(57)【要約】【課題】複数の洗浄ユニットのいずれかにバクテリアが発生したとしても、基板の処理を継続することができる基板処理装置を提供する。【解決手段】基板処理装置は、純水を基板に供給して該基板を洗浄する複数の第１洗浄ユニット５２，５４を含む第１洗浄レーンと、純水を基板に供給して該基板を洗浄する複数の第２洗浄ユニット６０，６２を含む第２洗浄レーンと、第１洗浄レーンに純水を供給する第１純水供給配管１２０と、第２洗浄レーンに純水を供給する第２純水供給配管１８０と、を備える。【選択図】図８
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
純水を基板に供給して該基板を洗浄する複数の第１洗浄ユニットを含む第１洗浄レーンと、
純水を基板に供給して該基板を洗浄する複数の第２洗浄ユニットを含む第２洗浄レーンと、
前記第１洗浄レーンに前記純水を供給する第１純水供給配管と、
前記第２洗浄レーンに前記純水を供給する第２純水供給配管と、を備えたことを特徴とする基板処理装置。
【請求項２】
前記第１純水供給配管および前記第２純水供給配管に、それぞれ過酸化水素水を導入するための第１導入ポートおよび第２導入ポートをさらに備えたことを特徴とする請求項１に記載の基板処理装置。
【請求項３】
前記第１洗浄ユニットは、純水を基板に供給する第１純水供給ノズルと、純水と薬液の混合液を基板に供給する第１薬液供給ノズルとを備え、
前記第１純水供給配管は、前記第１純水供給ノズルに接続された第１純水供給ラインと、前記第１薬液供給ノズルに接続された第１純水混合ラインとを有することを特徴とする請求項１に記載の基板処理装置。
【請求項４】
前記第１純水混合ラインは、前記純水と前記薬液とを混合するための混合機を経由して前記第１薬液供給ノズルまで延びることを特徴とする請求項３に記載の基板処理装置。
【請求項５】
前記第２洗浄ユニットは、純水を基板に供給する第２純水供給ノズルと、純水と薬液の混合液を基板に供給する第２薬液供給ノズルとを備え、
前記第２純水供給配管は、前記第２純水供給ノズルに接続された第２純水供給ラインと、前記第２薬液供給ノズルに接続された第２純水混合ラインとを有することを特徴とする請求項１に記載の基板処理装置。
【請求項６】
前記第２純水混合ラインは、前記純水と前記薬液とを混合するための混合機を経由して前記第２薬液供給ノズルまで延びることを特徴とする請求項５に記載の基板処理装置。
【請求項７】
前記第１洗浄レーンは、前記基板に前記純水を供給し、その後前記基板を乾燥させる第１乾燥ユニットをさらに含み、
前記第２洗浄レーンは、前記基板に前記純水を供給し、その後前記基板を乾燥させる第２乾燥ユニットをさらに含むことを特徴とする請求項１乃至６のいずれか一項に記載の基板処理装置。
【請求項８】
純水を基板に供給して該基板を洗浄する複数の第１洗浄ユニットを含む第１洗浄レーンと、
純水を基板に供給して該基板を洗浄する複数の第２洗浄ユニットを含む第２洗浄レーンと、
前記第１洗浄レーンに前記純水を供給する第１純水供給配管と、
前記第２洗浄レーンに前記純水を供給する第２純水供給配管と、を備えた基板処理装置の配管洗浄方法であって、
前記第１純水供給配管内に過酸化水素水を供給して前記第１純水供給配管を過酸化水素水で満たし、
過酸化水素水で満たされた前記第１純水供給配管を所定時間放置し、
その後、前記第１純水供給配管内に純水を供給して前記第１純水供給配管を洗浄し、
前記第１純水供給配管を前記所定時間放置している間、前記第２洗浄レーンで基板を洗浄することを特徴とする配管洗浄方法。
【請求項９】
前記第１純水供給配管を洗浄するときの前記純水の流量は、前記基板を洗浄するときの前記純水の流量よりも高いことを特徴とする請求項８に記載の配管洗浄方法。
【請求項１０】
前記過酸化水素水に含まれる過酸化水素の濃度が５〜６％であることを特徴とする請求項９に記載の配管洗浄方法。
【請求項１１】
前記所定時間が４時間以上であることを特徴とする請求項８乃至１０のいずれか一項に記載の配管洗浄方法。
【請求項１２】
前記第１純水供給配管に純水を供給して前記第１純水供給配管の内部を洗浄する時間は、１時間以上であることを特徴とする請求項８乃至１１のいずれか一項に記載の配管洗浄方法。
【請求項１３】
前記第１純水供給配管に純水を供給して前記第１純水供給配管の内部を洗浄した後、
前記第２純水供給配管内に過酸化水素水を供給して前記第２純水供給配管を過酸化水素水で満たし、
過酸化水素水で満たされた前記第２純水供給配管を所定時間放置し、
その後、前記第２純水供給配管内に純水を供給して前記第２純水供給配管を洗浄し、
前記第２純水供給配管を前記所定時間放置している間、前記第１洗浄レーンで基板を洗浄することを特徴とする請求項８乃至１２のいずれか一項に記載の配管洗浄方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ウェハなどの基板に洗浄液（例えば、純水や薬液）を供給して基板を処理する基板処理装置、および当該基板処理装置の配管洗浄方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、半導体デバイスの高集積化が進むにつれて回路の配線が微細化し、配線間距離もより狭くなりつつある。半導体デバイスの製造では、ウェハなどの基板の上に多くの種類の材料が膜状に繰り返し形成され、積層構造を形成する。この積層構造を形成するためには、基板の表面を平坦にする技術が重要となっている。このような基板の表面を平坦化する一手段として、化学機械研磨（ＣＭＰ）を行う基板処理装置が広く用いられている。
【０００３】
基板処理装置は、一般に、研磨パッドが取り付けられた研磨テーブルと、ウェハを保持する研磨ヘッドと、研磨液を研磨パッド上に供給する研磨液ノズルとを備えている。そして、研磨液ノズルから研磨液を研磨パッド上に供給しながら、研磨ヘッドによりウェハを研磨パッドに押し付け、さらに研磨ヘッドと研磨テーブルとをそれぞれ回転させることによりウェハを研磨する。
【０００４】
研磨されたウェハ上には、不要な残渣が存在する。そのため、基板処理装置は、このような残渣をウェハから取り除くためにウェハを洗浄する複数の洗浄ユニットと、洗浄されたウェハを乾燥させる複数の乾燥ユニットとを有している。図１２は、従来の基板処理装置に配置される洗浄ユニットと乾燥ユニットの配置を示す模式図である。図１２に示されるように、この基板処理装置では、２つの洗浄レーン、すなわち上段洗浄レーンと下段洗浄レーンが設けられる。上段洗浄レーンでは、上側洗浄ユニット１５２、上側洗浄ユニット１５４、および上側乾燥ユニット１５６の順にウェハが搬送され、下段洗浄レーンでは、下側洗浄ユニット１６０、下側洗浄ユニット１６２、および下側乾燥ユニット１６４の順にウェハが搬送される。上段洗浄レーンおよび下段洗浄レーンでは、２枚のウェハが並列に洗浄および乾燥される。
