(57)【要約】      （修正有）【課題】新しいタイプの分散剤を適用して、磁性粉末の分散性及び沈降安定性を改善したチップ電子部品及びその製造方法を提供する。【解決手段】磁性体本体は、不飽和カルボン酸系重合体を含み、シロキサン系共重合体をさらに含むことで、磁性粉末の分散性が向上することができ、これにより、充填率が８０％以上に向上し、インダクタンス容量特性が改善される。【選択図】図３
2015170843.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁基板の少なくとも一面に形成された内部コイルパターンを含む磁性体本体と、
前記磁性体本体の少なくとも一端面に形成され、前記内部コイルパターンの端部と接続するように形成された外部電極と、を含み、
前記磁性体本体は、不飽和カルボン酸系重合体を含むチップ電子部品。
【請求項２】
前記磁性体本体はシロキサン系共重合体をさらに含む、請求項１に記載のチップ電子部品。
【請求項３】
前記磁性体本体は金属系軟磁性材料を含む、請求項１に記載のチップ電子部品。
【請求項４】
前記金属系軟磁性材料の粒子径は０．１μｍ〜３０μｍである、請求項３に記載のチップ電子部品。
【請求項５】
前記不飽和カルボン酸系重合体は重量平均分子量が５００〜２，３００である、請求項１に記載のチップ電子部品。
【請求項６】
前記シロキサン系共重合体は重量平均分子量が５００〜２，３００である、請求項２に記載のチップ電子部品。
【請求項７】
前記不飽和カルボン酸系重合体は前記磁性体本体に含まれる金属系軟磁性材料１００重量部に対して０．５重量部〜２重量部の含量で含まれる、請求項１に記載のチップ電子部品。
【請求項８】
前記シロキサン系共重合体は前記磁性体本体に含まれる金属系軟磁性材料１００重量部に対して０．０５重量部〜０．２重量部の含量で含まれる、請求項２に記載のチップ電子部品。
【請求項９】
前記磁性体本体の充填率は８０％以上である、請求項１に記載のチップ電子部品。
【請求項１０】
絶縁基板の少なくとも一面に内部コイルパターンを形成する段階と、
前記内部コイルパターンが形成された絶縁基板の上部及び下部に磁性体シートを積層して磁性体本体を形成する段階と、
前記磁性体本体の少なくとも一端面に前記内部コイルパターンの端部と接続するように外部電極を形成する段階と、を含み、
前記磁性体シートは、不飽和カルボン酸系重合体を含んで形成するチップ電子部品の製造方法。
【請求項１１】
前記磁性体シートはシロキサン系共重合体をさらに含んで形成する、請求項１０に記載のチップ電子部品の製造方法。
【請求項１２】
前記磁性体シートは金属系軟磁性材料を含んで形成する、請求項１０に記載のチップ電子部品の製造方法。
【請求項１３】
前記金属系軟磁性材料の粒子径は０．１μｍ〜３０μｍである、請求項１２に記載のチップ電子部品の製造方法。
【請求項１４】
前記不飽和カルボン酸系重合体は重量平均分子量が５００〜２，３００である、請求項１０に記載のチップ電子部品の製造方法。
【請求項１５】
前記シロキサン系共重合体は重量平均分子量が５００〜２，３００である、請求項１１に記載のチップ電子部品の製造方法。
【請求項１６】
前記磁性体シートは、前記磁性体シートに含まれる金属系軟磁性材料１００重量部に対して、前記不飽和カルボン酸系重合体を０．５重量部〜２重量部含む、請求項１０に記載のチップ電子部品の製造方法。
【請求項１７】
前記磁性体シートは、前記磁性体シートに含まれる金属系軟磁性材料１００重量部に対して、前記シロキサン系共重合体を０．０５重量部〜０．２重量部含む、請求項１１に記載のチップ電子部品の製造方法。
【請求項１８】
