(57)【要約】【課題】１（ＧＨｚ）を超える高周波ノイズを吸収でき、工程的に複雑な製造方法によらずに回路部位の局所的な位置に位置精度よくノイズ吸収体を配置することができる、多層セラミック回路基板を提供する。【解決手段】セラミックグリーンシートを焼成してなるセラミック回路基板の一部にペースト状導電材料を塗布し、焼成して形成された導電層と、導電層上に基板厚み方向に０．０５（ｍｍ）より厚くＦｅ−Ｓｉ−Ｂ−Ｃｕ−Ｎｂ組成の磁性体を含むペースト状材料を塗布し、焼成して形成された磁性層との積層構造体を少なくともその内部に有することを特徴とする多層セラミック回路基板。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
セラミックグリーンシートを焼成してなるセラミック回路基板の一部にペースト状導電材料を塗布し、焼成して形成された導電層と、導電層上に基板厚み方向に０．０５ｍｍより厚くＦｅ−Ｓｉ−Ｂ−Ｃｕ−Ｎｂ組成の磁性体を含むペースト状材料を塗布し、焼成して形成された磁性層との積層構造体を少なくともその内部に有することを特徴とする多層セラミック回路基板。
【請求項２】
前記磁性層は、Ｆｅ−Ｓｉ−Ｂ−Ｃｕ−Ｎｂ組成の磁性体とＳｉＯ２−Ｂ２Ｏ３−Ｒ２Ｏ（ＲはＮａまたはＫ）系ガラス材料とを８０：２０から９０：１０の重量比率で混合したペースト状材料を印刷して形成されたパタンであり、大気雰囲気中で最高熱処理温度が８００（℃）から９００（℃）の熱処理により焼成されたものであることを特徴とする、請求項１に記載の多層セラミック回路基板。
【請求項３】
セラミックグリーンシートを焼成してなる多層セラミック回路基板の一部にＦｅ−Ｓｉ−Ｂ−Ｃｕ−Ｎｂ組成の磁性体を含むペースト状材料を塗布し、焼成して形成された磁性層、前記磁性層とは別の層にペースト状導電材料を塗布し、焼成して形成された導電層、さらに、前記磁性層および前記導電層とは別の層にＦｅ−Ｓｉ−Ｂ−Ｃｕ−Ｎｂ組成の磁性体を含むペースト状材料を塗布し、焼成して形成された磁性層を形成し、これらの層を順に積層およびプレスして焼成させた積層構造体を少なくとも多層セラミック回路基板の１層に有することを特徴とする多層セラミック回路基板。
【請求項４】
前記磁性層は、Ｆｅ−Ｓｉ−Ｂ−Ｃｕ−Ｎｂ組成の磁性体とＳｉＯ２−Ｂ２Ｏ３−Ｒ２Ｏ（ＲはＮａまたはＫ）系ガラス材料とを８０：２０から９０：１０の重量比率で混合したペースト状材料を印刷して形成されたパタンであり、大気雰囲気中で最高熱処理温度が８００（℃）から９００（℃）の熱処理により焼成されたものであることを特徴とする、請求項３に記載の多層セラミック回路基板。
【請求項５】
セラミックグリーンシートを焼成してなる多層セラミック回路基板の一部に設けられた層間導電層の周囲を囲む形で配置されたＦｅ−Ｓｉ−Ｂ−Ｃｕ−Ｎｂ組成の磁性体を含むペースト状材料を塗布し、焼成して形成される磁性層を少なくとも回路基板の一部に有することを特徴とする多層セラミック回路基板。
【請求項６】
前記磁性層は、Ｆｅ−Ｓｉ−Ｂ−Ｃｕ−Ｎｂ組成の磁性体とＳｉＯ２−Ｂ２Ｏ３−Ｒ２Ｏ（ＲはＮａまたはＫ）系ガラス材料とを８０：２０から９０：１０の重量比率で混合したペースト状材料を印刷して形成されたパタンであり、大気雰囲気中で最高熱処理温度が８００（℃）から９００（℃）の熱処理により焼成されたものであることを特徴とする、請求項５に記載の多層セラミック回路基板。
【請求項７】
一端を信号導体線入力側、他端を信号導体線終端側とし、多層セラミック回路基板の内層または表層に配置された信号線導体と、
前記多層セラミック回路基板の内層または表層に設けられた接地導体と、
前記多層セラミック回路基板の内層または表層に設けられた損失性材料とで構成された伝送線路を用いた終端器であって、
前記損失性材料は、Ｆｅ−Ｓｉ−Ｂ−Ｃｕ−Ｎｂ組成の磁性体とＳｉＯ２−Ｂ２Ｏ３−Ｒ２Ｏ（ＲはＮａまたはＫ）系ガラス材料とを混合したペースト状材料を塗布し、大気雰囲気下で焼成させて形成した磁性層、または、Ｆｅ−Ｓｉ−Ａｌ系の磁性体とＳｉＯ２−Ｂ２Ｏ３−Ｒ２Ｏ（ＲはＮａまたはＫ）系ガラス材料とを混合したペースト状材料を塗布し、大気雰囲気下で焼成させて形成した磁性層であることを特徴とする多層セラミック回路基板。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ギガヘルツ（ＧＨｚ）帯の高周波ノイズを確実に吸収できる機能素子構造を備えた多層セラミック回路基板に関する。
【背景技術】
【０００２】
電子機器の分野では、素子の搭載が高密度化する傾向にあり、その結果素子間の相互干渉や、ノイズの輻射の問題が顕在化してきている。ノイズは、使用する信号の高調波であるため、ノイズを抑制するには、その高調波を抑制するのが有効である。高調波を抑制するために、磁性材料（フェライト）を用いたフェライトビーズが多用されている。これは、高周波領域でフェライトの高周波における吸収を利用したものである。
【０００３】
このようなフェライトビーズは、中空のフェライトに導線を通した構造を備え、積層型ノイズ吸収素子として形成される場合は、フェライトペーストと導体ペーストとを用い、厚膜印刷技術により製造されてきた。一方、特開２００４−６４０５２号公報（特許文献１）には、たとえば、積層された多層基板間に内蔵される回路パターン、受動素子および能動素子をシールディングして、回路パターン、受動素子および能動素子から発生する漏洩磁束またはノイズを遮蔽するためのノイズ遮蔽部品内蔵型積層基板として、フェライトを埋め込んだ回路基板が開示されている（特許文献１の図５）。
【０００４】
またたとえば、特許第３９２５８３５号（特許文献２）には、ノイズ吸収用途として使われる磁性材料として、扁平状の複合磁性粒子が樹脂に分散された電磁波吸収体が開示されている（特許文献２の図９）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２００４−６４０５２号公報
【特許文献２】特許第３９２５８３５号
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
特許文献１に記載されたノイズ遮蔽部品内臓型積層基板では、磁性材料として、複素透磁率の損失項であるμ’’の絶対値が低く、適用可能な周波数は数百メガヘルツであるフェライトを用いており、１ギガヘルツ（ＧＨｚ）を超える周波数帯域でのノイズ吸収ができないという問題がある。また特許文献１に開示された技術は、製造方法においても、フェライト部を形成するために写真製版、フェライト鍍金、化学エッチングなどが必要であり、工程的にも複雑な製造方法になってしまうことにより、安定的に製造することが難しいという問題点があった。
【０００７】
