(57)【要約】【課題】生産効率向上に寄与してコスト削減に貢献しかつ信頼性も高い縦方向導電体が形成された基層を含む配線板およびその製造方法を提供すること。【解決手段】第１面から第２面に貫通する孔が複数設けられた無機材料製の基層と、第１面に連なる下面と第２面に連なる上面とを有するように基層の孔それぞれの内部に配置された、導電性組成物でできた縦方向導電体と、縦方向導電体の下面および上面の、第１、第２面との境界線上をすべて覆う一方、該下面および上面の一部の領域上は覆わないように、基層の第１、第２面上および縦方向導電体の下面上、上面上にそれぞれ設けられた第１、第２の配線パターンと、縦方向導電体の下面および上面のうちの第１、第２の配線パターンに覆われない領域を覆いかつ第１、第２の配線パターンを埋め込むように、基層の第１面、第２面の側にそれぞれ積層状に位置する第１、第２の絶縁層とを具備する。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１面と該第１面の反対の側の第２面とを有し、前記第１面から前記第２面に貫通する孔が複数設けられた無機材料製の基層と、
前記基層の前記第１面に連なるような下面と前記基層の前記第２面に連なるような上面とを有するように前記基層の前記孔それぞれの内部を充填して配置された、導電性組成物でできた縦方向導電体と、
前記縦方向導電体の前記下面の、前記基層の前記第１面との境界線上をすべて覆う一方、該下面の一部の領域上は覆わないように、前記基層の前記第１面上および前記縦方向導電体の前記下面上に設けられた第１の配線パターンと、
前記縦方向導電体の前記下面のうちの前記第１の配線パターンに覆われない領域を覆いかつ前記第１の配線パターンを埋め込むように、前記基層の前記第１面の側に積層状に位置する第１の絶縁層と、
前記縦方向導電体の前記上面の、前記基層の前記第２面との境界線上をすべて覆う一方、該上面の一部の領域上は覆わないように、前記基層の前記第２面上および前記縦方向導電体の前記上面上に設けられた第２の配線パターンと、
前記縦方向導電体の前記上面のうちの前記第２の配線パターンに覆われない領域を覆いかつ前記第２の配線パターンを埋め込むように、前記基層の前記第２面の側に積層状に位置する第２の絶縁層と
を具備する配線板。
【請求項２】
前記基層が、ガラス製である請求項１記載の配線板。
【請求項３】
前記基層が、前記孔の前記第１面および前記第２面における平面形状がそれぞれ円形であるように前記孔が設けられた基層であり、
前記第１の配線パターンが、外側輪郭と内側輪郭とを有する、前記基層の前記孔の前記第１面における前記円形と同心のリング状の形状を有し、
前記第２の配線パターンが、外側輪郭と内側輪郭とを有する、前記基層の前記孔の前記第２面における前記円形と同心のリング状の形状を有する
請求項１記載の配線板。
【請求項４】
前記第１の配線パターンの前記内側輪郭から離間してさらに内側に、前記縦方向導電体の前記下面に接触するように設けられた第３の配線パターンをさらに具備し、
前記第１の絶縁層が、前記第３の配線パターンをも埋め込むように設けられており、
前記第１の絶縁層を貫通するように、前記縦方向導電体に接触する側とは反対の側の前記第３の配線パターン上に設けられた第１絶縁層貫通導体をさらに具備する
請求項３記載の配線板。
【請求項５】
前記第２の配線パターンの前記内側輪郭から離間してさらに内側に、前記縦方向導電体の前記上面に接触するように設けられた第３の配線パターンをさらに具備し、
前記第２の絶縁層が、前記第３の配線パターンをも埋め込むように設けられており、
前記第２の絶縁層を貫通するように、前記縦方向導電体に接触する側とは反対の側の前記第３の配線パターン上に設けられた第２絶縁層貫通導体をさらに具備する
請求項３記載の配線板。
【請求項６】
第１面と該第１面の反対の側の第２面とを有する無機材料製の基層に貫通孔を形成する工程と、
