(57)【要約】    【課題】  放熱性の高いプリント配線板を提供する。    【解決手段】  コア基板３０の中央部に設けられ厚みの厚い中層の導体層３８が、プリント配線板の端面に設けられた端面スルーホール７８に接続されているため、プリント配線板内の熱を端面スルーホール７８を介して効率的に逃がすことができる。このため、放熱性が高い。【選択図】  図８
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
上層と中層と下層の３層の導体層と、前記上層と前記中層の導体層の間に介在する上側絶縁層と、前記中層と前記下層の導体層の間に介在する下側絶縁層とから成り、前記上側絶縁層を貫通し前記上層の導体層と前記中層の導体層とを接続する上側ビア導体と、前記下側絶縁層を貫通し前記中層の導体層と前記下層の導体層とを接続する下側ビア導体と、を備える多層コア基板と、
前記多層コア基板の上面に形成された層間樹脂絶縁層及び導体層からなる上面側のビルドアップ層と、前記多層コア基板の下面に形成された層間樹脂絶縁層及び導体層からなる下面側のビルドアップ層と、
前記上面側のビルドアップ層の導体層と前記下面側のビルドアップ層の導体層とを接続する端面スルーホールと、を有するプリント配線板であって、
前記中層の導体層は、前記上層の導体層、前記下層の導体層よりも厚く形成され、かつ、前記端面スルーホールに接続されている。
【請求項２】
請求項１のプリント配線板であって、
前記上面側のビルドアップ層の導体層の一部導体が端面スルーホールに接続されている。
【請求項３】
請求項１のプリント配線板であって、
前記多層コア基板は、前記中層の導体層に設けられた貫通孔を内に形成され、前記上層の導体層と前記下層の導体層とを接続するスルーホール導体を備える。
【請求項４】
請求項１のプリント配線板であって、
前記中層の導体層に接続される上側ビア導体と下側ビア導体の軸線上に配列され、前記上面側のビルドアップ層の導体層と前記下面側のビルドアップ層の全ての層間樹脂絶縁層にそれぞれ設けられたフィルドビアを備える。
【請求項５】
請求項１のプリント配線板であって、
前記中層の導体層は電源線又はグランド線に接続されている。
【請求項６】
請求項１のプリント配線板であって、
前記中層の導体層の前記貫通孔は、前記中層の導体層の上面から下面に向かってテーパーし、且つ、前記貫通孔が前記上側絶縁層からの樹脂で充填されている。
【請求項７】
請求項１のプリント配線板であって、
前記中層の導体層は、金属箔に銅めっき膜を形成して成る。
【請求項８】
請求項１のプリント配線板であって、
前記端面スルーホールのランドに、放熱部材の端部が接続されている。
【請求項９】
請求項８のプリント配線板であって、
前記放熱部材は、電子部品の上部と接している。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、コア基板内に中層の導体層を備える多層ビルドアップ式のプリント配線板に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
電子機器の薄型化に対応するため、内蔵されるプリント配線板の厚みを薄くすることが求められている。プリント配線板の厚みを薄くすると、絶縁層の剛性が下がり反り等が発生し易くなる。これに対応するため、コア基板にビルドアップ層を設けるビルドアップ多層プリント配線板において、コア基板内に剛性の高い金属板を入れる構成が種々提案されている。同時に、金属板により、プリント配線板の伝熱性の改善が図られている。
【０００３】
特許文献１には、コア基板を用いないコアレス工法を応用したメタルコア基板の製造方法が提案されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２０１２−２３６２１３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
