(57)【要約】【課題】デスミア処理を高い処理効率で行うことができるデスミア処理方法およびデスミア処理装置を提供すること。【解決手段】ビアホールが形成された樹脂絶縁層と導電層とが積層されてなる配線基板材料に残存する当該樹脂絶縁層を由来とするスミアを除去するデスミア処理方法において、波長２２０ｎｍ以下の紫外線を、当該紫外線によって活性化される活性種源を含む処理用ガスの雰囲気下において、配線基板材料に照射する紫外線照射処理を、配線基板材料に振動を与えた状態で、行う。デスミア処理装置は、処理室内に配置された配線基板材料に光透過窓を介して前記紫外線を照射する紫外線光源と、前記処理用ガスを処理室内に供給する処理用ガス供給手段と、配線基板材料に振動を与える振動付与手段とを備える。【選択図】  図２
2015122403.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ビアホールが形成された樹脂絶縁層と導電層とが積層されてなる配線基板材料に残存する当該樹脂絶縁層を由来とするスミアを除去するデスミア処理方法において、
波長２２０ｎｍ以下の紫外線を、当該紫外線によって活性化される活性種源を含む処理用ガスの雰囲気下において、当該配線基板材料に照射する紫外線照射処理を、当該配線基板材料に振動を与えた状態で、行うことを特徴とするデスミア処理方法。
【請求項２】
前記配線基板材料の振動周波数が７〜１０７Ｈｚであることを特徴とする請求項１に記載のデスミア処理方法。
【請求項３】
ビアホールが形成された樹脂絶縁層と導電層とが積層されてなり、当該樹脂絶縁層を由来とするスミアが残存する配線基板材料のデスミア処理装置であって、
前記配線基板材料が内部に配置される処理室と、当該処理室内に配置された配線基板材料に光透過窓を介して波長２２０ｎｍ以下の紫外線を照射する紫外線光源と、前記処理室内に、当該紫外線光源からの紫外線によって活性化される活性種源を含む処理用ガスを供給する処理用ガス供給手段と、前記処理室内に配置された配線基板材料に振動を与える振動付与手段とを備えていることを特徴とするデスミア処理装置。
【請求項４】
前記振動付与手段による前記配線基板材料の振動周波数が７〜１０７Ｈｚであることを特徴とする請求項３に記載のデスミア処理装置。
【請求項５】
前記振動付与手段は、前記配線基板材料をその表面に沿った方向において振動させるものであることを特徴とする請求項３に記載のデスミア処理装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、例えば、配線基板の製造工程において不可避的に生ずる樹脂などの有機物質に由来するスミアを処理するのに好適なデスミア処理方法およびデスミア処理装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体集積回路素子等の半導体素子を搭載するための配線基板としては、例えば、絶縁層と導電層（配線層）とが交互に積層されてなる多層配線基板が知られている。このような多層配線基板においては、一の導電層と他の導電層とを電気的に接続するため、１つの若しくは複数の絶縁層を厚み方向に貫通して伸びるビアホールやスルーホールが形成されている。
多層配線基板の製造工程においては、絶縁層と導電層とが積層されてなる配線基板材料に、例えばドリル加工やレーザ加工を施すことによって絶縁層や導電層の一部を除去することにより、ビアホールやスルーホールが形成される。そして、ビアホールやスルーホールの形成においては、配線基板材料には絶縁層や導電層を構成する材料に由来するスミア（残渣）が生じる。このため、当該配線基板材料に対してスミアを除去するデスミア処理が行われる。
【０００３】
配線基板材料のデスミア処理方法としては、例えば酸素が存在する雰囲気下において、波長２００ｎｍ以下の真空紫外線を配線基板材料に照射することにより、スミアを分解して除去する乾式（ドライプロセス）による方法が知られている。特に、エキシマランプから放射される真空紫外線により生成されるオゾン等の活性酸素を利用した方法は、より効率良く短時間で所定の処理を行うことができることから、好適に利用されている。
