(57)【要約】【課題】検出対象物の検出に影響が少ない領域に異物を吸着させて検出精度の低下を抑制する磁気センサを提供する。【解決手段】磁気センサ１は、図１（ａ）〜図１（ｃ）に示すように、磁場２００を生成する磁石２と、磁性体６との相対的な位置の変化に伴う磁場２００の変化を検出する第１の磁気センサ部４１及び第２の磁気センサ部４２と、磁石２、第１の磁気センサ部４１及び第２の磁気センサ部４２を収容すると共に磁場２００に引き寄せられた異物９を吸着する吸着領域１００を有し、吸着領域１００における磁石２の表面の法線方向の厚みが磁石２の他の表面の法線方向の厚みよりも薄い筐体１０と、を備えて概略構成されている。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
磁場を生成する磁場生成部と、
検出対象物との相対的な位置の変化に伴う前記磁場の変化を検出する磁場検出部と、
前記磁場生成部及び前記磁場検出部を収容すると共に前記磁場に引き寄せられた異物を吸着する吸着領域を有し、前記吸着領域における前記磁場生成部の表面の法線方向の厚みが前記磁場生成部の他の表面の法線方向の厚みよりも薄い筐体と、
を備えた磁気センサ。
【請求項２】
前記磁場生成部は、前記吸着領域における前記表面の法線方向に突出する凸部を有する、
請求項１に記載の磁気センサ。
【請求項３】
前記筐体は、前記吸着領域に凹部を有する、
請求項１又は２に記載の磁気センサ。
【請求項４】
前記筐体は、前記凹部に磁性を有する磁性体が配置される、
請求項３に記載の磁気センサ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、磁気センサに関する。
【背景技術】
【０００２】
従来の技術として、被検出対象に向けてバイアス磁界を発生させるバイアス磁石と、被検出対象とバイアス磁石との間に設けられると共に、バイアス磁界の変化を電気的変化に変換する磁電変換素子と、を備えた位置検出装置が知られている（例えば、特許文献１参照。）。
【０００３】
この位置検出装置は、磁電変換素子と被検出対象との間に感磁面を有し、磁電変換素子周辺の感磁面から被検出対象に印加されるバイアス磁界強度が磁電変換素子上の感磁面から被検出対象に印加されるバイアス磁界強度よりも大きくなるように構成されている。
【０００４】
そして位置検出装置は、位置検出装置の周辺に浮遊する磁性体異物が、バイアス磁界強度が大きい領域に付着するので、この磁性体異物に影響されることなく、被検出対象を検出することができる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特許３４２７４８９号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかし、従来の位置検出装置は、磁電変換素子の周辺の方が、磁電変換素子が配置された場所よりも磁束密度が高いので、磁電変換素子が配置された場所では、被検出対象の移動に伴うバイアス磁界の変化が周辺より小さく、検出精度が低下する問題がある。
【０００７】
従って、本発明の目的は、検出対象物の検出に影響が少ない領域に異物を吸着させて検出精度の低下を抑制する磁気センサを提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明の一態様は、磁場を生成する磁場生成部と、検出対象物との相対的な位置の変化に伴う磁場の変化を検出する磁場検出部と、磁場生成部及び磁場検出部を収容すると共に磁場に引き寄せられた異物を吸着する吸着領域を有し、吸着領域における磁場生成部の表面の法線方向の厚みが磁場生成部の他の表面の法線方向の厚みよりも薄い筐体と、を備えた磁気センサを提供する。
【発明の効果】
【０００９】
本発明によれば、検出対象物の検出に影響が少ない領域に異物を吸着させて検出精度の低下を抑制することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１０】
