(57)【要約】【課題】テープ表面をより一層粗化することができるローラ式プラズマ装置を提供する。【解決手段】本発明の一態様は、テープ９表面を粗化するローラ式プラズマ装置において、真空チャンバー１と、前記真空チャンバー内に配置され、前記テープが走行されるローラ２と、前記真空チャンバー内に配置され、前記ローラに対向して設けられたプラズマ電極１１と、前記プラズマ電極に電気的に接続された周波数が１０ｋＨｚ〜１ＭＨｚの高周波電源１５と、前記ローラに電気的に接続されたアースと、前記プラズマ電極と前記ローラとの間に希ガスを供給するガス供給機構と、前記真空チャンバー内を真空排気する真空ポンプ１０ａ，１０ｂと、を具備するローラ式プラズマ装置である。【選択図】  図１
2015149209.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
テープ表面を処理するローラ式プラズマ装置において、
真空チャンバーと、
前記真空チャンバー内に配置され、前記テープが走行されるローラと、
前記真空チャンバー内に配置され、前記ローラに対向して設けられたプラズマ電極と、
前記プラズマ電極に電気的に接続された周波数が１０ｋＨｚ〜１ＭＨｚの高周波電源と、
前記ローラに電気的に接続されたアースと、
前記プラズマ電極と前記ローラとの間に処理ガスを供給するガス供給機構と、
前記真空チャンバー内を真空排気する真空排気機構と、
を具備することを特徴とするローラ式プラズマ装置。
【請求項２】
テープ表面を粗化するローラ式プラズマ装置において、
真空チャンバーと、
前記真空チャンバー内に配置され、前記テープが走行されるローラと、
前記真空チャンバー内に配置され、前記ローラに対向して設けられたプラズマ電極と、
前記プラズマ電極に電気的に接続された周波数が１０ｋＨｚ〜１ＭＨｚの高周波電源と、
前記ローラに電気的に接続されたアースと、
前記プラズマ電極と前記ローラとの間に処理ガスを供給するガス供給機構と、
前記真空チャンバー内を真空排気する真空排気機構と、
を具備し、
前記処理ガスが希ガスであることを特徴とするローラ式プラズマ装置。
【請求項３】
テープ上に薄膜を成膜するローラ式プラズマ装置において、
真空チャンバーと、
前記真空チャンバー内に配置され、前記テープが走行されるローラと、
前記真空チャンバー内に配置され、前記ローラに対向して設けられたプラズマ電極と、
前記プラズマ電極に電気的に接続された周波数が１０ｋＨｚ〜１ＭＨｚの高周波電源と、
前記ローラに電気的に接続されたアースと、
前記プラズマ電極と前記ローラとの間に処理ガスを供給するガス供給機構と、
前記真空チャンバー内を真空排気する真空排気機構と、
を具備し、
前記処理ガスが原料ガスであることを特徴とするローラ式プラズマ装置。
【請求項４】
請求項２において、
前記真空チャンバー内を真空排気しながら前記プラズマ電極と前記ローラとの間に前記処理ガスを供給することで、前記真空チャンバー内を１〜１００Ｐａの圧力とした条件により前記テープ表面を粗化することを特徴とするローラ式プラズマ装置。
【請求項５】
請求項２において、
前記プラズマ電極、前記高周波電源及び前記ガス供給機構を有する表面粗化機構を複数備えていることを特徴とするローラ式プラズマ装置。
【請求項６】
請求項２または３において、
前記プラズマ電極における前記ローラとの対向面は、前記ローラの表面に沿って形成されていることを特徴とするローラ式プラズマ装置。
【請求項７】
請求項２または３において、
前記プラズマ電極と前記ローラとの間隔を可変させる可変機構を有することを特徴とするローラ式プラズマ装置。
【請求項８】
請求項７において、
前記可変機構によって前記プラズマ電極と前記ローラとの間隔を５ｍｍ以上５０ｍｍ以下の範囲で変更できることを特徴とするローラ式プラズマ装置。
【請求項９】
請求項２または３において、
前記プラズマ電極における前記ローラとの対向面と前記ローラとの間の空間に繋がるプラズマ電極の表面を覆い、且つ、前記空間に繋がるローラの表面を覆うように配置されたアースシールド部材をさらに具備し、
前記プラズマ電極及び前記ローラそれぞれと前記アースシールド部材との間の隙間の最大間隔が５ｍｍ以下であり、
前記真空排気機構は、前記プラズマ電極と前記ローラとの間に供給された前記処理ガスを前記隙間を通して排気するものであることを特徴とするローラ式プラズマ装置。
【請求項１０】
請求項２、３及び９のいずれか一項において、
