(57)【要約】【課題】本発明は、チップ電子部品及びその製造方法に関する。【解決手段】本発明によると、絶縁基板の少なくとも一面にコイルパターン部を形成する段階と、上記コイルパターン部の表面の形状に沿って薄膜高分子絶縁膜を形成する段階と、磁性体シートの一面にプライマー絶縁層を形成する段階と、上記プライマー絶縁層が形成された磁性体シートを上記コイルパターン部が形成された絶縁基板の上部及び下部に積層し加圧して、上記コイルパターン部上に追加絶縁膜が形成された磁性体本体を形成する段階と、上記磁性体本体の少なくとも一端面に上記コイルパターン部と接続されるように外部電極を形成する段階と、を含むチップ電子部品の製造方法が提供される。【選択図】図６
2015170844.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁基板の少なくとも一面にコイルパターン部を形成する段階と、
前記コイルパターン部の表面の形状に沿って薄膜高分子絶縁膜を形成する段階と、
磁性体シートの一面にプライマー絶縁層を形成する段階と、
前記プライマー絶縁層が形成された磁性体シートを前記コイルパターン部が形成された絶縁基板の上部及び下部に積層し加圧して、前記コイルパターン部上に追加絶縁膜が形成された磁性体本体を形成する段階と、
前記磁性体本体の少なくとも一端面に前記コイルパターン部と接続されるように外部電極を形成する段階と、
を含むチップ電子部品の製造方法。
【請求項２】
前記追加絶縁膜は前記コイルパターン部の表面の形状に沿って前記薄膜高分子絶縁膜上に形成される、請求項１に記載のチップ電子部品の製造方法。
【請求項３】
前記追加絶縁膜は前記薄膜高分子絶縁膜が形成されたコイルパターン部の全体を被覆するように形成される、請求項１に記載のチップ電子部品の製造方法。
【請求項４】
前記薄膜高分子絶縁膜は化学蒸着（Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｖａｐｏｒ  Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ；ＣＶＤ）で形成する、請求項１に記載のチップ電子部品の製造方法。
【請求項５】
前記薄膜高分子絶縁膜は、ポリ（パラ−キシリレン）（ｐｏｌｙ（ｐ−ｘｙｌｙｌｅｎｅ））、エポキシ（ｅｐｏｘｙ）樹脂、ポリイミド（ｐｏｌｙｉｍｉｄ）樹脂、フェノキシ（ｐｈｅｎｏｘｙ）樹脂、ポリスルホン（ｐｏｌｙｓｕｌｆｏｎｅ）樹脂及びポリカーボネート（ｐｏｌｙｃａｒｂｏｎａｔｅ）樹脂からなる群より選択される何れか一つ以上を含む、請求項１に記載のチップ電子部品の製造方法。
【請求項６】
前記プライマー絶縁層は、エポキシ樹脂（ｅｐｏｘｙ）樹脂、ポリイミド（ｐｏｌｙｉｍｉｄ）樹脂、フェノキシ（ｐｈｅｎｏｘｙ）樹脂、ポリスルホン（ｐｏｌｙｓｕｌｆｏｎｅ）樹脂及びポリカーボネート（ｐｏｌｙｃａｒｂｏｎａｔｅ）樹脂からなる群より選択される何れか一つ以上を含む、請求項１に記載のチップ電子部品の製造方法。
【請求項７】
前記プライマー絶縁層はフィラー（ｆｉｌｌｅｒ）を含む、請求項１に記載のチップ電子部品の製造方法。
【請求項８】
前記薄膜高分子絶縁膜は１μｍ〜３μｍの厚さに形成される、請求項１に記載のチップ電子部品の製造方法。
【請求項９】
前記プライマー絶縁層の厚さは１μｍ〜５μｍである、請求項１に記載のチップ電子部品の製造方法。
【請求項１０】
前記薄膜高分子絶縁膜及び前記追加絶縁膜が形成されたコイルパターン部のコイル間の領域が磁性体で充填される、請求項１に記載のチップ電子部品の製造方法。
【請求項１１】
絶縁基板を含む磁性体本体と、
前記絶縁基板の少なくとも一面に形成されたコイルパターン部と、
前記コイルパターン部の表面に形成された絶縁膜と、
前記磁性体本体の少なくとも一端面に形成され、前記コイルパターン部と接続する外部電極と、を含み、