例えば、特許文献１には、ドライデスミア処理において、オゾンから分解発生した活性種（活性酸素原子）を利用して有機物の分解、除去が行われることが記載されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開平８−１８０７５７号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
而して、近年においては、配線基板における配線パターンの微細化の要請に伴って、孔径の小さいビアホールを形成することが求められている。
しかしながら、孔径の小さいビアホールを有する配線基板材料に対してデスミア処理を行う場合には、所要のデスミア処理を確実に行うことが困難であるのが実情であった。
【０００６】
本発明は、以上のような事情に基づいてなされたものであって、デスミア処理を高い処理効率で行うことができるデスミア処理方法およびデスミア処理装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明のデスミア処理方法は、ビアホールが形成された樹脂絶縁層と導電層とが積層されてなる配線基板材料に残存する当該樹脂絶縁層を由来とするスミアを除去するデスミア処理方法において、
波長２２０ｎｍ以下の紫外線を、当該紫外線によって活性化される活性種源を含む処理用ガスの雰囲気下において、当該配線基板材料に照射する紫外線照射処理を、当該配線基板材料に振動を与えた状態で、行うことを特徴とする。
【０００８】
本発明のデスミア処理方法においては、前記配線基板材料の振動周波数が７〜１０７Ｈｚであることが好ましい。
【０００９】
本発明のデスミア処理装置は、ビアホールが形成された樹脂絶縁層と導電層とが積層されてなり、当該樹脂絶縁層を由来とするスミアが残存する配線基板材料のデスミア処理装置であって、
前記配線基板材料が内部に配置される処理室と、当該処理室内に配置された配線基板材料に光透過窓を介して波長２２０ｎｍ以下の紫外線を照射する紫外線光源と、前記処理室内に、当該紫外線光源からの紫外線によって活性化される活性種源を含む処理用ガスを供給する処理用ガス供給手段と、前記処理室内に配置された配線基板材料に振動を与える振動付与手段とを備えていることを特徴とする。
【００１０】
本発明のデスミア処理装置においては、前記振動付与手段による前記配線基板材料の振動周波数が７〜１０７Ｈｚであることが好ましい。
【００１１】
また、本発明のデスミア処理装置においては、前記配線基板材料をその表面に沿った方向において振動させるものであることが好ましい。
【発明の効果】
【００１２】
本発明のデスミア処理方法によれば、配線基板材料の振動に伴うビアホール内のガスに対する攪拌作用によって、ビアホール内のガスの換気が促進されるので、真空紫外線および真空紫外線の照射により生成される活性種を、継続的にスミアの分解処理に寄与させることができる。
【００１３】
上記のデスミア処理方法が実施される本発明のデスミア処理装置によれば、スミアの分解に由来して発生した反応生成ガスの存在によって、活性種によるスミアの分解除去およびスミアに対する紫外線照射が阻害されることを回避することができ、デスミア処理を高い処理効率で行うことができる。
【図面の簡単な説明】
【００１４】
【図１】本発明のデスミア処理装置の一例における要部の構成の概略を示す、紫外線ランプの配列方向に垂直な平面で切断した断面図である。
【図２】図１に示すデスミア処理装置の、紫外線ランプの中心軸に垂直な平面で切断した断面図である。
【図３】本発明の作用効果を示す観念図である。
【図４】本発明のデスミア処理装置の他の例における要部の構成の概略を示す、紫外線ランプの中心軸に垂直な平面で切断した断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１５】
以下、本発明の実施の形態について詳細に説明する。
図１は、本発明のデスミア処理装置の一例における要部の構成の概略を示す、紫外線ランプの配列方向に垂直な平面で切断した断面図である。図２は、図１に示すデスミア処理装置の、紫外線ランプの中心軸に垂直な平面で切断した断面図である。
このデスミア処理装置は、被処理物としての平板状の配線基板材料１０が内部に配置される処理室２０と、処理室２０内に配置された配線基板材料１０に、光透過窓を介して波長２２０ｎｍ以下の紫外線を照射する紫外線ランプ３５よりなる紫外線光源が内部に配置されたランプ室３０とを備えている。
【００１６】