【図１】図１（ａ）は、第１の実施の形態に係る磁気センサの外観を示す斜視図であり、図１（ｂ）は、磁石と磁気センサ部の位置関係を示す斜視図であり、図１（ｃ）は、磁石の側面図であり、図１（ｄ）は、磁気センサ部を構成するＭＲセンサ（Magneto Resistive Sensor）の等価回路図である。
【図２】図２（ａ）は、第１の実施の形態に係る磁気センサの側面図であり、図２（ｂ）は、磁気センサの正面図である。
【図３】図３（ａ）は、第２の実施の形態に係る磁気センサの側面図であり、図３（ｂ）は、第３の実施の形態に係る磁気センサの側面図であり、図３（ｃ）は、第４の実施の形態に係る磁気センサの側面図であり、図３（ｄ）は、第５の実施の形態に係る磁気センサの側面図であり、図３（ｅ）は、磁気センサの正面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１１】
（実施の形態の要約）
実施の形態に係る磁気センサは、磁場を生成する磁場生成部と、検出対象物との相対的な位置の変化に伴う磁場の変化を検出する磁場検出部と、磁場生成部及び磁場検出部を収容すると共に磁場に引き寄せられた異物を吸着する吸着領域を有し、吸着領域における磁場生成部の表面の法線方向の厚みが磁場生成部の他の表面の法線方向の厚みよりも薄い筐体と、を備えて概略構成されている。
【００１２】
この磁気センサは、磁場生成部の表面の法線方向の厚みが磁場生成部の他の表面の法線方向の厚みよりも薄い領域を吸着領域としているので、磁場検出部の表面に基づいた筐体に吸着領域が設けられることとなり、磁場検出部と検出対象物の間には吸着領域が形成されないので、検出対象物の検出に影響が少ない領域に異物を吸着させて検出精度の低下を抑制することができる。
【００１３】
[第１の実施の形態]
（磁気センサ１の全体構成）
図１（ａ）は、第１の実施の形態に係る磁気センサの外観を示す斜視図であり、図１（ｂ）は、磁石と磁気センサ部の位置関係を示す斜視図であり、図１（ｃ）は、磁石の側面図であり、図１（ｄ）は、磁気センサ部を構成するＭＲセンサの等価回路図である。図２（ａ）は、第１の実施の形態に係る磁気センサの側面図であり、図２（ｂ）は、磁気センサの正面図である。なお、以下に記載する実施の形態に係る各図において、図形間の比率は、実際の比率とは異なる場合がある。
【００１４】
この磁気センサ１は、検出対象物との相対的な位置の変化に基づく磁場の変化を検出するセンサである。磁気センサ１は、一例として、車両のブレーキ装置のブレーキペダルの操作位置の検出、シフト装置のシフトレバーの操作位置の検出等に利用される。この磁気センサ１は、例えば、ブレーキ装置に適用された場合、検出対象物がブレーキペダルに取り付けられ、車両のブレーキのオン及びオフを示す信号を出力するように構成される。なお、この磁気センサ１は、車両への搭載に限定されない。
【００１５】
また磁気センサ１は、磁気センサ１が取り付けられた周囲に浮遊する異物９を、検出対象物の検出に影響が少ない領域に吸着させるように構成されている。この浮遊する異物９とは、例えば、鉄粉等の磁性を有する物質である。この磁性を有する物質とは、磁石に吸着される物質を示している。
【００１６】
この磁気センサ１は、図１（ａ）〜図１（ｃ）に示すように、磁場２００を生成する磁場生成部としての磁石２と、検出対象物としての磁性体６との相対的な位置の変化に伴う磁場２００の変化を検出する磁場検出部としての第１の磁気センサ部４１及び第２の磁気センサ部４２と、磁石２、第１の磁気センサ部４１及び第２の磁気センサ部４２を収容すると共に磁場２００に引き寄せられた異物９を吸着する吸着領域１００を有し、吸着領域１００における磁石２の表面の法線方向の厚みが磁石２の他の表面の法線方向の厚みよりも薄い筐体１０と、を備えて概略構成されている。
【００１７】
