(57)【要約】【課題】ビーム停止速度を向上しつつ、ビーム出射開始時の出射ビーム電流にオーバーシュートが生じるのを抑制できる荷電粒子ビーム照射システムを提供する。【解決手段】シンクロトロンから荷電粒子ビームの出射制御を実施する際、シンクロトロンに設けられた出射用高周波電極に印加する高周波電圧として、シンクロトロン内を周回するビームをシンクロトロン外に出射させるため、安定限界を超えるように振動振幅を増大させるための第一高周波電圧と、安定限界の近傍を周回する荷電粒子ビームを優先的に出射させるための第二高周波電圧とで構成される高周波電圧を印加し、第二高周波電圧の振幅値は、ビーム出射開始前には振幅値を０としておき、ビーム出射開始とともに漸増的に振幅値を増大し、所定の振幅値に到達したらその値を維持する。【選択図】図５
2015170481.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
荷電粒子ビームを加速して出射するシンクロトロンと、前記シンクロトロンから出射した前記荷電粒子ビームを照射する照射装置とを有する荷電粒子ビーム照射システムにおいて、
前記シンクロトロン内を周回するビームをシンクロトロン外に出射する出射制御装置として、
前記シンクロトロン内を周回するビームが安定限界を超えるように振動振幅を増大する第一高周波電圧を出力する第一高周波電圧出力回路と、
安定限界の近傍を周回する荷電粒子ビームを優先的に出射する第二高周波電圧を出力する第二高周波電圧出力回路と、
前記第一高周波電圧出力回路から出力される第一高周波電圧と前記第二高周波電圧出力回路から出力される第二高周波電圧を合成して出力する合成器と、
前記合成器から出力される高周波電圧を増幅する高周波増幅回路と、
前記高周波増幅回路で増幅した高周波電圧を印加する高周波電極と、
で構成される出射制御装置を備え、
前記第一高周波電圧の振幅値は、シンクロトロンから出射する荷電粒子ビームの電流値に応じて制御し、
前記第二高周波電圧の振幅値は、ビーム出射開始前には振幅値を０としておき、ビーム出射開始とともに漸増的に振幅値を増大し、所定の振幅値に到達したらその値を維持することを特徴とする荷電粒子ビーム照射システム。
【請求項２】
請求項１に記載の荷電粒子ビーム照射システムにおいて、
前記安定限界の近傍を周回する荷電粒子ビームを優先的に出射する第二高周波電圧の周波数は、
安定限界の近傍を周回する荷電粒子ビームのベータトロン振動数（チューン）に対応した周波数を設定することを特徴とする荷電粒子ビーム照射システム。
【請求項３】
請求項１に記載の荷電粒子ビーム照射システムにおいて、
前記出射制御装置は、
ビーム出射制御指令に基づきビーム出射（ビームＯＮ）およびビーム停止（ビームＯＦＦ）を実施するよう、前記第一高周波電圧及び第二高周波電圧の印加（ＯＮ）と停止（ＯＦＦ）を制御することを特徴とする荷電粒子ビーム照射システム。
【請求項４】
荷電粒子ビームを加速して出射するシンクロトロンであって、
前記シンクロトロン内を周回するビームをシンクロトロン外に出射させるため、安定限界を超えるように振動振幅を増大する第一高周波電圧を出力する第一高周波電圧出力回路と、
安定限界の近傍を周回する荷電粒子ビームを優先的に出射する第二高周波電圧を出力する第二高周波電圧出力回路と、
前記第一高周波電圧出力回路から出力される第一高周波電圧と前記第二高周波電圧出力回路から出力される第二高周波電圧を合成して出力する合成器と、
前記合成器から出力される高周波電圧を増幅する高周波増幅回路と、
前記高周波増幅回路で増幅した高周波電圧を印加する高周波電極と、
で構成される出射制御装置を備えることを特徴とするシンクロトロン。
【請求項５】
荷電粒子ビームを加速して出射するシンクロトロンと、前記シンクロトロンから出射された前記荷電粒子ビームを照射する照射装置とを有する荷電粒子ビーム照射システムのビーム出射方法において、
前記シンクロトロン内を周回するビームをシンクロトロン外に出射させるため、安定限界を超えるように振動振幅を増大させる第一高周波電圧と、