前記プラズマ電極と前記ローラとの間には開口部を有するマスクが配置されており、
前記ローラ上のテープの表面は、前記開口部によって前記プラズマ電極に対して露出することを特徴とするローラ式プラズマ装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、テープ表面を処理するローラ式プラズマ装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来のローラ式プラズマ粗化装置は、絶縁フィルムなどのテープを供給するローラと、このローラに対向するように配置されたプラズマ電極と、このプラズマ電極及びローラを収容する真空チャンバーと、この真空チャンバー内を真空排気する真空排気機構と、プラズマ電極またはローラに高周波電力を供給する高周波電源と、テープの表面にＡｒガスを供給するガス供給機構とを有している。
【０００３】
上記のローラ式プラズマ粗化装置により次のようにテープ表面の粗化を行う。
ローラにテープを配置し、真空チャンバー内を真空排気機構によって真空排気し、真空チャンバー内のローラ上のテープにＡｒガスを供給する。このようなＡｒガスの供給と排気のバランスにより真空チャンバー内を所定の圧力とする。
【０００４】
次いで、ローラをアース電位とし、プラズマ電極に１３．５６ＭＨｚのＲＦ（高周波）を印加しながら４００ｋＨｚのＬＦ（低周波）を印加する。即ち、ＲＦ（高周波）及びＬＦ（低周波）をプラズマ電極に重畳させる。これにより、プラズマ電極とテープの表面との間にプラズマが発生され、テープ表面が荒らされ、テープ表面が粗化される（例えば特許文献１参照）。
【０００５】
なお、テープ表面を粗化する目的は、テープ表面を粗化してテープの表面積を増加させることにより、テープ表面に例えば金属、ガラス製基材、ゴム製基材などの部品を圧着した後の部品とテープとの密着力（密着強度）を向上させるためである。
【０００６】
上記のローラ式プラズマ粗化装置では、テープ表面をある程度粗化することができるが、密着力の更なる向上のためにテープ表面をより一層粗化してテープの表面積の更なる増加が求められている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００７】
【特許文献１】特開２０１０−１２１１５９号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
本発明の一態様は、テープ表面の処理の程度をより一層高めることができるローラ式プラズマ装置を提供することを課題とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
以下に、本発明の種々の態様について説明する。
［１］テープ表面を処理するローラ式プラズマ装置において、
真空チャンバーと、
前記真空チャンバー内に配置され、前記テープが走行されるローラと、
前記真空チャンバー内に配置され、前記ローラに対向して設けられたプラズマ電極と、
前記プラズマ電極に電気的に接続された周波数が１０ｋＨｚ〜１ＭＨｚ（好ましくは５０ｋＨｚ〜５００ｋＨｚ）の高周波電源と、
前記ローラに電気的に接続されたアースと、
前記プラズマ電極と前記ローラとの間に処理ガスを供給するガス供給機構と、
前記真空チャンバー内を真空排気する真空排気機構と、
を具備することを特徴とするローラ式プラズマ装置。
【００１０】
［２］テープ表面を粗化するローラ式プラズマ装置において、
真空チャンバーと、
前記真空チャンバー内に配置され、前記テープが走行されるローラと、
前記真空チャンバー内に配置され、前記ローラに対向して設けられたプラズマ電極と、
前記プラズマ電極に電気的に接続された周波数が１０ｋＨｚ〜１ＭＨｚ（好ましくは５０ｋＨｚ〜５００ｋＨｚ）の高周波電源と、
前記ローラに電気的に接続されたアースと、
前記プラズマ電極と前記ローラとの間に処理ガスを供給するガス供給機構と、
前記真空チャンバー内を真空排気する真空排気機構と、
を具備し、
前記処理ガスが希ガスであることを特徴とするローラ式プラズマ装置。
【００１１】
［３］テープ上に薄膜を成膜するローラ式プラズマ装置において、
真空チャンバーと、
前記真空チャンバー内に配置され、前記テープが走行されるローラと、
前記真空チャンバー内に配置され、前記ローラに対向して設けられたプラズマ電極と、
前記プラズマ電極に電気的に接続された周波数が１０ｋＨｚ〜１ＭＨｚ（好ましくは５０ｋＨｚ〜５００ｋＨｚ）の高周波電源と、