上述の磁石２は、吸着領域１００における表面の法線方向に突出する凸部２１ｂ及び凸部２２ｂを有する。従って、凸部２１ｂ及び凸部２２ｂにおいて、磁気センサ１は、筐体１０の厚みが薄くなっている。
【００１８】
（筐体１０の構成）
筐体１０は、一例として、磁石２、第１の磁気センサ部４１及び第２の磁気センサ部４２等が配置されたキャビティ内に溶融樹脂を射出してこれらを一体とするインサート成形によって形成されている。
【００１９】
筐体１０は、後述する磁石２の形状に合わせた八角柱形状を有するセンサ部１２と、車両のコネクタと接続されるコネクタ部１４と、を備えている。
【００２０】
このセンサ部１２の磁性体６に近い端面が検出面１２０となる。この検出面１２０は、磁石２の形状に応じた八角形となっている。磁性体６は、この検出面１２０に近づいたり遠ざかったりするように構成されている。
【００２１】
従って、磁気センサ１は、第１の磁気センサ部４１及び第２の磁気センサ部４２に近い検出面１２０に磁性を有する異物９が付着すると、検出面１２０から磁性体６が遠ざかっている状態であっても磁場２００が異物９により変化し、誤検出が発生する可能性がある。
【００２２】
この第１の磁気センサ部４１及び第２の磁気センサ部４２に近い検出面１２０とは、例えば、第１の磁気センサ部４１及び第２の磁気センサ部４２が配置される磁石２の貫通孔３０を検出面１２０に投影した投影領域１２０ａである。言い換えるなら、例えば、磁石２の第１の基部２１、第１の延長部２４及び第２の延長部２５の検出面１２０に対応する前面２ａと、第２の基部２２、第３の延長部２６及び第４の延長部２７の検出面１２０に対応する前面２ｂと、を検出面１２０に投影した領域で囲まれる領域である。
【００２３】
磁気センサ１は、磁石２の後述する表面の法線方向の厚みが薄い領域を吸着領域１００としているので、貫通孔３０を検出面１２０に投影した投影領域１２０ａには形成されず、上述のような誤検出を抑制することが可能となる。従って、この投影領域１２０ａ以外の領域が、磁性体６の検出に影響が少ない領域となる。
【００２４】
コネクタ部１４は、センサ部１２の検出面１２０とは反対側の端部１６の側面から突出するように設けられている。このコネクタ部１４には、第１の磁気センサ部４１及び第２の磁気センサ部４２と電気的に接続されている端子が露出している。
【００２５】
（磁石２の構成）
磁石２は、例えば、アルニコ磁石、フェライト磁石、ネオジム磁石等の永久磁石を所望の形状に成形したもの、又は、フェライト系、ネオジム系、サマコバ系、サマリウム鉄窒素系等の磁性体材料と、合成樹脂材料と、を混合して所望の形状に成形したものである。
【００２６】
なお、磁場生成部は、例えば、磁場を生成することが可能な電磁石であっても良い。
【００２７】
この磁石２は、図１（ｂ）に示すように、主に、対向する第１の基部２１及び第２の基部２２からなる本体２０と、本体２０に設けられた第３の基部２３と、を備えている。
【００２８】
第１の基部２１は、第１の基部２１から周方向に延びて形成された第１の延長部２４及び第２の延長部２５を有する。
【００２９】
第２の基部２２は、第２の基部２２から周方向に延びて形成された第３の延長部２６及び第４の延長部２７を有する。
【００３０】
この第１の基部２１及び第２の基部２２により、貫通孔３０が形成されている。この貫通孔３０には、第１の磁気センサ部４１及び第２の磁気センサ部４２が配置されている。
【００３１】
また第３の基部２３は、この貫通孔３０が延びる方向と直交する方向に切断した断面よりも小さい断面を有し、本体２０の端部２０ｂに設けられている。この第３の基部２３は、例えば、本体２０を小さくしたような形状を有している。
【００３２】
また磁石２は、対向する第１の延長部２４の第１の端部２４０、及び第３の延長部２６の第３の端部２６０により形成された第１のスリット２８と、対向する第２の延長部２５の第２の端部２５０、及び第４の延長部２７の第４の端部２７０により形成された第２のスリット２９と、を有している。第１の磁気センサ部４１及び第２の磁気センサ部４２は、例えば、貫通孔３０内であると共に、第１のスリット２８及び第２のスリット２９の間を通る平面３に検出面が含まれるように配置される。