【０００５】
上側洗浄ユニット１５２、上側洗浄ユニット１５４、下側洗浄ユニット１６０、および下側洗浄ユニット１６２では、薬液をウェハの表面および裏面に供給しながら、ブラシやスポンジ等からなる洗浄部材をウェハに擦り付けることによってウェハを洗浄し、その後ウェハを純水でリンスする。上側乾燥ユニット１５６および下側乾燥ユニット１６４では、ウェハの表面を純水でリンスした後、ＩＰＡ蒸気（イソプロピルアルコールとＮ２ガスとの混合気）をウェハの表面に供給して、ウェハを乾燥させる。
【０００６】
このように、洗浄ユニット１５２，１５４，１６０，１６２および乾燥ユニット１５６，１６４には、ウェハ処理のために純水が供給される。したがって、図１２に示されるように、洗浄ユニット１５２，１５４，１６０，１６２および乾燥ユニット１５６，１６４には、それぞれ、工場ユーティリティの１つである工場純水ラインから延びる純水供給配管３００が接続される。この純水供給配管３００には、純水元弁３０１が配置されている。
【０００７】
これら洗浄ユニット１５２，１５４，１６０，１６２および乾燥ユニット１５６，１６４には、バクテリアが発生することがある。発生したバクテリアやその死骸は、純水と共にウェハ上に運ばれ、ウェハを汚染する原因となってしまう。そのため、バクテリアが発生した場合は、純水供給配管３００内に過酸化水素水を注入して、当該バクテリアを死滅させ、その後、純水を純水供給配管３００に流して、純水供給配管３００の内部を洗浄（フラッシング）することが行われている。
【０００８】
純水は、１本の純水供給配管３００から、洗浄ユニット１５２，１５４，１６０，１６２および乾燥ユニット１５６，１６４に分配される。このような純水供給システムでは、ユニット１５２、１５４，１５６，１６０，１６２，１６４のいずれか１つでバクテリアが発生すると、純水供給配管３００全てに過酸化水素水を導入する必要がある。その結果、上段洗浄レーンおよび下段洗浄レーンの両方がウェハ洗浄に使用できなくなってしまう。過酸化水素水を用いた洗浄が完了するには数時間かかる場合もあり、ウェハの処理が停止するダウンタイムが長くなるという問題があった。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００９】
【特許文献１】特開２０１０−５０４３６号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１０】
そこで、本発明は、複数の洗浄ユニットのいずれかにバクテリアが発生したとしても、基板の処理を継続することができる基板処理装置を提供することを目的とする。また、本発明は、このような基板処理装置の配管洗浄方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
上述した課題を解決するための本発明の一態様は、純水を基板に供給して該基板を洗浄する複数の第１洗浄ユニットを含む第１洗浄レーンと、純水を基板に供給して該基板を洗浄する複数の第２洗浄ユニットを含む第２洗浄レーンと、前記第１洗浄レーンに前記純水を供給する第１純水供給配管と、前記第２洗浄レーンに前記純水を供給する第２純水供給配管と、を備えたことを特徴とする基板処理装置である。
【００１２】
好ましい態様は、前記第１純水供給配管および前記第２純水供給配管に、それぞれ過酸化水素水を導入するための第１導入ポートおよび第２導入ポートをさらに備えたことを特徴とする。
好ましい態様は、前記第１洗浄ユニットは、純水を基板に供給する第１純水供給ノズルと、純水と薬液の混合液を基板に供給する第１薬液供給ノズルとを備え、前記第１純水供給配管は、前記第１純水供給ノズルに接続された第１純水供給ラインと、前記第１薬液供給ノズルに接続された第１純水混合ラインとを有することを特徴とする。
好ましい態様は、前記第１純水混合ラインは、前記純水と前記薬液とを混合するための混合機を経由して前記第１薬液供給ノズルまで延びることを特徴とする。
【００１３】
好ましい態様は、前記第２洗浄ユニットは、純水を基板に供給する第２純水供給ノズルと、純水と薬液の混合液を基板に供給する第２薬液供給ノズルとを備え、前記第２純水供給配管は、前記第２純水供給ノズルに接続された第２純水供給ラインと、前記第２薬液供給ノズルに接続された第２純水混合ラインとを有することを特徴とする。
好ましい態様は、前記第２純水混合ラインは、前記純水と前記薬液とを混合するための混合機を経由して前記第２薬液供給ノズルまで延びることを特徴とする。
好ましい態様は、前記第１洗浄レーンは、前記基板に前記純水を供給し、その後前記基板を乾燥させる第１乾燥ユニットをさらに含み、前記第２洗浄レーンは、前記基板に前記純水を供給し、その後前記基板を乾燥させる第２乾燥ユニットをさらに含むことを特徴とする。
【００１４】
本発明の他の態様は、純水を基板に供給して該基板を洗浄する複数の第１洗浄ユニットを含む第１洗浄レーンと、純水を基板に供給して該基板を洗浄する複数の第２洗浄ユニットを含む第２洗浄レーンと、前記第１洗浄レーンに前記純水を供給する第１純水供給配管と、前記第２洗浄レーンに前記純水を供給する第２純水供給配管と、を備えた基板処理装置の配管洗浄方法であって、前記第１純水供給配管内に過酸化水素水を供給して前記第１純水供給配管を過酸化水素水で満たし、過酸化水素水で満たされた前記第１純水供給配管を所定時間放置し、その後、前記第１純水供給配管内に純水を供給して前記第１純水供給配管を洗浄し、前記第１純水供給配管を前記所定時間放置している間、前記第２洗浄レーンで基板を洗浄することを特徴とする。
【００１５】
好ましい態様は、前記第１純水供給配管を洗浄するときの前記純水の流量は、前記基板を洗浄するときの前記純水の流量よりも高いことを特徴とする。
好ましい態様は、前記過酸化水素水に含まれる過酸化水素の濃度が５〜６％であることを特徴とする。
好ましい態様は、前記所定時間が４時間以上であることを特徴とする。
好ましい態様は、前記第１純水供給配管に純水を供給して前記第１純水供給配管の内部を洗浄する時間は、１時間以上であることを特徴とする。
好ましい態様は、前記第１純水供給配管に純水を供給して前記第１純水供給配管の内部を洗浄した後、前記第２純水供給配管内に過酸化水素水を供給して前記第２純水供給配管を過酸化水素水で満たし、過酸化水素水で満たされた前記第２純水供給配管を所定時間放置し、その後、前記第２純水供給配管内に純水を供給して前記第２純水供給配管を洗浄し、前記第２純水供給配管を前記所定時間放置している間、前記第１洗浄レーンで基板を洗浄することを特徴とする。
【発明の効果】
【００１６】