また特許文献２に記載された電磁波吸収体は、ノイズ抑制が必要な部位の回路基板表面、或いは回路部と反対側の面に貼り付けて効果的にノイズ抑制を図るものであるが、シート状材料であるため小型回路部品への装着、またセラミック回路基板の局所的な内部位への位置精度の良い配置、形成ができないという問題がある。また、単に磁性金属粒子を用いた複合磁性粒子では、絶縁性を確保するために磁性金属粒子の表面を酸化処理し、高抵抗膜を形成しなければならず高コストになるという問題がある。
【０００８】
本発明は、上記課題を解決するためになされたものであって、その目的とするところは、１ＧＨｚを超える高周波ノイズを吸収でき、工程的に複雑な製造方法によらずに回路部位の局所的な位置に位置精度よくノイズ吸収体を配置することができる、多層セラミック回路基板を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明の多層セラミック回路基板は、セラミックグリーンシートを焼成してなるセラミック回路基板の一部にペースト状導電材料を塗布し、焼成して形成された導電層と、導電層上に基板厚み方向に０．０５（ｍｍ）より厚くＦｅ−Ｓｉ−Ｂ−Ｃｕ−Ｎｂ組成の磁性体を含むペースト状材料を塗布し、焼成して形成された磁性層との積層構造体を少なくともその内部に有することを特徴とする。
【００１０】
また本発明は、セラミックグリーンシートを焼成してなる多層セラミック回路基板の一部にＦｅ−Ｓｉ−Ｂ−Ｃｕ−Ｎｂ組成の磁性体を含むペースト状材料を塗布し、焼成して形成された磁性層、前記磁性層とは別の層にペースト状導電材料を塗布し、焼成して形成された導電層、さらに、前記磁性層および前記導電層とは別の層にＦｅ−Ｓｉ−Ｂ−Ｃｕ−Ｎｂ組成の磁性体を含むペースト状材料を塗布し、焼成して形成された磁性層を形成し、これらの層を順に積層およびプレスして焼成させた積層構造体を少なくとも多層セラミック回路基板の１層に有することを特徴とする多層セラミック回路基板についても提供する。
【００１１】
本発明はまた、セラミックグリーンシートを焼成してなる多層セラミック回路基板の一部に設けられた層間導電層の周囲を囲む形で配置されたＦｅ−Ｓｉ−Ｂ−Ｃｕ−Ｎｂ組成の磁性体を含むペースト状材料を塗布し、焼成して形成される磁性層を少なくとも回路基板の一部に有することを特徴とする多層セラミック回路基板についても提供する。
【００１２】
上述したいずれの態様の多層セラミック回路基板においても、前記磁性層は、Ｆｅ−Ｓｉ−Ｂ−Ｃｕ−Ｎｂ組成の磁性体とＳｉＯ２−Ｂ２Ｏ３−Ｒ２Ｏ（ＲはＮａまたはＫ）系ガラス材料とを８０：２０〜９０：１０の重量比率で混合したペースト状材料を印刷して形成されたパタンであり、大気雰囲気中で最高熱処理温度が８００（℃）から９００（℃）の熱処理により焼成されたものであることが好ましい。
【００１３】
さらに本発明は、一端を信号導体線入力側、他端を信号導体線終端側とし、多層セラミック回路基板の内層または表層に配置された信号線導体と、前記多層セラミック回路基板の内層または表層に設けられた接地導体と、前記多層セラミック回路基板の内層または表層に設けられた損失性材料とで構成された伝送線路を用いた終端器であって、前記損失性材料は、Ｆｅ−Ｓｉ−Ｂ−Ｃｕ−Ｎｂ組成の磁性体とＳｉＯ２−Ｂ２Ｏ３−Ｒ２Ｏ（ＲはＮａまたはＫ）系ガラス材料とを混合したペースト状材料を塗布し、大気雰囲気下で焼成させて形成した磁性層、または、Ｆｅ−Ｓｉ−Ａｌ系の磁性体とＳｉＯ２−Ｂ２Ｏ３−Ｒ２Ｏ（ＲはＮａまたはＫ）系ガラス材料とを混合したペースト状材料を塗布し、大気雰囲気下で焼成させて形成した磁性層であることを特徴とする多層セラミック回路基板についても提供する。
【発明の効果】
【００１４】
本発明によれば、損失性材料として、Ｆｅ−Ｓｉ−Ｂ−Ｃｕ−Ｎｂ組成とする粒子形態の磁性体粉末を用い、この磁性体粉末を樹脂に分散させペースト状材料に加工してスクリーン印刷方法で磁性層を形成することで、ノイズ吸収体を回路部位の局所的な位置に、位置精度よく配置することができる。ノイズ吸収体は、導電層／磁性層の二層が担うことで達成される。８００（℃）から９００（℃）の熱処理工程を経ても複素透磁率の虚数部を劣化させないガラス材料としてＳｉＯ２−Ｂ２Ｏ３−Ｒ２Ｏ（ＲはＮａまたはＫ）系ガラスを選定し、適量添加したＦｅ−Ｓｉ−Ｂ−Ｃｕ−Ｎｂ組成とした粒子形態の磁性体を焼成することによって１（ＧＨｚ）より高い周波数帯域で大きな損失が得られる。
【図面の簡単な説明】
【００１５】
【図１】本発明の実施の形態１における多層セラミック回路基板Ｓ１の構成を概略的に示す部分平面図である。
【図２】図１の切断面線Ｉ−Ｉに沿う概略的な部分断面図である。
【図３】図１の切断面線ＩＩ−ＩＩに沿う概略的な部分断面図である。
【図４】本発明の実施の形態１における多層セラミック回路基板の製造方法の一工程を概略的に示す部分平面図である。
【図５】図４の切断面線ＩＩＩ−ＩＩＩに沿う概略的な部分断面図である。
【図６】本発明の実施の形態１における多層セラミック回路基板Ｓ１の製造方法のフローチャートである。
【図７】本発明の実施の形態１における多層セラミック回路基板Ｓ２を概略的に示す部分平面図である。
【図８】図７の切断面線Ｖ−Ｖに沿う概略的な部分断面図である。
【図９】図７の切断面線Ｖ’−Ｖ’に沿う概略的な部分断面図である。
【図１０】図７の切断面線ＩＶ−ＩＶに沿う概略的な部分断面図である。
【図１１】本発明の実施の形態１における多層セラミック回路基板Ｓ２の挿入損失周波数特性を示すグラフである。
【図１２】比較例の六方晶系フェライトを磁性層に適用した多層セラミック回路基板Ｓ２の挿入損失周波数特性を示すグラフである。
【図１３】比較例の六方晶系フェライトを磁性層に適用した多層セラミック回路基板Ｓ２の挿入損失周波数特性を示すグラフである。
【図１４】本発明の実施の形態１における多層セラミック回路基板Ｓ２（サンプル１）の挿入損失周波数特性を示すグラフである。
【図１５】本発明の実施の形態１における多層セラミック回路基板Ｓ２（サンプル３）の挿入損失周波数特性を示すグラフである。
【図１６】本発明の実施の形態１における多層セラミック回路基板Ｓ２（サンプル４）の挿入損失周波数特性を示すグラフである。
【図１７】本発明における磁性体の複素透磁率の周波数特性を示すグラフである。
【図１８】本発明の実施の形態１における多層セラミック回路基板Ｓ２に適用される磁性層の厚みと挿入損失の関係を示すグラフである。
【図１９】本発明の実施の形態１における多層セラミック回路基板Ｓ２の製造工程で最高熱処理温度を変化させた場合の挿入損失の周波数特性を示すグラフである。
【図２０】Ｆｅ−Ｓｉ−Ｂ−Ｃｕ−Ｎｂ組成の磁性体に対して、ＳｉＯ２−Ｂ２Ｏ３−Ｒ２Ｏ系ガラス材料の添加量をパラメータとして０重量％として場合の多層セラミック回路基板Ｓ２の挿入損失の周波数特性を示すグラフである。