配線基板材料１０は、図３を参照して説明すると、例えば、樹脂絶縁層１１の一面上に導電層（配線導体）１２が積層され、この導電層１２の一面上にビアホール１４が形成された樹脂絶縁層１３が積層されてなり、製造過程において不可避的に形成された樹脂絶縁層１３を由来とするスミアＳがビアホール１４内に残存しているものである。
【００１７】
処理室２０は、上方向および下方向に開口する矩形枠状の筐体２１と、筐体２１の上方側の開口を気密に塞ぐ光透過窓と、筐体２１の内部に下方側の開口から収容されて筐体２１の下方側の開口を気密に塞ぐよう配置された保持台（ステージ）２８とによって区画されて構成されている。保持台２８は、水平な平坦面からなる配線基板材料載置面２８ａを有する。
【００１８】
筐体２１の上方の開口端部には、内周縁の全周にわたって形成された段部（凹部）によって光透過窓支持部２２が形成されている。
また、筐体２１における互いに対向する一対の側壁には、光透過窓支持部２２を構成する平坦面に近接した位置において、処理用ガス供給部２３ａおよびガス排出部２３ｂが形成されている。具体的には例えば、処理用ガス供給部２３ａおよびガス排出部２３ｂは、各々例えば側壁を貫通して水平方向に延びるスリットにより構成されている。また、処理用ガス供給部２３ａおよびガス排出部２３ｂは、ランプの中心軸方向に互いに離間して並んだ位置に形成された複数の貫通孔により構成されていてもよい。
【００１９】
光透過窓は、矩形平板状の窓部材２５により構成されており、その四周が枠状の保持部材２６によって保持されている。
窓部材２５を構成する材料としては、紫外線ランプ３５から放射される紫外線に対する透過性を有すると共に紫外線およびオゾンに対する耐性を有するものであればよく、例えば石英ガラスを用いることができる。
【００２０】
そして、窓部材２５は、その光出射面２５ａおよび光入射面２５ｂが水平方向に延びる姿勢で、保持部材２６が筐体２１の光透過窓支持部２２における平坦面上に配置されており、配線基板材料１０の表面と窓部材２５の光出射面２５ａとが近接して配置された状態とされている。
配線基板材料１０の表面と窓部材２５の光出射面２５ａとの間の離間距離の大きさは、例えば１ｍｍ以下とされ、好ましくは０．５〜１．０ｍｍである。配線基板材料１０の表面と窓部材２５の光出射面２５ａとの間の離間距離の大きさが１ｍｍ以下であることにより、オゾンおよび活性酸素を安定して生成することができると共に、配線基板材料１０の被処理面に到達する真空紫外線を十分な大きさの強度（光量）とすることができる。
【００２１】
このデスミア処理装置は、紫外線ランプ３５からの紫外線によって活性化される活性種源を含む処理用ガスを、処理用ガス供給部２３ａを介して処理室２０内に供給する処理用ガス供給手段（図示せず）を備えている。処理室２０内に供給された処理用ガスは、配線基板材料１０の表面と窓部材２５の光出射面２５ａとの間の間隙を配線基板材料１０の表面に沿って流通され、ガス排出部２３ｂより排出される。
処理用ガスとしては、例えば、酸素ガスまたは酸素ガスにオゾンが混合された混合ガス、水蒸気などを用いることができる。ここに、処理用ガスとして水蒸気を用いた場合には、活性種として、酸素ラジカルに加えて、水酸化ラジカル（ＯＨラジカル）が生成される。
処理用ガスにおける酸素濃度は、例えば５０体積％以上であることが好ましい。酸素濃度が５０体積％以上である処理用ガスが用いられることにより、真空紫外線によって生成されるオゾンおよび活性種（酸素ラジカル）の量を多くすることができて所期の処理を確実に行うことができる。
【００２２】
ランプ室３０は、下方に開口部を有する略直方体の箱型形状のケーシング３１が、その開口端面が処理室２０を構成する筐体２１の上方側の開口端面に対接された状態で、配置されて構成されている。これにより、ケーシング３１の開口部が気密に閉塞されて処理室２０の内部空間と窓部材２５によって気密に区画された内部空間が形成されている。
ケーシング３１には、例えば窒素ガスの不活性ガスをパージする不活性ガスパージ手段（図示せず）が設けられている。
【００２３】
ランプ室３０内には、一方向に長尺な複数の紫外線ランプ３５が、ランプ中心軸が保持台２８の配線基板材料載置面２８ａに平行な同一の水平面に位置されると共に互いに平行に処理用ガスの流通方向に延びる状態で、並設されている。ここに、紫外線ランプ３５の数は、特に限定されるものではなく、目的に応じて適宜に設定することができる。