本発明によれば、第１純水供給配管と第２純水供給配管との２系統が設けられる。この第１純水供給配管および第２純水供給配管は、第１洗浄レーンおよび第２洗浄レーンにそれぞれ接続されて、純水を第１洗浄レーンおよび第２洗浄レーンに独立に供給している。したがって、第１洗浄レーンまたは第２洗浄レーンのいずれかでバクテリアが発生したときは、当該バクテリアが発生した洗浄レーンの純水供給配管のみに過酸化水素水を供給すればよい。その結果、バクテリアが発生していない洗浄レーンでは、基板の処理を継続することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１７】
【図１】研磨ユニット、洗浄ユニット、および乾燥ユニットを備えた、本発明の一実施形態に係る基板処理装置を示す図である。
【図２】第１研磨ユニットを示す斜視図である。
【図３】図３（ａ）は洗浄部を示す平面図であり、図３（ｂ）は洗浄部を示す側面図である。
【図４】上段洗浄レーンおよび下段洗浄レーンを示す模式図である。
【図５】洗浄ユニットを示す斜視図である。
【図６】ペンスポンジタイプの洗浄機を示す斜視図である。
【図７】乾燥ユニットを示す縦断面図である。
【図８】洗浄ユニットおよび乾燥ユニットに純水を供給する純水供給システムの一例を示す図である。
【図９】純水供給システムの詳細を示す図である。
【図１０】従来の基板処理装置における上段洗浄レーンおよび下段洗浄レーンの流量を示すグラフである。
【図１１】本発明の一実施形態の基板処理装置における上段洗浄レーンおよび下段洗浄レーンの流量を示すグラフである。
【図１２】従来の基板処理装置に配置される洗浄ユニットと乾燥ユニットの配置を示す模式図である。
【発明を実施するための形態】
【００１８】
以下、本発明の実施形態について図面を参照して説明する。
図１は、研磨ユニット、洗浄ユニット、および乾燥ユニットを備えた、本発明の一実施形態に係る基板処理装置を示す図である。この基板処理装置は、基板の一例であるウェハを研磨し、洗浄し、乾燥させる一連の工程を行うことができる装置である。図１に示すように、基板処理装置は、略矩形状のハウジング２を備えており、ハウジング２の内部は隔壁２ａ，２ｂによってロード／アンロード部６と研磨部１と洗浄部８とに区画されている。基板処理装置は、ウェハ処理動作を制御する動作制御部１０を有している。
【００１９】
ロード／アンロード部６は、多数のウェハＷをストックするウェハカセットが載置されるロードポート１２を備えている。このロード／アンロード部６には、ロードポート１２の並びに沿って走行機構１４が敷設されており、この走行機構１４上にウェハカセットの配列方向に沿って移動可能な搬送ロボット（ローダー）１６が設置されている。搬送ロボット１６は走行機構１４上を移動することによってロードポート１２に搭載されたウェハカセットにアクセスできるようになっている。
【００２０】
研磨部１は、ウェハＷの研磨が行われる領域であり、第１研磨ユニット１Ａ、第２研磨ユニット１Ｂ、第３研磨ユニット１Ｃ、第４研磨ユニット１Ｄを備えている。第１研磨ユニット１Ａは、研磨面を有する研磨パッド２０が取り付けられた第１研磨テーブル２２Ａと、ウェハＷを保持しかつウェハＷを第１研磨テーブル２２Ａ上の研磨パッド２０に押圧しながら研磨するための第１研磨ヘッド２４Ａと、研磨パッド２０に研磨液（例えばスラリ）やドレッシング液（例えば、純水）を供給するための第１研磨液供給ノズル２６Ａと、研磨パッド２０の研磨面のドレッシングを行うための第１ドレッシングユニット２８Ａと、液体（例えば純水）と気体（例えば窒素ガス）の混合流体、または液体（例えば純水）を霧状にして研磨面に噴射する第１アトマイザ３０Ａとを備えている。
【００２１】
同様に、第２研磨ユニット１Ｂは、研磨パッド２０が取り付けられた第２研磨テーブル２２Ｂと、第２研磨ヘッド２４Ｂと、第２研磨液供給ノズル２６Ｂと、第２ドレッシングユニット２８Ｂと、第２アトマイザ３０Ｂとを備えており、第３研磨ユニット１Ｃは、研磨パッド２０が取り付けられた第３研磨テーブル２２Ｃと、第３研磨ヘッド２４Ｃと、第３研磨液供給ノズル２６Ｃと、第３ドレッシングユニット２８Ｃと、第３アトマイザ３０Ｃとを備えており、第４研磨ユニット１Ｄは、研磨パッド２０が取り付けられた第４研磨テーブル２２Ｄと、第４研磨ヘッド２４Ｄと、第４研磨液供給ノズル２６Ｄと、第４ドレッシングユニット２８Ｄと、第４アトマイザ３０Ｄとを備えている。
【００２２】
第１研磨ユニット１Ａおよび第２研磨ユニット１Ｂに隣接して、第１リニアトランスポータ４０が配置されている。この第１リニアトランスポータ４０は、４つの搬送位置（第１搬送位置ＴＰ１、第２搬送位置ＴＰ２、第３搬送位置ＴＰ３、第４搬送位置ＴＰ４）の間でウェハＷを搬送する機構である。また、第３研磨ユニット１Ｃおよび第４研磨ユニット１Ｄに隣接して、第２リニアトランスポータ４２が配置されている。この第２リニアトランスポータ４２は、３つの搬送位置（第５搬送位置ＴＰ５、第６搬送位置ＴＰ６、第７搬送位置ＴＰ７）の間でウェハＷを搬送する機構である。
【００２３】
第１搬送位置ＴＰ１に隣接して、搬送ロボット１６からウェハＷを受け取るためのリフタ４４が配置されている。ウェハＷはこのリフタ４４を介して搬送ロボット１６から第１リニアトランスポータ４０に渡される。リフタ４４と搬送ロボット１６との間に位置して、シャッタ（図示せず）が隔壁２ａに設けられており、ウェハＷの搬送時にはシャッタが開かれて搬送ロボット１６からリフタ４４にウェハＷが渡されるようになっている。
【００２４】
ウェハＷは、搬送ロボット１６によってリフタ４４に渡され、さらにリフタ４４から第１リニアトランスポータ４０に渡され、そして第１リニアトランスポータ４０によって研磨ユニット１Ａ，１Ｂに搬送される。第１研磨ユニット１Ａの研磨ヘッド２４Ａは、そのスイング動作により第１研磨テーブル２２Ａの上方位置と第２搬送位置ＴＰ２との間を移動する。したがって、研磨ヘッド２４ＡへのウェハＷの受け渡しは第２搬送位置ＴＰ２で行われる。
【００２５】
同様に、第２研磨ユニット１Ｂの研磨ヘッド２４Ｂは研磨テーブル２２Ｂの上方位置と第３搬送位置ＴＰ３との間を移動し、研磨ヘッド２４ＢへのウェハＷの受け渡しは第３搬送位置ＴＰ３で行われる。第３研磨ユニット１Ｃの研磨ヘッド２４Ｃは研磨テーブル２２Ｃの上方位置と第６搬送位置ＴＰ６との間を移動し、研磨ヘッド２４ＣへのウェハＷの受け渡しは第６搬送位置ＴＰ６で行われる。第４研磨ユニット１Ｄの研磨ヘッド２４Ｄは研磨テーブル２２Ｄの上方位置と第７搬送位置ＴＰ７との間を移動し、研磨ヘッド２４ＤへのウェハＷの受け渡しは第７搬送位置ＴＰ７で行われる。
【００２６】
第１リニアトランスポータ４０と、第２リニアトランスポータ４２と、洗浄部８との間にはスイングトランスポータ４６が配置されている。ウェハＷは、スイングトランスポータ４６によって第１リニアトランスポータ４０から第２リニアトランスポータ４２に搬送される。さらに、ウェハＷは、第２リニアトランスポータ４２によって第３研磨ユニット１Ｃおよび／または第４研磨ユニット１Ｄに搬送される。
【００２７】