【図２１】Ｆｅ−Ｓｉ−Ｂ−Ｃｕ−Ｎｂ組成の磁性体に対して、ＳｉＯ２−Ｂ２Ｏ３−Ｒ２Ｏ系ガラス材料の添加量をパラメータとして１０重量％として場合の多層セラミック回路基板Ｓ２の挿入損失の周波数特性を示すグラフである。
【図２２】Ｆｅ−Ｓｉ−Ｂ−Ｃｕ−Ｎｂ組成の磁性体に対して、ＳｉＯ２−Ｂ２Ｏ３−Ｒ２Ｏ系ガラス材料の添加量をパラメータとして２０重量％として場合の多層セラミック回路基板Ｓ２の挿入損失の周波数特性を示すグラフである。
【図２３】Ｆｅ−Ｓｉ−Ｂ−Ｃｕ−Ｎｂ組成の磁性体に対して、ＳｉＯ２−Ｂ２Ｏ３−Ｒ２Ｏ系ガラス材料の添加量をパラメータとして４０重量％として場合の多層セラミック回路基板Ｓ２の挿入損失の周波数特性を示すグラフである。
【図２４】多層セラミック回路基板Ｓ２の挿入損失とガラス添加量の関係を示すグラフである。
【図２５】本発明の実施の形態２における多層セラミック回路基板Ｓ３の構成を概略的に示す部分平面図である。
【図２６】本発明の実施の形態２における多層セラミック回路基板Ｓ３の構成を概略的に示す部分平面図と部分断面図である。
【図２７】本発明の実施の形態３における多層セラミック回路基板Ｓ３の構成を概略的に示す部分平面図と部分断面図である。
【図２８】本発明の実施の形態３における多層セラミック回路基板Ｓ３の構成を概略的に示す部分平面図と部分断面図である。
【図２９】本発明の実施の形態３における多層セラミック回路基板Ｓ３の構成を概略的に示す部分平面図と部分断面図である。
【図３０】本発明の実施の形態４による終端器を含む多層セラミック回路基板Ｓ４を示す部分平面図である。
【図３１】多層セラミック回路基板Ｓ４の図３０におけるＩＶ−ＩＶ断面図である。
【図３２】図３１のＬ１層表面に形成された磁性パタン図である。
【図３３】多層セラミック回路基板Ｓ４の図３０におけるＶ−Ｖ断面図である。
【図３４】多層セラミック回路基板Ｓ４の図３０におけるＶ’−Ｖ’断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１６】
（実施の形態１）
以下、本発明の一実施の形態を図面に基づいて説明する。
【００１７】
図１は、本発明の実施の形態１における多層セラミック回路基板Ｓ１の構成を概略的に示す部分平面図であり、図２は、図１の切断面線Ｉ−Ｉに沿う概略的な部分断面図であり、図３は、図１の切断面線ＩＩ−ＩＩに沿う概略的な部分断面図である。なお、図２、図３では、説明のため焼成前のセラミック積層体間の界面を点線で示している。
【００１８】
図１から図３に示すように、本発明の多層セラミック回路基板は、セラミックグリーンシートを焼成してなるセラミック回路基板の一部にペースト状導電材料を塗布し、焼成して形成された導電層と、導電層上に基板厚み方向に０．０５（ｍｍ）より厚くＦｅ−Ｓｉ−Ｂ−Ｃｕ−Ｎｂ組成の磁性体を含むペースト状材料を塗布し、焼成して形成された磁性層との積層構造体を少なくともその内部に有する。このような本発明の多層セラミック回路基板は、損失性能を満足する厚みのＦｅ−Ｓｉ−Ｂ−Ｃｕ−Ｎｂ組成の磁性体を用いた磁性層で導電層を覆う構造を備え、導電層からのノイズの吸収または導電層に対し外部から届くノイズを磁性層で吸収することができ、高いノイズ抑制効果を有する。また、このような本発明の多層セラミック回路基板は、１（ＧＨｚ）を超える周波数帯でも大きな損失量を実現でき、周波数の高い領域でのさらなる損失増加が実現できるため、ＧＨｚ帯でのノイズ吸収が確実に達成できる。
【００１９】
詳細には、図２、図３に示すように、多層セラミック回路基板Ｓ１は、複数のセラミック積層体が熱処理により結合されたセラミック基材１と積層構造体Ｍ１とを有する。セラミック基材１は、複数のセラミックグリーンシート（以下、セラミックグリーンシートをＧシートという）が積層・プレスされた後に焼成されることで形成されたものであり、図２、図３に示す例では、第１から第４のＧシートが焼成した部位からなる、第１の部分１ａ、第２の部分１ｂ、第３の部分１ｃ、第４の部分１ｄを含んでいる。なお、面１ｆは焼成前に第１のＧシートと第２のＧシートとが重ね合わされた面、面２ｆは焼成前に第２のＧシートと第３のＧシートとが重ね合わされた面、面３ｆは焼成前に第３のＧシートと第４のＧシートとが重ね合わされた面を示している。
【００２０】
積層構造体Ｍ１は、配線などの導電層３と、磁性層２ｔ（図２の中央部の導電層３より面１ｆ側の部位）と、第２のＧシートが焼成した部位を隔てた磁性層２ｂとを有する。積層構造体Ｍ１は、第１の面１ｆと第２の面２ｆに挟まれた部位に設けられており、導電層３は、第２の部分１ｂにおいて面１ｆに沿って延在し、積層構造体Ｍ１が形成される部位（図２においては中央部）では面１ｆから面２ｆ側に所定距離だけ離れた層に面１ｆに沿うように形成されている。すなわち、積層構造体Ｍ１が形成される部位では、図３に示すように、導電層３が磁性層２ｔに覆われるように配置されている。また図３に示す例では、第３の部分１ｃと第４の部分１ｄとの間に、接地導体としての導電層３ＧＮＤを備える。
【００２１】
幅寸法に（図３の紙面に関して横方向の寸法）について比較すると、導電層３の幅は、磁性層２ｂの幅および磁性層２ｔの幅より狭く、磁性層２ｔの幅は磁性層２ｂの幅より狭い。たとえば、磁性層２ｔの幅は磁性層２ｂの幅より５０（μｍ）から１００（μｍ）だけ狭くなっている。
【００２２】
導電層３の部材としてはＡｇ（銀）を含有し、たとえばＡｇまたはＡｇＰｄを主成分とする導電部材を用いれば良い。
【００２３】
磁性層２ｂ，２ｔの材料は、Ｆｅ−Ｓｉ−Ｂ−Ｃｕ−Ｎｂ組成の磁性体を含み、好ましくはＢｉ２Ｏ３−ＳｉＯ２−Ｒ２Ｏ系のガラス材料をさらに含有する。ここで、Ｒ２Ｏは、Ｎａ２ＯおよびＫ２Ｏを総称した表記である。磁性層２ｂ，２ｔの材料は、適用されるセラミックグリーンシート焼成体（ＬＴＣＣ：Low Temperature Co-fired Ceramics）や導電材料と共に焼成された場合にパタン幅の違いが大きくならないもの、即ち磁性層２ｂ，２ｔの周辺部の材料と熱収縮特性が揃っているものを用いるのが好ましいが、具体的には、Ｆｅ−Ｓｉ−Ｂ−Ｃｕ−Ｎｂ組成の磁性体に焼成助剤として適量のＢｉ２Ｏ３−ＳｉＯ２−Ｒ２Ｏ系のガラス材料を加えて用いればよい。
【００２４】
ここで、本発明における磁性層は、Ｆｅ−Ｓｉ−Ｂ−Ｃｕ−Ｎｂ組成の磁性体とＳｉＯ２−Ｂ２Ｏ３−Ｒ２Ｏ系ガラス材料とを８０：２０から９０：１０の重量比率で混合したペースト状材料を印刷して形成されたパタンであり、大気雰囲気中で最高熱処理温度が８００（℃）から９００（℃）の熱処理により焼成されたものであることが好ましい。このようにＦｅ−Ｓｉ−Ｂ−Ｃｕ−Ｎｂ組成の磁性体の磁気特性を劣化させないガラス材料を選定し、ガラス添加量を適正化することで、１（ＧＨｚ）を超える周波数帯でも大きな損失量を実現することができる。また磁性層自体の焼成性を高めることができ、基板と材料間の熱収縮特性のズレで発生する回路部の変形を抑制することができる。さらには周波数の高い領域でのさらなる損失増加が実現できることで、ＧＨｚ帯でのノイズ吸収が確実に達成できる。