前記ローラに電気的に接続されたアースと、
前記プラズマ電極と前記ローラとの間に処理ガスを供給するガス供給機構と、
前記真空チャンバー内を真空排気する真空排気機構と、
を具備し、
前記処理ガスが原料ガスであることを特徴とするローラ式プラズマ装置。
【００１２】
［４］上記［２］において、
前記真空チャンバー内を真空排気しながら前記プラズマ電極と前記ローラとの間に前記処理ガスを供給することで、前記真空チャンバー内を１〜１００Ｐａの圧力とした条件により前記テープ表面を粗化することを特徴とするローラ式プラズマ装置。
【００１３】
［４'］上記［１］または［３］において、
前記真空チャンバー内を真空排気しながら前記プラズマ電極と前記ローラとの間に前記処理ガスを供給することで、前記真空チャンバー内を１〜１００Ｐａの圧力とした条件により前記テープ表面を処理することを特徴とするローラ式プラズマ装置。
なお、ここでいうテープ表面の処理は、テープ表面の成膜を含む意味である。
【００１４】
［５］上記［２］において、
前記プラズマ電極、前記高周波電源及び前記ガス供給機構を有する表面粗化機構を複数備えていることを特徴とするローラ式プラズマ装置。
【００１５】
［５'］上記［１］または［３］において、
前記プラズマ電極、前記高周波電源及び前記ガス供給機構を有する表面処理機構を複数備えていることを特徴とするローラ式プラズマ装置。
なお、ここでいう表面処理機構は、テープ表面に薄膜を成膜する機構を含む意味である。
【００１６】
［６］上記［１］乃至［５］、［４'］、［５'］のいずれか一項において、
前記プラズマ電極における前記ローラとの対向面は、前記ローラの表面に沿って形成されていることを特徴とするローラ式プラズマ装置。
【００１７】
［７］上記［１］乃至［６］、［４'］、［５'］のいずれか一項において、
前記プラズマ電極と前記ローラとの間隔を可変させる可変機構を有することを特徴とするローラ式プラズマ装置。
【００１８】
［８］上記［７］において、
前記可変機構によって前記プラズマ電極と前記ローラとの間隔を５ｍｍ以上５０ｍｍ以下の範囲で変更できることを特徴とするローラ式プラズマ装置。
【００１９】
［９］上記［１］乃至［８］、［４'］、［５'］のいずれか一項において、
前記プラズマ電極における前記ローラとの対向面と前記ローラとの間の空間に繋がるプラズマ電極の表面を覆い、且つ、前記空間に繋がるローラの表面を覆うように配置されたアースシールド部材をさらに具備し、
前記プラズマ電極及び前記ローラそれぞれと前記アースシールド部材との間の隙間の最大間隔が５ｍｍ以下であり、
前記真空排気機構は、前記プラズマ電極と前記ローラとの間に供給された前記処理ガスを前記隙間を通して排気するものであることを特徴とするローラ式プラズマ装置。
なお、前記アースシールド部材は、第１のアースシールド部材と第２のアースシールド部材を有していてもよい。
【００２０】
［１０］上記［１］乃至［９］、［４'］、［５'］のいずれか一項において、
前記プラズマ電極と前記ローラとの間には開口部を有するマスクが配置されており、
前記ローラ上のテープの表面は、前記開口部によって前記プラズマ電極に対して露出することを特徴とするローラ式プラズマ装置。
【発明の効果】
【００２１】
本発明の一態様を適用することで、テープ表面の処理の程度をより一層高めることができるローラ式プラズマ装置を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００２２】
【図１】本発明の一態様に係るローラ式プラズマ装置を示す模式図である。
【図２】（Ａ）は図１に示すテープ９が走行するローラ２の上面図、（Ｂ）は（Ａ）に示すローラ２の非成膜領域を遮蔽するマスクの上面図、（Ｃ）は（Ａ）に示すテープ９上に（Ｂ）に示すマスクを配置した上面図、（Ｄ）は図１に示すローラ２、プラズマ電極１１及びそれらの周囲を部分的に示す模式図である。
【図３】実施例及び比較例１〜４それぞれのテープ表面のＡＦＭ画像である。
【図４】粗化されたテープ９の表面にゴム製の基材１０１を圧着する様子、及び圧着した基材１０１をテープ９の表面から引きはがす様子を示す模式図である。
【発明を実施するための形態】
【００２３】
以下では、本発明の実施の形態について図面を用いて詳細に説明する。ただし、本発明は以下の説明に限定されず、本発明の趣旨及びその範囲から逸脱することなくその形態及び詳細を様々に変更し得ることは、当業者であれば容易に理解される。従って、本発明は以下に示す実施の形態の記載内容に限定して解釈されるものではない。