従来のメタルコアタイプのプリント配線板は、メタルコアに熱を集めることはできたが、メタルコアが伝熱性の低い樹脂絶縁層に挟まれる構造であるため、メタルコアからの熱を効率的に逃がすことが難しかった。
【０００６】
本発明は、上述した課題を解決するためになされたものであり、その目的とするところは、放熱性の高いプリント配線板を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本願発明のプリント配線板は、上層と中層と下層の３層の導体層と、前記上層と前記中層の導体層の間に介在する上側絶縁層と、前記中層と前記下層の導体層の間に介在する下側絶縁層とから成り、前記上側絶縁層を貫通し前記上層の導体層と前記中層の導体層とを接続する上側ビア導体と、前記下側絶縁層を貫通し前記中層の導体層と前記下層の導体層とを接続する下側ビア導体と、を備える多層コア基板と、前記多層コア基板の上面に形成された層間樹脂絶縁層及び導体層からなる上面側のビルドアップ層と、前記多層コア基板の下面に形成された層間樹脂絶縁層及び導体層からなる下面側のビルドアップ層と、前記上面側のビルドアップ層の導体層と前記下面側のビルドアップ層の導体層とを接続する端面スルーホールと、を有する。そして、前記中層の導体層は、前記上層の導体層、前記下層の導体層よりも厚く形成され、かつ、前記端面スルーホールに接続されている。
【発明の効果】
【０００８】
本願発明のプリント配線板で、コア基板の中央部に設けられ厚みの厚い中層の導体層が、プリント配線板の端面に設けられた端面スルーホールに接続されているため、プリント配線板内の熱を端面スルーホールを介して効率的に逃がすことができる。このため、放熱性が高い。
【図面の簡単な説明】
【０００９】
【図１】本発明の第１実施形態のプリント配線板の製造方法を示す工程図。
【図２】第１実施形態のプリント配線板の製造方法を示す工程図。
【図３】第１実施形態のプリント配線板の製造方法を示す工程図。
【図４】第１実施形態のプリント配線板の製造方法を示す工程図。
【図５】第１実施形態のプリント配線板の製造方法を示す工程図。
【図６】第１実施形態のプリント配線板の製造方法を示す工程図。
【図７】第１実施形態のプリント配線板の製造方法を示す工程図。
【図８】図８（Ａ）、図８（Ｃ）は、第１実施形態のプリント配線板の断面図であり、図８（Ｂ）はプリント配線板の側面図である。
【図９】第１実施形態のプリント配線板の製造方法を示す平面図。
【図１０】第１実施形態の第１改変例に係るプリント配線板の断面図。
【図１１】第１実施形態の第２改変例に係るプリント配線板の断面図。
【発明を実施するための形態】
【００１０】
[第１実施形態]
図８（Ａ）は第１実施形態のプリント配線板を示す。プリント配線板１０は、上部絶縁層２０Ｆ、下部絶縁層２０Ｓを有するコア基板３０を備える。
図４（Ｂ）は該コア基板３０を示す。上部絶縁層２０Ｆ上に上部導体層３４Ｆが形成され、下部絶縁層２０Ｓ下に下部導体層３４Ｓが形成されている。上部絶縁層と下部絶縁層との間には、中層の導体層３８が形成されている。上部絶縁層２０Ｆの開口３１Ｆには、上部導体層３４Ｆと中層の導体層３８とを接続する上部ビア導体３５Ｆが形成されている。下部絶縁層２０Ｓの開口３１Ｓには、下部導体層３４Ｓと中層の導体層３８とを接続する下部ビア導体３５Ｓが形成されている。中層の導体層３８は、芯部金属箔２２Ｃ及び該芯部金属箔２２Ｃ上に形成された電解めっき膜２４をパターニングすることにより形成されている。上部ビア導体３５Ｆは下方に向かって縮径するテーパー形状に形成され、下部ビア導体３５Ｓは上方に向かって縮径するテーパー形状に形成されている。
【００１１】