スイングトランスポータ４６の側方には、図示しないフレームに設置されたウェハＷの仮置き台４８が配置されている。この仮置き台４８は、図１に示すように、第１リニアトランスポータ４０に隣接して配置されており、第１リニアトランスポータ４０と洗浄部８との間に位置している。スイングトランスポータ４６は、第４搬送位置ＴＰ４、第５搬送位置ＴＰ５、および仮置き台４８の間でウェハＷを搬送する。
【００２８】
仮置き台４８に載置されたウェハＷは、洗浄部８の第１搬送ロボット５０によって洗浄部８に搬送される。洗浄部８は、上側洗浄ユニット５２、上側洗浄ユニット５４、および上側乾燥ユニット５６を備える上段洗浄レーンと、下側洗浄ユニット６０、下側洗浄６２、および下側乾燥ユニット６４とを備える下段洗浄レーンと、を有している。上段洗浄レーンと下段洗浄レーンとの詳細な構成については後述する。洗浄ユニット５２，６０、および洗浄ユニット５４，６２では、研磨されたウェハＷが洗浄液（純水および薬液）で洗浄される。乾燥ユニット５６，６４では、洗浄されたウェハＷが乾燥される。
【００２９】
第１搬送ロボット５０は、ウェハＷを仮置き台４８から上側洗浄ユニット５２（または下側洗浄ユニット６０）に搬送し、さらに上側洗浄ユニット５２（または下側洗浄ユニット６０）から上側洗浄ユニット５４（または下側洗浄ユニット６２）に搬送するように動作する。洗浄ユニット５４，６２と乾燥ユニット５６，６４との間には、第２搬送ロボット５８が配置されている。この第２搬送ロボット５８は、ウェハＷを上側洗浄ユニット５４（または下側洗浄ユニット６２）から上側乾燥ユニット５６（または下側乾燥ユニット６４）に搬送するように動作する。
【００３０】
乾燥されたウェハＷは、搬送ロボット１６により上側乾燥ユニット５６（または下側乾燥ユニット６４）から取り出され、ウェハカセットに戻される。このようにして、研磨、洗浄、および乾燥を含む一連の処理がウェハＷに対して行われる。
【００３１】
第１研磨ユニット１Ａ、第２研磨ユニット１Ｂ、第３研磨ユニット１Ｃ、および第４研磨ユニット１Ｄは互いに同一の構成を有している。したがって、以下、第１研磨ユニット１Ａについて説明する。図２は、第１研磨ユニット１Ａを示す斜視図である。図２に示すように、第１研磨ユニット１Ａは、研磨パッド２０を支持する研磨テーブル２２Ａと、ウェハＷを研磨パッド２０に押し付ける研磨ヘッド２４Ａと、研磨パッド２０に研磨液（スラリー）を供給するための研磨液供給ノズル２６Ａとを備えている。図２において、第１ドレッシングユニット２８Ａと第１アトマイザ３０Ａは省略されている。
【００３２】
研磨テーブル２２Ａは、テーブル軸２３を介してその下方に配置されるテーブルモータ２５に連結されており、このテーブルモータ２５により研磨テーブル２２Ａが矢印で示す方向に回転されるようになっている。研磨パッド２０は研磨テーブル２２Ａの上面に貼付されており、研磨パッド２０の上面がウェハＷを研磨する研磨面２０ａを構成している。研磨ヘッド２４Ａは研磨ヘッドシャフト２７の下端に固定されている。研磨ヘッド２４Ａは、その下面に真空吸着によりウェハＷを保持できるように構成されている。研磨ヘッドシャフト２７は、研磨ヘッドアーム３１内に設置された図示しない回転機構に連結されており、研磨ヘッド２４Ａはこの回転機構により研磨ヘッドシャフト２７を介して回転駆動されるようになっている。
【００３３】
ウェハＷの表面の研磨は次のようにして行われる。研磨ヘッド２４Ａおよび研磨テーブル２２Ａをそれぞれ矢印で示す方向に回転させ、研磨液供給ノズル２６Ａから研磨パッド２０上に研磨液（スラリー）を供給する。この状態で、研磨ヘッド２４ＡによりウェハＷを研磨パッド２０の研磨面２０ａに押し付ける。ウェハＷの表面は、研磨液に含まれる砥粒の機械的作用と研磨液に含まれる化学成分の化学的作用により研磨される。
【００３４】
図３（ａ）は洗浄部８を示す平面図であり、図３（ｂ）は洗浄部８を示す側面図である。図３（ａ）および図３（ｂ）に示すように、洗浄部８は、一次洗浄室１９０と、第１搬送室１９１と、二次洗浄室１９２と、第２搬送室１９３と、乾燥室１９４とに区画されている。一次洗浄室１９０内には、上側洗浄ユニット５２および下側洗浄ユニット６０が配置されている。上側洗浄ユニット５２は下側洗浄ユニット６０の上方に配置されている。同様に、二次洗浄室１９２内には、上側洗浄ユニット５４および下側洗浄ユニット６２が配置されている。上側洗浄ユニット５４は下側洗浄ユニット６２の上方に配置されている。洗浄ユニット５２，５４，６０，６２は、薬液および純水などの洗浄液を用いてウェハＷを洗浄する洗浄機である。洗浄ユニット５２，６０および洗浄ユニット５４，６２は、鉛直方向に沿って配列されているので、フットプリント面積が小さいという利点が得られる。
【００３５】
上側洗浄ユニット５４と下側洗浄ユニット６２との間には、ウェハＷの仮置き台２０３が設けられている。乾燥室１９４内には、上側乾燥ユニット５６および下側乾燥ユニット６４が配置されている。上側乾燥ユニット５６は下側乾燥ユニット６４の上方に配置されている。上側乾燥ユニット５６および下側乾燥ユニット６４の上部には、清浄な空気を乾燥ユニット５６，６４内にそれぞれ供給するフィルタファンユニット２０７，２０７が設けられている。上側洗浄ユニット５２、下側洗浄ユニット６０、上側洗浄ユニット５４、下側洗浄ユニット６２、仮置き台２０３、上側乾燥ユニット５６、および下側乾燥ユニット６４は、図示しないフレームにボルトなどを介して固定されている。
【００３６】
第１搬送室１９１には、第１搬送ロボット５０が配置され、この第１搬送ロボット５０は上下動可能に構成される。第２搬送室１９３には、第２搬送ロボット５８が配置され、この第２搬送ロボット５８は上下動可能に構成される。第１搬送ロボット５０および第２搬送ロボット５８は、縦方向に延びる支持軸２１１，２１２にそれぞれ移動自在に支持されている。第１搬送ロボット５０および第２搬送ロボット５８は、その内部にモータなどの駆動機構を有しており、支持軸２１１，２１２に沿って上下に移動自在となっている。第１搬送ロボット５０は、上下二段のハンドを有している。第１搬送ロボット５０は、図３（ａ）の点線が示すように、その下側のハンドが上述した仮置き台４８にアクセス可能な位置に配置されている。第１搬送ロボット５０の下側のハンドが仮置き台４８にアクセスするときには、隔壁２ｂに設けられているシャッタ（図示せず）が開くようになっている。
【００３７】
第１搬送ロボット５０は、仮置き台４８、上側洗浄ユニット５２、下側洗浄ユニット６０、仮置き台２０３、上側洗浄ユニット５４、下側洗浄ユニット６２の間でウェハＷを搬送するように動作する。洗浄前のウェハＷ（スラリーが付着しているウェハＷ）を搬送するときは、第１搬送ロボット５０は、下側のハンドを用い、洗浄後のウェハＷを搬送するときは上側のハンドを用いる。第２搬送ロボット５８は、上側洗浄ユニット５４、下側洗浄ユニット６２、仮置き台２０３、上側乾燥ユニット５６、下側乾燥ユニット６４の間でウェハＷを搬送するように動作する。第２搬送ロボット５８は、洗浄されたウェハＷのみを搬送するので、１つのハンドのみを備えている。