紫外線ランプ３５としては、例えば、波長１８５ｎｍにピークを有する紫外線を放射する低圧水銀ランプ、波長１８０〜３７０ｎｍの紫外線を放射する重水素ランプ、中心波長が１７２ｎｍの真空紫外線を放射するキセノンエキシマランプを用いることができる。これらのうちでも、真空紫外線の強度が高く、活性種を効率よく生成することができることから、キセノンエキシマランプを用いることが好ましい。この例においては、例えば長手方向に垂直な断面による断面形状が扁平な矩形状の紫外線ランプが用いられている。
【００２４】
而して、上記のデスミア処理装置は、処理室２０内に配置された配線基板材料１０をその表面に沿った方向において振動させる振動付与手段を備えている。
この例における振動付与手段は、例えば、回転駆動軸４１に偏心重錘４２が取り付けられた振動モータ４０により構成されており、振動モータ４０がその回転駆動軸４１が水平面内においてランプ中心軸方向（処理用ガスの流通方向）に延びる姿勢で保持台２８の底面に固定されて設けられている。具体的には例えば、一の振動モータ４０が、保持台２８の底面における、処理用ガスの流通方向下流側であって、ランプ中心軸方向の一端側の位置に設けられている。
【００２５】
また、保持台２８の底面における４隅の位置には、各々鉛直方向に延びる支持脚部４５が設けられている。各々の支持脚部４５の下端には、移動用のコロ４６がその回転中心軸が振動モータ４０の回転駆動軸４１と平行に延びるよう設けられている。４７は、紫外線ランプ３５の配列方向に並ぶ２つの支持脚部４５を互いに連結固定する補強部材である。
さらに、デスミア処理装置が載置される床面上の、各々のコロ４６の外側位置には、紫外線ランプ３５の配列方向に延びる一対の板状のガイド部材５０が互いに対向して敷設されている。
【００２６】
以下、上記構成のデスミア処理装置によるデスミア処理方法について説明する。
このデスミア処理装置においては、処理用ガス供給手段によって、処理用ガス（図１において白抜きの矢印で示す。）が処理用ガス供給部２３ａを介して処理室２０内に供給される。処理用ガスは、配線基板材料１０の表面と窓部材２５の光出射面２５ａとの間の間隙を、配線基板材料１０の表面および窓部材２５の光出射面２５ａに沿って流通されてガス排出部２３ｂから排出される。一方、不活性ガス供給手段（図示せず）によって、例えば窒素ガスなどの不活性ガスがランプ室３０内に供給され、当該不活性ガスがランプ室３０内に流通されることによりランプ室３０内の雰囲気が不活性ガス雰囲気に置換される。
【００２７】
そして、振動モータ４０が駆動されることによって、処理室２０およびランプ室３０の全体が、配線基板材料１０の表面に沿った方向、主として処理用ガスの流通方向に直交する方向（以下、「主振動方向」ともいう。）に振動され、その結果として、処理室２０内に配置された配線基板材料１０が振動される。
振動モータ４０による配線基板材料１０の主振動方向の振動周波数は、例えば７〜１０７Ｈｚであることが好ましく、より好ましくは９．２〜１００Ｈｚであり、特に好ましくは１３．８〜７１．４Ｈｚである。
振動モータ４０による配線基板材料１０の主振動方向の振幅は、例えば５０μｍ以上であることが好ましく、より好ましくは１〜２ｍｍである。
配線基板材料１０がこのような条件で振動されることにより、後述する実験例の結果に示されるように、所期のデスミア処理を効率よく行うことができる。
なお、この例では、配線基板材料１０の表面に沿った方向だけでなく、配線基板材料１０の表面に垂直な方向（鉛直方向）にも振動する。
【００２８】
この状態で、ランプ室３０内の紫外線ランプ３５が一斉に点灯されることにより、紫外線ランプ３５からの真空紫外線が窓部材２５を介して配線基板材料１０の表面に向かって照射される。これにより、配線基板材料１０の被処理面に到達する真空紫外線、並びに、真空紫外線が処理用ガスに照射されることにより生成されるオゾンおよび活性種（酸素ラジカル）によって、配線基板材料１０におけるビアホール１４の底部に形成されたスミア（有機物樹脂）が分解、除去される。
配線基板材料１０に照射される紫外線の照度は、例えば１０〜２００ｍＷ／ｃｍ2 である。また、配線基板材料１０に対する紫外線照射時間は、紫外線の照度やスミアの残留状態などを考慮して適宜設定されるが、例えば５０〜３００秒間である。なお、上記のようなデスミア処理は、不活性ガスおよび処理用ガスが継続して供給されながら、行われる。