図８（Ａ）に示すように第１実施形態のプリント配線板は、コア基板３０の第１面Ｆ上に、第１導体層５８Ｆ、第１ビア導体６０Ｆを備える第１絶縁層５０Ｆが４層ビルドアップ積層されている。コア基板の第２面Ｓ上には、第２導体層５８Ｓ、第２ビア導体６０Ｓを備える第２絶縁層５０Ｓが４層ビルドアップ積層されている。最上層の第１絶縁層５０Ｆ上には、ソルダーレジスト層７０Ｆが形成され、ソルダーレジスト層７０Ｆの開口７１Ｆには半田バンプ７６Ｆが形成されている。最下層の第２絶縁層５０Ｓ上には、ソルダーレジスト層７０Ｓが形成され、ソルダーレジスト層７０Ｓの開口７１Ｓには半田バンプ７６Ｓが形成されている。
【００１２】
図８（Ｂ）は、図８（Ａ）に示すプリント配線板の側面図である。即ち、図８（Ｂ）は、図８（Ａ）中のｂ矢視図であり、プリント配線板の側壁１０Ｅを示している。中層の導体層３８は側壁１０Ｅまで延在して露出されている。側壁１０Ｅには、スルーホールを半割した端面スルーホール７８が露出されている。中層の導体層３８と端面スルーホール７８とは接続されている。端面スルーホール７８は、矩形形状のプリント配線板の４側端面にそれぞれ設けられている。端面スルーホール７８は、上面側の最外層のビルドアップ層５０Ｆの導体層５８Ｆの一部と下面側の最外層のビルドアップ層５０Ｓの導体層５８Ｓの一部とを接続している。
【００１３】
第１実施形態のプリント配線板１０は、コア基板３０の中心に中層の導体層３８を備える中層の導体層を備える構造を取るため、厚みの厚い中層の導体層３８の剛性により反りを抑制でき、薄板化の要求に応えることができる。
【００１４】
第１実施形態のプリント配線板は、金属製の中層の導体層３８によりプリント配線板の熱伝導性が改善される。コア基板３０の中央部に設けられ厚みの厚い中層の導体層３８が、プリント配線板の端面に設けられた端面スルーホール７８に接続されているため、プリント配線板内の熱を端面スルーホール７８を介して効率的に逃がすことができる。このため、放熱性が高い。また、中層の導体層３８に接続される対向する上側ビア導体３５Ｆと下側ビア導体３５Ｓの軸線Ｘ１上に配列され、上面側のビルドアップ層５０Ｆと下面側のビルドアップ層５０Ｓの全てにそれぞれ設けられたフィルドビア６０Ｆ、６０Ｓを備える。このため、上面に実装される電子部品からの熱を効率的に裏面側に逃がすことができる。
【００１５】
第１実施形態のプリント配線板は、上層の導体層３４Ｆと下層の導体層３４Ｓとを接続するスルーホール導体３６を備える。層間樹脂絶縁層のビア導体６０Ｆ、６０Ｓはフィルドビアとして形成されている。
【００１６】
図８（Ｃ）は、図８（Ａ）に示すプリント配線板にＩＣチップ等の電子部品９０が実装され、金属製の封止用のキャップ９４（放熱部材）が固定された状態を示す。電子部品９０は、プリント配線板の半田バンプ７６Ｆに端子９２が接続されることで実装されている。キャップ９４の端部９４Ｅは、端面スルーホール７８のランド７８Ｌに接続されている。電子部品８０の上面はキャップ９４に接している。第１実施形態では、電子部品からの熱をキャップ９４を介して直接、端面スルーホール７８へ伝達できるため、実装する電子部品からの熱を効率的に発散することができる。第１実施形態では、キャップ９４及び中層の導体層３８が電源線又はグランド線に接続されているため、電子部品のノイズによる外部への影響が抑えられる。
【００１７】
[第１実施形態の製造方法]
第１実施形態のプリント配線板１０の製造方法が図１〜図６に示される。