前記絶縁膜は、前記コイルパターン部の表面の形状に沿ってコイルパターン部の表面に形成された薄膜高分子絶縁膜と、前記コイルパターン部の表面の形状に沿って前記薄膜高分子絶縁膜が形成されたコイルパターン部上に形成された追加絶縁膜と、を含む、チップ電子部品。
【請求項１２】
前記追加絶縁膜は前記薄膜高分子絶縁膜が形成されたコイルパターン部の全体を被覆するように形成される、請求項１１に記載のチップ電子部品。
【請求項１３】
前記薄膜高分子絶縁膜は、ポリ（パラ−キシリレン）（ｐｏｌｙ（ｐ−ｘｙｌｙｌｅｎｅ））、エポキシ（ｅｐｏｘｙ）樹脂、ポリイミド（ｐｏｌｙｉｍｉｄ）樹脂、フェノキシ（ｐｈｅｎｏｘｙ）樹脂、ポリスルホン（ｐｏｌｙｓｕｌｆｏｎｅ）樹脂及びポリカーボネート（ｐｏｌｙｃａｒｂｏｎａｔｅ）樹脂からなる群より選択される何れか一つ以上を含む、請求項１１に記載のチップ電子部品。
【請求項１４】
前記追加絶縁膜は、エポキシ樹脂（ｅｐｏｘｙ）樹脂、ポリイミド（ｐｏｌｙｉｍｉｄ）樹脂、フェノキシ（ｐｈｅｎｏｘｙ）樹脂、ポリスルホン（ｐｏｌｙｓｕｌｆｏｎｅ）樹脂及びポリカーボネート（ｐｏｌｙｃａｒｂｏｎａｔｅ）樹脂からなる群より選択される何れか一つ以上を含む、請求項１１に記載のチップ電子部品。
【請求項１５】
前記追加絶縁膜はフィラー（ｆｉｌｌｅｒ）を含む、請求項１１に記載のチップ電子部品。
【請求項１６】
前記薄膜高分子絶縁膜は１μｍ〜３μｍの厚さに形成される、請求項１１に記載のチップ電子部品。
【請求項１７】
前記追加絶縁膜は１μｍ〜５μｍの厚さに形成される、請求項１１に記載のチップ電子部品。
【請求項１８】
前記薄膜高分子絶縁膜及び前記追加絶縁膜が形成されたコイルパターン部のコイル間の領域に磁性体が充填される、請求項１１に記載のチップ電子部品。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、チップ電子部品及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
チップ電子部品の一つであるインダクタ（ｉｎｄｕｃｔｏｒ）は、抵抗、キャパシタとともに電子回路を成してノイズ（Ｎｏｉｓｅ）を除去する代表的な受動素子であり、電磁気的特性を利用してキャパシタと組み合わせることで、特定周波数帯域の信号を増幅させる共振回路、フィルタ（Ｆｉｌｔｅｒ）回路などの構成に用いられる。
【０００３】
最近では、様々な通信デバイスまたはディスプレイデバイスなどのＩＴデバイスの小型化及び薄膜化が加速しており、該ＩＴデバイスに採用されるインダクタ、キャパシタ、トランジスタなどの各種素子も小型化及び薄型化するための研究が継続的に行われている。これによって、インダクタも小型で、且つ高密度の自動表面実装が可能なチップへの転換が急速に行われており、薄膜の絶縁基板の上下面にめっきにより形成されるコイルパターン上に磁性粉末を樹脂と混合して製造した磁性体シートを積層及び圧着して形成した薄膜型インダクタが開発されつつある。
【０００４】
該薄膜型インダクタは、絶縁基板上にコイルパターンを形成した後、外部磁性体材料との接触を防止するために絶縁層を形成させる。
【０００５】
しかし、絶縁体をラミネート（Ｌａｍｉｎａｔｉｏｎ）方法などで形成する従来の方式では、コイルの下部まで絶縁層を形成するためには十分な絶縁層の幅を必要とし、絶縁層の幅が大きくなるほど、外部磁性体が占める体積が減少するため、インダクタの容量が低下するなどの問題が発生した。
【０００６】
そのため、絶縁層の厚さを減少させて容量を向上させる方向に開発が進んでいる。しかし、絶縁層を最小厚さに形成する工法を適用すると、コイルの未絶縁領域が発生した。
【０００７】
このような未絶縁領域の発生により、磁性体材料である金属磁性体などと直接接触してリーク電流が生じ、それにより、１ＭＨｚではインダクタンス（Ｉｎｄｕｃｔａｎｃｅ）が正常であるが、高周波使用条件下ではインダクタンス（Ｉｎｄｕｃｔａｎｃｅ）が急激に低くなり、波形不良が発生した。
【０００８】