前記磁性体本体の充填率は８０％以上である、請求項１０に記載のチップ電子部品の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、チップ電子部品及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
チップ電子部品の一つであるインダクタ（ｉｎｄｕｃｔｏｒ）は、抵抗、キャパシタとともに電子回路を成してノイズ（Ｎｏｉｓｅ）を除去する代表的な受動素子であり、電磁気的特性を利用してキャパシタと組み合わせることで、特定周波数帯域の信号を増幅させる共振回路、フィルタ（Ｆｉｌｔｅｒ）回路などの構成に用いられる。
【０００３】
最近では、様々な通信デバイスまたはディスプレイデバイスなどのＩＴデバイスの小型化及び薄膜化が加速しており、該ＩＴデバイスに採用されるインダクタ、キャパシタ、トランジスタなどの各種素子も小型化及び薄型化するための研究が継続的に行われている。
【０００４】
また、電子機器の小型化及び高性能化が求められるにつれ、消費電力が増加している。このような消費電力の増加に伴って電子機器の電源回路に用いられるＰＭＩＣ（Ｐｏｗｅｒ  Ｍａｎａｇｅｍｅｎｔ  Ｉｎｔｅｇｒａｔｅｄ  Ｃｉｒｃｕｉｔ）またはＤＣ−ＤＣコンバータ（ＤＣ−ＤＣ  Ｃｏｎｖｅｒｔｅｒ）は、スイッチング周波数（Ｓｗｉｔｃｈｉｎｇ  Ｆｒｅｑｕｅｎｃｙ）が高周波化し、出力電流が増加しており、そのため、ＰＭＩＣまたはＤＣ−ＤＣコンバータの出力電流の安定化に用いられるパワーインダクタ（Ｐｏｗｅｒ  Ｉｎｄｕｃｔｏｒ）の使用が増加している傾向にある。
【０００５】
パワーインダクタの開発方向は、小型化、高電流化及び低直流抵抗に合わせられているが、従来の積層型パワーインダクタではこれを具現するのに限界があるため、絶縁基板の上下面にめっきにより形成されるコイルパターン上に磁性粉末を樹脂と混合させて形成した磁性体シート（ｓｈｅｅｔ）を積層、加圧及び硬化して製造する薄膜型インダクタが開発されつつある。
【０００６】
このとき、磁性体シートを形成するスラリー（Ｓｌｕｒｒｙ）は、磁性粉末と熱硬化性ポリマー樹脂、硬化剤、増粘剤、有機溶媒及び粉末の分散性を向上させることができる分散剤などからなる。
【０００７】
磁性粉末をより効率的に分散させるために、分散剤を使用した化学的分散だけでなく、特定設備で機械的な力を加えることもある。
【０００８】
磁性粉末は、より高機能を具現するために、次第にサイズが減少して微粒化しており、サイズの異なる２種以上またはそれ以上の粉末を混合して使用している。従って、磁性粉末の分散がより困難となるため、より効果的な分散性を具現することができる方法が求められている。
【０００９】
従来では、重量平均分子量が７００〜２，５００のポリマーからなるリン酸系分散剤を使用したが、密度の高い金属磁性体粉末の沈降安定性を保持し、１次分散後に粉末同士が再凝集する２次凝集を防止するには分散力が足りないという欠点があった。
【先行技術文献】
【特許文献】
【００１０】
【特許文献１】韓国公開特許第２０１３−００７２８１６号公報
【特許文献２】特開２００８−１６６４５５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１１】
本発明の一実施形態は、新しいタイプの分散剤を適用して、磁性粉末の分散性及び沈降安定性を改善したチップ電子部品及びその製造方法に関する。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