【００３３】
第１の基部２１の内壁２１０の両側の内壁２４１及び内壁２５１は、図１（ｂ）に示すように、貫通孔３０の内側に傾斜している。また第２の基部２２の内壁２２０の両側の内壁２６１及び内壁２７１は、図１（ｂ）に示すように、貫通孔３０の内側に傾斜している。
【００３４】
磁石２の本体２０は、例えば、図１（ｃ）に示すように、第３の基部２３側の端部２０ｂの反対の端部２０ａが第１の磁極を有するように構成されている。また第３の基部２３は、例えば、本体２０側の端部２３ｂの反対の端部２３ａが、第１の磁極と異なる第２の磁極を有するように構成されている。
【００３５】
なお、第１の磁極が、Ｎ極である場合は、第２の磁極がＳ極となり、第１の磁極が、Ｓ極である場合は、第２の磁極がＮ極となる。本実施の形態では、一例として、第１の磁極をＮ極、第２の磁極をＳ極としている。従って磁石２は、図１（ａ）に示すように、検出面１２０側から湧き出して第３の基部２３側に吸い込まれるような磁場２００が形成されている。
【００３６】
図１（ａ）に示すように、貫通孔３０の内部では、主に、第１の基部２１と第２の基部２２の端部から湧き出した磁場２００が反発し合い、この磁場２００の磁気ベクトルの平面３の成分が大きくなる。また貫通孔３０のつぶれたような形状と、内壁２４１、内壁２５１、内壁２６１及び内壁２７１と、が、第１の磁気センサ部４１及び第２の磁気センサ部４２が配置された領域における、磁気ベクトルの平面３の成分を高めている。
【００３７】
この磁石２は、図１（ｂ）に示すように、第１の基部２１の表面２１ａに凸部２１ｂと、第２の基部２２の表面２２ａに凸部２２ｂとが、設けられている。この表面２１ａは、第１の基部２１、第１の延長部２４及び第２の延長部２５の側面を示している。また表面２２ａは、第２の基部２２、第３の延長部２６及び第４の延長部２７の側面を示している。
【００３８】
なお磁石２の表面とは、図１（ｂ）に示すように、筐体１０の検出面１２０側の前面２ａ、前面２ｂ、第１の基部２１の表面２１ａ、第２の基部２２の表面２２ａ、端部２０ｂの端面、第３の基部２３の表面２３ｃ、及び第３の基部２３の端部２３ａの端面を示している。
【００３９】
この凸部２１ｂ及び凸部２２ｂは、柱体である磁石２の周方向に沿って形成されている。つまり、凸部２１ｂは、第１の基部２１、第１の延長部２４及び第２の延長部２５の表面２１ａに亘って形成されている。同様に、凸部２２ｂは、第２の基部２２、第３の延長部２６及び第４の延長部２７の表面２２ａに亘って形成されている。
【００４０】
ここで、凸部２１ｂ及び凸部２２ｂは、筐体１０の吸着領域１００に基づいて設けられている。この吸着領域１００は、上述のように、磁石２の表面の法線方向の厚みが磁石２の他の表面の法線方向の厚みよりも薄い領域である。
【００４１】
具体的には、例えば、第１の基部２１において、図２（ａ）に示すように、第１の基部２１の表面２１ａから筐体１０の側面１１までの法線２０１の方向の厚みｄ１は、凸部２１ｂの上部から側面１１までの厚みｄ２よりも厚くなっている。このように筐体１０は、図２（ａ）及び図２（ｂ）に示すように、この凸部２１ｂ及び凸部２２ｂにおける法線方向の厚みが、他の法線方向の厚みよりも薄く形成されている。
【００４２】
従って吸着領域１００は、他の領域と比べて磁石２と磁気センサ１の周囲の外界との距離が最も近い領域であるので、上述の異物９が付着し易い領域となっている。
【００４３】
（第１の磁気センサ部４１及び第２の磁気センサ部４２の構成）
第１の磁気センサ部４１及び第２の磁気センサ部４２は、例えば、磁気センサ１に対する磁性体６の接近及び離脱により変化する、磁場２００に基づく磁気ベクトルの向きの変化を検出して電気信号を出力するように構成されている。