安定限界の近傍を周回する荷電粒子ビームを優先的に出射する第二高周波電圧と、
前記第一高周波電圧と前記第二高周波電圧を合成し、前記合成器から出力される高周波電圧を増幅器で増幅した高周波電圧を高周波電極に印加するビーム出射方法であって、
周回ビームの振動振幅を増大する第一高周波電圧の振幅値は、シンクロトロンから出射する荷電粒子ビームの電流値に応じて制御し、
安定限界の近傍を周回する荷電粒子ビームを優先的に出射させるための第二高周波電圧の振幅値は、ビーム出射開始前には振幅値を０としておき、ビーム出射開始とともに漸増的に振幅値を増大し、所定の振幅値に到達したらその値を維持することを特徴とする荷電粒子ビーム照射システムのビーム出射方法。
【発明の詳細な説明】
【背景技術】
【０００１】
がんの放射線治療として、陽子または重イオン等の荷電粒子ビームを患者のがんの患部に照射して治療する粒子線治療が知られている。この治療に用いる粒子線治療装置は、荷電粒子ビーム発生装置、ビーム輸送系、および照射装置を備える。荷電粒子ビーム発生装置は、周回軌道に沿って周回する荷電粒子ビームを所望のエネルギーまで加速させるシンクロトロンやサイクロトロンを有する。シンクロトロンで加速した荷電粒子ビームの取り出し方法（出射方法）は、これまでに数多く開発がされているが、特許文献１および非特許文献１は、従来の出射用高周波電圧に加えて、安定限界近傍を周回する荷電粒子ビームのベータトロン振動数に合わせた単一周波数の高周波電圧を重畳して印加することで、ビーム出射制御中に安定限界近傍の粒子を優先的に出射し、ビーム停止時に安定限界近傍の荷電粒子ビームの密度を低下しておくことで、荷電粒子ビームの漏洩を防ぐ運転方法が示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００２】
【特許文献１】特開２０１０−２２７４１５号
【非特許文献】
【０００３】
【非特許文献１】ニュークリア  インスツルメンツ  アンド  メソッド  イン  フィジックス  リサーチ  Ａ  ６０６巻（２００９年）の第３２５〜３２９頁（Nuclear Instruments and Method in Physics Research A 606 (2009) P325-329)
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかし、従来の出射用高周波電圧に単一周波数の高周波電圧を重畳した高周波電圧を出射用高周波電極に印加すると、ビーム停止直後の荷電粒子ビームの漏洩は抑制できるが、次のビーム出射開始時にオーバーシュート電流を生じてしまい、出射ビーム電流が制御しづらくなる課題がある。
【０００５】
本発明の目的は、シンクロトロンから荷電粒子ビームの出射制御を実施する際の荷電粒子ビームの出射開始時および出射停止時の応答性を高めるとともに、ビーム出射開始時のオーバーシュート電流の発生を抑制することで、高精度のビーム照射とともに線量率の向上を実現する荷電粒子ビーム照射システムおよびそのビーム出射方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
上記の目的を実現する本発明の特徴は、シンクロトロン内を周回するビームをシンクロトロン外に出射する出射制御装置として、前記シンクロトロン内を周回するビームが安定限界を超えるように振動振幅を増大する第一高周波電圧を出力する第一高周波電圧出力回路と、安定限界の近傍を周回する荷電粒子ビームを優先的に出射する第二高周波電圧を出力する第二高周波電圧出力回路と、前記第一高周波電圧出力回路から出力される第一高周波電圧と前記第二高周波電圧出力回路から出力される第二高周波電圧を合成して出力する合成器と、前記合成器から出力される高周波電圧を増幅する高周波増幅回路と、高周波増幅器で増幅した項週は電圧を印加する高周波電極で構成される出射制御装置を備える。
【０００７】