本発明の一実施形態では、絶縁基板の少なくとも一面に形成された内部コイルパターンを含む磁性体本体と、上記磁性体本体の少なくとも一端面に形成され、上記内部コイルパターンの端部と接続するように形成された外部電極と、含み、上記磁性体本体は、不飽和カルボン酸系重合体を含むチップ電子部品を提供する。
【００１３】
上記磁性体本体は、シロキサン系共重合体をさらに含んでもよい。
【００１４】
上記磁性体本体は、金属系軟磁性材料を含んでもよい。
【００１５】
上記金属系軟磁性材料の粒子径は、０．１μｍ〜３０μｍであってもよい。
【００１６】
上記不飽和カルボン酸系重合体は、重量平均分子量が５００〜２，３００であってもよい。
【００１７】
上記シロキサン系共重合体は、重量平均分子量が５００〜２，３００であってもよい。
【００１８】
上記不飽和カルボン酸系重合体は、上記磁性体本体に含まれる金属系軟磁性材料１００重量部に対して、０．５重量部〜２重量部の含量で含まれてもよい。
【００１９】
上記シロキサン系共重合体は、上記磁性体本体に含まれる金属系軟磁性材料１００重量部に対して、０．０５重量部〜０．２重量部の含量で含まれてもよい。
【００２０】
上記磁性体本体の充填率は、８０％以上であってもよい。
【００２１】
本発明の他の一実施形態は、絶縁基板の少なくとも一面に内部コイルパターンを形成する段階と、上記内部コイルパターンが形成された絶縁基板の上部及び下部に磁性体シートを積層して磁性体本体を形成する段階と、上記磁性体本体の少なくとも一端面に上記内部コイルパターンの端部と接続するように外部電極を形成する段階と、を含み、上記磁性体シートは、不飽和カルボン酸系重合体を含んで形成するチップ電子部品の製造方法を提供する。
【００２２】
上記磁性体シートは、シロキサン系共重合体をさらに含んで形成してもよい。
【００２３】
上記磁性体シートは、金属系軟磁性材料を含んで形成してもよい。
【００２４】
上記金属系軟磁性材料の粒子径は、０．１μｍ〜３０μｍであってもよい。
【００２５】
上記不飽和カルボン酸系重合体は、重量平均分子量が５００〜２，３００であってもよい。
【００２６】
上記シロキサン系共重合体は、重量平均分子量が５００〜２，３００であってもよい。
【００２７】
上記磁性体シートは、上記磁性体シートに含まれる金属系軟磁性材料１００重量部に対して、上記不飽和カルボン酸系重合体を０．５重量部〜２重量部含んでもよい。
【００２８】
上記磁性体シートは、上記磁性体シートに含まれる金属系軟磁性材料１００重量部に対して、上記シロキサン系共重合体を０．０５重量部〜０．２重量部含んでもよい。
【００２９】
上記磁性体本体の充填率は、８０％以上であってもよい。
【発明の効果】
【００３０】
本発明の一実施形態によると、磁性粉末の優れた分散特性及び沈降防止効果が同時に得られる。
【００３１】
また、磁性粉末のスリップ性（ｓｌｉｐ）、レベリング（ｌｅｖｅｌｉｎｇ）特性の向上及びベナールセル（Ｂｅｎａｒｄ  ｃｅｌｌ）現象防止効果をともに具現して、磁性体シートの表面粗さが減少することができる。
【００３２】
また、磁性粉末の分散性が改善するに伴って充填率が向上し、インダクタンス容量が向上する効果がある。
【図面の簡単な説明】
【００３３】
【図１】本発明の一実施形態によるチップ電子部品の内部コイルパターンが示されるように図示した概略斜視図である。
【図２】図１のＩ−Ｉ’線による断面図である。
【図３】従来の分散剤を用いて製造した磁性体シート（ａ）及び本発明の一実施形態によるチップ電子部品の製造時に用いられる磁性体シート（ｂ）の充填率を比較するために、走査電子顕微鏡（ＳＥＭ、Ｓｃａｎｎｉｎｇ  Ｅｌｅｃｔｒｏｎ  Ｍｉｃｒｏｓｃｏｐｅ）で磁性体シートの断面を観察した写真である。
【図４】従来の分散剤を使用して製造したチップ電子部品（ｃ）及び本発明の一実施形態によるチップ電子部品（ｄ）のインダクタンスを示したグラフである。