前記基層の前記貫通孔内に導電性組成物を充填して、前記基層の前記第１面に連なるような下面と前記基層の前記第２面に連なるような上面とを有する縦方向導電体を形成する工程と、
前記縦方向導電体の前記下面の、前記基層の前記第１面との境界線上をすべて覆う一方、該下面の一部の領域上は覆わないように、前記基層の前記第１面上および前記縦方向導電体の前記下面上に第１の配線パターンを設ける工程と、
前記縦方向導電体の前記上面の、前記基層の前記第２面との境界線上をすべて覆う一方、該上面の一部の領域上は覆わないように、前記基層の前記第２面上および前記縦方向導電体の前記上面上に第２の配線パターンを設ける工程と、
前記縦方向導電体の前記下面のうちの前記第１の配線パターンに覆われない領域を覆いかつ前記第１の配線パターンを埋め込むように、前記基層の前記第１面の側に積層状に第１の絶縁層を形成する工程と、
前記縦方向導電体の前記上面のうちの前記第２の配線パターンに覆われない領域を覆いかつ前記第２の配線パターンを埋め込むように、前記基層の前記第２面の側に積層状に第２の絶縁層を形成する工程と
を具備する配線板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電子デバイスを実装するための配線板およびその製造方法に係り、特に、基層として無機材料層を有する配線板およびその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、配線板として、基板素材がエポキシ樹脂などの有機材料である一般的なものに代わり、無機材料のものもその用途を広げている。例えば、半導体チップ部品を大型の配線基板（マザーボードなど）に実装する簡便化するため使われる、端子配置を粗ピッチに変換するインターポーザーもそのひとつである。
【０００３】
インターポーザーは、その面上に電子デバイスである半導体チップが実装され、その形態でさらにこのインターポーザーより大きな配線基板を介して、またはこの形態のインターポーザーがそのまま大型の配線基板に実装される。インターポーザーは、半導体チップ自体と配線基板との面方向の熱膨張率の違いから生じるストレスを緩和する作用もあり、その点で板素材に無機材料を用いると有利である。
【０００４】
一例であるインターポーザーとして、基板材料に半導体チップと同様のシリコンを使用したものが存在する。シリコンの場合、微細な配線の形成方法として半導体製造プロセスで培った技術を活用できるため有用性が大きい。また、別の例のインターポーザーとして、同じく無機材料であるガラスを基板材料とするものも存在する。ガラスに対しては半導体への加工技術をそのまま活用できないものの、素材としてシリコンとの比較で非常に安価でコスト的に有望である。
【０００５】
無機材料の基板素材を用いる場合の留意点としては、有機材料の基板との素材としての違いに基づいて、その貫通導体をどのように構成するかが挙げられる。その主な観点は、一般的に信頼性およびコストになるが、前提として、無機材料としての利点を活かすようにファイン化に寄与する構成が好ましい。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開２０１０−１７１３７７号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
本発明は、電子デバイスを実装するための、少なくとも基層として無機材料層を有する配線板およびその製造方法において、生産効率向上に寄与してコスト削減に貢献しかつ信頼性も高い縦方向導電体が形成された基層を含む配線板およびその製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