【００２５】
ここでは、磁性層２ｔを導電層３の上面に形成した例を示しているが、これは特に限定するものではなく、磁性層を導電層３の下面のみ、側面のみ、およびこれらを組み合わせた部位など、導電層３からのノイズの吸収または導電層３に対する外部からのノイズを吸収するために必要な部位に設けるようにすればよい。
【００２６】
次に図４から図６を用いて、多層セラミック回路基板Ｓ１の製造方法について説明する。図４は、本発明の実施の形態１における多層セラミック回路基板の製造方法の一工程を概略的に示す部分平面図であり、図５は、図４の切断面線ＩＩＩ−ＩＩＩに沿う概略的な部分断面図である。また図６は、本発明の実施の形態１における多層セラミック回路基板Ｓ１の製造方法のフローチャートである。
【００２７】
図６に示すように、ステップＳ１１にて、主面１ｋを有するＧシート１ｇが形成され、Ｇシート１ｇにおける必要な箇所（図示せず）に孔加工がなされる。その後、ステップＳ１２にて、上記の孔加工がなされた場所に導電材料が充填される。すなわちＶＩＡ（ビア）充填が行われる。
【００２８】
次に、ステップＳ２１にて、後に導電層３となる導電ペースト層３ｐの印刷が行われる。具体的には、Ｇシート１ｇの主面１ｋの一部の上に導電ペースト層３ｐがスクリーン印刷される。導電ペースト層３ｐの印刷に用いられるペースト状導電材料は、たとえばＡｇ（銀）ペーストを用いればよい。導電ペースト層３ｐのパタンは、たとえば、直線状のパタンであり、幅０．１５〜０．２４（ｍｍ）、長さ１５〜３０（ｍｍ）、厚み０．０１８〜０．０２９（ｍｍ）を有する。
【００２９】
後に磁性層２ｔとなる磁性ペースト層２ｔｐが、導電ペースト層３ｐを覆うように形成される。磁性ペースト層２ｔｐは、上述のようにＦｅ−Ｓｉ−Ｂ−Ｃｕ−Ｎｂ組成の磁性体を含むペースト状材料を、たとえばスクリーン印刷法で塗布して形成される。磁性ペースト層２ｔｐのパタン寸法は、印刷乾燥後で、たとえば、幅０．４〜０．６（ｍｍ）、長さ５〜２５（ｍｍ）、厚み０．０１２〜０．０５２（ｍｍ）である。後述するように、測定周波数１０ＧＨｚで挿入損失（Ｓ２１）が１０（ｄＢ）より大きい条件を満足できる磁性層の厚みは０．０５（ｍｍ）以上であり、本発明における磁性層２ｔの厚みは基板厚み方向に０．０５（ｍｍ）より厚く形成される（図１８を併せて参照）。
【００３０】
磁性ペースト層２ｔｐの印刷に用いられる磁性ペーストとしては、上述のように、Ｆｅ−Ｓｉ−Ｂ−Ｃｕ−Ｎｂ組成の磁性体とＳｉＯ２−Ｂ２Ｏ３−Ｒ２Ｏ系ガラス材料とを８０：２０から９０：１０の重量比率で混合してペースト状にした材料を用いることが好ましい。上述のように、Ｒ２Ｏは、Ｎａ２ＯおよびＫ２Ｏを総称した表記である。
【００３１】
後に磁性層２ｂとなる磁性ペースト層２ｂｐは、磁性層２ｔｐの形成に使ったものと同じ材料が用いられる。
【００３２】
なお、Ｆｅ−Ｓｉ−Ｂ−Ｃｕ−Ｎｂ組成の磁性体の形状は、特に制限されるものではないが、水アトマイズ法と称される溶融した金属の溶融流に対し、高圧水を吹付けて金属粉末を作る工法で製造される球状もしくは楕円形状が好適である。このように球状もしくは楕円形状の磁性体を用いることで、粒子サイズに左右されない開口の印刷マスクを使うことで、パタン切れなどの欠陥の無い良好な印刷パタン形状と回路内で高位置精度の配置を可能とするという利点がある。また、磁性体の平均粒子サイズは、特に制限されないが、数μｍから数十μｍ（好適には、５〜２５μｍ）の範囲内であることが好ましい。このような平均粒子サイズの磁性体を用いることで、磁性体の間隙に上述のガラス材料が行きわたり、焼成後の熱収縮の際に、磁性層とセラミック基材との間、ならびに、磁性層と導電層との間の形状歪みが緩和され、平坦性の高い（反りが小さい）多層セラミック回路基板が形成できる。
【００３３】
一方、ステップＳ３１にて、他のＧシート（図示せず）が形成され、このＧシートにおける必要な箇所に孔加工がなされる。ステップＳ３２にて上記の孔加工がなされた場所に導電材料が充填される。すなわちＶＩＡ（ビア）充填が行われる。ステップＳ４０にて、このＧシートに導体、抵抗体、コンデンサ、ガラス層、磁性層などからなる他の層の素子が形成される。
【００３４】
次に、ステップＳ５１にて、上記ステップＳ３１からＳ４０で形成された他のＧシートと、上記ステップＳ１１からＳ２２で形成されたＧシートとが、アライメントされた上で重ね合わされ、さらに積層・プレスされる（ステップＳ２１、Ｓ２２、Ｓ５１を多層構造体形成に関するステップＳ２０とする）。これにより複数のＧシートの積層体が得られる。ステップＳ５２にてこの積層体が所望の形状に切断され、ステップＳ５３にて切断された積層体が熱処理（焼成）される。
【００３５】
焼成は大気雰囲気中で行われ、焼成温度は、Ｇシート材および導電材料の要請から、最高熱処理温度が８００（℃）から９００（℃）であることが好ましい。このような工程を経て、図１〜図３に示したような多層セラミック回路基板Ｓ１が得られる。
【００３６】
このように、スクリーン印刷法および焼成を経て磁性層を形成することで、鍍金法で形成されるような写真製版・エッチング工程を含まず、工程数を少なくすることができ、優れた歩留まりで本発明の多層セラミック回路基板を好適に製造することができる。また、焼成前に、導電層となる導電ペースト層と、磁性層となる磁性ペースト層との積層構造を、セラミックグリーンシート上に印刷乾燥を経て形成することで、多層セラミック回路基板の内部の所望の局所的な位置に、導電層と磁性層との積層構造体を好適に形成することができる。
【００３７】
次に図７から図１０は、１（ＧＨｚ）を超える周波数でノイズ吸収性を評価するにあたり作製したＴＥＧ（Test Element Group）基板の模式図である。すなわち、図７は、本発明の実施の形態１における多層セラミック回路基板Ｓ２を概略的に示す部分平面図であり、図８は、図７の切断面線Ｖ−Ｖに沿う概略的な部分断面図であり、図９は、図７の切断面線Ｖ’−Ｖ’に沿う概略的な部分断面図であり、図１０は、図７の切断面線ＩＶ−ＩＶに沿う概略的な部分断面図である。図７〜図１０に示す例の多層セラミック回路基板Ｓ２は、導線層の形状（図３の例と同様に磁性層２ｔに覆われるように配置された部分３ａに加え、当該部分３ａに連通し、第１の部分１ａ側に延在して露出した２つの部分３ｂと、当該２つの部分３ｂに挟まれて露出し、かつ、部分３ａには連通していない部分３ｃをさらに備える）および磁性層２ｂを備えないこと以外は、図１〜図３に示した例の多層セラミック回路基板Ｓ１と同様であり、同様の構成を有する部分には同一の参照符を付して説明を省略する。図７〜図１０に示す例の多層セラミック回路基板Ｓ２は、導電層３と磁性層２ｔとで積層構造体Ｍ２が構成される。