従って、従来では、コイルの未絶縁不良を防止するために別途の更なる絶縁工程を行ったが、工程が複雑となり、作業性が悪く、不良改善が僅かであるという問題があった。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００９】
【特許文献１】特開２００５−２１００１０号公報
【特許文献２】特開２００８−１６６４５５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１０】
本発明の一形態は、別途の更なる絶縁工程がなくても、薄膜絶縁層の形成による未絶縁不良を改善して高周波での波形不良を防止し、インダクタの容量などを向上させることができるチップ電子部品及びその製造方法に関する。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
本発明の一形態では、絶縁基板の少なくとも一面にコイルパターン部を形成する段階と、上記コイルパターン部の表面の形状に沿って薄膜高分子絶縁膜を形成する段階と、磁性体シートの一面にプライマー絶縁層を形成する段階と、上記プライマー絶縁層が形成された磁性体シートを上記コイルパターン部が形成された絶縁基板の上部及び下部に積層し加圧して、上記コイルパターン部上に追加絶縁膜が形成された磁性体本体を形成する段階と、上記磁性体本体の少なくとも一端面に上記コイルパターン部と接続されるように外部電極を形成する段階と、を含むチップ電子部品の製造方法を提供する。
【００１２】
上記追加絶縁膜は、上記コイルパターン部の表面の形状に沿って上記薄膜高分子絶縁膜上に形成されてもよい。
【００１３】
上記追加絶縁膜は、上記薄膜高分子絶縁膜が形成されたコイルパターン部の全体を被覆するように形成されてもよい。
【００１４】
上記薄膜高分子絶縁膜は、化学蒸着（Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｖａｐｏｒ  Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ、ＣＶＤ）で形成してもよい。
【００１５】
上記薄膜高分子絶縁膜は、ポリ（パラ−キシリレン）（ｐｏｌｙ（ｐ−ｘｙｌｙｌｅｎｅ））、エポキシ（ｅｐｏｘｙ）樹脂、ポリイミド（ｐｏｌｙｉｍｉｄ）樹脂、フェノキシ（ｐｈｅｎｏｘｙ）樹脂、ポリスルホン（ｐｏｌｙｓｕｌｆｏｎｅ）樹脂及びポリカーボネート（ｐｏｌｙｃａｒｂｏｎａｔｅ）樹脂からなる群より選択される何れか一つ以上を含んでもよい。
【００１６】
上記プライマー絶縁層は、エポキシ樹脂（ｅｐｏｘｙ）樹脂、ポリイミド（ｐｏｌｙｉｍｉｄ）樹脂、フェノキシ（ｐｈｅｎｏｘｙ）樹脂、ポリスルホン（ｐｏｌｙｓｕｌｆｏｎｅ）樹脂及びポリカーボネート（ｐｏｌｙｃａｒｂｏｎａｔｅ）樹脂からなる群より選択される何れか一つ以上を含んでもよい。
【００１７】
上記プライマー絶縁層は、フィラー（ｆｉｌｌｅｒ）を含んでもよい。
【００１８】
上記薄膜高分子絶縁膜は、１μｍ〜３μｍの厚さに形成されてもよい。
【００１９】
上記プライマー絶縁層の厚さは、１μｍ〜５μｍであってもよい。
【００２０】
上記薄膜高分子絶縁膜及び上記追加絶縁膜が形成されたコイルパターン部のコイル間の領域は、磁性体で充填されてもよい。
【００２１】
また、本発明の一形態は、絶縁基板を含む磁性体本体と、上記絶縁基板の少なくとも一面に形成されたコイルパターン部と、上記コイルパターン部の表面に形成された絶縁膜と、上記磁性体本体の少なくとも一端面に形成され、上記コイルパターン部と接続する外部電極と、を含み、上記絶縁膜は、上記コイルパターン部の表面の形状に沿ってコイルパターン部の表面に形成された薄膜高分子絶縁膜と、上記コイルパターン部の表面の形状に沿って上記薄膜高分子絶縁膜が形成されたコイルパターン部上に形成された追加絶縁膜と、を含む、チップ電子部品を提供する。
【００２２】
上記追加絶縁膜は、上記薄膜高分子絶縁膜が形成されたコイルパターン部の全体を被覆するように形成されてもよい。
【００２３】