上記の課題を解決するため、本発明の一態様である配線板は、第１面と該第１面の反対の側の第２面とを有し、前記第１面から前記第２面に貫通する孔が複数設けられた無機材料製の基層と、前記基層の前記第１面に連なるような下面と前記基層の前記第２面に連なるような上面とを有するように前記基層の前記孔それぞれの内部を充填して配置された、導電性組成物でできた縦方向導電体と、前記縦方向導電体の前記下面の、前記基層の前記第１面との境界線上をすべて覆う一方、該下面の一部の領域上は覆わないように、前記基層の前記第１面上および前記縦方向導電体の前記下面上に設けられた第１の配線パターンと、前記縦方向導電体の前記下面のうちの前記第１の配線パターンに覆われない領域を覆いかつ前記第１の配線パターンを埋め込むように、前記基層の前記第１面の側に積層状に位置する第１の絶縁層と、前記縦方向導電体の前記上面の、前記基層の前記第２面との境界線上をすべて覆う一方、該上面の一部の領域上は覆わないように、前記基層の前記第２面上および前記縦方向導電体の前記上面上に設けられた第２の配線パターンと、前記縦方向導電体の前記上面のうちの前記第２の配線パターンに覆われない領域を覆いかつ前記第２の配線パターンを埋め込むように、前記基層の前記第２面の側に積層状に位置する第２の絶縁層とを具備する。
【０００９】
すなわち、無機材料の基層に貫通形成された孔の内部に設ける縦方向導電体に、その素材として導電性組成物を用いる。導電性組成物には一般に樹脂が含まれている。導電性組成物を用いれば、例えばスクリーン印刷を用いて孔に対してペースト状に調製された導電性組成物の充填工程を効率よく行うことができ、大きなコスト削減を図ることができる。
【００１０】
そして、次に、無機材料である基層と導電性組成物である縦方向導電体との素材の違いに起因する、それらの熱変形による第１（および第２）の絶縁層へのダメージを大きく軽減する構成を有している。具体的には、縦方向導電体の下面の、基層の第１面との境界線上をすべて覆う一方、下面の一部の領域上は覆わないように、基層の第１面上および縦方向導電体の下面上に第１の配線パターンを設けている。このような第１の配線パターンにより、縦方向導電体の熱変形が第１の絶縁層へのせん断力として直に及ぶのを防いでいる。第２の配線パターンと第２の絶縁層との関係も同様である。これにより、第１（および第２）の絶縁層に亀裂が生じるなどの悪影響を防止できる。
【００１１】
さらに、第１の絶縁層は、縦方向導電体の下面のうちの第１の配線パターンに覆われない領域を覆うように設けられているので、縦方向導電体の周りが基層を始めほぼすべて無機材料であっても、樹脂が含まれた縦方向導電体を発生源とする気体や水分の脱出経路として第１の絶縁層を機能させることができ、信頼性維持を図れる。第２の絶縁層についても同様である。以上より、生産効率向上に寄与してコスト削減に貢献しかつ信頼性も高い縦方向導電体が形成された基層を含む配線板が得られることになる。
【００１２】
また、本発明の別の態様である配線板の製造方法は、第１面と該第１面の反対の側の第２面とを有する無機材料製の基層に貫通孔を形成する工程と、前記基層の前記貫通孔内に導電性組成物を充填して、前記基層の前記第１面に連なるような下面と前記基層の前記第２面に連なるような上面とを有する縦方向導電体を形成する工程と、前記縦方向導電体の前記下面の、前記基層の前記第１面との境界線上をすべて覆う一方、該下面の一部の領域上は覆わないように、前記基層の前記第１面上および前記縦方向導電体の前記下面上に第１の配線パターンを設ける工程と、前記縦方向導電体の前記上面の、前記基層の前記第２面との境界線上をすべて覆う一方、該上面の一部の領域上は覆わないように、前記基層の前記第２面上および前記縦方向導電体の前記上面上に第２の配線パターンを設ける工程と、前記縦方向導電体の前記下面のうちの前記第１の配線パターンに覆われない領域を覆いかつ前記第１の配線パターンを埋め込むように、前記基層の前記第１面の側に積層状に第１の絶縁層を形成する工程と、前記縦方向導電体の前記上面のうちの前記第２の配線パターンに覆われない領域を覆いかつ前記第２の配線パターンを埋め込むように、前記基層の前記第２面の側に積層状に第２の絶縁層を形成する工程とを具備する。