【００４４】
本実施の形態に係る第１の磁気センサ部４１及び第２の磁気センサ部４２は、一例として、ＭＲ素子４０ａとＭＲ素子４０ｂとを直列に接続したＭＲセンサ４０を含んで構成されている。ＭＲ素子４０ａ及びＭＲ素子４０ｂは、例えば、図１（ｄ）に示すように、磁気ベクトルの向きの変化に応じて磁気抵抗が変化する感磁部４００が直交するように配置されている。
【００４５】
なお、第１の磁気センサ部４１及び第２の磁気センサ部４２の構成は、例えば、ＭＲ素子４０ａ及びＭＲ素子４０ｂにより形成されるハーフブリッジ回路に限定されず、それぞれがフルブリッジ回路を有する構成であっても良い。この場合、磁気センサ１は、冗長性を備えた二重系の磁気センサとして構成される。
【００４６】
このＭＲ素子４０ａ及びＭＲ素子４０ｂは、一例として、Ｎｉ、Ｆｅ、Ｃｏ等の強磁性体金属を主成分とした膜を用いて形成される。磁気ベクトルが作用していない場合のＭＲ素子４０ａ及びＭＲ素子４０ｂの抵抗値は、等しいものとする。
【００４７】
ＭＲ素子４０ａは、図１（ｄ）に示すように、一方端部には基準電圧Ｖｃｃが印加され、他方端部がＭＲ素子４０ｂと電気的に接続されている。またＭＲ素子４０ｂは、図１（ｄ）に示すように、一方端部がＭＲ素子４０ａの他方端部と電気的に接続され、他方端部が接地回路に電気的に接続されている。このＭＲ素子４０ａ及びＭＲ素子４０ｂからは、中間電位が電気信号として出力される。ここで、第１の磁気センサ部４１から出力される中間電位は、Ｖ１と記載し、第２の磁気センサ部４２から出力される中間電位は、Ｖ２と記載するものとする。
【００４８】
第１の磁気センサ部４１及び第２の磁気センサ部４２は、一例として、図１（ｃ）示すように、磁石２の貫通孔３０内の領域に配置される。また第１の磁気センサ部４１のＭＲセンサ４０は、例えば、端部２０ａを平面３に投影した直線と、感磁部４００と、がなす角が４５°となり、またＭＲ素子４０ａとＭＲ素子４０ｂとの接続点が、第２のスリット２９の方向に向くように配置される。また、第２の磁気センサ部４２のＭＲセンサ４０は、例えば、第１の磁気センサ部４２のＭＲセンサ４０と同じ方向で配置される。なお、ＭＲセンサ４０の向きは、上記の例に限定されない。
【００４９】
この第１の磁気センサ部４１及び第２の磁気センサ部４２は、一例として、コネクタ部１４に露出する端子に電気的に接続される配線、及び取得した中間電位Ｖ１と中間電位Ｖ２とを増幅する増幅回路等と共に封止され、磁気センサＩＣ（Integrated Circuit）とされる。
【００５０】
封止は、エポキシ樹脂を主成分に、シリカ充填材等を加えた熱硬化性成形材料を用いて行われる。この封止により形成される封止体は、磁石２の貫通孔３０、第１のスリット２８及び第２のスリット２９の形状に対応する形状を有している。従って、第１の磁気センサ部４１及び第２の磁気センサ部４２は、磁気センサＩＣとして磁石２に挿入されることで、磁石２との位置決めがなされる。
【００５１】
（第１の実施の形態の効果）
本実施の形態に係る磁気センサ１は、磁場生成部の表面の法線方向の厚みが磁場生成部の他の表面の法線方向の厚みよりも薄い領域を吸着領域としているので、磁場検出部の表面に基づいた筐体に吸着領域が設けられることとなり、磁場検出部と検出対象物の間には吸着領域が形成されないので、検出対象物の検出に影響が少ない領域に異物を吸着させて検出精度の低下を抑制することができる。
【００５２】
具体的には、磁気センサ１は、磁石２の表面２１ａ及び表面２２ａに凸部２１ｂ及び凸部２２ｂを設けることにより、他の領域よりも筐体１０の厚みが薄い吸着領域１００を形成している。この吸着領域１００は、磁気センサ１の外界との距離が最も近い領域であるので、他の領域よりも異物９を引き寄せやすい。従って、磁気センサ１は、磁性体６の検出に影響のある検出面１２０に異物９が吸着されることを抑制するので、検出面に異物が多く吸着している場合と比べて、異物９による磁場２００の変化が抑制され、検出精度の低下を抑制することができる。
