(57)【要約】 【課題】パターン寸法精度が良好なパターン形成方法を得る。【解決手段】実施形態によれば、基板上に被加工層を形成する工程、金属微粒子と溶媒を含有する金属微粒子塗布液を被加工層上に塗布して、金属微粒子層を形成する工程、第１のエッチングにより金属微粒子周囲の保護基量を低減する工程、ＣとＦを含むガスを曝露し、金属微粒子周囲にガスを吸着させて保護層を形成する工程、及び第２のエッチングにより、凸パターンを該被加工層へ転写する工程を含むパターン形成方法が得られる。【選択図】図１
2015122133.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に被加工層を形成する工程、
金属微粒子と溶媒を含有する金属微粒子塗布液を前記被加工層上に塗布して、金属微粒子層を形成する工程、
第１のエッチングにより該金属微粒子周囲の保護基量を低減する工程、
炭素とフッ素を含むガスを曝露し、金属微粒子周囲に前記ガスを吸着させて保護層を形成する工程、及び
第２のエッチングにより、前記凸パターンを該被加工層へ転写する工程を含むパターン形成方法。
【請求項２】
前記凸パターンを被加工層へ転写する工程の後、前記金属微粒子を除去する工程をさらに含む請求項１に記載の方法。
【請求項３】
基板上に被加工層を形成する工程、
金属微粒子と溶媒を含有する金属微粒子塗布液を前記被加工層上に塗布して金属微粒子層を形成する工程、
第１のエッチングにより該金属微粒子周囲の保護基量を低減する工程、
炭素とフッ素を含むガスを曝露し、金属微粒子周囲に前記ガスを吸着させて保護層を形成する工程、
第２のエッチングにより、前記凸パターンを該被加工層へ転写する工程、
該凸パターン上に導電層を形成する工程、
該導電層上に電気めっきを行うことにより電鋳層を形成する工程、及び
前記被加工層から前記電鋳層を剥離する工程を具備するスタンパーの製造方法。
【請求項４】
前記凸パターン上に導電層を形成する工程の前に、前記金属微粒子を除去する工程をさらに含む請求項３に記載の方法。
【請求項５】
基板上に磁気記録層を形成する工程、
該磁気記録層上に金属微粒子と溶媒を含有する金属微粒子塗布液を塗布して金属微粒子層を形成する工程、
第１のエッチングにより該金属微粒子周囲の保護基量を低減する工程、
炭素とフッ素を含むガスを曝露し、金属微粒子周囲に前記ガスを吸着させて保護層を形成する工程、及び
第２のエッチングにより、前記凸パターンを該磁気記録層へ転写する工程を含む磁気記録媒体の製造方法。
【請求項６】
前記金属微粒子層を形成する工程の前に、前記磁気記録層上に剥離層を形成する工程、前記凸パターンを該磁気記録層へ転写する工程の後、該剥離層を溶解除去すると共に前記金属微粒子層を除去する工程さらに含む請求項５に記載の方法。
【請求項７】
基板上に、下地層を形成する工程、
金属微粒子と溶媒を含有する金属微粒子塗布液を前記下地層上に塗布して金属微粒子層を形成する工程、
第１のエッチングにより該金属微粒子周囲の保護基量を低減する工程、
炭素とフッ素を含むガスを曝露し、金属微粒子周囲に前記ガスを吸着させて保護層を形成する工程、及び
第２のエッチングにより、前記凸パターンを該下地層へ転写する工程、
該被加工層上から該金属微粒子を除去する工程、及び
凸パターンを有する下地層上に磁気記録層を形成する工程を含む磁気記録媒体の製造方法。
【請求項８】
基板上に被加工層を形成する工程、
金属微粒子と溶媒を含有する金属微粒子塗布液を前記被加工層上に塗布して金属微粒子層を形成する工程、
第１のエッチングにより該金属微粒子周囲の保護基量を低減する工程、
炭素とフッ素を含むガスを曝露し、金属微粒子周囲に前記ガスを吸着させて保護層を形成する工程、
第２のエッチングにより、前記凸パターンを該被加工層へ転写する工程、
該凸パターン上に導電層を形成する工程、
該導電層上に電気めっきを行うことにより電鋳層を形成する工程、及び
前記被加工層から前記電鋳層を剥離する工程によりスタンパーを形成し、
基板上に磁気記録層を形成する工程、
該磁気記録層上にレジスト層を形成する工程、
前記レジスト層上に前記スタンパーをインプリントすることにより、凸パターンを設ける工程、及び
前記凸パターンを磁気記録層に転写する工程を具備することを特徴とする磁気記録媒体の製造方法。
【請求項９】
基板上に被加工層を形成する工程、
金属微粒子と溶媒を含有する金属微粒子塗布液を前記被加工層上に塗布して金属微粒子層を形成する工程、
第１のエッチングにより該金属微粒子周囲の保護基量を低減する工程、
炭素とフッ素を含むガスを曝露し、金属微粒子周囲に前記ガスを吸着させて保護層を形成する工程、
第２のエッチングにより、前記凸パターンを該被加工層へ転写する工程、
該凸パターン上に導電層を形成する工程、
該導電層上に電気めっきを行うことにより電鋳層を形成する工程、及び
前記被加工層から前記電鋳層を剥離する工程によりスタンパーを形成し、
基板上に磁気記録層を形成する工程、
磁気記録層上に下地層を形成する工程、
下地層上にレジスト層を形成する工程、
該レジスト層の上に前記スタンパーをインプリントすることにより、凸パターンを設ける工程、
前記凸パターンを下地層に転写する工程、及び
該凸パターンを有する下地層上に磁気記録層を形成する工程を具備することを特徴とする磁気記録媒体の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明の実施形態は、パターン形成方法、スタンパーの製造方法、及び磁気記録媒体の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、情報量の著しい増加に伴い、大容量情報記録装置の実現が渇望されている。半導体メモリ装置においては、容量増加を目的として単位面積あたりの実装密度を向上するべく、素子サイズの微細化が活発化しており、例えばトランジスタの配線寸法は数（ｎｍ）〜数十（ｎｍ）の範囲で微細化が行われており、これに応え得る製造技術の実現が望まれている。また、ハードディスクドライブ（ＨＤＤ）においては、記録媒体の高密度化のため、垂直磁気記録を中心とした種々の技術開発が進められている他、記録密度の更なる増加と、媒体磁化の熱ゆらぎ耐性を両立できる媒体としてパターンド媒体が提案されている。
【０００３】
パターンド媒体は、単数もしくは複数の磁気的な領域を１セルとして記録するものであり、１ビットの情報を１セルで記録するためには、各記録セル同士が磁気的に分離されている必要がある。そのため、例えば半導体製造分野の微細加工技術を適用して磁性ドット部と非磁性部を同一平面内で分離するのが一般的な方法とされている。パターンド媒体作製方法には下記のトップダウン方式とボトムアップ方式がある。トップダウン方式は、磁気記録層上部に作製した凸パターンマスクを用いて、微細凸パターンを下部磁気記録層へ転写する方式である。これに対し、ボトムアップ方式ではあらかじめ基板上に微細パターンを形成しておき、微細凸パターンに対して磁気記録層を成膜し、凸形状に記録層材料をトレースさせて分離パターンを得る方法である。また、特殊な方法としては、磁気記録層上に微細凸マスクを設け、これに高エネルギーでイオンを照射して、所望の領域へイオンを注入することで非磁性領域を作製し、磁気記録パターンを選択的に分離する方法もある。
【０００４】
上記のように、記録密度を高密度化するためには上記微細パターンを基板上で作製する必要があり、凸パターンのピッチ縮小に対応し得るマスクを作製しなければならない。これに対応する既存技術として、紫外線露光や電子線露光を用いた種々のリソグラフィーが挙げられる一方、より寸法ばらつきが小さく、かつ簡便に微細パターンを形成し得る方法の一つとして、金属微粒子を用いる微細加工がある。
【０００５】
金属微粒子は数（ｎｍ）〜数百（ｎｍ）の直径を有する微粒子の総称であり、ナノ粒子、単に微粒子と呼ばれることもある。通常、金属微粒子を基板上で用いる場合は、特定の溶媒中に金属微粒子材料が分散している、いわゆる分散液を用い、これを基板上に塗布することで金属微粒子の周期パターンを得る。次いで、金属微粒子塗布後にこれをマスク層あるいは下地層として用いることで、同一平面上で独立した凸パターンを得る事が可能になる。また、基板上にあらかじめ物理的な凸パターンを形成し、凸パターンをガイドとして所望のパターンを人為的に配列させることもできる。
【０００６】
金属微粒子は種々の材料から構成されるが、とりわけ貴金属材料を用いたものは化学的に安定であり、高いエッチング耐性を具備するため、凸パターン加工用マスクとして用いる場合は加工マージンの維持と、加工後のパターンにおける寸法変換差の低減を両立できるため好適であるが、その他の酸化物材料や化合物材料を基にした微粒子を適用しても構わない。
【０００７】
自遊空間および分散液中に存在する金属微粒子は、周囲の金属微粒子からｖａｎ  ｄｅｒ  Wａａｌｓ  引力による相互作用を受けて凝集する傾向にある。そのため、各金属微粒子が相互に凝集しないように、微粒子表面に高分子鎖からなる保護基を付与しておき、隣接する他の金属微粒子に対して物理・化学的に隔離するのが、一般的な設計・製造指針とされる。しかしながら、金属微粒子をマスクとした微細加工プロセスにおいては、プラズマダメージに伴い金属微粒子周囲の保護基が消失するため、隣接する金属微粒子同士が凝集する。したがって、マスクパターンが基板上で変化してしまうため、転写後の凸パターンの寸法ばらつきが悪化することになる。金属微粒子の凝集は、転写パターンの精度を低下させるばかりでなく、それ自体が基板上の残渣となるため、半導体製造工程では不要なパーティクルによる歩留まりの低下、ハードディスク媒体においては、粒子が凸パターンとして、媒体におけるヘッド浮上特性が劣化し、ＨＤＩ（Ｈｅａｄ  Ｄｉｓｋ  Ｉｎｔｅｒｆａｃｅ）特性の悪化につながる。よって、微粒子の凝集抑制は製造工程の歩留まり管理の上でも重要な項目となる。また、微細パターンの寸法狭小化に伴い、マスク材料にも微細化が要求されている中、狭ピッチ金属微粒子の凸パターン転写が必要となる。一方、前述したように、微粒子同士の凝集を抑制するために粒子間距離を拡大することは、微粒子間距離、すなわちパターンピッチの拡大を招くことになる。したがって、微粒子間距離をそれほど広くすることなく、凝集を抑制する方法が必要となる。
【０００８】
また、金属微粒子への保護基の付与は製造タクトタイムの延長化、コスト増大につながることになる。したがって、金属微粒子の凝集を抑制する保護基としては、微粒子間距離をそれほど大きく拡大することのないものが望まれ、かつ、その製造方法としては、より安価なものが望まれる。しかしながら、従来の方法は金属微粒子合成時に高分子保護基を付与するのが一般的とされ、前述のように、上記要望を同時に解決することが困難であった。
【０００９】
したがって、金属微粒子を用いた微細パターン形成プロセスにおいては、金属微粒子の凝集抑制と併せて、狭スペーシングの確保、パターン配列精度維持、加工マージンの拡大が望まれ、これらを全て満足し得る製造方法を実現しなければならない。ところが、従来技術を適用して金属微粒子マスクや微細凸パターンを形成しようとする場合は前述のトレードオフの問題が生じ、高精細な凸パターンを得ることは著しく困難とされていた。
【先行技術文献】
【特許文献】
【００１０】
【特許文献１】特開２００７−２４０９８１号公報
【特許文献２】特開２００８−３０５４７３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１１】
本発明の実施形態は、パターン寸法精度が良好で、かつ安価なパターン形成方法、磁気記録媒体の製造方法、磁気記録媒体、及びスタンパーの製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
実施形態によれば、
基板上に被加工層を形成する工程と、
金属微粒子と溶媒からなる金属微粒子塗布液を前記被加工層上へ塗布して、金属微粒子マスク層を形成する工程と、
第１のエッチングにより、金属微粒子周囲の保護基量を低減する工程と、
少なくとも炭素とフッ素を含むガスを曝露して、金属微粒子周囲の保護基を置換することで、金属微粒子周囲に保護層を形成する工程と、
少なくとも炭素とフッ素を含むガスを用いた第２のエッチングにより、金属微粒子マスク層の凸パターンを被加工層へ転写する工程と、を含むパターン形成方法が提供される。
【図面の簡単な説明】
【００１３】
【図１】第１の実施形態にかかるパターン形成方法の一例を表す図である。
【図２】第２の実施形態にかかるパターン形成方法の一例を表す図である。
【図３】第３の実施形態にかかるスタンパーの製造方法の一例を表す図である。
【図４】第４の実施形態にかかる磁気記録媒体の製造方法の一例を表す図である。
【図５】第５の実施形態にかかる磁気記録媒体の製造方法の一例を表す図である。
【図６】第６の実施形態にかかる磁気記録媒体の製造方法の一例を表す図である。
【図７】第７の実施形態にかかるナノインプリントと磁気記録媒体の製造方法の一例を表す図である。
【図８】第８の実施形態にかかるナノインプリントと磁気記録媒体の製造方法の一例を表す図である。
【図９】磁気記録媒体の周方向に対する記録ビットパターンの一例を表す図である。
【図１０】磁気記録媒体の周方向に対する記録ビットパターンの他の一例を表す図である。
【図１１】磁気記録媒体の周方向に対する記録ビットパターンの他の一例を表す図である。
【図１２】実施形態にかかる磁気記録媒体を適用可能な磁気記録再生装置の一例を、一部分解した斜視図である。
【図１３】実施形態にかかる金属微粒子マスクの上面ＳＥＭ像を表す写真である。
【図１４】実施形態にかかる金属微粒子マスクを用いて作製した凸パターンの上面ＳＥＭ像を表す写真である。
【図１５】実施形態にかかる金属微粒子マスクの他の一例の上面ＳＥＭ像を表す写真である。
【図１６】実施形態にかかる金属微粒子マスクの剥離後における凸パターンの上面ＳＥＭ像を表す写真である。
【発明を実施するための形態】
【００１４】
第１の実施形態にかかるパターン形成方法は、
基板上に被加工層を形成する工程、
金属微粒子と溶媒を含有する金属微粒子塗布液を被加工層上に塗布して、金属微粒子層を形成する工程、
第１のエッチングにより金属微粒子周囲の保護基量を低減する工程、
炭素とフッ素を含むガスを曝露し、金属微粒子周囲にガスを吸着させて保護層を形成する工程、及び
第２のエッチングにより、凸パターンを被加工層へ転写する工程を含む。
【００１５】
第２の実施形態にかかるパターン形成方法は、凸パターンを被加工層へ転写する工程の後、金属微粒子を除去する工程をさらに含むこと以外は第１の実施形態と同様である。
【００１６】
第３の実施形態に係るスタンパーの製造方法は、基板上に被加工層を形成する工程、
金属微粒子と溶媒を含有する金属微粒子塗布液を被加工層上に塗布して金属微粒子層を形成する工程、
第１のエッチングにより金属微粒子周囲の保護基量を低減する工程、
炭素とフッ素を含むガスを曝露し、金属微粒子周囲にガスを吸着させて保護層を形成する工程、
第２のエッチングにより、凸パターンを被加工層へ転写する工程、
凸パターン上に導電層を形成する工程、
導電層上に電気めっきを行うことにより電鋳層を形成する工程、及び
被加工層から電鋳層を剥離する工程を具備する。
【００１７】
第３の実施形態に係るスタンパーの製造方法において、凸パターン上に導電層を形成する工程の前に、金属微粒子を除去する工程をさらに含むことができる。
【００１８】
第４の実施形態に係る磁気記録媒体の製造方法は、
基板上に磁気記録層を形成する工程、
磁気記録層上に金属微粒子と溶媒を含有する金属微粒子塗布液を塗布して金属微粒子層を形成する工程、
第１のエッチングにより金属微粒子周囲の保護基量を低減する工程、
炭素とフッ素を含むガスを曝露し、金属微粒子周囲にガスを吸着させて保護層を形成する工程、及び
第２のエッチングにより、凸パターンを磁気記録層へ転写する工程を含む。
【００１９】
第５に実施形態に係る磁気記録媒体の製造方法は、金属微粒子層を形成する工程の前に、磁気記録層上に剥離層を形成する工程、凸パターンを磁気記録層へ転写する工程の後、剥離層を溶解除去すると共に金属微粒子層を除去する工程をさらに含む。
【００２０】
第６の実施形態に係る磁気記録媒体の製造方法は、
基板上に、下地層を形成する工程、
金属微粒子と溶媒を含有する金属微粒子塗布液を下地層上に塗布して金属微粒子層を形成する工程、
第１のエッチングにより金属微粒子周囲の保護基量を低減する工程、
炭素とフッ素を含むガスを曝露し、金属微粒子周囲にガスを吸着させて保護層を形成する工程、及び
第２のエッチングにより、凸パターンを下地層へ転写する工程、
被加工層上から金属微粒子を除去する工程、及び
凸パターンを有する下地層上に磁気記録層を形成する工程を含む。
【００２１】
第７の実施形態に係る磁気記録媒体の製造方法は、
基板上に被加工層を形成する工程、
金属微粒子と溶媒を含有する金属微粒子塗布液を被加工層上に塗布して金属微粒子層を形成する工程、
第１のエッチングにより金属微粒子周囲の保護基量を低減する工程、
炭素とフッ素を含むガスを曝露し、金属微粒子周囲にガスを吸着させて保護層を形成する工程、
第２のエッチングにより、凸パターンを被加工層へ転写する工程、
凸パターン上に導電層を形成する工程、
導電層上に電気めっきを行うことにより電鋳層を形成する工程、及び
被加工層から電鋳層を剥離する工程によりスタンパーを形成し、
基板上に磁気記録層を形成する工程、
磁気記録層上にレジスト層を形成する工程、
レジスト層上にスタンパーをインプリントすることにより、凸パターンを設ける工程、及び