【００１３】
この製造方法は、上記の配線板を製造するためのひとつの態様である。
【発明の効果】
【００１４】
本発明によれば、電子デバイスを実装するための、少なくとも基層として無機材料層を有する配線板およびその製造方法において、生産効率向上に寄与してコスト削減に貢献しかつ信頼性も高い縦方向導電体が形成された基層を含む配線板およびその製造方法を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１５】
【図１】一実施形態である配線板の例としてインターポーザーの場合の構成を模式的に示す断面図および要部の平面図。
【図２】図１に示したインターポーザーにおいて縦方向導電体３１が変形することによる影響を示す説明図。
【図３】図１に示したインターポーザーを製造する過程を模式的な断面で示す工程図。
【図４】図３の続図であって、図１に示したインターポーザーを製造する過程を模式的な断面で示す工程図。
【図５】別の実施形態である配線板の例としてインターポーザーの場合の構成を模式的に示す断面図および要部の平面図。
【発明を実施するための形態】
【００１６】
本発明の実施態様として、前記基層が、ガラス製である、とすることができる。無機材料としてガラスは非常に安価であり、同じ無機材料であるシリコンと比較してその点で有利である。
【００１７】
また、実施態様として、前記基層が、前記孔の前記第１面および前記第２面における平面形状がそれぞれ円形であるように前記孔が設けられた基層であり、前記第１の配線パターンが、外側輪郭と内側輪郭とを有する、前記基層の前記孔の前記第１面における前記円形と同心のリング状の形状を有し、前記第２の配線パターンが、外側輪郭と内側輪郭とを有する、前記基層の前記孔の前記第２面における前記円形と同心のリング状の形状を有する、とすることができる。
【００１８】
これは、基層に設ける孔の平面形状の一例であり、かつ、その場合の第１、第２の配線パターンの形状の一例である。孔の平面形状として基層の第１面、第２面においてともに円形とすれば、もっとも孔加工として容易と考えられる。また、第１、第２の配線パターンを孔の平面形状に合わせてリング状の形状とすれば、円形状は微細化に適したパターンと考えられるためファイン化に都合がよい。
【００１９】
また、実施態様として、前記第１の配線パターンの前記内側輪郭から離間してさらに内側に、前記縦方向導電体の前記下面に接触するように設けられた第３の配線パターンをさらに具備し、前記第１の絶縁層が、前記第３の配線パターンをも埋め込むように設けられており、前記第１の絶縁層を貫通するように、前記縦方向導電体に接触する側とは反対の側の前記第３の配線パターン上に設けられた第１絶縁層貫通導体をさらに具備する、とすることができる。
【００２０】
この態様においては、第３の配線パターンは、電気的に第１の配線パターンを補助する導体となるが、かかる第３の配線パターンを設ければ、これを利用してその直上に第１絶縁層貫通導体を設けることができる。したがって、配線板として、第１絶縁層貫通導体の配置の自由度を増加させることができる。
【００２１】
また、実施態様として、前記第２の配線パターンの前記内側輪郭から離間してさらに内側に、前記縦方向導電体の前記上面に接触するように設けられた第３の配線パターンをさらに具備し、前記第２の絶縁層が、前記第３の配線パターンをも埋め込むように設けられており、前記第２の絶縁層を貫通するように、前記縦方向導電体に接触する側とは反対の側の前記第３の配線パターン上に設けられた第２絶縁層貫通導体をさらに具備する、とすることができる。
【００２２】
この態様は、上記の場合と捉え方は同じである。この場合は、基層の、第２の配線パターンおよび第２の絶縁層の設けられた側での利点になる。
【００２３】
以上を踏まえ、以下では本発明の実施形態を図面を参照しながら説明する。図１は、一実施形態である配線板の例としてインターポーザーの場合の構成を模式的に示す断面図（図１（ａ））および要部の平面図（図１（ｂ））である。