上記薄膜高分子絶縁膜は、ポリ（パラ−キシリレン）（ｐｏｌｙ（ｐ−ｘｙｌｙｌｅｎｅ））、エポキシ（ｅｐｏｘｙ）樹脂、ポリイミド（ｐｏｌｙｉｍｉｄ）樹脂、フェノキシ（ｐｈｅｎｏｘｙ）樹脂、ポリスルホン（ｐｏｌｙｓｕｌｆｏｎｅ）樹脂及びポリカーボネート（ｐｏｌｙｃａｒｂｏｎａｔｅ）樹脂からなる群より選択される何れか一つ以上を含んでもよい。
【００２４】
上記追加絶縁膜は、エポキシ樹脂（ｅｐｏｘｙ）樹脂、ポリイミド（ｐｏｌｙｉｍｉｄ）樹脂、フェノキシ（ｐｈｅｎｏｘｙ）樹脂、ポリスルホン（ｐｏｌｙｓｕｌｆｏｎｅ）樹脂及びポリカーボネート（ｐｏｌｙｃａｒｂｏｎａｔｅ）樹脂からなる群より選択される何れか一つ以上を含んでもよい。
【００２５】
上記追加絶縁膜は、フィラー（ｆｉｌｌｅｒ）を含んでもよい。
【００２６】
上記薄膜高分子絶縁膜は、１μｍ〜３μｍの厚さに形成されてもよい。
【００２７】
上記追加絶縁膜は、１μｍ〜５μｍの厚さに形成されてもよい。
【００２８】
上記薄膜高分子絶縁膜及び上記追加絶縁膜が形成されたコイルパターン部のコイル間の領域に磁性体が充填されてもよい。
【発明の効果】
【００２９】
本発明の一形態のチップ電子部品及びその製造方法によると、別途の更なる絶縁工程がなくても、薄膜絶縁層の形成による未絶縁不良を改善することができる。
【００３０】
従って、工程が簡素化し、且つコイルの未絶縁による高周波での波形不良を防止することができる。また、薄膜絶縁層が形成されるため、インダクタの容量などを向上させることができる。
【図面の簡単な説明】
【００３１】
【図１】本発明の一実施形態によるチップ電子部品の製造方法を順に示したものである。
【図２】本発明の一実施形態によるチップ電子部品の製造方法を順に示したものである。
【図３】本発明の一実施形態によるチップ電子部品の製造方法を順に示したものである。
【図４】本発明の一実施形態によるチップ電子部品の製造方法を順に示したものである。
【図５】本発明の一実施形態によるチップ電子部品の内部コイル部が示されるように図示した概略斜視図である。
【図６】図５のＩ−Ｉ’線による断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００３２】
以下では、添付の図面を参照し、本発明の好ましい実施形態について説明する。しかし、本発明の実施形態は様々な他の形態に変形されることができ、本発明の範囲は以下で説明する実施形態に限定されない。また、本発明の実施形態は、当該技術分野で平均的な知識を有する者に本発明をより完全に説明するために提供されるものである。図面における要素の形状及び大きさなどはより明確な説明のために誇張されることがある。
【００３３】
チップ電子部品の製造方法
図１〜図４は、本発明の一実施形態によるチップ電子部品の製造方法を順に示したものである。
【００３４】
図１を参照すると、まず、絶縁基板２０の少なくとも一面にコイルパターン部４０を形成してもよい。
【００３５】
上記絶縁基板２０は、特に制限されず、例えば、ポリプロピレングリコール（ＰＰＧ）基板、フェライト基板または金属系軟磁性基板等を用いてもよく、４０〜１００μｍの厚さであってもよい。
【００３６】
上記コイルパターン部４０の形成方法としては、電気めっき法が挙げられるが、これに制限されず、コイルパターン部４０は、電気伝導性に優れた金属を含んで形成することができ、例えば、銀（Ａｇ）、パラジウム（Ｐｄ）、アルミニウム（Ａｌ）、ニッケル（Ｎｉ）、チタン（Ｔｉ）、金（Ａｕ）、銅（Ｃｕ）、白金（Ｐｔ）またはこれらの合金などを使用してもよい。
【００３７】
上記絶縁基板２０の一部に孔を形成し、伝導性材料を充填してビア電極４５を形成することができ、上記ビア電極４５を介して絶縁基板２０の一面と反対面に形成されるコイルパターン部４０を電気的に接続させることができる。
【００３８】
上記絶縁基板２０の中央部にはドリル、レーザー、サンドブラスト、穿孔加工などによって、絶縁基板を貫通する貫通孔５５を形成することができる。
【００３９】