凸パターンを磁気記録層に転写する工程を具備することを特徴とする。
【００２２】
第８の実施形態に係る磁気記録媒体の製造方法は、
基板上に被加工層を形成する工程、
金属微粒子と溶媒を含有する金属微粒子塗布液を被加工層上に塗布して金属微粒子層を形成する工程、
第１のエッチングにより金属微粒子周囲の保護基量を低減する工程、
炭素とフッ素を含むガスを曝露し、金属微粒子周囲にガスを吸着させて保護層を形成する工程、
第２のエッチングにより、凸パターンを被加工層へ転写する工程、
凸パターン上に導電層を形成する工程、
導電層上に電気めっきを行うことにより電鋳層を形成する工程、及び
被加工層から電鋳層を剥離する工程によりスタンパーを形成し、
基板上に磁気記録層を形成する工程、
磁気記録層上に下地層を形成する工程、
下地層上にレジスト層を形成する工程、
レジスト層の上にスタンパーをインプリントすることにより、凸パターンを設ける工程、
凸パターンを下地層に転写する工程、及び
凸パターンを有する下地層上に磁気記録層を形成する工程を具備することを特徴とする。
【００２３】
かかる第１ないし第８の実施形態によれば、金属微粒子周囲に予め設けられた凝集抑制効果の弱い保護基をエッチングで部分的に除去することによりその量を低減した後、微粒子表面を炭素とフッ素を含むガスで曝露することにより、微粒子表面にガスを吸着させて保護基と置換させることで、微粒子層のより良好な凝集抑制が可能となる。ガス曝露という方法を用いると、保護基材料や溶媒種などにより制約される保護基材料の種類に依らず、凝集抑制に効果的な保護基を付与することができる他、ガス曝露といった製造方法の簡易化に伴い、製造タクトタイムを短縮し、コストを低減可能である。
【００２４】
また、実施形態に係る方法によれば、金属微粒子合成時における保護基材料や溶媒種の制約を受けることなく、広範に材料を選定できる。また、微粒子マスクの凝集抑制、狭スペーシングの確保、加工マージン拡大、ピッチばらつきの劣化抑制を全て同時に満足し得る製造方法が提供され、該プロセスを適用することで微細微粒子マスクを形成することができる。
【００２５】
実施形態によれば、金属微粒子の保護基付与を合成時に行う必要がなく、簡易的なガス曝露により保護基を置換し、かつ凝集を軽微にすることが可能となる。
【００２６】
以下、実施の形態について、図面を参照して説明する。
【００２７】
図１（ａ）ないし図１（ｇ）に、第１の実施形態に係るパターン形成方法の一例を表す図を示す。
【００２８】
図示するように、第１の実施形態に係るパターン形成方法は、
図１（ａ）に示すように、基板１上に被加工層２を形成する工程と、
図１（ｂ）に示すように、金属微粒子４と溶媒５とで構成される分散液６を被加工層２上へ塗布して、図１（ｃ）に示すように、金属微粒子層８を形成する工程と、
図１（ｄ）に示すように、第１のエッチングを行うことにより金属微粒子層８の金属微粒子表面の保護基量を低減する工程と、
図１（ｅ）に示すように、金属微粒子層８を、炭素およびフッ素を含有するガス雰囲気２５に曝露して図示しない保護層を形成する工程と、
図１（ｆ）に示すように、第２のエッチングにより、金属微粒子層８をマスクとして凸パターンを被加工層２へ転写する工程とを具備する。
【００２９】
図２（ａ）ないし図２（ｆ）に、第２の実施形態に係るパターン形成方法の一例を表す図を示す。
【００３０】
第２の実施形態に係るパターン形成方法は、第１の実施形態に係るパターン形成方法の変形例であり、図２（ｆ）に示す凸パターンを被加工層２へ転写する工程の後、図２（ｇ）に示すように、微粒子を除去する工程をさらに含むこと以外は、第１の実施形態に係るパターン形成方法と同様である。
【００３１】
図３（ａ）ないし図３（ｆ）に、第３の実施形態に係るパターン形成方法の一例を表す図を示す。
【００３２】
第３の実施形態は、第１および第２の実施形態により作製した凸パターンを用いてスタンパーを作製する工程に関するもので、
図３（ａ）に示すように、凸パターンを持つ被加工層２が形成された基板１を用意し、
図３（ｂ）に示すように、凸パターンを持つ被加工層２が形成された基板１に対して導電層１１を被覆する工程と、
図３（ｃ）に示すように、導電層１１上に電気めっきを行ない、導電層１１表面に電鋳層１２を形成する工程と、
図３（ｆ）に示すように、基板１上から電鋳層１２を離型する工程とを含むこと以外は、第１および第２の実施形態と同様にして、スタンパー３０が得られる。
【００３３】
また、図３（ｃ）の工程と図３（ｆ）の工程との後に、図３（ｄ）に示すように、基板１上から、被加工層２とともに導電層１１を含む電鋳層１２を離型する工程、及び図３（ｅ）に示すように、エッチングにより、被加工層２の残渣を除去する工程をさらに含むことができる。
【００３４】
図４（ａ）ないし図４（ｇ）に、第４の実施形態に係る磁気記録媒体の製造方法の一例を表す図を示す。
【００３５】
第４の実施形態は、磁気記録媒体の製造方法に関するものであり、
図４（ａ）に示すように、基板２１上に磁気記録層２２を形成する工程と、
磁気記録層２２上にマスク層２３を形成する工程と、
マスク層２３上に金属微粒子層２４を形成する工程と、
図４（ｂ）に示すように、第１のエッチングを行うことにより金属微粒子層２４の金属微粒子表面の保護基量を低減する工程と、
図４（ｃ）に示すように、金属微粒子層２４を、炭素およびフッ素を含有するガス雰囲気２５に曝露して図示しない保護層を形成する工程と、
図４（ｄ）に示すように、金属微粒子層２４からなる凸パターンをマスク層２３へ転写する工程と、
図４（ｅ）に示すように、凸パターンを磁気記録層２２へ転写する工程と、
図４（ｆ）に示すように、磁気記録層２２上からマスク層２３を除去する工程とを含む。
【００３６】
さらに、図４（ｇ）に示すように、磁気記録層２２上に、任意に保護層２６を形成することにより磁気記録媒体１００を得ることができる。
【００３７】
図５（ａ）ないし図５（ｉ）に、第５の実施形態に係る磁気記録媒体の製造方法の一例を表す図を示す。
【００３８】
第５の実施形態は、第４の実施形態の変形例であり、
図５（ａ）に示すように、磁気記録層２２とマスク層２３との間に剥離層２７を設けること以外は、図４（ａ）と同様にして、基板２１上に、磁気記録層２２、剥離層２７、マスク層２３、及び金属微粒子層２４を形成する工程と、
図４（ｄ）ないし図４（ｆ）の代わりに、図５（ｆ）に示すように、マスク層２３の凸パターンを剥離層２７へ転写する工程と、図５（ｇ）に示すように、剥離層２７の凸パターンを磁気記録層２２へ転写する工程と、図５（ｈ）に示すように、剥離層２７を溶解除去することで磁気記録層２２上からマスク層２３を除去する工程とを含むこと以外は、第４の実施形態と同様にして磁気記録媒体２００を得ることができる。
【００３９】
また、図５（ａ）ないし図５（ｇ）に示すように、必要に応じてマスク層２３と金属微粒子層２４との間にパターン転写精度を改善するための転写層２８を設けることができる。
【００４０】
図６（ａ）ないし図６（ｇ）に、第６の実施形態にかかる磁気記録媒体の製造方法の一例を表す図を示す。
【００４１】
第６の実施形態は、磁気記録媒体の製造方法に関するものであり、
図２（ｇ）に示すように凸パターンをもつ被加工層２が設けられた基板１を形成した後、図６（ｆ）に示すように磁気記録層２２を形成し、図６（ｇ）に示すように、磁気記録層２２上に保護層２６を形成すること以外は、図２（ａ）ないし図２（ｇ）に示す方法と同様である。また、得られる磁気記録媒体３００は、基板１と磁気記録層２２との間に凸パターンの被加工層２が設けられていること以外は、図４（ｇ）及び図５（ｉ）に示す磁気記録媒体１００，２００の構成と同様である。
【００４２】
図７（ａ）ないし図７（ｉ）に、第７の実施形態に係る磁気記録媒体の製造方法の一例を示す。
【００４３】
第７の実施形態は、第３の実施形態で作製されたスタンパーを用い、ナノインプリントにより磁気記録媒体を作製する例であり、
図７（ａ）に示すように、基板２１上に、磁気記録層２２，マスク層２３、転写層２８、及びナノインプリントレジスト層２９を形成する工程と、
図７（ｂ）に示すように、ナノインプリントレジスト層２９へスタンパー３０を押下し、凸パターンを転写する工程と、
図７（ｃ）に示すように、ナノインプリントレジスト層２９の凸パターンからスタンパー３０を離型する工程と、
図７（ｄ）に示すように、エッチングにより、ナノインプリントレジスト層２９の残渣を除去して転写層２８表面を露出する工程と、
図７（ｅ）に示すように、ナノインプリントレジスト層２９の凸パターンを転写層２８へ転写する工程と、
図７（ｆ）に示すように、転写層２８の凸パターンをマスク層２３へ転写する工程と、
図７（ｇ）に示すように、マスク層２３の凸パターンを磁気記録層２２に転写する工程と、
図７（ｈ）に示すように、マスク層２３をエッチングにより除去し、基板２１と磁気記録層２２の積層を得る工程と、
図７（ｉ）に示すように、磁気記録層２２上に保護層２６を形成することにより磁気記録媒体４００が形成される。
【００４４】
図８（ａ）ないし図８（ｈ）に、第８の実施形態に係る磁気記録媒体の製造方法の一例を表す図を示す。
【００４５】
第８の実施形態は、第３の実施形態で作製されたスタンパーを用い、ナノインプリントにより磁気記録媒体を作製する例の変形例であり、
図８（ａ）に示すように、基板１上に、被加工層２、及びナノインプリントレジスト層２９を形成する工程と、
図８（ｂ）に示すように、ナノインプリントレジスト層２９へスタンパー３０を押下し、凸パターンを転写する工程と、
図８（ｃ）に示すように、ナノインプリントレジスト層２９の凸パターンからスタンパー３０を離型する工程と、
図８（ｄ）ナノインプリントレジスト層２９の残渣を除去して被加工層２表面を露出する工程と、
図８（ｅ）に示すように、エッチングにより凸パターンを被加工層２へ転写する工程と、
図８（ｆ）に示すように、被加工層２上からナノインプリントレジスト層２９を除去する工程と、
図８（ｇ）に示すように、被加工層２上に磁気記録層２２を形成する工程、
図８（ｈ）に示すように、磁気記録層２２上に保護層２６を形成することにより磁気記録媒体５００が形成される。
【００４６】
微粒子は、材料合成の段階で高分子保護基により被覆されているため、第１のエッチングにより保護基を分解除去することで金属微粒子表面を露出する。この場合、金属微粒子が凝集しない範囲で保護基を除去することが好ましく、金属微粒子表面に対する保護基成分の総被覆固形成分量が３０％以上となることが特に好ましい。第１のエッチングでは微粒子周囲の保護基量を減らせればよく、ウェットエッチングやドライエッチングを適用できる。
【００４７】
さらに、露出した金属微粒子に対してガス曝露を行うことで、微粒子表面にガス成分を付着させ、保護基とすることが可能である。この場合、あらかじめ微粒子表面に付与されていた高分子保護基の末端にガス成分が吸着するが、高分子保護基に対してガス曝露の場合は微粒子表面に対する被覆率が高く、より凝集を抑制可能である。そのため、凸パターン転写時におけるサイドエッチングによる被覆率の減少は軽微であるため、保護基の消失による微粒子凝集までのエッチングマージンが広い。よって、凸パターン転写工程の加工マージンを拡大できる効果もある。
【００４８】
ガス成分は、微粒子表面への吸着が容易な材料が望ましく、少なくとも炭素およびフッ素を含有していることが特に望ましい。金属微粒子周囲の保護基に付着することで表面活性の異なる保護基となり得る。フッ素系ガスおよび炭素系ガスを用いる場合は、両成分を調整しておくことが好ましいが、実用的にはＣＦ４やＣＨＦ３などの汎用性ガスを適用することも可能である。炭素系およびフッ素系ガスの付着量は、ガス流量、ガス圧力、ガス種を変えることで調製可能である。他にもＣＨ３Ｆ、ＣＨ２Ｆ２、Ｃ４Ｆ６、Ｃ４Ｆ８などのガスを用いても良い。
【００４９】
また、第２のエッチングにより、凸パターンを被加工層へ転写することができる。この再、金属微粒子が凝集せず、かつ凸パターンが転写されることが好ましい。エッチングとしてはウェットエッチングとドライエッチングを適用可能であるが、パターンの深さ方向への異方性が大きく、サイドエッチングによる寸法変換差を小さくできる方法としてドライエッチングを適用することが好ましい。
【００５０】
第２のエッチングにおいてドライエッチングを適用する場合は、種々の活性ガスを用いることが可能であるが、微粒子層の凝集を軽微にするものとしては、炭素およびフッ素含有ガスを用いることがより好ましい。第２のエッチングでも同様に、微粒子表面へガス成分を付与しながらエッチングが進行するため、パターン精度を劣化させることなく、凸パターンが転写されることになる。
【００５１】
また、第１ないし第８の実施形態において、金属微粒子材料は、例えば、Ｃ、Ｐｔ、Ｎｉ、Ｐｄ、Ｃｏ、Ａｌ、Ｔｉ、Ｃｅ、Ｓｉ、Ｆｅ、Ａｕ、Ａｇ、Ｃｕ、Ｔａ、Ｚｒ、Ｚｎ、Ｍｏ、Ｗ、Ｒｕの群から選択され、それぞれの酸化物、窒化物、二種類以上の化合物を適用しても構わない。
【００５２】
金属微粒子の分散液に含まれる分散媒は極性溶媒ならびに非極性溶媒から選択され、溶媒の追加により金属微粒子の濃度を適宜変えてもよい。すなわち、金属微粒子の濃度は、塗布する基板の面積や構成する金属微粒子の層数に応じて変えることが可能である。
【００５３】
ガス曝露に伴う保護基の付与および置換において、微粒子表面には高分子からなる外殻が形成されるが、この殻は高分子末端の吸着によるものであり、その厚さは極めて薄く、具体的には１ｎｍ以下である。よって金属微粒子間距離をほとんど変えることなく表面性を調整し、凝集を抑制することが可能となる。
【００５４】
被加工層形成工程
まず、基板上に被加工層を形成する。被加工層は後述する金属微粒子凸パターンが転写される層である。金属微粒子凸パターンを被加工層に対して直接転写することも可能であるが、転写精度を向上させるため、被加工層と金属微粒子層間にはマスク層を設けておくことが好ましい。
【００５５】
基板の形状には何ら限定は無いが、通常は円形で、硬質のものが用いられる。例えば、ガラス基板、金属含有基板、カーボン基板、セラミックス基板などが用いられる。パターンの面内均一性を良好にするため、基板表面の凸パターンは小さくすることが望ましい。また、必要に応じて基板表面には酸化膜をはじめとした保護膜を形成しておくことも可能である。
【００５６】
ガラス基板としては、例えば、ソーダライムガラス、アルミノシリケートガラスに代表されるアモルファスガラス、及びリチウム系ガラスに代表される結晶化ガラス等を用いることができる。また、セラミックス基板としては、アルミナ、窒化アルミニウム、及び窒化珪素を主成分とする焼結体基板を用いることが可能である。
【００５７】
被加工層は種々の方法により基板上へ形成可能である。例えば、真空蒸着法、電子線蒸着法、分子線蒸着法、イオンビーム蒸着法、イオンプレーティング法、スパッタリング法に代表される物理的気相成長法（ＰＶＤ：Ｐｈｙｓｉｃａｌ  Ｖａｐｏｒ  Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）、及び熱・光・プラズマを用いた化学的気相成長法（ＣＶＤ：Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｖａｐｏｒ  Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）等の方法により形成できる。また、被加工層の厚さは、物理的・化学的気相成長法においては、例えば、プロセスガス圧力、ガス流量、基板温度、投入電力、到チャンバーチャンバー雰囲気、成膜時間などのパラメータを適宜変更することで調整が可能である。
【００５８】
被加工層は、その用途に応じて様々な材料から選択される。具体的には、Ａｌ、Ｃ、Ｓｉ、Ｔｉ、Ｖ、Ｃｒ、Ｍｎ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｆｅ、Ｚｎ、Ｇａ、Ｚｒ、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｒｕ、Ｐｄ、Ａｇ、Ａｕ、Ｈｆ、Ｔａ、Ｗ、Ｉｒ及びＰｔの群から選ばれ、これらの合金あるいは化合物から構成され得る。合金とは、上記の群から選択された、少なくとも２種類以上の材料により構成されるものである。また、化合物とは、例えば酸化物、窒化物、ホウ化物、炭化物などから選ばれるものである。この場合、被加工層の上に形成される金属微粒子膜の材料と凸パターン寸法に対してエッチング選択比を確保し得るマスク層材料を選択し、さらにその膜厚を適切に決定することができる。
【００５９】
磁気記録媒体の製造方法の一例において、この被加工層は磁気記録層として使用することができる。磁気記録層に金属微粒子層の凸パターンを転写することで物理的・磁気的に分離された凸パターン構造を具備する磁気記録媒体を得ることができる。
【００６０】
磁気記録層は前述のごとく基板上に成膜する。また、必要に応じて、基板と磁気記録層の間には高透磁率を有する軟磁性裏打ち層（ＳＵＬ；  Ｓｏｆｔ  Ｕｎｄｅｒ  Ｌａｙｅｒ）を形成することができる。軟磁性裏打ち層は磁気記録層を磁化するための磁気ヘッドからの記録磁界を環流させるといった磁気ヘッド機能の一部を担っており、磁界の記録層に急峻で十分な垂直磁界を印加させ、記録再生効率を向上させることができる。
【００６１】
