍのバルク状のＧａＮ結晶５を製造することができた。雑晶は発生せず、成長したＧａＮ結晶５が多結晶化することもなかった。このときの平均的な結晶成長速度はｃ軸方向が１０μｍ／ｈ、ｍ軸方向が２５．５μｍ／ｈであった。製造したバルク状のＧａＮ結晶５をｍ面、ｃ面に平行にスライスしてＸＲＤ測定を行ったところ、ＸＲＣのＦＷＨＭとピーク位置がｍ面全面およびｃ面全面にわたってばらつきの小さいＧａＮ結晶５が得られたことがわかった。このときのＧａＮ結晶５のＸＲＣのＦＷＨＭはｍ面、ｃ面とも２５±１０ａｒｃｓｅｃであった。また、得られた結晶の転位密度は１０４ｃｍ−２以下と少なく、高品質な結晶であった。
【００５８】
（実施例３）
本実施例では、図１９に示す回転制御を実行したことを除いて、上記実施例１と同様にＧａＮ結晶５の結晶成長を行った。図９及び図１０に示すように反応容器１３内に種結晶７Ａとバッフル１４を設置した。反応容器１３を回転させる回転軸２２の回転制御として、図１９に示すように加速、回転、減速、停止させた後、直前の回転方向とは逆方向に加速、回転、減速、停止させることを１サイクルとする回転方法を用い、回転速度１５ｒｐｍで当該サイクルを１０００時間繰返して結晶成長させた。
【００５９】
このように回転方向を反転させることで、反応容器１３の回転を停止した際に生じる反応容器１３の外周部から中心部へ向かう上昇流が種結晶７Ａの主成長面６５の隅々にまで行きわたるようになり、更に均一性の高いＧａＮ結晶５を得ることができた。
【００６０】
上記結晶成長工程を経ることによって、ｃ軸方向の長さ６５ｍｍ、ｃ軸と垂直方向の長さ５５ｍｍのバルク状のＧａＮ結晶５を製造することができた。雑晶は発生せず、成長したＧａＮ結晶５が多結晶化することもなかった。このときの平均的な結晶成長速度はｃ軸方向が１５μｍ／ｈ、ｍ軸方向が２７．５μｍ／ｈであった。製造したバルク状のＧａＮ結晶５をｍ面、ｃ面に平行にスライスしてＸＲＤ測定を行ったところ、ＸＲＣのＦＷＨＭとピーク位置がｍ面全面およびｃ面全面にわたってばらつきの小さいＧａＮ結晶５が得られたことがわかった。このときのＧａＮ結晶５のＸＲＣのＦＷＨＭはｍ面、ｃ面とも３０±５ａｒｃｓｅｃであった。また、得られた結晶の転位密度は１０４ｃｍ−２以下と少なく、高品質な結晶であった。
【００６１】
（実施例４）
本実施例では、図１３及び図１４に示すように種結晶７Ａとバッフル１４を設置し、その他の結晶成長条件や回転条件を上記実施例１と同様にしてＧａＮ結晶５の結晶成長を行った。２つの種結晶７−１，７−２を反応容器１３の中心軸６１上に設置し、アルミナからなる６つのバッフル１４を種結晶７−１，７−２のａ軸６２の延長線上に設置し、固定した。下段の種結晶７−１は反応容器１３の底面にあけた穴に差し込んで保持した。上段の種結晶７−２は対面する一対のバッフル１４Ａ，１４Ｂの間に架設された固定部材６８にあけた穴に差し込んで保持した。
【００６２】
このように２つの種結晶７−１，７−２を保持することで、上段の種結晶７−２においても回転・停止時に生じる上昇流が主成長面６５と沿うように流れるため、２つのＧａＮ結晶５を同等に成長させることが可能となった。すなわち、２つの種結晶７−１，７−２を反応容器１３の中心軸６１上に設置すれば、１つの種結晶７を用いる場合と同様に、全ての主成長面６５に混合融液６を十分に流すことができるので、高品質なＧａＮ結晶５を２つ同時に得ることが可能となり、生産性が向上した。
【００６３】