周回ビームの振動振幅を増大する第一高周波電圧の振幅値は、シンクロトロンから出射する荷電粒子ビームの電流値に応じて制御し、安定限界の近傍を周回する荷電粒子ビームを優先的に出射する第二高周波電圧の振幅値は、ビーム出射開始前には振幅値を０としておき、ビーム出射開始とともに漸増的に振幅値を増大し、所定の振幅値に到達したらその値を維持する。
【０００８】
また、安定限界の近傍を周回する荷電粒子ビームを優先的に出射する第二高周波電圧の周波数は、安定限界の近傍を周回する荷電粒子ビームの固有振動数（チューン）に対応した周波数を設定する。
【０００９】
更に、本発明を実現する出射制御装置は、ビーム出射制御指令（ビームＯＮ／ＯＦＦ指令）に基づきビーム出射（ビームＯＮ）およびビーム停止（ビームＯＦＦ）を実施するよう、第一高周波電圧及び第二高周波電圧の印加（ＯＮ）と停止（ＯＦＦ）を制御することで、荷電粒子ビームの漏洩を抑制する。
【発明の効果】
【００１０】
本発明によれば、シンクロトロンから荷電粒子ビームのビーム出射制御指令に基づくビーム出射時およびビーム停止時の応答速度を高めるとともに、ビーム出射開始時のオーバーシュート電流の発生を抑制することで、高精度のビーム照射とともに線量率が向上できる。
【００１１】
また、本発明によれば、２つの高周波電圧の制御のみでビーム出射制御指令に基づくビーム出射時およびビーム停止時の応答速度を高めることができるため、シンクロトロンの出射制御システムを簡素かつ低コストで実現できる。
【図面の簡単な説明】
【００１２】
【図１】本発明を適用した第一実施例の荷電粒子ビーム照射システムの構成の構成を示す図である。
【図２】本発明を適用した第一実施例の特徴である出射用高周波電極に印加する高周波電圧の印加帯域を示す図である。
【図３】本発明を適用した第一実施例を実現するビーム出射制御装置の構成を示す図である。
【図４】本発明を適用した第一実施例を実現する出射制御装置の制御指令値と出射ビームエネルギーの関係を示す図である。
【図５】本発明を適用した第一実施例のビーム出射制御時のタイミングチャートを示す図である。
【図６】従来のビーム出射制御時のタイミングチャートを示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００１３】
以下に、図面を用いて本発明の実施の形態を説明する。
【実施例１】
【００１４】
本実施例の荷電粒子ビーム照射システム１は、図１に示すように、荷電粒子ビーム発生装置１１、ビーム輸送装置１４、照射装置３０を備え、ビーム輸送装置１４が、荷電粒子ビーム発生装置１１と治療室内に配置される照射装置３０を連絡する。荷電粒子ビーム発生装置１１は、周回軌道に沿って周回する荷電粒子ビームを所望のエネルギーまで加速させるシンクロトロン１３、前段加速器１２およびシンクロトロン１３を備える。前段加速器１２はシンクロトロン１３に接続される。前段加速器１２は、荷電粒子ビーム１０をシンクロトロン１３に入射可能なエネルギーまで加速する。前段加速器１２で加速された荷電粒子ビーム１０ａは、シンクロトロン１３に入射される。
【００１５】
シンクロトロン１３は、高周波加速空洞１９（以降、加速空胴１９）、出射用高周波電極１６ａ、および出射用デフレクター１６ｂを備える。加速空胴１９は、周回軌道に沿って周回する荷電粒子ビーム１０ｂに高周波電圧を印加することによって、荷電粒子ビーム１０ｂにエネルギーを付与し、目標のエネルギーに至るまで加速する。出射用高周波電極１６ａは、周回している荷電粒子ビームのベータトロン振動振幅を増大させ、振動振幅が増大した荷電粒子ビームを、出射用デフレクター１６ｂが周回軌道から取り出す。
【００１６】
加速空胴１９に加速高周波電圧が印加される際、シンクロトロン１３内を周回する荷電粒子ビーム１０ｂの周回軌道が一定となるように、荷電粒子ビーム１０ｂの周回エネルギーの増加に合わせて偏向電磁石１８ａ、四極電磁石１８ｂ等の磁場強度および、加速空胴１９に印加する高周波電圧の周波数は高められる。
【００１７】