【００３８】
図４に示すように、洗浄部８は、複数のウェハＷを並列して洗浄する上段洗浄レーンおよび下段洗浄レーンを備えている。「洗浄レーン」とは、ウェハＷを洗浄するための複数の洗浄ユニットから構成される処理系統のことである。上段洗浄レーンは第１洗浄レーンおよび第２洗浄レーンのうちのいずれか一方であり、下段洗浄レーンは第１洗浄レーンおよび第２洗浄レーンのうちの他方である。上段洗浄レーンは、上側洗浄ユニット５２、上側洗浄ユニット５４、および上側乾燥ユニット５６から構成される。下段洗浄レーンは、下側洗浄ユニット６０、下側洗浄ユニット６２、および下側乾燥ユニット６４から構成される。
【００３９】
上段洗浄レーンでは、１つのウェハＷは、第１搬送ロボット５０、上側洗浄ユニット５２、第１搬送ロボット５０、上側洗浄ユニット５４、第２搬送ロボット５８、そして上側乾燥ユニット５６の順で搬送される。下段洗浄レーンでは、他のウェハＷは、第１搬送ロボット５０、下側洗浄ユニット６０、第１搬送ロボット５０、下側洗浄ユニット６２、第２搬送ロボット５８、そして下側乾燥ユニット６４の順で搬送される。このように２つの並列する洗浄レーンにより、複数（典型的には２枚）のウェハＷを同時に洗浄および乾燥することができる。各洗浄レーンは２台の洗浄ユニットを含んでいるが、３台以上の洗浄ユニットを含んでもよい。
【００４０】
本実施形態では、洗浄ユニット５２，６０および洗浄ユニット５４，６２は、ロールスポンジ型の洗浄機である。洗浄ユニット５２，６０および洗浄ユニット５４，６２は同一の構成を有しているので、以下、上側洗浄ユニット５２について説明する。
【００４１】
図５は、上側洗浄ユニット５２を示す斜視図である。図５に示すように、上側洗浄ユニット５２は、ウェハＷを水平に保持して回転させる４つの保持ローラ（基板保持部）７１，７２，７３，７４と、ウェハＷの上下面に接触するロールスポンジ（洗浄具）７７，７８と、これらのロールスポンジ７７，７８を回転させる回転機構８０，８１と、ウェハＷの上面に純水を供給する上側純水供給ノズル８５，８６と、薬液および純水の混合液をウェハＷの上面に供給する上側薬液供給ノズル８７，８８とを備えている。図示しないが、ウェハＷの下面に純水を供給する下側純水供給ノズルと、ウェハＷの下面に薬液および純水の混合液を供給する下側薬液供給ノズルも設けられる。上側純水供給ノズル８５，８６、下側純水供給ノズル、上側薬液供給ノズル８７，８８、および下側薬液供給ノズルは、後述する純水供給配管に接続されている。
【００４２】
保持ローラ７１，７２，７３，７４は図示しない駆動機構（例えばエアシリンダ）によって、ウェハＷに近接および離間する方向に移動可能となっている。上側のロールスポンジ７７を回転させる回転機構８０は、その上下方向の動きをガイドするガイドレール８９に取り付けられている。また、この回転機構８０は昇降駆動機構８２に支持されており、回転機構８０および上側のロールスポンジ７７は昇降駆動機構８２により上下方向に移動されるようになっている。なお、図示しないが、下側のロールスポンジ７８を回転させる回転機構８１もガイドレールに支持されており、昇降駆動機構によって回転機構８１および下側のロールスポンジ７８が上下動するようになっている。昇降駆動機構としては、例えばボールねじを用いたモータ駆動機構またはエアシリンダが使用される。ウェハＷの洗浄時には、ロールスポンジ７７，７８は互いに近接する方向に移動してウェハＷの上下面に接触する。
【００４３】
次に、ウェハＷを洗浄する工程について説明する。まず、ウェハＷをその軸心まわりに回転させる。次いで、上側薬液供給ノズル８７，８８および図示しない下側薬液供給ノズルからウェハＷの上面及び下面に薬液および純水の混合液が供給される。この状態で、ロールスポンジ７７，７８がその水平に延びる軸心周りに回転しながらウェハＷの上下面に摺接することによって、ウェハＷの上下面をスクラブ洗浄する。
【００４４】
スクラブ洗浄後、上側純水供給ノズル８５，８６および下側純水供給ノズルから、回転するウェハＷに純水を供給することによってウェハＷのリンスが行われる。ウェハＷのリンスは、ロールスポンジ７７，７８をウェハＷの上下面に摺接させながら行なってもよいし、ロールスポンジ７７，７８をウェハＷの上下面から離間させた状態で行なってもよい。
【００４５】
洗浄ユニット５２，６０および／または洗浄ユニット５４，６２は、図６に示すようなペンスポンジタイプの洗浄機であってもよい。例えば、洗浄ユニット５２，６０としてロールスポンジタイプの洗浄機を使用し、洗浄ユニット５４，６２としてペンスポンジタイプの洗浄機を使用してもよい。
【００４６】
図６は、ペンスポンジタイプの洗浄機を示す斜視図である。図６に示すように、このタイプの洗浄機は、ウェハＷを保持して回転させる基板保持部９１と、ペンスポンジ９２と、ペンスポンジ９２を保持するアーム９４と、ウェハＷの上面に純水を供給する純水供給ノズル９６と、薬液および純水の混合液をウェハＷの上面に供給する薬液供給ノズル９７とを備えている。ペンスポンジ９２は、アーム９４内に配置された回転機構（図示せず）に連結されており、ペンスポンジ９２は鉛直方向に延びる中心軸線まわりに回転されるようになっている。純水供給ノズル９６および薬液供給ノズル９７は、後述する純水供給配管に接続されている。
【００４７】
基板保持部９１は、ウェハＷの周縁部を保持する複数の（図６では４つの）チャック９５を備えており、これらチャック９５でウェハＷを水平に保持する。チャック９５にはモータ９８が連結されており、チャック９５に保持されたウェハＷはモータ９８によってその軸心まわりに回転する。
【００４８】
アーム９４はウェハＷの上方に配置されている。アーム９４の一端にはペンスポンジ９２が連結され、アーム９４の他端には旋回軸１００が連結されている。この旋回軸１００にはアーム９４を旋回させるアーム回転機構としてのモータ１０１が連結されている。アーム回転機構は、モータ１０１に加えて、減速ギヤなどを備えてもよい。モータ１０１は、旋回軸１００を所定の角度だけ回転させることにより、アーム９４をウェハＷと平行な平面内で旋回させるようになっている。アーム９４の旋回により、これに支持されたペンスポンジ９２がウェハＷの半径方向に移動する。
【００４９】
ペンスポンジタイプの洗浄機におけるウェハＷは、次のようにして洗浄される。まず、ウェハＷをその軸心まわりに回転させる。次いで、薬液供給ノズル９７からウェハＷの上面に薬液および純水の混合液が供給される。この状態で、ペンスポンジ９２が鉛直に延びるその軸心周りに回転しながらウェハＷの上面に摺接し、さらにウェハＷの半径方向に沿って揺動する。薬液の存在下でペンスポンジ９２がウェハＷの上面に摺接することにより、ウェハＷがスクラブ洗浄される。