上記結晶成長工程を経ることによって、ｃ軸方向の長さ６５ｍｍ、ｃ軸と垂直方向の長さ５５ｍｍのバルク状のＧａＮ結晶５を２つ製造することができた。雑晶は発生せず、成長したＧａＮ結晶５が多結晶化することもなかった。このときの平均的な結晶成長速度はｃ軸方向が１５μｍ／ｈ、ｍ軸方向が２７．５μｍ／ｈであった。製造したバルク状のＧａＮ結晶５をｍ面、ｃ面に平行にスライスしてＸＲＤ測定を行ったところ、ＸＲＣのＦＷＨＭとピーク位置がｍ面全面およびｃ面全面にわたってばらつきの小さいＧａＮ結晶５が得られたことがわかった。このときのＧａＮ結晶５のＸＲＣのＦＷＨＭはｍ面、ｃ面とも３０±１０ａｒｃｓｅｃであった。また、得られた結晶の転位密度は１０４ｃｍ−２以下と少なく、高品質な結晶であった。
【００６４】
（実施例５）
本実施例では、図１５に示すように上記実施例４に係る反応容器１３−１，１３−２，１３−３を３つ積み重ねることにより、同時に６つのＧａＮ結晶５の結晶成長を行った。各反応容器１３−１，１３−２，１３−３はそれらの中心軸６１と回転軸２２（図１及び図２参照）とが一致するように積み重ねられており、回転軸２２の回転に伴い全ての反応容器１３−１，１３−２，１３−３が同時に回転した。その他の結晶成長条件や回転条件を上記実施例１と同様にした。
【００６５】
このように３つの反応容器１３−１，１３−２，１３−３を同軸上に設置したことにより、１つの反応容器１３を用いた場合と同様に、全ての反応容器１３−１，１３−２，１３−３内の全ての主成長面６５に同時に混合融液６を十分に流すことができた。これにより、高品質なＧａＮ結晶５を同時に６つ得ることが可能となり、生産性が更に向上した。
【００６６】
上記結晶成長工程を経ることによって、ｃ軸方向の長さ６５ｍｍ、ｃ軸と垂直方向の長さ５５ｍｍのバルク状のＧａＮ結晶５を同時に６つ製造することができた。雑晶は発生せず、成長したＧａＮ結晶５が多結晶化することもなかった。このときの平均的な結晶成長速度はｃ軸方向が１５μｍ／ｈ、ｍ軸方向が２７．５μｍ／ｈであった。製造したバルク状のＧａＮ結晶５をｍ面、ｃ面に平行にスライスしてＸＲＤ測定を行ったところ、ＸＲＣのＦＷＨＭとピーク位置がｍ面全面およびｃ面全面にわたってばらつきの小さいＧａＮ結晶５が得られたことがわかった。このときのＧａＮ結晶５のＸＲＣのＦＷＨＭはｍ面、ｃ面とも３０±１０ａｒｃｓｅｃであった。また得られた結晶の転位密度は１０４ｃｍ−２以下と少なく、高品質な結晶であった。
【００６７】
（比較例１）
本比較例は、本実施の形態に係る製造装置１ではない製造装置を用いた例である。本比較例では、図１６及び図１７に示すように種結晶７とバッフル１４を設置した反応容器１３を用いてＧａＮ結晶５の結晶成長を行った。種結晶７を反応容器１３の中心軸６１上に設置し、アルミナからなる３つのバッフル１４の内２つは種結晶７の位置（中心軸６１）を対称中心に対向して設置したが、残り一つは、前記２つのバッフル１４の周方向の中間となる位置に設置した。２つの対称的に設置したバッフル１４はa軸の延長線上に設置しているが、残りの１つはa軸の延長線上には設置されていない。即ちバッフル１４が種結晶７の位置を対称中心として設置しておらず、且つ種結晶７の主成長面６５と各バッフル１４との間に関係性を持たせないように設置し、固定した。その他の結晶成長条件や回転条件は上記実施例１と同様にした。
【００６８】