軟磁性裏打ち層としては、例えば、Ｆｅ、Ｎｉ、及びＣｏを含む材料を用いることができる。これらの材料のうち、結晶磁気異方性、結晶欠陥および粒界が存在せず優れた軟磁性を示すアモルファス材料を好ましく使用できる。軟磁性アモルファス材料を使用することにより、記録媒体の低ノイズ化を図ることができる。軟磁性アモルファス材料として、例えば、Ｃｏを主成分として、これに対しＺｒ、Ｎｂ、Ｈｆ、Ｔｉ、Ｔａのうち少なくとも１種を含有したＣｏ合金、例えばＣｏＺｒ、ＣｏＺｒＮｂ、及びＣｏＺｒＴａなどを選択できる。
【００６２】
また、軟磁性裏打ち層と基板との間には軟磁性裏打ち層の密着性向上のために下地層を設けることができる。下地層材料としては、例えば、Ｎｉ、Ｔｉ、Ｔａ、Ｗ、Ｃｒ、Ｐｔ、及びその合金、その酸化物、及びその窒化物から選択された少なくとも１種の材料を使用できる。下地層材料として例えばＮｉＴａ、及びＮｉＣｒなどを用いることが可能である。なお、これらの下地層は多層にすることができる。
【００６３】
更に、軟磁性裏打ち層と磁気記録層との間には非磁性金属材料からなる中間層を設けることができる。中間層の役割は、軟磁性裏打ち層と磁気記録層との間の交換結合相互作用を遮断することと、磁気記録層の結晶性を制御することの二つである。中間層材料としては、Ｒｕ、Ｐｔ、Ｐｄ、Ｗ、Ｔｉ、Ｔａ、Ｃｒ、Ｓｉ、その合金、その酸化物、及びその窒化物から選択することができる。
【００６４】
磁気記録層は、Ｃｏを主成分とするとともに少なくともＰｔを含み、更に金属酸化物を含むことができる。磁気記録層は、Ｃｏ及びＰｔに加えて、他にもＢ、Ｔａ、Ｍｏ、Ｃｕ、Ｎｄ、Ｗ、Ｎｂ、Ｓｍ、Ｔｂ、及びＲｕから選ばれる１種類以上の元素をさらに含むことができる。上記元素をさらに含有することにより、磁性粒子の微粒子化を促進し、結晶性、配向性を向上させることができ、これにより、高記録密度に適した記録再生特性と熱ゆらぎ特性を得ることができる。磁気記録層は具体的にＣｏＰｔ系合金、ＣｏＣｒ系合金、ＣｏＣｒＰｔ系合金、ＣｏＰｔＯ、ＣｏＰｔＣｒＯ、ＣｏＰｔＳｉ、ＣｏＰｔＣｒＳｉ、ＣｏＣｒＳｉＯ２などの合金を用いることが可能である。
【００６５】
磁気記録層の厚さは、再生出力信号を高確度で測定するために１．０ｎｍ厚以上が好ましく、信号強度の歪を抑えるために４０ｎｍ厚以下が好ましい。１．０ｎｍよりも薄いと再生出力が極めて小さくノイズ成分が優位になる傾向がある。逆に、４０ｎｍよりも厚い場合は再生出力が過剰となり、信号波形に歪が生じる傾向がある。
【００６６】
磁気記録層上部には保護層を設けることができる。保護層は、磁気記録層の腐食・劣化を防ぐとともに、磁気ヘッドが記録媒体に接触した時に生じる媒体表面の損傷を防ぐ効果がある。保護層材料としては、例えばＣ、Ｐｄ、ＳｉＯ２、及びＺｒＯ２を含むものが挙げられる。カーボンはｓｐ２結合炭素（グラファイト）とｓｐ３結合炭素（ダイヤモンド）に分類できる。耐久性、耐食性はｓｐ３結合炭素の方が優れ、逆に平坦性はｓｐ２結合炭素の方が優れる。通常、カーボンの成膜はグラファイトターゲットを用いたスパッタリング法により行われ、ｓｐ２結合炭素とｓｐ３結合炭素が混在したアモルファスカーボンが成膜されるが、ｓｐ３結合炭素の割合が大きいものはダイヤモンドライクカーボン（ＤＬＣ）と呼ばれ、耐久性、耐食性、平坦性に優れており、磁気記録層の保護層としてより好適である。
【００６７】
保護層の上部には更に潤滑層を設けることができる。潤滑層に用いられる潤滑剤としては、例えばパーフルオロポリエーテル、フッ化アルコール、及びフッ素化カルボン酸などが挙げられる。
【００６８】
被加工層ならびに磁気記録層の上部には剥離層を設けることができる。被加工層や磁気記録層へ凸パターンを転写した後、剥離層を除去することでマスク層を脱離するリフトオフプロセスを適用し得る。この剥離層はエッチングレートが高く、かつ剥離液に対する溶解レートが高いことが望ましい。
【００６９】
また、磁気記録媒体の製造方法の他の例では、被加工層は、磁気記録層の下地層となり得る。
【００７０】
また、この下地層と磁気記録層の間に追加の下地層を形成することができる。
【００７１】
下地層として使用可能な被加工層の材料としては、例えば、シリコン、ゲルマニウム、タンタル、タングステン、モリブデン、ハフニウム、ニオブ、ルテニウムおよびこれらの酸化物、窒化物、化合物、合金などがあげられる。
【００７２】
追加の下地層としては、例えば、炭素、アルミニウム、チタン、バナジウム、クロム、鉄、ニッケル、ゲルマニウム、パラジウム、およびこれらの酸化物、窒化物、化合物、合金などがあげられる。
【００７３】
マスク層形成工程
被加工層および磁気記録層の上には凸パターン転写用のマスク層を形成することができる。
【００７４】
マスク層は金属微粒子の凸パターンが転写される層であるとともに、下部に配される被加工層ならびに磁気記録層に凸パターンを転写するためのマスクである。よって、基板側からマスク層／金属微粒子層とした場合のエッチング選択比は高いほど良く、当然のことながら被加工層／マスク層のエッチング選択比も高いことが望ましい。
【００７５】
被加工層が磁気記録層となる場合、マスク層は磁気記録層上の保護層上に形成される。上記のように、磁気記録層／マスク層のエッチング選択比も高いことが好ましい。
【００７６】
マスク層は１層とする以外にも、異なる材料を積層した２層以上の構成にしても構わない。
【００７７】
マスク層は微粒子凸パターンが精度良く転写されるように、金属微粒子の半径以下の厚さにすることができる。微粒子の半径よりも厚い層を加工する場合、後述のようなエッチング中における微粒子の凝集が顕著となり転写精度が劣化するためである。数十ｎｍ級パターンを想定した場合、具体的な厚さは１ｎｍ〜１０ｎｍとすることが望ましい。
【００７８】
マスク層は被加工層と同様に種々の方法によって成膜され、エッチング選択比を考慮して種々の構成を取り得る。すなわち、マスク層は１層とする以外にも、異なる材料を積層した２層以上の構成にしても良い。
【００７９】
マスク層の厚さは、物理的・化学的気相成長法においては、例えば、プロセスガス圧力、ガス流量、基板温度、投入電力、到達真空度、チャンバー雰囲気、成膜時間などのパラメータを適宜変更することで調整が可能である。このマスク層上部に形成される金属微粒子層の配列精度ならびに凸パターンの転写精度は、マスク層の表面ラフネスに強く依存する。したがって、マスク層においてはその表面ラフネスを低減しておくことが好ましく、上記成膜条件を種々調整することでこれを実現可能である。狭ピッチパターンを高精細にパターニングするために、所望のパターンピッチに対して表面ラフネスの周期は小さいことが特に好ましい。また、平均表面ラフネスの値は基板／被加工層／マスク層を含めた値で０．５ｎｍ以下であることが望ましい。０．５ｎｍよりも大きいと、後述する金属微粒子の配列精度が悪化し、磁気記録媒体の信号Ｓ／Ｎが劣化するためである。ただし、以降の方法では微粒子マスクの加工マージンを拡大可能であり、従来よりも大きなラフネスを有する基板を用いた場合でも、寸法精度が良好で欠陥の少ない凸パターンをマスク層へ転写することができる。
【００８０】
表面ラフネスを低減するためには上記成膜条件を種々変更する他、マスク層材料を結晶質のものから非晶質のものにすることで、これを実現可能である。
【００８１】
マスク層の厚さは、下層に配される剥離層および磁気記録層とのエッチング選択比や凸パターン寸法を考慮して決定することができる。
【００８２】
成膜で用いるスパッタガスはＡｒをはじめとした希ガスを主とすることが可能であり、さらに成膜するマスク材料によってＯ２、Ｎ２などの反応性ガスを混合することで所望の合金を成膜することもできる。
【００８３】
また、マスク層の厚さは微細パターンを高精細に転写するために、１ｎｍ以上５０ｎｍ以下にすることが好ましい。１ｎｍよりも薄いとマスク層が均一に成膜されず、また、５０ｎｍよりも厚いと深さ方向に対する凸パターンの転写精度が劣化する傾向がある。さらに、微粒子の半径以下の厚さでマスク層を形成すれば、より転写精度の優れた凸パターンを得ることができる。
【００８４】
後述のように、マスク層を介して凸パターンを被加工層ならびに磁気記録層へ転写した場合、マスク層を除去しても良いし、あるいは凸パターン転写パターン形成中にマスク層を意図的に後退させることで、マスク層を除去する工程に代替しても構わない。マスク層を除去する場合はドライエッチングもしくはウェットエッチングなどの方法を適用することが可能である。また、あらかじめ被加工層とマスク層の間に剥離層を形成しておき、剥離層を除去することで被加工層上からマスク層をリフトオフすることもできる。
【００８５】
前述のように、マスク層は１層または２層以上形成することができる。すわなち、第１のマスク層、及び第２のマスク層を含む積層体にすることも可能である。第１のマスク層と第２のマスク層とを異なる材料から構成することで、エッチング選択比を大きくし、転写精度を改善することが可能である。ここでは便宜上、第２のマスク層を第１のマスク層に対する転写層と呼び、基板側から被加工層（磁気記録層を含む）／マスク層／転写層のように表記する。
【００８６】
この転写層は金属微粒子材料およびマスク層材料とのエッチング選択比を考慮して、種々の材料から適切に選択できる。マスク材料の組み合わせを決める場合、エッチング溶液あるいはエッチングガスに対応した金属材料を選択することができる。ドライエッチングを想定して各材料を組み合わせる場合、例えば、基板側からマスク層／転写層の順にＣ／Ｓｉ、Ｓｉ／Ａｌ、Ｓｉ／Ｎｉ、Ｓｉ／Ｃｕ、Ｓｉ／Ｍｏ、Ｓｉ／ＭｏＳｉ２、Ｓｉ／Ｔａ、Ｓｉ／Ｃｒ、Ｓｉ／Ｗ、Ｓｉ／Ｔｉ、Ｓｉ／Ｒｕ、Ｓｉ／Ｈｆなどが挙げられる他、ＳｉをＳｉＯ２、Ｓｉ３Ｎ４、ＳｉＣなどで置き換えた構成にすることができる。また、Ａｌ／Ｎｉ、Ａｌ／Ｔｉ、Ａｌ／ＴｉＯ２、Ａｌ／ＴｉＮ、Ｃｒ／Ａｌ２Ｏ３、Ｃｒ／Ｎｉ、Ｃｒ／ＭｏＳｉ２、Ｃｒ／Ｗ、ＧａＮ／Ｎｉ、ＧａＮ／ＮｉＴａ、ＧａＮ／ＮｉＶ、Ｔａ／Ｎｉ、Ｔａ／Ｃｕ、Ｔａ／Ａｌ、Ｔａ／Ｃｒ、などの積層体を選択できる。なお、マスク加工で使用するエッチングガスに応じて、これらの各種マスク材料の積層順序は入れ替えることができる。マスク材料の組み合わせおよび積層順は上記のものに限定されるわけではなく、パターン寸法とエッチング選択比の観点から適切に選択することができる。また、ドラエッチングと共にウェットエッチングによるパターニングも可能であるため、これを考慮して各マスク材料を選定することができる。
【００８７】
ウェットエッチングによりマスク層をパターニングする場合は、凸パターンの幅方向に対するサイドエッチを抑制する。この場合は、マスク材料の組成、エッチング溶液の濃度、およびやエッチング時間をはじめとした各種パラメータを設定することで実現可能である。
【００８８】
金属微粒子層形成工程
ここで、マスク層上に凸パターンとなる金属微粒子層を形成する。金属微粒子層の形成および凸パターンの転写工程は以下の４つの工程に分けられる。すなわち、（１）金属微粒子塗布工程、（２）保護基量低減工程、（３）付着性ガス曝露工程、（４）凸パターン転写工程である。
【００８９】
前述のように、実施形態で用いる微粒子材料はＣ、Ｐｔ、Ｎｉ、Ｐｄ、Ｃｏ、Ａｌ、Ｔｉ、Ｃｅ、Ｓｉ、Ｆｅ、Ａｕ、Ａｇ、Ｃｕ、Ｔａ、Ｚｒ、Ｚｎ、Ｍｏ、Ｗ、Ｒｕの群から選ばれるものである。
【００９０】
一般的に貴金属微粒子は化学的に安定であることから、ドライエッチング耐性があるため、エッチング選択比を大きくできる材料として好適である。また、酸化物微粒子と比較してｖａｎ  ｄｅｒ  Wａａｌｓ  引力を決定するＨａｍａｋｅｒ定数が大きく、粒子間の相互作用が強い。よって、基板面の微粒子は単分散を維持しようとするため、基板面において明瞭な六方配列を構成し、そのピッチばらつきは小さくなる。一方、粒子間の強い相互作用は微粒子同士の凝集を生じやすくするとともに、狭ピッチ化に伴い粒子間距離が狭くなるため、加工マージンが低下する。さらに、ドライエッチング中に起こる貴金属微粒子周囲の保護基の消失に伴い、貴金属微粒子は容易に凝集するため、凸パターンの転写精度が悪化する。したがって、高エッチング選択比化と低ピッチ分散化に対して、狭スペーシング加工精度はトレードオフの関係にあり、これを解決する技術が望まれる。
【００９１】
前述のような凝集は、金属微粒子表面を改質することで改善可能である。ただし、金属微粒子の合成の段階で微粒子表面を別の材料で改質する場合、表面を被覆する殻の分だけ微粒子粒径が拡大する他、２つ以上の微粒子が互いに融着した、すなわち二次粒子が形成されてしまい、分散液中の単分散状態を悪化させる要因につながる。そこで、粒径を拡大することなく、しかも簡便に金属微粒子の表面を改質するため、製造タクトタイムを短縮して製造コストを低減可能となる。
【００９２】
金属微粒子は種々の方法により合成可能であり、例えば、液相還元法や逆ミセル法が一般的である。
【００９３】
金属微粒子の分散媒となる溶媒は種々の溶媒群から選択される。具体的には、溶媒中の微粒子が凝集しないような溶媒を選択することになる。具体的には、トルエン、キシレン、ヘキサン、ヘプタン、オクタン、エチレングリコールモノエチルエーテル、エチレングリコールモノメチルエーテル、エチレングリコールモノメチルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、エチレングリコールトリメチルエーテル、乳酸エチル、ピルビン酸エチル、シクロヘキサノン、ジメチルホルムアミド、ジメチルアセトアミド、テトラヒドロフラン、アニソール、及びジエチレングリコールトリエチルエーテル、アルコール、水などを選択できる。
【００９４】
分散液における金属微粒子の濃度は、後述の塗膜の均一性を左右するため最適範囲を取り得るが、実際のところは塗膜方法により種々調整する必要がある。好ましいとする溶液濃度は重量パーセント濃度５％以下である。５％よりも大きくなると基板上における塗膜厚さの面内依存性が著明に悪化するためである。
【００９５】
また、金属微粒子表面に付与される保護基は種々の高分子材料から選択され、例えば、ポリスチレン、ポリエチレン、ポリビニルピロリドン、ポリヒドロキシスチレン、ポリメチルメタクリレートなどの材料を好ましく用いることができる。
【００９６】
高分子保護基の濃度は、金属微粒子および分散媒濃度に対して適宜調整可能である。具体的には、重量パーセントで０．０１〜２％の範囲にしておくことが好ましい。０．０１％よりも低いと分散液の濡れ性が低下し、膜内の欠陥領域（０層領域）が生じる他、２％よりも高いと基板内において場所による金属微粒子の階層構造が生じてしまうためである。また、２％よりも高濃度になると金属微粒子のクラスターが形成されやすく、基板上のダストが増大する傾向にある他、高分子膜厚の増加に伴い微粒子パターンのピッチばらつきが悪化する。
【００９７】
上記のように調製した金属微粒子分散液を、被加工層上へ塗布する。分散液は種々の方法により基板面に塗布できる。具体的には、スピンコーティング法、スプレーコーティング法、スピンキャスティング法、ディップコーティング法、インクジェット法、ラングミュア・ブロジェット法、ラングミュア・シェーファ法などの方法が挙げられる。それぞれの塗布方法においては、分散液濃度、スピン回転数、引き上げ速度をはじめとする種々のパラメータを変えることにより、基板上への微粒子の単層塗膜が可能となる。また、凝集によって生じた二次粒子は粒子径が比較的大きく、パターンの均一性を損なうことにつながるため、メンブレンフィルタなどで適宜フィルタリングしておくことが望まれる。
【００９８】
次に、金属微粒子表面の保護基の量を低減させるため、第１のエッチングを行う。前述のように、第１のエッチングでは合成時に付与された微粒子保護基を一度開裂・分解させるためのものである。
【００９９】
エッチング方法として、ウェットエッチングおよびドライエッチングを適用可能であるが、基板面内のばらつきを低減させるために、概ね均一なエッチングとなるドライエッチングが好ましい。
【０１００】
エッチングガスは種々のものから選択できる。例えば、Ｈｅ、Ｎｅ、Ａｒ、Ｋｒなどの不活性ガスや、Ｈ２、Ｏ２、Ｆ２、Ｎ２などの反応性ガスなどを適用可能であるが、不活性ガスを用いる場合は、金属微粒子および保護基に対する物理的なエッチング作用が強く、加工マージンが著しく狭くなってしまう。そのため、保護基を化学的に分解する反応性ガスを適用することが望ましく、特に高分子の分解作用が強いＯ２を適用することが特に望ましい。
【０１０１】
第１のエッチングにおいてドライエッチングを適用する場合、アンテナ電力、バイアス電力、ガス圧力、到達真空度などのパラメータを調整することで、好ましくドライエッチングを実施できる。この際、金属微粒子周囲を被覆する保護基の総被覆固形成分量に対して、７０％以下にしておくことが好ましい。７０％よりも保護基が多い場合、後述するガス曝露による保護基の置換が不十分で、凝集抑制効果が大きく発現されないためである。また、好ましくは、エッチング後の保護基量が３０％以下にならないように条件を変更する。３０  ％以下になると、保護基による微粒子間相互作用の抑制効果が低下し、金属微粒子が相互に凝集してしまうためであり、マスクパターンのばらつきが著しく劣化する。したがって、第１のエッチングでは、金属微粒子の保護基量をｗｐとした場合３０％＜ｗｐ≦７０％  の範囲にすると、後述の工程との適合性が良い。
【０１０２】
引き続き、付着性ガスの曝露により金属微粒子表面に保護基を付与する。前述のようなドライエッチングによる保護基量低減と、ガス曝露による保護基付与は、一連の工程では保護基の置換と言い換えられる。このガス曝露は、第１のエッチングにより露出した金属微粒子および保護基の末端に対して、ガス成分を付着させることにより新たに保護基を形成するものである。従来、合成時に形成されている保護基に対してより高密度に保護基を形成可能であるため、凸パターン転写工程中における微粒子の凝集を抑制できる。