出射用高周波電極１６ａは、目標エネルギーに達した荷電粒子ビームをシンクロトロン１３からビーム輸送系へ出射する際、高周波磁場または高周波電場（以下、高周波電圧と表記）を印加し、周回している荷電粒子ビームの固有振動であるベータトロン振動振幅を増大させる。ベータトロン振動振幅を効率良く増大させる高周波電圧として、複数の線スペクトル信号で構成される帯域制限高周波電圧や、所定の周波数範囲で周波数変調したＲＦＫＯ電圧が挙げられる。ベータトロン振動振幅が増大した荷電粒子ビームは、安定限界外に移動し、シンクロトロン１３からビーム輸送装置１４へ出射され、照射装置３０に輸送される。
【００１８】
照射装置３０は、上記荷電粒子ビーム発生装置１１から導かれた荷電粒子ビームを、患者の体表面からの深さ及び患部形状に合わせて整形して、治療用ベッド上の患者３６の患部に照射する。照射装置３０でのビーム照射方法として、患部形状に合わせてビームを走査し照射するビームスキャニング法が挙げられる。本実施例でいうビームスキャニング法とは、以下に示すスポットスキャニング照射法やラスタースキャニング照射法を指す。
【００１９】
スポットスキャニング照射法は、患部をスポットと呼ばれる領域に分割し、治療計画によりスポット毎に付与する照射線量を設定する。スポットに照射される線量は、線量モニタ３１にて逐次計測する。線量モニタで計測した照射線量が所定線量に到達すると、荷電粒子ビームの照射を停止する。荷電粒子ビームの照射停止後、走査電磁石３２の励磁量を次のスポット位置に対応した励磁量に変更し、荷電粒子ビームを照射する。このような走査と照射の繰り返しにより、患部平面方向の照射を実施する。また、患部平面方向の照射を完了したら、照射面の深さ方向を変更する。患部深さ方向の照射は、荷電粒子ビームの飛程を変更することで制御する。具体的には、照射装置３０に供給する荷電粒子ビームのエネルギーを変更することで荷電粒子ビームの飛程が変わる。
【００２０】
また、ラスタースキャニング照射法は、スポットスキャニング照射法とは異なり、照射経路に沿って荷電粒子ビームを走査しながら照射する。このため、ラスタースキャニング照射法では、出射ビーム電流の時間構造（スパイクやリップル）を考慮して荷電粒子ビームの電流を低く設定し、患部平面方向に対して複数回に分けて走査し照射（以下、リペイント）することで、所定の線量一様度を担保しつつ、照射線量を満了させる。
【００２１】
このように、ビームスキャニング法は、患部形状に合わせた荷電粒子ビームを照射するため、従来の散乱体照射法のように、患部形状に合わせた一様な吸収線量範囲（拡大ブラックピーク（Spread-Out Bragg Peak）以下、ＳＯＢＰと表記）を形成するための散乱体（ＳＯＢＰフィルタ）や、ボーラス、コリメータ等の患部形状に合わせた患者固有具が不要となり、荷電粒子ビーム発生装置１１から照射装置３０に供給される荷電粒子ビームを効率よく患部に照射することが可能である。
【００２２】
なお、照射装置３０に供給する荷電粒子ビームのエネルギーは、加速空胴１９に供給する高周波電圧の周波数と偏向電磁石１８ａの磁場強度により制御可能である。また、シンクロトロン１３から照射装置３０に供給する荷電粒子ビームの電流は、出射用高周波電圧の振幅値により制御可能である。スキャニングビーム走査法で要求されるスポット毎の荷電粒子ビームの照射制御（ビームＯＮ／ＯＦＦ）は、出射用高周波電圧の印加（ＯＮ）および印加停止（ＯＦＦ）制御により実現できる。特に、スポットに対する照射線量が所定線量に到達した際に荷電粒子ビームの照射を停止（ＯＦＦ）する際には、シンクロトロン１３から出射する荷電粒子ビームを素早く停止させることで、照射線量の精度を高める必要がある。また、治療効率という面からは、スポットを照射するための時間を短縮し線量率を向上させることが望ましく、そのためには出射ビーム電流の立ち上がりが速いほうが好ましい。
【００２３】