（１）支持板１８が準備される。例えば、支持板１８は、絶縁基材とその絶縁基材の両面に積層されている銅箔（図示せず）とからなる銅張積層板（両面銅張積層板）である。支持板は第１面と第１面と反対側の第２面を有する。支持板１８の第１面上、第２面上に下層金属箔２２Ｓが準備さる。金属箔２２Ｓは例えば銅箔であり、厚みは１２μｍである。下層金属箔２２Ｓ上にＢステージの樹脂フィルム２２が準備され、樹脂フィルム２２上に芯部金属箔２２Ｃが準備される（図１（Ａ））。芯部金属箔２２Ｃの厚みは１２μｍである。支持板１８の第１面上、第２面上に下層金属箔２２Ｓが積層される。支持板１８と金属箔２２Ｓが外周で固定される。銅張積層板と金属箔は超音波で接合される。金属箔と支持板は固定部分１４で接合されている。固定部分の巾は３０ｍｍである。固定部分は枠状に形成されている。下層金属箔２２Ｓ上にＢステージの樹脂フィルムが積層され、芯部金属箔２２Ｃが積層される（図１（Ｂ））。その後、樹脂フィルムは硬化され、支持板上に下部絶縁層２０Ｓが形成される。下部絶縁層２０Ｓは、無機粒子を含み、芯材を有する。無機粒子として、シリカやアルミナや水酸化物からなる粒子が挙げられる。水酸化物としては、水酸化アルミニウム、水酸化マグネシウム、水酸化カルシウム、水酸化バリウム等の金属水酸化物が挙げられる。水酸化物は熱で分解されることで水が生成する。このため、水酸化物は、絶縁層を構成する材料から熱を奪うことが可能であると考えられる。すなわち、下部絶縁層２０Ｓが水酸化物を含むことで、レーザの加工性が向上すると推測される。芯材（補強材）としては、例えばガラスクロス、アラミド繊維、ガラス繊維などが挙げられる。ガラスクロスが好適である。
【００１８】
（２）芯部金属箔２２Ｃ上に電解めっき膜２４が形成され、金属箔２２Ｃと電解めっき膜２４とからなる中層の導体層３８が形成される（図１（Ｃ））。
【００１９】
（３）電解めっき膜２４上に所定パターンのエッチングレジスト２６が形成される（図１（Ｄ））。
【００２０】
（４）エッチングレジスト非形成部の電解めっき膜２４、芯部金属箔２２Ｃがエッチングにより除去され、貫通孔３８ａが形成され（図２（Ａ））、エッチングレジストが除去され、電解めっき膜２４、芯部金属箔２２Ｃから成る中層の導体層３８が形成される（図２（Ｂ））。貫通孔３８ａは、中層の導体層の上面から下面に向かってテーパーしている。ここで、中層の導体層３８の厚みは、５０〜２００μｍである。
【００２１】
（５）下部絶縁層の第１面と中層の導体層３８上に上部絶縁層２０Ｆ及び上部金属箔２２Ｆが形成される（図２（Ｃ））。上部絶縁層は下部絶縁層と同様な無機粒子を含み、芯材を備えるが、芯材を備えないことも可能である。上部金属箔２２Ｆは、下部金属箔と同様に例えば銅箔であり、厚みは２５μｍである。上部絶縁層２０Ｆの積層の際に、中層の導体層の貫通孔３８ａ内が、該上部絶縁層２０Ｆ由来の樹脂２０Ｃで充填される。
【００２２】
実施形態のプリント配線板の製造方法では貫通孔３８ａが上面から下面に向かってテーパーしているので、上面側の上部絶縁層２０Ｆからの樹脂が入り込み易く、貫通孔３８ａ内にボイドが発生し難い。
【００２３】
（６）図２（Ｄ）中のＺ１−Ｚ１線に沿って、支持板付き中間体は切断される。切断箇所は固定部分１４より内側である。中間体３０αが、支持板１８から分離される（図３（Ａ））。
【００２４】
（７）上部絶縁層２０Ｆにレーザが照射される。中層の導体層３８に至る上部開口３１Ｆが上部絶縁層に形成される。下部絶縁層２０Ｓにレーザが照射される。中層の導体層３８に至る下部開口３１Ｓが下部絶縁層に形成される。また、上部絶縁層２０Ｆと下部絶縁層２０Ｓにレーザが照射され、スルーホール用貫通孔３１が形成される（図３（Ｂ））。上部開口３１Ｆは上部絶縁層の表面から中層の導体層３８に向かってテーパーしている。下部開口３１Ｓは下部絶縁層の表面から中層の導体層３８に向かってテーパーしている。スルーホール用貫通孔３１は、上部絶縁層の表面からテーパーすると共に、下部絶縁層の表面からテーパーする砂時計形状に形成される。
【００２５】
（８）上部金属箔２２Ｆ、下部金属箔２２Ｓ上と、上部開口３１Ｆ、上部開口３１Ｓ、スルーホール用貫通孔３１の内壁に無電解めっき膜４２が形成される（図３（Ｃ））。