【０１０３】
付着性ガスは種々のものから選択できるが、炭素およびフッ素を含むガスは付着性が強く、特に好ましい。具体的には、ＣＦ４、ＣＨＦ３、ＣＨ３Ｆ、ＣＨ２Ｆ２、Ｃ４Ｆ６、Ｃ４Ｆ８などが挙げられるが、選択性はこれに限られるものではない。金属微粒子表面の保護基を付着性ガスにより置換する際は、真空チャンバに試料を装荷し、さらにガスを導入すれば良い。この場合、ガス流量、ガス導入時間、到達真空度、試料温度、ガス種、ガス混合比などの項目を管理することにより、金属微粒子表面へ付着させる保護基の量と密度を変更することが可能であり、保護基の高密度化に伴い凸パターン転写時における凝集の影響を軽微にできる。ガス曝露条件としては、ガス流量２０ｓｃｃｍ以上、基板温度
４０℃以上であることが好ましい。ガス流量が２０ｓｃｃｍよりも少なくなると、微粒子周囲へのガス吸着量が減少し、保護基の置換に至らないためである。同様の理由から、基板温度は４０℃よりも低くしてしまうと微粒子に対する付着性ガスの反応性が低下し、十分に保護基を置換できないためである。
【０１０４】
引き続き、第２のエッチング工程において凸パターンを下層である被加工層へ転写する。第２のエッチングではドライエッチングに関する種々のパラメータを変更し、金属微粒子マスクのパターンを転写する。この際、前述のように金属微粒子マスクは第１のエッチングと付着性ガス曝露により保護基が置換されるとともに、保護基の密度が増大しているため、より凝集を生じ難い。第２のエッチング工程の詳細は、後述のマスク層パターニング工程と概ね同様である。
【０１０５】
マスク層パターニング工程
次に金属微粒子を用いてマスク層へ凸パターンを転写する。前述のように、貴金属微粒子表面が高分子により修飾されている場合は、微粒子の島状パターンと高分子の海状パターンが混在した系と見なすことができる。この場合、海状パターンを除去することにより、微粒子の凸パターンを転写することが可能となる。
【０１０６】
マスク層の加工では、マスク層材料とエッチングガスの組み合わせにより多様な層構成と加工方法が実現され得る。
【０１０７】
凸パターンの幅方向におけるエッチングに対して厚さ方向のエッチングが有意となるように、微細加工を行う場合はドライエッチングを適用することが好ましい。ドライエッチングで使用するプラズマは、容量結合、誘導結合、電子サイクロトロン共鳴、多周波重畳結合などの種々の方法により発生させることができる。また、凸パターンのパターン寸法の調整のために、プロセスガス圧力、ガス流量、プラズマ投入電力、バイアス電力、基板温度、チャンバー雰囲気、及び到達真空度などのパラメータを設定することができる。
【０１０８】
エッチング選択比を大きくするためにマスク材料を積層した場合は、エッチングガスを適切に選択することができる。エッチングガスにはＣＦ４、Ｃ２Ｆ６、Ｃ３Ｆ６、Ｃ３Ｆ８、Ｃ５Ｆ８、Ｃ４Ｆ８、ＣｌＦ３、ＣＣｌ３Ｆ５、Ｃ２ＣｌＦ５、ＣＣＢｒＦ３、ＣＨＦ３、ＮＦ３、ＣＨ２Ｆ２などのフッ素系ガスや、Ｃｌ２、ＢＣｌ３、ＣＣｌ４、ＳｉＣｌ４などの塩素系ガスが挙げられる。その他、Ｈ２、Ｎ２、Ｏ２、Ｂｒ２、ＨＢｒ、ＮＨ３、ＣＯ、Ｃ２Ｈ４、Ｈｅ、Ｎｅ、Ａｒ、Ｋｒ、Ｘｅなどの各種ガスを適用することができる。また、エッチング速度やエッチング選択比を調整するためにこれらのガスを２種類以上混ぜた混合ガスを使用することも可能である。なお、ウェットエッチングによるパターニングも可能であり、この場合はエッチング選択比を確保でき、かつ幅方向へのエッチングを抑制し得るエッチング溶液を選定しておくとよい。同様に、イオンミリングのような物理的エッチングを行っても構わない。
【０１０９】
微細パターンはナノインプリントにより形成することもできる。ナノインプリントは、微細凸パターンが表面に形成されたナノインプリントスタンパ（以降、スタンパーと呼称）を転写用レジスト層に押下してパターン転写を行うものであり、ステップアンドリピート方式の紫外線露光や電子線露光などの技術と比較して、試料の大面積に対してレジストパターンを一括転写できる。したがって、製造スループットが増加するため、製造時間短縮・コスト削減を実現できる。
【０１１０】
スタンパーは、リソグラフィーなどで形成された微細凸パターンを具備する基板、いわゆるマスター原盤（モールド、原盤）から取得することが可能であり、多くの場合、マスター原盤の微細パターンに対する電鋳により作製される。マスター原盤用の基板にはＳｉをはじめとして、ＳｉＯ２、ＳｉＣ、ＳｉＯＣ、Ｓｉ３Ｎ４、Ｃ、などの他、Ｂ、Ｇａ、Ｉｎ、Ｐなどの不純物をドーピングした半導体基板を用いても良い。また、基板の３次元的な形状に関する限定は何ら無く、円形、矩形、ドーナツ形のものを用いることができる。他にも導電性を有する材料からなる基板を用いることができる。
【０１１１】
続いて、マスター原盤の凸パターンに対して電鋳を行い、スタンパーを作製する。めっき金属には種々の材料が挙げられるが、ここでは一例として、Ｎｉからなるスタンパーの作製方法を説明する。まず、マスター原盤の凸パターンに導電性を付与するため、凸パターンの表面にＮｉ薄膜を成膜する。電鋳の際には、導電不良が生じるとめっき成長が阻害され、パターン欠損につながるため、Ｎｉ薄膜は凸パターンの表面ならびに側面において均一に成膜されることが好ましい。なお、この膜は導電性付与のために設けるものであり、材料はＮｉに限定されるものではない。
【０１１２】
続いて、マスター原盤をスルファミン酸Ｎｉ浴に浸漬・通電し、電鋳を行う。めっき後の膜厚、すなわちスタンパーの厚さはめっき浴の水素イオン濃度、温度、粘度の他、通電電流値、めっき時間などを変更することで調整できる。この電鋳は電解めっき、あるいは無電解めっきにより行なうことができる。このようにして得られたスタンパーを基板上から離型することで、Ｎｉスタンパーを得る。
【０１１３】
なお、得られたスタンパーを用いて、凸パターンをレジスト層へ転写する。この際、スタンパーをマスター原盤として代替し、複製スタンパーを作製することができる。この場合は、ＮｉスタンパーからＮｉスタンパーを得る方法や、Ｎｉスタンパーから樹脂スタンパーを得る方法などが挙げられる。ここでは、樹脂スタンパーの作製方法を説明する。
【０１１４】
樹脂スタンパーは射出成型により作製する。まず、射出成型装置にＮｉスタンパーを装荷し、スタンパーの凸パターンへ樹脂溶液材料を流入し、射出成型を行う。樹脂溶液材料としては、シクロオレフィンポリマーやポリカーボネート，ポリメチルメタアクリレートなどを適用すれば良く、インプリントレジストとの剥離性の良い材料を選択することがより望ましい。射出成型を行った後、Ｎｉスタンパー上から試料を剥離することで、凸パターンを有する樹脂スタンパーが得られる。
【０１１５】
この樹脂スタンパーを用い、レジスト層へ凸パターンを転写する。
【０１１６】
レジストには熱硬化樹脂や光硬化樹脂をはじめとしたレジスト材料を用いることが可能であり、例えばイソボルニルアクリレート、アリルメタクリレート、及びジプロピレングリコールジアクリレートなどを適用できる。
【０１１７】
これらのレジスト材料を、上記のような磁気記録層およびマスク層を有する試料上に塗布し、レジスト層を形成する。次いで、レジスト層に対して凸パターンを有する樹脂スタンパーをインプリントする。インプリントの際、樹脂スタンパーがレジストに押下されるとレジストが流動化し、凸パターンが形成される。ここで、レジスト層に対して紫外線などのエネルギーを付与することで、凸パターンを形成しているレジスト層を硬化させ、次いで樹脂スタンパーを離型すればレジスト層の凸パターンが得られる。樹脂スタンパーの離型を容易に行なうために、あらかじめ樹脂スタンパー表面にシランカップリング剤などによる離型処理を行なっておくことが可能である。
【０１１８】
樹脂スタンパー離型後におけるレジスト層の凹部にはレジスト材料が残渣として残存しているため、これをエッチングにより除去することでマスク層の表面を露出させる。ポリマーベースのレジスト材料は、一般的にＯ２エッチャントに対するエッチング耐性が低いため、Ｏ２エッチングを行なうことで容易に残渣を除去できる。無機材料を含む場合は、レジストパターンが残るようにエッチャントを適宜変更しても構わない。以上のようにして、ナノインプリントによりレジスト層へ凸パターンを設けることができる。以上のように、凝集が生じない状態のまま、金属微粒子の凸パターンをマスク層へ転写することが可能である。
【０１１９】
被加工層パターニング工程
続いて、マスク層へ転写した凸パターンを下部被加工層へ転写する。この被加工層は、磁気記録媒体の製造方法における磁気記録層に相当するものである。
【０１２０】
被加工層へ凸パターンを形成する際、前述のマスク層と同様に種々の加工方法を選択できるが、幅方向に対する寸法変換差を小さくし、厚さ方向への加工を進行させるためドライエッチングを適用することが好ましい。なお、被加工層形成工程前にマスク層上から金属微粒子を除去しておくことにより、エッチングによる微粒子の凝集は生じない。よって、凸パターン転写精度を改善することが可能である。
【０１２１】
また、反応性ドライエッチングによる副生成物が生成困難である貴金属材料を被加工層に用いる場合は、イオンミリングなどの方法を適用すれば良い。具体的には、Ｈｅ、Ｎｅ、Ａｒ、Ｘｅ、Ｋｒなどの不活性ガスを用いることが可能であり、Ｏ２、Ｎ２などのガスを添加した反応性イオンミリングによりパターニングすることもできる。
【０１２２】
被加工層のパターニングを行う際は、マスク層のエッチングレートＥＲｍａｓｋに対する被加工層のエッチングレートＥＲｍａｔの関係がＥＲｍａｓｋ≦ＥＲｍａｔを満足することが望ましい。すなわち、所望の被加工層および磁気記録層厚を得るために、エッチングに伴うマスク層の後退は少なくすることができる。
【０１２３】
イオンミリングにより被加工層へ凸パターンを転写する場合、加工に伴いマスク側壁に向かって飛散する副生成物、いわゆるリデポジション（Ｒｅｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）成分を抑制しておくことが重要である。このリデポジション成分は、凸パターンマスクの周囲に付着するため、凸パターンの寸法が拡大し、溝部分を埋没させることになるため、分断された凸パターンを得るためにはリデポジション成分を可及的に少なくすることができる。
【０１２４】
被加工層に対するイオンミリングでは、イオンの入射角度を変えることで側壁へのリデポジション成分を少なくすることができる。この場合は、マスク高さによって最適な入射角度は異なるが２０°〜７０°の範囲でリデポジションを抑制することが可能となる。また、イオンの入射角度はミリング中に適宜変更することができる。例えば、被加工層をイオン入射角度０°でミリング加工した後、イオン入射角度を変更して凸パターンのリデポジション部分を選択的に除去する方法などが挙げられる。
【０１２５】
保護層形成工程
被加工層を磁気記録層とした磁気記録媒体の製造方法においては、最後に、凸パターンを有する磁気記録層上にカーボン系保護層と図示しないフッ素系潤滑膜を成膜することで、凸パターンが設けられた磁気記録媒体を得ることができる。
【０１２６】
カーボン保護層にはｓｐ３結合炭素を多く含むＤＬＣ膜が好適である。また、その膜厚は被覆性を維持するために２ｎｍ以上、信号Ｓ／Ｎを維持するために１０ｎｍ以下にすることが望ましい。また、潤滑剤としてはパーフルオロポリエーテル、フッ化アルコール、フッ素化カルボン酸などを用いることができる。
【０１２７】
図９に、磁気記録媒体の周方向に対する記録ビットパターンの一例を表す図を示す。
【０１２８】
磁気記録層の凸パターンは図に示すように、ディジタル信号の１と０に相当するデータを記録する記録ビット領域１２１と、磁気ヘッドの位置決め信号となるプリアンブルアドレスパターン１２２、バーストパターン１２３からなる、いわゆるサーボ領域１２４に大別され、これを面内パターンとして形成できる。また、図示しているサーボ領域のパターンは矩形状でなくてもよく、例えば全サーボパターンをドット形状で置き換えても良い。
【０１２９】
さらに、図１０のようにサーボに加えデータ領域も全てドットパターン１２０で構成することも可能である。１ビットの情報は１つの磁性ドットあるいは複数の磁性ドットで構成され得る。
【０１３０】
また、図１１のように各ドットパターンを正方配置させることも可能である。
【０１３１】
図１２は、実施形態にかかる磁気記録媒体を適用可能な磁気記録再生装置の一例を、一部分解した斜視図で示す。
【０１３２】
同図は、ディスク装置３００として、実施形態に係るハードディスクドライブのトップカバーを取り外して内部構造を示している。図に示すように、ＨＤＤは筐体２１０を備えている。この筐体２１０は、上面の開口した矩形箱状のベース２１１と、図示しない矩形板状のトップカバーとを備えている。トップカバーは、複数のねじによりベースにねじ止めされ、ベースの上端開口を閉塞している。これにより、筐体２１０内部は気密に保持され、呼吸フィルター２２６を通してのみ、外部と通気可能となっている。
【０１３３】
ベース２１１上には、記録媒体としての磁気ディスク２１２および駆動部が設けられている。駆動部は、磁気ディスク２１２を支持および回転させるスピンドルモータ２１３、磁気ディスクに対して情報の記録、再生を行なう複数、例えば、２つの磁気ヘッド２３３、これらの磁気ヘッド２３３を磁気ディスク２１２の表面に対して移動自在に支持したヘッドアクチュエータ２１４、ヘッドアクチュエータを回動および位置決めするボイスコイルモータ（以下ＶＣＭと呼称する）２１６を備えている。また、ベース２１１上には、磁気ヘッド２３３が磁気ディスク２１２の最外周に移動した際、磁気ヘッド２３３を磁気ディスク２１２から離間した位置に保持するランプロード機構２１８、ＨＤＤに衝撃等が作用した際、ヘッドアクチュエータ２１４を退避位置に保持するイナーシャラッチ２２０、およびプリアンプ、ヘッドＩＣ等の電子部品が実装された基板ユニット２１７が設けられている。
【０１３４】
ベース２１１の外面には、制御回路基板２２５がねじ止めされ、ベース２１１の底壁と対向して位置している。制御回路基板２２５は、基板ユニット２１７を介してスピンドルモータ２１３、ＶＣＭ２１６、および磁気ヘッド２３３の動作を制御する。
【０１３５】
図１２において、磁気ディスク２１２は、前述の加工方法により形成された凸パターンを有する垂直磁気記録媒体として構成されている。また、磁気ディスク２１２は前述の通り、例えば、直径約２．５インチの円板状に形成され非磁性体からなる基板２１９を有している。基板２１９の各表面には、下地層としての軟磁性層２２３と、その上層部に、ディスク面に対して垂直方向に磁気異方性を有する垂直磁気記録層２２２とが順次積層され、さらにその上に保護膜２２４が形成されている。
【０１３６】
また、磁気ディスク２１２は、スピンドルモータ２１３のハブに互いに同軸的に嵌合されているとともにハブの上端にねじ止めされたクランプばね２２１によりクランプされ、ハブに固定されている。磁気ディスク２１２は、駆動モータとしてのスピンドルモータ２１３により所定の速度で矢印Ｂ方向に回転される。
【０１３７】
ヘッドアクチュエータ２１４は、ベース２１１の底壁上に固定された軸受部２１５と、軸受部から延出した複数のアーム２２７と、を備えている。これらのアーム２２７は、磁気ディスク２１２の表面と平行に、かつ、互いに所定の間隔を置いて位置しているとともに、軸受部２１５から同一の方向へ延出している。ヘッドアクチュエータ２１４は、弾性変形可能な細長い板状のサスペンション２３０を備えている。サスペンション２３０は、板ばねにより構成され、その基端がスポット溶接あるいは接着によりアーム２２７の先端に固定され、アームから延出している。各サスペンション２３０の延出端にジンバルばね２４１を介して磁気ヘッド２３３が支持されている。サスペンション２３０、ジンバルばね２４１、および磁気ヘッド２３３により、ヘッドジンバルアッセンブリを構成している。なお、ヘッドアクチュエータ２１４は、軸受部２１５のスリーブと、複数のアームとを一体に形成したいわゆるＥブロックを備えた構成としてもよい。
【実施例】
【０１３８】
以降、かかる実施形態を詳細に説明する。
【０１３９】
実施例１  
実施例１から１９は、金属微粒子材料を粒径８  ｎｍ、ピッチ１３．５  ｎｍのＡｕとし、エッチング条件を種々変更した場合の結果である。
【０１４０】
金属微粒子の種類、その平均粒径、第１のエッチング条件、ガス暴露条件、第２のエッチング条件、及びグライド評価結果を下記表１に示す。
【０１４１】
実施例１では、第１のエッチングとしてＯ２ガスを用いたドライエッチング、付着性ガスとしてＣＨＦ３、第２のエッチングとしてＣＨＦ３を用いたドライエッチングを適用した。
【０１４２】
まず、金属微粒子マスクを形成するための微粒子塗布液を作製した。この微粒子塗布液は、金属微粒子材料が溶媒中に単分散しているものである。溶媒をトルエンとし、保護基をアルカンチオールとしたＡｕ微粒子を用いた。Ａｕ微粒子の分散液を重量パーセント濃度３．０％となるようにトルエン溶媒を添加し、塗布液として調製した。さらに、塗布液調製後に各微粒子の単分散を促進させるため、９０分間超音波分散を行うことで最終的な塗布液を用意した。
【０１４３】
次に、凸パターン形成用基板を作製した。
【０１４４】
基板には２．５インチのドーナツ状ガラスディスクを用い、基板上にＳｉ被加工層を形成した。Ｓｉ被加工層の成膜はＤＣスパッタ法にて行った。この際、Ａｒガス圧力０．７Ｐａ、投入電力５００Ｗに設定し、５ｎｍ厚となるようにスパッタ成膜を行なった。