【図５】本発明の一実施形態によるチップ電子部品の製造方法を示す工程図である。
【図６】従来の分散剤を用いたスラリー（ｓｌｕｒｒｙ）（ｅ）及び本発明の一実施形態によるチップ電子部品の製造時に用いられる磁性体シートを形成するスラリー（ｓｌｕｒｒｙ）（ｆ）の沈降安定性を比較したグラフである。
【図７】従来の分散剤を使用して製造した磁性体シート（ｇ）及び本発明の一実施形態によるチップ電子部品の製造時に用いられる磁性体シート（ｈ）の表面粗さを比較するために、走査電子顕微鏡（ＳＥＭ、Ｓｃａｎｎｉｎｇ  Ｅｌｅｃｔｒｏｎ  Ｍｉｃｒｏｓｃｏｐｅ）で磁性体シートの表面を観察した写真である。
【発明を実施するための形態】
【００３４】
以下では、添付の図面を参照し、本発明の好ましい実施形態について説明する。しかし、本発明の実施形態は様々な他の形態に変形されることができ、本発明の範囲は以下で説明する実施形態に限定されない。また、本発明の実施形態は、当該技術分野で平均的な知識を有する者に本発明をより完全に説明するために提供されるものである。図面における要素の形状及び大きさなどはより明確な説明のために誇張されることがある。
【００３５】
チップ電子部品
以下では、本発明の一実施形態によるチップ電子部品を、特に、薄膜型インダクタで説明するが、これに限定されない。
【００３６】
図１は本発明の一実施形態によるチップ電子部品の内部コイルパターンが示されるように図示した概略斜視図であり、図２は図１のＩ−Ｉ’線による断面図である。
【００３７】
図１及び図２を参照すると、チップ電子部品の一例として、電源供給回路の電源ラインに用いられる薄膜型インダクタ１００が開示されている。上記チップ電子部品は、チップインダクタの他にもチップビーズ（ｃｈｉｐ  ｂｅａｄ）、チップフィルタ（ｃｈｉｐ  ｆｉｌｔｅｒ）などであってもよい。
【００３８】
上記薄膜型インダクタ１００は、磁性体本体５０と、絶縁基板２０と、内部コイルパターン４０と、外部電極８０と、を含む。
【００３９】
磁性体本体５０は、薄膜型インダクタ１００の外観を成し、六面体状であってもよい。本発明の実施形態を明確に説明するために、六面体の方向を定義すると、図１に示されたＬ、Ｗ及びＴは、それぞれ長さ方向、幅方向、厚さ方向を示す。上記磁性体本体５０は、長さ方向が幅方向より長い直六面体状であってもよい。
【００４０】
磁性体本体５０は、磁性粉末を含んでシート状に製造される磁性体シートを積層し、圧着及び硬化して形成することができる。
【００４１】
磁性体本体５０を成す磁性粉末としては、金属系軟磁性材料を用いてもよい。
【００４２】
上記金属系軟磁性材料としては、Ｆｅ、Ｓｉ、Ｃｒ、Ａｌ及びＮｉからなる群より選択された何れか一つ以上を含む合金であってもよく、例えば、Ｆｅ−Ｓｉ−Ｂ−Ｃｒ系非晶質金属粒子を含むことができるが、これに制限されない。
【００４３】
上記金属系軟磁性材料の粒子径は０．１μ〜３０μｍであってもよく、エポキシ（ｅｐｏｘｙ）樹脂またはポリイミド（ｐｏｌｙｉｍｉｄｅ）などの高分子上に分散された形態で含まれてもよい。
【００４４】
上記磁性体本体５０は、磁性粉末の分散性を向上させるための分散剤として、不飽和カルボン酸系重合体を含んでもよい。
【００４５】
従来では、薄膜型インダクタの磁性体本体を成す磁性粉末を分散させるために、重量平均分子量が７００〜２，５００のリン酸系重合体分散剤を主に用いたが、分散性の向上に限界があった。特に、密度の高い金属磁性粉末を使用する薄膜型インダクタの場合、沈降安定性を保持し、優れた分散性を具現することが困難であった。
【００４６】