【００２４】
図１は、本発明の一態様に係るローラ式プラズマ装置を示す模式図である。
図２（Ａ）は、図１に示すテープ９が走行するローラ２の上面図であり、図２（Ｂ）は、図２（Ａ）に示すローラ２の非成膜領域を遮蔽するマスクの上面図であり、図２（Ｃ）は図２（Ａ）に示すテープ９上に図２（Ｂ）に示すマスクを配置した上面図であり、図２（Ｄ）は、図１に示すローラ２、プラズマ電極１１及びそれらの周囲を部分的に示す模式図である。
【００２５】
図１に示すように、ローラ式プラズマ装置は真空チャンバー１を有している。この真空チャンバー１には真空排気機構として真空ポンプ１０ａ，１０ｂが接続されており、真空ポンプ１０ａ，１０ｂによって真空チャンバー１内を真空排気することができる。
【００２６】
真空チャンバー１内にはローラ２を挟んで第１の巻き取りローラ３及び第２の巻き取りローラ４が配置されている。また、ローラ２の一方側には第１の送りローラ５及び第１のテンションコントロールローラ６が配置されており、ローラ２の他方側には第２の送りローラ７及び第２のテンションコントロールローラ８が配置されている。第１の巻き取りローラ３及び第２の巻き取りローラ４それぞれには回転駆動させる駆動機構（図示せず）が接続されている。なお、ローラ２は、直径が例えば３００〜２００００ｍｍと大径であり、幅が例えば２ｍである。
【００２７】
ローラ式プラズマ装置では、第１の巻き取りローラ３から第１の送りローラ５、第１のテンションコントロールローラ６、ローラ２、第２のテンションコントロールローラ８及び第２の送りローラ７を経由して第２の巻き取りローラ４にテープ９を走行させる走行経路が形成され、テープ９がその走行経路に沿って第１の巻き取りローラ３から第２の巻き取りローラ４に向かう方向（正方向Ｆ）に走行し得るとともに、その逆方向Ｒたる第２の巻き取りローラ４から第１の巻き取りローラ３に向かう方向に走行し得る。
【００２８】
また、真空チャンバー１内にはプラズマ電極１１が配置されており、このプラズマ電極１１はローラ２の表面と対向するように位置されている。詳細には、プラズマ電極１１におけるローラ２との対向面は、ローラ２の表面に沿って形成されており、プラズマ電極１１における前記対向面とローラ２の表面との距離は略等しく形成されている。当該距離は５ｍｍ以上５０ｍｍ以下であることが好ましく、より好ましくは１０ｍｍ以上３０ｍｍ以下である。ここでいう「略等しく」とは、前記対向面の全ての位置とローラ２の表面との距離が完全に等しい場合だけ含むのではなく、完全に等しくはない場合であっても、前記距離の最大値が前記距離の平均値の＋１０％以内であり且つ前記距離の最小値が前記距離の平均値の−１０％以内である場合も含む意味である。
【００２９】
また、ローラ式プラズマ装置はプラズマ電極１１とローラ２との間隔を可変させる機構（図示せず）を有するとよい。この機構は、プラズマ電極１１の位置を移動させる駆動機構でもよいし、ローラ２の位置を移動させる駆動機構でもよい。この機構によりプラズマ電極１１とローラ２との間隔を、粗化されるテープの材質や粗化条件等に適したものに変更することができる。当該間隔を変更できる範囲は、５ｍｍ以上５０ｍｍ以下であると好ましく、より好ましくは１０ｍｍ以上３０ｍｍ以下である。
【００３０】
プラズマ電極１１には、フィルタ（図示せず）を介して高周波電源（ＬＦ）１５が電気的に接続されている。高周波電源（ＬＦ）１５は、１０ｋＨｚ〜１ＭＨｚが好ましく、より好ましくは５０ｋＨｚ〜５００ｋＨｚであり、さらに好ましくは４００ｋＨｚである。また、ローラ２はアースに接続されている。
【００３１】
プラズマ電極１１には、ローラ２の表面上にガスをシャワー状に供給するための複数の開孔１１ａが設けられている。複数の開孔１１ａはプラズマ電極１１の内部及び配管を通してバルブ１６の一方端に繋げられている。バルブ１６の他方端は配管を通してマスフローコントローラ（ＭＦＣ）１７の一方端に接続されており、マスフローコントローラ１７の他方端は配管を通してバルブ２６の一方端に接続されている。バルブ２６の他方端は配管を介して処理ガス供給源としてのＡｒ供給源に接続されている。なお、本実施の形態では、処理ガスとしてＡｒを用いているが、Ａｒ以外の希ガスを用いてもよいし、希ガスと水素ガスの混合ガスを用いてもよい。
【００３２】