以下、本実施例において、スキャニング照射法の実施や、高精度な荷電粒子ビームの出射に適した荷電粒子ビームの出射制御について説明する。所望のエネルギーまで加速した荷電粒子ビーム１０ｂは、出射準備制御により、四極電磁石１８ｂおよび六極電磁石（図示せず）の励磁量により周回ビーム１０ｂが出射可能な条件（周回ビームの安定限界１５）を成立させる。出射準備制御が終了後、出射制御装置２０から高周波電圧（Ｆｅｘｔ）を高周波増幅器１７で増幅した後に、出射用高周波電極１６ａに印加し、シンクロトロン１３内を周回するビーム１０ｂのベータトロン振動振幅を増大させる。このベータトロン振動振幅の増大により、安定限界１５を超えた周回ビーム１０ｂはシンクロトロン１３から高エネルギービーム輸送系１４に出射される。シンクロトロン１３からのビーム出射制御は、出射制御装置２０によって出射用高周波電極１６ａに印加する高周波電圧により、ビーム出射（高周波電圧（Ｆｅｘｔ）の印加）および、ビーム停止（高周波電圧（Ｆｅｘｔ）の停止）を制御することで行う。
【００２４】
シンクロトロン１３から出射されたビーム１０ｃは、高エネルギービーム輸送系１４により照射装置３０に輸送される。照射装置３０では、患者に照射するビーム１０ｄの照射線量を計測する線量モニタ３１にて、照射するビーム１０ｄの線量強度を逐次確認し、走査電磁石３２で患部形状に合わせてビーム１０ｄを走査する。また、患部深さ方向のビーム飛程変更は、シンクロトロン１３で加速するビーム１０ｂのエネルギーを変更して出射することで、患部形状に合わせた照射野を形成する。
【００２５】
次に、本実施例の特徴である高周波電圧（Ｆｅｘｔ）の印加方法について、図２および図６を用いて従来法と比較しながら説明する。図２は、本実施例の特徴である出射用高周波電極に印加する高周波電圧の印加帯域を示す図である。
【００２６】
出射用高周波電極に印加する高周波電圧（Ｆｅｘｔ）は、図２に示すように、周回ビーム１０ｂを、安定限界１５を越えるように振動振幅を増大させる第一高周波電圧と、安定限界の近傍を周回する荷電粒子ビームを優先的に出射させるための第二高周波電圧で構成される。本実施例では、第一高周波は複数の線スペクトル信号で構成される帯域制限高周波電圧を示しており、第二高周波電圧は単一周波数の高周波電圧を示している。
【００２７】
周回ビーム１０ｂを安定限界１５まで振動振幅を増大させる第一高周波電圧は、中心周波数ｆｃｅに対して周波数帯域をｆｗ、周波数間隔をｆｄｉｖで示される帯域制限高周波電圧であり、複数の正弦波高周波電圧で構成される。ここで、中心周波数ｆｃｅとは、周回ビームのベータトロン振動数（νｅ）に対して、式１に示される関係がある。ここで、ｆｒｅｖは周回ビームの周回周波数、ｎは整数である。同様に、周波数帯域ｆｗは、周回ビームのベータトロン振動数の広がり（Δνｅ）に対して、式２に示される関係がある。
ｆｃｅ＝νｅ×ｎ×ｆｒｅｖ…（式１）
ｆｗ＝Δνｅ×ｆｒｅｖ…（式２）
【００２８】
第一高周波電圧の強度Ｖｅは、出射ビーム電流の振幅値Ｉｅｘｔを調整する機能を有するため、シンクロトロン１３内を周回する荷電粒子ビーム１０ｂの蓄積ビーム量と目標ビーム電流に応じて制御する。
【００２９】
第二高周波電圧は、安定限界１５の近傍を周回する荷電粒子ビームを優先的に出射させる機能を有する。そのため、第二高周波電圧の周波数ｆｃｍは、安定限界を表すベータトロン振動数の共鳴点νｒｅｓ近傍に分布する粒子のベータトロン振動数νｍに対応した周波数に設定する。第二高周波電圧の周波数ｆｃｍは、安定限界近傍に分布する粒子のベータトロン振動数νｍに対して、式３に示す関係がある。
ｆｃｍ＝νｅ×ｎ×ｆｒｅｖ…（式３）
【００３０】
具体的な第二高周波電圧の印加周波数ｆｃｍは、ビーム停止後の漏洩ビームを計測し、所定の漏洩ビーム量以下になる点をサーベイして調整する。また、第二高周波電圧の強度Ｖｍは、安定限界近傍に分布する周回ビーム１０ｂの密度を低減させる目的であるため、第一高周波電圧に対して十分高いものとする。
【００３１】