そこで、本発明の一実施形態は、脂肪酸系分散剤として不飽和カルボン酸系重合体を新たに適用して、薄膜型インダクタの磁性体本体を成す金属磁性粉末の分散性を著しく改善した。
【００４７】
また、上記磁性体本体は、シロキサン系共重合体をさらに含んでもよい。
【００４８】
シロキサン系共重合体をさらに含むことで、磁性粉末のスリップ性（ｓｌｉｐ）、レベリング（ｌｅｖｅｌｉｎｇ）特性の向上及びベナールセル（Ｂｅｎａｒｄ  ｃｅｌｌ）現象防止効果をともに具現することができる。
【００４９】
上記不飽和カルボン酸系重合体は、重量平均分子量が５００〜２，３００であってもよい。
【００５０】
上記不飽和カルボン酸系重合体は、上記磁性体本体５０に含まれる金属系軟磁性材料１００重量部に対して、０．５重量部〜２重量部の含量で含まれてもよい。
【００５１】
不飽和カルボン酸系重合体が０．５重量部未満では、分散性及び沈降安定性が低下して磁性粉末が凝集するため、充填率が減少し、磁性体シートの表面粗さが大きくなる問題が発生する恐れがあり、２重量部を超えると、磁性体シートの乾燥または硬化時に溶剤の揮発通路が確保されないため溶剤が内部にトラップされて物性が低下する恐れがある。
【００５２】
上記シロキサン系共重合体は、重量平均分子量が５００〜２，３００であってもよい。
【００５３】
上記シロキサン系共重合体は、上記磁性体本体５０に含まれる金属系軟磁性材料１００重量部に対して、０．０５重量部〜０．２重量部の含量で含まれてもよい。
【００５４】
シロキサン系共重合体が０．０５重量部未満では、磁性粉末のスリップ性（ｓｌｉｐ）、レベリング（ｌｅｖｅｌｉｎｇ）特性の向上及びベナールセル（Ｂｅｎａｒｄ  ｃｅｌｌ）現象防止効果が僅かであり、磁性体シートの表面粗さが大きくなる問題が発生する恐れがあり、０．２重量部を超えると、磁性体シートの乾燥または硬化時に溶剤の揮発通路が確保されないため溶剤が内部にトラップされて物性が低下する恐れがある。
【００５５】
このように、本発明の一実施形態によるチップ電子部品の磁性体本体５０は不飽和カルボン酸系重合体を含み、シロキサン系共重合体をさらに含むことで、磁性粉末の分散性が向上することができ、これにより、充填率が向上し、インダクタンス容量特性が改善されることができる。
【００５６】
上記磁性体本体５０の充填率は８０％以上であってもよい。
【００５７】
図３は、従来のリン酸系重合体分散剤であるエトキシ化ノニルフェノールリン酸塩（Ｅｔｈｏｘｙｌａｔｅｄ  Ｎｏｎｙｌｐｈｅｎｏｌ  ｐｈｏｓｐｈａｔｅ）を用いて製造した磁性体シート（ａ）、及び本発明の一実施形態に従って不飽和カルボン酸系重合体及びシロキサン系共重合体を分散剤として添加して製造した磁性体シート（ｂ）の断面を走査電子顕微鏡（ＳＥＭ）で観察した写真である。
【００５８】
図３から、本発明の一実施形態に従って不飽和カルボン酸系重合体及びシロキサン系共重合体を添加して磁性体シートを製造したとき、磁性粉末の分散性が向上し、充填率が向上することが分かる。従来の場合（ａ）、充填率が７７．０９％であるが、本発明の一実施形態の場合（ｂ）は、充填率が８７．４０％に向上した。
【００５９】
図４は、従来のリン酸系重合体分散剤であるエトキシ化ノニルフェノールリン酸塩（Ｅｔｈｏｘｙｌａｔｅｄ  Ｎｏｎｙｌｐｈｅｎｏｌ  ｐｈｏｓｐｈａｔｅ）を含むチップ電子部品（ｃ）、及び本発明の一実施形態に従って不飽和カルボン酸系重合体及びシロキサン系共重合体を含むチップ電子部品（ｄ）のインダクタンスを示したグラフである。
【００６０】
図４を参照すると、本発明の一実施形態に従って不飽和カルボン酸系重合体及びシロキサン系共重合体を含むと、磁性粉末の分散性及び充填率が改善されるにつれてインダクタンスが向上することが分かる。