【００３８】
ここで、図１１は、本発明の実施の形態１における多層セラミック回路基板Ｓ２の挿入損失周波数特性を示すグラフである。図１１の縦軸は、磁性体として８０重量％のＦｅ−Ｓｉ−Ｂ−Ｃｕ−Ｎｂ組成の磁性体に２０重量％のＢｉ２Ｏ３−ＳｉＯ２−Ｒ２Ｏ系のガラス材料を混合させたペースト状材料を用いて磁性層を形成した場合（本発明における磁性層）の挿入損失（Ｓ２１）（ｄＢ）であり、横軸は周波数（ＧＨｚ）である。
【００３９】
また、比較サンプルとしては、磁性体として六方晶系のフェライト材料を用いて磁性層を作成し、磁性層の厚みが厚い場合（フェライト系材料１）、磁性層の厚みが厚い場合（フェライト系材料２）の２水準に分けて多層セラミック回路基板を作製し、上述の本発明における磁性層を備える多層セラミック回路基板と共に、磁性体の種類別にネットワークアナライザ（ＡｇｉｌｅｎｔＴｅｃｈｎｏｌｏｇｉｅｓ製Ｅ８３６４Ａ）を使って挿入損失（Ｓ２１）の周波数特性を測定した。図１２、１３は、フェライト系材料１、２の場合についての挿入損失周波数特性の測定結果をそれぞれ示すグラフであり、縦軸は挿入損失（Ｓ２１）（ｄＢ）であり、横軸は周波数（ＧＨｚ）である。
【００４０】
図１１から図１３より分かるように、挿入損失（Ｓ２１）の周波数特性は、Ｆｅ−Ｓｉ−Ｂ−Ｃｕ−Ｎｂ組成の磁性体とＢｉ２Ｏ３−ＳｉＯ２−Ｒ２Ｏ系のガラス材料とを混合させたペースト状材料を用いて形成した磁性層を含む多層セラミック回路基板の方が、フェライト系材料１、２の場合の多層セラミック回路基板よりも挿入損失量は大きい。すなわち、本発明の多層セラミック回路基板は、１（ＧＨｚ）超の周波数帯において挿入損失周波数特性の優位性が認められた。
【００４１】
次に、Ｆｅ−Ｓｉ−Ｂ−Ｃｕ−Ｎｂ組成の磁性体を用いた多層セラミック回路基板Ｓ２と比較サンプルとしてフェライト系材料１、２の場合の多層セラミック回路基板（磁性層の厚みを変えたもの）との挿入損失を検証した結果を説明する。
【００４２】
表１は磁性層の厚みを、表２は測定周波数５（ＧＨｚ）、１０（ＧＨｚ）、１５（ＧＨｚ）のそれぞれの場合での挿入損失（Ｓ２１）を示す表である。ここで、磁性層の厚みは作製した基板の断面を切り出し電子走査型顕微鏡（ＳＥＭ）で断面を観察することによって求めた値である。
【００４３】
【表１】
2015191938.tif 000003
【００４４】
【表２】
2015191938.tif 000004
【００４５】
表１、表２から分かるように、六方晶系フェライトを用いた２つの場合のうち、吸収性能（挿入損失）が向上する磁性層の厚みが厚い場合（フェライト系材料２）と比較しても、磁性層の厚みが薄い本発明における磁性層を備える多層セラミック回路基板で挿入損失はさらに大きく吸収性能は優れていた。
【００４６】
次にＦｅ−Ｓｉ−Ｂ−Ｃｕ−Ｎｂ組成の磁性体に対してガラス粉末を添加してペースト状材料を作製し、磁性層を形成するにあたり、ガラス粉末組成の選定について検証した結果を説明する。
【００４７】
磁性材料への添加材料としたガラスの組成系は、表３に示すとおりである。ここでＲＯはＭｇＯ、ＣａＯ、ＢａＯ、ＳｒＯを示し、Ｒ２ＯはＮａ２Ｏ、Ｋ２Ｏ、Ｌｉ２Ｏを総称する表記である。磁性体に対して２０重量％の各組成のガラス材料を添加し、サンプル１〜５のペースト状材料を作製した。表３はガラス粉末の熱特性を示す表である。
【００４８】
【表３】
2015191938.tif 000005
【００４９】
サンプル２、５を適用した場合のＴＥＧ基板は、焼成後の基板反りが大きく、挿入損失特性を評価出来ないため除外した。特性評価が出来たサンプルは、サンプル１、３、４であり、これらを適用したＴＥＧ基板に対してネットワークアナライザ（ＡｇｉｌｅｎｔＴｅｃｈｎｏｌｏｇｉｅｓ製Ｅ８３６４Ａ）によってＳパラメータを測定した。
【００５０】
図１４、図１５、図１６は、Ｓパラメータのうち挿入損失（Ｓ２１）の周波数特性の結果を示すグラフであり、図１４はサンプル１の組成のガラス材料を適用した場合、図１５はサンプル３の組成のガラス材料を適用した場合、図１６はサンプル４の組成のガラス材料を適用した場合の測定結果を示している。なお、図１４〜図１６のいずれも、縦軸は挿入損失（Ｓ２１）（ｄＢ）であり、横軸は周波数（ＧＨｚ）である。
【００５１】
挿入損失の周波数特性は、添加するガラス組成により損失の大小、並びに周波数依存性は異なっている。すなわち、ＳｉＯ２成分を含まないガラス組成で損失量が減少している。添加するガラス組成としてはＳｉＯ２を含むことが好適である。
【００５２】
表３に示した各ガラス組成を適用したペースト状材料を用いてそれぞれ形成したＴＥＧ基板（サンプル１、３、４）に対して、測定周波数５（ＧＨｚ）、１０（ＧＨｚ）、１５（ＧＨｚ）のそれぞれの場合の挿入損失（Ｓ２１）の測定結果を表４に示す。挿入損失の周波数特性においても、周波数が高くなるに伴い損失量は増加することから測定周波数４０（ＧＨｚ）まで損失拡大は可能である。
【００５３】
【表４】
2015191938.tif 000006
【００５４】
また、各ガラス組成を適用したペースト状材料を用いてそれぞれ形成したＴＥＧ基板（サンプル１、３、４）、ならびに、ガラス材料を添加しなかった場合のＴＥＧ基板（無添加）における積層構造体Ｍ２での反りを比較した結果を表５に示す。積層構造体Ｍ２での反りは非接触式のレーザ変位計で多層セラミック回路基板Ｓ２のうち、積層構造体Ｍ２を中心に縦（線ＩＶ−ＩＶに沿う）方向に±１７．５（ｍｍ）、横（線Ｖ−Ｖに沿う）方向に±７．５（ｍｍ）の表面の高さを走査することにより求めた。なお多層セラミック回路基板Ｓ２の厚みは０．２（ｍｍ）である。表５中の反りは、その高さデータの最大と最小の差で定義して求めた。ガラス材料を２０重量％添加することにより、焼成性が向上し、積層構造体Ｍ２部では反りが小さくなっていることを確かめた。今回評価した多層セラミック回路基板Ｓ２は厚みが０．２（ｍｍ）と極薄であり、実際の多層セラミック回路基板としては層数増による基板厚みが追加され、積層構造体Ｍ２での反りは、現実的には０．０３（ｍｍ）から０．０５（ｍｍ）未満と実用水準まで平坦化される。
【００５５】
【表５】
2015191938.tif 000007
【００５６】
ノイズ吸収性能は、一般的に磁性体の複素透磁率の虚数部μ’’に比例することが知られている。図１７は、本発明における磁性体のμ’’を測定した結果を示すグラフであり、縦軸は透磁率（μｒ、μｒ’、μｒ’’）、横軸は周波数（ＭＨｚ）である。繰り返しになるが、本発明における磁性体を含むペースト状材料には、Ｆｅ−Ｓｉ−Ｂ−Ｃｕ−Ｎｂ組成の磁性体８０〜９０重量％に対して、ＳｉＯ２−Ｂ２Ｏ３−Ｒ２Ｏ（ＲはＮａまたはＫ）系ガラス材料を１０〜２０重量％添加して、最高温度が８００（℃）から９００（℃）で熱処理することで焼成させたサンプルを準備した。