【０１４５】
次に、調製した微粒子塗布液を自動シリンジを用いて被加工層上へ滴下し、回転数５０００ｒｐｍでスピンコートすることで単層Ａｕ微粒子層を得た。
【０１４６】
なお、ここでいう単層とは前述のごとく、同一平面内において階層構造を持たず、微粒子が１層で配列している状態を意味する。
【０１４７】
図１３は、基板上に塗布された単層Ａｕ微粒子層を、走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）を用いて観察したＳＥＭ画像を表す写真である。
【０１４８】
同図のようにＡｕ微粒子は相互に分散状態を維持しており、基板上における凝集は見られていない。また、原子間力顕微鏡（ＡＦＭ）を用いて金属微粒子層の厚さを測定したところ、９ｎｍの段差があることがわかり、微粒子が概ね単層で形成されていることを確認した。
【０１４９】
次に、第１のエッチングによりＡｕ微粒子表面の保護基を除去して微粒子層表面を露出させた。ここでは、Ｏ２ガスをエッチャントとしたドライエッチングにより保護基を除去した。第１のエッチングでは、誘導結合プラズマ型反応性イオンエッチングを適用し、アンテナ電力３０Ｗ、バイアス電力２Ｗ、Ｏ２ガス圧力２０ｓｃｃｍ、ガス圧力０．１Ｐａに設定し、１５秒間エッチングを行うことで保護基量を低減させた。この条件では、金属微粒子表面の保護基を約６０％除去することができる。
【０１５０】
引き続き、付着性ガスに試料を曝露し、微粒子周囲の保護基を置換した。ここでは、ドライエッチングチャンバを用い、基板温度を４０℃に設定した後、ガス流量４０  ｓｃｃｍに設定したＣＨＦ３を用い、３０  秒間試料を曝露させることで保護基を置換した。
【０１５１】
さらに、第２のエッチングにより金属微粒子の凸パターンを被加工層へ転写した。ここで、被加工層は５  ｎｍ厚Ｓｉであり、ＣＨＦ３ガスにより容易に加工可能である。付着性ガスと第２のエッチングガスを同種のものにすることで、より加工マージンを拡大した凸パターン転写を実現できる。これは、第２のエッチング工程において付着性ガス曝露工程と同種のガスが継続的に微粒子表面へ吸着するためであり、反応性ガス等を用いる場合よりも加工マージンを拡大できる。ＣＨＦ３を用いた第２のエッチングでは、アンテナ電力１００  Ｗ、バイアス電力  ３０Ｗ、ガス流量２０  ｓｃｃｍ、ガス圧力０．１  Ｐａとし、及びエッチング時間１２  秒間の条件でエッチングを行うことで、金属微粒子パターンを転写した。
【０１５２】
最後に、ヨウ素／ヨウ化カリウム／イソプロピルアルコール混合剥離液を用い、Ｓｉ膜上からＡｕ微粒子を除去した。混合剥離液は、ヨウ素：ヨウ化カリウム：イソプロピルアルコールを重量比１：１：１２で調製し、１０  秒間の浸漬によりＡｕを溶解する。さらに、イソプロピルアルコールによるリンスを行うことで、５  ｎｍ厚Ｓｉ凸パターンを得た。
【０１５３】
図１４、図１５は、それぞれ第２のエッチング後とＡｕ微粒子剥離後における、微細パターンの上面ＳＥＭ画像を表す写真を示す。
【０１５４】
図示するように、エッチング後において各微粒子は分離性を保っており、凸パターンは凝集していない。同様に、微粒子剥離後も凸パターンは明瞭であり、金属微粒子のパターンが転写されていることが確認される。以上のようにして、金属微粒子の微細パターンを被加工層へ転写した。
【０１５５】
さらに、被加工層を転写層として、下層にマスク層、磁気記録層を設けた場合の、磁気記録媒体の製造方法を説明する。
【０１５６】
まず、基板上に磁気記録層を形成した。基板には２．５インチ径ドーナツ基板を用い、この上に磁気記録層をＤＣスパッタ法により形成した。プロセスガスはＡｒとし、ガス圧力０．７  Ｐａ、ガス流量３５  ｓｃｃｍ、投入電力５００Ｗに設定し、基板側から１０  ｎｍ厚  ＮｉＴａ下地層／４  ｎｍ厚  Ｐｄ下地層／２０  ｎｍ厚  Ｒｕ下地層／３  ｎｍ厚  ＣｏＰｔ記録層を順次成膜し、最後に１  ｎｍ厚Ｐｄ保護層を形成することで磁気記録層を得た。
【０１５７】
次に、マスク層を形成した。マスク層にはＣ膜を選定し、転写精度を改善するため更に上部にＳｉ膜を転写層として用いた。Ｃ膜は１５ｎｍ厚、Ｓｉ膜は５ｎｍ厚とし、ＤＣスパッタ法により両マスク層を形成した。
【０１５８】
続いて、上記のようにＳｉ転写層上へＡｕ微粒子マスク層を形成し、さらに凸パターンをＳｉ層へ転写し、５ｎｍ高さのＳｉ凸パターンを得た。Ｃマスク層への凸パターン転写では、Ｏ２ガスをエッチャントとしたドライエッチングを適用し、ガス圧力０．１Ｐａ、ガス流量２０ｓｃｃｍ、アンテナ電力４０Ｗ、バイアス電力４０Ｗに設定し、２９秒間エッチングすることで凸パターンをＣ膜へ転写した。
【０１５９】
引き続き、凸パターンを磁気記録層へ転写した。磁気記録層への凸パターン転写ではイオンミリングを適用した。ここではＡｒイオンによるミリング法を適用した。Ａｒイオン加速電圧３００Ｖ、ガス流量３ｓｃｃｍ、プロセス圧力０．１Ｐａ、基板面に対するイオン種の入射角度９０°（垂直入射）として、５５秒間ミリングを行い、ＣｏＰｔ記録層へ凸パターンを転写した。ここで、Ｓｉ転写層およびＣマスク層はイオンミリング時に消失するため、ＣｏＰｔ記録層上には残存していない。
【０１６０】
最後に、２ｎｍ厚ＤＬＣ膜を成膜した後、パーフルオロポリエーテル系潤滑膜を１．５ｎｍ厚で形成することで凸パターンを有する磁気記録媒体を得た。
【０１６１】
得られた磁気記録媒体に対するヘッド浮上量をグライドハイトテスターで測定し、浮上評価を行なった。その結果、媒体のリード・ライト評価を行なうために必要な規準である８  ｎｍ浮上量をパスすることができた。
【０１６２】
実施例２
実施例２は、Ａｕ微粒子溶液調製時に高分子バインダーを添加し、微粒子マスクの塗布性を改善することでパターンの面内ばらつきを低減する場合の例である。マスク層形成工程、Ａｕ微粒子塗布液の塗布工程、Ｓｉ転写工程、およびＣ転写工程、磁気記録層転写工程については、実施例１と同様である。
【０１６３】
高分子バインダーの添加では、まず分散媒であるトルエン中に高分子バインダー材料を溶解した。さらに、これを分散液中へ添加することでＡｕ微粒子塗布液濃度を調整している。高分子バインダー材料として分子量２０００のポリスチレンを用い、重量パーセント濃度１．０  ％のポリスチレン／トルエン溶液を作製した。この溶液をＡｕ分散液へ添加し、Ａｕ微粒子濃度が重量パーセント濃度２．８  重量％となるようにＡｕ微粒子溶液の調製を行なった。
【０１６４】
以降、Ａｕ微粒子塗布、Ｓｉ膜に凸パターン転写を行うことで５  ｎｍの高さのＳｉ凸パターンを得た。さらに、Ｓｉ、Ｃマスク層を介して磁気記録層へ凸パターンを転写した。得られた磁気記録媒体に対するヘッド浮上量をグライドハイトテスターで測定し、浮上評価を行なった。その結果、媒体のリード・ライト評価を行なうために必要な規準である８  ｎｍ浮上量をパスすることができた。
【０１６５】
実施例３
実施例３は、Ａｕ微粒子マスク層に対する付着性ガス曝露工程において、ガス流量を変更した場合の結果である。その他のＡｕ微粒子マスク層形成工程、凸パターン転写工程、磁気記録層形成工程に関しては、実施例１と同様である。
【０１６６】
付着性ガスはＣＨＦ３とし、ガス流量を１０  ｓｃｃｍに調整した上でチャンバ内に導入することで、金属微粒子表面へガス成分を保護基として付与した。
【０１６７】
以降、マスク層へ凸パターン転写を行うことで５ｎｍ高さのＳｉ凸パターンを得た。さらに、Ｓｉ、Ｃマスク層を介して磁気記録層へ凸パターンを転写した。得られた磁気記録媒体に対するヘッド浮上量をグライドハイトテスターで測定し、浮上評価を行なった。その結果、媒体のリード・ライト評価を行なうために必要な規準である８  ｎｍ浮上量をパスすることができた。
【０１６８】
実施例４
実施例４は、実施例３と同様にＡｕ微粒子マスク層に対する付着性ガス曝露工程において、ガス流量を変更した場合の結果である。その他のＡｕ微粒子マスク層形成工程、凸パターン転写工程、磁気記録層形成工程に関しては、実施例１と同様である。
【０１６９】
付着性ガスはＣＨＦ３とし、ガス流量を２０  ｓｃｃｍに調整した上でチャンバ内に導入することで、金属微粒子表面へガス成分を保護基として付与した。
【０１７０】
以降、マスク層へ凸パターン転写を行うことで５  ｎｍ高さのＳｉ凸パターンを得た。さらに、Ｓｉ、Ｃマスク層を介して磁気記録層へ凸パターンを転写した。得られた磁気記録媒体に対するヘッド浮上量をグライドハイトテスターで測定し、浮上評価を行なった。その結果、媒体のリード・ライト評価を行なうために必要な規準である８  ｎｍ浮上量をパスすることができた。
【０１７１】
実施例５
実施例５は、実施例３と同様にＡｕ微粒子マスク層に対する付着性ガス曝露工程において、ガス流量を変更した場合の結果である。その他のＡｕ微粒子マスク層形成工程、凸パターン転写工程、磁気記録層形成工程に関しては、実施例１と同様である。
【０１７２】
付着性ガスはＣＨＦ３とし、ガス流量を３０  ｓｃｃｍに調整した上でチャンバ内に導入することで、金属微粒子表面へガス成分を保護基として付与した。
【０１７３】
以降、マスク層へ凸パターン転写を行うことで５  ｎｍ高さのＳｉ凸パターンを得た。さらに、Ｓｉ、Ｃマスク層を介して磁気記録層へ凸パターンを転写した。得られた磁気記録媒体に対するヘッド浮上量をグライドハイトテスターで測定し、浮上評価を行なった。その結果、媒体のリード・ライト評価を行なうために必要な規準である８  ｎｍ浮上量をパスすることができた。
【０１７４】
実施例６
実施例６は、実施例３と同様にＡｕ微粒子マスク層に対する付着性ガス曝露工程において、ガス流量を変更した場合の結果である。その他のＡｕ微粒子マスク層形成工程、凸パターン転写工程、磁気記録層形成工程に関しては、実施例１と同様である。
【０１７５】
付着性ガスはＣＨＦ３とし、ガス流量を５０  ｓｃｃｍに調整した上でチャンバ内に導入することで、金属微粒子表面へガス成分を保護基として付与した。
【０１７６】
以降、マスク層へ凸パターン転写を行うことで５ｎｍ高さのＳｉ凸パターンを得た。さらに、Ｓｉ、Ｃマスク層を介して磁気記録層へ凸パターンを転写した。得られた磁気記録媒体に対するヘッド浮上量をグライドハイトテスターで測定し、浮上評価を行なった。その結果、媒体のリード・ライト評価を行なうために必要な規準である８  ｎｍ浮上量をパスすることができた。
【０１７７】
実施例７
実施例７は、実施例３と同様にＡｕ微粒子マスク層に対する付着性ガス曝露工程において、ガス流量を変更した場合の結果である。その他のＡｕ微粒子マスク層形成工程、凸パターン転写工程、磁気記録層形成工程に関しては、実施例１と同様である。
【０１７８】
付着性ガスはＣＨＦ３とし、ガス流量を６０  ｓｃｃｍに調整した上でチャンバ内に導入することで、金属微粒子表面へガス成分を保護基として付与した。
【０１７９】
以降、マスク層へ凸パターン転写を行うことで５ｎｍ高さのＳｉ凸パターンを得た。さらに、Ｓｉ、Ｃマスク層を介して磁気記録層へ凸パターンを転写した。得られた磁気記録媒体に対するヘッド浮上量をグライドハイトテスターで測定し、浮上評価を行なった。その結果、媒体のリード・ライト評価を行なうために必要な規準である８  ｎｍ浮上量をパスすることができた。
【０１８０】
実施例８
実施例８から実施例１０は、第２のエッチングによる凸パターン形成において、エッチングガス種を変えた場合の結果である。その他のＡｕ微粒子マスク層形成工程、凸パターン転写工程、磁気記録層形成工程に関しては、実施例１と同様である。
【０１８１】
第２のエッチングに用いるガス種をＣＦ４とした。また、ドライエッチング条件は、アンテナ電力１００  Ｗ、バイアス電力５  Ｗ、ガス流量２０  ｓｃｃｍ、ガス圧力０．１  Ｐａとし、１２  秒間のエッチングを行うことで５ｎｍ高さのＳｉ凸パターンを形成した。
【０１８２】
以降、Ｃマスク層を介して磁気記録層へ凸パターンを転写した。得られた磁気記録媒体に対するヘッド浮上量をグライドハイトテスターで測定し、浮上評価を行なった。その結果、媒体のリード・ライト評価を行なうために必要な規準である８  ｎｍ浮上量をパスすることができた。
【０１８３】
実施例９
実施例９は、第２のエッチングによる凸パターン形成において、エッチングガス種をＣ４Ｆ８に変えた場合の結果である。その他のＡｕ微粒子マスク層形成工程、凸パターン転写工程、磁気記録層形成工程に関しては、実施例１と同様である。
【０１８４】
アンテナ電力１００  Ｗ、バイアス電力５  Ｗ、ガス流量２０  ｓｃｃｍ、ガス圧力０．１  Ｐａとし、エッチング時間  ８  秒間の条件でＣ４Ｆ８ドライエッチングを行うことにより５  ｎｍ高さのＳｉ凸パターンを形成した。
【０１８５】
以降、Ｃマスク層を介して磁気記録層へ凸パターンを転写した。得られた磁気記録媒体に対するヘッド浮上量をグライドハイトテスターで測定し、浮上評価を行なった。その結果、媒体のリード・ライト評価を行なうために必要な規準である８  ｎｍ浮上量をパスすることができた。
【０１８６】
実施例１０
実施例１０は、第２のエッチングによる凸パターン形成において、エッチングガス種をＣＨ３Ｆに変えた場合の結果である。その他のＡｕ微粒子マスク層形成工程、凸パターン転写工程、磁気記録層形成工程に関しては、実施例１と同様である。
【０１８７】
ＣＨ３Ｆドライエッチング条件として、アンテナ電力１００  Ｗ、バイアス電力５  Ｗ、ガス流量２０  ｓｃｃｍ、ガス圧力０．１  Ｐａとし、８  秒間のエッチングを行うことで５  ｎｍ高さのＳｉ凸パターンを形成した。
【０１８８】
以降、Ｃマスク層を介して磁気記録層へ凸パターンを転写した。得られた磁気記録媒体に対するヘッド浮上量をグライドハイトテスターで測定し、浮上評価を行なった。その結果、媒体のリード・ライト評価を行なうために必要な規準である８  ｎｍ浮上量をパスすることができた。
【０１８９】
実施例１１
実施例１１から実施例１３は、先の実施例８から実施例１０における付着性ガス材料と第２のエッチングにおけるガス材料を入れ替えた場合の結果である。
【０１９０】
本例は、付着性ガス材料をＣＦ４、第２のエッチングにおけるガス材料をＣＨＦ３とした場合の結果であり、付着性ガスの導入および曝露に関する部分以外の工程は、実施例１と同様である。
【０１９１】
ＣＦ４ガスは、ガス流量４０  ｓｃｃｍ、ガス圧力０．１  Ｐａとして、４０  ℃に昇温した試料に対して３０  秒間曝露を行うことで微粒子周囲に保護基を付与した。
【０１９２】
以降、実施例１と同様に凸パターンを転写することで５  ｎｍ高さを有するＳｉ凸パターンを得た。さらに、Ｃマスク層を介して磁気記録層へ凸パターンを転写した。得られた磁気記録媒体に対するヘッド浮上量をグライドハイトテスターで測定し、浮上評価を行なった。その結果、媒体のリード・ライト評価を行なうために必要な規準である８  ｎｍ浮上量をパスすることができた。
【０１９３】
実施例１２
実施例１２は、付着性ガス材料をＣ４Ｆ８、第２のエッチングにおけるガス材料をＣＨＦ３とした場合の結果であり、付着性ガスの導入および曝露工程に関する部分以外の工程は、実施例１と同様である。
【０１９４】
Ｃ４Ｆ８ガスは、ガス流量４０  ｓｃｃｍ、ガス圧力０．１  Ｐａとして、４０  ℃に昇温した試料に対して３０  秒間曝露を行うことで微粒子周囲に保護基を付与した。
【０１９５】
以降、実施例１と同様に凸パターンを転写することで５  ｎｍ高さのＳｉ凸パターンを得た。さらに、Ｃマスク層を介して磁気記録層へ凸パターンを転写した。得られた磁気記録媒体に対するヘッド浮上量をグライドハイトテスターで測定し、浮上評価を行なった。その結果、媒体のリード・ライト評価を行なうために必要な規準である８  ｎｍ浮上量をパスすることができた。
【０１９６】
実施例１３
実施例１３は、付着性ガス材料をＣＨ３Ｆ、第２のエッチングにおけるガス材料をＣＨＦ３とした場合の結果であり、付着性ガスの導入および曝露に関する部分以外の工程は、実施例１と同様である。
【０１９７】
ＣＨ３Ｆガスは、ガス流量４０  ｓｃｃｍ、ガス圧力０．１  Ｐａとして、４０  ℃に昇温した試料に対して３０  秒間曝露を行うことで微粒子周囲に保護基を付与した。
【０１９８】
以降、実施例１と同様に凸パターンを転写することで５  ｎｍ高さのＳｉ凸パターンを得た。さらに、Ｃマスク層を介して磁気記録層へ凸パターンを転写した。得られた磁気記録媒体に対するヘッド浮上量をグライドハイトテスターで測定し、浮上評価を行なった。その結果、媒体のリード・ライト評価を行なうために必要な規準である８  ｎｍ浮上量をパスすることができた。
【０１９９】
実施例１４
実施例１４から１７は、第２のエッチング工程におけるガス材料とエッチング条件を種々変更した場合の結果である。その他のマスク層形成工程、磁気記録層形成工程、保護基除去工程、付着性ガス曝露工程、凸パターン転写工程に関する部分は、実施例１と同様である。
【０２００】
第２のエッチングガスをＡｒとした。第２のエッチングでは誘導結合プラズマ型反応性エッチングを適用し、Ａｒガスを２０  ｓｃｃｍ、ガス圧力０．１  Ｐａ、アンテナ電力５０  Ｗ、バイアス電力  ８０  Ｗとして、２０  秒間エッチングを行うことで５  ｎｍ高さのＳｉ凸パターンを得た。さらに、Ｃマスク層を介して磁気記録層へ凸パターンを転写した。得られた磁気記録媒体に対するヘッド浮上量をグライドハイトテスターで測定し、浮上評価を行なった。その結果、媒体のリード・ライト評価を行なうために必要な規準である８  ｎｍ浮上量をパスすることができた。
【０２０１】
実施例１５