このようにバッフル１４を設置することで、反応容器１３を回転・停止させた際に反応容器１３の外周部から中心部へ向かって生ずる上昇流に乱れが生じた。このような混合融液６の乱れにより、各主成長面６５からの結晶成長が不均一になった。混合融液５の乱れは溶質濃度分布が生じさせるため、局所的に高過飽和度となった部分においてＧａＮ結晶５が多結晶化して結晶品質が悪化したり、新たに雑結晶が析出したり、結晶成長速度が結晶成長面間でばらついたりする原因となった。
【００６９】
上記結晶成長工程を経ることによって、ｃ軸方向の長さ５０ｍｍ、ｃ軸と垂直方向の長さ３５ｍｍのバルク状のＧａＮ結晶５を製造することができた。雑晶は全体収率の５５％発生し、成長したＧａＮ結晶５は大部分が多結晶化していた。大部分が多結晶化していたため、平均的な成長速度を求めることができなかった。製造したバルク状のＧａＮ結晶５をｍ面およびｃ面に平行にスライスしてＸＲＤ測定を行ったところ、ＸＲＣのＦＷＨＭが測定できないほど悪い部分があり、またマルチピークとなる部分が多かった。本比較例で製造したバルク状のＧａＮ結晶５はｍ面全面およびｃ面全面にわたってばらつきの大きなＧａＮ結晶５であった。
【００７０】
以上のように、本実施の形態によれば、数１００時間以上の長時間成長を行う場合にも混合融液６を均一な状態に保つことができる。これにより、高品質且つ大型の１３族窒化物結晶を製造することが可能となる。
【符号の説明】
【００７１】
１  １３族窒化物結晶の製造装置（製造装置）
５  １３族窒化物結晶（ＧａＮ結晶）
６  混合融液
７，７Ａ，７Ｂ，７Ｃ，７Ｄ，７Ｅ，７Ｆ，７−１，７−２  種結晶
１１  耐圧容器
１２  内部容器
１３，１３−１，１３−２，１３−３  反応容器
１４，１４Ａ，１４Ｂ  バッフル（構造物）
１５  ヒータ
１６  回転機構
２１  ターンテーブル
２２  回転軸
３１，３２，３３，３４，３５  配管
３６，３７，３８，３９，４０  バルブ
４１，４２  圧力制御装置
４５  圧力計
５１，５５，５７  側面
５２  斜面
５３，５６，５８  上面
６１  中心軸
６２  ａ軸
６５  主成長面
６８  固定部材
【先行技術文献】
【特許文献】
【００７２】
【特許文献１】国際公開第２００４／０８３４９８号
【特許文献２】特開２０１０−０８３７１１号公報
【特許文献３】国際公開第２００５／０８０６４８号
【特許文献４】特開２００９−２６３１６２号公報
【図１】
2015034105.tif 000003
【図２】
2015034105.tif 000004
【図３】
2015034105.tif 000005
【図４】
2015034105.tif 000006
【図５】
2015034105.tif 000007
【図６】
2015034105.tif 000008
【図７】
2015034105.tif 000009
【図８】
2015034105.tif 000010
【図９】
2015034105.tif 000011
【図１０】
2015034105.tif 000012
【図１１】
2015034105.tif 000013
【図１２】
2015034105.tif 000014
【図１３】
2015034105.tif 000015
【図１４】
2015034105.tif 000016
【図１５】
2015034105.tif 000017
【図１６】
2015034105.tif 000018
【図１７】
2015034105.tif 000019
【図１８】
2015034105.tif 000020
【図１９】
2015034105.tif 000021