【００５７】
作製した多層セラミック回路基板（ＴＥＧ基板）Ｓ２に対して測定周波数１０ＧＨｚで挿入損失（Ｓ２１）が１０（ｄＢ）より大きい挿入損失を実現した磁性体の複素透磁率の虚数部μ’’は測定周波数１０ＧＨｚにおいて略０．５であることが判明した。すなわち、測定周波数１０（ＧＨｚ）で挿入損失（Ｓ２１）が１０（ｄＢ）より大きくなる磁性体の物性として、磁性体の複素透磁率の虚数部μ’’は、少なくとも０．５より大きい材料でなければならないと結論付けられる。
【００５８】
図１８は、本発明の実施の形態１における多層セラミック回路基板Ｓ２に適用される磁性層の厚みと挿入損失の関係を示すグラフである。図１８には、測定周波数１０ＧＨｚ時における横軸に焼成後の磁性層の厚み（μｍ）、縦軸に挿入損失（Ｓ２１）（ｄＢ）の関係を示している。測定周波数１０（ＧＨｚ）で挿入損失（Ｓ２１）が１０（ｄＢ）より大きい条件を満足できる磁性層の厚みは略５０（μｍ）以上であることが確認された。また、このときのＴＥＧ基板の反りは、基板厚み０．７（ｍｍ）から０．８（ｍｍ）に対して０．０３（ｍｍ）から０．０５（ｍｍ）であり平坦な基板を製造できている。
【００５９】
本発明の実施の形態１における多層セラミック回路基板Ｓ２の製造工程で最高熱処理温度を変化させた場合の挿入損失の周波数特性を示すグラフである。ここで、Ｆｅ−Ｓｉ−Ｂ−Ｃｕ−Ｎｂ系の磁性体は、鉄成分を主成分として８０〜９０重量％程度含有し、１５００（℃）を超える温度でなければ溶融しない材料である。熱処理工程では、大気雰囲気中で熱処理されるため、磁性体の酸化による特性劣化が懸念される。そこで熱処理温度を８００（℃）、８５０（℃）、９００（℃）と変化させて磁性体の損失性能、具体的には挿入損失（Ｓ２１）を評価した。図１９はその結果を示しており、縦軸は挿入損失（Ｓ２１）（ｄＢ）、横軸は周波数（ＧＨｚ）である。
【００６０】
図１９に示すとおり、この温度範囲で明確な磁性体の特性劣化は認められない。熱処理温度が９００（℃）の場合においても、測定周波数１０（ＧＨｚ）を超える周波数域で挿入損失は増加しており、良好な特性を維持できている。すなわち、大気雰囲気中で８００（℃）から９００（℃）の範囲内の熱処理工程を経て形成された磁性層と導電層との積層構造がノイズ吸収素子として機能することを確認した。
【００６１】
このように、Ｆｅ−Ｓｉ−Ｂ−Ｃｕ−Ｎｂ組成の磁性体に対してＳｉＯ２−Ｂ２Ｏ３−Ｒ２Ｏ（ＲはＮａまたはＫ）系ガラス材料を適量添加してペースト状材料を作製し積層構造体に適用しているので、磁性体の焼成性を向上させ、磁性体の特性を大気雰囲気中で熱処理することで積層構造体を形成してもノイズ吸収特性の劣化が少なく、１（ＧＨｚ）を超える周波数域で大きな損失特性を得ることができる。
【００６２】
また、図２０〜２３は、Ｆｅ−Ｓｉ−Ｂ−Ｃｕ−Ｎｂ組成の磁性体に対して、ＳｉＯ２−Ｂ２Ｏ３−Ｒ２Ｏ（ＲはＮａまたはＫ）系ガラス材料の添加量をパラメータとして０重量％（図２０）、１０重量％（図２１）、２０重量％（図２２）、４０重量％（図２３）と変化させた場合の実施の形態１の多層セラミック回路基板（ＴＥＧ基板）Ｓ２の挿入損失の周波数特性を示すグラフである。図２０〜２３において、縦軸が挿入損失（Ｓ２１）（ｄＢ）、横軸が測定周波数（ＧＨｚ）である。また図２０〜２３において、Ｌ寸法は、磁性体の長さ（ｍｍ）をそれぞれ示している。図２０〜２３から、磁性体の長さが長くなるに伴い挿入損失Ｓ２１は増加しているが、その増加率は添加量が多くなると磁性体の長さの依存性が弱まっていることが分かる。
【００６３】
また図２４には、多層セラミック回路基板Ｓ２の挿入損失とガラス添加量の関係を示すグラフであり、縦軸は挿入損失（Ｓ２１）（ｄＢ）、横軸がガラス添加量（重量％）である。図２４では、パラメータとして測定周波数が８（ＧＨｚ）、１０（ＧＨｚ）、１２（ＧＨｚ）の場合をそれぞれ示している。このような図２４に示す結果に対し、基板の平坦性は、ガラス添加量に対して逆の相関を示し、ガラス添加量が少ないほど平坦性は劣化していた。基板の平坦性と大きな挿入損失とを両立させる観点からも、ガラス材料の添加量は、磁性体に対し１０重量％から２０重量％の範囲が好ましいことが分かる。
【００６４】
（実施の形態２）
本発明は、セラミックグリーンシートを焼成してなる多層セラミック回路基板の一部にＦｅ−Ｓｉ−Ｂ−Ｃｕ−Ｎｂ組成の磁性体を含むペースト状材料を塗布し、焼成して形成された磁性層、前記磁性層とは別の層にペースト状導電材料を塗布し、焼成して形成された導電層、さらに、前記磁性層および前記導電層とは別の層にＦｅ−Ｓｉ−Ｂ−Ｃｕ−Ｎｂ組成の磁性体を含むペースト状材料を塗布し、焼成して形成された磁性層を形成し、これらの層を順に積層およびプレスして焼成させた積層構造体を少なくとも多層セラミック回路基板の１層に有する多層セラミック回路基板についても提供する。このような本発明の多層セラミック回路基板によれば、磁性層の下地面を導電層のない平坦な面とすることができるため、磁性層のパタンの印刷形状が安定し、ノイズ抑制能のバラツキを抑えることができる。このように磁性層が分散配置されることで、異なるノイズ抑制能の磁性体を適正な位置に別に分けて配置することが可能となる。
【００６５】
このような本発明の多層セラミック回路基板を、実施の形態２として、図２５、図２６を使って説明する。図２５は、本発明の実施の形態２における多層セラミック回路基板Ｓ３の構成を概略的に示す部分平面図であり、図２６は、本発明の実施の形態２における多層セラミック回路基板Ｓ３の構成を概略的に示す部分平面図と部分断面図である。図２６には、ＴＥＧ基板Ｓ３の１ｆ面上に形成された磁性層２１、セラミック基材１の第２の部分１ｂに形成された導電層３、セラミック基材１の第３の部分１ｃに形成された磁性層２２が示されている。ここで、図２６（ａ）は、図２５に示す多層セラミック回路基板（ＴＥＧ基板）Ｓ３の切断面線ＩＶ−ＩＶに沿う断面、図２６（ｂ）は、図２６（ａ）の紙面に関して縦方向における磁性層２１の位置での部分断面、図２６（ｃ）は、ＴＥＧ基板Ｓ３の切断面線Ｖ―Ｖに沿う断面、図２６（ｄ）は、図２６（ａ）の紙面に関して縦方向における導電層３の位置における部分断面、図２６（ｅ）は、図２６（ａ）の紙面に関して縦方向における磁性層２２の位置における部分断面を示している。なお、図２５、２６において、図１〜図３に示した例の多層セラミック回路基板Ｓ１、図７〜図１０に示した例の多層セラミック回路基板Ｓ２と同様の構成を有する部分には同一の参照符を付して説明を省略する。
【００６６】