【００２９】
而して、図３（ａ）に示すように、デスミア処理初期時においては、真空紫外線（便宜上、斜線を付した矢印で示す。）の照射によって活性種源が活性化された処理用ガス（以下、「活性種含有ガス」という。）は、配線基板材料１０におけるビアホール１４内に進入して当該活性種含有ガス中の活性種がスミアＳの分解、除去に寄与する。これにより、図３（ｂ）に示すように、ビアホール１４内においては、一部のスミアＳの分解によって、例えば二酸化炭素ガスや水蒸気などの反応生成ガスが生成されることとなる。
しかしながら、単に処理用ガスを流通させながら真空紫外線を照射するだけであれば、ビアホール１４内で発生した反応生成ガスは、活性種含有ガスよりも分子量が大きいものであるため、ビアホール１４の外部に放出されにくく、ビアホール１４内に滞留することとなる。そして、反応生成ガスがビアホール１４内に滞留していると、図３（ｃ）に示すように、当該反応生成ガスの存在によって、活性種含有ガスがビアホール１４内に進入することが阻害されたり、真空紫外線が遮光されたりして、デスミア処理の処理効率が低下してしまう。
【００３０】
然るに、配線基板材料１０をその表面に沿った方向に振動させながら、紫外線照射処理が行われることにより、上記のデスミア処理方法によれば、ビアホール１４内のガスの換気が促進されることとなる。すなわち、配線基板材料１０の振動に伴うビアホール１４内に滞留する反応生成ガスに対する攪拌作用によって、図３（ｄ）に示すように、当該反応生成ガスがビアホール１４の外部に放出されやすくなり、反応生成ガスの排出に伴って活性種含有ガスがビアホール１４内に進入する。これにより、図３（ｅ）に示すように、活性種および真空紫外線を継続的にスミアＳの分解除去処理に寄与させることができるようになる。そして、ビアホール１４の外部に放出された反応生成ガスは、流通される活性種含有ガスの流れに乗って、ガス排出部２３ｂから排出される。
従って、このようなデスミア処理方法が実施される上記構成のデスミア処理装置によれば、スミアＳの分解に由来して発生した反応生成ガスの存在によって、活性種およびオゾンによるスミアＳの分解除去およびスミアに対する紫外線照射が阻害されることを回避することができ、デスミア処理を高い処理効率で行うことができる。
【００３１】
以上、本発明の実施形態について説明したが、本発明は上記の実施形態に限定されるものではなく、種々の変更を加えることができる。
本発明のデスミア処理装置においては、配線基板材料をその表面に沿った方向に所定の条件で振動させることができるよう構成されていれば、振動付与手段の配置位置などの具体的な構成は特に制限されるものではない。例えば振動付与手段は保持台に直接的に設けられた構成とされている必要はなく、図４に示すように、例えば振動板６０を介して間接的に振動を伝達する構成とされていてもよい。このデスミア処理装置においては、処理室２０の底面に振動板６０が設けられており、この振動板６０の上面上に振動源としての振動モータ４０が設けられている。また、振動源が設けられる位置および数についても、特に制限されるものではない。さらに、振動源は、振動モータに限定されるものではなく、例えば油空圧シリンダ等が用いられていてもよい。
【００３２】
また、本発明のデスミア処理装置においては、デスミア処理が配線基板材料における被処理面の温度を上昇させた状態で行われる構成とされていることが好ましい。
具体的には例えば、保持台に、配線基板材料を加熱する加熱機構が設けられた構成とすることができる。このような構成によれば、配線基板材料の被処理面の温度が上昇されることに伴ってオゾンおよび活性種による作用を促進させることができるので、効率よく処理を行うことができる。
さらにまた、処理用ガスを加熱して昇温させた状態で処理用空間を流通させることにより、被処理物の被処理面の温度を上昇させるようにしても、同様の効果を得ることができる。
加熱条件としては、被処理物の被処理面の温度が、例えば８０℃以上、３４０℃以下となる条件であることが好ましく、より好ましくは、８０℃以上、２００℃以下となる条件である。
【００３３】