図２を参照すると、上記コイルパターン部４０の表面の形状に沿って薄膜高分子絶縁膜３１を形成することができる。
【００４０】
上記薄膜高分子絶縁膜３１は、化学蒸着法（Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｖａｐｏｒ  Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ；ＣＶＤ）または低粘度の高分子コーティング液を使用するディッピング（ｄｉｐｐｉｎｇ）法で形成してもよい。
【００４１】
化学蒸着法（Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｖａｐｏｒ  Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ；ＣＶＤ）または低粘度の高分子コーティング液を使用するディッピング（ｄｉｐｐｉｎｇ）法で絶縁膜を形成すると、形成される薄膜高分子絶縁膜３１の表面は、上記コイルパターン部４０の表面の形状に沿って薄く形成されることができる。
【００４２】
化学蒸着法（ＣＶＤ）を適用する場合、二量体（ｄｉｍｅｒ）が１２０℃〜１８０℃で気体相に存在し、６５０℃〜７００℃で単量体（ｍｏｎｏｍｅｒ）に熱分解される化合物を適用して形成することができ、例えば、ポリ（パラ−キシリレン）（ｐｏｌｙ（ｐ−ｘｙｌｙｌｅｎｅ））を使用してもよい。
【００４３】
低粘度高分子ディッピング（ｄｉｐｐｉｎｇ）法に用いられる高分子は、薄膜絶縁膜を形成することができるものであれば特に制限されないが、例えば、エポキシ（ｅｐｏｘｙ）樹脂、ポリイミド（ｐｏｌｙｉｍｉｄ）樹脂、フェノキシ（ｐｈｅｎｏｘｙ）樹脂、ポリスルホン（ｐｏｌｙｓｕｌｆｏｎｅ）樹脂またはポリカーボネート（ｐｏｌｙｃａｒｂｏｎａｔｅ）などの単独または混合形態であってもよい。
【００４４】
上記薄膜高分子絶縁膜３１は３μｍ以下の厚さに形成してもよく、１μｍ〜３μｍの厚さに形成することがより好ましい。
【００４５】
薄膜高分子絶縁膜３１が１μｍ未満に形成されると、磁性体層の積層及び圧着過程で絶縁膜が破壊されて、外部磁性体材料との接触による波形不良が発生する恐れがあり、３μｍを超えると、絶縁膜の厚さが増加した分だけ磁性体が占める体積が減少してインダクタンスの向上に限界が生じる恐れがある。
【００４６】
図３を参照すると、磁性体シート５１の一面にプライマー絶縁層３２’を形成し、プライマー絶縁層３２’が形成された磁性体シート５１を上記コイルパターン部４０が形成された絶縁基板２０の上部及び下部に積層して加圧することができる。
【００４７】
これにより、薄膜高分子絶縁膜３１が形成されたコイルパターン部４０上に追加絶縁膜３２が形成された磁性体本体５０を形成することができる。
【００４８】
磁性体が充填される体積を増加させるために、薄膜高分子絶縁膜３１を薄く形成すると、一部で未分離領域が発生して波形不良が生じる可能性がある。そこで、本発明の一実施形態では、磁性体シート５１の一面にプライマー絶縁層３２’を形成し、これを積層及び圧着することにより、別途の更なる絶縁工程がなくても、コイルパターン部４０上に追加絶縁膜３２を形成するため、コイルの未絶縁による不良を改善することができる。
【００４９】
上記追加絶縁膜３２は、一面にプライマー絶縁層３２’が形成された磁性体シート５１の積層及び圧着工程で、上記薄膜高分子絶縁膜３１上にコイルパターン部４０の表面の形状に沿って形成することができる。
【００５０】
このように形成された追加絶縁膜３２は、コイルパターン部４０の全体を被覆するため、未絶縁領域を最小化することができる。
【００５１】
上記プライマー絶縁層３２’は、通常、絶縁膜材料として使用することができるものであれば特に制限されず、例えば、エポキシ（ｅｐｏｘｙ）樹脂、ポリイミド（ｐｏｌｙｉｍｉｄ）樹脂、フェノキシ（ｐｈｅｎｏｘｙ）樹脂、ポリスルホン（ｐｏｌｙｓｕｌｆｏｎｅ）樹脂及びポリカーボネート（ｐｏｌｙｃａｒｂｏｎａｔｅ）樹脂からなる群より選択される何れか一つ以上を含んでもよい。