【００２４】
同図に示すように、このインターポーザーは、ガラス基層１１、樹脂層（配線層間絶縁層）１２、１３、配線パターン２１ａ、２１ｃ、２２ａ、２２ｃ、ビアホール内めっきビア２１ｂ、２２ｂ、ニッケル金めっき層２１ｄ、２２ｄ、縦方向導電体３１、配線カバー膜（はんだレジスト膜）４１、４２、はんだボール５１を有する。図１（ａ）に示す断面は、図１（ｂ）中に示すＡ−Ａａ位置における断面に相当する。図１（ｂ）の図示は、同図中に示される要素のみを描いた要部の平面図である。
【００２５】
概略として、このインターポーザーは、図１（ａ）図示上面にあるニッケル金めっき層２２ｄの部分を接続ランドに利用して半導体チップ（不図示）が例えばフリップチップボンディングにより実装され、一方、同図示下面にあるはんだボール５１を使用して他のより大型の樹脂製配線基板（不図示）に全体が表面実装され得る構成である。ニッケル金めっき層２２ｄを有するランドの配置ピッチは半導体チップの端子（不図示）のそれに合わせて狭ピッチであり、はんだボール５１は、これより広いピッチで配置されている。
【００２６】
インターポーザーにより、狭端子ピッチの半導体チップ部品の、大型の配線基板（マザーボードなど）への実装が簡便化される。なお、ニッケル金めっき層２２ｄは、これを形成せず、代わりに配線パターン２２ｃ上に銅の金属バンプを形成する形態も考えられる。この場合、この金属バンプは、半導体 チップ（不図示）の実装のため、その半導体チップの面上に設けられた別の金属バンプ（端子）に接続される。
【００２７】
ニッケル金めっき層２２ｄを有する接続ランドは、電気的に、配線パターン２２ｃ、ビアホール内めっきビア２２ｂ、配線パターン２２ａ、縦方向導電体３１、配線パターン２１ａ、ビアホール内めっきビア２１ｂ、配線パターン２１ｃ、ニッケル金めっき層２１ｄを経て、はんだボール５１に導通している。
【００２８】
以上の縦方向および横方向の導体部分が存在する一方、ガラス基層１１、樹脂層１２、１３、配線カバー膜４１、４２は絶縁体であり、これらの積層構成により、上記の導体をそれぞれ図示するように所望に配置させる（あるいは保護する）ことができる。絶縁体のうち、ガラス基層１１は、その名称のとおりガラスを使用したコア層に相当する層であり、樹脂素材よりも熱膨張率が相当に小さいことにより、このインターポーザーに取り付ける半導体チップ（不図示）との熱膨張率の違いで生じるストレスを大きく軽減させることができる。
【００２９】
ガラス基層１１を貫通して設けられた縦方向導電体３１は、ガラス基層１１に貫通形成されたビア孔１１ａ内に配置させた、導電性組成物による導体である。縦方向導電体３１は、基層１１の両面に連なるような下面、上面を有するようにビア孔１１ａそれぞれの内部を充填して設けられている。導電性組成物を用いれば、例えばスクリーン印刷を用いてビア孔１１ａに対してペースト状に調製された導電性組成物の充填工程を効率よく行うことができ、大きなコスト削減を図ることができる。
【００３０】
また、縦方向導電体３１と配線パターン２１ａ、２２ａとは、それらの関係として、ガラス基層１１と縦方向導電体３１との素材の違いに起因する、それらの熱変形による樹脂層１２、１３へのダメージを大きく軽減する構成を有している。具体的には、配線パターン２１ａ（２２ａ）は、縦方向導電体３１の下面（上面）の、基層１１面との境界線上をすべて覆う一方、その下面（上面）の一部の領域上は覆わないように、基層１１の面上および縦方向導電体３１の下面（上面）上に設けられている（図１（ｂ）を参照）。
【００３１】
このような構成により、縦方向導電体３１の熱変形が樹脂層１２（１３）へのせん断力として直に及ぶのを防いでおり、よって、配線パターン２１ａ（２２ａ）を埋め込んで基層１１上に積層された樹脂層１２（１３）に亀裂が生じるなどの悪影響を防止できる。この点を補足的に図示したものが図２である。