図１及び図２（Ｄ）に示すように、プラズマ電極１１の周囲には第１のアースシールド部材２１ａ及び第２のアースシールド部材２１ｂを有するアースシールド部材が設けられており、このアースシールド部材はプラズマ電極１１の周囲の空間を仕切るように配置されている。第１及び第２のアースシールド部材２１ａ，２１ｂはアースに接続されている。詳細には、第１のアースシールド部材２１ａはプラズマ電極１１におけるローラ２との対向面以外で且つ前記対向面に繋がるプラズマ電極１１の表面を覆っている。第１のアースシールド部材２１ａは前記対向面の周囲を囲むように配置されている。第２のアースシールド部材２１ｂは、前記対向面とローラ２との間の空間に繋がるローラ２の表面を覆うように配置されている。第１のアースシールド部材２１ａとプラズマ電極１１との間には隙間が設けられており、この隙間は最大幅（最大間隔）が５ｍｍ以下（好ましくは３ｍｍ以下、より好ましくは２ｍｍ以下）とされている。また、第２のアースシールド部材２１ｂとローラ２との間には隙間が設けられており、この隙間は最大幅（最大間隔）が５ｍｍ以下（好ましくは３ｍｍ以下、より好ましくは２ｍｍ以下）とされている。
【００３３】
第１のアースシールド部材２１ａ及びプラズマ電極１１とローラ２との間にはマスク２２が配置されており（図２（Ｄ）参照）、このマスク２２は図２（Ｃ）に示すようにローラ２の表面をマスクするものである。つまり、マスク２２には開口部２２ａが設けられており、開口部２２ａによってプラズマ電極１１に対して露出したローラ２上のテープ９の表面にプラズマによる粗化が施されるようになっている（図２（Ｂ），（Ｃ）参照）。マスク２２におけるローラ２との対向面は、ローラ２の表面に沿って形成されており、前記対向面とローラ２の表面との距離は略等しく形成されている（図１、図２（Ｄ）参照）。また、マスク２２はアース（図示せず）に接続されている。
【００３４】
プラズマ電極１１におけるローラ２との対向面の複数の開孔１１ａから処理ガスが、シャワー状にローラ２の表面に供給され、前記対向面とローラ２との間に導入される。その導入された処理ガスは、プラズマ電極１１と第１のアースシールド部材２１ａとの隙間を通って真空ポンプ１０ａから排気されるとともに、第２のアースシールド部材２１ｂとローラ２との隙間を通って真空ポンプ１０ｂから排気される。つまり、前記対向面とローラ２との間に導入された処理ガスは、最大幅が５ｍｍ以下（好ましくは３ｍｍ以下、より好ましくは２ｍｍ以下）の隙間を通って真空ポンプ１０ａ，１０ｂに到達するようになっている。このような隙間は、処理ガスが通過した際に異常放電の発生を抑制する効果を有している。
【００３５】
プラズマ電極１１、第１及び第２のアースシールド部材２１ａ，２１ｂ、マスク２２、高周波電源（ＬＦ）１５、バルブ１６、マスフローコントローラ１７、バルブ２６及び処理ガス供給源を有する表面粗化機構３１はテープ９の表面を処理する機構である。このような表面粗化機構３１はローラ２の両側面にも配置されている。なお、本実施の形態では、表面粗化機構３１をローラ２の上面及び両側面に合計３つ配置しているが、これに限定されるものではなく、表面粗化機構３１を１つまたは２つ配置してもよいし、４つ以上の表面粗化機構を配置してもよい。
【００３６】
次に、上記ローラ式プラズマ装置を用いてテープ９の表面を粗化する方法について説明する。
【００３７】
まず、ローラ２に絶縁フィルムなどのテープ９を配置し、真空チャンバー１内を真空ポンプ１０ａ，１０ｂによって真空排気する。例えば、テープの幅を４００ｍｍとし、テープの厚さを２５μｍ〜１５０μｍ（好ましくは３０μｍ〜５０μｍ）とし、テープの材質をＰＴＦＥ（ポリテトラフルオロエチレン）、ＰＥＴ（ポリエチレンテレフタレート）、ＰＥＮ（ポリエチレンナフタレート）、ＰＰ（ポリプロピレン）等としてもよいし、またローラ２の直径を４００ｍｍとしてもよい。次いで、処理ガス供給源からプラズマ電極１１にＡｒガスを供給し、Ａｒガスをプラズマ電極１１からシャワー状にローラ２上のテープ９に供給する。そして、Ａｒガスの供給量と排気のバランスにより、１〜１００Ｐａの圧力（好ましくは１０〜４０Ｐａ）、所定のガス流量などの所望の条件となる。
【００３８】
次いで、ローラ２、第１及び第２のアースシールド部材２１ａ，２１ｂ及びマスク２２それぞれをアース電位とした状態で、高周波電源（ＬＦ）１５により１０ｋＨｚ〜１ＭＨｚ（好ましくは５０ｋＨｚ〜５００ｋＨｚ）のＬＦ（低周波）をプラズマ電極１１に印加する。これにより、マスク２２の開口部２２ａから露出したテープ９の表面とプラズマ電極１１との間にＡｒガスのプラズマが発生され、テープ９の表面が粗化される。