【００５０】
スクラブ洗浄後、ウェハＷから薬液を洗い流すために、純水供給ノズル９６から回転するウェハＷの上面に純水を供給し、ウェハＷをリンスする。ウェハＷのリンスは、ペンスポンジ９２をウェハＷに摺接させながら行なってもよいし、ペンスポンジ９２をウェハＷから離間させた状態で行なってもよい。
【００５１】
次に、上側乾燥ユニット５６および下側乾燥ユニット６４の構成について説明する。上側乾燥ユニット５６および下側乾燥ユニット６４は、いずれもロタゴニ乾燥を行う乾燥機である。上側乾燥ユニット５６および下側乾燥ユニット６４は同一の構成を有しているので、以下、上側乾燥ユニット５６について説明する。図７は、上側乾燥ユニット５６を示す縦断面図である。上側乾燥ユニット５６は、基台２０１と、この基台２０１に支持された４つの基板支持部材２０２とを備えている。基台２０１は回転軸２０６の上端に固定されている。この回転軸２０６は、モータ２１５に連結されており、モータ２１５を駆動させることにより、基台２０１はその軸心を中心として回転するようになっている。
【００５２】
基台２０１に基板支持部材２０２を介して保持されるウェハＷの上方には、ウェハＷの表面に純水を供給する上側純水供給ノズル２５４が配置されている。純水供給ノズル２５４は、ウェハＷの中心を向いて配置されている。この上側純水供給ノズル２５４は、後述する純水供給配管に接続され、上側純水供給ノズル２５４を通じてウェハＷの表面の中心に純水が供給されるようになっている。また、ウェハＷの上方には、ロタゴニ乾燥を実行するための２つのノズル２６０，２６１が並列して配置されている。ノズル２６０は、ウェハＷの表面にＩＰＡ蒸気（イソプロピルアルコールとＮ２ガスとの混合気）を供給するためのものである。ノズル２６１はウェハＷの表面の乾燥を防ぐために純水を供給するものであり、後述する純水供給配管に接続されている。これらノズル２６０，２６１はウェハＷの径方向に沿って移動可能に構成されている。
【００５３】
回転軸２０６の内部には、図示しない下側純水供給ノズルと、やはり図示しないガスノズルとが配置されている。下側純水供給ノズルには上記純水供給配管が接続されており、下側純水供給ノズルを通じてウェハＷの裏面に純水が供給されるようになっている。また、ガスノズルには、Ｎ２ガスまたは乾燥空気などの乾燥気体の供給ラインが接続されており、ガスノズルを通じてウェハＷの裏面に乾燥気体が供給されるようになっている。
【００５４】
次に、上述のように構成された上側乾燥ユニット５６の動作について説明する。まず、モータ２１５によりウェハＷを回転させる。この状態で、上側純水供給ノズル２５４および下側純水供給ノズル（図示せず）から純水をウェハＷの表面および裏面に供給し、ウェハＷの全面を純水でリンスする。ウェハＷに供給された純水は、遠心力によりウェハＷの表面および裏面全体に広がり、これによりウェハＷの全体がリンスされる。ウェハＷのリンス処理の間、２つのノズル２６０，２６１は、ウェハＷから離れた所定の待機位置にある。
【００５５】
次に、純水供給ノズル２５４からの純水の供給を停止し、純水供給ノズル２５４をウェハＷから離れた所定の待機位置に移動させるとともに、２つのノズル２６０，２６１をウェハＷの上方の作業位置に移動させる。そして、ウェハＷを３０〜１５０ｍｉｎ−１の速度で低速回転させながら、ノズル２６０からＩＰＡ蒸気を、ノズル２６１から純水をウェハＷの表面に向かって供給する。このとき、ウェハＷの裏面にも下側純水供給ノズルから純水を供給する。そして、２つのノズル２６０，２６１を同時にウェハＷの径方向に沿って移動させる。これにより、ウェハＷの表面が乾燥される。
【００５６】
その後、２つのノズル２６０，２６１を所定の待機位置に移動させ、下側純水供給ノズルからの純水の供給を停止する。そして、ウェハＷを１０００〜１５００ｍｉｎ−１の速度で高速回転させ、ウェハＷの裏面に付着している純水を振り落とす。このとき、ガスノズルから乾燥気体をウェハＷの裏面に吹き付ける。このようにしてウェハＷの裏面が乾燥される。乾燥されたウェハＷは、図１に示す搬送ロボット１６により上側乾燥ユニット５６から取り出され、ウェハカセットに戻される。
【００５７】
これまで説明してきたように、上側洗浄ユニット５２、上側洗浄ユニット５４、上側乾燥ユニット５６、下側洗浄ユニット６０、下側洗浄ユニット６２、および下側乾燥ユニット６４の全てのユニットにおいて、純水が使用される。そのため、これらユニット５２，５４，５６，６０，６２，６４は、純水供給システムに接続されている。
【００５８】
図８は、洗浄ユニットおよび乾燥ユニットに純水を供給する純水供給システムの一例を示す図である。図８に示されるように、上側洗浄ユニット５２，５４および上側乾燥ユニット５６を有する上段洗浄レーンに、第１純水供給配管１２０が接続され、下側洗浄ユニット６０，６２、および下側乾燥ユニット６４を有する下段洗浄レーンに、第２純水供給配管１８０が接続される。第１純水供給配管１２０および第２純水供給配管１８０は、それぞれ、工場のユーティリティの１つである工場純水ラインに接続される。
【００５９】
上段洗浄レーンで用いられる純水と、下段洗浄レーンで用いられる純水とは、第１純水供給配管１２０および第２純水供給配管１８０から別々に供給される。上段洗浄レーンは第１洗浄レーンおよび第２洗浄レーンのうちのいずれか一方であり、下段洗浄レーンは第１洗浄レーンおよび第２洗浄レーンのうちの他方である。
【００６０】
第１純水供給配管１２０には、第１純水元弁１２１が配置されている。第１純水元弁１２１を開くと、純水が工場純水ラインから第１純水供給配管１２０に供給され、第１純水元弁１２１を閉じると、工場純水ラインから第１純水供給配管１２０への純水の供給が停止される。第２純水供給配管１８０には、第２純水元弁１８１が配置されている。第２純水元弁１８１を開くと、純水が工場純水ラインから第２純水供給配管１８０に供給され、第２純水元弁１８１を閉じると、工場純水ラインから第２純水供給配管１８０への純水の供給が停止される。
【００６１】
図８から分かるように、上段洗浄レーンへの純水供給と、下段洗浄レーンへの純水供給は互いに独立に行われる。上段洗浄レーンおよび下段洗浄レーンのうちのいずれか一方にバクテリアの発生などの不具合が起こった場合は、その洗浄レーンの運転が停止され、殺菌などの修復が行われる。この場合でも、他方の洗浄レーンはウェハの洗浄および乾燥を継続することができる。したがって、基板処理装置は、ウェハの研磨、洗浄、および乾燥を含む一連の処理を継続することができる。
【００６２】
図９は、図８に示す純水供給システムの詳細を示す図である。第１純水元弁１２１の二次側には、第１純水供給配管１２０に過酸化水素水を導入するための第１導入ポート１３０が取り付けられている。第１導入ポート１３０には開閉弁１３１が取り付けられている。この開閉弁１３１は、第１純水供給配管１２０に過酸化水素水を導入する時以外は基本的に閉じられている。