図２５、２６に示す実施の形態２の多層セラミック回路基板は、実施の形態１の多層セラミック回路基板との相違点として、基板厚み方向に関して、信号線（導電層）と直接磁性層が接触しない配置を特徴としている（図２６を参照）。このような構造でも、本発明における磁性体を適用することで、同様な吸収性能を奏する多層セラミック回路基板を提供することができる。加えて、信号線に対して、対称な位置に磁性層を配置することで多層セラミック回路基板の平坦性も向上する。さらに、上述のように磁性層の下地は平坦なセラミック基材面（焼成前はＧシート面）となるため実施の形態１に比べて磁性層のパタンは、形状の安定したパタン形成が可能となり磁性層厚みバラツキが抑えられ、均一化することで吸収性能は安定化する効果がある。
【００６７】
このような実施の形態２でも、実施の形態１と同様に、磁性層は、Ｆｅ−Ｓｉ−Ｂ−Ｃｕ−Ｎｂ組成の磁性体とＳｉＯ２−Ｂ２Ｏ３−Ｒ２Ｏ（ＲはＮａまたはＫ）系ガラス材料とを８０：２０から９０：１０の重量比率で混合したペースト状材料を印刷して形成されたパタンであり、大気雰囲気中で最高熱処理温度が８００（℃）から９００（℃）の熱処理により焼成されたものであることが好ましい。このようにＦｅ−Ｓｉ−Ｂ−Ｃｕ−Ｎｂ組成の磁性体の磁気特性を劣化させないガラス材料を選定し、ガラス添加量を適正化することで、１（ＧＨｚ）を超える周波数帯でも大きな損失量を実現することができる。また磁性層自体の焼成性を高めることができ、基板と材料間の熱収縮特性のズレで発生する回路部の変形を抑制することができる。さらには周波数の高い領域でのさらなる損失増加が実現できることで、ＧＨｚ帯でのノイズ吸収が確実に達成できる。
【００６８】
（実施の形態３）
本発明はまた、セラミックグリーンシートを焼成してなる多層セラミック回路基板の一部に設けられた層間導電層の周囲を囲む形で配置されたＦｅ−Ｓｉ−Ｂ−Ｃｕ−Ｎｂ組成の磁性体を含むペースト状材料を塗布し、焼成して形成される磁性層を少なくとも回路基板の一部に有することを特徴とする多層セラミック回路基板についても提供する。このような本発明の多層セラミック回路基板によれば、ノイズ吸収体となる磁性層を基板厚み方向に配置させることで、回路設計尤度の向上が図れる。すなわち、小型の基板とする場合、基板表面の面積が小さくなりパタンレイアウトの制約が伴い所望の損失性能を得ることがさらに難しくなるが、このような配置にすることで基板厚み方向に信号線路長を確保し損失を線路長さ方向で稼ぐことが可能となり、設計上の制約を緩和できる効果を得ることができる。また、このような本発明の多層セラミック回路基板も、１ＧＨｚを超える周波数帯でも大きな損失量を実現でき、周波数の高い領域でのさらなる損失増加が実現できるため、ＧＨｚ帯でのノイズ吸収が確実に達成できる。またこのような多層セラミック回路基板において、球状の磁性体を用いることが好ましく、これにより粒子サイズに左右されない開口の印刷マスクを使うことができ、パタン切れなどの欠陥の無い良好な印刷パタン形状と回路内で高い位置精度の配置を可能とすることができる。
【００６９】
図２７は、本発明の実施の形態３における多層セラミック回路基板Ｓ３の構成を概略的に示す断面図であり、図２８は、本発明の実施の形態３における多層セラミック回路基板Ｓ３の構成を概略的に示す断面図であり、図２９は、本発明の実施の形態３における多層セラミック回路基板Ｓ３の構成を概略的に示す断面図である。実施の形態３では、このような多層セラミック回路基板Ｓ３の好適な一例を図２７、好適な他の例を図２８、好適なさらに他の例を図２９に示して説明する。上述した実施の形態１、２では、ノイズ吸収体である磁性層を平面的に（基板厚み方向に対し垂直な方向に延在して）配置させることで、ノイズを抑制する事例を示したが、実施の形態３での図２７、２８、２９にそれぞれ示す例のように、基板厚み方向に関して複数の層が形成されるようにしてもよい。
【００７０】
図２７に示す例では、基板厚み方向に延在して複数の層にわたって形成された導電層（層間導電層）３０と、導電層３０に連通し、面１ｆに沿って、幅方向の一端から幅方向中央付近にまで延在する導電層３１と、導電層３０に連通し、面４ｆに沿って、幅方向の他端から幅方向中央付近にまで延在する導電層３２とが形成される。図２７に示す例では、このような導電層３０，３１，３２に対し、導電層３１，３２上に部分的に積層された磁性層２１，２４がそれぞれ配置され（図２７（ｂ）、（ｄ））、導電層３０の周囲を囲む形で磁性層２２，２３がそれぞれ配置されている（図２７（ｃ））。ここで、図２７（ｂ）は、図２７（ａ）の切断面線２７Ｂ−２７Ｂにおける断面、図２７（ｃ）は、図２７（ａ）の基板厚み方向における磁性体２２または磁性体２３の位置での切断面、図２７（ｄ）は、図２７（ａ）の切断面線２７Ｄ−２７Ｄにおける断面をそれぞれ示している。
【００７１】
また図２８に示す例では、図２７に示した例と同様の導電層３０，３１，３２に対し、導電層３１，３２上に部分的に積層された磁性層２１，２４がそれぞれ配置され（図２８（ｂ）、（ｅ））、面１ｆと面２ｆの間で、厚み方向に延在した円柱状の磁性層２２’と、磁性層２２’とは導電層３０を挟んで反対側に（すなわち、磁性層２２’と磁性層２３’とで導電層３０を囲むようにして（図２８（ｃ））、面２ｆと面３ｆの間で、厚み方向に延在した円柱状の磁性層２３’とを備える。ここで、図２８（ｂ）は、図２８（ａ）の面１ｆに沿った断面、図２８（ｃ）は、図２８（ａ）の面２ｆに沿った断面、図２８（ｄ）は、図２８（ａ）の面３ｆに沿った断面、図２８（ｅ）は、図２８（ａ）の面４ｆに沿った断面をそれぞれ示している。
【００７２】
また図２９に示す例では、図２７に示した例と同様の導電層３０，３１，３２に対し、導電層３１，３２上に部分的に積層された磁性層２１，２４がそれぞれ配置され（図２９（ｂ）、（ｅ））、面１ｆと面２ｆの間で、厚み方向に延在した直方体状の磁性層２２’’と、磁性層２２’’とは導電層３０を挟んで反対側に（すなわち、磁性層２２’’と磁性層２３’’とで導電層３０を囲むようにして（図２９（ｃ））、面２ｆと面３ｆの間で、厚み方向に延在した直方体状の磁性層２３’’とを備える。ここで、図２９（ｂ）は、図２９（ａ）の面１ｆに沿った断面、図２９（ｃ）は、図２９（ａ）の面２ｆに沿った断面、図２９（ｄ）は、図２９（ａ）の面３ｆに沿った断面、図２９（ｅ）は、図２９（ａ）の面４ｆに沿った断面をそれぞれ示している。
【００７３】
このような実施の形態３でも、実施の形態１、２と同様に、磁性層は、Ｆｅ−Ｓｉ−Ｂ−Ｃｕ−Ｎｂ組成の磁性体とＳｉＯ２−Ｂ２Ｏ３−Ｒ２Ｏ（ＲはＮａまたはＫ）系ガラス材料とを８０：２０から９０：１０の重量比率で混合したペースト状材料を印刷して形成されたパタンであり、大気雰囲気中で最高熱処理温度が８００（℃）から９００（℃）の熱処理により焼成されたものであることが好ましい。このようにＦｅ−Ｓｉ−Ｂ−Ｃｕ−Ｎｂ組成の磁性体の磁気特性を劣化させないガラス材料を選定し、ガラス添加量を適正化することで、１（ＧＨｚ）を超える周波数帯でも大きな損失量を実現することができる。また磁性層自体の焼成性を高めることができ、基板と材料間の熱収縮特性のズレで発生する回路部の変形を抑制することができる。さらには周波数の高い領域でのさらなる損失増加が実現できることで、ＧＨｚ帯でのノイズ吸収が確実に達成できる。