【００３９】
つまり、プラズマ中のＡｒによりテープ９の表面が削られ、また削られたテープ９の材料がテープ表面に再付着されることで、テープ９の表面が荒らされ、テープ表面が粗化される。なお、本明細書において「テープ表面が粗化される」とは、テープの表面に微小な凹凸が形成されることをいう。
【００４０】
第１の巻き取りローラ３から第１の送りローラ５、第１のテンションコントロールローラ６、ローラ２、第２のテンションコントロールローラ８及び第２の送りローラ７を経由して第２の巻き取りローラ４にテープ９を所定の速度で走行させることにより、テープ９の表面を連続的に粗化することができる。なお、テープ９を走行させる際の張力を２Ｎ〜１００Ｎに制御するとよい。また、第１及び第２の巻き取りローラ３，４それぞれの直径は２００ｍｍ以下であるとよい。
【００４１】
本実施の形態によれば、プラズマ電極１１に１０ｋＨｚ〜１ＭＨｚのＬＦ（低周波）を印加し、ローラ２をアース電位としてテープ９の表面にＡｒガスによるプラズマを発生させることでテープ９の表面を粗化するため、従来技術に比べてテープ表面をより一層粗化することができる。つまり、周波数を１０ｋＨｚ〜１ＭＨｚと低くすることによりプラズマ電極１１及びアースであるローラ２それぞれの周囲にバイアス性が強いプラズマが集まるため、従来技術に比べてテープ表面をより一層粗化することができる。
【００４２】
以下に詳細に説明する。
比較例として表１に示す２種類の方法でプラズマ電極１１に高周波電力（ＲＦ，ＬＦ）を供給し、ローラ２にアースを供給し、これ以外については本実施の形態と同様の装置構造及び条件でテープ表面のプラズマ粗化を行う場合と、プラズマ電極１１にＲＦを印加し、ローラ２をアース電位とした本実施の形態によるテープ表面のプラズマ粗化を行う場合を比較すると、表１に示す２種類のいずれの方法による比較例よりも本実施の形態の方がテープ表面の粗化の程度が大きくなる。ただし、ＲＦは周波数１３．５６ＭＨｚの高周波であり、ＬＦは周波数４００ｋＨｚの高周波である。
【００４３】
【表１】
2015149209.tif 000003
【００４４】
また、テープ９の表面を粗化する際の真空チャンバー１内を１〜１００Ｐａの圧力（好ましくは１０〜４０Ｐａ）とすることにより、１Ｐａ未満の圧力とした場合に比べてテープ表面の粗化の程度を向上させることができ、テープの表面積を大きくすることができる。
【００４５】
また、本実施の形態では、プラズマ電極１１におけるローラ２との対向面をローラ２の表面に沿って形成することにより、プラズマ電極１１とローラ２との間に均一性良くプラズマを発生させることができる。その結果、テープ９の表面を均一性良く粗化することができる。
【００４６】
また、本実施の形態では、３つの表面粗化機構３１を配置することにより、１つの表面粗化機構３１を配置した場合に比べてテープ９の走行速度を速くすることができる。例えば、１つの表面粗化機構３１を有するローラ式プラズマ装置と３つの表面粗化機構３１を有するローラ式プラズマ装置の場合、前者の装置でテープの走行速度を１０ｃｍ／分で粗化を行ったものと、後者の装置でテープの走行速度を３０ｃｍ／分で粗化を行ったものとは、同程度の粗化を施すことができる。従って、表面粗化機構３１の数を増やすことにより、処理速度を速くしてテープ表面への粗化処理の効率を向上させることができる。
【００４７】
また、本実施の形態では、プラズマ電極１１とローラ２との間に導入された処理ガスが、第１及び第２のアースシールド部材２１ａ，２１ｂの外側に流れ出すためには最大幅が５ｍｍ以下（好ましくは３ｍｍ以下、より好ましくは２ｍｍ以下）の隙間を通らなければならないように構成している。５ｍｍ以下の隙間では放電が起こらないため、第１及び第２のアースシールド部材２１ａ，２１ｂの内部（即ち、プラズマ電極１１とローラ２との間）にプラズマを閉じ込めることができる。従って、放電範囲を第１及び第２のアースシールド部材２１ａ，２１ｂの内部に制限してエネルギーロスを低減できる。またプラズマ電極１１とローラ２との間以外の真空チャンバー１内に異常放電等が発生するのを抑制できる。
【００４８】
また、本実施の形態では、開口部２２ａを有するマスク２２を配置することにより、開口部２２ａによって露出したローラ２上のテープ９の表面にプラズマによる粗化を施すことができる。つまり、ローラ２へのプラズマ照射範囲を制限することで、テープ表面の粗化の処理範囲を制限できる。