【００５２】
一方、プライマー絶縁層３２’は、フィラー（ｆｉｌｌｅｒ）をさらに含んでもよい。
【００５３】
上記プライマー絶縁層３２’は、シート状に製造して磁性体シート５１の一面に形成するため、シートの成形加工性等の向上のためにフィラー（ｆｉｌｌｅｒ）を添加する。
【００５４】
上記フィラー（ｆｉｌｌｅｒ）をさらに添加することで、プライマー絶縁層３２’シートの成形加工性を向上させるだけでなく、絶縁機能向上の効果を得ることができる。
【００５５】
上記フィラー（ｆｉｌｌｅｒ）は、成形加工性の向上及び絶縁機能を有するものであれば特に制限されないが、例えば、シリカ等を使用することができる。
【００５６】
上記プライマー絶縁層３２’の厚さは１μｍ〜５μｍであってもよい。
【００５７】
プライマー絶縁層３２’の厚さが１μｍ未満では、コイルパターン部４０の全体を被覆する追加絶縁膜３２を形成することが困難で、未絶縁領域を最小化することができず、５μｍを超えると、絶縁膜の厚さが増加した分だけ磁性体が占める体積が減少して、インダクタンスの向上に限界が生じる恐れがある。
【００５８】
一面にプライマー絶縁層３２’が形成された磁性体シート５１は、コイルパターン部４０が形成された絶縁基板２０の両面に積層し、ラミネート法や静水圧プレス法で圧着することができる。このとき、上記貫通孔５５は、磁性体で充填されてコア部を形成することができる。
【００５９】
また、薄膜高分子絶縁膜３１及び追加絶縁膜３２が形成されたコイルパターン部４０のコイル間の領域にも磁性体が充填されることができる。
【００６０】
上記薄膜高分子絶縁膜３１及び追加絶縁膜３２の表面は、コイルパターン部４０の表面の形状に沿って薄く形成されるため、コイル間の領域に空間が形成されることができ、上記空間に磁性体層の積層及び圧着過程で磁性体が充填されることができる。コイルパターン部４０のコイル間の領域にも磁性体が充填されることで、磁性体が占める体積が増加し、磁性体の体積が増加した分だけインダクタンス向上の効果が発生する。
【００６１】
図４を参照すると、上記磁性体本体５０の少なくとも一端面に露出するコイルパターン部４０と接続するように外部電極８０を形成することができる。
【００６２】
上記外部電極８０は、電気伝導性に優れた金属を含むペーストを用いて形成することができ、例えば、ニッケル（Ｎｉ）、銅（Ｃｕ）、スズ（Ｓｎ）または銀（Ａｇ）などの単独またはこれらの合金などを含む導電性ペーストであってもよい。外部電極８０は、外部電極８０の形状に応じてプリンティングするだけではなく、ディッピング（ｄｉｐｐｉｎｇ）法などで形成してもよい。
【００６３】
チップ電子部品
以下では、本発明の一実施形態によるチップ電子部品を、特に、薄膜型インダクタで説明するが、これに限定されない。
【００６４】
図５は本発明の一実施形態のチップ電子部品のコイルパターン部が示されるように図示した概略斜視図であり、図６は図５のＩ−Ｉ’線による断面図である。
【００６５】
図５及び図６を参照すると、チップ電子部品の一例として、電源供給回路の電源ラインに使用される薄膜型インダクタ１００が開示される。上記チップ電子部品は、チップインダクタの他にも、チップビーズ（ｃｈｉｐ  ｂｅａｄ）、チップフィルター（ｃｈｉｐ  ｆｉｌｔｅｒ）などであってもよい。
【００６６】
上記薄膜型インダクタ１００は、磁性体本体５０、絶縁基板２０、コイルパターン部４０、及び外部電極８０を含む。
【００６７】
磁性体本体５０は薄膜型インダクタ１００の外観を構成し、磁気特性を示す材料であれば制限なく用いることができ、例えば、フェライトまたは金属系軟磁性材料が充填されて形成されてもよい。
【００６８】
上記フェライトとしては、Ｍｎ−Ｚｎ系フェライト、Ｎｉ−Ｚｎ系フェライト、Ｎｉ−Ｚｎ−Ｃｕ系フェライト、Ｍｎ−Ｍｇ系フェライト、Ｂａ系フェライトまたはＬｉ系フェライト等の公知のフェライトを含むことができる。