実施例１５は、被加工層をＡｌＢＮ、第２のエッチングガスをＣｌ２とした場合の例であり、その他のマスク層形成工程、磁気記録層形成工程、保護基除去工程、付着性ガス曝露工程、凸パターン転写工程、磁気記録層形成工程に関する部分は、実施例１と同様である。
【０２０２】
ＡｌＢＮ被加工層は、ＤＣスパッタ法によりガス流量  ５０  ｓｃｃｍ、ガス圧力０．７  Ｐａ、投入電力５００  Ｗの条件下で成膜した。また、Ｃｌ２を用いた第２のエッチングでは、ガス流量２０  ｓｃｃｍ、ガス圧力０．１  Ｐａ、アンテナ電力２００  Ｗ、バイアス電力４０  Ｗとして１０  秒間のエッチングを行ない、さらに純水を用いて試料表面を洗浄した後、２００  ℃に昇温したホットプレート上で試料を乾燥させた。以上により、５  ｎｍ高さを有するＡｌＢＮ凸パターンを得た。
【０２０３】
以降、実施例１と同様に凸パターンを磁気記録層へ凸パターンを転写することで、磁気記録媒体を得た。得られた磁気記録媒体に対するヘッド浮上量をグライドハイトテスターで測定し、浮上評価を行なった。その結果、媒体のリード・ライト評価を行なうために必要な規準である８  ｎｍ浮上量をパスすることができた。
【０２０４】
実施例１６
実施例１６は、第２のエッチングガスをＢＣｌ３とした場合の例であり、その他のマスク層形成工程、磁気記録層形成工程、保護基除去工程、付着性ガス曝露工程、凸パターン転写工程、磁気記録層形成工程に関する部分は、実施例１５と同様である。
【０２０５】
ＢＣｌ３を用いた第２のエッチングでは、ガス流量４０  ｓｃｃｍ、ガス圧力０．１  Ｐａ、アンテナ電力１００  Ｗ、バイアス電力８０  Ｗとして６  秒間のエッチングを行ない、さらに純水を用いて試料表面を洗浄した後、２００  ℃に昇温したホットプレート上で試料を乾燥させた。以上により、５  ｎｍ高さを有するＡｌＢＮ凸パターンを得た。
【０２０６】
以降、実施例１と同様に凸パターンを磁気記録層へ凸パターンを転写することで、磁気記録媒体を得た。得られた磁気記録媒体に対するヘッド浮上量をグライドハイトテスターで測定し、浮上評価を行なった。その結果、媒体のリード・ライト評価を行なうために必要な規準である８  ｎｍ浮上量をパスすることができた。
【０２０７】
実施例１７
実施例１７は、第２のエッチングガスをＳＦ６とした場合の例であり、その他のマスク層形成工程、磁気記録層形成工程、保護基除去工程、付着性ガス曝露工程、凸パターン転写工程、磁気記録層形成工程に関する部分は、実施例１５と同様である。
【０２０８】
ＳＦ６を用いた第２のエッチングでは、ガス流量２０  ｓｃｃｍ、ガス圧力０．１  Ｐａ、アンテナ電力１００  Ｗ、バイアス電力３０  Ｗとして１２  秒間のエッチングを行ない、さらに純水を用いて試料表面を洗浄した後、２００  ℃に昇温したホットプレート上で試料を乾燥させた。以上により、５  ｎｍ高さを有するＡｌＢＮ凸パターンを得た。
【０２０９】
以降、実施例１と同様に凸パターンを磁気記録層へ凸パターンを転写することで、磁気記録媒体を得た。得られた磁気記録媒体に対するヘッド浮上量をグライドハイトテスターで測定し、浮上評価を行なった。その結果、媒体のリード・ライト評価を行なうために必要な規準である８  ｎｍ浮上量をパスすることができた。
【０２１０】
実施例１８
実施例１８から１９は、第２のエッチングガスであるＣＨＦ３に対して、異なる種類のガスを導入して希釈ガスを用いる例である。その他のマスク層形成工程、磁気記録層形成工程、保護基除去工程、付着性ガス曝露工程、凸パターン転写工程、磁気記録層形成工程に関する部分は、実施例１と同様である。
【０２１１】
実施例１８では、希釈ガスとしてＡｒを選定し、第２のエッチングにおいて流量２０  ｓｃｃｍで導入した。その後、ＣＨＦ３との混合ガスをチャンバ内で安定化した後、ガス圧力０．１  Ｐａ、アンテナ電力１００  Ｗ、バイアス電力  ５  Ｗとし、１７  秒間のエッチングを行った。さらに純水を用いて試料表面を洗浄した後、２００  ℃に昇温したホットプレート上で試料を乾燥させた。以上により、５  ｎｍ高さを有するＳｉ凸パターンを得た。
【０２１２】
以降、実施例１と同様に凸パターンを磁気記録層へ凸パターンを転写することで、磁気記録媒体を得た。得られた磁気記録媒体に対するヘッド浮上量をグライドハイトテスターで測定し、浮上評価を行なった。その結果、媒体のリード・ライト評価を行なうために必要な規準である８  ｎｍ浮上量をパスすることができた。
【０２１３】
実施例１９
実施例１９は、第２のエッチングにおける希釈ガスの種類をＯ２とする例であり、その他のマスク層形成工程、磁気記録層形成工程、保護基除去工程、付着性ガス曝露工程、凸パターン転写工程、磁気記録層形成工程に関する部分は、実施例１８と同様である。
【０２１４】
第２のエッチングにおいて、Ｏ２希釈ガスは流量２０  ｓｃｃｍで導入した。その後、ＣＨＦ３との混合ガスをチャンバ内で安定化した後、ガス圧力０．１  Ｐａ、アンテナ電力１００  Ｗ、バイアス電力  ３０  Ｗとし、１４  秒間のエッチングを行った。さらに純水を用いて試料表面を洗浄した後、２００  ℃に昇温したホットプレート上で試料を乾燥させた。以上により、５  ｎｍ高さを有するＳｉ凸パターンを得た。
【０２１５】
以降、実施例１と同様に凸パターンを磁気記録層へ凸パターンを転写することで、磁気記録媒体を得た。得られた磁気記録媒体に対するヘッド浮上量をグライドハイトテスターで測定し、浮上評価を行なった。その結果、媒体のリード・ライト評価を行なうために必要な規準である８  ｎｍ浮上量をパスすることができた。
【０２１６】
実施例２０
実施例２０から３７は、金属微粒子マスク材料の種類を種々変更した場合の例である。金属微粒子の種類、その平均粒径、第１のエッチング条件、ガス暴露条件、第２のエッチング条件、及びグライド評価結果を下記表２に示す。その他、金属微粒子調整工程、塗布工程、マスク層形成工程、磁気記録層形成工程、保護基除去工程、付着性ガス曝露工程、凸パターン転写工程、磁気記録層形成工程に関する部分は、実施例１と同様である。
【０２１７】
実施例２０では、金属微粒子材料として平均粒径８．２  ｎｍのＣを用い、トルエン分散液の塗布により金属微粒子マスク層を形成した。
【０２１８】
以降、実施例１と同様に凸パターンを被加工層へ転写し、５  ｎｍ高さを有するＳｉ凸パターンを得た。さらに、Ｃマスク層を介して凸パターンを転写することで、磁気記録媒体を得た。得られた磁気記録媒体に対するヘッド浮上量をグライドハイトテスターで測定し、浮上評価を行なった結果、媒体のリード・ライト評価を行なうために必要な規準である８  ｎｍ浮上量をパスすることができた。
【０２１９】
実施例２１
実施例２１は、金属微粒子材料として平均粒径１５．３  ｎｍのＡｌを用い、イソプロピルアルコール分散液の塗布により金属微粒子マスク層を形成した例である。その他、金属微粒子調整工程、塗布工程、マスク層形成工程、磁気記録層形成工程、保護基除去工程、付着性ガス曝露工程、凸パターン転写工程、磁気記録層形成工程に関する部分は、実施例１と同様である。
【０２２０】
以降、実施例１と同様に凸パターンを被加工層へ転写し、５  ｎｍ高さを有するＳｉ凸パターンを得た。さらに、Ｃマスク層を介して凸パターンを転写することで、磁気記録媒体を得た。得られた磁気記録媒体に対するヘッド浮上量をグライドハイトテスターで測定し、浮上評価を行なった結果、媒体のリード・ライト評価を行なうために必要な規準である８  ｎｍ浮上量をパスすることができた。
【０２２１】
実施例２２
実施例２２は、金属微粒子材料として平均粒径１９．８  ｎｍのＳｉを用い、トルエン分散液の塗布により金属微粒子マスク層を形成した例である。その他、金属微粒子調整工程、塗布工程、マスク層形成工程、磁気記録層形成工程、保護基除去工程、付着性ガス曝露工程、凸パターン転写工程、磁気記録層形成工程に関する部分は、実施例１と同様である。
【０２２２】
以降、実施例１と同様に凸パターンを被加工層へ転写し、５  ｎｍ高さを有するＳｉ凸パターンを得た。さらに、Ｃマスク層を介して凸パターンを転写することで、磁気記録媒体を得た。得られた磁気記録媒体に対するヘッド浮上量をグライドハイトテスターで測定し、浮上評価を行なった結果、媒体のリード・ライト評価を行なうために必要な規準である８  ｎｍ浮上量をパスすることができた。
【０２２３】
実施例２３
実施例２３は、金属微粒子材料として平均粒径１９．３  ｎｍのＴｉを用い、トルエン分散液の塗布により金属微粒子マスク層を形成した例である。その他、金属微粒子調整工程、塗布工程、マスク層形成工程、磁気記録層形成工程、保護基除去工程、付着性ガス曝露工程、凸パターン転写工程、磁気記録層形成工程に関する部分は、実施例１と同様である。
【０２２４】
以降、実施例１と同様に凸パターンを被加工層へ転写し、５  ｎｍ高さを有するＳｉ凸パターンを得た。さらに、Ｃマスク層を介して凸パターンを転写することで、磁気記録媒体を得た。得られた磁気記録媒体に対するヘッド浮上量をグライドハイトテスターで測定し、浮上評価を行なった結果、媒体のリード・ライト評価を行なうために必要な規準である８  ｎｍ浮上量をパスすることができた。
【０２２５】
実施例２４
実施例２４は、金属微粒子材料として平均粒径２０  ｎｍのＦｅ３Ｏ４を用い、トルエン分散液の塗布により金属微粒子マスク層を形成した例である。その他、金属微粒子調整工程、塗布工程、マスク層形成工程、磁気記録層形成工程、保護基除去工程、付着性ガス曝露工程、凸パターン転写工程、磁気記録層形成工程に関する部分は、実施例１と同様である。
【０２２６】
以降、実施例１と同様に凸パターンを被加工層へ転写し、５  ｎｍ高さを有するＳｉ凸パターンを得た。さらに、Ｃマスク層を介して凸パターンを転写することで、磁気記録媒体を得た。得られた磁気記録媒体に対するヘッド浮上量をグライドハイトテスターで測定し、浮上評価を行なった結果、媒体のリード・ライト評価を行なうために必要な規準である８  ｎｍ浮上量をパスすることができた。
【０２２７】
実施例２５
実施例２５は、金属微粒子材料として平均粒径１７．５  ｎｍのＣｏを用い、トルエン分散液の塗布により金属微粒子マスク層を形成した例である。その他、金属微粒子調整工程、塗布工程、マスク層形成工程、磁気記録層形成工程、保護基除去工程、付着性ガス曝露工程、凸パターン転写工程、磁気記録層形成工程に関する部分は、実施例１と同様である。
【０２２８】
以降、実施例１と同様に凸パターンを被加工層へ転写し、５  ｎｍ高さを有するＳｉ凸パターンを得た。さらに、Ｃマスク層を介して凸パターンを転写することで、磁気記録媒体を得た。得られた磁気記録媒体に対するヘッド浮上量をグライドハイトテスターで測定し、浮上評価を行なった結果、媒体のリード・ライト評価を行なうために必要な規準である８  ｎｍ浮上量をパスすることができた。
【０２２９】
実施例２６
実施例２６は、金属微粒子材料として平均粒径１５．５  ｎｍのＮｉを用い、トルエン分散液の塗布により金属微粒子マスク層を形成した例である。その他、金属微粒子調整工程、塗布工程、マスク層形成工程、磁気記録層形成工程、保護基除去工程、付着性ガス曝露工程、凸パターン転写工程、磁気記録層形成工程に関する部分は、実施例１と同様である。
【０２３０】
以降、実施例１と同様に凸パターンを被加工層へ転写し、５  ｎｍ高さを有するＳｉ凸パターンを得た。さらに、Ｃマスク層を介して凸パターンを転写することで、磁気記録媒体を得た。得られた磁気記録媒体に対するヘッド浮上量をグライドハイトテスターで測定し、浮上評価を行なった結果、媒体のリード・ライト評価を行なうために必要な規準である８  ｎｍ浮上量をパスすることができた。
【０２３１】
実施例２７
実施例２７は、金属微粒子材料として平均粒径６．８  ｎｍのＣｕを用い、トルエン分散液の塗布により金属微粒子マスク層を形成した例である。その他、金属微粒子調整工程、塗布工程、マスク層形成工程、磁気記録層形成工程、保護基除去工程、付着性ガス曝露工程、凸パターン転写工程、磁気記録層形成工程に関する部分は、実施例１と同様である。
【０２３２】
以降、実施例１と同様に凸パターンを被加工層へ転写し、５  ｎｍ高さを有するＳｉ凸パターンを得た。さらに、Ｃマスク層を介して凸パターンを転写することで、磁気記録媒体を得た。得られた磁気記録媒体に対するヘッド浮上量をグライドハイトテスターで測定し、浮上評価を行なった結果、媒体のリード・ライト評価を行なうために必要な規準である８  ｎｍ浮上量をパスすることができた。
【０２３３】
実施例２８
実施例２８は、金属微粒子材料として平均粒径１７．４  ｎｍのＺｎを用い、トルエン分散液の塗布により金属微粒子マスク層を形成した例である。その他、金属微粒子調整工程、塗布工程、マスク層形成工程、磁気記録層形成工程、保護基除去工程、付着性ガス曝露工程、凸パターン転写工程、磁気記録層形成工程に関する部分は、実施例１と同様である。
【０２３４】
以降、実施例１と同様に凸パターンを被加工層へ転写し、５  ｎｍ高さを有するＳｉ凸パターンを得た。さらに、Ｃマスク層を介して凸パターンを転写することで、磁気記録媒体を得た。得られた磁気記録媒体に対するヘッド浮上量をグライドハイトテスターで測定し、浮上評価を行なった結果、媒体のリード・ライト評価を行なうために必要な規準である８  ｎｍ浮上量をパスすることができた。
【０２３５】
実施例２９
実施例２９は、金属微粒子材料として平均粒径１５．３  ｎｍのＺｒを用い、トルエン分散液の塗布により金属微粒子マスク層を形成した例である。その他、金属微粒子調整工程、塗布工程、マスク層形成工程、磁気記録層形成工程、保護基除去工程、付着性ガス曝露工程、凸パターン転写工程、磁気記録層形成工程に関する部分は、実施例１と同様である。
【０２３６】
以降、実施例１と同様に凸パターンを被加工層へ転写し、５  ｎｍ高さを有するＳｉ凸パターンを得た。さらに、Ｃマスク層を介して凸パターンを転写することで、磁気記録媒体を得た。得られた磁気記録媒体に対するヘッド浮上量をグライドハイトテスターで測定し、浮上評価を行なった結果、媒体のリード・ライト評価を行なうために必要な規準である８  ｎｍ浮上量をパスすることができた。
【０２３７】
実施例３０
実施例３０は、金属微粒子材料として平均粒径１２．７  ｎｍのＭｏを用い、トルエン分散液の塗布により金属微粒子マスク層を形成した例である。その他、金属微粒子調整工程、塗布工程、マスク層形成工程、磁気記録層形成工程、保護基除去工程、付着性ガス曝露工程、凸パターン転写工程、磁気記録層形成工程に関する部分は、実施例１と同様である。
【０２３８】
以降、実施例１と同様に凸パターンを被加工層へ転写し、５  ｎｍ高さを有するＳｉ凸パターンを得た。さらに、Ｃマスク層を介して凸パターンを転写することで、磁気記録媒体を得た。得られた磁気記録媒体に対するヘッド浮上量をグライドハイトテスターで測定し、浮上評価を行なった結果、媒体のリード・ライト評価を行なうために必要な規準である８  ｎｍ浮上量をパスすることができた。
【０２３９】
実施例３１
実施例３１は、金属微粒子材料として平均粒径１９．９  ｎｍのＲｕを用い、トルエン分散液の塗布により金属微粒子マスク層を形成した例である。その他、金属微粒子調整工程、塗布工程、マスク層形成工程、磁気記録層形成工程、保護基除去工程、付着性ガス曝露工程、凸パターン転写工程、磁気記録層形成工程に関する部分は、実施例１と同様である。
【０２４０】
以降、実施例１と同様に凸パターンを被加工層へ転写し、５  ｎｍ高さを有するＳｉ凸パターンを得た。さらに、Ｃマスク層を介して凸パターンを転写することで、磁気記録媒体を得た。得られた磁気記録媒体に対するヘッド浮上量をグライドハイトテスターで測定し、浮上評価を行なった結果、媒体のリード・ライト評価を行なうために必要な規準である８  ｎｍ浮上量をパスすることができた。
【０２４１】
実施例３２
実施例３２は、金属微粒子材料として平均粒径１８．９  ｎｍのＰｄＳｉを用い、トルエン分散液の塗布により金属微粒子マスク層を形成した例である。その他、金属微粒子調整工程、塗布工程、マスク層形成工程、磁気記録層形成工程、保護基除去工程、付着性ガス曝露工程、凸パターン転写工程、磁気記録層形成工程に関する部分は、実施例１と同様である。
【０２４２】
以降、実施例１と同様に凸パターンを被加工層へ転写し、５  ｎｍ高さを有するＳｉ凸パターンを得た。さらに、Ｃマスク層を介して凸パターンを転写することで、磁気記録媒体を得た。得られた磁気記録媒体に対するヘッド浮上量をグライドハイトテスターで測定し、浮上評価を行なった結果、媒体のリード・ライト評価を行なうために必要な規準である８  ｎｍ浮上量をパスすることができた。
【０２４３】
実施例３３
実施例３３は、金属微粒子材料として平均粒径９．７  ｎｍのＡｇを用い、テトラデカン分散液の塗布により金属微粒子マスク層を形成した例である。その他、金属微粒子調整工程、塗布工程、マスク層形成工程、磁気記録層形成工程、保護基除去工程、付着性ガス曝露工程、凸パターン転写工程、磁気記録層形成工程に関する部分は、実施例１と同様である。
【０２４４】
以降、実施例１と同様に凸パターンを被加工層へ転写し、５  ｎｍ高さを有するＳｉ凸パターンを得た。さらに、Ｃマスク層を介して凸パターンを転写することで、磁気記録媒体を得た。得られた磁気記録媒体に対するヘッド浮上量をグライドハイトテスターで測定し、浮上評価を行なった結果、媒体のリード・ライト評価を行なうために必要な規準である８  ｎｍ浮上量をパスすることができた。
【０２４５】
実施例３４