【００６１】
上記磁性体本体５０の内部に形成される絶縁基板２０は、例えば、ポリプロピレングリコール（ＰＰＧ）基板、フェライト基板または金属系軟磁性基板等で形成されてもよい。
【００６２】
上記絶縁基板２０の中央部を貫通して孔を形成し、上記貫通孔は金属系軟磁性材料などの磁性体で充填されてコア部５５を形成することができる。磁性体で充填されるコア部５５を形成することにより、インダクタンス（Ｉｎｄｕｃｔａｎｃｅ、Ｌ）を向上させることができる。
【００６３】
上記絶縁基板２０の一面にはコイル状のパターンを有する内部コイルパターン４０が形成され、上記絶縁基板２０の反対面にもコイル状のパターンの内部コイルパターン４０が形成されてもよい。
【００６４】
上記内部コイルパターン４０は、スパイラル（ｓｐｉｒａｌ）状にコイルパターンが形成されてもよく、上記絶縁基板２０の一面と反対面に形成される内部コイルパターン４０は、上記絶縁基板２０に形成されるビア電極４５を介して電気的に接続されることができる。
【００６５】
上記内部コイルパターン４０及びビア電極４５は、電気伝導性に優れた金属を含んで形成されてもよく、例えば、銀（Ａｇ）、パラジウム（Ｐｄ）、アルミニウム（Ａｌ）、ニッケル（Ｎｉ）、チタン（Ｔｉ）、金（Ａｕ）、銅（Ｃｕ）、白金（Ｐｔ）またはこれらの合金などで形成されてもよい。
【００６６】
上記内部コイルパターン４０の表面には、内部コイルパターン４０を被覆する絶縁膜３０が形成されてもよい。
【００６７】
絶縁膜３０は、スクリーン印刷法、フォトレジスト（ｐｈｏｔｏ  ｒｅｓｉｓｔ、ＰＲ）の露光及び現像を通じた工程、スプレー（ｓｐｒａｙ）塗布工程など公知の方法で形成してもよいが、これに限定されない。
【００６８】
絶縁基板２０の一面に形成される内部コイルパターン４０の一端部は、磁性体本体５０の長さ方向の一断面に露出することができ、絶縁基板２０の反対面に形成される内部コイルパターン４０の他端部は、磁性体本体５０の長さ方向の他端面に露出することができる。
【００６９】
上記磁性体本体５０の両端面に露出する上記内部コイルパターン４０の引出部とそれぞれ接続するように磁性体本体５０の両端面に外部電極８０が形成されてもよい。
【００７０】
上記外部電極８０は磁性体本体５０の長さ方向の両端面に形成され、磁性体本体５０の厚さ方向の両端面及び／または幅方向の両端面に延長形成されてもよい。
【００７１】
上記外部電極８０は電気伝導性に優れた金属を含んで形成してもよく、例えば、ニッケル（Ｎｉ）、銅（Ｃｕ）、スズ（Ｓｎ）または銀（Ａｇ）などの単独またはこれらの合金などで形成することができる。
【００７２】
チップ電子部品の製造方法
図５は、本発明の一実施形態によるチップ電子部品の製造方法を示す工程図である。
【００７３】
図５を参照すると、絶縁基板２０の少なくとも一面に内部コイルパターン４０を形成してもよい。
【００７４】
上記絶縁基板２０は、特に制限されず、例えば、ポリプロピレングリコール（ＰＰＧ）基板、フェライト基板または金属系軟磁性基板等を使用することができ、４０〜１００μｍの厚さであってもよい。
【００７５】
上記内部コイルパターン４０は、例えば、電気めっき法などで形成してもよいが、これに限定されず、内部コイルパターン４０は、電気伝導性に優れた金属を含んで形成してもよく、例えば、銀（Ａｇ）、パラジウム（Ｐｄ）、アルミニウム（Ａｌ）、ニッケル（Ｎｉ）、チタン（Ｔｉ）、金（Ａｕ）、銅（Ｃｕ）、白金（Ｐｔ）またはこれらの合金などを使用することができる。
【００７６】
上記絶縁基板２０の一部に孔を形成し、伝導性材料を充填してビア電極４５を形成することができ、上記ビア電極４５を介して絶縁基板２０の一面と反対面に形成される内部コイル部４０を電気的に接続させることができる。