【００６３】
第１純水供給配管１２０は、分岐点１２２にて第１純水供給ライン１２４と第１純水混合ライン１２５に分岐される。分岐点１２２は第１導入ポート１３０の下流側に位置している。第１純水供給ライン１２４は、上側洗浄ユニット５２、上側洗浄ユニット５４、および上側乾燥ユニット５６まで延び、上述した純水供給ノズル８５，８６，２５４，２６１に接続されている。洗浄ユニット５２，５４として図６に示すペンスポンジタイプの洗浄機が使用される場合には、第１純水供給ライン１２４は、図６に示す純水供給ノズル９６に接続される。
【００６４】
第１純水供給ライン１２４は、第１純水供給配管１２０の一部を構成する。第１純水供給ライン１２４には、第１圧力調整弁１２３が配置される。第１圧力調整弁１２３は、当該第１圧力調整弁１２３の二次側の純水圧力を一定に保つ定圧弁として機能する。したがって、第１圧力調整弁１２３の一次側純水圧力が変動しても、上側洗浄ユニット５２、上側洗浄ユニット５４、および上側乾燥ユニット５６へ流れる純水の圧力は一定に保たれる。
【００６５】
第１純水混合ライン１２５は、第１純水供給配管１２０の一部を構成する。第１純水混合ライン１２５は、純水混合ライン１２５Ａと純水混合ライン１２５Ｂとに分岐される。純水混合ライン１２５Ａは、合流点２３１および混合機２３２を経由して上側洗浄ユニット５２の薬液供給ノズル８７，８８（図５参照）に接続される。純水混合ライン１２５Ｂは、合流点２３４および混合機２３５を経由して上側洗浄ユニット５４の薬液供給ノズル８７，８８（図５参照）に接続される。洗浄ユニット５２，５４として図６に示すペンスポンジタイプの洗浄機が使用される場合には、純水混合ライン１２５Ａおよび純水混合ライン１２５Ｂは、図６に示す薬液供給ノズル９７に接続される。
【００６６】
薬液は、第１薬液投入口２３０から第１薬液供給ライン２２１に注入される。第１薬液供給ライン２２１は、薬液供給ライン２２１Ａと薬液供給ライン２２１Ｂとに分岐される。薬液供給ライン２２１Ａは、薬液と純水の合流点２３１で純水混合ライン１２５Ａに接続されている。薬液供給ライン２２１Ｂは、薬液と純水の合流点２３４で純水混合ライン１２５Ｂに接続されている。
【００６７】
薬液供給ライン２２１Ａを流れる薬液は、合流点２３１で純水混合ライン１２５Ａを流れる純水と合流する。薬液および純水は、純水混合ライン１２５Ａをさらに流れて混合機２３２に導入され、混合機２３２で攪拌され、混合される。薬液と純水との混合液は、純水混合ライン１２５Ａをさらに流れて上側洗浄ユニット５２の薬液供給ノズル８７，８８（図５参照）または薬液供給ノズル９７（図６参照）に供給される。
【００６８】
薬液供給ライン２２１Ｂを流れる薬液は、合流点２３４で純水混合ライン１２５Ｂを流れる純水と合流する。薬液および純水は、純水混合ライン１２５Ｂをさらに流れて混合機２３５に導入され、混合機２３５で攪拌され、混合される。薬液と純水との混合液は、純水混合ライン１２５Ｂをさらに流れて上側洗浄ユニット５４の薬液供給ノズル８７，８８（図５参照）または薬液供給ノズル９７（図６参照）に供給される。
【００６９】
第２純水供給配管１８０は、第１純水供給配管１２０と実質的に同じ構成を有している。第２純水元弁１８１の二次側には、第２純水供給配管１８０に過酸化水素水を導入するための第２導入ポート２００が取り付けられている。第２導入ポート１３０には開閉弁２０１が取り付けられている。この開閉弁２０１は、第２純水供給配管１８０に過酸化水素水を導入する時以外は基本的に閉じられている。
【００７０】
第２純水供給配管１８０は、分岐点１８２にて第２純水供給ライン１８４と第２純水混合ライン１８５に分岐される。分岐点１８２は第２導入ポート２００の下流側に位置している。第２純水供給ライン１８４は、下側洗浄ユニット６０、下側洗浄ユニット６２、および下側乾燥ユニット６４まで延び、上述した純水供給ノズル８５，８６，２５４，２６１に接続されている。洗浄ユニット６０，６２として図６に示すペンスポンジタイプの洗浄機が使用される場合には、第２純水供給ライン１８４は、図６に示す純水供給ノズル９６に接続される。
【００７１】
第２純水供給ライン１８４は、第２純水供給配管１８０の一部を構成する。第２純水供給ライン１８４には、第２圧力調整弁１８３が配置される。第２圧力調整弁１８３は、当該第２圧力調整弁１８３の二次側の純水圧力を一定に保つ定圧弁として機能する。したがって、第２圧力調整弁１８３の一次側純水圧力が変動しても、下側洗浄ユニット６０、下側洗浄ユニット６２、および下側乾燥ユニット６４へ流れる純水の圧力は一定に保たれる。
【００７２】
第２純水混合ライン１８５は、第２純水供給配管１８０の一部を構成する。第２純水混合ライン１８５は、純水混合ライン１８５Ａと純水混合ライン１８５Ｂとに分岐される。純水混合ライン１８５Ａは、合流点２４１および混合機２４２を経由して下側洗浄ユニット６０の薬液供給ノズル８７，８８（図５参照）に接続される。純水混合ライン１８５Ｂは、合流点２４４および混合機２４５を経由して下側洗浄ユニット６２の薬液供給ノズル８７，８８（図５参照）に接続される。洗浄ユニット６０，６２として図６に示すペンスポンジタイプの洗浄機が使用される場合には、純水混合ライン１８５Ａおよび純水混合ライン１８５Ｂは、図６に示す薬液供給ノズル９７に接続される。
【００７３】
薬液は、第２薬液投入口２４０から第２薬液供給ライン２２２に注入される。第２薬液供給ライン２２２は、薬液供給ライン２２２Ａと薬液供給ライン２２２Ｂとに分岐される。薬液供給ライン２２２Ａは、薬液と純水の合流点２４１で純水混合ライン１８５Ａに接続されている。薬液供給ライン２２２Ｂは、薬液と純水の合流点２４４で純水混合ライン１８５Ｂに接続されている。
【００７４】
薬液供給ライン２２２Ａを流れる薬液は、合流点２４１で純水混合ライン１８５Ａを流れる純水と合流する。薬液および純水は、純水混合ライン１８５Ａをさらに流れて混合機２４２に導入され、混合機２４２で撹拌され、混合される。薬液と純水との混合液は、純水混合ライン１８５Ａをさらに流れて下側洗浄ユニット６０の薬液供給ノズル８７，８８（図５参照）または薬液供給ノズル９７（図６参照）に供給される。
【００７５】
薬液供給ライン２２２Ｂを流れる薬液は、合流点２４４で純水混合ライン１８５Ｂを流れる純水と合流する。薬液および純水は、純水混合ライン１８５Ｂをさらに流れて混合機２４５に導入され、混合機２４５で撹拌され、混合される。薬液と純水との混合液は、純水混合ライン１８５Ｂをさらに流れて下側洗浄ユニット６２の薬液供給ノズル８７，８８（図５参照）または薬液供給ノズル９７（図６参照）に供給される。
【００７６】