実施例３４は、金属微粒子材料として平均粒径１５．３  ｎｍのＴａを用い、トルエン分散液の塗布により金属微粒子マスク層を形成した例である。その他、金属微粒子調整工程、塗布工程、マスク層形成工程、磁気記録層形成工程、保護基除去工程、付着性ガス曝露工程、凸パターン転写工程、磁気記録層形成工程に関する部分は、実施例１と同様である。
【０２４６】
以降、実施例１と同様に凸パターンを被加工層へ転写し、５  ｎｍ高さを有するＳｉ凸パターンを得た。さらに、Ｃマスク層を介して凸パターンを転写することで、磁気記録媒体を得た。得られた磁気記録媒体に対するヘッド浮上量をグライドハイトテスターで測定し、浮上評価を行なった結果、媒体のリード・ライト評価を行なうために必要な規準である８  ｎｍ浮上量をパスすることができた。
【０２４７】
実施例３５
実施例３５は、金属微粒子材料として平均粒径１０．８  ｎｍのＷを用い、トルエン分散液の塗布により金属微粒子マスク層を形成した例である。その他、金属微粒子調整工程、塗布工程、マスク層形成工程、磁気記録層形成工程、保護基除去工程、付着性ガス曝露工程、凸パターン転写工程、磁気記録層形成工程に関する部分は、実施例１と同様である。
【０２４８】
以降、実施例１と同様に凸パターンを被加工層へ転写し、５  ｎｍ高さを有するＳｉ凸パターンを得た。さらに、Ｃマスク層を介して凸パターンを転写することで、磁気記録媒体を得た。得られた磁気記録媒体に対するヘッド浮上量をグライドハイトテスターで測定し、浮上評価を行なった結果、媒体のリード・ライト評価を行なうために必要な規準である８  ｎｍ浮上量をパスすることができた。
【０２４９】
実施例３６
実施例３６は、金属微粒子材料として平均粒径１８  ｎｍのＰｔを用い、トルエン分散液の塗布により金属微粒子マスク層を形成した例である。その他、金属微粒子調整工程、塗布工程、マスク層形成工程、磁気記録層形成工程、保護基除去工程、付着性ガス曝露工程、凸パターン転写工程、磁気記録層形成工程に関する部分は、実施例１と同様である。
【０２５０】
以降、実施例１と同様に凸パターンを被加工層へ転写し、５  ｎｍ高さを有するＳｉ凸パターンを得た。さらに、Ｃマスク層を介して凸パターンを転写することで、磁気記録媒体を得た。得られた磁気記録媒体に対するヘッド浮上量をグライドハイトテスターで測定し、浮上評価を行なった結果、媒体のリード・ライト評価を行なうために必要な規準である８  ｎｍ浮上量をパスすることができた。
【０２５１】
実施例３７
実施例３７は、金属微粒子材料として平均粒径１９．９  ｎｍのＣｅを用い、トルエン分散液の塗布により金属微粒子マスク層を形成した例である。その他、金属微粒子調整工程、塗布工程、マスク層形成工程、磁気記録層形成工程、保護基除去工程、付着性ガス曝露工程、凸パターン転写工程、磁気記録層形成工程に関する部分は、実施例１と同様である。
【０２５２】
以降、実施例１と同様に凸パターンを被加工層へ転写し、５  ｎｍ高さを有するＳｉ凸パターンを得た。さらに、Ｃマスク層を介して凸パターンを転写することで、磁気記録媒体を得た。得られた磁気記録媒体に対するヘッド浮上量をグライドハイトテスターで測定し、浮上評価を行なった結果、媒体のリード・ライト評価を行なうために必要な規準である８  ｎｍ浮上量をパスすることができた。
【０２５３】
実施例３８
実施例３８と実施例３９は、金属微粒子層の保護基量低減工程および第２のエッチング工程にウェットエッチングを導入した例である。金属微粒子の種類、その平均粒径、第１のエッチング条件、ガス暴露条件、第２のエッチング条件、及びグライド評価結果を下記表３に示す。
【０２５４】
実施例３８は、金属微粒子層の保護基除去工程である第１のエッチングにおいて、プロピレングリコールモノメチルアセテート（以下、ＰＧＭＥＡ）を用いること以外は、実施例１と同様である。
【０２５５】
第１のエッチングでは、ＰＧＭＥＡ溶媒中に試料を１０  秒間浸漬し、試料を引き上げた後、Ｎ２直接ブローで表面を乾燥させた。これにより、金属微粒子周囲の保護基量を低減した。
【０２５６】
以降、実施例１と同様に凸パターンを被加工層へ転写し、５  ｎｍ高さを有するＳｉ凸パターンを得た。さらに、Ｃマスク層を介して凸パターンを転写することで、磁気記録媒体を得た。得られた磁気記録媒体に対するヘッド浮上量をグライドハイトテスターで測定し、浮上評価を行なった結果、媒体のリード・ライト評価を行なうために必要な規準である８  ｎｍ浮上量をパスすることができた。
【０２５７】
実施例３９
実施例３９は、凸パターン転写工程である第２のエッチングにおいて、ＣＨＦ３ドライエッチングの替わりに水酸化ナトリウム水溶液を用いるとともに、被加工層にＡｌＢＮを用いる例である。その他、金属微粒子調整工程、塗布工程、マスク層形成工程、磁気記録層形成工程、保護基除去工程、付着性ガス曝露工程、凸パターン転写工程、磁気記録層形成工程に関する部分は、実施例１５と同様である。
【０２５８】
第２のエッチングでは、重量パーセント濃度０．０５％  に希釈した水酸化ナトリウム溶液を用い、溶液中に１３  秒間試料を浸漬した後、純粋によるリンスを行った。続いて、Ｎ２直接ブローにより試料表面を乾燥させた。
【０２５９】
以降、実施例１５と同様に凸パターンを被加工層へ転写し、５  ｎｍ高さを有するＡｌＢＮ凸パターンを得た。さらに、Ｃマスク層を介して凸パターンを転写することで、磁気記録媒体を得た。得られた磁気記録媒体に対するヘッド浮上量をグライドハイトテスターで測定し、浮上評価を行なった結果、媒体のリード・ライト評価を行なうために必要な規準である８  ｎｍ浮上量をパスすることができた。
【０２６０】
実施例４０
実施例４０から４３は、第１のエッチング条件を変更して金属微粒子周囲の保護基の減少量を変えた場合の結果である。金属微粒子の種類、その平均粒径、第１のエッチング条件、ガス暴露条件、第２のエッチング条件、及びグライド評価結果を下記表３に示す。
【０２６１】
実施例４０は、金属微粒子の保護基量を初期状態から７０  ％減少させた場合の結果であり、その他の金属微粒子調整工程、塗布工程、マスク層形成工程、磁気記録層形成工程、保護基除去工程、付着性ガス曝露工程、凸パターン転写工程、磁気記録層形成工程に関する部分は、実施例１と同様である。
【０２６２】
第１のエッチングにおいてＯ２エッチャントを用いてドライエッチングを行ない、アンテナ電力３０Ｗ、バイアス電力２  Ｗ、Ｏ２ガス圧力２０  ｓｃｃｍ、ガス圧力０．１  Ｐａに設定し、１７  秒間エッチングを行うことで、初期状態の７０  ％に相当する保護基を除去できる。
【０２６３】
以降、実施例１と同様に凸パターンを被加工層へ転写し、５  ｎｍ高さを有するＳｉ凸パターンを得た。さらに、Ｃマスク層を介して凸パターンを転写することで、磁気記録媒体を得た。得られた磁気記録媒体に対するヘッド浮上量をグライドハイトテスターで測定し、浮上評価を行なった結果、媒体のリード・ライト評価を行なうために必要な規準である８  ｎｍ浮上量をパスすることができた。
【０２６４】
実施例４１
実施例４１は、第１のエッチング条件を変更して、金属微粒子の保護基量を初期状態から５０  ％  低減させた場合の結果であり、その他の金属微粒子調整工程、塗布工程、マスク層形成工程、磁気記録層形成工程、保護基除去工程、付着性ガス曝露工程、凸パターン転写工程、磁気記録層形成工程に関する部分は、実施例１と同様である。
【０２６５】
第１のエッチングにおいてＯ２エッチャントを用いてドライエッチングを行ない、アンテナ電力３０Ｗ、バイアス電力０  Ｗ、Ｏ２ガス圧力２０  ｓｃｃｍ、ガス圧力０．１  Ｐａに設定し、１３  秒間エッチングを行うことで、初期状態の５０  ％に相当する保護基を除去できる。
【０２６６】
以降、実施例１と同様に凸パターンを被加工層へ転写し、５  ｎｍ高さを有するＳｉ凸パターンを得た。さらに、Ｃマスク層を介して凸パターンを転写することで、磁気記録媒体を得た。得られた磁気記録媒体に対するヘッド浮上量をグライドハイトテスターで測定し、浮上評価を行なった結果、媒体のリード・ライト評価を行なうために必要な規準である８  ｎｍ浮上量をパスすることができた。
【０２６７】
実施例４２
実施例４２は、第１のエッチング条件を変更して、金属微粒子の保護基量を初期状態から４０  ％  低減させた場合の結果であり、その他の金属微粒子調整工程、塗布工程、マスク層形成工程、磁気記録層形成工程、保護基除去工程、付着性ガス曝露工程、凸パターン転写工程、磁気記録層形成工程に関する部分は、実施例１と同様である。
【０２６８】
第１のエッチングにおいてＯ２エッチャントを用いてドライエッチングを行ない、アンテナ電力３０Ｗ、バイアス電力０  Ｗ、Ｏ２ガス圧力２０  ｓｃｃｍ、ガス圧力０．１  Ｐａに設定し、１１  秒間エッチングを行うことで、初期状態の４０  ％に相当する保護基を除去できる。
【０２６９】
以降、実施例１と同様に凸パターンを被加工層へ転写し、５  ｎｍ高さを有するＳｉ凸パターンを得た。さらに、Ｃマスク層を介して凸パターンを転写することで、磁気記録媒体を得た。得られた磁気記録媒体に対するヘッド浮上量をグライドハイトテスターで測定し、浮上評価を行なった結果、媒体のリード・ライト評価を行なうために必要な規準である８  ｎｍ浮上量をパスすることができた。
【０２７０】
実施例４３
実施例４３は、第１のエッチング条件を変更して、金属微粒子の保護基量を初期状態から３０  ％  低減させた場合の結果であり、その他の金属微粒子調整工程、塗布工程、マスク層形成工程、磁気記録層形成工程、保護基除去工程、付着性ガス曝露工程、凸パターン転写工程、磁気記録層形成工程に関する部分は、実施例１と同様である。
【０２７１】
第１のエッチングにおいてＯ２エッチャントを用いてドライエッチングを行ない、アンテナ電力２５  Ｗ、バイアス電力０  Ｗ、Ｏ２ガス圧力２０  ｓｃｃｍ、ガス圧力０．１  Ｐａに設定し、９  秒間エッチングを行うことで、初期状態の４０  ％に相当する保護基を除去できる。
【０２７２】
以降、実施例１と同様に凸パターンを被加工層へ転写し、５  ｎｍ高さを有するＳｉ凸パターンを得た。さらに、Ｃマスク層を介して凸パターンを転写することで、磁気記録媒体を得た。得られた磁気記録媒体に対するヘッド浮上量をグライドハイトテスターで測定し、浮上評価を行なった結果、媒体のリード・ライト評価を行なうために必要な規準である８  ｎｍ浮上量をパスすることができた。
【０２７３】
実施例４４
実施例４４から実施例４７は、凸パターンの形成方法と転写方法を種々変更した場合の例である。金属微粒子の種類、その平均粒径、第１のエッチング条件、ガス暴露条件、第２のエッチング条件、及びグライド評価結果を下記表３に示す。
【０２７４】
本例は、磁気記録層の形成工程において、磁気記録層とマスク層との間に剥離層を設けてパターニングを行う方法である。剥離層の形成工程、マスク層から剥離層への凸パターン転写工程、磁気記録層からの剥離層除去工程以外の部分に関しては、実施例１と同様である。
【０２７５】
磁気記録層形成後、ＤＣスパッタ法によりガス流量  ２０  ｓｃｃｍ、ガス圧力０．１  Ｐａ、投入電力５００  Ｗの条件下でＡｌＢＮ剥離層を２  ｎｍ厚で成膜した。また、ＡｌＢＮ剥離層への凸パターン転写は磁気記録層へのパターン転写と同様に、Ａｒイオンミリングにより行なった。なお、Ａｒイオンミリング時間は７５  秒間とした。
【０２７６】
引き続き、磁気記録層へ凸パターンを転写した後、ウェット処理により剥離層を溶解除去し、磁気記録層からマスク層を脱離した。ウェットエッチングでは、重量パーセント濃度０．０１  ％に希釈した水酸化ナトリウム水溶液を用い、１５０  秒間の浸漬後、純水を用いた洗浄を行った。最後に、Ｎ２直接ブローにより試料表面を乾燥させた。
【０２７７】
以降、実施例１と同様に磁気記録層上へ保護膜を形成し、磁気記録媒体を得た。得られた磁気記録媒体に対するヘッド浮上量をグライドハイトテスターで測定し、浮上評価を行なった結果、媒体のリード・ライト評価を行なうために必要な規準である８ｎｍ浮上量をパスすることができた。
【０２７８】
実施例４５
実施例４５は、金属微粒子層の凸パターンをナノインプリントにより形成する場合の例である。ここでは、被加工層上に設けた金属微粒子マスク層からナノインプリントスタンパ（以下、スタンパ）を作製し、さらに、磁気記録媒体の製造工程において、マスク層上に設けたナノインプリントレジスト層（以下、レジスト層）へのナノインプリントにより凸パターンを転写する工程を説明する。その他の金属微粒子調整工程、塗布工程、マスク層形成工程、磁気記録層形成工程、保護基除去工程、付着性ガス曝露工程、凸パターン転写工程、磁気記録層形成工程に関する部分は、実施例１と同様である。
【０２７９】
まず、スタンパー作製用のマスター原盤を作製した。基板には汎用６インチＳｉウェーハを用い、ＤＣスパッタ法によりガス流量５０  ｓｃｃｍ、ガス圧力０．１  Ｐａ、ＲＦ電力１５０  Ｗの条件下で１０  ｎｍ厚ＳｉＯ２膜を成膜した。その後、実施例１で示した方法により、金属微粒子凸パターンをＳｉＯ２膜へ転写した。
【０２８０】
引き続き、ＳｉＯ２凸パターンを用いてスタンパーを作製した。まず、得られた凸パターンに対して電鋳を行うため、ＳｉＯ２表面へ導電化膜を形成した。ここではＮｉを選定し、ＤＣスパッタ法により到達真空度８．０×１０−４  Ｐａ、Ａｒガス圧力１．０  Ｐａ、投入電力２００  Ｗの条件下で、５  ｎｍ厚Ｎｉ導電膜を一様被覆した。導電膜形成法としては、スパッタ法の他に蒸着法、または無電解めっき法によるＮｉ−Ｐ合金やＮｉ−Ｂ合金にて代用することも可能である。
【０２８１】
続いて、電鋳により凸パターンにそってＮｉ電鋳層を形成する。電鋳液には昭和化学株式会社製の高濃度スルファミン酸ニッケルめっき液（ＮＳ−１６９）を使用した。スルファミン酸ニッケル：６００ｇ／Ｌ、ホウ酸４０  ｇ／Ｌ、ラウリル硫酸ナトリウム界面活性剤０．１５  ｇ／Ｌ、液温５５℃、ｐＨ  ３．８〜４．０、通電電流密度２０  Ａ／ｄｍ２の電鋳条件にて、３００  μｍ厚となるＮｉスタンパーを作製した。このスタンパーをＳｉウェーハから離型して、Ｎｉ  凸パターン表面のパーティクルを除去するために酸素アッシングを行なった。アッシングではバレル型チャンバを具備したアッシャーを用い、酸素流量２０ｓｃｃｍ、投入電力２００Ｗに設定し、３０秒間のアッシングを行うことで凹部分からパーティクルを除去した。本例では説明しないが、レジスト材料を有機溶媒や酸等を用いてウェット除去することも可能である。最後に、電鋳したＮｉ板を２．５インチ径の円盤状に打ち抜き加工し、ナノインプリント用Ｎｉスタンパーを得た。
【０２８２】
さらに、このＮｉスタンパーを射出成型処理し、樹脂スタンパーを複製した。樹脂材料には、日本ゼオン株式会社製環状オレフィンポリマー（ＺＥＯＮＯＲ  １０６０Ｒ）  を用いた。
【０２８３】
上記のように得られた樹脂スタンパーを用いて、レジスト層へ凸パターンを形成した。まず、媒体試料上へ紫外線硬化レジストを１０  ｎｍ厚でスピンコートし、これをレジスト層とした。続いて、レジスト層に前記樹脂スタンパーをインプリントし、紫外線を照射させることにより（紫外線硬化樹脂層を樹脂スタンパーで押下した状態で紫外線を照射）、レジスト層を硬化させる。硬化したレジスト層から樹脂スタンパーを離型することで所望の８  ｎｍドットパターンを得た。
【０２８４】
試料の凸パターンの溝部にはインプリントに伴うレジスト残渣があるため、これをエッチングにより除去した。レジストの残渣除去は、Ｏ２エッチャントによるプラズマエッチングにより行なった。Ｏ２ガス流量５  ｓｃｃｍ、圧力０．１  Ｐａ、投入電力１００  Ｗ、バイアス電力１０  Ｗとし、８秒間のエッチングを行なうことでレジスト残渣を除去した。以上のように、Ｓｉ転写層上に金属微粒子パターンを転写し、８  ｎｍ厚のレジストパターンを得た。
【０２８５】
以降、実施例１と同様に凸パターンを被加工層へ転写し、５  ｎｍ高さを有するＳｉ凸パターンを得た。さらに、Ｃマスク層を介して凸パターンを転写することで、磁気記録媒体を得た。得られた磁気記録媒体に対するヘッド浮上量をグライドハイトテスターで測定し、浮上評価を行なった結果、媒体のリード・ライト評価を行なうために必要な規準である８  ｎｍ浮上量をパスすることができた。
【０２８６】
実施例４６
実施例４６は、微細凸パターンテンプレートを作製した後、磁気記録層を凸パターン上に選択成長させる例である。実施例４６は、実施例２において工程順序を入れ替えた場合に相当し、被加工層形成工程、金属微粒子調整工程、塗布工程、保護基除去工程、付着性ガス曝露工程、凸パターン転写工程、金属微粒子除去工程、磁気記録層形成工程の順を経るため、基本的な工程内容は実施例２のものと同様である。
【０２８７】
以降、実施例２の内容に従って凸パターンを５  ｎｍ  Ｓｉ被加工層へ転写した後、磁気記録層を形成することにより凸パターンを有する磁気記録媒体を作製した。得られた磁気記録媒体に対するヘッド浮上量をグライドハイトテスターで測定し、浮上評価を行なった結果、媒体のリード・ライト評価を行なうために必要な規準である８  ｎｍ浮上量をパスすることができた。
【０２８８】
実施例４７
実施例４７は、微細凸パターンテンプレートをナノインプリントにより作製し、さらに該テンプレートを用いて磁気記録媒体を作製した例である。インプリントスタンパ作製工程およびインプリント工程に関する内容は実施例４５と同様であり、微細凸パターンテンプレートに対する磁気記録層形成工程に関する内容は実施例４６と同様である。
【０２８９】
以降、実施例の内容に従って凸パターンを有する磁気記録媒体を作製した。得られた磁気記録媒体に対するヘッド浮上量をグライドハイトテスターで測定し、浮上評価を行なった結果、媒体のリード・ライト評価を行なうために必要な規準である８  ｎｍ浮上量をパスすることができた。