【００２６】
（９）無電解めっき膜をシード層として、無電解めっき膜４２上に電解めっき膜４６が形成される。上部開口３１Ｆ、下部開口３１Ｓは電解めっき膜４６で充填され、上部金属箔２２Ｆ、下部金属箔２２Ｓの上層の無電解めっき膜４２上に電解めっき膜４６が形成される（図３（Ｄ））。
【００２７】
（１０）第１面Ｆ側、第２面Ｓ側の電解めっき膜４６上に所定パターンのエッチングレジスト４４が形成される（図４（Ａ））。
【００２８】
（１１）第１面Ｆ側のエッチングレジスト非形成部の電解めっき膜４６、無電解めっき膜４２、上部金属箔２２Ｆ、第２面Ｓ側のエッチングレジスト非形成部の電解めっき膜４６、無電解めっき膜４２、下部金属箔２２Ｓがエッチングにより除去された後、エッチングレジストが剥離され、第１面Ｆ上に電解めっき膜４６、無電解めっき膜４２、上部金属箔２２Ｆから成る上部導体層３４Ｆが、第２面Ｓ上に電解めっき膜４６、無電解めっき膜４２、下部金属箔２２Ｓからなる下部導体層３４Ｓ形成され、コア基板３０が完成する（図４（Ｂ））。ここで、上部導体層３４Ｆ、下部導体層３４Ｓの厚みは、それぞれ２０μｍである。
【００２９】
（１２）コア基板３０の第１面Ｆに第１絶縁層５０Ｆ及び金属箔５３が、第２面Ｓに第２絶縁層５０Ｓ及び金属箔５３が形成される（図４（Ｃ））。第１絶縁層５０Ｆは上部絶縁層の第１面と上部導体層３４Ｆ上に形成されている。第２絶縁層５０Ｓは下部絶縁層の第２面と下部導体層３４Ｓ上に形成されている。絶縁層の厚みは４０μｍから６０μｍである。金属箔５３は、上部金属箔、下部金属箔と同様に例えば銅箔であり、厚みは１２μｍである。第１脂絶縁層、第２絶縁層は無機粒子と補強材を有する。第１脂絶縁層、第２絶縁層は、上部絶縁層、下部絶縁層と同一の材質で、同一の厚みであることが望ましい。
【００３０】
（１３）次に、ＣＯ２ガスレーザにて第１絶縁層５０Ｆ，第２絶縁層５０Ｓにそれぞれビア導体用の第１開口５１Ｆ，第２開口５１Ｓが形成される（図４（Ｄ））。
【００３１】
（１４）第１絶縁層５０Ｆの金属箔５３、第２絶縁層５０Ｓ上の金属箔５３と、第１開口５１Ｆ、第２開口５１Ｓ内に無電解めっき膜５２が形成される（図５（Ａ））。
【００３２】
（１５）無電解めっき膜をシード層として、無電解めっき膜５２上に電解めっき膜５６が形成される。第１開口５１Ｆ、第２開口５１Ｓは電解めっき膜５６で充填され、金属箔５３上層の無電解めっき膜５２上に電解めっき膜５６が形成される（図５（Ｂ））。
【００３３】
（１６）電解めっき膜５６上に所定パターンのエッチングレジスト５４が形成される（図５（Ｃ））。
【００３４】
（１７）エッチングレジスト非形成部の電解めっき膜５６、無電解めっき膜５２、金属箔５３がエッチングにより除去され、エッチングレジストが剥離され、第１開口５１Ｆ内に第１ビア導体６０Ｆが形成され、第２開口５１Ｓ内に第２ビア導体６０Ｓが形成され、第１絶縁層の第１面上に、電解めっき膜５６、無電解めっき膜５２、金属箔５３から成る第１導体層５８Ｆが、第２絶縁層の第２面上に、電解めっき膜５６、無電解めっき膜５２、金属箔５３から成る第２導体層５８Ｓが形成される（図５（Ｄ））。
【００３５】
（１８）図４（Ｃ）〜図５（Ｄ）の処理が繰り返され、更に２層の第１導体層５８Ｆ、第１ビア導体６０Ｆを備える第１絶縁層５０Ｆ、第２導体層５８Ｓ、第２ビア導体６０Ｓを備える第２絶縁層５０Ｓがビルドアップ形成され、最外層の第１絶縁層５０Ｆ、第２絶縁層５０Ｓ、金属箔５３が積層される（図６（Ａ））。
【００３６】
（１９）ＣＯ２ガスレーザにて最外層の第１絶縁層５０Ｆ，最外層の第２絶縁層５０Ｓにそれぞれビア導体用の第１開口５１Ｆ，第２開口５１Ｓが形成され、プリント配線板の端部に長円形状のスルーホール用貫通孔７７がダイシングで形成される（図６（Ｂ））。図６（Ｂ）のスルーホール用貫通孔７７の平面図が図９（Ａ）に示される。