基板処理装置で、研磨、洗浄、および乾燥の一連の処理が行われたウェハＷに対して、顕微鏡を用いた検査が定期的に行われる。純水中にバクテリアが発生していれば、この検査時にウェハＷ上にバクテリアやその死骸を発見することができる。基板処理装置には、バクテリアが付着しているウェハＷが、上段洗浄レーンまたは下段洗浄レーンのどちらを通過してきたかの処理履歴が保存されている。したがって、バクテリアが付着しているウェハＷの洗浄に使用された洗浄レーンを特定することができる。バクテリアが発生した方の洗浄レーンは、過酸化水素水を用いて洗浄を行う必要がある。以下、上段洗浄レーンで処理されたウェハＷからバクテリアが発見された例を用いて、基板処理装置の配管洗浄方法を説明する。
【００７７】
上段洗浄レーンで処理されたウェハＷからバクテリアが発見されているので、第１純水供給配管１２０が洗浄される。まず、第１純水供給配管１２０に純水を約１０分間流し、第１純水供給配管１２０内の純水および薬液を新たな純水に置換する。先に記述したように、第１純水供給配管１２０は、第１純水供給ライン１２４および第１純水混合ライン１２５を含んでいる。特に、第１純水混合ライン１２５内には純水のみならず薬液が存在する。第１純水供給配管１２０、洗浄ユニット５２，５４、および上側乾燥ユニット５６内に存在するすべての純水および薬液は、新たな純水で置換される。
【００７８】
次に、第１純水元弁１２１を閉じて、第１純水供給配管１２０を工場純水ラインから切り離す。過酸化水素水が流れている工場ユーティリティ（工場過酸化水素水ライン）が存在する場合は、当該工場過酸化水素水ラインを第１導入ポート１３０に接続する。工場過酸化水素水ラインが存在しない場合は、過酸化水素水が貯留された容器（キャニスター）を準備し、当該容器を第１導入ポート１３０に接続してもよい。
【００７９】
次に、開閉弁１３１を開き、第１導入ポート１３０を通じて過酸化水素水を第１純水供給配管１２０内に約１５分間供給し、第１純水供給配管１２０内の純水を過酸化水素水によって置換する。その後、開閉弁１３１を閉じて過酸化水素水の供給を停止し、第１純水供給配管１２０を過酸化水素水で満たす。
【００８０】
第１純水供給配管１２０を過酸化水素水で満たした状態で、第１純水供給配管１２０はそのまま所定時間放置される。所定時間経過後、第１純水元弁１２１を開くことで、純水を第１純水供給配管１２０内に供給して、第１純水供給配管１２０の内部を純水で洗浄する。第１純水供給配管１２０内の過酸化水素水を確実に純水に置換するために、および、第１純水供給配管１２０からバクテリアの死骸を確実に追い出すために、純水は、好ましくは１時間以上供給される。さらに、同じ観点から、第１純水供給配管１２０を洗浄するときに第１純水供給配管１２０を流れる純水の流量は、ウェハを洗浄するときに第１純水供給配管１２０を流れる純水の流量よりも高いことが好ましい。
【００８１】
第１純水供給配管１２０の洗浄に使用される過酸化水素水に含まれる過酸化水素の濃度は、５〜６％である。過酸化水素水で満たした状態で第１純水供給配管１２０を放置する上記所定時間は、好ましくは４時間以上である。バクテリアは、２％程度の過酸化水素水に数秒間浸されるだけで死滅することが知られている。したがって、５〜６％の過酸化水素水にバクテリアを４時間以上接触させれば、第１純水供給配管１２０内のバクテリアを確実に死滅させることができる。
【００８２】
第１純水供給配管１２０を洗浄している間、下段洗浄レーンでは、ウェハＷの洗浄と乾燥とを行うことができる。下段洗浄レーンにバクテリアが発生した場合は、同様の方法で、第２純水供給配管１８０を洗浄し、上段洗浄レーンでは、ウェハＷの洗浄と乾燥とを行うことができる。本実施形態では、第１純水供給配管１２０と第２純水供給配管１８０をそれぞれ上段洗浄レーンと下段洗浄レーンに接続して、ユニット５２，５４，５６，６０，６２，６４に純水を供給している。したがって、上段洗浄レーンまたは下段洗浄レーンのいずれかでバクテリアが発生した場合は、当該バクテリアが発生した洗浄レーンの純水供給配管にのみ過酸化水素水を導入すればよい。その結果、バクテリアが発生していない洗浄レーンでは、ウェハＷの処理を継続することができる。
【００８３】
さらに、第１純水供給配管１２０および第２純水供給配管１８０を設けることにより、以下に説明する効果も実験から確認することができた。従来の純水供給システムでは、図１２に示されるように、純水は１本の純水供給配管３００から上段洗浄レーンと下段洗浄レーンに分配される。この従来の純水供給システムの場合、上段洗浄レーンで純水を使用中に、下段洗浄レーンで純水の使用を開始すると、図１０に示すように、上段洗浄レーンの純水の流量が若干低下してしまう。図１０は、上段洗浄レーンと下段洗浄レーンとの流量を示すグラフである。
【００８４】
これに対し、上述した実施形態の純水供給システムでは、図１１に示すように、上段洗浄レーンで純水を使用中に、下段洗浄レーンで純水の使用を開始しても、上段洗浄レーンの純水の流量は低下しない。図１１は、上述した実施形態の純水供給システムにおける上段洗浄レーンと下段洗浄レーンの流量を示すグラフである。図１１から分かるように、純水の流量は、他方の洗浄レーンでの純水の使用に影響されない。したがって、上記洗浄ユニット５２，５４，６０，６２および乾燥ユニット５６，６４は、ウェハの洗浄中に均一な流量の純水をウェハに供給することができる。
【００８５】
以上本発明の実施形態について説明したが、本発明は上記実施形態に限定されるものではなく、特許請求の範囲、及び明細書と図面に記載された技術的思想の範囲内において種々の変形が可能である。
【符号の説明】
【００８６】
１    研磨部
８    洗浄部
５２    上側洗浄ユニット
５４    上側洗浄ユニット
５６    上側乾燥ユニット
６０    下側洗浄ユニット
６２    下側洗浄ユニット
６４    下側乾燥ユニット
１２０    第１純水供給配管
１２１    第１純水元弁
１２２    分岐点
１２３    第１圧力調整弁
１２４    第１純水供給ライン
１２５    第１純水混合ライン
１３０    第１導入ポート
１３１    開閉弁
１８０    第２純水供給配管
１８１    第２純水元弁
１８２    分岐点
１８３    第２圧力調整弁
１８４    第２調圧純水配管
１８５    第２純水混合配管
２００    第２導入ポート
２０１    開閉弁
２２１    第１薬液供給ライン
２２２    第２薬液供給ライン
２３１    合流点
２３２    混合機
２３４    合流点
２３５    混合機
２４１    合流点
２４２    混合機
２４４    合流点
２４５    混合機
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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