【００７７】
上記絶縁基板２０の中央部にはドリル、レーザー、サンドブラスト、穿孔加工などによって、絶縁基板を貫通する貫通孔を形成してもよい。
【００７８】
次に、内部コイルパターン４０を被覆する絶縁膜３０を形成することができる。
【００７９】
上記絶縁膜３０はスクリーン印刷法、フォトレジスト（ｐｈｏｔｏ  ｒｅｓｉｓｔ、ＰＲ）の露光及び現像による工程、スプレー（ｓｐｒａｙ）塗布工程など、公知の方法により形成することができるが、これに制限されない。
【００８０】
次に、内部コイルパターン４０が形成された絶縁基板２０の上部及び下部に磁性体シートを積層して磁性体本体５０を形成する。
【００８１】
上記磁性体シートの製造に用いられる磁性粉末としては、金属系軟磁性材料を使用することができる。
【００８２】
上記金属系軟磁性材料は、Ｆｅ、Ｓｉ、Ｃｒ、Ａｌ及びＮｉからなる群より選択される何れか一つ以上を含む合金であってもよく、例えば、Ｆｅ−Ｓｉ−Ｂ−Ｃｒ系非晶質金属粒子を含むことができるが、これに限定されない。
【００８３】
上記金属系軟磁性材料の粒子径は０．１μｍ〜３０μｍであってもよい。
【００８４】
上記金属系軟磁性材料及びエポキシ（ｅｐｏｘｙ）樹脂またはポリイミド（ｐｏｌｙｉｍｉｄｅ）などの高分子を混合して形成されたスラリーをキャリアフィルム（ｃａｒｒｉｅｒ  ｆｉｌｍ）上に塗布及び乾燥して磁性体シートを製造することができる。
【００８５】
このとき、高分子上に磁性粉末を効果的に分散させるための分散剤として、不飽和カルボン酸系重合体を含んでもよい。
【００８６】
また、上記磁性体シートは、シロキサン系共重合体をさらに含んでもよい。
【００８７】
シロキサン系共重合体をさらに含むことで、磁性粉末のスリップ性（ｓｌｉｐ）、レベリング（ｌｅｖｅｌｉｎｇ）特性の向上及びベナールセル（Ｂｅｎａｒｄ  ｃｅｌｌ）現象防止効果をともに具現することができる。
【００８８】
上記不飽和カルボン酸系重合体は、重量平均分子量が５００〜２，３００であってもよい。
【００８９】
上記不飽和カルボン酸系重合体は、上記磁性体シートに含まれる金属系軟磁性材料１００重量部に対して、０．５重量部〜２重量部の含量で含まれてもよい。
【００９０】
不飽和カルボン酸系重合体が０．５重量部未満では、分散性及び沈降安定性が低下して磁性粉末が凝集するため、充填率が減少し、磁性体シートの表面粗さが大きくなる問題が発生する恐れがあり、２重量部を超えると、磁性体シートの乾燥または硬化時に溶剤の揮発通路が確保されないため溶剤が内部にトラップされて物性が低下する恐れがある。
【００９１】
上記シロキサン系共重合体は、重量平均分子量が５００〜２，３００であってもよい。
【００９２】
上記シロキサン系共重合体は、上記磁性体シートに含まれる金属系軟磁性材料１００重量部に対して、０．０５重量部〜０．２重量部の含量で含んでもよい。
【００９３】
シロキサン系共重合体が０．０５重量部未満では、磁性粉末のスリップ性（ｓｌｉｐ）、レベリング（ｌｅｖｅｌｉｎｇ）特性の向上及びベナールセル（Ｂｅｎａｒｄ  ｃｅｌｌ）現象防止効果が僅かであり、磁性体シートの表面粗さが大きくなる問題が発生する恐れがあり、０．２重量部を超えると、磁性体シートの乾燥または硬化時に溶剤の揮発通路が確保されないため溶剤が内部にトラップされて物性が低下する恐れがある。
【００９４】
図６は、従来のリン酸系重合体分散剤であるエトキシ化ノニルフェノールリン酸塩（Ｅｔｈｏｘｙｌａｔｅｄ  Ｎｏｎｙｌｐｈｅｎｏｌ  ｐｈｏｓｐｈａｔｅ）を添加して製造した金属磁性粉末のスラリー（ｓｌｕｒｒｙ）（ｅ）と、本発明の一実施形態に従って不飽和カルボン酸系重合体及びシロキサン系共重合体を分散剤として添加して製造した金属磁性粉末のスラリー（ｓｌｕｒｒｙ）（ｆ）の沈降安定性を比較したグラフである。