【００４９】
また、本実施の形態によるローラ式プラズマ装置によってテープ９の表面を粗化し、その粗化されたテープ９の表面に例えばゴム製基材などの部品を圧着した場合、粗化による凹凸等によってテープ表面（部品との圧着面）の表面積が増加しているため、部品とテープとの密着力（密着強度）を飛躍的に向上させることができる。別言すれば、粗化によってテープ表面に大きな凹凸等を形成するため、アンカー効果によって部品とテープとの密着力を格段に向上させることができる。
【００５０】
なお、本実施の形態では、テープ表面を粗化するローラ式プラズマ装置について説明しているが、これに限定されるものではなく、テープ表面を処理するローラ式プラズマ装置、テープ表面に薄膜を成膜するローラ式プラズマ装置に本発明の一態様に適用することも可能である。
【００５１】
テープ表面を処理するローラ式プラズマ装置では、プラズマ空間内でテープ表面にＡｒ等があたると、結合していた原子がテープ表面から飛び出ることにより、原子が存在していた個所に新たな原子が結合できる状態（表面エネルギーが上昇している状態）になる。その個所にフッ素が結びつくとフッ化となり、その個所に酸素が結びつくと酸化となる。
【００５２】
テープ表面に薄膜を成膜するローラ式プラズマ装置では、周波数が１０ｋＨｚ〜１ＭＨｚと低い高周波電力をガスシャワー電極２１に印加することで、成膜時に十分なＶＤＣがテープにかかり、硬度の高い薄膜を容易に形成することができる。また、テープ表面に薄膜を成膜するローラ式プラズマ装置では、第１及び第２のアースシールド部材２１ａ，２１ｂによって仕切られた空間だけにプラズマを発生させるのを限定できるため、プラズマ電極１１とローラ２との間以外の真空チャンバー１内に膜が付着するのを抑制できる。
【実施例】
【００５３】
本実施例によるテープ表面を粗化する条件及び結果について説明する。
【００５４】
〈粗化の条件〉
装置  ：  図１、図２に示すローラ式プラズマ装置
テープの厚み  ：  ３５μｍ
テープの幅  ：  ３９０ｍｍ
テープの材質  ：  ＰＴＦＥ
ローラ２とプラズマ電極１１との距離  ：  ２０ｍｍ
ローラ２の外径  ：  ０．４ｍ
プラズマ電極１１に供給した高周波（ＬＦ）の周波数  ：  ４００ｋＨｚ
プラズマ電極１１におけるローラ２との対向面の面積  ：  ８９６ｃｍ２
処理ガス  ：  Ａｒガス
Ａｒガスの流量  ：  表２の４００ｋＨｚの欄に示す
真空チャンバー１内の圧力（処理圧力）  ：  表２の４００ｋＨｚの欄に示す
ローラ２に供給した高周波電力の出力  ：  表２の４００ｋＨｚの欄に示す
処理時間  ：  表２の４００ｋＨｚの欄に示す
テープ速度  ：  表２の４００ｋＨｚの欄のフィルムスピード換算
処理温度  ：  常温
【００５５】
【表２】
2015149209.tif 000004
【００５６】
〈粗化の結果〉
テープ表面の粗さは、表３の４００ｋＨｚの欄に示すとおりである。また、テープ表面の状態は図３の４００ｋＨｚのＡＦＭ画像に示すとおりである。
【００５７】
【表３】
2015149209.tif 000005
【００５８】
観察範囲は、粗化されたテープ表面の１μｍ×１μｍの四角形の範囲である。Ｒｍｓは、粗化されたテープ表面上の所定の基準長さにおける二乗平均平方根粗さの値である。
Ｒａは、算術平均粗さであり、詳細には、粗化されたテープ表面上の所定の基準長さにおける凸部の高さ及び凹部の深さそれぞれの絶対値の平均値であり、高さ方向の振幅平均パラメータである。
【００５９】
Ｒｍａｘは、最大高さ粗さ（ＪＩＳ'９４でＲｙ）であり、詳細には、所定の基準長さにおける輪郭曲線の山高さの最大値と谷深さの最大値との和であり、高さ方向の山・谷のパラメータである。
Ｒｚは、１０点平均粗さであり、詳細には、粗さ曲線からその平均線の方向に基準長さだけを抜き取り、この抜き取り部分の平均線から縦倍率の方向に測定した、最も高い山頂から５番目までの山頂の標高の絶対値の平均値と、最も低い谷底から５番目までの谷底の標高の絶対値の平均値との和を求め、この値をマイクロメートル（μｍ）で表したものをいう。
【００６０】
Ｒｍｓ、Ｒａ、Ｒｍａｘ、Ｒｚのいずれの数値も、大きい程、表面が粗いことを示し、部品との密着に関与する面積が増大していることを示している。つまり、これらの数値が大きい程、粗化されたテープ表面に基材等の部品を圧着した際に、当該部品との接触面積が増えることになり、密着力が増加することを示している。