さらにまた、本発明のデスミア処理装置においては、紫外線照射処理が施された配線基板材料に物理的振動を与える物理的振動処理手段が振動付与手段とは別個に設けられた構成とすることができる。物理的振動処理手段としては、例えば水を振動媒体として超音波振動を与える超音波発振子を用いることができる。このような構成とされていることにより、所期のデスミア処理を一層確実に行うことができる。
【００３４】
以下、本発明の効果を確認するために行った実験例について説明する。
【００３５】
図１および図２に示す構成のデスミア処理装置を用い、ランプ室（３０）内の雰囲気を窒素ガスに置換すると共に処理室（２０）内に処理用ガスを流通させた状態で、試験用配線基板材料を振動モータ（４０）によって所定の振動条件で振動させながら、紫外線を所定の照射条件で試験用配線基板材料に照射することにより、試験用配線基板材料のデスミア処理を行った。なお、振動条件および紫外線線処理条件は、デスミア処理後においても、敢えて試験用配線基板材料のスミアが残存する条件に設定した。デスミア処理装置の仕様および処理条件は次に示すとおりである。
【００３６】
［試験用配線基板材料］
銅箔上に貫通孔が形成された絶縁層が積層されてなり、絶縁層に由来するスミアが貫通孔の底部に残留しているもの
絶縁層：材質；平均粒子径が１．０μｍのシリカが４０質量％の割合でエポキシ樹脂中に含有されてなるもの（ＡＢＦ）、厚み；１００μｍ
銅箔：厚み；１００μｍ
［処理用ガス］
酸素ガスにオゾンが混合された混合ガス、酸素濃度；９０体積％、オゾン濃度；１０体積％
流量：１．０リットル／ｍｉｎ
［振動条件］
主振動方向（処理用ガスの流通方向に直交する方向）の振動振幅：約１ｍｍ
主振動方向の振動周波数：０〜１２０Ｈｚの範囲内
［紫外線照射条件］
紫外線ランプ（３５）：キセノンエキシマランプ、ランプの数：８本
窓部材（２５）の光出射面における紫外線照度：６０ｍＷ／ｃｍ2 
紫外線照射時間：１５０ｓｅｃ
窓部材（２５）の光出射面（２５ａ）と試験用配線基板材料の表面との離間距離の大きさ（ｄ）：１．０ｍｍ
【００３７】
そして、試験用配線基板材料を振動させずにデスミア処理を行ったときのスミア除去率を基準（１００％）とし、試験用配線基板材料の主振動方向の振動周波数を下記表１に従って変更してデスミア処理行ったときのスミア除去率の相対値（相対効果）を調べた。結果を下記表１に示す。
【００３８】
【表１】
2015122403.tif 000003
【００３９】
以上の結果より、試験用配線基板材料をその表面に沿った方向に振動させながら、紫外線照射処理が行われることにより、主振動方向の振動周波数が７〜１０７Ｈｚの範囲内となる条件において、スミア除去率の相対値（相対効果）が１０５％を超え、スミアを効率よく除去することができることが確認された。特に、試験用配線基板材料を、主振動方向の振動周波数が９．２〜１００Ｈｚの範囲内となる条件で、振動させることにより、実用上十分に高い効果（スミア除去率の相対値（相対効果）が１０８％以上）が得られることが確認された。ここに、スミア除去率の相対値（相対効果）の評価基準を「１０５％」とした理由は、次のとおりである。すなわち、デスミア処理が行われた試験用配線基板材料について、例えば電子顕微鏡によって目視にてスミアの残存が確認されないものであっても、画像処理を行うことにより最大で約５％のスミアが検出されることが判明した。このスミアの残量は、実際上何ら問題はなく、許容誤差であると認められ、従って、相対効果についても、最大で５％程度の許容誤差が含まれると考えられるからである。
【符号の説明】
【００４０】
１０  配線基板材料
１１  樹脂絶縁層
１２  導電層
１３  樹脂絶縁層
１４  ビアホール
Ｓ  スミア
２０  処理室
２１  筐体
２２  光透過窓支持部
２３ａ  処理用ガス供給部
２３ｂ  ガス排出部
２５  窓部材
２５ａ  光出射面
２５ｂ  光入射面
２６  保持部材
２８  保持台
２８ａ  配線基板材料載置面
３０  ランプ室
３１  ケーシング
３５  紫外線ランプ
４０  振動モータ
４１  回転駆動軸
４２  偏心重錘
４５  支持脚部
４６  コロ
４７  補強部材
５０  ガイド部材
６０  振動板
【図１】
2015122403.tif 000004
【図２】
2015122403.tif 000005
【図３】
2015122403.tif 000006
【図４】
2015122403.tif 000007