【００３２】
図２は、図１に示したインターポーザーにおいて縦方向導電体３１が変形することによる影響を示す説明図であり、図１中で使用した符号については変更せず付している。ガラス基層１１に比較して縦方向導電体３１の熱膨張率は数倍以上大きいため、使用中に周りの電子デバイスの発熱により膨張して縦方向導電体３１の上面、下面においてはガラス基層１１からはみ出す方向に変形しようとする。そこで、図２に示すように、配線パターン２１ａ、２２ａが上記説明済みの位置に設けられることによって、縦方向導電体３１の変形が樹脂層１２、１３へのせん断力として直に及ぶことが回避される。
【００３３】
また、配線パターン２１ａ、２２ａが、縦方向導電体３１の下面、上面の領域のすべてを覆わないように設けられている点については以下の理由がある。すなわち、縦方向導電体３１の周りには基層１１や配線パターン２１ａ、２２ａという無機材料が存在するが、これらの無機材料は、樹脂を含む縦方向導電体３１を発生源とする気体や水分の脱出経路として機能しない。そこで、縦方向導電体３１の下面、上面の一部を樹脂層１２、１３で覆うように構成することで、これらの樹脂層１２、１３を縦方向導電体３１を発生源とする気体や水分の脱出経路として機能させる。これにより縦方向導電体３１として大きな信頼性の維持を図ることができる。
【００３４】
以上説明した点により、この形態によれば、生産効率向上に寄与してコスト削減に貢献しかつ信頼性も高い縦方向導電体３１が形成された基層１１を含むようにインターポーザーを構成できる。
【００３５】
なお、本形態では、より具体的に、ビア孔１１ａの基層１１面における平面形状が円形であり、配線パターン２１ａ、２２ａが、外側輪郭と内側輪郭とを有する、基層１１面のビア孔１１ａの形状と同心のリング状の形状を有している。ビア孔１１ａの平面形状として基層１１面において円形とすれば、もっとも孔加工として容易であり、また、配線パターン２１ａ、２２ａをビア孔１１ａの平面形状に合わせてリング状の形状とすれば、円形状は微細化に適したパターンと考えられるためファイン化に都合がよいと考えられる。
【００３６】
さらに具体的に、ビア孔１１ａの径と配線パターン２１ａ、２２ａの内側輪郭の径との関係を２対１程度に設定し、ビア孔１１ａの径と配線パターン２１ａ、２２ａの外側輪郭の径との関係を２対３程度に設定するのが、バランスのよいひとつのレイアウトになる。このようにすれば、ビア孔１１ａと配線パターン２１ａとの形成位置ずれにも十分対応した上で、説明した効果を維持しかつファイン化も実現する。
【００３７】
以上一実施形態について説明したが、以下補足を行う。配線層間絶縁層である樹脂層１２、１３の構成や、縦方向導電体３１に接触または電気的につながる導体（配線パターン２１ａ、ビアホール内めっきビア２１ｂ、配線パターン２１ｃ、配線パターン２２ａ、ビアホール内めっきビア２２ｂ、配線パターン２２ｃ）の構成については、公知の種々の構成を利用することができる。絶縁層や配線パターンの層数も必要に応じて任意に選択することができる。
【００３８】
例えばビアホール内めっきビアは、これに代えて導電性組成物によるビアを採用してもよい。配線パターンについては、金属箔（例えば銅箔など）のエッチングによるサブトラクティブな形成のほか、導電性ペースト（例えば金属ナノペーストなど）の塗布やめっきによる形成などアディティブな形成を採用することもできる。樹脂層の具体的な材料や、各導体の具体的な材料についても公知の種々のものを活用することができる。
【００３９】
また、ビア孔１１ａについては、その内壁面のガラス素材に導電性組成物による縦方向導電体３１をそのまま対向させる以外に、内壁面上に金属（例えば銅）のめっき層を形成するようにしてから導電性組成物を充填して縦方向導電体３１を形成するようにしてもよい。このようにすれば縦方向導電体としてより低抵抗のものを形成できる。この場合、めっき層の形成厚さの分、縦方向導電体が横方向に大型化するため、めっき層をより薄く形成するなどして縦方向導電体３１の配置密度の低下を防止するように留意する。