【００７４】
（実施の形態４）
本発明はさらに、一端を信号導体線入力側、他端を信号導体線終端側とし、多層セラミック回路基板の内層または表層に配置された信号線導体と、前記多層セラミック回路基板の内層または表層に設けられた接地導体と、前記多層セラミック回路基板の内層または表層に設けられた損失性材料とで構成された伝送線路を用いた終端器であって、前記損失性材料は、Ｆｅ−Ｓｉ−Ｂ−Ｃｕ−Ｎｂ組成の磁性体とＳｉＯ２−Ｂ２Ｏ３−Ｒ２Ｏ（ＲはＮａまたはＫ）系ガラス材料とを混合したペースト状材料を塗布し、大気雰囲気下で焼成させて形成した磁性層、または、Ｆｅ−Ｓｉ−Ａｌ系の磁性体とＳｉＯ２−Ｂ２Ｏ３−Ｒ２Ｏ（ＲはＮａまたはＫ）系ガラス材料とを混合したペースト状材料を塗布し、大気雰囲気下で焼成させて形成した磁性層であることを特徴とする多層セラミック回路基板についても提供する。このような本発明の多層セラミック回路基板によれば、Ｆｅ−Ｓｉ−Ｂ−Ｃｕ−Ｎｂ組成の磁性体およびＦｅ−Ｓｉ−Ａｌ系の磁性体の磁気特性を劣化させないＳｉＯ２−Ｂ２Ｏ３−Ｒ２Ｏ（ＲはＮａまたはＫ）系ガラス材料を選定したので、１ＧＨｚを超える周波数帯でも良好な終端性能を実現することができる。また磁性層自体の焼成性を高めることで基板と材料間の熱収縮特性のズレで発生する回路部の変形を抑制できるという利点もある。
【００７５】
ここで、図３０は、本発明の実施の形態４による終端器を含む多層セラミック回路基板Ｓ４の構成の概略を示す部分平面図である。図３１は、多層セラミック回路基板Ｓ４の図３０におけるＩＶ−ＩＶ断面図、図３２は図３１のＬ１層表面に形成された磁性パタン図、図３３は、多層セラミック回路基板Ｓ４の図３０におけるＶ−Ｖ断面図、図３４は多層セラミック回路基板Ｓ４の図３０におけるＶ’−Ｖ’断面図である。
【００７６】
図３１に示すように、本実施の形態４の終端器構造は、多層セラミック回路基板の表面および裏面に、接地導体３ＧＮＤが配置され、多層セラミック回路基板の内層のＬ１層に、信号線導体３が配置されるストリップ線路構造である。
【００７７】
また、多層セラミック回路基板の内部のＬ１層（焼成後では明確な境界は存在せず）には、損失性材料を含む磁性層２１が、信号線導体３上に配置される。
【００７８】
図３１の左側から信号が入力され、Ｌ１層およびＬ２層に配置された磁性層２１により、信号エネルギーを吸収し、入力側に反射する量を小さく抑えることができる終端器として機能する。
【００７９】
磁性層２１は、Ｆｅ−Ｓｉ−Ｂ−Ｃｕ−Ｎｂ組成の磁性体とＳｉＯ２−Ｂ２Ｏ３−Ｒ２Ｏ（ＲはＮａまたはＫ）系ガラス材料とからなるペースト状材料を塗布（たとえばスクリーン印刷）し、大気雰囲気で焼成させた磁性層、または、Ｆｅ−Ｓｉ−Ａｌ系の磁性体とＳｉＯ２−Ｂ２Ｏ３−Ｒ２Ｏ（ＲはＮａまたはＫ）系ガラス材料とからとからなるペースト状材料を塗布（たとえばスクリーン印刷）し、大気雰囲気で焼成させた磁性層で実現される。
【００８０】
詳細には、本発明の磁性ペースト状材料は、Ｆｅ−Ｓｉ−Ｂ−Ｃｕ−Ｎｂ組成の磁性体、または、Ｆｅ−Ｓｉ−Ａｌ系の磁性体を８０重量％から９０重量％にＳｉＯ２−Ｂ２Ｏ３−Ｒ２Ｏ（ＲはＮａまたはＫ）系ガラス粉末を１０重量％から２０重量％の割合で配合して樹脂に分散させてペースト状材料とする。焼成後に信号線導体３となる導電層３ｂ（図示せず）の終端を覆うように磁性ペースト層をスクリーン印刷により形成する。その後、所定のパタンが形成されたＧシートを積層・プレスし、大気雰囲気中で最高温度８００（℃）から９００（℃）の範囲で熱処理することにより終端器を含む多層セラミック回路基板Ｓ４が製造される。
【００８１】
終端器性能として磁性体長を１３（ｍｍ）、１５（ｍｍ）、１８（ｍｍ）と３水準変えて周波数域８（ＧＨｚ）から１２（ＧＨｚ）の範囲で評価したＳパラメータ測定結果を表６に示す。表６中には、比較対象として本発明における磁性体（サンプル６：Ｆｅ−Ｓｉ−Ｂ−Ｃｕ−Ｎｂ系、サンプル７：Ｆｅ−Ｓｉ−Ａｌ系）の他に２種の磁性体（サンプル８：Ｆｅ−Ｓｉ−Ｃｒ系、サンプル９：フェライト系）も併せて示した。
【００８２】
【表６】
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【００８３】
表６より明らかなように、サンプル８、９では、終端性能が劣る結果となった。一方、本発明における磁性体を適用したサンプル６、７は−１０（ｄＢ）より小さい良好な終端性能を確認できている。
【符号の説明】
【００８４】
１  セラミック基材、１ａ  第１の部分、１ｂ  第２の部分、１ｃ  第３の部分、１ｄ  第４の部分、１ｆ  第１の面、１ｇ  セラミックグリーンシート、１ｋ  主面、２ｂ，２ｔ  磁性層、２ｂｐ，２ｔｐ  磁性ペースト層、２ｆ  第２の面、３  導電層、３ｐ  導電ペースト層、３ｆ  第３の面、３ＧＮＤ  接地導電層、２１，２２，２３，２４  磁性層、Ｍ１，Ｍ１ｇ，Ｍ２，Ｍ３  積層構造体、Ｓ１，Ｓ２，Ｓ３，Ｓ４  多層セラミック回路基板。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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【図２５】
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【図２６】
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【図２７】
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【図２８】
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【図２９】
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【図３０】
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【図３１】
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【図３２】
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【図３３】
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【図３４】
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