図３に本実施例のビーム出射制御装置の構成を示す。出射制御装置２０は、第一高周波電圧（Ｆｅ）出力回路２０１と、第二高周波電圧（Ｆｍ）出力回路２０２と、これら二つの高周波電圧を合成する合成器２６と、合成器から出力される高周波電圧を高周波増幅器への伝送を制御する高周波スイッチ２７１、２７２および、これらの高周波電圧出力回路の制御指令値を制御するコントローラ２８から構成される。コントローラ２８には、上位制御システム４０から伝送される出射ビームエネルギー情報Ｅｎと、高周波電圧の制御指令値（ｆｃｅ，Ｖｅ，ｆｃｍ，ｆｗ，ｆｄｉｖ，Ｖｍ）が伝送される。出射制御装置２０を構成する高周波スイッチ２５ｍ、２５ｅ、２７１、２７２には、タイミングシステム５０およびインターロックシステム６０から制御信号が伝送される。タイミングシステム５０からは、ビーム出射制御区間を示すタイミング信号５１が出射制御装置２０の高周波スイッチ２７１に伝送される。インターロックシステム６０からは、粒子線治療システム１を構成する制御機器の健全性を確認した上でビーム出射制御指令６１が出射制御装置２０の高周波スイッチ２５ｍ、２５ｅ、２７２に伝送される。本実施例では、出射用高周波電圧の確実なＯＮ／ＯＦＦ制御を実現するため、３つの高周波スイッチ２５ｍ、２５ｅ、２７２で冗長化しているが、制御を簡便にしたい場合には、合成器２６から伝送される高周波電圧を制御する高周波スイッチ２７２のみでも構わない。
【００３２】
出射用高周波電極１６ａに印加する高周波電圧（Ｆｅｘｔ）は、第一高周波電圧（Ｆｅ）および第二高周波電圧（Ｆｍ）をそれぞれの出力回路２０１、２０２で生成し、生成した二つの高周波電圧（ＦｅおよびＦｍ）を合成器２６で合成した後、高周波増幅器１７で増幅し、出射用高周波電極１６ａに印加する。
【００３３】
第一高周波電圧（Ｆｅ）および第二高周波電圧（Ｆｍ）の出力回路２０１（第一高周波出力回路）、２０２（第二高周波出力回路）についてそれぞれ説明する。
【００３４】
第一高周波電圧（Ｆｅ）の出力回路２０１について説明する。第一高周波電圧出力回路２０１の構成は、第一高周波電圧（Ｆｅ）の周波数（ｆｃｅ）を出力する発振器２１ｅ、帯域制限高周波発生器２２ｅ、発振器２１ｅと帯域制限高周波発生器２２ｅの出力信号を乗算する乗算器２３ｅ、振幅変調回路２４ｅ、および、高周波スイッチ２５ｅで構成される。
【００３５】
正弦波発振器２１ｅには、コントローラ２８から第一高周波電圧の中心周波数（ｆｃｅ）を設定し、帯域制限高周波発生器２２ｅは、コントローラ２８から設定されるスペクトル幅（ｆｗ）およびスペクトル間隔（ｆｄｉｖ）の設定値に基づき、複数の線スペクトル信号で構成される帯域制限高周波電圧を出力する。
【００３６】
本実施例では、第一高周波電圧（Ｆｅ）は、複数の線スペクトラムで構成される帯域制限電圧を用いているが、ホワイトノイズ発生装置（図示せず）の出力電圧を第一高周波電圧（Ｆｅ）の周波数範囲（ｆｗ）のみ出力するバンドパスフィルタ（図示せず）を用いて生成しても良いし、帯域制限高周波発生器２２ｅおよび乗算器２３ｅを用いずに、正弦波発振器２１ｅの出力周波数を第一高周波電圧（Ｆｅ）の周波数範囲（ｆｗ）で掃引しても良い。
【００３７】
第一高周波電圧（Ｆｅ）の周波数演算結果に対して、第一高周波電圧（Ｆｅ）の振幅値（Ｖｅ）を振幅変調回路２４ｅで制御する。この振幅変調制御された第一高周波電圧（Ｆｅ）は、インターロックシステム６０から出力されるビーム出射制御指令６１に基づき、高周波スイッチ２５ｅを制御する。ビーム出射時にはＲＦ信号を印加するため、高周波スイッチ２５ｅを閉じる。ビーム停止時にはＲＦ信号の印加を停止するため、高周波スイッチ２５ｅを開く。高周波スイッチ２５ｅを経て出力される第一高周波電圧（Ｆｅ）は、合成器２６に入力される。
【００３８】
同様に、第二高周波電圧出力回路２０２は、第二高周波電圧（Ｆｍ）の周波数（ｆｃｍ）を出力する発振器２１ｍと、振幅変調回路２４ｍ、および、高周波スイッチ２５ｍで構成される。発振器２１ｍからは、コントローラ２８から設定される中心周波数（ｆｃｍ）となる正弦波電圧を出力する。
【００３９】