【００５３】
また磁気センサ１は、磁石２の凸部２１ｂ及び凸部２２ｂが、第３の基部２３側の端部２０ｂよりも端部２０ａに近い位置に形成されることで、吸着領域１００が検出面１２０に近く設けられるので、検出面１２０に引き寄せられようとする異物９を吸着領域１００に吸着し易くしている。
【００５４】
［第２の実施の形態］
第２の実施の形態は、吸着領域１００に対応する位置に凹部が形成されている点で第１の実施の形態と異なっている。
【００５５】
図３（ａ）は、第２の実施の形態に係る磁気センサの側面図である。なお、以下に記載する実施の形態において、第１の実施の形態と同じ機能及び構成を有する部分は、第１の実施の形態と同じ符号を付し、その説明は省略するものとする。
【００５６】
この磁気センサ１は、図３（ａ）に示すように、吸着領域１００に凹部１０１を有している。この凹部１０１は、凸部２１ｂ及び凸部２２ｂに対応して設けられている。また凹部１０１は、凸部２１ｂ及び凸部２２ｂに沿って繋がる溝として設けられている。
【００５７】
なお、変形例として、凹部１０１は、繋がる溝ではなく、部分的に凸部２１ｂ及び凸部２２ｂに対応して設けられても良い。
【００５８】
また変形例として、凹部１０１には、凸部２１ｂ及び凸部２２ｂが露出しても良い。
【００５９】
（第２の実施の形態の効果）
本実施の形態に係る磁気センサ１は、吸着領域１００における筐体１０の厚みが、凹部１０１を設けたことにより、さらに薄くなったので、凹部が形成されない場合と比べて、外界との距離がさらに近くなり、異物９を吸着し易くなっている。
【００６０】
［第３の実施の形態］
第３の実施の形態は、磁石２が凸部を有していない点で上記の実施の形態と異なっている。
【００６１】
図３（ｂ）は、第３の実施の形態に係る磁気センサの側面図である。この磁気センサ１の磁石２は、図３（ｂ）に示すように、吸着領域１００に対応する位置に上述の凸部が形成されていない。
【００６２】
一方筐体１０には、第２の実施の形態と同様に、凹部１０１が形成されている。従って、磁気センサ１は、この吸着領域１００の厚みが、他の領域の厚みよりも薄いので、他の領域と比べて、異物９を吸着し易い。
【００６３】
［第４の実施の形態］
第４の実施の形態は、上述の凹部１０１に磁性を有する磁性体が配置されている点で上述の実施の形態と異なっている。
【００６４】
図３（ｃ）は、第４の実施の形態に係る磁気センサの側面図である。この磁気センサ１は、筐体１０に上述の溝形状の凹部１０１が形成されている。この凹部１０１には、例えば、磁石２の凸部２１ｂ及び凸部２２ｂが露出している。なお、磁気センサ１は、他の領域と比べて、薄く構成されるのであれば、凸部２１ｂ及び凸部２２ｂが露出しない構成であっても良い。
【００６５】
この凹部１０１には、磁石２の磁場２００により磁化され易い、つまり透磁率の高い軟磁性部材を含む磁性領域１０２が設けられ、吸着領域１００を形成している。
【００６６】
この磁性領域１０２は、筐体１０に凹部１０１を形成した後に、軟磁性部材を含む樹脂により形成しても良いし、二色成形により筐体１０の成形時に形成しても良い。
【００６７】
この磁性領域１０２は、例えば、鉄、パーマロイ等を含んで構成される。なお変形例として、磁気センサ１は、筐体１０の凹部１０１に磁性領域１０２を形成する鉄等の材料で構成されたリングを嵌め込むことで、吸着領域１００を形成するように構成されても良い。
【００６８】
従って磁気センサ１は、磁石２の磁場２００により磁化され易い磁性領域１０２を吸着領域１００に設けているので、磁性領域を設けない場合と比べて、より異物９を吸着し易い。
【００６９】
［第５の実施の形態］
第５の実施の形態は、検出面１２０に吸着領域１００を設けた点で上述の実施の形態と異なっている。
【００７０】
図３（ｄ）は、第５の実施の形態に係る磁気センサの側面図であり、図３（ｅ）は、磁気センサの正面図である。