【００４０】
また、ガラス基層１１の素材については、この形態のようにガラスを用いるのが低コストを図る上で好ましい。ただし、ガラスに限らず、ほかの無機材料、例えばシリコンのような半導体の板を用いることも可能である。シリコンを用いる場合は、例えば、シリコン基層にビア孔１１ａを形成した後、このシリコン基層を熱酸化工程に供して、ビア孔１１ａの内壁面上を含めて全表面上に熱酸化膜（＝絶縁膜）を形成する。これによればビア孔１１ａ内に導体を位置させてもそれらの導体間の絶縁性は確保でき、また図示の位置に配線パターン２１ａ、２２ａを形成しても支障が生じない。
【００４１】
次に、図１に示したインターポーザーを製造する工程例について以下説明する。図３、図４は、図１に示したインターポーザー基板の、主たる製造過程を示す工程図である。図３、図４において、図１中に示したものと同一、または同一相当のものには同一符号を付してある。
【００４２】
まず、図３（ａ）に示すように、加工前のガラス基層１１（想定される厚さは例えば５０μｍ〜１０００μｍ。典型的には例えば３００μｍ）を用意し、その必要な個所にビア孔１１ａ（孔径は例えば１０μｍ〜１００μｍ。典型的には例えば６０μｍ）を例えばレーザ加工で貫通形成する。レーザ加工に加えフッ酸で孔の内壁をエッチングして拡げあるいは平滑化する処理を行ってもよい。また、ガラス基層１１として感光性ガラスなど、光反応性のガラスを利用すると孔開けの加工がより簡単になる。レーザ加工に代えて、サンドブラストなどの公知の方法による孔形成も採用し得る。
【００４３】
次に、形成されたビア孔１１ａ内に、縦方向導電体３１とすべき導電性組成物を例えばスクリーン印刷を用いて充填する。このとき使用するスクリーン版には、ビア孔１１ａの位置に相当する位置に印刷孔（ピット）が設けられている。印刷する導電性組成物は、熱硬化性樹脂中に微細な金属粒子（例えば銀粒子）が分散され全体として導電性を有する、よく知られた組成物である。
【００４４】
ビア孔１１ａ内に導電性組成物を充填したら、次に、この導電性組成物を乾燥させ、さらに熱硬化する。導電性組成物が乾燥、硬化されることにより縦方向導電体３１になる（図３（ｂ）参照）。以上、ガラス基層１１の部分に関する製造過程である。
【００４５】
次に、図３（ｃ）に示すように、縦方向導電体３１が形成された後のガラス基層１１の上下面上に配線パターン２１ａ、２２ａを形成する。形成方法は、周知の方法、例えば、（１）金属箔（銅箔）を積層してエッチングを行う、（２）スパッター、蒸着、めっきなどのプロセスを利用して金属（銅）パターンを形成する、（３）導電性ペースト（例えば金属ナノペーストなど）の塗布により導電パターンを形成する、などの中から適宜選択することができる。
【００４６】
例としてめっきプロセスで配線パターン２１ａ、２２ａを形成する場合は、例えば以下の工程を行う。まず、縦方向導電体３１が形成された後のガラス基層１１の上下面上に、シード層（例えばクロム層（クロムニッケル層）のあと銅層）を例えばスパッターで形成する。次に、シード層上に位置選択的にレジスト膜を形成し、その状態で電解銅めっき工程を行う。そして、レジスト膜を除去し、さらにレジスト膜下に現れたシード層をエッチング除去する。これにより、レジスト膜による抜けたパターンに従い配線パターン２１ａ、２２ａが形成できる。
【００４７】
配線パターン２１ａ、２２ａが形成できたら、次に、それらの上に樹脂層１２、１３を積層、形成する。樹脂層１２、１３は、例えば、熱硬化性樹脂を用い、当初は未硬化状態のものを積層し加熱加圧して流動化させその後硬化させることで形成できる。次に、形成された樹脂層１２、１３に、形成すべきビアホール内めっきの位置に相当して、ビア孔２１ｈ、２２ｈを例えばレーザ加工により形成する（以上、図４（ａ）を参照）。
【００４８】