【００６９】
上記金属系軟磁性材料は、Ｆｅ、Ｓｉ、Ｃｒ、Ａｌ及びＮｉからなる群より選択された何れか一つ以上を含む合金であってもよく、例えば、Ｆｅ−Ｓｉ−Ｂ−Ｃｒ系非晶質金属粒子を含むことができるが、これに制限されない。
【００７０】
上記金属系軟磁性材料の粒子径は０．１μ〜３０μｍであってもよく、エポキシ（ｅｐｏｘｙ）樹脂またはポリイミド（ｐｏｌｙｉｍｉｄｅ）などの高分子上に分散された形態で含まれてもよい。
【００７１】
磁性体本体５０は、六面体状であってもよく、本発明の実施形態を明確に説明するために、六面体の方向を定義すると、図５に示されたＬ、Ｗ及びＴは、それぞれ長さ方向、幅方向、厚さ方向を示す。上記磁性体本体５０は、長さ方向が幅方向より長い直六面体状であってもよい。
【００７２】
上記磁性体本体５０の内部に形成される絶縁基板２０は、ポリプロピレングリコール（ＰＰＧ）基板、フェライト基板または金属系軟磁性基板等で形成されてもよい。
【００７３】
上記絶縁基板２０の中央部を貫通して貫通孔５５を形成し、上記貫通孔５５はフェライトまたは金属系軟磁性材料などの磁性体で充填されてコア部を形成することができる。磁性体で充填されるコア部を形成することにより、インダクタンス（Ｉｎｄｕｃｔａｎｃｅ；Ｌ）を向上させることができる。
【００７４】
上記絶縁基板２０の一面にはコイル状のパターンを有するコイルパターン部４０が形成されてもよく、上記絶縁基板２０の反対面にもコイル状のコイルパターン部４０が形成されてもよい。
【００７５】
上記コイルパターン部４０は、スパイラル（ｓｐｉｒａｌ）状にコイルパターンが形成され、上記絶縁基板２０の一面と反対面に形成されるコイルパターン部４０は、上記絶縁基板２０に形成されるビア電極４５を介して電気的に接続されることができる。
【００７６】
上記コイルパターン部４０及びビア電極４５は、電気伝導性に優れた金属を含んで形成されてもよく、例えば、銀（Ａｇ）、パラジウム（Ｐｄ）、アルミニウム（Ａｌ）、ニッケル（Ｎｉ）、チタン（Ｔｉ）、金（Ａｕ）、銅（Ｃｕ）、白金（Ｐｔ）またはこれらの合金などで形成されてもよい。
【００７７】
上記コイルパターン部４０の表面には、コイルパターン部４０を被覆する薄膜高分子絶縁膜３１が形成されてもよい。
【００７８】
薄膜高分子絶縁膜３１の表面は、コイルパターン部４０の表面の形状に沿って形成されてもよい。コイルパターン部４０の表面の形状に沿って形成されるとは、図６に示されたように、薄膜高分子絶縁膜３１の表面の形状がコイルパターン部４０の表面の形状通りに薄くコーティングされるように形成されることをいう。
【００７９】
このように、本発明の一実施形態による薄膜高分子絶縁膜３１は、化学蒸着法（Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｖａｐｏｒ  Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ；ＣＶＤ）または低粘度の高分子コーティング液を使用するディッピング（ｄｉｐｐｉｎｇ）法で形成することができる。
【００８０】
薄膜高分子絶縁膜３１は３μｍ以下の厚さに形成されてもよく、１μｍ〜３μｍの厚さに形成されることがより好ましい。
【００８１】
薄膜高分子絶縁膜３１が１μｍ未満に形成されると、磁性体層の積層及び圧着過程で絶縁膜が破壊されて、外部磁性体材料との接触による波形不良が発生する恐れがあり、３μｍを超えると、絶縁膜の厚さが増加した分だけ磁性体が占める体積が減少して、インダクタンス向上に限界が生じる恐れがある。
【００８２】
薄膜高分子絶縁膜３１は、ポリ（パラ−キシリレン）（ｐｏｌｙ（ｐ−ｘｙｌｙｌｅｎｅ））、エポキシ（ｅｐｏｘｙ）樹脂、ポリイミド（ｐｏｌｙｉｍｉｄ）樹脂、フェノキシ（ｐｈｅｎｏｘｙ）樹脂、ポリスルホン（ｐｏｌｙｓｕｌｆｏｎｅ）樹脂またはポリカーボネート（ｐｏｌｙｃａｒｂｏｎａｔｅ）樹脂等の単独または混合形態を含んでもよいが、これに特に制限されない。
【００８３】