【００７１】
この磁気センサ１は、図３（ｃ）及び図３（ｅ）に示すように、吸着領域１００が検出面１２０に設けられている。この検出面１２０は、磁石２の表面の磁性体６に近い面である前面２ａ及び前面２ｂの法線方向の厚みが、他の領域の厚みよりも薄く形成されている。
【００７２】
またこの吸着領域１００は、図３（ｅ）に示すように、溝として繋がった凹部１０３が、前面２ａ及び前面２ｂに対応する検出面１２０であり、かつ、貫通孔３０よりも外側に形成されている。なお、変形例として、凹部１０３は、部分的に設けられても良い。
【００７３】
この磁気センサ１は、検出面１２０の投影領域１２０ａ以外の位置に吸着領域１００が設けられているので、検出面１２０に引き寄せられた異物９を、吸着領域１００に吸着し易い。そして、磁気センサ１は、第１の磁気センサ部４１及び第２の磁気センサ部４２の検出に影響のある貫通孔３０に対応する投影領域１２０ａに、異物９が付着することを防止することができるので、検出精度の低下を抑制することができる。
【００７４】
また磁気センサ１は、吸着領域１００が溝形状を有しているので、異物９を溝に中に吸着させることが可能であり、検出面上に吸着させる場合と比べて、検出精度の影響が小さくなり、検出精度が向上する。
【００７５】
なお変形例として、磁石２は、凸部２１ｂ及び凸部２２ｂが、部分的に設けられても良い。
【００７６】
また変形例として、磁石２の形状は、上述の実施の形態における形状に限定されず、用途に応じて任意で良い。
【００７７】
以上述べた少なくとも１つの実施の形態の磁気センサ１によれば、検出対象物の検出に影響が少ない領域に異物を吸着させて検出精度の低下を抑制することが可能となる。
【００７８】
以上、本発明のいくつかの実施の形態及び変形例を説明したが、これらの実施の形態及び変形例は、一例に過ぎず、特許請求の範囲に係る発明を限定するものではない。これら新規な実施の形態及び変形例は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、本発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更等を行うことができる。また、これら実施の形態及び変形例の中で説明した特徴の組合せの全てが発明の課題を解決するための手段に必須であるとは限らない。さらに、これら実施の形態及び変形例は、発明の範囲及び要旨に含まれるとともに、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる。
【符号の説明】
【００７９】
１…磁気センサ、２…磁石、２ａ，２ｂ…前面、３…平面、６…磁性体、９…異物、１０…筐体、１１…側面、１２…センサ部、１４…コネクタ部、１６…端部、２０…本体、２０ａ…端部、２０ｂ…端部、２１…第１の基部、２１ａ…表面、２１ｂ…凸部、２２…第２の基部、２２ａ…表面、２２ｂ…凸部、２３…第３の基部、２３ａ，２３ｂ…端部、２３ｃ…表面、２４〜２７…第１の延長部〜第４の延長部、２８…第１のスリット、２９…第２のスリット、３０…貫通孔、４０…ＭＲセンサ、４０ａ…ＭＲ素子、４０ｂ…ＭＲ素子、４１…第１の磁気センサ部、４２…第２の磁気センサ部、１００…吸着領域、１０１…凹部、１０２…磁性領域、１０３…凹部、１２０…検出面、１２０ａ…投影領域、２００…磁場、２０１…法線、２１０…内壁、２２０…内壁、２４０…第１の端部、２４１…内壁、２５０…第２の端部、２５１…内壁、２６０…第３の端部、２６１…内壁、２７０…第４の端部、２７１…内壁、４００…感磁部
【図１】
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【図２】
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【図３】
2015117952.tif 000005