【００３７】
（２０）図５（Ａ）〜図５（Ｄ）の処理が行われ、最外層の第１絶縁層５０Ｆ上に第１導体層５８Ｆ、ビア導体６０Ｆが形成され、最外層の第２絶縁層５０Ｓ上に第２導体層５８Ｓ、ビア導体６０が形成される。これと同時に、スルーホール用貫通孔７７にスルーホール導体７８Ｈが形成される（図６（Ｃ））。図６（Ｃ）のスルーホール導体７８Ｈの平面図が図９（Ｂ）に示される。ここで、第１導体層５８Ｆ、第２導体層５８Ｓの厚みは、それぞれ２０μｍである。
【００３８】
（２１）最上層の第１絶縁層５０Ｆ上に開口７１Ｆを有する上側のソルダーレジスト層７０Ｆが形成され、最下層の第２絶縁層５０Ｓ上に開口７１Ｓを有する下側のソルダーレジスト層７０Ｓが形成される（図７（Ａ））。スルーホール導体７８Ｈ及びスルーホールランド７８Ｌはソルダーレジスト層から露出される。図７（Ａ）のスルーホール導体７８Ｈの平面図が図９（Ｃ）に示される。開口７１Ｆ，７１Ｓから露出される導体層５８Ｆ、５８Ｓとビア導体６０Ｆ、６０Ｓの上面がパッド７１ＦＰ、７１ＳＰとして機能する。
【００３９】
（２２）図７（Ｂ）に示されるように、長円状のスルーホール導体７８のプリント配線板の内側の端面に沿ってＸ１−Ｘ１で切断され、端面スルーホール７８がプリント配線板の端面に形成される（図７（Ｃ））。図７（Ｂ）のスルーホール導体７８Ｈの平面図が図９（Ｄ）に示される。図７（Ｃ）の端面スルーホール７８の平面図が図９（Ｅ）に示される。
【００４０】
ソルダーレジスト層から露出するパッド７１ＦＰ、７１ＳＰ、端面スルーホール７８上にニッケルめっき層７２が形成され、さらにニッケルめっき層７２上に金めっき層７４が形成される。これにより、端面スルーホール７８の酸化が防止される。開口７１Ｆ，７１Ｓ内に半田ペーストが搭載され、リフローが行われ、上側のビルドアップ層上に半田バンプ７６Ｆが形成され、下側のビルドアップ層上に半田バンプ７６Ｓが形成される。プリント配線板１０が完成される（図８（Ａ））。
【００４１】
第１実施形態のプリント配線板の製造方法は、コア基板３０の中心に中層の導体層３８を備える中層の導体層を備える構造を取るため、中層の導体層３８の剛性により反りを抑制でき、薄板化の要求に応えることができる。支持板１８上にコア基板を形成し、剥離する構成であるため、中層の導体層を備える構造のコア基板を簡易なプロセスで製造でき、製造コストを低減できると共に、歩留まりを高めることができる。
【００４２】
[第１実施形態の第１改変例]
図１０は、第１実施形態の第１改変例に係るプリント配線板を示す。
第１実施形態の第１改変例のプリント配線板では、端面スルーホール７８上に放熱シート７９が取り付けられ、放熱性が更に高められている。
【００４３】
[第１実施形態の第１改変例]
図１１は、第１実施形態の第２改変例に係るプリント配線板を示す。
第１実施形態の第２改変例のプリント配線板では、メタルコア３８の貫通孔３８ａ内に充填された樹脂を介して絶縁されたメタルコア片３８ｂが形成される。メタルコア片３８ｂに、上部絶縁層２０Ｆに形成されたビア導体３５Ｆ、下部絶縁層２０Ｓに形成されたビア導体３５Ｓが接続され、第１絶縁層５０Ｆと第２絶縁層５０Ｓとが接続される。
【符号の説明】
【００４４】
１８  支持板
２０Ｆ  上部絶縁層
２０Ｓ  下部絶縁層
２２Ｃ  芯部金属箔
２４  電解めっき膜
３０  コア基板
３５Ｆ、３５Ｓ  ビア導体
３８  中層の導体層
３４Ｆ  上部導体層
３４Ｓ  下部導体層
５０Ｆ  第１絶縁層
５０Ｓ  第２絶縁層
６０Ｆ、６０Ｓ  ビア導体
７８  端面スルーホール
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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