【０２９０】
比較例１
比較例１は、実施例１において第１のエッチングおよび付着性ガス曝露工程を除外したものである。第２のエッチングではＣＨＦ３ガスをエッチャントとし、アンテナ電力１００  Ｗ、バイアス電力  ３０Ｗ、ガス流量２０  ｓｃｃｍ、ガス圧力０．１  Ｐａとし、エッチング時間  １２  秒間の条件でエッチングを行った。凸パターン作製後、ＳＥＭによりパターンを観察したところ、図１６のようにパターンの凝集が認められ、ピッチばらつきが悪化していることが確認された。
【０２９１】
以降、実施例１の内容に従い、Ｃマスク層を介して凸パターンを磁気記録層へ転写することにより磁気記録媒体を作製した。得られた磁気記録媒体に対するヘッド浮上量をグライドハイトテスターで測定し浮上評価を行なった結果、媒体表面の凝集パターンによるヒットが多く測定され、媒体のリード・ライト評価を行なうために必要な規準である８  ｎｍ浮上量をパスすることができなかった。
【０２９２】
比較例２
比較例２は、実施例１において第１のエッチングおよび付着性ガス曝露工程を除外したもので、さらに第２のエッチングガスをＯ２に変更した場合の結果であり、その他の金属微粒子調整工程、塗布工程、マスク層形成工程、磁気記録層形成工程、保護基除去工程、付着性ガス曝露工程、凸パターン転写工程、磁気記録層形成工程に関する部分は、実施例１と同様である。なお、Ｏ２エッチャントによる転写が容易なマスクとして、マスク層材料は１５  ｎｍ厚Ｃとした。
【０２９３】
第２のエッチングでは、アンテナ電力５０  Ｗ、バイアス電力５  Ｗ、ガス流量２０  ｓｃｃｍ、ガス圧力０．１  Ｐａとし、エッチング時間５  秒間の条件でエッチングを行なった。その結果、低電力・短時間のエッチング条件であるにもかかわらず微粒子パターンは凝集していることがわかり、ピッチばらつきが悪化していることが確認された。
【０２９４】
以降、実施例１の内容に従い、Ｃマスク層を介して凸パターンを磁気記録層へ転写することにより磁気記録媒体を作製した。得られた磁気記録媒体に対するヘッド浮上量をグライドハイトテスターで測定し、浮上評価を行なった結果、媒体表面の凝集パターンによるヒットが多く測定され、媒体のリード・ライト評価を行なうために必要な規準である８  ｎｍ浮上量をパスすることができなかった。
【０２９５】
比較例３
比較例３は、実施例１において付着性ガス曝露工程を除外した場合の例であり、その他の金属微粒子調整工程、塗布工程、マスク層形成工程、磁気記録層形成工程、保護基除去工程、凸パターン転写工程、磁気記録層形成工程に関する部分は、実施例１と同様である。
【０２９６】
以降、実施例１の内容に従い、ＳｉおよびＣマスク層を介して凸パターンを磁気記録層へ転写することにより磁気記録媒体を作製した。得られた磁気記録媒体に対するヘッド浮上量をグライドハイトテスターで測定し浮上評価を行なった結果、媒体表面の凝集パターンによるヒットが多く測定され、媒体のリード・ライト評価を行なうために必要な規準である８  ｎｍ浮上量をパスすることができなかった。
【０２９７】
比較例４
比較例４は、実施例１において第１のエッチング工程を除外した場合の例であり、その他の金属微粒子調整工程、塗布工程、マスク層形成工程、磁気記録層形成工程、保護基除去工程、付着性ガス曝露工程、凸パターン転写工程、磁気記録層形成工程に関する部分は、実施例１と同様である。
【０２９８】
以降、実施例１の内容に従い、ＳｉおよびＣマスク層を介して凸パターンを磁気記録層へ転写することにより磁気記録媒体を作製した。得られた磁気記録媒体に対するヘッド浮上量をグライドハイトテスターで測定し浮上評価を行なった結果、媒体表面の凝集パターンによるヒットが多く測定され、媒体のリード・ライト評価を行なうために必要な規準である８  ｎｍ浮上量をパスすることができなかった。
【０２９９】
比較例５
比較例５は、実施例１における第２のエッチング工程で用いるエッチャントをＯ２に変更した場合の結果であり、その他の金属微粒子調整工程、塗布工程、マスク層形成工程、磁気記録層形成工程、保護基除去工程、付着性ガス曝露工程、凸パターン転写工程、磁気記録層形成工程に関する部分は、実施例１と同様である。
【０３００】
第２のエッチングでは、アンテナ電力５０  Ｗ、バイアス電力５  Ｗ、ガス流量２０  ｓｃｃｍ、ガス圧力０．１  Ｐａとし、５  秒間のエッチングを行なった。その結果、低電力・短時間のエッチング条件であるにもかかわらず微粒子パターンは凝集していることがわかり、ピッチばらつきが悪化していることが確認された。この傾向は、比較例２の場合と同様であり、付着性ガス曝露工程が含まれていても分解性ガスを用いた凸パターン転写では微粒子が凝集しやすいことを明示している。
【０３０１】
以降、実施例１の内容に従い、Ｃマスク層を介して凸パターンを磁気記録層へ転写することにより磁気記録媒体を作製した。得られた磁気記録媒体に対するヘッド浮上量をグライドハイトテスターで測定し浮上評価を行なった結果、媒体表面の凝集パターンによるヒットが多く測定され、媒体のリード・ライト評価を行なうために必要な規準である８  ｎｍ浮上量をパスすることができなかった。
【０３０２】
比較例６
比較例６は、第１のエッチング、付着性ガス曝露、第２のエッチング工程で用いるエッチャントをＣＨＦ３にした場合の例であり、その他の金属微粒子調整工程、塗布工程、マスク層形成工程、磁気記録層形成工程、保護基除去工程、付着性ガス曝露工程、凸パターン転写工程、磁気記録層形成工程に関する部分は、実施例１と同様である。
【０３０３】
第１のエッチングでは、アンテナ電力５０  Ｗ、バイアス電力０  Ｗ、ガス流量４０  ｓｃｃｍ、ガス圧力０．１  Ｐａとし、エッチング時間１５  秒間の条件でエッチングにより保護基量低減を試みた。第１のエッチング後、ＳＥＭによりパターン上面を観察すると、保護基除去工程中において付着性ガス成分が微粒子間隙を充填してしまい、微粒子層の境界が不明瞭であることがわかった。
【０３０４】
以降、実施例１の内容に従い、Ｃマスク層を介して凸パターンを磁気記録層へ転写することにより磁気記録媒体を作製した。得られた磁気記録媒体に対するヘッド浮上量をグライドハイトテスターで測定し浮上評価を行なった結果、凸パターン転写が不十分となっている他、媒体表面の凝集パターンによるヒットが多く測定され、媒体のリード・ライト評価を行なうために必要な規準である８  ｎｍ浮上量をパスすることができなかった。
【０３０５】
比較例７
比較例７から９は、実施例１における付着性ガス曝露工程のガス流量を変更した場合の例である。
【０３０６】
比較例は、ガス流量を５  ｓｃｃｍとしている。その他の金属微粒子調整工程、塗布工程、マスク層形成工程、磁気記録層形成工程、保護基除去工程、付着性ガス曝露工程、凸パターン転写工程、磁気記録層形成工程に関する部分は、実施例１と同様である。第２のエッチング後に凸パターンをＳＥＭで観察したところ、付着性ガスによる保護基の置換が不十分であったため、微粒子パターンが凝集していることがわかった。
【０３０７】
以降、実施例１の内容に従い、Ｃマスク層を介して凸パターンを磁気記録層へ転写することにより磁気記録媒体を作製した。得られた磁気記録媒体に対するヘッド浮上量をグライドハイトテスターで測定し浮上評価を行なった結果、媒体表面の凝集パターンによるヒットが多く測定され、媒体のリード・ライト評価を行なうために必要な規準である８  ｎｍ浮上量をパスすることができなかった。
【０３０８】
比較例８
比較例８は、付着性ガス曝露工程におけるガス流量を７０  ｓｃｃｍとすること以外は、比較例７と同様である。
【０３０９】
第２のエッチング後に凸パターンをＳＥＭで観察したところ、付着性ガスの過剰な曝露により凸パターン間隙が埋没していることがわかった。
【０３１０】
以降、実施例１の内容に従い、Ｃマスク層を介して凸パターンを磁気記録層へ転写することにより磁気記録媒体を作製した。得られた磁気記録媒体に対するヘッド浮上量をグライドハイトテスターで測定し浮上評価を行なった結果、凸パターン転写が不十分となっている他、媒体表面の凝集パターンによるヒットが多く測定され、媒体のリード・ライト評価を行なうために必要な規準である８  ｎｍ浮上量をパスすることができなかった。
【０３１１】
比較例９
比較例９は、付着性ガス曝露工程におけるガス流量を８０  ｓｃｃｍとすること以外は、比較例７と同様である。
【０３１２】
第２のエッチング後に凸パターンをＳＥＭで観察したところ、付着性ガスの過剰な曝露により凸パターン間隙が埋没していることがわかった。
【０３１３】
以降、実施例１の内容に従い、Ｃマスク層を介して凸パターンを磁気記録層へ転写することにより磁気記録媒体を作製した。得られた磁気記録媒体に対するヘッド浮上量をグライドハイトテスターで測定し浮上評価を行なった結果、凸パターン転写が不十分となっている他、媒体表面の凝集パターンによるヒットが多く測定され、媒体のリード・ライト評価を行なうために必要な規準である８  ｎｍ浮上量をパスすることができなかった。
【０３１４】
比較例１０
比較例１０は、第１のエッチング、付着性ガス曝露、第２のエッチング工程で用いるエッチャントをＯ２とした場合の例であり、その他の金属微粒子調整工程、塗布工程、マスク層形成工程、磁気記録層形成工程、凸パターン転写工程、磁気記録層形成工程に関する部分は、実施例１と同様である。
【０３１５】
第２のエッチングは比較例２と同条件で行った。得られた凸パターンをＳＥＭにより観察したところ、比較例２の場合と同様に付着性ガスの効果は認められず、微粒子パターンが凝集していることがわかった。
【０３１６】
以降、実施例１の内容に従い、Ｃマスク層を介して凸パターンを磁気記録層へ転写することにより磁気記録媒体を作製した。得られた磁気記録媒体に対するヘッド浮上量をグライドハイトテスターで測定し浮上評価を行なった結果、媒体表面の凝集パターンによるヒットが多く測定され、媒体のリード・ライト評価を行なうために必要な規準である８  ｎｍ浮上量をパスすることができなかった。
【０３１７】
比較例１１
比較例１１から比較例１５は、実施例１における第１のエッチング条件を変更し、除去する保護基量を変えた場合の例である。比較例１１は保護基量を初期状態から９０  ％減らした場合の例であり、その他の金属微粒子調整工程、塗布工程、マスク層形成工程、磁気記録層形成工程、凸パターン転写工程、磁気記録層形成工程に関する部分は、実施例１と同様である。
【０３１８】
第１のエッチングにおいてＯ２エッチャントを用いてドライエッチングを行ない、アンテナ電力５０Ｗ、バイアス電力４  Ｗ、Ｏ２ガス圧力２０  ｓｃｃｍ、ガス圧力０．１  Ｐａに設定し、エッチング時間１０  秒間の条件でエッチングを行うことで、初期状態の９０  ％に相当する保護基を除去できる。第１のエッチング後にＳＥＭを用いて凸パターンを形成したところ、既に微粒子パターンが凝集しており、ピッチばらつきが悪化していることがわかった。
【０３１９】
以降、実施例１の内容に従い、Ｃマスク層を介して凸パターンを磁気記録層へ転写することにより磁気記録媒体を作製した。得られた磁気記録媒体に対するヘッド浮上量をグライドハイトテスターで測定し浮上評価を行なった結果、媒体表面の凝集パターンによるヒットが多く測定され、媒体のリード・ライト評価を行なうために必要な規準である８  ｎｍ浮上量をパスすることができなかった。
【０３２０】
比較例１２
比較例１２は、第１のエッチングにより保護基量を８０  ％低減すること以外は、比較例１１と同様である。
【０３２１】
第１のエッチングにおいてＯ２エッチャントを用いてドライエッチングを行ない、アンテナ電力５０Ｗ、バイアス電力４  Ｗ、Ｏ２ガス圧力２０  ｓｃｃｍ、ガス圧力０．１  Ｐａに設定し、エッチング時間  ８  秒間エッチングを行うことで、初期状態の９０  ％に相当する保護基を除去できる。第１のエッチング後にＳＥＭを用いて凸パターンを観察したところ、既に微粒子パターンが凝集しており、ピッチばらつきが悪化していることがわかった。
【０３２２】
以降、実施例１の内容に従い、Ｃマスク層を介して凸パターンを磁気記録層へ転写することにより磁気記録媒体を作製した。得られた磁気記録媒体に対するヘッド浮上量をグライドハイトテスターで測定し浮上評価を行なった結果、媒体表面の凝集パターンによるヒットが多く測定され、媒体のリード・ライト評価を行なうために必要な規準である８  ｎｍ浮上量をパスすることができなかった。
【０３２３】
比較例１３
比較例１３は、第１のエッチングにより保護基量を２５  ％低減すること以外は、比較例１１と同様である。
【０３２４】
第１のエッチングにおいてＯ２エッチャントを用いてドライエッチングを行ない、アンテナ電力２５  Ｗ、バイアス電力０  Ｗ、Ｏ２ガス圧力２０  ｓｃｃｍ、ガス圧力０．１  Ｐａに設定し、エッチング時間７  秒間の条件でエッチングを行うことで、初期状態の２５  ％に相当する保護基を除去できる。第２のエッチング後にＳＥＭを用いて凸パターンを観察したところ、保護基の置換が不十分であったため微粒子パターンが凝集しており、ピッチばらつきが悪化していることがわかった。
【０３２５】
以降、実施例１の内容に従い、Ｃマスク層を介して凸パターンを磁気記録層へ転写することにより磁気記録媒体を作製した。得られた磁気記録媒体に対するヘッド浮上量をグライドハイトテスターで測定し浮上評価を行なった結果、媒体表面の凝集パターンによるヒットが多く測定され、媒体のリード・ライト評価を行なうために必要な規準である８  ｎｍ浮上量をパスすることができなかった。
【０３２６】
比較例１４
比較例１４は、第１のエッチングにより保護基量を２０  ％低減すること以外は、比較例１１と同様である。
【０３２７】
第１のエッチングにおいてＯ２エッチャントを用いてドライエッチングを行ない、アンテナ電力２０  Ｗ、バイアス電力０  Ｗ、Ｏ２ガス圧力２０  ｓｃｃｍ、ガス圧力０．１  Ｐａに設定し、エッチング時間９  秒間の条件でエッチングを行うことで、初期状態の２０  ％に相当する保護基を除去できる。第２のエッチング後にＳＥＭを用いて凸パターンを観察したところ、保護基の置換が不十分であったため微粒子パターンが凝集しており、ピッチばらつきが悪化していることがわかった。
【０３２８】
以降、実施例１の内容に従い、Ｃマスク層を介して凸パターンを磁気記録層へ転写することにより磁気記録媒体を作製した。得られた磁気記録媒体に対するヘッド浮上量をグライドハイトテスターで測定し、浮上評価を行なった結果、媒体表面の凝集パターンによるヒットが多く測定され、媒体のリード・ライト評価を行なうために必要な規準である８  ｎｍ浮上量をパスすることができなかった。
【０３２９】
比較例１５
比較例１５は、第１のエッチングにより保護基量を１０  ％低減すること以外は、比較例１１と同様である。
【０３３０】
第１のエッチングにおいてＯ２エッチャントを用いてドライエッチングを行ない、アンテナ電力２０  Ｗ、バイアス電力０  Ｗ、Ｏ２ガス圧力２０  ｓｃｃｍ、ガス圧力０．１  Ｐａに設定し、エッチング時間５  秒間の条件でエッチングを行うことで、初期状態の１０  ％に相当する保護基を除去できる。第２のエッチング後にＳＥＭを用いて凸パターンを観察したところ、保護基の置換が不十分であったため微粒子パターンが凝集しており、ピッチばらつきが悪化していることがわかった。
【０３３１】
以降、実施例１の内容に従い、Ｃマスク層を介して凸パターンを磁気記録層へ転写することにより磁気記録媒体を作製した。得られた磁気記録媒体に対するヘッド浮上量をグライドハイトテスターで測定し浮上評価を行なった結果、媒体表面の凝集パターンによるヒットが多く測定され、媒体のリード・ライト評価を行なうために必要な規準である８  ｎｍ浮上量をパスすることができなかった。
【０３３２】
比較例１ないし１５について、金属微粒子の種類、その平均粒径、第１のエッチング条件、ガス暴露条件、第２のエッチング条件、及びグライド評価結果を下記表４に示す。
【表１】
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【０３３３】
【表２】
2015122133.tif 000004
【０３３４】
【表３】
2015122133.tif 000005
【０３３５】
【表４】
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【０３３６】
本発明のいくつかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これら新規な実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これら実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれるとともに、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる。
【符号の説明】
【０３３７】
１，２１…基板、２…被加工層、４…金属微粒子、５…溶媒、６…塗布液、８，２４…金属微粒子層、１１…導電層、１２…電鋳層、２２…磁気記録層、２３…マスク層、２５…ガス雰囲気、２７…剥離層、２８…転写層、３０…スタンパー、１００，２００，３００，４００，５００…磁気記録媒体
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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