第二高周波電圧（Ｆｍ）に対して、コントローラ２８から設定される第二高周波電圧（Ｆｍ）の振幅値（Ｖｍ）を振幅変調回路２４ｍで制御する。振幅値が制御された第二高周波電圧（Ｆｍ）は、インターロックシステム６０から出力されるビーム出射制御指令６１に基づき、高周波スイッチ２５ｍを制御する。ビーム出射時にはＲＦ信号を印加するため、高周波スイッチ２５ｍを閉じる。ビーム停止時にはＲＦ信号の印加を停止するため、高周波スイッチ２５ｍを開く。高周波スイッチ２５ｍを経て出力される第二高周波電圧（Ｆｍ）は、合成器２６に入力される。
【００４０】
合成器２６は、２つの高周波電圧（Ｆｍ、Ｆｅ）を合成する。合成された高周波電圧（第３高周波電圧）は、二つの高周波スイッチ２７１、２７２を経て高周波増幅器１７に出力される。
【００４１】
出射制御装置２０のコントローラ２８から各制御回路への制御設定値の管理方法について図３、図４を用いて説明する。第一高周波電圧（Ｆｅ）および第二高周波電圧（Ｆｍ）の制御設定値は、図４に示したように、それぞれ正弦波発振器２１の中心周波数（ｆｃｓ、ｆｃｅ）、帯域制限信号のスペクトル幅（ｆｗ）、スペクトル間隔（ｆｄｉｖ）、振幅値（Ｖｓ、Ｖｅ）があり、それぞれ出射ビームエネルギー情報（Ｅｎ）に関連付けられた状態で、コントローラ２８のメモリ（図示せず）に予め記憶しておく。治療計画情報に基づき、シンクロトロン１３の出射ビームエネルギー情報（Ｅｎ）が上位制御システム４０から出射制御装置２０に対して伝送される。上位制御システム４０から伝送された出射ビームエネルギー情報（Ｅｎ）に基づき、コントローラ２８はメモリ内に記憶した制御設定値を読み出し、各制御回路へ制御設定値を出力する。
【００４２】
出射用高周波電極に印加する高周波電圧（Ｆｅｘｔ）の強度制御について説明する。従来法ではビーム出射（ビームＯＮ）の際、図６に示したように、ビーム出射制御指令（図６（ａ））に基づき、ビーム出射（ビームＯＮ）時には、第一高周波電圧である出射用高周波電圧（図６（ｂ））と、第二高周波電圧である第二高周波電圧（図６（ｃ））を同時に印加する。またビーム停止（ビームＯＦＦ）時には、第一高周波電圧である出射用高周波電圧（図６（ｂ））と、第二高周波電圧である第二高周波電圧（図６（ｃ））の印加を同時に停止する。したがって、出力回路２０２と出力回路２０１は同期して機能する構成とも捉えることができる。
【００４３】
ここで、従来法では第二高周波電圧（図６（ｃ））はビーム出射（ビームＯＮ）指令に合わせてステップ的に印加していた。そのため、図２に示した安定限界１５の近傍に分布する周回ビーム１０ｂをビーム出射開始と同時に出射してしまうため、出射ビーム電流波形にオーバーシュート１０ｅを生じてしまい（図６（ｄ））、出射ビーム電流が制御しづらくなる課題がある。
【００４４】
一方、本実施例の荷電粒子ビーム照射装置は、図５に示したように、ビーム出射制御指令（図５（ａ））に基づき、ビーム出射（ビームＯＮ）時には、第一高周波電圧である出射用高周波電圧（図３（ｂ））と、第二高周波電圧である第二高周波電圧（図５（ｃ））を印加するが、この際、第二高周波電圧である第二高周波電圧（図５（ｃ））を０から徐々に増加し、所定の値に到達後は一定値で印加する。このように第二高周波電圧である第二高周波電圧（図５（ｃ））を制御することにより、安定限界１５の近傍に分布する周回ビーム１０ｂが一斉に出射されることがなくなる、換言すると出射ビーム電流１０ｃにオーバーシュート１０ｅの発生を抑制することができる。
【００４５】
なお、特許文献１では、ビーム出射指令に基づき、加速用高周波電圧と出射用高周波電圧の印加を制御し、ビーム出射（ビームＯＮ）時に出射用高周波電圧を０から徐々に増加し、所定の照射線量に到達したら一定値で印加する旨が示されている。このような出射用高周波電圧の印加制御を実施すると、ビーム出射開始時に出射ビーム電流のオーバーシュートを抑制することは可能になるものの、オーバーシュートの抑制のため、ビーム出射電流の立ち上がりが緩やかになるため、当該スポットを照射するための時間が掛かってしまう課題があり、しいては線量率が低下する課題が考えられる。
【００４６】