【００９５】
図６から、本発明の一実施形態に従って不飽和カルボン酸系重合体及びシロキサン系共重合体を含むと、時間経過による沈降層の高さの減少速度が大幅に減り、沈降安定性が向上することが分かる。
【００９６】
図７は、従来のリン酸系重合体分散剤であるエトキシ化ノニルフェノールリン酸塩（Ｅｔｈｏｘｙｌａｔｅｄ  Ｎｏｎｙｌｐｈｅｎｏｌ  ｐｈｏｓｐｈａｔｅ）を使用して製造した磁性体シート（ｇ）、及び本発明の一実施形態に従って不飽和カルボン酸系重合体及びシロキサン系共重合体を分散剤として添加して製造した磁性体シート（ｈ）の表面を走査電子顕微鏡（ＳＥＭ）で観察した写真である。
【００９７】
図７から、本発明の一実施形態に従って不飽和カルボン酸系重合体及びシロキサン系共重合体を添加して製造した磁性体シート（ｇ）は、従来の分散剤を添加して製造した磁性体シート（ｈ）に比べて、分散性が向上し、レベリング（ｌｅｖｅｌｉｎｇ）効果及びベナールセル（Ｂｅｎａｒｄ  ｃｅｌｌ）現象防止効果により、表面粗さが減少することが分かる。
【００９８】
このように、本発明の一実施形態により製造された磁性体シートは、不飽和カルボン酸系重合体を含み、シロキサン系共重合体をさらに含むことにより、磁性粉末の分散性が向上することができ、これにより、充填率が向上し、インダクタンス容量特性が改善されることができる。
【００９９】
上記磁性体シートで製造される本発明の一実施形態による磁性体本体５０の充填率は８０％以上であってもよい。
【０１００】
上記磁性体シートを絶縁基板２０の両面に積層し、ラミネート法や静水圧プレス法により圧着して磁性体本体５０を形成することができる。このとき、上記貫通孔が磁性体で充填されるようにして、コア部５５を形成することができる。
【０１０１】
次に、上記磁性体本体５０の少なくとも一断面に露出する内部コイルパターン４０の引出部と接続するように磁性体本体５０の少なくとも一端面に外部電極８０を形成することができる。
【０１０２】
上記外部電極８０は、電気伝導性に優れた金属を含むペーストを用いて形成することができ、例えば、ニッケル（Ｎｉ）、銅（Ｃｕ）、スズ（Ｓｎ）または銀（Ａｇ）などの単独またはこれらの合金などを含む導電性ペーストであってもよい。
【０１０３】
外部電極８０は、外部電極８０の形状に沿ってプリンティングするだけではなく、ディッピング（ｄｉｐｐｉｎｇ）法などで形成してもよい。
【０１０４】
その他上述した本発明の一実施形態によるチップ電子部品の特徴と同じ部分に対する説明は、省略する。
【０１０５】
以上、本発明の実施形態について詳細に説明したが、本発明の権利範囲はこれに限定されず、請求の範囲に記載された本発明の技術的思想から外れない範囲内で多様な修正及び変形が可能であるということは、当技術分野の通常の知識を有する者には明らかである。
【符号の説明】
【０１０６】
１００  薄膜型インダクタ
２０  絶縁基板
３０  絶縁膜
４０  内部コイルパターン
４５  ビア電極
５０  磁性体本体
５５  コア部
８０  外部電極
【図１】
2015170843.tif 000003
【図２】
2015170843.tif 000004
【図３】
2015170843.tif 000005
【図４】
2015170843.tif 000006
【図５】
2015170843.tif 000007
【図６】
2015170843.tif 000008
【図７】
2015170843.tif 000009