そして、ビア孔内を充填してビア２１ｂ、２２ｂを形成するようにかつ配線パターン２１ｃ、２２ｃを形成するように、めっきプロセスを施す（図４（ｂ）を参照）。なお、配線パターン２１ｃ、２２ｃについては、ビア２１ｂ、２２ｂとは別のプロセスまたは方法（配線パターン２１ａ、２２ａでの説明と同様）により設けることもできる。
【００４９】
配線パターン２１ｃ、２２ｃの形成まで終わったら、次に、配線カバー膜４１、４２をパターン形成し、さらにその後、ニッケル金メッキ層２１ｄ、２２ｄの形成を行う。以上より、図１に示したインターポーザーを製造することができる。なお、はんだボール５１の取り付けは、実際上、ニッケル金めっき層２２ｄが形成された接続ランドへの半導体チップ（不図示）の実装後に行われることが多い。
【００５０】
次に、図５を参照して、別の実施形態である配線板の例としてインターポーザーの場合について説明する。図５は、別の実施形態である配線板の例としてインターポーザーの場合の構成を模式的に示す断面図および要部の平面図であり、図１中に示した構成と同一または同一相当のものには同一符号を付してある。その部分については加えるべき事項がない限り説明を省略する。なお、図５（ａ）に示す断面は、図５（ｂ）中に示すＢ−Ｂａ位置における断面に相当する。図５（ｂ）の図示は、同図中に示される要素のみを描いた要部の平面図である。
【００５１】
このインターポーザーの、図１に示したものとの構成上の違いは、配線パターン２１ａ、２２ａの内側輪郭から離間してさらに内側に、縦方向導電体３１の上下面に接触するように、新たに導体（配線パターン２１ａ１、２２ａ１）がそれぞれ設けられている点である。配線パターン２２ａ１、２２ａ１は、ガラス基層１１を平面視する方向において同じ投影図形である。電気的に、新たな配線パターン２１ａ１はもとの配線パターン２１ａを補助する導体として、新たな配線パターン２２ａ１はもとの配線パターン２２ａを補助する導体として、それぞれ捉えることができる。なお、新たな配線パターン２２ａ１、２２ａ１は、これらのうち一方のみを新たに設けるとする構成も考えられる。
【００５２】
このインターポーザーおいては、新たに配線パターン２１ａ１、２２ａ１を設けているため、配線パターン２１ａ１、２２ａ１の直上に、図示するように、ビアホール内めきビア２１ｂ、２２ｂを設けることができる。したがって、インターポーザーとしてビアの配置の自由度を増加させていることになる。換言すると、ビアホール内めっきビア２１ｂ、２２ｂの配置については、図１に示したインターポーザーでのそれと同様の位置を保つこともできる。
【００５３】
なお、配線パターン２１ａ、２１ａ１、２２ａ、２２ａ１が、縦方向導電体３１の下面、上面の領域のすべてを覆わないように設けられている点については、図１に示した形態と同じであり、このことによる効果は維持されている。図５に示すインターポーザーの製造工程については特に説明しないが、上記の構成の説明、および図３、図４を参照して説明した製造工程の点から容易に把握することができる。
【００５４】
以上の実施形態の説明は、例としてインターポーザーの場合を挙げたが、インターポーザーに限らず一般的な配線板の場合であっても、生産効率向上に寄与してコスト削減に貢献しかつ信頼性も高い縦方向導電体が形成された基層を有するという効果の点は変わらない。
【符号の説明】
【００５５】
１１…ガラス基層、１１ａ…ビア孔、１２，１３，１４，１５…樹脂層（配線層間絶縁層）、２１ａ，２１ａ１，２１ｃ，２２ａ，２２ａ１，２２ｃ…配線パターン、２１ｂ，２２ｂ…ビアホール内めっきビア、２１ｄ，２２ｄ…ニッケル金めっき層、２１ｈ，２２ｈ…ビア孔、３１…縦方向導電体、４１，４２…配線カバー膜（はんだレジスト膜）、５１…はんだボール。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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