それに対して本実施例では、周回ビーム１０ｂが安定限界１５を越えるように振動振幅を増大させる第一高周波電圧と、安定限界の近傍を周回する荷電粒子ビームを優先的に出射させるための第二高周波電圧のうち、安定限界の近傍を周回する荷電粒子ビームを優先的に出射させるための第二高周波電圧の振幅値のみを０から徐々に増加し、所定の値に到達後は一定値で印加する。そのため、周回ビーム１０ｂを出射し、出射ビーム電流を制御するために印加する第一高周波電圧の振幅値は所定の出射ビーム電流値を実現するように制御されるため、特許文献１のようにビーム出射電流の立ち上がりが緩やかにならない。したがって当該スポットの照射時間は長くならず、線量率の低下も抑制できる。
【００４７】
以上説明したように、シンクロトロン１３内を周回する荷電粒子ビームの安定限界を超えるように振動振幅を増大させるための第一高周波電圧と、安定限界の近傍を周回する荷電粒子ビームを優先的に出射させるための第二高周波電圧を重畳したものを出射用高周波電極１６ａに印加し、第一高周波電圧と第二高周波電圧の振幅値を独立に制御することで、シンクロトロン１３から荷電粒子ビームの出射制御を実施する際の荷電粒子ビームの出射開始時および出射停止時の応答性を高めるとともに、ビーム出射開始時のオーバーシュート電流の発生を抑制することができる。これにより、高精度のビーム照射とともに線量率の向上を実現する荷電粒子ビーム照射システムおよびそのビーム出射方法を提供できる。
【００４８】
具体的には、第一高周波電圧は、複数の周波数成分で構成される帯域制限高周波電圧を用いて生成され、第一高周波電圧の周波数範囲は、周回ビームが安定限界を超えるように設定し、第一高周波電圧の強度は、求められる出射ビーム電流に応じて制御するする。また、第二高周波電圧の周波数は、安定限界と第一高周波電圧の中心周波数との間に設定し、第二高周波電圧の強度は、ビーム出射開始とともに増加させ、所定の電圧振幅値に到達後は一定で制御する。これにより、ビーム制御応答性、つまり、ビーム出射制御指令に基づくビーム出射時およびビーム停止時の応答速度を高めることができる。
【００４９】
なお、本発明は、上記実施形態に記載した構成に限定されるものではなく、特許請求の範囲に記載した本発明の要旨を逸脱しない限りにおいて、適宜その構成を変更することができる。上記した実施形態例は本発明をわかりやすく説明するために詳細に説明したものであり、必ずしも説明した全ての構成を備えるものに限定されるものではない。
【符号の説明】
【００５０】
１  荷電粒子ビーム照射システム
１００  制御システム（制御装置）
１０ａ、１０ｂ、１０ｃ、１０ｄ  ビーム
１０ｅ  出射ビーム電流のオーバーシュート
１０１  周回ビーム分布
１１  荷電粒子ビーム発生装置
１２  前段加速器
１３  シンクロトロン
１４  ビーム輸送装置
１５  安定限界
１６ａ  出射用高周波電極
１６ｂ  出射用デフレクター
１７  高周波増幅器
１８  偏向電磁石
１９  四極電磁石
２０  出射制御装置
２０１  第一高周波電圧出力回路（第一高周波電圧発生回路）
２０２  第二高周波電圧出力回路（第二高周波電圧発生回路）
２１ｍ、２１ｅ  正弦波発振器
２２ｅ  帯域制限高周波発生器
２３ｅ  乗算器
２３１  スイッチ
２４ｍ、２４ｅ  振幅変調器
２５ｍ、２５ｅ  高周波スイッチ
２６、２６１  合成器
２７１、２７２  高周波スイッチ
２８  コントローラ
３０  照射装置
３１  線量モニタ
３２  走査電磁石
３６  患者
４０  加速器制御装置
４１  統括制御装置
４２  記憶装置
４３  治療計画装置
４３１  治療計画情報
５０  タイミングシステム
５１  タイミング信号
６０  インターロックシステム
６１  ビーム出射制御指令
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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