上記薄膜高分子絶縁膜３１が形成されたコイルパターン部４０上には、上記コイルパターン部４０の表面の形状に沿って追加絶縁膜３２が形成されてもよい。
【００８４】
磁性体が充填される体積を増加させるために、薄膜高分子絶縁膜３１を薄く形成すると、一部で未絶縁領域（図６の「Ａ」）が発生し、波形不良を引き起こす恐れがある。そこで、本発明の一実施形態では、磁性体シート５１の一面にプライマー絶縁層３２’を形成し、これを積層及び圧着することで、別途の更なる絶縁工程がなくても、コイルパターン部４０上に追加絶縁膜３２を形成することができる。
【００８５】
上記追加絶縁膜３２は、上記薄膜高分子絶縁膜３１が形成されたコイルパターン部４０上に形成されてコイルパターン部４０の全体を被覆するため、未絶縁領域を最小化することができる。
【００８６】
上記追加絶縁膜３２は、通常、絶縁膜材料として使用できるものであれば特に制限されず、例えば、エポキシ樹脂（ｅｐｏｘｙ）樹脂、ポリイミド（ｐｏｌｙｉｍｉｄ）樹脂、フェノキシ（ｐｈｅｎｏｘｙ）樹脂、ポリスルホン（ｐｏｌｙｓｕｌｆｏｎｅ）樹脂及びポリカーボネート（ｐｏｌｙｃａｒｂｏｎａｔｅ）樹脂からなる群より選択される何れか一つ以上を含むことができる。
【００８７】
一方、追加絶縁膜３２は、フィラー（ｆｉｌｌｅｒ）をさらに含んでもよい。
【００８８】
追加絶縁膜３２を形成するとき、プライマー絶縁層３２’をシート状に製造して磁性体シート５１の一面に形成した後、積層及び圧着工程を行って形成するため、プライマー絶縁層３２’シートの成形加工性等の向上のためにフィラー（ｆｉｌｌｅｒ）を添加する。
【００８９】
上記フィラー（ｆｉｌｌｅｒ）をさらに添加することにより、プライマー絶縁層３２’シートの成形加工性が向上するだけでなく、絶縁機能の向上効果を得ることができる。
【００９０】
上記フィラー（ｆｉｌｌｅｒ）は、成形加工性向上及び絶縁機能を有するものであれば特に制限されないが、例えば、シリカ等を使用することができる。
【００９１】
上記追加絶縁膜３２の厚さは１μｍ〜５μｍであってもよい。
【００９２】
追加絶縁膜３２の厚さが１μｍ未満では、コイルパターン部４０の全体を被覆することが困難で、未絶縁領域を最小化することができず、５μｍを超えると、絶縁膜の厚さが増加した分だけ磁性体が占める体積が減少して、インダクタンスの向上に限界が生じる可能性がある。
【００９３】
一方、薄膜高分子絶縁膜３１及び追加絶縁膜３２が形成されたコイルパターン部４０のコイル間の領域に磁性体が充填されることができる。
【００９４】
上記薄膜高分子絶縁膜３１及び追加絶縁膜３２の表面は、コイルパターン部４０の表面の形状に沿って薄く形成されるため、コイル間の領域に空間が形成されることができ、上記空間に磁性体層の積層及び圧着過程で磁性体が充填されることができる。コイルパターン部４０のコイル間の領域にも磁性体が充填されることで、磁性体が占める体積が増加し、磁性体の体積が増加した分だけインダクタンスの向上効果が発生する。
【００９５】
その他、上述した本発明の一実施形態によるチップ電子部品の製造方法の特徴と同一部分に対しては、ここではその説明を省略する。
【００９６】
以上、本発明の実施形態について詳細に説明したが、本発明の権利範囲はこれに限定されず、特許請求の範囲に記載された本発明の技術的思想から外れない範囲内で多様な修正及び変形が可能であるということは、当技術分野の通常の知識を有する者には明らかである。
【符号の説明】
【００９７】
１００  薄膜型インダクタ
２０  絶縁基板
３１  薄膜高分子絶縁膜
３２’  プライマー絶縁層
３２  追加絶縁膜
４０  コイルパターン部
４５  ビア電極
５０  磁性体本体
５１  磁性体シート
５５  貫通孔
８０  外部電極
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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