【００６１】
（比較例１）
比較例１によるテープ表面を粗化する条件及び結果について説明する。
【００６２】
〈粗化の条件〉
装置  ：  図１、図２に示すローラ式プラズマ装置
テープの厚み  ：  実施例と同様
テープの幅  ：  実施例と同様
テープの材質  ：  実施例と同様
ローラ２とプラズマ電極１１との距離  ：  実施例と同様
ローラ２の外径  ：  実施例と同様
プラズマ電極１１に供給した高周波（ＬＦ）の周波数  ：  １３ＭＨｚ
プラズマ電極１１におけるローラ２との対向面の面積  ：  実施例と同様
処理ガス  ：  Ａｒガス
Ａｒガスの流量  ：  表２の１３ＭＨｚの欄に示す
真空チャンバー１内の圧力（処理圧力）  ：  表２の１３ＭＨｚの欄に示す
ローラ２に供給した高周波電力の出力  ：  表２の１３ＭＨｚの欄に示す
処理時間  ：  表２の１３ＭＨｚの欄に示す
テープ速度  ：  表２の１３ＭＨｚの欄のフィルムスピード換算
処理温度  ：  実施例と同様
【００６３】
〈粗化の結果〉
テープ表面の粗さは、表３の１３ＭＨｚの欄に示すとおりである。また、テープ表面の状態は図３の１３ＭＨｚのＡＦＭ画像に示すとおりである。
【００６４】
（比較例２）
比較例２によるテープ表面を粗化する条件及び結果について説明する。
【００６５】
〈粗化の条件〉
装置  ：  図１、図２に示すローラ式プラズマ装置
テープの厚み  ：  実施例と同様
テープの幅  ：  実施例と同様
テープの材質  ：  実施例と同様
ローラ２とプラズマ電極１１との距離  ：  実施例と同様
ローラ２の外径  ：  実施例と同様
プラズマ電極１１に供給した高周波（ＲＦ＋ＬＦ）の周波数  ：  １３ＭＨｚ＋４００ｋＨｚ（つまりＲＦとＬＦをプラズマ電極１１に重畳させる）
プラズマ電極１１におけるローラ２との対向面の面積  ：  実施例と同様
処理ガス  ：  Ａｒガス
Ａｒガスの流量  ：  表２の１３ＭＨｚ＋４００ｋＨｚの欄に示す
真空チャンバー１内の圧力（処理圧力）  ：  表２の１３ＭＨｚ＋４００ｋＨｚの欄に示す
ローラ２に供給した高周波電力の出力  ：  表２の１３ＭＨｚ＋４００ｋＨｚの欄に示す
処理時間  ：  表２の１３ＭＨｚ＋４００ｋＨｚの欄に示す
テープ速度  ：  表２の１３ＭＨｚ＋４００ｋＨｚの欄のフィルムスピード換算
処理温度  ：  実施例と同様
【００６６】
〈粗化の結果〉
テープ表面の粗さは、表３の１３ＭＨｚ＋４００ｋＨｚの欄に示すとおりである。また、テープ表面の状態は図３の１３ＭＨｚ＋４００ｋＨｚのＡＦＭ画像に示すとおりである。
【００６７】
（比較例３：未処理）
比較例３によるテープ表面は粗化の処理が行われていない。このテープ表面の粗さを測定した結果は、表３の未処理の欄に示すとおりである。また、テープ表面の状態は図３の未処理のＡＦＭ画像に示すとおりである。
【００６８】
本実施例によれば、表３及び図３に示すとおり、テープ表面の粗さを飛躍的に向上させることができた。このため、図４に示すように、粗化されたテープ９の表面にゴム製の基材１０１を圧着し、その後、圧着した基材１０１をテープ９の表面から引きはがす際に必要な力（荷重）を測定すれば、その測定値は比較例１〜３に比べて実施例のテープが最も大きいと考えられる。
【符号の説明】
【００６９】
１…真空チャンバー
２…ローラ
３…第１の巻き取りローラ
４…第２の巻き取りローラ
５…第１の送りローラ
６…第１のテンションコントロールローラ
７…第２の送りローラ
８…第２のテンションコントロールローラ
９…テープ
１０ａ，１０ｂ…真空ポンプ
１１…プラズマ電極
１１ａ…複数の開孔
１５…高周波電源（ＬＦ）
１６…バルブ
１７…マスフローコントローラ（ＭＦＣ）
２１ａ…第１のアースシールド部材
２１ｂ…第２のアースシールド部材
２２…マスク
２２ａ…開口部
２６…バルブ
３１…表面粗化機構
１０１…ゴム製の基材
【図１】
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【図２】
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【図４】
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【図３】
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